(57)【要約】【課題】中性ドナーに単色光を照射し束縛励起子を生成し、その崩壊にともなうキャリアを検出するデバイスにおいて、環境光によるキャリア生成により生じるエラーを軽減する。【解決手段】中性ドナーに単色光を照射し束縛励起子を生成し、その崩壊にともなうキャリアを検出する核スピン読み出しデバイスが含まれる領域の前面に、核スピン読み出し対象のドナーが置かれているものと同じ半導体結晶からなるフィルタ領域を生成し、デバイス領域とフィルタ領域を絶縁体層で分離する構成をとる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中性ドナーに単色光を照射し束縛励起子を生成し、その崩壊にともなうキャリアを検出することでドナー１の核スピンを読み出すデバイスを含む領域２の前面に、ドナー１が置かれているものと同じ半導体結晶からなるフィルタ領域３を配置し、デバイス領域２とフィルタ領域３を絶縁体層４で分離したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１の半導体装置において、デバイス領域２がＳＯＩ基板の薄膜層であり、フィルタ領域３がＳＯＩ基板の基板層であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は量子コンピュータや量子メモリー等の量子情報処理に関係するものである。
【背景技術】
【０００２】
量子情報処理技術とは、一個の核スピン等の量子状態を、計算や記録などの情報処理に利用する技術である。量子状態を用いて情報処理を行うには、量子状態がどのような状態になっているかを読み取る技術が不可欠である。
【０００３】
半導体の不純物原子がもつ核スピン、特に単結晶シリコン中のリンなどのドナー不純物がもつ核スピンは、その情報保持時間の長さや、従来型電子回路技術との整合性のよさなどから、量子情報処理用として非常に着目されている系である。しかし核スピンは、状態の読み取りが非常に困難であるという性質を持つ。現時点でも、核スピン状態を読み取る技術はＮＭＲ（核磁気共鳴）として実用化されている。しかし、この方法の場合、１０の１０乗を超えるような多数の核スピンからなる集団からしか状態を読み出すことができない。量子情報処理を行うためには、一個の核スピンの情報を読み出す必要がある。
【０００４】
本発明者は、中性ドナーから単色光の照射により選択的に束縛励起子を生成することで、核スピンを読み出す方法を考案した。以下に、その方法の概要を述べる。
【０００５】
（束縛励起子状態を用いた核スピンの読み出し方法）
半導体中のドナーは、キャリア凍結領域と呼ばれる低温状態において、電子一個（２０２）がまとわりついた中性ドナー状態（図２）と、電子二個（３０２）と正孔一個（３０３）がまとわりついた束縛励起子状態（図３）の二種類の状態をとることができる。
【０００６】
中性ドナー状態が安定であるのに対し、束縛励起状態は不安定であるため、定常状態としては前者しか存在しない。しかし、中性ドナー状態に光子を照射することで、一時的に束縛励起子状態をつくることができる。中性ドナー状態から束縛励起子状態を生成するために必要な光子のエネルギーは、両者のエネルギー差に一致する。
【０００７】
構成粒子のスピン量子数の違いにより、中性ドナー状態には４種類の状態（図４）が、束縛励起子状態には８種類の状態（図５）がある。磁場が存在しない状態では、Ｄ１〜Ｄ４および、Ｕ１〜Ｕ８はそれぞれほぼ同一のエネルギーを持つ。しかし、磁場が印加されると、図６のように状態によって異なるエネルギー準位を持つ。ただし、例外として、束縛励起子においてドナーの核スピン状態のみが異なる状態の組（Ｕ１とＵ２，  Ｕ３とＵ４，  Ｕ５とＵ６  およびＵ７とＵ８）は、それぞれ同じエネルギー準位を持つ。
【０００８】
光学遷移の選択則および核スピンの保存則により、ある中性ドナー状態から生成可能な束縛励起子状態には制限があり、図７の矢印線でしめした１２種類の遷移しか生じない。磁場が存在しない状態では、この１２種類の遷移はほぼ同じエネルギーをもつが、十分な磁場が印加された状態では、この１２種類の遷移はすべて異なるエネルギーを持つ（図８）。
【０００９】
１２種類の遷移のエネルギー差よりもエネルギー広がりの狭い単色光を照射した場合、その単色光とエネルギーが一致し、かつ初期状態としてその遷移が関与する状態に中性ドナーがあった場合にのみ遷移、つまり束縛励起子の生成が行われる。一方、初期状態が、その遷移に関与しない中性ドナー状態にあった場合には、束縛励起子状態が生成されない。
【００１０】
たとえば、ドナーがＤ１状態にあり、Ｄ１とＵ１間のエネルギー差に一致した光子が供給されれば、Ｕ１状態が生成される。しかし、ドナーがＤ２状態にあれば、ドナーはＤ２状態にとどまる。
【００１１】
したがって、単色光を照射し、束縛励起子の生成が確認できれば、その単色光で束縛励起子が生成可能な状態に中性ドナーが存在したことがわかる。つまり、単色光のエネルギーを変化させ、束縛励起子が生成されるエネルギーを見つければ、Ｄ１〜Ｄ４のうち、どの状態に中性ドナーがいたかを知ることができる。Ｄ１〜Ｄ４のどの状態かを特定できれば、図４にしたがって、ドナーの核スピンを特定することが可能である。つまり、核スピン状態を読み出すことができる。
【００１２】
束縛励起子状態の生成は、その崩壊にともなう現象により検出することができる。束縛励起子状態は不安定な状態であり、有限時間内に崩壊する。崩壊にはいくつかのモードがあるが、９９．９％以上はオージェ過程とよばれるモードをとる。この過程の場合、束縛励起子状態から電子一つと正孔一つが消滅し、電子一つが約１ｅＶのエネルギーを受け取り、ドナーから離脱し、結晶にキャリアとして放出される。結晶にはイオン化したドナーが残される。
【００１３】
このキャリア放出は、たとえばダイオードのブレークダウンを用いて検出することができる。
【００１４】
（エラー）
中性ドナーに単色光を照射し束縛励起子を生成し、その崩壊にともなうキャリアを検出する任意の核スピン読み取り方法の場合、単色光により生成された束縛励起子以外の原因により結晶にキャリアが放出されると、読み取りエラーが生じる。
【００１５】
（環境光によるキャリア生成）
半導体結晶がバンドギャップよりも大きなエネルギーを持つ光などを吸収すると、キャリアが生成する。吸収可能な光は半導体結晶により異なるが、キャリア凍結領域のシリコンの場合は約１０５５ｎｍより短い波長の光を吸収することができる。したがって、シリコンは可視光をすべて吸収することができる。通常の生活環境には、これら可視光および１０５５ｎｍよりも波長が短い光があふれている。本明細書では、これら生活環境下に存在する光を環境光と呼ぶ。核スピン読み取りデバイスを生活環境下で利用することを考えた場合、この環境光が重大なキャリア生成、すなわちエラー発生要因である。
【００１６】
（エラー発生割合）
環境光によるエラー発生の割合は、核スピン読み出しのための単色光による束縛励起子生成およびその崩壊によるキャリア生成レートと、環境光によるキャリア生成レートとの比で定まる。前者が後者を上回ればエラー発生率は５０％を下回り、後者が前者を上回ればエラー発生率は５０％を上回る。
【００１７】
（核スピン読み出しのための単色光による束縛励起子生成および崩壊によるキャリア生成レート）
中性ドナーに単色光を照射し束縛励起子を生成し、その崩壊にともなうキャリアを検出する過程は、以下の流れとなる。
【００１８】
まず、中性ドナー状態に、特定の核スピン状態にあるドナーにだけが共鳴し束縛励起子を生成する単色光を照射し、束縛励起子状態を生成する。次に、生成された束縛励起子状態が、オージェ過程により崩壊して、オージェ電子がキャリアとして放出される。
【００１９】
したがって、読み出しに必要なキャリアを放出させるまでに必要な時間は、束縛励起子生成に必要な時間と、束縛励起子の崩壊に必要な時間の和となる。キャリア生成レートは、この時間の逆数である。この二つの時間のうち、前者は後者に比べて極めて短いのでここでは無視できる。後者は約３００ナノ秒であるので、キャリア生成レートは約３．３×１０＾６（個／秒）となる。
【００２０】
（環境光によるキャリア生成レート）
環境光によるキャリア生成レートは、以下のように見積もることができる。
【００２１】
光が物質中を伝播すると、物質による吸収により次第にその強度が減少していく。物質中を伝播した距離をｘとすると、一般に光強度は
【００２２】
【数１】
2009272460.tif 000003
【００２３】
の式に従う。ここで、αは吸収係数とよばれる物理量である。
【００２４】
強度減少分が物質に吸収された量である。したがって、ｘ＝ｘ１からｘ＝ｘ２の間で吸収される光強度は
【００２５】
【数２】
2009272460.tif 000004
【００２６】
となる。
【００２７】
光は、多数の光子からなる集団である。強度Ｉの光に含まれる光子数は、光の波長をλとすると
【００２８】
【数３】
2009272460.tif 000005
【００２９】
である。ただし、ｈはプランク定数、ｃは光の速度である。
【００３０】
したがって、ｘ＝ｘ１からｘ＝ｘ２の間で吸収された光子数は、
【００３１】
【数４】
2009272460.tif 000006
【００３２】
となる。
【００３３】
バンドギャップを超える光による電子正孔対生成であれば、光子一個の吸収につき生成される電子正孔対が一組つまり２個となる。したがって、この値に２を乗じたものが、キャリア生成レートとなる。
【００３４】
物質による光吸収は、波長依存性を持つ。特に物質が半導体の場合、非常に強い波長依存性を持つ。図９に低温状態におけるシリコンの吸収係数αの波長依存性を示す。シリコンは１０００ｎｍ近傍で、長波長側に吸収係数の急激な落ち込みがある。これは、いわゆる吸収端と呼ばれるもので、バンドギャップよりもエネルギーが小さな光子を吸収できないことに対応する。この波長よりも短くなると、吸収係数は急激に大きくなる。
【００３５】
（環境光排除の必要性）
吸収係数が大きいほど、光子はすみやかに吸収され、キャリアを生成する。図１０は、５００マイクロメートルの厚みを持つ低温のシリコン結晶に吸収される割合を示したものである。図より、可視領域（４００から８００ｎｍ程度の範囲）では、ほぼ１００％の光が結晶に吸収されることがわかる。そこで、環境光として可視域による光を想定した場合、キャリア生成レートを３．３×１０＾６（個／秒）以下に抑えるためには、光子フラックスを１．６×１０＾６（光子／秒）以下に抑えなければならない。これは０．８ｐＷ程度のパワーに相当する。デバイスの受光部の大きさが半径５ミクロンの円形であると仮定すると、この強度は、２２ルクス相当の明るさに相当する。一般の家庭の照度はこの１０数倍程度、晴天時の日光は４０００倍以上明るい。
【００３６】
したがって、環境光がデバイスに到達しないように配慮しなければ、通常の人間作業環境下では、環境光によるエラーが、核スピンによる読み出し効率を大幅に上回ることになる。
【００３７】
中性ドナーに単色光を照射し束縛励起子を生成し、その崩壊にともなうキャリアを検出することで核スピンを読み出すためには、読み出しデバイスに束縛励起子生成のための単色光を当てられる構成とし、かつ環境光を遮断する必要がある。これは、遮光体の中に読み出しデバイスを配置し、環境光を遮断した状態で単色光を照射できるような構成とするか、読み出しデバイスの前面に、共鳴励起用単色光のみ通過させ環境光を通過させない選択性フィルタを配置することで実現できる。選択性フィルタは誘電体多層膜などにより構成することができる。
【００３８】
なお、本発明者らは、先行文献をくまなく調査したが、本発明に関連し得ると認められる先行文献は見あたらなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
環境光によるキャリア生成を抑制するために、デバイスを遮光体の中に配置し単色光照射部を内部に設ける方法の場合、光源を内部に配置しなければならないため、装置が大型化する。一方、デバイスを共鳴励起用単色光のみ通過させ環境光を通過させない選択性フィルタで囲う方法の場合、選択性フィルタが必要になる。選択性フィルタは誘電体多層膜などにより構成することができるが、製造には真空スパッタリングなど複雑な製造工程が必要であり、非常に高価である。
【課題を解決するための手段】
【００４０】
前記従来の課題を解決するために、本発明では、中性ドナーに単色光を照射し束縛励起子を生成し、その崩壊にともなうキャリアを検出する核スピン読み出しデバイスが含まれる領域の前面に、核スピン読み出し対象のドナーが置かれているものと同じ半導体結晶からなるフィルタ領域を生成し、デバイス領域とフィルタ領域を絶縁体層で分離する構成をとる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明の方法により、環境光によるキャリア生成に起因するエラーを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００４３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１のデバイス構造を示したものである。本デバイスには、単色光により中性ドナーから束縛励起子状態を共鳴的に生成する核スピン読み出すためのデバイス領域（１０１）と、中性ドナーが置かれているものと同じ半導体結晶からなるフィルタ領域（１０２）と、読み出し機構部（１０１）とフィルタ領域（１０２）をキャリアの移動の観点から分離する絶縁体層（１０３）から構成される。
【００４４】
デバイス領域（１０１）は、中性ドナーから単色光により選択的に生成した束縛励起子の崩壊にともなうオージェ電子を検出し、核スピンの読み出しを行うデバイスが含まれる部分である。このデバイスは、ダイオードを用いて構成することができる。もちろん、ＭＯＳＦＥＴなど別のデバイス構造をとってもよい。なお、本発明ではフィルタ領域側との間に絶縁層（１０３）が存在するため、デバイスの動作に必要な電極はすべてフィルタ領域とは逆側に配置することが好ましい。
【００４５】
フィルタ領域（１０２）は、非共鳴的現象により読取機構部にキャリア生成を引き起こす恐れのある環境光を吸収するための領域である。この領域は、非共鳴的キャリア生成を起こす光を遮断する一方、共鳴的束縛励起子生成を起こすための光は通過させなければならない。つまり、励起光に対する選択性フィルタの役割を果たす。本発明は、この選択性フィルタを、核スピン読み出し対象のドナーが置かれているものと同じ半導体結晶を用いて構成することを特徴とする。
【００４６】
（半導体結晶が選択性フィルタとして動作する原理）
（束縛励起子生成のための単色光通過性）
核スピン読み出しのために用いられる、束縛励起子状態を選択的に生成するための単色光は、半導体結晶中の共鳴可能なドナーとだけ相互作用し、それ以外とはほとんど相互作用しない。したがって、核スピン読み出し対象のドナーが置かれているものと同じ半導体結晶における、当該単色光の減衰は無視できる。つまり、この光はこの結晶を実質上自由に通過できる。
【００４７】
（環境光の吸収）
一方、可視光等の環境光は、結晶中にドナーが存在しなくても結晶に吸収され、キャリアを生成することができる。結晶中で、光がキャリア生成をおこなうごとに光子が消費されていくため、半導体中でキャリア生成を行う光は減衰していく。逆にいえば、結晶中に吸収されず、キャリア生成を行わない光はデバイス領域に侵入してもエラーの原因とはならない。したがって、核スピン読み出し対象のドナーが置かれているものと同じ半導体結晶は、エラーの原因となるキャリア生成を行う光の選択的吸収材として働く。なお、ここで、核スピン読み出し対象のドナーが置かれているものと同じ、という意味は、原子種が同一という意味であり、ドーパントの種類や濃度は同一である必要はない。
【００４８】
光が吸収されることにより生成されたキャリアは、絶縁層を超えて移動することができない。したがって、デバイス領域の手前に光の吸収を行う半導体結晶を配置し、デバイス領域と結晶を絶縁体で分離することにより、環境光によるエラー発生を抑止することができる。つまり、絶縁体で分離された半導体層が選択的フィルタとして機能する。
【００４９】
（フィルタとして動作するための必要厚み）
フィルタ層が薄すぎれば光を十分吸収することができず、エラーを十分抑止することができない。一方、装置サイズの観点からは、厚みを無制限に大きくすることもできない。フィルタとして機能する厚みは、以下のように計算することができる。
【００５０】
厚みがＬ２であるデバイス領域の手前に、厚みがＬ１のフィルタ層が配置されている場合、波長λ、強度Ｉ０（λ）の光がデバイス領域でキャリア生成を行うレートｒ（λ）は、
【００５１】
【数５】
2009272460.tif 000007
【００５２】
となる。環境光は一般にスペクトル広がりを持つので、(数５)
を全波長領域にわたって積分した
【００５３】
【数６】
2009272460.tif 000008
【００５４】
が、環境光によるキャリア生成レートである。これが、束縛励起子の崩壊レートである３．３×１０＾６（個／秒）を下回れば、エラー発生率を５０％以下に抑えることができる。
【００５５】
スペクトルや吸収係数などは環境により異なる。ここで人為的に制御可能な変数は、Ｌ１とＬ２の二つである。
ここで、
【００５６】
【数７】
2009272460.tif 000009
【００５７】
であるので、Ｌ１を大きくし、Ｌ２を小さくすればするほど、良好なフィルタとして動作することになる。しかし、核スピン読み出しを行うデバイスを正常に動作させるためには、Ｌ２にはある程度の厚みが必要である。デバイスの構造にもよるが、Ｌ２は５０〜２００ナノメートル程度必要である。
【００５８】
そこで、デバイス動作に必要なレベルのＬ２を確保したうえで、フィルタとして動作するＬ１を求めて、本発明を実施することになる。
ここで注意すべきは、ｒ（λ）がα依存性を持ち、αが強い波長依存性を持つことである。
【００５９】
ここで、同じ強度の光で、αのみが異なる場合を考える。
【００６０】
【数８】
2009272460.tif 000010
【００６１】
であるゆえ
【００６２】
【数９】
2009272460.tif 000011
【００６３】
でｒ（α）は最大値をとる。これよりαが十分大きい光は、フィルタ領域で吸収されやすいため、フィルタ領域の厚みを増やすことにより効率的にエラー発生率を低減することができる。一方、これよりαが十分小さいは、フィルタ領域を素通りするが、デバイス領域も同様に素通りするためにエラーをほとんど発生させない。
【００６４】
半導体ではαが強い波長依存性を持つ。したがって、フィルタとして機能させる厚みの計算には、環境光のスペクトルを考慮する必要がある。
【００６５】
環境光として、太陽光と蛍光灯を考える。両者は、スペクトルおよび照度に大きな違いがある。これ以外にも、白熱灯やＬＥＤなどの照明が存在する。しかしそれらは、スペクトルと照度で、太陽光と蛍光灯の中間的性質を示すから、通常は、太陽光と蛍光灯のみを考慮して設計を行えばよい。また、特別な光源を考える場合でも、以下に示す手順でフィルタ厚みを求めればよい。
【００６６】
（スペクトル）
同じパワーを有する太陽光と蛍光灯のスペクトルを図１１に示す。太陽光は、紫外線から遠赤外線まで幅広い波長の光を含むのに対し、蛍光灯は可視領域の光のみを含む。
【００６７】
（照度）
蛍光灯などの人工照明の場合、３００ルクスから１０００ルクス程度の、人間の作業に適した照度に調節されている。一方太陽光の場合、晴天の場合、十万ルクスを超える光が地表に降り注いでいる。
【００６８】
これら、スペクトルと照度の違いを考慮し、フィルタとして動作させるに必要な厚みを以下の手順で求める。
【００６９】
まず、デバイスを正常に動作させる必要性を考慮し、デバイス層の厚みＬ２を決定する。
【００７０】
次に、核スピン読み出し対象のドナーが置かれているものと同じ半導体結晶の吸収係数α（λ）を求める。結晶がシリコンの場合には、教科書や論文などに開示されている。
【００７１】
次に、環境光のスペクトルと強度を調べ、デバイスの光照射部の形状を考慮し、デバイスに入射する光のスペクトル、すなわちＩ０（λ）を調べる。
【００７２】
次に式７に従って、環境光によるデバイス領域のキャリア生成レートを、フィルタ層の厚みを変数として求める。その結果から、環境光によるデバイス領域におけるキャリア生成レートが、核スピン読み出しのための単色光による束縛励起子生成およびその崩壊によるキャリア生成レートに比べて、必要なだけ小さくなるフィルタ層の厚みを求める。
【００７３】
図１２にそれぞれの光源の場合の、デバイス層でのキャリア生成レートの、フィルタ層の厚み依存性を示す。ただし、蛍光灯は１０００ルクス、太陽光は晴天時の照度を用いた。この場合、環境光によるデバイス層でのキャリア生成レートが、単色光による束縛励起子生成にともなうキャリア生成レートを下回るためには、蛍光灯の場合２０マイクロメートル程度、太陽光の場合４００マイクロメートル程度が必要となる。
【００７４】
（製造方法）
本発明の場合、核スピン読み出し対象のドナーが置かれているものと同じ十分な厚みの半導体結晶を前面に配置し、デバイス層との間に絶縁層を設けるだけで選択的フィルタとして機能する。従来の誘電体多層膜を利用した選択的フィルタのような、複雑な製造工程は必要ない。
【００７５】
デバイス層と、フィルタ層は、同一種類の半導体結晶である必要があるが、これは同一基板であることを意味しない。デバイス層とフィルタ層を別々の基板としておき、組み立てによりフィルタ層をデバイス層の前面に配置してもよい。
【００７６】
もちろん、デバイス層とフィルタ層が同一基板に存在してもよい。たとえば、ＳＯＩ基板を用いれば、そのような構造を簡単に製造することができる。ＳＯＩ基板とは、あらかじめ厚い単結晶シリコン基板と、デバイスを作成するための薄い単結晶シリコン層の間に酸化膜等の絶縁層が作りこまれた基板である。このＳＯＩ基板は、張り合わせ法や、酸素イオン注入法などにより製造することができ、市販されている。基板の厚みは基板サイズにより異なるが、１５０ｍｍ基板の場合６００マイクロメートル程度、２００ｍｍ基板の場合７００マイクロメートル程度である。したがって、環境光が太陽光である場合にも、十分フィルタとして作用する厚みを持つ。
ＳＯＩ基板は、半導体デバイス製造工程においては、通常のシリコン基板とほぼ同様に扱うことができる。したがって、ＳＯＩ基板を用いて薄層側にデバイスを生成し、基板側から光を照射するようにパッケージすれば本発明を実施できる。
【００７７】
デバイス層とフィルタ層を別々の基板とするメリットは、通常の基板に比べて高価なＳＯＩを使用しなくてもよいこと、フィルタ層の厚みが半導体製造設備に制限されないため、１ｍｍを超えるような厚みとすることも可能なことなどである。
ＳＯＩ基板を用いるメリットは、組み立て工程を簡素化できる点である。
どちらの方法が好ましいかは、その時々の製造コスト、想定する環境光などにより異なるので、実施者が好ましい方を選択すればよい。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明の方法により中性ドナーに単色光を照射し束縛励起子を生成し、その崩壊にともなうキャリアを検出することで核スピンを読み出すデバイスにおいて、環境光によるエラーを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明のデバイス構造を示す図
【図２】中性ドナー状態を示す図
【図３】束縛励起子状態を示す図
【図４】中性ドナー状態を示す図
【図５】束縛励起子状態を示す図
【図６】磁場印加による各状態のエネルギー変化を示す図
【図７】許容される遷移を示す図
【図８】各遷移エネルギーの磁場による変化を示すグラフ
【図９】シリコンの吸収係数の波長依存性を示すグラフ
【図１０】５００マイクロメートルのシリコン基板に吸収される光の割合を示すグラフ
【図１１】太陽光および蛍光灯のスペクトルを示すグラフ
【図１２】デバイス層におけるキャリア生成レートのフィルタ領域厚み依存性を示すグラフ
【符号の説明】
【００８０】
１０１  ｎ型領域
１０２  ｐ型領域
１０３  核スピンを保持するドナー
１０４  カソード電極
１０５  アノード電極
１０６  絶縁層
２０１  本発明請求項１に記載のデバイス
２０２  制御・検出回路
２０３  デバイス冷却装置
２０４  磁場印加装置
２０５  レーザー装置
２０６  レーザー光
２０７  遮光体
２０１  ドナー
２０２  電子
３０１  ドナー
３０２  電子
３０３  正孔
１１０１  太陽光スペクトル
１１０２  蛍光灯スペクトル
１２０１  太陽光の場合
１２０２  蛍光灯の場合
１２０３  単色光による束縛励起子の生成にともなうオージェ電子の生成レート
【図１】
2009272460.tif 000012
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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