(57)【要約】【課題】低電圧駆動を保ちつつ、低コストで動特性を向上させることを可能にする。【解決手段】基板１１と、この基板上に設けられた複数の電極１２１〜１２ｎと、基板上に配置されたスペーサ１３と、このスペーサ上に配置され、基板に対向する側の面から基板に対向する側の面と反対側の面に貫通する開口２６を有する支持部材１６と、この支持部材の基板に対向する側の面に設けられた絶縁膜１７と、複数の電極に対向するように間隔を持って配置されるとともに開口を覆うように形成され、絶縁膜を介して支持部材に支持される変形可能な電極膜１８と、電極膜の、複数の電極と反対側の面に設けられた反射膜１９と、を備え、複数の電極は、開口の中心に対応する位置を含む領域から放射状に延びている複数の溝１２ａによって少なくとも形成され、支持部材は、電極膜、絶縁膜およびスペーサを介して基板上に配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に設けられた複数の電極と、前記基板上に配置されたスペーサと、このスペーサ上に配置され、前記基板に対向する側の面から前記基板に対向する側の面と反対側の面に貫通する開口を有する支持部材と、この支持部材の前記基板に対向する側の面に設けられた絶縁膜と、複数の前記電極に対向するように間隔を持って配置されるとともに前記開口を覆うように形成され、前記絶縁膜を介して前記支持部材に支持される変形可能な電極膜と、前記電極膜の、複数の前記電極と反対側の面に設けられた反射膜と、を備え、
複数の前記電極は、前記開口の中心に対応する位置を含む領域から放射状に延びている複数の溝によってそれぞれ絶縁され、
前記支持部材は、前記電極膜、前記絶縁膜および前記スペーサを介して前記基板上に配置されていることを特徴とする形状可変鏡装置。
【請求項２】
複数の前記電極は、前記開口の中心から等角度に延びる前記複数の溝によってそれぞれ絶縁されていることを特徴とする請求項１記載の形状可変鏡装置。
【請求項３】
複数の前記電極は、前記開口の中心に対応する位置から同心円状の複数の溝によってそれぞれ絶縁されていることを特徴とする請求項１または２記載の形状可変鏡装置。
【請求項４】
複数の前記電極の最外周よりも外側の、前記基板上の領域に、複数の前記電極と同じ材料の膜が形成されており、この膜が放射状に延びた複数の前記溝によって分割されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の形状可変鏡装置。
【請求項５】
前記支持部材はシリコンを主成分とし、前記絶縁膜はシリコン酸化物を主成分とし、前記電極膜は不純物が導入されたシリコン膜を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の形状可変鏡装置。
【請求項６】
被検眼の眼底を観察するための照明光を前記眼底に照射する眼底照明系と、
請求項１乃至５のいずれかに記載の形状可変鏡装置を有し、与えられた補正量に従って前記形状可変鏡装置の形状を変化させることにより前記眼底照明系の照明光による前記眼底からの反射像を補正する補償光学部と、
前記補償光学部によって補正された前記眼底の像を受光し、眼底画像を形成する眼底画像形成用光学系と、
前記眼底画像形成光学系で形成された前記眼底画像を受光する眼底画像受光部と、
を備えたことを特徴とする眼底観察装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電気力による表面形状を変化させる形状可変鏡装置およびこの形状可変鏡装置を用いた眼底観察装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、眼底観察装置は、被検眼の眼底を観察するために、照明光を上記被検眼の眼底に照射し、眼底画像形成用光学系を通して、上記被検眼の眼底の像を受光し、検出する撮像デバイス（例えば、ＣＣＤカメラ）を備えた装置である。眼に関する病気の検知、予防の為には、出来るだけ検出精度および分解能が高いことが望ましい。しかし、眼球は収差が無い理想的なレンズではないため、検出精度および分解能を低下させる要因となる波面収差を持つ。
【０００３】
そこで、眼底の像を検出する撮像デバイスと被検眼の眼底との間に、コントローラからの情報により、その表面形状を変化させることが可能な形状可変鏡装置が設けられる。この形状可変鏡装置を介した被検眼の眼底からの像を波面センサ（例えば、シャックハルトマンセンサ）に導き、波面収差を検出する。この検出された波面収差に基づいて、波面収差を低減または無くするように、制御装置によって形状可変鏡装置の電極に電圧を印加し、形状可変鏡に静電気力を作用させて変形させる。この変形によって、波面収差のない像が撮像デバイスで得られる。
【０００４】
静電吸引力により形状が変化する形状可変鏡装置は知られている（例えば、特許文献１の図２参照）。この特許文献１の図２に記載の形状可変鏡装置は、絶縁性基板１１上に固定電極膜１２を形成し、中央に開口を有するスペーサ部１８をこの固定電極膜１２上に形成し、上記開口を覆うようにスペーサ部１８上に、反射膜１７、可動電極膜１６、およびＳｉＯ２からなる絶縁膜１４を積層し、中央に開口を有するシリコン基板１３を上記積層膜上に形成した構成となっている。したがって、反射膜１７、可動電極膜１６およびＳｉＯ２の絶縁膜１４からなる積層膜は、スペーサ部１８およびシリコン基板１３によって周辺が固定され、固定電極１２と可動電極膜１６との間の静電力により中央部が変形するメンブレン部となるように構成されている。
【特許文献１】特開平２−１０１４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
眼底視細胞の観察の為には、眼球の回転や並進運動といった動作に対してもメンブレン部の変形を追従させる必要があり、高い動特性が要求される。静電吸引力により形状が変化する形状可変鏡装置は、スペーサ部を介して、固定電極とメンブレン部が対向するように構成されている。
【０００６】
静電吸引力は、Ｆを静電吸引力、εを空気の誘電率（＝８．８５×１０−１２［Ｆ／ｍ］）、Ｓを電極面積、ｇを固定電極とメンブレン部との間の初期距離（ギャップ）、ｘをメンブレン部のたわみ量、Ｖを印加電圧とすると、下記の（１）式に示すように、
【数１】
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固定電極とメンブレン部との間の距離が小さいほど大きく働く。このため、低電圧で形状可変鏡を駆動しようとすると、その距離を非常に狭くしなくてはならない。
【０００７】
一方、対向する２面間の相対的な垂直方向の振動により、隙間内圧力の一周期間の時間平均圧力が周囲の圧力より高くなるスクイーズフィルム効果が知られている。このスクイーズフィルム効果が、固定電極とメンブレン部との間で生じ、メンブレン部の振動特性に大きな影響を及ぼす。従来、スクイーズフィルム効果による振動系の粘性係数Ｃを低減する方法として、固定電極とメンブレン部とを含む形状可変鏡装置全体を減圧環境下に封止することで対策が講じられてきた。しかし、減圧封止（減圧パッケージング）には、非常にコストがかかり、且つ減圧用ガスのリークが生じると不良品となってしまう問題があり、効率が良くなかった。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、低電圧駆動を保ちつつ、低コストで動特性を向上させることのできる静電駆動型の形状可変鏡装置およびこの形状可変鏡装置を用いた眼底観察装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様による形状可変鏡装置は、基板と、この基板上に設けられた複数の電極と、前記基板上に配置されたスペーサと、このスペーサ上に配置され、前記基板に対向する側の面から前記基板に対向する側の面と反対側の面に貫通する開口を有する支持部材と、この支持部材の前記基板に対向する側の面に設けられた絶縁膜と、前記複数の電極に対向するように間隔を持って配置されるとともに前記開口を覆うように形成され、前記絶縁膜を介して前記支持部材に支持される変形可能な電極膜と、前記電極膜の、前記複数の電極と反対側の面に設けられた反射膜と、を備え、前記複数の電極は、前記開口の中心に対応する位置を含む領域から放射状に延びている複数の溝によって少なくとも形成され、
前記支持部材は、前記電極膜、前記絶縁膜および前記スペーサを介して前記基板上に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の第２の態様による眼底観察装置は、被検眼の眼底を観察するための照明光を前記眼底に照射する眼底照明系と、第１の態様の形状可変鏡装置を有し、与えられた補正量に従って前記形状可変鏡装置の形状を変化させることにより前記眼底照明系の照明光による前記眼底からの反射像を補正する補償光学部と、前記補償光学部によって補正された前記眼底の像を受光し、眼底画像を形成する眼底画像形成用光学系と、前記眼底画像形成光学系で形成された前記眼底画像を受光する眼底画像受光部と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、低電圧駆動を保ちつつ、低コストで動特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照にしながら詳細に説明する。
【００１３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による形状可変鏡装置を図１に示す。この実施形態の形状可変鏡装置１０は、積層セラミック基板１１上に、厚さが例えば１００μｍの複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇが形成されている。また、電極１２ｇ上に配置された例えばシリカボールを用いたスペーサ１３を介して駆動部１５が設けられている。なお、電極１２ｇと駆動部１５とはスペーサ１３を介して導電性接着剤１４を用いて接着されている。駆動部１５は、中央に開口２６を有する例えば単結晶シリコンを主成分とする支持部材１６と、この支持部材１６のセラミック基板１１に対向する面上に、例えばＳｉＯ２を主成分とする絶縁膜１７が設けられている。また、絶縁膜１７のセラミック基板１１に対向する面上に、支持部材１６の上記開口２６を覆いかつ電極１２１〜１２ｎに対向するように不純物がドーピングされた単結晶シリコンを主成分とする電極膜１８が設けられている。この電極膜１８は、絶縁膜１７を介して支持部材１６に支持されている。また、電極膜１８の電極１２１〜１２ｎと反対側の面上の領域であって、支持部材１６の開口２６と重なる領域には、反射膜１９（反射部）が設けられている。電極膜１８と、反射膜１９とが変形可能なメンブレン部２０を構成する。
【００１４】
複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇの表面と、駆動部１５の底面との間の距離（ギャップ）がスペーサ１３および電極１２ｇによって調整される。その際、電極１２ｇが接地電極としての役割を果たす。ここで、ギャップを調整するスペーサ１３と、駆動部１５からの接地のための電極１２ｇをそれぞれ別の位置に設ける構造でも、もちろん構わない。複数の電極１２１〜１２ｎにはそれぞれ電圧発生部２８から発生された電圧Ｖ１〜Ｖｎが印加される。複数の電極１２１〜１２ｎに電圧Ｖ１〜Ｖｎが印加されることにより、メンブレン部２０に静電吸引力が作用し、変形する。すなわち、複数の電極１２１〜１２ｎは駆動電極１２ｄを構成する。複数の電極１２１〜１２ｎに電圧Ｖ１〜Ｖｎが印加されることにより、メンブレン部２０に静電吸引力が作用し、変形する。この変形したメンブレン部を符号２０ａで示す。
【００１５】
駆動電極１２ｄおよび接地電極１２ｇの配置を図２に示す。メンブレン部２０と対向するように配置された駆動電極１２ｄは、メンブレン部２０の中心位置と対向する位置を中心として、溝１２ａによって同心円状に分割され且つ放射状に周期的に分割され、それぞれ絶縁された複数の電極１２１〜１２ｎを有する構造となっている。接地電極１２ｇは駆動電極１２ｄの最外周よりも外側に設けられている。そして、駆動電極１２ｄの最外周部の部分よりも外側の、接地電極１２ｇを除いた領域では、各電極１２１〜１２ｎに比べて高さが１００μｍ程度低くなり、積層セラミック基板１１の表面が露出している状態となっている。従って、複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇの表面と駆動部１５の底面との間の距離と、電極間の溝１２ａの底面と駆動部１５の底面との間の距離とは、電極の膜厚分、すなわち１００μｍ程度異なっている。なお、図２からわかるように、メンブレン部２０の中心位置と対向する位置には、メンブレン部２０の中心位置が変形可能なように、複数の駆動電極のうちの一つの電極が設けられている。
【００１６】
次に、駆動電極１２ｄおよび接地電極１２ｇの形成方法を図３（ａ）乃至図３（ｅ）を参照して説明する。まず図３（ａ）に示すように、積層セラミック基板１上に例えば、Ｎｉを主成分とする下地層（図示せず）を形成し、この下地層上に導電材料例えばＣｕを主成分とするＣｕ層１２０を１００μｍ程度厚く成膜する（図３（ｂ））。続いて、Ｃｕ層１２０上にマスク１３０を形成した後、Ｃｕ層１２０をサンドブラスト加工にてＣｕ層１２０に溝１２ａを形成し、この溝１２ａによって複数のＣｕ層１２０に分割する（図３（ｃ））。更に、マスク１３０を除去した後、複数に分割されたＣｕ層１２０の表面を研磨して平坦化する（図３（ｄ））。続いて、分割されたＣｕ層１２０の表面にＮｉを主成分とする下地層（図示せず）をＮｉメッキにより形成し、その後、表面にＡｕ層１２２を金メッキでコーティングする。このような加工工程により、溝１２ａによって分割された複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇが形成される。これにより、複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇの表面の平行度を確保しつつ、各電極の間に深い溝１２ａを形成することができる。すなわち、電極１２１〜１２ｎ、１２ｇは、Ｎｉ層（下地層）／Ｃｕ層／Ｎｉ層（メッキ下地層）／Ａｕ層の４層構造となっている。
【００１７】
次に、本実施形態による形状可変鏡装置の製造方法を図４（ａ）乃至図５（ｃ）を参照して説明する。
【００１８】
まず、図４（ａ）に示すように、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板１６、１７、１８を用意する。一般的に、ＳＯＩ基板は、以下のように形成される。単結晶Ｓｉウェハーを用意し、熱酸化炉等によりウェハー全体（表裏面共に）にＳｉＯ２膜を生成する（膜厚は表裏共に同一）。その後、もう一枚の単結晶Ｓｉウェハーを、ＳｉＯ２膜を介して接合し、接合後、接合した単結晶Ｓｉウェハーを所望の厚さとなるまで研磨工程により薄くする。その後、接合面として用いなかったＳｉＯ２膜を除去し、単結晶Ｓｉ層（支持部材）１６／ＳｉＯ２膜（絶縁膜）１７／単結晶Ｓｉ層（電極膜）１８の三層構造によるＳＯＩ基板１６、１７、１８を得る。なお、単結晶Ｓｉ層１８には不純物が導入され、導電性の膜となっている。
【００１９】
続いて、図４（ｂ）に示すように、単結晶Ｓｉ層１６上に、フォトレジストを塗布し、このフォトレジストに対して露光、現像を行うことにより、中央に開口を有するレジストパターン１００を形成する。
【００２０】
次に、図４（ｃ）に示すように、レジストパターン１００をマスクとして、単結晶Ｓｉ層１６をＤｅｅｐ−ＲＩＥ(Reactive Ion Etching)を用いたドライエッチングにより単結晶Ｓｉ層１６の中央に開口２６を形成する（図４（ｃ）参照）。単結晶Ｓｉ層１６のエッチング工程は、ＳｉＯ２膜１７をエッチングストップとして用いる。すなわち、ＳｉＯ２膜１７が露出したらエッチングを終了する。
【００２１】
次に、レジストパターン１００を除去する（図４（ｄ）参照）。その後、例えば、稀釈弗酸もしくはフッ化アンモン等に浸し、開口２６の底部に存在するＳｉＯ２膜１７を除去する（図４（ｅ））。
【００２２】
次に、光学的な反射特性を得るために、少なくとも開口２６の底部を覆うように例えばＡｌを主成分とする金属薄膜１９ａを例えば蒸着等により形成し（図５（ａ））、続いて、傷および汚れ等への対策を担う保護膜としてＳｉＯ２薄膜１９ｂを例えば蒸着によりを成膜する（図５（ｂ））。なお、本実施形態においては、開口２６の側面および単結晶Ｓｉ層１６上にも金属薄膜１９ａおよびＳｉＯ２薄膜１９ｂが形成される。金属薄膜１９ａおよびＳｉＯ２薄膜１９ｂが反射膜１９となる。このようにして、形状可変鏡装置の駆動部１５を完成させる。なお、駆動部１５は、例えば外形形状（平面形状）が正方形である。
【００２３】
次に、図５（ｃ）に示すように、駆動部１５を、電極１２１〜１２ｎ、１２ｇが形成されたセラミック基板１１にスペーサ１３を介して接着剤１４により接着し、形状可変鏡装置を完成する。
【００２４】
次に、本実施形態のように、溝１２ａによって複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇ構造とすることにより、振動系の粘性係数Ｃを低減することが可能になることを、以下に説明する。
【００２５】
複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇに電圧を印加しないとき、複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇの表面と、メンブレン部２０及び駆動部１５の底面との間の距離（ギャップ）がそれぞれ５０μｍおよび６０μｍとなるように形成した形状可変鏡装置を作製し、それぞれのメンブレン部２０の変形の応答性を測定した結果および解析した結果を図６および図７に示す。ただし、作成した形状可変鏡装置は、複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇ間の溝１２ａの深さが非常に浅くセラミック基板１１の上面に達しない構成か、或いはセラミック基板１１の上面に達する溝が形成されていても、本実施形態と異なり、最外周電極の外側には電極と同じ高さの壁が存在し、ギャップ間の流体の出入りが拘束されている構成となっている。図６および図７からわかるように、ギャップが５０μｍの場合に比べ、６０μｍの場合の方が、メンブレン部２０の変形の応答性が良い。
【００２６】
更に、複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇの表面と、メンブレン部２０及び駆動部１５の底面との間の距離（ギャップ）を変化させたときの、スクイーズフィルム減衰係数（応答性劣化の原因となる）およびスクイーズフィルム剛性係数の変化を解析した結果を図８に示す。図８からわかるように、複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇの表面と、メンブレン部２０及び駆動部１５の底面との間の距離（ギャップ）が広がるほど、スクイーズフィルム減衰係数およびスクイーズフィルム剛性係数が低減していくことが分かる。
【００２７】
一方、本実施形態のように、基板１１の上面に達する深い溝１２ａを電極間に放射状に形成し、且つ最外周部の電極よりも外側の領域では積層セラミック基板１１の上面が露出している状態にすることは、流体にとっては見かけ上、メンブレン部２０及び駆動部１５の底面との間の距離（ギャップ）を広げることと等価なこととなり、スクイーズフィルム減衰係数が低減し、その結果、メンブレン部２０の応答性の向上が期待できる。更に、複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇの表面と、メンブレン部２０及び駆動部１５の底面との間の実際の距離（ギャップ）によって、静電吸引力は働くので、駆動電圧を増加させる必要がない。
【００２８】
なお、放射状に形成された溝１２ａは、本実施形態においては、等角度に配置されていたが、等角度に配置されていなくても良い。
【００２９】
以上、説明したように、基板１１の表面に達する深い溝１２ａを電極間に放射状に形成し、更に最外周部の電極よりも外側の領域では、各電極１２１〜１２ｎ、１２ｇに比べて高さが低い構成にしたことにより、メンブレン部２０の応答性向上が期待でき、且つ駆動電圧増加の必要性も無くすことができる。
【００３０】
また、電極間の溝１２ａを放射状に形成するばかりでなく、更に同心円状の溝１２ａを複数個に形成すれば、放射状に形成されたある溝１２ａを介して外側に流出できなかった流体（空気）が同心円状に形成された溝１２ａを介して、放射状に形成された他の溝１２ａに流れ込むことが可能となるので、更にスクイーズフィルム減衰係数が低減し、その結果、メンブレン部２０の応答性の更なる向上が期待できる。
【００３１】
したがって、本実施形態によれば、低電圧駆動を保ちつつ、低コストで動特性を向上させることができる。
【００３２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による形状可変鏡装置を説明する。本実施形態の形状可変鏡装置は、第１実施形態の形状可変鏡装置において、複数の駆動電極１２１〜１２ｎの最外周部の電極よりも外側の領域にも、これらの電極と同じ高さの電極材料１２ｃを残し且つ複数の駆動電極１２１〜１２ｎを形成するために設けられた放射状に延びる溝１２ａが延在する構成となっている。（図９）
このような構造にすることで、流体にとっては見かけ上、メンブレン部２０及び駆動部１５の底面との間の距離（ギャップ）を広げたことと等価なこととなり、スクイーズフィルム減衰係数が低減し、その結果、メンブレン部２０の応答性の向上が期待できる。更に、複数の電極１２１〜１２ｎ、１２ｇの表面と、メンブレン部２０及び駆動部１５の底面との間の実際の距離（ギャップ）によって、静電吸引力は働くので、駆動電圧を増加させる必要がない。
【００３３】
以上、説明したように、本実施形態によれば、電極間の溝１２ａを放射状に周期的に形成し、更にメンブレン部２０及び駆動部１５と対向する位置よりも外側まで、溝１２ａが伸びた状態更にすることにより、メンブレン部１２の応答性向上が期待でき、且つ駆動電圧増加の必要性も無くすことができる。
【００３４】
したがって、本実施形態によれば、低電圧駆動を保ちつつ、低コストで動特性を向上させることができる。
【００３５】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による眼底観察装置を説明する。
【００３６】
本実施形態の眼底観察装置は第１または第２実施形態の形状可変鏡装置１０を備えており、その概略構成を図４に示す。本実施形態の眼底観察装置１は、波面補正系８と、眼底照明系２と、眼底観察系３と、アライメント系４と、固視系５と、補償光学部７０と、を備える。波面補正系８は、点像投影光学系８１、点像受光光学系８２、点像受光部８３（ＣＣＤ）を備える波面測定系８０と、コンピュータ８４と、制御部８５を有する。コン
ピュータ８４は、光学特性測定部８４１と、画像データ形成部８４２と、補償量決定部８４３と、メモリ８４４と、表示部８４５とを備える。
【００３７】
眼底照明系２は、第２光源部、集光レンズ、およびビームスプリッタを備え、第２光源部からの第２光束で被検眼網膜上の所定領域を照明するためのものである。眼底観察系３は、眼底画像形成用光学系３６と眼底画像受光部３８（ＣＣＤ）とを備える。眼底画像形成用光学系３６は、例えばアフォーカルレンズ８８、補償光学部７０、集光レンズ、ビームスプリッタを備え、眼底６１で反射した光を、補償光学部７０を介して眼底画像受光部３８に導く。補償光学部７０は、測定光の収差を補償する形状可変鏡装置１０、光軸方向に移動して球面成分を補正する移動プリズムや球面レンズを有している。補償光学部７０は、点像投影光学系８１と眼底画像形成用光学系３６中に配置され、例えば被検眼６０から反射して戻ってくる反射光束の収差を補償する。
【００３８】
アライメント系４は、集光レンズ、アライメント受光部を備え、光源部から発せられて被検眼６０の角膜６２から反射して戻ってくる光束をアライメント受光部に導く。固視系５は、例えば被検眼６０の固視や雲霧をさせる為の視標を投影する光路を含むものであって、第３光源部５１、固視標５２、リレーレンズを備える。第３光源部５１からの光束で固視標５２を眼底６１に照射することができ、被検眼６０にその像を観察させる。
【００３９】
光学特性測定部８４１は、点像受光部８３からの出力に基づき、被検眼６０の高次収差を含む光学特性を求める。画像データ形成部８４２は、光学特性に基づき視標の見え具合のシミュレーションを行ない、シミュレーション画像データ又は見え具合を示すＭＴＦ等の被検眼データを算出する。メモリ８４４は、形状可変鏡装置１０を調整するための複数の電圧変化テンプレートを記憶している。補償量決定部８４３は、メモリ８４４に記憶されている電圧変化テンプレートを選択して、選択した電圧変化テンプレートに基づき、形状可変鏡装置１０の補正量を決定して、補正量を制御部８５に出力する。制御部８５は、補償量決定部８４３からの出力に基づいて形状可変鏡装置１０を変形させる。
【００４０】
本実施形態の眼底観察装置によれば、以下の効果がある。即ち、被検眼６０の眼底からの反射光は、眼光学系が不完全であるため収差を含み、鮮明な眼底像は得られない。そこで、現在の眼底カメラにおいて、シリンダー成分（Zernike（２．±２）成分）は補正用シリンダーレンズを光路に入れて補正しているが、シリンダーレンズの屈折度数間隔もある一定間隔｛例えば３Ｄ（ディオプター）間隔｝と制限があり、充分に収差補正された鮮明な眼底像を得ることができない。そこで、この光学的ひずみを形状可変鏡装置１０で補正することができる。メンブレン部と電極間距離を大きくとり、形状可変鏡装置１０を高い駆動電圧で駆動すると、シリンダーレンズの屈折度数間隔をカバーできるような大きな収差量が補正できる。また、メンブレン部下の電極数を多くすることで、複雑な収差を補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態による形状可変鏡装置を示す断面図。
【図２】第１実施形態に係る複数個に分割された電極の形状を示す上面図。
【図３】第１実施形態に係る電極の製造工程を示す断面図。
【図４】第１実施形態の形状可変鏡装置の製造方法を示す断面図。
【図５】第１実施形態の形状可変鏡装置の製造方法を示す断面図。
【図６】メンブレン部の応答性の測定および解析結果を示す図。
【図７】メンブレン部の応答性の測定および解析結果を示す図。
【図８】メンブレン部の振動特性を示す図。
【図９】本発明の第２実施形態に係る電極の形状を示す上面図。
【図１０】本発明の第３実施形態による眼底観察装置を示すブロック図。
【符号の説明】
【００４２】
１０  形状可変鏡装置
１１    積層セラミック基板
１２１〜１２ｎ  駆動電極
１２ｇ  グランド電極
１３  スペーサ（シリカボール）
１４  導電性接着剤
１５  駆動部
１６  支持部材
１７  絶縁膜
１８  導電膜
１９  反射膜
１９ａ  Ａｌ薄膜
１９ｂ  ＳｉＯ２薄膜（保護膜）
２０  メンブレン部（変形前）
２０ａ  メンブレン部（変形後）
２６  開口
２８  電圧発生部
【図１】
2009042458.tif 000004
【図２】
2009042458.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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