(57)【要約】【課題】転写マスク製造におけるスループットの低下やコストの増大を伴うことなく支持層開口部形成工程における残渣発生を抑制し、優れた転写精度を有する転写マスク、及び転写マスクを作製するために用いるＳＯＩウェハ及び転写マスクブランク、及び転写マスクの製造方法、並びに転写マスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供すること。【解決手段】支持層と、支持層上に形成されたエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された薄膜層と、を備え、支持層が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とするＳＯＩウェハ。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持層と、
前記支持層上に形成されたエッチングストッパー層と、
前記エッチングストッパー層上に形成された薄膜層と、を備え、
前記支持層が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とするＳＯＩウェハ。
【請求項２】
前記支持層は単結晶シリコンであり、前記エッチングストッパー層はシリコン酸化膜であり、前記薄膜層は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウェハ。
【請求項３】
前記薄膜層は不純物が含有されることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＯＩウェハ。
【請求項４】
開口部が形成された支持層と、
前記支持層上に形成された開口部を有するエッチングストッパー層と、
前記エッチングストッパー層上に形成された開口部を有する薄膜層と、を備え、
前記支持層が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする転写マスクブランク。
【請求項５】
前記支持層は単結晶シリコンであり、前記エッチングストッパー層はシリコン酸化膜であり、前記薄膜層は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項４に記載の転写マスクブランク。
【請求項６】
前記薄膜層は不純物が含有されることを特徴とする請求項４又は５に記載の転写マスクブランク。
【請求項７】
開口部が形成された支持層と、
前記支持層上に形成された開口部を有するエッチングストッパー層と、
前記エッチングストッパー層上に形成された荷電粒子線透過孔を有する薄膜層と、を備え、
前記支持層が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする転写マスク。
【請求項８】
前記支持層は単結晶シリコンであり、前記エッチングストッパー層はシリコン酸化膜であり、前記薄膜層は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項７に記載の転写マスク。
【請求項９】
前記薄膜層は不純物が含有されることを特徴とする請求項７又は８に記載の転写マスク。
【請求項１０】
含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である支持層、エッチングストッパー層及び薄膜層を有するＳＯＩウェハを形成し、
前記薄膜層上にエッチングマスクを形成し、
前記薄膜層に表裏重ね合わせ用マークを形成し、
前記支持層の前記エッチングストッパー層が形成されていない面にエッチングマスクを形成し、
前記支持層及び前記エッチングストッパー層に開口部を形成し、
前記薄膜層上にエッチングマスクを形成し、
前記薄膜層の所定位置に荷電粒子線透過孔を形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【請求項１１】
前記支持層は単結晶シリコンであり、前記エッチングストッパー層はシリコン酸化膜であり、前記薄膜層は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項１０に記載の転写マスクの製造方法。
【請求項１２】
前記薄膜層は不純物が含有されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の転写マスクの製造方法。
【請求項１３】
請求項７乃至９のいずれかに記載の前記転写マスクに荷電粒子線を照射し、
転写パターンの形状に荷電粒子線を形成する工程を具備することを特徴とする荷電粒子線のパターン露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩウェハ、転写マスクブランク、転写マスク、転写マスクの製造方法、及び転写マスクを用いたパターン露光方法に関する。特に、電子線やイオンビーム等の荷電粒子線露光に用いられる転写マスク、それを作製するために用いるＳＯＩウェハ及び転写マスクブランク、転写マスクの製造方法、並びに転写マスクを用いたパターン露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ等の微細化が急速に進み、これらの素子の更なる微細な回路パターンを形成するためのリソグラフィ技術の開発が進められている。特に、線幅６５ｎｍ以下のパターン形成においては、従来のＡｒＦエキシマレーザを露光光源として用いた露光方式では解像限界に達し、パターン形成が困難となっている。このため、これに代わるリソグラフィ技術として、レンズと露光対象ウェハ間とを空気よりも屈折率の高い媒体で満たし、実効的な解像度を向上させる液浸リソグラフィ法が注目されている。この方法によれば、従来のＡｒＦエキシマレーザで形成が困難であった６５ｎｍ以下のパターンを形成することが可能であると期待されている。
【０００３】
しかし、液浸リソグラフィ法を用いた場合、実効的な解像度は向上させることが可能であるが焦点深度が低くなるため、高アスペクト比のホールパターンの形成が困難となる。また、液浸リソグラフィ法によっても４５ｎｍノード以下の微細パターンに対しては解像限界に達する可能性があり、この問題を解決する方法のひとつに荷電粒子線リソグラフィ法が挙げられる。
【０００４】
荷電粒子線リソグラフィ法は、従来用いられてきたＡｒＦやＫｒＦ等のエキシマレーザの代わりに、電子線やイオンビーム等の荷電粒子線を露光光源として利用する技術である。
【０００５】
荷電粒子線リソグラフィ法では露光光源となる荷電粒子線を所望の荷電粒子線透過孔パターンが形成された転写マスクに照射し、ウェハ上のレジストを感光させ微細パターンの形成を行う。従来のエキシマレーザを用いた露光方法に比べて焦点深度及び解像度の向上が期待できる。
【０００６】
従来、荷電粒子線露光に用いられる転写マスクの製造にはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハが多く用いられている。図３（ａ）に示すように、ＳＯＩウェハ１４は単結晶シリコンからなる支持層１１上にシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層１２が形成され、エッチングストッパー層１２上に単結晶シリコンからなる薄膜層１３が形成された３層構造となっている。転写マスク１７の製造に用いられるＳＯＩウェハ１４は通常、支持層１１の厚みが５００μｍ〜７２５μｍ、エッチングストッパー層１２の厚みが０．５μｍ〜１．０μｍ、薄膜層１３の厚みが０．５μｍ〜２．０μｍ程度であり、これらの各層の膜厚は露光方式により使い分けられる。
【０００７】
ＳＯＩウェハ１４を用いた転写マスク１７の構造例を図３（ｂ）に示す。支持層１１には荷電粒子線を透過させるための開口部１５が形成され、薄膜層１３には荷電粒子線を微細パターンに形成するための荷電粒子線透過孔１６が形成される。なお、薄膜層１３は単層自立膜（以下、「メンブレン」という。）となっている。メンブレンの厚さは露光に使用する荷電粒子線の加速電圧や露光方式により異なるが、荷電粒子線透過孔１６を透過する荷電粒子線以外はメンブレンにより遮蔽もしくは散乱され、荷電粒子線透過孔１６を透過した荷電粒子線によってレジストが露光される。このようにメンブレン上に微細パターンが形成された転写マスク１７はステンシルマスクと呼ばれる。
【０００８】
通常ステンシルマスクの製造では、荷電粒子線透過孔１６と開口部１５とを別々に形成するため、荷電粒子線透過孔１６及び開口部１５を形成する際にエッチングストッパー層１２が必要となる。ステンシルマスクの製造にＳＯＩウェハ１４を使用する利点は、薄膜層１３をメンブレンとして、シリコン酸化膜をエッチングストッパー層１２として利用することが可能である点である。シリコンウェハ上に薄膜層１３及びエッチングストッパー層１２をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する場合、各層の膜厚の精密な制御や、膜欠陥の管理が必要となり、ステンシルマスク製造にかかる工程数と製造コストが増加する。
【０００９】
これに対し技術完成度の高いＳＯＩウェハ１４をステンシルマスク製造用ウェハとして用いることで、ステンシルマスク製造にかかる工程数とコストとを削減することが可能となる。このためＳＯＩウェハ１４は荷電粒子線露光用のステンシルマスク製造用基板として多く用いられている。
【００１０】
ＳＯＩウェハ１４を用いたステンシルマスクの製造において、支持層１１に開口部１５を形成する工程は主にドライエッチングによって行われる。このドライエッチングによる支持層１１に開口部１５を形成する工程において、形成された開口部１５に露出したエッチングストッパー層１２上に残渣が発生することが問題となっている。この残渣は支持層１１のエッチング中に何らかの異物がエッチングマスクとなることにより発生するものである。
【００１１】
上記の支持層１１に開口部１５を形成する工程において発生した残渣の多くはステンシルマスク完成後も残留している。このため、メンブレン上に形成された荷電粒子線透過孔１６を塞いでしまい、荷電粒子線露光において転写パターンの致命的欠陥を引き起こすことがある。
【００１２】
上記残渣発生の原因としてはＳＯＩウェハ１４における支持層１１が含有するシリコン酸化物が考えられる。ＳＯＩウェハ１４における支持層１１は単結晶シリコンからなっているが、ＳＯＩウェハ１４の製造時における単結晶シリコンの結晶成長工程などにおいて、支持層１１には酸素が混入することが知られている。ＳＯＩウェハ１４の製造方法によっては支持層１１に過飽和となるほど大量の酸素が混入することもある。このため、ＳＯＩウェハ１４における支持層１１にはシリコン酸化物が析出し、このシリコン酸化物が支持層１１の開口部１５を形成する工程においてエッチングマスクとなり、残渣発生の原因となっている可能性が高い。
【００１３】
支持層１１に開口部１５を形成する工程における残渣発生を抑制するための方法としては、例えば支持層１１における開口部１５の形成をドライエッチング及びウエットエッチングの２段階で行う方法が提案されている（特許文献１参照）。この方法は効果があるものの、従来の加工方法であるドライエッチングに加えてウエットエッチングも行うため、工程数が増加し、ステンシルマスク製造におけるスループットが低下するという問題がある。また、従来方法に比べてステンシルマスク製造に必要な装置が増えるため、ステンシルマスクの製造にかかるコストも増大してしまう。また、ウエットエッチング溶液における濃度やパーティクル等の管理を行う必要が生じる。さらに、支持層１１の裏面にフォトレジストからなるエッチングマスクを形成した状態でウエットエッチングを行う場合には、ウエットエッチング中にエッチングマスクが剥がれてしまうという問題も生じてしまう。
【特許文献１】特開２００４−１５２８７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、転写マスク製造におけるスループットの低下やコストの増大を伴うことなく支持層に開口部を形成する工程における残渣発生を抑制し、優れた転写精度を有する転写マスク、及び転写マスクを作製するために用いるＳＯＩウェハ及び転写マスクブランク、及び転写マスクの製造方法、並びに転写マスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の請求項１に係る発明は、支持層と、支持層上に形成されたエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された薄膜層と、を備え、支持層が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とするＳＯＩウェハとしたものである。
【００１６】
本発明の請求項２に係る発明は、支持層は単結晶シリコンであり、エッチングストッパー層はシリコン酸化膜であり、薄膜層は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウェハとしたものである。
【００１７】
本発明の請求項３に係る発明は、薄膜層は不純物が含有されることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＯＩウェハとしたものである。
【００１８】
本発明の請求項４に係る発明は、開口部が形成された支持層と、支持層上に形成された開口部を有するエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された開口部を有する薄膜層と、を備え、支持層が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする転写マスクブランクとしたものである。
【００１９】
本発明の請求項５に係る発明は、支持層は単結晶シリコンであり、エッチングストッパー層はシリコン酸化膜であり、薄膜層は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項４に記載の転写マスクブランクとしたものである。
【００２０】
本発明の請求項６に係る発明は、薄膜層は不純物が含有されることを特徴とする請求項４又は５に記載の転写マスクブランクとしたものである。
【００２１】
本発明の請求項７に係る発明は、開口部が形成された支持層と、支持層上に形成された開口部を有するエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された荷電粒子線透過孔を有する薄膜層と、を備え、支持層が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする転写マスクとしたものである。
【００２２】
本発明の請求項８に係る発明は、支持層は単結晶シリコンであり、エッチングストッパー層はシリコン酸化膜であり、薄膜層は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項７に記載の転写マスクとしたものである。
【００２３】
本発明の請求項９に係る発明は、薄膜層は不純物が含有されることを特徴とする請求項７又は８に記載の転写マスクとしたものである。
【００２４】
本発明の請求項１０に係る発明は、含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である支持層、エッチングストッパー層及び薄膜層を有するＳＯＩウェハを形成し、薄膜層上にエッチングマスクを形成し、薄膜層に表裏重ね合わせ用マークを形成し、支持層のエッチングストッパー層が形成されていない面にエッチングマスクを形成し、支持層及びエッチングストッパー層に開口部を形成し、薄膜層上にエッチングマスクを形成し、薄膜層の所定位置に荷電粒子線透過孔を形成することを特徴とする転写マスクの製造方法としたものである。
【００２５】
本発明の請求項１１に係る発明は、支持層は単結晶シリコンであり、エッチングストッパー層はシリコン酸化膜であり、薄膜層は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項１０に記載の転写マスクの製造方法としたものである。
【００２６】
本発明の請求項１２に係る発明は、薄膜層は不純物が含有されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の転写マスクの製造方法としたものである。
【００２７】
本発明の請求項１３に係る発明は、請求項７乃至９のいずれかに記載の転写マスクに荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子線を形成する工程を具備することを特徴とする荷電粒子線のパターン露光方法としたものである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、転写マスク製造におけるスループットの低下やコストの増大を伴うことなく支持層に開口部を形成する工程における残渣発生を抑制し、優れた転写精度を有する転写マスク、及び転写マスクを作製するために用いるＳＯＩウェハ及び転写マスクブランク、及び転写マスクの製造方法、並びに転写マスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の実施の形態に係る転写マスク２１２は、荷電粒子線を透過させるための開口部１５が形成された支持層１１、開口部１５及び荷電粒子線透過孔１６を別々に形成するために配置されたエッチングストッパー層２２、荷電粒子線を微細パターンに形成するための荷電粒子線透過孔１６が形成された薄膜層２３を備えている。
【００３０】
以下、本発明の実施の形態に係る転写マスク２１２の製造方法の一例について説明する。図１（ａ）〜図１（ｄ）及び図２（ａ）〜図２（ｃ）は本発明の転写マスク２１２の製造方法の一例を示す断面図である。
【００３１】
まず、図１（ａ）に示すように、単結晶シリコンからなる支持層２１と、支持層２１上にシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層２２と、エッチングストッパー層２２上に単結晶シリコンからなる薄膜層２３とが形成されたＳＯＩウェハ２４を用意する。
【００３２】
ここで、ＳＯＩウェハ２４における支持層２１が含有する酸素濃度は６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。また、薄膜層２３はボロンやリン等の不純物を含有していても構わない。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように、薄膜層２３の上面に電子線レジストを塗布して電子線感光層を形成し、電子線露光、現像等のパターニング処理を行って、エッチングマスク２５を形成する。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すように、エッチングマスク２５を用いて薄膜層２３をドライエッチング等により除去し、その後エッチングマスク２５を剥離処理して、表裏重ね合わせ用マーク２６を形成する。
【００３５】
次に、図１（ｄ）に示すように、支持層２１の裏面（支持層２１上のエッチングストッパー層２２が形成されていない面）にフォトレジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、エッチングマスク２７を形成する。
【００３６】
次に、図２（ａ）に示すように、エッチングマスク２７を用いて、ドライエッチング等により支持層２１をエッチングする。さらに、フッ化水素酸による浸漬エッチング等によってエッチングストッパー層２２を除去し、エッチングマスク２７を剥離処理する。これにより、支持層２１に開口部２８が、薄膜層２３に表裏重ね合わせ用マーク２６が形成された本発明の実施の形態に係る転写マスクブランク２９を得る。
【００３７】
ここで、転写マスクブランク２９における支持層２１が含有する酸素濃度と支持層２１に形成された開口部２８における残渣発生の有無との関係を調べたところ、支持層２１が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である場合には上記の残渣発生は抑制される。一方、支持層２１が含有する酸素濃度が６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である場合には残渣が発生しやすいことが確認された。
【００３８】
次に、図２（ｂ）に示すように、薄膜層２３上に電子線レジストをスピンナー等により塗布して感光層を形成し、電子線パターン描画、現像等のパターニング処理を行ってエッチングマスク２１０を形成する。
【００３９】
次に、図２（ｃ）に示すように、エッチングマスク２１０を用いて薄膜層２３をドライエッチング等により除去し、エッチングマスク２１０を剥離処理して、薄膜層２３の所定位置に荷電粒子線透過孔２１１が形成された本発明の実施の形態に係る転写マスク２１２を得る。
【００４０】
本発明の実施の形態に係る転写マスク２１２は、転写マスク２１２に荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子線を形成するパターン露光に用いることができる。
【００４１】
本発明の実施の形態に係る転写マスク２１２の製造方法は、支持層２１を加工して開口部２８を形成した後にメンブレンとなった薄膜層２３の加工を行う方式を一例としている。また、本発明の実施の形態に係る転写マスク２１２の別の製造方法は、先に薄膜層２３に荷電粒子線透過孔２１１を形成した後に、支持層２１に開口部２８を形成する方法を用いることができる。
【００４２】
本発明の実施の形態に係るＳＯＩウェハ２４における支持層２１が含有する酸素濃度は６．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であるため、転写マスク２１２の製造時において支持層２１に開口部２８を形成する工程で残渣発生の原因となるシリコン酸化物がほとんど含まれない。このため、ＳＯＩウェハ２４を用いて転写マスク２１２の製造を行うことにより、支持層２１に開口部２８を形成する工程における残渣発生を抑制することができる。
【００４３】
本発明の転写マスク２１２は支持層２１における開口部２８に残渣を有していないため、優れた転写精度を有する転写マスク２１２となる。
【００４４】
その結果、本発明の転写マスク２１２を用いると、半導体デバイス等のパターンの製造を高い歩留りで行うことができる。
【実施例】
【００４５】
以下実施例により、本発明の転写マスク２１２の製造方法の一例について説明する。
【００４６】
まず、図１（ａ）に示すように、厚さ７２５μｍの単結晶シリコンからなる２００ｍｍΦの支持層２１と、支持層２１上に厚さ１．０μｍのシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層２２と、エッチングストッパー層２２上に厚さ２．０μｍの単結晶シリコンからなる薄膜層２３とが形成されたＳＯＩウェハ２４を用意した。
【００４７】
ここで、ＳＯＩウェハ２４における支持層２１が含有する酸素濃度は５．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【００４８】
次に、図１（ｂ）に示すように、薄膜層２３の上面に電子線レジストを塗布して、厚さ１．０μｍの電子線感光層を形成し、電子線露光、現像等のパターニング処理を行って、エッチングマスク２５を形成した。
【００４９】
次に、図１（ｃ）に示すように、エッチングマスク２５を用いて、薄膜層２３をフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより除去し、その後エッチングマスク２５を剥離処理して、表裏重ね合わせ用マーク２６を形成した。
【００５０】
次に、図１（ｄ）に示すように、支持層２１の裏面（支持層２１上のエッチングストッパー層２２が形成されていない面）にフォトレジストを塗布して、厚さ５０μｍの感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、エッチングマスク２７を形成した。
【００５１】
次に、図２（ａ）に示すように、エッチングマスク２７を用いて、フロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより支持層２１をエッチングした。さらに、濃度５％フッ化水素酸による浸漬エッチングによってエッチングストッパー層２２を除去し、エッチングマスク２７を剥離処理した。これにより、支持層２１に開口部２８が、薄膜層２３に表裏重ね合わせ用マーク２６が形成された本発明の転写マスクブランク２９を得た。
【００５２】
ここで、転写マスクブランク２９について、支持層２１に形成された開口部２８において残渣は発生していなかった。
【００５３】
次に、図２（ｂ）に示すように、薄膜層２３上に電子線レジストをスピンナーにより塗布して、厚さ１．０μｍの感光層を形成し、電子線パターン描画、現像等のパターニング処理を行ってエッチングマスク２１０を形成した。
【００５４】
次に、図２（ｃ）に示すように、エッチングマスク２１０を用いて、薄膜層２３をフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより除去し、エッチングマスク２１０を剥離処理して、薄膜層２３の所定位置に荷電粒子線透過孔２１１が形成された本発明の転写マスク２１２を得た。
【００５５】
以上の方法により作製した転写マスク２１２は、支持層２１に形成された開口部２８に残渣を有していない。上記転写マスク２１２を用いて電子線露光を行ったところ、非常に高い精度でパターン転写されることが確認された。
【００５６】
［比較例］
含有する酸素濃度が２．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である厚さ７２５μｍの単結晶シリコンからなる２００ｍｍΦの支持層２１と、支持層２１上に、厚さ１．０μｍのシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層２２と、エッチングストッパー層２２上に厚さ２．０μｍの単結晶シリコンからなる薄膜層２３とが形成されたＳＯＩウェハ２４を用意した。
【００５７】
ＳＯＩウェハ２４を用いて、実施例と同様の工程で転写マスク２１２を作製したところ、得られた転写マスク２１２は支持層２１に形成された開口部２８に大小多数の残渣を有していた。
【００５８】
転写マスク２１２においては、支持層２１における開口部２８に残留する残渣のためにメンブレン上に形成された荷電粒子線透過孔２１１の一部が塞がれている。上記転写マスク２１２を用いて電子線露光を行ったところ、転写パターンに多数の欠陥が発生した。
【００５９】
本発明の実施の形態に係る転写マスク２１２は、支持層２１における開口部２８に残渣を有していないため、優れた転写精度を有する転写マスク２１２となる。その結果、本発明の実施の形態に係る転写マスク２１２を用いると、半導体デバイス等のパターンの製造を高い歩留りで行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態に係る転写マスクの製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態に係る転写マスクの製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図３】（ａ）は従来のＳＯＩウェハの一例を示す概略断面図であり、（ｂ）は従来の転写マスクの一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１１、２１  支持層
１２、２２  エッチングストッパー層
１３、２３  薄膜層
１４、２４  ＳＯＩウェハ
１５、２８  開口部
１６、２１１  荷電粒子線透過孔
１７、２１２  転写マスク
２５、２７、２１０  エッチングマスク
２６  表裏重ね合わせ用マーク
２９  転写マスクブランク
【図１】
2009152403.tif 000003
【図２】
2009152403.tif 000004
【図３】
2009152403.tif 000005