(57)【要約】【課題】プラズマ着火性の悪化を伴わずにエッチングレートの均一性と汚染や異物の低減が得られるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】処理室内のアンテナプレート１２２の周囲にチョークアンテナ１２４とチョークスペーサ１２５からなる定在波制御部を備えた電子サイクロトロン共鳴方式のプラズマ処理装置において、駆動部２０１とロッド部材２０２を設け、ロッド部材２０２の下端をチョークアンテナ１２４に連結し、制御装置２０３により駆動部２０１を制御することによりチョークアンテナ１２４を矢印Ａ方向に移動させ、プラズマ着火時とプラズマ処理時でチョークアンテナ１２４の位置が変更できるようしたもの。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内にマイクロ波を放射するためのアンテナの周囲に定在波制御部を備えた電子サイクロトロン共鳴方式のプラズマ処理装置において、
前記定在波制御部を前記アンテナに対して上下に移動させる駆動手段を設け、
前記アンテナに対する前記定在波制御部の位置をプラズマ着火時とプラズマ処理時で変更できるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記定在波制御部が、前記アンテナの外周側に向かって延長するフランジ部と、このフランジ部の上方で前記アンテナの外周側を囲むリング状の誘電体部材とで構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記駆動手段は、直線移動アクチュエータとロッド部材及びベロース部材で構成され、前記ベロース部材は導電性の材料で作られ、前記ロッド部材に被せられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記定在波制御部は、プラズマ着火時、上方に位置し、プラズマ処理開始後、下方に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、
前記フランジ部が接地されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子サイクロトロン共鳴(ＥＣＲ)を用いたプラズマ処理装置に係り、特に、定在波制御部を備えたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ(Large Scale Integrated Circuit)として知られている大規模半導体集積回路装置の製造には、従来からプラズマ処理装置が用いられているが、ここで、近年、半導体ウエハの大口径化(直径３００ｍｍ以上)に伴い、プラズマ処理装置による半導体ウエハ内での均一な処理性能について、より一層の高性能化が要求されるようになっている。
【０００３】
そこで、近年、高周波を用いたプラズマ処理装置の処理室内におけるマイクロ波の定在波を制御することにより、プラズマ分布を均一化する技術が提案されているが、その一例として、ある従来技術によれば、処理室の誘電体窓に近接し、その入口以外が導体で囲まれ、内部が真空或いは空気などの誘電体で満たされた定在波制御部において、その形状寸法と、大口径ウエハでのエッチングレートの均一性の関係が開示されている(例えば特許文献参照)。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２８０３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来技術は、プラズマ処理に伴う試料の汚染や異物の生成について配慮がされておらず、ＬＳＩの更なる高集積化に問題があった。
上記したように、近年はＬＳＩの高集積化が著しく、この結果、プラズマ処理に際しては、たとえ僅かな汚染でも、微小な異物でも大きな問題になり、ＬＳＩの高集積化に障害となってしまうからである。
このとき従来技術では、エッチングレートの均一性については評価されているが、汚染や異物についての検討がなされていない。従って、従来技術では、ＬＳＩの更なる高集積化に問題が生じてしまうのである。
【０００６】
ここで、プラズマ処理装置の場合、真空容器内でのプラズマ分布の偏りを是正し、真空容器の内壁の近傍でのプラズマの偏りを抑えてやれば、プラズマによる容器内壁への侵食が低減し、容器器内壁を構成している物質や容器内壁を保護するための溶射膜などを構成している物質に起因する汚染や異物の発生が低減できる筈であり、このため定在波制御部ではエッチングレートの均一性が得られれば、それで良しとするのではなく、汚染や異物の発生も低減できるようにする必要がある。
【０００７】
このとき本願発明者によれば、定在波制御部の形状寸法を変化させた場合、エッチングレートの均一化と共に汚染の低減化が得られることが見い出せたが、しかし、この場合はプラズマの着火性が悪化してしまうことが判明した。
本発明の目的は、プラズマ着火性の悪化を伴わずにエッチングレートの均一性と汚染や異物の低減が得られるようにしたプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、処理室内にマイクロ波を放射するためのアンテナの周囲に定在波制御部を備えた電子サイクロトロン共鳴方式のプラズマ処理装置において、前記定在波制御部を前記アンテナに対して上下に移動させる駆動手段を設け、前記アンテナに対する前記定在波制御部の位置をプラズマ着火時とプラズマ処理時で変更できるようにして達成される。
【０００９】
このとき前記定在波制御部が、前記アンテナの外周側に向かって延長するフランジ部と、このフランジ部の上方で前記アンテナの外周側を囲むリング状の誘電体部材とで構成されていることによっても上記目的が達成され、更にこのとき、前記駆動手段が直線移動アクチュエータとロッド部材及びベロース部材で構成され、前記ベロース部材は導電性の材料で作られ、前記ロッド部材に被せられていることによっても上記目的が達成される。
ここで、前記定在波制御部は、プラズマ着火時、上方に位置し、プラズマ処理開始後、下方に位置するものであってもよく、前記フランジ部が接地されていてもよい。
【００１０】
本願において開示される発明の概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。本発明のプラズマ処理装置は、減圧可能な容器(chamber)、該容器内に位置された被加工物を載置するための処理台、該被加工物と対面する位置に設けられた電磁波放射素子及び誘電体窓、該容器内に導入する所定のガスをプラズマ化するための電磁波を発生する周波数fの高周波電源、及び該誘電体窓の周辺部に近接して設けられた定在波電界分布を適正化するための定在波制御部とから成る。
【００１１】
定在波制御部の基本構成は、その入口以外が導体で囲まれ、最終端が導体により封じられた行き止まりの空洞の形態を成したリング構造であり、その空洞部内は、真空または空気または誘電率εの誘電体のいずれか一つで満たされている。そして、容器の径方向の長さ(入口から導体の内端部までの距離)ｄを電磁波の特性長と等価もしくはその近傍となるよう構成することで、定在波電界分布を容器内壁近傍で極小、すなわち、定在波の節とすることができる。
【００１２】
このときｄの値は中心寸法と同等という広い範囲を持つ。従って、ｄが或る範囲内にあればプラズマ分布はさほど偏らないため、エッチングレートの均一性を向上させるだけは充分に可能である。故に、この場合、必ずしも容器内壁近傍の定在波を極小とする必要はない。しかし、汚染や異物を低減するためには、これを極小に近づける必要がある。そして、このとき、プラズマの着火性が極めて悪化してしまう。
【００１３】
この問題を解決するために、定在波制御部の形状寸法を可変とする。即ち、プラズマを生成する段階においては容器内壁近傍の定在波が節でなく、プラズマ生成後は速やかに容器内壁近傍の定在波が節となるように、形状寸法を調節できる可変構造を備えた定在波制御部を具備する。これにより、エッチングレートの均一性と、汚染ならびに異物の低減を実現しながら、プラズマの着火性も高めたプラズマ処理装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、誘電体窓の周辺部に近接した位置に、その形状寸法を可変とする機構を備えた定在波制御部を具備し、電磁波を誘電体窓より真空容器内に導入する際に、同一処理プロセス中で、誘電体窓部在の内部にできる定在波電界分布を少なくとも２種類に制御することができ、この結果、プラズマの着火時とウエハの処理時とで定在波電界を異なった分布にそれぞれ適正化することができる。
従って、本発明によれば、良好なプラズマ着火性のもとで均一なエッチングレートを保ちながら汚染と異物の低減に充分に対処することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置について、図示の実施の形態により詳細に説明する。
まず、図１は、本発明の一実施形態で、このプラズマ処理装置は、大別すると、減圧可能な容器(真空容器)を要部とする上部のチャンバ部と、このチャンバ部で必要なユーティリティを収納した下部のベッド部とで構成されている。
そして、まず、チャンバ部は、真空容器１０１と、この真空容器１０１内に高周波を導入する高周波電源１０２、真空容器１０１内に磁界を発生するソレノイドコイル１０３、真空容器１０１内からガス及び反応生成物を排気し減圧するターボ分子ポンプ１０４とを備えている。
【００１６】
ここで真空容器１０１は、半導体ウエハ１００が被加工物として載置される処理台となる下部電極１０５と、該被加工物に対面する円板状の誘電体窓１０６と、この誘電体窓１０６の下部に位置し中央部に複数個のガス導入孔を備えたシャワー板１０７と、誘電体窓１０６とシャワー板１０７の間に形成されているバッファ室１０８と、真空シール部材１０９とで構成されている。
このとき真空シール部材１０９は、誘電体窓１０３とシャワー板１０７及びバッファ室１０８を気密にし、真空容器１０１内の減圧雰囲気が維持する働きをする。
【００１７】
また、真空容器１０１の外部には、バッファ室１０８内にガスを導入するガス配管１１０とガス流量を制御するＭＦＣ(マスフローコントローラ)１１１、それにガス供給源１１２があり、これによりバッファ室１０８内に供給されたガスは、シャワー板１０７に設けてあるガス導入孔を通って下部電極１０５の上側にある処理室の中に均一に導入されるようになる。
【００１８】
次に、下部のベッド部は収納部１１３を備えている。そして、この収納部１１３の中には、下部電極１０５にＲＦ(高周波)電圧を印加してＲＦバイアスを発生するためのＲＦバイアス電源１１４とマッチングボックス１１５及びＤＣ(直流)電圧を印加して静電吸着力を発生させるためのＤＣ電源とマッチングボックスが収容されている。
一方、チャンバ部には、更に真空搬送容器１１６が設けてあり、この真空搬送容器１１６は半導体ウエハなどの被加工物の搬送時に開放されるゲート１１７を介して真空容器１０１の内部に連結している。そして、このゲート１１７は、ゲートバルブ１１８によって開閉される。
【００１９】
このとき真空搬送容器１１６は、半導体ウエハを搬送するための空間である搬送室１１９と、図１には示していないが、半導体ウエハを搬送するマニピュレータとなる真空ロボット及び搬送室を減圧する真空ポンプを備えている。
そして、これにより、処理の直前に、真空状態を保ったままチャンバの真空容器１０１内にウエハを搬入し、プラズマ処理後、同様にして搬出することができる。
【００２０】
このときは、まず、真空容器１０１及び真空搬送容器１１６を減圧する。そして処理すべき半導体ウエハを真空搬送容器１１６から真空容器１０１内に搬入し、下部電極１０５上に載置した上で静電力を利用して吸着させ、ガス供給源１１１からシャワー板１０７を通して真空容器１０１内の処理室にガスを導入する。処理室内のガス圧力が安定した後、ソレノイドコイル１０４に通電し、真空容器１０１内で処理室の上部にあるプラズマ生成室内に磁界を形成させ、高周波電源１０２から高周波(周波数ｆ)をプラズマ生成室内に供給する。
【００２１】
このとき、後で詳述するが、電子サイクロトロン共鳴が起こり、電子が加速され、加速された電子によりプラズマ生成室内に導入されたガスが電離し、プラズマ１２０が生成され、このプラズマ１２０により半導体ウエハ１００が処理される。
そして、処理終了後、静電吸着による残留吸着力を除くために除電を行ない、その後、半導体ウエハ１００を真空容器１０１内から搬出するのである。
【００２２】
ここで、更に図２により、図１の真空容器１０１の主要部について説明する。
まず、誘電体窓１０６の上にプラズマ形成用のアンテナが配置されている。このアンテナは、マグネトロンなどの高周波電源１０２に連結された導波管１２１と、この導波管１２１に接続されたアンテナプレート１２２と、このアンテナプレート１２２の上にあって導波管１２１が通され、アンテナプレート１２２を保持しているアンテナスペーサ１２３とで構成されている。なお、図２には示していないが、高周波電源１０２と導波管１２１とは、同軸ケーブルによって接続されている。
【００２３】
そこで、高周波電源１０２により発生されたＵＨＦ帯(マイクロ波)の高周波電力は導波管１２１を伝播し、アンテナプレート１２２から電磁波として放射され、誘電体窓１０６を通って処理室内に導入される。
このとき、図示のように、Ｌ字形断面の導体リング部材からなるチョークアンテナ１２４と、このチョークアンテナ１２４と導体壁により囲まれた誘電体リング部材からなるチョークスペーサ１２５が設けられ、これらチョークアンテナ１２４とチョークスペーサ１２５により定在波制御部が形成され、この結果、アンテナプレート１２２の外周部に定在波制御部が存在するようになっている。
【００２４】
ここで、まず、チョークアンテナ１２４の材質には、コストや加工性の観点からアルミ(アルミニューム)が選ばれるが、そのほかの金属でも良い。
ここで、このチョークアンテナ１２４を構成している導体リング部材は、図示されていないが、接地してある。
また、チョークスペーサ１２５には、同じくコストや誘電率の面からアルミナや石英が選ばれるが、更に誘電率が高い物質を選べば、定在波制御部のサイズをよりコンパクトにできる。
【００２５】
この定在波制御部が存在した場合、アンテナを伝播してきた高周波は、一部は誘電体窓１０６に伝播するが、一部はチョークアンテナ１２４の下部を回り込んでチョークスペーサ１２５に伝播していくようになる。
このとき、誘電体窓１０６を伝播した高周波は、この誘電体窓１０６の端面で反射され、チョークスペーサ１２５を伝播した高周波はチョークアンテナ１２４の内周部で反射されるので、入射波と干渉して定在波が作られる。
【００２６】
そこで、この定在波が真空容器１０１の内壁近傍で節(node)となるように、チョークアンテナ１２４の形状寸法及びチョークスペーサ１２５の誘電率εを選定する。
すなわち、チョークアンテナ１２４の径方向の長さをｄとしたとき、このｄが次の(1)式の範囲内であるとき、定在波は節か、節の近傍となる。
ｄ＝Ｌ／４＋Ｌ／２×(ｎ−Ｌ)±Ｌ／８……(1)
ｎ：正の整数
Ｌ＝ｃ／ｆ／√ε
ｃ：光速
【００２７】
このとき、電界が弱まった容器内壁近傍においては、ＥＣＲによる電子の加速が小さくなり、これにより容器内壁近傍ではプラズマの生成が抑制される。
そこで、チョークアンテナ１２４の径方向の長さｄを(1)式の範囲内に選定することにより、定在波の節が真空容器１０１の内壁近傍に形成されるようにしてやれば、プラズマ１２０が真空容器１０１の内壁近傍に偏在しないようにすることができ、この結果、エッチングレートの均一化が容易となる。
【００２８】
ここで、上記の(1)式において、ｎ＝１とすると、ｄ＝Ｌ／４±Ｌ／８となり、ｄは中心寸法と同等という広い範囲を持つ。
従って、エッチングレートの均一性を向上させるだけならば、ｄがこの範囲内にあればプラズマ分布はさほど偏らないため、これで充分である。
【００２９】
また、この結果、真空容器１０１の内壁近傍ではプラズマ１２０の密度を下げることができるので、真空容器１０１の内壁に対するプラズマ１２０による侵食を抑えることができ、これにより、真空容器１０１の内壁を構成している物質や真空容器１０１の内壁を保護するために設けられている溶射膜などを構成している物質に起因する汚染が低減でき、異物の発生を抑えることができる。
【００３０】
ここで高周波を用いたプラズマ処理装置であって定在波制御部を備えていない装置の場合、大口径ウエハと大パワーにおいては＜プラズマが真空容器の内壁近傍に偏在してしまうという問題が発生するが、この実施形態の場合、このような問題は発生しない。
一方、プラズマの着火に関しては、容器内壁近傍で電界が強いときに着火しやすいことが判っている。従って、エッチングレートの均一化と汚染の低減を目的として容器内壁近傍の電界を弱めたとするとプラズマの着火性が悪化してしまう。
【００３１】
このとき、従来技術のように、エッチングレートの均一化のみを目的とした場合は、容器内壁近傍の電界をあまり弱めないようにすることで実用に足るプラズマ着火性を保持することが可能である。
しかし、汚染を低減するためには容器内壁近傍のプラズマを充分に弱め、ひいては同位置の電界をできるだけ弱めることが必要となり、従って、汚染の低減が可能なプラズマ処理装置を提供するためには、プラズマの着火性を何らかの手段によって回復しなければならない。
【００３２】
そこで、本発明においては、上記課題の解決をもたらすであろう構成として、アンテナに対する定在波制御部の位置を調節する手段の存在に想到したもので、これによりプラズマの着火時には容器内壁近傍に強い電界が形成でき、ウエハの処理時には同位置の電界が弱められるようにした点が特徴であり、以下、この点について、更に詳しく説明する。
【００３３】
まず、この実施形態には、図１には表わされていないが、定在波制御部を構成しているチョークアンテナ１２４とチョークスペーサ１２５の位置を調節するため、図２に示すように、駆動部２０１とロッド部材２０２、それに制御装置２０３が設けられ、更にロッド部材２０２には、図３に詳細が示されているように、筒状の蛇腹からなるベローズ部材２０４を被せておき、これらにより定在波制御部位置調節手段としての機能が得られるようにしてある。
【００３４】
そして、まず、駆動部２０１は、例えば電動式の直線駆動型アクチュエータからなり、制御装置２０３の制御のもとでロッド部材２０２を矢印Ａ方向に動かし、任意の位置で停止させる働きをする。
このときロッド部材２０２は、その下端がチョークアンテナ１２４に連結されている。従って、駆動部２０１を動作させることにより、定在波制御部を上下に移動させることができ、この結果、制御装置２０３により駆動部２０１を制御することにより、定在波制御部を上下に動かし、任意の位置に停止させることができる。
【００３５】
このときロッド部材２０２とベローズ部材２０４は、チョークアンテナ１２４のフランジ部(Ｌ字形の立上り部)の一部を形成しているので、アンテナ１２２から放射される高周波電界を透過させてはならない。従って、このベローズ部材２０４は、上記したように金属、つまり導体で作られているのである。
また、このとき定在波制御部を構成するチョークアンテナ１２４は、リング状にアンテナプレート１２２を取り巻いて存在する。従って、上記駆動部系は最低でも２系統が必要で、それらがリングの中心に対して相互に反対側になるように設ける必要がある。
【００３６】
しかも、このときベローズの撓み性を考慮すると、できるだけ多くの位置で支えるのが望ましい。但し、スペースやコストなどの都合から、実用上は６〜８系統程度に選ばれるが、これ以外の数を選んでも良い。
この実施形態の場合、ベローズ部材２０４は、内側と外側で１対の金属波板によって構成される蛇腹構造で、上下方向に伸縮性を持つ。そして、このベローズ部材２０４の上端は定在波制御部の天井部材に固定され、下端はフランジ部の内周側に固定される。
そして、このベローズ部材２０４の下端はチョークアンテナ１２４のフランジ部の内周側に固定される。
【００３７】
駆動部２０１は、上記した電動式の直線駆動型アクチュエータの場合、制御装置２０３は電源を備え、例えばモータの回転による雄ねじ部材と雌ねじ部材による上下動をロッド部材２０２に与える。また、液圧式の直線駆動型アクチュエータの場合は、油圧源を備え、シリンダとピストンによる上下動をロッド部材２０２に与えることになる。
そして、ロッド部材２０２が上下に動くと、このロッド部材２０２が連結されたチョークアンテナ１２４も連動して動き、これにより高周波の伝播経路(伝播距離)が徐々に変化する。
【００３８】
このとき、ベローズ部材２０４の上端は天井部材に固定されたままであり、従って、このベローズ部材２０４が蛇腹構造により長さを変えた場合でも高周波を通す隙間が生じる虞はない。
一方、チョークアンテナ１２４が下降したとき、チョークスペーサ１２５のフランジ部の上部に隙間が生じ、定在波制御部としての誘電率に多少の差異が現れるが、このときフランジ部の位置の変化による伝播距離変化の影響の方が大きいため、この隙間は無視することができる。
【００３９】
このように定在波制御部の位置を可変とすることで、高周波の伝播経路を調整し、定在波の状態を調節し、必要に応じてプラズマ着火に好適な定在波状態にし、プラズマ処理に際しては、それに適した定在波状態が得られるようにすることができる。
そこで、以下、この実施形態によるプラズマ着火とプラズマ処理の手順について説明する。
まず、ターボ分子ポンプ１０４を動かし、真空容器１０１の処理室内を減圧する。このとき、チョークアンテナ１２４は上端に位置させておく。
【００４０】
次に、ウエハ１００を搬送し、下部電極１０５、つまり処理台の上に吸着させ、ガスを導入し、磁界と電界(高周波)を発生させ、プラズマ１２０が生成されるようにする。
ここで、制御装置２０３がプラズマの生成、もしくはそれ以前の高周波の供給等を感知したとき駆動部２０１が動作され、チョークアンテナ１２４のフランジ部を降下させ、処理条件に対応して最適な位置にする。
ここで処理中も、必要ならばフランジ部の上下位置を微調整し、プラズマ分布を常に最適な形に保つように制御する。
【００４１】
そして、処理終了後、次のウエハの処理が始まる前に、制御装置２０３がプラズマの消失や高周波の供給停止、ウエハの搬出等を感知して駆動部２０１に命令を下し、フランジ部は再び上端の位置(初期位置)まで上昇して着火に備えるのである。
ここで、図４は、この実施形態における着火時のベローズ縮み量と容器内壁近傍電界強度との関係を表した特性図である。
【００４２】
このときチョークスペーサ１２５の材質はアルミナ(ε≒９.８)で、チョークアンテナ１２４のフランジ部の外周端からベローズ部材２０４の外周端までの長さ(チョークアンテナの径方向長さ)は３４.０ｍｍであり、ここでチョークスペーサ１２５の上下方向の長さをベローズ部全体の上下方向長さより約１０.０ｍｍ短くし、１０.０ｍｍまで上方へ移動できるようにし、この状態でプラズマ処理時、汚染が最も低減した形状寸法を初期状態(ベローズ縮み量０ｍｍ)とし、ここからフランジ部を上方向に１.０ｍｍずつ動かした場合の容器内壁近傍電界強度を、シミュレーションソフトによって求めたものである。
【００４３】
そして、この図４では、容器内壁近傍電界強度は、ベローズ縮み量が６.０ｍｍのとき極大値を示し、ベローズ縮み量が６.０ｍｍ以下の場合では、容器内壁近傍電界強度は単調に増加し、反対に６.０ｍｍ以上の場合では単調に減少している。
このとき容器内壁近傍での電界が強いとき着火性が良いことは、発明者らの検討により既に判明しており、従って、この実施形態の場合、着火性向上のためのベローズ縮み量の最適値は６.０ｍｍであることが判る。
【００４４】
また、この結果、この実施形態の場合には、ベローズ部材２０４が伸縮できる最大長さは６.０ｍｍで良いといえる。
プラズマ着火後は、フランジ部の上下位置をベローズ縮み量０ｍｍないしその近傍へ速やかに移動するが、逆へ移動する必要はない。
次に、図５は、この実施形態における容器内壁近傍電界強度と汚染量の関係、及びベローズ縮み量と容器内壁近傍電界強度の関係を表した図である。
【００４５】
そして、まず、図５(a)によれば、容器内壁近傍電界が弱くなると汚染量が低減し、このとき電界強度約５０(Ｖ／ｍ)以上では汚染量は一次関数的に変化するが、以下では汚染量はかなり少なく、ほぼ一定であるとみなすことができ、従って、汚染量を低減するためには、容器内壁近傍電界強度を５０(Ｖ／ｍ)以下にすれば良いことが判る。
そして、図５(b)によれば、容器内壁近傍電界強度が５０(Ｖ／ｍ)以下になるのは、ベローズ縮み量が３.０ｍｍ以下のときであり、従って、この実施形態の場合、プラズマ処理中はベローズ縮み量を３.０ｍｍ以下にしておけば汚染が低減できることになる。
【００４６】
従って、この実施形態の場合、プラズマ着火時にはベローズ縮み量を６.０ｍｍとし、その後、プラズマ処理時には３.０ｍｍ以下にすることにより、良好なプラズマ着火性のもとで均一なエッチングレートを保ちながら汚染と異物の低減に充分に対処することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の一実施形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の一実施形態における真空容器の主要部を拡大して示した縦断面図である。
【図３】本発明の一実施形態における真空容器の主要部を更に拡大して示した縦断面図である。
【図４】本実施例における、着火時のベローズ縮み量と容器内壁近傍電界強度との関係を表した図である。
【図５】本実施例における、処理時のベローズ縮み量と、容器内壁近傍電界強度と、汚染量との関係を表した図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０１：真空容器
１０２：高周波電源
１０３：ソレノイドコイル
１０４：ターボ分子ポンプ
１０５：下部電極(処理台)
１０６：誘電体窓
１０７：シャワー板
１０８：バッファ室
１０９：真空シール部材
１００：ウエハ
１１０：ガス配管
１１１：ＭＦＣ
１１２：ガス供給源
１１３：収納部
１１４：ＲＦバイアス電源
１１５：マッチングボックス
１１６：真空搬送容器
１１７：ゲート
１１８：ゲートバルブ
１１９：搬送室
１２０：プラズマ
１２１：導波管
１２２：アンテナプレート
１２３：アンテナスペーサ
１２４：チョークアンテナ
１２５：チョークスペーサ
２０１：駆動部
２０２：ロッド部材
２０３：電源及び制御装置
２０４：ベローズ部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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