(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハへの微小なパーティクルの付着を防止できる基板処理装置用の部品を提供する。【解決手段】ウエハＷにプラズマエッチングを施す基板処理装置が備えるチャンバ１１を被覆するイットリア皮膜５０は、内壁に積層されたイットリア基層５１と、該イットリア基層５１の少なくとも一部に積層されたイットリア上層５２とからなり、イットリア上層５２の構造は、イットリア層を構成する粒子の大きさが２５０ｎｍ以上であることによりイットリア基層５１の構造よりも疎である。【選択図】図２
2009212293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理容器を備え、前記処理容器内において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置用の部品であって、
前記処理容器内に配置され、
基材と該基材を被覆するイットリア皮膜とを有し、
前記イットリア皮膜は、前記基材に積層された第１のイットリア層と、前記第１のイットリア層の少なくとも一部に積層された第２のイットリア層とからなり、
前記第２のイットリア層の構造は前記第１のイットリア層の構造よりも疎であることを特徴とする基板処理装置用の部品。
【請求項２】
前記第２のイットリア層を構成する粒子の大きさは２５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置用の部品。
【請求項３】
前記第１のイットリア層を構成する粒子の大きさは１００ｎｍよりも小さいことを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理装置用の部品。
【請求項４】
前記基板処理装置は、前記処理容器内に配されて前記基板を載置する載置面を有する載置台と、前記処理容器に連結されて前記処理容器内のガスを排出する排気装置とを備え、
前記第２のイットリア層は、前記載置面及び前記排気装置の間に配されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置用の部品。
【請求項５】
前記処理容器の内壁であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置用の部品。
【請求項６】
前記処理容器内に配される試験片であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置用の部品。
【請求項７】
前記処理容器は、内部にプラズマが進入する副処理容器を備え、
前記試験片は副処理容器内に配されることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置用の部品。
【請求項８】
基板を収容する処理容器を備え、前記処理容器内において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置であって、
前記処理容器内に配置され、基材と該基材を被覆するイットリア皮膜とを有する部品を備え、
前記イットリア皮膜は、前記基材に積層された第１のイットリア層と、前記第１のイットリア層の少なくとも一部に積層された第２のイットリア層とからなり、
前記第２のイットリア層の構造は前記第１のイットリア層の構造よりも疎である特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置用の部品及び基板処理装置に関し、特に、イットリア皮膜を備える基板処理装置用の部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、基板としての半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）を収容する処理容器を備え、該処理容器内においてウエハにプラズマ処理を施す。処理容器内においてウエハにプラズマ処理が施される際、処理容器内の部品はプラズマのイオンによってスパッタされる。部品がイオンによってスパッタされると、部品にダメージが生じ、該ダメージが生じた部品の一部が剥がれてパーティクルを発生し、該パーティクルがウエハに付着する虞がある。ウエハにパーティクルが付着すると、該ウエハから製造される半導体デバイスにおいて配線短絡が発生し、半導体デバイスの歩留まりが低下してしまう。
【０００３】
そこで、パーティクルの発生を防止すべく、処理容器内の部品として、プラズマに対する耐性の高いイットリア（Ｙ２Ｏ３）皮膜で被覆された部品が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
一方、ウエハへのパーティクルの付着を防止すべく、ＩＳＰＭ（In Situ Particle Monitor）による処理容器内のパーティクルの検知が行なわれている。具体的には、ウエハへ枚葉でプラズマ処理を施している際に、ＩＳＰＭにより処理容器内のパーティクルが検知された場合、例えば、プラズマ処理を停止する措置をとる。この停止措置により、次に処理予定であったウエハへのパーティクルの付着を防止できるため、半導体デバイスの歩留まりの低下を防止することができる。なお、通常、ＩＳＰＭで検出可能なパーティクルの大きさの下限値は１５０ｎｍである。
【特許文献１】特開２００３−３２１７６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のように、プラズマに対する耐性の高いイットリア皮膜を備えた部品であっても、例えば、ウエハに様々なプラズマ処理が繰り返し施される場合、部品が様々なプラズマのイオンによって激しくスパッタされるため、部品の表面のイットリア皮膜にダメージが生じ、該イットリア皮膜の表層が剥がれてパーティクルが発生することがある。
【０００６】
一方、上述のように、ＩＳＰＭで検出可能なパーティクルの大きさの下限値は約１５０ｎｍであるが、通常、イットリア皮膜の構造は密であるため、該イットリア皮膜から発生するパーティクルは微小で、その大きさは１００ｎｍより小さい。このため、ＩＳＰＭではイットリア皮膜から発生する微小なパーティクルを検出することができない。
【０００７】
したがって、ＩＳＰＭを用いても、処理容器内において、イットリア皮膜を有する部品からの微小なパーティクルの発生を検知することができず、ウエハへの微小なパーティクルの付着を防止することができない。
【０００８】
本発明の目的は、ウエハへの微小なパーティクルの付着を防止できる基板処理装置用の部品及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置用の部品は、基板を収容する処理容器を備え、前記処理容器内において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置用の部品であって、前記処理容器内に配置され、基材と該基材を被覆するイットリア皮膜とを有し、前記イットリア皮膜は、前記基材に積層された第１のイットリア層と、前記第１のイットリア層の少なくとも一部に積層された第２のイットリア層とからなり、前記第２のイットリア層の構造は前記第１のイットリア層の構造よりも疎であることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の基板処理装置用の部品は、請求項１記載の基板処理装置用の部品において、前記第２のイットリア層を構成する粒子の大きさは２５０ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の基板処理装置用の部品は、請求項１又は２記載の基板処理装置用の部品において、前記第１のイットリア層を構成する粒子の大きさは１００ｎｍよりも小さいことを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の基板処理装置用の部品は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置用の部品において、前記基板処理装置は、前記処理容器内に配されて前記基板を載置する載置面を有する載置台と、前記処理容器に連結されて前記処理容器内のガスを排出する排気装置とを備え、前記第２のイットリア層は、前記載置面及び前記排気装置の間に配されることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の基板処理装置用の部品は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置用の部品において、前記処理容器の内壁であることを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の基板処理装置用の部品は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置用の部品において、前記処理容器内に配される試験片であることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の基板処理装置用の部品は、請求項６記載の基板処理装置用の部品において、前記処理容器は、内部にプラズマが進入する副処理容器を備え、前記試験片は副処理容器内に配されることを特徴とする。
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項８記載の基板処理装置は、基板を収容する処理容器を備え、前記処理容器内において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置であって、前記処理容器内に配置され、基材と該基材を被覆するイットリア皮膜とを有する部品を備え、前記イットリア皮膜は、前記基材に積層された第１のイットリア層と、前記第１のイットリア層の少なくとも一部に積層された第２のイットリア層とからなり、前記第２のイットリア層の構造は前記第１のイットリア層の構造よりも疎であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１記載の基板処理装置用の部品及び請求項８記載の基板処理装置によれば、基材を被覆するイットリア皮膜は、基材に積層された第１のイットリア層と、該第１のイットリア層の少なくとも一部に積層された第２のイットリア層とからなるので、第２のイットリア層が積層されていない第１のイットリア層の表層及び第２のイットリア層の表層はプラズマに晒される。第２のイットリア層の構造は第１のイットリア層の構造よりも疎であるため、これらがプラズマに晒された場合、第２のイットリア層が第１のイットリア層よりも先に剥がれ、且つ第２のイットリア層からは比較的大きなパーティクルが発生する。比較的大きなパーティクルは従来のＩＳＰＭによっても検知可能であるので、従来のＩＳＰＭによって第１のイットリア層の剥がれを先取りして検知することができ、例えば、以降のプラズマ処理を停止することにより、第１のイットリア層から発生する微小なパーティクルの発生を防止できる。その結果、基板への微小なパーティクルの付着を防止できる。
【００１８】
請求項２記載の基板処理装置用の部品によれば、第２のイットリア層を構成する粒子の大きさは２５０ｎｍ以上なので、第２のイットリア層から発生するパーティクルの大きさは２５０ｎｍ以上となる。一方、従来のＩＳＰＭで検出可能なパーティクルの大きさの下限値は１５０ｎｍである。したがって、従来のＩＳＰＭによって第２のイットリア層から発生するパーティクルを確実に検知することができる。
【００１９】
請求項４記載の基板処理装置用の部品によれば、第２のイットリア層は、基板を載置する載置面及び処理容器内のガスを排出する排気装置の間に配される。第２のイットリア層から発生したパーティクルは、排気装置によって排出されるガスに巻き込まれて処理容器外へ排出されるので、載置面へ回り込むことがない。したがって、第２のイットリア層から発生したパーティクルの基板への付着を防止することができる。
【００２０】
請求項５記載の基板処理装置用の部品によれば、該部品は処理容器の内壁であるので、従来のＩＳＰＭによって処理容器の内壁から発生するパーティクルを検出することによって、処理容器の内壁の消耗の程度を検知することができる。
【００２１】
請求項６記載の基板処理装置用の部品によれば、該部品は処理容器内に配される試験片であるので、従来のＩＳＰＭによって試験片から発生するパーティクルを検出することによって、処理容器の消耗の程度を間接的に検知することができる。
【００２２】
請求項７記載の基板処理装置用の部品によれば、処理容器は内部にプラズマが進入する副処理容器を備え、部品は副処理容器内に配される試験片である。したがって、試験片が処理容器内のガスの流れを阻害するのを防止しつつ、従来のＩＳＰＭによって第２のイットリア層から発生するパーティクルを検知することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置用の部品について説明する。
【００２５】
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置用の部品が適用される基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置は基板としてのウエハにプラズマエッチングを施すように構成されている。
【００２６】
図１において、基板処理装置１０は、例えば、直径が３００ｍｍのウエハＷを収容するチャンバ１１（処理容器）を有し、該チャンバ１１内には、頂部の載置面にウエハＷを載置する円柱状のサセプタ１２（載置台）が配置されている。さらに、基板処理装置１０では、チャンバ１１の内側壁とサセプタ１２の側面とによって、サセプタ１２上方のガスをチャンバ１１の外へ排出する流路として機能する側方排気路１３が形成される。この側方排気路１３の途中には排気プレート１４が配置される。
【００２７】
排気プレート１４は多数の孔を有する板状部材であり、チャンバ１１を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート１４によって仕切られたチャンバ１１の上部（以下、「反応室」という。）１５にはプラズマが発生するが、排気プレート１４が反応室１５に発生するプラズマを捕捉又は反射して、チャンバ１１の下部（以下、「排気室」という。）１６へのプラズマの漏洩を防止する。
【００２８】
また、チャンバ１１内のサセプタ１２には下部高周波電源１７が下部整合器１８を介して接続されており、該下部高周波電源１７は所定の高周波電力をサセプタ１２に供給する。これにより、サセプタ１２は下部電極として機能する。また、下部整合器１８は、サセプタ１２からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ１２への供給効率を最大にする。
【００２９】
サセプタ１２の上部には、静電電極板１９を内部に有する静電チャック２０が配置されている。静電チャック２０は或る直径を有する下部円板状部材の上に、該下部円板状部材より直径の小さい上部円板状部材を重ねた形状を呈する。なお、静電チャック２０はセラミックで構成されている。サセプタ１２にウエハＷを載置するとき、該ウエハＷは静電チャック２０における上部円板状部材の上に配される。
【００３０】
また、静電チャック２０では、静電電極板１９に直流電源２１が電気的に接続されている。静電電極板１９に正の直流高電圧が印加されると、ウエハＷにおける静電チャック２０側の面（以下、「裏面」という。）には負電位が発生して静電電極板１９及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により、ウエハＷは静電チャック２０における上部円板状部材の上において吸着保持される。
【００３１】
さらに、静電チャック２０には、吸着保持されたウエハＷを囲うように、円環状のフォーカスリング２２が載置される。フォーカスリング２２は、導電性部材、例えば、シリコンからなり、反応室１５においてプラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、プラズマエッチングの効率を向上させる。
【００３２】
また、サセプタ１２の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室２３が設けられる。この冷媒室２３には、チラーユニット（図示しない）から冷媒用配管２４を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン（登録商標）が循環供給される。該低温の冷媒によって冷却されたサセプタ１２は静電チャック２０を介してウエハＷ及びフォーカスリング２２を冷却する。
【００３３】
静電チャック２０における上部円板状部材上面のウエハＷが吸着保持される部分（以下、「吸着面」という。）には、複数の伝熱ガス供給孔２５が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔２５は、伝熱ガス供給ライン２６を介して伝熱ガス供給部（図示しない）に接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）ガスを、伝熱ガス供給孔２５を介して吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハＷの熱を静電チャック２０に効果的に伝達する。
【００３４】
チャンバ１１の天井部には、サセプタ１２と対向するようにシャワーヘッド２７が配置されている。シャワーヘッド２７には上部整合器２８を介して上部高周波電源２９が接続されており、上部高周波電源２９は所定の高周波電力をシャワーヘッド２７に供給するので、シャワーヘッド２７は上部電極として機能する。なお、上部整合器２８の機能は上述した下部整合器１８の機能と同じである。
【００３５】
シャワーヘッド２７は、多数のガス穴３０を有する天井電極板３１と、該天井電極板３１を着脱可能に釣支するクーリングプレート３２と、該クーリングプレート３２を覆う蓋体３３とを有する。また、該クーリングプレート３２の内部にはバッファ室３４が設けられ、このバッファ室３４には処理ガス導入管３５が接続されている。シャワーヘッド２７は、処理ガス導入管３５からバッファ室３４へ供給されたガスをガス穴３０を介して反応室１５内へ供給する。この基板処理装置１０では、サセプタ１２及びシャワーヘッド２７に高周波電力を供給して、反応室１５内に高周波電力を供給することにより、該反応室１５内においてシャワーヘッド２７から供給された処理ガスを高密度のプラズマにしてウエハＷにプラズマエッチングを施す。
【００３６】
また、排気室１６にはチャンバ１１内のガスを排出する排気系３６（排気装置）が接続される。排気系３６は粗引きライン３７と本排気ライン３８とを有する。粗引きライン３７はドライポンプ（ＤＰ）（図示しない）に接続されてチャンバ１１内を粗引きする。本排気ライン３８はターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）３９を有し、該ＴＭＰ３９によってチャンバ１１内を高真空引きする。具体的には、ＤＰはチャンバ１１内を大気圧から中真空状態（例えば、１．３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧し、ＴＭＰはＤＰと協働してチャンバ１１内を中真空状態より低い圧力である高真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１．０×１０−５Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。また、本排気ライン３８は粗引きライン３７と接続する分岐ライン４０を有し、粗引きライン３７及び分岐ライン４０には各ラインを遮断可能なバルブＶ１，Ｖ２が配されている。なお、チャンバ１１内の圧力はＡＰＣバルブ（図示しない）によって制御される。
【００３７】
さらに、粗引きライン３７の途中には、ＩＳＰＭ４１が配設される。ＩＳＰＭ４１は、粗引きライン３７の中心軸に向けてレーザ光を照射するレーザ光発振装置（図示しない）と、粗引きライン３７の中心軸及びレーザ光の交差部に焦点を有する光電子倍増管（図示しない）とを有する。光電子倍増管は、粗引きライン３７内において、照射されたレーザ光をパーティクルが通過する際に発生する散乱光や、パーティクルによって減衰されたレーザ光を受光する。受光された散乱光や減衰光は電気信号に変換されてＰＣ（図示しない）に送信される。該ＰＣは送信された電気信号に基づいて粗引きライン３７内を流れるパーティクルの数や大きさを検出する。排気系３６はチャンバ１１内のガスを、パーティクルを含めて排出するので、ＩＳＰＭ４１はチャンバ１１内に発生するパーティクルを検出することができる。また、ＩＳＰＭ４１は、本排気ライン３８の途中に設けてもよい。
【００３８】
ここで、光電子倍増管の分解能には限界があり、ＩＳＰＭ４１で検出可能なパーティクルの大きさの下限値は１５０ｎｍである。また、本発明者らはＩＳＰＭ４１の検出効率を評価すべく各種実験を行なったところ、ＩＳＰＭの検出効率は、パーティクルの大きさが３００ｎｍの場合に約８０％であり、パーティクルの大きさが２５０ｎｍの場合に約５０％であり、パーティクルの大きさが２００ｎｍの場合に約１％であることを確認した。
【００３９】
また、基板処理装置１０では、チャンバ１１の内壁（基材）がイットリア皮膜５０で被覆されている（図２）。イットリア皮膜５０は、チャンバ１１の内壁の全面に積層されたイットリア基層５１（第１のイットリア層）と、イットリア基層５１の一部に積層されたイットリア上層５２（第２のイットリア層）とからなる。イットリア基層５１は通常のイットリア層であり、微小なポア（図示しない）が存在する、所謂「密」の構造を有している。一方、イットリア上層５２は、イットリア基層５１と比較して、図２に示すように、より大きいポアが存在する、所謂「疎」の構造を有している。具体的には、イットリア基層５１を構成する粒子の大きさは１００ｎｍよりも小さく、イットリア上層５２を構成する粒子の大きさは２５０ｎｍ以上である。
【００４０】
イットリア皮膜５０では、イットリア上層５２が側方排気路１３に面するように配置される。具体的には、図１中の上下方向に関し、サセプタ１２の載置面及び排気プレート１４の間に配される。
【００４１】
基板処理装置１０において、サセプタ１２及びシャワーヘッド２７に高周波電力が供給されると、上述したように、チャンバ１１内（反応室１５）にはプラズマが発生する。発生したプラズマは、ウエハＷ表面やチャンバ１１の内壁に印加されたバイアス電圧によって、図中の白抜き矢印で示すように、チャンバ１１の内壁等に衝突し、イットリア皮膜５０はプラズマのイオンにより物理的にスパッタされる（図３（Ａ））。
【００４２】
イットリア上層５２は「疎」の構造を有しているため、「密」の構造を有するイットリア基層５１より物理的衝撃に対する耐性が低く、プラズマのスパッタによってイットリア基層５１より先にその一部が剥がれてパーティクルを発生する（図３（Ｂ）参照）。また、イットリア上層５２はその構造に起因して比較的大きく剥がれるため、イットリア上層５２からは比較的大きなパーティクル、具体的には大きさが２５０ｎｍ以上のパーティクルが発生する。
【００４３】
その後、イオンによるスパッタが継続されると、図３（Ｃ）に示すように、イットリア上層５２のみならず、イットリア基層５１からもパーティクルが発生する。イットリア基層５１は「密」の構造を有しているため、イットリア基層５１からは微小なパーティクル、具体的には大きさが１００ｎｍよりも小さいパーティクルが発生する（図３（Ｃ）参照）。
【００４４】
ここで、ＩＳＰＭ４１が検知可能なパーティクルの大きさの下限値は１５０ｎｍであるため、イットリア基層５１から発生する、大きさが１００ｎｍよりも小さいパーティクルはＩＳＰＭ４１では検知することができない。一方、イットリア上層５２から発生する、大きさが２５０ｎｍ以上のパーティクルは約５０％という高い検出効率でＩＳＰＭ４１によって検知することができる。
【００４５】
上述したように、イットリア上層５２からはイットリア基層５１よりも先にパーティクルが発生するため、イットリア上層５２から発生したパーティクルが検知された状態は、イットリア基層５１からパーティクルが発生する可能性が高くなった状態と考えることができる。したがって、基板処理装置１０では、ＩＳＰＭ４１によってイットリア上層５２から発生するパーティクルを検知すれば、イットリア基層５１からのパーティクルの発生を先取りして検知することができる。
【００４６】
また、パーティクルを発生し続ければイットリア上層５２は消耗し、イットリア上層５２はチャンバ１１の内壁の構成要素であるため、イットリア上層５２から発生するパーティクルを検知することによって、チャンバ１１の内壁の消耗の程度を検知することができる。
【００４７】
以上より、ＩＳＰＭ４１によってイットリア上層５２から発生するパーティクルを検知したときにプラズマエッチングを停止すれば、イットリア基層５１からの微小なパーティクルの発生を防止することができる。その結果、ウエハＷへの微小なパーティクルの付着を防止することができる。
【００４８】
また、基板処理装置１０では、イットリア上層５２が側方排気路１３に面するように配置されるので、イットリア上層５２から発生した比較的大きなパーティクルは、排気ライン３７を介して排出されるガスに巻き込まれてチャンバ１１内から排出される。ここで、イットリア上層５２は側方排気路１３においてサセプタ１２の載置面及び排気プレート１４の間に配されるため、イットリア上層５２から発生した比較的大きなパーティクルは載置面より上方、すなわち、ウエハＷ上に回り込むことがなく、もって、イットリア上層５２から発生する比較的大きなパーティクルのウエハＷへの付着を防止することができる。なお、イットリア上層５２の配置場所は側方排気路１３に面する位置に限られないが、チャンバ１１内のプラズマに晒される箇所であって載置面より下方の箇所である必要がある。
【００４９】
上述した本実施の形態では、チャンバ１１の内壁がイットリア上層５２を有したが、該イットリア上層５２をチャンバ１１の内壁に配置する代わりに、図４に示すように、基材６１をイットリア皮膜５０で被覆した試験片６０（図５参照）をチャンバ１１内に、例えば、側方排気路１３に配置してもよい。該試験片６０をチャンバ１１内に配置することにより、チャンバ１１の構成部材の消耗の程度を間接的に検知することができる。この場合、イットリア上層５２は、試験片６０のチャンバ１１内に露出しているいずれの面に設けてもよいが、特に、図５に示すように、プラズマの密度が高いウエハＷ上の空間と対向する面６４にイットリア上層５２を設けることによってイットリア上層５２を確実にスパッタさせてチャンバ１１の構成部材の消耗の程度を適格に検知することができる。
【００５０】
また、試験片６０は必ずしもチャンバ１１内に設ける必要はない。例えば、図６に示すように、内部が側方排気路１３と連通するサブチャンバ７０（副処理容器）をチャンバ１１の側面に設け、該サブチャンバ７０内に試験片６０を配置してもよい。サブチャンバ７０は、チャンバ１１内のガスの排気路上に存在しないので、チャンバ１１内のガスの流れが試験片６０によって阻害されることがない。また、サブチャンバ７０内部は側方排気路１３と連通するため、サブチャンバ７０内部にはプラズマが進入する。したがって、サブチャンバ７０内の試験片６０におけるイットリア上層５２からもパーティクルが発生するため、サブチャンバ７０内に試験片６０を配置することによってもチャンバ１１の構成部材の消耗の程度を間接的に検知することができる。なお、副処理容器の内壁にイットリア上層５２を設けてもよい。
【００５１】
また、上述した本実施の形態では、イットリア皮膜５０がプラズマエッチングをウエハＷに施す基板処理装置１０に適用されたが、該イットリア皮膜５０はプラズマを用いる他の処理、例えば、ＣＶＤ処理をウエハＷに施す基板処理装置に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置用の部品が適用される基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１におけるＡ部の拡大図である。
【図３】図２のイットリア皮膜におけるイットリア基層やイットリア上層からのパーティクルの発生を説明するための図である。
【図４】図１の基板処理装置の第１の変形例の概略構成を示す断面図である。
【図５】図４におけるＢ部の拡大図である。
【図６】図１の基板処理装置の第２の変形例の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
Ｗ  ウエハ
１０  基板処理装置
１１  チャンバ
１２  サセプタ
１５  反応室
３６  排気系
４１  ＩＳＰＭ
５０  イットリア皮膜
５１  イットリア基層
５２  イットリア上層
６０  試験片
７０  サブチャンバ
【図１】
2009212293.tif 000003
【図２】
2009212293.tif 000004
【図３】
2009212293.tif 000005
【図４】
2009212293.tif 000006
【図５】
2009212293.tif 000007
【図６】
2009212293.tif 000008