(57)【要約】【課題】カップ形の砥石を用いてウェハの一面を研削するに際し、ウェハの特定の外周部が多く削られてしまうことを防止する。【解決手段】カップ形の砥石３０を用いてウェハ４０を研削するに際し、台座２０の上であって砥石３０の加工面３１の軌道上に落ち込み防止基板５０を配置する。これにより、台座２０に対向する砥石３０の加工面３１がウェハ４０とウェハ４０との間の隙間に露出する台座２０に対向したとしても、落ち込み防止基板５０によって砥石３０の加工面３１がウェハ４０の一面４１よりも低い位置になることはない。このように、ウェハ４０の特定の外周部に砥石３０の荷重が局所的に高くかからないため、当該特定の外周部がウェハ４０の一面４１内で多く削られてしまうことを防止することができる。【選択図】図３−１
2009166150.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カップ形の砥石（３０）に設けられたリング状の加工面（３１）を複数の板状のウェハ（４０）の一面（４１）にそれぞれ押し付けて前記各一面（４１）をロータリー研削する研削工程を含んだウェハの製造方法であって、
前記研削工程は、
前記ウェハ（４０）を複数用意する工程と、
前記台座（２０）の上に前記複数のウェハ（４０）を配置するとともに、前記台座（２０）の上であって当該台座（２０）の中心を通過するように設定されたカップ型の砥石（３０）に設けられたリング状の加工面（３１）の前記台座（２０）上に位置する領域で、前記台座（２０）の中心（６４）から前記台座（２０）の一方の端部（６５）までの前記台座（２０）上に位置する前記加工面（３１）の領域において、少なくとも１点が前記台座（２０）上に貼り付けられた前記ウェハ（４０）あるいは落ち込み防止基板（５０、５１）と接触するとともに、前記台座（２０）の中心（６４）から前記台座（２０）の他方の端部（６６）までの前記台座（２０）上に位置する前記加工面（３１）の領域においても少なくとも１点が前記台座（２０）上に貼り付けられた前記ウェハ（４０）あるいは落ち込み防止基板（５０、５１、５２）と接触するように配置した前記台座（２０）上の前記ウェハ（４０）あるいは前記落ち込み防止基板（５０、５１）を研削する工程を含むことを特徴とするウェハの製造方法。
【請求項２】
前記落ち込み防止基板（５０）を配置する工程では前記落ち込み防止基板（５０）を前記台座（２０）の中心に配置することを特徴とする請求項１に記載の研削工程を含んだウェハの製造方法。
【請求項３】
前記落ち込み防止基板を配置する工程では前記落ち込み防止基板（５２）を前記台座（２０）の外周にリング状に配置することを特徴とする請求項１に記載の研削工程を含んだウェハの製造方法。
【請求項４】
前記落ち込み防止基板を配置する工程では前記台座（２０）に配置された前記ウェハ（４０）間の隙間に落ち込み防止基板（５１）を配置することで前記台座（２０）の中心を中心とした円周で前記ウェハ（４０）と前記落ち込み防止基板（５１）の隙間の間隔が前記砥石（３０）に設けられたリング状の前記加工面（３１）の径方向の幅以下になる前記台座（２０）の径以下の径をもつ円周があるように配置することを特徴とする請求項１に記載の研削工程を含んだウェハの製造方法。
【請求項５】
台座の中心を通過するように配置されたカップ形の砥石（３０）に設けられたリング状の加工面（３１）を台座（２０）上に配置された複数の板状のウェハ（４０）の一面（４１）にそれぞれ押し付けて前記各一面（４１）をロータリー研削する研削工程を含んだウェハの製造方法であって、
前記研削工程は、
前記ウェハ（４０）を複数用意する工程と、
隣同士の前記ウェハ（４０）との間隔を近接させて前記台座（２０）の中心を中心とした円周で隣り合って配置された前記ウェハ（４０）の隙間の間隔が前記砥石（３０）に設けられたリング状の前記加工面（３１）の径方向の幅以下になる前記台座（２０）の径以下の径をもつ円周があるように前記台座（２０）の上に前記複数のウェハ（４０）を配置する工程と、
前記砥石（３０）の加工面（３１）にて前記ウェハ（４０）の一面（４１）を研削する工程とを含んでいることを特徴とするウェハの製造方法。
【請求項６】
前記ウェハ（４０）を複数用意する工程では、前記ウェハ（４０）として炭化珪素で形成されたものを用意することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カップ形の砥石で複数のウェハを研削する研削工程を含んだウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ロータリー研削盤を用いて石英の板や半導体ウェハなどのワークを研削する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、以下のようにしてワークを研削する。
【０００３】
まず、ワークとして一枚のウェハをワーク取付台の上に設置する。続いて、カップ型の研削砥石の加工面とウェハの被加工面とが接触する位置まで研削砥石を移動する。そして、回転させた研削砥石を自転するウェハと研削砥石とが接触する方向に一定速度で送り、研削砥石をウェハに押し付けてウェハの被加工面を研削する。
【特許文献１】特開平５−１８５３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、複数のウェハを同時にカップ型の砥石にて研削しようとすると問題が発生することが発明者らによって明らかとなった。以下、このことについて、図７および図８を参照して説明する。
【０００５】
図７は、ロータリー研削盤を用いてウェハを研削する工程を示した図である。この図に示されるように、円柱状の台座６０の上に複数のウェハ６１が配置されている。また、台座６０の上方にカップ形の砥石６２が配置されている。このカップ形の砥石６２は容器の開口端に例えば、ダイヤモンド砥粒を含有する加工面６３が設けられたものであり、砥石６２の加工面６３が台座６０の中心軸を通過するように台座６０の上方に配置されている。なお、カップ形の砥石６２として、ストレートカップ形、テーパーカップ形、皿形等のものを採用することもできる。また、砥石６２の開口端とは、側面および底面で構成される有底円筒（すなわちカップ）において、底面の反対側に開口した端面のうち開口部分を除いた端面のことである。
【０００６】
そして、ウェハ６１の上に図示しない研削水を流しながら、砥石６２を複数のウェハ６１に押し付けて台座６０と砥石６２とを互いに逆方向に回転させる。この場合、複数枚のウェハ６１が貼り付けられた台座６０が回転し、中心軸が固定され台座中心を通って回転する砥石６２にウェハ６１が入ったり出たりの回転を繰り返す加工となる。これにより、砥石６２の加工面６３にてウェハ６１の一面を研削する。砥石６２にてウェハ６１を所望の研削量だけ研削すると、複数のウェハ６１の研削が同時に完了する。
【０００７】
この場合、台座６０に複数のウェハ６１を配置しているため、軸の固定された砥石６２は台座中心を通って回転する。この砥石６２の開口端が回転する台座６０に貼り付けられた複数枚のウェハ６１とウェハ６１との間の隙間に落ち込んでしまうことで、ウェハ６１のうちウェハ表面の外周面と側面とで構成される角部が多く削られてしまう研削ダレが発生してしまう。これは、複数枚固定されたウェハ６１が１枚１枚砥石６２を通過するたびに発生する。この様子を図８に示す。
【０００８】
図８（ａ）は砥石６２がウェハの間に落ち込む様子を示した断面図、図８（ｂ）は図７において、砥石６２側から台座６０側を見た平面図である。図８（ｂ）では、砥石６２のうち加工面６３のみ示している。
【０００９】
図８（ａ）に示されるように、砥石６２の加工面６３がウェハ６１の一面からウェハ６１間の隙間に移動する際や、砥石６２の加工面６３がウェハ６１間の隙間からウェハ６１の一面に移動する際に、砥石６２の加工面６３の接触点がウェハ６１から落ちたり、乗り上げたりすることでウェハ６１の前記角部と称した特定の外周領域に砥石６２から大きな荷重が掛かる。その際、台座６０の中心を通過するように配置されたカップ型の砥石６２に設けられたリング状の加工面６３の台座６０上に位置する領域で台座６０の中心６４から台座６０の一方の端部６５までの台座６０上に位置する加工面６３の領域において、少なくとも１点が台座６０上に貼り付けられたウェハ６１と接触するが、台座６０の中心から台座６０の他方の端部６６までの台座６０上に位置する加工面６３の領域においては台座６０上に貼り付けられたウェハ６１と接触せず台座６０の中心に対して片方のみが接触している場合、接触していない領域側の砥石６２の加工面６３がウェハ６１の加工面より下に落ち込むことでウェハ６１の特定の一部外周が異常に削れる研削ダレが発生する。
【００１０】
これにより、図８（ｂ）の斜線に示されるように、ウェハ６１に前述した研削ダレが発生してしまい、ウェハ６１の一面における研削精度が悪化してしまう。そのデータを図９に示す。図９（ａ）は、台座６０に設置されたウェハ６１が回転する方向に対して砥石６２が先にウェハ６１へ入る側、すなわち、砥石の加工面がウェハ間の隙間に落ち込んだ後にウェハに乗り上げる側をＩＮ側、ウェハからウェハ間の隙間に落ち込む側をＯＵＴ側として研削加工後のダレ量を測定した結果を示している。これによると、ＩＮ側のダレ量がＯＵＴ側のダレ量より大きいことがわかる。これは、落ち込む時より乗り上げる時の加工荷重がウエハの特定の外周領域に大きくかかることを示している。また、ダレの量は厚さバラツキで１０μｍを超えてダレの範囲も５ｍｍ以上ある。よって、図９（ｂ）に示されるように、ダレている領域がデバイスを形成する領域にかかり、この領域のデバイス形成が困難となる。
【００１１】
例えば、ウェハ６１として炭化珪素（ＳｉＣ）等の超硬性材料で形成されたものを研削する場合、ウェハ６１に対する砥石６２の加工圧力が高いため、とくにウェハ６１の特定外周領域に大きな加工圧力が掛かってしまい、上記研削ダレが顕著に生じてしまう。
【００１２】
本発明は、上記点に鑑み、カップ形の砥石を用いてウェハの一面を研削するに際し、ウェハの研削ダレを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、台座（２０）の上に複数のウェハ（４０）を配置するとともに、台座（２０）の上であって当該台座（２０）の中心を通過するように設定されたカップ型の砥石（３０）に設けられたリング状の加工面（３１）の台座（２０）上に位置する領域で、台座（２０）の中心（６４）から台座（２０）の一方の端部（６５）までの台座（２０）上に位置する加工面（３１）の領域において、少なくとも１点が台座（２０）上に貼り付けられたウェハ（４０）あるいは落ち込み防止基板（５０、５１）と接触するとともに、台座（２０）の中心（６４）から台座（２０）の他方の端部（６６）までの台座（２０）上に位置する加工面（３１）の領域においても少なくとも１点が台座（２０）上に貼り付けられたウェハ（４０）あるいは落ち込み防止基板（５０、５１、５２）と接触するように配置した台座（２０）上のウェハ（４０）あるいは落ち込み防止基板（５０、５１）を研削する工程を含んでいることを特徴とする。
【００１４】
これによると、カップ形の砥石（３０）の加工面（３１）がウェハ（４０）とウェハ（４０）との間に位置したとしても、砥石（３０）の加工面（３１）が落ち込み防止基板（５０、５１、５２）の高さに維持されている。これにより、砥石（３０）の加工面（３１）がウェハ（４０）の一面（４１）よりも台座（２０）側に位置しないようにすることができる。
【００１５】
このように、砥石（３０）の加工面（３１）とウェハ（４０）の一面（４１）とをほぼ同じ面とすることができることから、砥石（３０）に掛かる加工圧力によってウェハ（４０）の特定の外周部に砥石（３０）の荷重が局所的に高く掛からないようにすることができる。したがって、ウェハ（４０）の特定の外周部が、この特定の外周部以外のウェハ（４０）の一面（４１）領域よりも多く削られてしまうことを防止することができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明のように、落ち込み防止基板（５０）を配置する工程では落ち込み防止基板（５０）を台座（２０）の中心に配置することができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明のように、落ち込み防止基板を配置する工程では落ち込み防止基板（５２）を台座（２０）の外周にリング状に配置することができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明のように、落ち込み防止基板を配置する工程では台座（２０）に配置されたウェハ（４０）間の隙間に落ち込み防止基板（５１）を配置することで台座（２０）の中心を中心とした円周でウェハ（４０）と落ち込み防止基板（５１）の隙間の間隔が砥石（３０）に設けられたリング状の加工面（３１）の径方向の幅以下になる台座（２０）の径以下の径をもつ円周があるように配置することもできる。
【００１９】
請求項５に記載の発明では、ウェハ（４０）を複数用意する工程と、隣同士のウェハ（４０）との間隔を近接させて台座（２０）の中心を中心とした円周で隣り合って配置されたウェハ（４０）の隙間の間隔が砥石（３０）に設けられたリング状の加工面（３１）の径方向の幅以下になる台座（２０）の径以下の径をもつ円周があるように台座（２０）の上に複数のウェハ（４０）を配置する工程と、砥石（３０）の加工面（３１）にてウェハ（４０）の一面（４１）を研削する工程とを含んでいることを特徴とする。
【００２０】
これにより、カップ形の砥石（３０）がウェハ（４０）の間の隙間に落ち込んでしまうことを防止することができ、ウェハ（４０）の特定の外周部に掛かる異常に大きな砥石（３０）の加工圧力を緩和することができる。以上のように、台座（２０）に落ち込み防止基板（５０）を配置しなくても、ウェハ（４０）の特定の外周部が多く削れてしまうことを抑制することができる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００２２】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る研削工程に用いられるロータリー研削盤の概略断面図である。この図に示されるように、ロータリー研削盤は、チャックテーブル１０と、台座２０と、砥石３０とを備えて構成されている。
【００２３】
チャックテーブル１０は、台座２０を真空吸着するテーブルであり、例えばφ１５０の円柱状の土台である。チャックテーブル１０は水平に配置されている。また、このチャックテーブル１０には図示しない回転機構が設けられており、中心軸を中心にして回転させられるようになっている。台座２０は、ワックスやテープ等によってウェハ４０が貼り付けられる円板状の貼り付け台座である。
【００２４】
図２は、ウェハ４０が複数貼り付けられた台座２０をチャックテーブル１０に固定する様子を示した図である。この図に示されるように、チャックテーブル１０には、当該チャックテーブル１０の両端面を貫通する多数の吸着孔１１が設けられている。この吸着孔１１は図示しない真空ポンプ機構に接続されている。そして、ウェハ４０が複数貼り付けられた台座２０がチャックテーブル１０の上に配置され、真空ポンプ機構にて真空引きされると、台座２０がチャックテーブル１０に真空吸着されて固定されるようになっている。
【００２５】
砥石３０は、円板状の土台の端面にダイヤモンドの砥粒が砥石ボンド材等で固められた加工面３１が貼り付けられたものであり、加工面３１にて研削対象物を研削するものである。本実施形態では、カップ形のものが採用される。このカップ形の砥石３０は、容器の開口端に加工面３１が設けられたものである。このようなカップ形の砥石３０として、ストレートカップ形、テーパーカップ形、皿形等のものを用いることができる。また、加工面３１がリング状とされたものや、加工面３１が容器の開口端に一定間隔で設けられたものなどを採用することもできる。本実施形態では、リング状の加工面３１が設けられたストレートカップ形の砥石３０を用いる。
【００２６】
このように、砥石３０の加工面３１がリング状のものを採用するため、砥石３０の中心軸とチャックテーブル１０の中心軸とが離れた位置関係になっている。本実施形態では、砥石３０の加工面３１がチャックテーブル１０の中心軸を通過するように、チャックテーブル１０と砥石３０とが配置されている。
【００２７】
また、砥石３０には図示しない回転機構が設けられており、中心軸を中心にしてチャックテーブル１０とは逆方向に回転させられるようになっている。以上が、本実施形態に係るロータリー研削盤の構成である。
【００２８】
次に、上記ロータリー研削盤を用いて、ウェハ４０を研削する工程について説明する。まず、ワークとなるウェハ４０として、例えば炭化珪素単結晶により構成される炭化珪素半導体ウェハを研削する場合について説明する。すなわち、ウェハ製造工程にて得られたウェハ４０を研削する場合に、図１に示されるロータリー研削盤を用いて、ウェハ４０を研削加工する。
【００２９】
まず、炭化珪素で形成されたウェハ４０を複数用意し、台座２０の上に配置する。図３−１は、台座２０に複数のウェハ４０を貼り付けた様子を示した平面図である。この図に示されるように、例えば４枚のウェハ４０をチャックテーブル１０の中心軸を中心とした円の円周上に配置する。また、台座２０の上に落ち込み防止基板５０を配置する。
【００３０】
落ち込み防止基板５０は、ウェハ４０とウェハ４０との間に砥石３０の加工面３１が落ち込んでしまうことを防止するためのものであり、ウェハ４０間に配置される。本実施形態では、落ち込み防止基板５０はチャックテーブル１０の中心軸上、すなわち砥石３０が通過する台座２０の中心に配置される。また、落ち込み防止基板５０は、台座２０と砥石３０の加工面３１との間に挟まれて配置される。
【００３１】
この落ち込み防止基板５０は、ウェハ４０と同じ炭化珪素で形成されている。また、砥石３０の加工面３１の幅よりも大きなサイズになっており、例えばφ１５〜２０のものが採用される。形状としては、丸形状でなくて多角形であってもよい。
【００３２】
落ち込み防止基板５０は砥石３０の加工面３１以上の大きさかあるいは貼り付けられたウェハ４０とウェハ４０で最も近接している隙間以上の大きさである。例えばウェハ４０とウェハ４０が１０ｍｍの間隔で貼り付いている場合、１０ｍｍ以上の落ち込み防止基板５０を台座２０の中心に貼り付けることが望ましい。
【００３３】
そして、台座２０に落ち込み防止基板５０を熱硬化性樹脂や接着剤で接着する。次にウェハ４０を固定用ワックス等で接着する。そして、図示しない真空ポンプにて真空引きすることにより、落ち込み防止基板５０とウェハ４０が接着された台座２０をチャックテーブル１０に吸着する。
【００３４】
続いて、チャックテーブル１０および砥石３０をそれぞれ逆方向に回転させる。そして、ウェハ４０に図示しない研削水を掛けながら、砥石３０を台座２０側に移動させ、砥石３０の加工面３１をウェハ４０の一面４１に押し付けて研削する。
【００３５】
ここで、「押し付ける」とは、砥石３０の加工面３１とウェハ４０の一面４１とを接触させる、あるいは密着させることを示す。
【００３６】
この場合、チャックテーブル１０および砥石３０がそれぞれ回転したとしても、落ち込み防止基板５０が砥石３０の加工面３１の軌道上に配置されているため、砥石３０が落ち込み防止基板５０から外れてしまうことや、落ち込み防止基板５０から落ちてしまうことはない。
【００３７】
ここで、軌道とは、砥石３０の加工面３１が台座２０に投影される円弧を指す。すなわち、落ち込み防止基板５０は当該円弧上に配置されていると言える。
【００３８】
そして、台座２０に対向する砥石３０の加工面３１のうち落ち込み防止基板５０の上に載っていない部分がウェハ４０とウェハ４０との間の隙間に露出する台座２０に対向したとしても、砥石３０の加工面３１が落ち込み防止基板５０よりも低い位置、つまりウェハ４０の一面４１よりも低い位置になることはない。
【００３９】
したがって、砥石３０の加工面３１がウェハ４０の一面４１からウェハ４０間の隙間に移動する際や、砥石３０の加工面３１がウェハ４０間の隙間からウェハ４０の一面に移動する際に、ウェハ４０の一面４１と側面とで構成される特定の外周部に砥石３０の荷重が局所的に高く掛かることはなく、当該特定の外周部がこの特定の外周部以外のウェハ４０の一面４１領域よりも多く研削されてしまう研削ダレは発生しない。
【００４０】
図３−１（ｂ）に示されるように、落ち込み防止基板５０によって、砥石３０がウェハ４０に先に入るＩＮ側のダレ量や砥石３０が後でウェハ４０を通過するＯＵＴ側のダレ量はそれぞれほとんど生じておらず、従来よりもウェハ４０のダレ量が改善されていることがわかる。なお、図３−１（ｂ）において「改善前」とは従来の場合を指し、「検討後」とは本発明の場合を指す。
【００４１】
このように、ウェハ４０を研削する際に、砥石３０の加工面３１が必ず落ち込み防止基板５０を削るように砥石３０の加工面３１の幅以上および、図３−２に示すように台座２０上に貼り付けられたウェハ４０とウェハ４０の間隔以上の落ち込み防止基板５０を台座中央部に配置して、ウェハ４０と落ち込み防止基板５０とを共に削ることにより、ウェハ４０の特定の外周部に荷重が局所的に高くかからないようにして、研削ダレを防止する。
【００４２】
そして、所望の厚さになるまで、または所望の研削量になるまで砥石３０でウェハ４０を研削する。このようにして、研削工程が完了し、研削された炭化珪素のウェハ４０が得られる。落ち込み防止基板５０は熱硬化性樹脂等で台座２０に貼り付けられ、ウェハ４０はワックス等で貼り付けられているため研削加工が終了後ウェハ４０のみを容易に取り外すことができる。例えば研削加工の厚み制御が同じ場合、砥石３０の加工面３１が同じ位置で終了できるため、落ち込み防止基板５０は常に同じ高さで終了することになる。そのため、熱硬化性樹脂等で強固に固定された落ち込み防止基板５０はウェハ４０のワックス固定の際、はがれること無くウェハ４０の着脱を繰り返しても落ち込み防止基板５０を貼り直すことなく使用することができる。
【００４３】
この後、上記のようにして研削されたウェハ４０は、加工変質層や歪のない原子レベルに平滑でダメージのない面にＣＭＰまたはメカノケミカル研磨等で仕上げられ、半導体デバイス工程にて半導体デバイスが作り込まれる基板として用いられ、半導体デバイスが作り込まれたものがダイシングカットされてチップ状に分割されることで半導体装置が完成する。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態では、カップ形の砥石３０を用いてウェハ４０を研削するに際し、台座２０の上であって砥石３０の加工面３１の軌道上に落ち込み防止基板５０を配置することが特徴となっている。
【００４５】
これによると、チャックテーブル１０と砥石３０とがそれぞれ回転することで、砥石３０の加工面３１の軌道上にウェハ４０が配置されない状態、すなわち加工面３１がウェハ４０に接触しない状態があったとしても、砥石３０の加工面３１の一部が落ち込み防止基板５０に接触した状態が維持される。
【００４６】
これにより、砥石３０は落ち込み防止基板５０に支えられているため、砥石３０の加工面３１がウェハ４０の一面４１よりも台座２０側に位置する状態を回避することができ、ウェハ４０の特定の外周部に砥石３０の荷重が局所的に高く掛からないようにすることができる。したがって、ウェハ４０の特定の外周部がこの特定の外周部以外のウェハ４０の一面４１領域よりも多く削られてしまうことを防止することができ、ウェハ４０の一面４１における研削精度が悪化しないようにすることができる。
【００４７】
また、１つの台座２０に複数のウェハ４０を配置して研削精度が悪化しないように研削を行うことができるので、ロータリー研削加工におけるウェハ量産が可能となる。
【００４８】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第１実施形態では、ウェハ４０の一面４１よりも台座２０側に砥石３０の加工面３１が落ち込んでしまわないように台座２０の中央部に落ち込み防止基板５０を配置することが特徴となっていたが、本実施形態では当該落ち込み防止基板５０と異なる落ち込み防止基板５１について説明する。図３−３は、台座２０に複数のウェハ４０を貼り付けた様子を示した平面図である。この図に示されるように、例えば４枚のウェハ４０をチャックテーブル１０の中心軸を中心に配置する。また、台座２０の上に落ち込み防止基板５１を配置する。落ち込み防止基板５１はウェハ４０とウェハ４０との貼り付け間隔をなくすようにウェハ４０とウェハ４０の間に配置される。具体的には、台座２０の中心を中心とした円周でウェハ４０と落ち込み防止基板５１の隙間の間隔が砥石３０に設けられたリング状の加工面３１の径方向の幅以下になる台座２０の径以下の径をもつ円周があるように配置する。ウェハ４０とウェハ４０の貼り付け間隔が砥石３０の加工面３１幅以上の時に適用する。また、ウェハ４０とウェハ４０の隙間には砥石３０の加工面３１の砥石幅以下で落ち込み防止基板５１が配置されているため砥石３０がウェハ４０の加工面より下になることはない。
【００４９】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第１実施形態では、ウェハ４０の一面４１よりも台座２０側に砥石３０の加工面３１が落ち込んでしまわないように台座２０上に落ち込み防止基板５０を配置することが特徴となっていたが、本実施形態では当該落ち込み防止基板５０と異なる落ち込み防止基板５２について説明する。図３−４は、台座２０に複数のウェハ４０を貼り付けた様子を示した平面図である。この図に示されるように、例えば４枚のウェハ４０をチャックテーブル１０の中心軸を中心とした円の円周上に配置する。また、台座２０の上に落ち込み防止基板５２を配置する。落ち込み防止基板５２はウェハ４０とウェハ４０との貼り付け間隔を気にすることなく常時接触面を確保できるように台座２０上の外周に円筒型で配置される。また、落ち込み防止基板５２は円筒型でなくともスリットの入った空間を設けても良い。ウェハ４０とウェハ４０の貼り付け間隔が一定でなくてもかまわない。また、円筒型に設置する落ち込み防止基板５２にスリットの入った空間を設ける場合、スリットの間隔は、砥石３０の加工面３１の砥石幅以下で配置すれば砥石３０がウェハ４０の加工面より下になることはない。
【００５０】
なお、図３−５に示されるように、台座２０の外周側において、ウェハ４０とウェハ４０との間に扇状の落ち込み防止基板５１を配置しても良い。この場合、図３−２に示される場合と同様に、台座２０の中心に落ち込み防止基板５０を配置し、さらに扇状の落ち込み防止基板５１の角部が台座２０の中心を向くように当該落ち込み防止基板５１を台座２０の外周側に設置する。また、落ち込み防止基板５１とウェハ４０との間隔を砥石３０の加工面３１の砥石幅以下とする。
【００５１】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第１実施形態では、ウェハ４０の一面４１よりも台座２０側に砥石３０の加工面３１が落ち込んでしまわないように台座２０上に落ち込み防止基板５０を配置することが特徴となっていたが、本実施形態では当該落ち込み防止基板５０を用いずにウェハ４０の研削精度を悪化させないようにすることが特徴となっている。
【００５２】
図４は、本実施形態において、台座２０に複数のウェハ４０を配置させた様子を示した平面図である。本実施形態では、奇数枚、例えば３枚のウェハ４０を台座２０に配置する。この場合、各ウェハ４０を近づけることで、台座の中心を中心とする円周上で隣り合うウェハ４０の隙間の間隔を砥石３１の加工面３１幅以下にできる台座の径以下の径をもつ円周が存在する配置にする。
【００５３】
これによると、チャックテーブル１０および砥石３０がそれぞれ回転したとしても、ウェハ４０が砥石３０の加工面３１の軌道上に配置されているため、加工面３１がウェハ４０にまったく接触しない場合があり得る第１実施形態よりも砥石３０の加工面３１とウェハ４０との接触面積を増やすことができる。
【００５４】
以上のように、台座２０に落ち込み防止基板５０を配置しなくても、ウェハ４０同士を近づけて配置することで、砥石３０がウェハ４０の間の隙間に落ち込んでしまうことを防止することができる。
【００５５】
また、３枚以上の奇数枚同様に４枚以上の偶数枚の加工においても各ウェハ４０を近づけることで砥石３０がウェハ４０の間の隙間に落ち込むことを防止できる。
【００５６】
（第５実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第１実施形態では、台座２０の上に複数のウェハ４０を配置させる場合について説明したが、本実施形態では、チャックテーブル１０に各ウェハ４０を直接固定する場合について説明する。
【００５７】
図５は、本実施形態において、ウェハ６０をチャックテーブル１０に固定する様子を示した図である。本実施形態では、チャックテーブル１０として、ウェハ６０が配置される場所および落ち込み防止基板５０が配置される場所に吸着孔１１が設けられたものが採用される。吸着孔１１は、チャックテーブル１０においてウェハ６０が配置される場所についてはウェハ６０のサイズ、落ち込み防止基板５０が配置される場所については落ち込み防止基板５０のサイズになっている。そして、図５に示されるように、チャックテーブル１０のうち吸着孔１１が設けられた場所に、各ウェハ６０および落ち込み防止基板５０が吸着固定されるようになっている。
【００５８】
以上のように、台座２０を用いずに、チャックテーブル１０にウェハ６０および落ち込み防止基板５０を直接固定することもできる。直接チャックテーブル１０にウェハ６０および落ち込み防止基板を直接固定する方法については第２、第３実施形態のように他の形状にも適用できる。
【００５９】
（第６実施形態）
本実施形態では、第４実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第４実施形態では、台座２０にウェハ６０を固定していたが、落ち込み防止基板５０を用いない場合にも、第３実施形態と同様に、ウェハ６０をチャックテーブル１０に直接固定することができる。
【００６０】
図６は、本実施形態において、ウェハ６０をチャックテーブル１０に固定する様子を示した図である。この図に示されるように、落ち込み防止基板５０を用いない場合であっても、ウェハ６０が配置される場所に吸着孔１１が設けられたチャックテーブル１０を用いることで、当該チャックテーブル１０に各ウェハ６０を直接固定することができる。
【００６１】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、ウェハ４０として炭化珪素半導体ウェハを例に説明したが、硬い物質、例えばサファイヤやダイヤモンド等のウェハを研削する場合に本発明の方法を採用することができる。
【００６２】
上記第１実施形態では、落ち込み防止基板５０の材質として、ウェハ４０と同じ材質、すなわち炭化珪素で形成されたものを用いているが、落ち込み防止基板５０として他の材質のもので形成されたものを用いることもできる。例えば、ダイヤモンドやサファイヤ等で形成された落ち込み防止基板５０を採用しても良い。また、落ち込み防止基板５０のうち砥石３０の加工面３１と接触する部分のみが、炭化珪素やダイヤモンド、サファイヤ等で形成されたものでも良い。加工する材料にあわせて加工物と同じもの、あるいは加工物以上の硬度の材料を利用することが望ましい。
【００６３】
上記第１実施形態では、台座２０の上に１つの落ち込み防止基板５０を配置していたが、複数の落ち込み防止基板５０を台座２０上に配置しても良い。
【００６４】
上記落ち込み防止基板を配置する際、落ち込み防止基板５０、５１、５２を組み合わせて台座上に配置して研削加工を行っても良い。
【００６５】
上記第２実施形態では、３枚のウェハ４０を台座２０に配置したが、例えば５枚のウェハ４０を配置しても良い。３枚以上の複数枚加工であれば適用できる。
【００６６】
上記各実施形態では、図１に示されるように、チャックテーブル１０および砥石３０が水平に配置されたロータリー研削盤が用いられているが、チャックテーブル１０および砥石３０の姿勢は図１に限定されるものではない。例えば、図１に示されるチャックテーブル１０および砥石３０の中心軸が水平方向に平行になるように配置されたロータリー研削盤を用いることもできる。
【００６７】
上記ロータリー研削盤では、砥石３０およびチャックテーブル１０の両方もしくはいずれか一方を移動させながら研削を行っても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る研削工程に用いられるロータリー研削盤の概略断面図である。
【図２】ウェハが貼り付けられた台座をチャックテーブルに固定する様子を示した図である。
【図３−１】（ａ）はテーブルに複数のウェハを配置させた様子を示した平面図、（ｂ）はウェハのＩＮ側およびＯＵＴ側のダレ量を示した図である。
【図３−２】台座の上のウェハと落ち込み防止基板との配置関係を示した平面図である。
【図３−３】第３実施形態において、台座に複数のウェハを貼り付けた様子を示した平面図である。
【図３−４】第４実施形態において、台座に複数のウェハを貼り付けた様子を示した平面図である。
【図３−５】第４実施形態において、台座に複数のウェハを貼り付けた様子を示した平面図である。
【図４】第４実施形態において、テーブルに複数のウェハを配置させた様子を示した平面図である。
【図５】第５実施形態において、ウェハをチャックテーブルに固定する様子を示した図である。
【図６】第６実施形態において、ウェハをチャックテーブルに固定する様子を示した図である。
【図７】従来において、ロータリー研削盤を用いてウェハを研削する工程を示した図である。
【図８】図７において、砥石側からテーブル側を見た平面図である。
【図９】（ａ）は、従来においてウェハのＩＮ側およびＯＵＴ側のダレ量を示した図、（ｂ）はダレがウェハのデバイスの形成領域にかかる様子を示した図である。
【符号の説明】
【００６９】
２０  台座
３０  砥石
３１  加工面
４０  ウェハ
４１  ウェハの一面
５０  落ち込み防止基板
【図１】
2009166150.tif 000003
【図２】
2009166150.tif 000004
【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
2009166150.tif 000007
【図３−４】
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【図３−５】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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