(57)【要約】【課題】寄生容量のばらつきに拘わらず、信号電荷に重畳されてデータ配線を伝送されるフィードスルーを精度良く抑制する。【解決手段】照射放射線に応じて光電変換層で発生した電荷を蓄積する蓄積容量26と、ゲート配線34からのオン信号によってオンするＴＦＴ28を備えた画素部30がマトリクス状に配置された基板24には、各データ配線36に交差するダミー配線82と各データ配線36に対応するＴＦＴ78を備えたダミー画素群77が設けられ、各データ配線36には補正用容量116が接続されている。画素部30のＴＦＴ28のオン時にダミー配線82へのオン信号の供給停止及び補正用容量116への電圧の印加停止を行い、ＴＦＴ28のオフ時にダミー配線82へのオン信号の供給再開及び補正用容量116への電圧の印加再開を行うことで、寄生容量38によって発生するフィードスルーを、寄生容量84及び補正用容量116によって発生するフィードスルーによってデータ配線36上でキャンセルする。【選択図】図３
2009212618.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電圧配線を介して供給される信号電圧に応じてオンオフされるスイッチング手段と、信号電荷を保持する保持部を各々備えた複数の画素部から成る画素群と、
前記信号電圧配線と交差するように各々設けられ、前記スイッチング手段がオンされている期間に前記画素部の前記保持部に保持されていた信号電荷を伝送するように、前記画素群のうちの互いに異なる画素部に接続された複数のデータ配線と、
複数のデータ配線のうちの互いに異なるデータ配線に各々接続された複数の補正用容量と、
前記複数の補正用容量の各々に、互いに独立した任意の大きさの第１補正電圧を任意の期間印加することが可能な補正電圧印加手段と、
を有する画像検出装置。
【請求項２】
前記複数の画素部、前記信号電圧配線及び前記複数のデータ配線は単一のパネル内に形成されており、前記補正用容量は、前記データ配線と交差する第１ダミー配線が前記パネル内に形成されることで、前記データ配線と前記第１ダミー配線との間に生ずる寄生容量、又は、前記パネル外に配置され前記データ配線と接続された外部容量であることを特徴とする請求項１記載の画像検出装置。
【請求項３】
前記複数の補正容量の各々に印加する第１補正電圧の大きさを記憶する第１記憶部と、
前記複数の補正容量の各々に対し、前記第１記憶部に記憶されている大きさの第１補正電圧の印加が、前記スイッチング手段のオフ時に開始され、前記スイッチング手段のオン時に停止されるように、前記補正電圧印加手段を制御する第１補正手段と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の画像検出装置。
【請求項４】
前記補正電圧印加手段は、入力された補正データを該補正データの値に応じた大きさの第１補正電圧へ変換する複数の第１のＤ／Ａ変換器と、個々の前記第１のＤ／Ａ変換器と個々の前記補正用容量との間に各々設けられオンオフされることで前記第１のＤ／Ａ変換器から出力された第１補正電圧の前記補正用容量への印加開始及び印加停止を切替可能な複数のスイッチング素子と、を含んで構成されており、
前記第１記憶部には、前記複数の補正容量の各々に印加する第１補正電圧の大きさを表す複数の補正データが記憶され、
前記第１補正手段は、前記第１記憶部に記憶されている補正データを個々の前記第１のＤ／Ａ変換に各々入力すると共に、前記複数のスイッチング素子のオンオフを制御することで、前記複数の補正容量の各々に対し、前記補正データが表す大きさの第１補正電圧を前記スイッチング手段がオフしている期間印加させることを特徴とする請求項３記載の画像検出装置。
【請求項５】
前記画素群は複数設けられ、個々の画素群のスイッチング手段は、互いに異なる信号電圧配線を介して供給される信号電圧に応じて、単一又は複数の画素群を単位として互いに異なる期間にオンされ、
前記第１記憶部には、前記複数の補正容量の各々に印加する第１補正電圧の大きさが、前記スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として各々記憶されており、
前記第１補正手段は、前記スイッチング手段のオフ時に印加を開始させ、前記スイッチング手段のオン時に印加を停止させる前記複数の補正容量の各々への第１補正電圧が、前記オンオフされるスイッチング手段が属する画素群に対応して前記第１記憶部に記憶されている第１補正電圧の大きさに一致するように前記補正電圧印加手段を制御することを特徴とする請求項３記載の画像検出装置。
【請求項６】
前記第１補正手段は、個々の前記画素部の前記保持部に信号電荷が保持されていない状態で、単一又は複数の信号電圧配線に接続されたスイッチング手段が各々オンオフされることで発生した、個々の前記データ配線における電圧変動の大きさに基づいて、前記オンオフされたスイッチング手段のオンオフ時に前記複数の補正容量の各々に印加すべき第１補正電圧の大きさを決定して前記第１記憶部に記憶させることを特徴とする請求項３又は請求項５記載の画像検出装置。
【請求項７】
前記画素群は複数設けられ、個々の画素群のスイッチング手段は、互いに異なる信号電圧配線を介して供給される信号電圧に応じて、単一又は複数の画素群を単位として互いに異なる期間にオンされ、
前記複数のデータ配線と交差するように設けられた第２ダミー配線に接続され前記第２ダミー配線を介して供給される第２補正電圧に応じてオンオフされる補正用スイッチング手段を各々備えた複数のダミー画素部から成るダミー画素群と、
前記第２ダミー配線に印加する第２補正電圧の大きさを、前記スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として各々記憶する第２記憶部と、
前記スイッチング手段のオフ時に前記複数のダミー画素部の前記補正用スイッチング手段を各々オンさせ、前記スイッチング手段のオン時に前記複数のダミー画素部の前記補正用スイッチング手段を各々オフさせると共に、前記補正用スイッチング手段がオンしている期間に前記第２ダミー配線に印加させる第２補正電圧を、前記オンオフされるスイッチング手段が属する画素群に対応して前記第２記憶部に記憶されている第２補正電圧の大きさに一致させる第２補正手段と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１〜請求項６の何れか１項記載の画像検出装置。
【請求項８】
前記第２記憶部には、前記第２ダミー配線に印加する第２補正電圧の大きさを表す補正データが、前記スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として各々記憶されており、
前記第２補正手段は、入力された補正データを該補正データの値に応じた大きさの第２補正電圧へ変換する第２のＤ／Ａ変換器と、前記第２のＤ／Ａ変換器から出力された第２補正電圧の前記第２ダミー配線への印加開始及び印加停止を切り替えることで前記複数のダミー画素部の前記補正用スイッチング手段を各々オンオフさせるダミー配線駆動部と、を含んで構成され、前記オンオフされるスイッチング手段が属する画素群に対応して前記第２記憶部に記憶されている補正データを前記第２のＤ／Ａ変換器に入力し、かつ、前記スイッチング手段のオフ時に前記第２ダミー配線への前記第２補正電圧の印加が開始され、前記スイッチング手段のオン時に前記第２ダミー配線への前記第２補正電圧の印加が停止されるように前記ダミー配線駆動部を制御することを特徴とする請求項７記載の画像検出装置。
【請求項９】
前記第２補正手段は、個々の前記画素部の前記保持部に信号電荷が保持されていない状態で、単一又は複数のゲート線に接続されたスイッチング手段が各々オンオフされることで発生した、個々の前記データ配線における電圧変動の大きさに基づいて、前記オンオフされたスイッチング手段のオンオフ時に前記第２ダミー配線へ印加すべき第２補正電圧の大きさを決定して前記第２記憶部に記憶させることを特徴とする請求項７記載の画像検出装置。
【請求項１０】
照射された放射線又は電磁波を電荷へ変換する変換部を更に備え、
前記個々の画素部の保持部は、前記変換部で変換された電荷を信号電荷として保持することを特徴とする請求項１〜請求項９の何れか１項記載の画像検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像検出装置に係り、特に、ゲート配線を介して供給される信号電圧に応じてオンオフされるスイッチング手段と信号電荷を保持する保持部を各々備えた複数の画素部と、ゲート配線と交差されスイッチング手段がオンされている期間に画素部の保持部に保持されていた信号電荷を伝送するように互いに異なる画素部に接続された複数のデータ配線を備えた画像検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療診断を目的とした放射線撮影において、被写体を透過した放射線を、放射線に感度を有する光電変換層を備えた放射線検出器に照射し、放射線検出器への照射放射線量に応じて放射線検出器に蓄積された電荷を、読み出しの単位領域毎に電流として順次読み出し、読み出した電流をデジタルデータへ変換することで、デジタルの放射線画像を得るシステムが知られている。また、放射線検出器として、マトリクス状に配置された多数個のＴＦＴ(Thin Film Transistor)及び信号配線がガラス基板上に形成されて成るＴＦＴアクティブマトリクス基板上に光電変換層を形成した構成の放射線検出パネルも知られている。
【０００３】
ところで、ＴＦＴアクティブマトリクス基板のように、ＴＦＴ等のスイッチング素子をマトリクス状に多数個配置した場合、スイッチング素子をオンオフさせるための複数本のゲート配線と、スイッチング素子がオンした画素からの信号電荷を伝送するための複数本のデータ配線を交差配置した構成となるので、スイッチング素子のオン時及びオフ時に、当該スイッチング素子に接続されたゲート配線とデータ配線の交差位置に存在する寄生容量に加わる電圧の大きさが変化することで、データ配線を伝送される信号電荷にノイズ成分（以下、フィードスルーと称する）が重畳される。特に、放射線検出パネルは個々の画素に保持蓄積される電荷量が微小であるので、データ配線を伝送される信号電荷のレベルよりもフィードスルーのレベルの方が大きく、フィードスルーの影響によって出力信号のＳ／Ｎ比や出力信号における信号成分のダイナミックレンジは著しく小さくなる。
【０００４】
上記の寄生容量によってスイッチング素子のオン時及びオフ時に発生するフィードスルーは、レベルが同一で極性が逆であるので、個々のデータ線に接続された後段のチャージアンプにおける信号電荷の積分期間を、スイッチング素子のオン時から、スイッチング素子のオフ後所定時間経過する迄の期間（データ配線を伝送されるフィードスルーを含む信号電荷が０となる迄の期間）に設定すれば、スイッチング素子のオン時のフィードスルーとオフ時のフィードスルーが打ち消し合うことで、チャージアンプの出力信号（信号電荷の積分結果）からフィードスルーの影響を排除することは原理的には可能ではある（例えば特許文献１を参照）。しかし実際には、信号電荷のレベルに比してフィードスルーのレベルが大きいために、チャージアンプの積分期間内に積分電荷の飽和が生ずることで、フィードスルーの影響を精度良く排除することができず、チャージアンプの出力信号のＳ／Ｎ比や出力信号における信号成分のダイナミックレンジは十分には改善されない。
【０００５】
上記に関連して特許文献２、３には、信号電荷の保持蓄積を行わないダミー画素を放射線検出パネル上に設け、このダミー画素の調整用ＴＦＴを通常画素のＴＦＴと逆のタイミングでオンオフさせることで、通常画素における寄生容量によって発生するフィードスルーを、ダミー画素における寄生容量によって発生するフィードスルーによってデータ配線上でキャンセルする技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−１０１３９６号公報
【特許文献２】特開２００１−５６３８２号公報
【特許文献３】特開２００４−３７３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ゲート配線とデータ配線の交差位置に各々存在する個々の寄生容量の静電容量には製造誤差に起因するばらつきがあり、これに伴い、個々の寄生容量によって発生するフィードスルーのレベルにもばらつきが生ずる。前述した特許文献２，３に記載の技術は、ダミー画素における寄生容量の静電容量が、当該ダミー画素と同一のデータ配線に接続された通常画素におけるの寄生容量の静電容量と偶然に一致していれば、通常画素の寄生容量によって発生するフィードスルーを前記データ配線上で精度良くキャンセルできるものの、実際には、ダミー画素の寄生容量の静電容量は、同一のデータ配線に接続された通常画素の寄生容量の静電容量と相違していることが殆どであり、個々の通常画素における寄生容量の静電容量のばらつきに起因して生ずる、個々のデータ配線に重畳されるフィードスルーのレベルのばらつきの影響で、寄生容量によって発生するフィードスルーを個々のデータ配線上で精度良く抑制することができない、という問題がある。
【０００７】
本発明は上記事実を考慮して成されたもので、寄生容量のばらつきに拘わらず、信号電荷に重畳されてデータ配線を伝送されるフィードスルーを精度良く抑制可能な画像検出装置を得ることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために請求項１記載の発明に係る画像検出装置は、ゲート配線を介して供給される信号電圧に応じてオンオフされるスイッチング手段と、信号電荷を保持する保持部を各々備えた複数の画素部から成る画素群と、前記ゲート配線と交差するように各々設けられ、前記スイッチング手段がオンされている期間に前記画素部の前記保持部に保持されていた信号電荷を伝送するように、前記画素群のうちの互いに異なる画素部に接続された複数のデータ配線と、複数のデータ配線のうちの互いに異なるデータ配線に各々接続された複数の補正用容量と、前記複数の補正用容量の各々に、互いに独立した任意の大きさの第１補正電圧を任意の期間印加することが可能な補正電圧印加手段と、を有している。
【０００９】
請求項１記載の発明では、ゲート配線を介して供給される信号電圧に応じてオンオフされるスイッチング手段と、信号電荷を保持する保持部を各々備えた複数の画素部から成る画素群が設けられている。また、ゲート配線と交差するように複数のデータ配線が各々設けられており、複数のデータ配線は、スイッチング手段がオンされている期間に画素部の保持部に保持されていた信号電荷を伝送するように、画素群のうちの互いに異なる画素部に接続されている。なお、請求項１０に記載したように、照射された放射線又は電磁波を電荷へ変換する変換部を更に備え、個々の画素部の保持部は、変換部で変換された電荷を信号電荷として保持する構成であってもよい。この場合、個々の画素部の保持部には、個々の画素部の位置における放射線又は電磁波の照射量に応じた電荷量の電荷が各々保持されることになる。
【００１０】
上記のように請求項１記載の発明では、複数本のデータ配線がゲート配線と各々交差しているので、ゲート配線と個々のデータ配線との交差位置には寄生容量が各々存在しており、個々の画素部のスイッチング手段のオン時及びオフ時には、ゲート配線を介して供給される信号電圧の大きさが変化し、これに伴ってゲート配線と個々のデータ配線との電位差（すなわち個々の寄生容量に加わる電圧の大きさ）が変化することで、個々の寄生容量によってフィードスルーが発生し、発生したフィードスルーが個々のデータ配線を伝送される。また、個々の寄生容量によって発生するフィードスルーのレベルは個々の寄生容量に保持される電荷量に相当し、電荷量Ｑ＝静電容量Ｃ×電圧Ｖであると共に、個々の寄生容量には製造誤差等に起因して静電容量Ｃのばらつきがあるので、個々の寄生容量に保持される電荷量Ｑ、すなわち個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーのレベルにもばらつきが生ずる。
【００１１】
これに対して請求項１記載の発明では、寄生容量と静電容量Ｃが異なる別の容量であっても、Ｑ＝ＣＶに基づき電圧Ｖを調整することで電荷量Ｑ、すなわち発生するフィードスルーのレベルを等しくできる（Ｃ1Ｖ1＝Ｃ2Ｖ2：但し、Ｃ1は寄生容量の静電容量、Ｖ1は寄生容量の電圧、Ｃ2は別の容量の静電容量、Ｖ2は別の容量の電圧）ことに基づき、複数のデータ配線のうちの互いに異なるデータ配線に各々接続された複数の補正用容量を設けると共に、複数の補正用容量の各々に、互いに独立した任意の大きさの第１補正電圧を任意の期間印加することが可能な補正電圧印加手段を設けている。
【００１２】
これにより、寄生容量の静電容量のばらつきにより、寄生容量によって発生されて個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーのレベルがばらついていたとしても、個々の補正用容量によって発生するフィードスルー（以下、補正用容量によって発生するフィードスルーを便宜上「補正信号成分」と称する）が、寄生容量によって発生するフィードスルーと同レベルとなるように、個々の補正用容量に印加する第１補正電圧を互いに独立に調整することが可能になると共に、個々の補正用容量に第１補正電圧を印加する期間を調整することで、個々の寄生容量によるフィードスルーの発生と同じタイミングで、個々の寄生容量によって発生するフィードスルーと逆向きの補正信号成分を個々の補正用容量によって発生させることが可能となり、個々の寄生容量によって発生されて個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーを、個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーのレベルのばらつきに拘わらず、個々の補正用容量によって発生される補正信号成分により、個々のデータ配線上で精度良くキャンセルすることが可能となる。従って、請求項１記載の発明によれば、寄生容量のばらつきに拘わらず、信号電荷に重畳されてデータ配線を伝送されるフィードスルーを精度良く抑制することが可能となる。
【００１３】
なお、請求項１記載の発明において、画素群を構成する複数の画素部、ゲート配線及び複数のデータ配線は単一のパネル内に形成されていてもよく、この場合、補正用容量としては、例えば請求項２に記載したように、データ配線と交差する第１ダミー配線がパネル内に形成されることで、データ配線と第１ダミー配線との間に生ずる寄生容量、又は、パネル外に配置されデータ配線と接続された外部容量を用いることができる。例えばパネル内に形成した第１ダミー配線によって生ずる寄生容量は、個々の画素部における寄生容量と同一プロセスによって生成することができ、個々の画素部における寄生容量と特性（例えば温度変化に対する静電容量Ｃの変化等の特性）を揃えることができるので、補正用容量として上記の寄生容量を用いた場合には、データ配線を伝送されるフィードスルーをより精度良く抑制することができる。また、補正用容量として上記の外部容量を用いた場合にはパネル内に第１ダミー配線を設ける必要が無くなるので、パネルの面積増大を抑制できると共にパネルの構成の複雑化を回避することができる。
【００１４】
また、請求項１記載の発明において、例えば請求項３に記載したように、複数の補正容量の各々に印加する第１補正電圧の大きさを記憶する第１記憶部と、複数の補正容量の各々に対し、第１記憶部に記憶されている大きさの第１補正電圧の印加が、スイッチング手段のオフ時に開始され、スイッチング手段のオン時に停止されるように、補正電圧印加手段を制御する第１補正手段と、を更に設けることが好ましい。これにより、個々の補正用容量により、個々の寄生容量によるフィードスルーの発生と同じタイミングで、個々の寄生容量によって発生するフィードスルーとレベルが等しく逆向きの補正信号成分を発生させることができる。従って、個々の寄生容量によって発生されて個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーを、個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーのレベルのばらつきに拘わらず、個々の補正用容量によって発生される補正信号成分により、個々のデータ配線上で精度良くキャンセルすることができ、寄生容量のばらつきに拘わらず、信号電荷に重畳されてデータ配線を伝送されるフィードスルーを精度良く抑制することができる。
【００１５】
また、請求項３記載の発明において、補正電圧印加手段は、入力された補正データを該補正データの値に応じた大きさの第１補正電圧へ変換する複数の第１のＤ／Ａ変換器と、個々の第１のＤ／Ａ変換器と個々の補正用容量との間に各々設けられオンオフされることで第１のＤ／Ａ変換器から出力された第１補正電圧の前記補正用容量への印加開始及び印加停止を切替可能な複数のスイッチング素子と、を含んで構成することができ、この場合、例えば請求項４に記載したように、第１記憶部には、複数の補正容量の各々に印加する第１補正電圧の大きさを表す複数の補正データを記憶しておき、第１補正手段を、第１記憶部に記憶されている補正データを個々の第１のＤ／Ａ変換に各々入力すると共に、複数のスイッチング素子のオンオフを制御することで、複数の補正容量の各々に対し、補正データが表す大きさの第１補正電圧をスイッチング手段がオフしている期間印加させるように構成することができる。
【００１６】
また、請求項３記載の発明において、画素群が複数設けられ、個々の画素群のスイッチング手段が、互いに異なるゲート配線を介して供給される信号電圧に応じて、単一又は複数の画素群を単位として互いに異なる期間にオンされる構成であってもよく、この場合、例えば請求項５に記載したように、第１記憶部には、複数の補正容量の各々に印加する第１補正電圧の大きさを、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として各々記憶しておき、第１補正手段を、スイッチング手段のオフ時に印加を開始させ、スイッチング手段のオン時に印加を停止させる複数の補正容量の各々への第１補正電圧が、オンオフされるスイッチング手段が属する画素群に対応して第１記憶部に記憶されている第１補正電圧の大きさに一致するように補正電圧印加手段を制御する構成としてもよい。
【００１７】
上記のように、画素群が複数設けられている場合、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群の数により、スイッチング手段のオン時及びオフ時に個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーを発生する寄生容量の数が相違するので、データ配線を伝送されるフィードスルーのレベルも相違する。これに対して請求項５記載の発明では、複数の補正容量の各々に印加する第１補正電圧の大きさを、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として第１記憶部に各々記憶しておき、スイッチング手段のオフ時に印加を開始させ、スイッチング手段のオン時に印加を停止させる複数の補正容量の各々への第１補正電圧が、オンオフされるスイッチング手段が属する画素群に対応して第１記憶部に記憶されている第１補正電圧の大きさに一致するように補正電圧印加手段を制御するので、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群の数（個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーの発生源となる寄生容量の数）に拘わらず、データ配線を伝送されるフィードスルーを精度良く抑制することができる。
【００１８】
なお、請求項５記載の発明において、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群の数は切替可能であってもよく、この場合、第１記憶部には、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として複数の補正容量の各々に印加する第１補正電圧の大きさを表すデータ群を、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群の数毎に複数記憶しておき、第１記憶部に記憶されている複数のデータ群のうち、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群の数に対応するデータ群を用いて補正電圧印加手段を制御するように構成すればよい。
【００１９】
また、第１記憶部に記憶されている第１補正電圧の大きさについては、例えばフィードスルーのレベルを測定した結果等に基づき決定して第１記憶部に事前に記憶しておき、第１記憶部に事前に記憶した第１補正電圧の大きさを更新することなく、複数の補正容量の各々への第１補正電圧の印加に固定的に用いるようにしてもよいが、請求項３又は請求項５記載の発明において、第１補正手段を、例えば請求項６に記載したように、個々の画素部の保持部に信号電荷が保持されていない状態で、単一又は複数のゲート配線に接続されたスイッチング手段が各々オンオフされることで発生した、個々のデータ配線における電圧変動の大きさに基づいて、オンオフされたスイッチング手段のオンオフ時に複数の補正容量の各々に印加すべき第１補正電圧の大きさを決定して第１記憶部に記憶させるように構成してもよい。
【００２０】
個々の寄生容量の静電容量は周囲温度の変化等に伴って変動する可能性があり、この場合、寄生容量によって発生してデータ配線を伝送されるフィードスルーのレベルも変動する。これに対して請求項６記載の発明では、個々の画素部の保持部に信号電荷が保持されていない状態で、単一又は複数のゲート配線に接続されたスイッチング手段が各々オンオフされることで発生した、個々のデータ配線における電圧変動の大きさ（フィードスルーのレベル）に基づいて、オンオフされたスイッチング手段のオンオフ時に複数の補正容量の各々に印加すべき第１補正電圧の大きさを決定して第１記憶部に記憶させるので、周囲温度の変化等に伴ってフィードスルーのレベルが変動した場合にも、補正用容量によって発生される補正信号成分のレベルを変動後のフィードスルーのレベルと一致させることができる。従って、上記の第１補正電圧の大きさの決定・第１記憶部への記憶等の処理を定期的に（例えば一定時間毎や周囲温度の変化時、個々の画素部の保持部に信号電荷が保持される直前等のタイミングで）行うことで、周囲温度の変化等に拘わらず、データ配線を伝送されるフィードスルーを精度良く抑制することができる。
【００２１】
また、請求項１〜請求項６の何れかに記載の発明において、画素群が複数設けられ、個々の画素群のスイッチング手段が、互いに異なるゲート配線を介して供給される信号電圧に応じて、単一又は複数の画素群を単位として互いに異なる期間にオンされる構成である場合、例えば請求項７に記載したように、複数のデータ配線と交差するように設けられた第２ダミー配線に接続され第２ダミー配線を介して供給される第２補正電圧に応じてオンオフされる補正用スイッチング手段を各々備えた複数のダミー画素部から成るダミー画素群と、第２ダミー配線に印加する第２補正電圧の大きさを、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として各々記憶する第２記憶部と、スイッチング手段のオフ時に複数のダミー画素部の補正用スイッチング手段を各々オンさせ、スイッチング手段のオン時に複数のダミー画素部の補正用スイッチング手段を各々オフさせると共に、補正用スイッチング手段がオンしている期間に第２ダミー配線に印加させる第２補正電圧を、オンオフされるスイッチング手段が属する画素群に対応して第２記憶部に記憶されている第２補正電圧の大きさに一致させる第２補正手段と、を更に設けるようにしてもよい。
【００２２】
請求項７記載の発明では、複数のデータ配線と交差するように第２ダミー配線が設けられているので、第２ダミー配線と個々のデータ配線との交差位置には寄生容量（以下、この寄生容量を便宜上「補正用寄生容量」と称する）が各々存在している。また、個々のダミー画素部の補正用スイッチング手段は第２ダミー配線を介して供給される第２補正電圧に応じてオンオフされる構成であり、第２ダミー配線に印加する第２補正電圧の大きさが、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として第２記憶部に各々記憶されている。そして第２補正手段は、スイッチング手段のオフ時に複数のダミー画素部の補正用スイッチング手段を各々オンさせ、スイッチング手段のオン時に複数のダミー画素部の補正用スイッチング手段を各々オフさせると共に、補正用スイッチング手段がオンしている期間に第２ダミー配線に印加させる第２補正電圧を、オンオフされるスイッチング手段が属する画素群に対応して第２記憶部に記憶されている第２補正電圧の大きさに一致させる。これにより、個々の補正用寄生容量により、個々の寄生容量によるフィードスルーの発生と同じタイミングで、個々の寄生容量によって発生するフィードスルーと逆向きの補正信号成分が発生することになる。
【００２３】
このように、請求項７記載の発明では、個々の補正用寄生容量に対し第２ダミー配線を介して同一の電圧（第２補正電圧）が印加されるので、個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーのレベルのばらつきに応じて、個々の補正用寄生容量によって発生する補正信号成分のレベルを互いに独立に調整することは不可能である。しかし、第２ダミー配線に印加する第２補正電圧の大きさは、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として切替可能であるので、寄生容量によって発生してデータ配線を伝送されるフィードスルーを、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として大雑把に抑制（補正）することは可能であり、データ配線に接続された複数の補正用容量の各々に互いに独立した第１補正電圧を印加することによるフィードスルーの抑制（補正）と併用することで、データ配線を伝送されるフィードスルーを抑制する精度の向上等の効果を得ることができる。
【００２４】
すなわち、例えばスイッチング手段が同期間にオンされる画素群の数が切替わると、個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーの発生源となる寄生容量の数が変化することで、個々のデータ配線を伝送されるフィードスルーのレベルも大幅に変化する。このため、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群の数に拘わらず、データ配線に接続された複数の補正用容量の各々に互いに独立した第１補正電圧を印加することでフィードスルーを抑制（補正）しようとすると、第１補正電圧の最大値と最小値の差が大きくなることで第１補正電圧の単位変更幅も大きくなり、これに伴ってフィードスルーの抑制（補正）における精度が低下したり、或いは、例えば請求項３に記載の第１のＤ／Ａ変換器としてより多数ビットのデータを入力可能なＤ／Ａ変換器が必要となることで構成が複雑化することになる。
【００２５】
これに対して請求項７記載の発明のように、データ配線に接続された複数の補正用容量の各々に互いに独立した第１補正電圧を印加することと、第２ダミー配線を介して個々の補正用寄生容量に第２補正電圧を印加することを併用してフィードスルーを抑制（補正）する場合、例えばスイッチング手段が同期間にオンされる画素群の数に応じて第２補正電圧を切替える等により、第１補正電圧の最大値と最小値の差を小さくする（第１補正電圧の単位変更幅を小さくする）ことができるので、フィードスルーの抑制（補正）における精度の向上を、構成の複雑化を招くことなく実現することができる。
【００２６】
また、請求項７記載の発明において、第２補正手段は、入力された補正データを該補正データの値に応じた大きさの第２補正電圧へ変換する第２のＤ／Ａ変換器と、第２のＤ／Ａ変換器から出力された第２補正電圧の第２ダミー配線への印加開始及び印加停止を切り替えることで複数のダミー画素部の補正用スイッチング手段を各々オンオフさせるダミー配線駆動部と、を含んで構成することができ、この場合、例えば請求項８に記載したように、第２記憶部には、第２ダミー配線に印加する第２補正電圧の大きさを表す補正データを、スイッチング手段が同期間にオンされる画素群を単位として各々記憶しておき、第２補正手段を、オンオフされるスイッチング手段が属する画素群に対応して第２記憶部に記憶されている補正データを第２のＤ／Ａ変換器に入力し、かつ、スイッチング手段のオフ時に第２ダミー配線への第２補正電圧の印加が開始され、スイッチング手段のオン時に第２ダミー配線への第２補正電圧の印加が停止されるようにダミー配線駆動部を制御するよう構成することができる。
【００２７】
また、第２記憶部に記憶されている第２補正電圧の大きさについても、例えばフィードスルーのレベルを測定した結果等に基づき決定して第２記憶部に事前に記憶しておき、第２記憶部に事前に記憶した第２補正電圧の大きさを更新することなく、第２ダミー配線への第２補正電圧の印加に固定的に用いるようにしてもよいが、請求項７記載の発明において、第２補正手段を、例えば請求項９に記載したように、個々の画素部の保持部に信号電荷が保持されていない状態で、単一又は複数のゲート配線に接続されたスイッチング手段が各々オンオフされることで発生した、個々のデータ配線における電圧変動の大きさに基づいて、オンオフされたスイッチング手段のオンオフ時に第２ダミー配線へ印加すべき第２補正電圧の大きさを決定して第２記憶部に記憶させるように構成してもよい。
【００２８】
前述のように、寄生容量によって発生してデータ配線を伝送されるフィードスルーのレベルは、周囲温度の変化等に伴って変動する可能性がある。これに対して請求項９記載の発明では、個々の画素部の保持部に信号電荷が保持されていない状態で、単一又は複数のゲート配線に接続されたスイッチング手段が各々オンオフされることで発生した、個々のデータ配線における電圧変動の大きさ（フィードスルーのレベル）に基づいて、オンオフされたスイッチング手段のオンオフ時に第２ダミー配線へ印加すべき第２補正電圧の大きさを決定して第２記憶部に記憶させるので、周囲温度の変化等に伴ってフィードスルーのレベルが変動した場合にも、補正用寄生容量によって発生される補正信号成分のレベルをフィードスルーのレベルの変動に応じて変化させることができる。従って、上記の第２補正電圧の大きさの決定・第２記憶部への記憶等の処理を定期的に（例えば一定時間毎や周囲温度の変化時、個々の画素部の保持部に信号電荷が保持される直前等のタイミングで）行うことで、周囲温度の変化等に拘わらず、データ配線を伝送されるフィードスルーを精度良く抑制することができる。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように本発明は、スイッチング手段がオンされている期間に画素部の保持部に保持されていた信号電荷を伝送するように、互いに異なる画素部に接続された複数のデータ配線がゲート配線と交差するように各々設けられた構成において、複数のデータ配線のうちの互いに異なるデータ配線に複数の補正用容量を各々接続し、複数の補正用容量の各々に、互いに独立した任意の大きさの第１補正電圧を任意の期間印加することが可能な補正電圧印加手段を設けたので、寄生容量のばらつきに拘わらず、信号電荷に重畳されてデータ配線を伝送されるフィードスルーを精度良く抑制することが可能となる、という優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態の一例を詳細に説明する。図１には本実施形態に係る放射線画像撮影システム１０が示されている。放射線画像撮影システム１０は、放射線（例えばエックス線（Ｘ線）等）を発生する放射線発生部１２と、放射線発生部１２と間隔を隔てて配置された放射線検出パネル１４と、マイクロコンピュータや各種の電気回路を含んで構成され放射線検出パネル１４から画像情報を取得して各種の処理を行う制御装置１６を備えている。放射線発生部１２と放射線検出パネル１４の間は、撮影時に被写体１８が位置する撮影位置とされ、放射線発生部１２から射出され撮影位置に位置している被写体１８を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線検出パネル１４に照射される。なお、放射線画像撮影システム１０のうち放射線検出パネル１４及び制御装置１６は本発明に係る画像検出装置に対応している。
【００３１】
図２に示すように、放射線検出パネル１４は、図示しない高圧電源に接続されたバイアス電極２０、放射線を吸収して電荷に変化する光電変換層２２及びＴＦＴアクティブマトリクス基板２４が順に積層されて構成されている。光電変換層２２は例えばセレンを主成分（例えば含有率５０％以上）とする非晶質のａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）から成り、放射線が照射されると、照射された放射線量に応じた電荷量の電荷（電子−正孔の対）を内部で発生することで、照射された放射線を電荷へ変換する。これにより、照射された放射線が担持している画像情報が電荷情報へ変換されることになる。なお、光電変換層２２は請求項１０に記載の変換部に対応している。
【００３２】
また図３に示すように、ＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上には、光電変換層２２で発生された電荷を蓄積する蓄積容量２６と、蓄積容量２６に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴ２８を備えた画素部３０（なお、図３では個々の画素部３０に対応するバイアス電極２０及び光電変換層２２を光電変換部３２として模式的に示している）がマトリクス状に多数個配置されており、更に、図３の矢印Ａ方向に沿って延設され個々の画素部３０のＴＦＴ２８をオンオフさせるための複数本のゲート配線３４と、図３の矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向に沿って延設されオンされたＴＦＴ２８を介して蓄積容量２６から蓄積電荷を読み出すための複数本のデータ配線３６も設けられている。
【００３３】
なお、ゲート配線３４は、ＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上にマトリクス状に配置されている多数個の画素部３０を図３の矢印Ａ方向に沿って並ぶ複数個の画素部３０から成る画素部の行毎に分けたときの画素部の行と同数だけ設けられており、個々のゲート配線３４は互いに異なる画素部の行（を構成する個々の画素部３０）に各々接続されている。また、データ配線３６は、ＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上にマトリクス状に配置されている多数個の画素部３０を、図３の矢印Ｂ方向に沿って並ぶ複数個の画素部３０から成る画素部列毎に分けたときの画素部列の数と同数だけ各々設けられており、複数本のデータ配線３６は互いに異なる画素部列（を構成する個々の画素部３０）に各々接続されている。
【００３４】
なお、ＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上に設けられた多数個の画素部３０のうち、同一のゲート配線３４に接続された複数の画素部３０（画素部の単一の行を構成する各画素部３０）は本発明に係る画素群に対応しており、蓄積容量２６は本発明に係る保持部に、ＴＦＴ２８は本発明に係るスイッチング手段に、ゲート配線３４は本発明に係る信号電圧配線に、データ配線３６は本発明に係るデータ配線に各々対応している。また、ＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上におけるゲート配線３４とデータ配線との交差位置には寄生容量３８が各々存在している。
【００３５】
図３に示すように、ＴＦＴアクティブマトリクス基板２４の個々の画素部３０は、支持基板としてのガラス基板５０上に各々形成されている。なお、ガラス基板５０としては、例えば無アルカリガラス基板（例えばコーニング社製#1737等）を用いることができる。個々の画素部３０には、ガラス基板５０上に、ゲート電極５２、蓄積容量下部電極５４、ゲート絶縁膜５６、半導体層５８、ソース電極６０、ドレイン電極６２、蓄積容量上部電極６４、絶縁保護膜６６、絶縁保護膜６８及び電荷収集電極７０が各々形成されており、このうちゲート電極５２、ゲート絶縁膜５６、ソース電極６０、ドレイン電極６２及び半導体層５８は前述のＴＦＴ２８を構成し、蓄積容量下部電極５４、ゲート絶縁膜５６及び蓄積容量上部電極６４は前述の蓄積容量２６を構成している。図示は省略するが、ＴＦＴ２８のゲート電極５２が形成された金属層にはゲート配線３４も形成されており、ＴＦＴ２８のゲート電極５２はゲート配線３４に、ＴＦＴ２８のソース電極６０はデータ配線３６に、ＴＦＴ２８のドレイン電極６２は蓄積容量上部電極６４に各々接続されている。
【００３６】
ゲート絶縁膜５６はＳｉＮＸ やＳｉＯＸ 等から成り、ゲート電極５２やゲート配線３４、蓄積容量下部電極５４、蓄積容量配線５６を覆うように設けられており、ゲート電極５２を覆う部位においてはＴＦＴ２８におけるゲート絶縁膜として作用し、蓄積容量下部電極５４を覆う部位においては蓄積容量２６における誘電体層として作用する。従って、蓄積容量下部電極５４と蓄積容量上部電極６４に挟まれた領域が蓄積容量２６として機能する。また半導体層５８はＴＦＴ２８のチャネル部として機能し、ソース電極６０とドレイン電極６２との間は半導体層５８を介して導通される。また、絶縁保護膜６６はガラス基板５０上の単一の画素部３０に相当する領域のほぼ全面（ほぼ全領域）に亘って形成されており、ドレイン電極６２及びソース電極６０の保護と電気的な絶縁分離を実現している。また、絶縁保護膜６６のうち蓄積容量下部電極５４と対向している部分にはコンタクトホール７２が形成されている。
【００３７】
また、電荷収集電極７０は非晶質透明導電酸化膜から成り、コンタクトホール７２を埋めるように形成されており、ソース電極６０、ドレイン電極６２及び蓄積容量上部電極６４の上方に形成されている。電荷収集電極７０と光電変換層２２とは電気的に導通しており、光電変換層２２で発生した電荷は電荷収集電極７０で収集される。絶縁保護膜６８は感光性を有するアクリル樹脂から成り、ＴＦＴ２８とそれ以外の部分との電気的な絶縁分離を実現している。絶縁保護膜６８にはコンタクトホール７２が貫通しており、電荷収集電極７０はコンタクトホール７２を介して蓄積容量上部電極６４と接続されている。
【００３８】
また、本実施形態に係る放射線検出パネル１４のＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上には、図３の矢印Ａ方向に沿って一列に並ぶ複数個のダミー画素部７６から成るダミー画素群７７と、図３の矢印Ａ方向に沿って延設された単一のダミー配線８２が設けられている。個々のダミー画素部７６は、通常の画素部３０と同様に蓄積容量８０及びＴＦＴ７８を備えており、ＴＦＴ７８のゲートはダミー配線８２に接続されている。また、ダミー画素群７７は、ＴＦＴアクティブマトリクス基板２４のうち、光電変換層２２による照射放射線量に応じた電荷発生が行われない領域に設けられており、放射線検出パネル１４への放射線の照射に拘わらずダミー画素部７６の蓄積容量８０には電荷は蓄積されない。
【００３９】
なお、照射放射線量に応じた電荷発生が行われない領域の形成は、当該領域の光電変換層２２を除去したり、当該領域に光電変換層２２への放射線の入射を遮断する部材を設ける等によって実現できる。また、図３に示すように、ダミー配線８２とデータ配線との交差位置にも寄生容量８４が各々存在しているが、個々のダミー画素部７６及びダミー配線８２は、通常の画素部３０やゲート配線３４等と同一のプロセスによってガラス基板５０に形成されているので、寄生容量８４として、静電容量や周囲温度の変化に対する静電容量の変化等の特性が寄生容量３８と近似する寄生容量が得られる。また、前述のように放射線検出パネル１４への放射線の照射に拘わらずダミー画素部７６の蓄積容量８０には電荷が蓄積されないので、個々のダミー画素部７６の蓄積容量８０は省略することも可能である。
【００４０】
なお、ダミー画素群７７は請求項７に記載のダミー画素群に対応しており、ダミー配線８２は請求項７に記載の第２ダミー配線に、ＴＦＴ７８は請求項７に記載の補正用スイッチング手段に各々対応している。
【００４１】
一方、放射線画像撮影システム１０の制御装置は、放射線発生部１２に接続され放射線発生部１２による放射線の発生を制御する放射線発生制御部８８と、ゲート配線３４及びダミー配線８２を駆動するゲート線駆動部９０と、放射線検出パネル１４の個々のデータ配線３６及び個々の蓄積容量配線５６に各々接続され放射線検出パネル１４の各画素部３０の蓄積容量２６からデータ配線３６を経由して出力された信号に対して増幅やＡ／Ｄ変換等の所定の信号処理を行う信号検出部９２と、補正データ記憶部９４Ａを内蔵しゲート線駆動部９０及び信号検出部９２に接続されると共に放射線検出パネル１４からの電荷読出時にゲート線駆動部９０及び信号検出部９２の動作を制御する読出制御部９４と、信号検出部９２に接続され所定の信号処理を経て信号検出部９２から出力される画像信号が表す画像に対して所定の画像処理（例えばオフセット補正やシェーディング補正等の各種補正）を行う画像処理部９６と、画像処理部９６による画像処理を経た画像信号を画像として表示させるためのディスプレイ９８を備えている。
【００４２】
なお、読出制御部９４は請求項３〜請求項６に記載の第１補正手段に対応している。また読出制御部９４は、後述するダミー線ドライバ１０２及びＤ／Ａ変換器１０４と共に請求項７〜請求項９に記載の第２補正手段にも対応している。また、補正データ記憶部９４Ａは、請求項３〜請求項５に記載の第１記憶部及び請求項７、請求項８に記載の第２記憶部に各々対応している。
【００４３】
図３に示すように、ゲート線駆動部９０は、放射線検出パネル１４の個々のゲート配線３４に各々接続されたゲート線ドライバ１００と、放射線検出パネル１４のダミー配線８２に接続されたダミー線ドライバ１０２を備えている。放射線検出パネル１４からの電荷読出時には、読出制御部９４からゲート線ドライバ１００に対し、ゲート配線３４の駆動が指示されると共に、当該ゲート配線３４の駆動で同時に駆動するゲート配線３４の数を表すパラメータである同時駆動数ｋも通知される。ゲート線ドライバ１００は、通常時には全ゲート配線３４の電圧レベルをローレベル（例えば０Ｖ）に維持しており、ゲート配線３４の駆動が指示されると、ゲート配線３４にハイレベルの電圧信号(オン信号)を供給することで、オン信号を供給したゲート配線３４に接続されている各画素部３０のＴＦＴ２８をオフからオンへ変化させ、一定時間後に、上記ゲート配線３４へのオン信号の供給を停止することで、オン信号を供給していたゲート配線３４に接続されている各画素部３０のＴＦＴ２８をオンからオフへ変化させるゲート線駆動処理を、通知された同時駆動数ｋと同数のゲート配線３４を単位として順に行う。
【００４４】
また、ダミー線ドライバ１０２はＤ／Ａ変換器１０４を介して読出制御部９４に接続されている。Ｄ／Ａ変換器１０４には読出制御部９４からデジタルの補正データ(後述するダミー画素群駆動データ)が入力され、Ｄ／Ａ変換器１０４は入力された補正データの値に応じた大きさの電圧を出力する。読出制御部９４は、ゲート線ドライバ１００に対してゲート配線３４の駆動を指示する際にダミー線ドライバ１０２に対してもダミー配線８２の駆動を指示し、ダミー線ドライバ１０２は、ダミー配線８２の駆動が指示されると、Ｄ／Ａ変換器１０４からの出力電圧(ダミー画素群駆動電圧)をダミー配線８２へ供給することで個々のダミー画素部７６のＴＦＴ７８を各々オンさせると共に、ゲート線ドライバ１００によって何れかのゲート配線３４へのオン信号の供給が開始されるタイミングでダミー配線８２へのダミー画素群駆動電圧の供給を停止し、ゲート線ドライバ１００によって何れかのゲート配線３４へのオン信号の供給が停止されるタイミングでダミー配線８２へのダミー画素群駆動電圧の供給を再開することで、個々のダミー画素部７６のＴＦＴ７８を再度オンさせる。
【００４５】
ダミー線ドライバ１０２及びＤ／Ａ変換器１０４は、読出制御部９４と共に請求項７等に記載の第２補正手段に対応しており、より詳しくは、Ｄ／Ａ変換器１０４は請求項８に記載の第２のＤ／Ａ変換器に、ダミー線ドライバ１０２は請求項８に記載のダミー配線駆動部に各々対応している。
【００４６】
また、信号検出部９２はＴＦＴアクティブマトリクス基板２４に設けられたデータ配線３６の数と同数のオペアンプ１０６を備えており、放射線検出パネル１４の個々のデータ配線３６は互いに異なるオペアンプ１０６の反転入力端に各々接続されている。個々のオペアンプ１０６は、非反転入力端がＧＮＤ配線(接地配線)に各々接続されており、出力端が図示しないサンプルホールド回路を介してマルチプレクサ(ＭＰＸ)１１２の入力端に各々接続されている。また、個々のオペアンプ１０６は、反転入力端にコンデンサ１０８及びスイッチ１１０の一端が各々接続されており、コンデンサ１０８及びスイッチ１１０の他端は出力端に接続されている。なお、スイッチ１１０はＭＯＳＦＥＴ等の半導体スイッチング素子で構成することができる。上記構成により、個々のオペアンプ１０６、コンデンサ１０８及びスイッチ１１０は、スイッチ１１０がオフしている期間に反転入力端に接続されたデータ配線３６を流れる電流の積分値に相当するレベルの信号を出力するチャージアンプとして機能する。
【００４７】
また、ＭＰＸ１１２の出力端はＡ／Ｄ変換器１１４の入力端に接続されており、Ａ／Ｄ変換器１１４の出力端は画像処理部９６に接続されている。なお、上記のようにＭＰＸ１１２及びＡ／Ｄ変換器１１４を１個づつ設ける構成に代えて、ＭＰＸ１１２を省略しオペアンプ１０６（チャージアンプ）と同数個のＡ／Ｄ変換器１１４を互いに異なるオペアンプ１０６（チャージアンプ）の出力端に各々接続した構成を採用してもよい。
【００４８】
また、信号検出部９２は、データ配線３６と同数設けられ互いに異なるデータ配線３６とオペアンプ１０６の入力側で接続された補正用容量(コンデンサ)１１６を備えている。個々の補正用容量１１６の他端は互いに異なるスイッチング素子１１８の第１端子に接続されており、個々のスイッチング素子１１８の第２端子は互いに異なるＤ／Ａ変換器１２０の出力端に接続されている。個々のＤ／Ａ変換器１２０の入力端は読出制御部９４に接続されており、個々のＤ／Ａ変換器１２０は読出制御部９４から入力されたデジタルの補正データ(後述する補正用容量駆動データ)の値に応じた大きさの電圧を出力する。また、個々のスイッチング素子１１８の第３端子は一端がオンオフ制御部１２２に接続されたゲート線１２４に各々接続されている。
【００４９】
なお、スイッチング素子１１８は、第３端子に供給された電圧に応じて第１端子と第２端子の導通／非導通が切り替わる構成であればよく、例えばＭＯＳＦＥＴ等を適用することができる。スイッチング素子１１８としてＭＯＳＦＥＴ等を適用した場合、ＭＯＳＦＥＴのソースを補正用容量１１６の他端に、ＭＯＳＦＥＴのドレインをＤ／Ａ変換器１２０の出力端に、ＭＯＳＦＥＴのゲートをゲート線１２４に各々接続すればよい。
【００５０】
オンオフ制御部１２２は、ゲート線１２４にハイレベルの電圧信号(オン信号)を供給して個々のＭＯＳＦＥＴ１１８を各々オンさせることで、Ｄ／Ａ変換器１２０からの出力電圧(補正用容量駆動電圧)を個々の補正用容量１１６に印加させると共に、ゲート線ドライバ１００によって何れかのゲート配線３４へのオン信号の供給が開始されるタイミングでゲート線１２４へのオン信号の供給(個々の補正用容量１１６への補正用容量駆動電圧の印加)を停止し、ゲート線ドライバ１００によって何れかのゲート配線３４へのオン信号の供給が停止されるタイミングでゲート線１２４へのオン信号の供給を再開することで、個々の補正用容量１１６への補正用容量駆動電圧の印加を再開させる。
【００５１】
なお、上記のスイッチング素子１１８、Ｄ／Ａ変換器１２０及びオンオフ制御部１２２は本発明に係る補正電圧印加手段に対応しており、特に、スイッチング素子１１８は請求項４に記載のスイッチング素子に、Ｄ／Ａ変換器１２０は請求項４に記載の第１のＤ／Ａ変換器に各々対応している。また、補正用容量１１６は本発明に係る補正用容量（詳しくは請求項２に記載の外部容量）に対応している。
【００５２】
次に本実施形態の作用として、まず、被写体１８の放射線撮影に先立って読出制御部９４によって行われる補正データ取得処理について、図４を参照して説明する。なお、以下で説明する補正データ取得処理は、放射線検出パネル１４の個々の画素部３０の蓄積容量２６に電荷が蓄積されていない状態で行われる。また、補正データ取得処理の実行タイミングについては、放射線画像の画質に対する要求レベルと生産性（放射線画像の単位時間当りの撮影可能枚数）に対する要求レベルに応じて定めることができ、例えば放射線撮影が行われる際に毎回行うようにしてもよいし、毎日の始業時等のように１日１回行うようにしてもよいし、放射線画像撮影システム１０の設置当初に１回のみ行うようにしてもよい。
【００５３】
補正データ取得処理では、まずステップ１５０でゲート配線３４の同時駆動数ｋに１を代入し、次のステップ１５２では、駆動対象の画素群を表す画素群カウンタｐ、及び、駆動対象の画素群に対応するゲート配線３４のうちの先頭に相当するゲート配線３４の位置を表す先頭ゲート配線位置ｉに各々１を代入する。そしてステップ１５４では、ゲート線ドライバ１００により駆動対象の画素群ｐに対応するゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１（位置ｉを先頭とする同時駆動数ｋと同数のゲート配線３４）へのオン信号の供給を開始させる。これにより、ゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１に対応する駆動対象の画素群では、各画素部３０のＴＦＴ２８が各々オンする。またステップ１５６では、ゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１へのオン信号の供給を開始してから所定時間ｔ１が経過したか否か判定し、判定が肯定される迄ステップ１５６を繰り返す。なお、所定時間ｔ１は、放射線検出パネル１４の各画素部３０の蓄積容量２６から蓄積電荷を読み出す際に個々のゲート配線３４にオン信号を供給する時間と等しくされている。
【００５４】
ステップ１５６の判定が肯定されるとステップ１５８へ移行し、個々のチャージアンプの出力信号を、ＭＰＸ１１２、Ａ／Ｄ変換器１１４を経由して、駆動対象の画素群ｐに対応するデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)として順に取得する。なお、ｊmaxは放射線検出パネル１４に設けられたデータ配線３６の総数である。上述したゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１の駆動(オン信号の供給)は、放射線検出パネル１４の個々の画素部３０の蓄積容量２６に電荷が蓄積されていない状態で行われるので、個々のデータ配線３６には各画素部３０の蓄積容量２６の蓄積電荷に起因する信号電荷は流れない。
【００５５】
一方、放射線検出パネル１４からの通常の画像読み出しでは、詳細は後述するが、図５(Ｃ)に「通常のデータ取得タイミング」と表記して示すように、ゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１へのオン信号の供給を停止し、更に一定時間が経過した後にチャージアンプの出力信号をデータとして取得するが、この間、オン信号の供給開始時には、寄生容量３８への電圧印加に伴ってフィードスルー（図５(Ｂ)において＋側へ凸となっているパルス状の変動成分）が生じ、オン信号の供給停止時にも、寄生容量３８への電圧印加停止に伴ってフィードスルー（図５(Ｂ)において−側へ凸となっているパルス状の変動成分）が生じるので、データとして取得する際のチャージアンプの出力信号のレベルは、オン信号の供給開始時に生ずるフィードスルーとオン信号の供給停止時に生ずるフィードスルーがおよそ相殺(キャンセル)されたに等しいレベルになっている。
【００５６】
これに対して補正データ取得処理では、図５(Ｃ)に示すように、ゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１へのオン信号の供給を停止する前に、個々のチャージアンプの出力信号をデータとして取得しており、個々のチャージアンプには、オン信号の供給開始時に寄生容量３８への電圧印加に伴って生じたフィードスルーのみが電荷として蓄積されているので、駆動対象の画素群ｐに対応するデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)として、オン信号の供給開始時に寄生容量３８への電圧印加に伴って生じるフィードスルーのレベルを正確に表すデータを取得することができる。なお、寄生容量３８に印加していた電圧を停止した場合に生ずるフィードスルーのレベルは、前記寄生容量３８に同電圧の印加を開始した場合に生ずるフィードスルーのレベルに等しいので、上記の処理によって得られるデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)は、オン信号の供給停止時に寄生容量３８への電圧印加停止に伴って生じるフィードスルーのレベルも正確に表している。
【００５７】
次のステップ１６０では、個々のオペアンプ１０６に接続されたスイッチ１１０を一旦オンさせることで個々のチャージアンプの蓄積電荷をリセットした後に、個々のチャージアンプのスイッチ１１０を各々オフに戻す。またステップ１６２では、ゲート線ドライバ１００によるゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１へのオン信号の供給を停止させる。これにより、ゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１に対応する駆動対象の画素群では、各画素部３０のＴＦＴ２８が各々オフする。
【００５８】
次のステップ１６６〜ステップ１７２では、駆動対象の画素群ｐに対応するデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)から駆動対象の画素群ｐに対応する補正データを算出する処理を行う。すなわち、ゲート配線３４とデータ配線３６の交差位置に各々存在する個々の寄生容量３８の静電容量には、放射線検出パネル１４の製造誤差に起因するばらつきがあり、これに伴って個々の寄生容量３８によって発生するフィードスルーのレベルにもばらつきがあるので、駆動対象の画素群ｐに対応するデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)にも値のばらつきが生じている。このためステップ１６６では、駆動対象の画素群ｐに対応するデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)から、その最小値data_minを抽出する。
【００５９】
次のステップ１６８では、ステップ１６６で抽出した最小値data_minをダミー画素群７７のダミー配線８２への印加電圧値Ｖdumに換算する。この最小値data_minから印加電圧値Ｖdumへの換算は、例えば次の(１)式を用いて行うことができる。
Ｖdum＝data_min／Ｃdum  …(１)
但し、Ｃdumはダミー画素群７７の個々のダミー画素部７６における寄生容量８４の静電容量(の設計値)である。そして、上記の演算によって得られた印加電圧値Ｖdumを、同時駆動数ｋにおける駆動対象の画素群ｐ用のダミー画素群駆動データとして補正データ記憶部９４Ａに記憶させる。
【００６０】
ステップ１７０では、駆動対象の画素群ｐに対応するデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)から、ステップ１６６で抽出した最小値data_minを各々減算する。そしてステップ１７２では、まず減算後のデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)をｊmax個の補正用容量１１６への印加電圧値Ｖcor(ｐ,１)〜Ｖcor(ｐ,ｊmax)へ換算する。このデータdata(ｐ,ｘ)から印加電圧値Ｖcor(ｐ,ｘ)への換算についても、例えば先の(１)式と同様の(２)式を用いて行うことができる。
Ｖcor(ｐ,ｘ)＝data(ｐ,ｘ)／Ｃcor(ｘ)  …(２)
但し、Ｃcor(ｘ)はデータ配線ｘに接続された補正用容量１１６の静電容量(の設計値)である。そして、上記の演算によって得られたｊmax個の印加電圧値Ｖcor(ｐ,１)〜Ｖcor(ｐ,ｊmax)を、同時駆動数ｋにおける画素群ｐ用のｊmax個の補正用容量駆動データとして補正データ記憶部９４Ａに記憶させる。
【００６１】
以上の処理により、特定のデータ配線３６上に存在する寄生容量８４に電圧印加や印加停止を行った場合に寄生容量８４によって発生するフィードスルーと、特定のデータ配線３６に接続された補正用容量１１６に電圧印加や印加停止を行った場合に補正用容量１１６によって発生するフィードスルーを重ね合わせた合成フィードスルーが、ゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１の駆動時に駆動対象の画素群ｐのうちの特定のデータ配線３６上に存在する寄生容量３８によって発生するフィードスルーに一致するように、特定のデータ配線３６上に存在する寄生容量８４に印加する電圧の大きさを規定するダミー画素群駆動データ及び特定のデータ配線３６に接続された補正用容量１１６に印加する電圧の大きさを規定する補正用容量駆動データを決定することが、個々のデータ配線３６について各々行われることになる。
【００６２】
上記のようにして駆動対象の画素群ｐに対応する補正データの算出・記憶が完了すると、次のステップ１７４では、先頭ゲート配線位置ｉに同時駆動数ｋを加算した値(ｉ＋ｋ)が、放射線検出パネル１４に設けられたゲート配線３４の総数ｉmaxよりも大きいか否か判定する。判定が否定された場合はステップ１７６へ移行し、先頭ゲート配線位置ｉに同時駆動数ｋを加算した値(ｉ＋ｋ)を新たな先頭ゲート配線位置ｉとして設定すると共に、画素群カウンタｐを１だけインクリメントした後にステップ１５４に戻り、ステップ１７４の判定が肯定される迄ステップ１５４〜ステップ１７６を繰り返す。これにより、同時駆動数ｋと同数のゲート配線３４に対応する画素群（同時駆動数ｋの初期値は１であるので、このときは単一のゲート配線３４に対応する画素群）を単位として、個々の画素群に対応する補正データの算出・記憶が順に行われることになる。
【００６３】
また、ステップ１７４の判定が肯定されるとステップ１７８へ移行し、同時駆動数ｋが同時駆動数の最大値ｋmaxに達しているか否か判定する。この同時駆動数の最大値ｋmaxには、放射線検出パネル１４の個々の画素部３０の蓄積容量２６から蓄積電荷を読み出す際に同時に駆動されるゲート配線３４の最大数と等しい値が設定される。例えば放射線画像撮影システム１０が、放射線検出パネル１４からの蓄積電荷の読出時にゲート配線３４を常に１本ずつ駆動する構成であれば、同時駆動数の最大値ｋmax＝１となるので、ステップ１７８の判定は無条件で肯定される。一方、例えば放射線画像撮影システム１０が、放射線検出パネル１４からの蓄積電荷の読出時に、２本以上のゲート配線３４を同時に駆動することがある構成であれば、同時駆動数の最大値ｋmaxとして２以上の値が設定されていることで、ステップ１７８の判定が否定される。
【００６４】
ステップ１７８の判定が否定された場合は、ステップ１８０で同時駆動数ｋを１だけインクリメントした後にステップ１５２に戻り、ステップ１７８の判定が肯定される迄ステップ１５２〜ステップ１８０が繰り返される。これにより、全ての画素群に対応する補正データの算出・記憶が、同時駆動数ｋ＝１〜ｋmaxの各場合について各々行われることになる。
【００６５】
続いて、被写体１８の放射線撮影が行われ、当該放射線撮影によって放射線検出パネル１４の個々の画素部３０の蓄積容量２６に蓄積された電荷を読み出す際に、読出制御部９４によって行われるフィードスルー補正処理について、図６を参照して説明する。
【００６６】
このフィードスルー補正処理では、まずステップ２００において、放射線検出パネル１４からの電荷読出時のゲート配線３４の同時駆動数ｋを取得する。なお、放射線画像撮影システム１０が、放射線検出パネル１４からの蓄積電荷の読出時にゲート配線３４を常に１本ずつ駆動する構成であれば、電荷読出時の同時駆動数ｋにも予め固定的に「１」が設定されているが、放射線画像撮影システム１０が、放射線検出パネル１４からの蓄積電荷の読出時に、２本以上のゲート配線３４を同時に駆動することがある構成であれば、電荷読出時の同時駆動数ｋは、利用者によって直接設定されるか、又は、利用者によって撮影モードや撮影画像の解像度が設定されることで間接的に設定される。
【００６７】
次のステップ２０２では、画素群カウンタｐ及び先頭ゲート配線位置ｉに各々１を代入する。ステップ２０４では、ダミー線ドライバ１０２により、ダミー画素群７７のダミー配線８２にオン信号の供給を開始させる。またステップ２０６では、オンオフ制御部１２２により、ｊmax個の補正用容量１１６に接続されたｊmax個のスイッチング素子１１８に対し、ゲート線１２４経由でオン信号を供給させる。これにより、ｊmax個のスイッチング素子１１８は各々オン状態に切り替わる。
【００６８】
ステップ２０８では、補正データ記憶部９４Ａから同時駆動数ｋにおける画素群ｐ用のダミー画素群駆動データを読み出し、Ｄ/Ａ変換器１０４に供給する。これにより、Ｄ/Ａ変換器１０４からは、同時駆動数ｋにおける画素群ｐ用のダミー画素群駆動データの値(印加電圧値Ｖdum)に応じた大きさの電圧が出力され、この電圧がダミー線ドライバ１０２によってダミー画素群７７のダミー配線８２に供給されることで、ダミー画素群７７の個々の寄生容量８４に上記電圧が各々印加されると共に、ダミー画素群７７の個々のダミー画素部７６のＴＦＴ７８が各々オンする。
【００６９】
更に、次のステップ２１０では、補正データ記憶部９４Ａから同時駆動数ｋにおける画素群ｐ用のｊmax個の補正用容量駆動データを各々読み出し、個々の補正用容量１１６に対応するｊmax個のＤ/Ａ変換器１２０に各々供給する。これにより、個々のＤ/Ａ変換器１２０からは、同時駆動数ｋにおける画素群ｐ用のｊmax個の補正用容量駆動データのうちの入力された補正用容量駆動データの値 (印加電圧値Ｖcor(ｐ,１)〜Ｖcor(ｐ,ｊmax)の何れか)に応じた大きさの電圧が各々出力され、この電圧がオン状態のスイッチング素子１１８を介して補正用容量１１６に各々印加される。
【００７０】
そしてステップ２１２では、ゲート線ドライバ１００により駆動対象の画素群ｐに対応するゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１（位置ｉを先頭とする同時駆動数ｋと同数のゲート配線３４）へのオン信号の供給を開始させる（図７(Ａ)におけるゲート線電位のオフからオンへの変化も参照）と同時に、ダミー線ドライバ１０２によるダミー画素群７７のダミー配線８２への電圧の供給を停止させ（図７(Ｂ)におけるダミー配線電位のオンからオフへの変化も参照）、オンオフ制御部１２２によるゲート線１２４へのオン信号の供給も停止させる（図７(Ｃ)における補正用容量への電圧印加のオンからオフへの変化も参照）。
【００７１】
これにより、駆動対象の画素群ｐの個々の画素部３０ではＴＦＴ２８が各々オンし、個々の画素部３０の蓄積容量２６に蓄積された電荷が、対応するデータ配線３６を信号電荷として流れることで読み出されるが、このとき、駆動対象の画素群ｐの個々の画素部３０に存在する寄生容量３８にもオン信号の電圧印加が開始されることで、個々の画素部３０の寄生容量３８によってフィードスルーが発生し(図７(Ｄ)において＋側へ凸となっているパルス状の変動成分を参照)、このフィードスルーが蓄積容量２６の蓄積電荷量に応じた信号電荷に重畳されてデータ配線３６を流れることになる。
【００７２】
これに対し、駆動対象の画素群ｐの個々の画素部３０のＴＦＴ２８が各々オンするのと同時に、ダミー配線８２への電圧の供給が停止され、これに伴ってダミー画素群７７の個々のダミー画素部７６の寄生容量８４への電圧の印加が停止されることで、個々のダミー画素部７６の寄生容量８４により、寄生容量３８によって発生するフィードスルーとは極性が逆のフィードスルーが発生する。また、駆動対象の画素群ｐの個々の画素部３０のＴＦＴ２８が各々オンするのと同時に、ゲート線１２４へのオン信号の供給も停止され、これに伴って個々のスイッチング素子１１８がオンからオフへ切り替わり、個々の補正用容量１１６への電圧の印加も停止されることで、個々の補正用容量１１６によっても、寄生容量３８によって発生するフィードスルーとは極性が逆のフィードスルーが発生する。
【００７３】
図７(Ｅ)では、特定のデータ配線３６上に存在する寄生容量８４によって発生するフィードスルーと、特定のデータ配線３６に接続された補正用容量１１６によって発生するフィードスルーを重ね合わせた合成フィードスルーを「フィードスルー補正によるデータ線電位の変動成分」として示している。前述のように、ダミー画素部７６の個々の寄生容量８４への印加電圧の大きさを規定するダミー画素群駆動データ、及び、個々の補正用容量１１６への印加電圧の大きさを規定する補正用容量駆動データは、寄生容量８４によって発生するフィードスルーと補正用容量１１６によって発生するフィードスルーを重ね合わせた合成フィードスルーが、寄生容量３８によって発生するフィードスルーに一致するように決定しているので、合成フィードスルーは、図７(Ｅ)に示す−側へ凸となっているパルス状の変動成分のように、寄生容量３８によって発生するフィードスルーと、極性が逆でかつ振幅がほぼ等しくなる。
【００７４】
これにより、寄生容量３８によって発生するフィードスルーと合成フィードスルーが個々のデータ配線３６上で打ち消し合うことで、個々のデータ配線３６の電位は、図７(Ｇ)にデータ線の電位として示すように、蓄積容量２６の蓄積電荷量に応じた信号電荷に、フィードスルー補正の若干の誤差（寄生容量３８によって発生するフィードスルーに対する合成フィードスルーの偏差）を加えた変化を示し、その振幅が大幅に小さくなる。
【００７５】
次のステップ２１４では、ゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１へのオン信号の供給開始（ダミー配線８２への電圧の供給停止、ゲート線１２４へのオン信号の供給停止）から所定時間ｔ１が経過したか否か判定し、判定が肯定される迄ステップ２１４を繰り返す。ステップ２１４の判定が肯定されるとステップ２１６へ移行し、ゲート線ドライバ１００によるゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１へのオン信号の供給を停止させる（図７(Ａ)におけるゲート線電位のオンからオフへの変化も参照）と同時に、ダミー線ドライバ１０２によるダミー画素群７７のダミー配線８２への電圧の供給を再開させ（図７(Ｂ)におけるダミー配線電位のオフからオンへの変化も参照）、オンオフ制御部１２２によるゲート線１２４へのオン信号の供給も再開させる（図７(Ｃ)における補正用容量への電圧印加のオフからオンへの変化も参照）。
【００７６】
これにより、駆動対象の画素群ｐの個々の画素部３０ではＴＦＴ２８が各々オフし、個々の画素部３０の蓄積容量２６からの蓄積電荷の読み出しが終了するが、このとき、駆動対象の画素群ｐの個々の画素部３０に存在する寄生容量３８にもオン信号の電圧印加が停止されることで、個々の画素部３０の寄生容量３８によってフィードスルーが発生し(図７(Ｄ)において−側へ凸となっているパルス状の変動成分を参照)、このフィードスルーがデータ配線３６を流れることになる。
【００７７】
これに対し、駆動対象の画素群ｐの個々の画素部３０のＴＦＴ２８が各々オフするのと同時に、ダミー配線８２への電圧の供給が再開され、これに伴ってダミー画素群７７の個々のダミー画素部７６の寄生容量８４への電圧の印加が再開されることで、個々のダミー画素部７６の寄生容量８４により、寄生容量３８によって発生するフィードスルーとは極性が逆のフィードスルーが発生する。また、駆動対象の画素群ｐの個々の画素部３０のＴＦＴ２８が各々オフするのと同時に、ゲート線１２４へのオン信号の供給も再開され、これに伴って個々のスイッチング素子１１８がオフからオンへ切り替わり、個々の補正用容量１１６への電圧の印加も再開されることで、個々の補正用容量１１６によっても、寄生容量３８によって発生するフィードスルーとは極性が逆のフィードスルーが発生する。
【００７８】
そして合成フィードスルーは、図７(Ｅ)に示す＋側へ凸となっているパルス状の変動成分のように、寄生容量３８によって発生するフィードスルーと、極性が逆でかつ振幅がほぼ等しくなる。これにより、個々の画素部３０のＴＦＴ２８が各々オフした際にも、寄生容量３８によって発生するフィードスルーと合成フィードスルーが個々のデータ配線３６上で打ち消し合うことで、個々のデータ配線３６の電位は、図７(Ｇ)にデータ線の電位として示すように、蓄積容量２６の蓄積電荷量に応じた信号電荷に、フィードスルー補正の若干の誤差（寄生容量３８によって発生するフィードスルーに対する合成フィードスルーの偏差：図７(Ｇ)ではこの偏差を「フィードスルー電荷による電位変動の残留成分」と表記して示す）を加えた変化を示し、その振幅が大幅に小さくなる。
【００７９】
次のステップ２１８では、ゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１へのオン信号の供給停止（ダミー配線８２への電圧の供給再開、ゲート線１２４へのオン信号の供給再開）から所定時間ｔ２が経過したか否か判定し、判定が肯定される迄ステップ２１８を繰り返す。ステップ２１８の判定が肯定されるとステップ２２０へ移行し、個々のチャージアンプの出力信号を、ＭＰＸ１１２、Ａ／Ｄ変換器１１４を経由して、駆動対象の画素群ｐに対応する読出電荷量データdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)として順に取得する。またステップ２２２では、図７(Ｆ)にも示すように、個々のスイッチ１１０を一旦オンさせることで個々のチャージアンプの蓄積電荷をリセットした後に、個々のスイッチ１１０を各々オフに戻す。
【００８０】
なお、寄生容量３８によって発生するフィードスルーに対する合成フィードスルーの偏差についても、図７(Ｇ)に示すようにＴＦＴ２８のオン時とオフ時とで極性が相違している。これに対して本実施形態では、個々の画素部３０のＴＦＴ２８がオンする以前より個々のチャージアンプがデータ配線３６の電位の積分(電荷の蓄積)を開始し、個々の画素部３０のＴＦＴ２８が各々オフし、更に所定時間ｔ２が経過した後（すなわち、個々のゲート配線３４へのオン信号の供給を停止してから個々のデータ配線３６を伝送されるフィードスルーを含む信号電荷が０となる迄の所要時間以上が経過した後）に、チャージアンプの出力信号(蓄積電荷)が読出電荷量データdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)として読み出される。従って、ＴＦＴ２８のオン時の前記偏差とＴＦＴ２８のオフ時の前記偏差はチャージアンプの蓄積電荷上でキャンセルされるので、読出電荷量データdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)として蓄積容量２６の蓄積電荷量を正確に表すデータが得られる。
【００８１】
次のステップ２２４では、先頭ゲート配線位置ｉに同時駆動数ｋを加算した値(ｉ＋ｋ)が、放射線検出パネル１４に設けられたゲート配線３４の総数ｉmaxよりも大きいか否か判定する。判定が否定された場合はステップ２２６へ移行し、先頭ゲート配線位置ｉに同時駆動数ｋを加算した値(ｉ＋ｋ)を新たな先頭ゲート配線位置ｉとして設定すると共に、画素群カウンタｐを１だけインクリメントした後にステップ２０８に戻り、ステップ２２４の判定が肯定される迄ステップ２０８〜ステップ２２６を繰り返す。これにより、同時駆動数ｋと同数のゲート配線３４に対応する画素群を単位として、前述のフィードスルー補正を行いながら、個々の画素群の蓄積容量２６からの蓄積電荷の読み出し(読出電荷量データdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)の取得)が順に行われる。そしてステップ２２４の判定が肯定されるとフィードスルー補正処理を終了する。
【００８２】
このように、本実施形態によれば、寄生容量３８によって発生するフィードスルーを、ダミー画素部７６の寄生容量８４によって発生するフィードスルーと補正用容量１１６によって発生するフィードスルーが重ね合わされた合成フィードスルーによって個々のデータ配線３６上でキャンセルしているので、蓄積容量２６から蓄積電荷を読み出す全期間に亘り、寄生容量３８によって発生するフィードスルーを個々のデータ配線３６上で精度良く抑制することができ、例として図８(Ａ)に示すように、個々のデータ配線３６の電位変化の振幅のうち、寄生容量３８によって発生するフィードスルーに相当する振幅成分を大幅に小さくすることができる。これにより、蓄積容量２６から蓄積電荷を読み出している期間の途中でチャージアンプの蓄積電荷の飽和が生じ、図７(Ｈ)に「フィードスルー補正未実施の場合」と表記して示す破線のように、チャージアンプの出力信号電圧の飽和が生ずることを防止することができ、出力信号電圧の飽和に伴って寄生容量３８によって発生するフィードスルーをキャンセルする精度が大幅に低下することを防止できる。
【００８３】
また、個々のデータ配線３６の電位変化の振幅のうち、寄生容量３８によって発生するフィードスルーに相当する振幅成分を大幅に小さくできることで、蓄積電荷の飽和を回避するためにチャージアンプのゲインを抑制する必要が無くなり、チャージアンプのレンジに余裕が生じる。これにより、図８(Ｂ)に示すようにチャージアンプのゲインを大きくすることが可能になる。ここで、図８(Ｃ)に示すようにチャージアンプの出力信号に固定ノイズが重畳された場合を考えると、重畳された固定ノイズのレベルをチャージアンプの入力側に換算した値(入力換算値)はＮ／Ａとなる（但し、Ｎは重畳された固定ノイズのレベル、Ａはチャージアンプのゲイン）ので、固定ノイズの入力換算値はチャージアンプのゲインＡが大きくなるに従って小さくなり、これに伴ってチャージアンプの出力信号のＳ／Ｎ比も向上する。従って、本実施形態によれば、チャージアンプの出力信号電圧が飽和することを防止できることと、チャージアンプのゲインを大きくすることでチャージアンプの出力信号のＳ／Ｎ比を向上できることの相乗効果により、読出電荷量データdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)として蓄積容量２６の蓄積電荷量を正確に表す高精度なデータを得ることができる。
【００８４】
なお、上記では補正データ取得処理(図４)において、放射線検出パネル１４の個々の画素部３０の蓄積容量２６に電荷が蓄積されていない状態で、駆動対象の画素群ｐに対応するゲート配線ｉ〜ｉ＋ｋ−１を１回駆動して（オン信号の供給を開始し）駆動対象の画素群ｐに対応するデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)を取得し、取得したデータから駆動対象の画素群ｐに対応するダミー画素群駆動データ及び補正用容量駆動データを決定していたが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記のようにしてダミー画素群駆動データ及び補正用容量駆動データを一旦決定した後に、先に説明したフィードスルー補正処理(図６)と同様にゲート配線の駆動、ダミー画素群７７の寄生容量８４への電圧印加・印加停止、及び、補正用容量１１６への電圧印加・印加停止を行い、データdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)を取得し、取得したデータに応じて補正用容量駆動データを修正することを、取得したデータdata(ｐ,１)〜data(ｐ,ｊmax)が全て０になる迄繰り返すことで、補正データを決定するようにしてもよい。この場合、個々の画素部３０における寄生容量３８の静電容量のばらつきに加えて、ダミー画素群７７の個々のダミー画素部７６における寄生容量８４の静電容量や、個々の補正用容量１１６の静電容量にもばらつきがあったとしても、寄生容量３８の静電容量のばらつきに加えて、寄生容量８４や補正用容量１１６の静電容量のばらつきも併せて補正されるように、補正データ（ダミー画素群駆動データ及び補正用容量駆動データ）を決定することができる。
【００８５】
また、上記ではｊmax個の補正用容量１１６への印加電圧値Ｖcor(ｐ,１)〜Ｖcor(ｐ,ｊmax)を先の(２)式に従って演算することで、ｊmax個の補正用容量１１６によって所望のレベルのフィードスルーを発生させる態様を説明したが、更に、時定数を考慮して個々の補正用容量１１６の静電容量を事前に調整しておくようにしてもよい。すなわち、寄生容量３８で発生するフィードスルーの時間変化を規定する時定数τ1は次の(３)式で求まる。
τ1＝Ｒgon×Ｃpr  …(３)
但し、Ｒgonはゲート線ドライバ１００内部のスイッチング素子のオン抵抗、Ｃprは寄生容量３８の静電容量である。一方、補正用容量１１６で発生するフィードスルーの時間変化を規定する時定数τ2は次の(４)式で求まる。
τ1＝Ｒon×Ｃcor(ｘ)  …(４)
但し、Ｒonはスイッチング素子１１８のオン抵抗、Ｃcor(ｘ)はデータ配線ｘに接続された補正用容量１１６の静電容量である。そして図９(Ｅ)に示すように、時定数τ2が時定数τ1よりも小さい場合には、補正用容量１１６で発生するフィードスルーが寄生容量３８で発生するフィードスルーよりも急速に減衰する一方、時定数τ2が時定数τ1よりも大きい場合には、補正用容量１１６で発生するフィードスルーが寄生容量３８で発生するフィードスルーよりも緩やかに減衰するので、何れの場合も図９(Ｆ)に示すように、フィードスルー補正で補正しきれない残留分が生ずることになる。
【００８６】
これに対し、オン抵抗Ｒgon,Ｒon及び静電容量Ｃprを事前に測定或いは調査し、時定数τ2が時定数τ1に一致するように補正用容量１１６の静電容量Ｃcor(ｘ)を事前に調整しておけば、上記の残留分を非常に小さく抑制することができる。なお、ゲート線ドライバ１００内部のスイッチング素子のオン抵抗Ｒgonはおよそ一定であるが、単一のデータ配線３６に対応する寄生容量３８はゲート配線３４と同数存在しており、これらの寄生容量３８の静電容量Ｃprにはばらつきがあるので、補正用容量１１６の静電容量Ｃcor(ｘ)の導出は、例えばデータ配線ｘに対応する個々の寄生容量３８の静電容量Ｃprを各々求め、その平均値を用いて演算した時定数τ1に時定数τ2が一致するように行えばよい。この場合、上記の残留分を平均的に小さく抑制することができる。
【００８７】
また、上記では本発明に係る補正用容量としての補正用容量１１６をＴＦＴアクティブマトリクス基板２４外に設けた態様を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明に係る補正用容量は、個々の画素部３０の形成と同一プロセスによりＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上に設けるようにしてもよい。この場合、本発明に係る補正用容量としては、個々のデータ配線と交差するダミー配線（このダミー配線は請求項２に記載の第１ダミー配線に相当する）を形成することで、データ配線と前記ダミー配線との間に生ずる寄生容量（この寄生容量は請求項２に記載の寄生容量に相当する）を用いることができる。この場合、上記のダミー配線、Ｄ／Ａ変換器及びダミー線ドライバをデータ配線と同数設けると共に、個々のダミー配線に、互いに異なるＤ／Ａ変換器及びダミー線ドライバを接続することで、個々のデータ配線に対応する寄生容量に、互いに独立した任意の大きさの補正電圧を任意の期間印加することが可能となる。
【００８８】
また、上記では放射線検出パネル１４のＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上にダミー画素群７７(寄生容量８４)を設けると共に、個々のデータ配線３６に補正用容量１１６を接続し、寄生容量８４によって発生するフィードスルー及び補正用容量１１６によって発生するフィードスルーが重ね合わされた合成フィードスルーにより、寄生容量３８によって発生するフィードスルーをデータ配線３６上でキャンセル(補正)する態様を説明したが、これに限定されるものではなく、ダミー画素群７７(寄生容量８４)を省略し、補正用容量１１６によって発生するフィードスルーのみによって寄生容量３８によって発生するフィードスルーをデータ配線３６上でキャンセル(補正)するようにしてもよい。本発明は上記態様も権利範囲に含むものである。
【００８９】
更に、上記では図３の矢印Ａ方向に沿って並ぶ複数個の画素部３０（本発明に係る画素群を構成する複数の画素部）のＴＦＴ２８のゲートが同一のゲート配線３４に接続され、前記複数個の画素部３０のＴＦＴ２８が互いに同時期にオンされる態様を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明に係る画素群を構成する個々の画素部のスイッチング手段を順次オンさせて時系列の信号を得る態様に本発明を適用することも可能である。
【００９０】
また、上記では請求項１０に記載の変換部として、照射された放射線を電荷へ直接変換する光電変換層２２を説明したが、これに限定されるものではなく、上記の変換部は、照射された放射線を電磁波（例えば可視光等）へ一旦変換した後に、変換後の電磁波を電荷へ変換する構成（間接変換方式）であってもよい。また上記では、光電変換層２２がＴＦＴアクティブマトリクス基板２４上に形成された構成を説明したが、上記の変換部は、蓄積容量及びスイッチング手段を各々備えた複数の画素部が配列された基板と別体であってもよい。
【００９１】
また、上記では多数個の画素部３０（ＴＦＴ２８や蓄積容量２６）がマトリクス状に（２次元に）配置された構成の放射線検出パネル１４を例に説明したが、これに限定されるものではなく、電磁波検出パネルは複数個の画素部が一列に（１次元に）配置された構成であってもよい。
【００９２】
また、上記では請求項１０に記載の変換部としての光電変換層によって電荷へ変換される放射線の一例としてＸ線を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、変換部に吸収されて電荷へ変換され、蓄積容量にその電荷が蓄積されるものであれば、例えば電子線やα線等の他の放射線であってもよいし、例えば可視光や紫外線、赤外線等、任意の波長域の電磁波であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影システムの概略構成図である。
【図２】放射線検出パネルのうち単一の画素部が形成されている領域の断面図である。
【図３】放射線検出パネル及びその周辺回路の概略構成図である。
【図４】補正データ取得処理の内容を示すフローチャートである。
【図５】補正データ取得処理におけるデータ取得タイミングを説明するためのタイミングチャートである。
【図６】フィードスルー補正処理の内容を示すフローチャートである。
【図７】蓄積容量からの電荷読出時の動作を示すタイミングチャートである。
【図８】フィードスルー補正による、(Ａ)はデータ配線の電位変化の振幅の変化、(Ｂ)はチャージアンプのゲインの変更、(Ｃ)はチャージアンプのゲインと固定ノイズの入力換算値の関係を各々示す概略図である。
【図９】時定数を考慮した補正用容量の静電容量の調整を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００９４】
１０  放射線画像撮影システム
１４  放射線検出パネル
１６  制御装置
２４  ＴＦＴアクティブマトリクス基板
２６  蓄積容量
２８  ＴＦＴ
３０  画素部
３４  ゲート配線
３６  データ配線
３８  寄生容量
７６  ダミー画素部
７７  ダミー画素群
７８  ＴＦＴ
８２  ダミー配線
８４  寄生容量
９２  信号検出部
９４  読出制御部
９４Ａ  補正データ記憶部
１０２  ダミー線ドライバ
１０４  Ｄ／Ａ変換器
１１６  補正用容量
１１８  スイッチング素子
１２０  Ｄ／Ａ変換器
１２２  オンオフ制御部
１２４  ゲート線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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