(57)【要約】【課題】容易且つ確実に端子の溶接精度を向上させることができる電子部品を提供すること。【解決手段】電子素子を樹脂封止した本体部２と、本体部２から延設されると共にレーザー溶接によって基板Ｓ上に形成された導電パターンと電気的に接続される端子３とを備えた電子部品１であって、端子３が凹部（凹凸部）４ａ，４ｂを外周縁３ｂ，３ｂに有し、この端子３の外周長さを長くした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子を樹脂封止した本体部と、該本体部から延設されると共に基板上に形成された導電パターンとレーザー溶接によって電気的に接続される端子とを備えた電子部品であって、
前記端子は、水平方向に出没する凹凸部を外周縁に有し、外周長さを長くしたことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記凹凸部は、前記端子の長手方向に延びる外周縁にこの端子の中心部を挟んで少なくとも一対形成されると共に、互い違いに配置されたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記端子は、前記基板から離間する方向に突出するビード部を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本体部から延在された端子を有する電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子素子を樹脂封止した本体部から延在されると共に、基板に形成された導電パターンとレーザー溶接によって電気的に接続される端子を有する電子部品が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような電子部品では端子の外周縁にレーザー光を照射し、端子及び導電パターンをそれぞれ溶融させて接続している。
【０００４】
特に、上記特許文献１においては、端子の先端にあらかじめ穴を設けておき、この穴のエッジ部にレーザー光を照射するようになっている。
【特許文献１】特開２００７−２６５９６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述の電子部品では、基板に形成された導電パターンの位置ずれや本体部の位置決めのバラツキ、端子や導電パターンの寸法精度のバラツキ等によりレーザー光の照射位置と端子の溶接位置との間にずれが生じ、溶接強度が低下して溶接不良が発生する問題があった。
【０００６】
また、このような位置ずれを防止するために端子の位置等を画像認識し、その画像データに基づいて位置ずれを補正することが考えられている。
【０００７】
しかしながら、この場合では位置ずれを補正するための画像認識機構が必要となって溶接装置の価格が上昇し、製造コストが高くなる上、補正工程が増えて生産性が低下するという問題が生じていた。
【０００８】
そこで、この発明は、容易且つ確実に端子の溶接精度を向上させることができる電子部品を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、この発明に係る電子部品は、電子素子を樹脂封止した本体部と、該本体部から延設されると共に基板上に形成された導電パターンとレーザー溶接によって電気的に接続される端子とを備えた電子部品であって、前記端子は、水平方向に出没する凹凸部を外周縁に有し、外周長さを長くしたことを特徴としている。
【００１０】
また、前記凹凸部は、前記端子の長手方向に延びる外周縁にこの端子の中心部を挟んで少なくとも一対形成されると共に、互い違いに配置したものであってもよい。
【００１１】
さらに、前記端子は、前記基板から離間する方向に突出するビード部を有したものであってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、端子が水平方向に出没する凹凸部を外周縁に有して外周長さを長くしているので、レーザー光の照射可能範囲、すなわち溶接可能範囲を拡大することができ、レーザー光の照射位置と端子の溶接位置との間にずれが生じていても導電パターン及び端子を確実に溶融させて接続することが可能となる。また、位置ずれが生じていても確実に溶接可能となるので、位置ずれを補正する必要がなくなり、製造コストの上昇や製造工程の増加を抑制することができる。このように、確実且つ容易に溶接精度の向上を図ることが可能となる。
【００１３】
また、凹凸部が端子の長手方向に延びる外周縁に中心部を挟んで少なくとも一対形成されると共に、互い違いに配置したものにあっては、端子の長手方向において極端に幅広になったり幅狭になったりする部分がなく、部分的に端子強度が低下することを防止できる。
【００１４】
さらに、端子がビード部を有したものにあっては、端子強度を向上して端子の変形を防止することができ、基板から端子が浮き上がって溶接不良が発生することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明に係る電子部品の最良の実施の形態について、図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１に示す電子部品（集積回路）１は、本体部２と、この本体部２の側面２ａから延設された複数の端子３，…とを備えている。
【００１７】
本体部２は、ほぼ直方体形状を呈する樹脂製の筐体内に図示しない抵抗やコンデンサ等の電子素子を封止することで形成されている。
【００１８】
一方、端子３は、帯状の金属製薄板により構成されており、図示しない基端部が本体部２内の電子素子に接続され、先端部３ａが本体部２の側面２ａから突出している。なお、図１に示す電子部品１では、本体部２の側面２ａのうち、互いに対向する２面からそれぞれ複数の端子３，…が延設されている。
【００１９】
また、この端子３は、本体部２から突出した後にクランク状に屈曲されており、図２に示すように、この電子部品１が基板Ｓ上に載置された際に、本体部２は底面２ｂと基板Ｓとの間に間隙が開いた状態で各端子３によって支持されることとなる。
【００２０】
さらに、図３に示すように、この端子３の長手方向の両方の外周縁３ｂ，３ｂには水平方向にへこんだ凹部（凹凸部）４ａ，４ｂがそれぞれ一つずつ形成され、中央部にはビード部５が形成されている。
【００２１】
凹部４ａ，４ｂは、それぞれ端子３の外周縁３ｂを水平方向に沿うと共に内側に向かって切り欠くことで形成されている。これにより、端子３の外周長さは、この凹部４ａ，４ｂが形成されていない端子３ｘ（図５（ｂ）参照）よりも長くなっている。
【００２２】
なお、各凹部４ａ，４ｂは、ここでは端子３の長手方向に沿って細長くなった平面視長方形状を呈している。
【００２３】
さらに、一方の外周縁３ｂに形成された凹部４ａと他方の外周縁３ｂに形成された凹部４ｂとは、長手方向に沿って互い違いに配置されている。すなわち、一方の凹部４ａの方が端子３の先端部３ａ側に位置し、他方の凹部４ｂの方が端子３の図示しない基端部側に位置している。
【００２４】
また、ビード部５は、図４に示すように基板Ｓから離間する方向、すなわちここでは上方に向かって円弧状に突出しており、端子３の長手方向に沿って延びている。なお、このビード部５は、端子３が基板Ｓに当接する部分に形成されている。
【００２５】
なお、ここで、この端子３は短手方向の幅Ｗが０．８ｍｍであり、各凹部４ａ，４ｂは長手方向の長さＴ１が０．３〜０．５ｍｍ、短手方向の長さＴ２が０．１５〜０．２ｍｍであり、ビード部５は短手方向の幅Ｗ１が０．１〜０．１５ｍｍである。また、各凹部４ａ，４ｂとビード部５との間には僅かな間隙が設けられている。
【００２６】
次に、この発明の電子部品１の作用について説明する。
【００２７】
この電子部品１を基板Ｓに電気的に接続するには、まず基板Ｓに形成された図示しない導電パターンと電子部品１の端子３とが互いに対向するように位置決めし、導電パターン上に端子３をセット（載置）する。
【００２８】
ここで、端子３にはビード部５が形成されているので、この端子３の強度を向上して変形を防止することができ、基板Ｓの表面に端子３を密接させることができる。そのため、基板Ｓから端子３が浮き上がって溶接不良が発生することを防止できる。
【００２９】
特に、ビード部５が端子３の長手方向に延びているので、端子３の長手方向の端部、すなわち先端部３ａやクランク状に屈曲した部分が基板Ｓから離れることが防止できる。
【００３０】
次に、図示しないレーザー溶接装置から出射されるレーザー光を端子３の長手方向の一対の外周縁３ｂ，３ｂのそれぞれに照射し、端子３及び導電パターンをそれぞれ溶融させて接続する。
【００３１】
このとき、レーザー光は凹部４ａ，４ｂの近傍を狙って照射されるが、溶接強度を考慮した場合、端子３はレーザー光の照射面積の３０〜７０％を占めることが望ましい。
【００３２】
すなわち、レーザー光の照射面積に対して端子３が占める割合が３０％よりも少ない場合では、端子３の溶け込み量が不足して基板Ｓと十分に溶着することができず、レーザー光の照射面積に対して端子３が占める割合が７０％を超える場合では、基板Ｓに形成された導電パターンの溶け込み量が不足して端子３と十分に溶着することができなくなる。
【００３３】
ここで、レーザー光の照射位置と端子３の溶接位置との間にずれが生じた場合を考える。
【００３４】
図５（ａ）にＸで示す範囲にレーザー光が照射された場合には、レーザー光の照射位置が端子３の外周縁３ｂよりも比較的内側に入り込んでいるが、凹部４ａによりレーザー光の照射面積に対する端子３が占める割合が小さくすることができ、導電パターンの溶け込み量が適切になり端子３を十分な強度で溶接することができる。
【００３５】
つまり、図５（ｂ）に示す比較例１の凹部４ａが形成されていない端子３ｘでは、本発明に係る端子３と同位置のＸで示す範囲にレーザー光を照射すると、端子３ｘの占める割合が大きくなり溶接不良が発生することとなる。
【００３６】
また、図５（ａ）にＹで示す範囲にレーザー光が照射された場合であっても、レーザー光の照射位置が端子３の外周縁３ｂよりも比較的内側に入り込んでいるが、凹部４ａによりレーザー光の照射面積に対する端子３が占める割合が小さくすることができ、導電パターンの溶け込み量が適切になり端子３を十分な強度で溶接することができる。
【００３７】
これに対し、図５（ｂ）に示す比較例１の凹部４ａが形成されていない端子３ｘでは、本発明に係る端子３と同位置のＹで示す範囲にレーザー光を照射すると、端子３ｘの占める割合が大きくなり溶接不良が発生することとなる。
【００３８】
このように、端子３が外周縁３ｂ，３ｂにそれぞれ凹部４ａ、４ｂを有し、この端子３の外周長さを長くしているので、レーザー光の照射可能範囲、すなわち溶接可能範囲を拡大することができる。これにより、レーザー光の照射位置と端子の溶接位置との間にずれが生じていても導電パターン及び端子３を確実に溶融させて接続することが可能となる。
【００３９】
さらに、レーザー光の照射位置と端子の溶接位置との間に位置ずれが生じていても確実に溶接可能となるので、位置ずれを補正する必要がなくなり、製造コストの上昇や製造工程の増加を抑制することができる。そして、確実且つ容易に溶接精度の向上を図ることが可能となる。
【００４０】
なお、この端子３は金属薄板をプレス加工することにより形成されているので、例えばトランスファプレス機を使用して端子３を製造すれば凹部４ａ，４ｂやビード部５を成形する工程を追加することで容易に製造することができる。そのため、製造コストの大幅な上昇を抑制することが可能である。
【００４１】
また、上述の実施の形態では、一方の外周縁３ｂに形成された凹部４ａと他方の外周縁３ｂに形成された凹部４ｂとは、端子３の長手方向に互い違いに配置されている。
【００４２】
そのため、端子の長手方向において極端に幅広になったり幅狭になったりする部分がなく、部分的に端子３の強度が低下することを防止できる。
【００４３】
そして、上述の実施の形態では、端子３の外周縁３ｂ，３ｂを内側に向かって切り欠くことにより凹部４ａ，４ｂを形成している。そのため、複数の端子３，…同士の間隔を広げることなく各端子３の外周長さを長くすることができ、端子３の数を減らす必要がない。
【００４４】
以上、この発明にかかる実施の形態を図面により詳述してきたが、具体的な構成は上述の実施の形態に限らない。この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等はこの発明に含まれる。
【００４５】
例えば、上述の実施の形態では、凹部４ａ，４ｂを端子３の長手方向の外周縁３ｂ，３ｂに形成したが、これに限らず、図６に示す端子１０であってもよい。
【００４６】
この端子１０では、先端部１０ａの短手方向の外周縁１０ｂに凹部４ｃが形成され、外周長さは凹部４ｃが形成されていない端子１０ｘ（図７（ｂ）参照）よりも長くなっている。なお、この凹部４ｃは、先端部１０ａを水平方向に沿って内側に向かって切り欠くことで形成されている。
【００４７】
この場合であっても、レーザー光の照射可能範囲、すなわち溶接可能範囲を拡大することができる。これにより、レーザー光の照射位置と端子の溶接位置との間にずれが生じていても導電パターン及び端子１０を確実に溶融させて接続することが可能となる。
【００４８】
すなわち、図７（ａ）にＸで示す範囲にレーザー光が照射された場合には、レーザー光の照射位置が端子１０の外周縁１０ｂよりも比較的内側に入り込んでいるが、凹部４ｃによりレーザー光の照射面積に対する端子１０が占める割合を小さくすることができ、導電パターンの溶け込み量が適切になってこの端子１０を十分な強度で溶接することができる。
【００４９】
つまり、図７（ｂ）に示す比較例２の凹部４ｃが形成されていない端子１０ｘでは、上記端子１０における照射位置と同位置のＸで示す範囲にレーザー光を照射すると、照射範囲に対する端子１０ｘの占める割合が大きくなり溶接不良が発生することとなる。
【００５０】
また、図７（ａ）にＹで示す範囲にレーザー光が照射された場合であっても、レーザー光の照射位置が端子１０の外周縁１０ｂよりも比較的内側に入り込んでいるが、凹部４ｃによりレーザー光の照射面積に対する端子１０が占める割合を小さくすることができ、導電パターンの溶け込み量が適切になってこの端子１０を十分な強度で溶接することができる。
【００５１】
これに対し、図７（ｂ）に示す比較例２の凹部４ａが形成されていない端子１０ｘでは、上記端子１０における照射位置と同位置のＹで示す範囲にレーザー光を照射すると、照射範囲に対する端子３ｘの占める割合が大きくなり溶接不良が発生することとなる。
【００５２】
さらに、端子３では、長手方向の外周縁３ｂ，３ｂに凹部４ａ，４ｂが形成されているが、図８（ａ）に示す端子２０のように、外周縁２１ａ，２１ａ及び先端部２０ａの短手方向の外周縁２１ｂにそれぞれ凹部２２，…を形成してもよい。
【００５３】
さらに、図８（ｂ）に示す端子２３や図８（ｃ）に示す端子２４のように、外周縁２５の一部を水平方向に沿って外側に向かって突出させ、凸部２６を形成してもよい。
【００５４】
この場合であっても、端子２３，２４の外周長さを長くしてレーザー光の照射可能範囲を拡大し、レーザー光の照射位置と端子の溶接位置との間にずれが生じていても確実に溶接することが可能となる。
【００５５】
また、各凹部４ａ，４ｂや凸部２６の数や形状は任意に設定することができる。
【００５６】
なお、上述の実施の形態では、電子部品１として集積回路を例に説明したが、例えばセラミックコンデンサやトランジスタ、抵抗器等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係る電子部品を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る電子部品を示す側面図である。
【図３】本発明に係る電子部品の要部を拡大した平面図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ断面図である。
【図５】（ａ）は図３に示す端子に照射されたレーザー光の範囲を模式的に示した説明図であり、（ｂ）は比較例１の端子に照射されたレーザー光の範囲を模式的に示した説明図である。
【図６】本発明に係る電子部品の変形例の要部を拡大した平面図である。
【図７】（ａ）は図６に示す端子に照射されたレーザー光の範囲を模式的に示した説明図であり、（ｂ）は比較例２の端子に照射されたレーザー光の範囲を模式的に示した説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る電子部品のさらに他の例の要部を拡大した平面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１                電子部品（集積回路）
２                本体部
３                端子
３ｂ              外周縁
４ａ，４ｂ        凹部（凹凸部）
Ｓ                基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009272525.tif 000008
【図７】
2009272525.tif 000009
【図８】
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