(57)【要約】【課題】基板搬送に伴う生産性の低下を抑制できる基板搬送装置、基板処理システム及び基板搬送方法並びにデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板搬送装置ＨＣＤに、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの間で基板Ｐの受け渡しを行うＣＤ側ロボット２２と、露光装置ＥＸとの間で基板Ｐの受け渡しを行うＥＸ側ロボット２４と、ＣＤ側ロボット２２とＥＸ側ロボット２４との間で基板Ｐを中継する中継テーブル２３とを設ける。中継テーブル２３に冷却水路２３ｃを設け、基板Ｐを基板搬送装置ＨＣＤ内で移動させつつ温度状態を調節する。【選択図】図１
2009076587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置と、前記基板上に所定のパターン像を形成する露光装置との間で、前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置において、
前記基板処理装置との間で前記基板の受け渡しを行う第１の受け渡し装置と、前記露光装置との間で前記基板の受け渡しを行う第２の受け渡し装置と、前記第１の受け渡し装置と前記第２の受け渡し装置との間で前記基板を中継する中継装置とを有することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記第１の受け渡し装置が、複数の前記基板処理装置との間で前記基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記中継装置は、前記基板の状態を調節する状態調節装置を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記中継装置は、前記第１の受け渡し装置との前記基板の第１の受け渡し位置と、前記第２の受け渡し装置との前記基板の第２の受け渡し位置との間を移動する移動装置を備えることを特徴とする請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記中継装置は、互いに高さの異なる前記第１の受け渡し位置と、前記第２の受け渡し位置との間を移動することを特徴とする請求項４に記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記状態調節装置が、前記基板の温度を調節する温度調節装置であることを特徴とする請求項３〜請求項５のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記温度調節装置が、前記基板との間で熱交換する熱交換部材を備え、該熱交換部材は、前記第２の受け渡し装置との前記基板の第２の受け渡し位置で前記基板と熱交換することを特徴とする請求項６に記載の基板搬送装置。
【請求項８】
前記温度調節装置が、前記基板との間で熱交換する熱交換部材と、前記熱交換部材で熱交換された前記基板の熱を基板搬送装置の外部に排出する廃熱部材とを備え、前記熱交換部材が前記基板を保持しつつ、前記第１の受け渡し装置との前記基板の第１の受け渡し位置と、前記第２の受け渡し装置との前記基板の第２の受け渡し位置との間を移動するとともに、前記第２の受け渡し位置で前記廃熱部材に熱交換することを特徴とする請求項６に記載の基板搬送装置。
【請求項９】
前記温度調節装置は、前記基板との熱交換に伴う温度変化を検出する温度計を備え、該温度計での検出結果に基づいて、前記温度調節装置の温度を制御することを特徴とする請求項６〜請求項８のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項１０】
前記温度調節装置の制御状態を表示することを特徴とする請求項９に記載の基板搬送装置。
【請求項１１】
前記状態調節装置が、前記基板の位置を検出して、その位置の検出結果に基づいて前記第２の受け渡し装置との相対位置を調節する位置調節装置であることを特徴とする請求項３〜請求項１０のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項１２】
前記状態調節装置が、前記基板を洗浄する洗浄装置であることを特徴とする請求項３〜請求項１１のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項１３】
前記第２の受け渡し装置の動作を制御する制御装置を有し、該制御装置は、設定された前記露光装置に供給可能な前記基板の最大枚数と、前記露光装置内に収容されている前記基板の枚数とを比較して、前記露光装置内の前記基板の枚数が前記最大枚数に達するまでは前記基板の前記露光装置内への供給を前記露光装置からの回収に優先して行うように前記第２の受け渡し装置を制御することを特徴とする請求項１〜請求項１２のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項１４】
前記制御装置は、直前の前記基板の前記露光装置への供給時間から、所定時間が経過するまでは、前記基板の前記露光装置内への供給を前記露光装置からの回収に優先して行うように前記第２の受け渡し装置を制御することを特徴とする請求項１３に記載の基板搬送装置。
【請求項１５】
前記制御装置は、前記露光装置からの前記基板の回収に要する時間内に、次の前記基板が前記露光装置内へ供給可能となる場合には前記供給を優先して行うように前記第２の受け渡し装置を制御することを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の基板搬送装置。
【請求項１６】
前記制御装置は、次の前記基板の温度調節に要する時間内に、前記露光装置から前記基板の回収要求が出された場合には前記回収を優先して行うように前記第２の受け渡し装置を制御することを特徴とする請求項１３〜請求項１５のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項１７】
前記基板の状態を表示する表示装置を有することを特徴とする請求項１〜請求項１６のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置。
【請求項１８】
基板に所定の処理を行う基板処理装置と、前記基板上に所定のパターン像を形成する露光装置との間で、前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置の基板搬送方法において、
前記基板を、前記基板処理装置との間で第１の受け渡し装置で受け渡し、中継装置を介して第２の受け渡し装置に搬送し、前記露光装置との間で第２の受け渡し装置で受け渡すことを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１９】
前記第1の受け渡し装置が前記基板を複数の前記基板処理装置との間で受け渡すことを特徴とする請求項１８に記載の基板搬送方法。
【請求項２０】
前記中継装置での搬送中に、前記基板の状態を調節することを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載の基板搬送方法。
【請求項２１】
前記中継装置が、前記基板を、第1の受け渡し位置で前記第1の受け渡し装置との間で受け渡し、第1の受け渡し位置から第２の受け渡し位置に移動させ、第２の受け渡し位置で前記第２の受け渡し装置との間で受け渡すことを特徴とする請求項１８〜請求項２０のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項２２】
前記中継装置が、前記基板を、互いに高さの異なる前記第1の受け渡し位置と、前記第２の受け渡し位置との間で移動させることを特徴とする請求項２１に記載の基板搬送方法。
【請求項２３】
前記中継装置での搬送中に、前記基板の温度を調節することを特徴とする請求項２０〜請求項２２のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項２４】
前記基板を熱交換部材との間で、前記第２の受け渡し位置において熱交換することを特徴とする請求項２３に記載の基板搬送方法。
【請求項２５】
前記基板と熱交換部材とを、前記第1の受け渡し装置との第1の受け渡し位置から、前記第２の受け渡し装置との第２の受け渡し位置へと移動する間に熱交換させるとともに、前記熱交換部材と廃熱部材とを前記第２の受け渡し位置で熱交換させることを特徴とする請求項２４に記載の基板搬送方法。
【請求項２６】
前記基板との熱交換に伴う前記熱交換部材の温度変化を温度計で検出し、該温度計での検出結果に基づいて、前記熱交換部材の温度を制御することを特徴とする請求項２４または請求項２５に記載の基板搬送方法。
【請求項２７】
前記熱交換部材の制御状態を表示することを特徴とする請求項２６に記載の基板搬送方法。
【請求項２８】
前記基板の位置を検出して、その位置の検出結果に基づいて前記第２の受け渡し装置との相対位置を調節することを特徴とする請求項２０〜請求項２７のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項２９】
前記中継装置での搬送中に、前記基板を洗浄することを特徴とする請求項２０〜請求項２８のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項３０】
前記第２の受け渡し装置が、設定された前記露光装置に供給可能な前記基板の最大枚数と、前記露光装置内に収容されている前記基板の枚数とを比較して、前記露光装置内の前記基板の枚数が前記最大枚数に達するまでは前記基板の前記露光装置内への供給を前記露光装置からの回収に優先して行うことを特徴とする請求項２０〜請求項２９のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項３１】
前記第２の受け渡し装置が、直前の前記基板の前記露光装置への供給時間から、所定時間が経過するまでは、前記基板の前記露光装置内への供給を前記露光装置からの回収に優先して行うことを特徴とする請求項３０に記載の基板搬送方法。
【請求項３２】
前記第２の受け渡し装置が、前記露光装置からの前記基板の回収に要する時間内に、次の前記基板が前記露光装置内へ供給可能となる場合には前記供給を優先して行うことを特徴とする請求項３０または請求項３１に記載の基板搬送方法。
【請求項３３】
前記第２の受け渡し装置が、次の前記基板の温度調節に要する時間内に、前記露光装置から前記基板の回収要求が出された場合には前記回収を優先して行うことを特徴とする請求項３０〜請求項３２のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項３４】
前記露光装置への供給準備中の前記基板に関する位置情報、準備に要する時間、前記露光装置内の前記基板の収容状況及び前記露光装置からの前記基板の回収要求の発出状況の少なくとも１つを表示することを特徴とする請求項３０〜請求項３３のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項３５】
前記基板の状態を表示することを特徴とする請求項１８〜請求項３４のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項３６】
基板に所定の処理を行う基板処理装置と、前記基板上に所定のパターン像を形成する露光装置と、前記基板処理装置と前記露光装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置とを有する基板処理システムにおいて、
前記基板搬送装置が、請求項１〜請求項１７のうちいずれか一項に記載の基板搬送装置からなることを特徴とする基板処理システム。
【請求項３７】
基板処理装置で基板に所定の処理を行い、前記基板を基板搬送装置を介して露光装置に搬送し、前記基板上に所定のパターン像を形成する露光方法において、
前記基板を、請求項１８〜請求項３５のうちいずれか一項に記載の基板搬送方法により搬送することを特徴とする露光方法。
【請求項３８】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項１８〜請求項３５、請求項３７のうちいずれか一項に記載の方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送装置、基板搬送方法、基板処理システム及び露光方法並びにデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板にパターンを形成するリソグラフィ工程では、例えば基板上に感光剤を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置（以下「Ｃ／Ｄ装置」という）を露光装置に接続して運用することがある。
【０００３】
このような二つの装置間での基板の受け渡しは、ロボット等により行われている。このロボット等は、露光装置から基板の受け取りが可能である通知が出力されると、Ｃ／Ｄ装置から露光装置の受取テーブルへ基板を供給・搬送する。また、露光装置で処理が完了した基板が受渡テーブルに載置され、露光装置から回収が可能である通知が出力されると、ロボット等は受渡テーブルから基板を受け取って回収し、Ｃ／Ｄ装置に搬送する。このように、露光装置とＣ／Ｄ装置との間では、ロボット等による基板の搬送が連続的に行われる（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
一般に、露光装置での基板処理能力は、Ｃ／Ｄ装置での基板処理能力を上回っている。このため、１台の露光装置に対して複数台のＣ／Ｄ装置を接続することにより、露光装置に供給する基板を単位時間あたりの供給枚数を増やして、露光装置の待機時間を短縮し、基板処理システムのスループットを向上することがある。
【０００５】
また、多品種のデバイスを少量ずつ生産する場合には、Ｃ／Ｄ装置での基板処理条件は各品種毎に異なっていることが多い。ここで、製造品種を変更しようとするには、そのＣ／Ｄ装置の処理条件の変更作業に時間がかかる。これに対して、一般に露光装置における品種変更のための露光条件の変更は、さほど時間がかかるものではない。このため、各製造品種に対応するように処理条件を設定した複数台のＣ／Ｄ装置と露光装置とを組み合わせることにより、多品種のデバイスを効率よく少量ずつ生産することがある。
【０００６】
このようなＣ／Ｄ装置と露光装置との間には、例えばEFEM（Equipment Front-End Module）とよばれるロボット等が収納された基板搬送装置が設けられることがある。
【特許文献１】特開平１０−１６３０９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したような構成の基板処理システムの基板搬送装置には、一般にＣ／Ｄ装置からの基板が、複数枚の基板が基板キャリアに収容された状態で搬送されてくる。基板キャリアの載置位置は、ＳＥＭＩ規格により設置場所の床面から９００ｍｍの高さとすることが規定されている。この一方で、露光装置では、装置の構成上、基板を載置する基板ステージは床面に近いところに配置されていることが多い。
【０００８】
そして、露光装置の処理能力を最大限に活用するためには、露光処理の処理周期以内にＣ／Ｄ装置から基板を供給する必要がある。
ここで、露光装置の処理能力とＣ／Ｄ装置の処理能力とが均衡している場合には、基板の供給・回収動作が交互に行われ、露光装置に対して一定の周期毎に基板が供給されることになる。しかし、露光装置の処理能力とＣ／Ｄ装置の処理能力とに差がある場合には、基板の供給・回収動作の周期がくずれるため、露光装置とＣ／Ｄ装置とのいずれかで待ち状態が発生して生産性が低下するという問題があった。
【０００９】
例えば、露光装置から基板回収の指示が出力されると、基板搬送装置は露光装置の基板の回収動作を行うが、回収動作を開始すると、その回収動作と並行して他の基板の供給・回収を行うことができない。このため、この基板の回収動作中に、露光装置から基板の供給指示が出されたとしても、基板搬送装置は、基板の回収動作が完了した後に露光装置へ基板を供給する。そして、基板供給動作が開始されるまでには、基板回収動作が完了するまでの待ち時間が生じ、生産性が低下してしまう。
【００１０】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、基板搬送に伴う生産性の低下を抑制できる基板搬送装置、基板処理システム及び基板搬送方法並びにデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１０に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板搬送装置は、基板（Ｐ）に所定の処理を行う基板処理装置（Ｃ／Ｄ）と、基板上に所定のパターン像を形成する露光装置（ＥＸ）との間で、基板の受け渡しを行う基板搬送装置（ＨＣＤ）において、基板処理装置との間で基板の受け渡しを行う第１の受け渡し装置（２２）と、露光装置との間で基板の受け渡しを行う第２の受け渡し装置（２４）と、第１の受け渡し装置と第２の受け渡し装置との間で基板を中継する中継装置（２３）とを有することを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の基板搬送方法は、基板に所定の処理を行う基板処理装置と、基板上に所定のパターン像を形成する露光装置との間で、基板の受け渡しを行う基板搬送装置の基板搬送方法において、基板を、基板処理装置との間で第１の受け渡し装置で受け渡し、中継装置を介して第２の受け渡し装置に搬送し、露光装置との間で第２の受け渡し装置で受け渡すことを特徴としている。
【００１３】
従って、本発明の基板搬送装置及び基板搬送方法では、基板処理装置との間での基板の搬入・搬出を専ら第１の受け渡し装置が行う。搬入された基板は、中継装置を介して、専ら露光装置との間で基板の搬入・搬出を行う第２の受け渡し装置に搬送され、露光装置に供給される。これとは逆に、露光済みの基板については、第２の受け渡し装置により露光装置より回収される。回収された基板は、中継装置を介して、第１の受け渡し装置に搬送され、基板処理装置に搬送される。この際、第１及び第２受け渡し装置、中継装置をそれぞれ独立して稼動させることができる。このため、基板搬送装置内において、複数枚の基板を同時に搬送することができて、例えば、露光装置から露光済みの基板の回収を行いつつ、次の露光装置への基板の供給の準備を並行して行うことができる。
【００１４】
これにより、本発明では、基板搬送装置内の基板の搬送に起因して露光装置における基板処理に待機時間が生じることを抑制でき、基板処理システムの生産性を向上することができる。
【００１５】
そして、本発明の基板処理システムは、基板に所定の処理を行う基板処理装置と、基板上に所定のパターン像を形成する露光装置と、基板処理装置と露光装置との間で基板の受け渡しを行う先に記載の基板搬送装置とを有することを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の露光方法は、基板処理装置で基板に所定の処理を行い、基板を基板搬送装置を介して露光装置に搬送し、基板上に所定のパターン像を形成する露光方法において、基板を、先に記載の基板搬送方法により搬送することを特徴とするものである。
【００１７】
従って、本発明の基板処理システム及び露光方法では、基板に対する露光処理や感光剤塗布処理、現像処理等の基板処理に、基板搬送装置内での基板搬送に起因する待機時間が生じてことを抑制でき、基板処理システムの生産性を向上することができる。
【００１８】
また、本発明のデバイスの製造方法は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、リソグラフィ工程は、先に記載の基板搬送方法あるいは露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするものである。
【００１９】
従って、本発明のデバイスの製造方法では、効率よくデバイスを製造することが可能になる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、基板搬送に伴う生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の基板搬送装置、基板搬送方法、基板処理システム及び露光方法並びにデバイスの製造方法の実施の形態を、図１〜図１０を参照して説明する。ここでは、本発明の基板搬送装置が、例えば露光装置に付属して設けられる場合の例を用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２２】
なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２３】
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システムＳＹＳを示す概略構成図であり、図２は、基板Ｐの搬送経路を主眼としてモデル的に図示した基板処理システムＳＹＳの平面図である。
【００２４】
この基板処理システムＳＹＳは、露光装置ＥＸと、基板搬送装置ＨＣＤとが、インターフェースＩＦを介して接続された構成になっている。基板搬送装置ＨＣＤには、基板Ｐを収容した基板キャリアＣＲを搬送する、例えば天井搬送装置、自動搬送車等の搬送システムＴＲを介して複数台（本実施形態では、４台）のコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄが接続されている。
【００２５】
コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄは、露光処理される前の基板Ｐの基材（例えば半導体ウエハやガラスプレート等）に対して感光材（レジスト）の塗布処理を行う塗布テーブル（図示略）と、露光装置ＥＸにおいて露光処理された後の基板Ｐに対して現像処理を行う現像テーブル（図示略）とを備えている。
【００２６】
基板搬送装置ＨＣＤは、キャリア載置部２１と、コータ・デベロッパ装置側ロボット（以下、「ＣＤ側ロボット」という）２２と、中継テーブル２３と、露光装置側ロボット（以下、「ＥＸ側ロボット」という）２４とを有している。図２に示すように、キャリア載置部２１は、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄでレジストが塗布処理された露光前の基板Ｐを収容する基板キャリアＣＲを載置する露光前キャリア載置部２１ａと、露光装置ＥＸにおいて露光処理された後の基板Ｐを収容する基板キャリアＣＲを載置する露光後キャリア載置部２１ｂとを有している。ＣＤ側ロボット２２は、露光前の基板Ｐを基板キャリアＣＲから１枚ずつ抜き出して中継テーブル２３上に載置するとともに、中継テーブル２３上の露光後の基板Ｐを基板キャリアＣＲに差し入れたりする。
【００２７】
中継テーブル２３は、基板Ｐを載置して、ＣＤ側ロボット２２に対応する第１の位置と、ＥＸ側ロボット２４に対応する第２の位置との間を往復動する。中継テーブル２３には、基板Ｐの載置面２３ａから出没して、基板Ｐを載置面２３ａに接離させる複数のピン２３ｂが設けられている。また、中継テーブル２３の内部には、冷却水路２３ｃが形成され、中継テーブル２３上に載置された基板Ｐの温度調節を行うようになっている。また、中継テーブル２３には、その中継テーブル２３の温度を検出する温度計２３ｄが設けられている。そして、後述する制御装置２５により、温度計２３ｄの検出結果に基づいて冷却水の温度が調整され、中継テーブル２３の載置面２３ａの温度が制御されるようになっている。
【００２８】
ＥＸ側ロボット２４は、露光装置ＥＸのインターフェースＩＦの基板搬出入路に対応する第２の位置に設けられ、露光前の基板Ｐを中継テーブル２３から露光装置ＥＸのインターフェースＩＦに搬入するとともに、露光後の基板ＰをインターフェースＩＦから中継テーブル２３上に搬出する。
【００２９】
基板搬送装置ＨＣＤには、ＣＤ側ロボット２２、中継テーブル２３、及びＥＸ側ロボット２４の動作を制御する制御装置２５が接続されている。この制御装置２５には、基板搬送装置ＨＣＤ内への基板Ｐの搬入状況に関する情報、基板搬送装置ＨＣＤ内における各基板Ｐの位置情報、中継テーブル２３の温度情報、露光装置ＥＸにおける基板Ｐの処理状況に関する情報等が入力され、各情報は表示装置２６に表示される。
【００３０】
露光装置ＥＸは、基板搬送装置ＨＣＤとの接続部を形成するインターフェースＩＦと、基板Ｐの露光処理を行う露光装置本体ＥＸＣと、基板Ｐを搬送する搬送系Ｈと、プリアライメントユニットＰＵと、温調ユニットＳＵと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する主制御系ＣＯＮＴとを備えている。インターフェースＩＦ、露光装置本体ＥＸＣ及び搬送系Ｈは清浄度が管理されたチャンバＣＨ内部に配置されている。
【００３１】
インターフェースＩＦには、図２に示すように、基板搬送装置ＨＣＤによって露光前の基板Ｐを供給される供給用テーブル３１と、露光装置本体ＥＸＣで露光処理された基板Ｐが載置され、基板搬送装置ＨＣＤによって回収される回収用テーブル３２とが設けられている。
【００３２】
露光装置本体ＥＸＣは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有し、基板Ｐを保持した基板ホルダＰＨを移動可能な基板ステージＰＳＴとを備えている。また、露光装置本体ＥＸＣは、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬとを備えている。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ、ガラスプレート等の基材上に感光材（レジスト）を塗布したものを含み、基板キャリア内に収容された状態の基板をも含む。「マスク」は基板Ｐ上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクル、フォトマスク等を含む。
【００３３】
また、本実施形態では、露光装置本体ＥＸＣとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。
【００３４】
露光装置本体ＥＸＣは、本実施形態では露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＡＲを形成し、液浸領域ＡＲの液体ＬＱを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して基板Ｐを露光する。なお、本発明は、上記液浸法が適用されない露光装置にも用いることができることは言うまでもない。
【００３５】
プリアライメントユニットＰＵは、基板ステージＰＳＴに搬送される基板Ｐに対して、予備的に（大まかに）位置決めするものである。温調ユニットＳＵは、基板ステージＰＳＴに搬送される基板Ｐに対して、当該基板ステージＰＳＴの温度（露光装置本体ＥＸＣの雰囲気温度）に温度調整するものである。
【００３６】
搬送系Ｈは、インターフェースＩＦにおける供給用テーブル３１と露光装置本体ＥＸＣとの間で基板Ｐを搬送する複数の搬送アームＨ１〜Ｈ３（図１参照、図２では図示せず）と、回収用テーブル３２と露光装置本体ＥＸＣとの間で基板Ｐを搬送する複数の搬送アームＨ４、Ｈ５（図２参照、図１では図示せず）とを備えている。
【００３７】
搬送アームＨ１は、供給用テーブル３１からプリアライメントユニットＰＵに基板Ｐを搬送する。搬送アームＨ２は、プリアライメントユニットＰＵから温調ユニットＳＵに基板Ｐを搬送する。搬送アームＨ３は、温調ユニットＳＵから露光装置本体ＥＸＣの基板ステージＰＳＴに露光処理前の基板Ｐを搬入する。搬送アームＨ４は、露光処理が終了した基板Ｐを露光装置本体ＥＸＣの基板ステージＰＳＴから搬出するアンロードアーム（スライダ）である。搬送アームＨ５は、搬送アームＨ４から基板Ｐを受け取って回収用テーブル３２に搬送する。これら搬送系Ｈの動作は、上述した主制御系ＣＯＮＴにより制御される。
【００３８】
主制御系ＣＯＮＴは、露光装置ＥＸにおける各構成機器、具体的には露光装置本体ＥＸＣによる露光処理に関する状況や搬送系Ｈにおける基板Ｐの搬送状況、プリアライメントユニットＰＵにおけるアライメント状況、温調ユニットＳＵにおける温調状況等、各機器における処理状況を表示する表示装置３３を備えている。
【００３９】
また、主制御系ＣＯＮＴと制御装置２５とは、例えばＬＡＮ等で接続され、互いに通信可能となっている。
ここで、基板Ｐの搬送手順の概略を説明する。
【００４０】
露光装置ＥＸの主制御系ＣＯＮＴは、基板Ｐの供給要求を基板搬送装置ＨＣＤの制御装置２５に出力する。制御装置２５は、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄの塗布テーブルで感光材の塗布処理を施された基板Ｐを、ＣＤ側ロボット２２により露光前キャリア載置部２１ａに載置された基板キャリアＣＲから１枚抜き出して、中継テーブル２３のピン２３ｂ上に移動させる。次いで、制御装置２５は、ピン２３ｂを載置面２３ａに没入させ、基板Ｐを予め所定の温度（例えば、露光装置ＥＸ内の雰囲気温度）に調整された中継テーブル２３に接触させ、基板Ｐのおおよその温度調整を行うとともに、中継テーブル２３をＥＸ側ロボット２４の作動位置まで降下させる。制御装置２５は、ピン２３ｂを載置面２３ａから突出させ、基板Ｐを載置面２３ａから離間させ、ＥＸ側ロボット２４によってインターフェースＩＦの供給用テーブル３１まで搬送させる。インターフェースＩＦの供給用テーブル３１に搬送された基板Ｐは、搬送アームＨ１によって、プリアライメントユニットＰＵに渡される。ここで、プリアライメントユニットＰＵに渡された基板Ｐは、基板ステージＰＳＴに対して大まかに位置合わせ（プリアライメント）される。
【００４１】
位置合わせされた基板Ｐは、搬送アームＨ２によって温調ユニットＳＵに搬送されて、基板ステージＰＳＴの温度と略同一の所定温度に微調整された後に、搬送アームＨ３によって、露光装置本体ＥＸＣの基板ステージＰＳＴ上に搬入される。そして、露光処理が施された基板Ｐは、搬送アームＨ４により基板ステージＰＳＴから搬出された後に、搬送アームＨ５に受け渡され、この搬送アームＨ５によって回収用テーブル３２に搬送される。
【００４２】
基板Ｐが回収用テーブル３２に載置されて基板回収が可能な状態となると、主制御系ＣＯＮＴは基板回収要求を基板搬送装置ＨＣＤの制御装置２５に出力する。基板回収要求が通知されると、制御装置２５は、回収用テーブル３２に載置された基板ＰをＥＸ側ロボット２４によって回収させ、中継テーブル２３に搬送する。制御装置２５は、中継テーブル２３をＣＤ側ロボット２２の作動位置まで上昇させ、基板ＰをＣＤ側ロボット２２により露光後キャリア載置部２１ｂに載置された基板キャリアＣＲに回収させる。そして、基板キャリアＣＲ内の露光処理後の基板Ｐが所定枚数に達すると、基板キャリアＣＲは、搬送システムＴＲを介して所定のコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄに戻され、現像処理がなされる。
【００４３】
このように、基板Ｐは、基板搬送装置ＨＣＤ、搬送系Ｈ及び搬送システムＴＲによって搬送されることにより、感光剤塗布処理、露光処理、現像処理の一連の工程が施される。
ここで、上記の基板搬送装置ＨＣＤの基板搬送処理について、図３に示すフローチャートを参照して説明する。
【００４４】
まず、ステップＳ１において、露光装置ＥＸの主制御系ＣＯＮＴから基板供給要求が出されると、基板搬送装置ＨＣＤの制御装置２５は、各コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄにおける基板Ｐの塗布処理状況及び基板搬送装置ＨＣＤ内への露光処理前の基板Ｐの搬入状況に基づいて基板供給が可能かどうかを判断する（ステップＳ２）。ここで、供給可能な場合には、露光装置ＥＸ内に収容されている基板Ｐの枚数が、最大枚数に達していないかを判断する（ステップＳ３）。露光装置ＥＸ内の基板Ｐの枚数が最大枚数に達していなければ、既に基板搬送装置ＨＣＤ内に搬入されている露光処理前の基板Ｐまたは、必要に応じて供給可能なコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄから搬送システムＴＲを介して基板搬送装置ＨＣＤに搬入した基板Ｐを、前述の基板搬送動作にて基板供給処理を実行する（ステップＳ４）。そして、処理を終了する。
【００４５】
一方、ステップＳ２において、基板Ｐの準備が整っておらず、基板供給が不能な場合、制御装置２５は、露光装置ＥＸの主制御系ＣＯＮＴから基板回収要求が出力されているかを判断し（ステップＳ５）、基板回収要求が通知されていない場合は、基板Ｐの準備が整うまでそのまま待機する（ステップＳ６）。
【００４６】
そして、ステップＳ５において基板回収要求が通知された場合、制御装置２５はステップＳ７において、基板搬送装置ＨＣＤによる基板回収処理に要する時間が、基板供給可能となるまでの時間よりも長いか否かを比較判断する。この基板搬送装置ＨＣＤによる基板回収処理に要する時間は、露光処理前に予め計測して制御装置２５に記憶されているものである。また、各コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ及び基板搬送装置ＨＣＤにおいて基板Ｐが供給可能となるまでの時間は、制御装置２５が基板Ｐに対する感光剤塗布処理のシーケンス及び基板搬送装置ＨＣＤ内の基板Ｐの位置情報に基づいて、ソフトウェア的に予測したものである。
【００４７】
ステップＳ７で、基板回収処理に要する時間が基板供給までに要する時間よりも短い場合、直前の基板Ｐの露光装置ＥＸへの供給時間から所定時間が経過しているかを判断する（ステップＳ８）。ここで、この所定時間は、露光装置ＥＸにおける最大スループット時の処理時間に一定の時間を加えたものである。
【００４８】
所定時間が経過している場合には、基板搬送装置ＨＣＤによる基板回収処理に要する時間が、露光装置ＥＸの温調ユニットＳＵでの次の基板Ｐの温度調節に要する時間よりも長いか否かを比較判断する（ステップＳ９）。基板Ｐの回収に要する時間の方が短い場合には、基板Ｐが供給可能となるとともに次の基板Ｐの温度調節されるまでに基板Ｐの回収処理が完了することになるため、制御装置２５は基板搬送装置ＨＣＤによって基板回収処理を実行させる（ステップＳ１０）。
【００４９】
一方、ステップＳ８において直前の基板Ｐの露光装置ＥＸへの供給時間から所定時間が経過していない場合、あるいはステップＳ９において基板Ｐの回収に要する時間の方が長い場合には、露光装置ＥＸからの基板Ｐの回収を行うことなく、基板Ｐの準備が整うまでそのまま待機する（ステップＳ６）。
【００５０】
ステップＳ７で、基板回収処理に要する時間が基板供給までに要する時間よりも長い場合、基板回収処理を実施しても、基板Ｐが供給可能となったときに基板回収処理が完了しておらず、基板供給処理を実施できなくなり、露光装置ＥＸに基板供給待ちの状態が生じることになる。そのため、制御装置２５は、このような場合、基板搬送装置ＨＣＤによる基板回収処理を行わせずに、基板Ｐが供給可能となるまで待機させる（ステップＳ６）。そして、制御装置２５は、基板Ｐが供給可能となって搬送された後に、上述したステップＳ８において基板回収処理を基板搬送装置ＨＣＤに実行させる。
【００５１】
ステップＳ３において、露光装置ＥＸ内の基板Ｐの枚数が最大枚数に達していると判断された場合には、ステップＳ５に移行して、露光装置ＥＸの主制御系ＣＯＮＴから基板回収要求が出力されているかを判断し、以下上記の処理に従う。
【００５２】
なお、上記のような基板Ｐの準備による待ちで基板回収処理を実施していない状況は、表示装置２６、３３に供給動作優先中等の表示がなされる。
従って、本実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
【００５３】
（１）この基板搬送装置ＨＣＤは、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの間で基板Ｐの受け渡しを行うＣＤ側ロボット２２と、露光装置ＥＸとの間で基板Ｐの受け渡しを行うＥＸ側ロボット２４と、ＣＤ側ロボット２２とＥＸ側ロボット２４との間で基板Ｐを中継する中継テーブル２３とを有している。
【００５４】
このため、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの間での基板Ｐの搬入・搬出を専らＣＤ側ロボット２２が行う。搬入された基板Ｐは、中継テーブル２３を介して、専ら露光装置ＥＸとの間で基板Ｐの搬入・搬出を行うＥＸ側ロボット２４に搬送され、露光装置ＥＸに供給される。これとは逆に、露光済みの基板Ｐについては、ＥＸ側ロボット２４により露光装置ＥＸより回収される。回収された基板Ｐは、中継テーブル２３を介して、ＣＤ側ロボット２２に搬送され、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄに搬送される。この際、ＣＤ側ロボット２２、ＥＸ側ロボット２４、中継テーブル２３をそれぞれ独立して稼動させることができる。このため、基板搬送装置ＨＣＤ内において、複数枚の基板Ｐを同時に搬送することができて、例えば、露光装置ＥＸから露光済みの基板Ｐの回収を行いつつ、次の露光装置ＥＸへの基板Ｐの供給の準備を並行して行うことができる。
【００５５】
従って、基板搬送装置ＨＣＤ内の基板Ｐの搬送に起因して露光装置ＥＸにおける基板処理に待機時間が生じることを抑制でき、露光装置ＥＸを含むシステム全体の生産性を向上することができる。
【００５６】
（２）また、比較的高い位置に載置される基板キャリアＣＲと、比較的低い位置に設けられている基板ステージＰＳＴとの間で、基板Ｐを降下・上昇させる処理を、専ら基板搬送装置ＨＣＤ内で行うようにしている。
【００５７】
従って、一般に露光装置ＥＸより処理能力が遅いコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ内で基板Ｐの降下・上昇処理を行うことがないため、基板搬送装置ＨＣＤ内の基板Ｐの搬送に起因して露光装置ＥＸにおける基板処理に待機時間が生じることを抑制でき、露光装置ＥＸを含むシステム全体の生産性を向上することができる。
【００５８】
（３）この基板搬送装置ＨＣＤでは、ＣＤ側ロボット２２が、複数のコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄからの基板Ｐを収容する基板キャリアＣＲとの間で受け渡しを行う。このため、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄより処理時間の短い露光装置ＥＸに、滞りなく基板Ｐを供給することができ、露光装置ＥＸの生産性を向上させることができる。また、少量多品種のデバイスの製造に対しても、各コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄの処理条件を異ならせておくことで、煩雑なコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄの条件変更動作を経る必要がなく、容易に対応することができる。
【００５９】
（４）この基板搬送装置ＨＣＤでは、中継テーブル２３に冷却水路２３ｃが設けられ、基板Ｐを基板搬送装置ＨＣＤ内で移動させつつ温度状態を調節している。このため、基板Ｐが露光装置ＥＸに供給する前に、基板Ｐを予め所定の温度近くとなるように調整しておくことができる。従って、露光装置ＥＸの温調ユニットＳＵにおける基板Ｐの温度の微調整の所要時間を大幅に短縮することができて、露光装置ＥＸにおける露光前の処理時間の短縮により、露光装置ＥＸの生産性をさらに向上することができる。
【００６０】
（５）この基板搬送装置ＨＣＤでは、中継テーブル２３が、互いに高さの異なるＣＤ側ロボット２２の作動位置と、ＥＸ側ロボット２４の作動位置との間を移動するようになっている。このため、ＣＤ側ロボット２２及びＥＸ側ロボット２４が、基板Ｐの上下移動を担うことなく基板Ｐの受け渡しのみを分担することができる。従って、基板搬送装置ＨＣＤの基板Ｐの搬送における自由度を増大させることができる。
【００６１】
（６）この基板搬送装置ＨＣＤでは、基板Ｐとの熱交換に伴う中継テーブル２３の温度変化を検出する温度計２３ｄを備え、その温度計２３ｄでの検出結果に基づいて、中継テーブル２３の温度を制御するようになっている。このため、基板Ｐを所定の温度に精度よく調整することができ、露光装置ＥＸの温調ユニットＳＵでの基板Ｐの温度調整をさらに短時間で行うことができる。
【００６２】
（７）この基板搬送装置ＨＣＤでは、中継テーブル２３の温度状態が表示装置２６に表示されるようになっている。このため、オペレータ等の作業者が中継テーブル２３の状態を容易に把握することができる。
【００６３】
（８）この基板搬送装置ＨＣＤでは、露光装置ＥＸに供給可能な基板Ｐの最大枚数と、露光装置ＥＸ内に収容されている基板Ｐの枚数とを比較して、露光装置ＥＸ内の基板Ｐの枚数が最大枚数に達するまでは基板Ｐの露光装置ＥＸ内への供給を露光装置ＥＸからの回収に優先して行うように制御されている。このため、露光装置ＥＸ内に常に次の露光処理用の基板Ｐが用意されることになり、露光装置ＥＸの露光装置本体ＥＸＣ、温調ユニットＳＵ、プリアライメントユニットＰＵが待機状態となることを抑制することができる。従って、露光装置ＥＸの生産性を最大限に発揮させることができる。
【００６４】
（９）この基板搬送装置ＨＣＤでは、直前の基板Ｐの露光装置ＥＸへの供給時間から、露光装置ＥＸにおける最大スループット時の処理時間に一定の時間を加えた所定時間が経過するまでは、基板Ｐの露光装置ＥＸ内への供給を露光装置ＥＸからの回収に優先して行うようになっている。このため、露光装置ＥＸにおいて、基板回収により不用意に待機状態となることが回避され、最大スループットでの運転を確保することができる。
【００６５】
（１０）この基板搬送装置ＨＣＤでは、制御装置２５が、露光装置ＥＸからの基板Ｐの回収に要する時間内に、次の基板Ｐが露光装置ＥＸ内へ供給可能となる場合には基板Ｐの供給を優先して行うようになっている。
【００６６】
このように、本実施形態では、基板回収要求が通知された場合でも、基板回収に要する時間よりも、基板Ｐが供給可能となるまでの時間が短いときには、基板Ｐの供給処理を優先するため、供給された基板Ｐを用いる露光装置ＥＸに滞りなく搬入することができ、基板Ｐの供給遅れに起因して、露光処理に待ち時間が生じ生産性が低下することを抑制できる。
【００６７】
（１１）この基板搬送装置ＨＣＤでは、露光装置ＥＸの温調ユニットＳＵでの次の基板Ｐの温度調節に要する時間内に、露光装置ＥＸから基板Ｐの回収要求が出された場合には、基板Ｐの回収を優先して行うようになっている。このため、露光装置ＥＸからの基板Ｐの回収が、基板Ｐの露光前の処理の中で比較的時間を要する温度調節処理によって待機させられることが抑制され、現像処理等の露光処理後の基板Ｐの処理を効率よく行うことができる。
【００６８】
（１２）この基板搬送装置ＨＣＤでは、基板Ｐの状態を表示する表示装置２６を有している。また、主制御系ＣＯＮＴは、搬送系Ｈにおける基板Ｐの搬送状況等を表示する表示装置３３を有している。このため、本実施形態では、基板搬送装置ＨＣＤ内の基板Ｐの位置や、基板供給処理を優先するために、基板回収処理を実施しないという待機状況が表示装置２６，３３に表示されるため、オペレータ等の作業者が処理状況を容易に把握することが可能となっている。
【００６９】
なお、上記実施形態では、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ及び基板搬送装置ＨＣＤにおいて、基板Ｐが供給可能となるまでの時間は、制御装置２５が感光剤の塗布処理状況及び基板搬送装置ＨＣＤ内の基板Ｐの搬送状態に基づいて、ソフトウェア的に予測するものとしたが、これに限定されるものではない。例えばコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄの塗布テーブル及びその周辺にセンサ等の各種計測装置を設置し、この計測装置によって基板Ｐが供給可能となるまでの時間を計測する構成としてもよい。この場合、感光剤の塗布処理に要する時間が変動しても、基板Ｐが供給可能となるまでの時間を正確に把握することが可能になり、より確実に待ち時間を生じさせることなく露光装置ＥＸに基板Ｐを供給することが可能になる。
【００７０】
＜第２実施形態＞
続いて、本発明に係る基板搬送装置の第２実施形態について、図４を参照して説明する。この第２実施形態では、基板搬送装置ＨＣＤの中継テーブル２３の構成が第１実施形態と異なっている。
【００７１】
図４に示すように、この第２実施形態の基板搬送装置ＨＣＤでは、中継テーブル２３が基板Ｐを載置するペルチェ素子４１と、そのペルチェ素子４１の裏面に接合してペルチェ素子４１の廃熱を除去する廃熱プレート４２とからなっている。この廃熱プレート４２内には、冷却水路（図示略）が形成されている。
【００７２】
このように構成しても、第１実施形態と同様の効果が発揮される。
＜第３実施形態＞
続いて、本発明に係る基板搬送装置の第３実施形態について、図５を参照して説明する。この第３実施形態では、基板搬送装置ＨＣＤの中継テーブル２３の構成が第２実施形態と異なっている。
【００７３】
図５に示すように、この第３実施形態の基板搬送装置ＨＣＤでは、基板Ｐを載置するペルチェ素子４１と廃熱プレート４２とが接離可能となっている。ここで、廃熱プレート４２はＥＸ側ロボット２４の作動位置に対応する位置に固定されている。そして、ペルチェ素子４１のみが、ＣＤ側ロボット２２の作動位置に対応する位置と、ＥＸ側ロボット２４の作動位置に対応する位置と間を往復するようになっている。この構成では、ペルチェ素子４１がＥＸ側ロボット２４の作動位置に対応する位置に移動した際に、ペルチェ素子４１と廃熱プレート４２とが接合されて、ペルチェ素子４１の廃熱が除去される。
【００７４】
このように構成した場合、第１実施形態と同様の効果に加えて以下の効果が期待される。
（１３）この基板搬送装置ＨＣＤでは、中継テーブル２３が、基板Ｐとの間で熱交換するペルチェ素子４１と、ペルチェ素子４１で熱交換された基板Ｐの熱を基板搬送装置ＨＣＤの外部に排出する廃熱プレート４２とを備えている。そして、ペルチェ素子４１が、基板Ｐを保持しつつ、ＣＤ側ロボット２２の作動位置と、ＥＸ側ロボット２４の作動位置との間を移動するとともに、ＥＸ側ロボット２４の作動位置で廃熱プレート４２に熱交換するようになっている。
【００７５】
このように構成した場合、廃熱プレート４２に冷却水を供給する配管が移動されることがなく、構成の簡素化を図ることができる。
＜第４実施形態＞
続いて、本発明に係る基板搬送装置の第４実施形態について、図６を参照して説明する。この第４実施形態では、基板搬送装置ＨＣＤの中継テーブル２３の構成が前記各実施形態と異なっている。
【００７６】
図６に示すように、この第４実施形態の基板搬送装置ＨＣＤでは、基板Ｐを載置する金属製の伝熱プレート４３と廃熱プレート４２とが接離可能となっている。ここで、廃熱プレート４２はＥＸ側ロボット２４の作動位置に対応する位置に固定されている。そして、伝熱プレート４３のみが、ＣＤ側ロボット２２の作動位置に対応する位置と、ＥＸ側ロボット２４の作動位置に対応する位置と間を往復するようになっている。この構成では、伝熱プレート４３がＥＸ側ロボット２４の作動位置に対応する位置に移動した際に、伝熱プレート４３と廃熱プレート４２とが接合されて、基板Ｐの熱が伝熱プレート４３及び廃熱プレート４２を介して除去される。
【００７７】
このように構成しても、第３実施形態と同様の効果が発揮される。
＜第５実施形態＞
続いて、本発明に係る基板搬送装置の第５実施形態について、図７を参照して説明する。この第５実施形態では、基板搬送装置ＨＣＤの中継テーブル２３の構成が第２実施形態と異なっている。
【００７８】
図７に示すように、この第５実施形態の基板搬送装置ＨＣＤでは、ペルチェ素子４１と廃熱プレート４２とのいずれもがＥＸ側ロボット２４の作動位置に対応する位置に固定されている。そして、ペルチェ素子４１から出没するピン２３ｂのみが、ＣＤ側ロボット２２の作動位置に対応する位置と、ＥＸ側ロボット２４の作動位置に対応する位置と間を往復するようになっている。この構成では、ピン２３ｂがペルチェ素子４１内に没入して、基板Ｐがペルチェ素子４１に接合された際に、基板Ｐの熱が伝熱プレート４３及び廃熱プレート４２を介して除去される。
【００７９】
このように構成した場合、第３実施形態と同様の効果に加えて以下の効果が期待される。
（１４）この基板搬送装置ＨＣＤでは、基板Ｐとの間で熱交換するペルチェ素子４１も、ＥＸ側ロボット２４の作動位置に固定されている。このため、ペルチェ素子４１の配線も固定することができ、更なる構成の簡素化を図ることができる。
【００８０】
＜第６実施形態＞
続いて、本発明に係る基板搬送装置の第６実施形態について、図８を参照して説明する。この第６実施形態では、基板搬送装置ＨＣＤの中継テーブル２３の構成が第２実施形態と異なっている。
【００８１】
図８に示すように、この第６実施形態の基板搬送装置ＨＣＤでは、ペルチェ素子４１がターンテーブルとなっているとともに、ペルチェ素子４１上に載置された基板Ｐの表面に対向するようにシャワー４４と、基板Ｐのオリフラやノッチの位置を検出する位置センサ４５とが設けられている。
【００８２】
この基板搬送装置ＨＣＤでは、ペルチェ素子４１を回転させつつ、シャワー４４から洗浄水、あるいはエアーを基板Ｐの表面や裏面、あるいは側面などに噴射することにより、基板Ｐ上の異物を除去することができるようになっている。また、制御装置２５は、位置センサ４５により検出されたオリフラやノッチの位置から、基板Ｐ自体の位置をＸＹ平面内における位置を求めるようになっている。そして、その位置情報に基づいて、ペルチェ素子４１を回転させたり、ＥＸ側ロボット２４の作動状態を調節したりすることにより、基板ＰのインターフェースＩＦの供給用テーブル３１に対する相対位置を調整して、基板Ｐのプリアライメントを行うようになっている。
【００８３】
このように構成した場合、第２実施形態と同様の効果に加えて以下の効果が期待される。
（１５）この基板搬送装置ＨＣＤでは、基板Ｐの位置を検出して、その位置の検出結果に基づいて、基板Ｐと供給用テーブル３１との相対位置を調節するようになっている。このため、露光装置ＥＸのプリアライメントユニットＰＵでのプリアライメントが、基板Ｐの位置を微調整するのみでよくなり、プリアライメントを迅速に行うことができる。従って、露光装置ＥＸでの露光処理をさらに効率よく行うことができる。
【００８４】
（１６）この基板搬送装置ＨＣＤでは、シャワー４４とターンテーブル機能を有するペルチェ素子４１とを有している。このため、基板Ｐ上の異物を除去することができて、基板Ｐの歩留まりを向上させることができる。
【００８５】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００８６】
例えば、上記実施形態において、基板搬送装置ＨＣＤを、露光装置ＥＸのチャンバＣＨ内に設ける構成や、インターフェースＩＦに設ける構成としてもよい。
また、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの間の基板供給処理及び基板回収処理について優先的な処理動作を選択する以外にも、露光装置ＥＸ内、またはコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ内において基板搬送処理に関して優先的な処理動作を選択してもよい。例えば、露光装置ＥＸ内、またはコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ内で基板回収処理と基板供給処理が実施される場合に適用してもよい。
【００８７】
また、本発明に係る基板搬送装置ＨＣＤは、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの間で基板Ｐを搬送する構成の他に、露光装置ＥＸとの間、及びコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの間でそれぞれ基板が搬送され、搬送された基板に対して所定の検査処理を行う検査装置など、各種処理装置との間で基板Ｐを搬送する構成とすることもできる。
【００８８】
さらに、上記実施形態では、露光装置ＥＸの主制御系ＣＯＮＴと基板搬送装置ＨＣＤの制御装置２５とが情報を直接通信する構成としたが、これに限定されるものではない。これらの主制御系ＣＯＮＴ、２５を統括的に制御するホスト系を設け、このホスト系を介して露光装置ＥＸと基板搬送装置ＨＣＤとを制御する構成としてもよい。
【００８９】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００９０】
露光装置本体ＥＸＣとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９１】
露光装置本体ＥＸＣの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９２】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型や反射屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００９３】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００９４】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報に開示されている。
【００９５】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００９６】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図９は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００９７】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板を製造する。
【００９８】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００９９】
図１０は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１００】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）においては露光された基板を現像し、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【０１０１】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、例えば特開２０００−２９２０２号公報に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】第１実施形態に係る基板処理システムを示す概略構成図。
【図２】基板処理システムをモデル的に示す平面図。
【図３】基板搬送処理工程を示すフローチャート図。
【図４】第２実施形態に係る基板搬送装置を示す概略構成図。
【図５】第３実施形態に係る基板搬送装置を示す概略構成図。
【図６】第４実施形態に係る基板搬送装置を示す概略構成図。
【図７】第５実施形態に係る基板搬送装置を示す概略構成図。
【図８】第６実施形態に係る基板搬送装置を示す概略構成図。
【図９】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図。
【図１０】図９におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図。
【符号の説明】
【０１０３】
２２…コータ・デベロッパ側ロボット（第１の受け渡し装置）、２３…中継テーブル（中継装置、状態調節装置、移動装置、温度調節装置、位置調節装置）、２３ｄ…温度計、２４…露光装置側ロボット（第２の受け渡し装置）、２５…制御装置、２６，３３…表示装置、４１…ペルチェ素子（熱交換部材、洗浄装置）、４２…廃熱プレート（廃熱部材）、４４…シャワー（洗浄装置）、Ｃ／Ｄ…コータ・デベロッパ装置（基板処理装置）、ＥＸ…露光装置、ＨＣＤ…基板搬送装置、Ｐ…基板、ＳＹＳ…基板処理システム。
【図１】
2009076587.tif 000003
【図２】
2009076587.tif 000004
【図３】
2009076587.tif 000005
【図４】
2009076587.tif 000006
【図５】
2009076587.tif 000007
【図６】
2009076587.tif 000008
【図７】
2009076587.tif 000009
【図８】
2009076587.tif 000010
【図９】
2009076587.tif 000011
【図１０】
2009076587.tif 000012