(57)【要約】【課題】液浸法による露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止された基板処理装置を提供する。【解決手段】処理レシピ３０４ｂにおいて、各ステップは基板の搬送順序に対応する。このステップ毎に、基板の搬送先が設定されるとともに、各搬送先における処理内容が設定されている。処理レシピ３０４ｂにおいて、塗布ユニットＣＯＶが搬送先として設定されていないのに露光装置が搬送先として設定されている場合、またはレジストカバー膜の塗布処理が処理内容として設定されていないのに露光装置が搬送先として設定されている場合には、処理レシピ３０４ｂの設定に妥当性がないことがオペレータに通知される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板上に撥水性を有する撥水膜を形成する撥水膜形成ユニットを含む処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
基板の処理条件が設定された処理レシピを記憶し、前記処理レシピに従って前記処理部および前記受け渡し部を制御する制御部と、
前記制御部に記憶された前記処理レシピに、撥水膜が形成されていない状態で基板が露光装置に搬送されるように前記処理条件が設定されている場合に、前記処理レシピに妥当性がないことを使用者に通知するための通知手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理レシピに前記処理条件として基板の搬送先が設定され、
前記通知手段は、前記処理レシピに前記搬送先として前記撥水膜形成ユニットが設定されていない場合に前記処理レシピに妥当性がないことを使用者に通知することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理レシピに前記処理条件として基板の処理内容が設定され、
前記通知手段は、前記処理レシピに前記処理内容として前記撥水膜を形成する処理が設定されていない場合に前記処理レシピに妥当性がないことを使用者に通知することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理部は、基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットをさらに含み、
前記撥水膜形成ユニットは、前記感光性膜を保護する保護膜を前記撥水膜として形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記撥水膜形成ユニットは、感光性材料からなる感光性膜を前記撥水膜として形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理部は、
前記撥水膜形成ユニットにおける前記撥水膜の形成が正常であるか否かを判定する判定手段をさらに含み、
前記制御部は、前記判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に基板を露光装置に搬送し、前記判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に前記露光装置に基板を搬送せずに基板を待機させるように前記受け渡し部を制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
液浸法を用いて露光処理を行う場合、基板上に供給される液体がレジスト膜に直接接触すると、レジスト膜の成分がその液体中に溶解して処理不良が発生する。そのため、一般的には露光処理前にレジスト膜を覆うようにレジストカバー膜が形成される。
【０００８】
ところで、露光処理時には、基板の表面の撥水性が低いと、基板上で液体を安定に保持することができない。通常、レジストカバー膜は高い撥水性を有するので、レジストカバー膜が形成されている場合には、基板上で液体を安定に保持することができる。しかしながら、レジストカバー膜が正常に形成されていないと、基板の表面の撥水性が低くなり、液体が基板の周囲に流出することがある。この場合、露光装置内の各部に液体が付着し、露光装置の復旧のために多大な労力および時間が必要になる。
【０００９】
本発明の目的は、液浸法による露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止された基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板上に撥水性を有する撥水膜を形成する撥水膜形成ユニットを含む処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、基板の処理条件が設定された処理レシピを記憶し、処理レシピに従って処理部および受け渡し部を制御する制御部と、制御部に記憶された処理レシピに、撥水膜が形成されていない状態で基板が露光装置に搬送されるように処理条件が設定されている場合に、処理レシピに妥当性がないことを使用者に通知するための通知手段とを備えたものである。
【００１１】
この基板処理装置においては、使用者により処理レシピに基板の処理条件が設定される。その処理レシピに従って、処理部および受け渡し部が制御部により制御される。
【００１２】
処理レシピに処理条件が適切に設定されている場合、処理部において撥水膜形成ユニットにより基板上に撥水膜が形成され、その基板が受け渡し部により露光装置に渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。
【００１３】
一方、撥水膜が形成されていない状態で基板が露光装置に搬送されるように処理レシピに処理条件が設定されている場合、通知手段により処理レシピに妥当性がないことが使用者に通知される。
【００１４】
この場合、使用者が処理レシピの不具合を認識し、事前に処理レシピを修正することができる。それにより、撥水膜が形成されていない状態で基板に露光処理が行われることが防止される。したがって、露光処理時に、基板上に供給される液体が基板上で保持されずに基板の周囲に流出することが防止される。その結果、露光装置内の各部に液体が付着することが防止され、露光装置のダウンタイムが発生することが防止される。
【００１５】
（２）処理レシピに処理条件として基板の搬送先が設定され、通知手段は、処理レシピに搬送先として撥水膜形成ユニットが設定されていない場合に処理レシピに妥当性がないことを使用者に通知してもよい。
【００１６】
この場合、使用者が処理レシピの不具合を認識し、事前に処理レシピを修正することができる。それにより、基板が撥水膜形成ユニットに搬送されることなく露光装置に搬送されることが防止される。その結果、撥水膜が形成されていない状態で基板に露光処理が行われることが防止され、露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止される。
【００１７】
（３）処理レシピに処理条件として基板の処理内容が設定され、通知手段は、処理レシピに処理内容として撥水膜を形成する処理が設定されていない場合に処理レシピに妥当性がないことを使用者に通知してもよい。
【００１８】
この場合、使用者が処理レシピの不具合を認識し、事前に処理レシピを修正することができる。それにより、基板上に撥水膜を形成する処理が行われることなく基板が露光装置に搬送されることが防止される。その結果、撥水膜が形成されていない状態で基板に露光処理が行われることが防止され、露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止される。
【００１９】
（４）処理部は、基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットをさらに含み、撥水膜形成ユニットは、感光性膜を保護する保護膜を撥水膜として形成してもよい。
【００２０】
この場合、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性材料からなる感光性膜が形成された後、撥水膜形成ユニットにより基板上に感光性膜を保護する保護膜が形成される。保護膜が適切に形成されていれば、保護膜の撥水性により露光処理時に基板上で液体が安定に保持される。
【００２１】
保護膜が形成されていない状態で基板が露光装置に搬送されるように処理レシピに処理条件が設定されている場合、通知手段により処理レシピに妥当性がないことが使用者に通知される。その場合、使用者が処理レシピの不具合を認識し、事前に処理レシピを修正することができる。それにより、保護膜が形成されていない状態で基板に露光処理が行われることが防止され、露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止される。
【００２２】
（５）撥水膜形成ユニットは、感光性材料からなる感光性膜を撥水膜として形成してもよい。
【００２３】
この場合、撥水膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が適切に形成されていれば、感光性膜の撥水性により露光処理時に基板上で液体が安定に保持される。
【００２４】
感光性膜が形成されていない状態で基板が露光装置に搬送されるように処理レシピに処理条件が設定されている場合、通知手段により処理レシピに妥当性がないことが使用者に通知される。その場合、使用者が処理レシピの不具合を認識し、事前に処理レシピを修正することができる。それにより、感光性膜が形成されていない状態で基板に露光処理が行われることが防止され、露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止される。
【００２５】
（６）処理部は、撥水膜形成ユニットにおける撥水膜の形成が正常であるか否かを判定する判定手段をさらに含み、制御部は、判定手段により保護膜の形成が正常であると判定された場合に基板を露光装置に搬送し、判定手段により保護膜の形成が正常でないと判定された場合に露光装置に基板を搬送せずに基板を待機させるように受け渡し部を制御してもよい。
【００２６】
この場合、判定手段により撥水膜の形成が正常であると判定された場合に基板が受け渡し部により露光装置に搬送される。一方、判定手段により撥水膜の形成が正常でないと判定された場合、基板が露光装置に搬送されずに受け渡し部に待機する。
【００２７】
それにより、撥水膜が正常に形成された基板のみに露光処理が行われる。したがって、露光処理時に液体が基板の周囲に流出することが防止される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、撥水膜が形成されていない状態で基板に露光処理が行われることが防止される。したがって、露光処理時に、基板上に供給される液体が基板上で保持されずに基板の周囲に流出することが防止される。その結果、露光装置内の各部に液体が付着することが防止され、露光装置のダウンタイムが発生することが防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３０】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３１】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３２】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３３】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３４】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３５】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００３６】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００３７】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００３８】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００３９】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４０】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４２】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００４３】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００４４】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００４５】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。
【００４６】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００４７】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００４８】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００４９】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５０】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００５１】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００５２】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００５３】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００５４】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００５５】
各処理ブロック１０〜１４の下部には、配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器および所定の処理液を貯留する貯留タンク等の流体関連機器を収納する収納部１０Ａ，１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａがそれぞれ設けられている。
【００５６】
第１のインターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００５７】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５８】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５９】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６０】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６１】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６２】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００６３】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００６４】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００６５】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００６６】
（２）基板処理装置の動作例
次に、基板処理装置５００の動作例について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００６７】
（２−１）インデクサブロックからレジストカバー膜除去ブロックまでの動作
まず、インデクサブロック９からレジストカバー膜除去ブロック１４までの動作について簡単に説明する。
【００６８】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６９】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７０】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７１】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７２】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７３】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７４】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７５】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７６】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７７】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００７９】
レジストカバー膜の塗布処理時には、レジストカバー膜が正常に形成されているか否かを判定するレジストカバー膜判定処理が行われる。レジストカバー膜判定処理の詳細については後述する。
【００８０】
以下の説明においては、レジストカバー膜判定処理によりレジストカバー膜が正常に形成されていると判定された基板Ｗを正常基板と呼び、レジストカバー膜が正常に形成されていないと判定された基板Ｗを不良基板と呼ぶ。
【００８１】
この後の工程では、正常基板と不良基板とが区別して処理される。まず、正常基板に対するレジストカバー膜除去ブロック１４からインデクサブロック９までの動作を説明する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００８３】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００８４】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００８６】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００８９】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における正常基板に対する処理が終了する。
【００９２】
次に、不良基板に対するレジストカバー膜除去ブロック１４からインデクサブロック９までの動作を説明する。ここでは、正常基板に対するレジストカバー膜除去ブロック１４からインデクサブロック９までの動作と異なる点を説明する。
【００９３】
インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、正常基板に対しては、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１において露光後ベークが行われる。一方、不良基板に対しては、露光後ベークが行われず、不良基板は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１において所定の時間待機する。待機時間は、露光後ベークのための所要時間と等しくなるように設定される。その後、不良基板は、第６のセンターロボットＣＲ６により露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１から取り出される。
【００９４】
また、レジストカバー膜除去用処理部９０において、不良基板に対しては、レジストカバー膜の除去処理が行われず、不良基板は、レジストカバー膜除去用処理部９０において所定の時間待機する。待機時間は、レジストカバー膜の除去処理の所要時間と等しくなるように設定される。
【００９５】
また、現像処理部７０において、不良基板に対しては、現像処理が行われなわれず、不良基板は、現像処理部７０において所定の時間待機する。待機時間は、現像処理に要する時間と等しくなるように設定される。
【００９６】
また、基板処理装置５００において各処理が終了した後、インデクサブロック９に不良基板が戻される際には、オペレータに対する警告処理が行われる。警告処理は、例えば警告ブザーまたは警告ランプ等により行われる。この場合、オペレータは、基板処理装置５００内において不良基板が発生したことを認識し、不良基板を回収する等の処置をとる。
【００９７】
なお、インデクサブロック９に基板Ｗが戻された際に、レジストカバー膜判定処理の結果に基づいて、正常基板と不良基板とが予め定められたキャリア載置台４０に自動的に振り分けられることにより、不良基板の回収を可能としてもよい。
【００９８】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００９９】
インターフェースブロック１５においては、正常基板と不良基板とでそれぞれ異なる処理が施される。
【０１００】
まず、正常基板に対するインターフェースブロック１５の動作について説明する。
【０１０１】
第５のセンターロボットＣＲ５により基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【０１０２】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０３】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【０１０４】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１０５】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１０６】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１０７】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０８】
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１１０】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１１１】
次に、不良基板に対するインターフェースブロック１５の動作について説明する。ここでは、正常基板に対するインターフェースブロック１５の動作と異なる点を説明する。
【０１１２】
レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１から第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られた基板Ｗは、エッジ露光部ＥＥＷに搬入されずに、送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に搬入される。送りバッファ部ＳＢＦにおいて、基板Ｗは所定時間待機する。
【０１１３】
所定時間経過後、第６のセンターロボットＣＲ６により基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦから取り出される。その後、第６のセンターロボットＣＲ６はその基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１１４】
このように、インターフェースブロック１５に搬入された不良基板は、送りバッファ部ＳＢＦで待機し、そのまま、インターフェースブロック１５から搬出される。すなわち、不良基板に対しては、エッジ露光部ＥＥＷにおけるエッジ露光処理、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄および乾燥処理、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰにおける温調処理、露光装置１６における露光処理、および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２における洗浄および乾燥処理が行われない。
【０１１５】
送りバッファ部ＳＢＦにおける不良基板の待機時間は、インターフェースブロック１５および露光装置１６における正常基板の処理時間と等しくなるように設定される。すなわち、インターフェ−スブロック１５における不良基板の滞在時間とインターフェ−スブロック１５および露光装置１６における正常基板の滞在時間とが等しくなるように設定される。
【０１１６】
（３）基板処理装置の制御系
図５は、基板処理装置５００の制御系について説明するためのブロック図である。図５に示すように、基板処理装置５００は、メインコントローラ３０および処理ブロック９〜１５に対応して設けられたスレーブコントローラ３１１〜３１７を備える。メインコントローラ３０は基板処理装置５００の全体を統括的に制御する。スレーブコントローラ３１１〜３１７は、対応する処理ブロック内の各種構成要素の動作を制御する。
【０１１７】
メインコントローラ３０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）３０１、操作部３０２、表示部３０３および記憶部３０４を含む。
【０１１８】
操作部３０２において、オペレータが種々の入力作業を行う。表示部３０３は、操作部３０２において入力された情報、または各処理ブロックの動作に関する情報等、種々の情報を表示する。なお、例えばタッチパネルのように操作部３０２と表示部３０３とが一体的に構成されてもよい。
【０１１９】
記憶部３０４は、プログラム３０４ａ、処理レシピ３０４ｂおよびライブラリ３０４ｃを記憶する。プログラム３０４ａは、各種演算処理のためのプログラムである。処理レシピ３０４ｂには、基板Ｗの処理条件として基板Ｗの搬送先および処理内容等が設定されている。処理レシピ３０４ｂの詳細については後述する。ライブラリ３０４ｃには、基板Ｗの処理内容に関する詳細なパラメータ等が設定されている。
【０１２０】
ＣＰＵ３０１は、記憶部３０４に記憶されるプログラム３０４ａに基づいて各種演算処理を行い、スレーブコントローラ３１１〜３１７を制御する。それに応じて、スレーブコントローラ３１１〜３１７が処理ブロック９〜１５をそれぞれ制御する。この場合、処理ブロック９〜１５において、処理レシピ３０４ｂおよびライブラリ３０４ｃの設定に従って基板Ｗの処理が行われる。
【０１２１】
（４）処理レシピ
図６は、処理レシピ３０４ｂの一例を示す図である。図６の処理レシピ３０４ｂにおいて、各ステップは基板Ｗの搬送順序に対応する。このステップ毎に、基板Ｗの搬送先が設定されるとともに、各搬送先における処理内容が設定されている。処理レシピ３０４ｂに搬送先として示されるＩＤ、ＨＰ、・・・は、図１〜図４に付した符号に対応している。各処理内容に関する詳細なパラメータ（例えば、加熱処理時における加熱温度または各種膜の塗布処理時における塗布液の流量等）は、ライブラリ３０４ｃ（図５）に別途設定されている。
【０１２２】
オペレータは、操作部３０２において処理レシピ３０４ｂおよびライプラリ３０４ｃの編集を行うことができる。具体的には、例えば表示部３０３に図６の処理レシピ３０４ｂまたは図示しないライプラリ３０４ｃが表示される。オペレータは、その表示を参照しながら操作部３０２を操作して処理レシピ３０４ｂおよびライプラリ３０４ｃの設定の一部または全体を変更する。
【０１２３】
処理レシピ３０４ｂおよびライプラリ３０４ｃの設定を変更することにより、基板Ｗの処理手順または処理内容を変更することができる。
【０１２４】
図６の処理レシピ３０４ｂでは、ステップ“ｍ”において搬送先として塗布ユニットＣＯＶが設定され、処理内容としてレジストカバー膜の塗布処理が設定されている。また、ステップ“ｎ”において搬送先として露光装置１６が設定されている。
【０１２５】
（５）処理レシピ確認処理
本実施の形態では、オペレータによって処理レシピ３０４ｂが編集されると、ＣＰＵ３０１が以下に示す処理レシピ確認処理を行う。図７は、ＣＰＵ３０１による処理レシピ確認処理の一例を示すフローチャートである。
【０１２６】
図７に示すように、ＣＰＵ３０１は、編集後の処理レシピ３０４ｂに搬送先として露光装置１６が設定されているか否かを判定する（ステップＳ１）。
【０１２７】
搬送先として露光装置１６が設定されていない場合、ＣＰＵ３０１は処理を終了する。搬送先として露光装置１６が設定されている場合、ＣＰＵ３０１は、編集後の処理レシピ３０４ｂに搬送先として塗布ユニットＣＯＶが設定されているか否かを判定する（ステップＳ２）。
【０１２８】
塗布ユニットＣＯＶが設定されている場合、ＣＰＵ３０１は、編集後の処理レシピ３０４ｂに処理内容としてレジストカバー膜の塗布処理が設定されているか否かを判定する（ステップＳ３）。
【０１２９】
ステップＳ２において搬送先として塗布ユニットＣＯＶが設定されていない場合、およびステップＳ３において処理内容としてレジストカバー膜の塗布処理が設定されていない場合、ＣＰＵ３０１は、処理レシピ３０４ｂの設定に妥当性がないことをオペレータに通知する（ステップＳ４）。具体的には、表示部３０３における警告画面の表示、または図示しない警報装置（例えばブザー）の発令等が行われる。
【０１３０】
このように、処理レシピ３０４ｂにおいて、塗布ユニットＣＯＶが搬送先として設定されていないのに露光装置１６が搬送先として設定されている場合、またはレジストカバー膜の塗布処理が処理内容として設定されていないのに露光装置１６が搬送先として設定されている場合には、処理レシピ３０４ｂの設定に妥当性がないことがオペレータに通知される。
【０１３１】
ここで、露光装置１６においては、投影光学系（露光レンズ）と基板Ｗとの間に液体が保持された状態で露光処理が行われる。しかしながら、基板Ｗの表面の撥水性が低いと、基板Ｗ上で液体が安定に保持されず、液体が基板Ｗの周囲に流出する。その場合、露光装置１６内の各部に液体が付着し、その復旧のために多大な時間（ダウンタイム）が必要になる。
【０１３２】
本実施の形態においては、高い撥水性を有するレジストカバー膜が基板Ｗ上に形成されることにより、基板Ｗの表面の撥水性が確保される。一方、レジストカバー膜が形成されていない状態では、基板Ｗの表面の撥水性が確保されない。すなわち、レジストカバー膜が形成されていない状態で基板Ｗが露光装置１６に搬送されると、上記のような不具合が発生する。
【０１３３】
そこで、上記の処理レシピ確認処理が行われることにより、処理レシピ３０４ｂの編集ミスによってレジストカバー膜が形成されていない状態で基板Ｗが露光装置１６に搬送されることが防止される。それにより、露光装置１６におけるダウンタイムの発生を防止することができる。
【０１３４】
なお、本実施の形態では、オペレータによって処理レシピ３０４ｂの編集が行われた際に処理レシピ確認処理が行われるが、これに限らず、例えば所定の時間が経過する毎に定期的に処理レシピ確認処理が行われてもよい。
【０１３５】
（６）レジストカバー膜判定処理
次に、レジストカバー膜用処理ブロック１３におけるレジストカバー膜判定処理の詳細について説明する。
【０１３６】
（６−１）塗布ユニットＣＯＶの構成
まず、塗布ユニットＣＯＶおよびその周辺部分の構成について説明する。図８は、塗布ユニットＣＯＶおよびその周辺部分の構成を説明するための図である。
【０１３７】
図８に示すように、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック８１を備える。
【０１３８】
スピンチャック８１は、チャック回転駆動機構４３６によって回転される回転軸４２５の上端に固定されている。また、スピンチャック８１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック８１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの裏面をスピンチャック８１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。なお、吸着式スピンチャック８１の代わりに、基板Ｗの端面を保持するメカ式スピンチャックを用いてもよい。
【０１３９】
スピンチャック８１に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように飛散防止カップ４４０が設けられている。飛散防止カップ４４０の上面側には開口部４４１が設けられ、飛散防止カップ４４０の下部には排液口４４２および複数の排気口４４３が設けられている。排気口４４３は工場内の排気設備に接続される。飛散防止カップ４４０の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面４４０ａが形成されている。
【０１４０】
飛散防止カップ４４０は、図示しない昇降駆動機構により上下方向に移動する。第４のセンターロボットＣＲ４（図１）がスピンチャック８１上に基板Ｗを載置する際、またはスピンチャック８１上の基板Ｗを取り出す際には、飛散防止カップ４４０の上端部の高さがスピンチャック８１上の基板Ｗの高さよりも低くなるように飛散防止カップ４４０が移動する。スピンチャック８１上の基板Ｗに塗布液が供給される際には、飛散防止カップ４４０は、傾斜面４４０ａが基板Ｗの外周端面に対向する位置（以下、基板処理位置と呼ぶ）に移動する。
【０１４１】
また、スピンチャック８１上の基板Ｗの下方には、基板Ｗの裏面を洗浄するためのリンス液を吐出するバックリンスノズル４４５が設けられている。リンス液としては、例えば純水、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）または洗浄用の溶剤等が用いられる。
【０１４２】
スピンチャック８１の上方には、基板Ｗ上にレジストカバー膜の塗布液を吐出する供給ノズル８２が上下動可能かつ基板Ｗの上方位置と基板Ｗの外方の待機位置との間で移動可能に設けられている。
【０１４３】
供給ノズル８２の先端部には、液吐出センサ４４４が取り付けられている。液吐出センサ４４４は、赤外波長領域の光を照射する投光部４４４ａ、および赤外線波長領域において高い受光感度を有する受光素子を内蔵した受光部４４４ｂを備える。投光部４４４ａおよび受光部４４４ｂは、供給ノズル８２の先端部の僅かに鉛直下方の領域を挟んで互いに対向するように配置されている。
【０１４４】
供給ノズル８２から塗布液が正常に吐出されている期間、すなわち、供給ノズル８２から鉛直下方に向けて塗布液が吐出されている期間には、投光部４４４ａからの光が塗布液により遮られる。そのため、受光部４４４ｂは投光部４４４ａからの光を受光しない。
【０１４５】
一方、塗布液の吐出を停止している期間、または供給ノズル８２の詰まり等に起因して塗布液が正常に吐出されていない期間には、投光部４４４ａからの光が塗布液により遮られない。そのため、受光部４４４ｂは投光部４４４ａからの光を受光する。液吐出センサ４４４は、スレーブコントローラ３１５に吐出信号ＤＩを与える。
【０１４６】
受光部４４４ｂが投光部４４４ａからの光を受光している場合は、液吐出センサ４４４からスレーブコントローラ３１５に与えられる吐出信号ＤＩが非検出状態（例えば、ハイレベル）となる。受光部４４４ｂが投光部４４４ａからの光を受光していない場合は、液吐出センサ４４４からスレーブコントローラ３１５に与えられる吐出信号ＤＩが検出状態（例えば、ローレベル）となる。
【０１４７】
供給ノズル８２には、塗布液供給管４４５が接続されている。塗布液供給管４４５は、流量計４５１、サックバックバルブ４４６、フィルタＦ、供給ポンプ４４７および逆止弁４４８を介してレジストカバー膜の塗布液が貯留される貯留タンク４４９へ延びている。流量計４５１、サックバックバルブ４４６、フィルタＦ、供給ポンプ４４７、逆止弁４４８および貯留タンク４４９は図２に示す収納部１３Ａに収納されている。
【０１４８】
流量計４５１は、塗布液供給管４４５を通して供給ノズル８２に供給される塗布液の流量を測定し、その測定結果を流量信号ＦＩとしてスレーブコントローラ３１５に与える。
【０１４９】
サックバックバルブ４４６は、基板処理装置５００の外部に設けられる加圧空気源に接続されている。加圧空気源からサックバックバルブ４４６に加圧空気が供給されることにより、供給ノズル８２の先端部に残留する塗布液が僅かに上流側へ引き戻される。それにより、基板Ｗの処理時以外に供給ノズル８２から塗布液が落下することが防止される。
【０１５０】
フィルタＦは、塗布液に混入した不純物を除去する。それにより、清浄な塗布液が基板Ｗに供給される。
【０１５１】
供給ポンプ４４７は、モータ４４７ａを備える。モータ４４７ａが作動することにより、貯留タンク４４９内の塗布液が塗布液供給管４４５を通して供給ノズル８２に供給される。モータ４４７ａには、脱調センサ４４７ｂが取り付けられている。脱調センサ４４７ｂは、モータ４４７ａの脱調を検出し、スレーブコントローラ３１５に脱調信号ＳＯを与える。
【０１５２】
また、供給ポンプ４４７と塗布液供給管４４５との接続部分には、圧力計４４７ｃが取り付けられている。圧力計４４７ｃは、供給ポンプ４４７の供給圧力（以下、ポンプ圧と呼ぶ）を測定し、その測定結果を圧力信号ＰＩとしてスレーブコントローラ３１５に与える。
【０１５３】
逆止弁４４８は、塗布液が供給ポンプ４４７から貯留タンク４４９へ逆流することを防止する。
【０１５４】
また、スピンチャック８１の上方には、ＣＣＤカメラ４５０がスピンチャック８１上の基板Ｗの中心部を撮影するように設置されている。なお、図８においては、ＣＣＤカメラ４５０と基板Ｗとの間に、供給ノズル８２の一部および液吐出センサ４４４の一部が位置するが、実際には、ＣＣＤカメラ４５０は、供給ノズル８２および液吐出センサ４４４が障害とならずに基板Ｗの中心部を撮影することができるように配置されている。
【０１５５】
供給ノズル８２から基板Ｗに塗布液が吐出される際には、基板Ｗ上における塗布液の塗布状況がＣＣＤカメラ４５０により静止画像として連続的に撮影される。
【０１５６】
ＣＣＤカメラ４５０により撮影された静止画像の画像データＩＤは、スレーブコントローラ３１５に与えられる。
【０１５７】
また、スピンチャック８１上の基板Ｗの中心部上方と基板Ｗの周縁部上方との間で直線移動可能に膜厚センサ４６０が設けられている。膜厚センサ４６０は、基板Ｗの中心部上方と周縁部上方との間で移動しつつ、基板Ｗ上の膜厚を連続的に測定し、その測定結果を膜厚信号ＣＴとしてスレーブコントローラ３１５に与える。
【０１５８】
なお、図８においては、１つの塗布ユニットＣＯＶおよび１つの供給系について説明したが、実際には、図２に示すように、レジストカバー膜用処理ブロック１３には３つの塗布ユニットＣＯＶが設けられており、収納部１３Ａには、この３つの塗布ユニットＣＯＶに対応する３つの供給系が設けられている。これらの塗布ユニットＣＯＶおよび供給系のそれぞれに図８に示す複数のセンサおよびカメラが設けられている。
【０１５９】
（６−２）塗布ユニットＣＯＶの動作およびレジストカバー膜判定処理
次に、上記の図８を参照して、塗布ユニットＣＯＶの動作について説明する。
【０１６０】
まず、第４のセンターロボットＣＲ４（図１）によりスピンチャック８１上に基板Ｗが載置され、その基板Ｗがスピンチャック８１により保持される。その後、供給ノズル８２が基板Ｗの中心部の直上に移動するとともに、飛散防止カップ４４０が、上述の基板処理位置に移動する。
【０１６１】
続いて、チャック回転駆動機構４３６により回転軸４２５が回転し、それに伴ってスピンチャック８１に保持された基板Ｗが回転する。
【０１６２】
次に、供給ノズル８２から基板Ｗの中心部に向けて塗布液が吐出される。基板Ｗ上に吐出された塗布液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力により、基板Ｗの中心部から周縁部へと広がる。
【０１６３】
所定時間経過後、塗布液の吐出が停止される。続いて、バックリンスノズル４４５から基板Ｗの裏面に向けてリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの裏面に付着した塗布液が洗い流される。
【０１６４】
次いで、リンス液の吐出が停止されるとともに、回転軸４２５の回転数が上昇し、基板Ｗの裏面に付着したリンス液が振り切られる。それにより、基板Ｗが乾燥される。
【０１６５】
その後、回転軸４２５の回転が停止され、基板Ｗの回転が停止する。そして、第４のセンターロボットＣＲ４（図１）により基板Ｗが塗布ユニットＣＯＶから搬出される。これにより、塗布ユニットＣＯＶにおける一連の動作が終了する。
【０１６６】
本実施の形態では、上記の動作に並行して、スレーブコントローラ３１５により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が正常に形成されているか否かを判定するレジストカバー膜判定処理が行われる。
【０１６７】
ここで、レジストカバー膜の形成状態の正否について説明する。図９（ａ）および図９（ｂ）には、レジストカバー膜が正常に形成されている場合の基板Ｗの上面図および側面図が示される。図９（ｃ）および図９（ｄ）には、レジストカバー膜が正常に形成されていない場合の基板Ｗの上面図および側面図が示される。なお、図９においては、基板Ｗおよびレジストカバー膜ＲＣＶのみが示されるが、実際には、基板Ｗとレジストカバー膜ＲＣＶとの間に、上記の反射防止膜およびレジスト膜が形成されている。
【０１６８】
図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、基板Ｗの一面に均一な厚みで一様にレジストカバー膜ＲＣＶが形成されている場合には、レジストカバー膜ＲＣＶが正常に形成されているといえる。
【０１６９】
一方、図９（ｃ）および図９（ｄ）に示すように、レジストカバー膜ＲＣＶの表面が不均一な状態である場合、または基板Ｗの周縁部の一部にレジストカバー膜ＲＣＶが形成されていない場合には、レジストカバー膜ＲＣＶが正常に形成されているとはいえない。このような状態で、基板Ｗが露光装置１６に搬送されると、液浸法による露光処理の際に、基板Ｗ上に供給される液体が基板Ｗの周囲に流出するおそれがある。
【０１７０】
そこで、本実施の形態では、レジストカバー膜判定処理により不良基板であると判定された基板Ｗは、上記のように、インターフェースブロック１５から露光装置１６に搬送されない。
【０１７１】
図１０は、スレーブコントローラ３１５によるレジストカバー膜判定処理の一例を示すフローチャートである。図１０に示すように、まず、供給ノズル８２から基板Ｗに塗布液が吐出されている期間、スレーブコントローラ３１５は、脱調センサ４４７ｂから与えられる脱調信号ＳＯに基づいて、供給ポンプ４４７のモータ４４７ａの脱調が発生していないか否かを判定する（ステップＳ１１）。
【０１７２】
供給ポンプ４４７のモータ４４７ａの脱調が発生している場合、スレーブコントローラ３１５は、塗布ユニットＣＯＶにおいて処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する（ステップＳ１７）。供給ポンプ４４７のモータ４４７ａの脱調が発生していない場合、スレーブコントローラ３１５は続いてステップＳ１２の判定を行う。
【０１７３】
ステップＳ１２においては、スレーブコントローラ３１５は、圧力計４４７ｃから与えられる圧力信号ＰＩに基づいて、供給ポンプ４４７のポンプ圧が予め設定された規定値の範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ１２）。
【０１７４】
供給ポンプ４４７のポンプ圧が予め設定された規定値の範囲内にない場合、スレーブコントローラ３１５は、塗布ユニットＣＯＶにおいて処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する（ステップＳ１７）。供給ポンプ４４７のポンプ圧が予め設定された規定値の範囲内にある場合、スレーブコントローラ３１５は、続いてステップＳ１３の判定を行う。
【０１７５】
ステップＳ１３においては、スレーブコントローラ３１５は、流量計４５１から与えられる流量信号ＦＩに基づいて、塗布液供給管４４５を通して供給ノズル８２に供給される塗布液の流量が予め設定された規定値の範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ１３）。
【０１７６】
塗布液の流量が予め設定された規定値の範囲内にない場合、スレーブコントローラ３１５は、塗布ユニットＣＯＶにおいて処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する（ステップＳ１７）。塗布液の流量が予め設定された規定値の範囲内にある場合、スレーブコントローラ３１５は、続いてステップＳ１４の判定を行う。
【０１７７】
ステップＳ１４においては、スレーブコントローラ３１５は、ＣＣＤカメラ４５０から与えられる画像データＩＤに基づいて、基板Ｗ上における塗布液の塗布状況が正常か否かを判定する（ステップＳ１４）。具体的には、例えば正常な塗布状況の画像データを予めスレーブコントローラ３１５に記憶させておき、その画像データと、ＣＣＤカメラ４５０から与えられる画像データＩＤとの近似率を算出する。算出された近似率がしきい値以上であればスレーブコントローラ３１５は塗布液の塗布状況が正常であると判定し、近似率がしきい値よりも低ければスレーブコントローラ３１５は塗布状況が正常でないと判定する。
【０１７８】
なお、正常な塗布状況とは、塗布液が基板Ｗの中心部から周縁部に向かって一様に広がる場合をいう。すなわち、塗布液が基板Ｗの中心部からずれた位置に吐出されている場合、または基板Ｗ上で塗布液が偏った方向に広がる場合等には、ＣＣＤカメラ４５０から与えられる画像データＩＤと予めスレーブコントローラ３１５に記憶される画像データとの近似率が低くなる。したがって、その場合は塗布状況が正常でないと判定される。
【０１７９】
ステップＳ１４において、基板Ｗ上における塗布液の塗布状況が正常でない場合、スレーブコントローラ３１５は、塗布ユニットＣＯＶにより処理中の基板Ｗが不良基板である判定する（ステップＳ１７）。基板Ｗ上における塗布液の塗布状況が正常である場合、スレーブコントローラ３１５は、続いてステップＳ１５の判定を行う。
【０１８０】
ステップＳ１５においては、スレーブコントローラ３１５は、液吐出センサ４４４から与えられる吐出信号ＤＩの状態に基づいて、供給ノズル８２から塗布液が正常に吐出されているか否かを判定する（ステップＳ１５）。
【０１８１】
塗布液が正常に吐出されていない場合、スレーブコントローラ３１５は、塗布ユニットＣＯＶにより処理中の基板Ｗが不良基板である判定する（ステップＳ１７）。塗布液が正常に吐出されている場合、スレーブコントローラ３１５は、続いてステップＳ１６の判定を行う。
【０１８２】
ステップＳ１６においては、基板Ｗの乾燥が行われた後であって、基板Ｗの回転が停止される前に、膜厚センサ４６０により基板Ｗ上の膜厚が測定される。ここで、スレーブコントローラ３１５は、膜厚センサ４６０から与えられる膜厚信号ＣＴに基づいて、基板Ｗ上の膜厚が予め設定された規定値の範囲内にあるかを判定する（ステップＳ１６）。
【０１８３】
基板Ｗ上の膜厚が予め設定された規定値の範囲内にない場合、スレーブコントローラ３１５は、塗布ユニットＣＯＶにより処理中の基板を不良基板と判定する（ステップＳ１７）。基板Ｗ上の膜厚が予め設定された規定値の範囲内にある場合、スレーブコントローラ３１５は、塗布ユニットＣＯＶにより処理中の基板Ｗが正常基板であると判定する（ステップＳ１８）。
【０１８４】
このようにして、スレーブコントローラ３１５は、塗布ユニットＣＯＶにおいて処理中の基板Ｗに対して、レジストカバー膜が正常に形成されているかまたは正常に形成されていないかの判定を行う。
【０１８５】
スレーブコントローラ３１５によるレジストカバー膜判定処理の結果は、メインコントローラ３０に与えられる。メインコントローラ３０は、スレーブコントローラ３１５から与えられる判定結果に基づいて、上述のように正常基板と不良基板とでそれぞれ異なる処理を施すように基板処理装置５００を制御する。
【０１８６】
なお、本実施の形態では、ステップＳ１１〜Ｓ１６までの判定の条件のうち、少なくとも１つの条件が満たされていなければ、処理中の基板Ｗが不良基板であると判定するが、他の方法により処理中の基板Ｗの判定を行ってもよい。
【０１８７】
例えば、ステップＳ１１〜Ｓ１６までの判定の条件のうち、規定の個数以上の条件が満たされていない場合に、処理中の基板Ｗが不良基板であると判定してもよい。
【０１８８】
また、ステップＳ１１〜Ｓ１６のそれぞれの判定に対して判定の重要度に応じたレベルを予め設定し、条件が満たされない判定のレベルの加算値に基づいて、処理中の基板Ｗが正常基板であるか不良基板であるかの判定を行ってもよい。例えば、ステップＳ１１〜Ｓ１３の判定のレベルを２に設定し、ステップＳ１４〜Ｓ１６の判定のレベルを１に設定する。また、しきい値を４とする。ステップＳ１１〜Ｓ１６の判定の結果、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１５の条件が満たされない場合には、条件が満たされない判定のレベルの加算値が５となる。この場合、スレーブコントローラ３１５は、処理中の基板Ｗが不良基板であると判定する。
【０１８９】
また、ステップＳ１１〜Ｓ１６の判定に加えてまたはステップＳ１１〜Ｓ１６の判定に代えて、例えば、塗布液の濃度が規定値の範囲内にあるか否か、または基板Ｗの偏心があるか否か等の判定を行ってもよい。この場合、塗布液の濃度を検出する濃度センサおよび基板Ｗの偏心を検出する偏心センサが設けられる。また、これらの判定のうち少なくとも１つを選択して、処理中の基板Ｗが正常基板であるか不良基板であるかの判定を行ってもよい。
【０１９０】
また、本実施の形態では、塗布ユニットＣＯＶにおいて、基板Ｗを回転させた状態で基板Ｗへの塗布液の供給を開始し、基板Ｗを回転させたままの状態で基板Ｗへの塗布液の供給を終了するが、基板Ｗを回転させることなく基板Ｗへの塗布液の供給を完了してもよく、または基板Ｗを停止した状態で基板Ｗへの塗布液の供給を開始し、基板Ｗを回転させた状態で基板Ｗへの塗布液の供給を終了してもよい。
【０１９１】
（７）本実施の形態における効果
本実施の形態の基板処理装置５００においては、基板Ｗの搬送先および処理内容が設定された処理レシピ３０４ｂの編集時に処理レシピ確認処理が行われる。この場合、レジストカバー膜が形成されていない状態で基板Ｗが露光装置１６に搬送されるよう処理レシピ３０４ｂが設定されていると、処理レシピ３０４ｂに妥当性がないことがオペレータに通知される。
【０１９２】
したがって、処理レシピ３０４ｂの編集ミスによりレジストカバー膜が形成されていない状態で基板Ｗが露光装置１６に搬送されることが防止される。それにより、露光装置１６において、供給される液体が基板Ｗ上で保持されずに基板Ｗの周囲に流出することが防止される。その結果、露光装置１６におけるダウンタイムの発生を防止することができる。
【０１９３】
また、レジストカバー膜の塗布処理時には、レジストカバー膜判定処理が行われ、レジストカバー膜判定処理により不良基板であると判定された基板Ｗは、露光装置１６に搬送されない。それにより、露光装置１６において液体が基板Ｗ上で保持されずに基板Ｗの周囲に流出することがより確実に防止される。その結果、露光装置１６におけるダウンタイムの発生をより確実に防止することができる。
【０１９４】
また、インターフェースブロック１５における不良基板の滞在時間が、インターフェースブロック１５および露光装置１６における正常基板の滞在時間と等しくなるように設定される。それにより、連続的に処理される複数の基板Ｗに正常基板と不良基板とが含まれる場合においても、インターフェースブロック１５における処理の前後で、複数の基板Ｗの処理間隔が乱れることが防止される。それにより、スループットを維持しつつ、正常基板のみを露光装置１６に搬送することができる。
【０１９５】
また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および現像処理部７０において、不良基板の待機時間が各処理の所要時間と等しくなるように設定される。それにより、正常基板と不良基板とが混在する複数の基板Ｗを連続的に処理する場合においても、スループットを維持しつつ、正常基板と不良基板とで異なる処理を行うことができる。
【０１９６】
（８）他の実施の形態
レジスト膜の材料として高い撥水性を有する材料を用いる場合には、レジストカバー膜を形成しなくてもよい。
【０１９７】
この場合、処理レシピ確認処理においては、処理レシピ３０４ｂに塗布ユニットＲＥＳが搬送先として設定されていないのに露光装置１６が搬送先として設定されている場合、またはレジスト膜の塗布処理が処理内容として設定されていないのに露光装置１６が搬送先として設定されている場合に、処理レシピ３０４ｂの設定に妥当性がないことがオペレータに通知される。
【０１９８】
また、塗布ユニットＲＥＳまたは収納部１１Ａに、図８の液吐出センサ４４４、流量計４５１、脱調センサ４４７ｂ、圧力計４４７ｃ、ＣＣＤカメラ４５０および膜厚センサ４６０が設置される。そして、図５のスレーブコントローラ３１３により、基板Ｗ上にレジスト膜が正常に形成されているか否かを判定するレジスト膜判定処理が行われる。
【０１９９】
これらにより、露光装置１６において液体が基板Ｗ上で保持されずに基板Ｗの周囲に流出することが防止される。その結果、露光装置１６におけるダウンタイムの発生を防止することができる。
【０２００】
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２０１】
上記実施の形態では、塗布ユニットＣＯＶまたは塗布ユニットＲＥＳが撥水膜形成ユニットの例であり、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、ＣＰＵ３０１が制御部の例であり、ＣＰＵ３０１および表示部３０３が通知手段の例である。
【０２０２】
また、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例であり、スレーブコントローラ３１５、液吐出センサ４４４、流量計４５１、脱調センサ４４７ｂ、圧力計４４７ｃ、ＣＣＤカメラ４５０および膜厚センサ４６０が判定手段の例である。
【０２０３】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２０４】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】基板処理装置の制御系について説明するためのブロック図である。
【図６】処理レシピの一例を示す図である。
【図７】ＣＰＵによる処理レシピ確認処理の一例を示すフローチャートである。
【図８】塗布ユニットおよびその周辺部分の構成を説明するための図である。
【図９】レジストカバー膜の形成状態の正否について説明するための図である。
【図１０】スレーブコントローラによるレジストカバー膜判定処理の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０２０６】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  レジストカバー膜用処理ブロック
１４  レジストカバー膜除去ブロック
１５  インターフェースブロック
１６  露光装置
３０  メインコントローラ
３０１  ＣＰＵ
３０４ｂ  処理レシピ
３１１〜３１７  スレーブコントローラ
５００  基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ  塗布ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＲＥＭ  除去ユニット
Ｗ  基板
【図１】
2009260035.tif 000003
【図２】
2009260035.tif 000004
【図３】
2009260035.tif 000005
【図４】
2009260035.tif 000006
【図５】
2009260035.tif 000007
【図６】
2009260035.tif 000008
【図７】
2009260035.tif 000009
【図８】
2009260035.tif 000010
【図９】
2009260035.tif 000011
【図１０】
2009260035.tif 000012