(57)【要約】【課題】液晶層を挟持する一対の基板のうちのいずれかの基板の内面側に位相差板が形成された液晶表示装置において、製造工程の増加を最小限に抑えることが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】この液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２の内面側の反射表示領域２０ａに対応する領域に形成された反射板９と、ＴＦＴ基板２の内面側の反射表示領域２０ａに対応する領域に配置され、かつ、反射板９の表面上に形成された位相差板１１とを備えている。【選択図】図２
2009069724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射表示領域と透過表示領域とが１画素内に設けられた半透過型の液晶表示装置であっ
て、
液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板の内面側の前記反射表示領域に対応す
る領域に形成された反射板と、
前記一方の基板の内面側の前記反射表示領域に対応する領域に配置され、かつ、前記反
射板の表面上に形成された位相差板とを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射表示領域における前記液晶層の厚みが前記透過表示領域における前記液晶層の
厚みよりも小さくなるように構成されており、
前記反射表示領域における前記液晶層の厚みは、前記位相差板により調整されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記一方の基板は、スイッチング素子が設けられた基板であり、
前記反射板および前記位相差板は、前記スイッチング素子が設けられた基板の内面側の
前記反射表示領域に対応する領域に形成されていることを特徴とする請求項１または２に
記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記一方の基板は、カラーフィルタが設けられた基板であり、
前記反射板および前記位相差板は、前記カラーフィルタが設けられた基板の内面側の前
記反射表示領域に対応する領域に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記
載の液晶表示装置。
【請求項５】
反射表示領域と透過表示領域とが１画素内に設けられた半透過型の液晶表示装置の製造
方法であって、
前記反射表示領域および前記透過表示領域の両方の領域を覆うように、液晶層を挟持す
る一対の基板のうちの一方の基板側に反射板を形成する工程と、
前記反射表示領域および前記透過表示領域の両方の領域を覆うように、前記反射板の表
面上に位相差板を形成した後、前記位相差板の前記透過表示領域に対応する領域を除去す
る工程と、
前記位相差板をマスクとして前記反射板をエッチングすることにより、前記反射板の前
記透過表示領域に対応する領域を除去する工程とを備えていることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に、反射表示領域と透過表示領
域とが１画素内に設けられた半透過型の液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、反射表示領域と透過表示領域とが１画素内に設けられた半透過型の液晶表示装置
が知られている（たとえば、特許文献１参照）。この特許文献１には、液晶層を挟持する
一対の基板のうちのいずれかの基板の内面側（液晶層側）の反射表示領域に対応する領域
に位相差板が形成された半透過型の液晶表示装置が開示されている。
【０００３】
図１１は、上記特許文献１に開示された従来の半透過型の液晶表示装置の１画素分の構
造を簡略的に示した図である。なお、図１１中の符号１００ａおよび１００ｂは、それぞ
れ、反射表示領域および透過表示領域である。
【０００４】
図１１を参照して、従来の半透過型の液晶表示装置は、液晶層１０１と、その液晶層１
０１を挟持するＴＦＴ基板１０２およびＣＦ基板１０３とを少なくとも備えている。なお
、図示しないが、ＴＦＴ基板１０２には、後述する液晶駆動電極１０４に含まれる画素電
極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などが設けられているとともに、
ＣＦ基板１０３には、カラー画像の表示を行うためのカラーフィルタ（ＣＦ）などが設け
られている。
【０００５】
液晶層１０１を駆動するための液晶駆動電極１０４は、ＴＦＴ基板１０２の内面側（液
晶層１０１側）の表面上に形成されており、共通電極の表面上に絶縁膜を介して画素電極
が形成された構造を有している。また、液晶層１０１に入射した光を反射するための反射
板１０５は、ＴＦＴ基板１０２の内面側（液晶層１０１側）の表面上の反射表示領域１０
０ａに対応する領域に形成されている。
【０００６】
そして、従来の半透過型の液晶表示装置では、ＣＦ基板１０３の内面側（液晶層１０１
側）の表面上に位相差板１０６が形成されているとともに、その位相差板１０６が透過表
示領域１００ｂには配置されずに反射表示領域１００ａにのみ配置されている。なお、こ
のような位相差板１０６は、内面位相差板と称されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−４７７３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の半透過型の液晶表示装置では、それを製造する際に、位相差板（
内面位相差板）１０６を形成する工程を新たに追加する必要がある。なお、位相差板１０
６を形成する工程としては、たとえば、ＣＦ基板１０３側に位相差板１０６の構成材料を
塗布して固化する工程や、位相差板１０６の不要な領域（透過表示領域１００ｂに対応す
る領域）を除去する工程などがある。その結果、従来の半透過型の液晶表示装置では、製
造工程が増加してしまうという問題点がある。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的
は、液晶層を挟持する一対の基板のうちのいずれかの基板の内面側に位相差板が形成され
た液晶表示装置において、製造工程の増加を最小限に抑えることが可能な液晶表示装置お
よびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による液晶表示装置は、反射表示領
域と透過表示領域とが１画素内に設けられた半透過型の液晶表示装置であって、液晶層を
挟持する一対の基板のうちの一方の基板の内面側の反射表示領域に対応する領域に形成さ
れた反射板と、一方の基板の内面側の反射表示領域に対応する領域に配置され、かつ、反
射板の表面上に形成された位相差板とを備えている。
【００１１】
この第１の局面による液晶表示装置では、上記のように、液晶層を挟持する一対の基板
のうちの一方の基板（内面側の反射表示領域に対応する領域に反射板が形成された基板）
の内面側の反射表示領域に対応する領域に位相差板を配置し、かつ、その位相差板を反射
板の表面上に形成することによって、反射板および位相差板が一方の基板の内面側および
他方の基板の内面側にそれぞれ形成された従来の液晶表示装置に比べて、製造工程を少な
くすることができる。具体的には、第１の局面による液晶表示装置では、それを製造する
際に、位相差板をマスクとして反射板をエッチングすることにより、反射板の不要な領域
（透過表示領域に対応する領域）を除去することができる。したがって、反射板の不要な
領域を除去する工程の際に、エッチングマスクとなるレジストパターンを別途形成する工
程などを省略することが可能となる。その結果、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一
方の基板の内面側に位相差板を形成したとしても、製造工程の増加を最小限に抑えること
ができる。
【００１２】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、反射表示領域における液晶
層の厚みが透過表示領域における前記液晶層の厚みよりも小さくなるように構成されてお
り、反射表示領域における液晶層の厚みは、位相差板により調整されている。このように
構成すれば、液晶層の厚みを調整するための調整層を別途設けることなく、反射表示領域
に入射した光の液晶層における光路長と、透過表示領域に入射した光の液晶層における光
路長とを略同じにすることが可能となる。
【００１３】
上記第１の局面による液晶表示装置において、一方の基板は、スイッチング素子が設け
られた基板であり、反射板および位相差板は、スイッチング素子が設けられた基板の内面
側の反射表示領域に対応する領域に形成されていてもよい。
【００１４】
上記第１の局面による液晶表示装置において、一方の基板は、カラーフィルタが設けら
れた基板であり、反射板および位相差板は、カラーフィルタが設けられた基板の内面側の
反射表示領域に対応する領域に形成されていてもよい。
【００１５】
この発明の第２の局面による液晶表示装置の製造方法は、反射表示領域と透過表示領域
とが１画素内に設けられた半透過型の液晶表示装置の製造方法であって、反射表示領域お
よび透過表示領域の両方の領域を覆うように、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方
の基板側に反射板を形成する工程と、反射表示領域および透過表示領域の両方の領域を覆
うように、反射板の表面上に位相差板を形成した後、位相差板の透過表示領域に対応する
領域を除去する工程と、位相差板をマスクとして反射板をエッチングすることにより、反
射板の透過表示領域に対応する領域を除去する工程とを備えている。
【００１６】
この第２の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、位相差板をマスク
として反射板をエッチングすることにより、反射板の透過表示領域に対応する領域を除去
することによって、反射板の透過表示領域に対応する領域を除去する工程の際に、エッチ
ングマスクとなるレジストパターンを別途形成する工程などを省略することが可能となる
。その結果、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板の内面側に位相差板を形成
したとしても、製造工程の増加を最小限に抑えることができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明によれば、液晶層を挟持する一対の基板のうちのいずれかの基板
の内面側に位相差板が形成された液晶表示装置において、製造工程の増加を最小限に抑え
ることが可能な液晶表示装置およびその製造方法を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の構造を簡略的に示した平面図であ
る。図２は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の１画素分の構造を示した断面図
である。まず、図１および図２を参照して、第１実施形態による液晶表示装置の構造につ
いて詳細に説明する。
【００１９】
第１実施形態の液晶表示装置は、図１および図２に示すように、反射表示領域２０ａお
よび透過表示領域２０ｂの２つの表示領域が設けられた画素２０を複数含んでいる。すな
わち、第１実施形態の液晶表示装置は、表示動作を行う際に、使用環境に応じて反射表示
モードと透過表示モードとを切り替えることが可能な半透過型の液晶表示装置である。
【００２０】
ところで、反射表示モードとは、液晶表示装置の前面側から後述する液晶層１に入射し
た外光（たとえば、太陽光など）Ｌ１を反射することによって表示を行うモードである。
その一方、透過表示モードとは、液晶表示装置の背面側から液晶層１に入射した外光（た
とえば、バックライト光など）Ｌ２を透過させることによって表示を行うモードである。
【００２１】
具体的な構造としては、第１実施形態の液晶表示装置は、液晶層１と、その液晶層１を
挟んで互いに対向するように配置されたＴＦＴ基板２およびＣＦ基板３とを少なくとも備
えている。なお、ＴＦＴ基板２およびＣＦ基板３は、本発明の「基板」の一例である。
【００２２】
ＴＦＴ基板２は、ガラスなどからなる透明基板４や、その透明基板４に形成された薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）５などによって構成されている。このＴＦＴ基板２に含まれる薄
膜トランジスタ５は、後述する画素電極１４をスイッチング制御する機能を有しており、
各画素２０に１つずつ設けられている。なお、薄膜トランジスタ５は、本発明の「スイッ
チング素子」の一例である。
【００２３】
また、ＴＦＴ基板２に含まれる透明基板４には、薄膜トランジスタ５のオン／オフを制
御する信号が伝達されるゲート線６や、映像信号が伝達されるデータ線７なども形成され
ている。そして、薄膜トランジスタ５のゲートは、ゲート線６に接続されている。また、
薄膜トランジスタ５のソース／ドレインの一方は、データ線７に接続されているとともに
、薄膜トランジスタ５のソース／ドレインの他方は、後述する画素電極１４に接続されて
いる。なお、図２には、図面の簡略化のため、薄膜トランジスタ５、ゲート線６およびデ
ータ線７は図示していない。
【００２４】
また、ＴＦＴ基板２の前面側（液晶層１側）の表面上には、反射表示領域２０ａおよび
透過表示領域２０ｂの両方の領域を覆うように、アクリル樹脂などからなる樹脂層８が形
成されている。この樹脂層８の透過表示領域２０ｂに対応する領域は、その前面側の表面
が平坦になっている一方、樹脂層８の反射表示領域２０ａに対応する領域は、その前面側
の表面が凹凸形状になっている。
【００２５】
樹脂層８の前面側の表面上の反射表示領域２０ａに対応する領域には、Ａｌ（アルミニ
ウム）などからなる反射板９が形成されている。すなわち、反射板９は、樹脂層８を介し
て、ＴＦＴ基板２の内面側（液晶層１側）の表面上の反射表示領域２０ａに対応する領域
に形成されていることになる。なお、この反射板９は、透過表示領域２０ｂには配置され
ておらず、反射表示領域２０ａにのみ配置されている。このような反射板９を設けること
によって、液晶表示装置の前面側からの外光Ｌ１が反射表示領域２０ａに入射すると、そ
の外光Ｌ１が反射板９で反射されることになる。その一方、上記したような反射板９は透
過表示領域２０ｂには設けられていないので、液晶表示装置の背面側からの外光Ｌ２が透
過表示領域２０ｂに入射すると、その外光Ｌ２が透過することになる。
【００２６】
また、反射板９は、下地層としての樹脂層８の反射表示領域２０ａに対応する領域の表
面が凹凸形状であるため、その凹凸形状を反映した凹凸形状となっている。これにより、
反射板９において光が拡散されるので、反射特性を向上させることが可能となる。
【００２７】
反射板９の前面側の表面上には、ポリイミド樹脂などからなる配向膜１０が形成されて
いる。この配向膜１０は、後述する位相差板１１の配向を規制する機能を有している。な
お、位相差板１１は、後述するように、透過表示領域２０ｂには配置されず、反射表示領
域２０ａにのみ配置される。したがって、配向膜１０は、反射表示領域２０ａにのみ配置
されていればよい。
【００２８】
ここで、第１実施形態では、反射板９の前面側の表面上に、配向膜１０を介して、透過
光に対して所定の位相差を付与するための位相差板１１が形成されている。この位相差板
１１は、平面的に見て、下層の反射板９の外形形状と同じ外形形状を有しており、その配
置位置が反射板９の配置位置と一致している。すなわち、位相差板１１は、透過表示領域
２０ｂには配置されておらず、反射表示領域２０ａにのみ配置されている。また、位相差
板１１は、たとえば、高分子液晶の溶液や液晶性モノマーの溶液などを固化させることに
より得られる。なお、上記した位相差板１１は、ＴＦＴ基板２の内面側（液晶層１側）に
形成されていることから、内面位相差板と称されている。
【００２９】
また、第１実施形態では、位相差板１１の厚みは、反射表示領域２０ａにおける液晶層
１の厚みが透過表示領域２０ｂにおける液晶層１の厚みの略半分になるように設定されて
いる。すなわち、反射表示領域２０ａにおける液晶層１の厚みは、位相差板１１により調
整されている。これにより、液晶層１の厚みを調整するための調整層を別途設けなかった
としても、反射表示領域２０ａに入射した外光Ｌ１の液晶層１における光路長と、透過表
示領域２０ｂに入射した外光Ｌ２の液晶層１における光路長とを略同じにすることが可能
となる。
【００３０】
また、樹脂層８および位相差板１１の前面側の表面上には、液晶層１の液晶分子を駆動
するための液晶駆動電極が形成されている。この液晶駆動電極は、共通電極１２と、その
共通電極１２の前面側の表面上に絶縁膜１３を介して形成された画素電極１４とを含んで
いる。共通電極１２および画素電極１４は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などからなる
とともに、絶縁膜１３は、ＳｉＮ（窒化シリコン）などからなる。また、画素電極１４に
は、液晶層１の液晶分子の配向を規制するためのスリット（開口）１４ａが複数形成され
ている。また、図示しないが、画素電極１４は、樹脂層８に形成されるコンタクトホール
を介して、ＴＦＴ基板２に含まれる薄膜トランジスタ５に接続される。
【００３１】
そして、表示動作を行う際には、液晶層１の液晶分子は、共通電極１２と画素電極１４
との間に発生する電界によって駆動される。すなわち、第１実施形態の液晶表示装置は、
液晶層１内に発生させた横電界により液晶分子を駆動して表示動作を行う横電界方式を採
用した液晶表示装置である。
【００３２】
また、ＣＦ基板３は、ガラスなどからなる透明基板１５や、その透明基板１５に形成さ
れたカラー画像の表示を行うためのカラーフィルタ（ＣＦ）１６などによって構成されて
いる。
【００３３】
また、液晶層１の前面側および背面側の各々には、配向膜１７ａおよび１７ｂが設けら
れている。さらに、ＴＦＴ基板２の背面側（外面側）およびＣＦ基板３の前面側（外面側
）の各々には、偏光板１８ａおよび１８ｂが配置されている。
【００３４】
第１実施形態では、上記のように、ＴＦＴ基板２の内面側の反射表示領域２０ａに対応
する領域に反射板９が形成されている場合に、ＴＦＴ基板２の内面側の反射表示領域２０
ａに対応する領域に位相差板１１を配置し、かつ、その位相差板１１を反射板９の表面上
に形成することによって、液晶表示装置を製造する際に、位相差板１１をマスクとして反
射板９をエッチングすることにより、反射板９の不要な領域（透過表示領域２０ｂに対応
する領域）を除去することができる。したがって、反射板９の不要な領域を除去する工程
の際に、エッチングマスクとなるレジストパターンを別途形成する工程などを省略するこ
とが可能となる。その結果、内面位相差板と称される位相差板１１を用いたとしても、製
造工程の増加を最小限に抑えることができる。
【００３５】
なお、横電界方式を採用した半透過型の液晶表示装置において、今回のような内面位相
差板を用いる方式は非常に有効である。具体的には、外面上に位相差板を配置する一般的
な半透過型の液晶表示装置の場合、液晶表示装置の前面（外面）上に配置した位相差板は
反射表示領域だけでなく透過表示領域にも影響を与えるので、その透過表示領域での影響
をキャンセルするために液晶表示装置の背面（外面）上にも位相差板を配置している。こ
の場合、たとえば、垂直配向型の液晶表示装置であれば、電圧無印加の状態（通常黒表示
を実現する）で液晶分子は垂直に配向しているので、背面側から背面（外面）上の位相差
板を通過して入射した光は液晶分子による影響は受けない。その一方、横電界方式の液晶
表示装置であれば、電圧無印加の状態（通常黒表示を実現する）で液晶分子は水平に配向
しているので、背面側から背面（外面）上の位相差板を通過して入射した光は液晶分子の
複屈折性により影響を受けてしまう。したがって、通常黒表示を行おうとしても理想的な
黒を実現することが難しく、結果的にコントラストが低下するなどの不都合が生じてしま
う。このため、横電界方式を採用した半透過型の液晶表示装置においては、内面位相差板
を用いる方式が適している。その結果、本発明は、横電界方式で内面位相差板を用いる半
透過型の液晶表示装置に非常に有効である。
【００３６】
図３〜図７は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明するための
断面図である。次に、図２〜図７を参照して、第１実施形態による液晶表示装置の製造方
法について説明する。
【００３７】
まず、図３に示すように、反射表示領域２０ａおよび透過表示領域２０ｂの両方の領域
を覆うように、ＴＦＴ基板２の表面上に、アクリル樹脂などからなる樹脂層８を形成する
。そして、樹脂層８の反射表示領域２０ａに対応する領域の表面を凹凸形状にする。この
後、反射表示領域２０ａおよび透過表示領域２０ｂの両方の領域を覆うように、樹脂層８
の表面上に、Ａｌなどからなる反射板９を形成する。すなわち、反射表示領域２０ａおよ
び透過表示領域２０ｂの両方の領域を覆うように、樹脂層８を介して、ＴＦＴ基板２の表
面上に反射板９を形成する。この際、反射板９の反射表示領域２０ａに対応する領域は、
下地層としての樹脂層８の反射表示領域２０ａに対応する領域の表面が凹凸形状であるた
め、その凹凸形状を反映した凹凸形状となる。
【００３８】
次に、図４に示すように、反射表示領域２０ａおよび透過表示領域２０ｂの両方の領域
を覆うように、反射板９の表面上に、配向膜１０の構成材料であるポリイミド樹脂を塗布
する。この後、そのポリイミド樹脂を焼成するとともに、ポリイミド樹脂に対してラビン
グ処理（配向処理）を施す。この際、ラビング処理に変えて、光配向処理を施すようにし
てもよい。
【００３９】
続いて、反射表示領域２０ａおよび透過表示領域２０ｂの両方の領域を覆うように、配
向膜１０の表面上に、位相差板１１の構成材料である高分子液晶の溶液（液晶モノマーの
溶液）を塗布した後、その高分子液晶の溶液（液晶モノマーの溶液）を乾燥固化させる。
すなわち、反射表示領域２０ａおよび透過表示領域２０ｂを覆うように、配向膜１０を介
して、反射板９の表面上に位相差板１１を形成する。
【００４０】
次に、図５に示すように、位相差板１１に対して露光処理および現像処理を施すことに
より、位相差板１１の透過表示領域２０ｂに対応する領域を除去する。この後、位相差板
１１に対してポストベーク処理を施す。なお、位相差板１１の構成材料によっては、ポス
トベーク処理は不要である。
【００４１】
次に、第１実施形態では、図６に示すように、位相差板１１をマスクとして、配向膜１
０および反射板９を順次エッチングする。これにより、配向膜１０および反射板９の透過
表示領域２０ｂに対応する領域が除去される。このように、第１実施形態では、反射板９
の透過表示領域２０ｂに対応する領域を除去する工程の際に、位相差板１１をマスクとし
て反射板９をエッチングするので、エッチングマスクとなるレジストパターンを別途形成
する必要がない。
【００４２】
次に、図７に示すように、樹脂層８および位相差板１１の表面上に、液晶駆動電極（共
通電極１２、絶縁膜１３および画素電極１４）を形成する。続いて、液晶駆動電極の表面
上に、配向膜１７ａの構成材料であるポリイミド樹脂を塗布する。この後、そのポリイミ
ド樹脂を焼成し、かつ、ポリイミド樹脂に対して配向処理を施す。
【００４３】
次に、図２に示したように、ＣＦ基板３の表面上に配向膜１７ｂを形成した後、ＴＦＴ
基板２側の配向膜１７ａとＣＦ基板３側の配向膜１７ｂとの間に液晶層１を充填する。こ
の後、ＴＦＴ基板２およびＣＦ基板３の各々の外面側に偏光板１８ａおよび１８ｂを配置
することによって、第１実施形態の液晶表示装置が形成される。
【００４４】
図８は、第１実施形態の変形例による液晶表示装置の１画素分の構造を示した断面図で
ある。次に、図８を参照して、第１実施形態の変形例による液晶表示装置の構造について
説明する。
【００４５】
この第１実施形態の変形例では、図８に示すように、位相差板１１の厚みが、図２に示
した第１実施形態の位相差板１１の厚みよりも小さくなっている。また、ＣＦ基板３の内
面側（液晶層１側）の反射表示領域２０ａに対応する領域に、液晶層１側に向かって突出
する樹脂層１９が形成されている。そして、第１実施形態の変形例では、樹脂層１９によ
って、反射表示領域２０ａにおける液晶層１の厚みが透過表示領域２０ｂにおける液晶層
１の厚みの略半分になるように調整されている。
【００４６】
なお、第１実施形態の変形例による液晶表示装置のその他の構成は、上記した第１実施
形態による液晶表示装置の構成と同様である。
【００４７】
（第２実施形態）
図９は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置の１画素分の構造を示した断面図で
ある。次に、図９を参照して、第２実施形態による液晶表示装置の構造について詳細に説
明する。
【００４８】
第２実施形態の液晶表示装置では、図９に示すように、反射表示領域５０ａと透過表示
領域５０ｂとが１画素内に設けられている。そして、液晶表示装置の前面側から反射表示
領域５０ａに入射した外光Ｌ１１によって反射表示が行われ、液晶表示装置の背面側から
透過表示領域５０ｂに入射した外光Ｌ１２によって透過表示が行われる。
【００４９】
また、第２実施形態の液晶表示装置は、液晶層３１と、その液晶層３１を挟んで互いに
対向するように配置されたＴＦＴ基板３２およびＣＦ基板３３とを少なくとも備えている
。なお、ＴＦＴ基板３２およびＣＦ基板３３は、本発明の「基板」の一例である。
【００５０】
ＴＦＴ基板３２は、透明基板３４やスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（図示
せず）などによって構成されている。また、ＴＦＴ基板３２の前面側（液晶層３１側）の
表面上には、薄膜トランジスタに接続される液晶駆動電極が形成されている。この液晶駆
動電極は、共通電極３５と、その共通電極３５の前面側の表面上に絶縁膜３６を介して形
成された画素電極３７とを含んでいる。また、液晶駆動電極に含まれる画素電極３７には
、複数のスリット３７ａが形成されている。
【００５１】
ＣＦ基板３３は、透明基板３８やカラーフィルタ３９などによって構成されている。そ
して、第２実施形態では、反射表示領域５０ａに配置される反射板４０および位相差板４
１が、ＴＦＴ基板３２の内面側ではなく、ＣＦ基板３３の内面側に設けられている。
【００５２】
具体的には、第２実施形態では、ＣＦ基板３３に含まれる透明基板３８の前面側（液晶
層３１側）の表面上に、反射表示領域５０ａおよび透過表示領域５０ｂの両方の領域を覆
うような樹脂層４２が形成されている。この樹脂層４２の透過表示領域５０ｂに対応する
領域は、その前面側の表面が平坦になっている一方、樹脂層４２の反射表示領域５０ａに
対応する領域は、その前面側の表面が凹凸形状になっている。
【００５３】
そして、反射板４０は、樹脂層４２の前面側の表面上に形成されているとともに、位相
差板４１は、反射板４０の前面側の表面上に配向膜４３を介して形成されている。この反
射板４０および位相差板４１は、透過表示領域５０ｂには配置されておらず、反射表示領
域５０ａにのみ配置されている。なお、反射板４０は、樹脂層４２の反射表示領域５０ａ
に対応する領域の表面が凹凸形状であるため、その凹凸形状を反映した凹凸形状となって
いる。また、位相差板４１の厚みは、反射表示領域５０ａにおける液晶層３１の厚みが透
過表示領域５０ｂにおける液晶層３１の厚みの略半分になるように設定されている。
【００５４】
また、液晶層３１の前面側および背面側には、それぞれ、配向膜４４ａおよび４４ｂが
設けられている。さらに、ＴＦＴ基板３２の前面側（外面側）およびＣＦ基板３３の背面
側（外面側）には、それぞれ、偏光板４５ａおよび４５ｂが配置されている。
【００５５】
第２実施形態では、上記のように、ＣＦ基板３３の内面側の反射表示領域５０ａに対応
する領域に反射板４０が形成されている場合に、ＣＦ基板３３の内面側の反射表示領域５
０ａに対応する領域に位相差板４１を配置し、かつ、その位相差板４１を反射板４０の表
面上に形成することによって、液晶表示装置を製造する際に、位相差板４１をマスクとし
て反射板４０をエッチングすることにより、反射板４０の不要な領域（透過表示領域５０
ｂに対応する領域）を除去することができる。したがって、反射板４０の不要な領域を除
去する工程の際に、エッチングマスクとなるレジストパターンを別途形成する工程などを
省略することが可能となる。その結果、内面位相差板と称される位相差板４１を用いたと
しても、製造工程の増加を最小限に抑えることができる。
【００５６】
図１０は、第２実施形態の変形例による液晶表示装置の１画素分の構造を示した断面図
である。次に、図１０を参照して、第２実施形態の変形例による液晶表示装置の構造につ
いて説明する。
【００５７】
この第２実施形態の変形例では、図１０に示すように、位相差板４１の厚みが、図９に
示した第２実施形態の位相差板４１の厚みよりも小さくなっている。また、ＣＦ基板３３
の内面側（液晶層３１側）の反射表示領域５０ａに対応する領域に、液晶層３１側に向か
って突出する樹脂層４６が形成されている。そして、第２実施形態の変形例では、樹脂層
４６によって、反射表示領域５０ａにおける液晶層３１の厚みが透過表示領域５０ｂにお
ける液晶層３１の厚みの略半分になるように調整されている。
【００５８】
なお、第２実施形態の変形例による液晶表示装置のその他の構成は、上記した第２実施
形態による液晶表示装置の構成と同様である。
【００５９】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと
考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範
囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が
含まれる。
【００６０】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、共通電極の表面上に絶縁膜を介して画素
電極を形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、共通電極および画素電極を同一面
上に形成するようにしてもよい。
【００６１】
また、上記第１および第２実施形態では、画素電極および共通電極の両方を、液晶層を
挟持する一対の基板のうちの一方の基板側に配置するようにしたが、本発明はこれに限ら
ず、一方の基板側に画素電極を配置し、他方の基板側に共通電極を配置するようにしても
よい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の構造を簡略的に示した平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の１画素分の構造を示した断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】第１実施形態の変形例による液晶表示装置の１画素分の構造を示した断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の１画素分の構造を示した断面図である。
【図１０】第２実施形態の変形例による液晶表示装置の１画素分の構造を示した断面図である。
【図１１】従来の半透過型の液晶表示装置の１画素分の構造を簡略的に示した図である。
【符号の説明】
【００６３】
１、３１  液晶層
２、３２  ＴＦＴ基板（基板）
３、３３  ＣＦ基板（基板）
５  薄膜トランジスタ（スイッチング素子）
９、４０  反射板
１１、４１  位相差板
２０  画素
２０ａ、５０ａ  反射表示領域
２０ｂ、５０ｂ  透過表示領域
３９  カラーフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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