(57)【要約】【課題】メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、煩雑な配向膜の下地処理も行なわずに、基板が大型化しても低コストでマルチドメイン配向を形成して、液晶表示装置の視野角を拡大することができる非接触式配向処理装置を提供する。【解決手段】基板上に形成された配向膜の配向処理を行なう装置であって、粒子線を照射する粒子源と、前記粒子源が前記粒子線を間欠的に照射するように、前記粒子源を制御する粒子源制御部と、前記基板を移動させる駆動機構と、を備えているようにした。【選択図】図１
2009139410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された配向膜の配向処理を行なう装置であって、
粒子線を照射する粒子源と、
前記粒子源が前記粒子線を間欠的に照射するように、前記粒子源を制御する粒子源制御部と、
前記基板を移動させる駆動機構と、を備えている非接触式配向処理装置。
【請求項２】
前記粒子線は、イオンビーム又は原子ビームである請求項１記載の非接触式配向処理装置。
【請求項３】
前記粒子線の照射範囲を制限するスリットが形成してあり、前記配向膜とは接触しないように設けてあるスリット部を備えている請求項１又は２記載の非接触式配向処理装置。
【請求項４】
前記スリット部には、互いに平行に配設された多数のスリットが形成してある請求項３記載の非接触式配向処理装置。
【請求項５】
前記スリット部は、前記粒子源の粒子線出射面に設けてある請求項３又は４記載の非接触式配向処理装置。
【請求項６】
前記スリット部は、前記基板と前記粒子源との間に退避可能に設けてある請求項３又は４記載の非接触式配向処理装置。
【請求項７】
基板上に形成された配向膜の一画素に相当する領域を複数の小領域に分割し、前記基板を移動させながら、前記粒子線を間欠的に照射して、前記小領域の少なくともいずれかを隣接する前記小領域とは異なる方向に配向処理する配向膜の配向処理方法。
【請求項８】
基板上に形成された配向膜の全面を、ラビング、イオンビーム照射、又は、原子ビーム照射により配向処理する工程、及び、
全面が配向処理された前記配向膜の一画素に相当する領域を少なくとも第１領域及び第２領域に分割し、イオンビーム又は原子ビームを前記第２領域に照射して、前記第１領域とは異なる方向に前記第２領域を配向処理する工程、を有する請求項７記載の配向膜の配向処理方法。
【請求項９】
基板上に形成された配向膜の一画素に相当する領域を少なくとも第１領域及び第２領域に分割し、イオンビーム又は原子ビームを前記第１領域に照射して配向処理する工程、及び、
前記イオンビーム又は原子ビームを前記第２領域に照射して、前記第２領域を前記第１領域とは異なる方向に配向処理する工程、を有する請求項７記載の配向膜の配向処理方法。
【請求項１０】
２枚の配向膜付基板間に液晶を挟んで液晶表示装置を製造する方法であって、前記配向膜付基板の少なくともいずれか一方が、請求項７、８又は９記載の方法により配向膜が配向処理されたものである液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、煩雑な配向膜の下地処理も行なわずに、マルチドメイン配向を形成して、基板が大型化しても安コストで液晶表示装置の視野角を拡大することができる非接触式配向処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶分子を基板の表面において所定方向に配向させるために、基板の表面にポリイミド等の高分子有機材料からなる配向膜を塗布することが行われている。
【０００３】
しかしながら、基板の表面に単に配向膜を塗布しただけでは、液晶分子が基板の表面に対して単に平行に配列するだけで、液晶分子を所定方向に配列させることはできない。
【０００４】
そこで従来は、基板上に形成された配向膜の表面をナイロンやレーヨン等のラビング布で一定方向にラビングする（擦る）ことによって配向処理を施し、これによって配向膜上の液晶分子をラビングした方向に配列させることが行われている。
【０００５】
また、例えば特許文献１及び２に開示されているように、液晶表示装置の視野角を拡大するために、配向膜の一画素に相当する領域を二分割してそれぞれの領域を異なった方向へラビングして、いわゆるマルチドメイン配向を可能にする配向処理が行われている。
【０００６】
このような配向処理は、より具体的には、（１）まず、ラビングにより配向処理を行なう装置を用いて、配向膜全面を所定方向にラビングし、（２）次に、メタルマスク又はフォトレジストを用いて配向膜表面の一部分をマスキングする。（３）続いて、この状態で再度配向処理装置を用いて一回目とは異なった方向にラビングして、（４）その後、メタルマスク又はフォトレジストを取り除く、という工程からなる。このような処理を行うことにより、一画素内の配向領域が二分割された配向膜が得られる。
【０００７】
なお、ここでメタルマスクとは、ステンレス等の金属からなり、ガラス基板全面を覆うように配置されたマスクであって、配向処理を施す部分のみに孔が形成されたものをいう。
【特許文献１】特開昭６３−１０６６２４
【特許文献２】特開平７−２０９６４７
【特許文献３】特開平９−２４４０２７
【特許文献４】特開２００２−０４０４３３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近時、液晶表示装置の大型化に伴い基板も大型化しており、例えば、第５世代では１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、第６世代では１５００ｍｍ×１８００ｍｍのガラス基板が使用される。
【０００９】
このため、上記のようなラビング処理によりマルチドメイン配向を行なう際に配向領域を分割するために使用されるメタルマスクやフォトリソグラフィー工程は非常に高価（高コスト）なものとなり、液晶表示装置の製造コストを上昇させる一要因となっている。
【００１０】
また、近時、イオンビームを照射して配向処理を行なう方法も提案されているが、このようなイオン配向においても、マルチドメイン配向を行なうには、配向領域を分割するためにメタルマスクが使用されている（特許文献３参照）。
【００１１】
更に、ラビング処理を全く行なわずに、配向膜下地に凸部を設けて、マルチドメイン配向を達成する技術も知られている（特許文献４）。このような下地処理を行なった配向膜に電圧を印加すると、凸部上の液晶分子は凸部の斜面の影響により基板面に対して傾斜し、他の液晶分子も傾斜した液晶分子の影響を受けて順次傾斜して行き、配向が形成される。そして、凸部の反対側の斜面では逆方向の配向が形成されるので、マルチドメイン配向が得られる。しかし、この技術では煩雑な下地処理が必要で、当該下地処理が液晶表示装置の製造コスト上昇の要因となる。
【００１２】
そこで本発明は、メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、煩雑な配向膜の下地処理も行なわずに、基板が大型化しても安コストでマルチドメイン配向を形成して、液晶表示装置の視野角を拡大することができる非接触式配向処理装置を提供すべく図ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
すなわち本発明に係る非接触式配向処理装置は、基板上に形成された配向膜の配向処理を行なう装置であって、粒子線を照射する粒子源と、前記粒子源が前記粒子線を間欠的に照射するように、前記粒子源を制御する粒子源制御部と、前記基板を移動させる駆動機構と、を備えていることを特徴とする。
【００１４】
このようなものであれば、配向膜表面に対して間欠的に粒子線を出射することにより配向領域を分割することができるので、メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、煩雑な配向膜の下地処理も行なわずに、工程を複雑化することなく、簡便にマルチドメイン配向を形成することができる。このため、基板が大型化しても低コストで液晶表示装置の視野角を拡大することができるので、広視野角化された液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。また、メタルマスクやフォトレジストは配向膜に接触させて用いるため、配向の乱れを惹起するが、本発明によれば、このような配向乱れの問題は生じない。
【００１５】
前記粒子線としては、例えば、イオンビームや原子ビーム等が挙げられる。
【００１６】
本発明に係る非接触式配向処理装置は、例えば、前記粒子線の照射範囲が所望の配向領域より大きい場合等は、更に、前記粒子線の照射範囲を制限するスリットが形成してあり、前記配向膜とは接触しないように設けてあるスリット部を備えていてもよい。
【００１７】
前記スリット部に形成されているスリットは、単一でも良いが、互いに平行に配設された多数のスリットが形成してあってもよい。
【００１８】
前記スリット部は、前記粒子源の粒子線出射面に設けてあってもよい。この場合は、スリットが粒子線の出射口を兼ねている。
【００１９】
前記スリット部は、前記基板と前記粒子源との間に退避可能に設けてあることが好ましい。このようなものであれば、使用時は前記基板と前記粒子源との間に引き出して粒子線の照射範囲を制限し、不使用時は前記基板と前記粒子源との間から退避させて収納することができる。なお、上記のように、前記スリット部が前記粒子源の粒子線出射面に設けてある場合は、退避可能に設けてなくともよい。
【００２０】
本発明に係る非接触式配向処理装置を用いることにより、マルチドメイン配向が可能となる。このような配向処理としては、例えば、基板上に形成された配向膜の一画素に相当する領域を複数の小領域に分割し、前記基板を移動させながら、前記粒子線を間欠的に照射して、前記小領域の少なくともいずれかを隣接する前記小領域とは異なる方向に配向処理する方法が挙げられる。このような配向膜の配向処理方法もまた、本発明の１つである。
【００２１】
本発明に係る配向膜の配向処理方法の具体的実施態様としては、例えば、まず、基板上に形成された配向膜の全面を、ラビング、イオンビーム照射、又は、原子ビーム照射により配向処理する工程を行い、次いで、全面が配向処理された前記配向膜の一画素に相当する領域を少なくとも第１領域及び第２領域に分割し、イオンビーム又は原子ビームを前記第２領域に照射して、前記第１領域とは異なる方向に前記第２領域を配向処理する工程を行う態様が挙げられる。
【００２２】
また、他の具体的実施態様としては、例えば、まず、基板上に形成された配向膜の一画素に相当する領域を少なくとも第１領域及び第２領域に分割し、イオンビーム又は原子ビームを前記第１領域に照射して配向処理する工程を行い、次いで、イオンビーム又は原子ビームを前記第２領域に照射して、前記第２領域を前記第１領域とは異なる方向に配向処理する工程を行う態様が挙げられる。
【００２３】
本発明に係る配向膜の配向処理方法によって配向処理した配向膜付基板を用いて視野角が拡大した液晶表示装置を得ることができる。すなわち本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、２枚の配向膜付基板間に液晶を挟んで液晶表示装置を製造する方法であって、前記配向膜付基板の少なくともいずれか一方が、本発明に係る配向膜の配向処理方法により配向膜が配向処理されたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
このように本発明によれば、メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、配向膜下地に煩雑な処理を加えに、工程を複雑化せず、工程数を最小限に留めたまま、マルチドメイン配向を可能にするため、基板が大型化しても広視野角化された液晶表示装置を安価に提供することができる。また、メタルマスクやフォトレジストが配向膜に接触することに起因する配向の乱れの問題を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
【００２６】
本実施形態に係る配向処理装置１は、配向膜６１表面に対して斜め上方からイオンビームＢＭを照射し配向処理を行なうためのものであり、図１に示すように、配向処理を施そうとする配向膜付基板６を載置して所定の方向に移送する移動テーブル２（駆動機構に相当）と、配向膜付基板６に対してイオンビームＢＭを照射するイオン源３（粒子源に相当）と、イオン源３から照射されたイオンビームＢＭの照射範囲を制限するスリット４１が形成されているスリット板４（スリット部に相当）と、移動テーブル２及びイオン源３を制御する情報処理装置５と、を備えており、図示しない真空容器内に設けられているものである。
【００２７】
以下に各部を説明する。移動テーブル２は、配向処理を施そうとする配向膜付基板６を載置して所定の方向に移送するものであり、例えば、図示しないローラ等を駆動部に備えることにより、配向膜付基板６が矢印Ａの方向に進行するように構成されている。
【００２８】
イオン源３は、配向膜付基板６の配向膜６１表面にイオンビームＢＭを照射するものであり、図示しない保持機構を介して移動テーブル２の上方に設置してあり、配向膜６１表面に対して斜め上方からイオンビームＢＭが照射されるようにイオンビームＢＭ照射角度が調節されている。イオン源３から出射されたイオンビームＢＭは、配向膜付基板６の幅よりも長い長辺が配向膜付基板６の進行方向と直交するような略矩形状に、配向膜６１表面に照射される。
【００２９】
イオンビームＢＭとしては特に限定されず、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスや、水素、窒素等のイオンビームが挙げられる。
【００３０】
イオンビームＢＭの加速エネルギーは、特に限定されず、例えば１００〜５００ｅＶ程度で良い。
【００３１】
スリット板４は、イオン源３から照射されたイオンビームＢＭの照射範囲を制限するためのものであり、スリット４１が設けてあるものである。当該スリット４１を通過したイオンビームＢＭのみが配向膜６１表面に到達し、配向膜６１表面のイオンビームＢＭが照射された部分のみに配向処理が施される。スリット板４は図示しない保持機構を介して、イオン源３と配向膜付基板６との間に、退避可能に設けてあり、イオン源３から出射されたイオンビームＢＭの１部を遮断する必要がある場合は、イオン源３と配向膜付基板６との間にスリット板４１を配置し、イオン源３から出射されたイオンビームＢＭをそのまま配向膜６１表面に照射する場合は、イオン源３と配向膜付基板６との間からスリット板４１を退避させる。このように、イオン板４の退避と再配置とを自在に行なうスリット板４の保持機構は、例えばレール構造等を介して退避位置と配置位置との間を移動自在にスリット板４を保持するものである。なお、スリット板４と配向膜付基板６の間には空隙があり、両者は接触していない。
【００３２】
スリット板４を構成する材料としては特に限定されず、例えば、カーボンやステンレス等の金属等が挙げられる。
【００３３】
スリット板４の大きさは特に限定されないが、イオンビームＢＭの照射領域を覆うことが可能な程度の大きさであれば良く、配向膜付基板６全体を覆うほど大きなものは却って好ましくない。配向膜付基板６全体を覆うほどの大きさであると、極めて高価なものとなり、また、重量も増大することよりその保持機構も大型化する必要が生ずる。更に、退避させたスリット板４を収納するためにもより広い空間が必要となり配向処理装置１自体も大型化し、高コストとなるとともに広い設置スペースも必要となる。
【００３４】
従来のメタルマスクとスリット板４との顕著な相違点は、従来のメタルマスクでは、そこに設けられた孔（スリット）が配向膜表面の配向領域の位置及び大きさを決定するのに対して、スリット板４によっては配向領域の位置は決まらず、また、配向領域の大きさも、スリット４１を通過するイオンビームＢＭの照射領域が配向領域の大きさより小さい場合もあり、必ずしもスリット板４のスリット４１の大きさによって一義的に決まるものではない。
【００３５】
また、スリット板４は必須なものではなく、図１０に示すように、イオンビームＢＭの矩形状の照射領域Ｘの短辺が所望の配向領域Ｙに相当する矩形の短辺と同じか又は短ければ（図１０（ｂ）（ｃ））、イオンビームＢＭの照射領域Ｘを制限する必要はないので、スリット板４は不要となる。一方、図１に示すように、イオンビームＢＭの矩形状の照射領域Ｘの短辺が所望の配向領域Ｙに相当する矩形の短辺より長ければ（図１０（ａ））、イオンビームＢＭの照射領域Ｘを制限することが必要となるので、スリット板４が必要となる。
【００３６】
情報処理装置５は、図２に示すように、ＣＰＵ５０１の他に、メモリ５０２、入出力チャンネル５０３、キーボード等の入力手段５０４、ディスプレイ等の出力手段５０５等を備えた汎用乃至専用のものであり、入出力チャンネル５０３にはＡ／Ｄコンバータ５０６、Ｄ／Ａコンバータ５０７、増幅器（図示しない）等のアナログ−デジタル変換回路が接続されている。
【００３７】
そして、ＣＰＵ５０１及びその周辺機器が、前記メモリ５０２の所定領域に格納されたプログラムに従って協働動作することにより、この情報処理装置５は、図３及び図４に示すように、移動テーブル制御部５１、イオン源制御部（粒子源制御部に相当）５２、基板位置判定部５３、データ格納部５４として機能する。なお、この情報処理装置５は、物理的に一体である必要はなく、有線又は無線により複数の機器に分割されていても構わない。
【００３８】
以下に、各機能部５１〜５４について説明する。
【００３９】
移動テーブル制御部５１は、配向膜付基板６が矢印Ａの方向に進行し、所定の位置で停止するように移動テーブル２を制御するものである。
【００４０】
イオン源制御部５２は、イオン源３がイオンビームＢＭを間欠的に出射するように、イオン源３を制御するものである。
【００４１】
基板位置判定部５３は、配向膜付基板６の位置を判定するものであり、例えば、配向膜付基板６の移動速度（移動テーブル２の駆動速度）と移動時間から、配向膜付基板６の移動距離を算出するものである。
【００４２】
データ格納部５４は、配向膜付基板６上のイオンビームＢＭを照射すべき位置や、配向膜付基板６のサイズ等に関するデータを格納するものである。
【００４３】
次に、このように構成した配向処理装置１を用いた配向処理方法を、図５及び図８のフローチャートを参照して、以下に説明する。
【００４４】
なお、本実施形態における処理対象である配向膜付基板６は、例えば、ガラス基板６２の表面にポリイミド等の有機高分子材料からなる配向膜６１を塗布したものである。なお、液晶表示装置を構成する場合は、ガラス基板６２と配向膜６１との間に、ＩＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）等からなる透明電極が形成されている配向膜付基板６が用いられる。
【００４５】
まず、一回目の配向処理として、配向処理装置１を用いて、移動テーブル２を駆動して配向膜付基板６を移動させつつ、配向膜６１表面の全面にイオンビームＢＭを照射する（ステップＳ１、ステップＳ１１）。この一回目の配向処理において、スリット板４は、イオン源と配向膜付基板６との間から退避させてある。
【００４６】
その際、イオンビームＢＭは、図１に示すように、配向膜６１表面に対して角度θで入射するように、斜め上方から照射される。
【００４７】
上記のようにして配向膜６１にイオンビームＢＭを照射すると、（１）イオンビームＢＭ照射によって配向膜６１の表面が改質され、配向膜６１を構成する高分子がイオンビームＢＭ照射方向に沿って並び、それに沿って液晶分子が配向するようになるか、又は、（２）イオンビームＢＭ照射によるスパッタリングによって、イオンビームＢＭ照射方向に沿って配向膜６１の表面に多数の微小な溝状のものが形成され、液晶分子が当該溝状のものに沿って配向するようになる。
【００４８】
配向膜６１表面に対するイオンビームＢＭの照射角度θは小さい方が好ましく、照射角度θが３０°未満であるとより好ましい。イオンビームＢＭの照射角度θが小さいほど、イオンビームＢＭ照射によって大きな配向秩序度を得ることができ、照射角度θが３０°未満であるとラビング法に匹敵するほどの大きな配向秩序度を得ることができる。これは、イオンビームＢＭの照射角度θが小さいほど、配向膜６１を構成する高分子の並び方に強い方向性を付与することができるか、又は、イオンビームＢＭ照射によるスパッタリングによって配向膜６１の表面に形成される多数の微小な溝状のものがイオンビームＢＭ照射方向に細長くなる、からである。
【００４９】
一回目の配向処理が終了した後、続いて、二回目の配向処理を行なうが、はじめに、図６に示すように、配向方向を変えるために、オペレータが配向膜付基板６を１８０°回転（Ｃ端とＤ端とが反転）し（ステップＳ２、ステップＳ１２）、また、スリット板４をイオン源３と移動テーブル２との間に配置する
【００５０】
次に、図３及び図５に示すように、オペレータがキーボード等の入力手段５０４により情報処理装置５に開始信号を入力することにより、移動テーブル制御部５１が移動テーブル２に制御信号を送信し、移動テーブル２を駆動して、配向膜付基板６を矢印Ａの方向に移動させる（ステップＳ３）。同時に移動テーブル制御部５１は基板位置判定部５３に制御信号を送信し、当該制御信号を受信した基板位置判定部５３が配向膜付基板６の移動距離の計測を開始する。
【００５１】
移動テーブル制御部５１は基板位置判定部５３から受信した配向膜付基板６の位置データを、データ格納部５４が格納しているイオンビームＢＭを照射して第二の配向領域を作製すべき位置のデータと照合して、両データが一致すると、移動テーブル制御部５１は移動テーブル２に制御信号を送信して、移動テーブル２を停止させる（ステップＳ４）。
【００５２】
移動テーブル制御部５１は移動テーブル２を停止させるとともに、イオン源制御部５２に制御信号を送信し、当該制御信号を受信したイオン源制御部５２は、イオン源３に対して制御信号を送信し、当該制御信号を受信したイオン源３は配向膜６１に対してイオンビームＢＭを出射する（ステップＳ５）。出射されたイオンビームＢＭの一部はスリット板４に設けられたスリット４１を通り配向膜６１表面に到達し、一回目の配向処理とは異なる方向に配向処理を施して、第二の配向領域を形成する。
【００５３】
イオン源３がイオンビームＢＭの出射を開始してから所定時間経過すると、イオン源制御部５２はイオン源３に制御信号を送信してイオンビームＢＭの出射を停止させる（ステップＳ６）。
【００５４】
次いで、移動テーブル制御部５１は、データ格納部５４にアクセスし、他にもイオンビームＢＭを照射して第二の配向領域を形成すべき領域が残っているか否かを確認し（ステップＳ７）、配向膜６１表面の所望の部分全てに対して二回目の配向処理が終了するまで、ステップＳ３〜ステップＳ６を繰り返す。
【００５５】
このように、イオンビームＢＭを間欠的に配向膜６１表面に照射することにより、例えば、図７に示すように、一画素に相当する領域が互いに１８０°反対方向に配向処理を施された二つの領域に分割され、二回目の配向処理が施されなかった領域が第一の配向領域３０、３１、３２、３３となり、二回目の配向処理が施された領域が第二の配向領域２０、２１、２２、２３になる。従って、このような配向膜６１に接する液晶分子は、第一の配向領域と第二の配向領域とで１８０°反対方向に配向する。但し液晶分子のプレチルト角の絶対値は両領域でほぼ同じである。
【００５６】
そして、配向膜６１表面の所望の部分全てに対して二回目の配向処理を施して、配向処理を終了する。
【００５７】
また、図４及び図８に示すように、配向膜付基板６が一定速度で移動するように移動テーブル２を駆動し続けながら、二回目の配向処理を行なってもよい。
【００５８】
この場合は、オペレータがキーボード等の入力手段５０４により情報処理装置５に開始信号を入力することにより、移動テーブル制御部５１が移動テーブル２に制御信号を送信し、移動テーブル２を駆動して、配向膜付基板６を矢印Ａの方向に一定速度で移動させる（ステップＳ１３）。同時に基板位置判定部５３が配向膜付基板６の移動距離の計測を開始する。
【００５９】
イオン源制御部５２は基板位置判定部５３から受信した基板の位置データを、データ格納部５４が格納しているイオンビームＢＭを照射して第二の配向領域を形成すべき位置のデータと照合して（ステップＳ１４）、両データが一致すると、イオン源制御部５２はイオン源３に制御信号を送信して、当該制御信号を受信したイオン源３は配向膜６１に対してイオンビームＢＭを出射する（ステップＳ１６）。一方、照合したデータが一致しなかった場合は、イオンビームＢＭを出射しない（ステップＳ１５）。
【００６０】
イオン源３がイオンビームＢＭの出射を開始してから所定時間が経過すると、イオン源制御部５２はイオン源３に制御信号を送信してイオンビームＢＭの出射を停止させる（ステップＳ１７）。
【００６１】
次いで、移動テーブル制御部５１は基板位置判定部５３から受信した基板の位置データを、データ格納部５４が格納している配向膜付基板６のサイズのデータと照合して、配向膜付基板６が末端まで移動したか否かを確認し（ステップＳ１８）、配向膜６１表面の所望の部分全てに対して二回目の配向処理が終了するまで、ステップＳ１４〜ステップＳ１７を繰り返す。
【００６２】
上記の２通りの配向処理方法を比較すると、図３及び図５に示す態様は、配向領域を細分化するのに適しており、一方、図４及び図８に示す態様は、二回目の配向処理の際に、配向膜６１表面に照射されるイオンビームＢＭの領域はより広くなる。また、図４及び図８に示す態様では、配向膜付基板６は常に移動しているので、図３及び図５に示す態様に比べて処理時間が短くなる。
【００６３】
したがって、このように構成した本実施形態によれば、間欠的にイオンビームＢＭを出射することにより配向領域を分割することができるので、メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、配向膜の下地に煩雑な処理を必要とせず、工程を複雑化することなく、マルチドメイン配向を形成することができる。このため、基板が大型化しても低コストで液晶表示装置の視野角を拡大することができるので、広視野角化された液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。また、メタルマスクやフォトレジストは配向膜６１に接触させて用いるため、配向の乱れを惹起するが、本実施形態によれば、前記配向膜６１とは接触していないスリット板４によりイオンビームＢＭの照射範囲を制限するので、このような配向乱れの問題を解決することができる。
【００６４】
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００６５】
配向処理装置１としては、非接触式の配向処理が可能なものであればよく、前記実施形態のようにイオン源３を備えていてイオン配向を行なうものではなく、例えば、原子ビームを出射する原子源を備えていてもよい。
【００６６】
また、上述のとおり、配向処理装置１は出射するイオンビームＢＭの照射範囲が狭い場合はスリット板４を備えていなくてもよい。
【００６７】
スリット板４に形成されたスリット４１の数は複数であってもよいが、その場合は、スリット４１間隔によって第二の配向領域の間隔が規定されるので、第二の配向領域の間隔を自由に設定することができなくなり、汎用性に乏しくなる。また、スリット４１の形状も特に限定されない。
【００６８】
前記実施形態のように、イオン源３と配向膜付基板６との間にスリット板４を設けて配向処理領域を限定するのではなく、配向処理装置１のイオンビームＢＭの出射口の形状をスリットにしてもよい。このようにすることにより、スリット板４の保持・搬送機構が不要となり、配向処理装置１の構造をより単純化することができる。
【００６９】
このような場合には、イオン源３のプラズマチャンバからイオンビームＢＭを引出す為に設けられた引出電極がスリット板４を兼ねるような構成にしてもよい。この場合、スリット板４の材質としては、引出電極の材質と同じものであればよく、例えば、モリブデンが用いられる。また、引出電極が複数枚の電極から構成される場合には、最も配向膜付基板６側に配置される電極をスリット板４にすればよい。これにより、別部材として、スリット板４を設ける必要がないので、部材点数を減らすことができる。
【００７０】
配向膜６１の一画素に相当する領域の分割数は２つに限定されず、一画素に相当する領域を３つ以上に分割して、配向処理方向を変えた配向処理を３回以上行うようにしてもよい。配向膜６１の一画素に相当する領域内の分割数が多く、それに伴って配向膜６１の一画素に相当する領域内の配向処理方向が多様であるほど、更なる高視野角化が可能となる。
【００７１】
配向処理装置１におけるイオン源３の配置は、図１に示す態様に限定されず、例えば、図９に示すように、イオン源３を９０°回転した位置に配置して、イオンビームＢＭが配向膜付基板６の進行方向と直交する方向に照射されるようにしてもよい。このようにイオン源３を配置すれば、イオンビームＢＭ照射による配向の向きを前記実施形態の場合から９０°回転した方向にすることができる。
【００７２】
一回目の配向処理として行なう配向膜６１全面に対する配向処理と、二回目の配向処理として行なう部分的な配向処理とは、異なる配向処理方式を実施する別個の配向処理装置で行なってもよく、例えば、一回目の配向処理としてラビングして、二回目の配向処理としてイオンビームＢＭを照射してもよい。ただし、このような場合の二回目の配向処理は、メタルマスクやフォトレジスト等を使用しなくとも、配向処理する部分を配向膜６１の任意の一部に限定することが可能である、イオンビームＢＭ照射や、原子ビーム照射等の粒子線を照射する非接触方式に限定される。一般的に処理時間の短いラビングを併用すれば、イオンビームＢＭ照射を２回行なう場合と比較して、処理時間の短縮が可能となる。
【００７３】
前記実施形態のように、最初に配向膜６１全面を所定方向に配向処理してから、配向膜６１の一部を最初の配向処理とは異なる方向に配向処理するのではなく、まず、一回目の配向処理として、配向膜６１の一部（例えば、図７の３０〜３３）を所定方向に順に配向処理した後に、続いて、二回目の配向処理として、残った部分（例えば、図７の２０〜２３）を一回目の配向処理とは異なる方向に順に配向処理してもよい。このように処理することにより、二回目に配向処理された領域（例えば、図７の２０〜２３）は、前記実施形態とは異なり１回のみ配向処理されるため、配向処理後の配向状態の予測・管理が容易である。
【００７４】
また、複数台の配向処理装置１を用いて、例えば、最初に配向処理装置Ａを用いて配向膜６１の一部（例えば、図７の３０）を所定方向に配向処理し、続いて配向膜付基板６を移動させてから別の配向処理装置Ｂを用いて配向膜６１の別の一部（例えば、図７の２０）を異なった方向に配向処理し、次に再び配向処理装置Ａを用いて配向膜６１の一部（例えば、図７の３１）を所定方向に配向処理するというように、配向処理装置ＡとＢとを交互に用いて順次配向処理を行なってもよい。このように複数台の配向処理装置１を用いることにより、配向処理の時間を短縮することができる。
【００７５】
配向膜付基板６はイオン源３に対して、相対的に移動可能であればよいので、配向膜付基板６を載置するテーブルは固定されていて、駆動部を備えたイオン源３が移動するようにしてあってもよい。
【００７６】
その他、前述した実施形態や変形実施形態の一部又は全部を適宜組み合わせてもよく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明を適用することにより、より安価に液晶表示装置を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の一実施形態に係る配向処理装置の概略構成図。
【図２】同実施形態における情報処理装置の機器構成図である。
【図３】同実施形態における情報処理装置の機能構成図である。
【図４】同実施形態における情報処理装置の機能構成図である。
【図５】同実施形態における配向処理方法を示すフローチャート。
【図６】図５におけるステップＳ２を示す概要図。
【図７】配向膜の配向処理方向を示す平面図。
【図８】同実施形態における変形配向処理方法を示すフローチャート。
【図９】他の実施形態に係る配向処理装置の概略構成斜視図。
【図１０】イオンビームの照射範囲によるスリットの要否を示す図。
【符号の説明】
【００７９】
１・・・配向処理装置
２・・・移動テーブル
３・・・イオン源
４・・・スリット板
４１・・・スリット
５・・・情報処理装置
５２・・・イオン源制御部
６・・・配向膜付基板
６１・・・配向膜
【図１】
2009139410.tif 000003
【図２】
2009139410.tif 000004
【図３】
2009139410.tif 000005
【図４】
2009139410.tif 000006
【図５】
2009139410.tif 000007
【図６】
2009139410.tif 000008
【図７】
2009139410.tif 000009
【図８】
2009139410.tif 000010
【図９】
2009139410.tif 000011
【図１０】
2009139410.tif 000012