(57)【要約】【課題】均一なパターンを形成することが可能な物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】第１処理を行う第１処理装置と、物体に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する第２処理装置とを備えた物体処理システムであって、前記第１処理装置と前記第２処理装置とを接続し、前記第１処理装置と前記第２処理装置との間で情報を通信させる通信装置と、前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記通信装置を介して通知された前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる制御装置とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１処理を行う第１処理装置と、物体に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する第２処理装置とを備えた物体処理システムであって、
前記第１処理装置と前記第２処理装置とを接続し、前記第１処理装置と前記第２処理装置との間で情報を通信させる通信装置と、
前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記通信装置を介して通知された前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる制御装置と
を備えることを特徴とする物体処理システム。
【請求項２】
前記制御装置は、前記物体に対する前記第２処理が開始されてから前記第２処理を完了した前記物体が前記第１処理装置に供給されるまでの時間に基づいて、前記物体を待機させる
ことを特徴とする請求項１に記載の物体処理システム。
【請求項３】
前記制御装置は、前記第２処理が可能となったときに、前記物体が前記第３処理位置を移動してから前記第１処理装置に供給されるまでの時間に基づいて、前記物体を待機させる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の物体処理システム。
【請求項４】
前記第１処理は、前記第１処理装置に設けられ前記物体の温度を調節する第１温調部の温度変更処理であり、
前記第２処理は、前記物体を露光する露光処理である
ことを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の物体処理システム。
【請求項５】
前記第３処理位置は、前記第２処理装置に設けられ前記物体の温度を調節する第２温調部である
ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の物体処理システム。
【請求項６】
前記第３処理位置は、前記第２処理装置に設けられ前記物体を搬入する搬入部である
ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の物体処理システム。
【請求項７】
第１処理装置にて第１処理を行い、第２処理装置にて物体に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する物体処理方法であって、
前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記第１処理に関する情報を通知する通知工程と、
前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる待機工程と
を備えることを特徴とする物体処理方法。
【請求項８】
前記待機工程では、前記物体に対する前記第２処理が開始されてから前記第２処理を完了した前記物体が前記第１処理装置に供給されるまでの時間に基づいて、前記物体を待機させる
ことを特徴とする請求項７に記載の物体処理方法。
【請求項９】
前記待機工程では、前記第２処理が可能となったときに、前記物体が前記第３処理位置を移動してから前記第１処理装置に供給されるまでの時間に基づいて、前記物体を待機させる
ことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の物体処理方法。
【請求項１０】
前記第１処理は、前記第１処理装置内の前記物体の温度を調節する第１温調部の温度変更処理であり、
前記第２処理は、前記物体を露光する露光処理である
ことを特徴とする請求項７から請求項９のうちいずれか一項に記載の物体処理方法。
【請求項１１】
前記第３処理位置は、前記第２処理装置に設けられ前記物体の温度を調節する第２温調部である
ことを特徴とする請求項７から請求項１０のうちいずれか一項に記載の物体処理方法。
【請求項１２】
前記第３処理位置は、前記第２処理装置に設けられ前記物体を搬入する搬入部である
ことを特徴とする請求項７から請求項１１のうちいずれか一項に記載の物体処理方法。
【請求項１３】
基板に露光処理を行い前記露光処理後の前記基板を外部に供給する露光装置であって、
前記外部から通知される所定の処理に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる制御装置を備える
ことを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
前記制御装置は、前記基板に対する前記露光処理が開始されてから前記露光処理終了後外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記制御装置は、前記露光処理が可能となったときに、前記基板が前記基板処理位置を移動してから前記外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記基板処理位置は、前記基板の温度を調節する温調部である
ことを特徴とする請求項１３から請求項１５のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１７】
露光装置によって基板に露光処理を行い前記露光処理後の前記基板を外部に供給する露光方法であって、
外部から通知される所定の処理に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる待機工程を備える
ことを特徴とする露光方法。
【請求項１８】
前記待機工程では、前記基板に対する前記露光処理が開始されてから前記露光処理終了後外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項１７に記載の露光方法。
【請求項１９】
前記待機工程では、前記露光処理が可能となったときに、前記基板が前記基板処理位置を移動してから前記外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の露光方法。
【請求項２０】
前記基板処理位置は、前記基板の温度を調節する温調部である
ことを特徴とする請求項１７から請求項１９のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項２１】
基板に塗布処理を行い前記塗布処理後の前記基板を外部に供給すると共に、前記外部において露光処理が行われた前記基板に現像処理を行う塗布現像装置であって、
前記塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる制御装置を備える
ことを特徴とする塗布現像装置。
【請求項２２】
前記制御装置は、前記基板に対する前記露光処理が開始されてから前記露光処理終了後外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項２１に記載の塗布現像装置。
【請求項２３】
前記制御装置は、前記露光処理が可能となったときに、前記基板が前記基板処理位置を移動してから前記外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項２１又は請求項２２に記載の塗布現像装置。
【請求項２４】
基板に塗布処理を行い前記塗布処理後の前記基板を外部に供給すると共に、前記外部において露光処理が行われた前記基板に現像処理を行う塗布現像方法であって、
前記塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる待機工程を備える
ことを特徴とする塗布現像方法。
【請求項２５】
前記待機工程では、前記基板に対する前記露光処理が開始されてから前記露光処理終了後外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項２４に記載の塗布現像方法。
【請求項２６】
前記待機工程では、前記露光処理が可能となったときに、前記基板が前記基板処理位置を移動してから前記外部に供給されるまでの時間に基づいて、前記基板を待機させる
ことを特徴とする請求項２４又は請求項２５に記載の塗布現像方法。
【請求項２７】
請求項７から請求項１２のうちいずれか一項に記載の物体処理方法又は請求項１７から請求項２０のうちいずれか一項に記載の露光方法又は請求項２４から請求項２５のいずれか一項に記載の塗布現像方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等の物体の製造工程では、複数の処理装置を用いた処理が行われることがある。このような複数の処理装置を用いて処理が行われる電子部品の製造工程の一例として、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）のリソグラフィ工程では、例えば基板（物体）上にレジストなどの感光材を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置（以下Ｃ／Ｄ装置）を露光装置にインラインで接続したインライン・リソグラフィシステムを用いることがある（例えば、特許文献１参照）。インライン・リソグラフィシステムでは、塗布処理、露光処理及び現像処理を連続して行うことができるため、効率的な処理が可能となる。
【０００３】
このようなインライン・リソグラフィシステムでは、従来と同様、ロットごとにウエハに対して塗布処理、露光処理及び現像処理を行うのが一般的である。具体的には、ロットごとに塗布処理を行い、塗布処理の終了したウエハを露光装置に搬送して露光処理を行う。露光処理の終了後には、露光装置からＣ／Ｄ装置へとウエハが搬送され、Ｃ／Ｄ装置に設けられた温調部によってウエハの温度調節を行ってから現像処理に移る。
【０００４】
ウエハに塗布されたレジストは、時間の経過と共に化学的性質が変化することがある。特に露光処理が完了してから、ウエハの温度調整を行いウエハの現像処理にいたるまでの間、レジストの化学的性質が変化しやすくなる。レジストの化学的性質がウエハごとに異なる状態で現像処理を行うと、ウエハに形成される例えば配線パターンの幅などにバラつきが生じてしまう。このため、レジストの化学的性質が変化しやすい時間、すなわち、露光処理の終了からウエハの現像処理が行われるまでの時間（以下、「ＰＥＤ時間」という）をウエハごとに均一にし、当該レジストの化学的性質をウエハごとに均一にした状態で現像処理を行うようにしている。  
【特許文献１】特開２００５−２４４２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
露光終了後、Ｃ／Ｄ装置においてウエハの温度調節を行う際、温度調節のタイミングとしては、例えばロットごとにその温度を変更する。複数のロットについて連続して処理を行う場合では、ロットが切り替わるときに温調部の温度が変更されることがあり、温調部の温度を変更する間、露光終了後のウエハをＣ／Ｄ装置内に搬送することができないため、ＰＥＤ時間にバラつきが生じてしまう。このため、ウエハに形成されるパターンにバラつきが生じるという問題がある。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、均一なパターンを形成することが可能な物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図５に対応付けした以下の構成を採用している。
【０００８】
本発明に係る物体処理システム（１００）は、第１処理を行う第１処理装置（５０）と、物体（Ｗ）に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する第２処理装置（１０）とを備えた物体処理システムであって、前記第１処理装置と前記第２処理装置とを接続し、前記第１処理装置と前記第２処理装置との間で情報を通信させる通信装置（ＣＳ）と、前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記通信装置を介して通知された前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置及び当該第２処理位置（ＰＬ）の上流側に位置する第３処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる制御装置（１２０）とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、第１処理装置（５０）から第２処理装置（１０）に通信装置（ＣＳ）を介して第１処理に関する情報が通知されると、制御装置（１２０）は第２処理が行われる第２処理位置（ＰＬ）及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で第２処理の開始まで物体（Ｗ）を待機させる。第２処理が行われた後で待機させるのではなく、第２処理が行われる前に物体を待機させるため、物体に第２処理が行われてから第１処理装置に供給されるまでの時間を均一にすることができる。
【００１０】
また、本発明に係る物体処理方法は、第１処理装置（５０）にて第１処理を行い、第２処理装置（１０）にて物体（Ｗ）に第２処理を行い前記第２処理後の前記物体を前記第１処理装置に供給する物体処理方法であって、前記第１処理装置から前記第２処理装置へ前記第１処理に関する情報を通知する通知工程と、前記第１処理に関する情報に基づいて、前記第２処理が行われる第２処理位置（ＰＬ）及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記第２処理の開始まで前記物体を待機させる待機工程とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、第１処理装置（５０）から第２処理装置（１０）に第１処理に関する情報が通知されると、待機工程において第２処理が行われる第２処理位置（ＰＬ）及び当該第２処理位置の上流側に位置する第３処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で第２処理の開始まで物体（Ｗ）を待機させることになる。第２処理が行われた後で物体が待機するのではなく、第２処理が行われる前に物体を待機させるため、物体に第２処理が行われてから第１処理装置に供給されるまでの時間を均一にすることができる。
【００１２】
また、本発明に係る露光装置（１０）は、基板（Ｗ）に露光処理を行い前記露光処理後の前記基板を外部に供給する露光装置であって、前記外部から通知される所定の処理に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる制御装置（１２０）を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、外部から露光装置（１０）に第１処理に関する情報が通知されると、制御装置（１２０）は露光処理が行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で露光処理の開始まで基板（Ｗ）を待機させる。露光処理が行われた後で基板を待機させるのではなく、露光処理が行われる前に基板を待機させるため、基板に露光処理が行われてから外部に供給されるまでの時間を均一にすることができる。
【００１４】
また、本発明に係る露光方法は、露光装置（１０）によって基板（Ｗ）に露光処理を行い前記露光処理後の前記基板を外部に供給する露光方法であって、外部から通知される所定の処理に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる待機工程を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、外部から露光装置（１０）に第１処理に関する情報が通知されると、制御装置（１２０）は露光処理が行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で露光処理の開始まで基板（Ｗ）が待機することになる。露光処理が行われた後で基板を待機させるのではなく、露光処理が行われる前に基板を待機させるため、基板に露光処理が行われてから外部に供給されるまでの時間を均一にすることができる。
【００１６】
本発明に係る塗布現像装置（５０）は、基板（Ｗ）に塗布処理を行い前記塗布処理後の前記基板を外部に供給すると共に、前記外部において露光処理が行われた前記基板に現像処理を行う塗布現像装置であって、前記塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる制御装置（６２）を備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、制御装置（６２）が塗布処理及び現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で露光処理の開始まで基板（Ｗ）を待機させることができる。露光処理が行われた後で基板を待機させるのではなく、露光処理が行われる前に基板を待機させるため、基板に露光処理が行われてから外部に供給されるまでの時間を均一にすることができる。
【００１８】
本発明に係る塗布現像方法は、基板（Ｗ）に塗布処理を行い前記塗布処理後の前記基板を外部に供給すると共に、前記外部において露光処理が行われた前記基板に現像処理を行う塗布現像方法であって、前記塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、前記露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で前記露光処理の開始まで前記基板を待機させる待機工程を備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、塗布処理及び前記現像処理のうち少なくとも一方に関する情報に基づいて、露光処理の行われる露光位置（ＰＬ）及び当該露光位置の上流側に位置する基板処理位置（ＰＳＵ、１１４Ａ）のうち少なくとも一方で露光処理の開始まで基板（Ｗ）が待機することになる。露光処理が行われた後で基板を待機させるのではなく、露光処理が行われる前に基板を待機させるため、基板に露光処理が行われてから外部に供給されるまでの時間を均一にすることができる。
【００２０】
本発明に係るデバイス製造方法は、先に記載の物体処理方法又は露光方法を用いることを特徴とすることを特徴とするものである。  
従って、本発明のデバイス製造方法では、物体に第２処理が行われてから第１処理装置に供給されるまでの時間を均一にすることができるので、物体に均一なパターンを形成することができ、高品質のデバイスを製造できる。
【００２１】
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、均一なパターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法の実施の形態を説明する。
【００２４】
本実施形態では、物体処理システムを構成する第１処理装置としてコータ・デベロッパ装置（以下、「Ｃ／Ｄ装置」という）を用い、第２処理装置として露光装置を用いる場合を説明する。なお、Ｃ／Ｄ装置は、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ（物体、基板）に対する感光材塗布処理を行うとともに露光処理が施されたウエハに現像処理を施す装置である。露光装置は、Ｃ／Ｄ装置から搬送されたウエハに対して露光処理（第２処理）を施す装置である。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２５】
図１には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成された第１実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。  
この図１に示されるリソグラフィシステム（物体処理システム）１００は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム１００は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置（第２処理装置）１０と、該露光装置１０の−Ｙ側（図１における紙面左側）に、インライン・インタフェース部（以下、「インラインＩ／Ｆ部」と呼ぶ）１１０を介して接続された第１処理装置としてのＣ／Ｄ装置５０とを備えている。
【００２６】
露光装置１０は、図１におけるＹ軸方向の中央やや−Ｙ側寄りの位置に仕切り壁１４が設けられたチャンバ１６と、該チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向一側（−Ｘ側）の大部屋１２Ａの内部に収容された露光装置本体１０Ａ（図１では、ウエハステージＷＳＴ及び投影光学系ＰＬ以外の部分は図示省略）と、チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向他側（＋Ｘ側）の小部屋１２Ｂの内部にその大部分が収容された基板搬送系としてのウエハローダ系４０とを備えている。ウエハローダ系４０は、搬送アームＨ１〜Ｈ４を備えており、Ｙ軸方向に延びるＹガイド１８と、該Ｙガイド１８の上方（図１における紙面手前側）に位置しＸ軸方向に延びるＸガイド２０とを搬送ガイドとして備えている。露光装置本体１０Ａには、チャンバ１６の外部に配置された光源としてのレーザ装置１が、引き回し光学系ＢＭＵを介して接続されている。
【００２７】
図２には、露光装置１０の構成が正面図にて概略的に示されている。但し、この図２では、チャンバ１６が仮想線（二点鎖線）にて示されている。この露光装置１０は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置、すなわちいわゆるスキャナ（スキャニング・ステッパとも呼ばれる）である。
【００２８】
この露光装置１０は、露光光ＩＬによりレチクルＲを照明する照明光学系ＩＬＵと、レチクルＲを保持して移動可能なレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲから射出される露光光ＩＬをウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを保持して移動可能なウエハステージＷＳＴと、投影光学系ＰＬ等を保持すると共にウエハステージＷＳＴが搭載される本体コラムＣＬとを有しており、露光装置１０を統括的に制御する主制御装置１２０等を有している。
【００２９】
照明光学系ＩＬＵは、レチクルステージＲＳＴに支持されているレチクルＲを露光光ＩＬで照明する光学系である。この照明光学系ＩＬＵは、レーザ装置１から射出された露光光ＩＬの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、コンデンサレンズ、リレーレンズ系、レチクルＲ上の露光光ＩＬによる照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等（いずれも不図示）を有しており、レチクルＲ上の所定の照明領域をより均一な照度分布の露光光ＩＬで照明可能となっている。レーザ装置１から射出される露光光ＩＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等の紫外光が用いられる。
【００３０】
レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを支持しつつ、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内の２次元移動及び微小回転を行うステージ装置である。レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲの２次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計１３によりリアルタイムで測定され、その測定結果は主制御装置１２０に出力されるようになっている。レチクルステージＲＳＴ上には、このレーザ干渉計１３からのレーザビームを反射する移動鏡１５が設けられている。また、レチクルステージＲＳＴには不図示のリニアモータが設けられており、主制御装置１２０がレーザ干渉計１３の測定結果に基づいて当該リニアモータを駆動することで、レチクルステージＲＳＴに支持されているレチクルＲの位置決めが行われるようになっている。
【００３１】
投影光学系ＰＬは、レチクルＲに形成されたパターンを所定の投影倍率でウエハＷに投影露光する光学系であり、複数の光学素子が鏡筒内に収容された構成になっている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。この投影光学系ＰＬの鏡筒には、フランジＦＬＧが設けられ、該フランジＦＬＧを介して投影光学系ＰＬが鏡筒定盤１３８によって支持されている。
【００３２】
前記ウエハステージＷＳＴは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってＸＹ二次元面内（θｚ回転を含む）でステージベースＳＢ上面に沿って自在に駆動されるＸＹステージ１４１と、該ＸＹステージ１４１上に搭載されたウエハテーブルＴＢとを含んで構成されている。前記ステージベースＳＢは、不図示の防振ユニットを介して床面に支持されている。ウエハテーブルＴＢ上には、レーザ干渉計３１からのレーザビームを反射する移動鏡２７が固定されている。レーザ干渉計３１により、ウエハテーブルＴＢのＸＹ面内の位置が常時検出されている。ウエハテーブルＴＢの位置情報は主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では前記位置情報に基づいてウエハテーブルＴＢを制御する。
【００３３】
また、図１に戻って、ローダ室１２Ｂ内には、温調・アライメントユニット（第２温調部）ＰＳＵが設けられている。温調・アライメントユニットＰＳＵには、不図示のウエハエッジセンサ及びターンテーブルが配置されていると共に、ウエハステージＷＳＴに搬送されるウエハＷに対して当該ウエハステージＷＳＴの温度（露光装置本体１０Ａの雰囲気温度）に温度調整する例えばクールプレートなどの温調ユニットが設けられている。また、ローダ室１２Ｂ内には、ウエハローダ系４０の各部を制御するとともに、後述するＣ／Ｄ側の制御装置との間で通信回線を介して搬送中のウエハに関する情報の交換、すなわち通信を行うローダ制御装置３４が設けられている。
【００３４】
インラインＩ／Ｆ部１１０は、インライン受け渡し部１１４、キャリア台１１８及び水平多関節型ロボット１１６等を備えている。なお、インライン受け渡し部１１４には、供給用テーブル（搬入部）１１４Ａと回収用テーブル１１４Ｂとが設けられている。
【００３５】
図３は、Ｃ／Ｄ装置５０の概略構成を示す平面図である。同図に示すように、Ｃ／Ｄ装置５０は、カセットステーション３０と、処理ステーション３１と、インターフェース部３２とを一体に接続した構成を有している。  
カセットステーション３０は、カセット載置台２１上の突起２１ａの位置に複数個のウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション３１側に向けてＸ方向一列に載置された構成になっており、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転可能に構成されている。
【００３６】
処理ステーション３１は、装置背面側（図中上方）において、カセットステーション３０側から処理ユニット部Ｇ３、処理ユニット部Ｇ４及び処理ユニット部Ｇ５がそれぞれ配置され、これら処理ユニット部Ｇ３と処理ユニット部Ｇ４との間には、主ウエハ搬送部Ａ１が設けられている。主ウエハ搬送部Ａ１は、ロボットアーム６８ａが処理ユニット部Ｇ１、処理ユニット部Ｇ３及び処理ユニット部Ｇ４等に選択的にアクセスできるように設置されている。また、処理ユニット部Ｇ４と処理ユニット部Ｇ５との間には主ウエハ搬送部Ａ２が設けられ、主ウエハ搬送部Ａ２は、ロボットアーム６８ｂが処理ユニット部Ｇ２、処理ユニット部Ｇ４及び処理ユニット部Ｇ５等に選択的にアクセスできるように設置されている。
【００３７】
主ウエハ搬送部Ａ１の背面側には熱処理ユニットが設置されており、例えばウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１０、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）１１３が下方から順に複数段ずつ重ねられている。アドヒージョンユニット（ＡＤ）はウエハＷを温調する機構を更に有する構成にしてもよい。主ウエハ搬送部Ａ２の背面側には、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０及びウエハＷに塗布されたレジスト膜厚を検査する検査装置が設けられている。これら周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０や検査装置は多段に配置しても構わない。
【００３８】
処理ユニット部Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えばウエハＷに所定の加熱処理を施す第１の熱処理ユニットである高温度熱処理ユニット、ウエハＷに精度の良い温度管理化で加熱処理を施す高精度温調ユニット、ウエハ搬送体２２からロボットアーム６８ａへのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニット、温調ユニットが上から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ４では、例えば熱処理ユニットとしてプリベークユニット、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すポストベークユニットＰＢＵ、高精度温調ユニットが上から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ５では、例えば露光後のウエハＷに加熱処理を施すポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥベーキングユニット）ＰＢＵ、高精度温調ユニットが例えば上から順に重ねられている。
【００３９】
処理ステーション３１の装置正面側（図中下方）には、処理ユニット部Ｇ１と処理ユニット部Ｇ２とがＹ方向に併設されている。この処理ユニット部Ｇ１とカセットステーション３０との間、及び処理ユニット部Ｇ２とインターフェース部３２との間には、各処理ユニット部Ｇ１及びＧ２に供給する処理液の温調に使用される液温調ポンプ２４、２５がそれぞれ設けられており、この処理システム外に設けられた不図示の空調器からの清浄な空気を各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５内部に供給するためのダクトＤ１、Ｄ２が設けられている。
【００４０】
処理ユニット部Ｇ１では、カップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行うレジスト塗布ユニット、露光時の光の反射を防止するために反射防止膜を形成するボトムコーティングユニットが下方から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ２では、例えば現像ユニットが下方から順に複数段重ねられている。
【００４１】
なお、カセットステーション３０の下方部にはこのＣ／Ｄ装置５０のシステム全体を制御する塗布・現像制御装置６２が設けられている。
【００４２】
インターフェース部３２の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、中央部にはロボットアーム４７が設けられている。このロボットアーム４７は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲにアクセスすると共に、インラインＩ／Ｆ部１１０にアクセス可能になっている。
【００４３】
図４には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成されたリソグラフィシステムの搬送系の概略構成が示されている。  
図１及び図４に示すように、当該ウエハローダ系４０には、インラインＩ／Ｆ部１１０における供給用テーブル１１４Ａから温調・アライメントユニットＰＳＵにウエハＷを搬送する搬送アームＨ１と、温調・アライメントユニットＰＳＵからから露光装置本体１０Ａ（ウエハステージＷＳＴ）にＸガイド２０に沿って搬入する搬送アームＨ２と、露光処理が終了したウエハＷを露光装置本体１０ＡからＸガイド２０に沿って搬出する搬送アームＨ３と、搬送アームＨ３からウエハＷを受け取ってインラインＩ／Ｆ部１１０における回収用テーブル１１４Ｂに搬送する搬送アームＨ４とを備えている。なお、仕切り壁１４には、搬送アームＨ２及び搬送アームＨ３がそれぞれ通過可能な開口が形成されている。
【００４４】
本実施形態では、露光装置１０側のローダ制御装置３４とＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２との間、及び主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間で、それぞれに接続された通信装置ＣＳを介してそれぞれデータ通信が可能な構成となっている。この場合、ローダ制御装置３４と塗布・現像制御装置６２との間では、主として搬送中のウエハに関する情報のやり取りが行われる。また、主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間では、露光装置１０とＣ／Ｄ装置５０との間のウエハＷの供給に関する情報等の種々の情報のやり取りが行われる。
【００４５】
また、本実施形態では、露光装置１０の主制御装置１２０に表示装置２００が接続されている。この表示装置２００は、露光装置１０における処理状況及びＣ／Ｄ装置５０における処理状況を表示可能になっている。露光装置１０における処理状況の情報は、例えば主制御装置１２０を介して表示装置２００に供給されるようになっている。また、Ｃ／Ｄ装置５０における処理状況の情報は、例えば塗布・現像制御装置６２から通信装置ＣＳ及び主制御装置１２０を介して表示装置２００に供給されるようになっている。この表示装置２００は、塗布・現像制御装置６２に接続されていても良いし、主制御装置１２０及び塗布・現像制御装置６２の両方にそれぞれ接続されていても良い。また、露光装置１０における処理状況及びＣ／Ｄ装置５０における処理状況のいずれか一方のみを表示可能になっている構成であっても構わない。
【００４６】
次に、リソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作について説明する。  
ここでは、基板（物体）としての第１枚目のウエハＷがカセット載置台２１上に載置されているものとする。そこで、ロボット２２は、カセット載置台２１上からウエハＷを例えば処理ユニットＧ１内に搬入する。処理ユニットＧ１のレジスト塗布ユニット内でレジスト（感光材）の塗布が開始される。そして、ウエハＷのレジスト塗布が終了すると、ロボット６８ａは、ウエハＷをレジスト塗布ユニットからポストベークユニットに移動させ、ポストベーキング処理を行う。
【００４７】
ポストベーキング処理を行ったウエハＷを例えば２０〜２５℃の範囲で定められた温度に冷却した後、当該ウエハＷは、ロボット６８ｂ及びロボット４７を介してロボット１１６に受け渡され、ロボット１１６によってインライン受け渡し部１１４の供給用テーブル１１４Ａ上に載置される。
【００４８】
一方、露光装置１０側では、まず、搬送アームＨ１が、供給用テーブル１１４ＡからウエハＷを受け取り、温調・アライメントユニットＰＳＵのターンテーブル上に載置する。ここでウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行われ、その検出信号に基づいてローダ制御装置３４によってターンテーブルを回転させてウエハＷのノッチ部の方向を所定方向に合わせる。また、ウエハステージＷＳＴに搬送されるウエハＷが当該ウエハステージＷＳＴの温度に温度調整される。温度調整が終了したら、搬送アームＨ２によってウエハＷをウエハステージＷＳＴに搬送する。
【００４９】
ウエハステージＷＳＴ上に搬送されたウエハＷに対しては、レチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）とウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルＲとウエハＷとを同期移動しつつレチクルＲ上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを、繰り返すことにより露光処理が行われる。上記の露光処理が終了すると、搬送アームＨ３が、露光済みのウエハＷを受け取り、搬送アームＨ４に渡す。搬送アームＨ４は、ウエハＷを受け取った後、当該ウエハＷをインライン受け渡し部１１４の回収用テーブル１１４Ｂに搬送する。
【００５０】
この後、露光済みのウエハＷは、ロボット１１６により回収用テーブル１１４Ｂからロボット４７に受け渡され、さらにロボット４７及びロボット６８ｂにより処理ユニットＧ５のＰＥベーキングユニット内に搬入され、ＰＥベーキングユニットＰＢＵ内でポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）が行われる。
【００５１】
一方、ＰＥＢが終了したウエハＷは、ロボット６８ｂによりＰＥベーキングユニットＰＢＵから取り出され、例えば処理ユニットＧ４の現像ユニット内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハＷは、ロボット６８ａ及びロボット２２を介してカセット載置台２１上に載置される。  
このように、リソグラフィシステム１００における一連の処理が完了する。
【００５２】
ところで、リソグラフィシステム１００においては、上記の一連の処理をロットごとに行うことが多く、露光処理後にＰＥＢを行う際にはロットごとにＰＥベーキングユニットＰＢＵの加熱温度の変更処理（第１処理）を行う場合もある。ＰＥベーキングユニットＰＢＵの加熱温度を変更する場合、ＰＥベーキングユニットＰＢＵ内が変更後の温度になるまでＰＥＢ処理を行うことができない。
【００５３】
そこで、本実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０においてＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度を変更する際には、当該ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更に関する情報を通信装置ＣＳを介して主制御装置１２０に送信する（通知工程）。この情報には、例えばＰＥベーキングユニットＰＢＵにて温度変更を行う時間に関する情報や、ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更が完了するまでの時間に関する情報などが含まれている。
【００５４】
塗布・現像制御装置６２からＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更に関する情報を受信した主制御装置１２０は、当該情報に基づいて、ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更が完了するまでの間、露光処理が行われる位置（図１における符号ＰＬの位置：第２処理位置）よりも上流側の位置（第３処理位置、基板処理位置）にウエハＷを待機させる（待機工程）。
【００５５】
ウエハＷを待機させる位置としては、例えば温調・アライメントユニットＰＳＵなど露光装置１０内の位置であっても良いし、インラインＩ／Ｆ部１１０内の供給用テーブル１１４Ａなど露光装置１０の外部であっても良い。また、ウエハＷを待機させる位置が露光位置ＰＬであっても構わない。この場合には、ウエハＷを露光位置ＰＬへ搬送した後、露光処理を行わずに待機させることになる。また、ウエハＷをウエハステージＷＳＴに載置した状態で、露光位置ＰＬの上流側に待機させておいても構わない。また、複数のウエハＷを待機させる場合には、上記各位置のそれぞれに待機させておいても構わないし、上記各位置のうち複数の位置に待機させておいても構わない。
【００５６】
この待機工程において、主制御装置１２０は、ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更に関する情報に基づいて、当該ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変化が完了するタイミングを計算する。ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度調整が完了したと判断したら、ウエハＷを現在の待機位置から露光位置ＰＬへと搬送させ、露光処理を行わせる。
【００５７】
ＰＥベーキングユニットＰＢＵにおいては温度変化が完了しており、ウエハＷを収容可能な状態になっているため、露光終了後にはウエハＷを待機させること無くスムーズに搬出させることができる。このため、露光処理が完了してからウエハＷがＰＥベーキングユニットＰＢＵに供給されてＰＥＢが行われるまでの時間（ＰＥＤ時間）は、各ウエハＷについて均一になる。
【００５８】
なお、この場合、主制御装置１２０は、露光時間及び露光位置ＰＬからＰＥベーキングユニットＰＢＵまでの搬送時間の合計時間を計算し、ＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変化が完了するタイミングに対して当該合計時間だけ早いタイミングで露光処理を行わせるようにしても良い。この制御により、露光処理が終了したウエハＷを当該合計時間だけ早いタイミングでＰＥベーキングユニットＰＢＵに供給することができるので、スループットの向上につながる。
【００５９】
また、主制御装置１２０は、ウエハＷの上記各待機位置から露光位置ＰＬまでの搬送時間を上記合計時間に加え、当該搬送時間も含めた時間だけ早いタイミングで露光処理を行わせるようにしても構わない。この制御により、露光処理が終了したウエハＷをＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変化が完了した直後に当該ＰＥベーキングユニットＰＢＵに供給することができるため、スループットの一層の向上につながることになる。
【００６０】
なお、上記通知工程及び処理工程を含めた一連のリソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作は、露光装置１０における処理状況、Ｃ／Ｄ装置５０における処理状況を表示装置２００によって表示しながら行う。また、上記通知工程及び処理工程を含めた一連の動作を塗布・現像制御装置６２によって行うようにしても構わない。
【００６１】
このように、本実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０から露光装置１０にＰＥベーキングユニットＰＢＵの温度変更処理に関する情報が通知されると、主制御装置１２０は露光処理が行われる露光位置ＰＬ及び当該露光位置ＰＬの上流側の位置のうち少なくとも一方で露光処理の開始までウエハＷを待機させる。露光処理が行われた後でウエハＷを待機させるのではなく、露光処理が行われる前にウエハＷを待機させるため、ウエハＷに露光処理が行われてからＣ／Ｄ装置５０のＰＥベーキングユニットＰＢＵに供給されるまでの時間（ＰＥＤ時間）を均一にすることができる。
【００６２】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００６３】
例えば、上記各実施形態の基板（物体）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６４】
露光装置１０としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００６５】
露光装置１０の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６６】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００６７】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置についても適用可能である。液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００６８】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００６９】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７０】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図５は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００７１】
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００７２】
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７３】
図６は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。  
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の第１工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７４】
ウエハプロセスの各段階において、上述の第１工程が終了すると、以下のようにして第２工程が実行される。この第２工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの第１工程と第２工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７５】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施の形態に係るリソグラフィシステムの概略構成示す平面図。
【図２】本実施形態に係る露光装置の構成を示す図。
【図３】本実施形態に係る塗布現像装置（Ｃ／Ｄ装置）の構成を示す図。
【図４】本実施形態に係るリソグラフィシステムの搬送系の概略構成を示す図。
【図５】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図。
【図６】図５におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図。
【符号の説明】
【００７７】
１０…露光装置（第２処理装置）、  ５０…Ｃ／Ｄ装置（第１処理装置）、  ＰＢＵ…ポストベークユニット（第１温調部）、  ６２…塗布・現像制御装置（制御装置）  １００…リソグラフィシステム（物体処理システム）、  １１４Ａ…供給用テーブル（搬入部）、１２０…主制御装置（制御装置）、  ＣＳ…通信装置、  Ｗ…ウエハ（基板、物体）、ＰＬ…露光位置（第２処理位置、基板処理位置）、  ＰＳＵ…温調・アライメントユニット（第２温調部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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