(57)【要約】【課題】電極と遮光膜との間の電界に対する耐性を強化し、信頼性の向上を図る。【解決手段】半導体基板３０上に形成したゲート絶縁膜３５上に電極材料膜４０を形成し、この電極材料膜４０上の電極形成領域にレジストマスク４１を形成する。このレジストマスク４１に基づいて等方性エッチングを施し、電極材料膜４０を分断せずにレジストマスク４１下にサイドエッチを生じさせる（図５（Ａ））。次いで、レジストマスク４１に基づいて異方性エッチングを施し、電極材料膜４０を分断して電極（垂直転送電極）を形成する（図５（Ｂ））。そして、電極を第１電極及び第２電極と分離して、両者の間に隔壁を形成し、電極上に層間絶縁膜を形成する。この後、層間絶縁膜を介して前記電極を覆うように遮光膜を形成する。この製造方法により、電極の遮光膜に対向する角部が等方性エッチングによりテーパー状に削られ、電極と遮光膜との間の電界集中が軽減される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に形成された受光部の直上位置に開口部を有し、前記開口部外の領域を遮光する遮光膜を備えた固体撮像装置の製造方法において、
前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
前記ゲート絶縁膜上に電極材料膜を形成する電極材料膜形成工程と、
前記電極材料膜上の電極形成領域にレジストマスクを形成するマスク形成工程と、
前記レジストマスクに基づいて等方性エッチングを施し、前記電極材料膜を分断せずに前記レジストマスク下にサイドエッチを生じさせる等方性エッチング工程と、
前記レジストマスクに基づいて異方性エッチングを施し、前記電極材料膜を分断して電極を形成する異方性エッチング工程と、
前記電極上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜を介して前記電極を覆うように前記遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記異方性エッチング工程の後に前記電極をエッチングにより分離して第１電極及び第２電極とし、前記第１及び第２電極の間に隔壁を形成する隔壁形成工程を有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極材料膜形成工程の前に、前記電極を第１電極及び第２電極と分離するための隔壁を前記ゲート絶縁膜上に形成する隔壁形成工程を有し、前記電極材料膜形成工程の後に、前記電極材料膜の表面を平坦化し、前記隔壁を露出させる平坦化工程を有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板内に形成された受光部の直上位置に開口部を有し、前記開口部外の領域を遮光する遮光膜を備えた固体撮像装置において、
前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成され、層間絶縁膜を介して前記遮光膜により覆われるとともに、前記遮光膜に対向する角部がテーパー状に削られてなる電極を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換により撮像を行う固体撮像装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型の固体撮像装置は、２次元状に配列された多数の受光部（光電変換素子）と、受光部から読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送路と、各垂直転送路から転送されてきた一行分の信号電荷を順次に水平方向に転送する水平転送路とを有する。このＣＣＤ型の固体撮像装置では、受光部以外への光の入射によるスミアやノイズを抑制するために、転送電極の表面を覆うように遮光膜が設けられ、遮光膜には、受光部の直上位置にだけ開口部（受光窓）が設けられている。
【０００３】
また、ＣＣＤ型の固体撮像素子では、信号電荷として電子を用いる場合、受光部において電子と共に発生された正孔（ホール）を掃き出す必要がある。一般に、遮光膜を接地し、接地された遮光膜と、受光部の周囲（読み出しゲート部を除く）に形成された素子分離領域とを電気的に接続することで、正孔の掃き出しを行っている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−１４２０４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような従来のＣＣＤ型の固体撮像素子では、転送電極には、１５Ｖや−７Ｖといった大きな駆動電圧が印加され、転送電極と遮光膜との間に高電界が生じるため、転送電極と遮光膜との間を絶縁する層間絶縁膜の耐性が問題となる。
【０００５】
一般に、転送電極は、基板に垂直な断面が矩形形状となっており、遮光膜との間隔は、上部の角部で最小となるため、遮光膜との間で生じる電界は、上部の角部と遮光膜との間に集中する。転送電極と遮光膜との間の層間絶縁膜を、シリコン酸化膜にシリコン窒化膜などを積層した多層膜として構成する場合には、その分だけ膜厚が大きくなるため、層間絶縁膜の耐性はある程度は確保されるが、コスト削減や工程数削減等のために該層間絶縁膜をシリコン酸化膜の単層膜とする場合には、層間絶縁膜の耐性は低くなるため、絶縁破壊が生じる可能性がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、電極と遮光膜との間の電界に対する耐性を強化し、信頼性の向上を図ることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板内に形成された受光部の直上位置に開口部を有し、前記開口部外の領域を遮光する遮光膜を備えた固体撮像装置の製造方法において、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜上に電極材料膜を形成する電極材料膜形成工程と、前記電極材料膜上の電極形成領域にレジストマスクを形成するマスク形成工程と、前記レジストマスクに基づいて等方性エッチングを施し、前記電極材料膜を分断せずに前記レジストマスク下にサイドエッチを生じさせる等方性エッチング工程と、前記レジストマスクに基づいて異方性エッチングを施し、前記電極材料膜を分断して電極を形成する異方性エッチング工程と、前記電極上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜を介して前記電極を覆うように前記遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、を有することを特徴とする。この製造方法により、電極には、等方性エッチングによる上部のテーパー面と、異方性エッチングによる下部の垂直面とからなる側面が形成される。つまり、電極の遮光膜に対向する角部がテーパー状となり、電界集中が軽減される。
【０００８】
なお、前記異方性エッチング工程の後に前記電極をエッチングにより分離して第１電極及び第２電極とし、前記第１及び第２電極の間に隔壁を形成する隔壁形成工程を有するが好ましい。
【０００９】
また、前記電極材料膜形成工程の前に、前記電極を第１電極及び第２電極と分離するための隔壁を前記ゲート絶縁膜上に形成する隔壁形成工程を有し、前記電極材料膜形成工程の後に、前記電極材料膜の表面を平坦化し、前記隔壁を露出させる平坦化工程を有することも好ましい。
【００１０】
また、本発明の固体撮像装置は、半導体基板内に形成された受光部の直上位置に開口部を有し、前記開口部外の領域を遮光する遮光膜を備えた固体撮像装置において、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成され、層間絶縁膜を介して前記遮光膜により覆われるとともに、前記遮光膜に対向する角部がテーパー状に削られてなる電極を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、電極の遮光膜に対向する角部が等方性エッチングによりテーパー状に削られる。この製造方法により形成された本発明の固体撮像装置は、電極と遮光膜との間の電界集中が軽減されるため、電界に対する耐性を強化し、信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１実施形態）
図１において、本発明の第１実施形態に係わるＣＣＤ型固体撮像装置１０は、２次元状に配置され、光を信号電荷に変換して蓄積する複数の受光部１１と、受光部１１の垂直列ごとに設けられ、信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送路１２と、各垂直転送路１２の出力端に共通に接続され、信号電荷を水平方向に転送させる水平転送路１３と、水平転送路１３の出力端に設けられ、水平転送路１３から転送される信号電荷を撮像信号に変換して出力する出力部１４とから構成されている。電荷転送時には、垂直転送路１２を駆動する垂直転送電極に４相の垂直駆動パルス（φＶ１〜φＶ４）が印加され、水平転送路１３を駆動する水平転送電極に２相の水平駆動パルス（φＨ１，φＨ２）が印加される。
【００１３】
出力部１４は、水平転送路１３の出力端に隣接して設けられた出力ゲート１５と、出力ゲート１５を介して水平転送路１３と接続されたフローティングディフュージョン（ＦＤ）部１６と、ＦＤ部１６に接続された出力アンプ１７と、ＦＤ部１６に隣接して設けられたリセットゲート１８と、リセットゲート１８を介してＦＤ部１６と接続されたリセットドレイン１９とからなる。
【００１４】
出力ゲート１５には、所定のゲート電圧（ＯＧ）が印加されている。水平転送路１３の信号電荷は、水平転送電極に印加される水平駆動パルス（φＨ１，φＨ２）に応じて、出力ゲート１５介して順にＦＤ部１６に転送される。ＦＤ部１６では、信号電荷が信号電圧に変換される。出力アンプ１７は、ＦＤ部１６によって変換された信号電圧を緩衝増幅（インピーダンス変換）し、撮像信号Ｖｏｕｔとして出力する。リセットゲート１８は、撮像信号Ｖｏｕｔの出力が行われるたびに印加されるリセットゲートパルス（φＲＧ）に応じて、ＦＤ部１６内の信号電荷を、リセットドレイン電圧（ＲＤ）が印加されたリセットドレイン１９に排出する。
【００１５】
図２は、受光部１１の平面形状を略８角形とし、受光部１１を一列ごとに半ピッチずらして配列した、いわゆるハニカム配列の例を示す。垂直転送電極２０は、垂直方向に交互に配列された第１垂直転送電極２０ａと第２垂直転送電極２０ｂとからなり、第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂは、垂直転送路１２（図１参照）を横切るようにそれぞれ水平方向に延在している。
【００１６】
図３は、図２のＡ−Ａ線に沿う断面構造を示す。ｎ型半導体基板（シリコン基板）３０の表層にはｐウェル層３１が形成され、ｐウェル層３１内には、ｎ型層からなり光電変換により信号電荷（この場合は電子）を生成して蓄積する受光部１１が配列形成されている。受光部１１の上には、暗電流を防止するためのｐ＋型のホール蓄積層３２が形成されている。
【００１７】
受光部１１の一方の側方には、ｐウェル層３１の表層の読み出しゲート部３３を介して、ｎ型層からなる垂直転送路１２が形成されている。受光部１１の他方の側方には、ｐ＋型層からなる素子分離領域３４を介して隣接画素に属する垂直転送路１２が形成されている。読み出しゲート部３３は、受光部１１に蓄積された信号電荷を垂直転送路１２に読み出すためのチャネル領域である。
【００１８】
半導体基板３０の表面上には、ＯＮＯ（Oxide-Nitride-Oxide）膜からなるゲート絶縁膜３５が形成され、このゲート絶縁膜３５上には、垂直転送路１２、読み出しゲート部３３、及び素子分離領域３４の略直上を覆うように、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる垂直転送電極２０が形成されている。垂直転送電極２０を構成する第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂの互いに隣接しない上部の角部２１ａ，２１ｂは、等方性エッチングによりテーパー状に削られている。垂直転送電極２０は、垂直転送路１２を駆動して電荷転送を行わせる駆動電極と、読み出しゲート部３３を駆動して電荷読み出しを行わせる読み出し電極として機能する。
【００１９】
第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂ上には、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜３６が形成されており、この層間絶縁膜３６を介して、第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂの表面を覆うように、タングステンからなる遮光膜３７が形成されている。遮光膜３７は、受光部１１の直上位置に開口部３７ａを有し、それ以外の領域を遮光している。また、第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂの間には、両者を絶縁分離するために、シリコン酸化膜からなる隔壁３８が形成されている。
【００２０】
素子分離領域３４は、受光部１１の周囲の読み出しゲート部３３を除く領域に形成されており、ホール蓄積層３２と接続されている。遮光膜３７は、接地（グランド配線に接続）され、半導体基板３０の水平転送路１３とは反対側の端部にて、素子分離領域３４と接続されている。この接地された遮光膜３７と素子分離領域３４との接続は、光電変換により電子と共に生成され、ホール蓄積層３２に蓄積された正孔（ホール）を掃き出すために行われている。
【００２１】
図示は省略しているが、遮光膜３７上には全面を覆うように、保護絶縁膜及び平坦化膜が積層され、平坦化膜上には、入射光を集光及び分光して受光部１１に導くように、周知のカラーフィルタ及びマイクロレンズが形成されている。
【００２２】
垂直転送電極２０は、遮光膜３７に対向する上部の角部がテーパー状に削られているため、駆動電圧が印加された差異に遮光膜３７との間で生じる電界の集中が緩和され、電界に対する耐性が強化されることになる。これにより、層間絶縁膜３６には絶縁破壊が生じにくく、デバイスとしての信頼性が向上する。
【００２３】
次に、ＣＣＤ型固体撮像装置１０の製造方法を図４〜図６に示す各工程図に沿って説明する。なお、図４〜図６は、図２のＡ−Ａ線に沿う断面における製造工程を示す。
【００２４】
まず、ｐ型及びｎ型の不純物イオンを適切なエネルギー及び濃度にてそれぞれ注入することにより、図４（Ａ）に示すように、半導体基板３０内の所定領域に、前述のｐウェル層３１、受光部１１、垂直転送路１２、ホール蓄積層３２、読み出しゲート部３３、素子分離領域３４等を形成し、半導体基板３０の表面上に、熱酸化法及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ＯＮＯ膜からなるゲート絶縁膜３５を形成する。
【００２５】
次いで、図４（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３５上に、ＣＶＤ法によりポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる電極材料膜４０を形成する。次いで、フォトリソグラフィ技術により、図４（Ｃ）に示すように、電極材料膜４０上の垂直転送路１２、読み出しゲート部３３、及び素子分離領域３４の略直上領域（垂直転送電極２０の形成領域）に、第１のレジストマスク４１を形成する。
【００２６】
次いで、図５（Ａ）に示すように、第１のレジストマスク４１に基づいて等方性エッチングを施す。この等方性エッチングでは、第１のレジストマスク４１下に略四半円状にサイドエッチを生じさせ、電極材料膜４０は分断せず、下地（半導体基板３０）は露出させない。なお、この等方性エッチングとしては、例えば、ＨＦ（フッ化水素）系のウェットエッチング法やＣＤＥ（Chemical Dry Etching）法を用いる。
【００２７】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、同じく第１のレジストマスク４１に基づいて、上下方向（半導体基板３０の表面に垂直な方向）へのエッチング率が高い異方性エッチングを施し、電極材料膜４０をパターニング（分断してパターン化）する。この結果、電極材料膜４０には、等方性エッチングによる上部のテーパー面４２ａと、異方性エッチングによる下部の垂直面４２ｂとからなる側面４２が形成される。なお、この異方性エッチングとしては、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いる。
【００２８】
次いで、第１のレジストマスク４１を除去し洗浄を行った後、フォトリソグラフィ技術により、図５（Ｃ）に示すように、電極材料膜４０を分断する領域（隔壁３８の形成領域）上にスリット４３ａを有し、かつ他の部分を覆う第２のレジストマスク４３を形成する。なお、スリット４３ａの幅は、フォトリソグラフィの限界最小寸法（使用する光源の波長程度）とする。
【００２９】
次いで、第２のレジストマスク４３に基づいて、ＲＩＥ法などの異方性エッチングを施して電極材料膜４０を分断し、第２のレジストマスク４３を除去して洗浄を行う。これにより、図６（Ａ）に示すように、前述の第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂからなる垂直転送電極２０が形成される。第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂの互いに隣接しない上部の角部２１ａ，２１ｂは、上記のテーパー面４２ａである。
【００３０】
次いで、熱酸化法及びＣＶＤ法により、図６（Ｂ）に示すように、第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂの間に隔壁３８を形成するとともに、第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂの表面を覆うように層間絶縁膜３６し、さらに、ＣＶＤ法やスパッタリング法により、層間絶縁膜３６を覆うように、全面に、タングステンからなる遮光膜３７を形成する。なお、受光部１１の直上に位置するゲート絶縁膜３５上にも層間絶縁膜３６が連続して形成されるが図示は省略している。この受光部１１の直上に位置するゲート絶縁膜３５は、エッチングにより除去し、除去した部分に絶縁膜を再形成してもよい。
【００３１】
そして、図６（Ｃ）に示すように、遮光膜３７上に、受光部１１の直上位置に開口が形成された第３のレジストマスク４４を形成し、この第３のレジストマスク４４に基づいてＲＩＥ法などの異方性エッチングを施し、遮光膜３７をパターニングすることにより、図３に示す構造が形成される。この後、周知の方法により、保護絶縁膜、配線層、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を形成することにより、ＣＣＤ型固体撮像装置１０が完成する。
【００３２】
（第２実施形態）
上記製造方法では、隔壁３８の幅をフォトリソグラフィの限界最小寸法より小さく形成することができない。垂直転送路１２の電荷転送効率の向上を図るうえで、隔壁３８の幅を縮小することが重要であるため、以下に、本発明の第２実施形態として、隔壁３８の幅をフォトリソグラフィの限界最小寸法より小さくすることが可能なＣＣＤ型固体撮像装置１０の製造方法を、図７〜図９に示す各工程図に沿って説明する。なお、上記第１実施形態と同様に、図７〜図９は、図２のＡ−Ａ線に沿う断面における製造工程を示す。
【００３３】
まず、図７（Ａ）に示すように、上記第１実施形態と同様に、半導体基板３０内に、ｐウェル層３１、受光部１１、垂直転送路１２、ホール蓄積層３２、読み出しゲート部３３、素子分離領域３４等を形成し、ゲート絶縁膜３５を形成した後、ゲート絶縁膜３５上に、シリコン酸化膜からなる絶縁膜５０を形成する。なお、この絶縁膜５０は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなる積層膜としてもよい。
【００３４】
次いで、フォトリソグラフィ技術により、図７（Ｂ）に示すように、絶縁膜５０上の隔壁３８の形成領域に第１のレジストマスク５１を形成する。この第１のレジストマスク５１の幅は、フォトリソグラフィの限界最小寸法（使用する光源の波長程度）とする。
【００３５】
次いで、第１のレジストマスク５１に基づいてＲＩＥ法などの異方性エッチングを施し、図７（Ｃ）に示すように、第１のレジストマスク５１下にのみ絶縁膜５０を残存させる。この残存した絶縁膜５０が隔壁３８となる。ここで、第１のレジストマスク５１に基づいて行うエッチングの条件を制御することで、隔壁３８を第１のレジストマスク５１の幅（リソグラフィの限界最小寸法）より小さくすることができる。
【００３６】
次いで、第１のレジストマスク５１を除去して洗浄を行った後、ＣＶＤ法により、図８（Ａ）に示すように、隔壁３８を含む全面を覆うように、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる電極材料膜５２を形成する。
【００３７】
次いで、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により、図８（Ｂ）に示すように、隔壁３８が露出するまで電極材料膜５２の表面を研摩して平坦化する。なお、この平坦化には、ＣＭＰ法に代えて、レジストエッチバック法を用いることも可能である。
【００３８】
次いで、フォトリソグラフィ技術により、図８（Ｃ）に示すように、電極材料膜５２上の垂直転送路１２、読み出しゲート部３３、及び素子分離領域３４の略直上領域（垂直転送電極２０の形成領域）に、第２のレジストマスク５３を形成する。
【００３９】
次いで、図９（Ａ）に示すように、第２のレジストマスク５３に基づいて、ウェットエッチング法やＣＤＥ法などの等方性エッチングを施す。この等方性エッチングでは、第１の実施形態と同様に、第２のレジストマスク５３下に略四半円状にサイドエッチを生じさせ、電極材料膜５２は分断せず、下地（半導体基板３０）は露出させない。
【００４０】
次いで、図９（Ｂ）に示すように、同じく第２のレジストマスク５３に基づいて、ＲＩＥ法などの異方性エッチングを施し、電極材料膜５２をパターニングする。この結果、電極材料膜５２には、等方性エッチングによる上部のテーパー面５４ａと、異方性エッチングによる下部の垂直面５４ｂとからなる側面５４が形成される。
【００４１】
そして、第２のレジストマスク５３を除去して洗浄を行うことにより、図９（Ｃ）に示すように、前述の第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂからなる垂直転送電極２０が形成される。第１及び第２垂直転送電極２０ａ，２０ｂの互いに隣接しない上部の角部２１ａ，２１ｂは、上記のテーパー面５４ａである。この後、上記第１実施形態と同様な手順により、前述の層間絶縁膜３６及び遮光膜３７を形成し、さらに、保護絶縁膜、配線層、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を形成することにより、ＣＣＤ型固体撮像装置１０が完成する。
【００４２】
なお、上記各実施形態では、垂直転送電極の遮光膜に対向する角部を等方性エッチングによりテーパー状に削り、遮光膜との間の電界に対する耐性を強化することを説明しているが、水平転送電極についても同様な製造方法により、角部をテーパー状として電界に対する耐性を強化することが可能である。
【００４３】
また、上記各実施形態では、転送電極を、同一工程にて積層した電極材料により形成する、いわゆる単層構造としているが、異なる工程にて積層した２層の電極材料を、一部を上下に重ねた状態として転送電極を形成する、いわゆる２層構造としてもよい。この場合にも上記実施形態と同様な製造方法により、転送電極の角部をテーパー状として電界に対する耐性を強化することが可能である。
【００４４】
また、上記各実施形態では、ＣＣＤ型の固体撮像装置を例に挙げて説明しているが、本発明は、ＣＣＤ型の固体撮像装置に限定されるものではなく、半導体基板上に形成された電極、及びその電極を覆う遮光膜を備えるものであれば、ＭＯＳ（Metal-Oxide Semiconductor）型等の各種固体撮像装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態に係わるＣＣＤ型の固体撮像装置の構成を示す模式図である。
【図２】ハニカム配列の受光部及び垂直転送電極を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面構造を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係わるＣＣＤ型の固体撮像装置の製造方法示す工程図（その１）である。
【図５】本発明の第１実施形態に係わるＣＣＤ型の固体撮像装置の製造方法示す工程図（その２）である。
【図６】本発明の第１実施形態に係わるＣＣＤ型の固体撮像装置の製造方法示す工程図（その３）である。
【図７】本発明の第２実施形態に係わるＣＣＤ型の固体撮像装置の製造方法示す工程図（その１）である。
【図８】本発明の第２実施形態に係わるＣＣＤ型の固体撮像装置の製造方法示す工程図（その２）である。
【図９】本発明の第２実施形態に係わるＣＣＤ型の固体撮像装置の製造方法示す工程図（その３）である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  ＣＣＤ型固体撮像装置
１１  受光部
１２  垂直転送路
１３  水平転送路
２０  垂直転送電極
２０ａ  第１垂直転送電極
２０ｂ  第２垂直転送電極
２１ａ  角部
３０  半導体基板
３６  層間絶縁膜
３７  遮光膜
３８  隔壁
４０，５２  電極材料膜
４２，５４  側面
４２ａ，５４ａ  テーパー面
４２ｂ，５４ｂ  垂直面
【図１】
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【図２】
2009152366.tif 000004
【図３】
2009152366.tif 000005
【図４】
2009152366.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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