(57)【要約】【課題】ストライプ状の発光層が形成された画素表示装置において、そのピクセル配置を工夫することで、高精細化及び小型化を実現する。【解決手段】発光層をストライプ状に形成した画素表示装置であって、少なくとも青色発光層１３を設けたストライプ状の発光層形成領域Ｗ１３（Ｂ）を隣接する２つの画素列１７と１７’で共有していることを特徴とする。【選択図】図１
2009069323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層をストライプ状に形成した画素表示装置であって、
少なくとも青色発光層を設けたストライプ状の発光層形成領域を隣接する２つの画素列で共有していることを特徴とする画素表示装置。
【請求項２】
ストライプ状の発光層形成領域の幅方向に下部電極が複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画素表示装置。
【請求項３】
発光層はディスペンス塗布方式で形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画素表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光層をストライプ状に形成した画素表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、表示装置のフルカラー化は必須である。カラー表示を行なう場合、通常は表示最小単位から成るドット（サブピクセル）として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を呈するドットを有する。すなわち、赤色のドット、緑色のドット、青色のドットの３つを合わせて１画素（ピクセル）と呼び、カラー表示の最小単位としている。
【０００３】
このような画素を構成するドット（サブピクセル）の配置としては、ストライプ配置、モザイク配置、デルタ配置等が知られているが、いずれも赤、緑、青を同数量配置しているのが一般的である。
【０００４】
一方、人間の網膜錐体の感覚器官は、青が赤や緑の１／１０しか存在しないことが知られている。すなわち、人間の視覚は、青に対して鈍感であることから、青を多少間引いても、解像度的には問題無いことが知られている。このことを利用して、サブピクセルを複数画素で共有する検討がなされている（特許文献１）。
【０００５】
また一方で、メタルマスクを用いた蒸着法を用いて発光素子の赤、緑、青を作り分ける手法において、表示装置の大型化と高精細度化を実現する方法（特許文献２）が検討されている。さらにその中でも、画素を構成するドット（サブピクセル）の配置方法を工夫して高精細度化を達成する方法（特許文献３）が検討されている。
【０００６】
ところで、有機ＥＬディスプレイの表示装置では、薄型軽量のフレキシブル化、低コスト化を目指して、有機層を塗布形成する検討がなされている。塗布形成法としては、インクジェット方式、ディスペンス塗布方式（ノズルプリンティングを含む）、印刷方式等があるが、その中でも特に、発光層をストライプ状に形成するディスペンス塗布方式（特許文献４）が、最も実用化に近い手法として注目されている。
【０００７】
このディスペンス塗布方式は、ノズルから吐出するインクを、途切れることなく、連続的に塗布する方式なので、発光層はストライプ状に形成することしかできない。
【０００８】
従来の画素列を、図６を用いて説明すると、下部電極上に形成された画素分離（混色防止）用のポリイミドバンク５５間に、発光層がディスペンス塗布方式で塗布形成される。すなわち、発光層の赤５１、緑５２、青５３が同幅でこの順に繰り返して連続塗布形成され、１画素（１ピクセル）５４或いは５４’は、該３色の同幅、同面積のドット（サブピクセル）から構成される。つまり、各色のドット（サブピクセル）幅をそれぞれＷ５１（Ｒ）、Ｗ５２（Ｇ）、Ｗ５３（Ｂ）とすると、Ｗ５１（Ｒ）＝Ｗ５２（Ｇ）＝Ｗ５３（Ｂ）であり、ＲＧＢ列配置で１画素列５７を構成している。
【０００９】
ここで、画素列５７とは、１画素（ピクセル）５４’が塗布方向（バンクに平行な方向）に縦に並んだブロックとしている。また、発光層形成領域とは、ディスペンス塗布方式でバンク間に塗布した単色の塗布領域のことで、図６では、符号５１、５２、５３で示したそれぞれの塗布領域のことである。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−３３５１６９号公報
【特許文献２】特開２０００−６８０５３号公報
【特許文献３】特開２００５−２０３３５１号公報
【特許文献４】特開２００３−２１７８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、発光層をストライプ状に形成するディスペンス塗布方式では、ノズル径、吐出圧力、相対速度の制約から、現状では、塗布幅として約５０μｍが下限限界である。
【００１２】
従って、表示装置の小型高精細化の目的に対して、下部電極（ＩＴＯ等）や画素分離用の隔壁等は、フォトリソ工程で形成していることから、そのダウンサイジング化には（数十μｍオーダーでは）問題無いレベルである。
【００１３】
それに対して、ディスペンサー装置を用いて有機層をストライプ状に塗り分ける手法は、塗布幅約５０μｍが下限限界であり、このことが、表示装置の小型高精細化の限界を決めている。このため、フルＨＤの高画質化を実現する場合、パネルの大きさとしては、１３インチが小型化の限界であった。
【００１４】
一方で、従来のドット配置を工夫した高精細化の手法（特許文献１〜３）においては、青色発光層に対して緑色発光層及び赤色発光層が交互に対称に配置する構成となる。すなわち、緑色発光層及び赤色発光層は、離散的で不連続であるため、発光層を連続的に塗布形成する『ディスペンス塗布方式』では塗布形成することができない。
【００１５】
本発明の目的は、上記問題点に鑑みて鋭意検討した結果得られたものであり、ストライプ状の発光層が形成された画素表示装置において、そのピクセル配置を工夫することで、高精細化及び小型化を実現するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
発光層をストライプ状に形成した画素表示装置であって、
少なくとも青色発光層を設けたストライプ状の発光層形成領域を隣接する２つの画素列で共有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、高精細化及び小型化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明の実施形態を具体的に説明するが、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。
【００１９】
＜実施形態１＞
図１は、本発明の第１の実施形態による画素表示装置の一部を上面から見た模式図である。
【００２０】
赤色発光層１１と緑色発光層１２と青色発光層１３が、バンク１５間に塗布形成されている。各々の発光層は、ＲＧＢＧの順に繰り返し配置されており（ＲＧＢＧＲＧＢＧＲＧＢＧ・・・）、それぞれの塗布幅は同一とされている。
【００２１】
図１において、赤色発光層１１の発光層形成領域の幅をＷ１１（Ｒ）、緑色発光層１２の発光層形成領域の幅をＷ１２（Ｇ）、青色発光層１３の発光層形成領域の幅をＷ１３（Ｂ）とする。図示例では、１画素（１ピクセル）１４を、Ｗ１１（Ｒ）／２＋Ｗ１２（Ｇ）＋Ｗ１３（Ｂ）／２幅で構成した。すなわち、赤色発光層１１及び青色発光層１３の２つの発光層形成領域は、隣接する画素列で共有している。
【００２２】
そのため、ＲＧＢＧの４列の発光層形成領域から、２画素列（１７と１７’）を形成することができる。つまり、従来、２画素列を６列の発光層形成領域から形成していたことと比較すると、１．５倍に高精細化することができる。
【００２３】
上記構成の画素表示装置は、人間の視覚の分解能が高い緑の本数をＲＧＢＧ列で（ＲＧＢＲＧＢ列に対して）減らしていないため、緑の横方向（バンクのストライプ方向と垂直な方向）の画質の劣化は感じない。青の本数は半分に減らしているが、青に対する人間の視覚の分解能が低いので、画質の劣化は感じない。赤の本数も半分に減らしているが、このことは、赤の横方向の画質の劣化を感じるレベルである。
【００２４】
上述したように、発光層をストライプ状に形成した画素表示装置において、従来のＲＧＢＲＧＢ列配置でフルＨＤのパネルを実現しようとすると、１３インチが小型化の限界であった。しかし、上記構成の画素表示装置は、その２／３サイズ小型化の９インチパネルの実現が可能となり、パネルの用途が拡大する。
【００２５】
すなわち、ストライプ状の発光層が形成された画素表示装置においても、小型で高精細化が図れる。
【００２６】
また、発光層形成領域の列数が、従来の２／３となることから、製造プロセスのローコスト化（約３３％減）が図れ、本発明によると、安価で小型の高精細な画素表示装置を提供できる。
【００２７】
図２は、本発明の画素表示装置を構成する有機ＥＬ素子を模式的に示した断面図である。
【００２８】
不図示のピクセル駆動回路を形成した基板６１上に下部電極６２を形成し、その上に正孔注入層、発光層、電子注入層等から成る有機層６３を積層形成し、さらにその上に、上部電極６４を形成している。
【００２９】
基板６１としては、ガラス、金属箔、高分子フィルム等、特に制限は無い。
【００３０】
下部電極６２としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）等の透明導電膜が好ましく、基板６１上に例えばフォトリソグラフィー法で形成される。ちなみに、本実施形態では、赤色発光層形成領域及び青色発光層形成領域において、発光層形成領域の幅方向（図１の左右方向）に下部電極６２が複数形成（２つ）されており、各々の画素に対応する構成とされている。
【００３１】
有機層６３としては、正孔注入層、発光層、電子注入層等によって構成され、特に限定されないが、本実施形態の発光層は有機溶剤に溶かした溶液をディスペンス塗布方式で塗布形成した。なお、図２において、各画素間（赤色、緑色、青色等）の混色を防止する目的で、発光層間には隔壁（バンク６５）を形成している。
【００３２】
上部電極６４としては、有機ＥＬ素子の仕事関数の関係から、Ａｌ（アルミニウム）が好ましい。
【００３３】
上部電極６４上には、封止を目的として、薄膜封止層６６、有機樹脂層６７、ガラス基板６８をこの順に形成している。
【００３４】
＜実施形態２＞
図３は、本発明の第２の実施形態による画素表示装置の一部を上面から見た模式図である。
【００３５】
本実施形態では、赤と緑と青の輝度を合わせる目的で、青色発光層２３の発光層形成領域の幅Ｗ２３（Ｂ）を、赤色発光層２１の発光層形成領域の幅Ｗ２１（Ｒ）の１．８倍とした。さらに緑色発光層２２の発光層形成領域の幅Ｗ２２（Ｇ）を、赤色発光層２１の発光層形成領域の幅Ｗ２１（Ｒ）の１．２倍とした。その他は、実施形態１と同じとし、画素表示装置を形成した。
【００３６】
すなわち、１画素（１ピクセル）２４（２４’）を、Ｗ２１（Ｒ）／２＋Ｗ２２（Ｇ）＋Ｗ２３（Ｂ）／２幅で構成している。そして、赤色発光層２１及び青色発光層２３の２つの発光層形成領域は、隣接する画素列で共有している。
【００３７】
そのため、ＲＧＢＧの４列の発光層形成領域で２画素列（２７と２７’）を形成することができる。つまり、従来、２画素列を６列の発光層形成領域から形成していたことと比較すると、１．１５倍（３／２．６）に高精細化することができる。
【００３８】
また、赤色発光層２１と緑色発光層２２と青色発光層２３の発光層形成領域の幅を１：１．２：１．８に調整することで、３色間の輝度を合わせた。そうすることで、３色間の寿命が同じとなり、表示装置全体としての長寿命化が達成できる。
【００３９】
以上、本実施形態の画素表示装置も、発光層をストライプ状に形成した表示装置において、高精細化が図れる。また、発光層形成領域の列数が、従来の２／３となることから、製造プロセスのローコスト化（約３３％減）が図れる。よって、安価で高精細な有機ＥＬ表示装置が提供できる。
【００４０】
＜実施形態３＞
図４は、本発明の第３の実施形態による画素表示装置の一部を上面から見た模式図である。
【００４１】
本実施形態では、青色発光層３３の発光層形成領域の幅Ｗ３３（Ｂ）を太くして、前記発光層形成領域の半分ずつを左右の画素列で共有するようにした。すなわち、１画素（１ピクセル）３４（３４’）を、Ｗ３１（Ｒ）＋Ｗ３２（Ｇ）＋Ｗ３３（Ｂ）／２幅で構成している。その他は、実施形態１と同じとし、画素表示装置を形成した。
【００４２】
そのため、ＲＧＢＲＧの５列の発光層形成領域で２画素列（３７と３７’）を形成することができる。つまり、従来、２画素列を６列の発光層形成領域から形成していたことと比較すると、１．２倍に高精細化することができる。
【００４３】
また、実施形態１と比較すると、赤色発光層形成領域の分割利用はしていないので、赤の分解能が高い。青に関しては、横方向の分解能が低くなっているが、青は人間の視覚の分解能が低いことから、青の画質の劣化は感じない。よって、実施形態１と比較すると、画質の劣化が少ない。
【００４４】
以上、本実施形態の画素表示装置は、発光層をストライプ状に形成した画素表示装置において、高精細化が図れる。また、発光層形成領域及びＴＦＴの数が、従来の５／６となることから、製造プロセスのローコスト化（約１７％減）が図れる。よって、安価で小型の高精細な有機ＥＬ表示装置が提供できる。
【００４５】
＜実施形態４＞
図５は、本発明の第４の実施形態による画素表示装置の一部を上面から見た模式図である。
【００４６】
本実施形態では、青色発光層４３の発光層形成領域の幅Ｗ４３（Ｂ）を通常より大きくし（Ｗ４３（Ｂ）＞Ｗ５３（Ｂ）図６）、かつ、青色発光層４３の発光層形成領域全体を左右の２つの画素列（４７と４７’）で共有した。その他は、実施形態１と同じとし、画素表示装置を作成した。
【００４７】
実施形態３と比較すると、青色素子の開口率が大きくなっている。また、左右の隣接画素で共有する青色素子は、左右の画素で要求される輝度の平均値で光らせた。
【００４８】
上記構成の画素表示装置は、ＲＧＢＲＧの５列の発光層形成領域で２画素列を形成することができる。つまり、従来、２画素列を６列の発光層形成領域から形成していたことと比較すると、使用する発光層列が５／６となっていることから、画素数を１．２倍に高精細化することができる。
【００４９】
また、実施形態３と同様、従来例（下記比較例１）と比較して、赤色素子と緑色素子の劣化は無い。青色素子に関しては、横方向の分解能が低くなっているが、青は人間の視覚の分解能が低いことから、青色素子の劣化は感じない。
【００５０】
以上、本実施形態の画素表示装置も、発光層をストライプ状に形成した画素表示装置において、高精細化が図れる。また、発光層形成領域の列数が、従来の５／６となることから、製造プロセスのローコスト化（約１７％減）が図れる。よって、安価で小型の高精細な有機ＥＬ表示装置が提供できる。
【００５１】
＜比較例１＞
図６は、従来の画素表示装置の画素（素子）配置を示したものである。
【００５２】
図６において、赤色発光層５１の発光層形成領域の幅をＷ５１（Ｒ）、緑色発光層５２の発光層形成領域の幅をＷ５２（Ｇ）、青色発光層５３の発光層形成領域の幅をＷ５３（Ｂ）とする。図示例では、各々の発光層形成領域の幅は等しく、Ｗ５１（Ｒ）＝Ｗ５２（Ｇ）＝Ｗ５３（Ｂ）である。その他は、実施形態１と同じとし、画素表示装置を形成した。
【００５３】
本比較例では、ＲＧＢの３列の発光層形成領域で１画素列５７を形成している。
【００５４】
本比較例における、発光層をストライプ状に塗布形成するプロセス（例えば、ディスペンス塗布方式やノズルプリンティング法）で形成した画素表示装置は、発光層の塗布幅に限界（現状の下限値；約５０μｍ）がある。そのため、１画素（１ピクセル）５４（５４’）をこれ以上に小さくすることができず、１画素（１ピクセル）５４（５４’）を（Ｗ５１（Ｒ）＋Ｗ５２（Ｇ）＋Ｗ５３（Ｂ））幅以下に出来ない。すなわち、ディスペンサーの塗布幅限界以上に高精細化することができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の画素表示装置（実施形態１）のＲＧＢＧ列配置と１画素（１ピクセル）を説明する図である。
【図２】有機ＥＬ素子の断面構成図を示した図である。
【図３】本発明の画素表示装置（実施形態２）のＲＧＢＧ列配置と１画素（１ピクセル）を説明する図である。
【図４】本発明の画素表示装置（実施形態３）のＲＧＢＲＧ列配置と１画素（１ピクセル）を説明する図である。
【図５】本発明の画素表示装置（実施形態４）のＲＧＢＲＧ列配置と１画素（１ピクセル）を説明する図である。
【図６】本発明の画素表示装置（比較例１）のＲＧＢ列配置と１画素（１ピクセル）を説明する図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１、２１、３１、４１、５１  赤色発光層
１２、２２、３２、４２、５２  緑色発光層
１３、２３、３３、４３、５３  青色発光層
１４、１４’、２４、２４’、３４、３４’、４４、４４’、５４、５４’  １画素（１ピクセル）
１５、２５、３５、４５、５５、６５  バンク
１６、２６、３６、４６、５６、６６  アノード電極
１７、１７’、２７、２７’、３７、３７’、４７、４７’、５７  画素列
Ｗ１１（Ｒ）、Ｗ２１（Ｒ）、Ｗ３１（Ｒ）、Ｗ４１（Ｒ）、Ｗ５１（Ｒ）  赤色発光層の形成領域幅
Ｗ１２（Ｇ）、Ｗ２２（Ｇ）、Ｗ３２（Ｇ）、Ｗ４２（Ｇ）、Ｗ５２（Ｇ）  緑色発光層の形成領域幅
Ｗ１３（Ｂ）、Ｗ２３（Ｂ）、Ｗ３３（Ｂ）、Ｗ４３（Ｂ）、Ｗ５３（Ｂ）  青色発光層の形成領域幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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