(57)【要約】【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりもＣｒ含有量の少ない低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結する比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりもＣｒ含有量の少ない低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結することを特徴とする比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項２】
前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末は、Ｃｒ：５０〜７０原子％、Ｐｔ：０．０１〜２原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する粉末であり、
前記低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末は、Ｃｒ：５〜１５原子％、Ｐｔ：０．０１〜２原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する粉末であり、
前記非磁性酸化物粉末は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１記載の比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項３】
前記加圧焼結は、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスであることを特徴とする請求項１または２記載の比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置として用いられており、記録密度の一層の向上が求められている。そのため、近年、超高密度の記録を実現できる垂直磁気記録方式が注目されてきた。この垂直磁気記録方式は、従来の面内記録方式と異なり、原理的に高密度化するほど記録磁化が安定すると言われており、実用化が開始された。この垂直磁気記録方式のハードディスク媒体の磁気記録層に適用する材料の有力な候補としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜が提案されており、この磁気記録膜は高性能な磁気記録膜であることが必要である。これに適用可能な磁気記録膜の一つとしてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜が提案されており、このＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜はＣｒおよびＰｔを含むＣｏ基焼結合金相と二酸化珪素相の混合相を有するＣｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを用いてマグネトロンスパッタ法により作製することが知られている（非特許文献１参照）。
このＣｏ基焼結合金スパッタリングターゲットは、通常、二酸化珪素粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＣｏ粉末を、二酸化珪素：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスなどの方法で加圧焼結することにより作製されることが知られている（特許文献１、特許文献２などを参照）。
さらに、前記非磁性酸化物はＳｉＯ２のほかにＴｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＢｅＯ２、ＭｇＯ、ＴｈＯ２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３などの非磁性酸化物が使用できることが知られている（特許文献３、４参照）。
【非特許文献１】「富士時報」Ｖｏｌ．７５Ｎｏ．３  ２００２（１６９〜１７２ページ）
【特許文献１】特開２００１‐２３６６４３号公報
【特許文献２】特開２００４‐３３９５８６号公報
【特許文献３】特開２００３‐３６５２５号公報
【特許文献４】特開２００６‐２４３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、前記従来の方法で作製したＣｏ基焼結合金スパッタリングターゲットは比透磁率が高いために、ターゲット上空に漏れ出る磁束が少ないマグネトロンスパッタリングに適用した際には成膜速度が低下しさらにターゲットの利用効率が低下するという問題点があった。したがって、一層比透磁率の低いＣｏ基焼結合金からなるスパッタリングターゲットが求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
そこで、本発明者は、一層比透磁率の低いＣｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なったところ、
原料粉末として純Ｃｏ粉末および純Ｃｒ粉末を使用することなく、原料粉末として高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末および前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりもＣｒ含有量の少ない低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末を使用し、高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結することにより得られた磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットは比透磁率が一層低くなる、という知見を得たのである。
【０００５】
この発明は、かかる知見に基づいてなされたものであって、
（１）高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりもＣｒ含有量の少ない低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結する比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００６】
この発明の比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法で使用する前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末は、Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する粉末であることが好ましく、また、前記低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末はＣｒ：５〜１５原子％、Ｐｔ：０．０１〜２原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する粉末であることが好ましい。また、前記非磁性酸化物粉末は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかであり、特に二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタンのうちのいずれかであることが好ましいことはすでに知られている。したがって、この発明は、
（２）前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末は、Ｃｒ：５０〜７０原子％、Ｐｔ：０．０１〜２原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する粉末であり、
前記低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末は、Ｃｒ：５〜１５原子％、Ｐｔ：０．０１〜２原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する粉末であり、
前記非磁性酸化物粉末は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかである前記（１）記載の比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００７】
前記加圧焼結は、具体的には、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスであることが好ましい。したがって、この発明は、
（３）前記加圧焼結は、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスである前記（１）または（２）記載の比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００８】
この発明の磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法において、原料粉末としていずれもＰｔを含有する高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末および低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末を使用する理由は、原料粉末としてさらに添加したＰｔ粉末と高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末および低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末との間のＰｔ濃度勾配が緩和され、ＰｔがＣｏＣｒ合金中に大量に拡散してターゲットの透磁率が高くなるのを抑制するからである。
また、この発明の比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法において原料粉末として使用するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末をＣｒ含有量の異なる高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末と低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末とに分けて添加する理由を説明すると、高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末はＣｏとＣｒが非磁性体の金属間化合物を生成する組成域であることから低透磁率化に有効であり、なおかつ金属間化合物中のＣｒは酸化しにくくなってパーティクルの原因となるＣｒの酸化凝集体を生じにくくすることから、出発原料粉末として非常に有効であるからである。しかし、この高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末を使用する際に、目標のターゲット組成を得るためには残量のＣｏを純Ｃｏ粉末で供給すると透磁率が上昇する。これを抑制するためにＣｏに少量のＣｒを加えて、ある程度透磁率を下げた低Ｃｒ組成の低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末からＣｏを供給することが有効であるからである。
【０００９】
次に、この発明の比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法において使用する高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末の成分組成をＣｒ：５０〜７０原子％、Ｐｔ：０．０１〜２原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成とし、一方、前記低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末の成分組成をＣｒ：５〜１５原子％、Ｐｔ：０．０１〜２原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成に限定した理由を説明する。
高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末のＣｒを５０〜７０原子％としたのは、この範囲を外れると、粉末中のＣｏＣｒの金属間化合物が少なくなり、Ｃｒ酸化防止効果が小さくなるので好ましくないからであり、一方、低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末のＣｒを５〜１５原子％としたのは、５原子％未満ではＣｏ合金粉末の透磁率が高くなりすぎるので好ましくなく、１５原子％を超えて含有するとターゲット中のＣｒが高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりも低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末の方に多く存在することとなり、低透磁率化およびＣｒ酸化防止の観点から好ましくない理由によるものである。
また、高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末および低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末に含まれるＰｔをいずれも０．０１〜２原子％としたのは、Ｐｔが０．０１原子％未満では他の原料粉末として添加されるＰｔ粉末のＰｔが高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末および低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末に拡散侵入することを抑制することができないからであり、一方、２原子％を越えて含有すると、高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末および低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末の透磁率が上昇するので好ましくないからである。
【００１０】
つぎに、この発明の比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法において使用する高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末および低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末の粒径は、５０％粒径が１５０μｍを越えると混合粉砕時に粉砕が十分に進まないことから、高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末の粒径は５０％粒径が１５０μｍ以下であることが好ましく、微細であるほど好ましいところから分級などにより５０％粒径が７５μｍ以下にすることが一層好ましく、さらに５０％粒径が４５μｍ以下とすることがさらに一層好ましい。さらにＰｔ粉末はいずれも５０％粒径が４０μｍ以下（一層好ましくは５０％粒径が３０μｍ以下）、非磁性酸化物粉末は５０％粒径が２０μｍ以下（一層好ましくは５０％粒径が１０μｍ以下）とすることが好ましい。前記原料粉末の混合は不活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。これは混合中にＣｒが酸素と結合してクロム酸化物凝集体が形成されるのをより一層防止するからである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明は、一層比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供することができ、コンピューター並びにデジタル家電等の産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
原料粉末として、いずれも５０％粒径が３５μｍを有する表１に示される成分組成の高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末Ａ〜Ｃをガスアトマイズ法により作製した。さらに原料粉末として、いずれも５０％粒径が３５μｍを有する表２に示される成分組成の低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末ａ〜ｃをガスアトマイズ法により作製した。
【００１３】
【表１】
2009108335.tif 000002
【００１４】
【表２】
2009108335.tif 000003
【００１５】
さらに市販の５０％粒径：１０μｍのＣｏ粉末、５０％粒径：１５μｍのＰｔ粉末を用意し、さらに非磁性酸化物粉末として５０％粒径：３μｍのＳｉＯ２粉末、５０％粒径：３μｍのＴｉＯ２粉末および５０％粒径：３μｍのＴａ２Ｏ５粉末を用意し、さらに５０％粒径：１５μｍのＣｒ粉末を用意した。
【００１６】
実施例１
表１に示される高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粉末Ａ、表２に示される低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粉末ａ、Ｐｔ粉末およびＳｉＯ２粉末を表３に示される組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉し、この容器をボールミルで１２時間回転させることにより混合粉末を作製した。
得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１０００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより表３に示される成分組成を有するホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより本発明法１を実施し、前記本発明法１で作製したターゲットの面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表３に示した。
【００１７】
従来例１
先に用意したＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末およびＣｒ粉末を表３に示される割合で配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉し、この容器をボールミルで１２時間回転させることにより混合粉末を作製した。
得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１０００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより表３に示される成分組成を有するホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより従来法１を実施し、従来法１で得られたターゲットの面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表３に示した。
【００１８】
【表３】
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【００１９】
表３に示される結果から、本発明法１で作製したターゲットと従来法１で作製したターゲットを比較すると、得られたターゲットの成分組成は同じであっても、本発明法１で作製したターゲットは従来法１で作製したターゲットよりも面内方向の最大比透磁率が低いことがわかる。
【００２０】
実施例２
表１に示される高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粉末Ｂ、表２に示される低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粉末ｂ、Ｐｔ粉末およびＴｉＯ２粉末を表４に示される組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉し、この容器をボールミルで１２時間回転させることにより混合粉末を作製した。
得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１０００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより表４に示される成分組成を有するホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより本発明法２を実施し、前記本発明法２で作製したターゲットの面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表４に示した。
【００２１】
従来例２
先に用意したＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末およびＣｒ粉末を表４に示される割合で配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉し、この容器をボールミルで１２時間回転させることにより混合粉末を作製した。
得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１０００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより表４に示される成分組成を有するホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより従来法２を実施し、前記従来法２で作製したターゲットの面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表４に示した。
【００２２】
【表４】
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【００２３】
表４に示される結果から、本発明法２で作製したターゲットと従来法２で作製したターゲットを比較すると、得られたターゲットの成分組成は同じであっても、本発明法２で作製したターゲットは従来法２で作製したターゲットよりも面内方向の最大比透磁率が低いことがわかる。
【００２４】
実施例３
表１に示される高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粉末Ｃ、表２に示される低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粉末ｃ、Ｐｔ粉末およびＴａ２Ｏ５粉末を表５に示される組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉し、この容器をボールミルで１２時間回転させることにより混合粉末を作製した。
得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１０００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより表５に示される成分組成を有するホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより本発明法３を実施し、前記本発明法３で作製したターゲットの面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表５に示した。
【００２５】
従来例３
先に用意したＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末およびＣｒ粉末を表５に示される割合で配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉し、この容器をボールミルで１２時間回転させることにより混合粉末を作製した。
得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：１０００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより表５に示される成分組成を有するホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより従来法３を実施し、前記従来法３で作製したターゲットの面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表５に示した。
【００２６】
【表５】
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【００２７】
表５に示される結果から、本発明法３で作製したターゲットと従来法３で作製したターゲットを比較すると、得られたターゲットの成分組成は同じであっても、本発明法３で作製したターゲットは従来法３で作製したターゲットよりも面内方向の最大比透磁率が低いことがわかる。