(57)【要約】【課題】電源パッド、ＧＮＤパッド及び出力パッドを備え、出力パッドから所定の定電圧を出力する機能を備えた半導体集積回路装置に対して、半導体集積回路装置が内部電圧を正確に伝える回路を備えていなくても、被試験半導体集積回路装置を高精度に試験する。【解決手段】ＩＣチップ７の電源パッド１３に電圧を供給するための電源ユニット１１及び電源パッド用端子１３と、ＩＣチップ７のＧＮＤパッド３をＧＮＤ１５に接続するためのＧＮＤパッド用端子１７と、ＩＣチップ７の出力パッド５に接触される出力パッド用端子１９と、出力パッド用端子１９の電圧と規格電圧を比較するための比較器２１ａ，２１ｂと、規格電圧を生成するための規格電圧生成回路２３ａ，２３ｂを備えている。規格電圧生成回路２３ａ，２３ｂはＧＮＤパッド３の電圧を基準として規格電圧を生成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源パッド、ＧＮＤパッド及び出力パッドを備え、出力パッドから所定の定電圧を出力する機能を備えた半導体集積回路装置の試験方法において、
被試験半導体集積回路装置の電源パッドに電圧を供給し、ＧＮＤパッドをＧＮＤに接続して被試験半導体集積回路装置が駆動している状態で出力パッドから出力される電圧を規格電圧と比較する比較器と、前記規格電圧を生成するための規格電圧生成回路を用い、
前記規格電圧生成回路で前記ＧＮＤパッドの電圧を基準として前記規格電圧を生成させ、
前記比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
【請求項２】
被試験半導体集積回路装置は前記ＧＮＤパッドと同電圧であって前記ＧＮＤパッドの電圧を検出することを目的として設けられた第２ＧＮＤパッドを備えているものであり、
前記規格電圧生成回路で前記第２ＧＮＤパッドの電圧を基準として前記規格電圧を生成させる請求項１に記載の試験方法。
【請求項３】
前記規格電圧生成回路としてＤＡ変換回路を用い、前記ＤＡ変換回路に前記規格電圧を生成させるための電圧規格コードを記憶装置に予め記録しておく請求項１又は２に記載の試験方法。
【請求項４】
前記比較器としてＨｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器を用い、
前記規格電圧生成回路として前記Ｈｉｇｈ側比較器にＨｉｇｈ側規格電圧を供給するためのＨｉｇｈ側規格電圧生成回路と前記Ｌｏｗ側比較器にＬｏｗ側規格電圧を供給するためのＬｏｗ側規格電圧生成回路を用い、
前記Ｈｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定する請求項１から３のいずれか一項に記載の試験方法。
【請求項５】
電源パッド、ＧＮＤパッド及び出力パッドを備え、出力パッドから所定の定電圧を出力する機能を備えた半導体集積回路装置の試験を行なうための試験装置において、
被試験半導体集積回路装置の電源パッドに電圧を供給するための電源ユニット及び電源パッド用端子と、
被試験半導体集積回路装置のＧＮＤパッドをＧＮＤに接続するためのＧＮＤパッド用端子と、
被試験半導体集積回路装置の出力パッドに接触される出力パッド用端子と、
前記出力パッド用端子の電圧と規格電圧を比較するための比較器と、
前記規格電圧を生成するための規格電圧生成回路を備え、
前記規格電圧生成回路は前記ＧＮＤパッドの電圧を基準として前記規格電圧を生成することを特徴とする半導体集積回路装置の試験装置。
【請求項６】
被試験半導体集積回路装置として前記ＧＮＤパッドと同電圧であって前記ＧＮＤパッドの電圧を検出することを目的として設けられた第２ＧＮＤパッドを備えているものを用い、
前記第２ＧＮＤパッドに接触される第２ＧＮＤパッド用端子をさらに備え、
前記規格電圧生成回路は前記第２ＧＮＤパッドの電圧を基準として前記規格電圧を生成する請求項５に記載の試験装置。
【請求項７】
前記規格電圧生成回路としてＤＡ変換回路を備え、
前記ＤＡ変換回路に前記規格電圧を生成させるための電圧規格コードを予め記録しておくための記憶装置をさらに備えている請求項５又は６に記載の試験装置。
【請求項８】
前記比較器としてＨｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器を備え、
前記規格電圧生成回路として前記Ｈｉｇｈ側比較器にＨｉｇｈ側規格電圧を供給するためのＨｉｇｈ側規格電圧生成回路と前記Ｌｏｗ側比較器にＬｏｗ側規格電圧を供給するためのＬｏｗ側規格電圧生成回路を備え、
前記Ｈｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定する総合判定回路をさらに備えている請求項５から７のいずれか一項に記載の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に抵抗素子を含む半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ボルテージレギュレーター（以下ＶＲと略す）を搭載した半導体集積回路装置は高精度化しており、最近では１０ｍＶ（ミリボルト）以下の精度を要求される製品も珍しくは無い。
例えば、ＶＲをウエハー状態で試験する際には、通常プローブカードと呼ばれるコンタクト治具を使用する。プローブカードに設けられたコンタクトプローブを被試験ＶＲチップのパッドに接触することで試験装置と被試験ＶＲチップを接続し、試験装置から被試験ＶＲチップに電気信号を送って試験を行なう。
【０００３】
また、最近の半導体集積回路では機能が複合化しており、複数のＶＲが同一チップに搭載されたり、ＶＲ以外の機能が同一チップ上に形成されたりしている製品も増加している。半導体集積回路では内部動作により消費電流が発生するが、同一チップ上に形成されている機能が多くなると一般に消費電流は増加する傾向にある。
【０００４】
被試験ＶＲチップのＧＮＤパッドはコンタクトプローブを介して試験装置のＧＮＤと接続されるが、被試験ＶＲチップのパッド表面とコンタクトプローブの間には接触抵抗が生じるため、ＧＮＤに流れる電流により電圧降下が生じ、試験装置のＧＮＤ電圧（０Ｖ）に対して、被試験ＶＲチップ内部のＧＮＤ電圧は０Ｖよりも高い値となってしまう。
【０００５】
通常の試験ではテスターと呼ばれる試験装置を用いて被試験半導体集積回路装置に電圧を印加する。この時の電圧は全て試験装置のＧＮＤ電圧（０Ｖ）を基準としているため、被試験ＶＲチップ内部のＧＮＤ電圧とで電位差が生じ、これにより測定精度が低下する問題があった。
【０００６】
また、パッケージに封止された後に行なわれるユニット試験（ファイナル試験とも呼ばれる）においても同様に、被試験ＶＲチップと試験装置との電気信号を接続するために必要なＩＣソケットにおいて被試験ＶＲチップの端子とＩＣソケットの端子の接続箇所で接触抵抗が生じるので、試験装置のＧＮＤ電圧と被試験ＶＲチップ内部のＧＮＤ電圧とで電位差が生じ、測定精度が低下する問題があった。
【０００７】
上記接触抵抗はコンタクトの状態で変わるため、コンタクトをするたびに同一の被試験ＶＲチップであっても接触抵抗は変わり、被試験ＶＲチップのＧＮＤ電圧を推測することは困難であった。なお、実際にＶＲが製品に搭載されて使用される際には、接触抵抗発生の原因であるプローブカードやＩＣソケットは不要になるので、この接触抵抗は試験上だけの問題である。
【０００８】
試験装置のＧＮＤ電圧と被試験ＶＲチップ内部のＧＮＤ電圧との電位差による不具合を解消する従来技術として、チップ内部の電圧を外部から正確に読み取るためにチップ内部に設けた特殊回路により電圧を正確に伝える駆動回路を備えた半導体集積回路装置がある（例えば特許文献１を参照。）。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−６６８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ボルテージレギュレーターなどの電圧生成回路を備えた半導体集積回路装置を試験する際、被試験半導体集積回路装置のＧＮＤパッドにおける接触抵抗により、試験装置のＧＮＤ電圧と被試験半導体集積回路装置内部のＧＮＤ電圧とで電位差が生じ、測定精度が低下する問題があった。これにより、良品の歩留まりを下げるということが問題となっている。
また、特許文献１に開示された半導体集積回路装置のように、内部電圧を正確に伝える回路を備えていると、チップ面積の増大を招き、半導体集積回路装置の製造コストが上昇するなどの問題があった。
【００１１】
本発明は、電源パッド、ＧＮＤパッド及び出力パッドを備え、出力パッドから所定の定電圧を出力する機能を備えた半導体集積回路装置に対して、半導体集積回路装置が内部電圧を正確に伝える回路を備えていなくても、被試験半導体集積回路装置を高精度に試験することができる試験方法及び試験装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明にかかる半導体集積回路装置の試験方法は、電源パッド、ＧＮＤパッド及び出力パッドを備え、出力パッドから所定の定電圧を出力する機能を備えた半導体集積回路装置の試験方法であって、被試験半導体集積回路装置の電源パッドに電圧を供給し、ＧＮＤパッドをＧＮＤに接続して被試験半導体集積回路装置が駆動している状態で出力パッドから出力される電圧を規格電圧と比較する比較器と、上記規格電圧を生成するための規格電圧生成回路を用い、上記規格電圧生成回路で上記ＧＮＤパッドの電圧を基準として上記規格電圧を生成させ、上記比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定する。
【００１３】
本発明の試験方法において、被試験半導体集積回路装置は上記ＧＮＤパッドと同電圧であって上記ＧＮＤパッドの電圧を検出することを目的として設けられた第２ＧＮＤパッドを備えているものであり、上記規格電圧生成回路で上記第２ＧＮＤパッドの電圧を基準として上記規格電圧を生成させる例を挙げることができる。
【００１４】
また、上記規格電圧生成回路としてＤＡ変換回路を用い、上記ＤＡ変換回路に上記規格電圧を生成させるための電圧規格コードを記憶装置に予め記録しておくようにしてもよい。
【００１５】
また、上記比較器としてＨｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器を用い、上記規格電圧生成回路として上記Ｈｉｇｈ側比較器にＨｉｇｈ側規格電圧を供給するためのＨｉｇｈ側規格電圧生成回路と上記Ｌｏｗ側比較器にＬｏｗ側規格電圧を供給するためのＬｏｗ側規格電圧生成回路を用い、上記Ｈｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定するようにしてもよい。
【００１６】
本発明にかかる半導体集積回路装置の試験装置は、電源パッド、ＧＮＤパッド及び出力パッドを備え、出力パッドから所定の定電圧を出力する機能を備えた半導体集積回路装置の試験を行なうための試験装置であって、被試験半導体集積回路装置の電源パッドに電圧を供給するための電源ユニット及び電源パッド用端子と、被試験半導体集積回路装置のＧＮＤパッドをＧＮＤに接続するためのＧＮＤパッド用端子と、被試験半導体集積回路装置の出力パッドに接触される出力パッド用端子と、上記出力パッド用端子の電圧と規格電圧を比較するための比較器と、上記規格電圧を生成するための規格電圧生成回路を備え、上記規格電圧生成回路は上記ＧＮＤパッドの電圧を基準として上記規格電圧を生成する。
【００１７】
本発明の試験装置において、被試験半導体集積回路装置として上記ＧＮＤパッドと同電圧であって上記ＧＮＤパッドの電圧を検出することを目的として設けられた第２ＧＮＤパッドを備えているものを用い、上記第２ＧＮＤパッドに接触される第２ＧＮＤパッド用端子をさらに備え、上記規格電圧生成回路は上記第２ＧＮＤパッドの電圧を基準として上記規格電圧を生成する例を挙げることができる。
【００１８】
また、上記規格電圧生成回路としてＤＡ変換回路を備え、上記ＤＡ変換回路に上記規格電圧を生成させるための電圧規格コードを予め記録しておくための記憶装置をさらに備えているようにしてもよい。
【００１９】
また、上記比較器としてＨｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器を備え、上記規格電圧生成回路として上記Ｈｉｇｈ側比較器にＨｉｇｈ側規格電圧を供給するためのＨｉｇｈ側規格電圧生成回路と上記Ｌｏｗ側比較器にＬｏｗ側規格電圧を供給するためのＬｏｗ側規格電圧生成回路を備え、上記Ｈｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定する総合判定回路をさらに備えているようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体集積回路装置の試験方法では、出力パッドから出力される電圧を規格電圧と比較する比較器に規格電圧を供給するための規格電圧生成回路で、被試験半導体集積回路装置のＧＮＤパッドの電圧を基準として規格電圧を生成するようにした。
また、本発明の半導体集積回路装置の試験装置では、被試験半導体集積回路装置の電源パッドに電圧を供給するための電源ユニット及び電源パッド用端子と、被試験半導体集積回路装置のＧＮＤパッドをＧＮＤに接続するためのＧＮＤパッド用端子と、被試験半導体集積回路装置の出力パッドに接触される出力パッド用端子と、出力パッド用端子の電圧と規格電圧を比較するための比較器と、規格電圧を生成するための規格電圧生成回路を備え、規格電圧生成回路はＧＮＤパッドの電圧を基準として規格電圧を生成するようにした。
本発明の試験方法及び試験装置では、被試験半導体集積回路装置のＧＮＤパッドにおける接触抵抗に起因して被試験半導体集積回路装置内部のＧＮＤ電圧が上昇しても、その上昇分だけ規格電圧生成回路で規格電圧を上昇させて生成することができるので、半導体集積回路装置が内部電圧を正確に伝える回路を備えていなくても、被試験半導体集積回路装置を高精度に試験することができる。
さらに、従来の試験方法及び試験装置では、試験時において、半導体集積回路装置の出力パッドから出力される電圧を測定する電圧測定ユニットが必要であったが、本発明の試験方法及び試験装置では比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定することができるので、電圧測定ユニットを設ける必要がなくなる。
【００２１】
本発明の試験方法において、被試験半導体集積回路装置はＧＮＤパッドと同電圧であってＧＮＤパッドの電圧を検出することを目的として設けられた第２ＧＮＤパッドを備えているものであり、規格電圧生成回路で第２ＧＮＤパッドの電圧を基準として規格電圧を生成させるようにしてもよい。
本発明の試験装置において、被試験半導体集積回路装置としてＧＮＤパッドと同電圧であってＧＮＤパッドの電圧を検出することを目的として設けられた第２ＧＮＤパッドを備えているものを用い、第２ＧＮＤパッドに接触される第２ＧＮＤパッド用端子をさらに備え、規格電圧生成回路は第２ＧＮＤパッドの電圧を基準として規格電圧を生成するようにしてもよい。
第２ＧＮＤパッドは試験装置のＧＮＤには接続されないので、第２ＧＮＤパッドには電流は流れず、電圧効果は発生しない。この結果、第２ＧＮＤパッドで発生する接触抵抗は無視して、被試験半導体集積回路装置のＧＮＤレベルに基づいて規格電圧を生成することができる。
なお、ＧＮＤパッドの電圧を基準として規格電圧を生成する場合であっても、ＧＮＤパッド−規格電圧生成回路間では電流は流れない。また、ＧＮＤパッドの電圧を規格電圧生成回路に供給する方法は、ＧＮＤパッド用端子とは別に規格電圧生成回路用端子を設けてＧＮＤパッド用端子と規格電圧生成回路用端子をＧＮＤパッドに接触させてもよい。
【００２２】
本発明の試験方法において、規格電圧生成回路としてＤＡ変換回路を用い、ＤＡ変換回路に規格電圧を生成させるための電圧規格コードを記憶装置に予め記録しておくようにしてもよい。
本発明の試験装置において、規格電圧生成回路としてＤＡ変換回路を備え、ＤＡ変換回路に規格電圧を生成させるための電圧規格コードを予め記録しておくための記憶装置をさらに備えているようにしてもよい。
これにより、規格電圧生成回路としてのＤＡ変換回路から比較器に供給する規格電圧を容易に変更することが可能になる。
【００２３】
本発明の試験方法において、比較器としてＨｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器を用い、規格電圧生成回路としてＨｉｇｈ側比較器にＨｉｇｈ側規格電圧を供給するためのＨｉｇｈ側規格電圧生成回路とＬｏｗ側比較器にＬｏｗ側規格電圧を供給するためのＬｏｗ側規格電圧生成回路を用い、Ｈｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定するようにしてもよい。
本発明の試験装置において、比較器としてＨｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器を備え、規格電圧生成回路としてＨｉｇｈ側比較器にＨｉｇｈ側規格電圧を供給するためのＨｉｇｈ側規格電圧生成回路とＬｏｗ側比較器にＬｏｗ側規格電圧を供給するためのＬｏｗ側規格電圧生成回路を備え、Ｈｉｇｈ側比較器とＬｏｗ側比較器の出力に基づいて被試験半導体集積回路装置の合否を判定する総合判定回路をさらに備えているようにしてもよい。
これにより、被試験半導体集積回路装置の合否の判定が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は試験装置の一実施例を示す回路図である。図１を参照しながら試験装置の一実施例を説明する。
この試験装置は、電源パッド１、ＧＮＤパッド３及び出力パッド５を備え、出力パッド５から所定の定電圧を出力する機能を備えたＩＣチップ７の試験を行なうための試験装置である。ＩＣチップ７は、ＧＮＤパッド３と同電圧であってＧＮＤパッド３の電圧を検出することを目的として設けられた第２ＧＮＤパッド９も備えている。
【００２５】
試験装置は、ＩＣチップ７の電源パッド１に電圧を供給するための電源ユニット１１及び電源パッド用端子１３と、ＩＣチップ７のＧＮＤパッド３をＧＮＤ１５に接続するためのＧＮＤパッド用端子１７と、ＩＣチップ７の出力パッド５に接触される出力パッド用端子１９と、出力パッド用端子１９の電圧（Ｖｏｕｔ）とＨｉｇｈ側規格電圧又はＬｏｗ側規格電圧を比較するための比較器２１ａ，２１ｂと、Ｈｉｇｈ側規格電圧又はＬｏｗ側規格電圧を生成するためのＤＡコンバータ（規格電圧生成回路）２３ａ，２３ｂを備えている。
【００２６】
Ｈｉｇｈ側規格電圧ＤＡコンバータ２３ａの出力はＨｉｇｈ側比較器２１ａの例えば非反転入力端子（＋）に接続され、Ｌｏｗ側規格電圧ＤＡコンバータ２３ｂの出力はＬｏｗ側比較器２１ｂの例えば反転入力端子（−）に接続されている。出力パッド用端子１９はＨｉｇｈ側比較器２１ａの例えば反転入力端子（−）及びＬｏｗ側比較器２１ｂの例えば非反転入力端子（＋）にそれぞれ接続されている。
【００２７】
また、Ｈｉｇｈ側規格電圧ＤＡコンバータ２３ａに電源を供給するためのＨｉｇｈ側電圧生成回路２５ａとＬｏｗ側規格電圧ＤＡコンバータ２３ｂに電源を供給するためのＬｏｗ側電圧生成回路２５ｂも備えている。
さらに、第２ＧＮＤパッド９と、ＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂ及び電圧生成回路２５ａ，２５ｂのＧＮＤを接続するための第２ＧＮＤパッド用端子２７も備えている。
【００２８】
ＩＣチップ７の試験時において、電源パッド１と電源パッド用端子１３の間に接触抵抗２９が生じ、ＧＮＤパッド３とＧＮＤパッド用端子１７の間に接触抵抗３１が生じ、出力パッド５と出力パッド用端子１９の間に接触抵抗（図示は省略）が生じ、第２ＧＮＤパッド９と第２ＧＮＤパッド用端子２７の間に接触抵抗３３が生じる。
【００２９】
試験装置は、比較器２１ａ，２１ｂの出力が入力されるＡＮＤ回路３５も備えている。ＡＮＤ回路３５の出力は期待値判定部３７に接続されている。
Ｈｉｇｈ側規格電圧ＤＡコンバータ２３ａの出力であるＨｉｇｈ側規格電圧を決定するためのＨｉｇｈ側規格電圧値デジタルコードを記録するためのＨｉｇｈ側規格電圧メモリ３９ａと、Ｌｏｗ側規格電圧ＤＡコンバータ２３ｂの出力であるＬｏｗ側規格電圧を決定するためのＬｏｗ側規格電圧値デジタルコードを記録するためのＬｏｗ側規格電圧メモリ３９ｂも備えている。規格電圧メモリ３９ａ，３９ｂは不揮発性メモリによって形成されている。Ｈｉｇｈ側規格電圧メモリ３９ａにはＨｉｇｈ側パターン生成部４１ａによって生成されたデジタルコードが記録されている。Ｌｏｗ側規格電圧メモリ３９ｂにはＬｏｗ側パターン生成部４１ｂによって生成されたデジタルコードが記録されている。
【００３０】
例えば、ＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂが１２Ｂｉｔのものであり、電圧生成回路２５ａ，２５ｂで生成するリファレンス電圧が３Ｖの場合、１Ｂｉｔあたりは３.０／４０９６＝０.７３Ｖとなるので、規格電圧メモリ３９ａ，３９ｂの出力が５５６ｈ（ヘキサ信号）のときにＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂの出力は１Ｖとなる。また、規格電圧メモリ３９ａ，３９ｂの出力が８００ｈであれば、ＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂの出力は１.５Ｖとなる。
図２にＨｉｇｈ側のテスターパターン生成の例を示す。図２ではＨｉｇｈ側規格電圧メモリ３９ａの図示は省略している。
【００３１】
また、Ｈｉｇｈ側パターン生成部４１ａのチャンネル数が少ないときは、図３に示すように、シリアルパラレル変換器４３ａを用いることにより、１つのチャンネルで必要な１２Ｂｉｔのデジタルコードを生成することも可能である。チャンネル１から時系列に１，０，１，１，０，１，・・・と、１２データをシリアルパラレル変換器４３ａに入力し、これをＤＡコンバータ２３ａのＤ０〜Ｄ１１にアサインしてパラレル出力することで実現できる。
【００３２】
また、電圧規格メモリ３９ａ，３９ｂが例えば１０Ｂｉｔのものであり、必要なメモリＢｉｔが７Ｂｉｔの場合、図４に示すように、Ａ０〜Ａ６にパターン生成部４１ａ，４１ｂのチャンネルを接続し、不要なＡ７〜Ａ９はＧＮＤに接続することで、Ａ７〜Ａ９＝０Ｖに固定し、不要なテスターリソースを削減できる。
【００３３】
試験時において、Ｈｉｇｈ側比較器２１ａは、Ｈｉｇｈ側規格電圧とＩＣチップ７の出力電圧を比較し、ＩＣチップ７の出力電圧がＨｉｇｈ側規格電圧値以下であれば「１」（Ｐａｓｓ）を出力し、ＩＣチップ７の出力電圧がＨｉｇｈ側規格電圧よりも大きければ「０」（Ｆａｉｌ）を出力する。また、Ｌｏｗ側比較器２１ｂは、Ｌｏｗ側規格電圧とＩＣチップ７の出力電圧を比較し、ＩＣチップ７の出力電圧がＬｏｗ側規格電圧値以上であれば「１」（Ｐａｓｓ）を出力し、ＩＣチップ７の出力電圧がＬｏｗ側規格電圧よりも小さければ「０」（Ｆａｉｌ）を出力する。ＡＮＤ回路３５は、比較器２１ａ，２１ｂの出力がともに「１」のときに総合判定結果「１」（Ｐａｓｓ）を出力し、比較器２１ａ，２１ｂの出力のいずれか又は両方が「０」のときに総合判定結果「０」（Ｆａｉｌ）を出力し、期待値判定部３７に送る。
【００３４】
この試験装置では、ＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂはＧＮＤパッド３及び第２ＧＮＤパッド９の電圧を基準として、比較器２１ａ，２１ｂに入力される規格電圧を生成する。例えば、ＩＣチップ７の内部ＧＮＤ電圧が接触抵抗３１に起因して１０ｍＶである場合、ＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂ及び電圧生成回路２５ａ，２５ｂのＧＮＤ電圧も１０ｍＶになる。このとき、電圧生成回路２５ａ，２５ｂの出力電圧は設定値よりも１０ｍＶだけ高い電圧になり、ＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂで生成される規格電圧も設定値よりも１０ｍＶだけ高い電圧になる。また、ＩＣチップ７の内部ＧＮＤ電圧が１０ｍＶであるので、ＩＣチップ７の出力パッド５から出力される電圧も＋１０ｍＶだけシフトした電圧になる。
【００３５】
このように、ＩＣチップ７のＧＮＤパッド３における接触抵抗３１に起因してＩＣチップ７内部のＧＮＤ電圧が上昇しても、その上昇分だけＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂで規格電圧を上昇させて生成することができるので、ＩＣチップ７が内部電圧を正確に伝える回路を備えていなくても、ＩＣチップ７を高精度に試験することができる。
【００３６】
図５は試験装置の他の実施例を示す回路図である。図１と同じ部分には同じ符号を付し、それらの部分の説明は省略する。
【００３７】
この試験装置では、Ｈｉｇｈ側規格電圧ＤＡコンバータ２３ａにリファレンス電圧を供給する電圧生成部としてＨｉｇｈ側ＶＲ４５ａを備え、Ｌｏｗ側規格電圧ＤＡコンバータ２３ｂにリファレンス電圧を供給する電圧生成部としてＬｏｗ側ＶＲ４５ｂを備えている。ＶＲ４５ａ，４５ｂのＧＮＤは第２ＧＮＤパッド用端子２７に接続されている。
【００３８】
また、ＶＲ４５ａ，４５ｂに電源を供給するための電圧生成ユニット４７が備えられている。例えば、ＶＲ４５ａ，４５ｂの出力電圧を３.０Ｖとする場合、電圧生成ユニット４７が供給する電圧は３.５Ｖにしておけばよい。
【００３９】
この試験装置でも、図１を参照して説明した実施例と同様に、ＩＣチップ７の内部ＧＮＤ電圧が接触抵抗３１に起因して上昇した場合に、その上昇分だけＤＡコンバータ２３ａ，２３ｂ及びＶＲ４５ａ，４５ｂのＧＮＤ電圧も上昇するので、ＩＣチップ７を高精度に試験することができる。
【００４０】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【００４１】
例えば、上記実施例では、被試験半導体集積回路装置であるＩＣチップ７は、ＧＮＤパッド３と同電圧であってＧＮＤパッド３の電圧を検出することを目的として設けられた第２ＧＮＤパッド９を備えているが、被試験半導体集積回路装置はこれに限定されるものではなく、第２ＧＮＤパッド９を備えていないものであってもよい。この場合、第２ＧＮＤパッド用端子２７を規格電圧生成回路用端子として用い、ＧＮＤパッド用端子と規格電圧生成回路用端子をＧＮＤパッドに接触させればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】試験装置の一実施例を示す回路図である。
【図２】同実施例におけるＨｉｇｈ側のテスターパターン生成の例を示す図である。
【図３】同実施例におけるＨｉｇｈ側のテスターパターン生成の他の例を示す図である。
【図４】同実施例におけるＨｉｇｈ側のテスターパターン生成のさらに他の例を示す図である。
【図５】試験装置の他の実施例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  電源パッド
３  ＧＮＤパッド
５  出力パッド
７  ＩＣチップ（半導体集積回路装置）
９  第２ＧＮＤパッド
１１  電源ユニット
１３  電源パッド用端子
１５  ＧＮＤ
１７  ＧＮＤパッド用端子
１９  出力パッド用端子
２１ａ  Ｈｉｇｈ側比較器
２１ｂ  Ｌｏｗ側比較器
２３ａ  Ｈｉｇｈ側規格電圧ＤＡコンバータ（規格電圧生成回路）
２３ｂ  Ｌｏｗ側規格電圧ＤＡコンバータ（規格電圧生成回路）
２７  第２ＧＮＤパッド用端子
２９，３１，３３  接触抵抗
３５  ＡＮＤ回路（総合判定回路）
３９ａ，３９ｂ  電圧規格メモリ（記憶装置）
【図１】
2009042030.tif 000003
【図２】
2009042030.tif 000004
【図３】
2009042030.tif 000005
【図４】
2009042030.tif 000006
【図５】
2009042030.tif 000007