(57)【要約】【課題】マスクデータ上の各線パターンのＬ／Ｓがマスクレイアウト設計仕様と合致するかどうかを正確に検証する。【解決手段】各線パターン集合を測長して得られるＬ／Ｓと、Ｌ／Ｓパターン仕様テーブルと、を比較することによって、マスクパターンデータが正しいかどうかを検証する。【選択図】図６
2009175262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仕様として与えられた配線パターンの幅と配線パターン間のスペース幅との組み合わせである仕様配線幅および仕様スペース幅を取得する過程と、
仕様配線幅および仕様スペース幅に基づいて作成された複数の配線パターン集合を含むマスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅を測定する過程と、
測定された前記マスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅と、取得された仕様配線幅および仕様スペース幅とを比較することにより、前記マスクデータ上で配線パターンが仕様通りに描画されているかどうかを検証する過程と、
を備えるマスクパターン検証方法。
【請求項２】
仕様配線幅および仕様スペース幅はテーブル形式で出力され、
測定された前記マスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅は、テーブル形式で出力され、テーブル形式の仕様配線幅および仕様スペース幅と比較されることにより、前記マスクデータ上で配線パターンが仕様通りに描画されているかどうかの検証が実行されることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン検証方法。
【請求項３】
前記配線パターン集合は、それぞれライン・アンド・スペースパターンであり、前記配線パターン間でライン幅およびスペース幅の少なくともいずれかがそれぞれ異なることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクパターン検証方法。
【請求項４】
所望の配線パターンに所望の変動量を与えることによりデフォルトの仕様配線幅および仕様スペース幅から仕様配線幅および仕様スペース幅のテーブルを作成する過程をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマスクパターン検証方法。
【請求項５】
仕様として与えられた配線パターンの幅と配線パターン間のスペース幅との組み合わせである仕様配線幅および仕様スペース幅を取得する手順と、
仕様配線幅および仕様スペース幅に基づいて作成された複数の配線パターン集合を含むマスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅を測定する手順と、
測定された前記マスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅と、取得された仕様配線幅および仕様スペース幅とを比較することにより、前記マスクデータ上で配線パターンが仕様通りに描画されているかどうかを検証する手順と、
を備えるマスクパターン検証方法をコンピュータに実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマスクパターン検証方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の集積回路製造技術では微細加工技術が進展し、これに伴ってウェーハ上のレジストパターンおよびこれを形成するマスクパターンの微細化が急速に進んでいる。また、リソグラフィ技術では微細化に伴って解像度を向上させるために、レベンソン法や変形照明法などが用いられている。このような状況下では、解像限界であるライン幅やスペース幅を単純に特定してデザインルールとして規定するだけではウェーハ上の仕上がりを保証することができず、様々なライン幅とスペース幅の組み合わせでパターンが解像可能であるかどうかを検討する必要がある。
【０００３】
上記課題を解決するために、予め定められた複数のライン幅とスペース幅（以下、ライン幅およびスペース幅を「Ｌ／Ｓ」との略称で表す。）の全組み合わせからなるマスクパターンをマスク上に作成し、これを実際にウェーハ上に露光して得られたパターン成型結果を、事前に作成したＬ／Ｓマトリックスに反映させ、有効なＬ／Ｓの組み合わせを導出する方法が提案されている（例えば特許文献１）。この手法によって有効なＬ／Ｓの組み合わせを精度良く導出するためには、Ｌ／Ｓの刻みをできる限り細かくした上で、かつ正確にマスクパターンを作成する必要がある。
【０００４】
しかしながら、Ｌ／Ｓの刻みを細かくすればするほどパターンのバリエーションが莫大に増大する。このため、人手でマスクパターンを描くのは非現実的であるので、一般的にはパターン生成装置またはプログラムによってマスクパターンが作成される。
【０００５】
作成するパターンのバリエーションが莫大であると、プログラムのバグを含め何らかのミスによって、予め仕様として定められたＬ／Ｓと異なる誤ったパターンを作成してしまう場合もあり、このようなときに目視によってそのようなパターンを検出するのは非常に困難である。一方、有効なＬ／Ｓを高精度に導出するためには、このような誤ったパターンの作成は絶対に防ぐ必要がある。しかも、超解像技術に用いられるマスクは非常に高額であり、パターンミスはマスクに要する費用を必要以上に増大させる原因になりうる。
【０００６】
マスクパターンの検証に際し、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ  Ｒｕｌｅ  Ｃｈｅｃｋ）ツールが広く活用されている。ＤＲＣツールには古くはＣａｄｅｎｃｅ社製のＤｒａｃｕｌａ  ＤＲＣ、近年はＭｅｎｔｏｒ  Ｇｒａｐｈｉｃｓ社製Ｃａｌｉｂｒｅ  ＤＲＣ、Ｓｙｎｏｐｓｙｓ社製Ｈｅｒｃｕｌｅｓ  ＤＲＣなどがある。これらのツールはレイアウトパターン上またはマスクパターン上のＬ／Ｓがデザインルールで定められたある値以上、またはある値以下である部分を検出する際に非常に有効なツールである（例えば特許文献２および３）。
【０００７】
しかしながら、マスクパターン上のＬ／Ｓが、与えられた仕様に基づくＬ／Ｓ値とぴったり合致しているかを検証するためには、ＤＲＣツールは不向きである。例えば、ライン幅を３ｎｍで描画すべきパターンが正しく描かれているかどうかを調べたいとき、ＤＲＣツールのルールファイルには「３ｎｍ未満のパターンはエラーとする」ルールと、「３ｎｍを超えるパターンをエラーとする」ルールの両方を記述する必要がある。「３ｎｍではないパターンは全てエラーとする」というルールのみの記述でも同じことである。ここで、もし該当パターンが３ｎｍで正しく描かれていれば、いずれのルールでもエラーとはならないのでこの部分だけは正しく検証できているかのように見える。しかしながら、実際には同じマスクパターン上で２ｎｍや４ｎｍといった様々なライン幅のパターンが大量に存在するので、これらが仕様に沿って正しく描かれていたとしても、もれなく上記ルールによって３ｎｍ以外のパターン全てがエラーとなってしまう。前述のルール記述方法でエラーとなったパターン（例えば２ｎｍのパターン）を検証するルールを新たに用意しても、今度は３ｎｍで正しく描かれている部分も含めて２ｎｍ以外のパターン全てがエラーとなってしまう。以上からこの方法での検証は非常に困難であるといえる。
【０００８】
例えば特許文献４では、超解像技術に対応したマスクパターンの検証方法が提案されている。従来のＤＲＣでは、ライン幅またはスペース幅のそれぞれがデザインルールに違反していないかどうかを検証していた。これに対し、特許文献４に開示の方法ではＬ／Ｓの合計をピッチ幅として定義し、これを検証対象とすることで解像できないＬ／Ｓの組み合わせをチェックしている。しかし、特許文献４に開示の方法も、従来のＤＲＣと同様に、仕様として与えられたＬ／Ｓにレイアウトパターンが合致するかどうかを検証するためには不向きであった。
【０００９】
特許文献５では、検証するレイアウト図形の各辺をベクトルデータに変換し、この中から検証の基準となる基準ベクトルを選択し、そのベクトルが指す方向から検証対象ベクトルを選択して、双方のベクトル間の距離を検証する方法を提供している。しかし、この方法もこれまでと同様の理由で仕様として与えられたＬ／Ｓにレイアウトパターンが合致するかどうかの検証には不向きである。
【特許文献１】特開２００１−０１４３７６
【特許文献２】特開２００４−２２０１３２
【特許文献３】特開２００４−３１８２２４
【特許文献４】特開平１１−２８２１５１
【特許文献５】特開２０００−０４８０５２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、マスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅がマスクレイアウト設計仕様と合致するかどうかを正確に検証するマスクパターン検証方法およびこのようなマスクパターン検証方法をコンピュータに実行させるプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様によれば、
仕様として与えられた配線パターンの幅と配線パターン間のスペース幅との組み合わせである仕様配線幅および仕様スペース幅を取得する過程と、
仕様配線幅および仕様スペース幅に基づいて作成された複数の配線パターン集合を含むマスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅を測定する過程と、
測定された前記マスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅と、取得された仕様配線幅および仕様スペース幅とを比較することにより、前記マスクデータ上で配線パターンが仕様通りに描画されているかどうかを検証する過程と、
を備えるマスクパターン検証方法が提供される。
【００１２】
また、本発明の第２の態様によれば、
仕様として与えられた配線パターンの幅と配線パターン間のスペース幅との組み合わせである仕様配線幅および仕様スペース幅を取得する手順と、
仕様配線幅および仕様スペース幅に基づいて作成された複数の配線パターン集合を含むマスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅を測定する手順と、
測定された前記マスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅と、取得された仕様配線幅および仕様スペース幅とを比較することにより、前記マスクデータ上で配線パターンが仕様通りに描画されているかどうかを検証する手順と、
を備えるマスクパターン検証方法をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、マスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅がマスクレイアウト設計仕様と合致するかどうかを正確に検証することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、マスクデータ上の各配線パターンの幅および配線間のスペース幅がマスクレイアウト設計仕様と合致するかどうかの正確な検証を汎用のコンピュータを用いて実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
まず、マスクパターンデータとマスクレイアウト設計仕様について簡単に説明する。なお、以下の各図において同一の部分には同一の参照番号を付し、その重複説明は適宜省略する。
【００１６】
図１は、半導体装置製造用のマスクデータの一例を説明する図である。以下の説明において、マスクデータは、回路レイアウトのアートワークを記述する一般的なデータ形式であるＧＤＳにより表現されるものと想定している。マスクデータ中、マスクパターンとして、線パターンと呼ばれる複数の細長い矩形状の図形が様々な間隔で整然と羅列されている。縦長の形状の線パターンの幅を「ライン幅」、線パターン同士の間隔を「スペース幅」と呼び、図１ではそれぞれＬおよびＳの略称で表している。また、各々が同じかまたは異なるライン幅およびスペース幅を持つ複数の線パターンのひとまとまりを「線パターン集合」と呼ぶ。線パターン集合は番号をつけて１つずつ特定され、図１に示すように、「パターンＰ１、パターンＰ２、パターンＰ３・・・パターンＰｎ（ｎは自然数）」と呼ばれる。
【００１７】
線パターンは図１のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ４のように垂直のものや、水平のもの（図３参照）に限るわけではなく、同図に示すパターンＰ５のように斜めのものもある。この斜め線パターンにおける傾斜角の大きさは任意であるが、一般的には４５度傾いたものが多い。また、同一の斜め線パターン集合内の各斜め線パターンの傾き（θ）は同じであるとする。
【００１８】
マスクデータ中のマスクパターンの全体像の具体例を図２および図３の説明図に示す。図２は、縦長形状の線パターンについての全体像であり、縦ｈ１、横ｗ１の大きさの線パターン集合ＰＬが縦Ｄｈ１、横Ｄｗ１の一定間隔で整然と並べられている。また、図３は横長形状の線パターンについての全体像であり、縦ｈ２、横ｗ２の大きさの線パターン集合ＰＴが縦Ｄｈ２、横Ｄｗ２の一定間隔で整然と並べられている。各線パターン集合はいずれも同じかまたは異なるライン幅およびスペース幅を持つ。以下では、説明を簡単にするため線パターンが縦長形状のものについてのみ説明するが、横長、斜めのものについても同様に適用できる点に留意されたい。
【００１９】
図４は、マスクデータ中の各線パターン集合用の仕様を与えるマスクレイアウト設計仕様の説明図である。マスクレイアウト設計仕様では、マスクデータをＧＤＳデータ形式で表したときのファイル名（ＧＤＳ名）、線パターンを描く際に用いたＧＤＳレイヤ番号、マスクデータ上で複数のパターンのまとまりに与えられツリー上に構成されるセル名、そのマスクデータ上で基準となる原点座標、線パターンの高さｈと幅ｗ、線パターン同士の縦方向の間隔Ｄｈおよび横方向の間隔Ｄｗが定められている。また、各線パターン集合のＬ／Ｓを定めたＬ／Ｓパターン仕様テーブルＴＳが与えられている。本実施形態において、Ｌ／Ｓパターン仕様テーブルＴＳは例えば仕様配線幅および仕様スペース幅に対応する。
【００２０】
テーブルＴＳで各線パターン集合の配置位置の座標を定義しているとき、この座標はその線パターン集合の最も左の線パターンの左下頂点座標とし、これをそのパターン集合の基準座標と呼ぶ。ただし、全ての線パターン集合で統一されているのであれば最も左の線パターンの左下頂点座標でなくてもよいが、以下の説明では左下頂点座標を基準座標とする。また、座標そのものを与えていないテーブルもあり、この場合はテーブルにて定義されている先頭の線パターン集合から順に、マスクデータ上に整然と並べられるものとする。この場合は、縦方向の間隔Ｄｈ、横方向の間隔Ｄｗを一定にし、各線パターン集合が重なりさえしなければどこから順に並べるかは問わないが、測長のときにはこの順序を把握しておく必要がある。例えばマスクデータ上で左下から順にＤｗの間隔で並べ、一列並べきったらＤｈだけ上方向にスペースを開け、また左から順に並べるなどの順序である。
【００２１】
以上の説明を前提に本発明の実施の形態のいくつかについて図面を参照しながら説明する。
【００２２】
（１）第１の実施の形態
図５は、本発明の第１の実施の形態に係るマスクパターン検証装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示すマスクパターン検証装置１は、Ｌ／Ｓ測長ユニット２０と、仕様Ｌ／Ｓ取得部４０と、比較検証部６０と、比較結果出力部７０とを備える。Ｌ／Ｓ測長ユニット２０は、ＤＲＣルールを格納するメモリＭＲ１と、ＤＲＣ実行部２０２と、マスクレイアウトデータ取得部２０４と、マスクデータ測長部２０６とを含む。マスクデータ測長部２０６は測長領域抽出部２６４とデータ形式変換部２６２とを有する。
【００２３】
マスクパターン検証装置１は、メモリＭＲ２〜４をさらに備え、それぞれ、マスクデータ、検証領域のデータおよびマスクレイアウト設計仕様のデータを格納する。
【００２４】
ＤＲＣ実行部２０２は、メモリＭＲ１，２およびマスクレイアウトデータ取得部２０４に接続される。マスクレイアウトデータ取得部２０４は、メモリＭＲ３およびマスクデータ測長部２０６にも接続される。
【００２５】
仕様Ｌ／Ｓ取得部４０は、メモリＭＲ３，ＭＲ４および比較検証部６０に接続される。比較検証部６０は、比較結果出力部７０にも接続される。
【００２６】
図５に示すマスクパターン検証装置１の動作を、本発明の第１の実施の形態によるマスクパターン検証方法として説明する。
【００２７】
図６は、本実施形態によるマスクパターン検証方法の概略手順を示すフローチャートである。本実施形態の特徴は、マスクデータ上での線パターン集合のＬ／Ｓ測長（ステップＳ１）、仕様Ｌ／Ｓの取得（ステップＳ３，Ｓ４）およびマスクデータ上でのＬ／Ｓ測長結果と仕様Ｌ／Ｓとが一致するかどうかの比較検証（ステップＳ５）の手順を有する点にある。
【００２８】
まず、マスクデータ上でのＬ／Ｓ測長では、メモリＭＲ２から取り出されたマスクデータに対してＤＲＣ実行部２０２にてＤＲＣルールに基づくＤＲＣ（デザインルールチェック）を実行する。ＤＲＣルールの一例を図７の説明図に示す。ここには、矩形形状ではないパターンを抽出するステップ（９行目）、およびパターンの縦方向の長さが仕様値ｈよりも長い、または短いパターンを抽出するステップ（１１行目から１３行目）が記述されている。
【００２９】
図８は、エラーパターンの抽出例を示す説明図である。同図には、紙面左側のマスクパターンに対してＤＲＣを実行した結果、紙面右側に示すように、縦方向の長さが仕様値よりも長い縦型線パターンＰＥ１、縦方向の長さが仕様値よりも短い縦型線パターンＰＥ２、および矩形状でないパターンＰＥ３，ＰＥ４がエラーパターンとして抽出されている。
【００３０】
ＤＲＣ実行部２０２にてエラーパターンが存在しないことを確認したら、マスクレイアウトデータ取得部２０４において検証領域にて指定された検証領域内のマスクレイアウトデータを取得する。ここで、マスクレイアウト設計仕様にて検証対象となるＧＤＳレイヤが指定されており、取得されるマスクレイアウトデータは検証領域の領域内の指定のＧＤＳレイヤとなる。これを検証対象データと呼ぶ。
【００３１】
次に、マスクデータ測長部２０６にて、検証対象データのＬ／Ｓの測長を行う。ここでは、検証領域内の全ての線パターンを、１つずつ二重に見ることなく測長する必要がある。
【００３２】
図９は、マスクデータ上での線パターン集合の測長方法の概略手順を示すフローチャートである。本実施形態では、まず、マスクデータ上のある線パターン集合から順に測長を行っていく。検証領域内のマスクデータ上で最も左下の線パターン集合、具体的にはその線パターン集合の基準座標を指定し（ステップＳ１０１）、指定の線パターン集合の各ライン幅およびスペース幅を測長して（ステップＳ１０２）測長結果およびその線パターン集合の基準座標を出力する（ステップＳ１０３）。測長を終えた線パターン集合から順に右隣の線パターン集合を測長し（ステップＳ１０４、Ｓ１０５、Ｓ１０２、Ｓ１０３）、一行に並ぶすべての線パターン集合を測長したら、その上の行の最も左の線パターン集合（ステップＳ１０６、Ｓ１０７、Ｓ１０２〜Ｓ１０５）を測長し、同様に右隣を測長していく。勿論、測長順は左下からに限ることなく、漏れなくかつ二重に測長することさえなければ右下、左上、右上のどこから始めても良い。
【００３３】
ステップＳ１０２では、まず実際に測長するのに必要な部分を測長領域抽出部２６４により抽出する。そして、抽出したパターンをデータ形式変換部２６２により測長可能なデータに変換し、測長を行う。図１０はステップＳ１０２で行う処理の説明図である。より具体的に説明すると、測長する線パターンのうちで必要な一部分（ただし、パターン集合内の全ての線パターンの一部が含まれるように）を測長領域抽出部２６４により抽出する。これを測長ウィンドウＷＬＭと呼ぶ。なお、測長ウィンドウが、測長する線パターンの一部ではなく全体を含む場合がある。データ形式変換部２６２にて、測長ウィンドウＷＬＭ内の各線パターンの左側のエッジ（左エッジ）ＥＬＲと右側のエッジ（右エッジ）ＥＲＤの座標をそれぞれ取り出し、“左エッジＥＬＲの座標とそのすぐ右の右エッジＥＲＤの座標”間の距離（図１０に示す例ではＥＬＲ１−ＥＲＤ１）を計算してライン幅を、“右エッジＥＲＤの座標とそのすぐ右の左エッジＥＬＲの座標”間の距離（図１０に示す例ではＥＲＤ１−ＥＬＲ２）を計算してスペース幅を算出する。これをいま測長対象となっている線パターン集合の最も左側の線パターンから１つずつ順に行う。最も右側の線パターンから１つずつ測長しても良いが、その場合は全ての線パターン集合で統一する必要があり、かつ、図４に示したＬ／Ｓパターン仕様テーブルＴＳもこれに準じておく必要がある。
【００３４】
ここで、Ｌ／Ｓ測長はエッジの座標同士をみるのではなく、図１１に示すように線パターンの左下頂点ＥＬＢの座標と右下頂点ＥＬＷの座標、または左上頂点ＥＴＢの座標と右上頂点ＥＴＷの座標から、先述のエッジ同士での計算と同様に計算することで、ライン幅およびスペース幅を得ることができる。
【００３５】
また、斜め配線の場合は図１２に示すようにエッジ間の水平方向の距離ＬＨ１，ＳＨ１または頂点とエッジ間の水平方向の距離ＬＨ２，ＳＨ２に対し、斜め線パターンの傾きをθとしてｓｉｎθを求めたものがそれぞれＬまたはＳとなる。
【００３６】
測長結果では測長したパターンが何番目であるかを出力し、続いてその線パターン集合の基準座標を出力、そして以降はライン幅ならＬ、スペース幅ならＳと明示してその後にスペース値を出力する。このような測長結果の出力例を図１３の紙面上部に示す。以上の手順で全ての線パターン集合についてＬ／Ｓを測長すれば、マスクパターン測長部２０６の処理は終了となる。
【００３７】
続いて、図６のフローチャートに戻り、仕様Ｌ／Ｓの取得手順を説明する。まず、ｉ＝１として（ステップＳ２）、仕様Ｌ／Ｓ取得部４０により、マスクレイアウト設計仕様（図４参照）のＬ／Ｓパターン仕様テーブルＴＳから、検証領域ＭＲ３に含まれるパターンｉの仕様Ｌ／Ｓおよびその座標を取得する（ステップＳ３）。取得された仕様Ｌ／Ｓの出力例を図１３の紙面下部に示す。
【００３８】
次いで、比較検証部６０により、パターンｉの仕様からＧＤＳ上で対応する座標にある線パターン集合の測長結果を読み込み（ステップＳ４）、引き続いて、図１３の矢印に示すように、線パターン集合のＬ／Ｓ測長結果とそれに対応する仕様Ｌ／Ｓとの比較をそれぞれの座標を用いて行い（ステップＳ５）、Ｌ／Ｓが一致しなければそのＬ／Ｓの値と、そのパターンが含まれる線パターン集合の基準座標を出力する（ステップＳ６）。以上の手順を、対応する線パターン集合の全てについて行う（ステップＳ７，Ｓ８，Ｓ３〜Ｓ６）。
【００３９】
本実施形態によれば、マスクデータ上の膨大な配線パターンの形状、幅およびスペース幅を正確に検証することができるので、仕様に正しく沿ったマスクパターンの提供を保証することが可能になる。これにより、パターンの描画ミスに起因して高額なマスクを無駄にする危険性を抑えることができる。また、ウェーハ上に形成することが可能な配線パターンおよびスペースの組み合わせを正確に導出することが可能となり、より精密なデザインルールの構築に貢献することができる。
【００４０】
本実施形態では、全ての線パターン集合について測長した後、パターンの仕様を一つずつ読み込んで比較検証を行うこととしたが、本発明はこれに限ることなく、最初に全ての線パターン集合について測長して仕様を読み込んだ後に、比較検証を一つずつ行ってもよいし、一つのパターンを測長する度にその仕様を使って比較検証を行うこととしてもよい。この点は、以下の実施例についても同様である。
【００４１】
本実施形態の変形例を図１４のブロック図に示す。図５との対比により明らかなように、本変形例のマスクパターン検証装置２では、ＤＲＣ実行部２０２とマスクレイアウトデータ取得部２０４との位置が入れ替わっており、マスクレイアウトデータを取得した後にＤＲＣを実行する。これにより、ＤＲＣ実行部２０２が検証するマスクレイアウトデータが検証領域の範囲に絞られるので、図５のマスクパターン検証装置１よりも短時間でＤＲＣ実行部２０２の処理が終了するという利点がある。
【００４２】
本変形例のマスクパターン検証装置２のその他の構成は図５に示すマスクパターン検証装置１と実質的に同一であり、また、本変形例のマスクパターン検証方法の手順も図６と実質的に同一である。
【００４３】
（２）第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態について図１５乃至図１９を参照しながら説明する。本実施形態は、マスクレイアウト設計仕様内のＬ／Ｓパターン仕様テーブルＴＳに各線パターン集合の基準座標が明示されていない場合に好適である。
【００４４】
図１５は、本実施形態のマスクパターン検証装置の概略構成を示すブロック図である。図１５に示すマスクパターン検証装置３の特徴は、比較検証部６０に代えて、測長されたパターンに対応する仕様Ｌ／Ｓ中のパターンを測長時に取得したパターン番号／パターン名で特定した上で比較検証する比較検証部６２を備え、マスクデータ測長部２０６での線パターン集合と比較検証すべき仕様をパターン番号／パターン名で特定し、比較検証部６２により仕様Ｌ／Ｓと測長結果とを比較検証する点にある。本実施形態において、メモリＭＲ２中のマスクデータおよびメモリＭＲ３中のマスクレイアウト設計仕様には各パターンの番号／名称が対応づけられて格納されている。
【００４５】
図１６は、本実施形態のマスクパターン検証方法の概略手順を示すフローチャートである。本実施形態では、仕様Ｌ／Ｓ取得部４０がマスクレイアウトの仕様Ｌ／Ｓを読み取り（ステップＳ２１）、Ｌ／Ｓ測長ユニット２０によりマスクパターンデータを順次測長する（ステップＳ２２、Ｓ２３）。マスクパターンデータの測長に伴い、測長したパターンデータのパターン番号／パターン名を取得し、比較検証部６２が測長結果およびパターン番号／パターン名を読み取るとともに、読み取られた測長結果に対応して比較検証すべき仕様Ｌ／Ｓをパターン番号／パターン名で特定し、得られた測長結果と、対応する仕様Ｌ／Ｓとを比較して一致するかどうか判定する（ステップＳ２４）。一致していない場合には、不一致のＬ／Ｓをパターンｉのマスク上の座標とともにエラーとして出力する（ステップＳ２５）。一致している場合には、上記手順を測長が終わるまで（ステップＳ２６）繰り返す（ステップＳ２７、Ｓ２２〜Ｓ２６）。
【００４６】
本実施形態によるマスクデータ測長部２０６での出力例と、それぞれのパターンに対応する仕様ライン幅（Ｌ）・スペース幅（Ｓ）の出力例とを、取得したパターン番号で対応づけて、図１７の紙面上部および下部にそれぞれ示す。
【００４７】
なお、本実施形態では、パターン番号／パターン名で対応を取って比較検証したが、パターン名により比較対照を特定しない場合は、例えばパターン作成時に仕様に書かれた順序でパターンを作成して順々に並べ、並べられた順序で測長結果をメモリに格納し、先頭から順次仕様Ｌ／Ｓと比較することも可能である。その際、並べられたパターン順序を前述のパターン番号として規定することも可能である。
【００４８】
図１８は、本実施形態の変形例であるマスクパターン検証装置４を示すブロック図であり、図１９は、本変形例のマスクパターン検証方法の概略手順を示すフローチャートである。図１４の変形例と同様に、ＤＲＣ実行部２０２がマスクデータ取得部２０４とマスクデータ測長部２０６との間に設けられ、これによりマスクデータを取得した後にＤＲＣが実行される。これにより、ＤＲＣ実行部２０２が検証するマスクデータが検証領域の範囲に絞られるので、図１５に示すマスクパターン検証装置３と比較してより短時間にＤＲＣ実行部２０２の処理を終了させることができる。
【００４９】
（３）第３の実施の形態
本発明の第３の実施の形態について図２０乃至図２４を参照しながら説明する。
【００５０】
図２０は、本実施形態のマスクパターン検証装置の概略構成を示すブロック図である。図５との対比により明らかなように、図２０に示すマスクパターン検証装置５は、マスクデータ測長部２０６に代えて、出力データ変換部２６６をさらに含むマスクデータ測長部２０８を備え、仕様Ｌ／Ｓ取得部４０と比較検証部６０に代えて、仕様Ｌ／Ｓテーブル取得部１４０とテーブル検証部４４を備える。
【００５１】
出力データ変換部２６６は、マスクデータ測長結果を仕様Ｌ／Ｓテーブルと同様のテーブル形式に変換する。以下では、テーブル形式に変換された測長結果をＬ／Ｓ測長テーブルという。Ｌ／Ｓ測長テーブルの出力例を図２１の紙面下部に示す。また、このような測長結果の形式に合致させるように、仕様Ｌ／Ｓテーブル取得部１４０も、検証領域によって指定された領域の仕様Ｌ／Ｓをマスクレイアウト設計仕様から前述のＬ／Ｓ測長テーブルと同形式のテーブル形式のままで取得する。
【００５２】
図２２は、本実施形態のマスクパターン検証方法の概略手順を示すフローチャートである。
【００５３】
まず、ＤＲＣ実行部２０２によりＤＲＣを実行した後、マスクデータを取得して線パターン集合を測長し（ステップＳ４１）、測長結果を出力データ変換部２６６によりＬ／Ｓ測長テーブルへ変換する（ステップＳ４２）。
【００５４】
次に、仕様Ｌ／Ｓテーブル取得部１４０により、検証領域によって指定された領域の仕様Ｌ／Ｓをマスクレイアウト設計仕様からテーブル形式のままで取得し、テーブル検証部４４により仕様Ｌ／Ｓを読み込む（ステップＳ４３）。
【００５５】
次に、マスクデータ測長部２０８の出力データ変換部２６６により作成されたマスクデータのＬ／Ｓ測長テーブルをテーブル検証部４４により読み込む（ステップＳ４４）。
【００５６】
続いて、テーブル検証部４４によりマスクデータのＬ／Ｓ測長テーブルと仕様Ｌ／Ｓテーブルの各マスの値を、双方の基準座標を対応させた上で一つずつ比較する（ステップＳ４５）。次いで、対応するマス同士で一致しているかどうかをテーブル検証部４４により判定し（ステップＳ４６）、不一致のマスがある場合には、そのＬ／Ｓを該当するマスクパターンの基準座標とともにエラーとして出力する（ステップＳ４７）。以上の手順を、検証領域のマスクデータの全てについて比較する（ステップＳ４８）。
【００５７】
図２３は、本実施形態の変形例であるマスクパターン検証装置６を示すブロック図であり、図２４は本変形例のマスクパターン検証方法の概略手順を示すフローチャートである。図１８の変形例と同様に、ＤＲＣ実行部２０２がマスクデータ取得部２０４とマスクデータ測長部２０８との間に設けられ、これによりマスクデータを取得した後にＤＲＣが実行される。これにより、ＤＲＣ実行部２０２が検証するマスクデータが検証領域の範囲に絞られるので（図２４、ステップＳ５２）、図１５に示すマスクパターン検証装置３と比較してより短時間にＤＲＣ実行部２０２の処理を終了させることができる。
【００５８】
（４）第４の実施の形態
上述した第３の実施の形態では、マスクデータ中にマスクパターンの基準座標が明示されている場合に適用される形態であるが、本実施形態は、第２の実施の形態と同様に、基準座標が明示されていない場合に第３の実施の形態を適用させた形態である。
【００５９】
図２５のブロック図に、本実施形態によるマスクパターン検証装置の概略構成を示す。図２０との対比により明らかなように、本実施形態のマスクパターン検証装置７は、仕様Ｌ／Ｓテーブル取得部１４０とテーブル検証部４４との間に接続された仕様Ｌ／Ｓテーブルソート部１５０をさらに備え、これによりマスクデータ測長部２０８での線パターン集合の測長順に、比較検証すべき仕様Ｌ／Ｓをソートする。
【００６０】
本実施形態によるマスクパターン検証方法の概略手順を図２６のフローチャートに示す。図２２との対比により明らかなように、本実施形態では、マスクのＬ／Ｓ測長テーブルと仕様Ｌ／Ｓテーブルとの比較に際して各マスの先頭から一つずつ順に比較している（ステップＳ７５）。そして、対応するマス同士で一致しないマスがあった場合（ステップＳ７６）は、不一致のマスのＬ／Ｓを、該当パターンのマスク上の座標とともに、比較結果出力部７０によりエラーとして出力する（ステップＳ７７）。図２６のその他の手順は図２１のフローチャートの各ステップ番号に３０を加算しただけであり、実質的に同一である。
【００６１】
本実施形態の変形例として、ＤＲＣ実行部２０２とマスクデータ取得部２０４との配置を置換した例を図２７に示す。本変形例のマスクパターン検証方法の概略手順を図２８のフローチャートに示す。図２７に示すマスクパターン検証装置８によれば、マスクデータを取得した後にＤＲＣが実行されるので、ＤＲＣ実行部２０２が検証するマスクデータが検証領域の範囲に絞られ（図２８、ステップＳ８２）、図２３に示すマスクパターン検証装置７と比較してより短時間にＤＲＣ実行部２０２の処理を終了させることができる。
【００６２】
（５）第５の実施の形態
上述した第１乃至第４の実施の形態では、例えば図４のＬ／Ｓパターン仕様テーブルＴＳに示したように、仕様Ｌ／Ｓを予め任意に指定していた。しかしながら、各線パターンの中心を移動させることなく、ライン幅のみを変動させたい場合もある。このような場合は、図２９に示すように、デフォルトのライン幅ＴＤに対して、変動させたいラインとその変動量を与える幅振りテーブルＴＷを与え、これらから仕様Ｌ／ＳテーブルＴＳＰを作成すればよい。仕様Ｌ／ＳテーブルＴＳＰの各マスの上段はそのラインまたはスペースの幅を、下段はデフォルトの幅に対する変動量を示す。線パターン集合のバリエーションは、変動テーブルの各ラインの変動量の全組み合わせに相当し、例えば変動テーブルＴＷでは４本のラインに対して変動量がそれぞれ３種類与えられているので、３の４乗で全８１パターンの線パターン集合の仕様Ｌ／Ｓを作成することができる。本実施形態によるマスクパターン検証方法を、例えば図４のマスクレイアウト設計仕様を変更したときのマスクレイアウト設計仕様を図３０に示す。
【００６３】
本実施形態に基づき、上述した第１乃至第４の実施の形態で示した検証方法で用いた仕様形式（例えば図４等に示す仕様形式）を、変動させたいラインとその変動量を与える幅振りテーブルに変化させることは、適宜適用可能であれる。また、このような仕様形式および測長結果の選択は、上述した第１乃至第４の実施の形態で示した検証装置を用いて、実現可能である。
【００６４】
（６）プログラム
上述したマスクパターン検証方法の一連の手順は、コンピュータに実行させるプログラムに組み込み、フレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納してコンピュータに読込ませて実行させても良い。これにより、本発明にかかるマスクパターン検証方法を、汎用コンピュータを用いて実現することができる。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の携帯可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でも良い。また、上述したマスクパターン検証方法の一連の手順を組込んだプログラムをインターネット等の通信回線（無線通信を含む）を介して頒布しても良い。さらに、上述したマスクパターン検証方法の一連の手順を組込んだプログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布しても良い。
【００６５】
（７）半導体装置の製造方法
上述したマスクパターン検証方法により、仕様に正しく沿ったマスクパターンが提供されるとともに、ウェーハ上に形成することが可能な配線パターンおよびスペースの組み合わせを正確に導出することが可能となるので、より精密なデザインルールを構築でき、このようなデザインルールをレイアウト設計に反映させれば半導体チップ製造時の歩留まりが向上し、最終的にチップの設計コストおよび製造コストを低減させることができる。また、ミスを抑えられるのでＴＡＴ（Ｔｕｒｎ  Ａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）の改善も見込める。
【００６６】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記形態に限るものでは決してなく、その技術的範囲内で種々変形して実施できることは勿論である。
【００６７】
例えば、図６では、パターンｉの仕様Ｌ／Ｓを読み込んでから線パターン集合の測長結果を読み込むこととしたが、順々に読み込みさえすれば、どちらを先に読み込んでも良く、例えば線パターン集合の測長結果を読み込んだ後にパターンｉの仕様Ｌ／Ｓを読み込無こととしてもよい。この点は、図２２のステップＳ４２とＳ４３、図２６のステップＳ７３とＳ７４などについても同様である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】半導体装置製造用のマスクデータの一例を説明する図である。
【図２】縦長形状の線パターンについてのマスクデータの全体像の具体例を示す説明図である。
【図３】横長形状の線パターンについてのマスクデータの全体像の具体例を示す説明図である。
【図４】マスクレイアウト設計仕様の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態によるマスクデータ検証装置の概略構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態によるマスクパターン検証方法の概略手順を示すフローチャートである。
【図７】ＤＲＣルールの一例を示す説明図である。
【図８】エラーパターンの抽出例を示す説明図である。
【図９】マスクデータ上での線パターン集合の測長方法の概略手順を示すフローチャートである。
【図１０】指定の線パターン集合の各ライン幅およびスペース幅を測長する処理の一例の説明図である。
【図１１】指定の線パターン集合の各ライン幅およびスペース幅を測長する処理の他の例の説明図である。
【図１２】指定の線パターン集合の各ライン幅およびスペース幅を測長する処理のさらに他の例の説明図である。
【図１３】線パターン集合のＬ／Ｓ測長結果とそれに対応する仕様Ｌ／Ｓとの比較を説明する図である。
【図１４】図５に示すマスクパターン検証装置の変形例を示すブロック図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態によるマスクパターン検査装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態によるマスクパターン検査方法の概略手順を示すフローチャートである。
【図１７】図１６のマスクパターン検査方法により出力された測長結果と各パターンに対応する仕様Ｌ／Ｓの出力例を示す説明図である。
【図１８】図１５に示すマスクパターン検証装置の変形例を示すブロック図である。
【図１９】図１６に示すマスクパターン検証方法の変形例を示すフローチャートである。
【図２０】本発明の第３の実施の形態によるマスクパターン検査装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２１】Ｌ／Ｓ測長テーブルの一例とテーブル形式の仕様Ｌ／Ｓの一例とを示す説明図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態によるマスクパターン検査方法の概略手順を示すフローチャートである。
【図２３】図２０に示すマスクパターン検証装置の変形例を示すブロック図である。
【図２４】図２２に示すマスクパターン検証方法の変形例を示すフローチャートである。
【図２５】本発明の第４の実施の形態によるマスクパターン検査装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２６】本発明の第４の実施の形態によるマスクパターン検査方法の概略手順を示すフローチャートである。
【図２７】図２５に示すマスクパターン検証装置の変形例を示すブロック図である。
【図２８】図２６に示すマスクパターン検証方法の変形例を示すフローチャートである。
【図２９】本発明の第５の実施の形態によるマスクパターン検査方法の説明図である。
【図３０】本発明の第５の実施の形態によるマスクパターン検査方法を図５のマスクレイアウト設計仕様に適用したときのマスクレイアウト設計仕様を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１〜１５：マスクパターン検証装置
２０：Ｌ／Ｓ測長ユニット
４０：仕様Ｌ／Ｓ取得部
４４：テーブル検証部
６０，６２：比較検証部
７０：比較結果出力部
２０２：ＤＲＣ実行部
２０４：マスクレイアウトデータ取得部
２０６：マスクデータ測長部
ＴＳ：Ｌ／Ｓパターン仕様テーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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