(57)【要約】【課題】電鋳パッケージ技術においては、レジン封止して出来上がった基板レジン封止体複合体（基板が金属板の場合は金属板レジン封止体複合体）をレジン封止体と基板（金属板）に分離する剥離工程が必須となる。この剥離工程は、基板上に直接メッキ層が形成されているため、完全自動化が困難であると認識されていた。【解決手段】本願発明は電鋳パッケージの剥離工程において、基板の外側部の先端部に、基板とレジン封止体とが剥がれる方向の押圧力を作用させた状態で、基板レジン封止体複合体と押圧力の作用点を相対移動させて、同作用点を基板の外側部の先端部から後方へ移動させることで、基板レジン封止体複合体を自動的に基板およびレジン封止体へ分離するものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ほぼ矩形の金属板の第１の主面上に、メッキによりリード電極およびタブ電極を有する単位デバイス領域を複数個、準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の単位デバイス領域の各々のタブ電極上に、半導体チップを固定する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数の単位デバイス領域を、レジンで一括して封止することにより、（ｉ）前記リード電極、前記タブ電極および前記半導体チップを有し、前記金属板よりも小さい、ほぼ矩形板状のレジン封止体と、（ｉｉ）前記金属板を含む金属板レジン封止体複合体を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、剥離装置内において、前記金属板の前記第１の主面の外側部の先端部に対して、前記金属板が前記レジン封止体から剥離するように外力を作用させる工程；
（ｅ）前記剥離装置内において、前記工程（ｄ）の状態で、前記外力の作用点が、前記金属板の後方に向けて前記外側部を移動するように、前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体を相対移動させることによって、前記金属板と前記レジン封止体を分離させる工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記レジン封止体を前記個々の単位デバイス領域にダイシングにより、分割する工程。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記複数の単位デバイス領域は、前記金属板の前記第１の主面上にマトリクス状に配置されている。
【請求項３】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングは回転ブレードにより、金属部材を切断することなく行われる。
【請求項４】
前記３項の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングは前記レジン封止体の前記リード電極または前記タブ電極が露出していない主面を粘着シートに貼り付けた状態で行われる。
【請求項５】
前記４項の半導体装置の製造方法において、前記外力の作用は、押圧部材により前記金属板の前記第１の主面の前記外側部を前記レジン封止体から剥離するように押圧させることによって行われる。
【請求項６】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）における前記外力の作用は、プッシャーを用いて、前記金属板レジン封止体複合体が後方へ移動しないようにした状態で行われる。
【請求項７】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、前記外力の作用は、前記プッシャーによって、前記金属板レジン封止体複合体を前方へ押すことにより行われる。
【請求項８】
前記７項の半導体装置の製造方法において、前記金属板はステンレス・スチールを主要な構成要素とする。
【請求項９】
前記８項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）および（ｅ）は、前記金属板レジン封止体複合体に対して、イオンブローしながら行われる。
【請求項１０】
前記９項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、第１の速度で相対移動させた後、前記第１の速度より低速の第２の速度で相対移動させることによって行われる。
【請求項１１】
前記１０項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）における前記外力の作用は、ストッパを用いて、前記金属板レジン封止体複合体が前方へ移動しないようにした状態で行われる。
【請求項１２】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、前記金属板の両側部が搬送のためのスライド機構と接触した状態で、行われる。
【請求項１３】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記剥離装置内には、前記金属板と前記レジン封止体の分離の際における前記レジン封止体の飛び出しを防止する飛び出し防止機構が設けられている。
【請求項１４】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ほぼ矩形の金属板の第１の主面上に、メッキによりリード電極およびタブ電極を有する単位デバイス領域を複数個、準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の単位デバイス領域の各々のタブ電極上に、半導体チップを固定する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数の単位デバイス領域を、レジンで一括して封止することにより、（ｉ）前記リード電極、前記タブ電極および前記半導体チップを有し、前記金属板よりも小さい、ほぼ矩形板状のレジン封止体と、（ｉｉ）前記金属板を含む金属板レジン封止体複合体を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記金属板レジン封止体複合体を剥離装置のローダ部に供給する工程；
（ｅ）前記金属板レジン封止体複合体を前記剥離装置の前記ローダ部から剥離部に搬送する工程；
（ｆ）前記剥離装置の前記剥離部において、プッシャーを用いて前記金属板レジン封止体複合体が後方へ移動しないようにした状態で、前記金属板の前記第１の主面の外側部の一部を、前記金属板が前記レジン封止体から剥離するように押圧部材により押圧する工程；
（ｇ）前記金属板の前記第１の主面の前記外側部の一部を前記押圧部材により押圧した状態で、前記金属板レジン封止体複合体を、前記剥離装置の前記剥離部からアンローダ部へ向けて前記プッシャーによって押し出すことによって、前記金属板と前記レジン封止体を分離させる工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記レジン封止体を前記個々の単位デバイス領域にダイシングにより、分割する工程。
【請求項１５】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記複数の単位デバイス領域は、前記金属板の前記第１の主面上にマトリクス状に配置されている。
【請求項１６】
前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記プッシャーによる前記金属板レジン封止体複合体の押し出しは、前記金属板の前記第１の主面の前記外側部が前記剥離装置の前記剥離部における搬送のためのスライド機構と接触した状態で、行われる。
【請求項１７】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記剥離装置の前記剥離部と前記アンローダ部の間には、前記金属板と前記レジン封止体の分離の際における前記レジン封止体の飛び出しを防止する飛び出し防止機構が設けられている。
【請求項１８】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記プッシャーによる前記金属板レジン封止体複合体の押し出しは、第１の速度で押し出した後、前記第１の速度より低速の第２の速度で押し出すことによって行われる。
【請求項１９】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記押圧部材による押圧は、前記金属板レジン封止体複合体が前方へ移動しないようにした状態で行われる。
【請求項２０】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記剥離装置の前記剥離部にはイオンブローが設置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法におけるパッケージ組み立て技術に関し、特に、ＬＧＡ(Land Grid Array)型パッケージに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２００４−２１４２６５号公報（特許文献１）には、ステンレス等の金属薄膜上に電鋳（Electroforming）より半導体そしが搭載されるアイランド部および複数の電極部を一単位とするデバイス領域を多数形成して、その全体を封止用レジンで一括に封止した一括封止体とした後、先の金属薄膜を剥離し、一括封止体をダイシングにより個々の単位デバイス領域に分割する技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２１４２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、基板上に選択的なメッキによって、リード電極およびタブ電極を形成し、タブ電極上に半導体チップの固定した後、半導体チップ上のパッドとリード電極を金線でワイヤ・ボンディングする。そして、これらをレジンで封止した後に、基板を除去する電鋳技術を用いた、いわゆる電鋳パッケージ技術が注目されている。
【０００５】
これは、デバイス製作にガラス・エポキシ配線基板等が不要なためデバイスの高さを低くすることができる等のメリットがあるからである。
【０００６】
しかしながら、電鋳パッケージ技術においては、レジン封止して出来上がった基板レジン封止体複合体（基板が金属板の場合は金属板レジン封止体複合体）をレジン封止体と基板（金属板）に分離する剥離工程が必須となる。この剥離工程は、基板上に直接メッキ層が形成されているため、完全自動化が困難であると認識されていた。
【０００７】
本発明の目的は、量産に適合した半導体装置の製造プロセスを提供することにある。
【０００８】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１０】
すなわち、本願発明は電鋳パッケージの剥離工程において、基板の外側部の先端部に、基板とレジン封止体とが剥がれる方向の押圧力を作用させた状態で、基板レジン封止体複合体と押圧力の作用点を相対移動させて、同作用点を基板の外側部の先端部から後方へ移動させることで、基板レジン封止体複合体を自動的に基板およびレジン封止体へ分離するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１２】
すなわち、電鋳パッケージの剥離工程において、基板の外側部の先端部に、基板とレジン封止体とが剥がれる方向の押圧力を作用させた状態で、基板レジン封止体複合体と押圧力の作用点を相対移動させて、同作用点を基板の外側部の先端部から後方へ移動させることで、基板レジン封止体複合体の基板およびレジン封止体への分離を自動的に達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１４】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ほぼ矩形の金属板の第１の主面上に、メッキによりリード電極およびタブ電極を有する単位デバイス領域を複数個、準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の単位デバイス領域の各々のタブ電極上に、半導体チップを固定する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数の単位デバイス領域を、レジンで一括して封止することにより、（ｉ）前記リード電極、前記タブ電極および前記半導体チップを有し、前記金属板よりも小さい、ほぼ矩形板状のレジン封止体と、（ｉｉ）前記金属板を含む金属板レジン封止体複合体を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、剥離装置内において、前記金属板の前記第１の主面の外側部の先端部に対して、前記金属板が前記レジン封止体から剥離するように外力を作用させる工程；
（ｅ）前記剥離装置内において、前記工程（ｄ）の状態で、前記外力の作用点が、前記金属板の後方に向けて前記外側部を移動するように、前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体を相対移動させることによって、前記金属板と前記レジン封止体を分離させる工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記レジン封止体を前記個々の単位デバイス領域にダイシングにより、分割する工程。
【００１５】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記複数の単位デバイス領域は、前記金属板の前記第１の主面上にマトリクス状に配置されている。
【００１６】
３．前記１または２項の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングは回転ブレードにより、金属部材を切断することなく行われる。
【００１７】
４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記ダイシングは前記レジン封止体の前記リード電極または前記タブ電極が露出していない主面を粘着シートに貼り付けた状態で行われる。
【００１８】
５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記外力の作用は、押圧部材により前記金属板の前記第１の主面の前記外側部を前記レジン封止体から剥離するように押圧させることによって行われる。
【００１９】
６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）における前記外力の作用は、プッシャーを用いて、前記金属板レジン封止体複合体が後方へ移動しないようにした状態で行われる。
【００２０】
７．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、前記外力の作用は、前記プッシャーによって、前記金属板レジン封止体複合体を前方へ押すことにより行われる。
【００２１】
８．前記１から７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記金属板はステンレス・スチールを主要な構成要素とする。
【００２２】
９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）および（ｅ）は、前記金属板レジン封止体複合体に対して、イオンブローしながら行われる。
【００２３】
１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、第１の速度で相対移動させた後、前記第１の速度より低速の第２の速度で相対移動させることによって行われる。
【００２４】
１１．前記１から１０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）における前記外力の作用は、ストッパを用いて、前記金属板レジン封止体複合体が前方へ移動しないようにした状態で行われる。
【００２５】
１２．前記１から１１項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、前記金属板の両側部が搬送のためのスライド機構と接触した状態で、行われる。
【００２６】
１３．前記１から１２項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記剥離装置内には、前記金属板と前記レジン封止体の分離の際における前記レジン封止体の飛び出しを防止する飛び出し防止機構が設けられている。
【００２７】
１４．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ほぼ矩形の金属板の第１の主面上に、メッキによりリード電極およびタブ電極を有する単位デバイス領域を複数個、準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の単位デバイス領域の各々のタブ電極上に、半導体チップを固定する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数の単位デバイス領域を、レジンで一括して封止することにより、（ｉ）前記リード電極、前記タブ電極および前記半導体チップを有し、前記金属板よりも小さい、ほぼ矩形板状のレジン封止体と、（ｉｉ）前記金属板を含む金属板レジン封止体複合体を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記金属板レジン封止体複合体を剥離装置のローダ部に供給する工程；
（ｅ）前記金属板レジン封止体複合体を前記剥離装置の前記ローダ部から剥離部に搬送する工程；
（ｆ）前記剥離装置の前記剥離部において、プッシャーを用いて前記金属板レジン封止体複合体が後方へ移動しないようにした状態で、前記金属板の前記第１の主面の外側部の一部を、前記金属板が前記レジン封止体から剥離するように押圧部材により押圧する工程；
（ｇ）前記金属板の前記第１の主面の前記外側部の一部を前記押圧部材により押圧した状態で、前記金属板レジン封止体複合体を、前記剥離装置の前記剥離部からアンローダ部へ向けて前記プッシャーによって押し出すことによって、前記金属板と前記レジン封止体を分離させる工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記レジン封止体を前記個々の単位デバイス領域にダイシングにより、分割する工程。
【００２８】
１５．前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記複数の単位デバイス領域は、前記金属板の前記第１の主面上にマトリクス状に配置されている。
【００２９】
１６．前記１４または１５項の半導体装置の製造方法において、前記プッシャーによる前記金属板レジン封止体複合体の押し出しは、前記金属板の両側部が前記剥離装置の前記剥離部における搬送のためのスライド機構と接触した状態で、行われる。
【００３０】
１７．前記１４から１６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記剥離装置の前記剥離部と前記アンローダ部の間には、前記金属板と前記レジン封止体の分離の際における前記レジン封止体の飛び出しを防止する飛び出し防止機構が設けられている。
【００３１】
１８．前記１４から１７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記プッシャーによる前記金属板レジン封止体複合体の押し出しは、第１の速度で押し出した後、前記第１の速度より低速の第２の速度で押し出すことによって行われる。
【００３２】
１９．前記１４から１８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記押圧部材による押圧は、前記金属板レジン封止体複合体が前方へ移動しないようにした状態で行われる。
【００３３】
２０．前記１４から１９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記剥離装置の前記剥離部にはイオンブローが設置されている。
【００３４】
２１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ほぼ矩形の金属板の第１の主面上に、メッキによりリード電極およびタブ電極を有する単位デバイス領域を複数個、準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の単位デバイス領域の各々のタブ電極上に、半導体チップを固定する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数の単位デバイス領域を、レジンで一括して封止することにより、
（ｉ）前記金属板よりも小さい、ほぼ矩形板状のレジン封止体と、
（ｉｉ）前記金属板を
含む金属板レジン封止体複合体を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、剥離装置内において、前記金属板の前記第１の主面の余白部の先端部に対して、前記金属板が前記レジン封止体から剥離するように外力を作用させる工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記剥離装置内において、前記外力の作用点が、前記金属板の後方に向けて前記余白部を移動するように、前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体を相対移動させることによって、前記金属板と前記レジン封止体を分離させる工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記レジン封止体を前記個々の単位デバイス領域にダイシングにより、分割する工程。
【００３５】
２２．前記２１項の半導体装置の製造方法において、前記複数の単位デバイス領域は、前記金属板の前記第１の主面上にマトリクス状に配置されている。
【００３６】
２３．前記２１または２２項の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングは回転ブレードにより、金属部材を切断することなく行われる。
【００３７】
２４．前記２１から２３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記ダイシングは前記レジン封止体の前記リード電極または前記タブ電極が露出していない主面を粘着シートに貼り付けた状態で行われる。
【００３８】
２５．前記２１から２４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記外力の作用は、押圧部材により前記金属板の前記第１の主面の前記余白部を前記レジン封止体から剥離するように押圧させることによって行われる。
【００３９】
２６．前記２１から２５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）における前記外力の作用は、プッシャーを用いて、前記金属板レジン封止体複合体が後方へ移動しないようにした状態で行われる。
【００４０】
２７．前記２１から２６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、前記外力の作用は、前記プッシャーによって、前記金属板レジン封止体複合体を前方へ押すことにより行われる。
【００４１】
２８．前記２１から２７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記金属板はステンレス・スチールを主要な構成要素とする。
【００４２】
２９．前記２１から２８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）および（ｅ）は、前記金属板レジン封止体複合体に対して、イオンブローしながら行われる。
【００４３】
３０．前記２１から２９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、第１の速度で相対移動させた後、前記第１の速度より低速の第２の速度で相対移動させることによって行われる。
【００４４】
３１．前記２１から３０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）における前記外力の作用は、ストッパを用いて、前記金属板レジン封止体複合体が前方へ移動しないようにした状態で行われる。
【００４５】
３２．前記２１から３１項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）における前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体の相対移動は、前記金属板の両側部が搬送のためのスライド機構と接触した状態で、行われる。
【００４６】
３３．前記２１から３２項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記剥離装置内には、前記金属板と前記レジン封止体の分離の際における前記レジン封止体の飛び出しを防止する飛び出し防止機構が設けられている。
【００４７】
３４．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ほぼ矩形の金属板の第１の主面上に、メッキによりリード電極およびタブ電極を有する単位デバイス領域を複数個、準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の単位デバイス領域の各々のタブ電極上に、半導体チップを固定する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数の単位デバイス領域を、レジンで一括して封止することにより、
（ｉ）前記金属板よりも小さい、ほぼ矩形板状のレジン封止体と、
（ｉｉ）前記金属板
を含む金属板レジン封止体複合体を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記金属板レジン封止体複合体を剥離装置のローダ部に供給する工程；
（ｅ）前記金属板レジン封止体複合体を前記剥離装置の前記ローダ部から剥離部に搬送する工程；
（ｆ）前記剥離装置の前記剥離部において、前記金属板レジン封止体複合体が後方へ移動しないようにした状態で、前記金属板の前記第１の主面の余白部の一部を、前記金属板が前記レジン封止体から剥離するように押圧部材により押圧する工程；
（ｇ）前記金属板の前記第１の主面の前記余白部の一部を前記押圧部材により押圧した状態で、前記金属板レジン封止体複合体を、前記剥離装置の前記剥離部から押し出すことによって押圧点を後方に移動させて、前記金属板と前記レジン封止体を分離させる工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記レジン封止体を前記個々の単位デバイス領域にダイシングにより、分割する工程。
【００４８】
３５．前記３４項の半導体装置の製造方法において、前記複数の単位デバイス領域は、前記金属板の前記第１の主面上にマトリクス状に配置されている。
【００４９】
３６．前記３４または３５項の半導体装置の製造方法において、前記金属板レジン封止体複合体の押し出しは、前記金属板の両側部が前記剥離装置の前記剥離部における搬送のためのスライド機構と接触した状態で、行われる。
【００５０】
３７．前記３４から３６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記金属板レジン封止体複合体の押し出しは、第１の速度で押し出した後、前記第１の速度より低速の第２の速度で押し出すことによって行われる。
【００５１】
３８．前記３４から３７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記押圧部材による押圧は、前記金属板レジン封止体複合体が前方へ移動しないようにした状態で行われる。
【００５２】
３９．前記３４から３８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記剥離装置の前記剥離部にはイオンブローが設置されている。
【００５３】
４０．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ほぼ矩形の金属板の第１の主面上に、メッキによりリード電極およびタブ電極を有する単位デバイス領域を複数個、準備する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記複数の単位デバイス領域の各々のタブ電極上に、半導体チップを固定する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記複数の単位デバイス領域を、レジンで一括して封止することにより、
（ｉ）前記金属板よりも小さい、ほぼ矩形板状のレジン封止体と、
（ｉｉ）前記金属板を
含む金属板レジン封止体複合体を形成する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、剥離装置内において、前記金属板の前記第１の主面の余白部の先端部に対して、前記金属板が前記レジン封止体から剥離するように外力を作用させる工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記剥離装置内において、前記外力の作用点が、前記金属板の前記余白部の前記先端部から後方に向けて前記金属板の前記第１の主面上を移動するように、前記作用点と前記金属板レジン封止体複合体を相対移動させることによって、前記金属板と前記レジン封止体を分離させる工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記レジン封止体を前記個々の単位デバイス領域にダイシングにより、分割する工程。
【００５４】
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００５５】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。具体的には、「金部材」等といっても、特にそうでない旨特定した場合を除き、純粋な金のみでなく、金を主要な成分とする合金、他の成分を添加したもの等を含むことは言うまでもない。
【００５６】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。具体的には、「矩形」といっても、厳密な長方形、正方形のみでなく、これらに本質的でない変形処理を加えたものを含むことは言うまでもない。本質的でない変形とは、たとえば、角部のラウンド処理（多角形を含む）、穴あけ、スリット形成等の内部の打ち抜き、周辺のノッチ、切欠き等の外形（外周）に対する微細な加工等を言う。
【００５７】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００５８】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハ（ウエハ工程前、途中、完成後を含む。以下同じ）を指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ、絶縁基板、他の半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）を形成するウエハ工程を完了したウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００５９】
６．「電鋳」とは、メッキの一種であるが、基板又は型にメッキ・プロセスにより金属層（金属体）を堆積するが、後に当該基板又は型から形成された金属層（金属体）を分離することを意図するものである。
【００６０】
７．「単位デバイス領域」とは、基本的に、金属板上において単位となるデバイスを形成した領域であるが、電極、チップ、ボンディング・ワイヤ、当該部分のレジン等を含む概念で、金属板レジン封止体複合体を金属板とレジン封止体に分離した後は、もっぱら後者を指す。
【００６１】
８．「ダイシング」とは、ウエハをここのチップに分割することで、「ペレタイズ」とも言う。ブレードによるものだけでなく、レーザによるもの（熱溶断方式、２光子吸収により変質層を形成するものを含む）も含む。
【００６２】
９．「ＭＡＰ(Mold Array Process)方式」とは、配線基板（ガラス・エポキシ配線基板、フレキシブル配線基板等の印刷回路基板、およびポリイミド粘着テープ等の上にリードフレームを貼り付けたテープバックアップ・リードフレーム等を含む）や金属板などの主面上の多数の単位デバイス領域のそれぞれに半導体チップ（単数又は複数）を固着して、これらの多数の単位デバイス領域を一括してレジンで封止した後、ダイシングして個々の単位デバイス領域（半導体素子）に分割するパッケージ方式を言う。印刷回路基板を使用する場合は、配線基板ごと分割する。テープバックアップ・リードフレームの場合は、封止後にテープを剥がして、粘着剤を除去した後に、必要なリードメッキ等をした後に分割する。金属板の場合も、封止後に金属板を剥離した後、分割する。
【００６３】
１０．「電鋳パッケージ」とは、金属板上に電鋳によりリード電極、タブ電極（アイランド部またはダイ・パッド部）等を形成して、チップ・ボンディング、ワイヤ・ボンディング、レジン封止等の後、デバイス部分（単一又は複数の単位デバイス領域）と金属板を分離することによって製造されるパッケージである。以下の実施の形態は、主に金属板を用いたＭＡＰ方式の電鋳パッケージについて説明する。電鋳パッケージの一つのメリットは、配線基板等を使用しない分、高さを稼げるところにある。
【００６４】
「ＭＡＰ方式の電鋳パッケージ・プロセス」では、金属板上に電鋳によりリード電極等を形成して、チップ・ボンディング、ワイヤ・ボンディング、レジン封止等をすることで、半導体チップ、ボンディング・ワイヤ、およびリード電極等をレジンで封止した「レジン封止体」と金属板とを含む「金属板レジン封止体複合体」（中間生産物）を製造した後、金属板を剥がすことで、分離されたレジン封止体を得る。ここで、「金属板」は、通常、ほぼ無垢の金属板（必要な表面処理をしたものを含む）であるが、メッキ面と反対側の主面に有機樹脂テープ（コーティング含む）を貼り付ける等の補強処理をしてもよい。
【００６５】
ＭＡＰ方式の電鋳パッケージ・プロセスの一つのメリットは、リード等がタイバー等と一体に形成されていないため、ダイシングが容易である点（樹脂とメタルを同時に切断しないで済む）にある。テープバックアップ・リードフレーム方式のように、粘着テープを使用しないので、剥がした後の粘着剤汚染を除去する必要がない。また、封止処理の下面である基板（金属板）が剛性の小さい樹脂ではなく、剛性の大きい金属板のため、樹脂バリが出にくい、また、ワイヤ・ボンディングにおける超音波の効果が損なわれない等のメリットがある。また、樹脂シートのたわみによるパッケージ下面の平坦性低下等の回避も可能である。
【００６６】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００６７】
１．本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法における剥離プロセスおよびそれに用いる剥離装置、ならびに対象デバイスの概要説明（主に図１から５）
図１は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置９９の要部模式側断面図である。図２は図１の中での被処理物の動きを説明する斜視図である。図１に示すように、剥離装置９９は主に、多数の金属板レジン封止体複合体３を収容するローダ部９７と、剥離を実行する剥離部９８と、分離されたレジン封止体２を多数収容するアンローダ部９６と、その中間にあって両部分をつなぐ中間部９５からなる。
【００６８】
すなわち、図２に示すように、被処理物である金属板レジン封止体複合体３はロード側のマガジン・ラック５１から剥離部９８（図１）に送られ、そこでレジン封止体２と金属板１に分離される。分離されたレジン封止体２はアンローダ側のマガジン・ラック９１へ収納される。一方、金属板１は回収ボックス８４に収納される。
【００６９】
図３は本方法によって製造された半導体素子の最終形態の一例を示す上面図（図３ａ）、下面図（図３ｃ）、およびＸ−Ｘ’断面図（図３ｂ）である。同図に示すように、タブ電極１２、リード電極１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ等の電極はスタッド(Stud)状を呈しており、半導体チップ１８およびボンディング・ワイヤ１９とともに、封止レジン１１中にほぼ封止されている（電極下端部は露出している）。
【００７０】
図４および図５は本方法による中間生産物である金属板レジン封止体複合体３の一例の構造を説明する上面図（図４はレジンを透視して内部を見たものである）である。図４に示すように、金属板レジン封止体複合体３は例えばフェライト系のステンレス・スチールＳＵＳ４３０の厚さ０．１ミリメートル、長辺１４４ミリメートル、短辺６６ミリメートルの長方形の金属板を重要な構成要素としている。すなわち、金属板１は電鋳の基板または型である。この基板１上には多数の単位デバイス領域３１が格子状（マトリクス状）に配列されている。その数は、たとえば長辺方向７２列、短辺方向３０列である。この多数の単位デバイス領域３１をレジンで封止してレジン封止体２を形成している。金属板１の材料としては、耐腐食性の観点からフェライト系のステンレス・スチールが優れているが、他のステンレス・スチール、真鍮、高炭素鋼、アルミニウム、銅等の導電性金属、合金でもよい。
【００７１】
図５に示すように、金属板レジン封止体複合体３は周辺にレジンに覆われていない余白部を持つ。この余白部は、長辺に沿う外側部３２、前方短辺部３６、および後方短辺部３７に分けられる。この外側部３２は、先端部３３（すなわち「外側部の先端部」である。なお、「余白部の先端部」は外側部の先端部３３および前方短辺部３６を含む）および後端部３４を含む。一方の外側部３２には位置決め用開口３５が設けられている。以上は主に金属板レジン封止体複合体３の上面側についての説明であるが、金属板レジン封止体複合体３の金属板部分の側面および下面側方近傍部分はこれらと区別するために、「両側部」と呼ぶ。
【００７２】
図１および図５に基づいて剥離装置９９の動作概要を説明する。図１に示すように、金属板レジン封止体複合体３は複数個、ローダ側のマガジン・ラック５１に収容される。マガジン・ラック５１はモータ５３によって駆動されるリフタ５２によって、上下動される。最上部の金属板レジン封止体複合体３は吸着ハンド５４によって剥離部９８のレール６１上に移送される。そして、金属板レジン封止体複合体３はモータ６４、ベルト６５、送りねじ６３によって駆動される送り機構６２（プッシャー）によって回転ローラ列６６内に送り込まれる。金属板レジン封止体複合体３の先端部すなわち前方短辺部３６が回転ローラ列６６の間を通って剥離位置に来るとシリンダ７３が動作してストッパ７２が降りて金属板レジン封止体複合体３の前進を阻止する。その状態で剥離ユニット７１が降りてきて、外側部３２の先端部３３を下方に押し下げて、剥離を開始する。このとき、送り機構６２は金属板レジン封止体複合体３を前方に押した状態にある。剥離が開始すると送り機構６２の押圧力により剥離した部分の金属板１はストッパ７２の下方に潜り込み、レジン封止体２の方はそのまま前進して中間部９５のレール８３上に乗り移る。剥離が更に進行すると金属板１は完全に分離して、下方の回収箱８４に入る。この完全分離の際の衝撃によりレジン封止体２が装置から飛び出すのを防止するために抑えローラ８２が設けられている。なお、剥離の際には静電気が発生するので、剥離部９８にはイオンブロア７４が設けられ、イオンブローしながら剥離を実行するようになっている。分離されたレジン封止体２は送り機構８１により、レール８３上を滑ってアンローダ側のマガジン・ラック９１内に収容される。マガジン・ラック９１はモータ９３によって駆動されるリフタ９２により上下動可能となっている。
【００７３】
２．金属板レジン封止体複合体形成に至る電鋳パッケージ・プロセスの説明（主に図６から１５）
図６から１５に基づいて無垢金属板から封止工程完了までのプロセスを説明する。図６はステンレス・スチール板の断面図である。同図に示すように、ステンレス・スチール板１を用意し、洗浄を行う。
【００７４】
次に図７に示すように、洗浄したステンレス・スチール板１の上面にたとえば５０μｍ程度のレジストフィルム４１を貼り付け、フォトリソグラフィの手法により開口パターン４２を形成する。
【００７５】
更に図８に示すように、ステンレス・スチール板１の上面の表面を軽くエッチングして、凹部４３を形成する。
【００７６】
続けて図９に示すように、この凹部に電気メッキによって、０．０５から２μｍ程度の金メッキ層１３を形成する（他に錫、半田、パラジウム等がある）。金メッキ液としては、たとえば亜硫酸金等を含む非シアン系金メッキ液が環境面からして好適であるが、シアン系金メッキ液でもよい。更に図１０に示すように、その上に電気メッキによって、６０から９０μｍ程度のニッケル層１５を形成する。このようにひさし状に張り出させることによって、アンカー効果が期待できる。ニッケル・メッキ液としてはスルファミン酸ニッケル系のものが電鋳プロセス上好適であるが、その他の常用のニッケル・メッキ液でもよい。最後に、図１１に示すように電気メッキによって、たとえば０．３から０．４μｍ程度の銀層１６を形成する（金層でもよい。ただし、若干貴い）。銀メッキ液としては、たとえばシアン系銀メッキ液等がある。その後、レジストフィルム４１を除去して、図１２に示すようなリード電極１４およびタブ電極１２（ダイ・パッド）を有する構造体を得る。なお、この金メッキ層１３（実装用金属膜）および銀メッキ層１６（ワイヤ・ボンディング用金属膜）は必須ではない。
【００７７】
次に図１３に示すように、このタブ電極１２上に裏面にＤＡＦ１７（チップ・ボンディング剤）を貼り付けた半導体チップ１８を固定する。更に図１４に示すように半導体チップ１８上の１００μｍ角程度のアルミニウム・ボンディング・パッドとリード電極間をたとえば２０から３０μｍ程度の径の金ワイヤ１９で接続する。ワイヤ・ボンディングは、キャピラリによるボール・ウエッジボンディング（ボール・ステッチ・ボンディング）で、半導体チップ側は、たとえば５０から８０μｍ径程度のボールを形成して、摂氏１６０度から１８０度程度の加熱、押圧力、スクラブ動作、超音波振動を印加して行われる。一方、リード電極側は、ボールを作らず、摂氏１６０度から１８０度程度の加熱、押圧力、超音波振動（スクラブなし）を印加して行われる。
【００７８】
最後に、複数の単位デバイス領域３１をたとえば熱硬化性エポキシ樹脂等のレジンで封止する（他にシリコーン系レジン等がある）。これで、金属板１とレジンに封止されたそれ以外の部分、すなわちレジン封止体２からなる金属板レジン封止体複合体３が完成する。
【００７９】
３．剥離プロセスの詳細説明（主に図１６から２１および図１、５）
セクション１で説明した剥離プロセスの詳細を図１６から２１および図１、５に基づいて説明する。図１６は剥離装置９９のローダ部９７と剥離部９８の一部の金属板レジン封止体複合体３の進行方向から見た模式断面図である。図１６に示すように、金属板レジン封止体複合体３は吸着ハンド５４により、レール６１上に置かれる。このとき金属板レジン封止体複合体３（または金属板１）の下面の両側部がレールのスライド面（スライド機構）と接触して保持されている。
【００８０】
図１７は剥離部９８の正面要部拡大断面図（同図(a)）および金属板レジン封止体複合体３の進行方向から見た要部拡大断面図（同図(b)）である。ローラ列６６に入った金属板レジン封止体複合体３は送り機構６２に押されて前進して剥離ユニット７１に達するとストッパ７２が金属板レジン封止体複合体３の進行を止める。
【００８１】
図１８は剥離部９８（一部中間部９５を含む）の正面要部拡大断面図（同図(a)）および金属板レジン封止体複合体３の進行方向から見た要部拡大断面図（同図(b)）である。図１８に示すように、前記の状態で剥離ユニット７１が降下して、それと一体に動く一対の押圧ローラ７５が金属板レジン封止体複合体３の外側部３２の先端部３３を押し下げる。続いて、その状態でストッパ７２が退避すると、送り機構６２の押圧力により金属板レジン封止体複合体３の前進が再開される。そうすると剥離し始めた金属板１は下方へ潜り込み前進し、一方、分離し始めたレジン封止体２はそのまま水平方向に前進して行く。
【００８２】
図１９は剥離部９８（一部中間部９５を含む）の正面要部拡大断面図（同図(a)）および金属板レジン封止体複合体３の進行方向から見た要部拡大断面図（同図(b)）である。図１９に示すように、前記の状態で金属板レジン封止体複合体３が更に前進すると、押圧ローラ７５が接触する点（外力すなわち押圧力の作用点）金属板レジン封止体複合体３の外側部３２を後方に移動して行き、それに伴って、更に剥離が進行する。そうすると、剥離した金属板１は更に下方に向けて前進し、一方のレジン封止体２の方はそのまま前進して中間部９５のレール８３に乗り移ることになる。この最終段階で金属板レジン封止体複合体３の前進速度が速いと、分離の際にレジン封止体２が反動で飛び跳ねるので、押さえローラ８２（図１）で抑えている。しかし、剥離後半の前進速度を前半の前進速度よりも遅くすれば、このような飛び跳ねの問題は、大幅に軽減される。
【００８３】
図２０は剥離部９８および中間部９５の正面要部拡大断面図である。図２０に示すように、送り機構６２が更に前進して、完全分離すると分離した金属板１は回収ボックス８４内に落下し、レジン封止体２の方は中間部９５のレール８３（スライド機構）上に完全に移行する。
【００８４】
図２１は中間部およびアンローダ部９６の正面要部拡大断面図である。図２１に示すように、スライド機構８３上のレジン封止体２は送り機構８１（プッシャー）によって、スライドしてアンローダ部９６のマガジンラック９１内に収容される。
【００８５】
４．剥離メカニズムのバリエーションの説明（主に図１、５、１７から１９）
セクション３に説明した（特に図１７，１８）剥離プロセスの要部（初期剥離）について、更に説明する。ストッパ７２は必ずしも必須ではない。少なくとも、送り機構全体（プッシャー、サーボモータ制御された駆動ローラ等の送り機構等）として所定の位置で金属板レジン封止体複合体３が停止し、押圧ローラ７５（押圧部材）の初期作用点が所定の位置になる程度に、水平方向で固定されていればよい。今点に関しては、プッシャーについてもまったく同じである。すなわち、押圧力が作用したときに、金属板レジン封止体複合体３自体が逃げて、押圧力しない程度の金属板レジン封止体複合体３の位置が固定されていればよいのである。
【００８６】
上記初期剥離に関して外力（金属板１とレジン封止体２が分離するような外力、すなわち剥離外力）の初期作用点は、外側部が剥がし安さの観点で好適であるが、それに限定されるものではない。すなわち、少なくとも初期作用点は外側部の一部であればよい。また、外側部に限らず、余白部先端部でもよい。
【００８７】
また、図１９に説明した剥離拡大過程では、外力の作用点は必ずしも余白部に限らない。すでに、かなりの部分が剥離しているので、外力の作用点は剥離した金属板１の中央部であってもよい。その方がスムースに分離する場合もある。また、外力を作用させるのではなく、ガイド機構を使って、自立的に金属板１がレジン封止体２から離れるようにしてもよい。
【００８８】
また、前記外力は固体によって加えることに限定されない。たとえば、ガス流等の流体圧によって加えてもよい。流体の場合には、金属面に触れないメリットがある。同様に、磁力（引力）によって剥離外力としてもよい。
【００８９】
５．剥離後実装までの電鋳パッケージ・プロセスの説明（主に図２２から２６）
以下、剥離後のプロセスを説明する。図２２は剥離後のレジン封止体２の一部分の側断面図である。このレジン封止体２は図２３に示すようにダイシング・フィルム２１に貼り付けられた状態で回転ブレード２２により個々のチップ領域に分割される。これによって、最終製品としての半導体素子３９が得られる。ここで、ダイシング・フィルム２１への貼り付け面は、デバイス露出面（リード又はパッド露出面）と反対の面であるので、電極面に粘着剤が付着する問題がない。また、一般に分割工程では、回転ブレード２２を走らせる位置を特定するための認識マークを、例えばカメラによって認識し、その後、回転ブレード２２を走らせて分割している。しかしながら、本実施の形態で説明するレジン封止体は、前の工程で既に金属板１から剥離されている。そのため、電極面にダイシング・フィルム２１を貼り付けた場合、レジン封止体２しか認識されないため、切断領域を特定することが困難となる。そこで、本実施の形態では、上記したように、デバイス露出面と反対の面にダイシング・フィルム２１を貼り付け、電極面を上方に向けた状態で分割工程を行う。この結果、レジン封止体２から露出する複数のリード電極１４のそれぞれの一部（金属めっき層１３）により、レジン封止体２の分割領域を特定することができる。さらには、タブ電極１２及びリード電極１４のそれぞれは、金属板１上において必要な箇所にのみ、形成されている。そのため、分割工程の際、回転ブレード２２がリード電極１４に接触することはない。ここで、硬さの異なるリード電極１４とレジン封止体２とを同時に切断すると、回転ブレード２２への負荷が大きくなる。そのため、回転ブレード２２の寿命が低下する。しかしながら、本実施の形態では、レジン封止体２のみを回転ブレード２２により切断するため、回転ブレード２２の寿命を向上することができる。
【００９０】
この半導体素子３９はダイシング・フィルム２１からピックアップされ、エンボス・キャリア・テープ２３（図２５）に収容される。更に実装時には図２５に示すようにカバーテープ２４を剥がして、半導体素子収納部３８からピックアップされて、図２６に示すように、配線基板２５上の電極２６（たとえば銅パターン）に半田層２７を介して、実装される。
【００９１】
６．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９２】
例えば、金属板はステンレス・スチールを用いた例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、アルミニウム、銅等、またはこれらを主要な成分とする合金部材も適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置の要部模式側断面図である。
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置による金属板レジン封止体複合体の剥離の流れを示す剥離過程および装置斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法による半導体装置の上面図、側断面図および下面図である。
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の中間生産物である金属板レジン封止体複合体上の単位デバイス領域の配列等を例示する上面図である。
【図５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の中間生産物である金属板レジン封止体複合体上面図である。
【図６】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（金属板準備工程）である。
【図７】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（レジスト・パターニング工程）である。
【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（金属板エッチング工程）である。
【図９】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（金メッキ工程）である。
【図１０】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（ニッケル・メッキ工程）である。
【図１１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（銀メッキ工程）である。
【図１２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（レジスト除去工程）である。
【図１３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（チップ・ボンディング工程）である。
【図１４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（ワイヤ・ボンディング工程）である。
【図１５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（レジン封止工程）である。
【図１６】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置内の詳細動作を説明する各部（ローダ部）動作説明図１である。
【図１７】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置内の詳細動作を説明する各部（剥離部）動作説明図２である。
【図１８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置内の詳細動作を説明する各部（剥離部）動作説明図３である。
【図１９】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置内の詳細動作を説明する各部（剥離部）動作説明図４である。
【図２０】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置内の詳細動作を説明する各部（剥離部＋中間部）動作説明図５である。
【図２１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において用いる剥離装置内の詳細動作を説明する各部（アンローダ部）動作説明図６である。
【図２２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（剥離工程完了時）である。
【図２３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（ダイシング工程）である。
【図２４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（ダイシング工程完了時）である。
【図２５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（エンボス・キャリアテープからの取り出し工程）である。
【図２６】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法のプロセス断面図（実装工程）である。
【符号の説明】
【００９４】
１  金属板
２  レジン封止体
３  金属板レジン封止体複合体
１２  タブ電極
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ  リード電極
１８  半導体チップ
３１  単位デバイス領域
３２  外側部
３３  先端部
９９  剥離装置
【図１】
2009076717.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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