(57)【要約】【課題】高い電圧を得ることができ、また、有効面積を減少させることがない太陽電池セルパネルを提供すること。【課題手段】受光面１１Ａに受けた光を光電変換する太陽電池セルパネル１４において、矩形に形成された半導体セル基板１１と、この半導体セル基板の前記受光面となる一側面に形成された反射防止膜１３とを備え、前記半導体セル基板は、一端面に第１導電型の第２半導体層３を有し他端面に第２導電型の第３半導体層５を有する第１半導体柱２と、この第１半導体柱の第２半導体層または第３半導体層のいずれか一方に設けた拡散防止層４とを、前記矩形の対向する一辺から他辺に向う前記受光面に沿う方向に順に繰り返して複数接続して設けた構成とした。【選択図】図２
2009152223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形に形成された半導体セル基板の一方の面を受光面とし、当該受光面に受けた光を光電変換する太陽電池セルパネルにおいて、
前記半導体セル基板は、一端面に第１導電型の第２半導体層を有し、前記他端面に第２導電型の第３半導体層を有する第１半導体柱と、この第１半導体柱の第２半導体層または第３半導体層の少なくともいずれか一方に設けた拡散防止層とを、前記矩形の対向する一辺から他辺に向かう前記受光面に沿う方向に順に繰り返して複数接続して設けたことを特徴とする太陽電池セルパネル。
【請求項２】
前記第１導電型の第２導体層は、ｎ型不純物を高濃度にドーピングされたｎ＋層であり、前記第２導電型の第３導体層は、ｐ型不純物を高濃度でドーピングされたｐ＋層であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池セルパネル。
【請求項３】
前記半導体セル基板の受光面および／または前記半導体セル基板の他方の面となる裏面に熱酸化膜を設けることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の太陽電池セルパネル。
【請求項４】
前記半導体セル基板の受光面に前記熱酸化膜を介して反射防止膜を設けることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池セルパネル。
【請求項５】
前記半導体セル基板の裏面に前記熱酸化膜を介して反射防止膜を設けたことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の太陽電池セルパネル。
【請求項６】
太陽電池セルパネルを接続して設けた太陽電池モジュールであって、
矩形に形成された半導体セル基板と、この半導体セル基板の一端でその矩形の一辺に沿って設けた第１取出電極と、前記半導体セル基板の他端でその矩形の他辺に沿って設けた第２取出電極と、を備え、
前記半導体セル基板は、一端面に第１導電型の第２半導体層を有し他端面に第２導電型の第３半導体層を有する第１半導体柱と、この第１半導体柱の第２半導体層または第３半導体層の少なくともいずれか一方に設けた拡散防止層とを、前記第１取出電極から前記第２取出電極に向かう前記受光面に沿う方向に順に繰り返して複数接続して設けたことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記第１取出電極および前記第２取出電極は、水平板部と垂直板部とを備え、前記第１導電型の第２半導体層が、前記垂直板部の一側面に接続され、前記第２導電型の第３半導体層が、前記垂直板部の他側面に接続されたことを特徴とする請求項６の太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記第１導電型の第２導体層は、ｎ型不純物を高濃度にドーピングされたｎ＋層であり、前記第２導電型の第３導体層は、ｐ型不純物を高濃度でドーピングされたｐ＋層であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の太陽電池モジュール。
【請求項９】
半導体ウエハを円柱状に形成した再生インゴットから切り出して形成した太陽電池セルパネルの製造方法であって、
前記半導体ウエハの表面および裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程と、
前記鏡面に研磨された半導体ウエハにｎ型不純物を拡散させて表面にｎ＋層を形成するｎ＋層形成工程と、
前記半導体ウエハの裏面にｐ型不純物を拡散させｐ＋層を形成するｐ＋層形成工程と、
前記ｐ＋層を形成した半導体ウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせて所定温度により接合させ再生インゴットを製造する接合工程と、
前記再生インゴットの軸線に平行な平面で当該再生インゴットを切断し、太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池セルパネルの製造方法。
【請求項１０】
半導体ウエハを円柱状に形成した再生インゴットから切り出して形成した太陽電池セルパネルの製造方法であって、
前記半導体ウエハの表面および裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程と、
前記鏡面に研磨された半導体ウエハにｎ型不純物を拡散させて表面にｎ＋層を形成するｎ＋層形成工程と、
前記半導体ウエハの表面のｎ＋層上に拡散防止膜を形成する拡散防止膜形成工程と、
前記拡散防止膜を形成した前記半導体ウエハの裏面をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチングした半導体ウエハの裏面にｐ型不純物を拡散させてｐ＋層を形成するｐ＋層形成工程と、
前記ｐ＋層を形成した半導体ウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせて所定温度により接合させ再生インゴットを製造する接合工程と、
前記再生インゴットの軸線に平行な平面で当該再生インゴットを切断し太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、
切り出した前記半導体セル基板を平坦化すると共に、前記半導体セル基板の加工変質層を取除く変質層除去工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池セルパネルの製造方法。
【請求項１１】
正規製品である半導体ウエハとして利用できないスクラップウエハを円柱状の再生インゴットにして切り出して形成した太陽電池セルパネルの製造方法であって、
前記スクラップウエハに形成された膜を除去する膜除去工程と、
前記スクラップウエハの膜を除去した表面および裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程と、
前記鏡面に研磨されたスクラップウエハにｎ型不純物を拡散させて表面にｎ＋層を形成するｎ＋層形成工程と、
前記スクラップウエハの裏面にｐ型不純物を拡散させてｐ＋層を形成するｐ＋層形成工程と、
前記ｐ＋層を形成した前記スクラップウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせて所定温度により接合させ再生インゴットを製造する接合工程と、
前記製造した再生インゴットの軸線に平行な平面で当該再生インゴットを切断し、太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池セルパネルの製造方法。
【請求項１２】
正規製品である半導体ウエハとして利用できないスクラップウエハを円柱状の再生インゴットにして切り出して形成した太陽電池セルパネルの製造方法であって、
前記スクラップウエハに形成された膜を除去する膜除去工程と、
前記スクラップウエハの膜を除去した表面および裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程と、
前記鏡面に研磨された前記スクラップウエハの表面にｎ型不純物を拡散させて表面および裏面にｎ＋層を形成するｎ層形成工程と、
前記スクラップウエハの表面のｎ＋層上に拡散防止膜を形成する拡散防止膜形成工程と、
前記拡散防止膜を形成した前記スクラップウエハの裏面をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチングした前記スクラップウエハの裏面にｐ型不純物を拡散させてｐ＋層を形成するｐ＋層形成工程と、
前記ｐ＋層を形成した前記スクラップウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせて、所定の温度により接合させ再生インゴットを製造する接合工程と、
前記製造した再生インゴットの軸線に平行な平面で当該再生インゴットを切断し、太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、
切り出した前記半導体セル基板を平坦化すると共に、前記半導体セル基板の加工変質層を取除く変質層除去工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池セルパネルの製造方法。
【請求項１３】
半導体ウエハを円柱状に形成した再生インゴットから切り出して形成した太陽電池セルパネルを用いて設けた太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記半導体ウエハの表面および裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程と、
前記鏡面に研磨された半導体ウエハにｎ型不純物を拡散させて表面にｎ＋層を形成するｎ＋層形成工程と、
前記半導体ウエハの裏面にｐ型不純物を拡散させｐ＋層を形成するｐ＋層形成工程と、
前記ｐ＋層を形成した半導体ウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせて所定温度により接合させ再生インゴットを製造する接合工程と、
前記再生インゴットの軸線に平行な平面で当該再生インゴットを切断し、太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、
前記太陽電池セルパネルのｎ＋層となる一端に第１取出電極を設けると共に、当該太陽電池セルパネルのｐ＋層となる他端に第２取出電極を設ける電極設置工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１４】
正規製品である半導体ウエハとして利用できないスクラップウエハを円柱状の再生インゴットにして切り出して形成した太陽電池セルパネルを用いて設けた太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記スクラップウエハに形成された膜を除去する膜除去工程と、
前記スクラップウエハの膜を除去した表面および裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程と、
前記鏡面に研磨された半導体ウエハにｎ型不純物を拡散させて表面にｎ＋層を形成するｎ＋層形成工程と、
前記スクラップウエハの裏面にｐ型不純物を拡散させｐ＋層を形成するｐ＋層形成工程と、
前記ｐ＋層を形成した前記スクラップウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせて所定温度により接合させ再生インゴットを製造する接合工程と、
前記製造した再生インゴットの軸線に平行な平面で当該再生インゴットを切断し、太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、
前記半導体セル基板に反射防止膜を設けた太陽電池セルパネルのｎ＋層となる一端に第１取出電極を設けると共に、当該太陽電池セルパネルのｐ＋層となる他端に第２取出電極を設ける電極設置工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハ等の半導体ウエハまたは不良品となり製品として使用できないスクラップウエハを使用して形成される太陽電池セル、太陽電池モジュール、太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、太陽電池セルパネル（太陽電池パネル）を用いて形成される太陽電池モジュールは、様々な構成のものが提案されている。直列接続により実用的な電圧出力が得られる従来の太陽電池パネルの例を、図６および図７を参照して説明する。図６は、従来の直列接続構造の太陽電池パネルの製造プロセスを示す図、図７は他の従来の構成の太陽電池パネルに使用するシリコン基板を模式的に示す斜視図である。
【０００３】
図６に示す直列接続構造の太陽電池パネルは、集光型太陽電池として開発された例であるが、アルミニウム箔を挟んでシリコンウエハを接合することにより直列接続構造としている（例えば、非特許文献1）。
【０００４】
この構造の太陽電池は、個々のシリコン半導体のｐｎ接合面に対して垂直方向から光を入射するため、直列垂直接合型太陽電池として知られ、高密度集光用として、また高電圧用途として開発されてきた。
【０００５】
また、他の構成の太陽電池パネルとしては、その光起電力素子が、図７に示すように、ベース半導体層としての単結晶シリコンウエハ上において渦巻き状に形成した光電変換ユニット１１１を設けたものである。光電変換ユニット１１１は、渦巻き状に形成されるため、その渦巻き状のラインに沿ってｎ型半導体層１１１ａとｐ型半導体層１１１ｂとが直列に接続され、抵抗体層１１１ｃにより境界領域ごとに仕切られた状態となっている。また、渦巻き状のラインの内側と外側との境界領域においても抵抗体となる層の隙間１１１ｄが形成されている。このような構成の光起電力素子は、直列に接続されているため、高い電圧を発生させることができるものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【非特許文献１】Conference Record of the 10th Photovoltaic Specialists Conference, p118 (1973)
【特許文献１】特許第３４０００４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の太陽電池セルパネル（太陽電池パネル）では、以下に示すような問題点が存在していた。
非特許文献１，特許文献１の従来技術の例では、シリコンウエハのｎ型層側とp型層側をアルミニウム箔で接合するため、高温での接合工程の間に、アルミニウムの拡散によりｎ型層がｐ型化されるため変換効率が著しく劣化するという問題点があった。
また、受光表面や裏面での表面再結合による電流損失も変換効率を低下させる要因となっていた。
特許文献２に記載の光起電力素子では、光電変換ユニットが直列に接続される構造ではあるが、渦巻き状であるため、製造することが困難となり、また、渦巻き状のラインの内側と外側の境界領域に抵抗体となる隙間を形成する必要があり、有効面積を減少させる構造であった。
また、この光起電力素子を太陽電池セルパネルとして複数枚使用して太陽電池モジュールを製造する場合、直接接続して、より高い電圧を得ることと、小型で安価に製造することが困難であった。
【０００８】
本発明は前記の問題に鑑み創案されたものであり、高い電圧を得ることができ、また、有効面積を減少させることがない太陽電池セルパネルおよび太陽電池セルパネルの製造方法を提供すると共に、その太陽電池セルパネルを利用してより高い電圧を得ることができ、さらに、小型で安価に製造することができる太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記課題を解決するために、つぎのような太陽電池セルパネルとした。すなわち、矩形に形成された半導体セル基板の一方の面を受光面とし、当該受光面に受けた光を光電変換する太陽電池セルパネルにおいて、前記半導体セル基板は、一端面に第１導電型の第２半導体層を有し、前記他端面に第２導電型の第３半導体層を有する第１半導体柱と、この第１半導体柱の第２半導体層または第３半導体層のいずれか一方に設けた拡散防止層とを、前記矩形の対向する一辺から他辺に向かう前記受光面に沿う方向に順に繰り返して複数接続して設けた構成とした。
【００１０】
このように構成したことで、太陽電池セルパネルは、受光面の全面に亘って、拡散防止層と、前記第１導電型の第２半導体層と、前記第１半導体柱と、前記第２導電型の第３半導体層と、をその順に繰り返して配置されるため、直列に太陽電池単位セルが接続された状態となり、受光面に沿った方向に電位差を生じさせ高い電圧を発生させることができる。そして、拡散防止層が、単位セルの第１導電型の第２半導体層と、隣接する単位セルの第２導電型の第３半導体層との間に配置されることになり、第２半導体層と第３半導体層の間の不純物の相互拡散を防止すると同時に拡散防止層自体の構成元素の拡散を防止し、接合界面でのキャリア再結合による損失を低減して変換効率を向上させる。
【００１１】
また、前記太陽電池セルパネルにおいて、前記第１導電型の第２導体層は、ｎ型不純物を高濃度にドーピングされたｎ＋層であり、前記第２導電型の第３導体層は、ｐ型不純物を高濃度でドーピングされたｐ＋層である構成とした。
このように構成したことで、太陽電池セルパネルは、ｎ＋層とｐ＋層との間でより大きな起電力が発生して、より高い電圧を取り出すことができる。
【００１２】
さらに、前記太陽電池セルパネルにおいて、前記受光面および／または前記受光面の裏面に熱酸化膜を設ける構成とした。
このように構成したことで、受光面（半導体セル基板の一方の面）および／または受光面の裏面（半導体セル基板の他方の面）でのキャリア再結合による損失を低減して変換効率を向上させることができる。
また、前記熱酸化膜を介して受光面に反射防止膜を設けたり、半導体セル受光面の裏面に反射防止膜を設けたりすることにより、反射を低減して変換効率を向上させることができる。
【００１３】
そして、太陽電池セルパネルを接続して設けた太陽電池モジュールとしては、矩形に形成された半導体セル基板と、この半導体セル基板の一端でその矩形の一辺に沿って設けた第１取出電極と、前記半導体セル基板の他端でその矩形の他辺に沿って設けた第２取出電極と、を備え、前記半導体セル基板は、一端面に第１導電型の第２半導体層を有し他端面に第２導電型の第３半導体層を有する第１半導体柱と、この第１半導体柱の第２半導体層または第３半導体層の少なくともいずれか一方に設けた拡散防止層とを、前記第１取出電極から前記第２取出電極に向かう前記受光面に沿う方向に順に繰り返して接続して設け、前記第１導電型の第２半導体層と、前記第１半導体柱と、前記第２導電型の第３半導体層とを、その順に繰り返して直列に形成する構成とした。
【００１４】
このように構成したことで、太陽電池モジュールは、受光面で受けた光を、その受光面に沿って直列に接続された状態となる第１導電型の第２半導体層と第１半導体柱と第２導電型の第３半導体層とが拡散防止層を介して光電変換し、各接合界面に生じる電位差により発生する起電力を、第１取出電極および第２取出電極を介して取り出すことができる。
【００１５】
また、太陽電池モジュールにおいて、前記第１取出電極および前記第２取出電極は、水平板部と垂直板部とを備え、前記第１導電型の第２半導体層が、前記垂直板部の一側面に接続され、前記第２導電型の第３半導体層が、前記垂直板部の他側面に接続された構成とした。
【００１６】
このように構成したことで、太陽電池モジュールは、第１取出電極および第２取出電極に太陽電池セルパネルを直列に接続できるため、より大きな電圧を発生させることが可能となる。
【００１７】
さらに、前記太陽電池モジュールにおいて、前記第１導電型の第２導体層は、ｎ型不純物を高濃度にドーピングされたｎ＋層であり、前記第２導電型の第３導体層は、ｐ型不純物を高濃度でドーピングされたｐ＋層である構成とした。
このように構成したことで、太陽電池モジュールは、ｎ＋層とｐ＋層との間でより大きな電圧差が発生してより高い電圧により起電力を取り出すことができる。
【００１８】
また、太陽電池セルパネルの製造方法については、つぎのような手順とした。すなわち、半導体ウエハを円柱状に形成した再生インゴットから切り出して形成した太陽電池セルパネルの製造方法であって、鏡面研磨工程と、ｎ＋層形成工程と、ｐ＋層形成工程と、再生インゴットを製造する接合工程と、半導体セル基板を切り出す切出工程と、による太陽電池セルパネルの製造方法とした。
【００１９】
このような手順により、太陽電池セルパネルの製造方法では、鏡面研磨工程により、鏡面研磨した半導体ウエハの表面にｎ＋層形成工程によりｎ型不純物をドーピングしてｎ＋層を形成し、かつ、半導体ウエハの裏面に、ｐ＋層形成工程によりｐ型不純物をドーピングしてｐ＋層を形成する。そして、この製造方法では、接合工程により、ｎ＋層およびｐ＋層を形成した半導体ウエハをその結晶方位を揃えて重ね合わせ所定温度により接合させて再生インゴットを製造する。さらに、この製造方法では、切出工程により、再生インゴットをその軸線に平行な平面で切断し、太陽電池で使用する半導体セル基板を切り出す。この半導体セル基板は、切り出す位置により面積が異なる状態になる（長さは一定で幅が異なる）が、同じ幅の半導体セル基板を第１取出電極および第２取出電極に平行に配置することで幅によらず直列に配置できる。
【００２０】
なお、太陽電池セルパネルの製造方法については、つぎのような手順としてもよい。すなわち、太陽電池セルパネルの製造方法は、鏡面研磨工程と、ｎ＋層形成工程と、拡散防止膜形成工程と、エッチング工程と、ｐ＋層形成工程と、接合工程と、切出工程と、を含むこととした。
【００２１】
このような手順により、太陽電池セルパネルの製造方法では、受光面に沿って、拡散防止膜とｎ＋層と半導体（柱）とｐ＋層とが直列に接続されて、単位セルのｎ＋層と隣接する単位セルのｐ＋層との間に拡散防止膜が設けられる。そのため、太陽電池セルパネルの製造方法では、ｎ＋層とｐ＋層の間の不純物の相互拡散が抑制されるため、光電変換の変換効率を上げることができる半導体セル基板を作成することができる。
【００２２】
また、太陽電池セルパネルの製造方法は、正規製品である半導体ウエハとして利用できないスクラップウエハを円柱状の再生インゴットにして切り出して行っている。つまり、太陽電池セルパネルの製造方法は、膜除去工程と、鏡面研磨工程と、ｎ＋層形成工程と、ｐ＋層形成工程と、再生インゴットを製造する接合工程と、太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、を含むこととした。
【００２３】
このような手順により、太陽電池セルパネルの製造方法は、はじめに、膜除去工程によりスクラップウエハに形成されている膜を除去して、鏡面研磨工程により鏡面研磨した半導体ウエハの表面に、ｎ＋層形成工程によりｎ型不純物をドーピングしてｎ＋層を形成し、かつ、半導体ウエハの裏面に、ｐ＋層形成工程によりｐ型不純物をドーピングしてｐ＋層を形成する。そして、この製造方法では、接合工程により、ｎ＋層およびｐ＋層を形成した半導体ウエハをその結晶方位を揃えて重ね合わせ所定温度により接合させて再生インゴットを製造する。さらに、この製造方法では、切出工程により、再生インゴットをその軸線に平行な平面で切断し、太陽電池で使用する半導体セル基板を切り出す。
【００２４】
さらに、太陽電池セルパネルの製造方法については、つぎのような手順としてもよい。すなわち、太陽電池セルパネルの製造方法は、前記スクラップウエハに形成された膜を除去する膜除去工程と、前記スクラップウエハの膜を除去した表面および裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程と、前記鏡面に研磨された前記スクラップウエハの表面にｎ型不純物を拡散させてｎ＋層を形成するｎ＋層形成工程と、前記スクラップウエハの表面のｎ＋層上に拡散防止膜を形成する拡散防止膜形成工程と、前記拡散防止膜を形成した前記スクラップウエハの裏面をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングした前記スクラップウエハの裏面にｐ型不純物を拡散させてｐ＋層を形成するｐ＋層形成工程と、前記ｐ＋層を形成した前記スクラップウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせて、所定の温度により接合させ再生インゴットを製造する接合工程と、前記製造した再生インゴットの軸線に平行な平面で当該再生インゴットを切断し、太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、切り出した前記半導体セル基板を平坦化すると共に、前記半導体セル基板の加工変質層を取除く変質層除去工程と、を含むこととした。
【００２５】
このような手順により、太陽電池セルパネルの製造方法では、スクラップウエハを利用して、受光面に沿って、拡散防止膜とｎ＋層とｐ型半導体とｐ＋層とが直列に接続されて、ｎ＋層とｐ＋層の間の不純物の相互拡散が抑制されるため、光電変換の変換効率を上げることができる半導体セル基板を作成することができる。
【００２６】
また、太陽電池モジュールの製造方法については、つぎのような手順としている。すなわち、半導体ウエハを円柱状に形成した再生インゴットから切り出して形成した太陽電池セルパネルを用いて設けた太陽電池モジュールの製造方法であって、鏡面研磨工程と、ｎ＋層形成工程と、ｐ＋層形成工程と、再生インゴットを製造する接合工程と、太陽電池用の半導体セル基板を切り出す切出工程と、電極設置工程と、を含むこととした。
【００２７】
このような手順により、太陽電池モジュールの製造方法は、ｎ＋層およびｐ＋層が受光面にそって直列に配置される半導体セル基板を用いて、大きな電圧を発生させる太陽電池モジュールを容易に製造することができる。
【００２８】
さらに、太陽電池モジュールの製造方法については、つぎのような手順により正規製品ではないスクラップウエハを利用して製造している。すなわち、正規製品である半導体ウエハとして利用できないスクラップウエハを円柱状の再生インゴットにして切り出して形成した太陽電池セルパネルの製造方法であって、膜除去工程と、鏡面研磨工程と、ｎ＋層形成工程と、ｐ＋層形成工程と、再生インゴットを製造する接合工程と、半導体セル基板を切り出す切出工程と、電極設置工程と、を含むこととした。
【００２９】
このような手順により、太陽電池モジュールの製造方法は、スクラップウエハを再利用して、ｎ＋層、半導体およびｐ＋層が受光面にそって直列に配置される半導体セル基板を製造し、その半導体セル基板により、大きな電圧を発生させる太陽電池モジュールを容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係る太陽電池セルパネル、太陽電池モジュール、太陽電池セルパネルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法は、つぎに示すように優れた効果を奏するものである。
太陽電池セルパネルは、拡散防止層と第１導電型の第２半導体層と第１半導体柱と第２導電型の第３半導体層とからなる単位セルを複数、受光面に沿って繰り返し接続して直列に形成しているので、受光面の有効面積が広く、かつ、光電変換の高効率化を実現することができる。
太陽電池セルパネルは、単位セルの第１導電型の第２半導体層と、隣接する単位セルの第２導電型の第３半導体層との間に拡散防止層を備えることで、第２半導体層と第３半導体層の間の導電型の異なる不純物の相互拡散が抑制されるため、キャリア再結合による損失を低減して変換効率を向上させることができる。
太陽電池セルパネルは、高濃度のｎ＋層およびｐ＋層により変換効率をさらに向上させて高い電圧（電力）を発生させることができる。
【００３１】
また、太陽電池モジュールは、再生インゴットから切り出した半導体セル基板を使用することで、小型のものから所定の大きさのものまで構成でき、かつ、受光面に沿って、一組のｎ層とｐ層からなる単位セルが直列となるため、従来と比較して大きな起電力を発生することができる。
【００３２】
太陽電池モジュールは、スクラップウエハを使用して、受光面に沿って、一組のｎ＋層とｐ＋層とからなる単位セルが直列となる半導体セル基板によりなる太陽電池セルパネルを用いて作成されるため、リサイクル性に優れ、また、従来と比較して大きな起電力を発生することができる。
【００３３】
さらに、太陽電池セルパネルの製造方法では、半導体ウエハを重ねて作成した再生インゴットから半導体セル基板を切り出し太陽電池セルパネルを製造するため、既存の設備を用いて、受光面に沿ってｎ＋層とｐ＋層の単位セルが直列となり、従来と比較して大きな起電力を発生することができる太陽電池セルパネルを作成することができる。
【００３４】
太陽電池セルパネルの製造方法では、スクラップウエハを使用して、作成した再生インゴットから半導体セル基板を切り出して、受光面に沿ってｎ＋層とｐ＋層の単位セルが直列となり、従来と比較して大きな起電力を発生することができる太陽電池セルパネルを製造することができる。
【００３５】
さらに、太陽電池モジュールの製造方法では、受光面に沿ってｎ＋層とｐ＋層の単位セルが直列となる太陽電池セルパネルの両端に第１取出電極および第２取出電極を設置して、起電力を取出すことができため、太陽電池セルパネルをさらに直列に設置でき、かつ、太陽電池セルパネルの大きさに合わせた太陽電池モジュールを製造することができる。したがって、従来と比較して大きな起電力を効率よく取り出す太陽電池モジュールを製造することができる。なお、太陽電池モジュールの製造方法では、スクラップウエハを利用しても起電力を効率よく取り出す太陽電池モジュールとして製造できるため、リサイクル性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
図１（ａ）〜（ｇ）は、半導体ウエハから再生インゴットを作成する工程を示す説明図、図２（ａ）〜（ｅ）は、再生インゴットから半導体セル基板を切出して太陽電池セルパネルを製造する工程を示す説明図、図３は太陽電池モジュールの一部を切り欠いて、かつ断面にして模式的に示す斜視図、図４は太陽電池モジュールの製造方法の手順を示すフローチャートである。
【００３７】
図２（ｅ）および図３に示すように、太陽電池モジュール１は、太陽電池セルパネル１４を用いて製造される。はじめに、ここでは、太陽電池セルパネル１４の構成から説明する。なお、太陽電池セルパネル１４は、ｐ型の半導体基板を使用した例として説明する。
太陽電池セルパネル１４は、半導体セル基板１１と、この半導体セル基板１１の表面に設けた反射防止膜１３とを備えている。半導体セル基板１１は、拡散防止層（拡散防止膜）４と、第１導電型の第２半導体層としてのｎ型層（ｎ＋層）３と、第１半導体柱としてのｐ型となるシリコン基板２と、第２導電型の第３半導体層としてのｐ型層（ｐ＋層）５とが単位セルとして、矩形の対向する一辺側から他辺側に向かって繰り返し配置された状態に形成されて受光面１１Ａを構成している。
【００３８】
なお、ここでは、半導体セル基板１１は、後記するように、表面に、拡散防止層４と、第１導電型の第２半導体層としてのｎ型層３を形成し、裏面に第２導電型の第３半導体層としてのｐ型層５を形成した第１半導体（第１半導体柱）としてのシリコン基板２となる半導体ウエハ９を重ねて製造した再生インゴット１０の軸線に平行な平面で切断することで、作成されている。
【００３９】
図１（ｂ)、（ｃ）、（ｅ）に示すように、半導体セル基板１１のｎ型層３は、ｎ型不純物として、例えば、リン（Ｐ）を高濃度にドーピング（拡散）させたことにより形成されている。また、拡散防止膜としてｎ型層３上に形成される拡散防止層４は、ニッケル、チタン、タングステン、タンタル、モリブデン（Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ）またはこれらのいずれか一種とシリコン（Ｓｉ）との化合物がスパッタリングにより形成されることで設けられている。さらに、半導体セル基板１１のｐ型層５は、アルミニウム（Ａｌ）がスパッタリング、真空蒸着により設けられて熱処理されるか、あるいは、ホウ素（Ｂ）がＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）として塗布されて加熱処理され、ＢＳＧを除去することで、高濃度に形成されている。
なお、各層の典型的な厚さは、一例として、拡散防止層４：数ｎｍ〜数１００ｎｍ、ｎ層３：０．１μｍ〜１μｍ、シリコン基板２：５００μｍ〜１０００μｍ、ｐ層５：０．１μｍ〜１μｍである。また、ｎ＋およびｐ＋となる高濃度の基準は、１×１０１７ｃｍ-3程度以上である。
【００４０】
半導体セル基板１１の受光面１１Ａは、拡散防止層４、ｎ型層３と、ｐ型となるシリコン基板２と、ｐ型層５とがその順で連続して一端から他端まで形成されており、その最表面を加熱して形成される熱酸化膜１２が設けられている。そして、半導体セル基板１１は、熱酸化膜１２の上に反射防止膜１３を形成することで、太陽電池セルパネル１４として構成されている。
【００４１】
また、太陽電池セルパネル１４の両端に第１取出電極１５ａおよび第２取出電極１５ｂを設けて、さらに、必要となる太陽電池用のモジュール部品を接続することで太陽電池モジュール１とすることができる。なお、太陽電池モジュール１とした場合、受光面１１Ａに反射防止膜１３、熱酸化膜１２を介して光が照射されると、拡散防止層４、ｎ型層３と、ｐ型のシリコン基板２と、ｐ型層５とが直列で接続されているため、太陽電池セルパネル１４の両端に電位差が生じる。一例として、１５０枚の半導体ウエハ９が接続された再生インゴット１０から製造した太陽電池セルパネル１４を使用する太陽電池モジュールでは、出力電圧として約１００Ｖを取り出すことができる。
【００４２】
つぎに、太陽電池セルパネル１４を用いた太陽電池モジュール１の製造方法を図１、図２および図４を参照して説明する。
図１（ａ）および図４に示すように、単結晶のインゴットから基板状に切出したシリコンウエハである半導体ウエハ９の表面および裏面を鏡面研磨する鏡面研磨工程Ｓ１を行う。そして、図１（ｂ）および図４に示すように、鏡面研磨した半導体ウエハ９にリン（Ｐ）をドーピングして表面および裏面にｎ＋層を形成するｎ＋層形成工程Ｓ２を行う。
【００４３】
そして、図１（ｃ）および図４に示すように、半導体ウエハ９の表面となるｎ型層３の上面にニッケル、チタン、タングステン、タンタル、モリブデン（Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ）またはこれらのいずれか一種とシリコン（Ｓｉ）との化合物である拡散防止層４となる拡散防止膜をスパッタリング等の形成手段を介して形成する拡散膜成形工程Ｓ３を行う。
さらに、図１（ｄ）および図４に示すように、半導体ウエハ９の裏面のｎ型層をエッチングにより除去するエッチング工程Ｓ４を行う。
【００４４】
つづいて、図１（ｅ）および図４に示すように、半導体ウエハ９の裏面に、ｐ型不純物としてのアルミニウム（Ａｌ）を拡散させｐ型層５を形成するｐ＋層形成工程Ｓ５を行う。このｐ＋層形成工程Ｓ５は、スパッタリングや真空蒸着により膜厚１０ｎｍ〜数μｍのＡｌ膜を成膜する場合には、後記する再生インゴット１０を製造するときに、熱処理の間に、ＡｌがＳｉ中に拡散してｐ＋層となるｐ型層５を形成する。
【００４５】
また、ｐ＋層形成工程Ｓ５において、ホウ素（Ｂ）を用いる場合には、つぎのような手順による。すなわち、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）を半導体ウエハ９の裏面に塗布し、熱処理を行うことで、ＢがＳｉ中に拡散してｐ＋層であるｐ型層５を形成する。その後、後記する再生インゴット１０を製造する前に、ＢＳＧをフッ素酸等で除去する。なお、このＢを用いるときには、重なる位置の半導体ウエハ９には、拡散防止層４があることが望ましい。
【００４６】
図１（ｆ）および図４に示すように、裏面にｐ型層５を形成した半導体ウエハ９をノッチ８を揃えることで結晶方位を揃え重ね合わせて整列させた状態で、電熱炉（図示せず）中に入れて、例えば、２００〜１１００℃の範囲において、一定の圧力をかけた状態で、所定時間、加熱することで、重なり合う半導体ウエハ９を接合させ再生インゴット１０を作製する接合工程Ｓ６を行う。
なお接合工程Ｓ６において、半導体ウエハ９が自然酸化膜で界面が覆われている場合、２００℃未満ではウエハ界面が自然酸化膜表面の水酸基同士の水素結合による接着にとどまっており、十分な接合強度を得ることができない。また、加熱温度が１０００℃を超えると、接合面での剥離することはなくなり、十分な接合強度を得ることができる。
【００４７】
したがって、接合工程Ｓ６における加熱温度の最適範囲は、ウエハ表面の酸化膜の構造や厚みにもよるが２００℃以上であり、ここでは下限値を５００℃以上としている。また、接合工程Ｓ６での加熱温度の上限値は、１１００℃以下において、ここでは、１０００℃以下としている。したがって、加熱温度は２００℃以上１１００℃以下とし、さらに好ましい温度範囲として、５００℃以上１０００℃以下としている。また、加熱時間は、使用する炉の種類や大きさ、接合させるウエハ厚みや、直径により異なるが、実用的には、１時間〜１０時間である。なお、炉内雰囲気は、塵埃の付着等が問題にならない清浄なものであれば、特に限定されるものではない。この接合工程Ｓ６により複数枚の半導体ウエハ９が円柱状の再生インゴット１０として製造される。なお、ここでは、所定圧力は例えば、０．１ＭＰａ以上であり、また、加熱所定時間は、例えば、３０分以上である。
【００４８】
図２（ａ）、（ｂ）および図４に示すように、再生インゴット１０が作製されたら、再生インゴット１０の軸線に平行な平面で、ワイヤソーＷｓ等の切断手段により、太陽電池として使用される半導体セル基板１１の板厚となるように切断して半導体セル基板１１を切出す切出工程Ｓ７を行う。切出した半導体セル基板１１の板厚は、例えば、１００〜３００μｍ程度である。
【００４９】
なお、切出された半導体セル基板１１は、再生インゴット１０の切出された位置により板幅寸法が異なる板状となる。例えば、３００ｍｍの再生インゴット１０であれば、切代が２００μｍ程度とすると、基板厚さを２００μｍとした場合、厚さ１００ｍｍのインゴットから１００×２００ｍｍの基板が５００枚以上切出すことができる。また、切出した半導体セル基板１１は、その大きさを揃えるために、スライス前にインゴット１０から幅２００ｍｍに切り出すことで同じ大きさとして切出しても構わない。
【００５０】
また、切出された半導体セル基板１１は、平坦化されると共に、半導体セル基板１１の表面の加工変質層を取除く変質層除去工程Ｓ８が行われる。ここで行われる変質層除去工程Ｓ８は、いわゆるラッピング工程、薬品洗浄を行うエッチング工程である。ラッピング工程は、半導体セル基板１１を研磨（ラッピング）して切断加工歪層を小さくし、厚みのばらつきやムラを小さくしている。また、エッチング工程は、ラッピングした半導体セル基板１１の表面の切断加工歪層を薬品洗浄（エッチング）により完全に除去すると同時に、基板表面に付着した研磨剤、ワックス、金属不純物、パーティクル（付着ごみ）を除去する。
【００５１】
図２（ｃ）、（ｄ）および図４に示すように、半導体セル基板１１の表面（受光面）に表面テクスチャリングとして熱酸化膜１２を形成し（酸化膜形成工程）、形成した熱酸化膜１２の上に反射防止膜１３を形成する反射防止膜形成工程Ｓ９を行うことで太陽電池セルパネル１４を製造する。反射防止膜１３を形成することで、受光面１１Ａにおける反射が低減され、また、表面再結合が低減される。
【００５２】
図２（ｅ）および図４に示すように、太陽電池セルパネル１４の両端に第１取出電極１５ａおよび第２取出電極１５ｂとなる取出電極１５が設置される取出電極設置工程Ｓ１０が行われる。なお、第１取出電極１５ａおよび第２取出電極１５ｂは、例えば、銅箔のような可撓性の板で、半導体セル基板１１の端面にはんだ等で接合される。そして、半導体セル基板１１の裏面と第１取出電極１５ａおよび第２取出電極１５ｂとは、例えば、絶縁膜、絶縁シート等により接触しないように構成されている。
また、太陽電池用のモジュール部品として必要な部材が接続される（モジュール接続工程Ｓ１１）ことで、太陽電池モジュール１として製造される。
【００５３】
なお、図１ないし図４では、太陽電池セルパネルおよび太陽電池モジュールを製造する場合に、単結晶の半導体ウエハ９である単結晶シリコンウエハを用いる例として説明したが、半導体ウエハ９は、製造工程において発生する不良なシリコンウエハや、製品として扱う前のテストで使用されるテスト用シリコンウエハ等、正規製品として使用できないシリコンウエハであるスクラップウエハであっても構わない。
【００５４】
このスクラップウエハを用いて太陽電池セルパネル１４および太陽電池モジュール１を製造する場合について、図５を参照して説明する。なお、すでに、図１から図４において説明した同じ工程および構成については、同じ符号を付して説明を省略する。図４におけるフローチャートとの異なる工程は、はじめに、スクラップウエハにすでに形成されている膜を除去する膜除去工程Ｓ０および膜除去工程Ｓ０の前後で行われるウエハを分類するための工程を行うことである。
【００５５】
スクラップウエハを使用する場合には、各種サイズや、膜の有無による選別を行った上で、膜除去工程Ｓ０を行っている。以下、形状分類工程としてサイズ別分類工程および膜の有無分類工程が行われた後に、膜除去工程Ｓ０が行われる手順について説明する。
形状分類工程ＳＡは、スクラップウエハの外形を測定してサイズ別に分類するサイズ別分類工程ＳＡ１と共に、スクラップウエハの表面に膜（酸化膜、表面電極膜等）の有無により分類する膜の有無分類工程ＳＡ２とを行う工程である。なお、スクラップウエハに形成されている膜は、より具体的には、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ等の金属膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜等である。
【００５６】
この形状分類工程ＳＡは、スクラップウエハのサイズ別に分類するサイズ別分類工程ＳＡ１と、スクラップウエハの表面に形成された膜の有無により分類する膜の有無分類工程ＳＡ２とを、どちらを先に行っても構わない。
【００５７】
形状分類工程ＳＡにおいてサイズ別にスクラップウエハを分類する場合には、例えば、スクラップウエハのサイズとしては、直径３００ｍｍ、２００ｍｍである場合がほとんどで、その他、１５０ｍｍ、１２５ｍｍ、１００ｍｍの直径のものもあるが、数としては少ない。そのため、サイズ別分類工程ＳＡ１は、搬送径路中あるいは測定位置において、図示しない測定手段を使用して行う。測定手段は、例えば、スクラップウエハの側面に接触する複数の触針によりサイズを測定して判別するものである。
【００５８】
また、サイズ別分類工程ＳＡ１では、スクラップウエハの外形サイズ（直径）が測定されて分類できる手段であればよく、例えば、スクラップウエハの映像からサイズを測定して判別することや、さらに、スクラップウエハに光（レーザ光）を走査して外径を計測することでサイズ別に分類すること等であっても構わない。なお、サイズ別分類工程ＳＡ１では、サイズの測定（計測）を、スクラップウエハの搬送径路中であっても、搬送先の測定箇所において行っても構わない。
【００５９】
形状分類工程ＳＡにおいて膜の有無により分類する膜の有無分類工程ＳＡ２は、スクラップウエハの表面または裏面に膜が有るか無いかにより分類する工程である。この膜の有無分類工程は、図示しない検出手段により膜の有無を検出して分類している。検出手段は、例えば、搬送径路中あるいは検出位置にスクラップウエハの載置面に接触できる窓部があり、その窓部からと、その窓部に対向する上方からスクラップウエハの表裏面に探針（図示せず）を接触させることで表面抵抗を測定して判定している。すなわち、スクラップウエハの表面側の抵抗と、スクラップウエハの裏面側の抵抗とが一致する場合には、膜が無いと判定し、また、一致しない場合には、膜が有ると判定することで、スクラップウエハの表裏に膜の有無を判定している。なお、スクラップウエハの表面および裏面に光を当てて、その当てた光の反射状態により、膜の有無を判定するようにしても構わない。また、膜の有無分類工程ＳＡ２では、スクラップウエハの一面の表面抵抗を測定し、次に、反転させて他面の表面抵抗を測定するようにしても構わない。
【００６０】
膜除去工程Ｓ０は、スクラップウエハに形成されている膜を除去する工程である。この膜除去工程Ｓ０は、機械的手段あるいは化学的手段である膜除去手段により、スクラップウエハの膜を除去している。膜除去手段は、例えば、機械的手段であるグラインディング、ラッピング（平坦面研磨）、ブラストにより表面の膜を除去することや、あるいは、化学的手段である化学エッチングを行うことで表面の膜を除去する。なお、膜除去工程Ｓ０は、膜除去手段である機械的手段および化学的手段の両方を行っても構わない。
【００６１】
また、化学エッチングによる膜の除去は、例えば、フッ酸、フッ酸と硝酸の混合物、硝酸、硫酸と過酸化水素の混合物、塩酸、フッ酸と塩酸の混合物などの無機酸類、水酸化カリウム（ナトリウム）水溶液、水酸化四級アルキルアンモニウム水溶液などのアルカリ溶液類が主に使用される。また、スクラップウエハの膜がレジストなど有機皮膜であった場合には、アルカノールアミンに代表される有機アミン類も使用される。膜の除去を行う場合、これらの薬液に、スクラップウエハを浸漬させ各種膜を溶解あるいは剥離させる。なお、レジスト（膜）が有機皮膜であるか否かの判断は、目視による外観観察、有機溶剤への溶解試験、膜の一部を採取して赤外分光分析を実施するなどで判断できる。
【００６２】
スクラップウエハから膜の溶解あるいは剥離を行う際、液の攪拌、循環、スクラップウエハを浸漬させた容器、あるいは、スクラップウエハを載置している載置面を振動させる動作を併用しても構わない。また、複数種類の薬液を組み合わせて膜の除去を行うこともあり、例えば、水酸化ナトリウム水溶液で処理した後、フッ酸に浸漬させることで、スクラップウエハの膜を除去している。なお、ここでは通常は化学的手段により膜除去を試み、それだけでは膜を除去できない場合に機械的手段を採用している。ウエハ表面にパターンの跡が存在する場合には機械的手段が必須となる。また、化学的性質が極端に異なる複数の膜が積層されている場合、単一の薬液では全ての膜を除去できないので、例えば、有機溶剤に浸漬して、レジスト膜を除去した後にフッ酸に浸漬して残りの金属膜や誘電体膜を除去する。あるいは、銅や銀のような貴な金属膜が存在する場合、硝酸に浸漬してそれらを除去した後にフッ酸に浸漬して誘電体膜を除去している。
【００６３】
膜除去工程Ｓ０が終了したスクラップウエハと、膜の有無分類工程ＳＡ２において膜が無いと判定されたスクラップウエハは、性能分類工程ＳＡ３により、スクラップウエハの性能に応じて分類される。この性能分類工程ＳＡ３では、ｐ型であるかｎ型であるかの判定と、比抵抗の値を検出して予め設定された値の範囲内であるかにより分類している。ｐ型およびｎ型の判定は、シリコンウエハにホウ素、アルミニウム、リン、砒素等がドープされているため、例えば、熱起電力法が用いられ、ＡＳＴＭ  Ｆ４２（米国材料試験協会；Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｔｅｓｔｉｎｇ  ａｎｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）に従って熱の伝わり方が測定されて行われる。そして、測定された値によりｎ型とｐ型に分類される。また、多結晶であるか、単結晶であるかの分類も行われる。多結晶と単結晶の分類は、例えば、Ｘ線回折で判別する。また、多結晶で結晶粒が大きい場合、化学エッチングすれば結晶面によって光反射率が異なるので光学的な手段により判別することができる。
【００６４】
このように、膜の除去と、ウエハの分類とが行われたスクラップウエハは、鏡面研磨工程Ｓ１により表面および裏面が研磨され、すでに図１、図２および図４により説明した各工程により太陽電池セルパネル１４が製造され、その製造した太陽電池セルパネル１４を用いて太陽電池モジュール１が製造されることになる。なお、多結晶の基板と、単結晶の基板では、多結晶の方が、結晶粒界で再結合があるため電流の損失があり、発電効率が単結晶の場合よりも数割低いものとなる。
【００６５】
スクラップウエハを使用することで、再生インゴット１０を製造した後に切出される半導体セル基板１１は、類似単結晶基板として、太陽電池用シリコン基板に使用することができる。また、スクラップウエハを使用することで、太陽電池セルパネル１４および太陽電池モジュール１が製造されため、リサイクル性にすぐれる。
【００６６】
以上説明したように、太陽電池セルパネル１４およびな太陽電池モジュール１は、従来の構成のものと比較して製造が簡単で、かつ、大きな電圧を発生させることができる。
なお、再生インゴット１０を製造するときに、半導体ウエハ９の重ね合わせ方向に加圧する加圧工程を行う場合は、円柱状に整列させた後で、接合工程Ｓ６の間に行う。その場合は、ホットプレス装置により所定圧力をかけて行うこととしてもよい。
【００６７】
また、太陽電池セルパネル１４は、熱酸化膜１２を介して反射防止膜１３を設ける構成として説明したが、受光面１１Ａに直接反射防止膜１３を設ける構成としても構わない。
【００６８】
さらに、太陽電池セルパネル１４および太陽電池モジュール１の製造工程であり図４および図５において、拡散防止膜形成工程Ｓ３、エッチング工程Ｓ４、変質層除去工程Ｓ８を除いた工程により、ｎ型層３と、シリコン基板（第１半導体柱）２と、ｐ型層５とが一組の単位セルとなりその単位セルが直列となるようにその順に設置された太陽電池セルパネルの構成を製造することができる。
また、ｎ＋層形成工程により半導体セル基板１１の周側面には、ｎ＋層が形成された状態となっているが、この周側面のｎ＋層は、そのままの状態であっても、また、除去することとしても構わない。
【００６９】
さらに、図１ないし図４、あるいは、スクラップウエハを用いる場合、受光面１１Ａに熱酸化膜１２および反射防止膜１３を形成する構成として説明したが、熱酸化膜１２および反射防止膜１３を形成しなくても構わない。
また、反射防止膜１３を設けることなく熱酸化膜１２のみを半導体セル基板１１の表面である受光面１１Ａ（半導体セル基板１１の一方の面）および／または受光面１１Ａの裏面（半導体セル基板１１の他方の面）に形成する構成であっても構わない。
さらに、熱酸化膜１２を、受光面１１Ａ（一方の面）および受光面１１Ａの裏面（他方の面）に形成する構成とした場合、受光面１１Ａのみに熱酸化膜１２を介して反射防止膜１３を形成することや、受光面１１Ａ（半導体セル基板１１）の裏面の酸化防止膜１２のみに反射防止膜１３を形成することや、あるいは、表裏面の熱酸化膜１２のそれぞれに反射防止膜１３をそれぞれ形成する構成としても構わない。
また、ｎ＋層およびｐ＋層として説明したが、ｎ層およびｐ層であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明に係る太陽電池セルパネルおよび太陽電池モジュールの製造工程において再生インゴットまでの製造を模式的に示す説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係る太陽電池セルパネルおよび太陽電池モジュールの製造工程において再生インゴットから太陽電池モジュールの製造までを模式的に示す説明図である。
【図３】本発明に係る太陽電池セルパネルを用いた太陽電池モジュールの一部を切り欠いて、かつ断面にして模式的に示す斜視図である。
【図４】本発明に係る太陽電池セルパネルおよび太陽電池モジュールの製造方法における各工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明に係る太陽電池セルパネルおよび太陽電池モジュールをスクラップウエハを用いて製造する製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【図６】従来の直列接続構造の太陽電池パネルの製造プロセスを示す図である。
【図７】従来の他の構成の太陽電池パネルに使用されるシリコン基板を模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７１】
１      太陽電池モジュール
２      シリコン基板
３      ｎ型層
４      拡散防止層
５      ｐ型層
８      ノッチ
９      半導体ウエハ
１０    再生インゴット
１１    半導体セル基板
１１Ａ  受光面
１２    熱酸化膜
１３    反射防止膜
１４    太陽電池セルパネル
１５    取出電極
１５ａ  第１取出電極
１５ｂ  第２取出電極
Ｓ０    膜除去工程
Ｓ１    鏡面研磨工程
Ｓ２    ｎ＋層形成工程
Ｓ３    拡散膜成形工程
Ｓ４    エッチング工程
Ｓ５    ｐ＋層形成工程
Ｓ６    接合工程
Ｓ７    切出工程
Ｓ８    変質層除去工程
Ｓ９    反射防止膜形成工程
Ｓ１０  取出電極設置工程
ＳＡ    形状分類工程
ＳＡ１  サイズ別分類工程
ＳＡ２  有無分類工程
ＳＡ３  性能分類工程
Ｗｓ    ワイヤソー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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