(57)【要約】【課題】処理容器内に配置された交換可能な処理容器内部材を短時間で交換することができる基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｇを収容するチャンバ２と、チャンバ２内に配置された載置台３の基材３ａの上面に設けられた交換可能な載置板３ｂと、チャンバ２内で基板Ｇに対してプラズマ処理を施すための高周波電源１７と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド２０とを具備し、載置板３ｂは静電吸着により基材３ａに取り付けられている。【選択図】  図１
2009152434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理容器と、
処理容器内に配置された交換可能な処理容器内部材と、
前記処理室内で基板に対して所定の処理を施す処理機構と
を具備し、
前記処理容器内部材の少なくとも一つが静電吸着により取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記静電吸着で取り付けられている前記交換可能な処理容器内部材は、基板を載置する載置台の上面を構成する載置部であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記静電吸着で取り付けられている前記交換可能な処理容器内部材は、基板を処理するための処理ガスを前記処理容器内にシャワー状に吐出するシャワーヘッドの下面を構成する多数のガス吐出孔を有するシャワープレートの一部または全部であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記静電吸着で取り付けられている前記交換可能な処理容器内部材は、前記処理容器の内表面に設けられたライナー部材であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する載置台と、
前記載置台と対向して設けられ、処理ガスを吐出するシャワーヘッドと、
処理容器内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と
を具備し、
前記載置台は、その上面に交換可能部材としての載置部を有し、
前記シャワーヘッドは、ガス吐出孔が形成されたシャワープレートをその下面に有し、シャワープレートの一部または全部が交換可能部材であり、
前記処理容器の側壁に、交換可能部材としてのライナーが取り付けられ、
前記交換可能部材の少なくとも一つが静電吸着により取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
前記シャワープレートは、本体と、前記本体の下面側に設けられた薄板部材とを有し、前記薄板部材が交換可能部材であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記シャワープレートに形成されたガス吐出孔は、前記本体では大径部をなし、前記薄板部材では小径部をなしていることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する載置台と、
前記載置台と対向して設けられ、処理ガスを吐出するシャワーヘッドと、
処理容器内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と
を具備し、
前記シャワーヘッドは、多数のガス吐出孔を有するシャワープレートを有し、前記シャワープレートは、本体と、前記本体の下面側に設けられた交換可能な薄板部材とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記シャワープレートに形成されたガス吐出孔は、前記本体では大径部をなし、前記薄板部材では小径部をなしていることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造用のガラス基板や半導体ウエハなどの基板に対してドライエッチング等の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体製造プロセスやＦＰＤの製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス基板に対して、エッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等の各種処理が行われる。
【０００３】
これらの中で、エッチング処理を行うプラズマエッチング装置では処理容器であるチャンバ内に設けられた基板載置台に基板を載置し、チャンバ内に処理ガスを導入し、処理ガスをプラズマ化してプラズマエッチング処理を行う。このプラズマエッチング処理により、チャンバ内に存在する部材の表面は処理ガスのプラズマにより汚染されるため、その汚染される部分を取り外し可能にして、洗浄メンテナンスの際にこれらを定期的に取り外し、交換することが行われている（特許文献１等）。
【０００４】
このような交換作業は、装置を停止して行う必要があり、装置の生産性を低下させるため、できる限り短時間で行って装置をより早く生産可能な状態にすることが求められる。
【０００５】
ところが、ＦＰＤの製造プロセスにおいては、処理対象であるガラス基板は大型化が指向され、一辺が２ｍを超えるような巨大なものも要求されており、それにともなって装置自体も大型化し、個々の部品も大型化しているため、交換部品の設置固定のためのネジ点数も増加し、メンテナンスの際にこれら交換部品の取り付け取り外しに要する時間が極めて長いものとなってしまう。このため、メンテナンスの長時間化を招き、生産性が低下してしまう。
【０００６】
一方、プラズマエッチング装置としては、チャンバ内に載置台に対向して処理ガスをチャンバ内に導入するためのシャワーヘッドを設け、これら載置台およびシャワーヘッドを、それぞれ下部電極および上部電極として用い、これらの少なくとも一方に高周波電力を印加することによりプラズマを生成する平行平板型のものが多用されている。このようなプラズマエッチング装置では、上部電極として用いられるシャワーヘッドは多数のガス吐出孔を有するシャワープレートを有しているが、このシャワープレートは処理ガスやプラズマに直接接触する部分であり、表面が劣化・消耗しやすいため、上述のような交換部品として定期的に交換し、表面の再処理などを行っている。また、異常放電により損傷する場合もあり、修復が困難な場合には新品への交換を行っている。
【０００７】
上述したように、ＦＰＤ用のガラス基板は大型化にともなって装置が大型化すると上部電極として機能するシャワープレートも大型化し、ガス吐出孔の数も増えることから、シャワープレート自体が高価なものとなっている。また、大型化にともなって  投入する高周波電力が増加することから、電極表面の劣化・消耗の進行速度も早くなり、異常放電発生のリスクも高くなるため、新品への交換頻度は高く交換するためのコストが極めて高いものとなってしまう。
【特許文献１】特開平５−１２１３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、処理容器内に配置された交換可能な処理容器内部材を短時間で交換することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
また、シャワープレートの交換コストを低くすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、基板を収容する処理容器と、処理容器内に配置された交換可能な処理容器内部材と、前記処理室内で基板に対して所定の処理を施す処理機構とを具備し、前記処理容器内部材の少なくとも一つが静電吸着により取り付けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１０】
上記第１の観点において、前記静電吸着で取り付けられている前記交換可能な処理容器内部材として、基板を載置する載置台の上面を構成する載置部を適用することができる。また、基板を処理するための処理ガスを前記処理容器内にシャワー状に吐出するシャワーヘッドの下面を構成する多数のガス吐出孔を有するシャワープレートの一部または全部を適用することができる。さらに、前記処理容器の内表面に設けられたライナー部材を適用することができる。さらにまた、前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構をさらに具備してもよい。
【００１１】
本発明の第２の観点では、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内で基板を載置する載置台と、前記載置台と対向して設けられ、処理ガスを吐出するシャワーヘッドと、処理容器内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構とを具備し、前記載置台は、その上面に交換可能部材としての載置部を有し、前記シャワーヘッドは、ガス吐出孔が形成されたシャワープレートをその下面に有し、シャワープレートの一部または全部が交換可能部材であり、前記処理容器の側壁に、交換可能部材としてのライナーが取り付けられ、前記交換可能部材の少なくとも一つが静電吸着により取り付けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１２】
上記第２の観点において、前記シャワープレートは、本体と、前記本体の下面側に設けられた薄板部材とを有し、前記薄板部材を交換可能部材として用いることができる。そして、前記シャワープレートに形成されたガス吐出孔は、前記本体では大径部をなし、前記薄板部材では小径部をなしていることが好ましい。
【００１３】
本発明の第３の観点では、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内で基板を載置する載置台と、前記載置台と対向して設けられ、処理ガスを吐出するシャワーヘッドと、処理容器内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構とを具備し、前記シャワーヘッドは、多数のガス吐出孔を有するシャワープレートを有し、前記シャワープレートは、本体と、前記本体の下面側に設けられた交換可能な薄板部材とを有することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１４】
上記第３の観点において、前記シャワープレートに形成されたガス吐出孔は、前記本体では大径部をなし、前記薄板部材では小径部をなしていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、処理容器内に配置された交換可能な処理容器内部材の少なくとも一つが静電吸着により取り付けられているので、静電吸着のオンオフのみで処理容器内部材を着脱することができ、多数のネジで着脱する場合よりも短時間で交換することができる。
【００１６】
また、シャワープレートを本体と、前記本体の下面側に設けられた交換可能な薄板部材とを有する構造としたので、ガス吐出孔の加工が容易であり、かつ交換する部品自体を小さいものとすることができるため、交換コストを極めて低くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図である。このプラズマエッチング装置１は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｇの所定の処理を行う装置の断面図であり、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。
【００１８】
このプラズマエッチング装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバ２を有している。
【００１９】
この処理チャンバ２内の底部には被処理基板であるガラス基板Ｇを載置するための矩形状をなす載置台３が設けられている。載置台３は絶縁材料からなる支持部材４を介して処理チャンバ２の底部に支持されている。支持部材４は断面Ｌ字状をなし、載置台の全周に沿って額縁状に設けられており、支持部材４と載置台３との間はシール部材（図示せず）により気密にシールされている。チャンバ２の底部における支持部材４の内側部分は開口部２ａとなっている。載置台３は金属製であり、支持部材４に支持された基材３ａと、基材３ａの上に設けられた、ガラス基板Ｇを載置する載置面を有する載置板３ｂとを有している。載置板３ｂの周囲には、額縁状をなし、絶縁材料からなるシールドリング５が設けられている。
【００２０】
基材３ａには、静電吸着固定部４０が設けられている。静電吸着固定部４０は、基材３ａの上面近傍にほぼ同じ高さに亘って全面に設けられた複数の電極パッド６（図では４個のみ図示）と、電極パッド周囲部分に設けられた絶縁部材７とを有している。また、基材３ａの電極パッド６の直下部分には外部に連通する通路８が形成されており、絶縁部材７は通路８の周囲にも形成されている。電極パッド６には通路８を通って外部から給電線９が接続されている。給電線９にはスイッチ１０が介在されており、このスイッチ１０は直流電源１１および抵抗１２ａを含む接地回路１２のいずれかに接続されるようになっている。そして、スイッチ１０を直流電源１１側に接続することにより、電極パッド６に直流電圧が印加され、静電力（クーロン力）により載置板３ｂが基材３ａに吸着固定される。また、スイッチ１０を接地回路１２側に接続することにより、電圧がオフとなるとともに、給電線９は接地回路１２を介して接地され、これにより電極パッド６が除電されて吸着が解除されるようになっている。
【００２１】
なお、上記のように各電極パッド６に個別的に直流電源１１を接続可能にする代わりに、図２に示すように、複数の給電線９を共通の給電線１０９に接続してこの給電線１０９にスイッチ１１０を設け、このスイッチ１１０を直流電源１１１および抵抗１１２ａを含む接地回路１１２のいずれかに接続するようにしてもよい。
【００２２】
また、載置台３には、載置面へのガラス基板Ｇのローディングおよびアンローディングを行うための昇降ピン１３が突没自在に設けられている。載置台３の基材３ａには、高周波電力を供給するための給電線１５が接続されており、この給電線１５には整合器１６および高周波電源１７が接続されている。高周波電源１７からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が載置台３に供給される。
【００２３】
載置台３の上方には、載置台３と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０はチャンバ２の上部に支持されており、本体２０ａと、その下部に設けられた、処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔２２が形成されたシャワープレート２０ｂとを有している。シャワープレート２０ｂは本体２０ａにネジ止めされている。本体２０ａとシャワープレート２０ｂとの間には処理ガス拡散空間２１が形成されている。このシャワーヘッド２０は接地されており、サセプタ４とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００２４】
シャワーヘッド２０の上面にはガス導入口２５が設けられ、このガス導入口２５には、処理ガス供給管２６が接続されており、この処理ガス供給管２６には、バルブ２７およびマスフローコントローラ２８を介して、処理ガス供給源２９が接続されている。処理ガス供給源２９からは、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００２５】
前記チャンバ２の底部には排気口３０が形成されており、この排気口３０には排気管３１が接続され、排気管３１には排気装置３２が接続されている。排気装置３２はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバ２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバ２の側壁には基板搬入出口３３と、この基板搬入出口３３を開閉するゲートバルブ３４とが設けられており、このゲートバルブ３４を開にした状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。また、チャンバ２の側壁内側には、チャンバ２を保護するためのライナー３５がネジにより取り付けられている。
【００２６】
このプラズマエッチング装置１の各構成部は、制御部１００により制御されるようになっている。この制御部１００は、所定の制御を実施するための制御プログラム等を格納するプログラム格納部、制御プログラムに基づいて実際に各構成部を制御するコントローラ、およびキーボードやディスプレイ等からなるユーザーインターフェースを有している。
【００２７】
具体的には、この制御部１００は、高周波電源からの高周波電力の印加のタイミング、これらのパワーの制御、ガスの供給および排気の制御、ゲートバルブ、昇降ピン等の駆動制御、静電吸着固定部への電圧供給制御等の制御を行う。
【００２８】
次に、このように構成されるプラズマエッチング装置１における処理動作について説明する。
まず、被処理基板であるガラス基板Ｇを、チャンバ２に隣接して設けられた搬送室（図示せず）から搬送アーム（図示せず）により基板搬入出口３３を介してチャンバ２内へと搬入し、載置台３の上、つまり、載置板３ｂの表面に載置する。このガラス基板Ｇの載置の際には、最初に昇降ピン１３は上方に突出して支持位置に位置しており、搬送アーム上のガラス基板Ｇを昇降ピン１３の上に受け渡す。その後、昇降ピン１３を下降させてガラス基板Ｇを載置板３ｂの上に載置する。
【００２９】
その後、ゲートバルブ３３を閉じ、排気装置３２によって、チャンバ２内を所定の真空度まで真空引きする。そして、バルブ２７を開放して、処理ガス供給源２９から処理ガスを、マスフローコントローラ２８によってその流量を調整しつつ、処理ガス供給管２６、ガス導入口２５を通ってシャワーヘッド２０の内部空間２１へ導入し、さらにシャワープレート２０ｂの吐出孔２２を通って基板Ｇに対して均一に吐出し、排気量を調節しつつチャンバ２内を所定圧力に制御する。
【００３０】
この状態で高周波電源１７から整合器１６を介して高周波電力を載置台３に印加し、下部電極としての載置台３と上部電極としてのシャワーヘッド２０との間に高周波電界を生じさせて、処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマによりガラス基板Ｇにエッチング処理を施す。
【００３１】
このようにしてエッチング処理を施した後、高周波電源１７からの高周波電力の印加を停止し、処理ガス導入を停止した後、チャンバ２内の圧力を所定の圧力に調整し、昇降ピン１３によりガラス基板Ｇを支持位置まで上昇させる。この状態でゲートバルブ２２を開放して搬送アーム（図示せず）をチャンバ２内に挿入し、昇降ピン１３上にあるガラス基板Ｇを搬送アームに受け渡す。そして、ガラス基板Ｇを基板搬入出口３３を介してチャンバ２内から隣接して設けられた搬送室（図示せず）へ搬出する。以上の処理を複数のガラス基板Ｇについて繰り返して行う。
【００３２】
以上の処理において、エッチング処理を繰り返すと、チャンバ内部材に反応生成物等の付着やプラズマによる損耗が生じるため、洗浄メンテナンスのため定期的にチャンバ内部材を取り外して交換する。このような交換可能なチャンバ内部材の代表的なものとしては載置板３ｂがある。
【００３３】
この載置板３ｂは、従来、多数のネジで基材３ａに固定され、交換する際には、多数のネジの取り付け取り外しが必要であった。しかしながら、装置の大型化にともなって、載置板３ｂも大型化しているため、ネジ点数が極めて多いものとなっており、載置板３ｂの取り外しおよび取り付けに要する時間が極めて長いものとなっていた。
【００３４】
これに対して、本実施形態では、スイッチ１０を直流電源１１側に接続することにより、静電固定部４０により載置板３ｂを基材３ａに対してクーロン力のような静電力により吸着固定が可能であり、載置板３ｂを取り外す際には、スイッチ１０を接地回路１２側に切り替えて電圧をオフにすることにより簡単に載置板３ｂを取り外すことができ、従来のような多数のネジが不要であり、ネジが必要であったとしても補助的なものでよく、載置板３ｂの交換作業を従来よりも極めて短時間で行うことができ、生産性を殆ど低下させることがない。
【００３５】
なお、実運用の際には、電断等により吸着状態が保持できなくなった際に、載置板３ｂがずれる等のトラブルを防ぐために、載置板３ｂを基材３ａに必要最小限の点数のネジで固定する等による防護策を施しておくことが好ましい。
【００３６】
また、静電吸着を解除した後の載置板３ｂを取り外した際には、載置板３ｂは帯電しているので、これをアーシング（接地による除電）するために、アース用治具を接触させる等の補助を用いてもよい。
【００３７】
さらに、上記スイッチ１０の代わりに、図３に示すような３ポジションのスイッチ１０′を用いてもよい。このスイッチ１０′は、直流電源１１側のポジション１０ａ、接地回路１２側のポジション１０ｂ以外にフローティングポジション１０ｃを有する３ポジションのスイッチとなっており、停電等の電断時には、手動あるいは自動にて、スイッチ１０をフローティングポジション１０ｃにしてフローティング状態とすることにより、吸着状態を保持することができる。ただし、このような場合にも、安全性の観点から、必要最小限の点数のネジ固定を行うことが好ましい。
【００３８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図４は本発明の第２の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図である。本実施形態のプラズマエッチング装置１′は、シャワーヘッド２０に特徴がある。その他の構成は、載置台３に静電固定部４０が設けられていない他は、第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置１と同様に構成されているので、同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
【００３９】
本実施形態においては、シャワーヘッド２０は、２層構造のシャワープレート２０ｂ′を有している。すなわち、ここではシャワープレート２０ｂ′は、図５に示すように、支持部２０１と表面部２０２とを有している。表面部２０２は下面側に設けられ、厚さが５ｍｍ以下の極薄板として構成されている。ガス吐出孔２２は、支持部２０１では大径部２２ａとなっており表面部２０２では小径部２２ｂとなっている。
【００４０】
従来、シャワープレートは一体ものとして構成されていたが、交換部品であることを考慮した場合、加工費用および異常放電により交換コストが極めて高いものとなる。
【００４１】
このような不都合を防止するため、本実施形態では、上述のように、支持部２０１と表面部２０２との２層構造のシャワープレート２０ｂ′を設けている。ガス吐出孔２２は、プラズマが内部に入り込むことを抑制するために、大径部２２aに比べて小径部２２ｂを１ｍｍ以下と小さくしている。従来ガス吐出孔２２はドリル加工により形成せざるを得なかったが、分割し、かつ表面部２０２は薄板としているため、パンチング加工で形成することができ、加工コストを少なくすることができる。また損傷した際には、表面部２０２のみを交換部品とすることができる。また交換する部品自体を軽いものとすることができるため、交換時間を極めて短くすることができる。
【００４２】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図６は本発明の第３の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図である。本実施形態のプラズマエッチング装置１″は、交換可能なチャンバ内部材として、第１の実施形態の載置板３ｂの他、ライナー３５および第２の実施形態のシャワープレート２０ｂ′を静電吸着固定により取り付けるようにしたことに特徴がある。その他の構成は、第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置１とほぼ同様に構成されているので、同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
【００４３】
本実施形態においては、シャワーヘッド２０は、第２の実施形態と同様、図５に示すような、支持部２０１と表面部２０２とを有するシャワープレート２０ｂ′を備えている。表面部２０２は下面側に設けられ、厚さが５ｍｍ以下の極薄板として構成されている。ガス吐出孔２２は、支持部２０１では大径部２２ａとなっており表面部２０２では小径部２２ｂとなっている。
【００４４】
支持部２０１には、静電吸着固定部５０が設けられている。静電吸着固定部５０は、支持部２０１の下面近傍にほぼ同じ高さに亘って全面に設けられた複数の電極パッド５１（図では４個のみ図示）と、電極パッド周囲部分に設けられた絶縁部材５２とを有している。また、支持部２０１の電極パッド５１の直上部分には外部に連通する通路５３が形成されており、絶縁部材５２は通路５３の周囲にも形成されている。電極パッド５１には通路５３を通って外部から給電線５４が接続されている。給電線５４にはスイッチ５５が介在されており、このスイッチ５５は直流電源５６および抵抗５７ａを含む接地回路５７のいずれかに接続されるようになっている。そして、スイッチ５５を直流電源５６側に接続することにより、電極パッド５１に直流電圧が印加され、静電力（クーロン力）により表面部２０２が支持部２０１に吸着固定される。また、スイッチ５５を接地回路５７側に接続することにより、電圧がオフとなるとともに、給電線５４は接地回路５７を介して接地され、これにより電極パッド５１が除電されて吸着が解除されるようになっている。
【００４５】
また、チャンバ２の側壁には、静電吸着固定部６０が設けられている。静電吸着固定部６０は、チャンバ２側壁の周方向に沿って表面近傍に設けられた複数の電極パッド６１（図では２個のみ図示）と、電極パッド周囲部分に設けられた絶縁部材６２とを有している。また、チャンバ２側壁の電極パッド６１の外側部分には外部に連通する通路６３が形成されており、絶縁部材６２は通路６３の周囲にも形成されている。電極パッド６１には通路６３を通って外部から給電線６４が接続されている。給電線６４にはスイッチ６５が介在されており、このスイッチ６５は直流電源６６および抵抗６７ａを含む接地回路６７のいずれかに接続されるようになっている。そして、スイッチ６５を直流電源６６側に接続することにより、電極パッド６１に直流電圧が印加され、静電力（クーロン力）によりライナー３５がチャンバ２側壁に吸着固定される。また、スイッチ６５を接地回路６７側に接続することにより、電圧がオフとなるとともに、給電線６４は接地回路６７を介して接地され、これにより電極パッド６１が除電されて吸着が解除されるようになっている。
【００４６】
本実施形態では、第１の実施形態の載置板３ｂに加えて、シャワープレート２０ｂ′の表面部２０２、ライナー３５を静電吸着固定する交換可能なチャンバ内部材としたので、これらのネジによる取り外しおよび取り付けが不要となるか、必要であっても補助的なものでよいため、チャンバ内部材の交換作業を一層短縮することができる。
【００４７】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様、図２に示すように静電吸着固定部４０の複数電極パッド６に一つの直流電源から給電するようにすることができる他、静電吸着固定部５０についても全く同様にして、複数の電極パッド５６に一つの直流電源から給電するようにしてもよいし、静電吸着固定部６０についても同様に複数の電極パッド６６に一つの直流電源から給電するようにしてもよい。
【００４８】
実運用の際には、第１の実施形態と同様に載置板３ｂを基材３ａに必要最小限の点数のネジで固定する他、シャワーヘッド２０の表面部２０２や、ライナー３５の落下するトラブルを防ぐために、これらをそれぞれ支持部２０１およびチャンバ２側壁に必要最小限の点数のネジで固定する防護策を施しておくことが好ましい。
【００４９】
また、シャワーヘッド２０等、裏面にＯリングを使用する箇所について、このように落下防止のためのネジ固定を行った場合に、ネジは落下防止のためのみに用い、Ｏリング潰しによるシール性を静電吸着により確保するようにしてもよい。
【００５０】
さらに、第１の実施形態と同様に、静電吸着固定部４０において、スイッチ１０の代わりに、図３に示すような３ポジションのスイッチ１０′を用いることができることはもちろんのこと、静電吸着固定部５０のスイッチ５５、静電吸着固定部６０のスイッチ６５についても同様の構成の３ポジションのスイッチに置き換えることができる。
【００５１】
なお、シャワープレート自体は重量が大きく、静電吸着により十分に固定するためには、極めて大きい静電吸着力が必要となって静電吸着固定が困難となる場合もあるが、このようにシャワープレート２ｂ′を２層に分け、極薄板として構成される表面部２０２を静電吸着固定部５０により吸着するようにしたので、静電吸着により十分に吸着固定することができる。
【００５２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、静電吸着固定するチャンバ内部材（処理容器内部材）として、載置台表面の載置板、シャワープレートの表面を構成する表面部、チャンバ側壁に設けられるライナーを例にとって説明したが、これらに限らず、他のチャンバ内部材に静電吸着を適用することもでき、チャンバ内部材の少なくとも１種が静電吸着固定されていればよい。また、上記実施形態では、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置に本発明を適用した例について示したが、これに限らず、アッシング、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができるし、上部電極に高周波電力を供給するタイプであっても、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。さらに、プラズマ処理に限らず、他の処理装置に適用することも可能である。
【００５３】
また、上記実施形態では被処理基板としてＦＰＤ用ガラス基板Ｇを適用した場合について示したが、これに限らず、半導体ウエハ等の他の基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】複数の電極パッドへの給電方式の他の例を示す模式図。
【図３】静電吸着のための直流電圧をオンオフするためのスイッチの他の例を示す図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図。
【図５】図２のプラズマエッチング装置のシャワーヘッドを拡大して示す断面図。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００５５】
１，１′，１″；プラズマエッチング装置（基板処理装置）
２；チャンバ（処理容器）
３；載置台
３ａ；基材
３ｂ；載置板
４；支持部材
５；シールドリング
６，５１，６１；電極パッド
７，５２，６２；絶縁部材
９，５４，６４；給電線
１０，５５，６５；スイッチ
１１，５６，６６；直流電源
１７；高周波電源
２０；シャワーヘッド
２０ａ；本体
２０ｂ，２０ｂ′；シャワープレート
２２；ガス吐出孔
２２ａ；大径部
２２ｂ；小径部
３２；排気装置
４０，５０，６０；静電吸着固定部
１００；制御部
２０１；支持部
２０２；表面部
Ｇ；ガラス基板
【図１】
2009152434.tif 000003
【図２】
2009152434.tif 000004
【図３】
2009152434.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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