(57)【要約】【課題】  半導体素子において発生する熱を効率的に外部に放熱することができる半導体装置を実現する。【解決手段】  半導体素子１２が形成された素子形成基板１１ｃが埋込絶縁膜１１ｂを介して支持基板１１ａ上に積層形成されたＳＯＩ基板１１からなる半導体装置１０において、隣接する半導体素子１２の間に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高いダイヤモンドからなる絶縁層１３を介在させて絶縁分離するため、絶縁層１３を介して絶縁層１３の表面から半導体素子１２における発熱を外部に放熱することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成された素子形成基板が埋込絶縁膜を介して支持基板上に積層形成された半導体基板からなる半導体装置において、
隣接する前記半導体素子の間に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い絶縁体を介在させて絶縁分離したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板は、薄膜ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁体は、前記支持基板に到達するように形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁体は、ダイヤモンドにより形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁体は、窒化けい素により形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子が形成された素子形成基板が埋込絶縁膜を介して支持基板上に積層形成された半導体基板からなる半導体装置において、
隣接する前記半導体素子の間に、隣接する前記半導体素子の間に、絶縁膜を介してシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い導電体を介在させて絶縁分離したことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板は、薄膜ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記導電体は、前記支持基板に到達するように形成されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記導電体は、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金により形成されていることを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記導電体は、前記半導体装置のバスラインであることを特徴とする請求項６ないし請求項９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子の少なくとも１つがパワー素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子が形成された素子形成基板が埋込絶縁膜を介して支持基板上に積層形成された半導体基板からなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高速作動し、高集積化が可能な半導体装置として、半導体素子が形成された素子形成基板が埋込絶縁膜を介して支持基板上に積層形成された半導体基板からなる半導体装置が用いられている。
このような半導体装置として、例えば、特許文献１には、シリコンからなる支持基板上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜を介してシリコンからなる素子形成基板を積層して形成されるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）により絶縁分離して半導体素子を形成した半導体装置が開示されている。
【特許文献１】特開平９−３０６９２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述のような構造を有する半導体装置において、半導体素子間を絶縁分離するシリコン酸化膜の熱伝導率は、シリコンの熱伝導率の１％程度と非常に小さいため、半導体素子の動作に伴って発生する熱が外部に放熱されにくく、半導体素子の温度が上昇することにより素子特性が変動する、例えばリーク電流が増加する、という問題があった。
この現象は、特に、半導体素子として高速動作を目的としたＭＯＳＦＥＴや、大電流スイッチングを目的としたパワー素子を用いた場合に顕著である。
また、近年、リーク電流が小さいなどの優れた特性を有する、素子形成基板が厚さ１μｍ以下に形成された薄膜ＳＯＩ基板を用いた半導体装置が提案されているが、このような半導体装置では、半導体素子において熱伝導がよいシリコンが従来のＳＯＩ基板より減少するため、半導体素子において発生した熱が放熱しにくい。そのため、上述の問題が顕著に現れるという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明は、半導体素子において発生する熱を効率的に外部に放熱することができる半導体装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明は、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体素子が形成された素子形成基板が埋込絶縁膜を介して支持基板上に積層形成された半導体基板からなる半導体装置において、隣接する前記半導体素子の間に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い絶縁体を介在させて絶縁分離した、という技術的手段を用いる。
【０００６】
請求項１に記載の発明によれば、半導体素子が形成された素子形成基板が埋込絶縁膜を介して支持基板上に積層形成された半導体基板からなる半導体装置において、隣接する半導体素子の間に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い絶縁体を介在させて絶縁分離するため、当該絶縁体を介して、半導体素子における発熱を外部に放熱することができる。
ここで、当該絶縁体は、素子分離の絶縁体として一般的に用いられるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高いため、半導体素子における発熱を効率的に外部に放熱することができる。
【０００７】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、前記半導体基板は、薄膜ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板である、という技術的手段を用いる。
【０００８】
請求項２に記載の発明のように、本発明は、素子形成基板が薄いため半導体素子の発熱の影響が大きくなる薄膜ＳＯＩ基板を用いた半導体装置に、特に好適に用いることができる。
ここで、薄膜ＳＯＩ基板とは、素子形成基板の厚さが１μｍ以下であるＳＯＩ基板を示す。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、前記絶縁体は、前記支持基板に到達するように形成されている、という技術的手段を用いる。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、絶縁体は、支持基板に到達するように形成されているため、半導体素子における発熱を素子形成基板側からだけでなく、熱伝導の良好な支持基板にも放熱することができる。これにより、半導体素子における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明では、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置において、前記絶縁体は、ダイヤモンドにより形成されている、という技術的手段を用いる。
【００１２】
請求項４に記載の発明によれば、絶縁体をダイヤモンドにより形成することができる。ダイヤモンドは、あらゆる物質の中でも熱伝導率が高い材料であるので、半導体素子における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明では、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置において、前記絶縁体は、窒化けい素により形成されている、という技術的手段を用いる。
【００１４】
請求項５に記載の発明によれば、絶縁体を窒化けい素により形成することができる。窒化けい素は、絶縁体の中でも熱伝導率が高い材料であるので、半導体素子における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
また、薄膜化が容易であるので、特に、薄膜ＳＯＩ基板からなる半導体装置に好適に用いることができる。
【００１５】
請求項６に記載の発明では半導体素子が形成された素子形成基板が埋込絶縁膜を介して支持基板上に積層形成された半導体基板からなる半導体装置において、隣接する前記半導体素子の間に、隣接する前記半導体素子の間に、絶縁膜を介してシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い導電体を介在させて絶縁分離した、という技術的手段を用いる。
【００１６】
請求項６に記載の発明によれば、半導体素子が形成された素子形成基板が埋込絶縁膜を介して支持基板上に積層形成された半導体基板からなる半導体装置において、隣接する半導体素子の間に、絶縁膜を介してシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い導電体を介在させて絶縁分離するため、当該導電体を介して、半導体素子における発熱を外部に放熱することができる。
ここで、当該導電体は、素子分離の絶縁体として一般的に用いられるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高いため、半導体素子における発熱を効率的に外部に放熱することができる。
【００１７】
請求項７に記載の発明では、請求項６に記載の半導体装置において、前記半導体基板は、薄膜ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板である、という技術的手段を用いる。
【００１８】
請求項７に記載の発明のように、素子形成基板が薄いため半導体素子の発熱の影響が大きくなる薄膜ＳＯＩ基板を用いた半導体装置に、特に好適に用いることができる。
ここで、薄膜ＳＯＩ基板とは、素子形成基板の厚さが１μｍ以下であるＳＯＩ基板を示す。
【００１９】
請求項８に記載の発明では、請求項６または請求項７に記載の半導体装置において、前記導電体は、前記支持基板に到達するように形成されている、という技術的手段を用いる。
【００２０】
請求項８に記載の発明によれば、導電体は、支持基板に到達するように形成されているため、半導体素子における発熱を素子形成基板側からだけでなく、熱伝導の良好な支持基板にも放熱することができる。これにより、半導体素子における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
【００２１】
請求項９に記載の発明では、請求項６ないし請求項８のいずれか１つに記載の半導体装置において、前記導電体は、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金により形成されている、という技術的手段を用いる。
【００２２】
請求項９に記載の発明によれば、導電体をＡｇまたはＡｇを主成分とする合金により形成することができる。ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金は、導電体の中でも熱伝導率が高い材料であるので、半導体素子における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
【００２３】
請求項１０に記載の発明では、請求項６ないし請求項９のいずれか１つに記載の半導体装置において、前記導電体は、前記半導体装置のバスラインである、という技術的手段を用いる。
【００２４】
請求項１０に記載の発明のように、導電体は、半導体装置の電源用のバスラインとして用いることができる。特に、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金は導電体の中でも低抵抗であるため、ＣＰＵなど高速化が要求される半導体装置に好適に用いることができる。
【００２５】
請求項１１に記載の発明では、請求項１ないし請求項１０のいずれか１つに記載の半導体装置において、前記半導体素子の少なくとも１つがパワー素子である、という技術的手段を用いる。
【００２６】
横方向拡散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのパワー素子は発熱量が大きいため、請求項１１に記載の発明のように、半導体素子の少なくとも１つがパワー素子である半導体装置に好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
［第１実施形態］
この発明に係る半導体装置の第１実施形態について、図を参照して説明する。ここでは、薄膜ＳＯＩ基板に半導体素子が形成された半導体装置を例に説明する。図１は、第１実施形態の半導体装置の断面説明図である。図２は、第１実施形態の半導体装置の変更例を示す断面説明図である。
なお、各図では、説明のために一部を拡大して誇張して示している。
【００２８】
図１に示すように、半導体装置１０は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板１１の素子形成基板１１ｃに、例えば、ＬＤＭＯＳやＣＭＯＳのような半導体素子１２を複数個備え、各半導体素子１２の間に絶縁層１３を介在させて絶縁分離して構成されている。ここで、半導体素子１２は、公知の構成からなり、内部の構成の図示及び説明を省略する。
【００２９】
ＳＯＩ基板１１は、例えば、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ法により形成されており、支持基板１１ａ上に埋込絶縁膜１１ｂを介して厚さ約５０ｎｍの素子形成基板１１ｃが積層形成された薄膜ＳＯＩ基板である。
半導体素子１２は、公知の半導体プロセスにより形成されている。
【００３０】
絶縁層１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い絶縁体、本実施形態ではダイヤモンドにより、埋込絶縁膜１１ｂと各半導体素子１２の側面１２ａとにより形成された溝部１１ｄを充填して形成されており、各半導体素子１２を絶縁分離している。
絶縁層１３は、例えば、溝部１１ｄが形成されたＳＯＩ基板１１の主面にダイヤモンドを約５０ｎｍの厚さに蒸着した後に、化学機械研磨（ＣＭＰ）などにより素子形成基板上のダイヤモンドを除去し、平坦化を行うことにより半導体素子１２の表面との段差がない形状に形成される。この工程は、多層配線を行う場合や微細なパターンを形成する場合に適している。
【００３１】
上述の構成を備えた半導体装置１０では、半導体素子１２の作動に伴い発生した熱は、側面１２ａを介して絶縁層１３に伝達され、絶縁層１３の表面から外部に放熱される。
ここで、ダイヤモンドは、熱伝導率がシリコンの１０倍以上（バルクの場合）であり、あらゆる物質の中でも熱伝導率が高い材料であるので、半導体素子１２における発熱を絶縁層１３により効率的に外部に放熱することができる。
特に、半導体素子１２として横方向拡散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのパワー素子を備えた半導体装置１０では、半導体素子１２における発熱量が大きいため、本実施形態の構成を好適に用いることができる。
【００３２】
（変更例）
図２に示すように、溝部１１ｄを埋込絶縁膜１１ｂを貫通して支持基板１１ａに到達するように形成し、絶縁層１３を支持基板１１ａに到達するように形成してもよい。この構成によれば、半導体素子における発熱を素子形成基板１１ｃ側からだけでなく、熱伝導の良好な支持基板１１ａにも放熱することができるので、半導体素子１２における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
【００３３】
絶縁層１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高ければ、ダイヤモンド以外の材料により形成することができる。例えば、窒化けい素や酸化アルミニウムにより形成することができる。
特に、窒化けい素は薄膜化が容易であり、絶縁材料の中でも熱伝導率が高い材料であるため、薄膜ＳＯＩ基板をＳＯＩ基板１１として用いた半導体装置１０に好適に用いることができる。
【００３４】
絶縁層１３は、溝部１１ｄを充填して形成されていれば、表面形状は任意である。例えば、表面を凹凸状に形成することにより、表面積が増大するため、放熱効率を向上させることができる。
【００３５】
本発明は、素子形成基板１１ｃの厚さが１０μｍ程度のＳＯＩ基板１１を用いた半導体装置１０に適用することもできる。支持基板１１ａとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化けい素などの基板材料により形成された基板を用いることができる。また、半導体素子１２として、パワー素子、非パワー素子を問わず各種半導体素子を用いることができる。  
【００３６】
［第１実施形態の効果］
（１）本実施形態の半導体装置１０によれば、半導体素子１２が形成された素子形成基板１１ｃが埋込絶縁膜１１ｂを介して支持基板１１ａ上に積層形成されたＳＯＩ基板１１からなる半導体装置１０において、隣接する半導体素子１２の間に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い絶縁層１３を介在させて絶縁分離するため、絶縁層１３を介して、半導体素子１２における発熱を外部に放熱することができる。
ここで、絶縁層１３は、ダイヤモンドにより形成されており、素子分離の絶縁体として一般的に用いられるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高いため、半導体素子１２における発熱を効率的に外部に放熱することができる。
素子形成基板１１ｃが薄いため半導体素子１２の発熱の影響が大きくなる薄膜ＳＯＩ基板をＳＯＩ基板１１として用いた半導体装置１０に、特に好適に用いることができる。
【００３７】
（２）絶縁層１３が支持基板１１ａに到達するように形成されている構成によれば、半導体素子１２における発熱を素子形成基板１１ｃ側からだけでなく、熱伝導の良好な支持基板１１ａにも放熱することができる。これにより、半導体素子１２における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
【００３８】
［第２実施形態］
この発明に係る半導体装置の第２実施形態について、図を参照して説明する。図３は、第２実施形態の半導体装置の断面説明図である。図４及び図５は、第２実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面説明図である。
なお、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
【００３９】
図３に示すように、第２実施形態の半導体装置２０では、溝部１１ｄに絶縁膜２１を介して導電層２２が充填されている点において、第１実施形態の半導体装置１０と異なっている。
【００４０】
絶縁膜２１は、絶縁材料により半導体素子１２の側面１２ａを覆うように形成されている。絶縁膜２１を形成する絶縁材料としては、酸化アルミニウムなど半導体プロセスにより成膜可能な材料を用いることができ、本実施形態ではシリコン酸化膜を用いる。
【００４１】
導電層２２は、導電材料により半導体素子１２の表面と段差がない形状に形成されている。導電層２２を形成する導電材料はシリコン酸化膜より熱伝導率が高く、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金、誘電率の低いＬｏｗ―Ｋ材料などを用いることができる。本実施形態では、導電層２２を形成する導電材料として、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金を用いる。
【００４２】
上述の構成を備えた半導体装置２０では、絶縁膜２１を介してシリコン酸化膜より熱伝導率が高い導電層２２を介在させて絶縁分離するため、導電層２２を介して、半導体素子１２における発熱を外部に放熱することができる。
【００４３】
ここで、導電層２２は、放熱部材以外の効果を奏することもでき、例えば、隣接する半導体素子１２のクロストークを防止するためのノイズや帯電に対するシールド層や電源用のバスラインとして用いることができる。
【００４４】
この半導体装置２０の製造方法について、図４及び図５を参照して説明する。
まず、図４（Ａ）に示すように、ＳＯＩ基板１１の表面に、公知の方法により酸化膜３１、窒化膜３２及びＡＰ−シリコン酸化膜３３をこの順に積層して形成する。
【００４５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、後の工程により形成される溝部１１ｄの形状に対応する部分が開口するように、フォトリソグラフィ法により、酸化膜３１、窒化膜３２及びＡＰ−シリコン酸化膜３３をパターニングする。
【００４６】
続いて、図４（Ｃ）に示すように、開口が形成された酸化膜３１、窒化膜３２及びＡＰ−シリコン酸化膜３３をマスクとして用いて、素子形成基板１１ｃにトレンチエッチングを行い、素子形成基板１１ｃに溝部１１ｄを形成する。
【００４７】
続いて、図５（Ａ）に示すように、溝部１１ｄの側面、つまり、半導体素子１２の側面１２ａを熱酸化などにより酸化して、シリコン酸化膜からなる絶縁膜２１を形成する。
【００４８】
続いて、図５（Ｂ）に示すように、スパッタ、蒸着、電解めっきなどの公知の方法により溝部１１ｄ及び溝部１１ｄの上部の空隙にＣｕを充填する。
【００４９】
そして、図５（Ｃ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）により、素子形成基板１１ｃより上方の酸化膜３１、窒化膜３２、ＡＰ−シリコン酸化膜３３及びＣｕを除去して平坦化を行うことにより導電層２２を形成する。
上述の工程を経て、所定の配線等を施し、半導体装置２０を製造することができる。
【００５０】
（変更例）
導電層２２は、溝部１１ｄを充填して形成されていれば、表面形状は任意である。例えば、表面を凹凸状に形成することにより、表面積が増大するため、放熱効率を向上させることができる。
【００５１】
溝部１１ｄを埋込絶縁膜１１ｂを貫通して支持基板１１ａに到達するように形成し、導電層２２を支持基板１１ａに到達するように形成してもよい。こことき、溝部１１ｄの底部にも絶縁膜２１を形成する。この構成によれば、半導体素子における発熱を素子形成基板１１ｃ側からだけでなく、熱伝導の良好な支持基板１１ａにも放熱することができるので、半導体素子１２における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
【００５２】
導電層２２として、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金を用いると、導電体の中でも熱伝導率が高い材料であるので、半導体素子１２における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。また、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金は導電体の中でも低抵抗であるため、導電層２２をバスラインとして用いることにより、ＣＰＵなど高速化が要求される半導体装置２０に好適に用いることができる。
【００５３】
導電層２２として、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金を用いる場合には、図５（Ａ）に示す工程に代えて、図５（Ｂ）に示す工程で、溝部１１ｄ及び溝部１１ｄの上部の空隙にＡｌまたはＡｌを主成分とする合金を充填した後に、熱酸化して半導体素子１２との界面に酸化膜を形成することができる。この酸化膜が絶縁膜２１として作用する。
【００５４】
［第２実施形態の効果］
（１）第２実施形態の半導体装置２０によれば、半導体素子１２が形成された素子形成基板１１ｃが埋込絶縁膜１１ｂを介して支持基板１１ａ上に積層形成されたＳＯＩ基板１１からなる半導体装置２０において、隣接する半導体素子１２の間に、絶縁膜２１を介してシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）より熱伝導率が高い導電層２２を介在させて絶縁分離するため、導電層２２を介して、半導体素子１２における発熱を外部に放熱することができ、第１実施形態の半導体装置１０と同様の効果を奏することができる。
【００５５】
（２）導電層２２をＡｇまたはＡｇを主成分とする合金により形成する構成によれば、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金は、導電体の中でも熱伝導率が高い材料であるので、半導体素子１２における発熱をより効率的に外部に放熱することができる。
【００５６】
（３）導電層２２を半導体装置２０の電源用のバスラインとして用いることができる。特に、ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金は導電体の中でも低抵抗であるため、ＣＰＵなど高速化が要求される半導体装置２０に好適に用いることができる。
【００５７】
[その他の実施形態]
ＳＯＩ基板１１として、埋込絶縁膜１１ｂと素子形成基板１１ｃとの間にＳｉＧｅ層を設け、素子形成基板１１ｃに歪を導入した歪みシリコン基板を用いることができる。ＳｉＧｅは熱伝導率が低く、放熱性が悪いため、本発明を好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１実施形態の半導体装置の断面説明図である。
【図２】第１実施形態の半導体装置の変更例を示す断面説明図である。
【図３】第２実施形態の半導体装置の断面説明図である。
【図４】第２実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面説明図である。
【図５】第２実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０、２０  半導体装置
１１    薄膜ＳＯＩ基板
１１ａ  支持基板
１１ｂ  埋込絶縁膜
１１ｃ  素子形成基板
１２    半導体素子
１３    絶縁層
２１    絶縁膜    
２２    導電層
【図１】
2009010087.tif 000003
【図２】
2009010087.tif 000004
【図３】
2009010087.tif 000005
【図４】
2009010087.tif 000006
【図５】
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