(57)【要約】【課題】蒸着速度の検出精度を低下させることなく水晶板の長寿命化が可能で、これにより稼働率の向上を図ることが可能な蒸着方法を提供する。【解決手段】水晶板の周波数を測定する第１工程と、周波数を測定した後の水晶板を所定時間の間だけ蒸着物質の蒸気に晒す第２工程と、蒸着物質の蒸気に晒した後の前記水晶板の周波数を測定する第３工程と、第１工程と第３工程とで測定した各周波数と前記第２工程での所定時間とから、当該蒸着物質の蒸着速度を算出する第４工程とを行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶板の周波数を測定する第１工程と、
前記周波数を測定した後の水晶板を所定時間の間だけ蒸着物質の蒸気に晒す第２工程と、
前記蒸着物質の蒸気に晒した後の前記水晶板の周波数を測定する第３工程と、
前記第１工程と第３工程とで測定した各周波数と前記第２工程での所定時間とから、当該蒸着物質の蒸着速度を算出する第４工程とを行う
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項２】
請求項1記載の蒸着方法において、
前記水晶板への蒸着物質の堆積時間の制御は、当該蒸着物質の蒸気を発生させる蒸着源と当該水晶板との間に設けたシャッターの開閉によって行われる
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項３】
請求項１記載の蒸着方法において、
前記第４工程で算出した蒸着速度に基づいて、前記水晶板と共に被蒸着基板が設けられた蒸着室内への前記蒸着物質の蒸気の放出を制御する第５工程を行う
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項４】
請求項３記載の蒸着方法において、
前記第５工程では、前記第４工程で算出した蒸着速度に基づいて、前記蒸着物質の蒸気を発生させる蒸着源の加熱温度を制御する
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項５】
請求項３記載の蒸着方法において、
前記第５工程では、前記第４工程で算出した蒸着速度に基づいて、前記蒸着物質を発生させる蒸着源から前記蒸着室までの経路における開口径を制御する
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項６】
請求項３記載の蒸着方法において、
前記第５工程では、前記第４工程で算出した蒸着速度に基づいて、前記蒸着物質の蒸気を発生させる蒸着源に対する前記被蒸着基板の相対的な移動速度を制御する
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項７】
請求項1記載の蒸着方法において、
前記第１工程および第３工程では、前記周波数を複数回測定してその平均値を当該周波数とする
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項８】
蒸着物質の蒸気を発生させる蒸着源と、
前記蒸着源の上方に被蒸着基板を保持する保持手段と、
前記蒸着源の上方にシャッターを介して配置された水晶板と、
所定時間の間だけ前記シャッターを開いた前後においての当該シャッターが閉じた状態で測定された各周波数と、当該シャッターを開いた所定時間とから前記蒸着物質の蒸着速度を算出する演算部とを備えた
ことを特徴とする蒸着装置。
【請求項９】
請求項８記載の蒸着装置において、
前記演算部で算出された蒸着速度に基づいて、前記水晶板と共に被蒸着基板が設けられた蒸着室内への前記蒸着物質の蒸気の放出を制御する制御部をさらに設けた
ことを特徴とする蒸着装置。
【請求項１０】
基板上に蒸着膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、
前記周波数を測定した後の水晶板を所定時間の間だけ蒸着物質の蒸気に晒す第２工程と、
前記蒸着物質の蒸気に晒した後の前記水晶板の周波数を測定する第３工程と、
前記第１工程と第３工程とで測定した各周波数と前記第２工程での所定時間とから、当該蒸着物質の蒸着速度を算出する第４工程とを行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の表示装置の製造方法において、
前記第４工程で算出した蒸着速度に基づいて、前記水晶板と共に被蒸着基板が設けられた蒸着室内への前記蒸着物質の蒸気の放出を制御する第５工程を行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の表示装置の製造方法において、
前記基板上には前記蒸着膜として、有機電界発光素子を構成する有機膜を形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着方法、蒸着装置、および表示装置の製造方法に関し、特には水晶板を用いて蒸着速度を検知する蒸着方法、この蒸着方法を行う蒸着装置、およびこの蒸着方法を適用した表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の作製においては、発光層を含む有機層やこの上部の電極層の形成を蒸着成膜によって行っている。特に、この蒸着成膜においては、有機電界発光素子の発光特性を確保する上で、蒸着膜の膜厚の制御が重要である。このため、水晶板を用いた膜厚センサーにより精度良く蒸着膜厚を検出して成膜速度を算出し、蒸着速度の制御系にフィードバックすることによって、有機層や電極層などの蒸着膜の膜厚を制御している。
【０００３】
ここで水晶板（水晶振動板）を用いた膜厚センサーは、センサー自身に蒸着膜が付着することによりその周波数（発振周波数）が減少することを利用して蒸着膜厚を検出し、成膜速度を算出する原理である。このため、蒸着装置を連続的に使用することで一定量以上の膜厚の蒸着膜が付着すると、水晶板の発振が不安定になりついには発振しなくなる。このため水晶板が寿命に至る度に蒸着装置を停止し、水晶板を新しいものと交換する作業が発生する。しがって、水晶板の寿命が、蒸着装置の稼働率を大きく左右する一因となっている。
【０００４】
このような水晶板の寿命による蒸着装置の稼働率の低下を防ぐ第1の方法として、予め装置内に複数の水晶板を設置しておき、1つの水晶板が寿命に達するたびに次の水晶板に切り替えて使用する方法がある。ところが、このような第１の方法では、膜厚モニターの取り付け機構が巨大になって蒸着室内に収まらず、蒸着装置が大型化する。また、複数の水晶板同士でのキャリブレーション作業が煩雑になるなどの問題がある。
【０００５】
そこで第１の方法に代わる第２の方法として、水晶板と蒸着源との間にシャッター機構を取り付けて水晶板に入射する蒸着蒸気を一定サイクルで遮断し、間欠的にシャッターを開いて蒸着膜厚を検出する方法が提案されている。この場合、シャッターを開いたモニター期間において、水晶板が出力する信号に基づいて蒸着速度を算出し、蒸着速度が一定となるように蒸着速度の制御系を制御する（例えば下記特許文献１，２参照）。
【０００６】
以上のような第２の方法によれば、水晶板の寿命の延長度合いは、シャッターの開／閉、各々の時間設定によって決定される。このため、上記第１の方法のように膜厚モニターの取り付け機構が巨大化せず、キャリブレーション作業が煩雑化することも無い。
【０００７】
【特許文献１】特開平０４−３４８９１号公報（例えば第５頁左上欄参照）
【特許文献２】特開２００７−３９７６２号公報（例えば段落００２１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した第２の方法には、次に示すような２つの問題があった。
【０００９】
1つ目の問題点を図１７のタイミングチャートに基づいて説明する。上述した第２の方法では、水晶板と蒸着源との間の（１）シャッター開閉動作にともない、シャッターを開いた状態において（２）水晶板上の積算膜厚が増加していく。この場合、（１）シャッター開閉動作にともない水晶板が機械的に振動し、また（３）水晶板の温度も変動する。これにより、シャッターを開けてから一定時間は、（４）水晶板の周波数から検出される（５）蒸着速度がこれらの変動に左右されるため、正確な蒸着速度を読み取ることが不可能な読み取り不可能時間Ａとなる。
【００１０】
すなわち、シャッターが開くことにより、水晶板が蒸着源からの蒸着物質の蒸気に晒されると（３）水晶板の温度が変化する。（４）水晶板の周波数は温度に対する依存性も有しているため、この温度変化に伴って水晶板の周波数が変化し、結果として検出される蒸着速度に影響を与える。また、シャッターの開閉動作による機械的振動によっても、水晶板の周波数は若干の影響を受ける。典型的な蒸着源の例では、これらの影響が概ね緩和され、検出される蒸着速度の信頼性が確保されるまでの時間、すなわち蒸着速度の読み取り不可能時間Ａとして、概ね３０秒〜１２０秒程度必要である。
【００１１】
２つ目の問題点は、水晶板の周波数ノイズである。すなわち、一般に水晶板を用いたモニターにより検出される蒸着速度には、水晶板の周波数ノイズに由来するノイズが含まれる。連続的に蒸着速度をモニターする方式においては、このノイズを除去するために、過去の一定時間のレートの変動を利用した各種のフィルターをかけることが可能である。しかしながら、上述した第２の方法のように、シャッターが開いている間のみに蒸着速度を測定する間欠モニター方式においては、シャッターが開いている時間が短いため、十分にノイズを除去することが出来ない。このノイズの影響により、検出されるレートの精度が下がってしまう。またノイズを十分に除去するためには、シャッターを開けておく時間を長くする必要がある。
【００１２】
以上のように、上述した第２の方法では、精度の良く蒸着速度を検出するためには、シャッターを開けておく時間にある程度の長い時間が必要であり、水晶板の寿命の延長には限界があった。
【００１３】
そこで本発明は、蒸着速度の検出精度を低下させることなく水晶板の長寿命化が可能で、これにより稼働率の向上を図ることが可能な蒸着方法を提供すること、さらにはこの蒸着方法を行う蒸着装置および表示装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような目的を達成するための本発明の蒸着方法は、次の工程を順次行うことを特徴としている。先ず第１工程では、水晶板の周波数を測定する。次の第２工程では、前記周波数を測定した後の水晶板を所定時間の間だけ蒸着物質の蒸気に晒す。次いで第３工程では、蒸着物質の蒸気に晒した後の水晶板の周波数を測定する。その後第４工程では、第１工程と第３工程とで測定した各周波数と、第２工程で蒸着物質の蒸気に水晶板を晒した所定時間とから、当該蒸着物質の蒸着速度を算出する。
【００１５】
このような構成の蒸着方法では、蒸着物質の蒸気に晒された所定時間の間の全体において水晶板に堆積された蒸着物質の膜厚に基づいた水晶板の周波数から、蒸着速度が算出される。このため、水晶板上には、蒸着速度の算出に寄与しない蒸着物質の堆積はなく、蒸着速度の算出のために必要な水晶板上への蒸着物質の堆積が最小限に抑えられる。
【００１６】
また本発明の蒸着装置は上記蒸着方法を実現するための蒸着装置でもある。この蒸着装置は、蒸着物質を発生させる蒸着源と、蒸着源の上方に被蒸着基板を保持するための保持手段と、蒸着源の上方にシャッターを介して配置された水晶板と、さらに蒸着速度を算出する演算部とを備えている。この演算部では、所定時間の間だけシャッターを開き、その前後の当該シャッターが閉じた状態で水晶板の周波数を測定し、測定された各周波数と当該シャッターを開いた所定時間とから蒸着物質の蒸着速度を算出する。
【００１７】
また本発明は、基板上に蒸着膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、蒸着膜を形成する工程に、上述した本発明の蒸着方法を適用する。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように本発明によれば、水晶板の周波数に基づいて精度良好に、かつ水晶板上への蒸着物質の堆積を最小限に抑えつつ蒸着速度を得ることが可能になる。これにより、水晶板を蒸着速度の検出モニターとした蒸着装置の稼働率の向上を図ることが可能であり、この蒸着装置を用いて作製される表示装置の製造性の向上を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態においては、先ず蒸着装置の構成を説明し、次にこの蒸着装置の特徴部ともなる演算部で行う蒸着方法を説明し、その後各変形例としての各実施形態を説明する。そして、これらの実施形態の後にこの蒸着方法を適用して作製される表示装置の構成と、その適用例を説明する。
【００２０】
≪第１実施形態≫
＜蒸着装置＞
図１は、本発明の蒸着方法が適用される蒸着装置の一構成例を示す図であり、図1（ａ）は全体図構成を示す模式図であり、図１（ｂ）は要部を拡大した斜視図である。これらの図に示す蒸着装置１は、蒸着物質Ｍを加熱して蒸気にする蒸着源３を備えている。この蒸着源３は、固体または液体状の蒸着物質Ｍを貯留するルツボ５と、ルツボ５を加熱するためのヒーターなどの加熱手段７とを備えており、ルツボ５の開口から上方の蒸着室内に蒸着物質の蒸気（以下、蒸着物質蒸気と記す）ｍを放出する構成となっている。
【００２１】
蒸着源３の上方の蒸着室内には、ルツボ５の開口に対向する状態で被蒸着基板（以下、単に基板と記す）Ｗを保持するための保持手段(図示省略）が設けられている。尚、この保持手段は、蒸着源３に対して相対的に基板Ｗを移動させる機能を備えていても良い。
【００２２】
また、蒸着源３の上方の蒸着室内には、基板Ｗ上への蒸着物質蒸気ｍの到達を妨げることのない位置で、かつ蒸着物質蒸気ｍが到達する位置に、蒸着速度の検出部１０が設けられている。この検出部１０は、水晶板（水晶振動板）１１を用いたものであり、蒸着物質の堆積によって周波数（発振周波数）が変化する水晶板１１の特性を利用したものである。
【００２３】
水晶板１１の蒸着源３側には、水晶板１１に対応する部分に開口１３ａを設けた防着板１３と、防着板１３の開口部１３ａを開閉するシャッター１５とが設けられ、さらにシャッター１５による開口部１３ａの開閉を検出するセンサー１７が、防着板１３の背面側に開口部１３ａを挟んで配置されている。このセンサー１７は、例えば光学式のセンサーであることとする。そして、シャッター１５による開口部１３ａの開閉によって、水晶板１１への蒸着物質蒸気ｍの到達が制御される構成となっている。
【００２４】
ここで、この蒸着装置１を用いた蒸着方法においては、シャッター１５を「開」とした状態の時間を厳密に求めることが、蒸着速度の検出精度を向上させるために重要である。特に、水晶板１１の寿命を長くするためには、シャッター１５を「開」とした時間を短く設定することが必須であり、シャッター「開」の時間の精度が、蒸着速度の検出に及ぼす影響が大きくなる。しかしながら、一般的な機械駆動式シャッターが動作する時間の精度はそれほど良くない。このため、シャッター駆動機構とは別のシャッターの開閉を検知するセンサー１７を設けたことにより、厳密にシャッター「開」時間を検出し、これによって十分な精度で蒸着速度を求めることを可能にしている。また、このセンサー１７の蒸着源３側には、防着板１３を設けたことにより、センサー１７に蒸着物質蒸気ｍが付着することを防止している。
【００２５】
さらにこの蒸着装置１には、水晶板１１の周波数を測定する周波数カウンター２１、周波数カウンター２１で測定した周波数に基づいて蒸着速度を算出する蒸着速度演算部２３、蒸着速度演算部２３で算出された蒸着速度に基づいて蒸着源３の加熱温度を制御するヒーター出力制御部２５が設けられている。
【００２６】
本実施形態においては、この蒸着速度演算部２３で行われる蒸着速度の算出が特徴的である。すなわち蒸着速度演算部２３においては、所定時間の間だけシャッター１５を開いた前後においての当該シャッター１５が閉じた状態で測定された各周波数ｆｃと、シャッターが開いていた所定時間Ｔとから、蒸着物質の蒸着速度を算出する。このような蒸着速度演算部２３において行われる蒸着速度の算出手順の詳細は、次の蒸着方法にいて詳細に説明する。
【００２７】
そして、ヒーター出力制御部２５においては、蒸着速度演算部２３からフィードバックされた蒸着速度に基づいて、固体または液体状の蒸着物質Ｍが貯留されたルツボ５の加熱温度を制御する。ここでは、水晶板１１と共に蒸着室内に設けられた基板Ｗに対する蒸着物質の蒸着速度が目標とする所定の値となるように、ヒーターなどの加熱手段７の出力を演算し、この加熱手段７による加熱温度の調整によって蒸着室内への蒸着物質蒸気ｍの放出を制御する。
【００２８】
＜蒸着方法＞
図２は、図１を用いて説明した蒸着装置を用いて行われる蒸着成膜におけるタイムチャートであり、（１）シャッター開閉動作、（２）水晶板上の積算膜厚、（３）水晶板の温度、（４）水晶板の周波数、（５）蒸着速度、（６）時間を同期させて示している。以下においては、先ずこの図２と共に先の図１を参照して本発明の蒸着方法の概要を説明する。
【００２９】
先ず、加熱手段７での加熱によって蒸着源３から蒸着物質蒸気ｍを放出させた状態において、図２に示すように、検出部１０におけるシャッター１５の開閉を繰り返し行い、水晶板１１を繰り返し蒸着物質蒸気ｍに晒す。そして、シャッター「閉」の状態において、（４）水晶板１１の周波数ｆｃ-1，ｆｃ-2を周波数カウンター２１で測定する。この際、シャッター「閉」にしてから、水晶板の機械的振動や熱的条件が安定化するのを一定期間の間待ち、その後の期間に（４）水晶板１１の周波数ｆｃ-1，ｆｃ-2を周波数カウンター２１で測定することが好ましい。シャッター「閉」にしてからのこの期間では（２）水晶板上の積算膜厚の変動が無く、（３）水晶板の温度の変動が小さいため、周波数の変動要因はノイズのみとなり、フィルタリングが容易である。フィルタリングとしては、水晶板の周波数を所定時間の間サンプリングし、その平均値を周波数ｆｃ-1、ｆｃ-2とする方法が例示される。
【００３０】
そして、シャッター「開」の状態の前後においての、シャッター「閉」の状態で測定された各周波数ｆｃ-1，ｆｃ-2を積算膜厚ｄ１，ｄ２に換算し、シャッター「開」となっていた所定時間Ｔによって積算膜厚ｄ１，ｄ２の差分を割ることにより、シャッター「開」の期間においての（５）蒸着速度を得る。ここで、シャッター「開」となっていた所定時間Ｔは、蒸着装置１の検出部１０に設けたセンサー１７によって検出された、厳密にシャッター「開」となっていた時間を用いることとする。
【００３１】
またさらに、算出された蒸着速度に基づいて、基板Ｗに対する蒸着速度が所定の速度となるようにルツボ５の加熱温度を制御することは、蒸着装置の構成において述べた通りである。
【００３２】
また基板Ｗ上への蒸着成膜においては、以上のような水晶板に設けたシャッターの開閉を伴う蒸着速度の算出を繰り返し行い、算出された蒸着速度を逐次フィードバックして基板Ｗに対する蒸着速度が制御される構成となっている。
【００３３】
図３は、以上説明した成膜方法における蒸着速度の算出をさらに詳細に説明するためのフローチャートであり、先の図２を参照しつつ蒸着速度の算出の手順の詳細を説明する。
【００３４】
先ず、ステップＳ１では、シャッター「閉」の状態で、水晶板の周波数ｆｃ-1を測定する。この際、加熱手段７での加熱によって蒸着源３から蒸着物質蒸気ｍを放出させた状態として良い。またここでは、例えば水晶板の周波数を所定時間の間サンプリングし、その平均値を周波数ｆｃ-1とするフィルタリングを行う。
【００３５】
尚、蒸着成膜が開始される時点においては、水晶板１１のシャッター１５が閉じられた状態であって、シャッター１５の開閉動作が伴わないため、ステップＳ１での周波数ｆｃ-1の測定はシャッター「閉」の状態のどの期間で行っても良い。ただし、蒸着源３の加熱による影響がシャッター１５を介して水晶板１1におよぶ場合には、このような影響による熱的条件を安定化させた状態で水晶板１１の周波数ｆｃ-1を測定することが好ましい。
【００３６】
次に、ステップＳ２では、測定した周波数ｆｃ-1から水晶板に付着している蒸着物質の積算膜厚ｄ１を算出する。ここでは、一般的に知られているような、水晶板の周波数と付着膜厚の関係を与える下記式（１）を用いる。
【００３７】
【数１】
2009185344.tif 000003
尚、ｆｃ-1は式（１）においてｆｃに代入され、積算膜厚ｄ１はｄtとして算出される。
【００３８】
その後、ステップＳ３では、所定時間Ｔだけシャッター「開」とし、水晶板を所定時間Ｔの間だけ蒸着物質蒸気に晒す。これにより、水晶板に蒸着物質蒸気が付着して蒸着物質が蒸着成膜される。
【００３９】
次にステップＳ４では、ステップＳ３で蒸着物質の蒸気に晒した後のシャッター「閉」状態についての水晶板の周波数ｆｃ-2を測定する。ここでは、先ずステップＳ４１として、シャッター「閉」の状態とし、続くステップＳ４２においては水晶板の機械的振動や熱的条件が定常化するのを一定期間の間待つ。その後ステップＳ４３において、シャッター「閉」状態での水晶板の周波数ｆｃ-2を測定する。またここでは、例えば水晶板の周波数を所定時間の間サンプリングし、その平均値を周波数ｆｃ-2とするフィルタリングを行う。
【００４０】
以上の後のステップＳ５では、測定した周波数ｆｃ-2と、前述の式（１）とから、水晶板に付着している蒸着物質の積算膜厚ｄ２を算出する。尚、ｆｃ-2は式（１）においてｆｃに代入され、積算膜厚ｄ２はｄtとして算出される。
【００４１】
次いで、ステップＳ６では、ステップＳ３のシャッター「開」の前後で求めた積算膜厚ｄ１，ｄ２の差分を、ステップＳ３のシャッター「開」とした所定時間Ｔで割ることにより、ステップ３のシャッター「開」においての蒸着速度を算出する。
【００４２】
そして、ここで算出された蒸着速度に基づいて、基板Ｗに対する蒸着速度が所定の速度となるようにルツボ５の加熱温度を制御することは、蒸着装置の構成において述べた通りである。
【００４３】
また、さらに続けて蒸着速度を測定するにあたり、次のステップＳ７においては、先のステップＳ５で算出した積算膜厚ｄ２を、シャッター「開」の前のシャッター「閉」状態での積算膜厚ｄ１に置き換える。
【００４４】
その後は、ステップＳ３に戻って再び所定時間Ｔだけシャッター「開」とし、基板Ｗ上への蒸着成膜が終了するまでステップＳ３〜ステップＳ７を繰り返し行う。
【００４５】
尚、周波数ｆｃ-1から積算膜厚ｄ１を算出するスタップＳ２は、ステップＳ1とステップＳ３との間に行われることに限定されず、ステップＳ１以降でステップＳ６以前に行われれば良い。また、このような蒸着方法は、図１を用いて説明した蒸着装置１における周波数カウンター２１、蒸着速度演算部２３、およびヒーター出力制御部２５によって実行される。
【００４６】
以上のような蒸着装置および蒸着方法では、シャッター「開」の状態で蒸着物質の蒸気に晒された所定時間の間の全体において水晶板に堆積された蒸着物質の膜厚に基づいた水晶板の周波数ｆｃ-1，ｆｃ-2から、蒸着速度が算出される。このため、水晶板１１上には、蒸着速度の算出に寄与しない蒸着物質の堆積はなく、蒸着速度の算出のために必要な水晶板１１上への蒸着物質の堆積を最小限に抑えることが可能である。この結果、測定精度を低下させることなく、水晶板１１の長寿命化を図り、蒸着装置１の稼働率の向上を図ることが可能になる。また、この蒸着方法および蒸着装置を用いて作製される表示装置の製造性の向上を図ることが可能になる。
【００４７】
またさらに、図３のフローチャートを用いて説明した算出手順によれば水晶板の周波数ノイズのフィルタリングを十分にかけることができる。これにより、十分にノイズを除去することが可能になり、算出される蒸着速度の精度の向上を図ることも可能である。これにより、従来の間欠モニター法に比べてより精密に被蒸着基板に成膜される膜厚を制御することが可能になる。
【００４８】
尚、上述した第１実施形態においては、算出された蒸着速度に基づいて、基板Ｗに対する蒸着速度が所定の速度となるようにルツボ５の加熱温度を調整することとした。しかしながら、基板Ｗに対する蒸着速度のフィードバック制御は、ルツボ５の加熱温度の調整に限定されることはない。例えば、図１に示した蒸着源３に対して相対的に基板Ｗを移動させながら蒸着成膜を行う場合には、この移動速度の調整によって基板Ｗに対する蒸着速度のフィードバック制御を行うようにしても良い。また。蒸着源３に、ルツボ５からの蒸着物質蒸気ｍの放出量を調整する機能として、例えば蒸着源３から蒸着室までの経路における開口径を制御するバルブなどを備えている場合、このバルブによって経路の開口径を調整することによって、基板Ｗに対する蒸着速度のフィードバック制御を行うようにしても良い。
【００４９】
≪第２実施形態≫
図４は、上述した蒸着方法においての蒸着速度の別の算出手順を説明するフローチャートであり、制御機器（蒸着速度演算部２３）の変数のサイズが３２ビット程度の蒸着装置において、有効数字９桁以上の周波数の演算精度を実現する例である。これは、極めて一般的なケースとして、水晶板の周波数の演算の精度として有効数字が９桁以上必要になる場合に対応させた実施形態である。
【００５０】
つまり、例えば有機電界発光素子を用いた表示装置の作製において、装置基板上への有機膜の蒸着速度は1Å／ｓ程度である。この場合において、水晶板のシャッター「開」の所定時間Ｔを例えば６０秒程度とすると、シャッター「開」前後においての水晶板の周波数の変動量は５Ｈｚ前後となる。このため、蒸着速度の算出には１０ｍＨｚ程度の分解能が必要となり、ここで取り扱う典型的な周波数４，９８７，６５４．３２１Ｈｚ（一例）を演算するためには、有効数字が９桁必要となる。
【００５１】
しかしながら、一般的な蒸着装置などの制御機器における変数のサイズは３２ビットである。これは整数型で有効数字９桁（符号1ビット、数値部３１ビット）、実数型で有効数字７桁（符号１ビット、指数部８ビット、仮数部２３ビット）しか確保できないことを意味している。このため、上記の典型的な周波数を実数型のままで、一般的な蒸着装置の制御機器で演算処理した場合、桁落ちが発生して精度の良く蒸着速度を算出ことができない。そこで、次のような手順を行う。
【００５２】
先ずステップＳ１１では、シャッター「閉」の状態で、水晶板の周波数ｆｃ-1を測定する。このステップＳ１１は、図３のフローチャートを用いて説明したステップＳ１と同様に行って良い。ただし、測定した周波数ｆｃ-1は１０ｍＨｚ単位の９桁の整数に変換し、３２ビット整数型の変数に格納することとする。
【００５３】
次に、ステップＳ１２では、所定時間Ｔだけシャッター「開」とし、水晶板を所定時間Ｔの間だけ蒸着物質蒸気に晒す。これにより、水晶板に蒸着物質蒸気が付着して蒸着物質が蒸着成膜される。
【００５４】
次にステップＳ１３では、ステップＳ１２で蒸着物質の蒸気に晒した後のシャッター「閉」状態においての水晶板の周波数ｆｃ-2を測定する。このステップＳ１３は、図３のフローチャートを用いて説明したステップＳ４と同様に行って良い。すなわち、先ずステップＳ４１として、シャッター「閉」の状態とし、続くステップＳ４２においては水晶板の機械的振動や熱的条件が定常化するのを一定期間の間待つ。その後ステップＳ４３において、シャッター「閉」状態での水晶板の周波数ｆｃ-2を測定する。またここでは、例えば水晶板の周波数を所定時間の間サンプリングし、その平均値を周波数ｆｃ-2とするフィルタリングを行う。ただし、測定した周波数ｆｃ-２は１０ｍＨｚ単位の９桁の整数に変換し、３２ビット整数型の変数に格納することとする。
【００５５】
次に、ステップＳ１４では、ステップＳ１２のシャッター「開」の前後で測定した周波数ｆｃ-1，ｆｃ-2の差分を周波数差ｄｆ＝（ｆｃ-1−ｆｃ-2）として求め、その後１００倍にして実数化した値を周波数差ｄｆとする。この型変換は、高々数百Ｈｚなので丸め誤差が生じることはない。
【００５６】
また、ステップＳ１５では、ステップＳ１２のシャッター「開」の前後で測定した周波数ｆｃ-1，ｆｃ-2の平均値ｆｃを求め、さらにこの平均値を実数型に変換する。そして水晶板上の積算膜厚を周波数で微分した下記式（２）に、実数型に変換した平均値ｆｃを代入して積算膜厚の微分値を得る。尚、微分値では、丸め誤差の影響が問題にならないほど小さい。
【００５７】
【数２】
2009185344.tif 000004
【００５８】
尚、ステップＳ１４とステップＳ１５とは、どちらを先に行っても良い。
【００５９】
次に、ステップＳ１６では、ステップＳ１２のシャッター「開」の前後での積算膜厚の変動量を、膜厚変動量＝（ｄｆ×微分値）として算出する。ここでｄｆは、ステップＳ１４で求めた周波数差ｄｆ(実数値）であり、微分値はステップＳ１５で実数型に変換した周波数ｆｃ-1，ｆｃ-2値から求めた微分値である。
【００６０】
その後、ステップＳ１７では、ステップＳ１６で算出した膜厚変動量を、ステップＳ１２のシャッター「開」とした所定時間Ｔで割ることにより、ステップ１２のシャッター「開」においての蒸着速度を算出する。
【００６１】
そして、ここで算出された蒸着速度に基づいて、基板Ｗに対する蒸着速度が所定の速度となるようにルツボ５の加熱温度を制御することは、蒸着装置の構成において述べた通りである。
【００６２】
また、さらに続けて蒸着速度を測定するにあたり、次のステップＳ１８においては、先のステップＳ１３で測定した周波数ｆｃ-2を、シャッター「開」の前のシャッター「閉」状態での周波数ｆｃ-1に置き換える。
【００６３】
その後は、ステップＳ１２に戻って再び所定時間Ｔだけシャッター「開」とし、基板Ｗ上への蒸着成膜が終了するまでステップＳ１２〜ステップＳ１８を繰り返し行う。
【００６４】
以上のような第２実施形態の蒸着速度の算出も、図1の蒸着装置1における蒸着速度演算部２３で行われる。
【００６５】
以上のように蒸着速度の算出を行う蒸着方法であれば、第１実施形態で説明した同様の効果に加えて、制御機器（蒸着速度演算部２３）の変数のサイズが３２ビット程度の蒸着装置において、有効数字９桁以上の周波数に基づいて精度の高い蒸着速度を算出することが可能になる。
【００６６】
≪第３実施形態≫
図５は、上述した蒸着装置１に設ける蒸着源の別の構成を示す模式図である。この図に示す蒸着源３’は、固体または液体状の蒸着物質Ｍを貯留するルツボ５と、ルツボ５を加熱するためのヒーターなどの加熱手段（図示省略）とを備えていることは、図１を用いて説明し蒸着源と同様である。
【００６７】
そして特に、この蒸着源３’においては、側壁においてルツボ５の開口上部に連通させた筒状体３１が設けられている。この筒状体３１は水平方向に延設されていて、側周壁の上方に向かう面に筒状体３１の延設方向に沿って複数の蒸着開口３１ａが配列形成されている。また、ルツボ５と筒状体３１との間は、垂直に配管されたもう１つの接続用の筒状体３３を介して連通されていることとする。これにより、ルツボ５から放出された蒸着物質Ｍの蒸気（蒸着物質蒸気ｍ）は、筒状体３３内を通過して筒状体３１の蒸着開口３１ａから、検出部１０や基板Ｗが配置された蒸着室内に供給される構成となっている。
【００６８】
また筒状体３１，３３には、ここでの図示を省略した加熱手段が設けられておいり、内部がルツボ５内よりも高温の所定温度に加熱される構成となっている。
【００６９】
尚、筒状体３１の両端は、閉じられた状態であって良い。また、ルツボ５と筒状体３１との接続は、接続用の筒状体３３を介すること無く、直接接続されていても良い。さらに、筒状体３１には、複数のルツボ５を接続させても良い。
【００７０】
また、この蒸着源３’には、筒状体３１の内部に輻射熱放射板３５が設けられているところが特徴的である。この輻射熱放射板３５は、ルツボ５の開口上部を臨む位置に、ルツボ５から放出されて筒状体３１に導入される蒸着物質蒸気ｍの経路を妨げない状態で、かつルツボ５内の蒸着物質Ｍに対して輻射熱を効率的に供給できる位置に配置される。
【００７１】
またこの輻射熱放射板３５は、ルツボ５からの蒸着物質蒸気ｍの流出方向に対して直交させて、ルツボ５の開口上部と筒状体３１の蒸着開口３１ａとの間を遮蔽する状態で配置されることも重要である。これにより、蒸着物質蒸気ｍが、ルツボ５から直接、蒸着開口３１ａに向かうことを防止している。このような配置にすることで、例えば有機材料が蒸発する際の突沸による基板Ｗ上への蒸着膜厚の変動を軽減することができ、さらに蒸着源３’内での蒸気の拡散を助ける効果をもたらす。
【００７２】
このような輻射熱放射板３５は、ルツボ５内においての蒸着物質Ｍの加熱温度ｔ１よりも高い温度ｔ２に加熱されるものである。尚、輻射熱放射板３５の加熱は、筒状体３１に設けた加熱手段によって筒状体３１を加熱することによって行われる。
【００７３】
ここで、上記輻射熱放射板３５の温度ｔ２は、輻射熱放射板３５からの輻射熱によってルツボ５内の蒸着物質Ｍの表面側の一部が局所的に蒸発温度以上に加熱される温度である。これにより、ルツボ５に設けた加熱手段による蒸着物質Ｍの加熱温度ｔ１を、蒸着物質Ｍの蒸発温度ｔ０よりも低い温度に設定しておき、輻射熱放射板３５からの輻射熱によって蒸着物質Ｍの表面側の一部を局所的に加熱することにより、その表面部分だけを上は通温度０よりも高い温度状態とし、蒸着物質Ｍを表面側から蒸発させることができる。この結果、ルツボ５内において蒸着物質Ｍの内部が表面よりも先に蒸発温度に達して蒸着物質Ｍが突沸することを防止できる。
【００７４】
このように用いられる輻射熱放射板３５の材質としては、金属材料、カーボン材料、セラミックスのうち選択された１つが用いられる。このうち、金属材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ステンレス（ＳＵＳ）、セラミックスとしては、例えば、Ａｌ2Ｏ3が挙げられる。つまり、輻射熱放射板３５としては、真空中における加熱により、分解せず、ガス放出等しない安定した材質を用いる。また、輻射熱放射板３５は、表面加工などを施しておき、輻射率を高くしておくことが好ましい。
【００７５】
尚、このような構成の蒸着源３’が設けられる蒸着装置における蒸着源３’以外の構成は、図１を用いて説明したと同様であり、水晶板１１を有する検出部１０、周波数カウンター２１、蒸着速度演算部２３、およびヒータ出力制御部２５が備えられている。
【００７６】
以上説明した構成の蒸着源３’は、有機材料が蒸発する際の突沸が抑えられ、１時間程度の、比較的短時間におけるレートの安定性に極めて優れるという特徴がある。そのためこの蒸着源は、間欠式レートモニター法と組み合わせるのに最適な蒸着源であるといえる。
【００７７】
つまり、図１を用いて説明した蒸着装置に対して、上述したように有機材料が蒸発する際の突沸による基板Ｗ上への蒸着膜厚の変動を軽減することが可能な蒸着源３’を組み合わせて用いることにより、水晶板１１の前面のシャッター１５が閉じている間の蒸着速度を相当精度にて保証することが出来る。したがって、より精密に被蒸着基板Ｗに成膜される蒸着膜厚を制御することが可能になる。
【００７８】
ここで、本第３実施形態で説明した蒸着源３’を適用した蒸着装置を用いて、本発明の蒸着方法を実施した結果を説明する。先ず、図６には、図２および図３を用いて説明した本発明方式で測定した蒸着速度と、図１７を用いて説明した従来方式で測定した蒸着速度のモニター結果を示す。尚、本発明方式、従来方式とも、シャッター「開」時間６０秒、シャッター「閉」時間５４０秒として、間欠的に水晶板１１が蒸着物質蒸気ｍに晒されるようにして、２４時間の連続蒸着を行った。また、検出されるレートが1Å／ｓ近辺になるように蒸着材料Ｍと輻射熱放射板３５の温度を調整した。そして、本発明方式では、周波数安定化待ち時間４２０秒（図３のステップＳ４２）、周波数平均化時間６０秒（図３のステップＳ４２）とした。一方、従来方式では、シャッターが「開」になってから４５秒〜６０秒の間で蒸着速度の測定を行った。
【００７９】
これらの結果から、従来方式で測定された蒸着速度［レート（Å／ｓ）］は、バラツキσ＝０．００９（Å／ｓ）であったのに対して、本発明方式で測定された蒸着速度［レート（Å／ｓ）］は、バラツキσ＝０．００３（Å／ｓ）であり、バラツキが１／３に低減されていることが分かる。これにより、従来方式では、検出されるレートが安定しないレート読み取り不可能時間が存在し、さらにその後のレートにもノイズがのっているため、十分なレートの検出精度が得られないのに対して、本発明による検出法によればレート読み取り不可能時間や、ノイズの影響を受けずにレートを検出できていることがわかる。
【００８０】
また、図７には、上述した本発明方式において測定した蒸着速度のモニター結果と共に、同様の条件でシャッター「開」時間３０秒、シャッター「閉」時間５７０秒に変更して測定した蒸着速度のモニター結果を示す。
【００８１】
この結果、上述した条件においては、シャッター「開」６０秒と３０秒との両方において、測定された蒸着速度［レート（Å／ｓ）］のバラツキσ＝０．００３（Å／ｓ）であった。これにより、本発明方式を適用した場合、シャッター「開」時間３０秒に削減したとしても、シャッター「開」時間６０秒とした場合と同程度に蒸着速度の検出精度が保たれていることが分かる。したがって、本発明の蒸着方法の適用により、水晶板１１の周波数に基づいて測定精度を低下させることなく、かつ水晶板１１上への蒸着物質の堆積を最小限に抑えてた蒸着速度の測定を行うことが可能で有ることが確認された。
【００８２】
尚、本第３実施形態で示した蒸着源３’の構成は、あくまでも一例であり、ルツボ５の蒸着物質Ｍの表面側に輻射熱を供給する輻射熱放射板３５を、ルツボ５から放出される蒸着物質蒸気ｍの経路を妨げない状態で、かつルツボ５から基板Ｗへの蒸着物質蒸気ｍの直接的な放射が防止される位置に設けた構成であれば良く、同様の効果を得ることが可能である。
【００８３】
≪第４実施形態≫
図８は、本発明の蒸着装置を、インライン式の蒸着装置に適用した構成図である。
【００８４】
この図に示すインライン式の蒸着装置１’は、一方向に配列された複数の蒸着源３を備えている。各蒸着源３は例えばライン状の蒸着源であり、ライン状の長尺方向と垂直な方向に配列されていることとする。尚、蒸着源３は、第３実施形態で説明した蒸着源３'であっても良い。
【００８５】
そして、これらの蒸着源３の上方には、蒸着源３の上方において蒸着源３の配列方向に基板（被蒸着基板）Ｗを搬送する保持手段(図示省略）が設けられており、各蒸着源３からの蒸着物質蒸気ｍが基板Ｗ上に順次積層成膜される構成となっている。
【００８６】
このようなインライン式の蒸着装置１’おいては、基板Ｗを介して各蒸着源３に対向する位置に水晶板１１を配置することで、基板Ｗをシャッター（１５）として機能させる。つまり、１枚目の基板Ｗの通過終了から２枚目の基板Ｗの通過開始までの間において、水晶板１１に対してシャッターが開かれ、間欠的に水晶板１１が蒸着物質蒸気ｍに晒される構成となっている。
【００８７】
また、基板Ｗの搬送位置を挟む位置には、各水晶板１１に対応させて一対の光学式のセンサー１７を配置する。これにより、１枚目の基板Ｗの通過終了と２枚目の基板Ｗの通過開始とをモニターし、この間をシャッター（１５）が開く正確な所定時間Ｔとして検出する。尚、これらのセンサー１７に対して蒸着物質蒸気ｍが付着することを防止するために、基板Ｗに対する蒸着物質蒸気ｍの付着に影響を与えない部分に防着板１３を設けることとする。
【００８８】
さらにここでの図示は省略したが、各水晶板１１および蒸着源３に対応させて、図１を用いて説明した周波数カウンター（２１）、蒸着速度演算部（２３）、およびヒーター出力制御部（２５）を設ける。これにより、第１実施形態および第２実施形態で説明したと同様に、各水晶板１１および蒸着源３に対応する部分において、蒸着速度を算出して基板Ｗに対する蒸着成膜の蒸着速度の制御にフィードバックする。
【００８９】
この場合、基板Ｗに対する蒸着成膜の蒸着速度の制御は、蒸着物質Ｍの加熱温度の調整のほかに、基板Ｗの搬送速度の調整によっても行われる。
【００９０】
以上のようなインライン式の表示装置１’であっても第１実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
【００９１】
＜表示装置の製造方法＞
図９は、本発明の蒸着方法を適用して得られる表示装置の一構成例を説明するための概略の回路構成図であり、まず、この図を用いて表示装置の概略構成を説明する。
【００９２】
この図に示すように、表示装置４０を構成する基板４１は、上述した基板（被蒸着基板)Ｗに対応するものであり、矩形形状に整形されている。この基板４１上には、表示領域４１ａとその周辺領域とが設定されている。表示領域４１ａには、複数の走査線４３と複数の信号線４４とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。尚、各画素ａは例えば略矩形形状を有している。
【００９３】
またこのように画素ａが配列された表示領域４１ａの周辺領域には、走査線４３を走査駆動する走査線駆動回路４５と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線４４に供給する信号線駆動回路４６とが配置されている。
【００９４】
走査線４３と信号線４４との各交差部の各画素ａに設けられる画素回路は、例えばスイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２、保持容量Ｃｓで構成されている。そして、この画素回路を覆う絶縁膜上における各画素ａの広い範囲に、画素回路に接続された状態で、有機電界発光素子ＥＬが設けられている。各有機電界発光素子ＥＬは、画素回路に接続された画素電極と、各画素ａに共通に配置された共通電極との間に有機発光機能層を挟持してなる。そして、例えばこの有機発光機能層が、マスク蒸着によってパターン形成された層となっており、上述した蒸着装置を用いた蒸着方法を適用して形成される層となる。
【００９５】
このような回路構成の表示装置４０では、走査線駆動回路４５による駆動により、スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１を介して信号線４４から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２から有機電界発光素子ＥＬに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子ＥＬが発光する。尚、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２と保持容量Ｃｓとは、共通の電源供給線（Ｖｃｃ）４９に接続されている。
【００９６】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域には、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【００９７】
図１０は、有機電界発光素子ＥＬを設けた各画素ａの構成の詳細を説明する１画素分の断面構成図である。以下に、この図に基づいて、有機電界発光素子ＥＬを備えた表示装置の製造手順を説明する。
【００９８】
先ず、基板４１上に、例えばボトムゲート型の薄膜トランジスタＴｒを画素ａ毎に形成する。次に、これらの薄膜トランジスタＴｒを層間絶縁膜５１で覆い、この層間絶縁膜５１に形成した接続孔を介して薄膜トランジスタＴｒに接続された配線５３を形成し、配線５３と薄膜トランジスタＴｒとで構成された画素回路を形成する。尚、図示した薄膜トランジスタＴｒは、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２である。
【００９９】
次いで、配線５３および薄膜トランジスタＴｒで構成される画素回路を覆う状態で、平坦化絶縁膜５５を形成し、この平坦化絶縁膜５５に対して配線５３に達する接続孔５５ａを形成する。その後、平坦化絶縁膜５５上に、接続孔５５ａを介して薄膜トランジスタＴｒ２に接続された画素電極５７をパターン形成する。各画素電極５７は、例えばアノード（またはカソード）として用いられるものである。また、これらの画素電極５７の形成と同一工程で、画素電極５７と同一層からなる補助配線５７ａを形成する。
【０１００】
次に、画素電極５７の周縁を絶縁膜パターン５９で覆う。尚、この絶縁性パターン５９から広く画素電極５７を露出させた部分が画素開口となる。またこの絶縁性パターン５９には、補助配線５７に達する接続孔５９ａも設けることとする。
【０１０１】
その後、絶縁性パターン５９から広く露出された画素電極５７上を覆う状態で、有機発光機能層６１を蒸着成膜によってパターン形成する。各有機発光機能層６１は、例えばアノードとなる画素電極５７側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層などを必要に応じて積層させた構成であることとする。このような有機発光機能層６１の形成に、上述した蒸着装置を用いた蒸着方法を適用する。
【０１０２】
次に、有機発光機能層６１上に、全ての画素ａに共通の共通電極６３をベタ膜状で形成する。この共通電極６３は、例えばカソード（またはアノード）として用いられるもので、接続孔５９ａを介して補助配線５７にも接続させる。このような共通電極６３の形成にも、上述した蒸着装置を用いた蒸着方法を適用する。
【０１０３】
以上の構成において、アノードとなる画素電極５７とカソードとなる共通電極６３とで、有機発光機能層６１を挟持した部分が有機電界発光素子ＥＬとなる。
【０１０４】
その後の図示は省略したが、共通電極６３上に光透過性を有する接着剤層を介して透明基板を貼り合わせ、有機電界配向素子ＥＬを各画素ａに配列してなる表示装置（４０）を完成させる。
【０１０５】
尚、本発明にかかる表示装置は、図１１に開示したような、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部である表示領域４１ａを囲むように基板４１上にシーリング部７１が設けられ、このシーリング部７１を接着剤として、透明なガラス等の対向部（封止基板７３）に貼り付けられ形成された表示モジュールが該当する。この透明な封止基板７３には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が設けられてもよい。尚、表示領域４１ａが形成された表示モジュールとしての基板４１には、外部から表示領域４１ａ（画素アレイ部）への信号等を入出力するためのフレキシブルプリント基板７５が設けられていても良い。
【０１０６】
以上説明した表示装置の製造方法では、上述した実施形態の蒸着装置を用いた蒸着方法を適用して有機発光機能層６１および共通電極６３を形成する構成であるため、従来に比べより生産性が高められ、安価に、そして大量に有機電界発光素子ＥＬを用いた表示装置を生産することが可能になる。また。従来に比べて有機発光機能層６１および共通電極６３の膜厚が高精度に制御されるため、より高品質な有機電界発光素子ＥＬ及びこれを用いた表示装置を得ることが可能になる。
【０１０７】
＜適用例＞
以上説明した本発明に係る製造方法によって得られる表示装置は、図１２〜図１６に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【０１０８】
図１２は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。 
【０１０９】
図１３は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【０１１０】
図１４は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 
【０１１１】
図１５は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【０１１２】
図１６は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】第１実施形態の蒸着装置の一構成例を示す図である。
【図２】第１実施形態の蒸着方法を説明するタイムチャートである。
【図３】第１実施形態の蒸着方法を説明するフローチャートである。
【図４】第２実施形態の蒸着方法を説明するフローチャートである。
【図５】第３実施形態の蒸着装置に適用する蒸着源の一構成例を示す図である。
【図６】従来方式で測定された蒸着速度［レート（Å／ｓ）］と本発明方式で測定された蒸着速度［レート（Å／ｓ）］とを示す図である。
【図７】本発明方式においてシャッター「開」の時間を３０秒と６０秒にした場合に測定された各蒸着速度［レート（Å／ｓ）］を示す図である。
【図８】第４実施形態の蒸着装置の一構成例を示す図である。
【図９】実施形態の表示装置の回路構成の一例を示す図である。
【図１０】実施形態の蒸着方法を適用して得られる表示装置の断面構成図である。
【図１１】本発明が適用される封止された構成のモジュール形状の表示装置を示す構成図である。
【図１２】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１３】本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１４】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１５】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１６】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１７】従来の蒸着方法を説明するタイムチャートである。
【符号の説明】
【０１１４】
１，１’…蒸着装置、３，３’…蒸着源、１１…水晶板、１５…シャッター、２３…蒸着速度演算部(演算部）、２５…ヒーター出力制御部(制御部）、ｍ…蒸着物質蒸気、Ｍ…蒸着物質、Ｗ…基板（被蒸着基板）、４０…表示装置、６１…有機発光機能層、ＥＬ…有機電界発光素子
【図１】
2009185344.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009185344.tif 000011
【図８】
2009185344.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2009185344.tif 000015
【図１２】
2009185344.tif 000016
【図１３】
2009185344.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
2009185344.tif 000019
【図１６】
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【図１７】
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