(57)【要約】【課題】アーキングの発生を確実に低減し、かつ割れおよびクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット材、およびこれから得られるスパッタリングターゲットを提供すること。【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、矩形状のスパッタリング面、矩形状の側面および矩形状のボンディング面を有する略板状のスパッタリングターゲット材において、該スパッタリングターゲット材を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部に、面取り処理が施されていることを特徴とする。【選択図】図６
2009127125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状のスパッタリング面、矩形状の側面および矩形状のボンディング面を有する略板状のスパッタリングターゲット材において、
該スパッタリングターゲット材を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部の形状が、面取り処理を施されてなる形状を有していることを特徴とするスパッタリングターゲット材。
【請求項２】
前記面取り処理が、Ｃ面取り処理であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項３】
前記Ｃ面取り処理が、Ｃα%のＣ面取り処理であることを特徴とする請求項２に記載の
スパッタリングターゲット材；
（前記Ｃα%におけるαは、３〜８０の数字を表す）。
【請求項４】
前記Ｃ面取り処理が、Ｃ０．３〜Ｃ５であって、かつ４５°にカットするＣ面取り処理であることを特徴とする請求項２に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項５】
前記面取り処理が、Ｒ面取り処理であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項６】
前記Ｒ面取り処理が、Ｒβ%のＲ面取り処理であることを特徴とする請求項５に記載の
スパッタリングターゲット材；
（前記Ｒβ%におけるβは、３〜８０の数字を表す）。
【請求項７】
前記Ｒ面取り処理が、Ｒ０．３〜Ｒ５のＲ面取り処理であることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項８】
前記面取り処理が、スパッタリング面側に形成されたコーナー部に施されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項９】
前記面取り処理が、ボンディング面側に形成されたコーナー部に施されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項１０】
前記スパッタリングターゲット材において、
２つの面が当接することにより形成されるエッジ部に、面取り処理が施されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項１１】
前記スパッタリングターゲット材が、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）からなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材とバッキングプレートとを、ボンディング材を介して接合されてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１３】
前記スパッタリングターゲットが、請求項１〜１０のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材を複数並設してなることを特徴とする請求項１２に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コーナー部に面取り処理を施したことを特徴とするスパッタリングターゲット材、およびこれから得られるスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、たとえば半導体などの電子・電気部品用材料の成膜法として、膜厚および成分を容易に制御できるスパッタリング法が広範に採用されている。このようなスパッタリング法において用いられるスパッタリングターゲットは、薄膜を形成しようとする材料からなるスパッタリングターゲット材と、導電性および熱伝導性に優れた材質からなるバッキングプレートとをボンディング材を介して接合したものが一般的に用いられる。
【０００３】
スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング処理を行う際、アーキングの発生を可能な限り低減して安定した成膜を行うことができることが望まれる。また、スパッタリングターゲット材を製造する際においても、該ターゲット材の割れまたはクラックの発生を抑制することによって、歩留まりを良くすることも要求される。
【０００４】
こうしたなか、特許文献１〜３には、エッジ部に面取り処理を施したターゲット材が開示されている。しかしながら、該文献に記載のターゲット材はいずれも、たとえばスパッタリング面と側面のように２面から構成されるエッジ部に面取り処理が施されるものであり、多少の改善は見られるものの、依然としてアーキングの発生を確実に低減し得るものではなかった。また、これらのターゲット材を製造する際に、ターゲット材の割れおよびクラックの発生を充分に抑制できるものでもなかった。
【特許文献１】特開平１１−６１３９５号公報
【特許文献２】特開２０００−３４５３２６号公報
【特許文献３】特開２００３−５５７６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明は、よりアーキングの発生を確実に低減し、かつ割れおよびクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット材、およびこれから得られるスパッタリングターゲットを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のスパッタリングターゲット材は、矩形状のスパッタリング面、矩形状の側面および矩形状のボンディング面を有する略板状のスパッタリングターゲット材において、
該スパッタリングターゲット材を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部の形状が、面取り処理を施されてなる形状を有していることを特徴としている。
【０００７】
前記面取り処理は、Ｃ面取り処理であってもよく、またはＲ面取り処理であってもよい。
このような面取り処理は、スパッタリング面側に形成されたコーナー部に施されていてもよく、ボンディング面側に形成されたコーナー部に施されていてもよい。
【０００８】
さらに前記スパッタリングターゲット材において、２つの面が当接することにより形成されるエッジ部に、面取り処理が施されていてもよい。
本発明のスパッタリングターゲットは、前記スパッタリングターゲット材とバッキングプレートとを、ボンディング材を介して接合されてなることを特徴としている。
【０００９】
また、前記スパッタリングターゲットは、前記スパッタリングターゲット材を複数並設してなるものであってもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のスパッタリングターゲット材によれば、該スパッタリングターゲット材を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部に面取り処理が施されているので、アーキング発生の主要起点となるコーナー部に直線的かかつ鋭角的な形状が存在しない。そのため、コーナー部に起因するアーキングの発生を効果的に抑制することができ、スパッタリングターゲット全体からみても著しくアーキングの発生を低減できる。
【００１１】
また、アーキングの発生に起因するクラックまたは割れの発生をも抑制することが可能となり、スパッタリングターゲット材の利用効率を格段に向上させることができる。
その結果、安定した成膜工程を実現することが可能となる。
【００１２】
さらに、スパッタリング処理のプラズマは、スパッタ面に限らず側面に回り込むこともあり、このような場合にはボンディング面側のコーナー部に起因するアーキングが発生するおそれがある。しかしながら、ボンディング面側のコーナー部に面取り処理が施されていると、このようなアーキングの発生を抑制することができ、アーキングの衝撃によるクラックおよび割れの発生をも効果的に防止することができる。
【００１３】
また、コーナー部に存在する直線的または鋭角的な形状に起因する真空パックの破れを有効に防止することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明のスパッタリングターゲット材およびこれから得られるスパッタリングターゲットを、必要に応じて図面を参照しながら詳細に説明する。
なお、本明細書において「面取り処理」とは、面と面との交わりの角に斜面または丸味をつける処理のことを意味し、単に面取り処理とする際には、厳密に形状を限定するものではない。ただし、面取り処理をＣ面取り処理およびＲ面取り処理という場合には、これら各々の形状に限定されるものである。
【００１５】
また、Ｃ面取り処理とは、当接する部分を所定の角度でカットする加工処理をいい、所定の角度とは、通常４５±１５°である。Ｃα%処理とは、スパッタリングターゲットの
厚さに対して、当接するそれぞれの面からの長さの割合（％）がαであるＣ面取り処理を意味する。たとえばＣ50%とは、スパッタリングターゲットの厚さが１０ｍｍの場合に、
当接するそれぞれの面から５ｍｍのところで４５±１５°にカットするＣ面取り処理を意味する。
【００１６】
一方、Ｃ３とは、当接するそれぞれの面からの長さが３ｍｍのところで、所定の角度でカットする加工処理をいい、所定の角度とは、通常４５±１５°である。
また、Ｒ面取り処理とは、当接する部分を丸形状にする加工処理をいう。したがって、Ｒβ%処理とは、スパッタリングターゲットの厚さに対する半径の長さの割合（％）がβ
である丸形状に加工するＲ面取り処理を意味する。たとえばＲ50%とは、スパッタリング
ターゲットの厚さが１０ｍｍの場合に、半径５ｍｍの丸形状に加工するＲ面取り処理を意味する。
【００１７】
一方、Ｒ３とは半径３ｍｍの丸形状に加工するＲ面取り処理を意味し、たとえばＲ３とは半径３ｍｍの丸形状に加工するＲ面取り処理を意味する。
＜スパッタリングターゲット材＞
図１は、本発明のスパッタリングターゲット材の一例である斜視図である。図１に示すように、本発明のスパッタリングターゲット材は、矩形状のスパッタリング面２、矩形状の側面３および矩形状のボンディング面４を有する略板状のスパッタリングターゲット材１である。
【００１８】
本発明のスパッタリングターゲット材１は、該スパッタリングターゲット材１を構成するこれら複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部Ａの形状が、面取り処理が施されてなる形状を有していることを特徴としている。
【００１９】
図２は、略板状を有する一般的な機械加工部品の斜視図である。図２に示すように、機械加工部品等において、「エッジ部」とは２つの面の交わり部位２０を意味するのに対して、「コーナー部」とは３つの面の交点で形成される部位２２を意味する。これらの定義はＪＩＳ  Ｂ００５１−２００４に準じるものである。
【００２０】
すなわち、スパッタリングターゲット材１のコーナー部Ａは、スパッタリング面２、側面３、ボンディング面４の３つの面が当接する部位であるので、コーナー部Ａに面取り処理が施されていない場合、３つの面の縁部の交点からなる鋭角的形状を呈することとなる。スパッタリング処理を施した際、このような鋭角的形状がコーナー部Ａに存在していると、この形状が発端となってアーキングの発生率が非常に高くなってしまう。こうしたアーキングは、その衝撃が小さいものであっても、スパッタリング材に欠けが生じるおそれがある。また、衝撃が大きいものであると、スパッタリング材が割れるおそれもある。
【００２１】
そこで、本発明のスパッタリングターゲット材は、このコーナー部Ａに面取り処理を施すことにより、コーナー部に存在し得る鋭角的な形状を除去し、スパッタリング処理時におけるアーキングの発生を激減させ、かつスパッタリング材の欠けおよび割れを防止することを可能とするものである。
【００２２】
このような面取り処理は、具体的にはＣ面取り処理であってもよく、Ｒ面取り処理であってもよい。
たとえば、図３にコーナー部ＡにＣ面取り処理を施した本発明のスパッタリングターゲット材１の拡大斜視図を示す。図３（ａ）はＣ１で、かつ４５°にカットするＣ面取り処理、図３（ｂ）はＣ２で、かつ４５°にカットするＣ面取り処理、図３（ｃ）はＣ３で、かつ４５°にカットするＣ面取り処理を施した図である。このときのスパッタリングターゲット材１の厚さは、いずれも１０ｍｍである。
【００２３】
Ｃ面取り処理とは、上述したように、該スパッタリングターゲット材１を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部Ａを所定の角度でカットする加工処理である。所定の角度とは、通常４５±１５°であり、好ましくは４５°である。このような処理を施すと、３つの面が当接することでコーナー部Ａに形成される鋭角形状を除去して、平面形状とすることができ、コーナー部Ａに位置する鋭角形状が起因となって発生するアーキングを効果的に防止することができる。図３（ａ）〜（ｃ）は、いずれもエッジ部２０に面取り処理を施していない例であるが、コーナー部Ａに隣接する周辺部における直線的または鋭角的な形状をより低減することができるという観点からは、これらエッジ部２０にも面取り処理を施すのが好ましい。
【００２４】
このようなＣ面取り処理は、スパッタリングターゲット材１の厚さｄが、通常２〜２０ｍｍ程度であり、この厚さｄによっても変動し得るが、Ｃα%（αは、通常３〜８０、好
ましくは３〜５０の数字を表す）のＣ面取り処理であるのが好ましい。これは、すなわち、スパッタリングターゲット材１の厚さｄに対し、当接するそれぞれの面からの長さｌの割合（％）が通常３〜８０（％）、好ましくは３〜５０（％）のＣ面取り処理であることを意味する。具体的には、たとえばスパッタリングターゲット材１の厚さｄが１０ｍｍである場合、Ｃ10%とは、当接するそれぞれの面からの長さｌが１ｍｍとなるＣ面取り処理
である。
【００２５】
また、このようなＣ面取り処理は、Ｃ０．３〜Ｃ５のＣ面取り処理であってもよい。これは、当接するそれぞれの面からの長さｌが０．３〜５ｍｍのＣ面取り処理であることを意味する。たとえば、スパッタリングターゲット材１の厚さｄによっても変動し得るが、スパッタリングターゲット材１の厚さ５ｍｍに対してはＣ０．３〜Ｃ４、スパッタリングターゲット材１の厚さ１０ｍｍに対してはＣ０．３〜Ｃ５のＣ面取り処理であるのが望ましい。
【００２６】
また、このようなＣ面取り処理は、具体的には、たとえば砥石またはペーパーを用いた手作業、平面研削盤、レーザー加工、マシニング加工、ＮＣフライス、グラインダー、あるいは放電加工の方法により施される。
【００２７】
さらに、図４にコーナー部ＡにＲ面取り処理を施したスパッタリングターゲット材１の拡大斜視図を示す。図４（ａ）はＲ１のＲ面取り処理、図４（ｂ）はＲ２のＣ面取り処理、図４（ｃ）はＲ３のＣ面取り処理を施した図である。このときのスパッタリングターゲット材１の厚さは、いずれも１０ｍｍである。
【００２８】
Ｒ面取り処理とは、上述したように、該スパッタリングターゲット材１を構成する複数の面のうち、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部Ａを丸形状にする加工処理である。このような処理を施すと、３つの面が当接することでコーナー部Ａに形成される鋭角形状を除去して、曲面形状とすることができ、コーナー部Ａに位置する鋭角形状が起因となって発生するアーキングを効果的に防止することができる。図４（ａ）〜（ｃ）は、いずれもエッジ部２０に面取り処理を施していない例であるが、コーナー部Ａに隣接する周辺部における直線的または鋭角的な形状をより低減することができるという観点からは、これらエッジ部２０にも面取り処理を施すのが好ましい。
【００２９】
このようなＲ面取り処理は、スパッタリングターゲット材１の厚さｄが、通常２〜２０ｍｍ程度であり、この厚さｄによっても変動し得るが、Ｒβ%（βは、通常３〜８０、好
ましくは３〜５０の数字を表す）のＲ面取り処理であるのが好ましい。これは、すなわち、スパッタリングターゲット材１の厚さｄに対し、半径ｒの長さの割合（％）が通常３〜８０（％）、好ましくは３〜５０（％）のＲ面取り処理であることを意味する。具体的には、たとえばスパッタリングターゲット材１の厚さｄが１０ｍｍである場合、Ｒ10%とは
、半径ｒの長さが１ｍｍの丸形状に加工する処理である。
【００３０】
また、このようなＲ面取り処理は、Ｒ０．３〜Ｒ５のＲ面取り処理であってもよい。これは、半径ｒの長さが０．３〜５ｍｍのＲ面取り処理であることを意味する。たとえば、スパッタリングターゲット材１の厚さ５ｍｍに対しては、半径０．１５〜４ｍｍのＲ面取り処理、厚さ１０ｍｍに対しては、半径０．３〜８ｍｍのＲ面取り処理であるのが望ましい。
【００３１】
このようなＲ面取り処理は、具体的には、Ｃ面取り処理で採用される方法と同様の方法により施される。
本発明のスパッタリングターゲット材は、少なくとも３つの面が当接することにより形成されるコーナー部の形状が、上記のような面取り処理を施されてなる形状を有していれ
ばよい。すなわち、たとえば上記Ｒ面取り処理が施されたコーナー部であれば、そのコーナー部を形成する曲面形状は、そのＲ面取り処理により形成される曲面を一部に有した形状を呈していればよく、コーナー部を形成する曲面形状のすべてがＲ面取り処理により形成される曲面であるのが望ましい。
【００３２】
また、Ｃ面取り処理が施されたコーナー部周辺に位置する、Ｃ面取り処理により新たに形成されたエッジ部２３ａ〜２３ｃに対し、さらにＲ面取り処理を施した形状であってもよい。
【００３３】
図５は、従来のスパッタリングターゲット材の一例を示す斜視図であり、側面３３ａ〜３３ｂとスパッタリング面３２とが当接するエッジ部３５ａ〜３５ｂにＲ面取り処理が施されているが、コーナー部には何ら面取り処理が施されていない。図６は、本発明のスパッタリングターゲット材１の一例を示す斜視図であり、側面４３ａ〜４３ｂとスパッタリング面２とが当接するエッジ部４５ａ〜４５ｃにＲ面取り処理が施され、かつコーナー部にもＲ面取り処理が施されている。図５に示すように、従来のスパッタリングターゲット材１０であると、たとえエッジ部３５ａ〜３５ｂにＲ面取り処理が施されて曲面が形成されていても、コーナー部３６にはエッジ部３５のＲ面取り処理に起因した稜線Ｘが形成される。この稜線Ｘのような直線的かつ鋭角的な形状が、特にコーナー部３６に存在していると、スパッタリング処理の際に該部位からアーキングが発生しやすくなる上、アーキングが発端となってクラックが生じやすく、さらにターゲット材の割れの原因となるおそれもある。
【００３４】
しかしながら、本発明のスパッタリングターゲット材１であると、図６に示すように、スパッタリング面２と、側面４３ａ〜４３ｂとからなる３つの面が当接することにより形成されたコーナー部ＡにはＲ面取り処理が施されているため、図５に示すような稜線Ｘが存在せず、コーナー部Ａには直線的な形状が形成されていない。したがって、稜線Ｘが起因となるアーキングの発生を有効に防止することができる。
【００３５】
なお、図６はコーナー部ＡにＲ面取り処理を施した本発明のスパッタリングターゲット材１を例にして従来例と比較説明したが、上述のとおり、本発明のスパッタリングターゲット材１のコーナー部Ａに施される面取り処理は、Ｒ面取り処理に限られずＣ面取り処理であってもよい。ただし、コーナー部Ａに隣接する周辺部における直線的または鋭角的な形状をも確実に除去する観点からは、Ｒ面取り処理であるのが好ましい。
【００３６】
また、図６は、エッジ部４５ａ〜４５ｃにＲ面取り処理が施されている態様であるが、図３および図４に示すように、エッジ部に面取り処理が施されていない態様であってもよい。すなわち、本発明のスパッタリングターゲット材１には、図３〜図４に示すように、少なくともコーナー部Ａに面取り処理が施されていればよく、直線的または鋭角的な形状をより確実に除去する観点からは、エッジ部にも面取り処理が施されているのが好ましい。
【００３７】
スパッタリングターゲット材１のコーナー部Ａは、スパッタリング面２側に４つ形成されるとともに、スパッタリング面２の裏面側であるボンディング面４側にも４つ形成される。上述したコーナー部の面取り処理は、スパッタリング処理の衝撃を直接受けるスパッタリング面２側に形成されたコーナー部Ａに施されていると、より効果的にアーキングの発生を抑制することができる。
【００３８】
しかしながら、スパッタリング処理の衝撃は、そのスパッタリング処理条件によってはスパッタリングターゲット材の側面に到達する場合もあり、この衝撃がターゲット材の側面からボンディング面にも伝導する場合がある。このような衝撃を受けた場合、スパッタ
リングターゲット材１のボンディング面側に形成されたコーナー部Ａに直線的または鋭角的な形状が存在していると、アーキングの発生を助長する可能性がある。また、このアーキングの発生が、スパッタリングターゲット材１の亀裂または割れの誘因ともなり得る。したがって、スパッタリングターゲット材１のボンディング面側に形成されるコーナー部Ａにも面取り処理を施し、アーキングの発生原因となり得る直線的または鋭角的な形状を除去するのが望ましい。
【００３９】
製造されたスパッタリングターゲット材１は、ボンディング材を介してボンディング面とバッキングプレートとを接合させてスパッタリングターゲットを製造する。製造されたスパッタリングターゲットは出荷時に真空パックにより梱包されるが、従来のスパッタリングターゲットであると、コーナー部に形成された直線的または鋭角的な形状が存在するために、これが原因となって真空パックの破れが多発していた。しかしながら、本発明のスパッタリングターゲット材１のコーナー部Ａに面取り処理が施されていると、コーナー部に直線的または鋭角的な形状が除去されているため、真空パックの破れを低減することができる。
【００４０】
本発明のスパッタリングターゲット材１の材質としては、特に制限はなく、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）のようなＩｎまたはＳｎを主成分とする金属酸化物、アルミニウム、銅、チタン、クロム、モリブデン、ＡＺＯ（アルミニウム−亜鉛酸化物）などが挙げられる。なかでもターゲットサイズの大型化を強く要求されるフラットパネルディスプレイ用成膜に採用される材料である、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）が好適である。
【００４１】
＜スパッタリングターゲット＞
本発明のスパッタリングターゲットは、通常、上述したスパッタリングターゲット材１一枚のボンディング面を、ボンディング材を介してバッキングプレートに接合することにより製造される。バッキングプレートの材質としては、特に限定されるものではなく、導電性・熱伝導性に優れた純銅、銅系合金などが好適に用いられる。ボンディング材の材質としては、スパッタリングターゲット材およびバッキングプレートの材質にも左右され、特に限定されるものではなく、たとえば、Ｉｎ系、Ｓｎ系、Ａｇ系、Ｚｎ系などのはんだ合金、ロウ材、樹脂などが用いられる。
【００４２】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、図７のスパッタリングターゲット５０の上面図に示すように、複数枚のスパッタリングターゲット材１を並設し、これらのボンディング面を、ボンディング材を介してバッキングプレート５２に接合することにより製造されるスパッタリングターゲット５０、いわゆる多分割ターゲットであってもよい。この場合において、各々のスパッタリングターゲット材１には複数箇所にコーナー部Ａが形成されているが、これら複数のコーナー部Ａのうち、少なくともスパッタリングターゲット５０に形成されるコーナー部Ｂに上述した面取り処理が施されていればよい。ただし、より確実にアーキングの発生を抑制できる観点からは、各々のスパッタリングターゲット材１に形成されたコーナー部Ａにおいても面取り処理が施されているのが望ましい。また、図７に示すように、これらコーナー部Ａが位置する部位は、部位Ｃと部位Ｄとに大別されるが、どの部位に位置するコーナー部Ａに面取り処理を施すかは、採用するスパッタリング装置との相性により決定すればよい。
【００４３】
このようにすることで、スパッタリング処理を施した際に最もアーキング発生の原因となり得るスパッタリングターゲットのコーナー部Ｂに形成される直線的または鋭角的な形状を除去することができ、より効果的にアーキングの発生を防止することが可能となる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。
なお、得られたスパッタリングターゲットを用いて、以下の評価項目に従って評価を行った。
【００４５】
《ボンディング時の欠け》
得られたスパッタリングターゲット材を、ボンディング材（純Ｉｎ）を用いてバッキングプレートに接合（ボンディング）した。このボンディングを１０回繰り返し、スパッタリングターゲット材に生じた欠けの有無を確認した。
【００４６】
○：ボンディング面のエッジ部全周中、欠けがまったく発生しなかった。
△：ボンディング面のエッジ部全周中、欠けが１〜３箇所発生した。
×：ボンディング面のエッジ部全周中、欠けが４箇所以上発生した。
【００４７】
《パック時の破れ》
真空パックされたスパッタリングターゲットには、真空パック用フィルムの余剰部分の折り込み作業、梱包行程、またはハンドリング行程の際、通常５００ｇ程度の負荷がかかる。
【００４８】
したがって、図８に示すように、パック時の破れの評価は、得られたスパッタリングターゲットを厚さ１００μｍの真空パック用フィルム（ポリプロピレン−ポリエチレン製２層構造フィルム）を用いて真空パックし、上面をボンディング面、下面をスパッタリング面として配置した。次いで、真空パック用フィルムの余剰部分をバネばかり６２を使って上面上方から矢印方向(垂直方向)に５００ｇの力で引っ張り、その際における真空パックの破れの有無を確認することにより行った。
【００４９】
○：真空パックに破れが発生しなかった。
×：真空パックに破れが発生した。
《アーキング発生回数》
得られたスパッタリングターゲットを用いて、下記に示すスパッタ条件下、スパッタリング処理を施し、アーキングカウンター（μArc  Monitor  MAM  Genesis、(株）ラン
ドマークテクノロジー製）により、アーキング発生回数をカウントした。
【００５０】
スパッタ条件
プロセス圧力＝０．４Ｐａ
投入電力量＝３Ｗ／ｃｍ2
スパッタ時間＝３時間
成膜温度＝室温
［実施例１］
図６に示すように、幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ１０ｍｍの略板状のＩＴＯスパッタリングターゲット材１（ＳｎＯ2＝１０ｗｔ％、相対密度９９．８％）を作製し、
エッジ部４３ａ〜４３ｃにＲ１の面取り処理を施すとともに、スパッタリング面２に位置する４つのコーナー部ＡにＲ１の面取り処理を施した。
【００５１】
次いで、該スパッタリングターゲット材１を、上記ボンディング材を用いてバッキングプレートに接合し、スパッタリングターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットを用いて上記各評価項目について評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００５２】
［比較例１］
図５に示したように、幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ１０ｍｍの略板状のＩＴＯスパッタリングターゲット材１（ＳｎＯ2＝１０ｗｔ％、相対密度９９．８％）を作製し
、エッジ部３３ａ〜３３ｂにＲ１の面取り処理を施した。
【００５３】
次いで、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
［実施例２］
表１に示す材質からなるＩＴＯスパッタリングターゲット材１を作製し、スパッタリング面２に位置する４つのコーナー部ＡにＣ０．３の面取り処理を施すとともに、ボンディング面に位置するエッジ部およびコーナー部にＣ０．５の面取り処理を施した。
【００５４】
次いで、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
[比較例２]
表１に示す材質からなるＩＴＯスパッタリングターゲット材１を作製し、エッジ部およびコーナー部に一切面取り処理を施さなかった。
【００５５】
次いで、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
[実施例３〜９、比較例３〜５]
表１に示す材質からなるＩＴＯスパッタリングターゲット材１を作製し、表１に示す内容に従って、エッジ部またはコーナー部に面取り処理を施した。
【００５６】
次いで、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
[実施例１０]
幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ１０ｍｍの略板状のＩＴＯスパッタリングターゲット材１（ＳｎＯ2＝１０ｗｔ％、相対密度９９．７％）を２枚作製し、エッジ部４３ａ
〜４３ｃにＲ１の面取り処理を施すとともに、ボンディング面に位置するエッジ部およびコーナー部にＣ３の面取り処理を施した。
【００５７】
次いで、図７に示すように、該スパッタリングターゲット材１を、上記ボンディング材を用いてバッキングプレートに接合し、２枚のスパッタリングターゲット材１からなる多分割スパッタリングターゲットを作製した。スパッタリング面については、コーナー部ＢにＲ１の面取り処理を施し、２枚のスパッタリングターゲット材１が対峙する分割部に位置するコーナー部Ａにも面取り処理を施した。得られた多分割スパッタリングターゲットを用いて上記各評価項目について評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００５８】
[実施例１１]
スパッタリング面およびボンディング面に位置するエッジ部およびコーナー部の面取り処理を表１に示す内容に従い、２枚のスパッタリングターゲット材１が対峙する分割部に位置するコーナー部Ａには面取り処理を施さなかった以外は、実施例１０と同様にして多分割スパッタリングターゲットを作製した。得られた多分割スパッタリングターゲットを用いて上記各評価項目について評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００５９】
[実施例１２]
幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ１０ｍｍの略板状のＩＴＯスパッタリングターゲット材１（ＳｎＯ2＝１０ｗｔ％、相対密度９９．５％）を４枚作製し、ボンディング面
に位置するエッジ部にＣ０．３の面取り処理を施した。
【００６０】
次いで、図７に示すように、該スパッタリングターゲット材１を、上記ボンディング材を用いてバッキングプレートに接合し、４枚のスパッタリングターゲット材１からなる多
分割スパッタリングターゲットを作製した。スパッタリング面については、コーナー部ＢにＣ２の面取り処理を施し、４枚のスパッタリングターゲット材１が対峙する分割部に位置するコーナー部Ａには面取り処理を施さなかった。得られた多分割スパッタリングターゲットを用いて上記各評価項目について評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００６１】
[実施例１３]
スパッタリング面およびボンディング面に位置するエッジ部およびコーナー部の面取り処理を表１に示す内容に従って施した以外は、実施例１２と同様にして多分割スパッタリングターゲットを作製した。得られた多分割スパッタリングターゲットを用いて上記各評価項目について評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００６２】
[実施例１４〜１５]
ＩＴＯスパッタリングターゲット材１の代わりにＳｎＯ2−５ｗｔ％Ｔａ2Ｏ5ターゲッ
ト材（相対密度９８％、幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ６ｍｍ）を作製し、スパッタリング面およびボンディング面に位置するエッジ部およびコーナー部の面取り処理を表１に示す内容に従って施した以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００６３】
[実施例１６〜１７]
ＩＴＯスパッタリングターゲット材１の代わりにＺｎＯ−２ｗｔ％Ａｌ2Ｏ3ターゲット材（相対密度９９％、幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ１０ｍｍ）を作製し、スパッタリング面およびボンディング面に位置するエッジ部およびコーナー部の面取り処理を表１に示す内容に従って施した以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００６４】
[実施例１８、比較例６]
ＩＴＯスパッタリングターゲット材１の代わりにＺｎＯ−２ｗｔ％Ｇａ2Ｏ3ターゲット材（相対密度９９％、幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ７ｍｍ）を作製し、スパッタリング面およびボンディング面に位置するエッジ部およびコーナー部の面取り処理を表１に示す内容に従って施した以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００６５】
[実施例１９、比較例７]
ＩＴＯスパッタリングターゲット材１の代わりにＡｌターゲット材（純度９９．９９９％、幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ１６ｍｍ）を作製し、スパッタリング面に位置するエッジ部およびコーナー部の面取り処理を表１に示す内容に従って施した以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００６６】
[実施例２０、比較例８]
ＩＴＯスパッタリングターゲット材１の代わりにＣｕターゲット材（純度９９．９９９％、幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ２ｍｍ）を作製し、スパッタリング面に位置するエッジ部およびコーナー部の面取り処理を表１に示す内容に従って施した以外は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００６７】
[実施例２１、比較例９]
ＩＴＯスパッタリングターゲット材１の代わりにＭｏターゲット材（純度９９．９５％、幅１５０ｍｍ×長さ６３５ｍｍ×厚さ４ｍｍ）を作製し、スパッタリング面に位置するエッジ部およびコーナー部の面取り処理を表１に示す内容に従って施した以外は、実施例
１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、各評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００６８】
【表１】
2009127125.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明のスパッタリングターゲット材の一例である斜視図である。
【図２】略板状を有する一般的な機械加工部品の斜視図である。
【図３】本発明のスパッタリングターゲット材の一例であり、コーナー部Ａの拡大斜視図である。（ａ）はコーナー部ＡにＣ１、（ｂ）はコーナー部ＡにＣ２、（ｃ）はコーナー部ＡにＣ３のＣ面取り処理が施されている。
【図４】本発明のスパッタリングターゲット材の一例であり、コーナー部Ａの拡大斜視図である。（ａ）はコーナー部ＡにＲ１、（ｂ）はコーナー部ＡにＲ２、（ｃ）はコーナー部ＡにＲ３のＲ面取り処理が施されている。
【図５】従来のスパッタリングターゲット材の一例である斜視図である。エッジ部３３ａ〜３３ｂにＲ面取り処理が施されている。
【図６】本発明のスパッタリングターゲット材の一例である斜視図である。エッジ部４５ａ〜４５ｃにＲ面取り処理が施されているとともに、コーナー部ＡにＲ面取り処理が施されている。
【図７】複数枚のスパッタリングターゲット材１を並設したスパッタリングターゲット５０の上面図である。
【図８】実施例におけるパック時の破れの評価方法を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  スパッタリングターゲット材
２  スパッタリング面
３  側面
４  ボンディング面
２０  エッジ部
２２  コーナー部
３２  スパッタリング面
３３ａ、３３ｂ  側面
３５ａ、３５ｂ  Ｒ面取り処理により曲面が形成されたエッジ部
４３ａ、４３ｂ  側面
４５ａ、４５ｂ、４５ｃ  Ｒ面取り処理により曲面が形成されたエッジ部
５０  スパッタリングターゲット（多分割ターゲット）
５２  バッキングプレート
６０  真空パックフィルム
６２  バネばかり
Ａ  スパッタリングターゲット材のコーナー部
Ｂ  スパッタリングターゲット５０のコーナー部
Ｘ  コーナー部に形成された稜線
Ｃ  多分割ターゲットにおける各ターゲット材のコーナー部Ａが位置する部位
Ｄ  多分割ターゲットにおける各ターゲット材のコーナー部Ａが位置する部位
ｄ  スパッタリングターゲット材１の厚さ
ｌ  当接するそれぞれの面からの長さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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