(57)【要約】【課題】多段構造のノズル孔を有するノズル基板を研削等の薄板化加工で形成するのではなく、成膜によって形成することで、板厚・ノズル長さの精度向上が可能なノズル基板の製造方法等を提供する。【解決手段】成膜基板１００上に犠牲層１０１を成膜し、犠牲層１０１の上に、リンをドープしたドープドポリシリコン層とストップ層とを順次交互に積層しノズル基板基材１１０を形成する。そしてノズル基板基材１１０上にｎ段の階段状の開口１０５ａを有するマスク層１０５を形成し、マスク層１０５の開口を順次広げつつノズル基板基材１１０を各ストップ層でエッチングがストップするまでエッチングすることを繰り返し、最後にノズル基板基材１１０を犠牲層１０１でエッチングがストップするまでドライエッチングしてノズル孔を形成する。そして犠牲層１０１をエッチングにより除去してノズル基板基材１１０を成膜基板１００から剥離する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出方向の先端側から後端側に向けて開口断面が段階的に大きくなるｎ段（ｎは２以上の自然数）の多段構造のノズル孔を有するノズル基板の製造方法であって、
成膜基板上に犠牲層を成膜する犠牲層成膜工程と、
前記犠牲層の上に、リンをドープしたドープドポリシリコン層を成膜した後、前記ドープドポリシリコン層上にストップ層を成膜する工程をｎ−１回繰り返し行い、その後、その表面に、リンをドープしたｎ番目のドープドポリシリコン層を成膜してノズル基板基材を形成するノズル基板基材形成工程と、
前記ノズル基板基材上に、表面側から前記ノズル基板基材側に行くに従って開口断面積が段階的に小さくなるｎ段の階段状の開口を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記ノズル基板基材において前記マスク層の前記開口から露出した部分のドープドポリシリコン層を、そのドープドポリシリコン層の直下に形成されたストップ層でエッチングがストップするまで前記ノズル基板基材をドライエッチングし、その後、エッチングをストップさせたストップ層において、その直上に形成されたドープドポリシリコン層から露出した部分に対してエッチングを施してエッチング除去すると同時に、前記マスク層の前記開口を次の段まで広げるエッチング工程をｎ−１回繰り返し、最後に前記ノズル基板基材を前記犠牲層でエッチングがストップするまでドライエッチングしてノズル孔を形成するノズル孔形成工程と、
前記犠牲層をエッチングにより除去して前記ノズル基板基材を前記成膜基板から剥離する剥離工程と
を有することを特徴とするノズル基板の製造方法。
【請求項２】
前記ノズル基板基材形成工程は、前記ドープドポリシリコン層を成膜する度にアニールする工程を有することを特徴とする請求項１記載のノズル基板の製造方法。
【請求項３】
前記成膜基板は、１０００℃以上の温度に対する耐熱性を有する材質で形成されていることを特徴とする請求項２記載のノズル基板の製造方法。
【請求項４】
前記成膜基板は石英、シリコン及び炭化ケイ素の何れかで構成されていることを特徴とする請求項３記載のノズル基板の製造方法。
【請求項５】
シラン系のガスにホスフィンを添加してＣＶＤを用いて前記ドープドポリシリコン層を成膜することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項６】
前記犠牲層をＳｉＮで構成することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項７】
吐出方向の先端側から後端側に向けて開口断面が段階的に大きくなるｎ段の多段構造のノズル孔を有するノズル基板の製造方法であって、
成膜基板上にリンをドープしたアモルファスシリコン層を成膜した後、前記アモルファスシリコン層上にストップ層を成膜する工程をｎ−１回繰り返し行い、その後、その表面に、リンをドープしたｎ番目のアモルファスシリコン層を成膜してノズル基板基材を形成するノズル基板基材形成工程と、
前記ノズル基板基材上に、表面側から前記ノズル基板基材側に行くに従って開口断面積が段階的に小さくなるｎ段の階段状の開口を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記ノズル基板基材において前記マスク層の前記開口から露出した部分のアモルファスシリコン層を、そのアモルファスシリコン層の直下に形成されたストップ層でエッチングがストップするまで前記ノズル基板基材をドライエッチングし、その後、エッチングをストップさせたストップ層において、その直上に形成されたアモルファスシリコン層から露出した部分に対してエッチングを施してエッチング除去すると同時に、前記マスク層の前記開口を次の段まで広げるエッチング工程をｎ−１回繰り返し、最後に前記ノズル基板基材を前記犠牲層でエッチングがストップするまでドライエッチングしてノズル孔を形成するノズル孔形成工程と、
前記ノズル基板基材を前記成膜基板から剥離する剥離工程と
を有することを特徴とするノズル基板の製造方法。
【請求項８】
前記剥離工程は、前記ノズル基板基材に前記成膜基板側からレーザーを照射する工程であることを特徴とする請求項７記載のノズル基板の製造方法。
【請求項９】
前記成膜基板はホウ珪酸ガラスで構成されていることを特徴とする請求項７又は請求項８記載のノズル基板の製造方法。
【請求項１０】
シラン系のガスにホスフィンを添加してＣＶＤを用いて前記アモルファスシリコン層を成膜することを特徴とする請求項７乃至請求項９の何れかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０の何れかに記載のノズル基板の製造方法から製造されたことを特徴とするノズル基板。
【請求項１２】
前記ノズル基板基材において、前記ノズル孔の吐出口を有する吐出面、前記吐出面と反対側の面及び前記ノズル孔の内壁に吐出液保護膜を有することを特徴とする請求項１１記載のノズル基板。
【請求項１３】
前記ノズル基板基材において前記吐出液保護膜上の前記吐出面全面には撥液膜が形成され、前記ノズル孔の吐出口縁部を境界にしてノズル孔内壁及び前記反対側の面には撥液膜が形成されていないことを特徴とする請求項１２記載のノズル基板。
【請求項１４】
前記撥液膜はフッ素含有有機ケイ素化合物を主成分とすることを特徴とする請求項１３記載のノズル基板。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４の何れかに記載のノズル基板を備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項１６】
液滴を吐出するための複数のノズル孔と、各ノズル孔に連通して設けられて液滴に圧力を加えるための圧力室と、前記圧力室に液滴を供給する液滴供給路と、液滴を吐出するための吐出圧力を前記圧力室に発生させる圧力発生手段とを有する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
前記複数のノズル孔を有するノズル基板を、請求項１乃至請求項１０の何れかに記載のノズル基板の製造方法により製造することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の液滴吐出ヘッドを搭載したことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズル基板の製造方法、ノズル基板、液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載されるインクジェットヘッドが知られている。インクジェットヘッドは、一般に、インク滴を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズルプレートと、このノズルプレートに接合されノズルプレートとの間で上記ノズル孔に連通する吐出室、リザーバ等のインク流路が形成されたキャビティプレートとを備え、駆動部により吐出室に圧力を加えることによりインク滴を選択されたノズル孔より吐出するように構成されている。駆動手段としては、静電気力を利用する方式や、圧電素子による圧電方式、発熱素子を利用するバブルジェット（登録商標）方式等がある。
近年、インクジェットヘッドに対して、印字、画質等の高品位化の要求が一段と強まり、そのため高密度化並びに吐出性能の向上が強く要求されている。このような背景から、インクジェットヘッドのノズル部に関して、従来より様々な工夫、提案がなされている。
【０００３】
インク吐出特性を改善するためには、ノズル孔部での流路抵抗を調整し、ノズル長さが最適な長さになるように基板の厚みを調整することが望ましい。また、ノズル形状を、全体として円筒状のノズル孔とするのではなく、多段構造（径が異なる複数の孔を同一軸上に有し、複数の段差を有する構造（例えば、径を異ならせた第１のノズル部と第２のノズル部とからなる２段ノズル形状））とし、ノズルに加わるインク圧力の方向をノズル軸線方向に揃えることで吐出特性を改善する方法もある。
【０００４】
このように、ノズル形状を多段構造としたり、ノズル長の調整を図るようにしたノズルプレートの製造方法として、Ｓｉ基板の一方の面側からＩＣＰ放電を用いた異方性ドライエッチングを行い、内径の異なる第１のノズル部と第２のノズル部とを形成してノズル孔を２段に形成した後、前記一方の面とは反対側の面より一部分を異方性ウェットエッチングして掘下げ、ノズル長を調整するようにした方法（例えば、特許文献１参照）や、予めＳｉ基板を所望の厚みに研磨した後、Ｓｉ基板の両面にそれぞれドライエッチング加工を施して第１のノズル部及び第２のノズル部を形成する方法がある（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２８８２０号公報
【特許文献２】特開平９−５７９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１，２のように、上記ノズル長の調整を、研削やエッチングなど基板に薄板化加工を施すことにより行った場合、ウェハ面内厚みばらつきやウェハ間の厚みばらつきが発生するため、すなわちノズル長のばらつきが発生するため、吐出性能にばらつきが生じ、ひいては歩留まりを低下させてしまうという課題があった。
【０００７】
また、近年、シリコンウエハを大口径化し、１枚のシリコンウエハから取得できるヘッドチップ個数を増やして低コスト化を図ることが行われているが、例えば８インチウエハのような大きなウエハになると、強度を維持するためにウエハ厚みを厚くする必要がある。この場合、ノズル基板基材として必要な厚さに研削するに際し、研削時間を要し、また、面積が大きくなると面内均一に削るのが難しくなる。その結果、基板厚みにばらつきが生じるという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような点を鑑みなされたもので、多段構造のノズル孔を有するノズル基板を研削等の薄板化加工で形成するのではなく、成膜によって形成することで、板厚・ノズル長さの精度向上が可能なノズル基板の製造方法、ノズル基板、液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、吐出方向の先端側から後端側に向けて開口断面が段階的に大きくなるｎ段（ｎは２以上の自然数）の多段構造のノズル孔を有するノズル基板の製造方法であって、成膜基板上に犠牲層を成膜する犠牲層成膜工程と、犠牲層の上に、リンをドープしたドープドポリシリコン層を成膜した後、ドープドポリシリコン層上にストップ層を成膜する工程をｎ−１回繰り返し行い、その後、その表面に、リンをドープしたｎ番目のドープドポリシリコン層を成膜してノズル基板基材を形成するノズル基板基材形成工程と、ノズル基板基材上に、表面側からノズル基板基材側に行くに従って開口断面積が段階的に小さくなるｎ段の階段状の開口を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、ノズル基板基材においてマスク層の開口から露出した部分のドープドポリシリコン層を、そのドープドポリシリコン層の直下に形成されたストップ層でエッチングがストップするまでノズル基板基材をドライエッチングし、その後、エッチングをストップさせたストップ層において、その直上に形成されたドープドポリシリコン層から露出した部分に対してエッチングを施してエッチング除去すると同時に、マスク層の開口を次の段まで広げるエッチング工程をｎ−１回繰り返し、最後にノズル基板基材を犠牲層でエッチングがストップするまでドライエッチングしてノズル孔を形成するノズル孔形成工程と、犠牲層をエッチングにより除去してノズル基板基材を成膜基板から剥離する剥離工程とを有するものである。
このように、ノズル基板基材を成膜により形成するので、必要な厚みだけ成膜すればよく、研削で板厚を制御する場合に比べて板厚・ノズル長さの精度を向上させることができる。また、ノズル孔の段差となる部分にストップ層を設け、エッチングがストップするようにしたので、ノズル孔の多段構造を高精度且つ容易に形成することができる。
【００１０】
また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、ノズル基板基材形成工程が、ドープドポリシリコン層を成膜する度にアニールする工程を有するものである。
これにより、内部応力を緩和することができ、ノズル基板基材をドーブドポリシリコンの積層構造として形成していくにあたり、反りを防止することができる。
【００１１】
また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、成膜基板が、１０００℃以上の温度に対する耐熱性を有する材質で形成されているものである。
これにより、アニール工程を行うことが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、成膜基板が石英、シリコン及び炭化ケイ素の何れかで構成されているものである。
このように、成膜基板として、石英、シリコン及び炭化ケイ素の何れかを用いることができる。
【００１３】
また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、シラン系のガスにホスフィンを添加してＣＶＤを用いてドープドポリシリコン層を成膜するものである。
これにより、応力を緩和しながらドープドポリシリコン層を形成することができる。
【００１４】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、吐出方向の先端側から後端側に向けて開口断面が段階的に大きくなるｎ段（ｎは２以上の自然数）の多段構造のノズル孔を有するノズル基板の製造方法であって、成膜基板上にリンをドープしたアモルファスシリコン層を成膜した後、アモルファスシリコン層上にストップ層を成膜する工程をｎ−１回繰り返し行い、その後、その表面に、リンをドープしたｎ番目のアモルファスシリコン層を成膜してノズル基板基材を形成するノズル基板基材形成工程と、ノズル基板基材上に、表面側からノズル基板基材側に行くに従って開口断面積が段階的に小さくなるｎ段の階段状の開口を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、ノズル基板基材においてマスク層の開口から露出した部分のアモルファスシリコン層を、そのアモルファスシリコン層の直下に形成されたストップ層でエッチングがストップするまでノズル基板基材をドライエッチングし、その後、エッチングをストップさせたストップ層において、その直上に形成されたアモルファスシリコン層から露出した部分に対してエッチングを施してエッチング除去すると同時に、マスク層の開口を次の段まで広げるエッチング工程をｎ−１回繰り返し、最後にノズル基板基材を犠牲層でエッチングがストップするまでドライエッチングしてノズル孔を形成するノズル孔形成工程と、ノズル基板基材を成膜基板から剥離する剥離工程とを有するものである。
このように、ノズル基板基材を成膜により形成するので、必要な厚みだけ成膜すればよく、研削で板厚を制御する場合に比べて板厚・ノズル長さの精度を向上させることができる。また、ノズル孔の段差となる部分にストップ層を設け、エッチングがストップするようにしたので、ノズル孔の多段構造を高精度且つ容易に形成することができる。
【００１５】
また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、剥離工程が、ノズル基板基材に成膜基板側からレーザーを照射する工程であるものである。
このように、単にレーザー照射するだけで成膜基板からノズル基板基材を剥離することができるので、犠牲層エッチングによる剥離方法に比べて処理時間を短縮でき、大面積基板の剥離も可能である。
【００１６】
また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、成膜基板がホウ珪酸ガラスで構成されているものである。
成膜基板として、一般的に安価なホウ珪酸ガラスを使用することにより、製造コスト低減を図ることが可能となる。
【００１７】
また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、シラン系のガスにホスフィンを添加してＣＶＤを用いてアモルファスシリコン層を成膜するものである。
これにより、応力を緩和しながらアモルファスシリコン層を形成することができる。
【００１８】
また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、犠牲層をＳｉＮで構成するものである。
ＳｉＮは、容易に成膜・剥離が可能である。
【００１９】
また、本発明に係るノズル基板は、上記の何れかのノズル基板の製造方法から製造されたものである。
これにより、板厚・ノズル長さの精度が高く、良好な吐出特性を発揮することが可能なノズル基板を得ることができる。
【００２０】
また、本発明に係るノズル基板は、ノズル基板基材において、ノズル孔の吐出口を有する吐出面、吐出面と反対側の面及びノズル孔の内壁に吐出液保護膜を有するものである。
吐出液が触れる面全てに吐出液保護膜が形成されているため、吐出液に対する耐久性を向上することができる。
【００２１】
また、本発明に係るノズル基板は、ノズル基板基材において吐出液保護膜上の吐出面全面には撥液膜が形成され、ノズル孔の吐出口縁部を境界にしてノズル孔内壁及び前記反対側の面には撥液膜が形成されていないものである。
ノズル孔内壁は親水性であり、吐出面はノズル孔の吐出口縁部まで撥水性なので、吐出面への液滴残留がなく飛行曲がりのない良好な吐出特性を提供できるノズル基板を得ることができる。
【００２２】
また、本発明に係るノズル基板は、撥液膜がフッ素含有有機ケイ素化合物を主成分とするものである。
これにより、撥液性の良いノズル基板とすることができる。
【００２３】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、上記の何れかのノズル基板を備えたものである。
これにより、良好な吐出特性を実現できる液滴吐出ヘッドを得ることができる。
【００２４】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液滴を吐出するための複数のノズル孔と、各ノズル孔に連通して設けられて液滴に圧力を加えるための圧力室と、圧力室に液滴を供給する液滴供給路と、液滴を吐出するための吐出圧力を圧力室に発生させる圧力発生手段とを有する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、複数のノズル孔を有するノズル基板を、上記の何れかのノズル基板の製造方法により製造するものである。
これにより、良好な吐出特性を実現できる液滴吐出ヘッドを製造することができる。
【００２５】
また、本発明に係る液滴吐出装置は、上記の液滴吐出ヘッドを搭載したものである。
これにより、良好な吐出特性を実現できる液滴吐出装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明のノズル基板を備えた液滴吐出ヘッドの一実施の形態について、図面に基づいて説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、静電駆動方式のインクジェットヘッドについて図１〜図３を参照して説明する。なお、本発明は、ノズル形状を除き、以下の図に示す構造、形状に限定されるものではなく、また、フェース吐出型に限らずエッジ吐出型にも適用することができる。さらには、圧力発生手段の駆動方式についても他の異なる駆動方式により液滴を吐出する液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置にも適用できるものである。
【００２７】
図１は本実施形態に係るインクジェットヘッドの概略構成を分解して示す分解斜視図であり、一部を断面で表してある。図２は組立状態における図１の右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図、図３は図２のインクジェットヘッドの上面図である。
【００２８】
本実施形態のインクジェットヘッド１０は、図１及び図２に示すように、複数のノズル孔１１が所定のピッチで設けられたノズル基板１と、各ノズル孔１１に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティ基板２と、キャビティ基板２の振動板２２に対峙して個別電極３１が配設された電極基板３とを貼り合わせることにより構成されている。
【００２９】
ノズル基板１は、ドープドポリシリコン又はアモルファスシリコンから作製されている。ここで、インク滴を吐出するためのノズル孔１１は、インク吐出方向の先端側から後側方向に行くに従って開口断面が段階的に大きくなるｎ段（ｎは２以上の自然数）の多段構造を有している。この例では、開口径が異なる２つの円筒状のノズル孔から形成された２段の多段構造を例示しており、以下、吐出方向の先端側から順に第１のノズル部１１ａ、第２のノズル部１１ｂという。このようにノズル孔１１を多段構造とすることにより、インク液滴の吐出方向をノズル孔１１の中心軸方向に揃えることができ、安定したインク吐出特性を発揮させることができる。すなわち、インク液滴の飛翔方向のばらつきがなくなり、またインク液滴の飛び散りがなく、インク液滴の吐出量のばらつきを抑制することができる。
【００３０】
キャビティ基板２は、例えば面方位が（１１０）の単結晶シリコン基板から作製されている。シリコン基板に異方性ウェットエッチングを施し、インク流路の圧力室２１及びリザーバ２３を構成するための凹部２４、２５が区画形成される。このキャビティ基板２上に上記のノズル基板１が接着接合され、図２に示すようにノズル基板１とキャビティ基板２との間に各ノズル孔１１に連通するインク流路が区画形成される。そして、圧力室２１（凹部２４）の底壁が振動板２２として機能するようになっている。
【００３１】
他方の凹部２５は、液状材料のインクを貯留するためのものであり、各圧力室２１に共通に連通するリザーバ（共通インク室）２３を構成する。そして、リザーバ２３（凹部２５）はそれぞれ細溝状のオリフィス２６を介して各圧力室２１に連通している。また、リザーバ２３の底部には後述する電極基板３を貫通する孔が設けられ、この孔のインク供給孔３４を通じて図示しないインクタンクからインクが供給されるようになっている。なお、オリフィス２６はノズル基板１の裏面、すなわちキャビティ基板２と接合する接合面１ｂ側に形成しても良い。
【００３２】
また、キャビティ基板２の全面もしくは少なくとも電極基板３との対向面には熱酸化法やＴＥＯＳ（Tetraethylorthosilicate Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン、珪酸エチル）を原料ガスとするプラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法により、ＳｉＯ2膜やいわゆるＨｉｇｈ−ｋ材（高誘電率ゲート絶縁膜）等からなる絶縁膜２７が形成されている。この絶縁膜２７は、インクジェットヘッド駆動時における絶縁破壊や短絡を防止する目的で設けられる。
【００３３】
キャビティ基板２の下側に接合される電極基板３は、例えば厚さ約１ｍｍのガラス基板から作製される。電極基板３には、キャビティ基板２の各振動板２２に対向する位置に所望の深さの凹部３２がエッチングで形成されている。さらに、各凹部３２内には、一般に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）からなる個別電極３１が、例えば０．１μｍの厚さでスパッタにより形成される。したがって、振動板２２と個別電極３１との間に所定の間隔をもつギャップ（空隙）が形成される。
【００３４】
個別電極３１は、リード部３１ａと、フレキシブル配線基板（図示せず）に接続される端子部３１ｂとを有する。端子部３１ｂは、配線のためにキャビティ基板２の末端部が開口された電極取り出し部３５内に露出している。
【００３５】
上述のように作製された、ノズル基板１、キャビティ基板２、及び電極基板３を、図２に示すように貼り合わせることによりインクジェットヘッド１０の本体部が作製される。すなわち、キャビティ基板２と電極基板３は陽極接合により接合され、そのキャビティ基板２の上面にノズル基板１が接着により接合される。さらに、振動板２２と個別電極３１との間に形成されるギャップの開放端部はエポキシ系樹脂等による封止材３６で気密に封止される。これにより、湿気や塵埃等がギャップへ侵入するのを防止することができ、インクジェットヘッド１０の信頼性を高く保持することができる。
【００３６】
そして最後に、図２、図３に簡略化して示すように、ドライバＩＣ等の駆動制御回路４０を搭載した前記フレキシブル配線基板（図示せず）が各個別電極３１の端子部３１ｂとキャビティ基板２上に設けられた共通電極２８とに導電性接着剤等を用いて接続される。
以上により、インクジェットヘッド１０が完成する。
【００３７】
次に、以上のように構成されるインクジェットヘッド１０の動作を説明する。
インクは、リザーバ２３からノズル基板１のノズル孔１１の先端に至るまで、各インク流路内に気泡を生じることなく満たされている。
印刷を行う際には、ドライバＩＣ等の駆動制御回路４０によりノズル選択し、振動板２２と個別電極３１との間に所定のパルス電圧を印加すると、静電引力が発生して振動板２２は個別電極３１側へ引き寄せられて撓み、個別電極３１に当接して、圧力室２１内に負圧を発生させる。これにより、リザーバ２３内のインクがオリフィス２６を通じて圧力室２１内に吸引され、インクの振動（メニスカス振動）を発生させる。このインクの振動が略最大となった時点で、電圧を解除すると、振動板２２は個別電極３１から離脱して、その時の振動板２２の復元力によりインクをノズル孔１１から押し出し、インク滴を記録紙（図示せず）に向けて吐出する。
【００３８】
次に、このインクジェットヘッド１０の製造方法について、ここでは主にノズル基板１の製造方法について、図４〜図１０を参照して説明する。
ノズル基板の製造方法として、ここでは２通りの製造方法を説明する。
【００３９】
＜ノズル基板１の製造方法１＞
ノズル基板１の製造方法１は、成膜基板上にドープドポリシリコン層を成膜により形成し、そのドープドポリシリコン層からノズル基板を形成するようにした製造方法である。
【００４０】
図４〜図７は、ノズル基板の製造方法１を示す図である。以下、図４〜図７を参照してノズル基板の製造方法１について説明する。なお、ここでは、図１に示した２段構造のノズル孔を有するノズル基板の製造方法について説明する。
【００４１】
（Ａ）まず、成膜基板１００上に、犠牲層（例えばＳｉＮ膜）１０１を例えば１μｍの厚みでスパッタやＣＶＤを用いて成膜する。なお、成膜基板１００は、後述のアニール工程に耐えられる基板とし、ここでは、１０００℃以上の温度に対する耐熱性を有する材質として例えば石英、Ｓｉ、ＳｉＣが用いられる。また、犠牲層１０１は、ここでは、成膜・剥離が容易なＳｉＮとしたが、ＳｉＮの他に例えば、ＳｉＯ2、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を使用してもよい。
【００４２】
（Ｂ）次に、犠牲層１０１の上に、ノズル基板基材となる、リンをドープした第１のドープドポリシリコン層１０２を減圧ＣＶＤを用いて例えば４０μｍの厚みで成膜する。この第１のドープドポリシリコン層１０２は、第１のノズル部１１ａを形成するための層となるものである。第１のドープドポリシリコン層１０２は、シラン系のガス（ＳｉＨ4）にホスフィン（Ｐｈ3）を添加しながら減圧ＣＶＤを用いて形成する。成膜時のＳｉＨ4流量２００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、温度６００℃〜６５０℃、チャンバー圧力１〜１０Ｐａの条件で成膜する。その後、９００℃〜１０００℃でアニールする。このように、アニールを行うことにより内部応力を緩和することができ、第１のドープドポリシリコン層１０２の反りを防止し、成膜基板１００から剥離するのを防止することができる。
【００４３】
（Ｃ）第１のドープドポリシリコン層１０２上に、ストップ層１０３を成膜する。このストップ層１０３は、後述する第２のドープドポリシリコン層１０４にノズル孔加工を行なう際、加工を停止させる目的で形成される層である。ストップ層１０３は、ここではＳｉＯ2 で構成されており、厚さは例えば数百ｎｍ〜１μｍ程度とする。
以上の（Ｂ）のドープドポリシリコン層の成膜と（Ｃ）のストップ層の成膜は、ノズル孔１１の段数をｎとしたとき、ｎ−１回繰り返す。なお、ここでは、ｎ＝２であるため、（Ｂ）と（Ｃ）の工程を１回だけ行う。
【００４４】
（Ｄ）次に、ストップ層１０３の上に、リンをドープした第２のドープドポリシリコン層１０４を減圧ＣＶＤにより成膜する。この第２のドープドポリシリコン層１０４は、第２のノズル部１１ｂを加工するための層となるものである。第２のドープドポリシリコン層１０４の厚みはノズル長を考慮して決定され、ここでは例えば２０μｍで形成される。また、第１のドープドポリシリコン層１０２と同様の成膜条件で形成される。
以上に形成した第１のドープドポリシリコン層１０２、ストップ層１０３及び第２のドープドポリシリコン層１０４によりノズル基板基材１１０が構成される。
【００４５】
（Ｅ）第２のドープドポリシリコン層１０４の上に、マスク層１０５を形成する。このマスク層１０５は、ノズル基板基材１１０にノズル孔１１を加工するためのエッチングマスクとなるものであり、例えば１μｍの厚みに成膜する。マスク層１０５は、ここではストップ層１０３と同じＳｉＯ2 膜で構成されている。なお、ノズル孔１１の形成の際には、ＲＩＥなどのドライエッチング、ＢＨＦなどのウェットエッチングを用いるため、マスク層１０５としてはＳｉＯ2 膜で構成するのが望ましい。
（Ｆ）マスク層１０５に、フォトリソグラフィーを用いて、ノズル形状を形成するための階段状の開口１０５ａを形成する。すなわち、表面側からノズル基板基材１１０側に行くに従って開口断面積が段階的に小さくなるｎ段（ここではｎ＝２）の階段状の開口１０５ａを形成する。
【００４６】
（Ｇ）ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）によるドライエッチングにより、マスク層１０５の開口部を垂直に異方性ドライエッチングし、第２のドープドポリシリコン層１０４に、ノズル孔１１の第２のノズル部１１ａとなる開口１０４ａを形成する。この際、ストップ層１０３でドライエッチングがストップする。
（Ｈ）ＢＨＦ（Buffered Hydrogen Fluoride:バッファードフッ化水素酸）等のフッ化水素酸（ＨＦ）系のエッチング液でウェットエッチングし、ストップ層１０３を開口する。すなわち、ストップ層１０３において、その直上の第２のドープドポリシリコン層１０４から露呈した部分に対してエッチングが施され、エッチング除去される。このとき、マスク層１０５も同様にエッチングされ、第２のドープドポリシリコン層１０４に達した時点でエッチングがストップする。これにより、マスク層１０５において、第２のドープドポリシリコン層１０４を露呈させている部分の開口が、次の段差部分、すなわち第２のノズル部１１ｂに対応する部分１０５ｂまで広がった状態となる。なお、ここでのウェットエッチングを、ＲＩＥによるドライエッチングに代えて行っても良い。
以上の（Ｇ）のドープドポリシリコン層のドライエッチングと（Ｈ）のストップ層及びマスク層のエッチングは、ノズル孔１１の段数をｎとしたとき、ｎ−１回繰り返す。なお、ここでは、ｎ＝２であるため、（Ｇ）と（Ｈ）の工程を１回だけ行う。
【００４７】
（Ｉ）次に、上記（Ｇ）と同様にＩＣＰによるドライエッチングにより、マスク層１０５の開口部を垂直に異方性ドライエッチングし、第１のノズル部１１ａ及び第２のノズル部１１ｂを形成する。この際、第１のドープドポリシリコン層１０２は犠牲層１０１で、第２のドープドポリシリコン層１０４はストップ層１０３でエッチングがストップする。また、マスク層１０５も上記（Ｇ）又は（Ｈ）の工程と同様にエッチングされる。
（Ｊ）ＢＨＦにて、最表面のマスク層１０５をウェットエッチングにより除去する。
【００４８】
ここで、マスク層１０５は、上記（Ｇ）〜（Ｉ）の各工程で説明したように、ドライエッチングやウェットエッチングの際に、エッチングされて徐々に薄くなる。このため、マスクとして機能すべきときに第２のドープドポリシリコン層１０４の表面を露出してしまうことのないように、マスク層１０５の各段の厚みが設定されているものとする。
【００４９】
（Ｋ）ノズル基板基材１１０の表面に、例えばＳｉＯ2 膜を耐インク膜（吐出液保護膜）１０６としてＣＶＤやスパッタにより形成する。
（Ｌ）そして、第２のドープドポリシリコン層１０４の表面、すなわちノズル基板基材１１０においてキャビティ基板２と接合される側の面（接合面）１１０ａに、両面接着シート５０を介して、ガラス等の透明材料よりなる支持基板１２０を貼り付ける。この両面接着シート５０は、ＵＶ発泡性自己剥離層５１を備えたシート（自己剥離型シート）で、その両面には接着面を有し、その一方の面にはさらに自己剥離層５１を備え、この自己剥離層５１は紫外線または熱などの刺激によって接着力が低下するようになっている。
このように、両面接着シート５０の接着面のみよりなる面５０ａを支持基板１２０の面と向かい合わせ、両面接着シート５０の自己剥離層５１を備えた側の面５０ｂを第２のドープドポリシリコン層１０４の表面と向かい合わせ、これらの面を減圧環境下（１０Ｐａ以下）、例えば真空中で貼り合わせる。こうすることによって、接着界面に気泡が残らず、きれいな接着が可能になる。また、第２のドープドポリシリコン層１０４と支持基板１２０を両面接着シート５０を介して貼り合わせるだけでよいので、第２のドープドポリシリコン層１０４から両面接着シート５０を分離する際に第２のドープドポリシリコン層１０４に割れや欠けが生じることがない。
【００５０】
なお、上記の説明では両面接着シート５０の一方の面５０ｂにのみ自己剥離層５１を備えている場合を示したが、自己剥離層５１は両面接着シート５０の両方の面５０ａ、５０ｂに設けたものであってもよい。
【００５１】
（Ｍ）次に、熱燐酸にて犠牲層１０１をウェットエッチングし、ノズル基板基材１１０を成膜基板１００から剥離する。
このようにノズル基板基材１１０を成膜基板１００から剥離するに際し、犠牲層１０１をウェットエッチングすれば良いため、すなわち、基板全体をエッチング液に浸漬すれば良いため、容易且つ低コスト（複数ウエハをまとめて処理できるため）で行うことができる。
（Ｎ）ノズル基板基材１１０のインク吐出側の面（吐出面）１１０ｂに、スパッタ装置で例えばＳｉＯ2 膜を耐インク膜（吐出液保護膜）１０７として形成する。ここで、耐インク膜１０７の形成は、両面接着シート５０が劣化しない温度（２００℃程度）以下で実施できればよく、スパッタリング法に限るものではない。ただし、耐インク性等を考慮すると緻密な膜を成膜する必要があり、ＥＣＲスパッタ装置等の常温で緻密な膜を成膜できる装置を使用することが望ましい。
（Ｏ）次に、ノズル基板基材１１０の吐出面１１０ｂにさらに撥インク処理を施す。この場合、フッ素含有有機ケイ素化合物を主成分とする撥インク性を持った材料を蒸着やディッピングで成膜し、撥インク膜（撥液膜）１０８を形成する。このとき、第１のノズル部１１ａ及び第２のノズル部１１ｂの内壁も、撥インク処理される。フッ素含有有機ケイ素化合物を主成分とする材料は、撥インク性が良く、ディッピングで簡単に成膜可能な利点を有している。
【００５２】
（Ｐ）次に、撥インク処理された吐出面１１０ｂに、ダイシングテープ６０をサポートテープとして貼り付ける。
（Ｑ）次に、支持基板１２０側からＵＶ光を照射する。
（Ｒ）こうして、両面接着シート５０の自己剥離層５１をノズル基板基材１１０の接合面１１０ａから剥離させ、支持基板１２０をノズル基板基材１１０から取り外す。
（Ｓ）次に、ＡｒスパッタもしくはＯ2 プラズマ処理によって、ノズル基板基材１１０の接合面１１０ａ側及び第１のノズル部１１ａ、第２のノズル部１１ｂの内壁に余分に形成された撥インク膜１０８を除去する。
これにより、吐出面１１０ｂ全面には撥インク膜１０８が形成され、ノズル孔１１の吐出口縁部を境界にしてノズル孔内壁には撥インク膜１０８が形成されていない状態となる。すなわち、ノズル孔内壁は親水性であり、吐出面１１０ｂはノズル孔１１の吐出口縁部まで撥液性なので、吐出面１１０ｂへのインク残留が無く飛行曲がりのない良好な吐出特性を得ることが可能となる。
【００５３】
（Ｔ）次に、ノズル基板基材１１０の接合面１１０ａ（ダイシングテープ６０が貼り付けられている吐出面１１０ｂと反対側に位置する面）を吸着治具７０に吸着固定し、吐出面１１０ｂにサポートテープとして貼り付けられているダイシングテープ６０を剥離する。
【００５４】
（Ｕ）最後に、吸着治具７０の吸着固定を解除して、ノズル基板基材１１０から構成されたノズル基板１を回収する。
【００５５】
＜ノズル基板１の製造方法２＞
ノズル基板１の製造方法２は、成膜基板上にアモルファスシリコン層を成膜により形成し、そのアモルファスシリコン層からノズル基板を形成するようにした製造方法である。
【００５６】
図８〜図１０は、ノズル基板の製造方法２を示す図である。以下、図８〜図１０を参照してノズル基板の製造方法２について説明する。なお、ここでは、図１に示した２段構造のノズル孔を有するノズル基板の製造方法について説明する。
【００５７】
（Ａ）まず、成膜基板２００上に、ノズル基板基材となる、リンをドープした第１のアモルファスシリコン層２０１を減圧ＣＶＤを用いて例えば４０μｍの厚みで成膜する。なお、第１のアモルファスシリコン層２０１は、低温（例えば５００℃）での成膜が可能であるため、成膜基板２００には、例えば安価なホウ珪酸ガラス（耐熱温度例えば７００℃）を用いることができる。なお、石英等を用いても良い。第１のアモルファスシリコン層２０１は、シラン系のガス（Ｓｉ2Ｈ6）にホスフィンを添加しながら減圧ＣＶＤを用いて形成する。成膜時のＳｉＨ4流量３００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、温度５００℃〜５５０℃、チャンバー圧力１〜１０Ｐａの条件で成膜する。
【００５８】
（Ｂ）次に、第１のアモルファスシリコン層２０１の上に、ストップ層２０２を成膜する。このストップ層２０２は、後述する第２のアモルファスシリコン層２０３にノズル孔加工を行なう際、加工を停止させる目的で形成される層である。ストップ層２０２は、ここではＳｉＯ2 で構成されており、厚さは例えば数百ｎｍ〜１μｍ程度とする。
以上の（Ａ）のドープドポリシリコン層の成膜と（Ｂ）のストップ層の成膜は、ノズル孔１１の段数をｎとしたとき、ｎ−１回繰り返す。なお、ここでは、ｎ＝２であるため、（Ａ）と（Ｂ）の工程を１回だけ行う。
【００５９】
（Ｃ）次に、ストップ層２０２の上に、リンをドープした第２のアモルファスシリコン層２０３を減圧ＣＶＤにより成膜する。この第２のアモルファスシリコン層２０３は、第２のノズル部１１ｂを加工するための層となるものである。第２のアモルファスシリコン層２０３の厚みはノズル長を考慮して決定され、ここでは例えば２０μｍで形成される。また、第１のアモルファスシリコン層２０１と同様の成膜条件で形成される。
以上に形成した第１のアモルファスシリコン層２０１、ストップ層２０２及び第２のアモルファスシリコン層２０３によりノズル基板基材２１０が構成される。
【００６０】
（Ｄ）第２のアモルファスシリコン層２０３の上に、マスク層２０４を形成する。このマスク層２０４は、ノズル基板基材２１０にノズル孔１１を加工するためのエッチングマスクとなるものであり、例えば１μｍの厚みに成膜する。マスク層２０４は、ここではストップ層１０３と同じＳｉＯ2 膜で構成されている。なお、ノズル孔１１の形成の際には、ＲＩＥなどのドライエッチング、ＢＨＦなどのウェットエッチングを行うため、マスク層２０４はＳｉＯ2 膜で構成するのが望ましい。
（Ｅ）マスク層２０４に、フォトリソグラフィーを用いて、ノズル形状を形成するための階段状の開口２０４ａを形成する。すなわち、表面側からノズル基板基材２１０側に行くに従って開口断面積が段階的に小さくなるｎ段（ここではｎ＝２）の階段状の開口２０４ａを形成する。
【００６１】
（Ｆ）ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）によるドライエッチングにより、マスク層２０４の開口部を垂直に異方性ドライエッチングし、第２のアモルファスシリコン層２０３に、ノズル孔１１の第２のノズル部１１ａとなる開口２０３ａを形成する。このとき、マスク層２０４も同様にエッチングされる。この際、ストップ層２０２でドライエッチングがストップする。
（Ｇ）ＢＨＦ（Buffered Hydrogen Fluoride:バッファードフッ化水素酸）等のフッ化水素酸（ＨＦ）系のエッチング液でウェットエッチングし、ストップ層２０２を開口する。すなわち、ストップ層２０２において、その上の第２のアモルファスシリコン層２０３から露呈した部分に対してエッチングが施され、エッチング除去される。このとき、マスク層２０４も同様にエッチングされ、第２のアモルファスシリコン層２０３に達した時点でエッチングがストップする。これにより、マスク層２０４において、第２のアモルファスシリコン層２０３を露呈させている部分の開口が、次の段差部分、すなわち第２のノズル部１１ｂに対応する部分２０４ｂまで広がった状態となる。なお、ここでのウェットエッチングを、ＲＩＥによるドライエッチングで行っても良い。
以上の（Ｆ）のドープドポリシリコン層のドライエッチングと（Ｇ）のストップ層のエッチングは、ノズル孔１１の段数をｎとしたとき、ｎ−１回繰り返す。なお、ここでは、ｎ＝２であるため、（Ｆ）と（Ｇ）の工程を１回だけ行う。
【００６２】
（Ｈ）次に、上記（Ｆ）と同様にＩＣＰによるドライエッチングにより、マスク層２０４の開口部を垂直に異方性ドライエッチングし、第１のノズル部１１ａ及び第２のノズル部１１ｂを形成する。この際、第１のアモルファスシリコン層２０１は成膜基板２００で、第２のアモルファスシリコン層２０３はストップ層２０２でエッチングがストップする。また、マスク層２０４も上記（Ｆ）又は（Ｇ）の工程と同様にエッチングされる。
（Ｉ）ＢＨＦにて、最表面のマスク層２０４をウェットエッチングにより除去する。
【００６３】
ここで、マスク層２０４は、上記（Ｆ）〜（Ｈ）の各工程で説明したように、ドライエッチングやウェットエッチングの際に、エッチングされて徐々に薄くなる。このため、マスクとして機能すべきときに第２のアモルファスシリコン層２０３の表面を露出してしまうことのないように、マスク層２０４の各段の厚みが設定されているものとする。
【００６４】
（Ｊ）ノズル基板基材２１０の表面に、例えばＳｉＯ2 膜を耐インク膜（吐出液保護膜）２０５としてＣＶＤやスパッタにより形成する。
（Ｋ）そして、第２のアモルファスシリコン層２０３の表面に、すなわちノズル基板基材２１０においてキャビティ基板２と接合される側の面（接合面）２１０ａに両面接着シート５０を介して、ガラス等の透明材料よりなる支持基板１２０を貼り付ける。この両面接着シート５０は、ＵＶ発泡性自己剥離層５１を備えたシート（自己剥離型シート）で、その両面には接着面を有し、その一方の面にはさらに自己剥離層５１を備え、この自己剥離層５１は紫外線または熱などの刺激によって接着力が低下するようになっている。
このように、両面接着シート５０の接着面のみよりなる面５０ａを支持基板１２０の面と向かい合わせ、両面接着シート５０の自己剥離層５１を備えた側の面５０ｂを第２のアモルファスシリコン層２０３の表面と向かい合わせ、これらの面を減圧環境下（１０Ｐａ以下）、例えば真空中で貼り合わせる。こうすることによって、接着界面に気泡が残らず、きれいな接着が可能になる。また、第２のアモルファスシリコン層２０３と支持基板１２０を両面接着シート５０を介して貼り合わせるだけでよいので、第２のアモルファスシリコン層２０３から両面接着シート５０を分離する際に第２のアモルファスシリコン層２０３に割れや欠けが生じることがない。
【００６５】
なお、上記の説明では両面接着シート５０の一方の面５０ｂにのみ自己剥離層５１を備えている場合を示したが、自己剥離層５１は両面接着シート５０の両方の面５０ａ、５０ｂに設けたものであってもよい。
【００６６】
そして、支持基板１２０側からノズル基板基材２１０に向けてレーザー光を照射する。（Ｌ）これにより、ノズル基板基材２１０の第１のアモルファスシリコン層２０１の一部がポリシリコン化し、ノズル基板基材２１０が成膜基板２００から剥離される。
このように、ノズル基板の製造方法２では、ノズル基板基材２１０を成膜基板２００から剥離する際、単にレーザーを照射するだけでよいため、上記の製造方法１に比べて次のような利点がある。すなわち、上記の製造方法１では、ウェットエッチングを用いているため、成膜基板１００、耐インク膜１０６，１０７及び支持基板１２０に耐エッチング性を有する材質が求められ、また、エッチングに長時間を要するものであった。しかしながら、ノズル基板の製造方法２では、エッチング液を用いないため、上記各部材（成膜基板１００、耐インク膜１０６，１０７及び支持基板１２０）の材料選択自由度が向上する。
【００６７】
支持基板１２０の剥離後は、上記の製造方法１の（Ｎ）〜（Ｕ）の工程を行い、ノズル基板１を得る。
【００６８】
次に、上記の製造方法１及び２の方法で製造したノズル基板１の接合面に、キャビティ基板２の接合面を貼り合せる（接合工程は図示せず）。
以上の工程を経ることにより、ノズル基板１とキャビティ基板２の接合体を形成する。
【００６９】
その後、ノズル基板１とキャビティ基板２からなる接合体において、キャビティ基板２の他の接合面に電極基板３の接合面を貼り付ける（接合工程は図示せず）。
以上の工程を経ることにより、ノズル基板１、キャビティ基板２及び電極基板３の接合体を形成し、インクジェットヘッド１０を完成する。
【００７０】
本実施の形態に係るノズル基板の製造方法によれば、以下のような効果がある。
＜製造方法１及び製造方法２に共通の効果＞
（１）ノズル基板を成膜により形成するので、必要な厚みだけ（例えば５０μｍから７０μｍ）成膜すれば良い。
（２）ノズル基板の板厚が成膜による膜厚で決定するので、研削で板厚を制御する場合に比べて板厚・ノズル長さの精度が向上する。なお、研削による板厚精度はミクロンオーダであるのに対し、成膜の場合はサブミクロンオーダで可能であり、一桁、高精度に板厚制御が可能である。
（３）ノズル孔１１の段差となる部分にストップ層１０３，２０２を設け、エッチングがストップするようにしたので、ノズル孔１１の多段構造を高精度且つ容易に形成することができる。
（４）リンをドープすることで、応力を緩和しながらドープドポリシリコン又はアモルファスシリコンを成膜することができ、ノズル基板を構成するのに十分な膜厚に成膜することができる。
（５）第１のノズル部１１ａを形成するに際し、犠牲層１０１又は成膜基板２００でエッチングがストップするので、従来の研削による薄板化で発生していた、吐出側ノズルエッジ部分のチッピング等が無く、ノズル形状及びノズル長を高精度に構成できる。
（６）研削工程が無いため、ノズル孔内への異物詰まりが無く、洗浄工程を省略することができる。また、異物による歩留まりの低下も防止できる。
（７）ノズル基板にドープドポリシリコン又はアモルファスシリコンを用いているため、単結晶シリコンを用いる場合に比べて安価に製造することができる。
【００７１】
（８）吐出液が触れる面全てに吐出液保護膜が形成されているため、吐出液に対する耐久性を向上することができる。
（９）ノズル孔内壁は親水性であり、吐出面はノズル孔の吐出口縁部まで撥水性なので、吐出面への液滴残留がなく飛行曲がりのない良好な吐出特性を得ることができる。
【００７２】
＜製造方法１の特有の効果＞
（１）アニール工程を行うことで、第１のドープドポリシリコン層１０２，第２のドープドポリシリコン層１０４における内部応力を緩和することができ、これらの各ドープドポリシリコン層１０２，１０４の反りを防止することができる。
（２）ノズル基板基材１１０を成膜基板１００から剥離する際には、犠牲層１０１をウェットエッチングすれば良いため、すなわち、基板全体をエッチング液に浸漬すれば良いため、容易且つ低コスト（複数ウエハをまとめて処理できるため）で行うことができる。
（３）成膜基板１００として用いられる石英は高価であるため、繰り返し再使用することが望まれているが、ノズル基板基材１１０との剥離に犠牲層１０１のウェットエッチングを用いているので、成膜基板１００のダメージを抑えることができ、再使用に供することが可能となる。
【００７３】
＜製造方法２の特有の効果＞
（１）減圧ＣＶＤにより低温成膜が可能であるため、成膜基板に、高価な石英ではなく、安価なホウ珪酸ガラスを用いることができる。
（２）ノズル基板基材２１０の第１のアモルファスシリコン層２０１を成膜基板２００から剥離するのにレーザー照射を用いるので、製造方法１の犠牲層１０１エッチングによる剥離方法に比べて処理時間を短縮でき、大面積基板の剥離も可能である。また、エッチング液を用いないので、成膜基板１００や耐インク膜１０８、及び撥水処理工程での支持基板１２０の材料選択自由度が向上する。
【００７４】
上記の実施形態では、マスク層とストップ層とを同じ素材（ＳｉＯ2）で形成した例を示したが、これに限られたものではなく、マスク層をＳｉＯ2、ストップ層をＳＩＮ、そして、犠牲層を金属膜（例えばクロム）としても良い。
【００７５】
上記の実施形態では、ノズル基板及びインクジェットヘッド、ならびにこれらの製造方法について述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものでなく、本発明の思想の範囲内で種々変更することができる。例えば、ノズル孔より吐出される液状材料を変更することにより、図１１に示すインクジェットプリンタ３００のほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）及び液滴吐出装置に、本実施の形態のノズル基板の製造方法で製造されたノズル基板を搭載することにより、良好な吐出特性を実現できる液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施形態に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】組立状態における図１の右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの部分断面図。
【図３】図２のインクジェットヘッドの上面図。
【図４】ノズル基板の製造工程１を示す部分断面図。
【図５】図４に続く製造工程を示す部分断面図。
【図６】図５に続く製造工程を示す部分断面図。
【図７】図６に続く製造工程を示す部分断面図。
【図８】ノズル基板の製造工程２を示す部分断面図。
【図９】図８に続く製造工程を示す部分断面図。
【図１０】図９に続く製造工程を示す部分断面図。
【図１１】本発明の一実施の形態に係るインクジェットヘッドを使用したインクジェットプリンタの斜視図。
【符号の説明】
【００７７】
１  ノズル基板、２  キャビティ基板、１０  インクジェットヘッド、１１  ノズル孔、２１  圧力室、２２  振動板、２３  リザーバ、２８  共通電極、３１  個別電極、１００  成膜基板、１０１  犠牲層、１０２  第１のドープドポリシリコン層、１０３  ストップ層、１０４  第２のドープドポリシリコン層、１０５  マスク層、１０５ａ  開口、１０６  耐インク膜（吐出液保護膜）、１０７、耐インク膜（吐出液保護膜）、１０８  撥インク膜（撥液膜）、１１０  ノズル基板基材、１１０ａ  接合面、１１０ｂ  吐出面、１２０  支持基板、２００  成膜基板、２０１  第１のアモルファスシリコン層、２０２  ストップ層、２０３  第２のアモルファスシリコン層、２０４  マスク層、２０４ａ  開口、２１０  ノズル基板基材、３００  インクジェットプリンタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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