(57)【要約】【課題】Ａｌより貴な金属元素を含むＡｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造工程において、上記Ａｌ合金膜を腐食させることなく、表示装置を製造することのできる方法を提供する。【解決手段】アミン類を含む剥離液でフォトレジストを除去し、次いで洗浄開始後５秒間以上はｐＨが３．５以上４．５以下の炭酸水を用いて洗浄する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造方法であって、
前記Ａｌ合金膜は、Ａｌより貴な金属元素を含むものであり、
アミン類を含む剥離液でフォトレジストを除去し、次いで、洗浄開始後５秒間以上はｐＨが３．５以上４．５以下の炭酸水を用いて洗浄することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記炭酸水による洗浄の後、更に純水で洗浄する請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記Ａｌ合金膜が、Ａｌより貴な金属元素として、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＺｎおよびＣｏよりなる群から選択される少なくとも１種を含むものである請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記Ａｌ合金膜が、更に合金元素として、希土類元素を含むものである請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記希土類元素がＬａおよび／またはＮｄである請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関するものであり、特に、Ａｌより貴な金属元素を含むＡｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含むものであって、上記Ａｌ合金膜を腐食させることなく表示装置を製造することのできる方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ａｌ合金は、電気抵抗率が低く、加工が容易であるなどの理由により、液晶表示装置、プラズマ表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、フィールドエミッション表示装置などの薄型表示装置（ＦＰＤ）の分野で、配線膜、電極膜、反射電極膜の薄膜材料などに利用されている。
【０００３】
例えば、アクティブマトリクス型の液晶パネルは、図１に示すように、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜などの酸化物透明電極膜から構成される画素電極５、および走査線や信号線を含む配線部６を有するＴＦＴ基板１を備えている。そして走査線や信号線を構成する配線材料として、上記Ａｌ合金が用いられている。この走査線や信号線を含む配線部６のＡｌ合金膜と画素電極（透明電極膜）５は、通常、それらの間に設けられた絶縁膜のコンタクト・ホールを通して電気的に接続される。
【０００４】
尚、従来は、Ａｌ合金膜によって形成される各種電極部分と画素電極を直接接触させると、絶縁性の酸化アルミニウムなどが界面に形成されて接触電気抵抗が上昇するため、Ａｌ合金膜と透明電極膜との間にＭｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ等の高融点金属からなるバリアメタル層が形成されていた。
【０００５】
しかしながら、バリアメタル層の形成が製造コストの上昇や生産性の低下を招くことから、バリアメタル層の形成を省略し、Ａｌ合金膜を画素電極に直接接触させる技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
上記Ａｌ合金膜と透明電極膜が、絶縁膜上に形成されたコンタクト・ホールを通して電気的に接続する構造は、例えば後述する実施形態１として示す図９〜図１１の工程により形成される。即ち、図９に示す通り、スパッタリング等によりＡｌ合金膜を成膜し、パターニングしてドレイン電極２９を形成する。次に、例えばプラズマＣＶＤ法で絶縁膜（ＳｉＮＸ絶縁膜）３０を成膜し、更にその上にフォトレジスト（感光樹脂）３１を形成し、該フォトレジスト３１の開口部をエッチングして、図９に示す通り絶縁膜３０にコンタクト・ホール３２を形成する。コンタクト・ホール３２の形成後は、図１０に示す通り、フォトレジスト３１を剥離液で除去し、次に図１１に示す通り、絶縁膜３０上に、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜等の透明電極膜５を形成することにより、Ａｌ合金膜と透明電極膜が直接接触する構造が得られる。
【０００７】
上記フォトレジスト３１の剥離液としては、一般にアミン類を含む有機剥離液が用いられる。しかし、このアミン類を含む有機剥離液でフォトレジストを除去後に、該剥離液を水で洗浄すると、残存するアミン類と水が混ざって強アルカリ性となり、上記Ａｌ合金膜を腐食させるといった問題がある。
【０００８】
この問題を解決する方法として、例えば特許文献２には、エッチング処理後の基板の表面に剥離液を供給して耐エッチング被膜を除去した後、金属薄膜の形成された基板表面に二酸化炭素を含む純水を供給して洗浄することが提案されている。
【特許文献１】特開２００４−２１４６０６号公報
【特許文献２】特開２００２−１４１２６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記Ａｌ合金膜のうち、Ａｌよりも貴な金属元素を合金元素として含むＡｌ合金膜の場合、有機剥離液に含まれるアミン類と水が混ざって強アルカリ性となった溶液と接触すると、Ａｌよりも貴な金属元素とＡｌとの間の電池効果の影響でアルカリ腐食されやすく、Ａｌ合金膜を構成するＡｌが溶解して、黒点や腐食ピットといった孔食が形成されるといった問題が顕在化する。従って、特許文献２では洗浄工程で炭酸水を用いることが挙げられているが、Ａｌより貴な金属元素を含むＡｌ合金膜が形成されている場合には、上記剥離液の洗浄方法について更なる改善が必要であると考えられる。
【００１０】
またバリアメタル層を形成せず、Ａｌ合金膜と透明電極膜を直接接触させる場合には、アルカリによる腐食だけでなく酸による腐食も防止する必要があることから、上記剥離液の洗浄に用いる溶液のｐＨ制御が必要である。
【００１１】
本発明はこの様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、Ａｌよりも貴な金属元素を含むＡｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造方法であって、フォトレジストを有機剥離液で除去後、該剥離液を適切な処理条件で除去洗浄することにより、表示装置を構成するＡｌ合金膜の腐食を効果的に抑制することのできる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る表示装置の製造方法とは、Ａｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ合金膜は、Ａｌより貴な金属元素を含むものであり、アミン類を含む剥離液（以下、「アミン系剥離液」ということがある）でフォトレジストを除去し、次いで、洗浄開始後５秒間以上はｐＨが３．５以上４．５以下の炭酸水を用いて洗浄するところに特徴を有する。尚、前記炭酸水による洗浄の後には、更に純水で洗浄することが好ましい。
【００１３】
前記Ａｌより貴な金属元素を含むＡｌ合金膜としては、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＺｎおよびＣｏよりなる群から選択される少なくとも１種を含むＡｌ合金膜が挙げられる。
【００１４】
前記Ａｌ合金膜は、更に合金元素として希土類元素を含むものであってもよく、該希土類元素としてＬａおよび／またはＮｄを含むものが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、Ａｌよりも貴な金属元素を含むＡｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造において、アミン系剥離液でフォトレジストを除去した後に該剥離液を除去する工程で、上記Ａｌ合金膜の腐食を効果的に抑制することができ、結果として、Ａｌ合金膜と透明電極膜との接触電気抵抗を低減できると共に信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、Ａｌより貴な金属元素を含むＡｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造方法に関するものである。本発明において「Ａｌより貴な金属元素」とは、Ａｌよりもイオン化傾向が小さい金属元素を意味する。また、本発明において「フォトリソグラフィー法」とは、フォトレジスト（ネガおよびポジ両方のフォトレジストを含む）に光を照射して現像し、次いでエッチングすることによりパターン形成する方法を意味する。更に、本発明で製造する「表示装置」としては、「基板／Ａｌ合金膜／透明電極」の順序で積層された構成を有する表示装置、および「基板／透明電極／Ａｌ合金膜」の積層構成を有する表示装置などが挙げられる。
【００１７】
本発明者らは、Ａｌより貴な金属元素を合金元素として含むＡｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法で絶縁膜をパターン形成し、アミン系剥離液でフォトレジストを除去後、該剥離液を除去洗浄する工程において、上記Ａｌ合金膜の腐食を効果的に抑制する方法を確立すべく鋭意研究を行った。その結果、上記剥離液を除去洗浄する工程において、洗浄開始後５秒間以上はｐＨが３．５以上４．５以下の炭酸水を用いて、表面装置基板におけるフォトレジスト除去後の少なくとも絶縁膜形成面（以下、単に「表面装置基板」ということがある）を洗浄すればよいことを見出した。
【００１８】
以下、本発明の方法について詳述する。まず本発明では、アミン系剥離液の洗浄にｐＨが３．５以上４．５以下の炭酸水を用いる。該ｐＨの炭酸水を用いることで、アミン類と水が接触することにより生じる強アルカリ性の中和を効果的に進めることができ、Ａｌより貴な金属元素を含むＡｌ合金膜の腐食を確実に抑制することができる。後述する実施例に示す通り、炭酸水のｐＨが４．５を超えると中和が効果的に進まず、上記Ａｌ合金膜の孔食が生じるので好ましくない。一方、炭酸水のｐＨが低すぎると、Ａｌ合金膜が酸により腐食される等の不都合が生じるので、ｐＨは３．５以上とする。
【００１９】
また、洗浄開始後少なくとも５秒間は、上記ｐＨの炭酸水により洗浄を行うことによって、Ａｌ合金膜の腐食を確実に抑制することができる。より確実に腐食を抑制するには洗浄開始後１０秒以上洗浄するのがよい。
【００２０】
本発明は、上記炭酸水による洗浄形態まで規定するものでないが、例えば表示装置基材の上方から、カーテン状、シャワー状に炭酸水を吐出させる形態や、炭酸水槽に表示装置基材を浸漬させる形態であれば、表示装置基板に付着した剥離液をすばやく中和させることができるので好ましい。シャワー状に炭酸水を吐出させて効率的に洗浄する場合には、基板表面１ｃｍ２当たり０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上の炭酸水を吐出させればよい。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態を例示する工程断面図であるが、この図２を用いて、本発明の炭酸水による洗浄方法の実施形態について説明する（尚、本発明はこれに限定する意図ではない）。
【００２２】
まず、図２において、絶縁膜上にフォトレジストの残存している表面装置基板６１を表示装置基材搬入部６２からフォトレジスト剥離槽６３へ移動させ、このフォトレジスト剥離槽６３において、アミン系剥離液供給ノズル６４から吐出されるアミン系剥離液で、上記フォトレジストを剥離除去した後、仕切り扉６７を通過させて洗浄槽６５へ移動させる。そしてこの洗浄槽６５において、洗浄水供給ノズル６６ａ〜６６ｉの全てまたは一部から吐出される規定の炭酸水で剥離液の洗浄を行う。
【００２３】
上記炭酸水による洗浄後は、更に純水で洗浄して基板表面から剥離液成分を十分に除去することが好ましい。
【００２４】
炭酸水で洗浄後、更に純水で洗浄する実施形態としては、例えば図２において、
（Ａ）１段目の洗浄水供給ノズル（例えば図２の６６ａ）から吐出する規定の炭酸水で５秒間以上洗浄し、それ以降の洗浄水供給ノズル（図２の６６ｂ〜６６ｉ）から吐出する純水で更に洗浄を行なう形態；
（Ｂ）１段目から数段目までの洗浄水供給ノズル（例えば図２の６６ａ〜６６ｄ）から吐出する規定の炭酸水で５秒間以上洗浄し、それ以降の洗浄水供給ノズル（図２の６６ｅ〜６６ｉ）から吐出する純水で更に洗浄を行なう形態；等が挙げられる。
【００２５】
尚、上記純水による洗浄は３０秒以上行えばよく、洗浄形態として、上記ノズルからシャワー状またはカーテン状に吐出させる形態の他、浸漬させてもよい。また、上記洗浄水供給ノズルは、表面装置基板６１の幅に合わせて、図２の紙面に対して前後に複数配置されていてもよい。
【００２６】
上記炭酸水の供給方法としては、上記特許文献２に示されている様に、二酸化炭素のガスを貯えているボンベを純水供給源に付設して、該ボンベから供給される二酸化炭素ガスを純水供給源内部に吐出・バブリングさせて炭酸水を供給する方法の他、予め他所で製造した炭酸水を供給する方法、純水供給経路の途中に二酸化炭素を溶解する手段を設けて炭酸水を製造する方法等が挙げられる。尚、炭酸水が上記ｐＨの範囲内となるよう調整するには、純水に溶解させる二酸化炭素の量を調整して行えばよい。
【００２７】
上記剥離液は、従来より一般に用いられているアミン類を含むものであり、該アミン類として、例えばアルカノールアミン、具体的にはモノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン 、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ−メチルエタノールアミンを含むもの等が挙げられる。上記アミン類を溶剤であるジメチルスルホキシド等に溶解して得られるものが、剥離液として一般に用いられる。
【００２８】
上記フォトレジストとしては、ノボラック樹脂、ポリビニル樹脂などを使用できる。ノボラック樹脂としては、例えばｐ−クレゾールノボラック樹脂、ｍ−クレゾールノボラック樹脂、ｐ−クレゾールとｍ−クレゾールとのノボラック樹脂などが挙げられる。またポリビニル樹脂としては、例えばビニルフェノール（ｐ−ビニルフェノール（ｐ−ヒドロキシスチレンともいう）など）の重合体が挙げられる。
【００２９】
ノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量は、例えば３，０００〜２０，０００程度であり、ポリビニル樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量は、例えば１，０００〜２０，０００程度、好ましくは２，０００〜６，０００程度である。
【００３０】
本発明は、Ａｌより貴な金属元素が合金元素として含まれているＡｌ合金膜を対象とするものである。上記Ａｌより貴な金属元素としては、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＺｎおよびＣｏよりなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。
【００３１】
その中でも、特に、合金元素としてＮｉ，Ａｇ，ＡｕおよびＣｕよりなる群から選択される少なくとも１種を６．０ａｔ％（原子％）以下含むものが、表示装置における配線膜として良好な特性を示すので好ましい。このうち、Ｎｉは、接触電気抵抗の低減作用に極めて優れているため、本発明に用いられるＡｌ合金膜は、少なくともＮｉを合金元素として含んでいることが好ましい。
【００３２】
合金元素による上記作用を有効に発揮させるためには、合金元素の含有量を合計で０．１ａｔ％以上とすることが好ましく、０．２ａｔ％以上とすることがより好ましい。ただし、合金元素の含有量が多くなるとＡｌ合金の電気抵抗率が増加するため、本発明では、その上限を６．０ａｔ％とするのがよい。合金元素の好ましい含有量は、接触電気抵抗の低減とＡｌ合金の電気抵抗率の低減とのバランスによって適宜適切に定めることができる。
【００３３】
前記Ａｌ合金膜は、更に第三元素として希土類元素を含むものとすれば、配線膜の耐熱性を高め得ると共に、組織の結晶粒と金属間化合物が共に微細になり電気特性を向上させることができる。前記希土類元素としてはＬａおよび／またはＮｄを含有させることが好ましく、該希土類元素量を合計で０．１〜３ａｔ％とすることが推奨される。
【００３４】
本発明は、表示装置の製造方法におけるその他の製造工程について特に限定するものではなく、一般的に行われている工程を採用することができる。以下では、アモルファスシリコンＴＦＴ基板またはポリシリコンＴＦＴ基板を備えた液晶表示装置の製造方法を代表に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されず、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００３５】
（好ましい実施形態１）
図３を参照しながら、アモルファスシリコンＴＦＴ基板の実施形態を説明する。図３は、ボトムゲート型のＴＦＴ基板の好ましい実施形態を説明する概略断面説明図であり、前記図１中のＡの要部拡大図である。
【００３６】
この図３に示すアモルファスシリコンＴＦＴ基板の製造方法の一例を、図４から図１１を参照しながら説明する。尚、図４から図１１には、図３と同じ参照符号を付している。
【００３７】
まず、ガラス基板（透明基板）１ａに、スパッタリング法を用いて厚さ２００ｎｍ程度のＡｌ合金膜を成膜する。この膜をパターニングすることにより、ゲート電極２６および走査線２５を形成する（図４を参照）。このとき、後記する図５において、ゲート絶縁膜２７のカバレッジが良くなる様に、上記積層薄膜の周縁を約３０°〜４０°のテーパー状にエッチングしておくのがよい。
【００３８】
次いで、図５に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法などの方法を用いて、厚さ約３００ｎｍ程度の酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ）でゲート絶縁膜２７を形成する。プラズマＣＶＤ法の成膜温度は約３５０℃とすればよい。続いて、例えばプラズマＣＶＤ法などの方法を用いて、ゲート絶縁膜２７の上に、厚さ５０ｎｍ程度の水素化アモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）５５および厚さ３００ｎｍ程度の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）を成膜する。
【００３９】
続いて、ゲート電極２６をマスクとする裏面露光により、図６に示すように窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）をパターニングし、チャネル保護膜を形成する。更にその上に、リンをドーピングした厚さ５０ｎｍ程度のｎ＋型水素化アモルファスシリコン膜（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）５６を成膜した後、図７に示すように、水素化アモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）５５およびｎ＋型水素化アモルファスシリコン膜（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）５６をパターニングする。
【００４０】
次に、その上に、スパッタリング法を用いて、厚さ５０ｎｍ程度のＭｏ膜５３と厚さ３００ｎｍ程度のＡｌ合金膜２８，２９を順次積層する。スパッタリングの成膜温度は１５０℃とする。次いで、図８に示すようにパターニングすることにより、信号線と一体のソース電極２８と、画素電極５に直接接続されるドレイン電極２９とが形成される。更に、ソース電極２８およびドレイン電極２９をマスクとして、チャネル保護膜（ＳｉＮｘ）上のｎ＋型水素化アモルファスシリコン膜（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）５６をドライエッチングして除去する。
【００４１】
次に、図９に示すように、例えばプラズマＣＶＤ装置などを用いて、厚さ３００ｎｍ程度の窒化シリコン膜３０を成膜し、絶縁膜（保護膜）を形成する。このときの成膜温度は、例えば２２０℃程度で行なわれる。次いで、窒化シリコン膜３０上にフォトレジスト３１を形成した後、窒化シリコン膜３０をパターニングし、例えばドライエッチング等によって窒化シリコン膜３０にコンタクト・ホール３２を形成する。同時に、パネル端部のゲート電極上のＴＡＢとの接続に当たる部分にコンタクト・ホール（不図示）を形成する。
【００４２】
次に、例えば酸素プラズマによるアッシング工程を経た後、図１０に示すように、アミン系剥離液を用いてフォトレジスト３１を剥離し、その後、本発明で規定する様に炭酸水を用いて洗浄する。最後に、例えば保管時間（８時間程度）の範囲内で、図１１に示すように、例えば厚さ４０ｎｍ程度のＩＴＯ膜を成膜し、ウェットエッチングによるパターニングを行うことによって画素電極５を形成する。同時に、パネル端部のゲート電極のＴＡＢとの接続部分に、ＴＡＢとのボンディングのためＩＴＯ膜をパターニングすると、ＴＦＴアレイ基板１が完成する。
【００４３】
このようにして作製されたＴＦＴ基板は、ドレイン電極２９と画素電極５が直接接触しており、またゲート電極２６とＴＡＢ接続用のＩＴＯ膜も直接接触している。
【００４４】
上記では、画素電極５として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜を用いたが、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタンの少なくとも一種を含む複合酸化物を用いても良い。例えば、ＩＺＯ膜（ＩｎＯｘ−ＺｎＯｘ系酸化物透明電極膜）を用いることもできる。また、活性半導体層として、アモルファスシリコンの代わりにポリシリコンを用いてもよい（後記する実施形態２を参照）。
【００４５】
このようにして得られるＴＦＴ基板を使用し、例えば、以下に記載の方法によって、前述した図１に示す液晶表示装置を完成させる。
【００４６】
まず、上記のようにして作製したＴＦＴ基板１の表面に、例えばポリイミドを塗布し、乾燥してからラビング処理を行って配向膜を形成する。
【００４７】
一方、図１の対向基板２は、次の様にして形成する。即ち、ガラス基板上に、例えばクロム（Ｃｒ）をマトリックス状にパターニングすることによって遮光膜９を形成する。次に、遮光膜９の間隙に、樹脂製の赤、緑、青のカラーフィルタ８を形成する。遮光膜９とカラーフィルタ８上に、ＩＴＯ膜のような透明導電性膜を共通電極７として配置することによって対向基板２を形成する。そして、対向基板２の最上層に例えばポリイミドを塗布し、乾燥した後、ラビング処理を行って配向膜１１を形成する。
【００４８】
次いで、ＴＦＴ基板１と対向基板２の配向膜１１が形成されている面とを夫々対向するように配置し、樹脂製などのシール材１６により、液晶の封入口を除いてＴＦＴ基板１と対向基板２２枚とを貼り合わせる。このとき、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間には、スペーサー１５を介在させるなどして２枚の基板間のギャップを略一定に保つ。
【００４９】
このようにして得られる空セルを真空中に置き、封入口を液晶に浸した状態で徐々に大気圧に戻していくことにより、空セルに液晶分子を含む液晶材料を注入して液晶層を形成し、封入口を封止する。最後に、空セルの外側の両面に偏光板１０を貼り付けて液晶表示装置を完成させる。
【００５０】
次に、図１に示すように、液晶表示装置を駆動するドライバ回路１３を液晶表示装置に電気的に接続し、液晶表示装置の側部あるいは裏面部に配置する。そして、液晶表示装置の表示面となる開口を含む保持フレーム２３と、面光源をなすバックライト２２と導光板２０と保持フレーム２３によって液晶表示装置を保持し、液晶表示装置を完成させる。
【００５１】
（好ましい実施形態２）
図１２を参照しながら、ポリシリコンＴＦＴ基板の実施形態を詳細に説明する。
【００５２】
図１２は、本発明に係るトップゲート型のＴＦＴ基板の好ましい実施形態を説明する概略断面説明図である。
【００５３】
本実施形態は、活性半導体層として、アモルファスシリコンの代わりにポリシリコンを用いた点、ボトムゲート型ではなくトップゲート型のＴＦＴ基板を用いた点において、前述した実施形態１と主に相違している。詳細には、図１２に示す本実施形態のポリシリコンＴＦＴ基板では、活性半導体膜は、リン（Ｐ）がドープされていないポリシリコン膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）とリンもしくはヒ素（Ａｓ）がイオン注入されたポリシリコン膜（ｎ＋ｐｏｌｙ−Ｓｉ）とから形成されている点で、前述した図３に示すアモルファスシリコンＴＦＴ基板と相違する。また、信号線は、層間絶縁膜（ＳｉＯｘ）を介して走査線と交差するように形成されている。
【００５４】
次に、図１３から図１９を参照しながら、図１２に示す本発明に係るポリシリコンＴＦＴ基板の製造方法の一例を説明する。ここでは、ソース−ドレイン電極ならびにその配線材料として、Ａｌ合金を使用している。薄膜トランジスタは、ポリシリコン膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を半導体層として用いたポリシリコンＴＦＴである。図１３から図１９には、図１２と同じ参照符号を付している。
【００５５】
まず、ガラス基板１ａ上に、例えばプラズマＣＶＤ法などにより、基板温度約３００℃程度で、厚さ５０ｎｍ程度の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）、厚さ１００ｎｍ程度の酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ）、および厚さ約５０ｎｍ程度の水素化アモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を成膜する。次に、水素化アモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）をポリシリコン化するため、熱処理（約４７０℃で１時間程度）およびレーザーアニールを行う。脱水素処理を行った後、例えばエキシマレーザアニール装置を用いて、エネルギー約２３０ｍＪ／ｃｍ2程度のレーザーを水素化アモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）に照射することにより、厚さが約０．３μｍ程度のポリシリコン膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を得る（図１３）。
【００５６】
次いで、図１４に示すように、プラズマエッチング等によってポリシリコン膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）をパターニングする。次に、図１５に示すように、厚さが約１００ｎｍ程度の酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ）を成膜し、ゲート絶縁膜２７を形成する。ゲート絶縁膜２７の上に、スパッタリング等によって、厚さ約２００ｎｍ程度のＡｌ合金膜および厚さ約５０ｎｍ程度のＭｏ薄膜５２を積層した後、プラズマエッチング等の方法でパターニングする。これにより、走査線と一体のゲート電極２６が形成される。
【００５７】
続いて、図１６に示すように、フォトレジスト３１でマスクを形成し、例えばイオン注入装置などにより、例えばリンを５０ｋｅＶ程度で１×１０15個／ｃｍ2程度ドーピングし、ポリシリコン膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）の一部にｎ＋型ポリシリコン膜（ｎ＋ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を形成する。次に、フォトレジスト３１を剥離し、例えば５００℃程度で熱処理することによってリンを拡散させる。
【００５８】
次いで、図１７に示すように、例えばプラズマＣＶＤ装置などを用いて、厚さ５００ｎｍ程度の酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ）を基板温度約２５０℃程度で成膜し、層間絶縁膜を
形成した後、同様にフォトレジストによってパターニングしたマスクを用いて層間絶縁膜（ＳｉＯｘ）とゲート絶縁膜２７の酸化シリコン膜をドライエッチングし、コンタクト・ホールを形成する。スパッタリングにより、厚さ５０ｎｍ程度のＭｏ膜５３と厚さ４５０ｎｍ程度のＡｌ合金膜を成膜した後、パターニングすることによって、信号線に一体のソース電極２８およびドレイン電極２９を形成する。その結果、ソース電極２８とドレイン電極２９は、各々コンタクト・ホールを介してｎ＋型ポリシリコン膜（ｎ＋ｐｏｌｙ−Ｓｉ）にコンタクトされる。
【００５９】
次いで、図１８に示すように、プラズマＣＶＤ装置などにより、厚さ５００ｎｍ程度の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）を基板温度２２０℃程度で成膜し、層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜の上にフォトレジスト３１を形成した後、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）をパターニングし、例えばドライエッチングによって窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）にコンタクト・ホール３２を形成する。
【００６０】
次に、図１９に示すように、例えば酸素プラズマによるアッシング工程を経た後、前述した実施形態１と同様にして、アミン系剥離液を用いてフォトレジスト３１を剥離し、その後、本発明で規定する通り炭酸水で洗浄する。それからＩＴＯ膜を成膜し、ウエットエッチングによるパターニングを行って画素電極５を形成する。
【００６１】
このようにして作製されたポリシリコンＴＦＴ基板では、ドレイン電極２９が画素電極５と直接接触する構造となっている。
【００６２】
次に、トランジスタの特性を安定させるため、例えば２２０℃程度で１時間程度熱処理すると、ポリシリコンＴＦＴアレイ基板が完成する。
【００６３】
第２の実施形態に係るＴＦＴ基板、および該ＴＦＴ基板を備えた液晶表示装置によれば、前述した第１の実施形態に係るＴＦＴ基板と同様の効果が得られる。
【００６４】
このようにして得られるＴＦＴアレイ基板を用い、前述した実施形態１のＴＦＴ基板と同様にして液晶表示装置を完成させる。
【実施例】
【００６５】
以下、本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更して実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００６６】
（実験用表示装置の作製）
図２０および図２１は、実験用表示装置の作製工程概略図である。実験用表示装置の構造は、少なくとも図９および図１０に示したドレイン電極２９として用いられるＡｌ合金膜、層間絶縁膜３０、コンタクト・ホール３２、フォトレジスト３１の部分を再現したものであり、ＴＦＴ等は作製していない。このような実験用表示装置を作製するために、まず図２０に示すように、ガラス基板上７１上にドレイン電極を想定したＡｌ−２．０ａｔ％Ｎｉ−０．３５ａｔ％Ｌａ合金膜７２をスパッタリング法により厚さ３００ｎｍ成膜し、この上に絶縁膜７３として窒化シリコンをプラズマ気相蒸着法（ＣＶＤ法）により厚さ３００ｎｍ成膜した。
【００６７】
そして絶縁膜７３の表面にエッチング用マスクとして、厚膜の感光樹脂（フォトレジスト、ノボラック樹脂製）７４をコーティングし、一般的なフォトリソグラフィー・プロセスを用いて、規則的に配置された１０μｍ角の領域についてのみコンタクト・ホール７５を形成した（図２０参照）。
【００６８】
次いで、モノエタノールアミンを含有する有機剥離液（東京応化工業株式会社製ＴＯＫ１０６）を用いて、図２１に示す通りフォトレジスト７４を剥離除去した。その後、表示装置基材の絶縁膜７３形成面の上方に設置されたノズルの先端から、炭酸水を一定流量：６Ｌ／ｍｉｎで吐出させ、フォトレジスト除去後の絶縁膜７３形成面の洗浄を行った。
【００６９】
（実験例１）
上記炭酸水のｐＨを３．５〜４．５の間で変化させると共に、洗浄時間を変えて洗浄を行った。そして、洗浄後の表示装置基材の絶縁膜７３形成面における１０μｍ角のコンタクト・ホールを試料につき５つずつ電子顕微鏡で観察し、コンタクト・ホール底部のＡｌ合金膜の孔食の程度を調べた。これらの結果を表１に示す。尚、表１において、○は孔食された箇所がゼロであることを示し、×は孔食された箇所が１箇所以上存在していたことを示す。
【００７０】
【表１】
2009010051.tif 000002
【００７１】
表１より、ｐＨ４．５以下の炭酸水で洗浄開始後５秒間以上洗浄することによって、Ａｌ合金膜の腐食を抑制できることがわかる。洗浄時間を１２０秒まで延ばした場合であっても腐食抑制効果は変わらず、洗浄時間を長くすることによる問題は見られなかった。
【００７２】
尚、アミン類を含有しない剥離液を用いた場合には、純水による洗浄でも腐食が発生しないことを確認した。
【００７３】
（実験例２）
実験用表示装置におけるＡｌ合金膜の合金組成を変える以外は、前記実験例１と同様にして実験を行い、Ａｌ合金膜の合金組成と炭酸水のｐＨがＡｌ合金膜の腐食に及ぼす影響について調べた。その結果を表２に示す。
【００７４】
【表２】
2009010051.tif 000003
【００７５】
表２より、Ａｌ−２．０ａｔ％Ｎｉ−０．３５ａｔ％Ｌａ合金膜の場合もＡｌ−２．０ａｔ％Ｎｉ−０．６ａｔ％Ｎｄ合金膜の場合も、ｐＨ４．５以下の炭酸水で洗浄開始後５秒間以上洗浄することによって、Ａｌ合金膜の腐食を抑制できることがわかる。
【００７６】
尚、薄膜が純Ａｌの場合や、Ａｌより卑な金属元素のみを合金元素として含むＡｌ合金膜（Ａｌ−２．０ａｔ％Ｎｄ合金膜）の場合には、表２に示す通り純水のみで洗浄する場合でも孔食が生じないことを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】図１は、アモルファスシリコンＴＦＴ基板が適用される代表的な液晶表示装置を示す概略断面拡大説明図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態を例示する工程断面図である。
【図３】図３は、好ましい実施形態に係るＴＦＴ基板の構成を示す概略断面説明図である。
【図４】図４は、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図５】図５は、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図６】図６は、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図７】図７は、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図８】図８は、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図９】図９は、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１０】図１０は、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１１】図１１は、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１２】図１２は、好ましい実施形態に係るＴＦＴ基板の構成を示す概略断面説明図である。
【図１３】図１３は、図１２に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１４】図１４は、図１２に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１５】図１５は、図１２に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１６】図１６は、図１２に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１７】図１７は、図１２に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１８】図１８は、図１２に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図１９】図１９は、図１２に示したＴＦＴ基板の製造工程の一例を、順番を追って示す説明図である。
【図２０】図２０は、実施例における実験用表示装置の作製工程概略図である。
【図２１】図２１は、実施例における実験用表示装置の作製工程概略図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  ＴＦＴ基板
１ａ  ガラス基板
２  対向基板
３  液晶層
４  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
５  画素電極（透明電極膜）
６  配線部
７  共通電極
８  カラーフィルタ
９  遮光膜
１０ａ、１０ｂ  偏光板
１１  配向膜
１２  ＴＡＢテープ
１３  ドライバ回路
１４  制御回路
１５  スペーサー
１６  シール材
１７  保護膜
１８  拡散板
１９  プリズムシート
２０  導光板
２１  反射板
２２  バックライト
２３  保持フレーム
２４  プリント基板
２５  走査線（Ａｌ合金膜）
２６  ゲート電極（Ａｌ合金膜）
２７  ゲート絶縁膜
２８  ソース電極（Ａｌ合金膜）
２９  ドレイン電極（Ａｌ合金膜）
３０、７３  保護膜（絶縁膜、シリコン窒化膜）
３１、７４  フォトレジスト（感光樹脂）
３２、７５  コンタクト・ホール
３３  アモルファスシリコンチャネル膜（活性半導体膜）
３４  信号線（Ａｌ合金膜）
５２、５３  バリアメタル層
５５  ノンドーピング水素化アモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）
５６  ｎ＋型水素化アモルファスシリコン膜（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）
６１  表示装置基材
６２  表示装置基材搬入部
６３  フォトレジスト剥離槽
６４  アミン系剥離液供給ノズル
６５  洗浄槽
６６  洗浄水供給ノズル
６７  仕切り扉
６８  表示装置基材搬出部
７１  ガラス基板
７２  Ａｌ合金膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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