(57)【要約】【課題】基板上で所定反応を行なうに際して、基板の位置制御を高精度で行なうことができる反応制御装置を提供すること。【解決手段】基板に設けられた反応領域Ａで所定の反応を行なう反応制御装置であって、前記反応領域Ａと、該反応領域Ａに光を導入する光学素子１０２２とを備えた基板１０と、前記反応領域Ａ内の試料に光照射を行う光源１４と、前記反応領域Ａに照射された光を受光することで、反応制御装置１内における前記基板１０の位置ずれを検出する位置検出部１６と、前記基板１０の位置ずれを修正する位置補正手段と、を備えた反応制御装置とすること。【選択図】図１
2009069011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた反応領域で所定の反応を行なう反応制御装置であって、
前記反応領域と、該反応領域に光を導入する光学素子とを備えた基板と、
前記反応領域内の試料に光照射を行う光源と、
前記反応領域に照射された光を受光することで、反応制御装置内における前記基板の位置ずれを検出する位置検出部と、
前記基板の位置ずれを修正する位置補正手段と、
を備えた反応制御装置。
【請求項２】
前記反応領域を加熱する熱源として前記光源を用いる加熱部を備えたことを特徴とする請求項１記載の反応制御装置。
【請求項３】
前記光学素子は、基板表面に設けられた光学レンズであることを特徴とする請求項１記載の反応制御装置。
【請求項４】
前記位置検出部は、１の反応領域に対して複数の受光素子が設けられ、各受光素子により前記光の照射スポットを検出することを特徴とする請求項１記載の反応制御装置。
【請求項５】
前記位置検出部は、特定波長の光を透過するフィルターを備えたことを特徴とする請求項１記載の反応制御装置。
【請求項６】
前記光源と前記基板との間に集光レンズを備え、前記光源から照射された光が、所定の目標スポットに照射されるよう前記集光レンズを移動させる照射制御手段を、更に備えたことを特徴とする請求項１記載の反応制御装置。
【請求項７】
前記反応領域内の試料に測定光を照射する測定用光源と、
前記測定光が前記試料に照射されることで発生する検出光を検出する測定部と、
を更に備えたことを特徴とする請求項２記載の反応制御装置。
【請求項８】
基板に設けられた反応領域で所定の反応を行なう反応制御方法であって、
前記反応領域と、該反応領域に光を導入する光学素子とを備えた基板に対して、光を照射し、
前記反応領域に照射された光を光検出部にて受光することで、前記基板の位置ずれを検出し、
前記基板の位置ずれを修正することを少なくとも行う反応制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応制御装置及び反応制御方法に関する。より詳しくは、基板上で所定反応を行なう技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラスやプラスチック等の基板に微細流路が構成し、そこで化学反応や生化学反応等が行なわれている。このような微細流路内で化学反応や医療診断等を行なうことができれば、サンプルの少量化や網羅的な解析が可能となる。特に、マイクロ流路を用いた分析システムであるμＴＡＳ（Total Analysis System）やLab−on−a-chip等のバイオ・化学アプリケーションとしての応用が期待されている。
【０００３】
マイクロスケールでの分析が可能となることで、微量にしか存在しないサンプルであっても十分に分析することが可能となる。例えば、ＰＣＲ（Polymerase Chain Reaction）法では、目的のＤＮＡ断片を数十万倍に増幅させる手法への応用が挙げられる。微量にしか存在しないＤＮＡの目的部分を増幅できるため、塩基配列の解析に多大な効果が期待できる。
【０００４】
しかし、マイクロスケールで反応を行なうには、そのスケール故に表面積の影響が大きい。そのため高精度の反応制御が求められている。例えば、反応の温度条件をより高精度に制御する必要がある。これに関して、特許文献１には、マイクロチップ微細流路内液相の温度の測定と制御に関する技術が開示されている。そのなかで、赤外線レーザーを用いて液相を加熱する技術も開示されている。
【０００５】
また、微小流路の高機能化を図ることで反応制御や反応効率を改善することが試みられている。マイクロスケールでは、流路表面やその表面積が反応に大きな影響を与える。このため流路表面の表面処理や化学修飾等が行われている。特許文献２には、マイクロリアクターの表面処理に関して、マイクロリアクターの内部は親水性を、その周辺部は撥水性を発現する処理を施すことで、試料導入が容易となり、反応の高効率化を図る技術等が開示されている。
【０００６】
ここで、流路基板上で所定反応を行なう反応制御装置に関する従来の一例について図１２を参照しながら説明する。図１２の符号８は、従来の反応制御装置を示している。該反応制御装置８は、基板８０と熱源用光源８１ａと検出用光源８１ｂ，８１ｃとを備えている。例えば、光源８１ｂの光照射では、フォーカスやトラッキングを行うことができる。
【０００７】
そして、基板８０は所定反応を行なう微細流路が設けられた基板である。熱源用光源８１ａからは光熱効果によって試料を加熱するための加熱用レーザーが照射される。そして、この流路中には、蛍光色素でラベリングされた試料が存在しており、所定温度で加熱されることで反応が進行する。検出用光源８１ｂ，８１ｃは前記蛍光色素を励起させる励起光が照射される。加熱用光源８１ａと検出用光源８１ｂ，８１ｃから夫々照射された光は、同一光軸上を走り、対物レンズ８３により基板８０上の流路に集光・照射される。これにより、試料の加熱と蛍光発光の検出が行われる。発光した蛍光をＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）８５等の撮像素子により観察することで、リアルタイムで所定反応を解析できる。
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００２／０９０９１２号パンフレット。
【特許文献２】特開２００４−３３３４０４号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような基板上で反応を行なうにあたっては、反応を高精度に制御する必要がある。特に、装置内に設置した基板の位置ずれは反応効率や測定精度に大きな影響を与えかねない。そこで、本発明は、基板上で所定反応を行なう反応制御装置に関して、基板の位置制御を高精度で行なうことができる反応制御装置を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
まず、本発明は、基板に設けられた反応領域で所定の反応を行なう反応制御装置であって、前記反応領域と、該反応領域に光を導入する光学素子とを備えた基板と、前記反応領域内の試料に光照射を行う光源と、前記反応領域に照射された光を受光することで、反応制御装置内における前記基板の位置ずれを検出する位置検出部と、前記基板の位置ずれを修正する位置補正手段とを備えた反応制御装置を提供する。基板に光学素子を設けることで、位置検出部により光照射の目標スポットと実際に照射されている照射スポットとのずれを検出することができる。これにより、基板が目標とする設置位置からどの程度ずれて設置されているかを検出できる。そして、この検出結果に基づいて基板の位置ずれを修正できるため、正確な基板の位置制御が可能となる。
次に、本発明は、前記反応領域を加熱する熱源として前記光源を用いる加熱部を備えた反応制御装置を提供する。反応領域の加熱を光照射により行うことで、反応領域の液体試料またはその近傍壁面を直接加熱できるため加熱効率がよい。また、光照射に用いる光源は高速且つ高精度なエネルギー制御が可能であり、高精度な温度制御を行うことができる。
続いて、本発明は、前記光学素子は、基板表面に設けられた光学レンズである反応制御装置を提供する。反応領域を備えた基板に光学レンズを備えることで、基板のずれがそのまま照射スポットのずれとして検出できる。これにより、より正確に基板の位置ずれを検出できる。その結果、より正確な位置制御が可能となる。
そして、本発明は、前記位置検出部は、１の反応領域に対して複数の受光素子が設けられ、各受光素子により前記光の照射スポットを検出する反応制御装置を提供する。複数の受光素子を設けて、これらの受光素子が光を受光することでより正確な照射スポットを検出できる。これによりより正確な位置情報を検出できる。その結果、より正確に基板の位置ずれを検出できる。
更に、本発明は、位置検出部は特定波長の光を透過するフィルターを備えた反応制御装置を提供する。受光する光のノイズをカットできるため、光の検出精度を更に向上させることができる。
そして、本発明は、前記光源と前記基板との間に集光レンズを備え、前記光源から照射された光が、所定の目標スポットに照射されるよう前記集光レンズを移動させる照射制御手段を、更に備えた反応制御装置を提供する。前記の位置補正手段に加えて、光学系の照射調節も行うことで、所定の目標スポットに光照射を行う場合において、照射するエネルギーを正確に制御できる。
また、本発明は、前記反応領域内の試料に測定光を照射する測定用光源と、前記測定光が前記試料に照射されることで発生する検出光を検出する測定部とを更に備えた反応制御装置を提供する。測定光も正確に照射できるため、より測定精度が高い反応制御装置とすることができる。
更に、基板に設けられた反応領域で所定の反応を行なう反応制御方法であって、前記反応領域と、該反応領域に光を導入する光学素子とを備えた基板に対して、光を照射し、前記反応領域に照射された光を光検出部にて受光することで、前記基板の位置ずれを検出し、前記基板の位置ずれを修正することを少なくとも行う反応制御方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板上で所定反応を行なうに際して、基板について高精度の位置制御が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面に基づいて、本発明に係る反応制御装置及び反応制御方法について説明する。なお、添付図面に示された各実施形態は、本発明の代表例を示したものであり、これにより本発明の範囲が狭く解釈されることはない。
【００１３】
図１は、本発明に係る反応制御装置の第１実施形態の簡略側面図である。図１中の符号１は、本発明に係る反応制御装置を示している。この反応制御装置１のサイズや装置構成等は、本発明の目的に沿う範囲で、使用目的の応じて適宜に設計又は変更可能である。なお、以下に使用する図面では、説明の便宜上、装置の構成等については簡素化して示している。
【００１４】
前記反応制御装置１は、基板１０と、光源１２と集光レンズ１２と光検出部１６とを備えている。基板１０の反応領域Ａで所定反応を行う。反応制御装置１は、基板１０の反応領域Ａに光源１２から光Ｌ１１を照射し、反応領域Ａを通過した光Ｌ１２を光検出部１６で受光する。光Ｌ１２を実際に受光した位置が、本来受光すべき位置（目標位置）からどの程度ずれているかを検出すること等により、基板１０の位置ずれを検出する。
【００１５】
基板１０は、基板本体１００と光学素子層１０２とから形成されており、複数の反応領域Ａを備えている。基板本体１００は反応領域Ａに即した形状であり、これを光学素子層１０２によって被覆することで、反応領域Ａに相当する空間を形成している。そして、光学素子層１０２は光学素子１０２２を備えている。
【００１６】
基板本体１００の材料は限定されず、例えば、種々の合成樹脂、ガラス等を用いることができ、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることができる。そのなかでも、好適には、光透過性に優れた材料であることが望ましく、具体的には、ポリメタクリル酸メチル、低蛍光発光プラスチック材料、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることが望ましい。
【００１７】
光学素子層１０２は、光学素子１０２２を備えている。本発明では、基板１０に何らかの光学素子を備えていればよく、その構成等は限定されない。更に、光学素子１０２２を有する部材を必ずしも層状とすることにも限定されないが、光学素子層１０２によって基板本体１００をシーリングすることもできるため好適である。そして、光学素子１０２２を基板１０（あるいは基板本体１００）に直接設けても良いことはもちろんである。
【００１８】
光学素子層１０２の材料は、特に限定されず、、例えば、種々の合成樹脂、ガラス等を用いることができ、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることができる。そのなかでも、好適には、光透過性に優れた材料であることが望ましく、具体的には、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、低蛍光発光プラスチック材料、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等であることが望ましい。
【００１９】
本発明では、基板１０に光学素子１０２２を設けることによって、光検出部１６で光Ｌ１２を受光することでより基板１０の位置ずれを検出可能とできる。即ち、光学素子１０２２は基板１０と一体であるため、基板１０の位置ずれと同様に光学素子１０２２も位置ずれする。従って、光学素子１０２２の位置ずれに対応して、光Ｌ１２の照射スポットの位置や大きさが変化する。これを検出することで、基板１０の位置を検出するものである。従って、基板１０（基板本体１００）に光学素子１０２２を固着させることで一体性を向上させることが望ましい。これにより、位置ずれの検出精度を向上させることができる。
【００２０】
光学素子１０２２は、反応領域Ａに光を導入することができればよく、その種類等は限定されない。例えば、レンズ、プリズム、鏡、回折格子等を適宜用いて反応領域Ａに光Ｌ１１を導入できるが、好適には、光学レンズを用いることが望ましい。光学素子１０２２として光学レンズを用いることで、各反応領域Ａに対応する位置に光学レンズを容易に固着できるため望ましい。光学素子１０２２の材料についても限定されず、例えば、シリコンやフッ化カルシウム等の結晶材料や、合成石英等のガラス材料等を用いることができる。更に、必要に応じて、複数の光学素子を併用することもできる。
【００２１】
基板１０の形状や大きさ等については限定されず、例えば、基板１０において反応領域Ａをマトリクス状に配置し、これに対応して光学素子１０２２を夫々設けることができる。そして、基板１０をアレイ状のマイクロチップとすることもできる。また、基板１０は、反応領域Ａを複数備えている必要はなく、使用目的等によっては、１つの反応領域のみを有する構成であってもよい。
【００２２】
反応領域Ａは微小なマイクロ空間として、これをアレイ状に配置する構成とすることが望ましい。このような形状とすることで、例えば、人の遺伝子数に匹敵する数の反応領域Ａを基板１０に設けることができる。そして、例えば、反応領域Ａを３００μｍ×３００μｍ×３００μｍ（２７ｎＬ容量）とし、約４万個のウェルを並べるとすると、約６ｃｍ角の面積の小型デバイスとすることができる。これによって、所望の各種反応や分析を網羅的に行なうことが可能となる。
【００２３】
光源１２は特に限定されないが、照射する光Ｌ１１の指向性や収束性が良好であることが望ましく、好適には半導体レーザー（ＬＤ；laser diode）又は発光ダイオード（ＬＥＤ）光源であることが望ましい。特に、ＬＤ光源やＬＥＤ光源を用いる場合は、高速かつ高精度なエネルギー制御が可能であり、より高精度な温度制御が可能である。そして、光源１２は、使用目的等を考慮して適宜好適な光源を選択することができる。従って、光源１２は、基板１０の位置検出を行うためだけの目的に限定されず、より好適には、反応領域Ａを加熱する熱源として用いることが望ましい。また、反応領域Ａ内の試料の光学的分析（例えば、蛍光分析、散乱光分析、赤外分光、紫外分光等）を行う場合には、その測定用光源として用いることもできる。
【００２４】
本発明では、反応領域Ａの加熱を光源１２の光Ｌ１１によって行うことが特に望ましい。あるいは、光源１２を位置検出用や測定用の光源として用い、別途に熱源用の光源を設けてもよい。例えば、ヒーター等の発熱体を用いて反応領域Ａを加熱することもできるが、基板本体１００等を介して熱伝導するため、加熱効率が低下する場合がある。また、隣接する反応領域Ａ同士が熱伝導により互いに干渉してしまい、温度の影響を受けてしまうといった問題もある。更に、厳密な温度制御を望む場合には、あらかじめ基板１０を所定の温度となるようにあたためる必要がある。
【００２５】
これに関して、本発明では、光源１２から照射する光Ｌ１１の光熱効果を利用して加熱することで、直接反応領域Ａ内に存在する試料に光熱を伝達することができる。更に、本発明の反応制御装置によれば、基板の光学系の制御をより高精度に行なうことができるため、所望の照射スポットに正確に光照射できる。その結果、隣接する反応領域Ａ同士が熱干渉することもなく、より正確な温度制御が可能となる。
【００２６】
本発明では、単一の光源１２からの光Ｌ１１をビームスプリッタ等によって分割することで、複数の反応領域Ａに光Ｌ１１を導入することもできるが、光源１２を熱源として用いる場合には光源１２を反応領域Ａに対して個別に設けることが望ましい。反応領域Ａごとに光源を設けることで、各反応領域Ａへの加熱を個別に行なうことができる。その結果、各反応領域Ａを個別に温度制御できるため、反応領域Ａ同士の微小な温度のずれを修正できたり、各反応領域Ａを異なる目標温度に設定することもできる。例えば、基板上の反応領域Ａやこれに対応する光学素子１０２２等をアレイ状に配置した場合には、夫々の反応領域Ａに対応する光源１２や光検出部１６もアレイ状に配置する装置構成とすることができる。
【００２７】
また、反応領域Ａ同士の微小な温度のずれは、熱源として半導体素子等を用いる場合には重要な問題の一つといえる。半導体素子は一般に製造上のばらつきがある。そのため、各反応領域Ａで同様の温度制御を行なった場合であっても、基板１０内のヒーターユニットごとに、加熱量のばらつきが生じてしまう。また、半導体素子は、一般に温度によって特性が変化する性質がある。例えば、単結晶シリコンを用いたＭＯＳトランジスタは負の温度特性を持ち、同じ電圧値を印加しても、温度が高くなると流れる電流が減少する。従って、同じ電圧値であっても温度によって加熱量が変化する結果となる。このような現象が温度制御において問題となる場合があった。これに対して、反応制御装置１において、光源１２を熱源とすれば、その照射効率が高精度であること等からこのような問題も解決できる。
【００２８】
特に、光源１２によって加熱制御する場合には、発光の有無を制御するスイッチング素子を別途設けることが望ましい。これにより、より正確な発光の制御（即ち、加熱実施の有無の制御）が可能となる。スイッチング素子としては特に限定されないが、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等を用いることができる。ＴＦＴ等を用いることで光検出部と一体製造に大きく貢献できる。勿論、本発明において行い得る制御系の形態はＴＦＴに限定されず、例えば、リレースイッチやデジタル回路等であってもよい。
【００２９】
ＬＤ光源は、半導体素子を光源とするものをいい、発光源が小型であること等からも好適である。例えば、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などを含む半導体を用いた比較的長波長のＬＤ光源（例えば、λ＝1〜３μm）は水の吸収効率が良く、液体試料を直接加熱するのに好適である。また、水の吸収効率の低い短波長のＬＤ光源を用いる場合においても、反応領域ＡにＬＤ光源からの光を吸収する蓄熱層（例えば、金属膜や樹脂層等）を施すことで、同様の効果をもたらすことができる。
【００３０】
ＬＤ光源と同様にＬＥＤ光源も好適に用いることができる。ＬＥＤ光源は、接合部に電流が流れると光を放射するダイオードを光源とするものであればよく、所望する波長に応じて適宜好適な材料を光源として選択できる。
【００３１】
集光レンズ１４は、光源１２から照射される光Ｌ１１を集束させることができる。また、図示はしないが、必要に応じて、回折光学素子やコリメーティングレンズ等を光路上に設けることができる。これらによって、光Ｌ１２等を集束させたりコリメートさせて、ガイドすることもできる。
【００３２】
集光レンズ１４の開口数（ＮＡ）は、装置構成を考慮して適宜決定することができるが、好適には、反応領域の大きさと光照射スポットが同程度であることが望ましい。例えば、光学スポットをエアリーリング径と等価とすると、ｄ（半径）＝０．６１ｘλ（波長）ｘＮＡの関係式により、所望のＮＡを算出できる。加えて、ＮＡが大きいとビームスポット径は小さくできるが焦点深度は浅くなり、ＮＡが小さいと焦点深度は大きくなるがビームスポットは大きくなる傾向があるので、これを考慮すればよい。
【００３３】
光検出部１６は、反応領域Ａからの光Ｌ１２を受光する。この光検出部１６は基板１０の位置を検出することを少なくとも目的の一つとする。即ち、光検出部１６は、基板１０の位置検出部として機能することができる。
【００３４】
光検出部１６では、受光素子としてフォトダイオード等を用いることができる。例えば、ＣＣＤやＣＭＯＳ等として用いることができる。そして、レーザー等の検出素子として、４分割や６分割の多分割ＰＩＮフォトダイオードや、フォトダイオードと集積回路を組み合わされたフォトＩＣ等を用いることもできる  
【００３５】
また、必要に応じ、基板１０と光検出部１６との間に、所定波長の光を透過するフィルターを設けることが望ましい。これにより、検出対象である光Ｌ１２以外の波長をカットできるため、より検出精度を向上させることができる。例えば、ダイクロックミラーを経由させることも、散乱光等の影響を排除できる点で好適である。また、光学フィルターを任意の周波数のみを検出するバンドパスフィルターとし、これらを複数用いることで光の周波数と光強度検出による分光解析を行うこともできる。
【００３６】
次に、本発明の反応制御装置１において行う基板１０の位置制御について、図２を参照しながら説明する。図２は、反応制御装置１における基板の位置制御を説明するための簡略側面図である。
【００３７】
図２は、基板１０が水平方向（図面に対して右側）にやや位置ずれした状態を示している。この場合、光源１２から照射された光Ｌ１１が反応領域Ａに照射され、これを光Ｌ１２として検出する。しかし、基板１０が位置ずれしているため、光Ｌ１１が光学素子１０２２に入射する位置がずれている。このため、反応領域Ａから出射される光Ｌ１２の照射スポットも、水平方向に距離ｄだけずれた位置となっている（図２の拡大領域参照）。即ち、図２の場合、基板１０が本来設置すべき設置位置であれば、光Ｌ１２の照射スポットは光検出部１６の中心に形成される。しかし、基板１０が位置ずれしているため、距離ｄだけずれた位置に実際の照射スポットが形成されている。
【００３８】
光検出部１６で、上記の照射スポットの位置ずれの距離ｄを検出することで、基板１０がどの程度位置ずれしているかを検出できる。この検出結果に基づいて、基板１０の位置ずれを位置補正手段によって修正することができる。即ち、光検出部１６では、得られた検出結果を位置情報として出力し、この光検出部１６からの出力に応じて、前記基板の位置ずれを修正し得るように基板の設置位置を補正する位置補正手段とすることができる。例えば、光検出部１６の検出結果をアナログデジタルコンバーター（ＡＤＣ）等によってデジタル情報に変換して位置補正手段へと出力し、これをＣＰＵ等を用いて位置補正手段と連動させてもよい。
【００３９】
なお、本発明で行う位置補正手段は、基板１０を所定の位置に移動することができればよく、その方法は限定されない。従って、機械によってもよいし手動によってもよい。本発明における光学部品の移動量は微小量であることが考えられるが、このような場合等も考慮すれば、小型で制御性に優れた圧電素子やステッピングモータ、超音波モータ等を用いることが望ましい。これにより、目標とする位置に正確に基板１０を移動させて停止させることができるため望ましい。即ち、位置決め精度に優れ、ロストモーションが少ない点で好適である。
【００４０】
なお、基板１０の移動方向は、水平方向（Ｘ−Ｙ方向）のみならず、垂直方向（Ｚ方向）にも可動させることが望ましい。基板１０を水平方向に移動させることで、照射スポットのＸ−Ｙ方向のずれを解消できる。また、基板１０を垂直方向に移動させることで、照射スポットの大きさ（ビームスポット径）の調節が可能となる。
【００４１】
更に、光源１２から照射される光Ｌ１１を、基板（反応領域Ａ）の所定の目標スポットに照射されるように集光レンズ１６を移動させる照射制御手段を別途設けることが望ましい。光源１２を基板１０の位置検出用として用いる場合は集光レンズ１６は固定することが望ましいが、光Ｌ１１で反応領域Ａを加熱したい場合や、光Ｌ１１を試料の分光分析の測定光として用いたい場合には、より正確に目標位置に照射することが望まれる。このような場合には、前記照射制御手段によって、光照射をより正確に行うことができる。
【００４２】
この照射制御手段は、集光レンズ１６を移動させることができればよく、その方法については限定するものではないが、いわゆるオートフォーカス機能等を組み込むことが挙げられる。例えば、電磁アクチュエータや圧電素子、ステッピングモータ、超音波モータなどを用いることができる。
【００４３】
図３は、本発明に係る反応制御装置に用いる基板の一形態例の簡略斜視図である。図３の符号２０は、本発明に係る反応制御装置で用いる基板を示している。該基板２０は、試料の注入口２０２と、流路２０４と、使用後（例えば、反応終了後）の反応物を回収又は排出する排出口２０６と、を備えている。図３では、基板の流路構造を図示しており、基板内のその他の構成（例えば、光学素子等）や反応制御装置については省略している。
【００４４】
この基板２０を反応制御装置（図示せず）にセットする際に、あるいはセットした後に生じる位置ずれについては、図１等で説明したように適宜修正することができるのは勿論である。
【００４５】
基板２０の反応領域Ａに試料を導入する方法としては、通常用いられる手法を適宜採用できる。注入口２０２から導入された試料は矢印Ｆの方向に沿って流れ、やがては排出口２０６で回収又は廃棄される。特に、流路２０４や反応領域Ａ等が微小な空間である場合には、毛細管現象等を用いて試料を導入することができる。
【００４６】
この基板２０では、反応領域Ａを所定反応を行ない微小な空間とし、この試料を反応領域Ａに導くために微細な流路２０４によって連通させる構造とできる。また、これらの流路表面は適宜コーティングして親水性を高めること等により、試料を効率よく搬送できる。
【００４７】
図４は、本発明に係る反応制御装置の第２実施形態の概略構成図である。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明し、共通する部分についてはその説明を割愛する。
【００４８】
図４に示す符号２は、反応制御装置を示している。該反応制御装置２は、光源２１ａ，２１ｂ，２１ｃと、これに対応したハーフミラー２２ａ，２２ｂ，２２ｃと、集光レンズ２３と、光検出部２４とを備えている。そして、先に説明した基板２０を用いている。反応制御装置２は、光学系として、加熱用光源と位置検出用光源と測定用光源とを用いることで、優れた温度制御や測定精度が可能であることを特徴の一としている。
【００４９】
光源２１ａは、加熱用光源として用いている。光源２１ａから照射される光によって、基板２０の反応領域Ａを加熱する。加熱には、例えば、赤外線レーザーダイオード等を用いることができる。
【００５０】
光源２１ｂは、位置検出用光源として用いている。光源２１ｂから照射される光を基板２０の位置ずれの検出用の光として用いる。例えば、赤色レーザーダイオード（ＲＬＤ）を用いることができる。従って、この反応制御装置２では、加熱用光源（例えば赤外光）と異なる波長の光を、位置検出用の光として用いている。
【００５１】
光源２１ｃは、測定用光源として用いている。光源２１ｃから照射される光を反応領域Ａ中の試料の分光測定の測定光として用いる。例えば、青色レーザーダイオード（ＢＬＤ）を用いることができる。なお、測定用光源２１ｃは、測定に供する波長に対応する光源を用いればよい。
【００５２】
これらの光源から照射される光は、夫々ハーフミラー２２ａ，２２ｂ，２２ｃを介して同軸上に伝播される。そして、集光レンズ２３を経由して基板２０の所定位置（反応領域Ａ等）に照射される。そのなかで、少なくとも位置検出用光源２１ｂから照射された光は、光検出部２４で受光する。これにより、前述した基板２０の位置制御を行なうことができる。そして、他の光源から照射される光の波長に対応する光検出部を別途設けてもよい。また、前記ハーフミラー２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、ダイクロックミラー等を用いてもよい。
【００５３】
また、光源２１ａ，２２ｂ，２２ｃの光源としてレーザーダイオードを用いる場合、この各レーザーダイオードを格納した光源ユニット２５とすることもできる。光源ユニット２５は３種類のレーザーダイオードであるが、３種類に限定するものではない。即ち、この光源ユニット２５としては、異なる波長の光（好適には、レーザー光）を複数生成するため、複数のレーザーダイオードを格納することができる。
【００５４】
図５は、本発明に係る反応制御装置の第３実施形態の一部概念図である。図６は、同実施形態の位置制御を説明するための一部概念図である。以下、既に述べた実施形態との相違点を中心に説明し、共通する部分についてはその説明を割愛する。なお、図５、図６においては、基板の位置検出に関連する部分を示しており、その他の構成については省略している。
【００５５】
図５に示す符号３は、反応制御装置を示している。該反応制御装置３は、位置検出部として少なくとも集光レンズ３６と光検出部３７とを備えており、基板３０において所定反応を行なうものである。反応制御装置３は、光検出部３７として複数の受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄを配置している点が特徴の一である（図５の拡大領域参照）。
【００５６】
光検出部３７は、受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄを水平面（Ｘ−Ｙ方向）に複数配置している。即ち、図５や図６の拡大領域は受光素子３７１について上面視した状態である。受光した光の照射スポットがどの受光素子で受光しているか、更にはその受光面積や受光強度を検出することができる。これによって、照射スポットのより正確な位置を検出できる。
【００５７】
例えば、図５では、実際の照射スポットＳ１が、目標とする照射スポットＳ２からやや右下にずれている状態である。まず、目標の照射スポットＳ２であれば、受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄは、受光面積と受光強度は均一である。しかし、実際の照射スポットＳ１では、受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄの受光面積や受光強度は均一ではない。具体的には、受光素子３７１ｄは照射スポットが広すぎており、受光素子３７１ａは照射スポットが狭すぎている。これらから、実際の照射スポットＳ１の位置を検出することができる。
【００５８】
従って、ここで、受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄの夫々の受光面積（あるいは受光強度）をＰＤ３７１ａ，ＰＤ３７１ｂ，ＰＤ３７１ｃ，ＰＤ３７１ｄとすると、Ｘ方向の位置検出においては、下記式（１）で示される関係式を用いることができる。
【００５９】
【数１】
2009069011.tif 000003
【００６０】
上記式（１）は、光検出部３７のＸ方向において所定目標に光照射された状態を示している。同様に、Ｙ方向の位置検出においては、下記式（２）で示される関係式を用いることができる。
【００６１】
【数２】
2009069011.tif 000004
【００６２】
上記式（２）は、光検出部３７のＹ方向において所定目標に光照射された状態を示している。従って、上記式（１）、（２）のいずれもを満たす場合に、少なくとも水平方向（Ｘ−Ｙ方向）においては、目標スポットＳ２に光照射されていることが確認できる。
【００６３】
また、受光素子は、いわゆる多分割したものであってもよい。そして、より多くの受光素子を設けるほど、照射スポットＳ１の位置をより正確に検出できる。従って、例えば、各受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄを更にマトリクス状に多分割すれば、更に正確な照射スポット位置が検出できる。
【００６４】
図６では、反応制御装置３において、基板３０の垂直方向（Ｚ方向）の位置検出する場合を中心に説明する。基板３０が垂直方向に移動する場合、その高さ（図６の矢印参照）によってビームスポット径が変化するが、これも光検出部３７によって検出できる。受光した実際の照射スポットＳ３がどの受光素子で受光しているか、更にはその受光面積等を受光素子によって検出する。
【００６５】
例えば、図６において基板３０があるべき位置よりもやや上方（即ち、集光レンズ３６側より）に位置している場合について述べる。この場合、基板３０の光学素子や反応領域表面を経て屈折・干渉する。これにより、光検出部３７への入射角等が異なってくる。このため、受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄの受光位置や受光面積や受光強度が変化する。これを検出することで照射スポットＳ４について知ることができる。
【００６６】
従って、垂直方向（Ｚ方向）の位置ずれに関しては、照射スポットＳ３のビームスポット径を検出すること等により知ることができる。実際の照射スポットＳ３のビーム径が、目標とする照射スポットＳ４のビーム径よりも大きければ、基板３０がやや上方（即ち、集光レンズ３６側より）にずれていることになる。もちろん、照射スポットＳ３の照射面積を知ることでも同様に検出することもできる。
【００６７】
図６の場合であれば、目標の照射スポットＳ４については、受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄのいずれもが受光できない状態である。しかし、実際の照射スポットＳ４では、受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄの領域にも照射スポットＳ３がかぶさっている。これらから、実際の照射スポットＳ１の位置を検出することができる。
【００６８】
従って、Ｚ方向の位置検出においては、式（１）、式（２）を満たした状態で、Ｚ方向に基板３０を移動させて、各受光素子３７１ａ，３７１ｂ，３７１ｃ，３７１ｄからの出力が最小となる位置を検出する。この位置は照射光の焦点位置と一致した状態といえる。
【００６９】
図７は、本発明に係る反応制御装置の第４実施形態の一部概念図である。図８は、同実施形態の位置検出を説明する一部概念図である。以下、既に述べた実施形態との相違点を中心に説明し、共通する部分についてはその説明を割愛する。なお、図７、図８においては、基板の位置検出に関連する部分を示しており、その他の構成については省略している。
【００７０】
図７に示す符号４は、反応制御装置を示している。該反応制御装置３は、位置検出部として少なくとも集光レンズ４６と光検出部４７とを備えており、基板４０において所定反応を行なうものである。反応制御装置４は、光検出部４７として５個の受光素子４７１ａ，４７１ｂ，４７１ｃ，４７１ｄ，４７１ｅを配置している点が特徴の一である（図７の拡大領域参照）。この場合、５分割した受光素子を用いてもよい。
【００７１】
光検出部４７は、受光素子４７１ａ，４７１ｂ，４７１ｃ，４７１ｄ，４７１ｅを水平面（Ｘ−Ｙ方向）に複数配置している。受光した光の照射スポットがどの受光素子で受光しているかや、その受光面積や受光強度を検出することができる。これによって、照射スポットのより正確な位置を検出できる。特に、受光素子４７１ｅを中心位置に配置しているため、ビームスポット径が小さい場合にも正確に検出できる。
【００７２】
従って、ここで、受光素子４７１ａ，４７１ｂ，４７１ｃ，４７１ｄ，４７１ｅの夫々の受光面積（あるいは受光強度）をＰＤ４７１ａ，ＰＤ４７１ｂ，ＰＤ４７１ｃ，ＰＤ４７１ｄ，ＰＤ４７１ｅとすると、Ｘ方向の位置検出においては、下記式（３）で示される関係式を用いることができる。
【００７３】
【数３】
2009069011.tif 000005
【００７４】
上記式（３）は、光検出部３７のＸ方向において所定目標に光照射された状態を示している。同様に、Ｙ方向の位置検出においては、下記式（４）で示される関係式を用いることができる。
【００７５】
【数４】
2009069011.tif 000006
【００７６】
上記式（４）は、光検出部３７のＹ方向において所定目標に光照射された状態を示している。従って、上記式（３）、（４）のいずれもを満たす場合に、少なくとも水平方向（Ｘ−Ｙ方向）においては、目標スポットＳ２に光照射されていることが確認できる。
【００７７】
図８では、反応制御装置４において、基板４０の垂直方向（Ｚ方向）の位置検出する場合を中心に説明する。基板４０が垂直方向に移動する場合、その高さ（図８の矢印参照）によってビームスポット径が変化するが、これも光検出部４７によって検出できる。受光した実際の照射スポットＳ３がどの受光素子で受光しているか、更にはその受光面積等を、受光素子によって検出できる。
【００７８】
この場合、Ｚ方向の位置検出においては、式（３）、式（４）を満たした状態で、Ｚ方向に基板４０を移動させて、各受光素子４７１ａ，４７１ｂ，４７１ｃ，４７１ｄからの出力が最小となる、あるいは受光素子４７１ｅの出力が最大となる位置を検出する。この位置は照射光の焦点位置と一致した状態といえる。
【００７９】
図９は、本発明に係る反応制御装置の第５実施形態の一部概念図である。以下、既に述べた実施形態との相違点を中心に説明し、共通する部分についてはその説明を割愛する。なお、図９は、基板の位置検出に関連する部分を示しており、その他の構成については省略している。
【００８０】
図９に示す符号５は、反応制御装置を示している。該反応制御装置５は、位置検出部として少なくとも集光レンズ５６と光検出部５７とを備えている。少なくとも加熱用の光と位置検出用の光を用い、これらの光の屈折率の相違を利用することで、検出部５７で夫々の光を検出可能とする装置構成を有している。即ち、反応制御装置５は、光学系として異なる波長の光源を複数備え、これらの波長に対応する受光素子を夫々検出部５７に備えることを特徴の一とする。
【００８１】
検出部５７は、複数の受光素子５７１，５７２を備え、これらの受光素子の検出可能な波長が異なることを特徴の一としている。受光素子５７１は、加熱用光（例えば、赤外光）が検出可能な受光素子である。受光素子５７２は、位置検出用光（例えば、青色ＬＤ）を検出可能な受光素子である。
【００８２】
光の波長の相違は、屈折率の相違を生じる。即ち、集光レンズ５６における屈折率特性は波長に依存する。従って、用いる光（例えば、加熱用光、位置検出用光、測定用光等）に応じて、その波長は異なる。従って、加熱用光や位置検出用光や測定用光の屈折率は異なるため、検出部５７に形成する照射スポット径等も異なるものとなる。ここで、波長に依存する屈折率特性の代表的な一例を表１に示す。
【００８３】
【表１】
2009069011.tif 000007
【００８４】
但し、２以上の波長を同時照射する場合には、必要に応じて所定波長を透過するフィルタを設けることが望ましい。更に、透過可能な波長が異なる複数の領域を備えたフィルタとすることもできる。フィルタを設けることでクロストークの発生を防止できる。例えば、加熱用光として赤外光を用い、位置検出用光として青色ＬＤを用いる場合において、これら２波長を同時照射すると、青色ＬＤ検出用の受光素子上で、赤外光によるクロストークが生じてしまう。そのため、赤外線カットフィルタを設けることが望ましい。
【００８５】
このようなカットフィルタとしては、例えば、ダイクロックミラーのような反射型、赤外線ＮＤフィルタのような吸収型、回折格子を用いたホログラム型等を用いることが望ましく、更に必要に応じた特性を選択することが望ましい。またホログラム型を用いた場合には、特定波長（例えば、加熱用の赤外光）のみを、任意の位置に集光させることが可能である。これに関しては後述する。
【００８６】
そして、位置検出用光（例えば、青色ＬＤ）の照射スポットＳanalysis（図９の斜線領域参照）は、加熱用光（例えば、赤外光）の照射スポットＳheatよりも小さくなる。そして、一般的には波長が短いほうが屈折角が大きい特性があること等から、分光分析用光の受光素子５７２を中心に設け、加熱用光の受光素子５７１を外側に設けることが望ましい。
【００８７】
また、複数の波長を光学系に用いる場合には、その照射タイミングを制御することが望ましい。これにより、クロストーク等を効果的に防止できる。例えば、加熱用光源と位置検出用光源の照射時間をずらすようにスイッチング制御することが挙げられる。スイッチング制御には、ＴＦＴ等をスイッチング素子として用いることができるため、受光素子との一体化も可能となる。そして、装置の薄型化、量産化、透明性等に資することができる。勿論、本発明においては、薄型化、量産化、透明性については必ずしも必要とはしないが、ＴＦＴを用いることでこれらを実現可能とできる点で望ましい。
【００８８】
図１０は、本発明に係る反応制御装置の第６実施形態の一部概念図である。以下、既に述べた実施形態との相違点を中心に説明し、共通する部分についてはその説明を割愛する。なお、図１０は、基板の位置検出に関連する部分を示しており、その他の構成については省略している。
【００８９】
図１０に示す符号６は、反応制御装置を示している。該反応制御装置６は、位置光検出部として少なくとも集光レンズ６６と光検出部６７と回折格子６８を備えている。加熱用の光と測定用の光とを用い、これらの光の屈折率の相違を利用し、いずれの光も光検出部６７で検出可能な装置構成である。光検出部６７は、受光素子６７１で加熱用光を検出し、受光素子６７２で測定用光を検出する。
【００９０】
反応制御装置６は、光学フィルタとして回折格子６８を利用したホログラム型カットフィルタを用いていることを特徴の一としている。このようなホログラム型カットフィルタを用いることで、特定波長（例えば、加熱用の赤外光）のみを所定の位置Ｓheatに集光させることができる。例えば、赤外光の波長にのみ回折現象が生じるよう設計された回折格子６８を配置していることで、赤外光の集光スポットＳheatを所望のスポット形状とすることができる。
【００９１】
図１１は、本発明に係る反応制御装置の第７実施形態の概略構成図である。以下、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、共通する部分についてはその説明を割愛する。
【００９２】
図１１に示す符号７は、反応制御装置を示している。該反応制御装置７は、基板７０と、光源７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄと、これに対応したハーフミラー７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄと、集光レンズ７３と、光検出部７４とを備えている。反応制御装置７は、光学系として、４種類の光源と、これに対応する４種類の波長を受光可能な光検出部７４を備えていることを特徴の一としている。
【００９３】
光源７１ａは、加熱用光源として用いている。光源７１ａから照射される光によって、基板７０の反応領域を加熱する。例えば、赤外線レーザーダイオード等を用いることができる。
【００９４】
光源７１ｂは、位置検出用光源として用いている。光源７１ｂから照射される光を基板７０の位置ずれの検出用の光として用いる。例えば、赤色レーザーダイオード（ＲＬＤ）を用いることができる。
【００９５】
光源７１ｃ，７１ｄは、測定用光源として用いている。即ち、異なる２波長を夫々測定用光として用いることができる。例えば、青色レーザーダイオード（ＢＬＤ）と緑色レーザーダイオード（ＧＬＤ）を用いることができる。なお、測定用光源７１ｃ、７１ｄは、測定に供する波長に対応する光源を用いればよい。
【００９６】
更に、光検出部７４は、前記４波長の光を夫々受光・検出することができる。即ち、特定波長の光を透過するフィルタを複数備え、これらのフィルタが透過する特定波長は夫々異なる波長であることを特徴とするフィルタ膜を、光検出部７４に設けている。。反応制御装置７では、４枚のフィルタ７４１，７４２，７４３，７４４をマトリクス的に配置しており、これらは特定波長λａ，λｂ，λｃ，λｄを夫々透過するものである。そして、フィルタ膜としては、例えば、ＲＧＢフィルタと赤外光透過フィルタ等を用いることができる。
【００９７】
これらによって、反応領域の加熱制御や、基板７０の位置制御や、試料の分光測定等といった一連の操作を、同軸光路上で行うことができる。そして、前記したフィルタ膜等を併用することで、幅広い波長域にも対応できる。特に、蛍光分析等を行なう場合には、複数の蛍光ラベル等を同時に用いることもでき、かつこれを高い精度で検出できるため好適である。
【００９８】
本発明に係る反応制御装置によれば、基板の位置制御を正確に行うことができる。更には、加熱や測定等も光学系を用いて行うことで、これらの照射も正確に行うことができる。更には、複数の反応領域を備えた基板である場合において、各反応領域に対応した光源を夫々設けることで、各反応領域の個別制御が可能となる。
【００９９】
例えば、各反応領域ごとに加熱用光源（例えば、ＬＤやＬＥＤ）を設け、これらの加熱用光源を夫々独立に駆動させることで、各反応領域の温度を個別に制御できる。これにより夫々の反応領域Ａごとに設定温度を変えて制御することもできる。また、分光測定を行う場合でも、測定用光の照射精度が高いため、正確な測定結果をリアルタイムで得ることができる。更に、各反応領域Ａによって異なる波長の光を測定光として用いることもできる。従って、特に、微小な反応領域や微細流路を備えた基板において所定反応を行なう場合にとりわけ優れた効果を発揮できる。
【０１００】
そして、位置精度を有したアレイ状の部品（例えば、ＬＤやＬＥＤ等の光源、レンズアレイ、これに対応する光検出部）等を用いることで、反応制御装置で行う必要がある各種調整を簡略化できる。また、今まで説明した装置の各種構成・部品等は、半導体プロセス等を用いることで小型化できる。その結果、マイクロ空間で所定反応・検出が可能となるばかりでなく、装置全体としても小デバイス化が可能となる。また、従来用いられているような、いわゆるイメージセンサの変わりに、反応領域ごとに光検出部を用いることで、高感度でありながら高精度の反応検出が可能となる。
【０１０１】
本発明の反応制御装置は、基板の形態として各種チップや各種センサーの如き形態として使用することができる。例えば、血液分析チップや生体高分子検出チップ等に用いることができる。従って、本発明は、マイクロ流路を用いた分析システムであるμＴＡＳやLab-on-a-chip等のバイオ・化学アプリケーションにも応用できる。
【０１０２】
更に、基板として使用することで使い捨てとした場合であっても、経済的な負担が軽減できる。従って、試料のコンタミネーション等も防止できるため、より高い測定精度を簡便に得ることができる。
【０１０３】
そして、基板に用いる測定試料の小容量化・微量化が可能であれば、基板上で網羅的な解析を行なうことができる。また、解析時間の短縮や必要とする測定試料の少量化も可能となる。従って、各種測定試料の小容量化・微量化とする技術は、医療、環境科学、食品分析等をはじめとする幅広い分野への応用が期待されている。
【０１０４】
本発明の反応制御装置は、各種反応に用いることができ、生物のゲノムやタンパクの解析、創薬支援、コンビナトリアルケミストリ等の化合物合成・分析、環境のモニタリング試験、食品の安全性検査等にも用いることができる。その中でも、微小な試料を増幅させる遺伝子増幅反応や、マイクロリアクターや、更にはフローサイトメトリー等の分光測定機器として好適に用いることができる。
【０１０５】
フローサイトメトリーは、試料から発生する蛍光発光のみならず側方散乱光等も検出対象として用いるため、今まで述べたような複数光源を用いることができる点で好適である。また、マイクロ流路中を測定対象である微小粒子を通過させながら分光測定するため、照射精度が高い点でも、本発明の反応制御装置を好適に使用できる。
【０１０６】
遺伝子増幅反応は、微小なサンプルを正確に増幅させることが必要であるが、その増幅反応を制御するには、分光測定や温度制御を正確に行うことが重要である。これに関して、本発明の反応制御装置であれば、正確な温度制御や高精度の分光測定を行なうことができる点で好適である。なお、遺伝子増幅反応は、その出発物質と増幅産物の種類に応じて、種々の手法が用いられているが、ここでは一例として、本発明の反応制御装置においてＰＣＲ法を行う場合について説明する。
【０１０７】
ＰＣＲ法は、「熱変性→プライマーとのアニーリング→ポリメラーゼ伸長反応」という増幅サイクルを連続的に行うことで、ＤＮＡ等を数十万倍にも増幅させることができる。このようにして得られるＰＣＲ増幅産物をリアルタイムでモニタリングして前記微量核酸の定量分析を行うこともできる。
【０１０８】
しかし、ＰＣＲ法等において前記増幅サイクルを正確に制御することが必要である。そのためには高精度の温度制御が必要となる。温度制御が不十分である場合には、無関係なＤＮＡ配列を増幅してしまったり、増幅が全く見られなかったりする問題があった。
【０１０９】
これに対して、本発明に係る反応制御装置によれば、特に光照射により加熱を行う場合に、ＤＮＡ解離温度やアニーリング温度や伸長温度等の絶対温度だけでなく、各反応領域の昇温や降温勾配や伸長時間等といった様々なパラメータについても正確に制御できる。更に、１つの基板上で、反応領域の数だけこれらの条件を変えて測定することが可能となる。また、蛍光色素等によってラベリングする場合においても、異なる波長の光を使用できるため、複数の色素を検出することもできる。このようなことから、増幅条件の最適化を容易に行なうことができ、更には網羅的解析にも大きく貢献できる。
【０１１０】
いままで説明してきた反応制御装置と同様に、本発明の反応制御方法でも同様の効果を得ることができる。基板に設けられた反応領域で所定の反応を行なう反応制御方法に際して、反応領域と、この反応領域に光を導入する光学素子とを備えた基板に対して、光を照射し、前記反応領域に照射された光を光検出部にて受光することで、前記基板の位置ずれを検出し、前記基板の位置ずれを修正することを少なくとも行う方法である。そして、今まで説明した反応制御装置において、この反応制御方法を行うことができるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明に係る反応制御装置の第１実施形態の簡略側面図である。
【図２】同第１実施形態における基板の位置制御を説明するための簡略側面図である。
【図３】本発明に係る反応制御装置に用いる基板の一形態例の簡略斜視図である。
【図４】本発明に係る反応制御装置の第２実施形態の概略構成図である。
【図５】本発明に係る反応制御装置の第３実施形態の一部概念図である。
【図６】同実施形態における基板の位置制御を説明するための一部概念図である。
【図７】本発明に係る反応制御装置の第４実施形態の一部概念図である。
【図８】同実施形態における基板の位置制御を説明するための一部概念図である。
【図９】本発明に係る反応制御装置の第５実施形態の一部概念図である。
【図１０】本発明に係る反応制御装置の第６実施形態の一部概念図である。
【図１１】本発明に係る反応制御装置の第７実施形態の概略構成図である。
【図１２】従来の反応制御装置の一例の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１，２，３，４，５，６，７  反応制御装置
１０，２０，３０，４０，７０  基板
１２，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ  光源
１６，２４，３７，４７，５７，６７，７４  光検出部
１０２２  光学素子
Ａ  反応領域
Ｓ  照射スポット
【図１】
2009069011.tif 000008
【図２】
2009069011.tif 000009
【図３】
2009069011.tif 000010
【図４】
2009069011.tif 000011
【図５】
2009069011.tif 000012
【図６】
2009069011.tif 000013
【図７】
2009069011.tif 000014
【図８】
2009069011.tif 000015
【図９】
2009069011.tif 000016
【図１０】
2009069011.tif 000017
【図１１】
2009069011.tif 000018
【図１２】
2009069011.tif 000019