(57)【要約】【課題】導電性が良好な金属酸化物膜およびこれを簡便な方法で形成できる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。【解決手段】基板１上に金属酸化物の結晶粒が結晶成長してなる結晶膜２と、該結晶膜２内に分散した導電性ファイバ３とを有してなることを特徴とする金属酸化物膜。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属酸化物の結晶粒が結晶成長してなる結晶膜と、該結晶膜内に分散した複数の導電性ファイバとを有してなることを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項２】
前記複数の導電性ファイバが、カーボンナノチューブ単体、金属ナノワイヤ単体またはこれらの混合体からなる請求項１に記載の金属酸化物膜。
【請求項３】
前記導電性ファイバは、平均直径が１〜５００ｎｍである請求項１または２に記載の金属酸化物膜。
【請求項４】
前記導電性ファイバは、平均長さが５０ｎｍ〜５０μｍである請求項１〜３のいずれか１つに記載の金属酸化物膜。
【請求項５】
前記結晶膜は、膜厚が１０ｎｍ〜５μｍである請求項１〜４のいずれか１つに記載の金属酸化物膜。
【請求項６】
前記結晶膜を構成する材料が、酸化亜鉛もしくはアルミニウム、ガリウム、ボロンおよびインジウムのうちのいずれか１種以上の金属原子がドーパントとして添加されている酸化亜鉛、酸化錫もしくはフッ素およびアンチモンのうちのいずれか１種以上の金属原子がドーパントとして添加されている酸化錫、酸化チタンもしくはニオブ原子がドーパントとして添加されている酸化チタンまたは酸化インジウムである請求項１〜５のいずれか１つに記載の金属酸化物膜。
【請求項７】
前記金属酸化物膜が、電極用の膜である請求項１〜６のいずれか１つに記載の金属酸化物膜。
【請求項８】
基板上に金属酸化物の結晶粒を結晶成長させて結晶膜を形成する結晶膜形成工程と、導電性ファイバが前記結晶膜内に分散した状態となるよう前記導電性ファイバを前記基板上に配置するファイバ分散配置工程とを備え、前記結晶膜形成工程が、前記ファイバ分散配置工程と並行してまたはファイバ分散配置工程の後に行われることを特徴とする金属酸化物膜の形成方法。
【請求項９】
前記ファイバ分散配置工程と前記結晶膜形成工程とを並行して行うに際して、前記結晶膜を構成する金属原子を含む金属化合物を溶媒に溶解した溶液に前記導電性ファイバを分散させた塗布液を基板上に塗布し焼成することにより、金属酸化物の結晶粒を結晶成長させて導電性ファイバが内部に分散した結晶膜を形成して、金属酸化物膜を形成する請求項８に記載の金属酸化物膜の形成方法。
【請求項１０】
前記ファイバ分散配置工程の後に前記結晶膜形成工程を行うに際して、前記導電性ファイバを分散した分散液を基板上に塗布して乾燥し、引き続き前記結晶膜を構成する金属原子を含む金属化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布し焼成することにより、金属酸化物の結晶粒を結晶成長させて導電性ファイバが内部に分散した結晶膜を形成して、金属酸化物膜を形成する請求項８に記載の金属酸化物膜の形成方法。
【請求項１１】
前記ファイバ分散配置工程の後に前記結晶膜形成工程を行うに際して、前記導電性ファイバを溶媒に分散した分散液を基板上に塗布して乾燥し、引き続き真空成膜法で基板上に金属酸化物の結晶粒を結晶成長させることにより、導電性ファイバが内部に分散した結晶膜を形成して、金属酸化物膜を形成する請求項８に記載の金属酸化物膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属酸化物膜およびその形成方法に関し、より詳しくは、表示素子や透明電極等に利用可能な導電性の高い金属酸化物膜およびその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、透明導電膜に用いられる金属酸化物膜は、アンチモンあるいはフッ素などの不純物をドープして導電性の改良が図られていた。例えば、特許文献１には、ディップコート法あるいはスピンコート法で酸化錫系透明導電膜を形成する方法が開示されている。具体的には、錫の塩化物を有機溶媒に溶解した溶液と、三フッ化アンチモンを有機溶媒に溶解した溶液とを混合してなる透明導電膜形成用溶液を、基板に塗布し焼成することにより、透明導電膜を形成する。
【特許文献１】特開平７−９４０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１に記載の方法では、形成された透明導電膜にクラック、ピンホール、結晶粒界などが多数発生し、透明導電膜として十分に低い抵抗率を得ることができなかった。
【０００４】
本発明はこのような問題に鑑み、導電性が良好な金属酸化物膜およびこれを簡便な方法で形成できる金属酸化物膜の形成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
かくして、本発明によれば、基板上に金属酸化物の結晶粒が結晶成長してなる結晶膜と、該結晶膜内に分散した複数の導電性ファイバとを有してなる金属酸化物膜が提供される。
また、本発明の別の観点によれば、基板上に金属酸化物の結晶粒を結晶成長させて結晶膜を形成する結晶膜形成工程と、導電性ファイバが前記結晶膜内に分散した状態となるよう前記導電性ファイバを前記基板上に配置するファイバ分散配置工程とを備え、前記結晶膜形成工程が、前記ファイバ分散配置工程と並行してまたはファイバ分散配置工程の後に行われる金属酸化物膜の形成方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の金属酸化物膜によれば、クラックおよびピンホールによって電気的および物理的に分断された結晶粒同士や、電気抵抗の増加をもたらす結晶粒界を介して接触する結晶粒同士を、導電性ファイバによって電気的および物理的に接続することができるため、導電率を増加する（抵抗率を低減する）ことができると共に、機械的強度を高めることができる。
また、本発明の金属酸化物膜の形成方法によれば、結晶膜内に導電性ファイバが均一に分散した導電率および機械的強度の高い金属酸化物膜を容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図１は基板上に形成された本発明の金属酸化物膜の一実施形態を部分的に示した概略拡大断面図であり、図２は図１の金属酸化物膜の概略拡大平面図である。
本発明の金属酸化物膜は、基板１上に金属酸化物の結晶粒２ａが結晶成長してなる結晶膜２と、該結晶膜２内に分散した複数の導電性ファイバ３とを有してなることを特徴としている。
【０００８】
一般的に基板１上に結晶粒を結晶成長させて成膜した多結晶の結晶膜２は、結晶粒界１３が結晶粒２ａ間の抵抗増加に繋がることに加え、意図しない微小なクラック（亀裂）１１やピンホール１２といった膜欠陥部が生じる場合があり、膜欠陥部によって結晶膜２が部分的に分断されて導電率が低下することがある。
本発明の金属酸化物膜は、図１および図２に示すように、基板１上に複数の結晶粒２ａを結晶成長させて結晶膜２を成膜する際に生じるクラック１１、ピンホール１２等の膜欠陥部や結晶粒界１３によって結晶膜２が電気的に分断された状態とならないように、導電性ファイバ３によって結晶粒２ａ同士を電気的に接続するものである。つまり、本発明における導電性ファイバ３は、結晶膜２中に全体的に均一に分散することにより、クラック１１によって結晶膜２が分断された部分を電気的に接続し、ピンホール１２内を横切ってその部分の導電性を補い、結晶粒界１３を平均的に貫いて結晶粒２ａ同士を接続することにより結晶膜２全体としての導電性を向上させる。また、この導電性ファイバ３は、結晶膜２中に分散することにより、膜欠陥部によって結晶膜２の分断された部分や結晶粒２ａ同士を物理的に接続して結晶膜２の機械的強度を高めるという機能も有している。
なお、図１および図２は、本発明の金属酸化物膜の説明を容易とするために概念的に図示したものであり、実際の状態は本図と異なる場合がある。
【０００９】
この金属酸化物膜において、結晶膜２の膜厚は特に限定されるものではないが、金属酸化物膜を透明電極として用いる場合は高い透過率と導電率を両立させるために、１０ｎｍ〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは５０ｎｍ〜１μｍである。
また、金属酸化物膜を透明電極として用いる場合、結晶膜２を構成する材料としては、酸化亜鉛もしくはアルミニウム、ガリウム、ボロンおよびインジウムのうちのいずれか１種以上の金属原子がドーパントとして添加されている酸化亜鉛、酸化錫もしくはフッ素およびアンチモンのうちのいずれか１種以上の金属原子がドーパントとして添加されている酸化錫、酸化チタンもしくはニオブ原子がドーパントとして添加されている酸化チタンまたは酸化インジウム等が挙げられる。
基板１としては、特に限定されるものではないが、金属酸化物膜を透明電極として用いる場合はガラス基板が好適である。また、シリコン基板、石英基板、化合物半導体基板等を用いることも可能である。
【００１０】
本発明において、複数の導電性ファイバ３は、カーボンナノチューブ単体または金属ナノワイヤ単体またはこれらの混合体からなることができる。
本発明における導電性ファイバの平均直径は、金属酸化物膜の平滑性の観点から結晶膜２の膜厚より小さければ特に限定されるものではないが、例えば１〜５００ｎｍのものが適当であり、好ましくは１〜２００ｎｍである。
また、導電性ファイバの長さは、長すぎるとファイバ同士が重なって金属酸化物膜に凹凸を作ってしまい、また短すぎると金属酸化膜を構成する結晶同士を接続できないため、平均長さは５０ｎｍ〜５０μｍが適当であり、好ましくは２００ｎｍ〜１０μｍである。
【００１１】
さらに詳しくは、カーボンナノチューブの場合、平均直径１〜５０ｎｍ、平均長さ２００ｎｍ〜１０μｍのものが好ましく、一重構造でも多重構造でもよい。
金属ナノワイヤの場合、平均直径１０〜２００ｎｍ、平均長さ５００ｎｍ〜１０μｍのものが好ましく、金属材料としては銅、銀、金等が挙げられる。
カーボンナノチューブは、例えばＣａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  Ｉｎｃ．社製のＨｉＰｃｏ（登録商標）を用いることができ、金属ナノワイヤは、例えばＮａｎｏ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  ｖｏｌ．２，ｐ１６５（２００２）に記載の方法を使って作製した銀ナノワイヤを用いることができる。
【００１２】
次に、本発明の金属酸化物膜の形成方法について説明する。
この金属酸化物膜は、基板上に金属酸化物の結晶粒を結晶成長させて結晶膜を形成する結晶膜形成工程と、導電性ファイバが前記結晶膜内に分散した状態となるよう前記導電性ファイバを前記基板上に配置するファイバ分散配置工程とを備え、前記結晶膜形成工程が、前記ファイバ分散配置工程と並行してまたはファイバ分散配置工程の後に行われることにより、形成することができる。
以下、本実施形態の代表的な例として、アルミニウムを添加した酸化亜鉛薄膜を結晶膜２として形成する方法を、図１および図２を参照しながら説明する。なお、酸化亜鉛は、酸化錫よりも抵抗率が低く、透明導電膜としてはより適した材料である。また、よく知られている錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）は、希少金属であるインジウムが将来枯渇する可能性があり、これに代えて酸化亜鉛を使用する技術は省資源のための重要な技術となる。
【００１３】
（実施形態１）
実施形態１では、前記ファイバ分散配置工程と前記結晶膜形成工程とを並行して行う。この際、前記結晶膜を構成する金属原子を含む金属化合物を溶媒に溶解した溶液に前記導電性ファイバを分散させた塗布液を基板上に塗布し焼成することにより、金属酸化物の結晶粒を結晶成長させて導電性ファイバが内部に分散した結晶膜を形成して、金属酸化物膜を形成する。
【００１４】
具体的に説明すると、第１の工程として、カーボンナノチューブを分散した分散液を作製する。用いるカーボンナノチューブは、直径１〜２０ｎｍ、長さ５００ｎｍ〜５０μｍである。カーボンナノチューブの濃度は、基板への最終的な塗布液の状態で１０ｍｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌになるように、分散液を作製する必要がある。分散液に用いる液体としては、カーボンナノチューブを均一に分散させるものであれば特に限定されず、例えばメタノール、エタノールなどのアルコール系溶媒、トルエン、キシレン、オルトジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、あるいはドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）などの界面活性剤を溶かした水溶液などを用いることができる。
【００１５】
第２の工程では、別途、酸化亜鉛薄膜の原料液を作製する。まず、溶質として酢酸亜鉛二水和物を用い、溶媒としてメタノールを用いて、濃度が０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌとなるように溶液を調製し、この溶液に塩化アルミニウム六水和物を添加して原料液を作製する。このとき、酢酸亜鉛二水和物１００重量部に対して塩化アルミニウム六水和物０．１〜１５重量部となるように添加する。
なお、酢酸亜鉛二水和物の溶媒は、メタノールに限らず、エタノール、２−プロパノール、メトキシエタノールなどのアルコール系溶媒を用いてもよい。また、酢酸亜鉛二水和物の溶解度が低く、所望の濃度が得られないときは、さらにアミノエタノール、ジエタノールアミン、アセトイン、アセチルアセトンを添加する、あるいは加熱して溶解させる、あるいはこれらの両方を行えばよい。また、酢酸亜鉛二水和物の代わりに、亜鉛アセチルアセトナート、塩化亜鉛、硝酸亜鉛を使用してもよい。なお、上記はアルミドープの例であるが、その他に例えばガリウムを添加したい場合は、塩化アルミニウムに代えてガリウムアセチルアセトナートを使用することができ、インジウムを添加したい場合は塩化インジウムを使用することができる。
【００１６】
第３の工程では、作製した酸化亜鉛薄膜用の原料液とカーボンナノチューブ分散液とを、カーボンナノチューブの濃度が前記１０ｍｇ／Ｌ〜５ｇ／Ｌになるように混合し、塗布液（透明導電膜形成用溶液）を作製する。この塗布液を、以下のように基板上にコートし、酸化亜鉛薄膜を作製する。
【００１７】
第４の工程では、上記の塗布液をスピンコート法、ディップコート法あるいはスプレー法により基板に塗布し、乾燥し、つぎに熱処理する。これにより、カーボンナノチューブが含まれたまま、酸化亜鉛の結晶が成長し、酸化亜鉛薄膜（透明導電膜）が形成される。
この場合の熱処理は、大気中で行うかまたは窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で行う。熱処理温度が高い程、低抵抗の膜が得られるが、基板の材質の軟化点を越えない温度を適宜選択する。例えば、ガラス基板（コーニング社製のコーニング７０５９）の場合、軟化点が６００℃である。一方、低抵抗の膜を得るには４００℃以上の熱処理が必要である。したがって、ガラス基板を使用する場合の適切な熱処理温度範囲は、４００℃〜６００℃となる。また、硼珪酸ガラス基板を用いる場合、その軟化点は７５０℃であるため、同様に考えると適切な熱処理温度範囲は４００〜７５０℃である。なお、熱処理時間としては１〜３０分間が適当である。
【００１８】
上述の方法では、塗布液の塗布および焼成処理を１回行って、金属酸化物膜であるカーボンナノチューブ混入酸化亜鉛薄膜を形成した場合を例示したが、複数回の塗布および焼成処理を行ってより低い抵抗率の膜を得ることができる。この場合、塗布および熱処理の順に必要回数繰り返す方法と、予め塗布のみを複数回行い、その後熱処理を行う方法が挙げられる。
また、上述の方法では、導電性ファイバとしてカーボンナノチューブを使用した場合を例示したが、銀や金などからなる導電性の高い金属ナノワイヤを用いてもよく、同様の効果を得ることが可能である。
また、本発明の金属酸化物膜の形成方法は、この実施形態１で説明した第１〜第４の工程に限定されず、以下の実施形態２および３のように行うこともできる。
【００１９】
（実施形態２）
実施形態２では、実施形態１における第１の工程で作製した分散液と第２の工程で作製した原料液をそれぞれ別工程で基板１上に塗布する。
つまり、ファイバ分散配置工程の後に結晶膜形成工程を行うに際して、導電性ファイバ３を分散した分散液を基板１上に塗布して乾燥し、引き続き結晶膜２を構成する金属原子を含む金属化合物を溶媒に溶解した溶液を基板１上に塗布し焼成することにより、金属酸化物の結晶粒を結晶成長させて導電性ファイバが内部に分散した結晶膜を形成して、金属酸化物膜を形成する。
以下、実施形態２における実施形態１と異なる点を主として説明する。
【００２０】
実施形態２の場合、前記第１の工程で作製したカーボンナノチューブ分散液のみをスピンコート法、ディップコート法あるいはスプレー法により基板１に塗布し、乾燥させる（第５の工程）。これにより、基板１上にカーボンナノチューブが均一に分散した層（以下、カーボンナノチューブ層と称する）が形成される。
【００２１】
その後、前記第２の工程で作製した原料液のみをスピンコート法、ディップコート法あるいはスプレー法を用いて基板１上のカーボンナノチューブ層の上に塗布し、前記第４の工程と同じ条件で熱処理を行う（第６の工程）。これにより、カーボンナノチューブ混入酸化亜鉛薄膜が形成される。
この実施形態２のように、第５の工程後に第６の工程を行うことによっても、導電性に優れた金属酸化物膜を形成することができる。
なお、第５の工程と第６の工程を複数回繰り返してもよい。
【００２２】
前記実施形態１および２では、結晶膜として、アルミニウム添加酸化亜鉛薄膜からなる透明導電膜を形成する場合を例示したが、これに限らずフッ素添加酸化錫、ニオブ添加酸化チタン、あるいは錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）を使った透明導電膜でも、導電率を向上させる効果が得られる。
また、前記実施形態１および２では、スピンコート法、ディップコート法あるいはスプレー法によって基板上に塗布液または分散液や原料液を塗布して焼成する、いわゆるゾルゲル法を用いて金属酸化物膜を形成する場合を例示したが、これに限らず、塗布液または分散液や原料液を高温の基板上にスプレーしながら焼成する方法を用いて金属酸化物膜を形成してもよく、同様に導電性に優れた金属酸化物膜を得ることができる。
【００２３】
（実施形態３）
実施形態３では、ファイバ分散配置工程の後に前記結晶膜形成工程を行うに際して、導電性ファイバ３を溶媒に分散した分散液を、基板１上に塗布し乾燥させ、引き続き真空成膜法で基板上に金属酸化物の結晶粒を結晶成長させることにより、導電性ファイバが内部に分散した結晶膜を形成して、金属酸化物膜を形成する。
実施形態３では、前記第２、第３、第４および第６の工程の代りに、前記第１の工程で作製したカーボンナノチューブ分散液を基板上に塗布し乾燥して、基板１上にカーボンナノチューブ層を形成し（第５の工程）、その後、スパッタ法、蒸着法、Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法等の真空下で成膜が行われる真空成膜法を用いて結晶膜を形成する（第７の工程）。
このようにしても、実施形態１および２と同様に導電性に優れた金属酸化物膜を得ることができる。
【００２４】
（実施例１）
前記実施形態１の方法により金属酸化物膜としてアルミニウムを添加した酸化亜鉛薄膜を形成した。
【００２５】
＜第一の工程＞
平均直径３ｎｍ、平均長さ１μｍ、抵抗率１０μΩｃｍのカーボンナノチューブ１６ｍｇをエタノール１０ｍＬに分散させて、カーボンナノチューブ分散液を作製した。以下、カーボンナノチューブをナノファイバーと称する場合がある。
＜第二の工程＞
酢酸亜鉛二水和物のメタノール溶液（濃度：０．２５ｍｏｌ／Ｌ）を調製し、酢酸亜鉛二水和物１００重量部に対して１重量部の塩化アルミニウムを添加した。
＜第三の工程＞
得られた酢酸亜鉛二水和物-塩化アルミ溶液１００ｍＬとカーボンナノチューブ分散液１０ｍＬとを混合し、透明導電膜形成用の塗布液を作製した。
【００２６】
＜第四の工程＞
ディップコート法を用いてガラス基板に塗布液を塗布し、１０分間自然乾燥した。なお、基板の塗布液からの引き上げ速度を５０ｍｍ／分とした。
前記乾燥後、基板を６００℃の炉で３０分間加熱し焼成した。
その後、基板への塗布液の塗布、乾燥および加熱処理を同じ条件で５回繰り返して、カーボンナノチューブが導入されたアルミドープ酸化亜鉛薄膜を形成した。
この酸化亜鉛薄膜の膜厚は１００ｎｍであり、膜中には体積比で約１％のカーボンナノチューブが導入されている。
【００２７】
（実施例２）
本実施例では、銀ナノワイヤを使用したアルミニウム添加酸化亜鉛薄膜を作製した。以下、銀ナノワイヤをナノファイバーと称する場合がある。
【００２８】
＜第一の工程＞
Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  ｖｏｌ．２，ｐ１６５（２００２）に記載の方法により銀ナノワイヤを作製した。作製した銀ナノワイヤは平均直径３０ｎｍ、平均長さ１．５μｍ、抵抗率１３μΩｃｍであった。この銀ナノワイヤ１２０ｍｇをエタノール１０ｍＬに分散させて、銀ナノワイヤ分散液を作製した。
＜第二の工程＞
酢酸亜鉛二水和物のメタノール溶液（濃度：０．２５ｍｏｌ／Ｌ）を調製し、酢酸亜鉛二水和物１００重量部に対して１重量部の塩化アルミニウムを添加した。
＜第三の工程＞
得られた酢酸亜鉛二水和物-塩化アルミ溶液１００ｍＬと銀ナノワイヤ分散液１０ｍＬとを混合し、透明導電膜形成用の塗布液を作製した。
【００２９】
＜第四の工程＞
ディップコート法を用いてガラス基板に塗布液を塗布し、１０分間自然乾燥した。なお、基板の塗布液からの引き上げ速度を５０ｍｍ／分とした。
前記乾燥後、基板を６００℃の炉で３０分間加熱し焼成した。
その後、基板への塗布液の塗布、乾燥および加熱処理を同じ条件で３回繰り返して、銀ナノワイヤが導入されたアルミドープ酸化亜鉛薄膜を形成した。
この酸化亜鉛薄膜の膜厚は１００ｎｍであり、膜中には体積比で約１％の銀ナノワイヤが導入されている。
【００３０】
（比較例１）
実施例１、２で使用したナノファイバー分散液を用いず、実施例１、２と同様の条件でガラス基板に実施例１、２で使用した酢酸亜鉛二水和物-塩化アルミ溶液を塗布したこと以外は、実施例１、２と同様にして膜厚１００ｎｍのアルミドープ酸化亜鉛薄膜を形成した。
【００３１】
実施例１および比較例１で作製したアルミドープ酸化亜鉛薄膜の光透過率および抵抗率を下記の方法により測定し、その結果を表１に示した。
光透過率の測定方法：島津製作所製  紫外可視分光光度計  ＵＶ−２５５０を使用して、透過率測定を行った。
抵抗率の測定方法：ダイアンインスツルメンツ社製  ロレスタＧＰ  MCP-T610型を使用して、４端子４探針法による抵抗率測定を行った。
【００３２】
【表１】
2009076253.tif 000003
【００３３】
表１に示すように、実施例１、２のアルミドープ酸化亜鉛薄膜の光透過率はナノファイバーが無い比較例１と同じであった。これは、実施例１、２のナノファイバー導入量が約１％（体積比）と少ないためであると推測される。
一方、抵抗率は、実施例１、２でそれぞれ７．６×１０-4Ωcm、７．８×１０-4Ωcmとなった。この値は、導入したナノファイバーすべてが膜中でネットワーク状につながったときの抵抗率の理論値：５．３×１０-4Ωcm（カーボンナノチューブの場合）、５．７×１０-4Ωcm（銀ナノワイヤの場合）に比べ大きくなった。従って、実施例１、２のアルミドープ酸化亜鉛薄膜では、ナノファイバーが完全なネットワークを作っておらず、ナノファイバー同士が部分的に電気的に接続していないものと推測される。しかしながら、実施例１、２の抵抗率は、ナノファイバーを用いていない比較例１の抵抗率の約７５％であり、ナノファイバー導入の効果が実証された。
【００３４】
（ナノファイバーがネットワークを作った場合の抵抗率の理論値）
ナノファイバーの抵抗率：R1、体積占有率：a1、薄膜単体の抵抗率：R2、体積占有率：a2とし、ナノファイバー含有膜の抵抗率をRとすると、Rは以下の式で表される。
R=(R1+R2)/(a2×R1+a1×R2)
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の金属酸化物膜は、液晶表示用電極、太陽電池用電極、透明トランジスタ用電極等に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】基板上に形成された本発明の金属酸化物膜の一実施形態を部分的に示した概略拡大断面図である。
【図２】図１の金属酸化物膜の概略拡大平面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  基板
２  結晶膜
２ａ  結晶粒
３  導電性ファイバ
１１  クラック
１２  ピンホール
１３  結晶粒界
【図１】
2009076253.tif 000004
【図２】
2009076253.tif 000005