(57)【要約】【課題】  グランド層に複数の貫通孔を設け信号配線の高いインピーダンス特性を実現しつつグランド層を介した放射ノイズの発生を防止可能な回路基板、電気光学装置及びその回路基板を用いた電子機器を提供する。【解決手段】  信号配線２５に平面的に重なるように、ベース基材２４の信号配線２５と反対側に、複数の貫通孔２８ａが形成されたグランド層２８が設けられているので、グランド層２８に貫通孔２８ａが形成されていない場合に比べて、信号配線２５の特性インピーダンスを高くすることができると共に、第１の絶縁層３０のベース基材２４と反対側で、信号配線２５と平面的に重なるように第１のシールド層３１が設けられているので、例えば信号配線２５に信号が伝達されるときに複数の貫通孔２８ａから第１の絶縁層３０側に漏れ出した放射ノイズを第１のシールド層３１により遮蔽することができる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の一方の面に形成された高周波信号を伝送する信号配線と、
前記基材の前記信号配線と反対側に設けられ、複数の貫通孔が形成されたグランド層と、
前記グランド層の前記基板と反対側に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の前記基板と反対側に設けられた第１のシールド層と
を具備することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板において、
前記グランド層の複数の貫通孔は少なくとも一部が前記信号配線に平面的に重なるように形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の回路基板において、
前記第１のシールド層は、少なくとも一部の前記貫通孔と平面的に重なるように設けられていることを特徴とする回路基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の回路基板において、
前記第１のシールド層は、少なくとも一部が前記信号配線より放射される放射ノイズの放射領域に平面的に重なるように形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の回路基板において、
前記一方の面側に設けられ、前記信号配線を被覆する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の前記信号配線と反対側に設けられた第２のシールド層と
を更に具備することを特徴とする回路基板。
【請求項６】
基材と、前記基材の一方の面に形成された信号配線と、前記基材の前記高周波信号を伝送する信号配線と反対側に設けられ、複数の貫通孔が形成されたグランド層と、前記グランド層の前記基材と反対側に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記基材と反対側に設けられたシールド層とを具備する回路基板と、
前記回路基板が接続された電気光学パネルと
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の回路基板を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機に用いられる回路基板、電気光学装置及びその回路基板を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の表示装置として電気光学装置が用いられており、そのフレキシブル基板等の回路基板での信号配線において、周囲に導体があると、電界の乱れが生じ、線路インピーダンスの不整合が生じ、高周波特性が劣化するという問題があった。
【０００３】
そこで、樹脂シートの電路が形成された反対側の全面に電路と対をなして帰路電流を流すためのアース面を接合した線路（マイクロストリップ線路）により電界を閉じ込める方法が提供されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、ベース基板と、ベース基板に配置された信号配線層と、信号配線層の主面側に絶縁層を介して配設されたグランド層をなすメッシュ状の配線層を備え、メッシュ配線の信号配線に対する位置関係を設定することですぐれた高速信号伝搬特性を得ようとする技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００４−２２１３４５号公報（段落［０００４］、図１（ｃ））。
【特許文献２】特開平７−３２１４６３号公報（段落［０００７］、［０００８］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の提案により比較的効率よく電界を閉じ込めることができるが、問題とする信号配線と他の配線とのインピーダンス整合を図るために高いインピーダンス特性を実現する必要が生じる場合がある。
【０００６】
そのための方法として、導電層をメッシュ状にすることで、高速信号伝搬特性を得ることはできるがメッシュ状の導電層から放射ノイズが漏れることが考えられる。
【０００７】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、グランド層に複数の貫通孔を設け信号配線の高いインピーダンス特性を実現しつつグランド層を介した放射ノイズの発生を防止可能な回路基板、電気光学装置及びその回路基板を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る回路基板は、基材と、前記基材の一方の面に形成された高周波信号を伝送する信号配線と、前記基材の前記信号配線と反対側に設けられ、複数の貫通孔が形成されたグランド層と、前記グランド層の前記基板と反対側に設けられた第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の前記基板と反対側に設けられた第１のシールド層とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、基材の信号配線と反対側に設けられ複数の貫通孔が形成されたグランド層を備えるので、グランド層に貫通孔が形成されていない場合に比べて、信号配線の特性インピーダンスを高くすることができると共に、第１の絶縁層の基材と反対側に設けられた第１のシールド層を備えているので、例えば信号配線に信号が伝達されるときに複数の貫通孔から第１の絶縁層側に漏れ出した放射ノイズを第１のシールド層により遮蔽することができる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記グランド層の複数の貫通孔は均一に形成されていることを特徴とする。これにより、例えば複数の信号配線が形成されている場合に、バラツキなく各信号配線のインピーダンス特性を高めることができる。なお、グランド層に均一に形成された貫通孔は、少なくとも高周波信号を伝送する信号配線に平面的に重なる領域に形成されていればよい。また、グランド層に複数の貫通孔が均一に形成されていなくても例えばインピーダンス特性を高める効果を得ることができる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記グランド層の複数の貫通孔は少なくとも一部が前記信号配線に平面的に重なるように形成されていることを特徴とする。これにより、複数の貫通孔から漏れ出した放射ノイズを確実に第１のシールド層により遮蔽することができる。なお、複数の貫通孔と信号配線とが平面的に重なっていなくても、例えばインピーダンス特性を高める効果を得ることができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記第１のシールド層は、少なくとも一部が前記信号配線より放射される放射ノイズの放射領域に平面的に重なるように形成されていることを特徴とする。これにより、放射ノイズが垂直方向のみに発生するのではなく、等方性に発生するが、第１のシールド層が少なくても放射ノイズの領域に平面的に重なっているので、信号配線より放射される放射ノイズを第１のシールド層により遮蔽することができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記第１のシールド層は、少なくとも一部の前記貫通孔と平面的に重なるように設けられていることを特徴とする。これにより、複数の貫通孔から第１の絶縁層側に漏れ出した放射ノイズを第１のシールド層により効率的に遮蔽することができる。なお、シールド層と貫通孔とが平面的に重なっていなくても、例えばインピーダンス特性を高める効果を得ることができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記基材は、可撓性基板であることを特徴とする。これにより、グランド層に複数の貫通孔を設けることで信号配線で高いインピーダンス特性を得るので、基材を厚くする必要がなく、確実に可撓性を確保することができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記一方の面側に設けられ、前記信号配線を被覆する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の前記信号配線と反対側に設けられた第２のシールド層とを更に具備することを特徴とする。これにより、信号配線、第２の絶縁層および第２のシールド層とにより、第２の絶縁層の外側に漏れようとする放射ノイズを第２のシールド層により遮蔽することができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記グランド層は、メッシュ形状を有することを特徴とする。ここで、メッシュ形状とは、例えば均一又は規則的に矩形状や六角形状の複数の貫通孔が形成された形状をいう。これにより、例えば均一又は規則的に複数の貫通孔が形成されたグランド層を用いて、例えば信号配線が複数配列されている場合に、これらの信号配線のインピーダンス特性を高くすることができる。また、信号配線が一本の場合にも、この一本に平面的に重なる複数の貫通孔によりインピーダンス特性を高めることができる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記基材は、２５μｍ以下の厚さを有することを特徴とする。これにより、基材の厚さが２５μｍ以下と薄い状態で可撓性を確保しつつ、信号配線のインピーダンス特性を高くしグランド層から漏れ出した放射ノイズが回路基板外へ漏れることをシールド層により防止することができる。
【００１８】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、基材と、前記基材の一方の面に形成された信号配線と、前記基材の前記高周波信号を伝送する信号配線と反対側に設けられ、複数の貫通孔が形成されたグランド層と、前記グランド層の前記基材と反対側に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記基材と反対側に設けられたシールド層とを具備する回路基板と、前記回路基板が接続された電気光学パネルとを具備することを特徴とする。
【００１９】
本発明は、基材の信号配線と反対側に設けられ規則的に複数の貫通孔が形成されたグランド層を備えるので、信号配線の特性インピーダンスを高くすることができると共に、絶縁層の基材と反対側に設けられたシールド層を備えているので、複数の貫通孔から絶縁層側に漏れ出した放射ノイズをシールド層により遮蔽することが可能である回路基板を備えたので、電気光学装置の電気的信頼性の向上を図ることができる。
【００２０】
本発明の他の観点に係る電子機器は、上述の回路基板を備えたことを特徴とする。
【００２１】
本発明は、グランド層に複数の貫通孔を設け信号配線の高いインピーダンス特性を実現しつつグランド層を介した放射ノイズの発生を防止可能な回路基板を備えたので、電気的信頼性の高い電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、回路基板及び電気光学装置の例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス型の液晶装置、またその液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２３】
（第１の実施形態）
【００２４】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図（ドライバーＩＣは切断していない。）、図３は図２のＢ−Ｂ線断面図、図４は図３のフレキシブル基板の部分平面図、図５は図３のＣ−Ｃ線断面図である。
【００２５】
（液晶装置の構成）
【００２６】
液晶装置１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続された回路基板としてのフレキシブル基板３及び照明装置４等を有する。ここで、液晶装置１には、照明装置４の他にも、ケース等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００２７】
液晶パネル２は、図１または図２に示すようにシール材５を介して貼り合わされた第１基板６及び第２基板７及び両基板の間隙に封入されたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶８を有する。
【００２８】
第１及び第２基板６，７は、夫々例えばガラスといった透光性を有する板状部材からなる第１基材６ａ及び第２基材７ａを有し、図２に示すように第１及び第２基材６ａ，７ａの外側には入射光を偏光させるための偏光板９，１０が夫々貼着されている。
【００２９】
また、第１基材６ａはその内側（液晶側）に例えば図１及び図２に示すようにＹ軸方向に複数の走査線１１が並行して形成され、Ｘ軸方向に複数のデータ線１２が並行して形成されており、更にその走査線１１及びデータ線１２等の液晶側には配向膜１３が形成されている。走査線１１及びデータ線１２は、例えばニッケル等から形成されており、図示しないＴＦＴに電気的に接続されている。また、ＴＦＴはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等からなる画素電極１４に電気的に接続されている。
【００３０】
すなわち、走査線１１の一端はＴＦＴの図示しないゲート電極に、他端は後述する出力用接続端子１５に夫々電気的に接続されている。更にデータ線１２の一端はＴＦＴの図示しないデータ電極に、他端は後述する出力用接続端子１５に夫々電気的に接続されている。
【００３１】
また、第１基材６ａは例えば図１または図２に示すように第２基材７ａの外周縁から張出した張出し部１６を有し、当該張出し部１６には、液晶駆動用のドライバーＩＣ１７が実装されている。また、走査線１１及びデータ線１２は、シール材５で囲まれる領域から張出し部１６に延在されておりドライバーＩＣ１７の実装領域に並設された出力用接続端子１５に電気的に接続されている。
【００３２】
更に張出し部１６は、例えば図２に示すようにフレキシブル基板３等から電流をドライバーＩＣ１７等に供給する入力配線１８を有する。ここで、入力配線１８は例えば図２に示すように一端がフレキシブル基板３の後述するパターン配線に電気的に接続される外部用端子１９として形成されており、他端がドライバーＩＣ１７の実装領域に並設された入力用接続端子２０に電気的に接続されている。
【００３３】
ドライバーＩＣ１７は、例えば図２に示すようにその張出し部１６に実装する実装面に複数配列されたバンプ２１を有し、バンプ２１は、出力用接続端子１５及び入力用接続端子２０に電気的に接続し、例えば略直方体にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等で形成されている。
【００３４】
一方、第２基材７ａは例えば図２に示すようにその内側（液晶側）に共通電極２２が形成されており、その共通電極２２の液晶側には配向膜２３が形成されている。
【００３５】
尚、第１及び第２基材６ａ，７ａの液晶側には、図示しないが必要に応じて下地層、反射層、着色層及び光遮蔽層等が形成されている。
【００３６】
次に、フレキシブル基板３は例えば図２に示すように略断面半円形状に曲げられ、その一端が第１基板６に接続され、他端は図示しないが外部接続用コネクターや異方性導電膜を介してＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の光源や他の回路基板等に接続されている。
【００３７】
また、フレキシブル基板３は例えば図２及び図３に示すように基板としてのベース基材２４、信号配線２５、接着材２６、第２の絶縁層２７、グランド層２８、接着材２９、第１の絶縁層３０及び第１のシールド層３１により構成されており、図示しないが半導体チップなどの電子部品も実装されている。
【００３８】
ベース基材２４はフレキシブル基板３のベースフィルムとなるもので可撓性を有し、例えば略矩形のフィルム状に硬化されたポリイミド樹脂等が用いられており、その厚さｈ１は例えば２５μｍ以下１５μｍ以上に形成されている。
【００３９】
また、信号配線２５は、例えば図３に示すようにベース基材２４の一方の面２４ａに銅（Ｃｕ）等により複数形成されている。例えば信号配線２５は、例えば図３に示すようにベース基材２４の一方の面２４ａに横幅Ｃ１は約５０μｍで、その厚さｈ２（ベース基材２４からの高さ）が約１０μｍから２０μｍに形成されており、その一端は例えばベース基材２４の一端に略一致した図示しない接続端子となり、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）３２を介して張出し部１６の外部用端子１９に電気的に接続されている。
【００４０】
信号配線２５は、例えばインピーダンス特性を制御する必要がある高周波信号を伝送する信号配線である。一般にフレキシブル基板等の回路基板を高速でかつ安定した電気信号伝搬特性を確保するためには、信号配線２５の特性インピーダンスと実装する電子部品との入力インピーダンスを整合させることが重要である。したがって、例えば５０ＭＨｚ以上の高周波信号が流れる信号配線２５が、ベース基材２４と後述するグランド層２８とでマイクロストリップ線路を形成しているような場合、特性インピーダンスを高く制御しなければならない場合に信号配線２５の横幅をあまり小さくできないときは、信号配線２５とグランド層２８との間の比誘電率が一定であるとすると、例えばグランド層２８を後述するようにメッシュ状にすることにより信号配線２５の特性インピーダンスを制御することとなる。
【００４１】
接着材２６は、ベース基材２４と信号配線２５のグランド層２８側とは反対側に配置されている。接着材２６は、例えばエポキシやアクリル系の樹脂等を液状にしてからベース基材２４に塗布して最終的に熱で硬化させることで、その厚さｈ３が例えば約１５μｍとなるように形成されている。
【００４２】
第２の絶縁層２７は、接着材２６のベース基材２４側とは反対側に配置されており、その材料としてはフレキシブル基板３のカバーレイとして通常使われるポリイミド樹脂が用いられている。
【００４３】
グランド層２８は、例えば図３に示すようにベース基材２４の一方の面２４ａの反対側の面２４ｂに、信号配線２５と平面的に重なるように形成されている。グランド層２８には、図３、図５に示すようにメッシュ状になるように複数の貫通孔２８ａが形成されている。グランド層２８は、例えば銅等により厚さｈ４が約１０μｍから２０μｍとなるように形成されている。ベース基材２４、信号配線２５及びグランド層２８により、マイクロストリップライン構造が形成されている。
【００４４】
接着材２９は、例えばエポキシやアクリル系の樹脂等を液状にしてからグランド層２８に塗布して最終的に熱で硬化させることで、厚さｈ５が例えば約１５μｍとなるように形成されている。
【００４５】
第１の絶縁層３０は、例えば図２、図３に示すように接着材２９のグランド層２８側と反対側にその厚さｈ６が約１２．５μｍから２０μｍとなるように積層されており、その材料としてはフレキシブル基板３のカバーレイとして通常使われるポリイミド樹脂が用いられている。
【００４６】
第１のシールド層３１は、例えば図２、図３に示すように第１の絶縁層３０の接着材２９と反対側にベタ状に形成されている。第１のシールド層３１は、例えば銀ペースト等を第１の絶縁層３０に塗布することで形成されている。第１のシールド層３１は、グランド層２８に電気的に接続されている。なお、第１のシールド層３１は、グランド層２８に電気的に接続されていなくてもよい。
【００４７】
照明装置４は例えば図２に示すように導光板３３、反射シート３４等を有し、第１基板６に図示しない光源からの光を照射する。
【００４８】
（液晶装置の製造方法）
【００４９】
次に、以上のように構成された液晶装置の製造方法についてフレキシブル基板を中心に説明する。
【００５０】
図６は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法のフローチャート図及び図７はフレキシブル基板の製造方法の説明図である。
【００５１】
まず、液晶パネル２を例えば図６に示すように製造する。
【００５２】
例えば第１基材６ａの液晶側にＴＦＴ、走査線１１、データ線１２、画素電極１４等を形成し、その液晶側に配向膜１３を形成してラビング処理を施して第１基板６を製造する（ＳＴ１０１）。
【００５３】
また、第２基材７ａの液晶側に必要に応じて下地層や反射膜、着色層等を夫々形成すると共にその液晶側に共通電極２２を形成し、更に配向膜２３を形成しラビング処理を施して第２基板７を製造する（ＳＴ１０２）。
【００５４】
そして、第２基板７上にギャップ材３５をドライ散布等により散布し、シール材５を介して第１基板６と第２基板７とを貼り合わせる（ＳＴ１０３）。その後、シール材５の図示しない注入口から液晶８を注入し、シール材５の注入口を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ１０４）。
【００５５】
次に、フレキシブル基板３の製造について説明する。
【００５６】
まず、例えば図７（ａ）に示すようにポリイミド樹脂で形成されたベース基材２４の両面に銅箔をラミネートしたものを用意する（ＳＴ１０５）。
【００５７】
次に、図７（ｂ）に示すようにこの銅箔を所定のパターンにエッチングして面２４ａに信号配線２５などを形成し面２４ｂにグランド層２８を形成する（ＳＴ１０６）。ここで、グランド層２８を図５に示すように複数の矩形状の貫通孔２８ａを有するメッシュ状に形成する。グランド層２８（のメッシュ状の部分）が信号配線２５と平面的に重なるようにする。
【００５８】
更に例えば図７（ｃ）に示すように信号配線２５を形成した面に、例えばエポキシやアクリル系の樹脂等を液状にしてからベース基材２４やエッチングして残った銅箔に塗布して厚さｈ３が例えば約１５μｍとなる接着材２６を形成し、接着材２６を介して、例えばポリイミド樹脂などを塗布して厚さが約１２．５μｍから２０μｍになる第２の絶縁層２７を形成する（ＳＴ１０７）。
【００５９】
次に例えば図７（ｄ）に示すようにメッシュ状のグランド層２８を形成した面に、例えばエポキシやアクリル系の樹脂等を液状にしてから塗布し厚さｈ５が例えば約１５μｍとなる接着材２９を形成し、接着材２９を介して、例えばポリイミド樹脂などを塗布して厚さ約１２．５μｍから２０μｍになる第１の絶縁層３０を形成する（ＳＴ１０８）。
【００６０】
この際、メッシュ状のグランド層２８の複数の貫通孔２８ａに樹脂を流し込むようにして塗布することで図７（ｄ）に示すように貫通孔２８ａ内にも完全に接着材２９が入り込み、第１の絶縁層３０で信号配線２５と第１のシールド層３１との間に誘電体により十分な距離を取るようにすることができる。
【００６１】
そして、例えば信号配線２５と平面的に重なるように銀ペースト等を第１の絶縁層３０に塗布することで、ベタ状に第１のシールド層３１を形成する（ＳＴ１０９）。
【００６２】
以上により、必要なインピーダンス特性の制御が可能なフレキシブル基板３が完成する（ＳＴ１１０）。
【００６３】
次に、フレキシブル基板３の一端を、例えば図２に示すように信号配線２５の一端の接続端子が張出し部１６の外部用端子１９にＡＣＦ３２を介して電気的に接続するように、張出し部１６に接続する（ＳＴ１１１）。
【００６４】
さらにドライバーＩＣ１７を図示しない圧着ヘッドにより出力用接続端子１５や入力用接続端子２０に例えば図示しないＡＣＦを介して所定の圧力で押圧し、約３００°Ｃに加熱して圧着し、第１基板６に実装し、偏光板９，１０等を第１及び第２基板６，７の各外面に貼着等（ＳＴ１１２）して液晶パネルが完成する（ＳＴ１１３）。
【００６５】
そして、導光板３３や反射シート３４等からなる照明装置４を第１基板６の偏光板９の外側（液晶側と反対側）に取り付ける（ＳＴ１１４）。
【００６６】
その後、必要な他の部品等を取り付けて（ＳＴ１１５）、液晶装置１が完成する（ＳＴ１１６）。
【００６７】
以上で液晶装置の製造方法の説明を終了する。
【００６８】
このように本実施形態によれば、信号配線２５に平面的に重なるように、ベース基材２４の信号配線２５と反対側に、複数の貫通孔２８ａが形成されたグランド層２８が設けられているので、グランド層２８に貫通孔２８ａが形成されていない場合に比べて、信号配線２５の特性インピーダンスを高くすることができると共に、第１の絶縁層３０のベース基材２４と反対側で、信号配線２５と平面的に重なるように第１のシールド層３１が設けられているので、例えば信号配線２５に信号が伝達されるときに複数の貫通孔２８ａから第１の絶縁層３０側に漏れ出した放射ノイズを第１のシールド層３１により遮蔽することができる。
【００６９】
信号配線２５と、第１のシールド層３１との容量結合は、信号配線２５とグランド層２８との容量結合より小さいため、グランド層２８に比べて第１のシールド層３１が信号配線２５のインピーダンスに与える影響が小さいので、高インピーダンス特性を実現することができる。
【００７０】
また、グランド層２８は、例えば均一又は規則的に複数の貫通孔２８ａが形成されたメッシュ形状を有するので、例えば信号配線２５が複数配列されている場合や信号配線２５が一本形成されている場合に、これらの信号配線２５のインピーダンス特性をほぼ偏りなく高くすることができる。
【００７１】
ベース基材２４は、２５μｍ以下の厚さである。これにより、高いインピーダンス特性を得ることができる信号配線２５を有しながら、ベース基材２４自体の厚さを厚くしていないので製造コストを低減できる他、フレキシブル基板３の十分な可撓性が確保可能であるので、液晶装置１としての電気的信頼性の向上とコストの軽減を図ることができる。
【００７２】
また、ベース基材２４の両面に銅箔をラミネートしたものを用いて、一方の面２４ａに信号配線２５を形成し、他方の面２４ｂにメッシュ状のグランド層２８を形成する。このため、従来からあるベース基材２４や銅箔を利用して低コストで信号配線２５の高インピーダンス化を図ることができる。また、第１の絶縁層３０などを介して後工程で第１のシールド層３１を形成すればよいので、容易に第１のシールド層３１を形成することができる。
【００７３】
また、グランド層２８をメッシュ形状にしたことによりベース基材２４の厚さを厚くすることなく高インピーダンス化を図ることができるので、従来の構成よりベース基材２４の厚さを薄くすることができる。
【００７４】
（第１の変形例）
【００７５】
次に、本発明に係る第１の実施形態の第１の変形例について説明する。本変形例においては、第１の実施形態に比べて、フレキシブル基板の両方の絶縁層（カバーレイ）の外側にそれぞれシールド層が形成されている点が異なるので、この点を中心に説明する。尚、以下の説明では第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付してその説明を省略或は簡略化するものとする。
【００７６】
図８は本発明の変形例に係る液晶装置の部分断面図、図９は図８のＤ−Ｄ線断面図である。
【００７７】
（液晶装置の構成）
【００７８】
液晶装置１０１は、例えば図８に示すように液晶パネル２、液晶パネル２に電気的に接続されたフレキシブル基板１０３及び照明装置４等を有する。ここで、液晶装置１０１には、照明装置４の他にも、ケース等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００７９】
フレキシブル基板１０３は、例えば図８に示すように略断面半円形状に曲げられ、その一端が第１基板６に接続され、他端は図示しないが外部接続用コネクターや異方性導電膜を介してＬＥＤ等の光源や他の回路基板等に接続されている。
【００８０】
また、フレキシブル基板１０３は例えば図８及び図９に示すように基板としてのベース基材２４、信号配線２５、接着材２６、第２の絶縁層２７、グランド層２８、接着材２９、第１の絶縁層３０、第１のシールド層３１及び第２のシールド層１３１により構成されており、図示しないが半導体チップなどの電子部品も実装されている。
【００８１】
第２のシールド層１３１は、第１のシールド層３１と同様に、例えば図８、図９に示すように第２の絶縁層２７の接着材２６と反対側に信号配線２５と平面的に重なるようにベタ状に形成されている。第２のシールド層１３１は、例えば銀ペースト等を第１の絶縁層３０に塗布することで形成されている。
【００８２】
尚、本変形例に係る液晶装置の製造方法は、第２の絶縁層２７の上に第２のシールド層１３１を形成する点が異なるだけで第１の実施形態の製造方法と略同様であるので、その説明を省略する。
【００８３】
このように本変形例によれば、第２の絶縁層２７の信号配線２５と反対側に第２のシールド層１３１が設けられている。これにより、信号配線２５、第２の絶縁層２７及び第２のシールド層１３１により、第２の絶縁層２７の外側に漏れようとする放射ノイズを第２のシールド層１３１により遮蔽することができる。この結果、第１のシールド層３１、１３１により、フレキシブル基板１０３の両面側から放射ノイズの漏れを防止することができ、電気的信頼性に優れた液晶装置１０１を得ることができる。
【００８４】
（第２の変形例）
【００８５】
次に、本発明に係る第２の変形例について説明する。本変形例においては、第１の実施形態に比べて、グランド層２８や第１のシールド層３１が、高周波信号の信号配線２５に平面的に対応する領域だけに設けられている点が異なるので、この点を中心に説明する。
【００８６】
図１０は第２の変形例に係る液晶装置の部分断面図である。
【００８７】
本変形例では、フレキシブル基板２０３のグランド層２８は、例えばメッシュ形状を有しており、ベース基材２４の他方の面２４ｂのうち信号配線２５に平面的に対応する領域だけに設けられている。第１のシールド層３１は、第１の絶縁層３０のベース基材２側とは反対側の面のうち信号配線２５に平面的に対応する領域だけに設けられている。つまり、信号配線２５、グランド層２８及び第１のシールド層３１が平面的に対応して重なるように設けられている。フレキシブル基板２０３を平面的に見たときに、隣り合う信号配線２５間にはグランド層２８及び第１のシールド層３１は配置されていない。
【００８８】
このような構成によれば、信号配線２５に平面的に重なるように、ベース基材２４の信号配線２５と反対側に、複数の貫通孔２８ａが形成されたグランド層２８が設けられているので、グランド層２８に貫通孔２８ａが形成されていない場合に比べて、信号配線２５の特性インピーダンスを高くすることができると共に、第１の絶縁層３０のベース基材２４と反対側で、信号配線２５と平面的に対応して重なる領域にだけ第１のシールド層３１が設けられているので、例えば信号配線２５に信号が伝達されるときに複数の貫通孔２８ａから第１の絶縁層３０側に漏れ出した放射ノイズを第１のシールド層３１により効率的に遮蔽することができる。
【００８９】
（第２の実施形態・電子機器）
【００９０】
次に、上述した液晶装置１，１０１を備えた本発明の第２の実施形態に係る電子機器について説明する。
【００９１】
図１１は本発明の第２の実施形態に係る携帯電話機の外観概略図及び図１２はパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【００９２】
例えば、携帯電話機５００は、図１１に示すように複数の操作ボタン５７１の他、受話口５７２、送話口５７３を有する外枠に例えば、液晶装置１を備えている。
【００９３】
また、パーソナルコンピュータ６００は、図１２に示すようにキーボード６８１を備えたパーソナルコンピュータ本体部６８２と、液晶表示ユニット６８３とから構成されており、液晶表示ユニット６８３は外枠に例えば、液晶装置１を備えている。
【００９４】
これらの電子機器は、液晶装置１の他に図示しないが表示情報出力源、表示情報処理回路等の様々な回路及びそれらの回路に電力を供給する電源回路等からなる表示信号生成部等を含んで構成される。
【００９５】
更に液晶装置１には例えば、パーソナルコンピュータ６００の場合にあってはキーボード６８１から入力された情報に基づき表示信号生成部によって生成された表示信号が供給されることによって、表示画像が液晶装置１に表示される。
【００９６】
本実施形態によれば、グランド層２８に複数の貫通孔２８ａを設け信号配線２５の高いインピーダンス特性を実現しつつグランド層２８を介した放射ノイズの発生を第１のシールド層３１により防止可能なフレキシブル基板３を備えたので、電気的信頼性の高い電子機器を低コストで提供できる。
【００９７】
尚、電子機器としては、他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１，１０１が適用可能なのは言うまでもない。
【００９８】
また、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態や変形例を組み合わせ得る。
【００９９】
例えば上述した実施形態では、液晶装置の一例として薄膜トランジスタ素子アクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えば、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、電気的信頼性の高い電子機器を低コストで提供できる。
【０１００】
更に上述の説明では、ドライバーＩＣ１７をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）として説明したがこれに限られるものではなく、フレキシブル基板３に実装するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）の場合であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、電気的信頼性の高い電子機器を低コストで提供できる。
【０１０１】
また上述した実施形態などでは、例えば図３及び図５に示すように信号配線２５の特性インピーダンスを高くするために、グランド層２８に矩形状の貫通孔２８ａを複数形成する例を示した。しかし、貫通孔の２８ａの形状はこれに限定されず、例えば菱形、六角形など他の多角形状の貫通孔が形成されるようにしてもよい。
【０１０２】
更に、上述した実施形態などでは、第１のシールド層３１，１３１は例えば銀ペースト等を第１の絶縁層３０、２７に塗布することで形成される例を示した。しかし、第１のシールド層３１，１３１の製造方法はこれに限定されず、例えば銀等のシート状のシールド層を絶縁層に貼り付けて製造してもよい。
【０１０３】
なお、上記実施形態などでは、グランド層に均一に形成された貫通孔が、高周波信号を伝送する信号配線に平面的に重なる領域及び平面的に重ならない領域に形成されている例を示した。しかし、これに限定されず、例えばグランド層に均一に形成された貫通孔は、少なくとも高周波信号を伝送する信号配線に平面的に重なる領域に形成されていればよい。
【０１０４】
また、上記実施形態などでは、グランド層に貫通孔が均一に形成された例を示した。しかし、これに限定されず、例えばグランド層に複数の貫通孔が均一に形成されていなくても例えばインピーダンス特性を高める効果を得ることができる。
【０１０５】
また、上記実施形態などでは、複数の貫通孔と信号配線とが平面的に重なっている例を示した。しかし、これに限定されず、例えば複数の貫通孔と信号配線とが平面的に重なっていなくてもよい。例えば信号配線と平面的に重なっていないグランド層に複数の貫通孔を均一に形成するようにしてもよい。この場合にも、例えばインピーダンス特性を高める効果を得ることができる。
【０１０６】
また、上記実施形態などでは、シールド層とグランド層の貫通孔とが平面的に重なっている例を示した。しかし、これに限定されず、例えばシールド層と貫通孔とが平面的に重なっていなくても、例えばインピーダンス特性を高める効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図（ドライバーＩＣは切断していない。）である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図３のフレキシブル基板の部分平面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】液晶装置の製造方法のフローチャート図である。
【図７】フレキシブル基板の製造方法の説明図である。
【図８】第１の変形例に係る液晶装置の部分断面図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１０】第２の変形例に係る液晶装置の部分断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る携帯電話機の外観概略図である。
【図１２】第２の実施形態に係るパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１，１０１  液晶装置、  ２  液晶パネル、  ３，１０３，２０３  フレキシブル基板、  ４  照明装置、  ５  シール材、  ６  第１基板、  ６ａ  第１基材、  ７  第２基板、  ７ａ  第２基材、  ８  液晶、  ９，１０  偏光板、  １１  走査線、  １２  データ線、  １３，２３  配向膜、  １４  画素電極、  １５  出力用接続端子、  １６  張出し部、  １７  ドライバーＩＣ、  １８  入力配線、  １９  外部用端子、  ２０  入力用接続端子、  ２１  バンプ、  ２２  共通電極、  ２４  ベース基材、  ２４ａ，２４ｂ  面、  ２５  信号配線、  ２６，２９  接着材、  ２７  第２の絶縁層，  ３０  第１の絶縁層、  ２８  グランド層、  ２８ａ  貫通孔、  ３１  第１のシールド層，１３１  第２のシールド層、  ３２  ＡＣＦ、  ３３  導光板、  ３４  反射シート、  ３５  ギャップ材、  ５００  携帯電話機、  ５７１  操作ボタン、  ５７２  受話口、  ５７３  送話口、  ６００  パーソナルコンピュータ、  ６８１  キーボード、  ６８２  パーソナルコンピュータ本体部、  ６８３  液晶表示ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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