(57)【要約】【課題】スプラッシュに起因する粒状異物の被処理基板への付着を効果的に防止することのできる真空成膜方法、有機ＥＬ装置の製造方法、および真空成膜装置を提供すること。【解決手段】真空成膜装置２００は、真空状態とされる成膜室２２０と、成膜室２２０内で第１基板１０に対向配置された蒸着源２８０と、成膜室２２０内に反応ガスを導入するガス導入口２６０と、成膜室２２０内からの排気を行なうための排気口２７０とを有している。ガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した仮想の延長線Ｌ１０上に排気口２７０が位置し、かつ、かかる延長線Ｌ１０は、蒸着源２８０から第１基板１０に向かう蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切っている。このため、蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切る気流Ｌ１１を発生させることができ、スプラッシュを側方に向かわせることができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空状態とされた成膜室内にガス導入口からガスを導入するとともに、排気口から前記成膜室内を排気しながら、前期成膜室内で被処理基板に対向配置した蒸着源から当該被処理基板に向かって蒸着材料流を発生させる真空成膜方法において、
前記ガス導入口からのガス導入方向を延長した仮想の延長線上に前記排気口を配置し、かつ、当該仮想の延長線を前記蒸着源から前記被処理基板に向かう蒸着材料流の中央部分を横切らせることを特徴とする真空成膜方法。
【請求項２】
プラズマ源によって前記成膜室内にプラズマを発生させることを特徴とする請求項１に記載の真空成膜方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空成膜方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記被処理基板は、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される素子基板であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
真空状態とされる成膜室と、該成膜室内で被処理基板に対向配置された蒸着源と、前記成膜室内にガスを導入するガス導入口と、前記成膜室内からの排気を行なうための排気口と、を有する真空成膜装置において、
前記ガス導入口からのガス導入方向を延長した仮想の延長線上に前記排気口が位置し、かつ、当該仮想の延長線は、前記蒸着源から前記被処理基板に向かう蒸着材料流の中央部分を横切っていることを特徴とする真空成膜装置。
【請求項５】
前記成膜室内にプラズマを発生させるプラズマ源を有していることを特徴とする請求項４に記載の真空成膜装置。
【請求項６】
前記ガス導入口は、互いに離間する複数箇所に複数配置され、
当該複数のガス導入口の各々のガス導入方向を延長したいずれの仮想の延長線上にも前記排気口が位置していることを特徴とする請求項４または５に記載の真空成膜装置。
【請求項７】
前記排気口は、互いに離間する複数箇所に複数配置され、
当該複数の排気口はいずれも、前記ガス導入口のガス導入方向を延長した仮想の延長線上に位置していることを特徴とする請求項６に記載の真空成膜装置。
【請求項８】
前記蒸着源は、互いに離間する複数箇所に複数配置され、
当該複数の蒸着源から前記被処理基板に向かう複数の蒸着材料流のいずれにおいても、各々の中央部分を前記仮想の延長線が横切っていることを特徴とする請求項６または７に記載の真空成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板に対して真空中で成膜を行なう真空蒸着、イオンプレーティング法、スパッタ蒸着などといった真空成膜方法、この真空成膜方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬ（Electro Luminescence）という）装置の製造方法、および真空成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、被処理基板に対して真空中で成膜を行なう真空蒸着、スパッタ蒸着などといった真空成膜方法を行なう。その際、図８（ａ）に模式的に示すように、プラズマガン２５０などのプラズマ源により成膜室２２０内にプラズマを発生させれば、被処理基板１０′にイオンプレーティングを行なうことができる（特許文献１、２参照）。
【０００３】
また、シリコンを蒸着原料として蒸着源２８０に配置し、ガス導入口２６０から窒素ガスを反応ガスとして導入すれば、シリコン窒化膜を形成でき、シリコン酸化物を蒸着原料として蒸着源２８０に配置し、ガス導入口２６０から窒素ガスを反応ガスとして導入すれば、シリコン酸窒化膜を形成することができる。
【特許文献１】特開平１０−２３７６３５号公報
【特許文献１】特開２０００−２８２２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図８（ａ）に示す真空成膜装置を用いて成膜を行なう際、蒸着原料の純度や、蒸着原料中への気泡の混入、温度むらなどに起因して、突沸などにより成膜材料が液状に飛散する現象、いわゆるスプラッシュが発生し、被処理基板に成膜材料の粒状となった異物が付着することがある。このような粒状異物が有機ＥＬ装置の素子基板に付着すると、輝度低下や短絡に起因する暗点を発生させるという問題点がある。また、図８（ｂ）に示すように、画素電極（陽極）としての第１電極層８１、発光機能層８２、および陰極としての第２電極層８３を備えた有機ＥＬ素子８０が画素領域１０ａに複数形成された第１基板１０に対して、画素領域１０ａより広い領域にわたって封止膜６０を形成した後、シール材層９２で第２基板２０を貼り合せる構造を採用する場合、封止膜６０の表面にスプラッシュに起因する粒状異物が付着していると、第２基板２０で押された粒状異物が封止膜６０を損傷させ、封止能力が大幅に低下するという問題点もある。なお、図８（ｂ）示す構成は、従来技術の問題点および本発明の効果を説明しやすいように、本願発明者が案出した参考例であり、従来技術ではない。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、スプラッシュに起因する粒状異物の被処理基板への付着を防止することのできる真空成膜方法、有機ＥＬ装置の製造方法、および真空成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、真空状態とされた成膜室内にガス導入口からガスを導入するとともに、排気口から前記成膜室内を排気しながら、前期成膜室内で被処理基板に対向配置した蒸着源から当該被処理基板に向かって蒸着材料流を発生させる真空成膜方法において、前記ガス導入口からのガス導入方向を延長した仮想の延長線上に前記排気口を配置し、かつ、当該仮想の延長線を前記蒸着源から前記被処理基板に向かう蒸着材料流の中央部分を横切らせることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明では、真空状態とされる成膜室と、該成膜室内で被処理基板に対向配置された蒸着源と、前記成膜室内にガスを導入するガス導入口と、前記成膜室内からの排気を行なうための排気口と、を有する真空成膜装置において、前記ガス導入口からのガス導入方向を延長した仮想の延長線上に前記排気口が位置し、かつ、当該仮想の延長線は、前記蒸着源から前記被処理基板に向かう蒸着材料流の中央部分を横切っていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、成膜中、ガス導入口から導入されたガスは、蒸着源から被処理基板に向かう蒸着材料流の中央部分を横切って排気口から排出される。このため、蒸着源から被処理基板に向かう蒸着材料流の中央部分を横切るように、気流が発生するため、蒸着源において、蒸着原料の純度や、蒸着原料中への気泡の混入、温度むらなどに起因してスプラッシュが発生した場合でも、かかるスプラッシュは、気流によって側方に流れ、被処理基板に届かない。それ故、スプラッシュに起因する粒状異物の被処理基板への付着を防止することができる。
【０００９】
本発明において、プラズマ源によって前記成膜室内にプラズマを発生させる場合があり、このような真空成膜方法および真空成膜装置にも本発明を適用することができる。
【００１０】
本発明を適用した真空成膜方法は、有機ＥＬ装置の製造方法に用いることができ、この場合、前記被処理基板は、有機ＥＬ素子が形成される素子基板である。
【００１１】
本発明において、前記ガス導入口は、互いに離間する複数箇所に複数配置される場合があり、この場合、当該複数のガス導入口の各々のガス導入方向を延長したいずれの仮想の延長線上にも前記排気口が位置していることが好ましい。このように構成すると、ガス導入口と排気口とが互いに対になっているため、気流に乱れが発生しない。また、複数の方向に気流が発生しているため、各方向に飛散しようとするスプラッシュを確実に側方に向かわせることができる。従って、スプラッシュが被処理基板に届くのを確実に防止することができる。
【００１２】
本発明において、前記排気口は、互いに離間する複数箇所に複数配置される場合があり、この場合、当該複数の排気口はいずれも、前記ガス導入口のガス導入方向を延長した仮想の延長線上に位置していることが好ましい。このように構成すると、ガス導入口と排気口とが互いに対になっているため、気流に乱れが発生しない。また、複数の方向に気流が発生しているため、各方向に飛散しようとするスプラッシュを確実に側方に向かわせることができる。従って、スプラッシュが被処理基板に届くのを確実に防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記蒸着源は、互いに離間する複数箇所に複数配置される場合があり、この場合、当該複数の蒸着源から前記被処理基板に向かう複数の蒸着材料流のいずれにおいても、各々の中央部分を前記仮想の延長線が横切っていることが好ましい。このように構成すると、複数の蒸着源のいずれにおいてスプラッシュが発生した場合でも、スプラッシュを確実に側方に向かわせることができ、スプラッシュが被処理基板に届くのを確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、図８を参照して説明した構成との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。
【００１５】
［実施の形態１］
（成膜対象例／有機ＥＬ装置の構成）
図１は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図１に示す有機ＥＬ装置１００において、第１基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して並列して延在する複数の電源線３ｅとを有している。また、第１基板１０において、矩形形状の画素領域１０ａには複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。画素領域１０ａの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃと、この薄膜トランジスタ３０ｃを介して電源線３ｅに電気的に接続したときに電源線３ｅから駆動電流が流れ込む画素電極８１（陽極層）と、この画素電極８１と陰極層との間に有機機能層が挟まれた有機ＥＬ素子８０とが構成されている。
【００１６】
かかる構成によれば、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線３ｅから画素電極８１に電流が流れ、さらに有機機能層を介して対極層に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１７】
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、複数の画素１００ａは各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応し、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つの画素１００ａによって１つのピクセルを構成している。本形態において、有機ＥＬ素子８０は、白色光またはＲＧＢ混合色光が出射され、画素１００ａが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれに対応するかは、後述するカラーフィルタによって規定されている。
【００１８】
なお、図１に示す構成では、電源線３ｅは走査線３ａと並列していたが、電源線３ｅがデータ線６ａに並列している構成を採用してもよい。また、図１に示す構成では、電源線３ｅを利用して保持容量７０を構成していたが、電源線３ｅとは別に容量線を形成し、かかる容量線によって保持容量７０を構成してもよい。
【００１９】
（有機ＥＬ装置の具体的構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。なお、図２（ｂ）にはカラーフィルタなどの図示を省略してある。図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の有機ＥＬ装置１００では、素子基板としての第１基板１０と、封止基板およびカラーフィルタ基板の双方の機能を担う第２基板２０とがシール材層９２によって貼り合わされており、かかるシール材層９２の形成領域は、図２（ａ）にドットが粗に付された領域として表してある。第１基板１０において、画素領域１０ａの外側の領域には、図１を参照して説明したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、およびＩＴＯ膜からなる端子１０２が形成されている。詳しくは後述するが、第１基板１０の画素領域１０ａには、複数の有機ＥＬ素子８０がマトリクス状に配列されており、かかる複数の有機ＥＬ素子８０が各々、画素１００ａを構成している。
【００２０】
（有機ＥＬ素子の構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図である。なお、図３には、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応する３つの有機ＥＬ素子のみを示してある。
【００２１】
図３に示すように、第１基板１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などからなる支持基板１０ｄを備えている。支持基板１０ｄの表面には、絶縁膜１１、１２、１３、１４、１５が形成され、絶縁膜１５の上層には有機ＥＬ素子８０が形成されている。本形態において、絶縁膜１１、１２、１３、１５は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などから形成され、絶縁膜１４は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。絶縁膜１１は下地絶縁層であり、図示を省略するが、絶縁膜１１、１２、１３、１４の層間などを利用して、図１を参照して説明した薄膜トランジスタ３０ｂ、３０ｃ、保持容量７０、各種配線や各駆動回路が形成されている。また、絶縁膜１２、１３、１４、１５に形成されたコンタクトホールを利用して、異なる層間に形成された導電膜同士の電気的な接続が行なわれている。
【００２２】
本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように、支持基板１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、支持基板１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることができる。また、絶縁膜１３、１４の層間には、アルミニウム、銀、それらの合金からなる光反射層４１が形成されており、有機ＥＬ素子８０から支持基板１０ｄに向けて出射された光を光反射層４１で反射することにより、光を出射可能である。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合、支持基板１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。
【００２３】
また、第１基板１０では、絶縁膜１５の上層にＩＴＯ膜などからなる第１電極層８１（陽極／画素電極）が島状に形成されており、第１電極層８１の上層には、発光領域を規定するための開口部を備えた感光性樹脂などからなる厚い隔壁５１が形成されている。
【００２４】
また、第１電極層８１の上層には、有機機能層８２および第２電極層８３（陰極）が積層されており、第１電極層８１、有機機能層８２および第２電極層８３によって、有機ＥＬ素子８０が形成されている。本形態において、有機機能層８２および第２電極層８３は、隔壁５１が形成されている領域も含めて、画素領域１０ａの全面にわたって形成されている。
【００２５】
本形態において、有機機能層８２は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体からなる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）系正孔輸送層、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントを含むスチリルアミン系材料（ホスト）からなる発光層、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ3）からなる電子注入層をこの順に積層した構造を有しており、その上層にＭｇＡｇなどの薄膜金属からなる第２電極層８３が形成されている。また、有機機能層８２と第２電極層８３との間には、ＬｉＦからなる電子注入バッファ層が形成されることもある。これらの材料のうち、有機機能層８２を構成する各層、および電子注入バッファ層は、加熱ボート（るつぼ）を用いた真空蒸着法で順次形成することができる。また、第２電極層８３などを構成する金属系材料については真空蒸着法により形成でき、第１電極層８１を構成するＩＴＯなどの酸化物材料についてはＥＣＲプラズマスパッタ法やプラズマガン方式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法により形成することができる。
【００２６】
このように構成した有機ＥＬ素子８０は、白色光またはＲＧＢ混合色光が出射されるため、本形態の有機ＥＬ装置１００では、第２基板２０において、有機ＥＬ素子８０と対向する位置に形成した赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）によって色変換を行なうことにより、フルカラー表示を行なう。ここで、第２基板２０は、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどプラスチック基板や、ガラス基板などからなる透光性の支持基板２０ｄに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、カラーフィルタ層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の間で光の漏洩を防止するための遮光層２３（ブラックマトリックス層）、透光性の平坦化膜２４、酸窒化シリコン層からなる透光性のガスバリア層２５がこの順に形成されている。
【００２７】
（封止構造）
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、陰極として用いた第２電極層８３や、電子注入層、電子注入バッファ層は、水分により劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化を惹き起こし、ダークスポットと呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。そこで、本形態では、第２基板２０を封止基板として第１基板１０と貼り合せた構成と、第１基板１０に対して以下に説明する封止膜６０を形成した構成とを併用する。
【００２８】
まず、第１基板１０には、第２電極層８３の上層に画素領域１０ａよりも広い領域にわたって封止膜６０が形成されている。かかる封止膜６０として、本形態では、第２電極層８３上に積層されたシリコン化合物層からなる第１膜６１、この第１膜６１上に積層された樹脂層からなる第２膜６２、およびこの第２膜６２上に積層されたシリコン化合物からなる第３膜６３を備えた積層膜が用いられている。ここで、第１膜６１および第３膜６３は、高密度プラズマ源を用いた高密度プラズマ気相成長法、例えば、ブラズマガン方式イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタなどを用いて成膜されたシリコン窒化物（ＳｉＮx）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などから構成されており、かかる薄膜は、低温で成膜しても水分を確実に遮断する高密度ガスバリア層として機能する。また、第２膜６２は、樹脂層から構成されており、隔壁５１や配線などに起因する表面凹凸を平坦化して第１膜６１および第２膜６２にクラックが発生するのを防止する有機緩衝層として機能している。
【００２９】
次に、本形態では、第１基板１０と第２基板２０との間には、画素領域１０ａよりも広い領域にわたって透光性のシール材層９２が形成されており、かかるシール材層９２によって、第１基板１０と第２基板２０とが貼り合わされている。シール材層９２は、画素領域１０ａ、および画素領域１０ａの近傍領域のみに形成されており、画素領域１０ａから離れた周辺領域１０ｃには形成されていない。このようなシール材層９２は、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。また、周辺領域１０ｃには、周辺シール材層９１が形成されており、かかる周辺シール材層９１には、紫外線によって硬化するエポキシ材料が用いられている。周辺シール材層９１を構成する樹脂材料は、シール材層９２を構成する樹脂材料に比較して、未硬化状態での粘度が高い。従って、第１基板１０および第２基板２０の周辺領域１０ｃに沿って未硬化の周辺シール材層９１を塗布するとともに、その内側に未硬化のシール材層９２を塗布した後、第１基板１０と第２基板２０とを重ね合わせれば、周辺シール材層９１を基板間で展開させることができる。従って、その後、紫外線照射および加熱を行なえば、周辺シール材層９１およびシール材層９２を硬化させ、基板同士を貼り合せることができる。
【００３０】
（真空成膜方法および真空成膜装置）
図４を参照して、本発明の実施の形態１に係る真空成膜方法および真空成膜装置を説明する。図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る真空成膜装置の成膜室全体の構成を示す説明図、成膜室の下半部の上下方向におけるレイアウトを示す説明図、および成膜室の下半部の平面的なレイアウトを示す説明図である。
【００３１】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す真空成膜装置２００は、図３に示す各層のうち、封止膜６０の最上層である第３膜６３を形成するインライン式の成膜装置であり、真空状態とされる成膜室２２０を備えている。成膜室２２０は、上下２つの空間から構成されており、成膜室２２０の上部空間は、第１基板１０（被処理基板）が矢印Ｈに向かって搬送される基板搬送エリア２３０になっている。これに対して、成膜室２２０の下部空間は、第１基板１０に向かう蒸着材料流２９０を発生させる蒸着材料流発生エリア２４０になっている。蒸着材料流発生エリア２４０の底部分には、第１基板１０の幅方向（搬送方向と直交する方向）に一対の蒸着源２８０が配置されている。成膜室２２０の一方の壁面２４１には、プラズマ源としてのプラズマガン２５０が一対配置されており、かかるプラズマガン２５０は、成膜室２４０内にプラズマを発生させる。蒸着源２８０は、プラズマビームＰを下方に導く主陽極としての坩堝状のハース（図示せず）を備えており、かかるハースの凹部に蒸着原料（図示せず）が保持されている。かかる蒸着原料は、プラズマビームＰによって加熱されて蒸発し、イオン化された状態で第１基板１０に向かう。ここで、２つの蒸着源２８０は、プラズマガン２５０よりも下方位置に配置されているが、平面視においては、プラズマガン２５０が向いている方向の延長線Ｌ１０上に位置している。成膜室２２０において、基板搬送エリア２３０と蒸着材料流発生エリア２４０とは、開口部２４６を備えた仕切り板２４７によって仕切られており、開口部２４６によって、第１基板１０に対する成膜範囲Ｗが規定されている。なお、真空成膜装置２００において、第１基板１０の被成膜面のうち、所定の領域のみに対して成膜を行なう場合には、第１基板１０の被成膜面（下面）に対して、成膜領域に対応する開口部を備えたマスク（図示せず）が配置される。
【００３２】
成膜室２２０において、蒸着材料流発生エリア２４０の一方の壁面２４１には、２つのプラズマガン２５０の各真下位置に２つのガス導入口２６０が配置されている。また、成膜室２２０において、一方の壁面２４１に対向する他方の壁面２４２には、２つの排気口２７０（排気ポート）が開口している。２つの排気口２７０は、排気路２７２を介してターボポンプ２７４に接続され、ターボポンプ２７４から延びた排気路２７５はドライポンプ（図示せず）に接続されている。なお、ガス導入口２６０および排気口２７０に対しては、その開閉を制御するゲートバルブ（図示せず）が設けられている。また、２つのガス導入口２６０は各々、窒素ガスなどの反応ガスが貯留されたボンベなどに接続されている。
【００３３】
ここで、ガス導入口２６０および排気口２７０は各々、一方の壁面２４１および他方の壁面２４２に対して垂直な方向に向かって開口している。また、２つのガス導入口２６０と、２つの排気口２７０は互いに同一の高さ位置に形成され、かつ、幅方向の同一位置に形成されている。このため、ガス導入口２６０と排気口２７０は、互いに１対１で対向し、２つのガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した２本の仮想の延長線Ｌ１０上に排気口２７０が各々配置された状態にある。
【００３４】
また、ガス導入口２６０および排気口２７０は各々、蒸着源２８０よりも高い位置に形成されているが、平面視において、２つのガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した２本の仮想の延長線Ｌ１０は各々、蒸着源２８０の真上位置を通っている。従って、２つのガス導入口２６０からのガス導入方向の延長線Ｌ１０は各々、２つの蒸着源２８０から被処理基板に向かう各蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切っている。
【００３５】
（本形態の作用および主な効果）
このように構成した真空成膜装置２００において、シリコンを蒸着原料として用い、成膜中、ガス導入口２６０から成膜室２２０内に窒素ガスを反応ガスとして導入すれば、第３膜６３をシリコン窒化膜によって形成することができる。また、シリコン酸化物を蒸着原料として用い、成膜中、ガス導入口２６０から成膜室２２０内に窒素ガスを反応ガスとして導入すれば、第３膜６３をシリコン酸窒化膜によって形成することができる。いずれの場合も、成膜中、排気口２７０では、成膜室２２０内の排気が行なわれる。
【００３６】
ここで、ガス導入口２６０からのガス導入方向の延長線Ｌ１０上に排気口２７０が配置され、かかる延長線Ｌ１０は各々、蒸着源２８０から蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切っているため、蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切る気流Ｌ１１を効率よく発生させることができる。従って、蒸着源２８０において、蒸着原料の純度や、蒸着原料中への気泡の混入、温度むらなどに起因してスプラッシュが発生した場合でも、かかるスプラッシュは、気流Ｌ１１によって側方に流れ、第１基板１０に届かない。それ故、スプラッシュに起因する粒状異物の第１基板１０への付着を効果的に防止することができる。
【００３７】
また、本形態では、ガス導入口２６０が離間する２箇所に配置され、かかる２つのガス導入口２６０のガス導入方向の延長線Ｌ１０上の各々に排気口２７０が位置している。また、本形態において、排気口２７０が離間する２箇所に配置され、かかる２つの排気口２７０はいずれも、２つのガス導入口２６０からのガス導入方向の延長線Ｌ１０上に位置している。このため、ガス導入口２６０と排気口２７０とが互いに対になっているため、気流Ｌ１１に乱れが発生しない。また、複数の方向に気流Ｌ１１が発生しているため、各方向に飛散しようとするスプラッシュを確実に側方に向かわせることができ、スプラッシュが第１基板１０に届くのを確実に防止することができる。
【００３８】
さらに、本形態では、蒸着源２８０が離間する２箇所に配置され、２つの蒸着源２８０から第１基板１０に向かう複数の蒸着材料流２９０のいずれにおいても、各々の中央部分２９１を、ガス導入口２６０から排気口２７０に向かう仮想の延長線Ｌ１０が横切っている。このため、２つの蒸着源２８０のいずれにおいてスプラッシュが発生した場合でも、スプラッシュを確実に側方に向かわせることができ、スプラッシュが第１基板１０に届くのを確実に防止することができる。
【００３９】
特に本形態では、封止膜６０の最上層を構成する第３膜６３の形成に本発明を適用したため、第３膜６３の表面にスプラッシュに起因する粒状異物の付着を防止することができる。それ故、図３に示す有機ＥＬ装置１００を製造する際、第１基板１０に第２基板２０を貼り合わせた際、スプラッシュに起因する粒状異物によって封止膜６０の第３膜６３が損傷することがないので、有機ＥＬ装置１００の信頼性を向上することができる。
【００４０】
［実施の形態２］
図５を参照して、本発明の実施の形態２に係る真空成膜方法および真空成膜装置２００を説明する。図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る真空成膜装置２００の成膜室２２０全体の構成を示す説明図、成膜室２２０の下半部の上下方向におけるレイアウトを示す説明図、および成膜室２２０の下半部の平面的なレイアウトを示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００４１】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す真空成膜装置２００も、実施の形態１と同様、図３に示す各層のうち、封止膜６０の最上層である第３膜６３を形成するためのインライン式の成膜装置であり、真空状態とされる成膜室２２０を備えている。
【００４２】
本形態では、成膜室２２０の一方の壁面２４１には、２つのプラズマガン２５０の上位置または下位置に１つのガス導入口２６０が配置され、計２つのガス導入口２６０が配置されている。また、成膜室２２０において、一方の壁面２４１に対向する他方の壁面２４２には、２つの排気口２７０が開口しており、かかる２つの排気口２７０は、排気路２７２を介してターボポンプ２７４に接続され、ターボポンプ２７４から延びた排気路２７５はドライポンプ（図示せず）に接続されている。なお、図５には、のプラズマガン２５０の上位置にガス導入口２６０が配置された例を実線で示し、プラズマガン２５０の下位置にガス導入口２６０が配置された例は二点鎖線で示してある。
【００４３】
ここで、ガス導入口２６０および排気口２７０は各々、一方の壁面２４１および他方の壁面２４２に対して垂直な方向に向かって開口している。また、２つのガス導入口２６０と、２つの排気口２７０は互いに１対１に対向しており、ガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した４本の仮想の延長線Ｌ１０上に排気口２７０が各々配置された状態にある。また、ガス導入口２６０および排気口２７０は各々、蒸着源２８０よりも高い位置に形成されているが、平面視において、２つのガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した２本の仮想の延長線Ｌ１０は各々、２つの蒸着源２８０から第１基板１０に向かう各蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切っている。
【００４４】
このように構成した真空成膜装置２００においても、実施の形態１と同様、スプラッシュが発生したときでも、スプラッシュは、気流Ｌ１１によって側方に流れ、第１基板１０に届かない。それ故、スプラッシュに起因する粒状異物の第１基板１０への付着を効果的に防止することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００４５】
［実施の形態１、２の変形例］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１、２の変形例に係る真空成膜装置２００の成膜室２２０の下半部の上下方向におけるレイアウトを示す説明図、および成膜室２２０の下半部の平面的なレイアウトを示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、２と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００４６】
実施の形態１では、ガス導入口２６０が一方の壁面２４１に対して垂直な方向に向かって開口していたが、図６（ａ）に示すように、ガス導入口２６０が斜め下向きに配置されている場合でも、ガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した仮想の延長線Ｌ１０上に排気口２７０が配置されていればよい。この場合でも、ガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した仮想の延長線Ｌ１０は、蒸着源２８０から第１基板１０に向かう蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切っている。
【００４７】
また、図６（ｂ）に示すように、２つのガス導入口２６０がいずれも一方の壁面２４１に対して斜め方向に向かって開口し、これら２つのガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した仮想の延長線Ｌ１０上に１つの排気口２７０が配置されている構成であってもよい。この場合でも、ガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した仮想の延長線Ｌ１０は、蒸着源２８０の真上位置を通っており、図６（ａ）に示すように、第１基板１０に向かう蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切ることになる。
【００４８】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ装置１００において第２基板２０にカラーフィルタ２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を設けた場合を例に説明したが、有機ＥＬ素子自身が各色の光を出射する有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、カラー表示用の有機ＥＬ装置１００を例に説明したが、複写機の露光ヘッドなどとして利用する場合には、モノクロでよく、このようなモノクロ用の有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。この場合も、第２基板２０は封止基板のみとして機能する。さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ装置１００を例に説明したが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよく、この場合、第２基板２０は封止基板のみとして機能する。
【００４９】
また、上記形態では、有機機能層８２を画素領域１０ａの全面に形成した例を説明したが、隔壁５１で囲まれた領域内にインクジェット法などで有機機能層を選択的に塗布した後、定着させて、第１電極層８１の上層には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などからなる正孔注入層、および発光層からなる有機機能層が形成された有機ＥＬ装置の製造方法に本発明を適用してもよい。この場合、発光層は、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料から構成される。また、発光層としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる組成物も使用可能である。
【００５０】
さらに、上記形態では、ブラズマガン方式イオンプレーティングに本発明を適用したが、ＥＣＲプラズマスパッタ、あるいはプラズマを利用しない真空成膜方法や真空成膜装置２００に本発明を適用してもよい。また、第３膜６３をシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜によって形成する場合に本発明を適用したが、他の層を形成する場合に適用してもよい。また、有機ＥＬ装置以外の装置を製造する場合に本発明を適用してもよい。
【００５１】
［電子機器への搭載例］
図７を参照して、上述した実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を搭載した電子機器について説明する。図７は、本発明に係る有機ＥＬ装置を用いた電子機器の説明図である。
【００５２】
図７（ａ）に、有機ＥＬ装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図７（ｂ）に、有機ＥＬ装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。図７（ｃ）に、有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。なお、有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器としては、図７（ａ）〜（ｃ）に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬ装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、図１に示す有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図３】図１に示す有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る真空成膜装置の成膜室全体の構成を示す説明図、成膜室の下半部の上下方向におけるレイアウトを示す説明図、および成膜室の下半部の平面的なレイアウトを示す説明図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る真空成膜装置の成膜室全体の構成を示す説明図、成膜室の下半部の上下方向におけるレイアウトを示す説明図、および成膜室の下半部の平面的なレイアウトを示す説明図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１、２の変形例に係る真空成膜装置の成膜室の下半部の上下方向におけるレイアウトを示す説明図、および成膜室の下半部の平面的なレイアウトを示す説明図である。
【図７】本発明に係る有機ＥＬ装置を用いた電子機器の説明図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の参考例に係る真空成膜装置および有機ＥＬ装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０・・第１基板（被処理基板）、６０・・封止膜、６３・・封止膜の第３膜、８０・・有機ＥＬ素子、１００・・有機ＥＬ装置、２００・・真空成膜装置、２２０・・成膜室、２５０・・プラズマガン（プラズマ源）、２６０・・ガス導入口、２７０・・排気口、２８０・・蒸着源、２９０・・蒸着材料流、２９１・・蒸着材料流の中央部分、Ｌ１０・・ガス導入口からのガス導入方向を延長した仮想の延長線、Ｌ１１・・気流
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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