(57)【要約】【課題】高い周波数精度と安定度を備えた水晶発振子、あるいはセラミック発振子等を用いることなく、消費電流を抑え、電池により長時間稼動するセンサモジュールを実現する。【解決手段】センサ回路１６を搭載したセンサモジュール１は、センサ回路１６を間欠的に動作させる間欠動作周期発生回路１１と、間欠動作周期発生回路１１を動作させる基本クロック発振回路１２と、動作プログラムを実行するＣＰＵ１４と、外部機器３０と通信する通信回路１８と、間欠動作周期発生回路１１を用いて発生した間欠動作周期をパルス信号として外部機器３０へ出力する外部出力回路１９と、周期偏差が書き込まれる周期偏差格納不揮発性メモリ２０と、を備え、周期偏差は、間欠動作周期発生回路１１に所定周期の信号を発生させる設定値と、外部機器３０により計測され、通信回路１８を通じてＣＰＵ１４へ送信される間欠動作周期とに基づいて、ＣＰＵ１４により算出される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ回路を搭載したセンサモジュールにおいて、
前記センサ回路を間欠的に動作させるための間欠動作周期発生回路と、
前記間欠動作周期発生回路を動作させるための基本クロック発振回路と、
前記動作プログラムを実行するためのＣＰＵと、
外部機器と通信するための通信回路と、
前記間欠動作周期発生回路を用いて発生した間欠動作周期をパルス信号として前記外部機器へ出力する外部出力回路と、
周期偏差が書き込まれる周期偏差格納不揮発性メモリと、を備え、
前記周期偏差は、前記間欠動作周期発生回路に所定周期の信号を発生させる設定値と、前記外部機器によって計測され、前記通信回路を通じて前記ＣＰＵへ送信される前記間欠動作周期とに基づいて、前記ＣＰＵによって算出されることを特徴とするセンサモジュール。
【請求項２】
前記ＣＰＵは、前記周期偏差格納不揮発性メモリから前記周期偏差を読み出すと共に、前記設定値から該周期偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することを特徴とする請求項１に記載のセンサモジュール。
【請求項３】
前記基本クロック発振回路の発振周波数の温度偏差を格納する温度偏差格納不揮発性メモリをさらに備えると共に、稼動時には、周辺温度に適した温度偏差を前記設定値から加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することを特徴とする請求項１に記載のセンサモジュール。
【請求項４】
センサ回路を搭載したセンサモジュールが、
前記センサ回路を間欠的に動作させるための間欠動作周期発生回路と、
前記間欠動作周期発生回路を動作させるための基本クロック発振回路と、
前記動作プログラムを実行するためのＣＰＵと、
外部機器と通信するための通信回路と、
前記間欠動作周期発生回路を用いて発生した間欠動作周期をパルス信号として前記外部機器へ出力する外部出力回路と、
周期偏差が書き込まれる周期偏差格納不揮発性メモリと、を備え、
前記周期偏差が、前記間欠動作周期発生回路に所定周期の信号を発生させる設定値と、前記外部機器によって計測され、前記通信回路を通じて前記ＣＰＵへ送信される前記間欠動作周期とに基づいて、前記ＣＰＵによって算出されるセンサモジュールの間欠動作周期の調整方法であって、
製造段階において、予め計測した周期偏差を前記周期偏差格納不揮発性メモリに格納しておくと共に、稼動時において、前記設定値から該周期偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することにより前記間欠動作周期を調整することを特徴とするセンサモジュールの間欠動作周期の調整方法。
【請求項５】
センサ回路を搭載したセンサモジュールが、
前記センサ回路を間欠的に動作させるための間欠動作周期発生回路と、
前記間欠動作周期発生回路を動作させるための基本クロック発振回路と、
前記動作プログラムを実行するためのＣＰＵと、
外部機器と通信するための通信回路と、
前記間欠動作周期発生回路を用いて発生した間欠動作周期をパルス信号として前記外部機器へ出力する外部出力回路と、
周期偏差が書き込まれる周期偏差格納不揮発性メモリと、
基本クロック発振回路の発振周波数の温度偏差を格納する温度偏差格納不揮発性メモリと、を備え、
前記周期偏差が、前記間欠動作周期発生回路に所定周期の信号を発生させる設定値と、前記外部機器によって計測され、前記通信回路を通じて前記ＣＰＵへ送信される前記間欠動作周期とに基づいて、前記ＣＰＵによって算出されるセンサモジュールの間欠動作周期の調整方法であって、
製造段階において、予め計測した周期偏差及び温度偏差を前記周期偏差格納不揮発性メモリ及び前記温度偏差格納不揮発性メモリに格納しておくと共に、稼動時において、前記設定値から該周期偏差及び該温度偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することにより前記間欠動作周期を調整することを特徴とするセンサモジュールの間欠動作周期の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電池により長期間稼動するセンサモジュール、特に家庭用の警報器などに組み込まれるセンサモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電池によって長期間稼動することが要求される家庭用の警報器等に組み込まれるセンサモジュールは、通常、低消費電力化のため間欠的な検知動作を行う。この間欠的な検知動作において、多くの消費電力を必要とする検知動作の時間をできる限り短くし、また非検知動作の時間（スリープ期間）をできる限り長くすると共に、スリープ期間の消費電流をできる限り低いレベルに設定することが重要である。
【０００３】
間欠的な検知動作において、その検知間隔は警報器にとって極めて重要であり、時間間隔が設定値より長いと検知時間性能を満たさず、警報発生に遅れが生じる。逆に時間間隔が設定値より短いと、単位時間あたりの検知動作回数が増え、それに伴い消費電流も増え、その結果、電池の持続時間性能を満足しなくなる。従って、間欠動作周期時間の精度（設定値と計測値の差）は、電池によって稼動する警報器の基本性能を満足するうえで非常に重要であり、そのためには、間欠動作周期時間の発生に必要な基本タイミングをもたらす基本クロック発振回路も高精度でなければならない。
【０００４】
ここで、従来のセンサモジュールを図４に基づいて説明する。すなわち、図４は、従来のセンサモジュール４０をブロック図により表したものである。従来のセンサモジュール４０は、センサモジュール仕様を満足するのに必要な発振精度を得るために水晶発振子４１を搭載している。また、従来のセンサモジュール４０は、間欠周期発生回路４３と、その動作の基本となるクロック信号を発生する基本クロック発振回路４２と、センサモジュール４０の動作プログラムを格納する不揮発性メモリ４８と、このプログラムを実行するためのＣＰＵ４５及びＲＡＭ４４と、センサ回路４７と、ＣＰＵ４５とセンサ回路４７とを接続するＩ／Ｆ４６と、外部機器と通信するための通信回路４９と、を備える。
【０００５】
このように構成されたセンサモジュール４０の動作を説明する。間欠周期発生回路４３の動作の基本となるクロック信号を発生するために、高精度の発振源として、高い周波数精度と安定度を備えた水晶発振子４１を用いる。これにより、高価ではあるが間欠周期の仕様を満足することができ、その結果、消費電流の仕様を満足する。基本クロック発振回路４２は、水晶発振子４１によって得られたクロック周波数から所望の間欠動作周期を発生させる。間欠周期発生回路４３は、ＣＰＵ４５において所定周期の信号を発生するよう設定されており、その設定値は、プログラム格納不揮発性メモリ４８に記憶されている。ＣＰＵ４５及びＲＡＭ４４は、センサモジュール４０の動作プログラムを実行するために用いられる。そして、これらの装置を用いることにより、センサモジュール４０に搭載されたセンサ回路４７がＩ／Ｆ４６を介して間欠的に動作する。通信回路４９は、外部機器との通信をするために設けられている。
【０００６】
特許文献１は、検知時間性能を満足し、かつ非検知動作時の消費電流を抑えた警報器を提案している。特許文献１によって開示される警報器は、検知動作を高速に行う第１のＭＰＵ（マイクロプロセッサ）と、非検知動作時の消費電流を削減するために高速処理を行う第１のＭＰＵを停止させ、検知時間性能を満足させるために低速ではあるが必要最小限の処理を行うことができ、消費電流が低く、第１のＭＰＵの動作と停止を制御する第２のＭＰＵと、を備えている。
【０００７】
一方で、警報器は低コスト化と小型化が要求されており、搭載部品数の削減を余儀なくされている。この要求は、ＣＰＵ数の削減だけでなく、基本クロック発振回路数の削減、あるいは発振器や発振子数の削減にまで及んでいる。そこで、特許文献２は、消費電流の削減、コストの低減、及び小型化への対応として、複数の発振回路を一つに纏め、消費電流が少なく安価な警報器を提案している。
【特許文献１】特開平７−１７５９８２号公報（平成７年（１９９５）７月１４日公開）
【特許文献２】特開平８−１８０２６８号公報（平成８年（１９９６）７月１２日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記従来の構成では、特許文献１は、２つのＭＰＵを使用することにより比較的消費電流の大きな第１のＭＰＵを非検知動作時に停止させ消費電流の削減を達成しているが、間欠的動作間隔を作るために非検知動作時も動作する第２のＭＰＵは、時間管理のために高精度な発振回路を必要としている。特許文献２は、複数の基本クロック発振回路が一つの発振回路に纏められたとはいえ、その発振回路の精度は高度なものが要求される。つまり、特許文献１・２によって開示される警報機は、高い周波数精度と安定度を備えてはいるものの、非常に高価な水晶発振子等の搭載を余儀なくされている。
【０００９】
本発明は、前記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、高い周波数精度と安定度を備えた発振源である水晶発振子、あるいはセラミック発振子等を用いることなく、消費電流を抑え、電池により長時間稼動するセンサモジュールを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るセンサモジュールは、前記課題を解決するために、センサ回路を搭載したセンサモジュールにおいて、前記センサ回路を間欠的に動作させるための間欠動作周期発生回路と、前記間欠動作周期発生回路を動作させるための基本クロック発振回路と、前記動作プログラムを実行するためのＣＰＵと、外部機器と通信するための通信回路と、前記間欠動作周期発生回路を用いて発生した間欠動作周期をパルス信号として前記外部機器へ出力する外部出力回路と、周期偏差が書き込まれる周期偏差格納不揮発性メモリと、を備え、前記周期偏差は、前記間欠動作周期発生回路に所定周期の信号を発生させる設定値と、前記外部機器によって計測され、前記通信回路を通じて前記ＣＰＵへ送信される前記間欠動作周期とに基づいて、前記ＣＰＵによって算出されることを特徴としている。
【００１１】
前記の構成によれば、前記のセンサモジュールは、高い周波数精度と安定度を備えた発振源である水晶発振子、あるいはセラミック発振子等を用いることなく、基本クロック発振回路をモジュール上に搭載する、或いはマイコンに内蔵の発振回路を利用することにより間欠動作周期発生回路を構成している。これらの発振回路は、主にＣＲ発振回路などが用いられ、安価であって水晶発振子やセラミック発振子に比較すると周期偏差が大きい。
【００１２】
この周期偏差に対応するために、次のような処理を行う。つまり、まず、前記基本クロック発振回路がクロック信号を発生させ、該クロック信号をもとに前記間欠動作周期発生回路から前記外部出力回路へ所定周期の信号が出力される。そして、該外部出力回路から前記外部機器へ所定周期のパルス信号が出力され、該外部機器において該パルス信号が計測される。次に、その計測値は、該外部機器から通信回路を通ってＣＰＵへ送信される。このようにして、該ＣＰＵは、該計測値と間欠動作周期の設定値とに基づいて周期偏差を算出することができ、該周期偏差が周期偏差格納不揮発性メモリに格納されることにより、センサモジュールの稼動時において、該周期偏差が該周期偏差格納不揮発性メモリから読み出される。
【００１３】
上述したように、発振回路は、安価であって水晶発振子やセラミック発振子に比較すると周期偏差が大きいＣＲ発振回路などを用いるため、発振回路の個体差によっては間欠動作周期にばらつきが発生する。そして、間欠動作周期の時間間隔が短いものは単位時間あたりの検知回数が増えることになり、それにより平均消費電流が大きくなる。しかし、前記ＣＰＵが、間欠動作周期の設定値と計測値とに基づいて周期偏差を算出し、センサモジュールの稼動時において、該周期偏差を基に計測値を設定値に近づけることができるため、時間間隔が短い間欠動作周期の場合に、計測値を設定値に近づけることにより消費電流を抑えることができる。その結果、電池によって長時間稼動するセンサモジュールを実現することができる。
【００１４】
なお、検知動作の際の高速処理は短時間ではあるが消費電流を比較的大きく使えるため、マイコン内蔵の高精度発振回路を動作させればよい。
【００１５】
本発明に係るセンサモジュールでは、前記ＣＰＵは、前記周期偏差格納不揮発性メモリから前記周期偏差を読み出すと共に、前記設定値から該周期偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することが好ましい。
【００１６】
前記ＣＰＵが、前記周期偏差格納不揮発性メモリから前記周期偏差を読み出すと共に、前記設定値から該周期偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することにより、前記センサモジュールの稼動時において、間欠動作周期を該設定値に近づけることができる。
【００１７】
本発明に係るセンサモジュールは、前記基本クロック発振回路の発振周波数の温度偏差を格納する温度偏差格納不揮発性メモリをさらに備えると共に、稼動時には、周辺温度に適した温度偏差を前記設定値から加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することが好ましい。
【００１８】
前記センサモジュールが、前記設定値から温度偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することにより、前記センサモジュールの稼動時において、前記基本クロック発振回路が温度特性による偏差を生じる場合においても、間欠動作周期を該設定値に近づけることができる。
【００１９】
本発明に係るセンサモジュールの間欠動作周期の調整方法は、センサ回路を搭載したセンサモジュールが、前記センサ回路を間欠的に動作させるための間欠動作周期発生回路と、前記間欠動作周期発生回路を動作させるための基本クロック発振回路と、前記動作プログラムを実行するためのＣＰＵと、外部機器と通信するための通信回路と、前記間欠動作周期発生回路を用いて発生した間欠動作周期をパルス信号として前記外部機器へ出力する外部出力回路と、周期偏差が書き込まれる周期偏差格納不揮発性メモリと、を備え、前記周期偏差は、前記間欠動作周期発生回路に所定周期の信号を発生させる設定値と、前記外部機器によって計測され、前記通信回路を通じて前記ＣＰＵへ送信される前記間欠動作周期とに基づいて、前記ＣＰＵによって算出されるセンサモジュールの間欠動作周期の調整方法であって、製造段階において、予め計測した周期偏差を前記周期偏差格納不揮発性メモリに格納しておくと共に、稼動時において、前記設定値から該周期偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することにより前記間欠動作周期を調整することを特徴としている。
【００２０】
前記センサモジュールが、製造段階において、予め計測した前記周期偏差を前記周期偏差格納不揮発性メモリに格納しておくことにより、稼動時において、前記設定値から該周期偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することにより前記間欠動作周期を調整することができる。このようにして、間欠動作周期を該設定値に近づけることができる。
【００２１】
本発明に係るセンサモジュールの間欠動作周期の調整方法は、センサ回路を搭載したセンサモジュールが、前記センサ回路を間欠的に動作させるための間欠動作周期発生回路と、前記間欠動作周期発生回路を動作させるための基本クロック発振回路と、前記動作プログラムを実行するためのＣＰＵと、外部機器と通信するための通信回路と、前記間欠動作周期発生回路を用いて発生した間欠動作周期をパルス信号として前記外部機器へ出力する外部出力回路と、周期偏差が書き込まれる周期偏差格納不揮発性メモリと、基本クロック発振回路の発振周波数の温度偏差を格納する温度偏差格納不揮発性メモリと、を備え、前記周期偏差は、前記間欠動作周期発生回路に所定周期の信号を発生させる設定値と、前記外部機器によって計測され、前記通信回路を通じて前記ＣＰＵへ送信される前記間欠動作周期とに基づいて、前記ＣＰＵによって算出されるセンサモジュールの間欠動作周期の調整方法であって、製造段階において、予め計測した周期偏差及び温度偏差を前記周期偏差格納不揮発性メモリ及び前記温度偏差格納不揮発性メモリに格納しておくと共に、稼動時において、前記設定値から該周期偏差及び該温度偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することにより前記間欠動作周期を調整することを特徴としている。
【００２２】
前記センサモジュールが、製造段階において、予め計測した周期偏差及び温度偏差を周期偏差格納不揮発性メモリ及び温度偏差格納不揮発性メモリに格納しておくことにより、稼動時において、前記設定値から該周期偏差及び該温度偏差を加減した値を前記間欠動作周期発生回路に設定することにより前記間欠動作周期を調整するができる。このようにして、間欠動作周期を該設定値に近づけることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係るセンサモジュールは、以上のように、製造段階において間欠動作周期、及び温度偏差を不揮発性メモリに格納し、稼動時に設定値を偏差分調整することにより設定値と計測値を近づけることができ、高い周波数精度と安定度を備えた発振源である水晶発振子、あるいはセラミック発振子等を用いることなく、消費電流を抑え、電池により長時間稼動するセンサモジュールを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明に係る実施の形態を、図１に基づき説明すると、以下の通りである。
【００２５】
本実施の形態に係るセンサモジュール１は、間欠動作周期発生回路１１と、その動作の基本となるクロック信号を発生する基本クロック発振回路１２と、センサモジュール１の動作プログラムを格納するプログラム格納不揮発性メモリ１３と、そのプログラムを実行するためのＣＰＵ１４及びＲＡＭ１５と、センサ回路１６と、センサ回路１６とＣＰＵ１４とを接続するＩ／Ｆ１７と、外部機器３０との通信をするための通信回路１８と、間欠動作周期をパルス信号として外部へ出力する外部出力回路１９と、間欠動作周期であるパルス信号を外部機器３０で計測した値と設定値との偏差を格納する周期偏差格納不揮発性メモリ２０と、基本クロック発振回路１２の温度特性偏差を格納する温度偏差格納不揮発性メモリ２１と、温度センサ２２と、を備える。
【００２６】
前記構成において、センサモジュール１の動作を、図１に基づき説明すると以下の通りである。
【００２７】
一例として、基本クロック発振回路１２は、マイコンに内蔵された３２ｋＨｚの発振回路であって発振偏差の大きいものであるとする。間欠動作周期発生回路１１は、ＣＰＵ１４において１秒周期の信号を発生するよう設定されており、その設定値は、プログラム格納不揮発性メモリ１３に記憶されている。この１秒周期信号は、通常製造されるＬＳＩの固体差によりばらつきがあり、また温度による発振周波数の偏差によりばらつきがあるため、センサモジュール１の動作性能として仕様を満たすレベルにないことが多い。
【００２８】
本実施の形態では、センサモジュール１は、その製造段階において、予め周期偏差を周期偏差格納不揮発性メモリ２０に格納している。具体的に説明すると、間欠動作周期発生回路１１から外部出力回路１９に１秒周期信号を出力する機能を利用して、外部出力回路１９から試験機などの外部機器３０へ間欠動作周期パルス信号を出力し、外部機器３０はこのパルス信号間隔を計測し、センサモジュール１の通信回路１８を通じてＣＰＵ１４にその計測値を送信する。ＣＰＵ１４は、設定値と計測値との差を算出し、周期偏差として周期偏差格納不揮発性メモリ２０に算出値を格納する。このように、センサモジュール１は、製造段階において予め周期偏差を周期偏差格納不揮発性メモリ２０に格納している。
【００２９】
前記構成において、センサモジュール１による効果を、図１に基づき説明すると以下の通りである。
【００３０】
センサモジュール１が稼動する際に、ＣＰＵ１４が周期偏差格納不揮発性メモリ２０より偏差を読み出し、プログラムされている設定値から偏差分を加減した値を間欠動作周期発生回路１１に設定する。これにより、基本クロック発振回路１２における発振周期と期待値（設定周期）との隔たりが大きくなった場合でも、間欠動作周期発生回路１１において設定値を加減することで、結果的に設定値と計測値を近づけるべく調整することができる。つまり、安価な基本クロック発振回路１２を用いることにより発振精度が悪くなったとしても、前記の動作により、設定値と計測値を近づけることができる。
【００３１】
より具体的に説明すると、基本クロック発振回路１２の発振周期が個体差により＋２０％偏差がある場合、間欠動作周期を１秒に設定しても実際には１．２秒の周期となることがある。しかし、本実施の形態によると、製造段階において、設定値と外部機器３０の計測値との差が＋２０％であるというデータが周期偏差格納不揮発性メモリ２０に格納されているため、センサモジュール１が稼動する際には、間欠動作周期発生回路１１の設定値を２０％減らして設定することにより、計測値を期待する１秒に近づけることができる。
【００３２】
さらに、基本クロック発振回路１２が温度特性による偏差を生じる場合においても、センサモジュール１の製造段階において温度偏差格納不揮発性メモリ２１に書き込まれる温度偏差値を利用し、稼動時にＣＰＵ１４により設定値から周囲温度に適した偏差値を加減し、期待する間欠動作周期を発生することができる。
【００３３】
この場合、周囲温度はセンサモジュール１に搭載されている温度センサ２２、或いはマイコンに搭載されている温度センサを利用すればよい。
【００３４】
上述したセンサモジュール１の製造時、及び稼動時におけるフローを図２（ａ）、及び図２（ｂ）に基づいて説明する。すなわち、図２（ａ）は製造段階のフローを、図２（ｂ）は稼動時のフローを表す。
【００３５】
図２（ａ）に基づいて、以下、センサモジュール１の製造時のフローを説明する。まず、センサモジュール１は外部機器３０との通信を開始する（Ｓ１）。そして、間欠動作周期発生回路１１から外部出力回路１９に１秒周期の信号を出力し（Ｓ２）、外部出力回路１９から試験機などの外部機器３０へ１秒パルス信号を出力する（Ｓ３）。次に、外部機器３０は、このパルス信号間隔が１．２秒周期であることを計測し（Ｓ４）、センサモジュール１の通信回路１８を通じてＣＰＵ１４にその計測値（１．２秒）を送信する（Ｓ５）。その後、ＣＰＵ１４は、設定値と計測値との差から周期偏差が＋２０％であることを算出し、周期偏差格納不揮発性メモリ２０に周期偏差（＋２０％）を格納する（Ｓ６）。さらに、基本クロック発振回路１２が温度特性による偏差を生じる場合には、センサモジュール１の製造段階において、周期を一定に保持した状態において周囲温度を変化させ、上記Ｓ１〜Ｓ５のステップを繰り返すことにより温度偏差を測定する（Ｓ７）。そして、Ｓ７によって測定した温度偏差が温度偏差格納不揮発性メモリ２１に格納される（Ｓ８）。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に基づいて、センサモジュール１の稼動時のフローを説明する。まず、センサモジュール１が稼動する際に、ＣＰＵ１４が、周期偏差格納不揮発性メモリ２０より周期偏差＋２０％を読み出す（Ｓ９）。そして、センサモジュール１に搭載されている温度センサ２２、或いはマイコンに搭載されている温度センサにより周囲温度を測定する（Ｓ１０）。次に、ＣＰＵ１４は、Ｓ１０において測定した周囲温度に対応する温度偏差を温度偏差格納不揮発性メモリ２１から読み出す（Ｓ１１）。その後、ＣＰＵ１４は、設定値から、Ｓ９及びＳ１１によって読み出された周期偏差と温度偏差とを加減した値を間欠動作周期発生回路１１に設定し、これらのステップを経ることにより間欠動作周期が１秒に近づく（Ｓ１２）。このようにして期待する間欠動作周期を発生させることができる。
【００３７】
なお、温度偏差を考慮する必要がない状況においては、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ１０、及びＳ１１は含まれない。
【００３８】
図３は、本実施の形態に係る基本クロック発振周期と間欠動作周期との関係を表したものであり、図３（ａ）は基本クロック発振回路出力を、図３（ｂ）は間欠動作周期出力を表す。図３（ａ）に示す基本クロック発振回路出力は、本実施の形態においては、水晶発振子、あるいはセラミック発振子等に比べて発振精度が悪い基本クロック発振回路１２によるものである。従って、本来であれば、間欠動作周期の設定値と計測値との隔たりが大きくなりやすい。つまり、例えば基本クロック発振回路１２の発振周期が個体差により＋２０％偏差がある場合、間欠動作周期を１秒に設定しても実際には１．２秒の周期となることがある。しかしながら、本実施の形態に係るセンサモジュール１が図２（ａ）のＳ１〜Ｓ８を経て製造され、Ｓ９〜Ｓ１２によって稼動されることにより、間欠動作周期の設定値と計測値との隔たりを小さくすることができる。つまり、図３（ａ）に示す基本クロック発振回路出力の発振精度が悪い場合であっても、図３（ｂ）の間欠動作周期ｔ１及びｔ２を間欠動作周期の設定値に近づけることができる。
【００３９】
なお、前記の外部機器３０は、パルス信号間の時間間隔を計測できる機能を有しておればよい。外部機器３０との通信は、マイコンに標準的に搭載されるＵＡＲＴなどのシリアル通信でよい。ただし、センサモジュール１と外部機器３０との同期をとる手段は必要であり、通信機能を用いて両者の状態を確認しながら、センサモジュール１は信号を出力し、外部機器３０は測定を行う。
【００４０】
外部出力回路１９は、パルス信号を出力できる標準的なラインドライバ機能があればよい。
【００４１】
周期偏差並びに温度偏差を格納するための不揮発性メモリ２０・２１は、モジュールプログラムを格納しているプログラム格納不揮発性メモリ１３の一部を利用してもよい。
【００４２】
また、間欠動作周期を１秒、基本クロック発振回路１２の発振周期の個体差を＋２０％偏差として上述の説明を行ったが、これらの数値は本実施の形態を説明するために便宜的に用いたものであり、実施の形態に応じて数値が異なるのは言うまでもない。
【００４３】
前記のとおり、本実施の形態に係る技術を用いることにより、マイコン内蔵の発振回路を利用する安価な方法においても、発振回路の持つ偏差を補正しながらセンサモジュールの仕様を満足する間欠的動作が可能となり、その結果、消費電流の仕様を満足することができるようになる。また、前記の構成は、マイコン内蔵の発振回路に関するものであるが、外付けの安価なＣＲ発振回路などに関しても同様に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、電池仕様であって長時間電池交換を行わない家庭用の警報器などに組み込まれるセンサを搭載したセンサモジュールに適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態に係るセンサモジュールの構成図である。
【図２】前記センサモジュールの動作を説明するフロー図であり、（ａ）は製造段階、図２（ｂ）は稼動時のフロー図である。
【図３】前記センサモジュールの基本クロック発振周期と間欠動作周期との関係図であり、（ａ）は基本クロック発振回路出力、（ｂ）は間欠動作周期出力を表す図である。
【図４】従来の一般的なセンサモジュールの構成図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  センサモジュール
１１  間欠動作周期発生回路
１２  基本クロック発振回路
１３  プログラム格納不揮発性メモリ
１４  ＣＰＵ
１５  ＲＡＭ
１６  センサ回路
１７  Ｉ／Ｆ
１８  通信回路
１９  外部出力回路
２０  周期偏差格納不揮発性メモリ
２１  温度偏差格納不揮発性メモリ
２２  温度センサ
３０  外部機器
４０  センサモジュール
４１  水晶発振子
４２  基本クロック発振回路
４３  間欠周期発生回路
４４  ＲＡＭ
４５  ＣＰＵ
４６  Ｉ／Ｆ
４７  センサ回路
４８  プログラム格納不揮発性メモリ
４９  通信回路
【図１】
2009075762.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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