(57)【要約】【課題】  低温環境下でＯＣＢ液晶装置を使用しても、初期シーケンスを、特別な高耐圧回路を用いずに、かつ、通常動作時と同様の駆動方式を用いて無理なく実現すること。【解決手段】  温度センサ５５４および制御部５４０を有し、温度センサ５５４による温度計測の結果、常温と判定された場合には、制御部５４０は通常初期シーケンスを実行し、低温と判定された場合には低温時初期シーケンスを実行し、低温時初期シーケンスにおける画素への書き込み期間は、通常初期シーケンスにおける画素への書き込み期間よりも長く設定される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持される液晶と、を有し、初期シーケンスを実行することによって前記液晶の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示または光変調を行う液晶装置であって、
前記第１基板上に設けられる、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、
前記複数の走査線および前記複数のデータ線の各々の交点に設けられるスイッチング素子、前記スイッチング素子に接続される画素電極ならびに前記画素電極の電圧を一時的に保持するための保持容量を含む画素回路と、
前記第２基板上に、前記画素電極と対向して設けられる対向電極と、
前記走査線、前記データ線を駆動することができるドライバと、
温度を計測する温度センサと、
タイミング制御回路および画像処理回路を含み、前記温度センサからの信号に基づいて、前記表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を、前記ドライバに供給する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記温度センサによる温度測定の結果、低温の場合には低温時初期シーケンスを実行し、低温ではない場合には通常初期シーケンスを実行すると共に、前記低温時初期シーケンスにおける画素への書き込み時間は、前記通常初期シーケンスにおける画素への書き込み時間よりも長く設定される、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置であって、
前記液晶は、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）液晶であることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の液晶装置であって、
前記通常初期シーケンスならびに前記低温時初期シーケンスは共に、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスと、を含み、
前記ベンド転移核形成シーケンス実行時には、前記画素電極と前記走査線との間の電位差によって横電界を発生させ、前記ベンド転移拡大シーケンス実行時には、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって縦電界を発生させることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の液晶装置であって、
前記低温時初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数を、前記通常初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数よりも大きく設定することを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の液晶装置であって、
前記低温時初期シーケンスにおけるフレーム周波数を、前記通常初期シーケンスにおけるフレーム周波数よりも小さく設定することを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
初期シーケンスを実行することによって液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示または光変調を行う液晶装置の駆動方法であって、
温度計測を行い、低温ではない場合には通常初期シーケンスを実行し、低温の場合には画素への書き込み時間が前記通常初期シーケンスにおける画素への書き込み時間よりも長く設定された低温時初期シーケンスを実行する、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項７】
請求項６記載の液晶装置の駆動方法であって、
前記低温時初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数を、前記通常初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数よりも大きく設定することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７のいずれかに記載の液晶装置の駆動方法であって、
前記低温時初期シーケンスにおけるフレーム周波数を、前記通常初期シーケンスにおけるフレーム周波数よりも小さく設定することを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項６〜請求項８のいずれかに記載の液晶装置の駆動方法であって、
前記通常初期シーケンスならびに前記低温時初期シーケンスは共に、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスと、を含み、
前記ベンド転移核形成シーケンス実行時には、前記画素電極と前記走査線との間の電位差によって横電界を発生させ、前記ベンド転移拡大シーケンス実行時には、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって縦電界を発生させることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１０】
走査線、およびデータ線を駆動することができるドライバと、
温度を計測する温度センサと、
温度センサからの信号に基づいて、前記表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を前記ドライバに供給し、これによって、請求項６〜請求項９のいずれかに記載の液晶装置の駆動方法を実行する制御部と、
を有することを特徴とする液晶駆動用集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置（特にＯＣＢ液晶を使用した液晶装置）、液晶装置の駆動方法、液晶駆動用集積回路装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶テレビジョンや液晶プロジェクタに代表される液晶装置の分野では、静止画はもとより動画の画質向上が求められており、液晶装置の応答速度を高くすることが不可欠である。近年では、応答速度の速いＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）液晶装置が注目されている。
【０００３】
ＯＣＢ液晶を用いた液晶装置（以下、ＯＣＢ液晶装置という）は、初期状態と表示動作状態とで液晶分子の配向が変化するようになっている。初期状態では液晶分子の配向が２枚の基板間でスプレイ状に開くように規制され（スプレイ配向）、表示動作状態では液晶分子の配向が２枚の基板間で弓なりに曲がるように規制される（ベンド配向）。
【０００４】
ＯＣＢ液晶装置で画像表示や光変調を行う場合には、ベンド配向の状態で駆動電圧を印加する。ベンド配向の状態では、電圧を印加したときに液晶分子の配向が切り替わる時間がＴＮモードやＳＴＮモードの場合に比べて短くなり、液晶層の光透過率を短時間で変化させることができ、高速応答が可能となる。
【０００５】
ＯＣＢ液晶は、電圧が印加されていない状態では、スプレイ配向状態であり、例えば高電圧を印加することによりベンド配向状態となる。ＯＣＢ液晶表示装置で、表示動作時には、液晶分子をベンド配向にする必要があり、液晶分子の配向をスプレイ状態からベンド配向状態へ変化させるためには、初期シーケンスを実行する必要がある。
【０００６】
初期シーケンスには、ベンド転移核形成シーケンスとベンド転移拡大シーケンスが含まれる。すなわち、まず、ベンド転移のための核（ベンド転移核）を形成し（ベンド転移核形成）、次に、その転移を周囲に伝搬させる（ベンド転移拡大）。この初期シーケンスが完全に行われないと、表示不良の原因となる。
【０００７】
特に、低温では、常温に比べて、スプレイ配向状態からベンド配向状態に転移しにくくなる。よって、ＯＣＢ液晶装置が寒冷地（極寒地を含む）で使用される場合には、常温や高温の場合のような、十分なベンド配向状態への転移が達成されず、よって、表示不良が生じ易い。
【０００８】
低温下におけるＯＣＢ液晶の表示特性を改善するために、特許文献１では、温度センサによって低温と判定されると、ＯＣＢ液晶パネルの底面に設けられる導電性フィルムからなる加熱装置に電流を流し、ＯＣＢ液晶パネルを加熱している。
【特許文献１】特開２００２−２５０９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１の技術では、ＯＣＢ液晶装置に加熱装置を設ける必要があり、構成の複雑化および大型化を招き、コスト面でも不利となるのは否めない。
【００１０】
特別な構成を用いずに、低温時におけるＯＣＢ液晶のベンド転移を促進できれば、ＯＣＢ液晶装置を寒冷地でも使用できるようになり，ＯＣＢ液晶の利便性が向上する。
【００１１】
特に、ＯＣＢ液晶装置の通常動作時の駆動態様と同様の駆動方式（通常動作時の駆動を踏襲した、特別な高電圧や複雑な処理を伴わない駆動方式）を踏襲しつつ、駆動方法の若干の変更によって上述の目的を達成することができれば、駆動方式の一貫性が担保され、液晶ドライバの負担を軽減でき、コスト面でも有利となる。
【００１２】
また、低温時の初期シーケンスのためだけに、常温時における通常動作とはまったく異なる特別な処理を行う必要がなくなり、ＯＣＢ液晶の使い勝手もよくなる。
【００１３】
また、常温時ならびに高温時を問わず、初期シーケンスにおいて特別な高電圧を不要とすることができれば、液晶ドラバイの負担はさらに軽減され、ＯＣＢ液晶装置の小型化や低コスト化の点で、さらに有利となる。
【００１４】
本発明はこのような考察に基づいてなされたものである。本発明の少なくとも一つの実施態様によれば、低温時においても、ＯＣＢ液晶装置における、十分なベンド配向状態への転移が実現される。よって、ＯＣＢ液晶装置が寒冷地（例えば極寒地）で使用される場合でも、少なくとも最低限度の表示は確実に確保される。また、本発明の少なくとも一つの他の実施形態では、低温時における表示性能の改善を、過大な高電圧を用いずに、かつ、通常動作時と同様の順次駆動（例えば、線順次駆動）を用いて実現することができ、液晶駆動回路が簡素化され、ＯＣＢ液晶装置の低コスト化も併せて達成することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
（１）本発明の液晶装置の一態様では、対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持される液晶と、を有し、初期シーケンスを実行することによって前記液晶の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示または光変調を行う液晶装置であって、前記第１基板上に設けられる、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記複数の走査線および前記複数のデータ線の各々の交点に設けられるスイッチング素子、前記スイッチング素子に接続される画素電極ならびに前記画素電極の電圧を一時的に保持するための保持容量を含む画素回路と、前記第２基板上に、前記画素電極と対向して設けられる対向電極と、前記走査線、前記データ線ならびに前記対向電極を駆動することができるドライバと、温度を計測する温度センサと、タイミング制御回路および画像処理回路とを含み、前記温度センサからの信号に基づいて、前記表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を、前記ドライバに供給する制御部と、を含み、前記制御部は、前記温度センサによる温度測定の結果、低温の場合には低温時初期シーケンスを実行し、低温ではない場合には通常初期シーケンスを実行すると共に、前記低温時初期シーケンスにおける画素への書き込み時間は、前記通常初期シーケンスにおける画素への書き込み時間よりも長く設定される。
【００１６】
本態様では、例えば、電源投入時において、まず、温度センサにより周囲温度を計測する。そして、温度センサからの信号に基づいて、通常初期シーケンスまたは低温時初期シーケンスを選択的に実行し、１走査線あたりの画素への書き込み時間を制御する。低温時には、書き込み時間（液晶への電圧印加時間）を拡大し、十分な書き込み時間を確保することによって、確実なベンド転移核形成ならびにベンド転移拡大を実現する。よって、ＯＣＢ液晶装置が寒冷地（例えば極寒地）で使用される場合でも、少なくとも最低限度の表示は確実に確保される。
【００１７】
（２）本発明の液晶装置の他の態様では、前記液晶は、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）液晶である。
【００１８】
ＯＣＢ液晶を用いる点を明らかとしたものである。
【００１９】
（３）本発明の他の態様では、前記通常初期シーケンスならびに前記低温時初期シーケンスは共に、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスと、を含み、前記ベンド転移核形成シーケンス実行時には、前記画素電極と前記走査線との間の電位差によって横電界を発生させ、前記ベンド転移拡大シーケンス実行時には、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって縦電界を発生させる。
【００２０】
走査線と画素電極との間の横電界によってベンド転移核を形成し、画素電極と対向電極間の縦電界によってベンド転移を拡大する初期シーケンス（転移シーケンス）が実行される点を明らかとしたものである。走査線とデータ線（ならびに必要な場合は対向電極の一極）の駆動電圧と駆動タイミングを制御することによって、特別な構成ならびに高電圧を用いることなく、初期シーケンスを実行することができる。すなわち、ＯＣＢ液晶に、局所的な強い横電界を印加することによってディスクリネーション（液晶分子の配向が不連続となる欠陥領域:ディスクリネーションラインという）が発生し、そのディスクリネーションがベンド転移核となる。また、ベンド転移核形成後に、ＯＣＢ液晶の全画素に対して強い縦電界を与えることによって、ベンド転移核の拡大が開始される。ベンド転移核形成およびベンド転移拡大の各シーケンスは、走査線、データ線ならびに対向電極の各々に印加する電圧のレベルおよび電圧印加タイミングを制御するという、一般的な液晶駆動方式によって実現でき、初期シーケンスのために特別な回路を設ける必要はない。よって、液晶ドライバを簡素化でき、液晶装置の低コスト化も達成される。
【００２１】
（４）前記低温時初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数を、前記通常初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数よりも大きく設定する。
【００２２】
例えば、通常初期シーケンス時には、１走査線毎の線順次駆動を実行し、低温時初期シーケンス時には、ｋライン同時駆動するマルチライン順次駆動を実行する。ｋラインを同時駆動すれば、水平走査周波数を１／ｋにでき、各走査線が選択される期間をｋ倍にすることができる。この期間に走査線やデータ線に電圧を印加すれば、液晶に電圧を印加する期間がｋ倍になる。よって、低温時における液晶への電圧印加不足を解消することができ、初期転移不良が生じない。
【００２３】
（５）本発明の液晶装置の他の態様では、前記低温時初期シーケンスにおけるフレーム周波数を、前記通常初期シーケンスにおけるフレーム周波数よりも小さく設定する。
【００２４】
例えば、低温時初期シーケンス時には、フレーム周波数を通常シーケンス時の１／ｑとする。これによりフレーム周期はｑ倍になる。すなわち、走査線やデータ線に電圧を印加すれば、液晶に電圧を印加する期間がｑ倍になる。よって、低温時における液晶への電圧印加不足を解消することができ、初期転移不良が生じない。また、上述の態様（４）の手法と組み合わせれば、液晶への電圧印加時間を（ｋ・ｑ）倍にすることができ、液晶への電圧印加時間をさらに、無理なく拡大することができる。
【００２５】
（６）本発明の液晶装置の駆動方法の一態様は、初期シーケンスを実行することによって液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示または光変調を行う液晶装置の駆動方法であって、低温ではない場合には通常初期シーケンスを実行し、低温の場合には画素への書き込み時間が前記通常初期シーケンスにおける画素への書き込み時間よりも長く設定された低温時初期シーケンスを実行する。
【００２６】
温度センサからの信号に基づいて、通常初期シーケンスまたは低温時初期シーケンスを選択的に実行し、１走査線あたりの画素への書き込み時間を制御し、低温時には、書き込み時間（液晶への電圧印加時間）を拡大し、十分な書き込み時間を確保することによって、確実なベンド転移核形成ならびにベンド転移拡大を実現するものである。よって、ＯＣＢ液晶装置が寒冷地（例えば極寒地）で使用される場合でも、少なくとも最低限度の表示は確実に確保される。よって、ＯＣＢ液晶装置が寒冷地（例えば極寒地）で使用される場合でも、少なくとも最低限度の表示は確実に確保される。
【００２７】
（７）本発明の液晶装置の駆動方法の他の態様では、前記低温時初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数を、前記通常初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数よりも大きく設定する。
【００２８】
例えば、通常初期シーケンス時には、１走査線毎の線順次駆動を実行し、低温時初期シーケンス時には、ｋライン同時駆動するマルチライン順次駆動を実行する。ｋラインを同時駆動すれば、水平走査周波数を１／ｋにでき、各走査線が選択される期間をｋ倍にすることができる。この期間に走査線やデータ線に電圧を印加すれば、液晶に電圧を印加する期間がｋ倍になる。よって、低温時における液晶への電圧印加不足を解消することができ、初期転移不良が生じない。
【００２９】
（８）本発明の液晶装置の駆動方法の他の態様では、前記低温時初期シーケンスにおけるフレーム周波数を、前記通常初期シーケンスにおけるフレーム周波数よりも小さく設定する。
【００３０】
例えば、通常初期シーケンス時には、１走査線毎の線順次駆動を実行し、低温時初期シーケンス時には、ｋライン同時駆動するマルチライン順次駆動を実行する。ｋラインを同時駆動すれば、水平走査周波数を１／ｋにでき、各走査線が選択される期間をｋ倍にすることができる。この期間に走査線やデータ線に電圧を印加すれば、液晶に電圧を印加する期間がｋ倍になる。よって、低温時における液晶への電圧印加不足を解消することができ、初期転移不良が生じない。
【００３１】
（９）本発明の液晶装置の駆動方法の他の態様では、前記通常初期シーケンスならびに前記低温時初期シーケンスは共に、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスと、を含み、前記ベンド転移核形成シーケンス実行時には、前記画素電極と前記走査線との間の電位差によって横電界を発生させ、前記ベンド転移拡大シーケンス実行時には、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって縦電界を発生させる。
【００３２】
走査線と画素電極との間の横電界によってベンド転移核を形成し、画素電極と対向電極間の縦電界によってベンド転移を拡大する初期シーケンス（転移シーケンス）が実行される点を明らかとしたものである。走査線とデータ線（ならびに必要な場合は対向電極の一極）の駆動電圧と駆動タイミングを制御することによって、特別な構成ならびに高電圧を用いることなく、初期シーケンスを実行することができる。すなわち、ＯＣＢ液晶に、局所的な強い横電界を印加することによってディスクリネーション（液晶分子の配向が不連続となる欠陥領域:ディスクリネーションラインという）が発生し、そのディスクリネーションがベンド転移核となる。また、ベンド転移核形成後に、ＯＣＢ液晶の全画素に対して強い縦電界を与えることによって、ベンド転移核の拡大が開始される。ベンド転移核形成およびベンド転移拡大の各シーケンスは、走査線、データ線ならびに対向電極の各々に印加する電圧のレベルおよび電圧印加タイミングを制御するという、一般的な液晶駆動方式によって実現でき、初期シーケンスのために特別な回路を設ける必要はない。よって、液晶ドライバを簡素化でき、液晶装置の低コスト化も達成される。
【００３３】
（１０）本発明の液晶駆動用集積回路装置は、走査線、およびデータ線を駆動することができるドライバと、温度を計測する温度センサと、温度センサからの信号に基づいて、前記表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を前記ドライバに供給し、これによって、本発明の液晶装置の駆動方法を実行する制御部と、を有する。
【００３４】
これによって、温度に依存することなく画像表示の表示品質を確保しつつ、特別な高耐圧を必要とせず、簡素化された回路構成をもち、かつローコストのＯＣＢ液晶駆動用ＩＣが実現される。
【００３５】
（１１）本発明の電子機器は、本発明の液晶装置を有する。
【００３６】
本発明の液晶装置は、温度に依存せずに安定動作を確保できる簡素化された構成をもち、ＯＣＢ液晶の初期転移を無理なく、効率的に実現できる。よって、本発明の液晶装置を搭載する電子機器も、小型かつローコストという利点を享受することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
次に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成のすべてが、本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００３８】
（第１の実施形態）
以下、本発明に係る液晶装置の第１実施形態について説明する。本実施形態では、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと略する）をスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリックス方式のＯＣＢ液晶装置の例を挙げて説明する。
【００３９】
（本発明のＯＣＢ液晶装置の動作の概要）
低温時において、ＯＣＢ液晶装置の初期転移が不完全となる理由は明確ではないが、画素への書き込み時間の不足（画素電極の充電時間の不足）が主要な原因の一つと考えられる。よって、本発明では、低温時には、常温時（高温時を含む）に比べて、画素への書き込み時間を意図的に拡大する。
【００４０】
すなわち、初期転移を実現するための初期シーケンスとして、低温用初期シーケンス（書き込み時間が通常よりも長い）と、常温（高温）時に使用される通常初期シーケンスの２種類の初期シーケンスを設け、温度センサの周囲温度測定結果に応じて、その２種類の初期シーケンスのいずれを採用するかを決定する。
【００４１】
低温用シーケンスにおける画素への書き込み時間の増大は、例えば、１ライン毎の線順次駆動を、複数ライン単位として同時駆動する複数ライン順次駆動に切り換えて水平走査周波数を低減することによって実現され、あるいは、フレーム周波数を低減して１フレーム周期を長くすることによって達成される。以下、具体的に説明する。
【００４２】
図１は、本発明のＯＣＢ液晶装置の動作例を示すフロー図である。図示されるように、電源がオンすると（ステップＳ１）、温度センサが温度を測定し（ステップＳ２）、測定された温度に基づいて低温であるか否かを判定する（ステップＳ３）。例えば、測定温度が０℃未満である場合には低温であると判定される。
【００４３】
低温でなければ（すなわち、常温以上）であれば通常初期シーケンスを実行し（ステップＳ４）、低温である場合には、低温動作時初期シーケンス（低温時初期シーケンス）を実行する（ステップＳ５）。
【００４４】
ここで、低温動作時初期シーケンス(Ｓ５)と通常初期シーケンス（Ｓ４）においては、書き込み時間（画素電極への充電時間）が異なる。上述のとおり、初期シーケンスには、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）と、ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）と、が含まれる。
【００４５】
図１の低温動作時初期シーケンス（低温時初期シーケンス）では、例えば、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）およびベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）の各々において、書き込み時間を増大させる。但し、本発明の発明者の検討によると、両シーケンスにおける書き込み時間の増大の効果には差があり、ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）における画素への書き込み時間を増大させることが特に重要である（効果が大きく、低温時の表示確保には必須である）。一方、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）における書き込み時間の増大については、実行するのが望ましいものの、場合によっては省略することもできる。
【００４６】
上述のとおり、画素への書き込み時間の増大は、例えば、１ライン毎の線順次駆動を、複数ライン単位として同時駆動する複数ライン順次駆動に切り換えることによって実現され、あるいは、フレーム周波数を低減して１フレーム周期を長くすることによって達成される。
【００４７】
低温動作時初期シーケンス（Ｓ５）もしくは通常初期シーケンス（Ｓ４）が完了すると、画像表示シーケンス（Ｓ６）に移行する。画像表示に際しては、低温時であっても、十分な書き込み時間（ＯＣＢ液晶への電圧印加時間）が確保されていることから初期転移不良が発生しにくくなり、よって、表示性能が改善される。
【００４８】
（低温動作時初期シーケンスと通常初期シーケンスにおける書き込み動作）
次に、低温動作時初期シーケンスと、通常初期シーケンスにおける書き込み動作の違いについて説明する。図２は、ＯＣＢ液晶装置における、低温動作時初期シーケンスと通常初期シーケンスとの書き込み動作の比較を示す図である。
【００４９】
１回の書き込みライン数については、通常初期シーケンスではＰであるとすると、低温動作時初期シーケンスではＫ（＞Ｐ）である。すなわち、１画素あたりの書き込み時間を長くするため、書き込みライン数を通常よりも多くする必要がある。
【００５０】
フレーム周波数については、通常初期シーケンスではＦＰであるとすると、低温動作時初期シーケンスではＦＫ（＜ＦＰ）となる。すなわち、フレーム周波数も小さくすることで書き込み時間を増やすことができるので、通常よりもフレーム周波数を小さくする必要がある。
【００５１】
例えば、通常の表示が、５０フレーム／秒だとすると、１フレームあたり１６．７ミリ秒（以下、ｍｓと記す）である。そして、走査線がｍ本あるとすると、１走査線あたりの書き込み時間が、（１６．７／ｍ）ｍｓとなる。例えば、画像がＶＧＡサイズ（６４０×４８０）であるとすると、ｍ＝６４０であるから、（１６．７／６４０）ｍｓ、すなわち、１走査線あたりの書き込み時間が、約２６マイクロ秒（以下μｓと記す）となる。
【００５２】
よって、低温で表示する場合は、１走査線あたりの書き込み時間を増やすために、走査線がｍ本あるとすると、２以上ｍ以下の複数の走査線を同時に選択して書き込む駆動方法を採用することが有効である。
【００５３】
例えば、表示周期が６０フレーム／秒で、ＶＧＡサイズであれば走査線が６４０本であるとして、走査線２ラインに対して同時に選択してデータを書き込めば、通常の表示の場合と比較して書き込み時間を２倍にすることができ、1走査線あたりの書き込み時間を５２μｓとすることができる。
【００５４】
また、同じ条件で、さらに、表示周期を３０フレーム／ｓにした場合、１フレームあたりの書き込み時間が３３．３ｍｓとなり、走査線２ラインに対して同時に選択してデータを書き込めば、1走査線あたりの書き込み時間を１０４μｓとすることができる。
【００５５】
このように、低温動作時初期シーケンスでは、通常初期シーケンスと比較して、同時に書き込む走査線のライン数を増やすことと、表示フレーム周波数を減らすことで、書き込み時間を長くすることができる。温度により、同時に選択する走査線数および表示フレーム周波数の最適値は異なるが、例えば、−３０℃で液晶表示を常温と同様に動作させるには、最低でも１５０μｓの書き込み時間は必要であるため、同時書き込み走査線のライン数と表示フレーム周波数を設定する必要がある。
【００５６】
（ＯＣＢ液晶装置の初期シーケンスの概要）
ここで、ＯＣＢ液晶装置の初期シーケンス（低温時、常温時共通）の概要を説明する。図３は、ＯＣＢ液晶装置における初期シーケンスの概要を示す図である。
【００５７】
図示されるように、電源投入時には、アレイ基板１上に積層された配向膜２と、対向基板３と積層して設けられた配向膜４との間に介在する液晶層を構成する液晶分子５１の配向がスプレイ配向状態（状態Ｓ１０）になっている。
【００５８】
そして、電源投入を行った後、初期シーケンス（ＳＡ）が実行される。すなわち、まず、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）においてベンド転移核を形成し、ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）において、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）で形成されたベンド転移核を拡大させる。液晶装置の液晶分子５１がすべてベンド配向状態（状態Ｓ２０）となり、これによって、画像表示（あるいは画像データに応じた光変調）が可能となる。
【００５９】
すなわち、電極間の電圧をＶｏｆｆとＶｏｎとの間で切り換えることによって、例えば白表示および黒表示が行われる。
【００６０】
図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本発明のＯＣＢ液晶装置の一例における初期シーケンスでの液晶分子の配向状態を示す図である。ＯＣＢ液晶装置では、電源投入時、すなわち、その初期状態においては、図４（Ａ）に示すように液晶分子の配向がスプレイ配向状態になっており、表示動作時には図４（Ｄ）に示すように液晶分子の配向がベンド配向状態になっている。
【００６１】
以下に図４（Ａ）から図４（Ｄ）に至る過程について説明する。なお、各図においては、ベンド配向への転移経過を解かりやすくするために液晶分子の配向状態を簡略して図示している。
【００６２】
図示されるように、初期シーケンス（ＳＡ）には、横電界によるベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）と、縦電界によるベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）とが含まれる。
【００６３】
ＯＣＢ液晶装置においては、画素電極と対向電極との間、画素電極と走査線との間にそれぞれ電圧が印加されない状態（あるいは非選択電圧印加時）には、図４（Ａ）に示すように液晶分子５１はスプレイ配向状態（状態Ｓ１０）となっている。
【００６４】
そして、電源が投入されてから、走査線に電圧が印加されると、画素電極と走査線の電位が異なるため、画素電極とこれに対向する走査線との間に横電界が生じることとなる。このとき、画素電極と対向電極の電位が同じになるようにして縦電界は発生させないようにするのが好ましい。但し、これに限定されるものではない。
【００６５】
したがって、図４（Ｂ）に示すように、横電界によって配向不良に起因するディスクリネーションライン（液晶分子の配向が不連続となる欠陥領域）が発生する。すなわち、液晶分子５１の一部の液晶分子ＮＢが図４（Ｂ）に示すようにＮＢがベンド転移核となり、液晶分子がベンド転移核形成状態（状態ＳＣ１）となる。
【００６６】
次に、画素電極と対向電極との間に電位差を生じさせることにより、画素電極と対向電極との間に縦電界が発生する。これによって、横電界の影響を受けて配向した液晶分子ＮＢをベンド転移核として、それらの液晶分子ＮＢの周りにベンド配向が伝搬することで、図４（Ｃ）に示すように、液晶分子がベンド転移拡大状態（状態ＳＣ２）となる。
【００６７】
そして、このベンド転移拡大が進行して、すべての液晶素子５１に伝搬することにより、図４（Ｄ）に示すように、液晶分子がベンド配向状態（状態Ｓ２０）となる。
【００６８】
このように、本実施形態においては、初期シーケンス（ＳＡ）において、電圧印加時における、走査線と画素電極間に生じる横電界によりベンド転移核を発生させ（ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１））、次いで、画素電極と対向電極との間に生じる縦電界によってベンド転移核を拡大させる（ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２））ことで、画像表示領域全体がベンド配向を維持した状態で画像表示を行うようにしている。
【００６９】
図５は、本発明のＯＣＢ液晶装置の一例における初期シーケンスの概要をまとめて説明するための図である。まず、電源をオンすることで（ＳＰ）、本発明のＯＣＢ液晶装置は初期シーケンス（ＳＡ）に入る。
【００７０】
初期シーケンス（ＳＡ）としては、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）とベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）とがある。
【００７１】
ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）においては、走査線と画素電極間の横電界を生じさせる（Ｆ１）。このとき、好ましくは、画素電極と対向電極の間には縦電界を生じさせないようにする（Ｆ２）。
【００７２】
すなわち、ベンド転移核形成のためには、走査線と画素電極との間に電位差を与えて局所的な強い横電界を発生させる必要があるが、このとき、余分な縦電界を発生させれば、その分だけ、横電界の発生のために使用できるエネルギーが減少してしまう。また、縦電界がベンド転移核形成に、何らかの悪影響を与える可能性も否定できない。
【００７３】
よって、横電界によるベンド転移核形成時には、縦電界を０にして、可能な限り高い電界を局所的に発生させることに集中するのが好ましい。
【００７４】
但し、本発明が、この点に限定されるものではない。例えば、実際には、何らかの駆動上の理由によって、若干の縦電界が発生することもあり得る。また、デバイスの段差によって走査線と画素電極とが略水平に位置しないとき、走査線と画素電極間に電位差を与えれば、必然的に縦電界成分が発生する。これを打ち消すために、意図的に逆方向の縦電荷を生じさせるという場合も考えられる。このような場合も、本発明の技術的範囲に含まれる。但し、横電界発生時において、同時に縦電界が生じる場合があるとしても、あくまで局所的な横電界が主であり、縦電界強度が横電界強度を上回ることはない。
【００７５】
また、好ましくはデータの書き込みについては順次駆動を行う（Ｆ３）。このとき、線順次、複数本線順次、面順次の各駆動方式を採用することができる。
【００７６】
線順次駆動方式は、１本の走査線に接続された各画素回路に対して順に画像データの書き込みを行う駆動方式である。
【００７７】
複数順次方式は、複数本の走査線を同時にアクティブにし、それらの複数本の走査線に接続される画素回路に対して同時に画像データ書き込みを行い、この動作を順に行う駆動方式である。ｎ本の走査線を同時に駆動する方式をとれば、画像データの書き込み速度はｎ倍になる。よって、１フレーム期間が固定されているとすれば、各画素に電圧を印加する時間をｎ倍にすることができるという利点がある。
【００７８】
また、面順次方式は、全走査線を同時にアクティブにして、一括して画像データ書き込みを行う方式である。一般的な駆動方式とはいえないが、例えば、液晶装置の検査のために面順次駆動が可能となっている場合があり、この場合には、初期シーケンス時に面順次駆動を活用することができる。
【００７９】
また、走査線と画素電極間の横電界を発生させる際に、走査線と画素電極の各々に与える電圧の極性を異ならせることによって、電位差を拡大することが好ましい（Ｆ４）。例えば、画素電極に正の第１電圧を印加し、走査線には負の第２電圧を印加する。第１電圧および第２電圧の絶対値はそれほど大きくなくても、電位極性が異なることから、電位差は、第１電圧と第２電圧の和に拡大される。よって、特別な高電圧を発生させなくても、ベンド転移核形成に必要な強い横電界を無理なく生じさせることができる。
【００８０】
また、上述の動作を複数フレームにわたって、同様の駆動を繰り返すのが好ましい（Ｆ６）。このときの繰り返し期間Ｔｃｆは、例えば、１００ｍｓにすることができる。
【００８１】
また、走査線と画素電極が互いに近接するレイアウトとし、断面構造上、略水平位置になるように段差を調整することが好ましい（Ｆ５）。この場合、強い横電界を容易に発生することが可能となる。
【００８２】
次に、ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）が行われる。これによって、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）により形成されたベンド転移核は周辺にまですみやかに拡大される。
【００８３】
ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）においては、まず、画素電極と対向電極との間に電位差を生じさせて、画素電極と対向電極との間に縦電界を発生させる（Ｆ１０）。そして、好ましくは、順次駆動を行う（Ｆ１１）。
【００８４】
このとき、データの書き込みについては、線順次、複数本順次、面順次は問わず、いずれの順次駆動も選択することができる。そして、好ましくは、複数のフレーム期間にわたって、同様の駆動を繰り返す（Ｆ１２）。このとき、繰り返し期間Ｔｅｎは、前述のベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）における操作Ｆ６の繰り返し期間Ｔｃｆよりも大きくし、例えば、５００ｍｓにすることができる。
【００８５】
以上の操作により、ベンド転移核形成シーケンスにおいて発生したベンド転移核の拡大を促進させるベンド転移拡大シーケンスが行われ、以後、画像表示シーケンス（ＳＢ）に移行する。
【００８６】
（液晶装置の構成例）
図６は、本発明の液晶装置の構成例を示す図である。図示されるように、ＯＣＢ液晶装置５０２は、電子機器（例えば携帯端末）５００に搭載されている。
【００８７】
電源スイッチ５１０は、電子機器５００の電源オン／オフを切り換えるスイッチである。メイン制御回路５２０は、映像信号と電源スイッチ５１０からの出力を受けて各部へクロック信号ｃｌｋ、データ信号ｄａｔａ、電源オン／オフの状態等の情報を持つステータス信号Ｓｔａｔｕｓを送出する。
【００８８】
メイン制御回路５２０から送出されたデータ信号ｄａｔａはバックライト５３０に入力されるとともに、制御部５４０における画像処理回路５４４にも入力され、この画像処理回路５４４にはクロック信号ｃｌｋおよびステータス信号ｓｔａｔｕｓ、温度センサ５５４により測定された使用環境における測定温度を示す測定温度信号が供給される。
【００８９】
画像処理回路５４４は、測定温度信号に基づいて、通常初期シーケンスあるいは低温動作時シーケンスを選択し、液晶装置５０２の動作を制御する制御信号を生成し、この制御信号がタイミング制御回路５４２に入力される。これによって、液晶装置５０２におけるさまざまな動作タイミングが制御されてＹデータ信号Ｙｄａｔａ、Ｙクロック信号Ｙｃｌｋ、Ｘデータ信号ＸｄａｔａおよびＸクロック信号Ｘｃｌｋが生成される。
【００９０】
タイミング制御回路５４２から出力されたＹクロック信号ＹｃｌｋおよびＹデータ信号Ｙｄａｔａが走査線ドライバ５６０に入力されることによって、走査線ドライバ５６０はＹクロック信号ＹｃｌｋおよびＹデータ信号Ｙｄａｔａに基づいて走査線Ｘ１〜Ｘ６を順次選択する。上述のとおり、線順次駆動方式や複数本順次駆動方式等を採用できる。
【００９１】
一方、タイミング制御回路５４２から出力されたＸクロック信号ＸｃｌｋおよびＸデータ信号Ｘｄａｔａがデータ線ドライバ５７０に入力されることによって、データ線ドライバ５７０はＸクロック信号ＸｃｌｋおよびＸデータ信号Ｘｄａｔａに基づいてデータ線Ｙ１〜Ｙ６を順次選択する。
【００９２】
このようにして選択された走査線Ｘに対し、データＹ１〜Ｙ６を選択することで各画素回路Ｇにデータが書き込まれる。ここで、データ線ドライバ５７０では、他にメイン制御回路５２０から送出されたステータス信号ｓｔａｔｕｓを受信し、電源スイッチ５１０の状態を認識できるようになっている。
【００９３】
このようにして、液晶装置５０２における各画素回路が選択されて、画像データの書き込みが行われる。上述のとおり、画像データの書き込みは、線順次、複数本線順次、面順次のいずれの方法を用いても行うことができる。
【００９４】
一方、電源回路５５０により、走査線ドライバ５６０、データ線ドライバ５７０、コモンドライバ５８０の電源オン／オフが制御されており、データ書き込み時にはそれぞれがオンするように制御されている。
【００９５】
よって、電源が投入されると、電源回路５５０もオンし、走査線ドライバ５６０、データ線ドライバ５７０、コモンドライバ５８０がオンして、各ブロックへ所定の電圧を供給することにより、初期シーケンス（ＳＡ）を行い、次いで、画像表示シーケンス（ＳＢ）を行うことで、画素アレイ（画像表示部）５９０に画像が表示される。
【００９６】
（液晶駆動用ＩＣの構成例）
次に、本発明の液晶装置の画素回路への画像データの書き込みを制御する液晶駆動ＩＣ(液晶駆動用集積回路装置)の構成例について説明する。図７は、液晶駆動用ＩＣの構成例を示す図である。
【００９７】
液晶駆動用ＩＣ６５０は、図６の液晶装置５０２内に搭載される。すなわち、液晶駆動用ＩＣ６５０には、図６の液晶装置５０２における画像表示部５９０以外の回路部分が集積される。
【００９８】
液晶駆動ＩＣ６５０は、電源回路６５２と、情報記憶用メモリとしてのＲＡＭ６５４と、温度センサ５５４と、アクティブマトリックス基板６００外、すなわち、電子機器におけるメイン制御回路５２０からの信号を受ける制御部６５３と、制御部６５３からの信号を受けて液晶装置側へ信号を送出する走査線ドライバ６５１と、データ線ドライバ６５６と、コモンドライバ６５５と、を備える。
【００９９】
制御部６５３はゲートアレイ（ＧＡ）であって、温度センサ５５４からの測定温度信号を受けて、通常初期シーケンスまたは低温動作時シーケンスを選択して、所定のタイミングで画像データをデータ線ドライバ６５６に供給し、また、各ドライバ（６５１，６５６，６５５）に制御信号を与えて各ドライバの動作を制御する。
【０１００】
具体的には、例えば、以下のような制御が行われる。すなわち、通常動作時には、電源回路６５２から、走査線に対して−５Ｖ、データ線に対しては−５Ｖ、コモン線に対しては−５Ｖの電圧を供給し、ベンド転移核形成シーケンスにおいては、電源回路６５２から走査線に対して１１Ｖ、データ線に対しては−５Ｖを供給することで、選択された走査線およびデータ線と接続された画素に対して１６Ｖの電圧を印加することでデータ書き込みを行い、走査線と画素電極との間に横電界を発生させて、ベンド転移核形成を促進する。
【０１０１】
また、ベンド転移拡大シーケンスにおいては、電源回路６５２は、走査線に対して−５Ｖまたは１１Ｖ，データ線に対して２Ｖまたは７Ｖ、コモン線に対して２Ｖまたは７Ｖの電圧を印加することで、画素電極と対向電極との間に５Ｖを印加して縦電界を発生させて、ベンド転移核形成シーケンスにおいて発生したベンド転移核の拡大を促進させてベンド配向状態となるようにさせる。
【０１０２】
通常動作において使用する、走査線を選択するための走査線ドライバ、データ線を選択するためのデータ線ドライバを用いて印加電圧を制御することで初期シーケンスを行うことができる。
【０１０３】
（液晶駆動用ＩＣにおける使用電圧について）
図７に示されるように、各走査線に供給される電圧は、例えば、−５Ｖ〜１１Ｖであり、各データ線に供給される電圧は−５Ｖ〜７Ｖ程度であり、コモン線に供給する電圧は−５Ｖ〜７Ｖ程度である。すなわち、最大で１１Ｖ程度の電圧を扱うことができればよく、特別な高電圧は不要であり、ＩＣの実現が容易であると共に、液晶駆動用ＩＣの低コスト化に有利である。
【０１０４】
（横電界によるベンド転移核形成を実現するための画素構成例）
図８は、本発明の液晶装置の画素部の構成例を示す図である。図示されるように、マトリックス状に配置された複数の画素には、画素電極９がそれぞれ形成されている。また、その画素電極９の側方には、当該画素電極９への通電制御を行うスイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｍが形成されている。ＴＦＴ素子Ｍのソースには、データ線Ｙ１〜Ｙｎが電気的に接続されている。各データ線Ｙ１〜Ｙｎには画像信号が供給される。なお画像信号は、各データ線Ｙ１〜Ｙｎに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線Ｙ１〜Ｙｎに対してグループ毎に供給してもよい。
【０１０５】
ＴＦＴ素子Ｍのゲートには、走査線Ｘ１〜Ｘ３が電気的に接続されている。走査線Ｘ１〜Ｘ３には、所定のタイミングでパルス的に走査信号が供給される。なお、走査信号は、各走査線Ｘ１〜Ｘ３に対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ素子Ｍのドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。このＴＦＴ素子Ｍ、保持容量Ｃ、画素電極９により画素回路（Ｇ１ａ〜Ｇ１ｎ、Ｇ２ａ〜Ｇ２ｎ、Ｇｎａ〜Ｇｎｎ）が構成されている。そして、走査線Ｘ１〜Ｘ３から供給された走査信号により、スイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｍを一定期間だけオン状態にすると、データ線Ｙ１〜Ｙｎから供給された画像信号が、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【０１０６】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号は、画素電極９と後述する対向電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号がリークするのを防止するため、画素電極９と容量線ＬＲ１〜ＬＲ３との間に保持容量Ｃが形成され、液晶容量と並列に接続されている。このように、液晶に電圧が印加されると、その電圧レベルにより液晶分子のベンド配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【０１０７】
初期シーケンス（ＳＡ）のための電圧印加を行う際にも、画像表示動作の場合と同様に、データ線に初期シーケンス用信号を供給し、走査線に走査信号を供給して表示領域内の複数の画素を駆動する。
【０１０８】
初期シーケンスにおけるベンド転移核形成のための強い横電界は、走査線と画素電極を近接して配置することによって実現される。以下、走査線と画素電極とを極めて近接して配置したデバイス構造の例について説明する。
【０１０９】
（近接して配置された走査線および画素電極付近の断面構造例）
図９は、近接して配置された走査線および画素電極付近のデバイスの断面構造例を示す図である。以下、具体的に説明する。
【０１１０】
ＴＦＴ領域Ｚ１において、ガラスや石英などの透光性材料からなる基板７００上に、層間絶縁膜７０２を介して、ポリシリコンなどからなる導電膜によりソース・ドレイン領域７０４が形成されている。ソース・ドレイン領域７０４上に層間絶縁膜７０６が形成されるとともに、ソース・ドレイン領域７０４はスルーホールにより層間絶縁膜７０６上に形成された第一メタル配線層７１０と接続されている。
【０１１１】
そして、ソース・ドレイン領域７０４の上方かつ中央部の第一メタル配線層７１０はＴＦＴスイッチング素子のゲート電極となる。さらに第一メタル配線層７１０上に層間絶縁膜７０８が形成され、この層間絶縁膜７０８上に第二メタル配線層（走査線）７１２が形成されているとともに、前記層間絶縁膜７０８にスルーホールが設けられて、前記第一メタル配線層７１０と前記第二メタル配線層７１２は接続されている。すなわち、第一メタル配線層７１０上の第二メタル配線層７１２は、走査線となる。さらに第二メタル配線層７１２上に層間絶縁膜７１４が形成されているとともに前記層間絶縁膜７１４上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透明導電材料からなる画素電極７１５が形成され、スルーホールを介して第二メタル配線層７１２と接続されている。
【０１１２】
また、ドレインと電気的に接続された第二メタル配線層７１２は画素電極７１５と電気的に接続されている配線である。
【０１１３】
保持容量領域Ｚ２においては、基板７００上に、層間絶縁膜７０２を介して、ポリシリコンなどからなる導電膜７０４が形成されている。この導電膜７０４はソース・ドレイン領域形成時に同時に形成されるものであって、ＴＦＴ領域Ｚ１における配線層との段差をなくすために設けられた層である。
【０１１４】
そして、ＴＦＴ領域Ｚ１と同様に、導電膜７０４上に層間絶縁膜７０６が形成され、前記層間絶縁膜７０６上に第一メタル配線層７１０が形成されている。さらに第一メタル配線層７１０上に層間絶縁膜７０８が形成され、この層間絶縁膜７０８上に第二メタル配線層７１２（容量線ＬＲ）が形成されるとともに、層間絶縁膜７０８にスルーホールが設けられて、第一メタル配線層７１０と第二メタル配線層７１２は接続されている。
【０１１５】
さらに第二メタル配線層７１２（容量線ＬＲ）上に第一メタル配線層７１０が形成されるとともに第一メタル配線層７１０上に画素電極７１５が形成され、第二メタル配線層７１２と画素電極７１５との間で保持容量Ｃが形成されている。
【０１１６】
走査線領域Ｚ３において、基板７００上に層間絶縁膜７０２が形成され、さらに第一メタル配線層（走査線）７１０が形成される。そして、第一メタル配線層（走査線）７１０上に導電膜７０４が形成され、さらに導電膜７０４上に第二メタル配線層（走査線）７１２が形成されており、スルーホールによって第一メタル配線層７１０と接続されている。そして、第二メタル配線層（走査線）７１２上には層間絶縁膜７１４が形成されている。
【０１１７】
そして、ＴＦＴ領域Ｚ１、走査線領域Ｚ３においては層間絶縁膜７１４上、保持容量領域Ｚ２においては画素電極７１５上、すなわち、アレイ基板上には、カラーフィルタ基板が形成され、アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に挟持されたＯＣＢ液晶７１６を有する。
【０１１８】
カラーフィルタ基板においては、ＩＴＯ膜７１８上にオーバーコート層７２０が形成され、さらにカラーフィルタ層７２２、次いでブラックマトリックス層７２４が形成されている。
【０１１９】
ここで、図９において、保持容量領域Ｚ２と走査線領域Ｚ３との間の領域においては、画素電極７１５と、走査線領域Ｚ３における第二メタル配線層７１２は、略同一の高さ位置において相互の距離が極めて短くなるように配置されている。よって、前記画素電極７１５の端部Ｊ１と、前記第二メタル配線層７１２の端部Ｊ２とのベンド転移核形成のための強い横電界ＥＨを効率的に発生させることができる。
【０１２０】
また、画素電極７１５とＩＴＯ膜（対向電極）７１８間に電位差を生じさせれば、ベンド転移核拡大に必要な縦電界ＥＶを発生させることができる。
【０１２１】
（横電界を利用したベンド転移核形成のための駆動方式の具体例）
図１０〜図１２を用いて、横電界を利用したベンド転移核形成のための駆動方式の具体例について説明する。
【０１２２】
図１０はベンド転移核形成通常シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図である。ここでは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素を、線順次駆動する場合を想定する。なお、各画素に記載されている数字は、走査線と画素電極間の電位差を表している。
【０１２３】
図示されるように、まず、１行目の画素列に対して１６Ｖ横電界が印加される。同様の動作が各行の画素列に対して行われる。ｍ行目の画素列に対する横電界の印加が終了すると、１フレーム期間が終了する。
【０１２４】
以後、合計で６フレーム期間（１フレーム期間が１／６０秒とすると、１００ｍｓ）にわたって同様の動作を繰り返す。
【０１２５】
これによって、各画素に、所定電圧による横電界が所定時間以上印加されることになり、これによって、ディスクリネーション（ベンド転移核）が確実に形成される。
【０１２６】
（ベンド転移核形成通常シーケンス）
図１１は、ベンド転移核形成通常シーケンス（常温時使用）を説明するためのタイミング図である。常温時に使用されるベンド転移核形成通常シーケンスでは、選択されている走査線（アクティブレベルの走査線）と画素電極との間の電位差を用いて、ベンド転移核形成のための横電界を発生させる。以下、具体的に説明する。
【０１２７】
１フレーム中の書き込み期間（時刻ｔ１〜ｔ５）においてはデータ線（奇数）およびデータ線（偶数）Ｙ１〜Ｙｎには−５Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、対向電極、保持容量線にも同様に−５Ｖの電圧が印加される。
【０１２８】
最初の１水平帰線期間（１Ｈ）が開始される時刻ｔ１において走査線Ｘ１が選択され、走査線Ｘ１には１１Ｖの電圧が印加されることで、走査線と画素電極との間の電位差は１６Ｖ（＝１１Ｖ＋５Ｖ）となる。走査線と画素電極の電位極性を逆にしているため、電圧の絶対値自体はそれほど大きくなくても、各々の電圧の和の電位差が生じることになり、よって、強い横電界を無理なく発生させることができる。
【０１２９】
そして、次の１水平帰線期間（１Ｈ）が開始される時刻ｔ２においては、走査線Ｘ２を選択するため、走査線Ｘ１の電圧は−５Ｖにされるとともに、走査線Ｘ２の電圧は１１Ｖとされる。同様の動作が繰り返されて、ｍ番目の水平帰線期間において走査線Ｘｍが選択されて走査線Ｘｍに１１Ｖの電圧が印加されることによって、全走査線に対する１回目の電圧印加が終了する。
【０１３０】
このとき、データ線Ｙ１〜Ｙｎの電位は−５Ｖであるとともに、対向電極電位が−５Ｖであるから、画素電極と対向電極との間の電位差は０であり、すなわち、縦電界は発生しない。したがって、強い横電界のみを液晶層（ＯＣＢ液晶）に印加することができ、これによって、ベンド転移核を確実に形成することができる。
【０１３１】
時刻ｔ５〜ｔ６までは帰線期間である。時刻ｔ６に１フレームを終了する。そして、この一連の操作を６フレーム分（１００ｍｓ分）繰り返し行うことでベンド転移核形成シーケンスが終了する。
【０１３２】
このベンド転移核形成通常シーケンスにおける画素回路の横電界および縦電界の様子を図１２に示す。図１２（Ａ），図１２（Ｂ）は、図１０に示されるベンド転移核形成通常シーケンスにおける画素回路の横電界および縦電界の様子を示す図である。
【０１３３】
図１２においては、ゲートが走査線Ｘと接続され、ソースがデータ線Ｙと、ドレインが保持容量Ｃおよび画素電極９と接続されたＮ型のＴＦＴスイッチング素子Ｍと、保持容量Ｃと並列に接続された液晶ＬＣを有する画素回路が示されている。
【０１３４】
図１２（Ｂ）は、ＴＦＴスイッチング素子Ｍがオフのときの電界を示している。すなわち、図１２（Ｂ）では、走査線Ｘの電位が−５Ｖ、データ線電位が−５ＶとなりＴＦＴスイッチング素子Ｍがオフする。また、コモン線Ｌｃｏｍの電位が−５Ｖとされる。よって、横電界および縦電界は共に０である。
【０１３５】
次に、図１２（Ａ）に示すように、通常初期シーケンスにおいて、ベンド転移核形成シーケンスで書き込み期間に入ると、走査線Ｘが選択され、走査線Ｘには１１Ｖの電位が印加されるとともに、データ線Ｙには−５Ｖの電位が印加される。すると、ＴＦＴスイッチング素子Ｍがオンし、ＴＦＴスイッチング素子Ｍのドレインの電位、すなわち画素電極９の電位は−５Ｖとなり、走査線Ｘの電位と画素電極９との間で１６Ｖ（１１Ｖ＋５Ｖ）の横電界が発生する。
【０１３６】
このとき、画素電極９の電位が−５Ｖであってコモン線Ｌｃｏｍの電位が−５Ｖであるから、画素電極９と容量線ＬＲとの間に電位差はなく、よって、画素電極９と対向電極１１との間の縦電界は０Ｖとなる。
【０１３７】
このように、本通常シーケンスでは、１６Ｖの電位差による強い横電界を、無理なく発生させることができる。
【０１３８】
（縦電界を利用したベンド電位拡大のための駆動方式（通常シーケンス）の具体例）
図１３は、縦電界を利用したベンド転移拡大のための駆動方式の具体例（通常シーケンス例）を示す図である。
【０１３９】
ベンド転移核拡大通常シーケンスでは、基本シーケンスとして２フレームを要する。ここでは１フレーム目と２フレーム目において、液晶に印加する電圧の極性を反転するフレーム反転駆動を実行するものとする（但し、これに限定されるものではない）。また、駆動方式としては、線順次駆動を採用するものとして説明する。
【０１４０】
図１３の基本シーケンス（１フレーム目）では、１本の走査線を順に選択して、データ線を、例えば５Ｖとすることによって画素電極を５Ｖとし、一方、対向電極を０Ｖとし、これによって液晶に＋５Ｖの縦電界を与える。これは、ノーマリホワイトの液晶の場合、全画素に同時に黒データを書き込むことに相当する。
【０１４１】
１本の走査線のアクティブ期間が終わった後も、保持容量によって画素電極の電圧が保持されるため、１フレーム分のデータ書き込みが終了すると、図１３の右上に示すように、全画素に＋５Ｖが印加される状態となる。
【０１４２】
続いて、基本シーケンス（２フレーム目）では、同様に、１本の走査線を順に選択して、データ線を、例えば−５Ｖとすることによって画素電極を−５Ｖとし、一方、対向電極を０Ｖとし、これによって液晶に−５Ｖの縦電界が印加される（すなわち、画素電極と対向電極との電位差自体は５Ｖのままで変化しないが、フレーム毎の極性反転によってフレーム毎に縦電界の向きが反転する）。
【０１４３】
１本の走査線のアクティブ期間が終わった後も、保持容量によって画素電極の電圧が保持されるため、１フレーム分のデータ書き込みが終了すると、図１３の右下に示すように、全画素に−５Ｖが印加される状態となる。
【０１４４】
このような２フレームを一組とする基本シーケンスを１５回繰り返す。すなわち、合計で３０フレーム期間にわたって液晶に５Ｖの縦電界の印加を継続する。１フレームを１／６０秒とすれば、５Ｖの縦電界の印加が５００ｍｓ継続されることになる。
【０１４５】
図１４は、図１３に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図である。
【０１４６】
時刻ｔ１０〜ｔ１３（１フレーム目の期間Ｔ１）においては、データ線には５Ｖの電圧が印加されるとともに、対向電極、保持容量線の電圧は０Ｖとなる。
【０１４７】
線順次方式で走査線が順に選択される。走査線が選択された時、走査線の電位は１１Ｖとなり、非選択時には−５Ｖとなる。走査線が選択されてＴＦＴがオンすると、データ線には５Ｖが印加されているから、画素電極の電位が＋５Ｖとなり、画素電極と対向電極との電位差は＋５Ｖになり、これによって＋５Ｖの縦電界が液晶に加えられる。
【０１４８】
時刻ｔ１３〜ｔ１７（２フレーム目の期間Ｔ２）においては、データ線には２Ｖの電圧が印加され、対向電極、保持容量線には７Ｖの電圧が印加される。データ線と対向電極との間の電位差は１フレーム目と同様に５Ｖであるが、２フレーム目の場合、対向電極の電位が高いことから−５Ｖの縦電界（電位差が５Ｖで向きが反対の縦電界）が液晶に加えられることになる。
【０１４９】
以上の一連の動作を、正極側１５フレーム分ならびに負極側１５フレーム分（合計で５００ｍｓ）、繰り返し行うことでベンド転移拡大通常シーケンスが終了する。
【０１５０】
図１５（Ａ），図１５（Ｂ）は、図１３および図１４に示されるベンド転移拡大シーケンス実行時における画素回路の電界の様子を示す図である。
【０１５１】
図１５（Ａ）に示すように、正極性の駆動の場合は、走査線Ｘが１１Ｖであり、データ線Ｙが５Ｖであり、画素電極９が５Ｖであり、対向電極１１（および容量線ＬＲ）が０Ｖである。液晶ＬＣには５Ｖの縦電界が印加される。
【０１５２】
図１５（Ｂ）に示すように、負極性の駆動の場合は、走査線Ｘが１１Ｖであり、データ線Ｙが２Ｖであり、画素電極９が２Ｖであり、対向電極１１（および容量線ＬＲ）が７Ｖである。液晶ＬＣには、−５Ｖの縦電界が印加される。
【０１５３】
なお、ベンド拡大シーケンス時において、走査線は１１Ｖであり、画素電極は５Ｖまたは２Ｖであるから、横電界も発生するが、ベンド転移拡大処理は主として強い縦電界によって実現されるため、この場合の横電界は無視してもよい。
【０１５４】
（ベンド転移核形成低温時シーケンス）
図１６および図１７を用いて、横電界を利用した、低温時の、ベンド転移核形成のための駆動方式の具体例について説明する。以下の例では、２ライン同時駆動によって走査線に印加できる時間を２倍とし、かつ、フレーム周波数を１／２として１フレーム周期を２倍に拡大し、合計で、通常時の４倍の書き込み時間（液晶への電圧印加時間）を確保し、初期転移不良を生じさせないようにする。
【０１５５】
図１６はベンド転移核形成低温時シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図である。ここでは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素を、線順次駆動する場合を想定する。なお、各画素に記載されている数字は、走査線と画素電極間の電位差を表している。図１６に示すように、ベンド転移核形成低温シーケンスでは、ｍ本（ここではｍ＝２）の走査線を同時に駆動する複数本順次駆動を採用した例を説明する。
【０１５６】
図示されるように、まず、１行目と２行目の画素列に対して同時に１６Ｖの横電界が印加される。同様の動作が２行ずつ全ての画素列に対して行われる。ｍ−１、ｍ行目の画素列に対する横電界の印加が終了すると、１フレーム期間が終了する。
【０１５７】
以後、合計で６フレーム期間（１フレーム期間が１／３０秒とすると、２００ｍｓ）にわたって同様の動作を繰り返す。
【０１５８】
これによって、各画素に、所定電圧による横電界が所定時間以上印加されることになり、これによって、ディスクリネーション（ベンド転移核）が確実に形成される。
【０１５９】
図１７は、ベンド転移核形成低温時シーケンスを説明するためのタイミング図である。ベンド転移核形成低温時シーケンスでは、選択されている走査線（アクティブレベルの走査線）と画素電極との間の電位差を用いて、ベンド転移核形成のための横電界を発生させる。ベンド転移核形成低温時シーケンスにおいては、上述のとおり、走査線２ラインに対して同時に書き込みを行うとともに、フレーム周波数を半分にしている。以下、具体的に説明する。
【０１６０】
１フレーム中の書き込み期間（時刻ｔ２０〜ｔ２４）においてはデータ線（奇数）およびデータ線（偶数）Ｙ１〜Ｙｎには−５Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、対向電極、保持容量線にも同様に−５Ｖの電圧が印加される。
【０１６１】
最初の２水平帰線期間（２Ｈ）が開始される時刻ｔ２０において走査線Ｘ１、Ｘ２が選択され、走査線Ｘ１、Ｘ２にはそれぞれ１１Ｖの電圧が印加されることで、走査線と画素電極との間の電位差は１６Ｖ（＝１１Ｖ＋５Ｖ）となる。走査線と画素電極の電位極性を逆にしているため、電圧の絶対値自体はそれほど大きくなくても、各々の電圧の和の電位差が生じることになり、よって、強い横電界を無理なく発生させることができる。
【０１６２】
そして、次の２水平帰線期間（２Ｈ）が開始される時刻ｔ２１においては、走査線Ｘ３、Ｘ４を選択するため、走査線Ｘ１、Ｘ２の電圧は−５Ｖにされるとともに、走査線Ｘ３、Ｘ４の電圧は１１Ｖとされる。同様の動作が繰り返されて、ｍ／２番目の水平帰線期間において走査線Ｘｍ−１、Ｘｍが選択されて走査線Ｘｍ−１、Ｘｍに１１Ｖの電圧が印加されることによって、全走査線に対する１回目の電圧印加が終了する。
【０１６３】
このとき、データ線Ｙ１〜Ｙｎの電位は−５Ｖであるとともに、対向電極電位が−５Ｖであるから、画素電極と対向電極との間の電位差は０であり、すなわち、縦電界は発生しない。したがって、強い横電界のみを液晶層（ＯＣＢ液晶）に印加することができ、これによって、ベンド転移核を確実に形成することができる。
【０１６４】
時刻ｔ２４からの図示しない１フレーム分が帰線期間で、帰線期間終了後に１フレームを終了する。そして、この一連の操作を６フレーム分（２００ｍｓ分）繰り返し行うことでベンド転移核形成低温時シーケンスが終了する。
【０１６５】
このように、走査線を２ライン同時に選択することにより、通常初期シーケンスにおけるベンド核形成通常シーケンスよりも１走査線あたりの書き込み時間を長くすることができる。
【０１６６】
（縦電界を利用した、低温時のベンド電位拡大のための駆動方式（低温動作時初期シーケンス）の具体例）
図１８は、縦電界を利用した、低温時のベンド転移拡大のための駆動方式の具体例を示す図である。
【０１６７】
ベンド転移核拡大低温時シーケンスでは、基本シーケンスとして２フレームを要する。ここでは１フレーム目と２フレーム目において、液晶に印加する電圧の極性を反転するフレーム反転駆動を実行するものとする（但し、これに限定されるものではない）。また、駆動方式としては、低温動作時のベンド転移核形成シーケンスと同様に、２ライン同時駆動によって走査線に印加できる時間を２倍とし、かつ、フレーム周波数を１／２として１フレーム周期を２倍に拡大し、合計で、通常時の４倍の書き込み時間（液晶への電圧印加時間）を確保し、初期転移不良を生じさせないようにする。
【０１６８】
図１８の基本シーケンス（１フレーム目）では、２本の走査線を順に選択して、データ線を、例えば５Ｖとすることによって画素電極を５Ｖとし、一方、対向電極を０Ｖとし、これによって液晶に＋５Ｖの縦電界を与える。これは、ノーマリホワイトの液晶の場合、全画素に同時に黒データを書き込むことに相当する。
【０１６９】
２本の走査線のアクティブ期間が終わった後も、保持容量によって画素電極の電圧が保持されるため、１フレーム分のデータ書き込みが終了すると、（ｍ／２Ｈ（水平））期間後に全画素に＋５Ｖが印加される状態となる。
【０１７０】
続いて、特に図示しないが、基本シーケンス（２フレーム目）では、同様に、２本の走査線を順に選択して、データ線を、例えば−５Ｖとすることによって画素電極を−５Ｖとし、一方、対向電極を０Ｖとし、これによって液晶に−５Ｖの縦電界が印加される（すなわち、画素電極と対向電極との電位差自体は５Ｖのままで変化しないが、フレーム毎の極性反転によってフレーム毎に縦電界の向きが反転する）。
【０１７１】
２本の走査線のアクティブ期間が終わった後も、保持容量によって画素電極の電圧が保持されるため、１フレーム分のデータ書き込みが終了すると、（ｍ／２Ｈ（水平））期間後に全画素に−５Ｖが印加される状態となる。
【０１７２】
このような２フレームを一組とする基本シーケンスを１５回繰り返す。すなわち、合計で３０フレーム期間にわたって液晶に５Ｖの縦電界の印加を継続する。１フレームを１／３０秒とすれば、５Ｖの縦電界の印加が１０００ｍｓ継続されることになる。
【０１７３】
図１９は、図１８に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図である。
【０１７４】
時刻ｔ３０〜ｔ３１（１フレーム目）においては、データ線には５Ｖの電圧が印加されるとともに、対向電極、保持容量線の電圧は０Ｖとなる。
【０１７５】
複数本（２本）線順次方式で走査線２本が同時に選択される。走査線が選択された時、走査線の電位は１１Ｖとなり、非選択時には−５Ｖとなる。走査線２本が選択されてＴＦＴがオンすると、データ線には５Ｖが印加されているから、画素電極の電位が＋５Ｖとなり、画素電極と対向電極との電位差は＋５Ｖになり、これによって＋５Ｖの縦電界が液晶に加えられる。
【０１７６】
時刻ｔ３５〜ｔ３６（２フレーム目）においては、データ線には２Ｖの電圧が印加され、対向電極、保持容量線には７Ｖの電圧が印加される。データ線と対向電極との間の電位差は１フレーム目と同様に５Ｖであるが、２フレーム目の場合、対向電極の電位が高いことから−５Ｖの縦電界（電位差が５Ｖで向きが反対の縦電界）が液晶に加えられることになる。
【０１７７】
以上の一連の動作を、正極側１５フレーム分ならびに負極側１５フレーム分（合計で１０００ｍｓ）、繰り返し行うことでベンド転移拡大低温時シーケンスが終了する。
【０１７８】
なお、ベンド転移拡大低温時シーケンス時において、走査線は１１Ｖであり、画素電極は５Ｖまたは２Ｖであるから、横電界も発生するが、ベンド転移拡大処理は主として強い縦電界によって実現されるため、この場合の横電界は無視してもよい。
【０１７９】
（第２の実施形態）
図２０（Ａ）は、本発明のＯＣＢ液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側からみた平面図、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【０１８０】
図２０（Ａ），図２０（Ｂ）に示すように、本発明の液晶装置１００は、アレイ基板１０（第１基板）と対向基板２０（第２基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、正の誘電率異方性を有する液晶から構成されており、後述するように初期状態ではスプレイ配向、表示動作時にはベンド配向を呈するものとなっている。シール材５２の形成領域の内側の領域に、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。シール材５２外側の周辺回路領域には、データ線ドライバ１０３および外部回路実装端子Ｐａがアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線ドライバ１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線ドライバ１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、アレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。また、図２０（Ｂ）に示すように、アレイ基板１０の内側には画素電極９が形成されていて、アレイ基板１０に対向配置された対向基板２０の内側には対向電極２１が形成されている。
【０１８１】
（第３の実施形態）
図８では、横電界を効率的に発生させるために、走査線に曲折部を設ける等のレイアウトを採用していたが、これに限定されるものではなく、他の種々の手法を採用することができる。
【０１８２】
図２１は、横電界を効率的に発生させるためのレイアウトの他の例を示す図である。図２１においては、略正方形上の画素電極９の各辺の略中央部に凹部が形成されている。これに近接して配線されて走査線Ｘ１は凹部に変形した配線とされている。このため、画素電極の上下左右位置に変形した転移励起用の横電界印加部を形成することとなる。
【０１８３】
よって、上下電極間に高電圧が印加されて液晶層がスプレイ配向状態となり周囲よりひずみのエネルギーが高くなり、この液晶分子配向状態方向に横電界印加部からほぼ直角に横電界が印加されるため、スプレイ配向における下基板側の液晶分子がねじれる力を受け、転移核の発生が起き易くなる。
【０１８４】
（第４の実施の形態）
図２２は、強い横電界を発生させるための画素レイアウトの、さらに他の例を示す図である。図２２では、走査線と画素電極間に強い横電界を効率的に発生させるために、画素列を意図的に直線的に配置せず、また、走査線に関しては、曲折部を有するレイアウトを採用している。
【０１８５】
図示されるように、マトリックス状に配置された複数の画素には、画素電極９がそれぞれ形成されている。また、その画素電極９の側方には、当該画素電極９への通電制御を行うスイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｍが形成されている。ＴＦＴ素子Ｍのソースには、データ線Ｙ１〜Ｙｎが電気的に接続されている。各データ線Ｙ１〜Ｙｎには画像信号が供給される。なお画像信号は、各データ線Ｙ１〜Ｙｎに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線Ｙ１〜Ｙｎに対してグループ毎に供給してもよい。
【０１８６】
ＴＦＴ素子Ｍのゲートには、走査線Ｘ１〜Ｘ３が電気的に接続されている。走査線Ｘ１〜Ｘ３には、所定のタイミングでパルス的に走査信号が供給される。なお、走査信号は、各走査線Ｘ１〜Ｘ３に対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ素子Ｍのドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。このＴＦＴ素子Ｍ、保持容量Ｃ、画素電極９により画素回路（Ｇ１ａ〜Ｇ１ｎ、Ｇ２ａ〜Ｇ２ｎ、Ｇｎａ〜Ｇｎｎ）が構成されている。そして、走査線Ｘ１〜Ｘ３から供給された走査信号により、スイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｍを一定期間だけオン状態にすると、データ線Ｙ１〜Ｙｎから供給された画像信号が、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【０１８７】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号は、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号がリークするのを防止するため、画素電極９と容量線ＬＲ１〜ＬＲ３との間に保持容量Ｃが形成され、液晶容量と並列に接続されている。このように、液晶に電圧が印加されると、その電圧レベルにより液晶分子のベンド配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【０１８８】
初期シーケンス（ＳＡ）のための電圧印加を行う際にも、画像表示動作の場合と同様に、データ線に初期シーケンス用信号を供給し、走査線に走査信号を供給して表示領域内の複数の画素を駆動する。
【０１８９】
図２３（Ａ），図２３（Ｂ）は、図２２に示される画素部の一部を抜き出して示す図である。図２３（Ａ）に示すように、図２２の液晶装置では、アレイ基板の内面上に、複数の画素電極９がデータ線Ｙ１〜Ｙ３の延在方向に沿って配置された第１画素電極列９ａ（奇数段目の画素電極列）と、第１画素電極列９ａに走査線Ｘ１〜Ｘ２の延在方向で隣り合う第２画素電極列９ｂ（偶数段目の画素電極列）と、が走査線Ｘ１〜Ｘ２の延在方向に交互に複数設けられている。
【０１９０】
第１画素電極列９ａに対して第２画素電極列９ｂはデータ線Ｙ１〜Ｙ３の延在方向に所定距離だけずれて配置されている。
【０１９１】
各走査線Ｘ１〜Ｘ２は、画素電極の配置に沿ってデータ線Ｙ１〜Ｙ３の延在方向に曲折しながら延びている。そのため、各走査線Ｘ１〜Ｘ２の延在方向には複数の曲折部が設けられる。曲折部とは、本線を画素電極９ａ，９ｂの角部に沿って略直角に曲折された部分のことを言う。ここで曲折部は、走査線Ｙ１〜Ｙ３の両側に位置する画素電極の角部にそれぞれ対向配置されている。詳述すると、曲折部には、第１画素電極列９ａの画素電極９ａにおける２つの角部に対向する曲折部と、第２画素電極列の画素電極９ｂにおける２つの角部に対向する曲折部とがある。なお、上述の曲折部は、直角に曲折した部分に限られず、鈍角、鋭角や、曲線状に曲折した部分であってもよい。
【０１９２】
ここで、走査線Ｘ１〜Ｘ２は、自身の延在方向に沿う直線部と、これら直線部と直線部とを連結する連結部と、から構成されており、各直線部の位置がデータ線Ｙ１〜Ｙ３の延在方向（走査線に交差する方向）において連結部を介して交互にずれている。
【０１９３】
先に述べた第１画素電極列の画素電極９ａにおける曲折部は直線部と連結部とによって構成され、第２画素電極列の画素電極９ｂにおける曲折部は直線部と連結部とによって構成されている。このように、走査線Ｘ１〜Ｘ２の延在方向には２つの曲折部が、それぞれ２つずつ交互に存在するようになっており、対向する画素電極９の角部との間に生じる電界により液晶の配向を促す機能を有している。
【０１９４】
このような構成を備えた図２３（Ａ）の液晶装置は、画素電極と対向電極との間に電圧が印加されない状態（あるいは非選択電圧印加時）で、スプレイ配向状態（初期配向状態）となっている。そして、図２３（Ｂ）に示すように、画素電極９ａに電圧を印加したときに画素電極９ｂと走査線Ｘ１の電位が異なるため、画素電極９ａの角部とこれら角部に対向する走査線Ｘ１の曲折部との間に横電界Ｅ１が生じることになる。すなわち、画素電極９の走査線方向に交差する横電界Ｅ１とデータ線方向に交差する横電界Ｅ２とが生じることになる。
【０１９５】
配向膜のラビング方向は、図２０（Ｂ）の矢印０方向に沿う。このような初期配向状態で先に述べた条件の下電圧が印加されると、横電界Ｅ１に沿うべく時計回りＲＴ１にツイストする液晶分子５１ａと、横電界Ｅ２に沿うべく反時計回りＲＴ２にツイストする液晶分子５１ｂとが発生する。このような横電界Ｅ１，Ｅ２に沿って配向する液晶分子によって、画素電極９ａ，９ｂの角部とこれに対向する走査線Ｘ１の曲折部との近傍において配向不良に起因するディスクリネーションラインが発生する。これにより、横電界Ｅ１，Ｅ２の影響を受けて配向した液晶分子を核として、それらの液晶分子の周りにベンド配向が伝搬することになる。
【０１９６】
なお、画素電極の角部と走査線Ｘ１の曲折部との近傍において、所望とするベンド配向に沿わない方向に生じる横電界Ｅ１、Ｅ２の影響を受けて配向している液晶分子が存在していても、非表示領域は上述したように図示されない遮光層を設けているので、画素表示に影響することはない。
【０１９７】
このように、図２３の液晶装置では、第１画素電極列９ａと第２画素電極列９ｂとを互いの画素電極９の位置がデータ線（Ｙ１〜Ｙ３）の延在方向に所定距離だけ交互にずれるように配置し、非表示領域に形成される走査線（Ｘ１〜Ｘ２）に、画素電極（９ａ，９ｂ）の配置に沿ってクランク上に曲折する複数の曲折部を設ける構成とした。そして、これら走査線（Ｘ１〜Ｘ２）における複数の曲折部を当該走査線（Ｘ１〜Ｘ２）の両側に位置する画素電極の少なくとも２つの角部に対向させることによって、電圧印加時における画素電極と曲折部との間で横電界Ｅ２を複雑に発生させることができる。
【０１９８】
このようにして、各画素領域ＺＰにおいて複数（本実施の形態においては２つ）のベンド転移核の発生ポイントを設けることにより、走査線（Ｘ１〜Ｘ２）を曲折させない液晶装置に比べて、電圧印加時の画像表示領域内における液晶分子５１全体をスプレイ配向からベンド配向へ配向転移を円滑に行うことができる。したがって、液晶層の光透過率を短時間で変化させることができ、高速応答が可能となるので残像などが発生することもなく良好な表示を行うことができる。なお、図２３（Ｂ）のＰ−Ｐ’，Ｑ−Ｑ’に沿うデバイスの断面構造は、図９に示すとおりである。
【０１９９】
但し、以上説明した構成は、強い横電界を発生させるための構成の一例であり、これに限定されるものではない。
【０２００】
（第５の実施形態）
次に本発明のＯＣＢ液晶装置を用いた電子機器について説明する。本実施の形態では携帯電話を例に挙げて説明する。
【０２０１】
図２４は、携帯電話の全体構成を示す斜視図である。携帯電話１３００は、筐体１３０６、複数の操作ボタンが設けられた操作部１３０２、画像や動画、文字などを表示する表示部を主体として構成されている。表示部には、上記第１〜３の実施形態に係る液晶装置１００が搭載される。
【０２０２】
上述のとおり、本発明の実施形態の液晶装置は、簡素化された構成をもち、ＯＣＢ液晶の初期転移を無理なく、効率的に実現でき、小型かつローコストという利点をもつ。よって、本発明の実施形態にかかる液晶装置を搭載する携帯端末１３００も、小型かつローコストという利点を享受することができ、寒冷地でも問題なく使用することができる。
【０２０３】
（第６の実施形態）
次に、本実施の形態では、情報端末（例えば、パーソナルコンピュータ）を例に挙げて説明する。図２５は、本発明の液晶装置を搭載した情報端末（ＰＤＡ，パーソナルコンピュータ，ワードプロセッサ等）の斜視図である。
【０２０４】
情報端末１２００は、上部筐体１２０６および下部筐体１２０４と、キーボード等の入力部１２０２と、本発明のＯＣＢ液晶装置を用いた表示パネル１００と、を有する。この情報端末においても、上述の携帯端末と同様の効果が得られる。
【０２０５】
なお、本実施形態について詳述したが、本発明の新規事項および効果から逸脱しない範囲で、多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例は、すべて本発明に含まれるものとする。
【０２０６】
以上説明したように、本発明の少なくとも一つの実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。但し、以下の効果が同時に得られるとは限らず、以下の効果の列挙が本発明を不当に限定する根拠とされてはならない。
（１）低温時においても、ＯＣＢ液晶装置における、十分なベンド配向状態への転移が実現される。よって、ＯＣＢ液晶装置が寒冷地（例えば極寒地）で使用される場合でも、少なくとも最低限度の表示は確実に確保される。
（２）本発明の少なくとも一つの他の実施形態では、低温時における表示性能の改善を、過大な高電圧を用いずに、かつ、通常動作時と同様の順次駆動（例えば、線順次駆動）を用いて実現することができ、液晶駆動回路が簡素化され、ＯＣＢ液晶装置の低コスト化も併せて達成することができる。
（３）周囲温度に依存せずに、走査線と画素電極との間の横電界によってベンド転移核を形成し、縦電界によってベンド転移を拡大する新規な初期シーケンス（転移シーケンス）を実行することができる液晶装置が実現される。ＯＣＢ液晶に、局所的な強い横電界を印加することによってディスクリネーション（液晶分子の配向が不連続となる欠陥領域:ディスクリネーションライン）が発生し、そのディスクリネーションがベンド転移核となる。また、ベンド転移核形成後に、ＯＣＢ液晶の全画素に対して強い縦電界を与えることによって、ベンド転移核の拡大が開始される。ベンド転移核形成およびベンド転移拡大の各シーケンスは、走査線、データ線ならびに対向電極の各々に印加する電圧のレベルおよび電圧印加タイミングを制御するという、一般的な液晶駆動方式によって実現でき、初期シーケンスのために特別な回路を設ける必要はない。よって、液晶ドライバを簡素化でき、液晶装置の低コスト化が達成される。
（４）例えば、複数ライン同時駆動方式の採用やフレーム周波数の低減によって、特別な構成を用いることなく、駆動方式の若干の変更のみで、画素への書き込み時間（液晶への電圧印加時間）を長くすることができる。
（５）温度に依存することなく画像表示の表示品質を確保しつつ、特別な高耐圧を必要とせず、簡素化された回路構成をもち、かつローコストのＯＣＢ液晶駆動用ＩＣが実現される。
（６）温度に依存せずに安定動作を確保できる簡素化された構成をもち、ＯＣＢ液晶の初期転移を無理なく、効率的に実現できる。よって、本発明の液晶装置を搭載する電子機器も、小型かつローコストという利点を享受することができる。
【０２０７】
本発明は、例えば、ＯＣＢ液晶（これに限定されるものではなく、同様な転移シーケンスが必要などのような液晶にも適用が可能である）の低温時でも転移シーケンスを確実に行うことができ、転移シーケンスを過大な高電圧を用いずに、かつ、通常動作時と同様の順次駆動を用いて実現することができるという効果を奏し、したがって、液晶装置、液晶装置の駆動方法、液晶装置駆動用ＩＣ（集積回路装置）ならびに電子機器として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１】本発明のＯＣＢ液晶装置における電源投入時から画素表示までの、低温動作時と通常動作時のシーケンスを示すフロー図
【図２】本発明のＯＣＢ液晶装置における、書き込み動作についての低温動作時初期シーケンスと通常初期シーケンスとの比較図
【図３】ＯＣＢ液晶装置における電源投入時から画素表示までのシーケンスの概要を示す図
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本発明のＯＣＢ液晶装置の一例における初期シーケンスでの液晶分子の配向状態を示す図
【図５】本発明のＯＣＢ液晶装置の一例における初期シーケンスの概要を説明するための図
【図６】本発明の液晶装置の構成の一例を示す図
【図７】液晶駆動用ＩＣの構成の一例を示す図
【図８】本発明の液晶装置の画素部の構成の一例を示す図
【図９】近接して配置された走査線および画素電極付近のデバイスの断面構造例を示す図
【図１０】ベンド転移核形成通常シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図
【図１１】図１０に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図
【図１２】図１２（Ａ），図１２（Ｂ）は、図１０および図１１に示されるベンド転移核形成シーケンス実行時における画素回路の横電界および縦電界の様子を示す図
【図１３】ベンド転移拡大通常シーケンスの駆動を実現するための駆動方法の一例を説明するための図
【図１４】図１３に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図
【図１５】図１５（Ａ），図１５（Ｂ）は、図１４に示されるベンド転移拡大シーケンス実行時における画素回路の電界の様子を示す図
【図１６】ベンド転移核形成低温時シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図
【図１７】図１６に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図
【図１８】ベンド転移核拡大低温時シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図
【図１９】図１８に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図
【図２０】図２０（Ａ），図２０（Ｂ）は、本発明のＯＣＢ液晶装置の一例の平面図および断面図
【図２１】横電界を効率的に発生させるためのレイアウトの他の例を示す図
【図２２】強い横電界を発生させるための画素レイアウトの、さらに他の例を示す図
【図２３】図２３（Ａ），図２３（Ｂ）は、図２２に示される画素部の一部を抜き出して示す図
【図２４】本発明の液晶装置を搭載した携帯電話端末の全体構成の一例を示す斜視図
【図２５】本発明の液晶装置を搭載した情報端末の一例の斜視図
【符号の説明】
【０２０９】
１、１０  アレイ基板，２、４  配向膜、９  画素電極、
３  対向基板（カラーフィルタ基板）１１  対向電極、ＬＲ  容量線、ＬＣ  液晶、
５１、Ｓ１０  スプレイ配向状態、Ｓ２０  ベンド配向状態、ＳＡ  初期シーケンス、
ＳＡ１  ベンド転移核形成、ＳＡ２  ベンド転移拡大（縦電界）、
ＳＢ  画像表示シーケンス、ＮＢ  ベンド転移核、ＳＣ１  横電界、ＳＣ２  縦電界、
ＳＰ  電源オン、５００  電子機器（携帯端末）、５０２  液晶装置、
５１０  電源スイッチ、５２０  メイン制御回路、５３０  バックライト、
５４０  制御部、５４２  タイミング制御回路、５４４  画像処理回路、
５５０  電源回路、５５４  温度センサ、５６０  走査線ドライバ、
５７０  データ線ドライバ、５８０  コモンドライバ、５９０  画素アレイ、
Ｘ１〜Ｘ６  走査線、Ｙ１〜Ｙ６  データ線、Ｌｃｏｍ  コモン線、
６００  アクティブマトリックス基板、６５０  液晶駆動ＩＣ、
６５１  走査線ドライバ、６５２  電源回路、６５３  制御部、６５４  ＲＡＭ、
６５５  コモンドライバ、６５６  データ線ドライバ、ＴＡ１，ＴＡ２  外部端子、
７００  基板、７０４  ソース・ドレイン領域、
７０２、７０６、７０８、７１４  層間絶縁膜、７１０  第１メタル配線層、
７１２  第２メタル配線層、７１６  液晶層、７１８  ＩＴＯ膜、
７２０  オーバーコート層、７２２  カラーフィルタ、
７２４  ブラックマトリックス、Ｚ１  ＴＦＴ領域、Ｚ２  保持容量領域、
Ｚ３  走査線領域、１０  ＴＦＴアレイ基板、２０  対向基板、２１  対向電極、
１００  液晶装置、５２  シール材、５０  液晶層、５３  遮光膜、
１０３  データ線ドライバ、Ｐａ  外部回路実装端子、１０４  走査線ドライバ、
１０５  配線、１０６  基板間導通材、１３００  携帯電話、１３０２  操作部、
１３０６  筐体、１２００  携帯情報端末、１２０２  入力部、１２０４  下部筐体、
１２０６  上部筐体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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