(57)【要約】【課題】電極のショートを防止することができ、効率が高く、発光性能が良好な有機ＥＬ素子を提供する。また、電源配線による外光の反射を防止することができる有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】基板２と、基板２上に形成された電源配線１０３と、電源配線１０３を覆う層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０上に形成された第一電極１１と、第一電極１１上に形成され、第一電極１１を区画しかつその上部を露出させる開口部１４ａが形成された隔壁１４と、隔壁１４の開口部１４ａ内に設けられた機能層１５と、機能層１５を覆って設けられた第二電極１７と、を備え、電源配線１０３の厚さｔにより機能層１５に形成された段差部Ｄを覆うように絶縁層１６が形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2009212042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された電源配線と、前記電源配線を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成され、前記第一電極を区画しかつその上部を露出させる開口部が形成された隔壁と、前記隔壁の開口部内に設けられた機能層と、前記機能層を覆って設けられた第二電極と、を備え、
前記電源配線の厚さにより前記機能層に形成された段差部を覆うように絶縁層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記電源配線の厚さは、１μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記絶縁層は、遮光性を有する材料により形成され、少なくとも前記隔壁の開口部の内側に露出した前記電源配線と平面的に重なるように形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記電源配線は、アルミニウムにより形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記絶縁層は、有機樹脂材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記隔壁の少なくとも外光が入射する側が光吸収性を有する材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
基板上に形成された第一電極と第二電極との間に機能層を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上に、電源配線を形成する工程と、
前記電源配線を覆うように、層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記第一電極を形成する工程と、
前記第一電極上に絶縁材料層を形成し、前記絶縁材料層に、前記第一電極を区画しかつその上部を露出させる開口部を形成して隔壁を形成する工程と、
前記開口部内に機能層を形成する工程と、
前記電源配線の厚さにより前記機能層に形成された段差部を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層および前記機能層を覆って第二電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層は、液滴吐出法を用いて形成することを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機ＥＬ素子およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板上に多数の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えた有機ＥＬ装置が知られている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成された電源配線等を覆う層間絶縁膜と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や配線等を覆う平坦化層と、その平坦化層上に形成された電極と、その電極を区画する開口部を有する隔壁と、その隔壁の開口部内に形成された機能層と、その機能層を覆って形成された電極とを備えている。特に、有機発光層などの機能層を液相材料により形成する場合には、隔壁の開口部内に機能層の液相材料を配した後、乾燥させて形成する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許３３２８２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の有機ＥＬ素子においては、平坦化層は、例えばアクリル等の有機樹脂材料により形成され、ガスを発生させる不純物を含んでいる。そのため、製造工程や製造後において、平坦化層からガスが発生し、有機ＥＬ素子の性能を劣化させる虞がある。そのため、平坦化層を省略することが考えられる。
【０００４】
しかし、大型パネルにおいては、電圧降下によるパネル内の輝度ムラを抑制するために、電源配線の容量が大きくなる。隔壁に形成する開口部の大きさとＴＦＴ等を形成する領域とを確保するために、電源配線の幅には上限がある。そのため、電源配線の容量は、厚さを大きくすることで確保せざるを得ない。このため、電源配線の厚さは、少なくとも１μｍ以上となり、電源配線を覆う層間絶縁膜のみでは、電源配線の厚さによって機能層に形成された段差部のカバリッジが困難になる。
【０００５】
その結果、層間絶縁膜上に形成された電極を覆う機能層に欠陥を生じ、層間絶縁膜上に形成された電極と、機能層を覆う電極とが、段差部の近傍でショートするという課題がある。これらの電極がショートすると、有機ＥＬ素子の効率や発光性能が低下して、有機ＥＬ装置の表示品質が低下する。
【０００６】
また、有機ＥＬ装置がトップエミッション型の場合、外光の反射を防ぐために隔壁の開口部の周辺の反射率を抑制する必要がある。しかし、比抵抗が低いことなどから、電源配線として反射性の高い金属材料が用いられることが多い。そのため、電源配線の一部が隔壁の開口部の内側に露出すると、電源配線が外光を反射して有機ＥＬ素子のコントラストが低下してしまうという課題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、電極のショートを防止することができ、効率が高く、発光性能が良好な有機ＥＬ素子を提供するものである。また、電源配線による外光の反射を防止することができる有機ＥＬ素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ素子は、基板と、前記基板上に形成された電源配線と、前記電源配線を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成され、前記第一電極を区画しかつその上部を露出させる開口部が形成された隔壁と、前記隔壁の開口部内に設けられた機能層と、前記機能層を覆って設けられた第二電極と、を備え、前記電源配線の厚さにより前記機能層に形成された段差部を覆うように絶縁層が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
このように構成することで、電源配線の厚さにより機能層に段差部が形成され、その段差部の近傍で機能層に欠陥を生じた場合であっても、その欠陥を絶縁層により覆い、第一電極と第二電極とを電気的に絶縁することができる。したがって、第一電極と第二電極とのショートを防止することができ、効率が高く、発光性能が良好な有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記電源配線の厚さは、１μｍ以上であることを特徴とする。
このように構成することで、電源配線の幅が必要以上に大きくなることを防止しつつ、電源配線の断面積を増加させ、電気抵抗を低下させることができる。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記絶縁層は、遮光性を有する材料により形成され、少なくとも前記隔壁の開口部の内側に露出した前記電源配線と平面的に重なるように形成されていることを特徴とする。
このように構成することで、第二電極側から入射する外光を絶縁層により遮蔽して、開口部の内側に露出した電源配線に到達することを防止できる。したがって、第二電極側から入射した光が電源配線によって第二電極側に反射されることを防止できる。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記電源配線は、アルミニウムにより形成されていることを特徴とする。
このように構成することで、電源配線の比抵抗を十分に低下させ、電源配線を容易かつ低コストに形成することができる。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記絶縁層は、有機樹脂材料により形成されていることを特徴とする。
このように構成することで、絶縁層の形成時には、有機樹脂材料を溶媒等に溶解させて液状化し、液状化された有機樹脂材料の液滴を吐出して絶縁層を形成する液滴吐出法を用いることができる。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記隔壁の少なくとも外光が入射する側が光吸収性を有する材料により形成されていることを特徴とする。
このように構成することで、隔壁に入射した外光が、隔壁により反射されることを防止できる。
【００１５】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に形成された第一電極と第二電極との間に機能層を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基板上に、電源配線を形成する工程と、前記電源配線を覆うように、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に、前記第一電極を形成する工程と、前記第一電極上に絶縁材料層を形成し、前記絶縁材料層に、前記第一電極を区画しかつその上部を露出させる開口部を形成して隔壁を形成する工程と、前記開口部内に機能層を形成する工程と、前記電源配線の厚さにより前記機能層に形成された段差部を覆うように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層および前記機能層を覆って第二電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
このように製造することで、電源配線の厚さにより、機能層に段差部が形成され、その段差部の近傍で機能層に欠陥を生じた場合であっても、その欠陥を絶縁層により覆い、第一電極と第二電極とを電気的に絶縁することができる。したがって、第一電極と第二電極とのショートを防止することができ、効率が高く、発光性能が良好な有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００１７】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記絶縁層は、液滴吐出法を用いて形成することを特徴とする。
このように製造することで、機能層に形成された段差部の近傍に精度よく絶縁層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
【００１９】
（有機ＥＬ装置）
図１は本実施形態の有機ＥＬ装置１の概略構成を示す断面図である。図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の概略構成を示す平面図である。ここで、図２では、後述する共通電極１７、接着層および封止基板を省略している。また、図１の断面図は、図２のＩ−Ｉ線に沿う断面に対応している。
図１及び図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２上にマトリクス状に配置された多数の有機ＥＬ素子２０の機能層１５から射出された光を、有機ＥＬ素子２０が形成された基板２とは反対側から取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置である。
【００２０】
基板２は、例えば、Ｓｉ（シリコン）等により形成され、基板２上には、例えば、ＳｉＯ２（シリコン酸化物）等により絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３上には、個々の有機ＥＬ素子２０に対応して駆動用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４が設けられている。駆動用ＴＦＴ４は、絶縁膜３上に形成された半導体層５と、半導体層５のチャネル領域にゲート絶縁膜（図示略）を介して対向配置されたゲート電極６と、を備えている。そして、ゲート絶縁膜及びゲート電極６を覆って、第一層間絶縁膜７が形成されている。第一層間絶縁膜７は、例えば、ＳｉＯ２（シリコン酸化物）等の絶縁材料により形成されている。
【００２１】
第一層間絶縁膜７上にはソース電極８及びドレイン電極９が形成され、それぞれ、コンタクトホール７ａ，７ｂを介して半導体層５のソース領域及びドレイン領域に接続されている。ソース電極８は、第一層間絶縁膜７上に形成された電源線（電源配線）１０３に接続されている。
電源線１０３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等により形成され、厚さｔは少なくとも１μｍ以上に形成されている。本実施形態では、厚さｔは、例えば数μｍ程度に形成されている。基板２上には、この電源線１０３の厚さｔによって段差が形成されている。
【００２２】
これら駆動用ＴＦＴ４及び電源線１０３を覆って、第二層間絶縁膜（層間絶縁膜）１０が形成されている。第二層間絶縁膜１０は、例えば、第一層間絶縁膜７と同様の材料により形成されている。ここで、第二層間絶縁膜１０の膜厚は、たとえば、約６００ｎｍ程度に形成されている。
【００２３】
第二層間絶縁膜１０上には、有機ＥＬ素子２０の陽極である画素電極（第一電極）１１が形成されている。画素電極１１は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の反射性を有する導電性材料により形成されている。画素電極１１は、第二層間絶縁膜１０を貫通してドレイン電極９に到達するコンタクトホール１０ａを介してドレイン電極９に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ４のゲート電極６は、後述するように、スイッチング用ＴＦＴ１１２に接続されて画素信号を保持する保持容量ｃａｐと電気的に接続されている。
【００２４】
画素電極１１上には、無機隔壁１２と、無機隔壁１２上に形成された有機隔壁１３とからなる隔壁１４が形成されている。隔壁１４には、画素電極１１を有機ＥＬ素子２０ごとに区画し、かつ画素電極１１の上部（基板２と反対側の面）を露出させる開口部１４ａが形成されている。また、有機隔壁１３の端部（開口部１４ａを規定する部分）は無機隔壁１２の端部（開口部１４ａを規定する部分）よりも開口部１４ａの外縁側に形成されている。
【００２５】
開口部１４ａの内側には、図１に示すように、機能層１５が設けられている。ここでは図示を省略するが、機能層１５は、画素電極１１側に形成された正孔注入・輸送層と、その上に積層されて形成された発光層と、を備えている。正孔注入・輸送層は、例えば、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）の分散液、すなわち、ポリスチレンスルフォン酸を分散媒として、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液等の液相材料を乾燥させることにより形成されている。また、発光層は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料により形成されている。特にフルカラー表示を行う場合には、赤色、緑色、青色の各波長域に対応する光を発光する材料が用いられる。
【００２６】
ここで、発光層の形成材料としては、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。さらに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの燐光材料を用いることもできる。
【００２７】
ここで、本実施形態の有機ＥＬ素子２０は、図１に示すように、電源線１０３の厚さｔによって基板２上に階段状の段差が形成されている。また、図２に示すように、電源線１０３は、一部が隔壁１４の開口部１４ａの内側に露出されている。そして、電源線１０３の厚さｔによる段差によって、開口部１４ａの内側の第二層間絶縁膜１０、無機隔壁１２、及び機能層１５に、階段状の段差部Ｄが形成されている。
【００２８】
そして、機能層１５に形成された段差部Ｄを覆うように、絶縁層１６が形成されている。絶縁層１６は、図２に示すように、少なくとも隔壁１４の開口部１４ａの内側に露出した電源線１０３と平面的に重なるように形成されている。絶縁層１６は、例えば、アクリルやポリイミド等の有機樹脂材料により形成されている。また、本実施形態では、絶縁層１６は、例えば、上述の有機樹脂材料にカーボンブラック等を混合した遮光性を有する材料により形成されている。
【００２９】
機能層１５上には、機能層１５及び隔壁１４を覆って、有機ＥＬ素子２０の陰極である共通電極（第二電極）１７が設けられている。共通電極１７は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の光透過性を有する導電性材料により形成されている。
また、図示は省略するが、共通電極１７上には、光透過性を有する接着層を介して、例えば、ガラスや石英等の透明な材料により形成された封止基板が貼着されている。
【００３０】
図３は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の配線構造を示す模式図である。図３に示すように、有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線（電源配線）１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａを形成したものである。
【００３１】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極６に供給される駆動用ＴＦＴ４と、この駆動用ＴＦＴ４を介して電源線１０３に電気的に接続したときに、電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１と、この画素電極１１と共通電極１７との間に挟み込まれた機能層１５とが設けられている。
なお、画素電極１１と機能層１５と共通電極１７とにより、有機ＥＬ素子２０が構成されている。
【００３２】
このような構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ４のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ４のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１に電流が流れ、さらに機能層１５を介して共通電極１７に電流が流れる。すると、機能層１５はこれを流れる電流量に応じて発光する。
【００３３】
次に、この実施の形態の作用について説明する。
図１に示すように、本実施形態では、電源線１０３の厚さｔにより無機隔壁１２及び機能層１５に形成された段差部Ｄを覆うように絶縁層１６が形成されている。そのため、段差部Ｄの近傍で無機隔壁１２、機能層１５等に、段切れや断線等の欠陥を生じた場合であっても、その欠陥を絶縁層１６により覆い、画素電極１１と共通電極１７とを電気的に絶縁することができる。したがって、画素電極１１と共通電極１７とのショートを防止することができ、機能層１５の発光効率が向上し、有機ＥＬ素子２０の発光性能が向上される。
【００３４】
また、電源線１０３の厚さｔによる機能層１５、無機隔壁１２等の欠陥を防止できるため、有機平坦化層を形成しない場合であっても、電源線１０３の厚さを１μｍ以上に形成することができる。これにより、電源線１０３の幅Ｗ（図２参照）が必要以上に大きくなることを防止しつつ、電源線１０３の断面積を増加させ、電気抵抗を低下させることができる。したがって、電源線１０３の容量を増加させ、より多くの電流を供給することができる。
【００３５】
また、電源線１０３は、Ａｌにより形成されているので、電源線１０３の比抵抗を十分に低下させ、電源線１０３を容易かつ低コストに形成することができる。一方で、Ａｌは光に対する反射性が高いため、共通電極１７側から入射した外光が電源線１０３により共通電極１７側に反射されやすくなる。
【００３６】
しかし、本実施形態では、絶縁層１６は遮光性を有する材料により形成され、図１及び図２に示すように、隔壁１４の開口部１４ａの内側に露出した電源線１０３と平面的に重なるように形成されている。そのため、共通電極１７側から入射する光を、絶縁層１６により遮蔽して、開口部１４ａの内側に露出した電源線１０３に到達することを防止できる。したがって、共通電極１７側から入射した光が電源線１０３によって共通電極１７側に反射されることを防止できる。したがって、有機ＥＬ装置１のコントラストを向上させることができる。
【００３７】
また、絶縁層１６は、有機樹脂材料により形成されているので、絶縁層１６の形成時には、有機樹脂材料を溶媒等に溶解させて液状化し、液状化された有機樹脂材料の液滴を吐出して絶縁層１６を形成する液滴吐出法を用いることができる。これにより、絶縁層１６の材料を段差部Ｄの近傍に精度よく配置して、絶縁層１６を精度よく形成することができる。
【００３８】
加えて、隔壁１４のうち、少なくとも有機隔壁１３を、絶縁層１６と同様に遮光性を有する材料により形成した場合には、隔壁１４に入射した外光が隔壁１４により反射されることを防止できる。したがって、したがって、有機ＥＬ装置１のコントラストを向上させることができる。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態によれば、画素電極１１と共通電極１７とのショートを防止することができ、効率が高く、発光性能が良好な有機ＥＬ素子２０を提供することができる。また、有機ＥＬ素子２０の絶縁層１６、及び隔壁１４等により外光の反射を防止してコントラストが向上された有機ＥＬ装置１を提供することができる。
【００４０】
（有機ＥＬ素子の製造方法）
次に、本実施形態の有機ＥＬ素子２０及び有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、基板２上に絶縁膜３を形成する。
次いで、絶縁膜３上に駆動用ＴＦＴ４の半導体層５と、半導体層５を覆うゲート絶縁膜（図示略）を形成し、その上にゲート電極６を形成する。そして、半導体層５に不純物をドープしてソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を形成する。同様に、スイッチング用ＴＦＴ１１２及び上述の配線や回路等を形成する。そして、これらを覆うように第一層間絶縁膜７を形成し、フォトリソグラフィ法により、第一層間絶縁膜７を貫通し、半導体層５のソース領域及びドレイン領域に到達するコンタクトホール７ａ，７ｂを形成する。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に示すように、第一層間絶縁膜７上に電源線１０３を形成する。次いで、第一層間絶縁膜７上にソース電極８およびドレイン電極９を形成する。ソース電極８は電源線１０３に接続されるように形成する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、これらを覆うように第二層間絶縁膜１０を形成する。このとき、電源線１０３の厚さｔにより、第二層間絶縁膜１０に段差が形成される。その後、フォトリソグラフィ法により、第二層間絶縁膜１０を貫通し、ドレイン電極９に到達するコンタクトホール１０ａを形成する。
次に、図４（ｄ）に示すように、第二層間絶縁膜１０上に画素電極１１を形成し、コンタクトホール１０ａを介してドレイン電極９に接続する。
【００４２】
次いで、図５（ａ）に示すように、画素電極１１及び第二層間絶縁膜１０を覆うようにベタ状の無機材料層（絶縁材料層）１２０を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、無機材料層１２０に画素電極１１を区画するとともに画素電極１１の上部を露出させる開口部１２ａを形成して、無機隔壁１２を形成する。また、無機隔壁１２には、第二層間絶縁層１０に形成された段差により、段差部Ｄが形成される。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、第二層間絶縁膜１０、画素電極１１、及び無機隔壁１２を覆って有機材料層（絶縁材料層）１３０を形成し、フォトリソグラフィ法により有機材料層１３０に開口部１３ａを形成して有機隔壁１３を形成する。このとき、有機隔壁１３の開口部１３ａは、無機隔壁１２の開口部１２ａよりも一回り大きく形成する。これにより、無機隔壁１２と有機隔壁１３とを備え、無機隔壁１２の開口部１２ａと有機隔壁１３の開口部１３ａからなる開口部１４ａが形成された隔壁１４が形成される。
【００４４】
次に、画素電極１１の表面を洗浄処理し、続いて、画素電極１１と無機隔壁１２と有機隔壁１３とを形成した側の面酸素プラズマ処理を行う。これにより、表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板２を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。
【００４５】
次いで、撥液化処理を行うことにより、特に有機隔壁１３の上面及び側面の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基板２を室温まで冷却することで、有機隔壁１３の上面及び側面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極１１の露出面および無機隔壁１２についても多少の影響を受けるが、画素電極１１の材料であるＩＴＯおよび無機隔壁１２の構成材料であるＳｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、酸素プラズマ処理で濡れ性が向上した面は濡れ性がそのままに保持される。
次に、基板２を、例えば、２００℃程度の温度に加熱してアニール処理を行う。
【００４６】
次いで、図１に示すように、隔壁１４に囲まれた開口部１４ａ内に正孔注入・輸送層及び有機発光層からなる機能層１５を形成する。この正孔注入・輸送層の形成工程では、スピンコート法や液滴吐出法が採用されるが、本実施形態では、開口部１４ａ内に正孔注入・輸送層の形成材料を選択的に配する必要上、特に液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。このインクジェット法により、正孔注入・輸送層の形成材料であるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの分散液を画素電極１１の露出面上に配し、その後、熱処理（乾燥・焼成処理）を、例えば、２００℃で１０分間程度行うことにより、厚さ２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の正孔注入・輸送層を形成する。なお、この正孔注入・輸送層の形成方法については、特に無機隔壁１２や有機隔壁１３によって画素領域Ａを区画しない場合、前記したようにスピンコート法を採用することもできる。
【００４７】
次いで、正孔注入・輸送層上に、発光層を形成する。この発光層の形成工程でも、上記の正孔注入・輸送層の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層の形成材料を正孔注入・輸送層上に吐出し、その後、窒素雰囲気中にて１３０℃で３０分間程度熱処理を行い、隔壁１４に形成された開口部１４ａ内、すなわち画素領域Ａ上に厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の発光層を形成する。なお、発光層の形成材料中に用いる溶媒としては、正孔注入・輸送層を再溶解させないもの、例えば、キシレンなどが好適に用いられる。また、この発光層の形成方法については、特に無機隔壁１２や有機隔壁１３によって画素領域Ａを区画しない場合、正孔注入・輸送層の形成の場合と同様に、スピンコート法を採用することもできる。
【００４８】
次に、電源線１０３の厚さｔにより、第二層間絶縁膜１０、無機隔壁１２及び機能層１５に形成された段差部Ｄを覆うように、絶縁層１６を形成する。絶縁層１６は、形成材料として、例えば、液状化させた有機樹脂材料にカーボンブラック等を混合させた遮光性の液状材料を用い、インクジェット法等の液滴吐出法により液状材料の液滴を吐出して段差部Ｄに配置し、その後、加熱焼成することにより形成する。
【００４９】
次いで、図５（ｄ）に示すように、機能層１５を覆って、ＩＴＯにより共通電極１７を形成する。この共通電極１７の形成では、正孔注入・輸送層や発光層の形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うことにより、画素領域Ａにのみ選択的に形成するのでなく、基板２の略全面に共通電極１７を形成する。
その後、共通電極１７上に接着剤（吸着剤）を用いて接着層を形成し、さらにこの接着層によって封止基板を接着し、封止を行う。
【００５０】
このように製造することで、電源線１０３の厚さｔにより無機隔壁１２及び機能層１５に段差部Ｄが形成され、その段差部Ｄの近傍で無機隔壁１２及び機能層１５に欠陥を生じた場合であっても、その欠陥を絶縁層１６により覆い、画素電極１１と共通電極１７とを電気的に絶縁することができる。したがって、画素電極１１と共通電極１７とのショートを防止することができ、効率が高く、発光性能が良好な有機ＥＬ素子２０を製造することができる。
また、絶縁層１６を液滴吐出法により形成することで、機能層１５に形成された段差部Ｄの近傍に精度よく絶縁層１６を形成することができる。
【００５１】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、光透過性を有する共通電極の材料としては、ＩＴＯの他にも、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては、透明性を確保するうえで、７５ｎｍ程度とするのが好ましく、さらにこの膜厚より薄くするのがより好ましい。
【００５２】
また、上述の実施形態ではトップエミッション方式の有機ＥＬ装置について説明したが、本発明を上述の実施形態とは反対側から光を取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ装置に適用できることは言うまでもない。
また、ＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態における有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態における有機ＥＬ装置の製造工程を説明する断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態における有機ＥＬ装置の製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
２  基板、１０  第二層間絶縁膜（層間絶縁膜）、１１  画素電極（第一電極）、１４  隔壁、１４ａ  開口部、１５  機能層、１６  絶縁層、１７  共通電極（第二電極）、２０  有機ＥＬ素子、１０３  電源線（電源配線）、１２０  無機材料層（絶縁材料層）、１３０  有機材料層（絶縁材料層）、Ｄ  段差部、ｔ  厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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