(57)【要約】【課題】偏光双安定ＶＣＳＥＬを用いるレーザ装置において、双安定領域は活性層の温度変化によって変動し、温度が所定の温度（標準状態）よりも上昇すると、双安定領域の注入電流が大きい側が低電流側に移行する性質がある。このため、レーザ出力である２方向の偏光出力の相対的な強度比が変動してしまう。温度センサを用いて温度変化を監視し、温度調整をする方法が知られているが、外部素子を用いるため正確な温度検知が難しい。【解決手段】２方向の偏光の内、いずれか一方の光出力を常時検知して、変動があったら変動分を半導体レーザのドライバにフィードバックを掛ける。温度上昇であれば、注入電流の低い側で発振する偏光の光量が小さくなる。逆に注入電流の大きい方で発振する偏光をモニタしている場合であれば光量が大きくなる。この変化をフィードバックして、モニタ光量が元の大きさになるようにすることで、標準状態を維持する。【選択図】図３
2009212392.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの独立した偏光が双安定的に発振する偏光双安定面発光型の半導体レーザと、該半導体レーザに注入電流を与えて該半導体レーザを駆動するドライバと、偏光分離素子と、受光素子と、フィードバック信号生成器と、からなり、前記半導体レーザからの出射光は前記偏光分離素子に入射され、前記受光素子は前記半導体レーザからの出射光で前記偏光分離素子によって分離された光の一方の光による受光信号を生成させ、前記フィードバック信号生成器は、前記受光信号の所定時間の積算量の変化からフィードバック信号を生成し、該フィードバック信号を前記ドライバに入力し、該ドライバからの前記注入電流は、所定の直流成分と、前記半導体レーザの偏光双安定領域を超えるだけの交流成分と、前記フィードバック信号で構成され、前記双安定領域をほぼ一定の電流値範囲に維持することを特徴とする偏光双安定面発光型の半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の偏光双安定面発光型の半導体レーザ装置において、前記交流成分となる変調信号（画像信号）の所定時間での補光信号積算量と比較して、前記受光信号の所定時間平均値の変化量でフィードバック信号を生成することを特徴とする偏光双安定面発光型の半導体レーザ装置。
【請求項３】
二つの独立した偏光が双安定的に発振する偏光双安定面発光型の半導体レーザと、該半導体レーザを駆動するドライバと、偏光分離素子と、受光素子と、フィードバック信号生成器と、２個の結像光学系と、を有する少なくとも１組の光学系と、２段の回転多面鏡と、からなる光走査装置において、前記半導体レーザからの出射光は前記偏光分離素子に入射され、該偏光分離素子からの相異なる偏光方向を有する出射光は前記２段の回転多面鏡のそれぞれの段に入射され、前記受光素子は前記半導体レーザからの出射光で前記偏光分離素子によって分離された光の一方の偏光の一部による受光信号を生成させ、前記フィードバック信号生成器は、前記一方の偏光の受光信号の所定時間積算量の変化からフィードバック信号を生成し、該フィードバック信号を前記ドライバに入力し、ドライバからの前記レーザに印加する注入電流は所定の直流成分と、偏光双安定領域を超えるだけの交流成分と、前記フィードバック信号で構成され、前記双安定領域をほぼ一定の電流値範囲に維持することを特徴とする光走査装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光走査装置において、前記半導体レーザの偏光双安定領域よりも注入電流値の大きい側で発振する偏光の一部を前記受光素子への入力光とすることを特徴とする光走査装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の光走査装置と、前記結像光学系を経た光束により静電潜像を形成する該結像光学系の数と同数の感光体と、前記各感光体に対応する前記静電潜像を顕像化する特定色の現像手段と、前記複数の顕像を単一の記録媒体に重ね転写する手段と、前記記録媒体上の顕像を定着させる定着手段とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザプリンタ、デジタル複写機、普通紙ファックス等に利用可能な、偏光双安定半導体レーザを用いた光走査装置に関し、特に、偏光をスイッチングできる偏光双安定面発光型半導体レーザの温度による特性変化を低減するレーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流値により偏光面の異なる発振をする半導体レーザ用いた装置の提案が種々行われている（例えば、特許文献１  参照。）。このレーザは注入電流の大きさによって、偏光方向が互いに直交する２つの偏光方向のいずれかの偏光を発振するという特性を有する。
特許文献１には、半導体レーザの光導波路の一部に流す電流を変調し偏光モードをスイッチングする構造のレーザへの注入電流を、スイッチング領域にバイアスして変調信号を加えて偏光スイッチさせる。また、出射光を偏光分離素子で分離して一方の受光信号を低域通過フィルタ、作動アンプを介して基準電圧と比較した出力から注入電流へのフィードバック信号を生成する駆動法が開示されている。同文献では、「半導体レーザの光導波路の一部に流す電流を変調し偏光モードをスイッチングする構造」に限定している。その実施形態ではＤＦＢレーザの共振器方向に２つの電極を設け、一方にはＤＣ電流を、もう一方にはＤＣ＋ＡＣ電流を印加する。そこに示されたフィードバック駆動方法は一般的な説明にとどまるため、例えば、光源を偏光双安定ＶＣＳＥＬに置き換えたときでも同駆動法が適用できるか不明であった。
【０００３】
光ディスクの読み取りに使われる光ピックアップは、光ディスクからの戻り光を利用するが、戻り光には光雑音が混入するので、低雑音特性を得るため、光増幅領域と光増幅領域で発生した光を吸収する可飽和吸収領域とからなる光双安定半導体レーザで、ＤＣ電流にＡＣ電流を重畳させる駆動方法が開示されている（例えば、特許文献２  参照。）。
【０００４】
偏光双安定ＶＣＳＥＬは、ある一定の電流範囲では、偏光方向がどちらになるかは前歴によって定まる性質を有する。つまり、ヒステリシス特性を有する（非特許文献１  参照）。この一定の電流範囲を双安定領域と呼ぶが、双安定領域はＶＣＳＥＬの温度によって微妙に変動する。そのため、偏光方向によって光束を使い分けるとき、どちらの偏光方向も同等の光エネルギが必要な場合でも、温度による上記変動により、エネルギ比が変動してしまうことがある。
温度変動による出力変動を低減する方法として、一般的には半導体レーザもしくはその近傍に設置した温度センサからの温度をモニタし、ペルチェ素子などで半導体レーザを温度調整する方法が用いられてきた。モニタ温度がレーザの活性層温度と厳密には一致しないため、偏光スイッチングできる温度を探し、その温度を維持する方法がとられてきた。
【０００５】
直接半導体の温度をチェックするのではなく、出力光をチェックして、光の変動分を半導体の駆動源にフィードバックさせることで光量の安定化を図る技術が提案されている（例えば、特許文献３  参照。）。特許文献３では、光増幅領域と光増幅領域で発生した光を吸収する可飽和吸収領域からなる光双安定半導体レーザで、補信号を受光してフィードバック信号を生成する方法を開示している。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−０７４５９９号公報
【特許文献２】特開２００４−２１４４０７号公報
【特許文献３】特開平７−３０７５２７号公報
【非特許文献１】Chen Y.C., Liu J.M. /Optical and Quantum Electronics,１９８７．Ｖｏｌ．19 、Ｐ．S93-S102.. 1987. V. QE-23. N 6. P. 10271031
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
偏光双安定ＶＣＳＥＬレーザのヒステリシスループを、温度センサを用いずに維持し、任意の変調信号に対して偏光スイッチングを安定化させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明では、二つの独立した偏光が双安定的に発振する偏光双安定面発光型の半導体レーザと、該半導体レーザに注入電流を与えて該半導体レーザを駆動するドライバと、偏光分離素子と、受光素子と、フィードバック信号生成器と、からなり、前記半導体レーザからの出射光は前記偏光分離素子に入射され、前記受光素子は前記半導体レーザからの出射光で前記偏光分離素子によって分離された光の一方の光による受光信号を生成させ、前記フィードバック信号生成器は、前記受光信号の所定時間の積算量の変化からフィードバック信号を生成し、該フィードバック信号を前記ドライバに入力し、該ドライバからの前記注入電流は、所定の直流成分と、前記半導体レーザの偏光双安定領域を超えるだけの交流成分と、前記フィードバック信号で構成され、前記双安定領域をほぼ一定の電流値範囲に維持することを特徴とする。
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の偏光双安定面発光型の半導体レーザ装置において、前記交流成分となる変調信号（画像信号）の所定時間での補光信号積算量と比較して、前記受光信号の所定時間平均値の変化量でフィードバック信号を生成することを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、二つの独立した偏光が双安定的に発振する偏光双安定面発光型の半導体レーザと、該半導体レーザを駆動するドライバと、偏光分離素子と、受光素子と、フィードバック信号生成器と、２個の結像光学系と、を有する少なくとも１組の光学系と、２段の回転多面鏡と、からなる光走査装置において、前記半導体レーザからの出射光は前記偏光分離素子に入射され、該偏光分離素子からの相異なる偏光方向を有する出射光は前記２段の回転多面鏡のそれぞれの段に入射され、前記受光素子は前記半導体レーザからの出射光で前記偏光分離素子によって分離された光の一方の偏光の一部による受光信号を生成させ、前記フィードバック信号生成器は、前記一方の偏光の受光信号の所定時間積算量の変化からフィードバック信号を生成し、該フィードバック信号を前記ドライバに入力し、ドライバからの前記レーザに印加する注入電流は所定の直流成分と、偏光双安定領域を超えるだけの交流成分と、前記フィードバック信号で構成され、前記双安定領域をほぼ一定の電流値範囲に維持する光走査装置を特徴とする。
請求項４に記載の発明では、請求項３に記載の光走査装置において、前記半導体レーザの偏光双安定領域よりも注入電流値の大きい側で発振する偏光の一部を前記受光素子への入力光とすることを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明では、請求項３または４に記載の光走査装置と、前記結像光学系を経た光束により静電潜像を形成する該結像光学系の数と同数の感光体と、前記各感光体に対応する前記静電潜像を顕像化する特定色の現像手段と、前記複数の顕像を単一の記録媒体に重ね転写する手段と、前記記録媒体上の顕像を定着させる定着手段とを備える画像形成装置を特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、偏光双安定ＶＣＳＥＬで、受光信号をもとにフィードバック信号を生成するため、温調素子を不要とする偏光スイッチングレーザ装置を提供できる。
また、変調信号に応じて所定時間内で受光信号積算量に対する差を求めるため、任意の信号に対応できる偏光スイッチング光源を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は本発明の実施形態を説明するための図である。
同図において符号１は偏光双安定ＶＣＳＥＬ、２はＰＢＳ、３はフォトディテクタ、４は信号生成器、５はドライバをそれぞれ示す。
図２は偏光双安定が標準の状態であるときの注入電流と光出力の関係を示す図である。同図（ａ）は注入電流と光出力の関係を示す図、同図（ｂ）は入力信号を示す図、同図（ｃ）は入力信号に対応する光出力を示す図、同図（ｄ）は光出力のうち一方の偏光方向による光出力を示す図、同図（ｅ）は光出力のうち他方の偏光方向による光出力を示す図である。
図１において、偏光双安定ＶＣＳＥＬ１の出射光をＰＢＳ２に入射させる。入射光の偏光方向がＰＢＳ２にとってｐ偏光であれば、入射光はＰＢＳ２にとって透過光となり、透過光は変調された光信号として利用される。偏光方向がＰＢＳ２にとってｓ偏光であれば、入射光はＰＢＳ２によって反射され、ＰＢＳ２で反射された光はフォトディテクタ（ＰＤ）３で補光信号として利用される。ＰＤ信号はフィードバック信号生成器４に入力されて、生成されたフィードバック信号Ｉｆがドライバ５に入力される。ドライバからの出力は注入電流ＩとしてＶＣＳＥＬに印加される。ドライバ５からの注入電流波形は、例えば、図２（ｂ）に示す。所定のＤＣ成分とＡＣ成分、および、フィードバック成分からなる。ＡＣ成分は偏光双安定ＶＣＳＥＬのヒステリシスループを超えられるだけの振幅に設定される。ヒステリシスループは、活性層の温度が高くなると注入電流が低い側で偏光スイッチングが発生し、活性層温度が低くなると高注入電流側で偏光が切り替る。
【００１３】
ここで、図２に示す光出力について説明する。
同図（ａ）は偏光双安定が標準の状態、すなわち活性層が標準温度からのずれが無い（ΔＴ＝０）場合の、注入電流に対する光出力の変化を模式的に示している。注入電流が０から増加していくと、あるところでレーザ発振が始まる。このときの光の偏光方向は半導体素子の構造で定まる特定の偏光方向になっている。同図ではこれを便宜上、図１の構成に適用したときにＰＢＳ２にとってｓ偏光となる向きに設定してあるものとし、ｓ偏光と表し、太い実線で示している。注入電流をさらに増加していくと、この偏光の光量が増加してゆき、あるところ、同図の実線の最も高い位置、で偏光方向が突然切り替わりｐ偏光になる。以後はさらに注入電流を増加していくと、同図にｐ偏光として太い点線で示すように、切り替わり後の偏光方向（ｐ）で光量が増していく。逆に、大きな注入電流から電流値を下げていくと、増加時に偏光方向が切り替わった電流値よりもさらに低い電流値まで、それまでと同じｐ偏光が維持される。さらに電流値を下げてゆくと、ある値で突然偏光方向が、最初のｓ偏光に切り替わる。このように、或る注入電流値の領域では、それぞれ前歴に依存して偏光方向が２通り存在し、どちらの偏光方向も安定的に維持できる。この領域を双安定領域と呼び、このような電流対出力の関係をヒステリシスループと呼んでいる。
【００１４】
同図（ｂ）は偏光双安定ＶＣＳＥＬ１に入力する注入電流の波形を説明するための図である。同図において、入力電流は、直流成分であるＩｄｃに、振幅Ｉａｃの交流成分を重畳させてある。振幅Ｉａｃは交流成分のピークトゥーピークの幅が、前記ヒステリシスループの横軸方向の幅、すなわち、双安定領域の電流値幅、より大きくなるように設定しておく。直流成分Ｉｄｃの値はヒステリシスループの幅のほぼ中間に位置するように選定する。注入電流Ｉはこれらにフィードバック電流Ｉｆが重畳されたものになる。すなわち、
Ｉ＝Ｉｄｃ＋Ｉａｃ＋Ｉｆ
となる。
同図（ｃ）は、注入電流の入力波形に対応する光出力の波形である。注入電流が、ヒステリシスループの幅の、両端の境界に掛かるたびに、偏光方向が切り替わる。したがって、例えば、偏光方向がｓからｐへ切り替わってから再びｓに切り替わるまでの間は、ｐ偏光を維持し、ｐからｓに切り替わってから再びｐに切り替わるまではｓ偏光を維持する。ｓ偏光からｐ偏光に切り替わるときの電流値と、ｐ偏光からｓ偏光に切り替わるときの電流値は同じにはならない。
【００１５】
同図（ｄ）は、ｐ偏光のみに着目したときの発光波形を示している。同図（ｅ）はｓ偏光のみに着目したときの発光波形を示している。それぞれの図において、斜線を施した領域の面積（Ｐ０、Ｓ０）が１回の累積発光量を表し、１回の発光エネルギに相当する。用途によって、ｐ偏光とｓ偏光をともに信号光として利用する場合がある。その場合、ｐ偏光とｓ偏光とで光エネルギを等しくしようとするなら、上記斜線部の面積を等しくすることを考えればよい。ｐ偏光と、ｓ偏光との間で、斜線部の面積を相対的に変えるには、同図（ｂ）に示した直流バイアスの電流Ｉｄｃと交流成分の振幅Ｉａｃを変化させれば良いことは容易に理解できよう。
同図（ｂ）では、重畳する交流成分としてアナログ的に変化するｓｉｎｅ波形を示したが、ピークトゥーピークが同じ大きさの矩形波（同図における破線）を与えても類似の出力が得られる。この場合、同図（ｄ）、同図（ｅ）の波形も矩形波（図示せず）になるので、１つの出力波形内で光強度が変動しないため利用しやすくなる。
【００１６】
図３はＶＣＳＥＬの活性層温度が高くなった場合の注入電流と光出力の関係を示す図である。同図（ａ）〜（ｅ）は図２におけるそれらと同様である。
ＶＣＳＥＬは発光動作を継続していると、活性層が温度上昇して行く（ΔＴ＞０）場合があるので、同図に示すように、双安定領域の特に電流値が高い側が注入電流の低い方に移動して双安定領域が狭くなる。同図では変化を強調して示してある。双安定領域より大きい側で発振する偏光（仮にｐ偏光とする）を信号として利用し、他方の偏光（ｓ偏光）をフィードバック用信号として利用する構成の場合、ｓ偏光の時間積分値であるＳｔを見ると、前図におけるＳ０より小さくなっている。Ｓ０を標準状態であると規定すると、この積分値のＳ０に対する差ΔＳ＝Ｓｔ−Ｓ０をフィードバック信号に用いることで、標準状態を維持することができる。すなわち、ΔＳを注入電流直流成分に所定の比率で加える。ΔＴ＞０ではΔＳ＜０であり、注入電流へのフィードバックは負になる。注入電流の平均値が下がるため、活性層の温度は低下する。この結果、ヒステリシスループは標準状態に近づく。
上記の関係を注入電流で表現すると、
Ｉ＝Ｉｄｃ＋Ｉａｃ＋Ｉｆ  （Ｉｆ＜０）
となる。
逆にΔＴ＜０のときにはΔＳ＞０で注入電流へのフィードバック値は正になり、注入電流の平均値が上昇し活性層温度が上がりヒステリシスループが標準に近づく。
以上の説明より、本構成によって直接温度をモニタしなくても偏光双安定領域を維持し、出射光の偏光をスイッチングすることができる。
【００１７】
なお、フィードバック用信号として、双安定領域より大きい側で発振する偏光をｓ偏光として用いる場合は、温度上昇ΔＴ＞０によってＳｔがＳ０より大きくなるため、その差ΔＳ＝Ｓｔ−Ｓ０は正の値となる。したがって、注入電流へのフィードバックはΔＳを所定の比率で減算することになる。これによって注入電流は小さくなり、注入電流の平均値が下がるため、活性層の温度は低下すし、双安定領域が元の状態に戻り、維持される。
レーザが面発光型であるため低しきい値（低消費電力）であり、アレイ光源化が容易、ほぼ真円のビーム、広がり角が小さいなどの特徴は言うまでもないが、注入電流が数十ｍＡ程度であるため、高速変調する場合、端面発光型に比べてドライバの負担が小さいことも効果として挙げられる。
【００１８】
他の実施形態として、信号の組み合わせが任意の場合でも、所定時間内の信号０の個数をカウントし、Ｓｔ波形の標準積算量Ｓ０を予測することができる。すなわち、任意の信号の場合、基準となるＳ０自体は時間で変化する値になる。しかし、Ｓ０に対する差ΔＳからのフィードバック信号を生成することで直接温度をモニタしなくてもヒステリシス領域の変動を抑制でき、偏光スイッチング維持が可能であることには変わりない。
【００１９】
図４はさらに他の実施形態を説明するための図である。同図（ａ）はレーザ光源からポリゴンミラーまでの側面図を表し（ｂ）は上面図を表す。いずれも一部省略図となっている。
同図において符号４１はコリメートレンズ、４２はＰＢＳ、４３はハーフミラー、４４はシリンドリカルレンズ、４５は２段ポリゴンミラー、４６はｆθレンズ、４７は結像光学系、４８は感光体をそれぞれ示す。
この実施形態は偏光双安定ＶＣＳＥＬ１から出射される偏光方向の異なる２つの偏光をともに信号光として用いる例に相当する。
偏光双安定ＶＣＳＥＬ１の出射光をコリメートレンズ４１で平行光とし、ＰＢＳ４２でｐ偏光とｓ偏光を分離する。ＰＢＳ４２からの透過光（ｐ偏光）はシリンドリカルレンズ４４ａを介して２段ポリゴンミラー４５の上段ミラー４５ａに入射される。上段のポリゴンミラー４５ａで反射したビームは２段構成のｆθレンズ４６の上段と結像光学系４７ａをへて感光体４８ａにとどき、ミラーの回転に応じて感光体上を光走査される。
【００２０】
ＰＢＳ４２で反射した光（ｓ偏光）はハーフミラー４３で大部分の光が反射され、シリンドリカルレンズ４４ｂを介して下段ポリゴンミラー４５ｂに入射される。下段ポリゴンミラー４５ｂで反射されたビームは２段構成のｆθレンズ４６の下段レンズと、結像光学系４７ｂを経て感光体４８ｂを光走査される。ハーフミラー４３は例えば反射率：透過率を9：1のように、透過率を低めに設定すると光走査のための光利用効率低下を抑えることができる。ハーフミラー４３の透過光は補光信号として光量変動の監視のためのモニタ用ＰＤ３に入力され、必要なフィードバックが掛けられる。
【００２１】
この使い方では、ｓ偏光の光量が補光信号として一部モニタ用に利用されるので、予めｓ偏光の光量の方をｐ偏光の光量より大きめになるよう設定しておくと良い。例えば、双安定領域に関し、注入電流の低い方で発振する偏光の方向をｐ偏光となるように設定し、注入電流の高い方で発振する偏光の方向をｓ偏光となるようにすれば、両偏光成分に対し、同じ時間幅を与えても、ｓ偏光の方が光量としては大きくなるので、モニタ用に一部の光量を利用しても光量のバランスを崩すようなことがなくなる。すなわち、ハーフミラー４３の反射率と透過率を選ぶことによって、上段および下段ポリゴンミラーへの各ビーム強度を揃えることができる。
双安定領域に関し、注入電流の低い方で発振する偏光の方向をｓ偏光となるように設定しても、直流バイアス成分Ｉｄｃを低めに設定し、その分交流バイアスの振幅を大きくすることによって、注入電流が全体的に低い電流値の側に移動する。したがって、ｓ偏光の発振強度の方がｐ偏光の発振強度より大きくなるように設定できる。このようにして、ｓ偏光の一部をモニタ用に利用することで、利用される両偏光成分の光量バランスを崩さないで済む。
【００２２】
偏光双安定ＶＣＳＥＬの一方の光信号をモニターしており、本実施形態も最初の実施形態のフィードバックと同様に偏光双安定ヒステリシスループを安定に保つことができる。従来は偏光双安定ＶＣＳＥＬを温調する必要があったが、本フィードバックによって温調を省略することができる。本実施形態によれば、光源数が半減する２段ポリゴンミラー方式で受光信号をもとにフィードバック信号を生成するため安定したスイッチングが可能となる。
また、２つの偏光強度の差を、ハーフミラーの反射率で調整をすることができるため、両偏光方向の光強度を揃えることができる。
【００２３】
同図において、２段ポリゴンミラーは位相差を与えた図となっている。この構成の場合は上段ポリゴンと下段ポリゴンを１走査線毎に切り替えて走査するが、図２において述べたように、直流バイアスの重畳する交流波形を矩形波状にすることで、１走査線内の出力を安定に保つことができるので、画像の濃度ムラなどを引き起こすことはない。
２段ポリゴンを同相にした場合、１画素毎に上下のポリゴンを切り替えて使用するので、１画素内の光量変動は特に問題とならないから、重畳する交流波形はｓｉｎｅ波形であってもかまわない。
【００２４】
図５は本発明の光走査装置を用いたタンデム型のカラー画像形成装置を説明するための概要図である。
同図において符号５０は光走査装置、５１は転写ベルト、５２は感光体、５３は帯電器、５４は現像器、５５は転写手段、５６はクリーニング手段、ｙ、ｃ、ｍ、ｋはイエロー、シアン、マゼンタ、黒の現像色をそれぞれ示す。
４色のカラー画像形成装置は、図４に示した１個の光源で２本の感光体を露光する基本構成を２組用いることで構成する。ただし、ポリゴンミラー４５は、一方の基本構成の光学系で使わない面を他方の基本構成の光学系で利用することで、２組の光学系で共用することができる。例えば、ポリゴンミラー４５の回転中心を対称中心として双方の光学系を１８０°ずらした対称配置にすることで構成できる。ただし、４個の感光体が等間隔で１直線状に配列するような構成の工夫はするものとする。
【００２５】
カラー画像形成装置は、転写ベルト５１の移動方向に沿って並置された４つの感光体５２ｙ、５２ｍ、５２ｃ、５２ｋを有している。イエロー画像形成用の感光体５２ｙの周りには、その矢印で示す回転方向において順に、帯電器５３ｙ、現像器５４ｙ、転写手段５５ｙ、クリーニング手段５６ｙが配置されている。他の色についても同様の構成を有しており、帯電器５３は、感光体表面を均一に帯電するための帯電装置を構成する帯電部材である。帯電器５３と現像器５４の間において感光体表面に光走査装置５０によりビームが照射され、感光体５２に静電潜像が形成されるようになっている。そして、静電潜像に基づき、現像器５４により感光体面上にトナー像が形成される。転写手段５５により、転写ベルト５１で搬送される記録媒体（転写紙：図示せず）に各色の転写トナー像が順次転写され、最終的に定着手段５７により重ね合わせ画像が転写紙に定着される。
【００２６】
本実施形態においても、各基本構成には光量モニタとしてのＰＤ３をそれぞれ有しているので、各基本構成毎に必要なフィードバックが行われ、感光体２本単位で光量の安定化が行われる。したがって、常に各感光体の光量は、当初互いに所望の値になるよう設定された状態（標準状態）に安定化されることとなる。したがって、受光信号をもとにフィードバック信号を生成する本発明の構成によれば、安定したスイッチングが可能となり、画像品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の本発明の実施形態を説明するための図である。
【図２】偏光双安定が標準の状態であるときの注入電流と光出力の関係を示す図である。
【図３】ＶＣＳＥＬの活性層温度が高くなった場合の注入電流と光出力の関係を示す図である。
【図４】さらに他の実施形態を説明するための図である。
【図５】本発明の光走査装置を用いたタンデム型のカラー画像形成装置を説明するための概要図である。
【符号の説明】
【００２８】
１      偏光双安定ＶＣＳＥＬ
２      ＰＢＳ
３      フォトディテクタ（ＰＤ）
４２      ＰＢＳ
４３      ハーフミラー
４５      ２段ポリゴンミラー
４８      感光体
【図１】
2009212392.tif 000003
【図２】
2009212392.tif 000004
【図３】
2009212392.tif 000005
【図４】
2009212392.tif 000006
【図５】
2009212392.tif 000007