(57)【要約】【課題】あらかじめ断線モードおよび短絡モードの検出に適応した偏光板を用意する必要がある。また、この検査方法では、これら２つのモード以外の検査項目についての検査には、適応できない。このため、あらかじめ偏光板を用意することなく簡易な検査方法を提供する。【解決手段】駆動周波数で表示を行った場合と比較して、トランジスタの特性等に起因する容量素子電位の変動を顕著にすることができ、容量素子電位の変動にともなって不良画素の表示輝度を正常画素に対して相対的に異ならせることができる。このため、駆動周波数による表示検査では検出できない不良を容易に検出することができる。【選択図】図３
2009175488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行方向および前記行方向に交差する列方向に沿って配列された複数の画素と、
前記画素ごとに形成されたトランジスタと、
前記トランジスタに電気的に接続された容量素子とを備える電気光学装置の検査方法であって、
前記電気光学装置の表示を行う駆動周波数と異なる周波数で前記トランジスタを選択して表示を行い、周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる前記画素を不良と判定する品質表示検査工程を備えることを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の検査方法であって、
前記品質表示検査工程が、前記駆動周波数に比べて低い周波数で前記トランジスタを選択して表示を行い、周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる前記画素を不良と判定する低周波表示検査工程を含むことを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置の検査方法であって、
前記品質表示検査工程が、前記駆動周波数に比べて高い周波数で前記トランジスタを選択して表示を行い、周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる前記画素を不良と判定する高周波表示検査工程を含むことを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査方法であって、
前記品質表示検査工程が、前記低周波表示検査工程と、前記高周波表示検査工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査方法であって、
前記駆動周波数により表示を行い、周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる前記画素を不良と判定する駆動表示検査工程を備えることを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置などの電気光学装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、被検査物である液晶装置などの電気光学装置の点灯検査を行う際、電気光学装置は、その駆動周波数により表示されている。この駆動周波数は、たとえば６０Ｈｚであり、１秒間に６０回の頻度で、電気光学装置の表示が更新される。
ここで、液晶装置の点灯欠陥を検出する検査方法および検査装置に関して、断線モードおよび短絡モードを検出する方法が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平３−６１９９３号公報（３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の従来例では、あらかじめ断線モードおよび短絡モードの検出に適応した偏光板を用意する必要がある。また、この検査方法では、これら２つのモード以外の検査項目についての検査には、適応できないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる電気光学装置の検査方法は、行方向および前記行方向に交差する列方向に沿って配列された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続された容量素子とを備える電気光学装置の検査方法であって、前記電気光学装置の表示を行う駆動周波数と異なる周波数で前記トランジスタを選択して表示を行い、周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる前記画素を不良と判定する品質表示検査工程を備えることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、駆動周波数で表示を行った場合と比較して、トランジスタの特性等に起因する容量素子電位の変動を顕著にすることができ、容量素子の電位の変動にともなって不良画素の表示輝度を正常画素に対して相対的に異ならせることができる。このため、駆動周波数による表示検査では検出できない不良を容易に検出することができる。ここで、「周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる」とは、たとえば目視により黒浮きまたは輝点として視認できることをいう。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる電気光学装置の検査方法において、前記品質表示検査工程が、前記駆動周波数に比べて低い周波数で前記トランジスタを選択して表示を行い、周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる前記画素を不良と判定する低周波表示検査工程を含むことが好ましい。
【０００９】
これによれば、駆動周波数で表示を行った場合と比較して画素容量の保持時間が長くなるので、トランジスタのオフ（ＯＦＦ）電流または画素容量からの電荷のリークなどによる画素容量の電位の低下が顕著となる。これにより、画素容量の電位が低下しやすい不良画素では、輝度が周囲の画素に対して大きく変化するため、こうした画素を不良と判定することができる。このようにして、電気光学装置において、トランジスタのオフ電流または容量リークによる不良を、容易に検出することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる電気光学装置の検査方法において、前記品質表示検査工程が、前記駆動周波数に比べて高い周波数で前記トランジスタを選択して表示を行い、周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる前記画素を不良と判定する高周波表示検査工程を含むことが好ましい。
【００１１】
これによれば、駆動周波数で表示を行った場合と比較して画素容量への書き込み時間が短くなるので、十分なオン（ＯＮ）電流が流れるトランジスタを有する画素では、画素容量電位が所定値に達する一方で、オン電流が小さいトランジスタを有する画素では、画素容量電位が不十分な状態で書き込みが終了する。画素容量電位が不十分な画素は、書き込み期間終了後の輝度が他の画素と異なるため、容易に不良として検出することができる。このようにして、電気光学装置において、オン電流が低いトランジスタを有する不良画素を、容易に検出することができる。これにより、表示の際の書き込み期間に余裕度のある信頼性の高い電気光学装置が得られる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる電気光学装置の検査方法において、前記品質表示検査工程が、前記低周波表示検査工程と、前記高周波表示検査工程とを含むことが好ましい。
【００１３】
これによれば、検査方法を複雑化または煩雑化させることなく、簡略かつ効率的に品質表示検査工程で上述の効果を得ることが可能となる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例にかかる電気光学装置の検査方法において、前記駆動周波数により表示を行い、周囲の前記画素との輝度差が所定の程度以上となる前記画素を不良と判定する駆動表示検査工程を備えることが好ましい。
【００１５】
これによれば、上述の効果を得ることが可能となるとともに、駆動周波数により行う表示検査を実施することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下の実施形態では、電気光学装置として液晶装置を一例として挙げ、図面を参照して説明する。
（実施形態）
【００１７】
図１は、本実施形態にかかる液晶装置の概略構成を模式的に示す平面図である。なお、図１では、紙面縦方向をＹ方向とし、紙面横方向をＸ方向とする。図２は、本実施形態にかかる液晶装置１００の電気的な構成を模式的に示す等価回路図である。
【００１８】
以下、本実施形態にかかる液晶装置について、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を一例に挙げ、図１および図２を参照して説明する。ＴＦＴ素子は、上記トランジスタに対応する。
【００１９】
図１に示すように、液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが、枠状のシール材５により貼り合わされ、シール材５の内側に液晶が封入されて液晶層４が形成されている。
【００２０】
素子基板９１には、第１絶縁層、第２絶縁層、複数の走査線３（ゲート線）、複数の信号線６（ソース線）、複数のＴＦＴ素子３０（図２参照）、複数の画素電極１０（図２参照）、複数の外部接続用配線３４、半導体装置としてのドライバＩＣ４０、および回路基板としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）４１などが、形成または実装されている。
【００２１】
素子基板９１の内面上には、Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍ−１、Ｇｍ（ｍは自然数）のアドレス番号に対応する複数の走査線３が形成されている。各走査線３は、ドライバＩＣ４０の出力側の電極と電気的に接続されており、ドライバＩＣ４０に対応する位置から、張り出し領域３１に引き回され、さらに、有効表示領域Ｖ内をＹ方向に相隣接する画素Ｇの間に、かつＸ方向に延在するように形成されている。以下では、走査線３の延在方向を行方向とも呼ぶ。素子基板９１の内面上の一部、および複数の走査線３の内面上には、絶縁性を有する第１絶縁層が形成されている。
【００２２】
この第１絶縁層上には、Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎ−１、Ｓｎ（ｎは自然数）のアドレス番号に対応する複数の信号線６が形成される。各信号線６は、ドライバＩＣ４０の出力側の電極と電気的に接続されており、ドライバＩＣ４０に対応する位置から、張り出し領域３１を引き回され、さらに有効表示領域Ｖ内をＸ方向に相隣接する画素Ｇの間に、かつＹ方向に延在するように形成されている。以下では、信号線６の延在方向を列方向とも呼ぶ。そして、第１絶縁層および複数の信号線６の内面上には、絶縁性を有する第２絶縁層が形成されている。
【００２３】
各走査線３と各信号線６との交差に対応する位置に設けられた画素Ｇには、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子３０、およびＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料からなる画素電極１０、容量素子としての画素容量９（図２参照）が形成されている。１つの画素ＧがＹ方向（列方向）およびＸ方向（行方向）に複数、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖである。有効表示領域Ｖは、２点鎖線により囲まれる領域であり、文字、数字、図形などの画像が表示される。また、ＴＦＴ素子３０、画素電極１０、および第２絶縁層の内面上には、配向膜が形成されている。
【００２４】
また、素子基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側に張り出した張り出し領域３１を有している。張り出し領域３１に対応する素子基板９１の内面上には、複数の走査線３が形成されている。複数の走査線３は、第１絶縁層により覆われている。この第１絶縁層上には、配線１５および複数の信号線６が形成されている。配線１５および複数の信号線６は、第２絶縁層により覆われている。
張り出し領域３１には、ドライバＩＣ４０が、接着剤としての異方性導電膜などにより、実装されている。接着剤としては、たとえばＮＣＦ（Non Conductive Film）を用いてもよい。
【００２５】
ドライバＩＣ４０は、複数の走査線３を駆動するゲート回路、複数の信号線６を駆動するソース回路、端子ＣＯＭ、ならびに配線１５を経由して対向電極を駆動する対向電極駆動回路を有している。ドライバＩＣ４０の出力側の電極は、異方性導電膜などによりＦＰＣ４１が実装され、複数の信号線６、複数の走査線３、端子ＣＯＭ、および配線１５に、それぞれ電気的に接続されている。また、このうち走査線３および信号線６は、交互にドライバＩＣ４０の出力側の電極に電気的に接続されている。
【００２６】
また、張り出し領域３１には、複数の外部接続用配線３４が形成されている。各外部接続用配線３４は、Ｘ方向に適宜の間隔をおいて配置されており、かつ第２絶縁層により覆われている。各外部接続用配線３４の一端側は、ドライバＩＣ４０の入力側の各電極に、電気的に接続されているとともに、各外部接続用配線３４の他端側の電極１３，１６には、ＦＰＣ４１に形成された複数の端子に電気的に接続されている。これにより、携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶装置１００へ信号や電力が供給される。
【００２７】
カラーフィルタ基板９２には、画素Ｇに対応する位置にＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のいずれかからなる着色層、着色層上にＩＴＯなどの透明導電材料からなる対向電極、および対向電極上に配向膜が、それぞれ形成されている。対向電極は、たとえばシール材５の隅の領域Ｅ１にて、配線１５の一端側と上下導通している。これにより、対向電極には、ドライバＩＣ４０の端子ＣＯＭから配線１５を経由して、所定の電圧を印加することが可能となっている。対向電極は、たとえば定電位とされるものである。対向電極と画素電極との間に印加される駆動電圧により液晶層４内の液晶が駆動される。
【００２８】
次に、液晶装置１００の電気的な構成について、図２を参照して説明する。図２は、液晶装置１００の電気的な構成を模式的に示す等価回路図である。
【００２９】
図２に示すように、Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎ−１、Ｓｎのアドレス番号に対応する複数の信号線６は、図１のＹ方向に間隔をおいて延在するように形成されている。そして、Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍ−１、Ｇｍのアドレス番号に対応する複数の走査線３は、図１のＸ方向に間隔をおいて延在するように形成されている。第２絶縁層上であって、かつ各信号線６と各走査線３との交差に対応する画素Ｇには、ソース、ゲート、およびドレインの各電極を有するＴＦＴ素子３０、ＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続された画素容量９、ならびに画素電極１０が、それぞれ設けられている。各ＴＦＴ素子３０のソース側は、コンタクトホールなどを通じて、各信号線６に電気的に接続されている。各ＴＦＴ素子３０のゲート側は、コンタクトホールなどを通じて、各走査線３に電気的に接続されている。各ＴＦＴ素子３０のドレイン側は、各画素電極１０に電気的に接続されている。
【００３０】
各信号線６および各走査線３は、ドライバＩＣ４０と電気的に接続されており、ドライバＩＣ４０内に設けられたソース回路は、各信号線６の駆動を担うとともに、ドライバＩＣ４０内に設けられたゲート回路は、各走査線３の駆動を担う。
【００３１】
ドライバＩＣ４０内のゲート回路によって、Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍ−１、Ｇｍの順に、走査線３が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された走査線３には、選択電圧のゲート信号が供給される一方、他の非選択の走査線３には、非選択電圧のゲート信号が供給される。ドライバＩＣ４０内のソース回路は、選択された走査線３に位置する画素電極１０に対し、表示内容に応じたソース信号を、それぞれ対応する信号線６およびＴＦＴ素子３０を経由して、供給する。このようにして、液晶層４の表示状態が、非表示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層４の表示動作が制御される。
【００３２】
以下、本実施形態にかかる液晶装置の検査方法について、図３〜図８を参照して説明する。
【００３３】
図３は、本実施形態にかかる液晶装置の検査方法を示すフローチャートである。図４および図５は、本実施形態にかかる液晶装置の駆動周波数と、駆動周波数による電位とを示す駆動波形図である。図６は、本実施形態にかかる液晶装置の低い周波数による電位とを示す低周波表示波形図である。図７は、本実施形態にかかる液晶装置の駆動周波数と、駆動周波数による電位とを示す駆動波形図である。図８は、本実施形態にかかる液晶装置の駆動周波数に比べて高い周波数による電位を示す高周波表示波形図である。なお、図４〜図８おいて示す波形は、説明を分りやすくするために、一部省略して表示しているが、実際には、駆動周波数ＦＤ、駆動周波数ＦＤに比べて低い周波数ＦＬ、および駆動周波数ＦＤに比べて高い周波数ＦＨに対して、所定の波形が形成されている。
【００３４】
液晶装置の検査方法のフローについて、図３を参照して説明する。
【００３５】
図３に示すように、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）、および品質表示検査工程を、順に実施する。品質表示検査工程は、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）と、高周波表示検査工程（Ｓ１０３）とを含む。低周波表示検査工程（Ｓ１０２）、および高周波表示検査工程（Ｓ１０３）を、順に実施する。この後、完了判定（Ｓ１０４）において、検査の完了を判断する。
【００３６】
次に、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）における、駆動周波数による検査方法について、図４を参照して説明する。
【００３７】
図４は、液晶装置の駆動周波数と、駆動周波数による電位とを示す駆動波形図である。図４において、横軸は時間を示し、縦軸は電位を示す。本実施形態では、駆動周波数ＦＤでＴＦＴ素子３０を選択して表示を行う。駆動周波数ＦＤは、たとえば６０Ｈｚとする。
【００３８】
図４（ａ）に、駆動周波数ＦＤで表示を行った際の、或る画素Ｇに接続された信号線６の電位の波形を実線で示す。期間Ｔは、駆動周波数ＦＤの１／２周期に相当し、０．５秒を示す。
【００３９】
図４（ｂ）に、駆動周波数ＦＤで表示を行った際の、走査線３の電位の波形を実線で示す。期間Ｔ１は、駆動周波数ＦＤにおける、画素容量９への書き込み時間を示す。すなわち、期間Ｔ１においてＴＦＴ素子３０がオンとなり、その際、信号線６の電位に応じたオン電流が画素容量９に流れて画素容量９への書き込みが行われる。
【００４０】
図４（ｃ）に、駆動周波数ＦＤで表示を行った際の、画素容量９の電位の正常波形を実線で示し、表示異常電位の閾値を２本の破線で示す。画素容量９の電位が閾値を割る、つまり２本の破線の間に入ると、当該画素Ｇの表示輝度と、その周囲の画素Ｇの表示輝度との差が所定の程度以上となり、目視で確認される。換言すれば、表示以上電位の閾値は、当該画素Ｇの表示輝度と、その周囲の画素Ｇの表示輝度との差が所定の程度以上（すなわち目視で確認できる程度）となる値である。そして、実線で示した正常波形を示す画素容量９を有する画素Ｇは、正常である。
また、図４（ｃ）は、書き込み後、つまり、次の期間Ｔ１までの時間において、画素容量９の電位が低下することを示している。これは、ＴＦＴ素子３０への電流の漏れ（オフ電流）、または画素容量９からの電荷のリークなどによるものである。
【００４１】
駆動表示検査工程（Ｓ１０１）では、期間Ｔの間に、画素容量９の電位の波形が、２本の破線に挟まれた領域に入って表示輝度に異常が生じると、異常波形と判断し、不良と判定される。
【００４２】
次に、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）における、駆動周波数に比べて低い周波数による検査方法について、図５および図６を参照して説明する。
【００４３】
低周波表示検査工程の利点を説明するため、まず駆動周波数ＦＤでの検査で検出されにくい不良について説明する。図５は、液晶装置の駆動周波数と、駆動周波数による電位とを示す駆動波形図である。つまり、図５（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図４（ａ）および（ｂ）と同様である。このため、同一の符号を付与し、説明を一部省略する。
ここで、図５（ｂ）は、期間Ｔ２を記載した点が、図４（ｂ）と相違する点である。期間Ｔ２は、画素容量９への書き込みの後で、次の期間Ｔ１の開始までの時間である。
【００４４】
図５（ｃ）は、一点鎖線で示す波形を記載した点が、図４（ｃ）と相違する点である。
図５（ｃ）に一点鎖線で示す波形は、期間Ｔ２の間に、実線の波形と比較して、画素容量９の電位が大きく低下することを示している。これは、ＴＦＴ素子３０への電流の漏れ、または画素容量からの電荷のリークなどによるものである。
【００４５】
しかしながら、図５（ｃ）に一点鎖線で示す画素容量の電位の低下は、期間Ｔ２において破線の閾値を割り込まないため、輝度異常が生じず、駆動周波数ＦＤによる駆動表示検査工程（Ｓ１０１）においては、正常と判断される。
これに対し、駆動周波数ＦＤに比べて低い周波数ＦＬで表示検査を行う低周波表示検査工程（Ｓ１０２）によれば、図５（ｃ）に、一点鎖線で示された波形の画素Ｇの不良を検出することができる。
【００４６】
以下、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）について、図６を参照して説明する。この工程では、駆動周波数ＦＤより低い周波数ＦＬでＴＦＴ素子３０を選択して表示を行う。本実施形態では、低い周波数ＦＬを、１Ｈｚとする。
【００４７】
図６は、液晶装置の駆動周波数ＦＤに比べて低い周波数ＦＬによる電位を示す低周波表示波形図である。
【００４８】
図６（ａ）に、低い周波数ＦＬで表示を行った際の、走査線３の電位の波形を実線で示す。
【００４９】
図６（ｂ）に、低い周波数ＦＬで表示を行った際の、画素容量９の電位の波形を示す。
期間ＴＬは、低い周波数ＦＬにおける、画素容量９への書き込み時間後、かつ次の期間Ｔ１までの時間を示す。つまり、期間ＴＬは、画素容量９の保持時間を示す。期間ＴＬは、駆動周波数ＦＤで表示を行った場合の保持時間に相当する期間Ｔ２と比べて長くなる。期間Ｔ２では、ＴＦＴ素子３０への電流の漏れ、または画素容量９からの電荷のリークなどにより、画素容量９の電位は徐々に低下する。
【００５０】
図６（ｂ）において、実線で示す走査線３の電位の波形は、図５（ｃ）に実線で示した正常波形の画素Ｇを、低い周波数ＦＬにより表示した際の、電位を示すものである。ここでは、期間ＴＬにおいて波形が破線の閾値を割り込まないため、輝度異常は生じない。すなわち、実線で示した正常波形を示す画素容量９を有する画素Ｇは、正常である。
【００５１】
一方、二点鎖線で示す画素容量９の電位の波形は、図５（ｃ）に一点鎖線で示した波形の画素Ｇを、低い周波数ＦＬにより表示した際の、電位を示すものである。当該画素Ｇは、駆動周波数ＦＤによる検査では正常と判定されるが、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）においては、保持期間ＴＬが長いため、期間ＴＬ内に波形が破線の閾値を割り込んで輝度異常が生じる。すなわち、当該画素Ｇの表示輝度と、その周囲の画素Ｇの表示輝度との差が所定の程度以上となり、目視で確認される。このため、当該画素Ｇは不良と判定される。
【００５２】
以上のように、低い周波数ＦＬで表示を行った場合には、駆動周波数ＦＤで表示を行った場合と比較して画素容量９への書き込み後の保持時間が長くなるため、画素容量９の電位低下が顕著に表れる。画素容量９の電位低下の大きい画素Ｇは、他の画素Ｇと比較して大きく輝度が変化する。このため、ＴＦＴ素子３０のオフ電流や画素容量９からの電荷のリークによる電位低下が生じ易い画素Ｇでは表示異常となり、表示不良を容易に検出することができる。ここで表示異常とは、ノーマリーホワイトモードであれば、たとえば黒浮きであり、ノーマリーブラックモードでは、たとえば輝点である。
【００５３】
次に、高周波表示検査工程（Ｓ１０３）における、駆動周波数に比べて高い周波数による検査方法について、図７および図８を参照して説明する。高周波表示検査工程の利点を説明するため、まず駆動周波数ＦＤでの検査で検出されにくい不良について説明する。
【００５４】
図７は、液晶装置の駆動周波数ＦＤと、駆動周波数ＦＤによる電位とを示す駆動波形図である。つまり、図７（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図４（ａ）および（ｂ）と同様である。このため、同一の符号を付与し、説明を省略する。
【００５５】
図７（ｃ）は、期間ＴＫおよび一点鎖線で示す波形を記載した点が、図４（ｃ）と相違する点である。
図７（ｃ）に一点鎖線で示す波形は、実線で示す波形と比較して、期間ＴＫだけ画素容量９の書き込みに要する時間が長くなっている。これは、たとえばＴＦＴ素子３０のオン能力（所定のゲート電圧が印加された際に流れるオン電流の大きさ）が小さいことにより生じる。
【００５６】
しかしながら、図７（ｃ）に実線および一点鎖線で示す波形は、いずれも期間Ｔ１において所定の電位に達しているため、輝度異常が生じず、駆動周波数ＦＤによる駆動表示検査工程（Ｓ１０１）においては、正常と判断される。
これに対し駆動周波数ＦＤに比べて高い周波数ＦＨで表示を行う高周波表示検査工程（Ｓ１０３）によれば、図７（ｃ）に一点鎖線で示された波形の画素Ｇの不良を検出することができる。
【００５７】
以下、高周波表示検査工程（Ｓ１０３）について、図８を参照して説明する。この工程では、駆動周波数ＦＤより高い周波数ＦＨでＴＦＴ素子３０を選択して表示を行う。本実施形態では、高い周波数ＦＨを１００Ｈｚとする。
【００５８】
図８は、液晶装置の駆動周波数ＦＤに比べて高い周波数ＦＨによる電位を示す高周波表示波形図である。
【００５９】
図８（ａ）に、高い周波数ＦＨで表示を行った際の走査線３の電位の波形を実線で示す。周波数ＦＨは、駆動周波数ＦＤより大きいため、図８（ａ）における書き込み期間（期間ＴＫ１）は、図７（ｂ）に示す書き込み期間（期間Ｔ１）より短くなっている。
【００６０】
図８（ｂ）に、高い周波数ＦＨで表示を行った際の画素容量９の電位の波形を示す。
図８（ｂ）において、実線で示す画素容量９の電位の波形は、図７（ｃ）に実線で示した正常波形が得られた画素Ｇを、高い周波数ＦＨにより表示した際の、画素容量９の電位を示すものである。ここでは、期間ＴＫ１において電位が所定の値に達している。より詳しくは、期間ＴＫ１から期間ＴＨを差し引いた時間で所定の電位に達している。このため、次の書き込み期間ＴＫ１まで波形が破線の閾値を割り込まず、輝度異常は生じない。すなわち、実線で示した正常波形を示す画素容量９を有する画素Ｇは、正常である。
【００６１】
一方、二点鎖線で示す画素容量の電位の波形は、図７（ｃ）に一点鎖線で示した波形が得られた画素Ｇを、高い周波数ＦＨにより表示した際の、画素容量の電位を示すものである。このように、二点鎖線で示した波形の画素Ｇでは、ＴＦＴ素子３０のオン能力の不足から、画素容量９の電位が期間ＴＫ１の間に所定の電位に達していない。この結果、画素容量９の電位の波形が、２本の破線に挟まれた領域に入り、輝度異常が生じる。すなわち、当該画素Ｇの表示輝度と、その周囲の画素Ｇの表示輝度との差が所定の程度以上となり、目視で確認される。このため、当該画素Ｇは不良と判定される。
【００６２】
このように、高い周波数ＦＨで表示を行った場合には、駆動周波数ＦＤで表示を行った場合と比較して画素容量９への書き込み時間が短くなる。このため、十分なオン電流が流れるＴＦＴ素子３０を有する画素Ｇでは、書き込み期間内に画素容量９の電位が所定値に達する一方で、オン電流が小さいＴＦＴ素子３０を有する画素Ｇでは、画素容量９の電位が不十分な状態で書き込み期間が終了する。画素容量９の電位が不十分な画素Ｇは、書き込み期間終了後の輝度が他の画素Ｇと異なるため、表示異常となり、容易に不良として検出することができる。ここで表示異常とは、ノーマリーホワイトモードであれば、たとえば黒浮きであり、ノーマリーブラックモードでは、たとえば輝点である。
【００６３】
次に、完了判定（Ｓ１０４）において、検査の完了を判断する。
異なる表示パターンで再度検査する必要のある場合は、Ｎｏと判断し、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）、および高周波表示検査工程（Ｓ１０３）を、上述と同様に、順次実施する。
一方で、再度検査することを必要としない場合は、完了判定（Ｓ１０４）において、Ｙｅｓと判断し、上述の電気光学装置の検査を終了する。
【００６４】
以上のように、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）、高周波表示検査工程（Ｓ１０３）を含む検査方法によれば、駆動周波数ＦＤによる表示のみで検査を行った場合と比較して、ＴＦＴ素子３０の特性等に起因する画素容量９の電位の変動を顕著にすることができ、画素容量９の電位の変動にともなって異常な画素Ｇの表示輝度を正常な画素Ｇに対して相対的に異ならせることができる。このため、駆動周波数ＦＤによる表示検査では検出できない不良を容易に検出することができる。
【００６５】
本実施形態によれば、検査方法を複雑化または煩雑化させることなく、簡略かつ効率的に品質表示検査工程で上述の効果を得ることが可能となる。
【００６６】
本実施形態によれば、駆動周波数ＦＤにより行う表示検査を実施することができる。
【００６７】
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
（変形例１）
【００６８】
上述の実施形態では、品質表示検査工程が、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）と、高周波表示検査工程（Ｓ１０３）との双方を備えるとしたが、いずれか一方を備えるとしてもよい。
【００６９】
また、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）と、高周波表示検査工程（Ｓ１０３）との順序は、特に限定されるものではなく、いずれが先に実施されてもよい。
【００７０】
そして、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）および品質表示検査工程の順序は、特に限定されるものではなく、いずれの順序で実施されてもよく、品質表示検査工程の後に、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）を、実施するとしてもよい。
【００７１】
さらには、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）、および高周波表示検査工程（Ｓ１０３）の順序は、特に限定されるものではなく、いずれの順序で実施されてもよく、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）と、高周波表示検査工程（Ｓ１０３）との間に、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）を実施するとしてもよい。
【００７２】
また、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）および品質表示検査工程を実施するとしたが、駆動表示検査工程（Ｓ１０１）を実施せずに、品質表示検査工程だけを実施するとしてもよい。または、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）または高周波表示検査工程（Ｓ１０３）のいずれかだけを実施するとしてもよい。
（変形例２）
【００７３】
上記実施形態では、低周波表示検査工程（Ｓ１０２）における低い周波数ＦＬを１Ｈｚとしたが、これに限定する趣旨ではない。低い周波数ＦＬは、異常な画素Ｇの輝度と周囲の画素Ｇの輝度との差が、目視で確認できる程度となる周波数であり、かつ液晶に直流成分によるダメージを与えない周波数とすることができる。一例としては駆動周波数の１００分の１以上、２分の１以下の周波数とすることができる。
【００７４】
また、上記実施形態では、高周波表示検査工程（Ｓ１０３）における高い周波数ＦＨを１００Ｈｚとしたが、これに限定する趣旨ではない。高い周波数ＦＨは、異常な画素Ｇの輝度と周囲の画素Ｇの輝度との差が、目視で確認できる程度となる周波数とすることができ、一例としては駆動周波数の１．５倍以上、１０倍以下とすることができる。
（変形例３）
【００７５】
上記実施形態では、電気光学装置として対向する基板に設けられた対向電極と画素電極との間に印加される駆動電圧により液晶層内の液晶が駆動される、いわゆる縦電界方式の液晶装置１００を一例に挙げて説明したが、上記検査方法は、素子基板上に設けられた共通電極と画素電極との間に印加される駆動電圧により液晶層内の液晶が駆動される、いわゆる横電界方式の液晶装置に適用することも可能である。さらに、画素にトランジスタを有する種々の電気光学装置に適用することができ、一例としては有機ＥＬ装置に適用することもできる。
【００７６】
図９は、有機ＥＬ装置の画素の等価回路を示す図である。有機ＥＬ装置の各画素は、２つのＴＦＴ素子１３０，１３１と、ＴＦＴ素子１３１に接続された発光素子１０４を有する。ＴＦＴ素子１３０のゲートには走査線１０３が接続され、ソースには信号線１０６が接続され、ドレインには画素容量１０９およびＴＦＴ素子１３１のゲートが接続されている。ＴＦＴ素子１３１のソースおよび画素容量１０９の他方の電極は、定電位線１１０に接続されている。ＴＦＴ素子１３０が走査線１０３の信号によりオン状態となると、信号線１０６の電位に応じてＴＦＴ素子１３０を介して電流が流れ、画素容量１０９に信号線１０６の信号に応じた大きさの電荷が蓄積される。ＴＦＴ素子１３１には、画素容量１０９の電位に応じた量の電流が流れ、発光素子１０４において当該電流の大きさに応じた輝度の発光が行われる。
【００７７】
こうした構成の有機ＥＬ装置においても、低い周波数ＦＬでＴＦＴ素子１３０を選択して表示検査を行うと、駆動周波数ＦＤで表示を行った場合と比較して画素容量１０９の保持時間が長くなるので、ＴＦＴ素子１３０のオフ（ＯＦＦ）電流または画素容量１０９からの電荷のリークなどによる画素容量１０９の電位の低下が顕著となる。これにより、画素容量１０９の電位が低下しやすい不良画素では、発光輝度が周囲の画素に対して大きく変化するため、こうした画素を不良と判定することができる。
【００７８】
また、高い周波数ＦＨでＴＦＴ素子１３０を選択して表示検査を行うと、駆動周波数ＦＤで表示を行った場合と比較して画素容量１０９への書き込み時間が短くなるので、十分なオン（ＯＮ）電流が流れるＴＦＴ素子１３０を有する画素では、画素容量１０９の電位が所定値に達する一方で、オン電流が小さいＴＦＴ素子１３０を有する画素では、画素容量１０９の電位が不十分な状態で書き込みが終了する。画素容量１０９の電位が不十分な画素は、書き込み期間終了後の発光輝度が他の画素と異なるため、容易に不良として検出することができる。
【００７９】
このようにして、有機ＥＬ装置においても、駆動周波数による表示検査では検出できない不良を容易に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本実施形態にかかる液晶装置の概略構成を模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態にかかる液晶装置の電気的な構成を模式的に示す等価回路図。
【図３】本実施形態にかかる液晶装置の検査方法を示すフローチャート。
【図４】本実施形態にかかる液晶装置の駆動周波数と、駆動周波数による電位とを示す駆動波形図。
【図５】本実施形態にかかる液晶装置の駆動周波数と、駆動周波数による電位とを示す駆動波形図。
【図６】本実施形態にかかる液晶装置の駆動周波数に比べて低い周波数による電位を示す低周波表示波形図。
【図７】本実施形態にかかる液晶装置の駆動周波数と、駆動周波数による電位とを示す駆動波形図。
【図８】本実施形態にかかる液晶装置の駆動周波数に比べて高い周波数による電位とを示す高周波表示波形図。
【図９】有機ＥＬ装置の画素の等価回路を示す図。
【符号の説明】
【００８１】
３…走査線、６…信号線、９…画素容量、１３，１６…電極、３０…ＴＦＴ素子、１００…液晶装置、１０３…走査線、１０４…発光素子、１０６…信号線、１０９…画素容量、１３０，１３１…ＴＦＴ素子、ＦＤ…駆動周波数、ＦＬ…低い周波数、ＦＨ…高い周波数。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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