(57)【要約】  【課題】ヒータの使用電力を低減する。  【解決手段】成膜装置４０はウエハ２を加熱するメインヒータ４７と、筐体４２を加熱するチャンバヒータ４３と、ガス供給系を加熱する供給系ヒータ７１と、排気系を加熱する排気系ヒータ７３とを具備する。メインコントローラ８０は成膜装置４０の立ち上げ時に、チャンバヒータ４３、メインヒータ４７、供給系ヒータ７１および排気系ヒータ７３のうち最大電気容量のメインヒータ４７の電力供給装置４８を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にチャンバヒータ４３の電力供給装置４３Ａ、供給系ヒータ７１の電力供給装置７２および排気系ヒータ７３の電力供給装置７４を一度に電源投入する。成膜装置の設備仕様としては、最大電気容量のメインヒータの電力供給装置の電力を配慮すれば済むので、イニシャルコストやランニングコストを低減でき、電力容量不足を回避できる。  【選択図】図１
2009027107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するためのガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排気するガス排気系と、
前記基板を加熱する第一加熱器と、
前記処理室に設けられた第二加熱器と、
前記ガス供給系に設けられた第三加熱器と、
前記排気系に設けられた第四加熱器と、
を有し、
前記加熱器のうち、最も電気容量の大きい加熱器を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にその他の加熱器を一度に電源投入する制御システムを有することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に関する。
詳しくは、半導体製造装置に具備されたヒータ（加熱器）の使用電力を低減する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に薄膜を形成する工程には、ヒータを具備した半導体製造装置が広く使用されている。
【０００３】
半導体製造装置において使用される処理ガスおよびクリーニングガスによっては、相変化のための加熱および保温の必要上、ウエハを加熱するメインヒータ以外に、処理室を形成した筐体周り、供給系、排気系にも多くのヒータが具備されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体製造装置においては、立ち上げ時には各ヒータにフルパワーが印加されているために、半導体製造装置および設備仕様としては、各ヒータの容量を加算した電力を必要としている。
これは、ＩＣ製造工場等の設備コストアップや電力容量不足を招くことになる。
また、半導体製造装置の改造において、電気設備容量アップも必要となる。
【０００５】
本発明の目的は、ヒータの使用電力を低減することができる半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するためのガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内のガスを排気するガス排気系と、
前記基板を加熱する第一加熱器と、
前記処理室に設けられた第二加熱器と、
前記ガス供給系に設けられた第三加熱器と、
前記排気系に設けられた第四加熱器と、
を有し、
前記加熱器のうち、最も電気容量の大きい加熱器を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にその他の加熱器を一度に電源投入する制御システムを有することを特徴とする半導体製造装置。
（２）前記加熱器の電源を投入する際に、一定時間毎に時間差で一つずつ行う制御システムを有する前記（１）の半導体製造装置。
（３）前記最も電気容量の大きい加熱器とは、第一加熱器である前記（１）の半導体製造装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）の半導体製造装置によれば、最も電気容量の大きい加熱器が先に電源投入され、電力負荷が下がる時にその他の加熱器が一度に電源投入されるために、加熱器の使用電力を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態においては、本発明に係る半導体製造装置は、図１に示されているように、枚葉式ウォームウオール形半導体製造装置として構成されており、機能的にはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ）装置またはサイクリックＣＶＤ装置（以下、成膜装置という。）として構成されている。
成膜装置４０は処理室４１を形成する筐体４２を備えており、筐体４２には処理室４１の壁面を加熱する加熱器（以下、チャンバヒータという。）４３が内蔵されている。
チャンバヒータ４３の電力供給装置４３ＡはＰＩＤ動作によってフィードバック制御されるように構成されており、筐体４２の温度は所定の温度となるように制御される。
筐体４２にはウエハ搬入搬出口４４が開設されており、ウエハ搬入搬出口４４はゲートバルブ４４Ａによって開閉されるように構成されている。
【００１０】
筐体４２により形成される処理室４１内には、ウエハ２を支持する支持台４５が設けられている。支持台４５の上部にはウエハ２を支持する支持板としてのサセプタ４６が設けられている。
支持台４５の内部にはサセプタ４６上に載置されたウエハ２を加熱する加熱器（以下、メインヒータという。）４７が設けられている。メインヒータ４７の電力供給装置４８はＰＩＤ動作によってフィードバック制御されるように構成されており、ウエハ２の温度は所定の温度となるように制御される。
【００１１】
処理室４１の外部には回転機構（回転手段）４９が設けられている。回転機構４９は処理室４１内の支持台４５を回転させてサセプタ４６上のウエハ２を回転させる。
処理室４１の外部には昇降機構（昇降手段）５０が設けられている。昇降機構５０は支持台４５を処理室４１内において昇降させる。
【００１２】
処理室４１の上部にはガスをシャワ状に噴出するシャワヘッド５１が設けられており、シャワヘッド５１はサセプタ４６と対向するように設けられている。
シャワヘッド５１は分散板５１ａとシャワ板５１ｂとを有する。分散板５１ａは内部に供給されたガスを分散させる。シャワ板５１ｂは多数個のガス噴出口５１ｅを有し、分散板５１a により分散されたガスをシャワ板５１ｂのガス噴出口５１ｅを介して処理室４１内へシャワ状に噴出させる。
シャワヘッド５１の天井部と分散板５１a との間には、第一バッファ空間５１ｃが設けられており、分散板５１a とシャワ板５１ｂとの間には第二バッファ空間５１ｄが設けられている。
【００１３】
処理室４１の外部には、液体原料である第一原料を供給する第一原料供給源５２Ａと、液体原料である第二原料を供給する第二原料供給源５２Ｄとが設けられている。
第一原料供給源５２Ａには第一液体原料供給管５３Ａが接続されており、第二原料供給源５２Ｄには第二液体原料供給管５３Ｄが接続されている。
第一液体原料供給管５３Ａおよび第二液体原料供給管５３Ｄはそれぞれ、原料の液体供給流量を制御する流量制御装置（流量制御手段）としての液体流量コントローラ（液体マスフローコントローラ）５４Ａ、５４Ｄを介して、原料を気化する気化器５５Ａ、５５Ｄに接続されている。
気化器５５Ａ、５５Ｄには第一原料ガス供給管５６Ａ、第二原料ガス供給管５６Ｄがそれぞれ接続されており、第一原料ガス供給管５６Ａ、第二原料ガス供給管５６Ｄはバルブ５７Ａ、５７Ｄを介してシャワヘッド５１にそれぞれ接続されている。
以上のように、供給系が構成されている。
【００１４】
また、処理室４１の外部には不活性ガス供給源５２Ｃが設けられており、不活性ガス供給源５２Ｃは非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する。
不活性ガス供給源５２Ｃには不活性ガス供給管５３Ｃが接続されており、不活性ガス供給管５３Ｃの途中には不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置（流量制御手段）としてのガス流量コントローラ（マスフローコントローラ）５４Ｃが設けられている。
不活性ガス供給管５３Ｃはガス流量コントローラ５４Ｃよりも下流側で二つの供給管に分岐している。分岐した一方の供給管はバルブ５７Ｃを介して第一原料ガス供給管５６Ａに接続され、分岐した他方の供給管はバルブ５７Ｅを介して第二原料ガス供給管５６Ｄに接続されている。
不活性ガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2 を用いる。
【００１５】
第一原料ガス供給管５６Ａでは、気化器５５Ａにて第一原料を気化して得た第一原料ガスと、不活性ガス供給管５３Ｃからの不活性ガスとが混合される。
第二原料ガス供給管５６Ｄでは、気化器５５Ｄにて第二原料を気化して得た第二原料ガスと、不活性ガス供給管５３Ｃからの不活性ガスとが混合される。
混合されたガスは第一原料ガス供給管５６Ａおよび第二原料ガス供給管５６Ｄからシャワヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃにそれぞれ供給される。
第一原料ガス供給管５６Ａ、第二原料ガス供給管５６Ｄ、不活性ガス供給管５３Ｃにそれぞれ設けられたバルブ５７Ａ、５７Ｄ、５７Ｃ、５７Ｅは開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御する。
【００１６】
処理室４１の外部にはオゾナイザ５８が設けられており、オゾナイザ５８は酸素ガス（Ｏ2 ）からオゾンガス（Ｏ3 ）を生成する。
オゾナイザ５８の上流側には酸素ガス供給管５３Ｂが設けられており、酸素ガス供給管５３Ｂには酸素ガス供給源５２Ｂが接続されている。酸素ガス供給源５２Ｂは酸素ガスをオゾナイザ５８に酸素ガス供給管５３Ｂを介して供給する。
酸素ガス供給管５３Ｂには酸素ガスの供給流量を制御するガス流量コントローラ５４Ｂとバルブ５７Ｂとが設けられている。バルブ５７Ｂは開閉することにより、酸素ガスの供給を制御する。
オゾナイザ５８の下流側にはオゾンガス供給管５９Ｂが設けられており、オゾンガス供給管５９Ｂはバルブ６０Ｂを介してシャワヘッド５１に接続されている。
オゾンガス供給管５９Ｂはオゾナイザ５８によって生成されたオゾンガスをシャワヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃに供給する。バルブ６０Ｂは開閉することにより、オゾンガスの供給を制御する。
【００１７】
筐体４２の下部側壁には排気口６１が設けられており、排気口６１には排気管６２の一端が接続されている。排気管６２の他端は排気装置（排気手段）としての真空ポンプ６３および除害装置（図示せず）に接続されている。排気口６１および排気管６２で排気系が構成されている。
排気管６２には圧力制御部（圧力制御手段）としての圧力コントローラ６４と、原料回収トラップ６５とが設けられている。圧力コントローラ６４は処理室４１内の圧力を制御する。原料回収トラップ６５は原料を回収する。
【００１８】
第一原料ガス供給管５６Ａと第二原料ガス供給管５６Ｄとオゾンガス供給管５９Ｂとには、原料回収トラップ６５に接続された第一原料ガスバイパス管（ベント管）６６Ａと、第二原料ガスバイパス管（ベント管）６６Ｃと、オゾンガスバイパス管（ベント管）６６Ｂとがそれぞれ設けられている。バイパス管６６Ａ、６６Ｃ、６６Ｂには、バルブ６７Ａ、６７Ｃ、６７Ｂがそれぞれ設けられている。
【００１９】
処理室４１内の支持台４５上には整流板としてのプレート６８が設けられており、プレート６８はシャワヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワ板５１ｂを介して供給されたガスの流れを調整する。プレート６８は円環（リング）形状であり、ウエハ２の周囲に位置する。
シャワヘッド５１を介してウエハ２に供給されたガスはウエハ２の径方向外方に向かって流れ、プレート６８上を通り、プレート６８と筐体４２の側壁（内壁）との間を通り、排気口６１より排気される。
なお、ウエハ２の外周縁部のように、ウエハ２に膜を形成したくない箇所がある場合は、プレート６８の内径をウエハ２の外形より小さくして、ウエハ２の外周部を覆うようにしてもよい。
この場合は、ウエハ２の搬送を可能とするために、プレート６８を処理室４１内のウエハ２の処理位置に固定したり、プレート６８を昇降させる機構を設ける。
【００２０】
第一液体原料供給管５３Ａ、第二液体原料供給管５３Ｄ、第一原料ガス供給管５６Ａ、および第二原料ガス供給管５６Ｄには、これらを加熱する第三加熱器（以下、供給系ヒータという。）７１がそれぞれ具備されている。
供給系ヒータ７１の電力供給装置７２はＰＩＤ動作によってフィードバック制御されるように構成されており、第一液体原料供給管５３Ａ、第二液体原料供給管５３Ｄ、第一原料ガス供給管５６Ａ、および第二原料ガス供給管５６Ｄの温度は所定の温度となるようにそれぞれ制御される。
【００２１】
排気管６２には、これを加熱する第四加熱器（以下、排気系ヒータという。）７３が具備されている。排気系ヒータ７３の電力供給装置７４はＰＩＤ動作によってフィードバック制御されるように構成されており、排気管６２の温度は所定の温度となるようにそれぞれ制御される。
【００２２】
バルブ５７Ａ〜６７Ｃ、流量コントローラ５４Ａ〜５４Ｄ、圧力コントローラ６４、気化器５５Ａ、５５Ｄ、オゾナイザ５８、回転機構４９、昇降機構５０、チャンバヒータ４３の電力供給装置４３Ａ、メインヒータ４７の電力供給装置４８、供給系ヒータ７１の電力供給装置７２および排気系ヒータ７３の電力供給装置７４は、制御システムとしてのメインコントローラ８０によって制御される。
本実施の形態において、メインコントローラ８０は成膜装置４０の立ち上がりに際して、チャンバヒータ４３、メインヒータ４７、供給系ヒータ７１および排気系ヒータ７３のうち、最も電気容量の大きい加熱器であるメインヒータ４７の電力供給装置４８を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にその他のチャンバヒータ４３の電力供給装置４３Ａ、供給系ヒータ７１の電力供給装置７２および排気系ヒータ７３の電力供給装置７４を一度に電源投入する。
【００２３】
次に、以上の構成に係る成膜装置４０を使用して高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜をＡＬＤ法によってウエハ２上に成膜する場合について説明する。
なお、以下の説明において、成膜装置４０を構成する各部の動作はメインコントローラ８０により制御される。
【００２４】
図１において、支持台４５がウエハ搬送位置まで下降した状態で、ゲートバルブ４４Ａが開かれ、ウエハ搬入搬出口４４が開放されると、ウエハ２が処理室４１内に負圧移載装置（図示せず）により搬入される（ウエハ搬入ステップ）。
ウエハ２が処理室４１内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ４４Ａが閉じられる。
支持台４５がウエハ搬送位置からそれよりも上方のウエハ処理位置まで上昇する。
その間に、ウエハ２は突き上げピン上からサセプタ４６上に載置される（ウエハ載置ステップ）。
【００２５】
支持台４５がウエハ処理位置に到達すると、ウエハ２は回転機構４９により回転される。また、メインヒータ４７に電力が供給されることにより、ウエハ２は所定の処理温度となるように均一に加熱される（ウエハ昇温ステップ）。
同時に、処理室４１内は真空ポンプ６３により排気され、所定の処理圧力となるように制御される（圧力調整ステップ）。
なお、ウエハ搬送時やウエハ昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管５３Ｃに設けられたバルブ５７Ｃ、５７Ｅは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源５２Ｃより処理室４１内に不活性ガスが常に流される。
これにより、パーティクルや金属汚染物のウエハ２への付着を防ぐことができる。
【００２６】
まず、界面層形成ステップについて説明する。
ウエハ昇温ステップの途中で、処理室４１内の圧力が所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室４１内にオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ５７Ｂが開かれると、酸素ガス供給源５２Ｂから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管５３Ｂを通り、ガス流量コントローラ５４Ｂで流量制御されてオゾナイザ５８へ供給される。オゾナイザ５８はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後に、バルブ６７Ｂが閉じられると共に、バルブ６０Ｂが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ５８からオゾンガス供給管５９Ｂを通り、シャワヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワ板５１ｂを介してウエハ２上へシャワ状に供給される。ウエハ２に対して供給されたオゾンガスは排気管６２より排気される。
このとき、後述する高誘電率膜形成ステップ時のウエハ温度（以下、成膜温度という。）よりも低い温度に加熱されたウエハ２表面にオゾンガスが接触することにより、ウエハ２表面に極薄い界面層としてのシリコン酸化膜が形成される（界面層形成ステップ）。
なお、このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に供給される。
なお、界面層形成ステップはウエハ昇温ステップの途中ではなく、成膜温度よりも低い一定の温度に維持した状態で実施してもよい。
【００２７】
オゾンガスの供給が所定時間行われ、界面層としてのシリコン酸化膜が形成された後、バルブ６０Ｂが閉じられ、オゾンガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
この際、バルブ６７Ｂを開き、バイパス管６６Ｂによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ５８からのオゾンガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
【００２８】
処理室４１内のパージが所定時間行われ、ウエハ２の温度や処理室４１内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定した後、高誘電率膜形成ステップが行われる。
【００２９】
次に、高誘電率膜形成ステップについて説明する。
ウエハ２表面に界面層としてのシリコン酸化膜が形成された後に、ウエハ２の温度や処理室４１内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室４１内に第一原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源５２Ａから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えば、Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 ］4 （テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ）ハフニウム、以下、ＭＭＰと略す。）が、第一液体原料供給管５３Ａを通り、液体流量コントローラ５４Ａで流量制御され、気化器５５Ａへ供給される。気化器５５Ａは第一原料を気化させる。
バルブ６７Ａが閉じられると共に、バルブ５７Ａが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは第一原料ガス供給管５６Ａを通り、シャワヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワ板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。
このときも、バルブ５７Ｃは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管５６Ａ内で混合されてシャワヘッド５１に導かれ、第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワ板５１ｂを経由してサセプタ４６上のウエハ２上へシャワ状に供給される（第一原料ガス供給ステップ）。
ウエハ２に対して供給された第一原料ガスは、排気管６２より排気される。
なお、第一原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
【００３０】
第一原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ５７Ａが閉じられ、第一原料ガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｃは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
この際、バルブ６７Ａを開いてバイパス管６６Ａによって第一原料ガスを排気することにより、気化器５５Ａからの第一原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
【００３１】
処理室４１内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室４１内に第二原料ガスが供給される。
すなわち、第二原料供給源５２Ｄから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えば、Ｓｉ−ＭＭＰが第二液体原料供給管５３Ｄを通り、液体流量コントローラ５４Ｄで流量制御され、気化器５５Ｄへ供給される。気化器５５Ｄは第二原料を気化させる。
バルブ６７Ｃが閉じられると共に、バルブ５７Ｄが開かれると、気化した第二原料ガスは第二原料ガス供給管５６Ｄを通り、シャワヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄおよびシャワ板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。
このときも、バルブ５７Ｅは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に流される。
第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管５６Ｄ内で混合されてシャワヘッド５１に導かれ、第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワ板５１ｂを経由してサセプタ４６上のウエハ２上へシャワ状に供給される（第二原料ガス供給ステップ）。
ウエハ２に対して供給された第二原料ガスは、排気管６２より排気される。
なお、第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
【００３２】
第二原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ５７Ｄが閉じられ、第二原料ガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｅは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
この際、バルブ６７Ｃを開いて、バイパス管６６Ｃによって第二原料ガスを排気することにより、気化器５５Ｄからの第二原料ガスの供給を停止しない方が好ましい。
【００３３】
処理室４１内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室４１内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ５７Ｂが開かれると、酸素ガス供給源５２Ｂから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管５３Ｂを通り、ガス流量コントローラ５４Ｂで流量制御されてオゾナイザ５８へ供給される。オゾナイザ５８はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後、バルブ６７Ｂが閉じられると共に、バルブ６０Ｂが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ５８からオゾンガス供給管５９Ｂを通り、シャワヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワ板５１ｂを経由してウエハ２上へシャワ状に供給される（酸化剤供給ステップ）。
ウエハ２に対して供給されたオゾンガスは排気管６２より排気される。
なお、このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に供給される。
【００３４】
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ６０Ｂが閉じられ、オゾンガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
この際、バルブ６７Ｂを開き、バイパス管６６Ｂによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ５８からのオゾンガスの供給を停止しない方が好ましい。
【００３５】
処理室４１内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、再び、バルブ６７Ａが閉じられると共に、バルブ５７Ａが開かれると、気化した第一原料ガスが不活性ガスと共にシャワヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワ板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。すわなち、第一原料ガス供給ステップが実施される。
【００３６】
以上の第一原料ガス供給ステップ、パージステップ、第二原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップ、パージステップを、１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、ウエハ２上すなわちウエハ２表面に形成された界面層としてのシリコン酸化膜上に所定膜厚の高誘電率膜を形成することができる（高誘電率膜形成ステップ）。
【００３７】
以上のようにして、ウエハ２上に高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜が形成される。
ハフニウムシリケート膜の形成が終了すると、ゲートバルブ４４Ａが開かれ、成膜済みのウエハ２は負圧移載装置によって搬出（ウエハアンローディング）される。
【００３８】
ところで、成膜装置４０の立ち上げ時においては、図２に示されているように、チャンバヒータ４３、メインヒータ４７、供給系ヒータ７１および排気系ヒータ７３にはフルパワーが印加されるのが、一般的である。
この場合には、成膜装置４０の設備仕様としては、チャンバヒータ４３、メインヒータ４７、供給系ヒータ７１および排気系ヒータ７３の容量を加算した電力を必要とすることになるため、設備コストアップや電力容量不足を招くことになる。
【００３９】
本実施の形態においては、成膜装置４０の立ち上げ時には、メインコントローラ８０は図３に示されているように、チャンバヒータ４３、メインヒータ４７、供給系ヒータ７１および排気系ヒータ７３のうち、最も電気容量の大きい加熱器であるメインヒータ４７の電力供給装置４８を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にその他のチャンバヒータ４３の電力供給装置４３Ａ、供給系ヒータ７１の電力供給装置７２および排気系ヒータ７３の電力供給装置７４を一度に電源投入する。
この場合には、成膜装置４０の設備仕様としては、最も電気容量の大きい加熱器であるメインヒータ４７の電力供給装置４８の電力を配慮すれば済むので、成膜装置４０のイニシャルコストおよびランニングコストを低減することができるとともに、電力の容量不足を回避することができる。
【００４０】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４１】
（１）成膜装置の立ち上げ時には、チャンバヒータ、メインヒータ、供給系ヒータおよび排気系ヒータのうち、最も電気容量の大きいメインヒータの電力供給装置を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にその他のチャンバヒータの電力供給装置、供給系ヒータの電力供給装置および排気系ヒータの電力供給装置を一度に電源投入することにより、成膜装置の設備仕様としては、最も電気容量の大きい加熱器であるメインヒータの電力供給装置の電力を配慮すれば済むので、成膜装置のイニシャルコストおよびランニングコストを低減することができるとともに、電力の容量不足を回避することができる。
【００４２】
（２）電力供給装置のブレーカのような関連設備（付帯設備）の容量も小さく抑制することができるので、ＩＣ製造工場全体としてのイニシャルコストおよびランニングコストをより一層低減することができるとともに、電力の容量不足を回避することができる。
【００４３】
（３）既存の成膜装置の改造に際して、各ヒータの電源投入シーケンスを変更することにより、当該成膜装置のイニシャルコストおよびランニングコストを低減することができるとともに、電力の容量不足を回避することができる。
【００４４】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４５】
例えば、成膜装置４０の立ち上げ時には、メインコントローラ８０は図４に示されているように、メインヒータ４７の電力供給装置４８、チャンバヒータ４３の電力供給装置４３Ａ、供給系ヒータ７１の電力供給装置７２および排気系ヒータ７３の電力供給装置７４を、一定時間毎の時間差で一つずつ電源投入するように制御してもよい。
この場合にも、図４に示されているように、最大電力を図２の場合の半分以下に抑制することができるので、イニシャルコストおよびランニングコストを低減することができるとともに、電力の容量不足を回避することができる。
【００４６】
チャンバヒータは筐体に内蔵するに限らず、ラバーヒータやプレートヒータ等を筐体の外面に敷設してもよい。
メインヒータは反射板を有する抵抗ヒータやランプヒータ等によって構成することができる。
供給系ヒータおよび排気系ヒータは、テープヒータやリボンヒータまたはブロックヒータ等を配管の外周に敷設することにより、構成することができる。
【００４７】
前記実施の形態においては、枚葉式ウォームウオール形成膜装置について説明したが、本発明はこれに限らず、枚葉式またはバッチ式の酸化装置やアニール装置およびその他の熱処理装置等の複数のヒータを具備する半導体製造装置全般に適用することができる。
【００４８】
被処理基板はウエハに限らず、ＬＣＤ装置の製造工程におけるガラス基板や液晶パネル等の基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態である成膜装置を示す正面断面図である。
【図２】比較例の成膜装置の立ち上げ時における各ヒータの制御を示すシーケンスチャートである。
【図３】本発明の一実施の形態である成膜装置の立ち上げ時における各ヒータの制御を示すシーケンスチャートである。
【図４】本発明の他の実施の形態である成膜装置の立ち上げ時における各ヒータの制御を示すシーケンスチャートである。
【符号の説明】
【００５０】
２…ウエハ（被処理基板）、
４０…成膜装置（基板処理装置）、４１…処理室、４２…筐体、
４３…チャンバヒータ（第二加熱器）、４３Ａ…チャンバヒータの電力供給装置、
４４…ウエハ搬入搬出口、４４Ａ…ゲートバルブ、４５…支持台、４６…サセプタ、
４７…メインヒータ（第一加熱器）、４８…メインヒータの電力供給装置、
４９…回転機構、５０…昇降機構、５１…シャワヘッド、５１ａ…分散板、５１ｂ…シャワ板、５１ｃ…第一バッファ空間、５１ｄ…第二バッファ空間、５１ｅ…ガス噴出口、  ５２Ａ…第一原料供給源、５３Ａ…第一液体原料供給管、５４Ａ…液体流量コントローラ（液体マスフローコントローラ）、５５Ａ…気化器、５６Ａ…第一原料ガス供給管、５７Ａ…バルブ、
５２Ｄ…第二原料供給源、５３Ｄ…第二液体原料供給管、５４Ｄ…液体流量コントローラ（液体マスフローコントローラ）、５５Ｄ…気化器、５６Ｄ…第二原料ガス供給管、５７Ｄ…バルブ、
５２Ｃ…不活性ガス供給源、５３Ｃ…不活性ガス供給管、５４Ｃ…ガス流量コントローラ、５７Ｃ、５７Ｅ…バルブ、
５２Ｂ…酸素ガス供給源、５３Ｂ…酸素ガス供給管、５４Ｂ…ガス流量コントローラ、５７Ｂ…バルブ、５８…オゾナイザ、５９Ｂ…オゾンガス供給管、６０Ｂ…バルブ、
６１…排気口、６２…排気管、６３…真空ポンプ、６４…圧力コントローラ、６５…原料回収トラップ、
６６Ａ…第一原料ガスバイパス管（ベント管）、６６Ｂ…オゾンガスバイパス管（ベント管）、６６Ｃ…第二原料ガスバイパス管（ベント管）、６７Ａ、６７Ｃ、６７Ｂ…バルブ、
６８…プレート、
７１…供給系ヒータ（第三加熱器）、７２…供給系ヒータの電力供給装置、
７３…排気系ヒータ（第四加熱器）、７４…排気系ヒータの電力供給装置、
８０…メインコントローラ（制御システム）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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