(57)【要約】【課題】複数のレーザ光源の発光強度の変動を正確に補正すること。【解決手段】各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈから出力される各レーザビームを主走査方向に対する走査幅を広げて記録媒体３のエリア外に走査し、この記録媒体３のエリア外に走査されたレーザビームの光強度をモニタし、このモニタされたレーザビームの光強度に応じて各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光強度をそれぞれ個別に制御する。【選択図】図１
2009056697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザ光源をライン状に配置して成る記録ヘッドを有し、前記複数のレーザ光源から出力される各レーザビームを主走査方向に走査すると共に、前記記録ヘッドの主走査方向に対して垂直な副走査方向に記録媒体を搬送することにより前記記録媒体上に情報を記録する記録装置において、
前記レーザビームを前記主走査方向に対する走査幅を広げて前記記録媒体エリア外に走査する走査部と、
前記記録媒体エリア外に配置され、前記記録媒体エリア外に走査された少なくとも１つの前記レーザビームの光強度をモニタするモニタ部と、
前記モニタ部によりモニタされた前記レーザビームの光強度に応じて少なくとも１つの前記レーザ光源の発光強度を制御する光源制御部と、
を具備することを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記各レーザビームの光強度をモニタするときの前記複数のレーザ光源の発光順序を示す発光情報を記憶する発光情報記憶部を有し、
前記光源制御部は、前記記録媒体に記録する記録データに対して前記発光情報を合わせた合成データに従って前記複数のレーザ光源を発光制御する、
ことを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項３】
前記走査部は、前記複数のレーザ光源から出力される前記各レーザビームを前記主走査方向に複数ライン走査し、
前記光源制御部は、前記走査部により前記各レーザビームを１ライン走査する毎に、前記記録媒体エリア外において少なくとも１つの前記レーザ光源を発光させる、
ことを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項４】
前記光源制御部は、前記各レーザビームを前記１ライン走査する毎に、予め設定された順序に従って少なくとも１つの前記レーザ光源を発光させることを特徴とする請求項３記載の記録装置。
【請求項５】
前記レーザビームを前記記録媒体エリア外に走査したときの前記レーザビームの光強度に応じた発光情報を記憶する発光情報記憶部を有し、
前記光源制御部は、前記発光情報記憶部に記憶されている前記発光情報に従って前記複数の半導体レーザの発光強度を当該各半導体レーザ個別に制御する、
ことを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項６】
前記発光情報記憶部には、前記発光情報として少なくとも前記感熱記録媒体面上での記録速度に応じた前記複数のレーザ光源の発光強度が設定されていることを特徴とする請求項５記載の記録装置。
【請求項７】
複数のレーザ光源をライン状に配置して成る記録ヘッドを有し、前記複数のレーザ光源から出力される各レーザビームを主走査方向に走査すると共に、前記記録ヘッドの主走査方向に対して垂直な副走査方向に記録媒体を搬送することにより前記記録媒体上に情報を記録する記録装置における前記各レーザ光源の発光強度制御方法において、
前記レーザビームを前記主走査方向に対する走査幅を広げて前記記録媒体エリア外に走査し、
前記記録媒体エリア外に走査された少なくとも１つの前記レーザビームの光強度をモニタし、
前記モニタされた前記レーザビームの光強度に応じて少なくとも１つの前記レーザ光源の発光強度を制御する、
ことを特徴とする発光強度制御方法。
【請求項８】
前記レーザビームの前記主走査方向に対する走査幅を広げて前記レーザビームを前記記録媒体エリア外に走査することを特徴とする請求項７記載の発光強度制御方法。
【請求項９】
前記各レーザビームを１ライン走査する毎に、前記記録媒体エリア外において少なくとも１つの前記レーザ光源を発光させることを特徴とする請求項７記載の発光強度制御方法。
【請求項１０】
前記各レーザビームを前記１ライン走査する毎に、予め設定された順序に従って少なくとも１つの前記レーザ光源を発光させることを特徴とする請求項９記載の発光強度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のレーザ光源をライン状に配列して成るレーザアレイから出力される各レーザビームを記録媒体上に走査して情報を記録する記録装置に係り、各レーザ光源から出力されるレーザビームの発光強度を制御する記録装置、及びレーザビームの発光強度を制御する発光強度制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
感熱記録媒体の熱記録方式として、レーザ光源から出力されるレーザビームを主走査方向に走査して記録を行う方式がある。例えばレーザプリンタ等に使用される半導体レーザ等のような単光源のレーザ光源から出力されるレーザビームをポリゴンミラーに照射し、このポリゴンミラーの回転又は往復運動によってレーザビームを主走査方向に走査し、かつ可逆性感熱記録媒体を副走査方向に搬送し、この感熱記録媒体上に２次元の画像情報等を記録する。
【０００３】
感熱記録媒体は、特定温度の加熱制御により発色と消色とを繰り返し、感熱記録、感熱消去を可能とするリライタブルな可逆性の媒体である。図８は感熱記録媒体の発色、消去特性を示す。この感熱記録媒体は、例えば融点１８０℃以上をかけると印字層中に存在する染料と顕色剤とが溶け合った状態になり、この状態から急冷することにより染料と顕色剤とが混ざり合ったまま結晶化して発色する。一方、感熱記録媒体は、ゆっくり冷却すると、染料と顕色剤とがそれぞれ結晶化するので、発色状態を保てず、消去状態になる。さらに、感熱記録媒体３は、染料と顕色剤との融点以下でもある一定時間の加熱により染料と顕色剤とが徐々に分離して結晶化し、消去状態となる温度域、例えば約１３０℃〜１７０℃程度もある。このように感熱記録媒体３は、温度と時間とを厳密にコントロールして印字・消去を行う。
【０００４】
このようなレーザ光源から出力されるレーザビームを主走査方向に走査して記録を行う方式において、レーザ光源から出力されるレーザビームの発光強度（発光パワー）は、例えば使用時間や経年変化等によって変動する。このレーザ光源の発光強度の変動に対する補正が行われている。この補正方法は、例えばレーザ光源の近傍に受光素子を設け、これらレーザ光源と受光素子とを一体化したパッケージを構成し、受光素子によりレーザ光源から出力されたレーザビームを受光し、この受光量に応じてレーザ光源から出力されるレーザビームの発光強度を調整する方法が主流になっている。
【特許文献１】特開平７−６１１７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
単光源のレーザ光源から出力されるレーザビームのパワーが小さいため、レーザ光源から出力されるレーザビームのパワーが小さく、感熱記録媒体の記録面を発色温度に加熱するのに時間を要し、感熱記録媒体への記録スピードを高速化できない。そこで、複数のレーザ光源をライン状に配列して成る半導体レーザアレイを用いる方法が考えられる。しかしながら、上記レーザ光源の発光強度の変動に対する補正方法では、半導体レーザアレイの各レーザ光源の各近傍にそれぞれ受光素子を設けることは困難である。又、各受光素子は、両隣のレーザ光源からのレーザ光を受光してしまうため、正確に各レーザビームの発光強度を調整することができない。
【０００６】
本発明の目的は、複数のレーザ光源の発光強度の変動を正確に補正できる記録装置及び発光強度制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、複数のレーザ光源をライン状に配置して成る記録ヘッドを有し、複数のレーザ光源から出力される各レーザビームを主走査方向に走査すると共に、記録ヘッドの主走査方向に対して垂直な副走査方向に記録媒体を搬送することにより記録媒体上に情報を記録する記録装置において、レーザビームを主走査方向に対する走査幅を広げて記録媒体エリア外に走査する走査部と、記録媒体エリア外に配置され、記録媒体エリア外に走査された少なくとも１つのレーザビームの光強度をモニタするモニタ部と、モニタ部によりモニタされたレーザビームの光強度に応じて少なくとも１つのレーザ光源の発光強度を制御する光源制御部とを具備する記録装置である。
【０００８】
本発明は、複数のレーザ光源をライン状に配置して成る記録ヘッドを有し、複数のレーザ光源から出力される各レーザビームを主走査方向に走査すると共に、記録ヘッドの主走査方向に対して垂直な副走査方向に記録媒体を搬送することにより記録媒体上に情報を記録する記録装置における各レーザ光源の発光強度制御方法において、レーザビームを主走査方向に対する走査幅を広げて記録媒体エリア外に走査し、記録媒体エリア外に走査された少なくとも１つのレーザビームの光強度をモニタし、モニタされたレーザビームの光強度に応じて少なくとも１つのレーザ光源の発光強度を制御する発光強度制御方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、複数のレーザ光源の発光強度の変動を正確に補正できる記録装置及び発光強度制御方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。  
図１は記録装置の構成図を示す。記録ヘッドとしてレーザアレイヘッド１０が設けられている。このレーザアレイヘッド１０は、図２に示すようにレーザ光源として例えば８素子の半導体レーザ１１ａ〜１１ｈをライン状に配置して成る。これら半導体レーザ１１ａ〜１１ｈは、それぞれレーザビームを出力する。これら半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームの光路上には、例えばポリゴンミラー２が設けられている。このポリゴンミラー２は、モータ１２の駆動によって矢印Ｃ方向に回転し、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームをそれぞれ主走査方向Ａに走査する。モータ１２は、モータ駆動部１３によって回転駆動する。なお、ポリゴンミラー２によるレーザビームの主走査方向Ａへの走査範囲は、感熱記録媒体３面上及びこの感熱記録媒体３面のエリア外に設定されている。
【００１１】
搬送機構１４上には、例えば感熱記録を可能とするリライタブルな感熱記録媒体３が載置される。この搬送機構１４は、感熱記録媒体３を副走査方向Ｂに搬送する。なお、主走査方向Ａと副走査方向Ｂとは、互いに直交する。この搬送機構１４の上流側には、記録媒体収納ボックス１５が設けられている。この記録媒体収納ボックス１５内には、複数の感熱記録媒体３が収納されている。記録媒体収納ボックス１５内に収納されている各感熱記録媒体３は、例えば１枚ずつピックアップされて搬送機構１４上に載置される。
【００１２】
感熱記録媒体３面のエリア外には、受光素子１６が設けられている。この受光素子１６は、感熱記録媒体３面のエリア外に走査されたレーザビームを受光し、このレーザビームの受光強度に応じた受光信号を出力する。この受光素子１６は、レーザアレイヘッド１０の各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのうち１つの半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１１ｈから出力されるレーザビームを受光する。
【００１３】
記録制御部２０は、記録媒体３上に記録すべき画像や文字等を含む記録情報に従ってレーザアレイヘッド１０の各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈを選択的に発光制御すると共に、モータ駆動部１３を駆動してポリゴンミラー２を矢印Ｃ方向に回転させ、かつ搬送機構１４を搬送動作させて感熱記録媒体３を副走査方向Ｂに搬送させることにより、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームを感熱記録媒体３面上で主走査方向Ａに繰り返し走査して画像や文字等を含む記録情報を記録媒体３上に記録する。  
又、記録制御部２０は、受光素子１６から出力された受光信号を入力し、レーザビームの受光強度に応じてレーザアレイヘッド１０の各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの各発光強度をそれぞれ個別で制御する。
【００１４】
具体的に記録制御部２０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等により成る主制御部２１を有する。ＲＯＭには、予め発光強度制御プログラムが記憶されている。この発光強度制御プログラムは、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームを記録媒体３のエリア外に走査させ、記録媒体３のエリア外に走査された少なくとも１つのレーザビームの光強度を受光素子１６により検出させ、この検出されたレーザビームの光強度に応じて少なくとも１つの半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの各発光強度を個別に制御させる。
【００１５】
主制御部２１には、搬送制御部２２と、発光情報記憶部２３と、操作部２４とが接続されている。搬送制御部２２は、主制御部２１からの搬送指令を受けて搬送機構１４を搬送動作する。  
搬送制御部２２は、搬送機構１４に対して搬送機構１４を搬送動作させて記録媒体３を例えば一定の搬送速度で搬送させる。
【００１６】
発光情報記憶部２３には、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームの光強度をモニタするときの各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光順序を示す発光情報Ｔが予め記憶されている。この発光情報Ｔは、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームを１ライン走査する毎に、予め設定された順序に従って各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのうち１つの各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１ｈを順次発光させる。例えば図３（ａ）に示すように第１ライン目の走査時に半導体レーザ１１ｈを発光させ、次に同図（ｂ）に示すように第２ライン目の走査時に半導体レーザ１１ｇを発光させ、次に同図（ｃ）に示すように第３ライン目の走査時に半導体レーザ１１ｆを発光させ、以下同様に、各ラインの走査時に各半導体レーザ１１ｅ、１１ｄ、…、１１ａを順次発光させる。
【００１７】
なお、発光情報Ｔは、１ライン走査する毎に１つの半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１ｈを順次発光させているが、これに限らず、受光素子１６のレーザビームを受光してその受光信号を出力するときの応答速度に応じて１ライン走査する毎に１つ以上の各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１ｈを順次発光させてもよい。この場合、発光情報Ｔは、受光素子１６の応答速度が速ければ発光させる半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１ｈの個数が多くなり、受光素子１６の応答速度が遅くなれば発光させる半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１ｈの個数が少なくなる。
【００１８】
又、発光情報Ｔは、図４に示すように複数の発光情報Ｔ１〜Ｔｎを有する。例えば発光情報Ｔ１は、搬送機構１４による感熱記録媒体３の搬送速度又はポリゴンミラー２による各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームの主走査方向Ａへの走査速度とのうちいずれか一方又は両方によって決まる感熱記録媒体３面上での記録速度に応じて各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度に設定されている。
【００１９】
又、発光情報Ｔ２は、それぞれ各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈに対するそれぞれレベルの異なる複数の発光強度に設定されていてもよい。例えば、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの経年変化に応じて各発光強度が低下するので、複数の発光情報Ｔ２は、それぞれ各発光強度の低下を補正するための各発光強度に設定してもよい。  
さらに、複数の発光情報Ｔｎは、感熱記録媒体３の特性に応じた各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度が設定されていてもよい。複数の発光情報Ｔｎは、それぞれ各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度のバラツキを補正するための各発光強度に設定してもよい。
【００２０】
操作部２４は、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームの光強度をモニタし、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度を制御する動作を行うか否かの選択スイッチが設けられている。なお、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度の制御は、常時行うように設定してもよいし、又は定期的に行うように設定してもよい。
【００２１】
又、操作部２４は、発光情報記憶部２３に記憶されている複数の発光情報Ｔ１〜Ｔｎのうち本記録装置における例えば受光素子１６の応答速度、又は感熱記録媒体３面上での記録速度に応じた１つの発光情報Ｔ１、Ｔ２又はＴｎを選択するキー又はボタンを備える。これに限らず操作部２４は、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの経年変化に応じて各発光強度の低下を補正するために例えば発光情報Ｔｎを選択するキー又はボタンを備える。操作部２４は、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度のバラツキを補正するために例えば発光情報Ｔｎを選択するキー又はボタンを備える。
【００２２】
なお、複数の発光情報Ｔ１〜Ｔｎのうち１つの発光情報Ｔ１、Ｔ２又はＴｎの選択は、主制御部２１により搬送機構１４による感熱記録媒体３の搬送速度、又はポリゴンミラー２による各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームの主走査方向Ａへの走査速度等に応じて自動選択するように設定してもよい。
【００２３】
主制御部２１は、ＲＯＭに記憶されている発光強度制御プログラムを実行することにより走査制御部２５と、受光強度モニタ部２６と、光源制御部２７とを有する。走査制御部２５は、モータ駆動部１３に対して走査指令を発してポリゴンミラー２を回転させ、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームを主走査方向Ａに走査させ、かつこれらレーザビームの主走査方向Ａの走査範囲を感熱記録媒体３面上及びこの感熱記録媒体３面のエリア外で走査させる。
【００２４】
受光強度モニタ部２６は、受光素子１６から出力される受光信号を入力し、この受光信号からレーザビームの受光強度を求める。受光素子１６は、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのうち１つの半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１１ｈから出力されるレーザビームを受光してその受光信号を出力するので、受光強度モニタ部２６は、１つの半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１１ｈの受光強度を求める。
【００２５】
光源制御部２７は、記録媒体３面のエリア外にレーザビームを走査するとき、発光情報記憶部２３に記憶されている発光情報Ｔに従って複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのうち１つの半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１１ｈを順次発光させ、かつこのとき受光強度モニタ部２６により検出されたレーザビームの光強度に応じて当該１つの半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１１ｈの発光強度を各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈ個別に制御する。この場合、光源制御部２７は、例えば半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈに対する基準の光強度が予め設定され、この基準光強度と受光強度モニタ部２６により検出されたレーザビームの光強度との差に応じて各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光強度を制御する。
【００２６】
なお、光源制御部２７は、記録媒体３面上にレーザビームを走査するとき、画像や文字等を含む記録情報Ｄに従って各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈを発光制御する。
【００２７】
従って、光源制御部２７は、画像や文字等を含む記録情報Ｄに従って各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈを発光制御して記録媒体３面上に記録情報を記録すると同時に、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光制御を行う場合、図５に示すように画像や文字等を含む記録情報Ｄと発光情報記憶部２３に記憶されている発光情報Ｔとを合わせた合成データＣを作成し、この合成データＣに従って各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈを発光制御する。なお、合成データＣは、記録媒体３面上で画像や文字等を含む記録情報Ｄに従って各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈが発光制御させ、かつ記録媒体３面のエリア外すなわち受光素子１６の受光面上で発光情報記憶部２３に記憶されている発光情報Ｔに従って各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈが発光制御させるものとなる。
【００２８】
次に、上記の如く構成された装置による半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光強度の制御について説明する。  
記録媒体収納ボックス１５内に収納されている各感熱記録媒体３は、例えば１枚ずつピックアップされて搬送機構１４上に載置される。この搬送機構１４は、感熱記録媒体３を載置し、感熱記録媒体３を副走査方向Ｂに搬送する。このとき搬送機構１４上に載置される感熱記録媒体３は、画像や文字等の画像データの記録の全く無いものである。  
光源制御部２７は、画像や文字等を含む記録情報Ｄに従って各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈを選択的に発光制御する。  
ポリゴンミラー２は、モータ駆動部１３による駆動により矢印Ｃ方向に回転し、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームをそれぞれ主走査方向Ａに走査する。これらレーザビームの主走査方向Ａの走査範囲は、感熱記録媒体３面上及びこの感熱記録媒体３面のエリア外である。各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームは、ポリゴンミラー２の各ミラーにより走査されることにより感熱記録媒体３面上に１ラインずつ順次走査される。これにより、レーザビームが照射された感熱記録媒体３面上は、これら印字ドット毎に熱の集中により加熱され、図８に示すように発色温度（例えば１８０℃）に達し、十分な濃度で印字される。この結果、記録媒体３面上に記録情報Ｄが記録される。
【００２９】
一方、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度を制御する場合、光源制御部２７は、図５に示すように画像や文字等を含む記録情報Ｄと発光情報記憶部２３に記憶されている発光情報Ｔとを合わせた合成データＣを作成する。これにより、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームが感熱記録媒体３面上に走査されているとき、光源制御部２７は、上記同様に、合成データＣにおける画像や文字等を含む記録情報Ｄに従って各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈを選択的に発光制御する。
【００３０】
ポリゴンミラー２によるレーザビームの主走査方向Ａへの走査範囲は、感熱記録媒体３面上及びこの感熱記録媒体３面のエリア外に設定されているので、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力される各レーザビームが感熱記録媒体３面上に走査されているとき、光源制御部２７は、合成データＣにおける発光情報Ｔに従って複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのうち１つの半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１１ｈを順次発光させる。
【００３１】
すなわち、光源制御部２７は、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームの第１ライン目の走査時に、当該各レーザビームが感熱記録媒体３面のエリア外に走査されているとき、図３（ａ）に示すように例えば半導体レーザ１１ｈを発光させる。この半導体レーザ１１ｈの発光タイミングは、半導体レーザ１１ｈから出力されたレーザビームが受光素子１６の受光面上に照射されるタイミングである。  
次に、光源制御部２７は、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームの第２ライン目の走査時に、当該各レーザビームが感熱記録媒体３面のエリア外に走査されているとき、図３（ｂ）に示すように例えば半導体レーザ１１ｇを発光させる。この半導体レーザ１１ｇの発光タイミングも半導体レーザ１１ｇから出力されたレーザビームが受光素子１６の受光面上に照射されるタイミングである。
【００３２】
次に、光源制御部２７は、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームの第３ライン目の走査時に、当該各レーザビームが感熱記録媒体３面のエリア外に走査されているとき、図３（ｃ）に示すように例えば半導体レーザ１１ｆを発光させる。この半導体レーザ１１ｆの発光タイミングも半導体レーザ１１ｆから出力されたレーザビームが受光素子１６の受光面上に照射されるタイミングである。  
以下同様に、光源制御部２７は、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームの各ラインの走査時に、当該各レーザビームが感熱記録媒体３面のエリア外に走査されているとき、各ラインの走査時に各半導体レーザ１１ｅ、１１ｄ、…、１１ａを順次発光させる。なお、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈから出力された各レーザビームの第９ライン目の走査時、光源制御部２７は、当該各レーザビームが感熱記録媒体３面のエリア外に走査されているときに再び図３（ａ）に示すように例えば半導体レーザ１１ｈを発光させる。
【００３３】
受光素子１６は、各ラインの走査毎、すなわち、受光素子１６は、第１ライン目の走査時に、半導体レーザ１１ｈから出力されたレーザビームを受光し、このレーザビームの受光強度に応じた受光信号を出力する。次に、受光素子１６は、第２ライン目の走査時に、半導体レーザ１１ｇから出力されたレーザビームを受光し、このレーザビームの受光強度に応じた受光信号を出力する。以下同様に、受光素子１６は、各ラインの走査毎に、１１ｆ、１１ｅ、１１ｄ、…、１１ａから出力されたレーザビームを順次受光し、これらレーザビームの受光強度に応じた受光信号を順次出力する。そして、受光素子１６は、第９ライン目の走査時に、再び半導体レーザ１１ｈから出力されたレーザビームを受光し、このレーザビームの受光強度に応じた受光信号を出力する。
【００３４】
先ず、受光強度モニタ部２６は、第１ライン目の走査時に、受光素子１６から出力される受光信号を入力し、この受光信号から半導体レーザ１１ｈから出力されたレーザビームの受光強度を求める。光源制御部２７は、第１ライン目の走査時に、受光強度モニタ部２６により検出された半導体レーザ１１ｈから出力されたレーザビームの光強度を入力し、このレーザビームの光強度と予め設定された基準光強度との差に応じて当該半導体レーザ１１ｈの発光強度を個別に制御する。
【００３５】
次に、受光強度モニタ部２６は、第２ライン目の走査時に、受光素子１６から出力される受光信号を入力し、この受光信号から半導体レーザ１１ｇから出力されたレーザビームの受光強度を求める。光源制御部２７は、第２ライン目の走査時に、受光強度モニタ部２６により検出された半導体レーザ１１ｇから出力されたレーザビームの光強度を入力し、このレーザビームの光強度と予め設定された基準光強度との差に応じて当該半導体レーザ１１ｇの発光強度を個別に制御する。
【００３６】
以下、受光強度モニタ部２６は、第３ライン目、第４ライン目の各ライン走査時に、受光素子１６から出力される受光信号を入力し、この受光信号から半導体レーザ１１ｅ、１１ｄ、…、１１ａから出力されたレーザビームの受光強度を順次求める。そして、受光強度モニタ部２６は、第９ライン目の走査時に、受光素子１６から出力される受光信号を入力し、この受光信号から再び半導体レーザ１１ｈから出力されたレーザビームの受光強度を求める。
【００３７】
光源制御部２７も上記同様に、第３ライン目、第４ライン目の各ライン走査時に、受光強度モニタ部２６により検出された半導体レーザ１１ｅ、１１ｄ、…、１１ａから出力されたレーザビームの光強度を入力し、これらレーザビームの光強度と予め設定された基準光強度との差に応じて当該半導体レーザ１１ｅ、１１ｄ、…、１１ａの発光強度を個別に制御する。そして、光源制御部２７は、第９ライン目の走査時に、受光強度モニタ部２６により検出された半導体レーザ１１ｈから出力されたレーザビームの光強度を再び入力し、このレーザビームの光強度と予め設定された基準光強度との差に応じて当該半導体レーザ１１ｈの発光強度を個別に制御する。  
この結果、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈから出力されたレーザビームの光強度は、それぞれ基準光強度に制御される。
【００３８】
このように各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光強度をそれぞれ個別に制御する場合、操作部２４におけるキー又はボタンが操作されると、この操作を受けて操作部２４は、発光情報記憶部２３に記憶されている複数の発光情報Ｔ１〜Ｔｎの中から例えば本記録装置における例えば感熱記録媒体３面上での記録速度に応じた１つの発光情報Ｔ１、Ｔ２等を選択可能である。すなわち、感熱記録媒体３の種類によって記録速度が相違する場合、感熱記録媒体３の種類に応じて当該感熱記録媒体３の記録速度が最も速くなる発光強度を有する発光情報Ｔ１に設定変更できる。これにより、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光強度を感熱記録媒体３の記録速度に応じた最適な値に制御できる。
【００３９】
さらに、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈは、経年変化に応じて各発光強度が低下する。これら半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの経年変化に応じて各発光強度の低下を補正するための発光強度を有する例えば発光情報Ｔ２に設定変更できる。これにより、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの経年変化に応じた各発光強度の低下を補正できる。又、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈは、それぞれ発光強度にバラツキがある。この場合、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度のバラツキを補正するための発光情報Ｔｎが設定できる。これにより、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度のバラツキを補正できる。
【００４０】
このように上記一実施の形態によれば、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈから出力される各レーザビームを記録媒体３のエリア外に走査し、この記録媒体３のエリア外に走査されたレーザビームの光強度をモニタし、このモニタされたレーザビームの光強度に応じて各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光強度をそれぞれ個別に制御するので、例えば使用時間や経年変化等によって各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈから出力されたレーザビームの光強度がそれぞれ変動しても、これら変動を各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈ別に補正できる。
【００４１】
これら半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈから出力されたレーザビームの光強度の補正は、記録媒体３のエリア外に走査されるレーザビームの光強度をモニタすることにより行われるので、記録媒体３面上への記録情報Ｄの記録動作時に行うことができ、記録動作時とは別に、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈから出力されたレーザビームの光強度の補正の為の時間を設ける必要がない。  
各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度の制御は、操作部２４に対する操作により例えば常時行うようにしてもよいし、又は定期的に行うようにすることもできる。
【００４２】
発光情報記憶部２３には、例えば感熱記録媒体３面上での記録速度等に応じた複数の発光情報Ｔ１〜Ｔｎ等が記憶されているので、例えば、感熱記録媒体３の記録速度が最も速くなる発光強度を有する発光情報Ｔ１、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの経年変化に応じて各発光強度の低下を補正するための発光情報Ｔ２、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度のバラツキを補正するための発光情報Ｔｎの設定ができる。しかるに、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光強度を感熱記録媒体３の記録速度に応じた最適な値に制御できる。又、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの経年変化に応じた各発光強度の低下を補正でき、さらに各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光強度のバラツキを補正できる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。  
例えば、光源制御部２７は、記録媒体３面のエリア外にレーザビームを走査するとき、複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのうち１つの半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、又は１１ｈの順次に従って発光させているが、これ限らず、複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのうち所定間隔毎に配置された各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの順序、例えば図６に示すように１個毎、各半導体レーザ１１ｈ、１１ｆ、１１ｄ、１１ｂの順次に従って発光させ、次に図７に示すように各半導体レーザ１１ｇ、１１ｅ、１１ｃ、１１ａの順次に従って発光させてもよい。又、光源制御部２７は、複数の半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのうちランダムな順序で当該半導体レーザ１１ａ〜１１ｈを順次発光させてもよい。このような各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの発光順序は、発光情報記憶部２３に記憶されている発光情報Ｔを変更すれば、容易に変更できる。
【００４４】
上記各実施の形態では、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの個数を例えば８個としているが、これに限らず、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのレーザパワーの大きさや本装置の温度環境下に応じて各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの個数を設定してよい。又、各半導体レーザ１１ａ〜１１ｈのレーザパワーは、これら半導体レーザ１１ａ〜１１ｈの個数に応じて可変してもよい。
【００４５】
ポリゴンミラー２によるレーザビームの主走査方向Ａへの走査範囲は、感熱記録媒体３面の一方のエリア外に設定されるに限らず、感熱記録媒体３面の両エリア外に走査することが可能である。レーザビームを感熱記録媒体３面の両エリア外に走査すれば、感熱記録媒体３面の両エリア外にそれぞれ各受光素子１６、１６を設け、これら受光素子１６、１６によって記録媒体３のエリア外に走査されたレーザビームの光強度をモニタすることができる。これにより、各半導体レーザ１１ａ、１１ｂ、…、１１ｈの発光強度の個別制御に要する時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る記録装置の一実施の形態を示す構成図。
【図２】同装置におけるレーザアレイヘッドを構成するライン状に配置された複数の半導体レーザを示す図。
【図３】同装置におけるレーザビームの光強度をモニタする各半導体レーザの発光順序を示す発光情報を示す摸式図。
【図４】同装置における発光情報記憶部に記憶されている複数の発光情報を示す摸式図。
【図５】同装置により作成される記録情報と発光情報とを合わせた合成データを示す摸式図。
【図６】同装置における光源制御部よる各受光素子の発光順序の一例を示す図。
【図７】同装置における光源制御部よる各受光素子の発光順序の一例を示す図。
【図８】感熱記録媒体の発色及び消去特性を示す図。
【符号の説明】
【００４７】
３：感熱記録媒体、２：ポリゴンミラー、１０：レーザアレイヘッド、１１ａ〜１１ｈ：半導体レーザ、１２：モータ、１３：モータ駆動部、１４：搬送機構、１５：記録媒体収納ボックス、１６：受光素子、２０：記録制御部、２１：主制御部、２２：搬送制御部、２３：発光情報記憶部、２４：操作部、２５：走査制御部、２６：受光強度モニタ部、２７：光源制御部、Ｔ１〜Ｔｎ：発光情報。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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