(57)【要約】【課題】電子部品からの発熱を、ヒートパイプを介して効率的に放熱する配線基板を提供すること。【解決手段】本発明にかかる配線基板は、ヒートパイプ３４を内蔵する基板２０である。また、基板２０は、実装面２０ａ上にＩＣチップ２１が搭載される実装領域４０を有する。そして、基板２０は、実装面２０ａに対して実装領域４０との距離が実装領域４０の外側の外側領域４１との距離よりも短くなるよう形成されたヒートパイプ３４を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートパイプを内蔵する配線基板であって、
前記配線基板の一主面上に電子部品が搭載される実装領域と、
前記一主面に対して前記実装領域との距離が前記実装領域の外側の領域との距離よりも短くなるよう形成されたヒートパイプを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ヒートパイプは、前記実装領域から前記実装領域の外側に向かって前記一主面からの距離が大きくなる傾斜部分を備えていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記ヒートパイプは、前記実装領域に対向する部分において、前記一主面と平行に形成された部分を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ヒートパイプは、前記実装領域の外側の領域に対向する部分では、電源層またはグラウンド層の近傍に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
複数の配線層と、複数の絶縁層とを備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記実装領域に設けられた電源端子を備え、
前記電源端子は前記一主面と対向する第二主面側に形成された導電体と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記ヒートパイプにおいて、前記実装領域に対向する部分における前記一主面と平行に形成された部分は、前記実装領域内に配置される前記電子部品のパッドを避けて形成されていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板（以下、基板とする）に関し、特にヒートパイプを備えた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路（以下、ＩＣチップとする）の動作周波数の向上により、ＩＣチップでの発熱量が増大し、ＩＣチップ表面からの自然放熱、ＩＣチップのＧＮＤ端子から搭載基板のＧＮＤ層への熱伝導を用いた放熱では冷却が不十分になってきている。その上、ＩＣチップがその機能の実現において必要とするＩ／Ｏ数が増加し、ＩＣチップが搭載されたパッケージ全体に占めるＩ／Ｏ数の方が、電源端子やＧＮＤ端子よりもはるかに多くなる傾向がある。Ｉ／Ｏ部からの消費電力もこれに併せて増大し、その結果、さらに冷却が不十分になってきている。そのため、ＩＣチップが発生した熱を効率良く放熱するための放熱システムが注目されている。
【０００３】
このように増大するＩＣチップからの発熱量を外部に逃がす方法としては、ＩＣパッケージに放熱フィンを装着する方法が良く用いられる（例えば特許文献１）。図７に示されるように、特許文献１に記載されたＩＣパッケージでは、ＩＣチップ１がセラミック配線構造体２の表面に実装される。そして、セラミック配線構造体２のＩＣチップ１とは反対面に放熱フィン等のヒートシンク３が装着される。このように、ＩＣチップのパッケージの許容損失を超えない十分な面積をヒートシンクで確保する方法がとられている。これにより、外部への放熱特性を向上させることができる。
【０００４】
このような放熱システムとして、ＩＣチップが搭載された基板内に放熱用のヒートパイプシステムを設ける放熱システムが知られている（例えば特許文献２、特許文献３）。ここで、ヒートパイプとは、内部に液体や気体等の冷却材を流すことにより放熱を行う伝熱素子である。特許文献２に記載された回路基板は、図８に示すように、放熱プレート４の上面にプリント回路基板５を接合し、放熱プレート４の下面にヒートパイプ６を設けている。また、特許文献３に記載された回路基板は、図９に示すように、基板７の上面に回路パターン８を有し、その下面に、放熱プレート９を備え、この放熱プレート９と接触するようにヒートパイプ１０が設けられている。このように、特許文献２、３では、ヒートパイプを用いることにより、基板内の特定領域に専用の冷却用の媒体を流す領域を設けている。なお、関連技術として特許文献４に記載された放熱技術がある。特許文献４には、図１０に示されるように、複数の孔部１１、１２を有する薄板１３、１４を重ねて、特許文献２、３でのヒートパイプと同等の機能を有する細管流路１５を形成することでＩＣチップからの発熱を放熱させる。
【特許文献１】特開平４−１３３４５１号公報
【特許文献２】特開平６−２９１４８１号公報
【特許文献３】特開平６−１５２１７２号公報
【特許文献４】特開２００２−３２７９９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、特許文献２、３は、基板表面に実装されたＩＣチップからの発熱をヒートパイプを介して放熱している。しかし、基板内の構造が導体層と絶縁層の多層構造の場合、ＩＣチップに接した基板面からの放熱は絶縁物などの熱伝導率の異なる層（熱伝導率の低い層）に妨げられる。このため、基板が導体層と絶縁層の多層構造の場合には、ヒートパイプを介しての放熱よりも、ＩＣチップのＧＮＤ端子から伝わる伝達熱が支配的となり、効果的な放熱ができなくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる配線基板は、ヒートパイプを内蔵する配線基板であって、前記配線基板の一主面上に電子部品が搭載される実装領域と、前記一主面に対して前記実装領域との距離が前記実装領域の外側の領域との距離よりも短くなるよう形成されたヒートパイプを備えることを特徴とするものである。これにより、電子部品からの熱を十分放熱することができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、配線基板内に設けられたヒートパイプが、電子部品実装面近傍では、表面に近く、電子部品実装面の周辺では表面から深くなるよう配置されているため、電子部品からの発熱を、ヒートパイプを介して効率的に放熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
実施の形態．
本実施の形態にかかる配線基板について図１、２を用いて説明する。図１は、半導体集積回路（以下、ＩＣチップとする）が実装された配線基板（以下、基板とする）の構成を示す上面図である。図２（ａ）は図１に示すヒートパイプ３４近傍のＩＩＡ−ＩＩＡラインで切った部分を示す断面図である。なお、図２（ａ）中のヒートパイプ３４については、透視的に見た図を示している。また、図２（ｂ）および図２（ｃ）はそれぞれ同様に、図１のＩＩＢ−ＩＩＢライン、ＩＩＣ−ＩＩＣラインでの断面図である。なお、図１においては、信号層３０−１、３０−２等の図示は省略し、要部のみを示す。
【０００９】
基板２０の第一主面である実装面２０ａ（基板２０上面）には、電子部品としてのＩＣチップ２１が実装される。ＩＣチップ２１は実装面２０ａの実装領域４０に実装される。ＩＣチップ２１は、例えば下面に電源・グラウンド・信号接続用のはんだボール２２を配置したＢＧＡ（ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）型のＩＣチップである。また、基板２０の実装面２０ａには、ＩＣチップ２１のはんだボール２２に対応したパッドが形成される。また、パッドは、ＩＣチップ２１が実装されたときに、ＩＣチップ２１のはんだボール２２と接続されるように形成されている。なお、必要に応じて実装面２０ａに、パッドと後述するビア３３ａとを電気的に接続する配線２３を形成してもよい。
【００１０】
そして、基板２０は、実装面２０ａ側から順に、信号層３０−１、３０−２、電源層３１、グラウンド（ＧＮＤ）層３２を有する。これらの層（すなわち配線層）は、導電体パターンを有し、例えば絶縁性基板を介在させることにより、互いに絶縁性を保った状態で積層される。すなわち、信号層３０−１、３０−２、電源層３１、ＧＮＤ層３２の間には、絶縁層がそれぞれ形成されている。また、これらの導電体パターンを有する配線層は、はんだボール２２を介してＩＣチップ２１と電気的に接続される。
【００１１】
ここで、信号層３０−１、３０−２は、データ信号や制御信号などを入出力する信号配線の導電体パターンを有する配線層である。電源層３１は、電源を供給するための導電体パターンを有する配線層である。ＧＮＤ層３２は、グラウンド用の導電体パターンを有する配線層である。電源層３１およびＧＮＤ層３２は、後述するビア３３ａやヒートパイプ３４の部分以外、略全域に形成された導電体パターンを有し、それぞれ、電源電位、基準電位点（グラウンドまたは接地電位）に接続されている。また、基板２０は、複数のビア３３ａを有する。ビア３３ａは、それぞれの信号層３０−１、３０−２、電源層３１、ＧＮＤ層３２の導電体パターンとパッドとを電気的に接続するために形成される。ここでは、ビア３３ａとしてブラインドビアが形成される。ブラインドビアとは、基板２０の片面のみに接続されたビアである。例えば、信号層３０−１に形成された信号配線とパッドとを電気的に接続するためのブラインドビアは、信号層３０−１に形成された信号配線パターン（導電体パターン）上の絶縁性基板に穴が形成され、穴にめっき等の導電体を充填することにより形成される。これにより、信号用のはんだボール２２と信号層３０−１に形成された信号配線パターンとが、パッド及び配線２３を介して、電気的に接続される。また、電源層３１には、クリアランスホール３６が形成される。クリアランスホール３６は、ブラインドビア等のビア３３ａと接続しないように導電体パターンに設けられた開口部である。これにより、ビア３３ａを介して、電源層３１とＧＮＤ層３２とが接続しないようにすることができる。
【００１２】
なお、上述のように、図２（ｂ）は、ヒートパイプ３４が備えられた位置のＩＩＢ−ＩＩＢラインでの断面図である。図２（ｃ）は、ＩＣチップ搭載位置より手前のＩＩＣ−ＩＩＣラインでの断面図である。図２（ｂ）に示すように、ＩＩＢ−ＩＩＢラインではヒートパイプ３４が通過する部分に導電体パターンの切れ目が存在する。図２（ｃ）に示すように、ＩＩＣ−ＩＩＣラインでは、電源層３１およびＧＮＤ層３２は左右切れ目無く形成されている。
【００１３】
基板２０は、ヒートパイプ３４を内装（内蔵）する。具体的には、基板２０には、基板内層に冷却材３５を流すためのヒートパイプ（あるいは冷却管）３４を備えている。このようなヒートパイプ３４によって、ＩＣチップ２１から発生する熱（発熱）を吸収する。図１に示されるように、ヒートパイプ３４は、所定の幅を有し、基板２０の一端から他の一端に向けて延在する。ここでは、ヒートパイプ３４の幅は、ビア３３ａ等の妨げにならないよう、ＩＣチップ２１の幅より狭くしたがこれに限らない。例えばビア３３ａの形成箇所等を変更し、ＩＣチップ２１の幅と略同じ幅、あるいはＩＣチップ２１より幅広に形成してもよい。これにより、ヒートパイプ３４の数を増やすことなく、冷却効果をさらに高めることができる。また、図１においては、ヒートパイプ３４を直線状とし、基板の一端から、当該一端と対向する他端に向けて延在させたがこれに限らない。ＩＣチップ２１が実装される実装領域４０を通るように延在すれば、ヒートパイプ３４は屈曲してもよい。
【００１４】
実装領域４０外側（外側領域４１）と比較して実装領域４０では、ヒートパイプ３４が実装面２０ａ側を通る。具体的には、ヒートパイプ３４は、実装領域４０ではＧＮＤ層３２の実装面２０ａ側、すなわち実装面２０ａに近い部分を通る。また、ヒートパイプ３４は、外側領域４１の少なくとも一部ではＧＮＤ層３２の実装面２０ａとは反対側、すなわち実装面２０ａから遠い部分を通る。すなわち、ヒートパイプ３４は実装面２０ａに対して実装領域４０との距離が実装領域４０の外側の領域（外側領域４１）との距離よりも短くなるように備えられる。図２（ｂ）において、ヒートパイプ３４は、基板２０両端部においてＧＮＤ層３２より下側に配置され、基板２０中央部（実装領域４０に対向する部分）において電源層３１より上側に配置される。より詳細には、実装領域４０においてヒートパイプ３４の上部が、信号層３０−１より上側を通る。従って、実装領域４０のヒートパイプ３４の上には、基板２０上に形成されるパッドや配線２３を除いて、１層の絶縁層のみが形成される。このように、ヒートパイプ３４は、実装領域４０では実装面２０ａ近傍を通ることになり、ＩＣチップ２１が実装された際には、ＩＣチップ２１裏面近傍を通ることになる。
【００１５】
また、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ヒートパイプ３４は、複数の屈曲点を有し、基板２０端部から中央部に向けて所定の傾斜を有する。すなわち、外側領域４１の実装領域４０近傍では、ヒートパイプ３４は、所定の傾斜を有する。換言すると、ヒートパイプ３４は、実装領域４０から実装領域４０の外側に向かって実装面２０ａからの距離が大きくなる傾斜部を備える。ヒートパイプ３４は、基板２０が有する複数の層と交差するように形成される。ここで、基板２０が有する複数の層とは、ＧＮＤ層３２、電源層３１、信号層３０−１、３０−２、これらの層の間に形成される絶縁層等である。すなわち、ヒートパイプ３４は、ＩＣチップ２１直下で、実装面２０ａに最も近くなり、ＩＣチップ２１から離れるにつれて実装面２０ａとは反対面（基板２０下面）に近くなる。また、実装領域４０を通るヒートパイプ３４は、実装面２０ａに対して平行に通る。すなわち、ヒートパイプ３４は、実装領域４０に対向する部分において、実装面２０ａと平行に形成された部分を備える。これにより、ＩＣチップ２１全体を効果的に冷却することができる。また、ＩＣチップ２１を略均一に冷却することができる。
【００１６】
また、ヒートパイプ３４は、外側領域４１に対向する部分では、電源層３１又はＧＮＤ層３２の近傍に形成される。ここでは、外側領域４１の外周部（基板２０端部）を通るヒートパイプ３４は、ＧＮＤ層３２の下側をＧＮＤ層３２に対して平行に通る。なお、ＧＮＤ層３２には、上記のように、導電体パターンが略全域に形成される。なお、本実施の形態では電源層３１も同様の構造であるとしているが、電源層３１、ＧＮＤ層３２のいずれか一方が略全域に形成されるようにしてもよい。
【００１７】
このように、ヒートパイプ３４は、ＧＮＤ層３２の下側から基板２０内に入り、ＧＮＤ層３２、電源層３１の上層に突き抜けて、基板２０に搭載されたＩＣチップ２１近傍で実装面２０ａ近傍を通るよう実装面２０ａに近傍する基板内層を通る。そして、ヒートパイプ３４は、ＩＣチップ２１が実装されていない外側領域４１でＧＮＤ層３２、電源層３１を下層に突き抜けて、ＧＮＤ層３２の下側から出る。このように、ヒートパイプ３４は、基板２０内の外側領域４１の一部ではＧＮＤ層３２の下側を通す構造とする。このため、ヒートパイプ３４に流れる冷却材３５は、ＧＮＤ層３２の下から供給され、ＩＣチップ２１近傍で基板２０上層を通り、ＧＮＤ層３２の下から出る。このように、外側領域４１の一部でＧＮＤ層３２の下側を通るような流路が形成される。本実施の形態にかかる基板２０は以上のような構成となる。
【００１８】
次に、上記のヒートパイプ３４を用いた放熱方法を説明する。例えば、図１、２の矢印方向、すなわちヒートパイプ３４の右側から左側へ冷却材３５が流れるとする。まず、冷却材３５は、外側領域４１においてＧＮＤ層３２の下側に配置されたヒートパイプ３４に供給される。次に、ヒートパイプ３４内の冷却材３５は、ＩＣチップ２１近傍で基板２０上層を通り、ＩＣチップ２１裏面近傍を流れる。すなわち、冷却材３５は、実装領域４０で実装面２０ａ近傍を流れる。この結果、ＩＣチップ２１から発する熱は、はんだボール２２を介して基板２０のＩＣチップ２１裏面近傍のヒートパイプ３４を流れる冷却材３５に吸収され外部に放出される。従って発熱源であるＩＣチップ２１からの熱抵抗を小さく出来るため、効果的な放熱効果が得られる。
【００１９】
一方、実装面２０ａとは反対の面は発熱体がないため、ここからの外部への放熱が期待できる。本実施の形態においては、外側領域４１において、実装面２０ａとは反対の面の近傍にヒートパイプ３４が配される。このため、単なる冷却材３５による放熱の他に、ヒートパイプ３４から実装面２０ａとは反対の面を介しての放熱の効果も期待できる。また、外側領域４１において、ヒートパイプ３４がＧＮＤ層３２の下側（近傍）を通るため、放熱経路の一部であるＧＮＤ層３２とＩＣチップ２１間の熱抵抗を下げることにより効果的な放熱対策が可能となる。
【００２０】
上記のように、本実施の形態にかかる基板２０は、ＩＣチップ２１近傍を冷却材３５が流れる。このため、ＩＣチップ２１やＩＯ部から発生する熱を効果的に吸収することができる。また、その他の部分では、ＧＮＤ層３２の下側を冷却材３５が流れる。このため、冷却材３５によって吸収された熱が放出されても、ＧＮＤ層３２によって外部へ放出される。そして、ＧＮＤ層３２の上層に熱が放出されることを抑制することができる。すなわち、本実施の形態にかかる基板２０によれば、ＩＣチップ２１の発熱を十分に放熱することができ、十分な冷却効果を得ることができる。
【００２１】
また、ヒートパイプシステムにおけるヒートパイプ３４を基板２０内でＩＣチップ２１近傍を通す構造としている。このため、ＩＣチップ２１にヒートスプレッダを付加してパッケージの熱放散をする方法や基板内にヒートパイプを通すだけの放熱システムに比べて、小型で放熱効率の良い構造を提供することが可能である。また、ヒートパイプ３４を基板２０内でフレキシブルに引き回せる構造としたことで、必要な箇所のみ実装面２０ａ近傍にヒートパイプ３４を形成することが可能である。このため、実装面２０ａ近傍に形成される層の導電体パターン、すなわち信号層３０−１、３０−２の導電体パターンの自由度が向上する。
【００２２】
また、一般にＩＣチップ２１には、ＩＣチップ２１の外周部にＩ／Ｏ部が配備される。従って、基板２０において、ＩＣチップ２１から延在する配線２３は、ＩＣチップ２１の外周部から基板２０の外側領域４１に引き出される。このとき、図２（ａ）に示されるように、信号層３０−１、３０−２に配される導電体パターンと信号用のはんだボール２２とを電気的に接続するためのビア３３ａが備えられる。ここで、信号用のはんだボール２２に対応するパッドと信号層３０−１、３０−２とを電気的に接続する部分を配線引き出し部５０とする。基板２０の配線性の向上のためには、信号用のはんだボール２２の直下にこのようなビア３３ａを配備すべきである。すなわち、パッドの直下にビア３３ａを配備すべきである。
【００２３】
ここで、図３を用いて、パッドの直下にビア３３ａを形成した例を説明する。図３は、パッドの直下にビア３３ａを形成した基板２０の構成を示す断面図である。なお、図３は、図１のＩＩＡ−ＩＩＡラインでの断面図に相当する。
【００２４】
図３に示されるように、パッドの直下にビア３３ａを形成する場合、各層の導電体パターンの一部が実装領域４０内に形成される。すなわち、ＩＣチップ２１直下の一部にも各層の導電体パターンが形成される。そして、上記と同様、ヒートパイプ３４は、実装領域４０では実装面２０ａに近い部分を、外側領域４１では、実装面２０ａから遠い部分を通る。そして、実装領域４０のはんだボール２２と接触しない部分、すなわち実装領域４０のパッドが形成された領域より内側では、ヒートパイプ３４が実装面２０ａに対して平行に通る。すなわち、ヒートパイプ３４において、実装領域４０に対向する部分における実装面２０ａと平行に形成された部分は、パッドを避けて形成される。換言すると、実装領域４０の中央部では、ヒートパイプ３４が実装面２０ａに対して平行に通る。そして、上記の部分で、ヒートパイプ３４が最も実装面２０ａの近くを通る。このような構成によれば、放熱効果に加え、基板２０の配線性も向上する。具体的には、図２の基板２０では、ＩＣチップ２１直下及びその外周部に信号層３０−１、３０−２の導電体パターンが形成されない。これに対して、図３の基板２０では、ＩＣチップ２１直下の外周部、及びＩＣチップ２１直下の一部にも信号層３０−１、３０−２の導電体パターンが形成できる。
【００２５】
ここで、図４を参照して、基板２０の他の例を説明する。図４は、貫通ビア３３ｂが形成された基板２０の構成を示す断面図である。図４は、図１のＩＩＡ−ＩＩＡラインでの断面図に相当する。
【００２６】
図３ではビアとして貫通ビア（スルーホール）３３ｂを形成する。貫通ビア３３ｂとは、基板２０の両面に接続されたビアである。すなわち、貫通ビア３３ｂとは、基板の全層を貫通する穴の内側に、めっき等の導電体を充填することにより形成される。また、基板２０下面に導電体パターン（不図示）を有する場合、貫通ビア３３ｂを形成し、パッドと基板２０下面の導電体パターンとを接続してもよい。例えば、貫通ビア３３ｂにより、実装領域４０に設けられた電源端子（パッド）と、実装面２０ａと対向する第二主面（基板２０下面）の導電体パターンとを接続してもよい。そして、クリアランスホール３６を形成する等により、各層で貫通ビア３３ｂを避けるように導電体パターンを形成する。
【００２７】
このように、ビアとしては、ブランドビアを形成してもよいし、貫通ビア３３ｂを形成してもよい。しかし、貫通ビア３３ｂを多数形成すると、ＧＮＤ層３２にクリアランスホール３６が多数必要となる。このため、貫通ビア３３ｂよりブランドビアとするほうが好ましい。これにより、ＧＮＤ層３２の導電体パターンをできるだけ広い範囲に形成することができる。そして、より安定した駆動を得ることができ、また、ＧＮＤ層３２の上層にヒートパイプ３４からの熱が放出されることをさらに抑制することができる。
【００２８】
また、上記の基板２０では、１つのＩＣチップ２１を冷却材３５によって冷却させたがこれに限らない。例えば、冷却材３５による冷却効果が十分に高い場合、複数のＩＣチップ２１を同一のヒートパイプ３４を流れる冷却材３５によって冷却してもよい。すなわち、単一のＩＣチップ２１のみならず、複数のＩＣチップ２１が搭載される基板２０に適用しても良い。
【００２９】
ここで、図５、６を参照して、２つのＩＣチップ２１が搭載される基板２０について説明する。図５は、２つのＩＣチップ２１が実装された基板２０の構成を示す断面図である。図６は、２つのＩＣチップ２１が実装された基板２０の他の構成を示す断面図である。なお、図５、６は要部のみ記載し、他は省略している。
【００３０】
図５に示される基板２０は、隣接するＩＣチップ２１の間に、電源・ＧＮＤ・信号の各配線がある。具体的には、２つのＩＣチップ２１の間に、信号層３０−１、電源層３１、及びＧＮＤ層３２の導電体パターンがある。この場合、２つのＩＣチップ２１の間では、これらの下を通るように、ヒートパイプ３４が配置される。すなわち、２つのＩＣチップ２１の間では、ヒートパイプ３４は、ＧＮＤ層３２の下を通る。そして、それぞれの実装領域４０では、ヒートパイプ３４は、実装面２０ａ近傍を通る。なお、外側領域４１については、図２等に示された基板２０と同様にヒートパイプ３４を形成すればよい。
【００３１】
また、図６に示される基板２０は、隣接するＩＣチップ２１の間に、電源・ＧＮＤ・信号の各配線がない。すなわち、２つのＩＣチップ２１の間に、信号層３０−１、３０−２、電源層３１、及びＧＮＤ層３２のいずれの導電体パターンもない。この場合、ＩＣチップ２１の実装領域４０の下を同じ平面で接続するようにヒートパイプ３４を配置してもよい。すなわち、ヒートパイプ３４は、一方の実装領域４０から他方の実装領域４０に亘って、実装面２０ａの近傍を通る。そして、この領域では、ヒートパイプ３４は、実装面２０ａに対して平行に通る。すなわち、図５とは異なり、２つのＩＣチップ２１の間でも、実装面２０ａに近い部分を通る。このように、隣接するＩＣチップ２１間の外側領域４１でも、実装面２０ａに近い部分を通る。なお、その他の外側領域４１では、図２等に示された基板２０と同様にヒートパイプ３４を形成すればよい。
【００３２】
このように、複数のＩＣチップ２１を同一のヒートパイプ３４を流れる冷却材３５によって冷却することにより、基板２０に形成するヒートパイプ３４を減少させることができる。そして、例えば導電体パターンの自由度が高まる。また、冷却材３５の量も抑えることができる。もちろん、１つのＩＣチップ２１を複数のヒートパイプ３４を流れる冷却材３５によって冷却してもよい。これにより、冷却効果をさらに高めることができる。なお、本実施の形態で用いる冷却材３５は、液体、気体いずれのものでも吸熱が可能な物質であればよい。ヒートパイプ３４が十分な熱伝導性を備える場合には、冷却材も不要である。
【００３３】
なお、本実施の形態では、ＩＣチップ２１と電気的に接続される層として、信号層３０−１、３０−２、電源層３１、ＧＮＤ層３２を用いて説明したがこれに限らず、必要に応じて他の層を形成してもよい。また、これらの層を、実装面２０ａから順に、信号層３０−１、３０−２、電源層３１、ＧＮＤ層３２と形成したがこれ限らず、必要に応じて順番を変更してもよい。
【００３４】
なお、本発明の配線基板は、例えば、プリント基板やセラミック基板など、ＩＣチップを含む電子部品を搭載する基板に適用可能である。また、半導体パッケージ基板にもついても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施の形態にかかるＩＣチップが実装された基板の構成を示す上面図である。
【図２】実施の形態にかかるＩＣチップが実装された基板の構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態にかかるパッドの直下にビアを形成した基板の構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態にかかる貫通ビアが形成された基板の構成を示す断面図である。
【図５】実施の形態にかかる２つのＩＣチップが実装された基板の構成を示す断面図である。
【図６】実施の形態にかかる２つのＩＣチップが実装された基板の他の構成を示す断面図である。
【図７】従来の基板の構成を示す断面図である。
【図８】従来の基板の構成を示す斜視図である。
【図９】従来の基板の構成を示す断面図である。
【図１０】従来のヒートパイプの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  ＩＣチップ、２  セラミック配線構造体、３  ヒートシンク、４  放熱プレート、
５  プリント回路基板、６  ヒートパイプ、７  基板、８  回路パターン、
９  放熱プレート、１０  ヒートパイプ、１１  孔部、１２  孔部、１３  薄板、
１４  薄板、１５  細管流路、
２０  基板、２０ａ  実装面、２１  ＩＣチップ、２２  はんだボール、２３  配線、
３０  信号層、３０−１  信号層、３０−２  信号層、３１  電源層、３２  ＧＮＤ層、３３  ビア、３３ａ  ビア、３３ｂ  貫通ビア、３４  ヒートパイプ、
３５  冷却材、３６  クリアランスホール、
４０  実装領域、４１  外側領域、５０  配線引き出し部
【図１】
2009152284.tif 000003
【図２】
2009152284.tif 000004
【図３】
2009152284.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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