(57)【要約】【課題】本発明は、基体と、基体に内蔵され、基板を加熱する抵抗発熱体とを有する静電チャックを備えた基板温調固定装置に関し、短時間の加熱により、基板全体の温度を所定の温度にすることのできる基板温調固定装置を提供することを課題とする。【解決手段】基板２０が載置される基板載置面２１Ａを有した基体２１と、基体２１に内蔵された静電電極２２と、基体２１に内蔵され、基板２０を加熱する抵抗発熱体２３と、を有する静電チャック１１と、静電チャック１１を冷却する冷却機構４６を内蔵すると共に、静電チャック１１を支持するベースプレート１２と、を備えた基板温調固定装置１０であって、冷却機構４６と静電チャック１１との間に位置する部分のベースプレート本体４５に、断熱部４７を設けた。【選択図】図２
2009152475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置される基板載置面を有した基体と、前記基体に内蔵された静電電極と、前記基体に内蔵され、前記基板を加熱する抵抗発熱体と、を有する静電チャックと、
前記静電チャックを支持するベースプレート本体と、前記ベースプレート本体に内設され、前記基体を冷却する冷却機構とを有するベースプレートと、を備えた基板温調固定装置であって、
前記冷却機構と前記静電チャックとの間に位置する部分の前記ベースプレート本体に、断熱部を設けたことを特徴とする基板温調固定装置。
【請求項２】
前記冷却機構は、冷却水が移動する管路と、前記管路に前記冷却水を導入する冷却水導入部とを有しており、
前記断熱部は、前記冷却機構と対向するように配置したことを特徴とする請求項１記載の基板温調固定装置。
【請求項３】
前記断熱部は、前記ベースプレート本体に形成された空間であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板温調固定装置。
【請求項４】
前記空間は、真空であることを特徴とする請求項３項記載の基板温調固定装置。
【請求項５】
前記空間に、所定の圧力となるように調整した不活性ガスを導入することを特徴とする請求項３項記載の基板温調固定装置。
【請求項６】
前記不活性ガスは、ヘリウムガスであることを特徴とする請求項５項記載の基板温調固定装置。
【請求項７】
前記静電チャックと前記ベースプレートとの間に、均熱板を設けたことを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか１項記載の基板温調装置。
【請求項８】
前記断熱部と前記冷却機構との間に位置する部分の前記ベースプレート本体に、前記基板を加熱する加熱部を設けたことを特徴とする請求項１ないし７のうち、いずれか１項記載の基板温調装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板温調固定装置に係り、特に、基体と、基体に内蔵され、基板を加熱する抵抗発熱体とを有する静電チャックを備えた基板温調固定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板や半導体基板等の基板上に膜を形成する成膜装置や、基板上に形成された膜をパターニングするエッチング装置等の製造装置には、基体上に吸着により固定された基板の温度が所定の温度となるように調整する基板温調固定装置が設けられている（図１参照）。
【０００３】
図１は、従来の基板温調固定装置の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の基板温調固定装置３００は、静電チャック３０１と、ベースプレート３０２とを有する。静電チャック３０１は、基体３０５と、静電電極３０６と、抵抗発熱体３０７とを有する。基体３０５は、ベースプレート３０２上に配設されている。基体３０５は、基板３０３が載置される基板載置面３０５Ａを有する。基体３０５の材料としては、例えば、セラミックを用いることができる。
【０００５】
静電電極３０６は、薄膜電極である。静電電極３０６は、基板載置面３０５Ａの近傍に位置する部分の基体３０５に内蔵されている。静電電極３０６は、電圧が印加された際、基板３０３を基体３０５上（具体的には、基板載置面３０５Ａ）に固定するための電極である。
【０００６】
抵抗発熱体３０７は、静電電極３０６の下方に位置する部分の基体３０５に内設されている。抵抗発熱体３０７は、配線パターン（図示せず）により構成されている。抵抗発熱体３０７は、電圧を印加されることで発熱し、この発熱により、基板載置面３０５Ａ（言い換えれば、基板載置面３０５Ａを介して、基板３０３）を加熱するためのものである。
【０００７】
ベースプレート３０２は、ベースプレート本体３１１と、冷却機構３１２とを有する。ベースプレート本体３１１は、静電チャック３０１を支持するためのものである。ベースプレート本体３１１の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。冷却機構３１２は、管路３１４と、冷却水導入部３１５と、冷却水排出部３１６とを有する。管路３１４は、ベースプレート本体３１１に内設されている。管路３１４は、冷却水を循環させるためのものである。管路３１４を流れる冷却水は、基体３０５を冷却することで、基板載置面３０５Ａの温度を調整する。
【０００８】
冷却水導入部３１５は、ベースプレート本体３１１の下面側に設けられている。冷却水導入部３１５は、管路３１４内に冷却水を導入するためのものである。冷却水排出部３１６は、ベースプレート本体３１１の下面側に設けられている。冷却水排出部３１６は、ベースプレート本体３１１の外部に温度が上昇した冷却水を排出するためのものである（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−２６１２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、冷却水導入部３１５の近傍に位置する部分のベースプレート本体３１１の温度は、冷却水導入部３１５に導入される冷却水の温度の影響により、他の部分のベースプレート本体３１１の温度よりも低くなってしまう。これにより、冷却水導入部３１５の上方に位置する部分の基板３０３の温度が他の部分の基板３０３の温度よりも低くなる。そのため、従来の基板温調固定装置３００では、基板３０３全体を所定の温度に加熱することができないという問題があった。
【００１０】
また、基体３０５の熱がベースプレート３０２に移動しやすいため、基板載置面３０５Ａを所定の温度に加熱するために多くの時間を要するという問題があった。
【００１１】
なお、抵抗発熱体３０７に高電圧を印加して、基板載置面３０５Ａを所定の温度に加熱することが考えられるが、この場合、抵抗発熱体３０７の回路に過電流が流れるため、抵抗発熱体３０７が破壊されてしまう。
【００１２】
そこで本発明は、短時間で基板全体の温度を所定の温度に加熱することのできる基板温調固定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一観点によれば、基板が載置される基板載置面を有した基体と、前記基体に内蔵された静電電極と、前記基体に内蔵され、前記基板を加熱する抵抗発熱体と、を有する静電チャックと、前記静電チャックを支持するベースプレート本体と、前記ベースプレート本体に内設され、前記基体を冷却する冷却機構とを有するベースプレートと、を備えた基板温調固定装置であって、前記冷却機構と前記静電チャックとの間に位置する部分の前記ベースプレート本体に、断熱部を設けたことを特徴とする基板温調固定装置が提供される。
【００１４】
本発明によれば、冷却部と静電チャックとの間に位置する部分のベースプレート本体に断熱部を設けることにより、基体とベースプレート本体との間の熱の移動が制限されるため、従来よりも短時間で、基板全体の温度が所定の温度となるように加熱できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、従来よりも短時間で、基板全体の温度が所定の温度となるように加熱できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００１７】
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る基板温調固定装置の断面図である。
【００１８】
図２を参照するに、第１の実施の形態の基板温調固定装置１０は、静電チャック１１と、ベースプレート１２と、電源１４〜１７とを有する。
【００１９】
静電チャック１１は、基体２１と、静電電極２２と、抵抗発熱体２３と、電極３１〜３８とを有する。基体２１は、ベースプレート１２上に接着されている。基体２１は、基板２０が載置される基板載置面２１Ａを有する。基体２１の材料としては、例えば、セラミックを用いることができる。基体２１の材料としてセラミックを用いる場合、基体２１は、例えば、積層された複数のグリーンシート（図示せず）を焼成することにより形成する。また、基板２０としては、例えば、ガラス基板や半導体基板（例えば、シリコン基板）等を用いることができる。
【００２０】
静電電極２２は、薄膜形状とされた電極である。静電電極２２は、基板載置面２１Ａの近傍に位置する部分の基体２１に内設されている。静電電極２２は、電極３１，３２と接続されている。静電電極２２は、電極３１，３２を介して、電源１４と電気的に接続されている。静電電極２２は、電源１４により電圧が印加された際に発生する静電力により、基板載置面２１Ａに基板２０を固定する。静電電極２２の材料としては、例えば、タングステンやモリブデン等を用いることができる。
【００２１】
図３は、図２に示す抵抗発熱体の平面図である。
【００２２】
図２及び図３を参照するに、抵抗発熱体２３は、第１〜第３の抵抗発熱体４１〜４３により構成されている。第１〜第３の抵抗発熱体４１〜４３は、静電電極２２の下方に位置する部分の基体２１に内設されている。第１〜第３の抵抗発熱体４１〜４３は、同一平面上に配置されている。第１〜第３の抵抗発熱体４１〜４３は、静電電極２２と電気的に絶縁されている。
【００２３】
第１の抵抗発熱体４１は、基体２１の中央部に内設されている。第１の抵抗発熱体４１は、電極３３，３４と接続されている。第１の抵抗発熱体４１は、電極３３，３４を介して、電源１５と電気的に接続されている。第１の抵抗発熱体４１は、電源１５により電圧が印加された際、発熱する。第１の抵抗発熱体４１は、基板２０の中央部に対応する部分の基板載置面２１Ａを加熱するためのものである。
【００２４】
第２の抵抗発熱体４２は、基体２１の外周部に内設されている。第２の抵抗発熱体４２は、電極３５，３６と接続されている。第２の抵抗発熱体４２は、電極３５，３６を介して、電源１６と電気的に接続されている。第２の抵抗発熱体４２は、電源１６により電圧が印加された際、発熱する。第２の抵抗発熱体４２は、基板２０の外周部に対応する部分の基板載置面２１Ａを加熱するためのものである。
【００２５】
第３の抵抗発熱体４３は、第１の抵抗発熱体４１と第２の抵抗発熱体４２との間に位置する部分の基体２１に内設されている。第３の抵抗発熱体４３は、電極３７，３８と接続されている。第３の抵抗発熱体４３は、電極３７，３８を介して、電源１７と電気的に接続されている。第３の抵抗発熱体４３は、電源１７により電圧が印加された際、発熱する。第３の抵抗発熱体４３は、基板２０の中央部と外周部との間に位置する部分に対応する基板載置面２１Ａを加熱するためのものである。
【００２６】
上記構成とされた抵抗発熱体２３は、複数の抵抗発熱体（この場合、第１〜第３の抵抗発熱体４１〜４３）により、基体２１の基板載置面２１Ａの温度が所定の温度となるように加熱するためのものである。抵抗発熱体２３は、基体２１の基板載置面２１Ａを２５０℃〜３００℃程度まで加熱することができる。
【００２７】
なお、図２及び図３では、第１〜第３の抵抗発熱体４１〜４３を簡略化して図示したが、第１〜第３の抵抗発熱体４１〜４３は、それぞれ配線パターンにより構成されている。また、図２及び図３では、抵抗発熱体２３を３つの抵抗発熱体（第１〜第３の抵抗発熱体４１〜４３）により構成した場合を例に挙げて説明したが、抵抗発熱体２３を構成する抵抗発熱体の数は１つでもよいし、２つでもよいし、３つ以上でもよい。
【００２８】
電極３１，３２は、静電電極２２の下方に位置する部分の基体２１を貫通するように設けられている。電極３１は、電源１４のプラス端子１４Ａと電気的に接続されている。電極３２は、電源１４のマイナス端子１４Ｂと電気的に接続されている。電極３１，３２の材料としては、例えば、タングステンやモリブデン等を用いることができる。
【００２９】
電極３３，３４は、第１の抵抗発熱体４１の下方に位置する部分の基体２１を貫通するように設けられている。電極３３は、電源１５のプラス端子１５Ａと電気的に接続されている。電極３４は、電源１５のマイナス端子１５Ｂと電気的に接続されている。電極３３，３４の材料としては、例えば、タングステンやモリブデン等を用いることができる。
【００３０】
電極３５，３６は、第２の抵抗発熱体４２の下方に位置する部分の基体２１を貫通するように設けられている。電極３５は、電源１６のプラス端子１６Ａと電気的に接続されている。電極３６は、電源１６のマイナス端子１６Ｂと電気的に接続されている。電極３５，３６の材料としては、例えば、タングステンやモリブデン等を用いることができる。
【００３１】
電極３７，３８は、第３の抵抗発熱体４３の下方に位置する部分の基体２１を貫通するように設けられている。電極３７は、電源１７のプラス端子１７Ａと電気的に接続されている。電極３８は、電源１７のマイナス端子１７Ｂと電気的に接続されている。電極３７，３８の材料としては、例えば、タングステンやモリブデン等を用いることができる。
【００３２】
ベースプレート１２は、ベースプレート本体４５と、冷却機構４６と、断熱部４７とを有する。ベースプレート本体４５は、基体２１の下面２１Ｂ側に設けられている。ベースプレート本体４５は、静電チャック１１を支持するためのものである。ベースプレート本体４５の材料としては、金属を用いることができる。ベースプレート本体４５の材料となる金属としては、例えば、Ａｌを用いることができる。
【００３３】
冷却機構４６は、管路５１と、冷却水導入部５２と、冷却水排出部５３とを有する。管路５１は、ベースプレート本体４５に内設されている。管路５１は、冷却水を循環（移動）させるためのものである。冷却機構４６は、管路５１を流れる冷却水により基体２１を冷却することで、基板載置面２１Ａの温度が所定の温度となるように調整するためのものである。
【００３４】
冷却水導入部５２は、ベースプレート本体４５の下面４５Ａ側に設けられている。冷却水導入部５２は、管路５１に冷却水を供給可能な状態で管路５１と接続されている。冷却水導入部５２は、管路５１に冷却水を導入するための導入口である。
【００３５】
冷却水排出部５３は、ベースプレート本体４５の下面４５Ａ側に設けられている。冷却水排出部５３は、ベースプレート本体４５の外部に温度が上昇した冷却水を排出するための排出口である。
【００３６】
断熱部４７は、静電チャック１１と冷却機構４６との間に位置する部分のベースベースプレート本体４５に内設されている。断熱部４７は、冷却機構４６と対向するように配置されている。断熱部４７は、ベースプレート本体４５に形成された空間である。断熱部４７を構成する空間は、真空状態とされている。断熱部４７の形状は、例えば、円柱形状とすることができる。この場合、断熱部４７の高さは、例えば、２ｍｍ〜５ｍｍとすることができる。
【００３７】
このように、静電チャック１１と冷却機構４６との間に位置する部分のベースベースプレート本体４５に断熱部４７を内設すると共に、冷却機構４６と対向するように断熱部４７を配置することにより、基体２１とベースプレート本体４５との間の熱の移動が制限されるため、従来よりも短時間で、基板２０全体の温度が所定の温度となるように加熱することができる。
【００３８】
電源１４は、プラス端子１４Ａと、マイナス端子１４Ｂとを有する。プラス端子１４Ａは、電極３１と電気的に接続されており、マイナス端子１４Ｂは、電極３２と電気的に接続されている。
【００３９】
電源１５は、プラス端子１５Ａと、マイナス端子１５Ｂとを有する。プラス端子１５Ａは、電極３３と電気的に接続されており、マイナス端子１５Ｂは、電極３４と電気的に接続されている。
【００４０】
電源１６は、プラス端子１６Ａと、マイナス端子１６Ｂとを有する。プラス端子１６Ａは、電極３５と電気的に接続されており、マイナス端子１６Ｂは、電極３６と電気的に接続されている。
【００４１】
電源１７は、プラス端子１７Ａと、マイナス端子１７Ｂとを有する。プラス端子１７Ａは、電極３７と電気的に接続されており、マイナス端子１７Ｂは、電極３８と電気的に接続されている。
【００４２】
本実施の形態の基板温調固定装置によれば、冷却機構４６と対向するように、静電チャック１１と冷却機構４６との間に位置する部分のベースベースプレート本体４５に断熱部４７を内設することにより、基体２１とベースプレート本体４５との間の熱の移動が制限されるため、従来よりも短時間で、基板２０全体の温度が所定の温度となるように加熱することができる。
【００４３】
なお、本実施の形態では、１つの空間を有した断熱部４７を設けた場合を例に挙げて説明したが、断熱部４７を２つ以上の空間で構成してもよい。また、断熱部４７の形状は、本実施の形態の断熱部４７の形状に限定されない。
【００４４】
図４は、本発明の第１の実施の形態の第１変形例に係る基板温調固定装置の断面図である。図４において、第１の実施の形態の基板温調固定装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４５】
図４を参照するに、本実施の形態の第１変形例の基板温調固定装置６０は、本実施の形態の基板温調固定装置１０の構成に、さらに均熱板６１を設けた以外は、基板温調固定装置１０と同様に構成される。
【００４６】
均熱板６１は、静電チャック１１の下面とベースプレート１２の上面との間に配置されている。均熱板６１は、接着剤により、静電チャック１１及びベースプレート１２に接着されている。均熱板６１は、抵抗発熱体２３により加熱される基板２０全体の温度が略均一にするための部材である。均熱板６１の材料としては、例えば、アルミニウムを用いることができる。均熱板６１の材料としてアルミニウムを用いた場合、均熱板６１の厚さは、例えば、２ｍｍとすることができる。
【００４７】
このように、静電電極２２及び抵抗発熱体２３を内蔵した静電チャック１１と断熱部４７を有したベースプレート１２との間に、均熱板６１を設けることにより、抵抗発熱体２３により加熱される基板２０全体の温度ばらつきを極力小さくすることができる。また、本実施の形態の第１変形例の基板温調固定装置６０は、本実施の形態の基板温調固定装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００４８】
図５は、本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る基板温調固定装置の断面図である。図５において、第１の実施の形態の基板温調固定装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４９】
図５を参照するに、本実施の形態の第２変形例の基板温調固定装置６５は、本実施の形態の基板温調固定装置１０の構成に、さらに加熱部６６を設けた以外は、基板温調固定装置１０と同様に構成される。
【００５０】
加熱部６６は、断熱部４７と冷却機構４６との間に位置する部分のベースベースプレート本体４５に内設されている。加熱部６６は、抵抗発熱体２３と共に、所定の温度となるように基板２０を加熱するためのものである。加熱部６６としては、例えば、一対の端子と、一対の端子と接続された発熱体（例えば、ニクロム線）と、発熱体を覆う金属外装管とを有したシーズヒーターを用いることができる。金属外装管の材料としては、例えば、銅、ステンレス、チタン等を用いることができる。シーズヒーター以外のヒーターとしては、例えば、カートリッジヒーター、プレートヒーター等を用いることができる。
【００５１】
このように、断熱部４７と冷却機構４６との間に位置する部分のベースベースプレート本体４５に加熱部６６を内設することにより、基板載置面２１Ａを４５０℃〜５００℃程度まで加熱することが可能（言い換えれば、基板２０を４５０℃〜５００℃程度まで加熱することが可能）となる。これにより、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置に基板温調固定装置６５を設けた場合、４５０℃〜５００℃程度のプロセス条件下において、基板２０全面に良好な膜質とされた膜（例えば、タングステン膜）を形成することができる。また、本実施の形態の第２変形例の基板温調固定装置６５は、本実施の形態の基板温調固定装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００５２】
（第２の実施の形態）
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る基板温調固定装置の断面図である。
【００５３】
図６を参照するに、第２の実施の形態の基板温調固定装置８０は、第１の実施の形態の基板温調固定装置１０に設けられたベースプレート１２の代わりに、ベースプレート８１を設けると共に、さらに不活性ガス供給用管路８２及び不活性ガス供給装置８３を設けた以外は基板温調固定装置１０と同様に構成される。
【００５４】
ベースプレート８１は、ベースプレート１２（図２参照）の構成に、さらに不活性ガス供給用管路８５を設けた以外はベースプレート１２と同様に構成されている。
【００５５】
不活性ガス供給用管路８５は、ベースプレート本体４５に内設されている。不活性ガス供給用管路８５は、その一方の端部が断熱部４７と接続されており、他方の端部がベースプレート８１の外部に設けられた不活性ガス供給用管路８２と接続されている。不活性ガス供給用管路８５は、不活性ガス供給用管路８２を介して、不活性ガス供給装置８３から供給される圧力の調整された不活性ガスを断熱部４７（空間）に供給するための管路である。
【００５６】
不活性ガス供給用管路８２は、ベースプレート８１の外部に配置されている。不活性ガス供給用管路８２は、その一方の端部が不活性ガス供給用管路８５と接続されており、他方の端部が不活性ガス供給装置８３と接続されている。不活性ガス供給用管路８２は、不活性ガス供給装置８３から供給される圧力の調整された不活性ガスを不活性ガス供給用管路８５に移送するための管路である。
【００５７】
不活性ガス供給装置８３は、ベースプレート８１の外部に配置されており、不活性ガス供給用管路８２と接続されている。不活性ガス供給装置８３は、不活性ガス供給用管路８２，８５を介して、所定の圧力に調整した不活性ガスを断熱部４７に供給するための装置である。不活性ガス供給装置８３が供給する不活性ガスとしては、例えば、ヘリウムガスやアルゴンガス等を用いることができる。
【００５８】
このように、不活性ガスとしてヘリウムガスを用いることにより、例えば、低い圧力（例えば、所定の圧力が１０Ｐａ〜１００Ｐａ）に調整されたヘリウムガスを断熱部４７に供給することで、基体２１（具体的には、基板載置面２１Ａ）の温度を効率良く短時間で所定の温度に加熱することができる。また、例えば、高い圧力（例えば、所定の圧力が１００００Ｐａ〜１０００００Ｐａ）に調整されたヘリウムガスを断熱部４７に供給すると共に、冷却機構４６に冷却水を流すことにより、基体２１（具体的には、基板載置面２１Ａ）の温度を効率良く短時間で低下させることができる。
【００５９】
本実施の形態の基板温調固定装置によれば、低い圧力（例えば、所定の圧力が１０Ｐａ〜１００Ｐａ）に調整されたヘリウムガスを断熱部４７に供給することで、基体２１（具体的には、基板載置面２１Ａ）の温度を効率良く短時間で所定の温度に加熱することが可能となる。これにより、従来よりも短時間で、基板２０全体の温度が所定の温度となるように加熱することができる。
【００６０】
なお、本実施の形態の基板温調固定装置８０において、静電チャック１１とベースプレート８１との間に、図４に示す均熱板６１を設けてもよい。また、冷却機構４６と断熱部４７との間に位置する部分のベースプレート本体４５に、図５に示す加熱部６６を設けてもよい。さらに、均熱板６１と加熱部６６とを組み合わせてもよい。
【００６１】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、基体と、基体に内蔵され、基板を加熱する抵抗発熱体とを有する静電チャックを備えた基板温調固定装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来の基板温調固定装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る基板温調固定装置の断面図である。
【図３】図２に示す抵抗発熱体の平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の第１変形例に係る基板温調固定装置の断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る基板温調固定装置の断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る基板温調固定装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０，６０，６５，８０  基板温調固定装置
１１  静電チャック
１２，８１  ベースプレート
１４〜１７  電源
１４Ａ，１５Ａ、１６Ａ，１７Ａ  プラス端子
１４Ｂ，１５Ｂ、１６Ｂ，１７Ｂ  マイナス端子
２０  基板
２１  基体
２１Ａ  基板載置面
２１Ｂ，４５Ａ  下面
２２  静電電極
２３  抵抗発熱体
３１〜３８  電極
４１  第１の抵抗発熱体
４２  第２の抵抗発熱体
４３  第３の抵抗発熱体
４５  ベースプレート本体
４６  冷却機構
４７  断熱部
５１  管路
５２  冷却水導入部
５３  冷却水排出部
６１  均熱板
６６  加熱部
８２，８５  不活性ガス供給用管路
８３  不活性ガス供給装置
【図１】
2009152475.tif 000003
【図２】
2009152475.tif 000004
【図３】
2009152475.tif 000005
【図４】
2009152475.tif 000006
【図５】
2009152475.tif 000007
【図６】
2009152475.tif 000008