(57)【要約】【課題】製造設備や工程を増加させることなく、粗面化した発光面を有する半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】コンダクティブ層成長工程Ｐ５において、コンダクティブ層２２の結晶成長時の温度が周期的に変化させられることから、そのコンダクティブ層２２の結晶格子が乱されてその上に成長させられたキャップ層２４の表面である発光面３０に細かなヒロック( 突起) が表面に形成され、粗面化されるので、従来同様のコンダクティブ層成長工程Ｐ５において結晶成長温度を周期的に変化させるだけで、製造設備や工程を増加させる必要のない、粗面化した発光面３０を有する半導体発光素子１０の製造方法が得られる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において結晶成長により順に形成された、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、および該第２クラッド層の前記基板とは反対側に位置して該活性層からの光を透過させる光透過層を備え、該光透過層を通して該活性層からの光を外部へ出力する半導体発光素子の製造方法であって、
前記光透過層の結晶成長時の温度を周期的に変化させつつ該光透過層の少なくとも一部を結晶成長させる光透過層成長工程を、含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記光透過層成長工程は、
前記基板が載置され、結晶成長過程において連続的に回転させられる円盤と、該円盤を加熱するために該円盤の近傍に位置固定に設けられたヒータとを有する結晶成長槽内において、前記光透過層の結晶成長時に該円盤に温度分布が形成されるように該ヒータを制御するものである請求項１の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記光透過層は、前記活性層に対する電流拡散のためのコンダクティブ層を含み、
前記光透過層成長工程は、該コンダクティブ層の結晶成長過程において、予め設定された結晶成長温度と該結晶成長温度に対して５０℃以上の温度差の温度との間で周期的に変化させるものである請求項１または２の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信や表示機器等に発光ダイオードが多用されている。かかる発光ダイオードは一般に、半導体基板の上にＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相蒸着）法等の方法によって、発光層を含む半導体層が結晶成長により順次積層された半導体発光素子を用いて構成される。このような半導体発光素子の一種に、電極が一部に設けられた発光面と、その発光面に平行に設けられて光を発生する活性層と、その活性層の下側へ向かって放射された光を発光面に向かって反射する反射層等を備え、前記活性層から発生された光を前記発光面から放射するようにした面発光型の半導体発光素子が知られている。
【０００３】
このような半導体発光素子は、その発光の高出力化或いは高効率化が望まれているが、半導体発光素子を構成するチップ( エピタキシャル層) と空気との間の屈折率差が大きく、臨界角が大きいため、光の取り出し効率が低い。これに対し、特許文献１に記載されているように、鏡面である半導体発光素子の発光面に対して粗面化処理（テクスチャ処理）を行うことが提案されている。これは、半導体発光素子の表面を粗面化することすなわち半導体表面に多数の微小突起を形成させることによって、発光面からの光の取り出し効率を高める方法であり、例えば、半導体発光素子を硝酸系のエッチング液に浸漬することによって半導体表面を浸食させ、発光面を含む半導体表面に多数の微小突起が形成されることによって発光面からの光の取り出し効率を向上させることができる。
【特許文献１】特開２００３−００８０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のように発光面を粗面化する従来の方法では、(a) 粗面化するための専用の設備や工程をさらに必要とし、(b) 粗面化するための薬液或いはガスは発光面の材質によって制限され、(c) 粗面化するための必要なエピタキシャル層の厚さ( 深さ) を必要とし、(d) エッチングの出来ばえにばらつきが大きく、安定した製造が比較的困難である、等の問題があった。
【０００５】
本発明は以上の事情を背景として為されたものであり、その目的とするところは、製造設備や工程を増加させる必要のない、粗面化した発光面を有する半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００６】
本発明者は、ＭＯＣＶＤ( 有機金属化学気相蒸着) 装置を用いて種々の半導体発光素子の開発を行ううち、その結晶成長槽内において基板を回転させるためにその基板が載置される円盤を加熱するヒータの一部が機能しないとき、半導体発光素子の表面モフォロジ−( 表面形態) が鏡面でなくなり、粗面化するという事実を見いだした。本発明はかかる知見に基づいて為されたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち、前記目的を達成するための請求項１にかかる発明の要旨とするところは、基板上において結晶成長により形成された、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、およびその第２クラッド層の前記基板とは反対側に位置してその活性層からの光を透過させる光透過層を備え、その光透過層を通してその活性層からの光を外部へ出力する半導体発光素子の製造方法であって、前記光透過層の結晶成長時の温度を周期的に変化させつつその光透過層の少なくとも一部を結晶成長させる光透過層成長工程を、含むことにある。すなわち、従来は、一定の温度で結晶成長させるのが常識的であったのに対し、請求項１にかかる発明では、積極的に、光透過層の結晶成長時の温度を周期的に変化させるのである。
【０００８】
また、請求項２にかかる発明の要旨とするところは、請求項１の半導体発光素子の製造方法において、前記光透過層成長工程は、前記基板が載置され、結晶成長過程においては連続的に回転させられる円盤と、その円盤を加熱するためにその円盤の近傍に位置固定に設けられたヒータとを有する結晶成長槽内において、前記光透過層の結晶成長時にその円盤に温度分布が形成されるようにそのヒータを制御するものである。
【０００９】
また、請求項３にかかる発明の要旨とするところは、請求項１または２の半導体発光素子の製造方法において、前記光透過層は前記活性層に対する電流拡散のためのコンダクティブ層を含み、前記光透過層成長工程は、そのコンダクティブ層の結晶成長過程において、予め設定された結晶成長温度とその結晶成長温度に対して５０℃以上の温度差の温度との間で周期的に変化させるものである。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１に係る発明によれば、光透過層成長工程において、光透過層の少なくとも一部の結晶成長時の温度が周期的に変化させられることから、その光透過層の結晶が乱されて細かなヒロック( 突起) が光出力面である発光面に形成され、粗面化される。このように、従来の光透過層成長工程において結晶成長温度を周期的に変化させるだけで、製造設備や工程を増加させる必要のない、粗面化した発光面を有する半導体発光素子の製造方法が得られる。
【００１１】
また、請求項２にかかる発明によれば、前記光透過層成長工程は、前記基板が載置され、結晶成長過程においては連続的に回転させられる円盤と、その円盤を加熱するためにその円盤の近傍に位置固定に設けられたヒータとを有する結晶成長槽内において、前記光透過層の結晶成長時にその円盤に温度分布が形成されるようにそのヒータを制御するものである。このようにすれば、その光透過層の結晶が乱されて細かなヒロック( 突起) が表面に形成され、粗面化される。
【００１２】
また、請求項３にかかる発明によれば、前記光透過層は前記活性層に対する電流拡散のためのコンダクティブ層を含み、前記光透過層成長工程は、そのコンダクティブ層の結晶成長過程において、予め設定された結晶成長温度とその結晶成長温度に対して５０℃以上の温度差の温度との間で周期的に変化させるものである。このようにすれば、そのコンダクティブ層の結晶格子が乱されることにより細かなヒロック( 突起) が発光面に形成され、好適に、粗面化される。
【００１３】
ここで、好適には、前記半導体発光素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ( 有機金属化学気相蒸着) 法を用いて、結晶成長槽内において、単結晶ＧａＡｓ基の上に、半導体多層膜から成るＤＢＲ反射層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、コンダクティブ層、キャップ層等を順次結晶成長させるものである。この場合、第２クラッド層から発光面側へ成長させられたコンダクティブ層、キャップ層が第２クラッド層の基板とは反対側に位置してその活性層からの光を透過させる光透過層或いはウインドウ層を構成しており、それらの少なくとも一部の結晶成長時に結晶成長温度が周期的に変化させられて格子欠陥が積極的に設けられる。
【００１４】
好適には、上記光透過層のうちの膜厚が最も大きい層の結晶成長時にその結晶成長温度が周期的に変化させることが、効果的である。
【００１５】
また、好適には、前記光透過層成長工程は、前記ヒータの一部をオフ状態とすることにより、前記円盤の上に載置された基板上の光透過層の結晶成長温度を周期的に変化させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。尚、以下の説明に用いる図面において各部の寸法比等は必ずしも正確に描かれていない。
【実施例】
【００１７】
図１は、本発明の一実施例である半導体発光素子１０のチップ構造を示す図である。かかる半導体発光素子１０は、たとえばＧａＡｓから成る３５０μｍ程度の単結晶半導体の基板１２上に、例えばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相蒸着）法等を用いて、例えば、３０対のｎ−ＡｌＧａＡｓ／ＡｌＡｓ半導体が積層された多層膜反射層１４、ｎ−ＡｌＩｎＰ半導体である第１クラッド層１６、複数組のＧａＩｎＰ量子井戸層およびＡｌＧａＩｎＰバリヤ層を含むＧａＡｓ半導体である活性層１８、ｐ−ＡｌＩｎＰ半導体である第２クラッド層２０、電流拡散のためのｐ−ＡｌＧａＡｓ半導体であるコンダクティブ層２２、及び、電極コンタクトのためのｐ−ＧａＡｓ半導体であるキャップ層２４が順次積層形成され、そのキャップ層２４上にＡｕＺｎ／Ａｕ共晶からなる上部電極２６が、基板１２の下面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ共晶からなる下部電極２８がそれぞれ蒸着或いはスパッタにより形成されている。
【００１８】
本実施例の半導体発光素子１０においては、第１クラッド層１６、活性層１８、及び第２クラッド層２０によってダブルヘテロ構造が構成され、活性層１８から光が発せられる。また、図１において、第１クラッド層１６、活性層１８、第２クラッド層２０、コンダクティブ層２２、及びキャップ層２４の点線で囲まれている部分は、Ｈ＋等の不純物が例えばイオン注入装置を用いてドープされることにより高抵抗の電流狭窄領域Ａとなっている。
【００１９】
図２は、半導体発光素子１０を発光面３０に対して垂直上方向から見た図である。上部電極２６は、発光面３０上では、例えば幅５μｍの線で２つの同心円とその中心で交差する一対の直線とからなる網目パターンで、それ以外の領域では全面を覆うように形成されている。この発光面３０以外の領域Ａは、キャップ層２４の上面から第１クラッド層１６の下面に達しない深さにまでＨ＋イオンが注入されることによって高抵抗化されるので、活性層１８のうち発光面３０直下の部分に電流が集中させられ、光の取り出し効率が高められるようになっている。
【００２０】
上部電極２６と下部電極２８との間にｐｎ順方向電流が流されると、活性層１８において電子と正孔の再結合が起こることによって光が発生させられ、半導体発光素子１０の上面のうちの上部電極２６により覆われていない面である発光面３０から放出される。ここで、上記活性層１８の基板１２側とは反対側に成長させられた第２クラッド層２０、コンダクティブ層２２およびキャップ層２４を通して、活性層１８で発生した光が発光面３０から出力される。本実施例では、以下に説明するように、それら第２クラッド層２０から発光面３０までに位置する光透過層の少なくとも一部に積極的に格子欠陥が設けられ、発光面３０に細かなヒロック( 突起) が形成された粗面とされている。
【００２１】
図３は、上記半導体発光素子１０の製造に用いられるＭＯＣＶＤ結晶成長装置４０の要部を説明する図である。図３において、ＭＯＣＶＤ結晶成長装置４０は、化合物半導体を結晶成長させるための圧力容器である結晶成長槽４２と、その結晶成長槽４２内の排気を行うためのロータリポンプ等から構成された排気装置４４と、ＴＭIn（トリメチルインジウム）、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡl （トリメチルアルミニウム）等の原料から加熱により発生させ且つＨ２やＮ２等のキャリヤガスと共に搬送した複数種類の原料ガス、および／またはＡｓＨ３(アルシン) やＰＨ３(ホスフィン) などの原料ガスを、バルブ制御により、予め設定された流量およびタイミングで順次結晶成長槽４２内へ供給するガス供給装置４６とを備えている。
【００２２】
図４にも示すように、上記結晶成長槽４２内には、軸心Ｃまわりに連続的にたとえば１０ｒｐｍ程度の速度で公転させられる公転円盤４８と、その公転円盤４８上の外周部において周方向に等間隔で自転可能に配置されて半導体ウエハ( 基板) Ｗがそれぞれ載置され、連続的に自転させられる複数個( 本実施例では８個）の自転円盤５０と、図５に示すように上記公転円盤４８を加熱するためにその公転円盤４８の下側近傍においてその公転円盤４８の下側全面を加熱できるようにそれぞれ等間隔に配置された複数個のヒータ５２とが設けられている。
【００２３】
図６は、前記のように構成された半導体発光素子１０の製造工程を説明するための工程図である。図６において、Ｐ１乃至Ｐ６は、結晶成長槽４２内の単結晶の半導体ウエハ( 基板) Ｗ上に、バルブ制御により、予め設定された流量およびタイミングで順次結晶成長槽４２内へ原料ガスを供給することにより、ヒータ５２による結晶成長温度下において、化合物半導体が成長させられる。たとえば、ＤＢＲ層成長工程Ｐ１では、ＴＭＧａ、ＡｓＨ３、ＴＭＡl が所定の割合およびタイミングで供給されることにより多層膜反射層１４が成長させられる。第１クラッド層成長工程Ｐ２では、ＴＭＡl 、ＴＭIn、ＰＨ３が所定の割合で供給されることにより第１クラッド層１６が１μｍ程度の厚みに成長させられる。活性層成長工程Ｐ３では、ＴＭＡl 、ＴＭＧａ、ＴＭIn、ＰＨ３が所定の割合およびタイミングで供給されることにより活性層１８が成長させられる。第２クラッド層成長工程Ｐ４では、ＴＭＡl 、ＴＭIn、ＰＨ３が所定の割合で供給されることにより第２クラッド層２０が１μｍ程度の厚みに成長させられる。上記Ｐ１乃至Ｐ４では、複数のヒータ５２による等分布の加熱による一定の結晶成長温度ＴＥ下において成長が行われる。
【００２４】
次いで、コンダクティブ層成長工程Ｐ５では、複数のヒータ５２のうちの一部の加熱による不均一な結晶成長温度分布下においてＴＭＡl 、ＴＭＧａ、ＡｓＨ３が所定の割合で供給されることにより、コンダクティブ層２２が１μｍ程度の厚みに成長させられる。このとき、公転円盤４８には複数のヒータ５２のうちのオン状態のヒータに対応する部分が結晶成長温度ＴＥたとえば７６０〜８００℃とされ、オフ状態のヒータに対応する部分がその結晶成長温度ＴＥよりも−５０℃程度以上たとえば７１０〜７５０℃と低くされた温度分布が形成されるため、公転円盤４８とともに公転させられる半導体ウエハ( 基板) Ｗは、時間経過に伴って図７に示すように５〜１５秒周期で周期的に変化させられる。このようなコンダクティブ層２２の結晶成長過程における温度の５〜１５秒周期の周期的変化により、そのコンダクティブ層２２内の単結晶の格子が乱されて格子欠陥が発生させられる。コンダクティブ層２２は、１μｍ程度と比較的厚みが大きく、多数の格子欠陥が成長と同時に積極的に発生させられる。結晶成長温度ＴＥを一定としたものは、コンダクティブ層２２の上に成長させられるキャップ層２４の表面である発光面３０にヒロックを殆ど観察することができないのに対して、上記のように結晶成長温度ＴＥを５〜１５秒周期で周期的に温度変化させた場合は、コンダクティブ層２２の上に成長させられるキャップ層２４の表面である発光面３０に無数のヒロックを観察することができる。本実施例では、このコンダクティブ層成長工程Ｐ５が光透過層の結晶成長時の温度を周期的に変化させつつその光透過層の少なくとも一部を結晶成長させる光透過層成長工程に対応している。
【００２５】
次いで、キャップ層成長工程Ｐ６では、一定の結晶成長温度分布下においてＴＭＧａ、ＡｓＨ３が所定の割合で供給されることにより、キャップ層２４が０．１μｍ程度の厚みに成長させられる。このキャップ層成長工程Ｐ６においても、コンダクティブ層成長工程Ｐ５と同様に、上記結晶成長温度を周期的に変化させられてもよい。このようにして成長させられたキャップ層２４の表面である発光面３０は、光学顕微鏡を用いて容易に観察できる程度に無数のヒロックが生成されて粗面化されている。このキャップ層２４の発光面３０の粗面化は、比較的厚みが大きいコンダクティブ層２２に形成された格子欠陥がキャップ層２４内においても引き継がれて成長させられたことで説明できる。この格子欠陥は、第２クラッド層２０との境界面を境にしてコンダクティブ層２２側に顕著に存在するが、第２クラッド層２０へ格子欠陥が進行することはない。
【００２６】
次いで、イオン注入工程Ｐ７では、キャップ層２４の発光部となる位置にイオン注入マスクを形成し、発光部以外の領域にＨ＋イオンを注入することによって電流狭窄領域Ａが形成される。そして、電極形成工程Ｐ８において、上記キャップ層２４上に上部電極２６となる電極材料層を一面に蒸着或いはスパッタにより固着させる。固着された電極材料層には続いて、表面に所望の電極形状を得る為のレジストパターンを形成した後にエッチングを施し所望形状の上部電極２６が形成される。下部電極２８は、上記と同様に、電極材料層を一面に蒸着或いはスパッタにより固着させられることにより、形成される。
【００２７】
本発明者等は、コンダクティブ層２２の結晶成長過程における温度を一定とした以外は図６に示す工程に従って従来の半導体発光素子を比較例として製造するとともに、図６に示す工程に従って、上記コンダクティブ層２２の結晶成長過程における温度の周期的変化により、そのキャップ層２４の表面である発光面３０にヒロック( 突起) を形成させて粗面化した本実施例の半導体発光素子１０を作成し、それら従来の半導体発光素子と本実施例の半導体発光素子１０とを、同じ駆動条件下においてそれらの光出力強度を測定した。図８は、その測定結果を示している。この測定結果によれば、コンダクティブ層２２の結晶成長過程における温度の周期的変化により、そのキャップ層２４の表面である発光面３０にヒロック( 突起) を形成させて粗面化した半導体発光素子１０は、発光面３０にヒロックのない従来の半導体発光素子に比較して、図８に示すように、相対光出力強度（相対光発光強度）が２２％程度増加した。
【００２８】
また、本発明者等は、コンダクティブ層２２の膜厚を１μｍ、２μｍ、３μｍとした以外は同様の構成の３種類の半導体発光素子１０を図６に示す工程に従ってそれぞれ製造し、それらのキャップ層２４の発光面３０に発生しているヒロックの密度を、光学顕微鏡を用いてそれぞれ測定した。図９は、それらの測定結果を示している。上記３種類の半導体発光素子１０は、いずれも６〜９×１０５個／ｃｍ２程度のヒロック密度が得られるとともに、コンダクティブ層２２の膜厚が大きくなる程、高いヒロック密度が得られ、コンダクティブ層２２の成長温度を一定とした比較例に対して、臨界角が大きく、光の取り出し効率が大幅に改善された。したがって、コンダクティブ層２２の膜厚は１μｍ乃至３μｍの範囲において、大幅な改善効果が得られた。
【００２９】
上述のように、本実施例では、光透過層成長工程( コンダクティブ層成長工程Ｐ５) において、コンダクティブ層２２の結晶成長時の温度が周期的に変化させられることから、そのコンダクティブ層２２の結晶の格子が乱されてその上に成長させられたキャップ層２４の表面である発光面３０に細かなヒロック( 突起) が表面に形成され、粗面化されるので、従来同様のコンダクティブ層成長工程において結晶成長温度を周期的に変化させるだけで、製造設備や工程を増加させることなく、粗面化した発光面３０を有する半導体発光素子１０の製造方法が得られる。
【００３０】
また、本実施例によれば、光透過層成長工程（コンダクティブ層成長工程Ｐ５）は、半導体ウエハ( 基板) Ｗが載置され、結晶成長過程においては連続的に回転させられる公転円盤４８と、その公転円盤４８を加熱するためにその公転円盤４８の近傍に位置固定に設けられたヒータ５２とを有する結晶成長槽４２内において、コンダクティブ層２２の結晶成長時にその公転円盤４８に温度分布が形成されるようにそのヒータ５２を制御するものである。このため、そのキャップ層２４の結晶が乱されて細かなヒロック( 突起) がその表面である発光面３０に形成され、粗面化される。
【００３１】
また、本実施例によれば、光透過層はコンダクティブ層２２を含み、光透過層成長工程（コンダクティブ層成長工程Ｐ５）は、そのコンダクティブ層２２の結晶成長過程において、予め設定されたコンダクティブ層２２のＡｌＧａＡｓ半導体の結晶成長温度ＴＥとその結晶成長温度ＴＥに対して５０℃以上の温度差の温度との間で周期的に変化させるものである。このため、そのコンダクティブ層２２内の単結晶の結晶格子が乱されて、そのコンダクティブ層２２の上に成長させられたキャップ層２４の発光面３０に細かなヒロック( 突起) が表面に形成され、好適に、粗面化される。
【００３２】
以上、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、別の態様でも実施され得る。
【００３３】
例えば、前述の実施例においては、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ半導体を活性層１８とするダブルへテロ構造の発光層を持つ半導体発光素子１０について説明したが、本発明は、例えばＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＡｓ等を活性層とするダブルヘテロ構造の発光層、或いは多重量子構造の発光層を持つ半導体発光素子についても同様に適用され得る。また、基板１２には、例えばＩｎＰ、サファイア等の他の材料が用いられても良い。
【００３４】
また、前述の実施例において、コンダクティブ層２２はＡｌＧａＡｓであり、そのコンダクティブ層２２から成長させられるキャップ層２４はＧａＡｓであったが、他の元素から構成される化合物半導体であってもよい。また、コンダクティブ層２２とキャップ層２４との間に他の成長層が介在させられてもよい。また、キャップ層２４を成長させるキャップ層成長工程Ｐ６において結晶成長温度が周期的に変化させられてもよいし、コンダクティブ層２２の下側の第２クラッド層２０を成長させる第２クラッド層成長工程Ｐ４において結晶成長温度が周期的に変化させられてもよい。
【００３５】
また、前述の実施例において、半導体発光素子１０には、イオン注入によって電流狭窄構造が形成されていたが、これは必ずしも形成されなくても良いし、ｐ−ｎ反転領域を設ける等の他の電流狭窄構造が形成されていてもよい。
【００３６】
また、前述の実施例の上部電極２６は、その中央部にメッシュ状の複数の貫通穴が形成されたものであったが、例えば、キャップ層２４の中央部に島状に設けられていてもよい。
【００３７】
また、前述の実施例のコンダクティブ層成長工程Ｐ５において用いられるＭＯＣＶＤ結晶成長装置４０では、公転円盤４８は自転円盤５０を備えたものであったが、必ずしも自転円盤５０を備える必要なく、半導体ウエハ( 基板) Ｗが直接公転円盤４８上に載置されるものでもよい。
【００３８】
また、前述の実施例のコンダクティブ層成長工程Ｐ８において用いられるＭＯＣＶＤ結晶成長装置４０の公転円盤４８は１０ｒｐｍ程度の速度で連続的に回転させられていたが、その速度は、種々変更されることができる。
【００３９】
また、前述の実施例のＭＯＣＶＤ結晶成長装置４０において、公転円盤４８を加熱するためにその近傍に配置されたヒータ５２は、ニクロム式の電熱ヒータであってもよいが、ランプ式のヒータ等であってもよい。
【００４０】
その他一々例示はしないが、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施例である半導体発光素子の積層構造を模式的に示す断面図である。
【図２】図１の半導体発光素子を、その発光面に対して垂直上方向から見た様子を示す平面図である。
【図３】図１の半導体発光素子の製造工程に用いられるＭＯＣＶＤ結晶成長装置の構成を説明する模式図である。
【図４】図３のＭＯＣＶＤ結晶成長装置の結晶成長槽内に設けられた公転円盤およびその上面に設けられた複数の自転円盤を示す平面図である。
【図５】図３のＭＯＣＶＤ結晶成長装置の結晶成長槽内において、公転円盤を加熱するためにその公転円盤の下側近傍に等間隔に配置された複数個のヒータを説明する平面図である。
【図６】図１の半導体発光素子の製造工程を説明する工程図である。
【図７】図６のコンダクティブ層成長工程における半導体ウエハ( 基板) の温度の周期的変化を説明するタイムチャートである。
【図８】コンダクティブ層の結晶成長過程における温度を一定とした以外は図６に示す工程に従って製造した従来の半導体発光素子と、図６に示す工程に従ってコンダクティブ層の結晶成長過程における温度の周期的変化によりそのコンダクティブ層上に成長させられたキャップ層の表面である発光面にヒロック( 突起) を形成させて粗面化した半導体発光素子とを、同じ駆動条件下においてそれらの光出力強度（相対値）を測定した結果を示す図である。
【図９】コンダクティブ層の膜厚を１μｍ、２μｍ、３μｍとした以外は同様の構成の３種類の半導体発光素子を図６に示す工程に従ってそれぞれ製造し、それらのコンダクティブ層上に成長させられたキャップ層の発光面に発生しているヒロックの密度を、光学顕微鏡を用いてそれぞれ測定した結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０：半導体発光素子
１８：活性層
２２：コンダクティブ層
２４：キャップ層
３０：発光面
４８：公転円盤( 円盤)
５２：ヒータ
Ｗ：半導体ウエハ( 基板)
Ｐ５：コンダクティブ層成長工程( 光透過層成長工程) 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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