(57)【要約】      （修正有）【課題】基板パッケージ構造を提供する。【解決手段】基板パッケージ構造であって、複数の基板切割道が交錯して定義される複数のチップキャリア１１０を表面上に有するパッケージ基板と、基板切割道上に設置し、チップキャリア１１０を環繞する複数の貫通孔１３０と、チップキャリア１１０のもう一面上に設置され、貫通孔１３０に近接する複数のモールド領域１４０と、からなる。チップキャリア１１０周縁に形成された複数のモールド凸部により、チップ、或いは、基板周辺の亀裂問題を改善する。【選択図】図１Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板パッケージ構造であって、
基板パッケージ構造であって、複数の基板切割道が交錯して定義される複数のチップキャリアを表面上に有するパッケージ基板と、
前記基板切割道上に設置し、前記チップキャリアを環繞する複数の貫通孔と、
前記チップキャリアのもう一面上に設置され、前記貫通孔に近接する複数のモールド領域と、
からなることを特徴とする基板パッケージ構造。
【請求項２】
前記貫通孔は前記基板切割道内に設置されることを特徴とする請求項１に記載の基板パッケージ構造。
【請求項３】
少なくとも１つの凹槽が前記モールド領域の前記パッケージ基板上に設置されることを特徴とする請求項１に記載の基板パッケージ構造。
【請求項４】
少なくとも２つの前記モールド領域は、前記貫通孔の1つを貫通することを特徴とする請求項１に記載の基板パッケージ構造。
【請求項５】
前記モールド領域は前記チップキャリアのもう一表面の辺縁、或いは、隅に設置されることを特徴とする請求項１に記載の基板パッケージ構造。
【請求項６】
前記パッケージ基板は複数のウィンドウを有し、それぞれ、前記のチップキャリアの中央位置に設置されることを特徴とする請求項１に記載の基板パッケージ構造。
【請求項７】
複数の外接ボンディングパッドが前記の各チップキャリアのもう一表面上に設置されることを特徴とする請求項１に記載の基板パッケージ構造。
【請求項８】
前記貫通孔は前記基板切割道の交錯領域に設置されることを特徴とする請求項１に記載の基板パッケージ構造。
【請求項９】
前記貫通孔は、前記モールド領域の一部を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板パッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板パッケージ構造に関するものであって、チップ辺縁が亀裂するのを防止する基板パッケージ構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ICパッキングは、半導体産業の後段加工工程に属し、ウェハ切割、ダイボンド、ワイヤーボンド、モールド、プリント、パッケージに分けられ、主に、前段製造工程で加工されたウェハ上のICをチップ、ダイボンドに分割し、ピンを外接し、被覆する。パッケージ体は、1つのピンを提供する界面であり、内部の電気信号は、パッケージ材料によりシステムに連接され、チップが外力、水、湿気、化学物質により破壊、腐食するのを防止し、機械性質を増加する。
【０００３】
モールド工程中、金型が半導体チップ、或いは、電子素子を有する基板上に設置され、液体のパッケージ材料を金型のキャビティに注入し、モールド材料が基板上のチップ、或いは、電子素子を密封して、パッケージ体を形成し、ゲルが硬化した後、更に、離型して、モールド工程が完成する。
【０００４】
しかし、薄型のパッケージグ術の発展に伴い、薄型の基板面積は大きく、且つ、厚さが薄く、パッケージ基板とパッケージ材料間の熱膨張係数が異なるので、モールド（molding）、或いは、成型後硬化（post molding cure）工程中、温度変化により異なる膨張量、或いは、収縮量を生成し、パッケージ基板が応力を生成して反り（warpage）、後続工程に影響する。更には、基板の反りが過度の場合、チップが亀裂（crack）するか、電子素子が損壊する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の問題を解決するため、本発明は、基板パッケージ構造を提供し、パッケージ基板上に形成された切割道に貫通孔により、パッケージゲルが貫通孔を穿過すると共に、モールド凸部をチップキャリア周縁に形成して、チップ、或いは、基板辺縁の亀裂問題を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するため、本発明の実施例による基板パッケージ構造は、複数の基板切割道が交錯して定義される複数のチップキャリアを表面上に有するパッケージ基板と、基板切割道上に設置し、チップキャリアを環繞する複数の貫通孔と、チップキャリアのもう一面上に設置され、貫通孔に近接する複数のモールド領域と、からなる。
【発明の効果】
【０００７】
チップキャリア周縁に形成された複数のモールド凸部により、チップ、或いは、基板周辺の亀裂問題を改善する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
まず、図１Ａ、図１Ｂ、及び、図１Ｃを参照すると、図１Ａと図１Ｂは、本発明の実施例によるパッケージ基板の上視図、及び、AA線に沿った断面図である。図１Ｃは、本実施例のパッケージ基板の底面図である。図で示されるように、基板パッケージ構造は、パッケージ基板１００を有し、複数のチップキャリア１１０を表面、例えば、パッケージ基板１００の上表面１０２上に有する。チップキャリア１１０は、複数の基板切割道を交錯させて定義する。複数の貫通孔１３０は、基板切割道１２０上に設置されると共に、チップキャリア１１０を環繞する。及び、複数のモールド領域１４０がチップキャリア１１０のもう一表面、例えば、パッケージ基板１００の下表面１０４上に設置される。モールド領域１４０は貫通孔１３０に隣接する。
【０００９】
上述の説明を継続し、図１Ｃを参照すると、本実施例中、貫通孔１３０は基板切割道１２０内に設置され、且つ、貫通孔１３０は各チップキャリア１１０周辺を環繞する。パッケージ基板１１０の下表面１０４のモールド領域１４０は、チップキャリア１１０の辺縁、或いは、隅に相対して定義される。このパッケージ基板１００を使用して、チップ設置とワイヤー工程実行後、パッケージゲル（図示しない）によりモールド工程を実行し、パッケージゲルがチップとワイヤー、或いは、その他の導電素子を被覆後、パッケージ基板１００の上表面１０２から、貫通孔１３０を経て、パッケージ基板１００の下表面１０４に流入すると共に、パッケージ基板１００下表面１０４のモールド領域１４０を被覆する。パッケージゲルの被覆により、チップと基板周縁は支承と保護を受ける。複数の外接ボンディングパッド１５０が各チップキャリア１１０のもう一表面上に設置されて、外界装置と電気的に接続する。その後、カッティング工程で、基板切割道１２０を除去し、複数の半導体パッケージ個体を形成する。
【００１０】
次に、図２を参照すると、実施例中、パッケージ基板１００上に複数のウィンドウ１６０をチップキャリア１１０の中央位置にそれぞれ設置して、ウィンドウ型半導体パッケージに適用する。また、パッケージゲルとパッケージ基板１００の連結と摩擦力を増加するため、少なくとも1つの凹槽がモールド領域１４０のパッケージ基板１００上に設置されて、例えば、凹槽１７０がパッケージ基板１００の下表面１０４のモールド領域１４０内に形成され、凹槽１７０の形状は制限がない。表面処理方式により、パッケージ基板１００の部分表面を粗雑化して、パッケージゲルとパッケージ基板１００の摩擦力を増加する。この他、パッケージ基板１００の使用効率を増加するため、少なくとも二個のモールド領域１４０は一貫通孔１３０を共用する。一実施方式は、貫通孔１３０を基板切割道１２０の交錯領域に設置して、相隣する貫通孔１３０のモールド領域１４０がこの貫通孔１３０を共用して、支承のモールド凸部を形成する。更に、別の実施例中、図３で示されるように、貫通孔１３２は、更に、一部のモールド領域１４０を含み、且つ、貫通孔１３０と貫通孔１３２は必要な場所で使用できる。
【００１１】
上述によると、本発明の特徴の1つは、パッケージ基板の切割道上で貫通孔を形成し、貫通孔の形状は制限がなく、位置は、基板切割道の交錯領域、或いは、チップキャリア周縁に設置できる。その目的は、パッケージゲル体が貫通すると共に、モールド凸部を形成して、支承を提供する。また、相隣するモールド領域は貫通孔を共用する。更に、貫通孔は、一部のモールド領域を有して基板の使用率を向上させる。この他、パッケージ基板の下表面は少なくとも1つの凹槽を形成するか、モールド領域内に粗雑表面を形成して、パッケージゲルとパッケージ基板の結合強度を強化し、且つ、凹槽の形状と大小は制限がなく、製造工程上、フレキシブルである。
【００１２】
本発明は、パッケージ基板の切割道上に貫通孔を形成した基板パッケージ構造を提供し、パッケージゲルが貫通孔を流れて形成する凸部がチップキャリア周縁で、チップ、基板周縁、或いは、隅の亀裂の問題を改善する。
【００１３】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明の実施例によるパッケージ基板の上視図である。
【図１Ｂ】図１のAAに沿った断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａの底面図である。
【図２】本発明の異なる実施例によるパッケージ基板の上視図である。
【図３】本発明の異なる実施例によるパッケージ基板の上視図である。
【符号の説明】
【００１５】
１００  パッケージ基板
１０２、１０４  表面
１１０  チップキャリア
１２０  基板切割道
１３０、１３２  貫通孔
１４０  モールド領域
１５０  対外ボンディングパッド
１６０  ウィンドウ
１７０  凹槽
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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