(57)【要約】【課題】  液晶装置を低温環境下で使用する場合でも、最低限度の表示を確実に確保すること。【解決手段】  温度を測定する温度センサ５５４と、タイミング制御回路５４２と、画像処理回路５４４を含み、温度センサ５５４からの信号に基づいて、表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を、ドライバ５６０，５７０，５８０に供給する制御部５４０と、を含み、画像処理回路５４４は、解像度低下処理部５４４ａを含み、低温時表示モードにおいては前記解像度低下処理部５４４ａによって解像度変換を行い、通常表示モードにおける表示解像度よりも低解像度の画像を生成し、かつ、制御部５４０は、低解像度の画像の表示に際しては、複数本の走査線Ｘを同時に選択する複数本順次駆動を実行する。【選択図】  図１
2009069637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持される液晶と、を有する液晶装置であって、
前記第１基板上に設けられる、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、
前記複数の走査線および前記複数のデータ線の各々の交点に設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極ならびに前記画素電極の電圧を一時的に保持するための保持容量を含む画素回路と、
前記第２基板上に、前記画素電極と対向して設けられる対向電極と、
前記走査線、前記データ線ならびに前記対向電極を駆動することができるドライバと、
温度を測定する温度センサと、
タイミング制御回路および画像処理回路を含み、前記温度センサからの信号に基づいて、表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を前記ドライバに供給する制御部と、
を含み、
前記画像処理回路は、解像度低下処理部を含み、前記低温時表示モードにおいては前記解像度低下処理部によって解像度変換を行い、前記通常表示モードにおける表示解像度よりも低解像度の画像を生成し、
かつ、前記制御部は、前記低解像度の画像の表示に際して、複数本の前記走査線を同時に選択する複数本順次駆動を実行する、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置であって、
前記走査線の数はｍ（ｍは２以上の自然数）本であり、前記データ線の数はｎ（ｎは２以上の自然数）本であり、画素数は（ｍ・ｎ）個であり、かつ、同時に選択される前記走査線の数をｋ（ｋは２以上の自然数）とした場合、
前記解像度低下処理部は、入力された（ｍ・ｎ）個の画素に対応する画像信号を、（ｋ・ｋ）個の画素からなる画素ブロックを単位とする画像信号に変換することによって前記低解像度の画像を生成し、
前記低解像度の画像の表示に際しては、前記（ｋ・ｋ）個の画素からなる前記画素ブロックを単位として画像信号の書き込みを実行する、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の液晶装置であって、
前記制御部は、前記低温時表示モードにおけるフレーム周波数を、前記通常表示モードにおけるフレーム周波数よりも低く設定することを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の液晶装置であって、
前記液晶は、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）液晶であり、
前記制御部は、前記低温時表示モードおよび通常表示モードによる画像表示の前に、前記ＯＣＢ液晶の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させるための初期シーケンスを実行し、
前記制御部は、前記温度センサによる温度測定の結果、低温の場合には低温時初期シーケンスを実行し、低温ではない場合には通常初期シーケンスを実行すると共に、前記低温時初期シーケンスにおける画素への書き込み時間は、前記通常初期シーケンスにおける画素への書き込み時間よりも長く設定される、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４記載の液晶装置であって、
前記通常初期シーケンスならびに前記低温時初期シーケンスは共に、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスと、を含み、
前記ベンド転移核形成シーケンス実行時には、前記画素電極と前記走査線との間の電位差によって横電界を発生させ、前記ベンド転移拡大シーケンス実行時には、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって縦電界を発生させることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の液晶装置であって、
前記低温時初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数を、前記通常初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数よりも大きく設定することを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項４〜請求項６のいずれかに記載の液晶装置であって、
前記低温時初期シーケンスにおけるフレーム周波数を、前記通常初期シーケンスにおけるフレーム周波数よりも小さく設定することを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持される液晶と、前記第１基板上に設けられる、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記複数の走査線および前記複数のデータ線の各々の交点に設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極ならびに前記画素電極の電圧を一時的に保持するための保持容量を含む画素回路と、前記第２基板上に、前記画素電極と対向して設けられる対向電極と、温度を測定する温度センサと、を有する液晶装置の駆動方法であって、
前記温度センサによって温度を測定し、低温の場合には低温時表示モードによる表示を実行し、低温でない場合には通常表示モードによる表示を実行し、
前記低温時表示モードでは、前記通常表示モードにおける表示解像度よりも低解像度の画像を生成すると共に、複数本の前記走査線を同時に選択する複数本順次駆動によって前記低解像度の画像を表示する、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項９】
請求項８記載の液晶装置の駆動方法であって、
前記走査線の数はｍ（ｍは２以上の自然数）本であり、前記データ線の数はｎ（ｎは２以上の自然数）本であり、画素数は（ｍ・ｎ）個であり、かつ、同時に選択される前記走査線の数をｋ（ｋは２以上の自然数）とした場合、
入力された（ｍ・ｎ）個の画素に対応する画像信号を、（ｋ・ｋ）個の画素からなる画素ブロックを単位とする画像信号に変換することによって前記低解像度の画像を生成し、
前記低解像度の画像の表示に際しては、前記（ｋ・ｋ）個の画素からなる前記画素ブロックを単位として画像信号の書き込みを実行する、
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の液晶装置の駆動方法であって、
前記低温時表示モードにおけるフレーム周波数を、前記通常表示モードにおけるフレーム周波数よりも低く設定することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１１】
請求項８〜請求項１０のいずれかに記載の液晶装置の駆動方法であって、
ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）液晶を用いて、前記低温時表示モードおよび通常表示モードによる画像表示を実行する前に、前記液晶の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させるための初期シーケンスを実行すると共に、
温度測定の結果、低温の場合には低温時初期シーケンスを実行し、低温ではない場合には通常初期シーケンスを実行すると共に、前記低温時初期シーケンスにおける画素への書き込み時間を、前記通常初期シーケンスにおける画素への書き込み時間よりも長く設定する、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の液晶装置の駆動方法であって、
前記通常初期シーケンスならびに前記低温時初期シーケンスは共に、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスと、を含み、
前記ベンド転移核形成シーケンス実行時には、画素電極と走査線との間の電位差によって横電界を発生させ、前記ベンド転移拡大シーケンス実行時には、前記画素電極と対向電極との間の電位差によって縦電界を発生させる、ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２記載の液晶装置の駆動方法であって、
前記低温時初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数を、前記通常初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数よりも大きく設定することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１４】
走査線およびデータ線を駆動することができるドライバと、
温度を計測する温度センサと、
温度センサからの信号に基づいて、前記表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を前記ドライバに供給し、これによって、請求項８〜請求項１３のいずれかに記載の液晶装置の駆動方法を実行する制御部と、
を有することを特徴とする液晶駆動用集積回路装置。
【請求項１５】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の駆動方法、液晶駆動用集積回路装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶装置は、低温環境下では表示品質が低下する。よって、低温から高温までの広い温度範囲にわたって表示品質を維持するのはむずかしい。
【０００３】
低温時における液晶装置の表示品質の改善のための技術は、例えば、特許文献１〜特許文献３に記載されている。特許文献１，特許文献２に記載の技術では、周囲温度が低下すると、フレーム周波数（動作周波数）を低下させて各画素への書き込み時間を増大させる。また、特許文献３に記載の技術では、画素の保持容量への書き込み不足を補うために、正規の書き込み前に、１行以上前の同じ色配列の映像信号を用いて予備充電を実行する。
【０００４】
また、近年、応答速度の速いＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）液晶を用いた液晶パネルが注目されているが、ＯＣＢ液晶は、低温下では画素への書き込み不足が生じて適正な表示を行うことが困難となる。よって、効果的な低温対策が必要である。
【０００５】
さらに、ＯＣＢ液晶装置は、一般の液晶と異なり、電源投入直後において、初期シーケンス（転移シーケンス）を実行して、液晶分子をスプレイ配向状態からベンド配向状態に移行させる必要があり、低温下では、画素への書き込み不足によって、この初期転移も不完全となりがちであるため、画像表示時における低温対策と共に、初期転移における低温対策も重要となる。
【０００６】
さらに、ＯＣＢ液晶装置における初期シーケンスでは、一般に、特別な高電圧を用いた複雑な初期シーケンスが必要とされ、このことがＯＣＢ液晶装置の利便性低下の一因となっている。よって、ＯＣＢ液晶装置の使い勝手向上のためには、特別な高電圧を用いずに、かつ、画像表示時と同様の一貫した駆動方式による簡素化された初期シーケンスによって初期転移を完了させることが望まれている。
【０００７】
よって、上述した、ＯＣＢ液晶における低温対策（初期シーケンスにおける低温対策ならびに画像表示時における低温対策の双方を含む）も、上述の簡素化された駆動方式を踏襲しつつ、無理なく実現されるのが望ましい。
【０００８】
なお、ＯＣＢ液晶装置の低温対策については、例えば、特許文献４に記載されている。特許文献４では、低温時の表示品質を改善するために、加熱装置を用いて液晶パネルを加熱する。
【特許文献１】特開２００７−１７８６３号公報
【特許文献２】特開２００５−１８１９１７号公報
【特許文献３】特開平１０−１８６３２６号公報
【特許文献４】特開２００２−２５０９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１，特許文献２において動作周波数を低下させる技術は、動作周波数の変更が難しい液晶装置では採用できず、また、周波数の変更には制限があるため、書き込み時間を増大することには限界がある。よって、例えば、極寒地における使用（例えば、−３０℃の環境での使用）時には、低温対策として不十分となる場合がある。
【００１０】
特許文献３の技術は、正規の書き込み前に保持容量への予備充電を行う必要があり、画素ならびに周辺回路の構成が複雑化する。
【００１１】
また、特許文献１〜特許文献３のいずれの技術においても、ＯＣＢ液晶との整合性（つまり、ＯＣＢ液晶装置を、特別な高電圧を用いず、かつ簡素化された駆動方式で駆動しつつ低温対策も実現する点）については、何ら言及されていない。
【００１２】
また、特許文献４の技術では、加熱装置を用いて液晶パネルを加熱するため、液晶パネルの構成が複雑化し、コスト面でも不利となる。
【００１３】
本発明はこのような考察に基づいてなされたものである。本発明の少なくとも一つの実施態様によれば、低温から高温までの広い温度範囲にわたって表示品質を維持することができる液晶装置が実現される。また、本発明の少なくとも一つの実施態様によれば、ＯＣＢ液晶装置を、特別な高電圧を用いず、かつ簡素化された駆動方式で駆動すると共に、この方式を踏襲して低温対策も無理なく実現することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
（１）本発明の液晶装置の一態様では、対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持される液晶と、を有する液晶装置であって、前記第１基板上に設けられる、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記複数の走査線および前記複数のデータ線の各々の交点に設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極ならびに前記画素電極の電圧を一時的に保持するための保持容量を含む画素回路と、前記第２基板上に、前記画素電極と対向して設けられる対向電極と、前記走査線、前記データ線ならびに前記対向電極を駆動することができるドライバと、温度を測定する温度センサと、タイミング制御回路および画像処理回路を含み、前記温度センサからの信号に基づいて、表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を前記ドライバに供給する制御部と、を含み、前記画像処理回路は、解像度低下処理部を含み、前記低温時表示モードにおいては前記解像度低下処理部によって解像度変換を行い、前記通常表示モードにおける表示解像度よりも低解像度の画像を生成し、かつ、前記制御部は、前記低解像度の画像の表示に際して、複数本の前記走査線を同時に選択する複数本順次駆動を実行する。
【００１５】
使用環境温度に応じて表示画像自体を変更し、これによって、複数本の走査線の同時駆動を可能とし、走査線の選択時間（つまり画素への書き込み時間）を増大させるものである。解像度を低下させた画像を生成し、複数本の走査線の同時選択を実行するため、フレーム周波数（動作周波数）を変更することなく、各走査線の選択期間（各画素への書き込み時間）を無理なく増やすことができる。また、低温環境下では、画質よりも、正常に画像を表示できることの方が優先されるため、解像度低下に伴う多少の画質低下は問題にならない。
【００１６】
（２）本発明の液晶装置の他の態様では、前記走査線の数はｍ（ｍは２以上の自然数）本であり、前記データ線の数はｎ（ｎは２以上の自然数）本であり、画素数は（ｍ・ｎ）個であり、かつ、同時に選択される前記走査線の数をｋ（ｋは２以上の自然数）とした場合、前記解像度低下処理部は、入力された個の画素に対応する画像信号を、（ｋ・ｋ）個の画素からなる画素ブロックを単位とする画像信号に変換することによって前記低解像度の画像を生成し、前記低解像度の画像の表示に際しては、（ｋ・ｋ）個の画素から  なる前記画素ブロックを単位として画像信号の書き込みを実行する。
【００１７】
解像度低下処理の具体例を示したものである。すなわち、（ｍ・ｎ）個の各画素の画像データを、（ｋ・ｋ）個の画素を含む画素ブロックを単位とした画像データに変換し、その画素ブロック単位の書き込みを実行する。例えば、ｋ＝２の場合（すなわち、２本の走査線を同時選択し、４個の画素を１ブロックとする場合）を考える。なお、１ブロックに含まれる４画素のデータは同じである。この場合、水平方向の実質的な画素数は（ｍ／２）となり、垂直方向の実質的な画素数は（ｎ／２）となり、画素数は、実質的に（ｍ・ｎ）／４となる。解像度低下処理部は、（ｍ・ｎ）個の画素に対する画像信号が入力されると、その画像信号を、ブロックを単位とした（ｍ・ｎ）／４の画像信号に変換し、２本の走査線を同時選択し、かつ、隣接する２本のデータ線には同じデータ（つまり、１ブロックのデータ）を入力する。よって、フレーム周波数（動作周波数）は同じでも、余裕をもって走査線を駆動でき、各画素への書き込み時間を２倍とすることができる。ｋの値を増加させれば、画素への書込み時間をより増やすことも簡単にできる。よって、低温時においても、少なくとも最低限の（正常な）表示を確実に確保することができる。また、駆動方式自体は順次駆動方式（複数本の走査線を同時選択する複数ライン線順次方式）を採用できるため、特別な回路が不要であり、実現が容易である。液晶表示に通常使用される、水平ライン反転駆動やドット反転駆動にも容易に対応することが可能である。
【００１８】
（３）本発明の液晶装置の他の態様では、前記制御部は、前記低温時表示モードにおけるフレーム周波数を、前記通常表示モードにおけるフレーム周波数よりも低く設定する。
【００１９】
フレーム周波数（動作周波数）の低減処理と組み合わせることによって、各画素への書き込み時間をさらに増加させることができる。すなわち、ｋ本の走査線を同時選択する駆動方式を採用し、かつ、フレーム周波数を常温時の１／ｐ（ｐは１より大きな整数）とすれば、画素への書き込み時間を、（ｋ・ｐ）倍に増やすことができる。よって液晶装置が、極寒地（例えば、−３０℃の環境）で使用される場合でも、少なくとも最低限の表示を確保することができる。
【００２０】
（４）本発明の液晶装置の他の態様では、前記液晶は、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）液晶であり、前記制御部は、前記低温時表示モードおよび通常表示モードによる画像表示の前に、前記ＯＣＢ液晶の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させるための初期シーケンスを実行し、前記制御部は、前記温度センサによる温度測定の結果、低温の場合には低温時初期シーケンスを実行し、低温ではない場合には通常初期シーケンスを実行すると共に、前記低温時初期シーケンスにおける画素への書き込み時間は、前記通常初期シーケンスにおける画素への書き込み時間よりも長く設定される。
【００２１】
上述の（１）〜（３）の態様は、液晶の種類を問わず、かつ、画像表示時における低温対策を示しているが、本態様では、液晶をＯＣＢ液晶に限定し、かつ、制御部が、画像表示前に、温度測定結果に応じて、低温時初期シーケンスと通常初期シーケンスを選択的に実行する。これによって、寒冷地でＯＣＢ液晶装置を使用する場合でも、初期転移不良による表示品質の低下が生じない。
【００２２】
（５）本発明の液晶装置の他の態様では、前記通常初期シーケンスならびに前記低温時初期シーケンスは共に、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスと、を含み、前記ベンド転移核形成シーケンス実行時には、前記画素電極と前記走査線との間の電位差によって横電界を発生させ、前記ベンド転移拡大シーケンス実行時には、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって縦電界を発生させる。
【００２３】
ＯＣＢ液晶装置の初期シーケンスにおいて、走査線と画素電極との間の横電界によってベンド転移核を形成し、画素電極と対向電極間の縦電界によってベンド転移を拡大するっ処理が実行される点を明らかとしたものである。走査線とデータ線（ならびに必要な場合は対向電極の一極）の駆動電圧と駆動タイミングを制御することによって、特別な構成ならびに高電圧を用いることなく、初期シーケンスを実行することができる。すなわち、ＯＣＢ液晶に、局所的な強い横電界を印加することによってディスクリネーション（液晶分子の配向が不連続となる欠陥領域:ディスクリネーションラインという）が発生し、そのディスクリネーションがベンド転移核となる。また、ベンド転移核形成後に、ＯＣＢ液晶の全画素に対して強い縦電界を与えることによって、ベンド転移核の拡大が開始される。ベンド転移核形成およびベンド転移拡大の各シーケンスは、走査線、データ線ならびに対向電極の各々に印加する電圧のレベルおよび電圧印加タイミングを制御するという、一般的な液晶駆動方式によって実現でき、初期シーケンスのために特別な回路を設ける必要はない。よって、液晶ドライバを簡素化でき、液晶装置の低コスト化も達成される。また、例えば、複数本の走査線の同時駆動方式を利用すれば、画素への印加時間を増やすことも無理なくでき、低温対策の実現も容易である。
【００２４】
（６）本発明の液晶装置の他の態様では、前記低温時初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数を、前記通常初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数よりも大きく設定する。
【００２５】
例えば、通常初期シーケンス時には、１走査線毎の線順次駆動を実行し、低温時初期シーケンス時には、ｋライン同時駆動するマルチライン順次駆動を実行する。ｋラインを同時駆動すれば、水平走査周波数を１／ｋにでき、各走査線が選択される期間をｋ倍にすることができる。この期間に走査線やデータ線に電圧を印加すれば、液晶に電圧を印加する期間がｋ倍になる。よって、低温時における液晶への電圧印加不足を解消することができ、初期転移不良が生じない。
【００２６】
（７）本発明の液晶装置の他の態様では、前記低温時初期シーケンスにおけるフレーム周波数を、前記通常初期シーケンスにおけるフレーム周波数よりも小さく設定する。
【００２７】
例えば、低温時初期シーケンス時には、フレーム周波数を通常シーケンス時の１／ｑとする。これによりフレーム周期はｑ倍になる。すなわち、走査線やデータ線に電圧を印加すれば、液晶に電圧を印加する期間がｑ倍になる。よって、低温時における液晶への電圧印加不足を解消することができ、初期転移不良が生じない。また、上述の態様（６）の手法と組み合わせれば、液晶への電圧印加時間を（ｋ・ｑ）倍にすることができ、液晶への電圧印加時間をさらに、無理なく拡大することができる。
【００２８】
（８）本発明の液晶装置の駆動方法の一態様では、対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持される液晶と、前記第１基板上に設けられる、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記複数の走査線および前記複数のデータ線の各々の交点に設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極ならびに前記画素電極の電圧を一時的に保持するための保持容量を含む画素回路と、前記第２基板上に、前記画素電極と対向して設けられる対向電極と、温度を測定する温度センサと、を有する液晶装置の駆動方法であって、前記温度センサによって温度を測定し、低温の場合には低温時表示モードによる表示を実行し、低温でない場合には通常表示モードによる表示を実行し、前記低温時表示モードでは、前記通常表示モードにおける表示解像度よりも低解像度の画像を生成すると共に、複数本の前記走査線を同時に選択する複数本順次駆動によって前記低解像度の画像を表示する。
【００２９】
本態様によれば、使用環境温度に応じて表示画像自体を変更し、複数本の走査線を同時選択し、画素への書き込み時間を無理なく増大させる、新規な液晶装置の駆動方式が実現される。
【００３０】
（９）本発明の液晶装置の駆動方法の他の態様では、前記走査線の数はｍ（ｍは２以上の自然数）本であり、前記データ線（Ｙ）の数はｎ（ｎは２以上の自然数）本であり、画素数は（ｍ・ｎ）個であり、かつ、同時に選択される前記走査線（Ｘ）の数をｋ（ｋは２以上の自然数）とした場合、入力された（ｍ・ｎ）個の画素に対応する画像信号を、（ｋ・ｋ）個の画素からなる画素ブロックを単位とする画像信号に変換することによって前記低解像度の画像を生成し、前記低解像度の画像の表示に際しては、（ｋ・ｋ）個の画素からなる前記画素ブロックを単位として画像信号の書き込みを実行する。
【００３１】
（ｍ・ｎ）個の各画素の画像データを、（ｋ・ｋ）個の画素を含む画素ブロックを単位とした画像データに変換し、その画素ブロック単位の書き込みを実行する。例えば、ｋ＝２の場合（すなわち、２本の走査線を同時選択し、４個の画素を１ブロックとする場合）を考える。なお、１ブロックに含まれる４画素のデータは同じである。この場合、水平方向の実質的な画素数は（ｍ／２）となり、垂直方向の実質的な画素数は（ｎ／２）となり、画素数は、実質的に（ｍ・ｎ）／４となる。解像度低下処理部は、（ｍ・ｎ）個の画素に対する画像信号が入力されると、その画像信号を、ブロックを単位とした（ｍ・ｎ）／４の画像信号に変換し、２本の走査線を同時選択し、かつ、隣接する２本のデータ線には同じデータ（つまり、１ブロックのデータ）を入力する。よって、フレーム周波数（動作周波数）は同じでも、余裕をもって走査線を駆動でき、各画素への書き込み時間を２倍とすることができる。ｋの値を増加させれば、画素への書込み時間をより増やすことも簡単にできる。よって、低温時においても、少なくとも最低限の（正常な）表示を確実に確保することができる。また、駆動方式自体は順次駆動方式（複数本の走査線を同時選択する複数ライン線順次方式）を採用できるため、特別な回路が不要であり、実現が容易である。液晶表示に通常使用される、水平ライン反転駆動やドット反転駆動にも容易に対応することが可能である。
【００３２】
（１０）本発明の液晶装置の駆動方法の他の態様では、前記低温時表示モードにおけるフレーム周波数を、前記通常表示モードにおけるフレーム周波数よりも低く設定する。
【００３３】
フレーム周波数（動作周波数）の低減処理と組み合わせることによって、各画素への書き込み時間をさらに増加させることができる。すなわち、ｋ本の走査線を同時選択する駆動方式を採用し、かつ、フレーム周波数を常温時の１／ｐ（ｐは１より大きな整数）とすれば、画素への書き込み時間を、（ｋ・ｐ）倍に増やすことができる。よって液晶装置が、極寒地（例えば、−３０℃の環境）で使用される場合でも、少なくとも最低限の表示を確保することができる。
【００３４】
（１１）本発明の液晶装置の駆動方法の他の態様では、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）液晶を用いて、前記低温時表示モードおよび通常表示モードによる画像表示を実行する前に、前記液晶の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させるための初期シーケンスを実行すると共に、温度測定の結果、低温の場合には低温時初期シーケンスを実行し、低温ではない場合には通常初期シーケンスを実行すると共に、前記低温時初期シーケンスにおける画素への書き込み時間を、前記通常初期シーケンスにおける画素への書き込み時間よりも長く設定する。
【００３５】
ＯＣＢ液晶の画像表示時のみならず、それに先立つ初期シーケンス（転移シーケンス）実行時においても低温対策を実行するものである。すなわち、低温下では、ＯＣＢ液晶の書き込み不足によって、スプレイ配向からベンド配向への十分な初期転移が実現しない可能性があるため、初期シーケンス時においても、低温下では、画素への書き込み時間を意図的に増大させ、初期転移不良が生じないようにするものである。これにより、ＯＣＢ液晶を低温環境で使用しても、少なくとも最小限度の画像表示を確実に確保することができる。
【００３６】
（１２）本発明の液晶装置の駆動方法の他の態様では、前記通常初期シーケンスならびに前記低温時初期シーケンスは共に、ベンド転移核形成シーケンスと、ベンド転移核拡大シーケンスと、を含み、前記ベンド転移核形成シーケンス実行時には、画素電極と走査線との間の電位差によって横電界を発生させ、前記ベンド転移拡大シーケンス実行時には、前記画素電極と対向電極との間の電位差によって縦電界を発生させる。
【００３７】
ＯＣＢ液晶装置の初期シーケンスにおいて、走査線と画素電極との間の横電界によってベンド転移核を形成し、画素電極と対向電極間の縦電界によってベンド転移を拡大するっ処理が実行される点を明らかとしたものである。走査線とデータ線（ならびに必要な場合は対向電極の一極）の駆動電圧と駆動タイミングを制御することによって、特別な構成ならびに高電圧を用いることなく、初期シーケンスを実行することができる。すなわち、ＯＣＢ液晶に、局所的な強い横電界を印加することによってディスクリネーション（液晶分子の配向が不連続となる欠陥領域:ディスクリネーションラインという）が発生し、そのディスクリネーションがベンド転移核となる。また、ベンド転移核形成後に、ＯＣＢ液晶の全画素に対して強い縦電界を与えることによって、ベンド転移核の拡大が開始される。ベンド転移核形成およびベンド転移拡大の各シーケンスは、走査線、データ線ならびに対向電極の各々に印加する電圧のレベルおよび電圧印加タイミングを制御するという、一般的な液晶駆動方式によって実現でき、初期シーケンスのために特別な回路を設ける必要はない。よって、液晶ドライバを簡素化でき、液晶装置の低コスト化も達成される。また、例えば、複数本の走査線の同時駆動方式を利用すれば、画素への印加時間を増やすことも無理なくでき、低温対策の実現も容易である。
【００３８】
（１３）本発明の液晶装置の駆動方法の他の態様では、前記低温時初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数を、前記通常初期シーケンスにおける順次駆動による１回の書き込みライン数よりも大きく設定する。
【００３９】
例えば、通常初期シーケンス時には、１走査線毎の線順次駆動を実行し、低温時初期シーケンス時には、ｋライン同時駆動するマルチライン順次駆動を実行する。ｋラインを同時駆動すれば、水平走査周波数を１／ｋにでき、各走査線が選択される期間をｋ倍にすることができる。この期間に走査線やデータ線に電圧を印加すれば、液晶に電圧を印加する期間がｋ倍になる。よって、低温時における液晶への電圧印加不足を解消することができ、初期転移不良が生じない。
【００４０】
（１４）本発明の液晶駆動用集積回路装置は、走査線、データ線を駆動することができるドライバと、温度を計測する温度センサと、温度センサからの信号に基づいて、前記表示または光変調のための画像信号ならびに制御信号を前記ドライバに供給し、これによって本発明の液晶装置の駆動方法を実行する制御部と、を有する。
【００４１】
これによって、温度に依存することなく画像表示の表示品質を確保しつつ、特別な高耐圧を必要とせず、簡素化された回路構成をもち、かつローコストのＯＣＢ液晶駆動用ＩＣが実現される。
【００４２】
（１５）本発明の電子機器は、本発明の液晶装置を有する。
【００４３】
本発明の液晶装置は、温度に依存せずに安定動作を確保できる簡素化された構成をもつ。また、ＯＣＢ液晶の初期転移を無理なく、効率的に実現することもできる。よって、本発明の液晶装置を搭載する電子機器も、低温〜高温の広い温度範囲にわたって適正な表示を確保でき、かつ小型かつローコストという利点を享受することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
（第１の実施形態）
以下、本発明に係る液晶装置の第１実施形態について説明する。本実施形態では、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと略する）をスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリックス方式のＯＣＢ液晶装置の例を挙げて説明する。
【００４５】
（液晶装置の低温時表示モードと通常表示モードの概要）
まず、液晶装置の動作の概要を説明する。図１は、液晶装置における開始時から低温表示モードもしくは通常表示モードによる画素表示が終了するまでの動作の概要を示すフローである。
【００４６】
図１に示すように、電源が投入されると、温度を測定し（Ｓ１００）、次に、例えば、しきい値以下か否かの判断を行う（Ｓ１０１）。測定温度がしきい値以下（例えば、０℃以下）でなければ通常表示モード（Ｓ１０２）、測定温度がしきい値以下（例えば、０℃以下）であれば低温時表示モード（Ｓ１０３）を行う。ここで、低温時表示モード（Ｓ１０３）は、解像度低下処理シーケンス（ＳＫ）と、フレーム周波数低下処理シーケンス（ＳＱ）とを含むことができる。
【００４７】
すなわち、例えば３０℃〜０℃などの低温になる寒冷地などで、液晶装置を使用する場合、書き込み動作が不安定で表示品位が劣化するのを防止するために、使用環境温度によって表示画像の画質を変更している。つまり、通常表示モードと比較すると、低温時表示モードにおいては、解像度を低くしているために画像精度は、低くなるが、低温の動作環境においても書き込み不足などの問題を生じることなく安定して液晶装置を使用することができると同時に、しきい値以下ではない温度であれば通常表示モードで高精細に表示できるという点で優れている。
【００４８】
よって、低温時表示モード（Ｓ１０３）においては、解像度低下処理シーケンス（ＳＫ）により、通常表示モード（Ｓ１０２）と比較して解像度を低くする処理を行う。
【００４９】
次に、必要に応じて、フレーム周波数低下処理シーケンス（ＳＱ）を実行して、フレーム周波数を、通常表示モード（Ｓ１０２）と比較して低くする処理を行う。これらの処理により、データ書き込み時間を、通常表示モードよりも長くすることができるため、使用環境が低温であっても、書き込み不足による表示不良などの問題が生じない。
【００５０】
そして、低温時表示モード（Ｓ１０３）もしくは通常表示モード（Ｓ１０２）を経て画像表示が終了する。
【００５１】
（液晶装置の構成例）
図２は、本発明の液晶装置の構成例を示す図である。図示されるように、液晶装置５０２は、電子機器（例えば携帯端末）５００に搭載されている。
【００５２】
電源スイッチ５１０は、電子機器５００の電源オン／オフを切り換えるスイッチである。メイン制御回路５２０は、映像信号と電源スイッチ５１０からの出力を受けて各部へクロック信号ｃｌｋ、データ信号ｄａｔａ、電源オン／オフの状態等の情報を持つステータス信号Ｓｔａｔｕｓを送出する。
【００５３】
メイン制御回路５２０から送出されたデータ信号ｄａｔａはバックライト５３０に入力されるとともに、制御部５４０における画像処理回路５４４にも入力され、この画像処理回路５４４にはクロック信号ｃｌｋおよびステータス信号ｓｔａｔｕｓ、温度センサ５５４からの測定温度信号が供給される。すなわち、温度センサ５５４が設けられ、使用環境下の温度を測定し測定結果を測定温度信号として画像処理回路５４４に供給している。
【００５４】
画像処理回路５４４は、解像度変換回路５４５を有し、測定温度信号に基づいて、通常表示モードあるいは低温時表示モードを選択し、低温時表示モードが選択的に実行された場合には、解像度変換回路５４５により解像度低下処理シーケンスを行う。低温時表示モードの場合は解像度低下処理シーケンス後、通常表示モードの場合は、解像度変換回路５４５をスルーして、液晶装置５０２の動作を制御する制御信号を生成し、この制御信号がタイミング制御回路５４２に入力されて液晶装置５０２におけるさまざまな動作タイミングが制御されてＹデータ信号Ｙｄａｔａ、Ｙクロック信号Ｙｃｌｋ、Ｘデータ信号ＸｄａｔａおよびＸクロック信号Ｘｃｌｋが生成される。
【００５５】
タイミング制御回路５４２から出力されたＹクロック信号ＹｃｌｋおよびＹデータ信号Ｙｄａｔａが走査線ドライバ５６０に入力されることによって、走査線ドライバ５６０はＹクロック信号ＹｃｌｋおよびＹデータ信号Ｙｄａｔａに基づいて走査線Ｘ１〜Ｘ６を順次選択する。上述のとおり、線順次駆動方式や複数本順次駆動方式等を採用できる。
【００５６】
一方、タイミング制御回路５４２から出力されたＸクロック信号ＸｃｌｋおよびＸデータ信号Ｘｄａｔａがデータ線ドライバ５７０に入力されることによって、データ線ドライバ５７０はＸクロック信号ＸｃｌｋおよびＸデータ信号Ｘｄａｔａに基づいてデータ線Ｙ１〜Ｙ６を順次選択する。
【００５７】
すなわち、データが通常のｍ×ｎ画素分入力されると、画像処理回路５４４で、例えば（ｍ×ｎ）／４画素分のデータに変換し、データ線ドライバ５７０には、例えば２ラインずつ同じデータを入力する。走査線ドライバ５６０にも２ラインずつ同時に順次書き込みを行う。解像度変換処理の詳細については後述する。
【００５８】
このようにして選択された走査線Ｘに対し、データＹ１〜Ｙ６を選択することで各画素回路Ｇにデータが書き込まれる。ここで、データ線ドライバ５７０では、他にメイン制御回路５２０から送出されたステータス信号ｓｔａｔｕｓを受信し、電源スイッチ５１０の状態を認識できるようになっている。
【００５９】
このようにして、液晶装置５０２における各画素回路が選択されて、画像データの書き込みが行われる。上述のとおり、画像データの書き込みは、線順次、複数本線順次、面順次のいずれの方法を用いても行うことができる。
【００６０】
一方、電源回路５５０により、走査線ドライバ５６０、データ線ドライバ５７０、コモンドライバ５８０の電源オン／オフが制御されており、データ書き込み時にはそれぞれがオンするように制御されている。
【００６１】
よって、電源が投入されると、電源回路５５０もオンし、走査線ドライバ５６０、データ線ドライバ５７０、コモンドライバ５８０がオンして、各ブロックへ所定の電圧を供給することにより、画素アレイ（画像表示部）５９０に画像が表示される。
【００６２】
（液晶駆動用ＩＣの構成例）
次に、本発明の液晶装置の画素回路への画像データの書き込みを制御する液晶駆動ＩＣ(液晶駆動用集積回路装置)の構成例について説明する。
【００６３】
図３は、液晶駆動用ＩＣの構成例を示す図である。液晶駆動用ＩＣ６５０は、図３の液晶装置５０２内に搭載される。すなわち、液晶駆動用ＩＣ６５０には、図２の液晶装置５０２における画像表示部５９０以外の回路部分が集積される。
【００６４】
液晶駆動ＩＣ６５０は、電源回路６５２と、情報記憶用メモリとしてのＲＡＭ６５４と、温度センサ５５４と、アクティブマトリックス基板６００外、すなわち、電子機器におけるメイン制御回路５２０からの信号を受ける、画像処理回路５４４を含む制御部５４０と、制御部５４０からの信号を受けて液晶装置側へ信号を送出する走査線ドライバ６５１と、データ線ドライバ６５６と、コモンドライバ６５５と、を備える。
【００６５】
制御部５４０はゲートアレイ（ＧＡ）であって、温度センサ５５４からの測定温度信号を受けて、通常表示モードまたは低温時表示モードを選択して、所定のタイミングで画像データをデータ線ドライバ６５６に供給し、また、各ドライバ（６５１，６５６，６５５）に制御信号を与えて各ドライバの動作を制御する。
【００６６】
具体的には、例えば、以下のような制御が行われる。すなわち、通常動作時には、電源回路６５２から、走査線に対して−５Ｖ〜１１Ｖ、データ線に対しては−５Ｖ〜５Ｖ、コモン線に対しては−５Ｖ〜７Ｖの電圧を供給して画像表示を行わせる。
【００６７】
（液晶駆動用ＩＣにおける使用電圧について）
図３に示されるように、各走査線に供給される電圧は、例えば、−５Ｖ〜１１Ｖであり、各データ線に供給される電圧は−５Ｖ〜７Ｖ程度であり、コモン線に供給する電圧は−５Ｖ〜７Ｖ程度である。すなわち、最大で１１Ｖ程度の電圧を扱うことができればよく、特別な高電圧は不要であり、ＩＣの実現が容易であると共に、液晶駆動用ＩＣの低コスト化に有利である。
【００６８】
（使用環境が低温である場合の、解像度低下処理シーケンスについて）
図４に、本発明の液晶装置における解像度低下処理シーケンスの表示の一例を示す。ここで、本発明の液晶装置における表示モードである、低温時表示モードと通常表示モードとの差異は、表示する画像の解像度である。
【００６９】
ここでは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素を、線順次駆動する場合を想定する。図示されるように、ｍ行目の画素列に対する電界の印加が終了すると、１フレーム期間が終了する表示パネルが水平ｍライン、垂直ｎラインであるとすると、画素の数はｍ×nである。
【００７０】
図４（Ａ）は通常表示モードにおける表示状態を示し、図５（Ｂ）は、低温時表示モードにおける表示状態を示す。すなわち、測定温度がしきい値以下にならない場合には、通常表示モードが選択され、例えば、図４（Ａ）に示すように画像表示が行われる。
【００７１】
そして、測定温度がしきい値以下である場合には、低温時表示モードが選択され、解像度低下処理シーケンスが行われる。この解像度低下処理シーケンスは、低温時の書き込み電圧不足を防止するために、書き込み時間を通常表示モードと比較して長くするために行われる。すなわち、低温時表示モードにおいては、解像度を低下させて、走査線を２ライン同時に選択して書き込みを行うことで書き込み時間を増加させる。
【００７２】
つまり、解像度低下処理シーケンスにおいては、図４（Ａ）の1画素分のデータをコピーして、図４（Ｂ）に示すように、４画素分のデータにし、走査線２ラインを同時に駆動して同時書込みを行う。このとき、垂直同期周波数は１／２にすることができるので、１走査線への電圧印加時間は、通常表示モードにおける書き込み時間と比較すると２倍となる。
【００７３】
（解像度低下シーケンスの具体的な例）
次に、解像度低下処理シーケンスの具体的な例について説明する。図５に、本発明の液晶装置の解像度低下処理シーケンスの他の例を説明する図を示す。図５においては、２行２列分の４つの画素について例を挙げて説明する。
【００７４】
図５（Ａ）に示すように、解像度変換回路５４５は、例えば、１／２解像度処理部５４５ａを含む。１／２解像度処理部５４５ａは、入力データｄａｔａが供給されて、解像度処理シーケンスを行うことにより、データ線ドライバに供給するＸデータＸｄａｔａ、走査線ドライバに供給するＹｄａｔａを、図２に示すタイミング制御回路５４２を介して、制御部５４０から出力する。
【００７５】
図５（Ａ）において行われる解像度処理シーケンスとしては、例えば、図５（Ｂ）に示すような、１画素分のデータをコピーして４画素分の共通データにする方法（図４（Ｂ）と同様の方法）と、図５（Ｃ）に示すような、４画素分のデータを平均化して、その平均化したデータを４つ分の画素の共通データとする方法がある。いずれの方法でも、走査線を２ライン同時に選択して書き込みが行われる。
【００７６】
図５（Ｂ）の方法では、例えば、通常表示モードにおける左隅の画素Ｇ１ａをコピーして、４画素分の共通データにして表示する。
【００７７】
図５（Ｃ）の方法では、例えば、通常表示モードにおいて表示されている画素Ｇ１ａ、Ｇ１ｂ、Ｇ２ａ、Ｇ２ｂにおけるデータを平均化する。これらのデータを平均化すると、（Ｇ１ａ＋Ｇ１ｂ＋Ｇ２ａ＋Ｇ２ｂ）／４となり、これを共通データとして４画素に共通に表示する。
【００７８】
ここで、図５においては、解像度を１／２にする１／２解像度処理部を含む例について説明したが、解像度低下処理は、１／２に限定することなく、１／Ｌ（Ｌ：所望の定数）とすることもできる。
【００７９】
（書き込み時における電位極性反転方法の例）
次に、データ書き込み時における電位極性反転の方法について説明する。図６に本発明の液晶装置の電位極性反転書き込み動作の具体例を示す。
【００８０】
図６（Ａ）は常温ライン反転、図６（Ｂ）には低温ライン反転、図６（Ｃ）には常温ドット反転、図６（Ｄ）は低温ドット反転である。図６においては、４行４列分の８つの画素について例を挙げて説明する。
【００８１】
まずは、ライン反転について説明する。ライン反転は、選択された走査線のラインごとに電位極性を変えてデータを書き込む方式である。
【００８２】
すなわち、図６（Ａ）に示すような常温ライン反転は、測定温度がしきい値以下ではないときに、１番目の走査線を選択して、接続された全ての画素に対して＋データを書き込み、次いで２番目の走査線を選択して、接続された全ての画素に対して−データを書き込み、次いで、３番目の走査線を選択して、接続された全ての画素に対して−データを書き込むという方法である。
【００８３】
一方、図６（Ｂ）に示すような低温ライン反転においては、測定温度がしきい値以下のときに、走査線を複数本選択してデータ書き込みを行うものであるから、図６（Ｂ）においては、例えば、隣り合う走査線を２ライン、隣り合うデータ線を４ライン同時に選択して８画素分同時にデータ書き込みを行うものとして説明する。この場合は、１番目と２番目の走査線を選択して、接続された全ての画素に対して＋データを書き込み、次いで、２番目と３番目の走査線を選択して、接続された全ての画素に対して−データを書き込む。
【００８４】
次に、ドット反転について説明する。ドット反転は、隣り合う画素ごとに電位極性を変えてデータを書き込む方式である。
【００８５】
すなわち、図６（Ｃ）に示すような常温ドット反転は、測定温度がしきい値以下ではないときに、１番目の走査線を選択しているときに、１番目のデータ線と接続された画素には＋データ、２番目のデータ線と接続された画素には−データ、３番目のデータ線と接続された画素には＋データ、４番目のデータ線と接続された画素には−データを書き込み、２番目の走査線を選択しているときに、１番目のデータ線と接続された画素には−データ、２番目のデータ線と接続された画素には＋データ、３番目のデータ線と接続された画素には−データ、４番目のデータ線と接続された画素には＋データを書き込み、３番目の走査線を選択しているときに、１番目のデータ線と接続された画素には＋データ、２番目のデータ線と接続された画素には−データ、３番目のデータ線と接続された画素には＋デー、４番目のデータ線と接続された画素には−データを書き込み、４番目の走査線を選択しているときに、１番目のデータ線と接続された画素には−データ、２番目のデータ線と接続された画素には＋データ、３番目のデータ線と接続された画素には−データ、４番目のデータ線と接続された画素には＋データを書き込むという方法である。
【００８６】
一方、図６（Ｄ）に示すような低温ドット反転においては、測定温度がしきい値以下であるときに、走査線を複数本選択してデータの書き込みを行うものであるから、走査線２ライン、データ線２ラインが一単位となり、この一単位と隣り合う画素に対して電位極性反転してデータを書き込むことになる。
【００８７】
すなわち、１番目と２番目の走査線を選択しているときに、１番目と２番目のデータ線と接続された４画素には＋データ、３番目と４番目のデータ線と接続された４画素には−データを書き込み、３番目と４番目の走査線を選択しているときに、１番目と２番目のデータ線と接続された４画素には−データ、３番目と４番目のデータ線と接続された４画素には＋データを書き込む方法である。
【００８８】
本発明の液晶装置は、通常表示モードでは、図６（Ａ），図６（Ｃ）、低温時表示モードでは図６（Ｂ），図６（Ｄ）のいずれの書き込み方式も選択することができる。
【００８９】
（低温時表示モードにおける低温ライン反転書き込み）
図７は、本発明の液晶装置の低温時表示モードとして低温ライン反転書き込みを行った場合について説明するためのタイミング図である。
【００９０】
低温時表示モードでは、例えば、図６（Ｂ）に示すように、複数の走査線を同時に選択し（例えば２ライン）、データ線（奇数）およびデータ線（偶数）を同時に選択することによって、図６（Ｂ）の８画素に対して同時にデータを書き込む方法が採用される。以下、具体的に説明する。
【００９１】
１フレーム目において、最初の１水平帰線期間が開始される時刻ｔ１において、データ線（奇数）およびデータ線（偶数）Ｙ１〜Ｙｎには５Ｖの電圧がそれぞれ印加されると共に、走査線Ｘ１，Ｘ２が選択されるから走査線Ｘ１，Ｘ２には１１Ｖの電圧が印加されることで、走査線Ｘ１，Ｘ２と接続された全ての画素に対して＋データ書き込みが行われる。このとき、対向電極と保持容量線はそれぞれ０Ｖとされる。
【００９２】
次の１水平帰線期間が開始される時刻ｔ２においては、電位極性を反転するために、データ線（奇数）およびデータ線（偶数）Ｙ１〜Ｙｎには２Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、走査線Ｘ３，Ｘ４が選択され、走査線Ｘ３，Ｘ４には１１Ｖの電圧が印加されることで走査線Ｘ３，Ｘ４と接続された全ての画素に対して−データ書き込みが行われる。このとき、時刻ｔ２においては、走査線Ｘ３，Ｘ４を選択するため、走査線Ｘ１，Ｘ２の電圧は−５Ｖにされるとともに、走査線Ｘ３，Ｘ４の電圧は１１Ｖとされる、対向電極と保持容量線はそれぞれ７Ｖとされる。
【００９３】
同様の動作が繰り返されて、時刻ｔ３において、ｍ／２番目の水平帰線期間において走査線Ｘｍ−１，Ｘｍが選択されて走査線Ｘｍ−１，Ｘｍに１１Ｖの電圧が印加されることによって、全走査線に対する１回目の電圧印加が終了する。
【００９４】
２フレーム目においてはフレーム反転を行うから、最初の１水平帰線期間が開始される時刻ｔ４において、データ線(奇数)およびデータ線（偶数）Ｙ１〜Ｙｎには２Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、走査線Ｘ１，Ｘ２が選択されるから走査線Ｘ１，Ｘ２には１１Ｖの電圧が印加されることで、走査線Ｘ１，Ｘ２と接続された全ての画素に対して−データ書き込みが行われる。このとき、対向電極と保持容量線はそれぞれ７Ｖとされる。
【００９５】
以下１フレーム目と同様に走査線・データ線が２ラインずつ選択され、データの電位極性が反転され、走査線Ｘｍ−１，Ｘｍにそれぞれ接続された画素に対して同時書き込みを行うことで全走査線に対する電圧印加が終了する。
【００９６】
図７のように、走査線・データ線それぞれ２ラインに接続された画素に対して同時書き込みを行う場合、見かけ上、走査線はｍ／２ラインとなり、データ線はｎ／２ラインとなる。よって、表示画素数は（ｍ×ｎ）／４となる。
【００９７】
このような低温ライン反転書き込みによれば、例えば、表示周期が６０フレーム／秒（以下ｓと記す）で、走査線が６４０ラインあるとして、２ライン同時に書き込むとすると、書き込み時間は２倍になり５２マイクロ秒（以下μｓと記す）となる。
【００９８】
さらに表示周期を１／２、つまり３０フレーム／ｓにすると、１フレームあたり、３３．３ミリ秒（以下ｍｓと記す）となる。２ライン同時書き込みする場合、画素の数によって最適値は変わるが、−３０度で動作するには、最低でも１５０μｓの書き込み時間は必要である。
【００９９】
通常表示モードにおける書き込み時間が６０フレーム／ｓであるとすると、１フレームあたりの書き込み時間が１６．７ｍｓで、画面がＶＧＡサイズ（６４０×４８０）であるとすると、１走査線あたり１６．７／６４０ｍｓで、約２６μｓとなり、低温時表示モードにおいては書き込み時間が通常表示モードの２倍となる。
【０１００】
（低温時表示モードにおける低温ドット反転書き込み）
図８は、本発明の液晶装置の低温時表示モードとして低温ドット反転書き込みを行った場合について説明するためのタイミング図である。低温時表示モードでは、図６（Ｄ）に示すように、複数の走査線を同時に選択し（例えば２ライン）、複数のデータ線を同時に選択することで、４画素に対して同時にデータを書き込む方法であり、以下具体的に説明する。
【０１０１】
１フレーム目において、最初の１水平帰線期間が開始される時刻ｔ１０において、データ線（奇数）には５Ｖ、データ線（偶数）には２Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、走査線Ｘ１，Ｘ２が選択されるから走査線Ｘ１，Ｘ２には１１Ｖの電圧が印加されることで、走査線Ｘ１，Ｘ２およびデータ線（奇数）と接続された全ての画素に対して＋データ、走査線Ｘ１，Ｘ２およびデータ線（偶数）と接続された全ての画素に対して−データ書き込みが行われる。このとき、対向電極と保持容量線はそれぞれ０Ｖとされる。
【０１０２】
次の１水平帰線期間が開始される時刻ｔ２０においては、電位極性を反転するために、データ線（奇数）には２Ｖ、データ線（偶数）には５Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、走査線Ｘ３，Ｘ４が選択され、走査線Ｘ３，Ｘ４には１１Ｖの電圧が印加されることで走査線Ｘ３，Ｘ４およびデータ線（奇数）と接続された全ての画素に対して−データ、走査線Ｘ３，Ｘ４およびデータ線（偶数）と接続された全ての画素に対して＋データ書き込みが行われる。このとき、時刻ｔ２０においては、走査線Ｘ３，Ｘ４を選択するため、走査線Ｘ１，Ｘ２の電圧は−５Ｖにされるとともに、走査線Ｘ３，Ｘ４の電圧は１１Ｖとされ、対向電極と保持容量線はそれぞれ７Ｖとされる。
【０１０３】
同様の動作が繰り返されて、時刻ｔ３０において、ｍ／２番目の水平帰線期間において走査線Ｘｍ−１，Ｘｍが選択されて走査線Ｘｍ−１，Ｘｍに１１Ｖの電圧が印加されることによって、全走査線に対する１回目の電圧印加が終了する。
【０１０４】
２フレーム目においてはフレーム反転を行うから、最初の１水平帰線期間が開始される時刻ｔ４０において、データ線(奇数)には２Ｖ、データ線（偶数）には５Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、走査線Ｘ１，Ｘ２が選択されるから走査線Ｘ１，Ｘ２には１１Ｖの電圧が印加されることで、走査線Ｘ１，Ｘ２およびデータ線（奇数）と接続された全ての画素に対して−データ書き込みが行われ、走査線Ｘ１，Ｘ２およびデータ線（偶数）と接続された全ての画素に対して＋データ書き込みが行われる。
【０１０５】
このとき、対向電極と保持容量線はそれぞれ７Ｖとされる。以下１フレーム目と同様に走査線・データ線が２ラインずつ選択され、データの電位極性が反転され、走査線Ｘｍ−１，Ｘｍにそれぞれ接続された画素に対して同時書き込みを行うことで全走査線に対する電圧印加が終了する。
【０１０６】
図８のように、走査線・データ線それぞれ２ラインに接続された画素に対して同時書き込みを行う場合、見かけ上、走査線はｍ／２ラインとなり、データ線はｎ／２ラインとなる。よって、表示画素数は（ｍ×ｎ）／４となる。
【０１０７】
このような低温ドット反転書き込みによれば、例えば、表示周期が６０フレーム／秒（以下ｓと記す）で、走査線が６４０ラインあるとして、２ライン同時に書き込むとすると、書き込み時間は２倍になり５２マイクロ秒（以下μｓと記す）となる。
【０１０８】
さらに表示周期を１／２、つまり３０フレーム／ｓにすると、１フレームあたり、３３．３ミリ秒（以下ｍｓと記す）となる。２ライン同時書き込みを行う場合、画素の数によって最適値は変わるが、−３０℃で動作するには、最低でも１５０μｓの書き込み時間は必要である。
【０１０９】
通常表示モードにおける書き込み時間が６０フレーム／ｓであるとすると、１フレームあたりの書き込み時間が１６．７ｍｓで、画面がＶＧＡサイズ（６４０×４８０）であるとすると、１走査線あたり１６．７／６４０ｍｓで、約２６μｓとなり、低温時表示モードにおいては書き込み時間が通常表示モードの２倍となる。
【０１１０】
さらに、先に述べたとおり、解像度変換シーケンスの他に、フレーム周波数を、例えば、１／６０秒から１／３０秒に減らせば、データ書き込み時間は２倍になる。
【０１１１】
また、図７および図８で説明した解像度変換シーケンスと、フレーム周波数低減処理を組み合わせれば、さらに印加時間を増やすことができ、例えば、走査線・データ線の２ライン同時駆動と、周波数を１／２低減を行うと、通常表示モードと比較して４倍の書き込み時間を確保することができる。
【０１１２】
（低温時表示モードにおける操作）
図９（Ａ），図９（Ｂ）は、低温時表示モードにおけるステップを示す図である。
【０１１３】
図９（Ａ）においては、本発明の液晶装置は、低温時表示モードに入ると、フレーム周波数を低減させる（例えば、１／６０ｓを１／３０ｓに低減する）ステップ（Ｓ２００）を行って画素に対してデータ書き込みを行って低温時表示モードを終了する。
【０１１４】
図９（Ｂ）においては、本発明の液晶装置は、低温時表示モードに入ると、フレーム周波数を低減させる（例えば、１／６０ｓを１／３０ｓに低減する）ステップ（Ｓ２００）を行い、次に解像度低減処理ステップ（Ｓ２０１）を行うことで、データ書き込みを行い、低温時表示モードを終了する。
【０１１５】
図９（Ａ）においては、フレーム周波数を通常表示モードの１／２にしているから、データ書き込み時間を２倍にすることができ、図９（Ｂ）においては、さらに解像度低減処理を行っているので、解像度低減処理を通常表示モードの１／Ｌ（Ｌ：定数）にすれば、データ書き込み時間を２×Ｌ倍にすることができる。
【０１１６】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の液晶装置としてＯＣＢ液晶を採用した場合について説明する。本実施の形態においては、本発明の液晶装置としてＯＣＢ液晶を用い、初期シーケンスにおいて、低温のときは低温処理を行い、さらに、通常画像表示時においても低温処理を行う。
【０１１７】
画像処理における低温時表示モード（Ｓ１０３）の内容は、第１の実施形態で説明したとおりである。よって、以下に、低温動作時初期シーケンスおよび通常初期シーケンスについて説明する。
【０１１８】
（ＯＣＢ液晶装置の低温動作時初期シーケンスと通常初期シーケンスの概要）
まず、ＯＣＢ液晶装置の動作の概要を説明する。図１０は、ＯＣＢ液晶装置における電源投入時から画素表示に至るまでの動作の概要を示すフロー図である。
【０１１９】
まず、開始するときに電源をオンする（Ｓ１）。そして、温度を測定し（Ｓ２）、例えば、０℃未満であるか否かの判断を行う（Ｓ３）。測定温度が０℃以上であれば通常初期シーケンス（Ｓ４）、０℃未満であれば低温動作時初期シーケンス（Ｓ５０）を行う。ここで、低温動作時初期シーケンス（Ｓ５０）と通常初期シーケンス（Ｓ４）においては、書き込み時間（画素電極への充電時間）が異なる。すなわち、例えば０℃などの低温になる寒冷地などで液晶装置を使用する場合、書き込み時間を通常よりも多くしないと、十分な初期転移が実現しない。
【０１２０】
つまり、低温の場合、常温の場合と比較して、スプレイ配向状態からベンド配向状態に転移しにくいため、ベンド配向状態への転移が不十分となる場合がある。よって、低温動作時初期シーケンス（Ｓ５０）においては、ベンド転移核形成（ＳＡ１）における書き込み時間を増大すると共に、ベンド転移拡大（ＳＡ２）における書き込み時間を増大する。
【０１２１】
すなわち、図１０の動作フローでは、低温動作時初期シーケンス（Ｓ５０）もしくは通常初期シーケンス（Ｓ４）を経て、低温と判断された場合には、低温時表示モード（Ｓ１０３）に移行し、低温ではないと判断された場合には、通常表示モード（Ｓ１０２）に移行する。
【０１２２】
ここで、低温時表示モード（Ｓ１０３）は、第１の実施形態において説明したとおり、解像度低下処理シーケンス（ＳＫ）と、フレーム周波数低下処理シーケンス（ＳＱ）とを含んでいる。すなわち、例えば３０℃〜０℃などの低温になる寒冷地などで、液晶装置を使用する場合になると、書き込み動作が不安定で表示品位が劣化するのを防止するために、使用環境温度によって表示画像の画質を変更している。つまり、通常表示モードと比較すると、低温時表示モードにおいては、解像度を低くしているために画像精度は、低くなるが、低温の動作環境においても書き込み不足などの問題を生じることなく安定して液晶装置を使用することができる。また、測定温度がしきい値以下ではない場合には、通常表示モードで高精細に表示できるため、画質の低下は生じない。
【０１２３】
低温時表示モード（Ｓ１０３）においては、解像度低下処理シーケンス（ＳＫ）により、通常表示モード（Ｓ１０２）と比較して解像度を低くする処理を行う。次に、必要に応じて、フレーム周波数低下処理シーケンス（ＳＱ）により、フレーム周波数を、通常表示モード（Ｓ１０２）と比較して低くする処理を行う。これらの処理により、データ書き込み時間を、通常表示モードよりも長くすることができるため、使用環境が低温であっても、書き込み不足による表示不良などの問題が生じない。
【０１２４】
そして、低温時表示モード（Ｓ１０３）もしくは通常表示モード（Ｓ１０２）を経て画像表示が終了する。
【０１２５】
（低温動作時初期シーケンスと通常初期シーケンスにおける書き込み動作）
次に、低温動作時初期シーケンスと、通常初期シーケンスにおける書き込み動作の違いについて説明する。図１１は、ＯＣＢ液晶装置における、低温動作時初期シーケンスと通常初期シーケンスとの書き込み動作の比較を示す図である。
【０１２６】
１回の書き込みライン数については、通常初期シーケンスではＰであるとすると、低温動作時初期シーケンスではＫ（＞Ｐ）である。すなわち、１画素あたりの書き込み時間を長くするため、書き込みライン数を通常よりも多くする必要がある。
【０１２７】
フレーム周波数については、通常初期シーケンスではＦＰであるとすると、低温動作時初期シーケンスではＦＫ（＜ＦＰ）となる。すなわち、フレーム周波数も小さくすることで書き込み時間を増やすことができるので、通常よりもフレーム周波数を小さくする必要がある。
【０１２８】
例えば、通常の表示が、５０フレーム／秒だとすると、１フレームあたり１６．７ミリ秒（以下、ｍｓと記す）である。そして、走査線がｍ本あるとすると、１走査線あたりの書き込み時間が、（１６．７／ｍ）ｍｓとなる。例えば、画像がＶＧＡサイズ（６４０×４８０）であるとすると、ｍ＝６４０であるから、（１６．７／６４０）ｍｓ、すなわち、１走査線あたりの書き込み時間が、約２６マイクロ秒（以下μｓと記す）となる。
【０１２９】
よって、低温で表示する場合は、１走査線あたりの書き込み時間を増やすために、走査線がｍ本あるとすると、２以上ｍ以下の複数の走査線を同時に選択して書き込む駆動方法を採用することが有効である。
【０１３０】
例えば、表示周期が６０フレーム／秒で、ＶＧＡサイズであれば走査線が６４０本であるとして、走査線２ラインに対して同時に選択してデータを書き込めば、通常の表示の場合と比較して書き込み時間を２倍にすることができ、1走査線あたりの書き込み時間を５２μｓとすることができる。
【０１３１】
また、同じ条件で、さらに、表示周期を３０フレーム／ｓにした場合、１フレームあたりの書き込み時間が３３．３ｍｓとなり、走査線２ラインに対して同時に選択してデータを書き込めば、1走査線あたりの書き込み時間を１０４μｓとすることができる。
【０１３２】
このように、低温動作時初期シーケンスでは、通常初期シーケンスと比較して、同時に書き込む走査線のライン数を増やすことと、表示フレーム周波数を減らすことで、書き込み時間を長くすることができる。温度により、同時に選択する走査線数および表示フレーム周波数の最適値は異なるが、例えば、−３０℃で液晶表示を常温と同様に動作させるには、最低でも１５０μｓの書き込み時間は必要であるため、同時書き込み走査線のライン数と表示フレーム周波数を設定する必要がある。
【０１３３】
（ＯＣＢ液晶装置の初期シーケンスの概要）
ここで、ＯＣＢ液晶装置の動作の概要を説明する。図１２は、ＯＣＢ液晶装置における電源投入時から画素表示までのシーケンスの概要を示す図である。
【０１３４】
図示されるように、電源投入時には、アレイ基板１上に積層された配向膜２と、対向基板３と積層して設けられた配向膜４との間に介在する液晶層を構成する液晶分子５１の配向がスプレイ配向状態（状態Ｓ１０）になっている。
【０１３５】
そして、電源投入を行った後、初期シーケンス（ＳＡ）が実行される。すなわち、まず、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）においてベンド転移核を形成し、ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）において、ベンド転移核形成ステップ（ＳＡ１）で形成されたベンド転移核を拡大させる。液晶装置の液晶分子５１がすべてベンド配向状態（状態Ｓ２０）となり、これによって、画像表示（あるいは画像データに応じた光変調）が可能となる。
【０１３６】
すなわち、電極間の電圧をＶｏｆｆとＶｏｎとの間で切り換えることによって、例えば白表示および黒表示が行われる。
【０１３７】
次に、本発明のＯＣＢ液晶装置における初期シーケンス（ＳＡ）について具体的に説明する。図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）は、本発明のＯＣＢ液晶装置の一例における初期シーケンスでの液晶分子の配向状態を示す図である。
【０１３８】
ＯＣＢ液晶装置では、電源投入時、すなわち、その初期状態においては、図１３（Ａ）に示すように液晶分子の配向がスプレイ配向状態になっており、表示動作時には図１３（Ｄ）に示すように液晶分子の配向がベンド配向状態になっている。
【０１３９】
以下に図１３（Ａ）から図１３（Ｄ）に至る過程について説明する。なお、各図においては、ベンド配向への転移経過を解かりやすくするために液晶分子の配向状態を簡略して図示している。
【０１４０】
図示されるように、初期シーケンス（ＳＡ）には、横電界によるベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）と、縦電界によるベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）とが含まれる。
【０１４１】
ＯＣＢ液晶装置においては、画素電極と対向電極との間、画素電極と走査線との間にそれぞれ電圧が印加されない状態（あるいは非選択電圧印加時）には、図１３（Ａ）に示すように液晶分子５１はスプレイ配向状態（Ｓ１０）となっている。
【０１４２】
そして、電源が投入されてから、走査線に電圧が印加されると、画素電極と走査線の電位が異なるため、画素電極とこれに対向する走査線との間に横電界が生じることとなる。このとき、画素電極と対向電極の電位が同じになるようにして縦電界は発生させないようにするのが好ましい。但し、これに限定されるものではない。
【０１４３】
したがって、図１３（Ｂ）に示すように、横電界によって配向不良に起因するディスクリネーションライン（液晶分子の配向が不連続となる欠陥領域）が発生する。すなわち、液晶分子５１の一部の液晶分子ＮＢが図１３（Ｂ）に示すようにＮＢがベンド転移核となり、液晶分子がベンド転移核形成状態（ＳＣ１）となる。
【０１４４】
次に、画素電極と対向電極との間に電位差を生じさせることにより、画素電極と対向電極との間に縦電界が発生する。これによって、横電界の影響を受けて配向した液晶分子ＮＢをベンド転移核として、それらの液晶分子ＮＢの周りにベンド配向が伝搬することで、図１３（Ｃ）に示すように、液晶分子がベンド転移拡大状態（ＳＣ２）となる。
【０１４５】
そして、このベンド転移拡大が進行して、すべての液晶素子５１に伝搬することにより、図１３（Ｄ）に示すように、液晶分子がベンド配向状態（Ｓ２０）となる。
【０１４６】
このように、本発明においては、初期シーケンス（ＳＡ）において、電圧印加時における、走査線と画素電極間に生じる横電界によりベンド転移核を発生させ（ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１））、次いで、画素電極と対向電極との間に生じる縦電界によって前記ベンド転移核を拡大させる（ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２））ことで、画像表示領域全体がベンド配向を維持した状態で画像表示を行うようにしている。
【０１４７】
次に、本発明のＯＣＢ液晶装置における初期シーケンスの概要について説明する。図１４は、本発明のＯＣＢ液晶装置の一例における初期シーケンスの概要を説明するための図である。まず、電源をオンすることで（ＳＰ）、本発明のＯＣＢ液晶装置は初期シーケンス（ＳＡ）に入る。
【０１４８】
初期シーケンス（ＳＡ）としては、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）とベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）とがある。初期シーケンス（ＳＡ）は、低温時でも、通常時でも共通である。
【０１４９】
ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）においては、走査線と画素電極間の横電界を生じさせる（Ｆ１）。このとき、好ましくは、画素電極と対向電極の間には縦電界を生じさせないようにする（Ｆ２）。
【０１５０】
すなわち、ベンド転移核形成のためには、走査線と画素電極との間に電位差を与えて局所的な強い横電界を発生させる必要があるが、このとき、余分な縦電界を発生させれば、その分だけ、横電界の発生のために使用できるエネルギーが減少してしまう。また、縦電界がベンド転移核形成に、何らかの悪影響を与える可能性も否定できない。
【０１５１】
よって、横電界によるベンド転移核形成時には、縦電界を０にして、可能な限り高い電界を局所的に発生させることに集中するのが好ましい。
【０１５２】
但し、本発明が、この点に限定されるものではない。例えば、実際には、何らかの駆動上の理由によって、若干の縦電界が発生することもあり得る。また、デバイスの段差によって走査線と画素電極とが略水平に位置しないとき、走査線と画素電極間に電位差を与えれば、必然的に縦電界成分が発生する。これを打ち消すために、意図的に逆方向の縦電荷を生じさせるという場合も考えられる。このような場合も、本発明の技術的範囲に含まれる。但し、横電界発生時において、同時に縦電界が生じる場合があるとしても、あくまで局所的な横電界が主であり、縦電界強度が横電界強度を上回ることはない。
【０１５３】
また、好ましくはデータの書き込みについては順次駆動を行う（Ｆ３）。このとき、線順次、複数本線順次、面順次の各駆動方式を採用することができる。
【０１５４】
線順次駆動方式は、１本の走査線に接続された各画素回路に対して順に画像データの書き込みを行う駆動方式である。
【０１５５】
複数順次方式は、複数本の走査線を同時にアクティブにし、それらの複数本の走査線に接続される画素回路に対して同時に画像データ書き込みを行い、この動作を順に行う駆動方式である。ｎ本の走査線を同時に駆動する方式をとれば、画像データの書き込み速度はｎ倍になる。よって、１フレーム期間が固定されているとすれば、各画素に電圧を印加する時間をｎ倍にすることができるという利点がある。
【０１５６】
また、面順次方式は、全走査線を同時にアクティブにして、一括して画像データを書き込みを行う方式である。一般的な駆動方式とはいえないが、例えば、液晶装置の検査のために面順次駆動が可能となっている場合があり、この場合には、初期シーケンス時に面順次駆動を活用することができる。
【０１５７】
また、走査線と画素電極間の横電界を発生させる際に、走査線と画素電極の各々に与える電圧の極性を異ならせることによって、電位差を拡大することが好ましい（Ｆ４）。例えば、画素電極に正の第１電圧を印加し、走査線には負の第２電圧を印加する。第１電圧および第２電圧の絶対値はそれほど大きくなくても、電位極性が異なることから、電位差は、第１電圧と第２電圧の和に拡大される。よって、特別な高電圧を発生させなくても、ベンド転移核形成に必要な強い横電界を無理なく生じさせることができる。
【０１５８】
また、上述の動作を複数フレームにわたって、同様の駆動を繰り返すのが好ましい（Ｆ６）。このときの繰り返し期間Ｔｃｆは、例えば、１００ｍｓにすることができる。
【０１５９】
また、走査線と画素電極が互いに近接するレイアウトとし、断面構造上、略水平位置になるように段差を調整することが好ましい（Ｆ５）。この場合、強い横電界を容易に発生することが可能となる。
【０１６０】
次に、ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）が行われる。これによって、ベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）により形成されたベンド転移核は周辺にまですみやかに拡大される。
【０１６１】
ベンド転移拡大シーケンス（ＳＡ２）においては、まず、画素電極と対向電極との間に電位差を生じさせて、画素電極と対向電極との間に縦電界を発生させる（Ｆ１０）。そして、好ましくは、順次駆動を行う（Ｆ１１）。
【０１６２】
このとき、データの書き込みについては、線順次、複数本順次、面順次は問わず、いずれの順次駆動も選択することができる。そして、好ましくは、複数のフレーム期間にわたって、同様の駆動を繰り返す（Ｆ１２）。このとき、繰り返し期間Ｔｅｎは、前述のベンド転移核形成シーケンス（ＳＡ１）における操作Ｆ６の繰り返し期間Ｔｃｆよりも大きくし、例えば、５００ｍｓにすることができる。
【０１６３】
以上の操作により、ベンド転移核形成シーケンスにおいて発生したベンド転移核の拡大を促進させるベンド転移拡大シーケンスが行われ、以後、画像表示シーケンス（ＳＢ）に移行する。
【０１６４】
（横電界によるベンド転移核形成を実現するための画素構成例）
図１５は、本発明の液晶装置の画素部の構成例を示す図である。図示されるように、マトリックス状に配置された複数の画素には、画素電極９がそれぞれ形成されている。また、その画素電極９の側方には、当該画素電極９への通電制御を行うスイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｍが形成されている。ＴＦＴ素子Ｍのソースには、データ線Ｙ１〜Ｙｎが電気的に接続されている。各データ線Ｙ１〜Ｙｎには画像信号が供給される。なお画像信号は、各データ線Ｙ１〜Ｙｎに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線Ｙ１〜Ｙｎに対してグループ毎に供給してもよい。
【０１６５】
ＴＦＴ素子Ｍのゲートには、走査線Ｘ１〜Ｘ３が電気的に接続されている。走査線Ｘ１〜Ｘ３には、所定のタイミングでパルス的に走査信号が供給される。なお、走査信号は、各走査線Ｘ１〜Ｘ３に対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ素子Ｍのドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。このＴＦＴ素子Ｍ、保持容量Ｃ、画素電極９により画素回路（Ｇ１ａ〜Ｇ１ｎ、Ｇ２ａ〜Ｇ２ｎ、Ｇｎａ〜Ｇｎｎ）が構成されている。そして、走査線Ｘ１〜Ｘ３から供給された走査信号により、スイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｍを一定期間だけオン状態にすると、データ線Ｙ１〜Ｙｎから供給された画像信号が、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【０１６６】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号は、画素電極９と後述する対向電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号がリークするのを防止するため、画素電極９と容量線ＬＲ１〜ＬＲ３との間に保持容量Ｃが形成され、液晶容量と並列に接続されている。このように、液晶に電圧が印加されると、その電圧レベルにより液晶分子のベンド配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【０１６７】
初期シーケンス（ＳＡ）のための電圧印加を行う際にも、画像表示動作の場合と同様に、データ線に初期シーケンス用信号を供給し、走査線に走査信号を供給して表示領域内の複数の画素を駆動する。
【０１６８】
初期シーケンスにおけるベンド転移核形成のための強い横電界は、走査線と画素電極を近接して配置することによって実現される。以下、走査線と画素電極とを極めて近接して配置したデバイス構造の例について説明する。
【０１６９】
（近接して配置された走査線および画素電極付近の断面構造例）
図１６は、近接して配置された走査線および画素電極付近のデバイスの断面構造例を示す図である。以下、具体的に説明する。
【０１７０】
ＴＦＴ領域Ｚ１において、ガラスや石英などの透光性材料からなる基板７００上に、層間絶縁膜７０２を介して、ポリシリコンなどからなる導電膜によりソース・ドレイン領域７０４が形成されている。ソース・ドレイン領域７０４上に層間絶縁膜７０６が形成されるとともに、ソース・ドレイン領域７０４はスルーホールにより層間絶縁膜７０６上に形成された第一メタル配線層７１０と接続されている。
【０１７１】
そして、ソース・ドレイン領域７０４の上方かつ中央部の第一メタル配線層７１０はＴＦＴスイッチング素子のゲート電極となる。さらに第一メタル配線層７１０上に層間絶縁膜７０８が形成され、この層間絶縁膜７０８上に第二メタル配線層（走査線）７１２が形成されているとともに、前記層間絶縁膜７０８にスルーホールが設けられて、前記第一メタル配線層７１０と前記第二メタル配線層７１２は接続されている。すなわち、第一メタル配線層７１０上の第二メタル配線層７１２は、走査線となる。さらに第二メタル配線層７１２上に層間絶縁膜７１４が形成されているとともに前記層間絶縁膜７１４上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透明導電材料からなる画素電極７１５が形成され、スルーホールを介して第二メタル配線層７１２と接続されている。
【０１７２】
また、ドレインと電気的に接続された第二メタル配線層７１２は画素電極７１５と電気的に接続されている配線である。
【０１７３】
保持容量領域Ｚ２においては、基板７００上に、層間絶縁膜７０２を介して、ポリシリコンなどからなる導電膜７０４が形成されている。この導電膜７０４はソース・ドレイン領域形成時に同時に形成されるものであって、ＴＦＴ領域Ｚ１における配線層との段差をなくすために設けられた層である。
【０１７４】
そして、ＴＦＴ領域Ｚ１と同様に、導電膜７０４上に層間絶縁膜７０６が形成され、前記層間絶縁膜７０６上に第一メタル配線層７１０が形成されている。さらに第一メタル配線層７１０上に層間絶縁膜７０８が形成され、この層間絶縁膜７０８上に第二メタル配線層７１２（容量線ＬＲ）が形成されるとともに、層間絶縁膜７０８にスルーホールが設けられて、第一メタル配線層７１０と第二メタル配線層７１２は接続されている。
【０１７５】
さらに第二メタル配線層７１２（容量線ＬＲ）上に第一メタル配線層７１０が形成されるとともに第一メタル配線層７１０上に画素電極７１５が形成され、第二メタル配線層７１２と画素電極７１５との間で保持容量Ｃが形成されている。
【０１７６】
走査線領域Ｚ３において、基板７００上に層間絶縁膜７０２が形成され、さらに第一メタル配線層（走査線）７１０が形成される。そして、第一メタル配線層（走査線）７１０上に導電膜７０４が形成され、さらに導電膜７０４上に第二メタル配線層（走査線）７１２が形成されており、スルーホールによって第一メタル配線層７１０と接続されている。そして、第二メタル配線層（走査線）７１２上には層間絶縁膜７１４が形成されている。
【０１７７】
そして、ＴＦＴ領域Ｚ１、走査線領域Ｚ３においては層間絶縁膜７１４上、保持容量領域Ｚ２においては画素電極７１５上、すなわち、アレイ基板上には、カラーフィルタ基板が形成され、アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に挟持されたＯＣＢ液晶７１６を有する。
【０１７８】
カラーフィルタ基板においては、ＩＴＯ膜７１８上にオーバーコート層７２０が形成され、さらにカラーフィルタ層７２２、次いでブラックマトリックス層７２４が形成されている。
【０１７９】
ここで、図１６において、保持容量領域Ｚ２と走査線領域Ｚ３との間の領域においては、画素電極７１５と、走査線領域Ｚ３における第二メタル配線層７１２は、略同一の高さ位置において相互の距離が極めて短くなるように配置されている。よって、前記画素電極７１５の端部Ｊ１と、前記第二メタル配線層７１２の端部Ｊ２とのベンド転移核形成のための強い横電界ＥＨを効率的に発生させることができる。
【０１８０】
また、画素電極７１５とＩＴＯ膜（対向電極）７１８間に電位差を生じさせれば、ベンド転移核拡大に必要な縦電界ＥＶを発生させることができる。
【０１８１】
（横電界を利用したベンド転移核形成のための駆動方式の具体例）
図１７〜図１９を用いて、横電界を利用したベンド転移核形成のための駆動方式の具体例について説明する。
【０１８２】
図１７はベンド転移核形成通常シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図である。ここでは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素を、線順次駆動する場合を想定する。なお、各画素に記載されている数字は、走査線と画素電極間の電位差を表している。
【０１８３】
図示されるように、まず、１行目の画素列に対して１６Ｖの横電界が印加される。同様の動作が各行の画素列に対して行われる。ｍ行目の画素列に対する横電界の印加が終了すると、１フレーム期間が終了する。
【０１８４】
以後、合計で６フレーム期間（１フレーム期間が１／６０秒とすると、１００ｍｓ）にわたって同様の動作を繰り返す。
【０１８５】
これによって、各画素に、所定電圧による横電界が所定時間以上印加されることになり、これによって、ディスクリネーション（ベンド転移核）が確実に形成される。
【０１８６】
（ベンド転移核形成通常シーケンス）
図１８は、ベンド転移核形成通常シーケンスを説明するためのタイミング図である。ベンド転移核形成通常シーケンスでは、選択されている走査線（アクティブレベルの走査線）と画素電極との間の電位差を用いて、ベンド転移核形成のための横電界を発生させる。以下、具体的に説明する。
【０１８７】
１フレーム中の書き込み期間（時刻ｔ１〜ｔ５）においてはデータ線（奇数）およびデータ線（偶数）Ｙ１〜Ｙｎには−５Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、対向電極、保持容量線にも同様に−５Ｖの電圧が印加される。
【０１８８】
最初の１水平帰線期間（１Ｈ）が開始される時刻ｔ１において走査線Ｘ１が選択され、走査線Ｘ１には１１Ｖの電圧が印加されることで、走査線と画素電極との間の電位差は１６Ｖ（＝１１Ｖ＋５Ｖ）となる。走査線と画素電極の電位極性を逆にしているため、電圧の絶対値自体はそれほど大きくなくても、各々の電圧の和の電位差が生じることになり、よって、強い横電界を無理なく発生させることができる。
【０１８９】
そして、次の１水平帰線期間（１Ｈ）が開始される時刻ｔ２においては、走査線Ｘ２を選択するため、走査線Ｘ１の電圧は−５Ｖにされるとともに、走査線Ｘ２の電圧は１１Ｖとされる。同様の動作が繰り返されて、ｍ番目の水平帰線期間において走査線Ｘｍが選択されて走査線Ｘｍに１１Ｖの電圧が印加されることによって、全走査線に対する１回目の電圧印加が終了する。
【０１９０】
このとき、データ線Ｙ１〜Ｙｎの電位は−５Ｖであるとともに、対向電極電位が−５Ｖであるから、画素電極と対向電極との間の電位差は０であり、すなわち、縦電界は発生しない。したがって、強い横電界のみを液晶層（ＯＣＢ液晶）に印加することができ、これによって、ベンド転移核を確実に形成することができる。
【０１９１】
時刻ｔ５〜ｔ６までは帰線期間である。時刻ｔ６に１フレームを終了する。そして、この一連の操作を６フレーム分（１００ｍｓ分）繰り返し行うことでベンド転移核形成シーケンスが終了する。
【０１９２】
このベンド転移核形成通常シーケンスにおける画素回路の横電界および縦電界の様子を図１９に示す。図１９（Ａ），図１９（Ｂ）は、図１８に示されるベンド転移核形成通常シーケンスにおける画素回路の横電界および縦電界の様子を示す図である。
【０１９３】
図１９においては、ゲートが走査線Ｘと接続され、ソースがデータ線Ｙと、ドレインが保持容量Ｃおよび画素電極９と接続されたＮ型のＴＦＴスイッチング素子Ｍと、保持容量Ｃと並列に接続された液晶ＬＣを有する画素回路が示されている。
【０１９４】
図１９（Ｂ）は、ＴＦＴスイッチング素子Ｍがオフのときの電界を示している。すなわち、図１９（Ｂ）では、走査線Ｘの電位が−５Ｖ、データ線電位が−５ＶとなりＴＦＴスイッチング素子Ｍがオフする。また、コモン線Ｌｃｏｍの電位が−５Ｖとされる。よって、横電界および縦電界は共に０である。
【０１９５】
次に、図１９（Ａ）に示すように、初期シーケンスにおいて、ベンド転移核形成シーケンスで書き込み期間に入ると、走査線Ｘが選択され、走査線Ｘには１１Ｖの電位が印加されるとともに、データ線Ｙには−５Ｖの電位が印加される。すると、ＴＦＴスイッチング素子Ｍがオンし、ＴＦＴスイッチング素子Ｍのドレインの電位、すなわち画素電極９の電位は−５Ｖとなり、走査線Ｘの電位と画素電極９との間で１６Ｖ（１１Ｖ＋５Ｖ）の横電界が発生する。
【０１９６】
このとき、画素電極９の電位が−５Ｖであってコモン線Ｌｃｏｍの電位が−５Ｖであるから、画素電極９と容量線ＬＲとの間に電位差はなく、よって、画素電極９と対向電極１１との間の縦電界は０Ｖとなる。
【０１９７】
このように、本通常シーケンスでは、１６Ｖの電位差による強い横電界を、無理なく発生させることができる。
【０１９８】
（縦電界を利用したベンド電位拡大のための駆動方式の具体例）
図２０は、縦電界を利用したベンド転移拡大のための駆動方式の具体例を示す図である。ベンド転移核拡大通常シーケンスでは、基本シーケンスとして２フレームを要する。ここでは１フレーム目と２フレーム目において、液晶に印加する電圧の極性を反転するフレーム反転駆動を実行するものとする（但し、これに限定されるものではない）。また、駆動方式としては、線順次駆動を採用するものとして説明する。
【０１９９】
図２０の基本シーケンス（１フレーム目）では、１本の走査線を順に選択して、データ線を、例えば５Ｖとすることによって画素電極を５Ｖとし、一方、対向電極を０Ｖとし、これによって液晶に＋５Ｖの縦電界を与える。これは、ノーマリホワイトの液晶の場合、全画素に同時に黒データを書き込むことに相当する。
【０２００】
１本の走査線のアクティブ期間が終わった後も、保持容量によって画素電極の電圧が保持されるため、１フレーム分のデータ書き込みが終了すると、図２１の右上に示すように、全画素に＋５Ｖが印加される状態となる。
【０２０１】
続いて、基本シーケンス（２フレーム目）では、同様に、１本の走査線を順に選択して、データ線を、例えば−５Ｖとすることによって画素電極を−５Ｖとし、一方、対向電極を０Ｖとし、これによって液晶に−５Ｖの縦電界が印加される（すなわち、画素電極と対向電極との電位差自体は５Ｖのままで変化しないが、フレーム毎の極性反転によってフレーム毎に縦電界の向きが反転する）。
【０２０２】
１本の走査線のアクティブ期間が終わった後も、保持容量によって画素電極の電圧が保持されるため、１フレーム分のデータ書き込みが終了すると、図２１の右下に示すように、全画素に−５Ｖが印加される状態となる。
【０２０３】
このような２フレームを一組とする基本シーケンスを１５回繰り返す。すなわち、合計で３０フレーム期間にわたって液晶に５Ｖの縦電界の印加を継続する。１フレームを１／６０秒とすれば、５Ｖの縦電界の印加が５００ｍｓ継続されることになる。
【０２０４】
図２１は、図２０に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図である。
【０２０５】
時刻ｔ１０〜ｔ１３（１フレーム目の期間Ｔ１）においては、データ線には５Ｖの電圧が印加されるとともに、対向電極、保持容量線の電圧は０Ｖとなる。
【０２０６】
線順次方式で走査線が順に選択される。走査線が選択された時、走査線の電位は１１Ｖとなり、非選択時には−５Ｖとなる。走査線が選択されてＴＦＴがオンすると、データ線には５Ｖが印加されているから、画素電極の電位が＋５Ｖとなり、画素電極と対向電極との電位差は＋５Ｖになり、これによって＋５Ｖの縦電界が液晶に加えられる。
【０２０７】
時刻ｔ１３〜ｔ１７（２フレーム目の期間Ｔ２）においては、データ線には２Ｖの電圧が印加され、対向電極、保持容量線には７Ｖの電圧が印加される。データ線と対向電極との間の電位差は１フレーム目と同様に５Ｖであるが、２フレーム目の場合、対向電極の電位が高いことから−５Ｖの縦電界（電位差が５Ｖで向きが反対の縦電界）が液晶に加えられることになる。
【０２０８】
以上の一連の動作を、正極側１５フレーム分ならびに負極側１５フレーム分（合計で５００ｍｓ）、繰り返し行うことでベンド転移拡大通常シーケンスが終了する。
【０２０９】
図２２（Ａ），図２２（Ｂ）は、図２０および図２１に示されるベンド転移拡大シーケンス実行時における画素回路の電界の様子を示す図である。
【０２１０】
図２２（Ａ）に示すように、正極性の駆動の場合は、走査線Ｘが１１Ｖであり、データ線Ｙが５Ｖであり、画素電極９が５Ｖであり、対向電極１１（および容量線ＬＲ）が０Ｖである。液晶ＬＣには５Ｖの縦電界が印加される。
【０２１１】
図２２（Ｂ）に示すように、負極性の駆動の場合は、走査線Ｘが１１Ｖであり、データ線Ｙが２Ｖであり、画素電極９が２Ｖであり、対向電極１１（および容量線ＬＲ）が７Ｖである。液晶ＬＣには、−５Ｖの縦電界が印加される。
【０２１２】
なお、ベンド拡大シーケンス時において、走査線は１１Ｖであり、画素電極は５Ｖまたは２Ｖであるから、横電界も発生するが、ベンド転移拡大処理は主として強い縦電界によって実現されるため、この場合の横電界は無視してもよい。
【０２１３】
（ベンド転移核形成低温時シーケンス）
図２３および図２４を用いて、横電界を利用した、低温時の、ベンド転移核形成のための駆動方式の具体例について説明する。
【０２１４】
図２３はベンド転移核形成低温時シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図である。ここでは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素を、線順次駆動する場合を想定する。なお、各画素に記載されている数字は、走査線と画素電極間の電位差を表している。図２３に示すように、ベンド転移核形成低温シーケンスでは、ｍ本（ここではｍ＝２）の走査線を同時に駆動する複数本順次駆動を採用した例を説明する。
【０２１５】
図示されるように、まず、１行目と２行目の画素列に対して同時に１６Ｖの横電界が印加される。同様の動作が２行ずつ全ての画素列に対して行われる。ｍ−１、ｍ行目の画素列に対する横電界の印加が終了すると、１フレーム期間が終了する。
【０２１６】
以後、合計で６フレーム期間（１フレーム期間が１／３０秒とすると、２００ｍｓ）にわたって同様の動作を繰り返す。
【０２１７】
これによって、各画素に、所定電圧による横電界が所定時間以上印加されることになり、これによって、ディスクリネーション（ベンド転移核）が確実に形成される。
【０２１８】
図２４は、ベンド転移核形成低温時シーケンスを説明するためのタイミング図である。ベンド転移核形成低温時シーケンスでは、選択されている走査線（アクティブレベルの走査線）と画素電極との間の電位差を用いて、ベンド転移核形成のための横電界を発生させる。ベンド転移核形成低温時シーケンスにおいては、走査線２ラインに対して同時に書き込みを行うとともに、フレーム周波数を半分にしている。以下、具体的に説明する。
【０２１９】
１フレーム中の書き込み期間（時刻ｔ２０〜ｔ２４）においてはデータ線（奇数）およびデータ線（偶数）Ｙ１〜Ｙｎには−５Ｖの電圧がそれぞれ印加されるとともに、対向電極、保持容量線にも同様に−５Ｖの電圧が印加される。
【０２２０】
最初の２水平帰線期間（２Ｈ）が開始される時刻ｔ２０において走査線Ｘ１、Ｘ２が選択され、走査線Ｘ１、Ｘ２にはそれぞれ１１Ｖの電圧が印加されることで、走査線と画素電極との間の電位差は１６Ｖ（＝１１Ｖ＋５Ｖ）となる。走査線と画素電極の電位極性を逆にしているため、電圧の絶対値自体はそれほど大きくなくても、各々の電圧の和の電位差が生じることになり、よって、強い横電界を無理なく発生させることができる。
【０２２１】
そして、次の２水平帰線期間（２Ｈ）が開始される時刻ｔ２１においては、走査線Ｘ３、Ｘ４を選択するため、走査線Ｘ１、Ｘ２の電圧は−５Ｖにされるとともに、走査線Ｘ３、Ｘ４の電圧は１１Ｖとされる。同様の動作が繰り返されて、ｍ／２番目の水平帰線期間において走査線Ｘｍ−１、Ｘｍが選択されて走査線Ｘｍ−１、Ｘｍに１１Ｖの電圧が印加されることによって、全走査線に対する１回目の電圧印加が終了する。
【０２２２】
このとき、データ線Ｙ１〜Ｙｎの電位は−５Ｖであるとともに、対向電極電位が−５Ｖであるから、画素電極と対向電極との間の電位差は０であり、すなわち、縦電界は発生しない。したがって、強い横電界のみを液晶層（ＯＣＢ液晶）に印加することができ、これによって、ベンド転移核を確実に形成することができる。
【０２２３】
時刻ｔ２４からの図示しない１フレーム分が帰線期間で、帰線期間終了後に１フレームを終了する。そして、この一連の操作を６フレーム分（２００ｍｓ分）繰り返し行うことでベンド転移核形成低温時シーケンスが終了する。
【０２２４】
このように、走査線を２ライン同時に選択することにより、通常初期シーケンスにおけるベンド核形成通常シーケンスよりも１走査線あたりの書き込み時間を長くすることができる。
【０２２５】
（縦電界を利用した、低温時のベンド電位拡大のための駆動方式の具体例）
図２５は、縦電界を利用した、低温時のベンド転移拡大のための駆動方式の具体例を示す図である。
【０２２６】
ベンド転移核拡大低温時シーケンスでは、基本シーケンスとして２フレームを要する。ここでは１フレーム目と２フレーム目において、液晶に印加する電圧の極性を反転するフレーム反転駆動を実行するものとする（但し、これに限定されるものではない）。また、駆動方式としては、線順次駆動を採用し、走査線の総数をｍ本とし、走査線を同時に２ライン選択して書き込みを行うものとして説明する。２フレーム目については図示を省略する。
【０２２７】
図２５の基本シーケンス（１フレーム目）では、２本の走査線を順に選択して、データ線を、例えば５Ｖとすることによって画素電極を５Ｖとし、一方、対向電極を０Ｖとし、これによって液晶に＋５Ｖの縦電界を与える。これは、ノーマリホワイトの液晶の場合、全画素に同時に黒データを書き込むことに相当する。
【０２２８】
２本の走査線のアクティブ期間が終わった後も、保持容量によって画素電極の電圧が保持されるため、１フレーム分のデータ書き込みが終了すると、（ｍ／２Ｈ（水平））期間後に全画素に＋５Ｖが印加される状態となる。
【０２２９】
続いて、特に図示しないが、基本シーケンス（２フレーム目）では、同様に、２本の走査線を順に選択して、データ線を、例えば−５Ｖとすることによって画素電極を−５Ｖとし、一方、対向電極を０Ｖとし、これによって液晶に−５Ｖの縦電界が印加される（すなわち、画素電極と対向電極との電位差自体は５Ｖのままで変化しないが、フレーム毎の極性反転によってフレーム毎に縦電界の向きが反転する）。
【０２３０】
２本の走査線のアクティブ期間が終わった後も、保持容量によって画素電極の電圧が保持されるため、１フレーム分のデータ書き込みが終了すると、（ｍ／２Ｈ（水平））期間後に全画素に−５Ｖが印加される状態となる。
【０２３１】
このような２フレームを一組とする基本シーケンスを１５回繰り返す。すなわち、合計で３０フレーム期間にわたって液晶に５Ｖの縦電界の印加を継続する。１フレームを１／３０秒とすれば、５Ｖの縦電界の印加が１０００ｍｓ継続されることになる。
【０２３２】
図２６は、図２５に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図である。
【０２３３】
時刻ｔ３０〜ｔ３１（１フレーム目）においては、データ線には５Ｖの電圧が印加されるとともに、対向電極、保持容量線の電圧は０Ｖとなる。
【０２３４】
複数本（２本）線順次方式で走査線２本が順に選択される。走査線が選択された時、走査線の電位は１１Ｖとなり、非選択時には−５Ｖとなる。走査線２本が選択されてＴＦＴがオンすると、データ線には５Ｖが印加されているから、画素電極の電位が＋５Ｖとなり、画素電極と対向電極との電位差は＋５Ｖになり、これによって＋５Ｖの縦電界が液晶に加えられる。
【０２３５】
時刻ｔ３５〜ｔ３６（２フレーム目）においては、データ線には２Ｖの電圧が印加され、対向電極、保持容量線には７Ｖの電圧が印加される。データ線と対向電極との間の電位差は１フレーム目と同様に５Ｖであるが、２フレーム目の場合、対向電極の電位が高いことから−５Ｖの縦電界（電位差が５Ｖで向きが反対の縦電界）が液晶に加えられることになる。
【０２３６】
以上の一連の動作を、正極側１５フレーム分ならびに負極側１５フレーム分（合計で１０００ｍｓ）、繰り返し行うことでベンド転移拡大低温時シーケンスが終了する。
【０２３７】
なお、ベンド転移拡大低温時シーケンス時において、走査線は１１Ｖであり、画素電極は５Ｖまたは２Ｖであるから、横電界も発生するが、ベンド転移拡大処理は主として強い縦電界によって実現されるため、この場合の横電界は無視してもよい。
【０２３８】
（第３の実施形態）
図２７（Ａ）は、本発明のＯＣＢ液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側からみた平面図、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【０２３９】
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【０２４０】
図２７（Ａ），図２７（Ｂ）に示すように、本発明の液晶装置１００は、アレイ基板１０（第１基板）と対向基板２０（第２基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、正の誘電率異方性を有する液晶から構成されており、後述するように初期状態ではスプレイ配向、表示動作時にはベンド配向を呈するものとなっている。シール材５２の形成領域の内側の領域に、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。シール材５２外側の周辺回路領域には、データ線ドライバ１０３および外部回路実装端子Ｐａがアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線ドライバ１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線ドライバ１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、アレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。また、図２７（Ｂ）に示すように、アレイ基板１０の内側には画素電極９が形成されていて、アレイ基板１０に対向配置された対向基板２０の内側には対向電極２１が形成されている。
【０２４１】
（第４の実施形態）
図１５では、横電界を効率的に発生させるために、走査線に曲折部を設ける等のレイアウトを採用していたが、これに限定されるものではなく、他の種々の手法を採用することができる。
【０２４２】
図２８は、横電界を効率的に発生させるためのレイアウトの他の例を示す図である。図２８においては、略正方形上の画素電極９の各辺の略中央部に凹部が形成されている。これに近接して配線されて走査線Ｘ１は凹部に変形した配線とされている。このため、画素電極の上下左右位置に変形した転移励起用の横電界印加部を形成することとなる。
【０２４３】
よって、上下電極間に高電圧が印加されて液晶層がスプレイ配向状態となり周囲よりひずみのエネルギーが高くなり、この液晶分子配向状態方向に横電界印加部からほぼ直角に横電界が印加されるため、スプレイ配向における下基板側の液晶分子がねじれる力を受け、転移核の発生が起き易くなる。
【０２４４】
（第５の実施形態）
図２９は、強い横電界を発生させるための画素レイアウトの、さらに他の例を示す図である。図２９では、走査線と画素電極間に強い横電界を効率的に発生させるために、画素列を意図的に直線的に配置せず、また、走査線に関しては、曲折部を有するレイアウトを採用している。
【０２４５】
図示されるように、マトリックス状に配置された複数の画素には、画素電極９がそれぞれ形成されている。また、その画素電極９の側方には、当該画素電極９への通電制御を行うスイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｍが形成されている。ＴＦＴ素子Ｍのソースには、データ線Ｙ１〜Ｙｎが電気的に接続されている。各データ線Ｙ１〜Ｙｎには画像信号が供給される。なお画像信号は、各データ線Ｙ１〜Ｙｎに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線Ｙ１〜Ｙｎに対してグループ毎に供給してもよい。
【０２４６】
ＴＦＴ素子Ｍのゲートには、走査線Ｘ１〜Ｘ３が電気的に接続されている。走査線Ｘ１〜Ｘ３には、所定のタイミングでパルス的に走査信号が供給される。なお、走査信号は、各走査線Ｘ１〜Ｘ３に対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ素子Ｍのドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。このＴＦＴ素子Ｍ、保持容量Ｃ、画素電極９により画素回路（Ｇ１ａ〜Ｇ１ｎ、Ｇ２ａ〜Ｇ２ｎ、Ｇｎａ〜Ｇｎｎ）が構成されている。そして、走査線Ｘ１〜Ｘ３から供給された走査信号により、スイッチング素子であるＴＦＴ素子Ｍを一定期間だけオン状態にすると、データ線Ｙ１〜Ｙｎから供給された画像信号が、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【０２４７】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号は、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号がリークするのを防止するため、画素電極９と容量線ＬＲ１〜ＬＲ３との間に保持容量Ｃが形成され、液晶容量と並列に接続されている。このように、液晶に電圧が印加されると、その電圧レベルにより液晶分子のベンド配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【０２４８】
初期シーケンス（ＳＡ）のための電圧印加を行う際にも、画像表示動作の場合と同様に、データ線に初期シーケンス用信号を供給し、走査線に走査信号を供給して表示領域内の複数の画素を駆動する。
【０２４９】
図３０（Ａ），図３０（Ｂ）は、図２９に示される画素部の一部を抜き出して示す図である。図３０（Ａ）に示すように、アレイ基板の内面上に、複数の画素電極９がデータ線Ｙ１〜Ｙ３の延在方向に沿って配置された第１画素電極列９ａ（奇数段目の画素電極列）と、第１画素電極列９ａに走査線Ｘ１〜Ｘ２の延在方向で隣り合う第２画素電極列９ｂ（偶数段目の画素電極列）と、が走査線Ｘ１〜Ｘ２の延在方向に交互に複数、設けられている。
【０２５０】
第１画素電極列９ａに対して第２画素電極列９ｂはデータ線Ｙ１〜Ｙ３の延在方向に所定距離だけずれて配置されている。
【０２５１】
各走査線Ｘ１〜Ｘ２は、画素電極の配置に沿ってデータ線Ｙ１〜Ｙ３の延在方向に曲折しながら延びている。そのため、各走査線Ｘ１〜Ｘ２の延在方向には複数の曲折部が設けられる。曲折部とは、本線を画素電極９ａ，９ｂの角部に沿って略直角に曲折された部分のことを言う。ここで曲折部は、走査線Ｙ１〜Ｙ３の両側に位置する画素電極の角部にそれぞれ対向配置されている。詳述すると、曲折部には、第１画素電極列９ａの画素電極９ａにおける２つの角部に対向する曲折部と、第２画素電極列の画素電極９ｂにおける２つの角部に対向する曲折部とがある。なお、上述の曲折部は、直角に曲折した部分に限られず、鈍角、鋭角や、曲線状に曲折した部分であってもよい。
【０２５２】
ここで、走査線Ｘ１〜Ｘ２は、自身の延在方向に沿う直線部と、これら直線部と直線部とを連結する連結部と、から構成されており、各直線部の位置がデータ線Ｙ１〜Ｙ３の延在方向（走査線に交差する方向）において連結部を介して交互にずれている。
【０２５３】
先に述べた第１画素電極列の画素電極９ａにおける曲折部は直線部と連結部とによって構成され、第２画素電極列の画素電極９ｂにおける曲折部は直線部と連結部とによって構成されている。このように、走査線Ｘ１〜Ｘ２の延在方向には２つの曲折部が、それぞれ２つずつ交互に存在するようになっており、対向する画素電極９の角部との間に生じる電界により液晶の配向を促す機能を有している。
【０２５４】
このような構成を備えた図３０（Ａ）の液晶装置は、画素電極と対向電極との間に電圧が印加されない状態（あるいは非選択電圧印加時）で、スプレイ配向状態（初期配向状態）となっている。そして、図３０（Ｂ）に示すように、画素電極９ａに電圧を印加したときに画素電極９ｂと走査線Ｘ１の電位が異なるため、画素電極９ａの角部とこれら角部に対向する走査線Ｘ１の曲折部との間に横電界Ｅ１が生じることになる。すなわち、画素電極９の走査線方向に交差する横電界Ｅ１とデータ線方向に交差する横電界Ｅ２とが生じることになる。
【０２５５】
配向膜のラビング方向は、図３０（Ｂ）の矢印０方向に沿う。このような初期配向状態で先に述べた条件の下電圧が印加されると、横電界Ｅ１に沿うべく時計回りＲＴ１にツイストする液晶分子５１ａと、横電界Ｅ２に沿うべく反時計回りＲＴ２にツイストする液晶分子５１ｂとが発生する。このような横電界Ｅ１，Ｅ２に沿って配向する液晶分子によって、画素電極９ａ，９ｂの角部とこれに対向する走査線Ｘ１の曲折部との近傍において配向不良に起因するディスクリネーションラインが発生する。これにより、横電界Ｅ１，Ｅ２の影響を受けて配向した液晶分子を核として、それらの液晶分子の周りにベンド配向が伝搬することになる。
【０２５６】
なお、画素電極の角部と走査線Ｘ１の曲折部との近傍において、所望とするベンド配向に沿わない方向に生じる横電界Ｅ１、Ｅ２の影響を受けて配向している液晶分子が存在していても、非表示領域は上述したように図示されない遮光層を設けているので、画素表示に影響することはない。
【０２５７】
このように、図３０の液晶装置では、第１画素電極列９ａと第２画素電極列９ｂとを互いの画素電極９の位置がデータ線（Ｙ１〜Ｙ３）の延在方向に所定距離だけ交互にずれるように配置し、非表示領域に形成される走査線（Ｘ１〜Ｘ２）に、画素電極（９ａ，９ｂ）の配置に沿ってクランク上に曲折する複数の曲折部を設ける構成とした。そして、これら走査線（Ｘ１〜Ｘ２）における複数の曲折部を当該走査線（Ｘ１〜Ｘ２）の両側に位置する画素電極の少なくとも２つの角部に対向させることによって、電圧印加時における画素電極と曲折部との間で横電界Ｅ２を複雑に発生させることができる。
【０２５８】
このようにして、各画素領域ＺＰにおいて複数（本実施の形態においては２つ）のベンド転移核の発生ポイントを設けることにより、走査線（Ｘ１〜Ｘ２）を曲折させない液晶装置に比べて、電圧印加時の画像表示領域内における液晶分子５１全体をスプレイ配向からベンド配向へ配向転移を円滑に行うことができる。したがって、液晶層の光透過率を短時間で変化させることができ、高速応答が可能となるので残像などが発生することもなく良好な表示を行うことができる。なお、図３０（Ｂ）のＰ−Ｐ’，Ｑ−Ｑ’に沿うデバイスの断面構造は、図１６に示すとおりである。
【０２５９】
但し、以上説明した構成は、強い横電界を発生させるための構成の一例であり、これに限定されるものではない。
【０２６０】
（第６の実施形態）
次に本発明のＯＣＢ液晶装置を用いた電子機器について説明する。本実施の形態では携帯電話を例に挙げて説明する。
【０２６１】
図３１は、携帯電話の全体構成を示す斜視図である。携帯電話１３００は、筐体１３０６、複数の操作ボタンが設けられた操作部１３０２、画像や動画、文字などを表示する表示部を主体として構成されている。表示部には、上記第１〜３の実施形態に係る液晶装置１００が搭載される。
【０２６２】
上述のとおり、本発明の実施形態の液晶装置は、簡素化された構成をもち、ＯＣＢ液晶の初期転移を無理なく、効率的に実現でき、小型かつローコストという利点をもつ。よって、本発明の実施形態にかかる液晶装置を搭載する携帯端末１３００も、小型かつローコストという利点を享受することができ、寒冷地でも問題なく使用することができる。
【０２６３】
（第７の実施形態）
次に、本実施の形態では、情報端末（例えば、パーソナルコンピュータ）を例に挙げて説明する。図３２は、本発明の液晶装置を搭載した情報端末（ＰＤＡ，パーソナルコンピュータ，ワードプロセッサ等）の斜視図である。
【０２６４】
情報端末１２００は、上部筐体１２０６および下部筐体１２０４と、キーボード等の入力部１２０２と、本発明のＯＣＢ液晶装置を用いた表示パネル１００と、を有する。この情報端末においても、上述の携帯端末と同様の効果が得られる。
【０２６５】
なお、本実施形態について詳述したが、本発明の新規事項および効果から逸脱しない範囲で、多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例は、すべて本発明に含まれるものとする。本発明の少なくも一つの実施形態によれば、例えば、以下の効果が得られる。
【０２６６】
（１）所定温度以上の環境下で液晶装置を使用するときには、高品位の表示を行うとともに、低温環境下で液晶装置を使用するときには、データ書き込み時間を長くして液晶に十分な電位を供給する分、通常の場合と比較して表示品位を下げて表示を行うことで、いかなる使用環境においても、確実に正確な表示を安定して行うことを可能とする。
（２）低温時表示モードにおいては、解像度低下処理部により、解像度を低下させて表示品位を劣化させることにより、低温の使用環境でも、確実に正確な表示を安定して行うことができる。
（３）低温時表示モードでフレーム周波数を低減させることによって、１フレームあたりの書き込み時間を増加させることができるので、液晶へのデータ書き込み時間を増加させることができ、液晶を充電させるのに十分となるから、表示品位は劣化するものの、低温の使用環境でも、確実に正確な表示を安定して行うことができる。
（４）走査線を複数本同時に選択してデータ書き込みを行うことで、走査線１本あたりの書き込み時間を増加させることができ、液晶を十分に充電することができるから、低温の使用環境でも、確実に正確な表示を安定して行うことができる。
（５）温度センサにより、温度を計測して、温度センサからの信号に基づいて、通常初期シーケンスまたは低温時初期シーケンスを選択的に実行することにより、１走査線あたりの書き込み時間を操作することで、温度に依存せずに、走査線と画素電極との間の横電界によってベンド転移核を形成し、縦電界によってベンド転移を拡大する新規な初期シーケンス（転移シーケンス）を実行することができる液晶装置が実現される。ＯＣＢ液晶に、局所的な強い横電界を印加することによってディスクリネーション（液晶分子の配向が不連続となる欠陥領域:ディスクリネーションラインという）が発生し、そのディスクリネーションがベンド転移核となる。また、ベンド転移核形成後に、ＯＣＢ液晶の全画素に対して強い縦電界を与えることによって、ベンド転移核の拡大が開始される。ベンド転移核形成およびベンド転移拡大の各シーケンスは、走査線、データ線ならびに対向電極の各々に印加する電圧のレベルおよび電圧印加タイミングを制御するという、一般的な液晶駆動方式によって実現でき、初期シーケンスのために特別な回路を設ける必要はない。よって、液晶ドライバを簡素化でき、液晶装置の低コスト化が達成される。
（６）温度によって、通常初期シーケンスと低温時シーケンスを選択的に実行することができるので、低温では、スプレイ配向状態からベンド配向状態には転移しにくいという問題を解決して、いかなる温度においても、初期シーケンスを完全に行うようにすることができる。
（７）低温時には画素への書き込み時間が不足するために、低温時初期シーケンスにおいては１走査線に対する書き込み時間を、通常初期シーケンスの１走査線に対する書き込み時間と比較して増大することで、十分な書き込み時間が確保でき、低温時でも初期シーケンスを確実に行うことができる。
（８）低温時初期シーケンスにおいてフレーム周波数を少なくすることにより、さらに、１走査線に対する書き込み時間を長く確保することができるから、低温時でも初期シーケンスを確実に行うことができる。
（９）所定温度以上の環境下と、所定温度以上とならない環境下で、それぞれ書き込みモードを分けて液晶装置を駆動し、所定温度以上の環境下で液晶装置を使用するときには、高品位の表示を行うとともに、低温環境下で液晶装置を使用するときには、データ書き込み時間を長くして液晶に十分な電位を供給する分、液晶装置を所定温度以上の環境下で証する場合と比較して表示品位を下げて表示を行うことで、いかなる使用環境においても、確実に正確な表示を安定して行うことを可能とする。
（１０）温度センサにより温度を計測し、計測した温度に基づいて通常初期シーケンスまたは低温時初期シーケンスを選択的に実行することで、計測した温度によって初期シーケンスにおける書き込み時間を最適化することができ、走査線と画素電極との間の横電界によってベンド転移核を形成し、縦電界によってベンド転移を拡大する新規な初期シーケンス（転移シーケンス）を含む液晶装置の駆動方法が実現される。
（１１）低温時初期シーケンスにおいてフレーム周波数を少なくすることにより、さらに、１走査線に対する書き込み時間を長く確保することができるから、低温時でも初期シーケンスを確実に行うことができる。
（１２）温度に依存することなく画像表示の表示品質を確保しつつ、特別な高耐圧を必要とせず、簡素化された回路構成をもち、かつローコストのＯＣＢ液晶駆動用ＩＣが実現される。
（１３）温度に依存せずに安定動作を確保できる簡素化された構成をもち、ＯＣＢ液晶の初期転移を無理なく、効率的に実現できる。よって、本発明の液晶装置を搭載する電子機器も、小型かつローコストという利点を享受することができる。
【０２６７】
本発明は、低温時における液晶装置の適正な表示を確実に行うことができると共に、常温時（高温時を含む）には液晶装置の書き込みを高品位で行うことができるだけでなく、例えば、ＯＣＢ液晶（これに限定されるものではなく、同様な転移シーケンスが必要などのような液晶にも適用が可能である）の転移シーケンスにおいても、低温時でも転移シーケンスを確実に行うことができ、過大な高電圧を用いずに、かつ、通常動作時と同様の順次駆動を用いて実現することができるという効果を奏し、したがって、液晶装置、液晶装置の駆動方法、液晶駆動用ＩＣ（集積回路装置）および電子機器として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０２６８】
【図１】液晶装置における開始時から低温表示モードもしくは通常表示モードによる画素表示が終了するまでの動作の概要を示すフロー図
【図２】本発明の液晶装置の構成例を示す図
【図３】液晶駆動用ＩＣの構成例を示す図
【図４】図４（Ａ），図４（Ｂ）は、本発明の液晶装置の解像度低下処理シーケンスを説明するための図
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明の液晶装置の解像度低下処理シーケンスの他の例を説明する図
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、本発明の液晶装置の電位極性反転書き込み動作の具体例を示す図
【図７】本発明の液晶装置の低温時表示モードとして低温ライン反転書き込みを行った場合について説明するためのタイミング図
【図８】本発明の液晶装置の低温時表示モードとして低温ドット反転書き込みを行った場合について説明するためのタイミング図
【図９】図９（Ａ），図９（Ｂ）は、低温時表示モードにおける動作例を示す図
【図１０】本発明のＯＣＢ液晶装置における電源投入時から画素表示までの、低温動作時と通常動作時のシーケンスを示すフロー図
【図１１】本発明のＯＣＢ液晶装置における、書き込み動作についての低温動作時初期シーケンスと通常初期シーケンスとの比較表。
【図１２】ＯＣＢ液晶装置における電源投入時から画素表示までのシーケンスの概要を示す図
【図１３】図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）は、本発明のＯＣＢ液晶装置の一例における初期シーケンスでの液晶分子の配向状態を示す図
【図１４】本発明のＯＣＢ液晶装置の一例における初期シーケンスの概要を説明するための図
【図１５】本発明の液晶装置の画素部の構成の一例を示す図
【図１６】近接して配置された走査線および画素電極付近のデバイスの断面構造例を示す図
【図１７】ベンド転移核形成通常シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図
【図１８】図１７に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図
【図１９】図１９（Ａ），図１９（Ｂ）は、図１７および図１８に示されるベンド転移核形成シーケンス実行時における画素回路の横電界および縦電界の様子を示す図
【図２０】ベンド転移拡大通常シーケンスの駆動を実現するための駆動方法の一例を説明するための図
【図２１】図２０に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図
【図２２】図２２（Ａ），図２２（Ｂ）は、図２１に示されるベンド転移拡大シーケンス実行時における画素回路の電界の様子を示す図
【図２３】ベンド転移核形成低温時シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図
【図２４】図２３に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図
【図２５】ベンド転移核拡大低温時シーケンスにおける具体的な駆動方式の一例を説明するための図
【図２６】図２５に示す駆動を実現するための駆動方法を説明するためのタイミング図
【図２７】図２７（Ａ），図２７（Ｂ）は、本発明のＯＣＢ液晶装置の一例の平面図および断面図
【図２８】横電界を効率的に発生させるためのレイアウトの他の例を示す図
【図２９】横電界を効率的に発生させるためのレイアウトの、さらに他の例を示す図
【図３０】図３０（Ａ），図３０（Ｂ）は、図２９に示される画素部の一部を抜き出して示す図
【図３１】本発明の液晶装置を搭載した携帯電話の全体構成を示す斜視図
【図３２】本発明の液晶装置を搭載した情報端末の斜視図
【符号の説明】
【０２６９】
ＳＫ  解像度低下処理、ＳＱ  フレーム周波数低下処理、１、１０  アレイ基板、
２、４  配向膜、９  画素電極、３  対向基板（カラーフィルタ基板）、
１１  対向電極、ＬＲ  容量線、ＬＣ  液晶、５１、Ｓ１０  スプレイ配向状態、
Ｓ２０  ベンド配向状態、ＳＡ  初期シーケンス、ＳＡ１  ベンド転移核形成、
ＳＡ２  ベンド転移拡大（縦電界）、ＳＢ  画像表示シーケンス、ＮＢ  ベンド転移核、ＳＣ１  横電界、ＳＣ２  縦電界、ＳＰ  電源オン、５００  電子機器（携帯端末）、
５０２  液晶装置、５１０  電源スイッチ、５２０  メイン制御回路、
５３０  バックライト、５４０  制御部、５４２  タイミング制御回路、
５４４  画像処理回路、５４５  解像度変換回路、５４５ａ  １／２解像度処理部、
５５０  電源回路、５５４  温度センサ、５６０  走査線ドライバ、
５７０  データ線ドライバ、５８０  コモンドライバ、５９０  画素アレイ、
Ｘ１〜Ｘ６  走査線、Ｙ１〜Ｙ６、データ線、Ｌｃｏｍ  コモン線、
６００  アクティブマトリックス基板、６５０  液晶駆動ＩＣ、
６５１  走査線ドライバ、６５２  電源回路、６５４  ＲＡＭ、
６５５  コモンドライバ、６５６  データ線ドライバ、ＴＡ１，ＴＡ２  外部端子、
７００  基板、７０４  ソース・ドレイン領域、
７０２、７０６、７０８、７１４  層間絶縁膜、７１０  第１メタル配線層、
７１２  第２メタル配線層、７１６  液晶層、７１８  ＩＴＯ膜、
７２０  オーバーコート層、７２２  カラーフィルタ、７２４  ブラックマトリックス、Ｚ１  ＴＦＴ領域、Ｚ２  保持容量領域、Ｚ３  走査線領域、１０  ＴＦＴアレイ基板、２０  対向基板、２１  対向電極、１００  液晶装置、５２  シール材、５０  液晶層、５３  遮光膜、１０３  データ線ドライバ、Ｐａ  外部回路実装端子、
１０４  走査線ドライバ、１０５  配線、１０６  基板間導通材、１３００  携帯電話、
１３０２  操作部、１３０６  筐体、１２００  携帯情報端末、１２０２  入力部、１２０４  下部筐体、１２０６  上部筐体
【図１】
2009069637.tif 000003
【図２】
2009069637.tif 000004
【図３】
2009069637.tif 000005
【図４】
2009069637.tif 000006
【図５】
2009069637.tif 000007
【図６】
2009069637.tif 000008
【図７】
2009069637.tif 000009
【図８】
2009069637.tif 000010
【図９】
2009069637.tif 000011
【図１０】
2009069637.tif 000012
【図１１】
2009069637.tif 000013
【図１２】
2009069637.tif 000014
【図１３】
2009069637.tif 000015
【図１４】
2009069637.tif 000016
【図１５】
2009069637.tif 000017
【図１６】
2009069637.tif 000018
【図１７】
2009069637.tif 000019
【図１８】
2009069637.tif 000020
【図１９】
2009069637.tif 000021
【図２０】
2009069637.tif 000022
【図２１】
2009069637.tif 000023
【図２２】
2009069637.tif 000024
【図２３】
2009069637.tif 000025
【図２４】
2009069637.tif 000026
【図２５】
2009069637.tif 000027
【図２６】
2009069637.tif 000028
【図２７】
2009069637.tif 000029
【図２８】
2009069637.tif 000030
【図２９】
2009069637.tif 000031
【図３０】
2009069637.tif 000032
【図３１】
2009069637.tif 000033
【図３２】
2009069637.tif 000034