(57)【要約】【課題】窒化物半導体材料のような不純物の拡散が容易で無い材料系において、ＧａＡｌＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系などで従来行われてきた局所的不純物拡散に代わる、効果的で、精度の良い、量産化に適した、窒化物系半導体レーザの製造方法およびその製造方法で製造される窒化物系半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る窒化物系半導体レーザの製造方法は、Ｉｎを含む窒化物半導体で形成されたＭＱＷ活性層４を備える基板を準備する工程、ＭＱＷ活性層４の光出射端面または光出射端面予定部の近傍に選択的にレーザを照射する工程、その後に加熱処理する工程を備えて構成される。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎを含む窒化物半導体で形成された多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層を備える基板を準備する工程と、
前記多重量子井戸活性層の光出射端面または光出射端面予定部の近傍に選択的にレーザを照射する工程と、
その後に加熱処理する工程と、を備える、
窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記レーザを照射する工程は窒素を含む雰囲気中で行う、
請求項１に記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
前記加熱処理する工程は窒素を含む雰囲気中で行う、
請求項１または請求項２に記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
前記窒素を含む雰囲気は、Ｎ2、アンモニア、ジメチルヒドラジン、のいずれかを用いる、
請求項３に記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項５】
前記加熱処理は１０００℃以上１４００℃以下で行う、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項６】
前記基板はクラッド層を備え、
前記照射するレーザのエネルギーは、前記クラッド層のバンドギャップエネルギーより低く、かつ前記多重量子井戸活性層のバンドギャップエネルギーより高い、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項７】
前記照射するレーザは発振波長３５５ｎｍのパルスレーザである、
請求項６に記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項８】
前記照射するレーザのエネルギーは、前記多重量子井戸活性層のバンドギャップエネルギーより低く、かつ前記多重量子井戸活性層のバンドギャップエネルギーの半分より高く、
前記レーザを照射する工程は２光子吸収過程を利用する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項９】
前記多重量子井戸活性層は不純物を１Ｅ１８ｃｍ-3以上ドーピングされて形成される、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項１０】
前記レーザを照射する工程はレーザ照射領域をスキャンして行う、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項１１】
前記レーザを照射する工程について、レーザ照射領域は前記基板に設けられるリッジまたはリッジ予定部の側面から外側の距離が２μｍ以上１０μｍ以下、かつ前記光出射端面または光出射端面予定部から内側の距離が２μｍ以上１０μｍ以下である、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザの製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザの製造方法で製造される窒化物系半導体レーザであって、前記多重量子井戸活性層に存在するｐ型不純物濃度は他の領域より前記光出射端面近傍で低く形成され、かつ前記多重量子井戸活性層のバンドギャップは他の領域より前記光出射端面近傍で広く形成される、
窒化物系半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、窒化物系半導体レーザの製造方法および窒化物系半導体レーザに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザダイオードにおいて２００ｍＷを越す高出力動作を実現する上で、端面の光吸収による端面破壊が問題になる。これを防ぐためにこれまで赤色レーザダイオードでは端面のバンドギャップを広げることで光吸収を低減する窓構造が採用されてきた。窒化物系半導体レーザの高出力化を図るためにも同様の窓構造が有効であることが期待される。
【０００３】
バンドギャップを広げる方法としては活性層である多重量子井戸（ＭＱＷ）層端部を無秩序化して混晶化し、中心部よりも高いバンドギャップを有する窓部を得るのが一般的である。窒化物系半導体レーザにおいても同様の方法が提案されている。
【０００４】
この際に、窓部を選択的に無秩序化するために、固層拡散による無秩序化を行う方法（特許文献１）、イオン注入＋アニールによる無秩序化を行う方法（特許文献２）などが先行例として挙げられる。特許文献２ではアニールの際に局所的に加熱する補助的手段としてレーザを局所的に照射する方法が開示されている。また方法を問わず不純物の分布を規定する先行例（特許文献３）が存在する。
【０００５】
その他、Ｉｎを含む窒化物系III-V族化合物半導体の共振器端面をＨ2を含む雰囲気にさらすことにより端部のＩｎ離脱を行いバンドギャップを大きくする方法（特許文献４）や、共振器端面にレーザ光を照射することによりＩｎ離脱を行いバンドギャップを大きくする方法（特許文献５）が先行例として挙げられる。
【０００６】
また、外部からの不純物の局所的拡散等を用いない方法として、レーザパルスによる欠陥生成により選択的に無秩序化を起こす例（非特許文献１）がある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１４０３８７号公報
【特許文献２】特開２００６−２２９２１０号公報
【特許文献３】特開２００７−２１４３６１号公報
【特許文献４】特開２００６−１４７８１４号公報
【特許文献５】特開２００６−１４７８１５号公報
【非特許文献１】IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol.33,No.1(1997)P45.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１〜３はいずれも不純物をＭＱＷ活性層に局所的に拡散させることで構成元素の相互拡散温度を低減し、選択的な無秩序化を図るもので、窒化物半導体のような不純物の拡散が容易で無い場合には形成が困難である。また、不純物の拡散はキャリアの増大を伴うため、光吸収を増加させることになり、本来の窓形成の目的である光吸収低減と矛盾する効果を含んでいる。
【０００９】
特許文献４，５は窒化物系半導体についてであり、いずれも端面からＩｎを抜いて組成を変化させる方法であるが、該工程は端面形成後に行う必要があり工程が複雑化し量産化に適さないという問題があった。また、非特許文献１はＩｎＧａＡｓ−ＩｎＧａＡｓＰ系ＭＱＷについて述べられているが、窒化物半導体の窓構造形成に関しては述べられていない。
【００１０】
本発明は上述した問題を解決するためになされたもので、窒化物半導体材料のような不純物の拡散が容易で無い材料系において、ＧａＡｌＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系などで従来行われてきた局所的不純物拡散に代わる、効果的で、精度の良い、量産化に適した、窒化物系半導体レーザの製造方法およびその製造方法で製造される窒化物系半導体レーザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る窒化物系半導体レーザの製造方法は、Ｉｎを含む窒化物半導体で形成された多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層を備える基板を準備する工程、多重量子井戸活性層の光出射端面または光出射端面予定部の近傍に選択的にレーザを照射する工程、その後に加熱処理する工程を備えて構成される。
【発明の効果】
【００１２】
以上の方法により、レーザビームによる局所的な欠陥生成と加熱によるＭＱＷ活性層の選択的無秩序化を行うため、窒化物系半導体では困難とされている不純物拡散を必要とせず無秩序化を行うことが可能となる。加えて、不純物拡散のために全体を高温長時間処理する場合に生じる特性の劣化、不必要な不純物導入による端面の吸収増加などの問題の無い製造方法により端面窓構造の形成が可能になるため、高信頼性の高出力窒化物系半導体レーザを得ることが可能となる。
【００１３】
また、レーザは端面形成前の基板におけるＭＱＷ活性層に対して選択的にレーザをスキャンすることで局所的な窓構造を形成でき、従来の拡散や注入に必要な転写によるパターニング工程が不要となり、生産性が向上し低コスト化を図ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１５】
＜実施の形態１＞
（構成）
図１，２を基に、本実施の形態に係る窒化物系半導体レーザの構成を説明する。図１は本実施の形態に係る製造方法を用いて製造された窒化物系半導体レーザを光出射端面側から見た概観図、図２は図１に示す窒化物系半導体レーザのＡ−Ａ’断面を横方向から見た概観図である。
【００１６】
この半導体レーザは、例えば青色レーザを発生する窒化ガリウム系半導体レーザであり、図２に示すように、図１に示す窒化物系半導体レーザのＡ−Ａ’断面において、ｎ型窒化物半導体基板であるｎ型ＧａＮ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２、ｎ型ＧａＮガイド層３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮによるＭＱＷ活性層（多重量子井戸活性層）４、ｐ型ＧａＮガイド層５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７、およびｐ電極９が積層されている。また、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面には、ｎ電極１０が形成されている。
【００１７】
ＭＱＷ活性層４の端面近傍にはＭＱＷ活性層４が混晶化された結果バンドギャップが広がった窓構造である無秩序化領域１２が形成される。よって、ＭＱＷ活性層４に存在するｐ型不純物濃度は他の領域より光出射端面近傍で低く形成され、かつＭＱＷ活性層４のバンドギャップは他の領域より光出射端面近傍で広く形成される。
【００１８】
図１に示すように、光出射端面側において無秩序化領域１２はＭＱＷ活性層４の端部を残して形成される。またｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層７によりリッジ導波路（リッジ）１３が形成され、リッジ導波路１３の側面から該側面下部と繋がるｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６の上面にかけて絶縁膜８が設けられ、さらにリッジ導波路１３の上面および絶縁膜８を覆うようにｐ電極９が設けられている。
【００１９】
図１，２に示すように、無秩序化領域１２は光出射端面側においてリッジ導波路１３の側面から外側の距離Ｂは約５μｍ、光出射端面から内側の距離Ｃも約５μｍで形成される。
【００２０】
（製法）
次に図３〜７を基に、本実施の形態に係る窒化物系半導体レーザの製造方法のうち、特に窓部１２の形成に係るウエハプロセスフローを説明する。
【００２１】
図３はエピタキシャル成長後の基板を示す。まず、図３に示すようにＧａＮ基板にＭＯＣＶＤを用いて必要な各層を成長させ、不純物Ｉｎを１Ｅ１８ｃｍ-3以上ドーピングされたＭＱＷ活性層４を備える、窒化物半導体で形成されたウェハ状の基板を準備する。このウエハを加工するプロセスにおいて転写に必要なマーク形成をレーザを照射して行う。
【００２２】
図４は、図３に示すＤ部分を拡大した図である。１４は窒化物系半導体レーザにおいて光出射端面となる光出射端面予定部１４を示す。図５は、レーザ照射工程におけるウエハを示す。ウエハ上面からパルスレーザビームをスキャンして重ね合わせマークを形成すると共に、光出射端面または光出射端面予定部１４の近傍に選択的にパルス状のレーザをスキャンして照射する。すなわち、Ｉｎを含む窒化物半導体のＭＱＷ活性層４を備えたウエハの上面からレンズ１５により集光したレーザ１６を局所的に照射し、選択的に欠陥形成領域１１を生成する。その際にレ−ザ１６を照射する工程は窒素を含む雰囲気中で行う。
【００２３】
本実施の形態では、波長４０５ｎｍ用半導体レーザの作製時において、レーザダイオード励起のＮｄ：ＹＶ０４レーザからの発振波長３５５ｎｍのレーザを選定することで、４０５ｎｍの波長に対応するバンドギャップであるＭＱＷ活性層４と３５７ｎｍの波長に対応するバンドギャップであるｎ型ＧａＮガイド層３およびｐ型ＧａＮガイド層５には吸収されるが、３４０ｎｍの波長に対応するバンドギャップであるｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６には吸収されない条件を実現している。すなわち、照射するレーザのエネルギーは、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６のバンドギャップエネルギーより低く、かつＭＱＷ活性層４のバンドギャップエネルギーより高い。
【００２４】
また、ＧａＮ系材料は熱伝導率が高いため、必要以上の部分に対して熱を伝導させないようにレーザはパルス状とし、パルス幅を狭くするとともに光のパワー密度を高くする。例えば２０ｎｓのパルス幅とし、繰り返し周波数を６０ｋＨｚとし周期を長くすることで照射中にのみ高温となるようにする。こうすることでレーザビームが照射された部分のみを高温化することが出来る。
【００２５】
レーザ照射によるＭＱＷ活性層４及び周辺部のＧａＮを含む層の温度上昇時の最高温度は、１６００℃以下に抑える。このためにレーザパワー及び照射時間を最適化した。図１０にレーザ出力１ｍＷ、１０ｍＷ、５０ｍＷにおける、レーザパルス出力の照射時間とＭＱＷ活性層４の発光波長の関係を示す。最適化した結果、ここではレーザ出力５０ｍＷ、パルス幅２０ｎｓ、繰り返し周波数６０ｋＨｚ、ビーム直径２μｍとしスキャン速度５ｍｍ／ｓｅｃとした。
【００２６】
また、レーザの照射領域について、光出射端面から内部に向かって深く入りすぎると窒化物系半導体レーザの発振効率が低下してしきい値の増加を招く一方、浅過ぎると十分な窓効果が得られない。また、リッジ導波路１３側面から外側への広がりを狭くすると出射ビーム形状を劣化させるが、広すぎるとレーザのスキャン時間が長くなり製造工程時間の増大を招く。レーザ照射領域は基板に設けられるリッジまたはリッジ予定部の側面から外側の距離が２μｍ以上１０μｍ以下、光出射端面または光出射端面予定部１４から内側の距離が２μｍ以上１０μｍ以下とするのが良い。図８にリッジ形成後でありプロセス途中の窒化物系半導体レーザの１チップ相当領域の上面図、図９に斜めからの概観図を示す。図８，９に示すように、レーザの照射部分は光出射端面予定部１４から素子内部に向かって距離Ｃ＝５μｍとし、またリッジ側面から外側への距離Ｂ＝５μｍとした。上述のレーザ照射領域をスキャンしてレーザを照射する。
【００２７】
図６は、熱処理工程におけるウエハを示す。レーザ照射工程後、ＭＱＷ活性層４の無秩序化を行うために窒素ガス雰囲気中で熱処理を行い、無秩序化領域１２を形成する。すなわち、窒素を含む雰囲気中で加熱処理する。この際、図示していないが、熱処理による結晶表面からの窒素抜けを防ぐための表面保護のために、表面全面にＳｉＮ膜をＣＶＤで形成した。図１１に熱処理の温度８００℃、９００℃、１０００℃、１１００℃における、熱処理時間とＭＱＷ活性層４の発光波長の関係を示す。加熱処理は１０００℃以上１４００℃以下で行うのが良い。最適条件として、ＲＴＡ装置でＮ2雰囲気中１１００℃、２分とした。加熱処理はＮ2、アンモニア、ジメチルヒドラジンのいずれかを含むガス雰囲気中で行う。
【００２８】
ＢＨＦによりＳｉＮ膜を除去した後は、通常のレーザダイオードプロセスフローで窒化物系半導体レーザを形成したので、ここでの詳細な説明は省略する。通常のプロセス完了後、図７に示す窒化物系半導体レーザが完成する。
【００２９】
（効果）
パルスレーザを照射した部分は高いエネルギーが結晶格子にあたることで本来の格子位置から飛び出した格子欠陥を生じさせる。このような格子欠陥が存在すると原子の相互拡散が容易に起こるため、レーザ照射後に行う熱処理により、本来は高温を必要とした相互拡散を格子欠陥の存在する付近だけに選択的に生じさせることが可能になる。すなわち、パルスレーザビームによる局所的な欠陥生成と加熱によるＭＱＷ活性層４の選択的無秩序化を行うことにより、窒化物系半導体では困難とされている不純物拡散を必要とせず無秩序化を行うことが可能となる。
【００３０】
こうしてＩｎＧａＮ／ＧａＮ−ＭＱＷ活性層４が相互拡散による無秩序化で混晶組成のＩｎＧａＮになると量子井戸準位で決まっていたバンドギャップが、混晶のバンドギャップとなり実質的なバンドギャップを広げることが可能となる。また、不純物拡散のために全体を高温長時間処理する場合に生じる特性の劣化、不必要な不純物導入による端面の吸収増加などの問題の無い製造方法による端面窓構造の形成が可能になるため、高信頼性で高出力な窒化物系半導体レーザを得ることが可能となる。
【００３１】
窒化物系半導体は１０００℃以上の高温処理が必要であるとともに、高温処理中の窒素抜けを補うための処置を行わないと結晶が劣化してしまう。このため処理温度と雰囲気の制御が重要になる。
【００３２】
このようにして形成した窒化物系半導体レーザについて、ＭＱＷ活性層４に存在するｐ型不純物濃度は他の領域より光出射端面近傍で低く形成され、かつＭＱＷ活性層４のバンドギャップは他の領域より光出射端面近傍で広く形成されるＭＱＷ活性層４を備えた構造により、光損失の無い窓構造を実現することができ、高出力化が容易になる。
【００３３】
形成した窒化物系半導体レーザの不純物分布とバンドギャップエネルギーの分布を図１２に示す。ＭＱＷ活性層４における平均のｐ−不純物濃度は光出射端面に近づくにつれ低くなっており、同時にバンドギャップエネルギーは光出射端面に近づくにつれ大きくなっているため、端面で光吸収の少ない窓構造が形成できている。図１３に窒化物系半導体レーザの電流−光出力特性を示す。窓構造によって端面破壊の上限が向上していることが分かる。
【００３４】
また、照射するレーザ光のエネルギーがｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６のバンドギャップエネルギーより低く、ＭＱＷ活性層４のバンドギャップエネルギーよりは高いレーザを用いることで、主に光吸収の起こる層をＭＱＷ活性層４に限定し不要な部分の光吸収を抑えることができ、窓形成プロセスによる劣化を最小限に抑える。また、端面形成前の基板におけるＭＱＷ活性層４に対して選択的にレーザをスキャンすることで局所的な窓構造を形成でき、従来の拡散や注入に必要な転写によるパターニング工程が不要となり、生産性が向上し低コスト化が図れる。
【００３５】
照射するレーザに発振波長３５５ｎｍのパルスレーザを用いることでｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６には光が吸収されにくくでき、局所的な加熱を可能にして窓形成プロセスによる劣化を最小限に抑えることが可能になる。またＭＱＷ活性層４に不純物を１Ｅ１８ｃｍ-3以上ドーピングすることでＭＱＷ活性層４の混晶化を起こり易くすることができ、必要な処理温度を低減でき窓形成プロセスによる劣化を最小限に抑えることができる。
【００３６】
さらにレーザ照射領域をスキャンすることでレーザ照射領域を最適化し、レーザビーム形状の優れた窒化物系半導体レーザを得る。具体的にはレーザ照射領域の長さはリッジ導波路１３の両側の距離が２μｍから１０μｍ、レーザ端面から内側の距離が２μｍから１０μｍの範囲とすることで特性の優れた窒化物系半導体レーザを得ることができるとともに不必要な部分へのレーザ照射を抑えて処理時間の短縮を図ることができる。
【００３７】
その際にレ−ザを局所的に照射する処理は窒素を含む雰囲気中で行うことでレーザ照射時の局所的温度上昇によるウエハ表面からの窒素抜けを抑制する。さらに加熱処理はＮ2，アンモニア，ジメチルヒドラジンのいずれかを含むガス雰囲気中で行うことで熱処理時のウエハ表面からの窒素抜けを抑制する。また加熱処理は１０００℃以上１４００℃以下で行うことで熱処理によりＭＱＷ活性層４の無秩序化を有効に行うとともに高温によるウエハの劣化を抑制する。
【００３８】
＜実施の形態２＞
（構成）
本実施の形態において、レーザの照射はスキャン方式ではなく１μｍおきに行われるため、その影響を受ける図１，２に示す無秩序化領域１２の状態分布が実施の形態１と多少異なる可能性があるが、照射領域の各点に関してパルスの照射回数を同程度にすれば、ほぼ同様の状態分布となる。その他の構成は実施の形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３９】
（製法）
本実施の形態において、図５に示すパルスレーザビームの照射はスキャン方式ではなく、ビーム直径２μｍに対して１μｍおきに飛び飛びに行った。また、照射領域の各点に関してパルスの照射回数は実施の形態１に示すスキャン方式と同程度になるように行った。その他の製法は実施の形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４０】
（効果）
レーザ照射装置において、スキャン機能やスキャン速度調整機能を備える必要が無く、同程度の性能を備える窒化物系半導体レーザの製造においてコストの低減が可能である。
【００４１】
＜実施の形態３＞
（構成）
本実施の形態においては、窒化物系半導体レーザの無秩序化領域１２すなわち窓構造は２光子吸収過程を利用して形成されており、実施の形態１で示した１光子吸収過程を利用した場合と比較して、無秩序化されていない領域との境界部分においてより急峻な構造となっている。その他の構成は実施の形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４２】
（製法）
実施の形態１では照射するレーザの波長をＭＱＷ活性層４に吸収される波長に設定したが、本実施の形態では波長８００ｎｍの赤外レーザを用い２光子吸収過程を利用して行った。すなわち、照射するパルスレーザ光のエネルギーを４０５ｎｍの波長に対応するバンドギャップであるＭＱＷ活性層４のバンドギャップエネルギーより低く、かつバンドギャップエネルギーの半分より高いものにし、２光子吸収過程を利用する。この際にレーザビームの焦点をＭＱＷ活性層４付近に合わせる。
【００４３】
その他の製法は実施の形態１と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４４】
（効果）
無秩序化領域１２の形成において精度良く選択的に無秩序化を起こすためには、レーザ照射の横方向の選択性と層方向の選択性を持たせる必要があるが、実施の形態１に示した１光子吸収を用いる方法では精度が不十分な点がある。
【００４５】
本実施の形態においては、照射するパルスレーザ光のエネルギーをＭＱＷ活性層４のバンドギャップエネルギーよりも小さく、かつバンドギャップエネルギーの半分よりは大きいものにし、レーザビームの焦点をＭＱＷ活性層４付近に合わせ２光子吸収過程を利用することで光吸収の起こるスポットサイズを波長以下とすることができ、精度良く急峻な窓が形成できる。そのため、窒化物系半導体レーザの特性を劣化させること無く高出力化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る窒化物系半導体レーザを光出射端面から見た概観図である。
【図２】本発明に係る窒化物系半導体レーザの断面を示す概観図である。
【図３】本発明の窒化物系半導体レーザの製造方法に係るエピタキシャル成長後の基板を示す図である。
【図４】図３に示す基板の一部を拡大した図である。
【図５】本発明の窒化物系半導体レーザの製造方法に係るレーザ照射工程を示す図である。
【図６】本発明の窒化物系半導体レーザの製造方法に係る熱処理工程を示す図である。
【図７】本発明の窒化物系半導体レーザの製造方法に係るプロセス完了後の窒化物系半導体レーザを示す図である。
【図８】本発明の窒化物系半導体レーザの製造方法に係るプロセス途中の窒化物系半導体レーザの１チップ相当領域を上面から見たで概観図ある。
【図９】本発明の窒化物系半導体レーザの製造方法に係るプロセス途中の窒化物系半導体レーザの１チップ相当領域を斜めから見た概観図である。
【図１０】各レーザ出力におけるレーザパルス出力の出射時間とＭＱＷ活性層の発光波長の関係を示す図である。
【図１１】各熱処理の温度における熱処理時間とＭＱＷ活性層の発光波長の関係を示す図である。
【図１２】本発明に係る窒化物系半導体レーザのＭＱＷ活性層におけるｐ型不純物濃度とバンドギャップエネルギーの変化を示す図である。
【図１３】本発明に係る窓構造を有した窒化物系半導体レーザと、窓構造を有しない窒化物系半導体レーザの電流−光出力特性を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  ｎ型ＧａＮ基板、２  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、３  ｎ型ＧａＮガイド層、４  ＭＱＷ活性層、５  ｐ型ＧａＮガイド層、６  ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、７  ｐ型ＧａＮコンタクト層、８  絶縁膜、９  ｐ電極、１０  ｎ電極、１１  欠陥形成領域、１２  無秩序化領域、１３  リッジ導波路、１４  光出射端面予定部、１５  レンズ、１６  レーザ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009212336.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009212336.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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