(57)【要約】【課題】高次横モード発振を抑制しながら基本横モードを維持することができ、一層の高出力が可能となる面発光レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】活性層に電流を注入する経路となる開口部を備え、該開口部の周辺に設けられている電流狭窄領域を有する面発光レーザであって、  前記活性層を挟んで光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を備え、  前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記開口部の径よりも小さい径によって構成される。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層に電流を注入する経路となる開口部を備え、該開口部の周辺に設けられている電流狭窄領域を有する面発光レーザであって、
前記活性層を挟んで光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を備え、
前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記開口部の径よりも小さい径によって構成されていることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記電流狭窄領域は、前記活性層における光強度分布の最大強度の５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記電流注入領域における電流注入経路の径をＤｉとし、前記開口部の径をＤｏとするとき、つぎの関係式（１）を満たすことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の面発光レーザ。
Ｄｉ＜Ｄｏ−４（μｍ）………（１）
【請求項４】
前記電流注入領域は、基板に形成された配線パターンに接合させて構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記配線パターンが形成された基板は、シリコンによる基板、アルミナによる基板、絶縁膜が形成されたＣｕＷによる基板、のうちのいずれかの基板であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記配線パターンが形成された基板がシリコン基板であり、該基板に面発光レーザを駆動する駆動回路が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の面発光レーザが、一次元または、二次元に配列されていることを特徴とする面発光レーザアレイ。
【請求項８】
活性層に電流を注入する経路となる開口部を備えた電流狭窄領域を有する面発光レーザの製造方法であって、
基板上に、前記電流狭窄領域を形成するための層を含むメサ構造の面発光レーザパターンを形成する工程と、
前記電流狭窄領域を形成するための層に、活性層に注入する電流の経路となる開口部を備え、該開口部の周辺を絶縁化して電流狭窄領域を形成する工程と、
前記メサ構造の頂部中央に、電流注入経路の径が前記電流狭窄領域の開口部の径よりも小さい径を備えた電流注入領域を、前記活性層を挟んで光出射側と反対側に形成する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
【請求項９】
前記電流注入領域を形成した後、該電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合する工程を、更に有することを特徴とする請求項８に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１０】
前記電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合した後、面発光レーザパターンを形成する工程で用いた前記基板を除去する工程を、更に有することを特徴とする請求項９に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１１】
前記メサ構造の面発光レーザパターンを形成する工程で用いる基板がＧａＡｓ基板であり、
前記電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合する工程で用いる基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の面発光レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザおよびその製造方法に関し、特に基本横モードによる更なる高出力と量子効率の向上を目指す面発光レーザおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ、以下ＶＣＳＥＬと略す）では、基本横モードのレーザ発振を得るため、発光領域の径を５μｍ程度まで狭める構成が採られていた。
そのため、活性層領域の体積が小さくなり、光出力の低下を来していた。
このようなことから、特許文献１では、基本横モード発振に影響を与えることなく、高次横モード発振を抑制するようにした面発光半導体レーザが提案されている。
この面発光半導体レーザは、図５に示すように、半導体基板１０１上に、下部ｎ型ＤＢＲ層１０３、活性領域１０４、上部ｐ型ＤＢＲ層１０６が設けられている。
上部ｐ型ＤＢＲ層１０６の上にあって、レーザ光の出射領域となる開口部１２７を有する上部ｐ型電極１０８が形成されており、更に、酸化領域として形成された電流狭窄部１２４を備えた構成が採られている。
この面発光型半導体レーザは、以上の構成において、上部ｐ型電極１０８に対応する共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードと基本横モードとにおける共振器の光学損失の差が大きくなるように、電流狭窄部の開口径と電極の開口部径とが決定される。
すなわち、このようにして、活性層近傍に設けられ、電流の経路を制限するために挿入される電流狭窄部の開口径と、レーザ光を出射するために形成された電極の開口部径とが決定され、基本横モードで高い光出力が達成される。
【特許文献１】特開２００２−２０８７５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
メサ構造の発光素子において、活性層近傍に設けられる電流狭窄部は、メサ構造の加工面を流れる漏洩電流を低減する上で、非常に効果があり、高効率のメサ型ＶＣＳＥＬにおいて極めて重要な構成となっている。
一方、レーザ発振は、共振器の反射特性の他に、活性層における発光再結合（利得）分布にも依存している。
特に、酸化領域によって活性層に注入する電流の経路を制限する（電流狭窄を行う）開口部を有する電流狭窄部の構造では、電流は開口部に制限されるが、開口部の周辺部に集中するため、必然的に利得が大きくなり、高次横モードが励起される。したがって、特許文献１のように、共振器の反射損失を制御して、基本横モード発振を実現する構成では、上記したように高次横モードの利得は増大してしまうので、共振器の反射損失を増大させて、高次横モードを抑圧させることとなる。
そのため、このように従来例においては、注入電力を光出力に変換される際の効率（量子効率）の点で、課題を有している。
また、電流狭窄領域の酸化領域の屈折率と、酸化されていない領域の屈折率の差が大きいため、導波光が強く閉じ込められる屈折率導波型となり、高次横モードが立ち易い導波路構造である点においても、課題を有している。
【０００４】
本発明は、上記課題に鑑み、高次横モード発振を抑制しながら基本横モードを維持することができ、一層の高出力が可能となる面発光レーザおよびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下のように構成した面発光レーザおよびその製造方法を提供するものである。
本発明の面発光レーザは、活性層に電流を注入する経路となる開口部を備え、該開口部の周辺に設けられている電流狭窄領域を有する面発光レーザであって、
前記活性層を挟んで光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を備え、
前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記開口部の径よりも小さい径によって構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記電流狭窄領域は、前記活性層における光強度分布の最大強度の５０％以下であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記電流注入領域における電流注入経路の径をＤｉとし、前記開口部の径をＤｏとするとき、つぎの関係式（１）を満たすことを特徴とする。
Ｄｉ＜Ｄｏ−４（μｍ）………（１）
また、本発明の面発光レーザは、前記電流注入領域が、基板に形成された配線パターンに接合させて構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記配線パターンが形成された基板が、シリコンによる基板、アルミナによる基板、絶縁膜が形成されたＣｕＷによる基板、のうちのいずれかの基板であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記配線パターンが形成された基板がシリコン基板であり、該基板に面発光レーザを駆動する駆動回路が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザアレイは、上記したいずれかに記載の面発光レーザが、一次元または、二次元に配列されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、活性層に電流を注入する経路となる開口部を備えた電流狭窄領域を有する面発光レーザの製造方法であって、
基板上に、前記電流狭窄領域を形成するための層を含むメサ構造の面発光レーザパターンを形成する工程と、
前記電流狭窄領域を形成するための層に、活性層に注入する電流の経路となる開口部を備え、該開口部の周辺を絶縁化して電流狭窄領域を形成する工程と、
前記メサ構造の頂部中央に、電流注入経路の径が前記電流狭窄領域の開口部の径よりも小さい径を備えた電流注入領域を、前記活性層を挟んで光出射側と反対側に形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記電流注入領域を形成した後、該電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合する工程を、更に有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合した後、面発光レーザパターンを形成する工程で用いた前記基板を除去する工程を、更に有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記メサ構造の面発光レーザパターンを形成する工程で用いる基板がＧａＡｓ基板であり、
前記電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合する工程で用いる基板がシリコン基板であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、高次横モード発振を抑制しながら基本横モードを維持することができ、一層の高出力が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
つぎに、本発明の実施の形態における面発光レーザについて説明する。
図１に、本実施形態における面発光レーザの構成例を説明する概略斜視図を示す。
図１において、５は活性領域、６は電流狭窄領域、８は電流注入領域、４１はｐ型金属電極（下部電極）、５１はシリコン基板、５２は金属配線、６１はｎ型金属電極（上部電極）、６２は光放射用窓である。
本実施形態における面発光レーザは、活性領域（活性層）５を挟み、ＤＢＲ−１（上部多層膜反射鏡）とＤＢＲ−２（下部多層膜反射鏡）とによって共振器が構成されている。
また、この共振器の上下に、レーザ光を出射する光放射用窓６２が設けられたｎ型金属電極（上部電極）６１と、この光放射用窓６２による光出射側と反対側に設けられた電流注入領域が形成されたｐ型金属電極（下部電極）４１を備えている。
また、活性層に隣接して設けられ、電流流路の周縁部を絶縁化して形成された開口部を備えた電流狭窄部（電流狭窄領域）６を備えている。
その際、ｐ型金属電極（下部電極）４１の前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記電流狭窄部６における開口部の径よりも小さくなるように構成されている。
また、本実施の形態においては、前記光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を形成する下部電極が、配線パターンが形成された基板、または面発光レーザの駆動回路が形成された基板の配線に接合させて構成することができる。
前記配線パターンが形成された基板は、シリコン基板、アルミナによる高熱伝導絶縁基板、絶縁膜が形成されたＣｕＷによる高熱伝導基板のいずれかによって構成することができる。
また、本実施の形態においては、上記した面発光レーザを、一次元または、二次元に配列して面発光レーザアレイを構成することができる。
【０００８】
本実施形態における上記構成によれば、ｐ型金属電極（下部電極）４１の前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記電流狭窄部６における開口部の径よりも小さ径で構成することにより、電流を電流狭窄部の開口部の中心部に集中させることができる。
そのため、電流が電流狭窄部の開口部の周辺に集中することによる高次横モードの利得の増大を回避することができ、基本横モードによる高出力と量子効率の向上の実現が可能となる。
同時に、導波光の大部分が、屈折率が大きく変化する絶縁化領域から離れることによって、導波路の光閉じ込めが弱くなり、導波路特性として高次横モード発振を抑制することが可能となる。
また、本実施形態における上記構成によれば、下部電極を配線パターンが形成された基板、あるいは面発光レーザの駆動回路が形成された基板に直接接合することが可能となる。
これにより、駆動回路を含む発光装置の組み上げにおいて、実装工程におけるワイヤーボンディング数を削減でき、装置の小型化を図ることができる。
また、本実施形態における上記構成によれば、面発光デバイスを接合する基板を、熱伝導率の高い基板で構成することにより、高い光出力が得られる。
また、アレイ形態では、隣接素子の相互干渉を低減することができる。
このように、本実施形態に係る発明は、活性層に電流を注入する経路となる開口部を備え、該開口部の周辺に設けられている電流狭窄領域を有する面発光レーザであるが、必ずしもレーザに限らず、発光素子であれば、ＬＥＤであってもよい。
但し、前記活性層を挟んで光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を備え、前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記開口部の径よりも小さい径によって構成されていることが特徴である点は同じである。
また、前記電流狭窄領域は、前記活性層における光強度分布の最大強度の５０％以下となるようにするのがよい。より好ましくは、３０％以下であり、下限は特に限定されないが、例えば、５％以上である。
【０００９】
つぎに、本発明の実施の形態における面発光レーザの製造方法について説明する。
図２及び図３に、本実施形態における面発光レーザの製造方法を説明する図を示す。
図２（ａ）〜（ｄ）は本実施形態における面発光レーザの製造方法を説明する製造工程図である。
また、図３（ｅ）〜（ｇ）は本実施形態における面発光レーザの製造方法を説明する図２（ａ）〜（ｄ）に続く製造工程図である。
【００１０】
ます、図２（ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板１上に公知の技術であるＭＯＣＶＤ法により、以下のように各層を成長させる。
すなわち、ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＡｌＡｓ層３、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層４、ｎ型ＤＢＲ−１層、活性領域５、ｐ型ＡｌＡｓ層６、ｐ型ＤＢＲ−２層、およびｐ型コンタクト層７を、順次成長させる。
ｎ型ＤＢＲ−１層は、Ａｌ組成の異なるＡｌｙＧａ１−ｙＡｓとＡｌｚＧａ１−ｚＡｓとを各層の膜厚がλ／４ｎr（ただし、λはレ−ザの発振波長、ｎrは構成する媒質の屈折率）となるように交互に積層した積層体である。
活性領域５は、複数の量子井戸層と障壁層及びこれらの量子構造を挟むアンドープのＡｌｘＧａ１−ｘＡｓよりなるスペーサ層で構成される。
ｐ型ＡｌＡｓ層６は、後に水蒸気により酸化処理が行われ、電流狭窄領域を形成する層である。
ｐ型ＤＢＲ−２層は、Ａｌ組成の異なるＡｌｙＧａ１−ｙＡｓとＡｌｚＧａ１−ｚＡｓとを各層の膜厚がλ／４ｎrとなるように交互に積層した積層体である。ｐ型コンタクト層７は、金属電極を形成することでオーミックコンタクトを得るものである。
【００１１】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板全面に絶縁膜を堆積した後、フォトリソプロセス及び公知のエッチング技術により、少なくともｐ型ＡｌＡｓ層６が露出するまでエッチングを行い、ＶＣＳＥＬパターン２１を形成する。
続いて、図２（ｃ）に示すように、公知技術であるウエット酸化により、前記露出しているｐ型ＡｌＡｓ層６を、メサ形状の周囲からを選択的に酸化させ、酸化領域に囲まれた非酸化領域（開口部）を形成する。
これにより、活性領域の近傍に活性層への電流パスとなる開口部を有する電流狭窄部を形成する。
【００１２】
メサ構造の発光素子において、活性層近傍に設けられる電流狭窄領域の酸化領域は、メサ構造の加工面を流れる漏洩電流を低減する上で、非常に効果があり、メサ型ＶＣＳＥＬにおいて重要な構成である。
本実施形態において、前記面発光デバイスの活性層の近傍に形成される電流狭窄部の開口部径は、電流注入領域の径に応じて決められる（図１参照）。
大まかには、電流狭窄部を有しない構成の活性層における電子・正孔再結合が、最大強度のおよそ５０％以下である領域に、電流狭窄部の酸化領域が形成されていることが望ましい。
図４は、２μｍの電流注入領域を有するメサ構造において、活性層の近傍で電流狭窄を行わない状態における再結合の強度分布のシミュレーション結果を示す図である。活性層において、再結合強度が最大値の５０％以下になる領域は、電流注入領域よりおよそ４μｍ広がる。
すなわち、前記電流注入領域における電流注入経路の径をＤｉとし、電流狭窄領域における開口部の径をＤｏとするとき（図１参照）、およそ以下の関係式（１）を満たすことが望ましい。
Ｄｉ＜Ｄｏ−４（μｍ）………（１）
次に、図２（ｄ）に示すように、一旦絶縁層を除去し、絶縁層３１を堆積し、メサの頂部中央付近に開口部３２を形成する。
その後、図３（ｅ）に示すように、この開口部３２を含む領域に、電流注入領域８を形成したｐ型金属電極４１を連続堆積する。
【００１３】
一方、図３（ｆ）に示すように、シリコン基板５１に絶縁層を形成した後、フォトリソプロセスにより、図３（ｅ）のメサパターンに対応した金属配線パターン５２を形成する。
この金属配線パターンと図３（ｅ）の構造体とを、図３（ｇ）に示すように対面させて接合する。
この接合には、公知技術である直接接合技術を用いることができる。
すなわち、それぞれの金属表面をクリーニングした後、接触させ、熱と圧力をかけることによって行うことができる。
【００１４】
次に、ＧａＡｓ基板１を公知の技術により除去する。本実施形態では、ＧａＡｓ基板１の近くに積層したｎ型ＡｌＡｓ層３をフッ酸系のエッチング液により選択エッチングすることにより、ＧａＡｓ基板１を除去する。
続いて、その除去面にレーザ光を出射するための開口部を有するｎ型電極を形成して、ＶＣＳＥＬを完成させる。
なお、前記  配線パターンを形成したシリコン基板をＶＣＳＥＬの駆動に必要な回路が形成されているウエハとすることで、小型な発光装置が実現できる。このような小型発光装置は、複数の発光素子が１次元または２次元に配列する装置では非常に有用である。
【００１５】
以上の工程で作製されたＶＣＳＥＬにおいて、ｐ側電極の小さい電流注入領域から注入されたホール電流は、拡散により多少横方向に広がりながら活性層に到達するが、その電流分布の主要部は電流狭窄部の開口より小さく、電流分布は単峰性となる。
したがって、活性層で再結合によって発生する光強度分布、及び、この光が活性層の上下に存在するＤＢＲミラーで共振するレーザ光の強度分布も、単峰性となる。
また、前述した従来例では、電流と光が電流狭窄部の開口部の周辺部に集中するのに対し、本構成では、電流狭窄部の開口部の中心部に集中するため、屈折率が大きく変化する開口部近傍の影響が小さく、利得導波型導波路となり、高次横モードを生じ難くなる。
つまり、活性層近傍に設けられた電流狭窄部によって、メサ構造の加工面を流れる漏洩電流を低減するとともに、高次横モード発振を抑制しながら基本横モードの利得を増大できるので、高出力が可能となるＶＣＳＥＬを得ることができる。
【００１６】
なお、ｐ側の注入領域を形成する金属電極が活性層で発生した光を反射するため、ｐ側の多層膜反射ミラーの反射率が低くても、レーザ発振に必要な反射が得られるので、多層膜の層数を減らすことが可能である。
また、この金属電極の反射ミラーは波長依存性が小さいので、この構成により、多層膜ミラーの波長依存性が軽減できる。
また、上記した本実施の形態の製造方法によれば、ウエハプロセスでの製造が可能となり、量産に適した製造方法を実現することができる。
【実施例】
【００１７】
つぎに、本発明の本実施例における面発光レーザの製造方法について説明する。
本実施例の面発光レーザの製造方法は、基本的には上記した本発明の実施形態のものと変わらないので、本発明の実施形態で用いた図２及び図３を用いて説明する。
まず、最初の工程において、ＧａＡｓ基板１上に公知の技術であるＭＯＣＶＤ法により、各層を順次成長させる。
すなわち、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＡｌＡｓ層３、ｎ型Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ａｓ層４、ｎ型ＤＢＲ−１層、活性領域５、ｐ型ＡｌＡｓ層６、ｐ型ＤＢＲ−２層、およびｐ型コンタクト層７を、順次成長させる（図２（ａ））。ｎ型ＤＢＲ−１層は、Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓとＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとを各層の膜厚がλ／４ｎr（ただし、λはレ−ザの発振波長、ｎrは構成する媒質の屈折率）となるように交互に２９．５周期積層した積層体である。
活性領域は、アンドープのＡｌ０．１Ｇａ０．８９Ａｓよりなる量子井戸層と、アンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓよりなる障壁層と、これらの量子構造を挟むアンドープのＡｌ０．２５Ｇａ０．７５Ａｓよりなるスペーサ層で構成される。
ｐ型ＡｌＡｓ層６は、後に水蒸気により酸化処理が行われ、電流狭窄領域を形成する層である。
ｐ型ＤＢＲ−２層は、Ａｌ０．８Ｇａ０．２ＡｓとＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとを各層の膜厚がλ／４ｎrとなるように交互に４０．５周期積層した積層体である。
ｐ型コンタクト層７は、金属電極を形成することでオーミックコンタクトを得るため、高キャリヤ濃度である。
【００１８】
次に、基板上に、前記電流狭窄領域を形成するための層を含むメサ構造の面発光レーザパターンを形成する。
基板上面にＳｉＯＮ膜を堆積した後、レジストパターン２１を形成し、このパターンをマスクに、公知のエッチング技術により、少なくともＡｌＡｓ層６が露出するまでエッチングを行って３０μｍ径のメサ形状を形成した後、レジストを除去する（図２（ｂ））。
【００１９】
次に、前記電流狭窄領域を形成するための層の周辺部を酸化して活性層に電流を注入する経路となる開口部を有する電流狭窄領を形成する。
公知技術であるウエット酸化により、前記露出しているＡｌＡｓ層６をメサ形状の周囲からを選択的に酸化させ、酸化領域に囲まれた非酸化領域（開口部）を形成する。
これにより、活性領域の近傍に活性層への電流パスとなる開口部を有する電流狭窄部を形成する（図２（ｃ））。
【００２０】
次に、前記メサ構造の頂部中央に、電流注入経路の径が前記電流狭窄領域の開口部の径よりも小さい径を備えた電流注入領域を、前記活性層を挟んで光出射側と反対側に形成する工程において、つぎのように電流注入領域を形成する。
ＳｉＯＮ膜を除去し、全面にＳｉＮ保護膜（絶縁層）３１を堆積した後、円柱の頂部のほぼ中央付近に１０μｍ径の円形の窓（開口部）３２を開け（図２（ｄ））、ｐ型金属電極４１となるＴｉ、Ａｕ  を連続堆積する（図３（ｅ））。
【００２１】
一方、前記電流注入領域を形成した後、該電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合する工程において、これらをつぎのように対面させて接合させる（図３（ｇ））。
表面にＡｕが露出した配線パターン５２を有するシリコン基板５１を別途準備し、この金属配線パターンと図３（ｅ）の構造体を、対面させで接合させる。
接合は、それぞれの金表面をクリーニングした後、接触させ、熱と圧力をかける直接接合によって行う（図３（ｆ））。
【００２２】
次に、前記電流注入領域を形成した面を配線パターンが形成された別基板に対面させて接合した後、面発光レーザパターンを形成する工程で用いた前記基板を除去する工程において、ＧａＡｓ基板１を公知の技術により除去する。
本実施例では、ＧａＡｓ基板１の近くに積層したｎ型ＡｌＡｓ層３をフッ酸系のエッチング液により選択エッチングすることにより、ＧａＡｓ基板１を除去する手法を用いた。
続いて、その除去面にレーザ光を出射するための開口部を有するｎ型電極を形成して、ＶＣＳＥＬを完成させる。
【００２３】
本実施例の構成によれば、基本横モード発振で高出力が得られると供に、放熱性に優れるので、アレイ形態での隣接素子間の相互干渉が小さく、実装が容易で、発光装置を小型化することができる。
また、これにより、アレイで使用される複写機やプリンタのレーザスキャナーの光源に適した面発光レーザを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態における面発光レーザの構成例を説明する概略斜視図。
【図２】本発明の実施形態における面発光レーザの製造方法を説明する図であり、図２（ａ）〜（ｄ）はその製造工程図である。
【図３】本発明の実施形態における図２（ａ）〜（ｄ）に続く面発光レーザの製造方法を説明する製造工程図である。
【図４】本発明の実施形態の２μｍの電流注入領域を有するメサ構造の面発光レーザにおいて、活性層の近傍で電流狭窄を行わない状態における再結合の強度分布のシミュレーション結果を示す図。
【図５】従来例である特許文献１における面発光レーザの構成を説明する図。
【符号の説明】
【００２５】
１：ＧａＡｓ基板
２：バッファ層
３：ｎ型ＡｌＡｓ層（ＡｌＡｓ分離層）
４：ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（電流拡散層）
５：活性領域（活性層）
６：ＡｌＡｓ電流狭窄領域（ｐ型ＡｌＡｓ層）
７：ｐ型コンタクト層
８：電流注入領域
２１：ＶＣＳＥＬパターン
３１：絶縁層
３２：開口部
４１：ｐ型金属電極
５１：シリコン基板
５２：金属配線
６１：ｎ型金属電極
６２：光放射用窓
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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