(57)【要約】  【課題】  配線層と金めっき層との間に介在する下地めっき層の酸化による腐食が効果的に抑制された、電子部品の接続信頼性等の信頼性に優れる配線基板を提供する。  【解決手段】  絶縁基体１の表面に配線層２が形成され、配線層２が順次被着された下地めっき層３および金めっき層４により被覆されてなる配線基板９であって、絶縁基体１の表面に、下地めっき層３を構成する金属よりも標準電極電位が低い卑金属５が、金めっき層４と接するように配置されている。下地めっき層３を構成する金属よりも標準電極電位が低い卑金属５が優先して酸化され、下地めっき層３を構成する金属の酸化が抑制されるため、下地めっき層３の酸化による腐食を効果的に抑制することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基体の表面に配線層が形成され、該配線層が順次被着された下地めっき層および金めっき層により被覆されてなる配線基板であって、前記絶縁基体の表面に、前記下地めっき層を構成する金属よりも標準電極電位が低い卑金属が、前記金めっき層と接するように配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記卑金属は、前記配線層に沿って前記絶縁基体に被着されたガラス層または樹脂層に、一部が前記ガラス層または樹脂層の表面に露出するように混合された金属粉末として配置され、該金属粉末の露出部分が前記金めっき層に接していることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記金めっき層が前記金属粉末の露出部分の一部を覆っていることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記下地めっき層がニッケルまたは銅を主成分とする合金めっき層，ニッケルめっき層および銅めっき層の少なくとも１種であり、前記卑金属がニッケルまたは銅を含む合金であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項５】
前記ガラス層または樹脂層に、前記卑金属よりも標準電極電位の低い他の卑金属からなる金属粉末が、前記卑金属からなる金属粉末と接するとともに、一部が前記ガラス層または樹脂層の表面に前記金めっき層と接することなく露出するように混合されていることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項６】
前記卑金属がニッケルまたは銅と鉄または亜鉛との合金であり、前記他の卑金属が前記卑金属よりも鉄または亜鉛を多く含有するニッケルまたは銅と鉄または亜鉛との合金であることを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
前記ガラス層または樹脂層にカーボン粉末が、前記卑金属からなる金属粉末と接するとともに、一部が前記ガラス層または樹脂層の表面に前記金めっき層と接することなく露出するように混合されていることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基体の表面に配線層が形成され、その配線層が順次被着された下地めっき層および金めっき層により被覆されてなる配線基板に関するものであり、特に下地めっき層の酸化による腐食を効果的に抑制することが可能な配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板として、一般に、絶縁基体の表面に電子部品の電極や外部電気回路との接続用の配線層が形成され、この配線層の露出表面にニッケルめっき層等の下地めっき層および金めっき層が順次被着されたものが使用されている。
【０００３】
図６は、従来の配線基板90の構造を模式的に示す断面図である。配線基板90は、絶縁基体91に配線層92が形成され、配線層92のうち絶縁基体91の表面に露出する部分に下地めっき層としてのニッケルめっき層93および金めっき層94が順次被着されて構成されている。
【０００４】
絶縁基体91は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料やエポキシ樹脂等の樹脂材料等の電気絶縁性の材料により形成されている。この絶縁基体91の上面等の外面に電子部品（図示せず）が搭載される。
【０００５】
配線層92は、電子部品の電極（図示せず）や外部電気回路（図示せず）とはんだやボンディングワイヤ等の導電性接続材（図示せず）を介して接続され、電子部品の電極同士や、電子部品と外部電気回路との間を電気的に接続する導電路となる部分である。なお、配線層92のうち絶縁基体91の上面や下面に露出している部分により、電子部品の電極や外部電気回路との接続のための接続パッド92ａ，92ｂが構成されている。このような配線層92はタングステンやモリブデン等の金属材料からなり、メタライズ層や金属箔等の形態で絶縁基体91に被着されて形成されている。
【０００６】
また、配線層92の露出部分を被覆する金めっき層94は、配線層92の酸化腐食を防止するとともに、配線層92に対するはんだの濡れ性等の特性を向上させること等のために被着されている。下地めっき層93は、配線層92に対する金めっき層94の密着性を向上させ、金めっき層94を配線層92に対して強固に被着させること等のために被着されている。
【０００７】
なお、下地めっき層93および金めっき層94は、例えばニッケルや金等の電解めっき液中で配線層92に対して所定のめっき用電流を供給する、電解めっき法により被着される。
【特許文献１】特開平10−65295号公報
【特許文献１】特開2001−234361号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の配線基板90では、金めっき層94で被覆されているにもかかわらず、下地めっき層93に酸化による腐食が発生しやすい場合があるという問題があった。
【０００９】
例えば、配線基板90の外面に電子部品を搭載する際に、配線基板90の取扱いなどに起因する汚れ（はんだ濡れ性などを低下させる要因となる物質）を除去することを目的として、水成分を含む洗浄剤による洗浄が行なわれると、下地めっき層93を構成するニッケル等の金属が洗浄剤中の水成分により酸化しやすくなる。
【００１０】
また、このような下地めっき層93の酸化は、配線層92の外縁部において発生しやすい傾向がある。これは、配線層92の外縁部において金めっき層94の付き回りが悪いため、金めっき層94にピンホール等の欠陥が生じ易くなり、また絶縁基体91の表面に近い部分で金めっき層94の厚みが局部的に薄くなることによる。そして、この金めっき層94のピンホール等の欠陥部分を通って水成分が下地めっき層93に到達し、下地めっき層93を酸化させる。
【００１１】
下地めっき層93に酸化による腐食が発生すると、下地めっき層93を介した金めっき層94の配線層92に対する密着性の低下や、配線層92の酸化等の不具合が誘発され、電子部品の接続信頼性が低下してしまう。
【００１２】
特に、近年は、電子部品の高密度実装化が進行しているため、配線層92（接続パッド92ａ，92ｂ等）と電子部品の電極との接合面積が小さくなる傾向にあり、わずかな下地めっき層93の酸化でも電子部品の接続信頼性が低下する可能性がある。加えて、コスト削減のために金めっき層94の厚さ自体も薄く設定される傾向にあり、金めっき層94のピンホール等に起因する前述のような問題が起こりやすくなってきている。
【００１３】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、配線層92と金めっき層94との間に介在する下地めっき層93を構成する金属の酸化が効果的に抑制された、電子部品の接続信頼性等の信頼性に優れる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の配線基板は、絶縁基体の表面に配線層が形成され、該配線層が順次被着された下地めっき層および金めっき層により被覆されてなる配線基板であって、前記絶縁基体の表面に、前記下地めっき層を構成する金属よりも標準電極電位が低い卑金属が、前記金めっき層と接するように配置されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記卑金属は、前記配線層に沿って前記絶縁基体に被着されたガラス層または樹脂層に、一部が前記ガラス層または樹脂層の表面に露出するように混合された金属粉末として配置され、該金属粉末の露出部分が前記金めっき層に接していることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記金めっき層が前記金属粉末の露出部分の一部を覆っていることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記下地めっき層がニッケルまたは銅を主成分とする合金めっき層，ニッケルめっき層および銅めっき層の少なくとも１種であり、前記卑金属がニッケルまたは銅を含む合金であることを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記ガラス層または樹脂層に、前記卑金属よりも標準電極電位の低い他の卑金属からなる金属粉末が、前記卑金属からなる金属粉末と接するとともに、一部が前記ガラス層または樹脂層の表面に、前記金めっき層と接することなく露出するように混合されていることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記卑金属がニッケルまたは銅と鉄または亜鉛との合金であり、前記他の卑金属が前記卑金属よりも鉄または亜鉛を多く含有するニッケルまたは銅と鉄または亜鉛との合金であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の配線基板によれば、絶縁基体の表面に、下地めっき層よりも標準電極電位が低い卑金属が金めっき層と接するように配置されていることから、互いに接し合う金めっき層を構成する金と卑金属との間で、金を陰極とし卑金属を陽極とする局部電池が生じる。この場合、金めっき層を構成する金と下地めっき層を構成するニッケル等の金属との間でも局部電池が生じる可能性があるものの、卑金属の標準電極電位が下地めっき層を構成する金属の標準電極電位よりも低いことから、下地めっき層の金属よりも卑金属の方が優先して（先に）酸化される。このように卑金属が優先して酸化される間は、下地めっき層を構成する金属の酸化が抑制され、下地めっき層としての酸化による腐食が抑制される。したがって、配線層と金めっき層との間に介在する下地めっき層の酸化腐食が効果的に抑制された、電子部品の接続信頼性等の信頼性に優れる配線基板を提供することができる。
【００２１】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、卑金属は、配線層に沿って絶縁基体に被着されたガラス層または樹脂層に、一部がガラス層または樹脂層の表面に露出するように混合された金属粉末として配置され、金属粉末の露出部分が金めっき層に接している場合には、卑金属の露出面積がより小さく抑えられるので、金めっき層との間で局部電池を生じさせる上では不要な露出部分で卑金属が酸化することを抑制することができる。
【００２２】
そのため、卑金属の不要な酸化が抑制されるので、卑金属による下地めっき層の酸化を抑制する効果をより長い期間にわたって確保することができる。また、卑金属の酸化による卑金属の酸化物や水酸化物等の異物の発生をより少なく抑えることができるため、このような異物が金めっき層の露出部分に付着するような不具合の発生が効果的に抑制される。したがって、この場合には、より一層接続信頼性等の信頼性に優れた配線基板を提供することができる。
【００２３】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、金めっき層が金属粉末の露出部分の一部を覆っている場合には、卑金属の不要な露出面積をさらに小さく抑えることができる。また、金めっき層のうち卑金属を覆う部分において、金めっき層を構成する金と卑金属との接し合う面積をより広く確保することができるとともに、両者を金属的な結合で接合させることもできるため、金と卑金属とによる局部電池の発生がより確実になり、下地めっき層を構成する金属の酸化がより効果的に抑制され得る。したがって、この場合には、配線基板としての信頼性をより向上させることができる。
【００２４】
また、本発明の配線基板は上記構成において、下地めっき層がニッケルまたは銅を主成分とする合金めっき層，ニッケルめっき層および銅めっき層の少なくとも１種であり、卑金属がニッケルまたは銅を含む合金である場合には、配線層と下地めっき層との間の接合、および下地めっき層と金めっき層との間の接合をより確実に強固なものとすることができ、配線基板としての信頼性を向上させる上で有効である。
【００２５】
すなわち、ニッケルまたは銅を主成分とする合金めっき層，ニッケルめっき層および銅めっき層は、いずれも、配線層として一般に使用されているタングステンやモリブデン，銅，銀，パラジウム等の金属成分との密着性および金めっき層との密着性が良好である。そのため、下地めっき層を介して金めっき層を配線層にさらに強固に被着させることができる。また、卑金属が、下地めっき層を（主成分として）構成するニッケルまたは銅を含む合金であることから、卑金属について、下地めっき層の酸化を長期にわたって効果的に抑制することができるような標準電極電位、つまり、下地めっき層を構成する金属よりも少し低い程度の標準電極電位への調整が容易である。したがって、この場合には、信頼性および生産性をさらに向上させることが可能な配線基板を提供することができる。
【００２６】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、ガラス層または樹脂層に、卑金属よりも標準電極電位の低い他の卑金属からなる金属粉末が、卑金属からなる金属粉末と接するとともに、一部がガラス層または樹脂層の表面に金めっき層と接することなく露出するように混合されている場合には、配線層と金めっき層との間に介在する下地めっき層の酸化腐食をより長期にわたって抑制することができるため、電子部品の接続信頼性等の信頼性をさらに向上させることができる。
【００２７】
すなわち、卑金属よりも標準電極電位の低い他の卑金属からなる金属粉末が、金めっき層と接している卑金属からなる金属粉末と接している場合には、まず金めっき層と他の卑金属との間で局部電池が生じ、他の卑金属からなる金属粉末が優先して酸化される。そのため、卑金属からなる金属粉末の酸化腐食が抑制され、この金属粉末と金めっき層との間の直接の接触をより長期にわたって維持することができる。したがって、金属粉末（卑金属からなるもの、または他の卑金属からなるもの）と金めっき層との間で局部電池をより長期にわたって生じさせておくことができ、下地めっき層の酸化腐食をより長期にわたって抑制することができる。
【００２８】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、卑金属がニッケルまたは銅と鉄または亜鉛との合金であり、他の卑金属が卑金属よりも鉄または亜鉛を多く含有するニッケルまたは銅と鉄または亜鉛との合金である場合には、このような合金からなる金属粉末を、めっき法やアトマイズ法によって鉄または亜鉛の含有量を調整しながら容易に形成することができる。
【００２９】
そのため、卑金属および他の卑金属それぞれの形成および標準電極電位の調整が容易であり、下地めっき層の酸化がより効果的に抑制された配線基板としての生産性を向上させることができる。
【００３０】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、ガラス層または樹脂層にカーボン粉末が、卑金属からなる金属粉末と接するとともに、一部がガラス層または樹脂層の表面に金めっき層と接することなく露出するように混合されている場合には、カーボン粉末の露出した表面でも酸化反応を生じさせることができるので、卑金属からなる金属粉末の不要な酸化を抑制することができる。すなわち、金めっき層の金を陰極とする局部電池において、陽極の一部を、水成分の作用で酸化するようなことがないカーボン粉末で構成することができるとともに、カーボン粉末がその露出した表面に接する水成分等を酸化させて電子を発生するので、局部電池の反応に必要な電子を金（陰極）に供給することができる。
【００３１】
そのため、卑金属の酸化による卑金属の酸化物や水酸化物等の異物の発生をより少なく抑えることができるため、このような異物が金めっき層の露出部分に付着するようなことが効果的に抑制される。したがって、この場合には、接続信頼性等の信頼性により一層優れた配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００３３】
図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例である配線基板９を示す断面図である。図１において、１は絶縁基体、２は配線層、３は下地めっき層、４は金めっき層である。絶縁基体１に配線層２が形成され、配線層２が下地めっき層３および金めっき層４で順次被覆されて、配線基板９が基本的に構成されている。
【００３４】
この配線基板９の上面の中央部や側面等の外面に電子部品（図示せず）が搭載されることにより、各種電子機器において部品として使用される電子装置が形成される。搭載される電子部品としては、半導体集積回路素子（ＩＣ）や光半導体素子（ラインセンサ，エリアセンサ，イメージセンサ，電荷結合素子、ＥＰＲＯＭ（Erasable and Programmable Read Only Memory）等），圧電素子（圧力センサ，加速度センサ，水晶振動子等），コンデンサ，抵抗器等が挙げられる。
【００３５】
この実施の形態の例において、絶縁基体１は、全体の形状が四角板状であり、上面の中央部に電子部品の搭載部（符号なし）を有している。搭載部は電子部品を搭載するための部位であり、搭載する電子部品の特性や個数等に応じて、絶縁基体１に凹部（キャビティ）を設けてその底面を搭載部としたり、絶縁基体１の外面のうち上面の中央部以外に設けたりしてもよい。
【００３６】
絶縁基体１を構成する材料としては、セラミック材料や樹脂材料，セラミック材料と樹脂材料との複合材料等の電気絶縁性材料等が挙げられる。ここで、セラミック材料とは、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体等であり、樹脂材料とは、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂等の熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂である。
【００３７】
ここで、絶縁基体１を構成する材料として酸化アルミニウム質焼結体を採用した場合における絶縁基体１の作製方法の一例について説明する。まず、酸化アルミニウム（アルミナ）や酸化カルシウム，酸化マグネシウム等の原料粉末を有機溶剤やバインダなどとともにドクターブレード法等の成形手法によりシート状に成形して、複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、作製したセラミックグリーンシートを所定寸法まで積層して積層体とした上で、所定の焼成温度（例えば1300〜1600℃）で焼成する。以上のようにして、絶縁基体１が作製される。
【００３８】
配線層２は、搭載される電子部品と電気的に接続され、例えば、この電子部品を外部電気回路に接続させるための導電路や、電子部品が複数個搭載されたときに電子部品同士を互いに接続させるための導電路として機能する。
【００３９】
配線層２と電子部品や外部電気回路との接続は、はんだやボンディングワイヤ等の導電性接続材（図示せず）を介して行なわれる。この実施の形態の例においては、配線層２のうち絶縁基体１の上面および下面に露出した部位により接続パッド２ａ，２ｂが構成され、接続パッド２ａ，２ｂに導電性接続材が接続される。なお、配線層２のうち接続パッド２ａ，２ｂを構成する部分は、導電性接続材の接続面積を確保して接続しやすくするために、四角形状や楕円形状等の、他の部位よりも面積が広くなるようなパターンで形成されている。
【００４０】
このような配線層２を形成する材料としては、タングステン，モリブデン，マンガン，銅，銀，パラジウム，白金，金等の金属材料（これらの混合材料を含む）が挙げられる。また、配線層２は、これらの金属材料からなるメタライズ層やめっき層，蒸着層，金属箔層等の形態で形成される。
【００４１】
ここで、配線層２を形成する金属材料としてタングステンを採用するとともに、メタライズ層の形態で絶縁基体１に形成するようにした場合を例に挙げて、配線層２の形成方法を説明する。まず、タングステン粉末を有機溶剤やバインダなどとともに混練して金属ペーストを作製する。次に、作製した金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに所定の印刷方法（例えば、スクリーン印刷法）により印刷する。なお、配線層２の一部が、絶縁基体１の内部を厚み方向に貫通する貫通導体（符号なし）の部分を含む場合には、あらかじめセラミックグリーンシートの所定部位に所定の加工方法（例えば、機械的な打ち抜き加工やレーザ加工）により形成しておいた貫通孔内に前述の金属ペーストを充填する。そして、印刷した金属ペーストをセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成することにより配線層２が形成される。
【００４２】
配線層２は、露出する表面（この実施の形態の例では接続パッド２ａ，２ｂの表面）に下地めっき層３および金めっき層４が順次被着され、これらのめっき層３，４により被覆されている。
【００４３】
金めっき層４は、配線層２の酸化を防止するとともに、配線層２に対するボンディングワイヤのボンディング性やはんだの濡れ性等の特性を向上させるためのものである。また、下地めっき層３は、配線層２に対する金めっき層４の密着性を向上させるためのものである。配線層２の表面を被覆するように被着された下地めっき層３の表面に、下地めっき層３を被覆するように金めっき層４が被着されている。
【００４４】
下地めっき層３を構成する金属は、配線層２と金めっき層４との双方に対する密着性に優れた金属であり、例えば、ニッケルや銅，パラジウム等の金属、またはこれらの金属とコバルトやリン，ホウ素等との合金を用いることができる。また、金めっき層４は、例えば高純度（99.99質量％以上）の金により構成されている。
【００４５】
なお、下地めっき層３および金めっき層４を被着させる方法としては、電解めっき法や無電解めっき法等のめっき法が挙げられる。
【００４６】
ここで、電解めっき法を採用する場合における下地めっき層３の形成方法の一例（下地めっき層３がニッケルめっき層である場合の例）について説明する。まず、硫酸ニッケルおよび塩化ニッケルを主成分とし、ホウ酸等の緩衝剤や光沢剤等の添加剤を含んでなるワット浴を作製する。次に、作製したワット浴を所定の温度（例えば、40〜65℃）および所定のｐＨ（例えば、３〜４）に調整する。次に、温度およびｐＨが調整されたワット浴に、あらかじめ配線層２が形成された絶縁基体１を浸漬した状態で、整流器等の外部電源から配線層２に対して、所定の電流密度（例えば、２〜10Ａ／ｄｍ２）で所定時間電流を供給する。ここで、電流の供給時間は、被着させようとする下地めっき層３の厚さに応じて適宜調整する。以上のようにして、下地めっき層３（この場合はニッケルめっき層）が形成される。
【００４７】
また、下地めっき層３を、ニッケルとコバルト等の他の金属との合金めっき層とする場合には、前述したワット浴等のニッケルめっき用のめっき浴中にコバルト等の合金形成用の金属を（硫酸コバルト等の、めっき浴に溶解可能な化合物として）添加すればよい。
【００４８】
また、金めっき層４は、例えば次のような方法で、下地めっき層３を覆うように被着させることができる。まず、金供給源としてのシアン化金カリウムと、リン酸塩やクエン酸塩などの導電性塩等の添加剤とを含んでなる中性シアン化金浴を作製する。次に、作製した中性シアン化金浴を所定の温度（例えば、約70℃）および所定のｐＨ（例えば、６〜８）に調整する。次に、温度およびｐＨが調整された中性シアン化金浴に浸漬した状態で、外部電源（例えば、整流器）から配線層２に対して、所定の電流密度（例えば、0.1〜0.3Ａ／ｄｍ２）で所定時間電流を供給する。電流の供給時間は、被着させようとする金めっき層４の厚さに応じて適宜調整する。以上のようにして金めっき層４が形成される。
【００４９】
また、絶縁基体１の表面には、下地めっき層３よりも標準電極電位が低い卑金属５が、金めっき層４と接するように配置されている。標準電極電位とは、標準水素電極の電位を０Ｖとする周知の値である（例えば、電気化学便覧、第91〜95頁等を参照）。
【００５０】
このような、下地めっき層３よりも標準電極電位が低い卑金属５が、金めっき層４と接するように配置されていることから、互いに接する金めっき層４を構成する金（符号なし）と卑金属５との間で、金を陰極とし卑金属５を陽極とする局部電池が生じる。すなわち、前述したような水分の介在等に起因して、標準電極電位が低く酸化されやすい卑金属５が酸化されて陽イオンになるとともに電子を放出する（Ｍ→Ｍｎ＋＋ｎｅ−：Ｍは卑金属、ｎは正の整数）。そして、この電子が卑金属５から金めっき層４に移動し、金めっき層４の表面部分で水酸基イオンを生じる反応（４ｅ−＋２Ｈ２Ｏ＋Ｏ２→４ＯＨ−）を生じて、いわゆる電池反応が進行する。
【００５１】
この場合、金めっき層４を構成する金と下地めっき層３を構成する金属との間でも局部電池が生じる可能性があるものの、卑金属５の標準電極電位が下地めっき層４を構成する金属の標準電極電位よりも低いことから、下地めっき層３の金属よりも卑金属５の方が優先して（先に）酸化される。このように卑金属５が優先して酸化される間は、下地めっき層３を構成する金属の酸化が抑制され、下地めっき層３としての酸化腐食が抑制される。したがって、配線層２と金めっき層４との間に介在する下地めっき層３の酸化腐食が効果的に抑制された、電子部品の接続信頼性等の信頼性に優れる配線基板９を提供することができる。
【００５２】
なお、卑金属５が金めっき層（金）と接していないと、卑金属５の酸化（陽イオン化）に伴い発生する電子が卑金属５から金めっき層４側に移動できないため、両者の間で局部電池を発生させることができず、卑金属５を、下地めっき層３を構成する金属よりも優先して酸化させることが難しくなる。したがって、卑金属５は金めっき層４と接している必要がある。
【００５３】
このような標準電極電位の低い金属材料５としては、例えば下地めっき層３がニッケルめっき層の場合であれば、鉄や亜鉛，マンガン，ジルコニウム等の金属材料や、これらの金属とニッケルとの合金等が挙げられる。また、下地めっき層３が銅めっき層の場合であれば、上記の金属材料に加えて、ニッケルやコバルト，錫等の金属や、これらの金属（鉄や亜鉛，マンガン，ジルコニウム，ニッケル，コバルト，錫等）と銅との合金が挙げられる。なお、標準電極電位の値（25℃）は、電気化学便覧によれば、錫：−0.14Ｖ、ニッケル：−0.25Ｖ、コバルト：−0.28Ｖ、鉄：−0.44Ｖ、亜鉛：−0.76Ｖ、マンガン：−1.18Ｖ、ジルコニウム：−1.53Ｖである。
【００５４】
この卑金属５は、例えば、このような標準電極電位が低い金属により形成された線状や層状の部材（金属細線や金属箔等）を絶縁基体１の表面に接着することや、標準電極電位が低い金属を絶縁基体１の表面にめっき層や蒸着層等の形態で被着させること等の手段により形成することができる。また、このような卑金属５を金属粉末として配置することもできる。卑金属５を金属粉末として配置する場合の例については、後で詳しく説明する。
【００５５】
下地めっき層３を構成する金属と卑金属５との標準電極電位の差は、卑金属５の酸化を下地めっき層３の酸化よりも優先して進行させる上で、約0.15Ｖ程度であること、つまり卑金属５の標準電極電位が下地めっき層３を構成する金属の標準電極電位よりも約0.15Ｖ以上負の方向に大きいことが望ましい。
【００５６】
また、卑金属５は、金めっき層４の金との間で局部電池を構成して下地めっき層４の酸化を抑制する上では、金めっき層４に接する部位に配置されている必要があるものの、隣り合う配線層２の間の電気的な絶縁性を確保することや余計な酸化物の発生を抑制することを考慮すれば、極力幅を狭くして配置することが好ましい。
【００５７】
また、卑金属５は、必ずしも、配線層２の全長にわたるように配置されている必要はない。例えば、配線層２のうち絶縁基体１の表面に露出する部分が、図２に示すように円形状の接続パッド２ａとして形成されている部分であれば、その接続パッド２ａを取り囲むような環状に卑金属５を配置すればよい。また、下地めっき層３および金めっき層４で被覆された配線層２の隣接間隔が狭い部分Ａでは卑金属５を配置しないか、または幅を狭くして配置するようにすればよい。なお、図２は、本発明の配線基板９の実施の形態の一例（例えば図１に断面図により示した例）を模式的に示す上面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５８】
また、この配線基板９において、図３に示すように、卑金属５は、配線層２に沿って絶縁基体１に被着されたガラス層または樹脂層６に、一部がガラス層または樹脂層６の表面に露出するように混合された金属粉末５ａとして配置され、金属粉末５ａの露出部分が金めっき層４に接している場合には、卑金属５の露出面積が小さく抑えられるので、金めっき層４との間で局部電池を生じさせる上では不要な露出部分で卑金属５に酸化が生じることを抑制することができる。なお、図３は、本発明の配線基板９の実施の形態の他の例における要部を拡大して示す断面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５９】
そのため、卑金属５の不要な酸化が抑制されるので、卑金属５による下地めっき層の酸化を抑制する効果をより長い期間にわたって確保することができる。また、卑金属５の酸化による水酸化物等の異物の発生を少なく抑えることができるため、このような異物が金めっき層４の表面に付着するような不具合の発生が効果的に抑制される。したがって、この場合には、より一層接続信頼性等の信頼性に優れた配線基板９を提供することができる。
【００６０】
なお、このような金属粉末５ａとしての卑金属５は、例えば、標準電極電位の低い金属をめっき法（いわゆる湿式冶金等）やアトマイズ法で粉末状に成形することにより作製される。作製された金属粉末５ａは、例えば、粒径が約２〜５μｍ程度の球状または楕円球状である。
【００６１】
また、ガラス層または樹脂層６は、例えば、ソーダガラス（Ｎａ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＣａＯ系）やホウケイ酸ガラス（ＢＯ３−ＳｉＯ２系）等のガラス材料や、ポリエチレン樹脂，ポリアクリレート樹脂，ポリスチレン樹脂等の樹脂材料により形成される。
【００６２】
そして、例えばソーダガラスの粉末に有機溶剤を添加して作製したガラスペーストに前述のような金属粉末を混合し、この混合物を配線層２に接するようにして絶縁基体１の表面に塗布し、次にガラスペーストを加熱して有機溶剤を除去するとともにガラスを溶融させて層状とすることにより、金属粉末５ａが表面に露出したガラス層６を形成することができる。また、この工程の後、さらにガラス層６の表面部分をフッ化水素酸やその塩類等の水溶液を用いて溶解除去するようにすれば、より確実に、金属粉末５ａが表面に露出したガラス層６を形成することができる。
【００６３】
また、この配線基板９は、図４に示すように、金めっき層４が金属粉末５ａの一部を覆っている場合には、卑金属５の不要な露出面積をより小さく抑えることができる。また、金めっき層４のうち卑金属５を覆う部分４ａにおいて、金めっき層４を構成する金（図示せず）と卑金属５との接し合う面積をより広く確保することができるとともに、両者を金属的な結合で接合させることもできるため、金と卑金属５とによる局部電池の発生がより確実になり、下地めっき層３を構成する金属の酸化がより効果的に抑制され得る。したがって、この場合には、配線基板９としての信頼性をより向上させることができる。なお、図４は、図３に示す配線基板９の変形例を拡大して示す要部拡大断面図である。図４において図１および図３と同様の部位には同様の符号を付している。
【００６４】
金めっき層４により金属粉末５ａの露出部分の一部を被覆させるには、例えば、金めっき層４を下地めっき層３の表面に被着させる際に、金属粉末５ａの露出部分を下地めっき層３と接触させておいて、金めっき層４，４ａを下地めっき層３から金属粉末５ａの露出部分にかけて被着させる。そして、例えばガラス層６の表面部分を前述したフッ化水素酸の塩類等で溶解除去し、ガラス層６で覆われていた金属粉末５ａの一部（金めっき層４が被着されていない部分）を露出させるようにすれば、ガラス層６に混合されるとともに、露出部分の一部が金めっき層４ａで被覆された金属粉末５ａを、絶縁基体１の表面に配置させることができる。
【００６５】
なお、金属粉末５ａを樹脂層６に混合する場合には、例えばポリエチレン樹脂からなる樹脂層６の表面部分をベンゼン等の芳香族系溶剤等で溶解除去するようにすればよい。
【００６６】
また、この配線基板９において、下地めっき層３がニッケルまたは銅を主成分とする合金めっき層，ニッケルめっき層および銅めっき層の少なくとも１種であり、卑金属５がニッケルまたは銅を含む合金である場合には、配線層２と下地めっき層３との間の接合、および下地めっき層２と金めっき層４との間の接合をより確実に強固なものとすることができ、配線基板９としての信頼性を向上させる上で有効である。
【００６７】
すなわち、ニッケルまたは銅を主成分とする合金めっき層，ニッケルめっき層および銅めっき層は、いずれも、配線層２として一般に使用されているタングステンやモリブデン，銅，銀，パラジウム等の金属成分との密着性および金めっき層４との密着性が良好である。そのため、下地めっき層３を介して金めっき層４を配線層２にさらに強固に被着させることができる。また、卑金属５が、下地めっき層３を（主成分として）構成するニッケルまたは銅を含む合金であることから、卑金属５について、下地めっき層３の酸化を長期にわたって効果的に抑制することができるような標準電極電位、つまり、下地めっき層３を構成する金属（ニッケルや銅、またはその合金）よりも少し低い程度の標準電極電位への調整が容易である。したがって、この場合には、信頼性および生産性をさらに向上させることが可能な配線基板を提供することができる。なお、下地めっき層３を構成する金属（ニッケルや銅、またはその合金）よりも少し低い程度の標準電極電位とは、例えば下地めっき層３の標準電極電位との差が0.15Ｖ程度の電位である。
【００６８】
下地めっき層３を構成する、ニッケルを主成分とする合金としては、ニッケル−コバルト合金，ニッケル−ホウ素合金，ニッケル−リン合金，ニッケル−パラジウム合金，ニッケル−金合金，ニッケル−銅合金等の合金を挙げることができる。例えば、ニッケル−コバルト合金の場合であれば、コバルトを約５〜30質量％の割合で含有する合金めっき層が用いられ、ニッケル−リン合金の場合であれば、リンを約３〜15質量％の割合で含有する合金めっき層が用いられる。
【００６９】
また、銅を主成分とする合金としては、銅−リン合金等の合金を挙げることができる。例えば、銅−リン合金の場合であれば、リンを約５〜20質量％の割合で含有する合金めっき層が用いられる。
【００７０】
このような、ニッケルまたは銅を含み、下地めっき層３を構成する金属よりも標準電極電位が低い合金としては、ニッケル（または銅）に、ニッケル（または銅）よりも標準電極電位の低い金属を添加した合金を用いることができる。
【００７１】
ニッケルよりも標準電極電位が低い金属としては、前述のように鉄，マンガン，アルミニウム，亜鉛，ジルコニウム等の金属が挙げられる。また、銅よりも標準電極電位が低い金属としては、これらの金属に加えて、コバルト，ニッケル，錫等の金属が挙げられる。
【００７２】
特に、このような卑金属５を合金で形成する際に用いる標準電極電位の低い金属としては、例えばめっき法によりニッケルとの合金を形成することが可能であることから、鉄が適している。
【００７３】
また、このような配線基板９は、卑金属５が、一部がガラス層または樹脂層６の表面に露出している金属粉末５ａとして配置されている上記構成において、図５に示すように、ガラス層または樹脂層６に、卑金属５よりも標準電極電位の低い他の卑金属７からなる金属粉末７ａが、卑金属５からなる金属粉末５ａと接するとともに、一部がガラス層または樹脂層６の表面に金めっき層４と接することなく露出するように混合されている場合には、配線層２と金めっき層４との間に介在する下地めっき層３の酸化腐食をより長期にわたって抑制することができるため、電子部品の接続信頼性等の信頼性をさらに向上させることができる。なお、図５は、本発明の配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。図５において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００７４】
すなわち、卑金属５よりも標準電極電位の低い他の卑金属７からなる金属粉末７ａが、金めっき層４と接している卑金属５からなる金属粉末５ａと接している場合には、まず金めっき層４を構成する金と金属粉末７ａを構成する他の卑金属７との間で局部電池が生じ、他の卑金属７からなる金属粉末７ａが優先して酸化される。そのため、卑金属５からなる金属粉末５ａの酸化腐食が抑制され、この金属粉末５ａと金めっき層４との間の直接の接触をより長期にわたって維持することができる。したがって、卑金属５または他の卑金属７からなる金属粉末５ａ，７ａと金めっき層４との間で局部電池をより長期にわたって生じさせておくことができ、下地めっき層３の酸化腐食をより長期にわたって抑制することができる。
【００７５】
この場合、他の卑金属７からなる金属粉末７ａが金めっき層４と接していると、他の卑金属７からなる金属粉末７ａが、金めっき層４と接している卑金属５からなる金属粉末５ａと接することによりその金属粉末５ａの酸化を抑制し、金めっき層４と金属粉末５ａとの直接の接触をより長期にわたって維持することができる、という効果を得ることが難しくなる。そのため、他の卑金属７からなる金属粉末７ａは、金めっき層４と直接接しないようにガラス層または樹脂層６に混合されている。
【００７６】
このような他の卑金属７としては、例えば、前述した、卑金属５として用い得る金属材料のうち、実際に卑金属５として用いるようにした金属材料よりも標準電極電位の低い金属材料を用いることができる。例えば、卑金属５として鉄を用いる場合であれば、他の卑金属７としては亜鉛やマンガンを用いるようにすればよい。また、他の卑金属７は、実際に卑金属５として用いるようにした金属材料と、それよりも標準電極電位が低い金属材料との合金（鉄−亜鉛合金や鉄−マンガン合金等）でもよい。
【００７７】
なお、他の卑金属７からなる金属粉末７ａにおける酸化を卑金属５からなる金属粉末５ａに優先して生じさせる上で、他の卑金属７の標準電極電位は卑金属５の標準電極電位に対して約0.15Ｖ程度以上低いことが好ましい。
【００７８】
また、他の卑金属７からなる金属粉末７ａは、例えば卑金属５からなる金属粉末５ａと同様に、めっき法やアトマイズ法により、粒径が約２〜５μｍ程度の球状または楕円球状に作製されたものを用いることができる。
【００７９】
他の卑金属７からなる金属粉末７ａが混合されたガラス層または樹脂層６は、ガラス層６の場合であれば、次のような方法で形成することができる。すなわち、前述したようなガラス材料によりガラス層６を形成する際に、卑金属５からなる金属粉末５ａを混合したガラスペーストを塗布した後、その外側（金めっき層４の反対側）に接するように、他の卑金属７からなる金属粉末７ａを混合したガラスペーストを塗布する。塗布したガラスペースト同士は、両者の界面部分で多少混ざり合ってもかまわない。この塗布の際には、他の卑金属７からなる金属粉末７ａが金めっき層４と接することがないように注意する。その後、前述したようにガラスペーストを加熱することにより、他の卑金属７からなる金属粉末７ａが混合されたガラス層６を形成することができる。
【００８０】
なお、卑金属５からなる金属粉末５ａと他の卑金属７からなる金属粉末７ａとの接し合う面積を増やすために、金属粉末５ａ，７ａの粒径を互いに異なる粒径としたり、金属粉末５ａ，７ａがそれぞれ混合されたガラスペースト同士が接し合う界面を平面視で互いに入り組んだ形状（いわゆるジグザグ状や波状等）にしたりしてもよい。
【００８１】
また、このような配線基板９は、上記構成において、卑金属５がニッケルまたは銅と鉄または亜鉛との合金であり、他の卑金属７が卑金属５よりも鉄または亜鉛を多く含有するニッケルまたは銅と鉄または亜鉛との合金である場合には、このような合金からなる金属粉末５ａ，７ａを、めっき法やアトマイズ法により鉄または亜鉛の含有量を調整しながら容易に形成することができる。
【００８２】
そのため、卑金属５および他の卑金属７それぞれの形成および標準電極電位の調整が容易であり、下地めっき層３の酸化がより効果的に抑制された配線基板９としての生産性を向上させることができる。
【００８３】
例えば、めっき法（湿式冶金）によりニッケル−鉄合金や銅−亜鉛合金等を析出させて卑金属５からなる金属粉末５ａおよび他の卑金属７からなる金属粉末７ａを作製する場合であれば、使用するめっき液中の鉄または亜鉛成分を増減することにより、卑金属５および他の卑金属７それぞれの鉄または亜鉛の含有量を増減することができる。使用するめっき液としては、ワット浴に硫酸鉄等の鉄の供給源となる化合物を添加しためっき液（ニッケル−鉄合金）やシアン系の銅−亜鉛合金めっき液等を用いることができる。層状や小片状（いわゆるフレーク状）に析出した合金は、ボールミルを用いた粉砕等の加工手段により所定の粒径の金属粉末５ａ，７ａに加工される。
【００８４】
また、金属粉末５ａ，７ａを形成する卑金属５や他の卑金属７に含有される鉄または亜鉛の量は、めっきする際の電流密度やめっき液の温度，ｐＨ等にも影響を受けるため、これらの条件も適宜調整しておくことが望ましい。
【００８５】
なお、一例として、卑金属５として鉄を約30質量％含むニッケル−鉄合金（標準電極電位が約−0.4Ｖ）を用いたときには、他の卑金属７として亜鉛を約30質量％含むニッケル−亜鉛合金（標準電極電位が約−0.6Ｖ）を用い、それぞれ金属粉末５ａ，７ａを作製するようにすればよい。
【００８６】
また、このような配線基板９は、卑金属５が、一部がガラス層または樹脂層６の表面に露出している金属粉末５ａとして配置されている上記構成において、図６に示すように、ガラス層または樹脂層６にカーボン粉末８が、卑金属５からなる金属粉末５ａと接するとともに、一部がガラス層または樹脂層６の表面に金めっき層４と接することなく露出するように混合されている場合には、カーボン粉末８の露出した表面でも酸化反応を生じさせることができる。すなわち、金めっき層４の金を陰極とする局部電池において、陽極の一部を、水成分の作用で酸化するようなことがないカーボン粉末８で構成することができるとともに、カーボン粉末８がその露出した表面に接する水成分等を酸化させて電子を発生するので、局部電池の反応に必要な電子を金（陰極）に供給することができる。なお、図６は、本発明の配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。図６において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００８７】
そのため、卑金属５の酸化による卑金属５の酸化物や水酸化物等の異物の発生をより少なく抑えることができるため、このような異物が金めっき層４の露出部分に付着するようなことが効果的に抑制される。したがって、この場合には、接続信頼性等の信頼性により一層優れた配線基板９を提供することができる。
【００８８】
この場合、カーボン粉末８は、金属粉末５ａ（卑金属５）と電気的に接続されているため、金属粉末５ａと同じ程度の電位（卑金属５の標準電極電位と同じ程度の電位）になり、その露出した表面で水の酸化反応（２Ｈ２Ｏ→４Ｈ＋＋Ｏ２＋４ｅ−）等の酸化反応が生じて電子が放出され、この放出された電子が金めっき層４に移動する。なお、この金属粉末５ａと接したカーボン粉末８が金めっき層４と接していると、カーボン粉末８は、単に金属粉末５ａから金めっき層４への電子の移動経路になり、露出した表面において酸化反応が生じないようになる。そのため、カーボン粉末８は、金属粉末５ａと接するとともに、金めっき層４と接しないように露出するものであることが必要である。
【００８９】
また、カーボン粉末８は、卑金属５からなる金属粉末５ａとの接触やガラス層または樹脂層６の表面への露出のしやすさを考慮して、例えば、金属粉末５ａと同様の寸法および形状（粒径が約２〜５μｍ程度の球状または楕円球状）に形成されたものを用いるようにすればよい。
【００９０】
また、カーボン粉末８の添加量は、金属粉末５ａの添加量と同じ程度またはわずかに少ない程度（体積の比率で金属粉末５ａに対して約80〜100％程度）にしておけばよい。この場合には、カーボン粉末８のガラス層または樹脂層６表面への露出が金属粉末５ａと同じかまたは若干少ない程度の割合になるので、露出するカーボン粉末８をより確実に金属粉末５ａと接することができるようにするとともに、卑金属５の不要な酸化を効果的に抑制することができる。なお、このようなカーボン粉末８は、例えば、コールタール等の石油系材料等の原料を炭化して作製した塊状のカーボン（黒鉛）を微粉砕加工して粉末状とすることにより製作される。
【００９１】
また、表面が露出するカーボン粉末８を金めっき層４と接触させないようにするには、まず、金めっき層４と接するようにして、金属粉末５ａのみが添加されたガラス層または樹脂層６（ガラス層６となるガラスペースト等）を絶縁基体１の表面に被着させた後、その外側（金めっき層４と反対側）に、金属粉末５ａおよびカーボン粉末８が添加されたガラス層または樹脂層６を被着させるようにすればよい。
【００９２】
また、ガラス層または樹脂層６は、カーボン粉末８をより強固に保持するために、エポキシ系樹脂やシアノアクリレート系樹脂等の樹脂材料をカーボン粉末８の接着剤として添加するようにしてもよい。
【実施例】
【００９３】
酸化アルミニウム質焼結体からなる平板状の絶縁基体の表面に、直径１ｍｍの円形状の接続パッドとして配線層を形成した配線基板を用いて、金めっき層に接する卑金属の有無による酸化の程度の比較を行なった。接続パッドは12個×12個の縦横の並びに配列形成し、酸化の程度は、接続パッドに対するはんだ濡れ性により確認した。
【００９４】
接続パッドはタングステンのメタライズ層を用いて絶縁基体との同時焼成により形成した。接続パッドを形成するメタライズ層の厚さは約30μｍとした。
【００９５】
この配線基板の接続パッドに、ワット浴を用いてニッケル−コバルト合金めっき層（標準電極電位が約0.25Ｖ）を４μｍ（蛍光Ｘ線で各接続パッドを測定した算術平均値）の厚さで、次いで中性シアン化金浴を用いて金めっき層を１μｍ（蛍光Ｘ線で各接続パッドを測定した算術平均値）の厚さで順次被着させた。合金めっき層のコバルトの含有率は約10質量％とした。
【００９６】
この接続パッドを取り囲む環状のパターンでガラス層を形成し、ガラス層には表面に一部が露出するようにして卑金属からなる金属粉末を添加しておいた。ガラス層はソーダガラスにより形成し、卑金属としてはニッケルに鉄を約30質量％添加した合金（標準電極電位が約0.4Ｖ）を用いた。金属粉末は平均粒径が約５μｍの球状に形成した。この金属粉末の露出部分と金めっき層との接触は、次のようにして行なわせるようにした。
【００９７】
まず、卑金属の粉末を、ガラス粉末に有機溶剤（アセトン）を添加し混練して作製したガラスペーストに前述した金属粉末を混合し、次に、この混合物を、絶縁基体の表面に、金めっき層で被覆された接続パッドを取り囲む環状のパターンでスクリーン印刷法により塗布し、次に、このガラスペーストを加熱して有機溶剤を除去するとともにガラス成分を溶融させてガラス層とすることにより、表面に金属粉末の一部が露出し、この露出部分が金めっき層に接したガラス層を形成した。なお、ガラス層には、金属粉末の分散性の向上や剥離（離脱）の抑制のためにシランカップリング剤を添加しておいた。
【００９８】
また、比較例として、卑金属を絶縁基体の表面に配置しない従来技術の配線基板を作製した。比較例の配線基板は、卑金属を配置しなかった点以外は、実施例の配線基板と同様の材料を用い、同様の方法で作製した。
【００９９】
これらの実施例および比較例の配線基板について、それぞれ水系の洗浄剤（花王株式会社製Ｃ750Ｈ）で洗浄した後、腐食を促進させるために高温放置（80℃、24時間）してから、はんだの濡れ性の比較を行なうことにより酸化の程度を比較した。
【０１００】
はんだとしては錫−銀（３質量％）−銅（0.5質量％）のはんだを用い、はんだ付けはリフロー炉（220℃）で行なった。はんだ濡れ性の良否は外観確認（倍率20倍の双眼顕微鏡使用）により判定した。配線基板の個数は、実施例および比較例ともに100個ずつとした。
【０１０１】
その結果、本発明の実施例である、卑金属が配置された配線基板は、各接続パッドについて、外縁部も含めてはんだの濡れに異常は見られなかった。これに対して、比較例の配線基板は、著しい濡れ不良は見られなかったものの、10％の配線基板において、接続パッドの一部（１〜10個程度）に、接続パッドの外縁部で、はんだの厚さが薄くなってはんだの表面が段状になるような濡れ性の劣化が見られた。
【０１０２】
以上により、本発明の配線基板では、配線層（接続パッド）の酸化による腐食が、従来技術に比べて抑制されていることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板の実施の形態の一例を模式的に示す上面図である。
【図３】本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図４】本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図５】本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図６】本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図７】従来の配線基板の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１・・・・・・絶縁基体
２・・・・・・配線層
２ａ，２ｂ・・接続パッド
３・・・・・・下地めっき層
４・・・・・・金めっき層
５・・・・・・卑金属
５ａ・・・・・金属粉末（卑金属）
６・・・・・・ガラス層または樹脂層
７・・・・・・他の卑金属
７ａ・・・・・金属粉末（他の卑金属）
８・・・・・・カーボン粉末
９・・・・・・配線基板
【図１】
2009152519.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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