(57)【要約】【課題】  電源オフ時において妨害波の発生を低減する。【解決手段】  ＋Ｂ電源がオフされると、ＦＥＴのゲート−ソース間のバイアス電圧がゼロになってＦＥＴはオンする。これにより、ＢＰＦ１１の端子ａ２はＦＥＴのオンインピーダンスによりアースに終端され、ＡＭＰ１２にはＡＮＴ１０の受信信号がほとんど印加されないようになる。これにより、ＡＭＰ１２の入力側が非直線特性であっても、非直線特性により生じる妨害波のレベルは小さくなり、妨害波がＡＮＴ１０から放射されても他に影響を及ぼさないようになる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナの受信信号の内から必要な周波数帯域の信号を抽出するフィルタと、
該フィルタから入力された信号の処理を行う能動回路と、
前記能動回路の電源がオフされた際にオンして、前記フィルタを通る信号を終端するスイッチ手段とを備え、
前記能動回路の電源がオフされた際に、前記能動回路に入力される信号を前記スイッチ手段により減衰するようにしたことを特徴とする電子回路。
【請求項２】
前記フィルタは、直列共振回路が２段直列に接続されると共に、該２段の直列共振回路の接続点とアース間に並列共振回路が接続されて構成されており、前記スイッチ手段は、前記２段の直列共振回路の接続点を終端するようにしたことを特徴とする請求項１記載の電子回路。
【請求項３】
前記スイッチ手段は接合型のＦＥＴからなり、前記アンプの電源がオンされている際には該ＦＥＴのゲート−ソース間に該電源を利用した逆バイアスが印加されて該ＦＥＴはオフしており、前記アンプの電源がオフされた際には該ＦＥＴのゲート−ソース間のバイアスがゼロになって該ＦＥＴがオンすることを特徴とする請求項１記載の電子回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、能動回路を有する電子回路において、能動回路により生じる非直線歪を低減するようにした電子回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、自動車の窓ガラス等にフィルム状のＦＭアンテナが設置されており、このＦＭアンテナで受信された受信信号はアンプで増幅されてＦＭ受信機に供給されている。このアンプは、能動素子を用いた能動回路からなる電子回路とされている。ところで、近年自動車の電子化が進み、様々な電波が使用されて自動車の各種制御が行われている。例えば、車両にはキーレスエントリーシステムが組み込まれている場合が多くされている。車両のキーレスエントリーシステムでは、キーをシリンダーに差し込まなくても、リモコンからドアキーを施錠・開錠することができる。キーレスエントリーシステムでは、キー本体あるいは独立したリモコンに設置された小型発信器から電波を送り、ドアロック制御ユニットをコントロールする仕組みとされている。キーレスエントリーシステムに限らず、ワイヤレスでコントロールするシステムでは、一般に特定の周波数の電波を利用している。
【０００３】
電波を利用したワイヤレスでコントロールするシステムにおいて、システムが使用している周波数の近傍に妨害波があると、コントロールシステムは正常に動作しないことがある。例えば、東京タワー（ＦＭ強電界）の直下のような強電界地域において、車両のエンジンキーがオフされた状態の際に、キーレスエントリーシステムが正常に動作しない事例があった。この車両にはＦＭ受信機が搭載されており、ガラスアンテナとされたＦＭアンテナと、ＦＭアンテナの受信信号を増幅するアンプとが車両に搭載されている。エンジンキーがオフされた状態では、アンプの電源もオフされた状態となるが、ＦＭアンテナの受信信号はアンプに入力されている。すると、アンプの入力側における能動素子の非直線特性により３次ないし５次の相互変調歪みの周波数成分が生じる。この周波数成分はＦＭアンテナに戻って幅射されるようになり、その周波数が車両のキーレスエントリシステムの妨害周波数となった際に、キーレスエントリシステムが正常に働かないことが分かった。
【０００４】
ここで、車両に搭載される従来のアンプであってＦＭ周波数帯域を増幅するＲＦアンプの構成例を示すブロック図を図１１に示す。図１１に示すＲＦアンプ１００において、ＦＭ放送受信用のアンテナ（ＡＮＴ）１１０で受信された受信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１１１により受信信号の内の必要な周波数帯域であるＦＭ周波数帯域の信号が抽出されてアンプ（ＡＭＰ）１１２に入力される。ＡＭＰ１１２において増幅されたＦＭ受信信号はハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１１３により低域の不要周波数帯域が除去されて出力端子（ＯＵＴ）から出力されＦＭ受信機に供給される。ＡＭＰ１１２には＋Ｂ電源から電源が供給されている。
【０００５】
図１１に示すＲＦアンプ１００において約１３．２Ｖの＋Ｂ電源をオンにした際の伝送特性を図１２に示す。伝送特性の測定に当たっては、ＢＰＦ１１１の入力端子に測定信号を印加し、ＯＵＴから出力される測定信号のレベルを測定しており、測定信号は１０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでスキャンされている。図１２を参照すると、ＦＭ周波数帯域である８８ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚにおいて約５ｄＢのレベルに増幅されており、キーレスエントリシステムの周波数３１４．４ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−５０．５ｄＢとなり、キーレスエントリシステムの周波数４３３．９ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−４７．５ｄＢとなっている。そして、ＲＦアンプ１００の電源をオフにした際の伝送特性を図１３に示す。図１３を参照すると、電源がオフされて増幅されないことからＦＭ周波数帯域である８８ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚにおいて約−１１ｄＢ〜約−１５ｄＢに低減されたレベルとなり、キーレスエントリシステムの周波数３１４．４ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−４６．５ｄＢとなり、キーレスエントリシステムの周波数４３３．９ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−４７．５ｄＢと上昇している。このように、ＲＦアンプ１００の電源がオフされた際にキーレスエントリシステムに妨害を与える周波数成分のレベルが上昇するのは、電源がオフされるとＡＭＰ１１２の能動素子にバイアスが与えられず３次ないし５次の相互変調歪みの成分が大きくなるからと考えられる。これにより、ＡＮＴ１１０から放射される妨害波の強度が強くなり、キーレスエントリシステムが正常に動作しないおそれがあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のＲＦアンプにおいて、アンテナから放射される妨害波を低減するには、ＲＦアンプの電源オフ時において、妨害波を生じさせる不要周波数成分をカットする必要があるが、アンプ内部にフィルタを設けると、電源オン時と電源オフ時とでは、アンプのインピーダンスが異なるインピーダンスとなる。このため、フィルタのインピーダンスが乱れフィルタとしてほとんど機能しないため電源オフ時には不要周波数成分をカットできないという問題点があった。また、アンプ内部にフィルタを設けると、ＡＮＴ１１０からＢＰＦ１１１までの給電線の長さによりインピーダンスが変化し、給電線の長さに合わせたフィルタの電子部品定数の選定が必要となり、製品ごとにチューニングしなければならないという問題点があった。
【０００７】
そこで、本発明は電源オフ時において妨害波の発生を低減することができる電子回路を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の電子回路は、アンテナの受信信号の内から必要な周波数帯域の信号を抽出するフィルタと、該フィルタから入力された信号の処理を行う能動回路と、能動回路の電源がオフされた際にオンして、フィルタを通る信号を終端するスイッチ手段とを備えることを最も主要な特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、アンテナの受信信号の内から必要な周波数帯域の信号を抽出するフィルタと、該フィルタから入力された信号の処理を行う能動回路と、能動回路の電源がオフされた際にオンして、フィルタを通る信号を終端するスイッチ手段とを備えていることから、能動回路の電源がオフされた際に、能動回路に印加される信号をスイッチ手段により減衰することができ、アンテナから放射される妨害波を低減することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施例の電子回路とされるＲＦアンプの構成を示す回路図を図１に示す。
図１に示すＲＦアンプ１は、ＦＭ放送受信用のアンテナ（ＡＮＴ）１０で受信された受信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１１の端子ａ１に入力され受信信号の内の必要な周波数帯域であるＦＭ周波数帯域のＦＭ受信信号が抽出されて端子ａ３から出力される。端子ａ３からの出力は能動回路とされるアンプ（ＡＭＰ）１２に入力されてＦＭ受信信号が所定のゲインで増幅されて出力される。ＡＭＰ１２からの増幅されたＦＭ受信信号はハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１３に供給されて低域の不要周波数帯域が除去されて出力端子（ＯＵＴ）から出力される。ＯＵＴから出力されたＦＭ受信信号は車両に搭載されているＦＭ受信機に供給される。ＡＭＰ１２には＋Ｂ電源から電源が供給されている。
【００１１】
また、本発明にかかるＲＦアンプ１はスイッチング（ＳＷ）回路２０を備えており、ＳＷ回路２０においては、ＢＰＦ１１の端子ａ２がコンデンサＣ１を介してＮチャンネルの接合型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のドレインＤに接続されている。このＦＥＴはスイッチング素子として動作し、ドレインＤは負荷抵抗Ｒ１を介して＋Ｂ電源に接続されている。さらに、ＦＥＴのゲートＧはアースに接続され、＋Ｂ電源とアース間に直列に接続されたバイアス抵抗Ｒ３，Ｒ４により分圧されて、このバイアス電圧が抵抗Ｒ２を介してソースＳに供給されている。また、ソースＳには一端がアースされたバイパスコンデンサＣ２が接続されて交流的にアースされている。
そして、＋Ｂ電源がオンされてＡＭＰ１２に動作電源が供給されている場合は、ＡＭＰ１２においてＦＭ受信信号は所定のゲインで増幅される。この場合、ＦＥＴのソースＳにはバイアス抵抗Ｒ３，Ｒ４により正のバイアス電圧が印加され、ＦＥＴのゲートＧはアースされていることからＦＥＴのソースＳにはピンチオフ電圧以上の逆バイアス電圧が印加されてＦＥＴはオフしており、ＦＥＴはハイインピーダンスとなってＲＦアンプ１の動作に影響を与えない。
【００１２】
また、＋Ｂ電源がオフされてＡＭＰ１２に動作電源が供給されない場合は、ＡＭＰ１２は増幅動作を行わない。この場合、ＦＥＴのソースＳは抵抗Ｒ２とバイアス抵抗Ｒ４との直列回路を介してアースされるようになり、ＦＥＴのゲートＧはアースされていることからＦＥＴのゲート−ソース間のバイアス電圧はゼロとなり接合型のＦＥＴはオンして所定のインピーダンスとなる。すると、ＢＰＦ１１の端子ａ２はコンデンサＣ１→ＦＥＴのドレイン−ソース→コンデンサＣ２の経路で交流的にアースされる。すなわち、ＢＰＦ１１の端子ａ２はＦＥＴのオンしたインピーダンスでアースに終端される。これにより、ＡＮＴ１０で受信された受信信号がＢＰＦ１１の端子ａ２においてＳＷ回路２０により終端されるようになる。従って、ＡＮＴ１０で受信された受信信号はＢＰＦ１１の端子ａ３からほぼ出力されず、ＡＭＰ１２にはほとんど入力されないことから＋Ｂ電源がオフされた際にＡＭＰ１２の入力側が非線形特性となっていても３次ないし５次の相互変調歪により生じる妨害波のレベルは極めて小さくなる。また、ＢＰＦ１１の端子ａ２はＦＥＴのオンしたインピーダンスで終端されることから、ＢＰＦ１１のインピーダンスは乱れることなく正常に機能する。この結果、ＡＭＰ１２において３次ないし５次の相互変調歪により妨害波が生じても、ＡＮＴ１０から輻射される妨害波のレベルはキーレスエントリシステム等の車両に搭載されているワイヤレスのシステムに影響を与えないレベルとすることができる。
【００１３】
次に、ＢＰＦ１１の詳細な回路例を図２に示す。ＢＰＦ１１は図２に示すように、一端が端子ａ１とされているコイルＬ１０とコンデンサＣ１０の第１直列共振回路と、コンデンサＣ１１とコイルＬ１１との第２直列共振回路とが直列に接続されており、第２直列共振回路の出力端は端子ａ３とされている。また、第１直列共振回路と第２直列共振回路の接続点とアース間にコイルＬ１２とコンデンサＣ１２からなる並列共振回路が接続されており、第１直列共振回路と第２直列共振回路の接続点が端子ａ２とされている。
【００１４】
次に、ＲＦアンプ１におけるＢＰＦ１１の端子ａ２における入力インピーダンス特性を示すスミスチャートを図３、図４に示す。
図３に示すスミスチャートは、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオンした際の端子ａ２の入力インピーダンス特性を示している。図３を参照すると、７６ＭＨｚにおけるインピーダンスの実数分は約１０．９８Ω、虚数分は約−２６６．６Ωとなり、８８ＭＨｚにおけるインピーダンスの実数分は約９．５８Ω、虚数分は約−２２８．６Ωとなり、９８ＭＨｚにおけるインピーダンスの実数分は約７．０９Ω、虚数分は約−２０３．９Ωとなり、１０８ＭＨｚにおけるインピーダンスの実数分は約７．４４Ω、虚数分は約−１８６．４Ωとなる。このように、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオンした際にはＳＷ回路２０のＦＥＴがオフされることから、７６ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚのＦＭ周波数帯域において端子ａ２はハイインピーダンスとなり、ＳＷ回路２０をＲＦアンプ１に付加してもＢＰＦ１１のインピーダンスは乱れることがなく正常に機能するようになる。
【００１５】
また、図４に示すスミスチャートは、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオフした際の端子ａ２の入力インピーダンス特性を示している。図４を参照すると、７６ＭＨｚにおけるインピーダンスの実数分は約３０Ω、虚数分は約５．２１Ωとなり、８８ＭＨｚにおけるインピーダンスの実数分は約３０．２Ω、虚数分は約６．１７Ωとなり、９８ＭＨｚにおけるインピーダンスの実数分は約３０．４Ω、虚数分は約６．７８Ωとなり、１０８ＭＨｚにおけるインピーダンスの実数分は約３０．７Ω、虚数分は約７．４９Ωとなる。このように、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオフした際にはＳＷ回路２０のＦＥＴがオンされて、ＦＥＴのオンした低いインピーダンスでアースに終端されるようになる。すなわち、ＢＰＦ１１の端子ａ２を介してＳＷ回路２０によりアースに終端されるようになり、ＢＰＦ１１において抽出される７６ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚのＦＭ周波数帯域における信号が減衰されるようになる。
【００１６】
次に、図１に示すＲＦアンプ１の＋Ｂ電源（約１３．２Ｖ）をオンにした際の伝送特性を図５に示す。伝送特性の測定に当たっては、ＢＰＦ１１の入力端子に測定信号を印加し、ＯＵＴから出力される測定信号のレベルを測定しており、測定信号は１０ＭＨｚから５００ＭＨｚまでスキャンされている。後述する全ての伝送特性もこのようにして測定されている。
図５を参照すると、ＦＭ周波数帯域である８８ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚにおいて約５ｄＢ以上のレベルに増幅されており、キーレスエントリシステムの周波数３１４．４ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−４３．１ｄＢとなり、キーレスエントリシステムの周波数４３３．９ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−５３ｄＢとなっている。そして、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオフにした際の伝送特性を図６に示す。図６を参照すると、電源がオフされてＡＭＰ１２が動作しないと共に、ＳＷ回路２０のＦＥＴがオンすることから、ＢＰＦ１１の端子ａ２がＳＷ回路２０によりアースに終端されて、ＦＭ周波数帯域である８８ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚにおいて約−２４ｄＢ〜約−２５ｄＢのレベルに大幅に低減され、従来より最大で約１３ｄＢ、最小で約１０ｄＢ減衰されるようになる。これにより、ＲＦアンプ１の電源がオフされた際に、ＡＭＰ１２に入力されるＦＭ周波数帯域の信号レベルが減衰されて、ＡＭＰ１２において生じる３次ないし５次の相互変調歪による妨害波のレベルを低減することができる。
【００１７】
この場合、キーレスエントリシステムの周波数３１４．４ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−５７．１ｄＢとなり、キーレスエントリシステムの周波数４３３．９ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−５０．７ｄＢと低減され、キーレスエントリシステムの周波数を含む周波数帯域において従来より最大で約８ｄＢ、最小で約３ｄＢ程度低減されるようになる。このように、ＡＮＴ１０で受信された受信信号はＢＰＦ１１の端子ａ２においてＳＷ回路２０によりアースに終端されて端子ａ３からほぼ出力されないようになる。これにより、＋Ｂ電源がオフされた際にＡＭＰ１２の入力側が非線形特性となっていてもＡＭＰ１２において生じる３次ないし５次の相互変調歪による妨害波のレベルは極めて小さくなり、妨害波が生じた際にＡＮＴ１０から輻射される妨害波のレベルはキーレスエントリシステム等の車両に搭載されているシステムに影響を与えない低減されたレベルとすることができる。
【００１８】
次に、対比のためにＢＰＦ１１の端子ａ２に代えて端子ａ１をコンデンサＣ１を介してＦＥＴのドレインＤに接続した場合に、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源（約１３．２Ｖ）をオンにした際の伝送特性を図７に示す。図７を参照すると、ＦＭ周波数帯域である８８ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚにおいて約５ｄＢ以上のレベルに増幅されており、キーレスエントリシステムの周波数３１４．４ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−５８．６ｄＢとなり、キーレスエントリシステムの周波数４３３．９ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−５４．５ｄＢとなっている。そして、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオフにした際の伝送特性を図８に示す。図８を参照すると、電源がオフされてＡＭＰ１２が動作しないと共に、ＳＷ回路２０のＦＥＴがオンすることから、ＢＰＦ１１の端子ａ１がＳＷ回路２０によりアースに終端されて、ＦＭ周波数帯域である８８ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚにおいて約−１６ｄＢ〜約−２４ｄＢに低減されたレベルとなり、従来より最大で約５ｄＢ、最小で約２ｄＢ減衰されるようになる。さらに、キーレスエントリシステムの周波数３１４．４ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−６２．２ｄＢとなり、キーレスエントリシステムの周波数４３３．９ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−５２．５ｄＢと大幅に低減され、キーレスエントリシステムの周波数を含む周波数帯域において従来より最大で約２０ｄＢ、最小で約９ｄＢ程度低減されるようになる。
【００１９】
さらに、対比のためにＢＰＦ１１の端子ａ２に代えて端子ａ３をコンデンサＣ１を介してＦＥＴのドレインＤに接続した場合に、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源（約１３．２Ｖ）をオンにした際の伝送特性を図９に示す。図９を参照すると、ＦＭ周波数帯域である８８ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚにおいて約５ｄＢのレベルに増幅されており、キーレスエントリシステムの周波数３１４．４ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−４３．６ｄＢとなり、キーレスエントリシステムの周波数４３３．９ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−２７．８ｄＢとなっている。そして、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオフにした際の伝送特性を図１０に示す。図１０を参照すると、電源がオフされてＡＭＰ１２が動作しないと共に、ＳＷ回路２０のＦＥＴがオンすることから、ＢＰＦ１１の端子ａ３がＳＷ回路２０によりアースに終端されて、ＦＭ周波数帯域である８８ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚにおいて約−２３．９ｄＢ〜約−２４．３ｄＢに大幅に低減されたレベルとなり、従来より最大で約１２ｄＢ、最小で約９ｄＢ減衰されるようになる。ただし、キーレスエントリシステムの周波数３１４．４ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−４６．２ｄＢとなり、キーレスエントリシステムの周波数４３３．９ＭＨｚの周波数成分のレベルは約−４４．４ｄＢとなって、従来とほぼ同様の減衰となる。
【００２０】
上記のように、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオフにした際にＢＰＦ１１の端子ａ１をＳＷ回路２０によりアースに終端した場合は、端子ａ２をＳＷ回路２０によりアースに終端した場合よりＦＭ周波数帯域の信号レベルが最大で約８ｄＢ大きくなってしまう。また、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオフにした際にＢＰＦ１１の端子ａ３をＳＷ回路２０によりアースに終端した場合は、端子ａ２をＳＷ回路２０によりアースに終端した場合よりキーレスエントリシステムの周波数成分のレベルが約６ｄＢ以上大きくなってしまう。このことから、ＲＦアンプ１の＋Ｂ電源をオフにした際に、ＢＰＦ１１の端子ａ２をＳＷ回路２０によりアースに終端した場合に、より効率的に３次ないし５次の相互変調歪により生じる妨害波のレベルを低減することができることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
以上説明した本発明にかかるＲＦアンプ１においては、ＢＰＦ１１の端子ａ２にＳＷ回路２０を接続したが、これに限ることはなくＢＰＦ１１の端子ａ１にＳＷ回路２０を接続して、ＲＦアンプの電源がオフされた際に端子ａ１をＳＷ回路２０により終端するようにしてもよい。
また、本発明の電子回路はＲＦアンプに限るものではなく初段の能動回路とされる周波数変換回路や検波回路等に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施例の電子回路とされるＲＦアンプの構成を示す回路図である。
【図２】本発明の実施例にかかるＲＦアンプのＢＰＦの詳細な回路例を示す回路図である。
【図３】本発明の実施例にかかるＲＦアンプのＢＰＦの端子ａ２における入力インピーダンス特性を示すスミスチャートである。
【図４】本発明の実施例にかかるＲＦアンプのＢＰＦの端子ａ２における他の入力インピーダンス特性を示すスミスチャートである。
【図５】本発明の実施例にかかるＲＦアンプにおいて電源をオンした際の伝送特性を示す図である。
【図６】本発明の実施例にかかるＲＦアンプにおいて電源をオフした際の伝送特性を示す図である。
【図７】本発明の実施例にかかるＲＦアンプにおいて電源をオンした際の他の伝送特性を示す図である。
【図８】本発明の実施例にかかるＲＦアンプにおいて電源をオフした際の他の伝送特性を示す図である。
【図９】本発明の実施例にかかるＲＦアンプにおいて電源をオンした際のさらに他の伝送特性を示す図である。
【図１０】本発明の実施例にかかるＲＦアンプにおいて電源をオフした際のさらに他の伝送特性を示す図である。
【図１１】従来の電子回路とされるＲＦアンプの構成を示す回路図である。
【図１２】従来のＲＦアンプにおいて電源をオンした際の伝送特性を示す図である。
【図１３】従来のＲＦアンプにおいて電源をオフした際の伝送特性を示す図である。
【符号の説明】
【００２３】
１  ＲＦアンプ、１０  ＡＮＴ、１１  ＢＰＦ、１２  ＡＭＰ、１３  ＨＰＦ、２０  ＳＷ回路、１００  ＲＦアンプ、１１０  ＡＮＴ、１１１  ＢＰＦ、１１２  ＡＭＰ、１１３  ＨＰＦ
【図１】
2009212649.tif 000003
【図２】
2009212649.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009212649.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009212649.tif 000011
【図１０】
2009212649.tif 000012
【図１１】
2009212649.tif 000013
【図１２】
2009212649.tif 000014
【図１３】
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