(57)【要約】【課題】アルカリ金属酸化物を含有する鉛フリー低融点ガラスからなる誘電体層の焼成時での透明導電膜の着色を惹き起こすことなく、発光効率の低下を回避可能な薄膜配線層を提供する。【解決手段】基板１０の主面に透明導電膜１１、下地密着膜３０、Ｃｕを主成分とする主導体層３１、酸化防止膜３２が順に形成される。透明導電膜１１上に形成される下地密着層３１を、該透明導電膜１１より高い標準電極電位を有する金属、または透明導電膜の標準電極電位の差に起因する局部電池反応で当該透明電極の着色現象が許容値以内となる金属とする。【選択図】図２
2009301836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在し、該第１の方向と交差する第２の方向に並設された複数の薄膜配線層からなる表示電極対を主面に有する透明基板からなる前面板と、
前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に並設された複数のアドレス電極と、
前記アドレス電極の間に堤状に形成されて、該アドレス電極の間を隔離する隔壁を主面に有する基板からなる背面板と、
前記前面板と前記背面板の貼り合わせ間隙に放電ガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記前面板を構成する前記透明基板上に形成される前記薄膜配線層は、前記透明基板側から順に、透明導電膜、下地密着膜、銅を主成分とする主導体層、酸化防止膜の積層で構成され、
前記下地密着膜は、前記透明導電膜より高い標準電極電位、又は標準電極電位が前記透明導電膜の標準電極電位より低く、当該透明導電膜の標準電極電位との差に起因する局部電池反応で当該透明電極の着色現象が許容値以内となる金属からなり、
前記酸化防止膜は、前記透明導電膜より低い標準電極電位を有する金属で構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１において、
前記透明導電膜の標準電極電位との差は０．３１Ｖ以内であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項１において、
前記下地密着膜は、モリブデンまたはモリブデン合金、コバルトまたはコバルト合金からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
請求項１において、
前記酸化防止膜は、クロム、またはクロム合金からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
請求項１において、
前記酸化防止膜は、モリブデンまたはモリブデン合金、コバルトまたはコバルト合金からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイパネルの薄膜配線構造にかかり、製造工程において当該薄膜配線を完全に被覆するようにアルカリ金属酸化物を含有する低融点ガラスからなる誘電体層を形成し、該誘電体層を高温で焼成する工程を要するプラズマディスプレイパネルに好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
基板主面に所定パターン形状の電極を有する表示パネルの代表例として、例えば、特許文献１に記載されたプラズマディスプレイパネル(ＰＤＰ)を挙げることができる。ＰＤＰは自発光型の表示パネルである。このＰＤＰは、前面板と背面板を貼り合わせ、両者を貼り合わせた間隙に放電ガスを封入した構造を有する。図１は、一般的なＡＣ型面放電方式のＰＤＰの概略構造を説明する分解斜視図である。前面板１は、ガラスを好適とする前面基板１０（表示面側）の主面上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＮＥＳＡ（錫酸化物）などから成る透明電極１１と、この透明電極１１の上に形成した銀（Ａｇ）やクロム/銅/クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）の積層膜などから成るバス電極１２により構成される二本の表示電極４の対が複数設けられている。そして、表示電極４を覆うように低融点ガラスから成る誘電体層１３が形成されており、誘電体層１３上に酸化マグネシウムなどから成る保護膜１４を有している。
【０００３】
一方、背面板２は、同様にガラスを好適とする背面基板２０の主面上にアドレス電極２１を複数有し、このアドレス電極２１を誘電体層２２が覆っており、誘電体層２２上でかつアドレス電極２１の間に、当該アドレス電極２１に沿って隔壁２３が形成されている。隔壁２３は、前面板１と貼り合わせたときに、その保護膜１４に当接して隣接するアドレス電極２１の放電空間と隔離される。隔壁２３の側面及び誘電体層２２上には蛍光体２４が形成されている。
【０００４】
隔壁２３は貼り合わせた前面板１と背面板２との間に放電空間３を形成し、放電空間内には、ネオン及びキセノンの混合ガスを好適とする放電ガスが封入され、両基板間に放電セルが複数形成されている。個々の放電セルは、フルカラー表示の副画素を構成し、通常薄膜トランジスタ赤色（Ｒ）、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の３つの副画素でフルカラーの１画素を構成する。前面板１側の表示電極４の対と背面板２側のアドレス電極２１に電圧を印加することにより前記複数の放電セルに放電を起こし、該放電により紫外線が発生し、発生した紫外線が蛍光体を励起して当該蛍光体に特有の色の可視光を発光させる。
【０００５】
バス電極１２及びアドレス電極２１の形成方法としては、スクリーン印刷法を用いてＡｇ粒子、バインダ樹脂、有機溶剤などからなるＡｇペーストを全面基板１０の主面に塗布して所定の形状にパターニング後、焼成することによりＡｇ電極を形成する方法、または、スパッタ法等の真空薄膜作成法によりＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層積層膜や、Ａｌ膜或いはＡｌ合金膜を全面基板１０の主面の全面に形成した後、フォトリソグラフィー法により所定の形状にパターニングする方法がある。アドレス電極２１にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層積層膜を用いたプラズマディスプレイパネルは特許文献２に開示がある。
【０００６】
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層積層膜の電極構造において、下層のＣｒは透明電極膜と主導電体層であるＣｕの密着性を確保するための下地密着膜３０として設けられ、また、上層のＣｒは誘電体層焼成時における主導体３１であるＣｕの酸化を抑制するための酸化防止膜３２として各々設けられる。バス電極１２であるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層積層膜の電極は、低抵抗で、より高精細パターンが形成可能である。下地密着膜３０と酸化防止膜３２に関しては、主導体層３１と合金化し難い金属という観点から種々の金属膜の提案がなされている。例えば、特許文献１では、酸化防止膜として、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａなどを用いることが記載されている。
【０００７】
また、誘電体層１３の形成には、６００℃程度の焼成によりガラス粉末を軟化流動させる方法がある。従来、誘電体層１３の具体的な材料としては、酸化鉛（ＰｂＯ）系を主成分とする低融点ガラスが用いられていたが、近年の環境問題への配慮から鉛成分を含まないガラス組成（鉛フリー低融点ガラス）が用いられるようになってきている。鉛フリー低融点ガラスには、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系、又はＢ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3系に、アルカリ金属酸化物とアルカリ土類金属酸化物の少なくとも一方を添加した組成が用いられる。特に、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系の低融点ガラスは、従来の酸化鉛系含有ガラスに比べて比誘電率が低く、セルの容量を小さくして放電電流を低減することができる。
【特許文献１】特開平１１−１１９６９４号公報
【特許文献２】特開平８−１３１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ＩＴＯなどの透明導電膜と、この透明導電膜上に形成するＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなるバス電極上に、アルカリ金属酸化物を含有する鉛フリー低融点ガラスを焼成すると、透明導電膜が着色し、表示パネルの発光効率の低下を招くことがある。本発明の目的は、上記の問題に鑑み、アルカリ金属酸化物を含有する低融点ガラスから成る誘電体層を焼成する際に、透明導電膜の着色を惹き起こすことなく、発光効率の低下を防止できる薄膜配線層を提供することにあり、高い発光効率のプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明者は、種々検討の結果から、透明電極が着色するメカニズムが次の通りであることを見出した。Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなるバス電極上に塗布したアルカリ金属酸化物を含有する鉛フリー低融点ガラスを焼成して誘電体層とする際に、イオン伝導性に優れるアルカリ金属酸化物を含有する低融点ガラスと、透明導電膜と、透明導電膜上に形成される下地密着膜であるＣｒ間で局部電池が形成され、下地密着膜上で酸化反応、透明電極膜上で還元反応が生じる。ここで、主導体層であるＣｕから誘電体層中にＣｕイオンが拡散する場合、Ｃｕイオンは透明電極膜上に金属粒子として還元析出する。また、透明電極膜自体が還元され、インジウムや錫の金属粒子が析出する。これら金属粒子の析出により、透明導電膜が着色すると考えられる。
【００１０】
上記の知見に基づいて、誘電体焼成時における透明導電膜の着色を抑制できることを見出し、本発明は、透明導電膜の着色を防止するにあたって、前記薄膜配線層を、前記透明基板側から順に、透明導電膜、下地密着膜、銅を主成分とする主導体層、酸化防止膜の積層で構成し、透明導電膜上に形成される下地密着層を、透明導電膜より高い標準電極電位を有する金属、または、透明導電膜の標準電極電位の差に起因する局部電池反応で当該透明電極の着色現象が許容値以内となる金属で形成することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、前記下地密着膜として、モリブデンまたはモリブデン合金、コバルトまたはコバルト合金を用いることができる。
【００１２】
また、本発明は、前記酸化防止膜として、クロム、またはクロム合金を用いることができる。
【００１３】
また、本発明は、前記酸化防止膜として、モリブデンまたはモリブデン合金、コバルトまたはコバルト合金を用いることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、アルカリ金属酸化物を含有する低融点ガラスから成る誘電体層を焼成する場合に、透明導電膜と下地密着膜と誘電体層間での局部電池反応を抑制することで、透明導電膜の着色を防止することができる。したがって、高い発光効率を有するプラズマディスプレイパネルの提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明をその実施の形態を前記した図１および図２を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施形態においては、ＰＤＰの前面板のバス電極として薄膜配線層を形成する形態について説明するが、薄膜配線層が形成される基板の材質及び基板の用途は下記の実施例に制限されるものではない。
【００１６】
図２は、本発明にかかるプラズマディスプレイパネルを構成する全面板の模式断面図である。図２では、ガラスからなる前面基板１０の主面を同図の上向きにして示してある。前面基板１０の主面にＩＴＯの透明導電膜１１が形成されている。透明導電膜１１はＩＴＯ（インジウム・錫・オキサイド）に限らず、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛・オキサイド），ＩＴＺＯ（インジウム・錫・亜鉛・オキサイド）等とすることができる。この透明導電膜１１の上に、下地密着膜３０、主導体層３１及び酸化防止膜３２がこの順で積層された薄膜配線層が形成されている。
【００１７】
下地密着膜３０は、主導体層３１を構成する金属と合金化し難く、且つ透明導電膜１１より高い標準電極電位、または下記に説明する標準電極電位を有する金属で構成する。表１に各種配線材料の標準電極電位を示す。尚、ここでいう標準電極電位は、２５℃の水溶液中において、基準電極を標準水素電極とした場合の値である。
【表１】
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【００１８】
透明導電膜上に形成される下地密着層を、透明導電膜より高い標準電極電位を有する金属、または、透明導電膜の標準電極電位の差に起因する局部電池反応で当該透明電極の着色現象が許容値以内となる金属で形成する。ここで言う許容値とは、上記した透明導電膜上への金属粒子の還元析出による当該透明電極の着色現象が官能検査で認識されない標準電極電位の電圧である。表１に挙げた金属では、透明導電膜にＩＴＯ（標準電極電位が＋０．０３３）を用いた場合、標準電極電位が−０．２００であるＭｏ、同−０．２７７であるＣｏを用いた場合に、複数人の肉眼観察（官能検査）で透明電極の着色現象は認識されなかった。このＩＴＯとＭｏ、ＩＴＯとＣｏの標準電極電位の電圧差は、それぞれ０．２３３（Ｖ）、０．３１０（Ｖ）である。表１に挙げない金属で、透明導電膜との標準電極電位の電圧差が０．３１Ｖ以内で低い標準電極電位を有する金属であれば下地密着膜の
金属材料として用いることができる。なお、Ｃｕ,ＡｇはＩＴＯよりも標準電極電位が大であるため、局部電池反応によるＩＴＯ表面への析出はなく、着色は起こらないが、通常はこれらＣｕ,ＡｇはＩＴＯとの密着性が優れないため、下地金属には使用しない。
【００１９】
また、下地密着膜３０の厚さは、０．０１μｍから１．０μｍであることが望ましい。下地密着膜３０の膜厚が０．０１μｍ未満では下地ガラスとの密着力を十分に確保できず、また、１．０μｍ以上では成膜時間が長くなり、製造コストの面で不利である。下地密着膜３０は、下地密着膜３０の上に銅を主成分とする主導体層３１および酸化防止膜３２の積層からなるバス電極１２と透明導電膜１１及び前面基板１０との密着性を確保する。前面基板１０がガラスである場合には、例えばＭｏ又はＭｏ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金、或いはそれらの合金等を選択することができる。特に、ＭｏはＣｕと一括でエッチングできるため、製造コストの面で有利である。
【００２０】
前記のように、主導体層３１はＣｕから構成されることが望ましい。主導体層３１の厚みは１．０μｍから６．０μｍが望ましい。主導体層３１の膜厚が１．０μｍ未満の場合は主動体層の抵抗が高くなり、６．０μｍ以上では成膜時間が長くなり、製造コストの面で不利である。
【００２１】
酸化防止膜３２は、主導体層３１を構成する金属と合金化し難く、且つ透明導電膜１１より低い標準電極電位を有する金属で構成され、酸化防止膜の厚さは、０．０１μｍから１．０μｍであることが望ましい。酸化防止膜の膜厚が０．０１μｍ未満の場合では、酸化防止効果が得られず、また、１．０μｍ以上の場合では、成膜時間が長くなり、製造コストの面で不利である。特に、主導体層３１をＣｕとした場合は、Ｃｕイオンとアルカリ金属イオンの酸化還元反応により金属Ｃｕが析出し、より標準電極電位の低い酸化防止膜上に析出するため、透明導電膜自体の着色は起きにくくなる。酸化防止膜３２は、主導体層３１であるＣｕの酸化を防止するために、Ｃｒを選択することが可能である。
【００２２】
下地密着膜３０、主導体層３１、及び酸化防止膜３２の形成方法としては、前面基板１０の主面全面に均一に形成できる方法ならば、特に形成方法は限定されないが、スパッタ法や、蒸着法等の真空薄膜作成法による連続成膜が望ましい。また、この薄膜配線層のパターン形成には、フォトリソグラフィー法を用いるのが好ましい。すなわち、前面基板１０であるガラス基板の主面全面に下地密着膜、主導体層、酸化防止膜を形成する材料膜を成膜した後、ホトレジストを塗布し、ホトマスクを用いたホトリソ工程で所望のパターンを作成し、酸化防止膜３２、主導体層３１、下地密着膜３０の順にエッチングを施す。
【００２３】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
以下のプロセスによって、前面基板１０であるガラス基板（以下、ガラス基板１０とも表記する）上にＩＴＯを用いた透明導電膜１１及びバス電極１２からなる薄膜配線を形成する。ガラス基板１０上に透明電極１１をスパッタ法により膜厚１０００Åで成膜した。透明電極１１には、９５ｗｔ％の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、５ｗｔ％の酸化錫(ＳｎＯ4)からなるＩＴＯを用い、アルゴン９５％、酸素５％の雰囲気中でスパッタ成膜する。スパッタ時の基板温度は３００℃とする。ＩＴＯ上にホトレジストを塗布し、露光現像して所要のパターニングを施した後、前記ホトレジストのパターンをマスクとしてＩＴＯをエッチングし、２７８μｍの線幅のＩＴＯパターンを形成する。ＩＴＯのパターニングのためのエッチング液としては塩酸を使用する。
【００２５】
ホトレジストを剥離後、下地密着膜３０となるＭｏ、主導体層３１となるＣｕ、酸化防止膜３２となるＣｒをスパッタ法によってこの順に成膜する。Ｍｏは厚さ０．０５μｍ、Ｃｕは厚さ１μｍから３μｍの範囲で成膜し、Ｃｒは厚さ０．１０μｍでガラス基板１０の全面に成膜する。その後、Ｍｏ／Ｃｕ／Ｃｒ電極上にホトレジストを塗布し、露光現像する。バス電極の配線線幅は７０μｍから２２０μｍの範囲に調整する。前記ホトレジストのパターンをマスクとして酸化防止膜であるＣｒを塩酸系のエッチング液でエッチングする。続いて、主導体層であるＣｕ、及び下地密着膜であるＭｏを塩化第二鉄系のエッチング液でエッチングした後、ホトレジストパターンを１０％のＮａＯＨで膨潤剥離することにより薄膜配線層を形成する。
【００２６】
本実施例により、低融点ガラスから成る誘電体層を焼成する際に、透明導電膜の着色を惹き起こすことなく、発光効率の低下を防止でき、高い発光効率のプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【実施例２】
【００２７】
先ず、ガラス基板上１０に透明電極１１をスパッタ法により膜厚１０００Åで成膜する。透明電極１１には、９５ｗｔ％の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、５ｗｔ％の酸化錫(ＳｎＯ4)からなるＩＴＯを用い、アルゴン９５％、酸素５％の雰囲気中でスパッタ成膜する。スパッタ時の基板温度は３００℃とする。次に、成膜したＩＴＯ上にホトレジストを塗布し、ホトマスクを用いて露光し現像して所要のパターンをパターニングする。パターニングしたレジストパターンをマスクとしてＩＴＯをエッチングし、２７８μｍの線幅のＩＴＯパターンを形成する。ＩＴＯのエッチング液としては塩酸を使用する。
【００２８】
ホトレジストパターンを剥離後、下地密着膜３０となるＣｏ、主導体層３１となるＣｕ、酸化防止膜３２となるＣｒをスパッタ法によってこの順に成膜する。Ｃｏの膜厚は０．０５μｍ、Ｃｕの膜厚は１μｍから３μｍの範囲で、Ｃｒの膜厚は０．１０μｍで基板の全面に成膜する。
【００２９】
その後、Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｒの積層電極上にホトレジストを塗布し、ホトマスクを用いて露光現像して所定のパターンに形成する。バス電極の配線線幅は７０μｍから２２０μｍの範囲に調整する。前記レジストのパターンをマスクとして酸化防止膜であるＣｒを塩酸系のエッチング液でエッチングする。続いて、主導体層であるＣｕを塩化第二鉄系のエッチング液でエッチングする。次に、下地密着膜のＣoを塩酸系のエッチング液で除去した後、レジストパターンを１０％のＮａＯＨで膨潤剥離することにより薄膜配線層を形成する。
【００３０】
本実施例によっても、低融点ガラスから成る誘電体層を焼成する際に、透明導電膜の着色を惹き起こすことなく、発光効率の低下を防止でき、高い発光効率のプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【実施例３】
【００３１】
先ず、ガラス基板１０の主面に透明電極１１をスパッタ法により膜厚１０００Åで成膜する。透明電極には、９５ｗｔ％の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、５ｗｔ％の酸化錫(ＳｎＯ4)からなるＩＴＯを用い、アルゴン９５％、酸素５％の雰囲気中でスパッタ成膜した。スパッタ時の基板温度は３００℃とした。成膜したＩＴＯの上にホトレジストを塗布し、ホトマスクを用いて露光し現像して所要のパターンにパターニング後、前記ホトレジストのパターンをマスクとしてＩＴＯをエッチングして、２７８μｍの線幅のＩＴＯパターンを形成する。ＩＴＯのエッチング液としては塩酸を使用する。
【００３２】
レジストパターンを剥離後、主導体層３１となるＣｕ、酸化防止膜３２となるＣｒをスパッタ法によってこの順に、Ｃｕを厚さ１μｍから３μｍの範囲で、Ｃｒを厚さ０．１０μｍで基板全面に成膜する。尚、本実施例の電極構造においては、下地密着膜を用いていない。その後、Ｃｕ／Ｃｒ電極上にホトレジストを塗布し、ホトマスクを用いて露光し現像する。バス電極の配線線幅は７０μｍから２２０μｍの範囲に調整した。前記レジストパターンをマスクとして酸化防止膜であるＣｒを塩酸系のエッチング液でエッチングする。続いて、主導体層であるＣｕを塩化第二鉄系のエッチング液でエッチングした後、ホトレジストを１０％のＮａＯＨで膨潤剥離することにより薄膜配線層を形成する。
【００３３】
本実施例によっても、低融点ガラスから成る誘電体層を焼成する際に、透明導電膜の着色を惹き起こすことなく、発光効率の低下を防止でき、高い発光効率のプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【００３４】
以下、本発明の効果を説明するため、比較例を説明する。
【比較例】
【００３５】
実施例と同様に、ガラス基板上１０に透明電極１１をスパッタ法によって膜厚１０００Åで成膜する。透明電極には、９５ｗｔ％の酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、５ｗｔ％の酸化錫(ＳｎＯ4)からなるＩＴＯを用い、アルゴン９５％、酸素５％の雰囲気中でスパッタ成膜する。スパッタ時の基板温度は３００℃とする。ＩＴＯ上にホトレジストを塗布し、ホトマスクを用いて露光し現像してレジストパターンを形成する。前記レジストパターンをマスクとしてＩＴＯをエッチングして、２７８μｍの線幅のＩＴＯパターンを形成する。ＩＴＯのエッチング液としては塩酸を使用する。
【００３６】
レジストパターンの剥離後、下地密着膜３０となるＣｒ、主導体層３１となるＣｕ、酸化防止膜３２となるＣｒをスパッタ法によってこの順に成膜する。Ｃｒの厚さは０．０５ｍ、Ｃｕの厚さは１μｍから３μｍの範囲で、Ｃｒの厚さは０．１０μｍで基板全面に
成膜する。その後、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層バス電極上にホトレジストを塗布し、ホトマスクを用いて露光し現像して所定のレジストパターンを形成する。バス電極の配線線幅は７０μｍから２２０μｍの範囲に調整する。前記ホトレジストをマスクとして酸化防止膜であるＣｒを塩酸系のエッチング液でエッチングする。続いて、主導体層であるＣｕを塩化第二鉄系のエッチング液でエッチングする。次に、下地密着膜のＣｒを過マンガン酸系のエッチング液で除去した後、レジストパターンを１０％のＮａＯＨで膨潤剥離することにより薄膜配線層を形成する。
【００３７】
上記実施例1、実施例２、実施例３、及び比較例によって作製した薄膜配線層付ガラス基板を用いて、アルカリ金属酸化物を含有する鉛フリー低融点ガラスからなる誘電体層を形成し、透明導電膜の着色の有無を評価した。この評価をするため、薄膜配線層付ガラス基板上に、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｎａ2Ｏ−Ｋ2Ｏからなる低融点ガラス粉末を含むペーストを塗布し乾燥し、６２０℃の大気中焼成により、膜厚２０μｍの誘電体層を形成した。次に、透明導電膜の着色の有無を金属顕微鏡観察により評価した。透明導電膜が着色した場合は、誘電体層を６％の硝酸でエッチングし、透明導電膜上に析出した金属粒子をエネルギー分散型蛍光Ｘ線分析により同定した。以上の評価結果を表２に示す。
【表２】
2009301836.tif 000004
【００３８】
表２から、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの場合では、透明導電膜は、金属Ｃｕ粒子の析出により、着色してしまうが、透明導電膜より標準電極電位が高い、又は標準電極電位が前記透明導電膜の標準電極電位より低く、当該透明導電膜の標準電極電位との差に起因する局部電池反応で当該透明電極の着色現象が許容値以内となる金属、具体的には透明導電膜の標準電極電位との差が０．３１Ｖ以内で低い電位を有するＭｏ、Ｃｏ、Ｃｕを用いた場合では、透明導電膜の着色は観察されなかった。尚、ＩＴＯとＣｕとの密着性の確保、さらに製造コストの観点から、Ｍｏ／Ｃｕ／ＣｒをＢＵＳ電極に用いることが特に好ましい。
【００３９】
以上説明したように、本発明の薄膜配線層は、透明導電膜より標準電極電位が高い、又は標準電極電位が前記透明導電膜の標準電極電位より低く、当該透明導電膜の標準電極電位との差に起因する局部電池反応で当該透明電極の着色現象が許容値以内となる金属、具体的には透明導電膜の標準電極電位との差が０．３１Ｖ以内で低い標準電極電位を有する金属を下地密着膜とすることで、アルカリ金属酸化物を含有する低融点ガラスからなる誘電体層を形成しても、Ｃｕイオンの還元析出による透明導電膜の着色が起きないため、高い発光効率が要求される表示パネルの電極用配線として好適に利用可能である。特に、アルカリ金属酸化物を含有する鉛フリー低融点ガラスからなる誘電体層を、配線上に高い温度で焼成して形成することを要するプラズマディスプレイパネルの電極用配線として最適である。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関連した技術分野に好適であるが、本発明と同様の配線と誘電体の焼成構造を有する鶴首の電子機器にも同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明にかかるプラズマディスプレイパネルの要部を示す展開斜視図である。
【図２】本発明にかかるプラズマディスプレイパネルの前面基板の構造例を説明する模式断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  前面板
２  背面板
３  放電空間（放電ガス）
４  表示電極
１０  前面基板
１１  透明電極
１２  バス電極（多層積層膜）
１３,２２  誘電体層
１４  保護膜
２０  背面基板
２１  アドレス電極
２３  隔壁
２４  蛍光体
３０  下地密着膜
３１  主導電体膜
３２  酸化防止膜。
【図１】
2009301836.tif 000005
【図２】
2009301836.tif 000006