(57)【要約】【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織を有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相、Ｐｔ相および非磁性酸化物相が均一分散している組織を有することを特徴とする比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相は、Ｃｏ、Ｃｒ、ＰｔおよびＢで構成されている拡散層により被覆されていることを特徴とする請求項１記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置として用いられており、記録密度の一層の向上が求められている。そのため、近年、超高密度の記録を実現できる垂直磁気記録方式が注目されてきた。この垂直磁気記録方式は、従来の面内記録方式と異なり、原理的に高密度化するほど記録磁化が安定すると言われており、すでに実用化されている。この垂直磁気記録方式のハードディスク媒体の記録層に適用する材料の有力な候補としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜が提案されており、このＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜はＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基焼結合金相と二酸化珪素相の混合相を有するスパッタリングターゲットを用いてマグネトロンスパッタ法により作製することが知られている（非特許文献１参照）。
このスパッタリングターゲットは、通常、二酸化珪素粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＣｏ粉末を、二酸化珪素：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち、真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されることが知られており、その他に市販のＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基合金粉末または急冷凝固して作製したＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基合金粉末と二酸化珪素粉末を二酸化珪素：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち、真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されることが知られている。（特許文献１、特許文献２などを参照）。
さらに、前記二酸化珪素：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成にさらにＢ：０．５〜８モル％を含有する組成のターゲットも知られており（特許文献５参照）、前記二酸化珪素のほかにＴｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＢｅＯ２、ＭｇＯ、ＴｈＯ２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３などの非磁性酸化物が使用できることも知られている（特許文献３、４参照）。
【非特許文献１】「富士時報」Ｖｏｌ．７５Ｎｏ．３  ２００２（１６９〜１７２ページ）
【特許文献１】特開２００１‐２３６６４３号公報
【特許文献２】特開２００４‐３３９５８６号公報
【特許文献３】特開２００３‐３６５２５号公報
【特許文献４】特開２００６‐２４３４６号公報
【特許文献５】特開２００４‐３１０９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、この従来の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、強磁性合金であるＣｒ、ＰｔおよびＢを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金を素地とし、この素地中にＳｉＯ２などの非磁性酸化物が均一分散している組織を有するために、非磁性体ターゲットと比較して磁束がターゲット内部を通過する割合が大きく、ターゲット上空に漏れ出る磁束が極めて少ない。このことはターゲット下部に磁気回路を配置し、ターゲット上空に漏れ出る磁束を利用して希ガスの電離効率を高めることで放電を安定化させ、成膜速度を向上させているマグネトロンスパッタリング法にとっては大きな問題となる。すなわち、ターゲット上空に漏れ出る磁束が少ない漏洩磁束密度の低いターゲット（すなわち比透磁率の高いターゲット）を用いてマグネトロンスパッタリングを行なうと、放電が安定しないかあるいは放電できても成膜速度が極端に遅くなるなどの問題を引き起こすからである。
この問題点を解消するための手段の一つとして、ターゲットの厚さを薄くして磁束をターゲット上空へ抜けやすくする方法が取られている。しかし、ターゲットを薄くすると、ターゲットの交換頻度が頻繁になるので成膜効率が悪くなり、コスト的に好ましくない。
また、漏洩磁束密度の低いターゲットは、一旦マグネトロンスパッタリングを行ってエロージョンが形成されると、エロージョン部分から磁束が集中的に漏洩し、その部分だけが益々集中的にスパッタされていくためにターゲットの利用効率が低下したり、成膜速度が経時変化したり、基板面内に膜厚のばらつきが生じたり、さらにターゲット上への再デポ膜の大量付着が生じるなどといった問題を引き起こしやすい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
そこで、本発明者らは、ターゲットの厚さを薄くすることなく比透磁率の低いスパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった。その結果、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットに含まれる強磁性成分のＣｏおよびＣｒをＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相となるように分散させ、さらにＰｔおよび非磁性酸化物をＰｔ相および非磁性酸化物相として分散させてＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相、Ｐｔ相、非磁性酸化物相からなる組織を有するターゲットを作製し、このターゲットの比透磁率を測定したところ低い透磁率が得られる、という知見を得たのである。
【０００５】
この発明は、これら知見に基づいてなされたものであって、
（１）非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相、Ｐｔ相および非磁性酸化物相が均一分散している組織を有する比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００６】
前記（１）記載のスパッタリングターゲットのＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相は、ホットプレス中に素地のＰｔおよびＢがＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の外周に拡散侵入し、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の外周にＣｏ、Ｃｒ、ＰｔおよびＢで構成されている拡散層により被覆されることがある。この拡散層は無い方が好ましいがこの拡散層は極めて薄い場合は特性に大きな影響を与えるものではなく、前記（１）記載のスパッタリングターゲットのＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の外周にＣｏ、Ｃｒ、ＰｔおよびＢで構成されている拡散層が形成される場合もこの発明に含まれる。したがって、この発明は、
（２）前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相は、Ｃｏ、Ｃｒ、ＰｔおよびＢで構成されている拡散層により被覆されている前記（１）記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットに含まれる前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかであり、このことはすでに知られている。
【０００８】
この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、原料粉末としてＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合し、得られた混合粉末を通常のホットプレス温度（１１００℃以上）より低い温度（７００〜１０５０℃）でホットプレスすることにより得られる。これはホットプレス中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末に含まれるＣｏおよびＣｒが素地に拡散することを可能な限り阻止し、さらに素地のＰｔがＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相に拡散侵入するのを可能な限り阻止するためである。
【０００９】
前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末はＣｒ：４．２〜３３．３モル％、Ｂ：０．５〜１３．３モル％を含有し、残部がＣｏからなる組成を有することが好まく、したがって、この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの素地中に分散しているＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相もＣｒ：４．２〜３３．３モル％、Ｂ：０．５〜１３．３モル％を含有し、残部がＣｏからなる組成を有している。このＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の成分組成および素地中に均一分散しているＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の成分組成はこの発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの成分組成によって決定される。
【発明の効果】
【００１０】
この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを用いると、マグネトロンスパッタリングを効率よく行なうことができ、コンピューター並びにデジタル家電等の産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
原料粉末として、表１に示される成分組成を有する平均粒径：２０μｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末Ａ〜Ｄ、平均粒径：２５μｍのＰｔ粉末、平均粒径：５μｍのＢ粉末、平均粒径：５μｍのＣｏ粉末、平均粒径：１５μｍのＣｒ粉末を用意し、さらに非磁性酸化物粉末としていずれも平均粒径：３μｍのＳｉＯ２粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末およびＡｌ２Ｏ３粉末を用意した。
【００１２】
【表１】
2009001861.tif 000002
【００１３】
実施例１
表１に示されるＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末Ａ、Ｐｔ粉末およびＳｉＯ２粉末を、Ｃｒ：１０．８％、Ｐｔ：１５．３％、ＳｉＯ２：１０．０％、Ｂ：１．５％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット１を作製した。さらにこの本発明ターゲット１を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｐｔ相、ＳｉＯ２相およびＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織が見られ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲に拡散層が見られた。この本発明ターゲット１についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表２に示した。
【００１４】
従来例１
先に用意したＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末およびＢ粉末を、Ｃｒ：１０．８％、Ｐｔ：１５．３％、ＳｉＯ２：１０．０％、Ｂ：１．５％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１１００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する従来ターゲット２を作製した。さらにこの従来ターゲット２を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金相中にＳｉＯ２粒子相が分散している組織が見られた。この従来ターゲット１についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表２に示した。
【００１５】
実施例２
表１に示されるＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末Ｂ、Ｐｔ粉末およびＴｉＯ２粉末を、Ｃｒ：１３．４％、Ｐｔ：１５．３％、ＴｉＯ２：９．０％、Ｂ：６．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット２を作製した。さらにこの本発明ターゲット２を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｐｔ相、ＴｉＯ２相およびＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織が見られ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲に拡散層が見られた。この本発明ターゲット２についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表２に示した。
【００１６】
従来例２
先に用意したＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末およびＢ粉末を、Ｃｒ：１０．８％、Ｐｔ：１５．３％、ＴｉＯ２：１０．０％、Ｂ：６．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１１００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する従来ターゲット２を作製した。さらにこの従来ターゲット２を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金素地中にＴｉＯ２が均一分散している組織が見られた。この従来ターゲット２についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表２に示した。
【００１７】
実施例３
表１に示されるＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末Ｃ、Ｐｔ粉末およびＴａ２Ｏ５粉末を、Ｃｒ：１３．４％、Ｐｔ：１５．３％、Ｔａ２Ｏ５：４．０％、Ｂ：３．５％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット３を作製した。さらにこの本発明ターゲット３を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｐｔ相、Ｔａ２Ｏ５相およびＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が見られ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲に拡散層が見られた。この本発明ターゲット６についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表２に示した。
【００１８】
従来例３
先に用意したＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末およびＢ粉末を、Ｃｒ：１３．４％、Ｐｔ：１５．３％、Ｔａ２Ｏ５：４．０％、Ｂ：３．５％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１１００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する従来ターゲット３を作製した。さらにこの従来ターゲット３を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金相中にＴａ２Ｏ５粒子相が均一分散している組織が見られた。この従来ターゲット３についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表２に示した。
【００１９】
実施例４
表１に示されるＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末Ｄ、Ｐｔ粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末を、Ｃｒ：１４．７％、Ｐｔ：１４．７％、Ａｌ２Ｏ３：８．０％、Ｂ：４．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット４を作製した。さらにこの本発明ターゲット４を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｐｔ相、Ａｌ２Ｏ３相およびＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が見られ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲に拡散層が見られた。この本発明ターゲット４についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表２に示した。
【００２０】
従来例４
先に用意したＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末、Ｂ粉末を、Ｃｒ：１４．７％、Ｐｔ：１４．７％、Ａｌ２Ｏ３：８．０％、Ｂ：４．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１１００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する従来ターゲット４を作製した。さらにこの従来ターゲット４を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金相中にＡｌ２Ｏ３粒子相が均一分散している組織が見られた。この従来ターゲット４についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表２に示した。
【００２１】
【表２】
2009001861.tif 000003
【００２２】
表２に示される結果から、本発明ターゲット１と従来ターゲット１を比較すると、成分組成は同じであるが、Ｐｔ相、非磁性酸化物相であるＳｉＯ２相および拡散層により包囲されたＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織を有する本発明ターゲット１はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金素地中にＳｉＯ２粒子が均一分散している組織を有する従来ターゲットに比べてターゲット面内方向の最大比透磁率が小さく、したがって、スパッタリングに際して漏洩磁束密度が大きくなるので効率よくスパッタできることが分かる。同様にして、本発明ターゲット２と従来ターゲット２、本発明ターゲット３と従来ターゲット３および本発明ターゲット４と従来ターゲット４をそれぞれ比較すると、本発明ターゲット２〜４は従来ターゲット２〜４に比べて効率よくスパッタできることが分かる。