(57)【要約】【課題】異常放電の影響により反応炉内の部材の溶融をなくすことで球状突起を低減し、プラズマ処理装置による製造物の歩留まりを向上することを目的としている。【解決手段】プラズマ処理装置において、高周波電力導入手段を兼ねる円筒状の側壁を除く反応容器内のプラズマに曝される部材の少なくとも一部に融点１０００℃以上の材料を使用する。【選択図】図１
2009102668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも高周波電力導入手段を兼ねた円筒状の側壁と、排気手段に接続された排気口を有する真空気密可能な反応容器と、高周波電力発生手段とを具備し、前記高周波電力発生手段により高周波電力を、前記高周波電力導入手段を兼ねた円筒状の側壁に印加して、成膜空間にプラズマを発生させ、該成膜空間に設置された基体上に堆積膜を形成するプラズマ処理装置において、
前記高周波電力導入手段を兼ねる円筒状の側壁を除く反応容器内のプラズマに曝される部材の少なくとも一部が、融点１０００℃以上の材料からなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記融点１０００℃以上の材料からなる部材で、少なくとも前記反応容器内の排気口、底板又は基体保持部材受け台のいずれかが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記反応容器内のプラズマに曝される部材が、前記融点１０００℃以上の材料からなる表面層を有する積層構造であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記融点１０００℃以上の材料が、ニッケル又はアルミナであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記高周波電力導入手段を兼ねた円筒状の側壁に印加する高周波電力の周波数が、１〜２０ＭＨｚであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いて、プラズマを利用して基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を作製するプラズマ処理装置、及び該プラズマ処理装置を用いた堆積膜形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を作製する真空処理方法として、プラズマＣＶＤ法、反応性スパッタ法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等の処理方法が知られている。また、これに関連した多くの処理装置が実用化されている。
【０００３】
例えば、プラズマ処理装置を用いたプラズマＣＶＤ法によって、原料ガスをグロー放電中で分解し、基体上に堆積膜を形成することができる。例えば、原料ガスにＳｉＨ4を用いることで水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）堆積膜を形成することが可能である。堆積膜を形成する装置における歩留まり損失の多くは、堆積膜の膜質低下及び膜質の不均一性が原因の場合、又は、球状突起の発生が原因の場合である。特に堆積膜の球状突起は各工程中、基体上にダストが付着することが原因である。例えば、基体投入工程の反応炉内のクリーン度や、プラズマ処理中に発生する新たなダストの影響が挙げられる。プラズマ処理中に発生する新たなダストとしては、基体以外の反応炉内部品にも堆積膜形成時には堆積膜が形成され、これが処理中にはがれることによって発生する膜片や、放電開始時に異常放電の影響により反応炉内の部材が溶融し発生した溶融物等が考えられる。例えば、電子写真用感光体を形成する場合、このようなダストの影響で堆積膜の球状突起が発生すると、電子写真プロセスで形成する画像上にも画像欠陥として現れるため、歩留まりが低下する。
【０００４】
このように、プラズマ処理前及び処理中に反応容器内に存在するダストを低減するために種々の装置が提案されている。
【０００５】
例えば、反応容器内の電極、ガス管、基体保持部材の端部を端部被覆部材で覆い、端部からの膜剥がれによるダストの発生を低減させる技術が開示されている。（特許文献１）
【特許文献１】特開平１１−１９３４７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記特許文献１記載の装置を用いることによって、反応容器内部に堆積した膜がプラズマ処理中に剥れることによって発生する膜片ついては低減することができる。
【０００７】
しかしながら、放電開始時に異常放電の影響を受けて反応炉内の部材が溶融し発生する溶融物に関しては、まだ抑制できていないのが現状である。
【０００８】
電子写真装置に対する市場の要求レベルは日々高まっており、印刷並の高画質を実現していくためには、これまで問題とならなかったレベルの微小な堆積膜の球状突起に起因する画像欠陥を低減していく必要がある。それらを実現させるためには、従来のプラズマ処理装置の構成を改善する必要がある。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、異常放電の影響による反応炉内の部材の溶融を抑制することで堆積膜の球状突起を低減し、プラズマ処理装置による製造物の歩留まりを向上することを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成する為、本発明に係るプラズマ処理装置は、少なくとも高周波電力導入手段を兼ねた円筒状の側壁と、排気手段に接続された排気口を有する真空気密可能な反応容器と、高周波電力発生手段とを具備し、
前記高周波電力発生手段により高周波電力を、前記高周波電力導入手段を兼ねた円筒状の側壁に印加して、成膜空間にプラズマを発生させ、該成膜空間に配置された基体上に堆積膜を形成するプラズマ処理装置において、
前記高周波電力導入手段を兼ねる円筒状の側壁を除く反応容器内のプラズマに曝される部材の少なくとも一部が、融点１０００℃以上の材料からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るプラズマ処理装置により、異常放電の影響による反応容器内の部材の溶融を抑制することが可能となり、その結果、堆積膜の球状突起が低減し、製造物の歩留まりを向上することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、真空気密可能な反応容器の側壁を兼ねた円筒状からなる高周波電力導入手段を具備したプラズマ処理装置において、
高周波電力導入手段を兼ねた円筒状の側壁を除く反応容器内のプラズマに曝される部材の少なくとも一部に、融点１０００℃以上の材料を使用する。
【００１３】
これにより、異常放電による部材の溶融が防止され、放電開始時の異常放電の影響が抑制されることで球状突起が低減することが可能となる。
【００１４】
本発明者らは、溶融の防止について、以下のように推察している。放電開始時に発生する異常放電の影響で、反応容器内の部材表面は、局所的な領域で１０００℃以上にまで到達する場合がある。したがって、前記部材の材料として、例えば融点が６００℃のアルミニウムを用いると、アルミニウムは溶融され、溶融物が成膜空間内に飛散する。しかし、融点が１０００℃以上の高融点材料を用いることで、異常放電が発生しても部材の溶融は起きないため、発生する溶融物の影響が抑制され、堆積膜の球状突起の発生を低減するものと考えられる。
【００１５】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を用いて説明する。
【００１６】
図１は、本発明におけるａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体を形成するためのプラズマ処理装置の縦断面図を示している。図２は、図１のプラズマ処理装置のＡ−Ｂ横断面図を示している。
【００１７】
図１の装置は、大別すると、プラズマ処理装置１００、ガス供給システム１１１、高周波電源１０３、真空ポンプ１１３から構成されている。
【００１８】
プラズマ処理装置１００中の反応容器１０１内には、円筒状基体１０５、基体加熱用発熱体１０６、ガス供給手段となるガス管１１４が設置され、さらに高周波マッチングボックス１０２が接続されている。
【００１９】
本発明の装置の特徴としては、高周波電力導入手段を兼ねた円筒状の側壁を除く反応容器１０１内のプラズマに曝される部材の少なくとも一部に、融点１０００℃以上の材料を使用することである。前記融点１０００℃以上の材料を使用するのは、異常放電で発生した溶融物が基体上に飛来する可能性のある箇所、即ち基体表面から死角とならない箇所であることが好ましい。基体表面から死角とならない箇所というのは、例えば、図１の点線から矢印の範囲で示した箇所のことであり、反応容器内の基体保持部材１０７と基体保持キャップ１１５は基体表面から死角となっていることから、影響が少ない箇所である。
【００２０】
また、前記箇所の中でも、反応容器の排気部及び排気周辺部に前記導電性材料を使用することがより好ましい。排気部及び排気周辺部とは、図１の装置では、太線で記した反応容器内の下部を構成する排気口１０９、反応容器内の底面である底板１１０、及び基体保持部材受け台１０８を示す。排気部及び排気周辺部は、装置構成上アース面に近いことと凹凸のある複雑な形状であることから、プラズマが局在しやすく異常放電が発生しやすい。したがって、排気部及び排気周辺部に前記導電性材料を用いることで、溶融物の発生、飛散が抑制される。
【００２１】
また、融点１０００℃以上の材料からなる部材は、単一の材料で構成したものでも構わない。しかし、融点１０００℃以上の材料を単一で使用した場合、コスト高になる可能性が高く、コストをより抑える為に、積層された複数の材料から構成した積層構造を有するものの方が好ましい。積層された複数の材料から構成した積層構造とは、例えば、図４に示したように、一般的に真空部材として使用されるアルミニウム材４０１の上に融点が１０００℃以上の材料４０２を積層した部材のことである。また、積層する材料の層の厚みとしては、１００μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。
【００２２】
本発明における融点１０００℃以上の材料は、融点が１０００℃以上の材料であれば、特に制限はないが、コストと耐久性の観点から導電性材料であれば、ニッケル、クロムが好適な材料として挙げられる。また、絶縁性材料であれば、アルミナ、ジルコニアが好適な材料として挙げられる。より融点が高いという点では、絶縁材料のアルミナ、ジルコニアがより好ましい。なお、ニッケルの融点は約１５００℃、クロムの融点は約１９００℃、アルミナの融点は約２０５０℃、ジルコニアの融点は約２７００℃である。
【００２３】
本発明のプラズマ処理装置を用いた、プラズマを利用して基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法により、堆積膜の球状突起を低減することができる。また、本発明において、高周波電力発生手段により高周波電力導入手段に印加する高周波電力の周波数が、１〜２０ＭＨｚのとき、より堆積膜の球状突起の低減効果が大きい。その理由として、前述した放電開始時の異常放電が、高周波電力が１〜２０ＭＨｚのＲＦ帯（代表的には１３．５６ＭＨｚ）のプラズマを用いた場合、特に顕著に見られることが挙げられる。その詳細な理由は不明であるが、ＲＦプラズマは、プラズマ放電が安定する内圧が数十Ｐａ〜数百Ｐａであり、この内圧が放電開始時の異常放電発生のしやすさと関係していると推測される。
【００２４】
次に、図１の装置で作製可能なａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体の模式断面図の一例を図３に示す。図３のａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体は、導電性の基体３０１上に電荷の注入を阻止する第１層として電荷注入阻止層３０２、第２層として光導電層３０３、第３層として表面層３０４を順に積層している。
【００２５】
前記各層の膜厚としては、電荷注入阻止層は、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、さらに好ましくは０．５〜３μｍである。層厚が０．１μｍより薄くなると、基体１０１からの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が得られなくなることがある。また、５μｍより厚くしても電子写真特性の向上は期待できず、逆に残留電位の上昇などが発生する可能性がある。
【００２６】
光導電層の層厚は、所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上４５μｍ以下、さらに好ましくは２５μｍ以上４０μｍ以下である。
【００２７】
表面層の層厚は、好ましくは０．０１μｍ以上３μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以上２μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以上１μｍ以下である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を使用中に摩耗等の理由により表面層が失われることがある。また、３μｍを越えると残留電位の増加等による電子写真特性の低下がみられる場合がある。
【００２８】
図３には示していないが、第１層の電荷注入阻止層３０２と第２層の光導電層３０３との間にキャリアの移動や機械的な密着性を向上する目的で電荷注入阻止層３０２の変化領域を設けても良い。前記変化領域は、原料ガスやガス流量、印加電力などをなだらかに変化させ形成することができる。また、第２層の光導電層３０３と第３層の表面層３０４の間にキャリアの移動性、光の干渉性や機械的な密着性を改善する目的として表面層３０４の変化領域を設けても良い。また、他のａ−Ｓｉ：Ｈ系感光体の層構成の例として、光導電層３０３を電荷発生層と電荷輸送層の２層に機能分離したものや、光導電層３０３と表面層３０４の間に上部電荷注入阻止層を積層し、負帯電極性を持たせた感光体等が挙げられる。
【００２９】
次に、図１のプラズマ処理装置を用いて図３に示すａ−Ｓｉ：Ｈ系感光体を作製する手順を以下に説明する。
【００３０】
ａ−Ｓｉ：Ｈ系感光体の作製は、基体の切削・洗浄を行う前処理工程、基体をプラズマ処理装置に投入する投入工程、基体を加熱する加熱工程、基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成工程、堆積膜装置のクリーニングを行う後処理工程の順に行われる。以下に、本発明に関する投入工程から堆積膜形成工程について説明する。
【００３１】
先ず、投入工程は、十分なクリーン度に保たれたクリーンルーム或いはクリーンブースにおいて行う必要がある。前処理工程を施した円筒状基体１０５を反応容器１０１内に設置し、真空ポンプ１１３により所望の圧力まで排気する。
【００３２】
続く加熱工程では、ガス供給システム１１１よりガス管１１４を通じて加熱ガスを反応容器１０１内に導入する。なお、加熱ガスは反応性が低く、円筒状基体１０５や反応容器１０１内の部品に悪影響を及ぼさず、加熱工程終了後の堆積膜形成工程に影響を与えないガス種であることが必要である。そして、加熱ガスは熱伝導率が高く、コスト的に安価なガスであることが好ましい。具体的には、Ｈ2、Ｈｅ、Ｎ2、Ａｒを用いることが好ましい。
【００３３】
加熱ガスが所定流量に到達後、真空ポンプ１１３の排気速度を調整して、反応容器１０１内を所定圧力に設定する。所定圧力は、発熱体１０６の発熱量、加熱ガス種、加熱設定温度等によって最適化することが好ましい。しかし、ガス雰囲気の熱伝導率は数百Ｐａから数ＭＰａの範囲で圧力にほとんど依存しないため、数百Ｐａから数ｋＰａ以下の圧力に設定すれば、十分な熱伝導率を得られる。
【００３４】
また、発熱体１０６は、円筒状基体１０５、基体保持部材１０７を加熱可能なものならば特に制限はない。例えば、シース状ヒータの巻き付けヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱輻射ランプ発熱体、液体、気体等を媒体とした熱交換手段による発熱体が挙げられる。
【００３５】
円筒状基体１０５を所望温度に加熱・制御した後、加熱ガスの供給を停止し、真空ポンプ１１３によって、反応容器１０１内の加熱ガスを十分排気する。加熱ガスの排気が終了したら、続いて、ガス供給システム１１１よりガス管１１４を通じて電荷注入阻止層形成に用いるガス種を所定流量で反応容器１０１内に供給し、反応容器１０１内を所定圧力に設定する。
【００３６】
反応容器１０１内の圧力が安定した後、高周波電源１０３より高周波マッチングボックス１０２を介して反応容器１０１に高周波電力を印加して反応容器１０１内に原料ガスのプラズマを生成し、円筒状基体１０５上に電荷注入阻止層を形成する。電荷注入阻止層形成中、基体温度は所定温度範囲に制御する。電荷注入阻止層形成時の基体温度は１５０〜３００℃の範囲が好ましく、２００〜２８０℃の範囲がより好ましい。
【００３７】
電荷注入阻止層が所望の膜厚に到達した後、高周波電力の供給を停止し、電荷注入阻止層の形成を終了する。
【００３８】
その後、光導電層の形成を行うが、電荷注入阻止層の形成後、ガス種、ガス流量、印加電力、反応圧力等を光導電層形成条件まで、同時又は別々に変化させて電荷注入阻止層の変化領域を形成しても構わない。変化は各々連続的であっても良いし、段階的不連続な変化であっても良い。
【００３９】
引き続き、光導電層形成条件に設定後、光導電層の形成を続けて行い、光導電層が所望の膜厚に到達した後、高周波電力の供給を停止し、光導電層の形成を終了する。光導電層形成中、基体温度は所定温度範囲に制御する。光導電層形成時の基体温度は、１５０〜３００℃の範囲が好ましく、２００〜２８０℃の範囲がより好ましい。
【００４０】
光導電層が所望の膜厚に到達した後、高周波電力の供給を停止し、光導電層の形成を終了する。
【００４１】
その後、表面層の形成を行うが、光導電層同様、光導電層の形成後、ガス種、ガス流量、印加電力、反応圧力等を表面層形成条件まで、同時又は別々に変化させて光導電層の変化領域を形成しても構わない。変化は各々連続的であっても良いし、段階的不連続な変化であっても良い。
【００４２】
反応容器１０１内が、表面層形成条件に到達後、高周波電源１０３より高周波マッチングボックス１０２を介して反応容器１０１に高周波電力を印加して原料ガスのプラズマを生成し、光導電層上に表面層を形成する。表面層形成時の基体温度は、１５０〜３００℃の範囲が好ましく、２００〜２８０℃の範囲がより好ましい。
【００４３】
表面層が所望の膜厚に到達したら、高周波電力の供給を停止し、原料ガスの供給も停止してａ―Ｓｉ：Ｈ系感光体の形成を終了する。
【実施例】
【００４４】
以下に、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００４５】
［実施例１］
本実施例では、図１に示す装置を用いて、図３に示す層構成のａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体を表１に示す条件で作製した。また、高周波電源の発信周波数は、１３．５６ＭＨｚを選択した。
【００４６】
ａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体の作製手順を以下に説明する。まず、投入工程において、クラス１０００のクリーンルーム内にて、切削・脱脂洗浄した直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍのアルミニウムを主原料とする円筒状基体１０５を基体保持部材１０７と基体保持キャップ１１５に設置した。その後、真空ポンプによって５０Ｐａ以下まで真空引きを行った。
【００４７】
加熱工程では、加熱用ガスとしてＡｒガスを５００ｍｌ／ｍｉｎ．（ｎｏｍａｌ）で反応容器１０１に供給すると同時に真空ポンプで排気しながら、反応容器１０１内の圧力を１００Ｐａに維持し、発熱体１０６によって９０分で２６０℃に加熱・制御した。
【００４８】
加熱工程終了後、成膜工程では加熱ガスの供給を停止し、反応容器１０１内を１０Ｐａ以下まで減圧した。その後、反応容器１０１内を表１の電荷注入阻止層条件にして電荷注入阻止層を成膜した後、光導電層、表面層の順に堆積膜を順じ形成し、ａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体を作製した。なお、各層において変化領域は設けていない。
【００４９】
また、排出工程では、反応容器１０１内を１Ｐａ以下まで一旦減圧した後、ガス管よりＡｒガスを供給して複数回パージを行った。その後、円筒状基体の温度が１００℃以下に下がったら、反応容器１０１を大気圧に戻し、反応容器１０１より円筒状基体１０５を取り出した。
【００５０】
次に、本実施例で使用する装置について説明する。本実施例では、高周波電力導入手段を除く反応容器１０１内のプラズマに曝される部材の材料として、融点が約１５００℃のニッケル材と約６００℃のアルミニウム材を用い、表２のＡ〜Ｅの組合せになるように変化させた。プラズマに曝される部材としては、基体保持部材１０７、基体保持キャップ１１５、反応容器蓋１０４、排気口部材１０９、底板部材１１０、基体保持部材受け台１０８の部材である。なお、ガス管１１４の材質は、融点が約２０５０℃のアルミナ材である。
【００５１】
【表１】
2009102668.tif 000003
【００５２】
［比較例１］
本比較例では、実施例１と同様に図１の装置を用いて、表１の条件でａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体を作製した。ただし、本比較例では、基体保持部材１０７、基体保持キャップ１１５、反応容器蓋１０４、排気口部材１０９、底板部材１１０、基体保持部材受け台１０８を融点が約６００℃のアルミニウム材にした。
【００５３】
実施例１及び比較例１で作製したａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体について、球状突起の評価を以下の方法で行った。
【００５４】
作製した電子写真感光体の表面を、光学顕微鏡（製品名「ＳＴＭ−ＵＭ」、オリンパス社製）を用いて自動で全面スキャンし、２０μｍ以上の球状突起の個数を調べた。値が小さいほど球状突起が少なく画質に優れていることを示す。
【００５５】
作製した全ての電子写真感光体に関し球状突起の個数測定を行い、その個数を球状突起数とし、比較例１で得られた値を基準とし、５０％以上の良化を◎、３０％以上５０％未満の良化を◎〜○、１０％以上３０％未満の良化を○、１０％未満の良化を△で示した。
【００５６】
評価結果を表２に示す。評価の結果、反応容器内のプラズマに曝される部材の少なくとも一部に本発明の材料を使用することで、球状突起数が少なく本発明の優れた効果が確認された。
【００５７】
【表２】
2009102668.tif 000004
【００５８】
［実施例２］
本実施例では、図１に示す装置を用いて、実施例１と同じ成膜条件でａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体を作製した。ただし、本実施例では、反応容器１０１内の材料として、反応容器蓋１０４、排気口部材１０９、底板部材１１０、基体保持部材受け台１０８の部材に、融点が約２０５０℃のアルミナ材を用いた。なお、基体保持部材１０７、基体保持キャップ１１５には融点が約６００℃のアルミニウム材、ガス管１１４には融点が約２０５０℃のアルミナ材を用いた。
【００５９】
実施例２で作製したａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体の球状突起について、実施例１と同様の方法で評価した。
【００６０】
評価結果を表３に示す。
【００６１】
評価の結果、比較例１に比べ、実施例２で作製した電子写真感光体は、材質を絶縁性アルミナ材にすることで球状突起数が大きく減少し、より優れた効果が確認された。
【００６２】
【表３】
2009102668.tif 000005
【００６３】
［実施例３］
本実施例では、図１に示す装置を用いて、実施例１と同じ成膜条件でａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体を作製した。ただし、本実施例では、反応容器１０１内の反応容器蓋１０４、排気口部材１０９、底板部材１１０、基体保持部材受け台１０８の部材に、アルミニウムにニッケル、アルミナを積層させた材料を用いた。積層させた材料の膜厚は２００μｍである。ニッケルの融点は約１５００℃、アルミナの融点は約２０５０℃である。なお、基体保持部材１０７、基体保持キャップ１１５には融点が約６００℃のアルミニウム材、ガス管１１４には融点が約２０５０℃のアルミナ材を用いた。
【００６４】
実施例３で作製したａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体の球状突起について、実施例１と同様の方法で評価した。
【００６５】
評価結果を表４に示す。
【００６６】
評価の結果、比較例１に比べ、実施例３で作製した電子写真感光体は球状突起数が少なかった。したがって、最表面が融点１０００℃以上の材料で構成された部材を使用しても本発明の優れた効果が確認された。また、複数の材料を使用することで、単一の材料と同等の効果が得られ、材料コストの低減が可能であることが示された。
【００６７】
【表４】
2009102668.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】ａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体を形成可能な本発明のプラズマ処理装置の縦断面図
【図２】ａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体を形成可能な本発明のプラズマ処理装置の横断面図
【図３】ａ−Ｓｉ：Ｈ系電子写真感光体の層構成断面の模式図
【図４】本発明の材料の一例を説明する為の模式図
【符号の説明】
【００６９】
１００    プラズマ処理装置
１０１    反応容器
１０２    高周波マッチングボックス
１０３    高周波電源
１０４    反応容器蓋
１０５    円筒状基体
１０６    発熱体
１０７    基体保持部材
１０８    基体保持部材受け台
１０９    排気口
１１０    底板
１１１    ガス供給システム
１１２    バルブ
１１３    真空ポンプ
１１４    ガス管
１１５    基体保持キャップ
３０１    基体
３０２    電荷注入阻止層
３０３    光導電層
３０４    表面層
４０１    アルミニウム材
４０２    融点が１０００℃以上の材料
【図１】
2009102668.tif 000007
【図２】
2009102668.tif 000008
【図３】
2009102668.tif 000009
【図４】
2009102668.tif 000010