(57)【要約】【課題】ワークの裏面側に載置部との間に隙間が形成されている場合において、ワークの被処理面の各部位に対して、所定のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマ処理装置１は、上部電極２１と、これに対向配置されワーク１０を載置する下部電極２２と、下部電極２２をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動する移動手段５と、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３と、上部電極２１および下部電極２２間へ通電する通電手段と、移動手段５の作動を制御する制御手段７とを有している。また、制御手段７は、ワーク１０の裏面側に下部電極２２との間に形成された隙間の大きさに応じて、下部電極２２の移動速度を補正するよう制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された上部電極および下部電極と、
前記上部電極および前記下部電極間に、被処理面を有するワークを載置する載置部と、
前記上部電極および前記下部電極の少なくとも一方と前記ワークとを相対的に移動する移動手段と、
前記被処理面に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記上部電極および前記下部電極間へ通電する通電手段と、
前記移動手段の作動を制御する制御手段とを有し、
前記処理ガス供給手段により前記被処理面に前記処理ガスを供給するとともに、前記通電手段により前記上部電極および下部電極間へ通電し、前記処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、前記移動手段により、前記プラズマが発生するプラズマ発生領域と前記ワークとを相対的に移動することにより、前記被処理面を局所的かつ連続的に処理するよう構成され、
前記制御手段は、前記ワークの裏面側に前記載置部の載置面との間に形成された隙間の大きさに応じて、前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を補正するよう制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記隙間は、前記ワークを前記載置部に吸引し固定するための吸引用の凹部である請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記被処理面上の前記凹部に対応する凹部対応部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を遅くなるよう補正する請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記凹部対応部位の処理量が、前記凹部がなかった場合に処理されるであろう処理量となるように、前記凹部対応部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を補正する請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
単位時間当たりの処理量を処理レートとしたとき、
前記凹部対応部位の処理レートをＲ１とし、前記凹部がなかった場合に処理されるであろう処理レートをＲ２とし、前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を変化させたときの前記処理レートの変化の割合をＫ１とし、前記制御手段による補正前の前記凹部対応部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度をＳ１としたとき、前記制御手段は、移動速度Ｓ１をＫ１（Ｒ１／Ｒ２）Ｓ１に補正する請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記隙間は、前記ワークの撓みにより、前記ワークの裏面が前記載置部の載置面から浮き上がることにより形成されるものである請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
単位時間当たりの処理量を処理レートとしたとき、
前記被処理面上の各部位の処理レートを当該部位の位置と対応させて記憶する記憶手段を有している請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記被処理面上の各部位の処理レートを測定する測定手段を有している請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記測定手段は、プラズマ処理条件を一定に保ちつつ、前記プラズマ発生領域と前記ワークとを一定の速度で相対的に移動させて、前記被処理面に対して仮のプラズマ処理を行うことにより、前記被処理面上の各部位の処理レートを測定するよう構成されている請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記隙間がなかった場合における処理レートに対して低い処理レートで処理される低処理レート部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を遅くするように補正する請求項７ないし９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記低処理レート部位の処理量が、前記隙間がなかった場合に処理されるであろう処理量となるように、前記低処理レート部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を補正する請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記低処理レート部位の処理レートをＲ３とし、前記隙間がなかった場合に処理されるであろう処理レートをＲ４とし、前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を変化させたときの前記処理レートの変化の割合をＫ２とし、前記制御手段による補正前の前記低処理レート部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度をＳ２としたとき、前記制御手段は、移動速度Ｓ２をＫ２（Ｒ３／Ｒ４）Ｓ２に補正する請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記制御手段は、前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を補正するに際し、前記処理ガス供給手段による前記処理ガスの供給量を調整する請求項１ないし１２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記通電手段は、少なくとも前記被処理面がプラズマ発生領域を通過しているときは、前記上部電極および前記下部電極間に印加する高周波のＲＦパワーを一定とする請求項１ないし１３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記移動手段は、少なくとも前記被処理面がプラズマ発生領域を通過しているときは、前記上部電極と前記下部電極との離間距離を一定とする請求項１ないし１４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
材料の表面を加工する方法の１つとして、高周波電圧を印加した電極間に反応ガスを含む処理ガスを供給し、反応ガスに基づくラジカルを発生させ、該ラジカルとワークとのラジカル反応によって生成された生成物質を除去することで加工を行う、いわゆるプラズマＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ（以下、「プラズマＣＶＭ」と略す。）が知られている。
このようなプラズマＣＶＭでは、一対の電極間にワークを位置させた状態にて、一対の電極間に高周波を印加することによりプラズマを発生させ、ワークをプラズマ処理する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載のプラズマ処理装置は、対向配置された上部電極および下部電極を有しており、下部電極には、ワークを真空吸着により固定するための吸引孔が複数形成されている。各吸引孔は、吸引路を介して真空ポンプに接続されており、下部電極にワークを配置した状態で真空ポンプを作動すると、ワークが下部電極に吸着され、固定されるようになっている。そして、下部電極にワークを固定した状態で、上部電極および下部電極間に高周波電圧を印加することにより、プラズマを発生させ、ワークをプラズマ処理するようになっている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のプラズマ処理装置では、ワークの被処理面の吸引孔に対応する部位（電極としての金属が存在しない部位）における実際の処理レートが、設定された（所望の）処理レートに対して低下してしまうため、当該部位において、所定のプラズマ処理を行うことができない。
したがって、特許文献１に記載のプラズマ処理装置によれば、ワークの被処理面上の各部において、所定のプラズマ処理を行うことができない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２８４３３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、ワークの裏面側に載置部との間に隙間が形成されている場合において、ワークの被処理面の各部位に対して、所定のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のプラズマ処理装置は、対向配置された上部電極および下部電極と、
前記上部電極および前記下部電極間に、被処理面を有するワークを載置する載置部と、
前記上部電極および前記下部電極の少なくとも一方と前記ワークとを相対的に移動する移動手段と、
前記被処理面に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記上部電極および前記下部電極間へ通電する通電手段と、
前記移動手段の作動を制御する制御手段とを有し、
前記処理ガス供給手段により前記被処理面に前記処理ガスを供給するとともに、前記通電手段により前記上部電極および下部電極間へ通電し、前記処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、前記移動手段により、前記プラズマが発生するプラズマ発生領域と前記ワークとを相対的に移動することにより、前記被処理面を局所的かつ連続的に処理するよう構成され、
前記制御手段は、前記ワークの裏面側に前記載置部の載置面との間に形成された隙間の大きさに応じて、前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を補正するよう制御することを特徴とする。
これにより、ワークの裏面側に形成された隙間の大きさに起因する処理レートの不本意な変化に応じて、その変化を打ち消すように被処理面に対してプラズマ処理を行うことができる。そのため、ワークの被処理面上の各部位に対して、所望のプラズマ処理を行うことができる。
【０００８】
本発明のプラズマ処理装置では、前記隙間は、前記ワークを前記載置部に吸引し固定するための吸引用の凹部であることが好ましい。
これにより、ワークを載置部に固定しつつ、その被処理面上の各部位に対して所望のプラズマ処理を行うことができる。そのため、プラズマ処理の精度が向上する。
本発明のプラズマ処理装置では、前記制御手段は、前記被処理面上の前記凹部に対応する凹部対応部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を遅くなるよう補正することが好ましい。
これにより、ワークの裏面側に形成された隙間に起因する処理レートの不本意な変化を打ち消すように、被処理面の凹部対応部位に対してプラズマ処理を行うことができる。
【０００９】
本発明のプラズマ処理装置では、前記制御手段は、前記凹部対応部位の処理量が、前記凹部がなかった場合に処理されるであろう処理量となるように、前記凹部対応部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を補正することが好ましい。
これにより、凹部対応部位の処理量を所望のものとすることができ、よって、被処理面の全域を所望の処理量でプラズマ処理することができる。
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置では、単位時間当たりの処理量を処理レートとしたとき、
前記凹部対応部位の処理レートをＲ１とし、前記凹部がなかった場合に処理されるであろう処理レートをＲ２とし、前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を変化させたときの前記処理レートの変化の割合をＫ１とし、前記制御手段による補正前の前記凹部対応部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度をＳ１としたとき、前記制御手段は、移動速度Ｓ１をＫ１（Ｒ１／Ｒ２）Ｓ１に補正することが好ましい。
これにより、凹部対応部位の処理量を所望のものとすることができ、よって、被処理面の全域を所望の処理量でプラズマ処理することができる。
【００１１】
本発明のプラズマ処理装置では、前記隙間は、前記ワークの撓みにより、前記ワークの裏面が前記載置部の載置面から浮き上がることにより形成されるものであることが好ましい。
これにより、ワークの個体差などの影響を受けずに、被処理面上の各部位に対して所望のプラズマ処理を行うことができる。そのため、例えば、歩留まりが向上する。
【００１２】
本発明のプラズマ処理装置では、単位時間当たりの処理量を処理レートとしたとき、
前記被処理面上の各部位の処理レートを当該部位の位置と対応させて記憶する記憶手段を有していることが好ましい。
これにより、制御手段によるプラズマ発生領域とワークとの相対的な移動速度の補正が簡単となる。
【００１３】
本発明のプラズマ処理装置では、前記被処理面上の各部位の処理レートを測定する測定手段を有していることが好ましい。
これにより、被処理面上の各部位の処理レートを高精度に得ることができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記測定手段は、プラズマ処理条件を一定に保ちつつ、前記プラズマ発生領域と前記ワークとを一定の速度で相対的に移動させて、前記被処理面に対して仮のプラズマ処理を行うことにより、前記被処理面上の各部位の処理レートを測定するよう構成されていることが好ましい。
これにより、被処理面をプラズマ処理するのに必要なものを有効活用して、被処理面の各部位の処理レートを高精度に得ることができる。
【００１４】
本発明のプラズマ処理装置では、前記制御手段は、前記隙間がなかった場合における処理レートに対して低い処理レートで処理される低処理レート部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を遅くするように補正することが好ましい。
これにより、ワークの裏面側に形成された隙間に起因する処理レートの不本意な変化を打ち消すように、被処理面上の各部位に対してプラズマ処理を行うことができる。
【００１５】
本発明のプラズマ処理装置では、前記制御手段は、前記低処理レート部位の処理量が、前記隙間がなかった場合に処理されるであろう処理量となるように、前記低処理レート部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を補正することが好ましい。
これにより、低処理レート部位の処理量を所望のものとすることができ、被処理面上の各部位（全域）を所望の処理量でプラズマ処理することができる。
【００１６】
本発明のプラズマ処理装置では、前記低処理レート部位の処理レートをＲ３とし、前記隙間がなかった場合に処理されるであろう処理レートをＲ４とし、前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を変化させたときの前記処理レートの変化の割合をＫ２とし、前記制御手段による補正前の前記低処理レート部位が前記プラズマ発生領域を通過する際の前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度をＳ２としたとき、前記制御手段は、移動速度Ｓ２をＫ２（Ｒ３／Ｒ４）Ｓ２に補正することが好ましい。
これにより、低処理レート部位の処理量を所望のものとすることができ、被処理面上の各部位（全域）を所望の処理量でプラズマ処理することができる。
【００１７】
本発明のプラズマ処理装置では、前記制御手段は、前記プラズマ発生領域と前記ワークとの相対的な移動速度を補正するに際し、前記処理ガス供給手段による前記処理ガスの供給量を調整することが好ましい。
これにより、処理ガスの供給量を調整して処理レート（エッチングレート）を変更することができる。そのため、処理レートの変更と、プラズマ発生領域とワークとの相対的な移動速度の補正とを組み合わせることにより、被処理面に対するプラズマ処理条件（例えば処理量）を微細に補正（調整）することができる。
【００１８】
本発明のプラズマ処理装置では、前記通電手段は、少なくとも前記被処理面がプラズマ発生領域を通過しているときは、前記上部電極および前記下部電極間に印加する高周波のＲＦパワーを一定とすることが好ましい。
これにより、制御手段によるプラズマ発生領域とワークとの相対的な移動速度の補正が簡単となる。
【００１９】
本発明のプラズマ処理装置では、前記移動手段は、少なくとも前記被処理面がプラズマ発生領域を通過しているときは、前記上部電極と前記下部電極との離間距離を一定とすることが好ましい。
これにより、制御手段によるプラズマ発生領域とワークとの相対的な移動速度の補正が簡単となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明のプラズマ処理装置を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を示す図（断面図、側面図、ブロック図）、図２は、図１に示すプラズマ処理装置が備える下部電極の斜視図、図３は、図１に示すプラズマ処理装置が備える固定手段を示す図（図２中Ａ−Ａ線断面図、ブロック図）、図４は、ワークを載置した状態での下部電極の平面図、図５は、図４中Ｂ−Ｂ線断面図、図６は、下部電極（ワーク）の移動パターンを示す図、図７は、テストピースを載置した状態での下部電極の断面図である。
【００２１】
なお、以下の説明では、図１中互いに直交する３つの方向をｘ軸方向、ｙ軸方向およびｚ軸方向とする。そのうち、ワーク１０の被処理面１０１をｘｙ平面とし、被処理面１０１の法線方向をｚ軸方向とする。以下、対応する方向はその他の図においても同様である。また、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、上部電極２１と、下部電極２２と、処理ガス供給手段３と、通電手段４と、移動手段５と、固定手段６と、制御手段７とを有している。
【００２２】
このプラズマ処理装置１は、固定手段６によりワーク１０を下部電極２２に固定した状態で、処理ガス供給手段３によりワーク１０の被処理面（ワーク１０の有効処理領域）１０１に処理ガスを供給しつつ、通電手段４により上部電極２１および下部電極２２間へ通電することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、このプラズマが発生するプラズマ発生領域Ｐ（上部電極２１の直下の領域）とワーク１０とを移動手段５により相対的に移動することにより、前記プラズマにより被処理面１０１を局所的にかつ連続してプラズマ処理する装置である。
【００２３】
なお、本願明細書中の「プラズマ処理」は、被処理面１０１の研磨（例えば、被処理面１０１の凸部または厚みばらつきを除去し、被処理面１０１を平坦化する加工など）、厚さ方向へ貫通または凹没する孔を形成するエッチング加工、所望の平面視形状となるように不要な部分を削除するエッチング加工（成形加工）、被処理面１０１に所望の特性を付与する表面改質（例えば、撥水性、親水性の付与、熱処理による改質、酸化膜等の形成）、被処理面１０１に形成されたレジスト層等を除去するアッシング処理など、プラズマを利用した処理全般を含むものである。なお、以下では、説明の便宜上、被処理面１０１を平坦化するプラズマ処理について代表して説明する。
【００２４】
以下、プラズマ処理装置１の各部の構成について説明する。
図１に示すように、後述する第１移動手段５１を構成するＮＣステージ上に下部電極２２が設けられており、その下部電極２２の上方には、上部電極２１が設けられている。
上部電極２１は、例えば円柱状、四角柱状などの柱状をなしている。このような上部電極２１は、導線４２を介して後述する高周波電源４１に接続されている。なお、上部電極２１の形状は、ワーク１０の形状（特に、ｘｙ平面での平面視における形状）などに合わせて適宜設定することができ、例えば、円錐台、四角柱状円錐台、平板状であってもよい。
【００２５】
上部電極２１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、鉄、ニッケル、銅、銀等の各種金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金または金属間化合物、さらには、これらの金属の酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられる。このうち、合金としては、例えば、ステンレス鋼、真鍮、アルミニウム系合金が挙げられる。
この上部電極２１は、その下側部分が誘電体材料で構成された誘電体部２４によって覆われている。
【００２６】
誘電体部２４は、四角柱状の形状をなしている。そして、その上面に開口する凹部２４１が形成されていて、この凹部２４１に上部電極２１の下側部分が挿入されている。これにより、上部電極２１および下部電極２２間において、電極である金属等が露出しないため、上部電極２１および下部電極２２間に電界を均一に発生させることができる。また、上部電極２１を誘電体部２４で覆っているため、インピーダンスの増大を防止することができ、比較的低電圧で所望の放電を生じさせ、プラズマを確実に発生させることができる。なお、誘電体部２４の形状は、例えば円錐台や円柱状、板状など、特に限定されない。
【００２７】
このような誘電体部２４の構成材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等の各種プラスチック、水晶等の結晶性材料、石英ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラス、無機酸化物等が挙げられる。前記無機酸化物としては、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ等の強誘電体材料等が挙げられる。
【００２８】
下部電極２２は、前述したようにＮＣステージ上に設けられており、上部電極２１に対して対向配置されている。このような下部電極２２は、平板状をなしている。また、下部電極２２の平面視形状は、正方形または長方形をなしている。なお、下部電極２２の形状、特に平面視形状は、ワーク１０の形状に合わせて適宜設定することができ、例えば、平面視形状が円形であってもよい。
【００２９】
このような下部電極２２の上面２２１は、ワーク１０を載置する載置面を構成している。すわなち、下部電極２２は、ワークを載置する載置部としての機能を有する。
また、下部電極２２は、導線４２を介して直接接地されており、接地電極としての機能を有する。これにより、下部電極２２の帯電を防止することができ、後述するように、上部電極２１および下部電極２２間に、確実に電界を発生させることができる。
【００３０】
図２に示すように、下部電極２２の上面２２１には、四角形の環状をなし、その１辺から内側に延長する溝６１が形成されている。また、図３に示すように、下部電極２２には、溝６１の底面と下部電極２２の下面とを貫通する吸引孔６２が形成されている。このような溝６１および吸引孔６２は、それぞれ、後に詳述する固定手段６の一部を構成するものである。
【００３１】
下部電極２２の構成材料としては、上部電極２１の構成材料として例示した材料と同様のものを用いることができる。
以上のような下部電極２２に固定されるワーク１０としては、特に限定されないが、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラス、水晶等の結晶性材料、アルミナ、シリカ、チタニア等の各種セラミックス、シリコン、ガリウム−ヒ素等の各種半導体材料、ダイヤモンド、黒鉛等の炭素系材料、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー、フェノール樹脂、アクリル樹脂等各種プラスチック（樹脂材料）のような誘電体材料で構成されたものが挙げられる。
【００３２】
固定手段６は、真空吸着によりワーク１０を下部電極２２に対して着脱自在に固定するものである。
図３に示すように、固定手段６は、前述した溝６１および吸引孔６２と、吸引ポンプ６３と、吸引ポンプ６３と吸引孔６２とを接続する吸引路６４と、吸引路６４の途中に設けられたバルブ（電磁バルブ）６５とを有している。吸引ポンプ６３およびバルブ６５は、それぞれ、制御手段７に電気的に接続され、制御手段７によりその作動が制御される。
【００３３】
図２に示すように、溝６１は、四角形の環状をなす環状部６１１と、環状部６１１の１辺からその内側に延長する延長部６１２とで構成されている。より具体的には、環状部６１１は、ｘ軸方向に延在する２辺とｙ軸方向に延在する２辺とで構成され、延長部６１２は、環状部６１１のｘ軸方向に延在する１辺のほぼ中央からｙ軸方向に延在するようになっている。
すなわち、溝６１は、後述する下部電極２２の移動方向（ｘ軸方向）に対して、平行または直交するように形成されている。これにより、プラズマ発生領域Ｐが、被処理面１０１の後述する第１の部位１０１ａを横切る回数を比較的少なくすることができ、制御手段７による後述する補正加工計画プログラムの作成が容易となる。
【００３４】
ワーク１０を下部電極２２に載置したとき、環状部６１１は、ワーク１０の縁部の辺に沿うようになっており、延長部６１２は、ワーク１０の中央部を通るようになっている。これにより、ワーク１０の裏面を全体的に下部電極２２に吸着（吸引）させることができ、より確実にワーク１０を下部電極２２に対して固定することができる。
ここで、被処理面１０１の溝６１に対応（対面）する第１の部位（凹部対応部位）１０１ａと、それ以外の第２の部位１０１ｂとを、互いに同じ条件でプラズマ処理した場合、溝６１に起因して、第１の部位１０１ａと第２の部位１０１ｂとで、エッチングレートが異なるものとなる。通常、第１の部位１０１ａのエッチングレートの方が、第２の部位１０１ｂのエッチングレートよりも低くなる。これは、溝６１に起因するものであり、後に詳述する。
【００３５】
溝６１の開口面積としては、特に限定されないが、ワーク１０の裏面の面積の２〜２５％であるのが好ましく、６〜１３％であるのがより好ましい。これにより、十分にワーク１０を下部電極２２に吸着させることができ、かつ、第１の部位１０１ａの面積を比較的少なくすることができる。
また、溝６１の幅ｗとしては、特に限定されないが、０．２〜２ｍｍ程度であることが好ましく、０．５〜１ｍｍ程度であることがより好ましい。これにより、十分にワーク１０を下部電極２２に吸着させることができ、かつ、第１の部位１０１ａの面積を比較的少なくすることができる。
このような溝６１の形状や位置に関する情報は、後述する記憶手段１２に入力され、記憶される。
【００３６】
バルブ６５は、制御手段７による制御により、吸引路６４内の流路のバルブ６５に対して吸引孔６２側と吸引ポンプ６３側とを連通する連通状態（開状態）と、逆に遮断する遮断状態（閉状態）と、吸引路６４内の流路を外部に開放（大気開放）する開放状態とをとることができる。なお、連通状態では、その開度を調整可能となっていてもよい。
以上のような構成の固定手段６は、次のようにして作動する。
【００３７】
下部電極２２にワーク１０が設置されると、溝６１の上部開口が、ワーク１０の裏面により塞がれる。この状態にて、制御手段７の制御により、バルブ６５を連通状態とするとともに、吸引ポンプ６３を作動する。
すると、溝６１内の空気が、吸引孔６２および吸引路６４を介して吸引ポンプ６３に吸引され、それらの内部が真空状態または減圧状態（以下単に「真空状態」と言う）となる。これにより、ワーク１０の裏面が下部電極２２に吸着し、ワーク１０が下部電極２２に固定される。なお、ワーク１０が下部電極２２に固定された後は、十分な吸引力が維持される限りバルブ６５の開度を減じてもよい。
以上のようにして、ワーク１０の下部電極２２に対する固定がなされる。この状態にて、被処理面１０１に対するプラズマ処理が後述するように行われる。
【００３８】
１つのワーク１０に対するプラズマ処理が終了し、新たなワーク１０を下部電極２２に載置する場合には、制御手段７の制御により、バルブ６５を開放状態とする。すると、吸引路６４、吸引孔６２および溝６１の内圧が、それぞれ、大気圧まで復帰し、ワーク１０の固定状態が解除される。これにより、プラズマ処理済みのワーク１０を新たなワークに交換することができる。
以上のような固定手段６によれば、比較的簡単な構成でワーク１０を下部電極２２に対して着脱自在に固定することができる。
【００３９】
処理ガス供給手段３は、所定のガスを充填するガスボンベ（ガス供給源）３１と、ガスボンベ３１から供給されるガスの流量を調整するマスフローコントロ−ラ（流量調整手段）３２と、プラズマ発生領域Ｐに向けて処理ガスを噴出するノズル３３と、ノズル３３とガスボンベ３１とを接続する処理ガス供給流路３４と、マスフローコントロ−ラ３２より下流端側で、処理ガス供給流路３４内の流路を開閉するバルブ（電磁バルブ）３５とを有している。マスフローコントローラ３２およびバルブ３５は、それぞれ、制御手段７に電気的に接続され、制御手段７によりその作動が制御される。
【００４０】
このような処理ガス供給手段３は、バルブ３５を開状態とした状態で、ガスボンベ３１から処理ガスを送り出し、マスフローコントロ−ラ３２により処理ガスの流量を調節する。そして、流量が調整された処理ガスを処理ガス供給流路３４を介してノズル３３からプラズマ発生領域Ｐに導入（供給）する。また、処理ガス供給手段３は、バルブ３５を閉状態とすることにより、プラズマ発生領域Ｐへの処理ガスの供給を停止する。
【００４１】
ガスボンベ３１内に充填する処理ガスとしては、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素原子含有化合物ガスやＣｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４等の塩素原子含有化合物ガスなどの各種ハロゲン系ガスが用いられる。
また、処理ガスは、一般に、上記処理ガスとキャリアガスとからなる混合ガスが用いられる。なお、「キャリアガス」とは、放電開始と放電維持のために導入するガスのことを言う。
【００４２】
この場合、ガスボンベ３１内に、混合ガス（処理ガス＋キャリアガス）を充填して用いてもよいし、処理ガスとキャリアガスとがそれぞれ別のガスボンベに充填され、処理ガス供給流路３４の途中でこれらが所定の混合比で混合されるような構成であってもよい。
キャリアガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いることができる。これらは、単独でも２種以上を混合した形態でも用いることができる。また、処理ガスの解離促進のためにＯ２を混合ガスに混ぜてもよい。
【００４３】
ノズル３３は、その先端部分がプラズマ発生領域Ｐに向かうように設置されている。これにより、被処理面１０１により円滑に処理ガスを供給することができる。なお、ノズル３３の形状、配設位置および数などは、被処理面１０１に処理ガスを供給することができれば、特に限定されない。例えば、ノズル３３は、上部電極２１の近傍に設置されていてもよい。また、ノズル３３は、プラズマ発生領域Ｐの移動に伴って移動（追従）するよう構成されていてもよい。
【００４４】
なお、処理ガス供給手段３によって、被処理面１０１に供給され、プラズマ発生領域Ｐにてプラズマ処理に供された処理済みの処理ガスは、好ましくは、図示しない排気手段により排気されるようになっている。この排気手段としては、特に限定されず、例えば吸引ノズルや、上部電極２１および下部電極２２がチャンバー内に設置されている場合に前記チャンバー内のガスを排気するファンなどが挙げられる。
【００４５】
通電手段４は、上部電極２１および下部電極２２間に高周波電圧を印加する高周波電源４１と、上部電極２１と高周波電源４１と下部電極２２とを導通する導線４２とを備えている。また、高周波電源４１は、制御手段７によりその作動が制御される図示しない電力調整部を有しており、制御手段７の制御により、供給する電力の大きさ（電力値）を変更し得るようになっている。また、図示されていないが、供給する電力に対する整合回路（インピーダンスマッチング回路）や、高周波電源４１の周波数を変える周波数調整手段（回路）や、高周波電源４１の印加電圧の最大値（振幅）を変える電圧調整手段（回路）などが必要に応じて設置されている。これにより、ワーク１０に対するプラズマ処理の処理条件を適宜調整することができる。
【００４６】
ワーク１０に対してプラズマ処理を行うときは、高周波電源４１が作動して上部電極２１および下部電極２２間に高周波電圧が印加される。これにより、上部電極２１と下部電極２２との間に電界が発生し、処理ガス供給手段３により被処理面１０１に処理ガスが供給されると、放電が生じて、プラズマ発生領域Ｐにプラズマが発生する。
上部電極２１および下部電極２２間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１０〜７０ＭＨｚであるのが好ましい。また、前記高周波のＲＦパワーは、特に限定されないが、１０〜１５０Ｗであるのが好ましい。
【００４７】
移動手段５は、上部電極２１と下部電極２２（ワーク１０）とを相対的に、ｘ軸方向およびｙ軸方向に２次元的に移動する第１移動手段５１と、上部電極２１と下部電極２２（ワーク１０）とをｚ軸方向に相対的に移動する第２移動手段５２とで構成されている。
第１移動手段５１は、下部電極２２をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動させるＮＣ（数値制御）ステージ移動装置が用いられる。この第１移動手段５１は、ワーク１０をプラズマ処理する際に、下部電極２２をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動することにより、ワーク１０の被処理面１０１を上部電極２１に対して２次元的に移動する移動手段である。
【００４８】
このような第１移動手段５１は、移動速度（すなわち、上部電極２１とワーク１０との相対的な移動速度）や停止時間等を調整することができるように構成されている。このような第１移動手段５１の作動は、ＮＣ（数値制御）制御装置１５により制御される。
一方、第２移動手段５２は、上部電極２１をｚ軸方向に移動する（ｘ軸方向およびｙ軸方向には移動しない）移動装置が用いられる。この第２移動手段５２により、上部電極２１と被処理面１０１との間の間隙距離（換言すれば、上部電極２１および下部電極２２の電極間距離）を調整することができる。このような第２移動手段５２の作動は、制御手段７により制御される。
【００４９】
以上のような構成の移動手段５により、上部電極２１は、被処理面１０１の上方の空間において、ワーク１０に対して、相対的に、ｘｙｚの３次元空間内で任意の位置（座標）に移動可能となる。
なお、移動手段５としては、本実施形態のものに限定されず、ｘ軸方向、ｙ軸方向およびｚ軸方向の移動を第１移動手段５１および第２移動手段５２のいずれが担っていてもよい。例えば、第１移動手段５１が下部電極２２のｚ軸方向の移動を担い、第２移動手段５２が上部電極２１のｘ軸方向およびｙ軸方向の移動を担っていてもよい。また、第１移動手段５１が下部電極２２のすべての方向（ｘ軸方向、ｙ軸方向およびｚ軸方向）への移動を担っていてもよいし、逆に第２移動手段５２が同様の構成であってもよい。
【００５０】
次に、プラズマ処理装置１の回路構成について説明する。
図１に示すように、このプラズマ処理装置１は、入力等の各操作を行う操作部（入力手段）１１と、記憶手段１２と、プラズマ処理装置１の全体の作動（駆動）を制御する制御手段７と、目標形状データ入力部１３と、表面測定器１４と、ＮＣ制御により第１移動手段５１の作動を制御するＮＣ制御装置１５とを備えている。
【００５１】
操作部１１としては、例えば、キーボード、液晶表示パネル、ＥＬ表示パネル等を備えたタッチパネル等を用いることができ、この場合は、操作部１１は、各種の情報を表示（報知）する表示手段（報知手段）を兼ねるものでもよい。
目標形状データ入力部１３は、ワーク１０の被処理面１０１の目標形状を示す目標形状データを入力する手段である。目標形状データは、目標形状データ入力部１３から制御手段７に入力される。
【００５２】
表面測定器１４は、ワーク１０の被処理面１０１の形状、特に、凹凸の有無およびその程度を検出する検出部と、その検出結果に基づいて、ワーク１０の被処理面１０１の形状を示す形状データ（凹凸形状プロファイル）を作成するデータ作成部とを有している。被処理面１０１の形状データ（被処理面１０１の各部位の位置（ｘｙｚ座標）に関するデータ）は、表面測定器１４から制御手段７に入力される。
【００５３】
記憶手段１２は、記録媒体を有していて、この記録媒体に、目標形状データ入力部１３で入力された被処理面１０１の目標形状を示す目標形状データ、表面測定器１４に測定された被処理面１０１の形状、後述する加工計画プログラム（基本加工計画プログラム、補正加工計画プログラム）、溝６１の位置とその形状、等を記憶する。
記録媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリー、ＩＣメモリー、ＨＤ（ハードディスク）等が挙げられる。この記憶手段１２における書き込み（記憶）、書き換え、消去、読み出し等の制御は、制御手段７によりなされる。
【００５４】
ＮＣ制御装置１５は、例えば、ＣＰＵあるいはこれを備えるマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、ＮＣ制御装置１５には、制御手段７により作成された後述する補正加工計画データ（下部電極２２の移動パターンおよび移動速度に関するデータ）等が入力される。ＮＣ制御装置１５は、制御手段７から入力された加工計画データ等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、ＮＣ制御により第１移動手段５１の作動を制御する。
【００５５】
制御手段７は、例えば、ＣＰＵあるいはこれを備えるマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されている。制御手段７には、操作部１１からの信号、目標形状データ入力部１３および表面測定器１４からのデータ等が、それぞれ入力される。
制御手段７は、操作部１１からの信号と、目標形状データ入力部１３および表面測定器１４からのデータ（特に前記凹凸形状プロファイル）等とに基づき、予め設定されたプログラムに従って、加工計画プログラムを作成する。そして、制御手段７は、作成した加工計画プログラムに基づいて、プラズマ処理装置１の各部の作動、例えば、ガス供給手段３、通電手段４、移動手段５、固定手段６等の作動をそれぞれ制御する。
例えば、被処理面１０１を平坦化する場合の加工計画プログラムは、以下のようにして作成される。なお、以下に説明する方法（手順）は、一例であり、これに限定されるものではない。
【００５６】
１．基本加工計画プログラムの作成
（１−１）
まず、制御手段７は、図５に示すように、表面測定器１４からのデータ（例えば、表面凹凸形状プロファイル）に基づいて、被処理面１０１上に形成された凹凸の最も深い点Ｑ１（または点Ｑ１よりも裏面側の点）と交わる平坦な基準面ｆを設定するとともに、設定した基準面ｆから突出している突出部位（例えば、図５中の点Ｑ２、Ｑ３）の位置（ｘｙｚ座標）を求める。このとき、例えば、基準面ｆのｚ軸座標を０に設定すると、突出部位のｚ軸座標が、その部位の基準面ｆからの突出の程度（基準面ｆからの離間距離）を示すこととなる。このようにして求められた突出部位の位置（ｘｙｚ座標）情報は、記憶手段１２に記憶される。すなわち、突出部位（点Ｑ２、Ｑ３等）の突出の程度は、その部位の位置と対応づけて記録手段１２に記憶される。
【００５７】
（１−２）
次いで、制御手段７は、ワーク１０に対するプラズマ処理のエッチングレート（処理レート）を設定する。エッチングレートは、上部電極２１と下部電極２２との相対的な位置関係が一定に保たれている時の単位時間当たりのエッチング量を意味し、エッチング量とは、エッチング（プラズマ処理）により除去された部位のｚ軸方向の最大長さ（最大深さ）を意味する。エッチングレートは、例えば、突出部位の基準面ｆからの最大突出量（ｚ軸方向の長さ）等に応じて設定される。
エッチングレートとしては、特に限定されないが、２００〜２０００ｍｍ２・ｎｍ／秒程度であるのが好ましく、８００〜１２００ｍｍ２・ｎｍ／秒程度であるのがより好ましい。これにより、処理時間の短縮を図りつつ、精度よく被処理面１０１をエッチングすることができる。
【００５８】
（１−３）
次いで、制御手段７は、設定したエッチングレートとなるように、主に、＜１＞上部電極２１および下部電極２２間に印加する高周波電圧の周波数および大きさ（ＲＦパワー）と、＜２＞処理ガスの供給量（処理ガスの種類、混合比などを含む）と、＜３＞上部電極２１および下部電極２２の電極間距離とをそれぞれ設定する。なお、エッチングレートと＜１＞〜＜３＞との組み合わせ（関係）は、実験等によって求めることができる。
【００５９】
制御手段７は、例えば、記憶手段１２に予め記憶されている多数の＜１＞〜＜３＞の組み合わせの中から、設定したエッチングレートを得るのに最適な＜１＞〜＜３＞の組み合わせを選択する。
基本加工計画プログラムでは、少なくとも、１つのワーク１０の被処理面１０１がプラズマ発生領域Ｐを通過している間、好ましくは、１つのワーク１０のプラズマ処理が開始されてから終了するまでの間、＜１＞〜＜３＞の値が、それぞれ一定に維持されている。
【００６０】
（１−４）
次いで、制御手段７は、表面測定器１４からのデータ（被処理面１０１の平面視形状）に基づいて、下部電極２２の移動パターン、すなわち、被処理面１０１とプラズマ発生領域Ｐとの相対的な移動パターンを設定する。
移動パターンとしては、例えば、ｘ軸方向に往復移動しながらｙ軸方向に改行していくパターン、被処理面１０１の中央部から縁部に向けた渦巻き状のパターン、これらを組み合わせたパターン等が挙げられる。
【００６１】
本実施形態では、図６に示すように、左右方向（ｘ軸方向）に往復移動しながら、移動方向の切り替えを行う際に、上側（ｙ軸方向）へ改行する移動パターンを設定する。このような移動パターンを実行する場合、下部電極２２をｘ軸方向およびｙ軸方向のいずれか一方の方向に移動すればよく、下部電極２２をｘ軸方向およびｙ軸方向に同時に移動する必要がない。そのため、ＮＣ制御装置１５による下部電極２２のＮＣ制御が簡単（単純）なものとなる。
【００６２】
この移動パターンの改行のピッチｐとしては、特に限定されないが、上部電極２１の直径をｄとしたとき、０．０５ｄ〜０．５ｄの範囲を満足するのが好ましく、０．１ｄ〜０．２ｄの範囲を満足するのがより好ましい。これにより、被処理面１０１の同じ部位が複数回プラズマ処理されるため（すなわち、複数回プラズマ発生領域Ｐを通過するため）、エッチングレートを比較的低く設定しても十分なエッチング量を得ることができる。なお、上部電極２１の直径ｄは、１〜１０ｍｍ程度であるのが一般的である。
【００６３】
（１−５）
次いで、制御手段７は、（１−１）で求められた突出部位（例えば点Ｑ２、Ｑ３）の位置（ｘｙｚ座標）と、（１−２）で設定したエッチングレートと、（１−４）で設定した移動パターンとに基づいて、被処理面１０１の各部位（例えば点Ｑ１〜Ｑ３）について、当該部位がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度（本実施形態では、ｘ軸方向の移動速度）を設定する。
【００６４】
この移動速度の設定は、例えば以下のようにして行う。なお、以下では、説明の便宜上、基準面ｆ上の点Ｑ１と、突出部位である点Ｑ２、Ｑ３とについて代表して説明し、その他の部位については、その説明を省略する。
まず、基準面ｆ上の点Ｑ１をプラズマ発生領域Ｐに通過させる際の移動速度を基準移動速度として設定する。この基準移動速度は、プラズマ処理（プラズマエッチング）により除去する必要のない（または除去する量が微量な）部位をプラズマ発生領域Ｐに通過させる際の移動速度であるため、比較的高速に設定する。
【００６５】
このような基準移動速度としては、ワーク１０の大きさ等に応じて適宜設定することができ、例えば、１０００〜６０００ｍｍ／分程度であるのが好ましく、２０００〜３０００ｍｍ／分程度であるのがより好ましい。これにより、プラズマ処理時間が比較的短くなり、減速・加速時の慣性力による装置全体への振動を抑えられ、かつ、被処理面１０１を精度よくプラズマ処理することができる。
【００６６】
次いで、点Ｑ２、Ｑ３について、それぞれ、その部位がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を設定する。例えば、点Ｑ２について説明すれば、点Ｑ２の基準面ｆからの突出の程度（ｚ軸座標）に応じて、基準移動速度から所定速度遅くした速度を、点Ｑ２がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度として設定する。点Ｑ２がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度は、点Ｑ２の突出の程度が大きいほど遅くなる。点Ｑ３についてもこれと同様である。
【００６７】
また、点Ｑ２の方が点Ｑ３よりも基準面ｆから突出しているため（すなわち、点Ｑ２の方が点Ｑ３よりもエッチング量が多いため）、点Ｑ２がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度は、点Ｑ３のそれよりも遅くなる。よって、点Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度をそれぞれＳＱ１、ＳＱ２、ＳＱ３とすると、ＳＱ１〜ＳＱ３は、ＳＱ１＞ＳＱ３＞ＳＱ２の関係を満足する。
【００６８】
以上により、点Ｑ２、Ｑ３等の突出部位の位置（ｘｙｚ座標）、被処理面１０１の各部位におけるエッチングレート、下部電極２２の移動パターンおよび移動速度等が含まれる基本加工計画プログラムが作成される。この基本加工計画プログラムに基づいて、被処理面１０１に対してプラズマ処理を行うと、理論上、点Ｑ２、Ｑ３等の突出部位が全て除去され、被処理面１０１が基準面ｆと一致し、平坦化される。
【００６９】
ここで、基本加工計画プログラムは、１つのワーク１０のプラズマ処理が開始されてから終了するまでの間、エッチングレートが一定に保たれていることを前提として作成されたものである。しかしながら、前述したように、実際には、下部電極２２に形成された溝６１に起因して、第１の部位１０１ａにおけるエッチングレートが、基本加工計画プログラムに設定されたエッチングレートよりも低くなる。
したがって、実際には、このような基本加工計画プログラムでは、被処理面１０１の各部位に対して所望のエッチング量となるようなプラズマ処理を行うことができず、被処理面１０１を平坦化することができない。
【００７０】
より具体的に説明すれば、ワーク１０の裏面の第２の部位１０１ｂに対応する部位は、下部電極２２と接触（密着）している。そのため、第２の部位１０１ｂがプラズマ発生領域Ｐを通過する際には、基本加工計画プログラムで設定されたプラズマ状態とすることができ、よって、基本加工計画プログラムで設定されたエッチングレートにてプラズマ処理することができる。
【００７１】
一方、ワーク１０の裏面の第１の部位１０１ａに対応する部位は、溝６１と対向しているため、下部電極２２と接触（密着）していない。そして、この溝６１（ワーク１０の裏面側に形成され隙間）が絶縁層として機能する。このようなことが一因となって、第１の部位１０１ａがプラズマ発生領域Ｐを通過する際には、基本加工計画プログラムで設定されたプラズマ状態とすることができず、通常、基本加工計画プログラムで設定されたエッチングレートに対して低いエッチングレートでプラズマ処理される。
したがって、この基本加工計画プログラムに基づいて被処理面１０１をプラズマ処理すると、処理後の被処理面１０１の形状が、第１の部位１０１ａが第２の部位１０１ｂから突出したような形状となる。
【００７２】
このような問題を解消するために、制御手段７は、溝６１に起因した第１の部位１０１ａにおけるエッチングレートの低下に応じて、基本加工計画プログラム（具体的には、第１の部位１０１ａがプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度）を補正し、補正加工計画プログラムを作成するようになっている。以下、この補正について詳述する。
【００７３】
２．補正加工計画プログラムの作成
（２−１）
まず、ワーク１０のプラズマ処理に先立って、溝６１の影響により、第１の部位１０１ａにおけるエッチングレートＲ１０１ａが、第２の部位１０１ｂにおけるエッチングレート（すなわち、基本加工計画プログラムに設定されたエッチングレート）Ｒ１０１ｂに対して、どの程度変化するかを求める実験を行う。
【００７４】
このような実験としては、例えば、図７に示すような被処理面Ｔ１を有するテストピースＴを用いたものが挙げられる。テストピースＴとしては、特に限定されないが、ワーク１０と同じ構成材料で構成されているものが好ましい。これにより、被処理面１０１の第１の部位１０１ａにおけるエッチングレートが、第２の部位１０１ｂにおけるエッチングレートに対してどの程度変化するかをより正確に求めることができる。
【００７５】
具体的には、まず、表面測定器１４によって、テストピースＴの被処理面Ｔ１の形状を検出し、その検出結果に基づいて、被処理面Ｔ１の形状データ（被処理面Ｔ１の各部位の位置（ｘｙｚ座標）に関するデータ）を作成する。作成された形状データは、記憶手段１２に記憶される。
次に、被処理面Ｔ１上において、プラズマ発生領域Ｐと前記ワーク１０との相対的な移動速度を何点か変化させてプラズマ処理を行い、相対的な移動速度を変化させたときのエッチングレートの変化の割合Ｋ１を求める。
このようなＫ１は、例えば、次のようにして求めることができる。まず、横軸（ｘ軸）に移動速度（ｍｍ／秒）、縦軸（ｙ軸）にエッチングレート（ｍｍ２・ｎｍ／秒）をとり、移動速度の値が異なる複数の場合について、それぞれ、それに対応するエッチングレートをプロットする。次いで、当該プロットから、例えば、式（近似式）ｙ＝ａｘ＋ｂを算出する。Ｋ１は、当該式の傾きａの逆数として求められる。
【００７６】
次いで、図７に示すように、被処理面Ｔ１の溝６１に対応する第１の部位Ｔ１１（ワーク１０の第１の部位１０１ａに相当する部位）と、それ以外の第２の部位Ｔ１２（ワーク１０の第２の部位１０１ｂに相当する部位）とを、同条件でプラズマ処理する。
この「同条件」とは、主に、高周波電圧の周波数および大きさと、処理ガスの供給量と、上部電極２１および下部電極２２の電極間距離と、プラズマ処理時間とが同じであることを意味する。また、第１の部位Ｔ１１および第２の部位Ｔ１２は、それぞれ、記憶手段１２に記憶された溝６１の形状および位置に基づいて決定される。
【００７７】
このとき、下部電極２２を移動させずに、第１の部位Ｔ１１の少なくとも１ヶ所（例えば点Ｑ１０）を局所的にプラズマ処理する。第２の部位Ｔ１２についても、これと同様である。そして、処理前と処理後の被処理面Ｔ１の形状を比較すれば、第１の部位Ｔ１１におけるエッチング量と、第２の部位Ｔ１２におけるエッチング量とが求まる。なお、例えば、第１の部位Ｔ１１の複数ヶ所を局所的にプラズマ処理し、その平均を第１の部位Ｔ１１におけるエッチング量としてもよい。第２の部位Ｔ１２についても、これと同様である。
【００７８】
このようにして求めた第１の部位Ｔ１１におけるエッチング量を単位時間（例えば１秒）当たりに換算して、第１の部位Ｔ１１におけるエッチングレートＲＴ１１を求める。第２の部位Ｔ１２についても同様にして、エッチングレートＲＴ１２を求める。
ここで、前述したように、第１の部位Ｔ１１と第２の部位Ｔ１２とを同条件でプラズマ処理するため、溝６１がなかったとした場合は、エッチングレートＲＴ１１とエッチングレートＲＴ１２とが同じになる。また、第２の部位Ｔ１２は、前述したような溝６１の影響を受けないため、エッチングレートＲＴ１２は、当該実験にて設定されたエッチングレート（以下、単に「基準エッチングレート」とも言う）と同じになる。
したがって、エッチングレートＲＴ１１とエッチングレートｒＴ１２とを比較すれば、溝６１に起因して、エッチングレートＲＴ１１が基準エッチングレートからどの程度低下したかが求まる。
【００７９】
例えば、エッチングレートＲＴ１１が７００ｍｍ２・ｎｍ／秒であり、エッチングレートＲＴ１２が１０００ｍｍ２・ｎｍ／秒であった場合には、エッチングレートＲＴ１１が、エッチングレートＲＴ１２の７０％であることが求まる。すなわち、溝６１に起因して、エッチングレートＲＴ１１が基準エッチングレートから３０％低下していることが求まる。
【００８０】
このようにして求められたエッチングレートＲＴ１１、ＲＴ１２は、それぞれ、記憶手段１２に記憶される。ここで、上記実験によって、求められたエッチングレートＲＴ１１、ＲＴ１２の比（ＲＴ１１／ＲＴ１２）は、エッチングレートＲ１０１ａ、Ｒ１０１ｂの比（Ｒ１０１ａ／Ｒ１０１ｂ）にほぼ等しくなる（相当する）。
なお、上記では下部電極２２を静止させた状態でプラズマ加工を行い、第１の部位Ｔ１１および第２の部位Ｔ１２のエッチング量の比率を算出したが、下部電極２２を等速で走査させた状態でプラズマ加工を行い、第１の部位Ｔ１１および第２の部位Ｔ１２のエッチング量の比率を算出しても良い。等速で走査させてエッチング量の比率を算出した方が実際の加工条件に近いのでより正確にエッチングレートの低下率を算出することができる。
【００８１】
（２−２）
次いで、制御手段７は、エッチングレートＲＴ１１、ＲＴ１２に基づいて、基本加工計画プログラムに含まれる、ワーク１０の第１の部位１０１ａがプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を補正する。
前述したように、第１の部位１０１ａにおけるエッチングレートは、基本加工計画プログラムに設定されたエッチングレートに対して低くなるのであるから、その分、第１の部位１０１ａがプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を基本加工計画プログラムで設定された速度よりも遅くし、第１の部位１０１ａがプラズマ処理される時間（プラズマ発生領域Ｐ内に留まる時間）を長くすることにより、エッチングレートの低下を処理時間の延長により打ち消し（相殺し）、第１の部位１０１ａに対して所定のエッチング量でプラズマ処理を行うことができる。
【００８２】
すなわち、制御手段７は、第１の部位１０１ａにおけるエッチング量が、溝６１がなかった場合に処理されるであろうエッチング量となるように、第１の部位１０１ａがプラズマ発生領域Ｐを通過する際のプラズマ発生領域Ｐとワーク１０との相対的な移動速度を補正するようになっている。これにより、第１の部位１０１ａを所定のエッチング量でプラズマ処理することができる。
【００８３】
次いで、第１の部位１０１ａに位置する点Ｑ２と、第２の部位１０１ｂに位置する点Ｑ３を例に挙げて、より具体的に説明する。なお、第１の部位１０１ａの点Ｑ２以外の部位および第２の部位１０１ｂの点Ｑ３以外の部位についても、これと同様である。
基本加工形計画プログラムに設定された点Ｑ２がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度をＳＱ２としたとき、制御手段７は、移動速度ＳＱ２を、Ｋ１（ＲＴ１１／ＲＴ１２）ＳＱ２に補正する。なお、Ｋ１は前述したようにプラズマ発生領域Ｐとワーク１０との相対的な移動速度を変化させたときのエッチングレートの変化の割合を示す係数である。（ＲＴ１１／ＲＴ１２）は、前述したように（Ｒ１０１ａ／Ｒ１０１ｂ）とほぼ等しいため、制御手段７は、移動速度ＳＱ２を、Ｋ１（Ｒ１０１ａ／Ｒ１０１ｂ）ＳＱ２に補正するとも言える。これにより、点Ｑ２における実際のエッチング量が、基本加工計画プログラムで設定されたエッチング量とほぼ同じになる。
【００８４】
一方、制御手段７は、点Ｑ３がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度については補正しない。前述したように、第２の部位１０１ｂについては、溝６１に起因したエッチングレートの低下が起こらず、基本加工計画プログラムに設定されたエッチングレートでプラズマ処理を行うことができるためである。
以上のように、点Ｑ２等の突出部位がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を補正することにより、補正加工計画プログラムが作成される。すなわち、本実施形態では、補正加工計画プログラムに含まれる、突出部位がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度以外のパラメータについては、基本加工計画プログラムと同じである。また、このような補正加工計画プログラムには、被処理面１０１の各部位について、その部位の位置（ｘｙｚ座標）と、その部位がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度との組み合わせに関するデータが含まれている。作成された補正加工計画プログラムは、記憶手段１２に記憶される。
【００８５】
このような補正加工計画プログラムによれば、被処理面１０１の各部位を補正当該プログラムに設定されたエッチング量でプラズマ処理することができるため、点Ｑ２、Ｑ３等の突出部位を全て除去し、被処理面１０１を基準面ｆと一致させ、平坦化することができる。
以上より、制御手段７は、既知の溝６１（ワーク１０の裏面側に、下部電極２２との間に形成された既知の隙間）に応じて、基本加工計画プログラム（プラズマ発生領域Ｐとワーク１０との相対的な移動速度）を補正するよう制御するものであると言える。
【００８６】
また、本実施形態では、制御手段７は、下部電極２２の移動速度のみを補正しているため、すなわち、補正するパラメータが少ないため、補正加工計画プログラムの作成がより簡単となる。
また、本実施形態では、少なくとも被処理面１０１がプラズマ発生領域Ｐを通過しているときは、＜１＞上部電極２１および下部電極２２間に印加する高周波電圧の周波数および大きさと、＜２＞処理ガスの供給量と、＜３＞上部電極２１および下部電極２２の電極間距離とがそれぞれ一定に保たれているため、下部電極２２の移動速度の補正が比較的簡単となる。
【００８７】
次に、プラズマ処理装置１の動作を説明する。
制御手段７は、前述のようにして作成された補正加工計画プログラムに基づいて、処理ガス供給手段３、通電手段４および移動手段５の作動を制御し、ワーク１０の被処理面１０１に対してプラズマ処理を行う。
具体的には、まず、制御手段７は、固定手段６の作動を制御し、ワーク１０を下部電極２２に固定する。
【００８８】
次いで、制御手段７は、補正加工計画プログラムに設定された周波数および大きさで高周波電源４１を作動させるとともに、バルブ３５を開く。そして、マスフローコントロ−ラ３２によりガスの流量を補正加工計画プログラムに設定された量に調整し、ガスボンベ３１から処理ガスを送り出す。これにより、処理ガスは、処理ガス供給流路３４内を流れノズル３３から噴出する。噴出した処理ガスは、被処理面１０１に供給される。一方、高周波電源４１の作動により、上部電極２１と下部電極２２の間に高周波電圧が印加され、プラズマ発生領域Ｐに電界が発生する。
【００８９】
プラズマ発生領域Ｐに流入した処理ガスは、放電によって活性化され、プラズマが発生する。そして、発生したプラズマ（活性化されたガス）が、ワーク１０の被処理面１０１に局所的に接触し、その接触した部位に対しプラズマ処理が施される。
次いで、制御手段７は、補正加工計画プログラムに設定された下部電極２２の移動パターンおよび移動速度に基づいて、第１移動手段５１（ＮＣ制御装置１５）により下部電極２２を移動する。これにより、プラズマ発生領域Ｐとワーク１０（被処理面１０１）とが相対的に移動し、被処理面１０１が局所的かつ連続的にプラズマ処理される。その結果、被処理面１０１が基準面ｆに一致し、平坦化される。
【００９０】
なお、本願明細書の「局所的」とは、ワーク１０の平面視（すなわち、ｚ軸方向から見た時の平面視）にて、プラズマ発生領域Ｐが被処理面１０１全域よりも十分小さく、上部電極２１およびワーク１０の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させなければ、被処理面１０１全域のプラズマ処理を行うことができないことを言う。
また、本願明細書の「連続的」とは、１つのワーク１０に対するプラズマ処理が開始されてから終了するまでの間、プラズマ発生領域Ｐに絶えずプラズマが発生している場合のみならず、プラズマ処理が開始されてから終了するまでの間に、プラズマ発生領域Ｐにプラズマが発生していないが、発生させようとすればいつでも発生させられる状態（スタンバイ状態）が存在する場合も含まれる。
１つのワーク１０に対するプラズマ処理が終了すると、制御手段７は、固定手段６の作動を制御し、ワーク１０の固定状態を解除する。これにより、ワーク１０の交換を行うことができる。
【００９１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明のプラズマ処理方法の第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置が備える下部電極および固定手段を示す図である。
以下、第２実施形態のプラズマ処理装置について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００９２】
本発明の第２実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、固定手段６の構成および制御手段７の制御がそれぞれ異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
ワーク１０には、外力が付与されていない自然状態にて、わずかに撓んでいるものも存在する。また、その撓みの方向や程度には、個体差がある。下部電極２２の上面（載置面）２２１は、平坦面をなしているため、撓みを有するワーク１０を載置すると、ワーク１０の一部が浮き上がり、ワーク１０の裏面側に上面２２１との間に隙間が形成される。このような隙間は、第１実施形態の溝６１と同様に、絶縁層として機能し、被処理面１０１の隙間に対応（対面）する部位のエッチングレートが所定値から低下してしまう。また、隙間のｚ軸方向の長さが長いほどエッチングレートが低下する。
【００９３】
また、ワーク１０自体には撓みがなくても、プラズマ処理時の熱によりワークが撓んでしまう場合もあるし、後述するような固定手段６の作動により、ワーク１０に外部応力が加わり、それによりワーク１０が撓んでしまう場合もある。この場合にも、ワーク１０の裏面側に隙間が形成され、被処理面１０１の隙間に対応（対面）する部位のエッチングレートが所定値から低下してしまう。
【００９４】
すなわち、ワーク１０の裏面側（ワーク１０と下部電極２２との間）に隙間が形成されてしまう大きな要因としては、ワーク１０自体が有する撓み、外力による撓み、またはこれらの組み合わせが挙げられる。本実施形態は、このような隙間に起因するエッチングレートの低下に応じて、基本加工計画プログラムを補正することを特徴としている。以下では、説明の便宜上、固定手段６により下部電極２２に対して固定された状態にて、図８に示すように撓むワーク１０について代表して説明する。なお、図８では、説明を分かり易くするために、ワーク１０の撓みの程度を誇張して図示している。
【００９５】
ここで、固定手段６について説明する。
図８に示すように、固定手段６は、下部電極２２の厚さ方向に貫通する複数の吸引孔６２１を有している。これら複数の吸引孔６２１は、それぞれ、途中で分岐した吸引路６４と接続されている。吸引路６４は、吸引ポンプ６３と接続されている。また、吸引路６４の途中（分岐部と吸引ポンプ６３との間）にバルブ６５が設けられている。
各吸引孔６２１の横断面形状は、円形をなしており、その径（直径）が十分に小さいものとなっている。各吸引孔６２１の径としては、特に限定されないが、０．１〜０．５ｍｍであるのが好ましい。
【００９６】
このような固定手段６の作動は、前述した第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。なお、固定手段６としては、本実施形態のような真空吸着を特に限定されず、例えば、下部電極２２の上面２２１に凹部を形成し、この凹部にワーク１０を嵌め込むことによりワーク１０を固定してもよい。また、固定手段６を省略してもよい。
次いで、制御手段７について説明する。
例えば、制御手段７は、以下のようにして、被処理面１０１を平坦化する加工計画プログラム（基本加工計画プログラムおよび補正加工計画プログラム）を作成する。なお、以下に説明する作成方法（手順）は、一例であり、これに限定されるものではない。
【００９７】
１．基本加工計画プログラムの作成
制御手段７は、前述した第１実施形態と同様にして、基本加工計画プログラムを作成する。基本加工計画プログラムの作成方法については、前述した第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
前述したように、ワーク１０の裏面側に形成された隙間に起因して、被処理面１０１の各部位のエッチングレートが変化してしまうため、基本加工計画プログラムでは被処理面１０１の各部位に対して当該プログラムに設定されたエッチングレートでプラズマ処理を行うことができず、よって、被処理面１０１を平坦化することができない。
【００９８】
図８中には、被処理面１０１上に設定された点Ｑ１〜Ｑ３が示されており、これらの点Ｑ１〜Ｑ３を例に挙げて説明すれば、まず、点Ｑ１の直下には、隙間が形成されていない。そのため、点Ｑ１に対しては、基本加工計画プログラムに設定されたエッチングレートでプラズマ処理が行われる。
これに対して、点Ｑ２、Ｑ３の直下には、それぞれ、隙間が形成されているため、点Ｑ２、Ｑ３に対しては、それぞれ、基本加工計画プログラムに設定されたエッチングレートよりも低いエッチングレートでプラズマ処理が行われる。
【００９９】
さらに、点Ｑ３直下の隙間の方が点Ｑ２直下の隙間よりも大きい（すなわち、Ｌ３の方がＬ２よりも長い）ため、点Ｑ３におけるエッチングレートは、点Ｑ２におけるエッチングレートよりも低くなる。
すなわち、点Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３における実際のエッチングレートをそれぞれＲＱ１、ＲＱ２、ＲＱ３としたとき、ＲＱ１、ＲＱ２、ＲＱ３は、ＲＱ１＞ＲＱ２＞ＲＱ３の関係を満足することとなる。
【０１００】
したがって、基本加工計画プログラムに基づいて、プラズマ処理を行っても、実際には、被処理面１０１を基準面ｆに一致させ、平坦化することができない。
このような問題を解消するために、制御手段７は、ワーク１０の撓みに起因した被処理面１０１の各部位のエッチングレートの変化に応じて、基本加工計画プログラム（下部電極２２の移動速度）を補正し、補正加工計画プログラムを作成するようになっている。以下、この補正について詳述する。以下、この補正について詳述する。
【０１０１】
２．補正加工計画プログラムの作成
なお、以下では、説明の便宜上、被処理面上に設定された点Ｑ１〜Ｑ３について代表して説明し、その他の部位については、その説明を省略する。
（２−１）
下部電極２２に固定された状態でのワーク１０の撓みには、個体差があるため、前述した第１実施形態のようにエッチングレートが低下する部位（隙間に対応する部位）を予め予見することができない。そのため、本実施形態では、被処理面１０１のプラズマ処理に先立って、仮のプラズマ処理を行う。
【０１０２】
この仮のプラズマ処理により、点Ｑ１〜Ｑ３における実際のエッチングレートが、それぞれ、基本加工計画プログラムに設定されたエッチングレートに対してどれだけ変化（低下）しているかを測定する。
仮のプラズマ処理の方法としては、特に限定されないが、例えば、以下に記載の方法が挙げられる。なお、以下に記載の方法は、仮のプラズマ処理の一例であり、これに限定されるものではない。
【０１０３】
（２−２）
まず、制御手段７は、被処理面１０１の全域を同条件でプラズマ処理するように、＜１＞上部電極２１および下部電極２２間に印加する高周波電圧の周波数および大きさ（ＲＦパワー）と、＜２＞処理ガスの供給量と、＜３＞上部電極２１および下部電極２２の電極間距離と、＜４＞下部電極２２の移動パターンおよび移動速度をそれぞれ設定する。
【０１０４】
制御手段７は、１つのワーク１０のプラズマ処理が開始されてから終了するまでの間、設定された上記＜１＞〜＜４＞を一定に保つように各部の作動を制御する。これにより、ワーク１０と下部電極２２との間に隙間がなかったとすれば、点Ｑ１〜Ｑ３におけるエッチング量は、それぞれ同じになる。
なお、設定された条件＜１＞〜＜４＞から求められる点Ｑ１〜Ｑ３のエッチング量としては、仮のプラズマ処理が終了した段階で、点Ｑ１〜Ｑ３の全てが基準面ｆから突出しているものとなる程度であるのが好ましい。このようなエッチング量としては、基準面ｆをどこに設定するか等によっても異なるが、例えば、ｚ軸方向の深さが、２０〜１００ｎｍ程度となるのが好ましく、４０〜６０ｎｍ程度となるのがより好ましい。
【０１０５】
（２−３）
次いで、表面測定器１４により、仮のプラズマ処理を終えたワーク１０の被処理面１０１の形状および各点Ｑ１〜Ｑ３の位置（ｘｙｚ座標）を検出し、その検出結果に基づいて、ワーク１０の被処理面１０１の形状を示す形状データ（凹凸形状プロファイル）を作成する。この形状データは、制御手段７に入力される。
【０１０６】
（２−４）
次いで、制御手段７は、入力された仮のプラズマ処理後の被処理面１０１の形状データと（点Ｑ１〜Ｑ３のｘｙｚ座標、特にｚ軸座標）、記憶手段１２に記憶された仮のプラズマ処理前の被処理面１０１の形状データ（点Ｑ１〜Ｑ３のｘｙｚ座標、特にｚ軸座標）とを比較し、点Ｑ１〜Ｑ３におけるエッチング量をそれぞれ求める。
【０１０７】
このようにして求めた点Ｑ１におけるエッチング量を単位時間当たりに換算して、点Ｑ１におけるエッチングレートＲＱ１を求める。点Ｑ２および点Ｑ３についても同様にして、それぞれ、エッチングレートＲＱ２、ＲＱ３を求める。
ここで、ワーク１０と下部電極２２との間に隙間がないとすれば、エッチングレートＲＱ１、ＲＱ２およびＲＱ３は、それぞれ、当該仮のプラズマ処理の条件として設定されたエッチングレート（以下、単に「基準エッチングレート」と言う）と同じになる。したがって、エッチングレートＲＱ１〜ＲＱ３と、基準エッチングレートとを比較すれば、ワーク１０の裏面側に形成された隙間に起因して、エッチングレートＲＱ１〜ＲＱ３が、それぞれ、基準エッチングレートからどれだけ低下したかが求まる。
【０１０８】
例えば、基準エッチングレートが１０００ｍｍ２・ｎｍ／秒であり、エッチングレートＲＱ１が１０００ｍｍ２・ｎｍ／秒であり、エッチングレートＲＱ２が８００ｍｍ２・ｎｍ／秒であり、エッチングレートＲＱ３が５００ｎｍ・ｍｍ２／秒であった場合には、エッチングレートＲＱ１は、基準エッチングレートと同じであり、エッチングレートＲＱ２は、基準エッチングレートの８０％であり、エッチングレートＲＱ３は、基準エッチングレートの５０％であることが求まる。
【０１０９】
このようなエッチングレートＲＱ１は、点Ｑ１の位置（ｘｙｚ座標）と対応付けて記憶手段１２に記憶される。エッチングレートＲＱ２、ＲＱ３についてもこれと同様である。
以上より、被処理面１０１をプラズマ処理するのに用いられる処理ガス供給手段３、通電手段４および移動手段５と、プラズマ処理の前後の被処理面１０１の形状を測定する表面測定器１４と、プラズマ処理の前後の被処理面１０１の形状（ｚ軸座標）を対比する制御手段７とで、被処理面１０１の各部位のエッチングレートを測定する測定手段を構成していると言える。このような構成とすることにより、被処理面１０１をプラズマ処理するのに必要なものを有効活用して、被処理面１０１の各部位の処理レートを高精度に得ることができる。
【０１１０】
（２−５）
次いで、制御手段７は、エッチングレートＲＱ１〜ＲＱ３に基づいて、基本加工計画プログラムに含まれる下部電極２２の移動速度を補正する。具体的には、基準エッチングレートよりもエッチングレートが低い部位（低エッチングレート部位）、すなわち、点Ｑ２、Ｑ３がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を補正する。
【０１１１】
前述したように、点Ｑ２、Ｑ３におけるエッチングレートＲＱ２、ＲＱ３は、それぞれ、基本加工計画プログラムに設定されたエッチングレートに対して低くなるのであるから、その分、点Ｑ２、Ｑ３がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を基本加工計画プログラムに設定された速度よりも遅くし、点Ｑ２、Ｑ３がプラズマ処理される時間（プラズマ発生領域Ｐ内に留まる時間）を長くすることにより、エッチングレートの低下を処理時間の延長により打ち消し（相殺し）、点Ｑ２、Ｑ３を基本加工計画プログラムに設定されたエッチング量でプラズマ処理することができる。
【０１１２】
すなわち、制御手段７は、点Ｑ２、Ｑ３のエッチング量が、隙間がなかった場合に処理されるであろうエッチング量となるように、点Ｑ２、Ｑ３がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を補正するよう制御している。
ここで、低エッチングレート部位である点Ｑ２と、それ以外の部位（すなわち、理論エッチングレートとおなじエッチングレートの部位）である点Ｑ１とを例に挙げて、制御手段７が行う補正についてより具体的に説明する。なお、低エッチングレート部位の点Ｑ２以外の部位（例えば点Ｑ３）についても、これと同様である。
【０１１３】
基本加工計画プログラムに設定された点Ｑ２がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度をＳＱ２としたとき、制御手段７は、移動速度ＳＱ２を、Ｋ２（ＲＱ２／ＲＱ１）ＳＱ２に補正する。なお、Ｋ２はプラズマ発生領域Ｐとワーク１０との相対的な移動速度を変化させたときのエッチングレートの変化の割合を示す係数である（Ｋ２は、前述した第１実施形態のＫ１と同様にして求めることができる）。これにより、点Ｑ２における実際のエチング量が、基本加工計画プログラムに設定されたエッチング量とほぼ同じになる。
【０１１４】
一方、制御手段７は、点Ｑ１がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度については補正しない。前述したように、エッチングレートＲＱ１は、基準エッチングレートと同じとなるため、補正をしなくても、基本加工計画プログラムに設定されたエッチング量で、点Ｑ１に対してプラズマ処理を行うことができる。
以上説明した点Ｑ２以外の低処理レート部位についても、点Ｑ２と同様にして、プラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を補正することにより、補正加工計画プログラムが作成される。この補正加工計画プログラムによれば、被処理面１０１の各部位を所望のエッチング量でプラズマ処理することができるため、突出部位を全て除去し、被処理面１０１を基準面ｆと一致させ、平坦化することができる。
【０１１５】
以上より、制御手段７は、ワーク１０の裏面側に、下部電極２２との間に形成された未知の隙間の大きさに応じて、基本加工計画プログラム（プラズマ発生領域Ｐとワーク１０との相対的な移動速度）を補正するよう制御するものであると言える。
以上のような第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１１６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明のプラズマ処理方法の第３実施形態について説明する。
以下、第３実施形態のプラズマ処理装置について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第３実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、制御手段７の制御が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【０１１７】
制御手段７は、点Ｑ２がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度を補正するに際し、処理ガス供給手段３による処理ガスの供給量を調整するように制御する。処理ガスの供給量を変化させることで、エッチングレートを変化させることができる。そのため、エッチングレートの調整と下部電極２２の移動速度の補正とを組み合わせることができ、被処理面１０１の各部位（例えば点Ｑ２、Ｑ３等）に対するエッチング量を広い範囲で、かつ、緻密に補正（調整）することができる。
例えば、制御手段７は、点Ｑ２、Ｑ３（第１の部位１０１ａ）がプラズマ発生領域Ｐを通過する際にマスフローコントローラ３２の作動を制御し、処理ガスの供給量を増やしてエッチングレートを高めてもよいし、反対に処理ガスの供給量を減らしてエッチングレートを低めてもよい。
【０１１８】
処理ガスの供給量を増やす場合には、エッチングレートを高めることができるため、第１部位１０１ａがプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度（補正後の移動速度）が極端に低速となってしまうことを防止できる。
一方、処理ガスの供給量を減らす場合には、処理ガスの供給量と下部電極２２の移動速度とがともに低下するため、処理ガスの供給量と下部電極２２の移動速度とのバランスを好適な範囲内に維持することができる。
以上のような第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１１９】
＜第４実施形態＞
次に、本発明のプラズマ処理方法の第４実施形態について説明する。
以下、第４実施形態のプラズマ処理装置について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第４実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、制御手段７の制御が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【０１２０】
前述した第１〜第３実施形態のプラズマ処理装置で用いられる補正加工計画プログラムは、基本加工計画プログラムに設定された下部電極２２の移動速度を補正したもの、または、下部電極２２の移動速度の補正とともに処理ガスの供給量を調整したものであった。本実施形態のプラズマ処理装置１で用いられる補正加工計画プログラムは、上記に加えてさらに、＜１＞上部電極２１および下部電極２２間に印加する高周波のＲＦパワーを調整したもの、＜２＞上部電極２１および下部電極２２の電極間距離を調整したもの、または、＜３＞前記＜１＞、＜２＞の双方を調整したものである。
【０１２１】
上記＜１＞〜＜３＞の調整は、基本加工計画プログラムに設定された下部電極２２の移動速度の低下を促進する方向に行われるものであっても、打ち消す方向に行われるものであってもよいが、打ち消す方向に行われるものである方が好ましい。下部電極２２の移動速度の低下を打ち消す方向に行うためには、エッチングレートを高めればよいため、前記ＲＦパワーを調整する場合には、ＲＦパワーを大きくし、前記電極間距離を調整する場合には、電極間距離を小さくする。
これにより、制御手段７による補正により、下部電極２２の移動速度（例えば点Ｑ２がプラズマ発生領域Ｐを通過する際の下部電極２２の移動速度）が極端に低下してしまうことを好適に防止することができる。
【０１２２】
以上のような第４実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
以上、本発明のプラズマ処理装置を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
【０１２３】
また、前述した第１実施形態では、溝の位置および形状が予め設定されているもの、すなわち、溝の位置および形状が既知なものについて説明したが、これに限定されず、溝の位置および形状が未知なものであってもよい。この場合には、例えば、第２実施形態で説明したような、仮のプラズマ処理を行い、被処理面の各部位のエッチングレートに基づいて、溝の位置および形状を検出してもよい。
また、前述した第２実施形態では、隙間の位置および形状が未知なものについて説明したが、これに限定されず、隙間の位置および形状が既知なものであってもよい。この場合には、例えば、仮のプラズマ処理を省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を示す図（断面図、側面図、ブロック図）である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置が備える下部電極の斜視図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置が備える固定手段を示す図（図２中Ａ−Ａ線断面図、ブロック図）である。
【図４】ワークを載置した状態での下部電極の平面図である。
【図５】図４中Ｂ−Ｂ線断面図である。
【図６】下部電極（ワーク）の移動パターンを示す図である。
【図７】テストピースを載置した状態での下部電極の断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置が備える下部電極および固定手段を示す図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１……プラズマ処理装置  １１……操作部  １２……記憶手段  １３……目標形状データ入力部  １４……表面測定器  １５……ＮＣ制御装置  ２１……上部電極  ２２……下部電極  ２２１……上面（載置面）  ２４……誘電体部  ２４１……凹部  ３……処理ガス供給手段  ３１……ガスボンベ（ガス供給源）  ３２……マスフローコントロ−ラ（流量調整手段）  ３３……ノズル  ３４……処理ガス供給流路  ３５……バルブ（電磁バルブ）  ４……通電手段  ４１……高周波電源  ４２……導線  ５……移動手段  ５１……第１移動手段  ５２……第２移動手段  ６……固定手段  ６１……溝  ６１１……環状部  ６１２……延長部  ６２、６２１……吸引孔  ６３……吸引ポンプ  ６４……吸引路  ６５……バルブ（電磁バルブ）  ７……制御手段  １０……ワーク  １０１……被処理面  １０１ａ……第１の部位  １０１ｂ……第２の部位  Ｔ……テストピース  Ｔ１……被処理面  Ｔ１１……第１の部位  Ｔ１２……第２の部位  Ｑ１〜Ｑ３、Ｑ１０……点  Ｐ……プラズマ発生領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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