(57)【要約】【課題】ミュート回路において、パワーアンプの動作を停止状態とするためのミュート信号がオフ状態となるタイミングが温度によりドリフトするのを防止する。【解決手段】パワーアンプの電源投入から所定期間、パワーアンプへの入力信号をミュートするための第１のミュート信号Ｍｕｔｅ１、及び電源投入から所定期間、パワーアンプの動作を停止状態とするための第２のミュート信号Ｍｕｔｅ２を生成するミュート回路であって、第１ミュート信号の出力経路に介在し、電源投入の後、所定のタイミングにおいて、第１ミュート信号の出力経路を遮断する第１のスイッチング素子Ｔｒ１と、電源投入の後、第１スイッチング素子による出力経路の遮断に応じて変化する第１スイッチング素子の出力側の電圧に基づいて第２ミュート信号の出力を停止させる第２のスイッチング素子Ｔｒ３と設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーアンプの電源投入から所定期間、前記パワーアンプへの入力信号をミュートするための第１のミュート信号、及び前記電源投入から所定期間、前記パワーアンプの動作を停止状態とするための第２のミュート信号を生成するミュート回路であって、
前記第１ミュート信号の出力経路に介在し、前記電源投入の後、所定のタイミングにおいて、前記第１ミュート信号の出力経路を遮断する第１のスイッチング素子と、
前記電源投入の後、前記第１スイッチング素子による出力経路の遮断に応じて変化する前記第１スイッチング素子の出力側の電圧に基づいて前記第２ミュート信号の出力を停止させる第２のスイッチング素子とを具備することを特徴とするミュート回路。
【請求項２】
前記第１スイッチング素子による出力経路の遮断後、前記第１ミュート信号を所定の期間を経て減衰させるためのコンデンサ及び抵抗の並列回路を、前記第１スイッチング素子の出力側と、所定の電圧源との間に有することを特徴とする請求項１に記載のミュート回路。
【請求項３】
前記第２スイッチング素子による第２ミュート信号の出力停止が行われるように、前記第１スイッチング素子の出力側の電圧に基づいて前記第２スイッチング素子を制御するための電圧を生成する素子を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のミュート回路。
【請求項４】
前記第２スイッチング素子は、前記第２ミュート信号の出力停止を、前記第２ミュート信号の出力を接地させることにより行うものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のミュート回路。
【請求項５】
前記第１スイッチング素子による出力経路の遮断が行われる所定のタイミングは、所定のコンデンサに対する充電時間によって決定されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のミュート回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーアンプの電源投入時に、音楽信号をオン・オフさせるために該パワーアンプへの入力信号を所定期間ミュートするための第１のミュート信号、及び該パワーアンプの電源投入時のショックノイズを防止するために該パワーアンプの動作を所定期間停止状態とするための第２のミュート信号を生成するミュート回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２は従来のパワーアンプにおけるミュート回路を示す回路図である。このミュート回路は、パワーアンプの電源投入時に、該パワーアンプへの入力信号を所定期間ミュートするためのミュート信号Ｍｕｔｅ２１、及び該パワーアンプの動作を所定期間停止状態とするためのミュート信号Ｍｕｔｅ２２を生成する。このミュート回路は、ミュート信号Ｍｕｔｅ２１のオン・オフ制御を行うためのＰＮＰ型トランジスタＴｒ２１、ミュート信号Ｍｕｔｅ２２のオン・オフ制御を行うＮＰＮ型トランジスタＴｒ２３、及びトランジスタＴｒ２３のオン・オフ制御を行うＮＰＮ型トランジスタＴｒ２２を備える。
【０００３】
トランジスタＴｒ２１のエミッタは＋１０［Ｖ］の電源に接続され、コレクタはミュート信号Ｍｕｔｅ２１の出力端子２１に接続される。トランジスタＴｒ２１のベースは抵抗Ｒ２１を介して＋１０［Ｖ］の電源に接続されるとともに、抵抗Ｒ２２及び電界コンデンサ２１の直列回路を経てグラウンドに接続される。トランジスタＴｒ２２のコレクタは＋１０［Ｖ］の電源に接続され、エミッタは抵抗Ｒ２３を介してトランジスタＴｒ２３のベースに接続される。トランジスタＴｒ２２のベースは抵抗Ｒ２２及び電界コンデンサＣ２１間の接続点に接続される。
【０００４】
トランジスタＴｒ２３のコレクタは、抵抗Ｒ２５を介してバッテリ電源（＋Ｂ）に接続されるとともに、ミュート信号Ｍｕｔｅ２２の出力端子２２に接続される。エミッタは接地され、ベースは抵抗Ｒ２４を介してグラウンドに接続される。また、＋１５［Ｖ］及び−１５［Ｖ］の電源間には抵抗Ｒ２６及びＲ２７の直列回路が設けられ、抵抗Ｒ２６及びＲ２７間の接続点にはトランジスタＴｒ２１のコレクタが接続される。また、抵抗Ｒ２７に対して並列に電界コンデンサＣ２２が設けられる。
【０００５】
図３は図２のミュート回路における主要信号のタイミングチャートである。図３（ａ）は電源（＋１０Ｖ、＋Ｂ）、同図（ｂ）はミュート信号Ｍｕｔｅ２１、同図（ｃ）はミュート信号Ｍｕｔｅ２２のタイミングを示している。同図（ａ）のように電源が投入されると、オン状態にあるトランジスタＴｒ２１を介して、＋１０［Ｖ］の電圧が供給され、同図（ｂ）のようにミュート信号Ｍｕｔｅ２１が立ち上がる。また、これと同時に、電源（＋Ｂ）から抵抗Ｒ２５を介して出力端子２２に電圧が印加され、同図（ｃ）のようにミュート信号Ｍｕｔｅ２２が立ち上がる。このとき、トランジスタＴｒ２２はオフ状態となっている。
【０００６】
電源の投入から、抵抗Ｒ２２の抵抗値及び電界コンデンサＣ２１の容量で決まる１．５秒が経過すると、電界コンデンサＣ２１のチャージが完了し、トランジスタＴｒ２１のベース電圧が所定値を超え、トランジスタＴｒ２１はオフ状態となる。その後、電界コンデンサＣ２２のディスチャージによりミュート信号Ｍｕｔｅ２１のレベルは減少してゆき、電界コンデンサＣ２２のディスチャージ速度によって決まる０．５秒後に０［Ｖ］に達して、ミュート信号Ｍｕｔｅ２１はオフ状態となる。
【０００７】
この間、トランジスタ２２は電界コンデンサＣ２１のチャージ量に応じて変化する電圧に応じた電圧をトランジスタＴｒ２３のベースに供給しており、この供給電圧は緩やかに上昇する。そして、この供給電圧が所定のスレッショルド・レベルを超えると、トランジスタＴｒ２３はオン状態となる。これによって、出力端子２２は接地状態となり、ミュート信号Ｍｕｔｅ２２は、同図（ｃ）のようにオフ状態となる。なお、ミュート信号Ｍｕｔｅ２２がオフ状態となるタイミングは、抵抗Ｒ２３及びＲ２４の抵抗値により上記のスレッショルド・レベルを変えることによって調整するようにしている。
【０００８】
なお、従来のパワーアンプにおけるミュート回路としては、特許文献１において開示されているような、演算増幅器の出力によりパワーアンプを保護するためのミュート動作を行わせるものも知られている。このミュート回路においては、所定以上の温度のとき、又は所定以上の負荷が加わったときに演算増幅器の一入力端子に印加される入力電圧を変化させて演算増幅器の出力を変化させるようにしている。
【０００９】
【特許文献１】実開平４−３８１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述図２のミュート回路によれば、図３（ｃ）において矢印３２で示されるように、ミュート信号Ｍｕｔｅ２２をオフ状態とするタイミングが、温度によりドリフト（変動）するという問題がある。このドリフトは、ミュート信号Ｍｕｔｅ２２をオフ状態とするタイミングが、チャージ量の変化に応じてゆっくり変化する電界コンデンサＣ２１の電圧によって決定されることにより生じる。
【００１１】
すなわち、トランジスタＴｒ２３のベース・エミッタ間電圧は温度により変化する。これに伴って、トランジスタＴｒ２３をオン状態とするためのトランジスタ２２が供給する電圧のスレッショルド・レベルも変化する。このスレッショルド・レベルは抵抗Ｒ２４及びＲ２３の比によって決まる。たとえば、抵抗Ｒ２３及びＲ２４の抵抗値が同一であり、トランジスタＴｒ２３のベース・エミッタ間電圧が０．６［Ｖ］から０．７［Ｖ］に変化すると、該スレッショルド・レベルは１．２［Ｖ］から１．４［Ｖ］に変化する。このようなスレッショルド・レベルの変化が、電界コンデンサＣ２１における時間的に緩慢な電圧変化によって、トランジスタＴｒ２３がオン状態となるタイミングにおける大きな変化として表れ、ミュート信号Ｍｕｔｅ２２をオフ状態とするタイミングに大きく影響する。
【００１２】
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、ミュート回路において、パワーアンプの動作を停止状態とするためのミュート信号をオフ状態とするタイミングが温度によりドリフトするのを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的を達成するため、第１の発明に係るミュート回路は、パワーアンプの電源投入から所定期間、前記パワーアンプへの入力信号をミュートするための第１のミュート信号、及び前記電源投入から所定期間、前記パワーアンプの動作を停止状態とするための第２のミュート信号を生成するミュート回路であって、前記第１ミュート信号の出力経路に介在し、前記電源投入の後、所定のタイミングにおいて、前記第１ミュート信号の出力経路を遮断する第１のスイッチング素子と、前記電源投入の後、前記第１スイッチング素子による出力経路の遮断に応じて変化する前記第１スイッチング素子の出力側の電圧に基づいて前記第２ミュート信号の出力を停止させる第２のスイッチング素子とを具備することを特徴とする。
【００１４】
この構成において、パワーアンプの電源が投入されると、第１ミュート信号及び第２ミュート信号の出力が開始される。これにより、パワーアンプへの入力信号がミュートされるとともに、パワーアンプの動作は停止状態とされる。この後、所定のタイミングにおいて、第１ミュート信号の出力経路が第１スイッチング素子によって遮断される。これにより、第１スイッチング素子の出力側の電圧は低下し、第１ミュート信号は減衰する。第２スイッチング素子は、この第１スイッチング素子の出力側の電圧の変化に基づき、第２ミュート信号の出力を停止させる。
【００１５】
第２の発明に係るミュート回路は、第１発明において、前記第１スイッチング素子による出力経路の遮断後、前記第１ミュート信号を所定の期間を経て減衰させるためのコンデンサ及び抵抗の並列回路を、前記第１スイッチング素子の出力側と所定の電圧源との間に有することを特徴とする。
【００１６】
第３の発明に係るミュート回路は、第１又は第２発明において、前記第２スイッチング素子による第２ミュート信号の出力停止が行われるように、前記第１スイッチング素子の出力側の電圧に基づいて前記第２スイッチング素子を制御するための電圧を生成する素子を有することを特徴とする。
【００１７】
第４の発明に係るミュート回路は、第１〜第３のいずれかの発明において、前記第２スイッチング素子は、前記第２ミュート信号の出力停止を、前記第２ミュート信号の出力を接地させることにより行うものであることを特徴とする。
【００１８】
第５の発明に係るミュート回路は、第１〜第４のいずれかの発明において、前記第１スイッチング素子による出力経路の遮断が行われる所定のタイミングは、所定のコンデンサに対する充電時間によって決定されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、第１ミュート信号の出力経路が遮断された後、該遮断による第１スイッチング素子の出力側の電圧の変化に基づき、第２ミュート信号の出力を停止させるようにしたため、用途が異なる第１ミュート信号及び第２ミュート信号をオフする各タイミング間の関係を、環境温度に依存することなく、一定に維持することができる。したがって第１ミュート信号の出力経路を遮断するタイミングが環境温度に依存しないものである場合、第２ミュート信号の出力を停止させるタイミングも、環境温度に依存しないものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態に係るパワーアンプのミュート回路の構成を示す回路図である。このミュート回路は、ミュート信号として、パワーアンプへの入力信号をミュートするためのミュート信号Ｍｕｔｅ１、及びパワーアンプ回路の動作を停止状態とするためのミュート信号Ｍｕｔｅ２をそれぞれ端子１及び２から出力する。ミュート信号Ｍｕｔｅ２は、パワーアンプの電源投入時のショック音を軽減するために、パワーアンプの動作を所定期間、停止状態とするためのものである。このミュート回路は、同図に示すように、ミュート信号Ｍｕｔｅ１のオン・オフ制御を行うＰＮＰ型トランジスタＴｒ１、ミュート信号Ｍｕｔｅ２のオン・オフ制御を行うＮＰＮ型トランジスタＴｒ３、及びトランジスタＴｒ３のオン・オフ制御を行うＰＮＰ型トランジスタＴｒ２を備える。
【００２１】
トランジスタＴｒ１のエミッタは＋１０［Ｖ］の電源に接続され、コレクタはミュート信号Ｍｕｔｅ１の出力端子１に接続される。トランジスタＴｒ１のベースは、抵抗Ｒ１を介して＋１０［Ｖ］の電源に接続されるとともに、抵抗Ｒ２及び電界コンデンサ１の直列回路を経てグラウンドに接続される。トランジスタＴｒ２のエミッタは、＋１０［Ｖ］の電源に接続される。コレクタは抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴｒ３のベースに接続される。ベースは抵抗Ｒ４を介して＋１０［Ｖ］の電源に接続されるとともに、抵抗Ｒ５を介してトランジスタＴｒ１のコレクタに接続される。
【００２２】
トランジスタＴｒ３のコレクタは抵抗Ｒ６を介してバッテリ電源（＋Ｂ）に接続されるとともに、ミュート信号Ｍｕｔｅ２の出力端子２に接続される。トランジスタＴｒ３のエミッタは接地され、ベースは抵抗Ｒ７介してグラウンドに接続される。トランジスタＴｒ１のコレクタはまた、抵抗Ｒ８及び電界コンデンサＣ２の並列回路を介して−１５［Ｖ］の電源に接続される。
【００２３】
図３は図１のミュート回路における主要信号のタイミングチャートである。図３（ａ）は電源（＋１０Ｖ、＋Ｂ）、同図（ｂ）はミュート信号Ｍｕｔｅ１、同図（ｄ）はミュート信号Ｍｕｔｅ２のタイミングを示している。同図（ａ）のように電源が投入されると、オン状態となっているトランジスタＴｒ１を介して＋１０［Ｖ］の電圧が供給され、同図（ｂ）のようにミュート信号Ｍｕｔｅ１が立ち上がるとともに、電界コンデンサＣ２のチャージが開始する。これと同時に、電源（＋Ｂ）から抵抗Ｒ６を介して出力端子２に印加される電圧により、同図（ｄ）のようにミュート信号Ｍｕｔｅ２が立ち上がる。なお、この時点では、トランジスタＴｒ１のコレクタ側の電圧が高く、トランジスタＴｒ２がトランジスタＴｒ３をオン状態とする電圧を供給していないため、トランジスタＴｒ３はオフ状態である。
【００２４】
電源の投入から、抵抗Ｒ２の抵抗値及び電界コンデンサＣ１の容量で決まる１．５秒が経過すると、電界コンデンサＣ１のチャージが完了し、トランジスタＴｒ１のベース電圧が所定値を超えるので、トランジスタＴｒ１はオフ状態となる。これと同時に、同図（ｂ）のように、電界コンデンサＣ２のディスチャージによるミュート信号Ｍｕｔｅ１の減衰が開始する。この後、電界コンデンサＣ２の容量で決まる０．５秒が経過した時点で、ミュート信号Ｍｕｔｅ１の波形は０［Ｖ］と交差する。このクロス点３１において、パワーアンプへの入力信号のミュート状態が解除されることになる。
【００２５】
この減衰によりトランジスタＴｒ２がトランジスタＴｒ３に供給する電圧が所定のスレッショルド・レベルに達したとき、トランジスタＴｒ３はオン状態となる。このスレッショルド・レベルはトランジスタＴｒ３のベース・エミッタ電圧及び抵抗Ｒ７及びＲ３の比によって決まる。たとえば、トランジスタＴｒ３のベース・エミッタ電圧が０．６[Ｖ]で抵抗Ｒ７及びＲ３の抵抗値が同じであれば、１．２[Ｖ]となる。トランジスタＴｒ３がオン状態になると、出力端子２は接地状態となり、図３（ｄ）のように、ミュート信号Ｍｕｔｅ２はオフ状態となる。
【００２６】
すなわち、トランジスタＴｒ１がオフ状態となったことを、図３（ｂ）のようなミュート信号Ｍｕｔｅ１のスイッチング波形に基づき、トランジスタＴｒ２によって検出し、この検出結果に基づいてトランジスタＴｒ３がオンとなるタイミング（ミュート信号Ｍｕｔｅ２がオフとなるタイミング）を制御するようにしている。
【００２７】
本実施形態によれば、トランジスタＴｒ１がオフ状態となったことを、電解コンデンサＣ１の充電時間及び電解コンデンサＣ２の放電速度によって決まるミュート信号Ｍｕｔｅ１のスイッチング波形に基づき、トランジスタＴｒ２によって検出し、これに基づいてトランジスタＴｒ３がオンとなるタイミングを制御するようにしたため、ミュート信号Ｍｕｔｅ２をオフ状態とするタイミングが温度の影響によってドリフトするのを防止することができる。したがって、ミュート信号Ｍｕｔｅ２をオフ状態とするタイミングを設計値どおりのものとすることができる。
【００２８】
また、用途が異なるミュート信号Ｍｕｔｅ１及びミュート信号Ｍｕｔｅ２をそれぞれオフ状態とするタイミング間の関係を、環境温度に依存することなく、一定に維持することができる。
【００２９】
なお、本発明は上述実施形態に限定されることなく、適宜変形して実施することができる。たとえば、上述実施形態においては、スイッチング素子としてバイポーラ型トランジスタを用いて回路を構成しているが、この代わりに、スイッチング素子として電界効果型トランジスタを用いて回路を構成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態に係るパワーアンプのミュート回路の構成を示す回路図である。
【図２】従来のパワーアンプにおけるミュート回路の構成を示す回路図である。
【図３】図１及び図２のミュート回路における主要な信号のタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００３１】
１，２，２１，２２：出力端子、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ２１，Ｃ２２：電界コンデンサ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４，Ｒ２５，Ｒ２６，Ｒ２７：抵抗、Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３，Ｔｒ２１，Ｔｒ２２，Ｔｒ２３：トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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