(57)【要約】【課題】生産性を向上させることが可能な露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】物体に第１処理を行う第１処理装置と、前記物体に第２処理を行う第２処理装置とを備え、前記第１処理装置と前記第２処理装置との間で互いに前記物体の受け渡しを行う物体処理システムであって、前記第１処理装置と前記第２処理装置とを接続し、前記第１処理装置と前記第２処理装置との間で情報を通信する通信装置と、前記第１処理装置が、前記第２処理装置からの前記物体を受け取り不可状態であるという受け取り不可情報に基づいて、前記第２処理装置において所定の処理を行わせる制御装置とを備える。【選択図】図１
2009076582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に露光処理を行うと共に、前記露光後の基板を所定の装置との間で受け渡す露光装置であって、
前記露光装置からの前記基板を受け取り不可状態であるという受け取り不可情報に基づいて、装置内部において所定の処理を行わせる制御装置を備える
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記所定の処理は、前記装置内部の前記基板を回収させる処理である
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記基板の回収後、前記装置内部において前記基板を回収済みという基板回収情報を送出する
ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記所定の処理は、前記露光処理に用いる材料の交換処理を含む
ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記所定の処理は、前記露光処理に関する計測処理又は当該計測処理の較正処理を含む
ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の露光装置。
【請求項６】
前記所定の処理は、前記基板に対する露光処理である
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記基板の回収を行う回収装置を更に備える
ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
露光装置によって基板に露光処理を行う露光方法であって、
前記露光装置からの前記基板を受け取り不可状態であるという受け取り不可情報に基づいて、前記露光装置内で所定の処理を行わせる処理工程を備える
ことを特徴とする露光方法。
【請求項９】
前記所定の処理は、前記露光装置内の前記基板を回収させる処理である
ことを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記処理工程の後、前記露光装置において前記基板を回収済みという基板回収情報を送出する
ことを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記所定の処理は、前記露光処理に用いる材料の交換処理を含む
ことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記所定の処理は、前記露光処理に関する計測処理又は当該計測処理の較正処理を含む
ことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記所定の処理は、前記基板に対する露光処理である
ことを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１４】
請求項８から請求項１３のうちいずれか一項に記載の露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等の物体の製造工程では、複数の処理装置を用いた処理が行われることがある。このような複数の処理装置を用いて処理が行われる電子部品の製造工程の一例として、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）のリソグラフィ工程では、例えば基板（物体）上にレジストなどの感光材を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置（以下Ｃ／Ｄ装置）を露光装置にインラインで接続したインライン・リソグラフィシステムを用いることがある（例えば、特許文献１参照）。インライン・リソグラフィシステムでは、塗布処理、露光処理及び現像処理を連続して行うことができるため、効率的な処理が可能となる。  
【特許文献１】特開２００５−２４４２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このようなインライン・リソグラフィシステムにおいては、Ｃ／Ｄ装置における不測の不具合などが原因で、露光装置からの基板の供給が不可能となることがある。露光装置においては、Ｃ／Ｄ装置において基板が供給可能になるまで待機状態になる可能性があり、この結果、生産性の低下を招く虞がある。
【０００４】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、生産性を向上させることが可能な露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図６に対応付けした以下の構成を採用している。
【０００６】
本発明に係る露光装置（１０）は、基板（Ｗ）に露光処理を行うと共に、前記露光後の基板を所定の装置（５０）との間で受け渡す露光装置であって、前記露光装置からの前記基板を受け取り不可状態であるという受け取り不可情報に基づいて、装置内部において所定の処理を行わせる制御装置（１２０）を備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、基板を受け取り不可状態であるという受け取り不可情報が通知されると、制御装置（１２０）は当該受け取り不可情報に基づいて、装置内部において所定の処理を行わせる。このため、基板を受け取り可能な状態になるまでの時間が有効的に活用されることになり、生産性の向上に寄与することになる。
【０００８】
また、本発明に係る露光方法は、露光装置（１０）によって基板（Ｗ）に露光処理を行う露光方法であって、前記露光装置からの前記基板を受け取り不可状態であるという受け取り不可情報に基づいて、前記露光装置内で所定の処理を行わせる処理工程を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、基板（Ｗ）を受け取り不可状態であるという受け取り不可情報が通知されると、当該受け取り不可情報に基づいて、露光装置（１０）において所定の処理が行われる。このため、基板を受け取り可能な状態になるまでの時間が有効的に活用されることになり、生産性の向上に寄与することになる。
【００１０】
本発明に係るデバイス製造方法は、先に記載の露光方法を用いることを特徴とすることを特徴とするものである。  
従って、本発明のデバイス製造方法では、生産性の向上に寄与する物体処理方法又は露光方法を用いてデバイスを製造するので、高品質のデバイスを高いスループットで製造することができる。
【００１１】
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、生産性を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の露光装置、露光方法及びデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図６を参照して説明する。
【００１４】
各実施形態では、物体処理システムを構成する第１処理装置としてコータ・デベロッパ装置（以下、「Ｃ／Ｄ装置」という）を用い、第２処理装置として露光装置を用いる場合を説明する。なお、Ｃ／Ｄ装置は、第１処理として半導体デバイス製造用の半導体ウエハ（物体、基板）に対して感光材塗布処理を行うとともに露光処理が施されたウエハに現像処理を施す装置である。露光装置は、Ｃ／Ｄ装置から搬送されたウエハに対して第２処理として露光処理を施す装置である。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１５】
［第１実施形態］  
本発明の第１実施形態を説明する。図１には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成された第１実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。
【００１６】
この図１に示されるリソグラフィシステム（物体処理システム）１００は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム１００は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置（第２処理装置）１０と、該露光装置１０の−Ｙ側（図１における紙面左側）に、インライン・インタフェース部（以下、「インラインＩ／Ｆ部」と呼ぶ）１１０を介して接続された第１処理装置としてのＣ／Ｄ装置５０とを備えている。
【００１７】
露光装置１０は、図１におけるＹ軸方向の中央やや−Ｙ側寄りの位置に仕切り壁１４が設けられたチャンバ１６と、該チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向一側（−Ｘ側）の大部屋１２Ａの内部に収容された露光装置本体１０Ａ（図１では、ウエハステージＷＳＴ及び投影光学系ＰＬ以外の部分は図示省略）と、チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向他側（＋Ｘ側）の小部屋１２Ｂの内部にその大部分が収容された基板搬送系としてのウエハローダ系４０とを備えている。ウエハローダ系４０は、搬送アームＨ１〜Ｈ４を備えており、Ｙ軸方向に延びるＹガイド１８と、該Ｙガイド１８の上方（図１における紙面手前側）に位置しＸ軸方向に延びるＸガイド２０とを搬送ガイドとして備えている。露光装置本体１０Ａには、チャンバ１６の外部に配置された光源としてのレーザ装置１が、引き回し光学系ＢＭＵを介して接続されている。
【００１８】
図２には、露光装置１０の構成が正面図にて概略的に示されている。但し、この図２では、チャンバ１６が仮想線（二点鎖線）にて示されている。この露光装置１０は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置、すなわちいわゆるスキャナ（スキャニング・ステッパとも呼ばれる）である。
【００１９】
この露光装置１０は、露光光ＩＬによりレチクルＲを照明する照明光学系ＩＬＵと、レチクルＲを保持して移動可能なレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲから射出される露光光ＩＬをウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを保持して移動可能なウエハステージＷＳＴと、投影光学系ＰＬ等を保持すると共にウエハステージＷＳＴが搭載される本体コラムＣＬとを有しており、露光装置１０を統括的に制御する主制御装置１２０等を有している。
【００２０】
照明光学系ＩＬＵは、レチクルステージＲＳＴに支持されているレチクルＲを露光光ＩＬで照明する光学系である。この照明光学系ＩＬＵは、レーザ装置１から射出された露光光ＩＬの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、コンデンサレンズ、リレーレンズ系、レチクルＲ上の露光光ＩＬによる照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等（いずれも不図示）を有しており、レチクルＲ上の所定の照明領域をより均一な照度分布の露光光ＩＬで照明可能となっている。レーザ装置１から射出される露光光ＩＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等の紫外光が用いられる。
【００２１】
レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを支持しつつ、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内の２次元移動及び微小回転を行うステージ装置である。レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲの２次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計１３によりリアルタイムで測定され、その測定結果は主制御装置１２０に出力されるようになっている。レチクルステージＲＳＴ上には、このレーザ干渉計１３からのレーザビームを反射する移動鏡１５が設けられている。また、レチクルステージＲＳＴには不図示のリニアモータが設けられており、主制御装置１２０がレーザ干渉計１３の測定結果に基づいて当該リニアモータを駆動することで、レチクルステージＲＳＴに支持されているレチクルＲの位置決めが行われるようになっている。
【００２２】
投影光学系ＰＬは、レチクルＲに形成されたパターンを所定の投影倍率でウエハＷに投影露光する光学系であり、複数の光学素子が鏡筒内に収容された構成になっている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。この投影光学系ＰＬの鏡筒には、フランジＦＬＧが設けられ、該フランジＦＬＧを介して投影光学系ＰＬが鏡筒定盤１３８によって支持されている。
【００２３】
前記ウエハステージＷＳＴは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってＸＹ二次元面内（θｚ回転を含む）でステージベースＳＢ上面に沿って自在に駆動されるＸＹステージ１４１と、該ＸＹステージ１４１上に搭載されたウエハテーブルＴＢとを含んで構成されている。前記ステージベースＳＢは、不図示の防振ユニットを介して床面に支持されている。ウエハテーブルＴＢ上には、レーザ干渉計３１からのレーザビームを反射する移動鏡２７が固定されている。レーザ干渉計３１により、ウエハテーブルＴＢのＸＹ面内の位置が常時検出されている。ウエハテーブルＴＢの位置情報は主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では前記位置情報に基づいてウエハテーブルＴＢを制御する。
【００２４】
図１に戻り、前記ウエハローダ系４０は、Ｙ軸方向に延びるＹガイド１８と、該Ｙガイド１８の上方（図１における紙面手前側）に位置し、Ｘ軸方向に延びるＸガイド２０とを搬送ガイドとして備えている。Ｙガイド１８上には、Ｙガイド１８に沿って移動する水平多関節型のロボット２６が設けられている。また、Ｘガイド２０には、Ｘガイド２０に沿って移動するロードアーム２８とアンロードアーム３０とが設けられている。なお、仕切り壁１４には、これらロードアーム２８、アンロードアーム３０がそれぞれ通過可能な開口が形成されている。さらに、Ｘガイド２０の＋Ｘ側端部近傍の−Ｙ側の位置には、近傍に不図示のウエハエッジセンサが配置されたターンテーブル３７が設けられている。また、ローダ室１２Ｂ内には、ウエハローダ系４０の各部を制御するとともに、後述するＣ／Ｄ側の制御装置との間で通信回線を介して搬送中のウエハに関する情報の交換、すなわち通信を行うローダ制御装置３４が設けられている。また、ウエハＷを回収して露光装置１０の外部に搬送可能な回収装置３６がＹガイド１８に沿って設けられている。
【００２５】
インラインＩ／Ｆ部１１０は、インライン受け渡し部１１４、キャリア台１１８及び水平多関節型ロボット１１６等を備えている。
【００２６】
図３は、Ｃ／Ｄ装置５０の概略構成を示す平面図である。同図に示すように、Ｃ／Ｄ装置５０は、カセットステーション３０と、処理ステーション３１と、インターフェース部３２とを一体に接続した構成を有している。  
カセットステーション３０は、カセット載置台２１上の突起２１ａの位置に複数個のウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション３１側に向けてＸ方向一列に載置された構成になっており、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転可能に構成されている。
【００２７】
処理ステーション３１は、装置背面側（図中上方）において、カセットステーション３０側から処理ユニット部Ｇ３、処理ユニット部Ｇ４及び処理ユニット部Ｇ５がそれぞれ配置され、これら処理ユニット部Ｇ３と処理ユニット部Ｇ４との間には、主ウエハ搬送部Ａ１が設けられている。主ウエハ搬送部Ａ１は、ロボットアーム６８ａが処理ユニット部Ｇ１、処理ユニット部Ｇ３及び処理ユニット部Ｇ４等に選択的にアクセスできるように設置されている。また、処理ユニット部Ｇ４と処理ユニット部Ｇ５との間には主ウエハ搬送部Ａ２が設けられ、主ウエハ搬送部Ａ２は、ロボットアーム６８ｂが処理ユニット部Ｇ２、処理ユニット部Ｇ４及び処理ユニット部Ｇ５等に選択的にアクセスできるように設置されている。
【００２８】
主ウエハ搬送部Ａ１の背面側には熱処理ユニットが設置されており、例えばウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１０、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）１１３が下方から順に複数段ずつ重ねられている。アドヒージョンユニット（ＡＤ）はウエハＷを温調する機構を更に有する構成にしてもよい。主ウエハ搬送部Ａ２の背面側には、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０及びウエハＷに塗布されたレジスト膜厚を検査する検査装置が設けられている。これら周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０や検査装置は多段に配置しても構わない。
【００２９】
処理ユニット部Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えばウエハＷに所定の加熱処理を施す第１の熱処理ユニットである高温度熱処理ユニット、ウエハＷに精度の良い温度管理化で加熱処理を施す高精度温調ユニット、ウエハ搬送体２２からロボットアーム６８ａへのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニット、温調ユニットが上から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ４では、例えば熱処理ユニットとしてポストベーキングユニット、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すプリベーキングユニット、高精度温調ユニットが上から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ５では、例えば露光後のウエハＷに加熱処理を施すポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥベーキングユニット）、高精度温調ユニットが例えば上から順に重ねられている。
【００３０】
処理ステーション３１の装置正面側（図中下方）には、処理ユニット部Ｇ１と処理ユニット部Ｇ２とがＹ方向に併設されている。この処理ユニット部Ｇ１とカセットステーション３０との間、及び処理ユニット部Ｇ２とインターフェース部３２との間には、各処理ユニット部Ｇ１及びＧ２に供給する処理液の温調に使用される液温調ポンプ２４、２５がそれぞれ設けられており、この処理システム外に設けられた不図示の空調器からの清浄な空気を各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５内部に供給するためのダクトＤ１、Ｄ２が設けられている。
【００３１】
処理ユニット部Ｇ１では、カップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行うレジスト塗布ユニット、露光時の光の反射を防止するために反射防止膜を形成するボトムコーティングユニットが下方から順に重ねられている。処理ユニット部Ｇ２では、例えば現像ユニットが下方から順に複数段重ねられている。
【００３２】
なお、カセットステーション３０の下方部にはこのＣ／Ｄ装置５０のシステム全体を制御する塗布・現像制御装置６２が設けられている。
【００３３】
インターフェース部３２の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、中央部にはロボットアーム４７が設けられている。このロボットアーム４７は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲにアクセスすると共に、インラインＩ／Ｆ部１１０にアクセス可能になっている。
【００３４】
本実施形態では、露光装置１０側のローダ制御装置３４とＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２との間、及び主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間で、それぞれに接続された通信装置ＣＳを介してそれぞれデータ通信が可能な構成となっている。この場合、ローダ制御装置３４と塗布・現像制御装置６２との間では、主として搬送中のウエハに関する情報のやり取りが行われる。また、主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間では、露光装置１０とＣ／Ｄ装置５０との間のウエハＷの供給に関する情報等の種々の情報のやり取りが行われる。
【００３５】
また、本実施形態では、露光装置１０の主制御装置１２０に表示装置２００が接続されている。この表示装置２００は、露光装置１０における処理状況及びＣ／Ｄ装置５０における処理状況を表示可能になっている。露光装置１０における処理状況の情報は、例えば主制御装置１２０を介して表示装置２００に供給されるようになっている。また、Ｃ／Ｄ装置５０における処理状況の情報は、例えば塗布・現像制御装置６２から通信装置ＣＳ及び主制御装置１２０を介して表示装置２００に供給されるようになっている。この表示装置２００は、塗布・現像制御装置６２に接続されていても良いし、主制御装置１２０及び塗布・現像制御装置６２の両方にそれぞれ接続されていても良い。また、露光装置１０における処理状況及びＣ／Ｄ装置５０における処理状況のいずれか一方のみを表示可能になっている構成であっても構わない。
【００３６】
次に、リソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作について説明する。  
ここでは、基板（物体）としての第１枚目のウエハＷがカセット載置台２１上に載置されているものとする。そこで、ロボット２２は、カセット載置台２１上からウエハＷを例えば処理ユニットＧ１内に搬入する。処理ユニットＧ１のレジスト塗布ユニット内でレジスト（感光材）の塗布が開始される。そして、ウエハＷのレジスト塗布が終了すると、ロボット６８ａは、ウエハＷをレジスト塗布ユニットからポストベークユニットに移動させ、ポストベーキング処理を行う。
【００３７】
ポストベーキング処理を行ったウエハＷを例えば２０〜２５℃の範囲で定められた温度に冷却した後、当該ウエハＷは、ロボット６８ｂ及びロボット４７を介してロボット１１６に受け渡され、ロボット１１６によってインライン受け渡し部１１４の供給用テーブル１１４Ａ上に載置される。
【００３８】
一方、露光装置１０側では、まず、ロボット２６が、インライン受け渡し部１１４からウエハＷを受け取り、ターンテーブル３７上に載置する。ここでウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行われ、その検出信号に基づいてローダ制御装置３４によってターンテーブル３７を回転させてウエハＷのノッチ部の方向を所定方向に合わせる。その後、ロードアーム２８がターンテーブル３７上のウエハＷを受け取り、Ｘガイド２０に沿って移動してウエハステージＷＳＴに搬送する。
【００３９】
ウエハステージＷＳＴ上に搬送されたウエハＷに対しては、レチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）とウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルＲとウエハＷとを同期移動しつつレチクルＲ上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを、繰り返すことにより露光処理が行われる。上記の露光処理が終了すると、アンロードアーム３０が、露光済みのウエハＷを受け取り、ロボット２６に渡す。そして、ロボット２６により、ウエハＷが搬送され、インライン受け渡し部１１４に渡される。
【００４０】
この後、露光済みのウエハＷは、ロボット１１６により回収用テーブル１１４Ｂからロボット４７に受け渡され、さらにロボット４７及びロボット６８ｂにより処理ユニットＧ５のＰＥベーキングユニット内に搬入され、ＰＥベーキングユニット内でポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）が行われる。
【００４１】
一方、ＰＥＢが終了したウエハＷは、ロボット６８ｂによりＰＥベーキングユニットから取り出され、例えば処理ユニットＧ４の現像ユニット内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハＷは、ロボット６８ａ及びロボット２２を介してカセット載置台２１上に載置される。  
このように、リソグラフィシステム１００における一連の処理が完了する。
【００４２】
ところで、上述したＣ／Ｄ装置５０においては、塗布処理又は現像処理について何らかのエラーが生じることがある。この塗布処理及び現像処理に関するエラーとしては、例えば処理ユニットＧ１〜Ｇ５の作動不良や作動不能、あるいはロボット６８ａ、ロボット６８ｂの作動不良や作動不能等が挙げられる。このようなエラーが生じ、露光装置１０からのウエハＷをＣ／Ｄ装置５０が受け取れない場合、当該エラーが解除されるまで露光装置１０において待ち時間が発生することになる。
【００４３】
そこで、本実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０において露光装置１０からのウエハＷを受け取れない状態となる場合、塗布・現像制御装置６２がこの状態を検知すると共に露光装置１０からのウエハＷを受け取り不可状態であるという受け取り不可情報を通信装置ＣＳを介して主制御装置１２０に送信する。
【００４４】
塗布・現像制御装置６２から受け取り不可情報を受信した主制御装置１２０は、当該情報に基づいて、露光装置１０内で所定の処理としてウエハＷの回収を行わせる（処理工程）。処理工程では、回収装置３６によって露光処理前のウエハＷ又は露光処理後のウエハＷを回収する。この場合、露光装置１０内のウエハＷがロボット２６により回収装置３６に渡され、回収装置３６によって当該ウエハＷが露光装置１０の外部へ搬送される。回収されたウエハＷについては、例えば表面のレジストを洗浄し、再度Ｃ／Ｄ装置５０によってレジストを塗布するようにしても構わない。
【００４５】
また、主制御装置１２０は、ウエハＷの回収後、露光装置１０においてウエハＷを回収済というウエハ回収情報をＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２へ通知する（第２通知工程）。塗布・現像制御装置６２は、通信装置ＣＳを介して受信したウエハ回収情報に基づいて、エラー解除後の塗布現像処理を制御することができる。したがって、Ｃ／Ｄ装置５０は、露光装置１０によってウエハＷが回収されたことを認識することができ、露光装置１０からウエハＷが供給されるのを待つ、いわゆる待ち状態になることを防止できる。
【００４６】
また、ウエハＷの回収及びウエハ回収情報の送信を行った後、所定の処理として露光関連処理を行っても構わない。露光関連処理とは、例えばウエハＷに対する処理動作を長期間に亘り円滑に行うために、リソグラフィシステム１００を構成する露光装置１０の構成各部のメンテナンスなど、装置の性能維持のために、露光処理に関連して行う処理であり、メンテナンス（定期メンテナンス、その他のメンテナンスの他、部品交換なども含む）、及び自己キャリブレーションなどの、装置の性能維持のために必要な動作であって装置の本来の動作を停止することが必要となる動作の全てを含む。
【００４７】
具体例としては、投影光学系ＰＬの結像特性調整（レンズキャリブレーション、フォーカスキャリブレーション）、照度調整（照度キャリブレーション）、レチクルＲの中心（投影光学系ＰＬの光軸）とアライメント系ＡＬＧの計測中心（視野中心）との距離であるベースラインの計測、レーザ装置１のレーザの材料であるガスの交換、露光装置本体１０Ａが光学系と液体を介してパターンを形成する液浸露光を行う場合には液体の交換等が挙げられる。
【００４８】
また、Ｃ／Ｄ装置５０のエラーが短時間で解消される場合など、通常の露光処理を行った場合でも待ち時間が発生しない、あるいは待ち時間が極めて短時間であると判断される場合には、ウエハＷを回収することなく、所定の処理としてウエハＷに対して露光処理を継続して行うようにしても構わない。
【００４９】
なお、上記通知工程及び処理工程を含めた一連のリソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作は、露光装置１０における処理状況、Ｃ／Ｄ装置５０における処理状況を表示装置２００によって表示しながら行う。
【００５０】
このように、本実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０において露光装置１０からのウエハＷを受け取り不可状態であるという受け取り不可情報が通信装置ＣＳを介して露光装置１０に通知されると、主制御装置１２０は受け取り不可情報に基づいて、露光装置１０において上記所定の処理を行わせる。このため、Ｃ／Ｄ装置５０がウエハ受け取り可能状態になるまでの時間が有効的に活用されることになり、生産性の向上に寄与することになる。
【００５１】
［第２実施形態］  
次に、図４に基づいて本発明の第２実施形態を説明する。この図において、第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付しその説明を省略する。また、図４では露光装置１０及びＣ／Ｄ装置５０を簡略化して図示している。
【００５２】
本実施形態では、露光装置１０（及びインラインＩ／Ｆ部１１０）とＣ／Ｄ装置５０とが互いに独立して設けられ、Ｃ／Ｄ装置５０が複数設けられている。各Ｃ／Ｄ装置５０は、ウエハ受け渡し用のロボットアーム４７がレール９１の直下に、当該レール９１に沿って順次配置されている。
【００５３】
露光装置１０（インラインＩ／Ｆ部１１０）におけるロボット１１６は、ここでは２つのロード部１１６Ａと２つのアンロード部１１６Ｂとから構成されている。これらロード部１１６Ａ及びアンロード部１１６Ｂは、レール９１の直下に当該レール９１に沿って順次配置されている。
【００５４】
各ロード部１１６Ａには感光材塗布処理が行われたウエハが複数（例えば２５枚）収容されたカセット（ポッド）が搬送部９２によって搬送され、各カセットから取り出されたウエハに対しては、露光装置１０における露光処理等が施される。そして、処理済みのウエハはアンロード部１１６Ｂに受け渡された後に、搬送部９２によって排出される。
【００５５】
上記の構成のリソグラフィシステム１００において、例えば一つのＣ／Ｄ装置５０に何らかのエラーが生じ、露光装置１０からのウエハＷを受け取り不可状態になった場合、そのＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２から受け取り不可情報がホストコンピュータＨＰを介して露光装置１０の主制御装置１２０に送信される。
【００５６】
受け取り不可情報を受信した主制御装置１２０は、第１実施形態と同様、所定の処理として、回収装置３６に露光装置１０内のウエハＷの回収を行わせる（処理工程）。具体的には、露光装置１０内のウエハＷがロボット２６により回収装置３６に渡され、回収装置３６によって当該ウエハＷが露光装置１０の外部へ搬送される。この場合、例えば回収されたウエハＷのうち露光処理が完了しているものについては、複数のＣ／Ｄ装置５０のうちエラーが発生していないＣ／Ｄ装置５０へと搬送して現像工程を行わせるようにする。
【００５７】
ウエハＷの回収後、主制御装置１２０は、露光装置１０においてウエハＷを回収済というウエハ回収情報をウエハＷを受け取り不可状態のＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２へ通知する（第２通知工程）。ウエハＷを受け取り不可状態のＣ／Ｄ装置５０に設けられた塗布・現像制御装置６２は、通信装置ＣＳを介して受信したウエハ回収情報に基づいて、エラー解除後の塗布現像処理を制御することになる。
【００５８】
ウエハＷを回収し、ウエハ回収情報を送信した後、主制御装置１２０は、Ｃ／Ｄ装置５０がウエハＷを受け取り可能な状態になるまで、所定の処理として露光装置１０内で例えば第１実施形態で記載したような露光関連処理を適宜行わせても構わない。
【００５９】
また、複数のＣ／Ｄ装置５０のうち、一つでもエラーが生じていないＣ／Ｄ装置５０がある場合など、いずれかのＣ／Ｄ装置５０へウエハＷを供給することが可能な場合は、所定の処理として主制御装置１２０は露光処理を継続させても構わない。これに対して、複数の塗布・現像制御装置６２の全てからエラー信号が送信された場合には、主制御装置１２０はウエハＷの回収処理を実行させることになる。
【００６０】
このように、１つの露光装置１０に対して複数のＣ／Ｄ装置５０が接続されているリソグラフィシステム１００においては、一部のＣ／Ｄ装置５０にエラーが生じ露光装置１０からのウエハＷを受け取り不可状態になった場合であっても、ウエハＷを受け取り可能なＣ／Ｄ装置５０にウエハＷを供給することで処理を継続することができるので、生産性の低下を防止することができる。
【００６１】
また、全部のＣ／Ｄ装置５０において露光装置１０からのウエハＷを受け取り不可状態になっても、露光装置１０において回収処理や露光関連処理などの所定の処理が施されるので、Ｃ／Ｄ装置５０がウエハＷ受け取り可能な状態になるまでの期間を有効的に活用することができ、生産性の低下を防止できる。
【００６２】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００６３】
例えば、上記実施形態では、露光装置１０内のウエハＷを回収するための回収装置３６を設け、ウエハＷの回収を自動で行わせる構成を説明したが、これに限られることは無い。例えば回収装置３６を設けずに、露光装置１０内のウエハＷの回収をオペレータが手動で行う構成としても構わない。また、オペレータに手動でウエハＷを回収させる場合、Ｃ／Ｄ装置５０から受け取り不可情報が送信されてきたときに、オペレータにその旨を通知可能な構成とすることが好ましい。
【００６４】
なお、上記各実施形態の基板（物体）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６５】
露光装置１０としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００６６】
露光装置１０の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６７】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００６８】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置についても適用可能である。液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００６９】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００７０】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７１】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図５は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００７２】
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００７３】
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７４】
図６は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。  
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の第１工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７５】
ウエハプロセスの各段階において、上述の第１工程が終了すると、以下のようにして第２工程が実行される。この第２工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの第１工程と第２工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７６】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るリソグラフィシステムの概略構成を示す平面図。
【図２】本実施形態に係る露光装置の構成を示す図。
【図３】本実施形態に係る塗布現像装置（Ｃ／Ｄ装置）の構成を示す図。
【図４】本発明の第２実施形態に係るリソグラフィシステムの概略構成を示す平面図。
【図５】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図。
【図６】図５におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図。
【符号の説明】
【００７８】
１０…露光装置、  ３６…回収装置、  ５０…Ｃ／Ｄ装置、  １００…リソグラフィシステム、  １２０…主制御装置（制御装置）、  ＣＳ…通信装置、  Ｗ…ウエハ（基板）
【図１】
2009076582.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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