(57)【要約】【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率良く接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材、かかる接合膜付き基材と他の被着体とを、低温下で効率良く接合する接合方法、前記接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。【解決手段】本発明の接合膜付き基材１は、基板２と、基板２上に設けられ、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質４とを含有する接合膜３とを有している。このような接合膜３は、エネルギー線が照射されると、他の被着体との接着性が発現するとともに、接合膜３中に含まれるエネルギー線吸収物質４が、エネルギー線の一部を吸収して発熱し、接合膜３に発現する接着性を促進する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に設けられ、シリコーン材料を含有し、エネルギー線の照射により、他の被着体との接着性が発現する接合膜とを有し、
前記接合膜は、さらに、前記エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質が添加されることにより、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記他の被着体との接着性が促進されるものであることを特徴とする接合膜付き基材。
【請求項２】
前記接合膜は、前記シリコーン材料と、前記エネルギー線吸収物質とを含有する液状材料を前記基材上に供給することにより液状被膜を形成し、前記液状被膜を乾燥することにより形成されたものである請求項１に記載の接合膜付き基材。
【請求項３】
前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成される請求項１または２に記載の接合膜付き基材。
【請求項４】
前記シリコーン材料は、シラノール基を有する請求項１ないし３のいずれかに記載の接合膜付き基材。
【請求項５】
前記エネルギー線吸収物質は、酸化チタン、酸化セリウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種の材料を構成成分として含むものである請求項１ないし４のいずれかに記載の接合膜付き基材。
【請求項６】
前記エネルギー線吸収物質は、粒子状をなしている請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き基材。
【請求項７】
前記エネルギー線吸収性物質の平均粒径は、１００〜１０００ｎｍである請求項６に記載の接合膜付き基材。
【請求項８】
前記接合膜の平均厚さをＴ［ｎｍ］、前記エネルギー線吸収物質の平均粒径をＬ［ｎｍ］としたとき、１．５≦Ｔ／Ｌ≦１０の関係を満足する請求項６または７に記載の接合膜付き基材。
【請求項９】
前記接合膜中における前記エネルギー線吸収物質の含有率は、１〜３０ｗｔ％である請求項１ないし８のいずれかに記載の接合膜付き基材。
【請求項１０】
前記エネルギー線は、紫外線である請求項１ないし９のいずれかに記載の接合膜付き基材。
【請求項１１】
基材と、
前記基材上に設けられ、シリコーン材料を含有し、エネルギー線の照射により、他の被着体との接着性が発現する接合膜とを有し、
前記接合膜は、前記エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質が、部分的に添加されることにより、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記エネルギー線吸収物質を含む部分における前記他の被着体との接着性が促進されるものであり、
前記接合膜の前記エネルギー線吸収物質を含む部分と、前記接合膜の前記エネルギー線吸収物質を含まない部分とは、前記被着体に対する接合強度が互いに異なるものであることを特徴とする接合膜付き基材。
【請求項１２】
基材および被着体を用意する工程と、
前記基材上に、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質とを含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程と、
前記接合膜に前記エネルギー線を照射することにより、前記接合膜に接着性を発現させるとともに、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記接合膜の接着性を促進させ、当該接合膜を介して前記基材と前記被着体とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項１３】
基材および被着体を用意する工程と、
前記基材上に、シリコーン材料を含有する液状材料と、シリコーン材料に加えて、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質を含有する液状材料とをそれぞれ異なる領域に供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程と、
前記接合膜に前記エネルギー線を照射することにより、前記接合膜に接着性を発現させるとともに、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記エネルギー線吸収物質を含む部分における前記被着体との接着性を促進させ、当該接合膜を介して前記基材と前記被着体とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合膜付き基材と、被着体とを有し、
これらを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合膜付き基材、接合方法および接合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２つの部材（基材）同士を接合（接着）する際には、従来、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤等の接着剤を用いて行う方法が多く用いられている。
接着剤は、部材の材質によらず、接着性を示すことができる。このため、種々の材料で構成された部材同士を、様々な組み合わせで接着することができる。
例えば、インクジェットプリンタが備える液滴吐出ヘッド（インクジェット式記録ヘッド）は、樹脂材料、金属材料、シリコン系材料等の異種材料で構成された部品同士を、接着剤を用いて接着することにより組み立てられている。
このように接着剤を用いて部材同士を接着する際には、液状またはペースト状の接着剤を接着面に塗布し、塗布された接着剤を介して部材同士を貼り合わせる。その後、熱または光の作用により接着剤を硬化させることにより、部材同士を接着する。
【０００３】
ところが、このような接着剤では、以下のような問題がある。
・接着強度が低い
・寸法精度が低い
・硬化時間が長いため、接着に長時間を要する
また、多くの場合、接着強度を高めるためにプライマーを用いる必要があり、そのためのコストと手間が接着工程の高コスト化・複雑化を招いている。
【０００４】
一方、接着剤を用いない接合方法として、固体接合による方法がある。
固体接合は、接着剤等の中間層が介在することなく、部材同士を直接接合する方法である（例えば、特許文献１参照）。
このような固体接合によれば、接着剤のような中間層を用いないので、寸法精度の高い接合体を得ることができる。
【０００５】
しかしながら、固体接合には、以下のような問題がある。
・接合される部材の材質に制約がある
・接合プロセスにおいて高温（例えば、７００〜８００℃程度）での熱処理を伴う
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる
このような問題を受け、接合に供される部材の材質によらず、部材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合する方法が求められている。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−８２４０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率良く接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材、かかる接合膜付き基材と他の被着体とを、低温下で効率良く接合する接合方法、および、前記接合膜付き基材と被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合膜付き基材は、基材と、
前記基材上に設けられ、シリコーン材料を含有し、エネルギー線の照射により、他の被着体との接着性が発現する接合膜とを有し、
前記接合膜は、さらに、前記エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質が添加されることにより、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記他の被着体との接着性が促進されるものであることを特徴とする。
これにより、被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接合膜付き基材が得られる。
【０００９】
本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜は、前記シリコーン材料と、前記エネルギー線吸収物質とを含有する液状材料を前記基材上に供給することにより液状被膜を形成し、前記液状被膜を乾燥することにより形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜中にエネルギー線吸収物質をより均一に分散させることができる。そのため、接合膜は、エネルギー線が照射されることにより、より確実に被着体に対する接着性が発現するものとなる。また、比較的少量のエネルギー線照射によっても確実にかかる接着性が発現するため、より省エネルギーで、接合膜付き基材を被着体に接合することができる。また、接合膜表面の平滑性が特に高いものとなり、接合膜付き基材を被着体に、より高い寸法精度で接合することができる。
【００１０】
本発明の接合膜付き基材では、前記シリコーン材料は、その主骨格がポリジメチルシロキサンで構成されることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材を構成する接合膜は、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜の膜強度が特に優れたものとなる。
本発明の接合膜付き基材では、前記シリコーン材料は、シラノール基を有することが好ましい。
これにより、液状被膜を乾燥させて接合膜を得る際に、シラノール基の反応性がより向上し、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになり、得られる接合膜の膜強度が特に優れたものとなる。
【００１１】
本発明の接合膜付き基材では、前記エネルギー線吸収物質は、酸化チタン、酸化セリウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種の材料を構成成分として含むものであることが好ましい。
これにより、接合膜は、より少量のエネルギー線照射によって、より確実に被着体に対する接着性が発現するものとなる。結果として、より省エネルギーで接合膜付き基材を被着体に接合することができる。また、接合膜中に、このような材料で構成されたエネルギー線吸収物質を含むことにより、接合膜の耐熱性、耐候性、および寸法安定性がさらに優れたものとなる。
【００１２】
本発明の接合膜付き基材では、前記エネルギー線吸収物質は、粒子状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜にエネルギー線を付与した際に、接合膜に効率良く接着性を発現させることができる。
本発明の接合膜付き基材では、前記エネルギー線吸収性物質の平均粒径は、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、接合膜にエネルギー線を照射した際に、接合膜により効率良く接着性を発現させることができる。また、このような接合膜は、接合膜中のエネルギー線吸収物質の含有量を調整することにより、容易に、光透過性を制御することができるものとなる。
【００１３】
本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜の平均厚さをＴ［ｎｍ］、前記エネルギー線吸収物質の平均粒径をＬ［ｎｍ］としたとき、１．５≦Ｔ／Ｌ≦１０の関係を満足することが好ましい。
これにより、接合膜の被着体との接合面を十分に平滑なものとすることができる。その結果、接合膜付き基材を被着体に対して、特に高い寸法精度で強固に接合することができる。
【００１４】
本発明の接合膜付き基材では、前記接合膜中における前記エネルギー線吸収物質の含有率は、１〜３０ｗｔ％であることが好ましい。
これにより、接合膜にエネルギー線を付与した際に、接合膜により効率良く接着性を発現させることができる。
本発明の接合膜付き基材では、前記エネルギー線は、紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材を、被着体に対して、より強固に接合することができる。また、本発明において、接合膜は、比較的短時間の紫外線照射によって、好適に接着性を発現することができ、より省エネルギーで接合膜付き基材を被着体に接合することができる。
【００１５】
本発明の接合膜付き基材は、基材と、
前記基材上に設けられ、シリコーン材料を含有し、エネルギー線の照射により、他の被着体との接着性が発現する接合膜とを有し、
前記接合膜は、前記エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質が、部分的に添加されることにより、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記エネルギー線吸収物質を含む部分における前記他の被着体との接着性が促進されるものであり、
前記接合膜の前記エネルギー線吸収物質を含む部分と、前記接合膜の前記エネルギー線吸収物質を含まない部分とは、前記被着体に対する接合強度が互いに異なるものであることを特徴とする。
これにより、被着体に対して、高い寸法精度で接合されるとともに、被着体との接合箇所に応じて接合強度が調整された接合膜付き基材を提供することができる。
【００１６】
本発明の接合方法は、基材および被着体を用意する工程と、
前記基材上に、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質とを含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程と、
前記接合膜に前記エネルギー線を照射することにより、前記接合膜に接着性を発現させるとともに、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記接合膜の接着性を促進させ、当該接合膜を介して前記基材と前記被着体とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、基材を、被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる。
【００１７】
本発明の接合方法は、基材および被着体を用意する工程と、
前記基材上に、シリコーン材料を含有する液状材料と、シリコーン材料に加えて、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質を含有する液状材料とをそれぞれ異なる領域に供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程と、
前記接合膜に前記エネルギー線を照射することにより、前記接合膜に接着性を発現させるとともに、前記エネルギー線吸収物質における前記エネルギー線の吸収による発熱によって、前記エネルギー線吸収物質を含む部分における前記被着体との接着性を促進させ、当該接合膜を介して前記基材と前記被着体とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、基材を、被着体に対して、高い寸法精度、かつ低温下で効率よく接合することができるとともに、基材と被着体との接合強度を容易に調整することができる。
本発明の接合体は、本発明の接合膜付き基材と、被着体とを有し、
これらを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする。
これにより、被着体に対して、接合膜付き基材が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の接合膜付き基材、接合方法および接合体を、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板（他の被着体）とを接合する接合方法、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の接合膜付き基材の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図２、図３は、本実施形態の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１ないし図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１９】
以下では、まず、本発明の接合膜付き基材の第１実施形態について説明する。
図１に示す接合膜付き基材１は、板状をなす基板（基材）２と、基板２上に設けられた接合膜３とを有している。この接合膜付き基材１は、他の被着体に、接合膜３を介して基板２を接合して用いられる。
基板２は、他の被着体に対して、接合膜３を介して接合されるものである。
【００２０】
このような基板２の構成材料は、それぞれ特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、ＭｇＡｌ２Ｏ４、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００２１】
また、基板２は、その表面に、Ｎｉめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
また、基板（基材）２の形状は、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、板状のものに限定されない。すなわち、基材の形状は、例えば、塊状（ブロック状）、棒状等であってもよい。
【００２２】
なお、本実施形態では、基板２が板状をなしていることから、基板２が撓み易くなり、基板２は、対向基板５の形状に沿って十分に変形可能なものとなるため、これらの密着性がより高くなる。また、接合膜付き基材１において、基板２と接合膜３との密着性が高くなるとともに、基板２が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和することができる。
この場合、基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。なお、後述する対向基板（他の被着体）５の平均厚さも、前述した基板２の平均厚さと同様の範囲内であるのが好ましい。
【００２３】
接合膜３は、接合膜付き基材１を他の被着体に接合した際に、基板２と他の被着体との間に位置し、これらの接合を担うものである。
この接合膜３は、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質４とを含むものである。
接合膜３中に含まれるシリコーン材料は、エネルギー線が照射されると、他の被着体との接着性を発現するものである。
【００２４】
また、接合膜３中に含まれるエネルギー線吸収物質４は、エネルギー線を吸収して、発熱するものである。
このような接合膜３は、エネルギー線の照射により、その表面付近に、他の被着体との接着性が発現するとともに、エネルギー線吸収物質４が、かかるエネルギー線を吸収して発熱することにより、他の被着体との接着性が促進される。
このような接合膜３を有する接合膜付き基材１は、他の被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率良く接合することができるものとなる。
なお、接合膜３の詳細な構成については、以下の接合方法において説明する。
【００２５】
次に、本実施形態の接合膜付き基材と他の被着体との接合方法について説明する。
本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付き基材１を用意する工程と、接合膜付き基材１の接合膜３に対してエネルギー線を照射することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させる工程と、対向基板（他の被着体）５を用意し、接合膜付き基材１が備える接合膜３と対向基板５とが密着するように、これらを貼り合わせ、接合体１０を得る工程とを有する。
【００２６】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、接合膜付き基材１を用意する。
この接合膜付き基材１は、上述したように、基板２と、接合膜３とを有するものである。
このような接合膜付き基材１は、例えば、以下のような接合膜付き基材の形成方法を用いて得ることができる。
具体的には、基板２を用意する工程と、基板２上にシリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質４とを含有する液状材料を供給することにより液状被膜３０を形成する工程と、液状被膜３０を乾燥して、基板２上に接合膜３を形成する工程とを経ることにより接合膜付き基材１が形成される。
【００２７】
以下、これらの各工程を詳述する。
［１Ａ］まず、基板２を用意する（図２（ａ）参照）。
基板２としては、前述したようなものを用いることができる。
また、用意した基板２の接合膜３が形成される表面２５には、必要に応じて、形成される接合膜３との密着性を高める表面処理を施す。これにより、表面２５は清浄化および活性化され、表面２５に対して接合膜３が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、表面２５上に接合膜３を形成したとき、表面２５と接合膜３との接合強度を高めることができる。これにより、接合膜付き基材１を対向基板（他の被着体）５に強固に固定することができる。
【００２８】
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
このような表面処理として、特にプラズマ処理または紫外線照射処理を行うことにより、表面２５を、より清浄化および活性化することができる。その結果、表面２５と接合膜３との接合強度を特に高めることができる。
【００２９】
また、基板２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる基板２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
このような材料で構成された基板２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された基板２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材１と対向基板５とを強固に接合することができる。
なお、この場合、基板２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３を形成すべき領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
【００３０】
［１Ｂ］次に、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質４とを含有する液状材料を基板２の表面２５上に供給することにより、基板２の表面２５上に、液状被膜３０を形成する（図２（ｂ）参照）。
このような供給方法としては、特に限定されないが、塗布法を用いるのが好ましい。
塗布法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法および液滴吐出法等が挙げられるが、特に、液滴吐出法を用いるのが好ましい。液滴吐出法によれば、図１（ｂ）に示すように、液状材料を液滴３１として表面２５に供給することができるため、たとえ液状被膜３０を表面２５の一部の領域に選択的にパターニングして形成する場合であったとしても、液状材料をこの領域の形状に対応して（選択的に）供給することができる。
【００３１】
液滴吐出法としては、特に限定されないが、圧電素子による振動を利用して液状材料を吐出する構成のインクジェット法が好適に用いられる。インクジェット法によれば、目的とする領域（位置）に、液状材料を液滴３１として、優れた位置精度で供給することができる。また、圧電素子の振動数および液状材料の粘度等を適宜設定することにより、液滴３１のサイズ（大きさ）を、比較的容易に調整できることから、液滴３１のサイズを小さくすれば、たとえ膜を形成する領域の形状が微細なものであったとしても、この領域の形状に対応した液状被膜３０を確実に形成することができる。
【００３２】
液状材料の粘度（２５℃）は、通常、０．５〜２００ｍＰａ・ｓ程度であるのが好ましく、３〜２０ｍＰａ・ｓ程度であるのがより好ましい。液状材料の粘度をかかる範囲とすることにより、液滴の吐出をより安定的に行うことができるとともに、吐出量の微調整が容易となる。これにより、基板２上（表面２５上）に均一な膜厚を有する接合膜３を成膜することが可能となる。その結果、接合膜付き基材１と対向基板５とを高い寸法精度で接合することができる。さらに、この液状材料で構成される液状被膜３０を次工程［１Ｃ］で乾燥させた際に、接合膜３を形成するのに十分な量のシリコーン材料を液状材料中に含有したものとすることができる。
【００３３】
また、液状材料の粘度をかかる範囲内とすれば、具体的には、液滴３１の量（液状材料の１滴の量）を、平均で、０．１〜４０ｐＬ程度に、より現実的には１〜３０ｐＬ程度に設定し得る。これにより、表面２５に供給された際の液滴３１の着弾径が小さなものとなることから、吐出量の微調整がさらに容易となる。
また、液状材料は、前述のようにシリコーン材料を含有するものであるが、シリコーン材料単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料をそのまま液状材料として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料として、シリコーン材料の溶液または分散液を用いることができる。
【００３４】
シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
シリコーン材料は、液状材料中に含まれ、次工程［１Ｃ］において、この液状材料を乾燥させることにより形成される接合膜３の主材料として構成するものである。
【００３５】
このようなシリコーン材料を主材料として構成される接合膜３は、次工程［２］においてエネルギー線が照射されると、その表面３５に接着性が発現するものとなる。
ここで、「シリコーン材料」とは、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物であり、通常、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物のことを言い、主鎖の一部から突出する分枝状の構造を有するものであってもよく、主鎖が環状をなす環状体であってもよく、主鎖の末端同士が連結しない直鎖状のものであってもよい。
例えば、ポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物において、オルガノシロキサン単位は、その末端部では下記一般式（１）で表わされる構造単位を有し、連結部では下記一般式（２）で表わされる構造単位を有し、また、分枝部では下記一般式（３）で表わされる構造単位を有している。
【００３６】
【化１】
2009298912.tif 000003
［式中、各Ｒは、それぞれ独立して、置換または無置換の炭化水素基を表し、各Ｚは、それぞれ独立して、水酸基または加水分解基を表し、Ｘはシロキサン残基を表し、ａは０または１〜３の整数を表し、ｂは０または１〜２の整数を表し、ｃは０または１を表す。］
【００３７】
このようなシリコーン材料において、ポリオルガノシロキサン骨格は、分枝状をなすもの、すなわち上記一般式（１）で表わされる構造単位、上記一般式（２）で表わされる構造単位および上記一般式（３）で表わされる構造単位で構成されているのが好ましい。この分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有する化合物（以下、「分枝状化合物」と略すこともある。）は、主骨格（主鎖）部分が主としてオルガノシロキサン単位の繰り返しからなる化合物であり、主鎖の途中でオルガノシロキサン単位の繰り返しが分枝するとともに、主鎖の末端同士が連結しないものである。
この分枝状化合物を用いることにより、次工程［１Ｃ］において、液状材料中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜３が形成されることから、得られる接合膜３は特に膜強度に優れたものとなる。
【００３８】
なお、上記一般式（１）〜上記一般式（３）中、基Ｒ（置換または無置換の炭化水素基）としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。さらに、これらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部または全部が、Ｉ）フッ素原子、塩素原子、臭素原子のようなハロゲン原子、II）グリシドキシ基のようなエポキシ基III）メタクリル基のような（メタ）アクリロイル基IV）カルボキシル基、スルフォニル基のようなアニオン性基等で置換された基等が挙げられる。
【００３９】
加水分解基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基等が挙げられる。
また、分枝状化合物は、その分子量が、１×１０４〜１×１０６程度のものであるのが好ましく、１×１０５〜１×１０６程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
【００４０】
このような分枝状化合物は、シラノール基を有するものであるのが好ましい。すなわち、上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位において、各基Ｚは水酸基であるのが好ましい。これにより、次工程［１Ｃ］において、液状被膜３０を乾燥させて接合膜３を得る際に、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜３の膜強度が優れたものとなる。さらに、基板２として、前述したように、その接合面（表面）２５から水酸基が露出しているものを用いた場合には、分枝状化合物が備える水酸基と、基板２が備える水酸基とが結合することから、分枝状化合物を物理的な結合ばかりでなく、化学的な結合によっても基板２に結合させることができる。その結果、接合膜３は、基板２の表面２５に対して、強固に結合したものとなる。
【００４１】
また、シラノール基が有するシリコン原子に連結している炭化水素基は、フェニル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが水酸基である上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接する分枝状化合物が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。
【００４２】
さらに、シラノール基が存在しないシリコン原子に連結している炭化水素基は、メチル基であるのが好ましい。すなわち、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒは、メチル基であるのが好ましい。このように、基Ｚが存在しない上記一般式（１）〜上記一般式（３）で表わされる構造単位に存在する基Ｒがメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、次工程［２］において、接合膜３に接合用エネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜３に確実に接着性を発現させることができるため、分枝状化合物（シリコーン材料）として好適に用いられる。
以上のことを考慮すると、分枝状化合物としては、例えば、下記一般式（４）で表わされるような主骨格がポリジメチルシロキサンで構成される化合物が好適に用いられる。
【００４３】
【化２】
2009298912.tif 000004
［式中、ｎは、それぞれ独立して、０または１以上の整数を表す。］
【００４４】
さらに、上述した分枝状化合物は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、次工程［３］において、接合膜３を介して基板２に対向基板５を接合して接合体１０を得る際に、例えば、基板２と対向基板５との各構成材料が互いに異なるものを用いる場合であったとしても、基板２と対向基板５との間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体１０において、剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００４５】
また、分岐状化合物は耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって晒されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。また、このような分岐状化合物は、耐熱性にも優れていることから、高温下に晒されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。
エネルギー線吸収物質４は、エネルギー線を吸収して発熱するものである。なお、このようなエネルギー線としては、具体的には、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等が挙げられる。
【００４６】
このようなエネルギー線吸収物質４は、次工程［２］において、接合膜３に照射されたエネルギー線の一部を吸収して発熱し、接合膜３の対向基板（他の被着体）５に対する接着性を促進させるものである。これにより、接合膜３に対向基板５に対する接着性を確実に発現させることができる。また、エネルギー線吸収物質４を含む接合膜３は、比較的少量のエネルギー線照射によって、対向基板５との接着性が発現するものとなる。そのため、接合体１０を得るのに、次工程［２］において、接合膜３に照射するエネルギー線の照射時間を短くしたり、照射するエネルギー線の強度を抑えることができ、接合方法の省エネルギー化を図ることができる。
【００４７】
エネルギー線吸収物質４を構成する材料としては、上述したようなエネルギー線を吸収することにより発熱するものであれば、特に限定されず、カーボンブラックのような炭素系の顔料粉末、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｅ、その他の金属の酸化物（例えば、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２等）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
このような材料の中でも、エネルギー線吸収物質４は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、またはＩＴＯから選択される少なくとも１種の材料を含むものであるのが好ましい。これらの材料は、上述したようなエネルギー線を吸収し、効率良く発熱する材料であり、次工程［２］において、エネルギー線が照射されることにより発現する接合膜３の接着性を促進する効果が特に高いものである。したがって、エネルギー線吸収物質４として、上述したような材料を用いることにより、接合膜３に対向基板５に対する接着性をより確実に発現させることができる。
【００４９】
本実施形態では、エネルギー線吸収物質４は粒子状をなしている。これにより、液状被膜３０を乾燥させて得られる接合膜３は、膜全体にエネルギー線吸収物質４が分散したものとなり、接合膜３に発現する接着性は、表面３５の全領域でばらつきのない、均一なものとなる。その結果、接合膜付き基材１を対向基板５に対して、確実に接合することができ、接合体１０に部分的に剥離が生じる等の不具合の発生を確実に防止することができる。
【００５０】
このようなエネルギー線吸収物質４の平均粒径は、１００〜１０００ｎｍであるのが好ましく、２００〜８００ｎｍであるのがより好ましく、３００〜５００ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、形成される接合膜３の表面３５は確実に平滑なものとなり、接合膜付き基材１を対向基板５に対して、より高い寸法精度で接合することができる。また、エネルギー線吸収物質４がエネルギー線を吸収して発する熱（熱エネルギー）を、エネルギー線吸収物質４周囲のシリコーン材料に効率良く伝達することができ、接合膜３は、より短時間のエネルギー線照射によって、対向基板５に対する高い接着性を発現するものとなる。
【００５１】
接合膜３中に含まれるエネルギー線吸収物質４の含有率は、１〜３０ｗｔ％であるのが好ましく、３〜２５ｗｔ％であるのがより好ましく、５〜２０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。これにより、接合膜３の接着性がより効率良く促進され、接合膜付き基材１を対向基板５に対して、さらに高い接合強度で接合することができる。また、比較的少量のエネルギー線照射により、接合膜３に十分な接着性を発現させることができる。
【００５２】
［１Ｃ］次に、基板２上に設けられた液状被膜３０を乾燥させることにより、接合膜３を形成する（図２（ｃ）参照）。
このようにして形成された接合膜３は、膜全体にエネルギー線吸収物質４が分散したものとなっている。このような接合膜３は、エネルギー線が照射されると、表面３５の全領域でばらつきのない、均一な接着性が発現されるものとなる。
【００５３】
液状被膜３０を乾燥させる際の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
また、乾燥させる時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状材料を乾燥させることにより、次工程［２］において、エネルギー線が照射されることにより接着性が好適に発現する接合膜３を確実に形成することができる。また、シリコーン材料として前記工程［１Ｂ］で説明したようなシラノール基を有するものを用いた場合には、シリコーン材料が有するシラノール基同士を、さらには、シリコーン材料が有するシラノール基と基板２が有する水酸基とを、確実に結合させることができるため、形成される接合膜３を膜強度に優れ、かつ基板２に対して強固に結合したものとすることができる。
【００５４】
さらに、乾燥させる際の雰囲気の圧力は、大気圧下であってもよいが、減圧下であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の膜密度が緻密化して、接合膜３をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
以上のように、接合膜３を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜３の膜強度等を所望のものとすることができる。
【００５５】
接合膜３の平均厚さは、３００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜８０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。供給する液状材料の量を適宜設定して、形成される接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、接合膜３は、膜全体にわたってエネルギー線吸収物質４が均一に分散したものとなる。これにより、接合膜３に発現する接着性は、表面３５の全領域でばらつきのない、均一なものとなる。その結果、接合膜付き基材１を対向基板５に対して、確実に接合することができ、接合体１０に部分的に剥離が生じる等の不具合の発生を確実に防止することができる。また、接合膜付き基材１を、対向基板５に対して、より高い寸法精度で接合することができる。
【００５６】
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
さらに、接合膜３の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜３がある程度弾性に富むものとなることから、次工程［３］において、接合膜付き基材１を対向基板に接合する際に、接合膜３と接触させる対向基板５の接合面５５にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜３で取り囲むようにして接合膜３と接合面５５とが接合することとなる。そのため、このパーティクルが存在することによって接合膜３と接合面５５との界面における接合強度が低下したりこの界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００５７】
また、接合膜３の平均厚さをＴ［ｎｍ］、エネルギー線吸収物質４の平均粒径をＬ［ｎｍ］としたとき、１．５≦Ｔ／Ｌ≦１０の関係を満足するのが好ましく、２≦Ｔ／Ｌ≦８の関係を満足するのがより好ましく、３≦Ｔ／Ｌ≦７の関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、接合膜３中に、エネルギー線吸収物質４をより均一に分散させることができる。これにより、次工程［２］において、接合膜３にエネルギー線を照射することにより、その表面３５全面に、より効率良く接着性を発現させることができる。特に、比較的少量のエネルギー線照射においても、接合膜３に対向基板５に対する接着性を確実に発現させることができる。また、エネルギー線吸収物質４が接合膜３の表面に偏析するのが確実に防止され、接合膜３の表面３５は確実に平滑なものとなり、接合膜付き基材１を対向基板５に対して、より高い寸法精度で接合することができる。
【００５８】
また、本実施形態では、液状材料を供給して接合膜３を形成する構成となっていることから、たとえ基板２の接合面２５に凹凸が存在している場合であっても、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するようにして接合膜３を形成することができる。その結果、接合膜３が凹凸を吸収して、その表面がほぼ平坦面で構成されることとなる。
以上のようにして、接合膜付き基材１を得ることができる。
【００５９】
［２］次に、接合膜付き基材１の接合膜３の表面３５に対してエネルギー線を照射する。
接合膜３にエネルギー線を照射すると、この接合膜３では、表面３５付近の分子結合（例えば、シリコーン材料の主骨格がボリジメチルシロキサンで構成されている場合、Ｓｉ−ＣＨ３結合）の一部が切断し、表面３５が活性化されることに起因して、表面３５付近に対向基板５との接着性が発現する。さらに、接合膜３に照射されたエネルギー線の一部が、膜中に含まれるエネルギー線吸収物質４に吸収され、エネルギー線吸収物質４が発熱する。これにより、エネルギー線吸収物質４の周囲のシリコーン材料に熱エネルギーが付与され、シリコーン材料の分子結合の一部が切断され易くなる。すなわち、接合膜３は、エネルギー線吸収物質４の発熱によって、対向基板５に対する接着性が促進される。
【００６０】
このように、接合膜３は、エネルギー線吸収物質４を含むことにより、エネルギー線照射によって、その表面３５が効率良く活性化され、対向基板５に対する接着性が確実に発現する。これにより、接合膜付き基材１は、対向基板５と、化学結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。また、このような接合膜３は、比較的少量のエネルギー線照射でも、エネルギー線による光エネルギーとエネルギー線吸収物質４の発熱による熱エネルギーとが相乗的に作用して、その表面３５に確実に接着性が発現するものとなる。そのため、例えば、接合膜３に照射するエネルギー線の照射時間を短くしたり、照射するエネルギー線の強度を抑えることができ、接合方法の省エネルギー化を図ることができる。
【００６１】
ここで、本明細書中において、表面３５が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５の分子結合の一部、具体的には、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断されて、接合膜３中に終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【００６２】
接合膜３に照射するエネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図２（ｄ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の骨格をなす分子結合が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、接合膜３から表面３５付近の分子結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
【００６３】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、分子結合の切断を効率よく行うことができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜３０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。接合膜３は、このように比較的低いエネルギー量のエネルギー線照射によって、その表面３５に確実に接着性を発現するものとなる。
【００６４】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の分子結合を切断し得る程度の時間、すなわち、接合膜３の表面付近に存在する分子結合を選択的に切断し得る程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、１秒〜３０分程度であるのが好ましく、１秒〜８分程度であるのがより好ましい。接合膜３は、このように比較的短時間のエネルギー線照射によって、その表面３５に確実に接着性を発現するものとなる。
【００６５】
上述したように、接合膜３は、膜中に含まれるエネルギー線吸収物質４がエネルギー線を吸収して発熱する作用により、エネルギー線吸収物質を含まない接合膜に比べて、少量のエネルギー線照射で効率良く表面３５付近を活性化させることができる。このように、接合膜３に照射するエネルギー線量を減らして、シリコーン材料の分子結合を過度に切断することなく、その表面３５付近を活性化することができるため、接合膜３の機械的強度を特に優れたものとしながら、その表面３５に対向基板５に対する接着性を確実に発現させることができる。
【００６６】
また、紫外線は、時間的に連続して照射してもよいし、間欠的（パルス状）に照射してもよい。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、不活性ガス雰囲気中または減圧雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、表面３５付近にオゾンガスが生じて、表面３５の活性化がより円滑に行われることになる。さらに、雰囲気を制御することに手間や、コストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【００６７】
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギー線量の大きさを、精度良く簡単に調整することができる。このため、接合膜３の表面３５付近で切断される分子結合の量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、表面３５付近で切断される分子結合の量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与する接合用エネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
【００６８】
［３］対向基板（他の被着体）５を用意する。そして、図３（ｅ）に示すように、活性化させた接合膜３と対向基板５とが密着するように、接合膜付き基材１と対向基板５とを貼り合わせる。これにより、図３（ｆ）に示すような接合体１０を得る。
このような接合体１０は、基板２と対向基板５とが、接合膜３を介して高い寸法精度で強固に接合したものとなる。また、前工程［２］において、比較的少量のエネルギー線照射によって、接合膜３に効率良く接着性を発現することができるため、省エネルギーでかかる接合体１０を得ることができる。
【００６９】
また、このようにして得られた接合体１０では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜付き基材１と対向基板５とが接合されている。このため、接合体１０は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
【００７０】
また、このような接合膜付き基材１を用いて得られた接合体１０を得る方法によれば、従来の固体接合のように、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された基板２および対向基板５をも、接合に供することができる。
また、接合膜３を介して基板２と対向基板５とを接合しているため、基板２や対向基板５の構成材料に制約がないという利点もある。
【００７１】
以上のことから、本発明によれば、基板２および対向基板５の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
また、基板２の熱膨張率と対向基板５の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【００７２】
具体的には、基板２と対向基板５との熱膨張率差にもよるが、基板２および対向基板５の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、接合膜付き基材１と対向基板５とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板２と対向基板５の熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体１０における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【００７３】
また、この場合、基板２と対向基板５との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
また、基板２と対向基板５は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、接合膜付き基材１と対向基板５とをより強固に接合することができる。
【００７４】
このような対向基板５の接合膜付き基材１との接合に供される領域には、対向基板５の構成材料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ、対向基板５と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜付き基材１と対向基板５との接合強度をより高めることができる。
なお、表面処理としては、基板２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
【００７５】
また、対向基板５の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材１と対向基板５との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる対向基板５の構成材料には、前述した基板２の構成材料と同様のもの、すなわち、各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を用いることができる。
さらに、対向基板５の接合膜付き基材１との接合に供される領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き基材１と対向基板５との接合強度を十分に高くすることができる。
【００７６】
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、接合膜付き基材１の接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。
【００７７】
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜付き基材１と特に強固に接合可能な対向基板５が得られる。
また、表面処理に代えて、対向基板５の接合膜付き基材１との接合に供される領域には、あらかじめ、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、かかる中間層を介して接合膜付き基材１と対向基板５とを接合することになり、より接合強度の高い接合体１０が得られるようになる。
【００７８】
かかる中間層の構成材料には、前述の基板２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、基板２と対向基板５とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、対向基板５の接合面５５に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、基板２に形成された接合膜３と、対向基板５の接合面５５とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、対向基板５の接合面５５に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、基板２と対向基板５とが接合されると推察される。
【００７９】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、基板２と対向基板５との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、基板２と対向基板５とがより強固に接合されると推察される。
また、基板２の接合膜３の表面や内部、および、対向基板５の接合面５５や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手（ダングリングボンド）が存在している場合、基板２と対向基板５とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜３と対向基板５とが特に強固に接合される。
【００８０】
なお、前記工程［２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、基板２と対向基板５とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【００８１】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、エネルギー線吸収物質４を含むシリコーン材料を乾燥させて得られた接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。特に、接合膜３を構成するシリコーン材料が、紫外線等により変色、劣化するのを確実に防止することができる。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた基板２を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［２］に記載したエネルギー線照射を行うようにすれば、接合体１０の製造効率の観点から有効である。
【００８２】
以上のようにして、図３（ｆ）に示す接合体（本発明の接合体）１０を得ることができる。
このようにして得られた接合体１０は、基板２と対向基板５との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体１０は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。また、かかる構成の接合方法によれば、基板２と対向基板５とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体１０を効率よく作製することができる。
なお、接合体１０を得た後、この接合体１０に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体１０の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体１０の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【００８３】
［４Ａ］図３（ｇ）に示すように、得られた接合体１０を、基板２と対向基板５とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、基板２の表面および対向基板５の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、接合体１０における接合強度をより高めることができる。
また、接合体１０を加圧することにより、接合体１０中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体１０における接合強度をさらに高めることができる。
【００８４】
このとき、接合体１０を加圧する際の圧力は、接合体１０が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して接合体１０における接合強度を高めることができる。
なお、この圧力は、基板２および対向基板５の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、基板２および対向基板５の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体１０の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板２および対向基板５の各構成材料によっては、基板２および対向基板５に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体１０を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【００８５】
［４Ｂ］図３（ｇ）に示すように、得られた接合体１０を加熱する。
これにより、接合体１０における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体１０を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体１０の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体１０が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【００８６】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図３（ｇ）に示すように、接合体１０を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体１０の接合強度を特に高めることができる。
【００８７】
［４Ｃ］得られた接合体１０に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と基板２および対向基板５との間に形成される化学結合を増加させ、基板２および対向基板５と接合膜３との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、接合体１０の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
【００８８】
また、本工程［４Ｃ］を行う場合、基板２および対向基板５のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板側から、紫外線を照射することにより、接合膜３に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体１０における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、上記では、接合膜３を基板２に設けるものとして説明したが、接合膜３は、基板２と対向基板５の双方に設けてもよい。この場合には、表面処理や中間層の形成は、基板２と対向基板５の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行ってもよい。
【００８９】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き基材、この接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法、および本発明の接合膜付き基材を備える接合体の各第２実施形態について説明する。
図４は、本発明の接合膜付き基材の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）、図５および図６は、本実施形態の接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図４ないし図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００９０】
以下、第２実施形態にかかる接合膜付き基材、接合方法について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合膜付き基材は、接合膜付き基材が有する接合膜が、部分的にエネルギー線吸収物質を含むものであること以外は、前記第１実施形態と同様である。
本実施形態において、接合膜付き基材１ａは、基板２と、基板２上の外周部２５１に設けられ、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質４とを含有する接合膜３２と、基板２上の接合膜３２で囲まれた領域２５２に設けられ、シリコーン材料を含有する接合膜３３とを有している。
【００９１】
このような接合膜付き基材１ａが有する接合膜３２と接合膜３３とは、エネルギー線照射により発現する接着性がそれぞれ異なる。より具体的には、接合膜３２および接合膜３３に対して、均等にエネルギー線を照射すると、エネルギー線吸収物質４を含有する接合膜３２の方が、接合膜３３よりも、他の被着体との接着性がより早く発現するとともに、他の被着体との接合強度がより高いものとなる。これにより、接合膜付き基材１ａは、外周部付近（接合膜３２が設けられた領域）の方が、中心部付近（接合膜３３が設けられた領域）よりも、より高い接合強度で他の被着体と接合可能なものとなる。このような接合膜付き基材１ａは、基板２上に形成する接合膜３２、接合膜３３の面積を制御することにより、他の被着体との接合強度を容易に調整することが可能なものとなる。
【００９２】
また、接合膜３２中に含まれるエネルギー線吸収物質４として前述したような材料は、可視光を散乱または吸収する機能を有するものである。そのため、接合膜３２は、接合膜３３に比べて、高い接合強度で対向基板５と接合できるが、その一方で、光透過性が劣るものである。本実施形態の接合膜付き基材１ａは、このような接合膜３２がその外周部付近にのみ設けられたものであり、接合膜３２で囲まれた中心部付近には、エネルギー線吸収物質４を含まず、十分な光透過性を有する接合膜３３が設けられている。このような接合膜付き基材１ａは、接合膜３３が設けられた領域を有効領域（光透過領域）とするような、光学デバイス用の部材同士の接合に好適に用いることができるものとなる。
【００９３】
次に、本実施形態にかかる接合膜付き基材と他の被着体との接合方法について説明する。
本実施形態にかかる接合方法は、接合に供する接合膜付き基材の構成が異なる以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付き基材１ａを用意する工程と、接合膜付き基材１ａの接合膜３２および接合膜３３に対してエネルギー線を照射することにより、接合膜３２および接合膜３３の表面付近に接着性を発現させる工程と、対向基板（他の被着体）５を用意し、接合膜付き基材１ａが備える接合膜３２および接合膜３３と対向基板５とが密着するように、これらを貼り合わせ、接合体１０ａを得る工程とを有する。
【００９４】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、接合膜付き基材１ａを用意する。
この接合膜付き基材１ａは、上述したように、基板２と、接合膜３２および接合膜３３とを有するものである。
このような接合膜付き基材１ａは、例えば、以下のような接合膜付き基材の形成方法を用いて得ることができる。
すなわち、基板２を用意する工程と、基板２上にシリコーン材料を含有する液状材料と、シリコーン材料に加えて、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質４を含有する液状材料とをそれぞれ異なる領域に供給して、液状被膜を形成した後、かかる液状被膜を乾燥して接合膜を形成する工程とを得ることにより接合膜付き基材１ａが形成される。
【００９５】
以下、これらの各工程を詳述する。
［１Ａ］まず、基板２を用意する（図５（ａ）参照）。
［１Ｂ］次に、シリコーン材料と、エネルギー線を吸収するエネルギー線吸収物質４とを含有する液状材料（液滴３１１）を、基板２の外周部２５１上に供給し、液状被膜３０１を形成する（図５（ｂ）参照）。
このような供給方法としては、前述したような供給方法を用いることができるが、特に、液滴吐出法を用いるのが好ましい（図５（ｂ）参照）。これにより、液状被膜３０１を基板２の外周部２５１の領域に確実にパターニングして形成することができる。
【００９６】
［１Ｃ］次に、基板２上に設けられた液状被膜３０１を乾燥させることにより、基板２の外周部２５１上に接合膜３２を形成する（図５（ｃ）参照）。
このような乾燥方法は、例えば、前記第１実施形態で挙げた乾燥方法を用いることができる。
［１Ｄ］次に、シリコーン材料を含有する液状材料（液滴３１２）を、基板２上の接合膜３２で囲まれた領域２５２に供給し、液状被膜３０２を形成する（図５（ｄ）参照）。
本実施形態において、このような液状被膜３０２はエネルギー線吸収物質４を含まないものである。液状被膜３０２を構成する材料としては、例えば、上述した液状被膜３０１を構成する材料からエネルギー線吸収物質４を除いたもの等が挙げられる。
また、液状材料の供給方法としては、前述したような供給方法を用いることができる。
【００９７】
［１Ｅ］次に、基板２上に設けられた液状被膜３０２を乾燥させることにより、基板２上の接合膜３２で囲まれた領域に接合膜３３が形成される（図５（ｅ）参照）。
本実施形態では、［１Ｂ］、［１Ｃ］の各工程を経て、基板２の外周部２５１上にシリコーン材料とエネルギー線吸収物質４とを含有する接合膜３２を形成した後に、［１Ｄ］、［１Ｅ］の各工程を経て、基板２上の接合膜３２で囲まれた領域２５２にシリコーン材料を含有する接合膜３３を形成する。このようにして、基板２上にシリコーン材料を含有する液状材料と、シリコーン材料に加え、エネルギー線吸収物質４を含有する液状材料とをそれぞれ異なる領域に供給して、液状被膜（液状被膜３０１および液状被膜３０２）を形成し、これらを乾燥させることにより、接合膜（接合膜３２および接合膜３３）が形成される。
【００９８】
以上のようにして接合膜付き基材１ａを得ることができる。
なお、上記では、［１Ｂ］、［１Ｃ］の各工程を経て、接合膜３２を形成した後に、［１Ｄ］、［１Ｅ］の各工程を経ることによって接合膜３３を形成して、接合膜付き基材１ａを得たが、［１Ｄ］、［１Ｅ］の各工程を経て接合膜３３を形成した後に、［１Ｂ］、［１Ｃ］の各工程を経て接合膜３２を形成してもよい。
【００９９】
［２］次に、図６（ｆ）に示すように、接合膜３２および接合膜３３にエネルギー線を照射する。これにより、接合膜付き基材１ａは、接合膜３２および接合膜３３に、対向基板５に対する接着性が発現する。
［３］次に、図６（ｇ）に示すように、対向基板（他の被着体）５を用意し、接合膜３２の表面３２５および接合膜３３の表面３３５と対向基板５の接合面５５とを密着するように、接合膜付き基材１ａと対向基板５とを貼り合わせる。これにより、図６（ｈ）に示す接合体１０ａを得る。
【０１００】
このようにして得られた接合体１０ａは、基板２と対向基板５とが、外周部付近（接合膜３２を介して接合している領域）において、中心部付近（接合膜３３を介して接合している領域）よりもより強固に接合されたものとなる。このような接合体１０ａでは、基板２上に形成する接合膜３２および接合膜３３の形成領域を制御することにより、接合体１０ａの接合強度を容易に調整することができる。
【０１０１】
また、接合体１０ａは、接合膜３３が十分な光透過性を有するものであるため、接合体１０ａとして光透過性が要求される場合にも好適に用いられる。例えば、接合体１０ａは、接合膜３３が設けられた領域を有効領域（光透過領域）とした光学デバイス用の部材同士の接合に好適に用いることができるものとなる。
以上のようにして接合体１０ａを得ることができる。
【０１０２】
また、接合体１０ａを得た後、この接合体１０ａに対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
なお、上記では、基板２上の外周部に、エネルギー線吸収物質４を含有する接合膜３２を有し、基板２上の接合膜３２で囲まれた領域に、接合膜３３を有する接合膜付き基材１ａについて説明したが、例えば、接合膜３２と接合膜３３とを入れ替えたものであってもよいし、接合膜３２および接合膜３３がそれぞれ、任意のパターンで設けられたものであってもよい。
【０１０３】
以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の複数の部材同士を接合するのに用いることができる。
このような接合に供される部材としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光学フィルターのような光学素子、太陽電池のような光電変換素子、半導体基板とそれに搭載される半導体素子、絶縁性基板と配線または電極、インクジェット式記録ヘッド、マイクロリアクタ、マイクロミラーのようなＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、半導体素子や電子部品のパッケージ部品、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体のような記録媒体、液晶表示素子、有機ＥＬ素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品、燃料電池用部品等が挙げられる。
【０１０４】
以下、代表的に、前述した第２実施形態の接合体を適用した、偏光板と液晶表示素子とが接合された液晶表示装置について説明する。
図７は、本発明の接合膜付き基材の第２実施形態を適用した接合膜付き偏光板の斜視図、図８は、図７に示す接合膜付き偏光板を用いて得られる液晶表示装置の断面図である。なお、以下の説明では、図７および図８の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１０５】
図７に示すように、液晶表示装置６０は、液晶表示素子７０と、２枚の接合膜付き偏光板６８、６９とを有している。このような液晶表示装置６０は、各接合膜付き偏光板（７１、７２）が、被着体としての液晶表示素子７０と、接合膜３２および接合膜３３を介して接合された構成を有している。
そのうち、液晶表示素子７０は、基板６１１と、基板６１１上に形成された複数の隔壁（バンク）６１３と、基板６１１上に形成され、複数の隔壁６１３間に設けられた着色部６１２とを有するカラーフィルター６１と、カラーフィルター６１の着色部６１２が設けられた面側に配された基板（対向基板）６７と、カラーフィルター６１と基板６７との間の空隙に封入された液晶よりなる液晶層６３とを有している。そして、カラーフィルター６１の着色部６１２および隔壁６１３が設けられた面（着色部６１２および隔壁６１３の基板６１１に対向する面とは反対の面）には、共通電極６２が設けられており、基板（対向基板）６７の液晶層６３、カラーフィルター６１に対向する面には、カラーフィルター６１の各着色部６１２に対応する位置に、マトリクス状に、画素電極６６が配されている。さらに、共通電極６２と液晶層６３との間には配向膜６５が設けられ、基板６７（画素電極６６）と液晶層６３との間には配向膜６４が設けられている。
【０１０６】
一方、２枚の偏光板６８、６９は、それぞれ、前述した本発明の接合膜付き基材の第２実施形態を適用したものである。そして、これらの接合膜付き偏光板７１、７２は、それぞれ接合膜３２および接合膜３３を介して、それぞれ液晶表示素子７０を構成する基板６１１、６７と接合されている。
接合膜付き偏光板７１は、図６に示すように、偏光板６８と、偏光板６８上の外周部に設けられ、シリコーン材料と、エネルギー線吸収物質４とを含有する接合膜３２と、偏光板６８上の接合膜３２に囲まれた領域に設けられ、シリコーン材料を含有する接合膜３３とを有している。また、同様に、接合膜付き偏光板７２は、偏光板６９と、偏光板６９上の外周部に設けられ、シリコーン材料と、エネルギー線吸収物質４とを含有する接合膜３２と、偏光板６９上の接合膜３２に囲まれた領域に設けられ、シリコーン材料を含有する接合膜３３とを有している。
【０１０７】
接合膜３２および接合膜３３は、偏光板とカラーフィルター用基板等とを接合するのに一般的に用いられる粘接着剤に比べて、厚みムラが生じにくいものである。そのため、接合膜付き偏光板７１（または、接合膜付き偏光板７２）を、基板６１１（または、基板６７）に対して、高い寸法精度で接合することができ、液晶表示装置６０の寸法精度は優れたものとなる。
【０１０８】
また、接合膜付き偏光板７１（または、接合膜付き偏光板７２）が有する接合膜３３は、液晶表示装置６０を平面視した際に、画像表示領域（後述するバックライトから発せられた光が透過する領域）を覆うように設けられている。言い換えると、液晶表示装置６０において、接合膜付き偏光板７１（または、接合膜付き偏光板７２）が有するエネルギー線吸収物質４を含有する接合膜３２が、画像表示領域から外れた領域に設けられている。このような液晶表示装置６０は、偏光板６８（または、偏光板６９）と基板６１１（または、基板６７）とが、光透過性に優れる接合膜３３を介して接合されているため、表示画像の明るさが低下するのが防止される。また、液晶表示装置６０の画像表示領域外において、接合膜３３よりも他の被着体との接合強度に優れる接合膜３２を介して液晶表示素子７０と各偏光板（偏光板６８、偏光板６９）とが接合されているため、液晶表示素子７０と２枚の偏光板６８および偏光板６９との間で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【０１０９】
基板６１１および基板６７は、可視光に対して光透過性を有する基板であり、例えば、ガラス基板である。
カラーフィルター６１を構成する隔壁６１３は、隣接する着色部６１２同士が混色してしまうのを防止したり、隣接する画素間からの光漏れを防止するために設けられ、例えば、カーボンブラック等の遮光性を有する材料で構成されている。また、着色部６１２は、各色（例えば、赤、緑、青）に対応する顔料等を主とする材料で構成されたものである。
【０１１０】
共通電極６２、画素電極６６は、可視光に対して光透過性を有する材料で構成されたものであり、例えば、ＩＴＯ等で構成されている。
また、図中省略しているが、各画素電極６６に対応するように、複数のスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）が設けられている。そして、各着色部６１２に対応する各画素電極６６について、共通電極６２との間での電圧の印加状態を制御することにより、各着色部６１２（各画素電極６６）に対応する領域での、光の透過性を制御することができる。
【０１１１】
液晶表示装置６０では、図示しないバックライトから発せられた光が、接合膜付き偏光板７２側（図８中上側）から入射するようになっている。そして、液晶層６３を透過し、カラーフィルター６１の各着色部６１２に入射した光は、各着色部６１２に対応する色の光として、接合膜付き偏光板７１（図８中下側）から出射する。前述したように、液晶表示装置６０は、画像表示領域において、液晶表示素子７０と各偏光板（偏光板６８、偏光板６９）とが光透過性に優れた接合膜３３を介して接合されている。そのため、接合膜付き偏光板７２側から入射したバックライトの光を、十分に高い透過率で接合膜付き偏光板７１から出射することができ、液晶表示装置６０の表示画像は十分に明るいものとなる。また、液晶表示装置６０の画像表示領域外において、接合膜３３よりも他の被着体との接合強度に優れる接合膜３２を介して液晶表示素子７０と各偏光板（偏光板６８、偏光板６９）とが接合されておるため、液晶表示素子７０と各偏光板（偏光板６８、偏光板６９）とが十分に高い接合強度で接合され、液晶表示装置６０の耐久性は優れたものとなる。
上述したような液晶表示装置６０は、例えば、以下に説明するような電子機器に適用することができる。
【０１１２】
以下の説明では、液晶表示装置６０を備える電子機器として、携帯電話について説明する。
図９は、携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
図９に示す携帯電話は、表示部１００１を備える携帯電話本体１０００を有している。携帯電話本体１０００には、上述した液晶表示装置６０が内蔵されており、これらは、携帯電話機本体１０００において表示部１００１などとして用いられる。
【０１１３】
なお、このような液晶表示装置６０は、図９で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。
例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１１４】
以上、本発明の接合膜付き基材および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の接合体は、前記各実施形態のうち、任意の１つまたは２つ以上を組み合わせたものであってもよい。
また、前記各実施形態では、基板と対向基板の２枚の基材を接合する方法について説明しているが、３枚以上の基材を接合する場合に、本発明の接合膜付き基材および本発明の接合方法を用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の接合膜付き基材の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】図１に示す接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の接合膜付き基材の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図５】図４に示す接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図６】図４に示す接合膜付き基材を用いて、接合膜付き基材と対向基板とを接合する接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。。
【図７】本発明の接合膜付き基材の第２実施形態を適用した接合膜付き偏光板の斜視図である。
【図８】図７に示す接合膜付き偏光板を用いて得られる液晶表示装置の断面図である。
【図９】携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１……接合膜付き基材  １０、１０ａ…接合体  ２…基板  ２５…表面  ２５１…外周部  ２５２…領域  ３、３２、３３…接合膜  ３５、３２５、３３５…表面  ３０、３０１、３０２…液状被膜  ３１、３１１、３１２…液滴  ４…エネルギー線吸収物質  ５…対向基板  ５５…接合面  ６０…液晶表示装置  ６１…カラーフィルター  ６１１…基板  ６１２…着色部  ６１３…隔壁  ６２…共通電極  ６３…液晶層  ６４、６５…配向膜  ６６…画素電極  ６７…基板（対向基板）  ６８、６９…偏光板  ７０…液晶表示素子  ７１、７２…接合膜付き偏光板    １０００…携帯電話本体  １００１…表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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