(57)【要約】【課題】従来の方式に比べてより正確に光ディスクの欠陥を検出することでより安定に再生することが可能となる信号再生装置を提供する。【解決手段】上側包絡線３５と下側包絡線３６をそれぞれ比較する複数の閾値（上側包絡線閾値１、上側包絡線閾値２、下側包絡線閾値１、下側包絡線閾値２）を用いることにより、より正確に欠陥状態を把握し、各回路ブロックを最適に制御することにより、再生安定性の向上を図る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報が記録されている媒体を再生するための光ピックアップ手段と、
前記光ピックアップを駆動するピックアップ駆動手段と、
前記光ピックアップ手段から得られた信号から再生に必要な信号を抽出するＲＦ信号処理手段と、
前記ＲＦ信号処理手段の出力振幅を一定にするためのＡＧＣ手段と、
前記AGC手段の出力を２値化するためのスライス手段と、
前記スライス手段から回転速度に応じたクロックを生成するPLL手段と、
前記AGC手段から得られた信号の上側包絡線と下側包絡線を抽出する包絡線検出手段と、
前記包絡線検出手段の出力に対して、前記上側包絡線と前記下側包絡線を、それぞれ複数の閾値と比較し欠陥を検出する欠陥検出手段とを備え、
前記欠陥検出手段の検出結果から、前記AGC手段および前記スライス手段および前記PLL手段および前記ピックアップ駆動手段の少なくとも１つの制御を可能とした信号再生装置。
【請求項２】
前記欠陥検出手段の上側包絡線の第１の閾値は第２の閾値より大きく、前記欠陥検出手段の下側包絡線の第１の閾値は第２の閾値より大きく、前記欠陥検出手段の上側包絡線の第１の閾値または下側包絡線の第２の閾値を越えた場合、AGCの応答のゲインを上げることを特徴とする請求項１記載の信号再生装置。
【請求項３】
前記欠陥検出手段の上側包絡線の第１の閾値は第２の閾値より大きく、前記欠陥検出手段の下側包絡線の第１の閾値は第２の閾値より大きく、前記欠陥検出手段の上側包絡線の第１の閾値または下側包絡線の第２の閾値を越えた場合、データスライス手段の応答のゲインを上げることを特徴とする請求項１記載の信号再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号再生装置における光ディスクの欠陥検出方法に対して、上側包絡線と下側包絡線それぞれを複数の検出閾値を用い欠陥領域を検出し、その検出結果から各回路を制御することにより、より安定した再生を可能とするものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ディスク装置は情報関連分野にのみならず民生機器の分野にも浸透してきており、大容量化を果たすために、レーザー波長を短くし、記録媒体もより高密度化がはかられている。しかし、高密度化が進むにつれ、光ディスクについた汚れや傷等の欠陥はデータ再生能力に大きく影響し、欠陥が存在した場合でもより安定した再生が求められる。また欠陥はブラックスポット（暗レベル方向の欠陥）やミラー抜け（明レベル方向の欠陥）など多様であり、欠陥領域検出を強化しなければ安定した再生が出来ない場合があった。
【０００３】
このように欠陥領域を検出する従来の技術としてRF信号の上側包絡線、下側包絡線を用いて、各包絡線が所定の閾値と比較し欠陥領域を検出し、欠陥検出のフラグをたて、各回路ブロックを制御していた。
【０００４】
従来の検出方法について図５および図６を用いて説明する。光ディスク１にレーザーを照射し反射光を受光する光ピックアップ２からの出力された信号は、RF信号処理回路４に入力され再生に必要なRF信号を生成する。RF信号処理回路４の出力はAGC回路５に入力され、入力の振幅変動に対しても振幅が一定になるように制御され、AGC-RF信号１１を出力する。AGC-RF信号１１はスライス回路６に入力され２値化される。２値化された出力はPLL回路７に入力され、回転速度に比例したクロック１２を出力する。また、AGC回路５からの出力信号は包絡線検出回路８に入力され、上側包絡線１５、下側包絡線１６が抽出される。抽出された上側包絡線１５、下側包絡線１６は欠陥検出回路９に入力され、上側包絡線と上側包絡線閾値と比較することにより暗側欠陥部分を検出するフラグ（BDO検出flg）を生成し、下側包絡線と下側包絡線閾値と比較することにより明側欠陥部分を検出するフラグ（Mirror検出flg）を生成する。図６(a)のように、抽出された上側包絡線が上側包絡線閾値より下回った場合、暗レベル方向の欠陥が存在すると検出しBDO検出flgを出力し、図６(b)のように下側包絡線が下側包絡線閾値をより上回った場合、明レベル方向の欠陥が存在すると検出し、Mirror検出flgを出力する。
【０００５】
しかし、図６（c）のように傷で乱反射がある場合など欠陥によっては、光ピックアップに反射光量が戻ってくる為、傷の光量レベルが明側と暗側の中間位置になる場合があり、この場合、上側包絡線、下側包絡線の閾値がそれぞれ１つだと、図６(d)の（BDO検出flg,Mirro検出flg）＝(0,0)となり欠陥部分を検出出来ず、欠陥部分と認識されず正常時波形と認識してしまう。そのため、各部分が最適な動作をすることができなくなり、再生が不安定になる場合があった。また、上側包絡線閾値、下側包絡線閾値を適切に設定しなければ小さな欠陥でも欠陥が検出されてしまい再生の安定性を損ねる場合があった。
【特許文献１】特開平10-40546号公報
【特許文献２】特開2003-178468号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の技術では、欠陥によっては欠陥部分の光量が明側と暗側の中間位置をとる場合があり、この場合、上側包絡線と下側包絡線の閾値がそれぞれ１つであると欠陥と見なされず、最適な制御が出来なくなり、再生が不安定になるという課題があった。
【０００７】
そこで本発明は、従来の方式に比べてより正確に光ディスクの欠陥を検出することでより安定に再生することが可能となる信号再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記の課題を解決するために、本発明の信号再生装置は、上側包絡線と下側包絡線に対して欠陥検出の為の閾値を複数個設けることにより、より正確に欠陥の状態を検出することが可能となり、再生能力の向上を図ることができる。
【０００９】
具体的には、本発明の請求項１に係る信号再生装置は、情報が記録されている媒体を再生するための光ピックアップ手段と、前記光ピックアップを駆動するピックアップ駆動手段と、前記光ピックアップ手段から得られた信号から再生に必要な信号を抽出するＲＦ信号処理手段と、前記ＲＦ信号処理手段の出力振幅を一定にするためのＡＧＣ手段と、前記AGC手段の出力を２値化するためのスライス手段と、前記スライス手段から回転速度に応じたクロックを生成するPLL手段と、前記AGC手段から得られた信号の上側包絡線と下側包絡線を抽出する包絡線検出手段と、前記包絡線検出手段の出力に対して、前記上側包絡線と前記下側包絡線を、それぞれ複数の閾値と比較し欠陥を検出する欠陥検出手段とを備え、前記欠陥検出手段の検出結果から、前記AGC手段および前記スライス手段および前記PLL手段および前記ピックアップ駆動手段の少なくとも１つの制御を可能としたものである。
【００１０】
また前記欠陥検出手段の上側包絡線の第１の閾値は第２の閾値より大きく、前記欠陥検出手段の下側包絡線の第１の閾値は第２の閾値より大きく、前記欠陥検出手段の上側包絡線の第１の閾値または下側包絡線の第２の閾値を越えた場合、AGCの応答のゲインを上げることが望ましい。
【００１１】
さらに前記欠陥検出手段の上側包絡線の第１の閾値は第２の閾値より大きく、前記欠陥検出手段の下側包絡線の第１の閾値は第２の閾値より大きく、前記欠陥検出手段の上側包絡線の第１の閾値または下側包絡線の第２の閾値を越えた場合、データスライス手段の応答のゲインを上げることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、従来の方式に比べてより正確に光ディスクの欠陥を検出することが可能となり、より安定に再生することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
欠陥部分の再生能力を向上させるという目的を、上側包絡線を複数の閾値と比較し欠陥検出を実施し、また、下側包絡線を複数の閾値と比較して欠陥検出を実施することにより、詳細な欠陥検出が可能となり、各回路を最適な制御をすることにより実現させた。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の方法を示した光ディスク装置のブロック図である。図１に示す信号再生装置は、光ディスク２１から情報を読み出す光ピックアップ手段２２と、光ピックアップ手段２２を駆動するピックアップ駆動手段２３と、光ピックアップ手段２２から出力された信号からRF信号などの再生に必要な信号を生成するRF信号処理回路２４と、光量の変化によらずRF信号の信号振幅を一定にしたAGC-RF信号３１を出力するAGC回路２５と、AGC回路の出力を２値化するスライス回路２６と、２値化されたデータから回転速度に応じたクロックを生成するPLL回路２７と、AGC回路２５の出力信号から上側包絡線と下側包絡線を抽出する包絡線検出手段２８と、これら上側包絡線と下側包絡線をそれぞれ所定の複数の閾値を比較し欠陥を検出し、欠陥情報に応じて各回路を制御する欠陥検出回路２９とを備える。
【００１４】
実施の形態１における検出方法について、図１および図２を用いて説明する。
【００１５】
まず光ディスク２１を起動し、光ピックアップ２２をピックアップ駆動手段２３で制御し、光ディスク１を再生させる。再生信号はRF信号処理回路２４でRF信号として生成され、AGC回路２５で常に所定の振幅になるように制御され、AGC-RF信号３１を生成する。AGC-RF信号３１はスライス回路２６に入力され２値化される。２値化された出力はPLL回路２７に入力され、PLL回路２７では回転速度に応じたクロック３２を生成する。
【００１６】
また、AGC-RF信号３１は包絡線検出回路２８にも入力される。包絡線検出回路２８では、AGC-RF信号の上側包絡線３５と下側包絡線３６を検出し、暗側に欠陥（Black  dot＝BDO）がある場合、図２(a)のような上側包絡線３５と下側包絡線３６を出力、明側に欠陥（Mirror）がある場合、図２(b)の様な上側包絡線３５と下側包絡線３６を出力、傷（乱反射）がある場合、図２(c)の様な上側包絡線３５と下側包絡線３６を出力する。
【００１７】
欠陥検出回路２９では、上側包絡線３５と上側包絡線閾値１を比較し、上側包絡線が上側包絡線閾値１以下になった場合、BDO検出flg1=1を出力する。同様に、上側包絡線３５と上側包絡線閾値２を比較し、上側包絡線が上側包絡線閾値２以下になった場合、BDO検出flg2=1を出力する。また、下側包絡線３６と下側包絡線閾値１を比較し、下側包絡線が上側包絡線閾値１以上になった場合、Mirror検出flg1=1を出力する。同様に、下側包絡線３６と下側包絡線閾値２を比較し、下側包絡線が下側包絡線閾値２以上になった場合、Mirror検出flg2=1を出力する。
【００１８】
従って、図２(d)に示すように欠陥検出回路２９は、（BDO検出flg1, BDO検出flg2, Mirror検出flg1, Mirror検出flg2）＝(1,1,0,0)の場合、暗側の欠陥（BDO）であると判断する。同様に（BDO検出flg1, BDO検出flg2, Mirror検出flg1, Mirror検出flg2）＝(0,0,1,1)の場合、明側の欠陥（Mirror）と判断する。また、（BDO検出flg1, BDO検出flg2, Mirror検出flg1, Mirror検出flg2）＝(1,0,0,1)の場合、傷（乱反射）の欠陥と判断する。
【００１９】
この検出結果を用いて、光ディスクの再生に必要な各回路（ピックアップ駆動回路２３、AGC回路２５、スライス回路２６、PLL回路２７）の少なくとも１つを制御し、光ディスクの再生を安定にする。
【００２０】
また、BDO検出flg1, BDO検出flg2, Mirror検出flg1, Mirror検出flg2の検出結果の組み合わせにより、AGC-RF波形の状態を認識することが可能となり、各回路を詳細に制御することが可能となり、欠陥部分での再生性能が向上する。
（実施の形態２）
本実施の形態は、図１に於ける欠陥検出回路１の上側包絡線閾値１または下側包絡線閾値２を越えた場合、AGC回路２５の応答のゲインを上げる例を示す。
【００２１】
図３に示すように、上側包絡線３５、下側包絡線３６が出力された場合、（BDO検出flg1, BDO検出flg2, Mirror検出flg1, Mirror検出flg2）＝（1,0,0,0）または、（BDO検出flg1, BDO検出flg2, Mirror検出flg1, Mirror検出flg2）＝（0,0,0,1）の検出結果が得られる。このときAGC回路２５のゲインを上げることにより、欠陥部分の振幅を増幅させることができ、欠陥がない部分とほぼ等価な信号振幅を得ることが可能となるので、安定した再生が可能となる。
（実施の形態３）
本実施の形態は、図１に於ける欠陥検出回路１の上側包絡線閾値１または下側包絡線閾値２を越えた場合、データスライス手段２６の応答のゲインを上げる例を示す。
【００２２】
図４に示すように、上側包絡線３５、下側包絡線３６が出力された場合、（BDO検出flg1, BDO検出flg2, Mirror検出flg1, Mirror検出flg2）＝（1,0,0,0）または、（BDO検出flg1, BDO検出flg2, Mirror検出flg1, Mirror検出flg2）＝（0,0,0,1）の検出結果が得られる。このときDSL回路２６のゲインを上げることにより、欠陥部分での２値化に対する応答性が向上するので、安定した再生が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
以上のように、本発明による光ディスク装置は、従来の方式に比べてより正確に光ディスクの欠陥を把握でき、再生能力の向上を図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態１の方法を示した光ディスク装置のブロック図
【図２】（ａ）本発明による光ディスク装置の実施方法を適用したときの暗側欠陥部分における波形図（ｂ）本発明による光ディスク装置の実施方法を適用したときの明側欠陥部分における波形図（ｃ）本発明における光ディスク装置の実施方法を適用したときの傷（乱反射）欠陥部分における波形図（ｄ）本発明における光ディスク装置の実施方法を示した場合の欠陥出力フラグ状態を示した図
【図３】本発明による光ディスク装置を実施の形態２に適用したときの波形図
【図４】本発明による光ディスク装置を実施の形態３に適用したときの波形図
【図５】従来の光ディスク装置の実施方法を示したブロック図
【図６】（ａ）従来の光ディスク装置の実施方法を適用したときの暗側欠陥部分における波形図（ｂ）従来の光ディスク装置の実施方法を適用したときの明側欠陥部分における波形図（ｃ）従来の光ディスク装置の実施方法を適用したときの傷（乱反射）欠陥部分における波形図（ｄ）従来の光ディスク装置の実施方法を示した場合の欠陥出力フラグ状態を示した図
【符号の説明】
【００２５】
１    光ディスク
２    光ピックアップ
３    ピックアップ駆動回路
４    RF信号処理回路
５    AGC回路
６    スライス回路
７    PLL回路
８    包絡線検出回路
９    欠陥検出回路
１０    制御信号
１１    AGC-RF信号
１２    クロック
１５    上側包絡線
１６    下側包絡線
２１    光ディスク
２２    光ピックアップ
２３    ピックアップ駆動回路
２４    RF信号処理回路
２５    AGC回路
２６    スライス回路
２７    PLL回路
２８    包絡線検出回路
２９    欠陥検出回路
３０    制御信号
３１    AGC-RF信号
３２    クロック
３５    上側包絡線
３６    下側包絡線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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