(57)【要約】【課題】窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層とこれらの間に形成された活性層を備える発光構造物と、上記ｎ型窒化物半導体層及び上記ｐ型窒化物半導体層とそれぞれ電気的に連結されたｎ型電極及びｐ型電極及び上記ｎ型窒化物半導体層と上記ｎ型電極との間に形成され、Ｉｎを含む物質からなる第１層及び上記第１層上に形成されＷを含む物質からなる第２層を備えるｎ型オーミックコンタクト層とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。本発明によると、熱処理工程を経なくても熱的に安定し電気的特性に優れたｎ型電極を備える窒化物半導体発光素子を提供することが出来る。さらに、本発明によると、上記のような優れた熱的・電気的特性を表すための最適化した窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することが出来る。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層とこれらの間に形成された活性層を備える発光構造物と、
前記ｎ型窒化物半導体層及び前記ｐ型窒化物半導体層とそれぞれ電気的に連結されたｎ型電極及びｐ型電極と、
前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｎ型電極との間に形成され、Ｉｎを含む物質からなる第１層及び前記第１層上に形成されＷを含む物質からなる第２層を備えるｎ型オーミックコンタクト層と、
を含む窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１層は、Ｉｎ合金からなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記Ｉｎ合金に含まれる元素は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｏ及びＭｇで構成されたグループから選択された少なくとも一つの元素であることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２層は、Ｗ合金からなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記Ｗ合金に含まれる元素は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｈｆ及びＭｇで構成されたグループから選択された少なくとも一つの元素であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１層の厚さは、１０〜３００Åであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２層の厚さは、１００〜４０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｎ型オーミックコンタクト層が形成される前記ｎ型窒化物半導体層の面は、Ｇａ−極性面であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
ｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順に積層して発光構造物を備える段階と、
前記ｎ型窒化物半導体層の一面にＩｎを含む物質からなる第１層を形成し、前記第１層上にＷを含む物質からなる第２層を形成してｎ型オーミックコンタクト層を形成する段階と、
前記ｎ型オーミックコンタクト層上にｎ型電極を形成する段階と、
前記ｐ型窒化物半導体層と電気的に連結されるようにｐ型電極を形成する段階と、
を含む窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記ｎ型オーミックコンタクト層上にｎ型電極を形成する段階は、
前記ｎ型オーミックコンタクト層を形成する段階の後、前記ｎ型オーミックコンタクト層を熱処理せず直ちに行われることを特徴とする請求項９に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１層を形成する段階は、スパッタリングにより行われることを特徴とする請求項９に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２層を形成する段階は、スパッタリングにより行われることを特徴とする請求項９に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関するもので、さらに詳しくは、熱処理工程を経なくても熱的に安定し電気的特性に優れたｎ型電極を備える窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子の一つである発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、電流が加わるとｐ型半導体、ｎ型半導体の接合部分で電子と正孔の再結合により、様々な色の光を発生させる半導体装置である。このようなＬＥＤはフィラメントに基づいた発光素子に比べて長い寿命、低い電源、優れた初期駆動特性、高い振動抵抗及び反復的な電源断続に対する高い公差などの様々な長所を有するため、その需要が増加し続けており、特に最近は、青色系列の短波長領域で発光可能なＩＩＩ族窒化物半導体が脚光を浴びている。
【０００３】
図１は、従来の技術による窒化物半導体発光素子を表した断面図である。窒化物半導体発光素子１０は、サファイア基板１４を備え、サファイア基板１４上に順に形成されたｎ型窒化物半導体層１１、活性層１２、ｐ型窒化物半導体層１３、ｐ型オーミックコンタクト層１８及びｎ型窒化物半導体層１１のエッチングされた一部の領域に形成されるｎ型オーミックコンタクト層１５を備え、これに加えて、ｎ型電極１６ａ及びｐ型電極１６ｂを含むものである。
【０００４】
窒化物半導体発光素子１０は、ｎ型電極１６ａ及びｐ型電極１６ｂの間に発光構造物が形成された構造、即ち水平構造を有する発光素子であって、光は主にｐ型オーミックコンタクト層１８を通じて外部へ放出される。
【０００５】
この場合、ｎ型オーミックコンタクト層１５はｎ型窒化物半導体層１１とのオーミックコンタクトを形成するため、仕事関数が相対的に低い金属であるＴｉ、Ａｌなどを使用し、これらの積層構造も使用できる。
【０００６】
ところが、上記のようなｎ型オーミックコンタクト層１５は熱的に安定した構造を得るために４００℃以上の熱処理工程を伴うことが一般的であるが、このような熱処理工程は、ｐ型オーミックコンタクト層１８または活性層１２を熱化させることにより素子特性を低下させることがあり、さらには熱処理工程によるコストを増大させるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記のような問題点を解決するためになされたものであって、本発明は、熱処理工程を経なくても熱的に安定し電気的特性に優れたｎ型電極を備える窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成すべく、本発明の一側面は、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層とこれらの間に形成された活性層を備える発光構造物と、上記ｎ型窒化物半導体層及び上記ｐ型窒化物半導体層とそれぞれ電気的に連結されたｎ型電極及びｐ型電極と、上記ｎ型窒化物半導体層と上記ｎ型電極との間に形成され、Ｉｎを含む物質からなる第１層及び上記第１層上に形成されＷを含む物質からなる第２層を備えるｎ型オーミックコンタクト層を含む窒化物半導体発光素子を提供する。
【０００９】
ここで、上記第１層は、Ｉｎ合金からなる層とすることが出来る。具体的には、上記Ｉｎ合金に含まれる元素は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｏ及びＭｇで構成されたグループから選択された少なくとも一つの元素であることが好ましい。
【００１０】
同様に、上記第２層はＷ合金からなる層とすることができ、具体的には、上記Ｗ合金に含まれる元素は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｈｆ及びＭｇで構成されたグループから選択された少なくとも一つの元素であることが好ましい。
【００１１】
本発明の好ましい実施形態として、上記第１層の厚さは１０〜３００Åであるとすることが出来る。また、上記第２層の厚さは１００〜４０００Åであるとすることが出来る。
【００１２】
上記ｎ型オーミックコンタクト層が形成される上記ｎ型窒化物半導体層の面は、Ｇａ−極性面とすることができる。
【００１３】
本発明の他の側面としては、ｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順に積層して発光構造物を備える段階と、上記ｎ型窒化物半導体層の一面にＩｎを含む物質からなる第１層を形成し上記第１層上にＷを含む物質からなる第２層を形成してｎ型オーミックコンタクト層を形成する段階と、上記ｎ型オーミックコンタクト層上にｎ型電極を形成する段階と、上記ｐ型窒化物半導体層と電気的に連結されるようｐ型電極を形成する段階と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【００１４】
特に、上記ｎ型オーミックコンタクト層上にｎ型電極を形成する段階は、上記ｎ型オーミックコンタクト層を形成する段階の後で上記ｎ型オーミックコンタクト層を熱処理せず直ちに行われることができ、この場合にも上記ｎ型オーミックコンタクト層は高い熱的安定性、優れた電気的特性を示すことが出来る。
【００１５】
好ましくは、上記第１層を形成する段階は、スパッタリングにより行われることが出来る。同様に、上記第２層を形成する段階は、スパッタリングにより行われることが出来る。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、熱処理工程を経なくても熱的に安定し、電気的特性に優れたｎ型電極を備える窒化物半導体発光素子を提供することが出来る。
【００１７】
さらに、本発明によると、上記のように優れた熱的安定性、電気的特性を示すための最適な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付の図面を参照し、本発明の好適な実施の形態について説明する。但し、本発明にかかる実施の形態は、様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下に説明する実施の形態により限定されるものではない。また、本発明にかかる実施の形態は、当該技術分野における平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大して表されることがあり、図面上の同一符号で表される要素は、同一の要素とみなすことができる。
【００１９】
図２は、本発明の一実施形態による窒化物半導体発光素子を表した断面図である。本実施形態による窒化物半導体発光素子２０は、サファイア基板２４、サファイア基板２４上に順に形成されたｎ型窒化物半導体層２１、活性層２２、ｐ型窒化物半導体層２３、ｐ型オーミックコンタクト層２８及びｎ型窒化物半導体層２１のエッチングされた一部の領域に形成された第１層２５ａ、第２層２５ｂを備えるｎ型オーミックコンタクト層２５を備え、さらに、ｎ型電極２６ａ及びｐ型電極２６ｂが含まれる。
【００２０】
以下、半導体発光素子２０を構成する構成要素をさらに詳しく説明する。先ず、発光構造物を構成するｎ型窒化物半導体層２１及びｐ型窒化物半導体層２３と活性層２２について説明する。本明細書において、「窒化物半導体」とは、組成式ＡｌｘＩｎｙＧａ１-ｘ-ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ+ｙ≦１）で表される２成分系、３成分系または４成分系化合物半導体を意味するものである。
【００２１】
即ち、ｎ型窒化物半導体層２１及びｐ型窒化物半導体層２３は、組成式ＡｌｘＩｎｙＧａ１-ｘ-ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ+ｙ≦１）で表され、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドープされた半導体物質からなることができ、その代表的なものとしては、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮがある。また、上記ｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、ＴｅまたはＣなどが使用でき、上記ｐ型不純物の代表的なものとしては、Ｍｇ、ＺｎまたはＢｅなどが挙げられる。
【００２２】
活性層２２は、単一または多重量子井戸構造を有するアンドープされた窒化物半導体層で構成され、電子と正孔の再結合により所定のエネルギーを有する光を放出する。
【００２３】
ｎ型窒化物半導体層２１、ｐ型窒化物半導体層２３、及び活性層２２は、半導体単結晶の成長工程、特に、窒化物単結晶成長工程として公知の有機金属気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、分子ビーム成長法（ＭＢＥ）及びハイブリッド気相蒸着法（ＨＶＰＥ）などの方法により成長させることが出来る。
【００２４】
ｎ型電極２６ａ及びｐ型電極２６ｂは、素子を電気的に連結するための電極として機能する。この場合、ｎ型電極２６ａ及びｐ型電極２６ｂは、一般的にＡｕまたはＡｕを含む合金で構成される。このようなｎ型電極２６ａ及びｐ型電極２６ｂは通常の金属層の成長方法である電子線蒸着法またはスパッタリング工程により形成されることが出来る。
【００２５】
ｎ型オーミックコンタクト層２５は、ｎ型窒化物半導体層２１とｎ型電極２６ａとの間で電気的にはオーミックコンタクトを形成することが出来る。
【００２６】
そのために、ｎ型オーミックコンタクト層２５は２つの層を含むように構成され、具体的には、第１層２５ａはインジウム（以下、Ｉｎ）を含む物質からなり、その上に形成される第２層２５ｂはタングステン（以下、Ｗ）を含む物質からなる。
【００２７】
ここで、第１層２５ａはＩｎを含む物質であれば良く、特に、Ｉｎのみからなるか、合金形態でも採用される。Ｉｎは仕事関数が相対的に小さい（約４．１２ｅＶ）金属で、ｎ型オーミックコンタクト用の金属として適しており、優れた電気的特性を示すことが出来る。
【００２８】
この場合、製造工程において、ｎ型窒化物半導体層２１上にＩｎ層を形成する際、電子ビーム蒸着のような工程ではなくスパッタリング工程により行うことが最も適している。これは、Ｉｎが約１５７℃の低い融点を有するために、一般の電子ビーム蒸着法では制御が難しいという事情による。
【００２９】
一方、第１層２５ａがＩｎ合金面の場合には、これに含まれる元素としてはＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｍｇなどが例として挙げられ、電気抵抗を考慮して適切に選択されることが望ましい。
【００３０】
第２層２５ｂは熱的に安定したＷまたはＷ合金からなり、これにより、熱的安定化のための別途の熱処理工程を経なくてもオーミックコンタクト層を要素の一部として使用することが出来る。
【００３１】
第１層２５ａと同様に、Ｗを含む第２層２５ｂはスパッタリング工程により行うことが最も適している。これは、Ｗの場合、約３４０７℃という高い融点を有するため一般の電子ビーム蒸着法では、蒸着させることが非常に困難であるという事情による。
【００３２】
一方、第２層２５ｂがＷ合金の場合には、これに含まれる元素としてＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｍｇなどが例として挙げられ、電気抵抗を考慮して適切に選択されることが望ましい。
【００３３】
このように、本実施の形態で採用されたｎ型オーミックコンタクト層２５は、スパッタリング工程を利用してｎ型窒化物半導体層２１上に順に形成されることができ、特に、オーミックコンタクトに有利なＩｎを第１層２５ａとし、熱的に安定したＷ合金を第２層２５ｂとして使用することにより、後続の熱処理工程を経ることなく非常に優れたｎ型オーミックコンタクト層の特性を確保することが出来る。
【００３４】
本実施形態において、ｎ型オーミックコンタクト層２５に含まれた第１層２５ａと第２層２５ｂは、電気的特性と熱的安定性を考慮して、それぞれの厚さｔ１及びｔ２が適切に調整されることが出来る。この場合、第１層２５ａの厚さｔ１は１０〜３００Åの範囲が好ましく、第２層２５ｂの厚さｔ２は１００〜４０００Åの範囲であることが好ましい。
【００３５】
一方、ｐ型オーミックコンタクト層２８の場合、必須の構成要素ではないが、ｐ型窒化物半導体層２３とのオーミックコンタクトのためにＮｉ／Ａｕ構造などが一般に採用されることが出来る。
【００３６】
図３は、本発明で採用されたｎ型オーミックコンタクト層において熱処理（アニーリング）温度による抵抗の変化を表したグラフで、ＣＴＬＭ２８μｍ  ｓｐａｃｉｎｇで測定されたＩ−Ｖ曲線から得られたものである。実験に使用された発光素子構造は図２で説明した実施形態によるものであるため、ｎ型オーミックコンタクト層はｎ型窒化物半導体層のＧａ−極性面上に形成されたものを意味する。
【００３７】
一方、上記抵抗は、ｎ型窒化物半導体層とＩｎ層とのコンタクト抵抗とｎ型窒化物半導体層の抵抗を全て足したものに該当する。ここで、ｎ型オーミックコンタクト層を熱処理する工程は一般に公知であるＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）工程などであると理解できる。他の条件として、第１層には２０ｎｍのＩｎ層を、第２層には２００ｎｍのＴｉＷ層を使用した。
【００３８】
図３のグラフを参照すると、熱処理前の状態（Ａｓ−Ｄｅｐ．）から約６００℃で熱処理をした状態に至るまで抵抗の変化が殆ど無いことがわかる。また、６００℃より高い温度では熱の影響により抵抗が大きく上昇する傾向を示す。
【００３９】
このように、本発明で採用されたＩｎ／ＴｉＷ構造のｎ型オーミックコンタクト層は別途の熱処理工程がなくても優れた電気的特性を示すことが分かり、さらに、熱に強いＷ合金を外郭層に形成することにより熱的安定性を期待することが出来る。
【００４０】
一方、図３で説明した構造のｎ型オーミックコンタクト層の場合（Ｉｎ層２０ｎｍ、ＴｉＷ層２００ｎｍ）、ＣＴＬＭ２８μｍ  ｓｐａｃｉｎｇで測定されたＩ−Ｖ曲線を分析した結果、１次関数、即ち線形的な特性を表した。即ち、本実施形態で採用されたｎ型オーミックコンタクト層は高い熱的安定性を有すると共に、ｎ型窒化物半導体層とオーミックコンタクトを形成することが出来る。
【００４１】
上記の実験結果を通じて、本発明で採用されたｎ型オーミックコンタクト層はｎ型窒化物半導体層のＧａ−極性面から成長させた場合優れた結果を示したが、本発明はこれに制限されず、Ｎ−極性面、即ち垂直構造の発光素子にも適用可能である。
【００４２】
図４は、本発明の他の実施形態による窒化物半導体発光素子を表した断面図である。図４を参照すると、本実施形態による窒化物半導体発光素子４０は、導電性基板４４と、導電性基板４４上に順に形成された高反射性オーミックコンタクト層４７、ｐ型窒化物半導体層４３、活性層４２、ｎ型窒化物半導体層４１及びｎ型オーミックコンタクト層４５を設けて構成される。また、ｎ型オーミックコンタクト層４５の上面にはｎ型電極４６が形成される。
【００４３】
本実施形態の場合は、垂直構造の窒化物半導体発光素子に該当し、その製造方法としては公知の工程であって、サファイアなどの窒化物単結晶成長用基板上にｎ型窒化物半導体層４１、活性層４２及びｐ型窒化物半導体層４３が順に形成された後、高反射性オーミックコンタクト層４７と支持基板に該当する導電性基板４４をメッキやボンディング工程により形成し、サファイア基板を除去する工程により形成されることが出来る。また、上記活性層４２から発生した光は、主にｎ型電極４６の方向に放出されるため、本実施形態の場合には、ｎ型オーミックコンタクト層４５とｎ型電極４６の幅がほぼ同一であることが光抽出効率の側面で好ましい。
【００４４】
このような違い以外として、同一の用語で表した他の構成要素に対しては図２の場合と同一のものと理解できるため、新たな構成要素についてのみ説明する。
【００４５】
本発明で必須とされる要素ではないが、高反射性オーミックコンタクト層４７は、好ましくは７０％以上の反射率を有し、ｐ型窒化物半導体層４３との間でオーミックコンタクトを形成する。このような高反射性オーミックコンタクト層４７は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ及びその組合せで構成されたグループから選択された物質からなる少なくとも一つの層で形成されることが出来る。好ましくは、高反射性オーミックコンタクト層４７としては、Ｎｉ／Ａｇ、Ｚｎ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｌ、Ｚｎ／Ａｌ、Ｐｄ／Ａｇ、Ｐｄ／Ａｌ、Ｉｒ／Ａｇ、Ｉｒ／Ａｕ、Ｐｔ／Ａｇ、Ｐｔ／ＡｌまたはＮｉ／Ａｇ／Ｐｔで形成されることが出来る。
【００４６】
また、導電性基板４４は、垂直構造発光素子の最終構成要素に含まれ、単結晶成長用基板の除去などの工程を行うことにおいて、相対的に厚さの薄い発光構造物を支持し、導電性接着層によりＰＣＢ基板などとのボンディング領域として提供され、ｐ型電極として機能することが出来る。導電性基板４４は、メッキやウェーハボンディング方式で上記発光構造物と結合して形成されることができ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉなどの物質からなる。
【００４７】
図５は、図４の実施形態から変形された実施形態による窒化物半導体発光素子を表した断面図である。本実施形態による窒化物半導体発光素子５０は、図４の場合と同様に、導電性基板５４と、導電性基板５４上に順に形成された高反射性オーミックコンタクト層５８、ｐ型窒化物半導体層５３、活性層５２、ｎ型窒化物半導体層５１及び第１層５５ａ、第２層５５ｂを有するｎ型オーミックコンタクト層５５を設けて構成され、ｎ型オーミックコンタクト層５５の上面にはｎ型電極５６が形成される。
【００４８】
さらに、ｎ型窒化物半導体層５１とｎ型オーミックコンタクト層５５との間にはＧａＮ基板５７が形成される。ＧａＮ基板５７は窒化物単結晶成長用基板として提供され、電気伝導性を帯びているため、発光構造物の成長後に除去される必要がなく、最終的に発光素子５０に残ることが出来る。但し、窒化物単結晶成長用基板として、ＧａＮ基板５７の代わりに電気伝導性を有する物質からなる他の基板、例えばＳｉＣ基板なども当該技術分野における通常の知識を有する者が容易に選択できる範囲のものであれば採用可能である。
【００４９】
このような違い以外として、同一用語で表した他の構成要素については、図４の場合と同一のものと理解できるため、これに対する説明は省略する。
【００５０】
本発明は上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の特許請求の範囲により限定されるものである。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で当該技術分野の通常の知識を有する者により様々な形態への置換、変形及び変更ができ、これもまた本発明の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】従来の技術による窒化物半導体発光素子を表した断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による窒化物半導体発光素子を表した断面図である。
【図３】本発明で採用されたｎ型オーミックコンタクト層において熱処理温度による抵抗の変化を表したグラフである。
【図４】本発明の他の実施形態による窒化物半導体発光素子を表した断面図である。
【図５】図４の実施形態から変形された実施形態による窒化物半導体発光素子を表した断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
２１  ｎ型窒化物半導体層
２２  活性層
２３  ｐ型窒化物半導体層
２５  ｎ型オーミックコンタクト層
２６ａ  ｎ型電極
２６ｂ  ｐ型電極
４７  ＧａＮ基板
【図１】
2009152542.tif 000003
【図２】
2009152542.tif 000004
【図３】
2009152542.tif 000005
【図４】
2009152542.tif 000006
【図５】
2009152542.tif 000007