(57)【要約】【課題】一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことを可能とし、加工変質層を薄くし、かつ加工能率の向上を図った半導体基板研削機を提供する。【解決手段】ベース６上に、ベース６に対して滑動可能なスライドベース８を設け、治具３と研削機構５の少なくともいずれか一方をスライドベース８に搭載し、さらに前記治具及び／又は前記研削機構を定速で移動して前記半導体基板を研削するための定速移動機構１２と、半導体基板２と研削部材４とを定圧で押圧して半導体基板２を研削するための定圧移動機構１３とをスライドベース８に設けるものである。【選択図】図１
2009272323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース上に、半導体基板を保持する治具と、その治具に保持された前記半導体基板に対向する研削部材を保持する研削機構とを設け、前記治具と前記研削機構の少なくともいずれか一方を他方に向かって移動自在に設け、前記半導体基板と前記研削部材とを相対的に回転させつつ接触させることで前記半導体基板を研削する半導体基板研削機において、
前記ベース上に、そのベースに対して滑動自在に設けられたスライドベースを設け、前記治具と前記研削機構の少なくともいずれか一方を前記スライドベースに搭載し、さらに前記治具及び／又は前記研削機構を定速で移動して前記半導体基板を研削するための定速移動機構と、前記半導体基板と前記研削部材とを定圧で押圧して前記半導体基板を研削するための定圧移動機構とを前記スライドベースに設けることを特徴とする半導体基板研削機。
【請求項２】
前記治具または前記研削機構と前記定圧移動機構とを連結し、前記定速移動機構に、定速移動時に前記スライドベースを拘束し、前記定速移動機構から前記定圧移動機構に切り替える際に、前記スライドベースを開放する切り替え機構を設けた請求項１記載の半導体基板研削機。
【請求項３】
前記スライドベースを定速で移動させる定速移動機構は、ボールネジ機構と、そのボールネジを回転させるモータとからなる請求項２記載の半導体基板研削機。
【請求項４】
前記定圧移動機構は、前記スライドベースにワイヤを介して接続された錘と、前記ベースに保持されて前記ワイヤが巻き掛けられる定滑車とからなる請求項２または３記載の半導体基板研削機。
【請求項５】
前記スライドベースには、位置検出手段が設けられ、その位置検出手段で検出した前記スライドベースの位置により、前記定速移動機構から前記定圧移動機構に切り替える請求項１〜４いずれかに記載の半導体基板研削機。
【請求項６】
治具に回転自在に保持された半導体基板と、その半導体基板に対向するように研削機構に回転自在に保持された研削部材とを接触させて前記半導体基板を研削する半導体基板研削方法において、
前記ベース上に設けられた定速移動機構で前記治具または前記研削機構のいずれか一方を他方に向かって定速で移動させ、その定速移動機構で前記半導体基板と前記研削部材とを押圧して前記半導体基板を研削した後、前記治具または前記研削機構に連結された定圧移動機構で定圧で前記半導体基板と前記研削部材とをさらに押圧して研削することを特徴とする半導体基板研削方法。
【請求項７】
前記定速移動機構で前記半導体基板の研削厚の８０〜９５％の厚さを研削した後、前記定圧移動機構で前記半導体基板と前記研削部材とをさらに押圧して残りの研削を行う請求項６記載の半導体基板研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板研削機及び研削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板の厚さを揃え、平坦度を効率よく向上させる方法として、砥粒を含んだ砥石（研削砥石）を回転させて半導体基板に押し当て、砥石の砥粒で半導体基板の表面を削り取る研削加工が一般的である。
【０００３】
砥石を半導体基板に押し当てる方法としては、モータの駆動力で一定速度で押し当てていく方法（例えば、特許文献１参照）と、錘の負荷を利用するなどの方法で一定圧力で押し当てる方法が知られている。
【０００４】
一定速度で砥石を半導体基板に押し当てる方法では、例えば、図６（ａ）および図６（ｂ）に示す半導体基板研削機６１が用いられる。この半導体基板研削機６１では、ボールネジ６２をモータ６３により一定速度で回転させ、このボールネジ６２の回転により研削機構６４を載置したスライドベース６５を移動させ、ベース６６に固定された治具６７の半導体基板６８に研削機構６４の砥石６９を一定速度で押し当てて研削を行う。
【０００５】
しかし、このように一定速度で押し当てていく方法で研削加工を行うと、砥石６９の切れ味が低下した状況でも強制的に送り込むため、半導体基板６８の表面に深いキズが発生する場合がある。
【０００６】
この深いキズの発生を防止する研削方法としては、例えば、一定速度で押し当てて研削を行う代わりに、砥石を押し当てていく力を錘の重量で制御し、半導体基板と砥石を一定圧力で押し当てて研削する方法がある。
【０００７】
一定圧力で砥石を半導体基板に押し当てる方法では、例えば、図７（ａ）および図７（ｂ）に示す半導体基板研削機７１が用いられる。この半導体基板研削機７１では、スライドベース７２の側面にピン７３を設け、そのピン７３にワイヤ７４の一端を固定し、そのワイヤ７４を定滑車（ガイドロール）７５に掛け、ワイヤ７４の他端に錘７６を接続している。
【０００８】
この半導体基板研削機７１では、モータ７７でボールネジ７８を回転させ、ボールネジ７８の回転によりナット７９が前進すると、スライドベース７２は錘７６の重量で引っ張られているため、ナット７９に追従する。ベース８０上に固定した治具８１にスライドベース７２に載置した研削機構８２を近づけ、砥石８３と半導体基板８４とが接触すると、ナット７９とスライドベース７２が離れ、（加工圧）＝（錘の重量）となり、加工圧を一定にして研削を行う。
【０００９】
通常、研削加工で形成された加工変質層（ダメージ層）は、次工程の研磨加工で取り去っている。研磨加工の方法としては、半導体基板をガラス製の研磨定盤に押し付け、これを摺動させながら研磨剤を研磨定盤上に供給して、半導体基板を研磨する方法が一般的である。
【００１０】
しかし、研磨加工では単位時間あたりの加工量（研削可能厚さ）が少ないため、研削加工で形成された加工変質層が厚いと、研磨加工で除去する量（厚さ）が多くなり、時間と費用がかかってしまう。そのため、半導体基板の製造効率の点からも、研削加工で形成される加工変質層は極力薄いほうが好ましい。
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−３０７４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
研削加工で形成される加工変質層を薄くする方法として、一定圧力で押し当てる方法が有効であるが、砥石の状態によって加工時間が変動してしまい、加工能率が低くなるという問題があった。加工時間の管理や加工効率の点では、一定圧力で押し当てる方法よりも、一定速度で押し当てていく方法が有効である。
【００１３】
しかしながら、従来、１台の研削機で、一定速度の研削加工と一定圧力の研削加工を可能とする研削機はなかった。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことを可能とし、加工変質層を薄くし、かつ加工能率の向上を図った半導体基板研削機及び研削方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、ベース上に、半導体基板を保持する治具と、その治具に保持された前記半導体基板に対向する研削部材を保持する研削機構とを設け、前記治具と前記研削機構の少なくともいずれか一方を他方に向かって移動自在に設け、前記半導体基板と前記研削部材とを相対的に回転させつつ接触させることで前記半導体基板を研削する半導体基板研削機において、前記ベース上に、そのベースに対して滑動自在に設けられたスライドベースを設け、前記治具と前記研削機構の少なくともいずれか一方を前記スライドベースに搭載し、さらに前記治具及び／又は前記研削機構を定速で移動して前記半導体基板を研削するための定速移動機構と、前記半導体基板と前記研削部材とを定圧で押圧して前記半導体基板を研削するための定圧移動機構とを前記スライドベースに設ける半導体基板研削機である。
【００１６】
本発明は、前記治具または前記研削機構と前記定圧移動機構とを連結し、前記定速移動機構に、定速移動時に前記スライドベースを拘束し、前記定速移動機構から前記定圧移動機構に切り替える際に、前記スライドベースを開放する切り替え機構を設けた半導体基板研削機である。
【００１７】
本発明は、前記スライドベースを定速で移動させる定速移動機構は、ボールネジ機構と、そのボールネジを回転させるモータとからなる半導体基板研削機である。
【００１８】
本発明は、前記定圧移動機構は、前記スライドベースにワイヤを介して接続された錘と、前記ベースに保持されて前記ワイヤが巻き掛けられる定滑車とからなる半導体基板研削機である。
【００１９】
本発明は、前記スライドベースには、位置検出手段が設けられ、その位置検出手段で検出した前記スライドベースの位置により、前記定速移動機構から前記定圧移動機構に切り替える半導体基板研削機である。
【００２０】
本発明は、治具に回転自在に保持された半導体基板と、その半導体基板に対向するように研削機構に回転自在に保持された研削部材とを接触させて前記半導体基板を研削する半導体基板研削方法において、前記ベース上に設けられた定速移動機構で前記治具または前記研削機構のいずれか一方を他方に向かって定速で移動させ、その定速移動機構で前記半導体基板と前記研削部材とを押圧して前記半導体基板を研削した後、前記治具または前記研削機構に連結された定圧移動機構で定圧で前記半導体基板と前記研削部材とをさらに押圧して研削する半導体基板研削方法である。
【００２１】
本発明は、前記定速移動機構で前記半導体基板の研削厚の８０〜９５％の厚さを研削した後、前記定圧移動機構で前記半導体基板と前記研削部材とをさらに押圧して残りの研削を行う半導体基板研削方法である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことで、加工面でのキズの発生を抑制すると共に、加工能率を高くでき、半導体基板の製造効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２４】
図１は、本実施形態に係る半導体基板研削機の側面図である。
【００２５】
図１に示すように、半導体基板研削機１は、半導体基板２を回転自在に保持する治具（ワーク軸）３と、研削部材としての砥石４を回転自在に保持する研削機構（砥石軸）５とを主に備える。治具３と研削機構５とは、半導体基板２と砥石４とが対向するように配置される。
【００２６】
治具３は、半導体基板２を回転自在に保持する基板保持部３ａと、その基板保持部３ａを回転させる駆動モータ（図示せず）などを有する治具本体３ｂとからなる。
【００２７】
研削機構５は、砥石４を回転自在に保持する砥石保持部５ａと、その砥石保持部５ａを回転させる駆動モータ（図示せず）などを有する研削機構本体５ｂとからなる。砥石４としては、例えば、カップ型砥石を用いるとよい。
【００２８】
治具本体３ｂは、ベース６上に設けられた定盤７上に載置され、研削機構本体５ｂは、ベース６上に設けられたスライドベース８上に載置される。
【００２９】
ベース６上には、研削機構５の移動方向に沿ってレール９が設けられ、スライドベース８は、そのレール９に沿って移動自在に設けられた複数のガイド１０上に設けられる。これにより、スライドベース８およびスライドベース８に載置された研削機構５は、治具３に向かって移動（滑動）自在とされる。
【００３０】
また、スライドベース８には、スライドベース８の位置を検出する位置検出手段としてリニアスケール１１が設けられる。
【００３１】
リニアスケール１１としては、例えば、一定のピッチで金属を蒸着したガラスを挟んで発光素子と受光素子を対向させ、受光素子で受光した光のパルスをカウントすることで位置を検出する光電方式のものなどを用いるとよい。また、リニアスケール１１としては、０．１μｍの精度で位置検出が可能なものを用いるとよい。
【００３２】
さて、半導体基板研削機１では、ベース６上に研削機構５を定速で移動させるための定速移動機構１２が設けられ、研削機構５を載置するスライドベース８には、定速移動機構１２で半導体基板２と砥石４とを押圧して半導体基板２を研削した後に、定圧で半導体基板２と砥石４とをさらに押圧して研削するための定圧移動機構１３が連結される。
【００３３】
図２（ａ）に示すように、定速移動機構１２は、ボールネジ１４とそのボールネジ１４に噛合するナット１５とからなるボールネジ機構と、そのボールネジ１４を回転させるモータ１６とからなる。ボールネジ１４は、スライドベース８の下方にスライドベース８の移動方向に沿って配置され、ナット１５はそのボールネジ１４の回転によりボールネジ１４に沿って移動するように設けられる。モータ１６とボールネジ１４との間には、モータ１６のモータ軸からボールネジ１４にトルクを伝えるためのカップリング１７が設けられる。
【００３４】
ナット１５には、その後端部（図２下側（ベース６側））から上方に延びる舌片１５ａが形成され、スライドベース８の底面には、そのナット１５の舌片１５ａを挿入するための凹部１８が形成される。この凹部１８の移動方向（図示左右方向）の長さは、舌片１５ａの移動方向の長さよりも十分大きく形成される。また、凹部１８の幅（図示紙面方向の幅）は、舌片１５ａの幅と略同一に形成される。
【００３５】
定圧移動機構１３は、図１に示すように、スライドベース８にワイヤ２２を介して接続された錘２３と、ベース６に保持されてワイヤ２２が巻き掛けられる定滑車（ガイドロール）２４とからなる。
【００３６】
スライドベース８の側面にはピン２５が設けられ、そのピン２５にワイヤ２２の一端が接続される。ワイヤ２２は、ピン２５から前方（図示左方向）に延伸され、スライドベース８前方に設けられた定滑車２４に巻き掛けられ、ワイヤ２２の他端には錘２３が接続される。
【００３７】
定速移動機構１２には、定速移動機構１２から定圧移動機構１３に切り替えるための切り替え機構として、エアシリンダ１９が設けられる。
【００３８】
エアシリンダ１９は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、エアシリンダ本体１９ａと、そのエアシリンダ本体１９ａから伸縮自在に延びるクランプ１９ｂとからなる。
【００３９】
エアシリンダ１９は、スライドベース８の後端面Ｒから凹部１８まで貫通する貫通穴２０、およびナット１５の舌片１５ａを貫通する貫通穴２１にクランプ１９ｂを挿入した状態で、スライドベース８の後端面Ｒに固定される。エアシリンダ１９のクランプ１９ｂの先端には、先端にナット１５の貫通穴２１よりも径が大きいフランジ部を有するキャップ１９ｃが取り付けられる。
【００４０】
このエアシリンダ１９は、定速移動機構１２で研削を行う際には、図２（ａ）に示すように、クランプ１９ｂを短い状態で保持してナット１５を凹部１８後方の面に押し付けて、スライドベース８をナット１５に拘束する。また、定速移動機構１２から定圧移動機構１３に切り替える際には、図２（ｂ）に示すようにクランプ１９ｂを伸ばして、ナット１５からスライドベース８を開放する。
【００４１】
次に、本実施形態に係る半導体基板研削方法を、半導体基板研削機１の動作と共に説明する。
【００４２】
まず、治具３の基板保持部３ａに半導体基板２をセットすると共に、研削機構５の砥石保持部５ａに砥石４をセットし、半導体基板２と砥石４を相対的に回転させる。このとき、エアシリンダ１９は、図２（ａ）に示すように、クランプ１９ｂを短い状態で保持してナット１５を凹部１８後方の面に押し付けて、ナット１５にスライドベース８を拘束する。
【００４３】
その後、モータ１６によりボールネジ１４を所定の回転数で回転させて、ナット１５を前方（図示左方向）に所定の速度で移動させる。スライドベース８はナット１５に拘束されているため、スライドベース８およびスライドベース８上に載置された研削機構５は、治具３に向かって所定の速度で移動する。
【００４４】
この状態で、半導体基板２と砥石４とを接触させ、半導体基板２を所定の速度で研削する。
【００４５】
このとき、定速移動機構１２により半導体基板２を研削する厚さは、半導体基板２の研削厚（全研削厚）の８０〜９５％とする。これは、定速移動機構１２により半導体基板２を研削する厚さが８０％未満であると、定圧移動機構１３で研削する厚さが厚くなり、研削に時間がかかって加工能率が低下してしまい、９５％を超えると、定速移動機構１２により半導体基板２を研削する際に半導体基板２の表面に生じたキズが、研削後に残ってしまう場合があるためである。さらに望ましくは、定速移動機構１２により半導体基板２を研削する厚さは、半導体基板２の研削厚の９０％程度であるとよい。
【００４６】
定速移動機構１２での加工量（研削厚）と定圧移動機構１３での加工量（研削厚）、およびこれらの切り替え位置は、リニアスケール１１で検出するスライドベース８の位置によって制御するとよい。
【００４７】
定速移動機構１２で半導体基板２を研削した後、エアシリンダ１９によりナット１５からスライドベース８を開放して、定速移動機構１２から定圧移動機構１３に切り替える。
【００４８】
エアシリンダ１９のクランプ１９ｂを伸ばし、ナット１５からスライドベース８を開放すると、ナット１５の前方にギャップが生じる。この状態でナット１５を前進させると、ナット１５とスライドベース８とが離れる。そして、スライドベース８は錘２３の重量のみで前方に引っ張られるようになる。これにより、（加工圧）＝（錘の重量）となり、一定の圧力（加工圧）で半導体基板２に砥石４を押し当てて研削することができる。
【００４９】
研削終了後、モータ１６によりボールネジ１４を逆回転させ、ナット１５を後方に移動させることで、スライドベース８および研削機構５を後退させ、半導体基板２および砥石４の回転を停止させる。その後、治具３から半導体基板２を取り外すと、表面が研削された半導体基板２が得られる。
【００５０】
以上説明したように、半導体基板研削機１では、研削機構５を治具３に向かって移動自在に設け、ベース６上に研削機構５を定速で移動させる定速移動機構１２を設けると共に、研削機構５に、定速移動機構１２で半導体基板２と砥石４とを押圧して半導体基板２を研削した後に、定圧で半導体基板２と砥石４とをさらに押圧して研削するための定圧移動機構１３を連結している。
【００５１】
これにより、一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことができる。よって、研削加工後の半導体基板２の加工変質層を薄くでき、キズのない加工面に仕上げることができ、さらに、加工能率を向上させることができ、半導体基板２の製造効率を向上させることができる。
【００５２】
また、半導体基板研削機１では、定速移動機構１２で半導体基板２の研削厚の８０〜９５％の厚さを研削した後、定圧移動機構１３で半導体基板２と砥石４とをさらに押圧して残りの研削を行っている。これにより、さらに加工能率を向上させることができる。
【００５３】
次に、本発明の他の実施の形態を説明する。
【００５４】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示す半導体基板研削機３１は、基本的に図１の半導体基板研削機１と同じ構成であり、ナット１５と一体に設けられ、ナット１５からスライドベース８の後方に延びるエアシリンダ載置台３２と、そのエアシリンダ載置台３２上に設けられた定圧移動機構としてのエアシリンダ３３とを備える。
【００５５】
半導体基板研削機３１では、図３（ａ）に示すように、定速移動機構１２で研削する際、ナット１５の舌片１５ａで凹部１８前方の面を押すことで、スライドベース８を前方に一定の速度で移動させる。
【００５６】
また、半導体基板研削機３１では、図３（ｂ）に示すように、定速移動機構１２から定圧移動機構に切り替える際、モータ１６を停止してナット１５の移動を停止させると共に、エアシリンダ３３のクランプ３３ｂを伸ばし、一定の圧力でスライドベース８を前方に押す。これにより、半導体基板２に砥石４を一定の圧力で押し当てて研削することができる。
【００５７】
半導体基板研削機３１によれば、錘やワイヤ、定滑車などが不要となるので、より簡単な構成で一定速度での研削加工と一定圧力での研削加工を一連の動作で行うことができる。
【００５８】
本実施形態では定圧移動機構としてエアシリンダ３３を用いたが、スライドベース８を一定の圧力で押すものであればよく、例えば、油圧式のシリンダを用いてもよい。
【００５９】
上記実施形態では、治具３を定盤７上に固定し、研削機構５をスライドベース８上に設けて移動可能としたが、研削機構５を定盤７上に固定し、治具３をスライドベース８上に設けて移動可能としてもよい。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明の実施例および比較例を説明する。
【００６１】
（実施例）
図１の半導体基板研削機１を用い、以下の条件で半導体基板２を研削した。半導体基板２としては、径が５．０８ｃｍ（２ｉｎｃｈ）のものを用いた。
【００６２】
砥石サイズ：φ１５０カップ型砥石
砥石メッシュサイズ：＃６００（粒径：φ２０〜φ３０μｍ）
砥石回転数：１０００ｒｐｍ
ワーク（半導体基板）回転数：５０ｒｐｍ
トータル研削量（厚さ）：１００μｍ
（研削量０μｍ〜９０μｍを、送り込み速度０．２μｍ／ｓで研削し、研削量９０μｍ〜１００μｍを錘重量（圧力）２０Ｎ（０．０３６Ｎ／ｍｍ2）で研削した）
研削後の半導体基板２表面の走査型白色干渉法による測定画像と研削時間を図４に示す。
【００６３】
（比較例１）
図６の半導体基板研削機６１を用い、以下の条件で半導体基板を研削した。半導体基板としては、径が５．０８ｃｍ（２ｉｎｃｈ）のものを用いた。
【００６４】
砥石サイズ：φ１５０カップ型砥石
砥石メッシュサイズ：＃６００（粒径：φ２０〜φ３０μｍ）
砥石回転数：１０００ｒｐｍ
ワーク（半導体基板）回転数：５０ｒｐｍ
送り込み速度：０．２μｍ／ｓ
研削量（厚さ）：１００μｍ
研削後の半導体基板表面の走査型白色干渉法による測定画像と研削時間を図５に示す。
【００６５】
（比較例２）
図７の半導体基板研削機７１を用い、以下の条件で半導体基板を研削した。半導体基板としては、径が５．０８ｃｍ（２ｉｎｃｈ）のものを用いた。
【００６６】
砥石サイズ：φ１５０カップ型砥石
砥石メッシュサイズ：＃６００（粒径：φ２０〜φ３０μｍ）
砥石回転数：１０００ｒｐｍ
ワーク回転数：５０ｒｐｍ
錘重量（圧力）：２０Ｎ（０．０３６Ｎ／ｍｍ2）
研削量（厚さ）：１００μｍ
研削後の半導体基板表面の走査型白色干渉法による測定画像と研削時間を図５に示す。
【００６７】
図５に示すように、一定速度で研削した比較例１の半導体基板の表面にはキズが発生しているのに対し、一定圧力で研削した比較例２の半導体基板の表面には深いキズがなく、全面均一の研削痕が確認された。また、比較例１では設定通り５００秒／１００μｍで加工を完了しているのに対し、比較例２では、６００〜８００秒／１００μｍとなっており、加工時間が安定していない。
【００６８】
よって、研削後の表面は一定圧力での研削（比較例２）が適しているが、加工時間の管理では一定速度での研削（比較例１）が適しているといえる。
【００６９】
これに対し、図４に示すように、一定速度での加工と一定圧力での加工を一連の動作で行った本発明による実施例では、研削後の半導体基板２の表面には深いキズがなく、加工時間は５０５〜５１０秒／１００μｍと一定速度で研削した場合（比較例１）と大差なく研削できた。
【００７０】
以上の結果より、本発明によれば、研削後の半導体基板をキズのない加工面に仕上げることができ、さらに加工時間を短くでき、加工能率を高くすることができることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の半導体基板研削機の側面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１の半導体基板研削機の定速研削時の要部拡大断面図であり、図２（ｂ）は定圧研削時の要部拡大断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の他の実施形態の半導体基板研削機の定速研削時の要部拡大断面図であり、図３（ｂ）は定圧研削時の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の半導体基板研削機で研削した半導体基板表面の走査型白色干渉法による測定画像である。
【図５】従来の半導体基板研削機で研削した半導体基板表面の走査型白色干渉法による測定画像である。
【図６】図６（ａ）は、従来の半導体基板研削機の側面図であり、図６（ｂ）はその要部拡大断面図である。
【図７】図７（ａ）は、従来の半導体基板研削機の側面図であり、図７（ｂ）はその要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  半導体基板研削機
２  半導体基板
３  治具
４  砥石（研削部材）
５  研削機構
６  ベース
８  スライドベース
１２  定速移動機構
１３  定圧移動機構
【図１】
2009272323.tif 000003
【図２】
2009272323.tif 000004
【図３】
2009272323.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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