(57)【要約】      （修正有）【課題】先ダイシング法によって分割された個々のデバイスの裏面に貼着された接着フィルムを、デバイスにダメージを与えることなく切断し、接着フィルム付きデバイスを確実にピックアップすることができる方法を提供する。【解決手段】ウエーハ２の表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する工程と、ウエーハ表面に保護テープ４を貼着する工程と、裏面研削により分割溝を表出させウエーハを個々のデバイスに分割する工程と、分割ウエーハの裏面に接着フィルム６を装着する工程と、分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、接着フィルムを切断する工程と、ウエーハの接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するとともに保護テープを剥離するウエーハ支持工程と、裏面に接着フィルムが装着されている個々のデバイスをダイシングテープから剥離してピックアップする工程とを含む。【選択図】図７
2009272421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの表面側から切削ブレードによりストリートに沿って切削し、デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を研削して裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面に該接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムに該接着フィルム側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って分割する接着フィルム分割工程と、
該接着フィルム分割工程が実施されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するとともに、ウエーハの表面に貼着されている該保護テープを剥離するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープに貼着された接着フィルムが装着されている個々のデバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが数十μｍの切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割されたデバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【０００４】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いデバイスが要求されている。より薄くデバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々のデバイスに分割する技術であり、デバイスの厚さ５０μｍ以下に加工することが可能である。
【０００５】
しかるに、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々のデバイスに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって製作されたデバイスをダイボンディングフレームにボンディングする際には、デバイスとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００６】
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、各デバイス間の間隙に沿って露出された接着フィルムの部分に、デバイスの表面側から上記間隙を通してレーザー光線を照射し、接着フィルムの上記間隙に露出された部分を溶断するようにした半導体デバイスの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００２−１１８０８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、上記特許文献２に開示された技術は、厚さが数十μｍの切削ブレードによって形成された分割溝に半導体ウエーハの表面側からレーザー光線を照射して接着フィルムにおける各半導体チップ間の間隙に露出された部分を溶断するものであり、デバイスの表面にレーザー光線を照射することなく接着フィルムのみを溶断することが困難である。また、個々のデバイスに分割された半導体ウエーハを接着フィルムを介してダイシングテープに貼着すると、分割溝が蛇行することがあり、分割溝に沿ってレーザー光線を照射することが困難である。従って、上記特許文献２に開示された半導体デバイスの製造方法においては、デバイスの表面にレーザー光線によるダメージを与える虞がある。
また、上記特許文献２に開示された技術は、レーザー光線を照射することにより接着フィルムが溶融し、溶融した接着フィルムがダイシングテープに癒着して、接着フィルムが接着されている個々のデバイスをダイシングテープから剥離してピックアップすることができない場合がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、先ダイシング法によって分割された個々のデバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを容易に装着することができるとともに、デバイスにダメージを与えることなく接着フィルムを切断し、接着フィルムが装着されたデバイスを確実にピックアップすることができるデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの表面側から切削ブレードによりストリートに沿って切削し、デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を研削して裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面に該接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムに該接着フィルム側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って分割する接着フィルム分割工程と、
該接着フィルム分割工程が実施されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するとともに、ウエーハの表面に貼着されている該保護テープを剥離するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープに貼着された接着フィルムが装着されている個々のデバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるデバイスの製造方法においては、上記接着フィルム分割工程を実施する際には個々のデバイスに分割されたウエーハの表面に保護テープが貼着されているので、分割溝が蛇行しないため、接着フィルムには分割溝に沿って正確にレーザー光線を照射することができる。従って、分割溝から離脱してレーザー光線を照射することにより、デバイスにダメージを与える虞はない。
また、上記ピックアップ工程において環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着している接着フィルムは、上記接着フィルム分割工程が実施された後にダイシングテープに貼着されるので、ダイシングテープに癒着することがなく、接着フィルムが装着されている個々のデバイスをダイシングテープから容易に剥離してピックアップすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明によるデバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが６００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数のストリート２１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２aには、格子状に形成された複数のストリート２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。この半導体ウエーハ２を先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割する手順について説明する。
【００１３】
半導体ウエーハ２を先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割するには、先ず半導体ウエーハ2の表面２ａ側から切削ブレードによりストリート２１に沿って切削し、デバイス２２の仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程を実施する。この分割溝形成工程は、図２の(a)に示す切削装置３を用いて実施する。図２の(a)に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り機構によって図２において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１４】
上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル２２２の先端部に装着された切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２aで示す方向に回転せしめられるようになっている。上記撮像手段３３は、スピンドルハウジング３２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１５】
上述した切削装置３を用いて分割溝形成工程を実施するには、図２の(a)に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２b側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００１６】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のストリート２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００１７】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード３２３を図２の(a)において矢印３２２aで示す方向に回転しつつ下方に移動して切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード３２３の外周縁が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、５０μｍ）に設定されている。このようにして、切削ブレード３２３の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード３２３を回転しつつチャックテーブル３１を図２の(a)において矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、図２の（ｂ）に示すようにストリート２１に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、５０μｍ）の分割溝２１０が形成される（分割溝形成工程）。
【００１８】
上述した分割溝形成工程を実施するにより半導体ウエーハ２の表面２ａにストリート２１に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝２１０を形成したら、図３の（ａ）および（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａ（デバイス２２が形成されている面）にデバイス２２を保護する研削用の保護テープ４を貼着する（保護テープ貼着工程）。なお、保護テープ４は、図示の実施形態においては厚さが１５０μｍのポリオレフィンシートが用いられている。
【００１９】
次に、表面に保護テープ４が貼着された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削し、分割溝２１０を裏面２ｂに表出させて個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、図４の（ａ）に示す研削装置5を用いて実施する。図４の（ａ）に示す研削装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削するための研削砥石５２を備えた研削手段５３を具備している。この研削装置5を用いて上記ウエーハ分割工程を実施するには、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２の保護テープ４側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する。従って、チャックテーブル５１に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにして、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５３の研削砥石５２を矢印５２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめて研削し、図４の（ｂ）に示すように分割溝２１０が裏面２ｂに表出するまで研削する。このように分割溝２１０が表出するまで研削することによって、図４の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２は個々のデバイス２２に分割される。なお、分割された複数のデバイス２２は、その表面に保護テープ４が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。
【００２０】
上述した先ダイシング法によるウエーハ分割工程を実施することによって半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割したならば、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程を実施する。即ち、図５の(a)および(b)に示すように接着フィルム６を個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着する。このとき、上述したように８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム６を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して貼着する。
【００２１】
次に、半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム６に該接着フィルム６側から上記分割溝２１０に沿ってレーザー光線を照射し、接着フィルム６を分割溝２１０に沿って分割する接着フィルム分割工程を実施する。この接着フィルム分割工程は。図6に示すレーザー加工装置7を用いて実施する。図６に示すレーザー加工装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２と、チャックテーブル７１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段７３を具備している。チャックテーブル７１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り機構によって図６において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００２２】
上記レーザー光線照射手段７２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング７２１を含んでいる。ケーシング７２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング７２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器７２２が装着されている。
【００２３】
上記レーザー光線照射手段７２２を構成するケーシング７２１の先端部に装着された撮像手段７３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２４】
上述したレーザー加工装置７を用いて接着フィルム切断工程を実施するには、図６に示すようにレーザー加工装置７のチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２の保護テープ４側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム６は上側となる。
【００２５】
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム６に該接着フィルム６側から上記分割溝２１０に沿ってレーザー光線を照射し、接着フィルム６を分割溝２１０に沿って分割する接着フィルム分割工程を実施する。接着フィルム分割工程を実施するには、先ず半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル７１は、図示しない移動機構によって撮像手段７３の直下に位置付けられる。そして、撮像手段７３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム６のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成された上記分割溝２１０に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２の集光器７２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された分割溝２１０に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される（アライメント工程）。このとき、分割溝２１０は接着フィルム６の下側に位置しているが、撮像手段７３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、接着フィルム６から透かして分割溝２１０を撮像することができる。
【００２６】
以上のようにしてレーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル７１をレーザー光線照射手段７２の集光器７２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図７に示すように所定の分割溝２１０の一端（図７において左端）をレーザー光線照射手段７２の集光器７２２の直下に位置付ける。そして、集光器７２２から接着フィルム６に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しつつチャックテーブル７１を図７において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめ、分割溝２１０の他端（図７において右端）が集光器７２２の照射位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル７１の移動を停止する。このとき、レーザー光線照射手段７２の集光器７２２から照射されるパルスレーザー光線は、図示の実施形態においては集光点Ｐを接着フィルム６の上面に合わせて照射される。この結果、図８に示すように接着フィルム６は、分割溝２１０に沿って溶融、蒸発して分割される。
【００２７】
なお、上記接着フィルム分割工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
レーザー光線の種類  ；固体レーザー（ＹＶＯ４レーザー、ＹＡＧレーザー）
波長                    ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数          ：５０ｋＨｚ
平均出力                ：０．５Ｗ
集光スポット径          ：φ１０μｍ
加工送り速度            ：５００ｍｍ／秒
【００２８】
上述したように接着フィルム５を所定方向の分割溝２１０に沿って分割する接着フィルム分割工程を実施したならば、チャックテーブル７１を図６において矢印Yで示す割り出し送り方向に分割溝２１０の間隔だけ割り出し送りし、再度上記接着フィルム分割工程を遂行する。そして、所定方向に形成された全ての分割溝２１０に沿って上記接着フィルム分割工程と割り出し送り工程を遂行したならば、チャックテーブル７１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に形成された分割溝２１０に沿って上記接着フィルム分割工程と割り出し送り工程を実行することにより、図8に示すように接着フィルム６は半導体ウエーハ２が分割溝２１０によって分割されたデバイス２２毎に装着された接着フィルム６ａに分割される。
【００２９】
なお、上述した接着フィルム分割工程においては、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の表面には保護テープ４が貼着されているので、分割溝２１０が蛇行しないため、接着フィルム６には分割溝２１０に沿って正確にレーザー光線を照射することができる。従って、分割溝２１０から離脱してレーザー光線を照射することにより、デバイスにダメージを与える虞はない。
【００３０】
上述した接着フィルム分割工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の接着フィルム６側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するとともに、半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ４を剥離するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図9に示すように、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に上記接着フィルム分割工程が実施された半導体ウエーハ２の接着フィルム６側を貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープ４を剥離する。
【００３１】
次に、上記接着フィルム分割工程を実施することにより切削溝２１０に沿って溶断された接着フィルム６ａが装着されているデバイス２２をダイシングテープTから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。このピックアップ工程は、図１０に示すピックアップ装置８を用いて実施する。図１０に示すピックアップ装置８は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段８１と、該フレーム保持手段８１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段８２と、ピックアップコレット８３を具備している。フレーム保持手段８１は、環状のフレーム保持部材８１１と、該フレーム保持部材８１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８１２とからなっている。フレーム保持部材８１１の上面は環状のフレームFを載置する載置面８１１ａを形成しており、この載置面８１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面８１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段８１は、テープ拡張手段８２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００３２】
テープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１の内側に配設される拡張ドラム８２１を具備している。この拡張ドラム８２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム８２１は、下端に支持フランジ８２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１を上下方向に進退可能な支持手段８２３を具備している。この支持手段８２３は、上記支持フランジ８２２上に配設された複数のエアシリンダ８２３aからなっており、そのピストンロッド８２３bが上記環状のフレーム保持部材８１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ８２３aからなる支持手段８２３は、図１１の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材８１１を載置面８１１ａが拡張ドラム８２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図１１の（ｂ）に示すように拡張ドラム８２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
【００３３】
以上のように構成されたピックアップ装置８を用いて実施するピックアップ工程について図１１を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２（ストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割されている）が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図１１の（ａ）に示すようにフレーム保持手段８１を構成するフレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に載置し、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定する。このとき、フレーム保持部材８１１は図１１の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段８２を構成する支持手段８２３としての複数のエアシリンダ８２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材８１１を図１１の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図１１の（ｂ）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム８２１の上端縁に接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム６および該接着フィルム６が貼着されているデバイス２２間が広がり、間隔Sが拡大される。次に、図１１の（c）に示すようにピックアップコレット８３を作動してデバイス２２（裏面に接着フィルム６aが装着されている）を吸着し、ダイシングテープTから剥離してピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。上述したピックアップ工程においては、上述したように接着フィルム６が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。
【００３４】
なお、上述したピックアップ工程において環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着している接着フィルム６aは、上記接着フィルム分割工程が実施された後にダイシングテープTに貼着されるので、ダイシングテープTに癒着することがなく、接着フィルム６aが装着されている個々のデバイス２２をダイシングテープTから容易に剥離してピックアップすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】ウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。
【図２】本発明によるデバイスの製造方法における分割溝形成工程の説明図。
【図３】本発明によるデバイスの製造方法における保護テープ貼着工程の説明図。
【図４】本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ分割工程の説明図。
【図５】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程の説明図。
【図６】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム分割工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図７】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム分割工程の説明図。
【図８】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム分割工程が実施された半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図９】本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ支持工程の説明図。
【図１０】本発明によるデバイスの製造方法におけるピックアップ工程を実施するためのピックアップ装置の斜視図。
【図１１】本発明によるデバイスの製造方法におけるピックアップ工程の説明図。
【符号の説明】
【００３６】
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
３：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２１：切削ブレード
４：保護テープ
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削砥石
５３：研削手段
６：接着フィルム
７：レーザー加工装置
７１：レーザー加工装置のチャックテーブル
７２：レーザー光線照射手段
７２２：集光器
８：ピックアップ装置
８１：フレーム保持手段
８２：テープ拡張手段
８３：ピックアップコレット
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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