(57)【要約】【課題】インダクタを形成する導体において実質的な直列抵抗成分の増加を防止すると共に、導体間容量の増加を低減することができる。これらのことから、Ｑ値を向上させたインダクタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】インダクタ１０は、平板状の基板とスパイラル形状の導体１１とを備えている。導体１１が形成された形成面は、基板の主面に対して実質的に平行である。導体１１では、形成面に対して水平な方向において等間隔であり、外側に位置する部分の方が内側に位置する部分よりも幅広且つ肉薄であり、形成面に対して垂直な方向においては上面及び下面の少なくとも一方の面が周回毎に相異なる位置に存在している。【選択図】図１
2009272360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基板とスパイラル形状の導体とを備えたインダクタであって、
前記導体は、前記基板の主面に対して実質的に平行となるように配置されており、
前記導体では、
前記導体が配置された形成面に対して水平な方向において、等間隔であり、
外側に位置する部分の方が内側に位置する部分よりも幅広且つ肉薄であり、
前記形成面に対して垂直な方向において、上面及び下面の少なくとも一方の面が周回毎に異なる水平面内に位置していることを特徴とするインダクタ。
【請求項２】
前記インダクタを構成する前記導体において、内側に位置する前記導体の最上面が、外側に位置する前記導体の最上面に対して、垂直方向において同じ位置または下方に位置していることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
前記インダクタを構成する前記導体において、内側に位置する前記導体の最下面が、外側に位置する前記導体の最下面に対して、垂直方向において同じ位置または上方に位置していることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項４】
前記基板の前記主面上には、複数の配線層が絶縁層を挟んで積層されており、
互いに対面する少なくとも２つの前記配線層にそれぞれ設けられた導体部が前記絶縁層に形成されたビアまたは溝内に設けられた導電性材料を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項１から３の何れか一つに記載のインダクタ。
【請求項５】
平板状の基板とスパイラル形状の導体とを有するインダクタの製造方法であって、
前記基板上に設けられた第１の層間絶縁膜を貫通する第１の溝を前記第１の層間絶縁膜に形成し、前記第１の溝内に前記導体の第１の部分を形成する工程と、
エッチングストッパー用絶縁層を挟むようにして、前記第１の層間絶縁膜の上面および下面のうちの一方の面上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜を貫通する第２および第３の溝を前記第２の層間絶縁膜にそれぞれ形成し、前記第２および前記第３の溝内に前記導体の第２および第３の部分を形成する工程とを備え、
幅が前記第１の溝の幅と同一となるように、且つ、前記第１の層間絶縁膜の前記一方の面における前記導体の前記第１の部分の表面に達するように、前記第２の溝を形成し、
前記第２の溝よりも幅広となるように、且つ、前記第２の溝よりも前記第１の層間絶縁膜の前記一方の面の周縁寄りに配置されるように、前記第３の溝を形成することを特徴とするインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にスパイラル形状の導体が形成されてなるインダクタおよび、その製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話およびＰＤＡ（携帯情報端末；Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）の普及に伴い、無線インターフェースを備える高周波回路を小型化する要求が強まっている。そのため、今まで半導体装置の外、例えばプリント基板に取り付けられていた（つまり、外付け部品であった）インダクタ等の受動素子を、半導体装置内に収納する例が多くなってきた。また、インダクタは、ＬＮＡ（Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）、ＰＡ（Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）およびＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）オシレータ等のＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）設計への応用に必要な部品である。しかし、抵抗素子及び容量素子をチップ内に形成するのは比較的容易であるのに対し、インダクタについては誘導性を生じさせる構造として様々なものがあり、インダクタをチップ内に形成するのは必ずしも容易ではない。
【０００３】
以下、従来の技術について図８（ａ）及び、図８（ｂ）を参照して説明する。図８（ａ）はインダクタの平面図を示し、図８（ｂ）は、図８（ａ）のVIIIB−VIIIB'線における断面図を示している。
【０００４】
図８（ａ）に示すように、インダクタ１００は、導体１０１がスパイラル形状となった構造を有する。また、導体１０１では、外側に位置する一端と内側に位置する他端とはそれぞれ端子部１０３ａおよび端子部１０３ｂとなっており、電流Ｆは端子部１０３ａ側から電流Ｆを流した際には矢印Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３およびＦ４方向に流れて端子部１０３ｂから導出されるようになっている。
【０００５】
また、図８（ｂ）に示すように、インダクタ（導体１０１ａ、１０１ｂおよび１０１ｃ）は基板上に形成された層間絶縁膜１０４中に設けられており、導体１０１を幅方向に切断して得られる断面形状は矩形である。
【０００６】
一般にインダクタの特性を表す指標として、Ｑ値（Ｑｕａｌｉｔｙ  Ｆａｃｔｏｒ）が用いられ、次の（式１）の形に表される。
【０００７】
Ｑ＝ωＬ／Ｒ  ……  （式１）
（式１）において、ωは２πｆ、πは円周率、ｆは周波数、Ｌはインダクタンス値、Ｒは抵抗値である。
【０００８】
Ｑ値が大きな値であるほど、インダクタの電気特性が良いとされている。また、Ｑ値が大きいことは回路の低消費電力化に寄与する。
【０００９】
スパイラル形状を有するインダクタの直列抵抗成分が、インダクタのＱ値の低下の主な原因となっていることは周知である。インダクタの直列抵抗成分を小さくするひとつの方法は幅の広い導体を使用することであるが、導体の幅を広くするとインダクタの面積が増大し、構造に関連する寄生キャパシタンスが増加してしまう。その結果、インダクタの自己共振周波数が減少し、インダクタの有効周波数が制限される。
【００１０】
図８（ａ）に示すインダクタ１００は、導体１０１間の間隔を等しくした状態で、外側に位置する導体１０１ａの幅よりも内側に位置する導体１０１ｃの幅を小さくしている。そのため、内側に位置する導体と外側に位置する導体１０１ａとで幅が同じである場合に比べて、内側に位置する導体１０１ｃが中心１０５から遠くなる。その結果、対向した位置にある導体１０１間では、互いに磁力線の影響が少なく、従って、インダクタンスＬが大きくなって、Ｑ値が高くなっている。
【００１１】
図９に、一般的なインダクタのＱ特性（周波数に対するＱ値の変化）を示す。図９に示すように、Ｑ値は周波数が増加するにつれて一旦は上昇するが、高周波ではインダクタと基板との間の容量結合による容量損失のために低下する。この結果として、Ｑ特性は上に凸状の形状を示す。
【００１２】
また、（式１）から判るように、Ｑ値を増大させるためには、インダクタの直列抵抗成分を低減させること及び容量損失を抑えることが効果的である。
【特許文献１】特開２００２−１３４３１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、以上に説明した従来の構成において、次のような問題があった。
【００１４】
まず、駆動周波数が高くなるにつれて、表皮効果により導体の表面（図８（ｂ）の導体１０１ａ、１０１ｂおよび１０１ｃのように断面が矩形であれば、上面、下面及び両側面）近傍に電流が集中する傾向がある。また、インダクタの通電動作時に磁場が発生するため、スパイラル形状の導体の場合、外側より内側の方が磁束密度が高くなり、導体の平面形状における内部側に電流が集中する傾向がある。導体の平面形状における内部側に部分的に電流集中が生じると、インダクタの実質的な直列抵抗成分が増加するため、インダクタのＱ値が低下する。通電動作時に発生する磁場の影響を小さくするためには、インダクタの中心から導体までの距離を離すことが考えられる。その上、インダクタの占有面積を増加させないためには、導体幅を小さくする、又は、導体間隔を狭くするなどの方法がある。しかし、導体幅を小さくすると、インダクタの直列抵抗成分が増加し、その結果、インダクタのＱ値は低下する。又、導体間隔を狭くすると、導体間の容量成分が増大し、その結果、高周波領域でのインダクタのＱ値は低下してしまう。
【００１５】
また、インダクタのＱ値を高めるためには、インダクタの導体を厚い膜厚で形成することが考えられる。しかし、従来のインダクタでは、図８（ｂ）に示すように隣り合う導体１０１ａと導体１０１ｂとの間および隣り合う導体１０１ｂと導体１０１ｃとの間で相互に影響を及ぼし合い、導体１０１ａ、１０１ｂおよび１０１ｃの膜厚が厚くなるにつれて容量成分が発生することとなる。その結果、導体間の容量成分が増大して高周波領域でのインダクタのＱ値を低下させる原因となる。よって、これらの解決が課題となっている。
【００１６】
以上に鑑みて、本発明は、インダクタの導体における実質的な直列抵抗成分と容量成分の増加を防止し、Ｑ値の向上したインダクタとその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記の目的を達成するため、本発明に係るインダクタは、平板状の基板と、スパイラル形状の導体とを備えている。導体は、基板の主面に対して実質的に平行となるように配置されている。導体では、導体が配置された形成面に対して水平な方向において等間隔であり、外側に位置する部分の方が内側に位置する部分よりも幅広且つ肉薄であり、形成面に対して垂直な方向において上面及び下面の少なくとも一方の面が周回毎に異なる水平面内に位置している。
【００１８】
このような構成によると、スパイラル形状の導体では、内側の方が外側よりも導体の幅が小さいとともに分厚いので、互いに隣り合う部分の上面および下面の少なくとも一方の面は相異なる水平面内に存在している。よって、形成面（導体が形成された面）に対して垂直な方向における磁束成分を低減させることができ、この結果、トータルの渦電流損失を低減させることができる。つまり、導体に鎖交する磁束の成分（磁束の垂直成分）を小さくすることでトータルの渦電流損失を低減できるので、実質的なインダクタの直列抵抗成分の増加を抑制できる。また、導体の厚さを一様に大きくしていないため、インダクタの容量成分の増加も抑制でき、容量損失を抑えることができる。
【００１９】
また、本発明に係るインダクタでは、インダクタを構成する導体において、内側に位置する導体の最上面が、外側に位置する導体の最上面に対して、垂直方向において同じ位置または下方に位置してもよい。
【００２０】
このような構成によると、スパイラル形状の導体において互いに隣り合う導体の距離を大きくすることができるので、インダクタの通電動作時に発生する磁場の影響等を小さくすることができる。と同時に、形成面に対して垂直な磁束成分を低減させることができるので、トータルの渦電流損失を低減させることができる。結果、実質的な直列抵抗成分の増加を抑制することができる。更に、隣り合う導体間の容量成分を小さくすることができるため高周波領域でのインダクタのＱ値の低下を抑制することができる。
【００２１】
また、本発明に係るインダクタでは、インダクタを構成する導体において、内側に位置する導体の最下面が、外側に位置する導体の最下面に対して、垂直方向において同じ位置または上方に位置してもよい。
【００２２】
このような構成によると、スパイラル形状の導体において互いに隣り合う導体の距離を大きくすることができるので、インダクタの通電動作時に発生する磁場の影響等を小さくすることができる。と同時に、形成面に対して垂直な磁束成分を低減させることができるので、トータルの渦電流損失を低減させることができる。結果、実質的な直列抵抗成分の増加を抑制することができる。更に、隣り合う導体間の容量成分を小さくすることができるため高周波領域でのインダクタのＱ値の低下を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係るインダクタとその製造方法によれば、インダクタの通電動作時に発生する磁場からの影響、及び、高周波における表皮効果等によって、インダクタの導体におけるインダクタ内部側端部の表面近傍に電流が集中しても、実質的な直列抵抗成分の増加を抑制することができる。また、導体間容量の増加を低減することができる。これらのことから、Ｑ値を向上させたインダクタを実現することできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下では、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されない。
【００２５】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係るスパイラル形状を有するインダクタ１０の平面図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）のIB−IB'線における断面図を示している。図１（ｃ）は、図１（ａ）のIB−IB'線における断面図の別例を示している。
【００２６】
図１（ａ）に示すように、インダクタ１０は、基板（不図示）とスパイラル形状を備えた導体１１とを有する。また、導体１１では、外側に位置する一端と内側に位置する他端とはそれぞれ端子部１３ａおよび端子部１３ｂとなっており、端子部１３ａ側から電流を流した際には電流が端子部１３ｂから導出されるようになっている。また、図１（ｂ）に示すように、インダクタ１０（図１（ｂ）には導体１１の一部である導体１１ａ、導体１１ｂおよび導体１１ｃのみを図示）は、基板上に形成された層間絶縁膜１４中に設けられており、導体１１ａ、導体１１ｂおよび導体１１ｃを幅方向に切断した断面形状は矩形である。
【００２７】
本実施の形態について図１（ｂ）を用いて説明すると、導体１１では、周回毎に下面が異なる水平面内に位置している。例えば図１（ｂ）に示す導体１１では、その下面は、最も内側に位置する導体１１ｃ、中央に位置する導体１１ｂおよび最も外側に位置する導体１１ａの順に上に位置している。これにより、形成面に対して垂直な磁束成分が低減し、この結果、トータルの渦電流損失を低減させることができる。つまり、本実施の形態における導体１１では、導体１１に鎖交する磁束の垂直成分を小さくすることができるので、トータルの渦電流損失を低減できる。その結果、インダクタ１０の直列抵抗成分を小さくすることができるので、インダクタ１０のＱ値の低下を防止できる。
【００２８】
このような導体１１の構造を実現させるために、本実施の形態では、内側に位置する部分を外側に位置する部分よりも分厚くし、且つ、上面を面一としている。なお、図１（ｃ）に示すように、内側に位置する部分が外側に位置する部分よりも分厚く、且つ、下面が面一であってもよい。図１（ｃ）に示す導体であっても図１（ｂ）に示す導体と同じ作用および効果を奏することができるので、スパイラル形状の導体１１としては下面および上面のどちらか一方の面が周回毎に異なる水平面内に存在するものを使用すればよい。
【００２９】
本実施の形態について図１（ａ）を用いてさらに説明すると、スパイラル形状の導体１１では、形成面に対して水平な方向において等間隔であり、このような導体１１では、外側に位置する部分の方が内側に位置する部分よりも幅広である。例えば図１（ａ）に示す導体１１では、最も内側に位置する導体１１ｃと中央に位置する導体１１ｂとの間隔、および、中央に位置する導体１１ｂと最も外側に位置する導体１１ａとの間隔は互いに同じであり、また、最も内側に位置する導体１１ｃ、中央に位置する導体１１ｂおよび最も外側に位置する導体１１ａの順に幅広である。
【００３０】
このような導体１１では、至る所において幅が同じである導体に比べて、インダクタ１０の中心１５と最も内側に位置する導体１１ｃとの間隔を広くすることができる。よって、導体１１に鎖交する磁束の垂直成分が導体１１に与える影響を小さく抑えることができる。また、導体１１では、内側に位置する部分の方が外側に位置する部分よりも幅狭であるが肉厚であるので、導体の幅を狭くしたことに起因するインダクタ１０の直列抵抗成分の増加を抑制できる。さらには、導体１１では、外側に位置する部分を分厚くしなくてもよいので、隣り合う部分の容量成分の増加を抑制できる。
【００３１】
以上説明したように、本実施の形態では、導体１１に鎖交する磁束の垂直成分の大きさを小さくすることができるので、トータルの渦電流損失を小さくすることができる。よって、インダクタ１０の直列抵抗成分が大きくなることを防止でき、その結果、インダクタ１０のＱ値の低下を抑制できる。
【００３２】
また、本実施の形態における導体１１では、内側に位置する部分の方が外側に位置する部分よりも幅狭であるが肉厚である。これにより、インダクタ１０の直列抵抗成分の増加を抑制できるのでインダクタ１０のＱ値の低下をさらに抑制できるとともに、導体１１において隣り合う部分の容量成分の増加を抑制できるので高周波領域でのインダクタ１０のＱ値の低下を抑制できる。
【００３３】
（第２の実施形態）
図２（ａ）は本発明の第２の実施形態に係るスパイラル形状を有するインダクタ２０の平面図を示し、図２（ｂ）は図２（ａ）のIIB−IIB'線における断面を示し、図２（ｃ）は各層におけるスパイラル形状を示す平面図である。また、図３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、図２（ａ）のIIB−IIB'線における断面図の別例を示している。
【００３４】
図２（ａ）に示すように、インダクタ２０は、基板（不図示）とスパイラル形状を備えた導体２１とを有する。また、導体２１では、外側に位置する一端と内側に位置する他端とはそれぞれ端子部２３ａおよび端子部２３ｂとなっており、端子部２３ａ側から電流を流した際には端子部２３ｂから電流が導出されるようになっている。また、図２（ｂ）に示すように、インダクタ２０（図２（ｂ）には、導体２１の一部である導体２１ａ、導体２１ｂおよび導体２１ｃ）は基板上に形成された層間絶縁膜２４中に設けられており、導体２１ａ、導体２１ｂおよび導体２１ｃを幅方向に切断した断面形状は矩形である。
【００３５】
本実施の形態について図２（ｂ）を用いて説明すると、導体２１では、外側に位置する部分の下面が内側に位置する部分の上面と面一に位置している。例えば、図２（ｂ）に示す導体２１では、最も外側に位置する導体２１ａの下面は、中央に位置する導体２１ｂの上面と面一であり、中央に位置する導体２１ｂの下面は、最も内側に位置する導体２１ｃの上面と面一である。
【００３６】
このように本実施の形態における導体２１では、上記第１の実施形態における導体１１に比べて周回毎の導体間の距離を大きくすることができるので、インダクタの通電動作時に発生する磁場の影響等を小さくすることができる。また、本実施の形態における導体２１では、上面および下面が周回毎に異なる水平面内に存在しているので、上記第１の実施形態と同じく形成面に対して垂直な磁束成分を低減させることができる。これらにより、トータルの渦電流損失を低減させることができるので、インダクタ２０の直列抵抗成分の増加を抑制できる。更に、導体間の距離を大きくすることで、導体２１では、隣り合う部分の間における容量成分を小さくすることができるので、高周波領域でのインダクタ２０のＱ値の低下を抑制することができる。
【００３７】
導体２１について詳細に示すと、本実施の形態では、図２（ｂ）に示すように、外側に位置する導体２１ａが層間絶縁膜２４の上層部分に設けられており、中央に位置する導体２１ｂおよび内側に位置する導体２１ｃの順に層間絶縁膜２４の下層寄りに設けられている。また、図２（ｃ）に示すように、外側に位置する導体２１ａの一端には、端子部２３ａが存在しており、外側に位置する導体２１ａの他端の下面は、中央に位置する導体２１ｂの一端の上面と電気的に接続している。中央に位置する導体２１ｂの他端の下面は、内側に位置する導体２１ｃの一端の上面と電気的に接続しており、内側に位置する導体２１ｃの他端には、端子部２３ｂが存在している。
【００３８】
なお、図３（ａ）に示すように、外側に位置する導体の上面が内側に位置する導体の下面と面一であってもよい。例えば、図３（ａ）に示す導体では、最も外側に位置する導体２１ａの上面は、中央に位置する導体２１ｂの下面と面一であり、中央に位置する導体２１ｂの上面は、最も内側に位置する導体２１ｃの下面と面一である。この場合であっても、図２（ｂ）に示す導体２１と略同一の効果を奏することができる。
【００３９】
また、図３（ｂ）に示すように、外側に位置する導体の下面が内側に位置する導体の上面よりも上に位置していてもよい。この場合、図２（ｃ）に示すように外側に位置する導体２１ａの一端には端子部２３ａが存在しており、外側に位置する導体２１ａの他端の下面は、中央に位置する導体２１ｂの一端の上面とビア（不図示）内に設けられた導電性材料（不図示）を介して電気的に接続している。中央に位置する導体２１ｂの他端の下面は、内側に位置する導体２１ｃの一端の上面とビア（不図示）内に設けられた導電性材料（不図示）を介して電気的に接続しており、内側に位置する導体２１ｃの他端には、端子部２３ｂが存在している。この場合であっても、図２（ｂ）に示す導体２１と略同一の効果を奏することができる。
【００４０】
さらに、図３（ｃ）に示すように、外側に位置する導体の上面が内側に位置する導体の下面よりも下に位置していてもよい。この場合、図２（ｃ）に示すように外側に位置する導体２１ａの一端には端子部２３ａが存在しており、外側に位置する導体２１ａの他端の上面は、中央に位置する導体２１ｂの一端の下面とビア（不図示）内に設けられた導電性材料（不図示）を介して電気的に接続している。中央に位置する導体２１ｂの他端の上面は、内側に位置する導体２１ｃの一端の下面とビア（不図示）内に設けられた導電性材料（不図示）を介して電気的に接続しており、内側に位置する導体２１ｃの他端には、端子部２３ｂが存在している。この場合であっても、図２（ｂ）に示す導体２１と略同一の効果を奏することができる。
【００４１】
図２（ａ）を用いてさらに本実施の形態の導体２１を説明すると、本実施の形態の導体２１では、上記第１の実施形態における導体１１と同じく、形成面に対して水平な方向において等間隔であり、このような導体２１では、外側に位置する部分の方が内側に位置する部分よりも幅広である。よって、導体２１では、至る所において幅が同じである導体に比べて、導体２１に鎖交する磁束の垂直成分が導体２１に与える影響を小さく抑えることができる。
【００４２】
また、本実施の形態における導体２１では、上記第１の実施形態における導体１１と同じく、外側に位置する部分よりも内側に位置する部分の方が幅狭であるが分厚い。これにより、インダクタ２０の直列抵抗成分の増加を抑制できるので、インダクタ２０のＱ値の低下を抑制できる。更に、本実施の形態では、上記第１の実施形態と同じく外側に位置する部分を分厚くしなくてもよいので、導体２１において隣り合う導体間の容量成分の増加を抑制でき、その結果、高周波領域でのインダクタ２０のＱ値の低下を抑制できる。
【００４３】
以上説明したように、本実施の形態における導体２１は、上記第１の実施形態における導体１１が奏する効果だけでなく、周回毎の導体間の距離を大きくすることができるのでインダクタの通電動作時に発生する磁場の影響等を小さくすることができるという新たな効果も奏する。
【００４４】
（第３の実施形態）
図４（ａ）は本発明の第３の実施形態に係るスパイラル形状を有するインダクタ３０の平面図を示し、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるIVB−IVB'線における断面図を示している。図４（ｃ）は、各層におけるスパイラル形状を示す平面図である。
【００４５】
図４（ａ）に示すように、インダクタ３０は、基板（不図示）とスパイラル形状を備えた導体３１とを有する。また、導体３１では、外側に位置する一端と内側に位置する他端はそれぞれ端子部３３ａおよび端子部３３ｂとなっており、端子部３３ａ側から電流を流した際には電流が端子部３３ｂから導出されるようになっている。また、図４（ｂ）に示すように、インダクタ３０（図４（ｂ）には導体３１の一部である第１導体部３１ａ、第２導体部３１ｂおよび第３導体部３１ｃのみを図示している）は基板上に形成された層間絶縁膜３４中に設けられており、第１導体部３１ａ、第２導体部３１ｂおよび第３導体部３１ｃを幅方向に切断したときの断面形状は矩形である。
【００４６】
上記第１の実施形態における導体１１と同じく、スパイラル形状の導体３１では、形成面に対して水平な方向において等間隔であり、このような導体３１では、外側に位置する部分の方が内側に位置する部分に比べて幅広且つ肉薄であり、さらに、外側に位置する部分と内側に位置する部分とでは下面が相異なる平面内に形成されている。しかし、具体的な構成が導体１１と導体３１とでは相異なる。
【００４７】
導体３１は、図４（ｃ）に示すように、第１導体部３１ａ、第２導体部３１ｂおよび第３導体部３１ｃを備えている。第１導体部３１ａは、図４（ｃ）に示すように、スパイラル形状に形成されており、その第１導体部３１ａでは外側の方が内側よりも幅広であるが厚みは同一である。
【００４８】
第２導体部３１ｂは第１導体部３１ａと同じくスパイラル形状に形成されており、この第２導体部３１ｂでは外側の方が内側よりも幅広である。ここで、第２導体部３１ｂにおいて外側に位置する部分の幅は、第１導体部３１ａにおいて中央に位置する部分の幅と同じである。
【００４９】
第３導体部３１ｃもスパイラル形状に形成されており、その幅は第２導体部３１ｂにおいて内側に位置する部分の幅と同じである。
【００５０】
このような導体３１では、図４（ｂ）に示すように、最も外側には、第１導体部３１ａにおいて外側に位置する部分が配置されている。導体３１の中央では、第１導体部３１ａにおいて中央に位置する部分と第２導体部３１ｂにおいて外側に位置する部分とが、ビア又は溝内に設けられた導電性材料３２ａを介して、互いに電気的に接続されている。よって、導体３１では、最も外側に配置された部分の下面は、中央に配置された部分の下面よりも上に配置される。
【００５１】
同様に、導体３１の最も内側では、第１導体部３１ａにおいて内側に位置する部分と第２導体部３１ｂにおいて内側に位置する部分とがビア又は溝内に設けられた導電性材料３２ａを介して、互いに電気的に接続されており、第２導体部３１ｂにおいて内側に位置する部分と第３導体部３１ｃとがビア又は溝内に設けられた導電性材料３２ｂを介して、互いに電気的に接続されている。よって、導体３１では、中央に配置された部分の下面は、最も内側に配置された部分の下面よりも上に配置される。
【００５２】
なお、実際には第２導体部３１ｂ の領域全体にわたってビア又は溝が形成されており、第１導体部３１ａと第２導体部３１ｂとを電気的に接続している。同様に、第３導体部３１ｃの領域全体にわたってビア又は溝が形成されており、第２導体部３１ｂと第３導体部３１ｃとを電気的に接続している。
【００５３】
このように、本実施形態では、ビア又は溝内に設けられた導電性材料を介して複数の配線層を互いに接続している。これにより、本実施形態におけるインダクタは上記第１の実施形態におけるインダクタと同様の断面構造を有し、また、本実施形態におけるインダクタをトランジスタなどの配線と同時に形成することができる。以下では、図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｄ）を用いて本実施形態における多層配線構造の製造方法を示す。
【００５４】
まず、不図示であるが、所定のトランジスタ及び下層配線等が形成された半導体基板（図示せず）があり、下層配線が埋め込まれた層間絶縁膜の表面に、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、第１のエッチングストッパー用絶縁膜４１ａとして膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜を成膜する。ＳｉＮは層間絶縁膜の材料として使用されるＳｉＯ２に比べて比誘電率が高いため、ＳｉＮを用いて第１のエッチングストッパー用絶縁膜４１ａを形成すると配線間容量が増大する結果となる。よって、ＳｉＮ膜の膜厚はなるべく薄い方が望ましい。なお、ＳｉＯ２は層間絶縁膜の構成材料なのでエッチングストッパー用絶縁膜の材料として用いることはできない。
【００５５】
第１のエッチングストッパー用絶縁膜４１ａの上面に、膜厚２μｍの第１の層間絶縁膜４２ａを成膜する（図５（ａ））。
【００５６】
第１の層間絶縁膜４２ａを成膜した後、第１の接続部４３ａおよび第１のインダクタ用導体４４ａ（上述の第３導体部３１ｃ）を第１の層間絶縁膜４２ａに形成するためのレジストパターン（不図示）を第１の層間絶縁膜４２ａの上面上に転写する。この時に転写されたレジストパターンでは、配線領域４５には円形状のパターン（第１の接続部４３ａを形成するためのパターン）が形成されており、インダクタ領域４６には線状のパターン（第１のインダクタ用導体４４ａを形成するためのパターン）が形成されている。円形状のパターンの直径を０．５μｍとし、線状のパターンの幅を０．５μｍ〜１０μｍとした。
【００５７】
レジストパターンを第１の層間絶縁膜４２ａの上面上に転写させた後、レジストマスクをエッチングマスクとして第１の層間絶縁膜４２ａをエッチングし、第１の接続部４３ａを形成するための孔１４３ａおよび第１のインダクタ用導体４４ａを形成するための溝１４４ａを形成する（図５（ｂ））。このとき、インダクタ領域４６では、第１の層間絶縁膜４２ａの膜厚方向全体にわたって上記溝１４４ａが形成されるため、その溝１４４ａの深さは第１の層間絶縁膜４２ａの厚みとほぼ同一（２μｍ）となる。また、第１の層間絶縁膜４２ａをエッチングする際は、第１のエッチングストッパー用絶縁膜４１ａ上でエッチングが停止するような選択エッチングを実施する。エッチングが終了すれば、レジストを除去する。
【００５８】
レジストを除去した後、第１の配線４７ａを配線領域４５に形成するためのレジストパターンを第１の層間絶縁膜４２ａの上面に転写する。このレジストマスクをエッチングマスクとして第１の層間絶縁膜４２ａをエッチングし、第１の配線４７ａを形成するための溝１４７ａを形成する（図５（ｃ））。かかる配線領域４５における第１の配線４７ａを形成するための溝１４７ａの深さは１μｍである。
【００５９】
エッチングが終了してレジストを除去した後、第１の層間絶縁膜４２ａに形成された第１の接続部４３ａを形成するための孔１４３ａの底部および第１のインダクタ用導体４４ａを形成するための溝１４４ａの底部に露出している第１のエッチングストッパー用絶縁膜４１ａをエッチングによって除去する。その後、第１の接続部４３ａを形成するための孔１４３ａの内面、第１の配線４７ａを形成するための溝１４７ａの内面および第１のインダクタ用導体４４ａを形成するための溝１４４ａの内面に、膜厚２０ｎｍの第１のバリア用窒化タンタル（ＴａＮ）膜４８ａおよび層厚２００ｎｍの銅（Ｃｕ）のシード層（図示せず）をスパッタ法により成膜させる。ここで、第１のバリア用ＴａＮ膜４８ａの材料としては、導電性を有していればよく、ＴａＮの他に、窒化チタン（ＴｉＮ）または窒化タングステン（ＷＮ）等も適用可能である。
【００６０】
次に、電解メッキにより、第１の接続部４３ａを形成するための孔１４３ａの中、第１の配線４７ａを形成するための溝１４７ａの中および第１のインダクタ用導体４４ａを形成するための溝１４４ａの中に、Ｃｕを埋込む。この場合のＣｕの膜厚は約２．６μｍである。その後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法によって、第１の接続部４３ａを形成するための孔１４３ａの内部、第１の配線４７ａを形成するための溝１４７ａの内部および第１のインダクタ用導体４４ａを形成するための溝１４４ａの内部以外の部分に付着したＣｕ及びＴａＮを研磨して除去する。これにより、第１の配線４７ａ、第１の接続部４３ａおよび第１のインダクタ用導体４４ａが形成されて、図５（ｄ）に示すような断面構造を呈する配線構造が形成される。なお、無電解メッキ法も同様な配線層形成に適用可能である。
【００６１】
その後、プラズマＣＶＤによって、第１の配線４７ａ、第１の接続部４３ａおよび第１のインダクタ用導体４４ａが埋め込まれた第１の層間絶縁膜４２ａの表面に、第２のエッチングストッパー用絶縁膜４１ｂとして膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜を成膜する。また、第２のエッチングストッパー用絶縁膜４１ｂ上に、膜厚２μｍの第２の層間絶縁膜４２ｂを成膜する（図５（e））。
【００６２】
第２の層間絶縁膜４２ｂを成膜した後、第２の接続部４３ｂおよび第２のインダクタ用導体４４ｂ（上述の第２導体部３１ｂ）を第２の層間絶縁膜４２ｂに形成するためのレジストパターンを第２の層間絶縁膜４２ｂの上面に転写する。この時に転写されたレジストパターンでは、配線領域４５には円形状のパターン（第２の接続部４３ｂを形成するためのパターン）が形成され、インダクタ領域４６には線状のパターン（第２のインダクタ用導体４４ｂを形成するためのパターン）が形成されている。また、円形状のパターンの直径を０．５μｍとし、線状のパターンの幅を０．５μｍ〜１０μｍとした。また、線状パターンとしては幅が相異なる２つのパターンが形成されている。レジストパターンにおける幅狭パターンおよび幅広パターンの位置については、幅狭パターンは第１のインダクタ用導体４４ａの直上に配置されていることが好ましく、幅広パターンは幅狭パターンよりも外側（周縁寄り）に配置されている。
【００６３】
レジストマスクを第２の層間絶縁膜４２ｂの上面に転写させた後、レジストマスクをエッチングマスクとして第２の層間絶縁膜４２ｂをエッチングし、第２の接続部４３ｂを形成するための孔１４３ｂおよび第２のインダクタ用導体４４ｂを形成するための溝１４４ｂ，２４４ｂを第２の層間絶縁膜４２ｂに形成する（図６（ａ））。このとき、インダクタ領域４６では、第２の層間絶縁膜４２ｂの膜厚方向全体にわたって上記溝１４４ｂ，２４４ｂが形成されるため、その溝１４４ｂ，２４４ｂの深さは第２の層間絶縁膜４２ｂの厚みとほぼ同じ（２μｍ）である。また、第２の層間絶縁膜４２ｂをエッチングする際は、第２のエッチングストッパー用絶縁膜４１ｂ上でエッチングが停止するような選択エッチングを実施する。このエッチングにより、第２の層間絶縁膜４２ｂには、第２のインダクタ用導体４４ｂを形成するための２つの溝１４４ｂ，２４４ｂが形成される。２つの溝１４４ｂ，２４４ｂはその幅が相異なり、幅狭な溝１４４ｂは第１のインダクタ用導体４４ａの直上に形成され、幅広な溝２４４ｂは幅狭な溝１４４ｂよりも外側に形成される。
【００６４】
エッチングが終了してレジストを除去した後に、第２の配線４７ｂを配線領域４５に形成するためのレジストパターンを第２の層間絶縁膜４２ｂの上面に転写する。その後、レジストマスクをエッチングマスクとして第２の層間絶縁膜４２ｂをエッチングし、第２の配線４７ｂを形成するための溝１４７ｂを形成する（図６（ｂ））。かかる配線領域４５における第２の配線４７ｂを形成するための溝１４７ｂの深さは１μｍである。エッチングが終了してレジストを除去した後、第２の層間絶縁膜４２ｂに形成された第２の接続部４３ｂを形成するための孔１４３ｂの底部および第２のインダクタ用導体４４ｂを形成するための２つの溝１４４ｂ，２４４ｂの底部に露出している第２のエッチングストッパー用絶縁膜４１ｂをエッチングによって除去する。
【００６５】
その後、スパッタ法を用いて、第２の接続部４３ｂを形成するための孔１４３ｂの内面、第２の配線４７ｂを形成するための溝１４７ｂの内面および第２のインダクタ用導体４４ｂを形成するための２つの溝１４４ｂ，２４４ｂの内面に第２のバリア用ＴａＮ膜４８ｂを２０ｎｍ成膜し、その上にＣｕのシード層（図示せず）を２００ｎｍ成膜する。なお、第２のバリア用ＴａＮ膜４８ｂも第１のバリア用ＴａＮ膜４８ａと同様、導電性を有する材料からなればよい。
【００６６】
さらに、電解メッキにより、第２の接続部４３ｂを形成するための孔１４３ｂの中、第２の配線４７ｂを形成するための溝１４７ｂの中および第２のインダクタ用導体４４ｂを形成するための２つの溝１４４ｂ，２４４ｂの中に、Ｃｕを埋込む。この場合のＣｕの膜厚は約２．６μｍである。その後、ＣＭＰ法によって、第２の接続部４３ｂを形成するための孔１４３ｂの内部、第２の配線４７ｂを形成するための溝１４７ｂの内部および第２のインダクタ用導体４４ｂを形成するための２つの溝１４４ｂ，２４４ｂの内部以外の部分に付着したＣｕ及びＴａＮを研磨して除去する。これにより、第２の配線４７ｂ、第２の接続部４３ｂおよび第２のインダクタ用導体４４ｂが形成されて、図６（ｃ）に示すような断面構造を呈する多層配線構造が形成される。
【００６７】
その後、プラズマＣＶＤによって、第２の配線４７ｂ、第２の接続部４３ｂおよび第２のインダクタ用導体４４ｂが埋め込まれた第２の層間絶縁膜４２ｂの表面に、第３のエッチングストッパー用絶縁膜４１ｃとして膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜を成膜する。その後、第３のエッチングストッパー用絶縁膜４１ｃ上に、膜厚２μｍの第３の層間絶縁膜４２ｃを成膜する。第３の層間絶縁膜４２ｃを成膜した後、第３の接続部４３ｃおよび第３のインダクタ用導体４４ｃ（上述の第１導体部３１ａ）を形成するためのレジストパターンを第３の層間絶縁膜４２ｃの上面に転写する。この時に転写されるレジストパターンは、配線領域４５には円形状のパターン（第３の接続部４３ｃを形成するためのパターン）が形成されており、インダクタ領域４６には線状のパターン（第３のインダクタ用導体４４ｃを形成するためのパターン）が形成されている。なお、円形状のパターンの直径を０．５μｍとし、線状のパターンの幅を０．５μｍ〜１０μｍとした。また、線状パターンとしては幅が相異なる３つのパターンが形成されている。レジストパターンにおける最も幅狭なパターン、２番目に幅狭なパターン、および３番目に幅狭なパターンの位置については、最も幅狭なパターンは幅狭な第２のインダクタ用導体４４ｂの直上に配置されていることが好ましく、２番目に幅狭なパターンは幅広な第２のインダクタ用導体４４ｂの直上に配置されていることが好ましく、３番目に幅狭なパターンは２番目に幅狭なパターンよりも外側に配置されている。
【００６８】
このレジストマスクをエッチングマスクとして第３の層間絶縁膜４２ｃをエッチングし、第３の接続部４３ｃを形成するための孔（不図示）および第３のインダクタ用導体４４ｃを形成するための溝（不図示）を第３の層間絶縁膜４２ｃに形成する。このとき、インダクタ領域４６では第３の層間絶縁膜４２ｃの膜厚方向全体にわたって上記溝が形成されるため、この溝全体の深さは第３の層間絶縁膜４２ｃとほぼ同一の膜厚（２μｍ）となる。また、第３の層間絶縁膜４２ｃをエッチングする際は、第３のエッチングストッパー用絶縁膜４１ｃ上でエッチングが停止するような選択エッチングを実施する。このエッチングにより、第３の層間絶縁膜４２ｃには、第３のインダクタ用導体４４ｃを形成するための３つの溝が形成される。３つの溝はその幅が互いに異なり、最も幅狭な溝は幅狭な第２のインダクタ用導体４４ｂの直上に形成され、２番目に幅狭な溝は幅広な第２のインダクタ用導体４４ｂの直上に形成され、３番目に幅狭な溝は２番目に幅狭な溝よりも外側に形成される。
【００６９】
エッチングを行った後レジストを除去し、第３の配線４７ｃを配線領域４５に形成するためのレジストパターンを第３の層間絶縁膜４２ｃの上面上に転写する。このレジストマスクをエッチングマスクとして第３の層間絶縁膜４２ｃをエッチングし、第３の配線４７ｃを形成するための溝（不図示）を形成する。かかる配線領域４５における第３の配線４７ｃを形成するための溝の深さは１μｍである。エッチングが終了してレジストを除去した後、第３の層間絶縁膜４２ｃに形成された第３の接続部４３ｃを形成するための孔の底部および第３のインダクタ用導体４４ｃを形成するための溝の底部に露出している第３のエッチングストッパー用絶縁膜４１ｃをエッチングによって除去する。
【００７０】
その後、スパッタ法を用いて、第３の接続部４３ｃを形成するための孔の内面、第３の配線４７ｃを形成するための溝の内面および第３のインダクタ用導体４４ｃを形成するための溝の内面に第３のバリア用ＴａＮ膜４８ｃを２０ｎｍ成膜し、その上にＣｕのシード層（図示せず）を２００ｎｍ成膜する。なお、第３のバリア用ＴａＮ膜４８ｃも第２のバリア用ＴａＮ膜４８ｂと同様、導電性を有する材料からなればよい。
【００７１】
さらに、電解メッキにより第３の接続部４３ｃを形成するための孔の中、第３の配線４７ｃを形成するための溝の中および第３のインダクタ用導体４４ｃを形成するための溝の中にＣｕを埋込む。この場合のＣｕの膜厚は約２．６μｍである。その後、ＣＭＰ法によって第３の接続部４３ｃを形成するための孔の内部、第３の配線４７ｃを形成するための溝の内部および第３のインダクタ用導体４４ｃを形成するための溝の内部以外の部分に付着したＣｕ及びＴａＮを研磨して除去する。これにより、第３の配線４７ｃ、第３の接続部４３ｃおよび第３のインダクタ用導体４４ｃが形成されて、図６（ｄ）に示すような断面構造を呈する多層配線構造が完成する。
【００７２】
このように、本実施の形態では、導体３１においては周回毎に下面の位置が異なるので、上記第１の実施形態と同じく形成面に対して垂直な磁束成分を低減させることができる。よって、トータルの渦電流損失を低減させることができるので、インダクタ３０の実質的な直列抵抗成分の増加を抑制できる。また、導体３１において隣り合う部分の容量成分の増加を抑制できるので、高周波領域でのインダクタ３０のＱ値の低下を抑制できる。
【００７３】
なお、図１（ｃ）に示すように、導体３１においては周回毎に上面の位置が異なっても良い。このような場合であっても、本実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００７４】
（第４の実施形態）
図７（ａ）は本発明の第４の実施形態に係るスパイラル形状を有するインダクタ５０の平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のVIIB−VIIB'における断面図である。図７（ｃ）は図７（ａ）のVIIC−VIIC'における断面図である。図７（ｄ）は、各層におけるスパイラル形状を示す平面図である。
【００７５】
図７（ａ）に示すように、インダクタ５０は、基板（不図示）とスパイラル形状を備えた導体５１とを有する。また、導体５１では、外側に位置する一端と内側に位置する他端はそれぞれ端子部５３ａおよび端子部５３ｂとなっており、端子部５３ａ側から電流を流した際には電流が端子部５３ｂから導出されるようになっている。また、図７（ｂ）に示すように、インダクタ５０（図７（ｂ）には導体５１の一部である第１導体部５１ａ、第２導体部５１ｂ、第３導体部５１ｃ、第４導体部５１ｄ、第５導体部５１ｅおよび第６導体部５１ｆのみを図示している）は基板上に形成された層間絶縁膜５４中に設けられており、第１導体部５１ａなどを幅方向に切断したときの断面形状は矩形である。
【００７６】
上記第２の実施形態における導体２１と同じく、スパイラル形状の導体５１では形成面に対して水平な方向において等間隔である。このような導体５１では、外側に位置する部分の方が内側に位置する部分に比べて幅広且つ肉薄であり、さらに、外側に位置する部分と内側に位置する部分とでは上面および下面が相異なる平面内に形成されている。しかし、具体的な構成が導体２１と導体５１とでは相異なる。
【００７７】
導体５１は、各々がスパイラル形状に形成された第１導体部５１ａ、第２導体部５１ｂ、第３導体部５１ｃ、第４導体部５１ｄ、第５導体部５１ｅおよび第６導体部５１ｆを有している。これらの幅について示すと、第１導体部５１ａが最も幅広であり、第２導体部５１ｂおよび第３導体部５１ｃは互いに同一であり、第４導体部５１ｄ、第５導体部５１ｅおよび第６導体部５１ｆは互いに同一であり最も幅狭である。
【００７８】
層間絶縁膜５４では、第１導体部５１ａ、第２導体部５１ｂ、第３導体部５１ｃ、第４導体部５１ｄ、第５導体部５１ｅおよび第６導体部５１ｆの順に下に配置されており、第１導体部５１ａが導体５１における最も外側に位置しており、第２導体部５１ｂおよび第３導体部５１ｃが導体５１における中央に位置しており、第４導体部５１ｄ、第５導体部５１ｅおよび第６導体部５１ｆが導体５１における最も内側に位置している。
【００７９】
具体的には、図７（ａ）に示すように、第１導体部５１ａの一端には、端子部５３ａが存在している。第１導体部５１ａの他端は、図７（ｃ）に示すように、ビアまたは溝内に設けられた導電性材料５２ａを介して、第２導体部５１ｂの一端と電気的に接続している。第２導体部５１ｂと第３導体部５１ｃとは、図７（ｂ）および（ｃ）に示すように、多数のビアまたは溝内に設けられた導電性材料５２ｂを介して互いに接続されており、実際には第３導体部５１ｃの領域全体に亘ってビアまたは溝が形成されている。
【００８０】
第３導体部５１ｃと第４導体部５１ｄとは、図７（ｃ）に示すように、ビア又は溝内に設けられた導電性材料５２ｃを介して、一端同士が互いに接続されている。第４導体部５１ｄと第５導体部５１ｅとは、図７（ｂ）および（ｃ）に示すように多数のビア又は溝内に設けられた導電性材料５２ｄを介して互いに接続されており、実際には第５導体部５１ｅの領域全体にわたってビア又は溝が形成されている。第５導体部５１ｅと第６導体部５１ｆとは、図７（ｂ）および（ｃ）に示すように多数のビア又は溝内に設けられた導電性材料５２ｅを介して互いに接続されており、実際には第６導体部５１ｆの領域全体にわたってビア又は溝が形成されている。
【００８１】
このように、本実施の形態における導体５１では、最も外側に位置する第１導体部５１ａの下面は、中央に位置する第２導体部５１ｂの上面よりも上に位置しており、中央に位置する第３導体部５１ｃの下面は、最も内側に位置する第４導体部５１ｄなどの上面よりも上に位置している。よって、本実施の形態は、上記第２の実施形態にかかるインダクタと同様の断面構造を有しており、上記第２の実施形態と同一の効果を奏する。言い換えると、本実施の形態では、周回毎の導体の距離を大きくすることができるのでインダクタの通電動作時に発生する磁場の影響等を小さくすることができる。また、本実施の形態における導体５１では、上面および下面が周回毎に異なる水平面内に存在しているので、上記第２の実施形態と同じく形成面に対して垂直な磁束成分を低減させることができる。これらにより、トータルの渦電流損失を低減させることができるので、インダクタ５０の直列抵抗成分の増加を抑制できる。更に、上記第２の実施形態と同じく、導体５１において隣り合う導体間での容量成分を小さくすることができるので、高周波領域でのインダクタ５０のＱ値の低下を抑制することができる。
【００８２】
また、本実施の形態における多層配線構造の製造方法については、第３の実施形態における多層配線構造の製造方法と同じ方法を用いることができる。
【００８３】
なお、第１〜４の実施形態においては、四角形のスパイラル形状を有するインダクタで説明したが、四角形に限定されず三角形、五角形以上の多角形、または、円形であってもよい。
【００８４】
また、第３および第４の実施形態においては、製造方法としてデュアルダマシン法を用いたが、デュアルダマシン法に限定されるものではなく、他の形成方法でも良い。
【００８５】
さらに、配線層の数またはスパイラルのターン数が実施形態における記載と異なっていても良い。また、導体に用いる導電性材料としてはＡｌ等を用いることもでき、また、導体部を互いに接続する際にはＷ等の他の導電性材料を用いても良い。
【００８６】
また、第１〜４の実施形態においては、本願の冒頭の特許請求の趣旨及び範囲に含まれる変更を加えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
以上説明したように、本発明のインダクタではＱ値が向上しており、高周波用集積回路の半導体装置に内蔵されたインダクタ、特に、高周波動作の性能向上が要求されるインダクタ等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】（ａ）は第１の実施形態に係るインダクタの平面図であり、（ｂ）は第１の実施形態に係るインダクタの断面図であり、（ｃ）は第１の実施形態に係る別のインダクタの断面図である。
【図２】（ａ）は第２の実施形態に係るインダクタの平面図であり、（ｂ）は第２の実施形態に係るインダクタの断面図であり、（ｃ）は第２の実施形態に係るインダクタの各層のスパイラル形状を示す平面図である。
【図３】（ａ）は第２の実施形態に係る別のインダクタの断面図であり、（ｂ）は第２の実施形態に係るまた別のインダクタの断面図であり、（ｃ）は第２の実施形態に係るさらに別のインダクタの断面図である。
【図４】（ａ）は第３の実施形態に係るインダクタの平面図であり、（ｂ）は第３の実施形態に係るインダクタの断面図であり、（ｃ）は第３の実施形態に係るインダクタの各層のスパイラル形状を示す平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は第３の実施形態に係るインダクタの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は第３の実施形態に係るインダクタの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）は第４の実施形態に係るインダクタの平面図であり、（ｂ）は第４の実施形態に係るインダクタの断面図であり、（ｃ）は第４の実施形態に係るインダクタの別の断面図であり、（ｄ）は第４の実施形態に係るインダクタの各層のスパイラル形状を示す平面図である。
【図８】（ａ）は従来のインダクタの平面図であり、（ｂ）は従来のインダクタの断面図である。
【図９】インダクタのＱ値と周波数との相関図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０，２０，３０，５０，１００    インダクタ
１１，２１，３１，５１，１０１    導体
３２ａ，３２ｂ，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ    ビア又は溝内の導電性材料
１３ａ，１３ｂ，２３ａ，２３ｂ，３３ａ，３３ｂ，５３ａ，５３ｂ    端子部
１０３ａ,１０３ｂ    端子部
１４，２４，３４，５４，１０４    層間絶縁膜
４１ａ  第１のエッチングストッパー用絶縁膜
４１ｂ  第２のエッチングストッパー用絶縁膜
４１ｃ  第３のエッチングストッパー用絶縁膜
４２ａ  第１の層間絶縁膜
４２ｂ  第２の層間絶縁膜
４２ｃ  第３の層間絶縁膜
４３ａ  第１の接続部
４３ｂ  第２の接続部
４３ｃ  第３の接続部
４４ａ  第１のインダクタ用導体
４４ｂ  第２のインダクタ用導体
４４ｃ  第３のインダクタ用導体
４５    配線領域
４６    インダクタ領域
４７ａ  第１の配線
４７ｂ  第２の配線
４７ｃ  第３の配線
４８ａ  第１のバリア用ＴａＮ膜
４８ｂ  第２のバリア用ＴａＮ膜
４８ｃ  第３のバリア用ＴａＮ膜
１４３ａ，１４３ｂ，１４４ａ，１４４ｂ，１４７ａ，１４７ｂ，２４４ｂ  溝
【図１】
2009272360.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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