(57)【要約】【課題】カバー板を備えた半導体センサの製造方法において、ウェハ状態でカバーウェハを搭載した後にカバーウェハを加工して電極パッドを露出させる際にカバーウェハの詳細な位置合わせを必要とせず、かつ、配線パターン及び電極パッドの損傷及びカバーウェハの残渣物の発生を防止する。【解決手段】複数の半導体センサ領域を備え半導体センサ領域にセンサ部２８及び電極パッド１６が形成された半導体ウェハ２ｄ上に少なくとも電極パッド１６に対応する位置に凹部２４ｂをもつカバーウェハ２４ａを搭載する（Ａ）。カバーウェハ２４ａの半導体ウェハ２ｄとは反対側の面を研削又は研磨することによりカバーウェハ２４ａの厚みを薄くするとともに凹部２４ｂの底部を開口させて電極パッド１６を露出させる（Ｂ）。半導体センサ領域を半導体ウェハ２ｄから切り出して半導体センサ１を固片化する（Ｃ）【選択図】図１
2009264843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、その半導体基板に形成されたセンサ部と、センサ部の電気的信号を取り出すために半導体基板上に形成された電極パッドと、センサ部を覆い電極パッドを覆わずに半導体基板上に配置されたカバー板を備えた半導体センサの製造方法において、
複数の半導体センサ領域を備え前記半導体センサ領域に前記センサ部及び前記電極パッドが形成された半導体基板からなる半導体ウェハ上に、少なくとも前記電極パッドに対応する位置に凹部をもち前記カバー板となるカバーウェハを前記半導体ウェハに前記凹部を対向させて搭載するカバーウェハ搭載工程と、
前記カバーウェハの前記半導体ウェハとは反対側の面を研削又は研磨することにより前記カバーウェハの厚みを薄くするとともに前記凹部の底部を開口させて前記電極パッドを露出させるカバーウェハ研削又は研磨工程と、
前記半導体センサ領域を前記半導体ウェハから切り出して半導体センサを固片化する切出し工程と、をその順に含むことを特徴とする半導体センサの製造方法。
【請求項２】
前記カバーウェハ搭載工程において、側方から見て前記半導体ウェハと前記カバーウェハとの間に段差が形成されるように前記半導体ウェハ上に前記カバーウェハを搭載する請求項１に記載の半導体センサの製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェハとして上方から見て切欠きをもつものを用い、
前記カバーウェハとして前記半導体ウェハと同一口径で前記半導体ウェハに比べて大きい切欠きをもつものを用いることによって前記段差を形成する請求項２に記載の半導体センサの製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハとして上方から見て切欠きをもつものを用い、
前記カバーウェハとして前記半導体ウェハと同一口径かつ同じ大きさの切欠きをもつものを用い、
前記半導体ウェハ上に前記カバーウェハを搭載する際に前記半導体ウェハと前記カバーウェハで切欠きの位置をずらすことよって前記段差を形成する請求項２に記載の半導体センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板と、その半導体基板に形成されたセンサ部と、センサ部の電気的信号を取り出すために半導体基板上に形成された電極パッドと、センサ部を覆い電極パッドを覆わずに半導体基板上に配置されたカバー板を備えた半導体センサの製造方法に関するものである。
半導体センサは、例えば走行中の自動車に加わる進行方向又は横方向の加速度の測定やビデオカメラの手ぶれ測定などに用いられる。
【背景技術】
【０００２】
半導体センサとして、シリコン単結晶ウェハの表面にＩＣ（integrated circuit）製造技術と同様の方法でピエゾ抵抗体を形成し、これを歪ゲージとして用いるものがある（例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３を参照。）。ピエゾ抵抗体を利用した半導体センサは、ピエゾ抵抗体が形成された領域のシリコンウェハの裏面にエッチングなどによって凹部を設けて薄肉な可撓部を設けて、可撓部が加速度で変形するようにし、その変形によって変化するピエゾ抵抗体の抵抗値を測定することで、加速度に対応する電気信号を得る。
【０００３】
半導体センサには、可撓部を撓みやすくするために重錘部が設けられている。重錘部の周囲には支持部が設けられており、可撓部の一端は重錘部に固定されており他端は支持部に固定されている。支持部には、ピエゾ抵抗体に電気的に接続された金属配線パターン及び電極パッドが形成されている。
【０００４】
また、半導体基板に形成された半導体センサとして、可動電極と固定電極との間の静電容量の変化に基づいて加速度を検出するもの（例えば特許文献４を参照。）や、２個の振動子の振動に基づいて角速度を検出するもの（例えば特許文献５を参照。）や、圧力センサなどがある。
【０００５】
半導体センサにおいて、例えば強い衝撃によって可撓部が損傷するのを防止したり、センサ部への水分の浸入を防止したりするためにカバー板を備えているものがある（例えば、特許文献６や特許文献７を参照。）。
図６は、カバー板を備えた半導体センサの一例を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ位置での断面図である。
【０００６】
半導体センサ１は、シリコン層２ａと、シリコン層２ａ下に形成された絶縁層２ｂと、絶縁層２ｂ下に形成されたシリコン層２ｃにより構成されるＳＯＩ（Silicon-on-Insulator）基板２を備えている。
ＳＯＩ基板２からなる枠状の支持部４のシリコン層２ａに連続してシリコン層２ａからなる可撓部６が形成されている。可撓部６のシリコン層２ａにピエゾ抵抗体８が形成されている。
上方から見て支持部４の中央側に、支持部４とは間隔をもって、ＳＯＩ基板２からなる重錘部１０が形成されている。重錘部１０のシリコン層２ａは可撓部６と連続して形成されている。重錘部１０は可撓部６によって支持されている。
【０００７】
シリコン層２ａの表面に絶縁膜１２が形成されている。図６（Ａ）ではピエゾ抵抗体８を便宜上図示している。絶縁膜１２上に複数の金属配線パターン１４及び複数の電極パッド１６が形成されている。金属配線パターン１４は絶縁膜１２に形成されたスルーホール１２ａを介してピエゾ抵抗体８と電気的に接続されている。図６では電極パッド１６の近傍の金属配線パターン１４の図示は省略しているが、電極パッド１６は金属配線パターン１４を介してピエゾ抵抗体８と電気的に接続されている。
【０００８】
金属配線パターン１４の形成領域を含んで絶縁膜１２上に保護膜１８（（Ａ）での図示は省略）が形成されている。電極パッド１６上の保護膜１８には開口部が形成されており、電極パッド１６の表面は露出している。
支持部４の裏面にボトム板２０が接着剤２２により接合されている。重錘部１０の下端面は、接着剤２２の厚みによってボトム板２０とは間隔をもっている。
【０００９】
支持部４上面の保護膜１８上にカバー板２４が接着剤２６により接合されている。重錘部１０の表面は、接着剤２６の厚みによってカバー板２４とは間隔をもっている。カバー板２４は、上方から見て、可撓部６及び重錘部１０を含むセンサ部２８を覆い、電極パッド１６を覆わない位置に設けられている。
【００１０】
半導体センサにカバー板を搭載する際、特許文献６では半導体センサを固片化した後にカバー板を搭載しているが、微細化された半導体センサでは、特許文献７のように、ウェハ状態でカバー板を搭載した後に半導体センサを固片化した方が効率がよい。
【００１１】
図７は、ウェハ状態でカバー板を搭載する工程を含む従来の半導体センサの製造方法を説明するための工程断面図である。図７（Ａ）〜（Ｃ）は下記に説明する工程（Ａ）〜（Ｃ）に対応している。
【００１２】
（Ａ）センサ部２８、絶縁膜、金属配線パターン、電極パッド１６及び保護膜が形成されたＳＯＩウェハ２ｄの裏面に接着剤２２によりボトムウェハ２０ａを接合する。ＳＯＩウェハ２ｄの上面に接着剤２６によりカバーウェハ２４ａを接合する。カバーウェハ２４ａは、ＳＯＩウェハ２ｄに対向する面の電極パッド１６及びスクライブ領域３０に対応する位置に帯状の凹部２４ｂをもつ。
【００１３】
（Ｂ）ダイシングソー３２を用いてカバーウェハ２４ａの凹部２４ｂの部分を切断除去する。これにより、電極パッド１６及びスクライブ領域３０のＳＯＩウェハ２ｄ上の保護膜が露出する。電極パッド１６にプローブ針を接触させてセンサ部２８の電気的特性試験を行なう。
【００１４】
（Ｃ）ダイシングソー（図示は省略）を用いてスクライブ領域３０のＳＯＩウェハ２ｄ等を切断除去し、半導体センサ１を固片化する。
【００１５】
【特許文献１】特許第２６７００４８号公報
【特許文献２】特開２００４−２３３０８０号公報
【特許文献３】特開２００４−２５７８３２号公報
【特許文献４】特許第４０００９３６号公報
【特許文献５】特許第３６２７６４８号公報
【特許文献６】特開２００４−２３３０７２号公報
【特許文献７】特開２００７−５０８９５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図７を参照して説明した従来の製造方法では、上記工程（Ｂ）でダイシングソー３２がＳＯＩウェハ２ｄに接触しないように制御されるが、ダイシングソー３２がＳＯＩウェハ２ｄに接触しなくても、ダイシングソー３２からこぼれ落ちるダイヤモンド砥粒や切断されたカバーウェハ２４ａの切屑がＳＯＩウェハ２ｄに当たることで、図８に示すように金属配線パターン１４を傷つけたり、電極パッド１６表面を傷つけたりすることがある。これにより、半導体センサの信頼性が劣化するという問題があった。
【００１７】
また、図７を参照して説明した上記工程（Ｂ）で、図７（Ｂ）に示したように１本の凹部２４ｂに対して凹部２４ｂの側面近傍の２箇所を切断することによってカバーウェハ２４ａの凹部２４ｂ部分を除去すると、図９に示すようにカバーウェハ２４ａの開口部分３４にカバーウェハ２４ａの残渣物３６が残ることがあった。残渣物３６が電極パッド１６上に存在している状態で、センサ部２８の電気的特性試験を行なうために電極パッド１６にプローブ針を接触させようとすると、プローブ針が破損してしまう可能性がある。このような不具合を解決するためには、電気的特性試験を行なう前に、残渣物３６の確認及び除去作業が必要になり、工数が増加するという問題があった。
【００１８】
また、カバーウェハ２４ａとして例えばシリコンウェハのように不透明なものを用いる場合には、カバーウェハ２４ａの凹部２４ｂ部分を切断除去する際のアライメントマークをカバーウェハ２４ａに設けたり、カバーウェハ２４ａと搭載した状態でＳＯＩウェハ２ｄの一部分が見えるようにカバーウェハ２４ａの一部分を切り落としておいたりするなどの対策が必要になり、工数が増加するという問題もあった。
【００１９】
そこで本発明は、カバー板を備えた半導体センサの製造方法において、ウェハ状態でカバーウェハを搭載した後にカバーウェハを加工して電極パッドを露出させる際に、カバーウェハの詳細な位置合わせを必要とせず、かつ、配線パターン及び電極パッドの損傷及びカバーウェハの残渣物の発生を防止できる半導体センサの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明にかかる半導体センサの製造方法は、半導体基板と、その半導体基板に形成されたセンサ部と、センサ部の電気的信号を取り出すために半導体基板上に形成された電極パッドと、センサ部を覆い電極パッドを覆わずに半導体基板上に配置されたカバー板を備えた半導体センサの製造方法である。そして、複数の半導体センサ領域を備え上記半導体センサ領域に上記センサ部及び上記電極パッドが形成された半導体基板からなる半導体ウェハ上に、少なくとも上記電極パッドに対応する位置に凹部をもち上記カバー板となるカバーウェハを上記半導体ウェハに上記凹部を対向させて搭載するカバーウェハ搭載工程と、上記カバーウェハの上記半導体ウェハとは反対側の面を研削又は研磨することにより上記カバーウェハの厚みを薄くするとともに上記凹部の底部を開口させて上記電極パッドを露出させるカバーウェハ研削又は研磨工程と、上記半導体センサ領域を上記半導体ウェハから切り出して半導体センサを固片化する切出し工程と、をその順に含む。
ここで、半導体基板の語にはＳＯＩ基板も含む。また、カバーウェハは透明なものであってもよいし不透明なものであってもよい。
【００２１】
本発明の半導体センサの製造方法において、上記カバーウェハ搭載工程で、側方から見て上記半導体ウェハと上記カバーウェハとの間に段差が形成されるように上記半導体ウェハ上に上記カバーウェハを搭載する例を挙げることができる。
【００２２】
上記段差を形成する方法の一例として、上記半導体ウェハとして上方から見て切欠きをもつものを用い、上記カバーウェハとして上記半導体ウェハと同一口径で上記半導体ウェハに比べて大きい切欠きをもつものを用いる方法を挙げることができる。
【００２３】
また、上記段差を形成する方法の他の例として、上記半導体ウェハとして上方から見て切欠きをもつものを用い、上記カバーウェハとして上記半導体ウェハと同一口径かつ同じ大きさの切欠きをもつものを用い、上記半導体ウェハ上に上記カバーウェハを搭載する際に上記半導体ウェハと上記カバーウェハで切欠きの位置をずらす方法を挙げることができる。
ただし、本発明の半導体センサの製造方法において、上記段差を形成する方法は、これらの２つの方法に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体センサの製造方法では、複数の半導体センサ領域を備え半導体センサ領域にセンサ部及び電極パッドが形成された半導体基板からなる半導体ウェハ上に、少なくとも電極パッドに対応する位置に凹部をもち上記カバー板となるカバーウェハを半導体ウェハに上記凹部を対向させて搭載するカバーウェハ搭載工程と、カバーウェハの半導体ウェハとは反対側の面を研削又は研磨することによりカバーウェハの厚みを薄くするとともに上記凹部の底部を開口させて電極パッドを露出させるカバーウェハ研削又は研磨工程と、半導体センサ領域を半導体ウェハから切り出して半導体センサを固片化する切出し工程と、をその順に含むようにした。本発明の半導体センサの製造方法は、電極パッドを露出させるカバーウェハ研削又は研磨工程においてダイシングソーを用いないので、ダイシングソーのダイヤモンド砥粒や切断されたカバーウェハの切屑が半導体ウェハに当たることに起因する配線パターンや電極パッドの損傷を防止することができる。さらに、カバーウェハを研削又は研磨することによって電極パッドを露出させるので、ダイシングソーを用いてカバーウェハを切断除去する場合のようなカバーウェハ残渣物は発生しない。さらに、カバーウェハを研削又は研磨する際に、ダイシングソーを用いる場合のような詳細な位置合わせをしなくてもよい。
【００２５】
本発明の半導体センサの製造方法において、カバーウェハ搭載工程で、側方から見て半導体ウェハとカバーウェハとの間に段差が形成されるように半導体ウェハ上にカバーウェハを搭載すれば、半導体ウェハの厚み、カバーウェハの厚みを測定及び管理することができる。ここで半導体ウェハにボトムウェハが搭載されている場合には、半導体ウェハの厚みはボトムウェハを含んだものになる。
【００２６】
上記段差を形成する方法として、上記半導体ウェハとして上方から見て切欠きをもつものを用い、上記カバーウェハとして上記半導体ウェハと同一口径で上記半導体ウェハに比べて大きい切欠きをもつものを用いるようにすれば、上記段差を形成するための特別な加工を半導体ウェハ及びカバーウェハに施すことなく、上記段差を形成できる。なお、本発明における上記切欠きは、ウェハの位置合わせに用いられるオリエンテーションフラットやノッチであり、通常、これらの切欠きはウェハに形成されるものなので、上記段差を形成するための特別な加工を必要とはしない。
【００２７】
また、上記段差を形成する方法として、上記半導体ウェハとして上方から見て切欠きをもつものを用い、上記カバーウェハとして上記半導体ウェハと同一口径かつ同じ大きさの切欠きをもつものを用い、上記半導体ウェハ上に上記カバーウェハを搭載する際に上記半導体ウェハと上記カバーウェハで切欠きの位置をずらすようにしても、上記段差を形成するための特別な加工を半導体ウェハ及びカバーウェハに施すことなく、上記段差を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明の一実施例を説明するための工程断面図である。図１（Ａ）〜（Ｃ）は下記に説明する工程（Ａ）〜（Ｃ）に対応している。この実施例により製造される半導体センサは図６に示したものと同じである。図１において図６、図７と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。図２はこの実施例で用いる半導体センサ領域が形成されたＳＯＩウェハを示す平面図である。図３はこの実施例で用いるカバーウェハを示す平面図である。図４は図２のＳＯＩウェハに図３のカバーウェハを搭載した状態を示す平面図である。図１から図４及び図６を参照してこの実施例を説明する。
【００２９】
（Ａ）図６も参照して説明すると、センサ部２８、絶縁膜１２、金属配線パターン１４、電極パッド１６及び保護膜１８が形成されたＳＯＩウェハ２ｄの裏面に接着剤２２によりボトムウェハ２０ａを接合する。ＳＯＩウェハ２ｄの上面に接着剤２６によりカバーウェハ２４ａを接合する。カバーウェハ２４ａは、ＳＯＩウェハ２ｄに対向する面の電極パッド１６及びスクライブ領域３０に対応する位置に帯状の凹部２４ｂをもつ。
【００３０】
本実施例における各部材の寸法や材料の一例を挙げると、ＳＯＩウェハ２ｄの厚みは４００μｍ（マイクロメートル）である。絶縁膜１２は膜厚が０.８μｍのＮＳＧ（non-doped silicon glass）膜又はＢＰＳＧ（boron phosphorus silicon glass）膜からなる。金属配線パターン１４は膜厚が１.０μｍのアルミニウムからなり、線幅が１.４μｍ、ピッチが１.５μｍである。電極パッド１６は膜厚が１.０μｍのアルミニウムからなり、平面サイズが７０×７０μｍである。保護膜１８は膜厚が０.２μｍのＮＳＧ膜と膜厚が１.０μｍのＳｉＮ（Silicon Nitride）膜の積層膜からなる。ボトムウェハ２０はＳＯＩウェハ２ｄと同一口径のシリコンウェハからなり、厚みは４００μｍである。接着剤２２，２６は感光性ポリイミド系接着剤をパターニングして形成したものであり、厚みは３〜８μｍ、ここでは５μｍである。カバーウェハ２４ａはＳＯＩウェハ２ｄと同一口径のシリコンウェハからなり、厚みは６２５μｍである。カバーウェハ２４ａの凹部２４ｂの幅は５００μｍ、深さは１５０μｍである。スクライブ領域３０の幅は２００μｍである。スクライブ領域３０で囲まれた半導体センサ領域の平面サイズは１.２×１.５ｍｍ（ミリメートル）である。絶縁膜１２の厚みを薄くすればセンサ感度を上げることが可能である。また、電極パッド１６の平面形状は正方形に限定されるものではなく、他の形状、例えば長方形であってもよい。図６では複数の電極パッド１６が半導体センサ１の１辺の近傍に並んで配置されているが、電極パッド１６が半導体センサ１の複数の辺の近傍に分散して形成されているなど、電極パッド１６の配置は任意である。
【００３１】
図２に示すように、ＳＯＩウェハ２ｄにはスクライブ領域３０により画定された複数の半導体センサ領域が形成されている。ＳＯＩウェハ２ｄは１５０ｍｍシリコンウェハを用いて形成されたものである。ＳＯＩウェハ２ｄのオリエンテーションフラット２ｅの長さは５７.５ｍｍ（規格値）である。ただし、オリエンテーションフラット２ｅの長さは規格値に限定されない。
【００３２】
図３に示すように、カバーウェハ２４ａも１５０ｍｍシリコンウェハを用いて形成されたものである。カバーウェハ２４ａのオリエンテーションフラット２４ｃの長さは４７.５ｍｍ（規格値）である。ただし、オリエンテーションフラット２４ｃの長さは規格値に限定されない。凹部２４ｂは例えばダイシングソーを用いた掘削により形成したり、エッチング除去によって形成したりできる。
【００３３】
図４に示すように、ＳＯＩウェハ２ｄ上にカバーウェハ２４ａが搭載された状態では、オリエンテーションフラット２ｅ，２４ｃの長さの違いにより、上方から見てＳＯＩウェハ２ｄの一部分が露出している。これにより、側方から見てＳＯＩウェハ２ｄとカバーウェハ２４ａとの間に段差が形成されている。
【００３４】
図１に戻って製造工程の説明を続ける。
（Ｂ）カバーウェハ２４ａの表面を研削又は研磨することによりカバーウェハ２４ａの厚みを薄くするとともに凹部２４ｂの底部を開口させて電極パッド１６を露出させる。カバーウェハ２４ａに対する研削処理は、例えば、研削ホイールを用い、粗研削と仕上げ研削を連続して行なう。厚みが６２５μｍのカバーウェハ２４ａに対し、粗研削を４９５μｍだけ行ない、仕上げ研削を２０μｍだけ行なう。これにより、研削後のカバー厚みは１１０μｍになる。カバーウェハ２４ａの研削処理ではダイシングソーを用いた場合のようにはダイシングソーのダイヤモンド砥粒や切屑は発生しないので、それらに起因する電極パッド１６や金属配線パターン１４の損傷を防止できる。また、カバーウェハ２４ａの研削処理では、ダイシングソーを用いる場合のような詳細な位置合わせをしなくてもよいので、カバーウェハ２４ａにアライメントマークを形成しておく必要はない。
ここでは研削処理によりカバーウェハ２４ａの厚みを薄くしているが、化学的機械研磨処理などの研磨処理により、カバーウェハ２４ａの厚みを薄くしてもよい。
【００３５】
上記工程（Ｂ）において、研削処理中には接触式の高さ測定ゲージは使用できない。また、市販のシリコンウェハには±５０μｍ程度の厚みの誤差がある。そこで、研削処理前に、図４に示した段差を利用してカバーウェハ２４ａの厚みを測定及び管理しておくことが好ましい。研削処理において、測定した研削前のカバーウェハ２４ａの厚みに対し、研削装置の研削ホイールの軸方向の移動量でカバーウェハ２４ａの厚みを管理すれば、研削後のカバーウェハ２４ａの厚みの精度を向上させることができる。
【００３６】
また、半導体センサチップの薄片化の要求に対応すべく、ボトムウェハ２０ａに対しても研削又は研磨処理を行なってもよい。ＳＯＩウェハ２ｄにボトムウェハ２０ａを接合する前に、ＳＯＩウェハ２ｄの厚みを測定しておけば、図４に示した段差を利用してボトムウェハ２０ａの厚みを正確に測定及び管理できる。
【００３７】
カバーウェハ２４ａに対して研削処理を施して電極パッド１６を露出させた後、電極パッド１６にプローブ針を接触されて電極パッド１６半導体センサ領域の電気的特性試験を行なう。ここで、カバーウェハ２４ａの研削処理では、ダイシングソーを用いた場合のようにはカバーウェハ２４ａの残渣物は発生しないので、それに起因するプローブ針の損傷や測定不良を防止できる。
【００３８】
（Ｃ）ダイシングソー（図示は省略）を用いてスクライブ領域３０のＳＯＩウェハ２ｄ等を切断除去し、半導体センサ１を固片化する。スクライブ領域３０の切断除去は、ダイシングソーを用いたものに限らず、エッチング技術によって行なってもよい。
【００３９】
上記実施例では、側面から見てＳＯＩウェハ２ｄとカバーウェハ２４ａとの間に段差を形成するためにＳＯＩウェハ２ｄのオリエンテーションフラット２ｅよりも長いオリエンテーションフラット２４ｃをもつカバーウェハ２４ａを用いている。これに対し、ＳＯＩウェハ２ｄのオリエンテーションフラット２ｅよりも短いオリエンテーションフラット２４ｃをもつカバーウェハ２４ａを用いても上記段差を形成することができる。
【００４０】
また、上記実施例ではＳＯＩウェハ２ｄとカバーウェハ２４ａでオリエンテーションフラット２ｅ，２４ｃの長さを互いに異ならせることによって側面から見てＳＯＩウェハ２ｄとカバーウェハ２４ａとの間に段差を形成しているが、他の方法によってこの段差を形成してもよい。
【００４１】
図５は、ＳＯＩウェハ上にＳＯＩウェハと同一口径かつ同一長さのオリエンテーションフラットをもつカバーウェハを搭載した状態を示す平面図である。
【００４２】
図５では、上方から見て、オリエンテーションフラット２ｅ，２４ｃの位置を例えば９０度だけずらして、ＳＯＩウェハ２ｄ上にカバーウェハ２４ａが搭載されている。ＳＯＩウェハ２ｄとカバーウェハ２４ａは同一長さのオリエンテーションフラット２ｅ，２４ｃを備えているが、オリエンテーションフラット２ｅ，２４ｃの位置をずらすことにより、側面から見てＳＯＩウェハ２ｄとカバーウェハ２４ａとの間に段差を形成することができる。
【００４３】
図４、図５では、ＳＯＩウェハ２ｄ、カバーウェハ２４ａとしてオリエンテーションフラット２ｅ，２４ｃを備えたものを用いているが、ＳＯＩウェハ、カバーウェハに形成された切欠きはノッチであってもよい。ノッチが形成されたＳＯＩウェハ及びカバーウェハを用いる場合であっても、ＳＯＩウェハとカバーウェハでノッチの大きさを異ならせたり、ＳＯＩウェハのノッチに対してカバーウェハのノッチをずらしてＳＯＩウェハ上にカバーウェハを搭載したりすることにより、側面から見てＳＯＩウェハ２ｄとカバーウェハ２４ａとの間に段差を形成することができる。また、ＳＯＩウェハ、カバーウェハの一方がオリエンテーションフラットを備え、他方がノッチを備えているようにしても、上記段差を形成することができる。なお、本発明の半導体センサの製造方法は、必ずしも上記段差を必要とするものではない。
【００４４】
以上、本発明の実施例を説明したが、本明細書中に示されている材料、寸法、形状、配置などは一例に過ぎず、本発明は特許請求の範囲に記載されている範囲内において種々の変更が可能である。
【００４５】
また、上記実施例では、本発明をピエゾ抵抗型の半導体センサの製造方法に適用しているが、本発明の半導体センサの製造方法にかかる対象はピエゾ抵抗型の半導体センサに限定されない。例えば、特許文献４に開示された加速度を検出する半導体センサの製造方法や、特許文献５に開示された角速度を検出する半導体センサなどであっても、カバー板を備えた半導体センサであれば、本発明の半導体センサの製造方法を適用することができる。
【００４６】
また、上記実施例では、カバーウェハ２４ａの厚みを薄くして電極パッド１６を露出させる際に、電極パッド１６近傍のスクライブ領域３０も露出させているが、本発明のカバーウェハ研削又は研磨工程においては、少なくとも電極パッドを露出させることができればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程断面図である。
【図２】同実施例で用いる半導体センサ領域が形成されたＳＯＩウェハを示す平面図である。
【図３】同実施例で用いるカバーウェハを示す平面図である。
【図４】図２のＳＯＩウェハに図３のカバーウェハを搭載した状態を示す平面図である。
【図５】ＳＯＩウェハ上にＳＯＩウェハと同一口径かつ同一長さのオリエンテーションフラットをもつカバーウェハを搭載した状態を示す平面図である。
【図６】カバー板を備えた半導体センサの一例を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ位置での断面図である。
【図７】従来の半導体センサの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図８】従来の半導体センサの不具合を説明するための図であり、金属配線パターンが損傷した状態を示す。
【図９】従来の半導体センサの不具合を説明するための図であり、残渣物が残っている状態を示す。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体センサ
２  ＳＯＩ基板
２ｄ  ＳＯＩウェハ
１６  電極パッド
２４  カバー板
２４ａ  カバーウェハ
２４ｂ  凹部
２８  センサ部
【図１】
2009264843.tif 000003
【図２】
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【図３】
2009264843.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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