(57)【要約】【課題】基材自体の厚さを厚くせずに信号配線と導電層との距離を大きくして当該信号配線の高いインピーダンス特性を実現できる回路基板、電気光学装置及びその回路基板を用いた電子機器を提供すること。【解決手段】グランドに電気的に接続されアース面となる第１の導電層２８と高周波信号配線３１との距離である第１の距離ｈ６が、他の信号配線３２と第２の導電層２９との第２の距離ｈ７より大きくなるようにしたので、当該高周波信号配線３１で高いインピーダンス特性を得ることができる。【選択図】  図３
2009212328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の一方の面に形成された高周波信号配線と、
前記一方の面で前記高周波信号配線と異なる領域に形成された他の信号配線と、
前記基材の一方の面と反対側に形成され、グランドに電気的に接続された導電層とを具備し、
前記導電層は、前記高周波信号配線と平面的に重なる第１の領域と前記他の信号配線と平面的に重なる第２の領域とを有し、
前記高周波信号配線と前記第１の領域との第１の距離は、前記他の信号配線と前記第２の領域との第２の距離より大きいことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板であって、
前記導電層は、互いに平面的に異なる領域に形成され、少なくとも前記第１の領域を含む第１の導電層と少なくとも前記第２の領域を含む第２の導電層からなり、
前記基材と前記第１の導電層との間には、接着材及び絶縁層の少なくともいずれかが更に設けられており、
前記第１の距離と第２の距離との差は、前記基材と当該第１の導電層との間に設けられた接着材及び絶縁層の少なくともいずれかによるものであることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の回路基板であって、
前記一方の面側に、少なくとも前記高周波信号配線と平面的に重なるように形成された第３の導電層を更に具備することを特徴とする回路基板。
【請求項４】
基材と、前記基材の一方の面に形成された高周波信号配線と、前記一方の面で前記高周波信号配線と異なる領域に形成された他の信号配線と、前記基材の一方の面と反対側に形成され、グランドに電気的に接続された導電層とを有し、当該導電層は、前記高周波信号配線と平面的に重なる第１の領域と前記他の信号配線と平面的に重なる第２の領域とを有し、前記高周波信号配線と前記第１の領域との第１の距離は、前記他の信号配線と前記第２の領域との第２の距離より大きい回路基板と、
前記回路基板が接続された電気光学パネルと
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置であって、
前記導電層は、互いに平面的に異なる領域に形成され、少なくとも前記第１の領域を含む第１の導電層と少なくとも前記第２の領域を含む第２の導電層からなり、
前記基材と前記第１の導電層との間には、接着材及び絶縁層の少なくともいずれかが更に設けられており、
前記第１の距離と第２の距離との差は、前記基材と当該第１の導電層との間に設けられた接着材及び絶縁層の少なくともいずれかによるものであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の回路基板を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機に用いられる回路基板、電気光学装置及びその回路基板を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の表示装置として電気光学装置が用いられており、そのフレキシブル基板等の回路基板での信号配線において、周囲に導体があると、電界の乱れが生じ、線路インピーダンスの不整合が生じ、高周波特性が劣化するという問題があった。
【０００３】
そこで、樹脂シートの電路が形成された反対側の全面に電路と対をなして帰路電流を流すためのアース面を接合した線路（マイクロストリップ線路）により電界を閉じ込める方法が提供されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−２２１３４５号公報（段落[０００４]、図１（ｃ））。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の提案により比較的効率よく電界を閉じ込めることができるが、問題とする信号配線と他の配線とのインピーダンス整合を図るために高いインピーダンス特性を実現する必要が生じる場合がある。
【０００５】
そのための方法として、当該信号配線の配線幅をより小さくするか、或は、配線幅はそのままで信号配線である電路とアース面である導電層との間の誘電体の距離、例えば間の基材の厚さを大きくする必要が生じた。
【０００６】
しかし、当該信号配線幅をより小さくすることには限界があり、一方信号配線と導電層との距離を大きくするために間に挟まれる基材の厚さを厚くすると、厚い基材を形成するのが容易ではなく製造コストが余計に掛かってしまうという問題や例えばフレキシブル基板であれば可撓性が小さくなり、曲げにくくなってしまうという問題等が生じた。
【０００７】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、基材自体の厚さを厚くせずに信号配線と導電層との距離を大きくして当該信号配線の高いインピーダンス特性を実現できる回路基板、電気光学装置及びその回路基板を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る回路基板は、基材と、前記基材の一方の面に形成された高周波信号配線と、前記一方の面で前記高周波信号配線と異なる領域に形成された他の信号配線と、前記基材の一方の面と反対側に形成され、グランドに電気的に接続された導電層とを具備し、前記導電層は、前記高周波信号配線と平面的に重なる第１の領域と前記他の信号配線と平面的に重なる第２の領域とを有し、前記高周波信号配線と前記第１の領域との第１の距離は、前記他の信号配線と前記第２の領域との第２の距離より大きいことを特徴とする。
【０００９】
本発明は、グランドに電気的に接続されアース面となる導電層と高周波信号配線との距離が、他の信号配線と導電層との距離より大きくなり、当該高周波信号配線で高いインピーダンス特性を得ることができる。しかもベース基材の厚さを変えずに当該高周波信号配線の高インピーダンス化が可能となる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記導電層は、互いに平面的に異なる領域に形成され、少なくとも前記第１の領域を含む第１の導電層と少なくとも前記第２の領域を含む第２の導電層からなり、前記基材と前記第１の導電層との間には、接着材及び絶縁層の少なくともいずれかが更に設けられており、前記第１の距離と第２の距離との差は、前記基材と当該第１の導電層との間に設けられた接着材及び絶縁層の少なくともいずれかによるものであることを特徴とする。これにより、基材自体の厚さを厚くしていないので製造コストを低減できる他、回路基板に可撓性が必要な場合も十分な可撓性が確保可能である。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記基材は、可撓性基板であることを特徴とする。これにより、可撓性基板としての特性を害することなく当該信号配線で高いインピーダンス特性を得ることができる。
【００１２】
従来、回路基板が例えば可撓性基板（フレキシブル基板）であるような場合には、ベース基材の両面に元々銅箔等の導電層が形成されていることが多く、それをエッチングして表面には信号配線等の配線パターンを形成し、裏面にはアース面としてのグラント配線等を形成することが行われていたが、その両面の外側にはそれぞれカバーレイが形成されていた。ここで、カバーレイとは、基材と同じ材料（例えばポリイミド）で形成されたフィルムであり、エッチングされ配線パターン等が形成された基材両面に接着材により被覆されるものである。
【００１３】
そこで、本発明では従来から基材の反対側面にある上記カバーレイや接着材を利用して、当該接着材及びカバーレイを基材の反対側面に直接配置させるようにし、その外側に後付でグランドに電気的に接続された第１の導電層を形成することで、高周波信号配線とグランドとしての第１の導電層との距離を他の信号配線と第２の導電層との距離より大きくして当該高周波信号配線の高インピーダンス化を図ることとしたものである。
【００１４】
これにより、従来からあるカバーレイを利用して当該高周波信号配線の高インピーダンス化を図ることができるので、製造コストの軽減を図ることができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記反対側面に形成され、少なくとも前記反対側面に配置された接着材の領域で開口領域を有する第２の導電層を更に具備し、前記接着材は、前記開口領域から前記反対側面に配置されていることを特徴とする。すなわち、上記のように従来からあるカバーレイを少なくとも信号配線と平面的に重なる領域では反対側面に元々ある第２の導電層より基材の反対側面側になる様にする必要があったが、そのために本発明では、当該接着材が基材の反対側面に配置されることとなる領域に第２の導電層の開口領域を設けることとしたものである。ここで、「開口領域」とは、基材の反対側面に（直接に）配置された接着材の領域で、第２の導電層が形成されない領域をいうものとする。
【００１６】
これにより、当該第２の導電層の所定の開口領域に接着材を流し込んで基材の反対側面に接着材を配置し、従来のカバーレイをその上に形成することができ、更にその上に形成する第１の導電層と信号配線との距離を大きくすることが可能となる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記反対側面に配置された接着材は、前記信号配線の横幅の３倍以上の横幅を有することを特徴とする。これにより、その接着材とその上に形成される絶縁層とが信号配線の真下だけでなく、その周りでのグランドとしての第１の導電層との距離が確実に大きくできるので、より当該信号配線の高インピーダンス化が図れることとなる。なお、３倍以上としたのは、横幅が３倍より大きくなるとその横方向の外側にある第２の導電層との距離が十分とれるようになり、信号配線でのインピーダンスの劣化を抑えることが可能であるからである。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記第１の導電層は、少なくとも前記反対側面に配置された接着材と平面的に重なるように形成されていることを特徴とする。これにより、信号配線からの距離を十分とりながら第１の導電層によるシールドをより確実なものとすることができる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記一方の面側に、少なくとも前記高周波信号配線と平面的に重なるように形成された第３の導電層を更に具備することを特徴とする。これにより、高周波信号配線からの電界の漏れを基材の一方の面側からも抑制でき、当該高周波信号配線へのノイズをより効果的に抑制できる。
【００２０】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、基材と、前記基材の一方の面に形成された高周波信号配線と、前記一方の面で前記高周波信号配線と異なる領域に形成された他の信号配線と、前記基材の一方の面と反対側に形成され、グランドに電気的に接続された導電層とを有し、当該導電層は、前記高周波信号配線と平面的に重なる第１の領域と前記他の信号配線と平面的に重なる第２の領域とを有し、前記高周波信号配線と前記第１の領域との第１の距離は、前記他の信号配線と前記第２の領域との第２の距離より大きい回路基板と、前記回路基板が接続された電気光学パネルとを具備することを特徴とする。
【００２１】
本発明は、グランドに電気的に接続されアース面となる導電層と高周波信号配線との距離が、他の信号配線と導電層との距離より大きくなり、当該高周波信号配線で高いインピーダンス特性を得ることができる回路基板を備えたので、電気光学装置としての電気的信頼性の向上とコストの軽減を図ることができる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記導電層は、互いに平面的に異なる領域に形成され、少なくとも前記第１の領域を含む第１の導電層と少なくとも前記第２の領域を含む第２の導電層からなり、前記基材と前記第１の導電層との間には、接着材及び絶縁層の少なくともいずれかが更に設けられており、前記第１の距離と第２の距離との差は、前記基材と当該第１の導電層との間に設けられた接着材及び絶縁層の少なくともいずれかによるものであることを特徴とする。これにより、基材自体の厚さを厚くしていないので製造コストを低減できる他、回路基板に可撓性が必要な場合も十分な可撓性が確保可能である。
【００２３】
本発明の他の観点に係る回路基板の製造方法は、基材の一方の面の導電層をエッチングして所定の信号配線を形成する工程と、前記一方の面と反対側面の導電層に、少なくとも前記信号配線と平面的に重なる領域に開口領域を形成する工程と、前記反対側で、少なくとも前記開口領域から前記反対側面に接着材を配置する配置工程と、前記接着材の前記基材と反対側に絶縁層を形成する工程と、前記反対側面側で、少なくとも前記信号配線と平面的に重なるようにグランドに電気的に接続された第１の導電層を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明は、基材の反対側面の導電層を当該基材の一方の面の信号配線と少なくとも平面的に重なる領域は、当該反対側面の導電層が存在しない開口領域を形成することとした。したがって、当該開口領域に接着材及び絶縁層が配置でき、その上からグランドに電気的に接続された導電層を形成することで、基材自体の厚さを変えずに当該信号線とグランドとしての導電層との距離を大きくして、当該信号配線の高インピーダンス化を低コストで図ることができる。
【００２５】
本発明の他の観点に係る電子機器は、上述の回路基板を備えたことを特徴とする。
【００２６】
本発明は、基材自体の厚さを厚くせずに信号配線と導電層との距離を大きくして当該信号配線の高いインピーダンス特性を実現できる回路基板を備えたので、電気的信頼性の高い電子機器を低コストで提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、回路基板及び電気光学装置の例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス型の液晶装置、またその液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２８】
（第１の実施形態）
【００２９】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図（ドライバーＩＣは切断していない。）、図３は図２のＢ−Ｂ線断面図、図４は信号配線と第１及び第２の導電層との位置関係の概略斜視図及び図５は信号配線と第１及び第２の導電層との位置関係の説明図である。
【００３０】
（液晶装置の構成）
【００３１】
液晶装置１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続された回路基板としてのフレキシブル基板３及び照明装置４等を有する。ここで、液晶装置１には、照明装置４の他にも、ケース等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００３２】
液晶パネル２は、図１または図２に示すようにシール材５を介して貼り合わされた第１基板６及び第２基板７及び両基板の間隙に封入されたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶８を有する。
【００３３】
第１及び第２基板６，７は、夫々例えばガラスといった透光性を有する板状部材からなる第１基材６ａ及び第２基材７ａを有し、図２に示すように第１及び第２基材６ａ，７ａの外側には入射光を偏光させるための偏光板９，１０が夫々貼着されている。
【００３４】
また、第１基材６ａはその内側（液晶側）に例えば図１及び図２に示すようにＹ軸方向に複数の走査線１１が並行して形成され、Ｘ軸方向に複数のデータ線１２が並行して形成されており、更にその走査線１１及びデータ線１２等の液晶側には配向膜１３が形成されている。走査線１１及びデータ線１２は、例えばニッケル等から形成されており、図示しないＴＦＴに電気的に接続されている。また、ＴＦＴはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等からなる画素電極１４に電気的に接続されている。
【００３５】
すなわち、走査線１１の一端はＴＦＴの図示しないゲート電極に、他端は後述する出力用接続端子１５に夫々電気的に接続されている。更にデータ線１２の一端はＴＦＴの図示しないデータ線に、他端は後述する出力用接続端子１５に夫々電気的に接続されている。
【００３６】
また、第１基材６ａは例えば図１または図２に示すように第２基材７ａの外周縁から張出した張出し部１６を有し、当該張出し部１６には、液晶駆動用のドライバーＩＣ１７が実装されている。また、走査線１１及びデータ線１２は、シール材５で囲まれる領域から当該張出し部１６に延在されておりドライバーＩＣ１７の実装領域に並設された出力用接続端子１５に電気的に接続されている。
【００３７】
更に張出し部１６は、例えば図２に示すようにフレキシブル基板３等から電流をドライバーＩＣ１７等に供給する入力配線１８を有する。ここで、入力配線１８は例えば図２に示すように一端がフレキシブル基板３の後述するパターン配線に電気的に接続される外部用端子１９として形成されており、他端がドライバーＩＣ１７の実装領域に並設された入力用接続端子２０に電気的に接続されている。
【００３８】
ドライバーＩＣ１７は、例えば図２に示すようにその張出し部１６に実装する実装面に出力用接続端子１５及び入力用接続端子２０に電気的に接続する複数配列されたバンプ２１を有し、当該バンプ２１は例えば略直方体に、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等で形成されている。
【００３９】
一方、第２基材７ａは例えば図２に示すようにその内側（液晶側）に共通電極２２が形成されており、その共通電極２２の液晶側には配向膜２３が形成されている。
【００４０】
尚、第１及び第２基材６ａ，７ａの液晶側には、図示しないが必要に応じて下地層、反射層、着色層及び光遮蔽層等が形成されている。
【００４１】
次に、フレキシブル基板３は例えば図２に示すように略断面半円形状に曲げられ、その一端が第１基板６に接続され、他端は図示しないが外部接続用コネクターや異方性導電膜を介してＬＥＤ(Light Emitting Diode）等の光源や他の回路基板等に接続されている。
【００４２】
また、フレキシブル基板３は例えば図２及び図３に示すように基材としてのベース基材２４、配線パターン２５、接着材２６、絶縁層２７、第１の導電層２８、第２の導電層２９及びカバー材３０により構成されており、図示しないが半導体チップなどの電子部品も実装されている。
【００４３】
ベース基材２４はフレキシブル基板３のベースフィルムとなるもので可撓性を有し、例えば略矩形のフィルム状に硬化されたポリイミド樹脂等が用いられており、その厚さｈ１は例えば１５μｍから２５μｍに形成されている。
【００４４】
また、配線パターン２５は、複数の信号配線等を有し例えば図１及び図３に示すように当該ベース基材２４の一方の面２４ａ（第１基材側）に銅（Ｃｕ）等により形成されており、インピーダンス特性を制御する必要がある高周波信号配線３１とその他の信号配線３２が形成されている。
【００４５】
ここで、「インピーダンス特性を制御する必要がある」とは、一般にフレキシブル基板等の回路基板を高速でかつ安定した電気信号伝搬特性を確保するためには、上記配線パターンや第１及び第２の導電層に形成される各配線の特性インピーダンスと実装する電子部品との入力インピーダンスを整合させることが重要である。したがって、例えば５０ＭＨｚ以上の高周波信号が流れる高周波信号配線３１が、マイクロストリップ線路を形成するような場合で、特定インピーダンスを高く制御しなければならない場合に当該高周波信号配線３１の横幅をあまり小さくできないときは、当該高周波信号配線３１とベタ面との間の比誘電率が一定であるとすると、その高周波信号配線３１とベタ面との距離を大きくすることにより当該高周波信号配線の特定インピーダンスを制御することとなる。
【００４６】
例えば当該高周波信号配線３１は、例えば図２、図３及び図４に示すようにベース基材２４の一方の面（図２及び図３中で下側）に横幅Ｃ１は約５０μｍで、その厚さｈ２（ベース基材からの高さ）が約１０μｍから２０μｍに形成されており、その一端は例えば当該ベース基材２４の一端に略一致した図示しない接続端子となり、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）３３を介して張出し部１６の外部用端子１９に電気的に接続されている。
【００４７】
次に、接着材２６は例えば図２、図３及び図４に示すようにベース基材２４の一方の面２４ａの反対側に配置されており、高周波信号配線３１と平面的に重なる領域Ｃ（図４中のＣ）を中心としてその３倍以上の領域Ｄ（図４中のＤ）で当該一方の面２４ａの反対側面２４ｂに直接接するように配置されている。例えば図５に示すように仮に高周波信号配線３１が途中（図５の一点鎖線Ｅ）で屈折しているとするとその屈折した高周波信号配線３１´に沿って領域Ｄも屈折した高周波信号配線３１´を中心として３倍以上の領域となるように接着材２６が反対側面２４ｂに直接接するように配置されることとなる。接着材２６としては、例えばエポキシやアクリル系の樹脂等を液状にしてからベース基材２４に塗布して最終的に熱で硬化させ厚さｈ３を例えば約１５μｍとなるように形成する。また、接着材２６は例えば図３及び図４に示すように信号配線上やベース基材の一方の面２４ａ上にも形成される。
【００４８】
絶縁層２７は、例えば図２、図３及び図４に示すように接着材２６のベース基材２４と反対側にその厚さｈ４が約１２．５μｍから２０μｍとなるように積層されており、その材料としては当該フレキシブル基板３のカバーレイとして通常使われるポリイミド樹脂が用いられる。
【００４９】
また、第１の導電層２８は例えば図２、図３及び図４に示すように高周波信号配線３１と平面的に重なる領域Ｃを中心としてその３倍以上の領域Ｄに、銀ペースト等がスクリーン印刷等でベース基材２４の反対側面側の絶縁層２７の当該ベース基材２４と反対側面に塗布され、形成される。なお、第１の導電層２８は例えば後述する第２の導電層中のグランド配線を介してグランドに電気的に接続されている。これにより、当該第１の導電層２８がアース面となる。
【００５０】
さらに第１の導電層２８は、上述したベース基材２４の反対側面２４ｂに直接接するように配置されている接着材２６と同様に、例えば図５に示すように高周波信号配線３１の領域Ｃが途中で曲る場合も、当該曲った高周波信号配線３１の領域Ｃ´に沿って曲る領域Ｄ´に当該第１の導電層２８´が形成されている。
【００５１】
次に、第２の導電層２９はベース基材２４の反対側面２４ｂに直接接するように例えば銅等により厚さｈ５が約１０μｍから２０μｍに形成されており、図３に示すようにグランド配線２９ａやその他の配線２９ｂ等を有する。
【００５２】
また、第２の導電層２９は例えば図３及び図４に示すように反対側面２４ｂに直接接するように配置されている接着材２６の領域Ｄが、丁度当該第２の導電層２９のグランド配線２９ａやその他の配線２９ｂ等が形成されていない開口領域Ｆとなるように形成されている。したがって、当該領域Ｄが例えば図５のように途中で曲るとそれに沿って開口領域Ｆも曲るようにグランド配線２９ａやその他の配線２９ｂも曲って形成される。
【００５３】
更に第１の導電層２８と第２の導電層２９とは、例えば図３に示すように互いに平面的に異なる領域に形成されており、第１の導電層２８は第１の領域としての絶縁層側表面領域２８ｄで高周波信号配線３１と平面的に重なっている。また、第２の導電層２９は例えば第２の領域としてのベース基材側表面領域２９ｄで他の信号配線３２と平面的に重なっている。即ち、第１の導電層２８は少なくとも絶縁層側表面領域２８ｄを含んでおり、第２の導電層２９は少なくともベース基材側表面領域２９ｄを含んでいる。
【００５４】
また、高周波信号配線３１と絶縁層側表面領域２８ｄとの第１の距離ｈ６は、例えば図３に示すようにｈ１＋ｈ３＋ｈ４となるが、他の信号配線３２とベース基材側表面領域２９ｄとの第２の距離ｈ７はｈ１であるので、当然当該第１の距離ｈ６は、第２の距離ｈ７より大きくなる（ｈ６＞ｈ７）。
【００５５】
カバー材３０は、例えば図２及び図３に示すように第１の導電層２８及びベース基材２４の反対側面側の絶縁層２７のベース基材２４と反対側に積層され、その材料は例えばポリイミド樹脂が用いられる。
【００５６】
次に、照明装置４は例えば図２に示すように導光板３４、反射シート３５等を有し、第１基板６に図示しない光源からの光を照射する。
【００５７】
なお、信号配線と第１及び第２の導電層２８，２９との位置関係は上述の図３の例に限られるものではなく、例えば図６の信号配線と第１及び第２の導電層との他の位置関係の説明図（ａ）のように第１の導電層２８が高周波信号配線３１と平面的に重なるように形成されているものでもよい。ただし、そのアース面としての効果を考えると上述したように高周波信号配線３１の横幅Ｃ１の３倍以上の横幅（信号配線を中心として）Ｄ１は有ったほうが好ましい。
【００５８】
また、上述の説明では第１の導電層２８と第２の導電層２９とは平面的に異なる領域に形成されるとして説明したが、例えば図６（ｂ）（ｄ）に示すように第１の導電層２８が第２の導電層２９と平面的に重なるように形成してもよい。
【００５９】
さらに図６（ｃ）（ｄ）に示すように第２の導電層２９のグランド配線２９ａやその他の配線２９ｂ等が形成されていない開口領域Ｆが高周波信号配線３１と平面的に重なる領域Ｃと重なってもよく、その場合に（ｃ）のように第１の導電層２８が当該開口領域Ｆ（重なる領域Ｃ）と重なるように形成してもよいが、より好ましくは（ｄ）のように高周波信号配線３１の横幅の３倍以上の横幅を有するように形成することがよい。
【００６０】
（液晶装置の製造方法）
【００６１】
次に、以上のように構成された液晶装置の製造方法についてフレキシブル基板を中心に説明する。
【００６２】
図７は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法のフローチャート図及び図８はフレキシブル基板の製造方法の説明図である。
【００６３】
まず、液晶パネル２を例えば図７に示すように製造する。
【００６４】
例えば第１基材６ａの液晶側にＴＦＴ、走査線１１、データ線１２、画素電極１４等を形成し、その液晶側に配向膜１３を形成してラビング処理を施して第１基板６を製造する（ＳＴ１０１）。
【００６５】
また、第２基材７ａの液晶側に必要に応じて下地層や反射膜、着色層等を夫々形成すると共にその液晶側に共通電極２２を形成し、更に配向膜２３を形成しラビング処理を施して第２基板７を製造する（ＳＴ１０２）。
【００６６】
そして、第２基板上にギャップ材３６をドライ散布等により散布し、シール材５を介して第１基板６と第２基板７とを貼り合わせる（ＳＴ１０３）。その後、シール材５の図示しない注入口から液晶８を注入し、シール材５の注入口を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ１０４）。
【００６７】
次に、フレキシブル基板３の製造について説明する。
【００６８】
まず、例えば図８（ａ）に示すようにポリイミド樹脂で形成されたベース基材２４の両面に銅箔をラミネートしたものを用意する（ＳＴ１０５）。そして、図８（ｂ）に示すように当該銅箔を所定のパターンにエッチングして配線パターン２５（高周波信号配線３１など）及び第２の導電層にグランド配線２９ａやその他の配線２９ｂなどを形成し、開口領域Ｆを形成する（ＳＴ１０６）。ここで、第２の導電層２９の当該開口領域Ｆは、例えばインピーダンス特性を制御する必要のある高周波信号配線３１と平面的に重なる領域Ｃを中心として当該高周波信号配線の横幅Ｃ１（図８でＸ軸方向）の約３倍以上の横幅Ｄ１を有するようにエッチングされる。
【００６９】
更に例えば図８（ｃ）に示すように銅箔をエッチングして所定の配線パターンなどを形成した両面に、例えばエポキシやアクリル系の樹脂等を液状にしてからベース基材２４やエッチングして残った銅箔に塗布して最終的に厚さｈ３が例えば約１５μｍとなるように接着材２６を両面に形成する（ＳＴ１０７）。この際、ＳＴ１０６でエッチングしてベース基材２４の表面が露出した開口領域Ｆに流し込むようにして樹脂を塗布することで図８（ｃ）に示すように当該開口領域Ｆ内にも完全に接着材２６が入り込み、後述する絶縁層２７とで高周波信号配線３１と第１の導電層２８との間に誘電体により十分な距離（図３に示すｈ６）を取ることができるようになる。
【００７０】
その後、ＳＴ１０７で形成された接着材２６の上に絶縁層２７、例えばポリイミド樹脂などを塗布して厚さ約１２．５μｍから２０μｍになる様に形成する（ＳＴ１０８）。
【００７１】
そして、例えば図８（ｄ）に示すようにベース基材２４の反対側面側の絶縁層２７の上に高周波信号配線３１と平面的に重なる領域Ｃを中心としてその３倍以上の領域Ｄに銀ペースト等がスクリーン印刷等で塗布され、第１の導電層２８が形成される（ＳＴ１０９）。なお、第１の導電層２８は例えば第２の導電層中のグランド配線２９ａを介してグランドに電気的に接続され、これにより、当該第１の導電層２８がアース面となる。
【００７２】
さらに第１の導電層２８上にカバー材、例えばポリイミド樹脂が形成され（ＳＴ１１０）、必要なインピーダンス特性の制御がなされたフレキシブル基板３が完成する（ＳＴ１１１）。
【００７３】
次に、当該フレキシブル基板３を、例えば図２に示すように配線パターン２５の一端の接続端子が張出し部１６の外部用端子１９にＡＣＦ３３を介して電気的に接続するように、その一端を張出し部１６に接続する（ＳＴ１１２）。
【００７４】
さらにドライバーＩＣ１７を図示しない圧着ヘッドにより出力用接続端子１５や入力用接続端子２０に例えば図示しないＡＣＦを介して所定の圧力で押圧し、約３００℃に加熱して圧着し、第１基板６に実装し、偏光板９，１０等を第１及び第２基板６，７の各外面に貼着等（ＳＴ１１３）して液晶パネルが完成する（ＳＴ１１４）。
【００７５】
そして、導光板３４や反射シート３５等からなる照明装置４を当該第１基板６の偏光板９の外側（液晶側と反対側）に取り付ける（ＳＴ１１５）。
【００７６】
その後、必要な他の部品等を取り付けて（ＳＴ１１６）、液晶装置１が完成する（ＳＴ１１７）。
【００７７】
以上で液晶装置の製造方法の説明を終了する。
【００７８】
このように本実施形態によれば、グランドに電気的に接続されアース面となる第１の導電層２８と高周波信号配線３１との距離である第１の距離ｈ６が、他の信号配線３２と第２の導電層２９との第２の距離ｈ７より大きくなるようにしたので、当該高周波信号配線３１で高いインピーダンス特性を得ることができる。
【００７９】
また、互いに平面的に異なる領域に形成され、少なくとも第１の領域としての絶縁層側表面領域２８ｄを含む第１の導電層２８と少なくとも第２の領域としてのベース基材側表面領域２９ｄを含む第２の導電層２９からなり、ベース基材２４と第１の導電層２８との間には、接着材２６及び絶縁層２７が更に設けられており、第１の距離ｈ６と第２の距離ｈ７との差は、ベース基材２４と当該第１の導電層２８との間に設けられた接着材２６及び絶縁層２７によるものであることとしたので、ベース基材自体の厚さを厚くしていないので製造コストを低減できる他、回路基板に可撓性が必要な場合も十分な可撓性が確保可能である。
【００８０】
さらに、グランドに電気的に接続されアース面となる第１の導電層２８と高周波信号配線３１との距離が、ベース基材２４の厚さｈ１に接着材２６の厚さｈ３と絶縁層２７の厚さｈ４の分が追加されるのでより大きくなり、当該信号配線で高いインピーダンス特性を得ることができる。しかも、ベース基材自体の厚さを厚くしていないので製造コストを低減できる他、フレキシブル基板３のように可撓性が必要な場合も十分な可撓性が確保可能である。
【００８１】
また、本発明では従来からフレキシブル基板にある絶縁層や接着材を利用して、当該接着材及び絶縁層をベース基材２４の高周波信号配線３１と反対側面に直接配置させるようにし、その外側に後付でグランドに電気的に接続された第１の導電層２８を形成することで、高周波信号配線３１とグランドとしての第１の導電層２８との距離を大きくして当該信号配線の高インピーダンス化を図ることとしたものである。
【００８２】
これにより、従来からある絶縁層や接着材を利用して当該高周波信号配線の高インピーダンス化を図ることができるので、製造コストの軽減を図ることができる。
【００８３】
更にベース基材２４に対し信号配線側と反対側面に形成され、少なくとも当該反対側面に配置された接着材２６の領域で開口領域Ｆを有する第２の導電層２９を更に具備し、当該接着材２６は、当該開口領域Ｆから反対側面に配置されることとした。したがって、上記のように従来からある接着材２６、絶縁層２７を少なくとも高周波信号配線３１と平面的に重なる領域Ｃでは反対側面に元々ある第２の導電層２９よりベース基材２４の反対側面側になる様にする必要があった。そこで本発明では、当該接着材２６がベース基材２４の反対側面に配置されることとなる領域に第２の導電層２９の開口領域Ｆを設けることとし、当該第２の導電層２９の所定の開口領域Ｆに接着材２６を流し込んでベース基材２４の反対側面２４ｂに接着材２６を配置し、従来の絶縁層２７をその上に形成することができ、更にその上に形成する第１の導電層２８と高周波信号配線３１との距離を大きくすることが可能となった。
【００８４】
また、高周波信号配線３１側と反対側面に配置された接着材２６は、当該高周波信号配線３１の横幅の３倍以上の横幅を有することとした。したがって、当該接着材２６とその上に形成される絶縁層２７とが高周波信号配線３１の真下だけでなく、その周りでのグランドとしての第１の導電層２８との距離が確実に大きくできるので、より当該高周波信号配線３１の高インピーダンス化が図れることとなる。
【００８５】
さらに高いインピーダンス特性を得ることができる当該高周波信号配線３１を有しながら、ベース基材自体の厚さを厚くしていないので製造コストを低減できる他、可撓性が必要なフレキシブル基板３でも十分な可撓性が確保可能であるので、液晶装置１としての電気的信頼性の向上とコストの軽減を図ることができる。
【００８６】
（変形例）
【００８７】
次に、本発明に係る第１の実施形態の変形例について説明する。本変形例においては、第１の実施形態とフレキシブル基板の高周波信号配線側にもアース面としての導電層が形成されている点が異なるので、その点を中心に説明する。尚、以下の説明では第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付してその説明を省略或は簡略化するものとする。
【００８８】
図９は、本発明の変形例に係る液晶装置の部分断面図及び図１０は図９のＧ−Ｇ線断面図である。
【００８９】
（液晶装置の構成）
【００９０】
液晶装置１０１は、例えば図９に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続されたフレキシブル基板１０３及び照明装置４等を有する。ここで、液晶装置１０１には、照明装置４の他にも、ケース等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００９１】
フレキシブル基板１０３は、例えば図９に示すように略断面半円形状に曲げられ、その一端が第１基板６に接続され、他端は図示しないが外部接続用コネクターや異方性導電膜を介してＬＥＤ(Light Emitting Diode)等の光源や他の回路基板等に接続されている。
【００９２】
また、フレキシブル基板１０３は例えば図９及び図１０に示すように基材としてのベース基材２４、配線パターン２５、接着材２６、絶縁層２７、第１の導電層２８、第２の導電層２９、カバー材３０及び第３の導電層１５１により構成されており、図示しないが半導体チップなどの電子部品も実装されている。
【００９３】
例えば図９及び図１０に示すように第３の導電層１５１は、高周波信号配線３１側の絶縁層２７のベース基材２４と反対側面に高周波信号配線３１と平面的に重なる領域Ｃを中心としてその３倍以上の領域Ｄに、例えば銀ペースト等がスクリーン印刷等で塗布され、形成されている。また、第３の導電層１５１は例えば第２の導電層２９中のグランド配線を介してグランドに電気的に接続されている。これにより、当該第３の導電層１５１もアース面となる。
【００９４】
尚、本変形例に係る液晶装置の製造方法は、第１の実施形態と高周波信号配線３１側にも絶縁層２７の外側に第３の導電層１５１を形成し、その上にカバー材３０を形成する点が異なるだけで第１の実施形態の製造方法と略同様であるので、その説明を省略する。
【００９５】
また、上述の説明では第３の導電層１５１は、領域Ｄに形成するとしたが、少なくとも高周波信号配線３１と平面的に重なっていればよく、例えば高周波信号配線３１と平面的に重なる領域Ｃに形成してもよい。ただし、そのアース面としての効果を考えると高周波信号配線３１の横幅Ｃ１の３倍以上の横幅（信号配線を中心として）Ｄ１は有ったほうが好ましい。さらに上述したベース基材２４の反対側面２４ｂに直接接するように配置されている接着材２６と同様に、例えば高周波信号配線３１の領域Ｃが途中で曲る場合も、当該曲った高周波信号配線３１´の領域Ｃ´に沿って曲る領域Ｄ´に当該第３の導電層１５１が形成される。
【００９６】
このように本変形例によれば、フレキシブル基板１０３は信号配線側に、少なくとも当該高周波信号配線３１と平面的に重なるように形成された第３の導電層１５１を更に具備することとしたので、当該高周波信号配線３１からの電界の漏れをベース基材２４の一方の面側からも抑制できるとともに、当該高周波信号配線３１へのノイズもより効果的に抑制できる。
【００９７】
（第２の実施形態・電子機器）
【００９８】
次に、上述した液晶装置１，１０１を備えた本発明の第２の実施形態に係る電子機器について説明する。
【００９９】
図１１は本発明の第２の実施形態に係る携帯電話機の外観概略図及び図１２はパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【０１００】
例えば、携帯電話機５００は、図１１に示すように複数の操作ボタン５７１の他、受話口５７２、送話口５７３を有する外枠に例えば、液晶装置１を備えている。
【０１０１】
また、パーソナルコンピュータ６００は、図１２に示すようにキーボード６８１を備えたパーソナルコンピュータ本体部６８２と、液晶表示ユニット６８３とから構成されており、液晶表示ユニット６８３は外枠に例えば、液晶装置１を備えている。
【０１０２】
これらの電子機器は、液晶装置１の他に図示しないが表示情報出力源、表示情報処理回路等の様々な回路及びそれらの回路に電力を供給する電源回路等からなる表示信号生成部等を含んで構成される。
【０１０３】
更に液晶装置１には例えば、パーソナルコンピュータ６００の場合にあってはキーボード６８１から入力された情報に基づき表示信号生成部によって生成された表示信号が供給されることによって、表示画像が液晶装置１に表示される。
【０１０４】
本実施形態によれば、ベース基材自体の厚さを厚くせずに高周波信号配線３１とアース面としての第１の導電層２８との距離を大きくして当該高周波信号配線３１の高いインピーダンス特性を実現できるフレキシブル基板３を備えたので、電気的信頼性の高い電子機器を低コストで提供できる。
【０１０５】
尚、電子機器としては、他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１，１０１が適用可能なのは言うまでもない。
【０１０６】
また、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態や変形例を組み合わせ得る。
【０１０７】
例えば上述した実施形態では、液晶装置の一例として薄膜トランジスタ素子アクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えば、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、電気的信頼性の高い電子機器を低コストで提供できる。
【０１０８】
更に上述の説明では、ドライバーＩＣ１７をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）として説明したがこれに限られるものではなく、フレキシブル基板３に実装するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）の場合であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、電気的信頼性の高い電子機器を低コストで提供できる。
【０１０９】
また、上述の説明では、第１の導電層２８と第２の導電層２９とは異なる部材として説明したがこれに限られるものではなく、例えば第１の導電層２８と第２の導電層とを一体的に形成した導電層であってもよい。この場合は少なくとも高周波信号配線３１と平面的に重なる第１の領域との間に接着材２６及び絶縁層２７の少なくともいずれかが設けられており、これにより高周波信号配線３１と第１の領域としての絶縁層側表面領域２８ｄとの距離である第１の距離が、他の信号配線３２と平面的に重なる第２の領域としてのベース基材側表面領域２９ｄとの距離である第２の距離より大きくなる。したがって、ベース基材２４の厚さを変えずに高周波信号配線３１を高いインピーダンス特性とすることが可能となると共に、二つの導電層を形成する必要がなくなり製造コストの低減がより図れる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図（ドライバーＩＣは切断していない。）である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】信号配線と第１及び第２の導電層との位置関係の分解斜視図である。
【図５】信号配線と第１及び第２の導電層との位置関係の説明図である。
【図６】信号配線と第１及び第２の導電層との他の位置関係の説明図である。
【図７】液晶装置の製造方法のフローチャート図である。
【図８】フレキシブル基板の製造方法の説明図である。
【図９】変形例に係る液晶装置の部分断面図である。
【図１０】図９のＧ−Ｇ線断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る携帯電話機の外観概略図である。
【図１２】第２の実施形態に係るパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１，１０１  液晶装置、  ２  液晶パネル、  ３，１０３  フレキシブル基板、  ４  照明装置、  ５  シール材、  ６  第１基板、  ６ａ  第１基材、  ７  第２基板、  ７ａ  第２基材、  ８  液晶、  ９，１０  偏光板、  １１  走査線、  １２  データ線、  １３，２３  配向膜、  １４  画素電極、  １５  出力用接続端子、  １６  張出し部、  １７  ドライバーＩＣ、  １８  入力配線、  １９  外部用端子、  ２０  入力用接続端子、  ２１  バンプ、  ２２  共通電極、  ２４  ベース基材、  ２５  配線パターン、  ２６  接着材、  ２７  絶縁層、  ２８  第１の導電層、  ２８ｄ  絶縁層側表面領域、  ２９  第２の導電層、  ２９ａ  グランド配線、  ２９ｂ  他の配線、  ２９ｄ  ベース基材側表面領域、  ３０  カバー材、  ３１  高周波信号配線、  ３２  他の信号配線、  ３３  ＡＣＦ、  ３４  導光板、  ３５  反射シート、  ３６  ギャップ材、  １５１  第３の導電層、  ５００  携帯電話機、  ５７１  操作ボタン、  ５７２  受話口、  ５７３  送話口、  ６００  パーソナルコンピュータ、  ６８１  キーボード、  ６８２  パーソナルコンピュータ本体部、  ６８３  液晶表示ユニット、  Ｃ，Ｄ  領域、  Ｆ  開口領域
【図１】
2009212328.tif 000003
【図２】
2009212328.tif 000004
【図３】
2009212328.tif 000005
【図４】
2009212328.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2009212328.tif 000009
【図８】
2009212328.tif 000010
【図９】
2009212328.tif 000011
【図１０】
2009212328.tif 000012
【図１１】
2009212328.tif 000013
【図１２】
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