(57)【要約】【課題】画素の焼き付きを抑制し、表示パネルの寿命を向上させる。【解決手段】１つ以上の副画素１１ａ，１１ｂ，１１ｃからなる画素１１を複数配置した表示パネルを有する発光表示装置において、発光中心となる画素Ｐ（ｉ，ｊ）のみで発光する第１の表示方法と、発光中心となる画素Ｐ（ｉ，ｊ）の輝度を周囲の近傍画素に振り分けた第２の表示方法とを組み合わせて制御可能とする。画像入力データの空間変化、時間変化、発光時間、劣化速度、温度、発光輝度、表示時間等に応じて、第１の表示方法の比率が高い高解像度モードと、第２の表示方法の比率が高い長寿命モードとを切り替える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の副画素からなる画素を複数配置した表示パネルを有する発光表示装置の表示方法であって、
垂直方向の座標をｉとするとともに、水平方向の座標をｊとし、位置（ｉ，ｊ）の画素Ｐ（ｉ，ｊ）を構成する表示色ａを有する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）に対する画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を行う際に、
前記画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を前記副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）のみで行う第１の表示方法と、
前記画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を前記画素Ｐ（ｉ，ｊ）の周囲に配置された近傍画素群Ｐ（ｉ’，ｊ’）に含まれる表示色ａを有する副画素の群からなる近傍副画素群Ｓｐa（ｉ’，ｊ’）により行う第２の表示方法と、を有することを特徴とする、発光表示装置の表示方法。
【請求項２】
前記第１の表示方法と前記第２の表示方法の組み合わせ比率を変更することを特徴とする、請求項１に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項３】
表示パネル内における前記第１の表示方法と前記第２の表示方法の組み合わせ比率が画像入力データＤa（ｉ，ｊ）毎に異なることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項４】
各画素における画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の空間変化が増加するに従って、対応する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）における前記第２の表示方法の比率を増加させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項５】
各画素における画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の時間変化が減少するに従って、対応する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）における前記第２の表示方法の比率を増加させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項６】
画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の発光時間が増加するに従って、前記第２の表示方法の比率を増加させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項７】
各画素を構成する副画素が２以上であり、
前記各副画素は、その劣化速度が増加するに従って、前記第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させるとともに、
その劣化速度が減少するに従って、前記第１の表示方法の組み合わせ比率を増加させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項８】
少なくとも１つの副画素における前記第１の表示方法と前記第２の表示方法の組み合わせ比率に関して、温度の上昇に伴い前記第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項９】
少なくとも１つの副画素における前記第１の表示方法と前記第２の表示方法の組み合わせ比率に関して、最大発光輝度の増加に伴い前記第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの副画素における前記第１の表示方法と前記第２の表示方法の組み合わせ比率に関して、表示時間の増加に伴い前記第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの副画素における前記第１の表示方法と前記第２の表示方法の組み合わせの比率が１：２であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光表示装置の表示方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬを用いた発光表示装置に関するもので、特に画素構造の制御方法に特徴を有する発光表示装置の表示方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネル型の画像表示装置（フラットパネルディスプレイ）において、同一静止画像を長時間表示すると、「焼き付き」といわれる現象が生じる。「焼き付き」とは、画面の一部分のみ劣化（発光輝度の低下）が進行することによって、画像の跡（残像）が見えるようになることをいい、静止画像のエッジ部分等に現れやすい。
【０００３】
また、発光波長の異なる複数の副画素を有する有機ＥＬディスプレイでは、色毎に劣化特性が一致しない場合が多い。さらに、ディスプレイで表示される画像の内容は一様でないため、劣化が部分的に進行し易い。この場合、色毎に発光輝度の低下が異なるため、ホワイトバランスがずれて色がついたように見える「色ずれ」を生じる。
【０００４】
また、劣化を加速させる要因として、固定パターンの表示、副画素毎の発光時間の不均一、発光している時間、周囲の温度、発光輝度の大小等を挙げることができ、これらが焼き付き現象を引き起こす原因となっている。
【０００５】
これらの焼き付き現象を抑制する方法としては、構成する材料の発光寿命を改善することが好ましいが、材料の改善だけでは十分に焼き付き現象を抑制できるとは言い難い。以下に、焼き付き現象を抑制する技術として開示されている文献を示す。
【０００６】
第１に、発光した積算時間によって各色の発光輝度を制御し、各色の劣化進行度を均等にして焼き付きを目立たなくする技術が開示されている（特許文献１参照）。
【０００７】
第２に、高輝度発光で劣化した画素の輝度を検知し、その他の画素の輝度を劣化した画素の輝度に合わせることで焼き付きを目立たなくさせる技術が開示されている（特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３５６９８１号公報
【特許文献２】特開２００１−１７５２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、特許文献１に記載された技術は、表示時間長に応じて画面全体の輝度を単に落とすだけであり、「焼き付き」現象の発生を本質的に回避することはできない。また、特許文献２に記載された技術は、高輝度発光で劣化した画素の輝度に、他の画素の輝度を合わせているため、色ずれを抑止するには効果があるが、画素の輝度劣化自体を抑える効果はない。また、輝度を検知するためにセンサーを追加する必要があり、コストの増加や解像度の低下等が生じる。
【００１０】
有機ＥＬディスプレイでは、同一静止画像を長時間表示すると、画面の一部分のみが劣化し、焼き付き現象が生じてしまう。また、発光波長の異なる複数の副画素を有する場合には、色毎に劣化特性が一致しないため、色ずれを起こしてしまうことが多い。
【００１１】
本発明は、上述した問題点に鑑み提案されたもので、画素の焼き付きを抑制して表示パネルの寿命を向上させることが可能な発光表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の発光表示装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の発光表示装置は、１つ以上の副画素からなる画素を複数配置した表示パネルを有する発光表示装置において、垂直方向の座標をｉ、水平方向の座標をｊとする。そして、位置（ｉ，ｊ）の画素Ｐ（ｉ，ｊ）を構成する表示色ａを有する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）に対する画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を行う。この際の表示方法として、２つの表示方法がある。第１の表示方法は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）のみで行うものである。第２の表示方法は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を画素Ｐ（ｉ，ｊ）の周囲に配置された近傍画素群Ｐ（ｉ’，ｊ’）に含まれる表示色ａを有する副画素の群からなる近傍副画素群Ｓｐa（ｉ’，ｊ’）により行うものである。本発明の発光装置では、第１の表示方法と第２の表示方法とを組み合わせて表示制御を行うとともに、その組み合わせ比率を変更制御可能としたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の発光表示装置では、第１の表示方法の比率が高い高解像度モードと、第２の表示方法の比率が高い長寿命モードとを切り替えることにより、画素の焼き付きを抑制して表示パネルの寿命を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の発光表示装置の望ましい実施形態を説明する。
【００１５】
本発明の実施形態に係る発光表示装置では、１つ以上の副画素から成る画素を複数配置した表示パネルを有している。ここで、垂直方向の座標をｉ、水平方向の座標をｊとする。そして、位置（ｉ，ｊ）の画素Ｐ（ｉ，ｊ）を構成する表示色ａを有する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）に対する画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を行う。この際の表示方法として、２つの表示方法がある。第１の表示方法は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）のみで行うものである。第２の表示方法は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を画素Ｐ（ｉ，ｊ）の周囲に配置された近傍画素群Ｐ（ｉ’，ｊ’）に含まれる表示色ａを有する副画素の群からなる近傍副画素群Ｓｐa（ｉ’，ｊ’）により行うものである。本発明の発光装置では、第１の表示方法と第２の表示方法とを組み合わせて表示制御を行うとともに、その組み合わせ比率を変更制御可能とする。また、表示パネル内における第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせ比率が、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）毎に異なるようにして制御することができる。
【００１６】
＜第１の実施形態＞
図１乃至図１５は、本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図である。
【００１７】
図１乃至図９に示す発光表示装置は、３×３の画素１１を示しており、画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの副画素１１ａ，１１ｂ，１１ｃが配置されている。そして、垂直方向の座標をｉ、水平方向の座標をｊとし、位置（ｉ，ｊ）の画素Ｐ（ｉ，ｊ）を構成する表示色ａを有する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）に対する画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を行うこととする。
【００１８】
ここで、副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）とは、例えば、画素Ｐ（ｉ，ｊ）を構成するＲ，Ｇ，Ｂの各画素のことをいう。また、近傍画素群Ｐ（ｉ’，ｊ’）とは、例えば、画素Ｐ（ｉ，ｊ）を取り囲む近傍画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）のことをいう。さらに、近傍副画素群Ｓｐa（ｉ’，ｊ’）とは、近傍画素群Ｐ（ｉ’，ｊ’）を構成する近傍画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）のそれぞれが有するＲ，Ｇ，Ｂの各画素のことをいう。
【００１９】
図１は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）を、第１の表示方法のみを用いて表示した高解像度な表示モードを示すものである。図１に示す表示モードでは、発光中心である副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）が１００％の輝度で発光しており、発光中心である副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）のみが発光しているため、輪郭がはっきりした鮮明な画像を映すことができる。しかし、１つの画素に電流密度が集中して、劣化による焼き付きが発生するおそれがある。
【００２０】
ここで、副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）の発光輝度をＬa（ｉ，ｊ）、最大発光輝度をＬaMAX（ｉ，ｊ）、階調をωa（ｉ，ｊ）｛０≦ωa（ｉ，ｊ）≦１｝とすると、第１の表示方法のみで表示した場合の発光輝度Ｌa（ｉ，ｊ）は式（１）で表すことができる。
【００２１】
【数１】
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【００２２】
図５は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）を、第２の表示方法のみを用いて表示した長寿命な表示モードを示すものである。図５に示す表示モードでは、発光中心である副画素Ｐ（ｉ，ｊ）は発光せず、隣接している近傍画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）がそれぞれ２５％の輝度で発光している。
【００２３】
発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）にかかる電流密度が、隣接する近傍画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）に均等に分散されるため、画素Ｐ（ｉ，ｊ）の劣化を低減させることができる。また、発光輝度が隣接する近傍画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）に平坦化されるため、図５に示す表示モードでは、輪郭線の境界が滑らかになり、輝度劣化の変化を認識しづらくなる。すなわち、劣化を低減させる効果と輪郭線の境界を滑らかにする相乗効果により表示パネルの焼き付きを抑制することができる。
【００２４】
図３は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）を、第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせ比率をそれぞれ５０％として表示した高解像度モードと長寿命モードの中間モードを示すものである。図３に示す表示モードでは、発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）が５０％の輝度で発光し、隣接している画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）が１２．５％の輝度で発光している。
【００２５】
図３に示す表示モードでは、画素Ｐ（ｉ，ｊ）の発光輝度が５０％に低減され、減少した輝度は隣接した近傍画素に等しく分散されている。このため、高解像度モードと比較すると焼き付きは抑制されるが、画像の鮮明さがやや落ちてしまう。
【００２６】
また、中間モードにおける第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせ比率は、図３に示す比率に限定されるものではなく、用途に応じて比率を変更することができる。図２及び図４は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）を、第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせた表示方法であって、第１の表示方法の比率をそれぞれ８０％と２０％に設定した中間モードを示すものである。
【００２７】
第１の表示方法の比率が高いほど、輪郭線のくっきりした鮮明な画像を表示することができるが、発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）に大きな電流密度がかかり、焼き付きを生じやすい。また、低解像度の表示パネルでは、斜め線がギザギザになる等の弊害を生じる可能性がある。逆に、第１の表示方法の比率が低いほど、輪郭線の境界が滑らかで、劣化の少ない長寿命な表示をすることが可能となるが、画像が全体的にぼやけることになる。しかし、低解像度表示パネルの場合は、輪郭が滑らかになり解像度感が高まる効果もある。  第１の表示方法と第２の表示方法を組み合わせて表示する場合、下記式（２）及び式（３）を満たしている必要がある。ここで、αは画素Ｐ（ｉ，ｊ）及び近傍画素の輝度配分率である。
【００２８】
【数２】
2009075563.tif 000004
【００２９】
また、第２の表示方法で発光輝度を振り分ける画素は、画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）に限定されるものではない。例えば、図６に示すように画素Ｐ（ｉ，ｊ）に対して斜めに位置する画素Ｐ（ｉ−１，ｊ−１），（ｉ＋１，ｊ−１），（ｉ−１，ｊ＋１），（ｉ＋１，ｊ＋１）に輝度を配分してもよい。また、上記式（２）及び式（３）を満たしていれば、配分される画素の位置、数、比率に制限はない。例えば、図７、図８に示すように第２の表示方法で輝度を振り分ける画素の総数はいくつでもよく、図９に示すように第２の表示方法で輝度を振り分ける比率は画素毎に異なっていてもよい。
【００３０】
また、第２の表示方法で発光輝度を振り分ける画素は、３×３に配列された画素に限定されるものではなく、図１０に示すように５×５配列の画素に適用させてもよく、図１１に示すようにデルタ配列の画素に適用してもよい。
【００３１】
第１の表示方法と第２の表示方法を組み合わせて表示を行う場合、１００％以上の輝度で発光させる必要がある画素が存在することがある。例えば、図１２には３×４の画素が示されており、位置（ｉ，ｊ）に位置する画素と位置（ｉ，ｊ＋１）に位置する画素が１００％の輝度で発光している。ここで、位置（ｉ，ｊ）の画素にのみ第２の表示方法を４０％適用させると、図１３に示すように、画素（ｉ，ｊ−１），（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ）は１０％の輝度で発光し、画素（ｉ，ｊ＋１）は１１０％の輝度で発光することになる。しかし、１００％以上の輝度で画素を発光させることはできないため、発光輝度を補正する必要がある。輝度補正の１つの手段として、図１４に示すように、１００％を超えた画素は全て１００％の輝度で発光させる方法がある。この方法を用いた場合、補正によって輝度が１００％に減らされた画素では、通常時よりも低い輝度で表示されることになる。特に、第２の表示方法の割合が大きい場合は、輝度の低下も大きくなるというデメリットがある。
【００３２】
また輝度補正の別の方法として、１００％を超えた画素の超過分の輝度を、その周囲の画素に分配する方法がある。例えば、図１３に示すように、１００％の輝度で発光している位置（ｉ，ｊ）、（ｉ，ｊ＋１）の画素に、位置（ｉ，ｊ）の画素にのみ第２の表示方法を４０％適用させたとする。この場合、画素（ｉ，ｊ−１），（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ）は１０％の輝度で発光し、画素（ｉ，ｊ＋１）は１１０％の輝度で発光することになる。ここで、画素（ｉ，ｊ＋１）の輝度は１００％を超えてしまっているので、超過分の輝度１０％を周囲の画素に分配する補正を行う。図１５に示すように、画素（ｉ，ｊ＋１）の超過分の輝度１０％を、２．５％ずつ周囲の画素に分配する。この場合、画素（ｉ，ｊ＋１）は１００％、画素（ｉ−１，ｊ＋１），（ｉ，ｊ＋２），（ｉ＋１，ｊ＋１）は２．５％、画素（ｉ，ｊ）は６２．５％の輝度で発光する。この方法を用いた場合、１００％を超えた画素を全て１００％の輝度で表示する補正方法よりも、鮮明に画像を表示でき、輝度の低下も少ない。
【００３３】
また、輝度補正の別の方法として、予め低めの輝度で発光させる方法がある。この方法は予め表示パネルの最大輝度を低めに設定しておき、輝度分配を行っても１００％より高い輝度で発光する画素が存在しないようにする方法である。例えば、図１３に示すように、輝度分配によって１１０％の輝度で発光する画素（ｉ，ｊ＋１）が表れてしまう場合、画素（ｉ，ｊ＋１）が１００％の輝度になるように補正する必要がある。つまり、元の輝度を約９０％ほどに設定しておくことで、画素分配を行っても輝度が１００％を超えないようにすることができる。この方法は、本発明の表示方法を用いることが可能となるが、表示パネル自体の輝度が低下するという問題がある。
【００３４】
本発明は高解像度モード、長寿命モード、中間モードを用途や環境によって使い分けることで、画素の焼き付きを低減させて表示パネル寿命を向上させることができる。
【００３５】
例えば、各画素における画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の空間変化の増加、時間変化の減少、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の発光時間が増加に応じて、第２の表示方法の比率を増加させることが好ましい。また、各副画素は、その劣化速度が増加するに従って、第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させるとともに、その劣化速度が減少するに従って、第１の表示方法の組み合わせ比率を増加させることが好ましい。また、温度の上昇、最大発光輝度の増加、表示時間の増加に応じて、第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させることが好ましい。
【００３６】
すなわち、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の空間変化が大きい画素ほど、対応する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）における第２の表示方法の比率を大きくする。また、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の時間変化が小さい画素ほど、対応する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）における第２の表示方法の比率を大きくする。また、発光時間が長い画像入力データＤa（ｉ，ｊ）ほど、第２の表示方法の比率を大きくする。また、各画素を構成する副画素が２以上存在する場合に、副画素の劣化速度が他の副画素の劣化速度より速いほど第２の表示方法の組み合わせ比率を大きくし、副画素の劣化速度が他の副画素の劣化速度より遅いほど第１の表示方法の組み合わせ比率を大きくする。また、少なくとも１つの副画素における第１の表示方法と第２の表示方法との組み合わせ比率に関して、温度の上昇に伴い第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させる。また、少なくとも１つの副画素における第１の表示方法と第２の表示方法との組み合わせ比率に関して、最大発光輝度の増加に伴い第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させる。また、少なくとも１つの副画素における第１の表示方法と第２の表示方法との組み合わせ比率に関して、表示時間の増加に伴い第２の表示方法の組み合わせ比率を増加させる。また、少なくとも１つの副画素における第１の表示方法と第２の表示方法との組み合わせ比率の割合は、例えば１：２である。
【００３７】
具体的には、例えば、高解像度表示パネルで映し出す場合や動きの速い動画を表示する場合は、発光中心画素の発光比率が１００％である高解像度モードを用いることが好ましい。また、固定パターンを表示する場合や、それほど解像度を必要としない場合は、各画素の発光比率が分散した長寿命モードを用いて、画素の焼き付きを抑制することが好ましい。また、標準時は中間モードを用いることで、用途や環境に合った表示モードに切り替えて使用することが好ましい。
【００３８】
高解像度モード、長寿命モード、中間モードは、映し出す画像によってのみ切り替えるのではなく、積算発光量、温度、発光輝度の大きさ等で表示モードを切り替えることで、表示パネルの寿命を向上させることができる。すなわち、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の空間変化及び時間変化、副画素の発光時間、劣化速度、温度、発光輝度及び表示時間等に応じて、高解像度モード、長寿命モード、中間モードを切り替えることにより、表示パネルの寿命を向上させることができる。なお、積算発光量とは、発光時間をｘ軸、発光輝度をｙ軸とした場合の積分値のことをいう。
【００３９】
積算発光量によって各副画素の劣化特性が変化する場合、劣化速度が速くなる時間域において、第２の表示方法の比率を高くすることで、表示パネルの寿命を向上させることができる。例えば、一般に劣化速度は積算発光量が多くなる程、遅くなるため、積算発光量が短い時は、発光中心画素の発光比率が低く近傍画素の発光比率の高い表示モードを適用させる。積算発光量が多くなるにつれて、発光中心画素の発光比率が高く近傍画素の発光比率の低い表示モードに切り替えることで、高精彩な画像を長く表示することができる。  また、周囲の環境温度によって画素の劣化特性が変化する場合は、劣化速度の早い環境温度になった時に、第２の表示方法の比率を大きくして、表示パネル寿命を向上させることができる。例えば、一般に温度が上昇すると画素の劣化速度が早くなるため、環境温度が低い場合は、発光中心画素の発光比率が高く近傍画素の発光比率の低い表示モードを適用させる。環境温度が上昇した場合は、発光中心画素の発光比率が低く近傍画素の発光比率の高い表示モードに切り替えて使用することが好ましい。
【００４０】
また、発光輝度の大きさによって劣化特性が変わる場合は、劣化速度が早い発光輝度の画素を、第２の表示方法の比率を大きくして、表示パネル寿命を向上させることができる。例えば、一般に発光輝度が高いと画素の劣化速度が早いと考えられており、発光輝度が低い画像入力データに対しては、発光中心画素の発光比率が高く近傍画素の発光比率の低い表示モードを適用させる。また、発光輝度が高い画像入力データに対しては、発光中心画素の発光比率が低く近傍画素の発光比率の高い表示モードを適用するようにすることが好ましい。
【００４１】
次に第１の表示方法と第２の表示方法を表示するための制御方法について説明をする。  図３０は本発明の実施形態に係る発光表示装置の構成を示すブロック図である。図３０に示すように、本発明の実施形態に係る発光表示装置は、信号入力部１、輝度配分手段２、Ａ／Ｄ変換部３、及び表示部４を備えている。信号入力部１は映像信号の入力を受け付け、輝度配分手段２は信号入力部１に入力される映像信号に対し輝度配分処理を施して出力する。そして、Ａ／Ｄ変換部３は輝度配分手段２から出力される信号をＡ／Ｄ変換し、表示部４はＡ／Ｄ変換部３から出力される映像信号に基づき映像を表示する。さらに、本発明の実施形態に係る発光表示装置は、周囲の温度を検出する熱検出部５と、表示部の発光輝度及び累積発光時間を集計する電流検出部６と、累積発光時間検出部７と、を備えている。
【００４２】
輝度配分手段２は、第１の表示方法と第２の表示方法の比率を調整する変換部であり、高解像度モード、長寿命モード、中間モードを環境と用途に応じて選択して用いることが好ましい。
【００４３】
熱検出部５は温度を感知するセンサーで、発光表示装置の温度を測定するのに使用される。発光表示装置の温度が劣化速度の速い温度になった時に、第２の表示方法の比率を高めて焼き付きを抑制することが可能となる。
【００４４】
電流検出部６は表示装置によって消費されている電流を測定するために使用され、高い輝度で発光している画素部に、第２の表示方法の比率を高め、焼き付きを抑制することが可能となる。また、累積発光時間検出部７で累積発光時間をカウントし、画素劣化が激しい箇所に第２の表示方法を適用し、焼き付きを抑制させることも可能となる。
【００４５】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る発光表示装置について説明する。図１６乃至図１８は、本発明の第２の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図である。
【００４６】
図１６は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）を、第１の表示方法のみを用いて表示した高解像度な表示モードにおける画素構造を示すもので、３×３の画素が示されており、画素１１毎にＲ、Ｇ、Ｂの副画素１１ａ，１１ｂ，１１ｃが配置されている。垂直方向の座標をｉ、水平方向の座標をｊとし、位置（ｉ，ｊ）に位置する画素Ｐ（ｉ，ｊ）を構成する表示色ａを有する副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）に対する画像入力データＤa（ｉ，ｊ）の表示を行うとする。
【００４７】
発光波長の異なる複数の副画素の劣化特性が一致しない場合、ある画素に含まれるＲ、Ｇ、Ｂの副画素を常に一定の輝度で光らせると、劣化速度の早い副画素と遅い副画素で発光輝度が変わり、色ずれを引き起こしてしまう。本実施例は、発光中心画素と近傍画素の副画素毎に第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせ比率を調整することで、劣化による表示パネルの色ずれを抑制することができる。
【００４８】
図１６に示す高解像度の表示モードでは、発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）に含まれるＲＧＢ毎の副画素Ｓｐa（ｉ，ｊ）が１００％の輝度で均等に発光しているため、輪郭がはっきりした鮮明な画像を映すことができる。しかし、ＲＧＢ各色の劣化特性が異なる場合、３色の副画素を１００％の輝度で発光させているため、輝度劣化による色ずれが発生してしまう。
【００４９】
画素Ｐ（ｉ，ｊ）の表示色ａの発光輝度をＬa（ｉ，ｊ）、最大発光輝度をＬaMAX（ｉ，ｊ）、階調をωa（ｉ，ｊ）とすると、第１の表示方法のみで表示した場合の発光輝度Ｌa（ｉ，ｊ）は、下記式（４）、式（５）、式（６）で表すことができる。
【００５０】
【数３】
2009075563.tif 000005
【００５１】
図１８は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）を、Ｂの副画素にのみ第２の表示方法を用いた長寿命な表示モードにおける画素構造を示すものである。図１８に示すように、発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）に含まれるＲとＧの副画素Ｓｐr（ｉ，ｊ）、Ｓｐg（ｉ，ｊ）は１００％の輝度で発光し、Ｂの副画素Ｓｐb（ｉ，ｊ）は全く発光していない。そのかわり、隣接する近傍画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）にそれぞれ含まれる副画素Ｓｐb（ｉ−１，ｊ），Ｓｐb（ｉ＋１，ｊ），Ｓｐb（ｉ，ｊ−１），Ｓｐb（ｉ，ｊ＋１）がそれぞれ２５％の輝度で発光している。Ｂの副画素のみ発光輝度が近傍画素に分散されているため、Ｂの副画素にかかる電流密度が平坦化し劣化を抑制することができる。この表示モードはＢの副画素の劣化速度が他のＲとＧの副画素よりも特に早い場合に有効で、Ｂの劣化速度をＲとＧの劣化速度に近づけることで焼き付きによる色ずれを抑制する効果が得られる。
【００５２】
図１７は、画像入力データＤa（ｉ，ｊ）を、Ｂの副画素にのみ第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせ比率を５０％ずつ表示した中間モードにおける画素構造を示すものである。図１７に示すように、発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）に含まれるＲとＧの副画素Ｓｐr（ｉ，ｊ）、Ｓｐg（ｉ，ｊ）は１００％の輝度で発光し、Ｂの副画素Ｓｐb（ｉ，ｊ）のみ５０％の輝度で発光している。そのかわり、隣接する近傍画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）にそれぞれ含まれるＢの副画素Ｓｐb（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）がそれぞれ１２．５％の輝度で発光している。Ｂの副画素Ｓｐb（ｉ，ｊ）の発光輝度が５０％に低減され、減少した輝度は隣接している近傍副画素Ｓｐb（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）に均等に分散されている。このため、高解像度モードと比較すると焼き付きは抑制されるが、画像の鮮明さは落ちてしまう。この表示モードはＢの副画素の劣化速度が他のＲとＧの副画素よりも早い場合に有効で、Ｂの副画素の劣化速度を、ＲとＧの劣化速度に近づけることで、焼き付きによる色ずれを抑制することができる。
【００５３】
表示色ａの副画素に、第１の表示方法と第２の表示方法を組み合わせて表示する場合、発光輝度Ｌa（ｉ，ｊ）は、下記式（７）、式（８）、式（９）、式（１０）、式（１１）、式（１２）を満たしている必要がある。ここで、画素Ｐ（ｉ，ｊ）の表示色ａの発光輝度をＬa（ｉ，ｊ）、最大発光輝度をＬaMAX（ｉ，ｊ）、階調をωa（ｉ，ｊ）、αa（ｉ，ｊ）は、画素Ｐ（ｉ，ｊ）及び近傍画素の輝度配分率とする。
【００５４】
【数４】
2009075563.tif 000006
【００５５】
発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）に含まれる副画素Ｓｐr（ｉ，ｊ）、Ｓｐg（ｉ，ｊ）、Ｓｐb（ｉ，ｊ）の発光比率が低いほど、電流密度が分散され、輝度劣化は抑制される。ただし、ＲＧＢの劣化特性に応じて、ホワイトバランスがずれないように発光比率を調整する必要がある。
【００５６】
中間モードにおける第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせ比率は、図１８に示す値に限定されるものではなく、各色の副画素の劣化特性や周囲の環境に応じて最適な比率を選択することが好ましい。
【００５７】
例えば、固定パターンを表示する場合は、劣化の早い副画素の発光輝度が分散された第２の表示方法の比率を高くすることが好ましい。また表示色Ｒ、Ｇ、Ｂと白の中間の色（以下中間色）を表示する場合、副画素の劣化による色ずれの影響が目立ちやすい。そのため、中間色を表示する際には、第２の表示方法の比率を高くすることが好ましい。
【００５８】
また、第２の表示方法は１色の副画素に限定されるものではなく、２色以上の副画素に対して適用させてもよい。例えば、劣化速度が表示色Ｒ＜Ｇ＜Ｂの順で早い場合、Ｂを第２の表示方法、Ｇを第１の表示方法と第２の表示方法の中間モード、Ｒを第１の表示方法に適用することで、各色の劣化速度を一致させることで、色ずれを抑制することができる。
【００５９】
第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせ比率は、映し出す画像によってのみ変更するのではなく、積算発光量、温度、発光輝度の大きさ等で表示モードを切り替えることで、表示パネルの寿命を向上させることができる。
【００６０】
積算発光量によって各副画素の劣化特性が変化する場合、劣化速度が速くなる時間域において、第２の表示方法の比率を高くすることで、色ずれを抑制することができる。例えば、積算発光量が少ない場合には、他の色と比較してＢの劣化速度が速く、積算発光量が多い場合には、他の色と比較してＲの劣化速度が速い。そこで、素子の色ずれを抑制するためには、積算発光量が少ない時はＢの副画素において第２の表示方法の比率が高い表示モードを適用する。そして、積算発光量が増加するにつれて、Ｒの副画素における第２の表示方法の比率を高くすることで、輝度劣化による色ずれを抑制することができる。
【００６１】
また、周囲の環境温度によって各副画素の劣化特性が変化する場合は、環境温度により劣化速度の速い副画素に、第２の表示方法の比率を高くして、輝度劣化による色ずれを抑制することができる。例えば、高温環境では他の色と比較してＲの劣化速度が速く、低温環境では他の色と比較してＢの劣化速度が早い場合を想定する。この場合には、高温環境ではＲの副画素において第２の表示方法の比率が高い表示モードを使用し、低温環境ではＢの副画素において第２の表示方法の比率が高い表示モードを使用することで、輝度劣化による色ずれを抑制することができる。
【００６２】
また、発光輝度の大きさによって各副画素の劣化特性が変わる場合は、発光輝度の大きさにより、劣化速度が早くなった副画素に、第２の表示方法の比率を高くして、輝度劣化による色ずれを抑制することができる。例えば、高輝度発光ではＲの劣化速度が早く、低輝度発光ではＢの劣化速度が早い場合を想定する。この場合には、高輝度発光する画素ではＲの副画素において第２の表示方法の比率が高い表示モードを使用し、低輝度発光ではＢの副画素において第２の表示方法の比率が高い表示モードを使用することで、輝度劣化による色ずれを抑制することができる。
【００６３】
本発明の発光表示装置は、副画素毎に、高解像度モード、長寿命モード、中間モードを適用させることで、ＲＧＢ各色の劣化特性から生じる色ずれを抑制する。例えば、Ｂの劣化速度がＲＧに比べ著しく早い場合、Ｂの副画素のみ長寿命モードを適用し、ＲＧは通常の高解像度モードを用いれば、色ずれのない長寿命な表示パネルを実現することができる。
【００６４】
＜実素子に適用した具体例＞
次に、本発明の実施形態に係る発光表示装置を実素子に適用した具体例を説明する。図１９乃至図２２は、本発明の実施形態に係る発光表示装置を実素子に適用した場合の輝度劣化グラフである。
【００６５】
図１９は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各副画素を点灯させてホワイトを表示した際における色毎の規格化劣化時間データを示す説明図である。図１９に示すように、隣接画素間の輝度差が１０％を超えた時を、焼き付きと仮定すると、Ｒでは４５時間、Ｇでは２８時間、Ｂでは５時間で焼き付きが認識されることになる。全ての副画素を第１の表示方法のみで点灯させると、Ｂの副画素は５時間で焼き付きが発生し、Ｇの副画素は２８時間で焼き付きが発生するため、表示パネルに色ずれが生じてしまう。この場合、表示パネルの寿命はＢの副画素において焼き付きが認識される５時間となる。
【００６６】
そこで、第１の表示方法と第２の表示方法を組み合わせる表示モードを使用し、副画素毎の劣化速度が一致するよう調整を施す。
【００６７】
この調整に用いる計算では、有機ＥＬの劣化モデルとして、電流による素子破壊が電流値の実測値以上（１．５乗倍）に進むと仮定したモデルを適用させた。下記式１３は、素子劣化が電流密度の１．５乗に依存するという経験モデルを表した式である。ここで、τ1、τ2は劣化時間、Ｉ1、Ｉ2は電流密度、Ｌ1、Ｌ2は発光輝度を表している。また電流密度と発光輝度はおおよそ比例すると仮定しているが、本来Ｉ−Ｌ特性から、電流密度を導くのが望ましい。
【００６８】
【数５】
2009075563.tif 000007
【００６９】
図２３は、本発明の実施形態に係る発光表示装置を実素子に適用した場合の画素構造を示すものである。図２３に示す例では、発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）に含まれるＲの副画素Ｓｐr（ｉ，ｊ）は第１の表示方法で発光させる。また、Ｇの副画素Ｓｐg（ｉ，ｊ）は第１の表示方法を７０％、第２の表示方法を３０％の割合で表示する。また、Ｂの副画素Ｓｐb（ｉ，ｊ）は第１の表示方法を２０％、第２の表示方法を８０％の割合で表示する。すなわち、図２３に示す例では、画素Ｐ（ｉ，ｊ）に含まれるＲの副画素Ｓｐr（ｉ，ｊ）は１００％の輝度で発光し、Ｇの副画素Ｓｐg（ｉ，ｊ）は７０％の輝度で発光し、Ｂの副画素Ｓｐb（ｉ，ｊ）は２０％の輝度で発光している。また、隣接している近傍画素Ｐ（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）にそれぞれ含まれるＧの副画素Ｓｐg（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）はそれぞれ７．５％の輝度で発光している。また、Ｂの副画素Ｓｐb（ｉ−１，ｊ），（ｉ＋１，ｊ），（ｉ，ｊ−１），（ｉ，ｊ＋１）はそれぞれ２０％の輝度で発光している。発光中心である画素Ｐ（ｉ，ｊ）に含まれるＢとＧの副画素は、周囲の近傍画素に発光輝度を分散させているため、劣化が抑制されることになる。分散の割合の高いＢの副画素はさらに劣化が抑制されることになる。
【００７０】
図２０は、Ｇの副画素に第２の表示方法を３０％組み込み、Ｂの副画素に第２の表示方法を８０％組み込んだ時の、輝度劣化グラフである。このような表示方法でホワイトを表示すると、Ｒの副画素は４８時間、Ｇの副画素は４７時間、Ｂの副画素は５０時間で焼き付きを発生する。この表示モードではＲとＧとＢが全て同じ劣化時間を有しており、輝度劣化による色ずれをほとんど発生させることなく表示することが可能となる。
【００７１】
図２１は、２５℃の環境下と６０℃の環境下でホワイトを表示した時の、規格化劣化時間データである。隣接画素間の輝度差が１０％を超えた時を焼き付きと仮定すると、２５℃の環境下では４２時間、６０℃の環境下では３時間で焼き付きが認識される。
【００７２】
そこで、第１の表示方法と第２の表示方法を組み合わせた表示モードを使用し、劣化速度の早い６０℃の環境下において、劣化時間が抑制されるよう調整を施す。
【００７３】
図２２は、６０℃の環境下において、第２の表示方法を８０％組み込んだ時の輝度劣化グラフである。発光中心の画素が２０％の輝度で発光し、周囲の近傍画素に残りの８０％が振り分けられる表示モードである。このような表示方法でホワイトを表示すると、６０℃の環境下において、焼き付きが４０時間に改善される。したがって、周囲の環境温度が高い場合に、第２の表示方法の割合が高い表示モードを適用することで、表示パネルの寿命を延ばすことができる。
【００７４】
＜具体的な効果＞
次に、本発明の実施形態に係る発光表示装置の詳細な効果について述べる。
【００７５】
図２４乃至図２９は、本発明の実施形態に係る発光表示装置の詳細な効果を説明するための画素構造を示すものである。
【００７６】
図２４には、３×３の画素が示されており、垂直方向の座標をｉ、水平方向の座標をｊとし、位置Ｐ（ｉ，ｊ）に位置する画素を第１の表示方法で１００時間点灯させたとする。１００時間点灯前の画素Ｐ（ｉ，ｊ）の輝度を１とし、１００時間点灯後の画素Ｐ（ｉ，ｊ）の輝度を１−αとおく。ここでα（０＜α＜１）は輝度劣化比である。１００時間点灯後、図２５に示すように、全ての画素を均等に発光させた場合、画素Ｐ（ｉ，ｊ）の輝度Ｌ（ｉ，ｊ）は１−αとなり、周囲の近傍画素Ｐ（ｉ±１，ｊ），（ｉ，ｊ±１）では輝度Ｌ（ｉ±１，ｊ），（ｉ，ｊ±１）は１となる。このため、焼き付きが認識される輝度比がｘであるとすると、全画素発光時に焼き付きが認識されない条件は、下記式１４、式１５で表すことができる。したがって、第１の表示方法のみで表示した場合、輝度劣化比αが焼き付き認識輝度比ｘより高くなる時点で、焼き付きによる劣化が認識されてしまう。
【００７７】
【数６】
2009075563.tif 000008
【００７８】
ここで、第２の表示方法を適用させて１００時間点灯させた場合を考える。図２６は、画素Ｐ（ｉ，ｊ）に第１の表示方法を１−４ｓ、第２の表示方法を４ｓの割合で組み込んだ表示モードである。つまり、画素Ｐ（ｉ，ｊ）にかかっていた輝度のうち、近傍画素Ｐ（ｉ＋１，ｊ），Ｐ（ｉ−１，ｊ），Ｐ（ｉ，ｊ＋１），Ｐ（ｉ，ｊ−１）に割合ｓずつ振り分けられた表示モードで１００時間点灯させる。このような表示モードで１００時間点灯後、図２７に示すように全ての画素を均等に発光させた場合を想定する。この場合、画素Ｐ（ｉ，ｊ）の輝度はＬ（ｉ，ｊ）＝１−α（１−４ｓ）となる。また、画素Ｐ（ｉ＋１，ｊ），Ｐ（ｉ−１，ｊ），Ｐ（ｉ，ｊ＋１），Ｐ（ｉ，ｊ−１）の輝度はＬ（ｉ＋１，ｊ），Ｌ（ｉ−１，ｊ），Ｌ（ｉ，ｊ＋１），Ｌ（ｉ，ｊ−１）は１−ｓαとなる。また、画素Ｐ（ｉ＋１，ｊ＋１），Ｐ（ｉ＋１，ｊ−１），Ｐ（ｉ−１，ｊ＋１），Ｐ（ｉ−１，ｊ−１）の輝度Ｌ（ｉ＋１，ｊ＋１），Ｌ（ｉ＋１，ｊ−１），Ｌ（ｉ−１，ｊ＋１），Ｌ（ｉ−１，ｊ−１）は１となる。このため、焼き付きが認識される輝度比がｘであるとすると、全画素発光時に焼き付きが認識されない条件は、下記式（１６）、式（１７）、式（１８）に示すようになる。
【００７９】
【数７】
2009075563.tif 000009
【００８０】
上記式（１６）、式（１７）、式（１８）より、最も劣化が認識されにくい比率は、δ1＝δ2となる時であり、ｓ＝１／６であることがわかる。したがって、全画面発光した際に最も劣化が認識されにくい表示方法は第１の表示方法と第２の表示方法を１：２の比率で表示したものであることがわかる。また、輝度劣化比αと焼き付きが認識される輝度比ｘには、下記式１９に示す関係があり、第２の表示方法の割合を高くしても、輝度劣化比αが焼き付き認識輝度比ｘの６倍以上大きい場合は、劣化が認識されてしまう。
【００８１】
【数８】
2009075563.tif 000010
【００８２】
図２８は、垂直方向の座標をｉ、水平方向の座標ｊとし、ｊ≧ω1である画素を１００時間点灯させた場合の画素構造を示すものである。図２８に示すように、１００時間点灯前の各画素の輝度を１とし、１００時間点灯後の画素Ｐ（ｉ，ｊ）｛ｊ≧ω1｝の輝度を１−αとする。ここでα（０＜α＜１）は輝度劣化比である。１００時間点灯後、図２９に示すように、第１の表示方法を１−４ｓ、第２の表示方法を４ｓの割合で組み込んだ表示モードで、画素｛ｉ≦ω2｝の領域を発光させた。すなわち発光中心となる画素は１−４ｓの割合で発光し、上下左右に隣接する近傍画素にはｓの割合で電流密度が振り分けられている。ここでは、発光させる領域内のｉ＜ω2の画素には１の割合で電流密度が振り分けられ、ｉ＝ω2の画素には１−ｓの割合、ｉ＝ω2に隣接するｉ＝ω2＋１の画素にはｓの割合で電流密度が振り分けられる。ｉ≧ω2＋２は発光させない。
【００８３】
従って、各画素の輝度は、下記式（２０）、式（２１）、式（２２）、式（２３）、式（２４）、式（２５）に示すようになる。
【００８４】
【数９】
2009075563.tif 000011
【００８５】
ここで、１００時間点灯により劣化した画素と、その他の画素間における焼き付きが認識される条件は下記式（２６）、式（２７）、式（２８）、式（２９）で表される。さらに、第２の表示方法を適用させたことにより、発光している領域が均一に見える条件は下記式（３０）、式（３１）、式（３２）で表される。式（２６）、式（２７）、式（２８）、式（２９）より、電流密度振り分け率ｓは０＜ｓ＜１／４であるため、劣化している画素としていない画素間における焼き付きが認識される条件はα≦ｘとなる。また、第２の表示方法を適用させたことによる、領域内が均一に見える条件は、ｓ≦ｘとなる。
【００８６】
【数１０】
2009075563.tif 000012
【００８７】
【数１１】
2009075563.tif 000013
【００８８】
以上説明したように、電流密度振り分け率ｓ、輝度劣化比α、焼き付き認識輝度比ｘの関係に基づき、最適な電流密度振り分け率ｓの第２の表示方法を用いることで、焼き付きによる劣化が認識されにくい発光表示装置を作製することができる。
【００８９】
また、本発明の発光表示装置では、第１の表示方法の比率が高い高解像度モードと、第２の表示方法の比率が高い長寿命モードと、これらの中間である中間モードとを切り替えることができる。
【００９０】
高解像度モードでは、輪郭のはっきりした鮮明な画像を表示することが可能となるが、１つの画素に負担がかかるため、焼き付きを促進させてしまう。一方、長寿命モードでは、画素の発光輝度が周囲の近傍画素群に配分されるため、画素にかかっていた電流密度が平坦化され、劣化を抑制する効果が得られる。また、発光輝度が平坦化されることで、輪郭線の境界が滑らかになり輝度劣化による変化を目立たなくさせることができる。
【００９１】
したがって、固定パターン表示等では長寿命モードを適用し、自然画や高解像度な表示を行いたい時にのみ高解像度モードに切り替えることで、表示パネル自体の寿命を延ばすことができる。
【００９２】
また、発光色毎に劣化特性が異なる場合には、劣化の進行度が早い発光色において、第２の表示方法の比率を高めることで、色ずれを抑制する効果を得ることができる。
【００９３】
画素の輝度劣化に関係する他の要因として、発光時間、温度、最高発光輝度等を挙げることができる。このような要因により劣化の進行度が変化する場合には、各発光色で劣化の進行度が一様となるよう、第１の表示方法と第２の表示方法の組み合わせ比率を調整することで、さらに長寿命な表示パネルを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１３】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１４】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１５】本発明の第１の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１７】本発明の第２の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１８】本発明の第２の実施形態に係る発光表示装置における画素構造を示す模式図。
【図１９】本発明の実施形態に係る発光表示装置を実素子に適用した場合の輝度劣化グラフ。
【図２０】本発明の実施形態に係る発光表示装置を実素子に適用した場合の輝度劣化グラフ。
【図２１】本発明の実施形態に係る発光表示装置を実素子に適用した場合の輝度劣化グラフ。
【図２２】本発明の実施形態に係る発光表示装置を実素子に適用した場合の輝度劣化グラフ。
【図２３】本発明の実施形態に係る発光表示装置を実素子に適用した場合の画素構造を示す模式図。
【図２４】本発明の実施形態に係る発光表示装置の詳細な効果を説明するための画素構造を示す模式図。
【図２５】本発明の実施形態に係る発光表示装置の詳細な効果を説明するための画素構造を示す模式図。
【図２６】本発明の実施形態に係る発光表示装置の詳細な効果を説明するための画素構造を示す模式図。
【図２７】本発明の実施形態に係る発光表示装置の詳細な効果を説明するための画素構造を示す模式図。
【図２８】本発明の実施形態に係る発光表示装置の詳細な効果を説明するための画素構造を示す模式図。
【図２９】本発明の実施形態に係る発光表示装置の詳細な効果を説明するための画素構造を示す模式図。
【図３０】本発明の実施形態に係る発光表示装置の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００９５】
１  信号入力部
２  輝度配分手段
３  Ａ／Ｄ変換部
４  表示部
５  熱検出部
６  電流検出部
７  累積発光時間検出部
１１  画素
１１ａ  画素の第１副画素（Ｒ）
１１ｂ  画素の第２副画素（Ｇ）
１１ｃ  画素の第３副画素（Ｂ）
【図１】
2009075563.tif 000014
【図２】
2009075563.tif 000015
【図３】
2009075563.tif 000016
【図４】
2009075563.tif 000017
【図５】
2009075563.tif 000018
【図６】
2009075563.tif 000019
【図７】
2009075563.tif 000020
【図８】
2009075563.tif 000021
【図９】
2009075563.tif 000022
【図１０】
2009075563.tif 000023
【図１１】
2009075563.tif 000024
【図１２】
2009075563.tif 000025
【図１３】
2009075563.tif 000026
【図１４】
2009075563.tif 000027
【図１５】
2009075563.tif 000028
【図１６】
2009075563.tif 000029
【図１７】
2009075563.tif 000030
【図１８】
2009075563.tif 000031
【図１９】
2009075563.tif 000032
【図２０】
2009075563.tif 000033
【図２１】
2009075563.tif 000034
【図２２】
2009075563.tif 000035
【図２３】
2009075563.tif 000036
【図２４】
2009075563.tif 000037
【図２５】
2009075563.tif 000038
【図２６】
2009075563.tif 000039
【図２７】
2009075563.tif 000040
【図２８】
2009075563.tif 000041
【図２９】
2009075563.tif 000042
【図３０】
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