(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトマスクパターンがＯＰＣによって従来技術よりも更に容易に補正できるラインとピックアップパッドとを含む回路構造およびそのフォトマスクを提供する。【解決手段】回路構造とそれを定義するフォトマスクを提供する。回路構造が複数のピックアップパッド３２０と平行な複数のライン３１０とを含み、連続的に配列されたラインの一部にそれぞれ１つのピックアップパッドが配置される。１つのピックアップパッドを配置された任意のラインのピックアップパッドが、ラインの一側において隣接するラインの不連続点３３０を通過して、次のラインに接続される。フォトマスクが上記ラインを定義する複数のラインパターンと前記ピックアップパッドを定義する複数のピックアップパッド定義パターンとを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路構造であり、平行な複数のラインおよび複数のピックアップパッドを含むものであって、
連続的に配列されるラインの一部にそれぞれ１つのピックアップパッドが配置され；
１つのピックアップパッドが配置された任意のラインの前記ピックアップパッドが、前記ラインの一側に隣接するラインの不連続点を通過して、次のラインに接続される
ものである回路構造。
【請求項２】
フォトマスクであり、平行な複数のラインパターンおよび複数のピックアップパッド定義パターンを含むものであって、
連続的に配列されるラインパターンの一部にそれぞれ１つのピックアップパッド定義パターンが配置され；
１つのピックアップパッド定義パターンが配置された任意の前記ピックアップパッド定義パターンが、前記ラインパターンの一側に隣接するラインパターンの不連続点を通過して、次のラインパターンおよび前記ラインパターン間に配置される
ものであるフォトマスク。
【請求項３】
前記ラインパターンおよび前記ピックアップパッド定義パターンが光学的近接補正（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ＝  ＯＰＣ）を介して補正されたものである請求項２記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記ＯＰＣが、対称性ＯＰＣである請求項３記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記ピックアップパッド定義パターンが前記次のラインパターンおよび前記ラインパターンに接続する請求項４記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記ピックアップパッド定義パターンに関連する前記ＯＰＣが：
前記ラインパターンの延伸方向において前記ピックアップパッド定義パターンの寸法を縮小し；
前記ピックアップパッド定義パターンの両サイドにそれぞれ位置する前記次のラインパターンおよび前記ラインパターンの２部分の内側境界ならびに外側境界をそれぞれ外向きには突出させ、内向きには縮小し；
前記ピックアップパッド定義パターンの両サイドにそれぞれ位置する前記次のラインパターンおよび前記ラインパターンの外側の２つのラインパターンの外側において２つのラインパターンの２部分の２つの内側境界ならびに２つの外側境界を共に内向きに縮小する
ものである請求項５記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ＝  ＩＣ）デザインに関し、特に、集積回路（ＩＣ）領域に応用される回路構造と、パターンの光学的近接補正（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ＝  ＯＰＣ  「光近接効果補正」とも言う）による補正が容易である、その回路構造を定義するためのフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
現行の半導体プロセスにおいて、ドッグボーン（ｄｏｇ−ｂｏｎｅ）パターンがラインのピックアップ領域（ｐｉｃｋｕｐ  ｒｅｇｉｏｎ）用のフォトマスクパターンとして通常は採用されている。図１の回路デザインにおいて、ラインパターン１１０用のピックアップパッド（ｐｉｃｋｕｐ  ｐａｄ）パターン１２０の位置は、密集領域１２および孤立領域１４間にある。顕著なパターン密度差があるために、光学的近接効果（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｅｆｆｅｃｔ）を制御することが難しくて、光学的近接補正（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ＝  ＯＰＣ）プロセスが複雑であり、図２に示すように、数字２１０，２２０は、それぞれラインパターンとピックアップパターンとを示している。従って、ＯＰＣは、通常、コンピューターによる補助を受けなければならず、それによって、より良い補正効果を達成する。
【０００３】
リソグラフィープロセスのライン幅が縮小されたので、光学的近接効果は、リソグラフィー技術の発展（例えば、露出光線のより短い波長または、より大きな開口数）に伴って更に厳しいものとなっている。従って、ドッグボーンデザインのＯＰＣにおける困難性が更に増大し、十分に大きなプロセスウインドウ（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｗｉｎｄｏｗ）を作ることが難しくなっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明の目的は、先行技術と比較して、対応するフォトマスクパターンがＯＰＣによって更に容易に補正できる、ラインとピックアップパッドを含む回路構造を提供することにある。
【０００５】
また、本発明の別な目的は、本発明の回路構造を定義することに適したフォトマスクを提供することにある。フォトマスク上のラインパターンおよびパッド定義パターンのＯＰＣが先行技術と比較して、より容易に適用される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の回路構造は、平行な複数のラインと複数のピックアップパッドとを含む。連続的に配列されたラインの一部にいずれも１つのピックアップパッドが配置される。１つのピックアップパッドを配置された任意のラインのピックアップパッドが、ラインの一側において隣接するラインの不連続点を通過して、次のラインに接続される。そのようなピックアップパッドを含んでいる局部的な構造を特別にＨカット構造と呼ぶ。
【０００７】
本発明のフォトマスクは、上記回路構造を定義するためのものであり、平行な複数のラインパターンと複数のピックアップパッド定義パターンを有している。連続的に配列されたラインパターンの一部には、いずれも１つのピックアップパッド定義パターンが配置されている。１つのピックアップパッド定義パターンを配置された任意のラインパターンのピックアップパッド定義パターンが、ラインパターンの一側の隣接するラインパターンの不連続点を通過して、次のラインパターンおよびラインパターン間に配置される。
【０００８】
一部の実施形態では、とりわけ、より小さなライン幅の状況において、ラインパターンおよびピックアップパッド定義パターンが更にＯＰＣを通じて補正される。ＯＰＣは、単純な対称性ＯＰＣである。一実施形態では、ピックアップパッド定義パターンが次のラインパターンおよびラインパターンに接続される。関連するＯＰＣは、例えば、ラインパターンの延伸方向においてピックアップパッド定義パターンの寸法を縮小することと、ピックアップパッド定義パターンの両サイドにそれぞれ位置する次のラインパターンおよびラインパターンの２部分の内側境界ならびに外側境界をそれぞれ外向きには突出させ、内向きには縮小することと、ピックアップパッド定義パターンの両サイドにそれぞれ位置する次のラインパターンおよびラインパターンの外側の２つのラインパターンの外側において２つのラインパターンの２部分の２つの内側境界ならびに２つの外側境界を共に内向きに縮小することとを含む。
【０００９】
本発明のＨカット構造において、ピックアップパッド定義パターン周辺のパターン密度が密集領域のそれに近いので、光学的近接効果が従来のドッグボーン設計と比較して、より制御しやすい。さらに、Ｈカット構造が良好な対称性を有するため、ＯＰＣをより容易に実行できる。コンピューターシミュレーションおよび実験を介し、リソグラフィーの同一な条件において、本発明のＨカットデザインプロセスウインドウをドッグボーンパターン設計により作られるそれよりも大きいものとする。
【発明の効果】
【００１０】
つまり、本発明のＨカット構造において、ピックアップパッド周辺のパターン密度が密集領域のそれに近いので、光学的近接効果は、従来のドッグボーンデザインと比較してより制御しやすい。更に、Ｈカット構造が良好な対称性を有するので、ＯＰＣが実行しやすい。コンピューターシミュレーションおよび実験を通じて、リソグラフィープロセスの同一条件において、本発明のＨカットパターンデザインは、プロセスウインドウをドッグボーンパターンデザインにより作られるそれよりも大きくできることが分かる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図３は、本発明の一実施形態に従い、ピックアップパッドパターンを配置した複数のラインパターンの構造および設計プロセスを示す平面図である。
【００１２】
図３において、パターンは、以下のように設計される。先ず、平行な複数のラインパターン３１０が定義され、ピックアップパッドを配置する必要のあるラインのフォトマスクパターン、およびピックアップパッドを配置する必要のないダミーパターン（ｄｕｍｍｙ  ｐａｔｔｅｒｎｓ）の役割を果たす線形パターン、即ち、図中の最も右の３線形パターンが含まれる。ダミーパターンが対称パターン配列をもたらすので、ＯＰＣが更に実施しやすくなる。
【００１３】
次に、ピックアップパッドパターン３２０がピックアップパッドを配置する必要のある各ラインのパターン３１０に配置されるとともに、不連続点（ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｙ）３３０がピックアップパッドパターン３２０に対応する隣接するラインパターン３１０の位置に配置される。一例としてピックアップパッドの配置を必要とするラインパターン３１０ａを挙げると、そのピックアップパッドパターン３２０が、ラインパターン３１０ａの一側において隣接するラインパターン３１０ｂの不連続点３３０を通過して、次のラインパターン３１０ｃへ接続され、Ｈカット（Ｈ−ｃｕｔ）構造が形成される。注意すべきことは、隣接するラインパターン３１０ｂがラインパターン３１０ａのピックアップパッドパターン３２０に接続していないことである。
【００１４】
図３において、プロセスライン幅が十分に大きければ、図中に示したようなフォトマスクパターンで類似した形状を備える回路構造を定義することができ、それがラインパターン３１０に対応する平行な複数のラインおよびピックアップパッドパターン３２０に対応する複数のピックアップパッドを含む。連続的に配列されたラインの一部にそれぞれピックアップパッドが配置され、かつピックアップパッドの配置された任意のラインのピックアップパッドが、ラインの一側において連接するラインの不連続点を通過して、次のラインに接続されて、フォトマスク上のＨカット構造３４０に対応するＨカット構造が形成される。
【００１５】
しかしながら、ライン幅がより小さい場合には、ラインパターン３１０およびピックアップパッドパターン３２０は、更にＯＰＣを介して補正される。ドッグボーン構造と比較して、フォトマスク上のＨカット構造は、良好な対称性および、より均一な周囲のパターン密度を有するので、そのＯＰＣをより実行しやすい対称ＯＰＣとすることができる。コンピューターシミュレーションから分かるように、望ましい効果がコンピューター補助補正なしでマニュアルＯＰＣを実施するだけによって得られる。
【００１６】
具体的に言うと、フォトマスク上のＨカット構造が部分的なカッティングおよび／または他のパターン補正方式により補正できるため、Ｈカットパターンのイメージが正確な焦点／露出条件および確実な条件変化のもとで規格を満足させ、十分に大きなプロセスウインドウを確保する。
【００１７】
図４は、本発明のＨカット構造によるフォトマスクパターンを形成するためのＯＰＣの例（ａ）、およびＯＰＣを介して補正したフォトマスクパターンにより定義された回路構造のコンピューターシミュレーション（ｂ）を示す平面説明図である。
【００１８】
図４（ａ）において、ピックアップパッド定義パターン４１２は、ラインパターン４１０ａにより定義されたラインのピックアップパッドを定義するためのものであり、かつ、隣接するラインパターン４１０ｂの不連続点を通過して、次のラインパターン４１０ｃに接続される。ＯＰＣプロセスは、以下のステップを含む：ラインパターンの延伸方向におけるピックアップパッド定義パターン４１２の寸法を縮小し、ピックアップパッド定義パターン４１２の両サイドにそれぞれ位置する次のラインパターン４１０ｃおよびラインパターン４１０ａの２つの部分の２つの内側境界４１４および２つの外側境界４１６をそれぞれ外向きには突出させるとともに、内向きには縮小する。かつ、それぞれピックアップパッド定義パターン４１２の両サイドに位置する次のラインパターン４１０ｃおよびラインパターン４１０ａの外側の２つのラインパターン４１０ｄの外側の２つのラインパターン４１０ｅの２つの部分の２つの内側境界４１８および２つの外側境界４２０を共に内向きに縮小させる。コンピューターシミュレーションを介して得られたポストＯＰＣパターンのパターン転移結果が図４（ｂ）に示されており、ライン幅は０．２５μｍにセットされているとともに、露出光線の波長は１９３ｎｍとなっている。
【００１９】
以上のごとく、本発明を最良の実施形態により開示したが、これは、本発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、本発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるので、その発明の保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来のドッグボーン設計においてピックアップパッドを配置した複数のラインパターンの構造を示す平面図である。
【図２】従来のドッグボーン設計中のピックアップパッドパターンおよび近いラインパターンがＯＰＣを通じて補正された後の結果を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態にかかるピックアップパッドを配置した複数のラインパターンの構造および設計プロセスを示す平面図である。
【図４】本発明のＨカット構造を備えるフォトマスクパターンの形成を示す一例（ａ）、およびＯＰＣを通じて補正されたフォトマスクパターンにより定義された回路構造のコンピューターシミュレーション（ｂ）を示す平面図である。
【符号の説明】
【００２１】
１２  密集領域
１４  孤立領域
１１０，２１０，３１０，４１０（ａ／ｂ／ｃ／ｄ／ｅ）  ラインパターン
１２０，２２０，３２０  ピックアップパッドパターン
３３０  不連続点
３４０  Ｈカット構造
４１２  ピックアップパッド定義パターン
４１４，４１６，４１８，４２０  ラインパターンの境界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【外国語明細書】
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