(57)【要約】【課題】インダクタンス成分を極力小さくし、かつノイズを極力抑制する。【解決手段】基板表面に設けられた半導体チップ搭載領域１１０の外周縁に沿ってその外側の前記基板表面に第一の帯状配線１２ａを設ける。第一の帯状配線１２ａの外周縁に沿ってその外側の前記基板表面に第二の帯状配線１３ａを設ける。第一の帯状配線１２ａと第二の帯状配線１３ａとに無接触状態で前記基板表面に配線１５ａを設ける。第一,第二の帯状配線１２ａ,１３ａが有する一方の配線側部同士は互いに対向して交互に噛み合される。これら帯状配線１２ａ,１３ａのうちの少なくとも一つが有する他方の配線側部に切欠部Ａが設けられる。配線１５ａは切欠部Ａに配置される。【選択図】図１
2009010187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に設けられた半導体チップ搭載領域と、
前記半導体チップ搭載領域の外周縁に沿ってその外側の前記基板表面に設けられた第一の帯状配線と、
前記第一の帯状配線の外周縁に沿ってその外側の前記基板表面に設けられた第二の帯状配線と、
前記第一の帯状配線と前記第二の帯状配線とに無接触状態で前記基板表面に設けられた配線と、
を具備し、
前記第一,第二の帯状配線が有する一方の配線側部同士は互いに対向して交互に噛み合され、これら帯状配線のうちの少なくとも一つが有する他方の前記配線側部には切欠部が設けられ、
前記配線は前記切欠部に配置される、
ことを特徴とする半導体チップ実装用基板。
【請求項２】
前記一方の帯状配線が有する前記一方の配線側部にあって前記他方の帯状配線側に突出する凸側部が、前記他方の帯状配線が有する前記一方の配線側部にあって前記一方の帯状配線側に凹む凹側部に入り込むことで、当該第一,第二の帯状配線同士が互いに交互に噛み合される、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ実装用基板。
【請求項３】
前記切欠部は、前記凸側部に対向して配置される、
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体チップ実装用基板。
【請求項４】
前記第一,第二の帯状配線は矩形状に蛇行する形状を有する、
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体チップ実装用基板。
【請求項５】
前記第１の帯状配線と前記第２の帯状配線との間にあって両帯状配線によって挟まれる少なくとも一つの第３の帯状配線をさらに有し、
前記第１の帯状配線と前記第２の帯状配線と前記第３の帯状配線とは、互いに交互に噛み合される、
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体チップ実装用基板。
【請求項６】
前記第二の帯状配線の外周縁外側の前記基板表面に設けられた信号配線をさらに有し、
前記切欠部は前記第二の帯状配線に設けられ、
前記信号配線は前記切欠部まで延出して当該切欠部に入り込んでおり、
前記配線は前記切欠部に入り込んだ前記信号配線の先端部から構成される、
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体チップ実装用基板。
【請求項７】
前記第二の帯状配線は、前記信号配線の両側部の少なくとも一方に沿って延出する、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体チップ実装用基板。
【請求項８】
互いに並列配置された複数の前記信号配線を有し、
前記複数の信号配線は、並列状態で前記切欠部まで延出して当該切欠部に入り込んでおり、
前記配線は、並列状態で前記切欠部に入り込んだ前記複数の信号配線の先端部から構成される、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体チップ実装用基板。
【請求項９】
前記切欠部は、当該切欠部が形成された前記帯状配線によってその全周が囲まれている、
請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体チップ実装用基板。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体チップ実装用基板と、
前記半導体チップ搭載領域に実装された半導体チップと、
前記半導体チップ実装用基板または前記半導体チップに設けられた電気接続部位を、前記第一の帯状配線,前記第二の帯状配線,および前記配線に接続するワイヤーと、
を有し、
前記ワイヤーは、一種類のループ形状を有する、
半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用基板および半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線基板およびそれを備えた半導体パッケージについて図１０,１１,図１２,図１３を参照しながら説明する。
【０００３】
図１０に半導体装置用基板を示す。図１０（ａ）は従来の配線基板を用いた半導体パッケージの平面図を示しており、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の配線基板におけるＵ部拡大図を示している。また、図１１（ａ）は半導体装置を示しており、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ’部の断面図を示している。
【０００４】
図１０,図１１に示すように、配線基板１０１には半導体チップ１０２が搭載されている。半導体チップ１０２に形成されたパッド１０３は、配線とビアを介して配線基板１０１のボール電極１０４に引き出されている。配線基板１０１は、絶縁性樹脂で形成された絶縁材１０５に、絶縁層と配線層とを順次積み重ねた多層構造を有する。
【０００５】
配線基板１０１の上面（表面）には金属配線パターン１０７と複数の帯状配線１０８ａ,１０８ｂとが形成される。金属配線パターン１０７は、ワイヤー１０６を介して半導体チップ１０２に接続される。また、金属配線パターン１０７は、配線基板１０１の裏面にあるボール電極１０４に、配線基板１０１の内部配線を介して接続される。帯状配線１０８ａ,１０８ｂは、半導体チップ１０２に電源電圧やＧＮＤ電圧（接地電圧）等を供給する。金属配線パターン１０７にはワイヤーボンドパッド１１３が接続される。
【０００６】
帯状配線１０８ａ,１０８ｂは、配線基板１０１の上面に形成された半導体チップ搭載領域１１０（図では矩形）の周囲を取り囲むように枠状に設けられている。帯状配線１０８ａ,１０８ｂは、異なる電位毎（電源やＧＮＤ等毎）に複数（図では２つ）内外に同心状に設けられている。各帯状配線１０８ａ,１０８ｂは、ワイヤー１１１,１１２を介して、電源電圧やＧＮＤ電圧を半導体チップ１０２に供給する。
【０００７】
半導体パッケージ１１５は、
・配線基板１０１、
・配線基板１０１の底面に配置されたボール電極１０４、
・配線基板１０１の上面の半導体チップ搭載領域１１０に搭載された半導体チップ１０２、
・金属配線パターン１０７と半導体チップ１０２とを電気的に接続するワイヤー１０６、
・帯状配線１０８ａ,１０８ｂと半導体チップ１０２とを電気的に接続するワイヤー１１１,１１２、
および
・半導体チップ１０２を含んだ配線基板１０１の上面を封止する絶縁性の封止樹
脂１１６、
を備える。
【０００８】
配線基板１０１と半導体チップ１０２とはそれぞれ直方体形状であってその側面は、その上面および底面に対して垂直となる方向に沿って形成される。配線基板１０１の底面には、金属配線パターン１０７と基板内部で電気的に接続する外部パッド電極１１７が形成され、外部パッド電極１１７上にはボール電極１０４が形成される。ボール電極１０４は半田ボール等であって、実装基板への二次実装の際に高い接続信頼性を確保するために付設される。ボール電極１０４は配線基板１０１の底面にマトリックス状に配置される。
【０００９】
尚、各帯状配線１０８ａ,１０８ｂはそれぞれビア１１４を介して外部パッド電極１１７に接続される。
【００１０】
次に帯状配線１０８ａ,１０８ｂの形状を変更させた半導体装置用基板を図１２,図１３を参照して説明する。図１２は図１０の帯状配線１０８ａ,１０８ｂをくし歯形状にして組み合わせた構造（くし歯形状配線２０８ａ,２０８ｂ)を有する。くし歯形状配線２０８ａの突出部２０８ｄにワイヤー２１１ｂを, くし歯形状配線２０８ｂの突出部２０８ｃにワイヤー２１１ａをそれぞれ接続することにより、帯状配線（くし歯形状配線）２０８ａ,２０８ｂを、半導体チップ１０２のパッド１０３に導通させており、これにより半導体チップ１０２と帯状配線（くし歯形状配線）２０８ａ,２０８ｂとを、同等長さのワイヤー２１１ａ,２１１ｂを介して接続している。
【００１１】
次に、半導体装置１１５の製造方法を図１０,１１を参照しながら簡単に説明する。複数の配線基板１０１に区分けされて複数個の半導体チップ１０２を搭載可能な基板を用意する。そのうえで、用意した基板の区分された個々の配線基板１０１の半導体チップ搭載領域１１０に、半導体チップ１０２をダイボンド材１１８によって接着固定して搭載する。
【００１２】
次に、
・搭載された半導体チップ１０２のパッド１０３（端子）と金属配線パターン１０７のワイヤーボンドパッド１１３とをワイヤー１０６によって電気的に接続し、
・パッド１０３と内側の帯状配線１０８ａとをワイヤー１１１によって電気的に接続し、
・前記パッド１０３と外側の帯状配線１０８ｂとをワイヤー１１２によって電気的に接続し、
その後、半導体チップ１０２を含んだ配線基板１０１の上面を封止樹脂１１６により封止する。
【００１３】
最後に、上記基板を、回転ブレードで配線基板１０１の区分けに従って一括切断することにより、半導体装置１１５の個片に分離する。その後、各半導体装置１１５にボール電極１０４を形成する。尚、上記基板を一括切断するのに先立って、ボール電極１０４を形成する方法もある。
【００１４】
このようなＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプの配線基板１０１は、多ピン化に対応できる構造ではあるが、多ピン化が進むにつれて配線が密になってきているため、信号配線のノイズを抑制することが困難であった。
【００１５】
尚、特許文献１,２には、
・配線基板の上面に、電源電圧やＧＮＤ電圧（接地電圧）等を半導体チップへ供給する電源リングとＧＮＤリングとを形成する、
・各々のリングがくし歯形状の入れ子構造となっており、電源リングとＧＮＤリングに接続するワイヤー長をほぼ等距離にする、
という図１２の構成が開示されている。
【００１６】
同様に、特許文献３には、特許文献１,２に加え、突出部のワイヤーボンディング位置の近隣にビアを設け、半導体チップからボール電極までの電流経路を極力短くする構成が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−３１２７０５
【特許文献２】特開２０００−２６０８０９
【特許文献３】特開２００６−３４４７４０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来のＢＧＡタイプの半導体装置では、以下のような課題がある。
【００１８】
近年、半導体装置を搭載するための配線基板では、半導体チップのピン数が大幅に増大しているため配線数も増大している。配線数が増加すると、個々の信号配線間隔も狭くなり、信号配線のノイズを抑制することがより困難になってきている。
【００１９】
しかしながら図１２に示す従来例では、帯状配線２０８ａ,２０９ｂ（主に電源リングやＧＮＤリング）までのワイヤーをほぼ等距離にすることは可能だが、外周側に位置する金属配線パターン１０７までのワイヤー長がどうしても長くなる。そのためワイヤーの抵抗成分及びインダクタンス成分が高くなり信号品質が劣化する。また、金属配線パターン１１７同士が密に並んでいるため、ノイズの抑制が困難である。
【００２０】
本発明は上記課題を解決するため、インダクタンス成分を極力小さくし、かつノイズを極力抑制することが可能な配線基板およびそれを備えた半導体パッケージ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、
基板表面に設けられた半導体チップ搭載領域と、
前記半導体チップ搭載領域の外周縁に沿ってその外側の前記基板表面に設けられた第一の帯状配線と、
前記第一の帯状配線の外周縁に沿ってその外側の前記基板表面に設けられた第二の帯状配線と、
前記第一の帯状配線と前記第二の帯状配線とに無接触状態で前記基板表面に設けられた配線と、
を具備し、
前記第一,第二の帯状配線が有する一方の配線側部同士は互いに対向して交互に噛み合され、これら帯状配線のうちの少なくとも一つが有する他方の前記配線側部には切欠部が設けられ、
前記配線は前記切欠部に配置される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明にかかる半導体パッケージ装置によれば、特定の金属配線パターンに対し、インダクタンス成分を極力小さくし、かつノイズを極力抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
特定の金属配線パターンに対し、インダクタンス成分を極力小さくし、かつノイズを極力抑制するという目的を、主に電源電圧・接地電圧を供給する帯状配線を矩形型（ミアンダ形状）にし、かつ一方の帯状配線に対向側部に設けられた凹部に他方の配線を入れ込ませる、という構成を採用することにより実現した。
【００２４】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１について図１,図２を参照しながら説明する。配線基板（半導体チップ実装用基板）１１は、例えば有機樹脂よりなる多層配線構造を有し、その上面（表面）に、金属配線パターン１０７を有する金属配線層１８が形成される。配線基板１１の中央部には、金属配線層１８に半導体チップ１０２を搭載する半導体チップ搭載領域１１０が形成される。半導体チップ１０２の上面には、複数のパッド１０３が設けられる。パッド１０３は、半導体チップ１０２の四辺の縁部に沿って配置される。
【００２５】
配線基板１１の下面（裏面）には外部パッド電極１１７が複数形成され、各外部パッド電極１１７には、外部端子の一例であるボール電極１０４が形成される。各金属配線パターン１０７の一端部にはワイヤーボンドパッド１１３が接続され、各金属配線パターン１０７の他端部は基板内部配線（図示省略）を介して外部パッド電極１１７に電気的に接続される。
【００２６】
配線基板１１の上面には四角枠形状の第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａが設けられる。第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａは、半導体チップ１０２に電源電圧又は接地電圧（ＧＮＤ電圧）を供給する配線であって、半導体チップ搭載領域１１０の周囲を取り囲むようにして内外二重に形成される。各ワイヤーボンドパッド１１３は外側の第２の帯状配線１３ａの外側を取り囲むように配置される。
【００２７】
内側の第１の帯状配線１２ａと外側の第２の帯状配線１３ａとは共に蛇行形状（ミアンダ形状）を有する。具体的には、第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａは"コ"の字状の配線単位４０を複数有する。配線単位４０は、一対の対向辺４１,４１と連結辺４２とを備える。一方の帯状配線１２ａ（１３ａ）を構成する配線単位４０は、他方の帯状配線１３ａ（１２ａ）に向けて突出する凸単位４０Ａと、他方の帯状配線１３ａ（１２ａ）に向けて凹む凹単位４０Ｂとを備える。凸単位４０Ａは、一方の帯状配線１２ａ（１３ａ）が有する一方の配線側部にあって他方の帯状配線１３ａ（１２ａ）側に突出する。凹単位４０Ｂは、一方の帯状配線１２ａ（１３ａ）が有する一方の配線側部にあって他方の帯状配線１３ａ（１２ａ）側に凹む。凸単位４０Ａと凹単位４０Ｂとは、互い違いに配列される。隣接する凸単位４０Ａと凹単位４０Ｂとは、互いの対向辺４１を共有しながら蛇行一列に連結されており、これによって帯状配線１２ａ,１３ａは、矩形状の蛇行形状（ミアンダ形状）に構成される。さらには、一方の帯状配線１２ａ（１３ａ）の凸単位４０Ａと他方の帯状配線１３ａ（１２ａ）の凹単位４０Ｂとは、対向する位置に配置される。
【００２８】
第１の帯状配線１２ａと第２の帯状配線１３ａとはその各辺において互いに添設されており、第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａの添設によって互いに向い合う、一方の帯状配線１２ａ（１３ａ）の凹単位４０Ｂに、他方の帯状配線１３ａ（１２ａ）の凸単位４０Ａが入り込む。凸単位４０Ａと凹単位４０Ｂとは、このようにして互いに入り込めるようにその形状が設定される。これにより第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａは交互に噛み合って配置される。本実施の形態では、凸単位４０Ａにより凸側部が構成される。
【００２９】
交互に噛み合って配置される第１,第２の帯状配線１２ａ（１３ａ）の各配線単位４０（４１）においては、凸単位４０Ａによって囲まれる基板平面領域Ａに配線単位が存在せずにここに隙間が存在する。この隙間（基板平面領域Ａ）は、切欠部を構成する。この基板平面領域Ａ（切欠部）を埋めて金属配線パターン（配線）１５ａ,１５ｂが設けられる。金属配線パターン（配線）１５ａ,１５ｂは、その周囲を取り囲む凸単位４０Ａとは離間して配置される。帯状配線１２ａ,１３ａにそれぞれ同電位の電位が印加される場合、金属配線パターン１５ａ,１５ｂは、同電位の第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａによって囲まれる。第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａと金属配線パターン１５ａ,１５ｂとはそれぞれビア１６と内部配線（配線基板１１の内部に設けられる配線であって図示は省略される）を介して外部パッド電極１１７に接続される。なお、金属配線パターン１５ａ,１５ｂは信号配線であっても、電源電圧や接地電圧を供給する配線であってもよい。
【００３０】
配線基板１１を備えた半導体パッケージ３１は以下のように構成される。配線基板１１の半導体チップ搭載領域１１０に半導体チップ１０２がダイボンド材１１８によって接着固定されて搭載される。半導体チップ１０２のパッド１０３とワイヤーボンドパッド１１３とはワイヤー１０６によって電気的に接続され、パッド１０３と第１の帯状配線１２ａと第２の帯状配線１３ａとはワイヤー１１６によって電気的に接続され、パッド１０３と金属配線パターン１５ａ,１５ｂとはワイヤー１７によって電気的に接続される。半導体チップ１０２と各ワイヤー１７,１０６,１１６とは封止樹脂１１６で封止される。尚、１９はワイヤー１７と金属配線パターン１５ａ,１５ｂとのワイヤーボンディング位置を示し、２０はワイヤー１１６と第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａとのワイヤーボンディング位置を示し、２２はワイヤー１０６とワイヤーボンドパッド１１３とのワイヤーボンディング位置を示す。
【００３１】
以下、前記構成における作用を説明する。
【００３２】
第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａに定電圧を印加すると、金属配線パターン１５ａ,１５ｂは同電位の第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａに囲まれる。また第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａは矩形状の蛇行形状（ミアンダ形状）であるため、金属配線パターン１５ａ,１５ｂの両側に近接する帯状配線１２ａ,１３ａにおいてその対向辺４１,４１に流れる電流の向きは互いに逆になる。そのため、第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａに流れる電流から発生する磁束は、配線パターン１５ａ,１５ｂの両側に位置する対向辺４１,４１間で互いに打ち消し合うことになる。これにより、金属配線パターン１５ａ,１５ｂはノイズの影響を受けにくくなる。
【００３３】
また、矩形状に蛇行する第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａを互いに噛み合わせて配置し、かつ凸単位４０Ａによって囲まれる基板平面領域Ａに金属配線パターン１５ａ,１５ｂを配置することで、
・凹単位４０Ｂを構成する対向辺４１,４１と、
・前記凹単位４０Ｂに入り込む凸単位４０Ａを構成する対向辺４１,４１と、
・前記凸単位４０Ａに囲まれて配置される金属配線パターン１５ａ,１５ｂと、
が互いに並列に配置される。
【００３４】
上記した凹単位４０Ｂの対向辺４１,４１と、凸単位４０Ａの対向辺４１,４１と、金属配線パターン１５ａ,１５ｂとは、それぞれワイヤーボンディング位置１９,２０となる。
【００３５】
上記構成を備えることにより、ワイヤーボンディング位置１９,２０を、互いに直線Ｌ上に配置することが可能となる。これにより、少なくとも３つの種類の配線である第１の帯状配線１２ａと第２の帯状配線１３ａと金属配線１５ａ,１５ｂとに電気接続するワイヤーボンディング位置２２を、上述した直線Ｌと平行な直線Ｍに沿って並列配置すれば、イヤーボンディング位置１９,２０とワイヤーボンディング位置２２とを接続するワイヤー１０６群の高さ位置を互いに異ならせることなく、一つの高さに設定することが可能になる。
【００３６】
また、金属配線パターン１０７のように第２の帯状配線１３ａの外周に配線パターンを配置すると、配線基板１１側の金属配線パターン１０７と、半導体チップ１０２側のパッド１０３とを電気的に接続するワイヤー１０６の長さが長くなってインダクタンス成分が大きくなり、これにより信号品質が劣化する。しかしながら、金属配線パターン１５ａ,１５ｂのように第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａに設けた凸単位４０ａによって囲まれる基板平面領域Ａに金属配線パターン１５ａ,１５ｂを設けることで、ワイヤボンディング位置２２（直線Ｍ）からみて、金属配線パターン１５ａ,１５ｂが第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａと同距離になる。これにより、配線基板１１側の金属配線パターン１５ａ,１５ｂと、半導体チップ１０２側のパッド１０３とを電気的に接続するワイヤー１０６の長さが可及的に短くなってインダクタンス成分が抑制され、これにより信号品質が向上する。
【００３７】
尚、実施の形態１では、第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ｂのように２つの配線を矩形型にして組み合わせたが、帯状配線はスペースの許す限り、いくつでも増やしてもよい。図面例として、図３に帯状配線が３つ（第１の帯状配線５５ａ,第３の帯状配線５５ｂ,第２の帯状配線５５ｃ）の場合を示す。帯状配線が矩形状の蛇行形状（ミアンダ形状）であるため、スペースの許す限りいくつでも増やすことが可能であり、組み合わせた帯状配線に接続されるワイヤーは、ワイヤーボンディング位置２３が横並びになるため、ワイヤーのループデザインを少なくとも１種類で接続することが可能となる（図３ではワイヤー１１７に該当する）。
【００３８】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２について図４を参照しながら説明する。
【００３９】
基本的な構成は図１（ｂ）と同じであるが、図１（ｂ）と異なる点は、第１,第２の帯状配線１２ａ,１３ａのうちで、半導体チップ搭載領域１１０からみで外側に位置する第２の帯状配線１３ａを構成する凸単位４０ａによって囲まれる基板平面領域Ａに設けられる金属配線パターンの構成である。すなわち、この基板平面領域Ａには、帯状配線１２ａ,１３ａより外側に配置される金属配線パターン１０７群の中から選定される金属配線パターン１０７（１５ｃ）が基板平面領域Ａに向かって基板平面上で延出される。金属配線パターン１０７（１５ｃ）としては、対向辺４１と平行な方向に沿って、基板平面領域Ａに対向する位置にある金属配線パターン１０７を選定するのが好ましい。金属配線パターン１０７（１５ｃ）の先端は基板平面領域Ａに挿入されており、この金属配線パターン１０７（１５ｃ）の先端が、図１における金属配線パターン１５ｂと同様の形状となっている。
【００４０】
本実施形態の構成によれば、配線パターン１０７（１５ｃ）に接続されるワイヤー長を極力短くできるため、インダクタンス成分や抵抗成分を抑制することができる。そのため信号品質が向上する。
【００４１】
尚、図４では、各基板平面領域Ａに挿入される金属配線パターン１０７（１５ｃ）は１本であるが、各基板平面領域Ａに挿入される金属配線パターン１０７（１５ｃ）の本数は、配線基板１０１の平面スペースの許す限り何本でもよい。
【００４２】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３について図５,図６を参照しながら説明する。
【００４３】
本実施形態は、基本的な構成を図４と同じであるが、金属配線パターン１０７（１５ｃ）の両側に帯状配線１３ｃ,１３ｃが設けられていることに特徴を有する。帯状配線１３ｃ,１３ｃは、基板平面領域Ａを取り囲む凸単位４０Ａを構成する対向辺４１,４１が金属配線パターン１０７（１５ｃ）に沿って平行に延出することで構成される。このようにして形成される帯状配線１３ｃ,１３ｃは、帯状配線１３ｂと同電位にされる。
【００４４】
本実施形態によると、金属配線パターン１０７（１５ｃ）と同電位となる帯状配線１３ｃが金属配線パターン１０７（１５ｃ）に隣接しているため、金属配線パターン１０７（１５ｃ）に入り込む外部からのノイズや、特定の金属配線パターン１０７（１５ｃ）から外部に放射されるノイズが抑制される。
【００４５】
尚、図５では金属配線パターン１０７（１５ｃ）の両隣に帯状配線１３ｃ,１３ｃが配置されているが、図６に示す帯状配線１３ｃに示すように、金属配線パターン１０７（１５ｃ）の片側だけに金属配線パターン１０７（１５ｃ）を配置してもよい。
【００４６】
尚、図７に示すように、各基板平面領域Ａに金属配線パターン１５ｄを複数本配置しても良い。この構成では、例えば、金属配線パターン１５ｄを差動信号配線パターンとして構成することができる。そうすれば、凸単位４０Ａによって囲まれた基板平面領域Ａに差動信号配線パターンが挿入されることになってノイズ削減効果がさらに大きくなる。
【００４７】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４について図８（ａ）,（ｂ）を参照しながら説明する。本実施形態は、第１,第２の帯状配線１２ｂ,１３ｄをそれぞれ構成する凸単位４０ａの構成に特徴を有する。図８（ａ）では、凸単位４０ａを構成する対向辺４１,４１の基端が副連結辺４３によって連結されている。これにより、対向辺４１,４１の両端が連結辺４２と副連結辺４３とによってそれぞれ連結され、金属配線パターン１５ａ,１５ｂは、当該金属配線パターン１５ａ,１５ｂと同電位である対向辺４１,４１と連結辺４２と副連結辺４３とによってその全周が取り囲まれている。そのため、金属配線パターン１５ａ,１５ｂに入り込む外部からのノイズや、金属配線パターン１５ａ,１５ｂから外部に放射されるノイズを抑制することが可能となる。
【００４８】
尚、図８（ｂ）に示すように、凸単位４０Ａによって囲まれる基板平面領域Ａそれぞれに、複数本の信号配線パターン１５ｅ,１５ｆを設けても良い。そうすれば、金属配線パターン１５ｅ,１５ｆを差動信号配線パターンとした場合に、ノイズ抑制効果は大きくなる。
【００４９】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５について図９を参照しながら説明する。
【００５０】
実施の形態１〜４で説明した帯状配線１２ａ,１２ｂの形状と帯状配線１３ａ,１３ｂ,１３ｃ,１３ｄの形状とは、上記各実施の形態の構成に限ることなく、種々互いに組み合わせてもよく、そうした構成においても信号品質を向上させる効果がある。例えば図９に示すように帯状配線１２ａ,１２ｂを組み合わせた帯状配線１２ｅと帯状配線１３ｅとで構成し、さらに帯状配線１３ｅを、帯状配線１３ａと帯状配線１３ｂと帯状配線１３ｄとを組み合わせて構成しても良い。組み合わせについてはこれに限ったものではない。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明にかかる配線基板とそれを用いた半導体装置によれば、特定の信号配線のインダクタンス成分を小さくすることができ、かつノイズを抑制することができ、その上、複数の電源及び接地電位を供給する帯状配線の数が増えてもワイヤーのループデザインを少なくとも１つで接続することが可能な半導体装置のパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１における配線基板の図であり、（ａ）は平面図（ワイヤーは省略）、（ｂ）は（ａ）におけるＳ部の拡大平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ’矢視図である。
【図３】本発明の実施の形態１の図１において帯状配線を３つ配置した配線基板の一部拡大図面である。
【図４】本発明の実施の形態２における配線基板の一部拡大平面図である。
【図５】本発明の実施の形態３における配線基板の一部拡大平面図である。
【図６】本発明の実施の形態３の図５において帯状配線を一部変更した配線基板の一部拡大平面図である。
【図７】本発明の実施の形態３の図５において特定の金属配線パターンを２本隣接して配置した配線基板の一部拡大平面図である。
【図８】（ａ）本発明の実施の形態４における配線基板の一部拡大平面図である。
【００５３】
（ｂ）本発明の実施の形態４の図８（ａ）において特定の金属配線パターンを２本隣接して配置した配線基板の一部拡大平面図である。
【図９】本発明の実施の形態５における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１０】従来の配線基板の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＵ部の拡大平面図である。
【図１１】従来の配線基板を備えた半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’矢視図である。
【図１２】従来の配線基板の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＵ部の拡大平面図である。
【図１３】従来の配線基板を備えた半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ’矢視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０１配線基板
１２ａ,１２ｇ,１２ｅ,１３ａ,１３ｂ,１３ｃ,１３ｄ,１３ｅ  帯状配線
１５ａ,１５ｂ,１５ｃ,１５ｄ,１５ｅ,１５ｆ  金属配線パターン（配線）
Ａ  基板平面領域
１６  ビア
１７,１０６,１１６  ワイヤー
１８  金属配線層
１９,２０,２２,２３  ワイヤーボンディング位置
４０  配線単位
４０Ａ  凸単位
４０Ｂ  凹単位
４１  対向辺
４２  連結辺
１０２  半導体チップ
１０３  パッド
１０４  ボール電極
１０５  絶縁材
１０７  金属配線パターン
１１０  半導体チップ搭載領域
１１３  ワイヤーボンドパッド
１１６  封止樹脂
１１７  外部パッド電極
１１８  ダイボン材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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