(57)【要約】      （修正有）【課題】より小さいサイズ及び単位面積あたりの高い密度を有する所望の構造的な特性を有するフリップチップを製造する方法を提供することである。また、有利に達成される更なる目的は、従来技術で使用されるフォトリソグラフィ段階を取り除く方法を提供する。【解決手段】少なくとも１つの導電材料から構成されるチップを製造する方法に関連する。このような方法は、少なくとも１つの導電材料及び第２の材料を含む合金を支持体に堆積する段階と、前記導電材料ではない少なくとも前記第２の材料である、前記チップの組成の一部を形成しない前記合金の材料の脱離を引き起こすために、前記合金をプラズマエッチングにさらす段階と、少なくとも前記導電材料から構成されるチップを形成する段階と、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの導電材料から構成されるチップを製造する方法であって、
少なくとも１つの導電材料及び第２の材料を含む合金を支持体に堆積する段階と、
前記導電材料ではない少なくとも前記第２の材料である、前記チップの組成の一部を形成しない前記合金の材料の脱離を引き起こすために、前記合金をプラズマエッチングにさらす段階と、
少なくとも前記導電材料から構成されるチップを形成する段階と、を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載のチップを製造する方法であって、前記第１の導電材料及び前記第２の材料は、それぞれ周期律表のＩＩ及びＶＩ列またはＩＩＩ及びＶ列の元素から選択されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載のチップを製造する方法であって、前記第１の導電材料は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）またはカドミウム（Ｃｄ）であり、前記第２の材料は、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）またはテルル（Ｔｅ）であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載のチップを製造する方法であって、前記合金は、１つ又はそれ以上の導電材料を含む三成分または四成分であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項に記載のチップを製造する方法であって、前記合金は、化学気相堆積（ＣＶＤ）によって前記支持体に堆積されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一項に記載のチップを製造する方法であって、前記支持体上に堆積される前記合金は、前記プラズマエッチングにさらされる前にフォトリソグラフィ及びエッチングによって形付けられることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載のチップを製造する方法であって、前記プラズマエッチング段階は、約２から５０ｍＴｏｒｒ、有利には約１０ｍＴｏｒｒの真空下で行うことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１から７の何れか一項に記載のチップを製造する方法であって、前記プラズマエッチング段階におけるプラズマを形成する気体は、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び水素（Ｈ２）であることを特徴とする方法。
【請求項９】
１０ミクロン未満、有利には３ミクロン未満の直径を有する、請求項１から８の何れか一項に記載の方法を用いて得られる金属チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小さなサイズ及び高い密度の両方を有する金属フリップチップの製造に関連する。
【０００２】
このようなチップは、特にパッケージングオプトエレクトロニクス部品及び／又はマイクロエレクトロニクス部品の分野における用途がある。
【０００３】
より正確には、本発明の方法は、少なくとも二成分である合金の使用に基づくものである。
【背景技術】
【０００４】
マイクロテクノロジー及びナノテクノロジ-の分野では、部品のサイズを減少させ、それらの集積密度を増加させる動向がある。この動向は、ピッチがますます小さくなる相互接続技術（導電膜及び接着剤、フリップチップ（１）など）によって必ずしも進められなければならないものではない。
【０００５】
第１例は、例えば読取回路上にある部品を複合化するために非常に有利な技術であるフリップチップに関連する（図１）。ワイヤーボンディングのような他の技術と比較して、それは、高い相互接続効率を得るのに役立ち、この部品を高い周波数で動作させるのに役立つ。さらに、この集合技術は、部品の自己位置合わせを得るために役立つ（図２）。
【０００６】
インジウムチップを製造するための本発明の方法が図３に示される。インジウムチップの形成に要求される量の材料は、金属バンプ上にリフトオフによって堆積され、次いで、ボードは、インジウムを再溶融するのに十分な温度まで加熱され、それで、この金属は、そのチップ形状を取る。
【０００７】
この実施形態は、精巧な技術的な段階であるリフトオフを必要とし、それは、厚い樹脂及びそれらのプロファイルの良好な制御、及び、実際のインジウムチップを得るための再溶融段階をも要求する。このチップは、図１に示されるように、１５μｍのピッチを有して約１０μｍの一般的な直径を有する。この技術を用いて、高い密度を有する、より小さなチップを得ることは困難になる。
【０００８】
より微細なピッチ及び／又はより小さいチップサイズを得るために、インジウムのプラズマエッチング（炭素化学を用いて）または電解による成長を用いる一般的なフォトリソグラフィなどの他の製造方法が使用される。しかしながら、これらの実施形態は、現時点では成熟していない。
【０００９】
第２例は、異方性導電膜／接着剤の分野に関連する。これらの接着剤は、熱圧着によって破砕され、垂直伝導を引き起こす粒子を含む。この分野では、ますます高い密度の相互接続を有するこの膜をますます使用することも必要である。現在、より小さい導電性粒子を有する異方性導電膜（ＡＣＦ）は、３μｍの直径の粒子を有する生成物である。
【００１０】
【非特許文献１】Ｋｒｉｓｔｉａｎｓｅｎ  Ｈｅｌｇｅ  ｅｔ  Ｌｉｕ  Ｊｏｈａｎ，  “Ｏｖｅｒｖｉｅｗ  ｏｆ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  ｆｏｒ  ＬＣＤ’ｓ”  ＴＥＥ  ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｐａｃｋａｇｉｎｇ，  ａｎｄ  ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，  ｐａｒｔ  Ａ，  Ｖｏｌ．２１，Ｎ°２，Ｊｕｎｅ  １９９８，ｐｐ  ２０８−２１４．
【非特許文献２】Ｃｏｏｍｂｅｓ  Ｃ．Ｊ．，“Ｔｈｅ  ｍｅｌｔｉｎｇ  ｏｆ  ｓｍａｌｌ  ｐａｒｔｉｃｌｅｓ  ｏｆ  ｌｅａｄ  ａｎｄ  ｉｎｄｉｕｍ”，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｆ：Ｍｅｔａｌ  Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．２，Ｍａｙ  １９７２，ｐｐ  ４４１−４４９．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従って、本願発明が解決することを提案する技術的な課題は、特により小さいサイズ及び単位面積あたりの高い密度を有する所望の構造的な特性を有するフリップチップを製造する方法を提供することである。
【００１２】
本願発明による有利に達成される更なる目的は、従来技術で使用されるフォトリソグラフィ段階を取り除く方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
従って、本発明は、少なくとも１つの導電材料からなるチップを製造する方法に関連し、それは、少なくともこの第１の材料と少なくとも第２の材料とからなる合金から製造される。
【００１４】
理解を容易にするために、詳細な説明の残りの部分で、第１の導電材料は（Ａ）で、第２の材料は（Ｂ）で、合金は（ＡＢ）で示される。この合金という用語は、この混合材料ＡＢが少なくとも１つの金属を含む限りにおいて適切なものである。
【００１５】
より正確に言えば、このような方法は、以下の段階を含む。
−少なくとも１つの導電材料（Ａ）及び第２の材料（Ｂ）を含む合金（ＡＢ）を支持体に堆積する段階；
−少なくともこの導電材料（Ａ）を除いて、この要素の脱離を引き起こすために、この合金（ＡＢ）をプラズマエッチングにさらす段階。
【００１６】
より正確に言えば、“要素”とは、このチップの組成の一部を形成しないこの合金の材料を意味し、この場合、第２の材料（Ｂ）である。一方、このチップを構成するこの導電材料（Ａ）は脱離されてはならない。
【００１７】
この方法を完了するために、チップは、脱離されていない合金の材料、この場合には導電材料（Ａ）からなる基板上に形成される。
【００１８】
好ましい実施形態では、この合金は、排他的にＡ及びＢからなる二成分材料である。有利には、結合されたこれらの材料は、それぞれ周期律表のＩＩ及びＶＩ列またはＩＩＩ及びＶ列の元素から選択される。
【００１９】
既に述べたように、この第１の材料は、導電性の特性を有する。従って、それは金属または半金属である。
【００２０】
有利には、この導電材料は、周期律表のＩＩＩ列に分類されるインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）である。
【００２１】
従って、好ましい二成分材料は、ＩｎＰまたはＧａＡｓであり、周期律表のＶ列に属するリン（Ｐ）及び砒素（Ａｓ）は、金属であるＩｎ及びＧａと結合し、それぞれインジウム及びガリウムのチップの形成を可能にする。
【００２２】
好ましい二成分材料の他の例は、テルビウム（Ｔｅ；周期律表のＶＩ列）が結合したカドミウム（Ｃｄ；周期津表のＩＩ列）である。
【００２３】
あるいは、この合金は、１つ又はそれ以上の導電材料を含む三成分または四成分であってもよい。従って、材料ＩｎＡｓＰによってインジウムチップを形成することができ、一方、ＩｎＧａＡｓＰタイプの四成分材料は、これらの金属（ＩｎまたはＧａ）の１つ又はインジウムまたはガリウムの合金の何れかからなるチップを生産する。
【００２４】
従って、本発明によれば、チップを構成するこの導電材料（Ａ）は、従来技術でのように単純な形態で堆積されず、少なくとも二成分材料（ＡＢ）の形態である。
【００２５】
この合金（ＡＢ）は、例えば、文献ＵＳ５，３４６，８５２で報告されているように有利には低温（１００から２５０℃）で化学気相堆積（ＣＶＤ）によって堆積される。
【００２６】
この場合、この合金は、中実な金属ボードの形態を有する。
【００２７】
有利には、この堆積された合金は、プラズマエッチング前に、リソグラフィ及びそれに続くエッチングによって形付けられてもよい。リソグラフィは、有利には微細な樹脂を用いて使用され、エッチングは、化学エッチングまたは乾式エッチングである。チップを形成する材料の量を事前に定義する限りにおいて、この代替案によって、形成されるチップのサイズのあらゆる変動を良好に制御することができる。
【００２８】
異方性導電膜（ＡＣＦ）の製造との関連で、バンプを接続する金属は、合金を堆積する前に支持体上に配置される。有利には、これらのバンプは、離隔され、堆積物によって被覆される。従って、以下に詳細に示される第２段階の完了時に、金属チップは、これらの金属バンプの表面に形成され、対向して配置される金属バンプとの接続を保証する。
【００２９】
また、フリップチップの分野の製造との関連で、金属バンプは、約１００ｎｍから数ミクロンの間隔を有して支持体上に配置される。これらのバンプは、堆積物によって覆われるものであり、バンプ毎に１つのみのフリップチップの形成を可能にするように構成される。これは、特にバンプの表面及び堆積される合金の量に依存する。
【００３０】
後続の段階では、この合金はプラズマを用いてエッチングされる。このプラズマエッチングは、合金材料を除去するためのものである。この段階の条件は、
−特に導電材料（Ａ）である、このチップの組成の所望の要素を除外した全ての要素の選択的脱離；
−表面上での球形の形態の再編成による、所望の特性、特にサイズを有するこの導電材料（Ａ）を用いたチップの形成；を得るように設定される。
【００３１】
このプラズマエッチング段階は、有利には、約２から５０ｍＴｏｒｒ、有利には約１０ｍＴｏｒｒの真空下で行う。
【００３２】
この段階の化学、特に、温度及び圧力条件、及び、プラズマを構成する気体の組成は、合金に存在する要素、特にＡ及びＢによって決定される。この原理は、これらの条件に置かれる要素Ｂが、チップを構成する他の要素（特にＡ）より容易に脱離しなければならないというものである。
【００３３】
言い換えると、気体と第２の材料との間の反応生成物は、この導電材料よりも揮発性でなければならず、この第１の材料とプラズマを形成する気体との間の反応生成物さえよりも揮発性でなければならない。
【００３４】
一例として、合金ＩｎＰは、Ｃ２Ｈ４及びＨ２の気体の存在下で、非常に揮発性のリン（ＰＨ３）を形成する。同様の条件で、材料ＧａＡｓは、アルシン（ＡｓＨ３）をもたらし、それも非常に揮発性である。
【００３５】
本発明の方法のパラメータを変化させることによって、前記方法の完了時に、約１０ミクロンから数十ナノメートルの範囲の、非常に幅広いサイズの範囲でフリップチップを得ることが可能である。有意に従来技術（約１０６チップ／ｃｍ２の密度）と比較して、直径が１０ミクロン未満、場合によっては３ミクロン未満で、１０７チップ／ｃｍ２またはそれ以上の高い密度を有するチップを得ることができる。従って、以下に示される例示の実施形態では、より小さいチップを用いて、１０８チップ／ｃｍ２またはそれ以上の密度を得ることができることが示される。
【００３６】
結果的に、本願に関連して提案される技術的な解決手段は、以下の多くの利点を提供する。
−如何なるリソグラフィ技術を必要とすることなく基板の表面にミクロンサイズの又はナノメートルサイズでさえあるフリップチップの形成の可能性；
−基板の表面上に高い密度を有するフリップチップの形成の可能性。これらのチップは、この層の平面においてＸ及びＹ方向に空間的に明らかに分離され、排他的にＺ方向すなわち層の平面に垂直に電導を可能にする。
−フリップチップを得るために基板が加熱されなければならない最大温度は、“固体”材料溶融技術を用いたものより低いかもしれない。実際、この金属粒子の融点は、これらの粒子の大きさに伴って減少する。材料ＡＢのエッチング中に、粒子Ａがナノスケールで形成されることが可能であり、それは、固体Ａの融点より低い温度で溶融し、ミクロンサイズまでの大きさを有するより大きな粒子を形成するために良好に合体する。従って、インジウムチップにおいては、インジウムの融点が１５７℃である一方で、温度計が１３０℃より高い温度を記録しないことが見られる。
【００３７】
既に述べたように、本発明は、以下の多くの有利な用途を有する。
−異方性導電接着剤（ＡＣＡ）または非常に微細なピッチを有する異方性導電膜（ＡＣＦ）；
−インジウムチップによる混成（ハイブリダイゼーション）；
−ナノワイヤー成長用の金属触媒の生成；
−プラズモニクスの分野用の金属ナノ粒子の生成。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明を実施する方式及びその利点は、添付の図と共に情報として提供され、限定されない、以下に続く例示の実施形態から明らかになるだろう。
図１は、フリップチップ用のインジウムチップを示す走査電子顕微鏡画像である。図２は、（Ａ）視認できる位置合わせ、（Ｂ）配置及び加熱の段階及び（Ｃ）それに続く位置合わせにより、インジウムチップによるフリップチップ技術によって可能になる自己整列を示す概略図である。図３は、従来技術によるインジウムチップの実施形態を示し、（Ａ）読取回路の収容；（Ｂ）溶接冶金；（Ｃ）インジウムの体積のフォトリソグラフィ画定；（Ｄ）インジウム堆積；（Ｅ）フォトレジスト樹脂のリフトオフ；（Ｆ）インジウムの再溶融である。図４は、本発明によるインジウムチップの実施形態を示し。（Ａ）材料ＡＢの堆積の段階；及び（Ｂ）Ａのチップの形成と同時にＢの脱離の段階を示す。図５は、走査電子顕微鏡によって撮られた（Ａ）平面図または（Ｂ）プロファイルを示し、プラズマエッチング後におけるＩｎＰの基板の表面におけるチップの製造を示す。チップがない領域は、エッチングマスク（窒化物）に相当する。図６は、プラズマ条件を変化させることによって可変の平均サイズのチップが得られる（Ａ：０．２μｍ；Ｂ：１．８μｍ；Ｃ：３．２μｍ；Ｄ：６．５μｍ）ことを示す走査電子顕微鏡画像に相当する。図７は、シリカの層を介してシリコンに結合される３μｍのＩｎＰの層から、本発明の方法によって得られる約３００ｎｍの直径を有するＩｎチップの走査電子顕微鏡によって得られる画像に相当する。図８は、非常に微細なチップピッチを有する回路の相互接続用に実施される本発明の方法の様々な段階を示し、（Ａ）金属接続バンプの画定；（Ｂ）ＣＶＤによる二成分材料ＡＢの堆積；（Ｃ）要素Ｂの脱離を促進する気体を用いたプラズマエッチング；（Ｄ）結合される要素の対向位置合わせ及び圧力の印加；（Ｅ）完了される接続である。図９は、二成分Ｂから要素Ａのフリップチップを得るために使用される本発明の方法の様々な段階を示し、（Ａ）金属チップを受容する金属バンプの画定；（Ｂ）ＣＶＤによる二成分材料ＡＢの堆積；（Ｃ）要素Ｂの脱離を促進する気体を用いたプラズマエッチングである。図１０は、垂直伝導を得るために金属バンプが必要ではない、図９の方法の第１の代替案を示す。図１１は、図９の方法の第２の代替案を示し、チップのサイズの変動を良好に制御することができ、そこで、微細な樹脂の堆積及び化学的エッチングまたは乾式エッチング（Ａ）がプラズマエッチング（Ｂ）の前に実施される。
【００３９】
本発明の原理は、図４に示される。本願で記載されるインジウムチップの製造方法は、２つの段階を必要とする。
−合金ＡＢの堆積（図４Ａ）；
−要素Ｂの脱離に続く、及び、同時に行われる、要素Ａのチップの形成（図４Ｂ）。
【００４０】
この方法は、図５の走査型電子顕微鏡画像に示される。この画像は、インジウム（Ｉｎ）のチップの製造に関連して得られたものであり、このインジウムは、ここでは要素Ａの役割を果たす。
【００４１】
ＩｎＰ基板（ここでは、二成分ＡＢの役割を果たす）は、実質的に約３５０μｍの莫大な厚さを有するが、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングフレーム内で、Ｃ２Ｈ４／Ｈ２の気体混合物の存在下でプラズマエッチング段階にさらされる。この気体流量は、エチレンでは約１０ｓｃｃｍ、水素では３０ｓｃｃｍであり、エッチングチャンバーの圧力は、１０ｍＴｏｒｒであり、ＲＦ及びＬＦ出力は、それぞれ２００Ｗ及び６００Ｗであった。
【００４２】
水素は、チャンバー内で支配的な気体であるが、好ましくはリンと反応し、非常に揮発性の高いホスフィンＰＨ３を形成し、従って、リンの脱離は、低圧及び低温で意図的に許可される。残りのインジウムは、ナノチップ（２）の形態で再編成され、固体のインジウムの融点（１５７℃）より低い融点を有する。これらのナノチューブは合体し、より大きなチップを形成する（図５）。
【００４３】
従って、この技術を使用することによって、フォトリソグラフィ技術を使用することなく基板の表面にインジウムチップを得ることが可能になる。さらに、図５には、相対的に小さなチップサイズが得られることが示され、それは、３μｍから数十ｎｍの範囲である。
【００４４】
図６には、これらのインジウムチップの平均サイズがプラズマ条件を変えることによって変更することができることが示されている。ＩｎＰ基板は、ＩＣＰフレーム内において１０ｍＴｏｒｒの圧力下で１５分間Ｃ２Ｈ４／Ｈ２プラズマ（１０ｓｃｃｍ／３０ｓｃｃｍ）にさらされる。ＲＦ及びＬＦ出力を変えることのみによって、０．２から６．５μｍのチップサイズが得られる。
【００４５】
図７には、シリカの層を介してシリコンに結合された、３μｍの最終厚さを有するＩｎＰ層のプラズマエッチングの結果が示されている。このチップサイズの均一性は、使用されたプラズマ条件で２００から約５００ｍｍの範囲にあるチップ直径を有して、以前に提供されたエッチングと比較して良好である。チップ密度は、約１０８／ｃｍ２である。
【００４６】
既に述べたように、この方法によって得られるチップの第１の用途は、異方性導電膜（ＡＣＦ）の製造に関するものである。この用途に適合する実施形態は、図８に示されており、非常に微細なチップピッチを有する回路の配線を可能にする。
【００４７】
この図は、本発明の方法の開始段階及び終了段階を示す。
−金属接続バンプの画定（図８Ａ）；
−ＣＶＤによる二成分材料ＡＢの堆積（図８Ｂ）；
−要素Ｂの脱離を促進するガスを用いたプラズマエッチング（図８Ｃ）；
結合される要素の対向配置及び結合（図８Ｅ）に至らせる圧力の印加（図８Ｄ）。
【００４８】
第２分野の用途は、図１に示されるように一般的に使用されるリフトオフ技術を用いるよりも微細なピッチを有して均一に離隔されたフリップチップの分野の製造である。
【００４９】
これに関連して、本発明に基づいて１つの可能な実施形態が図９に示される。本発明の方法の２つの特徴的な段階とは別に、先に行う一段階は、金属チップを受けるための金属バンプを画定することからなる。これらのバンプは、有利には数百ナノメートルから数ミクロンほど離隔される。これらのバンプのサイズによって、単一のチップは、この段階の完了時にバンプ毎に形成される。
【００５０】
この実施形態の一代替案は、図１０に提案されており、垂直伝導用の金属バンプを避けることからなる。まさに本発明の方法のコンセプトによれば、チップは、基板のどこにでも形成することができ、結果的に高密度になる。
【００５１】
チップサイズの均一性の制御をより良くするために、及び、一ミクロンを超えるチップ直径の特定の範囲のために、図１１に示される他の代替案を実施することができる。これは、チップを形成するプラズマエッチングの前に、材料ＡＢのリソグラフィ＋エッチングの段階を実行することからなる。しかしながら、この代替案は、使用した技術の点から見ると扱いにくい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】フリップチップ用のインジウムチップを示す走査電子顕微鏡画像である。
【図２】インジウムチップによるフリップチップ技術によって可能になる自己整列を示す概略図であり、（Ａ）は、視認できる位置合わせ、（Ｂ）は、配置及び加熱の段階、（Ｃ）は、それに続く位置合わせの結果である。
【図３】従来技術によるインジウムチップの実施形態を示し、（Ａ）は、読取回路の収容；（Ｂ）は、溶接冶金；（Ｃ）は、インジウムの体積のフォトリソグラフィ画定；（Ｄ）は、インジウム堆積；（Ｅ）は、フォトレジスト樹脂のリフトオフ；（Ｆ）は、インジウムの再溶融である。
【図４】本発明によるインジウムチップの実施形態を示し、（Ａ）は、材料ＡＢの堆積の段階；（Ｂ）は、Ａのチップの形成と同時にＢの脱離の段階を示す。
【図５】走査電子顕微鏡によって撮られた（Ａ）平面図または（Ｂ）プロファイルを示す。
【図６】プラズマ条件を変化させることによって可変の平均サイズのチップが得られる（Ａ：０．２μｍ；Ｂ：１．８μｍ；Ｃ：３．２μｍ；Ｄ：６．５μｍ）ことを示す走査電子顕微鏡画像である。
【図７】シリカの層を介してシリコンに結合される３μｍのＩｎＰの層から、本発明の方法によって得られる約３００ｎｍの直径を有するＩｎチップの走査電子顕微鏡によって得られる画像である。
【図８】非常に微細なチップピッチを有する回路の相互接続用に実施される本発明の方法の様々な段階を示し、（Ａ）は、金属接続バンプの画定；（Ｂ）は、ＣＶＤによる二成分材料ＡＢの堆積；（Ｃ）は、要素Ｂの脱離を促進する気体を用いたプラズマエッチング；（Ｄ）は、結合される要素の対向位置合わせ及び圧力の印加；（Ｅ）は、完了される接続である。
【図９】二成分Ｂから要素Ａのフリップチップを得るために使用される本発明の方法の様々な段階を示し、（Ａ）は、金属チップを受容する金属バンプの画定；（Ｂ）は、ＣＶＤによる二成分材料ＡＢの堆積；（Ｃ）は、要素Ｂの脱離を促進する気体を用いたプラズマエッチングである。
【図１０】垂直伝導を得るために金属バンプが必要ではない、図９の方法の第１の代替案を示す。
【図１１】図９の方法の第２の代替案を示し、チップのサイズの変動を良好に制御することができ、そこで、微細な樹脂の堆積及び化学的エッチングまたは乾式エッチング（Ａ）がプラズマエッチング（Ｂ）の前に実施される図である。
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
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