(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェーハの厚さばらつきによる加工不良を防止しつつ、多品種少量のウェーハにも柔軟に対応できるレーザーダイシング装置及びダイシング方法を提供する。【解決手段】レーザー光をウェーハＷに照射することでチップ分活用の改質領域を形成するレーザーダイシング装置１０に、レーザー発振装置４１により照射されたレーザー光に基づいてウェーハＷの厚さを測定する光学測定手段５６と、加工条件と該加工条件に対応するウェーハの厚さの想定範囲とが入力される入力部５２とを設けた。制御部５０は、光学測定手段５６により測定されたウェーハの実際の厚さが、入力部５２を介して入力されたウェーハの厚さの想定範囲内かを判断することにより、入力された加工条件がウェーハに対応しているかを判定する。これにより、ウェーハの厚さばらつきに起因する加工不良を防止できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハにレーザー光を照射することで前記ウェーハに改質領域を形成するレーザーダイシング装置であって、
加工対象のウェーハに前記レーザー光を照射するレーザー光照射手段と、
前記加工条件に対応するウェーハの厚さの想定範囲が入力される入力手段と、
前記加工対象のウェーハの厚さを測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された前記加工対象のウェーハの厚さが前記入力手段に入力された前記想定範囲に含まれるかを判断することにより、前記加工条件が前記加工対象のウェーハに対応しているかを判定する加工条件判定手段とを備えることを特徴とするレーザーダイシング装置。
【請求項２】
前記測定手段は、前記レーザー光照射手段により前記加工対象のウェーハに対して照射されるレーザー光に基づいて、前記加工対象のウェーハの厚さを算出することを特徴とする請求項１に記載のレーザーダイシング装置。
【請求項３】
前記加工条件は、前記加工対象のウェーハに対する前記レーザー光の走査速度と、前記レーザー光の焦点位置と、前記レーザー光のパワーと、前記レーザー光のパルス幅とのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザーダイシング装置。
【請求項４】
所定の加工条件に基づいて、加工対象のウェーハにレーザー光を照射することで改質領域を形成するウェーハのダイシング方法であって、
前記加工条件に対応するウェーハの厚さの想定範囲が入力される厚さ想定範囲入力工程と、
前記加工対象のウェーハの厚さを測定する厚さ測定工程と、
前記厚さ測定工程において測定される前記加工対象のウェーハの厚さが、前記厚さ想定範囲入力工程において入力された前記想定範囲に含まれるかを判断する加工条件判定工程とを備えることを特徴とするダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを個々のチップに分割するレーザーダイシング装置及びダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハを個々のチップに分割するダイシング装置として、ウェーハにレーザー光を照射してチップ分割用の改質領域を形成するレーザーダイシング装置が知られている。
【０００３】
レーザーダイシング装置を用いてダイシングを高精度に行うためには、ウェーハの厚さに応じてダイシングの加工条件を調整することが好ましい。ところがウェーハの厚みは、同一のロットであっても１０μｍ程度の範囲でばらついていることが一般的である。そのため、同一ロットのウェーハに対して同一の加工条件でダイシングを行うと、改質領域を適切に形成することができない場合があり、ウェーハを個片化できない等のダイシング不良を招くことがある。
【０００４】
このようなダイシング不良を防ぐため、特許文献１では、ウェーハの表面位置（高さ）に基づいて個々のウェーハの厚さを測定し、予め記憶されている加工条件テーブルの中から、測定したウェーハの厚さに対応する加工条件を自動選択するレーザーダイシング装置が提案されている。
【０００５】
特許文献１のレーザーダイシング装置を用いる場合は、事前に、種々のウェーハ厚さに対する適切な加工条件を試行錯誤により求めて、この適切な加工条件とウェーハ厚さとを関連付けた加工条件テーブルを準備しておく。そして、ダイシングを開始する前にウェーハの厚さが測定され、この測定結果に基づいて、個々のウェーハにとって適切な加工条件が加工条件テーブルから自動的に選択される。このようなレーザーダイシング装置は、特に同一品種のウェーハを大量にダイシングする場合に有益である。
【特許文献１】特開２００７−９５９５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ダイシングの対象となるウェーハは、常に同一品種・大量であるとは限らず、最終製品であるチップの用途に応じて様々である。例えば、チップの用途がメモリであれば同一品種・大量のウェーハがダイシングの対象となり、チップの用途が高価なシステムＬＳＩであれば多品種・少量のウェーハがダイシングの対象になるのが一般的である。
【０００７】
ところで、加工対象のウェーハに適した加工条件はウェーハの品種ごとに異なる。すなわち、適切な加工条件は、ウェーハの厚さの他に、ドーパントの種類、ドーパントの注入量（ドープ量）、或いはウェーハの表面に形成されている膜種などにも依存する。
【０００８】
このため特許文献１のレーザーダイシング装置を用いて多品種のウェーハを加工する場合、ウェーハの品種の数だけ加工条件テーブルが必要となり、加工条件テーブルの準備に伴う労力は甚大である。特に多品種・少量のウェーハをダイシングする場合には、少量のウェーハをダイシングするために多大な労力を費やして加工条件テーブルを準備することになり、非効率的である。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの厚さばらつきに起因する加工不良を防止しつつ、多品種・少量のウェーハの加工に適したレーザーダイシング装置及びダイシング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の一態様は、ウェーハにレーザー光を照射することで前記ウェーハに改質領域を形成するレーザーダイシング装置であって、加工対象のウェーハに前記レーザー光を照射するレーザー光照射手段と、前記加工条件に対応するウェーハの厚さの想定範囲が入力される入力手段と、前記加工対象のウェーハの厚さを測定する測定手段と、前記測定手段により測定された前記加工対象のウェーハの厚さが前記入力手段に入力された前記想定範囲に含まれるかを判断することにより、前記加工条件が前記加工対象のウェーハに対応しているかを判定する加工条件判定手段とを備えることを特徴とするレーザーダイシング装置に関する。
【００１１】
このレーザーダイシング装置によれば、測定したウェーハの厚さに基づいて、加工条件が加工対象のウェーハに対応しているかを知ることができるので、ウェーハの厚さばらつきに起因する加工不良を効果的に防止することができる。また、加工条件テーブルを事前に作成する必要がないため、多品種・少量のウェーハの加工にも適している。
【００１２】
前記測定手段は、前記レーザー光照射手段により前記加工対象のウェーハに対して照射されるレーザー光に基づいて、前記加工対象のウェーハの厚さを算出してもよい。
【００１３】
この態様では、一つの光学系によって、改質領域形成用のレーザー光およびウェーハ厚さ測定用のレーザー光をウェーハに導くことができるので、レーザーダイシング装置の構成を簡素化できる。
【００１４】
前記加工条件は、前記加工対象のウェーハに対する前記レーザー光の走査速度と、前記レーザー光の焦点位置と、前記レーザー光のパワーと、前記レーザー光のパルス幅とのうち少なくとも一つを含んでもよい。
【００１５】
このように、レーザー光の走査速度、レーザー光の焦点位置、或いはレーザー光のパワーやパルス幅を加工条件として用いることで、例えば、改質領域を形成する位置、改質領域を形成する層数、及び改質領域の厚さなどを調整することができる。
【００１６】
また上記目的を達成するために、本発明の一態様は、所定の加工条件に基づいて、加工対象のウェーハにレーザー光を照射することで改質領域を形成するウェーハのダイシング方法であって、前記加工条件に対応するウェーハの厚さの想定範囲が入力される厚さ想定範囲入力工程と、前記加工対象のウェーハの厚さを測定する厚さ測定工程と、前記厚さ測定工程において測定される前記加工対象のウェーハの厚さが、前記厚さ想定範囲入力工程において入力された前記想定範囲に含まれるかを判断する加工条件判定工程とを備えることを特徴とするダイシング方法に関する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、測定したウェーハの厚さに基づいて、加工条件が加工対象のウェーハに対応しているかを判定することができ、ウェーハの厚さばらつきによる加工不良を防止しつつ、多品種・少量のウェーハに対応することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下添付図面に従って本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係るレーザーダイシング装置１０の概略を示す構成図である。
【００２０】
レーザーダイシング装置１０は、図１に示すように、ウェーハＷを移動させるウェーハ移動部２０と、ウェーハＷの表面を観察する観察光学部３０と、ウェーハＷにレーザー光を照射するレーザー光学部４０と、ウェーハＷの厚さの想定範囲および加工条件が入力される入力部５２と、メッセージを表示する表示部５４と、ウェーハＷの厚さを測定する非点収差式光学測定装置５６と、レーザーダイシング装置１０の各部を制御する制御部５０とを備える。
【００２１】
ウェーハ移動部２０は、本体ベース２６上に設けられたＸＹＺθテーブル２２と、ウェーハＷを吸着保持する吸着ステージ２４とを有する。ＸＹＺθテーブル２２は、不図示のガイドレールを備え、制御部５０に制御されて図１に示すＸＹＺθの４方向に可動である。
【００２２】
ここでＸＹＺの３方向は相互に直交し、図１に示す実施形態ではＸ方向およびＹ方向が水平方向であり、Ｚ方向が鉛直方向である。またθ方向は、鉛直方向軸（Ｚ方向軸）を回転軸とする回転方向である。
【００２３】
吸着ステージ２４は、ＸＹＺθテーブル２２の上に載置されており、ウェーハＷを担持するダイシングシートＳを吸着保持する。ウェーハＷは、このようなＸＹＺθテーブル２２および吸着ステージ２４を有するウェーハ移動部２０によって、ＸＹＺθ方向へ高精度に移動可能である。
【００２４】
図２は、図１のレーザーダイシング装置１０に搬入されるウェーハＷの一例を示す図である。本実施形態では、ウェーハＷは、周縁にフレームＦが設けられたダイシングシートＳ上に固定されており、フレームＦおよびダイシングシートＳと一体的にレーザーダイシング装置１０に搬入される。なお、ウェーハＷ、フレームＦおよびダイシングシートＳの搬入は任意の手法で行われ、例えば、ウェーハが格納されたカセットを、エレベータによって所定の位置まで上下移動させて搬送装置に送り、この搬送装置がウェーハを吸着ステージ２４に載置するようにしてもよい。
【００２５】
図１に示す観察光学部３０は、制御部５０により制御され観察用の照明光を発光する観察用光源３１と、コリメートレンズ３２からの照明光を反射するとともにウェーハＷによる反射光を通過させるハーフミラー３３と、ハーフミラー３３を通過した反射光が入射するＣＣＤカメラ３５と、ＣＣＤカメラ３５に入射した反射光に基づいてウェーハＷの表面に関する撮像データを作成する画像処理装置３８とを有する。また、観察用光源３１とハーフミラー３３との間にはコリメートレンズ３２が配置され、ハーフミラー３３とウェーハＷとの間にはコンデンスレンズ３７が配置され、ハーフミラー３３とＣＣＤカメラ３５との間にはコンデンスレンズ３４が配置される。
【００２６】
観察用光源３１により発光された照明光は、コリメートレンズ３２、ハーフミラー３３及びコンデンスレンズ３７を経てウェーハＷに到達し、ウェーハＷの表面で反射する。ウェーハＷの表面における反射光は、コンデンスレンズ３７、ハーフミラー３３、及びコンデンスレンズ３４を経てＣＣＤカメラ３５に入射する。ＣＣＤカメラ３５は、入射した反射光を電気信号に変換し、画像処理装置３８は、当該電気信号を処理することでウェーハＷの撮像データを作成して制御部５０に送る。制御部５０は、画像処理装置３８から送られてくる撮像データに基づいて、テレビモニタ３６にウェーハＷの表面画像を表示させる。
【００２７】
レーザー光学部４０は、レーザー光を発振するレーザー発振装置４１、発振されたレーザー光を平行光に揃えるコリメートレンズ４２、レーザー光を集光するコンデンスレンズ４６、制御部５０によって制御されコンデンスレンズ４６を光軸上で微小移動させるアクチュエータ４７、ウェーハＷの表面で反射されたレーザー光を後述する非点収差式光学測定装置５６に取り出すハーフミラー４４、およびハーフミラー４４により取り出されたレーザー光を集光する円柱レンズ４８を備える。
【００２８】
レーザー発振装置４１は制御部５０によって制御され、レーザー発振装置４１から発振されるレーザー光のパワーやパルス幅が、加工対象のウェーハのドーパント種、ドープ量、ウェーハ厚さ等に応じて調節される。例えば、パルス幅が１μｓ以下であって、焦点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上となるレーザー光がレーザー発振装置４１から発振される。
【００２９】
レーザー発振装置４１により発振されたレーザー光は、コリメートレンズ４２、ハーフミラー４４、コンデンスレンズ４６等の光学系を経てウェーハＷの内部に集光される。なお、レーザー光の焦点のＺ方向位置（鉛直方向位置）は、アクチュエータ４７によってコンデンスレンズ４６をＺ方向に微小移動させることにより調節される。
【００３０】
本実施形態では、アクチュエータ４７として圧電素子を使用している。この圧電素子は中空の円筒形状であり、上端がレーザー光学部４０の本体（図示せず）に固定されており、下端がコンデンスレンズ４６を保持するレンズフレーム（図示せず）と接合されている。圧電素子は印加電圧に応じて伸縮し、コンデンスレンズ４６は圧電素子の伸縮に応じて光軸方向に微小移動する。
【００３１】
ここで、レーザー発振装置４１により発振されたレーザー光がウェーハＷの内部に形成する改質領域について説明する。図３（ａ）および（ｂ）は、ウェーハ内部の焦点近傍に形成される改質領域を示す図である。
【００３２】
図３（ａ）に示すように、レーザー発振装置４１からウェーハＷの内部に入射したレーザー光Ｌ１によって、焦点近傍に改質領域Ｐが形成される。改質領域Ｐとは、焦点近傍で多光子吸収が誘起されることによりウェーハＷが変質した領域であって、クラック領域、溶融領域、屈折率変化領域等を含む。
【００３３】
このレーザー光Ｌ１をウェーハＷに対して複数回走査することにより、図３（ｂ）に示すように、改質領域Ｐを多層状に形成することができる。多層状に形成された改質領域Ｐをきっかけとして、ウェーハＷは、自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断される。
【００３４】
図１に示す入力部５２は、レーザーダイシング装置１０によるウェーハＷのダイシングに関する加工条件と、該加工条件に対応するウェーハＷの厚さの想定範囲とが入力されるユーザーインターフェイスである。入力部５２を介して入力された加工条件およびウェーハＷの厚さの想定範囲は、制御部５０に送られる。
【００３５】
加工条件としては、例えば、ウェーハＷに対するレーザー光の走査速度、レーザー光の入射高さ、レーザー光の焦点の位置、レーザー光のパワーやパルス幅などが挙げられ、加工対象のウェーハの性質（ドーパント種、ドープ量、表面の膜種等）に応じて決定される。また、ウェーハの厚さの想定範囲とは、入力される加工条件下で加工不良が発生しない許容可能なウェーハの厚さの範囲を意味する。
【００３６】
非点収差式光学測定装置５６は、ウェーハＷの表面で反射されたレーザー光に基づいてウェーハＷの表面の位置（高さ）を測定し、ウェーハＷの厚さを算出する。ウェーハＷの厚さの測定は、ダイシングストリートに沿って改質領域Ｐを形成する前に、所定の一箇所又はダイシングストリートに沿った複数箇所で行う。これにより、ウェーハＷに改質領域を加工形成する前に加工条件の適否を判定することができ、歩留まりを向上させることができる。なお非点収差式光学測定装置５６によりウェーハＷの厚さを取得する際は、制御部５０がレーザー発振装置４１を制御して、ウェーハにダメージを与えないようにレーザー光のパワーやパルス幅が調整される。
【００３７】
図４（ａ）〜（ｃ）は、非点収差式光学測定装置５６によるウェーハＷの表面の位置の測定原理を示す図であり、ウェーハＷの表面で反射されたレーザー光がコンデンスレンズ４６および円柱レンズ４８を通過して非点収差式光学測定装置５６の４分割フォトダイオード５６Ａに到達するまでの様子と、４分割フォトダイオード５６Ａに入射するレーザー光の断面形状を示す。なお、説明の簡素化のため、図４（ａ）〜（ｃ）ではハーフミラー４４（図１参照）を省略している。
【００３８】
図４（ａ）はウェーハＷとコンデンスレンズ４６との距離が標準的な場合を示し、４分割フォトダイオード５６Ａに到達したレーザー光の断面形状は真円となる。一方、図４（ｂ）はウェーハＷとコンデンスレンズ４６との距離が比較的遠い場合を示し、４分割フォトダイオード５６Ａに到達したレーザー光の断面形状は縦方向に引き伸ばされた楕円となる。また、図４（ｃ）はウェーハＷとコンデンスレンズ４６との距離が比較的近い場合を示し、４分割フォトダイオード５６Ａに到達したレーザー光の断面形状は横方向に引き伸ばされた楕円となる。
【００３９】
このように、４分割フォトダイオード５６Ａで受光されるレーザー光の断面形状は、ウェーハＷとコンデンスレンズ４６との距離に依存する。非点収差式光学測定装置５６は、この性質を利用してウェーハＷの表面位置を測定する。
【００４０】
このようにして測定されるウェーハＷの表面位置は、図１に示す吸着テーブル２４の表面を基準とするものであるから、ウェーハＷの厚さを求めるためには、ウェーハＷと吸着テーブル２４との間に配置されるダイシングテープＳの厚さを考慮する必要がある。そのため、非点収差式光学測定装置５６は、ダイシングテープＳの厚さを予め記憶しておき、ウェーハＷの表面位置の測定値からダイシングテープＳの厚さを減算することによってウェーハＷの厚さを算出する。算出されたウェーハＷの厚さは非点収差式光学測定装置５６から制御部５０に送られ、後述の加工条件の判定に用いられる。
【００４１】
また非点収差式光学測定装置５６は、改質領域形成加工の最中にも、４分割フォトダイオード５６Ａを用いてウェーハＷの表面の位置を測定して、ウェーハＷの表面の凹凸形状情報をリアルタイムで取得する。この凹凸形状情報は、制御部５０に送られて、アクチュエータ４７の制御に用いられる。
【００４２】
制御部５０は、ＣＰＵ、メモリ、入出力回路部等からなり、入力部５２を介して入力された加工条件に基づき、ウェーハ移動部２０、観察光学部３０、およびレーザー光学部４０の各部を適宜制御する。
【００４３】
また制御部５０は、非点収差式光学測定装置５６により測定されたウェーハＷの実際の厚さが、入力部５２を介して入力されたウェーハＷの厚さの想定範囲に含まれるかを判断する。
【００４４】
非点収差式光学測定装置５６により測定された加工対象のウェーハＷの厚さが、入力部５２を介して入力されたウェーハＷの厚さの想定範囲に含まれると判断される場合、この入力部５２を介して入力された加工条件に基づきウェーハＷのダイシングが行われるように、制御部５０はレーザーダイシング装置１０の各部を制御する。一方、非点収差式光学測定装置５６により測定されたウェーハＷの厚さが、入力部５２を介して入力されたウェーハＷの厚さの想定範囲に含まれないと判断される場合、制御部５０は、加工条件およびウェーハＷの厚さの想定範囲の再入力を促すメッセージを表示部５４に表示する。
【００４５】
次に、上述のレーザーダイシング装置１０を用いたダイシング方法について、図５を参照して説明する。図５は、ウェーハＷに改質領域を形成する過程を示すフローチャートである。
【００４６】
まず、入力部５２を介して、加工条件と、該加工条件に対応するウェーハの厚さの想定範囲とが入力される（図５のＳ１０）。入力部５２に対する入力は、ユーザーにより手動で直接入力される態様であってもよいし、コンピュータ等を介し入力される態様であってもよい。
【００４７】
次に、ウェーハＷ、ウェーハを担持するダイシングシートＳおよびフレームＦ（以下、単に「ウェーハＷ」とも表記する）を収納したカセットが、エレベータにセットされる（Ｓ１２）。このウェーハＷを収納したカセットは、エレベータによって所定の位置まで運ばれ、不図示の待機テーブルまで搬送される（Ｓ１４）。待機テーブルの上では加工前に必要な各種処理が行われ、例えばウェーハＷの表面清掃、アライメント用マークの位置確認等が行われる。この後、ウェーハＷは、吸着テーブル２４まで搬送され、吸着テーブル２４により吸着保持される。そして、ウェーハＷは、吸着テーブル２４に吸着保持された状態で、ＸＹＺθテーブル２２により所定の加工位置まで運ばれる（Ｓ１６）。
【００４８】
次に、吸着テーブル２４上のウェーハＷの厚さが測定される（Ｓ１８）。具体的には、レーザー発振装置４１からウェーハＷに対してレーザー光が照射され、ウェーハＷによる反射光を非点収差式光学測定装置５６において解析することによって、吸着テーブル２４上のウェーハＷの厚さが求められる。なお、このウェーハＷの厚さの測定は、所定の一箇所で行ってもよいし、ダイシングストリートに沿った複数箇所で行ってもよい。
【００４９】
このようにして測定されたウェーハＷの厚さは制御部５０に送られる（Ｓ２０）。
【００５０】
そして、制御部５０では、測定されたウェーハＷの厚さが、Ｓ１０で入力されたウェーハＷの厚さの想定範囲に含まれるかが判定される（Ｓ２２）。測定されたウェーハＷの厚さが、Ｓ１０で入力されたウェーハの厚さの想定範囲に含まれると判断された場合は（Ｓ２２のＹＥＳ判定）、Ｓ１０で入力された加工条件でダイシングが行われる（Ｓ２４）。
【００５１】
ダイシングが完了したウェーハＷは、カセットに再び収納され、レーザーダイシング装置１０から取り出される（Ｓ２６）。
【００５２】
一方、Ｓ１８で測定されたウェーハＷの厚さが、Ｓ１０で入力されたウェーハの厚さの想定範囲に含まれないと判断された場合には（Ｓ２２のＮＯ判定）、加工条件およびウェーハの厚さの想定範囲の再入力が表示部５４を介してユーザーに促される（Ｓ２８）。加工条件およびウェーハの厚さの想定範囲の再入力が行われると、再びＳ２２に進んで、Ｓ１８で測定されたウェーハＷの厚さが、Ｓ２８で再入力されたウェーハの厚さの想定範囲に含まれるか判定される。Ｓ１８で測定されたウェーハＷの厚さが、Ｓ２８で再入力されたウェーハの厚さの想定範囲に含まれると判断されるまで、Ｓ２８及びＳ２２が繰り返される。
【００５３】
以上説明したように本実施形態によれば、非点収差式光学測定装置５６によりウェーハＷの厚さを測定し、入力部５２を介して入力された加工条件がウェーハＷに対応しているかを判定することができるので、ウェーハＷの厚さのばらつきに起因する加工不良を効果的に防止することができる。また、加工条件テーブルを事前に作成する必要がないため、多品種・少量のウェーハの加工にも適している。
【００５４】
また本実施形態によれば、レーザー発振装置４１により発振されるレーザー光のパワーやパルス幅は、レーザー光の用途に応じて適宜調整されている。具体的には、改質領域Ｐを形成する場合、レーザー発振装置４１は、制御部５０に制御されて、焦点におけるピークパワー密度が比較的高くなるようにレーザー光を照射する。一方、ウェーハＷの表面の位置を測定する場合は、レーザー発振装置４１は、制御部５０に制御されて、焦点におけるピークパワー密度が比較的低くなるようにレーザー光を照射する。これにより、安定して改質領域Ｐを形成することができるとともに、ウェーハＷにダメージを与えることなくウェーハＷの表面位置を測定することができる。
【００５５】
本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
【００５６】
例えば、改質領域を形成するためのレーザー光とウェーハの厚さを測定するためのレーザー光とを、別個のレーザー光源から発振するようにしてもよい。この場合、改質領域形成用のレーザー光およびウェーハ厚さ測定用のレーザー光の両者が、共通の光学系（例えばコリメートレンズ４２やコンデンスレンズ４６）を経てウェーハＷに到達するような構成とすることが好ましい。改質領域形成用のレーザー光をウェーハに導く光学系と、ウェーハ厚さ測定用のレーザー光をウェーハに導く光学系とを一つの光学系に集約することにより、レーザーダイシング装置の構成を簡素化することができる。特に、レーザー光を導く光学系は比較的高価であるため、レーザーダイシング装置の製造コストを抑えることもできる。
【００５７】
また、上述の実施形態では、非点収差式光学測定装置５６を用いて、ウェーハの厚さの取得やウェーハ表面の凹凸形状情報の取得が行われているが、本発明はこれに限定されない。例えば、加工対象のウェーハの上面および下面において反射されるレーザー光の位相差に基づいてウェーハの厚みを求めてもよい。また、任意の接触タイプ測定法または非接触タイプ測定法によってウェーハの厚さやウェーハ表面の凹凸形状情報が取得されてもよく、例えばナイフエッジ法等の公知の測定方法を用いてもよい。
【００５８】
また、上述の実施形態では、測定したウェーハの実際の厚さが入力されたウェーハの厚さの想定範囲に含まれないと判断される場合には、加工条件およびウェーハの厚さの想定範囲の再入力を促すメッセージが表示されるが、測定されたウェーハの厚さに応じて加工条件が自動的に調整されるようにしてもよい。これにより、様々な厚さを有するウェーハに柔軟に対応することができ、ウェーハの厚みに応じた改質領域を適切に形成することができる。
【００５９】
また、ダイシング装置１０の稼働状況（例えば加工中、加工終了、非常停止等）の表示を行う表示灯が設けられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザーダイシング装置の構成図
【図２】図１に示すレーザーダイシング装置に搬入されるウェーハを示す斜視図
【図３】ウェーハ内部に形成された改質層を示すウェーハの断面図
【図４】ウェーハ−コンデンスレンズ間距離と４分割フォトダイオードで受光されるレーザー光の断面形状との関係を示す概念図
【図５】図１に示すレーザーダイシング装置を用いたダイシング方法を示すフローチャート
【符号の説明】
【００６１】
１０…レーザーダイシング装置、２０…ウェーハ移動部、２２…ＸＹＺθテーブル、２４…吸着ステージ、３０…観察光学部、３１…観察用光源、３２…コリメートレンズ、３３…ハーフミラー、３４、３７…コンデンスレンズ、３５…ＣＣＤカメラ、３６…テレビモニタ、３８…画像処理装置、４０…レーザー光学部、４１…レーザー発振装置、４２…コリメートレンズ、４４…ハーフミラー、４６…コンデンスレンズ、４７…アクチュエータ、４８…円柱レンズ、５０…制御部、５２…入力部、５４…表示部、５６…非点収差式光学測定装置、５６Ａ…４分割フォトダイオード
【図１】
2009152288.tif 000003
【図２】
2009152288.tif 000004
【図３】
2009152288.tif 000005
【図４】
2009152288.tif 000006
【図５】
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