(57)【要約】【課題】低背小型化しても実装後の検出感度を高く維持することができる加速度センサ装置を提供する。【解決手段】重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、を有するセンサ素子２０と、センサ素子２０が載置される基板１と、固定部１３の下面と基板１の上面との間に複数箇所に分かれた状態で介在され、センサ素子２０と基板１とを複数箇所で接合する接着剤８と、を備え、固定部１３の下面には、接着剤８が付着する領域を囲むようにして溝部７が設けられている【選択図】図５
2009264933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重り部と、前記重り部を囲繞する枠状の固定部と、一方端が前記固定部に連結され、且つ他方端が前記重り部に連結される梁部と、前記梁部に設けられる抵抗素子と、を有するセンサ素子と、
前記センサ素子が載置される基板と、
前記固定部の下面と前記基板の上面との間に複数箇所に分かれた状態で介在され、前記センサ素子と前記基板とを複数箇所で接合する接着剤と、を備え、
前記固定部の下面には、前記接着剤が付着する領域を囲むようにして溝部が設けられている加速度センサ装置。
【請求項２】
前記接着剤が前記固定部の四隅に対応する位置に設けられている請求項１に記載の加速度センサ装置。
【請求項３】
前記錘部は平面形状が矩形状をなすとともに、前記梁部が前記錘部の上面四辺の中央部に連結されている請求項２に記載の加速度センサ装置。
【請求項４】
前記溝部の外側に第２の溝部が設けられている請求項１に記載の加速度センサ装置。
【請求項５】
前記センサ素子の出力信号を信号処理するＩＣチップをさらに含む請求項１に記載の加速度センサ装置。
【請求項６】
重り部と、前記重り部を囲繞する枠状の固定部と、一方端が前記固定部に連結され、且つ他方端が前記重り部に連結される梁部と、前記梁部に設けられる抵抗素子と、前記固定部下面の接着領域を囲うようにして形成される溝部と、を有するセンサ素子、および前記センサ素子が載置される基板を準備する工程Ａと、
前記固定部下面の接着領域と前記基板の上面との間に介在させた接着剤により前記センサ素子と前記基板とを接合する工程Ｂと、を含む加速度センサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度を検出する加速度センサ装置および加速度センサ装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯型音楽プレイヤーやノート型パソコンなどのハードディスクドライブ搭載機器の落下保護、自動車のナビゲーションシステムにおける加速度検知などに、加速度センサが使用されている。
【０００３】
図１１に従来の加速度センサの断面図を示す。同図に示す加速度センサ装置は、シリコン基板を加工して作製されたセンサ素子１００と、センサ素子１００を載置する基板２００とを備えた構成を有している。
【０００４】
センサ素子１００は、重り部１０１と、重り部１０１を囲繞する枠状の固定部１０２と、重り部１０１と固定部１０２とに連結される梁部１０３と、梁部１０３に形成されるピエゾ抵抗素子（図示せず）とを有している。
【０００５】
このようなセンサ素子１００を有する加速度センサ装置に加速度に比例した外力が加わると重り部１０１が動き、それに伴って梁部１０３が変形し、ピエゾ抵抗素子も変形する。このピエゾ抵抗素子の変形による抵抗値の変化に基づいて加速度が検出されることとなる。
【０００６】
ところでセンサ素子１００は、固定部１０２の下面と基板２００の主面との間に介在された接着剤３００によって基板２００に固定されている。通常、基板２００、接着剤３００、およびセンサ素子１００とは、それぞれ線膨張係数が大きく異なっているため、接着剤３００を固定部１０２の下面全体にわたって塗布し、接着剤を硬化した場合、両者の線膨張係数の差に起因した残留応力が発生しやすくなり、この残留応力の影響によって梁部１０３が変形するなどして、加速度の検出感度の低下、オフセット電圧の増加、温度ドリフトの悪化といった問題が起こる。そこで接着剤３００は、固定部１０２の下面全体にではなく、複数箇所、例えば固定部１０２の下面四隅に対応する四箇所に分けて接着面積が小さくなるように塗布されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２１２２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図１１に示すような従来の加速度センサ装置は、複数箇所に分けて塗布した接着剤３００が固定部１０２の下面に沿って広がるなどして、各接着剤３００の接着面積にばらつきが生じやすかった。さらに、センサ素子１００の低背小型化が進むと、接着面積をさらに小さくする必要があるが、複数箇所に塗布する接着量を従来のディスペンサーを使って均一に制御するのには限界があった。例えば、固定部１０２の下面四隅に対応する四箇所に分けて接着剤３００を塗布した場合、一つの隅における接着面積は小さく、別の隅における接着面積は大きくなる場合があった。このように接着剤３００の接着面積がばらつくと、センサ素子１００に不均一な残留応力が発生するなどして梁部１０３が変形し、結局、加速度の検出感度の低下、オフセット電圧の増加、温度ドリフトの悪化などが起こり電気的特性の劣化を招くこととなる。特に加速度センサ装置が低背小型化するほど、これらの問題が顕著になってきている。
【０００８】
本発明は、以上のような諸事情を鑑みて案出されたものであり、電気的特性の劣化を抑えつつ小型化に対応した加速度センサ装置および加速度センサ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の加速度センサ装置は、重り部と、前記重り部を囲繞する枠状の固定部と、一方端が前記固定部に連結され、且つ他方端が前記重り部に連結される梁部と、前記梁部に設けられる抵抗素子と、を有するセンサ素子と、前記センサ素子が載置される基板と、前記固定部の下面と前記基板の上面との間に複数箇所に分かれた状態で介在され、前記センサ素子と前記基板とを複数箇所で接合する接着剤と、を備え、前記固定部の下面には、前記接着剤が付着する領域を囲むようにして溝部が設けられている。
【００１０】
上記加速度センサ装置は、前記接着剤が前記固定部の四隅に対応する位置に設けられていることが好ましい。
【００１１】
また上記加速度センサ装置は、前記錘部の平面形状が矩形状をなすとともに、前記梁部が前記錘部の上面四辺の中央部に連結されていることが好ましい。
【００１２】
また上記加速度センサ装置は、前記溝部の外側に第２の溝部が設けられていることが好ましい。
【００１３】
また上記加速度センサ装置は、前記センサ素子の出力信号を信号処理するＩＣチップをさらに含むものである。
【００１４】
また本発明の加速度センサ装置の製造方法は、重り部と、前記重り部を囲繞する枠状の固定部と、一方端が前記固定部に連結され、且つ他方端が前記重り部に連結される梁部と、前記梁部に設けられる抵抗素子と、前記固定部下面の接着領域を囲うようにして形成される溝部と、を有するセンサ素子、および前記センサ素子が載置される基板を準備する工程Ａと、前記固定部下面の接着領域と前記基板の上面との間に介在させた接着剤により前記センサ素子と前記基板とを接合する工程Ｂと、を含むものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、固定部の下面には接着剤が付着する領域を囲むようにして溝部が設けられていることから、接着剤の塗布量が多くても余分な接着剤は溝部の中に入り込むため、接着剤が固定部の下面長手方向に沿って広がるのを抑えることができる。これにより接着剤の接着面積のばらつきを小さくすることができ、センサ素子に不均一な残留応力が発生するのを抑制して電気的な特性が優れた加速度センサ装置となすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に図面を参照して、本発明にかかる加速度センサ装置及び加速度センサ装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率は現実のものとは必ずしも一致していない。また、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。なお、本実施形態ではピエゾ抵抗効果を利用した三次元加速度センサ装置を例に説明する。
＜加速度センサ装置＞
図１は本実施形態にかかる加速度センサ装置の斜視図、図２は図１の加速度センサ装置の蓋１０を外した状態の平面図、図３は図１に示す加速度センサ装置の断面図であり、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当し、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’線で切断したときの断面に相当する。これらの図に示すように本実施形態にかかる加速度センサ装置は、基板１とセンサ素子２０とから主に構成されている。
【００１７】
まずセンサ素子２０について説明する。図４はセンサ素子２０の斜視図である。図４に示すようにセンサ素子２０は、重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、固定部１３に形成される素子側電極パッド１４と、梁部１２に形成される抵抗素子１５と、を有している。
【００１８】
センサ素子２０に加速度が加わると、加速度に応じた力がこの重り部１１に作用し、重り部１１が動くことで梁部１２が撓むようになっている。本実施形態における重り部１１には、その四隅に連結された４個の付属重り部１１´が設けられている。付属重り部１１´は、重り部１１と一体形成されるものであり、付属重り部１１´を設けることによって加速度に対する梁部１２の撓みが大きくなり、加速度の検出感度を向上させることができる。
【００１９】
重り部１１は、平面形状が略正方形をなし、その一辺の長さは例えば０．２５ｍｍ〜０．５ｍｍに設定される。また重り部１１の厚みは例えば０．２ｍｍ〜０．６２５ｍｍに設定される。付属重り部１１´は、重り部１１と同様に平面形状が、略正方形をなし、その一辺の長さは例えば０．１ｍｍ〜０．４ｍｍに設定される。また付属重り部１１aの厚みは、重り部１１と同じ厚みを有するように例えば０．２ｍｍ〜０．６２５ｍｍに設定される。なお、重り部１１および付属重り部１１aの平面形状は正方形に限られず、円や長方形など任意の形状が可能である。なお、重り部１１と付属重り部１１´は、例えばＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を加工することにより一体的に形成されている。
【００２０】
このような重り部１１および付属重り部１１´を囲繞するようにして枠状の固定部１３が形成されている。固定部１３は、平面形状が略正方形をなし、中央部に重り部１１および付属重り部１１´より若干大きい略正方形の開口部を有している。固定部１３は、その一辺が例えば１．４ｍｍ〜３．０ｍｍに設定され、固定部１３を構成するアームの幅（アームの長手方向と直交する方向の幅）は例えば０．３ｍｍ〜１．８ｍｍに設定される。また固定部１３の厚みは、例えば０．２ｍｍ〜０．６２５ｍｍに設定される。この固定部１３の下面が接着剤８によって基板１の主面１Ａに接合されることによりセンサ素子２０が基板１に固定されることとなる。
【００２１】
図５は、センサ素子２０を下面側から見たときの斜視図である。図５に示すように固定部１３には、その下面に溝部７が設けられている。溝部７は、接着剤８の付着領域を囲むようにして設けられている。本実施形態では、固定部１３の四隅が接着剤８の付着領域となっており、固定部１３の下面四隅が、他の部分と区切られるようにして溝部７が設けられている。この溝部７は、センサ素子２０を接着剤８により基板１に接合する際、余分な接着剤８を収容したり、接着剤８を固定部１３の外側に逃がすためのものである。これによって接着剤８が固定部１３の下面に沿って広がるのを抑えることができ、接着剤８の接着面積が大きくばらつくことがなくなる。その結果、センサ素子２０に不均一な残留応力が発生するのを抑制して電気的な特性が優れた加速度センサ装置となすことができる。溝部７を設けたことによりセンサ素子２０が軽量化されるため接着剤８とセンサ素子２０とが剥がれずらくなり、耐衝撃性が向上するという利点もある。
【００２２】
図６は溝部７の平面形状のパターンの一例を示す図である。なお、図６では固定部１３の下面四隅に接着剤８が塗布される場合における、四隅の一角を示している。同図に示すように溝部７は種々の形状が可能である。接着剤８の広がりは、溝部７で抑えられるため接着剤８のおおよその平面形状は溝部７に沿った形状となる。すなわち溝部７によって接着剤８の面積および形状を制御することが可能となる。なお図６（ｆ）に示したように、溝部７で囲まれる領域内に固定部１３の外側へ通じる溝部７を設けるようにすれば、より確実に接着剤８の広がりを抑えることができる。
【００２３】
図７は溝部７の断面形状のパターンの一例を示す図である。なお図７は、図５のＣ−Ｃ’線における断面に相当する。同図に示すように溝部７の断面形状は、矩形状、台形状、三角状、円弧状など種々の形状が可能である。また溝部７の寸法は、例えば、幅Ｗ（開口部における幅）が１０μｍ〜２００μｍ、深さｄが５μｍからＳｉＯ2層近くまでの範囲に設定される。
【００２４】
固定部１３と重り部１１との間には図４などに示されるように梁部１２が設けられている。梁部１２は、一方端が重り部１１の各辺の上面側中央部に連結され、他方端が固定部１２の内周における各辺の上面側中央部に連結されており、本実施形態におけるセンサ素子２０では、４本の梁部１２が設けられている。
【００２５】
梁部１２は可撓性を有し、センサ素子２０に加速度が加わると重り部１１が動き、重り部１１の動きに伴って梁部１２が撓むようになっている。梁部１２は、例えば長手方向の長さが０．３ｍｍ〜０．８ｍｍに設定され、幅（長手方向と直交する方向の長さ）が０．０４ｍｍ〜０．２ｍｍに設定され、厚みが５μｍ〜２０μｍに設定されている。このように梁部１２を細長く且つ薄く形成することによって可撓性が発現される。
【００２６】
このような梁部１２の上面には複数の抵抗素子１５が形成されている。抵抗素子１５は、より具体的には、ＳＯＩ基板にボロンを打ち込むことにより形成されたピエゾ抵抗素子である。本実施形態では、３軸方向（図４に示した３次元直交座標系におけるＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向）の加速度を検出できるように梁部１２の所定の位置にこれらの抵抗素子１５が形成されている。例えば、Ｘ軸方向に伸びる２つの梁部１２には、Ｘ軸方向の加速度を検出するための４個の抵抗素子１５が設けられており、それぞれの梁部１２に２個ずつ配置されている。これら４個の抵抗素子１５のうち、固定部１３側に配された抵抗素子同士を直列に接続し、重り部１１側に配された抵抗素子同士を直列に接続し、これらを並列に接続することでブリッジ回路を構成している。またＹ軸方向に伸びる２つの梁部１２には、Ｙ軸方向の加速度を検出するための４個の抵抗素子１５が設けられており、これらの抵抗素子１５を、Ｘ軸方向の加速度検出用の抵抗素子１５と同様に配置し、抵抗素子同士の接続を行うことによってブリッジ回路を構成している。また、図示していないがＺ軸方向の加速度を検出するための４個の抵抗素子１５が、Ｘ軸方向に伸びる２つの梁部１２に、Ｘ軸方向の加速度を検出するための４個の抵抗素子１５それぞれと並ぶようにして形成されている。このＺ軸方向の加速度検出用の抵抗素子１５は、Ｘ軸方向の加速度検出用の抵抗素子１５とは、抵抗素子同士の接続の仕方が異なっており、本実施形態では、Ｘ軸方向に伸びる２本の梁部１２のうち一方の梁部１２に設けられた固定部１３側の抵抗素子１５と、他方の梁部１２に設けられた重り部１１側の抵抗素子１５とを直列接続してブリッジ回路を構成している。このようなブリッジ回路が組まれたセンサ素子２０に加速度が加わると、上述したように梁部１２が撓み、この撓みに伴って抵抗素子１５が変形するため、ブリッジ回路で検出する出力電圧が変化する。この抵抗値の変化に基づく出力電圧の変化を電気信号として取り出し、これを外部のＩＣで演算処理することによって印加された加速度の方向並びに大きさを検知することができる。なおＺ軸方向の加速度検出用の抵抗素子１５は、Ｘ軸方向に伸びる梁部１２に設けたのと同様にして、Ｙ軸方向に伸びる２つの梁部１２に設けるようにしてもよい。
【００２７】
固定部１３の上面には、抵抗素子１５と電気的に接続される素子側電極パッド１４が設けられており、この素子側電極パッド１４を介して抵抗素子同士の接続や抵抗素子１５からの電気信号の外部への取り出しなどを行っている。
【００２８】
かかるセンサ素子２０は、図３に示すように基板１に実装されている。基板１はセンサ素子２０を保護する機能を有し、内部にはセンサ素子２０を収容するキャビティ５が設けられている。基板１は、セラミック材料などからなる絶縁層を複数積層することにより形成され、本実施形態では３枚の絶縁層１a〜１ｃにより構成されている。絶縁層１ａは平板状の部材からなり、その主面１Ａにセンサ素子２０が載置される。絶縁層１ｂはセンサ素子２０より若干大きい開口部を有する枠状の部材であり、絶縁層１ａと接合されている。絶縁層１ｃは、絶縁層１ｂの開口部より広い開口部を有する枠状の部材であり、絶縁層１ｂの主面の一部が露出するようにして絶縁層１ｂと接合されている。絶縁層１ｃの開口部から露出する絶縁層１ｂの主面には、複数の基板側電極パッド４が形成されている。基板側電極パッド４は金属細線６によってセンサ素子２０の固定部上面に設けた素子側電極パッド１４と電気的に接続されている。また基板１の下面には、複数の外部端子２が設けられており、外部端子２は基板１の内部に設けたビアホール導体３を介して基板側電極パッド４と接続されている。すなわち、センサ素子２０の電気信号は、素子側電極パッド１５、金属細線６、基板側電極パッド４、ビアホール導体３、外部端子２などを介して外部へ取り出されることとなる。
【００２９】
このような基板１の主面１Ａに載置されるセンサ素子２０は接着剤８により基板１に接合されている。センサ素子２０の固定部１３には、上述したように接着剤８の付着領域を囲むようにして溝部７が設けられている。図２に接着剤８の付着領域８ａと溝部７とを点線で示す。このように溝部７が接着剤８の付着領域を囲むようにして設けられているため、余分な接着剤８は、溝部７内に収容されたり、あるいは溝部７を介して固定部１３の外側に流れでるようになっている。したがって接着剤８が固定部１３の下面に沿って必要以上に広がるのを抑えることができる。これにより接着剤８の接着面積のばらつきを小さくすることができ、センサ素子２０に不均一な残留応力が発生するのを抑制して電気的な特性が優れた加速度センサ装置となすことができる。
【００３０】
また溝部７を設けることによって接着剤８の付着面積を制御することもできる。例えば、接着剤８の付着面積を固定部下面の面積全体の１０％以下としたい場合には、溝部７によって区切られる領域の全面積を固定部下面の面積全体の１０％にすればよい。なお接着剤８の付着面積は、固定部下面の面積全体の５％以上とすることが好ましい。接着剤８の付着面積を、固定部下面の面積全体の５％以上することでセンサ素子２０と基板１とが強固に接合することができ、例えば１０００Ｇ程度の大きな加速度が印加される環境においても耐え得るものとなる。
【００３１】
接着剤８は、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などを使用することができる。なかでも接着時の残留応力を緩和する観点からシリコーン樹脂を用いることが好ましい。
【００３２】
接着剤８には、重り部１１の下面と基板１の主面１Ａとの間に所定の大きさのギャップが形成されるように、所定の径を有する球状のスペーサ部材１７が混合されている（図３参照）。すなわち、重り部１１の下面と基板１の主面１Ａとの間のギャップの大きさをスペーサ部材１７によって制御することができる。スペーサ部材１７は、例えばシリカ、シリコン、ジビニルベンゼンなど所定の硬さを有する球状の部材であり、その直径は例えば２〜３０μｍである。
【００３３】
本実施形態のように梁部１２が重り部１１の上面四辺の中央部に連結されている場合、センサ素子２０と基板１との接合は、固定部１３の四隅部において行うことが好ましい。これによりセンサ素子２０の基板１への接合箇所と梁部１２との間の距離が離れるため、接着剤８による接合に起因して発生し得る残留応力が梁部１２に与える影響を小さくすることができ、加速度センサ装置の電気的な特性が劣化するのを抑えることができる。
【００３４】
センサ素子２０が接合された基板１のキャビティの開口部を塞ぐようにして蓋１０が基板１の上面に固着されている。これによりセンサ素子２０がキャビティ５内に気密封止されることとなる。蓋１０は、例えば４２アロイやステンレスなどの金属板からなり、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂９により基板１に接合されている。
【００３５】
以上、本発明の加速度センサ装置によれば、接着剤８の接着面積のばらつきを小さくすることができ、センサ素子２０に不均一な残留応力が発生するのを抑制して電気的な特性が優れた加速度センサ装置となすことができる。
【００３６】
（変形例）
図８は上述した実施形態にかかる加速度センサ装置の変形例を示す断面図である。この変形例にかかる加速度センサ装置は、溝部７の外側に第２の溝部１６を設けている。このように溝部７の外側にさらに第２の溝部１６を設けておけば、内側の溝部７で接着剤８が収容しきれない場合でも、収容し切れなかった接着剤８を第２の溝部１６で収容できるため、より確実に接着剤８が広がるのを抑えることができる。図８に示す構造は、溝部７の深さを浅くしたい場合に特に有効である。
【００３７】
図９は上述した実施形態にかかる加速度センサ装置の別の変形例を示す断面図である。なお、図９の断面図は図２におけるＡ−Ａ’線における断面に相当するものである。この変形例にかかる加速度センサ装置は、センサ素子２０の出力信号を演算処理するＩＣチップ３０をさらに含んでいる。図９に示す加速度センサ装置では、基板１の下面側に設けたキャビティにＩＣチップ３０が収容されており、基板１に設けたビアホール導体３や配線導体などを介してセンサ素子２０及び外部端子２と電気的に接続されている。ＩＣチップ３０は、例えば、センサ素子２０の出力信号を増幅する増幅回路、センサ素子２０の温度特性を補正する温度補償回路、ノイズを除去するノイズ除去回路などが集積化されたものである。このようなＩＣチップ３０を備えることによって加速度を高精度に検知することができる。
【００３８】
＜加速度センサ装置の製造方法＞
次に本実施の形態に係る加速度センサ装置の製造工程を説明する。
【００３９】
（工程Ａ）
まず重り部１１と、重り部１１を囲繞する枠状の固定部１３と、一方端が固定部１３に連結され、且つ他方端が重り部１１に連結される梁部１２と、梁部１２に設けられる抵抗素子１５と、固定部１３の下面の接着領域を囲うようにして形成される溝部７とを有するセンサ素子２０、およびセンサ素子２０が載置される基板１を準備する。
【００４０】
センサ素子２０は例えば、ＳＯＩ基板を用いて作製されるものであり、まずＳＯＩ基板表面のシリコン層にイオン注入法によりボロンを注入することでピエゾ抵抗からなる抵抗素子１５を形成する。抵抗素子１５を形成した後、ピエゾ抵抗素子に連結する配線を金属スパッター、ドライエッチング装置を用いて作製する。次に、従来周知の半導体微細加工技術、例えばフォトリソグラフィ法やディープドライエッチングによりＳＯＩ基板の表面側と裏面側から加工を施すことにより、梁部１２と重り部１１を形成する。このとき溝部７も同時に形成される。もしくは溝をＳｉＯ２層の深さまで掘らない場合は、重り部１１および梁部１２の形成と溝部７の形成は別工程にて行う。このようにして図４に示すようなセンサ素子２０が作製される。
【００４１】
一方、基板１はアルミナなどの     セラミック材料からなる複数の絶縁層を積層することにより形成される。具体的には、平板状の絶縁層１ａ、矩形状の開口部を有する絶縁層１ｂ、絶縁層１ｂの開口部より大きな開口部を有する絶縁層１ｃを順次積層することよりキャビティ５を有する基板１が作製される。
【００４２】
（工程Ｂ）
次に図１０に示すように基板１の主面１Ａで且つセンサ素子２０を載置したときに溝部７で区切られた領域と対応する位置に接着用部材８´を塗布する。接着用部材８´は硬化前のシリコーン樹脂やエポキシ樹脂であり、ディスペンサーなどを用いて基板１の主面１Ａに塗布される。なお溝部７の深さなどの寸法や形成位置は接着用部材８´の塗布量等との関係で調整される。例えば、図６（ａ）に示すような溝部７を設ける場合において、塗布された接着用部材８´の中心Ｏから溝部７までの距離をｙ、接着用部材８´の直径をｘとしたとき（ｘ／２）≦ｙの関係を満たすように溝部７の位置と塗布量とを調整すればよい。これにより、接着剤８を溝部７の内側の領域内により確実に止めることができる。接着用部材８´には、シリカ、シリコン、ジビニルベンゼンなどからなる直径が２μｍ〜３０μｍ程度の球状のスペーサ部材が混合されており、このスペーサ部材が固定部１３の下面と基板１の主面１Ａとの間に介在されることにより基板１の主面１Ａと重り部１１の下面との間に隙間を形成することができる。
【００４３】
次にセンサ素子２０を基板１の主面１Ａに載置させ、接着用部材８´を硬化させることによりセンサ素子２０と基板１とを接合する。このとき余分な接着剤８は溝部７の中に収容されるため、接着剤８が固定部１３の下面に沿って広がるのを抑えることができる。これにより接着剤８の接着面積のばらつきを小さくすることができ、センサ素子２０に不均一な残留応力が発生するのを抑制して電気的な特性が優れた加速度センサ装置となすことができる。
【００４４】
センサ素子２０を基板１に接合した後、金、銅、アルミニウムなどからなる金属細線６によりセンサ素子２０に設けた素子側電極パッド１５と基板１に設けた基板側電極パッド４とを接続する。最後に４２アロイなどからなる金属製の蓋１０をエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂９により基板１の上面（絶縁層１ｄの上面）に接合することより製品としての加速度センサ装置が完成する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態に係る加速度センサ装置の斜視図である。
【図２】図１に示す加速度センサ装置の蓋を外した状態の平面図である。
【図３】図１に示す加速度センサ装置の断面図であり、（ａ）は図２のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に、（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’線で切断したときの断面にそれぞれ相当する。
【図４】図１に示す加速度センサ装置に搭載されているセンサ素子の斜視図である。
【図５】図４に示すセンサ素子を下面側から見たときの斜視図である。
【図６】溝部７の平面形状のパターンの一例を示す部分平面図である。
【図７】溝部７の断面形状のパターンの一例を示す断面図であり、図５のＣ−Ｃ’線で切断したときの断面に相当する。
【図８】本発明の実施の形態に係る加速度センサ装置の変形例を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る加速度センサ装置の別の変形例を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る加速度センサ装置の製造方法の一工程を示す斜視図である。
【図１１】従来の加速度センサ装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１・・・基板
２・・・外部端子
３・・・ビアホール導体
４・・・基板側電極パッド
５・・・キャビティ
６・・・金属細線
７・・・溝部
８・・・接着剤
１１・・・重り部
１２・・・梁部
１３・・・固定部
１４・・・素子側電極パッド
１５・・・抵抗素子
２０・・・センサ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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