(57)【要約】【課題】  ボンディングワイヤと半導体素子上の電極との間の接合強度が十分であり、半導体素子を樹脂封入する際にボンディングワイヤ同士の接触による不良が起こりにくく、また、ボール硬度が大きすぎず、チップにクラックを生ぜず、かつ、振動に対する十分な疲労特性を有するボンディングワイヤを提供する。【解決手段】  Ｓｎを０．０００１質量％以上０．０１質量％以下、Ｐｔを０．８質量％を越え２質量％以下、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１種以上を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物からなるボンディングワイヤ。さらにＣｕを０．０５質量％以上１．５質量％以下含有したものであっても良い。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｎを０．０００１質量％以上０．０１質量％以下、Ｐｔを０．８質量％を越え２質量％以下、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１種以上を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物であることを特徴とするボンディングワイヤ。
【請求項２】
Ｓｎを０．０００１質量％以上０．０１質量％以下、Ｐｔを０．８質量％を越え２質量％以下、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１種以上を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下含有し、さらにＣｕを０．０５質量％を超え１．５質量％以下含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物であることを特徴とするボンディングワイヤ。
【請求項３】
線径が０．０２０３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１もしくは請求項２記載のボンディングワイヤ。
【請求項４】
請求項１〜３に記載のボンディングワイヤを使用した、ボンディングパッドピッチが０．０５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のチップ電極と外部リードとを接続するために使用されるボンディングワイヤ及びその半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子の電極と外部リードとを接続するために、一般に０．０１〜０．１ｍｍの直径を有するボンディングワイヤが用いられている。
前記ワイヤのボンディングには、ボンディング治具となるセラミック製キャピラリー、該キャピラリーを保持するためのもので前後上下左右に移動可能なヘッド、コントローラ、及びボール形成のための電気トーチを備えてなる超音波熱圧着式ワイヤボンダーが使用されている。
また、ボンディング方式には、ボンディングワイヤの先端を溶解させてボール状にした後、超音波振動を付加しながら加熱することにより圧着するボールボンディング方式と、超音波を付加しながら押圧してボンディングワイヤを圧着するウェッジボンディング方式がある。第一ボンディングではボールボンディング方式が用いられ、第二ボンディングではウェッジボンディング方式が用いられている。
前記ワイヤボンダーを用いて半導体素子上の電極と外部リードとをボンディングワイヤで接続するためには、まずキャピラリーを半導体素子の電極上に移動させて降下させ、ボールボンディング方式によりボンディングワイヤを該電極に圧着せしめた後（第一ボンディング）、キャピラリーを上昇させて外部リード上に移動させて降下させ、該外部リードに前記ワイヤを圧着せしめ（第二ボンディング）、続いてキャピラリーを上昇させてワイヤを切断するという方法により行われる。
【０００３】
近年、ワイヤボンダーは、ボンディング一工程当たりの所要時間が極めて短くなっており、ボンディングワイヤには、以下のような特性が要求されている。すなわち、
ｉ）  第一ボンディングにおいては、ボンディングワイヤを加熱して溶解したときに、引け巣（収縮孔ないしはピンホールともいう。）や酸化被膜のない真球状のボールが形成され、かつ、該ワイヤと電極との接合状態が良好であること、
ii）  第二ボンディングにおいてはワイヤと外部リードとの接合状態が良好であること、
iii)  第一ボンディングと第二ボンディングとの間のワイヤにカールやループ垂れなどのループ異常が発生しないこと、
iv）  ボンディング後の樹脂モールドの際、樹脂の流動によるワイヤの変形が起こりにくいこと、
ｖ）  長期間保存しても第一および第二ボンディングの接合部が劣化（接合部剥離）しないこと、
等である。
【０００４】
純度９９．９９％以上の金に、例えば、Ｃａ、Ｂｅ等の元素を０．０００１〜０．０１質量％添加して硬度を高めた金合金線を使用すると、上記ｉ）〜ｖ）の特性をある程度備えたボンディングワイヤが得られる。このため、ボンディングワイヤには、通常は純金線でなく金合金線が用いられることが多い（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
上記特許文献１に開示されたボンディング用金細線は、高純度ＡｕにＰｄ，Ｐｔ：１，０００〜４００，０００重量ｐｐｍ、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｓｎ：１〜５００ｐｐｍ、Ｂｅ，Ｃａ，Ｇｅ，Ｒｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｇ，希土類：１〜５００ｐｐｍ含有した金合金で、圧着面積を小さくしても所定の剪断強度が得られるとされている。
また、特許文献２に開示されたボンディング用金細線は、高純度ＡｕにＰｔを０．１〜０．８重量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ，Ｂａ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＴｉの中から選ばれた１種以上の元素を添加したものであり、直進性と引張強度及び接合強度を向上させるので、長ループ配線に適したものになるとされている。
【特許文献１】特開平０８−１２７８２８号公報
【特許文献２】特開平０７−３３５６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが近年、半導体デバイスの多ピン化に伴いボンディングワイヤ間隔の狭ピッチ化及びボンディング距離の長距離化が上記特許文献出願時よりもさらに進んでおり、そのまま従来のボンディングワイヤを用いるとワイヤループが垂れたり、樹脂封入するときに樹脂の流動抵抗によりボンディングワイヤが変形し、ボンディングワイヤ同士が接触したりする等の不具合が生じる。このため、添加元素の添加量を増やす、添加元素の種類を増やす等の手段を用いてボンディングワイヤの強度および弾性率を向上させる試みがなされている。
【０００６】
しかしながら、単純に添加元素の添加量を増やす方法、あるいはこれまで用いていた添加元素を複合添加する方法では、ボンディングワイヤの強度および弾性率を向上させることができても、第一ボンディングにおいて加熱溶解して得られるボールが硬すぎるため、半導体素子に亀裂（チップクラック）が生じる、ボール形状が真球にならない、真球に近くともボールを形成する際に収縮孔を生じる、半導体素子上の電極にボンディングしたときにボールがいびつに変形し隣の電極に接触する、引け巣があるため電極との十分な接合強度が得られない、ボンディング後のボールの潰れ形状がいびつなために異常ループを形成してしまい、樹脂封入するときに樹脂の流動抵抗によりボンディングワイヤ同士が接触する等の不具合が生じる。
【０００７】
また０．０２５〜０．０２８ｍｍの線径でボンディングワイヤの間隔が０．０８ｍｍのボンディング作業では問題ないが、ボンディングワイヤの間隔が０．０５ｍｍで０．０２ｍｍの線径でボンディングする時には、例えば０．０４±０．００２ｍｍなどの所定の潰れボール径の範囲内で第一ボンディングの条件を見出そうとしても、高いシア強度を得る条件がないもしくはその範囲が非常に狭いといった狭ピッチ化の進展に伴う不都合も発生していた。
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、狭ピッチボンディングでも第一ボンディングで接合したボンディングワイヤと半導体素子上の電極との間の接合強度が十分であり、半導体素子を樹脂封入する際にボンディングワイヤ同士の接触による不良が起こりにくく、また、ボール硬度が大きすぎず、チップにクラックを生ぜず、かつ、振動に対する十分な疲労特性を有するボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るボンディングワイヤの第一の態様は、Ｓｎを０．０００１質量％以上０．０１質量％以下、Ｐｔを０．８質量％を越え２質量％以下、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１種以上を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物であるボンディングワイヤとした。ここで、希土類元素とは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの１７元素である。
本発明に係るボンディングワイヤの第二の態様は、Ｓｎを０．０００１質量％以上０．０１質量％以下、Ｐｔを０．８質量％を越え２質量％以下、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１種以上を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下含有し、さらにＣｕを０．０５質量％を超え１．５質量％以下含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物でからなるボンディングワイヤとした。
本発明に係るボンディングワイヤの第三の態様は、第一もしくは第二の態様を前提とし、線径が０．０２０３ｍｍ以下のものとする。
本発明に係る半導体装置は、第一〜第三の態様のボンディングワイヤを使用することを前提とした、ボンディングパッドピッチが０．０５ｍｍ以下のものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るボンディングワイヤは、金属疲労が起きにくく、繰り返し応力を受けやすいリードフレームにボンディングした後においても、金属疲労によるワイヤの破断が起こりにくい。
また、本発明に係るボンディングワイヤは、優れた破断強度、ワイヤ直進性を有し、また第一ボンディング時に形成されるボールに収縮孔は観察されず、ボール潰れ形状は真円に近く、接合強度に優れ、さらにボンディングワイヤを用いてボンディングした後のチップにはクラックが生じない。
【００１１】
このため、本発明に係るボンディングワイヤは、リードの狭ピッチ、半導体素子上の電極の狭パッドピッチ、リードフレームと半導体素子上の電極間の長ループ配線に適する。
また、本発明に係るボンディングワイヤは、優れた破断強度と接合強度とを有するため線径が０．０２０３ｍｍ（＝０．８ｍｉｌ）以下の極細線化も容易であり、かつ、この極細線を用いることによりＩＣを小型化することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
先ず、本発明のボンディングワイヤにおける組成限定の理由を説明する。
本発明のボンディングワイヤにおける第一添加元素であるＳｎには、第一ボンディング時にボールボンディング方式によりボンディングワイヤを電極に圧着せしめる際に用いられるボールの硬化を抑制し、そのボールの変形を容易とする効果がある。
また、Ｃｕを添加する場合には、Ｃｕの添加による加工硬化を抑制し、振動による金属疲労によるネックダメージおよびワイヤ破断を抑える効果がある。
【００１３】
Ｓｎの添加量が０．０００１質量％未満であると、圧着する際に用いるボールの硬化を抑制する効果が発揮されず、ボールが容易に変形しなくなる。また、Ｃｕを使用する場合には、Ｃｕが添加されることによって促進される加工硬化を抑制する効果が得られず、振動による金属疲労によるネックダメージによりワイヤ破断が発生するおそれがある。
一方、添加量が０．０１質量％を上回ると、第一ボンディング後の工程において高温に保持されたとき、接合界面での剥離が起きやすくなる。
このため、本発明に係るボンディングワイヤにおいては、Ｓｎの添加量の範囲を０．０００１質量％以上０．０１質量％以下とした。
【００１４】
第二添加元素であるＰｔには、第一ボンディング後の工程において高温に保持されても接合界面が剥離するのを抑制する効果があり、導通不良を防ぎ、パッケージの信頼性を高める効果がある。
また、この元素はワイヤの強度の向上だけでなく、Ｃｕと同じようにボールの硬度を高める効果があるため、添加量が多くなりすぎるとチップクラックの原因となる。
ボンディングワイヤの間隔が０．０５ｍｍ以下のボンディングでは、第一ボンディングでの潰れボール径が少なくとも０．０４５ｍｍ以下となるので、ワイヤボンダーの制御精度の向上も必要とされ、位置精度の向上やボンディングヘッド部の低荷重化によるボンディング時の衝撃力低減がなされている（例えば特開２００３−１５２０１２  公報参照。）。これらの効果により従来ではチップクラックを発生させ得るボールの硬度を有するワイヤでもチップクラックは発生しなくなる効果が得られる。第一ボンディングの接合強度は一般的にシア強度の指標で評価されるが、シア強度は十分な接合が行われればボールの硬度の高いワイヤの方が高くなる傾向にある。さらにボールの硬度が高くなると、ボンディング荷重，超音波出力などのボンディング条件を変更させた時に潰れたボール径の変化が小さい、つまりボールを潰すエネルギーの変動に対する感受性が低い傾向もある。一般的に第一ボンディングの条件は、ボールのつぶれ径の条件とシア強度に代表される接合力の２条件が同時に満足するように設定されるが、ワイヤボンダーの制御精度と硬さに対する諸性能の傾向から、それほどワイヤボンダーの制御精度が高くない機種を用いたりボールのつぶれ径が０．０５ｍｍ程度以上の場合は、Ｐｔの添加量の範囲が０．１〜０．８質量％が好ましく、狭ピッチボンディングのために高精度のワイヤボンダー機種を用いかつボールのつぶれ径が０．０４５ｍｍ程度以下を必要とする場合は、Ｐｔの添加量の範囲が０．８質量％を越え２質量％以下が好ましいことを見出した。なおここで高精度のワイヤボンダー機種とは、概ねカタログ性能上でボンディングパッドピッチが０．０５ｍｍ以下のボンディングが可能とされたものを指す。
Ｐｔの添加量が０．８質量％以下であると、第一ボンディング後の工程において高温に保持されたときに、接合界面が剥離することによって発生する導通不良を抑制できず、パッケージの信頼性を高める効果が得られなくなる。一方、添加量が２質量％を超えると、ワイヤーボールが硬くなりすぎて第一ボンディング時に半導体素子に亀裂を生じさせたり、第一ボンディングボールから第二ボンディングに至る間のループ形成にばらつきを生じさせる場合がある。このため、本発明に係るボンディングワイヤにおいては、Ｐｔの添加量の範囲を０．８質量％を越え２質量％以下とした。
【００１５】
第三添加元素であるＣａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉは、Ｓｎ、Ｐｔ、あるいはＣｕとの相乗効果により、ワイヤの直進性を更に向上させる他、常温および高温での引張強度、および接合強度をさらに向上させ、かつ、結晶粒径を微細化する働きにより、ネック切れ、ネックダメージを防止する効果がある。
これら第三添加元素の合計が０．０００１質量％未満であると、Ｓｎ、Ｐｔ、あるいはＣｕとの相乗効果が現れず、直進性、引張強度、接合強度の向上、結晶粒径の微細化についての効果が生じない。
一方、１種以上の第三添加元素の合計が０．１質量％上回ると、第一ボンディング時のボールの真球度が不十分となり、接合後の引張強度のばらつきが大きくなったり、直進性に異常をきたしたり、ボールが硬くなりすぎて第一ボンディング時に半導体素子に亀裂を生じたりする場合がある。
従って、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ、Ｔｉの含有量は、少なくとも１種以上の元素を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下とする。
【００１６】
第四添加元素であるＣｕは、Ｐｔとの相乗効果によってボールを硬くするので、高い接合強度を安定的に得ることに効果がある。しかし、Ｃｕの添加量が多くなりすぎると、硬化による金属疲労が原因でネック部が振動破断を起こす。
Ｃｕの添加量が０．０５質量％以下であると、高い接合強度を安定的に得にくくなる。一方、Ｃｕの添加量が１．５質量％を超えると加工硬化が進みやすく、振動が原因の金属疲労によるネックダメージや破断が発生しやすい上、ボールの硬化によって第一ボンディング時に半導体素子に亀裂（チップダメージ）を生じさせる恐れがある。
このため、本発明に係るボンディングワイヤにおいては、Ｃｕの添加量の好ましい範囲を０．０５質量％を超え１．５質量％以下とした。
なお、本発明のようにＳｎやＰｔを組み合わせて含有させることにより、前述のようなＣｕによる金属疲労およびチップダメージへの悪影響を低減させることができる。
【００１７】
以上説明したとおり、本発明のボンディングワイヤはボンディングワイヤの間隔が０．０５ｍｍ以下の半導体装置組立に用いると特に効果を発揮する。またこれらのボンディングには、リーニング等の他の半導体組立時の不良項目との兼ね合いもあり、線径が０．０２ｍｍもしくは０．８ｍｉｌ（＝０．０２０３ｍｍ）以下のボンディングワイヤを選択するのが通常であるため、線径が０．０２０３ｍｍ以下の場合に有効である。
［実施例］
【００１８】
純度９９．９９質量％以上の高純度金に、Ｓｎ、Pt、Ｃｕ、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｂａ、Ｉｎ、Ｔｉを種々の割合で添加し、表１に示す組成の金合金を溶解鋳造した。得られた鋳造品を圧延および線引き加工することで０．０２３ｍｍφと０．０２ｍｍφのボンディングワイヤを得た。次に、これらのワイヤを室温における破断伸びが４％になるように、連続焼鈍炉で熱処理し、ボンディングワイヤのサンプルとした。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
得られたボンディングワイヤのサンプルについて、以下のような評価を行った。
（常温引張強度の評価）
０．０２ｍｍφ，０．０２３ｍｍφのそれぞれのサンプルについて、引張試験機（株式会社東洋ボールドウィン製  テンシロンＵＴＭ−４−１００）を用いて常温で引張試験を行った。測定した常温での引張強度（単位：ｍＮ）を表２に示す。
（引け巣の評価）
０．０２ｍｍφのサンプルにおいては、株式会社新川製ＵＴＣ−２０００型ワイヤボンダーを用い、ボール径が０．０３５ｍｍになる条件で、０．０２３ｍｍφのサンプルにおいては、ボール径が０．０４ｍｍになる条件でそれぞれ第一ボンディングする際に加熱溶解して得られるボールを採取し、電子顕微鏡を用いて倍率５００倍でボールの表面の観察を行い、収縮孔である引け巣の有無を調べた。表２にその結果を示す。
（ボール硬度の評価）
微小硬度計（ＭＶＫ−Ｇ３、株式会社明石製作所製）を用いて、採取したボールの硬度（単位：Ｈｖ）を測定した。表２にその結果を示す。
（異常ループの評価）
得られた０．０２ｍｍφ，０．０２３ｍｍφそれぞれのボンディングワイヤに対してＵＴＣ−２０００型ワイヤボンダーを用いてリードフレーム上にワイヤボンディングを５０００回行い、樹脂封止前のワイヤ変形量を測定した。図１に示すように、第一ボンディング点Ａと第二ボンディング点Ｂを結ぶ直線２から、ボンディングワイヤ１の断面の中心点を結んだ線までの最も遠い距離をワイヤ変形量Ｌ１とした。第一ボンディング点Ａと第二ボンディング点Ｂとの間の距離Ｌ０は５．０ｍｍとした。ワイヤ変形量Ｌ１は金属顕微鏡を用いて測定した。ワイヤ変形量が線径を越えるものすなわち０．０２ｍｍφのサンプルに対しては０．０２ｍｍを上回るもの、０．０２３ｍｍφのサンプルに対しては０．０２３ｍｍを上回るものを異常ループとした。表２にその結果を併記して示す。
【００２１】
【表２】
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【００２２】
（シア強度）
線径が０．０２３ｍｍφのサンプルは、ボール径が０．０４８ｍｍの条件にて第一ボンディングを行い、潰れボール径が０．０５４±０．００３ｍｍ，シア強度が２００ｍＮ以上となるように、サーチ高さ，サーチ速度，超音波出力時間を一定として荷重，超音波出力のパラメータの調整を行い、両条件を満たす荷重，超音波出力両パラメータ範囲の有無及びその広さについて評価した。また線径が０．０２ｍｍφのサンプルに対しては、同様にボール径が０．０３５ｍｍの条件にて第一ボンディングを行い、潰れボール径が０．０４０±０．００２ｍｍ，シア強度が１１０ｍＮ以上の両条件を満たすパラメータ範囲の有無について評価した。なおワイヤボンダーは前述のＵＴＣ−２０００型を用い、第一ボンディングはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕパッド上に行った。評価結果を表３に示す。
（チップクラックの評価）
線径が０．０２ｍｍφのサンプルに対して第一ボンディング後、水酸化ナトリウムを使用して、パッドを溶解することで潰れボールをパッドから剥離し、パッド下におけるチップクラックの発生の有無について、金属顕微鏡を用いて倍率５００倍で観察した。表３にその結果を示す。
（振動による断線）
異常ループの評価に用いたリードフレームをマガジンに収納し、該マガジンを１００ｍｍの高さから１０回落下させて断線の有無を評価した。結果を表３に示す。
（高温保管後のボール剥がれ）
線径が０．０２ｍｍφのシア強度を評価したサンプルを１７５℃、３００時間の条件で高温保管を行い、保管後ワイヤを引張った時に潰れたボールとパッド界面での剥がれの有無を評価した。結果を表３に示す。
【００２３】
【表３】
2009212125.tif 000005
【００２４】
表２からわかるように、本発明の範囲内の実施例１〜１８は、いずれもボールに引け巣が発生しておらず、また異常ループが発生しておらず、直進性に優れていた。なお、実施例１〜１８のいずれもボール硬度（Ｈｖ）は高すぎるとはいえず、常温での引張強度は実用上問題ないレベルであった。
表３から、実施例１〜１８は潰れボール径の基準が小さい０．０２ｍｍφ、潰れボール径の基準が大きい０．０２３ｍｍφのいずれにおいても、シア強度基準を満たすパラメータ範囲があり、かつチップクラックの発生はないことから、第一ボンディング点において良好な接合強度を有することを示した。また、実施例１〜１８のいずれにおいても振動による破断は生じておらず、振動に対する疲労特性に優れていた。さらに実施例１〜１８のいずれにおいても、高温保管後のボール剥がれは発生しなかった。
さらにＣｕを１．５質量％添加した実施例１５〜１８は、他の実施例１〜１４と比較して０．０２ｍｍφでのシア強度規格を満足するパラメータ範囲が広い傾向が見られ、半導体組立時に生産条件を設定する上で有利であると考えられる。
【００２５】
これに対して、比較例１はＣｕの含有量が２．５質量％であり、本発明の上限値である１．５質量％を上回っている。このため、比較例１は異常ループ、チップクラック、振動による疲労により破断が生じた。
比較例２は、Ｓｎが含まれておらず、Ｐｔの含有量が３質量％であり、本発明の上限値である２質量％を上回っている。
このため、比較例２にはボールに引け巣が生じており、第一ボンディング点における接合強度は良好ではないと考えられる。また、異常ループおよびチップクラックも生じた。
比較例３はＳｎの量が０．０１５質量％であり、本発明の上限値を越えている。このため、異常ループが生じた。
【００２６】
従来例１及び３は、Ｓｎが含有されていないため、Ｓｎの含有量が本発明の下限値である０．０００１質量％を下回っている。このため、振動による破断が生じた。また従来例１〜３はＰｔの含有量が０．３または０．８重量％であるため、線径が０．０２３ｍｍφの時にはシア強度の規格を満たすパラメータの範囲が広く良好な結果を示し、実施例よりも優れていたが、線径が０．０２ｍｍφの時にはシア強度の規格を満たすパラメータ範囲が無いもしくは狭く、実施例より劣ることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】ボンディングされたワイヤが変形している状況を示す図である。
【符号の説明】
【００２８】
１      ボンディングワイヤ
２      ボンディング中心線
Ｌ０    第一ボンディング点と第二ボンディング点との間の距離
Ｌ１    ワイヤ変形量
Ａ      第一ボンディング点
Ｂ      第二ボンディング点
【図１】
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