(57)【要約】【課題】高記録密度に対応した狭コア幅の主磁極においても積層構造磁性膜の残留磁化により発生するポールイレーズの発生を防ぐことができ、出力劣化やデータ消去のない信頼性の高い磁気ヘッドを提供する。【解決手段】媒体対向面に垂直方向に記録磁界を発生する主磁極２１は、主磁極２１の厚さ方向に積層されて非磁性層３６〜３８が間に挟まれる複数の磁性層３１〜３４からなる積層構造磁性膜３０と、積層構造磁性膜３０のうち媒体対向面側の積層端面に沿って形成されて且つ積層端面と反対側の面が媒体対向面となる端面磁性層３５とを有する。【選択図】図３
2009076127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体の面に対向して配置され且つ垂直方向に記録磁界が通るコアの媒体対向面を備えた主磁極を有し、
前記主磁極は、
前記主磁極の厚さ方向に積層されて非磁性層が間に挟まれる複数の磁性層からなる積層構造磁性膜と、
前記積層構造磁性膜のうち前記媒体対向面側の積層端面に沿って形成されて且つ前記積層端面と反対側の面が前記媒体対向面となる端面磁性層と
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記積層構造磁性膜は、偶数層の前記磁性膜からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
主磁極の前記媒体対向面から前記積層構造膜までの距離となる前記端面磁性層の厚さをｔ1とし、前記端面磁性層の飽和磁束密度をＢｓ1とし、前記積層構造磁性膜を構成する前記磁性層のそれぞれの膜厚をｔ2とし、前記磁性層の飽和磁束密度をＢｓ2として、
ｔ1×Ｂｓ1≒ｔ2×Ｂｓ2
の関係にあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドの前記記録媒体対向面に対向して配置される磁気記録媒体と
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッド及び磁気記録装置に関し、特に、垂直記録方式に用いられる磁気ヘッド及び磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ等で処理される情報量は目覚しい勢いで増大しており、そのコンピュータと共に使用される記録装置に対してはさらなる高記録密度化が求められている。記録装置のうち磁気記録装置は歴史的に古く、一般に広く普及している。
【０００３】
現在まで市場に供給されている磁気記録方式の大部分は、記録層に記録される磁化の方向が面方向に向いた面内磁気記録方式と呼ばれるものである。この面内磁気記録方式において高記録密度を得るためには、記録層を薄くするととともに、記録層を構成する磁性結晶粒を微細化することが必要となる。
【０００４】
しかしながら、記録層を薄くすると、磁気ディスクに熱が加わったときに情報が消失する現象、即ち熱揺らぎ現象が起きてしまい、高記録密度化を阻む一つの要因となっている。
これに対して、記録層における磁化の方向を記録層の面に垂直方向に向ける垂直磁気記録方式があり、近年実用化されてきている。
【０００５】
垂直磁気記録方式は、面内磁気記録方式と比較して、記録層の表面における一つ一つの磁区の面積を小さくできるので、より大きな記録密度を達成することが可能となる。さらに、記録層の膜面に対して垂直方向に磁化が向いているので、記録層を厚くすることが可能となり、記録層を薄膜化した場合に発生する熱揺らぎ現象の発生が防止される。
【０００６】
しかし、垂直磁気記録方式では、記録磁界を発生するヘッド主磁極の残留磁化に起因する出力劣化やポールイレーズと呼ばれる残留磁化によるデータ消去が問題となる。主磁極での残留磁化は、記録動作終了後に、主磁極に磁化が残存する現象である。
【０００７】
ポールイレーズを低減する手段として、図８に示すように、非磁性層１０２ａ〜１０２ｃを間に挟んで積層した複数の磁性層１０１ａ〜１０１ｄにより構成される主磁極１０３を用いることが知られている。
【０００８】
そのような主磁極１０３の先端部のコア部１０４では、コア幅が広い場合には、磁性膜１０１のそれぞれの残留磁化の方向は矢印Ａに示すようにコア幅方向に向き、しかも、非磁性層１０２ａ〜１０２ｃを介して反強磁性結合をするため互いに反平行となる。
【０００９】
そして、最も近い上と下の磁性膜１０１ａ，１０１ｂ、１０１ｃ，１０１ｄの残留磁化により生じる磁界は、矢印Ｂで示すように両側方で互いに還流されるようになっていて、主磁極１０３から磁気記録媒体に漏洩する磁界が低減される。
なお、主磁極を複数の磁性層から構成することは、下記の特許文献１、２に記載がある。
【特許文献１】特開２００６−１８９８５号公報
【特許文献２】特開２００６−３０２４２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、図９に示すように、記録密度を高めるために主磁極１０３のコア部１０４のコア幅ｗを狭窄化すると、コア幅ｗに対する主磁極１０３のハイト方向の長さｈの比、即ちアスペクト比（＝ｈ／ｗ）が相対的に大きくなる。
【００１１】
そのようにアスペクト比が大きくなると、形状異方性によってコア部１０４の磁化が矢印Ｃに示すようにハイト方向を向くようになる。そして、コア部１０４を構成する磁性層１０１ａ，１０１ｂ、１０１ｃ，１０１ｄのうち最も近い上と下の層の残留磁化により生じる残留磁界の一部はその先端の近傍で還流される。
【００１２】
しかし、図９に示す複数の磁性層１０１ａ，１０１ｂ、１０１ｃ，１０１ｄのそれぞれの先端面の面積の差が図８に比べて大きくなるため、コア部１０４全体の系では残留磁化による磁気記録媒体への一方向の漏洩磁界成分Ｈ1が大きくなり、ポールイレーズ等の問題は依然として存在することになる。
【００１３】
本発明の目的は、高記録密度に対応してコア幅を狭くした主磁極におけるポールイレーズの発生を防止することができる垂直磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の１つの観点によれば、磁気記録媒体の面に対向して配置され且つ垂直方向に記録磁界が通るコアの媒体対向面を備えた主磁極を有し、主磁極は、主磁極の厚さ方向に積層されて非磁性層が間に挟まれる複数の磁性層からなる積層構造磁性膜と、積層構造磁性膜のうち媒体対向面側の積層端面に沿って形成されて且つ積層端面と反対側の面が媒体対向面となる端面磁性層とを有することを特徴とする磁気ヘッドが提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、主磁極の積層構造磁性層のうち記録磁界が通るコアの媒体対向側の積層端面上に沿って端面磁性層を形成している。
従って、高記録密度に対応した狭コア幅においても、積層構造磁性膜の残留磁化により発生する磁界が端面磁性層を介して媒体対向面に平行な方向に還流する。この結果、残留磁化によって発生する磁気記録媒体への漏洩磁界が低下してポールイレーズの発生を防ぐことができ、出力劣化やデータ消去のない信頼性の高い垂直記録ヘッドが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。
【００１７】
図１に示す磁気ヘッド１は、アルチック（Al2O3−TiC）のような非磁性材からなる基板１と、その上にアルミナ（Al2O3）などの絶縁層２を介して形成された再生磁気ヘッド１０と、再生磁気ヘッド１０の上にアルミナなどの絶縁分離層３を介して形成された垂直記録磁気ヘッド２０とを有している。
【００１８】
そして、再生磁気ヘッド１０はリーディング側に、垂直記録磁気ヘッド２０はトレーリング側に配置され、それらから構成される磁気ヘッドは磁気記録媒体５の記録面に対向して配置される。
なお、非磁性基板１は、切断、研磨等の加工によってスライダとなる。
再生磁気ヘッド１０は、絶縁層２の上に順に形成された下部磁気シールド層１１、絶縁ギャップ層１２、再生用素子１３及び上部磁気シールド層１４から構成されている。
【００１９】
下部磁気シールド層１１と上部磁気シールド層１４は例えばNiFe合金層から構成され、また、絶縁層ギャップ１２はアルミナのような絶縁材から構成される。再生用素子１３は、絶縁ギャップ層１２内に形成される一対の電極（不図示）に接続されるが、その素子構造によっては、下部及び上部磁気シールド層１１、１４が一対の電極として兼用されることもある。
【００２０】
再生用素子１３として、例えば磁気抵抗（Magneto Resistance:ＭＲ）効果素子、巨大磁気抵抗(Giant Magneto Resistance: ＧＭＲ)効果素子又はトンネル磁気抵抗(Tunneling Magneto Resistance:ＴＭＲ)効果素子が形成される。
再生用素子１３は、磁気ヘッドの浮上面（ＡＢＳ面：Air Bearing Surface）、即ち媒体対向面となる領域に形成される。
【００２１】
垂直記録磁気ヘッド２０は、絶縁分離層３の上に形成された主磁極２１と、主磁極２１の周囲に形成された平坦化絶縁層２２と、主磁極２１及び平坦化絶縁層２２の上に形成された非磁性ギャップ層２３と、非磁性ギャップ層２３の上に形成された下地絶縁層２４ａと、下地絶縁層２４ａの上に形成された励磁コイル２５と、励磁コイル２５を覆う被覆絶縁層２４ｂと、被覆絶縁層２４ｂのトレーリング側の上に形成されたリターンヨーク２６と、リターンヨーク２６の媒体対向面側の先端部に接続されるとともに非磁性ギャップ層２３の上に形成されて主磁極２１に近接するトレーリング磁気シールド層２７と、主磁極２１のクロストラック側に近接して形成されるサイド磁気シールド（不図示）等を有している。
【００２２】
なお、垂直記録ヘッド２０においては、主磁極２１のトレーリング側だけでなく、リーディング側にも励磁コイルとリターンヨークが配置される構造もある。
主磁極２１は、例えば図２の平面図に示すように、四角形のヨーク部２１ａと、ヨーク部２１ａから媒体対向面側に突出するテーパー状の絞り部２１ｂと、絞り部２１ｂのうち媒体対向面側の先端から突出するストライプ状のコア部２１ｃとから構成されている。
【００２３】
ヨーク部２１ａは、励磁コイル２５のほぼ中央の隙間を通して形成されるコンタクトホール２８を通してリターンヨーク２６に接続されている。また、コア部２１ｃと絞り部２１ｂの一部は、図３の斜視図で示すような形状を有している。
【００２４】
図３において、主磁極２１のうちヨーク部２１ａからコア部２１ｃの途中までの領域、例えば先端を約５０ｎｍ残した領域は、非磁性層３６〜３８を間に挟んだ第１〜第４の磁性層３１〜３４の積層構造磁性膜３０から構成されている。
【００２５】
第１〜第４の磁性層３１〜３４のそれぞれは、図４に示すように、８０wt％の割合でNi（ニッケル）を含む厚さ約２ｎｍのNiFe（ニッケル鉄）層３１ａ、３２ａ、３３ａ、３４ａと、厚さ約５０ｎｍのFeCo（鉄コバルト）層３１ｂ、３２ｂ、３３ｂ、３４ｂとを交互に積層した構造を有している。
また、第１〜第４の磁性層３１〜３４の相互間に形成される複数の非磁性層３６〜３８はそれぞれ例えばアルミナから構成されている。
【００２６】
一方、コア部２１ｃにおける積層構造磁性膜３０の媒体対向面側の積層端面には、第１〜第４の磁性層３１〜３４及び非磁性層３６〜３８の端面を覆う端面磁性層３５が形成されている。端面磁性層３５は、積層構造磁性膜３０の残留磁化により発生する磁界のうち磁気記録媒体面の垂直方向への成分を低減する厚さ、材料から構成されている。
【００２７】
端面磁性層３５は、コア部２１ｃを構成する積層構造磁性膜３０の積層端面上に沿って形成され、積層構造磁性膜３０を構成する第１〜第４の磁性層３１〜３４のそれぞれの残留磁化により発生する磁界のうち磁気記録媒体面の垂直方向への成分の漏洩を抑制する。
また、端面磁性層３５は、図４に示したように、８０wt％の割合でNiを含む厚さ約２ｎｍのNiFe層３５ａと、厚さ約５０ｎｍのFeCo層３５ｂとを積層構造磁性膜３０の先端から媒体対向面に向けてハイト方向に積層した構造を有している。ここで、ハイト方向とは、コア幅に直交する方向であって絶縁分離層３の面に平行な方向である。
【００２８】
端面磁性層３５の厚さ方向はコア部２１ｃのハイト方向となっている。また、端面磁性層３５を含むコア部２１ｃのハイト方向の全長は例えば１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度となる。
【００２９】
主磁極２１におけるコア部２５ｃの断面の形状は、例えば三角形となっている。その端面の三角形の底辺は、例えば５０〜１２０ｎｍの幅に形成されてリターンヨーク２６寄りに、即ち再生磁気ヘッド１０とは反対側に位置する一方、残りの左右の辺により形成される頂点は、再生磁気ヘッド１０寄りの絶縁分離層３上に位置している。
【００３０】
以上のような構成を有する主磁極２１において、コア部２１ｃのアスペクト比が大きくなってその磁化方向が形状異方性によってハイト方向を向くようになると、積層構造磁性膜３０のうち第１〜第４の磁性層３１〜３４の残留磁化方向は、それぞれ非磁性層３６〜３８を介して上下間で反強磁性結合をするため、上下に隣接する第１〜第４の磁性層３１〜３４の残留磁化は互いに反平行の状態で安定する。
【００３１】
第１〜第４の磁性層３１〜３４に残留磁化Ｍ1が存在する場合にそれらの先端面から出る漏洩磁界は、積層構造磁性膜３０の先端の端面磁性層３５内で還流される。
また、アスペクト比の大きなコア部２１ｃにおいては、第１〜第４の磁性層３１〜３４の先端面のそれぞれの下層に対する上層の先端面の面積比が大きいために、積層構造磁性膜３０全体の系では磁気記録媒体面と垂直方向の漏洩磁界成分が存在することもある。
【００３２】
しかし、その漏洩磁界成分は、積層構造磁性膜３０の先端面に沿って形成された端面磁性層３５の厚さと材料選択によって磁気記録媒体面に平行な向きに変えられるので、端面磁性層３５の先端面、即ち媒体対向面から垂直方向に出る漏洩磁界は従来構造に比べて大幅に低減する。
【００３３】
これにより、残留磁化によるコア部２１ｃから磁気記録媒体５の垂直方向への漏洩磁界が低減し、ポーズイレーズの発生が防止され、磁気記録媒体５への出力劣化が防止される。
【００３４】
また、端面磁性層３５のうち媒体対向面から積層構造磁性膜３０の先端面までの距離、即ち端面磁性層３５のハイト方向の厚さをｔ1とし、また端面磁性層３５の飽和磁束密度をＢs1とする一方、積層構造３０における第１〜第４の磁性層３１〜３４の積層方向のそれぞれの厚さをｔ2とし、また第１〜第４の磁性層３１〜３４のそれぞれの飽和磁束密度をＢs2とする。
【００３５】
そして、次式（１）の関係が成立するように厚さ、材料等を調整すると、第１〜第４の磁性層３１〜３４のどの領域においても磁束量が等しくなり、過不足のない還流磁束がえられ、主磁極２１のコア部２１ｃからの漏洩磁界をさらに抑えることができる。
ｔ1×Ｂs1≒ｔ2×Ｂs2    （１）
なお、ｔ1・Ｂs1の値とｔ2・Ｂs2の値の互いの差の許容範囲は、±１０％程度である。
【００３６】
また、積層構造磁性膜３０を厚さのほぼ等しい２以上の偶数層で磁性層３１〜３４を構成することにより、主磁極２１の先端部の磁化は図３の矢印Ｃに示すように一方向に還流するので、新たな漏洩磁界の原因となる磁壁の発生を防ぐことができる。
【００３７】
なお、積層構造磁性膜３０を奇数層の磁性層で構成しても、その先端面に端面磁性層３５がない従来構造に比べれば、ポールイレーズの抑制は可能である。しかし、そのような構成では、主磁極２１のコア部２１ｃ先端の端面磁性層３５の一部領域で漏洩磁界が逆方向に還流するため、新たな漏洩磁界の原因となる磁壁が発生しやすくなるので、偶数層の磁性膜３１〜３４により積層構造磁性膜３０を構成することが、より望ましい。
【００３８】
次に、積層構造磁性膜３０を構成する磁性層の層数を４とした場合の主磁極２１の製造工程の一例を図５Ａ〜５Ｆに基づいて説明する。
まず、図１に示したような構造の再生磁気ヘッド１０を基板１上に絶縁層２を介して形成し、さらに再生磁気ヘッド１０の上に絶縁分離層３を形成する。
【００３９】
その後に、図５Ａに示すように、絶縁分離層３の上に、積層構造磁性膜３０として、第１の磁性層３１、非磁性層３６、第２の磁性層３２、非磁性層３７、第３の磁性層３３、非磁性層３８及び第４の磁性層３４を例えばスパッタリングにより順次形成する。
【００４０】
第１、第２、第３及び第４の磁性層３１、３２、３３、３４のそれぞれは、例えば８０wt％の割合でNiを含む厚さ２ｎｍのNiFe層３１ａ、３２ａ、３３ａ、３４ａと、厚さ５０ｎｍのFeCo層３１ｂ、３２ｂ、３３ｂ、３４ｂを順にスパッタリングにより形成した二層構造を有している。
【００４１】
また、複数の非磁性層３６、３７、３８は、それぞれ、例えばスパッタリングにより形成された厚さ１．５ｎｍのアルミナ層が適用される。
ここで、NiFe層３１ａ、３２ａ、３３ａ、３４ａは、高飽和磁束密度を有するFeCo層３１ｂ、３２ｂ、３３ｂ、３４ｂの結晶を制御するため、即ち軟磁気特性を改善するための下地層として薄く形成される。
【００４２】
次に、図５Ｂに示すように、フォトレジスト、メタル等からなる第１マスク４１を第２の磁性膜３２の上に設ける。第１マスク４１は、図２に示すような主磁極２１のうちの少なくともヨーク部２１ａ、絞り部２１ｂ及びコア部２１ｃの一部となる領域及びその周辺を覆う一方、コア部２１ｃのうち端面磁性層３５が形成される領域とそこから媒体対向面側にはみ出した領域に開口４２を有する形状を有している。
【００４３】
続いて、図５Ｃに示すように、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等によって、第１マスク４１の開口４２内で露出する積層構造磁性膜３０を垂直方向に除去することにより、主磁極２１のコア部２１ｃとなる領域の先端部分とそこから媒体対向面側にはみ出す領域に開口部３０ａを形成してそこから絶縁分離層３を露出させる。
【００４４】
さらに、マスク４１を剥離した後に、図５Ｄに示すように、開口部３０ａ内と積層構造磁性層３０の上に、８０wt％の割合でNiを含む厚さ２ｎｍのNiFe層３５ａと、FeCo層３５ｂを順に形成する。NiFe層３５ａとFeCo層３５ｂのうちハイト方向に垂直な方向の合計の厚さは、第１〜第４の磁性層３１〜３４とそれらの間の非磁性層３６〜３８の合計の全膜厚以上の厚さとなるようにスパッタリングで形成する。
【００４５】
次に、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法により、図５Ｄの一点鎖線Ｌで示す位置を研磨終点位置として、FeCo層３５ｂとNiFe層３５ａを研磨することにより、第４の磁性層３４の上面を露出させるとともにFeCo層３５ｂとNiFe層３５ａを平坦化する。
【００４６】
その後に、主磁極２１と同じ平面形状を有する第２マスク（不図示）を積層構造磁性層３０、NiFe層３５ａ及びFeCo層３５ｂの上に設ける。この場合、図２に示す主磁極２１のコア部２１ｃの一部である先端部分に対応するマスク領域がFeCo層３５ｂ及びNiFe層３５ａに重なるように第２マスクを配置する。なお、第２マスクの材料としてはフォトレジスト、メタル等が用いられる。
【００４７】
さらに、主磁極形状の第２マスクに覆われない領域の積層構造磁性層３０、NiFe層３５ａ及びFeCo層３５ｂをイオンミリング法、ＲＩＥ法などによって除去することにより、図２に示した主磁極２１を完成させる。
【００４８】
ここで、主磁極２１のコア部２１ｃの先端部分には、図５Ｅに示すように、FeCo層３５ｂ及びNiFe層３５ａが存在し、この部分が上記の端面磁性層３５となる。
この状態では、主磁極２１のコア部２１ｃの断面形状は略四角形となっているので、コア部２１ｃの左側面と右側面をそれぞれ斜め方向にイオンミリングすることによりその断面形状が三角形となるように成形する。
【００４９】
なお、コア部２１ｃの断面形状は上記のような三角形に限られるものではなく、台形であてもよい。台形の場合には、再生磁気ヘッド１０側の底面がリターンヨーク２６側の底面に比べて非常に短い形状としてもよい。
【００５０】
続いて、図１に示したような平坦化絶縁層２２、非磁性ギャップ層２３、下地絶縁層２４ａ、励磁コイル２５、被覆絶縁層２４ｂ、リターンヨーク２６等を公知の記録磁気ヘッドプロセスで形成し、磁気ヘッド用ウェハを完成させる。
【００５１】
その後に、磁気ヘッド用ウェハを所定形状に切断、加工し、最終的に磁気ヘッドスライダを形成するが、そのプロセスにおいて媒体対向面を研磨等により形成する際に、図５Ｆに示すように、主磁極２１のコア部２１ｃにおける端面磁性層３５のハイト方向の長さが調整される。端面磁性層３５の媒体対向面からの距離Ｄは例えば５０ｎｍとなるように調整される。
【００５２】
ところで、上記した主磁極２１を構成する積層構造膜３０については、第１〜第４の磁性層３１〜３４、即ち４層の磁性層から構成しているが、図６に示すように、第１の磁性層５１、非磁性層５２、第２の磁性層５３を順に形成することにより、２層の磁性層から構成してもよい。
【００５３】
図６に示す第１、第２の磁性層５１，５３のそれぞれは、８０wt％の割合でNiを含む厚さ２ｎｍのNiFe層５１ａ、５３ａと、厚さ１００ｎｍのFeCo層５１ｂ、５３ｂを順にスパッタリングにより形成した構造を有している。
【００５４】
また、非磁性層５２は、例えばスパッタリングにより形成された厚さ１．５ｎｍのアルミナ層が適用される。
さらに、主磁極２１のコア部２１ｃの先端部に形成される端面磁性層３５は、図４と同様な材料からなる層構造を有しているが、そのハイト方向の長さは１００ｎｍとなっている。
【００５５】
これにより、主磁極２１の積層構造磁性層３０と端面磁性層３５について上記の式（１）に示す条件が満たされる。
なお、図６に示した主磁極２１も図５Ａ〜図５Ｅに示すような工程により形成されることになるが、積層構造膜３０の層構造が異なることと端面磁性層３５のハイト方向の長さが異なることを除いてほぼ同じ工程となる。
【００５６】
ところで、上述した実施形態では、積層構造磁性層３０が４層の磁性膜３１〜３４の場合と、２層の磁性膜５１，５３で構成された例を示したが、これらに限られるものではなく、非磁性層を介した６層以上の偶数層又は５層以上の奇数層の磁性層で構成されても、上記と同様なプロセスで垂直記録ヘッドを得ることができる。
【００５７】
また、積層構造層３０を構成する非磁性層３０としてアルミナを示したが、これに限定されるものではなく、例えばチタン（Ti）、タンタル（Ta）、クロム（Cr）、ルテニウム（Ru）などの非磁性金属あるいはそれらの金属の非磁性合金を使うこともできる。
【００５８】
また、図７に示すように、主磁極２１のコア部２１ｃの残留磁化の方向は、図３の矢印Ｍ1で示したようにハイト方向に平行となるとは限らず、図７の矢印Ｍ0で示すようにハイト方向から傾く場合もある。しかし、そのような残留磁化のうちハイト方向に平行な成分による漏洩磁界は、端面磁性層３５により還流されるので、上述したと同様に残留磁化によるポールイレーズを大幅に抑制でき、出力劣化を防止できる。
【００５９】
なお、図７における残留磁化のうちコア幅方向の成分は、図８に示したと同様にコア幅方向の側方で還流される。
以上の構成を有する主磁極２１を備えた磁気ヘッドは、ハードディスク装置、可撓性のテープ状の磁気記録媒体などの磁気記録装置に適用され、磁気記録媒体に対向して配置される。
【００６０】
次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。
（付記１）磁気記録媒体の面に対向して配置され且つ垂直方向に記録磁界が通るコアの媒体対向面を備えた主磁極を有し、前記主磁極は、前記主磁極の厚さ方向に積層されて非磁性層が間に挟まれる複数の磁性層からなる積層構造磁性膜と、前記積層構造磁性膜のうち前記媒体対向面側の積層端面に沿って形成されて且つ前記積層端面と反対側の面が前記媒体対向面となる端面磁性層とを有することを特徴とする磁気ヘッド。
（付記２）前記積層構造磁性膜は、偶数層の前記磁性膜からなることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
（付記３）主磁極の前記媒体対向面から前記積層構造膜までの距離となる前記端面磁性層の厚さをｔ1とし、前記端面磁性層の飽和磁束密度をＢｓ1とし、前記積層構造磁性膜を構成する前記磁性層のそれぞれの膜厚をｔ2とし、前記磁性層の飽和磁束密度をＢｓ2として、ｔ1×Ｂｓ1≒ｔ2×Ｂｓ2の関係にあることを特徴とする付記１または付記２に記載の磁気ヘッド。
（付記４）前記端面磁性層は、鉄とコバルトを有する磁性材からなる第１磁性層から構成されることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（付記５）前記端面磁性層において、前記第１磁性層の下にはニッケル及び鉄を含む磁性材からなる第２磁性層が形成されることを特徴とする付記４に記載の磁気ヘッド。
（付記６）前記非磁性層は、非磁性金属、非磁性金属合金、絶縁層のいずれかあることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（付記７）前記主磁極のクロストラック側に近接してサイド磁性シールドが配置されていることを特徴とする付記１乃至付記６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（付記８）前記主磁極のトレーリング側に近接してトレーリング磁性シールドが配置され、前記トレーリング磁気シールドと前記主磁極の間には励磁コイルが配置されていることを特徴とする付記１〜付記７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（付記９）前記付記１乃至付記８のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドの前記記録媒体対向面に対向して配置される磁気記録媒体とを有することを特徴とする磁気記録装置。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドにおける垂直記録磁気ヘッドに適用される主磁極を示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示した主磁極の一部を示す斜視図である。
【図４】図４は、図２に示した主磁極の一部を示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａ〜図５Ｃは、図２に示した主磁極の形成工程を示す断面図（その１）である。
【図５Ｄ】図５Ｄ〜図５Ｆは、図２に示した主磁極の形成工程を示す断面図（その２）である。
【図６】図６は、図２に示した主磁極を構成する層構造の別の例を示す斜視図である。
【図７】図７は、図２に示した主磁極における残留磁化方向の別の例を示す斜視図である。
【図８】図８は、従来例の記録磁気ヘッドの主磁極のコア部とその周辺を示す斜視図である。
【図９】図９は、別の従来例の磁気ヘッドの主磁極のコア部とその周辺を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  基板
２  絶縁層
３  絶縁分離層
５  磁気記録媒体
１０  再生磁気ヘッド
２０  垂直記録磁気ヘッド
２１  主磁極
２１ａ  ヨーク部
２１ｂ  絞り部
２１ｃ  コア部
２２  平坦化絶縁層
２３  非磁性ギャップ層
２５  励磁コイル
２８  リターンヨーク
３０  積層構造磁性膜
３１、３２、３３、３４、５１、５２  磁性層
３５  端面磁性層
３６、３７、３８、５２  非磁性層
【図１】
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【図２】
2009076127.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
2009076127.tif 000007
【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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