(57)【要約】【課題】基板への接続孔又は集電孔の形成時においてダイ側の基板切断孔の外側に円周方向の溝の形成を防止し、かつカス上がり、フィルム面のダレ及び裏面側のバリ等の不具合の発生を防止し、安定して量産が可能な薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、金型のダイＤ上に基板６１を配置し、基板６１の上面にストリッパープレートＰｓを配置して、パンチＰにより、ストリッパープレートＰｓを介して基板６１に孔あけ加工を行う薄膜太陽電池の製造方法であって、ダイＤと基板６１との間にダイシートＤｓを挟み込み、基板６１の穿孔後にダイシートＤｓの穿孔を行っている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金型のダイ上に基板を配置し、該基板の上面にストリッパープレートを配置して、パンチにより、前記ストリッパープレートを介して前記基板に孔あけ加工を行う薄膜太陽電池の製造方法であって、前記ダイと前記基板との間にダイシートを挟み込み、前記基板の穿孔後に前記ダイシートの穿孔を行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
ロール上に製造された絶縁性を有する基板の表面に、第1電極層、薄膜半導体層からなる光電変換層、透明電極層が順次積層されてなる光電変換素子と、前記基板の裏面に第３電極層及び第４電極層からなる接続電極層を備え、前記光電変換素子及び前記接続電極層は、それぞれ複数の単位部分に分離され、それぞれの分離位置をずらして形成されてなり、前記透明電極層の形成領域内に形成した集電孔を介して前記接続電極層と通じ、さらに前記接続電極層の領域で前記光電変換素子の透明電極層の領域の外側に形成された直列接続用の接続孔を介して隣り合う光電変換素子の透明電極層の領域の外側に延びている前記第1電極層に達し、両方の光電変換素子の直接持続が行われる薄膜太陽電池であって、前記集電孔又は前記接続孔を、ダイ及びパンチよりなり前記基板の保持するための手段を有する金型を用いた打ち抜き加工により所定位置に複数個形成する薄膜太陽電池の製造方法において、前記金型のダイと前記基板との間にダイシートを挟み込み、前記基板の穿孔後に前記ダイシートの穿孔を行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記ダイシートを前記基板の穿孔後にパンチで加工することにより、前記ダイシートの開孔を前記パンチと同一寸法とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記ダイシートを、前記金型のダイの幅よりも狭くし、開孔位置から見て前記基板の巻取り側を短くして段差を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記ダイシートを、前記開孔位置から見て前記基板の巻取り側の長さを１ｍｍ以下に形成したことを特徴とする請求項４に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記ダイシートの厚さを、加工する前記基板の厚さの２倍として、前記基板の側部に段差を形成したことを特徴とする請求項４に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記ダイシートを、弾性率６．５ＧＰａ以上の樹脂材料により形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、住宅の屋根、ビルディングの屋上等に設置することにより太陽光を利用して電力を発生する薄膜太陽電池の製造方法であって、金型のダイ上に基板を配置し、該基板の上面にストリッパープレートを配置して、パンチにより、前記ストリッパープレートを介して前記基板に孔あけ加工を行う薄膜太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、環境保護の立場から、クリーンなエネルギーの研究開発が進められている。その中でも、住宅の屋根、ビルディングの屋上等に設置等の屋外に敷設することにより、太陽光を利用して電力を発生する太陽電池は、その資源（太陽光）が無限であること、無公害であることから注目を集めている。
同一基板上に形成された複数の光電変換素子が直列接続されている太陽電池（光電変換装置）の代表例は、薄膜太陽電池である。この薄膜太陽電池は、薄型で軽量、製造コストの安さ、大面積化が容易であることなどから、今後の太陽電池の主流となると考えられ、電力供給用以外に、建物の屋根や窓などに取り付けて利用される業務用、一般住宅用にも需要が広がってきている。
【０００３】
従来の薄膜太陽電池には、一般的にガラス基板が用いられていたが、該ガラス基板は厚型で重く、割れやすいという欠点があることから、近年、軽量化、施工性、量産性等において、プラスチックフィルムを用いたフレキシブルタイプの太陽電池の研究・開発が進められ実用化されている。そして、このフレキシブル性を活用し、ロールツーロール方式やステッピングロール方式等の製造方法によって大量生産が可能となった。
上記プラスチックフィルム等のフレキシブルな絶縁基板上に薄膜太陽電池を形成する場合には、基板の太陽電池の反対面側（裏面側)にも電極を配置し、基板を貫通して接続することにより、基板面積に対する太陽電池面積の比を大きくすることができる。
【０００４】
図４は、ロールツーロール方式の基板のホール形成装置の模式図である。図４において、巻出しロールＲ１から送り出された基板６１は、搬送されながら、順次、位置検出開孔部Ｐ１、接続孔開孔部Ｐ２、及び集電孔開孔部Ｐ３で、所定位置に所定数の位置検出孔、接続孔、及び集電孔があけられた後、巻取りロールＲ２に巻き取られる。この場合、これら各孔の位置に対応して搬送方法、及び搬送距離が任意に制御されている。
【０００５】
図５は、図４に示される薄膜太陽電池用基板の製造方法の従来技術の一例を示す模式図であり、（Ａ）は孔あけ前の状態を示し、（Ｂ）は孔あけ後の状態を示している。
図５において、開孔部は断面が基板６１の孔と同一形状のポンチＰと、該ポンチＰと同じ断面形状の開孔部を有するストリッパープレートＰｓと、同じ断面形状の開孔部を有するダイＤから構成されている。
これらダイＤとポンチＰは、任意のクリアランスＣを形成して配置されている。また、ダイＤとストリッパープレートＰｓ上に搬送されて停止した基板６１は、ストリッパープレートＰｓで押えてから、ポンチＰが基板６１を打ち抜き（貫通し）、該基板６１に孔があけられる。なお、符号Ｓは打ち抜きのカスである。
【０００６】
一方、特許文献１（特開平１０−１９００２４号公報）には、開孔部の断面が、基板の孔と同一形状のポンチと、該ポンチと同じ断面形状の開孔部を有するストリッパープレートと、同じ断面形状の開孔部を有するダイから構成され、基板よりも硬度の高いダイあるいはストリッパープレートの間に、基板を複数枚あるいは基板と補助フィルムとを重ねて挟み込み、基板と補助フィルムとをストリッパープレートで押えてから、ポンチが基板を打ち抜き（貫通し）、該基板に孔があけられるようになっている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１９００２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図５及び特許文献１に記載された従来技術に係る薄膜太陽電池用基板の孔あけ方法には、次のような問題点がある。なお、符号は図５及び特許文献１の符号を示している。
（１）ダイＤの孔内壁面と上面及びポンチＰの側面と底面は、それぞれの面のなす陵が接断を容易に行えるように鋭く刃状に形成されている。そのため、基板（被加工物）６１（１ａ）は切断時には両面から同時に切れ目は入るが、切断孔径はポンチＰの径により定まるため、ダイＤの切れ目は切断に至らず、ダイＤ側の基板切断孔の外側に円周方向の溝が形成される。
この溝により、透明電極層及び第４電極層が当該溝を覆いきれずに切れ目が生じ、孔を介した第1電極層と第３電極層、あるいは透明電極層と第４電極層との接続抵抗が著しく高くなり、その結果、太陽電池の曲線因子が低下し、太陽電池の変換効率が低下してしまうことがあった。
【０００９】
（２）基板（被加工物）６１（１ａ）が切断時にクリアランスＣ分だけダイＤ側に引き込まれ、基板６１（１ａ）は柔らかい材料であるため、引き込まれる際に基板６１（１ａ）が伸びることで加工面側のフィルム面が「ダレ」て、裏面側には大きなバリが発生する。また、集電孔形成の場合、基板６１（１ａ）上に形成された第1電極層に円筒状の亀裂が生じてしまう。そのため、光電変換層が第1電極層に生じた亀裂を覆いきれずに第1電極層と透明電極層が接触してしまい、その結果、太陽電池の曲線因子が低下し、太陽電池の変換効率が低下してしまう。
【００１０】
（３）接続孔又は集電孔の形成時に、パンチを引き上げる際に、ダイＤの内部が真空状態となり、抜きカスがパンチＰの先端部に貼り付いたままとなり、ダイＤ上へのカス上がりが発生する。その結果、次の接続孔または集電孔の形成時に基板６１（１ａ）とダイＤとの間に抜きカスを挟んでプレスをしてしまうことが多く、このため基板６１（１ａ）に打痕がついてしまい、集電孔の形成時には電極膜に亀裂、剥離等の事態が発生することがあった。
【００１１】
上記のようなカス上がり、表面側のダレ及び裏面側のバリを低減するためには、ポンチＰとダイＤとのクリアランスＣを極力少なくして加工すればよいのであるが、このようにポンチＰとダイＤとのクリアランスＣを極力少なくすると、金型の製造コストが上がるばかりか、クリアランスＣを極限まで少なくするのは製造技術的に困難な面が多いという問題があった。
【００１２】
本発明はこのような実状に鑑みてなされたものであって、その目的は、基板への接続孔又は集電孔の形成時においてダイ側の基板切断孔の外側に円周方向の溝の形成を防止し、かつカス上がり、フィルム面のダレ及び裏面側のバリ等の不具合の発生を防止して、安定して量産が可能な薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、金型のダイ上に基板を配置し、該基板の上面にストリッパープレートを配置して、パンチにより、前記ストリッパープレートを介して前記基板に孔あけ加工を行う薄膜太陽電池の製造方法であって、前記ダイと前記基板との間にダイシートを挟み込み、前記基板の穿孔後に前記ダイシートの穿孔を行っている。
【００１４】
そして、本発明は、具体的には絶縁性を有する基板の集電孔及び接続孔の穿孔方法に係るものであり、ロール上に製造された絶縁性を有する基板の表面に、第1電極層、薄膜半導体層からなる光電変換層、透明電極層（第２電極層）が順次積層されてなる光電変換素子と、前記基板の裏面に第３電極層及び第４電極層からなる接続電極層を備え、前記光電変換素子及び前記接続電極層は、それぞれ複数の単位部分に分離され、それぞれの分離位置をずらして形成されてなり、前記透明電極層の形成領域内に形成した集電孔を介して前記接続電極層と通じ、さらに前記接続電極層の領域で前記光電変換素子の透明電極層の領域の外側に形成された直列接続用の接続孔を介して隣り合う光電変換素子の透明電極層の領域の外側に延びている前記第1電極層に達し、両方の光電変換素子の直接持続が行われる薄膜太陽電池であって、前記集電孔又は前記接続孔を、ダイ及びパンチよりなり前記基板の保持するための手段を有する金型を用いた打ち抜き加工により所定位置に複数個形成する薄膜太陽電池の製造方法において、前記金型のダイと前記基板との間にダイシートを挟み込み、前記基板の穿孔後に前記ダイシートの穿孔を行っている。
【００１５】
そして、本発明は、好ましくは次のように構成するのがよい。
（１）前記ダイシートを前記基板の穿孔後にパンチで加工することにより、前記ダイシートの開孔を前記パンチと同一寸法とする。
（２）前記ダイシートを、前記金型のダイの幅よりも狭くし、開孔位置から見て前記基板の巻取り側を短くして段差を設ける。
（３）前記ダイシートを、前記開孔位置から見て前記基板の巻取り側の長さを１ｍｍ以下に形成する。
（４）前記ダイシートの厚さを、加工する前記基板の厚さの2倍として、前記基板の側部に段差を形成する。
（５）前記ダイシートを、弾性率６．５ＧＰａ以上の樹脂材料により形成する。
【発明の効果】
【００１６】
上述の如く、本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、基板を、金型のダイを用いた打ち抜き加工により、集電孔、接続孔等の孔を所定位置に複数個形成するに当たり、前記金型のダイと前記基板との間にダイシートを挟み込み、前記基板の穿孔後に前記ダイシートの穿孔を行うようにしたので、パンチで基板及びダイ上に敷設したダイシートを同時に打ち抜くことにより、基板の下部内径はダイシートの上部に接し、基板の変形はダイシートで受け持ち、基板の下部の変形を防止でき、高精度の孔加工ができる。よって、パンチで基板を打ち抜く際に、基板の孔のダイ側表面に円周方向の溝が形成されるのを確実に防止できる。
従って、かかる溝の形成阻止により、前記孔を介した第1電極層と第３電極層、あるいは透明電極層と第４電極層との接続抵抗の増加を抑制でき、その結果、太陽電池の曲線因子の低下及び太陽電池の変換効率の低下を阻止することができる。
また、ダイシートの径方向のクリアランスが形成されず、ダイシートによって基板の伸びを抑制することができ、基板の加工面側のダレ及び裏面側のバリの発生を防止できる。
【００１７】
しかも、前記ダイシートを、ダイの幅よりも狭くして開孔位置から見て前記基板の巻取り側を短くして段差を設け、さらに具体的には開孔位置から見て前記基板の巻取り側の長さを１ｍｍ以下に形成するとともに、前記ダイシートの厚さを、加工する前記基板の厚さの２倍として前記基板の側部に段差を形成することにより、ポンチの先端部に貼り付いたままの抜きカスを、巻取り側に設けたダイシートとダイとの間の段差に落下させることで、ダイと基板との間に抜きカスを挟んでプレスすることが無くなり、脱落カス（抜きカス）がダイシートとの段差部分を越えて、電極膜に対して打痕によるダメージの発生を回避できる。
【００１８】
さらに、前記ダイシートは、少なくとも、前記基板の弾性率よりも大きく、具体的には弾性率６．５ＧＰａ以上の樹脂材料により形成することにより、高品質の薄膜太陽電池を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２０】
図３は、本発明が適用される薄膜太陽電池の概略構成を示す斜視図である。
薄膜太陽電池は、フレキシブルな絶縁性の基板６１の表面に第1電極層６２、薄膜半導体層からなる光電変換層６３、透明電極層(第２電極層ともいう）６４が順次積層されてなる光電変換素子が形成されている。基板６１の裏面には第３電極層、第４電極層からなる接続電極層６５が形成されている。
上記光電変換素子及び接続電極層６５は、それぞれ複数の単位ユニットに完全に分離され、それぞれの分離位置をずらして形成されている。このため、単位光電変換素子（ユニットセルともいう）の光電変換層６３で発生した電流は、先ず透明電極層６４に集められ、次に該透明電極層６４の領域に形成された集電孔６７を介して背面の接続電極層６５に通じるようにしている。
【００２１】
さらに、上記接続電極層６５の領域で光電変換素子の透明電極層領域の外側に形成された直列接続用の接続孔６８を介して、隣り合う光電変換素子の透明電極層領域の外側に延びている第1電極層６２に達し、両光電変換素子の直列接続が行われている。
このように、分離された隣り合う単位光電変換素子を電気的に直列接続することを繰り返すことにより、最初の光電変換素子の第1電極層６２と最後の光電変換素子の透明電極層６４とに必要な電圧を出力させることが可能となる。
例えば、インバータにより交流化し、商用電力源として交流１００Ｖを得るためには１００Ｖ以上が望ましく、実際には数１０個以上の素子が直列接続されている。
【００２２】
また、上記基板６１は、ポリイミド系のフィルムで厚さは５０μｍ程度であるが、その他に、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アラミド系フィルムなどを用いることができる。
【００２３】
次に、このような構成の薄膜太陽電池の組立て製造方法について説明する。
先ず、基板６１の所定位置に複数個の接続孔６８をダイ及びパンチの金型により打ち抜き加工によって穿孔する。次に、基板６１の表面に第1電極層６２を、裏面に図示しない第３電極層を順次製膜する（第１電極層６２と第３電極層とは製膜順が逆でもよい）。このとき接続孔６８の内面で、第1電極層６２と第３電極層とが重なり、互いに導通することになる。
なお、これらの電極層としては、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ等の金属をスパッタ又は電子ビーム蒸着などにより製膜してもよく、金属酸化膜と金属多層膜を電極層としてもよい。
【００２４】
次いで、上記接続孔６８と同様に、ダイ及びパンチの金型により打ち抜き加工によって基板６１の所定位置に複数個の集電孔６７を穿孔する。そして、基板６１の表面に形成した第1電極層６２を直線状に除去する１次パターニングラインを形成し、個別の単一領域（電極）を複数形成した１次パターニングエリアを形成する。その上に半導体層からなる光電変換層６３、透明電極層６４を順次製膜する。
【００２５】
次に、裏側の図示しない第３電極層上に、同じく図示しない金属膜などの低抵抗導電膜からなる第４電極層を製膜し、接続電極層６５を形成する。このとき、集電孔６７の内面で透明電極層６４と接続電極層６５とが重なり、互いに導通させることが可能となる。上記光電変換層６３は薄膜半導体層であり，ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）はその代表例である。透明電極層６４は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＳｎＯ２，ＺｎＯなどの酸化物導電層を用いるのが一般的である。膜形成時に接続孔６８の周辺をマスクなどで覆うなどして、始めに形成した接続孔６８の部分には膜が形成されないようにする。
【００２６】
次いで、上記１次パターニングエリア内の１次パターニングラインに重ね合わせて透明電極層６４及び光電変換層６３を直線状に除去した２次パターニングラインを加工する。ここで、第１電極層６２、光電変換層６３、透明電極層６４からなる光電変換素子は、複数の単位ユニットに分離される。
そして最後に、第３電極層と第４電極層からなる接続電極層６５を、単位光電変換素子と分離位置をずらした位置で直線状にパターニングラインを加工する。ここで、接続電極層６５は、複数の単位ユニットに分離され、上記薄膜太陽電池の直列接続が完成する。なお、上記パターニングは、主にレーザ加工を用いることが多いが、サンドブラスト法またはメカニカルカッターによって行う場合もある。
【００２７】
本発明は、以上のように構成された薄膜太陽電池の接続孔６８及び集電孔６７等の、基板６１に加工される孔の加工方法に関するものである。
【００２８】
図１は本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池用基板の孔あけ方法を示し、（Ａ）は穿孔前の状態を示し、（Ｂ）は穿孔後の状態を示している。
図１において、開孔部は断面が基板６１の孔と同一形状のポンチＰと、該ポンチＰと同じ断面形状の開孔部を有するストリッパープレートＰｓと、同じ断面形状の開孔部を有する金型のダイＤとから構成されている。
そして、ダイＤと基板６１との間にダイシートＤｓを挟み込み、基板６１の上側にストリッパープレートＰｓを置く。そして、ポンチＰの外径とダイＤの内径との間に任意のクリアランスＣを形成する。また、ダイシートＤｓは、図１（Ａ）に示すように、敷設時には開孔されていない。
さらに、前記ダイシートＤｓは開孔位置から見て、基板６１の搬送方向（図１（Ａ）の矢印Ｚ方向）である巻き取り側（Ｌ１）を入口側（Ｌ２）よりも短くした形状となっている。この巻き取り側（Ｌ１）の長さは１ｍｍ程度が好適である。
【００２９】
このような、開孔部の状態で、基板６１または第１電極層と第３電極層を形成した基板６１の開孔は、図４に示されるホール形成装置を用いて、基板６１を送り出し、図１（Ａ）に示すように、基板６１を、ダイシートＤｓを敷設したダイＤの上部、つまりダイシートＤｓの上部に搬送することにより配置して、停止する。
【００３０】
この停止状態で、図１（Ｂ）に示すように、基板６１をストリッパープレートＰｓで押えてから、ポンチＰを下方に落下させ、該ポンチＰで基板６１及びダイシートＤｓを同時に打ち抜く。これにより１回目の開孔では基板６１と一緒にてダイシートＤｓを、Ｄ１なる径で穿孔する。次いで、２回目以降の開孔は、ダイシートＤｓを引き抜き、基板６１のみの打ち抜きとなる。この動作を所定回数繰り返し、基板６１の所定位置の開孔を行う。なお、符号Ｓは打ち抜きのカスである。
【００３１】
従って、ポンチＰで基板６１及びダイＤ上に敷設したダイシートＤｓを同時に打ち抜くことにより、基板６１の下部内径はダイシートＤｓの上部に接しており、基板６１の変形をダイシートＤｓで受け持ち、基板６１の下部内の変形を防止できる。よって、ポンチＰで基板６１を打ち抜く際に、基板６１の孔のダイＤ側表面に円周方向の溝が形成されるのを防止できる。
しかも、かかる溝の形成阻止により、上記孔を介した第1電極層と第３電極層、あるいは透明電極層と第４電極層との接続抵抗の増加を抑制でき、その結果、太陽電池の曲線因子の低下及び太陽電池の変換効率の低下を阻止することができる。
【００３２】
また、ダイシートＤｓの径方向クリアランスＣが形成されず、またダイシートＤｓによって基板６１の伸びを抑制することが可能となるので、基板６１の加工面側のダレ及び裏面側のバリの発生を防止できる。
【００３３】
図２は、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池用基板の孔あけ方法で、ダイシートの効果を示すもので、ダイシートからポンチを引き抜く時の状態を示す摸式図である。
図２に示すように、上記ダイシートＤｓを、ダイＤの幅よりも狭くして開孔位置から見て基板６１の巻取り側（Ｌ１）を短くして段差部分Ｔを設け、さらに具体的には開孔位置から見て基板６１の巻取り側の長さ（Ｌ１）を１ｍｍ以下に形成するとともに、ダイシートＤｓの厚さを、加工する前記基板６１の厚さの２倍として基板６１の側部に段差部分Ｔを形成することにより、ポンチＰの先端部に貼り付いたままの抜きカスＳを、巻取り側（Ｌ１）に設けたダイシートＤｓとダイＤとの間の段差部分Ｔに落下させる。このとき、段差部分Ｔに落下した抜きカスＳを、例えばイオンブローにより除去し下流方向へ導くために、回収ダクト(図示せず)が金型の近傍に設けられているとよい。
従って、ダイＤと基板６１との間に抜きカスＳを挟んでプレスすることは起こらず、当該脱落カス（抜きカスＳ）がダイシートＤｓとの段差部分Ｔを越えることは無くなるため、電極膜の打痕のよるダメージの発生を回避できる。
【００３４】
なお、上記ダイシートＤｓは、少なくとも、基板６１の弾性率よりも大きく、具体的には弾性率６．５ＧＰａ以上の樹脂材料により形成することが好ましい。
【００３５】
以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変更及び変形が可能である
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池用基板の孔あけ方法を示す模式図であり、（Ａ）は穿孔前の状態を示し、（Ｂ）は穿孔後の状態を示している。
【図２】本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池用基板の孔あけ方法において、ダイシートの効果を示す模式図であり、ダイシートからポンチを引き抜く時の状態を示している。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明が適用される薄膜太陽電池の概略構成を示す斜視図である。
【図４】ロールツーロール方式の基板のホール形成装置を示す模式図である。
【図５】図４に示される薄膜太陽電池用基板の製造方法の従来技術の一例を示す模式図であり、（Ａ）は孔あけ前の状態を示し、（Ｂ）は孔あけ後の状態を示している。
【符号の説明】
【００３７】
Ｐ  ポンチ
Ｄｓ  ダイシート
Ｐｓ  ストリッパープレート
Ｄ  ダイ
Ｓ  抜きカス
６１  基板
６２  第1電極層
６３  光電変換層
６４  透明電極層(第２電極層）
６５  接続電極層
６７  集電孔
６８  接続孔
【図１】
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【図２】
2009076715.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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