(57)【要約】【課題】安価でかつ新たな技術課題を伴わない平易な構成により、信頼性の高い有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】マトリクスアレイ基板上に形成された有機平坦化層４上にアノード電極５を形成する工程と、隣り合うアノード電極５の間に真空紫外光化学気相成長法を用いてＳｉＯアノード平坦化層１１を形成する工程と、を含んで有機ＥＬ素子を形成する。ＳｉＯアノード平坦化層１１を形成する酸化ケイ素膜は、高い平坦化性を有しているため、フォトリソ工程を必要としないローコストなプロセスを実現できる。【選択図】  図１
2009272390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクスアレイ基板上に形成された平坦化層上に第１電極を形成する工程と、
隣り合う前記第１電極間に真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記第１電極間に真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素領域を形成する工程の後に、
前記第１電極及び前記酸化ケイ素領域を一様にドライエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
マトリクスアレイ基板上に形成された前記平坦化層が、真空紫外光化学気相成長法を用いて形成された酸化ケイ素領域であることを特徴とする請求項１又２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記第１電極間に真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素領域を形成する工程の後に、
有機ＥＬ層を形成する工程と、
該有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程と、
該第２電極上に無機材料からなる封止層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフラットパネルディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型の表示素子である有機ＥＬ素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、ガラス基板上で有機発光層（有機ＥＬ層）が２つの電極間に狭持された構造となっており、有機ＥＬ層の光をパネル外部に取り出すため、一方の電極にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極が用いられている。さらに、有機ＥＬ素子の外周面は封止材により封止処理されており、外部駆動回路により電圧を印加することにより発光する。
【０００３】
有機ＥＬ素子は自発光型の表示素子であるため、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、かつ、視認性や色再現範囲が広いため、製品化に向けて複数の企業が研究開発を進めている。このため、車載用コンポや携帯電話等のディスプレイの表示素子として有機ＥＬ素子の実用化がなされている。
【０００４】
次に、従来の有機ＥＬ素子について説明する。図３は、従来の有機ＥＬ素子を模式的に示す断面図である。図３において、１はガラス基板、２はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３は絶縁層、４は平坦化層、５はアノード電極（陽極）、６は有機ＥＬ層、７はカソード電極（陰極）、８は素子分離膜、９は不活性ガス、１０は封止ガラスをそれぞれ示す。
【０００５】
従来の有機ＥＬ素子の構成では、まず、ガラス基板１上に、駆動用のＴＦＴ２を形成した後、ＴＦＴ２により生じた凹凸を、有機材料からなる平坦化層４により平坦化処理する。
【０００６】
そして、Ａｌ、Ｃｒ等の電極材料を成膜した後、ウエットプロセスを用いてアノード電極（陽極）５を形成し、アノード電極（陽極）５上にアクリルやポリイミド材料を成膜する。さらに、フォトリソプロセスを用いてアノード電極（陽極）５の端部を覆うように素子分離膜８を形成する。なお、フォトリソプロセスとは、露光、プリベーク、エッチング、ポストベークの一連の工程を意味する。
【０００７】
続いて、アノード電極（陽極）５上に、真空蒸着プロセスを用いて、有機ＥＬ層６を成膜した後、カソード電極（陰極）７を形成する。さらに、有機ＥＬ層６に水分が浸入しないように、非表示領域（図示せず）においてカチオン硬化型の接着剤を用いて、平板ガラスや表示領域に対応して掘り込みのなされたガラスである封止ガラス１０を接着して密閉する。なお、ガラス基板１と封止ガラス１０とにより形成された空間には、不活性ガス９が封入されている。加えて、接着剤による透湿量が多い場合には、ガラス基板１と掘り込みのなされた封止ガラス１０とにより形成された空間内に、吸湿材料（図示せず）が配される（特許文献１参照）。
【０００８】
また、封止ガラス１０を用いた封止手法以外にも、アノード電極（陽極）５上に、真空蒸着プロセスを用いて、有機ＥＬ層６を成膜した後、カソード電極（陰極）７を形成し、次いで、バリア性積層体構造を用いて封止する手法も知られている（特許文献２参照）。
【０００９】
【特許文献１】特許第３２８８２４２号公報
【特許文献２】特開２００２−１３４２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述したように、従来の有機ＥＬ素子においては、フォトリソプロセスを伴って素子分離膜８が形成される。素子分離膜８は、アノード電極（陽極）５の端部に生じる段差を保護するとともに、アノード電極（陽極）５とカソード電極（陰極）７の間でショートが起こらないために設けられている。
【００１１】
しかし、素子分離膜８を設けたことにより、以下の不都合が生じる。
【００１２】
第１に、素子分離膜８のフォトリソプロセスは、アノード電極（陽極）５へのダメージを及ぼすだけではなく、アノード電極（陽極）５にエッチング残渣が残った場合には、有機ＥＬ素子の特性に影響を与える。
【００１３】
第２に、フォトリソプロセス時にエッチング液を用いるウエットプロセスの場合には、素子分離膜８や平坦化層４に水分が残存することとなる。このため、その後の脱水処理により十分に水分を追い出すことができないと、有機ＥＬ素子の発光強度が低下するダークスポットと同様の劣化が生じることになる。
【００１４】
第３に、フォトリソプロセスを用いた場合には、レジスト塗布、露光、現像、洗浄とフォトリソ工程が入ることで、フォトリソ工程レスで作製した場合と比較するとコスト高となる。
【００１５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、安価でかつ新たな技術課題を伴わない平易な構成により、信頼性の高い有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の有機ＥＬ素子は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機ＥＬ素子は、マトリクスアレイ基板上に形成された平坦化層上に第１電極を形成する工程と、隣り合う第１電極間に真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素領域を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の有機ＥＬ素子では、第１電極を形成した後に生じる第１電極間の凹部を、真空紫外光化学気相成長法を用いて形成される酸化ケイ素膜を用いて平坦化する。そして、この酸化ケイ素膜は、高い平坦化性を有している。
【００１８】
したがって、従来の構成で用いていた素子分離膜形成時に必要であったフォトリソ工程を必要としないローコストなプロセスを実現することができた。また、素子分離膜形成により生じた凸部がなくなったことにより、無機材料による封止膜の信頼性も向上した。さらに、ＴＦＴマトリクスアレイ形成により生じた凹部を、真空紫外光化学気相成長法を用いて形成される酸化ケイ素膜を用いて平坦化しているため、素子内部に内包された水分の影響を低減した信頼性の高い有機ＥＬ素子とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の実施形態を説明する。本発明は、以下の４つの発明を包含している。
【００２０】
第１発明の有機ＥＬ素子は、マトリクスアレイ基板上に形成された平坦化層上に第１電極を形成する工程と、隣り合う前記第１電極間に真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素領域を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
【００２１】
真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素を凹凸のある領域に成膜した場合、凹部から選択的に成膜されため、平坦性化性に優れた成膜特性が得られることが知られている（沖テクニカルレビュー２００５年４月／第２０２号Ｖｏｌ．７２  Ｎｏ．２）。そのため、隣り合う第１電極間に形成された凹部のみに選択的に酸化ケイ素を成膜することができ、フォトリソ工程を用いることなく第１電極形成により生じた凹凸を軽減することができる。この結果、第１電極へのプロセスダメージが低減するとともに、フォトリソ工程レスとすることにより、第１電極により形成された凹部を覆うために掛かるコストを低減することが可能となる。
【００２２】
また、酸化ケイ素は透湿性を有しており、かつ、無機材料であるため、水分の含水率も少なく容易に脱水することが可能となる。
【００２３】
第２の有機ＥＬ素子は、第１電極間に真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素領域を形成する工程の後に、第１電極及び酸化ケイ素領域を一様にドライエッチングする工程を含むことを特徴としている。
【００２４】
酸化ケイ素形成時に、第１電極間に生じた凹部を超える膜厚で成膜がなされた場合には、第１電極上に酸化ケイ素が形成されることとなる。この酸化ケイ素領域を一様にドライエッチングすることで、第１電極上に形成された酸化ケイ素を除去することができる。このように、選択除去をする必要がないため、ドライエッチング時にマスクを用いる必要がなく、フォトリソ工程も不用であるため、製造工程を簡便化することが可能となる。
【００２５】
第３の有機ＥＬ素子は、マトリクスアレイ基板上に形成された平坦化層が、真空紫外光化学気相成長法を用いて形成された酸化ケイ素領域であることを特徴とするものである。
【００２６】
真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素を成膜した場合、平坦性化性が非常に高い膜が得られるため、マトリクスアレイ形成により生じた凹凸を軽減することができる。また、前述したように酸化ケイ素は透湿性を有しており、かつ、無機材料であるために水分の化学吸着もなく、第１電極間に設けた酸化ケイ素の層を介して容易に脱水することが可能である。
【００２７】
第４発明の有機ＥＬ素子は、第１電極間に真空紫外光化学気相成長法を用いて酸化ケイ素領域を形成する工程の後に、次の３つの工程を含むことを特徴とするものである。すなわち、酸化ケイ素領域を形成する工程の後に、有機ＥＬ層を形成する工程と、該有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程と、該第２電極上に無機材料からなる封止層を形成する工程と、を含んでいる。
【００２８】
次に、図面を参照して本発明の有機ＥＬ素子の具体的な実施形態を説明する。
【００２９】
＜実施形態１＞
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の実施形態１の有機ＥＬ素子を模式的に示す断面図である。図１において、１はガラス基板、２はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３は絶縁層、４は有機平坦化層をそれぞれ示す。また、図１において、５は第１電極であるアノード電極（陽極）、６は有機ＥＬ層、７は第２電極であるカソード電極（陰極）、１１はＳｉＯアノード平坦化層（酸化ケイ素アノード平坦化層）、１２は無機封止層をそれぞれ示す。なお、本発明の本質的部分以外の詳細な説明は省略する。
【００３０】
本発明の実施形態１の有機ＥＬ素子は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、ガラス基板１上に、ＴＦＴ２を作製し、さらに、ＴＦＴ２を保護すべく絶縁層３を形成する。続いて、ＴＦＴ２のバックプレーン形成により生じた凹凸を平坦化すべく有機平坦化層４を形成する。
【００３１】
以降、ＴＦＴ２のバックプレーン上に、有機ＥＬ素子を形成し封止を行うまでを詳細に説明する。
【００３２】
［アノード電極（陽極）の形成］
ＴＦＴ２のバックプレーン内に形成された各ドレイン端子と電気的コンタクトを取るべく、絶縁層３及び有機平坦化層４にコンタクトホールを形成した後、Ｃｒ電極を１００ｎｍの厚さに成膜する。その後、ウエットプロセスを用いて、第１電極であるアノード電極（陽極）５を形成する。
【００３３】
［ＳｉＯアノード平坦化層の形成］
アノード電極（陽極）５を形成したのち、真空紫外光化学気相成膜装置（ＶＵＶ−ＣＶＤ）を用いた真空紫外光化学気相成長法により、ＳｉＯ膜を１００ｎｍ成膜する。これにより、隣り合うアノード電極（陽極）５の間であって有機平坦化層４が露出している領域に、ＳｉＯアノード平坦化層１１を形成する。ＳｉＯアノード平坦化層１１の材料ガスには、ＯＭＣＴＳ［（ＣＨ3）2ＳｉＯ］4を用いる。なお、成膜時の圧力は２００ｍＴｏｒｒであり、成膜レートは１．６ｎ／ｓであった。
【００３４】
その後、アノード電極（陽極）５上に微量に定着したＳｉＯを、図１（ａ）に示すように、ドライエッチング法にて除去する。
【００３５】
真空紫外光化学気相成長法を用いて、ＳｉＯアノード平坦化層１１を形成することにより、図１（ａ）に示すように、アノード電極（陽極）５と略等しい高さに、ＳｉＯアノード平坦化層１１を形成することが可能となる。
【００３６】
フォトリソプロセスを用いた場合には、図３を参照して説明したように、アノード電極（陽極）５上に、ＳｉＯアノード平坦化層１１の端部が形成されることとなる。通常、フォトリソ工程を用いる場合にはマスクアライメント交差を設けて作製するため、実施形態１と同様の断面にはなり得ない。
【００３７】
なお、ここではＳｉＯアノード平坦化層１１を形成した後に、ドライエッチング工程を行ったが、ドライエッチング工程は必ずしも必要ではない。すなわち、ＶＵＶ−ＣＶＤにより得られたＳｉＯ膜の面内膜厚分布の均一性が向上することで、アノード電極（陽極）５上へのＳｉＯ定着を回避できる可能性がある。
【００３８】
［前処理］
以降の工程を、図１（ｂ）を用いて、引き続き説明する。
【００３９】
まず、ＵＶ／オゾン洗浄をした後に、１×１０-2Ｐａ、５０℃で７時間、真空ベークを行う。
【００４０】
次に、上記工程が終了したガラス基板１を有機ＥＬ蒸着装置へ移して真空排気し、前処理室に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入して、酸素プラズマ洗浄処理を行う。酸素圧力は０．６Ｐａで、処理時間は４０秒とした。
【００４１】
［正孔輸送層形成］
上記工程が終了したガラス基板１を前処理室より成膜室へ搬送し、成膜室の真空度が１×１０-4Ｐａとなるまで排気した後に、正孔輸送性を有するαＮＰＤを、抵抗加熱蒸着法を用いて成膜する。成膜速度は、０．２ｎｍ／ｓｅｃで、膜厚３５ｎｍで正孔輸送層を形成した。なお、正孔輸送層はすべての画素にそれぞれ蒸着されるよう、格子状のメタルマスクを用いて蒸着する。
【００４２】
［発光層の形成］
続いて、正孔輸送層上に、抵抗加熱蒸着法を用いて、アルキレート錯体であるＡｌｑ３を正孔輸送層と同様の成膜条件で、膜厚１５ｎｍの厚さで形成する。なお、今回は発光層を各Ｒ・Ｇ・Ｂに塗り分ける必要がないため、正孔輸送層と同様にすべての画素に蒸着すべく、格子状のメタルマスクを用いて発光層を蒸着する。各Ｒ・Ｇ・Ｂに塗り分ける際には、各Ｒ・Ｇ・Ｂの配列に対応したメタルマスクを用いて、それぞれの発光層を形成すればよい。
【００４３】
［電子注入電極層の形成］
次に、発光層上に、抵抗加熱共蒸着法を用いて、Ａｌｑ３と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）を膜厚比９：１の割合で混合し、かつ、蒸着速度が０．３ｎｍ／ｓｅｃになるようして、それぞれの蒸着速度を調整し、膜厚が３５ｎｍになるよう電子注入層を形成する。
【００４４】
［カソード電極（陰極）の形成］
最後に、陰極電極を形成するために、電極形成用のスパッタ室に上記工程が終了したガラス基板１を搬送する。そして、電子注入層の上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて、ＩＴＯターゲットを膜厚が１３０ｎｍになるようメタルマスク成膜し、透明電極であるカソード電極（陰極）７を形成する。成膜条件は、基板加熱なしの室温成膜で成膜圧力を１．０Ｐａとし、Ａｒ、Ｈ2Ｏ及びＯ2ガスを用いて、各ガスの流量はそれぞれ５００、１．５、５．０ｓｃｃｍとした。また、ターゲットに印加する投入パワーは、ＩＴＯ：５００Ｗで成膜した。透過率は、８５％（ａｔ．４５０ｎｍ）、比抵抗値は８×１０-4Ω・ｃｍであった。
【００４５】
上述したように、ガラス基板１上にＴＦＴ２のバックプレーンを形成した後、アノード電極（陽極）５、正孔輸送層、発光層、電子注入層、及びカソード電極（陰極）７を設け、有機ＥＬ素子基板を作製した。
【００４６】
［無機封止層の形成］
最後に、有機ＥＬ素子に空気中の水分が浸入しないように、ＳｉターゲットをリアクティブＤＣスパッタし、無機封止層１２を２００ｎｍの厚さに成膜する。この際、Ａｒ、Ｎ2ガスを用いて、流量比Ａｒ：Ｎ2＝２：１、圧力０．２Ｐａ、６．５Ｗ／ｃｍ2の投入Ｐｗ条件とした。
【００４７】
このように、実施形態１の有機ＥＬ素子では、従来の技術で生じていた素子分離膜形成による凸部がなくなり、第１電極（アノード電極（陽極）５）の高さが略均一になる。このため、素子分離膜のカバレッジが容易になり、無機封止層１２の膜厚は従来よりも薄く成膜することができた。
【００４８】
なお、実施形態１では、有機ＥＬ素子の封止に無機封止層１２を用いたが、ガラス板やエッチングガラスを用いた、いわゆるキャップ封止を用いてもなんら問題ない。
【００４９】
［素子評価１］
実施形態１の有機ＥＬ素子の発光状態及び長期信頼性を確認すべく、有機ＥＬ素子作製直後の発光状態を確認した後に、６０℃／９０％ＲＨの雰囲気条件で５００時間の耐久試験を行った。
【００５０】
その結果、初期状態では従来のプロセスによって作製した有機ＥＬ素子となんら変わらない発光特性であった。また、耐久試験後でも、全発光領域にわたってなんら異常なく発光していることが確認できた。さらに、フォトリソプロセスを用いて素子分離膜を形成した従来の有機ＥＬ素子では、特に表示領域の周辺部においてエッチング残渣に起因した発光不良が数画素乃至数十画素存在した。これに対して、実施形態１により作製した有機ＥＬ素子では、残渣に起因した発光不良は存在しなかった。
【００５１】
すなわち、実施形態１によれば、従来必要であった素子分離膜形成のフォトリソ工程を必要とせず、ローコストなプロセスにおいても第１電極であるアノード電極（陽極）５にダメージのない良好な発光状態が得られることが確認できた。
【００５２】
［比較評価１］
比較評価として、実施形態１で用いたＴＦＴ２のバックプレーン上にアノード電極（陽極）５まで形成し、その後、ＳｉＯアノード平坦化層を形成することなく、前処理、正孔輸送層形成から、無機封止層の形成まで行った有機ＥＬ素子基板を作製した。
【００５３】
比較評価１の有機ＥＬ素子は、アノード電極（陽極）５の電極端が露出した状態で、正孔輸送層から電子注入電極層まで形成したため、アノード電極（陽極）５の電極端部とカソード電極（陰極）７がショートした。そのため、一部の瞬いた発光状態の画素を除き、略すべての画素が非点灯状態となった。
【００５４】
＜実施形態２＞
図２は、本発明の実施形態２の有機ＥＬ素子を模式的に示す断面図である。図２において、１はガラス基板、２はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３は絶縁層をそれぞれ示す。また、図２において、５はアノード電極（陽極）、６は有機ＥＬ層、７はカソード電極（陰極）、１１はＳｉＯアノード平坦化層、１２は無機封止層、１３はＳｉＯマトリクスアレイ平坦化層（酸化ケイ素マトリクスアレイ平坦化層）をそれぞれ示す。なお、本発明の本質的部分以外の詳細な説明は省略する。
【００５５】
実施形態２においても、実施形態１と同様に、ガラス基板１上に、ＴＦＴ２を作製し、さらに、ＴＦＴ２を保護すべく、絶縁層３を形成する。
【００５６】
［ＳｉＯマトリクスアレイ平坦化層の形成］
続いて、ＴＦＴ２のバックプレーン形成により生じた凹凸を平坦化すべく、真空紫外光化学気相成膜装置（ＶＵＶ−ＣＶＤ）を用いた真空紫外光化学気相成長法により、ＳｉＯ膜を５００ｎｍ成膜する。これにより、ＴＦＴ２のバックプレーン上の凹部領域にＳｉＯマトリクスアレイ平坦化層１３を形成する。材料ガスには、ＯＭＣＴＳ［（ＣＨ3）2ＳｉＯ］4を用いる。なお、成膜時の圧力は、２００ｍＴｏｒｒであり、成膜レートは１．６ｎ／ｓであった。
【００５７】
［アノード電極（陽極）の形成］
ＴＦＴ２のバックプレーン内に形成された各ドレイン端子と電気的コンタクトを取るべく、絶縁層３及びＳｉＯマトリクスアレイ平坦化層１３にコンタクトホールを形成した後、Ｃｒ電極を１００ｎｍの厚さに成膜する。その後、ウエットプロセスを用いて、アノード電極（陽極）５を形成する。
【００５８】
［ＳｉＯアノード平坦化層の形成］
アノード電極（陽極）５を形成した後に、真空紫外光化学気相成膜装置（ＶＵＶ−ＣＶＤ）を用いた真空紫外光化学気相成長法により、ＳｉＯ膜を１００ｎｍ成膜する。これにより、隣り合うアノード電極（陽極）５の間であって、ＳｉＯマトリクスアレイ平坦化層１３が露出している領域に、ＳｉＯアノード平坦化層１１を形成する。材料ガスには、ＯＭＣＴＳ［（ＣＨ3）2ＳｉＯ］4を用いる。なお、成膜時の圧力は、２００ｍＴｏｒｒであり、成膜レートは１．６ｎ／ｓであった。
【００５９】
その後、アノード電極（陽極）５上に微量に定着したＳｉＯを、実施形態１と同様にドライエッチング法にて除去する。なお、ここでもＳｉＯアノード平坦化層１１を形成した後にドライエッチング工程を行ったが、ドライエッチング工程は必ずしも必要ではない。
【００６０】
［前処理］
まず、ＵＶ／オゾン洗浄をした後に、１×１０-2Ｐａ、５０℃で２時間、真空ベークを行う。次に、上記工程が終了したガラス基板１を有機ＥＬ蒸着装置へ移して真空排気し、前処理室に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入して、酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は０．６Ｐａで、処理時間は４０秒であった。
【００６１】
なお、従来の構成において実施形態２で用いた前処理条件にて試作を行った場合、平坦化層や素子分離膜に含有される水分が十分に脱水されておらず、耐久試験中にダークスポットと同様の欠陥が生じることが確認されている。
【００６２】
以降、実施形態１と同様の手順にて、正孔輸送層、発光層、電子注入層、及びカソード電極（陰極）７を設け、有機ＥＬ素子基板を作製し、最後に封止層を設ける。
【００６３】
［素子評価２］
実施形態２の有機ＥＬ素子の発光状態及び長期信頼性を確認すべく、有機ＥＬ素子作製直後の発光状態を確認した後に、６０℃／９０％ＲＨの雰囲気条件で５００時間の耐久試験を行った。
【００６４】
その結果、実施形態２においても、初期状態では従来のプロセスによって作製した有機ＥＬ素子となんら変わらない発光特性であった。また、耐久試験後でも、全発光領域にわたってなんら異常なく発光していることが確認できた。
【００６５】
実施形態２の条件において試作した有機ＥＬ素子においては、平坦化層及びアノード平坦化層にＳｉＯ膜を用いている。その結果、膜中の水分含水率が低く、また、膜中に含まれる水分の脱水も行い易いことから、ローコストに繋がる短時間な前処理条件においても良好な特性を得ることが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施形態１の有機ＥＬ素子を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態２の有機ＥＬ素子を模式的に示す断面図である。
【図３】従来の有機ＥＬ素子を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  ガラス基板
２  ＴＦＴ
３  絶縁層
４  有機平坦化層
５  アノード電極（陽極）
６  有機ＥＬ層
７  カソード電極（陰極）
８  素子分離膜
９  不活性ガス
１０  封止ガラス
１１  ＳｉＯアノード平坦化層
１２  無機封止層
１３  ＳｉＯマトリクスアレイ平坦化層
【図１】
2009272390.tif 000003
【図２】
2009272390.tif 000004
【図３】
2009272390.tif 000005