(57)【要約】【課題】本発明の目的は、ＣＯＢタイプの半導体発光素子の接着信頼性を低下させることなく製造時間を短縮化等が可能となる照明装置を提供することにある。【解決手段】請求項１記載の発明は、装置基板２と；装置基板の上に設けられた第１の接着層１１ａと；第１の接着層上に配設された半導体発光素子５と；半導体発光素子の側面の一部を覆うように配設された第２の接着層１１ｂと；前記半導体発光素子を電気的に接続するワイヤ６，７と；前記半導体発光素子及びワイヤを埋設してなる蛍光体樹脂層１０と；を具備することを特徴とする。【選択図】図３
2009076516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置基板と；
装置基板の上に設けられた第１の接着層と；
第１の接着層上に配設された半導体発光素子と；
半導体発光素子の側面の一部を覆うように配設された第２の接着層と；
前記半導体発光素子を電気的に接続するワイヤと；
前記半導体発光素子及びワイヤを埋設してなる蛍光体樹脂層と；
を具備することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記第１の接着層はシート状に形成され、前記第２の接着層は液状の接着剤が固化して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のＬＥＤ(発光ダイオード)チップ等の半導体発光素子を有して、例えば照明器具やディスプレイ等に使用される照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤモジュールにおいて、ＬＥＤチップは実装基板上に接着剤を用いて接合される。接着剤は、例えばエポキシ樹脂またはシリコーン系樹脂を、Ａｇ等の微粒子と混ぜ合わせることにより形成されたものもある。（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００７−９５８５５号公報（段落0015、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで、ＬＥＤチップを複数個実装したチップオンボード（ＣＯＢ）タイプのＬＥＤモジュールではＬＥＤチップの数に合わせて接着剤の塗布する部分を設ける必要があり、この塗布にはディスペンスやスタンピング等の方法が用いられ、その後、ＬＥＤチップをダイボンドするようにしている。しかしながら、上述したような方法の場合、ＬＥＤチップの数が多くなれば、接着剤の塗布に時間がかかり、結果としてダイボンディング工程全体の時間が長くなってしまうことがある。
【０００４】
本発明の目的は、ＣＯＢタイプの半導体発光素子の接着信頼性を低下させることなく製造時間を短縮化等が可能となる照明装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１記載の発明は、装置基板と；装置基板の上に設けられた第１の接着層と；第１の接着層上に配設された半導体発光素子と；半導体発光素子の側面の一部を覆うように配設された第２の接着層と；前記半導体発光素子を電気的に接続するワイヤと；前記半導体発光素子及びワイヤを埋設してなる蛍光体樹脂層と；を具備することを特徴とする。
【０００６】
請求項１の発明で、装置基板は、合成樹脂又はガラス或いはセラミックスの絶縁板を用いることができ、この場合、一枚であっても複数枚積層してなるものでもよく、又、装置基板は絶縁板の裏面に放熱促進用の金属板を積層してなるものであってもよい。第１の接着層は、装置基板の上に直接設けられてもよいし、別部材を介して間接的に設けられてもよい。半導体発光素子には例えばＬＥＤ（発光ダイオード）チップを好適に用いることができる。ワイヤは金属細線で形成されるが、Ａｕの細線を好適に用いることができ、その線径は２０μｍ〜３０μｍとすることが好ましい。第２の接着層は、半導体発光素子の半導体発光層までには到達しない方が望ましい。当該発光層からの放射光を低下させる恐れがあるからである。蛍光体樹脂層には、好適にはシリコーン樹脂を用いることができるがその他エポキシ系の透光性樹脂も用いることが可能である。
【０００７】
又、列をなして配設されて列が延びる方向に隣接した半導体発光素子同士の第１の素子電極と第２の素子電極とに両端をワイヤボンディングにより直接接続してもよい。この場合、装置基板の半導体発光素子が取付けられた一面から遠ざかるように湾曲して設けられたボンディングワイヤの半導体発光素子に対する高さを５０μｍ以上１５０μｍ以下としている。このようにボンディングワイヤのボンディング高さは最も高い場合でも１５０μｍであることにより、ボンディングワイヤを十分に埋設するのに必要な蛍光体樹脂層の使用量が削減されて蛍光体樹脂層の厚みが薄くなる。
【０００８】
それに伴い、封止をする際にボンディングワイヤに作用する未硬化の蛍光体樹脂層の重さが軽減されて、装置基板側へのボンディングワイヤの変形を抑制できる。又、ボンディングワイヤのボンディング高さは最も低い場合でも５０μｍであることにより、ワイヤボンディングに伴って、半導体発光素子の素子電極に近いボンディングワイヤの端部が急激に曲げられることを抑制できる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の照明装置において、前記第１の接着層はシート状に形成され、前記第２の接着層は液状の接着剤が固化して形成されていることを特徴とする。請求項２の発明では、半導体発光素子はシート状に形成された第１の接着層に仮固定されており、シート状の第１の接着層は弾性変形しにくいので、第１の素子電極にボンディングワイヤがボールボンディングされる場合、その際にボンディングツールにより半導体発光素子に加えられる圧力は小さくてもよい。
【００１０】
又、第２の素子電極に対してはボールボンディングではなく高周波溶接によるボンディングでボンディングワイヤが接続されるが、その際に予め第２の素子電極に付着されたバンプを高周波で溶かしてボンディングするので、このボンディングにおいて半導体発光素子に加えられる圧力は小さい。したがって、製造する際、ワイヤボンディングに伴う半導体発光素子の損傷を抑制できる。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１及び２の発明の照明装置によれば、半導体発光素子の接着性能を低下させることなく、製造時間の短縮化等を可能とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１及び図２中符号１はＬＥＤモジュールを含む照明装置を示している。この照明装置１は、装置基板２、複数の給電端子３，４、複数の半導体発光素子例えばＬＥＤチップ（以下ＬＥＤと略称する。）５、ボンディングワイヤ６，７，８ａ，８ｂ、リフレクタ９、及び蛍光体樹脂層１０を備えて形成されている。
【００１３】
図２に示すように装置基板２には、例えば積層基板好ましくは樹脂板１１の裏面に金属板１２を積層してなる金属ベースド基板が用いられている。樹脂板１１は良好な光の反射性能を得るために白色を呈するガラス粉末入りのエポキシ樹脂からなる。又、図３に示すように樹脂板１１上には第１の接着層としての接着シート１１ａがＬＥＤ５のダイボンディング工程の前に貼り付けられている。樹脂板１１は良好な光の反射性能を得るようになっているため、この機能を生かすためには接着シート１１ａは透明であることが望ましい。または接着シート１１ａが光の反射性能を得るようになっていてもよい。
【００１４】
ここで、接着シート１１ａは、複数個のＬＥＤ５をボンディングするボンディングエリアに一括して貼り付け、その上にＬＥＤ５をボンディングして仮固定する。その後、第２の接着層としての比較的粘度の低い１Ｐａ・ｓ以下のシリコーンやエポキシなどの液状接着用樹脂１１ｂを全体にディスペンサで流し入れ、ＬＥＤの側面の一部を覆うように配設する。そして、次の工程となるキュア工程において、接着シート１１ａと液状接着用樹脂１１ｂを高温にして硬化させる。なお、液状接着用樹脂１１ｂの粘度を１Ｐａ・ｓ以下とすることにより、時間をかけずにすばやく均一に広がる粘度であり、これ以上粘度が高いと均一に広がるのに時間がかかってしまうからである。これにより、ＬＥＤ５の底面は接着シート１１ａにより、ＬＥＤ５の側面は液状接着用樹脂１１ｂにより夫々固着されているので、ＬＥＤ５の接着性能を低下させることない。さらに、接着シート１１ａがＬＥＤ５のダイボンディング工程の前に貼り付けられているので、ＬＥＤ５の数に合わせて接着剤の塗布する部分を設ける必要がなくなり製造時間を短縮化できる。
【００１５】
次に、点灯された状態でのＬＥＤ５の熱を外部に放出する金属板１２は例えばアルミニウム又はその合金からなる。図１に示すように装置基板２は、照明装置１に必要とされる発光面積を得るために、所定形状例えば四角形状具体的には長方形状をなしている。
【００１６】
各給電端子３，４は、金属層例えば銅の上にＡｕ又はＮｉのめっき層を積層してなり、後述する半導体発光素子列をなしたＬＥＤ列の一端及び他端に電気的に接続されるものであって、装置基板２に設けられている。具体的には、図１に例示したように装置基板２の一辺２ａに寄せて、この一辺２ａが延びる方向に、交互に、かつ、互いに平行に各給電端子３，４が配設されている。
【００１７】
各ＬＥＤ５には例えば窒化物半導体を用いてなるダブルワイヤー型のものが採用されている。これらＬＥＤ５は、例えば図４（Ｂ）に示すようにサファイア等からなる透光性の素子基板１５の一面に半導体発光層１６を積層して形成されている。半導体発光層１６は例えば青色の光を発光する。更に、各ＬＥＤ５は、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように第１の素子電極１７と第２の素子電極１８を有しており、第２の素子電極１８上には例えば半田からなるバンプ１９が予め設けられている。第１の素子電極１７と第２の素子電極１８との内の一方は正極用であり、他方は負極用である。
【００１８】
図１に示すように各ＬＥＤ５は、接着シート１１ａの一面２ｅに縦横に列をなして二次元的に配設されている。各ＬＥＤ５の装置基板２への装着は、透光性の半導体発光層１６が積層された面と平行でかつ半導体発光層１６が積層されていない素子基板１５の他面が接着シート１１ａに接着されることによりなされる。この装着は、例えばバンプ１９を有しない第１の素子電極１７が装置基板２の一辺２ａと平行な他辺２ｂ側に位置されるとともに、バンプ１９を有した第２の素子電極１８が装置基板２の一辺２ａ側に位置されるように、各ＬＥＤ５の向きを揃えてなされている。これによって、各ＬＥＤ５の第１の素子電極１７と第２の素子電極１８とが、次に述べる縦列が延びる方向に交互に並べられるように各ＬＥＤ５が配設されている。
【００１９】
装置基板２の一辺２ａおよび他辺２ｂと直角な辺２ｃ，２ｄが延びる方向に並べられた複数のＬＥＤ５の列（この列を、図１を基準にして便宜上縦列と称する。）内でのＬＥＤ５の配設ピッチＡは、例えば０．５ｍｍ〜４．０ｍｍである。装置基板２の一辺２ａ及び他辺２ｂが延びる方向に並べられた複数のＬＥＤ５の列（この列を、図１を基準にして便宜上横列と称する。）内でのＬＥＤ５の配設ピッチＢは、前記配設ピッチＡ以上である。
【００２０】
各ボンディングワイヤ６，７は、例えばＡｕの線材からなり、その線径は２０μｍ〜３０μｍである。前記縦列をなした各ＬＥＤ５同士はボンディングワイヤ６で接続されている。詳しくは、ボンディングワイヤ６のファーストボンディングされた一端が、縦列が延びる方向に隣接したＬＥＤ５の第１の素子電極１７にボールボンディングにより接続されているとともに、ボンディングワイヤ６のセカンドボンディングされた他端が、前記縦列が延びる方向に隣接したＬＥＤ５の第２の素子電極１８にバンプ１９を介して高周波溶接によるワイヤボンディングで接続されている。ここに、ファーストボンディングとは、セカンドボンディングよりも先行して行われるボンディングを指している。
【００２１】
このようにボンディングワイヤ６で電気的に接続された複数のＬＥＤ５の縦列と、この縦列に対して前記一辺２ａ及び他辺２ｂが延びる方向に隣接して、同じくボンディングワイヤ６で電気的に接続された複数のＬＥＤ５の縦列とは、給電端子３，４と反対側の他辺２ｂに最も近い位置のＬＥＤ５にわたって設けられたボンディングワイヤ７で電気的に接続されている。このボンディングワイヤ７の両端は、他辺２ｂに最も近い位置のＬＥＤ５の第１の素子電極１７にボンディングされている。この接続により、前記一対の縦列は、電気的に直列接続されたＬＥＤ列（半導体発光素子列）をなしている。このようなＬＥＤ列は少なくとも一列あればよいが、本実施形態では図１に示すように５列設けられている。
【００２２】
各ＬＥＤ列の一端に位置されたＬＥＤ５の第２の素子電極１８と、これに近接して配置されている給電端子３とは、これらにわたってボンディングされたボンディングワイヤ８ａにより電気的に接続されている。同様に、各ＬＥＤ列の他端に位置されたＬＥＤ５の第２の素子電極１８と、これに近接して配置されている給電端子４とは、これらにわたってボンディングされたボンディングワイヤ８ｂにより電気的に接続されている。ボンディングワイヤ８ａ，８ｂは、給電端子３，４にファーストボンディングされるとともに、ＬＥＤ５の第２の素子電極１８にセカンドボンディングして設けられている。
【００２３】
以上のボンディングにより設けられた各ボンディングワイヤ６，７，８ａ，８ｂは、図３に示したボンディングワイヤ６で代表するように接着シート１１ａの一面２ｅから遠ざかるように湾曲して設けられている。そして、これらボンディングワイヤ６，７，８ａ，８ｂの内で少なくともボンディングワイヤ６，７のＬＥＤ５の第１の素子電極１７に対するボンディング高さｈ（図３参照）は、５０μｍ以上１５０μｍ以下に設定されている。しかも、この条件を満たしつつ本実施形態ではボンディング高さｈをＬＥＤ５の厚みｈ１以下にしてある。
【００２４】
リフレクタ９は、一個一個又は複数個のＬＥＤ毎に対応して設けられるものではなく、装置基板２上の全てのＬＥＤ５を包囲する単一の枠部材であり、例えば図１に示すように四角い枠形状をなしている。リフレクタ９は、酸化マグネシウム等からなる白色フィラーが混入された合成樹脂で成形されている。図１に示す平面視においてリフレクタ９は、その一部を形成した枠部９ａを、給電端子３，４に交差させて接着シート１１ａの一面２ｅに接着されている。図３に示すリフレクタ９の高さＨの１／２の高さは、ボンディング高さｈとＬＥＤ５の厚みｈ１との合計より高く設定されている。それにより、後述する蛍光体樹脂層１０の注入量のばらつきに拘わらず確実にボンディングワイヤ６，７，８ａ，８ｂが蛍光体樹脂層１０に埋設されるようになっている。
【００２５】
蛍光体樹脂層１０は、リフレクタ９内に略満杯状態に充填されていて、このリフレクタ９に収容された全てのＬＥＤ５及びボンディングワイヤ６，７，８ａ，８ｂ等を封止して、これらを湿気や外気等から保護して照明装置１の寿命低下を防止している。蛍光体樹脂層１０は、透光性材料、例えば透光性樹脂、具体的には熱硬化性のシリコーン樹脂からなる。この蛍光体樹脂層１０は未硬化の液状状態でリフレクタ９内に所定量注入された後に加熱炉で加熱されることにより硬化されて設けられる。
【００２６】
この蛍光体樹脂層１０内には図示しない蛍光体が好ましくは均一に分散された状態に混入されている。蛍光体は、各ＬＥＤ５から放出された光の一部により励起されてＬＥＤ５から放出された光の色とは異なる色の光を放射し、それによって照明装置１から出射される照明光の色を規定するために用いられている。本実施形態では、照明装置１から出射される照明光の色を白色光とするために、各ＬＥＤ５が放出する青色の光に対して補色の関係にある黄色の光を放射する蛍光体が使用されている。
【００２７】
各ＬＥＤ列は、それに接続されている給電端子３，４を通じて給電されることにより発光する。そのため、各ＬＥＤ５から放出される青色の光と、その一部により蛍光体樹脂層１０内で励起された蛍光体から放射された黄色の光とが混合されることにより生成された白色光が、照明装置１から被照明対象に向けて出射される。
【００２８】
前記照明装置１では、ＬＥＤ５が取付けられた接着シート１１ａの一面２ｅから遠ざかるように湾曲して設けられたボンディングワイヤ６，７の両端が、ＬＥＤ列の列が延びる方向に隣接したＬＥＤ５同士の第１の素子電極１７と第２の素子電極１８とにワイヤボンディングにより接続されて、それらのボンディング高さｈを５０μｍ以上１５０μｍ以下としてある。そのため、この照明装置１では、耐久性を得るための蛍光体樹脂層１０でボンディングワイヤ６，７が断線すること等によるＬＥＤ列の点灯不良を抑制できる。
【００２９】
即ち、ボンディング高さｈの上限値が１５０μｍであることに伴い、ボンディングワイヤ６，７を十分に埋設するのに必要な蛍光体樹脂層１０の使用量が削減されて、蛍光体樹脂層１０の厚みを薄くできる。それにより、蛍光体樹脂層１０でＬＥＤ５等を封止する際に、装置基板２側に反ったボンディングワイヤ６，７に作用する未硬化の蛍光体樹脂層１０の重さが軽減されるので、その重さでボンディングワイヤ６，７が装置基板２側に近付くように変形することが抑制される。
【００３０】
このため、ＬＥＤ５の第１の素子電極１７及び第２の素子電極１８に近いボンディングワイヤ６，７の端部に掛かる応力が軽減されるので、特に、第１の素子電極１７に近いボンディングワイヤ６，７の端部がボールボンディングに伴って結晶化して脆くなっている場合にも、この端部での断線を抑制できる。以上のように製造時におけるボンディングワイヤ６，７の断線を抑制できるので、この断線を原因とするＬＥＤ列の点灯不良を抑制できる。
【００３１】
更に、ボンディング高さｈの下限値が５０μｍであることにより、ワイヤボンディングに伴って、ＬＥＤ５の第１の素子電極１７及び第２の素子電極１８に近いボンディングワイヤ６，７の端部が急激に曲げられないようにできるので、ＬＥＤ５の第１の素子電極１７及び第２の素子電極１８に近いボンディングワイヤ６，７の端部に掛かる応力が軽減される。このため、特に、第１の素子電極１７に近いボンディングワイヤ６，７の端部がボールボンディングに伴って結晶化して脆くなっている場合にも、この端部が断線しないようにできる。なお、このようにボンディング高さｈが５０μｍと小さい場合には、ボンディングワイヤ６，７の長さがボンディング高さｈの上限値１５０μｍである場合よりも短くなって、ボンディングワイヤ６，７が強く張られた状態になるので、未硬化の蛍光体樹脂層１０の重さによってボンディングワイヤ６，７が装置基板２側に変形することが抑制される。以上のように製造時におけるボンディングワイヤ６，７の断線を抑制できるので、この断線を原因とするＬＥＤ列の点灯不良を抑制できる。
【００３２】
しかも、既述のようにボンディングワイヤ６，７の端部の応力が軽減されているので、照明装置１の点灯・消灯に伴い蛍光体樹脂層１０が熱膨張・熱収縮して、それに伴う応力がボンディングワイヤ６，７の端部に繰り返し掛かるにも拘らず、それによりボンディングワイヤ６，７が断線することも抑制できる。
【００３３】
又、前記構成の照明装置１は、以上のように設けられたボンディングワイヤ６，７で、ＬＥＤ列が延びる方向に隣接しているＬＥＤ５同士を電気的に直接接続しているので、電気的な中継をするための中継電極としてのパッドを装置基板２上に設ける必要がない。このため、以下の不利な点がない。
【００３４】
即ち、中継電極を設けた構成は、この電極によって接着シート１１ａの一面２ｅでの有効反射面積が減少する、という点で不利である。加えて、中継電極はその表面にＡｕのめっき層を有していることが多く、この場合、中継電極で反射された光が、照明装置１から投射される白色光に混じるので、照明光の色が微妙に変わる可能性がある、という点で不利である。
【００３５】
更に、既述のように中継電極を要しないので、照明装置１の発光量をより多く確保する必要がある場合には、ＬＥＤ５の配設ピッチＡを狭めることが可能である。ちなみに、隣接するＬＥＤ５相互間に中継電極を設けて、この電極にボンディングワイヤをセカンドボンディングして接続して隣接したＬＥＤ５同士を電気的に直列接続する場合、ＬＥＤ５の配設ピッチは１００μｍ以上必要とする。この構成に比較して、発光量が同じである条件では、ＬＥＤ５の配設ピッチＡを狭められる方が照明装置１を小形に構成でき、この逆に装置の大きさを同じとした条件では、ＬＥＤ５の配設ピッチＡを狭められる照明装置１の方がＬＥＤ５の実装密度が高いので、発光量が増えて器具効率を向上できる利点がある。
【００３６】
以上のように中継電極を用いない照明装置１は、そのＬＥＤ５の第２の素子電極１８にボンディングワイヤ６の端部が高周波溶接によるワイヤボンディングで接続される。この接続においては、予め第２の素子電極１８に付着されたバンプ１９を高周波で溶かしてボンディングがなされるので、このボンディングに伴い図示しないボンディングツールによりＬＥＤ５に加えられる圧力は小さい。又、ＬＥＤ５の第１の素子電極１７に対してはボールボンディングによりボンディングワイヤ６が接続されるので、その際に図示しないボンディングツールによりＬＥＤ５に対して加えられる圧力は小さい。したがって、ワイヤボンディングに伴うＬＥＤ５の損傷が抑制されるに伴い、ＬＥＤ５の損傷を原因とするＬＥＤ列の点灯不良を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態に係る照明装置を一部切欠いて示す正面図。
【図２】図１中矢印Ｆ２−Ｆ２線に沿って示す照明装置の断面図。
【図３】図２の一部を拡大して示す断面図。
【図４】（Ａ）は図１の照明装置が備えるＬＥＤチップを示す正面図。（Ｂ）は同ＬＥＤチップを示す側面図。
【符号の説明】
【００３８】
１…照明装置、２…装置基板、２ｅ…接着シートの一面、５…ＬＥＤ（半導体発光素子）、６，７…ボンディングワイヤ、１０…蛍光体樹脂層、１１…樹脂板、１１ａ…第１の接着層、１１ｂ…第２の接着層、１５…素子基板、１６…半導体発光層、１７…第１の素子電極、１８…第２の素子電極、１９…バンプ、ｈ…ボンディング高さ。
【図１】
2009076516.tif 000003
【図２】
2009076516.tif 000004
【図３】
2009076516.tif 000005
【図４】
2009076516.tif 000006