(57)【要約】【課題】本発明は、保護層の欠けの発生も少なく、また加速マイグレーション試験においてもマイグレーションが発生するということはなく、さらにはヒートサイクル試験においても保護層にクラックが発生するということもないチップ状電子部品を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明のチップ状電子部品は、基板１１と、この基板１１の少なくとも一方の表面に設けられた抵抗体層１３と、この抵抗体層１３を覆うように設けられた保護層１４とを備え、前記保護層１４を、少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機フィラーおよび溶剤の混合材料により構成し、かつこの保護層は、ビッカース硬度を９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度を４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数を０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲に設定したものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の少なくとも一方の表面に設けられた抵抗体層と、この抵抗体層を覆うように設けられた保護層とを備え、前記保護層を、少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機フィラーおよび溶剤の混合材料により構成し、かつこの保護層は、ビッカース硬度を９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度を４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数を０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲に設定したチップ状電子部品。
【請求項２】
保護層を構成する混合材料における熱硬化性樹脂として、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂とナフトールノボラック型エポキシ樹脂を配合比率１００：０〜２０：８０の範囲で混合してなるエポキシ樹脂を用いた請求項１記載のチップ状電子部品。
【請求項３】
保護層を構成する混合材料における熱硬化性樹脂として、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂とフェノールビフェニレン型エポキシ樹脂を配合比率１００：０〜２０：８０の範囲で混合してなるエポキシ樹脂を用いた請求項１記載のチップ状電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に利用されるチップ状電子部品に関するもので、特に微小なチップ状電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、電子機器には非常に小型のチップ状電子部品が多く用いられるようになってきた。特に近年では長さ１．０ｍｍ×幅０．５ｍｍ×厚み０．２５ｍｍという非常に小型のチップ状電子部品が主流となりつつある。
【０００３】
従来のチップ状電子部品について、角形チップ抵抗器を一例として説明する。
【０００４】
図３は従来の角形チップ抵抗器の構造を示す斜視図、図４は同角形チップ抵抗器の断面図である。
【０００５】
図３、図４において、１は９６アルミナ基板からなる基板、２は基板１の上面の両端部に形成された一対の上面電極層で、この一対の上面電極層２は銀系の厚膜電極により構成されている。３は前記一対の上面電極層２に電気的に接続されるように形成された抵抗体層で、この抵抗体層３はルテニウム系厚膜抵抗により構成されている。４は抵抗体層３を完全に覆うように形成された保護層である。５は前記基板１の両端面に前記一対の上面電極層２と電気的に接続するように設けられた一対の端面電極層で、この一対の端面電極層５は導電性粒子と樹脂の混合材料により構成されている。６は前記端面電極層５と上面電極層２の露出部を覆うように設けられたニッケルめっき層、７は前記ニッケルめっき層６を覆うように設けられたはんだまたは錫めっき層で、このはんだまたは錫めっき層７と前記ニッケルめっき層６とにより外部電極を形成している。
【０００６】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平７−１５３６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した角形チップ抵抗器に代表されるチップ状電子部品の製造工程においては、角形チップ抵抗器同士がぶつかることにより保護層の欠けが発生したり、−５０℃／＋１２０℃各３０分のヒートサイクル試験１０００サイクルにおいて保護層にクラックが入ったり、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖの加速マイグレーション試験において、上面電極間にマイグレーションが発生したりしていた。特に、近年の高密度実装化に伴ってチップ状電子部品間のサイズが小さくなり、上記問題による不良が多く発生するようになった。
【０００８】
そこで、本発明者らは上記の課題を解決するために種々検討を重ねた。その結果、保護層として柔らかい硬化膜を使用した場合は、保護層の欠けが発生し、一方、硬い硬化膜を使用した場合は、抵抗体層や基板との密着性が悪くなり、マイグレーションが発生し易くなること、さらに保護層の膨張係数が大きいと保護層と基板との膨張係数差によりヒートサイクル試験において保護層にクラックが発生することが見出された。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、保護層の欠けの発生も少なく、また加速マイグレーション試験においてもマイグレーションが発生するということはなく、さらにはヒートサイクル試験においても保護層にクラックが発生するということもないチップ状電子部品を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、基板と、この基板の少なくとも一方の表面に設けられた抵抗体層と、この抵抗体層を覆うように設けられた保護層とを備え、前記保護層を、少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機フィラーおよび溶剤の混合材料により構成し、かつこの保護層は、ビッカース硬度を９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度を４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数を０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲に設定したもので、この構成によれば、保護層を、少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機フィラーおよび溶剤の混合材料により構成し、かつこの保護層は、ビッカース硬度を９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度を４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数を０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲に設定しているため、チップ状電子部品の製造工程で部品同士がぶつかることによる保護層の欠けが発生するということは少なくなり、また、加速マイグレーション試験においてもマイグレーションが発生するということはなく、さらにはヒートサイクル試験においても保護層にクラックが発生するということもないという作用効果を有するものである。
【００１２】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、保護層を構成する混合材料における熱硬化性樹脂として、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂とナフトールノボラック型エポキシ樹脂を配合比率１００：０〜２０：８０の範囲で混合してなるエポキシ樹脂を用いたもので、この構成によれば、保護層を構成する混合材料における熱硬化性樹脂として、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂とナフトールノボラック型エポキシ樹脂を配合比率１００：０〜２０：８０の範囲で混合してなるエポキシ樹脂を用いているため、チップ状電子部品の製造工程で部品同士がぶつかることによる保護層の欠けが発生するということは少なくなり、また、加速マイグレーション試験においてもマイグレーションが発生するということはなく、さらにはヒートサイクル試験においても保護層にクラックが発生するということもないという作用効果を有するものである。
【００１３】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、保護層を構成する混合材料における熱硬化性樹脂として、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂とフェノールビフェニレン型エポキシ樹脂を配合比率１００：０〜２０：８０の範囲で混合してなるエポキシ樹脂を用いたもので、この構成によれば、保護層を構成する混合材料における熱硬化性樹脂として、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂とフェノールビフェニレン型エポキシ樹脂を配合比率１００：０〜２０：８０の範囲で混合してなるエポキシ樹脂を用いているため、チップ状電子部品の製造工程で部品同士がぶつかることによる保護層の欠けが発生するということは少なくなり、また、加速マイグレーション試験においてもマイグレーションが発生するということはなく、さらにはヒートサイクル試験においても保護層にクラックが発生するということもないという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明のチップ状電子部品は、抵抗体層を覆うように設けられた保護層を、少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機フィラーおよび溶剤の混合材料により構成し、かつこの保護層は、ビッカース硬度を９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度を４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数を０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲に設定しているため、チップ状電子部品の製造工程で部品同士がぶつかることによる保護層の欠けが発生するということは少なくなり、また、加速マイグレーション試験においてもマイグレーションが発生するということはなく、さらにはヒートサイクル試験においても保護層にクラックが発生するということもないという優れた効果を奏するものである。
【００１５】
なお、前記保護層のビッカース硬度に関しては、保護層硬化時の架橋密度を高め、かつ無機フィラーの充填量を増やすことにより保護層のビッカース硬度２００Ｈｖ以上を達成できるが、この場合、基板との密着性が低下し、マイグレーションが発生しやすくなる。そのため、保護層のビッカース硬度は上限を２００Ｈｖに設定しているものである。また、保護層の基板との密着強度に関しては、保護層の架橋密度を低下させ、かつ無機フィラーの充填量を減らすことにより基板との密着強度８０ＫＮ以上を達成できるが、この場合、保護層のビッカース硬度が低下し、かつ膨張係数が大きくなるため、保護層の欠けやクラックが発生しやすくなる。このため、保護層の基板との密着強度の上限を８０ＫＮとしているものである。そしてまた、保護層の膨張係数に関しては、アルミナ基板の膨張係数が０．７×１０-5／℃であるため、保護層に発生するクラックの要因となる保護層と基板との膨張係数差が最小になる場合の０．７×１０-5／℃を下限としているものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における角形チップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の形態１における角形チップ抵抗器の斜視図、図２は同角形チップ抵抗器の断面図である。
【００１８】
図１、図２において、１１は９６アルミナ基板からなる基板、１２は基板１１の上面の両端部に形成された一対の上面電極層で、この一対の上面電極層１２は銀系の厚膜電極により構成されている。１３は前記一対の上面電極層１２に電気的に接続されるように形成された抵抗体層で、この抵抗体層１３はルテニウム系厚膜抵抗により構成されている。１４は抵抗体層１３を完全に覆うように形成された保護層である。１５は前記基板１１の両端面に一対の上面電極層１２と電気的に接続されるように設けられた一対の端面電極層で、この一対の端面電極層１５は導電性粒子と樹脂の混合材料により構成されている。１６は前記端面電極層１５と上面電極層１２の露出部を覆うように設けられたニッケルめっき層である。１７は前記ニッケルめっき層１６を覆うように設けられたはんだまたは錫めっき層で、このはんだまたは錫めっき層１７と前記ニッケルめっき層１６とにより外部電極を形成している。
【００１９】
次に、上記構成における角形チップ抵抗器の製造方法について説明する。
【００２０】
まず、耐熱性および絶縁性に優れた９６アルミナ基板からなるシート状の基板を準備する。このシート状の基板には、短冊状および個片状に分割するための溝（前記溝は、グリーンシートの金型成形時に形成される）が予め形成されている。
【００２１】
次に、シート状の基板の上面に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。そしてベルト式連続焼成炉で温度８５０℃、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって厚膜銀ペーストを焼成することにより、上面電極層１２を形成する。
【００２２】
次に、前記上面電極層１２に電気的に接続されるようにシート状の基板の上面に、酸化ルテニウムを主成分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。そしてベルト式連続焼成炉で温度８５０℃、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって厚膜抵抗ペーストを焼成することにより、抵抗体層１３を形成する。
【００２３】
次に、上面電極層１２間に位置する抵抗体層１３の抵抗値を揃えるために、レーザー光によって抵抗体層１３の一部を切除することにより抵抗値修正（Ｌカット、３０ｍｍ／秒、１２ｋＨｚ、５Ｗ）を行う。
【００２４】
次に、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４５℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０重量％）１００重量部に対し、硬化剤としてジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）５重量部、硬化促進剤としてイミダゾール系化合物（アミキュアＰＮ−２３）を１重量部、無機フィラーとしてシリカ６０重量部、シランカップリング剤３重量部を混合し、さらに、スクリーン印刷に良好な粘度（０．２（ｌ／ｓ）のズリ速度で８００Ｐａ・ｓ）となるように、ブチルカルビトールアセテート溶剤を添加して得られる混合材料を３本ロールミルで混練することにより保護樹脂ペーストを調整し、少なくとも抵抗体層１３を完全に覆うように、スクリーン印刷する。そしてベルト式連続硬化炉で、温度２００℃、ピーク時間３分、ＩＮ−ＯＵＴ時間５０分の硬化プロファイルによって保護樹脂ペーストを硬化させることにより、保護層１４を形成する。
【００２５】
次に、端面電極層１５を形成するための準備工程で、シート状の基板を短冊状に分割し、端面電極層１５を形成するための端面部を露出させる。
【００２６】
次に、短冊状基板を凹凸状の保持治具を用いて端面電極形成面が水平になるように固定する。
【００２７】
次に、エポキシ樹脂、銀粉で構成された、あるいはフェノール樹脂、ニッケル粉で構成された端面電極ペーストをステンレスローラー上に形成する。次に、このステンレスローラーを回転させるとともに凹凸状の保持治具を移動させることにより、少なくとも上面電極層１２を覆うように、ステンレスローラー上の端面電極ペーストを短冊状基板の端面電極形成面に接触させて塗布する。そして、画像認識装置を用いて、塗布状態を確認する。その後、短冊状基板の端面電極形成面全体に塗布欠陥なく端面電極ペーストが塗布されていることが確認できた基板を、ベルト式連続遠赤外線硬化炉で、ピーク時間１６０℃−３０分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４０分の温度プロファイルによって熱処理を行う。以上の工程により、端面部の厚みが約５〜１０μｍの端面電極層１５を形成する。
【００２８】
最後に、電気めっきの準備工程として、短冊状基板を個片状に分割する。そしてこの個片状基板における露出した上面電極層１２と端面電極層１５の上にニッケルめっき層１６と、はんだまたは錫めっき層１７とをバレル方式の電気めっきでそれぞれ形成することにより、角形チップ抵抗器を製造する。
【００２９】
上記した本発明の実施の形態１における角形チップ抵抗器の保護層１４の構成においては、保護層１４のビッカース硬度は１２７Ｈｖ、基板密着強度は４８ＫＮ、膨張係数は２．３×１０-5／℃となり、ビッカース硬度が９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度が４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数が０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲であるという特性を満足するものである。
【００３０】
なお、この場合、前記保護層１４のビッカース硬度が９０Ｈｖ未満の場合は、チップ状電子部品の製造工程で部品同士がぶつかることにより保護層１４に欠けが発生するものである。また、保護層１４の基板１１との密着強度が４０ＫＮ以下の場合は、保護層１４と基板１１との密着力の低下により、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生するものである。そしてまた、保護層１４の膨張係数が５．０×１０-5／℃より大きい場合は、保護層１４と基板１１との膨張の差が大きいことにより、−５０℃／＋１２０℃各３０分のヒートサイクル試験を１０００サイクル行った場合、保護層１４にクラックが発生するものである。
【００３１】
しかるに、上記した本発明の実施の形態１における角形チップ抵抗器の保護層１４は、ビッカース硬度が９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度が４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数が０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲を満足しているため、保護層１４に欠けが発生したり、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生したり、−５０℃／＋１２０℃各３０分のヒートサイクル試験を１０００サイクル行った場合、保護層１４にクラックが発生するということもなくなるものである。また、各特性に関しては、下記の（表１）に示す通りである。
【００３２】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２における角形チップ抵抗器について説明する。
【００３３】
なお、本発明の実施の形態２における角形チップ抵抗器の構造は図１および図２に示した本発明の実施の形態１における角形チップ抵抗器と同じであるが、保護層１４を構成する保護樹脂ペーストの配合および製造方法が上記した本発明の実施の形態１とは異なるものである。
【００３４】
以下、本発明の実施の形態２における角形チップ抵抗器の製造工程について説明する。
【００３５】
レーザー光によって抵抗体層１３の一部を切除することにより抵抗値修正を行うまでの工程は、上記した本発明の実施の形態１と同じであり、これらについての説明は省略し、以後の工程について説明する。
【００３６】
すなわち、レーザー光によって抵抗体層１３の一部を切除することにより抵抗値の修正を行った後、少なくとも抵抗体層１３を完全に覆うように、以下のようにして保護層１４を形成する。この保護層１４を構成する保護樹脂ペーストは、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂と、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂を配合比率（質量比）３０：７０で含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４５℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０重量％）１００重量部に対し、硬化剤としてジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）７重量部、硬化促進剤としてジメチルウレア化合物（Ｕ−Ｃａｔ３５０２Ｔ）３重量部、無機フィラーとしてケイ酸アルミニウム７０重量部、消泡剤３重量部を混合し、さらに、スクリーン印刷に良好な粘度（０．２（ｌ／ｓ）のズリ速度で８００Ｐａ・ｓ）となるように、ブチルカルビトールアセテート溶剤を添加して得られる混合材料を３本ロールミルで混練することにより保護樹脂ペーストを調整し、少なくとも抵抗体層１３を完全に覆うように、スクリーン印刷する。そしてベルト式連続硬化炉で、温度２００℃、ピーク時間３分、ＩＮ−ＯＵＴ時間５０分の硬化プロファイルによって保護樹脂ペーストを硬化させることにより、保護層１４を形成する。
【００３７】
また、次の端面電極層形成準備工程から最後の電気めっきの工程までは、上記した本発明の実施の形態１と同じ製造方法となっているものである。
【００３８】
上記した本発明の実施の形態２における角形チップ抵抗器の保護層１４の構成においては、保護層１４のビッカース硬度は１１４Ｈｖ、基板密着強度は４５ＫＮ、膨張係数は１．１×１０-5／℃となり、ビッカース硬度が９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度が４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数が０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲であるという特性を満足するものである。
【００３９】
このように、上記した本発明の実施の形態２における角形チップ抵抗器の保護層１４は、ビッカース硬度が９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度が４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数が０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲を満足しているため、保護層１４に欠けが発生したり、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生したり、−５０℃／＋１２０℃各３０分のヒートサイクル試験を１０００サイクル行った場合、保護層１４にクラックが発生するということもなくなるものである。また、各特性に関しては、下記の（表１）に示す通りである。
【００４０】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３における角形チップ抵抗器について説明する。
【００４１】
なお、本発明の実施の形態３における角形チップ抵抗器の構造は図１および図２に示した本発明の実施の形態１における角形チップ抵抗器と同じであるが、保護層１４を構成する保護樹脂ペーストの配合および製造方法が上記した本発明の実施の形態１とは異なるものである。
【００４２】
以下、本発明の実施の形態３における角形チップ抵抗器の製造工程について説明する。
【００４３】
レーザー光によって抵抗体層１３の一部を切除することにより抵抗値修正を行うまでの工程は、上記した本発明の実施の形態１と同じであり、これらについての説明は省略し、以後の工程について説明する。
【００４４】
すなわち、レーザー光によって抵抗体層１３の一部を切除することにより抵抗値の修正を行った後、少なくとも抵抗体層１３を完全に覆うように、以下のようにして保護層１４を形成する。この保護層１４を構成する保護樹脂ペーストは、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂と、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂を配合比率（質量比）５０：５０で含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４７℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０％）１００重量部に対し、硬化剤としてイミダゾール化合物（キュアゾールＣ１７Ｚ）５重量部、無機フィラーとしてケイ酸アルミニウム７０重量部を混合し、さらに、スクリーン印刷に良好な粘度（０．２（ｌ／ｓ）のズリ速度で８００Ｐａ・ｓ）となるように、ブチルカルビトールアセテート溶剤を添加して得られる混合材料を３本ロールミルで混練することにより保護樹脂ペーストを調整し、少なくとも抵抗体層１３を完全に覆うように、スクリーン印刷する。そしてベルト式連続硬化炉で、温度２００℃、ピーク時間３分、ＩＮ−ＯＵＴ時間５０分の硬化プロファイルによって保護樹脂ペーストを硬化させることにより、保護層１４を形成する。
【００４５】
また、次の端面電極層形成準備工程から最後の電気めっきの工程までは、上記した本発明の実施の形態１と同じ製造方法となっているものである。
【００４６】
上記した本発明の実施の形態３における角形チップ抵抗器の保護層１４の構成においては、保護層１４のビッカース硬度は１２２Ｈｖ、基板密着強度は４７ＫＮ、膨張係数は１．５×１０-5／℃となり、ビッカース硬度が９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度が４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数が０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲であるという特性を満足するものである。
【００４７】
このように、上記した本発明の実施の形態３における角形チップ抵抗器の保護層１４は、ビッカース硬度が９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度が４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数が０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲を満足しているため、保護層１４に欠けが発生したり、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生したり、−５０℃／＋１２０℃各３０分のヒートサイクル試験を１０００サイクル行った場合、保護層１４にクラックが発生するということもなくなるものである。また、各特性に関しては、下記の（表１）に示す通りである。
【００４８】
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４における角形チップ抵抗器について説明する。
【００４９】
なお、本発明の実施の形態４における角形チップ抵抗器の構造は図１および図２に示した本発明の実施の形態１における角形チップ抵抗器と同じであるが、保護層１４を構成する保護樹脂ペーストの配合および製造方法が上記した本発明の実施の形態１とは異なるものである。
【００５０】
以下、本発明の実施の形態４における角形チップ抵抗器の製造工程について説明する。
【００５１】
レーザー光によって抵抗体層１３の一部を切除することにより抵抗値修正を行うまでの工程は、上記した本発明の実施の形態１と同じであり、これらについての説明は省略し、以後の工程について説明する。
【００５２】
すなわち、レーザー光によって抵抗体層１３の一部を切除することにより抵抗値の修正を行った後、少なくとも抵抗体層１３を完全に覆うように、以下のようにして保護層１４を形成する。この保護層１４を構成する保護樹脂ペーストは、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂と、フェノールビフェニレン型エポキシ樹脂を配合比率（質量比）３０：７０で含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４５℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０％）１００重量部に対し、硬化剤としてジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）７重量部、硬化促進剤としてジメチルウレア化合物（Ｕ−Ｃａｔ３５０２Ｔ）３重量部、無機フィラーとして水酸化アルミニウム７０重量部、消泡剤３重量部、シランカップリング剤３重量部を混合し、さらに、スクリーン印刷に良好な粘度（０．２（ｌ／ｓ）のズリ速度で８００Ｐａ・ｓ）となるように、ブチルカルビトールアセテート溶剤を添加して得られる混合材料を３本ロールミルで混練することにより保護樹脂ペーストを調整し、少なくとも抵抗体層１３を完全に覆うように、スクリーン印刷する。そしてベルト式連続硬化炉で、温度２００℃、ピーク時間３分、ＩＮ−ＯＵＴ時間５０分の硬化プロファイルによって保護樹脂ペーストを硬化させることにより、保護層１４を形成する。
【００５３】
また、次の端面電極層形成準備工程から最後の電気めっきの工程までは、上記した本発明の実施の形態１と同じ製造方法となっているものである。
【００５４】
上記した本発明の実施の形態４における角形チップ抵抗器の保護層１４の構成においては、保護層１４のビッカース硬度は１０１Ｈｖ、基板密着強度は４３ＫＮ、膨張係数は３．１×１０-5／℃となり、ビッカース硬度が９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度が４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数が０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲であるという特性を満足するものである。
【００５５】
このように、上記した本発明の実施の形態４における角形チップ抵抗器の保護層１４は、ビッカース硬度が９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度が４０ＫＮから８０ＫＮ、膨張係数が０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲を満足しているため、保護層１４に欠けが発生したり、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生したり、−５０℃／＋１２０℃各３０分のヒートサイクル試験を１０００サイクル行った場合、保護層１４にクラックが発生するということもなくなるものである。また、各特性に関しては、下記の（表１）に示す通りである。
【００５６】
比較例１として、本発明の実施の形態１〜４における保護層１４を形成する保護樹脂ペーストに代わり、フェノールノボラック型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４５℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０％）１００重量部に対し、硬化剤としてジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）５重量部、硬化促進剤としてイミダゾール系化合物（アミキュアＰＮ−２３）１重量部、無機フィラーとしてシリカ６０重量部、さらにシランカップリング剤３重量部を配合した混合材料を用いて作製した。この比較例１においては、保護層のビッカース硬度が６０Ｈｖとなって、ビッカース硬度９０Ｈｖから２００Ｈｖの範囲を満足しないものである。このため、比較例１においては、保護層に欠けが発生した。その他の特性については（表１）に示す通りである。
【００５７】
比較例２として、本発明の実施の形態１〜４における保護層１４を形成する保護樹脂ペーストに代わり、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４７℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０％）１００重量部に対し、硬化剤としてジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）硬化剤７重量部、硬化促進剤としてジメチルウレア化合物（Ｕ−Ｃａｔ３５０２Ｔ）３重量部、無機フィラーとしてケイ酸アルミニウム７０重量部、消泡剤１重量部を配合した混合材料を用いて作製した。この比較例２においては、保護樹脂ペーストにナフトールノボラック型エポキシ樹脂を用いたことにより、保護層のビッカース硬度は８２Ｈｖ、基板との密着強度は３７ＫＮとなった。しかしながら、この場合は、ビッカース硬度９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度４０ＫＮから８０ＫＮの範囲を満足しないものである。このため、比較例２においては、保護層に欠けが発生するとともに、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生した。また、その他の特性については、下記の（表１）に示す通りである。
【００５８】
比較例３として、本発明の実施の形態１〜４における保護層１４を形成する保護樹脂ペーストに代わり、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂と、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂を配合比率（質量比）１０：９０で含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４７℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０％）１００重量部に対し、硬化剤としてイミダゾール化合物（キュアゾールＣ１７Ｚ）７重量部、無機フィラーとして硫酸バリウム７０重量部、消泡剤３重量部を配合した混合材料を用いて作製した。この比較例３においては、保護層１４を構成するエポキシ樹脂が、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂とナフトールノボラック型エポキシ樹脂が１０：９０の質量比で混合されていることにより、保護層のビッカース硬度は９５Ｈｖ、基板との密着強度は３８ＫＮとなった。この場合、ビッカース硬度９０Ｈｖから２００Ｈｖの範囲は満足するが、基板との密着強度４０ＫＮから８０ＫＮの範囲を満足しないものである。このため、比較例３においては、保護層の欠けは発生しないが、基板との密着強度の低下により、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生した。また、その他の特性については、下記の（表１）に示す通りである。
【００５９】
比較例４として、本発明の実施の形態１〜４における保護層１４を形成する保護樹脂ペーストに代わり、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４７℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０％）１００重量部に対し、硬化剤としてジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）５重量部、硬化促進剤としてジメチルウレア化合物（Ｕ−Ｃａｔ３５０２Ｔ）１重量部、無機フィラーとしてシリカ６０重量部、さらにシランカップリング剤３重量部、消泡剤３重量部を配合した混合材料を用いて作製した。この比較例４においては、保護層１４を構成するエポキシ樹脂に、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を用いたことにより、保護層のビッカース硬度は４１Ｈｖ、基板との密着強度は３１ＫＮとなった。しかしながら、この場合は、ビッカース硬度９０Ｈｖから２００Ｈｖ、基板との密着強度４０ＫＮから８０ＫＮの範囲を満足しないものである。このため、比較例４においては、保護層に欠けが発生するとともに、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生した。また、その他の特性については、下記の（表１）に示す通りである。
【００６０】
比較例５として、本発明の実施の形態１〜４における保護層１４を形成する保護樹脂ペーストに代わり、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４７℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０％）１００重量部に対し、硬化剤としてジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）７重量部、硬化促進剤としてイミダゾール系化合物（アミキュアＰＮ−２３）３重量部、無機フィラーとして水酸化アルミニウム７０重量部を配合した混合材料を用いて作製した。この比較例５においては、保護層の基板との密着強度が３９ＫＮとなって、基板との密着強度４０ＫＮから８０ＫＮの範囲を満足しないものである。このため、比較例５においては、６０℃、９５％ＲＨ、ＤＣ５Ｖ、２０００時間の耐湿バイアス試験を行う加速マイグレーション試験においてマイグレーションが発生した。また、その他の特性については、下記の（表１）に示す通りである。
【００６１】
比較例６として、本発明の実施の形態１〜４における保護層１４を形成する保護樹脂ペーストに代わり、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂含有溶液（溶剤：沸点が約２４７℃のブチルカルビトールアセテート、溶剤含有率：３０％）１００重量部に対し、硬化剤としてイミダゾール化合物（キュアゾールＣ１７Ｚ）７重量部、無機フィラーとしてシリカ３０重量部、消泡剤３重量部を配合した混合材料を用いて作製した。この比較例６においては、無機フィラーの添加量がエポキシ樹脂に対して３０重量部であって、上記した本発明の実施の形態１と比較して、保護樹脂ペースト中の無機フィラーの含有率が少ないため、保護層の膨張係数は６．０×１０-5／℃となって、膨張係数０．７×１０-5／℃から５．０×１０-5／℃の範囲を満足しないものである。このため、比較例６においては、−５０℃／＋１２０℃各３０分のヒートサイクル試験を２５０サイクル行った場合、保護層にクラックが発生した。また、その他の特性については、下記の（表１）に示す通りである。
【００６２】
【表１】
2009152430.tif 000003
【００６３】
なお、上記本発明の実施の形態１〜４においては、チップ状電子部品の一例として、角形チップ抵抗器を用いて説明したが、これに限定されるものではなく、上記した角形チップ抵抗器以外の端面電極を有するチップ状電子部品に本発明を適用した場合においても、上記した本発明の実施の形態１〜４と同様の効果が得られるものである。
【００６４】
次に、各特性の測定方法について述べる。
ビッカース硬度：
微小硬度計（ＨＭ１２４）を用いて、硬化塗膜に対して０．５ｋｇ、１０ｓの荷重をかけた後に残る圧痕の大きさから算出した。
密着強度：
アルミナ基板上に硬化塗膜を形成し、かつこの硬化塗膜上に接着剤を用いて２ｍｍ×５ｍｍ×高さ５ｍｍのガラスを接着し、そしてボンドテスター（ＤＡＧＥ社  ＰＣ２４００）を用いて、基板から３ｍｍの高さで基板と水平方向にガラスを押し出した場合におけるガラスが倒れる時の力を測定した。
膨張係数：
ＴＭＡ熱分析装置（島津製作所  ＴＭＡ５０ＷＳ）を用いて、温度変化時（１０℃／ｓ）における硬化塗膜の線膨張を測定し、室温から２００℃までの単位長さあたりの熱膨張の温度変化率を算出した。
【００６５】
本発明に用いるエポキシ硬化剤としては、特に限定はされないが、例えば、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、ポリフェノール化合物、３級アミン化合物、ポリアミン化合物、酸無水物などが挙げられ、これらのうち少なくとも１種以上を配合する。また、硬化温度２００℃で短時間で硬化させるには、硬化促進剤を併用することが好ましい。例えば、ジシアンジアミドを硬化剤として用いる場合、ジメチルウレア系のサンアプロ社製Ｕ−ＣＡＴ  ３５０２Ｔ、イミダゾール系の味の素ファインテクノ社製アミキュアＰＮ−２３、アミン系の味の素ファインテクノ社製アミキュアＭＹ−２４などのうち１種以上を配合する。硬化剤の配合割合はエポキシ樹脂１００重量部に対して３〜３０重量部、硬化促進剤の配合割合はエポキシ樹脂１００重量部に対して、０．５〜１０重量部が好ましい。
【００６６】
また、本発明に用いる無機フィラーとしては、特に限定はされないが、ケイ酸アルミニウム、シリカ、酸化アルミニウム、チタン酸カリウム、ウォラストナイト、セピオライト、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、酸化チタン、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ゾノトライト、ホウ酸アルミニウム、硫酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、窒化ケイ素、黒鉛、及び炭化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種以上を配合する。このような無機フィラーとしては、例えば、ケイ酸アルミニウムとして竹原化学工業社製のサテントンＷ、シリカとして龍森社製のヒューズレックスシリーズ、硫酸バリウムとして堺化学工業のＢ−３０シリーズなどが挙げられる。
【００６７】
そしてまた、本発明において、前記混合材料を前記基板の抵抗体層上にスクリーン印刷により塗布し、硬化して前記保護層を形成する場合、前記混合材料は、０．２（ｌ／ｓ）のズリ速度で５００Ｐａ・ｓ以上の粘度を有することが好ましく、この構成においては、混合材料のスクリーン印刷後に、硬化前における混合材料の基板上への流れを抑えることができるため、保護層の寸法精度を向上させることができるものである。この場合、粘度の上限については、１２００Ｐａ・ｓ以下の粘度が好ましく、この構成においては、スクリーン印刷後の保護層にメッシュ痕が残らないものである。なお、上記粘度は、低ずり制御型粘度計を用い、４°コーン、２５℃により測定したときの値である。
【００６８】
さらに、前記混合材料は、消泡剤を含有することが好ましく、この構成においては、スクリーン印刷後に塗布膜におけるピンホールの発生を抑制することができるものである。そして、この消泡剤としては、具体的には、共栄社化学社製のポリフロー、フローレンシリーズ、旭電化社製のアデカネートＢシリーズなどが挙げられる。なお、この消泡剤の配合割合としては、エポキシ樹脂１００重量部に対して、０．５〜１５重量部が好ましい。
【００６９】
さらにまた、本発明の混合材料には、必要に応じてシランカップリング剤を配合することができるもので、このシランカップリング剤を配合した場合には、上面電極層と保護層の密着力を向上させることができるものである。なお、このシランカップリング剤としては、特に限定はされないが、具体的には、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシランが挙げられる。そして、このシランカップリング剤の配合割合としては、エポキシ樹脂１００重量部に対して、１〜１０重量部が好ましい。
【００７０】
また、本発明に用いるエポキシ樹脂含有溶液の溶剤としては、特に限定はされないが、エポキシ樹脂を溶解し、印刷時には揮発せず、加熱乾燥時に揮発するような沸点２００℃程度のものが好ましい。具体的には、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、メチルカルビトール、ターピオネール、ジヒドロターピオネール、リモーネン、メンタノール、ベンジルアルコールなどが挙げられる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明に係るチップ状電子部品は、製造工程における保護層の欠けや、温度変化による保護層のクラック発生などの不具合を低減させることができるとともに、加速マイグレーション試験におけるマイグレーションの発生も防止できるという効果を有するものであり、特に、マイグレーションが問題となるサイズの小さいチップ状電子部品に適用して有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施の形態１における角形チップ抵抗器の斜視図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図
【図３】従来のチップ抵抗器の斜視図
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図
【符号の説明】
【００７３】
１１  基板
１２  上面電極層
１３  抵抗体層
１４  保護層
１５  端面電極層
【図１】
2009152430.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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