(57)【要約】【課題】外周端部にリブが形成されたウエハーのダイシング時に生じるひびや割れ、反りを低減すること。【解決手段】まず、ウエハー１０１の裏面中央部の厚みを外周端部から所定の幅を残して減じる。つぎに、厚みが減じられたウエハー１０１の中央部に外周端部とほぼ同じ高さまでＵＶ硬化型接着剤１２１を充填するとともに、ウエハー１０１の裏面にダイシングテープ１１２を貼付する。つづいて、ダイシングテープ１１２が貼付されたウエハー１０１の中央部をおもて面側から切断しチップ状にする。そして、チップ状に切断されたウエハー１０１をＵＶ硬化型接着剤１２１から剥離する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハーの第１主面側の中央部の厚みを外周端部よりも薄くする工程と、
前記半導体ウエハーの中央部の薄い部分に樹脂部材を充填して前記半導体ウエハーの中央部の厚みを前記外周端部の厚みとほぼ同じにするとともに、前記半導体ウエハーの第１主面側に保護用テープを貼付する工程と、
前記保護用テープが貼付された前記半導体ウエハーの中央部を第２主面側から切断しチップ状にする工程と、
チップ状に切断された前記半導体ウエハーを前記樹脂部材から剥離する工程と、
を含んだことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂部材は接着剤であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂部材は紫外線硬化型接着剤であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂部材は熱硬化型接着剤であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂部材と前記半導体ウエハーとの接着強度は、前記樹脂部材と前記保護用テープとの接着強度よりも低いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂部材を充填する工程は、前記半導体ウエハーの第１主面側を上向きに設置し、前記半導体ウエハーの中央部に前記樹脂部材を滴下した後、前記保護用テープを介して前記樹脂部材を押圧して前記外周端部とほぼ同じ高さとすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂部材を充填する工程は、前記半導体ウエハーの第１主面側を下向きに設置し、前記保護用テープを前記半導体ウエハーの第１主面側に対峙させて、前記保護用テープ上の前記半導体ウエハーの中央部と対峙する領域に前記樹脂部材を滴下した後、前記半導体ウエハーと前記保護用テープとを密着させて前記樹脂部材を前記中央部に充填することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
第１主面側の中央部が外周端部よりも薄く加工された半導体ウエハーを、前記第１主面とは反対の第２主面側から吸着して保持する吸着平板と、
前記吸着平板と対向して配置され、該対向する面が平坦である平板と、
前記平板と前記半導体ウエハーとの間へ保護用テープを供給するテープ供給機構と、
前記保護用テープの前記半導体ウエハー側の面にダイシングフレームを貼付する貼付機構と、
前記保護用テープの前記ダイシングフレームに囲まれた領域に樹脂部材を滴下する樹脂供給機構と、
前記半導体ウエハーの第１主面と前記樹脂部材を密着させて、前記半導体ウエハーの中央部の薄い部分に前記樹脂部材を充填し、前記半導体ウエハーの中央部の厚みを前記外周端部の厚みとほぼ同じにするとともに、前記半導体ウエハーの第１主面側に保護用テープを貼付する押圧機構と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項９】
第１主面側の中央部が外周端部よりも薄く加工された半導体ウエハーを、前記第１主面とは反対の第２主面側から吸着して保持する吸着平板と、
前記吸着平板と対向して配置され、該対向する面が平坦である平板と、
前記平板と前記半導体ウエハーとの間へ保護用テープを供給するテープ供給機構と、
前記保護用テープの前記半導体ウエハー側の面にダイシングフレームを貼付する貼付機構と、
前記半導体ウエハーの第１主面の中央部の薄い部分に樹脂部材を滴下する樹脂供給機構と、
前記半導体ウエハーの第１主面と前記樹脂部材を密着させて、前記半導体ウエハーの中央部の薄い部分に前記樹脂部材を充填し、前記半導体ウエハーの中央部の厚みを前記外周端部の厚みとほぼ同じにするとともに、前記半導体ウエハーの第１主面側に保護用テープを貼付する押圧機構と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１０】
前記平板は、前記樹脂部材を硬化させるための硬化機構を備えることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関し、特にデバイス厚が薄い薄型半導体デバイスを製造する際に用いる半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、既存のデバイスよりもデバイスの厚さを減じた薄型半導体デバイスの開発が進んでいる。薄型半導体デバイスを製造する際には、たとえば、フィールドストップ型ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の場合、まず、ウエハーにおもて面の構造を形成し、さらにアルミニウム−シリコン合金の電極を形成する。つぎに、ウエハー裏面を研削し、さらにエッチングをおこなって、ウエハー厚を所望の厚さとする（薄層化工程）。そして、ウエハーを洗浄した後、リン（Ｐ）およびボロン（Ｂ）をイオン注入し、４００℃程度の温度でアニールをおこなう。その後、ウエハーおもて面にポリイミドで保護膜を形成し、ウエハー裏面に裏面電極を形成する。最後に、ウエハーをダイシングして、個々のチップを形成する。
【０００３】
上述した製造工程において、薄層化工程後のウエハー厚は、たとえばＦＺウエハーを用いた場合、耐圧１２００Ｖクラスのデバイスで１２０〜１４０μｍ程度、耐圧６００Ｖクラスのデバイスでは６０〜１００μｍ程度と非常に薄くなる。このようにウエハーの厚さが薄くなると、ウエハーの強度が低下してダイシングの際などにひびや割れが生じやすくなり、ウエハーの不良率が増加してしまう。
【０００４】
そこで、薄層化したウエハーをダイシングする際にウエハーが割れるのを防ぐため、紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤によってウエハーと支持基板とを接着して、強度を高めた上でダイシングをおこなう技術が提案されている（たとえば、下記特許文献１参照）。また、ダイシング時にウエハーにひびや割れが生じるのを防止するため、薄層化されていないウエハーのおもて面にダイシングラインに沿ってトレンチを形成した後、ウエハーの裏面から研削をおこなって個々のチップを形成する技術が提案されている（たとえば、下記特許文献２参照）。
【０００５】
また、薄層化したウエハーは、各種の膜応力の影響を受けて反りやすくなる。ウエハーに反りが生じると、その後の製造工程や搬送過程でトラブルの原因となる場合がある。そこで、ウエハーの外周を数ｍｍ（たとえば２〜５ｍｍ）残してウエハー中央部のみを薄層化することによりウエハーの反りを防止する技術が知られている。
【０００６】
また、同様の技術として、ウエハーの両面に酸化膜を形成し、ウエハー裏面の膜を外周端部を残して除去し、残った酸化膜をマスクとしてエッチングしてウエハーの中央部のみを薄層化する方法が知られている（たとえば、下記特許文献３参照）。また、エッチングポットに設けられたシールパッキンでウエハーの外周端部をマスクし、ウエハー中央部の露出面をエッチング液にさらすことによって、ウエハーの中央部のみを薄層化する方法が知られている（たとえば、下記特許文献４参照）。
【０００７】
上述のような製造方法で製造されたウエハーにおいて、薄層化されない外周部を「リブ」という。リブの厚さは、デバイス形成部（ウエハー中央部）の厚さにもよるが、たとえば２００μｍ以上であればウエハーの反りを防止する効果がある。
【０００８】
しかし、外周部にリブが形成されたウエハーは、ウエハー中央部とリブとの間に段差があるため、ダイシング工程においてウエハー裏面にダイシングテープを貼付する際、段差の周辺においてウエハーとダイシングテープとの間に隙間が生じてしまう。ウエハーとダイシングテープとの間に隙間があると、その隙間にシリコン屑が入ったり、ダイシングテープに貼り付いていない部分に形成されたチップがダイシング時に飛び散ってしまうなどの不具合が生じる。一方、段差の周辺部に無理にダイシングテープを貼付しようとすると、段差の周辺部に形成されたデバイスが破損してしまう恐れがある。
【０００９】
このような不具合を解消するため、リブが形成されたウエハーをダイシングする際に、ウエハーの中央部（リブが形成されていない凹部）とほぼ同サイズのステージを用いてダイシングをおこなう技術が提案されている（たとえば、下記特許文献５参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−１４０１０１号公報
【特許文献２】特開２００４−００６６３５号公報
【特許文献３】特開２００４−２５３５２７号公報
【特許文献４】特許第３６２０５２８号公報
【特許文献５】特開２００３−３３２２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した特許文献５の技術では、ウエハーに合わせたステージなどの器具が必要となり、既存のダイシング装置を使用することができない。このため、あらたな設備投資が必要となり、半導体デバイスの生産コストが上昇してしまうという問題点がある。
【００１２】
また、ダイシング工程前にウエハー中央部とリブとを分離したり、リブ部の表面を研削してウエハー中央部との段差をなくすなどして、リブを除去する方法も考えられるが、いずれの場合もあらたな機器の導入が必要であり、半導体デバイスの製造コストが上昇してしまう。また、製造工程中にあらたな工程が加わるため、デバイスの生産効率が低下してしまうという問題点がある。さらに、リブを除去したウエハーは通常の薄層化ウエハーと同じであるため、上述したひびや割れ、反りなどの不良が生じやすくなってしまうという問題点がある。
【００１３】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、生産コストを抑えつつ、ウエハーの薄層化を含む製造工程におけるウエハーのひびや割れ、反りを低減することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウエハーの第１主面側の中央部の厚みを外周端部よりも薄くする工程と、前記半導体ウエハーの中央部の薄い部分に樹脂部材を充填して前記半導体ウエハーの中央部の厚みを前記外周端部の厚みとほぼ同じにするとともに、前記半導体ウエハーの第１主面側に保護用テープを貼付する工程と、前記保護用テープが貼付された前記半導体ウエハーの中央部を第２主面側から切断しチップ状にする工程と、チップ状に切断された前記半導体ウエハーを前記樹脂部材から剥離する工程と、を含んだことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項２の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記樹脂部材は接着剤であることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項３の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項２に記載の発明において、前記樹脂部材は紫外線硬化型接着剤であることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項４の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項２に記載の発明において、前記樹脂部材は熱硬化型接着剤であることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項５の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記樹脂部材と前記半導体ウエハーとの接着強度は、前記樹脂部材と前記保護用テープとの接着強度よりも低いことを特徴とする。
【００１９】
また、請求項６の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の発明において、前記樹脂部材を充填する工程は、前記半導体ウエハーの第１主面側を上向きに設置し、前記半導体ウエハーの中央部に前記樹脂部材を滴下した後、前記保護用テープを介して前記樹脂部材を押圧して前記外周端部とほぼ同じ高さとすることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項７の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の発明において、前記樹脂部材を充填する工程は、前記半導体ウエハーの第１主面側を下向きに設置し、前記保護用テープを前記半導体ウエハーの第１主面側に対峙させて、前記保護用テープ上の前記半導体ウエハーの中央部と対峙する領域に前記樹脂部材を滴下した後、前記半導体ウエハーと前記保護用テープとを密着させて前記樹脂部材を前記中央部に充填することを特徴とする。
【００２１】
また、請求項８の発明にかかる半導体製造装置は、第１主面側の中央部が外周端部よりも薄く加工された半導体ウエハーを、前記第１主面とは反対の第２主面側から吸着して保持する吸着平板と、前記吸着平板と対向して配置され、該対向する面が平坦である平板と、前記平板と前記半導体ウエハーとの間へ保護用テープを供給するテープ供給機構と、前記保護用テープの前記半導体ウエハー側の面にダイシングフレームを貼付する貼付機構と、前記保護用テープの前記ダイシングフレームに囲まれた領域に樹脂部材を滴下する樹脂供給機構と、前記半導体ウエハーの第１主面と前記樹脂部材を密着させて、前記半導体ウエハーの中央部の薄い部分に前記樹脂部材を充填し、前記半導体ウエハーの中央部の厚みを前記外周端部の厚みとほぼ同じにするとともに、前記半導体ウエハーの第１主面側に保護用テープを貼付する押圧機構と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項９の発明にかかる半導体製造装置は、第１主面側の中央部が外周端部よりも薄く加工された半導体ウエハーを、前記第１主面とは反対の第２主面側から吸着して保持する吸着平板と、前記吸着平板と対向して配置され、該対向する面が平坦である平板と、前記平板と前記半導体ウエハーとの間へ保護用テープを供給するテープ供給機構と、前記保護用テープの前記半導体ウエハー側の面にダイシングフレームを貼付する貼付機構と、前記半導体ウエハーの第１主面の中央部の薄い部分に樹脂部材を滴下する樹脂供給機構と、前記半導体ウエハーの第１主面と前記樹脂部材を密着させて、前記半導体ウエハーの中央部の薄い部分に前記樹脂部材を充填し、前記半導体ウエハーの中央部の厚みを前記外周端部の厚みとほぼ同じにするとともに、前記半導体ウエハーの第１主面側に保護用テープを貼付する押圧機構と、を備えることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１０の発明にかかる半導体製造装置は、請求項８または９に記載の発明において、前記平板は、前記樹脂部材を硬化させるための硬化機構を備える
【００２４】
請求項１〜１０の発明によれば、半導体ウエハーの中央部の薄い部分に樹脂部材を充填して半導体ウエハーの中央部の厚みを外周端部の厚みとほぼ同じにするため、半導体ウエハーと保護用テープとの間に隙間が生じない。これにより、薄層化した半導体ウエハーのダイシング時に不具合が生じるのを防ぐことができる。
【００２５】
また、請求項１〜１０の発明は、既存の半導体製造装置を用いて実現できるため、あらたな設備を導入する必要がない。このため、半導体装置の製造コストを上昇させることなく、半導体ウエハーのダイシング時に不具合が生じるのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２６】
この発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、生産コストを抑えつつ、ウエハーの薄層化を含む製造工程におけるウエハーのひびや割れ、反りを低減することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体製造装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１〜図５は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。以下に説明する実施の形態では、厚さ６００〜７００μｍ、たとえば厚さ６５０μｍのウエハーを用いてフィールドストップ型ＩＧＢＴを作製する場合を例にして説明する。
【００２９】
まず、従来と同様の手順によってウエハー１０１のおもて面にデバイスの表面構造部１０２を形成する。つぎに、ウエハー１０１の裏面に研削やエッチングをおこなって、ウエハー１０１の中央部の厚さを５０〜１００μｍ、たとえば８０μｍとする。このとき、ウエハー裏面の外周部端部の数ｍｍ（たとえば３ｍｍ）は元のウエハー厚（６５０μｍ）のままにしておく。この外周部端部がリブである。リブとなる部分もエッチングを行うと、その厚さは若干薄くなるが、このような寸法の場合、ウエハー１０１の中央部とリブとの間には、段差（例えば、段差の高さ５７０μｍ）が形成される。
【００３０】
つづいて、ウエハー１０１を洗浄し、リン（Ｐ）およびボロン（Ｂ）をイオン注入し、４００℃程度の温度でアニールをおこなう。つぎに、ウエハー１０１のおもて面にポリイミドで保護膜を形成し、ウエハー１０１の裏面に裏面電極を形成する。その後、ウエハープローバーでウエハーテストをおこなう。
【００３１】
つぎに、図１に示すように、図示しないテープ供給機構によってガラス平板１１１の上にダイシングテープ１１２を置き、図示しない貼付機構によってダイシングテープ１１２のウエハー１０１側の面にダイシングフレーム１１４を貼付する。また、加圧吸着平板１１３でウエハー１０１のおもて面を吸着して、凹部が形成されたウエハー１０１の裏面を下向きに保持する。そして、図示しない樹脂供給機構によってウエハー１０１の凹部に対面するダイシングテープ１１２上にＵＶ硬化型接着剤１２１を滴下する。このとき滴下するＵＶ硬化型接着剤１２１は、比較的粘性が高いものが望ましい。粘性が低いＵＶ硬化型接着剤１２１を用いると、ウエハー１０１の凹部に充填される前にダイシングテープ１１２上で広がってしまう場合があるためである。
【００３２】
つづいて、図２に示すように、図示しない押圧機構によってウエハー１０１を吸着させた加圧吸着平板１１３をダイシングテープ１１２側（下方向）に移動させて、ＵＶ硬化型接着剤１２１をウエハー１０１の凹部内に押し広げる。このとき、加圧吸着平板１１３は移動させずに、ダイシングテープ１１２、ガラス平板１１１およびダイシングフレーム１１４をウエハー１０１側（上方向）に移動させてもよい。これにより、ウエハー１０１の凹部にＵＶ硬化型接着剤１２１が充填される。
【００３３】
なお、ウエハー１０１にＵＶ硬化型接着剤１２１を充填する前に、ダイシングフレーム１１４内のダイシングテープ１１２のたるみを伸ばして、ダイシングテープ１１２の平坦性を向上させておくことが望ましい。ダイシングテープ１１２のたるみを伸ばすには、たとえばダイシングフレーム１１４の内径をガラス平板１１１の外径より大きく（例えば数ｃｍ）しておき、ダイシングフレーム１１４をガラス平板１１１より下へ押し下げることでダイシングフレーム１１４の内側に張力をかけるようにする。ダイシングテープ１１２は弾性を有し、張力が加わると伸びるので、ダイシングフレーム１１４内のダイシングテープ１１２にたるみがあっても、これを伸ばすことができる。なお、ダイシングテープ１１２のたるみを伸ばす工程は、ウエハー１０１にＵＶ硬化型接着剤１２１を充填する前におこなえばよく、ダイシングテープ１１２上にＵＶ硬化型接着剤１２１を滴下する前後の何れにおこなってもよい。また、半導体製造装置にダイシングテープ１１２に張力をかける機構を設けておいてもよいし、加圧吸着平板１１３にジグを設けて、加圧吸着平板１１３の下降とともにダイシングテープ１１２に張力をかけるようにしてもよい。
【００３４】
そして、ガラス平板１１１側からＵＶ光を照射し、ＵＶ硬化型接着剤１２１を硬化させる。ＵＶ硬化型接着剤１２１は、ＵＶ光の照射を開始してから数十秒から１分程度で硬化する。なお、ＵＶ硬化型接着剤１２１とウエハー１０１との接着強度は、ＵＶ硬化型接着剤１２１とダイシングテープ１１２との接着強度よりも低くなるようにする。なお、本実施の形態では、ガラス製の平板を用いたが、ダイシングテープ１１２を保持する面の平坦性が確保でき、かつＵＶ光を透過するものであればガラス製に限らない。上記の条件を満たすものであれば、たとえば樹脂製の平板でもよい。
【００３５】
つぎに、図３に示すように、ダイシングフレーム１１４からはみ出した余分なダイシングテープ１１２をカッター１１５によって除去する。これにより、ウエハー１０１へのダイシングテープ１１２の貼り付けが完了する。つづいて、図４に示すようにウエハー１０１のおもて面側からダイシングラインに沿ってウエハー１０１を切断する。このとき、切れ込みがＵＶ硬化型接着剤１２１を貫通しない（ダイシングテープ１１２まで切れ込みが達しない）ようにする。なお、ウエハー１０１の切断には、ブレードダイシングのほか、レーザーダイシングを用いてもよい。
【００３６】
そして、図５に示すように、ウエハー１０１から外周のリブやその周辺部を取り除く。この後、ＵＶ硬化型接着剤１２１から個々のチップをピックアップする。これにより、ウエハー１０１のダイシングが完了する。
【００３７】
以上説明したように、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法は、外周端部にリブが形成されたウエハーの凹部をＵＶ硬化型接着剤で充填した状態でダイシングをおこなう。これにより、ウエハーのリブと中央部との間に隙間が生じることなく、ダイシングした際にウエハーにひびや割れ、反りが生じるのを防止することができる。
【００３８】
また、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法は、通常の半導体装置の製造方法と同様の設備を利用して実施することができる。このため、あらたな機材を導入することなく実施が可能であり、生産コストを抑えつつ、ウエハーの薄層化を含む製造工程におけるウエハーのひびや割れ、反りを低減することができる。
【００３９】
（実施の形態２）
実施の形態１では、ダイシングテープ１１２に滴下したＵＶ硬化型接着剤１２１をウエハー１０１の凹部に充填する方法について説明した。実施の形態２では、ウエハー１０１の凹部に直接ＵＶ硬化型接着剤１２１を滴下して、ＵＶ硬化型接着剤１２１を充填する方法について説明する。
【００４０】
図６〜図８は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。実施の形態２でも、実施の形態１と同様に、厚さ６５０μｍのウエハーを用いてフィールドストップ型ＩＧＢＴを作製する場合を例にして説明する。
【００４１】
まず、実施の形態１と同様の手順で、ウエハーテストまでの工程をおこなう。つぎに、図６に示すように、図示しないテープ供給機構および貼付機構によってダイシングテープ１１２にダイシングフレーム１１４を貼付する。また、ダイシングテープ１１２のダイシングテープ１１４が貼付された面と反対側の面にガラス平板１１１を置く。つぎに、加圧吸着平板１１３でウエハー１０１のおもて面を吸着して、凹部が形成されたウエハー１０１の裏面を上向きに保持する。そして、図示しない樹脂供給機構によってウエハー１０１の凹部内にＵＶ硬化型接着剤１２１を滴下する。このとき滴下するＵＶ硬化型接着剤１２１は、実施の形態１と比較して粘性が低いものが望ましい。粘性が低いＵＶ硬化型接着剤１２１を用いることにより、凹部内にＵＶ硬化型接着剤１２１を十分に充填することができる。
【００４２】
つづいて、図７に示すように、図示しない押圧機構によってウエハー１０１を吸着させた加圧吸着平板１１３をダイシングテープ１１２側（上方向）に移動させて、ＵＶ硬化型接着剤１２１をウエハー１０１の凹部内に押し広げる。このとき、加圧吸着平板１１３は移動させずに、ダイシングテープ１１２、ガラス平板１１１およびダイシングフレーム１１４をウエハー１０１側（下方向）に移動させてもよい。これにより、ウエハー１０１の凹部にＵＶ硬化型接着剤１２１が充填される。そして、ガラス平板１１１側からＵＶ光を照射し、ＵＶ硬化型接着剤１２１を硬化させる。
【００４３】
つぎに、図８に示すように、ダイシングフレーム１１４からはみ出した余分なダイシングテープ１１２をカッター１１５によって除去する。これにより、ウエハー１０１へのダイシングテープ１１２の貼り付けが完了する。この後は、実施の形態１と同様に、ウエハー１０１のおもて面側から所望のダイシングラインに沿ってウエハー１０１を切断し、ＵＶ硬化型接着剤１２１から個々のチップをピックアップする。
【００４４】
以上説明したように、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法では、ウエハー１０１の凹部に直接ＵＶ硬化型接着剤１２１を滴下する。これにより、凹部の隅々までＵＶ硬化型接着剤１２１を充填することができる。
【００４５】
なお、上述した実施の形態では、ＵＶ硬化型接着剤をウエハー１０１の凹部に充填することとしたが、これに限らず、他の樹脂を充填してもよい。また、ＵＶ硬化型接着剤ではなく、熱硬化型接着剤や２液硬化型接着剤、時間の経過とともに硬化する接着剤など、他の種類の接着剤を充填してもよい。熱硬化型接着剤を用いる場合は、ガラス平板１１１に代えて、良熱伝導性の平板を用いればよい。このとき、良熱伝導性の平板内部に、接着剤の硬化手段としてヒータを備えればよい。
【００４６】
また、上述した実施の形態では、ウエハー１０１の元の厚さを６５０μｍ、薄層化後のウエハー１０１の中央部の厚さを８０μｍとし、ウエハー１０１の中央部とリブとの段差の高さを５７０μｍとしたが、これには限らない。ウエハー１０１の元の厚さやデバイスに要求される厚さなどに合わせて、各部の厚さを適宜調整してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体製造装置は、デバイス厚の薄い半導体装置を製造するのに有用であり、特に、汎用インバータ、ＡＣサーボ、無停電電源（ＵＰＳ）またはスイッチング電源などの産業分野や、電子レンジ、炊飯器またはストロボなどの民生機器分野に用いられるＩＧＢＴなどの電力用半導体装置の製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。
【図２】実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。
【図３】実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。
【図４】実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。
【図５】実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。
【図６】実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。
【図７】実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。
【図８】実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の製造プロセスを示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０１  ウエハー
１０２  表面構造部
１１１  ガラス平板
１１２  ダイシングテープ
１１３  加圧吸着平板
１１４  ダイシングフレーム
１１５  カッター
１２１  ＵＶ硬化型接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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