(57)【要約】【課題】レジストの膜減り及びレジストパターンの不良の発生を防止する。【解決手段】  レジストが塗布された基板の側面に当接する基板固定部材９４と、前記基板固定部材と共に移動して前記基板の端部を覆う遮光部９３と、前記基板固定部材及び遮光部を前記基板の側面側に移動させて前記基板内への光の入射を阻止する駆動機構部９５とを具備したことを特徴とする。【選択図】図１
2009075303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストが塗布された基板の側面に当接する基板固定部材と、
前記基板固定部材と共に移動して前記基板の端部を覆う遮光部と、
前記基板固定部材及び遮光部を前記基板の側面側に移動させて前記基板内への光の入射を阻止する駆動機構部と
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項２】
前記遮光部は、前記基板の端部に形成された面取り部を覆うように設けられる請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項３】
レジストが塗布された基板が載置されるステージと、
前記基板の側面に当接する基板固定部材と、
前記基板固定部材と共に移動して前記基板の端部を覆う遮光部と、
前記基板固定部材及び遮光部を前記基板の側面側に移動させて前記基板内への露光光の入射を阻止する駆動機構部と
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項４】
透明基板上に絶縁膜を形成する工程と、
透明基板上にレジストを塗布する工程と、
前記基板の端部を遮光性の基板固定部材によって遮光する工程と、
前記端部が遮光された基板を露光する工程と
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターンの不良の発生を防止するようにした電気光学装置の製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。このうち、アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置においては、縦横に夫々配列された多数の走査線（ゲート線）及びデータ線（ソース線）の各交点に対応して、画素電極及びスイッチング素子を基板（アクティブマトリクス基板）上に設けて構成される。
【０００３】
ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板（素子基板）と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。
【０００４】
このようなスイッチング素子を構成する素子基板は、ガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。即ち、各種膜の成膜工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、レジスト剥離工程の繰返しによって、ＴＦＴ基板等は形成されている。
【０００５】
フォトリソグラフィ工程においては、成膜された膜上にレジストを塗布し、マスクを介して露光して、レジストパターンを形成する。レジストパターンが形成された膜に対して、ウェット又はドライ方式のエッチングが施される。これにより、パターン化された膜が形成される。
【０００６】
なお、特許文献１においては、周辺露光時にウェハのチェックに露光波長光を透過する部材を使用し、周辺露光によるレジスト発泡モードパーティクル発生を防止する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−３１６４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、一般的には、電気光学装置用基板として用いられるガラス基板又は石英基板等は、周縁が面取りされている。このような面取りされた基板は、基板端面の面取り部分において、基板表面に対して所定角度傾斜した部分を有する。このような基板に対して周辺露光を行うと、基板端面の傾斜部分に進入した光が向きを変えて、基板内側に進行する。更に、基板内に進行した光は基板裏面で反射して基板表面側に進行する。即ち、基板端面から基板内に入射した光が基板表面のレジストに到達して、基板表面のレジストを感光させてしまう。
【０００８】
従って、基板周縁部近傍においては、レジストの膜減りやレジストパターンの不良等が生じることがあるという問題点があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、基板端面からの光の入射を抑制することによって、基板端縁部近傍におけるレジストの膜減り及びレジストパターンの不良の発生を防止して、歩留まりを向上させることができる電気光学装置の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の製造装置は、レジストが塗布された基板の側面に当接する基板固定部材と、前記基板固定部材と共に移動して前記基板の端部を覆う遮光部と、前記基板固定部材及び遮光部を前記基板の側面に移動させて前記基板内への光の入射を阻止する駆動機構部とを具備したことを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、基板の側面に基板固定部材が当接することによって基板の位置決めが可能である。駆動機構部は、基板固定部材と共に遮光部を移動させ、遮光部によって基板端部を覆わせる。これにより、基板の端部から基板内に光が入射することを阻止することができる。例えば、フォトレジスト形成後の露光時において、基板の端部から基板内に光が入射することを抑制することができる。これにより、基板内部で反射した光がフォトレジストに照射されることを防止することができ、レジストの膜減り及びレジストパターンの不良の発生を抑制して、歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
前記基板は、透明基板であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る電気光学装置の製造装置は、レジストが塗布された基板が載置されるステージと、前記基板の側面に当接する基板固定部材と、前記基板固定部材と共に移動して前記基板の端部を覆う遮光部と、前記基板固定部材及び遮光部を前記基板の側面側に移動させて前記基板内への露光光の入射を阻止する駆動機構部とを具備したことを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、ステージに載置された基板の端部は、遮光部によって覆われる。これにより、基板端部の周辺露光時であっても、基板端部から光が基板内に進入することを防止することができ、レジストの膜減り及びレジストパターンの不良の発生を抑制することができる。
【００１５】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、透明基板上に絶縁膜を形成する工程と、透明基板上にレジストを塗布する工程と、前記基板の端部を遮光性の基板固定部材によって遮光する工程と、前記端部が遮光された基板を露光する工程とを具備したことを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、基板上に絶縁膜を形成した後レジストを塗布する。次に露光前に、基板の端部を遮光性の基板固定部材によって遮光する。次に、露光を行う。露光前に端部を遮光性の基板固定部材によって遮光しているので、基板の端部から光が基板内に入射することを防止することができ、レジストの膜減り及びレジストパターンの不良の発生を抑制して、歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の製造装置の一部を示す説明図である。図２は本実施の形態において製造される電気光学装置に用いられる基板の外観形状の例を示す平面図である。図３は本実施の形態の電気光学装置の製造装置を露光装置に用いる基板支持装置に適用した場合の説明図である。また、図４は図３の装置を上方から見た平面図である。
【００１８】
本実施の形態における電気光学装置の製造装置によって製造可能な電気光学装置用基板としては、例えば、図２（ａ）に示す円形状の基板８５ａ、或いは図２（ｂ）に示す４角形状の基板８５ｂを採用することができる。図１においては、図２と同様に円形状又は四角形状の電気光学装置用基板８５を用いる。電気光学装置用基板８５は、ガラスや石英等の透光性の材料によって形成されており、所定の厚さ及びサイズを有する。また、電気光学装置用基板８５は、図１に示すように、端縁に面取りが施されている。図１の例では、電気光学装置用基板８５の上面と側面８６との角に面取り部８７が形成され、底面と側面８６との角に面取り部８８が形成されている。
【００１９】
このような電気光学装置用の基板８５は、各種膜の成膜工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、レジスト剥離工程の繰返しによって製造される。例えば、フォトリソグラフィ工程中の露光工程において、図１の電気光学装置の製造装置を利用することができる。
【００２０】
図１において、電気光学装置の製造装置は、光の透過を阻止又は抑制することが可能な遮光性の基板固定部材９２（網線部））及びこの遮光性の基板固定部材９２を支持する支持部材９５によって構成されている。遮光性の基板固定部材９２としては、例えば透明でないプラスチック材料等を採用することができる。遮光性の基板固定部材９２は鉛直方向に屹立した部分とこの部分から水平方向及び上方に斜めに延出された遮光部９３とを有する。鉛直方向に屹立した部分の側面は、押圧部９４を構成する。また、遮光部９３は、基板８５の面取り部８７の水平方向の寸法だけ、押圧部９４から水平方向に延出している。これにより、押圧部９４を基板８５の側面８６に当接させた状態では、平面的には、遮光部９３は面取り部８７を上方から完全に覆うことができるようになっている。
【００２１】
これにより、遮光性の基板固定部材９２は、面取り部８７に照射された光を反射又は吸収して、基板８５の内部に光が進入することを抑制又は阻止する。
【００２２】
遮光性の基板固定部材９２の鉛直方向に屹立した部分は支持部材９５に取り付けられている。支持部材９５は図示しない駆動系によって水平方向に駆動されて、遮光性の基板固定部材９２を図１の矢印方向又はその反対方向に移動させることができるようになっている。
【００２３】
図３は図１の電気光学装置の製造装置を露光装置の基板支持装置に適用したものである。露光装置の基板支持装置は、ステージ９６及び回転機構９７とを有する。露光時には、露光対象の基板８５をステージ９６上に載置するようになっている。ステージ９６は図示しない真空吸着機構を備えており、基板８５が載置されると、真空吸着機構によって基板８５を吸着して保持するようになっている。
【００２４】
図３の例では、ステージ９６に図１の支持部材９５が取り付けられるようになっている。支持部材９５は、ステージ９６内に設けた図示しない案内部材によって水平方向に移動自在に支持されている。図４は基板８５が円形状である場合において、露光装置の基板支持装置の上方から見た平面図である。基板８５が円形状である場合には、ステージ９６内の案内部材によって、支持部材９５は基板８５の径方向に移動自在である。
【００２５】
図４（ａ）は支持部材９５が基板８５から離間する方向に移動した状態を示しており、図４（ｂ）は支持部材９５が基板８５の中心側に移動した状態を示している。即ち、図４（ａ）は図１の破線の状態を示し、図４（ｂ）は図１の実線の状態を示す。遮光性の基板固定部材９２は図４（ｂ）に示すように、基板８５の円周に沿って複数設けられており、各遮光性の基板固定部材９２が夫々支持部材９５によって基板８５の径方向に移動自在である。
【００２６】
ステージ９６内には図示しない駆動機構が設けられており、この駆動機構によって、案内部材に案内された支持部材９５を、基板８５から離間する方向又は中心に向かう方向に移動させることができるようになっている。なお、駆動機構は、全ての支持部材９５を同時に基板８５の中心方向に移動させることができる。
【００２７】
駆動機構によって、遮光性の基板固定部材９２が基板８５の中心方向に移動することにより、図４（ｂ）に示す状態となる。即ち、この場合には、各遮光性の基板固定部材９２の押圧部９４は、基板８５の側面８６を押圧して基板８５の水平位置を規定すると共に、押圧部９４が基板８５の側面８６に当接することで、遮光性の基板固定部材９２の遮光部９３は、基板８５の周縁に設けられた面取り部８７を覆うように配置されることになる。
【００２８】
この状態では、遮光性の基板固定部材９２の遮光部９３は、基板８５の面取り部８７の上方に位置しており、露光光の出射部９８からの露光光は、遮光部９３によって遮られて、基板８５の周縁部においては、露光光が基板８５内に入射しない。
【００２９】
このように構成された実施の形態においては、面取り部８７上に遮光部９３を配置することにより、基板８５に良好なレジストパターンが形成されることを可能にする。図５は面取り部８７上に遮光部９３が配置されない場合の光の進入を説明するためのものである。
【００３０】
図５に示すように、基板８５表面にはレジスト７４が形成されている。露光時において周辺露光が行われると、面取り部８７にも光が入射し、この入射光が図５の矢印に示すように、基板８５内に進入する。基板８５内に進入した光の一部は、基板８５底面から外部に出射されるが、他の一部は基板８５底面で反射して基板８５内で上面側に進行する。このような基板８５底面での反射光７５は基板８５表面に形成されたレジスト７４に到達する。基板８５内からのこのような照射により、レジスト７４の一部（斜線部）は露光される。この露光部７６は本来のパターンとは無関係に生じ、レジスト７４の膜減り及びレジストパターンの不良を生じさせる。
【００３１】
これに対し、本実施の形態における電気光学装置の製造装置においては、遮光性の基板固定部材９２がステージ９６から離間する方向に移動した状態で、基板８５をステージ９６上に載置する。基板８５がステージ９６上に載置されると、支持部材９５が基板８５の中心側に移動して、各遮光性の基板固定部材９２を基板８５の側面８６に当接させる。これにより、基板８５の面取り部８７の上方は遮光部９３によって覆われることになる。この遮光部９３は光の通過を十分に阻止する。即ち、露光時の入射光（例えば紫外光）は面取り部８７上方の遮光部９３において大部分が吸収又は反射され、基板８５内への光の進入が阻止されるか又は基板８５内に進入する光の強度が十分に低減される。従って、基板８５内に入射した光の底面反射光によって、レジスト７７が露光されることを防止することができる。
【００３２】
このように、本実施の形態においては、基板端縁部の上方に遮光部が配置されるような構成を有することによって、露光時に光が基板内に十分な強度で進入することを防止又は抑制することができ、露光時の底面反射光によるレジストの膜減り及びレジストパターンの不良が生じることを防止することができる。これにより、電気光学装置の製造時の歩留まりを向上させることができる。
【００３３】
なお、本実施の形態においては、支持部材９５が基板８５の中心側に設けられて、基板８５の中心側に遮光性の基板固定部材９２を引き寄せることで面取り部８７の上方を遮光部９３によって覆うように構成したが、支持部材９５が基板８５の外側から基板８５の側面８６に向かって遮光性の基板固定部材９２を押し付けることで面取り部８７の上方を遮光部９３によって覆うように構成してもよい。
【００３４】
図６は本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置の製造装置を説明するための説明図である。また、図７は本実施の形態に係る装置の円形状の基板８５への取り付けを示す平面図であり、図７（ａ）は取り付け前の状態を示し、図７（ｂ）は取り付け後の状態を示している。
【００３５】
図６において、電気光学装置の製造装置は、光の透過を阻止又は抑制することが可能な遮光性の基板固定部材３１（斜線部））及び遮光性の基板固定部材３１の形状を変化させるための管路３２によって構成されている。遮光性の基板固定部材３１は伸縮する中空部材によってドーナツ状に構成される。遮光性の基板固定部材３１の内周面３３は、基板８５の周縁に沿った形状を有しており、基板８５の側面８６及び面取り部８７を覆う形状に形成される。
【００３６】
遮光性の基板固定部材３１は管路３２に通じており、管路３２を介して遮光性の基板固定部材３１の中空部分に空気を送気するか又は中空部分から空気を排気することができるようになっている。遮光性の基板固定部材３１は、管路３２によって中空部分の空気が排気された状態では、内径が基板８５の径よりも十分に大きい。また、遮光部３１は、管路３２を介して中空部分に空気を充填することによって、充填された空気により中空部分の体積を増大させ、これにより、内周面３３を基板８５の側面８６及び面取り部８７に当接させることができるようになっている。なお、遮光性の基板固定部材３１としては、例えば透明でないゴム系の材料等を採用することができる。
【００３７】
このように構成された実施の形態においては、基板８５に対して周辺露光を行う場合には、基板８５を遮光性の基板固定部材３１の内周側に配置した後、管路３２を介して遮光性の基板固定部材３１の中空部分に圧縮空気を送気する。これにより、遮光性の基板固定部材３１は中空部分の体積が増大して、内周面３３が基板８５の側面８６及び面取り部８７に当接される。これにより、基板８５の面取り部８７の上方は遮光部３１によって覆われることになる。この遮光部３１は光の通過を十分に阻止する。即ち、露光時の入射光（例えば紫外光）は面取り部８７上方の遮光部３１において大部分が吸収又は反射され、基板８５内への光の進入が阻止されるか又は基板８５内に進入する光の強度が十分に低減される。従って、基板８５内に入射した光の底面反射光によって、基板表面に形成されたレジストが露光されることを防止することができる。
【００３８】
図８は上記各実施の形態に係る電気光学装置の製造装置を液晶装置の製造に用いた場合の露光方法を示すフローチャートである。
【００３９】
先ず、図９乃至図１２を参照して、露光の対象となる液晶装置について説明する。図９及び図１０に示すように、素子基板１０と対向基板２０とは対向配置され、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。素子基板１０上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。図１１は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示している。
【００４０】
図１１に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００４１】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４２】
図１２は、一つの画素に着目した液晶パネルの模式的断面図である。
【００４３】
ガラスや石英等の素子基板１０には、素子基板完成時の段差形状を調整するために溝１１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が形成されている。溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶５０との境界面が平坦化される。
【００４４】
ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層１ａに絶縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられてなる。なお、半導体層１ａは、例えばポリシリコン膜で形成されており、遮光膜１２は、例えば、タングステンシリサイド膜で形成されている。遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する領域、データ線６ａ及び走査線３ａ等の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、反射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。
【００４５】
ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層１ａに比較的近接した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる。
【００４６】
容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１９，１４を貫通するコンタクトホール２４ｂ，２４ａを介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６ｂ，２６ａにより中間導電層１５を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４７】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａ’が導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００４８】
一方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成されている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４９】
図９及び図１０に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００５０】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。こうして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入される。
【００５１】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００５２】
このように構成された液晶装置においては、所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号がＴＦＴ３０によって画素電極９ａに書き込まれる。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００５３】
素子基板１０及び対向基板２０は、透明基板であり、各層間絶縁膜１４，１９，２５も透明である。従って、これらの層間絶縁膜１４，１９，２５に対するコンタクトホール開孔工程においては、周辺露光による反射光の問題が生じる。そこで、この工程の前に、上記各実施の形態の装置を基板に対して取り付ければよい。
【００５４】
即ち、図８のステップＳ１の層間絶縁膜工程が終了すると、次のステップＳ２においてレジストを塗布する。次にステップＳ３において、基板８５の面取り部８７（図１参照）を遮光性の基板固定部材９２，３１によって覆う。次のステップＳ４において、図示しないフォトマスクを介して露光光を照射して、周辺露光を行う。以後、遮光性の基板固定部材９２，３１を基板８５から取り外して、現像（ステップＳ５）以降の工程を実施する。
【００５５】
このように、透明部材である層間絶縁膜に対するコンタクトホールの開孔等のための露光光の照射前に、遮光部材によって基板の端部を覆っており、露光光が基板端部で反射して不要な位置に露光光の影響が与えられることを防止している。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の製造装置の一部を示す説明図。
【図２】本実施の形態において製造される電気光学装置に用いられる基板の外観形状の例を示す平面図。
【図３】本実施の形態の電気光学装置の製造装置を露光装置に用いるチャック装置に適用した場合の例を示す説明図。
【図４】図３の装置を上方から見た平面図。
【図５】面取り部８７上に遮光部９３が配置されない場合の光の進入を説明するための説明図。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置の製造装置を説明するための説明図。
【図７】第２の実施の形態に係る装置の円形状の基板８５への取り付けを示す平面図。
【図８】電気光学装置の製造装置を液晶装置の製造に用いた場合の露光方法を示すフローチャート。
【図９】電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図１０】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図９のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図１１】画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示す回路図。
【図１２】液晶装置の画素構造を詳細に示す断面図。
【符号の説明】
【００５７】
８５…基板、８６…側面、８７，８８…面取り部、９２…遮光性の基板固定部材、９３…遮光部、９４…押圧部、９５…支持部材。
【図１】
2009075303.tif 000003
【図２】
2009075303.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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