(57)【要約】      （修正有）【課題】ナノインプリント材料層に転写されたパターンの位置精度を高めることが可能なテンプレート及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】テンプレート１１０は、基板１１１と、基板に形成された素子パターンと、基板上又は基板内部に形成された光吸収部１１５とを備える。ナノインプリント材料層に素子パターンを転写する工程の前又は最中に、前記光吸収部に照射光を照射して前記テンプレートを熱膨張させることで前記素子パターンの位置を変位させることを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図１
2009298041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された素子パターンと、
前記基板上又は前記基板内部に形成された光吸収部と、
を備えたことを特徴とするテンプレート。
【請求項２】
前記光吸収部は、前記基板上又は前記基板内部に局所的に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項３】
請求項１に記載されたテンプレートをナノインプリント材料層に押し付けてナノインプリント材料層に前記素子パターンを転写する工程を備え、
前記ナノインプリント材料層に前記素子パターンを転写する工程の前又は最中に、前記光吸収部に照射光を照射して前記テンプレートを熱膨張させることで前記素子パターンの位置を変位させる
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
前記光吸収部は、前記テンプレートの基板上又は基板内部に局所的に設けられており、
前記照射光は、前記テンプレートの全域に照射される
ことを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記光吸収部は、前記テンプレートの基板上又は基板内部の表面方向全面に設けられており、前記照射光は局所的に照射される
ことを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テンプレート及びパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程におけるパターン転写技術として、ナノインプリント法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このナノインプリント法では、素子パターンを有するテンプレート（モールド）をナノインプリント材料層に押し付けることで、ナノインプリント材料層に素子パターンが転写される。
【０００３】
しかしながら、テンプレートに高精度の素子パターンを形成することは容易ではなく、特に素子パターンの位置精度を確保することが困難である。そのため、ナノインプリント材料層に転写された素子パターンの位置精度を確保することも困難である。
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ナノインプリント材料層に転写されたパターンの位置精度を高めることが可能なテンプレート及びパターン形成方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の視点に係るテンプレートは、基板と、前記基板に形成された素子パターンと、前記基板上又は前記基板内部に形成された光吸収部と、を備える。
【０００６】
本発明の第２の視点に係るパターン形成方法は、前記テンプレートをナノインプリント材料層に押し付けてナノインプリント材料層に前記素子パターンを転写する工程を備え、前記ナノインプリント材料層に前記素子パターンを転写する工程の前又は最中に、前記光吸収部に照射光を照射して前記テンプレートを熱膨張させることで前記素子パターンの位置を変位させる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ナノインプリント材料層に転写されたパターンの位置精度を高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【０００９】
（実施形態１）
図１〜図３は、本発明の第１の実施形態のナノインプリント法に用いるテンプレート（モールド）の構成を模式的に示した図である。図１はテンプレートの断面図、図２は図１に示したテンプレートの一部を拡大した図、図３はテンプレートの平面図である。
【００１０】
テンプレート１１０の本体は石英ガラス等の透明基板１１１で構成されており、透明基板１１１の表面（パターン形成面１１２）にナノインプリント用の素子パターン１１３が形成されている。素子パターン１１３としては、トランジスタ等の半導体素子形成用のパターンや配線パターン等があげられる。
【００１１】
透明基板１１１の裏面上には、光吸収部１１５が局所的に設けられている。この光吸収部１１５は、赤外線等の光に対して透明基板１１１よりも光吸収性が高い。例えば、光吸収部１１５には、金属膜（例えば、ＣｒＮ膜）を用いることができる。ただし、金属膜の厚さが厚すぎると、インプリント時にナノインプリント材料層の光硬化に用いる紫外光（ＵＶ光）が遮断されてしまうので、厚さが調整された薄い金属膜を用いる。光吸収部１１５は光吸収性が高いため、赤外線等の照射光を光吸収部１１５に照射すると、光吸収部１１５及びその近傍の温度が上昇し、透明基板１１１が局所的に膨張する。これにより、素子パターン１１３の位置を局所的に変位させることができ、素子パターン１１３の転写位置を補正することが可能である。以下、この点について、さらに説明を加える。
【００１２】
ナノインプリント用のテンプレートを作成する場合、何らかの要因によって素子パターンの位置精度を確保できない場合がある。要因の一つとして、素子パターンを電子ビームによって描画する際の温度上昇があげられる。例えば描画パターンの占有率（単位面積当たりのパターン占有率）が高い領域では、温度上昇が大きいため、相対的に高い温度で素子パターンの描画が行われる。そのため、パターン占有率が高い領域では、テンプレート用の基板が局所的に膨張した状態で素子パターンの描画が行われ、描画終了後に元の状態に基板が戻る。その結果、実際に形成された素子パターンは目的とする素子パターンからずれてしまう。
【００１３】
そこで、本実施形態では、テンプレート１１０に光吸収部１１５を設けて透明基板１１１の温度を局所的に上昇させ、透明基板１１１が局所的に膨張した状態でインプリントが行われるようにしている。すなわち、素子パターン描画時の熱膨張状態にできるだけ近い熱膨張状態でインプリントが行われるようにしている。具体的には、素子パターンの配置に基づいて（特に素子パターンのパターン占有率に基づいて）光吸収部１１５が局所的に設けられている。このような構成を採用することにより、実際にテンプレートに形成された素子パターンが目的とする素子パターンからずれていても、素子パターンを正規の位置（目的とする素子パターン位置）に変位させた状態でインプリントを実行することができる。すなわち、素子パターンの位置を補正することができる。これにより、ナノインプリント材料層に転写される素子パターンの位置精度を高めることが可能となる。
【００１４】
なお、上述した例では光吸収部１１５を透明基板１１１の裏面上に設けたが、図４に示すように、光吸収部１１５を透明基板１１１内に設けてもよい。例えば、透明基板（ガラス基板）１１１の内部にレーザー光を照射して透明基板１１１の一部を溶解させる。これにより、透明基板１１１の透過率を部分的に低下させることができ、光吸収部１１５を透明基板１１１内に形成することが可能である。
【００１５】
次に、本実施形態に係るテンプレートの作製方法及びパターン形成方法について説明する。図５は、第１の方法を示したフローチャートである。
【００１６】
まず、ガラス基板等の透明基板の表面（パターン形成面）に、ナノインプリント用の素子パターンを、電子ビーム描画によって形成する（Ｓ１１）。
【００１７】
次に、Ｓ１１のステップで形成された素子パターンを測定する（Ｓ１２）。そして、測定結果に基づき、素子パターンの評価を行う。具体的には、透明基板のパターン形成面における素子パターン（描画パターン）のパターン占有率の分布を求める。
【００１８】
次に、Ｓ１２のステップで得られた評価結果に基づき、透明基板に光吸収部を形成する（Ｓ１３）。具体的には、上述したパターン占有率の評価結果に基づき、光吸収に基づく熱膨張によってテンプレートの素子パターン位置が正規の位置（目的とする素子パターン位置）にできるだけ近づくように、光吸収部を適切な位置に形成する。例えば、パターン占有率の高い領域で光吸収部の占有率が高くなるように、光吸収部を形成する。
【００１９】
このようにして、図１〜図３に示すように、透明基板１１１上に光吸収部１１５が的確に配置されたテンプレート１１０が完成する（Ｓ１４）。
【００２０】
以上のようにして作製されたテンプレート１１０を用いて、光ナノインプリントを実行する（Ｓ１５）。すなわち、図６に示すように、テンプレート１１０を半導体基板（半導体ウェハ）１２１上に形成されたナノインプリント材料層１２２に押し付けて、ナノインプリント材料層１２２にテンプレート１１０の素子パターンを転写する。ナノインプリント材料層１２２には、紫外光（ＵＶ光）によって感光される感光性樹脂を用いる。以下、本工程で行われる光ナノインプリントについて具体的に説明する。
【００２１】
まず、テンプレート１１０と半導体基板１２１との位置合わせを行い、テンプレート１１０を半導体基板１２１上のナノインプリント材料層１２２に押し付ける。この状態で、赤外光等の照射光１３０をテンプレート１１０の全域（全面）に照射する。テンプレート１１０には局所的に光吸収部が設けられているため、光吸収部が存在する領域で透明基板１１１の温度が局所的に上昇する。その結果、透明基板１１１が局所的に膨張し、テンプレート１１０の素子パターン位置が正規の位置（目的とする素子パターン位置）に変位する。このように、テンプレート１１０の素子パターン位置が変位した状態で、テンプレート１１０を介してナノインプリント材料層１２２に紫外光を照射し、ナノインプリント材料層１２２を硬化させる。ナノインプリント材料層１２２を硬化させた後、テンプレート１１０をナノインプリント材料層１２２から離す。このようにして、テンプレート１１０に形成された素子パターンがナノインプリント材料層１２２に転写される。
【００２２】
なお、光硬化用の紫外光は、赤外光等の照射光１３０の照射が終えてから照射してもよいし、赤外光等の照射光１３０の照射を行っている最中に照射してもよい。また、テンプレート１１０をナノインプリント材料層１２２に押し付ける前に赤外光等の照射光１３０を照射して光吸収部の温度を上昇させておき、照射光１３０の照射を終えてからテンプレート１１０をナノインプリント材料層１２２に押し付けるようにしてもよい。すなわち、ナノインプリント材料層１２２に紫外光を照射してナノインプリント材料層１２２を硬化させる際に、テンプレート１１０の光吸収部の温度が所望の温度になっていればよい。したがって、一般的には、光吸収部への照射光１３０の照射は、ナノインプリント材料層１２２に素子パターンを転写する前又は最中に行うことができる。
【００２３】
図７は、第２の方法を示したフローチャートである。
【００２４】
本方法では、描画パターンのパターン占有率とパターン位置の変位（電子ビーム描画によってテンプレートに形成される素子パターンの、目的とする正規の素子パターン位置からの変位）との一般的な相関関係を予め求めておき、この相関関係を参照テーブルに記憶しておく（Ｓ２１）。
【００２５】
次に、テンプレートに形成すべきナノインプリント用の素子パターンのパターン情報を取得する（Ｓ２２）。次に、取得されたパターン情報に基づき、テンプレートのパターン形成面における素子パターン（描画パターン）のパターン占有率の分布を求める（Ｓ２３）。
【００２６】
次に、Ｓ２２のステップで得られた素子パターン情報に基づいてテンプレートに素子パターンを形成し（Ｓ２４）、Ｓ２１のステップで参照テーブルに記憶された相関関係情報及びＳ２３のステップで得られたパターン占有率情報に基づいてテンプレートに光吸収部を形成する（Ｓ２５）。すなわち、Ｓ２３のステップで素子パターンのパターン占有率が求められるため、Ｓ２１のステップで参照テーブルに記憶された相関関係を参照することで、テンプレートに形成される素子パターンの変位を求めることができる。すでに述べたように、素子パターンの変位が求められれば、そのような変位を補正するための光吸収部の最適な配置を求めることができる。したがって、そのような最適な配置で、テンプレートに光吸収部を形成する。
【００２７】
このようにして、図１〜図３に示すように、透明基板１１１上に光吸収部１１５が的確に配置されたテンプレート１１０が完成する（Ｓ２６）。
【００２８】
以上のようにして作製されたテンプレート１１０を用いて、光ナノインプリントを実行する（Ｓ２７）。なお、Ｓ２７のステップで実行される光ナノインプリントは、第１の方法のＳ１５のステップで実行される光ナノインプリントと同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００２９】
以上のように、本実施形態では、テンプレート１１０に光吸収部１１５を設けることにより、光吸収部１１５の光吸収に基づく熱膨張によって素子パターンを的確な位置に変位させることができる。したがって、テンプレートに形成された素子パターンが目的とする素子パターンからずれていても、素子パターンを的確な位置（目的とする素子パターン位置）に変位させた状態でインプリントを実行することができる。その結果、ナノインプリント材料層に転写される素子パターンの位置精度を高めることが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態では、素子パターン１１３の配置に基づいて光吸収部１１５を局所的に設けている。そのため、図６に示すように、照射光１３０をテンプレート１１０の全域に照射しても、テンプレート１１０の的確な領域に熱を与えることができる。したがって、照射光１３０の照射位置を厳格に制御しなくても、素子パターンを的確な位置に変位させることが可能である。
【００３１】
（実施形態２）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、基本的な事項は上述した第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態で説明した事項についての説明は省略する。
【００３２】
図８及び図９は、本実施形態に係るテンプレートの構成を模式的に示した図である。図８はテンプレートの断面図、図９はテンプレートの平面図である。
【００３３】
第１の実施形態と同様、テンプレート１１０の本体は石英ガラス等の透明基板１１１で構成されており、透明基板１１１の表面（パターン形成面１１２）には、第１の実施形態の図２で示したようなナノインプリント用の素子パターンが形成されている。
【００３４】
本実施形態では、光吸収部１１５が透明基板１１１の裏面上全体に設けられている。この光吸収部１１５は、第１の実施形態と同様、赤外線等の光に対して透明基板１１１よりも光吸収性が高い。光吸収部１１５の材料等については第１の実施形態と同様である。
【００３５】
本実施形態では、赤外線等の照射光を光吸収部１１５に局所的に照射する。これにより、照射光が照射された領域及びその近傍の温度が上昇し、透明基板１１１が局所的に膨張する。その結果、第１の実施形態と同様、光吸収に基づく熱膨張により、素子パターンの位置を局所的に変位させることができる。これにより、実際にテンプレートに形成された素子パターンが目的とする素子パターンからずれていても、素子パターンを正規の位置（目的とする素子パターン位置）に変位させた状態でインプリントを実行することができる。すなわち、素子パターンの位置を補正することができる。したがって、第１の実施形態と同様、ナノインプリント材料層に転写される素子パターンの位置精度を高めることが可能となる。
【００３６】
なお、上述した例では光吸収部１１５を透明基板１１１の裏面上に設けたが、図１０に示すように、光吸収部１１５を透明基板１１１内に設けてもよい。例えば、透明基板１１１の内部にレーザー光を照射して透明基板１１１の一部を溶解させることで、光吸収部１１５を透明基板１１１内に形成することが可能である。
【００３７】
次に、本実施形態に係るテンプレートの作製方法及びパターン形成方法について、図１１に示したフローチャートを参照して説明する。
【００３８】
まず、描画パターンのパターン占有率とパターン位置の変位（電子ビーム描画によってテンプレートに形成される素子パターンの、目的とする正規の素子パターン位置からの変位）との一般的な相関関係を予め求めておき、この相関関係を参照テーブルに記憶しておく（Ｓ３１）。
【００３９】
次に、テンプレートに形成すべきナノインプリント用の素子パターンのパターン情報を取得する（Ｓ３２）。次に、取得されたパターン情報に基づき、テンプレートのパターン形成面における素子パターン（描画パターン）のパターン占有率の分布を求める（Ｓ３３）。
【００４０】
次に、Ｓ３２のステップで得られた素子パターン情報に基づいてテンプレートの表面に素子パターンを形成し（Ｓ３４）、テンプレートの裏面全体に光吸収部を形成する（Ｓ３５）。このようにして、図８及び図９に示すように、透明基板１１１裏面全体に光吸収部１１５が形成されたテンプレート１１０が完成する（Ｓ３６）。
【００４１】
ナノインプリントを実行する際には、Ｓ３１のステップで参照テーブルに記憶された相関関係情報及びＳ３３のステップで得られたパターン占有率情報に基づき、赤外線等の照射光の照射位置（照射領域）を予め決定しておく（Ｓ３７）。すなわち、Ｓ３３のステップで素子パターンのパターン占有率が求められるため、Ｓ３１のステップで参照テーブルに記憶された相関関係を参照することで、テンプレートに形成される素子パターンの変位を求めることができる。すでに述べたことからわかるように、素子パターンの変位が求められれば、そのような変位を補正するための最適な光照射位置を求めることができる。したがって、そのような最適な光照射位置を予め決めておく。
【００４２】
このようにして最適な光照射位置を決定した後、Ｓ３６のステップで得られたテンプレート１１０を用いて、光ナノインプリントを実行する（Ｓ３８）。すなわち、図１２に示すように、テンプレート１１０を半導体基板（半導体ウェハ）１２１上に形成されたナノインプリント材料層１２２に押し付けて、ナノインプリント材料層１２２にテンプレート１１０の素子パターンを転写する。ナノインプリント材料層１２２には、紫外光（ＵＶ光）によって感光される感光性樹脂を用いる。以下、本工程で行われる光ナノインプリントについて具体的に説明する。
【００４３】
まず、テンプレート１１０と半導体基板１２１との位置合わせを行い、テンプレート１１０を半導体基板１２１上のナノインプリント材料層１２２に押し付ける。この状態で、赤外光等の照射光１３０をテンプレート１１０に照射する。すなわち、Ｓ３７のステップで求められた光照射位置に局所的に照射光１３０を照射する。テンプレート１１０には光吸収部１１５が設けられているため、照射光１３０が照射された領域で透明基板１１１の温度が局所的に上昇する。その結果、透明基板１１１が局所的に膨張し、テンプレート１１０の素子パターン位置が正規の位置（目的とする素子パターン位置）に変位する。このように、テンプレート１１０の素子パターン位置が変位した状態で、テンプレート１１０を介してナノインプリント材料層１２２に紫外光を照射し、ナノインプリント材料層１２２を硬化させる。ナノインプリント材料層１２２を硬化させた後、テンプレート１１０をナノインプリント材料層１２２から離す。このようにして、テンプレート１１０に形成された素子パターンがナノインプリント材料層１２２に転写される。
【００４４】
なお、光硬化用の紫外光は、赤外光等の照射光１３０の照射が終えてから照射してもよいし、赤外光等の照射光１３０の照射を行っている最中に照射してもよい。また、テンプレート１１０をナノインプリント材料層１２２に押し付ける前に赤外光等の照射光１３０を照射して光吸収部の温度を上昇させておき、照射光１３０の照射を終えてからテンプレート１１０をナノインプリント材料層１２２に押し付けるようにしてもよい。すなわち、ナノインプリント材料層１２２に紫外光を照射してナノインプリント材料層１２２を硬化させる際に、テンプレート１１０の光照射領域の温度が所望の温度になっていればよい。したがって、一般的には、光吸収部への照射光１３０の照射は、ナノインプリント材料層１２２に素子パターンを転写する前又は最中に行うことができる。
【００４５】
以上のように、本実施形態では、テンプレート１１０に光吸収部１１５を設け、照射光１３０を局所的に照射することにより、光吸収部１１５の光吸収に基づく熱膨張によって素子パターンを的確な位置に変位させることができる。したがって、テンプレートに形成された素子パターンが目的とする素子パターンからずれていても、素子パターンを的確な位置（目的とする素子パターン位置）に変位させた状態でインプリントを実行することができる。その結果、ナノインプリント材料層に転写される素子パターンの位置精度を高めることが可能となる。
【００４６】
また、本実施形態では、素子パターン１１３の配置に基づいて照射光１３０を局所的に照射する。そのため、設け光吸収部１１５をテンプレート１１０の全域（全面）に設けても、テンプレート１１０の的確な領域に熱を与えることができる。そのため、光吸収部１１５を局所的に形成しなくても、素子パターンを的確な位置に変位させることが可能である。
【００４７】
なお、上述した第１及び第２の実施形態では、光吸収部１１５の温度を上昇させるための照射光として赤外線を用いたが、赤外線以外の光を用いてもよい。一般的には、光吸収部１１５での光吸収効率が高く、且つナノインプリント材料層１２２の感光性樹脂が感光しないような波長の光を用いることが好ましい。また、上述した第１及び第２の実施形態では、ナノインプリント材料層１２２の感光性樹脂を感光させるための光として紫外線を用いたが、紫外線以外の光を用いてもよい。
【００４８】
（実施形態３）
本実施形態は、ナノインプリント法に用いるテンプレート（モールド）に関し、特に検査に適した構成を有するテンプレートに関するものである。
【００４９】
ナノインプリント法では、テンプレートに形成された素子パターンがそのままナノインプリント材料層（感光性樹脂層）に転写される。そのため、テンプレートに形成された素子パターンに対して、精度の高い検査を確実に行う必要がある。テンプレートのパターン検査は通常、電子線等の荷電粒子をテンプレートのパターン形成面に照射して行う。しかしながら、テンプレートに用いる透明基板（ガラス基板等）は絶縁性を有するため、荷電粒子の照射によってチャージアップが生じる。その結果、得られた画像の解像性に悪影響を与え、精度の高い検査を確実に行うことが困難になる。本実施形態は、このような問題に対してなされたものである。
【００５０】
本実施形態では、テンプレートの少なくとも表面領域が導電性及び透光性を有している。このように、テンプレートの少なくとも表面領域が導電性を有しているため、電子線等の荷電粒子をテンプレートの表面（パターン形成面）に照射してパターン検査を行う際のチャージアップを防止することができ、精度の高い検査を確実に行うことができる。また、この導電性領域が透光性を有している、すなわちインプリント時にナノインプリント材料層（感光性樹脂層）の光硬化に用いる光（例えば紫外光）に対して透光性を有ししているため、導電性領域によって光が遮断されることなく、ナノインプリント材料層を確実に硬化させることができる。
【００５１】
図１３は本実施形態の第１の例に係るテンプレートの表面領域の構成を模式的に示した断面図である。
【００５２】
図１３に示した例では、テンプレートの少なくとも表面領域が、半導体膜（例えばシリコン膜）２１１と金属膜（例えばモリブデン膜）２１２との透光性を有する積層構造となっている。このような透光性を有する積層構造を採用することにより、パターン検査時のチャージアップが防止されて精度の高いパターン検査を確実に行うことができるとともに、光硬化用の光が遮断されることなくナノインプリント材料層を確実に硬化させることができる。すなわち、半導体膜２１１と金属膜２１２との積層構造は導電性を有しているため、チャージアップを確実に防止することができる。また、半導体膜２１１及び金属膜２１２それぞれの膜厚を適切に設定することで、干渉作用によって透過光の減衰を抑えることができ、ナノインプリント材料層を確実に硬化させることができる。
【００５３】
図１４は本実施形態の第２の例に係るテンプレートの表面領域の構成を模式的に示した断面図である。
【００５４】
図１４に示した例では、テンプレートの少なくとも表面領域が、透光性を有する導電性酸化物（例えば、酸化チタン）２２１で形成されている。このように透光性を有する導電性酸化物を用いることにより、パターン検査時のチャージアップが防止されて精度の高いパターン検査を確実に行うことができるとともに、光硬化用の光が遮断されることなくナノインプリント材料層を確実に硬化させることができる。
【００５５】
図１５は本実施形態の第３の例に係るテンプレートの表面領域の構成を模式的に示した断面図である。
【００５６】
図１５に示した例では、石英ガラス等の透明基板２３１で形成されたテンプレートの少なくとも表面領域に、透光性を有する導電性イオン注入層２３２が形成されている。イオン注入層２３２には、例えばガリウムイオン注入層を用いることができる。このように、透光性を有する導電性イオン注入層２３２を設けることにより、パターン検査時のチャージアップが防止されて精度の高いパターン検査を確実に行うことができるとともに、光硬化用の光が遮断されることなくナノインプリント材料層を確実に硬化させることができる。
【００５７】
（実施形態４）
本実施形態は、ナノインプリント法に用いるテンプレート（モールド）のアライメントマークに関するものである。
【００５８】
半導体基板（半導体ウェハ）に対してテンプレートのアライメントを行う場合、半導体基板に形成されたアライメントマーク及びテンプレートに形成されたアライメントマークにハロゲン光等のアライメント光を照射し、反射光を観測することでアライメントを行う。ところが、ナノインプリント材料層（感光性樹脂層）及びテンプレートに用いる透明基板（石英ガラス基板等）はいずれも透明であり、十分なコントラストをとることが困難である。特に、ナノインプリント材料層の屈折率は透明基板（石英ガラス基板）の屈折率に近いため、アライメントマーク用の溝がナノインプリント材料で充填されると、十分なコントラストをとることがより困難になる。本実施形態は、このような問題に対してなされたものである。
【００５９】
図１６は本実施形態のテンプレートの構成を模式的に示した断面図である。
【００６０】
テンプレート３１０の本体は石英ガラス等の透明基板３１１で構成されており、透明基板３１１の表面（パターン形成面３１２）には、ナノインプリント用の素子パターン（図示せず）及びアライメントマーク３１３が形成されている。アライメントマーク３１３は凹部（溝部）３１４及び凸部３１５を有しており、凸部３１５の先端面には半透明膜（ハーフトーン膜）３１６が形成されている。この半透明膜３１６は、アライメントマーク検出光（例えば紫外光）に対して半透明であり、且つインプリント時にナノインプリント材料層の光硬化に用いる光（例えば紫外光）に対して半透明である。
【００６１】
図１７は、図１６に示したテンプレートを用いたアライメント時の状態を模式的に示した図である。
【００６２】
図１７に示すように、半導体基板（半導体ウェハ）３２１に形成されたアライメントマーク３２２と、テンプレート３１０に形成されたアライメントマーク３１３との間にナノインプリント材料層（感光性樹脂層）３３０が介在しており、凹部（溝部）３１４がナノインプリント材料層で充填されている。そのため、仮に半透明膜３１６が設けられていないとすると、コントラストを十分にとることができず、アライメントが困難になる。
【００６３】
本実施形態では、アライメントマーク３１３の凸部３１５の先端面に半透明膜３１６が設けられているため、十分なコントラストをとることが可能であり、テンプレート３１０のアライメントマーク３１３を確実に観測することができる。また、半導体基板３２１に形成されたアライメントマーク３２２も確実に観測することが可能である。したがって、アライメントを確実且つ容易に行うことができる。また、半透明膜３１６はナノインプリント材料層の光硬化に用いる光（例えば紫外光）に対して半透明であるため、ナノインプリント材料層の光硬化を確実に行うことができる。したがって、本実施形態によれば、アライメント及びナノインプリント材料層の光硬化をともに確実に行うことが可能である。
【００６４】
図１８は、本実施形態の変更例に係るテンプレートの構成を模式的に示した断面図である。基本的な構成は図１６に示したテンプレートと同様である。図１６に示したテンプレートでは、凸部３１５の先端面に半透明膜３１６が設けられていたが、本変更例では凹部３１４の底面に半透明膜３１６が設けられている。このような構成であっても、図１６に示したテンプレートと同様の効果を得ることが可能である。
【００６５】
以上、本発明の第１〜第４の実施形態について説明したが、第１〜第４の実施形態で示した事項は適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００６６】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るテンプレートの構成を模式的に示した断面図である。
【図２】図１に示したテンプレートの一部を拡大して示した図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るテンプレートの構成を模式的に示した平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の変更例に係るテンプレートの構成を模式的に示した断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るテンプレートの作製方法及びパターン形成方法の一例について示したフローチャートである。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るインプリントについて示した図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係るテンプレートの作製方法及びパターン形成方法の他の例について示したフローチャートである。
【図８】本発明の第２の実施形態に係るテンプレートの構成を模式的に示した断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るテンプレートの構成を模式的に示した平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の変更例に係るテンプレートの構成を模式的に示した断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るテンプレートの作製方法及びパターン形成方法について示したフローチャートである。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係るインプリントについて示した図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態の第１の例に係るテンプレートの構成について模式的に示した図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態の第２の例に係るテンプレートの構成について模式的に示した図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態の第３の例に係るテンプレートの構成について模式的に示した図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に係るテンプレートの構成を模式的に示した断面図である。
【図１７】本発明の第３の実施形態に係り、アライメント時の状態を模式的に示した図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態の変更例に係るテンプレートの構成を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１１０…テンプレート      １１１…透明基板
１１２…パターン形成面      １１３…素子パターン
１１５…光吸収部      １２１…半導体基板
１２２…ナノインプリント材料層      １３０…照射光
２１１…半導体膜      ２１２…金属膜
２２１…導電性酸化物
２３１…透明基板      ２３２…導電性イオン注入層
３１０…テンプレート      ３１１…透明基板
３１２…パターン形成面      ３１３…アライメントマーク
３１４…凹部      ３１５…凸部      ３１６…半透明膜
３２１…半導体基板      ３２２…アライメントマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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