(57)【要約】【課題】ドライエッチングで加工したｐ型の窒化物半導体の表面に低コンタクト抵抗のオーミック電極を形成する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、窒化物半導体のｐ型領域をドライエッチングによって露出させる工程と、ドライエッチングで露出させたｐ型領域の表面にマグネシウムを含む被覆層を形成する被覆層形成工程と、被覆層が形成されている窒化物半導体を加熱処理するアニール工程と、被覆層を形成したｐ型領域の表面に、オーミック電極を形成する電極形成工程を備える。【選択図】図１
2009212183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
ｐ型領域を有する窒化物半導体を用意する工程と、
前記窒化物半導体の一部をドライエッチングによって除去し、そのｐ型領域を少なくとも部分的に露出させるエッチング工程と、
前記エッチング工程で露出させたｐ型領域の表面に、前記窒化物半導体に対してｐ型不純物となる物質を含有する被覆層を形成する被覆層形成工程と、
前記被覆層が形成されている窒化物半導体を加熱処理するアニール工程と、
前記被覆層を形成した前記ｐ型領域の表面に、オーミック電極を形成する電極形成工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記被覆層は、マグネシウムを含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記アニール工程では、前記被覆層が形成されている窒化物半導体を、６００℃以上７５０℃以下の温度まで加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記アニール工程では、前記被覆層が形成されている窒化物半導体を、少なくともアンモニアを含む雰囲気下、又は、窒素雰囲気下で加熱することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アニール工程と電極形成工程の間に、前記アニール工程後の前記窒化物半導体から前記被覆層を除去する被覆層除去工程をさらに備え、
前記電極形成工程では、前記被覆層を除去したｐ型領域の表面に前記オーミック電極を形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記被覆層は、マグネシウムを含む金属層であり、
前記電極形成工程では、そのマグネシウムを含む金属層の少なくとも一部を、前記オーミック電極の少なくとも一部とすることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を製造する技術に関する。特に、窒化物半導体にオーム性接触となるオーミック電極を形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体装置の製造では、ドライエッチング処理によって窒化物半導体を加工し、その加工後の表面にオーミック電極を形成することが行われる。窒化物半導体の表面は、ドライエッチング処理によってダメージを受けやすい。特にｐ型の窒化物半導体では、ダメージを受けた部分がｎ型になりやすいため、ドライエッチング処理によって露出させたｐ型の窒化物半導体の表面にオーミック電極を形成した場合、オーミック電極のコンタクト抵抗が高くなってしまうことがある。
上記の問題に関して、非特許文献１に、ドライエッチング処理後のｐ型窒化物半導体にオーミック電極を形成する一つの技術が開示されている。この技術では、ｐ型窒化物半導体（ｐ−ＩｎＧａＮ）をドライエッチング処理によって加工した後、その加工後の表面から同種のｐ型窒化物半導体を選択的に再成長させ、その再成長させた部分の表面にオーミック電極を形成する。
【０００３】
【非特許文献１】牧本（Makimoto）、熊倉（Kumakura）、小林（Kobayashi）、「ｎｐｎ型ＧａＮ／ＩｎＧａＮへテロ接合バイポーラトランジスタにおけるＩｎＧａＮの付加的ベース再成長（Extrinsic Base Regrowth of p-InGaN for Npn-Type GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistor）」、日本応用物理研究誌（Japanese Journal of Applied Physics）、日本、社団法人日本応用物理学会（The Japan Society of Applied Physics）、２００４年、第４３巻、第４Ｂ号、第１１９２−１９２４頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した技術では、ドライエッチング処理によってｐ型窒化物半導体を部分的に除去した後に、そのｐ型窒化物半導体を再度結晶成長させる必要があり、窒化物半導体装置の製造工程を複雑にしてしまう。ドライエッチング処理で露出させたｐ型窒化物半導体の表面に、低コンタクト抵抗のオーミック電極を直接的に形成可能な技術が必要とされている。
本発明は、上記の課題を解決する。本発明は、ドライエッチング処理によって露出させたｐ型窒化物半導体の表面に、低コンタクト抵抗のオーミック電極を直接的に形成可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、半導体装置の製造方法に具現化される。この製造方法は、ｐ型領域を有する窒化物半導体を用意する工程と、前記窒化物半導体の一部をドライエッチングによって除去し、そのｐ型領域を少なくとも部分的に露出させるエッチング工程と、前記エッチング工程で露出させたｐ型領域の表面に、前記窒化物半導体に対してｐ型不純物となる物質（アクセプタ）を含有する被覆層を形成する被覆層形成工程と、前記被覆層が形成されている窒化物半導体を加熱処理するアニール工程と、前記被覆層を形成した前記ｐ型領域の表面に、オーミック電極を形成する電極形成工程を備えている。
【０００６】
ドライエッチングで露出させたｐ型窒化物半導体の表面では、窒素原子の一部が結晶から離脱することによってｎ型化が生じており、そのことが、その後に形成するオーミック電極とのコンタクト抵抗を高くする要因となっている。
そこで、本発明に係る製造方法では、ドライエッチングで露出させた表面にアクセプタを含有する被覆層を形成し、その状態で加熱処理を実施する。それにより、被覆層のアクセプタをｐ型窒化物半導体へと拡散させ、ｐ型窒化物半導体の表面におけるｎ型化を回復させる。ｐ型窒化物半導体の表面におけるｎ型化が回復することにより、その表面に形成されるオーミック電極のコンタクト抵抗は有意に低下する。
この製造方法によると、ドライエッチング処理によって露出させたｐ型窒化物半導体の表面に、低コンタクト抵抗のオーミック電極を直接的に形成することができる。
【０００７】
前記した被覆層形成工程では、アクセプタとしてマグネシウムを含有する被覆層を形成することが好ましい。
マグネシウムは、窒化物半導体に対する代表的なアクセプタの一つであり、その取り扱いも比較的に容易である。アクセプタとしてマグネシウムを用いることにより、被覆層の形成やその後のアニール処理を容易に行うことができる。
【０００８】
前記したアニール工程では、被覆層が形成されている窒化物半導体を、６００℃以上７５０℃以下の温度まで加熱することが好ましい。
アニール工程における処理温度が低すぎると、被覆層のアクセプタが窒化物半導体へ十分に拡散せず、その効果を十分に得られない。一方、アニール工程における処理温度が高すぎると、窒化物半導体の表面が荒れてしまい、オーミック電極のコンタクト抵抗を逆に上昇させてしまう。アニール工程における処理温度を６００℃以上７５０℃以下に設定すると、オーミック電極のコンタクト抵抗を有意に低下させることができる。
【０００９】
ここで、窒化物半導体にアニール処理を行うと、窒化物半導体を構成する窒素原子の離脱が生じ、例えばｐ型領域ではｎ型化（ホール濃度の低下）が起きやすい。
そのことから、前記したアニール工程では、被覆層が形成されている窒化物半導体の加熱処理を、窒素原子が高濃度に存在する雰囲気下で行うとよい。特に、アンモニアを含む雰囲気下、又は、窒素雰囲気下で行うことにより、ドライエッチング処理によって低下したｐ型窒化物半導体のｎ型化を効果的に回復させることができる。
【００１０】
本発明に係る製造方法では、被覆層形成工程で形成した被覆層を、オーミック電極の一部又は全部とすることもできる。なお、被覆層をオーミック電極としない場合には、アニール工程と電極形成工程の間に、窒化物半導体から被覆層を除去する被覆層除去工程を付加するとよい。そして、電極形成工程では、その被覆層を除去したｐ型領域の表面に、オーミック電極を形成するとよい。
【００１１】
一方、被覆層を電極の一部に利用する場合には、被覆層形成工程で形成する被覆層を、マグネシウムを含む金属層とするとよい。それにより、電極形成工程では、そのマグネシウムを含む金属層の少なくとも一部を、オーミック電極の少なくとも一部とすることができる。
この製造方法によると、形成した被覆層を除去する必要がないので、その製造工程を比較的に簡素に構成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、ドライエッチング処理によって露出させたｐ型窒化物半導体の表面に、低コンタクト抵抗のオーミック電極を直接的に形成することが可能となり、優れた特性の半導体装置を比較的に簡単に製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の好適な実施形態について、本発明の効果を確認した試験結果に基づいて説明する。先ず、本発明の効果を確認するために、以下の工程を順に実施することによって、試験サンプルを作製した。
（１）ｐ型領域を含む窒化物半導体を準備する工程
この工程では、ｐ型領域を含む窒化物半導体として、ｐ型領域を含む窒化ガリウムを用意した。
（２）ドライエッチング工程
この工程では、用意した窒化ガリウムに、塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、そのｐ型領域の表面を新たに露出させた。このとき、ｐ型領域の表層部を、３００ｎｍの深さで除去した。
（３）被覆層形成工程
この工程では、露出させたｐ型領域の表面に、マグネシウムを含有する被覆層を形成した。詳しくは、マグネシウム層（層厚５０ｎｍ）、ニッケル（層厚１０ｎｍ）、プラチナ（層厚２０ｎｍ）を順に蒸着形成した。
（４）アニール処理工程
この工程では、被覆層を形成した窒化ガリウムを加熱処理し、被覆層のマグネシウムをｐ型領域に拡散させた。ここで、処理温度については６００℃、６５０℃、７００℃、及び７５０℃の４条件を設定し、処理雰囲気についてはアンモニア雰囲気及び窒素雰囲気の２条件を設定した。即ち、アニール処理に関して全体として８条件を設定し、それぞれの条件について試験サンプルを作製した。なお、処理時間は、全条件において１０分に設定した。
【００１４】
（５）被覆層除去工程
この工程では、アニール工程後の窒化ガリウムから、上記した被覆層を王水によって除去した。
（６）活性化アニール処理工程
この工程では、被覆層を除去した窒化ガリウムを、８５０℃の窒素雰囲気下に５分間静置し、ｐ型領域の活性化を行った。
（７）オーミック電極形成工程
この工程では、ｐ型領域の被覆層を形成（及び除去）した表面に、ニッケル層（層厚４０ｎｍ）及び金層（３０ｎｍ）を順に積層したオーミック電極を形成した。
（８）熱処理工程
この工程では、オーミック電極を形成した窒化ガリウムを、５５０℃の酸素雰囲気下に５分間静置し、オーミック電極のオーミックコンタクト性を安定させた。
（９）比較サンプル作製工程
この工程では、比較用の試験サンプルを作製するために、上記した工程（３）、（４）、（５）を除いて作製したサンプルを用意した。即ち、この比較用サンプルは、ドライエッチングによって露出させたｐ型領域の表面に、そのままオーミック電極を形成したものである。
【００１５】
以上の工程により試験サンプルを作製した後、各試験サンプルについて窒化ガリウム−オーミック電極間のコンタクト抵抗を測定した。その結果を図１３に示す。図１３のグラフにおいて、その横軸はアニール処理工程における処理温度を示しており、縦軸は窒化ガリウム−オーミック電極間のコンタクト抵抗を示している。グラフ中、符号Ａを付したマーク（◆）は、アニール処理工程がアンモニア雰囲気下で行われた試験サンプルの測定結果を示し、符号Ｂを付したマーク（×）は、アニール処理工程が窒素雰囲気下で行われた試験サンプルの測定結果を示し、符号Ｃを付したマーク（■）は、比較用サンプルの測定結果を示す。
図１３に示すように、いずれの雰囲気下においても、６００℃以上７５０℃以下の温度条件でアニール処理を行ったものは、比較用サンプルの測定結果（約８．０×１０−２Ωｃｍ２）に比して、そのコンタクト抵抗が有意に低下している。特に、７００℃の温度条件でアニール処理を行った場合、そのコンタクト抵抗がほぼ極小値となることが確認された。
【００１６】
以上に説明した試験結果より、被覆層を形成した状態でのアニール処理は、アンモニア又は窒素を高濃度に含む雰囲気下で実施するとともに、その処理温度を６００℃以上７５０℃以下に設定するとよい。そして。特に処理温度を７００℃に設定すると、その効果を極大的に得ることが可能となる。
【実施例】
【００１７】
（実施例１）
本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。図１は、本実施例に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。なお、本実施例で説明する製造方法は、窒化ガリウム／窒化ガリウムアルミニウム（ＧａＮ／ＡｌＧａＮ）のへテロ接合を利用した高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）構造を有する半導体装置１０（図１１参照）を製造するものである。以下、図１に示すフローチャートに沿って、本実施例に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００１８】
先ず、最初のステップＳ１０では、図２に示すように、窒化ガリウム（ＧａＮ）の単結晶からなる窒化物半導体基板２０を準備する。この窒化物半導体基板２０は、ｎ＋−ＧａＮ層２２と、ｎ＋−ＧａＮ層２２の上に積層されたｎ−−ＧａＮ層２４と、ｎ−−ＧａＮ層２４の上に積層されたｐ−ＧａＮ層２６を備えている。ｎ＋−ＧａＮ層２２は、ｎ型不純物であるシリコン（Ｓｉ）を比較的に高濃度に含んでおり、ｎ＋型の導電性を示す。ｎ−−ＧａＮ層２４は、ｎ型不純物であるシリコン（Ｓｉ）を比較的に低濃度に含んでおり、ｎ−型の導電性を示す。ｐ−ＧａＮ層２６は、ｐ型不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）を含んでおり、ｐ型の導電性を示す。ここで、窒化物半導体基板２０の製造方法については、特に限定されない。例えば、ｎ＋−ＧａＮ層２２となる窒化ガリウム基板又はサファイア基板を用意し、その上にｎ−−ＧａＮ層２４とｐ−ＧａＮ層２６を順にエピタキシャル成長させてもよい。
ここで、本実施例に係る製造方法は、単一の窒化物半導体基板２０に複数の半導体装置１０を製造するものであるが、以下の説明では一つの半導体装置１０を製造する過程のみを説明する。
【００１９】
次のステップＳ２０では、図３に示すように、窒化物半導体基板２０にドライエッチング処理を実施する。このドライエッチング処理では、窒化物半導体基板２０の表面（即ち、ｐ−ＧａＮ層２６の表面）をマスク１０２によって部分的に覆い、窒化物半導体基板２０に溝部２７を形成する。この溝２７は、ｐ−ＧａＮ層２６が分断されるように、ｎ−−ＧａＮ層２４に達する深さで形成する。このドライエッチング処理は、例えば反応性ガスを用いた反応性イオンエッチング処理（ＲＩＥ）で行うことが好ましい。ドライエッチング処理後、マスク１０２は除去しておく。
次のステップＳ３０では、図４に示すように、窒化物半導体基板２０の表面（ｐ−ＧａＮ層２６の表面及びｎ−−ＧａＮ層２４の露出面）に、ｎ−ＧａＮ層２８及びＡｌＧａＮ層３０を順に形成する。ｎ−ＧａＮ層２８は、ｎ型不純物であるシリコン（Ｓｉ）を含み、ｎ型の導電性を示す。なお、ｎ−ＧａＮ層２８は、導電性不純物を含まないｉ−ＧａＮ層としてもよい。ｎ−ＧａＮ層２８及びＡｌＧａＮ層３０の形成は、それぞれエピタキシャル成長法によって行うことができる。なお、ｎ−ＧａＮ層２８とＡｌＧａＮ層３０との界面はヘテロ接合面となり、完成した半導体装置１０においてチャネルの一部を構成する。
【００２０】
次のステップＳ４０では、図５に示すように、窒化物半導体基板２０の表面側に、ｎ＋型の導電性を示すソース領域３２を形成する。このソース領域３２の形成は、例えばイオン注入法によって行うことができる。この場合、窒化物半導体基板２０の表面（即ち、ＡｌＧａＮ層３０の表面）をマスク１０４によって部分的に覆い、ｎ型不純物としてシリコンをイオン注入するとよい。なお、ソース領域３２は、少なくともｎ−ＧａＮ層２８とＡｌＧａＮ層３０との界面まで達する深さに形成する。イオン注入処理後、熱処理によるｎ型不純物の活性化処理を行う。また、マスク１０４は除去しておく。
【００２１】
次のステップＳ５０では、図６に示すように、窒化物半導体基板２０に再度のドライエッチング処理を実施する。このドライエッチング処理では、窒化物半導体基板２０の表面（即ち、ＡｌＧａＮ層３０の表面）をマスク１０６によって部分的に覆い、ＡｌＧａＮ層３０及びｎ−ＧａＮ層２８を部分的に除去することによって、ｐ−ＧａＮ層２６を部分的に露出させる。このとき、ｐ−ＧａＮ層２６の表層部も併せて除去する。このドライエッチング処理は、反応性ガス（例えば塩素系ガス）を用いた反応性イオンエッチング処理（ＲＩＥ）で行うことができる。なお、ドライエッチング処理後、マスク１０６は除去しておく。
このステップＳ５０のドライエッチング処理において、露出させたｐ−ＧａＮ層２６の露出面２６ａには、ドライエッチング処理に起因するダメージが残る。詳しくは、ｐ−ＧａＮ層２６の露出面２６ａでは、窒素原子が外部へと離脱しており、露出面２６ａの近傍ではｎ型化が生じている。即ち、ｐ型としての導電性が低下している。この状態では、その露出面２６ａにオーミック電極５５（図１１参照）を形成すると、オーミック電極５５のコンタクト抵抗が高くなってしまう。そこで、本実施例の製造方法では、次に説明するステップＳ６０の工程後、ステップＳ７０からステップＳ９０までの工程において、ｐ−ＧａＮ層２６の露出面２６ａに残るエッチングダメージを回復する処理を行う。
【００２２】
次のステップＳ６０では、図７に示すように、ＡｌＧａＮ層３０の表面に、ゲート絶縁膜５４及びゲート電極５２からなる絶縁ゲート構造を形成する。ゲート電極５２は、窒化物半導体基板２０を平面視したときに、分断されたｐ−ＧａＮ層２６の間隙（いわゆるアパーチャ部）を跨ぐ範囲に形成する。ゲート電極５２は、ゲート絶縁膜５４を介して、ｎ−ＧａＮ層２８とＡｌＧａＮ層３０とのへテロ界面に対向している。
【００２３】
次のステップＳ７０では、図８に示すように、ｐ−ＧａＮ層２６の露出面２６ａに被覆層６０を形成する。この被覆層６０には、窒化ガリウムに対してｐ型不純物となるマグネシウムが含有されている。なお、本実施例の被覆層６０は、マグネシウムを含む金属層であり、詳しくは、マグネシウム層（層厚５０ｎｍ）、ニッケル層（層厚１０ｎｍ）、プラチナ層（層厚２０ｎｍ）を順に蒸着させた積層体となっている。ここで、被覆層６０に含有させるｐ型不純物は、マグネシウムに限定されず、ｐ型不純物となり得る他の元素を用いることができる。また、被覆層６０を形成する範囲は、ｐ−ＧａＮ層２６の露出面２６ａの全体とする必要はなく、後にオーミック電極５５を形成する範囲に合わせればよい。
【００２４】
次のステップＳ８０では、被覆層６０を形成した窒化物半導体基板２０（図８に示した状態）を加熱処理するアニール処理を実施する。このアニール処理は、７００℃のアンモニア雰囲気下において行い、その処理時間を１０分とする。このアニール処理により、被覆層６０のマグネシウムがｐ−ＧａＮ層２６へと拡散する。それにより、ｐ−ＧａＮ層２６の表層部におけるホール濃度が上昇し、そのｐ型としての導電性が回復する。なお、アンモニア雰囲気下によるアニール処理により、実際にはｐ−ＧａＮ層２６が不活性化されている。従って、厳密には、この段階でｐ−ＧａＮ層２６の導電性は回復しておらず、後述するステップＳ１００のアニール処理によって、ｐ−ＧａＮ層２６の導電性が回復することになる。
このステップＳ８０のアニール処理は、図１３の試験結果に示したように、窒素雰囲気下で行うこともできる。アンモニアや窒素を高濃度に含む雰囲気では、窒素原子が比較的に高濃度に存在する。窒素原子が高濃度に存在する雰囲気であると、ｐ−ＧａＮ層２６から窒素原子が外部に離脱することが抑制される。従って、ｐ−ＧａＮ層２６のｐ型としての導電性を、より効果的に回復させることができる。また、このステップＳ８０アニール処理は、その処理温度を６００℃以上７５０℃以下の範囲に設定することができる。
【００２５】
次のステップＳ９０では、図９に示すように、窒化物半導体基板２０から被覆層６０を除去する。被覆層６０の除去は、例えば王水を用いて行うことが好ましい。被覆層６０が除去されたｐ−ＧａＮ層２６の表面２６ｂには、被覆層６０から拡散したマグネシウムが存在している。
次のステップＳ１００では、ｐ−ＧａＮ層２６を活性化させるために、窒化物半導体基板２０を加熱するアニール処理を実施する。このアニール処理は、８５０℃の窒素雰囲気下で行い、その処理時間を５分間とする。なお、このステップＳ１００のアニール処理（ｐ−ＧａＮ層２６を活性化）については、ステップＳ８０のアニール処理（マグネシウムの拡散）を窒素雰囲気下で行っていれば、ステップＳ８０のアニール処理よりも以前に実施しておくこともできる。換言すれば、本実施例のようにステップＳ８０のアニール処理をアンモニア雰囲気下で行った場合には、ｐ−ＧａＮ層２６が不活性化されてしまうことから、その後にこのステップＳ１００のアニール処理を実施する必要が生じる。
【００２６】
次のステップＳ１１０では、図１０に示すように、ｐ−ＧａＮ層２６の表面（被覆層６０を形成した範囲２６ｂ）に、オーミック電極５５を形成する。このオーミック電極５５は、金属材料からなる金属電極である。なお、本実施例のオーミック電極５５は、ニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層を順に蒸着させた積層構造を有している。オーミック電極５５を形成後、そのオーミックコンタクト性を安定させるために、窒化物半導体基板２０にアニール処理を行う。このアニール処理は、５５０℃の酸素雰囲気下で行い、その処理時間を５分間とする。
次のステップＳ１２０では、図１１に示すように、ソース電極５６及びドレイン電極５８を形成する。ソース電極５６は、ソース領域３２の表面にオーミック接触するオーミック電極である。ドレイン電極５８は、ｎ＋−ＧａＮ層２２の表面（即ち、窒化物半導体基板２０の裏面）にオーミック接触するオーミック電極である。ソース電極５６及びドレイン電極５８を形成後、それらと窒化物半導体基板２０とのオーミックココンタクト性を安定させるために、窒化物半導体基板２０に加熱処理を加える。
【００２７】
以上の工程により、ＨＥＭＴ構造を有する半導体装置１０が製造される。この半導体装置１０は、ｐ−ＧａＮ層２６とオーミック電極５５とのコンタクト抵抗が低いことから、優れた特性を発揮することができる。
本実施例に係る製造方法では、ｐ−ＧａＮ層２６をドライエッチングによって加工した後に、ｐ−ＧａＮ層２６の結晶成長を再度実施する必要がない。そのことから、複雑な製造工程を必要とすることなく、半導体装置１０を製造することができる。また、本実施例に係る製造方法では、複数回のアニール処理を実施するが、例えば８５０℃を超えるような高温によるアニール処理を必要としないので、窒化物半導体基板２０の特性を悪化させるようなこともない。なお、８５０℃を超える高温化では、窒化物半導体基板２０の分解が生じ、多くの窒素原子が外部へ離脱してしまう。
【００２８】
（実施例２）
本発明を実施した他の実施例について説明する。図１２は、本実施例に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。この実施例２の製造方法は、先に説明した実施例１の製造方法と比較して、ｐ−ＧａＮ層２６の表面に形成した被覆層６０（図８参照）を、その後に形成するオーミック電極５５（図１０参照）の一部（又は全部）に利用することを特徴とする。従って、図１と図１２を比較して明らかなように、本実施例の製造方法では、被覆層６０を除去する工程（ステップＳ９０）を必要としない。さらに、被覆層６０をそのままオーミック電極５５として転用する場合には、オーミック電極５５を形成する工程（ステップＳ１１０）についても必要がなくなる。なお、その他の工程については、実施例１と同じであることから、ここでは重複して説明することはしない。
本実施例の製造方法によっても、図１１に示すＨＥＭＴ構造を有する半導体装置１０を製造することができる。ただし、オーミック電極５５については被覆層６０が含まれた構造となり、その点において構造上の相違点が生じる。
【００２９】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
上記した半導体装置の製造方法は、ｐ型の窒化ガリウムにオーミック電極を形成する半導体装置のみならず、例えば窒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウムインジウム（ＩｎＧａＮ）等の他の窒化物半導体のｐ型領域にオーミック電極を形成する半導体装置の製造にも適用することができる。
上記した半導体装置の製造方法は、実施例で例示した構造の半導体装置のみならず、他の様々な構造の半導体装置の製造にも適用することができる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施例１の半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図２】半製品状態の半導体装置（ステップＳ１０）の構造を模式的に示す図。
【図３】半製品状態の半導体装置（ステップＳ２０）の構造を模式的に示す図。
【図４】半製品状態の半導体装置（ステップＳ３０）の構造を模式的に示す図。
【図５】半製品状態の半導体装置（ステップＳ４０）の構造を模式的に示す図。
【図６】半製品状態の半導体装置（ステップＳ５０）の構造を模式的に示す図。
【図７】半製品状態の半導体装置（ステップＳ６０）の構造を模式的に示す図。
【図８】半製品状態の半導体装置（ステップＳ７０、Ｓ８０）の構造を模式的に示す図。
【図９】半製品状態の半導体装置（ステップＳ９０、Ｓ１００）の構造を模式的に示す図。
【図１０】半製品状態の半導体装置（ステップＳ１１０）の構造を模式的に示す図。
【図１１】完成した半導体装置（ステップＳ１２０）の構造を模式的に示す図。
【図１２】実施例２の半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１３】オーミック電極のコンタクト抵抗を測定した試験結果を示すグラフ。
【符号の説明】
【００３１】
１０：半導体装置
２０：窒化物半導体基板
２２：ｎ＋−ＧａＮ層
２４：ｎ−−ＧａＮ層
２６：ｐ−ＧａＮ層
２８：ｎ−ＧａＮ層
３０：ＡｌＧａＮ層
３２：ソース領域
５２：ゲート電極
５４：ゲート絶縁膜
５５：オーミック電極
５６：ソース電極
５８：ドレイン電極
６０：被覆層
【図１】
2009212183.tif 000003
【図２】
2009212183.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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