(57)【要約】【課題】縦型基板処理装置において、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にする。【解決手段】所定温度、所定圧力に保持される反応室に処理ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、同一平面上に前記被処理基板を載置する基板載置部１４ａとこれに高周波電力を給電するための給電部１４ｂとを有し、前記反応室２０１に多段に支持される複数の電極１４と、相対峙する電極１４，１４同士を一対として、位相が１８０゜異なる高周波電力を、各対の給電部に供給する高周波電力供給手段と、を備える。【選択図】図５
2009212322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定温度、所定圧力に保持される基板の処理室に基板処理ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、
同一平面上に前記被処理基板を載置する基板載置部とこれに高周波電力を給電するための給電部とを有し、前記処理室に多段に支持される複数の電極と、
相対峙する電極同士を一対として位相が１８０゜異なる高周波電力を各対の給電部に供給する高周波電力供給手段と、
を備えた縦型基板処理装置。
【請求項２】
前記基板載置部の径は、被処理基板の径より大きいことを特徴とする請求項１に記載の縦型基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマを利用して基板の表面にエッチング、成膜、表面改質などの処理を施す基板処理装置に関し、特に、縦型の基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の縦型の基板処理装置において、処理ガスのプラズマ化により、ダメージの少ない低温での処理が試みられており、例えば、特許文献１に開示されている。
図１０は特許文献１に開示された従来の縦型基板処理装置を示す。図示されるように、この基板処理装置では、反応室２０１が縦型に形成されており、プラズマを発生させるための電極３２３，３２４が２本の電極支柱３０３，３０４に支持されている。奇数段の電極３２３は電極支柱３０３に、また、偶数段の電極３２４は電極支柱３０４に、それぞれ別々に支持されており、複数のウエハ２００は、それぞれ電極３２３，３２４に載置され、高周波電力を供給するための電力供給フィーダ３１８が各電極支柱３０３，３０４に対して切離可能に設けられている。高周波発生装置は、発信器３０８と、整合器３０９とを備えて構成されており、整合器３０９が発信器３０８に接続されている。電力供給フィーダ３１８が各電極支柱３０３、３０４に接触されると、発信器３０８の高周波電力によって相対峙する電極３２３、３２４間にプラズマが発生し、プラズマ化した処理ガス、すなわち、ラジカル、イオンによってウエハ２００が処理される。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２６９５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、処理室に電極を多段に設けると、縦型基板処理装置でもプラズマによる処理が可能となり、ダメージの低い低温での一括処理が可能となる。
しかし、電極を片持ち支持する構造には、電極とウエハの自重によって電極やウエハに撓みが発生する懸念があり、電極間のギャップを撓みに対応した間隔とすることが必要となり、そのために、ウエハを搭載するための空間が減少し、１バッチで処理できる被処理基板の枚数が減少してしまうことがある。
また、電極が電極支柱に固定されていると、取り外しができないためにメンテナンスが困難になるという問題もある。
そこで、本発明は、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の好ましい態様は、所定温度、所定圧力に保持される反応室に処理ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、同一平面上に前記被処理基板を載置する基板載置部とこれに高周波電力を給電するための給電部とを有し、前記反応室に多段に支持される複数の電極と、相対峙する電極同士を一対として、位相が１８０゜異なる高周波電力を各対の給電部に供給する高周波電力供給手段と、を備えた縦型基板処理装置を提供する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、より多くの被処理基板をプラズマにより一括処理することができる。また、電極のメンテナンスが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
まず、図１及び図２を参照して基板処理装置の構成について説明し、次に、図３乃至図５を参照してプラズマ処理のための構成について説明する。なお、この実施の形態に説明において、従来技術と同一構成部については同一符号を用いる。
【０００８】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されており、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。なお、図１は、斜透視図として示されており、図２は図１に示す処理装置を側面から見た透視図として示している。
【０００９】
図１及び図２に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、シリコン等からなるウエハ（被処理基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が用いられる。基板処理装置１００の筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能な開口部として正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置して位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出される。
【００１０】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内において、ロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置される。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間でポッド１１０を搬送するように構成される。
【００１１】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端に渡って構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１２】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。
移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。
【００１３】
図２に模式的に示されるように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧性の筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４の前方領域右端部との間に設置されている。
これらのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部とし、ツイーザ（基板保持体）１２５ｃによりボート（基板保持具）２１７へのウエハ２００の装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）を実施する。
【００１４】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。
待機部１２６の上方には反応炉２０２が設けられ、反応炉２０２の下部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
反応炉２０２には反応室（処理室ともいう）２０１が設けられる。
反応室２０１は誘電体からなる反応室壁２０２ａとシールキャップ１２９とで気密に区画されており、ヒータ３１４が反応室壁２０２ａを取り囲むように設けられる。反応炉２０２は、温度制御部（図示せず）により温度が制御されるヒータ３１４により、基板処理温度に昇温される。
【００１５】
図２に模式的に示すように、前記筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６の右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。
ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのエレベータアーム１２８には前記シールキャップ１２９が水平に据え付けられている。
シールキャップ１２９はボート２１７を垂直に支持し、反応炉２０２の下部を開閉する蓋体として構成されている。
シールキャップ１２９は、前記ボートエレベータ１１５のエレベータアーム１２８に支持されている。ボートエレベータ１１５により、エレベータアーム１２８が上昇し、シールキャップ１２９が反応炉２０２の反応室２０１を閉鎖すると、ボート２１７が反応室２０１に挿入、すなわち、搬入され、ボートエレベータ１１５によりエレベータアーム１２８が下降すると、反応室２０１からボート２１７が反応室２０１から搬出される。
【００１６】
図１に模式的に示すように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハ２００の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置及びウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出される。
【００１７】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
図１及び図２に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。
この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００１８】
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられると共に、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置にてウエハ２００を整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ウエハ移載装置１２５ａはボート２１７にウエハ２００を受け渡した後は、ポッド１１０に戻って次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
【００１９】
一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２０】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた反応炉２０２の下部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ１２９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、反応炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。
【００２１】
ローディング後は、反応炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。
処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハ２００の整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体１１１の外部へ払い出される。
【００２２】
図３は本実施の形態に係るボート２１７と、ウエハ２００をプラズマ処理するための反応室２０１を示し、図５は図３のＡ−Ａ矢視図、図４は図３の反応室２０１を上部から見た図である。
【００２３】
まず、反応室２０１を含めたその周辺部について説明する。
反応炉２０２には、ドーム状の反応室２０１が形成され、反応室２０１の炉口下方に、前記ボートエレベータ１１５が設置される。
反応室２０１には、反応室内雰囲気を排気するための排気管５と、反応室２０１に処理ガスを導入するためのガス導入管７とが接続される。排気管５には、減圧排気装置として
の真空ポンプ６が接続されている。
処理ガスとしては、例えば、酸素を含む酸化ガス、成膜のための原料ガスが導入される。
【００２４】
ボート２１７は、底板２１７ａと、底板２１７ａに立設された複数本の保持部材２１７ｂとを備えて構成される。保持部材２１７ｂは、底板２１７ａの中心を挟んでその外周部に設けられており、それぞれ底板２１７ａから上方に延びて反応室２０１の天井付近に及んでいる。各保持部材２１７ｂには電極１４を水平に支持するため支持部材２１７ｃが設けられている。支持部材２１７ｃは上下方向に間隔を隔てて多段に設けられており、それぞれ保持部材２１７ｂの外周面から半径方向内向きに延びている。電極１４は、支持部材２１７ｃの各段に載置され、ウエハ２００が各電極１４に載置される。
【００２５】
図４に示されるように、前記電極１４は、円板状の基板載置部１４ａと、この基板載置部１４ａに外周部から高周波電力を給電するための給電部１４ｂとを備えて形成されており、基板載置部１４ａと給電部１４ｂとは、電極１４の厚みを薄くするため互いに同一平面上に設けられている。そして、給電部１４ｂは基板載置部１４ａの外周部と接続されていて、基板載置部１４ａの外周面から外向きに適宜突出している。
【００２６】
図３乃至図５に示すように、ウエハ２００を基板載置部１４ａに直置きする構成とすると、基板載置部１４ａ及び給電部１４ｂの厚みを薄くしてもプラズマを発生させることが可能となり、また、基板載置部１４ａと給電部１４ｂとが同一平面上に形成されると、給電部１４ｂの厚みを薄くすることができる。
従って、電極１４が薄くなる分、電極１４をより多く反応室２０１に配置することが可能となり、反応室２０１の空間の有効な利用が可能になる。このため、本実施の形態では、相対峙する電極１４間のギャップを、プラズマ放電に適した最小のギャップとしており、これにより、２００枚のウエハ２００の搭載を可能にしている。
なお、基板載置部１４ａにウエハ２００を直置きする構成では、基板載置部１４ａの厚みを薄くすることができ、その分、反応室２０１の空間をウエハ２００の装填のための空間として利用できるので、図６に示すように、電極１４の給電部１４ｂを基板載置部１４ａの外周側下面に設けるようにしてもよい。このようにして、特許文献１に記載された縦型基板処理装置より、多くのウエハ２００を処理することが可能となる。
【００２７】
図３及び図４に示すように、高周波電力供給装置（高周波電力供給手段）は、発信器３０８、整合器３０９、絶縁トランス３１０及び２本の高周波電力供給フィーダ３１１で構成される。この実施の形態では、高周波電力供給フィーダ３１１の一方が奇数段の電極１４の各給電部１４ｂと絶縁トランス３１０の電極の一方に接続され、他方の高周波電力供給フィーダ３１１が、偶数段の電極１４の各給電部１４ｂと絶縁トランス３１０の電極の他方に接続される。また、絶縁トランス３１０が整合器３０９を介して発信器３０８に接続される。そして、発信器３０８及び整合器３０９からなる一次側の回路にアースが接続される。
【００２８】
基板処理の際は、まず、真空ポンプ６により反応室２０１が所定圧力に減圧され、この後、前記ガス導入管７より反応室２０１に処理ガスが供給される。その後、前記ヒータ３１４により反応室２０１内が昇温される。
そして、プラズマ処理に適した温度、圧力に反応室２０１内を保持されながら位相の１８０゜ずれた発信器３０８の高周波電力が整合器３０９を介して相対峙する電極１４の各対の給電部１４ｂに供給される。
これにより、電極１４の各対間では、ウエハ２００の表面から一定の距離に、被処理基板としてのウエハ２００の全域に渡って広がるプラズマが生成され、生成されたプラズマにより、処理ガスがプラズマ化される。
処理ガスがプラズマ化されると、処理ガスのイオン、ラジカルによって各ウエハ２００の被処理面が処理される。
【００２９】
図９は基板載置部１４ａの直径をＤ、ウエハ２００の直径ｄとし、Ｄ−ｄを０ｍｍ、つまり、基板と基板載置部の直径をほぼ同じとした場合のプラズマの面内分布及びウエハ２００における面内処理の結果を示し、図７はＤ−ｄを４４ｍｍ（片幅２２ｍｍ）とした場合のプラズマの面内分布及びウエハ２００における面内処理の結果を示し、図８はＤ−ｄを２０ｍｍ（片幅１０ｍｍ）とした場合のプラズマの面内分布及びウエハ２００における面内処理の結果を示す。なお、図７〜図９は、膜厚の大小が明度の違いで表されており、明度が大きい（白色）と膜厚が大きくなり、明度が小さい（黒色）と膜厚が小さくなる。
なお、試験での処理条件は次のように定めている。
処理ガス：窒素ガス
反応室内温度：常温（２５℃）
処理時間：１０ｍｉｍ
ＲＦ電力（高周波電力）：電極１４一枚当たりで７５ｋｗ
【００３０】
図９の結果から、基板と基板載置部の直径がほぼ同じ大きさの場合は、給電部１４ｂ周辺にプラズマが集中し、面内プラズマ密度が不均一になる。
また、ウエハ２００の窒化膜の厚みは、プラズマが集中する給電部１４ｂ付近や外周部が他の部分と比べて薄くなる傾向があり、処理の基準値を満たしていないことが確認された。
【００３１】
図７の結果から、基板載置部１４ａの直径Ｄがウエハ２００の直径ｄよりも４４ｍｍ大きい場合は、給電部１４ｂ付近や外周部のプラズマの集中が改善され、基板載置部１４ａの中心部付近に及んで全体的に均一なプラズマが形成されること、ウエハ２００の窒化膜の厚みが面内均一化されることが分かる。
【００３２】
また、図８の結果からＤ−ｄを１０ｍｍとした場合は、プラズマ密度の面内均一性がさらに向上し、窒化膜の面内膜厚もＤ−ｄが４４ｍｍの場合よりも向上した。
【００３３】
よって、
（１）ウエハ２００の面内処理の不均一さは、プラズマ密度の不均一さに起因して発生し、プラズマ密度が均一化されると、ウエハ２００の面内処理が均一化される、
（２）電極１４の基板載置部１４ａの直径を大きくすると、エネルギ損失が少なくなり、効率的にプラズマが生成されると共に、安定放電領域も広がるので、面内処理の均一性が向上する、
（３）Ｄ−ｄは、１０ｍｍ以上とするのが好ましい、
ことが分かる。
【００３４】
このような結果から、Ｄ−ｄは１０ｍｍ以上とされるが、現状のウエハサイズ、既設の設備にこれを適用する場合は、寸法や取り合い上の制約があるので、Ｄ−ｄは１０〜４４ｍｍとするのが好ましい。
【００３５】
また、前記ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃは精度がよく、給電部１４ｂに対するウエハ２００の位置ずれは発生しにくいが、万一の位置ずれを想定すると、Ｄ−ｄは１０ｍｍ以上とするのが望ましい。なお、基板載置部１４ａにウエハ２００の位置決のための凹凸を設けた場合には、このような問題も解消される。
【００３６】
なお、前記ツイーザ１２５ｃのウエハ２００移載の際の逃げが必要な場合は、前記基板載置部１４ａを平面的Ｃリング状に形成し、中心部を通る切欠をツイーザ１２５ｃの逃が
しとしてもよい。
【００３７】
［付記］
以下に、本発明の実施の好ましい態様を付記する。
【００３８】
＜実施の態様１＞
所定温度、所定圧力に保持される反応室に処理ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、同一平面上に前記被処理基板を載置する基板載置部とこれに高周波電力を給電するための給電部とを有し、前記反応室に多段に支持される複数の電極と、
相対峙する電極同士を一対として位相が１８０゜異なる高周波電力を各対の給電部に供給する高周波電力供給手段と、を備えた縦型基板処理装置を提供する。
【００３９】
電極を直置するので、電極の厚みが薄くなり、また、給電部が嵩張ることがない。このため、相対峙する電極間の間隔（ギャップ）は、プラズマ生成が可能な最小の間隔に設定され、一括処理する被処理基板の枚数が増加する。
基板処理に際し、高周波電力供給手段から相対峙する電極の各対の給電部に、位相の１８０゜異なる高周波電力が供給すると、プラズマ化した処理ガスによって各被処理基板の被処理面が処理される。
【００４０】
＜実施の態様２＞
実施の態様１に記載の基板処理装置であって、前記基板載置部の径は、被処理基板の径より大きいことを特徴とする縦型基板処理装置を提供する。
【００４１】
このように基板載置部の径が、被処理基板の径より大きいと、エネルギ損失が少なくなり、効率的にプラズマが生成されると共に、安定放電領域も広がるので、基板の面内処理が均一化される。
【００４２】
＜実施の態様３＞
実施の態様１又は２に記載の基板処理装置であって、前記基板載置部の直径をＤ、前記被処理基板の直径をｄとして、Ｄ−ｄが１０ｍｍ以上を満足するように定められた縦型基板処理装置を提供する。
なお、Ｄ−ｄは、被処理基板の直径Ｄを基準として定められるものとする。また、既設の基板処理装置に適用する場合は、Ｄ−ｄは１０〜４４ｍｍの範囲に定めるのが好ましい。
【００４３】
このようにＤ−ｄが決定されると、被処理基板外周から給電部が遠ざかり、プラズマの分布に対する給電部の影響が小さくなり、また、給電部付近のプラズマの面内分布が均一化されるので、基板の面内処理が均一化される。
【００４４】
この結果、高周波電力を印加した際の基板載置部の面内プラズマ密度が略一様になり、基板載置部に載置される被処理基板の面内処理が均一化される。
【００４５】
＜実施の態様４＞
実施の態様１乃至３いずかに記載の縦型基板処理装置であって、前記各電極が誘電体からなる支持手段を介して多点で支持される基板処理装置を提供する。
【００４６】
このようにすると被処理基板の搬入、搬出が容易になる。
【００４７】
＜実施の形態５＞
実施の態様４に記載の縦型基板処理装置であって、前記支持手段が、各電極を多段に支
持させるための支持部と、センタリングのための位置決め部とを有するボートから構成された縦型基板処理装置を提供する。
【００４８】
このようにすると、位置決め部により基板載置部がセンタリングされ、位置ずれが生じないので、基板載置部におけるプラズマ密度が全体に一様になり、基板載置部に載置される被処理基板の面内処理が均一になる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の斜透視図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を側面から見た断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の基本的な構成を示す解説図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係り、電極と高周波電力供給装置との接続状態を示す解説図である。
【図５】本実施の一実施の形態に係り、基板処理装置の一部切欠断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係り、電極の他の形態を示す側面図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係り、電極のプラズマ分布を示す図である。
【図８】同じく、電極のプラズマ分布を示す図である。
【図９】電極のプラズマ分布の比較例を示す図である。
【図１０】従来の縦型基板処理装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１４    電極
１４ａ  基板載置部
１４ｂ  給電部
２００  ウエハ（被処理基板）
２０１  反応室
２１７  ボート（支持手段）
３０８  発信器（高周波電力供給手段）
３０９  整合器（高周波電力供給手段）
３１０  絶縁トランス（高周波電力供給手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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