(57)【要約】【課題】  薄膜トランジスタパネル１と該薄膜トランジスタパネル１下に対向配置された対向パネル２１とがシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル１、２１間に液晶３１が封入され、対向パネル２１下にバックライト３２が配置された液晶表示装置において、光利用効率を良くする。【解決手段】  対向パネル２１のブラックマスク２３は、アルミニウム、銀もしくはそれらの合金によって形成され、反射層を兼ねている。そして、バックライト３２からの光が反射層を兼ねたブラックマスク２３の下面に照射されると、その反射光が対向基板２２、裏面側偏光板２７および導光板３３を透過して反射層３４で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。この場合、対向基板２２の上面に反射層を兼ねたブラックマスク２３を形成すればよく、製造工程数が増加することがなく、コストが増加しないようにすることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記対向パネルは反射層を兼ねたブラックマスクを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記ブラックマスクはアルミニウム、銀もしくはそれらの合金によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記ブラックマスクは、前記対向パネルの対向基板の上面に設けられた金属層からなり、且つ、前記薄膜トランジスタパネルに設けられた画素電極に対応する部分に該画素電極のサイズよりも小さめの開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記バックライトは、導光板の下面に反射層が設けられたものを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置には、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがほぼ方形枠状のシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル間に液晶が封入され、薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置されたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−９１８４１号公報
【０００４】
上記従来の液晶表示装置における対向パネルでは、実質的な画素領域以外からの光漏れを防止するために、その基板の下面にブラックマスクが設けられている。一方、薄膜トランジスタパネルでは、その基板の下面に、ブラックマスクと同一パターンの反射層が設けられている。この反射層は、バックライトからの光を反射し、この反射光をバックライトの反射層でさらに反射させ、この反射光の少なくとも一部を表示に寄与させることにより、光利用効率を良くするためのものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の液晶表示装置では、薄膜トランジスタパネルの基板の下面に、対向パネルのブラックマスクと同一パターンの反射層を形成しなければならず、製造工程数が増加し、コスト高となってしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明は、光利用効率を良くすることができる上、コストが増加しないようにすることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記対向パネルは反射層を兼ねたブラックマスクを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ブラックマスクはアルミニウム、銀もしくはそれらの合金によって形成されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ブラックマスクは、前記対向パネルの対向基板の上面に設けられた金属層からなり、且つ、前記薄膜トランジスタパネルに設けられた画素電極に対応する部分に該画素電極のサイズよりも小さめの開口部が設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記バックライトは、導光板の下面に反射層が設けられたものを備えていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、薄膜トランジスタパネルとバックライトとの間に配置された対向パネルに反射層を兼ねたブラックマスクを備えさせているので、光利用効率を良くすることができ、しかも、対向パネルの基板に反射層を兼ねたブラックマスクを形成すればよく、製造工程数が増加することがなく、コストが増加しないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１はこの発明の一実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示し、図２は同液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図を示す。この場合、図１は図２のＩ−Ｉ線に沿う部分の断面図に相当する。この液晶表示装置は、図１に示すように、薄膜トランジスタパネル１と該薄膜トランジスタパネル１下に対向配置された対向パネル２１とがほぼ方形枠状のシール材（図示せず）を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル１、２１間に液晶３１が封入され、対向パネル２１下にバックライト３２が配置された構造となっている。
【００１０】
次に、薄膜トランジスタパネル１の平面的な構造について、図２を参照して説明する。薄膜トランジスタパネル１はガラス等からなる薄膜トランジスタ基板２を備えている。薄膜トランジスタ基板２下には複数の走査ライン３および複数のデータライン４がマトリクス状に設けられている。この場合、複数の走査ライン３は行方向に延びて設けられ、複数のデータライン４は列方向に延びて設けられている。
【００１１】
薄膜トランジスタ基板２下において走査ライン３とデータライン４とで囲まれた領域内には画素電極５が設けられている。ここで、図２を明確にする目的で、画素電極５の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。画素電極５はスイッチング素子としての薄膜トランジスタ６を介して走査ライン３およびデータライン４に接続されている。薄膜トランジスタ基板２下には複数の補助容量ライン７が行方向に延びて設けられている。画素電極５との間で補助容量部を形成するための補助容量ライン７は当該画素電極５の上辺部と重ね合わされている。
【００１２】
次に、図１および図２を参照して説明する。薄膜トランジスタ基板２の下面の所定の箇所にはゲート電極８および該ゲート電極８に接続された走査ライン３が設けられている。薄膜トランジスタ基板２の下面の他の所定の箇所には補助容量ライン７が設けられている。この場合、ゲート電極８、走査ライン３および補助容量ライン７は、クロム、モリブデンもしくはそれらの合金等によって形成されている。
【００１３】
ゲート電極８、走査ライン３および補助容量ライン７を含む薄膜トランジスタ基板２の下面には窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜９が設けられている。ゲート電極８下におけるゲート絶縁膜９の下面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１０が設けられている。半導体薄膜１０の下面ほぼ中央部には窒化シリコン等からなるチャネル保護膜１１が設けられている。チャネル保護膜１１の下面両側およびその両側における半導体薄膜１０の下面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１２、１３が設けられている。
【００１４】
オーミックコンタクト層１２、１３の下面にはソース電極１４およびドレイン電極１５が設けられている。ゲート絶縁膜９の下面の所定の箇所にはデータライン４がドレイン電極１５に接続されて設けられている。この場合、ソース電極１４、ドレイン電極１５およびデータライン４は、クロム、モリブデンもしくはそれらの合金等によって形成されている。ここで、薄膜トランジスタ６は、ゲート電極８、ゲート絶縁膜９、半導体薄膜１０、チャネル保護膜１１、オーミックコンタクト層１２、１３、ソース電極１４およびドレイン電極１５により構成されている。
【００１５】
薄膜トランジスタ６およびデータライン４を含むゲート絶縁膜９の下面には窒化シリコン等からなるオーバーコート膜１６が設けられている。オーバーコート膜１６の下面の所定の箇所にはＩＴＯ等からなる画素電極５が設けられている。画素電極５は、オーバーコート膜１６に設けられたコンタクトホール１７を介してソース電極１４に接続されている。画素電極５を含むオーバーコート膜１６の下面には配向膜１８が設けられている。薄膜トランジスタ基板２の上面には表面側偏光板１９が設けられている。
【００１６】
一方、対向パネル２１はガラス等からなる対向基板２２を備えている。対向基板２２の上面には、ブラックマスク２３、樹脂等からなるカラーフィルタ２４、ＩＴＯ等からなる対向電極２５および配向膜２６が設けられている。この場合、ブラックマスク２３は、クロム、モリブデンもしくはそれらの合金等よりも高反射率の金属材料であるアルミニウム、銀もしくはそれらの合金等によって形成され、反射層を兼ねている。ブラックマスク２３の平面形状については、後で説明する。対向基板２２の下面には裏面側偏光板２７が設けられている。
【００１７】
バックライト３２は、導光板３３の下面に反射層３４が設けられ、導光板３３の一端面の外側に発光ダイオード等からなる光源（図示せず）が設けられた構造となっている。そして、光源が点灯すると、光源からの光が導光板３３で導光され且つ反射層３４で反射された後に導光板３３の上面からそのほぼ垂直上方に出射されるようになっている。
【００１８】
次に、ブラックマスク２３の平面形状について説明する。ブラックマスク２３は、対向基板２２の上面に設けられた比較的反射率の高い金属層からなり、且つ、図２において一点鎖線で示すように、画素電極５に対応する部分に該画素電極５のサイズよりもやや小さめの開口部２３ａが設けられている。ブラックマスク２３は、バックライト３２からの光が薄膜トランジスタ６の半導体薄膜１０に入射するのを防止し、且つ、バックライト３２からの光が行方向および列方向に隣接する画素電極５間の隙間から漏れるのを防止するためのものであるが、バックライト３２からの光を反射する反射層を兼ねている。
【００１９】
そして、この液晶表示装置では、バックライト３２を点灯させると、バックライト３２からの光が裏面側偏光板２７、対向基板２２、ブラックマスク２３の開口部２３ａ、カラーフィルタ２４、対向電極２５、配向膜２６、液晶３１、配向膜１８、画素電極５、オーバーコート膜１６、ゲート絶縁膜９、薄膜トランジスタ基板２および表面側偏光板１９を透過して表面側偏光板１９の上面側に出射され、これにより表示を行なう。
【００２０】
ところで、このような表示を行なっている状態において、バックライト３２からの光が反射層を兼ねたブラックマスク２３の下面に照射されると、その反射光が対向基板２２、裏面側偏光板２７および導光板３３を透過して反射層３４で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。
【００２１】
このように、この液晶表示装置では、薄膜トランジスタパネル１とバックライト３２との間に配置された対向パネル２１に反射層を兼ねたブラックマスク２３を備えさせているので、光利用効率を良くすることができる。しかも、対向基板２２の上面に反射層を兼ねたブラックマスク２３を形成すればよく、製造工程数が増加することがなく、コストが増加しないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】この発明の一実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図。
【符号の説明】
【００２３】
１  薄膜トランジスタパネル
２  薄膜トランジスタ基板
３  走査ライン
４  データライン
５  画素電極
６  薄膜トランジスタ
７  補助容量ライン
１６  オーバーコート膜
１８  配向膜
１９  表面側偏光板
２１  対向パネル
２２  対向基板
２３  ブラックマスク
２４  カラーフィルタ
２５  共通電極
２６  配向膜
３１  液晶
３２  バックライト
３３  導光板
３４  反射層
【図１】
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【図２】
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