(57)【要約】【課題】ギャップを更に狭小化することが可能なマイクロエレクトロメカニカルデバイスの構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスにおいては、共振子２２と電極２１が互いに対向し、その対向面には一対の熱酸化膜５、５が形成されて、両熱酸化膜間に狭小化されたギャップを有している。本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの部材が互いに対向して両部材間のギャップに応じた静電容量を有し、該静電容量に基づいて動作するマイクロエレクトロメカニカルデバイスにおいて、前記２つの部材の対向面には一対の熱酸化膜が形成されて、両熱酸化膜間に狭小化されたギャップを有することを特徴とするマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項２】
前記一対の部材の内、一方の部材は電極であり、他方の部材は共振子であって、高周波信号の入力により電極と共振子の間に交番静電気力を発生させて共振子に振動を与え、電極と共振子との間の静電容量の変化を高周波信号として出力する請求項１に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項３】
２つの部材が互いに対向して両部材間のギャップに応じた静電容量を有し、該静電容量に基づいて動作するマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造方法において、
前記２つの部材となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、前記ギャップとなる溝を形成する第１ギャップ形成工程と、
前記溝が形成されたＳｉ層に対し、熱酸化処理を施して、前記溝の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜を形成し、両Ｓｉ熱酸化膜間に狭小化されたギャップを形成する第２ギャップ形成工程
とを有することを特徴とするマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１ギャップ形成工程では、前記溝を形成することによって、前記Ｓｉ層からなる電極と共振子を成形し、前記第２ギャップ形成工程では、電極側のＳｉ熱酸化膜と共振子側のＳｉ熱酸化膜の対向面間に、前記狭小化されたギャップを形成する請求項３に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体分野における微細加工技術を利用して作製されるマイクロメカニカル共振器やマイクロメカニカルキャパシタ等のマイクロエレクトロメカニカルデバイスの構造、並びにその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体分野における微細加工技術を利用して、微細な機械構造を電子回路と一体化して形成する、所謂マイクロエレクトロメカニカルシステム(ＭＥＭＳ)技術が開発されており、フィルターや共振器への応用が検討されている。
【０００３】
図６は、ＭＥＭＳ技術を用いた従来のマイクロメカニカル共振器を表わしている(非特許文献１)。該マイクロメカニカル共振器は、図示の如く基板(96)上に共振子(90)を具え、該共振子(90)は、角柱状の共振ビーム(92)と、該共振ビーム(92)の両端部を支持すべき４本の角柱状の支持ビーム(91)〜(91)とから構成されており、各支持ビーム(91)の基端部はそれぞれアンカー(93)によって基板(96)上に固定されている。これによって、共振子(90)は、基板(96)の表面から僅かに浮上した位置に保持されている。
【０００４】
又、共振子(90)の共振ビーム(92)の両側には、共振ビーム(92)の中央部を挟んで入力電極(94)と出力電極(95)が配備され、共振ビーム(92)と両電極(94)(95)との間に所定のギャップ部Ｇが形成されている。
そして、入力電極(94)には高周波電源(６)が接続されると共に、１つのアンカー(93)には主電圧電源(７)が接続されている。
【０００５】
アンカー(93)を介して共振子(90)に直流電圧Ｖｐを印加した状態で、入力電極(94)に高周波信号Ｖｉを入力すると、入力電極(94)と共振ビーム(92)との間にギャップ部Ｇを介して交番静電気力が発生し、該静電気力によって共振子(90)が基板(96)の表面と平行な面内で振動する。この共振子(90)の振動により、共振ビーム(92)と両電極(95)(94)との間に形成される静電容量が変化し、該静電容量の変化が出力電極(95)から高周波信号Ｉｏとして出力される。
【０００６】
上述のマイクロメカニカル共振器においては、図７に示す如く、共振ビーム(92)と両電極(94)(95)の間に形成される静電容量Ｃｏは、ギャップＧの大きさによって決まり、ギャップＧが小さい程、静電容量Ｃｏは大きくなり、挿入損失やインピーダンスなどの特性面においてもギャップＧは小さいことが望ましい。
そこで、上述のマイクロメカニカル共振器の製造工程においては、共振ビーム(92)と左右の電極(94)(95)の間にギャップＧを形成するために、フォトリソグラフィとエッチングを用いた溝加工が用いられている。
【０００７】
【非特許文献１】W.-T.Hsu,J.R.Clark,  and  C.T.-C.Nguyen,“Q-optimized  lateral  freee-free  beam  micromechanical  resonators,”  Digest  of  Technical  papers,  the  11th  Int.  Conf.  on  Solid-State  Sensors  &  Actuators(Transducers’01),  Munich,  Germany,  June  10-14,2001,  pp.1110-1113.
【特許文献１】特表２００２-５３５８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、マイクロメカニカル共振器の共振周波数を数百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯に設定する場合、共振ビーム(92)と電極(94)(95)の間のギャップＧはサブミクロンのオーダ(０.１〜０.５μｍ)に形成する必要がある。
しかしながら、従来のフォトリソグラフィとエッチングによる溝加工では、例えばｉ線露光機を用いた場合、０.３５μｍ程度の溝幅を形成することが限界であり、それ以上の狭小化は困難であった。
【０００９】
そこで本発明は、ギャップを更に狭小化することが可能なマイクロエレクトロメカニカルデバイスの構造及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスは、２つの部材が互いに対向して両部材間のギャップに応じた静電容量を有し、該静電容量に基づいて動作するものであって、前記２つの部材の対向面には一対の熱酸化膜が形成されて、両熱酸化膜間に狭小化されたギャップを有している。
【００１１】
具体的には、前記一対の部材の内、一方の部材は電極であり、他方の部材は共振子であって、高周波信号の入力により電極と共振子の間に交番静電気力を発生させて共振子に振動を与え、電極と共振子との間の静電容量の変化を高周波信号として出力する。
【００１２】
本発明のマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造方法においては、前記２つの部材の間に狭小化されたギャップを形成するために、
前記２つの部材となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、前記ギャップとなる溝を形成する第１ギャップ形成工程と、
前記溝が形成されたＳｉ層に対し、熱酸化処理を施して、前記溝の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜を形成し、両Ｓｉ熱酸化膜間に狭小化されたギャップを形成する第２ギャップ形成工程
とが実施される。
【００１３】
第１ギャップ形成工程では、例えばｉ線露光機を用いたフォトリソグラフィとエッチングによって、前記２つの部材の材料となるＳｉ層に０.３５μｍ程度の溝が形成される。
その後、前記溝が形成されたＳｉ層に対し、熱酸化処理を施すことにより、前記溝の両側面にＳｉ熱酸化膜が形成され、これらのＳｉ熱酸化膜が互いに対向して、０.３５μｍよりも更に狭小化されたギャップ(例えば０.０５〜０.３０μｍ)が形成されることになる。
尚、熱酸化処理によれば、Ｓｉ熱酸化膜は少なくとも０.０１μｍ以上の厚さに形成することが出来る。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイス及びその製造方法によれば、従来よりも更にギャップを狭小化することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を図６に示すＭＥＭＳ共振器に実施した形態につき、図面に沿って具体的に説明する。
図１及び図２は、本発明に係るＭＥＭＳ共振器の共振子及び左右の電極を形成するための工程Ｐ１〜Ｐ７を表わしている。尚、図１及び図２において、(Ａ)は縦断面図、(Ｂ)及び(Ｃ)は平面図である。
【００１６】
先ず図１の工程Ｐ１においては、基板となるＳｉ層(１)の表面に、ＳｉＯ２層(３)とＳｉ層(２)を積層してなるＳＯＩウエハを準備する。
次に工程Ｐ２においては、Ｓｉ層(２)の表面にレジスト(４)を塗布する。そして、工程Ｐ３では、レジスト(４)に対してｉ線露光機を用いた露光と現像を施し、ギャップＧ′を有する溝パターンを形成する。ここで、ギャップＧ′としては０.３５μｍが限界である。
続いて工程Ｐ４では、Ｓｉ層(２)にドライエッチングを施して、Ｓｉ層(２)に溝(20)を加工する。
【００１７】
図２の工程Ｐ５では、前記レジスト(４)を剥離し、更に工程Ｐ６では、ＳｉＯ２層(３)にウエットエッチングを施す。これによって幅Ｗの共振子(22)と左右の電極(21)(21)が形成されることになる。尚、図２(Ｃ)は上のＳｉ層(２)を省略してＳｉＯ２層(３)及び下のＳｉ層(１)の表面を表わしている。
【００１８】
その後、工程Ｐ７では、水素ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気中で９００〜１２００℃の温度による熱酸化処理を施す。この熱酸化処理においては、水素が燃焼して水蒸気雰囲気中でＳｉが酸化される。
この結果、共振子(22)と両電極(21)(21)の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜(５)(５)が形成され、両Ｓｉ熱酸化膜(５)(５)間にギャップＧが形成されることになる。
【００１９】
ここで、Ｓｉの酸化物であるＳｉＯ２は安定した材料であり、然も熱酸化処理によれば狭小な隙間にも高い精度で薄膜を形成することが出来るので、Ｓｉ熱酸化膜(５)(５)の形成によって得られるギャップＧは、高い精度を維持し、且つ狭小化が可能である。
又、Ｓｉ熱酸化膜は、露出しているＳｉ表面全体に形成されることになるが、説明簡略化のため、図面ではギャップ面のみ表示している。
【００２０】
上述の如くｉ線露光及びドライエッチングによる溝加工においては、図３(ａ)に示す如く溝(20)の幅を０.３５μｍに形成することが限界であるが、その後の熱酸化処理により、図３(ｂ)の如く共振子(22)と両電極(21)(21)の間にそれぞれ、互いに対向する一対のＳｉ熱酸化膜(５)(５)が形成されて、両Ｓｉ熱酸化膜(５)(５)間のギャップを例えば０.１μｍ以下に狭小化することが出来る。
【００２１】
図４(ａ)(ｂ)に示す如く電極(21)と共振子(22)の間の溝(20)の両側面にＳｉ熱酸化膜(５)が形成される過程では、溝(20)の側面の内側へ向けて４４％、外側へ向けて５６％の割合でＳｉ熱酸化膜(５)が成長し、互いに対向する一対のＳｉ熱酸化膜(５)(５)の対向面間にギャップＧが形成されることになる。
【００２２】
図４(ｂ)に示す如く、電極(21)と共振子(22)の間の静電容量Ｃは、一対のＳｉ熱酸化膜(５)(５)が対向して形成される真空ギャップの静電容量Ｃ１と、両Ｓｉ熱酸化膜(５)(５)によって形成される２つの静電容量Ｃ２、Ｃ２の直列接続となるため、下記数式が成り立つ。
(数式１)
１／Ｃ＝１／Ｃ２＋１／Ｃ１＋１／Ｃ２
【００２３】
従来のＭＥＭＳ共振器においては、図７に示す様に真空ギャップのみによる静電容量Ｃｏが形成され、その静電容量Ｃ０は、真空の誘電率をε０、対向面積をＳ、ギャップをｄ０として、下記数式により表わすことが出来る。
(数式２)
Ｃ０＝ε０(Ｓ／ｄ０)
【００２４】
従って、図４に示す本発明のＭＥＭＳ共振器における静電容量Ｃは、従来のＭＥＭＳ共振器におけるギャップｄ０が０.３５μｍの場合の静電容量Ｃ０と、熱酸化後のギャップｄ１を用いて、下記数式で表わすことが出来る。
(数式３)
Ｃ＝(９３１０００／(１４１ｄ１＋４３７５００))・Ｃ０
【００２５】
図５は、真空ギャップのみによる静電容量Ｃｏと、熱酸化膜のギャップと真空ギャップの組合せからなる静電容量Ｃについて、真空ギャップが０.３５μｍのときの静電容量を基準とする静電容量比の変化を表わしている。
図５中に破線で示す様に、０.３５μｍの真空ギャップを形成した後にそのギャップが０.０６７μｍに狭小化されるまで熱酸化膜を形成すれば、０.２μｍの真空ギャップのみを有するＭＥＭＳ共振器と同等の静電容量が得られることになる。
【００２６】
この様に、本発明のＭＥＭＳ共振器によれば、Ｓｉ熱酸化膜(５)の形成によって、実質的なギャップを従来よりも更に狭小化することが出来、その結果、挿入損失やインピーダンスなどの特性を改善することが可能である。
【００２７】
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。
又、本発明は、ＭＥＭＳ共振器に限らず、ＭＥＭＳキャパシタなどの種々のマイクロエレクトロメカニカルデバイスに実施することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係るＭＥＭＳ共振器の製造工程の前半を示す一連の図面である。
【図２】本発明に係るＭＥＭＳ共振器の製造工程の後半を示す一連の図面である。
【図３】エッチング工程及び熱酸化工程を示す断面図である。
【図４】熱酸化膜によるギャップの形成を説明する断面図である。
【図５】真空ギャップのみを有する従来のＭＥＭＳ共振器と、熱酸化膜によるギャップと真空ギャップの両方を有する本発明のＭＥＭＳ共振器について、ギャップと静電容量の関係を表わすグラフである。
【図６】従来のＭＥＭＳ共振器の構成を表わす斜視図である。
【図７】従来のＭＥＭＳ共振器における真空ギャップによる静電容量の形成を表わす断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
(１)  Ｓｉ層
(２)  Ｓｉ層
(３)  ＳｉＯ２層
(４)  レジスト
(５)  Ｓｉ熱酸化膜
(20)  溝
(21)  電極
(22)  共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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