(57)【要約】【課題】低電圧動作において、ＯＬＥＤ素子を駆動するＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのスレッショルド電圧を補償する動作が機能しなくなる現象を対策するとともに、画像のコントラストを向上させる。【解決手段】第１リセットＴＦＴスイッチ５によってＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧Ｖｔｈを補償するリセット動作を行う前に、第２リセットＴＦＴスイッチ６をＯＮして、リセット基準電位をＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートに印加しておく。これによって、電源電圧が低くとも、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３の動作点を安定して設定できる。リセット動作時に、点灯ＴＦＴスイッチ２を閉じてＯＬＥＤ素子１を発光させる必要が無いので、コントラストを向上できる。【選択図】図４
2009139820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力するデータ線と、前記データ線を介して前記画素に入力された画像データを基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する画像表示装置であって、
電源と第１の基準電位との間には、前記電界効果トランジスタと、第１のスイッチと、ＯＬＥＤ素子が直列に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインとゲートの間には、第２のスイッチが接続され、
前記電界効果トランジスタのゲートと、第２の基準電位との間には、第３のスイッチが接続され、
前記電界効果トランジスタのゲートには、容量素子の一方の端子が接続し、前記容量端子の他方の端子は前記データ線と接続することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記電界効果トランジスタ、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第３のスイッチは全て薄膜トランジスタで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記電界効果トランジスタは電源と接続し、前記ＯＬＥＤ素子は第１の基準電位と接続していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記電界効果トランジスタは第１の基準電位と接続し、前記ＯＬＥＤ素子は電源と接続していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１の基準電位と前記第２の基準電位は同一であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。表示装置。
【請求項６】
自発光素子を有する第１の画素と第２の画素を含む複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力するデータ線と、前記データ線を介して前記画素に入力された画像データを基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する画像表示装置であって、
前記第１の画素において、電源と第１の基準電位との間には、前記電界効果トランジスタと、第１のスイッチと、ＯＬＥＤ素子が直列に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインとゲートの間には、第２のスイッチが接続され、
前記電界効果トランジスタのゲートには、第３のスイッチが接続され、前記第３のスイッチは制御線によって制御され、
前記電界効果トランジスタのゲートには、容量素子の一方の端子が接続し、前記容量端子の他方の端子は前記データ線と接続しており、
前記第２の画素は、前記第１の画素と同様な構成を有し、
前記第１の画素の前記第３のスイッチは前記第２の画素の前記制御線と接続し、前記第２の画素の前記第３のスイッチは前記第１の画素の前記制御線と接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記電界効果トランジスタ、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第３のスイッチは全て薄膜トランジスタで形成されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記電界効果トランジスタは電源と接続し、前記ＯＬＥＤ素子は第１の基準電位と接続していることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記電界効果トランジスタは第１の基準電位と接続し、前記ＯＬＥＤ素子は電源と接続していることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力するデータ線と、前記データ線を介して前記画素に入力された画像データを基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する画像表示装置の駆動方法であって、
電源と第１の基準電位との間には、前記電界効果トランジスタと、第１のスイッチと、ＯＬＥＤ素子が直列に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインとゲートの間には、第２のスイッチが接続され、
前記電界効果トランジスタのゲートと、第２の基準電位との間には、第３のスイッチが接続され、
前記電界効果トランジスタのゲートには、容量素子の一方の端子が接続し、前記容量端子の他方の端子は前記データ線と接続され、
１フレーム期間は画素へのデータ書き込み動作の期間と画素の発光の期間に分かれ、
前記書き込み期間において、前記第３のスイッチは、前記容量素子に前記データ線からデータが入力される間は閉じて、前記ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートには前記第２の基準電位が印加され、前記第２のスイッチが閉じているときは、前記第３のスイッチは開いていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記書き込み期間においては、前記第１のスイッチは開いており、前記ＯＬＥＤ素子は発光しないことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記第１の基準電位と前記第２の基準電位とは同一であることを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１３】
自発光素子を有する第１の画素と第２の画素を含む複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力するデータ線と、前記データ線を介して前記画素に入力された画像データを基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する画像表示装置であって、
前記第１の画素において、電源と第１の基準電位との間には、前記電界効果トランジスタと、第１のスイッチと、ＯＬＥＤ素子が直列に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインとゲートの間には、第２のスイッチが接続され、
前記電界効果トランジスタのゲートには、第３のスイッチが接続され、前記第３のスイッチは制御線によって制御され、
前記電界効果トランジスタのゲートには、容量素子の一方の端子が接続し、前記容量端子の他方の端子は前記データ線と接続しており、
前記第２の画素は、前記第１の画素と同様な構成を有し、
前記第１の画素の前記第３のスイッチは前記第２の画素の前記制御線と接続し、前記第２の画素の前記第３のスイッチは前記第１の画素の前記制御線と接続しており、
１フレーム期間は画素へのデータ書き込み動作の期間と画素の発光の期間に分かれ、
前記書き込み期間において、前記第１の画素においては、前記第３のスイッチは、前記容量素子に前記データ線からデータが入力される間は閉じて、前記ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに前記第２の画素の前記制御線のＯＦＦ電位が供給され、前記第２のスイッチが閉じているときは、前記第３のスイッチは開いており、
前記第２の画素においては、前記第３のスイッチは、前記容量素子に前記データ線からデータが入力される間は閉じて、前記ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに前記第１の画素の前記制御線のＯＦＦ電位が供給され、前記第２のスイッチが閉じているときは、前記第３のスイッチは開いていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記書き込み期間においては、前記第１の画素、および、前記第２の画素ともに、前記第１のスイッチは開いており、前記ＯＬＥＤ素子は発光しないことを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像表示装置に係り、特に画素間の階調表示のばらつきが小さく、かつ、コントラストの優れた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置と比較して、自発光型であるのでバックライトが不要である、応答時間が数マイクロ秒と短く、動画特性がすぐれている、発光に必要な電圧が１０Ｖ以下と低く、消費電力を小さくできる可能性がある等の特徴がある。また、プラズマ表示装置やＦＥＤ表示装置と比較して、真空構造が不要であり、軽量化、薄型化に適している、等の特徴がある。
【０００３】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いる有機ＥＬ表示装置はコントラスト等、画質の面で優れているが、階調表示をする際は、各ＴＦＴの特性のばらつきに影響されて、表示特性にばらつきが出る。これを対策する従来技術の一例として、「特許文献１」に記載されているような技術がある。図１１および図１２は「特許文献１」に記載されている技術である。
【０００４】
図１１は「特許文献１」に記載されている画素部分の駆動回路である。図１１において、電源線５１からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、点灯ＴＦＴスイッチ２、有機ＥＬ発光素子（ＯＬＥＤ素子１）が直列に接続され、ＯＬＥＤ素子１の一端は基準電位に接続されている。ここで、基準電位は表示装置の基準となる電位であり、アース電位を含んだ広い概念である。ＯＬＥＤ素子１に流れる電流を制御することによってＯＬＥＤ素子１の発光を制御し、画像が形成される。ＯＬＥＤ素子１に電流を流すか否かは点灯ＴＦＴスイッチ２によって制御される。
【０００５】
ＯＬＥＤ素子１からの発光強度の階調はデータ線５０からの信号に応じてＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３によって制御される。すなわち、データ線５０からの信号はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートと接続する容量素子４に蓄えられ、この容量素子４の電位に応じてＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に流れる電流が制御されることによって階調表示を行う。しかし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３は製造ばらつきによってスレッショルド電圧Ｖｔｈのばらつきが大きい。このＶｔｈのばらつきを補償するために、短期間ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に電流を流すとともに、リセットＴＦＴスイッチ５をＯＮする。そうすると、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧Ｖ１０はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧Ｖｔｈを加味した値に設定され、ＯＬＥＤ素子は画像信号に忠実な発光を行う。
【０００６】
図１２は図１１の駆動回路を駆動するタイミングチャートである。この駆動回路は図１２の上部に示すように、１フレームを前半の書き込み動作期間と後半の発光期間とに分けている。書き込み動作期間は各画素に階調信号を書き込む。図１２における書き込み動作位置は、走査線順にデータが書き込まれていく様子を示す。図１２の下部は一画素の書き込みのタイミングを示す。図１２において、まずリセットＴＦＴスイッチ５をＯＮして図１１に示すＶ１０とＶ１２を強制的にショートさせる。次に点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＮするとＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に電流が流れる。点灯ＴＦＴスイッチ２とリセットＴＦＴスイッチ５が同時にＯＮする時間は図１２に示すｔｃである。ｔｃが十分長ければＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧Ｖ１０はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧Ｖ１０とドレイン電圧１２の特性曲線とＶ１０＝Ｖ１２の直線の交点の値に収束する。
【０００７】
ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのスレッショルド電圧Ｖｔｈのばらつきを対策した他の技術としては、「特許文献２」を挙げることが出来る。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１２２３０１号公報
【特許文献２】特開２００３−５７０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上に述べた従来技術においては、駆動トランジスタの動作点は、駆動トランジスタの電圧―電流特性とＯＬＥＤ素子特性の電圧―電流特性の交点に設定される。しかし、このような動作は消費電力の低減等のために電源電圧を下げる場合は、後に説明するように、動作点が不安定になる。また、動作点を設定するために、短時間ではあるが、ＯＬＥＤ素子に電流を流す必要あり、この期間はＯＬＥＤ素子が発光する。この発光は画像形成とは関係の無い発光であるので、コントラストを低下させる。以下にこの問題点を説明する。
【００１０】
図１３は図１１に示したと同じ従来例による画素回路であるが、説明を簡単にするために、ＴＦＴで形成されたスイッチは電界効果トランジスタの記号ではなく、スイッチ記号で表現している。ただし、これらのスイッチには事実上はＴＦＴスイッチが使用されるので、ＴＦＴスイッチと呼ぶ。
【００１１】
図１３において、画素１０の中に、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３と、点灯ＴＦＴスイッチ３と、ＯＬＥＤ素子１が直列に接続されている。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレインとゲートの間にはリセットＴＦＴスイッチ５が設置されている。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートには一方の端子がデータ線と接続した容量素子４が接続している。リセットＴＦＴスイッチ５はリセット制御線ＲＥＳによって制御され、点灯ＴＦＴスイッチ２は点灯制御線ＩＬＭによって制御される。
【００１２】
図１４は書込み動作のタイミングチャートを表すもので、従来例の図１２に対応する。図１２に記載した従来例でのリセトスイッチは、映像データの供給とともにＯＮされているが、図１４では、リセットスイッチの動作を制御するリセット制御線ＲＥＳは映像データ供給後ＯＮして、リセットスイッチをＯＮしている。いずれの場合も動作可能である。
【００１３】
図１４において、リセット制御線ＲＥＳはリセットＴＦＴスイッチ５の動作を制御し、ＲＥＳがＯＮであれば、リセットＴＦＴスイッチ５はＯＮである。点灯ＴＦＴスイッチ制御線ＩＬＭは点灯ＴＦＴスイッチ２の動作を制御し、ＩＬＭがＯＮであれば、点灯ＴＦＴスイッチ２がＯＮであることを示す。ＲＳＥＬがＯＮであれば赤画素が選択されることと示し、ＧＳＥＬがＯＮであれば、緑画素が選択されることを示し、ＢＳＥＬがＯＮであれば、青画素が選択されることを示す。1ラインが選択されると、先ず、赤画素に映像データが供給され、次に緑画素に映像データが供給され、次に、青画素に映像データが供給される。
【００１４】
この状態で、図１３に示すデータ線５０、すなわち、容量素子４の１端子は映像データに対応する電位となる。その後、リセットＴＦＴスイッチ５をＯＮし、同時に、点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＮするとＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、点灯ＴＦＴスイッチ２、ＯＬＥＤ素子１に電流が流れ、また、点灯ＴＦＴスイッチ２を通して容量素子４に電流が流れ、容量素子４の他の端子を所定の電位とする。これをリセット動作という。リセットＴＦＴスイッチ５と点灯ＴＦＴスイッチ２が同時にＯＮになっている時間にリセット動作が行われる。この動作は別な言い方をすると、容量素子４に蓄えられていた前のフレームにおける映像データ対応する電荷を、点灯スイッチをＯＮすることによってアースあるいは基準電位に逃がす動作である。
【００１５】
図１５はこの状態を示すものである。図１５（ａ）は、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートとドレインを接続するリセットＴＦＴスイッチ５がＯＮとなっており、かつ、点灯ＴＦＴスイッチ２もＯＮとなっている状態である。この状態では、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートとドレインはリセットＴＦＴスイッチ５によってショートされているために、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３はダイオードとなっている。また、点灯ＴＦＴスイッチ２はＯＮとなっているので、ショートの状態である。
【００１６】
この様子を示したものが、図１５（ｂ）である。図１５（ｂ）ではダイオードが2個、直列に接続された状態となっている。図１５（ａ）よび図１５（ｂ）に示すＡ点が容量素子４の他の端子の電位となり、このＡ点の電位と信号線５０の電位との電位差に応じた電荷が容量素子４に蓄積されることになる。したがって、Ａ点の電位の決まり方が重要である。
【００１７】
図１６は通常状態におけるＡ点の電位の決まり方を示す。図１６において、ＴＲはＯＬＥＤ駆動ＴＦＴの特性曲線であり、ダイオードを形成しているＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのソース、ドレイン間電圧と、電流の関係を示している。図１６におけるＯＬＥＤは、ダイオードを形成しているＯＬＥＤ素子の端子間電圧と電流の関係を示している。図１５のＡ点は図１６における曲線ＴＲと曲線ＯＬＥＤの交点に設定される。
【００１８】
なお、図１６において、Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）はダイオードを形成しているＯＬＥＤに電流が流れ出す電圧を、Ｖｔｈ（ｔｒ）はダイオードを形成しているＯＬＥＤ駆動ＴＦＴに電流が流れ出す電圧である。また、ＶｏｌｅｄはＯＬＥＤ素子の陽極電圧である。図１６に示すように、Ｖｏｌｅｄ―Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）―Ｖｔｈ（ｔｒ）＝Ｖ（Ａ）であり、Ｖ（Ａ）はある範囲を持っている。したがって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴの特性がばらついたような場合でも、図１５に示すＡ点の電位を安定して設定することが出来る。
【００１９】
ところが、有機ＥＬ表示装置の消費電力を低減するために、電源電圧、すなわち、Ｖｏｌｅｄの陽極電圧を低下させたような場合は問題が生ずる。この問題を説明したものが、図１７である。図１７は図１６に比べて、ＯＬＥＤ素子の陽極電圧Ｖｏｌｅｄが低くなっている。一方、ＯＬＥＤ素子およびＯＬＥＤ駆動ＴＦＴに同じ特性の素子を使用すれば、Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）およびＶｔｈ（ｔｒ）は図１６と同じである。その結果、Ｖｏｌｅｄ―Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）―Ｖｔｈ（ｔｒ）が負になってしまう場合がある。この場合は、図１７に示すように、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴの特性曲線とＯＬＥＤ素子の特性曲線の交点が生じない。したがって、図１５の動作点Ａの電位が定まらないという現象を生ずる。これは、階調表示が正確に出来ないということを意味する。
【００２０】
従来例における他の問題点は、図１４に示すリセット動作において、点灯ＴＦＴスイッチに電流を流して、容量素子に前のフレーム時に蓄えられていた電荷を逃がす動作を行うが、このときに、ＯＬＥＤ素子が発光すると言うことである。説明した従来例の動作では、書込み期間は黒表示であり、発光期間において、各画素が映像データの応じた発光を行なうことによって画像を形成する。
【００２１】
書込み期間にリセットのためにＯＬＥＤ素子で発光する光は画像形成とは関係が無い。したがって、書込み時にＯＬＥＤ素子から発光する光は画像のコントラストを低下させることになる。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は以上のべた課題を解決するものであり、第２の基準電位を設定し、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートと第２の基準電位との間に、スイッチ手段を設置し、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのリセット動作前に前記スイッチ手段を閉じて、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに第２基準電位を供給することによって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電位の設定を確実に行うようにしたものである。
【００２３】
また、このような構成とすることによって、リセット動作時にＯＬＥＤ素子に電流を流す必要が無い。したがって、書き込み期間は完全な黒表示となって画像のコントラストが上昇する。具体的な手段は次のとおりである。
【００２４】
（１）自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力するデータ線と、前記データ線を介して前記画素に入力された画像データを基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する画像表示装置であって、電源と第１の基準電位との間には、前記電界効果トランジスタと、第１のスイッチと、ＯＬＥＤ素子が直列に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインとゲートの間には、第２のスイッチが接続され、前記電界効果トランジスタのゲートと、第２の基準電位との間には、第３のスイッチが接続され、前記電界効果トランジスタのゲートには、容量素子の一方の端子が接続し、前記容量端子の他方の端子は前記データ線と接続することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００２５】
（２）前記電界効果トランジスタ、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第３のスイッチは全て薄膜トランジスタで形成されていることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２６】
（３）前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記電界効果トランジスタは電源と接続し、前記ＯＬＥＤ素子は第１の基準電位と接続していることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２７】
（４）前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記電界効果トランジスタは第１の基準電位と接続し、前記ＯＬＥＤ素子は電源と接続していることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２８】
（５）前記第１の基準電位と前記第２の基準電位は同一であることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。表示装置。
【００２９】
（６）自発光素子を有する第１の画素と第２の画素を含む複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力するデータ線と、前記データ線を介して前記画素に入力された画像データを基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する画像表示装置であって、
前記第１の画素において、電源と第１の基準電位との間には、前記電界効果トランジスタと、第１のスイッチと、ＯＬＥＤ素子が直列に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインとゲートの間には、第２のスイッチが接続され、前記電界効果トランジスタのゲートには、第３のスイッチが接続され、前記第３のスイッチは制御線によって制御され、前記電界効果トランジスタのゲートには、容量素子の一方の端子が接続し、前記容量端子の他方の端子は前記データ線と接続しており、前記第２の画素は、前記第１の画素と同様な構成を有し、
前記第１の画素の前記第３のスイッチは前記第２の画素の前記制御線と接続し、前記第２の画素の前記第３のスイッチは前記第１の画素の前記制御線と接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００３０】
（７）前記電界効果トランジスタ、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第３のスイッチは全て薄膜トランジスタで形成されていることを特徴とする（６）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００３１】
（８）前記電界効果トランジスタはＰ型であり、前記電界効果トランジスタは電源と接続し、前記ＯＬＥＤ素子は第１の基準電位と接続していることを特徴とする（６）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００３２】
（９）前記電界効果トランジスタはＮ型であり、前記電界効果トランジスタは第１の基準電位と接続し、前記ＯＬＥＤ素子は電源と接続していることを特徴とする（６）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００３３】
（１０）自発光素子を有する複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力するデータ線と、前記データ線を介して前記画素に入力された画像データを基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する画像表示装置の駆動方法であって、電源と第１の基準電位との間には、前記電界効果トランジスタと、第１のスイッチと、ＯＬＥＤ素子が直列に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインとゲートの間には、第２のスイッチが接続され、前記電界効果トランジスタのゲートと、第２の基準電位との間には、第３のスイッチが接続され、前記電界効果トランジスタのゲートには、容量素子の一方の端子が接続し、前記容量端子の他方の端子は前記データ線と接続され、１フレーム期間は画素へのデータ書き込み動作の期間と画素の発光の期間に分かれ、前記書き込み期間において、前記第３のスイッチは、前記容量素子に前記データ線からデータが入力される間は閉じて、前記ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートには前記第２の基準電位が印加され、前記第２のスイッチが閉じているときは、前記第３のスイッチは開いていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【００３４】
（１１）前記書き込み期間においては、前記第１のスイッチは開いており、前記ＯＬＥＤ素子は発光しないことを特徴とする（１０）に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【００３５】
（１２）前記第１の基準電位と前記第２の基準電位とは同一であることを特徴とする（１０）に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【００３６】
（１３）自発光素子を有する第１の画素と第２の画素を含む複数の画素によって構成される表示部と、前記画素領域に画像データ信号を入力するデータ線と、前記データ線を介して前記画素に入力された画像データを基に、前記自発光素子を駆動するための電界効果トランジスタを有する画像表示装置であって、
前記第１の画素において、電源と第１の基準電位との間には、前記電界効果トランジスタと、第１のスイッチと、ＯＬＥＤ素子が直列に接続され、前記電界効果トランジスタのドレインとゲートの間には、第２のスイッチが接続され、
前記電界効果トランジスタのゲートには、第３のスイッチが接続され、前記第３のスイッチは制御線によって制御され、前記電界効果トランジスタのゲートには、容量素子の一方の端子が接続し、前記容量端子の他方の端子は前記データ線と接続しており、前記第２の画素は、前記第１の画素と同様な構成を有し、前記第１の画素の前記第３のスイッチは前記第２の画素の前記制御線と接続し、前記第２の画素の前記第３のスイッチは前記第１の画素の前記制御線と接続しており、１フレーム期間は画素へのデータ書き込み動作の期間と画素の発光の期間に分かれ、前記書き込み期間において、前記第１の画素においては、前記第３のスイッチは、前記容量素子に前記データ線からデータが入力される間は閉じて、前記ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに前記第２の画素の前記制御線のＯＦＦ電位が供給され、前記第２のスイッチが閉じているときは、前記第３のスイッチは開いており、前記第２の画素においては、前記第３のスイッチは、前記容量素子に前記データ線からデータが入力される間は閉じて、前記ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲートに前記第１の画素の前記制御線のＯＦＦ電位が供給され、前記第２のスイッチが閉じているときは、前記第３のスイッチは開いていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【００３７】
（１４）前記書き込み期間においては、前記第１の画素、および、前記第２の画素ともに、前記第１のスイッチは開いており、前記ＯＬＥＤ素子は発光しないことを特徴とする（１３）に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【発明の効果】
【００３８】
本発明を用いることによって有機ＥＬ表示装置の駆動電源を低下させた場合であっても、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのＶｔｈのばらつきを補償しつつ、かつ、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴの動作点を安定させることが出来る。有機ＥＬ表示装置の駆動電源を低下させることが出来れば、消費電力を低下させることが出来る。
【００３９】
また、本発明によれば、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのＶｔｈのばらつきを補償するリセット動作時にＯＬＥＤ素子を点灯する必要が無くなるので、画像のコントラストを上げることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
実施例にしたがって、本発明の詳細な内容を開示する。
【実施例１】
【００４１】
図１は本発明が適用される有機ＥＬ表示装置１００の外観模式図である。図１において、有機ＥＬ表示パネル１１０には、ドライバＩＣ１５０およびフレキシブル配線基板１６０が設置されている。有機ＥＬ表示パネル１１０の表示部１２０には画素回路および有機ＥＬ発光層を有する多くの画素がマトリクス状に形成されている。表示部の左側には、走査回路１３０が形成されている。この走査回路１３０は、表示部１２０の画素回路と同様に、ＴＦＴで形成されている。
【００４２】
表示装置の下側にはセレクタ１４０が形成されている。このセレク１４０は、１フレームにおいて、書込み時と発光時を選択したり、ドライバＩＣ１５０から供給される、書込み時の映像データを、赤画素、緑画素、青画素に分配したりする機能を有する。有機ＥＬ表示パネル１１０の下側にはフレキシブル配線基板１６０がとりつけられており、このフレキシブル配線基板１６０から、映像データ、電源等を供給する。
【００４３】
図２は本実施例における有機ＥＬ表示装置の駆動方法である。画像の単位はフレームによって形成されるが、本実施例では１フレームをデータ書込み期間と発光期間と帰線期間に分けている。帰線期間に、ＯＬＥＤ素子１の特性の変化の検出等の動作を行う。しかし、帰線期間は短いので、１フレームの前半は書込み期間で、後半は発光期間と考えてよい。
【００４４】
前半の書込み期間の間は、ＯＬＥＤ素子１は発光せず、黒表示である。しかし、従来は、書込み期間においても、各画素のリセット動作のために、ＯＬＥＤ素子１を短期間ではあるが発光させていた。この発光は画像とは関係がないので、コントラストを低下させていた。本実施例では後で説明するようにこの問題を対策している。
【００４５】
１フレームの前半で書込みを終えた後、後半に全画素を各画素に蓄えられた映像データに応じて発光させ、画像を形成する。このように、本方式では、画像の表示期間と黒表示が交互に形成される。有機ＥＬ表示装置はいわゆるホールド型の表示方式である。ホールド型の表示は、ＣＲＴのようなインパルス型の表示と異なり、動画特性に難点がある。しかし、図２に示すような表示方式では、画像と画像の間に黒表示を含むために、動画特性が大きく改善されるという利点がある。
【００４６】
図３は図１に示すセレクタの詳細図である。本実施例では、先に説明したように、１フレームを２つに分けて、フレームの前半で各画素に対しして映像データを書き込む。図３に示すセレクト線ＳＥＬはフレームの前半の書込み動作と発光動作を分けるものである。すなわち、フレームの前半の書込み期間においては、セレクトスイッチＳＥＬをＯＦＦしておく。
【００４７】
書込みが終わった後のフレームの後半において、セレクトスイッチＳＥＬをＯＮし、三角波入力線２００から、スイープ信号ＳＷＥＥＰを印加する。スイープ信号は三角波である。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３はＰ型のＴＦＴであれば、三角波は下に凸の波形となる。一方、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３がＮ型のＴＦＴであれば、三角波は上に凸の波形となる。３角波が各画素に加えられることによって、各画素が発光する期間は、各画素の容量素子４に蓄積された電荷に対応することになり、階調を反映した画像が形成されることになる。
【００４８】
次に各画素への書込み動作について説明する。図３において、各画素に書込みを行なう期間は、セレクトスイッチＳＥＬはＯＦＦとなっている。図３において、データ線５０が縦方向に延在し、横方向に配列している。このデータ線５０は横方向のサブピクセル数存在している。映像データは図２に示すデジタルーアナログコンバータＤＡＣを通して供給される。赤、緑、青の映像信号は一度に供給されるのではなく、赤データ、緑データ、青データというように、時間差を持ってデータ線５０に供給される。この時間差によるデータ信号の供給は、赤セレクト線ＲＳＥＬ、緑セレクト線ＧＳＥＬ、青セレクト線ＢＳＥＬによって制御される。すなわち、赤画素に対する映像データが供給されている間は、赤セレクトスイッチはＯＮとなっているが、緑セレクトスイッチおよび青セレクトスイッチはＯＦＦになっている。緑画素、青画素への映像データの供給も同様である。
【００４９】
図４は本実施例における画素回路である。図４においては、スイッチ記号が使用されているが、このスイッチは全てＴＦＴによって形成されている。したがって、本実施例ではこれらのスイッチをＴＦＴスイッチと呼ぶ。また、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３および、他のＴＦＴスイッチは全て電界効果トランジスタである。図４において、画素１０中に、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、点灯ＴＦＴスイッチ２、ＯＬＥＤ素子１が直列に接続されている。ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレインとゲートの間には第１リセットＴＦＴスイッチ５が接続されている。容量素子４がデータ線５０とＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートの間に存在している。この容量素子４に映像データに応じた電荷が蓄積される。第１リセット制御線ＲＥＳ１は第１リセットＴＦＴスイッチ５を制御し、第２リセット制御線ＲＥＳ２は第２リセットＴＦＴスイッチ５を制御する。また、点灯制御線ＩＬＭは点灯ＴＦＴスイッチ２を制御する。
【００５０】
図４の回路の特徴は、図１３に示す従来例の画素回路に比較して、第２リセットＴＦＴスイッチ６を設け、これをＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートとリセット基準電位Ｖｓｓ２の間に接続している点である。そして、リセット動作において、この第２リセットＴＦＴスイッチ６を通してリセット基準電位Ｖｓｓ２がＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートに供給される。第１リセットＴＦＴスイッチは第１リセット制御線によって制御され、第２リセットＴＦＴスイッチは第２リセット制御線によって制御される。
【００５１】
図５および図６は図４に示す画素回路の動作を示す図である。図５は、１ラインの書込み動作を示すタイミングチャートである。図５において、前半の期間Ａは映像信号を取り込む期間である。図５の期間Ａにおいて、ＲＳＥＬに示すパルスは、図３に示す、赤セレクトスイッチをＯＮして赤データ信号を取り込んでいることを示し、ＧＳＥＬに示すパルスは緑セレクトスイッチをＯＮして緑データ信号を取り込んでいることを示してしる。ＢＳＥＬのパルスも同様である。
【００５２】
赤、緑、青のデータを取り込んでいる期間Ａにおいては、第２リセット制御線ＲＥＳ２は第２リセットＴＦＴスイッチ６をＯＮとしている。一方第１リセット制御線ＲＥＳ１は第１リセットＴＦＴスイッチをオフとしている。また、点灯制御線ＩＬＭは点灯ＴＦＴスイッチをＯＦＦとしている。したがって、リセット基準電圧Ｖｓｓ２がＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートに印加されることになる。この状態を図６（ａ）に示す。図６（ａ）に示すように、期間Ａにおいて、映像データに対応した電荷が容量素子４に蓄積されることになる。
【００５３】
その後、第２リセットＴＦＴスイッチ６をＯＦＦして期間Ａを終了する。この状態で、容量素子４に蓄積された映像データに基づく電荷は保持される。この様子を図６（ｂ）に示す。図６（ｂ）に示すように、この状態では、第１リセットＴＦＴスイッチ５、第２リセットＴＦＴスイッチ６、点灯ＴＦＴスイッチ２は全てＯＦＦとなっている。この状態は、図５における、期間Ｂにおいて、第１リセットＴＦＴスイッチ５がＯＮになるまで、短期間であるが、続く。
【００５４】
次に図５の期間Ｂにおいて、第１リセットＴＦＴスイッチ５をＯＮする。そうすると、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３はダイオードとなるので、電源Ｖｏｌｅｄから、リセット基準電位Ｖｓｓ２となっているＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートに向かって電流が流れる。この電流は、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位がＶｏｌｅｄ―Ｖｔｈになるまで流れる。ここで、Ｖｏｌｅｄは電源電圧で、ＶｔｈはＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧である。そして、この電流が流れ終わったあと、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位あるいはこれと接続した容量素子４の端子は電位はＶｏｌｅｄ―Ｖｔｈに設定される。この様子を図６（ｃ）に示す。
【００５５】
このような動作によって、容量素子４に蓄積された電荷は、映像データとＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧を反映したものとなる。したがって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧のばらつきは補償され、正確な階調表示が可能になる。
【００５６】
図７は以上のリセット動作におけるＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３の特性を示すものである。図７において、縦軸はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレイン電流、横軸はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位である。ここで、図７の横軸がゼロということは、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電圧がリセット基準電位Ｖｓｓ２になっているということである。
【００５７】
図７において、図５における期間Ａが終了し、期間Ｂにおいて第１リセットＴＦＴスイッチ５がＯＮした時点でＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に電流が流れ始める。電流が流れて容量素子４が充電されるにしたがって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位が上昇して、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレイン電流が減少する。そして、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位がＶｏｌｅｄ―Ｖｔｈ（ｔｒ）になった時点でＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレイン電流がゼロになる。この時点で図５における期間Ｂも終了する。
【００５８】
図７において、電源電圧はＶｏｌｅｄである。図７からわかるように、本実施例が動作するための条件は、電源電圧Ｖｏｌｅｄよりも、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のＶｔｈ（ｔｒ）が小さいことである。この条件は、従来例の動作条件である、Ｖｏｌｅｄ―Ｖｔｈ（ｔｒ）−Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）＞０に比べて、ＯＬＥＤ素子１のＶｔｈ（ｏｌｅｄ）分余裕が出ることになる。したがって、本実施例では従来例に比べて動作の安定性は大幅に向上することになる。
【００５９】
以上説明したリセット動作において、点灯ＴＦＴスイッチ２は常にＯＦＦの状態である。すなわち、本実施例においては、リセット動作中はＯＬＥＤ素子１は発光しない。すなわち、書込み動作時においては、完全な黒表示となっており、従来例に比べてコントラスが向上する。
【００６０】
以上のようにして、１フレームの前半において、表示領域の画素全体に映像データを書き込んだあと、１フレームの後半において、発光動作を行う。すなわち、図８に示すように、１フレームの後半においては、図３における赤セレクトスイッチＲＳＥＬ、緑セレクトスイッチＧＳＥＬ、青セレクトスイッチＢＳＥＬをＯＦＦとし、セレクトスイッチＳＥＬをＯＮする。同時に図３における三角波入力線２００から、図８のＳＷＥＥＰで示される三角波を入力する。本実施例においては、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３はＰ型であるから、三角波は下に凸の波形となる。この三角波は、各画素に蓄えられた電荷に応じて、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３を点灯させ、映像データに応じた画像を形成することが出来る。
【００６１】
以上の説明はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３がＰ型であるとして説明をした。しかし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３がＮ型の場合も同様にして本実施例を適用することが出来る。Ｐ型のＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３を使用している図４においては、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３は電源側に接続し、ＯＬＥＤ素子１は基準電位側に接続され、点灯ＴＦＴスイッチ２はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３とＯＬＥＤ素子１の間に接続されている。しかし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３をＮ型とする場合は、ＯＬＥＤ素子１を電源側、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３を基準電位側に接続し、ＯＬＥＤ素子１とＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３の間に点灯ＴＦＴスイッチ２を接続するのが良い。また、この場合も第１リセットＴＦＴスイッチ５はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートとＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレインの間に接続することは言うまでも無い。
【実施例２】
【００６２】
図９は本発明の第２の実施例による画素回路である。実施例１においては、リセット基準電位Ｖｓｓ２を別途用意して、このリセット基準電位Ｖｓｓ２を第２リセットＴＦＴスイッチ６を介してＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートに供給している。したがって、リセット基準電位Ｖｓｓ２、および、リセット基準電位用の配線が必要となり、有機ＥＬ表示装置の製造コストを押し上げる。
【００６３】
本実施例はこれを対策するものであって、リセット基準電位を別途設けず、リセット基準電位はＯＬＥＤ素子１の基準電位と共用している。図９において、第２リセットＴＦＴスイッチ６の一端はＯＬＥＤ素子１の基準電位と接続している。また、第２リセットＴＦＴスイッチ６の他の端子はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートと接続している。その他の構成は図４と同様である。
【００６４】
図９の動作において、図５に示す期間Ａにおいて、第２リセットＴＦＴスイッチ６をＯＮすると、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートにはＯＬＥＤ素子１の基準電圧が印加される。この状態で、赤画素データ、緑画素データ、青画素データが順番に容量素子４に書き込まれる。その後の期間Ｂにおける動作は実施例１で説明したのと同様である。
【００６５】
以上の説明はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３がＰ型であるとして説明をした。しかし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３がＮ型の場合も同様にして本実施例を適用することが出来る。Ｐ型のＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３を使用している図９においては、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３は電源側に接続し、ＯＬＥＤ素子１は基準電位側に接続され、点灯ＴＦＴスイッチ２はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３とＯＬＥＤ素子１の間に接続されている。しかし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３をＮ型とする場合は、ＯＬＥＤ素子１を電源側、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３を基準電位側に接続し、ＯＬＥＤ素子１とＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３の間に点灯ＴＦＴスイッチ２を接続するのが良い。また、この場合も第１リセットＴＦＴスイッチ５はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートとＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレインの間に接続することは言うまでも無い。
【実施例３】
【００６６】
図１０は本発明の第３の実施例を示す画素の回路図である。図１０において、画素１０が縦方向に２個記載されている。各画素１０において、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、第１リセットＴＦＴスイッチ５、第２リセットＴＦＴスイッチ６、点灯ＴＦＴスイッチ２、ＯＬＥＤ素子１、容量素子４の配置および役割は実施例１で説明したのと同様である。また、図１０の回路では、スイッチ素子としては、スイッチ記号のみが記載されているが、これらのスイッチ素子は実際はＴＦＴスイッチで形成されていることも実施例１等と同様である。
【００６７】
図１０の特徴は、第２リセットＴＦＴスイッチ６は一つ上、または一つ下の画素の第２リセット制御線ＲＥＳ２と接続していることである。実施例１および、実施例２と大きく異なるところは、本実施例では、第２リセットＴＦＴスイッチ６は特定の基準線と接続していないということである。
【００６８】
第２リセットＴＦＴスイッチ６のドレインはＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートと接続し、第２リセットＴＦＴスイッチ６のゲートは第２リセット制御線ＲＥＳ２と接続している。第２リセットＴＦＴスイッチ６のソースは実施例１および実施例２では、基準電位に接続しているが、本実施例では、一つ上または一つ下の第２リセット制御線ＲＥＳ２と接続している。
【００６９】
図１０において、上側の画素１０に映像データを書き込んでいると仮定する。図５の期間Ａにおいては、第２リセットＴＦＴスイッチ６をＯＮにして、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートに所定の電位を供給する必要がある。本実施例では第２リセットＴＦＴスイッチ６のソースは下の画素１０の第２リセット制御線ＲＥＳ２と接続している。
【００７０】
ところで、図１０の上側の画素１０の第２リセットＴＦＴスイッチ６がＯＮであるということは、第２リセット制御線ＲＥＳ２がＨｉｇｈになっているということである。また、この状態では下側の第２リセット制御線ＲＥＳ２はＬｏｗの状態となっている。したがって、上側の画素１０においては、図５の期間Ａにおいては、下側の画素１０の第２リセット制御線ＲＥＳ２のＬｏｗの電位が供給されることになる。本実施例では、この第２リセット制御線ＲＥＳ２のＬｏｗになっている状態を基準電位の代わりに使用するものである。
【００７１】
一方、下側の画素１０に対して映像データを書き込む時は、上側の第２リセット制御線ＲＥＳ２を基準データとして使用する。下側の画素１０に映像データを書き込んでいるときは、上側の画素１０のリセット線には、Ｌｏｗの電位が供給されているので、上側の画素１０に映像データを書き込んでいる場合と同じ条件と成る。
【００７２】
このように、本実施例によれば、リセット基準電位のための電源を別途形成する必要はなく、また、リセット基準電位のための配線を形成する必要もない。したがって、本実施例は、高精細画面となって、画素１０のサイズが小さくなった場合に特に効果がある。なお、図１０におけるその他の素子の構成、配置は実施例１と同様である。また、リセット動作も実施例１で説明したのと同じである。
【００７３】
以上の説明はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３がＰ型であるとして説明をした。しかし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３がＮ型の場合も同様にして本実施例を適用することが出来る。Ｐ型のＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３を使用している図１０においては、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３は電源側に接続し、ＯＬＥＤ素子１は基準電位側に接続され、点灯ＴＦＴスイッチ２はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３とＯＬＥＤ素子１の間に接続されている。しかし、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３をＮ型とする場合は、ＯＬＥＤ素子１を電源側、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３を基準電位側に接続し、ＯＬＥＤ素子１とＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３の間に点灯ＴＦＴスイッチ２を接続するのが良い。また、この場合も第１リセットＴＦＴスイッチ５はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲートとＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のドレインの間に接続することは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】有機ＥＬ表示装置の外観図である。
【図２】１フレーム期間の動作説明図である。
【図３】セレクタの構成図である。
【図４】実施例１の画素回路である。
【図５】図４の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】リセット動作を示す模式図である。
【図７】リセット動作におけるＯＬＥＤ駆動ＴＦＴの動作である。
【図８】１フレームにおける発光期間の動作図である。
【図９】実施例２の画素回路である。
【図１０】実施例３の画素回路である。
【図１１】従来例の画素回路である。
【図１２】従来例の画素回路のタイミングチャートである。
【図１３】従来例の簡易画素回路である。
【図１４】図１３の動作を示すタイミングチャートである。
【図１５】リセット動作を示す模式図である。
【図１６】従来例で動作点が設定される例である。
【図１７】従来例で動作点が不安定になる例である。
【符号の説明】
【００７５】
１…ＯＬＥＤ素子、２…点灯ＴＦＴスイッチ、  ３…ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ、  ４…容量素子、  ５…第１リセットＴＦＴスイッチ、  ６…第２リセットスイッチ、  １０…画素、  ５０…データ線、  １００…有機ＥＬ表示装置、  １１０…有機ＥＬ表示パネル、  １２０…表示部、  １３０…走査回路、  １４０…セレクタ、  １５０…ドライバＩＣ、  １６０…フレキシブル配線基板、  ２００…三角波入力線、  ２００…ゲート駆動回路、  ＲＥＳ…リセット制御線、  ＲＥＳ１…第１リセット制御線、  ＲＥＳ２…第２リセット制御線、ＩＬＭ…点灯制御線、  ＳＥＬ…セレクト線、  ＲＳＥＬ…赤セレクト線、  ＧＳＥＬ…緑セレクト線、  ＢＳＥＬ…青セレクト線、  Ｖｓｓ２…リセット基準電圧。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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