(57)【要約】      （修正有）【課題】露光装置の光学系の状態を測定可能な露光装置検査用マスク、及び製造プロセスを効率化させた露光装置検査用マスクの製造方法を提供する。【解決手段】検査用マスク２０は、回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる第１〜第４非対称回折格子パターン２００Ａ〜２００Ｄを設ける。非対称回折格子領域２００Ａは、透過基板２１と、透過基板２１上に選択的かつ所定ピッチで周期的に配置された半透過性の複数のハーフトーン膜２２と、ハーフトーン膜２２のそれぞれに形成された複数の遮光膜２３とを備える。ハーフトーン膜２２は、透過基板２１のみを通過する第１の光の位相と、ハーフトーン膜２２及び透過基板２１を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されている。【選択図】図２
2009175587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域を設けた露光装置検査用マスクであって、
前記非対称回折格子領域は、
透過基板と、
前記透過基板上に選択的かつ所定ピッチで周期的に配置された半透過性の位相シフタ膜と、
当該位相シフタ膜上に選択的に且つ前記所定のピッチで周期的に配置された遮光膜と
を備え、
前記位相シフタ膜は、
前記透過基板のみを通過する第１の光の位相と、前記位相シフタ膜及び前記透過基板を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されている
ことを特徴とする露光装置検査用マスク。
【請求項２】
前記所定のピッチの長さをｐ、前記位相シフタ膜が表面に露出する領域のピッチ方向の長さをａ、前記透過基板が表面に露出する領域のピッチ方向の長さをｂ、前記位相差をφ、前記位相シフタ膜の振幅透過率をｔ、α＝ａ／ｐ、β＝ｂ／ｐとした場合、
【数１】
2009175587.tif 000007
【数２】
2009175587.tif 000008
を満たすことを特徴とする請求項１記載の露光装置検査用マスク。
【請求項３】
透過基板上に回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域を設けた露光装置検査用マスクの製造方法であって、
前記透過基板上に半透過性の位相シフタ膜を形成する工程と、
前記位相シフタ膜上に遮光膜を形成する工程と、
選択的かつ所定ピッチで周期的に前記位相シフタ膜及び前記遮光膜が共に除去された第１領域を形成する工程と、
選択的かつ所定ピッチで周期的に前記遮光膜が除去され前記位相シフタ膜が残存する第２領域を形成する工程と
を備え、
前記位相シフタ膜は、前記第１領域を通過する第１の光の位相と、前記第２領域を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成される
ことを特徴とする露光装置検査用マスクの製造方法。
【請求項４】
透過基板上にデバイスパターンの露光に用いられるデバイスパターン領域、及び回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域を設けた露光装置検査用マスクの製造方法であって、
前記透過基板上に半透過性であり且つ第１厚さを有する位相シフタ膜を形成する工程と、
前記位相シフタ膜上に遮光膜を形成する工程と、
前記非対称回折格子領域にて選択的かつ所定ピッチで周期的に前記遮光膜を除去する工程と、
前記非対称回折格子領域の前記遮光膜を除去した箇所にて前記位相シフタ膜を第２厚さとする工程と、
前記デバイスパターン領域及び前記非対称回折格子領域にて選択的かつ所定ピッチで周期的に前記位相シフタ膜及び前記遮光膜を共に除去する工程と、
前記非対称回折格子領域にて前記遮光膜を除去する工程と
を備え、
前記第１厚さは、前記デバイスパターン領域における前記透過基板のみを通過する第１の光の位相と、前記デバイスパターン領域における前記透過基板及び前記位相シフタ膜を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）となるような厚さであり、
前記第２厚さは、前記非対称回折格子領域における前記透過基板のみを通過する第３の光の位相と、前記非対称回折格子領域における前記透過基板及び前記位相シフタ膜を通過する第４の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成される
ことを特徴とする露光装置検査用マスクの製造方法。
【請求項５】
透過基板上にデバイスパターンの露光に用いられるデバイスパターン領域、及び回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域を設けた露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法であって、
前記デバイスパターン領域及び前記非対称回折格子領域を露光して基板上に投影する工程と、
前記基板上に投影された前記非対称回折格子領域の露光によるフォーカスパターンを撮像する工程と、
撮像された前記フォーカスパターンに基づき前記基板に投影する投影光学系の状態に関する情報を取得する工程と、
前記情報に基づき前記投影光学系の状態を補正する工程と
を備えることを特徴とする露光装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体リソグラフィ工程に用いられる露光装置検査用マスク、その製造方法、及び露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の光リソグラフィ工程において、投影露光装置（ステッパー）を用いて、微細なレジストパターンを形成する場合には、露光装置の光学系の状態、特に露光装置の焦点位置（フォーカス位置）が適正な状態に設定されていなければならない。露光装置の焦点位置が適正な状態に設定されていなければ、いわゆるフォーカスぼけ状態になり易く、所望の微細パターンを形成することが困難となる。特に、近年、転写パターンのさらなる微細化が進み、露光装置の焦点位置の設定精度が非常に重要となっている。
【０００３】
このため、焦点位置を正確に合わせる方法として、例えば露光による転写パターンから露光装置の焦点位置を正確にモニタリングしようとする等の各種技術が開発されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、プラスの回折光とマイナスの回折光の強度が異なる、回折効率が非対称な回折格子（フォーカスマーク）を用いて、露光装置のフォーカス誤差を測定する手法が提案されている。
【０００５】
上記特許文献１においては、フォトマスク基板を掘り込んで位相シフト領域を形成する、所謂、掘り込み型の位相シフト膜が記載されている。一方、一般に半導体デバイス製造に用いられるフォトマスクは、振幅変調型の位相シフトマスク、所謂、ハーフトーン型位相シフトマスクが多い。更に、特許文献２においては、ハーフトーン型位相シフトマスクと前述のフォーカスモニタとを同一のマスクに設置する方法が提案されている。
【０００６】
特許文献１、２に示すようなハーフトーン型位相シフトマスクと堀り込み型の位相シフト膜とを同一のマスク上に形成することは、フォトマスク製造工程における工程数が増え、フォトマスクの高価格化を招く。
【０００７】
また、特許文献１及び特許文献２のマスクの製造は、マスクに垂直入射する照明光による露光が必要となる。一般に半導体デバイスの製造に用いる露光装置は四重極照明等の斜入射照明を用いている。このため、半導体デバイス製造のための露光工程と、フォーカスマークによるフォーカス位置の設定とを別々の照明光により行う必要が生じ、フォーカス位置の正確な特定が困難になる。
【特許文献１】特開２００２−５５４３５号公報
【特許文献２】特開２００５−７０６７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、コスト増を回避しつつフォーカス位置を正確に特定することを可能とする露光装置検査用マスク、その製造方法、及び露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る第１の露光装置検査用マスクは、回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域を設けた露光装置検査用マスクであって、前記非対称回折格子領域は、透過基板と、前記透過基板上に選択的かつ所定ピッチで周期的に配置された半透過性の位相シフタ膜と、当該位相シフタ膜上に選択的に且つ前記所定のピッチで周期的に配置された遮光膜とを備え、前記位相シフタ膜は、前記透過基板のみを通過する第１の光の位相と、前記位相シフタ膜及び前記透過基板を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一態様に係る第１の露光装置検査用マスクの製造方法は、透過基板上に回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域を設けた露光装置検査用マスクの製造方法であって、前記透過基板上に半透過性の位相シフタ膜を形成する工程と、前記位相シフタ膜上に遮光膜を形成する工程と、選択的かつ所定ピッチで周期的に前記位相シフタ膜及び前記遮光膜が共に除去された第１領域を形成する工程と、選択的かつ所定ピッチで周期的に前記遮光膜が除去され前記位相シフタ膜が残存する第２領域を形成する工程とを備え、前記位相シフタ膜は、前記第１領域を通過する第１の光の位相と、前記第２領域を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されることを特徴とする。
【００１１】
本発明の一態様に係る第２の露光装置検査用マスクの製造方法は、透過基板上にデバイスパターンの露光に用いられるデバイスパターン領域、及び回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域を設けた露光装置検査用マスクの製造方法であって、前記透過基板上に半透過性であり且つ第１厚さを有する位相シフタ膜を形成する工程と、前記位相シフタ膜上に遮光膜を形成する工程と、前記非対称回折格子領域にて選択的かつ所定ピッチで周期的に前記遮光膜を除去する工程と、前記非対称回折格子領域の前記遮光膜を除去した箇所にて前記位相シフタ膜を第２厚さとする工程と、前記デバイスパターン領域及び前記非対称回折格子領域にて選択的かつ所定ピッチで周期的に前記位相シフタ膜及び前記遮光膜を共に除去する工程と、前記非対称回折格子領域にて前記遮光膜を除去する工程とを備え、前記第１厚さは、前記デバイスパターン領域における前記透過基板のみを通過する第１の光の位相と、前記デバイスパターン領域における前記透過基板及び前記位相シフタ膜を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）となるような厚さであり、前記第２厚さは、前記非対称回折格子領域における前記透過基板のみを通過する第３の光の位相と、前記非対称回折格子領域における前記透過基板及び前記位相シフタ膜を通過する第４の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様に係る露光装置の検査方法は、透過基板上にデバイスパターンの露光に用いられるデバイスパターン領域、及び回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域を設けた露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法であって、前記デバイスパターン領域及び前記非対称回折格子領域を露光して基板上に投影する工程と、前記基板上に投影された前記非対称回折格子領域の露光によるフォーカスパターンを撮像する工程と、撮像された前記フォーカスパターンに基づき前記基板に投影する投影光学系の状態に関する情報を取得する工程と、前記情報に基づき前記投影光学系の状態を補正する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、コスト増を回避しつつフォーカス位置を正確に特定することを可能とする露光装置検査用マスク、その製造方法、及び露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明に係る露光装置検査用マスク、その製造方法、及び露光装置検査用マスクを用いた露光装置の検査方法について説明する。
【００１５】
［第１実施形態］
先ず、図１を参照して、本発明の第１実施形態に係る露光装置１０を説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る露光装置１０の概略図を示す。図１に示すように、第１実施形態に係る露光装置１０は、主として、光源光学系１２と、照明光学系１３と、フォトマスクステージ１４と、投影光学系１５と、ウェーハステージ１６と、駆動機構１７と、制御部１８とを備えている。
【００１６】
光源光学系１２は、光源を有する。光源光学系１２は、照明光学系１３の二次光源面１３ａの２つの位置に異なる方向からの斜入射の光束を照射するように構成されている。換言すると、光源光学系１２は、二次光源面１３ａに二重極照明を照射するように構成されている。
【００１７】
照明光学系１３を透過した照明光は、光軸ｈを中心として、フォトマスクステージ１４、及び投影光学系１５を介して、ウェーハステージ１６に達する。
【００１８】
フォトマスクステージ１４は、ウェーハＷの露光に用いる露光用パターンを有するフォトマスク、照明光学系１３及び投影光学系１５の状態の検査に用いる検査用パターンを有するフォトマスクを載置可能に構成されている。また、フォトマスクステージ１４には、露光用パターン及び検査用パターンを有するフォトマスクも載置可能である。以下、検査用パターンを有するフォトマスクを、検査用マスク２０と称する。
【００１９】
ウェーハステージ１６は、ウェーハＷを載置可能に構成されている。また、ウェーハステージ１６には、ウェーハＷに結像されたフォーカスパターン（像）を撮像する撮像部（ＣＣＤカメラ等）１６ａが設けられている。
【００２０】
駆動機構１７は、ウェーハステージ１６を露光用光源１１に対して前後動させるように構成されている。また、駆動機構１７は、ウェーハステージ１６を光軸ｈから離間した位置まで移動可能に構成されている。
【００２１】
制御部１８は、撮像部１６ａにて撮像されたフォーカスパターンに基づき投影光学系１５のフォーカスずれを算出するように構成されている。そして、制御部１８は、検査用マスク２０によるフォーカスパターンに基づき駆動機構１７の駆動を制御するように構成されている。
【００２２】
上記露光装置１０において、例えば、照明光学系１３は、１９３ｎｍの波長の光を照射し、これに対応して、投影光学系１５は、ＮＡ値＝０．８５となるように形成されている。
【００２３】
また、第１実施形態に係る露光装置１０は、次の３つ条件を満たすように構成されている。
【００２４】
（１）検査用マスク２０を透過した±１次回折光の一方が消滅していること。
【００２５】
（２）検査用マスク２０を透過した回折光のうち、２光束だけが投影光学系１５の瞳１５ａを透過する。
【００２６】
（３）検査用マスク２０を透過した０次回折光と、＋１回折光（或いは−１次回折光）が、投影光学系１５の瞳１５ａに対して非対称に照射される。
【００２７】
ここで、露光波長をλ、投影光学系１５の開口数をＮＡ、検査用マスク２０のピッチをｐ（図３参照）、照明光学系１３の二次光源面１３ａの中心から照明極（光が照射される領域）の中心までの距離をσｃ（後述する図５Ａ（ａ）又は図５Ｂ（ａ）参照）、照明極の半径をσｒ（後述する図５Ａ（ａ）又は図５Ｂ（ａ）参照）としたとき、上記条件は、次の（式１）で表される。
【００２８】
【数１】
2009175587.tif 000003
【００２９】
次に、図２〜図４を参照して、検査用マスク２０の構成について説明する。図２は、検査用マスク２０の上面概略図であり、図３は、図２の一部拡大図であり、図４は、検査用マスク２０の側面概略図である。図２〜図４に示すように、検査用マスク２０は、透明なマスク基板上に回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる第１〜第４非対称回折格子パターン２００Ａ〜２００Ｄを設けている。
【００３０】
第１〜第４非対称回折格子パターン２００Ａ〜２００Ｄは、光を透過させる透過基板２１と、その透過基板２１の表面に形成された光の位相をシフトさせるハーフトーン膜（位相シフト膜）２２と、ハーフトーン膜２２の表面に形成された光を遮光する遮光膜２３とから構成されている。例えば、透過基板２１は、石英から構成され、ハーフトーン膜２２は、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）から構成され、遮光膜２３は、クロム（Ｃｒ）から構成されている。
【００３１】
ハーフトーン膜２２は、透過基板２１のみを通過する第１の光の位相と、ハーフトーン膜２２及び透過基板２１を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されている。例えば、ハーフトーン膜２２は、振幅透過率が０．４９５であり、３５ｎｍの厚みをもって形成されている。
【００３２】
図２に示すように、第１非対称回折格子パターン２００Ａ及び第４非対称回折格子パターン２００Ｄは、上面から見た場合、図２の左から右へと向かって、透過基板２１、ハーフトーン膜２２、遮光膜２３がその順で周期的に現れるように形成されている。また、第２非対称回折格子パターン２００Ｂ及び第３非対称回折格子パターン２００Ｃは、上面から見た場合、図２の左から右へと向かって、透過基板２１、遮光膜２３、ハーフトーン膜２２がその順で周期的に現れるように形成されている。つまり、第２非対称回折格子パターン２００Ｂは、第１非対称回折パターン２００Ａと鏡面対称の関係にある。また、第４非対称回折格子パターン２００Ｄは、第３非対称回折パターン２００Ｃと鏡面対称の関係にある。
【００３３】
各ハーフトーン膜２２及び遮光膜２３の端部は、所定ピッチｐにて揃えて周期的に配置されている（図３参照）。また、各ハーフトーン膜２２は、ピッチ方向に長さＬ１（ただし、Ｌ１＜ｐ）を有し、各遮光膜２３は、ピッチ方向に長さＬ２（ただし、Ｌ２＜Ｌ１）を有する。換言すると、透過基板２１及びハーフトーン膜２２からなる領域（以下、ハーフトーン領域）Ａ１のピッチ方向の長さは、ａ（ただし、ａ＝Ｌ１−Ｌ２）である。また、透過基板２１からなる領域（以下、透過領域）Ａ２のピッチ方向の長さは、ｂ（ただし、ｂ＝ｐ−Ｌ１）である。
【００３４】
ここで、α＝ａ／ｐ、β＝ｂ／ｐと、検査用マスク２０におけるハーフトーン領域Ａ１の透過領域Ａ２に対する位相差をφ、振幅透過率をｔとする。検査用マスク２０は、下記の（式２）、及び（式３）を満たすように構成されている。
【００３５】
【数２】
2009175587.tif 000004
【００３６】
【数３】
2009175587.tif 000005
【００３７】
例えば、上記数式を満たす条件として、ａ＝ｐ／２、ｂ＝ｐ／３、ｔ＝０．７０７、φ＝±７５度があげられる。検査用マスク２０は、上記（式２）、及び（式３）を満たすように構成されている。このように構成されていると、検査マスク２０は、±１次回折光のいずれか一方を消滅させる。
【００３８】
次に、図５Ａ及び図５Ｂを参照して、照明光学系１３の二次光源面１３ａと投影光学系１５の瞳１５ａに照射される光の分布、及び検査用マスク２０による光の回折について説明する。
【００３９】
照明光学系１３の二次光源面１３ａには、二重極照明が形成される。図５Ａ、５Ｂは、二次光源面１３ａに形成される二重極照明（２つの光束）のうち、各々、一つの光束のみを示している。つまり、実際に二次光源面１３ａ、検査用マスク２０、投影光学系１５の瞳１５ａに照射される光は、図５Ａ及び図５Ｂに示す光束を重ねたものとなる。
【００４０】
図５Ａは、二次光源面１３ａに入射された第１方向からの斜入射の照明光を示している。第１方向の斜入射の照明光は、照明光学系１３の二次光源面１３ａの中心から所定距離離間した位置Ｐ２に照射される（図５Ａ（ａ）参照）。続いて、照明光学系１３からの照明光は、検査用マスク２０の直交方向から所定角度＋θの角度をもって、検査用マスク２０に斜入射される。ここで、検査用マスク２０において回折された光は、＋１次回折光を除去したものとなる。０次回折光は、検査用マスク２０の直交方向から所定角度−θの方向にすすみ、−１次回折光は、検査用マスク２０の直交方向から角度−２θの方向に進む（図５Ａ（ｂ）参照）。そして、検査用マスク２０からの０次回折光のみが、投影光学系１５の瞳１５ａの所定位置Ｐ２（０）に照射される（図５Ａ（ｃ）参照）。つまり、投影光学系１５の瞳１５ａには、０次回折光のみが照射されるので、ウェーハＷ上に干渉縞が形成されることはない。
【００４１】
図５Ｂは、二次光源面１３ａに入射された第２方向からの斜入射の照明光を示している。第２方向の斜入射の照明光は、照明光学系１３の二次光源面１３ａの中心から所定距離離間した位置Ｐ３に照射される（図５Ｂ（ａ）参照）。なお、第２方向の斜入射の照明光は、図５Ａの場合と比較して中心から対称の位置に照射される。続いて、照明光学系１３からの照明光は、検査用マスク２０の直交方向から所定角度−θの角度をもって検査用マスク２０に斜入射される。ここで、検査用マスク２０において回折された光は、＋１次回折光を除去したものとなる。０次回折光は、検査用マスク２０の直交方向から所定角度＋θの方向にすすみ、−１次回折光は、検査用マスク２０の直交方向に進む。そして、検査用マスク２０からの０次回折光及び−１次回折光が、投影光学系１５の瞳１５ａの所定位置Ｐ３（０）、Ｐ３（−１）に照射される（図５Ｂ（ｃ）参照）。つまり、投影光学系１５の瞳１５ａには、０次回折光及び−１次回折光が照射されるので、ウェーハＷ上に干渉縞が形成される。
【００４２】
以上のように二次光源面１３ａに照射される第１方向からの照明光は、ウェーハＷ上に干渉縞を生じさせることはない。一方、二次光源面１３ａに照射される第２方向からの照明光は、ウェーハＷ上に干渉縞を生じさせる。したがって、それら第１方向からの照明光及び第２方向からの照明光をあわせた光によって、ウェーハＷ上に干渉縞が形成される。
【００４３】
ここで、露光装置１０の構成に応じて、図５Ｃ（ａ）に示すように、二次光源面１３ａ上の照明極Ｑ２，Ｑ３は、円形状ではなく、扇形状等、その他任意の形状となる。このような場合、図５Ｃ（ｂ）に示すように、照明極Ｑ２、Ｑ３を内包する仮想的な円Ｑａ２，Ｑａ３を想定する。そして、円Ｑａ２，Ｑａ３を用いて、上記（式１）における照明極の半径σｒを定義する。
【００４４】
続いて、図６を参照して、検査用マスク２０を介してウェーハＷ上に投影されるフォーカスパターンを説明する。図６は、ウェーハＷ上に投影されるフォーカスパターンの概略を説明する図である。図６は、３つの異なる第１〜第３フォーカスオフセット量δｆ１〜δｆ３を与えた状態にて測定されたものである。なお、フォーカスオフセット量とは、ウェーハＷ上にて焦点の合った位置からずらした量を意味する。図６においては、第１フォーカスオフセット量δｆ１＜第２フォーカスオフセット量δｆ２＜第３フォーカスオフセット量δｆ３であるものとする。第１フォーカスオフセット量δｆ１にて、図６における左から右へと、第１〜第４フォーカスパターン３１０Ａ〜３１０Ｄが形成される。これら第１〜第４フォーカスパターン３１０Ａ〜３１０Ｄは、第１〜第４非対称回折格子パターン２００Ａ〜２００Ｄの回折光により生じたものである。また、同様に、第２及び第３フォーカスオフセット量δｆ２及びδｆ３においても、第１〜第４非対称回折格子パターン２００Ａ〜２００Ｄの回折光により、ウェーハＷ上に、第１〜第４フォーカスパターン３２０Ａ〜３２０Ｄ及び第１〜第４フォーカスパターン３３０Ａ〜３３０Ｄが生じる。
【００４５】
ここで、第１フォーカスオフセット量δｆ１における第１フォーカスパターン３１０Ａの中心線と第２フォーカスパターン３１０Ｂの中心線との間の距離を第１相対距離２δｘ１１とする。また、第２フォーカスオフセット量δｆ２における第１フォーカスパターン３２０Ａの中心線と第２フォーカスパターン３２０Ｂの中心線との間の距離を第２相対距離２δｘ２１とし、第３フォーカスオフセット量δｆ３における第１フォーカスパターン３３０Ａの中心線と第２フォーカスパターン３３０Ｂの中心線との間の距離を第３相対距離２δｘ３１とする。図６を参照すると、これら第１〜第３相対距離２δｘ１１〜２δｘ３１は、第１〜第３フォーカス距離δｆ１〜δｆ３に応じて変化する。
【００４６】
また、同様に、第３フォーカスパターン３１０Ｃ，３２０Ｃ，３３０Ｃと第４フォーカスパターン３１０Ｄ，３２０Ｄ，３３０Ｄとの間の距離である第１〜第３相対距離２δｘ１２〜２δｘ３２は、第１〜第３フォーカスオフセット量δｆ１〜δｆ３に応じて変化する。
【００４７】
図７は、ウェーハＷ上に、各フォーカスパターン３１１Ａ〜３３１Ｄが、ストライプ状ではなく、ブロック状となって観測される場合を示している。このような場合であっても、第１〜第３フォーカスオフセット量δｆ１〜δｆ３における第１〜第３相対距離２δｘ１１〜２δｘ３１、２δｘ１２〜２δｘ３２を観測可能である。
【００４８】
図８は、フォーカスオフセット量δｆに対する相対距離δｘをシミュレーションにより算出した結果を示す図である。図８に示すように、フォーカスオフセット量δｆに相対距離δｘは、比例する。つまり、相対距離δｘを計測することにより、フォーカスオフセット量δｆを求めることができる。
【００４９】
次に、図９〜図１５を参照して、第１実施形態に係る検査用マスク２０の製造工程について説明する。図９〜図１５は、検査用マスク２０の製造工程を示す図である。
【００５０】
先ず、図９に示すように、石英からなる透過基板２１を用意する。続いて、図１０に示すように、ＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）からなるハーフトーン膜２２を透過基板２１上に堆積させる。次に、図１１に示すように、Ｃｒ（クロム）からなる遮光膜２３をハーフトーン膜２２上に堆積させる。ここで、ハーフトーン膜２２は、振幅透過率を０．４９５とし、３５ｎｍの厚さで堆積させる。
【００５１】
続いて、図１２に示すように、遮光膜２３上にピッチ方向に長さＬ１を有して各々ピッチ方向に距離ｂの空隙を設けたレジスト４１を形成する。次に、図１３に示すように、遮光膜２３とハーフトーン膜２２をエッチング除去し、レジスト４１を剥離する。
【００５２】
続いて、図１４に示すように、ピッチ方向に長さＬ２を有して各々ピッチ方向に距離ａ＋ｂの空隙を設けたレジスト４２を形成する。そして、図１５に示すように、遮光膜２３をエッチング除去し、レジスト４２を剥離する。以上の工程を経て、図２〜図４に示す、検査用マスク２０が製造される。
【００５３】
以上のように、第１実施形態に係る検査用マスク２０の製造工程において、ハーフトーン膜２２は、予め、所定の位相差の光を生成する厚みに形成されている。したがって、ハーフトーン膜２２を掘り込む必要はなく、製造プロセスを簡素化し、検査用マスク２０を安価に提供することが可能となる。
【００５４】
また、一回目のエッチング工程（図１３参照）にて、透過基板２１と比較してハーフトーン膜２２のエッチング速度を大きくすると共に、二回目のエッチング工程（図１５参照）にて、ハーフトーン膜と比較して遮光膜２３のエッチング速度を大きくすることにより、更に適切な位置でエッチングを終了させることができる。
【００５５】
また、上記（式２）及び（式３）にしたがって、検査用マスク２０のハーフトーン膜２２及び遮光膜２３の形状を決定しているので、上記のような掘り込みの無い検査用マスク２０であっても、±１次回折光のいずれか一方を消滅させることができる。
【００５６】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る露光装置について説明する。第２実施形態に係る露光装置は、第１実施形態（図１）と略同様である。第２実施形態に係る露光装置は、第１及び第２実施形態と異なる検査用マスク２０ａを有する。また、第２実施形態に係る露光装置においては、制御部１８の動作が第１実施形態と異なる。なお、第３実施形態において、第１及び第２実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５７】
先ず、図１６〜図２０を参照して、検査用マスク２０ａの構成について説明する。図１６は、検査用マスク２０ａの概略上面図であり、図１７は、検査用マスク２０ａの断面図であり、図１８は、図１６のＡ部拡大図である。図１６に示すように、検査用マスク２０ａは、複数の矩形状のデバイスパターン領域２１０と、複数の矩形状のフォーカス調整パターン領域２２０とを有する。
【００５８】
複数のデバイスパターン領域２１０は、ウェーハＷ上にデバイスパターンを露光するために用いられるパターンである。複数のデバイスパターン領域２１０は、上下左右に所定の間隔Ｄを設けて形成されている。これら複数のデバイスパターン領域２１０の間には、半導体製品の製造工程でウェーハの切断線とされるダイシング領域が設けられる。デバイスパターン領域２１０は、図１７に示すように、透過基板２１と、透過基板２１上に形成されたハーフトーン膜２２とから構成されている。デバイスパターン領域２１０において、ハーフトーン膜２２は、所定ピッチｂをもって形成されている。また、デバイスパターン領域２１０において、ハーフトーン膜２２は、透過基板２１のみを通過する光と、透過基板２１とハーフトーン膜２２とを通過する光とが、１８０°の位相差をもつような第１厚さＨを有している（図１７参照）。例えば、第１厚さＨは、７０ｎｍであり、振幅透過率が０．２４５（強度透過率６パーセント）となるように形成されている。なお、第１厚さＨは、透過基板２１のみを通過する第１の光の位相と、透過基板２１及びハーフトーン膜２２を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）となるような厚さであればよい。
【００５９】
複数のフォーカス調整パターン領域２２０は、第１実施形態と同様に、露光装置におけるフォーカス調整に用いられるものである。これら複数のフォーカス調整パターン領域２２０は、各デバイスパターン領域２１０の４角に隣接するダイシング領域内に設けられている。フォーカス調整パターン領域２２０は、透過基板２１と、ハーフトーン膜２２と、遮光膜２３とから構成されている。ただし、フォーカス調整パターン領域２２０において、ハーフトーン膜２２は、第１厚さＨと同様の厚さを有し且つ遮光膜２３が形成された面を有している。また、ハーフトーン膜２２は、透過基板２１のみを通過する光と、透過基板２１とハーフトーン膜２２とを通過する光とが、９０°位相差をもつような第２厚さＨ／２の面を有している（図１７参照）。例えば、第２厚さは、３５ｎｍであり、振幅透過率が０．４９５となるように形成されている。なお、第２厚さＨ／２は、透過基板２１のみを通過する第３の光の位相と、透過基板２１及びハーフトーン膜２２を通過する第４の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さであればよい。
【００６０】
図１８に示すように、フォーカス調整パターン領域２２０は、点Ｃを中心にＸ方向に対向して設けられた一対の第１インナーマークＩＭ１、及び点Ｃを中心にＹ方向（Ｘ方向に直交する方向）に対向して設けられた一対の第２インナーマークＩＭ２を有する。また、フォーカス調整パターン領域２２０は、一対の第１インナー膜ＩＭ１よりも点ＣからＸ方向に離れた位置に設けられた一対の第１アウターマークＯＭ１を有する。また、フォーカス調整パターン領域２２０は、一対の第２インナー膜ＩＭ２よりも点ＣからＹ方向に離れた位置に設けられた一対の第２アウターマークＯＭ２を有する。なお、第１，第２インナーマークＩＭ１，ＩＭ２、及び第１，第２アウターマークＯＭ１，ＯＭ２は、第１実施形態の非対称回折格子パターンに相当する。
【００６１】
次に、図１９及び図２０を参照して、第１，第２インナーマークＩＭ１，ＩＭ２、及び第１，第２アウターマークＯＭ１，ＯＭ２の構成について説明する。図１９及び図２０に示すように、第１，第２インナーマークＩＭ１，ＩＭ２、及び第１，第２アウターマークＯＭ１，ＯＭ２は、表面に透過基板２１、ハーフトーン膜２２、遮光膜２３が繰り返して形成されるように構成されている。なお、図１９及び図２０に示す白抜き矢印は、・・・、透過基板２１、ハーフトーン膜２２、遮光膜２３、透過基板２１、・・・の順に繰り返される方向に矢先を向けるように記載している。
【００６２】
図１９に示すように、一対の第１インナーマークＩＭ１は、Ｘ軸方向に沿って点Ｃへと白抜き矢印の矢先を向けるように形成されている。また、一対の第１アウターマークＯＭ１は、Ｘ軸方向に沿って点Ｃから離れる向きに白抜き矢印の矢先を向けるように形成されている。
【００６３】
図２０に示すように、一対の第２インナーマークＩＭ２は、Ｙ軸方向に沿って点Ｃへと白抜き矢印の矢先を向けるように形成されている。また、一対の第２アウターマークＯＭ２は、Ｙ軸方向に沿って点Ｃから離れる向きに白抜き矢印の矢先を向けるように形成されている。
【００６４】
上記第１インナーマークＩＭ１，第１アウターマークＯＭ１、及び第２インナーマークＩＭ２，第２アウターマークＯＭ２により、Ｘ軸方向と、Ｙ軸方向のフォーカスオフセット量の差、すなわち非点収差を測定することができる。例えば、上記検査用マスク２０ａを用いれば、フォーカスオフセット量の１００ｎｍの変化に対して、相対距離は２７ｎｍに亘って変化する。
【００６５】
次に、図２１を参照して、第２実施形態に係る露光装置の露光動作を説明する。図２１は、露光装置の露光動作を説明するフローチャートである。なお、図２１に示す動作は、露光装置の制御部１８にて制御されている。
【００６６】
図２１に示すように、先ず、制御部１８は、デバイスパターンの露光に適した露光量、及びフォーカス量にてウェーハＷ上にデバイスパターン及びフォーカスパターンを露光する（ステップＳ１０１）。続いて、制御部１８は、ウェーハＷ上のフォーカスパターンを撮像部１６ａにて撮像させる（ステップＳ１０２）。
【００６７】
次に、制御部１８は、撮像したフォーカスパターンに基づきフォーカスオフセット量の経時変化を測定する（ステップＳ１０３）。続いて、制御部１８は、測定したフォーカスオフセット量の経時変化に基づき、投影光学系１５の熱収差パラメータを変更する（ステップＳ１０４）。
【００６８】
次に、制御部１８は、露光動作の終了指示を受け付けたか否かを判断する（ステップＳ１０５）。ここで、制御部１８は、終了指示を受け付けていないと判断すると（ステップＳ１０５、Ｎ）、ウェーハＷの位置を露光用光源１１からの光束の照射位置に対して相対移動させ（ステップＳ１０６）、再びステップＳ１０１〜ステップＳ１０４の動作を実行する。一方、制御部１８は、終了指示を受け付けたと判断すると（ステップＳ１０５、Ｙ）、露光動作を終了する。以上で、露光装置の露光動作を終了する。
【００６９】
次に、図２２〜図２８を参照して、第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を説明する。図２２〜図２８は、第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を示す図である。
【００７０】
図２２に示すように、先ず、第１実施形態の製造工程（図９〜図１１参照）と同様に、透過基板２１上に、ハーフトーン膜２２、さらにその上に、遮光膜２３を形成する。なお、図２２において、ハーフトーン膜２２は、１８０°位相差の回折光を回折するような厚さＨで形成する。
【００７１】
続いて、図２３に示すように、デバイスパターン領域２１０において、遮光膜２３の全域を覆うようにレジスト４３を形成する。また、フォーカス調整パターン領域２２０において、遮光膜２３上にＬ２の幅、ａ＋ｂの間隔をもってレジスト４３を形成する。
【００７２】
次に、図２４に示すように、レジスト４３が形成されていない領域をエッチングする。ここで、エッチングを施したフォーカス調整パターン領域２２０の領域においては、遮光膜２３を除去し、ハーフトーン膜２２が、９０°位相差の回折光を生成する厚さＨ／２となるまで掘り込む。なお、上記エッチングの後、レジスト４３を除去する。
【００７３】
続いて、図２５に示すように、デバイスパターン領域２１０において、遮光膜２３上にｂの幅、ｂの間隔をもってレジスト４４を形成する。また、フォーカス調整パターン領域２２０において、遮光膜２３上及びハーフトーン膜２２上の一部を覆うようにレジスト４４を形成する。換言すると、フォーカス調整パターン領域２２０において、レジスト４４をＬ１の幅（Ｌ２＋ａの幅）でｂの間隔をもって形成する。
【００７４】
次に、図２６に示すように、レジスト４４が形成されていない領域をエッチングする。これにより、デバイスパターン領域２１０において、ｂの幅、ｂの間隔をもって透過基板２１の表面が露出する領域が形成される。また、フォーカス調整パターン領域２２０において、ｂの幅、Ｌ１の間隔をもって透過基板２１の表面が露出する領域が形成される。なお、上記エッチングの後、レジスト４４を除去する。
【００７５】
続いて、図２７に示すように、フォーカス調整パターン領域２２０において、遮光膜２３及びハーフトーン膜２２を覆うようにレジスト４５を形成する。レジスト４５をＬ１の幅で、ｂの間隔を持って形成する。
【００７６】
次に、図２８に示すように、レジスト４５が形成されていない領域をエッチングする。これにより、デバイスパターン領域２１０における遮光膜２３が全て除去される。そして、上記エッチングの後、レジスト４５を除去し、図２０と同様の検査用マスク２０ａが形成される。
【００７７】
上記第２実施形態に係る露光装置の検査用マスク２０ａの製造プロセスによれば、複数のデバイスパターン領域２１０と、フォーカス調整パターン領域２２０とを同一のプロセスで形成することができる。したがって、検査用マスク２０ａの製造の歩留まりを向上させ、安価に検査用マスク２０ａを提供することができる。
【００７８】
また、上記第２実施形態に係る露光装置の露光動作によれば、デバイスパターンの形成と共に一回の露光で照射される領域毎のフォーカスオフセット量を測定することができる。すなわち、デバイスパターンの形成と、フォーカスオフセット量の測定とを別々に露光することなく、１回の露光で行なうことができる。
【００７９】
なお、露光と共にフォーカスオフセット量が変動する現象を引き起こす要因として、投影光学系１５が光照射により加熱され、収差を発生する現象（熱収差）等がある。上記第２実施形態に係る露光装置の露光動作によれば、フォーカスパターンの経時変化に基づき投影光学系１５の熱収差パラメータを変更することにより、熱収差の影響を解消することができる。つまり、第２実施形態に係る露光装置の露光動作によれば、熱収差の影響を解消した、高精度な露光が可能となる。
【００８０】
［第３実施形態］
次に、図２９を参照して、本発明の第３実施形態に係る露光装置１０ａを説明する。図２９は、本発明の第３実施形態に係る露光装置１０ａの概略図を示す。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００８１】
図２９に示すように、第１実施形態に係る透過型に構成された露光装置１０に対して、第３実施形態に係る露光装置１０ａは、反射型に構成されている。第３実施形態に係る露光装置１０ａは、第１実施形態と異なる光源光学系１２ａ、検査用マスク２０ｂ、及び投影光学系１５ｂを有する。第３実施形態に係る露光装置１０ａは、第１実施形態の照明光学系１３の代わりにミラー１３ｂを有する。また、露光装置１０ａは、光源光学系１２ａ及び検査用マスク２０ｂに対応するように、その他構成（フォトマスクステージ１４、投影光学系１５、ウェーハステージ１６など）を配置した点で第１実施形態と異なる。
【００８２】
光源光学系１２ａは、ＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍの光）を照明する。検査用マスク２０ｂは、光源光学系１２ａからの照明光及び検査光を反射させる反射型に構成されている。ミラー１３ｂは、光源光学系１２ａから照射された光を検査用マスク２０ｂの表面に対して所定角度ψで入射するように配置されている。投影光学系１５ｂは、検査用マスク２０ｂからの反射光をウェーハＷに導光するように構成されている。
【００８３】
上記構成を有する第３実施形態に係る露光装置１０ａは、第１実施形態と同様の効果を有する。
【００８４】
以上、本発明の一実施形態を説明してきたが、本発明は、これらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、追加、置換等が可能である。例えば、上記実施形態においては、照明光学系１３及び投影光学系１５は、屈折光学系であったが、照明光学系１３及び投影光学系１５は、反射光学系であってもよい。また、第１実施形態に係る露光装置１０の構成は、二重極照明に限らず、四重極照明に適応させることも可能である。四重極照明の場合、図３０に示すように、二次光源面１３ｃに４つの照明極Ｒ１〜Ｒ４が形成される。
【００８５】
また、上記実施形態においては、以下の（１），（２）の構成も示されている。
【００８６】
（１）デバイスパターンの露光に用いられるデバイスパターン領域２１０、及び回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせるフォーカス調整パターン領域（非対称回折格子領域）２２０を設けた露光装置検査用マスク２０ａであって、デバイスパターン領域２１０は、透過基板２１と、その透過基板２１上に形成された半透過性の複数のハーフトーン膜（第１位相シフタ膜）２２とを備え、フォーカス調整パターン領域２２０は、透過基板２１と、透過基板上に選択的かつ所定ピッチで周期的に配置されたハーフトーン膜２２（第２位相シフタ膜）と、ハーフトーン膜２２のそれぞれに形成された複数の遮光膜２３とを備え、デバイスパターン領域２１０のハーフトーン膜（第１位相シフタ膜）２２は、第１厚さを有し、フォーカス調整パターン領域２２０のハーフトーン膜（第２位相シフタ膜）２２は、第２の厚さを有し、第１厚さは、デバイスパターン領域２１０における透過基板２１のみを通過する第１の光の位相と、デバイスパターン領域２１０における透過基板２１及びハーフトーン膜２２を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）となるような厚さであり、第２厚さは、フォーカス調整パターン領域２２０における透過基板２１のみを通過する第３の光の位相と、フォーカス調整パターン領域２２０における透過基板２１及びハーフトーン膜２２を通過する第４の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さであることを特徴とする露光装置検査用マスク。
【００８７】
（２）回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる非対称回折格子領域２００Ａ〜２００Ｄを設けた露光装置検査用マスク２０を載置するマスクステージ１４と、露光装置検査用マスク２０に対して垂直方向より第１の角度ずれた方向から斜入射光を照明する光源光学系１２と、斜入射光をウェーハ（基板）Ｗに投影する投影光学系１５とを備え、露光装置検査用マスク２０は、透過基板２１と、透過基板２１上に選択的かつ所定ピッチで周期的に配置された半透過性のハーフトーン膜２２と、ハーフトーン膜２２上に選択的に且つ所定のピッチで周期的に配置された遮光膜２３とを備え、ハーフトーン膜２２は、透過基板２１のみを通過する第１の光の位相と、ハーフトーン膜２２及び透過基板２１を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０°×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されており、露光波長をλ、投影光学系１５の開口数をＮＡ、ピッチをｐ、投影光学系１５の瞳１５ａの中心から照明極の中心までの距離をσｃ、照明極の半径をσｒとしたとき、下記（数式４）を満たすことを特徴とする露光装置。
【００８８】
【数４】
2009175587.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る露光装置１０の構成概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る露光装置１０の検査用マスク２０の上面概略図である。
【図３】図２の一部拡大図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る露光装置１０の検査用マスク２０の側面概略図である。
【図５Ａ】本発明の第１実施形態に係る露光装置１０の照明光学系１３と投影光学系１５に照射される光の分布、及び検査用マスク２０による光の回折について説明する図である。
【図５Ｂ】本発明の第１実施形態に係る露光装置１０ａの照明光学系１３と投影光学系１５に照射される光の分布、及び検査用マスク２０による光の回折について説明する図である。
【図５Ｃ】本発明の二次光源面１３ａにおける照明極の半径及び中心を求める方法について説明する図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る露光装置１０のウェーハＷ上に投影されるフォーカスパターンの概略を説明する図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る露光装置１０のウェーハＷ上に投影されるフォーカスパターンの概略を説明する図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る露光装置１０におけるフォーカスオフセット量δｆに対する相対距離δｘをシミュレーションにより算出した結果を示す図である。
【図９】第１実施形態に係る露光装置１０における検査用マスク２０の製造工程を示す図である。
【図１０】第１実施形態に係る露光装置１０における検査用マスク２０の製造工程を示す図である。
【図１１】第１実施形態に係る露光装置１０における検査用マスク２０の製造工程を示す図である。
【図１２】第１実施形態に係る露光装置１０における検査用マスク２０の製造工程を示す図である。
【図１３】第１実施形態に係る露光装置１０における検査用マスク２０の製造工程を示す図である。
【図１４】第１実施形態に係る露光装置１０における検査用マスク２０の製造工程を示す図である。
【図１５】第１実施形態に係る露光装置１０における検査用マスク２０の製造工程を示す図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る露光装置の検査用マスク２０ａの上面概略図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係る露光装置の検査用マスク２０ａの断面図である。
【図１８】図１６のＡ部拡大図である。
【図１９】本発明の第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの第１インナーマークＩＭ１、第１アウターマークＯＭ１の構成を説明する図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの第２インナーマークＩＭ２、第２アウターマークＯＭ２の構成を説明する図である。
【図２１】本発明の第２実施形態に係る露光装置の動作を説明するフローチャート図である。
【図２２】第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を示す図である。
【図２３】第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を示す図である。
【図２４】第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を示す図である。
【図２５】第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を示す図である。
【図２６】第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を示す図である。
【図２７】第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を示す図である。
【図２８】第２実施形態に係る検査用マスク２０ａの製造工程を示す図である。
【図２９】本発明の第３実施形態に係る露光装置１０ａの構成概略図である。
【図３０】本発明の他の実施形態に係る露光装置の照明光学系の二次光源面１３ｃにおける照明極を示す図である。
【符号の説明】
【００９０】
１０，１０ａ…露光装置、１２，１２ａ…光源光学系、１３…照明光学系、１４…フォトマスクステージ、１５…投影光学系、１６…ウェーハステージ、１７…駆動機構、１８…制御部、２０，２０ａ，２０ｂ…検査用マスク、２１…透過基板、２２…ハーフトーン膜、２３…遮光膜。
【図１】
2009175587.tif 000009
【図２】
2009175587.tif 000010
【図３】
2009175587.tif 000011
【図４】
2009175587.tif 000012
【図５Ａ】
2009175587.tif 000013
【図５Ｂ】
2009175587.tif 000014
【図５Ｃ】
2009175587.tif 000015
【図６】
2009175587.tif 000016
【図７】
2009175587.tif 000017
【図８】
2009175587.tif 000018
【図９】
2009175587.tif 000019
【図１０】
2009175587.tif 000020
【図１１】
2009175587.tif 000021
【図１２】
2009175587.tif 000022
【図１３】
2009175587.tif 000023
【図１４】
2009175587.tif 000024
【図１５】
2009175587.tif 000025
【図１６】
2009175587.tif 000026
【図１７】
2009175587.tif 000027
【図１８】
2009175587.tif 000028
【図１９】
2009175587.tif 000029
【図２０】
2009175587.tif 000030
【図２１】
2009175587.tif 000031
【図２２】
2009175587.tif 000032
【図２３】
2009175587.tif 000033
【図２４】
2009175587.tif 000034
【図２５】
2009175587.tif 000035
【図２６】
2009175587.tif 000036
【図２７】
2009175587.tif 000037
【図２８】
2009175587.tif 000038
【図２９】
2009175587.tif 000039
【図３０】
2009175587.tif 000040