(57)【要約】【課題】  より厚さの薄い半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子５と、半導体素子５を覆う樹脂パッケージ７と、面実装用の実装端子２ａ，３ａと、を備える半導体装置Ａの製造方法であって、基板に半導体素子５をボンディングするためのパッドを形成する工程と、パッドに半導体素子５をボンディングする工程と、半導体素子５を覆う樹脂パッケージ７を形成する工程と、上記基板のうち少なくとも上記パッドに接する部分を除去することにより、上記パッドを実装端子２ａ，３ａとする工程と、を有する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
上記半導体素子を覆う樹脂パッケージと、
面実装用の実装端子と、を備える半導体装置の製造方法であって、
基板に上記半導体素子をボンディングするためのパッドを形成する工程と、
上記パッドに上記半導体素子をボンディングする工程と、
上記半導体素子を覆う上記樹脂パッケージを形成する工程と、
上記基板のうち少なくとも上記パッドに接する部分を除去することにより、上記パッドを上記実装端子とする工程と、を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記基板は、Ｃｕからなり、上記パッドは、Ｃｕとは異なる金属からなる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記パッドを形成する工程においては、メッキによって上記パッドを形成する、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂パッケージを有する半導体装置の製造方法に関し、特に面実装構造の薄型半導体装置の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの電子機器の分野では製品の小型化が求められており、これにともなって電子機器に組み込まれる半導体装置の小型化、薄型化が課題となっている。さらに、このような半導体装置においては、製造コスト低減のために、たとえば、特許文献１に記載されているように材料が安くかつ生産性が良好な樹脂封止が採用されている。
【０００３】
このような半導体装置の製造方法の一例を図７に示す。図７の製造方法においては、まず、基板９１の上面に複数の半導体素子９５を順次搭載するとともに、基板９１の下面に実装端子９２を順次形成する。次に、複数の半導体素子９５を覆うよう樹脂パッケージ９７をモールド形成そる。さらに次に、基板９１および樹脂パッケージ９７を仮想線に沿って分割することによって、一対の実装端子９２と１個の半導体素子９５を有する半導体装置Ｘを切り出す。
【０００４】
このような半導体装置Ｘの製造方法においては、必然的に半導体装置Ｘが基板９１および実装端子９２を有するため、半導体装置Ｘの薄型化に限度があった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１-８５３５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より厚さの薄い半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によって提供される半導体装置の製造方法は、半導体素子と、上記半導体素子を覆う樹脂パッケージと、面実装用の実装端子と、を備える半導体装置の製造方法であって、基板に上記半導体素子をボンディングするためのパッドを形成する工程と、上記パッドに上記半導体素子をボンディングする工程と、上記半導体素子を覆う上記樹脂パッケージを形成する工程と、上記基板のうち少なくとも上記パッドに接する部分を除去することにより、上記パッドを上記実装端子とする工程と、を有することを特徴としている。
【０００８】
このような構成によれば、上記基板の一部を除去することによって、より厚みの薄い半導体装置を製造することが可能となる。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、Ｃｕからなり、上記パッドは、Ｃｕとは異なる金属からなる。このような構成によれば、適当な有機溶剤を用いることにより、上記基板を円滑に除去することができる。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記パッドを形成する工程においては、メッキによって上記パッドを形成する。このような製造工程によれば、上記パッドをより薄く形成することが可能となる。このため、上記半導体装置の厚さをより薄くすることが可能となる。
【００１１】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１３】
図１から図６には、本発明に係る半導体装置の製造方法に従って半導体装置Ａを製造する工程を順に示している。図６には半導体装置Ａの完成図を示している。
【００１４】
図６に示すように、半導体装置Ａは、実装端子２ａ，３ａ、電極４２，４３、半導体素子５、ワイヤ６、および樹脂パッケージ７を備えている。
【００１５】
実装端子２ａ，３ａは、たとえば厚さ３０μｍのＮｉ層からなり、上面が樹脂パッケージ７に覆われている一方、下面が樹脂パッケージ７の外部に露出しており、この露出部分が外部の電極端子に接続される。実装端子２ａ，３ａの一方が、外部の電極端子の陽極側に接続され、他方が陰極側に接続される。実装端子２ａには、半導体素子５が搭載されており、実装端子３ａに比べて大きくなるように形成されている。
【００１６】
電極４２，４３は、たとえば厚さ０．５μｍのＡｕ層で形成されており、実装端子２ａ，３ａの上面をそれぞれ覆うように形成されている。
【００１７】
半導体素子５は、たとえば発光ダイオード素子であり、その下面が電極４２を介して実装端子２ａと電気的に導通している。一方、半導体素子５の上面は、ワイヤ６を介して電極４３に電気的に導通するように接続されている。
【００１８】
ワイヤ６は、たとえばＡｕ線であり、一方の端部が半導体素子５の上面に接続されており、他方の端部が電極４３に接続されている。
【００１９】
樹脂パッケージ７は、たとえば透光性の樹脂によって形成されている。
【００２０】
次に、このような半導体装置Ａの製造方法について説明する。
【００２１】
図１および図２は、基板１にパッド２，３を形成する工程を示している。図２は図１のII-II線に沿う断面図である。図３は、パッド２，３に電極４２，４３を形成する工程を示している。図４は、パッド２上に半導体素子５を搭載し、半導体素子５と電極４３とをワイヤ６によって電気的に接続させる工程を示している。図５は、樹脂パッケージ７を形成する工程を示している。図６は、基板１を除去する工程を経て完成した半導体装置Ａを示している。上記の各工程を順次行うことによって半導体装置Ａを円滑に製造することができる。以下に、各工程についてより詳しい説明を行う。
【００２２】
図１および図２に示す工程では、まず、Ｃｕからなる基板１を用意し、基板１の表面にフォトレジスト膜を形成する。フォトレジスト膜はスピン塗布法で形成され、たとえば２０〜４０μｍ程度の厚さに形成される。次に、フォトレジスト膜を選択的に除去することにより、基板１のパッド２，３を形成する予定の領域を露出させるマスク１１を形成する。その後、たとえば電気メッキ法により、基板１のマスク１１から露出する領域に厚さ３０μｍのＮｉ層を形成する。このようにすると、Ｎｉ層からなるパッド２，３が基板１上に形成される。
【００２３】
図３に示す工程では、たとえば電気メッキ法によりパッド２，３に、厚さ０．５μｍのＡｕ層を形成し、その後にマスク１１を除去する。ここでパッド２に形成されるＡｕ層は、電極４２となり、パッド３に形成されるＡｕ層は電極４３となる。
【００２４】
図４に示す工程では、まず、パッド２上の電極４２に半導体素子５をダイボンディングする。次に、ワイヤ６の一端を半導体素子５の上面にボンディングし、ワイヤ６の他端をパッド３上の電極４３にボンディングする。
【００２５】
図５に示す工程では、たとえば基板１の表面全体を覆うようにモールド法によって樹脂層を形成した後に不要な部分を切除して樹脂パッケージ７を形成する。
【００２６】
基板１を除去する工程では、Ｃｕを融解させる一方でＮｉとは反応を起こさない有機溶剤を用いてＣｕをエッチングする。このようにすると、パッド２，３の各組が互いに分離され、複数の半導体装置Ａが形成される。さらに、基板１が除去されると、パッド２，３において基板１に接触していた面が外部に露出するようになる。このため、パッド２，３は、完成した半導体装置Ａにおいては実装端子２ａ，３ａとして機能する。
【００２７】
次に、半導体装置Ａおよびその製造方法の作用について説明する。
【００２８】
半導体装置Ａは、完成時には基板１が除去されており、実装端子２ａ，３ａが樹脂パッケージ７に埋め込まれた構造となっている。このため、半導体装置Ａの厚さは、樹脂パッケージ７の厚さと等しくなっており、従来の半導体装置Ｘに比べて基板９１および実装端子９２の厚さ分だけ薄くなっている。このように、上記の製造方法によると、従来よりも薄い半導体装置Ａを円滑に製造することができる。
【００２９】
さらに、上記の製造方法においては、パッド２，３をＮｉで形成し、基板１をＣｕで形成しており、Ｃｕを融解させる一方でＮｉとは反応を起こさない有機溶剤を用いてエッチングを行っている。このため、円滑にパッド２，３を残して基板１のみを除去することができる。
【００３０】
さらにまた、上記の製造方法においては、パッド２，３を電気メッキ法によって形成するため、パッド２，３の厚さを抑えることができ、その結果パッド２，３を覆う樹脂パッケージ７の厚さを抑えることが可能となる。したがって、より薄い半導体装置Ａを製造することができる。
【００３１】
さらにまた、上記の製造方法では、Ｎｉからなるパッド２の上面に、より導電性の高いＡｕからなる電極４２を重ねているため、半導体装置Ａでは半導体素子５と実装端子２ａとの導電性がより高くなっている。同様に、Ｎｉからなるパッド３の上面に、Ａｕからなる電極４３を重ねているため、半導体装置Ａでは、ワイヤ６と実装端子３ａとの導電性がより高くなっている。
【００３２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置の製造方法の各工程の具体的な方法は、種々に変更自在である。たとえば、上記実施形態では、基板１を全て除去しているが、基板１の一部が残るような基板１の除去を行ってもよい。また、たとえば、実装端子２ａ，３ａの一部が樹脂パッケージ７から突き出していても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法における、基板にパッドを形成する工程を示す平面図である。
【図２】図１のII-II線に沿う断面図である。
【図３】パッドに電極を形成する工程を示す断面図である。
【図４】半導体素子をパッドに搭載し、電極と導通させる工程を示す断面図である。
【図５】樹脂パッケージを形成する工程を示す断面図である。
【図６】完成した半導体装置の断面図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
Ａ              半導体装置
１              基板
１１            マスク
２，３          パッド
２ａ，３ａ      実装端子
４２，４３      電極
５              半導体素子
６              ワイヤ
７              樹脂パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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