(57)【要約】【課題】優れたフラックス残渣の溶解または拡散作用を有する液状封止樹脂組成物を提供し、かつフラックス剤を用いる工程を経て製造される半導体装置の信頼性を向上すること。【解決手段】半田リフローをする際にフラックス剤を使用して、半導体素子と相手体とを半田バンプで接続した後、前記半導体素子と前記相手体との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、前記液状封止樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂とアミン硬化剤との１５０℃におけるゲルタイムが、１０００秒以上１００００秒未満であることを特徴とする液状封止樹脂組成物。【選択図】図１
2009155431.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田リフローをする際にフラックス剤を使用して、半導体素子と相手体とを半田バンプで接続した後、前記半導体素子と前記相手体との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、前記液状封止樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂とアミン硬化剤との１５０℃におけるゲルタイムが、１０００秒以上１００００秒未満であることを特徴とする液状封止樹脂組成物。
【請求項２】
前記アミン硬化剤が、芳香環上のアミノ基に隣接する炭素が２個のアルキル基で置換されている芳香族アミン化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液状封止樹脂組成物。
【請求項３】
前記芳香族アミン化合物が、下式（１）または（２）で表されることを特徴とする請求項２に記載の液状封止樹脂組成物。
【化１】
2009155431.tif 000005
式中Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ炭素数１から４のいずれかのアルキル基を表す。
【請求項４】
さらに、硬化促進剤を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液状封止
樹脂組成物。
【請求項５】
前記半導体素子と前記相手体との間が、請求項１〜４のいずれかに記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体素子または相手体に設けられた半田バンプにフラックス剤を塗布して、前記半導体素子と前記相手体とを仮接続する仮接続工程と、
仮接続した前記半導体素子と前記相手体とを半田リフローを通して、半田接続する半田接続工程と、
前記半導体素子と前記相手体との間に、請求項１〜４のいずれかに記載の液状封止樹脂組成物を充填する充填工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液状封止樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やパソコンなどの小型軽量化、高機能化に伴い、半導体素子と基板とを半田バンプで電気的に接続するフリップチップ方式の半導体装置が用いられている。このフリップチップ方式の半導体装置は、接続信頼性を向上するために半導体素子と基板との間にアンダーフィル材と呼ばれる液状封止樹脂組成物を充填して半田バンプの周辺を補強している。
このようなフリップチップ方式の半導体装置は、一般に半田バンプを有する半導体素子の半田バンプにフラックス剤を塗布する工程、フラックス剤が塗布された半田バンプを基板に仮置きする工程、基板と半導体素子とを半田接続する半田リフロー工程、フラックス剤を洗浄する洗浄工程および半導体素子と基板との間にアンダーフィル材を充填する工程により製造される。
フラックス剤は半田バンプの表面に生成した酸化皮膜を除去して半田接続を確実に行うために広く用いられている。しかし、半田接続後はフラックス剤が、イオン性不純物、アウトガス発生の要因となる。そのためフラックス剤を、半田接続後に除去する必要がある。そこで、半田接続後に容易に除去可能なフラックス剤として、溶剤洗浄タイプや水洗浄タイプなどのフラックス剤が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、このようなフラックス剤は、洗浄によっても完全に除去することは困難で、フラックス残渣として半田バンプ周辺に残ってしまう場合があった。
また、一方で「無洗浄フラックス」と呼ばれるフラックス剤も開発されている。このフラックス剤は、リフローした後、実使用温度域で固体であり、且つ非水溶性であるため、水分の浸入による金属の腐食には関与しないとされ、洗浄工程を省略される場合があった。従来、一般的に用いられていたエポキシ樹脂とフェノール硬化剤を含むアンダーフィル剤では、上記フラックス残渣による変質作用を受け難く、後述のような問題が生じることはなかった。
しかし、近年優れた耐熱性を有するエポキシ樹脂とアミン硬化剤とを主成分とするアンダーフィル剤が開発され、半導体装置製造への適用が進められてきた。このアンダーフィル剤を半導体装置に充填した場合には、半田バンプ周辺に付着していたフラックス残渣に含まれる有機酸などの活性物質によって、アンダーフィル剤が化学的な変質作用を受けることがわかった。それによってフラックス残渣表面でのゲル化速度が速くなることから、フラックス残渣がアンダーフィル剤中へ溶解または拡散し難くなり、その結果、半田バンプ周辺はアンダーフィル材が十分に充填されない（レジンリッチ層の発生）という問題が発生した。そのレジンリッチ層の発生のために強度が不足し、振動や熱衝撃などの外力によって半田バンプが剥離し導通が得られなくなり、特にレジンリッチ層の発生部分には水分が浸入し易くなることから、半田バンプの腐食が発生しマイグレーションが生じたりして半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。
【０００３】
【特許文献１】特開平３−１８４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、上述のようなフラックス剤を用いる工程を経て製造される半導体装置の信頼性を向上することである。
すなわち、フラックス残渣の付着した半導体装置に対し、本発明の液状封止樹脂組成物を用いることによって、フラックス残渣に含まれる有機酸などの活性物質がエポキシ樹脂と
アミン硬化剤とを主成分とするアンダーフィル剤の硬化反応を促進する作用を、抑制または防止することができる。それによってフラックス残渣表面でのゲル化速度が遅くなることから、フラックス残渣がアンダーフィル剤中へ溶解または拡散し易くなり、レジンリッチ層が発生するのを抑制することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記［１］〜［６］に記載の本発明により達成される。
［１］半田リフローをする際にフラックス剤を使用して、半導体素子と相手体とを半田バンプで接続した後、前記半導体素子と前記相手体との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、前記液状封止樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂とアミン硬化剤との１５０℃におけるゲルタイムが、１０００秒以上１００００秒未満であることを特徴とする液状封止樹脂組成物。
［２］前記アミン硬化剤が、芳香環上のアミノ基に隣接する炭素が２個のアルキル基で置換されている芳香族アミン化合物であることを特徴とする前記［１］項に記載の液状封止樹脂組成物。
［３］前記芳香族アミン化合物が、下式（１）または（２）で表されることを特徴とする前記［２］項に記載の液状封止樹脂組成物。
【０００６】
【化１】
2009155431.tif 000003
式中Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ炭素数１から４のいずれかのアルキル基を表す。
【０００７】
［４］さらに、硬化促進剤を含むことを特徴とする前記［１］〜［３］項のいずれかに記載の液状封止樹脂組成物。
［５］前記半導体素子と前記相手体との間が、前記［１］〜［４］項のいずれかに記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。
［６］半導体素子または相手体に設けられた半田バンプにフラックス剤を塗布して、前記半導体素子と前記相手体とを仮接続する仮接続工程と、
仮接続した前記半導体素子と前記相手体とを半田リフローを通して、半田接続する半田接続工程と、
前記半導体素子と前記相手体との間に、前記［１］〜［４］項のいずれかに記載の液状封止樹脂組成物を充填する充填工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、フラックス剤を用いる工程を経て製造される半導体装置において、フラックス残渣がアンダーフィル剤中へ溶解または拡散し易くなり、レジンリッチ層が発生するのを抑制することで半導体装置の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の液状封止樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法について説明する。
本発明の液状封止樹脂組成物は、半田リフローをする際にフラックス剤を使用して、半導体素子と相手体とを半田バンプで接続した後、前記半導体素子と前記相手体との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、前記液状封止樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂とアミン硬化剤との１５０℃におけるゲルタイムが、１０００秒以上１００００秒未満であることを特徴とする液状封止樹脂組成物である。
また、本発明の半導体装置は、前記半導体素子と前記相手体との間が、上記に記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子または相手体に設けられた半田バンプにフラックス剤を塗布して、前記半導体素子と前記相手体とを仮接続する仮接続工程と、仮接続した前記半導体素子と前記相手体とを半田リフローを通して、半田接続する半田接続工程と、前記半導体素子と前記相手体との間に前記液状封止樹脂組成物を充填する充填工程と、を有することを特徴とする。
ここで、相手体とは、有機基板（紙フェノール、紙エポキシ、ガラスエポキシ、フレキシブル回路板、テフロン（登録商標）など）、セラミック基板などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１０】
本発明の液状封止樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂としては、一分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に分子量や構造は限定されるものではなく、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンなどの芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイドなどの脂環式エポキシの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。
前記エポキシ樹脂と下記アミン硬化剤との１５０℃におけるゲルタイムが、１０００秒以上１００００秒未満である必要がある。さらに好ましくは、１５００秒以上５０００秒未満である。ゲルタイムが下限値に満たない場合は、液状封止樹脂組成物中のエポキシ樹脂とアミン硬化剤との反応におけるフラックス残渣による変質作用を十分抑えることができず、液状封止樹脂組成物の硬化物中にレジンリッチ層が発生してしまう。一方、上限値を超えると液状封止樹脂組成物を硬化するのに時間が掛かりすぎ、実用上の問題が生じる。上記の範囲とすることにより、フラックス残渣の溶解または拡散と硬化速度の実用性が向上する。
さらに本発明の場合には、芳香環にグリシジル基またはグリシジルアミン基が結合した構造を含むものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点からより好ましく、脂肪族または脂環式エポキシ樹脂は信頼性、特に接着性という観点から使用する量を制限することがさらに好ましい。これらは単独でも２種以上混合して使用しても良い。本発明では液状封止樹脂組成物の態様のため、エポキシ樹脂として最終的に常温（２５℃）で液状であることが好ましいが、常温（２５℃）で固体のエポキシ樹脂であっても常温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂に溶解させ、結果的に液状の状態であればよい。
【００１１】
前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記液状封止樹脂組成物全体の５重量％以上５０重量％以下が好ましく、特に１０重量％以上４０重量％以下が好ましい。含有量が前記範囲内であると、反応性や組成物の耐熱性や機械的強度、封止時の流動特性に優れる。
【００１２】
前記アミン系硬化剤としては、エポキシ樹脂中のエポキシ基と共有結合を形成することが可能な１級アミンまたは２級アミンを分子中に２個以上含むものであれば、特に分子量や構造は限定されるものではない。そのようなアミン系硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、ｍ−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミン脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、１，４−ビス（２−アミノ−２−メチルプロピル）ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス（４−アミノベンゾエート）、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−Ｐ−アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類などが挙げられる。
前記エポキシ樹脂の説明でも記載したが、前記アミン系硬化剤と前記エポキシ樹脂との１５０℃におけるゲルタイムが、１０００秒以上１００００秒未満である必要があり、好ましくは、１５００秒以上５０００秒未満である。この範囲とすることにより、フラックス残渣除去性と硬化速度の実用性が向上する。
これらの硬化剤は、単独で用いても、２種以上の硬化剤を配合して用いても良く、さら
に半導体装置の封止用途を考慮すると、耐熱性、電気的機械的特性、密着性、耐湿性の観点から芳香族ポリアミンが好ましい。
さらに、芳香環上のアミノ基に隣接する炭素が２個のアルキル基で置換されている芳香
族アミン化合物を用いるのが、フラックス残渣の溶解または拡散の観点から好ましく、式（１）または式（２）のアミン系硬化剤がより好ましい。具体的にはテトラメチルジアミノジフェニルメタン、テトラエチルジアミノジフェニルメタン、ジアミノジメチルトルエン、ジアミノジエチルトルエン、ジアミノジブチルトルエンなどを挙げることができる。これらは、アミノ基に隣接するエチル基の立体的作用によって、フラックス成分がエポキシ樹脂とアミン硬化剤との反応を変質させるのを抑制するため、より効果的にフラックス残渣が溶解または拡散されることから、液状封止樹脂組成物の硬化物中にレジンリッチ層が発生するのを一層抑制することが可能である。
さらに本発明の様態がアンダーフィル材として用いる液状封止樹脂組成物であることを
考慮すると、室温（２５℃）で液状を呈するものがより好ましいが、常温（２５℃）で固体のアミン硬化剤であっても常温（２５℃）で液状のアミン硬化剤に溶解させるなど、結果的に液状の状態であればよい。
【００１３】
前記アミン系硬化剤の含有量は、特に限定されないが、前記液状封止樹脂組成物全体の５重量％以上５０重量％以下が好ましく、特に１０重量％以上４０重量％以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、反応性や樹脂組成物の機械的特性や耐熱性などに優れる。
前記アミン系硬化剤の含有量は、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して前記アミン系硬化剤の活性水素当量で０．６〜１．４が好ましく、特に０．７〜１．３が好ましい。前記アミン系硬化剤の活性水素当量が前記範囲内であると、反応性や樹脂組成物の耐熱性が特に向上する。
【００１４】
前記液状封止樹脂組成物は、エポキシ樹脂とアミン硬化剤との硬化反応を補足または向上させる目的で、硬化促進剤を添加するのが半導体装置の生産性、信頼性向上の観点から一層好ましい。硬化促進剤としては、例えば、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−１］’］−エチル−Ｓ−トリアジンイソシアヌール酸付加物、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−アリール−４，５−ジフェニルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、１，２−ブタンジオールなどの活性水素を生成する物質を挙げることができる。
【００１５】
前記液状封止樹脂組成物は、さらにシリカなどの無機充填剤を含むことが好ましい。これにより、破壊靭性などの機械的強度、熱時寸法安定性、耐湿性を向上することができるため、液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置の信頼性を特に向上することができる。
前記シリカとしては、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカなどの溶融シリカ、合成シリカ、結晶シリカなどが挙げられる。これらの中でも液状封止樹脂組成物の耐熱性、耐湿性、強度などを向上できることから合成シリカが好ましい。前記無機充填材の形状は、特に限定されないが、粘度・流動特性の観点から形状は球状であることが好ましい。
半導体装置に前記シリカを含む液状封止樹脂組成物を用いる場合、その平均粒子径は、特に限定されないが、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、特に０．２μｍ以上８μｍ以下が好ましい。前記平均粒子径が前記下限値を超えると液状封止樹脂組成物の粘度が適度に低下し流動性が向上する効果が高くなり、前記上限値未満であると液状封止樹脂組成物が半導体装置への流動する際に無機充填剤の詰まりによる部分的な未充填や充填不良を抑制する効果が高くなる。
また、無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記液状封止樹脂組成物全体の３０重量％以上８０重量％以下が好ましく、特に４０重量％以上７５重量％以下が好ましい。含有量が前記下限値を超えると半導体装置の信頼性を向上させる効果が高くなり、前記下限値未満であると半導体装置の隙間に流動する際の詰まりを抑制する効果が高くなる。
【００１６】
前記液状封止樹脂組成物には、さらに無機充填材界面と樹脂の接着を向上させたり、半導体素子と樹脂、及び基板と樹脂の接着を向上させたりするため、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシランなどのエポキシシランカップリング剤を併用することができる。
また、前記エポキシシランカップリング剤にオルガノトリアルコキシシラン、ジオルガノジアルコキシシラン、トリオルガノアルコキシシランなどの、非官能性の炭化水素基（例えばアルキル基、アリール基など）を有する、アルコキシシランやアルコキシ基含有シロキサンを併用してもよい。
【００１７】
前記液状封止樹脂組成物には、上記記載のエポキシ樹脂、アミン硬化剤、硬化促進剤、無機充填材およびカップリング材以外に、必要に応じて希釈剤、顔料、難燃剤、レベリング剤、消泡剤などの添加物を用いることができる。
【００１８】
前記液状封止樹脂組成物は、例えば、上述した各成分をプラネタリーミキサー、三本ロ
ール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理して製造することができる。
【００１９】
次に、半導体装置および半導体装置の製造方法について説明する。
図１に示すように、半導体素子１と基板２を有する半導体装置１０の製造方法について説明する。
図２は、半導体装置１０の製造工程を示す模式図である。
図２（ａ）に示すように、半田バンプ１１が設けられた半導体素子１を、半田バンプ１１側からフラックス剤３が塗布されたフラックス台３１に当接する。これにより、図２（ｂ）に示すように、半田バンプ１１の表面にフラックス剤３が塗布される。
【００２０】
次に、半田バンプ１１の表面にフラックス剤３が塗布された半導体素子１と、パッド部２１を有する基板２とを仮接続する（図２（ｃ））。そして、半田リフロー処理を行い、半導体素子１と基板２とを半田バンプ１１を介して電気的に接続（半田接続）する（図２（ｄ））。なお、この段階では、半田バンプ１１周辺には、フラックス剤３が残っているものである。そのため、次に、フラックス剤３を除去するために、洗浄処理を行う。洗浄処理は、使用されているフラックス剤３に対して適切な洗浄剤を用いて、ディッピング（浸漬）、ジェット洗浄、スプレー洗浄、バブリング洗浄などによりフラックス剤３を除去する。このようなフラックス剤３としては、ロジン、ロジン誘導体、脂肪族の多価のアルコールと脂肪族ポリアルキレングリコールまたは脂肪族オキシ酸を組み合わせたものに、脂肪族アミンまたは脂環式アミンの塩酸塩と不燃性溶剤を配合したもの、本来非水溶性のロジンを原料にアンモニウム塩および／またはアミン塩として水溶性としたもの、水溶性のカルボン酸または水溶性カルボン酸誘導体を主成分とするものが挙げられる。
なお、フラックス剤３として、洗浄不要の無洗浄タイプのフラックス剤を使用した場合は、洗浄処理を省略することもできる。
【００２１】
次に、半導体素子１と基板２との間に、上述した液状封止樹脂組成物４を充填する（図２（ｅ））。上述したように液状封止樹脂組成物４は、用いるエポキシ樹脂とアミン硬化剤との１５０℃におけるゲルタイムが、１０００秒以上１００００秒未満である。フラックス剤３を洗浄した後または無洗浄タイプのフラックス剤を使用した場合であっても、半田バンプ１１近傍にフラックス剤３の残渣が生じる場合があるが、前述したように液状封止樹脂組成物４はフラックス剤３の残渣に対する溶解性に優れ、かつフラックス剤３の残渣が液状封止樹脂組成物４に溶解した際に生じる硬化特性の変化などを抑制することができる。
エポキシ樹脂とアミン硬化剤との１５０℃におけるゲルタイムとは、エポキシ樹脂とア
ミン硬化剤とを三本ロールなどで混合したのち、１５０℃の熱盤上へ置いて加熱しながらスパチュラでかき混ぜ、混合物の糸引きが無くなるまでの時間を計測したものである。
【００２２】
次に、液状封止樹脂組成物４を加熱処理することにより硬化物４１とする。これにより、図１に示すような半導体素子１と、基板２とが液状封止樹脂組成物４の硬化物４１で封止された半導体装置１０を得ることができる。液状封止樹脂組成物４の硬化物４１は、液状封止樹脂組成物４の上述したような作用により、フラックス剤３の残渣が低減されており、半導体装置１０の信頼性などを向上することができるものである。
【実施例】
【００２３】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
１．液状封止樹脂組成物の製造
エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１０〜２０％とビスフェノ
ールＦ型液状エポキシ樹脂８０〜９０％の混合物（大日本インキ化学工業（株）製  ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２９．８重量％と、アミン系硬化剤として、式（２）のテトラエチルジアミノジフェニルメタン（日本化薬（株）製  カヤボンドＣ−３００Ｓ）１１．７重量％と、エポキシシランカップリング材（信越化学工業（株）製  ＫＢＭ−４０３）０．５重量％と、無機充填材としてシリカ（アドマテクス（株）製、アドマファイン  ＳＯ−Ｅ３）５８．０重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱法して液状封止樹脂組成物を得た。
２．半導体装置の製造
バンプサイズ１００μｍ、バンプ間隔２００μｍの半田バンプが設けられた１５ｍｍ角（バンプ数：３８７２個）の半導体素子と、ＢＴ基板（ビスマレイミドトリアジン基板、接続パッド：金メッキ表面）とを、ロジン系フラックス（タルチンケスター社製  Ｋｅｓｔｅｒ６５０２）を使用し、２６０℃で加熱して半田を溶融接合した（半導体素子とＢＴ基板との間隙：８０μｍ）。接合した半導体素子とＢＴ基板との隙間に、上記液状封止樹脂組成物を１１０℃で充填し、１５０℃で４時間硬化封止して半導体装置を得た。
【００２４】
（実施例２）
アミン硬化剤として、式（１）のジアミノジブチルトルエンを用いた以外は、実施例１と同様に液状封止樹脂組成物、半導体装置を作製した。
（実施例３）
アミン硬化剤として、式（２）のテトラメチルジアミノジフェニルメタン（日本化薬（株）製  カヤボンドＣ−２００Ｓ）を用いた以外は、実施例１と同様に液状封止樹脂組成物、半導体装置を作製した。
（実施例４）
アミン硬化剤として、式（１）のジアミノジメチルトルエンを用いた以外は、実施例１と同様に液状封止樹脂組成物、半導体装置を作製した。
（実施例５）
アミン硬化剤として、式（１）のジアミノジエチルトルエンを用いた以外は、実施例１と同様に液状封止樹脂組成物、半導体装置を作製した。
（実施例６）
硬化促進剤として、１，２−ブタンジオールを加えた以外は、実施例１と同様に液状封止樹脂組成物、半導体装置を作製した。
【００２５】
（比較例１）
アミン硬化剤として、芳香環上のアミノ基に隣接する炭素が、２個のアルキル基で置換されていない芳香族アミン化合物の３、５−ジフェニル−１、４−フェニレンジアミンを用いた以外は、実施例１と同様に液状封止樹脂組成物、半導体装置を作製した。
（比較例２）
アミン硬化剤として、芳香環上のアミノ基に隣接する炭素が、２個のアルキル基で置換されていない芳香族アミン化合物のジエチルジアミノジフェニルメタン（日本化薬（株）製  カヤハードＡＡ）を用いた以外は、実施例１と同様に液状封止樹脂組成物、半導体装置を作製した。
【００２６】
［評価項目］
得られた液状封止樹脂組成物および半導体装置について、以下の評価を行った。得られた結果を表１に示す。
１．ゲルタイム
上記実施例および比較例に用いられたエポキシ樹脂とアミン硬化剤とを５：２の割合で三本ロールを用いて混合し、ゲルタイム測定用サンプルを作製した。
得られたゲルタイム測定用サンプル０．５ｃｃを、１５０℃の熱板に滴下し、スパチュラを用いて攪拌しながら、サンプルの糸曳き性が消失するまでの時間をゲルタイムとして評
価した。評価は、以下のとおりである。
×：ゲルタイムが、１０００秒未満、または１００００秒以上であったもの。
○：ゲルタイムが、１０００秒以上、１００００秒未満であり、１５００秒以上    
、５０００秒未満を含まないもの。
◎：ゲルタイムが  １５００秒以上、５０００秒未満であったもの。
【００２７】
２．フラックス残渣
フラックス残渣の有無を、以下のようにフラックス残渣で評価した。
バンプサイズ１００μｍ、バンプ間隔２００μｍの半田バンプが設けられた１５ｍｍ角の半導体素子（バンプ数：３８７２個）を、スライドガラスに乗せ、ロジン系フラックス（タルチンケスター社製  Ｋｅｓｔｅｒ６５０２）を使用し、２６０℃で加熱して半田を溶融し半導体素子とスライドガラスを接合させ、スライドガラス裏面から、封止前にフラックス残渣の付着が観られる全バンプ数を数えた後、上記液状封止樹脂組成物を１１０℃で半導体素子とスライドガラスとの隙間へ充填し、１５０℃で４時間硬化して封止した。その後、封止前にフラックス残渣の付着が観られたバンプのうちフラックス残渣の付着が観られなかったバンプ数を数えた。フラックス残渣は以下の式により算出した。
フラックス残渣＝封止前にフラックス残渣の付着が観られたバンプのうち封止後
ラックス残渣の付着が観られなかったバンプ数／封止前にフラ
ックス残渣の付着が観られるバンプ数
各符号は、以下の通りである。
◎：フラックス残渣が、７５％以上、１００％以下であったもの。
○：フラックス残渣が、５０％以上、７５％未満であったもの。
△：フラックス残渣が、２５％以上、５０％未満であったもの。
×：フラックス残渣が、  ０％以上、２５％未満であったもの。
【００２８】
３．接続信頼性
接続信頼性は、上記実施例および比較例により得られた半導体装置を電圧印加高温高湿処理（温度１３５℃、湿度８５％、印加電圧５Ｖ、２５０時間処理）した後の絶縁抵抗（５Ｖ、３０秒間印加しながら）を測定し評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：絶縁抵抗が、１×１０10Ω以上であったもの。
○：絶縁抵抗が、１×１０9Ω以上、１×１０10Ω未満であったもの。
△：絶縁抵抗が、１×１０7Ω以上、１×１０9Ω未満であったもの。
×：絶縁抵抗が、１×１０7Ω未満であったもの。
【００２９】
４．流動性
１８ｍｍ×１８ｍｍのガラス板(上)とガラス板(下)とを７０±１０μｍの間隔が空くように張り合わせて、隙間のある平行平面を持つガラスセルを作製した。このガラスセルをホットプレートの上に置き、ガラス板(上)の上面温度が１１０±１℃になるよう温度調整しながら５分間静置した。その後、ガラスセルの一辺に、室温で２４時間静置した液状封止樹脂組成物０．０５〜０．１ｍＬを塗布し、１８ｍｍ流れきる時間（流動時間）を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎：流動時間が、１００ｓ以上、１５０ｓ未満であったもの。
○：流動時間が、１５０ｓ以上、２５０ｓ未満であったもの。
△：流動時間が、２５０ｓ以上、３００ｓ未満であったもの。
×：流動時間が、３００ｓ以上であったもの。
【００３０】
【表１】
2009155431.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明の液状封止樹脂組成物は、半導体素子と基板との間を封止するのに好適に用いられる。また、本発明の半導体装置は、基板と半導体素子とが上述の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されるものに好適に用いられる。具体的には、フリップチップ方式の半導体装置、キャビティーダウン型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＯＮＰＡＣ型ＢＧＡ、ＴＡＢ型ＢＧＡ、ＣＳＰ、液晶やＬＥＤ発光体素子などの表示素子周辺のドライバーチップなどがある。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造工程を示す模式図である。
【符号の説明】
【００３３】
１      半導体素子
１１    半田バンプ
２      基板
２１    パッド部
３      フラックス剤
３１    フラックス台
４      液状封止樹脂組成物
４１    液状封止樹脂組成物の硬化物
１０    半導体装置
【図１】
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【図２】
2009155431.tif 000007