(57)【要約】【課題】レジスト膜の表面に溝を形成して、ベーク処理によるレジスト膜（レジストパターン）の熱収縮を防止した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１０１上にレジスト層１０２を形成する工程と、レチクルを通した光露光によってレジスト層１０２に感光領域を形成する工程と、レジスト層１０２に現像液を接触させ開口部を有するレジストパターン１１２を形成するとともにレジストパターン１１２の表層に溝１１３を形成する現像工程と、レジストパターン１１２をベーク処理する工程とを含む。【選択図】図１
2009027060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に感光領域を形成する工程と、
前記レジスト層に現像液を接触させ開口部を有するレジストパターンを形成するとともに前記レジストパターンの表層に溝を形成する工程と、
前記レジストパターンをベーク処理する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記溝は、複数の溝からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数の溝は、平行に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記複数の溝は、前記レジストパターン上に格子状に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
レジスト層に感光領域を形成する前記工程において、
透過部と、遮光部と、露光する光の透過率が前記透過部より低い低透過部を設けたレチクルを用いて露光を行うことにより、
前記透過部が前記レジストパターンの前記開口部に対応し、前記遮光部と前記低透過部とが前記レジストパターンに対応し、前記低透過部が前記レジストパターンの前記表層の前記溝に対応するように前記レジスト層に前記感光領域を形成することを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
レジスト層に感光領域を形成する前記工程において、
透過部と、遮光部と、露光する光の透過率が前記透過部より低い低透過部を設けたレチクルを用いて露光を行うことにより、
前記遮光部が前記レジストパターンの前記開口部に対応し、前記透過部と前記低透過部とが前記レジストパターンに対応し、前記低透過部が前記レジストパターンの前記表層の前記溝に対応するように前記レジスト層に前記感光領域を形成することを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記レチクルの前記低透過部は、ハーフトーン膜を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記レチクルの前記遮光部は、前記ハーフトーン膜と、前記ハーフトーン膜より透過率の低いハーフトーン膜とを重ね合わせた膜を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記レチクルの前記低透過部は、解像限界以下の複数のスリットを形成した遮光膜を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記溝の深さＤは、前記レジストパターンの膜厚をｄとしたとき、Ｄ／ｄが１／５以上１／２以下であることを特徴とする請求項１乃至９いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記レジストパターンの表面における前記溝の幅が、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１０いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記溝は、断面視において略Ｖ字状であることを特徴とする請求項１乃至１１いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベーク処理によるレジストパターンの熱収縮を防止した半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０に、一般的な従来のレジストパターンを形成する工程断面図を示す。ここでは、ポジ型レジストを用いる場合を例に説明する。レジストパターンを形成する工程は、まず、基板１１上にレジストを塗布してレジスト層１２を形成する（図１０(a)）。次に、所望パターンを配したレチクル１５を通してレジスト層１２に露光し、レジスト層の一部を感光させる。レジスト層１２の感光した領域は現像液により除去され、レジストパターン１８が形成される（図１０(ｃ)）。最後にレジストパターン１８のベーク処理を実施する。ベーク処理は、レジストやポリイミドなど高分子樹脂膜のピンホール防止、基板との密着性向上、脱ガス低減、ドライエッチング耐性向上等の効果があり、一般的に広く使用されている。また、主にホールを形成する際、レジストのベーク処理温度を最適化することで樹脂を変形させ、現像後のホールパターンより縮小した寸法のパターンを意図的に形成するサーマルフロー技術も用いられている。
【０００３】
しかし、図１０（ｄ）に示すように、レジストパターン１８が、ベーク処理によりパターンエッジから内側に向かって収縮し変形することがある。このベーク処理によるレジストパターンの変形度合いは、ベーク温度が高温、レジスト膜が厚膜、パターンサイズが大きい部分程大きくなる傾向があり、また微細化に伴い無視できないものも増えてきている。
【０００４】
具体的に、上述のレジストパターンをイオン注入工程用マスクとして用いた例について説明する。図１１は、ベーク処理によるレジストパターンの形状変化がない理想的な工程断面図を示している。
【０００５】
理想的なレジスト膜を想定すると、ベーク処理後、レジストパターン１８はパターンエッジにおいて矩形を維持している（図１１（ａ））。このレジストパターン１８をマスクにしてイオン注入を行う（図１１（ｂ））。その結果、図１１（ｃ）に示すように、基板１１の所望の領域に所望の注入量で注入することにより、注入領域A２８が形成される。
【０００６】
一方、図１２は、ベーク処理によるレジスト形状の変形が発生した状態でイオン注入を行った例を示す工程断面図である。図１２（ａ）に示すように、大面積のパターンエッジ部のレジスト形状がテーパー形状となり、テーパー部分のレジスト膜は薄くなる。このため、レジストパターン１８をマスクにしてイオン注入処理を行うと(図１２（ｂ）)、図１２（ｃ）に示すように、レジスト膜厚が薄くなった領域の基板部分にもイオンが注入される。その結果、正常な注入領域Ａ２８以外に、注入領域Ｂ２９が形成され、半導体装置の電気的不良の原因となることが予想される。
【０００７】
ベーク処理によるこのようなレジスト変形を防止する方法として、特許文献1には、レジストの平面形状に凹凸状もしくは鋸状の収縮防止パターンを形成し、凹凸状もしくは鋸状の角部の存在により、ベーク処理によるレジストパターンの変形を防止することが記載されている。
【特許文献１】特開平６−５３１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記文献記載の技術は、レジストの平面形状に凹凸を形成しているため、注入領域も平面的な凹凸形状もしくは鋸状といったパターンを形成する必要がある。これにより、設計が複雑化し、微細パターンに適用することが困難である。また、エッチング工程など他のプロセスへの適用が困難である。
【０００９】
ここで、ドライエッチング工程用のマスクとして使用するレジストのベーク処理後の変形について、図１３、図１４を用いて具体的に説明する。
【００１０】
図１３は、ドライエッチング用レジストマスクを用いて絶縁膜にホールを形成する工程図を示している。図１３（ａ）は、ホール形成用の開口部２０を形成したレジストパターン１８の平面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ'断面図である。基板１１上に絶縁膜２２を成膜し、レジストを塗布した後、レジスト層を露光・現像して、開口部２０を設けたレジストパターン１８を形成する。このレジストパターン１８をマスクとして絶縁膜２２をドライエッチングし、レジストパターン１８を除去すると図１３（ｃ）に示すように絶縁膜２２にホールが形成される。
【００１１】
一方、上述したサーマルフロー技術を用いて高温ベーク処理を行いホール形成用の開口部２０を縮小した状態を図１４に示す。図１４（ａ）は、高温ベーク処理後のレジストパターン１８の平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＢ−Ｂ'断面図である。開口部２０が近接している部分はレジスト量に余裕がなく、レジストの流動が押さえられているため、レジストの変形は小さい。しかし、その他の部分は周りのレジストが押し寄せるため大きく変形し、結果として、開口部２０の平面形状、断面形状は、図１４(a)、（ｂ）に示したように、図１３に示した形状とは著しく異なる。
【００１２】
さらに、このレジストパターン１８をマスクとしてエッチングを行い、その後レジストを剥離した断面図を図１４(c)に示す。ホールの中心位置が、近接している部分へシフトしていることが分かる。仮に、ホールの大きさがレジストのホールパターンと同じになるように設計した場合でも、収縮後に位置ズレが起きることを意味している。これにより、複数工程を精度よく積み重ねて製造する半導体装置などにおいては、重ね合わせズレによる電気的障害の原因となり得る。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に感光領域を形成する工程と、前記レジスト層に現像液を接触させ開口部を有するレジストパターンを形成するとともに前記レジストパターンの表層に溝を形成する工程と、前記レジストパターンをベーク処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明によれば、レジスト層に、露光によって感光領域を形成し、現像液を接触させることにより、開口部を有するレジストパターンを形成するとともにレジストパターンの表層に溝を形成することができる。そのため、ベーク処理によって生ずるレジストパターンの熱収縮を防止することができ、所望のレジストパターンを形成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、レジスト膜（レジストパターン）の表面に溝を形成して、ベーク処理によるレジストパターンの熱収縮を防止した半導体装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１７】
(第1の実施形態)
図１は、本実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の半導体装置の製造工程は、基板１０１上にレジスト層１０２を形成する工程(図１（ａ）)と、レジスト層１０２に露光によって感光領域を形成する工程(図１（ｂ）)と、レジスト層１０２に現像液を接触させ開口部を有するレジストパターン１１２を形成するとともにレジストパターン１１２の表層に溝１１３を形成する現像工程(図１（ｃ）)と、レジストパターン１１２をベーク処理する工程(図１（ｄ）)とを含む。
【００１８】
以下に各工程についてレジスト層１０２がポジ型レジストである場合を例に詳述する。まず、基板１０１上にレジストを塗布してレジスト層１０２を形成する(図１(a))。ここで用いるレジストとして、化学増幅型レジストを例示するが、これに限定されない。図１（ｂ）に示すように、レチクル１１０を用いて露光してレジスト層１０２に感光領域を形成する。
【００１９】
図２に、レチクル１１０の平面図を示す。レチクル１１０には、透過部１０４ａと、遮光部１０３ａと、露光する光の透過率が透過部より低い低透過部１０６ａとが設けられている。レチクル１１０を用いて露光を行うと、透過部１０４ａはレジストが除去されて形成される開口部に対応し、遮光部１０３ａと低透過部１０６ａがレジストパターン１１２に対応するようにレジスト層１０２に感光領域が転写される。また、低透過部１０６ａは、露光によりレジストパターン１１２の表層の溝１１３に対応するように設けられている。低透過部１０６ａを通過する光の量は、透過部１０４ａより少なくなるため、露光後にレジスト層１０２に現像液を接触させることで、レジスト層１０２が浸食された部分が溝１１３となる。ここで、図１（ｂ）のレジスト層１０２に設けた境界線は、現像後に形成されるパターンを明確にするためのものであり、溝に対応する部分において、レジスト層１０２の表層のみが露光されることを示しているわけではない。
【００２０】
低透過部１０６ａは、露光する光の透過率を低く抑えたハーフトーン膜により構成することができる。図１（ｂ）にレチクル１１０の断面図を示している。レチクル１１０は、ガラス基板などの透明基板１０４にハーフトーン膜１０６と遮光膜１０３を積層した構成になっている。
【００２１】
ここで、ハーフトーン膜は、透過率を透過部１０４ａよりも低くすることが目的であるため、位相について特に限定はなく、同一の位相であっても異なっていてもよい。また、遮光膜１０３には、遮光クロム膜を用いることができる。
さらに、遮光膜１０３として、ハーフトーン膜１０６より透過率の低いハーフトーン膜を用いることができ、遮光部１０３ａは、これらの光の透過率が異なるハーフトーン膜を重ね合わせた膜により構成することができる。
【００２２】
さらに、低透過部１０６ａは、解像限界以下の複数のスリットを形成した遮光膜で構成されていてもよい。
【００２３】
次に、レジスト層１０２に現像液を接触させ、図１（ｃ）に示すように、レジストパターン１１２とレジストパターン１１２の表層に溝１１３とを形成する。ここで、溝１１３の深さＤは、レジストパターン１１２の膜厚をｄとしたとき、Ｄ／ｄが１／５以上１／２以下であればよい。
【００２４】
また、レジストパターン１１２の表面における溝１１３の幅は、１０μｍ以下であればよい。さらに、溝１１３は、断面視において略Ｖ字状であれば好適である。略Ｖ字状とは、例えばＵ字状でもよく、溝の底部の面積が小さい溝形状であればよい。
【００２５】
このような溝を形成することにより、ベーク処理によって生ずるレジスト膜の応力を緩和することができる。一方、レジストパターン１１２の表面における溝の幅が大きく、かつ断面視において溝の形状が矩形になる程度に大きい溝を形成した場合、溝を形成しない場合のレジストパターンと同様に、溝の底部のレジスト膜の面積に応じて溝の底部のレジスト膜に応力がかかると考えられる。
【００２６】
また、該レジストパターンを除去するアッシング処理を行った場合、溝の幅が大きく、溝形状が断面視において矩形であれば、溝を形成しない領域よりも溝を形成した領域においてアッシングが進行し、レジストパターンの下地膜に過剰なアッシングダメージがかかる場合がある。これに対して、本実施形態における略Ｖ字状の溝にすることにより、レジストパターンの下地にこのようなダメージを与える影響を抑制することができる。
【００２７】
また、溝１１３は、図１に示したように複数の溝であればより好ましい。これらの複数の溝は、それぞれ平行に設けられていても、格子状に設けられていてもよい。
【００２８】
続いて、ベーク処理を行う。図１（ｄ）に示すように、レジストパターン１１２のベーク処理による変形がみられず、断面視において矩形のパターンエッジを形成することができる。ここでのベーク処理は公知の条件とすることができるが、ベーク温度は９０℃〜１６０℃と例示することができる。
【００２９】
以上、レジスト層１０２がポジ型レジストの場合を例に説明したが、ネガ型レジストを用いた場合の半導体装置の製造方法を示す工程断面図を図３に、レチクル１１０の平面図を図４に示す。図１を用いて説明した半導体装置の製造方法と同様の工程については説明を省略する。ネガ型レジストを用いた場合、レチクル１１０の構成が異なる。
【００３０】
レチクル１１０には、透過部１０４ａと、遮光部１０３ａと、露光する光の透過率が透過部より低い低透過部１０６ａとが設けられている。レチクル１１０を用いて露光を行うと、遮光部１０３ａはレジストが除去されて形成される開口部に対応し、透過部１０４ａと低透過部１０６ａがレジストパターン１１２に対応するようにレジスト層１０２に感光領域が形成される。また、低透過部１０６ａは、レジストパターン１１２の表層の溝１１３に対応するように設けられている。
【００３１】
低透過部１０６ａを通過する光の量は、透過部１０４ａより少なくなるため、露光後にレジスト層１０２に現像液を接触させることで、レジスト層１０２が浸食された部分が溝１１３となる。ここで、図３（ｂ）のレジスト層１０２に設けた境界線は、現像後に形成されるパターンを明確にするためのものであって、溝に対応する部分において、レジスト層１０２の表層のみが露光されることを示しているわけではない。
【００３２】
ネガ型レジストの場合は、露光により樹脂の架橋反応が起こり、分子量が大きくなることで、現像液に接触させてもレジスト膜として残り、これ以外の部分が、現像液に接触して溶解することになる。レジスト層の低透過部１０６ａに対応する部分においては、レジスト中の樹脂が架橋反応を起こす閾値以下のエネルギーで露光されるため、現像液が接触してレジスト層が浸食されることにより溝を形成することができる。
【００３３】
低透過部１０６ａは、露光する光の透過率を低く抑えたハーフトーン膜により構成することができる。図３（ｂ）にレチクル１１０の断面図を示している。レチクル１１０は、ガラス基板などの透明基板１０４にハーフトーン膜１０６と遮光膜１０３をそれぞれ積層した構成になっている。
【００３４】
ここで、ハーフトーン膜は、透過率を透過部１０４ａよりも低くすることが目的であるため、位相について特に限定はなく、同一の位相であっても異なっていてもよい。また、遮光膜１０３には、遮光クロム膜を用いることができる。
【００３５】
さらに、遮光部１０３ａは、遮光膜１０３と透明基板１０４の間にハーフトーン膜を有する構成でもよい。この場合、遮光膜１０３として、ハーフトーン膜１０６より透過率の低いハーフトーン膜を用いることができ、遮光部１０３ａは、これらの光の透過率が異なるハーフトーン膜を重ね合わせた膜により構成することができる。
【００３６】
次に本実施形態における半導体装置の製造方法の効果を説明する。
本実施形態における半導体装置の製造方法によれば、レジスト層に、感光領域を形成し、現像液を接触させることにより、表層に溝が形成されたレジストパターンを形成することができる。そのため、ベーク処理によりレジスト膜の熱収縮を防止することができ、所望のレジストパターンを形成することができる。
【００３７】
ベーク処理によるレジスト膜（レジストパターン）の熱収縮は、レジスト膜を構成する高分子樹脂膜がベークにより収縮することに起因する。これは高分子樹脂膜中に含まれる溶剤蒸発の影響が大きいためと考えられる。また、樹脂の熱架橋反応、変性反応の影響も考えられる。このため、高分子樹脂膜そのものの膜厚が厚く、形成するパターンが大面積であり、ベーク温度が高温な程、変形度合いは大きくなる。また、高分子樹脂のガラス転移点温度近傍までベークする場合、液状化により変形度合いは更に大きくなる。
【００３８】
一方、本実施形態によれは、レジスト膜（レジストパターン）の表層に溝を形成することにより樹脂を切断することができ、その後のベーク処理によるレジスト膜の熱収縮を緩和することが出来る。
【００３９】
ここで、図５はベーク処理後のレジストパターン１１２をマスクとしてイオン注入処理を行う工程断面図を示している。図５の（ａ）〜（ｃ）は、上述した図１２の（ａ）〜（ｃ）とそれぞれ同じ工程における工程断面図を示している。図５（ｂ）に示すとおり表層に溝を形成したレジストパターン１１２を用いることにより、レジストパターン１１２が所望の形状で形成されているため、イオン注入を行っても、図５（ｃ）に示したように、レジストパターン１１２のパターンと一致した注入領域Ａ２０８を確保することができる。これにより、図１２において見られたような、意図しない注入領域Ｂ２９は形成されない。
【００４０】
また、本実施形態によれば、所望のレジストパターンと溝を形成するための低透過部を同一のレチクルに設けている。このため、パターンの設計自由度が阻害されることなく、溝をレジストパターン上に自由にレイアウトすることができる。
【００４１】
また、溝１１３は、レチクルに露光する光の透過率が透過部より低い低透過部を設けることにより形成される。このため、溝１１３を設けるための新たな露光工程を必要としない。したがって、一度の露光により３種類以上の段差を基板上に形成することが可能であり、ベーク処理によるレジスト膜（レジストパターン）の熱収縮を防止するための新たな工程の追加は必要としない。
【００４２】
（第二の実施形態）
本実施形態では、ドライエッチングによりホールを形成するためのマスクとなるレジスト膜をベーク処理する例について説明する。
【００４３】
図６は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程図である。基本的な製造工程については、第一の実施形態と同じであり、説明を省略する。
【００４４】
図６（ａ）は、ホール形成用の開口部２１０を形成したレジストパターン２１２の平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ'断面図である。基板２０１上に絶縁膜２２２を成膜し、絶縁膜２２２上にレジストを塗布してレジスト層を形成する。次に、レチクルを通した光の露光によってレジスト層に感光領域を形成し、さらにレジスト層に現像液を接触させると、図６（ｂ）に示すような開口部２１０と表層に溝２１３を有するレジストパターン２１２が得られる。
ここで、溝２１３の深さＤは、レジストパターン２１２の膜厚をｄとしたとき、Ｄ／ｄが１／５以上１／２以下であればよい。
また、レジストパターン２１２の表面における溝２１３の幅は、ホール直径の１／２以下の寸法であればよい。
さらに、溝２１３は、断面視において略Ｖ字状であれば好適である。
【００４５】
次に、このレジストパターン２１２をマスクとして絶縁膜２２２をドライエッチングしてホールを形成し、レジストパターン２１２を除去する（図６（ｃ））。
ここで、図７にホール形成用のパターンとレジスト膜に溝を形成するためのパターンが形成されたレチクル２２０の平面図を示す。ここでは、ポジ型レジストを用いる場合のレチクルを例に説明する。
【００４６】
レチクル２２０は、透過部２０４ａと、遮光部２０３ａと、露光する光の透過率が透過部より低い低透過部２０６ａとが設けられている。レチクル２２０を用いて露光を行うと、透過部２０４ａはレジストが除去される開口部に対応し、遮光部２０３ａと低透過部２０６ａがレジストパターン２１２に対応するようにレジスト層に感光領域が形成される。また、低透過部２０６ａは、露光によりレジストパターン２１２の表層の溝２１３に対応するように設けられている。低透過部２０６ａを通過する光の量は、透過部２０４ａより低いため、露光後にレジスト層２０２に現像液を接触させることで、レジスト層２０２が浸食された部分が溝２１３となる。
【００４７】
一方、ネガ型レジストを用いた場合のレチクルについては図示しないが、レチクル２２０の透過部２０４ａと遮光部２０３ａが反転した構成となる。すなわち、ネガ型レジストを用いた場合のレチクルは、透過部と、遮光部と、露光する光の透過率が透過部より低い低透過部とが設けられている。該レチクルを用いて露光を行うと、遮光部はレジストが除去されて形成される開口部に対応し、透過部と低透過部がレジストパターン２１２に対応するようにレジスト層に感光領域が形成される。また、低透過部は、露光によりレジストパターン２１２の表層の溝２１３に対応するように設けられている。
【００４８】
ここで、低透過部２０６ａは、第一の実施形態と同様に光の透過率を低く抑えたハーフトーン膜により構成することができる。
【００４９】
ここでハーフトーン膜は、露光する光の透過率を透過部２０４ａよりも低くすることが目的であるため、位相について特に限定はなく、同一の位相であっても異なっていてもよい。また、遮光部２０３ａには、遮光膜として、遮光クロム膜を用いることができる。遮光部２０３ａは、ハーフトーン膜とこのハーフトーン膜より透過率がさらに低いハーフトーン膜を重ね合わせて用いてもよい。
【００５０】
さらに、低透過部２０６ａは、解像限界以下の複数のスリットを形成した遮光膜で構成されていてもよい。
【００５１】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。図６（ａ）、（ｂ）にみられるように、べーク処理後のレジストパターン２１２は、溝２１３を形成したことにより、図１４に示したように、溝を形成していないレジストパターン１８に比較して、変形が防止される。その結果、後続するドライエッチング処理で形成されるホールは所望の形状に形成することができる。
【００５２】
特に、図７に示したレチクル２２０のパターンから理解されるように、溝を形成するための低透過部２０６ａをレジストパターンの開口部に対応する透過部２０４ａの周囲に等間隔で配置することができるため、ベーク処理によるレジスト膜（レジストパターン）の変形を防止するとともに均一な大きさのホールパターンを形成することができる。さらに、ホールパターンのような微細パターンの周囲にも溝形成用パターンを容易に配置することができる。
【００５３】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
たとえば、第一の実施形態において、上述した図２のようなパターンのレチクルの他に、図８、図９で示すパターンのレチクルでも同様の効果が期待でき、さらにここに示したパターンに限定されるものではない。
また、図８、図９に示したレチクルは、ポジ型レジストを用いた場合のレチクルを示しているが、図中透過部１０４ａを遮光部に、遮光部１０３ａを透過部にすることにより、ネガ型レジストを用いる場合のレチクルとして実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第一の実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】レチクルの平面図である。
【図３】本発明の第一の実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】レチクルの平面図である。
【図５】本発明の第一の実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第二の実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】レチクルの平面図である。
【図８】レチクルの変形例を示す平面図である。
【図９】レチクルの変形例を示す平面図である。
【図１０】従来のレジストパターンを形成する工程断面図である。
【図１１】ベーク処理による形状変化がないレジストパターンを形成する工程断面図である。
【図１２】ベーク処理によるレジスト形状の変形が発生した状態でイオン注入を行った例を示す工程断面図である。
【図１３】従来のレジストパターンを形成する工程断面図である。
【図１４】従来のレジストパターンを形成する工程断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１１  基板
１２  レジスト層
１５  レチクル
１８  レジストパターン
２０  開口部
２２  絶縁膜
２８    注入領域Ａ
２９    注入領域Ｂ
１０１  基板
１０２  レジスト層
１０３  遮光膜
１０３ａ  遮光部
１０４  透明基板
１０４ａ  透過部
１０６  ハーフトーン膜
１０６ａ  低透過部
１１０  レチクル
１１２  レジストパターン
１１３  溝
２０１  基板
２０２  レジスト層
２０３ａ  遮光部
２０４ａ  透過部
２０６ａ  低透過部
２０８    注入領域Ａ
２１０    開口部
２１２    レジストパターン
２１３    溝
２２０    レチクル
２２２    絶縁膜
【図１】
2009027060.tif 000003
【図２】
2009027060.tif 000004
【図３】
2009027060.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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