(57)【要約】【課題】被研磨物から所定量の研磨物を削り取る。【解決手段】被研磨物より高硬度の材料を用い、所定の円領域３内に所定サイズの凹部２を所定数設けた研磨体１を形成する。各凹部２の平面サイズｘ，ｙ、深さｄ、個数等は、研磨体１によって被研磨物から削り取るべき研磨物の量に基づいて設定する。これにより、研磨体１で被研磨物が削られ、削られた研磨物が凹部２に充填され、研磨体１に所定量の研磨物が保持されるようになる。保持された研磨物を用いて分析を行う場合には、高精度の分析を効率的に行うことが可能になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨物の研磨に用いる研磨体であって、
表面に、前記被研磨物から削り取られた研磨物が保持される凹部が形成された領域を有し、
前記凹部が、前記被研磨物から削り取り保持する前記研磨物の量に基づき、所定の平面サイズ及び深さで形成されていることを特徴とする研磨体。
【請求項２】
前記被研磨物が下地層上に形成されている場合には、前記領域は、前記被研磨物より高い硬度を有し、かつ、前記下地層より低い硬度を有することを特徴とする請求項１記載の研磨体。
【請求項３】
前記領域は、シート状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨体。
【請求項４】
前記領域は、棒の先端部に存在することを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨体。
【請求項５】
被研磨物の研磨に用いる研磨体の製造方法であって、
シート部材の表面に、前記被研磨物から削り取る研磨物の量に基づき、削り取られた前記研磨物が保持される、所定の平面サイズ及び深さの凹部を形成するステップを有することを特徴とする研磨体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨体及びその製造方法に関し、特に、被研磨物の研磨に用いる研磨体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被研磨物の研磨を行う際には、研磨テープや研磨クロス等、砥粒を含んだ研磨材層がシート状の支持体の上に形成された、シート状の研磨体が広く用いられている。このような研磨体は、被研磨物表面に平坦な研磨面を得ることを目的として用いられるのが一般的である。従来、研磨対象である被研磨物の種類、及びその研磨面に要求される平坦性等を考慮した構成を有する、様々なシート状の研磨体が提案されている（例えば、特許文献１〜５参照。）。
【０００３】
また、このようなシート状の研磨体は、被研磨物表面の平坦化を目的とした使用のほか、被研磨物から削り取った研磨物を分析する目的で使用される場合もある。
【特許文献１】特開２００４−３５８５８４号公報
【特許文献２】特開２００６−１４４１５６号公報
【特許文献３】特許第２５２７３２０号公報
【特許文献４】特許第３０１２２６１号公報
【特許文献５】特許第３３１４１５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
研磨物の分析では、例えば、シート状の研磨体を用いて被研磨物を研磨し、削り取った研磨物を定性的に、或いは研磨物中の成分を定量的に分析する。
しかし、これまでの研磨体を用いた分析では、複数の被研磨物試料について分析を行う場合等に、試料によって研磨物の量、即ち削り取り量が異なってきてしまう場合があった。試料ごとの削り取り量の違いは、それらの分析精度に大きく影響してくる。被研磨物試料から研磨体で削り取った研磨物の分析を行う際に、その削り取り量を制御し、高精度の分析を効率的に行うための手法が強く要望されている。
【０００５】
このような点に鑑み、被研磨物から所定量の研磨物を削り取ることのできる研磨体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、次のような研磨体が提供される。この研磨体は、被研磨物を研磨する研磨体であって、表面に、前記被研磨物から削り取られた研磨物が保持される凹部が形成された領域を有し、前記凹部が、前記被研磨物から削り取り保持する前記研磨物の量に基づき、所定の平面サイズ及び深さで形成された構成を有する。
【０００７】
このような研磨体では、その凹部が、被研磨物から削り取って保持する研磨物の量に基づいた所定の平面サイズ及び深さで形成され、そのような凹部に、削り取られた研磨物が保持される。
【０００８】
また、このような構成を有する研磨体を製造するための製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
開示の研磨体によれば、被研磨物から所定量の研磨物を精度良く効率的に削り取って保持することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して詳細に説明する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は研磨体の構成概略図であって、（Ａ）は研磨体の斜視模式図、（Ｂ）は研磨体の凹部の斜視模式図である。
【００１１】
図１に示す研磨体１は、シート状であって、その一方の面側に、複数の凹部２が形成された構成を有している。このような凹部２が形成された面は、例えば、この研磨体１によって研磨する研磨対象（被研磨物）よりも硬い材料を用いて形成される。研磨体１の凹部２が形成された面側で被研磨物を擦ることにより、その面や凹部２のエッジによって被研磨物が削られ、削られた研磨物は、凹部２に充填されて保持される。このようにして凹部２内に保持された研磨物は、例えば、その中に含まれる成分の定性分析や定量分析等、種々の分析に利用することができる。
【００１２】
研磨体１は、このような被研磨物から削り取った後に行う分析に必要な量等、所定量の研磨物をその凹部２に保持することができるように、凹部２の配置、大きさ（容積）、個数が設定されている。例えば、研磨体１は、被研磨物から削り取るべき研磨物量を基に、各凹部２の平面サイズｘ，ｙ及び深さｄと、その合計個数が設定され、縦横方向の各整列個数Ｘ，Ｙ及び各凹部２の間隔Ｌが設定される。これにより、凹部２に研磨物が充填されたときに、研磨体１に所定量の研磨物が保持されるようになる。凹部２は、被研磨物の平面サイズ、厚さといった形態や、削り取った研磨物について行う分析法等に基づき、所定領域、例えば図１に示したような円領域３内に集中的に配置することができる。
【００１３】
上記のような構成を有する研磨体１は、例えば、次のような方法を用いて形成することができる。
図２は研磨体形成方法の一例の説明図である。
【００１４】
図２に例示する方法では、まず、図２（Ａ）に示すように、セラミックス等の基板や可撓性のフィルムといったシート状の支持体（シート部材）１ａ表面に、感光性樹脂１ｂを塗布する。その際、感光性樹脂１ｂには、硬化後に被研磨物よりも高硬度となるものを用い、形成する凹部２の深さに基づいて設定された厚さで支持体１ａ表面に塗布する。
【００１５】
次いで、凹部２を形成する領域に対応した領域に開口部４ａを有するマスク４を用い、感光性樹脂１ｂを露光する。そして、露光後、感光性樹脂１ｂの光照射部１ｃを現像処理で除去することで、図２（Ｂ）に示すように、支持体１ａ表面に凹部２を形成する。
【００１６】
なお、支持体１ａ表面に凹部２を形成するための感光性樹脂１ｂには、硬化後に所定の硬度を有する、単一成分の感光性樹脂或いは複数成分を混合した感光性樹脂を用いることができる。また、感光性樹脂１ｂには、被研磨物より高硬度のセラミックス微粉末等のフィラーを混合した樹脂組成物を用いることもできる。
【００１７】
また、ここでは感光性樹脂１ｂを支持体１ａ表面に直接塗布したが、支持体１ａ上に、それを感光性樹脂１ｂの露光時の光或いは現像時の現像液から保護する保護膜を形成した後に、感光性樹脂１ｂを塗布するようにしてもよい。また、感光性樹脂１ｂの露光時における光の反射を防止する反射防止膜を支持体１ａ上に形成した後に、感光性樹脂１ｂを塗布するようにしてもよい。
【００１８】
図３は研磨体形成方法の別の例の説明図である。
図３に例示する方法では、まず、図３（Ａ）に示すように、被研磨物よりも高硬度の基板（シート部材）１ｄ表面に、感光性樹脂（レジスト）を塗布し、露光・現像を行って、凹部２を形成する領域を開口したパターン（レジストパターン）１ｅを形成する。
【００１９】
次いで、そのレジストパターン１ｅをマスクにして、基板１ｄを、形成する凹部２の深さまでエッチングする。エッチングは、基板１ｄの材質、形成する各凹部２のサイズ（平面サイズ及び深さ）や凹部２同士の間隔等に応じ、その条件を設定する。そして、エッチング後、レジストパターン１ｅを除去することで、図３（Ｂ）に示すように、基板１ｄ表面に凹部２を形成する。
【００２０】
これら図２及び図３に例示したような方法を用いることにより、上記のような構成を有する研磨体１を形成することが可能である。
なお、研磨体１の形成方法は、ここに例示したものに限定されるものではない。例えば、このほか、印刷技術を用い、硬化後に所定の硬度を有する樹脂を支持体表面に印刷することによって、凹部２を有する研磨体１を形成することも可能である。また、適当な型内に支持体を配置し、その型内に、硬化後に所定の硬度を有する樹脂をモールドすることによって、支持体表面に凹部２を有する研磨体１を形成することも可能である。
【００２１】
また、予め所定の硬度を有する材料に凹部２や凹部２に対応する貫通孔を形成したものを用意しておき、それを支持体表面に固定することによって、凹部２を有する研磨体１を形成することも可能である。例えば、所定の硬度の材料を用い、凹部２に対応する貫通孔を有するメッシュ材を形成しておき、そのメッシュ材を支持体上に接着等の方法で固定する。
【００２２】
以下、第１の実施の形態の研磨体について、より具体的に説明する。
ここでは、チップ抵抗の分析に適用可能な研磨体を例にして説明する。
図４はチップ抵抗の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は断面模式図である。
【００２３】
図４に例示するチップ抵抗１０は、平面サイズが縦１．２ｍｍ×横２．０ｍｍの平面長方形状であり、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）基板１１上に抵抗体１２が形成され、抵抗体１２は、保護膜１３によって被覆されている。チップ抵抗１０の長辺方向の端部には、縦１．２ｍｍ×横４００μｍ×高さ４００μｍのサイズの電極部１４が形成されている。電極部１４は、例えば、銀（Ａｇ）電極１４ａ、下地めっき（ニッケル（Ｎｉ）めっき）１４ｂ及びはんだめっき（スズ（Ｓｎ）めっき）１４ｃが順に積層されて形成されている。チップ抵抗１０は、このような電極部１４をはんだ等の接合材料を介して回路基板の配線に接合され、回路基板に電気的に接続される。
【００２４】
例えば、このようなチップ抵抗１０のＳｎめっき１４ｃのみを選択的にサンプリングし、Ｓｎめっき１４ｃ中の鉛（Ｐｂ）含有量を分析する。
その際、これまでの市販の研磨フィルム等の研磨体で電極部１４を擦ると、分析対象であるＳｎめっき１４ｃのほか、その下層のＮｉめっき１４ｂやＡｇ電極１４ａまで削り取ってしまう場合があった。そのため、実際の分析工程においては、削り取った研磨物を用いたＰｂの定量分析に先立ち、定性分析によってＳｎめっき１４ｃのみがサンプリングできているかを確認する必要があった。このように、これまでの研磨体では、削り取り深さの制御が難しかった。さらに、Ｓｎめっき１４ｃのみがサンプリングできていなければ、Ｓｎめっき１４ｃ中のみのＰｂの定量分析を行うために、Ｓｎめっき１４ｃのみがサンプリングできるまで何度も削りなおす必要もあったため、分析作業が非効率的であった。
【００２５】
また、これまでの研磨体では、個々のチップ抵抗１０、或いは複数個のチップ抵抗１０からサンプリングするＳｎめっき１４ｃの削り取り量が、比較的広い範囲でばらついてしまう場合があった。そのため、削り取った研磨物を用いたＰｂの定量分析の際に、用いる分析装置の精度や検出限界によって分析結果が影響を受けたり、各サンプリングの分析結果の比較が煩雑になったりして、分析精度や、分析結果を用いた評価の信頼性に課題が残されていた。
【００２６】
そこで、ここでは、このようなチップ抵抗１０の分析に、次のような構成を有する研磨材料を用いる。
図５はチップ抵抗の分析に用いる研磨体の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は凹部の拡大模式図、（Ｃ）は凹部の斜視模式図である。
【００２７】
図５に例示する研磨体２０は、平面サイズが縦６ｍｍ×横６ｍｍのシート状であって、直径φが５ｍｍの円領域２１内に約２０μｇのＳｎめっき１４ｃを選択的にサンプリングするためのものである。
【００２８】
研磨体２０は、その表面に、図５（Ａ）に示したように、円領域２１内、例えば円領域２１に内接する正方形領域２１ａ（縦３．５ｍｍ×横３．５ｍｍ）内に、縦１１７個×横１１７個の凹部２２が形成されている。各凹部２２は、図５（Ｂ），（Ｃ）に示したように、縦１０μｍ×横１０μｍ×深さ２μｍのサイズとされ、凹部２２同士の間隔は２０μｍとされている。これにより、円領域２１内の凹部２２にＳｎめっき１４ｃが充填されたときに、約２０μｇのＳｎめっき１４ｃがサンプリングされるようになっている。
【００２９】
ここで、このような研磨体２０を形成するための材料について説明する。
研磨体２０によって削り取る最上層Ｓｎめっき１４ｃのビッカース硬度は、１０Ｈｖ〜１５Ｈｖ程度であり、その下地のＮｉめっき１４ｂのビッカース硬度は、１５０Ｈｖ〜８００Ｈｖ程度である。従って、研磨体２０によってＳｎめっき１４ｃを選択的に削り取るためには、その凹部２２の形成面が、Ｓｎめっき１４ｃより高硬度でＮｉめっき１４ｂより低硬度の材料、例えば２０Ｈｖ〜１５０Ｈｖ程度の材料を用いて形成されるようにすればよい。例えば、硬化後にそのような硬度となる樹脂や、そのような硬度のフィラーを含んだ樹脂組成物を用いて適当な支持体表面に凹部２２を形成したり、そのような硬度の支持体表面にエッチングにより凹部２２を形成したりすればよい。なお、２０Ｈｖ〜１５０Ｈｖ程度の材料としては、例えば、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）樹脂（ビッカース硬度２５Ｈｖ（実測値））がある。
【００３０】
Ｓｎめっき１４ｃのサンプリング時には、そのような硬度の材料を用いて形成した研磨体２０にチップ抵抗１０の電極部１４を擦り付ける、或いは電極部１４に研磨体２０を擦り付ける。研磨体２０は、その凹部２２の形成面をＳｎめっき１４ｃより高硬度の材料で形成するため、Ｓｎめっき１４ｃが凹部２２のエッジ等で削られ、削り取られたＳｎめっき１４ｃが凹部２２に充填されていく。そして、この研磨体２０は、その凹部２２の形成面を、Ｓｎめっき１４ｃの下地のＮｉめっき１４ｂより低硬度の材料で形成するため、Ｎｉめっき１４ｂに凹部２２のエッジ等が達しても、Ｎｉめっき１４ｂの削り取りが抑えられる。
【００３１】
このように、分析対象（被研磨物）層の硬度のほか、その下地層の硬度も考慮して選択した材料を用いて研磨体２０を形成することにより、研磨体２０の所定領域内に所定量のＳｎめっき１４ｃを選択的にサンプリングすることができる。
【００３２】
なお、研磨体２０の材料選択に当たっては、このような硬度のほか、サンプリング後に行う分析法も考慮して研磨体２０の材料を選択することが望ましい。例えば、後述のように、研磨体２０にサンプリングしたＳｎめっき１４ｃを酸等に溶解し、その溶解液を用いてＰｂの定量分析を行う場合等には、研磨体２０にそのような溶液に対する耐性が必要になってくる。必要に応じ、このような耐薬品性についても留意して研磨体２０の材料選択を行う。また、研磨体２０が、分析対象の成分或いは成分量に大きく影響しないように、その材料選択を行うことが望ましい。
【００３３】
ここで、サンプリング後にＰｂの定量分析を実施した例について述べる。
まず、所定量のＳｎめっき１４ｃをサンプリングした研磨体２０をビーカに入れ、酸溶液で溶解した後、１００ｍＬに定容した。また、ブランクとして、そのようなＳｎめっき１４ｃのサンプリングを行っていない研磨体２０を同様に、ビーカに入れ、酸溶解した後、１００ｍＬに定容した。次いで、それらの溶液を用い、ＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合プラズマ発光分析）によりＳｎ，Ｐｂを定量し、サンプリングしたＳｎめっき１４ｃ中のＰｂ濃度を求めた。Ｐｂ濃度Ｃ（ｗｔ％）は、次式（１）により算出した。
【００３４】
Ｃ＝（ＣP−ＣP0）／｛（ＣS−ＣS0）＋（ＣP−ＣP0）｝×１００  ・・・（１）
式（１）において、ＣPは、Ｓｎめっき１４ｃをサンプリングした研磨体２０から得られたＰｂ濃度（ｗｔ％）、ＣP0は、ブランクの研磨体２０から得られたＰｂ濃度（ｗｔ％）である。また、ＣSは、Ｓｎめっき１４ｃをサンプリングした研磨体２０から得られたＳｎ濃度（ｗｔ％）、ＣS0は、ブランクの研磨体２０から得られたＳｎ濃度（ｗｔ％）である。
【００３５】
式（１）に従い、Ｐｂ濃度Ｃを求めたところ、研磨体２０でサンプリングしたＳｎめっき１４ｃ中のＰｂ濃度Ｃは、０．８７ｗｔ％であった。
以上述べたような研磨体２０によれば、過剰な削り取りを防止し、分析対象であるＳｎめっき１４ｃを選択的にサンプリングすることができ、定性分析を行うことなく、効率的にＰｂの定量分析を行うことができる。また、Ｓｎめっき１４ｃを所定量サンプリングすることができるため、分析精度の向上、分析結果を用いた評価の信頼性向上を図ることができる。
【００３６】
以上、チップ抵抗１０の電極部１４の最上層に形成されているＳｎめっき１４ｃを分析対象とした例について説明した。続いて、この電極部１４のような積層構造を有する試料における、その内層を分析対象とした例について説明する。
【００３７】
図６は試料の一例の断面模式図である。
図６に例示する試料３０は、Ａｌ2Ｏ3基板３１上に、Ａｇ層３２、Ｎｉ層３３及びＳｎ層３４が順に積層されている。Ａｇ層３２、Ｎｉ層３３及びＳｎ層３４の各層は、例えば、めっき法を用いて形成される。
【００３８】
ここでは、このような試料３０の内層のＡｇ層３２を研磨体によってサンプリングし、サンプリングしたＡｇ層３２を分析する。そのために、まず、Ｓｎ層３４及びＮｉ層３３は希塩酸に溶解するが、Ａｇ層３２は希塩酸に溶解しないという性質を利用し、希塩酸によりＳｎ層３４及びＮｉ層３３を化学的に溶解除去する。このようにして試料３０からＳｎ層３４及びＮｉ層３３を除去し、Ａｇ層３２を露出させた上で、所定の研磨体を用い、Ａｇ層３２のサンプリングを行う。
【００３９】
図７は試料の分析に用いる研磨体の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は凹部の拡大模式図、（Ｃ）は凹部の斜視模式図である。
図７に例示する研磨体２０ａは、上記図５に示した研磨体２０と同様の構成を有しており、所定の円領域２１内に約２０μｇのＡｇ層３２を選択的にサンプリングすることができるように形成されている。この図７に示した研磨体２０ａでは、その円領域２１内に設ける凹部２２ａの深さを１．４μｍとしているほかは、凹部２２ａの平面サイズ、間隔、合計個数を上記図５に示した研磨体２０と同じにしている。これにより、この図７に示した研磨体２０ａには、その円領域２１内の凹部２２にＡｇ層３２が充填されたときに、約２０μｇのＡｇ層３２がサンプリングされるようになっている。
【００４０】
研磨体２０ａは、その凹部２２ａの形成面が、Ａｇ層３２より高硬度でＡｌ2Ｏ3基板３１より低硬度の材料を用いて形成されるようにすればよい。
例えば、まず、樹脂にＡｌ2Ｏ3基板３１よりも低硬度のセラミックスの微粉末（窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）微粉末、ジルコニア（ＺｒＯ2）微粉末等。）を混合することによって、硬化後にＡｌ2Ｏ3基板３１よりも低硬度でＡｇ層３２よりは高硬度になるように調整した材料を作製する。Ａｇ層３２のビッカース硬度は、５０Ｈｖ〜１３０Ｈｖ程度であるので、例えば、エポキシ樹脂にＳｉ3Ｎ4やＺｒＯ2の微粉末を混合し、硬化後の硬度が１３０Ｈｖ以上になるように調整した材料を用いることができる。そして、そのようにして硬度を調整した材料を用いて、適当な支持体表面に凹部２２ａを形成する。
【００４１】
このほか、硬化後にＡｇ層３２より高硬度でＡｌ2Ｏ3基板３１より低硬度になる、セラミックス微粉末を含まない樹脂を用いて支持体表面に凹部２２ａを形成したり、Ａｇ層３２よりは高硬度でＡｌ2Ｏ3基板３１より低硬度の支持体表面にエッチングにより凹部２２ａを形成したりすることもできる。
【００４２】
Ａｇ層３２のサンプリング時には、そのような硬度の材料を用いて形成した研磨体２０ａに試料３０の露出させたＡｇ層３２を擦り付ける、或いは露出させたＡｇ層３２に研磨体２０ａを擦り付ける。研磨体２０ａは、その凹部２２ａの形成面を、Ａｇ層３２より高硬度の材料で形成するため、Ａｇ層３２が凹部２２ａのエッジ等で削り取られ、凹部２２ａに充填されていく。そして、この研磨体２０ａは、その凹部２２ａの形成面を、下地のＡｌ2Ｏ3基板３１より低硬度の材料で形成するため、Ａｌ2Ｏ3基板３１に凹部２２ａのエッジ等が達してもＡｌ2Ｏ3基板３１の削り取りが抑えられる。
【００４３】
以上述べたような研磨体２０ａによっても、上記の例と同様、過剰な削り取りを防止し、分析対象であるＡｇ層３２を、所定領域内に所定量、選択的にサンプリングすることができ、分析精度の向上、分析結果を用いた評価の信頼性向上を図ることができる。
【００４４】
なお、ここでは、試料３０について、その最下層のＡｇ層３２を分析対象として研磨体２０ａによりサンプリングを行ったが、最上層のＳｎ層３４を分析対象とする場合には、上記の例で述べたような研磨体２０を用いればよい。
【００４５】
また、試料３０の中層のＮｉ層３３を分析対象とする場合にも、同様の研磨体を形成し、そのサンプリングを行うことは可能である。例えば、Ｎｉ層３３よりも高硬度の材料を用い、Ｎｉ層３３の厚みに比べて浅い凹部を有する研磨体を形成する。その場合、凹部の平面サイズと個数により、必要量のＮｉ層３３をサンプリング可能な合計容積を確保する。このような研磨体を用いることにより、試料３０のようにＮｉ層３３の下地がそれより低硬度のＡｇ層３２である場合にも、所定量のＮｉ層３３を選択的にサンプリングすることが可能になる。即ち、そのサンプリングの際には、浅い凹部によりＮｉ層３３が削り取られ、その凹部のエッジ等は下地のＡｇ層３２までは到達せず、Ｎｉ層３３を選択的にサンプリングすることが可能になる。
【００４６】
次に、第２の実施の形態について説明する。
上記第１の実施の形態では、シート状の研磨体２０，２０ａを例にして説明したが、分析対象を削り取る研磨体は、シート状のほか、以下に示すように棒状に構成することもできる。
【００４７】
図８は棒状の研磨体の構成概略図である。
図８に例示する棒状の研磨体４０は、軸棒４１と、軸棒４１の一端側に設けられた先端部４２とを有している。先端部４２は、上面４２ａから軸棒４１の他端側に向かって径が徐々に大きくなる上部４２ｂと、軸棒４１の他端側に向かって径が徐々に小さくなる下部４２ｃとからなる。軸棒４１は、メタクリル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート等の比較的硬い材料を用いて形成される。先端部４２は、天然ゴム、ブタジエンゴム等の比較的柔らかい材料を用いて形成される。そして、このような先端部４２の上部４２ｂの表面には、所定サイズの凹部４３が周状に整列配置されるように所定数形成されたシート４４が、接着等の方法で周設されている。
【００４８】
研磨体４０は、例えば、半径ｒ１が１．０ｍｍの軸棒４１の一端側に、長さＳが１００ｍｍの柄を残し、長さＳ１が８．０ｍｍの先端部４２を設ける。その場合、先端部４２は、例えば、上部４２ｂの長さＳ２を１．０ｍｍ、下部４２ｃの長さＳ３を７．０ｍｍとし、上面４２ａの半径ｒ２を１．６ｍｍ、上部４２ｂと下部４２ｃの間の最も幅広の部分の半径ｒ３を２．０ｍｍとすることができる。
【００４９】
ここで、先端部４２の上部４２ｂ表面に設けるシート４４の構成について述べる。
図９はシートの構成例を示す図であって、（Ａ）はシートの平面模式図、（Ｂ）はシートの凹部の斜視模式図である。また、図１０はシートの凹部配置の説明図であって、（Ａ）は図９のＰ１付近の配置例、（Ｂ）は図９のＰ２付近の配置例、（Ｃ）は図９のＰ３付近の配置例を示す図である。
【００５０】
シート４４は、例えば上記図６に示したような積層構造の試料３０におけるＡｇ層３２のサンプリングに適用する場合であれば、上記研磨体２０ａと同様の原理で形成することができる。
【００５１】
即ち、シート４４は、例えば、エポキシ樹脂等にＡｌ2Ｏ3よりも低硬度のＳｉ3Ｎ4やＺｒＯ2の微粉末を混合し、硬化後にＡｌ2Ｏ3基板３１よりも低硬度でＡｇ層３２よりは高硬度になるように調整した材料を用い、適当な支持体表面に凹部４３を形成する。また、硬化後に所定の硬度となる、セラミックス微粉末を含まない樹脂を用いて支持体表面に凹部４３を形成することも可能である。
【００５２】
シート４４の各凹部４３は、例えば図９及び図１０に示すように、縦１０μｍ×横１０μｍ×深さ１．４μｍのサイズとし、シート４４の長さ方向に３８０個、幅方向に３６個列設させるようにすればよい。これにより、上記研磨体２０ａにおける凹部２２ａと同じ合計個数及び合計容積の凹部４３を形成することができる。
【００５３】
但し、このシート４４の場合には、内側から外側に向かって、凹部４３の間隔を徐々に大きくしていくような配置とする。例えば、凹部４３の間隔を、最も内側のＰ１付近では１７μｍとし、中間部のＰ２付近では２０μｍとし、最も外側のＰ３付近では２３μｍとし、内側から外側へ間隔を徐々に大きくしていく。
【００５４】
このようにして形成したシート４４を、先端部４２の上部４２ｂ表面に接着等の方法で取り付けることにより、棒状の研磨体４０が形成される。Ａｇ層３２のサンプリング時には、この研磨体４０のシート４４の部分を、試料３０の露出させたＡｇ層３２に擦り付けることで、シート４４に所定量のＡｇ層３２を選択的にサンプリングすることができる。
【００５５】
以上述べたような棒状の研磨体４０によっても、過剰な削り取りを防止し、分析対象であるＡｇ層３２を、所定領域内に所定量、選択的にサンプリングすることができ、分析精度の向上、分析結果を用いた評価の信頼性向上を図ることができる。
【００５６】
また、この棒状の研磨体４０では、湾曲表面や凹凸表面を有する分析対象からも容易にサンプリングすることができる。さらに、この研磨体４０は、棒状でその先端部４２に凹部４３を有するシート４４が設けられている構成のため、狭い空間に配置されている分析対象からも容易にサンプリングすることができる。
【００５７】
この第２の実施の形態では、試料３０のＡｇ層３２を分析対象とした場合を例に説明したが、Ｓｎ層３４又はＮｉ層３３を分析対象とする場合にも、その分析対象に応じて形成した棒状の研磨体を用いることで、その分析対象の選択的なサンプリングが可能である。
【００５８】
なお、以上の説明では、分析対象を、電極部１４に含まれる層或いは試料３０に含まれる層とした場合を例にして述べたが、勿論、分析対象はそれらに限定されるものではない。分析対象に応じた硬度等を有する材料を用い、その分析に要する量をサンプリングできるようなサイズ及び個数の凹部を形成した研磨体を用いることで、様々な分析対象をサンプリングし、その分析を行うことができる。
【００５９】
また、以上の説明において示した研磨体のサイズ、研磨体に形成した凹部のサイズや個数は、単なる例であって、分析対象や分析法に応じて任意に設定可能である。また、研磨体は、研磨物の分析目的に限らず使用することができる。所定サイズの凹部を少なくとも１つ形成した研磨体を、様々な目的で利用することが可能である。
【００６０】
また、以上の説明では、研磨体の凹部を全て平面正方形状とした場合を例にして述べたが、勿論、凹部の平面形状はそのような形状に限定されるものではなく、長方形、円形、楕円形等、様々な平面形状とすることが可能である。
【００６１】
以上説明した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）  被研磨物の研磨に用いる研磨体であって、
表面に、前記被研磨物から削り取られた研磨物が保持される凹部が形成された領域を有し、
前記凹部が、前記被研磨物から削り取り保持する前記研磨物の量に基づき、所定の平面サイズ及び深さで形成されていることを特徴とする研磨体。
【００６２】
（付記２）  前記領域に、前記被研磨物から削り取り保持する前記研磨物の量に基づき、所定の平面サイズ及び深さの所定数の前記凹部が形成されていることを特徴とする付記１記載の研磨体。
【００６３】
（付記３）  前記領域は、前記被研磨物より高い硬度を有することを特徴とする付記１又は２に記載の研磨体。
（付記４）  前記被研磨物が下地層上に形成されている場合には、前記領域は、前記被研磨物より高い硬度を有し、かつ、前記下地層より低い硬度を有することを特徴とする付記１から３のいずれかに記載の研磨体。
【００６４】
（付記５）  前記領域は、シート状であることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の研磨体。
（付記６）  前記領域は、棒の先端部に存在することを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の研磨体。
【００６５】
（付記７）  被研磨物の研磨に用いる研磨体の製造方法であって、
シート部材の表面に、前記被研磨物から削り取る研磨物の量に基づき、削り取られた前記研磨物が保持される、所定の平面サイズ及び深さの凹部を形成するステップを有することを特徴とする研磨体の製造方法。
【００６６】
（付記８）  被研磨物の研磨物を分析する分析方法であって、
前記被研磨物から削り取る研磨物の量に基づいて形成された所定の平面サイズ及び深さの凹部が形成された領域を表面に有する研磨体を用いて、前記被研磨物を削り、前記凹部に前記研磨物を保持するステップと、
前記凹部に保持された前記研磨物に含まれる成分を分析するステップと、
を有することを特徴とする分析方法。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】研磨体の構成概略図であって、（Ａ）は研磨体の斜視模式図、（Ｂ）は研磨体の凹部の斜視模式図である。
【図２】研磨体形成方法の一例の説明図である。
【図３】研磨体形成方法の別の例の説明図である。
【図４】チップ抵抗の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は断面模式図である。
【図５】チップ抵抗の分析に用いる研磨体の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は凹部の拡大模式図、（Ｃ）は凹部の斜視模式図である。
【図６】試料の一例の断面模式図である。
【図７】試料の分析に用いる研磨体の一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は凹部の拡大模式図、（Ｃ）は凹部の斜視模式図である。
【図８】棒状の研磨体の構成概略図である。
【図９】シートの構成例を示す図であって、（Ａ）はシートの平面模式図、（Ｂ）はシートの凹部の斜視模式図である。
【図１０】シートの凹部配置の説明図であって、（Ａ）は図９のＰ１付近の配置例、（Ｂ）は図９のＰ２付近の配置例、（Ｃ）は図９のＰ３付近の配置例を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１，２０，２０ａ，４０  研磨体
１ａ  支持体
１ｂ  感光性樹脂
１ｃ  光照射部
１ｄ  基板
１ｅ  レジストパターン
２，２２，２２ａ，４３  凹部
３，２１  円領域
４  マスク
４ａ  開口部
１０  チップ抵抗
１１，３１  Ａｌ2Ｏ3基板
１２  抵抗体
１３  保護膜
１４  電極部
１４ａ  Ａｇ電極
１４ｂ  Ｎｉめっき
１４ｃ  Ｓｎめっき
２１ａ  正方形領域
３０  試料
３２  Ａｇ層
３３  Ｎｉ層
３４  Ｓｎ層
４１  軸棒
４２  先端部
４２ａ  上面
４２ｂ  上部
４２ｃ  下部
４４  シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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