(57)【要約】【課題】シリコンウエハの製造敷地内で発生し使用不可能となったシリコンウエハは技術的な機密情報を含むため外部に持ち出しリサイクルすることができない。これを解決するために技術的な機密情報のみを簡単に取り除きリサイクルを促進する。【解決手段】トラック１にエアーブラスト装置６を車載して、使用不可能となったシリコンウエハが発生した工場１０が建つ敷地内に移動する。工場１０の敷地内に駐車したトラック１にエアーブラスト装置６を車載した状態で、パターンまたは薄膜が形成された処理前シリコンウエハ１１の少なくとも一方の面にエアーブラスト装置６によって投射材を投射することで、シリコンウエハ表面に形成されたパターンまたは薄膜を除去し処理後シリコンウエハ１２を得る。処理後のシリコンウエハ１２は機密情報部分のみが取り除かれているので工場外部へ持ち出しが可能となる。【選択図】図２
2009095926.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能な手段を有する荷台上に積載されたブラスト装置を用い、この荷台上でシリコンウエハの少なくとも一方の面に前記ブラスト装置の投射材を投射することによってシリコンウエハの表面に形成されたパターンまたは薄膜を除去する方法。
【請求項２】
前記移動可能なブラスト装置をシリコンウエハの製造敷地内に移動し該敷地内で前記シリコンウエハの表面に形成されたパターンまたは薄膜を除去する請求項１に記載のシリコンウエハのパターンまたは薄膜の除去方法。
【請求項３】
前記移動可能なブラスト装置においてブラスト作業中にシリコンウエハが自転し、かつ投射位置がシリコンウエハの半径方向に往復運動することを特徴とする請求項２記載のシリコンウエハのパターンまたは薄膜の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウエハ製造敷地内で発生し使用不可能となったシリコンウエハのリサイクル効率を高める方法に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、携帯電話機、各種記憶装置、光ディスク等に使用されるシリコンウエハへの品質要求は年々厳しくなり、そのため、シリコンウエハを製造する会社において製造条件設定とテスト用に製作されるシリコンウエハや不良として発生するシリコンウエハも増加傾向にある。
これら使用不可能になったシリコンウエハは地球環境保全の意味からも可能な限りリサイクルすることが好ましい。
【０００３】
一般的にリサイクル後のウエハは新たな半導体としての再生・ソーラーパネルとしての再利用・粉砕後シリコンの原材料としての再利用が考えられるが、これら廃品として発生する使用済シリコンウエハ表面には、形状・線幅・パターン・膜質等多くの企業機密が含まれており外部へのこれら情報の流失が制限される。
したがって、これらのリサイクルのためにはウエハ表面に形成されている企業機密としてのパターンおよび薄膜を予め除去する必要がある。
【０００４】
しかしながら現状では廃品として発生するシリコンウエハのリサイクルは製造企業の負担となり、製造敷地内に滞ることが多く、その在庫は増加し結果これらウエハは粉砕後スクラップとして廃棄されることが多い。    
【０００５】
これを解決するために昨今使用済シリコンウエハの発生企業と加工業者が機密保持契約を交わした後、加工業者が使用済シリコンウエハを引き取りウエハ表面のパターンまたは薄膜を除去し機密部分を除去した後リサイクルされている。
しかしながら完全にパターンまたは薄膜が除去されたかは加工業者のみの判断となるため機密漏洩の可能性もありリサイクル効率は高くない。
【０００６】
シリコンウエハ表面のパターンまたは薄膜の除去は研磨材を水に分散させたスラリーを用いて研磨する方法や薬品により化学的にエッチングする方法がある。しかしながらこれらの方法は装置や工程が大型化するとともに廃液が発生し、その処理が必要になる。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１７１９８１号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであり、使用不可能となったシリコンウエハのパターンまたは薄膜除去を容易に行い製造企業の機密漏洩を防止しつつシリコンウエハのリサイクルを促進するものである。
【０００９】
すなわち本発明のシリコンウエハのパターンまたは薄膜除去方法を用いることによりブラスト装置が持ち込まれたシリコンウエハの製造敷地内でシリコンウエハの表面に形成されたパターンまたは薄膜を除去し該敷地内でその確認を行い、外部業者を含めたリサイクル工程に出荷可能となる。
本発明におけるシリコンウエハの製造敷地とは該シリコンウエハが有する機密を共有または互いに機密保持契約を交した企業または団体の双方の敷地を指す。
【００１０】
シリコンウエハ表面のパターンまたは薄膜除去作業は、当該シリコンウエハの製造企業の敷地内で行うが、該製造企業自体が行う必要はなく第三者に委託することができる。
【００１１】
本発明における移動可能な手段を有する荷台に積載されたブラスト装置とは、ブラスト装置本体および装置運転のために必要な発電機・コンプレッサーや外部への粉塵の飛散を防止する集塵機等一式の装置群を指し、これら全ての装置が荷台上の適切な位置に連結設置され即時運転可能な状態にあり作業はこの荷台上で行う。
【００１２】
シリコンウエハの表面除去作業はシリコンウエハの製造敷地内に持ち込まれた前記荷台上で行われるため、省スペースである。
【００１３】
本発明におけるブラスト装置は研磨やエッチングと異なり液体を使用しないので廃液の処理が不要である。
【００１４】
また本発明のブラスト装置は移動可能な手段を有する荷台上に積載されているのでシリコンウエハの表面除去作業終了後は別のシリコンウエハ製造敷地内へ移動し作業を行うことができるので、効率的・経済的かつ迅速的である。
【００１５】
本発明における移動可能手段を有する荷台とはトラックの荷台等自律移動な可能な運搬手段を有する荷台や車両等に牽引可能な荷台を示す。
【００１６】
通常ブラスト装置の投射ノズルから噴射される投射材は放射状に小径に拡がる、一方シリコンウエハは大径化が進み表面全体を均一に除去することは難しい。
本発明における表面除去方法ではブラスト作業中にシリコンウエハが自転しかつ投射ノズルより噴出される投射材の投射位置がシリコンウエハの半径方向に往復運動を行うことによりシリコンウエハの表面に形成されたパターンや薄膜を均一に除去することができる。
【００１７】
シリコンウエハの直径は５、６、８，１２インチ等異なる場合があるが、本発明におけるブラスト方法ではシリコンウエハの自転速度、投射位置の変更や投射往復運動の速度および運動距離の変更、投射ノズル本数の増減によりこれらに対応することができる。
【００１８】
ブラスト加工とは投射材を高速で被加工物に高速でぶつけ加工する方法であるが、その方法は空気圧を利用するエアーブラストや機械的力を利用するショットブラストがある。本発明においてはどちらも利用できる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明におけるシリコンウエハのパターンまたは薄膜の除去方法を用いることによりシリコンウエハ製造企業の機密漏洩を防止しつつ、使用不可能となり滞留したシリコンウエハのリサイクルを促進できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は、エアーブラスト装置を搭載したトラックの概略図である。図１に示すように、天蓋３付きのトラック１の荷台２には、各装置に電力を供給する発電機４と、コンプレッサー５と、投射材として炭化珪素（平均粒径１０〜２００μｍ）を投射するエアーブラスト装置（投射装置の一例である。）６と、ダクト７を通じて投射材を回収する投射材回収装置８と、ダクト７を通じて、投射材による研削によって生じた浮遊する粉塵を集める集塵機９が搭載される。
また、図示していないが、エアーブラスト装置６は、投射材を投射する投射ノズルと、シリコンウエハが載置される回転台と、シリコンウエハへ投射材を投射した後、シリコンウエハ上に残存する投射材に気体を噴射する気体噴射ノズルとを備える。
【００２１】
シリコンウエハ表面に形成されたパターンまたは薄膜を除去することができれば、どのような投射材を用いてもよく、アルミナ製の投射材、鉄製の投射材、ステンレス製の投射材、亜鉛製の投射材または樹脂製の投射材を用いてもよい。投射材の粒子径も適宜変更できる。
【００２２】
図２は、本発明を適用したシリコンウエハのパターンまたは薄膜の除去方法の流れを説明する概略図である。
先ず、図２（ａ）に示すように、トラック１にエアーブラスト装置６を車載して、使用済み半導体ウエハが発生した工場１０が建つ敷地内に、エアーブラスト装置６を持ち込む。
次に、工場１０の敷地内に駐車したトラック１にエアーブラスト装置６を車載した状態で、パターンまたは薄膜が形成された処理前シリコンウエハ１１の少なくとも一方の面にエアーブラスト装置６によって投射材を投射することで、シリコンウエハに形成されたパターンや薄膜を除去して、処理済シリコンウエハ１２を得る（図２（ｂ）参照。）。
投射材による除去工程は、具体的には例えば、エアーブラスト装置６に取付けられた回転台に載置された処理前シリコンウエハ１１を回転させながら、エアーブラスト装置６に取付けられた投射ノズルから処理前シリコンウエハ１１へ投射材を投射してパターンまたは薄膜を除去した後、パターン・薄膜無しの処理済シリコンウエハ１２を得る。更にこの上に気体を噴射し残存する投射材を除去する。
エアーブラスト装置６は自動式であるため、順次、テーブル冶具に処理前シリコンウエハ１１をセットすると、自動起動にてエアーブラスト装置６のブラスト室に処理前シリコンウエハ１１が搬入され、シリコンウエハ１１を回転させながら、投射ノズルから投射材を投射してブラスト加工が行なわれパターンまたは薄膜が除去さる。ブラスト加工後はブロー室に移動しエアーブローが施されて余分な投射材を取り除き、搬出位置まで移動する。その後処理済のシリコンウエハを取出す。
【００２３】
処理が終わったシリコンウエハ１２は工場１０の敷地内で、処理業者１４が工場責任者１３に見せて、パターンまたは薄膜が完全に除去されたことを確認する（図２（ｃ）参照。）。
パターンまたは薄膜が除去されたことが確認されると、処理済シリコンウエハ１２は工場１０の敷地から搬出することができる（図２（ｄ）参照。）。
【００２４】
処理されたシリコンウエハ１２は機密情報が取り除かれているため第三者が半導体として再利用したりソーラーパネルとして再生することができる。
【００２５】
図３は、シリコンウエハに投射材を投射する様子を示す概略図である。
エアーブラスト装置に備え付けられた投射ノズル１５から、投射方向１６に沿って投射材が、処理前シリコンウエハ１１に投射される。処理前シリコンウエハ１１は、エアーブラスト装置に備え付けられた回転台１８に載置されている。
また、投射ノズル１５は、首振り方向１７に沿って首振り運動を行い、回転台１８に載置された処理前シリコンウエハ１１の半径方向において往復する。
回転台の回転速度・投射ノズルの首振り角度や投射ノズルの本数を変えることにより各種サイズのシリコンウエハに対応できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】エアーブラスト装置を搭載したトラックの概略図である。
【図２】本発明を適用した使用済み半導体ウエハの回収方法の流れを説明する概略図である。
【図３】使用済み半導体ウエハに投射材を投射する様子を示す概略図である。
【符号の説明】
【００２７】
１    トラック
２    荷台
３    天蓋
４    発電機
５    コンプレッサー
６    エアーブラスト装置
７    ダクト
８    投射材回収装置
９    集塵機
１０    工場
１１    処理前シリコンウエハ
１２    処理後シリコンウエハ
１３    工場責任者
１４    処理業者
１５    投射ノズル
１６    投射方向
１７    首振り方向
１８    回転台
【図１】
2009095926.tif 000003
【図２】
2009095926.tif 000004
【図３】
2009095926.tif 000005