(57)【要約】【課題】有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑え易い光電変換デバイスを提供する。【解決手段】第１電極７と、該第１電極７上に配置された有機光電変換部８と、該有機光電変換部８上に配置された第２電極９とを有する有機光電変換素子１０を支持基板１上に多数配置して光電変換デバイス２０Ａを構成するにあたり、各有機光電変換素子１０を覆って該光電変換素子を封止する封止部１９を設け、この封止部により各有機光電変換素子１０への水分や酸素等の侵入を防止する。【選択図】図２
2009010152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、該支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、前記複数の有機光電変換素子の各々は、前記支持基板上に配置された第１電極と、該第１電極上に配置された有機光電変換部と、該有機光電変換部上に配置された第２電極とを有し、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方は光透過性を有する光電変換デバイスであって、
前記複数の有機光電変換素子を覆って該複数の光電変換素子を封止する封止部を有することを特徴とする光電変換デバイス。
【請求項２】
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方は、平面視したときに前記封止部により全体が覆われる１つの導電層からなることを特徴とする請求項１に記載の光電変換デバイス。
【請求項３】
前記第１電極および前記第２電極の一方は、平面視したときに前記封止部により覆われる領域と覆われない領域とを有する導電層の一領域からなることを特徴とする請求項１に記載の光電変換デバイス。
【請求項４】
前記有機光電変換部は、平面視したときに前記封止部により全体が覆われる１つの有機光電変換層または該有機光電変換層の一領域からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光電変換デバイス。
【請求項５】
前記支持基板上に配置されたカラーフィルタ層を更に有し、該カラーフィルタ層上に前記第１電極が配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の光電変換デバイス。
【請求項６】
前記カラーフィルタ層は、平面視したときに前記封止部により全体が覆われることを特徴とする請求項５に記載の光電変換デバイス。
【請求項７】
前記カラーフィルタ層を覆うオーバーコート層を更に有し、該オーバーコート層上に前記第１電極が配置されていることを特徴とする請求項５または６に記載の光電変換デバイス。
【請求項８】
前記オーバーコート層は、平面視したときに前記封止部により全体が覆われることを特徴とする請求項７に記載の光電変換デバイス。
【請求項９】
前記複数の有機光電変換素子の各々から電気的に絶縁されて配置され、前記複数の有機光電変換素子それぞれの周辺部に位置する遮光層を更に有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の光電変換デバイス。
【請求項１０】
前記遮光層は、平面視したときに前記封止部により覆われる領域と覆われない領域とを有する導電層の一領域からなることを特徴とする請求項９に記載の光電変換デバイス。
【請求項１１】
前記複数の有機光電変換素子それぞれの周囲に配置されて、前記複数の有機光電変換素子の各々を互いに電気的に分離する素子分離層を更に有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の光電変換デバイス。
【請求項１２】
前記素子分離層は、平面視したときに前記封止部により全体が覆われることを特徴とする請求項１１に記載の光電変換デバイス。
【請求項１３】
前記支持基板は光透過性を有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の光電変換デバイス。
【請求項１４】
前記封止部は光透過性を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の光電変換デバイス。
【請求項１５】
前記有機光電変換部は、少なくとも電子供与性有機材料と電子受容性有機材料とを含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１つに記載の光電変換デバイス。
【請求項１６】
撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換センサであって、
請求項１〜１５のいずれか１つに記載の光電変換デバイスと、
前記光電変換デバイスにおける前記支持基板上に実装されて前記複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段と、
を備えていることを特徴とする光電変換センサ。
【請求項１７】
撮像光学系と、該撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換センサとを備えた光電変換ユニットであって、
前記撮像光学系は、人工光源と、該人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または前記人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、
前記光電変換センサは請求項１６に記載の光電変換センサである、
ことを特徴とする光電変換ユニット。
【請求項１８】
撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて前記撮像光学系による前記原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変位手段と、前記光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、
前記光電変換ユニットは、請求項１７に記載の光電変換ユニットであることを特徴とする画像読取り装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光に応じて電気信号を生成する光電変換デバイスと、物体からの反射光や透過光を電気信号に変換する光電変換センサと、該光電変換センサを備えた光電変換ユニットと、該光電変換ユニットを備えた画像読取り装置とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
反射光や透過光を基に文字や図形等の各種情報を電気信号に変換する光電変換センサは、ファクシミリやスキャナ、デジタルカメラ等、幅広い製品で使用されている。この光電変換センサは、多数の光電変換素子によって入射光に応じた電気信号を生成する光電変換デバイスと、光電変換デバイスにより得た電気信号を読み出す読出し手段とを有する。上記の光電変換デバイスとしては、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）方式のものや、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）方式のもの等が知られており、近年では、フルカラーの画像データが得られるように、カラーフィルタを備えた光電変換デバイスや、（特許文献１）に記載された原稿読取り装置のように赤色光、緑色光および青色光の各光源（発光ダイオード）を備えた原稿読取り装置も開発されている。
【０００３】
ＣＭＯＳ方式やＣＣＤ方式の光電変換デバイスは、半導体基板に形成された多数の無機光電変換素子（フォトダイオード）によって入射光に応じた電気信号を生成するものであり、その作製には大掛かりな半導体プロセスが必要となる。このため、工数が非常に多く、半導体基板の大面積化が難しいことと相俟って低コスト化が困難であるという課題を有している。そこで、（非特許文献１）に記載されているように、有機光電変換材料によって光電変換層を形成することでコストの削減を図る試みがなされている。
【０００４】
有機光電変換材料は容易に溶液化することができ、スピンコート法やディッピング法等の非常に簡便な方法により薄膜化することができる。すなわち、有機光電変換部を容易に形成することができる。そして、一対の電極の間に有機光電変換部が配置された構造を有する有機光電変換素子は、その作製が容易であるにも拘わらず無機光電変換素子と同様の機能を発現できることから、今日、非常に注目を集めている。例えば（特許文献２）には、光電変換波長域が赤色光域の有機光電変化材料を用いた赤色センサと、緑色光域の有機光電変化材料を用いた青色センサと、青色光域の有機光電変化材料を用いた青色センサとを有する画像感知素子が記載されている。
【特許文献１】特開平３−２７４８５６号公報
【特許文献２】特表２００２−５０２１２０号公報
【非特許文献１】Ｇ．Ｙｕ，  Ｙ．Ｃａｏ，  Ｊ．Ｗａｎｇ，  Ｊ．ＭｃＥｌｖａｉｎ  ａｎｄ  Ａ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ，  Ｓｙｎｔｈ．  Ｍｅｔ，  １０２，  ９０４（１９９９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、有機光電変換素子を構成する第１電極、有機光電変換部、あるいは第２電極は水分や酸素等によってその特性が比較的低下し易く、特に有機光電変換部はその傾向が比較的強い。そのため、有機光電変換素子を用いた光電変換デバイスでは、有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下し易い。
【０００６】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑え易い光電変換デバイスと、この光電変換デバイスを用いた光電変換センサと、この光電変換センサを備えた光電変換ユニットと、この光電変換ユニットを備えた画像読取り装置とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成する本発明の光電変換デバイスは、支持基板と、支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、複数の有機光電変換素子の各々は、支持基板上に配置された第１電極と、第１電極上に配置された有機光電変換部と、有機光電変換部上に配置された第２電極とを有し、第１電極および第２電極の少なくとも一方は光透過性を有する光電変換デバイスであって、複数の有機光電変換素子を覆って該複数の光電変換素子を封止する封止部を有することを特徴とする。
【０００８】
上記の目的を達成する本発明の光電変換センサは、撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換センサであって、上記本発明の光電変換デバイスと、光電変換デバイスにおける支持基板上に実装されて複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段とを備えていることを特徴とする。
【０００９】
上記の目的を達成する本発明の光電変換ユニットは、撮像光学系と、撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換センサとを備えた光電変換ユニットであって、撮像光学系は、人工光源と、人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、光電変換センサは上記本発明の光電変換センサであることを特徴とする。
【００１０】
上記の目的を達成する本発明の画像読取り装置は、撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変位手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、光電変換ユニットは、上記本発明の光電変換ユニットであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光電変換デバイスは、有機光電変換素子を封止する封止部を有しているので、当該封止部により有機光電変換素子への水分や酸素等の侵入を防止することができる。有機光電変換素子の光電変換性能が水分や酸素等の侵入に起因して低下してしまうことが抑えられる。したがって、本発明によれば、有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑え易い光電変換デバイスを得ることが容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
第１の発明の光電変換デバイスは、支持基板と、該支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、複数の有機光電変換素子の各々は、支持基板上に配置された第１電極と、該第１電極上に配置された有機光電変換部と、該有機光電変換部上に配置された第２電極とを有し、第１電極および第２電極の少なくとも一方は光透過性を有する光電変換デバイスであって、複数の有機光電変換素子を覆って複数の光電変換素子を封止する封止部を有することを特徴とする。
【００１３】
この光電変換デバイスでは、有機光電変換素子への水分や酸素等の侵入が封止部により防止されるので、有機光電変換素子の光電変換性能が水分や酸素等の侵入に起因して低下してしまうことが抑えられる。したがって、有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑え易い。
【００１４】
第２の発明の光電変換デバイスは、上記第１の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、第１電極および第２電極の少なくとも一方は、平面視したときに封止部により全体が覆われる１つの導電層からなる。この光電変換デバイスでは、第１電極または第２電極への水分や酸素等の侵入が抑えられるので、有機光電変換素子の光電変換性能が水分や酸素等の侵入に起因して低下してしまうことが抑えられる。
【００１５】
第３の発明の光電変換デバイスは、上記第１の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、第１電極および第２電極の一方は、平面視したときに封止部により覆われる領域と覆われない領域とを有する導電層の一領域からなる。この光電変換デバイスでは、上記の導電層の一領域を第１電極または第２電極として利用し、他の領域を配線として利用することができるので、その製造コストを抑え易い。
【００１６】
第４の発明の光電変換デバイスは、上記第１〜３の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、有機光電変換部は、平面視したときに封止部により全体が覆われる１つの有機光電変換層または該有機光電変換層の一領域からなることを特徴とする。この光電変換デバイスでは、各有機光電変換素子の有機光電変換部が封止部により封止されるので、当該有機光電変換部への水分や酸素等の侵入が抑えられ、結果として、有機光電変換素子の光電変換性能が水分や酸素等の侵入に起因して低下してしまうことが抑えられる。
【００１７】
第５の発明の光電変換デバイスは、上記第１〜４の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、支持基板上に配置されたカラーフィルタ層を更に有し、該カラーフィルタ層上に第１電極が配置されていることを特徴とする。この光電変換デバイスを用いれば、当該光電変換デバイスがカラーフィルタ層を有していることから、カラーの画像データを得ることが容易になる。
【００１８】
第６の発明の光電変換デバイスは、上記第５の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、カラーフィルタ層は、平面視したときに封止部により全体が覆われることを特徴とする。この光電変換デバイスでは、カラーフィルタ層が封止部により封止されるので、当該カラーフィルタ層を介して有機光電変換素子に水分や酸素等が侵入することが抑えられ、結果として、有機光電変換素子の光電変換性能が水分や酸素等の侵入に起因して低下してしまうことが抑えられる。
【００１９】
第７の発明の光電変換デバイスは、上記第５，６の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、カラーフィルタ層を覆うオーバーコート層を更に有し、該オーバーコート層上に第１電極が配置されていることを特徴とする。この光電変換デバイスでは、カラーフィルタ層がオーバーコート層により覆われているので、カラーフィルタ層を介して有機光電変換素子に水分や酸素等が侵入することが更に抑えられる。
【００２０】
第８の発明の光電変換デバイスは、上記第７の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、オーバーコート層は、平面視したときに封止部により全体が覆われることを特徴とする。この光電変換デバイスでは、オーバーコート層が封止部により封止されるので、カラーフィルタ層およびオーバーコート層を介して有機光電変換素子に水分や酸素等が侵入することが更に抑えられる。
【００２１】
第９の発明の光電変換デバイスは、上記第１〜８の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、複数の有機光電変換素子の各々から電気的に絶縁されて配置され、複数の有機光電変換素子それぞれの周辺部に位置する遮光層を更に有することを特徴とする。この光電変換デバイスを用いれば、当該光電変換デバイスが遮光層を有することから、Ｓ／Ｎ比、色分解性および色再現性の高い画像読取り装置を得易くなる。
【００２２】
第１０の発明の光電変換デバイスは、上記第９の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、遮光層は、平面視したときに封止部により覆われる領域と覆われない領域とを有する導電層の一領域からなることを特徴とする。この光電変換デバイスでは、上記の導電層の一領域を遮光層として利用し、他の領域を配線として利用することができるので、その製造コストを抑え易い。
【００２３】
第１１の発明の光電変換デバイスは、上記第１〜１０の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、複数の有機光電変換素子それぞれの周囲に配置されて、複数の有機光電変換素子の各々を互いに電気的に分離する素子分離層を更に有することを特徴とする。この光電変換デバイスでは、隣り合う有機光電変換素子同士でのクロストークが上記の素子分離層により防止されるので、当該光電変換デバイスを用いればＳ／Ｎ比、色分解性および色再現性の高い画像読取り装置を得易くなる。
【００２４】
第１２の発明の光電変換デバイスは、上記第１１の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、素子分離層は、平面視したときに封止部により全体が覆われることを特徴とする。この光電変換デバイスでは、素子分離層が封止部により封止されるので、素子分離層を介して有機光電変換素子に水分や酸素等が侵入することが抑えられる。
【００２５】
第１３の発明の光電変換デバイスは、上記第１〜１２の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、支持基板は光透過性を有することを特徴とする。この光電変換デバイスでは、支持基板の表面を光入射面として利用することができるので、透明電極材料により第１電極を形成し、その上に有機光電変換部を介して第２電極を形成することが可能になるので、その製造が容易になる。
【００２６】
第１４の発明の光電変換デバイスは、上記第１〜１３の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、封止部は光透過性を有することを特徴とする。この光電変換デバイスでは、封止部が光透過性を有しているので、第１電極側および第２電極側のうちの任意の側を光入射面として利用することが可能である。
【００２７】
第１５の発明の光電変換デバイスは、上記第１〜１４の発明の光電変換デバイスに含まれるものであり、有機光電変換部は、少なくとも電子供与有機材料と電子受容性有機材料とを含むことを特徴とする。この光電変換デバイスでは、有機光電封止部に少なくとも電子供与有機材料と電子受容性有機材料とが含まれているので、個々の有機光電変換素子での光電変換効率を高め易い。
【００２８】
第１６の発明の光電変換センサは、撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換センサであって、本発明の光電変換デバイスと、この光電変換デバイスにおける支持基板上に実装されて複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段とを備えていることを特徴とする。この光電変換センサは、本発明の光電変換デバイスを備えているので、有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑え易い。
【００２９】
第１７の発明の光電変換ユニットは、撮像光学系と、該撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換センサとを備えた光電変換ユニットであって、撮像光学系は、人工光源と、該人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、光電変換センサは上記本発明の光電変換センサであることを特徴とする。この光電変換ユニットは、本発明の光電変換センサを備えているので、有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑え易い。
【００３０】
第１８の発明の画像読取り装置は、撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変位手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、光電変換ユニットは、上記本発明の光電変換ユニットであることを特徴とする。この画像読取り装置は、本発明の光電変換ユニットを備えているので、有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑え易い。
【００３１】
以下、本発明の光電変換デバイス、光電変換センサ、光電変換ユニットおよび画像読取り装置それぞれの実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
【００３２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の光電変換センサを概略的に示す一部切欠き平面図であり、図２は、図１に示した光電変換センサを概略的に示す断面図である。これらの図において、２０Ａは光電変換デバイス、２５は信号読出し手段、３０Ａは光電変換センサである。光電変換デバイス２０Ａは、本発明の光電変換デバイスの１つである。
【００３３】
上記の光電変換デバイス２０Ａは、光透過性を有する支持基板１（以下、「透明支持基板１」という。）と、透明支持基板１上に配置されたカラーフィルタ層３と、カラーフィルタ層３上にオーバーコート層５を介して配置された複数の有機光電変換素子１０と、１つの有機光電変換素子１０に１本ずつ設けられた信号読出し配線１１と、配線１３と、各有機光電変換素子１０を覆ってこれらの有機光電変換素子１０を封止する封止部１９Ａとを有している。
【００３４】
透明支持基板１は、例えばガラスや透明プラスチック等により形成されたシート状物や平板状物であり、当該透明支持基板１上にカラーフィルタ層３や有機光電変換素子１０が形成されている。また、信号読出し手段２５が実装されている。
【００３５】
カラーフィルタ層３は、透明支持基板１上に配置されて、各有機光電変換素子１０への入射光の波長域を規制する。図示のカラーフィルタ層３は赤色フィルタ層３Ｒと緑色フィルタ層３Ｇと青色フィルタ層３Ｂとからなり、これらは互いに平行なストライプ状に形成されている。また、オーバーコート層５はカラーフィルタ層３の上面および側面を覆って当該カラーフィルタ層３を保護している。
【００３６】
各有機光電変換素子１０は、オーバーコート層５上に配置された第１電極７と、第１電極７上に配置された有機光電変換部８と、有機光電変換部８上に配置された第２電極９とを有している。各第１電極７は有機光電変換素子１０毎に形成された個別電極であり、各有機光電変換部８は有機光電変換素子１０毎に形成された有機光電変換層からなっている。これに対し、各第２電極９は、個々の有機光電変換素子１０が１つの電極膜９Ａを共用したコモン構造をなしている。有機光電変換部８の各々を覆うようにして形成された１つの電極膜９Ａにおける互いに別個の一領域が、それぞれ、有機光電変換素子１０での第２電極９として機能する。
【００３７】
各信号読出し配線１１は、第１電極７の材料と同じ材料または別異の材料により形成された配線であり、１つの第１電極７に１本の信号読出し配線１１が接続されている。信号読出し配線１１を第１電極７の材料と同じ材料により形成する場合には、個々の信号読出し配線１１と該信号読出し配線１１に対応する第１電極７とを１つの導電層により形成することもできる。配線１３は、電極膜９Ａを所定の電位、例えば接地電位に保つためのものであり、その一端は電極膜９Ａに接続されている。
【００３８】
封止部１９Ａは極浅い箱状物であり、各有機光電変換素子１０を覆うようして透明支持基板１上に例えば接着剤（図示せず）により固着されて、各有機光電変換素子１０を封止している。ただし、個々の信号読出し配線１１における信号読出し手段２５側の端部および配線１３における信号読出し手段２５側の端部は、それぞれ封止部１９Ａの外側にまで延在して、信号読出し手段２５に接続されている。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８および電極膜９Ａは、これらを平面視したときに全体が封止部１９Ａにより覆われて、当該封止部１９Ａにより封止されている。
【００３９】
信号読出し手段２５は、コンデンサ機能、スイッチング機能、リセット機能等の機能を有する集積回路を備えており、有機光電変換素子１０に生じた電気信号を信号読出し配線１１を通じて読み出す。図１および図２には１個の信号読出し手段２５のみが現れているが、所定数の有機光電変換素子１０に１つの信号読出し手段２５が対応するようにして、透明支持基板１上に信号読出し手段２５を複数個配置することもできる。
【００４０】
上述した構成を有する光電変換センサ３０Ａは、個々の有機光電変換素子１０での第１電極７側を光入射面として利用するものであり、透明支持基板１側から光Ｌ（図２参照）が照射されると各有機光電変換部８で光吸収が起こり、励起子が形成される。この励起子は極短時間でキャリア（正孔と電子）に分離し、電子は負極（例えば第２電極９）へと移動し、正孔は正極（例えば第１電極７）へと移動する。これにより第１電極７と第２電極９との間に起電力が生じ、結果として有機光電変換素子１０に起電力が生じる。
【００４１】
個々の有機光電変換素子１０での起電力の大きさ（強さ）は、有機光電変換部８に入射した光のエネルギーに応じて変化する。したがって、各有機光電変換素子１０に生じた起電力（電気信号）を当該有機光電変換素子１０毎に信号読出し手段２５により検出する（読み出す）ことで、所望の画像データを得ることが可能になる。光電変換センサ３０Ａをスキャナやファクシミリ等の画像読取り装置における光電変換ユニットの一構成部材として用いることにより、情報の有無による反射光強度の差異あるいは透過光強度の差異をそれに対応した起電力の差異として検出して、画像データを得ることができる。
【００４２】
上述の光電変換センサ３０Ａでは、光電変換デバイス２０Ａを構成している各有機光電変換素子１０が封止部１９Ａにより封止されているので、個々の有機光電変換素子１０への水分や酸素等の侵入が防止される。そのため、各有機光電変換素子１０の光電変換性能が水分や酸素等の侵入に起因して低下してしまうことが抑えられる。したがって、光電変換デバイス２０Ａおよび有機光電センサ３０Ａでは、各有機光電変換素子１０の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑えることが容易である。
【００４３】
（実施の形態２）
本発明の光電変換デバイスにおいては、各第１電極を覆うようにして形成された１つの有機光電変換層における互いに別個の一領域を、個々の有機光電変換素子での有機光電変換部として機能させることもできる。
【００４４】
図３は、本発明の１つの有機光電変換層における互いに別個の一領域が個々の有機光電変換素子での有機光電変換部として機能する光電変換デバイスを備えた光電変換センサの一例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換センサ３０Ｂは、上記の有機光電変換層８Ａを有する光電変換デバイス２０Ｂを備えているという点を除いて、図１または図２に示した光電変換センサ３０Ａと同様の構成を有している。図３に示す構成部材のうちで図２に示した構成部材と共通するものについては、図２で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００４５】
上記の有機光電変換層８Ａは、各第１電極７を覆うようにしてこれらの第１電極７上に形成されており、当該有機光電変換層８Ａにおける互いに別個の一領域が個々の有機光電変換素子１０での有機光電変換部８として機能する。電極膜９Ａおよび有機光電変換層８Ａの各々は、平面視したときにその全体が封止部１９Ａにより覆われて、その下の各第１電極７、およびカラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５と共に当該封止部１９Ａにより封止されている。
【００４６】
このような構成を有する光電変換デバイス２０Ｂおよび該光電変換デバイス２０Ｂを備えた光電変換センサ３０Ｂでは、実施の形態１で説明した光電変換デバイス２０Ａまたは光電変換センサ３０Ａ（図１または図２参照）におけるのと同様の理由から、各有機光電変換素子１０の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑えることが容易である。
【００４７】
（実施の形態３）
本発明の光電変換デバイスにおいては、複数の有機光電変換素子それぞれの周辺部に位置するようにして遮光層を設けることができる。この遮光層は、各有機光電変換素子から電気的に絶縁されて配置されて、個々の有機光電変換素子への光の入射を規制する。
【００４８】
図４は、上記の遮光層の一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図５は、本発明の遮光層を有する光電変換デバイスを備えた光電変換センサの一例を概略的に示す断面図である。図４または図５に示す構成部材のうちで図２に示した構成部材と共通するものについては、図２で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
図４または図５に示す遮光層１５は、複数の有機光電変換素子１０それぞれの周辺部に位置するようにして透明支持基板１上に形成された１つの層からなり、当該遮光層１５と各有機光電変換素子１０との間には、図５に示すように、フィルタ層３およびオーバーコート層５が介在している。すなわち、遮光層１５と各有機光電変換素子１０とは、互いに電気的に絶縁されている。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、遮光層１５、各第１電極７、各有機光電変換部８および電極膜９Ａは、これらを平面視したときに全体が封止部１９Ａにより覆われて、当該封止部１９Ａにより封止されている。
【００５０】
このような構成を有する光電変換デバイス２０Ｃおよび該光電変換デバイス２０Ｃを備えた光電変換センサ３０Ｃでは、実施の形態１で説明した光電変換デバイス２０Ａまたは光電変換センサ３０Ａ（図１または図２参照）におけるのと同様の理由から、各有機光電変換素子１０の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑えることが容易である。また、光電変換デバイス２０Ｃが遮光層１５を有していることから、各有機光電変換素子１０への不所望の光の入射を遮光層１５により抑えて、光電変換センサ３０ＣでのＳ／Ｎ比を高めることや、光電変換センサ３０Ｃを用いた画像読取り装置での色分解性および色再現性を高めることが容易である。
【００５１】
（実施の形態４）
本発明の光電変換デバイスにおいては、複数の有機光電変換素子それぞれの周囲に位置するようにして素子分離層を設けることができる。この素子分離層は、複数の有機光電変換素子の各々を互いに電気的に分離する。
【００５２】
図６は、上記の素子分離層の一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図７は、本発明の素子分離層を有する光電変換デバイスを備えた光電変換センサの一例を概略的に示す断面図である。図６または図７に示す構成部材のうちで図２に示した構成部材と共通するものについては、図２で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００５３】
図６または図７に示す素子分離層１７は、複数の有機光電変換素子１０それぞれの周囲に位置するようにしてオーバーコート層５上に形成された１つの電気絶縁層からなり、隣り合う有機光電変換素子１０同士は当該素子分離層１７により互いに電気的に絶縁されている。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８、素子分離層１７および電極膜９Ａは、これらを平面視したときに全体が封止部１９Ａにより覆われて、当該封止部１９Ａにより封止されている。
【００５４】
このような構成を有する光電変換デバイス２０Ｄおよび該光電変換デバイス２０Ｄを備えた光電変換センサ３０Ｄでは、実施の形態１で説明した光電変換デバイス２０Ａまたは光電変換センサ３０Ａ（図１または図２参照）におけるのと同様の理由から、各有機光電変換素子１０の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑えることが容易である。また、光電変換デバイス２０Ｄが素子分離層１７を有していることから、隣り合う有機光電変換素子１０同士でのクロストークを素子分離層１７により抑えて、光電変換センサ３０ＤでのＳ／Ｎ比を高めることや、光電変換センサ３０Ｄを用いた画像読取り装置での色分解性および色再現性を高めることが容易である。
【００５５】
（実施の形態５）
本発明の光電変換デバイスにカラーフィルタ層および該カラーフィルタ層を覆うオーバーコート層を設ける場合には、オーバーコート層における信号読出し手段側の側面を順テーパ状に成形する、すなわち信号読出し手段に向かって下り勾配の斜面にすることが好ましい。
【００５６】
図８は、本発明の信号読出し手段側の側面が順テーパ状に成形されたオーバーコート層を有する光電変換デバイスを備えた光電変換センサの一例を概略的に示す断面斜視図であり、図９は、図８に示した光電変換センサを概略的に示す他の断面斜視図である。
【００５７】
これらの図に示す光電変換センサ３０Ｅは、信号読出し手段側の側面５ａが順テーパ状に成形されたオーバーコート層５Ａを有する光電変換デバイス２０Ｅを備えている。また、直列に配置された複数の信号読出しを有している。図８および図９においては、３つの信号読出し手段２５ａ〜２５ｃが現れている。光電変換センサ３０Ｅにおける他の構成は、図７に示した光電変換センサ３０Ｄと同様であるので、図８または図９に示す構成部材のうちで図７に示した構成部材と共通するものについては、図７で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。なお、図８、図９において参照符号「１」で示す矢印は、光電変換センサ３０Ｅに入射する光を示している。
【００５８】
このような構成を有する光電変換デバイス２０Ｅおよび光電変換センサ３０Ｅは、実施の形態４で説明した光電変換デバイス２０Ｄまたは光電変換センサ３０Ｄ（図７参照）におけるのと同様の理由から、各有機光電変換素子１０（図８参照）の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑えることが容易である。また、オーバーコート層５Ａにおける信号読出し手段側の側面５ａが順テーパ状に成形されているので、各信号読出し配線１１を形成する際に当該信号読出し配線１１の断線を防止し易い。
【００５９】
（実施の形態６〜１１）
本発明の光電変換デバイスにおける封止部の構造は、実施の形態１〜４で説明した構造に限定されるものではなく、適宜選定可能である。以下、図１０（ａ）〜図１０（ｇ）を参照して、封止部の他の例について説明する。
【００６０】
図１０（ａ）〜図１０（ｇ）は、実施の形態６〜１２に係る光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図である。図１０（ａ）〜図１０（ｇ）に示す構成部材のうちで図２に示した構成部材と共通するものについては、図２で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００６１】
図１０（ａ）は、実施の形態６に係る光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換センサ３０Ｆでの光電変換デバイス２０Ｆは、ガラス層からなる封止部１９Ｂを有している。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８および電極膜９Ａは、これらを平面視したときに全体が封止部１９Ｂにより覆われて、封止部１９Ｂにより封止されている。
【００６２】
図１０（ｂ）は、実施の形態７に係る光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換センサ３０Ｇでの光電変換デバイス２０Ｇは、例えばガラス製の箱状の封止部１９Ｃを有している。この封止部１９Ｃは、実施の形態１〜４で説明した封止部１９Ａ（図２参照）よりも大形である。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８、電極膜９Ａ、各信号読出し配線１１、配線１３（図１参照）および信号読出し手段２５は、これらを平面視したときに全体が封止部１９Ｃにより覆われて、封止部１９Ｃにより封止されている。
【００６３】
図１０（ｃ）は、実施の形態８に係る光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換センサ３０Ｈでの光電変換デバイス２０Ｈは、ガラス層からなる封止部１９Ｄを有している。この封止部１９Ｄは、実施の形態５で説明した封止部１９Ｂ（図１０（ａ）参照）よりも大形である。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８、電極膜９Ａ、各信号読出し配線１１、配線１３（図１参照）および信号読出し手段２５は、これらを平面視したときに全体が封止部１９Ｄにより覆われて、封止部１９Ｄにより封止されている。
【００６４】
図１０（ｄ）は、実施の形態９に係る光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換センサ３０Ｉでの光電変換デバイス２０Ｉは、樹脂層１９Ｅ1と該樹脂層１９Ｅ1上に固着された例えばガラス製の平板状部材１９Ｅ2とを有する封止部１９Ｅを備えている。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８および電極膜９Ａは、これらを平面視したときに全体が樹脂層１９Ｅ1により覆われて、樹脂材料１９Ｅ1とその上の平板状部材１９Ｅ2とを有する封止部１９Ｅにより封止されている。
【００６５】
図１０（ｅ）は、実施の形態１０に係る光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換センサ３０Ｊでの光電変換デバイス２０Ｊは、樹脂層１９Ｆ1と例えばガラス製の箱状部材１９Ｆ2とを有する封止部１９Ｆを備えている。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８および電極膜９Ａは、これらを平面視したときに全体が箱状部材１９Ｆ2により覆われて、箱状部材１９Ｆ2と透明支持基板１とによって形成される空間内に充填された樹脂層１９Ｆ1により封止されている。
【００６６】
図１０（ｆ）は、実施の形態１１に係る光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換センサ３０Ｋでの光電変換デバイス２０Ｋは、例えば樹脂により形成されたスペーサ部１９Ｇ1と例えばガラス製の平板状部材１９Ｇ2とにより構成された封止部１９Ｇを備えている。スペーサ部１９Ｇ1は、平面視上、カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５と各第１電極７と各有機光電変換部８と電極膜９Ａとを囲繞しており、その上に平板状部材１９Ｇ2が固着されている。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８および電極膜９Ａは、これらを平面視したときに全体が封止部１９Ｇにより覆われて、封止部１９Ｇにより封止されている。
【００６７】
図１０（ｇ）は、実施の形態１２に係る光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換センサ３０Ｌでの光電変換デバイス２０Ｌは、樹脂層からなる封止部１９Ｈを有している。カラーフィルタ層３を覆うオーバーコート層５、各第１電極７、各有機光電変換部８および電極膜９Ａは、これらを平面視したときに全体が封止部１９Ｈにより覆われて、封止部１９Ｈにより封止されている。
【００６８】
上述した各光電変換デバイス２０Ｆ〜２０Ｌおよび各光電変換センサ３０Ｆ〜３０Ｌでは、実施の形態１で説明した光電変換デバイス２０Ａまたは光電変換センサ３０Ａ（図１または図２参照）におけるのと同様の理由から、各有機光電変換素子１０の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑えることが容易である。
【００６９】
（実施の形態１３）
本発明の光電変換ユニットは、例えばファクシミリやイメージスキャナ等の画像読取り装置の一構成要素であり、撮像光学系と上述した本発明の光電変換センサとを備えている。当該光電変換ユニットは、反射型および透過型のいずれの型の画像読取り装置にも用いることができる。
【００７０】
図１１は、本発明の光電変換ユニットの一例を概略的に示す斜視図である。同図に示す光電変換ユニット５０は反射型の画像読取り装置に用いられるものである。当該光電変換ユニット５０は、実施の形態１で説明した光電変換センサ３０Ａと撮像光学系４５とを備えており、撮像光学系４５によって形成される原稿等の被撮像物５５の像を光電変換センサ３０Ａにより電気信号に変換する。
【００７１】
上記の撮像光学系４５は、人工光源４１と、該人工光源４１から出射して被撮像物５５で反射した光を結像させる光学系４３とを有している。人工光源４１は、例えば赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、および青色発光ダイオードが所定個ずつ配置された線状光源や、白色蛍光灯等であり、斜め上方に向けて光を出射する。また、光学系４３は、例えば多数のロッドレンズ４３ａを有するロッドレンズアレイであり、人工光源４１から出射して被撮像物５５で反射した光を鉛直方向下向きに導波させて、当該光学系４３の鉛直方向下方に画像を形成する。なお、人工光源４１、光学系４３、および光電変換センサ３０Ａは、図示を省略した１つの保持部材にそれぞれ保持されて図１２に示す位置関係に保たれている。
【００７２】
撮像光学系４５による被撮像物５５の像は、光電変換センサ３０Ａにおける光電変換デバイス上に形成され、光電変換センサ３０Ａによって前述のように電気信号に変換される。このように構成された光電変換ユニット５０では、当該光電変換ユニット５０が光電変換センサ３０Ａを備えていることから、実施の形態１で説明した理由と同様の理由により、各有機光電変換素子１０（図２参照）の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑えることが容易である。
【００７３】
（実施の形態１４）
本発明の画像読取り装置は、例えばファクシミリやスキャナのように原稿の像を電気信号に変換して画像データを得るものであり、当該画像読取り装置は、上述した本発明の光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変位手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えている。この画像読取り装置は、反射型および透過型のいずれであってもよい。
【００７４】
図１２は、本発明の画像読取り装置の一例を概略的に示す斜視図であり、図１３は、図１２に示す画像読取り装置の内部構造を示す概略図である。これらの図に示す画像読取り装置９０は、自動原稿送り部７０と、自動原稿送り部７０内に配置された２つの光電変換ユニット５０ａ，５０ｂ（図１３参照）と、フラットベッド部７５と、フラットベット部７５内に配置された１つの光電変換ユニット５０ｃと、自動原稿送り部７０内に配置された画像データ作成部８０とを備えている。各光電変換ユニット５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、いずれも本発明の光電変換ユニットに含まれるものであり、例えば実施の形態１３で説明した光電変換ユニット５０と同じ構造を有している。
【００７５】
上記の自動原稿送り部７０は、原稿９５（図１３参照）を載せる給紙台６１と、給紙台６１上に載せられた原稿９５を当該自動原稿送り部７０の内部に１枚ずつ供給した後に排紙口６３からフラットベット部７３上に排紙する原稿送り手段６９とを有している。図１３には、原稿送り手段６９を構成する１つのガイドローラ６５と、３対のガイドローラ６６，６７，６８が示されている。
【００７６】
この自動原稿送り部７０では、原稿送り手段６９によって給紙台６１から当該自動原稿送り部７０内に供給された原稿９５が、まず、ガイドローラ６５によって１対のガイドローラ６６間に導かれ、その後、１対のガイドローラ６７間および１対のガイドローラ６８間にこの順番で導かれて、排紙口６３からフラットベット部７５上に排紙される。上述した２つの光電変換ユニット５０ａ，５０ｂは、いずれも、１対のガイドローラ６７と１対のガイドローラ６８との間に固定配置されている。光電変換ユニット５０ａは原稿９５の下方から当該原稿９５を撮像して、このときの像を電気信号に変換する。また、光電変換ユニット５０ｂは原稿９５の上方から当該原稿９５を撮像して、このときの像を電気信号に変換する。
【００７７】
原稿９５が原稿送り手段６９によって上述のように搬送されることから、各光電変換ユニット５０ａ，５０ｂと原稿９５とが相対的に移動することとなり、光電変換ユニット５０ａ，５０ｂの各々での撮像光学系による原稿９５の撮像位置が変位する。原稿送り手段６９は、各光電変換ユニット５０ａ，５０ｂと原稿９５とを相対的に移動させて、光電変換ユニット５０ａ，５０ｂによる原稿９５の撮像位置を変位させる撮像位置変位手段として機能する。
【００７８】
一方、フラットベット部７５は、ガラス等の透明材料で形成された原稿台７１と、原稿台７１を覆って遮光する原稿台カバー７３とを有している。光電変換ユニット５０ｃは原稿台７１の下方に配置されており、図示を省略した移動手段により水平方向に移動しながら原稿９５の下方から当該原稿９５を撮像して、このときの像を電気信号に変換する。光電変換ユニット５０ｃが移動手段によって上述のように移動することから、当該光電変換ユニット５０ｃと原稿９５とが相対的に移動することとなり、光電変換ユニット５０ｃでの撮像光学系による原稿９５の撮像位置が変位する。上記の移動手段は、光電変換ユニット５０ｃによる原稿９５の撮像位置を変位させる撮像位置変位手段として機能する。
【００７９】
画像データ作成部８０は、各光電変換ユニット５０ａ，５０ｂ，５０ｃに接続された状態で自動原稿送り部７０内に配置されて、個々の光電変換ユニット５０ａ，５０ｂ，５０ｃが作成した電気信号を基に当該電気信号に対応した画像データを作成する。
【００８０】
このように構成された原稿読取り装置９０では、光電変換ユニット５０ａ，５０ｂ，５０ｃの各々が本発明の光電変換ユニットであることから、実施の形態１３で説明した理由と同様の理由により、光電変換ユニットを構成している各有機光電変換素子１０（図２参照）の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑えることが容易である。
【００８１】
以上、実施の形態を挙げて本発明の光電変換デバイス、光電変換センサ、光電変換ユニット、および画像読取り装置についてそれぞれ説明したが、前述のように、本発明はこれらの形態に限定されるものではない。例えば、光電変換デバイスを構成する各部材の材料は、作製しようとする光電変換デバイスに求められる性能や当該光電変換デバイスの用途等に応じて適宜選定可能である。
【００８２】
例えば、有機光電変換素子が配置される支持基板としては、所望の機械的強度および熱的強度を有する無機材料製または有機材料製のものが適宜選定され、個々の有機光電変換素子での第１電極側を光入射面として利用する場合には透明基板が用いられる。支持基板は電気絶縁性を有していることが好ましいが、有機光電変換素子の動作を妨げない範囲で、あるいは光電変換デバイスの用途によっては、導電性を有していてもよい。
【００８３】
このような基板の材料としては、（１）ソーダ石英ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、フッ化物ガラス等の無機ガラス、（２）ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂等の有機高分子化合物、（３）Ａｓ2Ｓ3、Ａｓ40Ｓ10、Ｓ40Ｇｅ10等のカルコゲナイドガラス、（４）酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化チタン等の金属酸化物および窒化ケイ素等の金属窒化物、（５）顔料等により着色された透明基板材料、および（６）表面に絶縁処理を施した金属材料、等を用いることができる。さらには、特定波長のみを透過する材料や、光−光変換機能により入射光を特定の波長の光に変換する材料等を用いることもできる。支持基板は、単層構造とする他に、複数の基板材料が積層された積層構造とすることもできる。
【００８４】
有機光電変換素子を構成する第１電極および第２電極のうちのどちらを正極とし、どちらを負極とするかは、適宜選択可能である。いずれにしても、個々の有機光電変換素子での光入射面として利用する側の電極については、透明電極とすることが好ましい。本発明の光電変換デバイスを構成する各有機光電変換素子は、第１電極側を光入射面として機能させることは勿論、第２電極側を光入射面として機能させることも可能である。
【００８５】
上記の透明電極の材料としては、（１）インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ；塗布型ＩＴＯを含む。）、酸化スズ、酸化亜鉛、インジウム亜鉛酸化物、アンチモンドープ酸化スズ、アルミニウムドープ酸化亜鉛等の透明導電性酸化物、（２）アルミニウム、銅、チタン、銀、インジウム、マグネシウム、チタン、銀、カルシウム、ストロンチウム等の金属の薄膜や、これらの金属の混合薄膜、積層薄膜といった金属薄膜、（３）ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェン（以下、「ＰＥＤＯＴ」と略記する。）、ポリフェニレンビニレン（以下、「ＰＰＶ」と略記する。）、ポリフルオレン等の導電性高分子化合物、等を用いることができる。
【００８６】
透明電極の形成は、例えば、該透明電極の元となる膜をその材料に応じて真空蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等の物理的気相蒸着法、あるいは各種の重合法（電界重合法等）等により形成した後、当該膜をリソグラフィ法（フォトリソグラフィ法、電子線リソグラフィ法等）とエッチング法とを利用して所定形状にパターニングすることで行われる。所定形状のマスクを用いた物理的気相蒸着法や重合法により所望形状の透明電極を直接形成することも可能である。
【００８７】
透明電極は、十分な導電性を持たせるために、あるいは支持基板表面の凹凸に起因する有機光電変換部への不均一な光入射を防ぐために、１ｎｍ以上の厚さにすることが望ましい。また、十分な透明性を持たせるために５００ｎｍ以下の厚さにすることが望ましい。
【００８８】
有機光電変換素子を構成する第１電極および第２電極のうちで負極として利用する電極の材料としては、有機光電変換部で生じた電子を効率よく取り出すことができるように、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、チタン、銀、カルシウム、ストロンチウム等の金属や、これらの金属を含有した合金、あるいは前記の金属を含有した導電性の酸化物もしくはフッ化物等が用いられる。これらの材料からなる負極の形成は、例えば抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等の物理的気相蒸着法により行うことができる。
【００８９】
なお、第１電極および第２電極のいずれについても、その構造は単層構造とすることもできるし、積層構造とすることもできる。また、有機光電変換部での光電変換効率を高めるうえからは、第１電極および第２電極のうちで光入射面側に位置する電極とは反対側の電極については、光電変換に寄与することなく当該電極に達した光を再び有機光電変換部へ供給して光電変換に寄与させることができるように、光反射率の高い材料によって形成することが好ましい。第１電極や第２電極の平面形状は四角形に限定されるものではなく、四角形以外の多角形や楕円形（円形を含む。）等、所望の形状とすることができる。
【００９０】
必要に応じて、有機光電変換層の材料の１つである後述の電子供与性材料よりも低い仕事関数を有すると共に正極よりも高い仕事関数を有する物質からなる正極バッファ層を、正極と有機光電変換部との間に介在させることもできる。また、フッ化リチウムをはじめとする金属フッ化物や金属酸化物等、有機光電変換層の材料の１つである後述の電子受容性材料よりも高い仕事関数を有すると共に負極よりも低い仕事関数を有する物質からなる負極バッファ層を、負極と有機光電変換部との間に介在させることができる。
【００９１】
有機光電変換層や有機光電変換部は、例えば電子供与性材料と電子受容性材料とを用いて形成される。このとき、電子供与性材料としては、（１）フェニレンビニレンおよびその誘導体、フルオレンおよびその誘導体（骨格にキノリン基またはピリジン基を有するフルオレン系コポリマー（Ｐ０Ｆ６６、Ｐ１Ｆ６６、ＰＦＰＶ等）等）、フルオレン含有アリールアミンポリマー、カルバゾールおよびその誘導体、インドールおよびその誘導体、ピレンおよびその誘導体、ピロールおよびその誘導体、ピコリンおよびその誘導体、チオフェンおよびその誘導体、アセチレンおよびその誘導体、ジアセチレンおよびその誘導体等の重合体ならびにその誘導体、（２）デンドリマーとして総称される一群の高分子材料、（３）ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物、（４）１，１−ビス（４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）−ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２，２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール等の芳香族第三級アミン、（５）４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−（４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル）スチルベン等のスチルベン化合物、等を用いることができる。
【００９２】
さらには、トリアゾールおよびその誘導体、オキサジアゾールおよびその誘導体、イミダゾールおよびその誘導体、ポリアリールアルカンおよびその誘導体、ピラゾリンおよびその誘導体、ピラゾロンおよびその誘導体、フェニレンジアミンおよびその誘導体、アリールアミンおよびその誘導体、アミノ置換カルコンおよびその誘導体、オキサゾールおよびその誘導体、スチリルアントラセンおよびその誘導体、フルオレノンおよびその誘導体、ヒドラゾンおよびその誘導体体、シラザンおよびその誘導体、ポリシラン系アニリン系共重合体、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポリ３−メチルチオフェン等も用いることができる。なお、電子供与性材料は、化学的に修飾して吸収波長特性を調整することも可能である。
【００９３】
また、電子受容性材料としては、上述した電子供与性材料と同様の低分子および高分子材料の他に、次の（ｉ）〜（ｖｉ）の化合物を繰り返し単位とする重合体、すなわち（ｉ）１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン等のオキサジアゾールおよびその誘導体、（ｉｉ）フルオレンおよびその誘導体、（ｉｉｉ）  アントラキノジメタンおよびその誘導体、（ｉｖ）ジフェニルキノンおよびその誘導体、（ｖ）フラーレンおよびその誘導体（［５，６］−フェニル  Ｃ６１  酪酸メチルエステル、［６，６］−フェニル  Ｃ６１  酪酸メチルエステル等）、（ｖｉ）カーボンナノチューブおよびその誘導体等を繰り返し単位とする重合体や、上記（ｉ）〜（ｖｉ）の化合物と他のモノマーとの共重合体等が用いられる。さらには、デンドリマーとして総称される一群の高分子材料を用いることもできる。なお、電子受容性材料は、化学的に修飾して吸収波長特性を調整することも可能である。
【００９４】
有機光電変換層や有機光電変換部の形成は、使用する材料に応じて、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等の真空プロセスやスピンコート法、ディッピング法、インクジェット法等のウェットプロセスにより行うことができ、ウェットプロセスにより有機光電変換層を形成した場合には、低コスト、高生産性の下に光電変換デバイスを得ることが容易になる。
【００９５】
電子供与性材料と電子受容性材料とを用いて有機光電変化層または有機光電変換部を形成する場合、これら電子供与性材料および電子受容性材料は、互いに混合物を形成していてもよいし、互いに分離していてもよい。
【００９６】
図１４は、有機光電変換部の一例を概略的に示す断面図である。同図に示す有機光電変換部８Ｂでは電子供与性材料８ａと電子受容性材料８ｂとが混合物状態にある。ここで、上記の「混合物」とは、液相または固相の材料を容器に入れ、必要に応じて溶剤を添加したうえで攪拌等により混ざり合わせた状態のものをいい、これをスピンコート法やインクジェット法等で成膜したものを含む。また、電子供与性材料と電子受容性材料との混合状態は均一である必要はなく、不均一に混ざっていてもよいし、一部のみが混合物を形成していてもよい。
【００９７】
また、図１５は、有機光電変換部の他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す有機光電変換部８Ｃでは電子供与性材料８ａと電子受容性材料８ｂとが互いに別個の層をなす。それぞれの層は完全に分離していなくてもよく、電子供与性材料８ａと電子受容性材料８ｂとの層間の一部が混合状態であってもよい。電子供与性材料８ａからなる層と電子受容性材料８ｂからなる層とを完全に分離させようとする場合には、例えば、電子供与性材料８ａからなる層と電子受容性材料８ｂからなる層とをそれぞれ別個に成膜する。なお、図１４中および図１５中の参照符号「７」は第１電極を示しており、参照符号「９」は第２電極を示している。
【００９８】
電子供与性材料８ａと電子受容性材料８ｂとが互いに混合物を形成していても互いに分離していても、有機光電変換層で生じたキャリアのうちの電子は電子受容性材料８ｂを通じて負極へ移動し、正孔は電子供与性材料８ａを通じて正極へと移動する。
【００９９】
カラーフィルタ層を設ける場合、当該カラーフィルタ層は、例えば原色系または補色系の複数種の色フィルタ層により構成される。原色系のカラーフィルタ層は、赤、緑、および青の３原色の色フィルタ層によって構成する他に、第４の色、例えばオレンジの色フィルタ層を加えた４色のフィルタ層によって構成することもできる。カラーフィルタ層は、例えば所望の染料や顔料等の色材で着色された有機組成物（例えばカラーレジン）により形成した層をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで形成される。また、色材で着色された所望の有機組成物を印刷法、インクジェット法、蒸着法等の方法で所定パターンに塗工したり、電着法により所定箇所に堆積させたりすることでも形成することができる。カラーフィルタ層を構成する各色のフィルタの配置は、図１に示した配置に限定されるものではなく、適宜選定可能である。
【０１００】
カラーフィルタ層を覆うオーバーコート層は、耐熱性および耐溶剤性に優れている他に、平坦性、密着性、透明性、耐光性、耐熱変色性、保存安定性等にも優れているものであることが好ましく、このようなオーバーコート層の原料としては、例えばアクリル系、エポキシ系、ポリイミド系、シロキサン系、アルキル系等の光硬化性または熱硬化性の樹脂組成物等が用いられる。光硬化性または熱硬化性の樹脂組成物を用いてオーバーコート層を形成する場合には、当該樹脂組成物をスピンコート法等の方法で塗工して塗膜を形成した後、この塗膜に所定波長域の光を照射して半硬化させてから所定形状にパターニングするか、または熱処理を施して半硬化させてから所定形状にパターニングし、その後、光照射または熱処理により完全に硬化させる。
【０１０１】
遮光層を設ける場合、当該遮光層は、例えばカーボン等の色材を含有した有機高分子材料や、光反射性もしくは光吸収性に優れたクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）等の金属、あるいは黒鉛等の炭素系材料等によって形成することができる。また、赤色に着色された有機高分子材料と緑色に着色された有機高分子材料と青色に着色された有機高分子材料とを重ね合わせることで遮光層を形成することもできる。上記色材で着色された有機高分子材料におけるベース材料としては、例えばポリイミド系樹脂のように耐光性、耐熱性、保存安定性等に優れた感光性または熱硬化性のものが好適に用いられる。遮光層を形成するにあたっては、その材料に応じて、スパッタ法、フォトリソグラフィ法とエッチング法とを組み合わせた方法、無電解メッキ法、電着法、印刷法等の方法が適宜適用される。カラーフィルタ層において互いに隣り合う色フィルタ層同士の間に遮光層を設ける場合、当該遮光層としては光学濃度が２．０以上（遮光率９９％以上）のものが好ましい。
【０１０２】
素子分離層を設ける場合、当該素子分離層の材料としては電気絶縁性材料、例えばポリイミド系樹脂等の有機高分子材料やセラミック等が用いられる。有機高分子材料により素子分離層を形成するにあたっては、その材質に応じて、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法、電着法等の方法を適用することができる。生産性を高めるという観点からは、熱硬化性樹脂よりも感光性樹脂を用いて素子分離層を形成する方が好ましい。
【０１０３】
また、セラミックを用いて素子分離層を形成するときには、例えば、ケイ素酸化物やアルミニウム酸化物等の無機酸化物、ケイ素窒化物等の無機窒化物、ケイ素酸窒化物等の無機酸窒化物、電気絶縁性の無機フッ素化合物等からなる層をＰＶＤ（物理的気相蒸着）法またはＣＶＤ（化学的気相蒸着）法により形成し、当該層を例えばフォトリソグラフィ法とエッチング法とによって所定形状にパターニングする。素子分離層の材料に用いるセラミックとしては、ケイ素窒化物やケイ素酸化窒化物等、ケイ素原子を含んだセラミックが好ましい。
【０１０４】
必要に応じて、素子分離層には遮光層としての機能を付与することができる。遮光層としての機能が付与された素子分離層は、例えば上述した遮光層の材料（ただし、電気絶縁性材料に限る。）を所定形状に成形することで得られる。
【０１０５】
信号読出し配線は、第１電極と同じ材料によって形成することもできるし、第２電極と同じ材料によって形成することもできるし、上述の遮光層として導電性の遮光層を設ける場合には当該遮光層と同じ材料によって形成することもできる。さらには、他の導電性材料、例えば金により形成することもできる。また、複数種の導電性材料の混合物や、各層が互いに異なる導電性材料からなる積層物によって当該信号読出し配線を形成することもできる。この信号読出し配線を他の部材（第１電極、第２電極、または遮光層）と同じ材料によって形成する場合には、当該配線の一部または全部を上記の部材と一緒に形成してもよし、別々に形成してもよい。
【０１０６】
封止部の材料としては、箱状あるいは平板状に成形されたガラスや、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化リチウム等からなる無機膜、ゾル−ゲル法によるガラス膜、あるいは熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂、封止効果のあるシラン系高分子材料等からなる有機膜等を用いることができる。また、熱硬化性樹脂組成物や光硬化性樹脂組成物、封止効果のあるシラン系高分子組成物等を接着剤として用いて支持基板上にガラス板を固着させることで形成することもできる。
【０１０７】
有機光電変換素子への水分や酸素等の侵入を封止部により防止するという観点からは、個々の有機光電変換素子における第１電極および第２電極の少なくとも一方ならびに有機光電変化部を封止部によって封止することが好ましい。
【０１０８】
例えば、図１６（ａ）に示すように層Ｌ1全体が封止部１９により覆われていれば、当該層Ｌ1への水分や酸素等の侵入を封止部１９により防止し易い。また、図１６（ｂ）〜図１６（ｄ）に示すように、平面視したときにその全体が封止部１９により覆われる層Ｌ1，Ｌ2またはＬ3の他に、平面視したときに一部が封止部１９の外側にまで延在する層Ｌ5，Ｌ6またはＬ7があったとしても、有機光電変換素子への水分や酸素等の侵入を封止部１９により防止することが比較的容易である。ただし、図１６（ｅ）や図１６（ｆ）に示すように、封止対象の全ての層Ｌ10，Ｌ11が部分的に封止部１９の外側にまで延在していると、有機光電変換素子への水分や酸素等の侵入を封止部１９により防止することが困難になる。なお、図１６（ａ）〜図１６（ｆ）における参照符号「１」は、透明支持基板を示している。
【０１０９】
光電変換センサを構成する信号読出し手段は、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板に所望の集積回路、例えばコンデンサ機能、スイッチ機能、リセット機能、増幅機能等を有する集積回路を形成し、例えば個々の有機光電変換素子での光起電力に起因する電流または電圧を有機光電変換素子毎に所定の時間蓄積あるいは積分することで各有機光電変換素子に生じた電気信号を読取る。この信号読出し手段は、異方性導電フィルム等を用いて支持基板に実装される。１つの光電変換センサにおける信号読出し手段の数は、有機光電変換素子の数に応じて１以上の所望数とすることができる。信号読出し手段を幾つ設けるかは、有機光電変換素子の総数や信号読出し手段の製造コスト等を考慮して適宜選定される。
【０１１０】
本発明の光電変換デバイス、光電変換センサ、光電変換ユニット、および画像読取り装置については、上述した以外にも種々の変形、修飾、組合せ等が可能である。以下、本発明の具体的な内容について、実施例を挙げて説明する。
【実施例】
【０１１１】
（実施例１）
まず、支持基板として無アルカリガラス板を用意し、この無アルカリガラス板上に赤色のカラーレジンを塗布して塗膜を形成した。次いで、該塗膜を１００℃で仮焼成した後にフォトマスクを介して露光し、現像を行って、ストライプ状にパターニングされた膜厚２μｍの赤色カラーレジン層を得た。同様にして、ストライプ状にパターニングされた膜厚２μｍの緑色カラーレジン層と膜厚２μｍの青色カラーレジン層とを得た後、これら赤色、緑色、および青色の各カラーレジン層を本焼成して、赤色フィルタ層と緑色フィルタ層と青色フィルタ層とからなるカラーフィルタ層を得た。
【０１１２】
次に、上記のカラーフィルタ層を覆うようにして熱硬化性樹脂組成物をスピンコート法により塗布して塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させてから当該塗膜上に所定形状のフォトマスクを形成した。そして、このフォトマスクを用いて上記乾燥後の塗膜を選択的に露光した後に現像を行い、２００℃で焼成して、上記のカラーフィルタ層の上面および側面を覆う膜厚（カラーフィルタ層上での膜厚）２μｍのオーバーコート層を得た。
【０１１３】
このオーバーコート層上および無アルカリガラス板の露出面上にスパッタ法により膜厚１６０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した後、該ＩＴＯ膜上にスピンコート法によりレジスト材を塗布して膜厚１０μｍのレジスト膜を形成し、このレジスト膜に選択的な露光および現像を施して所定形状のレジストパターンを得た。そして、該レジストパターンまで形成した無アルカリガラス板を液温６０℃の５０％塩酸水溶液中に浸漬して、レジストパターンが形成されていない部分のＩＴＯ膜をエッチングにより除去した。
【０１１４】
この後、上記のレジストパターンを除去して、３行７５００列に亘ってマトリックス状に配置された多数のＩＴＯ電極と、個々のＩＴＯ電極に１本ずつ接続された信号読出し配線とを得た。上記の各ＩＴＯ電極は有機光電変換素子での第１電極として利用されるものであり、行方向のピッチおよび列方向のピッチはいずれも０．０４２ｍｍである。
【０１１５】
このようにしてＩＴＯ電極まで形成した無アルカリガラス板に、純水による１０分間の超音波洗浄、界面活性剤（米国オーカイト社製のＰＤ−６（商品名））による５分間の超音波洗浄、および純水による１０分間の超音波洗浄をこの順番で順次施した後、無アルカリガラス板に付着している水分を窒素ブロアーで除去した。
【０１１６】
次に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルフォネートとの混合物を目開き０．４５μｍのフィルタを通して無アルカリガラス板上に滴下し、スピンコート法によって均一に塗布した。これを２００℃のクリーンオーブン中で３０分間加熱することで、上記のＩＴＯ電極それぞれの上に正極バッファ層を形成した。
【０１１７】
次いで、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）と［５，６］−フェニル  Ｃ６１  酪酸メチルエステルとを１：４の重量比で含有するクロロベンゼン溶液をスピンコート法により上記の正極側バッファ層上に塗布し、乾燥させて、光電変換材料層を得た。この後、正極バッファ層および光電変換材料の各々をパターニングして各ＩＯＴ電極の平面視上の外側に形成されている領域を除去してから、１００℃のクリーンオーブン中で３０分間加熱して、上記パターニングされた光電変換材料層を厚さ約１００ｎｍの有機光電変換部とした。
【０１１８】
続いて、０．２７ｍＰａ（２×１０-6Torr）以下の真空度にまで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、各有機光電変換部を覆うようにして膜厚２ｎｍのフッ化リチウム膜と膜厚約１００ｎｍのアルミニウム膜とをこの順番で成膜した。フッ化リチウム膜は各有機光電変換部を覆って負極バッファ層として機能し、アルミニウム膜はフッ化リチウム膜（負極バッファ層）を覆って第２電極用の電極膜として機能する。
【０１１９】
このようにしてアルミニウム膜まで形成することにより、無アルカリガラス板上に３行７５００列に亘ってマトリックス状に配置された多数の有機光電変換素子が得られた。個々の有機光電変換素子は、第１電極（ＩＴＯ電極）と、正極バッファ層と、有機光電変換部と、フッ化リチウム膜の一領域からなる負極バッファ層と、アルミニウム膜の一領域からなる第２電極とを備えている
この後、エポキシ系の光硬化型接着剤により上記のアルミニウム膜上に極浅い箱状のガラス成形品を接着させて封止部を形成し、これにより、上記多数の有機光電変換素子とこれらの有機光電変換素子を封止する封止部とを備えた光電変換デバイスを得た。各ＩＴＯ電極、各正極バッファ層、各有機光電変換部、および電極膜（アルミニウム膜）は、それぞれ、平面視したときに封止部によって全体が覆われる。
【０１２０】
最後に、信号読出し手段としての所定個の半導体チップを無アルカリガラス板上に実装して、光電変換センサを得た。この光電変換センサにおける正極バッファ層および負極バッファ層をそれぞれ除いた残りの構成は、図１および図２に示した光電変換センサ３０Ａでの構成と同様である。個々の半導体チップは異方性導電フィルムを介して無アルカリガラス板上に実装されて、所定の信号読み出配線を介して所定の有機光電変換素子に接続されている。
【０１２１】
（実施例２）
まず、支持基板として無アルカリガラス板を用意し、この無アルカリガラス板上に酸化性ガス雰囲気中でのＤＣスパッタにより酸化クロム膜を形成した。次に、この酸化クロム膜上に所定形状のエッチングマスクを形成した後、当該酸化クロム膜をウェットエッチングによりパターニングして所定形状の遮光層とした。この遮光層は、その膜厚が０．１〜０．２μｍのときの光学濃度が４．０以上（遮光率９９．９９以上）のものである。
【０１２２】
この後、実施例１における条件と同じ条件の下にＩＴＯ電極の形成から信号読出し手段の実装までを行って、光電変換センサを得た。この光電変換センサにおける正極バッファ層および負極バッファ層をそれぞれ除いた残りの構成は、図５に示した光電変換センサ３０Ｃでの構成と同様である。
【０１２３】
（実施例３）
まず、実施例１における条件と同じ条件の下にカラーフィルタ層の形成からＩＴＯ電極の形成までを行った。次に、ＩＴＯ電極が形成された無アルカリガラス板にポリイミド系光硬化性樹脂組成物をスピンコートして塗膜を形成し、この塗膜を１２０℃でプリベークした後にフォトマスクを介して露光し、さらに現像、および２６０℃でのポストベークを順次行って、各有機光電変換素子での有機光電変換部を互いに電気的に分離することになる素子分離層を得た。この後、実施例１における条件と同じ条件の下に正極バッファ層の形成から信号読出し手段の実装までを行って、光電変換センサを得た。この光電変換センサにおける正極バッファ層および負極バッファ層をそれぞれ除いた残りの構成は、図７に示した光電変換センサ３０Ｄでの構成と同様である。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明に係る光電変換デバイス、光電変換センサ、光電変換ユニット、並びにそれらを用いた画像読取り装置は、ファクシミリ装置、スキャナ装置、デジタルカメラ装置等の危機器に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の光電変換センサを概略的に示す一部切欠き平面図
【図２】図１に示した光電変換センサを概略的に示す断面図
【図３】本発明の光電変換センサを概略的に示す断面図
【図４】本発明の光電変換デバイスにおける遮光層を概略的に示す一部切欠き平面図
【図５】本発明の遮光層を有する光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図
【図６】本発明の光電変換デバイスにおける素子分離層を概略的に示す一部切欠き平面図
【図７】本発明の素子分離層を有する光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図
【図８】本発明の光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面斜視図
【図９】図８に示した光電変換センサを概略的に示す他の断面斜視図
【図１０】（ａ）本発明の他の光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図、（ｂ）本発明の更に他の光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図、（ｃ）本発明の更に他の光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図、（ｄ）本発明の更に他の光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図、（ｅ）本発明の更に他の光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図、（ｆ）本発明の更に他の光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図、（ｇ）本発明の更に他の光電変換デバイスを備えた光電変換センサを概略的に示す断面図
【図１１】本発明の光電変換ユニットを概略的に示す斜視図
【図１２】本発明の画像読取り装置を概略的に示す斜視図
【図１３】図１２に示す画像読取り装置の内部構造を示す概略図
【図１４】有機光電変換部を概略的に示す断面図
【図１５】有機光電変換部の他の例を概略的に示す断面図
【図１６】（ａ）封止部により封止される層を概略的に示す平面図、（ｂ）封止部により封止される層の他の例を概略的に示す平面図、（ｃ）封止部により封止される層の更に他の例を概略的に示す平面図、（ｄ）封止部により封止される層の更に他の例を概略的に示す平面図、（ｅ）封止部により封止される層の更に他の例を概略的に示す平面図、（ｆ）封止部により封止される層の更に他の例を概略的に示す平面図
【符号の説明】
【０１２６】
１    支持基板（透明支持基板）
３    カラーフィルタ層
３Ｒ    赤色フィルタ層
３Ｇ    赤色フィルタ層
３Ｂ    青色フィルタ層
５，５Ａ    オーバーコート層
７    第１電極
８    有機光電変換部
８Ａ  有機光電変換層
９    第２電極
９Ａ    電極膜
１０    有機光電変換素子
１１    信号読出し配線
１３    配線
１５    遮光層
１７    素子分離層
１９，１９Ａ〜１９Ｈ    封止部
２０Ａ〜２０Ｌ    光電変換デバイス
２５    信号読出し手段
３０Ａ〜３０Ｌ    光電変換センサ
【図１】
2009010152.tif 000003
【図２】
2009010152.tif 000004
【図３】
2009010152.tif 000005
【図４】
2009010152.tif 000006
【図５】
2009010152.tif 000007
【図６】
2009010152.tif 000008
【図７】
2009010152.tif 000009
【図８】
2009010152.tif 000010
【図９】
2009010152.tif 000011
【図１０】
2009010152.tif 000012
【図１１】
2009010152.tif 000013
【図１２】
2009010152.tif 000014
【図１３】
2009010152.tif 000015
【図１４】
2009010152.tif 000016
【図１５】
2009010152.tif 000017
【図１６】
2009010152.tif 000018