(57)【要約】【解決手段】  Ｑスイッチレーザ発振器４は、回転チョッパ１８を回転させてレーザ光線Ｌを断続的に発振するＱスイッチ装置１４と、レーザ光線の光路上に設けられるとともに、入射したレーザ光線を加工用光路または非加工用光路に切換える切換手段１５とを備えている。  上記回転チョッパには、高ピーク高エネルギー量のレーザ光線を発振させるための第１スリット２１と、低ピーク低エネルギー量のレーザ光線を発振させるための第２スリット２２とが形成され、上記切換手段が上記第１スリットを通過したレーザ光線を加工用光路から非加工用光路に切換えることで、第２スリットを通過した低ピーク低エネルギー量のレーザ光線だけが加工用光路を導光されて基板１に照射されることとなる。【効果】  レーザ光線の出力形態を速やかに切換えることができる。【選択図】  図１
2009152449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリットの形成された回転チョッパを回転させてレーザ光線を断続的に発振するＱスイッチ装置を備えたＱスイッチレーザ発振器において、
レーザ光線の光路上に設けられるとともに、入射したレーザ光線を加工用光路または非加工用光路に切換える切換手段と、該切換手段を制御する制御手段とを備え、
上記回転チョッパには、レーザ光線を発振させるための第１スリットと、該第１スリットとは形状の異なる第２スリットとが形成され、
上記制御手段は上記切換手段を制御して、上記第１スリットまたは第２スリットを通過したレーザ光線を非加工用光路に切換えることを特徴とするＱスイッチレーザ発振器。
【請求項２】
回転する回転チョッパの第１スリットと第２スリットとを識別して検出する検出手段を備え、
上記制御手段は、検出手段が検出した第１スリットまたは第２スリットの位置から、上記レーザ光線の光路上に第１スリットまたは第２スリットのいずれが位置するのかを判定して、上記切換手段を制御することを特徴とする請求項１に記載のＱスイッチレーザ発振器。
【請求項３】
上記第１スリットと第２スリットとは所定のパターンによって整列するとともに、上記パターンは回転チョッパに円周方向等間隔に複数組形成されることを特徴とする請求項２に記載のＱスイッチレーザ発振器。
【請求項４】
上記切換手段は、レーザ光線を透過させるとともにレーザ光線を上記加工用光路または非加工用光路に回折させる音響光学素子を用いた外部スイッチ手段から構成され、
上記制御手段は上記外部スイッチ手段を制御してレーザ光線を上記加工用光路または非加工用光路に回折させることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＱスイッチレーザ発振器。
【請求項５】
上記Ｑスイッチ装置は、内部が真空状態に維持されて該内部に上記回転チョッパを収納するハウジングと、上記ハウジングに設けられてレーザ光線を透過させるレーザ光透過部材とを備え、
上記レーザ光透過部材は、レーザ光線が直線偏光となるよう、レーザ光線の光軸に対して斜めに設けられることを特徴とする請求項４に記載のＱスイッチレーザ発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＱスイッチレーザ発振器に関し、詳しくはスリットの形成された回転チョッパを回転させてレーザ光線を断続的に発振させるＱスイッチ装置を備えたＱスイッチレーザ発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板等にビアホール加工を行うため、レーザ光線を照射するレーザ発振器を備えた加工装置が用いられており、上記レーザ発振器として、スリットの形成された回転チョッパを回転させてレーザ光線を断続的に発振するＱスイッチ装置を備えたＱスイッチレーザ発振器が用いられている（特許文献１〜３）。
ここで、上記ビアホール加工には対象となる基板等に応じてさまざまな種類があり、その種類に応じて照射するレーザ光線の出力形態を変化させる必要がある。そこで上記特許文献１、２では、上記Ｑスイッチ装置を移動させることでレーザ光線の出力形態を変化させるようになっている。
【特許文献１】特許第３３９１６５４号公報
【特許文献２】特許第３２９８４８９号公報
【特許文献３】特開２００２−１９０６３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら上記特許文献１、２の場合、同じ基板に異なる種類のビアホール加工を行う際には、その都度Ｑスイッチ装置を移動させなければならず、加工効率が低いという問題があった。
このような問題に鑑み、レーザ光線の出力形態を速やかに切り換えることの可能なＱスイッチレーザ発振器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
すなわち本発明は、スリットの形成された回転チョッパを回転させてレーザ光線を断続的に発振するＱスイッチ装置を備えたＱスイッチレーザ発振器において、
レーザ光線の光路上に設けられるとともに、入射したレーザ光線を加工用光路または非加工用光路に切換える切換手段と、該切換手段を制御する制御手段とを備え、
上記回転チョッパには、レーザ光線を発振させるための第１スリットと、該第１スリットとは形状の異なる第２スリットとが形成され、
上記制御手段は上記切換手段を制御して、上記第１スリットまたは第２スリットを通過したレーザ光線を非加工用光路に切換えることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００５】
上記発明によれば、上記切換手段によって加工に必要なレーザ光線を加工用光路とし、加工に不要なレーザ光線を非加工用光路とすることが可能であるので、例えば第１スリットを通過したレーザ光線を非加工用光路に切り換えて、第１スリットとは異なる形状の第２スリットを通過したレーザ光線をＱスイッチレーザ発振器より照射させることができる。
このように、Ｑスイッチ装置を移動させること無く、上記切換手段によってレーザ光線の出力形態を速やかに切換えることが可能となっている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下図示実施例について説明すると、図１は基板１にビアホール加工を行うレーザ加工装置２を示し、このレーザ加工装置２は、基板１を載置する加工テーブル３と、レーザ光線Ｌを照射するＱスイッチレーザ発振器４と、照射されたレーザ光線Ｌを基板１まで導光する導光手段５と、レーザ加工装置２を制御する制御手段６とを備えている。
上記基板１としては、例えばグラスファイバ等を含んだコア基板１ａの表面にポリイミド等からなる絶縁樹脂層１ｂを形成したものが知られ、コア基板１ａや絶縁樹脂層１ｂの表面には銅製の配線１ｃが形成されている（図３参照）。
そして、本実施例のレーザ加工装置２は、例えば上記基板１にレーザ光線Ｌを照射して上記絶縁樹脂層１ｂを除去して上記配線１ｃを露出させるビアホール加工を行うようになっている。
【０００７】
Ｑスイッチレーザ発振器４は、レーザガスの充填された放電チャンバ１１と、共振器を構成する出力鏡１２およびリヤミラー１３と、出力鏡１２およびリヤミラー１３の間に設けられたＱスイッチ装置１４と、出力鏡１２より出力されたレーザ光線Ｌの光路を切換える切換手段１５とを備えている。
上記放電チャンバ１１内にはＣＯ２，Ｎ２，Ｈｅを主成分とするレーザガスが封入され、放電チャンバ１１の両端にはレーザ光線Ｌの光軸上に上記出力鏡１２とテレスコープレンズ１６とが設けられている。
上記放電チャンバ１１に隣接した位置には、レーザ光線Ｌの光軸上に上記Ｑスイッチ装置１４およびリヤミラー１３が設けられており、放電チャンバ１１内のレーザガスを放電励起すると、出力鏡１２とリヤミラー１３との間でレーザ光線Ｌが反射を繰り返し、該レーザ光線Ｌが所定の出力に達すると出力鏡１２より出力されるようになっている。
上記テレスコープレンズ１６はレーザ光線Ｌを集光し、また上記リヤミラー１３は凹面鏡となっている。このためテレスコープレンズ１６とリヤミラー１３との間にはレーザ光線Ｌの焦点が形成されるようになっている。
【０００８】
上記Ｑスイッチ装置１４は、ハウジング１７と、該ハウジング１７内部に収容された回転チョッパ１８と、該回転チョッパ１８を回転させるモータ１９とを備えている。
ハウジング１７の内部は真空状態とされており、これにより上記回転チョッパ１８を高速に回転させても、回転チョッパ１８が空気との摩擦によって加熱されるのを防止している。
ハウジング１７の下部にはレーザ光線Ｌを透過させるゲルマニウム（Ｇｅ）やジンクセレン（ＺｅＳｅ）などのレーザ光透過部材２０がレーザ光線Ｌの光軸方向に２枚設けられており、レーザ光線Ｌはこのレーザ光透過部材２０を透過して、ハウジング１７の内部に上記焦点を形成するようになっている。
また、上記レーザ光透過部材２０はレーザ光線Ｌの光軸に対してブリュースター角だけ傾斜して設けられており、出力鏡１２から出射されるレーザ光線Ｌが直線偏光となるようにしている。
このようにレーザ光線Ｌを直線偏光とすることで、上記切換手段１５を構成する後述する音響光学素子２４に入射したレーザ光線Ｌの光路を高効率で回折させることができるようになっている。
【０００９】
回転チョッパ１８は円盤状を有し、この回転チョッパ１８を回転させるモータ１９は真空状態においても使用可能なモータ１９となっている。
回転チョッパ１８は上記リヤミラー１３とテレスコープレンズ１６とによって集光されたレーザ光線Ｌの焦点を遮断する位置に設けられるとともに、レーザ光線Ｌの光軸に対して斜めに配置されており、遮断されたレーザ光線Ｌが共振器の光路から外れるようになっている。
図２は回転チョッパ１８を示し、該回転チョッパ１８の外周部には楔形の第１スリット２１および第２スリット２２が複数形成され、第１スリット２１は第２スリット２２に比べてその先端の頂部が回転チョッパ１８の中心側に位置するように形成されている。
放電チャンバ１１をＣＷ放電励起した状態で回転チョッパ１８を回転させることで、レーザ光線Ｌを断続的に発振することができ、例えば図３（ｃ）の右側に示すレーザ光線Ｌの出力についてのグラフを得ることができる。
このグラフには４つの発振波形が表示され、最初と最後の発振波形は第１スリット２１を通過したレーザ光線Ｌの出力形態を示し、これらの間に位置する２つの発振波形は第２スリット２２を通過したレーザ光線Ｌの出力形態を示している。
また各発振波形は急激に立ち上がるピーク部分と、その後に続くテール部分とからなり、上記ピーク部分の出力は共振器内でエネルギーを蓄える時間が長いと高くなるものとなっている。
また、発振波形の占める面積はスリットを通過したレーザ光線の総エネルギー量を示しており、この総エネルギー量はスリットの幅が大きく関係しており、スリットの幅が広いとテール部分が長くなり総エネルギー量が多くなるものとなっている。
このように、本実施例では回転チョッパ１８の外周端における第１スリット２１の幅を第２スリット２２の幅よりも広く形成しているため、第１スリット２１を通過するレーザ光線Ｌの総エネルギー量が、第２スリット２２を通過するレーザ光線Ｌの総エネルギー量よりも多くなるようになっている。
ここでは回転チョッパ１８には一つの第１スリット２１に隣接して第２スリット２２を２つ連続させたものを一つのパターンとしており、このパターンを回転チョッパ１８の外周に沿って等間隔に複数繰り返して形成するようになっている。
具体的には、各パターンを構成する各スリット間の間隔は短く設定し、また各パターンの後端の第２スリット２２とこれに続くパターンにおける先頭の第１スリット２１との間隔は長く設定されている。
このようにすることで、第１スリットを通過するレーザ光線Ｌのピーク値は第２スリットを通過するレーザ光線Ｌのピーク値よりも高くなるようになっている。
さらに、回転チョッパ１８には同じ形状のスリットが中心に対してほぼ対称に位置するように形成されている。
【００１０】
上記ハウジング１７の内部には回転する回転チョッパ１８の第１、第２スリット２１、２２を検出する検出手段２３が設けられており、この検出手段２３は上記制御手段６に接続されている。
検出手段２３は回転チョッパ１８の同一半径上に設けられた２組の発光素子２３ａと受光素子２３ｂとから構成され、発光素子２３ａは常時発光するとともに、受光素子２３ｂはこの光を受光するとその信号を制御手段６に送信するようになっている。
このうち１組の発光素子２３ａおよび受光素子２３ｂは回転チョッパ１８の外周端近傍に設けられ、もう１組の発光素子２３ａおよび受光素子２３ｂは上記第２スリット２２の頂点よりも回転チョッパ１８の中心側に設けられている。
一方、上記レーザ光線Ｌの焦点は回転チョッパ１２の下端部に位置し、検出手段２３で検出したスリットと同じ形状のスリットがレーザ光線Ｌの焦点の位置を通過するようになっている。
従って、検出手段２３による検出位置を第１スリット２１が通過すると、両方の受光素子２３ｂに光が受光されることとなり、制御手段６は第１スリット２１が検出されたものと判断し、その直後にレーザ光線Ｌの光軸を第１スリット２１が横切るものと判定する。
一方、検出手段２３による検出位置を第２スリット２２が通過すると、外周側の受光素子２３ｂだけが光を受光するので、制御手段６は第２スリット２２が検出されたものと判断し、その直後にレーザ光線Ｌの光軸を第２スリット２２が横切るものと判定する。
【００１１】
上記切換手段１５は上記出力鏡１２に隣接した位置に設けられ、出力鏡１２より出射されたレーザ光線Ｌを透過させるとともにレーザ光線Ｌの光路を回折させる音響光学素子２４を用いた外部スイッチ手段であって、上記制御手段６によって制御される。
音響光学素子２４（ＡＯＭ：Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）は、カドミウムテルライド（ＣｄＴｅ）などの遠赤外光を透過する材料で製造されている。
この音響光学素子２４の上面にはＲＦドライバにより駆動される超音波トランスデューサ２５が設けられており、この超音波トランスデューサ２５によって超音波を付与することで、音響光学素子２４を透過しようとするレーザ光線Ｌを回折させるようになっている。
ここで、音響光学素子２４が効率よくレーザ光線Ｌを回折するためには、音響光学素子２４に入射するレーザ光線Ｌを直線偏光とする必要があり、そのため上記ハウジング１７に設けたレーザ光透過部材２０を斜めに設けて、レーザ光線Ｌを直線偏光とするようになっている。
本実施例では、切換手段１５の非作動時、つまりレーザ光線Ｌが音響光学素子２４によって回折しないでそのまま透過する場合、そのレーザ光線Ｌは上記導光手段５によって基板１まで達するようになっており、以下、このときのレーザ光線Ｌの光路を加工用光路と呼ぶ。
一方、切換手段１５を作動させてレーザ光線Ｌを音響光学素子２４によって回折させた場合、レーザ光線Ｌは上記加工用光路とは異なる方向に照射されるようになっており、以下、このときのレーザ光線Ｌの光路を非加工用光路と呼ぶ。
そして上記非加工用光路の光路上にはビームダンパ２６が設けられており、非加工用光路のレーザ光線Ｌはこのビームダンパ２６によって吸収されるようになっている。
なお、上記音響光学素子２４を用いた外部スイッチ手段からなる切換手段１５については、特開平６−１５２０４１号公報や特開平６−１７５０９３号公報で公知であるため、詳細な説明は省略する。
【００１２】
上記導光手段５は、円偏光ミラー２７、Ｘ軸ガルバノミラー２８、Ｙ軸ガルバノミラー２９およびｆθレンズ３０から構成され、これらはレーザ光線Ｌの上記加工用光路上に設けられている。
上記円偏光ミラー２７は、上記Ｑスイッチレーザ発振器４より発振された直線偏光のレーザ光線Ｌを円偏光に変換して反射させるようになっている。
上記Ｘ軸、Ｙ軸ガルバノミラー２８、２９は制御手段６によって制御される回動装置２８ａ，２９ａによって回動され、レーザ光線Ｌの基板１への照射位置を変更するようになっており、Ｘ軸、Ｙ軸ガルバノミラー２８，２９で反射したレーザ光線Ｌはｆθレンズ３０を介して基板１に照射されるようになっている。
【００１３】
以上の構成を有するレーザ加工装置２の動作について説明する。ここでは図３（ａ）〜（ｃ）に示す３種類のビアホール加工について説明する。
レーザ加工装置２を作動させると、まず、上記Ｑスイッチ装置１４の回転チョッパ１８が回転し、続いてＱスイッチレーザ発振器４では放電チャンバ１１内のレーザガスがＣＷ放電励起される。
これによりレーザ光線Ｌが出力鏡１２とリヤミラー１３との間で共振され、このレーザ光線Ｌは回転チョッパ１８の第１、第２スリット２１、２２を断続的に通過したうえで、所定出力に達したレーザ光線Ｌが出力鏡１２からＱスイッチパルスレーザとして出力される。
ここで、上記切換手段１５は音響光学素子２４によってレーザ光線Ｌを上記非加工用光路に回折させるようになっており、回折したレーザ光線Ｌは上記ビームダンパ２６によって吸収されるようになっている。
そしてその間、制御手段６は加工情報に基づいて導光手段５を制御し、上記回動手段２８ａ，２９ａによってＸ軸、Ｙ軸ガルバノミラー２８，２９の角度を調整し、レーザ光線Ｌが所要の加工位置に照射されるようにする。
【００１４】
続いて、図３（ａ）に示すビアホール加工を行う際の動作について説明する。
図３（ａ）に示す基板１は、コア基板１ａの表面に配線１ｃが形成されたものであり、ここではビアホール加工により絶縁樹脂層１ｂを除去することで上記配線１ｃを露出させるようになっている。
このビアホール加工においては、上記絶縁樹脂層１ｂを除去するだけであるので、第２スリット２２を通過した低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌによって加工を行うことができ、むしろ第１スリット２１を通過した高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌで加工を行うと、配線１ｃが損傷してしまうおそれがある。
そこで、導光手段５のＸ軸、Ｙ軸ガルバノミラー２８，２９の移動が完了した後に、検出手段２３が第１スリット２１を検出した場合には、制御手段６は切換手段１５によりレーザ光線Ｌの光路を非加工用光路に回折させたままにする。
そして第１スリット２１の検出後に検出手段２３が第２スリット２２を検出すると、制御手段６は切換手段１５によりレーザ光線Ｌの光路が加工用光路となるようにして、第２スリット２２を通過したレーザ光線Ｌが基板１に照射されるようにする。
このようにすることで、Ｑスイッチレーザ発振器４からは図３（ａ）の右側に示すような第２スリット２２を通過した低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌだけが２回照射され、想像線で示した高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌは照射されないこととなる。
その結果、２回の第２スリット２２を通過した低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌによって上記基板１より絶縁樹脂層１ｂが除去され、上記ビアホール加工が行われる。
上記ビアホール加工が終了したら、制御手段６は切換手段１５によりレーザ光線Ｌの光路を非加工用光路に回折させて、第１スリット２１を通過したレーザ光線Ｌが基板１に照射されないようにし、導光手段５が新たな加工位置にレーザ光線の光軸を移動させる間、レーザ光線Ｌが基板１に照射されないようにする。
なお、２回の低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌを照射しただけでは上記基板１より絶縁樹脂層１ｂを除去できない場合、上述したように第１スリット２１を通過したレーザ光線Ｌを非加工用光路に回折させて、低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌのみを連続して照射し、ビアホール加工を行えばよい。
【００１５】
次に、図３（ｂ）に示すビアホール加工を行う際の動作について説明する。
図３（ｂ）に示す基板１は、コア基板１ａの表面および絶縁樹脂層１ｂの表面に配線１ｃが形成されたものであり、ここではビアホール加工により絶縁樹脂層１ｂの表面の配線１ｃを貫通するとともに、絶縁樹脂層１ｂを除去することでコア基板１ａ表面の配線１ｃを露出させるようになっている。
このビアホール加工においては、図３（ａ）の場合に比べて上記絶縁樹脂層１ｂ表面の配線１ｃを貫通させる必要があることから、図３（ａ）の場合に比べて高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌを照射する必要がある。反面、高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌを照射し続けると、コア基板１ａ表面の配線１ｃが損傷してしまうおそれがある。
そこで、制御手段６は検出手段２３が第１スリット２１を検出すると、該第１スリット２１とこれに続く２つの第２スリット２２とが通過するまで、レーザ光線Ｌを加工用光路とするよう、切換手段１５を制御する。
このようにすることで、図３（ｂ）の右側に示すように、第１スリット２１を通過した高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌと、第２スリット２２を通過した低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌが２回照射されることとなる。
そして最初の第１スリット２１を通過した高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌによって上記配線１ｃが貫通され、続く第２スリット２２を通過した低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌによって絶縁樹脂層１ｂが除去され、上記ビアホール加工が行われる。
上記ビアホール加工が終了したら、制御手段６は切換手段１５によりレーザ光線Ｌの光路を非加工用光路に回折させて、第１スリット２１を通過したレーザ光線Ｌが基板１に照射されないようにし、導光手段５が新たな加工位置にレーザ光線の光軸を移動させる間、レーザ光線Ｌが基板１に照射されないようにする。
【００１６】
そして、図３（ｃ）に示すビアホール加工を行う際の動作について説明する。
図３（ｃ）に示す基板１は、コア基板１ａの表面および裏面に配線１ｃが形成されたものであり、ここでは表面および裏面の配線１ｃとコア基板１ａとを貫通するようにビアホール加工を行うようになっている。
このビアホール加工においては、図３（ａ）（ｂ）の場合に比べて上記コア基板１ａの両面に形成された配線１ｃを貫通させる必要があることから、高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌで加工を行う必要がある。
そこで、制御手段６は検出手段２３が第１スリット２１を検出すると上記切換手段１５を作動してレーザ光線Ｌを加工用光路とし、次の第１スリット２１を検出するまでの間、第１、第２スリット２１、２２を通過したレーザ光線Ｌの全てを基板１に照射させる。
このようにすることで、図３（ｃ）の右側に示すように第１スリット２１を通過した高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌと、第２スリット２２を通過した低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌが基板１に照射される。
そして１回目の第１スリット２１を通過した高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌによってコア基板１ａの表面に形成された配線１ｃが貫通され、続く第２スリット２２を通過した２回の低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌによってコア基板１ａが除去され、２回目の第１スリット２１を通過した高ピーク高エネルギー量のレーザ光線Ｌによってコア基板１ａの裏面に形成された配線１ｃが貫通され、上記ビアホール加工が行われる。
上記ビアホール加工が終了したら、制御手段６は切換手段１５によりレーザ光線Ｌの光路を非加工用光路に回折させて、第２スリット２２を通過した低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌが基板１に照射されないようにし、導光手段５が新たな加工位置にレーザ光線の光軸を移動させる間、レーザ光線Ｌが基板１に照射されないようにする。
【００１７】
以上のように、上記切換手段１５を制御することでＱスイッチレーザ発振器４より照射されるレーザ光線Ｌの出力形態を瞬時に変更することができるので、効率的に基板１の加工を行うことができる。
例えば、一つの基板１に上記図３（ａ）〜（ｃ）のような異なる種類のビアホール加工を行わなければならない場合、上記切換手段１５によって瞬時に出力の異なるレーザ光線Ｌに切換えることができるので、効率的な加工を行うことができる。
これに対し、上記特許文献１、２の場合、Ｑスイッチ手段を移動させてレーザ光線Ｌの出力を変化させなければならないため、作業が煩雑で作業効率が低くなり、またＱスイッチ手段を移動させる間にエネルギが無駄に消費されてしまうといった問題があった。
なお、上記図３（ａ）〜（ｃ）に示すビアホール加工は一例であり、例えば絶縁樹脂層１ｂを複数積層させ、これらの間に上記配線１ｃを設けた基板１にもビアホール加工が可能であり、必要とされるビアホール加工に応じて上記切換手段１５によるレーザ光線の出力形態を変更することができる。
【００１８】
なお、上記実施例では第２スリット２２を通過する低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌを非加工用光路に回折していないが、切換手段１５はこのような低ピーク低エネルギー量のレーザ光線Ｌを回折させることも可能である。
また、上記実施例において、切換手段１５は第１スリット２１を通過したレーザ光線Ｌを非加工用光路に回折させるが、例えば切換手段１５によってレーザ光線Ｌの発振波形におけるテール部分だけを非加工用光路に回折させたり、テール部分の途中から回折させたりすることも可能である。これにより、照射されるレーザ光線Ｌのパルス幅を短くして総エネルギー量を抑え、熱影響の少ない加工を行うことができる。
さらに、上記実施例では回転チョッパ１８に２種類の楔形の第１、第２スリット２１、２２を形成しているが、この形状に限らず形の異なるスリットを形成しても良い。
そして、上記回転チョッパ１８に形成する第１、第２スリットの並び方については、検出手段２３の検出結果に応じて制御手段６がレーザ光線Ｌの焦点位置のスリットを判定することができれば、その並び方を任意に設定することも可能である。
例えば、制御手段６に回転チョッパ１８に形成した全ての第１、第２スリット２１、２２の位置を記憶させ、さらに上記レーザ光線Ｌの焦点の位置と検出手段２３との位置関係を記憶させれば、上記実施例と同様、第１、第２スリット２１、２２を検出することでレーザ光線Ｌの焦点の位置に位置するスリットの種類を判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施例にかかるレーザ加工装置の配置図。
【図２】回転チョッパについての斜視図。
【図３】３種類のビアホール加工の様子を示すとともに、そのビアホール加工に使用するレーザ光線の出力を示した図。
【符号の説明】
【００２０】
１  基板                            ２  レーザ加工装置
４  Ｑスイッチレーザ発振器          ６  制御手段
１４  Ｑスイッチ装置                １５  切換手段
１８  回転チョッパ                  ２１  第１スリット
２２  第２スリット                  ２４  音響光学素子
【図１】
2009152449.tif 000003
【図２】
2009152449.tif 000004
【図３】
2009152449.tif 000005