(57)【要約】 【課題】  陽極導体の端面部の加工において，漏れ電流特性に優れ，かつ，製造工程中での容量の減少が小さい固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。【解決手段】  図１（ａ）のように弁作用金属からなる板状のアルミニウムなどをエッチングにより拡面化して金属芯１Ｂおよびエッチング層１Ａからなる陽極導体１を形成し、図１（ｂ）のようにレーザー加工またはイオンミリング加工によりその陽極導体１を切断し複数個の陽極導体１０を形成する。その後、図１（ｃ）のように陽極導体１の表面全体に酸化皮膜である誘電体層２を形成し、図１（ｄ）のように誘電体層２の表面に２層の導電性高分子層３Ａおよび３Ｂよりなる固体電解質層３を形成し、さらにグラファイト層４Ａおよび銀導電性樹脂層４Ｂよりなる陰極導体層４を形成する。【選択図】  図１
2009260017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁作用金属からなる陽極導体を切断する工程と、該切断された陽極導体の表面に誘電体層を形成する工程と、該誘電体層の表面に固体電解質層を形成する工程とを含む固体電解コンデンサの製造方法であって、前記陽極導体を切断する工程はレーザー加工またはイオンミリング加工を用いたことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
弁作用金属からなる陽極導体の表面に誘電体層を形成する工程と、該誘電体層が形成された陽極導体を切断する工程と、前記誘電体層の表面に固体電解質層を形成する工程とを含む固体電解コンデンサの製造方法であって、前記誘電体層が形成された陽極導体を切断する工程はレーザー加工またはイオンミリング加工を用いたことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記陽極導体を切断する工程は、プレス打ち抜き加工の後にレーザー加工またはイオンミリング加工を用いたことを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記レーザー加工は、ＹＡＧレーザー、ルビーレーザー、ガラスレーザー、ＣＯ2レーザー、エキシマレーザーのいずれかによる加工であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記イオンミリング加工は、ＡｒイオンまたはＧａイオンによる加工であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に、漏れ電流特性に優れ、製造工程中での容量の減少が小さい固体電解コンデンサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
陽極導体となるタンタル、アルミニウム、チタン、ニオブ、ジルコニウムなどの弁作用金属の多孔質体に、電解酸化法によって誘電体酸化皮膜層を形成した後、この酸化皮膜上に導電性高分子層を形成し、これを固体電解質層とする固体電解コンデンサが開発されている。固体電解質層となる導電性高分子層の形成方法としては、化学酸化重合法と電解酸化重合法があり、導電性高分子材料を構成する単量体（モノマー）としては、ピロール、チオフェン、３，４−エチレンジオキシチオフェン、アニリンなどが知られている。
【０００３】
このような固体電解コンデンサにおいて、近年、パーソナルコンピュータ、携帯電話、車載機器、デジタルＡＶ機器などの高機能化に伴い、そのような装置に使用するための高耐圧で、かつ、漏れ電流の小さい固体電解コンデンサが求められている。
【０００４】
従来の固体電解コンデンサは、陽極導体をプレス打ち抜き加工にて形成していた。従来の固体電解コンデンサの製造方法の一例を図３に示す。図３（ａ）は弁作用金属からなる陽極導体の斜視図、図３（ｂ）はプレス打ち抜き加工による切断後の陽極導体の斜視図、図３（ｃ）は上記切断後、表面に誘電体層が形成された陽極導体の切断された端部付近の拡大断面図、図３（ｄ）は固体電解質層および陰極導体層を形成後の端部付近の拡大断面図である。図３の製造方法においては、図３（ａ）のように弁作用金属からなる板状のアルミニウムなどをエッチングにより拡面化して金属芯１Ｂおよびエッチング層１Ａからなる陽極導体１を形成し、図３（ｂ）のようにプレス打ち抜き加工によりその陽極導体１を切断し複数個の陽極導体３０を形成する。その後、図３（ｃ）のように陽極導体３０の表面全体に酸化皮膜である誘電体層３２を形成し、図３（ｄ）のように誘電体層３２の表面に２層の導電性高分子層３３Ａおよび３３Ｂよりなる固体電解質層３３を形成し、さらにグラファイト層３４Ａおよび銀導電性樹脂層３４Ｂよりなる陰極導体層３４を形成する。
【０００５】
ここで、拡面処理をされた板状のアルミニウムの陽極導体１をプレス打ち抜きで加工して陽極導体３０を形成した場合、図３（ｃ）に示すように、その切断された端面部３５においては、陽極導体の金属芯部のダレ３６やエッチング層の端部の欠損部３７やバリ３８などが発生しやすい。このような状態の陽極導体では、その後固体電解質層を形成する場合、図３（ｄ）に示すように、端面部の導電性高分子層を均一に形成するのが困難であり、導電性高分子層が局所的に薄くなり、もしくは、導電性高分子層の形成不良が生じてしまう。このため、コンデンサ素子として完成後、漏れ電流が大きくなり、また設計値からの容量の減少も大きくなってしまう。
【０００６】
このような固体電解コンデンサの製造方法の改善手段が特許文献１および２に開示されている。特許文献１の製造方法では、弁作用金属の陽極導体である焼結体に誘電体酸化皮膜層を形成する前に、研磨処理または振動処理にて陽極体の弱い部分を予め除去する工程を行うことで、漏れ電流の増大、耐電圧特性の低下を防いでいる。
【０００７】
特許文献２では、弁作用金属からなる陽極導体と、該陽極導体の表面に形成された誘電体層と、該誘電体層の表面に形成された導電性高分子層を含む固体電解質を含む固体電解コンデンサの製造方法において、打ち抜き加工後に陽極導体の端面部に局所的なエッチング処理を施すことにより加工端部のバリを除去し、その後、陽極酸化を行って酸化皮膜を形成する製造法が記載されており、良好な漏れ電流特性を得ている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−３１８３７号公報
【特許文献２】特開平１１−１８６１０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上記の特許文献に記載された製造方法を適用する場合、陽極導体の切断加工を行なう際に、特許文献１の製造方法では前処理工程が、特許文献２の製造方法では後処理工程がそれぞれ必要であるため、加工に手間がかかり、加工コストが大幅に増加することが問題となる。また、上記の処理では陽極導体のバリ等を除去する際の加工精度が低いことから製造工程において大きな容量の減少が生ずるおそれがある。
【００１０】
そこで、本発明の課題は、陽極導体の端面部の加工において、加工コストの増加が少なく、端面部の平滑性が優れ、かつ高精度の加工を実現することにより、漏れ電流特性に優れ、かつ、製造工程中での容量の減少が小さい固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、弁作用金属からなる陽極導体を切断する工程と、該切断された陽極導体の表面に誘電体層を形成する工程と、該誘電体層の表面に固体電解質層を形成する工程とを含む固体電解コンデンサの製造方法において、前記陽極導体を切断する工程はレーザー加工またはイオンミリング加工を用いたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、弁作用金属からなる陽極導体の表面に誘電体層を形成する工程と、該誘電体層が形成された陽極導体を切断する工程と、前記誘電体層の表面に固体電解質層を形成する工程とを含む固体電解コンデンサの製造方法において、前記誘電体層が形成された陽極導体を切断する工程はレーザー加工またはイオンミリング加工を用いたことを特徴としてもよい。
【００１３】
また、前記陽極導体を切断する工程または前記誘電体層が形成された陽極導体を切断する工程は、プレス打ち抜き加工の後にレーザー加工またはイオンミリング加工を用いてもよい。
【００１４】
また、前記レーザー加工は、ＹＡＧレーザー、ルビーレーザー、ガラスレーザー、ＣＯ2レーザー、エキシマレーザーのいずれかによる加工であることが望ましい。
【００１５】
また、前記イオンミリング加工は、ＡｒイオンまたはＧａイオンによる加工であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１６】
上記のように、本発明においては、陽極導体の外周をレーザー、イオンミリングによって切断加工すること、または、プレス打ち抜き加工後の端面部のバリ、凹凸をレーザー、イオンミリングによって加工除去することにより端面部を平滑化し、陽極導体の酸化皮膜（誘電体層）上に導電性高分子層を均一の厚みに形成できるようにする。このように、誘電体層上に均一な導電性高分子層を形成することにより、陽極導体と陰極導体の接触による漏れ電流の発生を防止することができる。レーザー加工やイオンミリング加工は研磨加工や選択エッチング加工に比べて加工に要する手間が少なく、また、加工精度が高く、平坦化が必要な端部付近を選択的に加工できるため、加工による陽極導体部の過剰の欠損を防止でき、容量の減少を抑えることができる。
【００１７】
以上のように、本発明により、陽極導体の端面部の加工において、加工コストの増加が少なく、端面部の平滑性が優れ、かつ高精度の加工を実現することにより、漏れ電流特性に優れ、かつ、製造工程中での容量の減少が小さい固体電解コンデンサの製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
図１は本発明による固体電解コンデンサの製造方法の第一の実施の形態を示す図であり、図１（ａ）は弁作用金属からなる陽極導体の斜視図、図１（ｂ）はレーザー加工またはイオンミリング加工による切断後の陽極導体の斜視図、図１（ｃ）は上記切断後、表面に誘電体層が形成された陽極導体の切断された端部付近の拡大断面図、図１（ｄ）は固体電解質層および陰極導体層を形成後の端部付近の拡大断面図である。
【００２０】
本実施の形態の製造方法においては、図１（ａ）のように弁作用金属からなる板状のアルミニウムなどをエッチングにより拡面化して金属芯１Ｂおよびエッチング層１Ａからなる陽極導体１を形成し、図１（ｂ）のようにレーザー加工またはイオンミリング加工によりその陽極導体１を切断し複数個の陽極導体１０を形成する。その後、図１（ｃ）のように陽極導体１０の表面全体に酸化皮膜である誘電体層２を形成し、図１（ｄ）のように誘電体層２の表面に２層の導電性高分子層３Ａおよび３Ｂよりなる固体電解質層３を形成し、さらにグラファイト層４Ａおよび銀導電性樹脂層４Ｂよりなる陰極導体層４を形成する。
【００２１】
ここで、  陽極導体１は、弁作用を有し、エッチングなどによって拡面処理された多孔質体金属などの板、箔もしくは線、または弁作用を有する金属微粒子からなる焼結体等によって形成される。弁作用を有する金属としては、タンタル、アルミニウム、チタン、ニオブ、ジルコニウム、またはこれらの合金などが挙げられ、本実施の形態では、特にタンタル、アルミニウム、ニオブから選ばれる少なくとも1種の金属であることが望ましい。また、形状は、特に板状、箔状であることが好ましい。陽極導体１の切断加工にレーザー加工を用いる場合は、レーザーの種類は特に制限されなく、固体レーザー、液体レーザー、気体レーザー、半導体レーザー、色素レーザーなどが使用可能である。しかし、高出力が得られ、切削加工に適したＹＡＧレーザー、ルビーレーザー、ガラスレーザーなどの固体レーザーやＣＯ2レーザー、エキシマなどの気体レーザーが本発明の目的には望ましく、特に、高効率、高出力のＹＡＧレーザーやＣＯ2レーザーが望ましい。
【００２２】
一方、陽極導体１の切断加工にイオンミリング加工を用いる場合は、イオンミリングのイオン種としてはＮ2，Ａｒ，Ｇａ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｏ2，ＳＦ6，ＣＦ4，Ｃｌ2等が挙げられるが、大きな切削量が得られるＡｒ，Ｇａが好ましく、特に試料へのダメージが少ないＡｒイオンによるイオンミリング加工が望ましい。
【００２３】
本実施の形態ではレーザー加工またはイオンミリング加工によって陽極導体１を切断することにより切断された陽極導体１の端面部を平滑化し、誘電体層２上に導電性高分子層３Ａを均一の厚みに形成でき、陽極導体と陰極導体の接触による漏れ電流の発生を防止することができる。
【００２４】
陽極導体１の板厚は特に制限しないが、陽極導体の種類、形状、厚みによって切断加工の条件を適宜調整することが可能である。
【００２５】
誘電体層２は、陽極導体１０の表面を電解酸化させた膜であり、その酸化皮膜の厚みは、電解酸化の電圧によって適宜調整できる。なお、上述の工程では、酸化皮膜が形成されていない陽極導体１を切断した後、酸化皮膜を形成したが、先に酸化皮膜が形成された陽極導体をレーザー加工またはイオンミリング加工によって切断し、その後さらに切断面に酸化皮膜を形成するために電解酸化の工程を行なっても良い。
【００２６】
固体電解質層３の導電性高分子層は、例えば、ピロール、チオフェン、３，４−エチレンジオキシチオフェン、アニリン及びその誘導体を少なくとも１種以上含む単量体からなる重合体を含み、特に、ピロール、チオフェン、３，４−エチレンジオキシチオフェン及びその誘導体を含むことが望ましい。重合体は、上記単量体とドーパントとして例えばスルホン酸系化合物、金属塩や硫酸塩からなる酸化剤を化学酸化重合、または、電解酸化重合することによって誘電体層上に形成してもよい。
【００２７】
また、固体電解質層３は、少なくとも１層の導電性高分子層から構成することも可能である。
【００２８】
また、導電性高分子層には、二酸化マンガン、酸化ルテニウムなどの酸化物誘導体、ＴＮＱＣ(７，７，８，８、−テトラシアノキノジメタンコンプレックス塩)など有機物半導体が含まれてもいてもよい。ドーパントとしては、例えばナフタレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、スチレンスルホン酸及びその誘導体からなるスルホン酸系化合物が好ましい。また、ドーパントの分子量としては、単量体から高分子量体まで適宜選択して用いることができる。
【００２９】
陰極導体層４は、特に導体であれば限定されないが、図１（ｄ）のようにグラファイト層４Ａと銀導電性樹脂層４Ｂとからなる２層構造としてもよく、また１層構造でも良い。
【００３０】
図２は、本発明による固体電解コンデンサの製造方法の第二の実施の形態を示す図であり、図２（ａ）は弁作用金属からなる陽極導体の斜視図、図２（ｂ）はプレス打ち抜き加工による切断後の陽極導体の斜視図、図２（ｃ）は上記切断後、表面に誘電体層が形成された陽極導体の切断された端部付近の拡大断面図、図２（ｄ）はプレス打ち抜き加工後に端部をさらにレーザー加工またはイオンミリング加工によって切除し、表面に誘電体層を形成した陽極導体の端部付近の拡大断面図、図２（ｅ）は固体電解質層および陰極導体層を形成後の端部付近の拡大断面図である。
【００３１】
本実施の形態では、図２（ｂ）に示すようにプレス打ち抜き加工で陽極導体１を切断し、その後、図２（ｃ）に示すように切断された陽極導体２０の端面部２５の欠損部２７、金属芯部のダレ２６、端面のバリ２８などをレーザー加工またはイオンミリング加工によって切除して図２（ｄ）のように端面部を平滑化している。この結果、図２（ｅ）のように誘電体層２２上に導電性高分子層２３Ａを均一の厚みに形成することが可能となり、陽極導体と陰極導体の接触による漏れ電流の発生を防止することができる。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明を実施例に基づき、さらに具体的に説明する。
【００３３】
（実施例１）
図１に示した第一の実施の形態の固体電解コンデンサの製造方法の具体例として、下記の製造方法により固体電解コンデンサを作製し、陽極導体１０の断面観察と作製したコンデンサ素子の電気特性の評価を行なった。陽極導体１として、エッチングにより拡面処理された箔容量３００μＦ／ｃｍ2の多孔質体アルミニウム箔をＹＡＧレーザー加工により３×４ｍｍに切断形成した。次に、モノマー溶液とドーパント、酸化剤溶液からなる槽に数回浸漬を繰り返し、多孔質細孔内部にポリ３，４−ジオキシチオフェンからなる導電性高分子を化学重合法によって形成し、導電性高分子層３Ａを形成した。次に、導電性高分子層３Ａ上にポリ３，４−ジオキシチオフェン溶液を９μｌ滴下し、５分間常温放置後、裏面にも９μｌ滴下し、１２５℃で１０分乾燥した後、１８０℃で３０分乾燥して導電性高分子層３Ｂを形成した。次いで、その上にグラファイト層４Ａと銀導電性樹脂層４Ｂを形成してコンデンサ素子を３個作製した。
【００３４】
このコンデンサ素子の各製造工程における端面部の断面をＳＥＭ(走査型電子顕微鏡)により観察した結果、ＹＡＧレーザー加工による切断後は、端面部のバリ、凹凸がなく平滑であり、陽極導体の欠損も確認できなかった。陽極導体上に導電性高分子層を形成後は、導電性高分子層の厚みが均一に形成されていることが確認された。
【００３５】
次に、このコンデンサ素子を用いて電気特性評価を行った。表１に、この素子の１２０Ｈｚにおける容量の設計値に対する比率（Ｃａｐ出現率）、 ２．５Ｖを１分間印加した時の漏れ電流値（２．５ Ｖ−１ｍｉｎ値ＬＣ）を示す。Ｃａｐ出現率は、アルミニウムの箔容量と素子面積の積（３００μＦ／ｃｍ2×１２ｍｍ2）を基準とした。表１のように、実施例１の場合、Ｃａｐ出現率は９４．８％、ＬＣは０．７μＡであった。
【００３６】
（実施例２）              
実施例１と同様なエッチングにより拡面処理された多孔質体アルミニウム箔をＣＯ2レーザー加工により３×４ｍｍに切断し、実施例１と同様にコンデンサ素子を作製し電気特性を評価した。本製造方法はＣＯ2レーザーを用いたこと以外は、実施例１と同様である。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は９３．２％、ＬＣは３．２μＡであった。
【００３７】
（実施例３）              
実施例１と同様なエッチングにより拡面処理された多孔質体アルミニウム箔をＡｒイオンミリング加工により３×４ｍｍに切断し、実施例１と同様にコンデンサ素子を作製し、各工程における端面部断面のＳＥＭ観察と電気特性の評価を行なった。本製造方法はＡｒイオンミリング加工を用いたこと以外は、実施例１と同様である。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は９２．７％、ＬＣは１．７μＡであった。また、この素子の端面部をＳＥＭにより観察した結果、切断加工後は、端面部のバリ、凹凸がなく平滑であり、陽極導体の欠損も確認できなかった。陽極導体上に導電性高分子層を形成後は、高分子層の厚みが均一に形成されていることが確認された。
【００３８】
（実施例４）          
実施例１と同様なエッチングにより拡面処理された多孔質体アルミニウム箔をＧａイオンミリング加工により３×４ｍｍに切断し、実施例１と同様にコンデンサ素子を作製し電気特性を評価した。本製造方法はＧａイオンミリング加工を用いたこと以外は、実施例１と同様である。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は９０．９％、ＬＣは５．６μＡであった。
【００３９】
（実施例５）              
実施例１と同様なエッチングにより拡面処理された多孔質体アルミニウム箔をプレス打ち抜き加工を用いて５×６ｍｍに加工形成し、その後、各端面から１ｍｍ内側をＹＡＧレーザーにより再切断し３×４ｍｍに加工形成した。その後、実施例１と同様にコンデンサ素子を作製し、電気特性の評価を行なった。本製造方法は陽極導体の切断方法以外は、実施例１と同様である。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は８７．０％、ＬＣは４．９μＡであった。
【００４０】
（実施例６）              
実施例１と同様なエッチングにより拡面処理された多孔質体アルミニウム箔をプレス打ち抜き加工を用いて５×６ｍｍに加工形成し、その後、各端面から１ｍｍ内側をＣＯ2レーザーにより再切断し３×４ｍｍに加工形成した。その後、実施例１と同様にコンデンサ素子を作製し、電気特性の評価を行なった。本製造方法は陽極導体の切断方法以外は、実施例1と同様である。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は８５．２％、ＬＣは８．５μＡであった。
【００４１】
（実施例７）              
実施例１と同様なエッチングにより拡面処理された多孔質体アルミニウム箔をプレス打ち抜き加工を用いて５×６ｍｍに加工形成し、その後、各端面から１ｍｍ内側をＡｒイオンミリング加工により再切断し３×４ｍｍに加工形成した。その後、実施例１と同様にコンデンサ素子を作製し、電気特性の評価を行なった。本製造方法は陽極導体の切断方法以外は、実施例１と同様である。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は８５．７％、ＬＣは１．２μＡであった。
【００４２】
（実施例８）              
実施例１と同様なエッチングにより拡面処理された多孔質体アルミニウム箔をプレス打ち抜き加工を用いて５×６ｍｍに加工形成し、その後、各端面から１ｍｍ内側をＧａイオンミリング加工により再切断し３×４ｍｍに加工形成した。その後、実施例１と同様にコンデンサ素子を作製し、電気特性の評価を行なった。本製造方法は陽極導体の切断方法以外は、実施例１と同様である。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は８６．５％、ＬＣは６．５ μＡであった。
【００４３】
（実施例９）              
実施例１の製造方法で作製したコンデンサ素子の外部端子を陽極、陰極それぞれから取り出し、加圧下、樹脂で封入して外装したコンデンサを作製し特性評価を行った。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は９４．８％、ＬＣは０．７μＡであった。
【００４４】
（比較例１）
比較のために、図３に示した従来の製造方法によりコンデンサ素子を作製し評価した。陽極導体１として、実施例１と同様な拡面処理された多孔質体アルミニウム箔をプレス打ち抜き加工を用いて３×４ｍｍに加工形成した。陽極導体の切断方法以外は実施例１と同様にコンデンサ素子を形成した。
【００４５】
この素子の断面部をＳＥＭにより観察した結果、プレス打ち抜き加工後は端部にバリや凹凸が観察された。また、陽極導体上に形成した導電性高分子層を観察した結果、厚みは不均一であり、特に、端面部、凹凸部では図３（ｄ）のように導電性高分子が薄く形成されていることが確認された。
【００４６】
次に、このコンデンサ素子を用いて電気特性評価を行った。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は８３．３％、ＬＣは８９．０μＡであった。
【００４７】
（比較例２）
比較例１の製造方法で作製したコンデンサ素子の外部端子を陽極、陰極それぞれから取り出し、加圧下、樹脂で封入して外装したコンデンサを作製し特性評価を行った。表１に示すように、Ｃａｐ出現率は８３．３％、ＬＣは３１５．０μＡであった。
【００４８】
【表１】
2009260017.tif 000003
【００４９】
表１に示すように、本発明の実施例１〜９の製造方法では、陽極導体の外周をレーザー加工やイオンミリング加工によって切断すること、または、プレス打ち抜き加工後の端面部のバリ、凹凸をレーザー加工やイオンミリング加工によって除去することにより、製造工程における容量の減少を小さくし、かつ、漏れ電流を小さくしてＣａｐ出現率およびＬＣ特性を共に向上させることができた。
【００５０】
比較例１の特性との比較より、すべての実施例においてＬＣ特性が大きく改善されており、レーザーもしくはイオンミリングによるコンデンサ素子の外周の切断加工、およびプレス打ち抜き加工後の端面部の再加工によりバリ、凹凸を除去した効果が大きいことがわかった。
【００５１】
実施例９と比較例２との特性の比較すると、実施例９では外装前（実施例１）と外装後でＬＣ特性の劣化が認められなかったのに対し、比較例２において外装後は外装前（比較例１）と比較してＬＣ特性が激しく劣化した。これは、端面部のバリの部分において、ポリマー形成が局所的に薄くなり、また、形成不良がおきているため、その部分で外装時の圧力により破壊が起きているためと考えられる。
【００５２】
また、従来の研磨加工やエッチング加工が加工に手間がかかり、加工精度が低いことから製造工程において大きな容量の減少が生じやすいのに対し、本発明に用いるレーザー加工やイオンミリング加工は、加工に手間がかからず、加工範囲として数百〜数十μｍの制御が可能であり陽極導体の欠損なく、精度よく加工できるので容量の減少も小さい。
【００５３】
以上のように、本発明の製造方法により、陽極導体の端面部の加工において、加工コストの増加が少なく、端面部の平滑性が優れ、かつ高精度の加工をレーザー加工やイオンミリング加工により実現することにより、漏れ電流特性に優れ、かつ、製造工程中での容量の減少が小さい固体電解コンデンサを得られることが確認できた。
【００５４】
なお、本発明は上述の実施の形態や実施例に限定されるものではないことは言うまでもなく、製造する固体電解コンデンサの目的や用途に合わせて製造工程の変更が可能である。例えば、切断される陽極導体の形状は板状、箔状、線状いずれであってもよく、その材質、拡面化処理方法などには限定されない。また、陽極導体を切断する工程において、プレス打ち抜き加工の後にレーザー加工またはイオンミリング加工を用いる際には、レーザー加工またはイオンミリング加工は端部を再切断するのではなく、プレス打ち抜き端面にレーザーなどを照射して平坦化する方法でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明による固体電解コンデンサの製造方法の第一の実施の形態を示す図、図１（ａ）は弁作用金属からなる陽極導体の斜視図、図１（ｂ）はレーザー加工またはイオンミリング加工による切断後の陽極導体の斜視図、図１（ｃ）は上記切断後、表面に誘電体層が形成された陽極導体の切断された端部付近の拡大断面図、図１（ｄ）は固体電解質層および陰極導体層を形成後の端部付近の拡大断面図。
【図２】本発明による固体電解コンデンサの製造方法の第二の実施の形態を示す図、図２（ａ）は弁作用金属からなる陽極導体の斜視図、図１（ｂ）はプレス打ち抜き加工による切断後の陽極導体の斜視図、図２（ｃ）は上記切断後、表面に誘電体層が形成された陽極導体の切断された端部付近の拡大断面図、図２（ｄ）はプレス打ち抜き加工後に端部をさらにレーザー加工またはイオンミリング加工によって切除し、表面に誘電体層を形成した陽極導体の端部付近の拡大断面図、図２（ｅ）は固体電解質層および陰極導体層を形成後の端部付近の拡大断面図。
【図３】従来の固体電解コンデンサの製造方法の一例を示す図、図３（ａ）は弁作用金属からなる陽極導体の斜視図、図３（ｂ）はプレス打ち抜き加工による切断後の陽極導体の斜視図、図３（ｃ）は上記切断後、表面に誘電体層が形成された陽極導体の切断された端部付近の拡大断面図、図３（ｄ）は固体電解質層および陰極導体層を形成後の端部付近の拡大断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１、１０、２０、３０    陽極導体
１Ａ    エッチング層
１Ｂ    金属芯
２、２２、３２    誘電体層
３、２３、３３    固体電解質層
３Ａ、３Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ、３３Ａ、３３Ｂ    導電性高分子層
４、２４、３４    陰極導体層
４Ａ、２４Ａ、３４Ａ    グラファイト層
４Ｂ、２４Ｂ、３４Ｂ    銀導電性樹脂層
１５、２５、３５    端面部
２６、３６    金属芯部のダレ
２７、３７    欠損部
２８、３８    バリ
【図１】
2009260017.tif 000004
【図２】
2009260017.tif 000005
【図３】
2009260017.tif 000006