(57)【要約】【課題】薄膜回路層のクラック、チッピングの発生を抑え、薄膜半導体装置の個片化を可能とする薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂基板５に薄膜回路層６が形成された薄膜半導体装置の製造方法であって、樹脂基板５に複数の素子領域を有する薄膜回路層６を形成する薄膜回路層形成工程と、複数の素子領域をそれぞれ切断して一つの薄膜半導体装置として個片化する切断工程と、を備え、切断工程において、樹脂基板５を砥粒径が１０μｍを超える粒径を有するダイシングブレード３０の外周部３０ａにて切断し、薄膜回路層６を砥粒径が１０μｍ以下の粒径を有するダイシングブレード３０の内周部３０ｂにて切断する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板に薄膜回路層が形成された薄膜半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂基板に複数の素子領域を有する前記薄膜回路層を形成する薄膜回路層形成工程と、前記複数の素子領域をそれぞれ切断して一つの前記薄膜半導体装置として個片化する切断工程と、を備え、
前記切断工程において、砥粒径が第１の粒径以下のダイシングブレードを用いて前記薄膜回路層を切断し、前記第１の粒径を超えた粒径のダイシングブレードを用いて前記樹脂基板を切断することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第１の粒径は１０μｍであり、
前記切断工程が、肉薄の外周部に砥粒径が１０μｍを超える粒径を有し、かつ肉厚の内周部に砥粒径が１０μｍ以下の粒径を有するダイシングブレードを用いて、前記樹脂基板および前記薄膜回路層を切断することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記薄膜回路層形成工程が、
第１基板上に第１分離層を形成し、さらに前記第１分離層の上に前記薄膜回路層を形成する工程と、
第２基板上に第２分離層を形成し、前記薄膜回路層と前記第２分離層とを第１接着層を介して接着する工程と、
光照射により前記第１分離層の層内および前記第１分離層と接する他の層との境界面のうち少なくともいずれかで剥離を生じさせ、前記薄膜回路層を前記第１基板側から前記第２基板側へ転写する工程と、
前記第２基板側に転写された前記薄膜回路層と前記樹脂基板とを第２接着層を介して接着する工程と、
光照射により前記第２分離層の層内および前記第２分離層と接する他の層との境界面のうち少なくともいずれかで剥離を生じさせ、前記薄膜回路層を前記第２基板側から前記樹脂基板側へ転写する工程と、
前記第１接着層を取り除く工程と、
を含むことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第１分離層および前記第２分離層がアモルファスシリコンにて構成されていることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
エキシマレーザを光源とする光を前記光照射に用いることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記薄膜回路層に薄膜トランジスタを含むことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板表面に半導体素子等を含む薄膜回路層を形成した薄膜半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜半導体装置は、基板に半導体素子等を含む薄膜回路層等を形成して構成されている。この薄膜半導体装置に用いられる基板としては、単結晶シリコンウェハー、石英ガラス基板、耐熱ガラス基板、樹脂基板等が利用され、要求される薄膜半導体装置の性能、機能に応じた材質の基板が選択されている。なかでも、樹脂基板として樹脂フィルムを用いた薄膜半導体装置は基板が薄く可撓性を有することから、軽量で柔軟性を備えた薄膜半導体装置を提供できる点で注目されている。
【０００３】
樹脂フィルムなどの樹脂基板を用いた薄膜半導体装置の製造方法としては、樹脂基板上に半導体層、絶縁層、金属層等を順次積層して薄膜回路層等を得る方法が知られている。また、他の方法としてガラス基板などに形成した薄膜回路層等をこのガラス基板から剥離し、分離した薄膜回路層等を樹脂基板上に接合する剥離転写法が知られている。例えば、特許文献１には剥離転写法による薄膜半導体装置の製造例が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような薄膜半導体装置の製造において、通常、１枚の樹脂基板に複数個の薄膜回路等を形成し、最後にダイシングソー装置を用いて切断することにより、それぞれを個片化して複数個の薄膜半導体装置を得ている。
この薄膜半導体装置の個片化切断においては、砥粒径が粗いダイシングブレードを使用して切断がなされていた。砥粒径が粗いダイシングブレードを使用するのは、砥粒径が細かいダイシングブレードを用いた場合、ダイシングブレードに基板の樹脂が詰まって目詰まりがおこり、切断が困難になるためである。
しかしながら、樹脂基板上に形成された薄膜回路層は無機物硬脆性材料で形成されているため、砥粒径が粗いダイシングブレードを使用して切断すると、薄膜回路層の切断面にクラック、チッピングが発生することがある。そして、そのクラックやチッピングを起点としてクラックが薄膜回路層の内部に進行して薄膜回路の断線を引き起こし、薄膜半導体装置の信頼性を低下させる問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
本適用例にかかる薄膜半導体装置の製造方法は、樹脂基板に薄膜回路層が形成された薄膜半導体装置の製造方法であって、前記樹脂基板に複数の素子領域を有する前記薄膜回路層を形成する薄膜回路層形成工程と、前記複数の素子領域をそれぞれ切断して一つの前記薄膜半導体装置として個片化する切断工程と、を備え、前記切断工程において、砥粒径が第１の粒径以下のダイシングブレードを用いて前記薄膜回路層を切断し、前記第１の粒径を超えた粒径のダイシングブレードを用いて前記樹脂基板を切断することを特徴とする。
【０００８】
樹脂基板を用いた薄膜半導体装置では、基板と薄膜回路層とにおいて機械的な性質の差異がある。樹脂基板は有機物で構成され弾性定数が小さく、薄膜回路層は化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法などによって基板表面に堆積された無機材料薄膜を含んだ硬脆性材料であり、その弾性定数は大きい。
樹脂基板のように弾性定数の小さい材料は、細かい目の砥粒を有するダイシングブレードを用いると目詰まりして、切削能力が低下し切断が困難になる。このため、樹脂基板の切断には荒い目の砥粒を有するダイシングブレードを用いて切断するのが適している。
これに対して、薄膜回路層のように弾性定数の大きく脆い材料は、粗い目の砥粒を有するダイシングブレードを用いると切断面にクラック、チッピングが発生しやすい。このため、薄膜回路層の切断には細かい目の砥粒を有するダイシングブレードを用いて切断するのが適している。
このように、薄膜半導体装置を個片化する際の切断において、弾性定数の小さい樹脂基板を砥粒径が第１の粒径を超える粒径を有するダイシングブレード（粗い目の砥粒を有するダイシングブレード）を用いて切断し、弾性定数の大きい薄膜回路層を砥粒径が第１の粒径以下の粒径を有するダイシングブレード（細かい目の砥粒を有するダイシングブレード）を用いて切断することで、薄膜回路層のクラック、チッピングの発生を抑え、薄膜半導体装置の個片化を容易にする。そして、薄膜回路層の切断面におけるクラック、チッピングに起因する信頼性を低下させる要因を低減することができる。
【０００９】
上記適用例にかかる薄膜半導体装置の製造方法において、前記第１の粒径は１０μｍであり、前記切断工程が、肉薄の外周部に砥粒径が１０μｍを超える粒径を有し、かつ肉厚の内周部に砥粒径が１０μｍ以下の粒径を有するダイシングブレードを用いて、前記樹脂基板および前記薄膜回路層を切断することが好ましい。
【００１０】
この製造方法によれば、第１の粒径が１０μｍであり、ダイシングブレードに肉薄の外周部に砥粒径が１０μｍを超える粒径を有し、かつ肉厚の内周部に砥粒径が１０μｍ以下の粒径を有していることから、１回の切断作業で、効率的に樹脂基板と薄膜回路層とを切断することが可能である。
【００１１】
上記適用例にかかる薄膜半導体装置の製造方法において、前記薄膜回路層形成工程が、第１基板上に第１分離層を形成し、さらに前記第１分離層の上に前記薄膜回路層を形成する工程と、第２基板上に第２分離層を形成し、前記薄膜回路層と前記第２分離層とを第１接着層を介して接着する工程と、光照射により前記第１分離層の層内および前記第１分離層と接する他の層との境界面のうち少なくともいずれかで剥離を生じさせ、前記薄膜回路層を前記第１基板側から前記第２基板側へ転写する工程と、前記第２基板側に転写された前記薄膜回路層と前記樹脂基板とを第２接着層を介して接着する工程と、光照射により前記第２分離層の層内および前記第２分離層と接する他の層との境界面のうち少なくともいずれかで剥離を生じさせ、前記薄膜回路層を前記第２基板側から前記樹脂基板側へ転写する工程と、前記第１接着層を取り除く工程と、を含むことが望ましい。
【００１２】
この製造方法によれば、剥離転写法により薄膜回路層等を樹脂基板上に接合する薄膜半導体装置に利用することが可能である。このような剥離転写法を用いることで、薄膜回路層を高温プロセスで形成することができ、一般に耐熱性の低い可撓性基板上に直接低温プロセスで製造した薄膜トランジスタよりも性能の良い薄膜トランジスタを備える薄膜半導体装置を得ることができる。
【００１３】
上記適用例にかかる薄膜半導体装置の製造方法において、前記第１分離層および前記第２分離層がアモルファスシリコンにて構成されていることが好ましい。
【００１４】
この製造方法によれば、アモルファスシリコンに対して光照射することにより、発熱現象、アブレーション、気体の放出、あるいは状態変化が誘起され、第１、第２分離層内または第１、第２分離層と接する他の層との境界面のうち少なくともどちらかで、剥離を生じさせることが可能である。
【００１５】
上記適用例にかかる薄膜半導体装置の製造方法において、エキシマレーザを光源とする光を前記光照射に用いることが好ましい。
【００１６】
この製造方法によれば、エキシマレーザを光源とする光は紫外領域の波長を有し高エネルギであるため、第１、第２分離層を効率よく光励起するのに適している。そして、エキシマレーザ光の照射により基板上に設けられている分離層において、熱の影響の少ない分子結合の直接の切断、ガスの蒸発等の作用を生ずることができる。
【００１７】
上記適用例にかかる薄膜半導体装置の製造方法において、前記薄膜回路層に薄膜トランジスタを含むことが好ましい。
【００１８】
この製造方法によれば、薄膜半導体装置は液晶表示装置、電気泳動表示装置、電界発光装置などの種々のフラットパネルディスプレイや、電子ペーパの駆動用半導体装置として構成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
（実施形態）
【００２０】
図１は本実施形態の薄膜半導体装置の構成を示す斜視図である。
薄膜半導体装置１は樹脂基板５と、樹脂基板５の表面に形成された薄膜回路層６と、を含んでいる。樹脂基板５はポリイミドなどの樹脂フィルムからなり、厚みが１００〜２００μｍに形成されている。薄膜回路層６は化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法などによって基板表面に堆積された無機材料薄膜を含んだ硬脆性材料で形成され、厚みが２〜３μｍに形成されている。
なお、薄膜回路層６は樹脂基板５の上に直接形成してもよく、または別途のプロセスによって形成されたものを、例えば剥離転写法によって基板上に接着剤などによって貼り合わせたものでも良い。
薄膜回路層６には多数の薄膜トランジスタが形成された素子領域７を有している。この素子領域７は一定の機能を発揮する領域であり、例えば電気回路、表示回路、微小機械構造などが形成されていても良い。
【００２１】
また、薄膜回路層６の平面形状の大きさは樹脂基板５の大きさより小さく形成され、薄膜回路層６の外周に段差部が形成されるように、一回り大きく樹脂基板５が構成されている。
ここで、薄膜半導体装置１の外周において、薄膜回路層６は砥粒径が１０μｍ以下の粒径を有するダイシングブレードを用いて切断され、樹脂基板５は砥粒径が１０μｍを超える粒径を有するダイシングブレードを用いて切断されている。
なお、上記で砥粒径が１０μｍを超える粒径を有するダイシングブレードと表現しているが、砥粒の製造において１０μｍ以下の砥粒も含まれていることもあり、本願では主な砥粒の粒径が１０μｍを超えるという意味である。
【００２２】
このような薄膜半導体装置１は、図２に示す多数個取り用樹脂基板から個片化されて製造されている。
多数個取り用樹脂基板８の表面には、複数の素子領域７を含む薄膜回路層６が形成され、個々の領域ごとにダイシングブレードを用いて切断して個片化され、薄膜半導体装置１を得ている。
このように、多数個取り用樹脂基板８上に多数の薄膜回路層６を一括して作製し、個々の薄膜回路層６に切り分ける切断工程を経ることにより、薄膜半導体装置１を効率的に製造することができる。
【００２３】
次に、本実施形態の薄膜半導体装置の製造方法について説明する。
図３，図４，図５は本実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を説明する説明図である。ここでは、模式断面図を用いて薄膜半導体装置の製造工程を説明する。
本実施形態では、ガラス基板などに形成した薄膜回路層をこのガラス基板から剥離し、分離した薄膜回路層を樹脂基板上に接合する剥離転写法を採用した薄膜半導体装置の製造方法を説明する。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、ガラス基板などの第１基板１０表面にＣＶＤ法によってアモルファスシリコン層を第１分離層１１として成膜する。そして、第１分離層１１の上に複数の薄膜回路層６を形成する。薄膜回路層６には、ゲート電極１６、ソース電極およびドレイン電極１７を有する薄膜トランジスタ１８が備えられ、その製作過程で保護層１２、ゲート絶縁膜１３、層間絶縁層１４が設けられている。そして、薄膜トランジスタ１８を覆う保護層１５が設けられ、保護層１５の上にソース電極およびドレイン電極１７と接続される接続配線１９が形成されている。
なお、一点差線Ｂは隣接するの薄膜回路層６の境界を示し、この境界で切断することで、個々の薄膜回路層として独立可能である。また、一点差線Ｃは素子領域の境界を示し、矢印方向に回路素子などが形成されている。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、表面にアモルファスシリコン層を第２分離層２１として成膜したガラス基板などの第２基板２０を、薄膜回路層６の上に第１接着層２２を介して貼り合わせる。この第１接着層２２には水溶性の接着剤が用いられている。
そして、図３（ｃ）に示すように、第１基板１０の裏面からエキシマレーザ光を照射して第１分離層１１のアモルファスシリコンの結合力を失わせる。
エキシマレーザを光源とする光は紫外領域の波長を有し高エネルギであるため、第１分離層１１を効率よく光励起するのに適している。エキシマレーザ光の照射によりアモルファスシリコンは、発熱現象、アブレーション、気体の放出、あるいは状態変化が誘起され、第１分離層１１内または第１分離層１１と接する他の層との境界面のうち少なくともどちらかで、剥離を生じさせることが可能である。
このように、エキシマレーザ光の照射により基板上に設けられている第１分離層１１において、熱の影響の少ない分子結合の直接の切断、ガスの蒸発等の作用を生ずることができる。
続いて、図３（ｄ）に示すように、第１基板１０を剥離分離することにより、薄膜回路層６が第２基板２０側に転写される。
【００２６】
次に、図４（ａ）に示すように、複数の薄膜回路層６を多数個取り用樹脂基板８に第２接着層２４を介して貼り合わせる。この第２接着層２４にはエポキシ系の非水溶性接着剤が用いられ、その厚みは２５〜３０μｍに設定されている。なお、多数個取り用樹脂基板８の表面に接着機能を付加した基板を用いれば、この第２接着層２４を設けなくても良い。
そして、図４（ｂ）に示すように、第２基板２０の裏面からエキシマレーザ光を照射して第２分離層２１のアモルファスシリコンの結合力を失わせる。
エキシマレーザを光源とする光は紫外領域の波長を有し高エネルギであるため、第２分離層２１を効率よく光励起するのに適している。エキシマレーザ光の照射によりアモルファスシリコンは、発熱現象、アブレーション、気体の放出、あるいは状態変化が誘起され、第２分離層２１内または第２分離層２１と接する他の層との境界面のうち少なくともどちらかで、剥離を生じさせることが可能である。
このように、エキシマレーザ光の照射により基板上に設けられている第２分離層２１において、熱の影響の少ない分子結合の直接の切断、ガスの蒸発等の作用を生ずることができる。
続いて、図４（ｃ）に示すように、第２基板２０を剥離分離して、薄膜回路層６が多数個取り用樹脂基板８側に移動する。
その後、図４（ｄ）に示すように、水溶性の接着剤で構成された第１接着層２２を水洗して除去する。
このようにして、図２で説明した多数個取り用樹脂基板８上に複数の薄膜回路層６が形成された状態となる。
このような剥離転写法を用いることで、薄膜回路層６を高温プロセスで形成することができ、一般に耐熱性の低い可撓性基板上に直接低温プロセスで製造した薄膜トランジスタよりも性能の良い薄膜トランジスタを備える薄膜半導体装置１を得ることができる。
以上、図３、図４で説明した内容が薄膜回路層形成工程である。
【００２７】
次に薄膜半導体装置の製造方法における、切断工程について説明する。
図５に示すように、ダイシングブレード３０を用いて、前述した隣接する薄膜回路層６の境界位置で切断する。
ダイシングブレード３０は、肉薄の外周部３０ａと肉厚の内周部３０ｂを備えている。肉薄の外周部３０ａの表面には砥粒径が１０μｍを超えるダイヤモンド砥粒が固着され、肉厚の内周部３０ｂの表面には砥粒径が１０μｍ以下のダイヤモンド砥粒が固着されている。なお、外周部３０ａと内周部３０ｂの境の段部３０ｃには砥粒径が１０μｍ以下のダイヤモンド砥粒が固着されている。
上記のダイシングブレード３０を用いダイシングブレード３０の切り込み量を設定することで、肉薄の外周部３０ａが第２接着層２４および樹脂基板５を切削し、肉厚の内周部３０ｂが薄膜回路層６を切削する。つまり、薄膜回路層６は砥粒径が１０μｍ以下のダイヤモンド砥粒で切削され、第２接着層２４および樹脂基板５は砥粒径が１０μｍを超えるダイヤモンド砥粒にて切削される。
このように、薄膜半導体装置１の４辺を切断することで、図２に示したように薄膜半導体装置１を個片化することができる。
【００２８】
以上、本実施形態の樹脂基板５を用いた薄膜半導体装置１では、第２接着層２４、樹脂基板５と薄膜回路層６とにおいて機械的な性質の差異がある。第２接着層２４、樹脂基板５は有機物で構成され弾性定数が小さく、薄膜回路層６は化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法などによって基板表面に堆積された無機材料薄膜を含んだ硬脆性材料であり、その弾性定数は大きい。
樹脂基板のように弾性定数の小さい材料は、細かい目の砥粒を有するダイシングブレードを用いると目詰まりして、切削能力が低下し切断が困難になる。このため、樹脂基板の切断には荒い目の砥粒を有するダイシングブレードを用いて切断するのが適している。
これに対して、薄膜回路層のように弾性定数の大きく脆い材料は、粗い目の砥粒を有するダイシングブレードを用いると切断面にクラック、チッピングが発生しやすい。このため、薄膜回路層の切断には細かい目の砥粒を有するダイシングブレードを用いて切断するのが適している。
【００２９】
このように、薄膜半導体装置１を個片化する際の切断において、弾性定数の小さい第２接着層２４、樹脂基板５を砥粒径が１０μｍを超える粒径を有するダイシングブレード３０の外周部３０ａにて切断し、弾性定数の大きい薄膜回路層を砥粒径が１０μｍ以下の粒径を有するダイシングブレード３０の内周部３０ｂにて切断することで、薄膜回路層６のクラック、チッピングの発生を抑え、薄膜半導体装置１の個片化を容易にする。そして、薄膜回路層６の切断面におけるクラック、チッピングに起因する信頼性を低下させる要因を低減することができる。
また、肉薄の外周部３０ａに砥粒径が１０μｍを超える粒径を有し、かつ肉厚の内周部３０ｂに砥粒径が１０μｍ以下の粒径を有しているダイシングブレード３０を用いることで、１回の切断作業で効率的に第２接着層２４、樹脂基板５と薄膜回路層６とを切断することが可能である。
さらに、本実施形態のように、樹脂フィルムのような可撓性を有する樹脂基板５を用いた場合、薄膜半導体装置１の外周部にチッピング・クラックなどの欠陥がないために、樹脂基板５の曲げなどに対応でき、クラックの進行がなく信頼性に優れた薄膜半導体装置１を提供できる。
（変形例）
【００３０】
次に、本実施形態の切断工程における変形例について説明する。
図６は他の形状のダイシングブレードを用いた切断工程を示す模式断面図である。この変形例では、上記の実施形態に対してダイシングブレードの形状のみ異なり、ダイシングブレードの形状について説明する。
ダイシングブレード３１は、肉薄の外周部３１ａと肉厚の内周部３１ｂ、および外周部３１ａと内周部３１ｂをつなぐテーパ部３１ｃを備えている。肉薄の外周部３１ａおよびテーパ部３１ｃの表面には砥粒径が１０μｍを超えるダイヤモンド砥粒が固着され、肉厚の内周部３１ｂの表面には砥粒径が１０μｍ以下のダイヤモンド砥粒が固着されている。
【００３１】
上記のダイシングブレード３１を用いダイシングブレード３１の切り込み量を設定することで、外周部３１ａおよびテーパ部３１ｃが第２接着層２４、樹脂基板５を切削し、内周部３１ｂが薄膜回路層６を切削する。つまり、薄膜回路層６は砥粒径が１０μｍ以下のダイヤモンド砥粒で切削され、第２接着層２４、樹脂基板５は砥粒径が１０μｍを超えるダイヤモンド砥粒にて切削される。
このように、ダイシングブレード３１にテーパ部３１ｃを設けることで切削負荷を低減する効果がある。さらに、上記ようなダイシングブレードを使用しても、本実施形態を実施することができ、本実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００３２】
図７は切断工程の変形例を示す模式断面図である。この変形例では、切断工程を２工程に分けて行っている。
まず、図７（ａ）に示すように、表面に砥粒径が１０μｍ以下のダイヤモンド砥粒が固着されている肉厚のダイシングブレード３２を用いて薄膜回路層６の保護層１５から保護層１２まで切削する。
その後、図７（ｂ）に示すように、表面に砥粒径が１０μｍを超えるダイヤモンド砥粒が固着された肉薄のダイシングブレード３３を用いて第２接着層２４および樹脂基板５を切削して切断する。
このようにして、薄膜回路層６は砥粒径が１０μｍ以下のダイヤモンド砥粒で切削され、第２接着層２４、樹脂基板５は砥粒径が１０μｍを超えるダイヤモンド砥粒にて切削される。このように、薄膜半導体装置の切断工程において、２工程に分けて行っても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本実施形態の薄膜半導体装置の構成を示す斜視図。
【図２】本実施形態における多数個取り用樹脂基板から薄膜半導体装置の個片化を説明する斜視図。
【図３】本実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を説明する模式断面図。
【図４】本実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を説明する模式断面図。
【図５】本実施形態の薄膜半導体装置の製造工程を説明する模式断面図。
【図６】本実施形態の切断工程における、他のダイシングブレードを使用した変形例を説明する模式断面図。
【図７】本実施形態の切断工程の変形例を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１…薄膜半導体装置、５…樹脂基板、６…薄膜回路層、７…素子領域、８…多数個取り用樹脂基板、１０…第１基板、１１…第１分離層、１２…保護層、１３…ゲート絶縁膜、１４…層間絶縁層、１５…保護層、１６…ゲート電極、１７…ソース電極およびドレイン電極、１８…薄膜トランジスタ、１９…接続配線、２０…第２基板、２１…第２分離層、２２…第１接着層、２４…第２接着層、３０…ダイシングブレード、３０ａ…肉薄の外周部、３０ｂ…肉厚の内周部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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