(57)【要約】      （修正有）【課題】小型、高信頼、低コストの半導体素子パッケージを提供する。【解決手段】第１のダイ収容スルーホール２０３をその上に形成される第１の基板２０２と、それぞれ、第１のダイ収容スルーホール２０３内に配設される、第１のボンディングパッド２１６を有する第１のダイ２２０および、第２のボンディングパッド２１８を有する第２のダイ２２２と、第１および第２のダイ２２０、２２２と第１の基板２０２の第１のダイ収容スルーホール２０３の側壁との間の間隔内に形成される接着材料２０８と、第１の基板２０２上に形成される第１のコンタクトパッド２１０をそれぞれ、第１のボンディングパッド２１６および第２のボンディングパッド２１８に接続するように形成される再分配配線２２６と、再分配配線２２６、第１のダイ２２０、第２のダイ２２２および第１の基板２０２上に形成される保護層２３２と、を備える。【選択図】図３
2009010378.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子パッケージの構造であって、
ダイ収容スルーホールを備えた第１の基板と、
前記ダイ収容スルーホール内にそれぞれ配設される、第１のボンディングパッドを有する第１のダイおよび第２のボンディングパッドを有する第２のダイと、
前記第１および第２のダイと前記第１の基板の前記ダイ収容スルーホールの側壁との間の間隔内に形成される接着材料と、
前記第１の基板上に形成される第１のコンタクトパッドをそれぞれ、前記第１のボンディングパッドおよび前記第２のボンディングパッドに接続するように形成される再分配配線と、を備える構造。
【請求項２】
請求項１の構造であって、さらに、前記第１の基板の下に形成される擬似チップ、を備える構造。
【請求項３】
請求項１の構造であって、さらに、前記再分配配線、前記第１のダイ、前記第２のダイおよび前記第１の基板上に形成され、かつ前記第１のコンタクトパッドの表面を露出させる保護層、を備える構造。
【請求項４】
半導体素子パッケージの構造であって、
第１のダイ収容スルーホールを備えた第１の基板と、
前記第１のダイ収容スルーホール内にそれぞれ配設される、第１のボンディングパッドを有する第１のダイおよび第２のボンディングパッドを有する第２のダイと、
前記第１および第２のダイと前記第１の基板の前記第１のダイ収容しかしホールの側壁との間の間隔内に形成される第１の接着材料と、
前記第１の基板上に形成される第１のコンタクトパッドをそれぞれ、前記第１のボンディングパッドおよび前記第２のボンディングパッドに接続するように形成される再分配配線と、
前記再分配配線、前記第１のダイ、前記第２のダイおよび前記第１の基板上に形成される保護層と、
第２のダイ収容スルーホールおよび第２のコンタクトパッドを備え、ならびに、第２の付着材料上にかつ前記第１の基板の下に形成される、第２の基板と、
前記第２のダイ収容スルーホール内に配設される第３のボンディングパッドを有する第３のダイ、を備える構造。
【請求項５】
半導体素子パッケージの構造であって、
ダイ収容スルーホールを備えた第１の基板と、
前記ダイ収容スルーホール内にそれぞれ配設される、第１のボンディングパッドを有する第１のダイおよび第２のボンディングパッドを有する第２のダイと、
前記第１および第２のダイと前記第１の基板の前記ダイ収容スルーホールの側壁との間の間隔内に形成される第１の接着材料と、
前記第１の基板上に形成される第１のコンタクトパッドを、前記第１のボンディングパッドおよび前記第２のボンディングパッドに接続するように形成される再分配配線と、
前記再分配配線、前記第１のダイ、前記第２のダイおよび前記第１の基板上に形成される保護層と、
前記第１の基板の下に配設される第３のボンディングパッドを有する第３のダイと、
第２のコンタクトパッドおよび回路配線をその中に形成されて、かつ前記第３のダイの下に形成される、第２の基板と、を備える構造。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、係属中の米国出願
【特許文献１】の一部継続出願（ＣＩＰ）であり、その全内容は参照によって本願明細書に組み込まれるものとする。
【特許文献２】２００７年１月３日出願の、出願番号第１１／６４８，６８８号、名称「ダイ収容スルーホールを備えたウエハレベルパッケージおよびその方法」
【技術分野】
【０００２】
本発明は、半導体素子パッケージの構造に関し、および、より詳しくは擬似チップ機能を有し、それによってパッケージサイズを縮小して、歩留および信頼性を向上させる、半導体素子パッケージの構造に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年において、高技術電子回路製造工業はより多くの特徴を詰め込まれて文明化されたエレクトロニクス製品を市場に出す。半導体技術の急速な進展は、半導体パッケージのサイズの縮小、マルチピンの採用、微細ピッチの採用、電子部品の最小化などの急速な進歩に至った。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のパッケージ技術がウエハ上のダイスをそれぞれのダイスに分割して、それから、ダイをそれぞれパッケージ化しなければならないので、したがって、これらの技術は製造プロセスに対して時間がかかる。チップパッケージ技法は集積回路の発達によって高度に影響されるので、したがって、電子回路のサイズが厳しくなるにつれて、パッケージ技法もそうなる。前述した理由のために、パッケージ技法の傾向は現在、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、フリップチップボールグリッドアレイ（ＦＣ−ＢＧＡ）、チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）に向かっている。「ウエハレベルパッケージ」は、ウエハ上のパッケージング全体および全ての相互接続、同じく他の処理ステップが、チップ（ダイス）への分断（ダイシング）の前に実施される、ことを意味するとして理解されるべきである。ウエハレベルパッケージング技術によって、我々は極めて小さな寸法および良い電気的性質を備えたダイを製造することができる。上で言及されたＷＬＰ技法の利点にもかかわらず、ＷＬＰ技法の受け入れに影響するいくつかの問題が、それでも存在する。伝統的に、複数チップを有するパッケージ構造が必要であるために、このパッケージ構造のサイズは、複数のダイスの数または全体の高さとともに増大し、その結果、プロセスはより複雑になる。
【０００５】
図１は、積み重ねられたダイスを備えた従来のパッケージを例示する。パッケージ構造１００は、第１のボンディングパッド１１６をその上に形成される第１のダイ１２０および第２のボンディングパッド１１８をその中に形成される第２のダイ１２２を備え、および第１のダイ１２０および第２のダイ１２２は、第１のコンタクトパッド１１４をその中に形成される第１の基板１０４上に形成される。パッケージ構造１００は、第１の基板１０４の下に、しかし、第２のコンタクトパッド１１０を備えた第２の基板１０２の上に形成される、第３のボンディングパッド１１２を有する第３のダイ１２４を更に備える。更に、第３のボンディングパッド１１２はボンディングワイヤ１２６によって第２のコンタクトパッド１１０に接続され、第１のコンタクトパッド１１４は、ボンディングワイヤ１２８経由で第２のコンタクトパッド１１０に接続され、第１のボンディングパッド１１６および第２のボンディングパッド１１８は、それぞれボンディングワイヤ１３０および１３２経由で第１のコンタクトパッド１１４に接続されている。次いで、保護層１４５が第１のダイ１２０、第２のダイ１２２、第３のダイ１２４を覆うように形成され、およびソルダーバンプ１５０が第２の基板１０２の下に形成される。したがって、パッケージ構造１００の寸法は累算されて各材料層の全体のサイズに等しく、および、このパッケージ構造を製造するためのプロセスは、増大するチップによってますます複雑で高価になる。
【０００６】
上記のことからみて必要なことは、上記の欠点を克服する擬似チップ機能を有する真新しい構造である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、いくつかの好適な実施態様を記載する。しかしながら、認識されることは、本発明がこれらの詳細な説明を除いて他の実施態様において広範囲にわたって実行することができることである。本発明の有効範囲は、これらの実施態様に限定されず、以下の請求の範囲と一致するべきである。
【０００８】
本発明の１つの目的は、擬似チップ機能を有する新しい構造を形成することができる半導体素子パッケージの構造を提供することである。
【０００９】
本発明の別の目的は、小型構造の半導体素子パッケージ（小型フットプリントかつより薄型）を形成することができる、半導体素子パッケージの構造を提供することである。
【００１０】
本発明のさらに別の目的は、より良い信頼性を可能にすることができる、半導体素子パッケージの構造を提供することである。
【００１１】
本発明の更に別の目的は、コストを低下させて歩留率を高めることができる、半導体素子パッケージの構造を提供することである。
【００１２】
本発明は、半導体素子パッケージの構造であって、ダイ収容スルーホールをその中に形成される第１の基板と、それぞれ、ダイ収容スルーホール内に配設される、第１のボンディングパッドを有する第１のダイおよび、第２のボンディングパッドを有する第２のダイと、第１および第２のダイと第１の基板のダイ収容スルーホールの側壁との間の間隔内に形成される接着材料と、第１の基板上に形成される第１のコンタクトパッドをそれぞれ、第１のボンディングパッドおよび第２のボンディングパッドに接続するように形成される再分配配線と、再分配配線、第１のダイ、第２のダイおよび第１の基板上に形成される保護層と、を備える構造を提供する。
【００１３】
本発明は、半導体素子パッケージの構造であって、第１のダイ収容スルーホールをその中に形成される第１の基板と、それぞれ、第１のダイ収容スルーホール内に配設される、第１のボンディングパッドを有する第１のダイおよび、第２のボンディングパッドを有する第２のダイと、第１および第２のダイと第１の基板のダイ収容スルーホールの側壁との間の間隔内に形成される第１の接着材料と、第１の基板上に形成される第１のコンタクトパッドをそれぞれ、第１のボンディングパッドおよび第２のボンディングパッドに接続するように形成される再分配配線と、再分配配線、第１のダイ、第２のダイおよび第１の基板上に形成される保護層と、第２のダイ収容スルーホールおよび第２のコンタクトパッドを備え、ならびに、第２の付着材料上にかつ第１の基板の下に形成される、第２の基板と、第２のダイ収容スルーホール内に配設される第３のボンディングパッドを有する第３のダイと、を備える構造を提供する。
【００１４】
本発明は、半導体素子パッケージの構造であって、ダイ収容スルーホールをその中に形成される第１の基板と、それぞれ、第１のダイ収容スルーホール内に配設される、第１のボンディングパッドを有する第１のダイおよび、第２のボンディングパッドを有する第２のダイと、第１および第２のダイと第１の基板のダイ収容スルーホールの側壁との間の間隔内に形成される第１の接着材料と、第１の基板上に形成される第１のコンタクトパッドをそれぞれ、第１のボンディングパッドおよび第２のボンディングパッドに接続するように形成される再分配配線と、再分配配線、第１のダイ、第２のダイおよび第１の基板上に形成される保護層と、第１の基板の下に配設される第３のボンディングパッドを有する第３のダイと、第２のコンタクトパッドおよび回路ワイヤをその中に形成され、かつ第３のダイの下に形成される第２の基板と、を備える構造を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下の説明において、数多くの具体的な詳細が本発明の実施態様の完全な理解を与えるために提供される。さて以下の記述を参照して、この記述は、本発明の好適な実施態様を例示するだけのためにあり、かつ、それを限定するためではない。しかしながら関連技術の当業者が認識することは、本発明が具体的な詳細の一つ以上なしで、または、他の方法、構成要素、材料、などとともに実施されることができることである。
【００１６】
本発明の一態様に従って、図２、３，４および５に示すように、本発明は半導体素子の並んでいる構造を提供する。
【００１７】
図２は、本発明の一実施態様に従う半導体素子パッケージ２００の構造の平面図を例示する。パッケージ２００は、第１のボンディングパッド２１６を備えた第１のダイ２２０および第２のボンディングパッド２１８を備えた第２のダイ２２２を有する第１の基板２０２を備える。接着材料２０８が、それぞれ第１のダイ２２０および第２のダイ２２２の縁部を取り囲んで形成される。第１の基板２０２は、第１の基板２０２の周辺を取り囲む複数の第１のコンタクトパッド２１０を有する。再分配配線（ＲＤＬ）２２６が、それぞれ、第１のコンタクトパッド２１０と第１のボンディングパッド２１６との間、第１のコンタクトパッド２１０と第２のボンディングパッド２１８との間、および第１のボンディングパッド２１６と第２のボンディングパッド２１８との間を、電気的に接続するように形成される。
【００１８】
図３を参照して、それは、本発明の一実施態様に従う半導体素子パッケージ２００の構造の断面図である。図３において、第１の基板２０２は第１のダイ２２０および第２のダイ２２２を収容するためにその中に形成される第１のダイ収容スルーホール２０３を有する。第１のダイ収容スルーホール２０３は、第１の基板２０２の上側表面から第１の基板２０２を通して下部表面まで形成される。第１のダイ収容スルーホール２０３は、第１の基板２０２内に予め形成される。接着材料２０８が、第１および第２のダイ２２０、２２２の縁部と第１のダイ収容スルーホール２０３の側壁との間の間隔内に形成される。第１のコンタクトパッド２１０（有機基板に対して）が、第１の基板２０２の上側表面に形成される。
【００１９】
更に、誘電層２３０が第１のダイ２２０、第２のダイ２２２および第１の基板２０２上に形成されて、第１のボンディングパッド２１６、第２のボンディングパッド２１８および第１のコンタクトパッド２１０の表面を露出させる。再分配配線（ＲＤＬ）２２６が、第１のボンディングパッド２１６と第２のボンディングパッド２１８との間、第１のコンタクトパッド２１０と第１のボンディングパッド２１６との間、および第１のコンタクトパッド２１０と第２のボンディングパッド２１８との間を、互いに電気的に接続するために形成される（第１のコンタクトパッド２１０は、再分配配線（ＲＤＬ）２２６で同時に形成されることができる）。保護層２３２が、第１および第２のダイ２２０、２２２、誘電層２３０ならびに再分配配線（ＲＤＬ）２２６上に形成されて第１のコンタクトパッド２１０の表面を露出させる。留意されることは、再分配配線（ＲＤＬ）２２６は最終的な付着材料の形成の後で見えないことである。
【００２０】
任意選択で、金属または導電層２０６が第１のダイ収容スルーホール２０３の側壁上にコーティングされる、すなわち、金属層２０６が、接着材料２０８および第１の基板２０２によって取り囲む、第１および第２のダイス２２０および２２２の間に形成される。それはなんらかの特定の接着材料を用いて、特にゴムタイプ接着材料で、ダイ縁部と第１の基板２０２の第１のダイ収容スルーホール２０３の側壁との間の密着強さを改善することができる。
【００２１】
第１のダイ２２０および第２のダイ２２２は、それぞれ第１の基板２０２上の第１のダイ収容スルーホール２０３内に配設される。わかるように、第１のボンディングパッド２１６が第１のダイ２２０の上側表面内に形成され、および、第２のボンディングパッド２１８が第２のダイ２２２の上側表面内に形成される。
【００２２】
パッケージが更なるパッケージングプロセス中に外部力によって損傷を受けるのを防止するために保護層２３２が使用され、それは、最終的なパッケージングプロセスの後で保護層２３２としての最終的な付着材料によって覆われることができる。
【００２３】
一実施態様において、第１の基板２０２の材料は、エポキシタイプＦＲ５、ＦＲ４またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジンエポキシ）を含む。第１の基板２０２の材料はさらに、金属、合金、ガラス、シリコン、セラミックまたは印刷回路基板（ＰＣＢ）であることができる。合金は、合金４２（４２％Ｎｉ−５８％Ｆｅ）またはコバール（２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ−５４％Ｆｅ）を更に含む。更に、この合金金属は好ましくは、その膨張係数が、それを小型電子回路内のシリコンチップに接続するのに適するようにして、かつニッケル４２％および鉄の（鉄）５８％から成る、ニッケル鉄合金である合金４２によって作成される。この合金金属はまた、ニッケル２９％、コバルト１７％および鉄の（鉄）５４％から成るコバールによって作成されることができる。
【００２４】
好ましくは、第１の基板２０２の材料は規定されたスルーホールを備えたエポキシタイプＦＲ５、ＢＴ、ＰＣＢのような有機基板またはプレエッチング回路を備えたＣｕ合金金属である。好ましくは、熱膨張率（ＣＴＥ）はマザーボード（ＰＣＢ）の１つと同一であり、そうすると、第１の基板２０２のＣＴＥがそれに応じてＰＣＢ（またはマザーボード）のＣＴＥに合致することによって、本発明はより良い信頼性構造を提供することができる。好ましくは、高ガラス転移温度（Ｔｇ）を備えた有機基板が、エポキシタイプＦＲ５またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）タイプ基板である。Ｃｕ合金金属（ＣＴＥ約１６）が、また、使われることができる。ガラス、セラミック、シリコンが基板として使われることができる。接着材料２０８は、シリコーンゴム弾性体から形成される。
【００２５】
一実施態様において、接着材料２０８の材料はシロキサン重合体（ＳＩＮＲ）、ＷＬ５０００、ゴム、エポキシ樹脂、液体化合物およびポリイミド（ＰＩ）を含む。接着材料２０８はさらに、金属材料を含むことができる。
【００２６】
代わりとして、もう一つの実施態様では、図３内に示される再分配配線（ＲＤＬ）２２６は、図４に示すように、電気的接続に使用されるボンディングワイヤ３２６である。
【００２７】
図４において、パッケージ構造３００は予め形成された第１のダイ収容スルーホール３０３内に形成される第１のダイ３２０および第２のダイ３２２を有する基板３０２を備える。接着材料３０８が、基板３０２と第１および第２のダイ３２０および３２２との間の間隔の中に形成される。任意選択で、金属または導電層３０６が基板３０２と接着材料３０８との間の間隔を充填するように形成される。コンタクトパッド３１０は、ボンディングワイヤ３２６によってそれぞれ第１のボンディングパッド３１６および第２のボンディングパッド３１８に接続される。ボンディングワイヤ３２６は、更にそれぞれ金属または導電層３０６および第１および第２のボンディングパッド３１６および３１８に接続される。次いで、保護層３３２が第１のダイ３２０、第２のダイ３２２およびボンディングワイヤ３２６上に形成されて電気的接続のためにコンタクトパッド３１０の表面を露出させる。
【００２８】
図５は、本発明の他の実施態様に従う半導体素子のパッケージ構造４００の断面図を例示する。留意されることは、類似した要素に関する特定の記述が、本発明を不明瞭にすることを回避するために省略されていることである。
【００２９】
図５において、パッケージ構造４００は、第２のコンタクトパッド４０４および回路配線をその中に形成される第２の基板４０２上に形成される、図3に示すパッケージ構造２００を備える。パッケージ構造２００は、付着材料２４０上に形成されて、それから第２の基板４０２上に形成される。パッケージ構造４００は、電気的接続のために第２のコンタクトパッド４０６および第１のコンタクトパッド２１０に接続されるボンディングワイヤ４０６を更に備える。換言すれば、第１の基板２０２の縁部領域上に形成されて取り囲まれる第１のコンタクトパッド２１０は、第２の基板４０２内に形成される第２のコンタクトパッド４０４に電気的に接続されることができる。本発明は、パッケージを覆うために形成される最終的な保護材料４４５を更に備え、および、最終的な半田付け材料４５０が第２の基板４０２の下部の部位上の端子金属パッド上に形成される。
【００３０】
本発明の態様に従って、図６および７に示すように、本発明は半導体素子の積重ね構造を更に提供する。この実施態様は、第２の基板の上の構造内に形成される擬似チップを更に含む。擬似チップは、本発明におけるシングルチップとして働き、それは、チップ積重ねパッケージの構造内のチップサイズ差異によるボンディングワイヤがあまりに長いかあまりに短い問題を回避することができ、擬似チップは、パッケージ本体厚さ、フットプリントを減少させることができるだけでなく、さらにワイヤボンディングプロセスを単純化してパッケージング歩留および品質を向上することができる。
【００３１】
図６を参照して、それは本発明の別の実施態様に従う半導体素子のパッケージ構造５００の断面図を例示する。パッケージ構造５００は、第２のコンタクトパッド５１０をその上に形成される、第２の基板５０９上に形成される、図3に示すパッケージ構造２００を備える。更に、第２の基板５０９はその上に形成される複数の第３のボンディングパッド５０５を有する第３のダイ５０４を収容するために予め形成された第２のダイ収容ホール５０３を有する。付着材料５０２が、第３のダイ５０４および第２の基板４０２の下に形成され、および、接着層５０８が第３のダイ５０４と第２の基板５０９との間の側壁を充填する。任意選択で、金属または導電層５０６が第２の基板４０２と接着層５０８との間の間隔内に形成されて、第２の基板５０９の上層から第２の基板５０９の下層まで信号を接続する相互接続スルーホールとして働く。
【００３２】
図６において、パッケージ構造５００は第２のコンタクトパッド５１０および第１のコンタクトパッド５１２を接続する複数のボンディングワイヤ５１２および第２のコンタクトパッド５１０および第３のボンディングパッド５０５に接続された複数のボンディングワイヤ５１４を更に含む。最終的保護材料５４５がパッケージを覆うために形成され、および、最終的半田付け材料５５０が第２の基板５０９の下部の部位上の端子金属パッド上に形成される。さらに留意されることは、類似した要素に関する特定の記述が、本発明を不明瞭にすることを回避するために省略されていることである。
【００３３】
図７を参照して、それは本発明の別の実施態様に従う半導体素子のパッケージ構造６００の断面図を例示する。パッケージ構造６００は、第３のボンディングパッド５０５を有する第３のダイ５０４上に形成される、図3に示すパッケージ構造２００を備える。第３のダイ５０４は付着材料５０２上に形成され、および、第３のダイ５０４は、複数の第２のコンタクトパッド６０４および回路ワイヤをその上に形成される第２の基板６０２上に形成される。図７において、パッケージ構造６００は第２のコンタクトパッド６０４および第１のコンタクトパッド２１０に接続される複数のボンディングワイヤ６１２および第２のコンタクトパッド６０４および第３のボンディングパッド５０５に接続される複数のボンディングワイヤ６１４を更に含む。最終的保護材料６４５がパッケージを覆うために形成され、および最終的半田付け材料６５０が第２の基板６０２の下部の部位上の端子金属パッド上に形成される。
【００３４】
任意選択で、金属フィルム（または層）（図示せず）が、より良い熱管理問合せのために第１、第２および第３のダイ２２０、２２２および５０４の裏面にスパッタされるかまたはメッキをされることができる。
【００３５】
本明細書において認識されることは、類似した要素に関する特定の記述が、本発明を不明瞭にすることを回避するために省略されていることである。留意されることは、この構造の材料および配置は、本発明を記載するが、しかし、限定しないように例示される。この構造の材料および配置は、異なる導通の要求条件に従って変更されることができる。
【００３６】
本発明の態様に従って、本発明は薄型パッケージの構造を形成する擬似チップを有する半導体素子の構造を提供する。パッケージ（擬似チップ）サイズは、マルチチップのサイズに従って調整可能であることができる。更に、本発明は周辺タイプフォーマットによって低ピン数素子に対する良い解決策を提供する。本発明は、信頼性および歩留を向上させることができる簡単なパッケージ構造を提供する。さらに、本発明はチップ機能として働いて、従来技術の基板層を省略する擬似−チップを有して、チップスケールパッケージ構造のサイズを最小にすることができて、低コスト材料によってコストを減少させる新しい構造を更に提供する。したがって、本発明によって開示される薄型チップスケールパッケージ構造は、従来技術より予想外の効果を提供することができて、従来技術の問題を解決する。この構造は、ウエハまたはパネル産業に適用することができ、更に、他の関連用途に適用され、かつ修正されることができる。
【００３７】
当業者によって理解されるように、本発明の上記の好適な実施態様は本発明を限定することよりむしろ本発明の例証となる。好ましい実施態様と関連して本発明を記載して、変更態様はそれ自体を当業者に示唆する。したがって、本発明はこの実施態様によって限定されるべきでない。むしろ、本発明は添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲内に含まれるさまざまな変更態様および類似した配置を包摂することを意図され、その有効範囲は、全てのこの種の変更態様および類似した構造を包含するように最も幅広い解釈に一致されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
本発明の上記の態様および効果の大多数は、それが添付の図面とともになされる、以下の詳細な説明を参照することでよりよく理解されるにつれて、より容易に認識され、そこにおいて、
【００３９】
【図１】従来技術に従う半導体素子パッケージの構造の断面図を例示する。
【図２】本発明の一実施態様に従う半導体素子パッケージの構造の平面図を例示する。
【図３】本発明の一実施態様に従う半導体素子パッケージの構造の断面図を例示する。
【図４】本発明の別の実施態様に従う半導体素子パッケージの構造の断面図を例示する。
【図５】本発明の別の実施態様に従う半導体素子パッケージの構造の断面図を例示する。
【図６】本発明の別の実施態様に従う半導体素子パッケージの構造の断面図を例示する。および
【図７】本発明の別の実施態様に従う半導体素子パッケージの構造の断面図を例示する。
【符号の説明】
【００４０】
１００パッケージ構造
１０２第２の基板
１０４第１の基板１０４
１１０第２のコンタクトパッド
１１２第３のボンディングパッド
１１４第１のコンタクトパッド
１１６第１のボンディングパッド
１１８第２のボンディングパッド
１２０第１のダイ
１２２第２のダイ
１２４第３のダイ
１２６ボンディングワイヤ
１２８ボンディングワイヤ
１３０ボンディングワイヤ
１３２ボンディングワイヤ
１４５保護層
１５０ソルダーバンプ
２００半導体素子パッケージ
２０２第１の基板
２０３第１のダイ収容スルーホール
２０６金属または導電層
２０８接着材料
２１０第１のコンタクトパッド
２１６第１のボンディングパッド
２１８第２のボンディングパッド
２２０第１のダイ
２２２第２のダイ
２２６再分配配線
２３０誘電層
２３２保護層
２４０付着材料
３００パッケージ構造
３０２基板
３０３第１のダイ収容スルーホール
３０６金属または導電層
３０８接着材料
３１０コンタクトパッド
３１６第１のボンディングパッド
３１８第２のボンディングパッド
３２０第１のダイ
３２２第２のダイ
３２６ボンディングワイヤ
３３２保護層
４００パッケージ構造
４０２第２の基板
４０４第２のコンタクトパッド
４０６第２のコンタクトパッド  ボンディングワイヤ
４４５保護材料
４５０最終的な半田付け材料
５００パッケージ構造
５０２付着材料
５０３第２のダイ収容ホール
５０４第３のダイ
５０５第３のボンディングパッド
５０６金属または導電層
５０８接着層
５０９第２の基板
５１０第２のコンタクトパッド
５１２第１のコンタクトパッド  ボンディングワイヤ
５１４ボンディングワイヤ
５４５最終的保護材料
５５０最終的半田付け材料
６００パッケージ構造
６０２第２の基板
６０４第２のコンタクトパッド
６１２ボンディングワイヤ
６１４ボンディングワイヤ
６４５最終的保護材料
６５０最終的半田付け材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
2009010378000001.pdf