(57)【要約】【課題】層間絶縁膜が対向電極から剥がれてしまうのを防止した液晶表示装置の提供。【解決手段】いわゆるＩＰＳ型の液晶表示装置であって、  前記対向電極は、前記ゲート信号線、ドレイン信号線、および薄膜トランジスタを被って形成される有機絶縁膜上の少なくとも前記画素領域に形成された面状電極から構成され、  前記画素電極は、前記対向電極を被って形成されたシリコン窒化膜上の前記画素領域に前記対向電極に重畳されて並設する複数の線状電極から構成され、  前記シリコン窒化膜上に前記対向電極の一部を露出させて形成した孔をも被って前記シリコン窒化膜より透湿性のある材料層が形成され、  この材料層は、平面的に観た場合、前記ドレイン信号線と重ねられた部分を有して形成されている。【選択図】図１
2009271103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極の間に前記液晶を駆動させる電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
前記対向電極は、前記ゲート信号線、ドレイン信号線、および薄膜トランジスタを被って形成される有機絶縁膜上の少なくとも前記画素領域に形成された透明導電膜の面状電極から構成され、
前記画素電極は、前記対向電極を被って形成されたシリコン窒化膜上の前記画素領域に前記対向電極に重畳されて並設する複数の線状電極から構成され、
前記シリコン窒化膜上に前記対向電極の一部を露出させて形成した孔をも被って前記シリコン窒化膜より透湿性のある材料層が形成され、
この材料層は、平面的に観た場合、前記ドレイン信号線と重ねられた部分を有して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記材料層は透明導電膜で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記材料層は、前記孔を通して前記対向電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記材料層および前記画素電極は、透明導電膜で構成され、同層となっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記有機絶縁膜は、前記ゲート信号線、ドレイン信号線、および薄膜トランジスタを被って形成される無機絶縁膜に積層して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記対向電極は、前記ゲート信号線とドレイン信号線のうち少なくともドレイン信号を跨いで、当該画素に隣接する他の画素の対向電極と共通に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極の間に前記液晶を駆動させる電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
前記対向電極は、前記ゲート信号線、ドレイン信号線、および薄膜トランジスタを被って形成される絶縁膜上の少なくとも前記画素領域に形成された面状電極から構成され、
前記画素電極は、前記対向電極を被って形成された層間絶縁膜上の前記画素領域に前記対向電極に重畳されて並設する複数の線状電極から構成され、
前記層間絶縁膜上に前記対向電極の一部を露出させて形成した孔をも被って前記対向電極と電気的に接続された導電性の材料層が形成され、
この材料層は、平面的に観た場合、前記ドレイン信号線と重ねられた部分を有して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記材料層は透明導電膜で構成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記材料層および前記画素電極は、透明導電膜で構成され、同層となっていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記対向電極は、前記ゲート信号線とドレイン信号線のうち少なくともドレイン信号を跨いで、当該画素に隣接する他の画素の対向電極と共通に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式と称される液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板のうち、一方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に、そのほぼ全域に面状の対向電極と、該対向電極をも被って形成された層間絶縁膜の上面に該対向電極と重畳させて並設された複数の透明導電膜からなる線状の画素電極を具備させたものが知られている。
【０００３】
対向電極と画素電極の間には、基板に平行な成分も含む電界によって液晶の分子を駆動させていることから、いわゆる広視野角に優れ、また、いわゆる透過型の場合は前記対向電極を透明導電膜で形成することもできることから、画素の開口率に優れた効果をも奏する。
【０００４】
なお、前記対向電極と画素電極の間の前記層間絶縁膜としては、たとえばシリコン窒化膜からなる無機絶縁膜を用いる構成が一般的となっている。前記無機絶縁膜を有機絶縁膜に替えて形成した場合、対向電極と画素電極の交流駆動による電圧印加によって、前記有機絶縁膜にヒステリシスを発生させてしまうからである。
【０００５】
そして、このような液晶表示装置は、いわゆるアクティブマトリックス方式によって駆動するのが通常となっている。すなわち、該液晶表示装置は、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、該画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタが備えられ、前記画素電極は、前記オンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給され、また、前記対向電極は、前記画素電極との間に液晶を駆動する電界を生じせしめる基準信号が供給されるようになっている。
【０００６】
この場合、前記薄膜トランジスタは、前記ゲート信号線およびドレイン信号線とともに、保護膜によって被うように構成され、この保護膜に前記対向電極、層間絶縁膜、および画素電極を順次積層する構成となっている。前記保護膜は、前記薄膜トランジスタの特性劣化を防止するため、該薄膜トランジスタの液晶との直接の接触を回避するようになっている。
【０００７】
そして、前記保護膜としては、たとえば、無機絶縁膜と有機絶縁膜の順次積層体が用いられ、これにより、該保護膜の上面を平坦化し、液晶の層厚の均一化を図った構成のものが知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述した液晶表示装置は、前記層間絶縁膜が対向電極との界面において剥がれ易くなっていることが指摘されるに至った。
【０００９】
本発明者等は、この原因を追求した結果、保護膜を構成する有機絶縁膜は吸湿性が高く、該有機絶縁膜の形成後に何らかの加熱処理がなされると該有機絶縁膜からガスが発生し、このガスが前記層間絶縁膜の剥がれの原因になってしまうことが判明した。
【００１０】
そして、対向電極が透明導電膜で形成されている場合、該対向電極と前記層間絶縁膜との密着性は良好でなく、該層間絶縁膜の膜応力が圧縮側に働くと剥がれ易くなるということも判明した。
【００１１】
本発明の目的は、層間絶縁膜が対向電極から剥がれてしまうのを防止した液晶表示装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の目的は、画素の開口率を向上させた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
（１）本発明の液晶表示装置は、たとえば、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極の間に前記液晶を駆動させる電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
前記対向電極は、前記ゲート信号線、ドレイン信号線、および薄膜トランジスタを被って形成される有機絶縁膜上の少なくとも前記画素領域に形成された透明導電膜の面状電極から構成され、
前記画素電極は、前記対向電極を被って形成されたシリコン窒化膜上の前記画素領域に前記対向電極に重畳されて並設する複数の線状電極から構成され、
前記シリコン窒化膜上に前記対向電極の一部を露出させて形成した孔をも被って前記シリコン窒化膜より透湿性のある材料層が形成され、
この材料層は、平面的に観た場合、前記ドレイン信号線と重ねられた部分を有して形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（２）本発明の液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記材料層は透明導電膜で構成されるようにしてもよい。
【００１６】
（３）本発明の液晶表示装置は、たとえば、（２）の構成を前提とし、前記材料層は、前記孔を通して前記対向電極と電気的に接続されているようにしてもよい。
【００１７】
（４）本発明の液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記材料層および前記画素電極は、透明導電膜で構成され、同層となっているようにしてもよい。
【００１８】
（５）本発明の液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記有機絶縁膜は、前記ゲート信号線、ドレイン信号線、および薄膜トランジスタを被って形成される無機絶縁膜に積層して形成されているようにしてもよい。
【００１９】
（６）本発明の液晶表示装置は、たとえば、前記対向電極は、前記ゲート信号線とドレイン信号線のうち少なくともドレイン信号を跨いで、当該画素に隣接する他の画素の対向電極と共通に形成されるようにしてもよい。
【００２０】
（７）本発明の液晶表示装置は、たとえば、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板のうち前記第１基板の液晶側の面に、隣接された一対のゲート信号線と隣接された一対のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
前記画素領域に、ゲート信号線からの信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの信号が供給される画素電極と、この画素電極の間に前記液晶を駆動させる電界を生じせしめる対向電極を備えた液晶表示装置であって、
前記対向電極は、前記ゲート信号線、ドレイン信号線、および薄膜トランジスタを被って形成される絶縁膜上の少なくとも前記画素領域に形成された面状電極から構成され、
前記画素電極は、前記対向電極を被って形成された層間絶縁膜上の前記画素領域に前記対向電極に重畳されて並設する複数の線状電極から構成され、
前記層間絶縁膜上に前記対向電極の一部を露出させて形成した孔をも被って前記対向電極と電気的に接続された導電性の材料層が形成され、
この材料層は、平面的に観た場合、前記ドレイン信号線と重ねられた部分を有して形成されていることを特徴とする。
【００２１】
（８）本発明の液晶表示装置は、たとえば、（７）の構成を前提とし、前記材料層は透明導電膜で構成されているようにしてもよい。
【００２２】
（９）本発明の液晶表示装置は、たとえば、（７）の構成を前提とし、前記材料層および前記画素電極は、透明導電膜で構成され、同層となっているようにしてもよい。
【００２３】
（１０）本発明の液晶表示装置は、たとえば、（７）の構成を前提とし、前記対向電極は、前記ゲート信号線とドレイン信号線のうち少なくともドレイン信号を跨いで、当該画素に隣接する他の画素の対向電極と共通に形成されているようにしてもよい。
【００２４】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２５】
このような構成からなる液晶表示装置は、層間絶縁膜が対向電極から剥がれてしまうのを防止することができる。また、画素の開口率を向上させることができる。
【００２６】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００２８】
〈実施例１〉
（全体の構成）
図２は本発明の液晶表示装置の実施例１を示す概略構成図である。図２はたとえば携帯電話器に組み込まれる液晶表示装置を示している。
【００２９】
図２において、液晶表示装置は、たとえばガラスからなる矩形状の基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２によって外囲器を構成するようになっている。  基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間には液晶（図示せず）が挟持され、この液晶は、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２を固定するシール材ＳＬによって封入されている。該シール材ＳＬによって液晶が封入された領域は液晶表示領域ＡＲを構成するようになっている。
【００３０】
また、前記基板ＳＵＢ１の下側辺部は、基板ＳＵＢ２から露出する部分を有し、この部分には、外部から信号を入力させるフレキシブル基板ＦＰＣの一端が接続されるようになっている。また、該フレキシブル基板ＦＰＣと前記液晶表示領域ＡＲの間の前記基板ＳＵＢ１上には液晶駆動回路からなる半導体装置ＳＣＮが搭載されている。この半導体装置ＳＣＮは、基板ＳＵＢ１の面に形成された配線ＷＬを介して前記フレキシブル基板ＦＰＣからの各信号を入力させ、前記基板ＳＵＢ１の面に形成されたゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬ、および対向電圧信号線ＣＬに、それぞれ、走査信号、映像信号、および基準信号を供給するようになっている。
【００３１】
前記ゲート信号線ＧＬは、液晶表示領域ＡＲにおいて、図中ｘ方向に延在されｙ方向に並設されて形成され、それらの両端のうちいずれかの側から引き出されて前記半導体装置ＳＣＮに接続されている。前記ドレイン信号線ＤＬは、液晶表示領域ＡＲにおいて、図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設されて形成され、図中下端側から引き出されて前記半導体装置ＳＣＮに接続されている。また、前記対向電圧信号線ＣＬは、液晶表示領域ＡＲにおいて、各ゲート信号線ＧＬの間に該ゲート信号線ＧＬと平行に並設され、たとえば図中右端側から引き出されて前記半導体装置ＳＣＮに接続されている。
【００３２】
隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域（図中点線楕円枠内）は画素ＰＩＸの領域に相当し、各画素ＰＩＸは液晶表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されるように構成される。これら各画素ＰＩＸは、図中実線楕円枠内の拡大された図に示すように、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、前記対向電圧信号線ＣＬに接続され基準信号が供給される対向電極ＣＴを備えて構成されている。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間には電圧差に応じた電界が生じ、この電界によって液晶が駆動されるようになっている。
【００３３】
図２では、携帯電話器に組み込まれる液晶表示装置を例に揚げて説明したが、本発明は、この種の液晶表示装置に限定されることはなく、たとえばテレビ等に用いられる液晶表示装置等にも適用できるものである。
【００３４】
（画素の構成）
図１は、前記画素の構成の一実施例を示す平面図である。また、図３（ａ）は、図１のIIIａ−IIIａ線における断面図、図３（ｂ）は、図１のIIIｂ−IIIｂ線における断面図を示している。
【００３５】
まず、基板ＳＵＢ１（図３参照）の表面（液晶側の面）にたとえばポリシリコン（Poly-Si）からなる半導体層ＰＳが形成されている。この半導体層ＰＳは、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるもので、後述のゲート信号線ＧＬと交差し、かつ、直角に屈曲されたパターンとして形成されている。また、該半導体層ＰＳは、その両端において比較的面積の大きな部分を有し、一端側は後述のドレイン信号線ＤＬ、他端側は後述のソース電極ＳＴに接続されるようになっている。
【００３６】
前記基板ＳＵＢ１の表面には、前記半導体層ＰＳをも被って絶縁膜ＧＩ（図３参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは前記薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００３７】
前記絶縁膜ＧＩの上面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬは、その一部において画素領域側に指向する突出部を備え、この突出部は前記薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとして機能するようになっている。前記ゲート信号線ＧＬは前記半導体層ＰＳの一部を跨ぎ、そのゲート電極ＧＴは前記半導体層ＰＳの他の部分を跨ぐようにして形成されるようになっている。これにより、前記半導体層ＰＳは、前記ゲート電極ＧＴおよびゲート信号線ＧＬが重畳された部分において、薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル領域として機能させるようになっている。なお、前記半導体層ＰＳは、前記ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）の形成の後において、該ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）をマスクとして不純物がイオン注入され、前記チャネル領域以外の他の領域を低抵抗化するようになっている。
【００３８】
前記基板ＳＵＢ１の表面には、前記ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）をも被って第１層間絶縁膜ＩＮ１（図３参照）が形成されている。該第１層間絶縁膜ＩＮ１は、前記ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）と後述のドレイン信号線ＤＬとの層間絶縁を図るようになっている。
【００３９】
前記第１層間絶縁膜ＩＮ１の上面には、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。このドレイン信号線ＤＬは、前記半導体層ＰＳの一端側に重畳し、前記第１層間絶縁膜ＩＮ１に形成されているスルーホールＴＨ１を通して、前記半導体層ＰＳの一端側に接続されている。前記ドレイン信号線ＤＬの前記半導体層ＰＳとの接続部は前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極として機能するようになっている。
【００４０】
また、前記ドレイン信号線ＤＬの形成の際に、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴが形成されるようになっている。前記ソース電極ＳＴは、前記第１層間絶縁膜ＩＮ１に形成されているスルーホールＴＨ２を通して、前記半導体層ＰＳの他端側に接続されるようになっている。このソース電極ＳＴは後述の画素電極ＰＸと接続されるようになっている
前記基板ＳＵＢ１の主面には、前記薄膜トランジスタＴＦＴをも被って保護膜ＰＡＳが形成されている。該保護膜ＰＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避させるために設けられる。前記保護膜ＰＡＳは、たとえば２層で構成され、その下層には無機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳｉが、上層には有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳｏが形成されている。保護膜ＰＡＳの上層に有機絶縁膜を用いているのは、保護膜ＰＡＳの表面を平坦化させるためである。
【００４１】
保護膜ＰＡＳの表面には、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは、図中ｘ方向に隣接する他の画素における対向電極と共通に形成され（図２に示した対向電圧信号線ＣＬを兼ねる）、ドレイン信号線ＤＬを被って形成されている。前記対向電極ＣＴの図中上端の辺部はゲート信号線ＧＬと重なって形成され、下端の辺部はゲート信号線ＧＬと距離を隔てて形成されているとともに、前記ソース電極ＳＴとの重なりを回避するようにして切り欠きＣｔが設けられている。この切り欠きＣｔによって、後述する画素電極ＰＸの前記ソース電極ＳＴとの接続部において前記対向電極ＣＴと電気的な接続がなされないようにするためである。
【００４２】
前記基板ＳＵＢ１の表面には、前記対向電極ＣＴをも被って第２層間絶縁膜ＩＮ２が形成されている。該第２層間絶縁膜ＩＮ２は、前記対向電極ＣＴと後述の画素電極ＰＸとの層間絶縁を図るために設けられている。該第２層間絶縁膜ＩＮはシリコン窒化膜で形成され、該対向電極と画素電極の交流駆動による電圧印加によって発生するヒステリシスを低減させるようにしている。また、この第２層間絶縁膜ＩＮ２は、前記対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間に容量を形成するための誘電膜としての機能をも有している。
【００４３】
前記第２層間絶縁膜ＩＮ２の表面にはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、前記対向電極ＣＴと重ねられるようにして配置され、たとえば図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設される複数（図では２本）の線状の電極から構成されている。画素電極ＰＸの各電極はその上下端のそれぞれにおいて互いに接続されている。また、画素電極ＰＸの下端において、比較的広い面積を有し、前記第２層間絶縁膜ＩＮ２および保護膜ＰＡＳに形成されているスルーホールＴＨ３を通して、前記ソース電極ＳＴと電気的に接続されている。
【００４４】
そして、前記ドレイン信号線ＤＬと重なる前記第２層間絶縁膜ＩＮ２の領域において、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の透明導電膜からなる材料層ＭＴＬが形成されている。前記材料層ＭＴＬは、たとえば、前記画素電極ＰＸの形成の際に同時に形成されるようになっている。前記材料層ＭＴＬは、ドレイン信号線ＤＬに沿って形成され、たとえばｙ方向に隣接する画素側に形成される材料層ＭＴＬ（図示せず）と分離されて形成されている。また、前記材料層ＭＴＬは、たとえば、その幅がドレイン信号線ＤＬの幅より大きく形成されている。しかし、この幅はドレイン信号線ＤＬの幅よりも小さくてもよい。さらに、前記材料層ＭＴＬは、前記第２層間絶縁膜ＩＮ２に予め形成されたスルーホールＴＨ４を通して、前記対向電極ＣＴに接続されるようになっている。前記スルーホールＴＨ４は、その面積が大きいことが好ましいことから、前記材料層ＭＴＬの延在方向に沿って形成されている。
【００４５】
このように構成された液晶表示装置は、上述したように、第２層間絶縁膜ＩＮ２が対向電極ＣＴから剥がれ易い状態となる場合がある。有機絶縁膜からなる前記保護膜ＰＡＳｏは吸湿性が高く、該有機絶縁膜の形成後に何らかの加熱処理がなされると該有機絶縁膜からガスが発生し、このガスが透明導電膜からなる対向電極ＣＴを通して該対向電極ＣＴとシリコン窒化膜からなる前記第２層間絶縁膜ＩＮ２の界面に浸透してしまうからである。ここで、シリコン窒化膜は透湿性が悪く、透明導電膜はシリコン窒化膜よりも透湿性が良好であるという性質を有する。
【００４６】
この場合、前記材料層ＭＴＬは、前記スルーホールＴＨを通してガスを排出させるように機能することから、前記対向電極ＣＴと第２層間絶縁膜ＩＮ２の界面に浸透するガスの量を低減させることができる。そして、前記材料層ＭＴＬは、前記第２層間絶縁膜ＩＮ２の対向電極ＣＴからの剥がれを抑止するように機能するようになる。すなわち、対向電極ＣＴとスルーホールＴＨ４を通して接続された材料層ＭＴＬは前記対向電極ＣＴとの間に第２層間絶縁膜ＩＮ２を挟持するように形成されるからである。換言すれば、前記材料層ＭＴＬによって、前記第２層間絶縁膜ＩＮ２を対向電極ＣＴ側に抑え込んでいる構成となるからである。このことから、上述した液晶表示装置によれば、第２層間絶縁膜ＩＮ２が対向電極ＣＴから剥がれてしまうのを防止することができる。
【００４７】
ここで、前記材料層ＭＴＬをドレイン信号線ＣＬと重ねて形成しているのは、実質的な画素領域を回避し、開口率が低減されるのを免れるためである。この場合、前記材料層ＭＴＬは、画素電極ＰＸと隣接し、該画素電極とＰＸと同層に形成された対向電極として機能させることができる。前記材料層ＭＴＬは、第２層間絶縁膜ＩＮ２の下層に形成される対向電極ＣＴと電気的に接続されているからである。このため、図３（ｂ）に示すように、前記材料層ＭＴＬとこの材料層ＭＴＬと隣接する画素電極ＰＸとの間の領域ＴＲにおいても表示領域として有効に機能させることができる。したがって画素の開口率を向上できる効果を奏する。
【００４８】
なお、図１、図３において、液晶と接触する基板ＳＵＢ１の表面には画素電極ＰＸをも被って配向膜が形成されるが、これを省略して示している。
【００４９】
〈実施例２〉
図４は、本発明の液晶表示装置の画素の実施例２を示す平面図で、図１に対応した図となっている。図１の場合と比較して異なる構成は、前記材料層ＭＴＬは、一画素当たり、ドレイン信号線Ｄｌに沿って複数個（図ではたとえば２個）に分断されて形成されていることにある。そして、それぞれの材料層ＭＴＬにおいて、第２層間絶縁膜ＩＮ２に形成されたスルーホールＴＨ４を通し該第２層間絶縁膜ＩＮ２の下層の対向電極ＣＴと接続がなされている。このように構成しても、前記材料層ＭＴＬによって、前記第２層間絶縁膜ＩＮ２を対向電極ＣＴ側に抑え込む構成となり、同様の効果を奏する。
【００５０】
なお、実施例２に示した構成は以下の実施例においても適用することができる。
【００５１】
〈実施例３〉
図５は、本発明の液晶表示装置の画素の実施例３を示す平面図で、図１に対応した図となっている。図１の場合と比較して異なる構成は、前記材料層ＭＴＬは、画素ごとに対応させて設けられておらず、隣接するたとえば２個の画素ごとに設けられている点にある。液晶表示領域ＡＲ（図２参照）において、前記材料層ＭＴＬはほぼ均等に散在されて形成されていれば、必ずしも画素ごとに形成しなくても、上述した効果が得られるからである。
【００５２】
なお、実施例３に示した構成は以下の実施例においても適用することができる。
【００５３】
〈実施例４〉
上述した実施例では、材料層ＭＴＬを透明導電膜で形成したものであるが、必ずしもこの材料に限定されることはない。第２層間絶縁膜ＩＮ２の材料であるシリコン窒化膜よりも透湿性のある材料を用いることによって同様の効果を得ることができるからである。
【００５４】
なお、実施例４に示した構成は以下の実施例においても適用することができる。
【００５５】
〈実施例５〉
図６は、本発明の液晶表示装置の画素の実施例５を示す断面図で、図３に対応した図となっている。図６において、図３と比較して異なる構成は、薄膜トランジスタＴＦＴを被って形成される保護膜は無機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳｉのみで、有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳｏは形成されていない点にある。このため、有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳｏの高い吸湿性が原因となって第２層間絶縁膜ＩＮ２の対向電極ＣＴからの剥がれによる不都合が生じない構成となっている。しかし、それでも、図３と同様、材料層ＭＴＬを形成し、この材料層ＭＴＬを第２層間絶縁膜ＩＮ２に形成したスルーホールＴＨ４を通して対向電極ＣＴに電気的に接続させるようにしている。このようにすることによって、前記材料層ＭＴＬは、画素電極ＰＸと隣接し、該画素電極とＰＸと同層に形成された対向電極として機能でき、図６（ｂ）に示すように、前記材料層ＭＴＬとこの材料層ＭＴＬと隣接する画素電極ＰＸとの間の領域ＴＲにおいても表示領域として有効に利用できる効果を奏するからである。
【００５６】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の実施例１を示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の概略を示す構成図である。
【図３】図１のIIIａ−IIIａ線における断面図、IIIｂ−IIIｂ線における断面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の実施例２を示す平面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の実施例３を示す平面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の実施例５を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＳＬ……シール材、ＦＰＣ……フレキシブル基板、ＳＣＮ……半導体装置、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……対向電圧信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、Ｃｔ……切り欠き、ＰＩＸ……画素、ＰＳ……半導体層、ＧＴ……ゲート電極、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＴＨ１〜ＴＨ４……スルーホール、ＭＴＬ……材料層、ＧＩ……絶縁膜、ＩＮ１……第１層間絶縁膜、ＰＡＳ……保護膜、ＰＡＳｉ……無機絶縁膜、ＰＡＳｏ……有機絶縁膜、ＩＮ２……第２層間絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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