(57)【要約】【課題】振動片のスティッキングを防止して歩留まりを向上させること。【解決手段】基端部３５から先端部３９に向かってＸ方向に延びるように形成され、該Ｘ方向に直交するＹ方向に振動する振動片３６と、基端部３５を介して振動片３６を片持ち状に支持する振動子アイランド３４と、を有する振動子３２と、振動片３６に対してギャップｄを空けた状態で他方向に沿って振動片３６を間に挟むように配置され、電圧が印加された時に静電引力を発生させて振動片３６を振動させる電極部３３ａ，３３ｂとを備え、電極部３３ａ，３３ｂにおける電極部アイランド４０ａ，４０ｂの側面４８ａ，４８ｂに、電極部アイランド４０ａ，４０ｂの長手方向に沿って複数の突起部４９が形成されている発振子３０を提供する。【選択図】図２
2009060173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基端部から先端部に向かって一方向に延びるように形成され、該一方向に直交する他方に振動する振動片と、前記基端部を介して前記振動片を片持ち状に支持するベース部と、を有する振動子と、
前記振動片に対して所定距離を空けた状態で前記他方向に沿って前記振動片を間に挟むように配置され、電圧が印加された時に静電引力を発生させて前記振動片を振動させる電極部とを備え、
前記振動片と前記電極部とのうちいずれか一方には、他方に対向する対向面に凹凸が形成されていることを特徴とする発振子。
【請求項２】
前記凹凸は、前記対向面から突出する複数の突起部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の発振子。
【請求項３】
前記凹凸は、所定の粗さの表面加工により形成されていることを特徴とする請求項１記載の発振子。
【請求項４】
前記凹凸は、前記電極部に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の発振子。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の発振子を有することを特徴とする発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ技術を利用した発振子及び該発振子を有する発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスを用いて、１つの基板に機械的構造と電子回路とを集積させた微小デバイスであるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）が注目されている。このＭＥＭＳは、半導体プロセスを利用して製造されることから、加工精度の高さ、量産の容易さ、電子回路と機械的構造とを一定成形することで精密な動作制御が可能等といった利点があり、ＩＴ関連のみならず、通信や化学、医療やバイオ等といった様々な分野に応用されている。
【０００３】
そして、ＭＥＭＳ技術を発振子に利用することで、デバイスの占有面積が小さいこと、高いＱ値（インダクタンスと抵抗値との比）を得られること、他の半導体デバイスとの集積が可能なこと、等の特長を利用することができ、発振周波数を有する制御や、通信機用の駆動源等として好適に利用することが考えられる。
このようなＭＥＭＳ技術を応用した発振子としては、片持ち状態で支持された振動片を、静電引力を利用して固定電極の間で振動させる発振子がしられている（例えば、非特許文献１参照）。この発振子について図面を参照して簡単に説明する。
【０００４】
図９に示すように、発振子１００は、振動子アイランド（ベース部）１０１と、この振動子アイランド１０１に基端部１０２が片持ち状に支持された角柱形状の振動片１０３と、この振動片１０３と一定距離を空けた状態で振動片１０３を間に挟むように配置された一対の電極部１０４とを備えている。一対の電極部１０４には、振動片１０３の駆動または振動の検出のうち少なくともいずれか一方を行う電極パッド１０５が形成されている。そして、この電極パッド１０５を介して電極部１０４に電圧が印加されると、電極部１０４に静電引力が発生する。この静電引力によって、振動片１０３は、その幅方向（各電極部１０４に接近離間する方向）に振動するものである。
【非特許文献１】Ｒｅｎａｔａ  Ｍｅｌａｍｕｄ，Ｂｏｎｇｓａｎｇ  Ｋｉｍ，Ｍａｔｔｈｅｗ  Ａ．Ｈｏｐｃｒｏｆｔ，Ｓ．Ｃｈａｎｄｏｒｋａｒ，Ｍ．Ａｇａｒｗａｌ，Ｃ．Ｍ．Ｊｈａ，ａｎｄ  Ｔ．Ｗ．ｋｅｎｎｙ”ＣＯＭＰＯＳＩＴＥ  ＦＬＥＸＵＲＡＬ−ＭＯＤＥ  ＲＥＳＯＮＡＴＯＲ  ＷＩＴＨ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＡＢＬＥ  ＴＵＲＮＯＶＥＲ  ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ，”ＭＥＭＳ  ２００７，Ｋｏｂｅ，Ｊａｐａｎ，  ２１−２５  Ｊａｎｕａｒｙ  ２００７，ｐ．１９９−２０２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年では振動片１０３と電極部１０４間の距離（ギャップ）を可能な限り狭く形成して、低電圧で駆動することができる高性能な発振子１００のニーズが高まっている。
ここで、上述した振動片１０３と電極部１０４とのギャップは、感度に影響を与えるものである。つまり、ギャップを狭くするほど、振動片１０３と電極部１０４との距離が接近するので、両者間の作用する静電容量の値が大きくなり、高感度で高性能な発振子１００になるとともに、低電圧での駆動が可能になる。そのため、上述したように可能な限りギャップを狭くすることが望まれている。
【０００６】
しかしながら、上述の発振子１００にあっては、図１０に示すように、製造中に振動片１０３が途中で撓んで折れ曲がり、振動片１０３の側面１０３ａと電極部１０４の側面１０４ａとが接触して固着する、いわゆるスティッキングが生じるという問題がある。具体的に説明すると、発振子１００は半導体プロセスを利用して製造されるが、その際、ギャップを形成した後に液体を使用する状況が多々ある。例えば振動片１０３をエッチングで形成した後に水洗浄する水洗工程がある。そのため、どうしてもギャップに液体が入り込んでしまう。そして、このような水洗工程後に何らかの原因（例えば、衝撃を受ける等）で振動片１０３が途中で撓み、折れ曲がってしまうと、ギャップに入り込んだ液体を介して振動片１０３と電極部１０４とが接触し、スティッキングが生じてしまう。
【０００７】
このようにスティッキングが生じると、電極部１０４に固着した振動片１０３を再び剥すことは難しく、デバイス（発振子１００）として機能しなくなってしまう。これに対して、アルコール等を用いて、ギャップに入り込んだ液体を置換する方法も考えられるが、ギャップを狭く形成するにつれて、その効果が高く望めない。その結果、歩留まりが悪く、製造コストのロスに繋がってしまう。特に振動片１０３が長い場合や、ギャップが狭い程スティッキングが起きる確率が高くなってしまうものであった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、振動片のスティッキングを防止して歩留まりを向上させた上で、高性能な発振子及び該発振子を有する発振器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
本発明に係る発振子は、基端部から先端部に向かって一方向に延びるように形成され、該一方向に直交する他方に振動する振動片と、前記基端部を介して前記振動片を片持ち状に支持するベース部と、を有する振動子と、前記振動片に対して所定距離を空けた状態で前記他方向に沿って前記振動片を間に挟むように配置され、電圧が印加された時に静電引力を発生させて前記振動片を振動させる電極部とを備え、前記振動片と前記電極部とのうちいずれか一方には、他方に対向する対向面に凹凸が形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明に係る発振子においては、少なくとも振動片と電極部とのうちいずれか一方であって、他方に対向する対向面に凹凸を形成することで、振動片及び電極部の対向面同士が接触したとしても、面接触する従来のものとは異なり、接触面積を大幅に減少させることができる。そのため、半導体プロセスにより振動子を製造する場合に、振動片を形成した後に、何らかの原因により振動片が途中で撓んで折れ曲がり、振動片と電極部とが液体を介して接触してしまう場合があっても、振動片と電極部とが離間しやすくなるため、振動片と電極部とが接触したまま固着してしまうことがない。
したがって、振動片のスティッキングを防止して歩留まりを向上させた上で、振動片と電極部との間のギャップを可能な限り狭く形成して高感度で高性能な振動子を形成することが可能になるとともに、低電圧での駆動が可能になる。
【００１１】
本発明に係る発振子は、上記発振子において、前記凹凸が前記対向面から突出する複数の突起部が形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明に係る発振子においては、凹凸が複数の突起部により形成されているので、電極部と振動片との接触面積をより減少させることができる。つまり、電極部と振動片とが接触する場合があっても、突起部を介して接触するので、両者は点接触することとなる。したがって、振動片と電極部とが接触してしまった場合でも、振動片と電極部とがより離間しやすくなるため、振動片と電極部とが接触したまま固着してしまうことがない。
【００１３】
本発明に係る発振子は、上記発振子において、前記凹凸が所定の粗さの表面加工により形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明に係る発振子においては、凹凸が所定の粗さの表面加工により形成されているので、電極部と振動片との接触面積を減少させることができる。これにより、振動片と電極部とが接触してしまった場合でも、振動片と電極部とが離間しやすくなるため、振動片と電極部とが接触したまま固着してしまうことがない。特に、電極部の振動片との対向面を単に粗すのみの簡単な加工により、スティッキングを防止することができる。
【００１５】
本発明に係る発振子は、上記発振子において、前記凹凸が前記電極部に形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明に係る発振子においては、電極部における振動片との対向面に凹凸を形成するので、振動片にはスティッキングを防止するための加工を何ら行なう必要がない。よって、の性能に影響を与えることなく、スティッキングを防止することができる。
【００１７】
また、本発明に係る発振器は、上記本発明の発振子を有することを特徴とするものである。
【００１８】
本発明に係る発振器においては、低電圧で駆動させることができる、高感度で高性能な発振子を有しているので、発振器自体の高品質化及び高性能化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る発振子によれば、振動片のスティッキングを防止して歩留まりを向上させた上で、ギャップを可能な限り狭く形成して高感度で高性能な振動子を形成することが可能になるとともに、低電圧での駆動が可能になる。
また本発明に係る発振器によれば、低電圧で駆動させることができる、高感度で高性能な発振子を有しているので、発振器自体の高品質化及び高性能化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、本発明の発振子及び該発振子を有する発振器の第１実施形態を図１〜６に基づいて説明する。
なお、本実施形態では、携帯電話や携帯情報端末機器等の種々の電子部品に用いられる発振器として説明する。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２１】
図１は、発振器の斜視図である。また、図２は発振器を構成する発振子の平面図であり、図３は図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
図１に示すように、発振器１０は、ＩＣ基板２０と発振子３０とを備えている。
ＩＣ基板２０は、図示しない電気回路を介して外部電源に電気的に接続されており、外部電源から供給される電圧を発振子３０に印加して、発振子３０の駆動を行うものである。ＩＣ基板２０の上面には、アルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）等からなる電極パッド２１が形成されている。このＩＣ基板２０は、後述するシリコン支持層１１及びＢＯＸ層１２上に載置されている。
【００２２】
発振子３０は、シリコン支持層１１（例えば、厚さ３００〜８００μｍ）と、二酸化珪素（ＳｉＯ２）のＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層１２と、シリコン活性層（例えば、厚さ５〜１００μｍ）４４とが順次積層された、いわゆるＳＯＩ(Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ)基板４５を用いて半導体プロセス技術によって製造されるものである。ただし、ＳＯＩ基板４５に限らず、シリコン等の半導体基板で発振子３０を製造しても構わない。これらの層の内、シリコン活性層４４にはシリコン支持層１１の外周に沿って立ち上がるフレーム３１と、このフレーム３１の内側に配置された振動子３２及び一対の電極部３３ａ，３３ｂとが構成されている。
【００２３】
そして、上述したように、シリコン支持層１１上に積層されたＢＯＸ層１２上にＩＣ基板２０が載置されている。このように本実施形態では、シリコン支持層１１を介してＩＣ基板２０と発振子３０とが一体的にパッケージングされている。よって、シリコン支持層１１は、ＩＣ基板２０も同時に支持する共通基板として機能する。なお、ＩＣ基板２０はフレーム３１に対して若干の隙間を空けた状態で載置されている。
【００２４】
図２，３に示すように、振動子３２は、平面視略Ｔ字状のものであり、振動子アイランド３４（ベース部）と、この振動子アイランド３４に基端部３５を介して片持ち状に支持された振動片３６とを備えている。
【００２５】
振動子アイランド３４は、平面視矩形状のものであり、シリコン支持層１１上にＢＯＸ層１２を介して形成されている。振動子アイランド３４の上面には、電極パッド３７が形成されており、上述したＩＣ基板２０の電極パッド２１とワイヤー３８を介して電気的に接続されることにより、振動子３２に電圧が印加されるように構成されている。
【００２６】
振動片３６は、平面視長方形状のものであり、振動部アイランド３４に、その基端部３５が支持されるとともに、振動子アイランド３４の長手方向に沿う側面３４ａに直交するＸ方向（一方向）に延出しているものである。また、振動片３６は、その下面３６ａとシリコン支持層１１の上面１１ａとの間にギャップを有しつつ延出しており（図３参照）、その延出方向（Ｘ方向）と直交するＹ方向（振動片３６の幅方向（他方向））に振動可能に構成されている。
【００２７】
振動子３２の両側方には、振動子３２に対してギャップｄを空けた状態で、振動子３２を間に挟むように一対の電極部３３ａ，３３ｂが配置されている。一対の電極部３３ａ，３３ｂは、振動片３６の幅方向に沿って形成されている。各電極部３３ａ，３３ｂは、電極部アイランド４０ａ，４０ｂと、電極パッド４１ａ，４１ｂとを備えている。
【００２８】
電極部アイランド４０ａ，４０ｂは、シリコン支持層１１上にＢＯＸ層１２を介して形成されており、振動子３２の周縁と略平行にギャップｄを有しつつ、振動子３２の側方を囲むように形成されている。
【００２９】
電極部アイランド４０ａ，４０ｂの上面には、その上面のほぼ全域に亘って電極パッド４１ａ，４１ｂが形成されている。この電極パッド４１ａ，４１ｂのうち、一方の電極バッド４１ａが振動片３６の駆動用電極パッドとして構成されており、他方の電極パッド４１ｂが振動片の振動の検出用電極パッドとして構成されている。そして、上述したＩＣ基板２０の電極パッド２１とワイヤー４２ａ，４２ｂによりそれぞれ電気的に接続されることで、各電極部３３ａ，３３ｂに電圧が印加されるように構成されている。なお、各電極パッド４１ａ，４１ｂは必ずしも振動子３２の駆動用、検出用電極パッドである必要はなく、少なくとも振動子３２の駆動用電極パッドを備えていればよい。
【００３０】
ここで、電極部３３ａ，３３ｂの側面、具体的には電極部アイランド４０ａ，４０ｂの側面（対向面）４８ａ，４８ｂには、電極部アイランド４０ａ，４０ｂの長さ方向（Ｘ方向）に沿って等間隔に複数の突起部４９が形成されている。この突起部４９は、電極部アイランド４０ａ，４０ｂとほぼ同じ高さで形成された平面視三角形状のものであり、振動片３６の側面（対向面）３６ａに向けて、例えば数百ｎｍ程度突出している。この複数の突起部４９により、本実施形態の電極部３３ａ，３３ｂの側面４８ａ，４８ｂは凹凸がついた状態となる。
【００３１】
なお、発振器１０には、通常、発振子３０におけるフレーム３１の内側を真空状態に維持するため、発振子３０を覆うように封止基板が設けられるが、本実施形態の各図においては、説明をわかり易くするため、本実施形態においては封着基板の記載を省略する。
【００３２】
次に、図１〜３に基づいて本実施形態の発振器の作用について説明する。
まず、図示しない外部電源から電気回路を介してＩＣ基板２０に電圧を印加する。すると、ＩＣ基板２０は、電極パッド２１及びワイヤー３８，４２ａを介して振動子３２の電極パッド３７及び電極部３３ａの電極パッド４１ａに電圧を印加する。
【００３３】
電極パッド４１ａと、振動子３２の電極パッド３７とに電圧を印加すると、その電極部３３ａと振動子３２との間に電圧が印加され、両者の間に静電引力が発生する。その結果、振動片３６が、Ｙ方向、つまり振動子３６の両側方にギャップｄを介して配置された一対の電極部３３ａ，３３ｂに接近離間するように振動することとなる。
【００３４】
振動片３６が振動すると、振動片３６と電極部３３ｂとの間のギャップが変化し、振動片３６と電極部３３ｂとの間の静電容量が変化する。そして、その静電容量の変化を共振周波数として電極パッド４１ｂにより検出する。そして、検出された共振周波数は、検出信号として電極パッド４１ｂからワイヤー４２ｂを介してＩＣ基板２０へと出力されるものである。
【００３５】
ここで、振動片３６と電極部３３ａ，３３ｂとのギャップｄは、感度に影響を与えるものであり、可能な限り狭く形成することが好ましい。つまり、ギャップｄを狭くするほど、振動片３６と電極部３３ａ，３３ｂとの距離が接近するので、両者間に作用する静電容量の値が大きくなり、低電圧で振動片３６の大きな振動変位、検出信号を得ることができる。そのため、高感度で高性能な発振子を形成することが可能になる。そこで、本実施形態では、前記ギャップｄが例えば０．１〜２．０μｍ程度に設定されている。
【００３６】
次に、図４〜６に基づいて、発振器の製造方法について説明する。図４〜図６は、図１のＡ−Ａ’線に相当する断面を図示している。なお、発振器の製造方法の各工程は、以下に説明の工程順番に限定されるものではない。
【００３７】
図４はスタート基板となるＳＯＩ基板４５の断面図である。図５は、ＳＯＩ基板４５のシリコン活性層１１上に電極パッド３７（図１参照），４１ａ，４１ｂを形成した状態を示す断面図である。
まず、図４に示すように、シリコン支持層１１上にＢＯＸ層１２、シリコン活性層４４が順次積層されたＳＯＩ基板４５を準備し、このＳＯＩ基板４５上に、後に電極パッド３７，４１ａ，４１ｂとなる図示しないメタル層を形成する（メタル層成膜工程）。具体的には、スパッタリング法や真空蒸着法等によりＳＯＩ基板４５の全面に成膜する。
【００３８】
次に、図５に示すように、ＳＯＩ基板４５上に成膜されたメタル層をパターニングして、上述した形状の電極パッド３７，４１ａ，４１ｂ（図５では電極パッド４１ａ，４１ｂのみを示す）に形成する（電極パッド工程）。具体的には、フォトリソグラフィ技術により露光・現像した図示しないレジストマスクを介してドライエッチングを行うことで、ＳＯＩ基板４５上に成膜されたメタル層をパターニングする。
【００３９】
図６はシリコン活性層をエッチング加工してパターニングした状態を示す断面図である。
上述した電極パッド３７，４１ａ，４１ｂを形成した後、図６に示すように、シリコン活性層４４を上述した形状のフレーム３１、電極部アイランド４０ａ，４０ｂ及び振動子３２に各々分離する（分離工程）。具体的には、フォトリソグラフィ技術により露光・現像した図示しないレジストマスクを介してドライエッチングを行うことで、シリコン活性層４４を貫通してＢＯＸ層１２の上面まで到達する凹部を形成する。
【００４０】
この時、フレーム３１の外側の領域のシリコン活性層４４もＢＯＸ層１２の上面１２ａが露出するようにエッチングし、ＩＣ基板２０が載置されるスペースを確保する。なお、フレーム３１の外側の領域（ＩＣ基板２０が載置される領域）は、シリコン支持層１１が露出するまでエッチングして、ＢＯＸ層１２を除去しても構わない。
【００４１】
フレーム３１、電極部３３ａ，３３ｂ及び振動子３２に各々分離した後、振動子３２の振動片３６形成領域のＢＯＸ層１２を除去する（ＢＯＸ層除去工程：図３参照）。具体的には、シリコン活性層４４に形成した凹部内をエッチングすることで、振動片３６がシリコン支持層１１から分離され、振動子アイランド３４（図１参照）に片持ち状に支持された振動子３２が形成される。なお、このエッチングはドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれの方法で行っても構わない。
【００４２】
次に、ＳＯＩ基板４５上のフレーム３１の外側であって、上述した分離工程においてＢＯＸ層１２を露出させた領域にＩＣ基板２０（図１参照）を実装する。そして、このＩＣ基板２０の電極パッド２１と、発振子３０の各電極パッド３７，４１ａ，４１ｂとをワイヤーボンディングにより接続することで、本実施形態の発振器１０（図１参照）が完成する。
【００４３】
ところで、半導体プロセスを利用して発振子を製造する際、エッチングを行った後の洗浄工程として、液体（例えば、水等）を用いて洗浄する工程が含まれる。このような洗浄工程のうち、振動片３６をシリコン支持層１１から分離した後に行われる洗浄工程においては、振動片３６と電極部３３ａ，３３ｂとの間に形成されたギャップや、振動片３６の下方に液体が入り込んでしまう場合がある。
【００４４】
この時、振動片３６と電極部３３ａ，３３ｂとの間のギャップに、液体が入り込んだ状態で外部から衝撃を受ける等の問題が生じると、振動片３６が途中で撓んで折れ曲がり、電極部３３ａ，３３ｂにおける電極部アイランド３４ａ，３４ｂの側面４８ａ，４８ｂに接触してしまう。
この時、従来の発振子１００（図９，１０参照）では、振動片１０３の側面１０３ａと電極部１０４の側面１０４ａとの面同士が接触してしまう。その結果、振動片１０３が途中で撓んで折れ曲がった状態で、ギャップに入り込んだ液体を介して電極部１０４の側面１０４ａにスティッキングしてしまう。
【００４５】
そこで、上述の実施形態によれば、電極部３３ａ，３３ｂの側面４８ａ，４８ｂに、振動片３６の延出方向（Ｘ方向）に沿って、複数の突起部４９を形成することで、電極部３３ａ，３３ｂの突起部４９と振動片３６の側面３６ａとが点と面で接触することとなる。そのため、従来のように振動片１０３と電極部１０４とが面同士で接触する場合と比べ、振動片３６と電極部３３ａ，３３ｂとの接触面積を大幅に減少させることができる。
つまり、半導体プロセスにより振動子３２を製造する場合であって、振動片３６を形成した後に、何らかの原因により振動片３６が途中で撓んで折れ曲がり、振動片３６と電極部３３ａ，３３ｂとが液体を介して接触してしまう場合があっても、突起部４９を介して接触するので、両者は点接触することとなる。そのため、振動片３６と電極部３３ａ，３３ｂとが離間しやすくなり、振動片３６と電極部３３ａ，３３ｂとが接触したまま固着してしまうことがない。
したがって、振動片３６のスティッキングを防止して歩留まりを向上させることができる。
【００４６】
また、電極部３３ａ，３３ｂの側面４８ａ，４８ｂに突起部４９を形成するのみなので、振動片３６にはスティッキングを防止するための加工を何ら行なう必要がないため、振動片３６の性能に影響を与えることがない。したがって、振動片３６のスティッキングを防止して歩留まりを向上させた上で、ギャップを可能な限り狭く形成して高感度で高性能な振動子３２を形成することが可能になるとともに、低電圧での駆動が可能になる。
このように、本実施形態の発振器１０は、高感度で高性能な発振子３０を有しているので、発振器１０自体の高品質化及び高性能化を図ることができる。
【００４７】
ところで、本実施形態の振動片３６のように振動子アイランド３４に、その基端部３５が片持ち状態で支持された振動子３２は、振動子アイランドに両持ち状態で支持された振動子に比べ、振動片３６に作用する支持応力が少ない。そのため、発振子３０の設計の自由度を向上させることができる。
【００４８】
次に、図７に基づいて本発明の第２実施形態について説明する。図７は、第２実施形態に係る発振子の平面図である。なお、本実施形態は、電極部の形状について上記第１実施形態と相違しているため、発振器の構成、その他第１実施形態と同様の構成については同一符号を付し説明は省略する。
【００４９】
図７に示すように、本実施形態では、電極部５３ａ，５３ｂにおける電極部アイランド５４ａ，５４ｂの側面５５ａ，５５ｂが粗されており、その側面５５ａ，５５ｂに積極的に凹凸（例えば、平均数百ｎｍ）ができるように表面加工された表面粗さ部５６として形成されている。この表面粗さ部５６は、電極部アイランド５４ａ，５４ｂの長手方向（Ｘ方向）に沿って、側面５５ａ，５５ｂのほぼ全面に形成されている。
【００５０】
したがって、本実施形態によれば、上述の第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、電極部アイランド５４ａ，５４ｂの形成工程において、その側面５５ａ，５５ｂを積極的に粗すのみの簡単な加工により、第１実施形態に比べ、より安価にスティッキングを防止することができる。
【００５１】
次に、図８に基づいて本発明の第３実施形態について説明する。図８は、第３実施形態に係る発振子の平面図である。なお、本実施形態は、振動子の形状について上記第１実施形態と相違しているため、発振器の構成、その他第１実施形態と同様の構成については同一符号を付し説明は省略する。
【００５２】
図８に示すように、本実施形態の振動子７２は、振動片７６の側面７６ａが粗されており、積極的に凹凸（例えば、平均数百ｎｍ）ができるように表面加工された表面粗さ部７８として形成されている。この表面粗さ部７８は、振動片７６の延出方向（Ｘ方向）に沿って、側面７６ａのほぼ全面に形成されている。
一方、振動片７６に対してギャップを空けた状態で配置された一対の電極部６０ａ，６０ｂは、その電極部アイランド６１ａ，６１ｂの側面６２ａ，６２ｂが平坦に形成されている。
【００５３】
このように、上述の実施形態によれば、振動片７６の側面７６ａを積極的に粗した表面粗さ部７８を形成することで、電極部６０ａ，６０ｂと振動片７６とが接触する場合があっても、振動片７６と電極部アイランド６１ａ，６１ｂの側面６２ａ，６２ｂとが点と面で接触することとなる。そのため、振動片７６と電極部アイランド６１ａ，６１とが、接触したまま固着することがない。また、振動部７６の側面７６ａを粗すのみの簡単な加工なので、振動子７２の性能に影響を与えることもない。したがって、高感度で高性能な振動子７２を形成した上で、スティッキングを防止することができる。
【００５４】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
【００５５】
例えば、第１実施形態において電極部アイランドの側面に、振動片に向けて突出する突起部を形成したが、突起部は電極部アイランドの側面ではなく、振動片の側面に形成してもよい。また、電極部アイランドと振動片との双方の側面に突起部を形成してもよい。
【００５６】
さらに、第１実施形態では突起部の形状を平面視で略三角形状に形成したが、これに限られず、矩形、円形等種々の形状を採用することができる。
また、突起部の大きさや形成領域は、適宜設計変更が可能である。例えば、突起部の高さは、電極部アイランドと同じ高さのものではなく、一部分から突出しているものでもよい。また、電極部アイランドまたは振動片の側面における、ある部分のみに突起部を集中させてもよい。
【００５７】
さらに、第２、３実施形態における表面粗さ部は、電極部アイランドと振動片との双方に形成してもよい。
また、表面粗さ部の形状や形成領域は、適宜設計変更が可能である。例えば、表面粗さ部の形成領域は電極部アイランドまたは振動片の側面における、ある部分のみに集中させてもよい。
また、振動片と電極部アイランドのうち、一方に突起部を、他方に表面粗さ部を形成する等しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施形態における発振器の斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態における発振子の平面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】本発明の実施形態における発振器のメタル層成膜工程を示す工程図である。
【図５】本発明の実施形態における発振器の電極パッド工程を示す工程図である。
【図６】本発明の実施形態における発振器の分離工程を示す工程図である。
【図７】本発明の第２実施形態における発振子の平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態における発振子の平面図である。
【図９】従来における発振子の斜視図である。
【図１０】従来における発振子のスティッキングを説明する平面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０発振器  ３０発振子  ３２第１実施形態における振動子  ３３ａ，３３ｂ第１実施形態における電極部  ３４振動子アイランド（ベース部）  ３５第１実施形態における基端部  ３６第１実施形態における振動片  ３６ａ第１実施形態における振動片の側面（振動片側の対向面）  ３９第１実施形態における先端部  ４８ａ，４８ｂ第１実施形態における電極部アイランドの側面（電極部側の対向面）  ４９突起部  ５３ａ，５３ｂ第２実施形態における電極部  ５５ａ，５５ｂ第２実施形態における電極部アイランドの側面（電極部側の対向面）  ５６第２実施形態における表面粗さ部  ６０ａ，６０ｂ第３実施形態における電極部  ７２第３実施形態における振動子  ７５第２実施形態における基端部  ７６ａ第２実施形態における振動片の側面（振動片側の対向面）  ７８表面粗さ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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