(57)【要約】【課題】膜厚低下の原因となるエッチング元素の残留を低減させる。【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、Ｆ２エッチングガスを処理室２０１に供給するガス供給管２３２ｂ等のエッチングガス供給手段と、水素ラジカルを処理室２０１に供給する水素ラジカル供給手段と、前記エッチングガス供給手段及び前記水素ラジカル供給手段を制御するコントローラ２８０と、を備える。コントローラ２８０は、前記エッチングガス供給手段にＦ２エッチングガスを処理室２０１に供給させ、その後前記水素ラジカル供給手段に前記水素ラジカルを処理室２０１に供給させる。【選択図】図１０
2009027011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
フッ素系エッチングガス、塩素系エッチングガス又は前記フッ素系エッチングガスと前記塩素系エッチングガスとを組み合わせた混合エッチングガスのいずれかのエッチングガスを前記処理室に供給するエッチングガス供給手段と、
水素ラジカルを前記処理室に供給する水素ラジカル供給手段と、
前記エッチングガス供給手段及び前記水素ラジカル供給手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段が、前記エッチングガス供給手段に前記エッチングガスを前記処理室に供給させ、その後前記水素ラジカル供給手段に前記水素ラジカルを前記処理室に供給させることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関し、特にエッチングガスによるクリーニング後の基板の処理を円滑に行うのに有用な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ＤＲＡＭの高密度化、多層配線化に伴い、低温での成膜が要求され、更に、表面の平坦性、凹部埋込み性、ステップカバレッジ性に優れかつ異物の少ない成膜方法や装置運用が求められている。異物の制御に関しては、従来は反応管を取り外してウエットエッチング（液浸洗浄）することが行われていたが、最近では反応管を取り外すことなく、ガスクリーニングにより反応管の内壁に付着した膜を除去する方法が一般的に行われるようになっている。
【０００３】
ガスクリーニングの方法としては、プラズマによりエッチングガスを励起させる方法と熱によりエッチングガスを励起させる方法とがある。プラズマによるエッチングはプラズマ密度の均一性、バイアス電圧制御の観点から枚葉装置で用いられることが多い。他方、熱によるエッチングは縦型装置で用いられることが多い。反応管の内壁やボート等の冶具からの膜の剥離を抑えるため、エッチング処理は一定の厚さの膜を形成するごとに実施される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
加熱によるエッチング処理を行う場合、エッチング処理後に成膜した膜の膜厚が目標膜厚（エッチング前膜厚）に対して減少することがある。一例として、図１に、ジクロロシラン（ＤＣＳ：Dichlorosilane）とアンモニア（ＮＨ３）とを混合して形成するＳｉ３Ｎ４成膜においてＦ２ガスによるクリーニング後の膜厚の推移を示した。Ｓｉ３Ｎ４の膜厚は、Ｆ２ガスによるクリーニング直後は目標膜厚に対しておおよそ３％程度低下するのがわかる。図１の評価からＳｉ３Ｎ４膜の膜厚を回復させるには、Ｓｉ３Ｎ４膜を３００ｎｍ以上形成させる必要がある。
【０００５】
この膜厚の低下量は、Ｆ２ガスの供給時間や供給圧力により変わり、時間が長いほど又は圧力が高いほど大きくなることが知られている。この膜厚の減少を防ぐための方法として従来から用いられてきた手法は、上記で述べたように「プリデポ」と呼ばれるＳｉ３Ｎ４膜を形成する方法である。しかし、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚を回復させるために数回のプリデポを行うと、時間ロスが生じ、また次のＦ２ガスによるエッチングを行うまでの実質的なＳｉ３Ｎ４膜の成膜回数が減るという問題があった。
【０００６】
したがって、本発明の主な目的は、膜厚低下の原因となるエッチング元素の残留を低減させることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、
基板を処理する処理室と、
フッ素系エッチングガス、塩素系エッチングガス又は前記フッ素系エッチングガスと前記塩素系エッチングガスとを組み合わせた混合エッチングガスのいずれかのエッチングガスを前記処理室に供給するエッチングガス供給手段と、
水素ラジカルを前記処理室に供給する水素ラジカル供給手段と、
前記エッチングガス供給手段及び前記水素ラジカル供給手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段が、前記エッチングガス供給手段に前記エッチングガスを前記処理室に供給させ、その後前記水素ラジカル供給手段に前記水素ラジカルを前記処理室に供給させることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、水素ラジカル供給手段を備えており、制御手段がエッチングガスを処理室に供給させた後に水素ラジカルを処理室に供給させるから、処理室内に残留したエッチングガス由来のフッ素や塩素が水素ラジカルと反応してフッ化水素又は塩化水素となり、排気可能となる。そのため、膜厚低下の原因となるエッチング元素であるフッ素や塩素が処理室内に残留するのを抑制することができ、エッチング元素の処理室内への残留を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、図面を参照しながら本発明の好ましい実施例を説明する。
【００１０】
［エッチング原理］
まず始めに、エッチング後の膜厚が低下する原因について考えてみる。
一例として、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法によりＳｉ３Ｎ４膜が形成された処理室内にＦ２を供給した場合を想定すると、その反応は次のようになると考えられる。
【００１１】
（ｉ）Ｆ２によるＳｉ３Ｎ４のエッチング
Ｓｉ３Ｎ４＋６Ｆ２→３ＳｉＦ４＋２Ｎ２  …  （１）
（ｉｉ）Ｆ原子の石英管（反応管）への吸着
（ｉｉｉ）Ｓｉ３Ｎ４成膜
３ＳｉＨ２Ｃｌ２＋４ＮＨ３→Ｓｉ３Ｎ４＋６ＨＣｌ＋６Ｈ２  …  （２）
【００１２】
（ｉｖ）Ｆ原子（ラジカル）の処理室内への脱離
（ｖ）Ｓｉ３Ｎ４成膜中において気相中でＤＣＳとＦ原子の反応
ＳｉＨ２Ｃｌ２＋４Ｆ＊→ＳｉＦ４＋２ＨＣｌ  …  （３）
（ｖｉ）Ｓｉ３Ｎ４膜のＦ原子によるエッチング
Ｓｉ３Ｎ４＋１２Ｆ＊→３ＳｉＦ４＋２Ｎ２  …  （４）
【００１３】
ここで（ｉ），（ｉｉ）の工程はＦ２によるエッチングとＦ原子の吸着を表している。Ｆ原子は石英管（反応管）の内壁のみならず、炉口付近の断熱板やシールキャップ部分など比較的低温の部分にも吸着する。
【００１４】
（ｉｖ），（ｖ），（ｖｉ）工程がＳｉ３Ｎ４成膜時における膜厚低下の原因となるステップである。（ｉ），（ｉｉ）で反応管に吸着したＦ原子は処理室内を加熱、真空に排気すると、気相中に脱離して工程（ｖ）で示すように原料ガスとしてのＳｉＨ２Ｃｌ２（又は中間生成物）と反応し、原料ガスの濃度を実質的に下げる要因となる。また、工程（ｖｉ）で示したように成膜されたＳｉ３Ｎ４膜に脱離したＦ原子が吸着反応してエッチングが進むことが考えられ、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚低下の原因となっている。これらの原因検討からその対策を考えてみると、吸着、脱離するＦ原子を低減させればよいと考えられる。
【００１５】
そこで、本発明の好ましい実施例では、Ｆ２ガスを用いたエッチングにより石英管（反応管）や金属部材の表面等に吸着したＦ原子を効率的に除去する方法を提案する。Ｆ原子の除去方法として、例えば次の３つを提案することができる。
【００１６】
第１の方法は、処理室内にＨ２Ｏを供給する方法である。加熱励起された水分子（Ｈ２Ｏ）は開烈してＨＯ＊とＨ＊を生じる。
Ｈ２Ｏ→ＨＯ＊＋Ｈ＊  …  （５）
活性な水素ラジカル（Ｈ＊）は気相中に脱離したＦ原子と反応してＨＦを形成して排気される。
Ｈ＊＋Ｆ＊→ＨＦ  …  （６）
【００１７】
第２の方法は、水素又は水素化合物（ＮＨ３など）のプラズマ励起により生じた水素ラジカルを用いる方法である。
水素プラズマを用いる場合は、
Ｈ２→Ｈ＊＋Ｈ＊  …  （７）
ＮＨ３プラズマを用いる場合は、
ＮＨ３→ＮＨ２＊＋Ｈ＊  …  （８）
活性な水素ラジカル（Ｈ＊）は式（６）で示される反応によりＦ原子と反応してＨＦを形成して排気される。
【００１８】
第３の方法は、ＮＨ３の熱分解を用いる方法である。
ＮＨ３は加熱されて式（８）で示すように水素ラジカル（Ｈ＊）を生成する。生成された活性なＨ＊は式（６）で示されるようにＦ原子と反応してＨＦを形成して排気される。
【００１９】
図２は、Ｆ２エッチングを行った後にＳｉ３Ｎ４膜を形成する場合の各バッチごとの膜厚と膜厚低減率をプロットしたものである。
Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚は、３バッチのプリデポを行うことにより、エッチング前の膜厚に回復する。Ｒｕｎ１では３％の減少率であったが、Ｒｕｎ２，Ｒｕｎ３では１．４％，０．９％と成膜を重ねるごとに低減率は減少して、Ｒｕｎ４でエッチング前の膜厚となる。これはＳｉ３Ｎ４成膜中に発生する水素ラジカルが式（６）の反応により処理室内に吸着、脱離するＦ＊を消費、低減させたと考えられる。
【００２０】
図３は、第２の方法であるＮＨ３プラズマ処理を行った場合のＳｉ３Ｎ４膜の膜厚推移を示したものである。
Ｆ２エッチングを行った後にも係わらず、ＮＨ３プラズマ処理を行うことによりＦ＊の影響を排除できており、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚は低下することなく一定の値を示している。
【００２１】
次に、処理室への水素ラジカル供給工程について説明する。
【００２２】
まず、従来より行われているプリデポを用いる方法の工程を図４に示す。
プリデポはＳｉ３Ｎ４膜の成膜と同等の成膜条件で行われる。Ｆの影響を排除するためには２００〜３００ｎｍの膜厚のＳｉ３Ｎ４膜を形成することが必要である。これは連続で成膜してもよいし、分割で成膜してもよい。
【００２３】
これに対し、吸着したＦ低減のための上記第１の方法は、Ｆ２エッチングした後にＨ２Ｏ処理を行う方法である。図５にＨ２Ｏ処理工程を示した。Ｈ２ＯはバブラーあるいはＰｔ触媒によるＨ２Ｏ供給装置を用いて行う。
【００２４】
Ｆ低減のための上記第２の方法は、Ｈ２プラズマ又はＮＨ３プラズマによる前処理である。図６にＨ２プラズマ又はＮＨ３プラズマによる前処理工程を示した。プラズマ処理では通常１３．５６ＭＨｚの高周波でＨ２又はＮＨ３が励起され、一定時間プラズマ処理した後に処理室内はＮ２によりパージされる。
【００２５】
Ｆ低減のための上記第３の方法は、加熱励起によるＮＨ３前処理である。図７にＮＨ３の熱分解による前処理工程を示した。ＮＨ３の熱分解処理は、プラズマ処理に比べるとＮＨ３の励起される割合は小さいものの同等の効果が得られる。
【００２６】
次に、上記［エッチング原理］で説明した事項を踏まえて、本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置やＦ原子の除去方法についてより詳細に説明する。以下の説明では、実施例１において上記第１の方法（図５参照）を実施するための構成やその方法を例示し、実施例２において上記第２の方法（図６参照）を実施するための構成やその方法を例示し、実施例３において上記第３の方法（図７参照）を実施するための構成やその方法を例示している。
【実施例１】
【００２７】
［装置構成］
始めに、図８，図９を参照しながら、本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置について説明する。
【００２８】
図８，図９に示す通り、半導体デバイス製造装置１０１では、シリコン等の材料から構成されるウエハ２００を収納したウエハキャリアとしてのカセット１１０が使用される。半導体デバイス製造装置１０１は筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの下方にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設されている。正面メンテナンス口１０３には開閉自在な正面メンテナンス扉１０４が建て付けられている。
【００２９】
メンテナンス扉１０４には、カセット搬入搬出口１１２が筐体１１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１１２はフロントシャッタ１１３によって開閉されるようになっている。
【００３０】
カセット搬入搬出口１１２の筐体１１１内側にはカセットステージ１１４が設置されている。カセット１１０は、工場内搬送装置（図示略）によって、カセットステージ１１４上に搬入されたり、カセットステージ１１４上から搬出されたりされるようになっている。
【００３１】
カセットステージ１１４は、工場内搬送装置によって、カセット１１０内でウエハ２００が垂直姿勢を保持し、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１後方に右回り縦方向９０°回転し、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１後方を向くように動作可能となるよう構成されている。
【００３２】
筐体１１１内の前後方向の略中央下部には、カセット棚１０５が設置されている。カセット棚１０５は複数段複数列にわたり複数個のカセット１１０を保管するように構成されている。カセット棚１０５にはウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。また、カセットステージ１１４の上方には予備カセット棚１０７が設置されており、予備のカセット１１０を保管するように構成されている。
【００３３】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間にはカセット搬送装置１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ１１８ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構１１８ｂとで構成されている。カセット搬送装置１１８は、カセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連続動作により、カセット１１０をカセットステージ１１４とカセット棚１０５と予備カセット棚１０７との間で搬送するようになっている。
【００３４】
カセット棚１０５の後方にはウエハ移載機構１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとで構成されている。ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは耐圧筐体１１１の右側端部に設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃでウエハ２００をピックアップしてそのウエハ２００をボート２１７に装填（チャージング）したり、ボート２１７から脱装（ディスチャージング）したりするように構成されている。
【００３５】
図８，図９に示す通り、筐体１１１の後部上方には処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は炉口シャッタ１４７により開閉されるように構成されている。
【００３６】
処理炉２０２の下方にはボート２１７を処理炉２０２に昇降させるためのボートエレベータ１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５には連結具としてのアーム１２８が連結されており、アーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持するもので、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
【００３７】
ボート２１７は複数の保持部材を備えており、複数枚（例えば５０〜１５０枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００３８】
図８，図９に示す通り、カセット棚１０５の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ａが設置されている。クリーンユニット１３４ａは、供給ファン及び防塵フィルタで構成されており、クリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。
【００３９】
ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びボートエレベータ１１５側と反対側である筐体１１１の左側端部にも、クリーンエアを供給するクリーンユニット（図示略）が設置されている。当該クリーンユニットもクリーンユニット１３４ａと同様に供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。当該クリーンユニットから供給されたクリーンエアはウエハ移載装置１２５ａ、ボート２１７等の近傍を流通し、その後に筐体１１１の外部に排気されるようになっている。
【００４０】
次に、半導体デバイス製造装置１０１の動作について説明する。
【００４１】
図８，図９に示す通り、カセット１１０がカセットステージ１１４に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。その後、カセット１１０はカセット搬入搬出口１１２からカセットステージ１１４上に搬入される。このとき、カセット１１０内のウエハ２００は垂直姿勢に保持され、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
【００４２】
その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように、右周り縦方向９０°回転させられる。
【００４３】
次に、カセット１１０は、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へカセット搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７からカセット搬送装置１１８によって移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
【００４４】
カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ２００はカセット１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、移載室１２４の後方にあるボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
【００４５】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）される。
【００４６】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理（後述参照）が実施される。処理後は、上記と逆の手順で、カセット１１０及びウエハ２００が筐体１１１の外部に搬出される。
【００４７】
［処理炉構成］
図１０，図１１を参照しながら、前述した基板処理装置に使用される処理炉２０２について説明する。本実施例では、特にＳｉ３Ｎ４膜のＦ２エッチングを例として説明する。
【００４８】
本実施例に係る処理炉にはＤＣＳ，ＮＨ３，Ｈ２Ｏ，Ｆ２の各ガスが導入され、特に成膜時には処理ガスとしてＤＣＳ，ＮＨ３が導入され、エッチング時にはＦ２が導入される。そして、エッチング後の処理としてＨ２Ｏの処理が行われる。
【００４９】
図１０に示す通り、処理炉２０２には加熱装置であるヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７の内側には、基板の一例であるウエハ２００を収容可能な反応管２０４が設けられている。反応管２０４は石英で構成されている。反応管２０４の下方には、例えばステンレス等よりなるマニホールド２０３が設けられている。反応管２０４の下部およびマニホールド２０３の上部には、それぞれ環状のフランジが形成されている。
【００５０】
反応管２０４とマニホールド２０３との各フランジ間にはＯリング２２０が設けられており、反応管２０４とマニホールド２０３との間が気密にシールされている。マニホールド２０３の下部は、Ｏリング２２０を介して蓋体であるシールキャップ２１９により気密に閉塞されている。処理炉２０２では、少なくとも、反応管２０４、マニホールド２０３及びシールキャップ２１９によりウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。
【００５１】
シールキャップ２１９には、ボート支持台２０８を介して基板保持部材であるボート２１７が立設されている。ボート支持台２０８はボート２１７を保持する保持体となっている。ボート２１７はボート支持台２０８に支持された状態で反応管２０４のほぼ中央部に配置され、処理室２０１に挿入されている。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢を保持しながら図１０中上下方向に多段に積載されている。処理室２０１に収容されたウエハ２００はヒータ２０７により所定の温度に加熱される。
【００５２】
ボート２１７はボートエレベータ１１５（図８参照）により図１０中上下方向に昇降自在となっており、反応管２０４に出入り（昇降）することができるようになっている。ボート２１７の下方には処理の均一性を向上する為にボート２１７を回転させるためのボート回転機構２６７が設けられており、ボート回転機構２６７により、ボート支持台２０８に保持されたボート２１７を回転させることができるようになっている。
【００５３】
本実施例では、４種類のガスを供給する４本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂ，２３２ｃ，２３２ｄが設けられている。
【００５４】
ガス供給管２３２ａ，２３２ｂには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ、及び開閉弁であるバルブ２４２ａ，２４２ｂが設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂにはキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３４ａが接続されている。キャリアガス供給管２３４ａには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４０ａ、及び開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。
【００５５】
ガス供給管２３２ａ，２３２ｂの端部はノズル２５２に接続されている。ノズル２５２は、処理室２０１を構成している反応管２０４の内壁とウエハ２００との間の円弧状の空間を図１０中上下方向に延在している。ノズル２５２の側面には複数のガス供給孔２５３が形成されている。ガス供給孔２５３は互いに同一の開口面積を有し、下方から上方にわたり同一の開口ピッチで形成されている。
【００５６】
ガス供給管２３２ｃには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４１ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４２ｃが設けられている。ガス供給管２３２ｃにはキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３４ｂが接続されている。キャリアガス供給管２３４ｂには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４０ｂ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｂが設けられている。
【００５７】
ガス供給管２３２ｃの端部はノズル２５５に接続されている。ノズル２５５は、処理室２０１を構成している反応管２０４の内壁とウエハ２００との間の円弧状の空間を図１０中上下方向に延在している。ノズル２５５の側面には複数のガス供給孔２５６が形成されている。ガス供給孔２５６は互いに同一の開口面積を有し、下方から上方にわたり同一の開口ピッチで形成されている。
【００５８】
ガス供給管２３２ｄには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４１ｄ、及び開閉弁であるバルブ２４２ｄが設けられている。ガス供給管２３２ｄにはキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３４ｃが接続されている。キャリアガス供給管２３４ｃには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４０ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｃが設けられている。
【００５９】
ガス供給管２３２ｄの端部はノズル２５８に接続されている。ノズル２５８は、処理室２０１を構成している反応管２０４の内壁とウエハ２００との間の円弧状の空間を図１０中上下方向に延在している。ノズル２５８の側面には複数のガス供給孔２５９が形成されている。ガス供給孔２５９は互いに同一の開口面積を有し、下方から上方にわたり同一の開口ピッチで形成されている。
【００６０】
本実施例では、ガス供給管２３２ａにはＤＣＳが、ガス供給管２３２ｂにはＦ２が、ガス供給管２３２ｃにはＮＨ３が、ガス供給管２３２ｄにはＨ２Ｏが流入される。またガス供給管２３４ａ，２３４ｂ，２３４ｃにはＮ２が流入される。
【００６１】
処理室２０１にはガスを排気するガス排気管２３１の一端部が接続されている。ガス排気管２３１の他端部は真空ポンプ２４６に接続されており、処理室２０１の内部を真空排気することができるようになっている。ガス排気管２３１にはバルブ２４３ｅが設けられている。バルブ２４３ｅは、弁を開閉して処理室２０１の真空排気・真空排気停止ができるとともに、弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
【００６２】
以上のマスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｄ，２４０ａ〜２４０ｃ、バルブ２４２ａ〜２４２ｄ，２４３ａ〜２４３ｃ，２４３ｅ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等の各部材は、制御部であるコントローラ２８０に接続されている。
【００６３】
コントローラ２８０は、マスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｄ，２４０ａ〜２４０ｃの流量調整、バルブ２４２ａ〜２４２ｄ，２４３ａ〜２４３ｃの開閉動作、バルブ２４３ｅの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７の温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作等を制御するようになっている。
【００６４】
次に、処理炉２０２を用いた成膜処理例について説明する。本実施例では、図１０，図１１のＣＶＤ装置を用いた例について説明する。
【００６５】
まずＦ２エッチングの処理工程から述べる。Ｆ２エッチングでは、ウエハ２００をボート２１７に装填せず、ボート２１７のみを処理室２０２に搬入する。ボート２１７を処理室２０１に搬入した後、後述する以下のステップの処理を順次実行する。
【００６６】
（ステップ１）
Ｆ２ガスを１００％の濃度で、又はＮ２で２０％程度希釈した濃度で用いる。バルブ２４２ｂを開き、Ｆ２ガスをガス供給管２３２ｂからノズル２５２に流入させ、ノズル２５２のガス供給孔２５３から処理室２０１に導入する。Ｆ２ガスを希釈して用いる場合にはバルブ２４３ａも開き、ガス供給管２３４ａからガス供給管２３２ｂにＮ２を流入させる。ステップ１では、処理室２０１内を予め真空に引いておき、バルブ２４３ｅを開いた状態でＦ２ガスを処理室２０１に導入する。
【００６７】
一定時間が経過するごとにバルブ２４３ｅを開閉させ（一定時間ごとにバルブ２４３ｅの開閉を繰り返し）、処理室２０１内をＦ２ガスでエッチングする。エッチングが終了したら、バルブ２４２ｂ，２４３ａを閉じて処理室２０１内を真空引きし、その後バルブ２４３ａを開けて処理室２０１をＮ２ガスでパージする。
【００６８】
なお、エッチングガスとしては、三フッ化アンモニウム（ＮＦ３）ガス、フッ化水素（ＨＦ）ガス、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガス等のＦ含有ガスを用いることもできるし、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）ガス等のＣｌ含有ガスを用いることもできる。
【００６９】
（ステップ２）
ステップ２では、処理室２０１に残留するＦ２を除去するためにＨ２Ｏによる処理を行う。
バルブ２４２ｄを開き、Ｈ２Ｏガスをガス供給管２３２ｄからノズル２５８に流入させ、ノズル２５８のガス供給孔２５９から処理室２０１に導入する。このとき、Ｈ２Ｏガスはヒータ２０７による熱を受けて励起し、水素ラジカルを発生させる。Ｈ２Ｏガスをガス供給管２３２ｄに流入させる際には、バブラー又はＰｔ触媒を用いた水分発生器を用いる。ステップ２では、バルブ２４３ｅを開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気する。
【００７０】
（ステップ３）
ステップ３では、ウエハ２００にＳｉ３Ｎ４膜を形成する。
ボート２１７にウエハ２００を移載してボート２１７を処理室２０１に搬入する。その後、ＤＣＳとＮＨ３ガスとをガス供給管２３２ａ，２３２ｃから処理室２０１に混合供給し、ウエハ２００にＣＶＤ成膜する。
【００７１】
具体的には、バルブ２４２ａを開いてＤＣＳをガス供給管２３２ａからノズル２５２に流入させ、ノズル２５２のガス供給孔２５３から処理室２０１に導入するとともに、バルブ２４２ｃを開いてＮＨ３ガスをガス供給管２３２ｃからノズル２５５に流入させ、ノズル２５５のガス供給孔２５６から処理室２０１に導入する。ＤＣＳの供給量はマスフローコントローラ２４１ａにより制御され、ＮＨ３ガスの供給量はマスフローコントローラ２４１ｃにより制御される。その結果、ウエハ２００にＳｉ３Ｎ４膜が形成される。
【００７２】
なお、処理ガス（ＤＣＳやＮＨ３）の種類を変更することにより、ウエハ２００には、ＳｉＯ２膜、Poly-Ｓｉ膜等のＳｉ系膜や、ＨｆＯ２膜、ＺｒＯ２膜等の高誘電膜を形成することもできる。またステップ１〜３では、好ましくはヒータ２０７を制御して処理室２０１内の温度を３００〜７００℃にする。更にステップ１〜３では、好ましくはバルブ２４３ｅ等を制御して処理室２０１内の圧力を１〜１００００Ｐａとする。
【００７３】
（ステップ４）
ステップ３の処理を複数回繰り返して所定膜厚のＳｉ３Ｎ４膜を形成し、メンテナンス時期がきたら、ステップ１のエッチング処理を再度行う。
【００７４】
以上の本実施例によれば、ステップ１においてＦ２ガスを処理室２０１に供給した後に、ステップ２におけるＨ２Ｏ処理により、Ｈ２Ｏガスを処理室２０１に導入してそのＨ２Ｏガスをヒータ２０７の熱で励起させ、水素ラジカルを発生させるから、処理室２０１に残留したＦ２（Ｆ＊）が当該水素ラジカルと反応してＨＦとしてガス排気管２３１から排気される。そのため、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚低下の原因となるエッチング元素であるＦが処理室２０１内に残留するのを低減させることができ、ひいてはＳｉ３Ｎ４膜の膜厚を回復させるための従来のプリデポ処理も不要となる。
【実施例２】
【００７５】
本実施例２は主には下記の点で実施例１に係る構成や処理内容等と異なっており、それ以外は実施例１と同様である。
【００７６】
本実施例２に係る処理炉２０２はＡＬＤ成膜用に用いられる。処理室２０１にはＤＣＳ，ＮＨ３，Ｆ２の各ガスが導入され、特に成膜時には処理ガスとしてＤＣＳ，ＮＨ３が、エッチング時にはＦ２が導入される。そして、エッチング後の処理としてＮＨ３のプラズマ処理が行われる。
【００７７】
図１２，図１３に示す通り、本実施例では、３種類のガスを供給する３本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂ，２３２ｃが設けられている。
【００７８】
ガス供給管２３２ａ，２３２ｃには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４２ａ，２４２ｃが設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｃにはキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３４ａが接続されている。キャリアガス供給管２３４ａには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４０ａ、及び開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。
【００７９】
ガス供給管２３２ａ，２３２ｃの端部はノズル３００に接続されている。ノズル３００は、処理室２０１を構成している反応管２０４の内壁とウエハ２００との間の円弧状の空間を図１２中上下方向に延在している。ノズル３００の側面には複数のガス供給孔３０２が形成されている。ガス供給孔３０２は互いに同一の開口面積を有し、下方から上方にわたり同一の開口ピッチで形成されている。
【００８０】
ガス供給管２３２ｂには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４１ｂ、及び開閉弁であるバルブ２４２ｂが設けられている。ガス供給管２３２ｂにはキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３４ｂが接続されている。キャリアガス供給管２３４ｂには、上流から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ２４０ｂ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｂが設けられている。
【００８１】
ガス供給管２３２ｂの端部はノズル３１０に接続されている。ノズル３１０は、処理室２０１を構成している反応管２０４の内壁とウエハ２００との間の円弧状の空間を図１２中上下方向に延在している。ノズル３１０の側面には複数のガス供給孔３１２が形成されている。ガス供給孔３１２は互いに同一の開口面積を有し、下方から上方にわたり同一の開口ピッチで形成されている。
【００８２】
ノズル３１０は石英製のノズルカバー２１２で覆われている。ノズルカバー２１２も、処理室２０１を構成している反応管２０４の内壁とウエハ２００との間の円弧状の空間を図１２中上下方向に延在している。ノズルカバー２１２の側面には複数のガス供給孔２１１が形成されている。ガス供給孔２１１は互いに同一の開口面積を有し、下方から上方にわたり同一の開口ピッチで形成されている。
【００８３】
ノズルカバー２１２内には電極２２３，２２４が設置されている。電極２２３，２２４は石英製の保護管２２１，２２２により被覆されている。電極２２３，２２４間には高周波発生器２２６とマッチングボックス２２７が設けられている。電極２２３，２２４間には高周波発生器２２６から一定の高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ）が印加され、プラズマ領域２２５にプラズマが形成される。電極２２３，２２４間に印加された高周波はマッチングボックス２２７により最適化が図られる。なお、高周波発生器２２６とマッチングボックス２２７は後述のコントローラ２８０に接続されており、コントローラ２８０により高周波発生器２２６とマッチングボックス２２７が制御される。
【００８４】
本実施例では、ガス供給管２３２ａにはＤＣＳが、ガス供給管２３２ｂにはＮＨ３が、ガス供給管２３２ｃにはＦ２が流入される。またガス供給管２３４ａ，２３４ｂにはＮ２が流入される。
【００８５】
以上のマスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｃ，２４０ａ〜２４０ｂ、バルブ２４２ａ〜２４２ｃ，２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｅ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等の各部材は、制御部であるコントローラ２８０に接続されている。
【００８６】
コントローラ２８０は、マスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｃ，２４０ａ，２４０ｂの流量調整、バルブ２４２ａ〜２４２ｃ，２４３ａ，２４３ｂの開閉動作、バルブ２４３ｅの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７の温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作等を制御するようになっている。
【００８７】
次に、処理炉２０２を用いた成膜処理例について説明する。本実施例では、図１２，図１３のＡＬＤ装置を用いた例について説明する。
【００８８】
ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる少なくとも２種類の原料となる反応性ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子単位で基板上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。このとき、膜厚の制御は、反応性ガスを供給するサイクル数で行う（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、成膜処理を２０サイクル行う。）。
【００８９】
まずＦ２エッチングの処理工程から述べる。
Ｆ２エッチングでは、ウエハ２００をボート２１７に装填せず、ボート２１７のみを処理室２０２に搬入する。ボート２１７を処理室２０１に搬入した後、後述する以下のステップの処理を順次実行する。
【００９０】
（ステップ１）
Ｆ２ガスを１００％の濃度で、又はＮ２で２０％程度希釈した濃度で用いる。バルブ２４２ｃを開き、Ｆ２ガスをガス供給管２３２ｃからノズル３００に流入させ、ノズル３００のガス供給孔３０２から処理室２０１に導入する。Ｆ２ガスを希釈して用いる場合にはバルブ２４３ａも開き、ガス供給管２３４ａからガス供給管２３２ｃにＮ２を流入させる。ステップ１では、処理室２０１内を予め真空に引いておき、バルブ２４３ｅを開いた状態又は閉じた状態でＦ２ガスを処理室２０１に導入する。
【００９１】
一定時間が経過するごとにバルブ２４３ｅを開閉させ（一定時間ごとにバルブ２４３ｅの開閉を繰り返し）、処理室２０１内をＦ２ガスでエッチングする。エッチングが終了したら、バルブ２４２ｃ，２４３ａを閉じて処理室２０１内を真空引きし、その後バルブ２４３ａを開けて処理室２０１をＮ２ガスでパージする。
【００９２】
（ステップ２）
ステップ２では、処理室２０１に残留するＦ２を除去するためにＮＨ３によるプラズマ処理を行う。
バルブ２４２ｂを開き、ＮＨ３ガスをガス供給管２３２ｂからノズル３１０に流入させ、ノズル３１０のガス供給孔３１２からノズルカバー２１２内に導入する。また、電極２２３，２２４間に一定の高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ）を印加してプラズマ領域２２５にプラズマを発生させ、ＮＨ３を励起させる。そしてプラズマ励起したＮＨ３をノズルカバー２１２のガス供給孔２１１から処理室２０１に導入する。このとき、ＮＨ３を励起させることにより、水素ラジカルを発生させる。ステップ２では、バルブ２４３ｅを開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気する。
【００９３】
（ステップ３）
ステップ３では、ウエハ２００にＳｉ３Ｎ４膜を形成する。
ボート２１７にウエハ２００を移載してボート２１７を処理室２０１に搬入する。その後、ＡＬＤ法に従うガスの交互供給により成膜を行う。本実施例では、ＤＣＳとＮＨ３ラジカルとの交互供給で成膜を行う。具体的には、バルブ２４２ａを開いてＤＣＳをガス供給管２３２ａからノズル３００に流入させ、ノズル３００のガス供給孔３０２から処理室２０１に導入し、その後バルブ２４２ａを閉じて処理室２０１内を真空引きする。
【００９４】
次に、バルブ２４２ｂを開いてＮＨ３ガスをガス供給管２３２ｂからノズル３００に流入させ、ガス供給孔３１２，２１１から処理室２０１に導入する。このとき、電極２２３，２２４間に一定の高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ）が印加され、ＮＨ３ラジカルがウエハ２００に供給される。その結果、ウエハ２００にＳｉ３Ｎ４膜が形成される。その後、電極２２３，２２４間への高周波の印加を停止するとともにバルブ２４２ｄを閉じて、処理室２０１内を真空引きする。
【００９５】
（ステップ４）
ステップ３の処理を複数回繰り返して所定膜厚のＳｉ３Ｎ４膜を形成し、メンテナンス時期がきたら、ステップ１のエッチング処理を再度行う。
【００９６】
なお、本実施例では、ガス供給管２３２ｂ，マスフローコントローラ２４１ｂ，バルブ２４２ｂと同様の機構を有するガス供給系を設けてそのガス供給系からＨ２ガスを処理室２０１に導入可能とし、ステップ２において、処理室２０１にＨ２ガスを供給してこれをプラズマ励起させるものとしてもよい（ＮＨ３によるプラズマ処理に代えてＨ２によるプラズマ処理を行ってもよい）。
【００９７】
また電極２２３，２２４、保護管２２１，２２２、高周波発生器２２６、マッチングボックス２２７等に代えて処理室２０１の外部にリモートプラズマ装置を設け、そのリモートプラズマ装置においてＮＨ３、Ｈ２等から水素プラズマを発生させ、それを処理室２０１に供給するような構成としてもよい。
【００９８】
以上の本実施例によれば、ステップ１においてＦ２ガスを処理室２０１に供給した後に、ステップ２におけるプラズマ処理により、ＮＨ３ガスをプラズマ励起させ水素ラジカルを発生させるから、処理室２０１に残留したＦ２（Ｆ＊）が当該水素ラジカルと反応してＨＦとしてガス排気管２３１から排気される。そのため、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚低下の原因となるエッチング元素であるＦが処理室２０１内に残留するのを低減させることができ、ひいてはＳｉ３Ｎ４膜の膜厚を回復させるための従来のプリデポ処理も不要となる。
【実施例３】
【００９９】
本実施例３は主には下記の点で実施例１に係る構成や処理内容等と異なっており、それ以外は実施例１と同様である。
【０１００】
本実施例に係る処理炉にはＤＣＳ，ＮＨ３，Ｆ２の各ガスが導入され、特に成膜時には処理ガスとしてＤＣＳ，ＮＨ３が導入され、エッチング時にはＦ２が導入される。そして、エッチング後の処理としてＮＨ３の熱分解処理が行われる。
【０１０１】
図１４，図１５に示す通り、本実施例では、３種類のガスを供給する３本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂ，２３２ｃが設けられている。すなわち、本実施例では、実施例１で説明したガス供給管２３２ｄ，マスフローコントローラ２４１ｄ，バルブ２４２ｄ，キャリアガス供給管２３４ｃ，マスフローコントローラ２４０ｃ，バルブ２４３ｃ，ノズル２５８，ガス供給孔２５９が設けられていない。
【０１０２】
本実施例では、ガス供給管２３２ａにはＤＣＳが、ガス供給管２３２ｂにはＦ２が、ガス供給管２３２ｃにはＮＨ３が流入される。またガス供給管２３４ａ，２３４ｂにはＮ２が流入される。
【０１０３】
次に、処理炉２０２を用いた成膜処理例について説明する。本実施例では、図１４，図１５のＣＶＤ装置を用いた例について説明する。
【０１０４】
まずＦ２エッチングの処理工程から述べる。Ｆ２エッチングでは、ウエハ２００をボート２１７に装填せず、ボート２１７のみを処理室２０２に搬入する。ボート２１７を処理室２０１に搬入した後、後述する以下のステップの処理を順次実行する。
【０１０５】
（ステップ１）
実施例１のステップ１と同様の処理を行う。
【０１０６】
（ステップ２）
ステップ２では、処理室２０１に残留するＦ２を除去するためにＮＨ３の熱分解処理を行う。
バルブ２４２ｃを開き、ＮＨ３ガスをガス供給管２３２ｃからノズル２５５に流入させ、ノズル２５５のガス供給孔２５６から処理室２０１に導入する。このとき、ＮＨ３はヒータ２０７による熱を受けて熱分解し、水素ラジカルを発生させる。ステップ２では、バルブ２４３ｅを開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気する。
【０１０７】
（ステップ３，４）
ステップ３，４では、実施例１のステップ３，４と同様の処理を行う。
【０１０８】
以上の本実施例によれば、ステップ１においてＦ２ガスを処理室２０１に供給した後に、ステップ２におけるＮＨ３の熱分解処理により、ＮＨ３ガスを処理室２０１に導入してそのＮＨ３ガスをヒータ２０７の熱で励起させ、水素ラジカルを発生させるから、処理室２０１に残留したＦ２（Ｆ＊）が当該水素ラジカルと反応してＨＦとしてガス排気管２３１から排気される。そのため、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚低下の原因となるエッチング元素であるＦが処理室２０１内に残留するのを低減させることができ、ひいてはＳｉ３Ｎ４膜の膜厚を回復させるための従来のプリデポ処理も不要となる。
【０１０９】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明の好ましい実施の形態によれば、
基板を処理する処理室と、
フッ素系エッチングガス、塩素系エッチングガス又は前記フッ素系エッチングガスと前記塩素系エッチングガスとを組み合わせた混合エッチングガスのいずれかのエッチングガスを前記処理室に供給するエッチングガス供給手段と、
水素ラジカルを前記処理室に供給する水素ラジカル供給手段と、
前記エッチングガス供給手段及び前記水素ラジカル供給手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段が、前記エッチングガス供給手段に前記エッチングガスを前記処理室に供給させ、その後前記水素ラジカル供給手段に前記水素ラジカルを前記処理室に供給させる第１の基板処理装置が提供される。
【０１１０】
好ましくは、前記フッ素系エッチングガスがＮＦ３ガス、Ｆ２ガス、ＨＦガス又はＣｌＦ３ガス等のＦ含有ガスであり、前記塩素系エッチングガスがＢＣｌ３ガス等のＣｌ含有ガスである。
【０１１１】
ここで、第１の基板処理装置の「水素ラジカル供給手段」において、「水素ラジカルを処理室に供給する」とは、処理室外で水素ラジカルを発生させてその水素ラジカルを処理室内に供給する場合と、水素ラジカル発生源（物質）を処理室外から処理室内に供給して処理室内で水素ラジカルを発生させる場合との両方の意味を含む。
【０１１２】
好ましくは、
前記水素ラジカル発生手段は、
Ｈ２Ｏを前記処理室に供給するＨ２Ｏ供給手段と、
前記処理室に供給されたＨ２Ｏを加熱して励起させる加熱・励起手段と、
を有する。
【０１１３】
好ましくは、
前記水素ラジカル発生手段は、
Ｈ２又は水素化合物を前記処理室に供給するＨ２供給手段と、
前記処理室に供給されたＨ２又は水素化合物をプラズマ励起させるプラズマ励起手段と、
を有する。
【０１１４】
好ましくは、
前記水素ラジカル発生手段は、
水素化合物を前記処理室に供給する水素化合物供給手段と、
前記処理室に供給された水素化合物を加熱して分解させる加熱・分解手段と、
を有する。
【０１１５】
また好ましくは、第１の基板処理装置において、
基板処理用の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
を備え、
前記制御手段が前記処理ガス供給手段及び前記排気手段を制御する第２の基板処理装置が提供される。
【０１１６】
好ましくは、第２の基板処理装置において、
前記処理室に収容される前記基板には、前記基板処理用の処理ガスの供給とその排気とにより、Ｓｉ３Ｎ４膜、ＳｉＯ２膜、Poly-Ｓｉ膜等のＳｉ系膜、又はＨｆＯ２膜、ＺｒＯ２膜等の高誘電膜が形成される。
【０１１７】
更に好ましくは、第１，第２の基板処理装置において、
前記処理室の温度が３００〜７００℃であり、前記処理室の圧力が１〜１００００Ｐａである。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】ＤＣＳとＮＨ３とを混合して形成するＳｉ３Ｎ４成膜においてＦ２ガスによるクリーニング後の膜厚の推移を概略的に示す図面である。
【図２】Ｆ２ガスによるエッチングを行った後にＳｉ３Ｎ４膜を形成する場合における各バッチごとの膜厚と膜厚低減率とをプロットした概略図である。
【図３】Ｆ２ガスによるエッチングを行った後にＮＨ３プラズマ処理を行った場合のＳｉ３Ｎ４膜の膜厚推移を概略的に示した図面である。
【図４】プリデポを用いる方法の工程を概略的に示す図面である。
【図５】本発明の好ましい実施例に係るＦ原子の除去方法の工程を概略的に示す図面である。
【図６】本発明の好ましい実施例に係るＦ原子の除去方法の工程を概略的に示す図面である。
【図７】本発明の好ましい実施例に係るＦ原子の除去方法の工程を概略的に示す図面である。
【図８】本発明の好ましい実施例で使用される基板処理装置の概略的な構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の好ましい実施例で使用される基板処理装置の概略的な構成を示す側面透視図である。
【図１０】本発明の好ましい実施例（実施例１）で使用される処理炉とそれに付随する部材の概略的な構成を示す図面であって、特に処理炉部分を縦断面で示す図面である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１２】本発明の好ましい実施例（実施例２）で使用される処理炉とそれに付随する部材の概略的な構成を示す図面であって、特に処理炉部分を縦断面で示す図面である。
【図１３】図１２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１４】本発明の好ましい実施例（実施例３）で使用される処理炉とそれに付随する部材の概略的な構成を示す図面であって、特に処理炉部分を縦断面で示す図面である。
【図１５】図１４のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１０１  基板処理装置
１０３  正面メンテナンス口
１０４  正面メンテナンス扉
１０５  カセット棚
１０７  予備カセット棚
１１０  カセット
１１１  筐体
１１１ａ  正面壁
１１２  カセット搬入搬出口
１１３  フロントシャッタ
１１４  カセットステージ
１１５  ボートエレベータ
１１８  カセット搬送装置
１１８ａ  カセットエレベータ
１１８ｂ  カセット搬送機構
１２５  ウエハ移載機構
１２５ａ  ウエハ移載装置
１２５ｂ  ウエハ移載装置エレベータ
１２５ｃ  ツイーザ
１２８  アーム
１３４ａ  クリーンユニット
１４７  炉口シャッタ
２００  ウエハ
２０１  処理室
２０２  処理炉
２０３  マニホールド
２０４  反応管
２０７  ヒータ
２０８  ボート支持台
２１１  ガス供給孔
２１２  ノズルカバー
２１７  ボート
２１９  シールキャップ
２２０  Ｏリング
２２１，２２２  保護管
２２３，２２４  電極
２２５  プラズマ領域
２２６  高周波発生器
２２７  マッチングボックス
２３１  ガス排気管
２３２ａ，２３２ｂ，２３２ｃ，２３２ｄ  ガス供給管
２３４ａ，２３４ｂ，２３４ｃ  キャリアガス供給管
２４０ａ，２４０ｂ，２４０ｃ  マスフローコントローラ
２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ，２４１ｄ  マスフローコントローラ
２４２ａ，２４２ｂ，２４２ｃ，２４２ｄ  バルブ
２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｅ  バルブ
２４６  真空ポンプ
２５２，２５５，２５８  ノズル
２５３，２５６，２５９  ガス供給孔
２６７  ボート回転機構
２８０  コントローラ
３００，３１０  ノズル
３０２，３１２  ガス供給孔
【図１】
2009027011.tif 000003
【図２】
2009027011.tif 000004
【図３】
2009027011.tif 000005
【図４】
2009027011.tif 000006
【図５】
2009027011.tif 000007
【図６】
2009027011.tif 000008
【図７】
2009027011.tif 000009
【図８】
2009027011.tif 000010
【図９】
2009027011.tif 000011
【図１０】
2009027011.tif 000012
【図１１】
2009027011.tif 000013
【図１２】
2009027011.tif 000014
【図１３】
2009027011.tif 000015
【図１４】
2009027011.tif 000016
【図１５】
2009027011.tif 000017