(57)【要約】【課題】画素電極の導通不良を抑制して有機絶縁膜をリワークする。【解決手段】基板に設けられた複数のＴＦＴ５に重畳すると共に、各ＴＦＴ５にそれぞれ接続するためのコンタクトホールＨが設けられた有機絶縁膜を形成し、その形成された有機絶縁膜を検査した後に、その検査された有機絶縁膜が異常なときに各ＴＦＴ５上に有機絶縁膜をリワークし、また、その検査された有機絶縁膜が正常なときにその有機絶縁膜上に複数の画素電極１７をマトリクス状に形成するアクティブマトリクス基板２０の製造方法であって、リワーク工程は、剥離工程、アッシング工程、モノエタノールアミンを含む第１の洗浄液により洗浄を行う第１洗浄工程、ジメチルスルホキシドを含む第２の洗浄液による洗浄、及び純水により洗浄を行う第３洗浄工程とを有し、第３洗浄工程の後に有機絶縁膜をリワークする。【選択図】図１
2009042593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた複数のスイッチング素子に重畳すると共に、各スイッチング素子にそれぞれ接続するためのコンタクトホールが設けられた有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、
上記有機絶縁膜形成工程で形成された有機絶縁膜を検査する検査工程と、
上記検査工程で検査された有機絶縁膜が異常なときに行われ、上記有機絶縁膜形成工程により上記有機絶縁膜を形成し直すリワーク工程と、
上記検査工程で検査された有機絶縁膜が正常なときに行われ、該正常な有機絶縁膜上に、上記コンタクトホールを介して上記各スイッチング素子にそれぞれ接続するように、複数の画素電極をマトリクス状に形成する画素電極形成工程とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
上記リワーク工程は、上記異常な有機絶縁膜を剥離させる剥離工程と、該剥離工程で有機絶縁膜を剥離させた被処理基板に対してアッシングを行うアッシング工程と、該アッシング工程でアッシングされた被処理基板に対してモノエタノールアミンを含む第１の洗浄液により洗浄を行う第１洗浄工程と、該第１洗浄工程で洗浄された被処理基板に対してジメチルスルホキシドを含む第２の洗浄液により洗浄を行う第２洗浄工程と、該第２洗浄工程で洗浄された被処理基板に対して純水により洗浄を行う第３洗浄工程とを有し、該第３洗浄工程の後に上記有機絶縁膜形成工程を行うことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記第１の洗浄液は、ジメチルスルホキシドを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記各スイッチング素子及び有機絶縁膜の間に、該各スイッチング素子を覆うように無機絶縁膜を形成する無機絶縁膜形成工程と、
上記検査工程で検査された有機絶縁膜が正常なときに行われ、該正常な有機絶縁膜を介して、上記無機絶縁膜形成工程で形成された無機絶縁膜をエッチングすることにより、上記各スイッチング素子のチャネル領域を保護するためのチャネル保護膜を形成するチャネル保護膜形成工程とを備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記検査工程では、上記有機絶縁膜におけるコンタクトホールの位置及び異物の有無の少なくとも一方を検査することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記剥離工程では、上記有機絶縁膜をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液により剥離させることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記アッシング工程では、上記被処理基板に対して酸素プラズマによりアッシングを行うことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記有機絶縁膜は、感光性樹脂膜により構成されることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記各スイッチング素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法に関し、特に、画素電極の下地膜となる有機絶縁膜をリワークする方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板及び対向基板と、アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備えたアクティブマトリクス駆動方式のものが主流になっている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、反射透過両用型の液晶表示装置の製造方法において、反射部及び透過部をそれぞれ電極材料により構成し、これらの電極材料を互いの境界領域において層間膜を介して一部又は全部を重畳して形成する方法が開示されている。そして、これによれば、透過部を構成する電極材料と反射部を構成する電極材料との間の電気抵抗が高くなり、電解溶液中に浸した場合においても電食や還元を起こりにくくすることが可能となる、と記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、ＴＦＴ（thin film transistor）を備えた装置の製造方法において、第１の半導体層及び第２の半導体層が順に積層された半導体積層膜に対し、半導体領域を規定するためのマスクに覆われていない第２の半導体層をエッチングした後に、そのマスクの周端を内側にシフトさせ、その周端がシフトさせたマスクに覆われていない第１及び第２の半導体層をエッチングする方法が開示されている。そして、これによれば、島状にパターニングすべき半導体層が厚くなった場合でも、逆テーパー部分の無い良好な順テーパー形状の側面部を有する島状半導体領域を形成することができるので、導電性材料のエッチング残りに起因する電流リークの発生を防止することができる、と記載されている。
【特許文献１】特開２００４−１２６６１２号公報
【特許文献２】特開２００３−２８２５８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図９は、一般的なアクティブマトリクス基板１２０の一つの画素を示す平面図である。
【０００６】
アクティブマトリクス基板１２０は、図９に示すように、マトリクス状に設けられた複数の画素電極１１７と、各画素電極１１７の上辺及び下辺に沿ってそれぞれ設けられた複数のゲート線１１１ａと、各画素電極１１７の左辺及び右辺に沿ってそれぞれ設けられた複数のソース線１１４ａと、各ゲート線１１１ａ及び各ソース線１１４ａの交差部分にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ１０５と、隣り合う各ゲート線１１１ａの間に延びるようにそれぞれ設けられた複数の容量線１１１ｂとを備えている。ここで、各ＴＦＴ１０５のドレイン電極１１４ｃは、容量線１１１ｂに重畳する領域まで延設されることにより補助容量を構成する容量電極として機能すると共に、容量線１１１ｂ上で層間絶縁膜（有機絶縁膜）に形成されたコンタクトホールＨを介して画素電極１１７に接続されている。
【０００７】
ところで、アクティブマトリクス基板１２０の製造において、画素電極１１７の下地膜となる上記層間絶縁膜を形成する工程の後に、その層間絶縁膜に、異物の混入やパターン異常などが発生していないかを検査することは、製造歩留まりを向上させる上で有効な手段となっている。そして、その検査において、不良と判定されたアクティブマトリクス基板については、まず、現像液などにより不良の層間絶縁膜を剥離させ、続いて、その表面に酸素ガスのプラズマによるアッシングを行うことにより、基板表面を清浄化した後に、再度、層間絶縁膜を形成する、いわゆる、リワークを行うことになる。
【０００８】
以下に、上記リワークについて詳細に説明する。なお、図１０〜図１４は、図９中のＡ−Ａ線に沿ったアクティブマトリクス基板１２０の製造工程の一部を示す断面図である。
【０００９】
まず、図１０に示す被処理基板では、絶縁基板１１０上に、容量線１１１ｂと、ＴＦＴ１０５のゲート電極１１１ａａ及び半導体層１１３の間に設けられたゲート絶縁膜１１２と、ドレイン電極１１４ｃと、ＴＦＴ１０５を覆うように設けられた無機絶縁膜１１５とが順に積層されている。
【００１０】
続いて、上記被処理基板上の基板全体に感光性樹脂膜を塗布した後に、その感光性樹脂膜をフォトマスクを介して露光、及び現像することにより、図１１に示すように、層間絶縁膜１１６ａを形成する。ここで、層間絶縁膜１１６ａは、異物Ｐを含有しているので、工程内検査により不良と判定され、リワークすることが必要である。
【００１１】
そこで、例えば、主成分がＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）からなる現像液によって、層間絶縁膜１１６ａを剥離させる（図１０参照）。
【００１２】
さらに、層間絶縁膜１１６ａを剥離させた表面に対し、酸素ガスのプラズマによるアッシングを行うことにより、無機絶縁膜１１５の表面を清浄化する。
【００１３】
そして、無機絶縁膜１１５の表面に、感光性樹脂膜を塗布した後に、その感光性樹脂膜をフォトマスクを介して露光、及び現像することにより、再度、層間絶縁膜（１１６ｂ）を形成することになる。
【００１４】
しかしながら、無機絶縁膜１１５の表面に再度形成された層間絶縁膜１１６ｂは、無機絶縁膜１１５に対して密着性が低くなる傾向にあるので、図１２に示すように、その周端部が浮き上がってしまうおそれがある。
【００１５】
そうなると、層間絶縁膜１１６ｂをマスクとして、無機絶縁膜１１５をエッチングする場合、図１３に示すように、エッチングされた無機絶縁膜１１５、すなわち、チャネル保護膜１１５ａの周端部の形状は、上側が下側よりも突き出た逆テーパー状になってしまう。
【００１６】
その後、層間絶縁膜１１６ｂ上に画素電極１１７を形成する場合には、図１４に示すように、コンタクトホールＨの底の縁部に画素電極１１７ａを構成する透明導電膜が成膜されにくいので、画素電極１１７ａにおいて段切れと呼ばれる上記逆テーパー形状に起因する導通不良が発生してしまう。
【００１７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、画素電極の導通不良を抑制して有機絶縁膜をリワークすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明は、異常な有機絶縁膜を剥離させた被処理基板に対して、アッシング、モノエタノールアミンを含む第１の洗浄液による洗浄、ジメチルスルホキシドを含む第２の洗浄液による洗浄、及び純水による洗浄を順に行った後に、有機絶縁膜を形成し直すことによりリワークするようにしたものである。
【００１９】
具体的に本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板に設けられた複数のスイッチング素子に重畳すると共に、各スイッチング素子にそれぞれ接続するためのコンタクトホールが設けられた有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、上記有機絶縁膜形成工程で形成された有機絶縁膜を検査する検査工程と、上記検査工程で検査された有機絶縁膜が異常なときに行われ、上記有機絶縁膜形成工程により上記有機絶縁膜を形成し直すリワーク工程と、上記検査工程で検査された有機絶縁膜が正常なときに行われ、該正常な有機絶縁膜上に、上記コンタクトホールを介して上記各スイッチング素子にそれぞれ接続するように、複数の画素電極をマトリクス状に形成する画素電極形成工程とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、上記リワーク工程は、上記異常な有機絶縁膜を剥離させる剥離工程と、該剥離工程で有機絶縁膜を剥離させた被処理基板に対してアッシングを行うアッシング工程と、該アッシング工程でアッシングされた被処理基板に対してモノエタノールアミンを含む第１の洗浄液により洗浄を行う第１洗浄工程と、該第１洗浄工程で洗浄された被処理基板に対してジメチルスルホキシドを含む第２の洗浄液により洗浄を行う第２洗浄工程と、該第２洗浄工程で洗浄された被処理基板に対して純水により洗浄を行う第３洗浄工程とを有し、該第３洗浄工程の後に上記有機絶縁膜形成工程を行うことを特徴とする。
【００２０】
上記の方法によれば、仮に、異常な有機絶縁膜を剥離させる剥離工程、及び異常な有機絶縁膜を剥離させた被処理基板に対してアッシングを行うアッシング工程を行った後に、被処理基板の表面に有機絶縁膜の一部が残っていたとしても、第１洗浄工程におけるモノエタノールアミンを含む第１の洗浄液による洗浄により、被処理基板上の有機絶縁膜が除去される。続いて、第２洗浄工程におけるジメチルスルホキシドを含む第２の洗浄液による洗浄により、被処理基板上に付着した相対的に毒性の高いモノエタノールアミンが相対的に毒性の低いジメチルスルホキシドに置換される。さらに、第３洗浄工程における純水による洗浄により、被処理基板上に付着した相対的に毒性の低いジメチルスルホキシドが毒性のない純水に置換される。このようにして、被処理基板上の不要な有機絶縁膜を除去した後に、その基板表面が清浄化されるので、被処理基板の表面に対する有機絶縁膜の密着性が良好になる。そのため、有機絶縁膜に設けられるコンタクトホールの周端部における浮き上がりが抑制されるので、有機絶縁膜の周端部の形状が上側よりも下側が突き出た順テーパー状になり易くなる。これにより、画素電極形成工程では、画素電極を構成する透明導電膜が有機絶縁膜上に層間に空間を形成することなく成膜された後に、その透明導電膜をマトリクス状にパターニングすることになるので、有機絶縁膜上に各画素電極がコンタクトホール内で段切れを起こすことなく形成される。したがって、画素電極の導通不良を抑制して有機絶縁膜をリワークすることが可能になる。
【００２１】
上記第１の洗浄液は、ジメチルスルホキシドを含んでもよい。
【００２２】
上記の方法によれば、第１の洗浄液がモノエタノールアミン及びジメチルスルホキシドの混合液になるので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２３】
上記各スイッチング素子及び有機絶縁膜の間に、該各スイッチング素子を覆うように無機絶縁膜を形成する無機絶縁膜形成工程と、上記検査工程で検査された有機絶縁膜が正常なときに行われ、該正常な有機絶縁膜を介して、上記無機絶縁膜形成工程で形成された無機絶縁膜をエッチングすることにより、上記各スイッチング素子のチャネル領域を保護するためのチャネル保護膜を形成するチャネル保護膜形成工程とを備えてもよい。
【００２４】
上記の方法によれば、各スイッチング素子及び有機絶縁膜の間に設けられた無機絶縁膜が正常な有機絶縁膜を介してエッチングされるので、チャネル保護膜におけるコンタクトホールの周端部の形状も上側よりも下側が突き出た順テーパー状になり易くなる。そのため、スイッチング素子を覆うチャネル保護膜、及びそのチャネル保護膜を覆う有機絶縁膜の積層膜上に各画素電極がコンタクトホール内で段切れを起こすことなく形成される。
【００２５】
上記検査工程では、上記有機絶縁膜におけるコンタクトホールの位置及び異物の有無の少なくとも一方を検査してもよい。
【００２６】
上記の方法によれば、有機絶縁膜の異常には、コンタクトホールの位置不良や異物混入が多いので、有機絶縁膜におけるコンタクトホールの位置及び／又は異物の有無を検査することにより、異常な有機絶縁膜が具体的に検出される。
【００２７】
上記剥離工程では、上記有機絶縁膜をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液により剥離させてもよい。
【００２８】
上記の方法によれば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液は、一般的な現像液であるので、剥離工程において、異常な有機絶縁膜の大半が具体的に剥離することになる。
【００２９】
上記アッシング工程では、上記被処理基板に対して酸素プラズマによりアッシングを行ってもよい。
【００３０】
上記の方法によれば、酸素プラズマによるアッシングによれば、有機物がＣＯ２やＨ２０などに分解されるので、剥離工程後に被処理基板上に残った有機絶縁膜の多くが、アッシング工程を行うことによって具体的に分解除去される。
【００３１】
上記有機絶縁膜は、感光性樹脂膜により構成されてもよい。
【００３２】
上記の方法によれば、感光性樹脂膜をフォトマスクを介して露光、及び現像することにより、その感光性樹脂膜がパターニングされ、有機絶縁膜が形成されるので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００３３】
上記各スイッチング素子は、薄膜トランジスタであってもよい。
【００３４】
上記の方法によれば、スイッチング素子として薄膜トランジスタが設けられたアクティブマトリクス基板において、本発明の作用効果が有効に奏される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、異常な有機絶縁膜を剥離させた被処理基板に対して、アッシング、モノエタノールアミンを含む第１の洗浄液による洗浄、ジメチルスルホキシドを含む第２の洗浄液による洗浄、及び純水による洗浄を順に行った後に、有機絶縁膜を形成し直すことによりリワークするので、画素電極の導通不良を抑制して有機絶縁膜をリワークすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここで、図１は、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス基板２０の平面図であり、図２は、図１中のII−II線に沿ったアクティブマトリクス基板２０の断面図である。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３７】
アクティブマトリクス基板２０は、図１及び図２に示すように、絶縁基板１０と、絶縁基板１０上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１ａと、各ゲート線１１ａと直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４ａと、各ゲート線１１ａ及び各ソース線１４ａの交差部分にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ＴＦＴ５を覆うように設けられたチャネル保護膜１５ａと、チャネル保護膜１５ａを覆うように設けられた有機絶縁膜１６ａと、有機絶縁膜１６ａ上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極１７とを備えている。
【００３８】
ＴＦＴ５は、図１及び図２に示すように、各ゲート線１１ａの側方に突出した部分であるゲート電極１１ａａと、ゲート電極１１ａａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上でゲート電極１１ａａに対応する位置に島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上で互いに対峙するように設けられたソース電極１４ｂ及びドレイン電極１４ｃとを備えている。ここで、ソース電極１４ｂは、各ソース線１４ａの側方に突出した部分である。また、ドレイン電極１４ｃは、容量線１１ｂに重畳する領域まで延設されることにより補助容量を構成する容量電極として機能すると共に、容量線１１ｂ上でチャネル保護膜１５ａ及び有機絶縁膜１６ａの積層膜に形成されたコンタクトホールＨを介して画素電極１７に接続されている。さらに、チャネル領域Ｃは、図１に示すように、ソース電極１４ｂ及びドレイン電極１４ｃの間に配置する半導体層１３の一つの領域である。
【００３９】
上記構成のアクティブマトリクス基板２０は、各画素電極１７によって画像の最小単位である画素が構成され、対向して配置される対向基板と、それらの両基板の間に封入される液晶層と共に、液晶表示パネルを構成するものである。
【００４０】
次に、本実施形態のアクティブマトリクス基板２０を製造する方法について、図３〜図８を用いて説明する。ここで、図３〜図８は、図２に対応するアクティブマトリクス基板２０の製造工程の一部を示す断面図である。なお、本実施形態の製造方法は、ＴＦＴ形成工程、無機絶縁膜形成工程、有機絶縁膜形成工程、検査工程、リワーク工程（剥離工程、アッシング工程、第１洗浄工程、第２洗浄工程及び第３洗浄工程）、チャネル保護膜形成工程、並びに画素電極形成工程を備えている。
【００４１】
＜ＴＦＴ形成工程＞
まず、ガラス基板などの絶縁基板１０の基板全体に、アルミニウムなどの金属膜を厚さ１５００Å程度でスパッタリング法により成膜した後に、フォトリソグラフィによりパターニングすることにより、ゲート線１１ａ、ゲート電極１１ａａ及び容量線１１ｂをそれぞれ形成する。
【００４２】
続いて、ゲート線１１ａ、ゲート電極１１ａａ及び容量線１１ｂがそれぞれ形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜などを厚さ４０００Å程度で成膜することにより、ゲート絶縁膜１２を形成する。
【００４３】
さらに、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を、それぞれ、厚さ１５００Å及び４００Å程度で連続して成膜した後に、フォトリソグラフィによりゲート電極１１ａａ上に島状にパターニングすることにより、半導体層を形成する。
【００４４】
そして、上記半導体層が形成された基板全体に、チタンなどの金属膜を厚さ１５００Å程度でスパッタリング法により成膜した後に、フォトリソグラフィによりパターニングすることにより、ソース線１４ａ、ソース電極１４ｂ及びドレイン電極１４ｃをそれぞれ形成する。
【００４５】
続いて、ソース電極１４ｂ及びドレイン電極１４ｃをマスクとして半導体層のｎ＋アモルファスシリコン膜をエッチングすることにより、半導体層１３を形成して、ＴＦＴ５を形成する。
【００４６】
＜無機絶縁膜形成工程＞
半導体層１３が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜などを厚さ３０００Å程度で成膜することにより、図３に示すように、無機絶縁膜１５を形成する。なお、後述する検査工程及びリワーク工程では、無機絶縁膜１５まで形成された基板を被処理基板Ｓとしている。
【００４７】
＜有機絶縁膜形成工程＞
まず、無機絶縁膜１５が形成された基板全体に、スピンコーティング法を用いて、例えば、感光性アクリル樹脂を厚さ３μｍ程度で成膜する。
【００４８】
続いて、基板全体に成膜された感光性アクリル樹脂に、フォトマスクを介して露光、及び現像することにより、図４に示すように、コンタクトホールＨａを有する有機絶縁膜１６ａを形成する。
【００４９】
＜検査工程＞
例えば、ＣＣＤ（charge-coupled device）カメラ及び画像処理装置などを用いて、被処理基板Ｓ上の有機絶縁膜１６ａ（のコンタクトホールＨａ）が所定の位置に形成されているか、有機絶縁膜１６ａに異物が混入していないかなどを検査する。例えば、図５に示すように、有機絶縁膜１６ａに対応する有機絶縁膜１６ｂに異物Ｐが混入するなどして、被処理基板Ｓ上に異常な有機絶縁膜１６ｂが形成された場合には、後述するリワーク工程が行われ、被処理基板Ｓ上に正常な有機絶縁膜１６ａが形成された場合には、そのまま、後述するチャネル保護膜形成工程及び画素電極形成工程が行われる。
【００５０】
＜リワーク工程＞
まず、被処理基板Ｓ上の異常な有機絶縁膜１６ｂを、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）を２．３８重量％含有する水溶液によって剥離させる（剥離工程）。このとき、被処理基板Ｓの表面には、図６に示すように、有機絶縁膜１６ｂの一部として有機絶縁膜１６ｃが残っている。
【００５１】
続いて、表面に有機絶縁膜１６ｃが残った被処理基板Ｓに対して、酸素プラズマによるアッシングを行う（アッシング工程）。このとき、被処理基板Ｓ上の有機絶縁膜１６ｃは、その減数や縮小などにより、有機絶縁膜１６ｄとなる（図７参照）。
【００５２】
さらに、アッシングされた被処理基板Ｓに対して、図７に示すように、第１の洗浄液Ｗａとして、例えば、モノエタノールアミン（２−アミノエタノール）を７０重量％、及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を３０重量％それぞれ含有する混合溶液を用いて洗浄を行うことにより、有機絶縁膜１６ｄを除去する（第１洗浄工程）。
【００５３】
その後、第１の洗浄液Ｗａにより洗浄された被処理基板Ｓに対して、第２の洗浄液Ｗｂ（図７参照）として、ＤＭＳＯを用いて置換洗浄を行う（第２洗浄工程）。
【００５４】
最後に、第２の洗浄液Ｗｂにより洗浄された被処理基板Ｓに対して、純水Ｗｃ（図７参照）を用いて置換洗浄を行う（第３洗浄工程）。これに続いて、被処理基板Ｓを乾燥した後に、その被処理基板Ｓに対して上記有機絶縁膜形成工程を再度行う。
【００５５】
＜チャネル保護膜形成工程＞
上記検査工程における検査により正常な有機絶縁膜１６ａが形成されたことが確認された被処理基板Ｓに対して、図８に示すように、有機絶縁膜１６ａをマスクとして、無機絶縁膜１５をエッチングすることにより、コンタクトホールＨｂを有するチャネル保護膜１５ａを形成する。
【００５６】
＜画素電極形成工程＞
チャネル保護膜１５ａが形成された基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を厚さ１０００Å程度でスパッタリング法により成膜した後に、フォトリソグラフィによりマトリクス状にパターニングすることにより、有機絶縁膜１６ａ上に画素電極１７を形成する。
【００５７】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板２０を製造することができる。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態のアクティブマトリクス基板２０の製造方法によれば、仮に、異常な有機絶縁膜１６ｂを剥離させる剥離工程、及び異常な有機絶縁膜１６ｂを剥離させた被処理基板Ｓに対してアッシングを行うアッシング工程を行った後に、被処理基板Ｓの表面に有機絶縁膜１６ｄの一部が残っていたとしても、第１洗浄工程におけるモノエタノールアミンを含む第１の洗浄液Ｗａによる洗浄により、被処理基板Ｓ上の有機絶縁膜１６ｄが除去される。続いて、第２洗浄工程におけるＤＭＳＯを含む第２の洗浄液Ｗｂによる洗浄により、被処理基板Ｓ上に付着した相対的に毒性の高いモノエタノールアミン（Ｗａ）が相対的に毒性の低いＤＭＳＯ（Ｗｂ）に置換される。さらに、第３洗浄工程における純水Ｗｃによる洗浄により、被処理基板上に付着した相対的に毒性の低いＤＭＳＯ（Ｗｂ）が毒性のない純水Ｗｃに置換される。このようにして、被処理基板Ｓ上の不要な有機絶縁膜１６ｒを除去した後に、その基板表面が清浄化されるので、被処理基板Ｓの表面に対する有機絶縁膜１６ａの密着性が良好になる。そのため、有機絶縁膜１６ａに設けられるコンタクトホールＨａの周端部における浮き上がりが抑制されるので、有機絶縁膜１６ａの周端部の形状が上側よりも下側が突き出た順テーパー状になり易くなり、さらに、チャネル保護膜１５ａにおけるコンタクトホールＨｂの周端部の形状も上側よりも下側が突き出た順テーパー状になり易くなる。これにより、画素電極形成工程では、画素電極１７を構成する透明導電膜が、ＴＦＴ５を覆うチャネル保護膜１５ａ、及びチャネル保護膜１５ａを覆う有機絶縁膜１６ａの積層膜上に層間に空間を形成することなく成膜された後に、その透明導電膜をマトリクス状にパターニングすることになるので、チャネル保護膜１５ａ及び有機絶縁膜１６ａの積層膜上に各画素電極１７をコンタクトホールＨ内で段切れを起こすことなく形成することができる。したがって、画素電極の導通不良を抑制して有機絶縁膜をリワークすることができる。
【００５９】
上記実施形態では、スイッチング素子として、ＴＦＴを例示したが、本発明は、ＭＯＳ（metal oxide semiconductor）トランジスタなどの他の電界効果型トランジスタやＭＩＭ(Metal Insulator Metal）などにも適用することができる。
【００６０】
また、上記実施形態では、アクティブマトリクス基板の画素電極の下地膜となる有機絶縁膜をリワークする方法について例示したが、本発明は、種々の導電素子基板上に形成された有機絶縁膜のリワークにも適用することができる。
【００６１】
なお、有機絶縁膜の周端において、良好な順テーパーの形状を得るための手法としては、例えば、特許文献２において述べられたような技術を応用して、有機絶縁膜を酸素プラズマによるアッシングを行うことにより後退させ、上述した「浮き上がり」の部分を除去した後に、下層の無機絶縁膜（チャネル保護膜）をエッチングすることが考えられる。しかしながら、この手法を用いた場合には、有機絶縁膜がアッシングを行う毎に薄くなってしまうので、ゲート線と画素電極とのオーバーラップに起因して生じる寄生容量Ｃｇｄ、及びソース線と画素電極とのオーバーラップに起因して生じる寄生容量Ｃｓｄが設計値に対してずれてしまい、液晶表示パネルの性能が変化するおそれがある。これに対して、本発明では、何度リワークしても有機絶縁膜の膜厚が変わらないので、上記のような寄生容量のずれの発生を抑制して、良好なテーパーの形状を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
以上説明したように、本発明は、画素電極の導通不良を抑制して、有機絶縁膜をリワークすることができるので、アクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置の製造において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス基板２０の平面図である。
【図２】図１中のII−II線に沿ったアクティブマトリクス基板２０の断面図である。
【図３】無機絶縁膜１５が形成された基板の断面図である。
【図４】層間絶縁膜１６ａが形成された基板の断面図である。
【図５】層間絶縁膜１６ｂが形成された基板の断面図である。
【図６】層間絶縁膜１６ｂを剥離させた後の基板の断面図である。
【図７】各洗浄工程における基板の断面図である。
【図８】チャネル保護膜１５ａが形成された基板の断面図である。
【図９】一般的なアクティブマトリクス基板１２０の平面図である。
【図１０】無機絶縁膜１１５が形成された基板の断面図である。
【図１１】層間絶縁膜１１６ａが形成された基板の断面図である。
【図１２】層間絶縁膜１１６ｂが形成された基板の断面図である。
【図１３】チャネル保護膜１１５ａが形成された基板の断面図である。
【図１４】画素電極１１７が形成された基板の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
Ｃ        チャネル領域
Ｈ，Ｈａ，Ｈｂ    コンタクトホール
Ｐ        異物
Ｗａ      第１の洗浄液
Ｗｂ      第２の洗浄液
Ｗｃ      純水
５        ＴＦＴ（スイッチング素子）
１５      無機絶縁膜
１５ａ    チャネル保護膜
１６ａ，１６ｂ    有機絶縁膜
１７      画素電極
２０      アクティブマトリクス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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