(57)【要約】【課題】  ヒューズエレメントの寸法精度を向上させ、安定した動作特性を呈する保護素子を製造する。【解決手段】  保護素子のヒューズエレメント１５を形成するにあたっては、所定のディスペンサ５０を用いて、基板１１上に低融点金属粒Ｍを溶融状態としながら順次射出又は滴下し、複数のヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に跨るように、ヒューズエレメント１５を形成する。このとき、複数のヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃのうち一の電極端子の端縁を画定する辺であって他の電極端子と対向する辺に接する基板１１上の位置を起点として、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に位置する基板１１の表面上に低融点金属粒Ｍを順次射出又は滴下していく。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護対象機器の異常時に電流を遮断する保護素子の製造方法において、
通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように複数の電極端子が形成された所定の基板を用意する第１の工程と、
所定の射出又は滴下装置を用いて、上記基板上に低融点金属粒を溶融状態としながら順次射出又は滴下し、上記複数の電極端子間に跨るように、電流を遮断するヒューズエレメントを形成する第２の工程とを備え、
上記第２の工程では、上記複数の電極端子のうち一の電極端子の端縁を画定する辺であって他の電極端子と対向する辺に接する上記基板上の位置を起点として、上記複数の電極端子間に位置する上記基板の表面上に上記低融点金属粒を順次射出又は滴下していくこと
を特徴とする保護素子の製造方法。
【請求項２】
上記第２の工程では、少なくとも上記一の電極端子の一部であって他の電極端子と対向する辺上に上記低融点金属粒を射出又は滴下した後に、上記複数の電極端子間に位置する上記基板の表面上に上記低融点金属粒を順次射出又は滴下していくこと
を特徴とする請求項１記載の保護素子の製造方法。
【請求項３】
上記複数の電極端子間に位置する上記基板の表面上に射出又は滴下された低融点金属粒は、上記一の電極端子の辺上に射出又は滴下された低融点金属粒と金属結合して固着されること
を特徴とする請求項２記載の保護素子の製造方法。
【請求項４】
上記第２の工程では、射出又は滴下する上記低融点金属粒の粒子径、及び／又は、１箇所で射出又は滴下する上記低融点金属粒のショット数を制御して、形成される上記ヒューズエレメントの厚さを調整すること
を特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項記載の保護素子の製造方法。
【請求項５】
上記第２の工程では、上記射出又は滴下装置と上記基板との間の雰囲気温度を、上記低融点金属粒が固相化する温度よりも高くして、上記低融点金属粒の射出又は滴下を行うこと
を特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか１項記載の保護素子の製造方法。
【請求項６】
保護対象機器の異常時に電流を遮断する保護素子を実装した電子機器の製造方法において、
通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように複数の電極端子が形成された所定の基板を用意する第１の工程と、
所定の射出又は滴下装置を用いて、上記基板上に低融点金属粒を溶融状態としながら順次射出又は滴下し、上記複数の電極端子間に跨るように、電流を遮断するヒューズエレメントを形成する第２の工程と、
上記第２の工程にて上記ヒューズエレメントが形成された上記保護素子を、保護対象機器の電源制御回路を構成する回路基板上に実装する第３の工程とを備え、
上記第２の工程では、上記複数の電極端子のうち一の電極端子の端縁を画定する辺であって他の電極端子と対向する辺に接する上記基板上の位置を起点として、上記複数の電極端子間に位置する上記基板の表面上に上記低融点金属粒を順次射出又は滴下していくこと
を特徴とする電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護対象機器の異常時に電流を遮断する保護素子の製造方法、及び、この製造方法によって製造された保護素子を用いた電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
保護対象機器の異常にともなう過電流や過電圧を防止するために使用できる保護素子として、基板上に低融点金属体（ヒューズエレメント）や発熱抵抗体を設けたチップ状の保護素子が知られている。
【０００３】
このような保護素子において、ヒューズエレメントとなる低融点金属体の形成方法としては、溶融状態の低融点金属を所定のディスペンサを用いて射出又は滴下し、金属粒の集合体として形成するものが知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２等参照。）。かかる方法においては、保護素子の動作特性を左右するヒューズエレメントの形状の自由度が高まることから、任意の形状のヒューズエレメントを形成可能であり、また、従来のようにヒューズエレメントの形状にあわせた金型を作成する手間を省くことができるといった利点がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１５６４９号公報
【特許文献２】特開２００３−２４２８７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した射出又は滴下によるヒューズエレメントの形成方法においては、ディスペンサの動作精度等に起因して、ヒューズエレメントの寸法精度の悪化を招来し、保護素子の動作特性にばらつきが生じるという問題がある。
【０００６】
また、ヒューズエレメントは、保護素子の回路基板上に形成された通電経路の入力となる複数の電極端子間に跨って形成される。したがって、電極端子間に位置する基材上に溶融状態の低融点金属が射出又は滴下された場合には、基板に対する低融点金属の濡れ性が低いことから、濡れ性が良好な電極端子上に低融点金属が射出又は滴下された場合に比べて、その位置精度が悪くなり、結果として、ヒューズエレメントの寸法精度の悪化を招来し、ひいては保護素子の動作特性に大きな影響を与えるという問題がある。
【０００７】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、ヒューズエレメントの寸法精度を向上させ、安定した動作特性を呈する保護素子を製造することができる保護素子の製造方法、及び、この製造方法によって製造された保護素子を用いた電子機器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者は、溶融状態の低融点金属を射出又は滴下して保護素子のヒューズエレメントを形成する際に、低融点金属の射出又は滴下を開始する領域を制限することにより、射出又は滴下された低融点金属の位置精度を向上させることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、上述した目的を達成する本発明にかかる保護素子の製造方法は、保護対象機器の異常時に電流を遮断する保護素子の製造方法において、通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように複数の電極端子が形成された所定の基板を用意する第１の工程と、所定の射出又は滴下装置を用いて、上記基板上に低融点金属粒を溶融状態としながら順次射出又は滴下し、上記複数の電極端子間に跨るように、電流を遮断するヒューズエレメントを形成する第２の工程とを備え、上記第２の工程では、上記複数の電極端子のうち一の電極端子の端縁を画定する辺であって他の電極端子と対向する辺に接する上記基板上の位置を起点として、上記複数の電極端子間に位置する上記基板の表面上に上記低融点金属粒を順次射出又は滴下していくことを特徴としている。
【００１０】
また、上述した目的を達成する本発明にかかる電子機器の製造方法は、保護対象機器の異常時に電流を遮断する保護素子を実装した電子機器の製造方法において、通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように複数の電極端子が形成された所定の基板を用意する第１の工程と、所定の射出又は滴下装置を用いて、上記基板上に低融点金属粒を溶融状態としながら順次射出又は滴下し、上記複数の電極端子間に跨るように、電流を遮断するヒューズエレメントを形成する第２の工程と、上記第２の工程にて上記ヒューズエレメントが形成された上記保護素子を、保護対象機器の電源制御回路を構成する回路基板上に実装する第３の工程とを備え、上記第２の工程では、上記複数の電極端子のうち一の電極端子の端縁を画定する辺であって他の電極端子と対向する辺に接する上記基板上の位置を起点として、上記複数の電極端子間に位置する上記基板の表面上に上記低融点金属粒を順次射出又は滴下していくことを特徴としている。
【００１１】
このような本発明にかかる保護素子の製造方法及び電子機器の製造方法においては、低融点金属粒に対する濡れ性が良好な一の電極端子の端縁を画定する辺であって他の電極端子と対向する辺に接する基板上の位置から、低融点金属粒を射出又は滴下してヒューズエレメントを形成することにより、電極端子間に位置する濡れ性が低い基板の表面上において低融点金属粒がはじかれてしまうことがなくなり、一の電極端子の端縁に低融点金属粒が固着される。したがって、本発明にかかる保護素子の製造方法及び電子機器の製造方法においては、最初に射出又は滴下された低融点金属粒を、一の電極端子の端縁に支持させることができ、その後に射出又は滴下される低融点金属粒の位置の精度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、低融点金属粒の位置の精度を向上させることができることから、形成されるヒューズエレメントの寸法精度を向上させることができ、安定した動作特性を呈する保護素子及び電子機器を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
この実施の形態は、保護対象機器の通電経路に直列に接続され、当該保護対象機器の異常時に電流を遮断する保護素子の製造方法である。特に、この保護素子の製造方法は、保護素子のヒューズエレメントを形成するために溶融状態の低融点金属の射出又は滴下を開始する領域を、電極端子の位置に基づく所定領域に制限することにより、射出又は滴下された低融点金属の位置精度を向上させることができるものである。
【００１５】
まず、保護素子の製造方法の説明に先だって、当該製造方法によって製造される保護素子の具体的な構成例について説明する。なお、ここでは、説明の便宜上、保護対象機器の異常にともなう過電圧を防止可能なチップ状の保護素子を例に挙げて説明するものとする。
【００１６】
保護素子は、図１に平面図並びに図２及び図３に断面図を示すように、所定の大きさの基板１１上に、保護対象機器の異常時に通電されることによって発熱する発熱抵抗体（ヒーター）１２が形成されて構成される。
【００１７】
基板１１としては、絶縁性を有する材質の回路基板であればいかなるものであってもよく、例えば、セラミックス基板やガラスエポキシ基板のようなプリント配線基板に用いられる基板の他、ガラス基板、樹脂基板、絶縁処理金属基板等を用いることができる。なお、これらの中で、耐熱性に優れ、熱良伝導性の絶縁基板であるセラミックス基板が好適である。
【００１８】
発熱抵抗体１２は、例えば、酸化ルテニウム等の導電材料と、水ガラス等の無機系バインダや熱硬化性樹脂等の有機系バインダとからなる抵抗ペーストを塗布し、必要に応じて焼成することによって形成される。また、発熱抵抗体１２としては、酸化ルテニウムやカーボンブラック等の薄膜を、印刷、メッキ、蒸着、スパッタの工程を経て形成してもよく、これらフィルムの貼付や積層等によって形成してもよい。この発熱抵抗体１２は、保護対象機器に接続された図示しない発熱抵抗体用端子の電位が当該保護対象機器の異常時に低下するのにともない、通電されることによって発熱する。
【００１９】
また、保護素子において、基板１１の表面には、通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように形成された通電経路の入力となる３つのヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃと、発熱抵抗体１２と電気的に接続された発熱抵抗体用電極端子１４ａ，１４ｂとが形成されている。そして、保護素子においては、中央のヒューズエレメント用電極端子１３ｃの下方に配設されている発熱抵抗体１２の発熱による溶断によって電流を遮断するヒューズエレメント１５が、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃの間に跨って架け渡されるように形成されている。さらに、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、それぞれ、ガラス等の絶縁層１６を介して、発熱抵抗体１２と絶縁された状態に配設されている。
【００２０】
ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、それぞれ、溶融したヒューズエレメント１５が流れ込むこととなる電極端子である。これらヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃの構成材料については特に制限はなく、溶融状態のヒューズエレメント１５と濡れ性が良好である金属からなるものを使用することができる。例えば、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃとしては、銅等の金属単体や、少なくとも表面がＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ等から形成されているものを用いることができる。
【００２１】
一方、発熱抵抗体用電極端子１４ａ，１４ｂは、溶融状態のヒューズエレメント１５との濡れ性を考慮する必要はないが、通常はヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃと一括して形成されるため、これらヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃと同様の材料から形成される。
【００２２】
また、ヒューズエレメント１５としては、従来からヒューズ材料として使用されている種々の低融点金属体を用いることができ、例えば、ＳｎＳｂ合金、ＢｉＳｎＰｂ合金、ＢｉＰｂＳｎ合金、ＢｉＰｂ合金、ＢｉＳｎ合金、ＳｎＰｂ合金、ＳｎＡｇ合金、ＰｂＩｎ合金、ＺｎＡｌ合金、ＩｎＳｎ合金、ＰｂＡｇＳｎ合金等を挙げることができる。特に、ヒューズエレメント１５としては、無鉛化の要求の観点から、ＳｎＳｂ合金やＳｎＣｕ合金等の無鉛半田を材料として用いてもよい。また、ヒューズエレメント１５の形状は、薄片状や棒状、櫛歯状等、任意の形状とすることができる。なお、ヒューズエレメント１５は、後述するように、溶融状態の低融点金属粒を所定のディスペンサを用いて射出又は滴下することによって１つの金属粒の集合体として形成されるが、ここでは、必要に応じて、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｃの間に跨って形成されている領域を、ヒューズエレメント１５ａと称し、ヒューズエレメント用電極端子１３ｂ，１３ｃの間に跨って形成されている領域を、ヒューズエレメント１５ｂと称するものとする。
【００２３】
さらに、発熱抵抗体用電極端子１４ａには、リード１７ａ，１７ｂが接続されている。このリード１７ａ，１７ｂは、扁平加工線や丸線等の金属製の線材からなり、半田付けや溶接等によって発熱抵抗体用電極端子１４ａに取り付けられることにより、当該発熱抵抗体用電極端子１４ａと電気的に接続される。保護素子においては、このようなリード付きの形態を採用する場合、リードの位置を左右対称にすることにより、取り付け作業時に取り付け面を意識することなく作業することが可能となる。一方、発熱抵抗体用電極端子１４ｂは、中央のヒューズエレメント用電極端子１３ｃと電気的に接続されている。これにより、発熱抵抗体１２は、発熱抵抗体用電極端子１４ａから導出されたリード１７ａ，１７ｂと発熱抵抗体用電極端子１４ｂとの間で通電可能とされる。
【００２４】
さらにまた、ヒューズエレメント１５の上には、特に図示しないが、その表面酸化を防止するために、フラックス等からなる表面活性部材を設けてもよい。フラックスとしては、ロジン系フラックス等、公知のフラックスをいずれも使用することができ、粘度等も任意である。
【００２５】
なお、保護素子は、チップ部品として製造する場合には、例えば液晶ポリマー製等のキャップ部材によって被覆されて提供される。
【００２６】
このような保護素子の回路構成は、図４に示すように表現することができる。すなわち、保護素子は、３つのヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に、低融点金属体からなる２つのヒューズエレメント１５ａ，１５ｂが架け渡されるように配設され、中央のヒューズエレメント用電極端子１３ｃと発熱抵抗体用電極端子１４ｂとの間に発熱抵抗体１２が接続されて構成される。すなわち、この保護素子は、両側のヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂのいずれか又は両方から中央のヒューズエレメント用電極端子１３ｃへと向かう２つの経路が通電経路とされる。
【００２７】
したがって、この保護素子においては、２つの通電経路の双方から通電がなされ、発熱抵抗体１２が発熱すると、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｃ間のヒューズエレメント１５ａと、ヒューズエレメント用電極端子１３ｂ，１３ｃ間のヒューズエレメント１５ｂとが溶融し、溶融したヒューズエレメント１５ａ，１５ｂが、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃに対する濡れ性のよさに起因して当該ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ上に引き寄せられる。その結果、保護素子においては、ヒューズエレメント１５ａ，１５ｂが溶断し、保護対象機器への通電を遮断するとともに、発熱抵抗体１２への通電も遮断する。
【００２８】
このような保護素子は、以下のようにして製造することができる。
【００２９】
まず、既存の配線基板製造技術を利用して、発熱抵抗体１２、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ、発熱抵抗体用電極端子１４ａ，１４ｂ、及び絶縁層１６等を形成した基板１１を用意すると、図５に示すように、ヘッド部にヒータを有する所定のディスペンサ（射出又は滴下装置）５０を用いて、ヒューズエレメント１５の材料となる低融点金属粒Ｍを溶融状態としながら順次射出又は滴下し、ヒューズエレメント１５を形成する。
【００３０】
具体的には、保護素子を製造するにあたっては、低融点金属粒Ｍとして無鉛半田を用いる場合には、ディスペンサ５０のヘッド部を無鉛半田の融点（２３０℃程度）よりも高い２５０℃〜２６０℃程度に加熱した状態で、所定の駆動手段によってディスペンサ５０又は基板１１の一方を、基板１１の主面と平行な２次元平面上にて順次移動させることにより、基板１１に対する低融点金属粒Ｍを射出又は滴下する位置を順次変化させる。このとき、基板１１に対する２次元平面上におけるディスペンサ５０の位置は、所定の撮像手段を用いて基板１１を撮像して得られた画像を認識することによって制御される。
【００３１】
射出又は滴下された低融点金属粒Ｍは、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃや基板１１上で徐々に冷却されるが、その冷却の過程で、直前に射出又は滴下された低融点金属粒Ｍと金属結合し、金属粒の集合体を形成する。したがって、ディスペンサ５０又は基板１１の一方を、基板１１の主面と平行な２次元平面上にて順次移動させることにより、金属粒の集合体を成長させ、例えば低電圧で電流を遮断できるように幅細のパターン形状とする等、保護素子の定格電圧や基板１１の形状等に合わせて、任意の形状のヒューズエレメント１５を形成することができる。
【００３２】
なお、ヒューズエレメント１５の厚さは、射出又は滴下する低融点金属粒Ｍの粒子径や、１箇所で射出又は滴下する低融点金属粒Ｍのショット数を制御することによって調整することができる。このとき、ショット数の制御は、通常、ディスペンサ５０から射出又は滴下される単位時間あたりのショット数が一定であることから、ディスペンサ５０又は基板１１の一方移動させる速度を制御することによって行われる。
【００３３】
保護素子は、このようにしてヒューズエレメント１５が形成された完成前素子にキャップ部材を固着することによって製造することができる。
【００３４】
ここで、ヒューズエレメント１５を形成するにあたっては、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に位置する基板１１の表面上において溶融状態の低融点金属粒Ｍの射出又は滴下を開始する領域を、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃの位置に基づく所定領域に制限する。具体的には、図６に示すように、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃのうち一のヒューズエレメント用電極端子の端縁を画定する辺であって他のヒューズエレメント用電極端子と対向する辺に接する基板１１上の位置Ａのいずれかを起点として、低融点金属粒Ｍを順次射出又は滴下する。
【００３５】
すなわち、ヒューズエレメント１５を形成するにあたっては、溶融状態の低融点金属粒Ｍに対する濡れ性が良好なヒューズエレメント用電極端子の端縁を画定する辺であって他のヒューズエレメント用電極端子と対向する辺に接する基板１１上の位置Ａから、低融点金属粒Ｍを射出又は滴下することにより、濡れ性が低い、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に位置する基板１１の表面上において低融点金属粒Ｍがはじかれてしまうことがなくなり、位置Ａに対応する一のヒューズエレメント用電極端子の端縁に低融点金属粒Ｍが固着される。換言すれば、最初に射出又は滴下された低融点金属粒Ｍは、位置Ａに対応する一のヒューズエレメント用電極端子の端縁に支持されることから、その後に射出又は滴下される低融点金属粒Ｍの位置の精度が向上する。
【００３６】
したがって、保護素子は、形成されたヒューズエレメント１５の寸法精度が向上し、結果として、安定した動作特性を呈するものとなる。
【００３７】
なお、ヒューズエレメント１５を形成するにあたっては、少なくとも位置Ａに対応する一のヒューズエレメント用電極端子の一部であって他のヒューズエレメント用電極端子と対向する辺上に溶融状態の低融点金属粒Ｍを射出又は滴下した後に、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に位置する基板１１の表面上に低融点金属粒Ｍの射出又は滴下を行うのが望ましい。すなわち、ヒューズエレメント１５を形成するにあたっては、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に位置する基板１１の表面上に低融点金属粒Ｍを射出又は滴下する前に、濡れ性が良好なヒューズエレメント用電極端子の一部に低融点金属粒Ｍを射出又は滴下する。
【００３８】
これにより、先に射出又は滴下した低融点金属粒Ｍは、濡れ性が良好なヒューズエレメント用電極端子の一部に支持されることから、その位置精度が高くなる。したがって、かかる位置精度が高い低融点金属粒Ｍと金属結合して固着されるように、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に位置する基板１１の表面上に低融点金属粒Ｍを射出又は滴下していくことにより、ヒューズエレメント１５の厚さ方向の位置決めが可能となり、また、金属結合を生じさせやすくすることができる。
【００３９】
また、射出又は滴下された低融点金属粒Ｍが確実に金属結合して金属粒の集合体を形成するように、低融点金属粒Ｍを射出又は滴下する際には、ディスペンサ５０から基板１１に到達するまでの間に低融点金属粒Ｍが冷却しにくい環境とするのが望ましい。具体的には、ヒューズエレメント１５を形成するにあたっては、射出又は滴下する低融点金属粒Ｍの粒子径をできる限り大きくしたり、基板１１（ワーク）を加熱したり、ディスペンサ５０とワークとの間の距離を短くしたりすることにより、ディスペンサ５０とワークとの間の雰囲気温度を、低融点金属粒Ｍが固相化する温度よりも高くするのが望ましい。
【００４０】
ヒューズエレメント１５を形成するにあたっては、このような低融点金属粒Ｍの射出又は滴下制御を行うことにより、低融点金属粒Ｍは、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃや基板１１上に到達してから冷却して固相化することから、形成されるヒューズエレメント１５の表面は、凹凸のない平坦なものとなる。したがって、ヒューズエレメント１５の形状が安定することから、保護素子の大量生産時の歩留まりを高めることができる。
【００４１】
以上説明したように、本発明の実施の形態として示す保護素子の製造方法においては、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間に位置する基板１１の表面上において溶融状態の低融点金属粒Ｍの射出又は滴下を開始する領域を、ヒューズエレメント用電極端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃの位置に基づく所定領域に制限した状態で、ヒューズエレメント１５を形成することにより、射出又は滴下される低融点金属粒Ｍの位置の精度及びヒューズエレメント１５の寸法精度を向上させることができ、安定した動作特性を呈する保護素子を製造することができる。
【００４２】
このような製造方法によって製造される保護素子は、例えばノートブック型パーソナルコンピュータ等の電子機器本体に着脱されるバッテリーパックをはじめとし、バッテリー駆動する電子機器の基板に実装されるチップ型保護素子として極めて好適である。すなわち、保護対象機器の電源制御回路を構成する回路基板上に、かかる保護素子を実装することにより、当該保護対象機器は、安定した電流遮断動作を実現することができ、安全性を大幅に向上させることができる。
【００４３】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではない。
【００４４】
例えば、上述した実施の形態では、２つのヒューズエレメントがある場合について説明したが、本発明は、３個以上のヒューズエレメントがある場合であっても同様に適用することができる。
【００４５】
また、上述した実施の形態では、発熱抵抗体上に絶縁層を介して電極端子を設けた態様について説明したが、本発明は、発熱抵抗体と電極端子とを同一平面に設けた態様等、発熱抵抗体と電極端子との配置を任意とすることができる。
【００４６】
さらに、上述した実施の形態では、１つの発熱抵抗体を設けた態様について説明したが、本発明は、複数の発熱抵抗体を設けるようにしてもよく、また、発熱抵抗体の発熱によってヒューズエレメントが溶断する程度に当該発熱抵抗体を電極端子の近傍に設けるのであれば保護素子の外部に設けるようにしてもよい。また、本発明は、過電流を防止する保護素子として提供する場合には、発熱抵抗体を設けなくてもよい。
【００４７】
さらにまた、上述した実施の形態では、ヒューズエレメント用電極端子が３個の場合について説明したが、本発明は、通電経路を形成する複数の電極端子間に跨ってヒューズエレメントを形成するものであれば、２個以上の任意個数のヒューズエレメント用電極端子を設けるようにしてもよい。
【００４８】
このように、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態として示す保護素子の構造を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態として示す保護素子の構造を示す断面図であり、図１中Ｘ−Ｘ断面図である。
【図３】本発明の実施の形態として示す保護素子の構造を示す断面図であり、図１中Ｙ−Ｙ断面図である。
【図４】本発明の実施の形態として示す保護素子の回路構成を示す図である。
【図５】ディスペンサを用いて、ヒューズエレメントの材料となる低融点金属粒を溶融状態としながら順次射出又は滴下する様子を説明するための図である。
【図６】ヒューズエレメント用電極端子間に位置する基板の表面上において溶融状態の低融点金属粒の射出又は滴下を開始する位置を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１  基板
１２  発熱抵抗体
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ  ヒューズエレメント用電極端子
１４ａ，１４ｂ  発熱抵抗体用電極端子
１５，１５ａ，１５ｂ  ヒューズエレメント
１６  絶縁層
１７ａ，１７ｂ  リード
５０  ディスペンサ
Ｍ  低融点金属粒
【図１】
2009301964.tif 000003
【図２】
2009301964.tif 000004
【図３】
2009301964.tif 000005
【図４】
2009301964.tif 000006
【図５】
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【図６】
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