(57)【要約】 【課題】  樹脂を基膜に用いながら、高温環境での繰り返し使用により相手方端子との接圧低下が生じにくい、異方性導電フィルム、その製造方法、検査装置、検査方法および端子間接続方法を提供する。【解決手段】  本発明の異方性導電フィルムは、架橋された多孔質熱可塑性高分子フィルムの基膜と、基膜を貫通する複数の貫通孔に位置する導電金属膜とを備えることを特徴とする。【選択図】        図１
2009076443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
架橋された多孔質熱可塑性高分子フィルムの基膜と、
前記基膜を貫通する複数の貫通孔に位置する導電金属膜とを備えることを特徴とする、異方性導電フィルム。
【請求項２】
前記多孔質熱可塑性高分子フィルムの構成材料である熱可塑性高分子は、その曲げ弾性率が０．１〜３００ＭＰａであることを特徴とする、請求項１に記載の異方性導電フィルム。
【請求項３】
前記多孔質熱可塑性高分子の構成材料である熱可塑性高分子が、オレフィン系熱可塑性エラストマー、密度０．９１ｇ／ｃｍ２以下の超低密度ポリエチレン、シンジオタクチック1,2−ポリブタジエン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン／ビニリデンフルオライドの三元共重合体のうちのいずれか一つ、または、これら熱可塑性高分子の２つ以上の混合物から構成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の異方性導電フィルム。
【請求項４】
前記多孔質熱可塑性高分子フィルムは、抽出法または延伸法で製造されたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項５】
前記架橋された多孔質熱可塑性高分子フィルムは、放射線照射架橋および／または化学架橋によって、架橋されたものであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項６】
前記導電金属膜が、ニッケル、金およびロジウムのうちの２つ以上から構成される多層金属膜であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項７】
多孔質熱可塑性高分子フィルムを準備する工程と、
前記多孔質熱可塑性高分子フィルムに貫通孔を設ける工程と、
前記貫通孔付き多孔質熱可塑性高分子フィルムにめっき触媒付着処理を行う工程と、
前記めっき触媒付着処理の後、前記貫通孔付き多孔質熱可塑性高分子フィルムにめっき処理をして貫通孔に導電金属膜を形成する工程と、
前記いずれかの工程の前または後に、前記多孔質熱可塑性高分子フィルムに対して架橋処理を行う工程とを備えることを特徴とする、異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項８】
熱可塑性高分子樹脂と核剤とを混合し、混合材フィルムを形成する工程と、
前記混合材フィルムに貫通孔を設け、貫通孔付き混合材フィルムを形成する工程と、
前記貫通孔付き混合材フィルムの核剤を抽出して貫通孔付き多孔質フィルムを形成して次に該貫通孔付き多孔質フィルムにめっき触媒付着処理を行う工程、および、前記貫通孔付き混合材フィルムにめっき触媒付着処理を行って次に該めっき触媒付着の貫通孔付き混合材フィルムの核剤を抽出して貫通孔付き多孔質フィルムを形成する工程、のうちのいずれか一方の工程と、
前記めっき触媒付着された貫通孔付き多孔質フィルムにめっき処理を施し、前記貫通孔に導電金属膜を形成する工程と、
前記いずれかの工程の前または後に、前記フィルムの熱可塑性高分子樹脂に対する架橋処理を行う工程とを備えることを特徴とする、異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記架橋処理において、電子線照射を行い、該電子線照射の吸収線量を５０ｋＧｙ〜１０００ｋＧｙとすることを特徴とする、請求項７または８に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記貫通孔を設ける工程において、ドリル、パンチなどの機械加工、金型によるモールド成形加工、またはレーザー、Ｘ線などの電磁波アブレーション加工を用い、前記機械加工またはモールド成形加工による貫通孔を設ける工程の後、バリを除去するためのエッチングをしないことを特徴とする、請求項７〜９のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法で製造されたことを特徴とする、異方性導電性フィルム。
【請求項１２】
半導体装置の検査装置であって、該半導体装置の電極端子に、請求項１〜６、１１のいずれかに記載の異方性導電フィルムの前記導電金属膜が接触するように当該異方性導電フィルムを配置したことを特徴とする、検査装置。
【請求項１３】
半導体装置の検査方法であって、該半導体装置の電極端子と、検査装置の端子との間に、請求項１〜６、１１のいずれかに記載の異方性導電フィルムを介在させることを特徴とする、検査方法。
【請求項１４】
前記半導体装置の出荷検査において、用いることを特徴とする、請求項１３に記載の検査方法。
【請求項１５】
前記半導体装置の出荷の全数検査において、用いることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の検査方法。
【請求項１６】
半導体装置の電極端子と、検査装置の端子との接続方法であって、前記半導体装置の電極端子と、前記検査装置の端子との間に、請求項１〜６、１１のいずれかに記載の異方性導電フィルムを介在させることを特徴とする、端子間接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電フィルム、その製造方法、検査装置、検査方法および端子間接続方法に関し、より具体的には、微細ピッチの複数の電極端子配列を持つ２つの装置間に介在してそれらの端子間の電気的接続を容易にすることができる異方性導電フィルム、その製造方法、その異方性導電フィルムを用いた検査装置、検査方法および端子間接続方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの半導体装置に用いられるプリント回路基板などでは、電極間のピッチが狭くなり高密度化・複雑化する傾向が高まっている。このようなＬＳＩの回路基板のリード電極と他の回路端子などとの電気的な接続を容易化するために、従来より、これらの間に異方性導電フィルムを介在させることが行われている。たとえばＬＳＩの検査の際に、異方性導電フィルムを介在させることにより、ＬＳＩの電極端子と検査装置の端子との間の電気的接続を容易に実現することができる。
【０００３】
上記のような異方性導電フィルムとして次のものが知られている。繊維を編んで形成したメッシュシートに、感光剤をパターンに合わせて充填塗布して露光・現像して透過パターンを形成し、その透過パターンに金属めっきを充填して導通パターンを形成した導電シートが開示されている（特許文献１）。上記の導電シートは、メッシュという支持体があるため、導電パターンを透過部に確実に埋め込んで製造することができ、製造が容易である。しかし、上記のようなＬＳＩの検査に用いる異方性導電シートは、異なる部品上の電極端子同士を接触させて導通を確保するために、厚み方向に弾性的に変形・復元可能であることが要求される。異方性導電シートの導電部を加圧して圧縮変形させることにより、上記回路基板の寸法精度、とくにリード電極の厚み方向位置にばらつきがあっても当該ばらつきを吸収して確実に電気的接続を可能にできる。また上記圧縮変形に対して十分な復元力を持つことにより、異方性導電シートの導電部は、繰り返し使用しても回路基板の電極と所定値以上の圧力で接触し、このため低い接触抵抗で接触することができる。
【０００４】
上記のような、厚さ方向にのみ導電性を有し、加圧に対して厚み方向に弾性変形し復元可能な変形をすることができるものとして、多孔質樹脂シートが提案された（特許文献２）。この多孔質樹脂シートは、ポリオレフィンやポリウレタンなどの電気絶縁性の多孔質材料の一定領域において、個々の成分を金属層で被覆しながら導電路を形成する。上記一定領域では導電性を持つが、隣接領域は絶縁性であるため、上記一定領域に限定して、厚み方向にのみ導電路を形成することができる。
【０００５】
上記のＬＳＩの検査においては、しかしながら、ＬＳＩのエレクトロマイグレーションなどに起因する経年劣化を促進するために、ＬＳＩをたとえば１２５℃以上の雰囲気中で試験するバーインテストが行われる。このため、異方性導電フィルムにも耐熱性が求められ、たとえば１２５℃以上において繰り返し復元性が求められる。上記のポリオレフィンやポリウレタンの多孔質材料は、耐熱性に乏しく、高温環境では弾性復元性を確保することが難しい。以後の説明では、高温環境とは、１２５℃以上に限定されず、ＬＳＩの経年劣化促進に用いられる高温環境をさし、常温よりも十分高温の環境、たとえば１２５℃未満の所定温度以上の環境または１２５℃超えの所定温度以上の環境であってよい。
【０００６】
上記の問題を克服するため、耐熱性に優れ、弾性変形の復元性を有する材料として多孔質ＰＴＦＥ(Polytetrafluoroethylene)を用いた異方性導電フィルムの提案がなされた（特許文献３、４）。この異方性導電フィルムでは、多孔質ＰＴＦＥに貫通孔を設け、この貫通孔の壁面に無電解めっきで導電金属膜を形成して導電路とする。この異方性導電フィルムを構成する多孔質ＰＴＦＥは耐熱性が高く、かつ弾性復元性も良好であるので、上記の問題を克服しており、ＬＳＩのバーインテストに利用されている。
【特許文献１】特開平１０−３２１９８９号公報
【特許文献２】特開平１０−１４４７５０号公報
【特許文献３】特開２００４−１４９７２２号公報
【特許文献４】特開２００５−４６９９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の異方性導電フィルムでは、たとえばその厚さの最大２５％程度の圧縮ひずみを、繰り返し安定的に付加できることが要求される。しかしながら、上記の多孔質ＰＴＦＥを基材とする異方性導電フィルムは、上記高温環境下で繰り返し使用すると、クリープ変形を生じ、使用回数の増大とともに復元性が減少する。このため、接触対象の端子との接圧が低下して接触抵抗が増大し、導電性が劣化する。また、上記の接圧の低下は、ＰＴＦＥの弾性率が温度上昇により急激に低下すること（軟化）にも起因している。このようなクリープ現象および温度上昇に伴う急激な軟化は、ＰＴＦＥに限らず、樹脂を基材に用いる限り、避けることができないと考えることもできる。
【０００８】
また、上記のような高温環境下で使用される異方性導電フィルムは、高温下で、絶縁性向上のために使用されるエラストマー構成材料（シリコン等）に起因するガスたとえばシロキサンガス等を発生しないことも重要な特性となる。さらに、上記の多孔質ＰＴＦＥ等では、貫通孔を設ける際に固形物を充填して機械加工で穿孔するが、貫通孔の縁にバリが発生するため、バリ除去のためのエッチングをする必要がある。このようなバリ除去エッチング処理は、製造コストを増大させることになり、省略が望まれている。
【０００９】
要求される種々の困難な特性を考慮すると、上述のように樹脂を基膜に用いる限り、満足できるものは無いのではないかというのが一般の趨勢である。しかしながら、一方で、樹脂は柔軟性が高いため、被測定対象のＬＳＩ等に損傷を与えることがなく、取り扱いも容易で、かつ安価であるため、樹脂を異方性導電フィルムの基膜から除外することは、実用的観点から難しい。
【００１０】
本発明は、樹脂を基膜に用いながら、高温環境での繰り返し使用により相手方端子との接圧低下が生じにくい、異方性導電フィルム、その製造方法、検査装置、検査方法および端子間接続方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の異方性導電フィルムは、架橋された多孔質熱可塑性高分子フィルムの基膜と、基膜を貫通する複数の貫通孔に位置する導電金属膜とを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、高温環境で繰り返し使用した後、所定以上の接圧を保持し、十分な導通安定性を維持することができる。すなわち多孔質熱可塑性高分子は、架橋されることによって、高分子間に結合が張り巡らされて、構造的または力学的に一体性を高め、高温下でのクリープや軟化の度合いが抑制される。この結果、本発明の異方性導電フィルムは、樹脂を基膜に用いながら、高温下での繰り返し使用で接圧低下を生じにくい特性を実現することができる。さらに、高温下でガスを発生せず、また、機械加工等で貫通孔を設けた際に、貫通孔縁のバリ生成を軽減することができる。そして、これらの諸特性を確保した上で、経済性にも優れている。なお、基膜は、異方性導電フィルムの主な構成要素となる絶縁性フィルムをいう。
【００１３】
上記の多孔質熱可塑性高分子フィルムの構成材料である熱可塑性高分子については、その曲げ弾性率を０．１〜３００ＭＰａとすることができる。この結果、高温での弾性復元性能は架橋構造で確保しながら、小さい圧力で大きなストロークを得ることができる。
【００１４】
上記の多孔質熱可塑性高分子の構成材料である熱可塑性高分子を、オレフィン系熱可塑性エラストマー、密度０．９１ｇ／ｃｍ２以下の超低密度ポリエチレン、シンジオタクチック1,2−ポリブタジエン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン／ビニリデンフルオライドの三元共重合体のうちのいずれか一つ、または、これら熱可塑性高分子の２つ以上の混合物とすることができる。これによって、小さい圧力で大きなストロークとした上で、良好な高周波特性を得ることができる。
【００１５】
上記の多孔質熱可塑性高分子フィルムは、抽出法または延伸法で製造されたものとすることができる。これによって、貫通孔の壁を構成する基膜に、導電金属膜を強固に付着することができ、高温環境での繰り返し使用によって脱離を生じない導電金属膜を得ることができる。
【００１６】
上記の熱可塑性高分子に含まれる直鎖状ポリオレフィンを、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、或いはエチレン−オクテン共重合体からなる群から選択された少なくとも１種とすることができる。
【００１７】
架橋された多孔質熱可塑性高分子フィルムとして、放射線照射架橋および／または化学架橋によって、架橋したものを用いることができる。これによって、強固に架橋され、高温環境でクリープを生じにくく、軟化の程度が抑制された多孔質熱可塑性高分子を得ることができる。なお、放射線照射は、電子線照射、イオン照射などを用いることができる。
【００１８】
導電金属膜を、ニッケル、金およびロジウムのうちの２つ以上から構成される多層金属膜とすることができる。これによって、常温および高温の両方の環境で、長期間にわたって低接触抵抗を確保することができる。
【００１９】
本発明の異方性導電フィルムの製造方法は、多孔質熱可塑性高分子フィルムを準備する工程と、多孔質熱可塑性高分子フィルムに貫通孔を設ける工程と、貫通孔付き多孔質熱可塑性高分子フィルムにめっき触媒付着処理を行う工程と、めっき触媒付着処理の後、貫通孔付き多孔質熱可塑性高分子フィルムにめっき処理をして貫通孔に導電金属膜を形成する工程とを備える。そして、上記のいずれかの工程の前または後に、多孔質熱可塑性高分子フィルムに対して架橋処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によって、多孔質熱可塑性高分子フィルムを準備するのが容易な場合に、高温環境で、クリープを生じにくくかつ軟化しにくい基膜を得て、その基膜の貫通孔に導電金属膜を付着させて、所定位置において厚み方向にのみ導電路を形成することができる。
【００２１】
上記の貫通孔を設ける際、多孔質熱可塑性高分子フィルムについて、同じ材料層もしくは異なる材料層で表面側および裏面側を被覆状態または増厚状態とし、めっき触媒付着処理の後でめっき処理の前に、表面側および裏面側の被覆分または増厚分を除去しておくことができる。これによって、めっき処理の際に、めっき触媒付着箇所は貫通孔の壁のみとして、導電金属膜を貫通孔の壁にのみ形成することができる。すなわち多孔質熱可塑性高分子フィルムの表面側および裏面側に、めっき処理によって導電金属膜を形成しないようにできる。なお、被覆材料または増厚材料は、多孔質樹脂層のマスク層や、貫通孔を設ける際に多孔質熱可塑性高分子フィルムに充填する固形物を表裏面に余剰厚みとして形成したものとすることができる。
【００２２】
本発明の他の異方性導電フィルムの製造方法は、熱可塑性高分子樹脂と核剤とを混合し、混合材フィルムを形成する工程と、混合材フィルムに貫通孔を設け、貫通孔付き混合材フィルムを形成する工程とを備える。次いで、｛（貫通孔付き混合材フィルムの核剤を抽出して貫通孔付き多孔質フィルムを形成して次に該貫通孔付き多孔質フィルムにめっき触媒付着処理を行う工程）、および、（貫通孔付き混合材フィルムにめっき触媒付着処理を行って次に該めっき触媒付着の貫通孔付き混合材フィルムの核剤を抽出して貫通孔付き多孔質フィルムを形成する工程）、のうちのいずれか一方の工程｝と、めっき触媒付着された貫通孔付き多孔質フィルムにめっき処理を施し、貫通孔に導電金属膜を形成する工程とを備える。そして、いずれかの工程の前または後に、フィルムの熱可塑性高分子樹脂に対する架橋処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００２３】
上記の構成によって、多孔質熱可塑性高分子フィルムを前もって準備することなく、異方性導電フィルムを製造する一連の工程のなかで、高温環境で、クリープを生じにくくかつ軟化しにくい基膜を得ることができる。また、機械加工等により貫通孔を設ける際、多孔質状態になっている場合には固形物を充填する必要があるが、貫通孔の穿孔時、混合材フィルムは多孔質状態ではないので、固形物を充填する必要がない。
【００２４】
貫通孔の形成の前に、混合材フィルムについて、同じ材料層もしくは異なる材料層で表面側および裏面側を被覆状態または増厚状態とし、めっき触媒付着の後でめっき処理の前に、表面側および裏面側の被覆分または増厚分を除去しておくことができる。これによって、めっき処理の際に、めっき触媒付着箇所は貫通孔の壁のみとして、導電金属膜を貫通孔の壁にのみ形成することができる。
【００２５】
架橋処理において、電子線照射を行い、該電子線照射の吸収線量を５０ｋＧｙ〜１０００ｋＧｙとすることができる。これによって、電子線照射という実施が容易な方法によって、熱可塑性高分子樹脂の架橋を確実に行うことができる。
【００２６】
上記の導電金属膜を形成するめっき処理を無電解めっき処理として、該導電金属膜を、ニッケル層、金層およびロジウム層の少なくとも２つの層を含む多層構造とすることができる。これによって、電気絶縁性が高い基膜を貫通する貫通孔に、常温および高温において低接触抵抗を長期間確保できる導電金属膜を、容易に形成することができる。
【００２７】
貫通孔を設ける工程において、ドリル、パンチなどの機械加工、金型によるモールド成形加工、またはレーザー、Ｘ線などの電磁波アブレーション加工を用い、機械加工またはモールド成形加工による貫通孔を設ける工程の後、バリを除去するためのエッチングをしないようにできる。これによって、均一な電極径、精度の高い、電極位置および電極形状を、容易に得ることができる。また、機械加工またはモールド加工において工程省略が可能になり製造コストを低減することができる。
【００２８】
上記のいずれかの異方性導電フィルムの製造方法で製造された異方性導電性フィルムは、それぞれの製造方法に対応する作用効果を奏する。
【００２９】
本発明の検査装置は、半導体装置の検査装置であって、該半導体装置の電極端子に、上記のいずれかの異方性導電フィルムの導電金属膜が接触するように当該異方性導電フィルムを配置したことを特徴とする。また、本発明の検査方法は、半導体装置の検査方法であって、該半導体装置の電極端子と、検査装置の端子との間に、上記のいずれかの異方性導電フィルムを介在させることを特徴とする。また、本発明の端子間接続方法は、半導体装置の電極端子と、検査装置の端子との接続方法であって、半導体装置の電極端子と、検査装置の端子との間に、上記のいずれかの異方性導電フィルムを介在させることを特徴とする。上記の半導体装置には、半導体パッケージ等のほか、半導体パッケージ等の周辺の電子部品も含まれる。たとえばフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、リジッド基板等も含まれる。
【００３０】
上記の構成により、基膜に樹脂を用いた上で、高温環境で接圧低下の生じにくい異方性導電フィルムを用いて、上記検査装置、検査方法および端子間接続方法は、長期間にわたって安定して精度の高い、検査および端子間接続を実現することができる。とくに、出荷に際し、電気検査される半導体装置において、上記の異方性導電フィルムは、有用性を発揮する。また、その検査が製品の全数検査である場合に、有用性を得ることができる。たとえばＦＰＣ等の工場出荷の電気検査において、ＦＰＣに異物細片が付着している場合がある。異物細片はどのような物でもよいが、たとえばＦＰＣ自身の材料である絶縁性樹脂の細片が付着している場合がある。このような場合、上記の異方性導電フィルムは細片の外形に従って局所的に柔軟に弾性変形する。このため、たとえば細片を支点として、異方性導電フィルムの他の箇所を回転させる等の作用を及ぼさない。これにより、細片があることによって、他の位置における端子と電極との電気的接続を阻害することがない。この結果、電気検査において、本来は正常の判定であるべきものを、異常と誤判定させるのを防止することができる。このような誤判定は、全数検査の場合、無視できない数となり、生産性を大きく阻害し、かつ製造現場に無用の混乱を生じる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、樹脂を機膜に用いながら、高温環境での繰り返し使用により相手方端子との接圧低下が生じにくい異方性導電フィルムを得ることができる。その異方性導電フィルムを用いた検査装置、検査方法および端子間接続方法において、高温環境下で繰り返し安定して、精度の高い検査および接続を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における異方性導電フィルム１０を示す平面図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。異方性導電フィルム１０は、電気絶縁体である、架橋された熱可塑性高分子フィルムからなる基膜５１と、その基膜５１を貫通する貫通孔Ｈに設けられた導電金属膜５とを備える。図１に示す導電金属膜５は、貫通孔Ｈの壁面に沿って円筒形に形成されている。図２を参照して、異方性導電フィルム１０は、半導体装置（図示せず）と検査装置（図示せず）の間に挟まれて、両方の電極（図示せず）を押し当てられて、基膜５１が圧縮される状態のまま、高温雰囲気で検査に用いられる（図８において詳しく説明する）。
【００３３】
このような検査を繰り返し行うので、高温で繰り返し使用しても、半導体装置と検査装置の電極端子と所定値以上の接圧を維持して、低い接触抵抗すなわち高い導電性を確保する必要がある。通常、繰り返し使用回数１０００回目の接圧の所定値以上維持を目標に、高温環境で、基膜５１の厚みの２５％の圧縮ストロークを１０００回繰り返した後、導電金属膜５の復元度を測定して指標とする。
【００３４】
１.本発明のポイント
本発明のポイントは次の要素からなる。
（１）密度が小さく、弾性率が小さい（小さい応力で大きく弾性変形する）熱可塑性高分子樹脂に着目した。熱可塑性高分子樹脂は入手も容易である。
（２）この熱可塑性高分子樹脂に架橋処理が行われる。架橋されることによって、熱可塑性高分子樹脂の各高分子は連結されて、巨大な一体高分子構造が形成され、融点は上昇する。
（３）上記の（２）により、多孔質の状態において、高温強度の上昇やクリープの抑制が期待される。
（４）導電金属膜は、これまで繰り返し述べてきた圧縮変形により導電性が向上するように、多孔質熱可塑性高分子樹脂の貫通孔の内壁に絡みつくように形成される。このため、絡みついた導電金属膜の形態は、当然、上記架橋された多孔質熱可塑性高分子樹脂の構造（多孔質構造、多孔質を構成する繊維部分の表面構造など）に影響を受ける。上記の（１）〜（３）の構成を有する基膜の貫通孔に形成した導電金属膜は、内壁にわたって均一に形成され、上記架橋された多孔質熱可塑性高分子樹脂との相性が良い。なお、導電金属膜は、上記のように、架橋された多孔質熱可塑性高分子樹脂の貫通孔の内壁に絡みつくように、圧縮変形可能に形成され、圧縮変形によりまたは圧縮変形せずに厚み方向に導通性を確保するものを指す。すなわち、金属導体の語から想起されるような筒状の剛体ではない。
（５）上記の（１）〜（４）により、またさらに未知の要因により、高温環境での、大きな圧縮ストロークでの繰り返し使用後にも、弾性復元度を所定値以上、維持することができる。
【００３５】
他の樹脂と比較すると、たとえばＰＴＦＥは塑性変形しやすいために、多孔質状態において、架橋した熱可塑性高分子樹脂ほど良好な弾性復元度を得ることができず、接圧が低下しやすい。したがって、耐熱性が高いと言われる樹脂は数多くあるが、耐熱性がいくら高くても、高温での圧縮変形により塑性変形する樹脂は、本発明の実施の形態における基膜５１に用いることはできない。いわゆる耐熱性エンジニアリングプラスチックは、耐熱性はあるが、多孔質構造にしても弾性率が高すぎて通常用いられる圧縮荷重で大きな圧縮ストロークをとることができないか、または多孔質にすることができないものが多い。稀に、多孔質構造にすることができ、その多孔質構造で通常の荷重で大きな圧縮ストロークをとることができても、上記の多孔質ＰＴＦＥのように塑性変形しやすいために、高温での繰り返し使用により、接圧を維持することができない。
【００３６】
また、架橋しない熱可塑性高分子樹脂は、弾性率が小さく、多孔質構造において、通常の圧縮応力で大きな圧縮ストロークを得ることができるが、高温での繰り返し使用によってクリープを生じ、塑性変形を生じて、へたってしまう。したがって、架橋しない熱可塑性高分子樹脂は、高温で繰り返し使用後に、弾性復元度を所定レベル以上確保することができない。架橋した熱可塑性高分子樹脂によってはじめて、多孔質構造において高温での大きな圧縮ストロークの繰り返し使用後にも所定値以上の弾性復元度、すなわち所定レベル以上の接圧を確保することができる。要求される弾性復元率について後で詳しく説明する。
【００３７】
本実施の形態における架橋された多孔質熱可塑性高分子基膜５１は、上記の作用効果に加えて、つぎのような作用効果を有する。すなわち、多孔質の基膜５１に貫通孔Ｈを穿孔する際には、後で説明するように、固形物を充填してドリル等による機械加工で穿孔する。多孔質ＰＴＦＥの場合にも、固形物を充填した後で、貫通孔をあける。その際に、多孔質ＰＴＦＥでは、上述のように塑性変形しやすいことと関係すると思われるが、バリが貫通孔の縁に生成しやすく、このため、バリ除去のための湿式エッチングを行う必要があった。しかしながら、架橋した多孔質熱可塑性高分子樹脂では、機械加工による貫通孔の形成の際にバリが生成しにくく、バリ除去のための湿式エッチングを省略することができる。もちろん、わずかのバリも許されない高精度を要する場合には、湿式エッチングを行う場合もあるが、省略できる場合が多い。
【００３８】
熱可塑性高分子樹脂の密度は、最も広くは、いくつでもよく、問わない。たとえば、熱可塑性高分子樹脂の適切なものとして、オレフィン系熱可塑性エラストマー、密度０．９１ｇ／ｃｍ２以下の超低密度ポリエチレン、シンジオタクチック1,2−ポリブタジエン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン／ビニリデンフルオライドの三元共重合体のうちのいずれか一つ、または、これら熱可塑性高分子の２つ以上の混合物をあげることができる。ポリエチレンには、高密度（＞０．９４ｇ／ｃｍ３）、低密度（０．９０〜０．９４ｇ／ｃｍ３）および超低密度（＜０．９０ｇ／ｃｍ３）があるが、最も広くは、どの密度でもよい。ただし、多孔質構造で、高温で大きな圧縮ストロークでの弾性復元性を得るためには、熱可塑性高分子樹脂（非多孔質構造）の密度は、０．９１以下とするのがよい。したがって、ポリエチレンの場合、低密度の低い密度範囲のもの、または超低密度のものがよい。
【００３９】
また、多孔質の架橋された熱可塑性高分子樹脂の上記の特性とは直接関係しないが、基膜５１の（比）誘電率は、２．５以下とするのが、高周波特性の劣化を防止する上で、好ましい。さらに、基膜５１の誘電率は２．３以下とするのがよい。
【００４０】
架橋処理には、放射線照射による方法および化学架橋による方法があるが、どのような架橋方法を用いてもよい。放射線照射のうち、電子線照射は、照射装置自体大きくなく、比較的簡単に実施できる。電子線照射も含めて、放射線照射では、ＣＨ結合のＨを簡単に脱離させることができ、脱離した結合手に酸素が結合しやすいために酸素濃度が上昇する傾向がある。また、化学架橋の場合、基膜を構成する熱可塑性高分子樹脂に化学架橋の薬剤を含んでいる必要があり、化学架橋のために加熱処理を行った後も、これら化学架橋の薬剤は熱可塑性高分子樹脂は残留する。たとえば、シラン架橋の場合はシランカップリング剤が残留するし、過酸化物架橋の場合は過酸化物が残留する。
【００４１】
架橋されているか否かの判定は、熱可塑性高分子樹脂の融点を求めることによっても特定できるし、このような残留物によっても判定することができる。また、化学結合状態の情報を得られるその他の任意の解析方法によっても得ることができる。たとえばラマン散乱解析によって判定することができる。
【００４２】
導電金属膜は、銅、ニッケル、銀、金、ロジウムなど導電性があれば何でもよいが、接触抵抗を高めないようにするために、検査時の環境温度で酸化膜を形成しにくいものが好ましい。導電性確保および上記酸化膜の形成防止のために、多層構造を採用するのがよい。とくにニッケル、金、ロジウムのうちのいずれか２つの多層構造を用いることにより、常温および１２５℃程度以上の高温で繰り返し使用しても、低接触抵抗を確保することができる。
【００４３】
次に、図３を用いて本実施の形態の異方性導電フィルム１０の製造方法について説明する。図３において、まず多孔質熱可塑性高分子フィルム４１を準備する。熱可塑性高分子としては、ポリエチレン、シンジオタクチック−１，２−ポリブタジエン、エチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ）、ポリプロピレン等を用いるのがよい。
【００４４】
１.多孔質熱可塑性高分子フィルム
多孔質熱可塑性高分子フィルム４１は、抽出法によるものでも、延伸法によるものでもよい。抽出法は、熱可塑性高分子樹脂と核剤とを混合して、押し出してフィルム状にした後に、核剤を溶媒中に抽出して核剤が占めていた箇所を空孔として多孔質フィルムを製造する製造方法である。また、延伸法は、熱可塑性高分子樹脂粉末とパラフィンオイル等の低融点材料とを混合して、フィルム状に押し出し、延伸した後に加熱してパラフィンオイル等の低融点材料を排出して空孔とする多孔質フィルムの製造方法である。
【００４５】
多孔質熱可塑性高分子フィルム４１の厚み、または架橋による厚み変化が無視できる架橋された多孔質熱可塑性高分子フィルムの厚みは、通常３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下であり、その下限は通常５μｍであり、好ましくは１０μｍ以上である。たとえば半導体装置の検査の場合、上記の厚みは、５μｍ〜５００μｍ、好ましくは１０μｍ〜２００μｍ、より好ましくは１５μｍ〜１００μｍである。また、多孔質熱可塑性高分子フィルムの気孔率は２０％〜８０％、平均孔径が１０μｍ以下の範囲にあることが望ましい。
【００４６】
抽出法による多孔質熱可塑性高分子フィルム４１としては、株式会社イノアックコーポレーションの市販品MAPS ST30等を用いることができる。延伸法による多孔質熱可塑性高分子フィルム４１としては、旭化成ケミカルズのハイポア（登録商標）等を用いることができる。また、後で説明する本発明の実施の形態２におけるように、上記の抽出法と同じ原理に基づいて、異方性導電フィルムの製造中に、多孔質フィルムとしてもよい。
【００４７】
２.架橋処理
次いで、多孔質熱可塑性高分子フィルム４１に対して、電子線照射による架橋処理を行って、架橋された多孔質熱可塑性高分子フィルム５１を形成する。電子線の吸収線量は、５０ｋＧｙ〜１０００ｋＧｙとするのがよい。架橋処理としては、電子線照射方法が属する放射線照射架橋（イオン照射、Ｘ線照射など）を用いてもよい。また、シランカップリングや過酸化物（ハイパーオキサイド）を用いた化学架橋を行ってもよい。化学架橋を行う場合には、多孔質熱可塑性高分子フィルム４１に予め化学架橋用の薬品を混合しておく必要がある。また、架橋効率を改善するためにトリアリルイソシアヌレートなどの架橋助剤を熱可塑性高分子に配合したり、ノルボルネンなどの二重結合を有する官能基を共重合させたり、側鎖として結合させてもよい。なお、図３では、架橋処理の電子線照射は、マスク層融着の前に行われているが、電子線照射は、図３に示すどの処理の前または後で、行ってもよい。
【００４８】
３.マスクによる被覆
めっき触媒を貫通孔の壁にのみ付着して、導電金属膜を貫通孔に効率よく形成するために、基膜５１の両面にマスク層４１ａを被覆する。マスク層４１ａは、基膜５１と同じ材料である必要はないが、このあと説明するように、固形物を基膜５１に充填して貫通孔を設ける必要があるので、多孔質膜とするのがよい。基膜５１にマスク層４１ａを被覆して固定するためには、各層間を融着できるものであること望ましい。また、マスク層４１ａの被覆→貫通孔の形成→めっき触媒付着の後にマスク層４１ａを除去するときも、容易にマスク層４１ａを剥離することができる。
【００４９】
４.貫通孔の形成
（１）準備処理−固形物の充填−
図４を参照して、貫通孔の形成に先立って、多孔質構造に液体または溶液を含浸させ、これを固形化する。したがって液体または溶液は、固形物を形成することができるものとなる。また、この固形物は、容易に除去できるものとするため、融解または溶解できるものとする。上記の液体または溶液は、含浸時の状態で表現しており、その中には常温で固体状態のものも含まれる。たとえば凝固点または融点が高く、常温（１５℃〜３０℃）で固体である材料は、加熱して液体（融液）にしてから、多孔質材料に含浸させ、含浸後に、凝固点または融点以下に冷却して固化させる。
【００５０】
常温で固体の材料を溶剤に溶かして溶液として用いる場合、ポリマー、パラフィン、ナフタレンなどの常温で固体の材料を溶解することができ、熱可塑性高分子に対して不溶性または難溶性で、非侵食の溶剤を用いるのがよい。溶解される材料には、炭化水素、可溶性ポリマー、とくにパラフィン、ナフタレンなどを用いることができる。また、とくに水溶性のポリエチレングリコールを好適に用いることができる。これらの材料は、流延法（キャスト法）または浸漬法（ディップ法）により、多孔質構造内に含浸させ、溶剤を除去することにより、固形物となる。ポリエチレングリコールは常温で固体であるが、含浸時に加熱して溶融状態とし、含浸後に常温にして固体とする。除去するときは、水溶性なので水により溶解除去するので、有機溶剤を用いないメリットを得ることができる。これらの可溶性ポリマーを用いることにより、多孔質であっても高精度の穿孔が可能となる。また、後で説明するように、可溶性ポリマーにより余剰厚みを表裏面に設けることにより、マスク層として被覆層または増厚層を形成することができる。
【００５１】
図４に示すマスク層４１ａは、マスク層に多孔質熱可塑性高分子フィルムを用い、このマスク層４１ａおよび架橋した多孔質熱可塑性高分子フィルム５１の両方に、上記のような可溶性ポリマーのパラフィンを含浸させて、固形物とするプロセスを示している。貫通孔を設けた後、固形物は除去する。
【００５２】
（２）穿孔
穿孔は、ドリルなどによる機械加工、電磁波アブレーション加工、金型によるモールド加工、超音波加工などを用いることができる。上記の固形物を充填させた多孔質材料の穿孔は、とくに機械加工の際に、無孔質材料に対する穿孔と同様に行うことができ、精度よく貫通孔を形成することができる。本発明の実施の形態では、基膜５１に架橋された多孔質熱可塑性高分子膜を用いるため、上記の機械加工において、バリを生じにくいため、機械加工の後で、バリ取りエッチングをしなくて済む利点を得ることができる。
【００５３】
（３）固形物の除去
穿孔の後、多孔質構造に充填された固形物を除去する。固形物がパラフィンの場合には加熱によりまたは溶剤により、それぞれ多孔質構造から除去する。また、上述のようにポリエチレングリコールの場合は、水によって溶解除去する。
【００５４】
５.めっき触媒付着
図４を参照して、絶縁体である多孔質熱可塑性高分子フィルムの貫通孔の壁面にめっき処理により導電金属膜を形成するに際し、金属イオンの還元反応を促進する触媒５５を付着する。めっき処理には無電解めっき法を用いるのがよい。無電解めっき法では、一般に、金属を析出させたい箇所に、還元反応を促進する触媒を予め付着させておく。マスク層４１ａの使用は、貫通孔Ｈの内壁を含む表面全体にめっき触媒５５を付着させた後、多孔質熱可塑性高分子フィルム５１の表裏面を被覆するマスク層４１ａを除去して、めっき触媒付着箇所を貫通孔の内壁に限定するためである。この目的を実現するためには、マスク層４１ａに限定されず、後で説明するように他の手段を用いることができる。
【００５５】
めっき触媒５５の付着は、マスク層４１ａに被覆された多孔質熱可塑性高分子フィルム５１を、攪拌状態のパラジウム−スズコロイド液に浸漬すればよい。この浸漬によって、図４に示すように、貫通孔Ｈの内壁を含む全表面にパラジウム−スズの触媒５５を付着させることができる。
【００５６】
６.マスク層の除去
上述のように、導電金属膜５は、貫通孔Ｈの内壁にのみ形成されればよく、多孔質熱可塑性高分子フィルム５１の表裏面に形成されることは、この部分の絶縁性確保のために避けなければならない。このために、表裏面を被覆した状態で、めっき触媒５５が付着したマスク層４１ａを除去する。マスク層４１ａの除去によって、めっき触媒５５は貫通孔Ｈの内壁に限定される。
【００５７】
７.無電解めっき処理
無電解めっきを行う前に、上記の方法により残留した触媒５５を活性化する。具体的には、めっき触媒活性化用として市販されている有機酸塩等に浸漬することで、スズを溶解し、触媒を活性化する（めっき触媒の語は、上記のように活性化前にも活性化後にも区別しないで用いる）。この後、無電解めっき液に多孔質熱可塑性高分子フィルム５１を浸漬することにより、貫通孔Ｈの内壁面にのみ導電金属膜を析出させ、筒状の導通路が形成される。無電解めっき時間が短すぎると、基膜５１の厚み方向の導電性を確保することが困難になり、また長すぎると筒状の金属膜にならず塊状になり、通常の圧縮荷重では所定の圧縮ストロークを得ることができなくなる。適度なめっき量とすることにより、多孔質構造を維持した状態で、所期の圧縮ストロークを得て、また厚み方向への導電性を確保することが可能となる。
【００５８】
上記の異方性導電フィルムによれば、樹脂を機膜に用いながら、高温環境での繰り返し使用により相手方端子との接圧低下が生じにくい。また、バーインテストなどの高温環境でガスを発生することもない。さらに機械加工による貫通孔の形成の際にバリ発生を抑制することができ、バリ取りの湿式エッチングを省略可能とすることもできる。さらに、誘電率を２．５以下に抑えることができるので、検査時の高周波特性を低下させることもない。また、熱可塑性高分子は入手が容易であり、経済性にも優れている。
【００５９】
（実施の形態２−製造方法の変形例−）
図５は、本発明の実施の形態２における異方性導電フィルム１０の製造方法（実施の形態１の方法の変形）を示す図である。まず、架橋した多孔質熱可塑性高分子フィルム５１を準備する。架橋は、放射線照射架橋によっても化学架橋によってもよい。この架橋した多孔質熱可塑性高分子フィルム５１に対して、多孔質構造を固形物４３で充填し、かつ多孔質熱可塑性高分子フィルム５１の表裏面を被覆層４３ａで被覆する。被覆層４３ａは、充填固形物４３と同じ材料で形成するのが、工程上、有利である。たとえば、可溶性ポリマーとくにパラフィンまたはポリエチレングリコールによって、充填固形物４３および被覆層４３ａを形成するのがよい。
【００６０】
次いで、図５に示すように、貫通孔Ｈを形成する。貫通孔Ｈの内壁には、充填固形物４３および多孔質熱可塑性高分子５１が露出する。次いで、めっき触媒５５を付着する。めっき触媒５５は、貫通孔Ｈの内壁および表裏面側の被覆層４３ａに付着する。貫通孔Ｈでは、めっき触媒５５は、内壁に露出する充填固形物４３および多孔質熱可塑性高分子５１に付着する。次に、被覆層４３ａを溶剤などで除去し、次いで充填固形物４３を、同じく溶剤で除去する。
【００６１】
このとき、貫通孔Ｈの内壁において、充填固形物４３に付着しためっき触媒５５の中には、充填固形物４３とともに除去されるものが出てくる。しかし、少なくとも多孔質熱可塑性高分子５１に付着しためっき触媒５５は、充填固形物４３が抽出除去された後も残留する。また、充填固形物４３の除去によって、多孔質熱可塑性高分子フィルム５１の多孔質構造に空隙が生じる。次いで、無電解めっきを行うと、貫通孔Ｈの内壁に付着するめっき触媒５５の箇所に導電金属膜５が形成される。無電解めっきの前に、めっき触媒５５の活性化処理をするが、説明を省略する。
【００６２】
本発明の実施の形態による製造方法によれば、マスク層を別に準備する必要がなく、充填固形物４３を形成する材料によって、架橋した多孔質熱可塑性高分子フィルム５１の表裏面に余剰厚みの被覆層を形成するので、製造コストを低減することができる。とくに充填固形物４３および被覆層４３ａにポリエチレングリコールを用いる場合には、加熱して一旦溶融状態にして多孔質構造に充填し、かつ被覆層４３ａを形成した後、除去するときには水で溶出除去できるので、有機溶剤を使用しない。このため、廃液処理費用などを低減することができる。
【００６３】
（実施の形態３）
図６は、本発明の実施の形態３における異方性導電フィルム１０を製造する方法を示す図である。まず、熱可塑性高分子樹脂の粉末と、核剤となる樹脂とを混合して混合材フィルムを形成する。混合材フィルムの形成には、核剤の溶剤を用いて混練して溶剤を消散させて固化するなどの方法を用いる。核剤は水溶性であることが望ましい。この混合材フィルムについて、熱可塑性高分子樹脂が架橋するように電子線照射を行うことによって、熱可塑性高分子樹脂が架橋した混合材フィルム５６が形成される。
【００６４】
核剤には、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリアミンサルホン、尿素、チオ尿素、ジシアノジアミド、マンニット、フルクトース、グルコース等の糖類、マンニトール、トリメチロールエタン、ペンタエリスリトール、アクリノール、アコニット酸、アコン酸等を用いることができる。これら核剤に対応した溶剤を用いて、上記の混合材フィルムを形成するのがよい。
【００６５】
次に多孔質マスク層４６ａで、熱可塑性高分子樹脂が架橋した混合材フィルム５６の表裏面を被覆する。（多孔質マスク層４６ａ／混合材フィルム５６／多孔質マスク層４６ａ）を、貫通孔Ｈに対応する凸部６１を有するモールド６０によりモールド成形して貫通孔Ｈを形成する。凸金型６０は、フォトリソグラフィプロセス、高精度高コントラストＸ線マスクを用いたＬＩＧＡプロセス（登録商標）、機械加工などによって製作することができる。
【００６６】
次いで、図６に示すように、貫通孔付きの（多孔質マスク層４６ａ／混合材フィルム５６／多孔質マスク層４６ａ）の核剤を抽出除去して、貫通孔付き（多孔質マスク層４６ａ／多孔質熱可塑性高分子フィルム５１／多孔質マスク層４６ａ）を形成する。この後、めっき触媒５５を、貫通孔Ｈおよび多孔質マスク層４６ａに付着する。次いで、多孔質マスク層４６ａを除去した後、無電解めっきにより貫通孔Ｈの内壁にのみ導電金属膜５を形成して、異方性導電フィルム１０を完成する。
【００６７】
上記の製造方法によれば、多孔質熱可塑性高分子フィルムを準備することなく、製造途中で多孔質熱可塑性高分子フィルムを形成することができる。また、多孔質構造にするのは、モールド成形によって貫通孔を形成した後なので、実施の形態１および２における場合のように、貫通孔形成（穿孔）の際に多孔質構造を固形物で充填する必要がないという利点を得ることができる。なお、図６に示す製造工程のうち、電子線照射による架橋処理は、どの処理工程の前または後で行ってもよい。
【００６８】
（実施の形態４−実施の形態３の製造方法の変形例−）
図７は、本発明の実施の形態４における異方性導電フィルム１０の製造方法を示す図である。本実施の形態の製造方法は、図６に示す実施の形態３の製造方法（図６参照）の変形例である。まず、図６に示すように、電子線照射によって架橋された混合材フィルム５６を準備する。図７を参照して、この架橋された熱可塑性高分子樹脂と核剤との混合材フィルム５６の表裏面を、同じ核剤被覆層４７ａで被覆する。この後、モールド成形加工で貫通孔Ｈを設ける。次いで、めっき触媒５５を、貫通孔Ｈおよび核剤被覆層４７ａ上に付着する。
【００６９】
この後、核剤被覆層４７を溶出除去し、同時に混合材フィルム５６からも核剤を抽出除去する。混合材フィルム５６中の核剤と、核剤被覆層４７ａとを同じ核剤とすれば、除去の際に同じ溶剤を用いて除去することができる。混合材フィルム５６から核剤を抽出除去することにより、多孔質熱可塑性高分子フィルムの基膜５１が形成される。貫通孔Ｈの内壁にはめっき触媒５５が付着しているので、無電解めっきを行うことにより貫通孔Ｈに限定して導電金属膜５を形成することができる。
【００７０】
本実施の形態の製造方法によれば、実施の形態３と同様に、多孔質熱可塑性高分子フィルムを準備することなく、製造途中で多孔質熱可塑性高分子フィルムを形成することができる。また、多孔質構造にするのは、モールド成形によって貫通孔を形成した後なので、実施の形態１および２における場合のように、貫通孔形成（穿孔）の際に多孔質構造を固形物で充填する必要がないという利点を得ることができる。そして、実施の形態３の作用効果に加えて、マスク層を別に準備する必要がなく、核剤を用いて核剤被覆層４７ａを形成することができる。さらに混合材フィルム５６を構成する核剤と同じ核剤により核剤被覆層４７ａを形成することにより、除去の際に同じ溶剤を用いて核剤被覆層４７ａおよび混合材フィルム５６中の核剤を除去することができ、経済性を高めることができる。また、核剤に、水溶性で、常温で固体のポリエチレングリコール等を用いることにより、有機溶剤の使用をしないで、水により除去ができるので、廃液処理費用などを節減でき、さらに経済性を向上することができる。
【００７１】
（実施の形態５−検査装置、検査方法および端子間接続方法−）
図８は、本発明の実施の形態５における検査装置２０，２５，１０を示す断面図である。図８は、また、本発明の実施の形態の一例である検査方法および端子間接続方法を示す図でもある。異方性導電フィルム１０は、検査装置２０に立てられたガイドピン２５によってガイドピン孔５１ｈを貫通されることにより、検査装置の電極２４に位置合わせをされる。すなわち異方性導電フィルム１０の多孔質熱可塑性高分子フィルムの基膜５１を貫通する導通部（導電金属膜）５と、検査装置の配線基板２１に設けられた電極２４とは一対一に向き合わされる。ＬＳＩ等の被検査体３１は、基膜５１にガイドピン２５に沿ってガイドされ、被検査体３０の基板３１に設けられた電極３４は、上記の導通部５と一対一に向き合わされる。
【００７２】
図８は、被検査体３０と、異方性導電フィルム１０と、検査装置２０とにおける、電極または導通部の平面的な位置関係を模式的に示すものであり、実際は、上記３体が接触するように積層されることは、言うまでもない。上記被検査体３０と、異方性導電フィルム１０と、検査装置２０とは接触するように重ねられ、加圧されて、各電極が所定値以下の接触抵抗で電気的に接続される。このとき、各電極の厚み方向位置のばらつきを吸収するように異方性導電フィルムの導通部５は、上記加圧により主として圧縮の弾性変形を生じる。加圧は、ＬＳＩ等の被検査体３０のみが加圧されるように、加圧具により行われる。加圧による圧縮ストロークは、最大で、基膜５１の厚みの２５％程度とする。
【００７３】
異方性導電フィルム１０を用いることにより、検査装置の電極端子と、半導体装置の電極端子とを多少の位置ずれがあっても、低接触抵抗で電気的に接続することができる。そして、バーインテストにおける高温環境下で繰り返し使用しても、十分な接圧を確保することができる。通常、１２５℃以上の雰囲気で、基膜厚みの２５％の圧縮ひずみを１０００回繰り返した後の復元率を指標とする。復元率は、基膜厚みで表示するので、たとえば完全に復元した場合には復元率２５％ということになる。従来の多孔質ＰＴＦＥでは上記の復元率は５％程度であるのに比べて、本発明の実施の形態における基膜５１では１５％程度以上を確保することができる。これによって、バーインテストを繰り返し行う際、異方性導電フィルム１０の取り替え頻度を減らすことができ、検査費用を低減することができる。
【００７４】
（実施の形態６−ＦＰＣの電気検査への異方性導電フィルムの適用−）
被検査体３０をＦＰＣ（Flexible  Print  Circuit)として、実施の形態５における検査装置および検査方法を用いて検査することにより、誤判定を防止することができる。検査装置は、図８に示す装置を用いた。ＦＰＣ３０は、工場出荷の際、全数検査するので、数万枚〜数十万枚が検査される。図９は、本発明の異方性導電フィルム１０を用いて、ＦＰＣを検査している状態を示す図である。膨大な数のＦＰＣ３０の中には、異物細片７０が付着しているものがある。ＦＰＣ７０の場合、ＦＰＣの主要部材の絶縁樹脂板の細片である場合が多い。本発明の異方性導電フィルム１０は、上述のように、柔軟性に富む弾性材５１に導電金属膜５が形成されている。このため、異物細片７０がＦＰＣ３０の電極３４に付着していても、異物細片７０にしたがって局在して大きな変形をすることができる。換言すると、異方性導電フィルム１０は、異物細片７０によってつぶされるように変形する。このため、異物細片７０の影響は、他の電極３４または他の導通部５に波及する範囲は狭く、その異物細片７０の位置に局在する。
【００７５】
一方、従来のシリコーンゴム１５１を用いた異方性導電フィルム１１０では、柔軟性に乏しく比較的剛性が高いので、ＦＰＣ７０上の異物細片７０による変形は、局在化されず、広い範囲にわたって発生する。このため、図１０に示すように、異方性導電フィルム１１０の導電部１０５が、ＦＰＣの電極３４と、回路基板２０の端子２４との両方から離脱して、電極３４と端子２４との導通が、異物細片７０の存在によって阻害される。これは、本来、正常なＦＰＣ３０が、断線状態にある等と誤判定されることを意味する。このため、正常な製品を廃棄する場合も生じ、製造歩留りを低下させる。
【００７６】
図８および図９より、本発明の異方性導電フィルム１０を用いた場合、ＦＰＣの電極３４と、検査装置の回路基板２０の端子２４とは、広い範囲にわたっては、異物細片７０によって導通が阻害されない。よって、本来、正常と判定されるべきＦＰＣ７０が、断線などと誤判定される場合は少ない。これに対して、柔軟性に乏しく、剛性が比較的高いシリコーンゴムを用いた異方性導電フィルム１１０は、誤判定によって製造歩留りを低下させる場合を生じやすい。また上記の誤判定は、全数検査の場合、無視できない数となり、生産性を大きく阻害し、かつ製造現場に無用の混乱を生じる。本発明により、そのような事態に立ち至ることを避けることができる。
【実施例】
【００７７】
次に実施例により、本発明に従った例についてその優れた特性を説明する。表１に、本発明例Ａ〜Ｄについて、試験体の作製、試験体の特性および評価を示す。本発明例Ａ〜Ｄのうち、弾性率に関しては本発明例Ａ、Ｂのほうが、本発明例Ｃ、Ｄに比較して、本発明のより好ましい実施例である。しかし、本発明例Ｃ、Ｄも本発明の範囲には入るものである。本発明例Ａ、Ｂは、オレフィン系熱可塑性エラストマーを用いており、その曲げ弾性率は、電子線照射なしの本発明例Ａで２４ｇ／ｍｍ2、３００ｋＧｙの電子線照射した本発明例Ｂで２５ｇ／ｍｍ2である。電子線照射を受けた試験体という意味で、本発明例Ｂは本発明例Ａよりも、本発明のより好ましい実施例である。４つの試験体のうちで、本発明例Ｂが、曲げ弾性率の限定範囲に入り、かつ電子線照射を受けたことで、本発明のベストモードに対応する。なお、曲げ弾性率の測定方法は、ＡＳＴＭ  Ｄ７９０の規定に従って行った。
【００７８】
これに対して、本発明例Ｃ、Ｄは、多孔質熱可塑性高分子フィルムの構成要件は満たすが、曲げ弾性率については過大であり、その意味で本発明のベストモードとはいえない。しかし、本発明例Ｃ、Ｄのうちでは、本発明例Ｄは電子線照射を受けたことにより、本発明例Ｃよりは、本発明のより好ましい実施例である。なお、表１には各試験体の原料の密度は表示していないが、ポリエチレンの場合、上記の曲げ弾性率は、密度とよい相関関係があり、本発明例Ｃ、Ｄは、曲げ弾性率と同様に、密度においても本発明におけるより望ましい付加的構成要件である密度０．９１ｇ／ｃｍ2を超えるものである。
【００７９】
【表１】
2009076443.tif 000003
【００８０】
評価は、２０℃および１２５℃の雰囲気中で、直径０．５ｍｍのプローブにより基膜厚みの２５％の圧縮ストロークを１０００回繰り返し加えて、復元率を測定することで行った。表１において復元率は、圧縮された状態からの戻り厚みを、基膜厚みに対する割合で表示しており、２５％のときに完全復元である。
【００８１】
表１に示す結果によれば、本発明例Ａ、Ｂは、２０℃では、それぞれ２０％および２３％と非常に復元率が高く、完璧に近い復元状態である。しかし、１２５℃では、電子線照射のない本発明例Ａは復元性を失っているのに比べて、電子線照射を受けた本発明例Ｂでは、１５％の復元率を示す。また、本発明例Ｃ、Ｄでは、２０℃においても復元率は、それぞれ５％、６％と低い。１２５℃では電子照射を受けた本発明例Ｄは２％という復元率を示すが、本発明例Ｂと比べると、大きく劣る結果である。以上の結果は、（１）曲げ弾性率が０．１〜３００ＭＰａの範囲内にある熱可塑性高分子で多孔質基膜を形成し、（２）電子線照射を受けること、の２つの条件を満たすことによって、高温において十分高い復元性を得ることができる、ことを示している。
【００８２】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、クリープを生じにくく、かつ昇温時に弾性率低下が生じにくい異方性導電フィルムを提供するので、高精細化する電極を持つＬＳＩ等の検査における検査能率を向上することができる。また、検査装置とは関係なく、多層構造の配線体の電極間の接続の確実性向上に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施の形態１における異方性導電フィルムの一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す異方性導電フィルムのＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】実施の形態１における異方性導電フィルムの製造方法を示す図である。
【図４】図３の貫通孔形成ないしめっき処理の詳細を説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態２における異方性導電フィルムの製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態３における異方性導電フィルムの製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の実施の形態４における異方性導電フィルムの製造方法を説明する図である。
【図８】本発明の実施の形態５における検査装置等を説明する図である。
【符号の説明】
【００８５】
５  導電金属膜（導通部）、１０  異方性導電フィルム、２０  半導体装置（被検査体）、２１  基板、２４  電極端子、２５  ガイドピン、３０  検査装置または配線基板、３１  配線基板、３４  電極端子、４１  多孔質熱可塑性高分子フィルム、４１ａ  多孔質熱可塑性高分子フィルムのマスク層、４３  多孔質構造に充填された固形物、４３ａ  固形物被覆層、４６ａ  多孔質マスク層、４７ａ  核剤被覆層、５１  基膜（架橋された多孔質熱可塑性高分子フィルム）、５５  めっき触媒、５６  混合材フィルム、６０  金型、６１  凸部、７０  異物細片、Ｈ  貫通孔。
【図１】
2009076443.tif 000004
【図２】
2009076443.tif 000005
【図３】
2009076443.tif 000006
【図４】
2009076443.tif 000007
【図５】
2009076443.tif 000008
【図６】
2009076443.tif 000009
【図７】
2009076443.tif 000010
【図８】
2009076443.tif 000011
【図９】
2009076443.tif 000012
【図１０】
2009076443.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
【図１】本発明の実施の形態１における異方性導電フィルムの一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す異方性導電フィルムのＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】実施の形態１における異方性導電フィルムの製造方法を示す図である。
【図４】図３の貫通孔形成ないしめっき処理の詳細を説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態２における異方性導電フィルムの製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態３における異方性導電フィルムの製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の実施の形態４における異方性導電フィルムの製造方法を説明する図である。
【図８】本発明の実施の形態５における検査装置等を説明する図である。
【図９】本発明の実施の形態６において、本発明の異方性導電フィルムを用いて、ＦＰＣを検査している状態を示す図である。
【図１０】従来のシリコーンゴムを用いた異方性導電フィルムを用いて、ＦＰＣを検査している状態を示す図である。