(57)【要約】【課題】        基板の交換時のみならず、露光処理中に処理が停止した際にも、最終レンズ面の乾燥を従来よりも減らすか無くし、液体の中に不純物が混入しても、最終レンズ面への付着を従来よりも減らすか無くす液侵式露光装置を提供する。【解決手段】  基板に最も近接した投影光学系の最終レンズ面と前記基板との間に充填される液体を介して前記基板を露光する露光装置であって、基板ステージ上の、前記基板の載置場所とは異なる場所に設けた、凹型の液体容器と、前記容器に液体を供給する液体供給手段と、前記容器から液体を回収する液体回収手段と、を有し、前記基板への露光を行わない場合に前記最終レンズ面を前記容器の液体に浸すことを特徴とする露光装置。【選択図】図１
2009010236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記基板を載置する基板テーブルと、
前記基板テーブルを載置して移動する基板ステージと、を有し、
前記基板に最も近接した前記投影光学系の最終レンズ面と前記基板との間に充填される液体を介して前記基板を露光する露光装置であって、
前記基板ステージ上の、前記基板の載置場所とは異なる場所に設けた、凹型の液体容器と、
前記容器に液体を供給する液体供給手段と、
前記容器から液体を回収する液体回収手段と、
を有し、
前記基板への露光を行わない場合に前記最終レンズ面を前記容器の液体に浸すことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記液体供給手段及び前記液体回収手段が、前記最終レンズ面と前記基板の間への、前記液体の供給と回収を行なうことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記基板ステージの駆動状態を監視する基板ステージ監視部と、
前記基板ステージの駆動を行う基板ステージ駆動部と、
前記マスクを載置したマスクステージの駆動状態を監視するマスクステージ監視部と、
前記マスクステージの駆動を行うマスクステージ駆動部と、
前記液体供給手段および前記液体回収手段の駆動状態を監視する供給回収装置監視部と、
前記液体供給手段および前記液体回収手段の駆動を行う供給回収駆動部と、
前記基板ステージ監視部、前記マスクステージ監視部、前記供給回収装置監視部の計測結果を元に、前記基板ステージ駆動部、前記マスクステージ駆動部、前記供給回収駆動部を制御する制御部と、を有することを特徴とする請求項１または２記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、露光処理中に前記基板ステージが停止した際、前記最終レンズ面が前記容器の上方に位置するように前記基板ステージ駆動部を制御し、
前記容器に対して前記液体を供給し、回収するように前記供給回収駆動部を制御することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記基板の交換時に、前記最終レンズ面が前記容器の上方にくるように前記基板ステージ駆動部を制御し、
前記最終レンズ面が前記容器に対して前記液体を供給し、回収するように前記供給回収駆動部を制御することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該露光した基板を現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路、CCD等の撮像素子、液晶表示素子等のデバイスを製造するためのリソグラフィー工程で用いられ、投影光学系と基板との間の光路中に充填される液体を介して基板を露光する液侵式露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置に要求される解像度が高まるにつれ、露光波長はますます短くなってきている。
従来のものと似た投影光学系を用いながら基板（シリコンウエハ）面を露光する光の波長を実質的に短くし、解像度を向上させる露光装置として、液侵式露光装置が提案されている。
液浸式露光装置においては、基板に最も近接した投影光学系の最終レンズ面である投影光学系終端部と基板との間の少なくとも一部分が、露光中液体で満たされている。
この液体の屈折率をNとすると、液体中での露光光の波長は空気中の1／Nになるため、従来の露光装置の構成を大きく変えることなく解像度を向上させることができる。
【０００３】
液浸式露光装置では、最終レンズ面に付着した液体が乾いた場合、投影光学系の要素であるレンズの表面に乾燥スポットが残る。乾燥スポットは、露光ムラの原因となるから、装置の性能を維持することの障害になる。
このため、液浸式露光装置では、最終レンズ面の乾燥を防止するため、常にレンズを液体に浸しておく必要がある。
そこで特開２００４−２８９１２８号公報（特許文献１）では、基板交換時に最終レンズ面を液体に浸しておくため、基板ステージにシャッタ部材を設けている。
具体的には、基板の交換時に、投影光学系に固定した液体供給系の下にシャッタ部材が位置するように基板ステージを移動し、最終レンズ面とシャッタ部材の間に液体を供給することによりレンズ面を液体に浸している。
【特許文献１】特開２００４−２８９１２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の特開２００４−２８９１２８号公報（特許文献１）に開示された方法では、基板の交換時に液体をレンズとシャッタ部材の間に供給することにより最終レンズ面の乾燥を防いでいる。
しかし、液体の流出による最終レンズ面の乾燥に関しては、基板交換時だけでなく、露光処理中に基板ステージが停止した際にも起こる。
例えば、基板と基板テーブルの間には僅かな隙間が存在するが、基板ステージの停止位置によっては、液体がこの隙間から流出してしまう可能性がある。その結果、レンズが乾燥し、レンズ性能を維持することが困難である。
さらに、漏れた液体により、各ユニットに対し錆や漏電などの弊害を発生させる可能性がある。
また、特開２００４−２８９１２８号公報の方法では、シャッタ部材で閉じ込めた液体に何らかのレジスト等の不純物が含まれる場合、レンズに不純物が付着してしまう可能性がある。
レンズへの不純物の付着は、レンズ性能を維持するために好ましくない。
そこで、本発明は、基板の交換時のみならず、露光処理中に処理が停止した際にも、最終レンズ面の乾燥を従来よりも減らすか無くし、液体の中に不純物が混入しても、最終レンズ面への付着を従来よりも減らすか無くす液侵式露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の露光装置は、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系と、前記基板を載置する基板テーブルと、前記基板テーブルを載置して移動する基板ステージと、を有し、前記基板に最も近接した前記投影光学系の最終レンズ面（最終レンズの光出射側にあり、平面又は曲面より成る屈折面）と前記基板との間に充填される液体を介して前記基板を露光する露光装置であって、記基板ステージ上の前記基板の載置場所とは異なる場所に設けた液体容器と、前記容器に液体を供給する液体供給手段と、前記容器から液体を回収する液体回収手段と、を有し、前記基板への露光を行わない場合に前記最終レンズ面を前記容器の液体に浸すことを特徴とする露光装置（最終レンズの光出射側にあり、平面又は曲面）である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の露光装置によれば、容器に液体を供給する液体供給手段と、前記容器から液体を回収する液体回収手段と、を有し、前記基板への露光を行わない場合に前記最終レンズ面を前記容器の液体に浸す。
このため、基板の交換時のみならず、露光処理中に何らかの理由で処理が停止した際、
液体供給手段と液体回収手段とにより液体を流出させない。
これにより、基板に最も近接した投影光学系のレンズ面の乾燥を防ぎ、レンズの性能を維持する。
また、液体の中に不純物が混入した際、液体供給手段と液体回収手段とにより基板に最も近接した投影光学系のレンズ面に不純物を付着させない。
これにより、レンズの性能を維持する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【０００８】
図１は本発明による液侵式露光装置の構成を示す図である。
本発明の露光装置は、例えば、露光光として紫外光を用い、投影光学系とウェハ等の基板間を液体で満たす液侵法が適用される露光方法、及び露光装置に有用である。
そのような露光装置には、例えば、基板を静止させた状態で該基板にマスクのパターンを投影転写する露光装置や、基板とマスクを同期スキャンしながら該基板に該マスクのパターンをスリット光によりスキャン露光する露光装置が含まれる。
図１において、光源、照明光の形状を整形する可変の視野絞り、およびコンデンサレンズ等を含む照明光学系SLから射出された照明光（不図示）が、マスクR上のスリットの照明領域を均一な照度分布で照明する。
さらに、マスクR上の照明領域内のパターンを、投影光学系ULを介して投影倍率α（例えばα＝1／4）で反転縮小した像が、レジストが塗布された基板W上のスリット上のフィールドに投影露光される。
照明光としては、ArFエキシマレーザやKrFエキシマレーザ、あるいは超高圧水銀ランプの紫外域のg線、i線等の輝線が用いられる。
【０００９】
基板Wに最も近接した投影光学系ULの最終レンズ面である投影光学系終端部104は、投影光学系ULの一部を構成し、例えば、光学素子としてのレンズから成り、最も基板Wに近い位置に配置される部材である。
本実施例の露光装置は、基板Wに最も近接した投影光学系の最終レンズ面投影光学系終端部104と基板Wとの間の少なくとも一部分に充填される液体を介して基板Wを露光する装置である。
マスクRは、マスク保持手段としてのマスクステージRS（あるいはレチクルステージ）上に固定され位置調整される。
マスクステージRSは、投影光学系ULの光軸に垂直な平面内で２次元的に微動してマスクRを位置決めすると共に、基板ステージWSと同期を取りながら走査する。
また、マスクステージRSは走査方向にマスクRのパターン領域の全面が少なくとも照明領域を横切ることが出来るだけのストロークを有している。  
マスクステージ監視部121では、マスクステージRSの位置を常時モニタしており、制御部127に対し、マスクRの位置情報を供給している。
制御部127はその位置情報に基づき、マスクステージ駆動部122を介して、マスクステージRSの位置、および速度を制御している。
【００１０】
基板Wは、基板ステージ上である基板ステージWSの上の基板テーブルWT上に載置される。
つまり、基板テーブルWTは基板Wを載置し、基板ステージWSは基板テーブルWTを載置して移動する装置である。
基板ステージWSにより、基板W上の各ショット領域へステップする動作とスキャンする動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が行われる。
垂直方向への移動やチルト方向への移動も基板ステージWSによって行われる。基板ステージ監視部125では、基板ステージWSの位置情報を常にモニタしており、制御部127に対し、基板WSの位置情報を供給している。
制御部127は、露光処理中に基板ステージWSが停止した際、最終レンズ面である投影光学系終端部104が容器の上方に位置するように基板ステージ駆動部126を制御する。  
さらに、容器である水場301に対して液体を供給し、回収するように供給回収駆動部124を制御する。
制御部127は、その位置情報に基づき、基板ステージ駆動部126を介して、基板ステージWSの位置、および速度を制御している。
制御部127は、基板Wの交換時に、最終レンズ面である投影光学系終端部104が容器である水場301の上方にくるように基板ステージ駆動部126を制御する。
さらに、最終レンズ面である投影光学系終端部104が容器である水場301に対して液体を供給し、回収するように供給回収駆動部124を制御する。
液体を基板W上に供給する液体供給手段であり、かつ、液体を基板W上から回収する液体回収手段である液体供給回収装置101aは、給水管（不図示）から液体である純水の供給を受け、ノズル102aに接続されている。
液体供給手段及び液体回収手段が、最終レンズ面である投影光学系終端部104と基板Wの間への、液体の供給と回収を行なう。
液体供給回収装置101aには、例えば、液体をためるタンク、液体を送り出す圧送装置あるいは液体を回収する吸引装置を含む。ノズルの先端は投影光学系終端部104の下面のエッジ近傍に配置されている。
基板Wが静止した状態、又は移動している状態で、ノズル101aより基板上に、ほぼ一定流量で液体を供給し、ノズル101aや投影光学系終端部104の下面と基板Wの上面に液体を密着させることで十分な液膜103を形成する。また、必要に応じて、ノズル101aより基板W上の液体の回収を行う。
【００１１】
基板ステージ監視部125は、基板ステージWSの駆動状態を監視する部分である。
基板ステージ駆動部126は、基板ステージWSの駆動を行う部分である。
マスクステージ監視部121は、マスクRを載置したマスクステージRSの駆動状態を監視する部分である。
マスクステージ駆動部122は、マスクステージRSの駆動を行う部分である。
供給回収装置監視部123は、液体供給手段および液体回収手段の駆動状態を監視する部分である。
供給回収駆動部124は、液体供給手段および記液体回収手段の駆動を行う部分である。
制御部127は、基板ステージ監視部、マスクステージ監視部、供給回収装置監視部の計測結果を元に、基板ステージ駆動部、マスクステージ駆動部、供給回収駆動部を制御する部分である。
【００１２】
供給回収装置監視部123では、液体供給回収装置101aの稼働状況を常にもモニタしており、制御部127に対し、稼働情報を供給している。
制御部127は、供給回収駆動部124を介して、液体供給回収装置101aを駆動することで、液体の供給、回収を制御している。
液膜103は露光光を吸収することなく透過させなければならず、さらに基板に塗布されているレジストを侵食してはならないので、液膜103を形成する液体として純水を用いている。
液体供給回収装置101b、ノズル102bは、それぞれ液体供給回収装置101a、ノズル102aと同等の働きをするように構成されている。ノズルの先端は、投影光学系ULをはさんでノズルの反対側に配置されている。
供給回収装置監視部123、供給回収駆動部124、制御部127は、液体供給回収装置101a、ノズル102aと同様に、液体供給回収装置101b、ノズル102bの制御を行う。
【００１３】
次に、図２に関して説明する。図２は露光処理中に、何らかの理由で処理が停止した際の、投影光学系終端部104、基板W、基板テーブルWT、液膜103の位置関係を示したものである。
制御手部127は、露光処理中に基板ステージWSが停止した際、基板Wに最も近接した投影光学系ULのレンズ面である投影光学系終端部104が水場上に移動するように基板ステージ駆動部126を制御する。
さらに、制御手部127は、基板Wに最も近接した投影光学系のレンズ面である投影光学系終端部104が水場上に移動した際、液体を供給し、回収するように供給回収駆動部124を制御する。
図２（a）では、基板Wの中央付近を露光中に、処理が停止した場合の位置関係を示している。
このような位置で停止した場合、制御部127が供給回収駆動部124を介し、制御を行うことで、ノズル102aから放出された液体により投影光学系終端部104と基板Wの間に液膜103が形成されるため、レンズの乾燥を防止することができる。
一方、図２（b）では、基板Wの端の露光処理中に、処理が停止した場合の位置関係を示している。
このような位置で停止した場合、基板Wと基板テーブルWTの間に存在する僅かな隙間から液膜103を構成する液体が流出してしまう可能性がある。液体の流出により液膜103が破壊され、レンズの乾燥につながり、レンズ性能を維持するのに有害である。
また、流出した液体は、各ユニットの錆、漏電などの弊害を発生させてしまう可能性がある。
また、制御部127が供給回収駆動部124を介してノズルの制御を行わない場合、液体103に不純物が含まれてしまうとレンズに不純物が付着してしまう可能性がある。
【００１４】
次に、図３に関して説明する。図３は、本発明の水場を詳細に図示したものである。
基板W、基板テーブルWTは基板ステージWS上に配置されており、基板Wは基板テーブルWTに四方を囲まれている。基板交換時に、基板Wと基板テーブルWTが接触することが無いよう、基板Wと基板テーブルWTの間には、僅かな隙間が存在している。
水場301は、基板テーブルWTの隅に配置されており、基板Wと同様に、基板テーブルWTに四方を囲まれている。
水場301は、基板ステージWS上の、基板Wの載置場所とは異なる場所に設けた、凹型の液体容器である。
水場301は、基板テーブルWT上に凹型に形成され、上部に基板Wに最も近接した投影光学系のレンズ面である投影光学系終端部104が存在する場合、凹型の窪みの部分が液体である純水により充填される。
また、水場301には排水溝302が用意されており、水場301の窪みの部分に溜まった液体を排出する際に使用する。
制御部127は基板ステージ駆動部126を介し、基板ステージWSを駆動させることで、水場301、基板テーブルＷＴの位置制御を行う。また、制御部127は、基板ステージWS、基板テーブルＷＴ、水場301の座標を、基板ステージ監視部125を介して取得する。
排水溝302の制御は、制御部127が排水溝駆動部（不図示）を介して行う。
【００１５】
次に、図４に関して説明する。図４は本発明の水場301の上部に、投影光学系終端部104が存在する構成図である。
投影光学系終端部104と水場301の間には、僅かな空間が存在している。水場301は凹型をしており、投影光学系終端部104が水場301の上部に存在する際、水場301の窪み部分の上面が液体で満たされる。
ここで、基板Wへの露光を行わない場合に最終レンズ面である投影光学系終端部104  を容器である水場301の液体に浸す。
制御部127は供給回収駆動部124を介して、液体供給回収装置101aを駆動する。
これにより、ノズル102aより液体が放出され、投影光学系終端部104の下面と水場301の窪みの上面に液膜が形成される。
制御部127は、供給回収装置監視部123を介して、液膜103を構成する液体を監視することで、液体の供給量を調整している。そのため、液膜103が水場301からあふれ出ることは無い。
投影光学系終端部104が水場301から離れる際、制御部127は排水溝駆動部（不図示）を介し、排水溝302を開放することで、水場301上に溜まった液体を排出する。
制御部127は、水場301の上部に投影光学系終端部104が存在する場合、上記に示した処理を行うことで、レンズの乾燥を防いでいる。
また、制御部127は供給回収駆動部124を介して、常に液体の供給と回収を行っている。これにより、液体に仮に不純物が混入していた場合でも、供給と回収を繰り返すことで、投影光学系終端部104のレンズに不純物が付着することを防ぐ。
【００１６】
次に、図5、図6に関して説明する。図5は、露光停止時に、投影光学系終端部104が水場301に移動するまでの流れを図示したものである。
図6は、図5の処理を行う際、制御部127が行う処理フローを示したものである。
制御部127は、基板ステージ監視部125より基板ステージWSの駆動状態、および基板ステージWSの座標、基板テーブルWTの座標、水場301の座標を取得する。
また、制御部127は基板ステージ駆動部126を介して基板ステージWSを駆動することで、基板ステージWS、基板テーブルWT、水場301の位置制御を行う。
制御部127は、供給回収装置監視部123よりノズルの制御状態を取得する。
また、制御部127は供給回収駆動部124を介して、ノズルを用いて液体の供給、回収を制御する。
なお、図5では、ノズル102aが液体の供給501、ノズル102bが液体の回収502となっているが、ノズル102aが液体の回収、ノズル102bが液体の供給を行ってもよい。
また、図５では、供給回収装置監視部123、供給回収駆動部124は、ノズル102aに対する駆動状態の監視、および駆動指令を行っているが、ノズル102bに対しても同様に行う。
【００１７】
図５（a）は、露光処理中に基板ステージWSが停止した時の状態を示したものである。図５（a）は図6の601のプロセスに該当する。
露光処理停止直後は、制御部127は供給回収駆動部124を介して、ノズル102aを使用して液体の供給501、およびノズル102bを使用して液体の回収502を行っている。
露光処理停止後、基板ステージ監視部125は制御部127に対し、基板ステージWSの停止通知を供給する。
図５（b）は、ノズルの制御を停止した時の状態を示したものである。図5（b）は図6の602のプロセスに該当する。
制御部127は、基板ステージ監視部125より基板ステージWSの停止通知を受け取り後、供給回収駆動部124に対し、ノズル102aの液体供給停止指令を送る。
ノズルの制御停止後、供給回収装置監視部123は、制御部127に対し、ノズルの停止通知を供給する。
【００１８】
図5（c）は、水場301の上部に投影光学系終端部104が位置するように、基板ステージWSをXY方向503に移動させる状態を示したものである。図5（c）は図6の603のプロセスに該当する。
制御部127は、供給回収装置監視部123よりノズルの停止通知を受け取り後、水場301の座標、基板ステージWSの座標を元に、基板ステージWSの移動距離を算出する。
その後、制御部127は基板ステージ駆動部126に対しXY座標の移動距離を指定し、基板ステージWSのXY方向503への駆動指令を行う。
基板ステージ監視部125は、制御部127より指定された位置に基板ステージWSが移動後、ステージ駆動完了通知を制御部127に対し供給する。
基板ステージ監視部125よりステージ駆動完了通知を受け取り後、制御部127は基板ステージWSが指定したXY座標に存在しない場合、再度、基板ステージ駆動部126に対し、駆動指令を行う。
【００１９】
図５（d）は、基板ステージWSのXY方向503への移動後、基板ステージWSをZ方向504に移動させる状態を示したものである。図5（ｄ）は図6の604のプロセスに該当する。
制御部127は、基板ステージ監視部125よりXY方向503に関する基板ステージWSの駆動完了通知を受け取り後、水場301の座標、基板ステージWSの座標を元に、基板ステージWSのZ方向504の移動距離を算出する。
制御部127は基板ステージ駆動部126に対し、算出したZ座標の移動距離を指定し、基板ステージWSのZ方向504への駆動指令を行う。
その後の制御部127の処理は、603のプロセスと同様に、基板ステージWSを指定した位置まで移動させる。
【００２０】
図５（e）は、基板ステージWSのZ方向504への移動後、ノズル102aの制御を再開させる状態を示したものである。図5（e）は図6の605のプロセスに該当する。
制御部127は、基板ステージ監視部125よりZ方向504に関する基板ステージの駆動完了通知を受け取り後、供給回収駆動部124を介して、ノズル101a、ノズル101bを使用し液体の供給501、および回収502を行う。
ノズルの制御再開後、制御部127は、供給回収装置監視部123からの情報を元に、供給回収駆動部124に対し、ノズルの制御指令を送る。
以上より、制御部127は、露光処理中に何らかの理由で処理が停止した場合、上記のフローで示した処理を行う。これにより、レンズを常に液膜103に浸すことで、レンズの乾燥を防止する。
なお、図５、図６で示した一連の流れは、露光処理停止時の基板ステージWSの停止位置に関わらず行う。
また、露光処理中だけでなく、基板Wの交換時に関しても、上記のフローで水場301の上部に投影光学系終端部104を移動させ、ノズル102a、102bの制御を行う。
【００２１】
次に、図７、図８に関して説明する。
図7は、露光停止後に処理を再開する際、水場301上にある投影光学系終端部104を、処理停止時の基板Wの位置に戻すまでの流れを図示したものである。
図8は、図7の処理を行う際、制御部127が行う処理フローを示したものである。
制御部127は、基板ステージ監視部125より基板ステージWSの駆動状態、および基板ステージWSの座標、基板テーブルWTの座標、水場301の座標を取得する。
また、制御部127は基板ステージ駆動部126を介して基板ステージWSを駆動することで、基板ステージWS、基板テーブルWT、水場301の位置制御を行う。
制御部127は、供給回収装置監視部123よりノズルの制御状態を取得する。
また、制御部127は供給回収駆動部124を介して、ノズルを用いて液体の供給、回収を制御する。
なお、図７では、ノズル102aが液体の供給501、ノズル102bが液体の回収502となっているが、ノズル102aが液体の回収、ノズル102bが液体の供給を行ってもよい。
また、図７では、供給回収装置監視部123、供給回収駆動部124は、ノズル102aに対する駆動状態の監視、および駆動指令を行っているが、ノズル102bに対しても同様に行う。
【００２２】
図７（a）は、露光処理停止中に、処理再開のためノズル102aの制御を停止した時の状態を示したものである。
制御部127は、処理再開の通知を受け取る。（図８に示されるプロセス801）
その後、制御部127は停止中の処理を再開する際、供給回収駆動部124に対し、ノズル102aの液体供給停止指令を送る。
ノズル102aの制御停止後、供給回収装置監視部123は、制御部127に対し、ノズル102aの停止通知を供給する。（図８に示されるプロセス802）
図７（ｂ）は、ノズル102aの停止後、基板ステージWSをＺ方向701に移動させる状態を示したものである。
図７（ｂ）は、図８に示される803のプロセスに該当する。
制御部127は、供給回収装置監視部123より、ノズル102aの停止通知受け取り後、水場301の座標、基板ステージWSの座標を元に、基板ステージWSのＺ方向701の移動距離を算出する。
その後、制御部127は基板ステージ駆動部125に対し、算出されたＺ座標の移動距離を指定し、基板ステージWSのＺ方向701への駆動指令を行う。
基板ステージ監視部125は、制御部127により指定された位置に基板ステージWSが移動後、ステージ駆動完了通知を制御部127に対し供給する。
基板ステージ監視部125よりステージ駆動完了通知受け取り後、制御部127は基板ステージWSが指定したＺ座標に位置していない場合、再度、基板ステージ駆動部126に対し、駆動指令を行う。
【００２３】
図７（c）は、基板ステージWSのＺ方向701への移動完了後、基板ステージWSを露光処理停止時の位置に移動させる状態を示したものである。図７（c）は、図8に示される804のプロセスに該当する。
制御部127は、基板ステージ監視部125よりＺ方向701に関する基板ステージWSの駆動完了通知を受け取り後、基板ステージWSの現在の座標、露光処理停止時の基板ステージWSの座標を元に、基板ステージWSのＸＹ方向703の移動距離を算出する。
制御部127は、基板ステージ駆動部126に対し、算出されたＸＹ座標の移動距離を指定し、基板ステージWSのＸＹ方向703の駆動指令を行う。
その後の制御部127の処理は、プロセス803と同様に、基板ステージWSを指定した位置まで移動させる。
ここで、図８に示されるプロセス805に関して説明する。
プロセス805は、水場301に溜まった液体103を、排水溝302を用いて排出する処理であり、図８に示されるプロセス804と並行して行われる。
制御部127は、排水溝駆動部（不図示）を介して、排水溝302に対し開放通知を送る。これにより、排水溝302から液体を流出702させることで、水場301上に溜まった液体を排出することができる。
【００２４】
図７（d）は、基板ステージWSがプロセス803で示した位置への移動後、ノズル102aの制御を再開させる状態を示したものである。図７（d）は図８に示されるプロセス８０６に該当する。
制御部127は、基板ステージ監視部125よりＸＹ方向に関する基板ステージWSの駆動完了通知を受け取り後、供給回収駆動部124を介して、ノズル101a、ノズル101bを使用し液体の供給501、および回収502を行う。
ノズル101aの制御再開後、制御部127は、供給回収装置監視部123からの情報を元に、供給回収駆動部124に対し、ノズル102aの制御指令を送る。
以上より、制御部127は、上記に示したフローで、基板ステージWS、およびノズル101aの制御を行うことで、露光処理の再開を行う。
【００２５】
なお、図７、図８で示した一連の流れは、露光処理停止後の再開に関するものだけでなく、基板の交換時に関しても同じである。
具体的には、基板交換後、投影光学系終端部104を水場301から基板W上に位置するよう基板ステージWSを駆動する処理に関しても、図７、図８で示した一連の処理の流れで行う。
制御部127は、基板Wの交換時に、基板Wに最も近接した投影光学系のレンズ面である投影光学系終端部104が水場上に移動するように基板ステージ駆動部126を制御する。
さらに、制御部127は、基板Wに最も近接した投影光学系ULのレンズ面である投影光学系終端部104が水場上に移動した際、液体を供給し、回収するように供給回収駆動部124を制御する。
露光処理中に何らかの理由で基板ステージWSが停止した場合、図２（ｂ）に示したように、基板ステージの停止位置によっては、基板Wと基板テーブルWTの僅かな隙間から液体が流出し、レンズが乾燥してしまう可能性がある。
本実施例では、図３と図４で示したような水場301を基板ステージWS上に用意し、基板ステージWSが露光処理中に停止した際、図５と図６に示したような処理を行い、レンズを常に液膜103に浸すことで、レンズの乾燥を防止する。
また、水場301上では常にノズル101aの制御を行っているため、仮に液膜に何らかの不純物が混入した場合でも、レンズへの不純物の付着を防ぐことができる。
処理再開時は、図７と図８に示したような処理を行うことで、基板ステージWSを停止前の位置に戻すことができる。
【００２６】
次に、図９及び図１０を参照して、前述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図９は、デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。
ここでは、半導体デバイスの製造を例に説明する。
ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。
ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。
ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。
ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。
ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２７】
図１０は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ１６（露光）では、前述の露光装置によってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例１の露光装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例１において露光が何らかの理由で停止した際の、投影光学系終端部、基板、基板テーブル、液膜の位置関係の説明図である。
【図３】本発明の実施例１の水場の説明図である。
【図４】本発明の実施例１の水場上に投影光学系終端部が存在した場合の説明図である。
【図５】本発明の実施例１の露光停止時に、投影光学系終端部が水場上に移動するまでの流れの説明図である。
【図６】図５に示した処理を行う場合の制御部の処理フロー図である。
【図７】本発明の実施例１の露光停止後に処理を再開する際、水場上にある投影光学系終端部を、処理停止時の位置に戻すまでの流れを示した図である。
【図８】図７に示した処理を行う場合の制御部の処理フローを示したものである。
【図９】デバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図９のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００２９】
SL      照明光学系
R       マスク
RS      マスクステージ
UL      投影光学系
W       基板
WT      基板テーブル
WS      基板ステージ
101a    液体供給回収装置
101b    液体供給回収装置
102a    ノズル
102b    ノズル
103     液膜
104     投影光学系終端部
301     水場
302     排水溝
【図１】
2009010236.tif 000003
【図２】
2009010236.tif 000004
【図３】
2009010236.tif 000005
【図４】
2009010236.tif 000006
【図５】
2009010236.tif 000007
【図６】
2009010236.tif 000008
【図７】
2009010236.tif 000009
【図８】
2009010236.tif 000010
【図９】
2009010236.tif 000011
【図１０】
2009010236.tif 000012