(57)【要約】      （修正有）【課題】オリエンテーションノッチ部をノッチ形状のまま研削テープを使用して、略垂直研削面を形成することが可能な半導体ウェーハノッチ部の研削装置及び研削方法の提供。【解決手段】半導体ウェーハ１２のノッチ部の端面を研削するための半導体ウェーハノッチ部の研削装置であって、半導体ウェーハ１２を水平位置に保持するウェーハ保持台２５と、ウェーハ保持台２５により水平状態に載置された半導体ウェーハ１２のノッチ部の端面を研削テープにより研削する研削ヘッド２１と、研削ヘッド２１を垂直方向に上下揺動させる研削ヘッド揺動機構４０とを備え、研削ヘッド２１は、研削テープをノッチ部に押し当てて走行させることを特徴とする。【選択図】図１
2009107085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハのノッチ部の端面を研削するための半導体ウェーハノッチ部の研削装置であって、
半導体ウェーハを水平位置に保持するウェーハ保持手段と、
該ウェーハ保持手段により水平状態に載置された半導体ウェーハのノッチ部の端面を研削テープにより研削する研削ヘッドと、
該研削ヘッドを垂直方向に上下揺動させる研削ヘッド揺動手段とを備え、
前記研削ヘッドは、前記研削テープを前記ノッチ部に押し当ててさせて走行させることを特徴とする半導体ウェーハノッチ部の研削装置。
【請求項２】
前記研削ヘッド揺動手段は、前記研削ヘッドを半導体ウェーハの上面側に対し、鉛直方向から５度以内の角度に傾斜させるとともに、該傾斜方向に上下揺動させることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハノッチ部の研削装置。
【請求項３】
前記研磨ヘッドは、前記ノッチ部の端面に研削テープを押し当てる押当ガイドを有し、該押当ガイドの前記ノッチ部の端面に向き合う部分の形状が、前記ノッチ部の端面と略相似形状になっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウェーハノッチ部の研削装置。
【請求項４】
前記研磨ヘッドは、前記研削テープを前記ノッチ部の端面に押圧させるために前記押当ガイドを前記ノッチ部側及びその反対側に移動可能とする駆動手段を備えてなることを特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載の半導体ウェーハノッチ部の研削装置。
【請求項５】
前記研削テープは、前記ノッチ部に当接されて垂直方向又は水平方向に走行することを特徴とする請求項１ないし４の何れか一項に記載の半導体ウェーハノッチ部の研削装置。
【請求項６】
前記ウェーハ保持手段は、複数枚の半導体ウェーハを積層保持するための積層保持手段を備えてなることを特徴とする請求項１ないし５の何れか一項に記載の半導体ウェーハノッチ部の研削装置。
【請求項７】
半導体ウェーハのノッチ部の端面を研削する半導体ウェーハノッチ部の研削方法であって、
裏面研削加工前の半導体ウェーハの該裏面を上に向けて保持し、走行する研削テープを有する研削ヘッドの押当ガイドにより前記研削テープを前記半導体ウェーハのノッチ部に押し当てると共に、前記研削ヘッドを上下方向に揺動させて前記ノッチ部の端面を研削することを特徴とする半導体ウェーハノッチ部の研削方法。
【請求項８】
前記研磨ヘッドを半導体ウェーハの上面側に対し、鉛直方向から５度以内の角度に傾斜させるとともに、該傾斜方向に上下揺動させて前記ノッチ部の端面を研削することを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェーハノッチ部の研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハノッチ部の端面を研削する研削装置及び研削方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハは、その表面に各種のデバイス回路を形成するために種々の工程を移送される。このときに結晶方位を示すマークとして、ウェーハの一部を結晶軸方向に切り欠いたオリエンテーションフラットや、又はウェーハ周辺部に小さいＶ字状の切り欠きであるノッチ部を設けている。特に近年大型化したウェーハでは、上記オリエンテーションフラットを設けた場合には廃棄部分が多くなることから、小さなノッチ部を設ける傾向にある。
【０００３】
このノッチ部には、半導体ウェーハ製造における成膜の際、ノッチ部の端面に不要な金属膜などが形成される場合が多く、この金属膜が剥離し、浮遊して半導体ウェーハに付着すると、製造工程中に半導体チップが損傷したり、あるいは品質の低下を招く可能性がある。
【０００４】
そのため、ウェーハの外周部ばかりでなく、半導体ウェーハのノッチ部の端面も鏡面加工が求められている。また、Ｖ字状の切り欠きであるノッチ部は、種々の工程を通過する際に、割れや欠けが生じるのを防止するために円弧状に面取りを含む加工がなされる方法及び装置が提案されている（例えば、特許文献１〜６参照）。
【０００５】
ノッチ部の鏡面加工としては、例えば図１３のウェーハのノッチ部の拡大斜視図に示すノッチ部１６のように円弧状に面取りされた形状に加工される。
【０００６】
一般に製造工程で使用されるウェーハは、機械的強度を保つために、厚さが１ｍｍ〜０．７ｍｍ程度になっている。因みに、ウェーハの前工程では、上記のような端面構造のウェーハが各工程を移動している。
【０００７】
しかし、表面に回路が形成された半導体ウェーハは、最終的にウェーハ裏面が研削されて所定の厚さに形成された後、個々の回路ごとの半導体チップに分割されて各種電子機器に利用されている。
【０００８】
近年、電子機器の小型化、軽量化の二一ズに対応して、半導体チップの厚みを１００μｍ以下、或いは５０μｍ以下というように極めて薄く形成することが求められている。これに対応して、半導体ウェーハの裏面研削（バックグラインディング）も１００μｍ、５０μｍといった所望の厚みになるまで行われる。
【０００９】
ところで、上述のようにウェーハは、各工程間での移送時に生じる割れや欠けなどを防止するために面取り加工が施されており、図１４（ａ）に示すようにウェーハのノッチ部１６が、例えば円弧状（Ｒ形状）となっている。そして、そのノッチ部１６のＢ−Ｂ断面拡大図である図１４（ｂ）に示すように半導体ウェーハ１２は、表面にデバイス膜の形成や加工及び各工程の搬送過程において割れや欠けが生じるのを防止するために、その外周部１５及びノッチ端部１６が、例えば円弧状に面取りされている。
【００１０】
しかし、半導体ウェーハは、ウェーハでの加工を終了した段階で、ウェーハ表面１３側に保護フィルム１７を貼った後、ウェーハ表面１３を下面にして裏面１４を元の厚みの半分以下に研削される（例えば、厚さ１ｍｍ〜０．７ｍｍのウェーハが厚さ１００μｍ〜５０μｍに研削加工される）。
【００１１】
かかるウェーハの裏面１４研削すると、図１４（ｃ）に示すようにノッチ端部の裏面側がＲ形状から徐々に鋭角形状に変化してしまう。このような端部の鋭角化は、ウェーハが薄くなるにつれて、より顕著になる。さらに、ウェーハが薄くなると、ウェーハ自体の抗折強度も極端に低下してしまう。このため、かかる端部の鋭角形状の箇所に、裏面研削による負荷や後工程での衝撃がわずかでも加わると、簡単にノッチ部１６ーにチッピングが発生してしまい、かかる欠けやチッピングが起点となりウェーハが割れやすいという問題があった。
【００１２】
そこで、このような問題の解決方法として、ウェーハの縁部を研削する方法が提案されている（例えば、特許文献７、８参照）。
【００１３】
この加工方法は、ウェーハを裏面研削前の工程で行われる。ノッチ部の加工は、オリエンテーションノッチ形状の加工ではなく、オリエンテーションノッチを含む不要領域をオリエンテーションフラット形状に研削加工されている。
【特許文献１】特開平７−０６８４６１号公報
【特許文献２】特開平８−１６８９４７号公報
【特許文献３】特開２０００−０８２６８８号公報
【特許文献４】特開２０００−２５４８４５号公報
【特許文献５】特開２００１−３００８３７号公報
【特許文献６】特開２００２−０１８６８４号公報
【特許文献７】特開２００３−２７３０５３号公報
【特許文献８】特開２００５−０９３８８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記のウェーハの裏面研削前の工程で行われるノッチ部の加工は、裏面研削用表面に保護フィルムが貼り付けてあり、テープ面を円板状の吸着板に吸着した状態で研削砥石により全周エッジ部及びノッチ部が研削加工される。そして、砥石を高速回転させ吸着板を回転させる事で全周加工し、さらに砥石軸方向と直角方向にオリエンテーションフラット形成のために直進走行しながら研削が行われる。
【００１５】
しかし、このような研削は、装置間搬送に必要とされる欠け防止用エッジ部を研削してしまい次工程の裏面研削装置に搬入されるまでに欠けを発生させると言う問題がある。
【００１６】
また、オリエンテーションノッチ形状をオリエンテーションフラット形状に合わせ込む加工と、外周エッジ加工できる装置は構造が複雑になりメンテナンス性も悪い。又加工に純水も大量に使用するため、付帯設備も必要となる。
【００１７】
従って本発明は、オリエンテーションノッチ部をノッチ形状のまま研削テープを使用して、略垂直研削面を形成することが可能な半導体ウェーハノッチ部の研削装置及び研削方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記課題を解決するために、本発明が提案するものは、半導体ウェーハのノッチ部の端面を研削するための半導体ウェーハノッチ部の研削装置であって、半導体ウェーハを水平位置に保持するウェーハ保持手段と、該ウェーハ保持手段により水平状態に載置された半導体ウェーハのノッチ部の端面を研削テープにより研削する研削ヘッドと、該研削ヘッドを垂直方向に上下揺動させる研削ヘッド揺動手段とを備え、前記研削ヘッドは、前記研削テープを前記ノッチ部に押し当ててさせて走行させることを特徴とする半導体ウェーハノッチ部の研削装置である。
【００１９】
このように研削ヘッドを上下方向に揺動してノッチ部の端面を研削するので、該端面を略垂直に研削することができる。これにより、その後半導体ウェーハの裏面研削加工を行っても、ノッチ部の端部が鋭角とならず、各工程におけるノッチ部の破損、割れ、欠けを防止することが可能となる。
【００２０】
また前記研削ヘッド揺動手段は、前記研削ヘッドを半導体ウェーハの上面側に対し、鉛直方向から５度以内の角度に傾斜させるとともに、該傾斜方向に上下揺動させることができる。
【００２１】
研削ヘッドを半導体ウェーハの上面側に対し、鉛直方向から５度以内の角度に傾斜、すなわち研削ヘッドを反時計方向に鉛直方向から５度以内の角度に傾斜させ、この傾斜方向に上下揺動させると、半導体ウェーハ裏面を上にして保持してノッチ部を研削すると、裏面研削のときにノッチ端面が鈍角になるので欠けが発生し難くなる。なお傾斜角度が５度以上になると、端部が鋭利なナイフ状になり、研削中又はその後の工程搬送中において欠けやクラックが生じやすくなるので、傾斜は５度以下にする。
【００２２】
また、前記研磨ヘッドは、前記ノッチ部の端面に研削テープを押し当てる押当ガイドを有し、該押当ガイドの前記ノッチ部の端面に向き合う部分の形状が、前記ノッチ部の端面と略相似形状になっていることが好ましい。
【００２３】
すなわちノッチ部端面に研削テープが十分に押し当てられ、研削が効率よく均一に行えるようになるからである。
【００２４】
そのため前記研磨ヘッドは、前記研削テープを前記ノッチ部の端面に押圧させるために前記押当ガイドを前記ノッチ部側及びその反対側に移動可能とする駆動手段を備えることができる。
【００２５】
ノッチ部の端面への押圧力を調整して研削を効率良く行うものである。
【００２６】
また前記研削テープは、前記ノッチ部に当接されて垂直方向又は水平方向に走行することが好ましい。研削ヘッドを上下に揺動して研削するので、研削テープは垂直方向又は水平方向に走行すれば、効率よくかつ均一な研削ができる。
【００２７】
また前記ウェーハ保持手段は、複数枚の半導体ウェーハを積層保持するための積層保持手段を備えることができる。
【００２８】
複数枚の半導体ウェーハのノッチ部の端面を能率よく研削することができるものである。
【００２９】
また本発明がさらに提案するのは、半導体ウェーハのノッチ部の端面を研削する半導体ウェーハノッチ部の研削方法であって、裏面研削加工前の半導体ウェーハの該裏面を上に向けて保持し、走行する研削テープを有する研削ヘッドの押当ガイドにより前記研削テープを前記半導体ウェーハのノッチ部に押し当てると共に、前記研削ヘッドを上下方向に揺動させて前記ノッチ部の端面を研削することを特徴とする半導体ウェーハノッチ部の研削方法である。
【００３０】
円弧状、Ｒ状に研磨加工されているノッチ部の端面を、さらに略垂直に研削できるので、その後半導体ウェーハの裏面研削加工を行っても、ノッチ部の端部が鋭角とならず、各工程におけるノッチ部の破損、割れ、欠けを防止することが可能となる。
【００３１】
また前記研磨ヘッドを半導体ウェーハの上面側に対し、鉛直方向から５度以内の角度に傾斜させるとともに、該傾斜方向に上下揺動させて前記ノッチ部の端面を研削することが好ましい。傾斜方向に上下揺動させて研削すると、ノッチ端面が鈍角になるので欠けが発生し難くなるからである。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、円弧状に研磨加工されたノッチ部の端面を、略垂直な面に研削するので、その後に半導体ウェーハの裏面研削をおこなっても、ノッチ部からの欠け、亀裂又は破損の対策に効果があり、また研削テープの交換作業が短時間に効率よく行える効果がある。
【００３３】
また、研削砥石による研削と異なり、テープによる加工は、目詰りが無く必要な形状を維持できるので安定な加工ができる。
【００３４】
またノッチ部の研削を行うものであり、さらに半導体ウェーハ全周のエッジ部の研削を行うことなく、装置間搬送に必要とされる欠け防止用エッジ部を存知させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明する。
【００３６】
図１は本発明の半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第１の実施例の正面図、図２は同じく半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第１の実施例の平面図、図３（ａ）は本発明に係る研削ヘッドの第１の実施例の正面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）に示す押当ガイド３４の圧力調整機構の説明図、図４は半導体ウェーハノッチ部の端面に研削テープを押し当てた時の拡大平面図、図５は図４のＡ−Ａ断面図、図６は本発明による半導体ウェーハノッチ部の模式的拡大断面図、図７は本発明に係る半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第２の実施例を示す正面図、図８は半導体ウェーハノッチ部の端面に研削テープを押し当てて加工した時の第２の実施例を示す拡大断面図、図９は本発明に係る半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第３の実施例を示す正面図、図１０（ａ）は同じく半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第３の実施例を示す平面図、図１０（ｂ）は側面ガイド及び押え冶具の平面図、図１０（ｃ）は側面ガイド及び押え冶具の側面図、図１１（ａ）は半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第４の実施例を示す正面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の研削ヘッドの押当ガイド部分の拡大図、図１２は図同じく半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第４の実施例を示す平面図、図１３は従来の半導体ウェーハノッチ部の端面の加工面（円弧状面取り加工）の模式的拡大斜視図、半導体加工プロセスにおける、半導体ウェーハノッチ部の端面の加工面を裏面研削したときのノッチ部の形状変化を示す図である。
【実施例１】
【００３７】
図１、図２に示すように、第１の実施例である半導体ウェーハノッチ部の研削装置は、主として、装置ハウジング１１の内部に設けられた、半導体ウェーハ１２の裏面（研削面）を上面にして水平状態に載置するウェーハ保持台２５と、半導体ウェーハノッチ部１６の端面を研削するための研削ヘッド２１と、研削ヘッド２１を上下に揺動させる研削ヘッド揺動機構４０を備えたものである。
【００３８】
円盤状の半導体ウェーハ１２を水平方向に載置して保持するウェーハテーブル２４は、ポーラスな皿形状のもので、ここに載置された半導体ウェーハ１２は、ウェーハ保持台２５に配置した吸引管２６を通してハウジング１１の外部に位置する吸引ポンプ（図示せず）による吸引によりウェーハテーブル２４に密接されている。
【００３９】
水平に載置された半導体ウェーハ１２に対して、研削テープの研削部分が直交する方向に走行するように研削ヘッド２１が配置され、研削テープが半導体ウェーハ１２のノッチ部の端面に垂直方向に走行するように押し当てられるようになっている。
【００４０】
次に図３を参照して研削ヘッド２１の概要を説明する。
【００４１】
研削ヘッド２１は、プレート３１からなる箱体である。研削テープ２２は、このプレート３１に配置され、送り出しリール３２に巻かれている。研削テープ２２が補助ローラ５４ａ〜５４ｃと上側Ｖローラ５１ａ、下側Ｖローラ５１ｂを通り、補助ローラ５４ｄ、５４ｅ及びニップローラ５２、押えローラ５３、補助ローラ５４ｆを通って、巻き取りリール３３に巻き取る構造となっている。
【００４２】
この研削テープ径路で上側Ｖローラ５１ａと下側Ｖローラ５１ｂとの間が垂直方向に走行し、水平方向に載置されている半導体ウェーハ１２のノッチ部の端面の研削部に先端をノッチの形状に合わせた押当ガイド３４によって研削テープ２２を直交するように押し当てることによって研削が行われるようになっている。ここで、上側Ｖローラ５１ａと下側Ｖローラ５１ｂは、研削テープをノッチのＶ字形状に合わせて押し当てガイド３４の先端に沿ってスムーズに送り込むようにしてある。
【００４３】
次に図３（ａ）（ｂ）を参照して説明する。図３（ａ）は本発明に係る研削ヘッドの第１の実施例の正面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）の下側Ｖローラ５１ｂ（上側Ｖローラ５１ａも同じ構造）のＣ−Ｃ断面図を示すものである。Ｖローラ５１ｂは、軸受け７１を介して軸７２に回転自由に取り付けられている。送られてきた研削テープ２２は、Ｖローラ５１ａでＶ字状に曲げられノッチ形状に一致した、押当ガイド３４にスムーズに送り込まれ、同形状のＶローラ５１ｂに受け渡されるようになっている。他の補助ローラ５４ａ〜５４ｆは、平ローラが使用される。
【００４４】
研削テープ２２の走行は、ニップローラ５２に連結されたモータ５９と巻き取りリール３３のシャフト５５をベルトで連結して行われる。なお、研削テープの張力調整は、巻き取りリール３３のシャフト５６及び送り出しリール３２のシャフト５５に装着した過負荷保護器（スリップリング）５７及び５８で行うことができる。
【００４５】
なお、過負荷保護器（スリップリング）５７及び５８には、例えば、ＴＵＢＫＩ  ＥＭＥＲＳＯＮ  ＣＯ．製、「ＳＡＦＣＯＮ」：ミニキーパーＭＫシリーズが使用できる。
【００４６】
前記研削テープ２２の押当ガイド３４は、シリンダ３５に接続され、押し当て圧力が調整されるようになっている。
【００４７】
上記押当ガイド３４の押し当て圧力調整機構は、例えば図３（Ｃ）の構成が使用される。エアー挿入管７４に送られたエアーをレギュレータ７３によって所定の圧力に調整し、シリンダ３５（エアーシリンダ）によって押当ガイド３４を研削テープ２２と共にノッチ部に押し当てて研磨を行うようになっている。
【００４８】
このような構成からなる研削ヘッド２１は、図１に示すように研削ヘッド揺動機構４０を有するスライド板２３に接続されている。
【００４９】
また図１、２に示すように研削ヘッド２１の研削ヘッド揺動機構４０は、スライド板２３に配置されたＬＭガイド４１ａ、４１ｂとモータ４３に接続された偏心カム４２によって、半導体ウェーハ面に対して垂直に揺動されるようになっている。
【００５０】
次に、図１〜図３を参照して研削ヘッド２１を用いた半導体ウェーハノッチ部の研削装置の動作を説明する。この半導体ウェーハノッチ部の研削装置の動作を通じて、本発明の半導体ウェーハノッチ部の研削方法の説明をも行うものである。
【００５１】
半導体ウェーハ１２のノッチ部の研削は、半導体ウェーハのノッチ部を規定の位置に定めるために、ウェーハテーブル２４に配置して、吸引管２６による吸引により保持する。
【００５２】
次に、研削ヘッド２１の上側Ｖローラ５１ａと下側Ｖローラ５１ｂの間を移動する研削テープ２２をシリンダ３５によって押当ガイド３４をノッチ端面に押し付ける。押し付け圧力は、シリンダ３５によって押し付け圧力が調整される。一方、研削ヘッド２１は、ＬＭガイド４１ａ、４１ｂ及び、カム４２をモータ４３で駆動する構成から成る研削ヘッド揺動機構４０によって半導体ウェーハ面と垂直方向に揺動させ、研削テープ２２を送りながらノッチ端面を略垂直な研削面を形成する。図６は、本発明によって加工された半導体ウェーハノッチ部の模式的拡大断面図である。このような略垂直な研削面に加工することで、その後に半導体ウェーハの裏面を研削加工してもノッチ部の端部が鋭角形状に変化することが防げるので、ノッチ部の欠け、亀裂又は破損を抑えることが可能となるのである。
【００５３】
ここで、研削テープ２２としては、固定砥粒研削に用いられる既知の研削用研削テープが使用される。例えば、プラスチック、織布シート、不織布シート発泡体シート、植毛シート、の表面に、ダイヤモンド、酸化アルミニウム、シリカ、酸化セリュウム等の微粒子から選択される１種又は２種以上の砥粒固定した研削層を有する研削テープが使用される。
【００５４】
図４及び図５は、本発明に使用される押当ガイド３４の一例を示す。
【００５５】
図４はウェーハ１２のノッチ部１６に研削テープ２２を介して押当ガイド３４を押し込んだ状態を示す平面拡大図である。図５は図４のＡ−Ａ断面を示すノッチ部６２の拡大断面図である。ここで、押当ガイド３４の先端形状は、ノッチ部１６に押し当てられた研削テープ２２の厚みを差し引いたＲ形状にすることが好ましい。すなわち、ノッチ部１６の研削部分と押当ガイド３４の先端部分との間に研削テープ２２が十分密接して走行するように、押当ガイド３４の先端部分の形状を予め調整加工しておく必要がある。さらに、押当ガイド３４は、図５に示すように半導体ウェーハ１２の面に対して垂直に押し当てるのが好ましい。このようにすることによって、ノッチ形状の全面に研削テープが接触できるので効率のよい加工ができる。
【００５６】
図６は本発明によって加工された半導体ウェーハノッチ部の模式的拡大斜視図を示すものである。すなわち、ノッチ部１６は、半導体ウェーハ１２の表面に対して垂直な端面が形成されるので、その後に半導体ウェーハの裏面を研削加工してもノッチ部の端部が鋭角形状に変化することが防げるので、ノッチ部の欠け、亀裂又は破損を抑えることが可能となるのである。
【実施例２】
【００５７】
次に、本発明に係る半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第２の実施例について説明する。
【００５８】
図７及び図８は半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第２の実施例を示す図である。図７はその正面図である。図８は本実施例よる半導体ウェーハのノッチ部の端面に対し研削テープ１８を半時計周りに傾斜して加工したときの接触状態を示す拡大断面図である。加工の際は、半導体ウェーハ１２の表面１３に保護フィルム１７を付けた後、このウェーハ表面１３を下側にして、テーブル２４に載置し、保持台２５の吸引管２６を通して吸引固定される。
【００５９】
第１の実施例と共通する部分の説明を省略し、異なる部分を説明する。
【００６０】
図７に示すように、研削ヘッド２１を半導体ウェーハ１２のノッチ端面に対して半時計周りに傾けて配置し、研削テープを押し当ててノッチ端面を研削する。このときの傾斜角度は、５度以内にすることが好ましい。
【００６１】
このように研削ヘッド２１を半時計周りに傾斜することによって裏面研削のときにノッチ端面に対して鈍角になるので欠けが発生し難くなる。この傾斜角度が５度以上になると、端部がナイフ状になり、研削中又はその後の搬送中に欠けたやクラックが生じやすくなってしまう。
【００６２】
この実施例の場合、研削ヘッド２１はスライド板２３のＬＭガイド４１ａ、４１ｂを所定の角度に傾けて研削ヘッド２１を上下に揺動させる機構にウェーハ軸方向に対し角度Ｏ〜５度傾けて上下運動させる機構からなっている。
【実施例３】
【００６３】
次に、本発明に係る半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第３の実施例について説明する。
【００６４】
図９及び図１０は半導体ウェーハノッチ研削装置の第３の実施例を示す図である。第１の実施例と共通部分の説明を省略し、異なる部分を説明する。
【００６５】
本実施例では、半導体ウェーハ１２のノッチ部合わせて複数枚を重ね合わせ研削ヘッド１７の研削テープを半導体ウェーハ面に対して垂直押し当てて加工するものである。このようにすれば複数枚の半導体ウェーハのノッチ部を同時に効率よく加工できる。このとき半導体ウェーハの位置ずれが起きないように積層保持手段である、押え治具６２及び側面ガイド６３によって保護するようにする。
【００６６】
上記側面ガイド６３、及び押え冶具６２の構造、機能の一例を図１０（ｂ）（ｃ）により説明する。図１０（ｂ）は平面図、図１０（ｃ）は側面図である。図１０（ｂ）、（ｃ）において、ウェーハテーブル２４に配置された複数枚の半導体ウェーハ１２は、側面ガイド６３によって位置決めされ、次に押え冶具６２によって固定するようになっている。
【００６７】
ここで図１０（ｂ）のＡ１は、側面ガイド６３の開放状態を示し、Ａ２は閉状態を示す。側面ガイド６３の開閉は、アクチュエータ７５によって行われる。次に、図１０（ｃ）のＢ１は押え冶具６２の開放状態を示し、Ｂ２は押え冶具６２による押え状態を示すものである。押え冶具６２の上下移動及び加圧は、エアーシリンダ７６で行うようになっている。
【００６８】
このように複数枚を同時加工する場合は、図１０（ｃ）のＢ２に状態でノッチ加工が行われる。
【実施例４】
【００６９】
次に図１１及び図１２を参照して、本発明の半導体ウェーハノッチ端面研削装置の第４の実施例を説明する。図１１は本発明に係る半導体ウェーハノッチ端面研削装置の第４の実施例を示す平面図、図１２は同じく半導体ウェーハノッチ端面研削装置の第４の実施例を示す正面図である。なお、第１の実施例と共通部分の説明を省略し、異なる部分を説明する。また、研削装置の符号は第１の実施例と同一の符号を用いるものである。
【００７０】
本発明に係る研削ヘッド２１は、研削テープの研削部分が半導体ウェーハの周方向に平行に走行するように配置される。そのため押当ガイド３４は、研削ヘッド２１のプレート３１の面に対して垂直に配置される。また、押当ガイド３４の両脇のローラ５１ａ、５１ｂは、Ｖ字ローラでなく、平ローラ６５、６６とする。
【００７１】
図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の研削ヘッドの押当ガイド部分の拡大図である。研削テープ２２は、走行が半導体ウェーハ１２の周方向平行に平ローラ６５及び６６に沿って送られ、平ローラ６５及び６６の間の研削テープ裏面にノッチ部と同様な先端形状の押当ガイド３４を配置し、この押当ガイド３４をシリンダ３５によって押し当てて研削する。
【００７２】
この時、研削テープの揺動は半導体ウェーハ１２に対して略垂直方向に行われる。このようにすれば、前記実施例１と同様にノッチ部の端面が略垂直に研削することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第１の実施例の正面図。
【図２】同じく半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第１の実施例の平面図。
【図３ａ】本発明に係る研削ヘッドの第１の実施例の正面図。
【図３ｂ】図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図。
【図３ｃ】図３（ａ）に示す押当ガイド３４の圧力調整機構の説明図。
【図４】本発明の半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第１の実施例に係る半導体ウェーハノッチ端面に研削テープを押し当てた時の押し当て部拡大平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ断面図。
【図６】本発明によって加工された半導体ウェーハノッチ部の模式的拡大断面図。
【図７】本発明の半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第２の実施例を示す正面図。
【図８】半導体ウェーハノッチ端面に研削テープを押し当てて加工した時の本発明の第２の実施例を示す拡大断面図。
【図９】本発明の半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第３の実施例を示す正面図。
【図１０ａ】本発明の半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第３の実施例を示す平面図。
【図１０ｂ】図１０（ａ）の側面ガイド及び押え冶具の平面図。
【図１０ｃ】図１０（ａ）の側面ガイド及び押え冶具の側面図。
【図１１ａ】本発明の半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第４の実施例を示す正面図。
【図１１ｂ】図１１（ａ）の研削ヘッドの押当ガイド部分の拡大図。
【図１２】同じく半導体ウェーハノッチ部の研削装置の第４の実施例を示す平面図。
【図１３】薄膜形成工程における半導体ウェーハノッチ端面の加工面（円弧状面取り加工）の模式的拡大斜視図。
【図１４】半導体加工プロセスにおける、半導体ウェーハノッチ端面の加工面を裏面研削したときのノッチ部の形状変化を示す拡大断面図。
【符号の説明】
【００７４】
１１  パウジング
１２  半導体ウェーハ
１３  ウェーハ表面
１４  ウェーハ裏面
１５  ウェーハ外周
１６  半導体ウェーハノッチ部
１７  保護フィルム
２１  研削ヘッド
２２  研削テープ
２３  スライド板
２４  ウェーハテーブル
２５  ウェーハ保持台
２６  吸引部
３１  プレート
３２  送り出しリール
３３  巻き取りリール
３４  押当ガイド
３５  シリンダ
４０  研削ヘッド揺動機構
４１ａ、４１ｂ  ＬＭガイド
４２  カム
４３  モータ
５１ａ  上側Ｖローラ
５１ｂ  下側ｖローラ
５２  ニップローラ
５３  押えローラ
５４ａ〜５４ｆ  補助ローラ
５５  シャフト（送り出しリール）
５６  シャフト（巻き取りリール）
５７、５８  過負荷保護器
５９  モータ（ニップローラ回転）
６０  ベルト
６２  押え治具
６３  側面ガイド
６５、６６  平ローラ
７１  軸受け
７２  軸
７３  レギュレータ
７４  エアー挿入管
７５  アクチュエータ
７６  エアーシリンダ
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０ａ】
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【図１０ｂ】
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【図１０ｃ】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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