(57)【要約】【課題】波長変換素子自体の温度変化を早期に検出でき、高い波長変換効率を実現可能な波長変換素子、その波長変換素子を用いる光源装置、照明装置、モニタ装置及び画像表示装置を提供すること。【解決手段】光の波長を変換する波長変換素子であって、互いに分極方向を反転させた第１分極部である分極反転部１８、及び第２分極部である自発分極部１９、２０を備える光学結晶１５と、第１分極部及び第２分極部のいずれか一方に配置され、光学結晶１５の温度変化に応じた電流又は電圧を検出するための温度変化検出用電極である第１電極２６及び第２電極２７と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の波長を変換する波長変換素子であって、
互いに分極方向を反転させた第１分極部及び第２分極部を備える光学結晶と、
前記第１分極部及び前記第２分極部のいずれか一方に配置され、前記光学結晶の温度変化に応じた電流又は電圧を検出するための温度変化検出用電極と、を有することを特徴とする波長変換素子。
【請求項２】
前記光学結晶は、前記第１分極部及び前記第２分極部により構成された第１領域と、前記第１分極部及び前記第２分極部のいずれか一方により構成された第２領域と、を有し、
前記温度変化検出用電極は、前記第２領域に配置されることを特徴とする請求項１に記載の波長変換素子。
【請求項３】
前記温度変化検出用電極は、前記第２領域のうち前記第１領域の近傍に配置されることを特徴とする請求項２に記載の波長変換素子。
【請求項４】
前記温度変化検出用電極は、前記光学結晶の第１面に配置された第１電極と、前記光学結晶の前記第１面とは反対側の面である第２面に配置された第２電極と、を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長変換素子。
【請求項５】
前記第１領域は、前記第１分極部及び前記第２分極部を第１方向へ交互に配列させ、
前記第１領域及び前記第２領域は、前記第１方向に略直交する第２方向へ並列させて設けられることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の波長変換素子。
【請求項６】
前記第１領域は、前記第１分極部及び前記第２分極部を特定方向へ交互に配列させ、
前記第１領域及び前記第２領域は、前記特定方向へ並列させて設けられることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の波長変換素子。
【請求項７】
複数の前記温度変化検出用電極を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の波長変換素子。
【請求項８】
前記温度変化検出用電極に接続され、電流又は電圧を検出する温度変化検出部と、
前記光学結晶の温度を計測する温度計測部と、
前記温度変化検出部の検出結果、及び前記温度計測部の計測結果に基づいて前記光学結晶の温度を調節する温度調節部と、を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の波長変換素子。
【請求項９】
光を射出する光源部と、
前記光源部からの光の波長を変換する波長変換素子と、を有し、
前記波長変換素子は、
互いに分極方向を反転させた第１分極部及び第２分極部を備える光学結晶と、
前記第１分極部及び前記第２分極部のいずれか一方に配置され、前記光学結晶の温度変化に応じた電流又は電圧を検出するための温度変化検出用電極と、を有することを特徴とする光源装置。
【請求項１０】
前記温度変化検出用電極は、前記光源部からの光の焦点の近傍に配置されることを特徴とする請求項９に記載の光源装置。
【請求項１１】
前記第１領域は、前記光源部からの光が入射する位置に設けられることを特徴とする請求項９又は１０に記載の光源装置。
【請求項１２】
前記光源部は、光を射出する複数の発光部を有し、
前記温度変化検出用電極は、前記発光部からの光線ごとに配置されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の光源装置を有し、前記光源装置からの光を用いて被照射物を照明することを特徴とする照明装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の照明装置と、
前記照明装置により照明された被写体を撮像する撮像部と、を有することを特徴とするモニタ装置。
【請求項１５】
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の光源装置を有し、前記光源装置からの光を用いて画像を表示することを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換素子、光源装置、照明装置、モニタ装置及び画像表示装置、特に、光源装置に用いられる波長変換素子の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プロジェクタの光源装置としてレーザ光源を用いる技術が提案されている。レーザ光源は、高出力化及び多色化に伴い、プロジェクタの光源として開発されている。プロジェクタの光源として従来用いられているＵＨＰランプと比較すると、レーザ光源は、高い色再現性、瞬時点灯が可能、長寿命である等の利点がある。レーザ光源は、光源からの基本波光をそのままの波長で射出するものの他、基本波光の波長を変換して射出するものが知られている。基本波光の波長を変換する波長変換素子として、例えば第二高調波発生（Second−Harmonic  Generation；ＳＨＧ）素子が知られている。ＳＨＧ素子を用いることで、容易に入手可能な汎用の光源を用いて、所望の波長かつ十分な光量のレーザ光を供給することが可能となる。ＳＨＧ素子は、温度変化によって屈折率分布が変化する場合、位相整合条件が崩れ、波長を変換する効率が低下することが知られている。高い効率で安定した光量のレーザ光を供給するためには、波長変換素子の温度変化を低減させることが望まれる。例えば、特許文献１に提案されている技術では、熱伝導性を持つ基板に波長変換素子を取り付け、基板に配置されたサーミスタにより計測された温度に基づいて基板の温度制御を行う。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１９８８７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１の技術では、サーミスタは、基板を介して波長変換素子の温度を測定する。波長変換素子の温度変化は、基板を経た後サーミスタで検出される。このため、波長変換素子自体の温度変化を早期に検出することが難しくなる。波長変換素子自体の温度変化を早期に検出することが困難であることは、高い波長変換効率を実現する上で問題となる。本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、波長変換素子自体の温度変化を早期に検出でき、高い波長変換効率を実現可能な波長変換素子、その波長変換素子を用いる光源装置、照明装置、モニタ装置及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る波長変換素子は、光の波長を変換する波長変換素子であって、互いに分極方向を反転させた第１分極部及び第２分極部を備える光学結晶と、第１分極部及び第２分極部のいずれか一方に配置され、光学結晶の温度変化に応じた電流又は電圧を検出するための温度変化検出用電極と、を有することを特徴とする。
【０００６】
光学結晶のうち分極方向が一方向に揃えられた部分は、温度変化により分極が変化する。分極の変化により、光学結晶の表面には電荷が誘起される。温度変化検出用電極は、電荷が誘起されることで生じる電流又は電圧の検出に用いられる。温度変化に応じて生じる電流又は電圧の検出により、光学結晶自体の温度変化を早期に検出することが可能となる。これにより、波長変換素子自体の温度変化を早期に検出でき、高い波長変換効率を実現可能な波長変換素子を得られる。
【０００７】
また、本発明の好ましい態様としては、光学結晶は、第１分極部及び第２分極部により構成された第１領域と、第１分極部及び第２分極部のいずれか一方により構成された第２領域と、を有し、温度変化検出用電極は、第２領域に配置されることが望ましい。これにより、第１領域において高調波光を生じさせ、第２領域において電流又は電圧を検出できる。
【０００８】
また、本発明の好ましい態様としては、温度変化検出用電極は、第２領域のうち第１領域の近傍に配置されることが望ましい。これにより、第１領域の温度変化を高い精度で検出可能とし、波長変換素子の効果的な温度調節ができる。
【０００９】
また、本発明の好ましい態様としては、温度変化検出用電極は、光学結晶の第１面に配置された第１電極と、光学結晶の第１面とは反対側の面である第２面に配置された第２電極と、を有することが望ましい。これにより、分極の変化によって生じた電流を検出できる。
【００１０】
また、本発明の好ましい態様としては、第１領域は、第１分極部及び第２分極部を第１方向へ交互に配列させ、第１領域及び第２領域は、第１方向に略直交する第２方向へ並列させて設けられることが望ましい。第１領域を透過する光は、第１方向へ進行する。第１領域及び第２領域を第２方向へ並列させることで、第２領域を設けることによる波長変換効率の低下を低減できる。
【００１１】
また、本発明の好ましい態様としては、第１領域は、第１分極部及び第２分極部を特定方向へ交互に配列させ、第１領域及び第２領域は、特定方向へ並列させて設けられることが望ましい。光は、第１領域及び第２領域を特定方向へ進行する。第１領域及び第２領域を特定方向へ並列させることで、光学結晶のうち光源部からの光が通過する部分に温度変化検出用電極を配置できる。これにより、光が通過する部分の温度変化を直接検出可能とし、波長変換素子の効果的な温度調節ができる。
【００１２】
また、本発明の好ましい態様としては、複数の温度変化検出用電極を有することが望ましい。複数の温度変化検出用電極を用いて複数箇所の温度変化を検出することで、各箇所の温度変化に応じた温度調節が可能となる。これにより、高精度な温度調節により、波長変換素子全体として高い波長変換効率を実現できる。
【００１３】
また、本発明の好ましい態様としては、温度変化検出用電極に接続され、電流又は電圧を検出する温度変化検出部と、光学結晶の温度を計測する温度計測部と、温度変化検出部の検出結果、及び温度計測部の計測結果に基づいて光学結晶の温度を調節する温度調節部と、を有することが望ましい。温度変化検出部の検出結果に基づく温度調節により、光学結晶の温度変化に対して早期の温度調節が可能となる。また、温度計測部の計測結果に基づくフィードバック制御により、一定の温度を目標とする光学結晶の温度調節ができる。
【００１４】
さらに、本発明に係る光源装置は、光を射出する光源部と、光源部からの光の波長を変換する波長変換素子と、を有し、波長変換素子は、互いに分極方向を反転させた第１分極部及び第２分極部を備える光学結晶と、第１分極部及び第２分極部のいずれか一方に配置され、光学結晶の温度変化に応じた電流又は電圧を検出するための温度変化検出用電極と、を有することを特徴とする。これにより、高い波長変換効率により高い効率で光を射出可能な光源装置を得られる。
【００１５】
また、本発明の好ましい態様としては、温度変化検出用電極は、光源部からの光の焦点の近傍に配置されることが望ましい。これにより、光が集中する箇所の温度変化を高い精度で検出可能とし、波長変換素子の効果的な温度調節ができる。
【００１６】
また、本発明の好ましい態様としては、第１領域は、光源部からの光が入射する位置に設けられることが望ましい。これにより、光源部からの光を効率良く第１領域へ入射させることができる。
【００１７】
また、本発明の好ましい態様としては、光源部は、光を射出する複数の発光部を有し、温度変化検出用電極は、発光部からの光線ごとに配置されることが望ましい。発光部からの光線ごとに配置された温度変化検出用電極を用いることで、光線が通過する各箇所の温度変化に応じた温度調節が可能となる。これにより、高精度な温度調節により、波長変換素子全体として高い波長変換効率を実現できる。
【００１８】
さらに、本発明に係る照明装置は、上記の光源装置を有し、光源装置からの光を用いて被照射物を照明することを特徴とする。上記の光源装置を用いることにより、高い効率で光を射出できる。これにより、高い効率で光を供給可能な照明装置を得られる。
【００１９】
さらに、本発明に係るモニタ装置は、上記の照明装置と、照明装置により照明された被写体を撮像する撮像部と、を有することを特徴とする。上記の照明装置を用いることにより、高い効率で光を供給できる。これにより、高い効率で供給された光を用いて明るい像をモニタすることが可能なモニタ装置を得られる。
【００２０】
さらに、本発明に係る画像表示装置は、上記の光源装置を有し、光源装置からの光を用いて画像を表示することを特徴とする。上記の光源装置を用いることにより、高い効率で光を射出できる。これにより、高い効率で供給された光を用いて明るい画像を表示可能な画像表示装置を得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２２】
図１は、本発明の実施例１に係る光源装置１０の要部概略構成を示す。光源装置１０は、半導体素子１１、ＳＨＧ素子１４、及び外部共振器２１を有する半導体レーザである。半導体素子１１、ＳＨＧ素子１４、及び外部共振器２１は、Ｚ軸方向へ並列している。Ｚ軸方向は、半導体素子１１からの光を進行させる第１方向である。Ｘ軸方向は、Ｚ軸方向に略直交する第２方向である。Ｙ軸方向は、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に略直交する方向である。半導体素子１１は、第１波長の基本波光を射出する光源部であって、例えば、面発光型の半導体素子である。基本波光は、例えば赤外光である。第１波長は、例えば１０６４ｎｍである。半導体素子１１は、第１波長の光を反射するミラー層１２、及びミラー層１２に積層された活性層１３を有する。
【００２３】
ミラー層１２は、高屈折率の誘導体と低屈折率の誘導体との積層体によって構成されている。ミラー層１２の積層構造は、半導体素子１１により射出される基本波光の波長である第１波長に対して最適化され、基本波光が干渉し強め合う条件に設定されている。不図示の電流供給部から所定量の電流が供給されると、活性層１３は、第１波長の基本波光を射出する。
【００２４】
ＳＨＧ素子１４は、光学結晶１５を有する。ＳＨＧ素子１４は、光学結晶１５へ第１波長の基本波光を入射させることにより、第２波長の高調波光を射出する。高調波光は、例えば可視光である。ＳＨＧ素子１４は、半導体素子１１からの光の波長を変換する波長変換素子である。ＳＨＧ素子１４は、半導体素子１１及び外部共振器２１の間の光路中に設けられている。第２波長は、第１波長の半分の波長であって、例えば５３２ｎｍである。
【００２５】
光学結晶１５は、例えば、非線形光学結晶であるニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）である。光学結晶１５は、第１領域１６及び第２領域１７を有する。第１領域１６及び第２領域１７は、Ｘ軸方向へ並列させて設けられている。第１領域１６は、半導体素子１１からの光が入射する位置に設けられている。第１領域１６は、半導体素子１１に対向している。第２領域１７は、半導体素子１１からの光が入射する位置以外の位置に設けられている。
【００２６】
図２は、光学結晶１５の斜視構成を示す。第１領域１６は、分極反転部１８及び自発分極部１９により構成されている。分極反転部１８及び自発分極部１９は、互いに分極方向を反転させて構成されている。第１領域１６は、分極反転部１８及び自発分極部１９を交互に配列させた分極反転構造を有する。分極反転部１８及び自発分極部１９は、Ｚ軸方向へ配列している。分極反転構造は、コヒーレント長ごとに非線形光学定数の符号を反転させて構成されている。分極反転構造は、基本波光の第１波長に対応するピッチで形成されている。分極反転部１８は、光学結晶１５の自発分極を反転させた第１分極部である。自発分極部１９は、光学結晶１５の自発分極が残された第２分極部である。図示する分極反転部１８及び自発分極部１９は、模式的に表したものである。第２領域１７は、第２分極部である自発分極部２０により構成されている。
【００２７】
分極反転構造の形成には、自発分極を持つ非線形光学結晶へ電圧を印加する手法が多く用いられている。分極反転構造は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）基板上に絶縁層の微細なパターンを形成し、金属膜或いは電解液を介して電圧を印加することにより得られる。光学結晶１５は、第１領域１６及び第２領域１７上に絶縁層を設け、第１領域１６のみについて絶縁層をパターニングした後、電圧を印加することで形成できる。なお、図１に示すＳＨＧ素子１４は、光学結晶１５、及び後述の第１電極２６以外の構成の図示を省略している。
【００２８】
外部共振器２１は、ミラー層１２との間において、半導体素子１１からの光を共振させる。外部共振器２１は、第１波長の光を選択的に反射し、第１波長とは異なる波長（第２波長を含む）の光を透過させる。外部共振器２１としては、例えば、ＶＨＧ（Volume  Holographic  Grating）を用いることができる。ＶＨＧは、ＬｉＮｂＯ３、ＢＧＯ等のフォトリフラクティブ結晶、ポリマー等を用いて形成できる。
【００２９】
ＶＨＧには、二方向から入射させた入射光によって生じた干渉縞が記録されている。干渉縞は、高屈折率部分と低屈折率部分とが周期的に配列された周期構造として記録される。ＶＨＧは、かかる干渉縞とブラッグ条件が適合する光のみを、回折により選択的に反射する。外部共振器２１は、波長選択性を有するものであれば良く、ＶＨＧに限られない。外部共振器２１としては、例えば、バンドパスフィルタやダイクロイックミラーを用いても良い。
【００３０】
半導体素子１１の活性層１３から射出した基本波光は、光学結晶１５の第１領域１６へ入射する。第１領域１６で生じた高調波光は、外部共振器２１を透過し、光源装置１０の外部へ射出する。半導体素子１１側からＳＨＧ素子１４を透過した基本波光は、外部共振器２１で反射する。外部共振器２１で反射した基本波光は、第１領域１６へ入射する。外部共振器２１側からＳＨＧ素子１４を透過した基本波光は、半導体素子１１へ入射する。半導体素子１１へ入射した基本波光は、ミラー層１２で反射した後、半導体素子１１からＳＨＧ素子１４へ向けて射出される。ミラー層１２及び外部共振器２１により反射された基本波光は、活性層１３から新たに射出される基本波光と共振して増幅される。
【００３１】
図３は、ＳＨＧ素子１４の斜視構成を示す。光学結晶１５の上面Ｓ１のうち第１領域１６部分には、熱拡散板２２及び基板２３が積層されている。上面Ｓ１は、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に略平行な第１面である。熱拡散板２２及び基板２３は、いずれも、第１領域１６と略同じ矩形形状をなしている。熱拡散板２２は、光学結晶１５へ伝導させる熱を拡散させる。熱拡散板２２は、高い熱伝導率を持つ部材、例えば金属部材である銅を用いて構成されている。基板２３は、絶縁性を持つ部材、例えばエポキシ樹脂を用いて構成されている。
【００３２】
基板２３上には、ヒータ２４及びサーミスタ２５が配置されている。ヒータ２４は、基板２３及び熱拡散板２２を介して光学結晶１５へ熱を供給する。ヒータ２４は、光学結晶１５の温度を調節する温度調節部である。ヒータ２４としては、例えば電熱ヒータを用いることができる。サーミスタ２５は、光学結晶１５の温度を計測する温度計測部である。ヒータ２４及びサーミスタ２５は、基板２３上に形成された不図示の配線パターンに接続されている。ヒータ２４及びサーミスタ２５は、配線パターンを通じた電力供給により駆動する。絶縁性の基板２３を設けることで、熱拡散板２２を介した不要な導通を遮断することができる。
【００３３】
ヒータ２４からの熱は、基板２３及び熱拡散板２２を介して光学結晶１５へ伝達する。熱拡散板２２で熱を拡散させることで、光学結晶１５の第１領域１６へ均一に熱を供給する。なお、温度調節部としては、ヒータ２４に代えて他の素子、例えばペルチェ素子や、薄膜状の抵抗体等を用いても良い。サーミスタ２５は、光学結晶１５の温度を計測可能であればいずれの位置に配置することとしても良い。
【００３４】
光学結晶１５の上面Ｓ１のうち第２領域１７部分には、第１電極２６が配置されている。光学結晶１５の下面Ｓ２のうち第２領域１７部分には、第２電極２７が配置されている。下面Ｓ２は、光学結晶１５のうち上面Ｓ１とは反対側の面である。第２領域１７を構成する自発分極部２０は、第１電極２６及び第２電極２７により挟持されている。第１電極２６及び第２電極２７は、自発分極部２０を介して互いに対向している。第１電極２６及び第２電極２７は、光学結晶１５の温度変化に応じた電流を検出するための温度変化検出用電極である。第１電極２６及び第２電極２７は、第２領域１７の略全体を覆うように配置されている。なお、第１電極２６及び熱拡散板２２の間には隙間が形成され、第１電極２６及び熱拡散板２２の間の導通が遮断されている。第１電極２６及び第２電極２７は、光学結晶１５のうち半導体素子１１からの光が通過する部分以外の位置に配置されている。
【００３５】
図４は、第１電極２６及び第２電極２７に接続された構成について説明するものである。第１電極２６及び第２電極２７の間には、温度変化検出部３０が接続されている。温度変化検出部３０は、第１電極２６及び第２電極２７を用いて電流を検出する。第１電極２６及び第２電極２７は、光学結晶１５の第２領域１７に金属膜を蒸着させることで形成できる。
【００３６】
図５は、光学結晶１５の焦電効果について説明するものである。光学結晶１５のうち分極方向が一方向に揃えられた部分は、温度Ｔの変化により分極Ｐｓが変化する。例えば、温度ＴがΔＴだけ上昇すると、分極ＰｓはΔＰｓだけ減少する。分極Ｐｓの変化分は、焦電気として観測される。光学結晶１５のうち第２領域１７は、分極方向が一方向に揃えられた自発分極部２０を用いて構成されている。第２領域１７に第１電極２６及び第２電極２７を配置することで、光学結晶１５の温度変化に応じて生じた電流を検出できる。
【００３７】
図６は、光学結晶１５の温度変化の検出について説明するものである。図中（Ａ）は、温度変化前の状態を示す。光学結晶１５の温度変化前において、自発分極部２０の電荷は、第１電極２６及び第２電極２７に付着した空気中のイオン等により中和されている。このとき温度変化検出部３０では、電流は検出されない。
【００３８】
図中（Ｂ）は、（Ａ）から光学結晶１５の温度が上昇した状態を示す。自発分極部２０の分極は、温度の上昇により減少する。これに対して、第１電極２６に付着した電荷、及び第２電極２７に付着した電荷は、分極の急激な変化に追従できず、暫く残存する。この間、第１電極２６は負に、第２電極２７は正にそれぞれ帯電することとなるため、第１電極２６及び第２電極２７間に、分極の変化分に相当する電流が生じる。電流は、第２電極２７から第１電極２６へ流れる。温度変化検出部３０は、第１電極２６及び第２電極２７間の電流を検出する。
【００３９】
図中（Ｃ）は、光学結晶１５の温度が上昇後一定となった状態を示す。時間の経過により、自発分極部２０の電荷は、再び中和状態となる。このとき温度変化検出部３０では、電流は検出されない。図中（Ｄ）は、（Ｃ）から光学結晶１５の温度が低下した状態を示す。自発分極部２０の分極は、温度低下により強められる。これに対して、第１電極２６に付着した電荷、及び第２電極２７に付着した電荷は、分極の急激な変化に追従できず、暫く残存する。この間、第１電極２６は正に、第２電極２７は負にそれぞれ帯電することとなるため、第１電極２６、第２電極２７間に、分極の変化分に相当する電流が生じる。温度変化検出部３０は、第１電極２６及び第２電極２７間に生じた電流を検出する。この場合、第１電極２６、第２電極２７の正負は、（Ｂ）のときとは逆となる。電流は、（Ｂ）の場合とは逆に、第１電極２６から第２電極２７へ流れる。
【００４０】
このようにして、第１電極２６及び第２電極２７を用いることで、光学結晶１５の温度変化を検出することができる。光学結晶１５自体に設けられた第１電極２６及び第２電極２７を用いることで、光学結晶１５自体の温度変化を早期に検出することが可能となる。
【００４１】
図７は、光学結晶１５の温度を調節するためのブロック構成を示す。制御部３２は、ＣＰＵ３３、メモリ３４を備え、コンピュータとして機能する。制御部３２は、メモリ３４に記憶されている制御プログラムに従ってＣＰＵ３３を動作させることにより、光源装置１０の駆動を制御する。温度変化検出部３０は、第１電極２６及び第２電極２７を用いた検出結果を制御部３２へ入力する。
【００４２】
制御部３２は、温度変化検出部３０の検出結果に基づいて、ヒータ２４の駆動を制御する。第２電極２７から第１電極２６へ流れる電流が温度変化検出部３０で検出された場合は、上記（Ｂ）で説明するように光学結晶１５の温度が上昇したときである。この場合、制御部３２は、光学結晶１５の温度を低下させるようにヒータ２４への投入電力を減少させる。第１電極２６から第２電極２７へ流れる電流が温度変化検出部３０で検出された場合は、上記（Ｄ）で説明するように光学結晶１５の温度が低下したときである。この場合、制御部３２は、光学結晶１５の温度を上昇させるようにヒータ２４への投入電力を増加させる。温度変化検出部３０では光学結晶１５自体の温度変化を早期に検出することが可能であるから、光学結晶１５の温度変化に対して早期の温度調節が可能となる。
【００４３】
サーミスタ２５は、光学結晶１５の温度の計測結果を制御部３２へ入力する。制御部３２は、サーミスタ２５の計測結果に基づいてヒータ２４の駆動を制御する。サーミスタ２５の計測結果に基づくフィードバック制御により、一定の温度を目標とする光学結晶１５の温度調節ができる。温度変化検出部３０の検出結果に基づく制御と、サーミスタ２５の計測結果に基づく制御とを併用することで、光学結晶１５の高精度な温度調節が可能となる。これにより、波長変換素子自体の温度変化を早期に検出でき、高い波長変換効率により高い効率でレーザ光を射出できるという効果を奏する。
【００４４】
ＳＨＧ素子１４は、光を透過させる方向へ長く分極反転構造部分を確保するほど、波長変換効率を高くできる。Ｘ軸方向へ第１領域１６及び第２領域１７を並列させることで、Ｚ軸方向について第１領域１６の長さを十分確保できる。よって、第２領域１７を設けることによる波長変換効率の低下を低減できる。なお、温度変化検出部３０は、第１電極２６及び第２電極２７間に生じた電流を検出するものに限られず、第１電極２６及び第２電極２７間に生じた電圧を検出するものとしても良い。
【００４５】
図８は、本実施例の変形例１に係る光源装置４０の要部概略構成を示す。図９は、光学結晶１５、第１電極４２及び第２電極４３の側面概略構成を示す。本変形例では、ＳＨＧ素子４１は、第２領域１７の一部に配置された第１電極４２及び第２電極４３を有する。第１電極４２及び第２電極４３は、温度変化検出用電極である。第１電極４２及び第２電極４３は、第２領域１７のうちＺ軸方向における略中心であって、第１領域１６の近傍の位置に配置されている。なお、図８中、ＳＨＧ素子４１のうち光学結晶１５及び第１電極４２以外の構成の図示を省略している。
【００４６】
図９に示すように、光学結晶１５の略中心に、半導体素子１１からの光のビームウェスト（焦点）が形成されているとする。ビームウェストは、活性層１３の局所的な温度上昇から、活性層１３に屈折率分布が生じるサーマルレンズ効果により形成される。Ｚ軸方向について、第１電極４２及び第２電極４３の位置は、光学結晶１５内のビームウェストの位置に一致している。第１電極４２及び第２電極４３は、第２領域１７のうちビームウェストに最も近い位置に配置されている。
【００４７】
これにより、光学結晶１５中最も光が集中するビームウェストにおける温度変化を高い精度で検出可能とし、光学結晶１５の効果的な温度調節ができる。第１電極４２及び第２電極４３の位置は、ビームウェストの位置に応じて適宜変更しても良い。また、第１電極４２及び第２電極４３は、矩形である場合に限られず、任意の形状にできる。第１電極４２及び第２電極４３は、光学結晶１５に形成した金属膜を適宜パターニングすることで形成できる。
【００４８】
図１０は、本実施例の変形例２に係る光源装置４５の要部概略構成を示す。本変形例の光源装置４５は、複数の温度変化検出用電極を有する。ＳＨＧ素子４６は、複数の温度変化検出用電極を有する。３つの第１電極４７、４８、４９は、第２領域１７のうち第１領域１６の近傍において、Ｚ軸方向へ並列させて配置されている。各第１電極４７、４８、４９の間には、間隔が設けられている。
【００４９】
１つの第１電極４７は、第２領域１７のうち半導体素子１１側の端部に配置されている。１つの第１電極４８は、第２領域１７のうちＺ軸方向における略中心に配置されている。１つの第１電極４９は、第２領域１７のうち外部共振器２１側の端部に配置されている。不図示の第２電極は、自発分極部２０を介して各第１電極４７、４８、４９に対向させて配置されている。なお、第１電極４７、４８、４９及び第２電極は、３組用いる場合に限られず、複数組用いるものであれば良い。
【００５０】
複数組の第１電極４７、４８、４９及び第２電極を用いることで、複数箇所の温度変化を検出することができる。複数箇所の温度変化を検出することで、各箇所の温度変化に応じた温度調節が可能となる。また、第１電極４７、４８、４９及び第２電極と同様に、不図示のヒータ及びサーミスタも複数設けることとしても良い。複数のヒータ及びサーミスタを用いることで、光学結晶１５の温度分布に応じた高精度な温度調節が可能となる。これにより、高精度な温度調節により、ＳＨＧ素子４６全体として高い波長変換効率を実現できる。第１電極４７、４８、４９及び第２電極は、本変形例で説明する位置に配置する場合に限られず、第２領域１７のいずれの位置に配置することとしても良い。
【００５１】
図１１は、本実施例の変形例３に係る光源装置５０の要部概略構成を示す。本変形例の光源装置５０は、複数のレーザ光を射出するレーザアレイである。半導体素子５１は、基本波光を射出させる複数の発光部５２を備える面発光型のアレイ光源である。複数の発光部５２は、Ｘ軸方向へ並列している。複数の発光部５２を備える半導体素子５１を用いることで、光源装置５０の高出力化が可能となる。なお、半導体素子５１は３つの発光部５２を備える構成に限られず、複数の発光部５２を備えていれば良い。
【００５２】
ＳＨＧ素子５３は、半導体素子５１からの複数の光の波長を変換する。光学結晶５４の第１領域５５は、Ｘ軸方向について、半導体素子５１と略同じ幅で形成されている。第１領域５５は、半導体素子１１からの複数の光が入射する位置に設けられている。第１領域５５及び第２領域１７は、Ｘ軸方向へ並列させて設けられている。第１電極４２及び第２電極は、第２領域１７のうちＺ軸方向における略中心であって、第１領域５５の近傍の位置に配置されている。外部共振器５７は、ミラー層１２との間において、半導体素子５１からの複数の光を共振させる。本変形例においても、高い波長変換効率により高い効率でレーザ光を射出できる。
【００５３】
図１２に示す光源装置６０は、発光部５２からの光線ごとに配置された温度変化検出用電極を有する。ＳＨＧ素子６１は、半導体素子５１からの複数の光の波長を変換する。光学結晶６２は、３組の第１領域６３及び第２領域６４を有する。第１領域６３及び第２領域６４は、Ｘ軸方向へ交互に配置されている。第１領域６３は、光学結晶６２のうち発光部５２からの光が入射する位置にそれぞれ設けられている。第１電極６５は、各第２領域６４に配置されている。第１電極６５は、第２領域６４のうちＺ軸方向における略中心であって、第１領域６３の近傍の位置に配置されている。不図示の第２電極は、自発分極部２０を介して各第１電極６５に対向させて配置されている。
【００５４】
発光部５２からの光線ごとに配置された第１電極６５及び第２電極を用いることで、光線が通過する各箇所の温度変化に応じた温度調節が可能となる。また、第１電極６５及び第２電極と同様に、不図示のヒータ及びサーミスタも、発光部５２からの光線ごとに配置することとしても良い。発光部５２からの光線ごとに配置されたヒータ及びサーミスタを用いることで、光線が通過する各箇所の温度変化に応じた高精度な温度調節が可能となる。これにより、高精度な温度調節により、波長変換素子全体として高い波長変換効率を実現できる。
【００５５】
なお、光学結晶６２の第１領域６３及び第２領域６４の組の数は、半導体素子５１からの光の数に応じて適宜変更しても良い。第１電極６５及び第２電極の組は、第２領域６４ごとに設けられていれば良く、３組である場合に限られない。第１領域６３及び第２領域６４の組は、発光部５２の数と同数である場合に限られない。複数の発光部５２からの複数の光を第１領域６３へ入射させる構成とすることで、第１領域６３及び第２領域６４の組を発光部５２の数より少なくしても良い。これに応じて、第１電極６５及び第２電極の組も、発光部５２の数より少なくしても良い。本実施例において、第２領域は、自発分極部により構成する場合に限られない。第２領域は、第２分極部である自発分極部、及び第１分極部である分極反転部のいずれか一方により構成されていれば良く、分極反転部により構成することとしても良い。温度変化検出用電極は、分極方向が一方向に揃えられた部分に配置されれば良く、自発分極部及び分極反転部のいずれか一方に配置されていれば良い。
【実施例２】
【００５６】
図１３は、本発明の実施例２に係る光源装置７０の要部概略構成を示す。本実施例の光源装置７０は、半導体素子１１からの光が透過する部分に温度変化検出用電極が設けられることを特徴とする。上記実施例１と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。ＳＨＧ素子７４は、半導体素子１１からの光の波長を変換する波長変換素子である。光学結晶７１は、第１領域７２及び第２領域７３を有する。
【００５７】
図１４は、光学結晶７１の斜視構成を示す。第１領域７２及び第２領域７３は、Ｚ軸方向へ並列させて設けられている。第１領域７２は、分極反転部１８及び自発分極部１９により構成されている。第２領域７３は、自発分極部２０により構成されている。図１３に戻って、第１領域７２及び第２領域７３は、半導体素子１１からの光が入射する位置に設けられている。第１領域７２は、半導体素子１１に対向している。第２領域７３は、外部共振器２１に対向している。半導体素子１１の活性層１３から射出した基本波光は、光学結晶７１の第１領域７２へ入射する。第１領域７２を透過した光は、第２領域７３を透過し光学結晶７１から射出した後、外部共振器２１へ入射する。
【００５８】
図１５は、ＳＨＧ素子７４のうち光学結晶７１、第１電極７５及び第２電極７６を示す。第１電極７５は、光学結晶７１の上面Ｓ１のうち第２領域７３部分に配置されている。第２電極７６は、光学結晶７１の下面Ｓ２のうち第２領域７３部分に配置されている。第２領域７３を構成する自発分極部２０は、第１電極７５及び第２電極７６により挟持されている。第１電極７５及び第２電極７６は、自発分極部２０を介して互いに対向している。第１電極７５及び第２電極７６は、光学結晶７１の温度変化に応じた電流を検出するための温度変化検出用電極である。第１電極７５及び第２電極７６は、第２領域７３の略全体を覆うように配置されている。なお、熱拡散板、基板、ヒータ及びサーミスタ（いずれも不図示）は、実施例１と同様に、第１領域７２上に配置されている。
【００５９】
第１電極７５及び第２電極７６は、光学結晶７１のうち半導体素子１１からの光が通過する部分に配置されている。これにより、光が通過する部分の温度変化を直接検出可能とし、波長変換素子の効果的な温度調節ができる。なお、光学結晶７１は、第１領域７２を外部共振器２１に対向させ、第２領域７３を半導体素子１１に対向させるように配置しても良い。また、第１電極７５及び第２電極７６は、第２領域７３の略全体を覆うように配置する場合の他、第２領域７３の一部に配置することとしても良い。
【００６０】
図１６は、本実施例の変形例１に係る光源装置８０の要部概略構成を示す。本変形例では、ＳＨＧ素子８１は、２つの第１領域８３、８５と１つの第２領域８４からなる光学結晶８２を有する。１つの第１領域８３は、半導体素子１１に対向させて設けられている。１つの第１領域８５は、外部共振器２１に対向させて設けられている。第２領域８４は、Ｚ軸方向における光学結晶８２の中心位置に設けられている。第２領域８４は、２つの第１領域８３、８５の間に設けられている。
【００６１】
第１電極７５は、第２領域８４に配置されている。不図示の第２電極は、自発分極部２０を介して第１電極７５に対向させて配置されている。第１電極７５及び第２電極は、光学結晶８２のうちビームウェストに近い位置に配置されている。これにより、光学結晶８２中最も光が集中するビームウェストにおける温度変化を高い精度で検出可能とし、光学結晶８２の効果的な温度調節ができる。
【００６２】
図１７は、本実施例の変形例２に係る光源装置９０の要部概略構成を示す。本変形例では、ＳＨＧ素子９１は、２つの第１領域９４、９６と、３つの第２領域９３、９５、９７からなる光学結晶９２を有する。１つの第２領域９３は、半導体素子１１に対向させて設けられている。１つの第２領域９５は、Ｚ軸方向における光学結晶９２の中心部分に設けられている。１つの第２領域９７は、外部共振器２１に対向させて設けられている。第１領域９４、９６は、第２領域９３、９５、９７の間にそれぞれ設けられている。
【００６３】
第１電極７５は、各第２領域９３、９５、９７に配置されている。不図示の第２電極は、自発分極部２０を介して各第１電極７５に対向させて配置されている。本変形例では、３組の第１電極７５及び第２電極が用いられる。複数組の第１電極７５及び第２電極を用いることで、複数箇所の温度変化を検出することができる。これにより、高精度な温度調節により、ＳＨＧ素子９１全体として高い波長変換効率を実現できる。なお、光学結晶９２の第１領域９４、９６の数、第２領域９３、９５、９７の数は、本変形例で説明するものに限られず、適宜変更しても良い。第１電極７５及び第２電極の組の数は、第２領域の数に応じて決定できる。
【００６４】
図１８は、本実施例の変形例３に係る光源装置１００の要部概略構成を示す。本変形例の光源装置１００は、複数のレーザ光を射出するレーザアレイである。半導体素子５１は、複数の発光部５２を備える。ＳＨＧ素子１０１は、半導体素子５１からの複数の光の波長を変換する。光学結晶１０２は、Ｘ軸方向について、半導体素子５１と略同じ幅で形成されている。第１領域１０３及び第２領域１０４は、Ｚ軸方向へ並列させて設けられている。第１電極１０５は、第２領域１０４の略全体を覆うように配置されている。不図示の第２電極は、自発分極部２０を介して第１電極１０５に対向させて配置されている。本変形例の場合も、波長変換素子の効果的な温度調節ができる。
【００６５】
図１９に示す光源装置１１０は、発光部５２からの光線ごとに配置された温度変化検出用電極を有する。３つの第１電極１１１は、第２領域１０４のうち半導体素子５１からの光が通過する部分にそれぞれ配置されている。３つの第１電極１１１は、Ｘ軸方向へ並列させて設けられている。各第１電極１１１の間には、間隔が設けられている。不図示の第２電極は、自発分極部２０を介して各第１電極１１１に対向させて配置されている。
【００６６】
発光部５２からの光線ごとに配置された第１電極１１１及び第２電極を用いることで、光線が通過する各箇所の温度変化に応じた温度調節が可能となる。また、第１電極１１１及び第２電極と同様に、不図示のヒータ及びサーミスタも、発光部５２からの光線ごとに配置することとしても良い。発光部５２からの光線ごとに配置されたヒータ及びサーミスタを用いることで、光線が通過する各箇所の温度変化に応じた高精度な温度調節が可能となる。これにより、高精度な温度調節により、波長変換素子全体として高い波長変換効率を実現できる。なお、第１電極１１１及び第２電極の組の数は、半導体素子５１からの光の数に応じて適宜変更しても良い。また、第１電極１１１及び第２電極の組は、発光部５２の数と同数である場合に限られない。複数の光に対して１組の第１電極１１１及び第２電極を用いることで、第１電極１１１及び第２電極の組を発光部５２の数より少なくしても良い。
【００６７】
図２０に示す光源装置１２０のＳＨＧ素子１２１は、２つの第１領域１２４、１２６と、３つの第２領域１２３、１２５、１２７からなる光学結晶１２２を有する。１つの第２領域１２３は、半導体素子５１に対向させて設けられている。１つの第２領域１２５は、Ｚ軸方向における光学結晶１２２の中心部分に設けられている。１つの第２領域１２７は、外部共振器５７に対向させて設けられている。第１領域１２４、１２６は、第２領域１２３、１２５、１２７の間にそれぞれ設けられている。
【００６８】
各第２領域１２３、１２５、１２７には、半導体素子５１からの光が通過する部分に配置された３つの第１電極１１１が配置されている。不図示の第２電極は、自発分極部２０を介して各第１電極１１１に対向させて配置されている。半導体素子５１からの各光について複数組の第１電極１１１及び第２電極を用いることで、光学結晶１２２のうち各光が通過する部分における複数箇所の温度変化を検出することができる。これにより、高精度な温度調節により、ＳＨＧ素子１２１全体として高い波長変換効率を実現できる。なお、光学結晶１２２の第１領域１２４、１２６の数、第２領域１２３、１２５、１２７の数は、本変形例で説明するものに限られず、適宜変更しても良い。第１電極１１１及び第２電極の組の数は、第２領域の数に応じて決定できる。
【実施例３】
【００６９】
図２１は、本発明の実施例３に係るモニタ装置１３０の概略構成を示す。モニタ装置１３０は、装置本体１３１と、光伝送部１３２とを有する。装置本体１３１は、上記実施例１の光源装置１０（図１参照）を備える。光伝送部１３２は、２つのライトガイド１３４、１３５を有する。光伝送部１３２のうち被写体（不図示）側の端部には、拡散板１３６及び結像レンズ１３７が設けられている。第１ライトガイド１３４は、光源装置１０からの光を被写体へ伝送する。拡散板１３６は、第１ライトガイド１３４の射出側に設けられている。第１ライトガイド１３４内を伝播した光は、拡散板１３６を透過することにより、被写体側にて拡散する。光源装置１０から拡散板１３６までの光路中の各部は、被写体を照明する照明装置を構成する。
【００７０】
第２ライトガイド１３５は、被写体からの光をカメラ１３３へ伝送する。結像レンズ１３７は、第２ライトガイド１３５の入射側に設けられている。結像レンズ１３７は、被写体からの光を第２ライトガイド１３５の入射面へ集光させる。被写体からの光は、結像レンズ１３７により第２ライトガイド１３５へ入射した後、第２ライトガイド１３５内を伝播してカメラ１３３へ入射する。
【００７１】
第１ライトガイド１３４、第２ライトガイド１３５としては、多数の光ファイバを束ねたものを用いることができる。光ファイバを用いることで、光を遠方へ伝送させることができる。カメラ１３３は、装置本体１３１内に設けられている。カメラ１３３は、光源装置１０からの光により照明された被写体を撮像する撮像部である。第２ライトガイド１３５から入射した光をカメラ１３３へ入射させることで、カメラ１３３による被写体の撮像ができる。上記実施例１の光源装置１０を用いることにより、高い効率で光を射出できる。これにより、高い効率で供給された光を用いて明るい像をモニタできるという効果を奏する。なお、モニタ装置１３０は、上記各実施例のいずれの光源装置を適用しても良い。
【実施例４】
【００７２】
図２２は、本発明の実施例４に係るプロジェクタ１４０の概略構成を示す。プロジェクタ１４０は、スクリーン１４９に光を供給し、スクリーン１４９で反射する光を観察することで画像を鑑賞するフロント投写型のプロジェクタである。プロジェクタ１４０は、赤色（Ｒ）光用光源装置１４１Ｒ、緑色（Ｇ）光用光源装置１４１Ｇ、青色（Ｂ）光用光源装置１４１Ｂを有する。各色光用光源装置１４１Ｒ、１４１Ｇ、１４１Ｂは、いずれも上記実施例１の光源装置１０（図１参照）と同様の構成を有する。プロジェクタ１４０は、各色光用光源装置１４１Ｒ、１４１Ｇ、１４１Ｂからの光を用いて画像を表示する画像表示装置である。
【００７３】
Ｒ光用光源装置１４１Ｒは、Ｒ光を供給する光源装置である。拡散素子１４２は、照明領域の整形、拡大、照明領域における光量分布の均一化を行う。拡散素子１４２としては、例えば、回折光学素子である計算機合成ホログラム（Computer  Generated  Hologram；ＣＧＨ）を用いることができる。フィールドレンズ１４３は、Ｒ光用光源装置１４１Ｒからの光を平行化させ、Ｒ光用空間光変調装置１４４Ｒへ入射させる。Ｒ光用光源装置１４１Ｒ、拡散素子１４２、及びフィールドレンズ１４３は、Ｒ光用空間光変調装置１４４Ｒを照明する照明装置を構成する。Ｒ光用空間光変調装置１４４Ｒは、照明装置からのＲ光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。Ｒ光用空間光変調装置１４４Ｒで変調されたＲ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１４５へ入射する。
【００７４】
Ｇ光用光源装置１４１Ｇは、Ｇ光を供給する光源装置である。拡散素子１４２及びフィールドレンズ１４３を経た光は、Ｇ光用空間光変調装置１４４Ｇへ入射する。Ｇ光用光源装置１４１Ｇ、拡散素子１４２、及びフィールドレンズ１４３は、Ｇ光用空間光変調装置１４４Ｇを照明する照明装置を構成する。Ｇ光用空間光変調装置１４４Ｇは、照明装置からのＧ光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。Ｇ光用空間光変調装置１４４Ｇで変調されたＧ光は、クロスダイクロイックプリズム１４５のうちＲ光が入射する面とは異なる面へ入射する。
【００７５】
Ｂ光用光源装置１４１Ｂは、Ｂ光を供給する光源装置である。拡散素子１４２及びフィールドレンズ１４３を経た光は、Ｂ光用空間光変調装置１４４Ｂへ入射する。Ｂ光用光源装置１４１Ｂ、拡散素子１４２、及びフィールドレンズ１４３は、Ｂ光用空間光変調装置１４４Ｂを照明する照明装置を構成する。Ｂ光用空間光変調装置１４４Ｂは、照明装置からのＢ光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置であって、透過型液晶表示装置である。Ｂ光用空間光変調装置１４４Ｂで変調されたＢ光は、クロスダイクロイックプリズム１４５のうちＲ光が入射する面、及びＧ光が入射する面とは異なる面へ入射する。透過型液晶表示装置としては、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ液晶パネル（High  Temperature  Polysilicon；ＨＴＰＳ）を用いることができる。
【００７６】
クロスダイクロイックプリズム１４５は、互いに略直交させて配置された２つのダイクロイック膜１４６、１４７を有する。第１ダイクロイック膜１４６は、Ｒ光を反射し、Ｇ光及びＢ光を透過させる。第２ダイクロイック膜１４７は、Ｂ光を反射し、Ｒ光及びＧ光を透過させる。クロスダイクロイックプリズム１４５は、それぞれ異なる方向から入射したＲ光、Ｇ光及びＢ光を合成し、投写レンズ１４８の方向へ射出する。投写レンズ１４８は、クロスダイクロイックプリズム１４５で合成された光をスクリーン１４９に向けて投写する。
【００７７】
上記の光源装置１０と同様の構成を有する各色光用光源装置１４１Ｒ、１４１Ｇ、１４１Ｂを用いることにより、高い効率で光を射出できる。これにより、高い効率で供給された光を用いて明るい画像を表示できるという効果を奏する。なお、各色光用光源装置１４１Ｒ、１４１Ｇ、１４１Ｂは、上記各実施例のいずれの光源装置と同様の構成を適用しても良い。プロジェクタ１４０は、Ｒ光用光源装置１４１Ｒ、Ｇ光用光源装置１４１Ｇ、Ｂ光用光源装置１４１Ｂがいずれも上記各実施例のいずれかの光源装置と同様の構成である場合に限られない。例えば、Ｒ光用光源装置１４１Ｒは、ＳＨＧ素子を用いず光源部からの基本波光をそのまま射出するものとしても良い。
【００７８】
プロジェクタは、空間光変調装置として透過型液晶表示装置を用いる場合に限られない。空間光変調装置としては、反射型液晶表示装置（Liquid  Crystal  On  Silicon；ＬＣＯＳ）、ＤＭＤ（Digital  Micromirror  Device）、ＧＬＶ（Grating  Light  Valve）等を用いても良い。プロジェクタは、色光ごとに空間光変調装置を備える構成に限られない。プロジェクタは、一の空間光変調装置により２つ又は３つ以上の色光を変調する構成としても良い。プロジェクタは、空間光変調装置を用いる場合に限られない。プロジェクタは、ガルバノミラー等の走査手段により光源装置からのレーザ光を走査させ、被照射面において画像を表示するレーザスキャン型のプロジェクタであっても良い。プロジェクタは、画像情報を持たせたスライドを用いるスライドプロジェクタであっても良い。プロジェクタは、スクリーンの一方の面に光を供給し、スクリーンの他方の面から射出する光を観察することで画像を鑑賞する、いわゆるリアプロジェクタであっても良い。
【００７９】
本発明の光源装置は、画像表示装置である液晶ディスプレイに適用しても良い。本発明の光源装置と導光板を組み合わせることにより、液晶パネルを照明する照明装置として用いることができる。この場合も、明るい画像を表示することができる。本発明の光源装置は、モニタ装置や画像表示装置に適用される場合に限られない。本発明の光源装置は、例えば、レーザ光を用いた露光のための露光装置やレーザ加工装置等の光学系に用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
以上のように、本発明に係る光源装置は、モニタ装置や画像表示装置に用いる場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施例１に係る光源装置の概略構成を示す図。
【図２】光学結晶の斜視構成を示す図。
【図３】ＳＨＧ素子の斜視構成を示す図。
【図４】第１電極及び第２電極に接続された構成について説明する図。
【図５】光学結晶の焦電効果について説明する図。
【図６】光学結晶の温度変化の検出について説明する図。
【図７】光学結晶の温度を調節するためのブロック構成を示す図。
【図８】実施例１の変形例１に係る光源装置の要部概略構成を示す図。
【図９】光学結晶、第１電極及び第２電極の側面概略構成を示す図。
【図１０】実施例１の変形例２に係る光源装置の要部概略構成を示す図。
【図１１】実施例１の変形例３に係る光源装置の要部概略構成を示す図。
【図１２】光線ごとに配置された温度変化検出用電極を有する構成を説明する図。
【図１３】本発明の実施例２に係る光源装置の要部概略構成を示す図。
【図１４】光学結晶の斜視構成を示す図。
【図１５】ＳＨＧ素子のうち光学結晶、第１電極及び第２電極を示す図。
【図１６】実施例２の変形例１に係る光源装置の要部概略構成を示す図。
【図１７】実施例２の変形例２に係る光源装置の要部概略構成を示す図。
【図１８】実施例２の変形例３に係る光源装置の要部概略構成を示す図。
【図１９】光線ごとに配置された温度変化検出用電極を有する構成を説明する図。
【図２０】複数の第１領域及び第２領域を有する構成を説明する図。
【図２１】本発明の実施例３に係るモニタ装置の概略構成を示す図。
【図２２】本発明の実施例４に係るプロジェクタの概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００８２】
１０  光源装置、１１  半導体素子、１２  ミラー層、１３  活性層、１４  ＳＨＧ素子、１５  光学結晶、１６  第１領域、１７  第２領域、１８  分極反転部、１９、２０  自発分極部、２１  外部共振器、Ｓ１  上面、Ｓ２  下面、２２  熱拡散板、２３  基板、２４  ヒータ、２５  サーミスタ、２６  第１電極、２７  第２電極、３０  温度変化検出部、３２  制御部、３３  ＣＰＵ、３４  メモリ、４０  光源装置、４１  ＳＨＧ素子、４２  第１電極、４３  第２電極、４５  光源装置、４６  ＳＨＧ素子、４７、４８、４９  第１電極、５０  光源装置、５１  半導体素子、５２  発光部、５３  ＳＨＧ素子、５４  光学結晶、５５  第１領域、５７  外部共振器、６０  光源装置、６１  ＳＨＧ素子、６２  光学結晶、６３  第１領域、６４  第２領域、６５  第１電極、７０  光源装置、７１  光学結晶、７２  第１領域、７３  第２領域、７４  ＳＨＧ素子、７５  第１電極、７６  第２電極、８０  光源装置、８１  ＳＨＧ素子、８２  光学結晶、８３、８５  第１領域、８４  第２領域、９０  光源装置、９１  ＳＨＧ素子、９２  光学結晶、９３、９５、９７  第２領域、９４、９６  第１領域、１００  光源装置、１０１  ＳＨＧ素子、１０２  光学結晶、１０３  第１領域、１０４  第２領域、１０５  第１電極、１１０  光源装置、１１１  第１電極、１２０  光源装置、１２１  ＳＨＧ素子、１２２  光学結晶、１２３、１２５、１２７  第２領域、１２４、１２６  第１領域、１３０  モニタ装置、１３１  装置本体、１３２  光伝送部、１３３  カメラ、１３４  第１ライトガイド、１３５  第２ライトガイド、１３６  拡散板、１３７  結像レンズ、１４０  プロジェクタ、１４１Ｒ  Ｒ光用光源装置、１４１Ｇ  Ｇ光用光源装置、１４１Ｂ  Ｂ光用光源装置、１４２  拡散素子、１４３  フィールドレンズ、１４４Ｒ  Ｒ光用空間光変調装置、１４４Ｇ  Ｇ光用空間光変調装置、１４４Ｂ  Ｂ光用空間光変調装置、１４５  クロスダイクロイックプリズム、１４６  第１ダイクロイック膜、１４７  第２ダイクロイック膜、１４８  投写レンズ、１４９  スクリーン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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