(57)【要約】      （修正有）【課題】低コストでコンパクトな構造を有する測定装置を提供する。【解決手段】磁界を測定する測定装置１は、測定コイル３と、低周波磁界を測定するセンサ４とを有し、測定コイル３とセンサとは、延在面が磁界の流れ方向に対してそれぞれ交差するように当該磁界に位置決めされるか又は位置決め可能である。測定コイル３とセンサ４とは信号処理デバイス９と接続されており、当該信号処理デバイス９を用いて、測定コイル３によって提供された第１測定信号とセンサによって提供された第２測定信号とに依存して、磁界に実質的に対応する出力信号を生成することができる。測定コイル３とセンサと信号処理デバイス９とは、半導体チップ２にモノリシックに集積されている。測定コイル３は、センサと信号処理デバイス９とを有する半導体チップ２が配設された導体板の導体路によって形成することもできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの測定コイル(3, 3', 3'')と、低周波磁界を測定する少なくとも１つのセンサとを有し、前記測定コイル(3, 3', 3'')と前記センサとは、延在面が磁界(B)の流れ方向に対してそれぞれ交差するように当該磁界に位置決めされるか又は位置決め可能であり、前記測定コイル(3, 3', 3'')と前記センサとは信号処理デバイス(9)と接続されており、当該信号処理デバイス(9)を用いて、前記測定コイル(3, 3', 3'')によって提供された第１測定信号と前記センサによって提供された第２測定信号とに依存して、前記磁界(B)に実質的に対応する出力信号を生成することができる、磁界(B)を測定する測定装置(1)であって、
前記測定コイル(3, 3', 3'')と前記センサと前記信号処理デバイス(9)とが、半導体チップ(2)にモノリシックに集積されていることを特徴とする、測定装置(1)。
【請求項２】
前記測定コイル(3, 3', 3'')の巻線は、実質的に前記半導体チップ(2)の外輪郭(11)及び／又は当該外輪郭に対して略平行に離間した線に沿うことを特徴とする、請求項１記載の測定装置(1)。
【請求項３】
前記少なくとも１つのセンサを有する半導体チップ(2)は、平坦な支持体上に設けられており、前記測定コイル(3, 3', 3'')は、前記支持体に配設された少なくとも１つの導体路で形成される、測定装置(1)であって、前記センサと前記信号処理デバイス(9)とは、前記支持体上に設けられた半導体チップ(2)にモノリシックに集積されていることを特徴とする、請求項１記載の測定装置(1)。
【請求項４】
前記測定コイル(3, 3', 3'')の少なくとも１つの巻線が張設された平面と前記センサ（単数又は複数）の延在面とは、実質的に前記半導体チップ(2)の主延在面に及び／又は当該主延在面と平行に配置されることを特徴とする、請求項１ないし３いずれか１項に記載の測定装置(1)。
【請求項５】
前記測定コイル(3, 3', 3'')の少なくとも１つの巻線が張設された平面と前記センサ（単数又は複数）の延在面とは、前記半導体チップ(2)の主延在面に対して交差、特に、略直交するように配置されることを特徴とする、請求項１ないし４いずれか１項に記載の測定装置(1)。
【請求項６】
前記測定装置(1)は、前記少なくとも１つの第１測定コイル(3)及び前記低周波磁界を測定する少なくとも１つの第１センサに加えて、少なくとも１つの第２測定コイル(3')及び低周波磁界を測定する少なくとも１つの第２センサと、少なくとも１つの第３測定コイル(3'')及び低周波磁界を測定する少なくとも１つの第３センサとを有することと、前記測定コイル(3, 3', 3'')とセンサとは前記半導体チップ(2)にモノリシックに集積されるか、又は前記支持体に配設されることと、前記第１測定コイル(3)及び第１センサの延在面への法線が第１測定方向に向けられることと、前記第２測定コイル(3')及び第２センサの延在面への法線が第２測定方向に向けられることと、前記第３測定コイル(3'')及び第３センサの延在面への法線が第３測定方向に向けられることと、前記第２測定方向が前記第１測定方向に対して直交し、前記第３測定方向が前記第１測定方向及び前記第２測定方向に対して直交するように配置されることを特徴とする、請求項１ないし５いずれか１項に記載の測定装置(1)。
【請求項７】
前記測定コイル(3, 3', 3'')は、少なくとも２つの互いに離間する導体路面(12a, 12b)を有することと、前記第１導体路面の導体路(12a)は、前記少なくとも１つの第２導体路面の導体路(12b)に対して交差し、好ましくは直角に延びることと、前記第１導体路面の導体路(12a)は、前記少なくとも１つの第２導体路面の導体路(12b)とスルーコンタクト(13)を介して接続されることとを特徴とする、請求項１ないし６いずれか１項に記載の測定装置(1)。
【請求項８】
前記測定コイル(3, 3', 3'')は、少なくとも１つの導体路面に、入れ子状に配置された複数の巻線をもつ導体路(12a, 12b)を有することを特徴とする、請求項１ないし７いずれか１項に記載の測定装置(1)。
【請求項９】
前記少なくとも１つの測定コイル(3, 3', 3'')の測定方向と前記少なくとも１つのセンサの測定方向とは、互いに交差、特に直交するように配置されることを特徴とする、請求項１ないし８いずれか１項に記載の測定装置(1)。
【請求項１０】
前記センサ、又は測定コイル(3, 3', 3'')延在面に直交する前記センサの投影は、前記測定コイル(3, 3', 3'')の内側に配置されることを特徴とする、請求項１ないし９いずれか１項に記載の測定装置(1)。
【請求項１１】
請求項１ないし１０いずれか１項に記載の少なくとも１つの測定装置(1)と、磁極(18)を有する少なくとも１つのトランスミッタ(17)とを備え、前記測定装置(1)に対する前記トランスミッタ(17)の支持位置は、前記磁極(18)が測定装置(1)の近傍を通過できる位置である、位置、速度及び／又は加速度センサ(19)。
【請求項１２】
前記トランスミッタ(17)は、前記測定装置(1)に対して回動可能に支持されていることを特徴とする、請求項１０記載の位置、速度及び／又は加速度センサ(19)。
【請求項１３】
前記トランスミッタ(17)は、前記測定装置(1)に対して変位可能に支持されていることを特徴とする、請求項１１記載の位置、速度及び／又は加速度センサ(19)。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの測定コイルと、低周波磁界を測定する少なくとも１つのセンサとを有し、前記測定コイルと前記センサとは、延在面が磁界の流れ方向に対してそれぞれ交差するように当該磁界に位置決めされるか又は位置決め可能であり、前記測定コイルと前記センサとは信号処理デバイスと接続されており、当該信号処理デバイスを用いて、前記測定コイルによって提供された第１測定信号とホールセンサによって提供された第２測定信号とに依存して、前記磁界に実質的に対応する出力信号を生成することができる、磁界を測定する測定装置に関する。この場合、低周波磁界を測定するセンサは、低周波及び／又は一定の磁界において測定コイルよりも大きい測定精度及び／又は測定感度を有するセンサと解される。低周波磁界を測定するセンサは、特に、ホールセンサ及び／又は磁気抵抗センサであり得る。
【背景技術】
【０００２】
導体を流れる電流によって生成される磁界を測定するために設けられるこのような測定装置は、ＤＥ６９８０２２０３Ｔ２（特許文献１）から公知である。この測定装置は、電導体から導体板の平面に対して法線方向に貫設された開口部をもつ導体板を有する。導体板上には、電流を通す導体を画成するロゴスキーコイルがプリント回路として設けられる。導体板上のロゴスキーコイルと導体との間には、複数のホールセンサが導体の周囲に規則的間隔で配置される。ロゴスキーコイルを用いることで、特に磁界に含まれる高周波信号成分を高精度で測定することができる。またホールセンサを用いることで、低周波信号成分と磁界の直流成分とを測定することができる。ロゴスキーコイルの側方近傍には、導体路を介してロゴスキーコイル及びホールセンサと接続された信号処理デバイスのための電子部品が配設されている。信号処理デバイスによって、ロゴスキーコイル及びホールセンサの測定信号から、導体を流れる電流の像である出力信号が形成される。
【０００３】
この測定装置は、電流若しくは電流によって誘導される磁界の広帯域測定を実現するが、依然として比較的高コストで高価である。また、この測定装置の寸法は、未だ比較的大きい。
【０００４】
【特許文献１】ＤＥ６９８０２２０３Ｔ２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、低コストでコンパクトな構造を実現する冒頭で述べた測定装置を提示することが課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、測定コイルとセンサと信号処理デバイスを半導体チップにモノリシックに集積することによって解決される。その場合、測定コイルは、半導体製造法によって再現可能な寸法で所定どおり製造することができる。また、測定装置の製造時に測定コイルをセンサに対して非常に精確に位置決めすることができる。このことにより、測定装置は高い測定精度を実現する。
【０００７】
測定コイルの巻線が実質的に半導体チップの外輪郭及び／又は当該外輪郭に対して略平行に離間する線に沿うならば有利である。そうすることで、半導体チップのチップ面を貫通する磁束の略全部を測定コイルにおける電圧の誘導に利用することができる。このことにより、測定装置は高い測定感度を実現する。
【０００８】
上記課題は、平坦な支持体に半導体チップを配設し、支持体に設けられた少なくとも１つの導体路で測定コイルを形成する冒頭で述べた種類の測定デバイスにおいて、支持体に配設された半導体チップにセンサと信号処理デバイスをモノリシックに集積することによっても解決できる。この場合、支持体は、剛性の電気絶縁板又は可撓性の電気絶縁膜であり得る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の好ましい実施形態では、測定コイルの少なくとも１つの巻線が張設された平面とセンサ（単数又は複数）の延在面とは、実質的に半導体チップの主延在面に及び／又は当該主延在面と平行に配置される。そうすることで、センサ及び／又は測定コイルは、相応の大きい面を有することができ、このことは、測定装置の高感度を実現する。
【００１０】
本発明の別の有利な実施形態では、測定コイルの少なくとも１つの巻線が張設された平面とセンサ（単数又は複数）の延在面とは、前記半導体チップの主延在面に対して交差、特に、略直交するように配置される。これにより、センサと、場合によっては測定コイルとが、比較的小さいチップ面を必要とするにすぎず、半導体チップの寸法をコンパクトにすることができ、これに応じて抵コストで製造できるようになる。
【００１１】
本発明の更なる実施形態では、測定装置は、少なくとも１つの第１測定コイル及び低周波磁界を測定する少なくとも１つの第１センサに加えて、少なくとも１つの第２測定コイル及び低周波磁界を測定する少なくとも１つの第２センサと、少なくとも１つの第３測定コイル及び低周波磁界を測定する少なくとも１つの第３センサとを有し、測定コイルとセンサとは半導体チップにモノリシックに集積されるか、又は支持体に配設されることと、第１測定コイル及び第１センサの延在面への法線が第１測定方向に向けられ、第２測定コイル及び第２センサの延在面への法線が第２測定方向に向けられ、第３測定コイル及び第３センサの延在面への法線が第３測定方向に向けられ、第２測定方向が第１測定方向に対して直交し、第３測定方向が第１測定方向及び第２測定方向に対して直交するように配置される。そうすることで、測定方向は、カルテシアン座標系のｘ軸、ｙ軸、若しくはｚ軸の方向に相当し、これらの測定方向を用いることで磁界のｘ成分、ｙ成分、及びｚ成分を容易に測定することができる。これにより、空間における磁界ベクトルの位置と大きさとを決定することが可能である。
【００１２】
少なくとも１つの測定コイルが、少なくとも２つの互いに離間する導体路面を有し、第１導体路面の導体路が少なくとも１つの第２導体路面の導体路に対して交差し、好ましくは直角に延び、かつ第１導体路面の導体路が少なくとも１つの第２導体路面の導体路とスルーコンタクトを介して接続されるならば有利である。そうすることで、測定コイルは、多数の巻線を有することができる。場合によっては、半導体チップが、測定コイルのための導体路を有する導体路面に加えて、信号処理デバイスのために及び／又は半導体チップに集積される少なくとも１つの回路のために必要な導体路が設けられた少なくとも１つの更なる導体路面を有することさえ可能である。
【００１３】
本発明の別の有用な実施形態では、測定コイルは、少なくとも１つの導体路面に、入れ子状に配置された複数の巻線をもつ導体路を有する。この場合、導体路は、例えば、らせん形又は多角形状の経路を有し得る。
【００１４】
本発明の有利な一実施形態では、少なくとも１つの測定コイルの測定方向と少なくとも１つのセンサの測定方向とは、互いに交差、特に直交するように配置される。このような構成は、測定される磁界が互いに対して法線方向に配置される複数の成分Ｂx、Ｂy、Ｂzを有し、かつこれらの成分が互いに関連付けられるような応用領域で使用することが好ましい。このような測定デバイスは、特に自動車において使用することができる。
【００１５】
センサ、又は測定コイル延在面に直交するセンサの投影が、測定コイルの内側に配置されることは有用である。このことにより、半導体チップ上の利用可能なチップ面を特に無駄なく利用することができる。
【００１６】
少なくとも１つの磁極を有する少なくとも１つのトランスミッタを備え、測定装置に対するトランスミッタの支持位置は、磁極が測定装置の近傍を通過できる位置である。位置、速度及び／又は加速度センサに本発明による測定装置を含んでもよい。この測定装置を用いることで、トランスミッタの運動を広い速度範囲にわたって高精度で検出することができる。磁極は、少なくとも１つの永久磁石及び／又は極コイルを有し得る。
【００１７】
本発明の有利な一実施形態では、トランスミッタが測定装置に対して回動可能に支持される。このようなトランスミッタは、例えば、回転する機械部品、例えば、シャフト、内燃機関の回転部材又は電気機器の回転子等の位置、角速度、及び／又は角加速度を検出するために設けることができる。
【００１８】
本発明の別の有利な実施形態では、トランスミッタは、測定装置に対して変位可能に支持される。このような測定装置は、特に、スライドガイドのリニアモータ及び／又はバルブシャフトに配設することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１において全体が１で示された磁界を測定する測定装置は、測定コイル３とホールセンサ４とがモノリシックに集積された半導体チップ２を有する。測定コイル３とホールセンサ４の延在面は、それぞれ半導体チップ２が張設された図１の図面の平面にほぼ相当する面に配置されている。測定される磁界の磁束は、この面に対して交差し、好ましくは直角に延びる。
【００２０】
測定コイル３は、その終端に第１電気端子５を有しており、当該電気端子５には、磁界が変化すると測定コイル３で誘導される電圧に対応する第１測定信号が存在する。第１測定信号は、誘導の法則に従って磁界の変化速度に略比例し、それゆえ磁界に含まれる比較的高い周波数の信号成分が低周波信号成分よりも測定信号に強く表れる。直流成分が磁界に含まれていたとしても、測定コイル３に測定信号を発生させることはない。
【００２１】
ホールセンサ４は、２つの互いに離間する第２電気端子７が設けられたホールプレート６を有しており、第２電気端子７には、詳細には図示されない測定電流源によって提供される定電流が供給される。ホールプレート６には、磁界を発生させるホール電圧を取り出すための第３電気端子８が更に設けられる。ホール電圧は、以下において第２測定信号とも称される。第２測定信号では、磁界に含まれる直流成分と同様に交流成分も考慮される。しかし磁界の周波数が増加するとともに、第２測定信号は減少する。
【００２２】
第１電気端子５と第３電気端子８は、半導体チップ２にモノリシックに集積された電気回路としての信号処理デバイス９の入力とそれぞれ接続されている。信号処理デバイス９は、第１測定信号と第２測定信号に依存して、磁界に対応する出力信号を生成する。この出力信号は、出力１０で取り出すことができる。出力信号では、磁界の直流成分と低周波及び高周波成分とが等しく考慮されるので、広い周波数範囲にわたり略線形の周波数応答を示す。
【００２３】
図１において、測定コイル３が、それぞれ複数の直線の導体路区間から構成された複数の巻線を有することがわかる。個々の導体路区間は、半導体チップ２の外輪郭１１に対して平行に延びる線に沿ってそれぞれ延びる。測定コイル３の中心から半導体チップ２の縁端に向かって直線の導体路区間の長さが巻線ごとに大きくなる。
【００２４】
測定コイル３は、２つの互いに離間する導体路面を有する。図面において、第１導体路面の導体路１２ａは実線で示され、第２導体路面の導体路１２ｂは破線で示される。半導体チップ２の平面図において、第１導体路面の導体路１２ａが第２導体路面の導体路１２ｂに対して略直角に延びることがはっきりわかる。異なった導体路面の導体路１２ａ、１２ｂがスルーコンタクトによって互いに接続されている。
【００２５】
ホールセンサ４、又は測定コイル３の延在面に直交するホールセンサの投影が、測定コイル３の内側の最も内側の巻線によって画成された領域に配置される。ホールプレート６と信号処理デバイスとの間の接続導体路１４は、導体路１２ａ間の第１導体路面に延びる。
【００２６】
図２に示す実施例では、ホールプレート６が延在する面は、半導体チップ２の主延在面に対して直交している。測定コイル３の巻線は、ホールプレート６の面に対して略平行に延びる。
【００２７】
測定コイル３は、２つの互いに平行に離間する導体路面を有する。図面において、第１導体路面の導体路１２ａは実線で示され、第２導体路面の導体路１２ｂとスルーコンタクト１３はそれぞれ破線で示される。第１導体路面の導体路１２ａは、第２導体路面の導体路１２ｂに対して略平行に延びる。
【００２８】
図３に示す実施例では、半導体チップ２は、測定コイル３を形成する導体路が設けられた平坦な支持体１５を有する導体板に配設されている。ホールセンサ４と信号処理デバイス９は、半導体チップ２にモノリシックに集積されている。信号処理デバイス９は、半導体チップ２に設けられた端子接点１６を介して測定コイル３の終端と、例えばはんだ箇所を介して電気的に接続されている。半導体チップ２とホールセンサ４のホールプレートの延在面は、支持体１５の面に対して略平行に延びる。測定コイル３の巻線は、実質的に半導体チップ２の周囲に延びる。必要に応じて、導体板１５は、測定コイル３の一部分をそれぞれ形成する導体路をもつ複数の層を有することができる。このことにより、更に多くの巻線が実現される。個々の導体路層は、スルーコンタクトを介して直列接続及び／又は端子接点１６と接続することができる。
【００２９】
図４に示す実施例では、測定コイル３の導体路は、測定コイル３の巻線が張設された平面が、支持体１５の延在面に対して略直交して延在するように支持体１５上に配置されている。導体板は、支持体１５の延在面に対して交差して互いに離間する、導体路をもつ２つの平面を有している。各導体路面は、互いに略平行に延びる導体路区間を有し、当該導体路区間は、それぞれに割り当てられた別の導体路面の導体路区間とスルーコンタクトを介して接続されている。
【００３０】
半導体チップ２は、測定コイル３を介して支持体１５上に配設されている。半導体チップ２が延在する平面は、支持体１５の延在面に対して略平行に延びる。図３の実施例に示すように、ホールセンサ４と信号処理デバイス９は、半導体チップ２にモノリシックに集積されている。信号処理デバイス９は、半導体チップ２に設けられた端子接点１６を介して測定コイル３の終端に接続されている。ホールプレート６が延在する平面は、半導体チップ２の延在面に対して直交するように配置される。
【００３１】
測定装置１は、位置、速度及び／又は加速度センサ１９に配設することができる。測定装置１は、当該測定装置に対して両頭矢印２０の方向に可動に支持されたトランスミッタ１７を有しており、図５に示す実施例では、当該トランスミッタ１７は、軸２１に回転可能に支持されたトランスミッタホイールとして形成されている。トランスミッタ１７は、略半径方向に磁化された永久磁石の複数の磁極１８を有し、当該磁極１８は、トランスミッタ１７の外周部に円周方向に連続的に配置されている。この場合、Ｎ極とＳ極とがそれぞれ交互になっている。磁極１８は、トランスミッタの内周部で磁気伝導ヨーク２２を通じて互いに接続されている。
【００３２】
磁極１８は、測定装置１の近傍を通過でき、その際、測定コイル３とホールプレート６の延在面に対してそれぞれ略直交して貫通する交流磁束を発生させる。測定装置１の磁極１８の近傍を通過するたびに信号処理デバイス９の出力信号にパルス又はパルス片が生成され、このことは、磁極１８が測定装置１の近傍を非常に低速で通過しても、高速で通過しても行われる。
【００３３】
図５において、半導体チップ２がフレーム２３上に配置され、例えば電気絶縁性プラスチック等の注封材料２４が充填されることが更にわかる。
【００３４】
図６による位置、速度及び／又は加速度センサ１９では、トランスミッタ１７は、測定装置１に対して半導体チップ２の平面と平行に変位可能である。磁極１８は、軟磁性ヨーク２２において変位方向に隣り合って並設されている。
【００３５】
図７に示す実施例では、測定装置１が電流Ｉを通す導電体２５に近設されており、電流Ｉによって誘導された磁束Ｂが測定コイル３とホールプレート５の延在面に対してそれぞれ略直交して貫通するようになっている。信号処理デバイス９は、その出力信号が導体２５を通って流れる電流の像になるように形成されている。測定装置１は、詳細には図示されないブラケットを介して導体２５に対する所定の位置に位置決めすることができる。
【００３６】
図８に示す更なる実施例では、第１測定コイル３と第１ホールセンサに加えて第２測定コイル３’及び第２ホールセンサ４’と、第３測定コイル３’’及び第３ホールセンサ４’’とが半導体チップ２に集積される。第１及び第２ホールセンサ４、４’は、垂直ホールセンサとして、そして第３ホールセンサ４’’は水平ホールセンサとして形成される。これに対応して、第１及び第２測定コイル３、３’の延在面は、半導体チップ２のチップ面に対して法線方向に配置され、第３測定コイル３’’の延在面は、半導体チップ２の平面に対して平行に配置される。
【００３７】
第１測定コイル３及び第１センサ４の延在面への法線は、ｘ軸方向を指す第１測定方向に向けられる。第２測定コイル３’及び第２センサ４’の延在面への法線は、ｙ軸方向を指す第２測定方向に向けられる。第３測定コイル３’’及び第３センサ４’’の延在面への法線は、ｚ軸方向を指す第３測定方向に向けられる。ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸は、互いに直交に配置され、カルテシアン座標系を形成する。  
【００３８】
測定コイル３、３’、３’’の第１電気端子５とセンサ４、４’、４’’の第２電気端子５とは、それぞれに割れ当てられた、詳細には図示されない導体路を介して、半導体チップ２に集積された信号処理デバイス９の入力と接続されている。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は測定コイル、ホールセンサ、及び信号処理デバイスがモノリシックに集積され、ホールセンサのホールプレートと信号処理デバイスとが単に模式的に示される半導体チップの第１実施例の平面図である。
【図２】図２はいわゆる垂直ホールプレートが集積された半導体チップの第２実施例の平面図である。
【図３】図３は測定コイルとホールセンサと信号処理デバイスを含む半導体チップとが導体板に配設された測定装置である。
【図４】図４は測定コイルの巻線が張設された面が、導体板の延在面に対して略直交して延在する測定装置の更なる実施例である。
【図５】図５は位置、速度及び／又は加速度センサの第１実施例の断面図である。
【図６】図６は位置、速度及び／又は加速度センサの第２実施例の断面図である。
【図７】図７は導体における電流に対応する測定信号を検出する測定装置である。
【図８】図８は磁界のベクトルを測定するために設けられた３つの測定コイルと３つのホールセンサとを有する半導体チップの第３実施例である。
【符号の説明】
【００４０】
１    測定装置
２    半導体チップ
３、３’、３’’  測定コイル
４、４’、４’’  センサ
５    電気端子
６    ホールプレート
７    電気端子
８    電気端子
９    信号処理デバイス
１０  出力
１１  外輪郭
１２ａ、１２ｂ  導体路
１３  スルーコンタクト
１４  導体路
１５  支持体
１６  端子接点
１７  トランスミッタ
１８  磁極
１９  位置、速度及び／又は加速度センサ
２０  両頭矢印
２１  軸
２２  軟磁性ヨーク
２３  フレーム
２４  注封材料
２５  導電体
Ｂ    磁界
Ｉ    電流
【図１】
2009069148.tif 000003
【図２】
2009069148.tif 000004
【図３】
2009069148.tif 000005
【図４】
2009069148.tif 000006
【図５】
2009069148.tif 000007
【図６】
2009069148.tif 000008
【図７】
2009069148.tif 000009
【図８】
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