(57)【要約】【課題】大きな電圧振幅動作時に出力用トランジスタを保護可能な回路を有する電力増幅器を提供する。【解決手段】入力信号を増幅し、出力端子１９に増幅信号を出力するトランジスタＱ１と、ダイオード列ＤＬ１の一端のアノードが出力端子１９と接続され、ダイオード列ＤＬ１の他端のカソードがベースと接続され、コレクタが出力端子１９と接続されたトランジスタＱ３、及び、ダイオード列ＤＬ２の一端のアノードがトランジスタＱ３のエミッタと接続され、ダイオード列ＤＬ２の他端のカソードがベースと接続され、トランジスタＱ３のエミッタがコレクタと接続され、エミッタが接地端子と接続されたトランジスタＱ４を有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態のトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路１５とを備える。【選択図】図１
2009010740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を増幅し、出力端子と接地端子との間に増幅信号を出力する第１のトランジスタと、
複数個直列に接続された第１のダイオード列の一端のアノードが前記出力端子と接続され、前記第１のダイオード列の他端のカソードがベースと接続され、コレクタが前記出力端子と接続された第２のトランジスタ、及び、複数個直列に接続された第２のダイオード列の一端のアノードが前記第２のトランジスタのエミッタと接続され、前記第２のダイオード列の他端のカソードがベースと接続され、前記第２のトランジスタのエミッタがコレクタと接続され、エミッタが前記接地端子と接続された第３のトランジスタを有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態の前記第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つ前記第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路と、
を備えていることを特徴とする電力増幅器。
【請求項２】
前記第１のダイオード列と前記第２のダイオード列のそれぞれのダイオード個数は、同数または１個差であることを特徴とする請求項１に記載の電力増幅器。
【請求項３】
前記第１乃至第３のトランジスタはバイポーラ型であることを特徴とする請求項１または２に記載の電力増幅器。
【請求項４】
入力信号を増幅し、出力端子と接地端子との間に増幅信号を出力する第１のトランジスタと、
複数個直列に接続されたダイオード列の一端のアノードが前記出力端子と接続され、前記第１のダイオード列の他端のカソードがベースと接続され、コレクタがカソードと接続されたダイオードを介して前記出力端子と接続され、エミッタが前記接地端子と接続された第２のトランジスタを有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態の前記第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つ前記第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路と、
を備えていることを特徴とする電力増幅器。
【請求項５】
前記第１のトランジスタはバイポーラ型であることを特徴とする請求項１または４に記載の電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護回路を有する電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話をはじめとする情報通信機器等により行われる通信は、その容量が増大し、日常生活に幅広く浸透している。これらの情報通信機器に使用される回路や部品は、長時間の連続使用や考えられる様々な事態に対応できる高信頼性であることが求められている。主構成要素をなす増幅用（出力用）トランジスタ等を含む電力増幅器においては、どのような状況においても、簡単に壊れずに、安定して通信が行えることを目指して、製品化される。
【０００３】
携帯電話等において、増幅された信号がアンテナから正常に出力される場合、つまりインピーダンス整合がなされた状態で出力される場合、電圧振幅は出力用トランジスタの規格を越えることはない。しかしながら、出力用トランジスタからアンテナまでの間で異常な事態、例えば、アンテナが折れたり、アンテナが接地されたり、その他の負荷変動が起こると、出力用トランジスタの電圧振幅は、正常動作範囲を越え、時には、耐圧の定格を越えて、出力用トランジスタの破壊を起こすことになる。
【０００４】
被保護回路等を順逆両方向の高電圧から保護するために、例えば、保護される内部回路と、この内部回路に外部から電源を供給する第１及び第２の電源端子と、この内部回路と外部回路との間の信号授受の中継を行う信号端子と、この信号端子と第１の電源端子との間に第１及び第２の電源端子間の電源電圧に対して逆バイアスとなるように接続された第１のダイオードと、信号端子と第２の電源端子との間に電源電圧に対して逆バイアスとなるように接続された第２のダイオードと、一端を第１の電源端子と接続し電源電圧に対して順バイアスとなるようにかつ順方向電圧の合計が電源電圧より高くなる数だけ直列接続された複数の第３のダイオードを含むダイオード回路と、このダイオード回路の他端と第２の電源端子との間に接続された抵抗と、ベースを前記ダイオード回路及び抵抗の接続点と接続しコレクタを第１の電源端子と接続しエミッタを第２の電源端子と接続しベース・エミッタ接合部の順方向と第３のダイオードの順方向が一致するような接合型のトランジスタとを有する半導体集積回路が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
開示された半導体集積回路の高電圧は両方向からかかる場合を想定しているので、順逆両方向のダイオードが配置されているが、電力増幅器の出力用トランジスタの負荷変動対策に適用しようとする場合は、一方向、つまり、順方向からかかる場合が問題となり、例えば、開示された半導体集積回路の第３のダイオードをベースに接続されたバイポーラトランジスタからなる回路を考えればよい。しかしながら、この第３のダイオード及びバイポーラトランジスタを負荷変動対策として使用する場合、所定の電圧以上（大きな電圧振幅動作）になると、コレクタ・エミッタ間に電流が流れて、電圧振幅の低減効果が出始めるものの、出力用トランジスタと同一工程で作製されたバイポーラトランジスタは、出力用トランジスタ以上の耐圧を持たないので、実際には、破壊されるという問題が発生する。そして、バイポーラトランジスタは接合部が破壊されると、常時導通状態になり、保護機能を失うことになる。
【特許文献１】特開平６−３３５１６２号公報（第４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、大きな電圧振幅動作時に出力用トランジスタを保護可能な回路を有する電力増幅器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の電力増幅器は、入力信号を増幅し、出力端子と接地端子との間に増幅信号を出力する第１のトランジスタと、複数個直列に接続された第１のダイオード列の一端のアノードが前記出力端子と接続され、前記第１のダイオード列の他端のカソードがベースと接続され、コレクタが前記出力端子と接続された第２のトランジスタ、及び、複数個直列に接続された第２のダイオード列の一端のアノードが前記第２のトランジスタのエミッタと接続され、前記第２のダイオード列の他端のカソードがベースと接続され、前記第２のトランジスタのエミッタがコレクタと接続され、エミッタが前記接地端子と接続された第３のトランジスタを有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態の前記第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つ前記第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路とを備えていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別態様の電力増幅器は、入力信号を増幅し、出力端子と接地端子との間に増幅信号を出力する第１のトランジスタと、複数個直列に接続されたダイオード列の一端のアノードが前記出力端子と接続され、前記第１のダイオード列の他端のカソードがベースと接続され、コレクタがカソードと接続されたダイオードを介して前記出力端子と接続され、エミッタが前記接地端子と接続された第２のトランジスタを有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態の前記第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つ前記第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路とを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、大きな電圧振幅動作時に出力用トランジスタを保護可能な回路を有する電力増幅器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１１】
本発明の実施例１に係る電力増幅器について、図１を参照しながら説明する。図１は電力増幅器に用いられる電力増幅用トランジスタの保護回路を模式的に示す図である。
【００１２】
図１に示すように、電力増幅器１は、電力増幅用のトランジスタＱ１と、直列に接続されたトランジスタＱ３及びトランジスタＱ４がトランジスタＱ１と並列に接続され、トランジスタＱ３のベースはダイオード列ＤＬ１を介してトランジスタＱ１、Ｑ３のコレクタと接続され、トランジスタＱ４のベースはダイオード列ＤＬ２を介してトランジスタＱ３のエミッタ及びトランジスタＱ４のコレクタと接続されている。
【００１３】
より詳細には、電力増幅器１は、入力信号を増幅し、出力（高電位側）端子１９と接地（低電位側）端子との間に増幅信号を出力する第１のトランジスタであるトランジスタＱ１と、４個のダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ１３、Ｄ１４が直列に接続された第１のダイオード列であるダイオード列ＤＬ１の一端のアノードが出力端子１９と接続され、ダイオード列ＤＬ１の他端のカソードがベースと接続され、コレクタが出力端子１９と接続された第２のトランジスタであるトランジスタＱ３、及び、４個のダイオードＤ２１、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ２４が直列に接続された第２のダイオード列であるダイオード列ＤＬ２の一端のアノードがトランジスタＱ３のエミッタと接続され、ダイオード列ＤＬ２の他端のカソードがベースと接続され、トランジスタＱ３のエミッタがコレクタと接続され、エミッタが接地端子と接続された第３のトランジスタであるトランジスタＱ４を有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態のトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路１５とを備えている。
【００１４】
なお、最大出力電圧とは、トランジスタＱ１の出力整合が取れた状態（正常動作時）で出力される最大のコレクタ・エミッタ間電圧であり、耐圧とは、破壊されずに耐えられる最大電圧のことで、最大コレクタ電圧Ｖｃｅｏである。
【００１５】
電力増幅器１は、例えば、高周波増幅が可能なＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系の半導体集積回路であって、トランジスタＱ１、Ｑ３、Ｑ４は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）で、ｎｐｎ型である。トランジスタＱ３、Ｑ４は、同じ大きさのエミッタサイズを有しており、大きな電圧振幅動作時に十分な電流が流せる大きさである。なお、本実施例では、２個のトランジスタＱ３、Ｑ４を直列接続しているが、トランジスタの耐圧が許す限り、直列接続個数は少ない方が、直列の抵抗（オン抵抗）は小さくなるので好ましい。トランジスタの直列接続個数を３個以上に増やす場合、直列の抵抗を補償するように、例えば、エミッタサイズを大きくして、十分な電流が流せるようにすることが可能である。
【００１６】
ダイオードＤ１１〜Ｄ１４、Ｄ２１〜Ｄ２４は、トランジスタのベース・エミッタ間のｐｎ接合を利用して形成されている。そのため、ダイオードＤ１１〜Ｄ１４、Ｄ２１〜Ｄ２４のオン電圧は、それぞれ、約１．１Ｖであり、トランジスタＱ１、Ｑ３、Ｑ４のオン電圧（Ｖｂｅ）も、それぞれ、約１．１Ｖである。
【００１７】
保護回路１５の動作電圧は、８個のダイオードＤ１１〜Ｄ１４、Ｄ２１〜Ｄ２４及び２個のトランジスタＱ３、Ｑ４のオン電圧の合計、すなわち、約１１Ｖ（＝１．１Ｖ×８個＋１．１Ｖ×２個）となる。従って、保護回路１５は、出力端子１９に約１１Ｖ以上の高電圧が印加されたときに動作する。この動作電圧約１１Ｖは、トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を約１０％超えた電圧である。一方、この動作電圧約１１Ｖは、トランジスタＱ１の耐圧（Ｖｃｅｏ）より３０〜５０％程度低い電圧である。
【００１８】
次に、負荷変動が起こって、最大出力電圧を越えた電圧振幅が、出力端子１９に印加のされた場合の保護回路１５の動作について説明する。
【００１９】
出力端子１９に、保護回路１５の動作電圧以上の高電圧が印加されると、ダイオード列ＤＬ１のダイオードＤ１１〜Ｄ１４がオンし、トランジスタＱ３がオンする。トランジスタＱ３がオンすると、ダイオード列ＤＬ２のダイオードＤ２１〜Ｄ２４がオンし、トランジスタＱ４がオンする。従って、直列接続されたトランジスタＱ３、Ｑ４は、出力端子１９から大電流で電荷を引き抜く。その結果、トランジスタＱ１の電圧振幅は、保護回路１５の動作電圧以上で動作することがなくなる。保護回路１５の動作電圧は、トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないので、トランジスタＱ１が破壊されることはない。ダイオード列ＤＬ１及びダイオード列ＤＬ２のそれぞれのダイオード個数は、トランジスタＱ３、Ｑ４をそれぞれオンさせる電圧がほぼ等しくなるので、同数または一方が１つ多いように配分されることが好ましい。
【００２０】
保護回路１５の電圧は、動作を始めた直後は、保護回路１５の動作電圧以上の高電圧となるが、電流が流れ始めると動作電圧まで急激に降下する。しかしながら、この動作電圧以上の高電圧は、直列接続されたトランジスタＱ３、Ｑ４の両端、すなわち、トランジスタＱ３のコレクタとトランジスタＱ４のエミッタ間にかかるので、ほぼ等しいオン抵抗を有するトランジスタＱ３、Ｑ４のそれぞれのコレクタ・エミッタ間電圧は、動作を始めた直後の高電圧の約半分となる。トランジスタＱ３、Ｑ４が、電力増幅用のトランジスタＱ１と同等の耐圧であったとしても、トランジスタＱ３、Ｑ４は、動作開始直後の高電圧により破壊されることはない。
【００２１】
上述したように、電力増幅器１は、入力信号を増幅し、出力端子１９と接地端子との間に増幅信号を出力するトランジスタＱ１と、ダイオード列ＤＬ１の一端のアノードが出力端子１９と接続され、ダイオード列ＤＬ１の他端のカソードがベースと接続され、コレクタが出力端子１９と接続されたトランジスタＱ３、及び、ダイオード列ＤＬ２の一端のアノードがトランジスタＱ３のエミッタと接続され、ダイオード列ＤＬ２の他端のカソードがベースと接続され、トランジスタＱ３のエミッタがコレクタと接続され、エミッタが接地端子と接続されたトランジスタＱ４を有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態のトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路１５とを備えている。
【００２２】
その結果、保護回路１５の動作電圧以上が印加されると、保護回路１５が動作し、トランジスタＱ１の電圧振幅は、保護回路１５の動作電圧以上となることがなくなる。保護回路１５の動作電圧は、トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないので、トランジスタＱ１が破壊されることはない。また、トランジスタＱ３、Ｑ４は、直列接続されているので、保護回路１５の動作電圧の約半分ずつが、それぞれのコレクタ・エミッタ間電圧となるために、トランジスタＱ３、Ｑ４も破壊されることはない。つまり、電力増幅器１は、保護回路１５によって、大きな電圧振幅動作時に出力用トランジスタを保護可能である。その上、電力増幅器１は、保護回路１５自体も破壊されることはないので、長期信頼性の高いものとなる。
【実施例２】
【００２３】
本発明の実施例２に係る電力増幅器について、図２を参照しながら説明する。図２は電力増幅器に用いられる電力増幅用トランジスタの保護回路を模式的に示す図である。実施例１の保護回路１５とは、直列接続された２つのトランジスタに代えて、１つのダイオードと１つのトランジスタが直列接続されている点が異なる。なお、実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００２４】
図２に示すように、電力増幅器２は、トランジスタＱ１と、９個のダイオードＤ３１、Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ３４、Ｄ３５、Ｄ３６、Ｄ３７、Ｄ３８、Ｄ３９が直列に接続されたダイオード列ＤＬ３の一端のアノードが出力端子１９と接続され、ダイオード列ＤＬ３の他端のカソードがベースと接続され、コレクタがカソードと接続されたダイオードＤ１を介して出力端子１９と接続され、エミッタが接地端子と接続された第２のトランジスタであるトランジスタＱ５を有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態のトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路３５とを備えている。
【００２５】
電力増幅器２は、実施例１と同様に、ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ系の半導体集積回路であって、トランジスタＱ１、Ｑ５は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタで、ｎｐｎ型である。トランジスタＱ５は、実施例１のトランジスタＱ３、Ｑ４と同じ大きさのエミッタサイズを有しており、大きな電圧振幅動作時に十分な電流が流せる大きさである。また、ダイオードＤ１は、例えば、トランジスタのベース・エミッタ間のｐｎ接合を利用して形成されており、トランジスタのエミッタに相当する部分は、トランジスタＱ５のエミッタサイズと同等である。なお、本実施例では、１個のトランジスタＱ５と１個のダイオードＤ１を直列接続しているが、例えば、ダイオードの直列接続個数を２個以上に増やすことは可能である。その場合、直列の抵抗（オン抵抗）を補償するように、例えば、トランジスタのエミッタに相当する部分のサイズを大きくする必要がある。
【００２６】
ダイオードＤ３１〜Ｄ３９は、実施例１のダイオードＤ１１〜Ｄ１４、Ｄ２１〜Ｄ２４とそれぞれ同等の形状を有している。
【００２７】
保護回路３５の動作電圧は、９個のダイオードＤ３１〜Ｄ３９及び１個のトランジスタＱ５のオン電圧の合計、すなわち、約１１Ｖ（＝１．１Ｖ×９個＋１．１Ｖ×１個）となる。従って、保護回路３５は、実施例１と同様に、出力端子１９に約１１Ｖ以上の高電圧が印加されたときに動作する。
【００２８】
次に、負荷変動が起こって、最大出力電圧を越えた電圧振幅が、出力端子１９に印加のされた場合の保護回路３５の動作について説明する。
【００２９】
出力端子１９に、保護回路３５の動作電圧以上の高電圧が印加されると、ダイオード列ＤＬ３のダイオードＤ３１〜Ｄ３９がオンし、トランジスタＱ５及びダイオードＤ１がオンする。従って、直列接続されたダイオードＤ１及びトランジスタＱ５は、出力端子１９から大電流で電荷を引き抜く。この結果、トランジスタＱ１の電圧振幅は、保護回路３５の動作電圧以上で動作することがなくなる。保護回路３５の動作電圧は、トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないので、トランジスタＱ１が破壊されることはない。
【００３０】
保護回路３５の電圧は、動作を始めた直後は、保護回路３５の動作電圧以上の高電圧となるが、電流が流れ始めると動作電圧まで急激に降下する。しかしながら、この動作電圧以上の高電圧は、直列接続されたダイオードＤ１のアノード及びトランジスタＱ５のエミッタの間にかかるので、ほぼ等しいオン抵抗を有するダイオードＤ１及びトランジスタＱ５のそれぞれの両端の電圧は、動作を始めた直後の高電圧の約半分となる。ダイオードＤ１及びトランジスタＱ５が、電力増幅用のトランジスタＱ１と同等の耐圧であったとしても、ダイオードＤ１及びトランジスタＱ５は、動作開始直後の高電圧により破壊されることはない。
【００３１】
上述したように、電力増幅器２は、実施例１の保護回路１５のトランジスタＱ３に代えてダイオードＤ１を配置し、トランジスタＱ４と同等なトランジスタＱ５を配置し、ダイオード列ＤＬ３とトランジスタＱ５との合計の動作電圧が実施例１と同等な保護回路３５を備えている。
【００３２】
その結果、電力増幅器２は、実施例１の電力増幅器１の有する効果を同様に有している。
【００３３】
また、上記実施例１、２の電力増幅器１及び電力増幅器２は、電力増幅器モジュール５として組み立てられて、携帯電話機等に使用される。図３は、電力増幅器を用いた電力増幅器モジュールの構成を模式的に示す図である。
【００３４】
図３に示すように、電力増幅器モジュール５は、例えば、２段増幅器構成、つまり、初段増幅器５３及び出力段増幅器５５で構成されており、入力端子５１から入力した信号を初段増幅器５３及び出力段増幅器５５で、順次増幅して出力する。保護回路１５、３５を備えた上記実施例１、２の電力増幅器１、２は、出力段増幅器５５として用いられる。電力増幅器モジュール５は、また、例えば、入力端子５１側に５０Ωと整合を取るための整合回路、段間の整合を取るための整合回路、及び出力端子１７側に出力インピーダンスを所望の値に設定するための出力整合回路、及び各バイアス回路等が形成または接続される。なお、電力増幅器モジュールは、２段増幅器構成に限らず、３段以上からなる構成とすることが可能である。
【００３５】
図示を省略するが、具体的には、出力段増幅器５５は、互いに並列に接続された、例えば、８４個の出力用トランジスタからなるトランジスタＱ１と、一つの保護回路１５、３５を備えている。そして、例えば、２段増幅器の内の少なくとも出力段増幅器５５は、ＧａＡｓ単結晶のような半導体基板上に形成される。そして、例えば、各段の増幅器が形成された半導体基板及び外付け部品等をセラミック基板やリードフレーム等のパッケージ用の実装基板に固定して、ワイヤボンディング等によりそれぞれを接続して、樹脂等により封止されて電力増幅器モジュール５が完成する。また、各段の増幅器が同一の半導体基板上に形成されている場合は、１つの半導体チップ及び外付け部品等をセラミック基板やリードフレーム等のパッケージ用の実装基板に固定し、その後は、同様にして電力増幅器モジュール５が完成する。
【００３６】
以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００３７】
例えば、実施例では、ダイオードは、コレクタとベースを接続したｎｐｎ型バイポーラトランジスタ構成とする例を示したが、これを単純なｐｎ接合からなるダイオードに置き換えることは可能である。
【００３８】
また、実施例では、トランジスタは、ｎｐｎ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタである例を示したが、これを電界効果トランジスタ（ＦＥＴ、Field Effect Transistor）等に置き換えることは可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施例１に係る電力増幅器に用いられる電力増幅用トランジスタの保護回路を模式的に示す図。
【図２】本発明の実施例２に係る電力増幅器に用いられる電力増幅用トランジスタの保護回路を模式的に示す図。
【図３】本発明の実施例１、２に係る電力増幅器を用いた電力増幅器モジュールの構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００４０】
１、２  電力増幅器
５  電力増幅器モジュール
１１、５１  入力端子
１５、３５  保護回路
１９、５９  出力端子
５３  初段増幅器
５５  出力段増幅器
Ｄ１、Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ１３、Ｄ１４、Ｄ２１、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ２４、Ｄ３１、Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ３４、Ｄ３５、Ｄ３６、Ｄ３７、Ｄ３８、Ｄ３９  ダイオード
ＤＬ１、ＤＬ２、ＤＬ３  ダイオード列
Ｑ１、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５  トランジスタ
【図１】
2009010740.tif 000003
【図２】
2009010740.tif 000004
【図３】
2009010740.tif 000005