(57)【要約】【課題】液滴サイズや着弾精度の均一性を向上させた液滴吐出装置、及び該液滴吐出装置を用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】キャビティに貯留された導電性インクの温度を検出する温度センサと、導電性インクの温度と、該温度を目標温度にするステート数とを関連付けて温度をステート数へ変換する温度変換データＴＣＤを記憶するＲＯＭ３６と、温度センサの検出結果を受けて温度変換データＴＣＤに基づくステート数を得るための吐出制御データＳＩを生成し、吐出制御データＳＩを用いて圧電素子を駆動することによりフラッシング処理を実行する制御装置３０とを有した。【選択図】図４
2009119428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状体を液滴にして吐出するノズルと、
前記ノズルに連結されて前記液状体を貯留するキャビティと、
所定温度の前記液状体を前記キャビティへ供給する供給部と、
前記キャビティに圧力を発生させる圧力発生素子とを有した液滴吐出装置であって、
前記ノズルにおける前記液状体の温度を検出するセンサと、
前記ノズルから吐出されることにより前記ノズルにおける前記液状体の温度を目標温度
にする前記液状体の吐出量と、前記液状体の温度とを関連付けた変換データを記憶する記
憶手段と、
前記センサの検出結果を前記変換データに基づく吐出量へ変換し、前記圧力発生素子を
駆動することによって該吐出量に相当する液状体をフラッシング領域へ吐出させる制御手
段とを有したことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出装置であって、
所定温度に加熱された対象物と前記フラッシング領域との間で前記ノズルを相対移動さ
せる移動手段を有し、
前記制御手段は、前記移動手段を駆動して前記フラッシング領域への吐出と、前記対象
物への吐出とを繰り返し実行することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液滴吐出装置であって、
前記吐出量は、前記フラッシング領域へ吐出する前記液滴の数量と前記液滴の重量の少
なくともいずれか一方であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項４】
所定温度の液状体をキャビティへ供給するとともに、前記キャビティに連結されたノズ
ルから前記液状体を液滴にして対象物へ吐出することにより前記対象物にパターンを形成
するパターン形成方法であって、
前記対象物へ前記液滴を吐出する前に、前記ノズルにおける前記液状体の温度を検出し
、前記ノズルから吐出されることにより前記ノズルにおける前記液状体の温度を目標温度
にする前記液状体の吐出量と、前記液状体の温度とを関連付けた変換データを用いて検出
結果を吐出量へ変換し、該吐出量に相当する前記液状体をフラッシング領域へ吐出するこ
とを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載のパターン形成方法であって、
前記対象物を所定温度に加熱し、前記対象物へ前記液滴を吐出するたびに、前記ノズル
における前記液状体の温度を検出して前記変換データを用いて検出結果を吐出量へ変換し
、該吐出量に相当する前記液状体を前記フラッシング領域へ吐出することを特徴とするパ
ターン形成方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のパターン形成方法であって、
前記吐出量は、前記フラッシング領域へ吐出する前記液滴の数量と前記液滴の重量の少
なくともいずれか一方であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
所定温度の導電性インクをキャビティへ供給するとともに、前記キャビティに連結され
たノズルから前記導電性インクを液滴にしてグリーンシートへ吐出することにより前記グ
リーンシートにパターンを形成する工程と、
前記パターンを有した複数の前記グリーンシートを積層して焼成することによりセラミ
ック多層基板を形成する工程とを有したセラミック多層基板の製造方法であって、
前記パターンを形成する工程は、
前記グリーンシートへ前記液滴を吐出する前に、前記ノズルにおける前記導電性インク
の温度を検出し、前記ノズルから吐出されることにより前記ノズルにおける前記導電性イ
ンクの温度を目標温度にする前記導電性インクの吐出量と、前記導電性インクの温度とを
関連付けた変換データを用いて検出結果を吐出量へ変換し、該吐出量に相当する前記導電
性インクをフラッシング領域へ吐出することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法
。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置、パターン形成方法、及びセラミック多層基板の製造方法に関
する。
【背景技術】
【０００２】
低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）技術は、グリ
ーンシートと金属との一括焼成を可能にすることから、セラミックの層間に各種の受動素
子を組み込んだ素子内蔵基板を具現できる。システム・オン・パッケージ（ＳＯＰ）の実
装技術においては、電子部品の複合化や表面実装部品に発生する寄生効果の最小化を図る
ため、この素子内蔵基板（以下単に、ＬＴＣＣ多層基板という。）に関わる製造方法が鋭
意開発されている。
【０００３】
ＬＴＣＣ多層基板の製造方法では、複数のグリーンシートの各々に受動素子や配線等の
パターンを描画する描画工程と、該パターンを有する複数のグリーンシートを積層して圧
着する圧着工程と、圧着体を一括焼成する焼成工程とが順に実施される。
【０００４】
描画工程には、各種パターンの高密度化を図るため、導電性インクを微小な液滴にして
吐出する、いわゆるインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１）。インク
ジェット法は、数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴を用い、該液滴の吐出位置の変
更によってパターンの微細化や狭ピッチ化を可能にする。
【特許文献１】特開２００５−５７１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
グリーンシートに着弾した微小な液滴は、グリーンシートの表面状態や導電性インクの
表面張力に従ってグリーンシートの表面で濡れ広がる。着弾した液滴の濡れ広がりは、パ
ターンの加工精度を低下させることから、パターンの微細化や狭ピッチ化に対して大きな
妨げとなる。そこで、インクジェット法では、グリーンシートを予め加熱し、着弾時にお
ける液滴の乾燥促進を図ることによって、濡れ広がりを抑制させる方法が検討されている
。
【０００６】
一方、インクジェット法においては、液滴の着弾精度を確保するために、一般的に、ノ
ズルとグリーンシートとの間の距離を１ｍｍ以下に設定する。加熱したグリーンシートか
らの熱は、ノズルとグリーンシートとの間の距離が狭いため、ノズル内の導電性インクへ
容易に伝達し、導電性インクの温度を大きく変動させてしまう。この結果、上記インクジ
ェット法では、導電性インクの粘度が変動することから、液滴サイズのバラツキや着弾精
度の劣化を招いてしまう。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴サイズや
着弾精度の均一性を向上させた液滴吐出装置、該液滴吐出装置を用いるパターン形成方法
、及びセラミック多層基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液滴吐出装置は、液状体を液滴にして吐出するノズルと、前記ノズルに連結さ
れて前記液状体を貯留するキャビティと、所定温度の前記液状体を前記キャビティへ供給
する供給部と、前記キャビティに圧力を発生させる圧力発生素子とを有した液滴吐出装置
であって、前記ノズルにおける前記液状体の温度を検出するセンサと、前記ノズルから吐
出されることにより前記ノズルにおける前記液状体の温度を目標温度にする前記液状体の
吐出量と、前記液状体の温度とを関連付けた変換データを記憶する記憶手段と、前記セン
サの検出結果を前記変換データに基づく吐出量へ変換し、前記圧力発生素子を駆動するこ
とによって該吐出量に相当する液状体をフラッシング領域へ吐出させる制御手段とを有し
た。
【０００９】
本発明の液滴吐出装置によれば、ノズルにおける液状体の温度は、フラッシング領域へ
吐出する液状体の熱量によって、目標温度に調整される。したがって、本発明の液滴吐出
装置は、フラッシング処理後の液状体に関して、その粘度の安定化を図ることができ、ひ
いては液滴サイズや着弾精度の均一性を向上できる。
【００１０】
この液滴吐出装置は、所定温度に加熱された対象物と前記フラッシング領域との間で前
記ノズルを相対移動させる移動手段を有し、前記制御手段は、前記移動手段を駆動して前
記フラッシング領域への吐出と、前記対象物への吐出とを繰り返し実行する構成であって
も良い。
【００１１】
この液滴吐出装置によれば、対象物の側から供給される熱量は、フラッシング時に吐出
される液状体の排熱によって相殺される。したがって、この液滴吐出装置は、対象物の加
熱状態に関わらず、液滴サイズや着弾精度の均一性を向上できる。
【００１２】
この液滴吐出装置は、前記吐出量が、前記フラッシング領域へ吐出する前記液滴の数量
と前記液滴の重量の少なくともいずれか一方である構成が好ましい。
この液滴吐出装置によれば、フラッシング領域の吐出量が液滴の単位で選択される。し
たがって、この液滴吐出装置は、フラッシング処理後の液状体に関して、その粘度を、よ
り高い精度の下で調整できる。
【００１３】
本発明のパターン形成方法は、所定温度の液状体をキャビティへ供給するとともに、前
記キャビティに連結されたノズルから前記液状体を液滴にして対象物へ吐出することによ
り前記対象物にパターンを形成するパターン形成方法であって、前記対象物へ前記液滴を
吐出する前に、前記ノズルにおける前記液状体の温度を検出し、前記ノズルから吐出され
ることにより前記ノズルにおける前記液状体の温度を目標温度にする前記液状体の吐出量
と、前記液状体の温度とを関連付けた変換データを用いて検出結果を吐出量へ変換し、該
吐出量に相当する前記液状体をフラッシング領域へ吐出する構成であっても良い。
【００１４】
本発明のパターン形成方法によれば、ノズルへ供給される液状体の温度は、フラッシン
グ領域へ吐出する液状体の熱量によって、目標温度に調整される。したがって、本発明の
パターン形成方法は、フラッシング処理後の液状体に関して、その粘度の安定化を図るこ
とができ、ひいては液滴サイズや着弾精度の均一性を向上できる。
【００１５】
このパターン形成方法は、前記対象物を所定温度に加熱し、前記対象物へ前記液滴を吐
出するたびに、前記ノズルにおける前記液状体の温度を検出して前記変換データを用いて
検出結果を吐出量へ変換し、該吐出量に相当する前記液状体を前記フラッシング領域へ吐
出する構成であっても良い。
【００１６】
このパターン形成方法によれば、対象物の側から供給される熱量は、フラッシング時に
吐出する液状体の熱量によって相殺される。したがって、このパターン形成方法は、対象
物の加熱状態に関わらず、液滴サイズや着弾精度の均一性を向上できる。
【００１７】
このパターン形成方法は、前記吐出量が、前記フラッシング領域へ吐出する前記液滴の
数量と前記液滴の重量の少なくともいずれか一方である構成が好ましい。
このパターン形成方法によれば、フラッシング領域への吐出量が液滴の単位で選択でき
る。したがって、このパターン形成方法は、フラッシング処理後の液状体に関して、その
粘度を、より高い精度の下で調整できる。
【００１８】
本発明のセラミック多層基板の製造方法は、所定温度の導電性インクをキャビティへ供
給するとともに、前記キャビティに連結されたノズルから前記導電性インクを液滴にして
グリーンシートへ吐出することにより前記グリーンシートにパターンを形成する工程と、
前記パターンを有した複数の前記グリーンシートを積層して焼成することによりセラミッ
ク多層基板を形成する工程とを有したセラミック多層基板の製造方法であって、前記パタ
ーンを形成する工程が、前記グリーンシートへ前記液滴を吐出する前に、前記ノズルへ供
給される前記導電性インクの温度を検出し、前記ノズルから吐出されることによって前記
ノズルへ供給される前記導電性インクの温度が目標温度になる前記導電性インクの吐出量
と、前記導電性インクの温度とを関連付けた変換データを用いて検出結果を吐出量へ変換
し、該吐出量に相当する前記導電性インクをフラッシング領域へ吐出させる。
【００１９】
本発明のセラミック多層基板の製造方法によれば、キャビティ内の導電性インクの温度
は、フラッシング領域へ吐出する導電性インクの熱量によって、目標温度に調整される。
したがって、本発明のセラミック多層基板の製造方法は、フラッシング処理後の導電性イ
ンクに関して、その粘度の安定化を図ることができ、ひいては液滴サイズや着弾精度の均
一性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第一実施形態）
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図１〜図５に従って説明する。まず、液滴吐
出装置１０について説明する。図１は液滴吐出装置を模式的に示す全体斜視図であり、図
２は液滴吐出ヘッド１５を下側から見た図である。図３（ａ）は、図２のＡ−Ａ断面図で
あり、図３（ｂ）はステージ１２を示す平面図である。
【００２１】
図１において、液滴吐出装置１０の基台１１には、基台１１の長手方向に沿って往復移
動可能なステージ１２が搭載されている。本実施形態では、基台１１の長手方向であって
図１における左上方向を＋Ｙ方向とし、＋Ｙ方向の反対方向を−Ｙ方向と言う。また、＋
Ｙ方向と直交する水平方向であって、図１における右上方向を＋Ｘ方向とし、＋Ｘ方向の
反対方向を−Ｘ方向と言う。また、鉛直方向下方を−Ｚ方向とし、−Ｚ方向の反対方向を
＋Ｚ方向と言う。
【００２２】
基台１１に搭載されるステージ１２の上面には、グリーンシートＧＳを載置するための
載置領域ＡＰが区画形成されている。ステージ１２の載置領域ＡＰは、吐出面ＧＳａを上
側にした状態でグリーンシートＧＳを載置し、該グリーンシートＧＳをステージ１２に位
置決め固定する。ステージ１２は、基台１１に設けられたステージモータＭ１（図４参照
）が正転又は逆転するとき、位置決めしたグリーンシートＧＳを所定速度で＋Ｙ方向又は
−Ｙ方向へ走査する。ステージ１２の載置領域ＡＰには、グリーンシートＧＳを加熱する
ためのヒータＨが設けられている。載置領域ＡＰにグリーンシートＧＳが位置決めされる
とき、ヒータＨは、所定の駆動信号を受け、グリーンシートＧＳを所定温度（例えば、６
０℃）に加熱する。
【００２３】
載置領域ＡＰの＋Ｙ方向及び−Ｙ方向には、それぞれ載置領域ＡＰの＋Ｘ方向全幅にわ
たって帯状に広がる一対のフラッシング領域ＡＦが区画形成されている。各フラッシング
領域ＡＦには、それぞれ導電性インクＩｋを吸収するための多孔質材からなる吸収材Ｂが
充填されている。フラッシング領域ＡＦは、導電性インクＩｋがフラッシング領域ＡＦへ
吐出されるとき、吐出された導電性インクＩｋを吸収材Ｂに吸収させる。
【００２４】
グリーンシートＧＳは、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired C
eramics ）基板の前駆体であるガラスセラミック粉末やバインダ等を含むガラスセラミッ
ク材料からなるシートである。吐出面ＧＳａに導電性インクＩｋを有した複数のグリーン
シートＧＳは、導電性インクＩｋと共に一括焼成されることによって、配線パターンや受
動素子等の導電性のパターンを有したセラミック多層基板を形成する。
【００２５】
基台１１の上側には、門型に形成されたガイド部材１３が＋Ｘ方向に沿って架設されて
いる。ガイド部材１３の上側には、導電性インクＩｋを供給するインクタンク１４が配設
されている。インクタンク１４に貯留される導電性インクＩｋは、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒
径を有する金、銀、銅、白金等の導電性微粒子を分散媒に分散させた導電性微粒子の分散
系である。インクタンク１４は、微小な液滴Ｄを形成させるため、導電性インクＩｋの粘
度が所定粘度、例えば２０ｃＰになるように、供給温度や供給圧力を調整し、該導電性イ
ンクＩｋを液滴吐出ヘッド１５へ供給する。
【００２６】
ガイド部材１３には、＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に移動可能なキャリッジ１６が搭載され、
キャリッジ１６には、液滴吐出ヘッド１５が搭載されている。キャリッジ１６は、ガイド
部材１３に設けられたキャリッジモータＭ２（図４参照）が正転又は逆転するとき、液滴
吐出ヘッド１５を＋Ｘ方向又は−Ｘ方向へ走査する。
【００２７】
図２において、液滴吐出ヘッド１５は、キャリッジ１６に位置決め固定されて＋Ｘ方向
に延びるヘッド基板１７と、ヘッド基板１７に支持されるヘッド本体２０とを有する。ヘ
ッド基板１７は、−Ｘ方向の端部に接続端子１７ａを有し、外部から接続端子１７ａへ入
力される各種制御信号をヘッド本体２０へ出力し、ヘッド本体２０から接続端子１７ａへ
入力される各種検出信号を外部へ出力する。
【００２８】
ヘッド本体２０の底部には、グリーンシートＧＳと対向するノズルプレート２１が貼り
付けられている。ノズルプレート２１は、ヘッド本体２０がグリーンシートＧＳの直上に
位置するとき、その底面（以下単に、ノズル形成面２１ａと言う。）と吐出面ＧＳａとを
略平行にして、ノズルプレート２１と吐出面ＧＳａとの間の距離を所定距離、例えば３０
０μｍに維持する。ノズルプレート２１のノズル形成面２１ａには、ノズルプレート２１
をＺ方向に貫通する複数のノズルＮが＋Ｘ方向に沿って等間隔に配列されている。
【００２９】
本実施形態においては、３６０個のノズルＮが＋Ｘ方向に沿って配列され、＋Ｘ方向か
ら順に、１番のノズルＮ、２番のノズルＮ、…、３６０番のノズルＮと言う。なお、図２
では、ノズルＮの配列方向や形成ピッチを説明する便宜上、ノズルＮの数量を少なくして
示す。
【００３０】
図３（ａ）において、各ノズルＮの上側には、それぞれノズルＮに連結されてインクタ
ンク１４へ連通する複数のキャビティ２２が内設されている。各キャビティ２２は、それ
ぞれインクタンク１４からの導電性インクＩｋを一旦貯留し、連結するノズルＮへ導電性
インクＩｋを供給する。各キャビティ２２の上側には、それぞれ上下方向に振動して各キ
ャビティ２２の容積を拡大及び縮小可能にする振動板２３が貼り付けられている。各振動
板２３の上側には、それぞれ圧電素子２４が連結されている。各圧電素子２４は、それぞ
れキャビティ２２の内部に圧力を発生させるための駆動信号（駆動波形信号ＣＯＭ：図４
参照）を受けるとき、Ｚ方向へ収縮及び伸張して振動板２３を振動させる。キャビティ２
２に貯留された導電性インクＩｋは、振動板２３が振動するとき、ノズルＮに形成する気
液界面（メニスカス）を上下方向へ振動させ、駆動波形信号ＣＯＭに応じた重量の導電性
インクＩｋを、該ノズルＮから液滴Ｄとして吐出させる。吐出された液滴Ｄは、−Ｚ方向
へ飛行してノズルＮの直下に着弾する。
【００３１】
図３（ｂ）において、ステージ１２の上面は、ドットパターン格子ＤＬによって仮想分
割されている。ドットパターン格子ＤＬは、＋Ｙ方向の格子間隔と、＋Ｘ方向の格子間隔
とが、それぞれ液滴Ｄの吐出間隔で設定される仮想格子である。例えば、ドットパターン
格子ＤＬの＋Ｙ方向の格子間隔は、液滴Ｄの吐出周期とステージ１２の走査速度との積で
形成され、またドットパターン格子ＤＬの＋Ｘ方向の格子間隔は、ノズルピッチＷｎで形
成される。液滴Ｄを吐出するか否かの選択は、このドットパターン格子ＤＬの格子点Ｐご
とに設定される。なお、図３（ｂ）では、ドットパターン格子ＤＬの各格子点Ｐを説明す
る便宜上、ドットパターン格子ＤＬの格子間隔を拡大して示す。
【００３２】
本実施形態においては、フラッシング領域ＡＦと重畳するドットパターン格子ＤＬを、
フラッシング格子ＦＤＬと言う。また、載置領域ＡＰと重畳するドットパターン格子ＤＬ
を、描画格子ＰＤＬと言う。また、液滴Ｄの着弾位置として選択される格子点Ｐを、選択
点Ｐ１（図３（ｂ）に示す黒点）と言う。
【００３３】
なお、図３（ｂ）においては、フラッシング格子ＦＤＬにおける各格子点Ｐの中で＋Ｘ
方向の側にある各格子点Ｐが、それぞれ選択点Ｐ１に設定されている。また、図３（ｂ）
においては、描画格子ＰＤＬにおける各格子点Ｐの中で＋Ｙ方向に連続する５つの格子点
Ｐが、それぞれ選択点Ｐ１に設定されている。
【００３４】
本実施形態においては、＋Ｘ方向に設定される一群の格子点Ｐと各ノズルＮとがそれぞ
れ対向する状態（吐出周期ごとの状態）を、ステートと言う。また、最も＋Ｙ方向の各格
子点Ｐと各ノズルＮとが対向する状態を、１番のステートとし、＋Ｙ方向から順に、２番
のステート、…、ｎ番（ｎは２以上の整数）のステートと言う。例えば、図３（ｂ）に示
すフラッシング領域ＡＦには、１番〜８番のステートが設定されている。
【００３５】
ヘッド本体２０の各ノズルＮは、ステージ１２が＋Ｙ方向へ走査されるとき、それぞれ
＋Ｙ方向に連続する一群の格子点Ｐの延長線上に配置される。ヘッド本体２０の各ノズル
Ｎは、それぞれ１番のステート、２番のステート、…、ｎ番のステートの順に移行し、フ
ラッシング格子ＦＤＬの選択点Ｐ１と対向するごとに該選択点Ｐ１へ液滴Ｄを吐出し、続
いて、描画格子ＰＤＬの選択点Ｐ１と対向するごとに該選択点Ｐ１へ液滴Ｄを吐出する。
同じく、ヘッド本体２０の各ノズルＮは、ステージ１２が−Ｙ方向へ走査されるとき、そ
れぞれ−Ｙ方向に連続する一群の格子点Ｐの延長線上に配置される。そして、ヘッド本体
２０の各ノズルＮは、フラッシング格子ＦＤＬの選択点Ｐ１と対向するごとに該選択点Ｐ
１へ液滴Ｄを吐出し、続いて、描画格子ＰＤＬの選択点Ｐ１と対向するごとに該選択点Ｐ
１へ液滴Ｄを吐出する。
【００３６】
すなわち、ヘッド本体２０は、液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、まず、フラッシング
処理を実行し、その後、描画処理を実行する。これによって、ヘッド本体２０は、描画処
理を実行する前に、各ノズルＮの状態を初期化できる。
【００３７】
本実施形態おいては、上記フラッシング処理で吐出する液滴Ｄの数量を、フラッシング
量（吐出量）と言う。例えば、図３（ｂ）におけるフラッシング量は、３６０（ノズル数
）×４（ステート）である。
【００３８】
図３（ａ）において、キャビティ２２の近傍には、温度センサ２５が設けられている。
各ノズルＮにおける導電性インクＩｋの温度は、グリーンシートＧＳから受ける熱量や圧
電素子２４から受ける熱量に応じて変動する。温度センサ２５は、接触式あるいは非接触
式のセンサであって、ノズルＮにおける導電性インクＩｋの温度を検出し、検出結果をヘ
ッド基板１７の接続端子１７ａに出力する。
【００３９】
本実施形態においては、温度センサ２５が検出する導電性インクＩｋの温度を、実温度
と言う。また、液滴Ｄの重量が目標重量になるときの導電性インクＩｋの温度を、目標温
度と言う。導電性インクＩｋの実温度の変動は、導電性インクＩｋの粘度を変動させるこ
とから、液滴Ｄの重量を変動させてしまう。本実施形態におけるフラッシング処理は、フ
ラッシング量を制御することによって、キャビティ２２から放出する熱量を調整し、これ
によって実温度を目標温度に調整するものである。
【００４０】
次に、液滴吐出装置１０の電気的構成について図４及び図５に従って説明する。図４は
液滴吐出装置１０の電気的構成を示すブロック回路図であり、図５は吐出ヘッド駆動回路
４４の電気的構成を示すブロック回路図である。
【００４１】
図４において、制御装置３０は、液滴吐出装置１０に各種処理動作を実行させるもので
ある。制御装置３０は、外部Ｉ／Ｆ３１と、ＣＰＵ等からなる制御部３２と、各種クロッ
ク信号を生成する発振回路３３と、駆動波形信号ＣＯＭを生成する駆動波形生成回路３４
とを有する。また、制御装置３０は、ＤＲＡＭやＳＲＡＭ等からなり各種データを格納す
ると共に制御部３２の作業領域となるＲＡＭ３５と、各種制御プログラムや各種データを
格納するＲＯＭ３６と、内部Ｉ／Ｆ３７とを有する。
【００４２】
制御装置３０は、外部Ｉ／Ｆ３１を介して入出力装置４１に接続され、内部Ｉ／Ｆ３７
を介してモータ駆動回路４２と、ヒータ駆動回路４３と、吐出ヘッド駆動回路４４とに接
続されている。
【００４３】
入出力装置４１は、例えばＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスク、液晶ディスプレ
イ等を有した外部コンピュータである。入出力装置４１は、ＲＯＭ又はハードディスクに
記憶された制御プログラムに従って液滴吐出装置１０を駆動させるための各種制御信号を
外部Ｉ／Ｆ３１に出力する。外部Ｉ／Ｆ３１は、例えば入出力装置４１からの描画データ
Ｉｐを受信する。
【００４４】
描画データＩｐは、吐出面ＧＳａに描画する各種配線や各種受動素子等のパターンの位
置に関する情報、ステージ１２の走査速度に関する情報、導電性インクＩｋの目標温度に
関する情報等、吐出面ＧＳａに液滴Ｄを吐出させるための各種データからなる。
【００４５】
発振回路３３は、各種データや各種駆動信号を同期させるためのクロック信号を生成す
る。発振回路３３は、例えば各種データをシリアル転送するための転送クロックＳＣＬＫ
を生成すると共に、シリアル転送した各種のデータをパラレル変換するためのラッチ信号
ＬＴを生成する。
【００４６】
駆動波形生成回路３４は、波形メモリ３４Ａ、ラッチ回路３４Ｂ、Ｄ／Ａ変換器３４Ｃ
、増幅器３４Ｄを有する。波形メモリ３４Ａは、各駆動波形信号ＣＯＭを生成するための
波形データを所定アドレスに格納する。ラッチ回路３４Ｂは、制御部３２によって読み出
された波形メモリの波形データを所定のクロック信号でラッチする。Ｄ／Ａ変換器３４Ｃ
は、ラッチ回路３４Ｂによってラッチされた波形データをアナログ信号に変換し、増幅器
３４Ｄは、Ｄ／Ａ変換器３４Ｃによって変換されたアナログ信号を増幅して駆動波形信号
ＣＯＭを生成する。
【００４７】
制御部３２は、フラッシング処理及び描画処理を実行するとき、駆動波形生成回路３４
を介し、描画データＩｐに基づく波形データを波形メモリ３４Ａから読み出し、波形デー
タに基づく駆動波形信号ＣＯＭをステートごとに生成させる。
【００４８】
ＲＡＭ３５は、受信バッファ３５Ａ、中間バッファ３５Ｂ、出力バッファ３５Ｃとして
利用される。制御部３２は、外部Ｉ／Ｆ３１によって受信された描画データＩｐを受信バ
ッファ３５Ａに一旦格納し、該描画データＩｐを中間コードに変換して中間バッファ３５
Ｂに格納する。制御部３２は、中間バッファ３５Ｂから中間コードデータを読み出して描
画パターンデータに展開し、該描画パターンデータを出力バッファ３５Ｃに格納する。
【００４９】
描画パターンデータは、描画格子ＰＤＬの各格子点Ｐにそれぞれ液滴Ｄを吐出させるか
否かを設定するためのデータであり、描画格子ＰＤＬの各格子点Ｐに、それぞれ描画デー
タＩｐに基づく各ビットの値（”０”あるいは”１”）を対応づけるためのデータである
。
【００５０】
ＲＯＭ３６は、制御部３２が実行する各種制御プログラムと、各制御プログラムを実行
するための各種データとを格納する。ＲＯＭ３６は、例えばフラッシング処理及び描画処
理を実行するための吐出制御プログラムＳＰを格納する。制御部３２は、フラッシング処
理と描画処理を実行するとき、ＲＯＭ３６に格納された吐出制御プログラムＳＰを読み出
し、吐出制御プログラムＳＰに従ってフラッシング処理及び描画処理を実行する。また、
ＲＯＭ３６は、例えばフラッシングパターンデータを生成するための吐出データＦＤと温
度変換データＴＣＤとを格納する。
【００５１】
フラッシングパターンデータは、フラッシング格子ＦＤＬの各格子点Ｐにそれぞれ液滴
Ｄを吐出させるか否かを設定するためのデータであり、フラッシング格子ＦＤＬの各格子
点Ｐに、それぞれ各ビットの値（”０”あるいは”１”）を対応づけるためのデータであ
る。
【００５２】
吐出データＦＤは、フラッシング格子ＦＤＬの各格子点Ｐにそれぞれ液滴Ｄを吐出させ
るためデータである。吐出データＦＤは、ノズルＮの数と同じビット長からなるデータで
あり、各ビットには、それぞれ液滴Ｄを吐出させるためのビット値“１”が設定されてい
る。吐出データＦＤは、ノズルＮと対向するステートごとの全ての格子点Ｐに対し、それ
ぞれ液滴Ｄを吐出させるためのビット値“１”を対応付けるためのデータである。すなわ
ち、吐出データＦＤは、ノズルＮと対向するステートごとの全ての格子点Ｐを、それぞれ
選択点Ｐ１にするためのデータである。
【００５３】
温度変換データＴＣＤは、実温度を目標温度に調整するためのデータであり、予め実施
した各種実験等に基づいて、実温度とフラッシング量、すなわち実温度とフラッシング格
子ＦＤＬにおける選択点Ｐ１の数とを関連付けるデータである。フラッシング格子ＦＤＬ
における選択点Ｐ１の数は、上記吐出データＦＤを用いるステートの数（以下単に、ステ
ート数と言う。）である。すなわち、本実施形態における温度変換データＴＣＤは、実温
度とステート数とを関連付けるデータである。温度変換データＴＣＤは、高い実温度に対
して、相対的に大きいステート数（フラッシング量）を関連付け、また低い実温度に対し
て、相対的に小さいステート数（フラッシング量）を関連付ける。
【００５４】
制御部３２は、フラッシング処理を実行する前に、ＲＡＭ３５を作業領域として、温度
変換データＴＣＤに基づくフラッシングパターンデータを生成する。すなわち、制御部３
２は、実温度を用いて温度変換データＴＣＤに基づくステート数を決定する。次いで、制
御部３２は、フラッシングパターンデータの一部に、ステート数の分だけ吐出データＦＤ
を設定し、残部には、液滴Ｄを非吐出にするためのダミーデータ（ビット値”０“）を設
定する。
【００５５】
これによって、制御装置３０は、実温度が高くなるたびに、フラッシング量を増大させ
ることから、描画処理の開始時に、実温度を目標温度へ調整できる。また、制御装置３０
は、実温度が低くなるたびに、フラッシング量を減少させることから、描画処理の開始時
に、実温度を目標温度へ調整できる。
【００５６】
制御装置３０は、ステージ１２の１回の走査に相当するフラッシングパターンデータ及
び描画パターンデータを生成すると、これらのパターンデータを利用して複数の吐出制御
データＳＩを順に生成する。吐出制御データＳＩは、ノズルＮの数（３６０個）に相当す
るビット長を有したデータであり、ステートごとの各格子点Ｐに対して、それぞれ液滴Ｄ
を吐出させるか否かを設定するためのデータである。
【００５７】
制御装置３０は、吐出制御データＳＩを生成すると、該吐出制御データＳＩを、転送ク
ロックＳＣＬＫを用いて吐出ヘッド駆動回路４４へシリアル転送する。制御装置３０は、
１回の走査に相当する複数の吐出制御データＳＩを順に転送すると、該走査に関わるフラ
ッシングパターンデータ及び描画パターンデータをＲＡＭ３５から消去し、後続する走査
に相当するフラッシングパターンデータ及び描画パターンデータを生成する。
【００５８】
制御装置３０は、吐出制御プログラムＳＰに従って、モータ駆動回路４２に対応する駆
動信号を生成し、該駆動信号をモータ駆動回路４２へ出力する。モータ駆動回路４２は、
制御装置３０からの駆動信号に応答してステージモータＭ１及びキャリッジモータＭ２を
駆動させる。モータ駆動回路４２は、ステージモータＭ１のエンコーダＥ１からの検出信
号を受け、ステージ１２の搬送方向や位置に関する信号を制御装置３０へ出力する。モー
タ駆動回路４２は、キャリッジモータＭ２のエンコーダＥ２からの検出信号を受け、キャ
リッジ１６の搬送方向や位置に関する信号を制御装置３０へ出力する。
【００５９】
制御装置３０は、吐出制御プログラムＳＰに従って、ヒータ駆動回路４３に対応する駆
動信号を生成し、該駆動信号をヒータ駆動回路４３へ出力する。ヒータ駆動回路４３は、
制御装置３０からの駆動信号に応答してヒータＨを駆動させる。
【００６０】
制御装置３０は、吐出制御プログラムＳＰに従って、吐出ヘッド駆動回路４４へ吐出制
御データＳＩを転送すると共に、吐出ヘッド駆動回路４４へ駆動波形信号ＣＯＭ及びラッ
チ信号ＬＴを出力する。吐出ヘッド駆動回路４４は、制御装置３０からの吐出制御データ
ＳＩ、駆動波形信号ＣＯＭ、及びラッチ信号ＬＴに基づいて各圧電素子２４を駆動させる
。また、吐出ヘッド駆動回路４４は、温度センサ２５からの検出信号を受け、導電性イン
クＩｋの実温度に関するデータ（以下単に、温度データＴＤと言う。）を制御装置３０へ
出力する。
【００６１】
図５において、吐出ヘッド駆動回路４４のシフトレジスタ４４Ａは、吐出制御データＳ
Ｉが転送されるとき、吐出制御データＳＩを転送クロックＳＣＬＫによって順次シフトさ
せて格納する。
【００６２】
ラッチ４４Ｂは、ラッチ信号ＬＴが入力されるとき、シフトレジスタ４４Ａのデータを
ラッチしてシリアル／パラレル変換し、１つの吐出制御データＳＩに相当する３６０ビッ
トのパラレルデータＰＩをステートごとに生成する。
【００６３】
レベルシフタ４４Ｃは、ラッチ４４ＢからパラレルデータＰＩを読み込み、パラレルデ
ータＰＩをアナログスイッチ素子の駆動電圧レベルに昇圧し、圧電素子２４ごとの開閉信
号を生成する。アナログスイッチ４４Ｄは、圧電素子２４ごとのスイッチ素子を有し、各
スイッチ素子の入力端には、それぞれ駆動波形信号ＣＯＭが入力され、各スイッチ素子の
出力端には、それぞれ圧電素子２４が接続されている。スイッチ素子は、レベルシフタ４
４Ｃからの開閉信号により開閉し、開閉信号が“Ｈ”レベルのときに、圧電素子２４へ駆
動波形信号ＣＯＭを出力し、開閉信号が“Ｌ”レベルのときに、圧電素子２４への駆動波
形信号ＣＯＭの出力を停止する。
【００６４】
液滴吐出装置１０は、ノズルＮが選択点Ｐ１の直上に位置するとき、該ノズルＮに対応
するスイッチ素子を介し、圧電素子２４へ駆動波形信号ＣＯＭを供給し、該ノズルＮから
液滴Ｄを吐出させる。そして、液滴吐出装置１０は、実温度に対応するステート数で液滴
Ｄを吐出させ、描画処理を実行する前に、実温度を目標温度に調整する。
【００６５】
次に、液滴吐出装置１０を利用したパターン形成方法及びＬＴＣＣ多層基板の製造方法
について以下に説明する。
まず、図３に示すように、グリーンシートＧＳが、吐出面ＧＳａを上側にした状態でス
テージ１２に載置され、キャリッジ１６の−Ｙ方向に配置される。次いで、入出力装置４
１からの描画データＩｐが制御装置３０に入力され、制御装置３０の制御部３２が吐出制
御プログラムＳＰを読み出す。
【００６６】
制御装置３０は、吐出制御プログラムＳＰに従ってキャリッジ１６を＋Ｘ方向へ走査し
、グリーンシートＧＳが＋Ｙ方向へ走査されるときに各ノズルＮがそれぞれ各格子点Ｐを
通過するように、キャリッジ１６をセットする。また、制御装置３０は、吐出制御プログ
ラムＳＰに従ってヒータＨを駆動し、グリーンシートＧＳを所定温度へ加熱する。制御装
置３０は、グリーンシートＧＳを加熱すると、モータ駆動回路４２を介してステージ１２
を＋Ｙ方向へ走査する。
【００６７】
この際、制御装置３０は、吐出ヘッド駆動回路４４からの温度データＴＤを受信し、実
温度を用いて温度変換データＴＣＤに基づくステート数を決定する。そして、制御装置３
０は、ステート数を用いてフラッシングパターンデータを生成し、また描画データＩｐを
用いて描画パターンデータを生成する。
【００６８】
制御装置３０は、ステージ１２の１回の走査に相当するフラッシングパターンデータ及
び描画パターンデータを生成すると、これらのパターンデータを利用して複数の吐出制御
データＳＩを生成し、各吐出制御データＳＩをそれぞれ吐出ヘッド駆動回路４４へ順にシ
リアル転送する。
【００６９】
制御装置３０は、モータ駆動回路４２からの出力信号を受け、各ノズルＮがフラッシン
グ格子ＦＤＬの各格子点Ｐの上に到達したか否かを判断し、各ノズルＮがそれぞれ格子点
Ｐの上に到達するたびに、吐出ヘッド駆動回路４４へラッチ信号ＬＴと駆動波形信号ＣＯ
Ｍとを出力する。制御装置３０は、ステートごとに出力するラッチ信号ＬＴを用いて、各
吐出制御データＳＩを順にシリアル／パラレル変換し、各スイッチ素子を開閉するための
開閉信号を順に生成する。そして、制御装置３０は、実温度に対応するステート数で液滴
Ｄを吐出させ、実温度に対応するフラッシング量でフラッシング処理を実行し、実温度を
目標温度へ調整する。
【００７０】
続いて、制御装置３０は、モータ駆動回路４２からの出力信号を受け、各ノズルＮが描
画格子ＰＤＬの各格子点Ｐの上に到達したか否かを判断し、各ノズルＮがそれぞれ格子点
Ｐの上に到達するたびに、吐出ヘッド駆動回路４４へラッチ信号ＬＴと駆動波形信号ＣＯ
Ｍとを出力する。制御装置３０は、ステートごとに出力するラッチ信号ＬＴを用いて各吐
出制御データＳＩを順にシリアル／パラレル変換し、各スイッチ素子を開閉するための開
閉信号を順に生成する。そして、制御装置３０は、開閉信号に基づく圧電素子２４の駆動
によって、描画データＩｐに応じた選択点Ｐ１へ液滴Ｄを吐出させ、吐出面ＧＳａに導電
性インクＩｋからなるパターンを形成する。この際、制御装置３０は、先行するフラッシ
ング処理によって実温度を目標温度へ調整することから、描画処理時の吐出動作の安定化
を図ることができ、液滴サイズの均一性や着弾精度を向上できる。
【００７１】
制御装置３０は、吐出面ＧＳａにパターンを形成すると、吐出制御プログラムＳＰに従
ってキャリッジ１６をさらに＋Ｘ方向へ走査し、グリーンシートＧＳが−Ｙ方向へ走査さ
れるときに各ノズルＮがそれぞれ各格子点Ｐを通過するように、キャリッジ１６をセット
する。そして、制御装置３０は、モータ駆動回路４２を介してステージ１２を−Ｙ方向へ
走査し、フラッシング処理と描画処理とを順に実行する。以後同様に、制御装置３０は、
キャリッジ１６とステージ１２とを順に走査し、フラッシング処理と描画処理とを繰り返
す。そして、制御装置３０は、描画データＩｐに応じた全ての選択点Ｐ１へ液滴Ｄを着弾
させ、描画データＩｐに応じた全てのパターンを吐出面ＧＳａに形成する。
【００７２】
パターンを有した複数のグリーンシートＧＳは、乾燥後に一括して焼成されることによ
って、配線パターンや受動素子等の導電性のパターンを有したセラミック多層基板を形成
する。
【００７３】
次に、上記のように構成した第一実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記第一実施形態によれば、制御装置３０は、描画処理を実行する前に、温度セ
ンサ２５の検出結果を温度変換データＴＣＤに基づくステート数へ変換し、該ステート数
で圧電素子２４を駆動して導電性インクＩｋをフラッシング領域ＡＦへ吐出させる。した
がって、ノズルＮにおける導電性インクＩｋの温度は、フラッシング領域ＡＦへ吐出する
導電性インクＩｋの熱量によって、目標温度に調整される。よって、液滴吐出装置１０は
、フラッシング処理後の導電性インクＩｋに関して、その粘度の安定化を図ることができ
、ひいては液滴サイズや着弾精度の均一性を向上できる。
【００７４】
（２）上記第一実施形態によれば、ステージ１２は、加熱されたグリーンシートＧＳの
上とフラッシング領域ＡＦの上との間で各ノズルＮを相対移動させる。そして、制御装置
３０は、フラッシング領域ＡＦへの吐出と、グリーンシートＧＳへの吐出とを繰り返し実
行する。したがって、グリーンシートＧＳの側から導電性インクＩｋへ供給される熱量は
、フラッシング時に吐出される導電性インクＩｋの排熱によって相殺される。したがって
、液滴吐出装置１０は、グリーンシートＧＳの加熱状態に関わらず、液滴サイズや着弾精
度の均一性を向上できる。
【００７５】
（３）上記第一実施形態によれば、フラッシング量が液滴の数量で設定されることから
、フラッシング処理後の導電性インクＩｋに関して、その粘度を、より高い精度の下で調
整できる。
【００７６】
（第二実施形態）
以下、本発明を具体化した第二実施形態を図６〜図１１に従って説明する。第二実施形
態は、第一実施形態における制御装置３０と吐出ヘッド駆動回路４４とを変更したもので
ある。そのため、以下においては、その変更点について詳しく説明する。図６は、液滴吐
出装置１０の電気的構成を示す電気ブロック回路図である。
【００７７】
図６において、制御装置３０の発振回路３３は、液滴Ｄの吐出タイミングを設定するた
めのステート切替え信号ＣＨをステートごとに生成する。
温度変換データＴＣＤは、実温度を目標温度に調整するためのデータであり、予め実施
した各種実験等に基づいて、実温度とフラッシング量、すなわち実温度と液滴Ｄの吐出モ
ードとを関連付けるデータである。吐出モードとは、所定時間内に吐出動作を選択可能に
するノズル数の全ノズル数に対する割合（以下単に、吐出デューティ：ＤＵＴＹと言う。
）によって分類されるモードであり、本実施形態においては、ＤＵＴＹを、１／１、１／
２、１／３、１／４にする４種類のモードである。なお、１／１ＤＵＴＹは、ステートご
との全てのノズルＮに対し、液滴Ｄの吐出・非吐出を選択可能にするモードであり、液滴
ＤのＤＵＴＹを最も高くするモードである。温度変換データＴＣＤは、高い実温度に対し
て、相対的に高いＤＵＴＹ（高いフラッシング量）を関連付け、また低い実温度に対して
、相対的に低いＤＵＴＹ（低いフラッシング量）を関連付ける。
【００７８】
図７〜図９は、それぞれ１／２ＤＵＴＹ、１／３ＤＵＴＹ、１／４ＤＵＴＹで選択され
るノズル番号を示す図である。図７〜図９における“Ｈ”は、液滴Ｄの吐出あるいは非吐
出を選択可能にする状態を示し、“Ｌ”は、液滴Ｄの吐出を選択不能にする状態を示す。
【００７９】
図７に示すように、１／２ＤＵＴＹは、２ｍ＋１番のステートにおいて、２ｎ＋１番の
ノズルＮを選択可能にすると共に、２ｎ＋２番のノズルＮを選択不能にする。また、１／
２ＤＵＴＹは、２ｍ＋２番のステートにおいて、２ｎ＋２番のノズルＮを選択可能にする
と共に、２ｎ＋１番のノズルＮを選択不能にする。すなわち、１／２ＤＵＴＹは、１／１
ＤＵＴＹに比べて、吐出デューティを１／２にする。
【００８０】
図８に示すように、１／３ＤＵＴＹは、３ｍ＋１番のステートにおいて、３ｎ＋１番の
ノズルＮを選択可能にすると共に、他のノズルＮを選択不能にする。また、１／３ＤＵＴ
Ｙは、３ｍ＋２番、３ｍ＋３番のステートにおいて、それぞれ３ｎ＋２番、３ｎ＋３番の
ノズルＮを選択可能にすると共に、他のノズルＮを選択不能にする。すなわち、１／３Ｄ
ＵＴＹは、１／１ＤＵＴＹに比べて、吐出デューティを１／３にする。
【００８１】
図９に示すように、１／４ＤＵＴＹは、４ｍ＋１番のステートにおいて、４ｎ＋１番の
ノズルＮを選択可能にすると共に、他のノズルＮを選択不能にする。また、１／４ＤＵＴ
Ｙは、４ｍ＋２番、４ｍ＋３番、４ｍ＋４番のステートにおいて、それぞれ４ｎ＋３番、
４ｎ＋２番、４ｎ＋４番のノズルＮを選択可能にすると共に、他のノズルＮを選択不能に
する。すなわち、１／４ＤＵＴＹは、１／１ＤＵＴＹに比べて、吐出デューティを１／４
にする。
【００８２】
制御部３２は、フラッシング処理を実行する前に、ＲＡＭ３５を作業領域として、フラ
ッシングパターンデータを生成する。なお、本実施形態の制御部３２は、フラッシングパ
ターンデータの全てに吐出データＦＤ、すなわち液滴Ｄを吐出するためのビット値”１“
を設定する。また、制御部３２は、実温度を用いて温度変換データＴＣＤに基づくモード
データＳＴを生成し、モードデータＳＴを吐出制御データＳＩに付加して吐出ヘッド駆動
回路４４へ転送する。
【００８３】
モードデータＳＴは、液滴Ｄの吐出モードを設定するための３ビットからなるデータで
あり、図１０に示す真理値表に従って吐出モードを設定する。吐出ヘッド駆動回路４４は
、モードデータＳＴが“１００”、“１０１”、“１１０”、１１１“のとき、それぞれ
１／１ＤＵＴＹ、１／２ＤＵＴＹ、１／３ＤＵＴＹ、１／４ＤＵＴＹを吐出モードとして
設定する。
【００８４】
図１１において、シフトレジスタ４４Ａは、モードデータＳＴの付加された吐出制御デ
ータＳＩが転送されるとき、モードデータＳＴの付加された吐出制御データＳＩを転送ク
ロックＳＣＬＫによって順次シフトさせて格納する。
【００８５】
ラッチ４４Ｂは、ラッチ信号ＬＴが入力されるとき、シフトレジスタ４４Ａのデータを
ラッチしてシリアル／パラレル変換し、３６０ビットの吐出制御データＳＩと、３ビット
のモードデータＳＴとからなるパラレルデータＰＩをステートごとに生成する。
【００８６】
パターン合成回路４４Ｅは、ステート切替え信号ＣＨが入力されるとき、ステート切替
え信号ＣＨの立ち上がりエッジによってカウントし、ステートの番号を順に変化させる。
パターン合成回路４４Ｅは、パラレルデータＰＩからモードデータＳＴと吐出制御データ
ＳＩとを抽出し、カウントしたステートの番号と、抽出したモードデータＳＴとに従って
、吐出制御データＳＩを合成制御データＣＩへ変換する。
【００８７】
すなわち、パターン合成回路４４Ｅは、モードデータＳＴとステートの番号とを用い、
図１０に示す真理値表に従って、吐出動作の選択不能なノズル番号を決定する。そして、
パターン合成回路４４Ｅは、吐出制御データＳＩの中において該ノズル番号に相当するデ
ータへビット値”０“を設定し、該ノズル番号のノズルＮを吐出不能にするための合成制
御データＣＩを生成する。レベルシフタ４４Ｃは、パターン合成回路４４Ｅから合成制御
データＣＩを読み込み、合成制御データＣＩをスイッチ素子の駆動電圧レベルに昇圧し、
３６０個の圧電素子２４に対応する開閉信号を出力する。
【００８８】
次に、液滴吐出装置１０を利用したパターン形成方法について以下に説明する。
制御装置３０は、吐出制御プログラムＳＰに従って、吐出ヘッド駆動回路４４からの温
度データＴＤを受信し、実温度を用いて温度変換データＴＣＤに基づく吐出モードを決定
する。そして、制御装置３０は、吐出モードに対応したモードデータＳＴを生成する。ま
た、制御装置３０は、吐出データＦＤを用いてフラッシングパターンデータを生成し、描
画データＩｐを用いて描画パターンデータを生成する。
【００８９】
制御装置３０は、ステージ１２の１回の走査に相当するフラッシングパターンデータ及
び描画パターンデータを生成すると、これらのパターンデータを利用して複数の吐出制御
データＳＩを生成し、各吐出制御データＳＩにそれぞれモードデータＳＴを付加して、吐
出ヘッド駆動回路４４へ順にシリアル転送する。
【００９０】
制御装置３０は、モータ駆動回路４２からの出力信号を受け、各ノズルＮがフラッシン
グ格子ＦＤＬの各格子点Ｐの上に到達したか否かを判断し、各ノズルＮが格子点Ｐの上に
到達するたびに、吐出ヘッド駆動回路４４を介して、選択された吐出モードにおけるステ
ートの番号に応じたノズルＮから液滴Ｄを吐出させる。そして、制御装置３０は、実温度
に対応するステート数で液滴Ｄを吐出させ、実温度に対応するフラッシング量でフラッシ
ング処理を実行し、実温度を目標温度へ調整する。
【００９１】
上記第二実施形態においても、フラッシング量が液滴の数量で設定されることから、フ
ラッシング処理後の導電性インクＩｋに関して、その粘度を、より高い精度の下で調整で
きる。
【００９２】
（第三実施形態）
以下、本発明を具体化した第三実施形態を図１２に従って説明する。第三実施形態は、
第一実施形態における制御装置３０を変更したものである。そのため、以下においては、
その変更点について詳しく説明する。なお、本実施形態おいては、フラッシング処理で吐
出する液滴Ｄの重量を、フラッシング量（吐出量）と言う。図１２は、各種の駆動波形信
号を示す図である。
【００９３】
温度変換データＴＣＤは、実温度を目標温度に調整するためのデータであり、予め実施
した各種実験等に基づいて、実温度とフラッシング量、すなわち実温度と駆動波形信号Ｃ
ＯＭの駆動電圧とを関連付けるデータである。駆動電圧とは、圧電素子２４の伸縮量と伸
張量とを規定する電圧であり、本実施形態においては、第１駆動電圧Ｖｈ１と、第１駆動
電圧Ｖｈ１よりも高い第２駆動電圧Ｖｈ２と、第２駆動電圧Ｖｈ２よりも高い第３駆動電
圧Ｖｈ３と、第１駆動電圧Ｖｈ１よりも低い第４駆動電圧Ｖｈ４である。温度変換データ
ＴＣＤは、高い実温度に対して、相対的に高い駆動電圧（フラッシング量）を関連付け、
また低い実温度に対して、相対的に低い駆動電圧（フラッシング量）を関連付ける。
【００９４】
図１２において、制御部３２は、駆動波形生成回路３４を介し、第１駆動電圧Ｖｈ１で
第１駆動波形信号ＣＯＭ１を生成し、第２駆動電圧Ｖｈ２で第２駆動波形信号ＣＯＭ２を
生成し、第３駆動電圧Ｖｈ３で第３駆動波形信号ＣＯＭ３を生成する。また、制御部３２
は、第４駆動電圧Ｖｈ４で第４駆動波形信号ＣＯＭ４を生成する。
【００９５】
制御部３２は、フラッシング処理を実行する前に、ＲＡＭ３５を作業領域として、フラ
ッシングパターンデータを生成する。なお、本実施形態の制御部３２は、フラッシングパ
ターンデータの全てに吐出データＦＤ、すなわち液滴Ｄを吐出するためのビット値”１“
を設定する。また、制御部３２は、実温度を用いて温度変換データＴＣＤに基づく駆動電
圧を決定する。
【００９６】
制御装置３０は、ステージ１２の１回の走査に相当するフラッシングパターンデータ及
び描画パターンデータを生成すると、これらのパターンデータを利用して複数の吐出制御
データＳＩを生成し、吐出ヘッド駆動回路４４へ順にシリアル転送する。
【００９７】
制御装置３０は、モータ駆動回路４２からの出力信号を受け、各ノズルＮがフラッシン
グ格子ＦＤＬの各格子点Ｐの上に到達したか否かを判断し、各ノズルＮが該格子点Ｐの上
に到達するたびに、実温度を用いた温度変換データＴＣＤに基づく駆動電圧で駆動波形信
号ＣＯＭを生成する。そして、制御装置３０は、実温度に対応する駆動量で液滴Ｄを吐出
させ、実温度に対応するフラッシング量でフラッシング処理を実行し、実温度を目標温度
へ調整する。
【００９８】
上記第三実施形態においては、フラッシング量が液滴ごとの重量で設定されることから
、フラッシング処理後の導電性インクＩｋに関して、その粘度を、さらに高い精度の下で
調整できる。
【００９９】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記第一実施形態において、吐出データＦＤは、ステートごとの全ての格子点Ｐに、
それぞれ液滴Ｄを吐出させるためのビット値を対応付ける。これに限らず、例えば、吐出
データＦＤは、ステートごとの全ての格子点Ｐの中から所定の格子点Ｐを選択し、該格子
点Ｐへ液滴Ｄを吐出させるためのビット値を対応付ける構成であっても良い。
【０１００】
・上記第二実施形態において、制御部３２は、フラッシングパターンデータの全てに対
し、液滴Ｄを吐出するためのビット値を設定する。これに限らず、制御部３２は、第一実
施形態と同じく、フラッシングパターンデータの一部に、液滴Ｄを吐出するためのビット
値を設定する構成であっても良い。なお、この際、温度変換データＴＣＤは、実温度を目
標温度に調整するためのデータであり、予め実施した各種実験等に基づいて、実温度を、
ステート数と吐出モードとに関連付けるデータである。
【０１０１】
・上記第三実施形態において、制御部３２は、フラッシングパターンデータの全てに対
し、液滴Ｄを吐出するためのビット値を設定する。これに限らず、制御部３２は、第一実
施形態と同じく、フラッシングパターンデータの一部に、液滴Ｄを吐出するためのビット
値を設定する構成であっても良い。なお、この際、温度変換データＴＣＤは、実温度を目
標温度に調整するためのデータであり、予め実施した各種実験等に基づいて、実温度を、
ステート数と駆動電圧とに関連付けるデータである。
【０１０２】
・上記実施形態において、温度変換データＴＣＤは、実温度を目標温度に調整するため
のデータであり、予め実施した各種実験等に基づいて、実温度を、少なくともステート数
、吐出モード、駆動電圧のいずれか１つに関連付けるデータであれば良い。
【０１０３】
・上記実施形態では、対象物を加熱してフラッシング処理と描画処理とを実行するが、
これに限らず、対象物を加熱しない構成であっても良い。この構成においても、ノズルに
おける液状体は、ノズルの雰囲気や圧力発生素子から受ける熱量を、フラッシング領域へ
吐出する液状体の熱量によって相殺できる。
【０１０４】
・上記実施形態において、温度センサ２５は、ノズルＮにおける導電性インクＩｋの温
度を検出する。これに限らず、例えば、温度センサ２５は、ノズルプレート２１の温度や
キャビティ２２の温度を検出する構成であっても良く、フラッシング量と関連付けられる
温度を検出する構成であれば良い。
【０１０５】
・上記実施形態では、フラッシング領域ＡＦと載置領域ＡＰとにおいて、ステージ１２
の走査速度が同じである。これに限らず、例えばステージ１２の走査速度が、フラッシン
グ領域ＡＦと載置領域ＡＰとで異なる構成であっても良い。さらには、フラッシング処理
において、ステージ１２が、一旦停止する構成であっても良い。この構成によれば、フラ
ッシング量の範囲を拡大できる。
【０１０６】
・上記実施形態の液滴吐出ヘッド１５は、３６０個のノズルＮを１列だけ備えるが、こ
れに限らず、例えば液滴吐出ヘッド１５は、３６０個のノズルＮを２列以上備える構成で
あっても良く、さらには、１列のノズル数を３６０個よりも多い数量に具体化しても良い
。
【０１０７】
・上記実施形態では、圧力発生素子を圧電素子２４に具体化したが、これに限らず、圧
力発生素子を抵抗加熱素子や静電容量素子に具体化しても良く、所定の駆動波形信号ＣＯ
Ｍを受けて液滴Ｄを吐出させるものであれば良い。
【０１０８】
・上記実施形態では、対象物がグリーンシートＧＳであるが、これに限らず、例えば対
象物は、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンスディスプレイに利用されるガラス
基板であっても良く、液滴によってパターンを形成可能な対象物であれば良い。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】液滴吐出装置を示す斜視図。
【図２】液滴吐出ヘッドを示す斜視図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ液滴吐出ヘッドの内部を示す側断面図、及びドットパターン格子を示す平面図。
【図４】第一実施形態の液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。
【図５】第一実施形態の吐出ヘッド駆動回路を示す電気ブロック回路図。
【図６】第二実施形態の液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。
【図７】第二実施形態の吐出ヘッド駆動回路を示す電気ブロック回路図。
【図８】第二実施形態の吐出モードを示す図。
【図９】第二実施形態の吐出モードを示す図。
【図１０】第二実施形態の吐出モードを示す図。
【図１１】第二実施形態の吐出モードを示す図。
【図１２】第三実施形態の駆動波形信号を示す図。
【符号の説明】
【０１１０】
ＡＦ…フラッシング領域、Ｄ…液滴、ＦＤ…吐出データ、ＧＳ…対照物としてのグリー
ンシート、Ｉｋ…液状体としての導電性インク、Ｎ…ノズル、ＳＩ…シリアルパターンデ
ータ、ＴＣＤ…温度変換データ、ＴＤ…温度変換データ、１０…液滴吐出装置、１２…移
動手段を構成するステージ、１４…供給部としてのインクタンク、１５…液滴吐出ヘッド
、２０…ヘッド本体、２２…キャビティ、２４…圧力発生素子としての圧電素子、２５…
温度センサ、３０…制御装置、３２…制御部、３４…駆動波形生成回路、３２…制御手段
を構成する制御部、３６…記憶手段を構成するＲＯＭ、４４…吐出ヘッド駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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