(57)【要約】【課題】  直描露光を使用する液晶表示パネル用ＴＦＴ基板の製造方法において、当該ＴＦＴ基板の製造効率を向上させる。【解決手段】  感光性の材料膜を露光する工程は、露光ヘッドを相対移動させながら、あらかじめ用意された数値データに基づいて前記材料膜に感光パターンを直接描画する表示装置の製造方法であって、前記工程は、前記材料膜における１つの露光対象領域を複数のブロックに分割し、当該ブロック毎に用意された複数個の露光ヘッドを用いて、前記複数のブロックに並行して感光パターンを描画し、前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、２つの隣接するブロックの境界部分において、一方のブロックの前記境界に沿った帯状領域への感光パターンの描画が終了した時刻から、他方のブロックの前記境界に沿った帯状領域への感光パターンの描画を開始する時刻までの時間間隔が最小になるように前記材料膜の上を相対移動させる表示装置の製造方法。【選択図】        図５
2009069326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面上に感光性の材料膜を形成する第１の工程と、前記感光性の材料膜のうちのあらかじめ定められた領域を感光させる第２の工程と、前記あらかじめ定められた領域を感光させた前記感光性の材料膜を現像する第３の工程とを有し、
前記第２の工程は、一度に露光可能な領域の面積が前記感光性の材料膜の表面全体の面積よりも十分に小さい露光ヘッドを用い、前記感光性の材料膜と前記露光ヘッドの位置を相対移動させながら、あらかじめ用意された数値データに基づいて前記感光性の材料膜に感光領域と非感光領域とからなる感光パターンを直接描画する表示装置の製造方法であって、
前記第２の工程は、前記感光性の材料膜における１つの露光対象領域を、前記露光ヘッドが一度に露光可能な領域よりも広い複数のブロックに分割し、当該ブロック毎に用意された複数個の露光ヘッドを用いて、前記複数のブロックに並行して感光パターンを描画し、
前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、２つの隣接するブロックの境界部分において、当該境界に沿った帯状領域に一括または連続して感光パターンを描画し、かつ、一方のブロックの前記境界部分に沿った帯状領域への感光パターンの描画が終了した時刻から、他方のブロックの前記境界部分に沿った帯状領域への感光パターンの描画を開始する時刻までの時間間隔が最小になるように前記感光性の材料膜の上を相対移動させることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、各ブロックにおける前記露光可能な領域の相対位置が同じ位置になるように前記感光性の材料膜の上を相対移動させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記１つの露光対象領域は、ある１つの方向に沿った複数の境界のみで前記複数のブロックに分割し、
前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、前記ある１つの方向に沿った第１の相対移動と、前記ある１つの方向と直交する方向に沿った第２の相対移動とを繰り返しながら前記感光パターンを描画することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記感光パターンの描画は、前記露光ヘッドが前記第１の相対移動を行っている期間のみ行われることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、前記感光パターンの描画を受け持つブロックの１つの角部から前記感光パターンの描画が開始され、かつ、１回の前記第２の相対移動における移動距離が、当該第２の相対移動の回数が増えるたびに短くなるように相対移動させることを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記感光パターンの描画は、前記露光ヘッドが前記第１の相対移動を行っている期間、および前記第２の相対移動を行っている期間の両方で行われることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、前記感光パターンの描画を受け持つブロックの１つの角部から前記感光パターンの描画が開始され、かつ、前記露光可能な領域が前記ブロックの外周から中心に向かって渦巻き状に移動するように相対移動させることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程の前に、前記絶縁基板の表面上に導電性の薄膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記あらかじめ用意された数値データは、前記絶縁基板の表面上に配置する複数本の映像信号線の寸法および配置位置を反映する数値データを含んでおり、
前記ある１つの方向は、前記映像信号線の延在方向と概ね一致していることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記あらかじめ用意された数値データは、前記絶縁基板の表面上に配置する複数本の走査信号線の寸法および配置位置を反映する数値データを含んでおり、
前記ある１つの方向は、前記走査信号線の延在方向と概ね直交していることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特に、液晶表示装置（液晶表示パネル）に用いられるＴＦＴ基板の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、テレビやＰＣのモニタ（ディスプレイ）などの表示装置の１つとして、液晶表示パネルを用いた液晶表示装置がある。
【０００３】
前記液晶表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を封入した表示パネルであり、前記一対の基板は、一般に、一方の基板がＴＦＴ基板と呼ばれ、他方の基板が対向基板と呼ばれている。
【０００４】
前記ＴＦＴ基板は、たとえば、絶縁基板の表面上に複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、複数個のＴＦＴ素子、および複数個の画素電極が配置されている基板である。
【０００５】
前記ＴＦＴ基板の製造方法において、前記複数本の走査信号線を形成する工程では、たとえば、前記絶縁基板（または前記絶縁基板の表面上に形成された絶縁層）の表面全体に導電膜を形成（成膜）した後、当該導電膜をエッチングして前記複数本の走査信号線を形成する。また、前記複数本の映像信号線を形成する工程や、前記複数個の画素電極を形成する工程も、同様に、絶縁層の表面全体に形成（成膜）された導電膜をエッチングして形成する。
【０００６】
また、前記ＴＦＴ基板の製造方法において、前記導電膜をエッチングするときには、通常、当該導電膜の上に感光性のレジスト膜を形成（成膜）し、当該レジスト膜を露光、現像してエッチングレジスト（マスク）を形成する。
【０００７】
従来の前記ＴＦＴ基板の製造方法において、前記感光性のレジスト膜の露光は、露光マスク（フォトマスクと呼ぶこともある）を用いて行うのが一般的であった。前記露光マスクを用いた露光方法は、一度に露光可能な領域が広く、短時間で露光できるので、前記エッチングレジストを効率よく形成することができる。
【０００８】
しかしながら、前記露光マスクは、非常に高い精度が要求されるものであり、非常に高価である。また、前記露光マスクを用いた露光方法では、形成するエッチングレジストのパターン毎に前記露光マスクを用意する必要があり、前記ＴＦＴ基板の製造工程では、たとえば、複数本の走査信号線を形成する工程で使用する露光マスク、複数本の走査信号線を形成する工程で使用する露光マスク、ＴＦＴ素子の半導体層を形成する工程で使用する露光マスク、画素電極を形成する工程で使用する露光マスクなどが必要になる。またさらに、前記露光マスクを用いた露光方法の場合、露光、現像して得られたエッチングレジストを用いたエッチングで形成された導体パターン（たとえば、複数本の走査信号線）に欠陥などがあると、露光マスクを作り直さなければならない。そのため、前記ＴＦＴ基板の製造コストが上昇するという問題がある。
【０００９】
そこで、近年の前記ＴＦＴ基板の製造方法では、たとえば、直描露光と呼ばれる方法で前記レジスト膜を露光する方法が提案されている。
【００１０】
前記直描露光では、前記露光マスクを使用する代わりに、たとえば、前記感光性のレジスト膜の露光対象領域を無数の微小領域に分割し、ＣＡＤなどで作成したレイアウトデータ（数値データ）に基づいて前記無数の微小領域を感光させる微小領域と感光させない微小領域とを識別する。そして、露光ヘッドを移動させながら前記感光させる微小領域のみに所定の光（たとえば、紫外線）を順次照射していき、前記レジスト膜に感光領域と非感光領域からなる感光パターンを直接描画する。
【００１１】
すなわち、前記直描露光は、前記露光マスクを使用せずに前記感光パターンを描画できるので、前記露光マスクを使用する従来のＴＦＴ基板の製造方法に比べて、たとえば、ＴＦＴ基板の製造コストを低減できるという利点がある。
【００１２】
しかしながら、前記直描露光で使用する露光ヘッドは、たとえば、一度に露光可能な領域を広くしようとすると、当該露光可能な領域に含まれる各微小領域に対する光の照射／非照射を制御するための照射光学系の数が多くなり、露光ヘッドの構成および制御が複雑になるという問題がある。また、前記露光ヘッドの一度に露光可能な領域を狭くすると、たとえば、１つの前記露光対象領域の全体に前記感光パターンを描画するのに要する時間が長くなり、露光効率（ＴＦＴ基板の製造効率）が低下するという問題がある。
【００１３】
そのため、前記直描露光では、たとえば、少ない照射光学系によっても効率よく描画することが可能な直接描画方式が提案されている（たとえば、特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開２００６−０３０４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従来の直描露光では、たとえば、前記感光性のレジスト膜における１つの露光対象領域（たとえば、ＴＦＴ基板１枚分の露光領域）に、１つの露光ヘッドで前記感光パターンを描画しているので、前記１つの露光対象領域の面積が広くなると、当該露光対象領域の全体に前記感光パターンを描画するのに要する時間が長くなる。
【００１５】
そのため、大画面液晶テレビの液晶表示パネルなどに用いる大面積のＴＦＴ基板を製造するときには、たとえば、１つの前記露光対象領域の全体に前記感光パターンを描画するのに要する時間が非常に長くなり、露光効率（ＴＦＴ基板の製造効率）が著しく低下するという問題がある。
【００１６】
また、１つの前記露光対象領域の面積が広くなると、たとえば、前記感光パターンの描画を開始する位置の近傍と、描画を終了する位置の近傍では、レジスト膜を感光してから現像するまで時間に差が生じ、現像不良が発生する可能性が高いという問題がある。すなわち、従来の直描露光を使用するＴＦＴ基板の製造方法では、たとえば、前記レイアウトデータ（数値データ）上では同じ線幅になっている前記感光パターンの描画を開始する位置の近傍における映像信号線の線幅と、描画を終了する位置の近傍における映像信号線の線幅とが、異なる線幅になる可能性が高くなる。そのため、従来の直描露光を使用する製造方法で製造されたＴＦＴ基板を有する液晶表示パネル（液晶表示装置）では、前記現像不良に起因する画質むらが発生しやすいという問題があった。
【００１７】
本発明の目的は、たとえば、直描露光を使用する液晶表示パネル用ＴＦＴ基板の製造方法において、当該ＴＦＴ基板の製造効率を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、たとえば、直描露光を使用する液晶表示パネル用ＴＦＴ基板の製造方法において、当該ＴＦＴ基板の製造効率を向上させるとともに、当該ＴＦＴ素子を有する液晶表示パネルの画質むらを低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００２１】
（１）絶縁基板の表面上に感光性の材料膜を形成する第１の工程と、前記感光性の材料膜のうちのあらかじめ定められた領域を感光させる第２の工程と、前記あらかじめ定められた領域を感光させた前記感光性の材料膜を現像する第３の工程とを有し、前記第２の工程は、一度に露光可能な領域の面積が前記感光性の材料膜の表面全体の面積よりも十分に小さい露光ヘッドを用い、前記感光性の材料膜と前記露光ヘッドの位置を相対移動させながら、あらかじめ用意された数値データに基づいて前記感光性の材料膜に感光領域と非感光領域とからなる感光パターンを直接描画する表示装置の製造方法であって、前記第２の工程は、前記感光性の材料膜における１つの露光対象領域を、前記露光ヘッドが一度に露光可能な領域よりも広い複数のブロックに分割し、当該ブロック毎に用意された複数個の露光ヘッドを用いて、前記複数のブロックに並行して感光パターンを描画し、前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、２つの隣接するブロックの境界部分において、当該境界に沿った帯状領域に一括または連続して感光パターンを描画し、かつ、一方のブロックの前記境界部分に沿った帯状領域への感光パターンの描画が終了した時刻から、他方のブロックの前記境界部分に沿った帯状領域への感光パターンの描画を開始する時刻までの時間間隔が最小になるように前記感光性の材料膜の上を相対移動させる表示装置の製造方法。
【００２２】
（２）前記（１）の表示装置の製造方法において、前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、各ブロックにおける前記露光可能な領域の相対位置が同じ位置になるように前記感光性の材料膜の上を相対移動させる表示装置の製造方法。
【００２３】
（３）前記（１）または（２）の表示装置の製造方法において、前記１つの露光対象領域は、ある１つの方向に沿った複数の境界のみで前記複数のブロックに分割し、前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、前記ある１つの方向に沿った第１の相対移動と、前記ある１つの方向と直交する方向に沿った第２の相対移動とを繰り返しながら前記感光パターンを描画する表示装置の製造方法。
【００２４】
（４）前記（３）の表示装置の製造方法において、前記感光パターンの描画は、前記露光ヘッドが前記第１の相対移動を行っている期間のみ行われる表示装置の製造方法。
【００２５】
（５）前記（４）の表示装置の製造方法において、前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、前記感光パターンの描画を受け持つブロックの１つの角部から前記感光パターンの描画が開始され、かつ、１回の前記第２の相対移動における移動距離が、当該第２の相対移動の回数が増えるたびに短くなるように相対移動させる表示装置の製造方法。
【００２６】
（６）前記（３）の表示装置の製造方法において、前記感光パターンの描画は、前記露光ヘッドが前記第１の相対移動を行っている期間、および前記第２の相対移動を行っている期間の両方で行われる表示装置の製造方法。
【００２７】
（７）前記（６）の表示装置の製造方法において、前記複数個の露光ヘッドは、それぞれ、前記感光パターンの描画を受け持つブロックの１つの角部から前記感光パターンの描画が開始され、かつ、前記露光可能な領域が前記ブロックの外周から中心に向かって渦巻き状に移動するように相対移動させる表示装置の製造方法。
【００２８】
（８）前記（１）乃至（７）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記第１の工程の前に、前記絶縁基板の表面上に導電性の薄膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法。
【００２９】
（９）前記（８）の表示装置の製造方法において、前記あらかじめ用意された数値データは、前記絶縁基板の表面上に配置する複数本の映像信号線の寸法および配置位置を反映する数値データを含んでおり、前記ある１つの方向は、前記映像信号線の延在方向と概ね一致している表示装置の製造方法。
【００３０】
（１０）前記（８）の表示装置の製造方法において、前記あらかじめ用意された数値データは、前記絶縁基板の表面上に配置する複数本の走査信号線の寸法および配置位置を反映する数値データを含んでおり、前記ある１つの方向は、前記走査信号線の延在方向と概ね直交している表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、前記直描露光を使用して前記感光性の材料膜に前記感光パターンを描画する際の効率（露光効率）が向上する。そのため、本発明は、たとえば、液晶表示装置で用いるＴＦＴ基板の製造効率を向上させることができる。
【００３２】
また、本発明によれば、１つの露光対象領域全体でみた現像不良が発生する可能性とともに、前記１つの露光対象領域内で隣接する前記２つのブロックの境界部分における現像不良が発生する可能性を低くすることができる。そのため、本発明の表示装置の製造方法で製造されたＴＦＴ基板を有する表示装置（たとえば、液晶表示装置）は、前記現像不良に起因する画質むらを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３４】
図１（ａ）乃至図１（ｇ）は、本発明の表示装置の製造方法が適用可能な表示装置の一例を説明するための模式図である。
図１（ａ）は、液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。図１（ｃ）は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板の概略構成の一例を示す模式平面図である。図１（ｄ）は、液晶表示パネルの表示領域における１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。図１（ｅ）は、ＴＦＴ基板における１画素の構成の一例を示す模式平面図である。図１（ｆ）は、図１（ｅ）のＢ−Ｂ’線におけるＴＦＴ基板の断面構成の一例を示す模式断面図である。図１（ｇ）は、図１（ｅ）のＣ−Ｃ’線におけるＴＦＴ基板の断面構成の一例を示す模式断面図である。
また、図１（ｃ）および図１（ｅ）に示したｘ方向およびｙ方向は、それぞれ、図１（ａ）に示したｘ方向およびｙ方向と一致している。
【００３５】
本発明の表示装置の製造方法は、たとえば、液晶表示パネル（液晶表示装置）に用いられるＴＦＴ基板と呼ばれる基板の製造方法に適用することができる。
【００３６】
前記液晶表示パネルは、たとえば、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間に液晶材料３を封入した表示パネルである。このとき、ＴＦＴ基板１と対向基板２とは、たとえば、表示領域ＤＡを囲む環状のシール材４で接着されており、液晶材料３は、ＴＦＴ基板１、対向基板２、およびシール材４で囲まれた空間に密封されている。
【００３７】
また、前記液晶表示パネルが透過型または半透過型である場合、ＴＦＴ基板１および対向基板２の外側を向いた面（液晶材料３に対向する面の裏面）には、それぞれ、たとえば、下偏光板５および上偏光板６が設けられている。またこのとき、ＴＦＴ基板１と下偏光板５との間、および対向基板２と上偏光板６との間には、それぞれ、１層または複数層の位相差板が介在していることもある。
【００３８】
また、前記液晶表示パネルが反射型である場合は、通常、下偏光板５は不要であり、対向基板２側の上偏光板６や位相差板のみが設けられている。
【００３９】
ＴＦＴ基板１は、たとえば、図１（ｃ）に示すように、複数本の走査信号線ＧＬおよび複数本の映像信号線ＤＬが設けられている。このとき、複数本の走査信号線ＧＬと複数本の映像信号線ＤＬとは、絶縁層を介して設けられており、各映像信号線ＤＬは、前記絶縁層を介して複数本の走査信号線ＧＬと立体的に交差している。
【００４０】
また、前記液晶表示パネルにおける表示領域ＤＡは、ｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に配置された複数個の画素の集合で設定される領域であり、１つの画素の大きさは、たとえば、２本の隣接する走査信号線ＧＬと、２本の隣接する映像信号線ＤＬとで囲まれる領域の大きさに相当する。
【００４１】
前記液晶表示パネルにおける１つの画素の回路構成は、たとえば、図１（ｄ）に示すようになっており、各画素は、アクティブ素子（スイッチング素子と呼ぶこともある）として機能するＴＦＴ素子Ｔｒと、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および液晶材料３に形成される画素容量（液晶容量と呼ぶこともある）とを有する。
【００４２】
ＴＦＴ素子Ｔｒは、たとえば、ゲートが２本の隣接する走査信号線ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１（ｎは１以上の任意の整数）のうちの一方の走査信号線ＧＬｎ＋１に接続しており、ドレインが２本の隣接する映像信号線ＤＬｍ，ＤＬｍ＋１（ｍは１以上の任意の整数）のうちの一方の映像信号線ＤＬｍに接続している。また、ＴＦＴ素子Ｔｒのソースは、画素電極ＰＸに接続している。
【００４３】
なお、本明細書では、ＴＦＴ素子Ｔｒのソースとドレインについて、映像信号線ＤＬｍに接続している方をドレインと呼び、画素電極ＰＸに接続している方をソースと呼んでいるが、逆の呼び方をする場合もある。また、実際には、映像信号線ＤＬｍに加わる映像信号（階調電圧）と対向電極ＣＴに加わる共通電圧との電位の関係によって、ソースとドレインの関係が周期的に入れ替わる。
【００４４】
また、図１（ｄ）に示した例では、ＴＦＴ素子Ｔｒのゲートが、２本の隣接する走査信号線ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１のうちの一方の走査信号線ＧＬｎ＋１に接続しているが、これに限らず、他方の走査信号線ＧＬｎに接続していることもある。同様に、図１（ｄ）に示した例では、ＴＦＴ素子Ｔｒのドレインが、２本の隣接する映像信号線ＤＬｍ，ＤＬｍ＋１のうちの一方の映像信号線ＤＬｍに接続しているが、これに限らず、他方の映像信号線ＤＬｍ＋１に接続していることもある。
【００４５】
また、前記液晶表示パネルが縦電界方式と呼ばれる駆動方法の場合、たとえば、図１（ｄ）に示した構成のうちの、走査信号線ＧＬ（ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１）、映像信号線ＤＬ（ＤＬｍ，ＤＬｍ＋１）、ＴＦＴ素子Ｔｒ、および画素電極ＰＸがＴＦＴ基板１側に配置され、対向電極ＣＴが対向基板２側に配置される。
【００４６】
このとき、ＴＦＴ基板１における１つの画素に相当する領域の構成は、たとえば、図１（ｅ）乃至図１（ｇ）に示したような構成になっており、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面上に、走査信号線ＧＬ（ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１）、第１の絶縁膜ＰＡＳ１、映像信号線ＤＬ（ＤＬｍ，ＤＬｍ＋１）などが積層配置されている。
【００４７】
また、ＴＦＴ基板１におけるＴＦＴ素子Ｔｒは、走査信号線ＧＬ（ＧＬｎ＋１）をゲート電極にしており、当該ゲート電極の上に位置する第１の絶縁層ＰＡＳ１をゲート絶縁膜にしている。また、ゲート電極からみてゲート絶縁膜（第１の絶縁層ＰＡＳ１）の上には、半導体層ＳＣ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電極ＳＤ２が積層配置されている。このとき、半導体層ＳＣと、ドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２とは、第１の絶縁層ＰＡＳ１の表面上に形成されており、ドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２は、一方の端部が第１の絶縁層ＰＡＳ１の表面から半導体層ＳＣに乗り上げている。またこのとき、第１の絶縁層ＰＡＳ１の表面上には、映像信号線ＤＬ（ＤＬｍ，ＤＬｍ＋１）も形成されており、一般に、ドレイン電極ＳＤ１は、映像信号線ＤＬ（ＤＬｍ）と一体になっている。
【００４８】
また、第１の絶縁層ＰＡＳ１の映像信号線ＤＬなどが形成された面の上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２および画素電極ＰＸが形成されており、画素電極ＰＸは、スルーホールＴＨによりソース電極ＳＤ２に接続している。なお、第２の絶縁層ＰＡＳ２は、たとえば、２層以上の絶縁層が積層されており、画素電極ＰＸを形成する面が平坦化されていてもよい。
【００４９】
また、図１（ｆ）および図１（ｇ）では省略しているが、第２の絶縁層ＰＡＳ２の画素電極ＰＸが形成された面の上には、配向膜が形成されている。
【００５０】
上記のような構成のＴＦＴ基板１を製造するときには、走査信号線ＧＬを形成する工程、第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成する工程、半導体層ＳＣを形成する工程、映像信号線ＤＬ（ドレイン電極ＳＤ１を含む）およびソース電極ＳＤ２などを形成する工程、半導体層ＳＣに対してチャネルエッチングを行う工程、第２の絶縁層ＰＡＳ２およびスルーホールＴＨを形成する工程、および画素電極を形成する工程を順次行う。
【００５１】
このとき、走査信号線ＧＬを形成する工程、および映像信号線ＤＬ（ドレイン電極ＳＤ１を含む）およびソース電極ＳＤ２などを形成する工程は、たとえば、アルミニウム膜などの導電膜を形成（成膜）した後、当該導電膜をエッチングして形成する。
【００５２】
前記導電膜をエッチングするときには、前記導電膜の上に感光性のレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像してエッチングレジストを形成した後、当該エッチングレジストをマスクにして、前記導電膜の不要な部分を除去する。
【００５３】
従来のＴＦＴ基板１の製造方法において、前記感光性のレジスト膜を露光する際には、露光マスクを用いる方法と、あらかじめＣＡＤなどで作成しておいたレイアウトデータ（数値データ）に基づいて感光パターンを直接描画する方法（以下、直描露光という）とがある。
【００５４】
前記直描露光では、前記露光マスクを使用する代わりに、たとえば、前記感光性のレジスト膜の露光対象領域を無数の微小領域に分割し、ＣＡＤなどで作成したレイアウトデータ（数値データ）に基づいて前記無数の微小領域を感光させる微小領域と感光させない微小領域とに識別する。そして、露光ヘッドを移動させながら前記感光させる微小領域のみに所定の光（たとえば、紫外線）を順次照射していき、前記レジスト膜に感光領域と非感光領域からなる感光パターンを直接描画する。
【００５５】
すなわち、前記直描露光は、前記露光マスクを使用せずに前記感光パターンを描画できるので、前記露光マスクを使用する従来のＴＦＴ基板１の製造方法に比べて、たとえば、ＴＦＴ基板１の製造コストを低減できるという利点がある。
【００５６】
そして、本発明は、たとえば、前記直描露光を使用してＴＦＴ基板１を製造するときに適用されるものであり、前記感光パターンの描画効率（露光効率）を向上させるとともに、感光させたレジスト膜を現像した際の現像不良を低減させるものである。
【００５７】
［参考例］
図２は、マザーガラスを用いたＴＦＴ基板の製造方法の一例を説明するための模式平面図である。
図３は、本発明に関わる直描露光の手順の一参考例を説明するための模式平面図である。
また、図２および図３に示したｘ方向およびｙ方向は、それぞれ、図１（ｃ）に示したｘ方向およびｙ方向と一致している。
【００５８】
前記ＴＦＴ基板１を製造するときには、一般に多面取りと呼ばれる方法で製造しており、マザーガラスと呼ばれる１枚の大面積のガラス基板を用いて、複数枚のＴＦＴ基板１を並行して製造している。
【００５９】
１枚のマザーガラスを用いて２枚のＴＦＴ基板１を並行して製造するいわゆる２面取りの場合、２枚のＴＦＴ基板１は、たとえば、図２に示すように、１枚のマザーガラス７の２箇所の領域７０１，７０２のそれぞれに形成される。そして、最後に各領域７０１，７０２をマザーガラス７から切り出すことで、２枚のＴＦＴ基板１を得る。
【００６０】
前記２面取りの場合において、各領域７０１，７０２には、それぞれ、マザーガラス７を絶縁基板ＳＵＢとする、たとえば、図１（ｃ）、および図１（ｅ）乃至図１（ｇ）に示したような構成のＴＦＴ基板１が形成される。
【００６１】
マザーガラス７の各領域７０１，７０２に、複数本の走査信号線ＧＬを形成する工程や複数本の映像信号線を形成する工程では、一般に、マザーガラス７の全体に導電膜を形成（成膜）した後、当該導電膜をエッチングして形成する。
【００６２】
前記導電膜をエッチングするときには、前記導電膜の表面全体に感光性のレジスト膜を形成した後、たとえば、各領域７０１，７０２に対して露光を行い、現像してエッチングレジストを形成する。
【００６３】
前記各領域７０１，７０２に対して露光を行う際に、前記直描露光を使用する場合、従来の方法では、たとえば、１つの領域７０１（露光対象領域）に対して１つの露光ヘッドが割り当てられており、マザーガラス７上における当該露光ヘッドの位置を相対移動させながら、１つの領域７０１（露光対象領域）全体に前記感光パターンを描画している。
【００６４】
しかしながら、従来のように１つの露光ヘッドで１つの領域７０１（露光対象領域）全体に前記感光パターンを描画する直描露光の場合、当該１つの領域７０１が、たとえば、大画面の液晶テレビなどで用いるＴＦＴ基板１を形成するような大面積の領域であると、１つの露光対象領域全体に前記感光パターンを描画するのに要する時間が非常に長くなり、ＴＦＴ基板１の製造効率が悪くなる。
【００６５】
そこで、ＴＦＴ基板１を形成する１つの領域７０１が大面積の場合は、たとえば、図３に示すように、当該１つの領域７０１（露光対象領域）を３つのブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３に分割し、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれに、並行して前記感光パターンを描画すればよいことを、本願発明者らは見いだした。
【００６６】
図３に示した例では、１つの領域７０１（露光対象領域）を、映像信号線ＤＬの延在方向（ｙ方向）に延びる境界線で３つのブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３に分割し、さらに、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３を、それぞれ、ｙ方向に長く延びる帯状の８つの小領域Ｑ１〜Ｑ８に分割している。そして、１つの領域７０１（露光対象領域）に対して直描露光を行う際には、たとえば、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれに対して１つずつ露光ヘッドを用意し、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３の左上の角部から前記感光パターンの描画を開始する。
【００６７】
また、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３に割り当てられた各露光ヘッドは、それぞれ、たとえば、図３に示した、丸で囲まれた数字の順番通りに、各小領域Ｑ１〜Ｑ８に前記感光パターンの描画を行う。このとき、各露光ヘッドは、小領域の延在方向（ｙ方向）への第１の相対移動と、小領域の配列方向（ｘ方向）への第２の相対移動を繰り返しながら前記感光パターンの描画を行う。またこのとき、各露光ヘッドは、前記第１の相対移動をしている期間のみに前記感光パターンの描画を行い、各小領域Ｑ１〜Ｑ８上を、たとえば、図３に示した太い矢印の方向に相対移動しながら前記感光パターンの描画を行う。
【００６８】
また、直描露光において各露光ヘッドを相対移動させるときには、マザーガラス７を固定しておいて各露光ヘッドを移動させてもよいし、各露光ヘッドを固定しておいてマザーガラス７を移動させてもよい。またさらに、各露光ヘッドおよびマザーガラス７をともに移動させてもよい。
【００６９】
このように、１つの領域７０１（露光対象領域）を３つのブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれに、並行して前記感光パターンを描画すると、１つの露光ヘッドで描画する場合に比べ、描画に要する時間が約３分の１になる。そのため、露光にかかる時間が短縮され、ＴＦＴ基板１の製造効率を向上させることができる。
【００７０】
なお、図３に示した例では、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３をそれぞれ、８つの小領域Ｑ１〜Ｑ８に分割しているが、これに限らず、さらに多数の小領域に分割してもよいことはもちろんである。また、１つの小領域（たとえば、小領域Ｑ１）に前記感光パターンを描画するときには、図３に示したように露光ヘッドを相対移動させながら描画しているが、これに限らず、たとえば、一度の露光で１つの小領域全体を露光可能な露光ヘッドを用いて、１つの小領域に一括して前記感光パターンを描画してもよい。
【００７１】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、参考例の直描露光の手順における問題点の１つを説明するための模式グラフ図である。
図４（ａ）は、レジスト膜における感光領域の時間変化の一例を示す模式グラフ図である。図４（ｂ）は、図３に示した手順で直描露光したときの各映像信号線の線幅の一例を示す模式グラフ図である。
【００７２】
前記感光性のレジスト膜は、所定の光（たとえば、紫外線）を照射すると分子構造が変化し、感光した領域と感光していない領域とで、ある特定の溶液（いわゆる現像液）に対する溶解特性が変化する材料膜である。
【００７３】
また、前記感光性のレジスト膜のうちの所定の領域を感光させた場合、たとえば、光の照射を終了した後も、前記所定の領域における分子構造の変化の影響を受けて、前記所定の領域の周囲における分子構造が変化する。そのため、露光が終了してから現像を行うまでの時間が長くなると、たとえば、図４（ａ）に示した曲線ＳＰのように、感光した領域の幅が前記所定の領域よりも広くなっていく。なお、図４（ａ）において、横軸は前記感光性のレジスト膜に対する露光（光の照射）が終了してからの時間Ｔ（単位は分）であり、縦軸は感光領域の幅Ｗ（単位はｎｍ）である。
【００７４】
図４（ａ）に示した例は、たとえば、実際にＴＦＴ基板１の製造で使用される感光性のレジスト膜を、ＴＦＴ基板１を製造するときと同じ条件で形成し、幅Ｗ０の領域を感光させたときの、感光が終了した時点から現像を行うまでの時間Ｔと、現像後に得られるパターンの幅Ｗとの定性的な関係の一例を示している。
【００７５】
すなわち、あらかじめ用意されたレイアウトデータ（数値データ）に基づいて幅Ｗ０の領域を感光させた場合、感光を終了してからＴ１分後に現像すると、得られるパターンの幅はＷ１（＞Ｗ０）になり、感光を終了してからＴ２分後に現像すると、得られるパターンの幅はＷ２（＞Ｗ１）になる。
【００７６】
ＴＦＴ基板１の製造で使用される感光性のレジスト膜がネガ型の場合、当該レジスト膜は、感光していない領域が現像時に溶解して除去される。そのため、たとえば、複数本の映像信号線ＤＬを形成する工程で使用する感光性のレジスト膜がネガ型の場合は、エッチング後に残す領域（映像信号線ＤＬを形成する領域）が感光した領域になるように前記感光パターンを描画する。
【００７７】
したがって、図３に示したような手順で直描露光して現像する場合、上記のような前記感光した領域の時間変化（広がり）を考慮すると、１つの領域７０１に形成される各映像信号線ＤＬｍの線幅ＤＷは、たとえば、図４（ｂ）に示したような関係になる。なお、図４（ｂ）において、横軸は映像信号線ＤＬｍ（ｍ＝１，２，３，…，Ｍ）の添え字ｍであり、縦軸は映像信号線ＤＬｍの線幅ＤＷ（単位はｎｍ）である。また、映像信号線ＤＬｍの添え字ｍは、１つの領域７０１の左端に最も近い映像信号線から順番に１，２，３，…，Ｍとしている。
【００７８】
図３に示したような手順で直描露光をして現像する場合、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３の露光（感光パターンの描画）は、図３に丸で囲んだ数字で示した順序で行われる。そのため、直描露光を開始してすぐに感光パターンが描画される小領域Ｑ１の感光した領域と、直描露光が終了する直前に感光パターンが描画される小領域Ｑ８の感光した領域とでは、感光を終了した時点から現像が行われるまでの時間間隔が異なる。このとき、各小領域Ｑ１〜Ｑ８における前記時間間隔は、当然、Ｑ１＞Ｑ２＞Ｑ３＞Ｑ４＞Ｑ５＞Ｑ６＞Ｑ７＞Ｑ８になる。またこのとき、各小領域Ｑ１〜Ｑ８には、通常、すべての映像信号線ＤＬｍが同じ線幅になるように感光パターンを描画している。
【００７９】
そのため、前記感光性のレジスト膜がネガ型であれば、小領域Ｑ１において感光した領域の幅が最も広くなり、小領域Ｑ２〜Ｑ７のそれぞれにおいて感光した領域の幅は徐々に狭くなり、小領域Ｑ８において現像液で除去される領域の幅が最も狭くなる。
【００８０】
その結果、前記レジスト膜を現像して得られるエッチングレジストをマスクにして導電膜をエッチングすると、各映像信号線ＤＬｍの線幅ＤＷは、たとえば、図４（ｂ）に太い実線で示したような関係になる。すなわち、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３における各映像信号線の線幅ＤＷは、１つの領域７０１（ＴＦＴ基板１）の左端に近い小領域Ｑ１に含まれる映像信号線の線幅が最大値（ＤＷｍａｘ）になり、小領域Ｑ２〜Ｑ７のそれぞれに含まれる映像信号線の線幅は徐々に狭くなり、小領域Ｑ８に含まれる映像信号線の線幅が最小値（ＤＷｍｉｎ）になる。
【００８１】
また、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３を、さらに多数の小領域に分割した場合、各映像信号線ＤＬｍの線幅ＤＷは、たとえば、図４（ｂ）に点線で示したような関係になる。
【００８２】
このように、参考例の直描露光を使用して映像信号線ＤＬを形成する場合、１つの領域７０１（ＴＦＴ基板１）に形成されるすべての映像信号線ＤＬｍの線幅ＤＷは、最小値ＤＷｍｉｎと最大値ＤＷｍａｘとの間の値になる。
【００８３】
このとき、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれにおける映像信号線ＤＬの線幅は、１つの領域７０１（ＴＦＴ基板１）の左端から右端に向かって徐々に狭くなっていく。またこのとき、１つのブロック（たとえば、ブロックＰ１）において隣接する２つの小領域（たとえば、小領域Ｑ１と小領域Ｑ２）との境界部分を見ると、小領域Ｑ１側の映像信号線ＤＬの線幅と、小領域Ｑ２側の映像信号線ＤＬの線幅とに差（ギャップ）が生じる。ただし、このギャップは、１つの領域７０１（ＴＦＴ基板１）における映像信号線ＤＬの線幅の差の最大値（ＤＷｍａｘ−ＤＷｍｉｎ）に比べて小さいので、画質むらへの影響は少ない。
【００８４】
しかしながら、１つの領域７０１（露光対象領域）に含まれる２つの隣接するブロック（たとえば、ブロックＰ１とブロックＰ２）の境界部分を見ると、ブロックＰ１側の映像信号線ＤＬの線幅は最小値ＤＷｍｉｎであり、ブロックＰ２側の映像信号線ＤＬの線幅は最大値ＤＷｍａｘである。すなわち、参考例の直描露光を使用した場合、２つの隣接するブロックの境界部分において、たとえば、当該境界を挟んで隣接する２本の映像信号線ＤＬの線幅の差が、１つの領域７０１（ＴＦＴ基板１）における映像信号線ＤＬの線幅の差の最大値（ＤＷｍａｘ−ＤＷｍｉｎ）に等しくなる。そのため、２つの隣接するブロックの境界部分では、たとえば、当該境界を挟んで隣接する２つの画素の開口率が大きく変化する。このような画素の開口率の変化は、前記ブロックの境界部分に局所的に発生するので、参考例の直描露光を使用してＴＦＴ基板１を製造した場合、直描露光時に分割されたブロックの境界部分に相当する位置に画質むらが発生する可能性がある。
【００８５】
そこで、本願発明者らは、参考例で説明した直描露光の手順をもとに、１つの露光対象領域にある２つの隣接したブロックの境界部分における画質むらの発生を防ぐことが可能な直描露光の手順を新たに見いだした。
【実施例１】
【００８６】
図５は、本発明による実施例１の直描露光の手順の一例を説明するための模式平面図である。
図６は、実施例１の直描露光の手順の作用効果を説明するための模式グラフ図である。
また、図５に示したｘ方向およびｙ方向は、それぞれ、図１（ｃ）に示したｘ方向およびｙ方向と一致している。
【００８７】
実施例１の直描露光は、前記参考例などで説明したように、たとえば、液晶表示パネル（液晶表示装置）のＴＦＴ基板１を製造する工程で使用される。そこで、前記参考例と同様に、図２に示したマザーガラス７の１つの領域７０１（露光対象領域）を例に挙げ、当該１つの領域７０１において、前記感光性のレジスト膜を露光する手順を説明する。
【００８８】
実施例１の直描露光では、１つの領域７０１（露光対象領域）に前記感光パターンを描画する際に、たとえば、図５に示すように、当該１つの領域７０１を３つのブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３に分割し、さらに、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３を、それぞれ、ｙ方向に長く延びる帯状の小領域Ｑ１〜Ｑ８に分割する。そして、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれに対して１つずつ露光ヘッドを用意し、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３の左上の角部から前記感光パターンの描画を開始する。ここまでは、前記参考例で説明した手順と同じである。そのため、実施例１の直描露光を使用することで、直描露光を使用したＴＦＴ基板１の製造効率を向上させることができる。
【００８９】
しかしながら、実施例１の直描露光では、１つのブロック（たとえば、ブロックＰ１）の小領域Ｑ１〜Ｑ８に感光パターンを描画するときに、たとえば、図５に示した、丸で囲まれた数字の順番通りに行う。このとき、各露光ヘッドは、小領域の延在方向（ｙ方向）への第１の相対移動と、小領域の配列方向（ｘ方向）への第２の相対移動を繰り返しながら前記感光パターンの描画を行う。またこのとき、各露光ヘッドは、前記第１の相対移動をしている期間のみに前記感光パターンの描画を行い、各小領域Ｑ１〜Ｑ８上を、たとえば、図５に示した太い矢印の方向に相対移動しながら前記感光パターンの描画を行う。
【００９０】
すなわち、実施例１の直描露光では、１つの領域７０１にある２つの隣接したブロックの境界部分（たとえば、ブロックＰ１の小領域Ｑ８とブロックＰ２の小領域Ｑ１の境界部分）を見ると、ブロックＰ２の小領域Ｑ１に感光パターンを描画するステップの次のステップで、ブロックＰ１の小領域Ｑ８に感光パターンを描画している。そのため、ネガ型の感光性のレジスト膜を形成し、実施例１の手順で直描露光した後、現像して得られるエッチングレジストを用いて映像信号線ＤＬを形成すると、各映像信号線ＤＬｍの線幅ＤＷは、たとえば、図６に太い実線で示したような関係になる。また、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３を、さらに多数の小領域に分割した場合、各映像信号線ＤＬｍの線幅ＤＷは、たとえば、図６に点線で示したような関係になる。
【００９１】
このように、実施例１の直描露光を使用した場合、１つのブロック（たとえば、ブロックＰ１）に形成される各映像信号線ＤＬの線幅ＤＷは、各映像信号線ＤＬの配列方向（ｘ方向）で見たときに中央付近に配置されている映像信号線ＤＬの線幅が最も細くなり、外側に配置されている映像信号線ＤＬの線幅ほど太くなる。
【００９２】
また、実施例１の直描露光を使用した場合、１つのブロック（たとえば、ブロックＰ１）において隣接する２つの小領域（たとえば、小領域Ｑ１と小領域Ｑ２）との境界部分を見ると、小領域Ｑ１側の映像信号線ＤＬの線幅と、小領域Ｑ２側の映像信号線ＤＬの線幅とに差（ギャップ）は、前記参考例に比べて大きくなる。ただし、実施例１の直描露光を使用した場合におけるこのギャップも、１つの領域７０１（ＴＦＴ基板１）における映像信号線ＤＬの線幅の差の最大値（ＤＷｍａｘ−ＤＷｍｉｎ）に比べて小さいので、画質むらへの影響は少ない。
【００９３】
またさらに、１つの領域７０１（露光対象領域）に含まれる２つの隣接するブロック（たとえば、ブロックＰ１とブロックＰ２）の境界部分を見ると、ブロックＰ１側の映像信号線ＤＬの線幅は最大値ＤＷｍａｘに近い値であり、ブロックＰ２側の映像信号線ＤＬの線幅は最大値ＤＷｍａｘである。すなわち、実施例１の直描露光を使用した場合、２つの隣接するブロックの境界部分において、たとえば、当該境界を挟んで隣接する２本の映像信号線ＤＬの線幅の差が、参考例に比べて小さくなる。そのため、２つの隣接するブロックの境界部分において、たとえば、当該境界を挟んで隣接する２つの画素の開口率が大きく変化するようなことはない。したがって、実施例１の直描露光を使用してＴＦＴ基板１を製造した場合、開口率の極端な変化などに起因する画質むらを抑えることができる。
【００９４】
以上説明したように、実施例１の直描露光によれば、１つの領域７０１（露光対象領域）の全体に感光パターンを描画するのに要する時間（すなわち露光時間）を、従来の直描露光における露光時間に比べて、短くすることができる。そのため、直描露光を使用したＴＦＴ基板１の製造効率を向上させることができる。
【００９５】
また、１つの領域７０１（露光対象領域）の２つの隣接するブロックの境界付近における画素の開口率や、走査信号線ＧＬの線幅および映像信号線ＤＬの線幅などの極端な変動を抑えることができるので、当該変動に起因する画質むらを抑えることができる。
【００９６】
また、図５に示した直描露光の手順では、小領域の配列方向（ｘ方向）でみて各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３の外側に位置する小領域Ｑ１から順に感光パターンを描画したが、これに限らず、小領域の配列方向（ｘ方向）でみて各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３の中央部に位置する小領域Ｑ４（または小領域Ｑ５）から順に感光パターンを描画してもよい。
【００９７】
また、図５に示した例では、１つの小領域（たとえば、小領域Ｑ１）に前記感光パターンを描画する際に、露光ヘッドをｙ方向に第１の相対移動をさせながら描画しているが、これに限らず、たとえば、一度に１つの小領域全体を露光可能な露光ヘッドを用いて、１つの小領域に一括して感光パターンを描画してもよいことはもちろんである。
【実施例２】
【００９８】
図７は、本発明による実施例２の直描露光の手順の応用例を説明するための模式平面図である。
また、図７に示したｘ方向およびｙ方向は、それぞれ、図１（ｃ）に示したｘ方向およびｙ方向と一致している。
【００９９】
実施例１の直描露光では、たとえば、図５に示すように、１つの領域７０１（露光対象領域）における２つの隣接するブロック（たとえば、ブロックＰ１とブロックＰ２）の境界部分において、一方のブロックＰ２側の小領域Ｑ１に感光パターンが描画されてから、他方のブロックＰ１側の小領域Ｑ８に感光パターンの描画を開始するまでの時間が最小になるように露光ヘッドを相対移動させている。
【０１００】
すなわち、実施例１の直描露光において、各露光ヘッドは、前記第１の相対移動をさせるステップと、前記第２の相対移動をさせるステップとを繰り返し、かつ、前記第２の相対移動における移動距離が、回数が増えるたびに短くなるような移動をしている。
【０１０１】
しかしながら、実施例１の直描露光では、前記第２の相対移動（ｘ方向への相対移動）を行う際には、前記感光パターンを描画していないので、前記参考例の場合に比べて、前記露光ヘッドの移動経路が長くなり、わずかではあるが露光効率が低下する。
【０１０２】
そこで、実施例２では、実施例１の直描露光の特徴を参照し、露光効率を向上させる直描露光の手順の一例を簡単に説明する。
【０１０３】
なお、実施例２の直描露光は、前記参考例などで説明したように、たとえば、液晶表示パネル（液晶表示装置）のＴＦＴ基板１を製造する工程で使用される。そこで、前記参考例と同様に、図２に示したマザーガラス７の１つの領域７０１（露光対象領域）を例に挙げ、当該１つの領域７０１において、前記感光性のレジスト膜を露光する手順を説明する。
【０１０４】
実施例２の直描露光では、１つの領域７０１（露光対象領域）に前記感光パターンを描画する際に、たとえば、図７に示すように、当該１つの領域７０１を３つのブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３に分割する。そして、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれに対して１つずつ露光ヘッドを用意し、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３の左上の角部から前記感光パターンの描画を開始する。
【０１０５】
また、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３の露光ヘッドは、それぞれ、各ブロックＰ１，Ｐ２，Ｐ３の外周部分から中央部分に向かうように、渦巻き状に相対移動させる。すなわち、実施例２の直描露光では、前記露光ヘッドが前記第１の相対移動を行っている期間に加え、前記第２の相対移動を行っている期間にも前記感光パターンの描画を行う。
【０１０６】
このようにすると、前記露光ヘッドが第１の相対移動を行う際の移動距離は、第１の相対移動の回数が増える毎に短くなるので、各露光ヘッドが受け持つブロックの全体に感光パターンを描画する際の総移動距離を、実施例１に比べて短くすることができる。また、前記露光ヘッドが第２の相対移動を行っている期間にも感光パターンを描画するので、各ブロック、すなわち１つの領域７０１（露光対象領域）の全体に感光パターンを描画するのに用する時間（露光時間）を、実施例１に比べて短くすることができる。
【０１０７】
そのため、実施例２の直描露光を使用することで、直描露光を使用したＴＦＴ基板１の製造効率がさらに向上する。
【０１０８】
なお、実施例２では、各露光ヘッドを、受け持つブロックの外周部から中央部に向かって渦巻き状に相対移動させる例を挙げているが、これに限らず、受け持つブロックの中央部から外周部に向かって渦巻き状に相対移動させてもよいことはもちろんである。
【０１０９】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１１０】
たとえば、前記実施例１では、映像信号線ＤＬを形成する工程で使用するエッチングレジストを形成する際の露光手順を例に挙げ、作用効果を説明している。しかしながら、本発明は、これに限らず、たとえば、走査信号線ＧＬを形成する工程で使用するエッチングレジストなどの、フォトリソグラフィーを利用したエッチングレジストを形成する際の直描露光にも使用できることはもちろんである。
【０１１１】
また、本発明の直描露光は、エッチングレジストの形成に用いる感光性のレジスト膜に対する直描露光に限らず、たとえば、カラーフィルタなどの、露光したレジスト膜を現像して得られるパターン自身を表示装置（表示パネル）の構成要素の１つとして利用するものを形成する場合にも使用できることはもちろんである。
【０１１２】
また、前記参考例や実施例１では、液晶表示パネル（液晶表示装置）に用いるＴＦＴ基板１を例に挙げたが、これに限らず、製造工程中にフォトリソグラフィーを利用してエッチングレジストなどを形成する工程が含まれる表示装置の製造方法（たとえば、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板の製造方法など）に、本発明を適用できることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１（ａ）】液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。
【図１（ｂ）】図１（ａ）のＡ−Ａ’線における液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図１（ｃ）】液晶表示パネルのＴＦＴ基板の概略構成の一例を示す模式平面図である。
【図１（ｄ）】液晶表示パネルの表示領域における１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
【図１（ｅ）】ＴＦＴ基板における１画素の構成の一例を示す模式平面図である。
【図１（ｆ）】図１（ｅ）のＢ−Ｂ’線におけるＴＦＴ基板の断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図１（ｇ）】図１（ｅ）のＣ−Ｃ’線におけるＴＦＴ基板の断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図２】マザーガラスを用いたＴＦＴ基板の製造方法の一例を説明するための模式平面図である。
【図３】本発明に関わる直描露光の手順の一参考例を説明するための模式平面図である。
【図４（ａ）】レジスト膜における感光領域の時間変化の一例を示す模式グラフ図である。
【図４（ｂ）】図３に示した手順で直描露光したときの各映像信号線の線幅の一例を示す模式グラフ図である。
【図５】本発明による実施例１の直描露光の手順の一例を説明するための模式平面図である。
【図６】実施例１の直描露光の手順の作用効果を説明するための模式グラフ図である。
【図７】本発明による実施例２の直描露光の手順の応用例を説明するための模式平面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１…ＴＦＴ基板
２…対向基板
３…液晶材料
４…シール材
５…下偏光板
６…上偏光板
７…マザーガラス
７０１，７０２…領域（露光対象領域）
ＳＵＢ…絶縁基板
ＧＬ，ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１…走査信号線
ＤＬ，ＤＬｍ，ＤＬｍ＋１…映像信号線
ＰＡＳ１…第１の絶縁層
ＳＣ…半導体層
ＳＤ１…ドレイン電極
ＳＤ２…ソース電極
ＰＡＳ２…第２の絶縁層
ＰＸ…画素電極
ＴＨ…スルーホール
ＣＴ…対向電極
Ｔｒ…ＴＦＴ素子
ＤＡ…表示領域
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３…ブロック
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，Ｑ７，Ｑ８…小領域
【図１（ａ）】
2009069326.tif 000003
【図１（ｂ）】
2009069326.tif 000004
【図１（ｃ）】
2009069326.tif 000005
【図１（ｄ）】
2009069326.tif 000006
【図１（ｅ）】
2009069326.tif 000007
【図１（ｆ）】
2009069326.tif 000008
【図１（ｇ）】
2009069326.tif 000009
【図２】
2009069326.tif 000010
【図３】
2009069326.tif 000011
【図４（ａ）】
2009069326.tif 000012
【図４（ｂ）】
2009069326.tif 000013
【図５】
2009069326.tif 000014
【図６】
2009069326.tif 000015
【図７】
2009069326.tif 000016