(57)【要約】【課題】電気光学装置の周辺回路の破壊を防止し、且つ耐光性を向上する。【解決手段】電気光学装置は、第１基板（１０）と、該第１基板上の画素領域（１０ａ）に配列された複数の画素部（１００ｃ）と、第１基板と対向して配置された第２基板（２０）と、画素領域の周囲に位置するシール領域（５２ａ）において、第１及び第２基板を相互に貼り合わせるシール材（５２）と、該シール材内に散布されるギャップ材（５６）と、シール領域に少なくとも部分的に配置されると共に、トランジスタを含んでなり、複数の画素部を制御する周辺回路部（７、１０１、１０４）と、第１及び第２基板のうち少なくとも一方の基板上に積層されると共に、第１基板上で平面的に見て、シール領域において少なくともトランジスタのチャネル領域と重なるように形成された凹部（２０１）を有する絶縁膜部（４３）とを備える。該絶縁膜部は、平坦化処理が施された絶縁膜を含む。【選択図】図５
2009075394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
該第１基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、
前記第１基板と対向して配置された第２基板と、
前記画素領域の周囲に位置するシール領域において、前記第１及び第２基板を相互に貼り合わせるシール材と、
該シール材内に散布されるギャップ材と、
前記シール領域に少なくとも部分的に配置されると共に、トランジスタを含んでなり、前記複数の画素部を制御する周辺回路部と、
前記第１及び第２基板のうち少なくとも一方の基板上に積層されると共に、前記第１基板上で平面的に見て、前記シール領域において少なくとも前記トランジスタのチャネル領域と重なるように形成された凹部を有する絶縁膜部と
を備え、
前記絶縁膜部は、平坦化処理が施された絶縁膜を含む
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記絶縁膜部は、前記絶縁膜としての前記凹部が形成された凹凸膜を含む、単一層膜又は多層膜から構成されており、
前記凹凸膜に対して、前記凹部が形成される前処理として、前記平坦化処理の少なくとも一部が施されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記絶縁膜部は、前記凹部が形成された凹凸膜と、前記絶縁膜としての前記凹凸膜の下地をなす下地絶縁膜とを含む、多層膜から構成されており、
前記下地絶縁膜に対して、前記平坦化処理の少なくとも一部が施されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記凹凸膜に対して、前記凹部が形成される前処理として、前記平坦化処理の一部が施されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記平坦化処理は、化学機械研磨処理を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記絶縁膜部は、無機材料を含んで形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、シール材に含まれるギャップ材によって、周辺回路が破壊されることを防止することが図られる。特に大型の電気光学装置では、液晶等の電気光学物質中にギャップ材が散布される場合もあるが、中型或いは小型の電気光学装置では、シール材中にのみギャップ材が散布され、これにより基板間ギャップが規定されることがある。例えば特許文献１には、周辺駆動回路一体型のアクティブマトリックス型の液晶装置において、周辺駆動回路とシール材との間に樹脂層を配置することによって、ギャップ材を含むシール材から受ける圧力により周辺駆動回路が破壊されることを防止する技術が記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１０５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上述の背景技術を、例えばライトバルブ等の比較的強い光が照射される電気光学装置に適用すると、樹脂層が光によって有機分解を起こしてしまうという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、周辺回路の破壊を防止し、且つ耐光性を向上することができる電気光学装置及びこれを備えた電子機器を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、前記第１基板と対向して配置された第２基板と、前記画素領域の周囲に位置するシール領域において、前記第１及び第２基板を相互に貼り合わせるシール材と、該シール材内に散布されるギャップ材と、前記シール領域に少なくとも部分的に配置されると共に、トランジスタを含んでなり、前記複数の画素部を制御する周辺回路部と、前記第１及び第２基板のうち少なくとも一方の基板上に積層されると共に、前記第１基板上で平面的に見て、前記シール領域において少なくとも前記トランジスタのチャネル領域と重なるように形成された凹部を有する絶縁膜部とを備え、前記絶縁膜部は、平坦化処理が施された絶縁膜を含む。
【０００７】
本発明の電気光学装置によれば、例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板や素子基板等である第１基板上の画素領域には複数の画素部が、例えば縦横に相互に間隔を隔ててマトリックス状に配列されている。画素部は、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御するためのＴＦＴとを有している。ここに「画素領域」とは、個々の画素の領域を意味するのではなく、複数の画素が平面配列された領域全体を意味し、典型的には、「画像表示領域」或いは「表示領域」に相当する。
【０００８】
その駆動時には、例えばデータ線駆動回路、走査線駆動回路、サンプリング回路等のトランジスタ等を含んでなる周辺回路部に、第１基板上の少なくとも一辺に沿って配列された外部回路接続端子を介して、画像信号、クロック信号、制御信号、電源信号等を含む各種信号が供給される。そして、各種信号の供給に応じて、周辺回路部のデータ線駆動回路や走査線駆動回路によって、例えば走査線やデータ線を介して画素部が駆動され、画素領域における画像表示動作がアクティブマトリックス駆動方式で行われる。
【０００９】
例えば対向基板等である第２基板は、第１基板と対向して配置されている。例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂等であるシール材は、画素領域の周囲に位置するシール領域において、第１及び第２基板を相互に貼り合わせる。シール材中には、基板間隔（即ち、ギャップ）を維持するためのギャップ材或いはスペーサが散布されている。ギャップ材は、例えば外径が数ミクロンメートル程度のビーズ状やファイバ状であり、その外径により、ギャップが規定される。
【００１０】
ここで特に、第１及び第２基板のうち少なくとも一方の基板上には、絶縁膜部が積層されており、該絶縁膜部には、基板上で平面的に見て、シール領域において少なくともトランジスタのチャネル領域と重なるような凹部が形成されている。即ち、凹部の表面は、他の部分の表面と比べて、基板上における高さが低くなっており、凹部において基板間ギャップが大きくなっている。よって、ギャップ材によりギャップが規定されるのは、最狭ギャップとなる凹部が形成されていない他の部分の表面上に限られる。凹部では、ギャップ材があっても、これはシール材中に浮いている状態となる。
【００１１】
このような絶縁膜部は、例えば第１基板上に形成された、例えば画素部を駆動するスイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造のうち例えば最上層に積層されている。
【００１２】
更に、絶縁膜部は、平坦化処理が施された絶縁膜を含む単一層膜又は多層膜から構成されている。平坦化処理が施された絶縁膜は、積層構造の中で、最上層であってもよいし、これに代えて又は加えて最上層の下地をなす下地層であってもよい。下地層の場合には、例えば、製造工程において、その更に下層側に配置された配線、電極、素子、カラーフィルタ、ブラックマスク等の存在に起因した凹凸を有する前駆膜を先ず形成し、その凹凸表面に対して、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）等の平坦化処理を施すことにより、下地層が平坦化される。その後、平坦化された下地層を下地として、凹部を有する最上層が形成される。或いは、最上層の場合には、例えば、製造工程において、その下層側に配置された凹凸を有する下地層の存在に起因した凹凸を有する前駆膜を先ず形成し、その凹凸表面に対して、ＣＭＰ等の平坦化処理を施すことにより、最上層が平坦化される。その後、平坦化された最上層に、エッチング等により凹部が形成される。
【００１３】
従って、大小様々であり且つ膜厚も様々であり、重なり状況も複雑である、各種配線、電極、素子等が、凹部が形成される絶縁膜部の下層側に存在していたとしても、平坦化絶縁膜が平坦化された後に、凹部が形成されるので、凹部は、その位置及び深さ或いは寸法について極めて高精度に形成可能となる。よって、トランジスタを、絶縁膜部の凹部内に高精度で配置することが可能となる。
【００１４】
仮に、凹部を有する絶縁膜部が平坦化処理を施された絶縁膜を含まないとすれば、その下層側に存在する凹凸が絶縁膜部の表面にも転写されてそのまま残るので、結局、絶縁膜部における凹部の位置及び深さ或いは寸法は、制御不能或いは困難となることが予想される。すると、トランジスタを配置する箇所を、凹部内に収めることが著しく困難となってしまう。
【００１５】
しかるに、本発明によれば、絶縁膜部は、その最上層として或いは下地層として平坦化処理が施された絶縁膜を含むので、トランジスタを、絶縁膜部の凹部内に高精度で配置可能となる。また、凹部の脇、即ち凸部についても、位置や高さ或いは寸法について高精度で形成可能となるので、凸部をギャップ材が当接するギャップ制御用の領域として利用することで、基板間ギャップをより高精度に制御することも可能となる。
【００１６】
尚「平坦化処理」としては、理想的には完全に平坦化することが好ましいが、平坦化処理には誤差なども存在するので、ギャップ材の寸法ばらつきなどに応じて、実質的に平坦化していれば足りる。更に、何らの平坦化処理を施さない場合と比べて、多少なりとも平坦化されていれば、上述及び後述の本発明に独自の効果は、平坦化の度合いに応じて、相応に得られる。このように平坦化処理は、何らかの形で平坦度を多少なりとも高めることができれば処理であれば足りる。
【００１７】
ここで、本願発明者の研究によれば、電気光学装置の製造工程において、ギャップを所定値とするために基板に圧力をかけた際に、シール材中のギャップ材が当接することにより生じる圧力によって周辺回路に含まれるトランジスタ等が破壊される可能性がある。他方、少なくともトランジスタのチャネル領域にかかる圧力を緩和することができれば、トランジスタが破壊されることを防止することができることが判明している。
【００１８】
しかるに本発明では、基板上で平面的に見て、シール領域において少なくともトランジスタのチャネル領域と重なるように形成された凹部を有する絶縁膜部を備えている。上述の如く、凹部では、積層方向に、少なくとも凹部の高さに相当する空間的な余裕が生じる。これにより、凹部では、ギャップ材が当接することにより生じる圧力は、極めて小さいか全くない。従って、ギャップ材が当接する箇所にて局所的に生じる圧力は、トランジスタに対しては殆ど及ばないこととなり、かかる圧力によって、トランジスタが破壊されることを防止することができる。特に、基板上で平面的に見て、トランジスタ全体と重なるように凹部を形成すれば、より確実にトランジスタが破壊されることを防止することができる。また、絶縁膜部を例えばＳｉＯ２等の無機絶縁材料によって形成すれば、耐光性を向上させることができる。
【００１９】
以上の結果、本発明の電気光学装置によれば、周辺回路の破壊を防止し、且つ耐光性を向上することができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記絶縁膜部は、前記絶縁膜としての前記凹部が形成された凹凸膜を含む、単一層膜又は多層膜から構成されており、前記凹凸膜に対して、前記凹部が形成される前処理として、前記平坦化処理の少なくとも一部が施されている。
【００２１】
この態様によれば、絶縁膜部は、絶縁膜としての凹部が形成された凹凸膜を含み、この凹凸膜に対して、平坦化処理の少なくとも一部が前処理として施されている。このため、各種配線、電極、素子等が、絶縁膜部の下層側に存在していたとしても、凹部は、その位置及び深さ或いは寸法について極めて高精度に形成可能となる。
【００２２】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記絶縁膜部は、前記凹部が形成された凹凸膜と、前記絶縁膜としての前記凹凸膜の下地をなす下地絶縁膜とを含む、多層膜から構成されており、前記下地絶縁膜に対して、前記平坦化処理の少なくとも一部が施されている。
【００２３】
この態様によれば、絶縁膜部は、絶縁膜としての、凹凸膜の下地をなす下地絶縁膜を含む。このため、各種配線、電極、素子等が、絶縁膜部の下層側に存在していたとしても、凹部は、その位置及び深さ或いは寸法について極めて高精度に形成可能となる。
【００２４】
この態様では、前記凹凸膜に対して、前記凹部が形成される前処理として、前記平坦化処理の一部が施されていてもよい。
【００２５】
このように構成すれば、下地絶縁膜が平坦化された上で、その上方に形成される凹凸膜に対して、平坦化処理の少なくとも一部が前処理として施されるので、各種配線、電極、素子等が、絶縁膜部の下層側に存在していたとしても、凹部は、その位置及び深さ或いは寸法について、より一層高精度に形成可能となる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記平坦化処理は、化学機械研磨処理を含む。
【００２７】
この態様によれば、絶縁膜は、化学機械研磨処理、即ちＣＭＰにより平坦化されたので、高い平坦度を得ることが可能となり、凹部は、その位置及び深さ或いは寸法について、より一層高精度に形成可能となる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記絶縁膜部は、無機材料を含んで形成されている。
【００２９】
この態様によれば、絶縁膜部は、無機絶縁材料を含んで形成されている。これにより、例えば、当該電気光学装置の製造工程においてシール材を硬化させるために照射される紫外線や、当該電気光学装置をライトバルブとして使用する際に照射される強い光によって、絶縁膜部が劣化することを防止することができ、実用上非常に有利である。
【００３０】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００３１】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、耐光性に優れた、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００３２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下図１乃至図８を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００３４】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。尚、図１及び図２にでは、説明の便宜上、基板上に形成された各構成要素の平面的な位置関係を一部異ならしめてある。
【００３５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「第１基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０、及び本発明に係る「第２基板」の一例としての対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶を含んで成る液晶層５０が狭持されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。尚、ギャップ材５６を、シール材５２に混入されるものに加えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３７】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３８】
周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿って、データ線駆動回路１０１より内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿った額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、本実施形態に係る「サンプリング回路７」、「データ線駆動回路１０１」及び「走査線駆動回路１０４」は、本発明に係る「周辺回路部」の一例である。
【００３９】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００４０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００４１】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００４２】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００４３】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００４４】
液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００４５】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４６】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を概略的に示すブロック図である。
【００４７】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａには、複数の走査線１００ａ及び複数のデータ線１００ｂが互いに交差して配線され、これら交差に対応して画素に対応する画素部１００ｃがマトリックス状に設けられている。画素部１００ｃは、走査線１００ａ及びデータ線１００ｂの各々に電気的に接続されている。画素部１００ｃは、基本的に、データ線１００ｂにより供給される画像信号を選択的に印加するための画素スイッチッグ用のＴＦＴと、入力された画像信号を液晶層５０（図２参照）に印加し保持するための、即ち対向電極２１（図２参照）と共に液晶保持容量をなす画素電極９ａ（図２参照）とを含んで構成されている。尚、画素部１００ｃには、液晶保持容量に保持された画像信号がリークするのを防ぐために、該液晶保持容量と並列に付加された蓄積容量を設けてもよい。
【００４８】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４が設けられている。
【００４９】
走査線駆動回路１０４には、図示しない、例えば外部回路より外部回路接続端子１０２（図１参照）を介して、Ｙクロック信号ＣＬＹ、ＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹに基づくタイミングで走査信号を順次生成して走査線１００ａに出力する。
【００５０】
データ線駆動回路１０１には、外部回路より外部回路接続端子１０２を介して、Ｘクロック信号ＣＬＸ、ＸスタートパルスＤＸが供給される。そして、データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸに基づくタイミングで、サンプリング信号を順次生成してサンプリング信号線１１４に出力する。
【００５１】
サンプリング回路７は、画像信号線６から画像信号が供給されるデータ線１００ｂを選択するためにデータ線１００ｂ毎に設けられたスイッチング素子（即ち、サンプリングスイッチ）からなり、そのスイッチング動作は、データ線駆動回路１０１からのサンプリング信号によってタイミング制御されるように構成されている。サンプリング回路７のスイッチング素子は、具体的には、本発明に係る「トランジスタ」の一例としてのサンプリング用ＴＦＴ７１として構成されている。尚、図３では便宜上、片チャネル型のＴＦＴとして、サンプリング回路７の各スイッチング素子を示したが、サンプリング用ＴＦＴ７１は、両チャネル型のＴＦＴであってもよい。
【００５２】
各サンプリング用ＴＦＴ７１のソース配線は、画像信号線に電気的に接続されている。各サンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線は、複数のデータ線１００ｂのうち対応する一本に電気的に接続されている。各サンプリング用ＴＦＴ７１のゲート電極を含むゲート配線は、サンプリング信号線１１４と電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１から出力されたサンプリング信号が供給される。
【００５３】
尚、クロック信号ＣＬＸやＣＬＹ等の各種タイミング信号は、例えば図示しない外部回路に形成されたタイミングジェネレータにて生成され、ＴＦＴアレイ基板１０上の各回路に外部回路接続端子１０２を介して供給される。また、各駆動回路の駆動に必要な電源等もまた例えば外部回路から供給される。
【００５４】
次に、本実施形態におけるサンプリング用ＴＦＴ及び凹部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、サンプリング用ＴＦＴ及び凹部の構成を示す平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。
【００５５】
図４及び図５において、各サンプリング用ＴＦＴ７１は、半導体層７４、ソース配線７１Ｓ、ドレイン配線７１Ｄ、ゲート配線７１Ｇ及びゲート絶縁膜７５を備えて構成されている。
【００５６】
半導体層７４は、ゲート配線７１Ｇからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域７４Ｃと、ソース領域７４Ｓとドレイン領域７４Ｄとを有している。
【００５７】
ソース配線７１Ｓは、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ソース配線７１Ｓは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８ｓを介してソース領域７４Ｓに接続されている。ソース配線７１Ｓは、データ線１００ｂが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ソース配線７１Ｓは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、画像信号線６と電気的に接続されている。
【００５８】
ドレイン配線７１Ｄは、ソース配線７１Ｓと同一膜から形成されている、即ち、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８ｄを介してドレイン領域７４Ｄに接続されている。ドレイン配線７１Ｄは、データ線１００ｂが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、データ線１００ｂと電気的に接続されている。
【００５９】
ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４よりゲート絶縁膜７５を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４のチャネル領域７４Ｃとゲート絶縁膜７５を介して重なるゲート電極を含むと共に、データ線１００ｂが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ゲート配線７１Ｇは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、サンプリング信号線１１４と電気的に接続されている（図３参照）。
【００６０】
各サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃに重なるように形成された凹部２０１を有する、本発明に係る「絶縁膜部」の一例としての層間絶縁膜４３は、ソース配線７１Ｓ及びドレイン配線７１Ｄの上層に形成されている。
【００６１】
本実施形態では特に、層間絶縁膜４１は夫々、成膜後におけるＣＭＰ等によって平坦化されている。層間絶縁膜４２は、平坦な層間絶縁膜４１上に形成されるので、必ずしも必要ないが、成膜後におけるＣＭＰ等によって平坦化されていてもよい。更に、これらの平坦な層間絶縁膜４１及び４２を下地層として、層間絶縁膜４３は形成されている。
【００６２】
層間絶縁膜４３の表面４３ａは、後工程としてのエッチングにより凹部２０１が掘られる前の前工程としてのＣＭＰ等により、一旦平坦化されている。即ち、凹部２０１は、当該液晶装置の製造工程において、層間絶縁膜４３の表面４３ａがＣＭＰ等により平坦化された後に、層間絶縁膜４３がエッチング等されることによって形成される。よって、ソース配線７１Ｓやドレイン配線７１Ｄの存在とは無関係に、層間絶縁膜４３上には、凹部２０１が形成されており、凹部２０１以外の部分（即ち、凸部）の表面は、平坦とされている。
【００６３】
図５に示すように、凹部２０１が形成されている部分（即ち、サンプリング用ＴＦＴ７１の上層）のギャップ材５６には、例えば対向基板２０からの圧力が直接伝わることはない。言い換えれば、ギャップ材５６及び対向基板２０間に存在するシール材５２が緩衝材として働き、ギャップ材５６に対する対向基板２０からの圧力が緩和される。このため、サンプリング用ＴＦＴ７１に対するギャップ材５６からの圧力を緩和することができる。従って、ギャップ材５６からの圧力によってサンプリング用ＴＦＴ７１が破壊されることを防止することができる。
【００６４】
層間絶縁膜４１、４２及び４３は、例えばＳｉＯ２等の無機絶縁材料から形成されている。このため、例えば、シール材５２を硬化させるために照射される紫外線や、当該液晶装置をライトバルブとして使用する際に照射される強い光によって、層間絶縁膜４１、４２及び４３が劣化することを防止することができる。
【００６５】
尚、上述のような層間絶縁膜４３は、ＴＦＴアレイ基板１０の最上層に配置されることに限らず、ＴＦＴアレイ基板１０及びシール材５２間であれば、どこに配置されていてもよい。この場合も、シール材５２と接する面は、ＣＭＰ等により平坦化される。また、ＴＦＴアレイ基板１０上に限らず、対向基板２０上に積層されていてもよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の両方に積層されていてもよい。
【００６６】
以上説明したように、サンプリング用ＴＦＴ７１や、それに接続された配線や電極が複雑に平面レイアウトされていても、層間絶縁膜４１は、平坦化されており、更に、層間絶縁膜４３については、一旦平坦化された後に凹部２０１が形成されている。よって、図５から明らかなように、層間絶縁膜４３の表面における凹部２０１及びそれ以外の部分である凸部は、その位置、深さ若しくは高さ、並びに寸法について、その下層側に存在する配線等によらずに、極めて高精度とされている。よって、表面４３ａにおいて、ギャップ材５６により高精度でギャップ制御を実現できると共に、サンプリング用ＴＦＴ７１がギャップ材５６の存在に起因した圧力により破壊される事態を極めて効果的に防止できる。
【００６７】
＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例について、図６及び図７を参照して説明する。ここに図６は、図４と同趣旨の、サンプリング用ＴＦＴ及び凹部の構成を示す平面図であり、図７は、図６のＢ−Ｂ´線断面図である。
【００６８】
図６に示すように、サンプリング用ＴＦＴ７１の配列方向に沿って、該サンプリング用ＴＦＴ７１に重なるように凹部２０１が形成されている。即ち、サンプリング用ＴＦＴ７１の配列方向に沿って溝部が形成されている。これにより、サンプリング用ＴＦＴ７１に対するギャップ材５６からの圧力を緩和することができる。本変形形態においても、層間絶縁膜４１は夫々、平坦化されており、更に、層間絶縁膜４３については、一旦平坦化された後に凹部２０１が形成されている。従って、ギャップ材５６からの圧力によってサンプリング用ＴＦＴ７１が破壊されることを防止することができる。
【００６９】
＜電子機器＞
次に、図８を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置における液晶パネル１００は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図８は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００７０】
図８に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００７１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７４】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７５】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７６】
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】本実施形態におけるサンプリング用ＴＦＴ及び凹部の構成を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´線断面図である。
【図６】本実施形態の変形例におけるサンプリング用ＴＦＴ及び凹部の構成を示す平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ´線断面図である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７８】
７…サンプリング回路、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５２…シール材、５２ａ…シール領域、５６…ギャップ材、７１…サンプリング用ＴＦＴ、１００…液晶パネル、１００ａ…走査線、１００ｂ…データ線、１００ｃ…画素部１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、２０１…凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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