(57)【要約】【課題】マイクロトランスの製造方法において、スループットを向上させること。部分放電や沿面放電を防ぐこと。歩留まりを高くすること。【解決手段】半導体基板２１の上に熱剥離シート２２によって絶縁体材料２３を貼り合わせる。２次コイル２４は、この絶縁体材料２３の上で形成される。１次コイル７の形成された１次側１００の絶縁膜１０側に、接着剤３１によって絶縁体材料３２を貼り合わせる。また、絶縁体材料３２の１次側１００を貼り合わせていない側の面に、接着剤３３によって絶縁膜２７を下にした２次側１０１を貼り合わせる。この貼り合わせのときの加熱処理によって、熱剥離シート２２が剥がれ、半導体基板２１が取り除かれる。【選択図】図６
2009076483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体基板の表面に１次コイルを形成するとともに、第２の半導体基板の表面に第１の絶縁体材料を、熱剥離シートによって貼り合わせ、前記第１の絶縁体材料の表面に２次コイルを形成するコイル形成工程と、
前記１次コイルを有する１次側基板と前記２次コイルを有する２次側基板の間に第２の絶縁体材料を挟んで加熱しながら前記１次側基板、前記第２の絶縁体材料および前記２次側基板を貼り合わせるとともに、前記熱剥離シートを剥離して前記第２の半導体基板を取り除くコイル貼り合わせ工程と、
を含むことを特徴とするマイクロトランスの製造方法。
【請求項２】
第１の半導体基板の表面に１次コイルを形成するとともに、第２の半導体基板の表面に２次コイルを形成するコイル形成工程と、
前記１次コイルを有する１次側基板の貼り合わせ面、前記２次コイルを有する２次側基板の貼り合わせ面、および第２の絶縁体材料の貼り合わせ面にプラズマ処理をおこない、前記１次側基板と前記２次側基板の間に前記第２の絶縁体材料を挟んで、前記１次側基板、前記第２の絶縁体材料および前記２次側基板を貼り合わせるコイル貼り合わせ工程と、
を含むことを特徴とするマイクロトランスの製造方法。
【請求項３】
前記コイル貼り合わせ工程において、
予め、前記第２の絶縁体材料を、前記１次側基板または前記２次側基板に貼り付けておくことを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロトランスの製造方法。
【請求項４】
前記コイル貼り合わせ工程において、接着剤を用いて貼り合わせをおこなうことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のマイクロトランスの製造方法。
【請求項５】
前記コイル貼り合わせ工程において、接着テープを用いて貼り合わせをおこなうことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のマイクロトランスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気的に絶縁された電気回路間で信号伝送をおこなうマイクロトランスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、サージなどの高電圧印加時に、危険電圧が通過しないように、電気的に絶縁された電気回路間での信号伝送をおこなう方式がある。この方式の一つとして、トランスによる誘導性結合を利用したものがある（たとえば、下記特許文献１参照。）。
【０００３】
最近のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術の進展などにより、トランスは、より小型になってきている（たとえば、下記非特許文献１参照。）。それゆえ、トランスと集積回路との集積化が可能になってきている。以下、この小型のトランスをマイクロトランスと呼び、このマイクロトランスを用いる信号伝送方式をマイクロトランス方式と呼ぶ。
【０００４】
図１５は、従来のマイクロトランスの構造を示す断面図である。図１５に示すように、マイクロトランスは、１次コイル７と２次コイル２４を備える。１次コイル７と２次コイル２４は、絶縁膜６１によって相互に隔てられている。また、所望の静電放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）耐量を確保するため、従来のマイクロトランスでは、絶縁膜６１の厚さを１０μｍ以上にする必要がある。
【０００５】
つぎに、従来のマイクロトランスの製造方法の工程について説明する。図１６および図１７は、従来のマイクロトランスの製造方法の工程を順に示す断面図である。まず、図１６に示すように、半導体基板１の上に不純物拡散領域２を選択的に形成する。ついで、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長）法などにより基板全面に絶縁膜３を、たとえば、１μｍ程度の厚さで形成する。さらに、フォトリソグラフィ工程などにより、絶縁膜３を部分的に除去し、第１の開口部４および第２の開口部５を形成する。
【０００６】
ついで、基板全面に金属膜６を、たとえば、３μｍ程度の厚さで堆積し、フォトリソグラフィ工程などにより１次コイル７を形成する。その際、１次コイル７の中心パッド８が、第１の開口部４を介して不純物拡散領域２に接触するようにする。また、１次コイル７の中心パッド８と不純物拡散領域２を介して電気的に接続されるパッド９を形成する。そして、パッド９が第２の開口部５を介して不純物拡散領域２に接触するようにする。また、図示はしないが１次コイル７の外端部分には、外端パッドを形成する。
【０００７】
ついで、図１７に示すように、１次コイル７の上に、プラズマＣＶＤ法などにより絶縁膜を堆積する。そして、この絶縁膜の表面を平坦化し、たとえば、１０μｍ程度の厚さの絶縁膜６１を形成する。ついで、フォトリソグラフィ工程などにより、絶縁膜６１の一部を除去して、開口部を形成する。このように、開口部６２においてパッド９を露出させる。また、図示はしないが、図１７に示した領域以外の開口部において外端パッドを露出させる。
【０００８】
ついで、図１５に示すように、絶縁膜６１の上に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ工程などにより、２次コイル２４を形成する。２次コイル２４の形状は、１次コイル７の形状とほぼ同じ形状とする。２次コイル２４には、中心部分に中心パッド２５を形成し、外端部分に外端パッド２６を形成する。２次コイル２４の形成と同時に、開口部６２は、金属膜で覆われる。この場合、開口部６２を覆った金属膜は、パッド９に接触し、１次コイル７の中心側端部の電極パッドとなる。したがって、１次コイル７からの信号を２次コイル２４によって受け取り、２次コイル２４の中心パッド２５および２次コイルの外端パッド２６から外部へ伝送することができる。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−１９６１３６号公報
【非特許文献１】Ａ．ボルク、Ｍ．ホカンプ、Ｂ．ストルザルコスキー（Ａ．Ｖｏｌｋｅ，Ｍ．Ｈｏｒｎｋａｍｐ，Ｂ．Ｓｔｒｚａｌｋｏｗｓｋｉ）、「ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ  アプリケーションズ  ベイスド  オン  コアレス  トランスフォーマー  ドライバー  ＩＣ  ２ＥＤ０２０ｌ１２−Ｆ（ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  ｂａｓｅｄ  ｏｎ  Ｃｏｒｅｌｅｓｓ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ  Ｄｒｉｖｅｒ  ＩＣ  ２ＥＤ０２０ｌ１２−Ｆ）」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した従来の製造方法では、１次コイル７の上に絶縁膜６１を厚く形成する必要があるため、スループットが低下するという問題がある。また、絶縁膜６１が厚いため、応力によって絶縁膜６１にクラックが発生するという問題もある。さらに、絶縁膜６１の一部をエッチングによって除去する際にも、スループットが低下するという問題がある。また、このエッチングをおこなう際には、選択比の大きなマスク材を用いる必要があるという問題がある。
【００１１】
また、１次コイル７と、絶縁膜６１と、２次コイル２４と、がこの順に積層された積層構造であるため、絶縁膜６１を厚くすると、積層の界面において沿面放電が発生し、素子が破壊されるという問題がある。
【００１２】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、スループットを向上させることができるマイクロトランスの製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、部分放電や沿面放電を防ぐことができるマイクロトランスの製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、歩留まりを高くすることができるマイクロトランスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかるマイクロトランスの製造方法は、第１の半導体基板の表面に１次コイルを形成するとともに、第２の半導体基板の表面に第１の絶縁体材料を、熱剥離シートによって貼り合わせ、前記第１の絶縁体材料の表面に２次コイルを形成するコイル形成工程と、前記１次コイルを有する１次側基板と前記２次コイルを有する２次側基板の間に第２の絶縁体材料を挟んで加熱しながら前記１次側基板、前記第２の絶縁体材料および前記２次側基板を貼り合わせるとともに、前記熱剥離シートを剥離して前記第２の半導体基板を取り除くコイル貼り合わせ工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２の発明にかかるマイクロトランスの製造方法は、第１の半導体基板の表面に１次コイルを形成するとともに、第２の半導体基板の表面に２次コイルを形成するコイル形成工程と、前記１次コイルを有する１次側基板の貼り合わせ面、前記２次コイルを有する２次側基板の貼り合わせ面、および前記第２の絶縁体材料の貼り合わせ面にプラズマ処理をおこない、前記１次側基板と前記２次側基板の間に前記第２の絶縁体材料を挟んで、前記１次側基板、前記第２の絶縁体材料および前記２次側基板を貼り合わせるコイル貼り合わせ工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３の発明にかかるマイクロトランスの製造方法は、請求項１または２に記載の発明において、前記コイル貼り合わせ工程において、予め、前記第２の絶縁体材料を、前記１次側基板または前記２次側基板に貼り付けておくことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４の発明にかかるマイクロトランスの製造方法は、請求項１〜３のいずれか一つに記載の発明において、前記コイル貼り合わせ工程において、接着剤を用いて貼り合わせをおこなうことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項５の発明にかかるマイクロトランスの製造方法は、請求項１〜３のいずれか一つに記載の発明において、前記コイル貼り合わせ工程において、接着テープを用いて貼り合わせをおこなうことを特徴とする。
【００１８】
上述の各発明によれば、２次コイルを支持基板で補強された絶縁体材料の上に形成することができるため、２次コイル形成時の絶縁体材料の割れ、欠け、ひびなどを防止することができる。このため、歩留まりの低下を防ぐことができる。
【００１９】
また、請求項１の発明によれば、１次コイルと、絶縁体材料と、２次コイルと、を貼り合わせる際の熱処理によって、支持基板を取り除くことができるため、支持基板除去のためのコストを抑えることができる。
【００２０】
また、請求項２の発明によれば、接合面にプラズマ処理をおこなうことで、１次コイルと、絶縁体材料と、２次コイルと、の密着性を向上させることができる。このため、沿面放電の発生を抑えることができるため、マイクロトランスの信頼性を高めることができる。
【００２１】
また、請求項３の発明によれば、１次コイルと２次コイルの間に接合させる絶縁体材料が薄い場合でも、絶縁体材料を複数重ねることで所望の耐圧を得ることができる。
【００２２】
また、請求項４または５の発明によれば、１次コイルおよび２次コイルと、絶縁体材料と、の間に気泡が入り込むのを防ぐことができる。したがって、部分放電や沿面放電の発生を防ぐことができる。これによって、マイクロトランスのＥＳＤ耐量が向上し、信頼性を高めることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明にかかるマイクロトランスの製造方法によれば、スループットを向上させることができるという効果を奏する。また、この発明方法により製造されたマイクロトランスでは、部分放電や沿面放電を防ぐことができるという効果を奏する。また、この発明は、歩留まりを高くすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかるマイクロトランスの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明およびすべての添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２５】
（実施の形態１）
まず、本発明の実施の形態１にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造について説明する。図１は、本発明の実施の形態１にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造を示す断面図である。図１に示すように、実施の形態１にかかるマイクロトランスは、１次コイル７と、２次コイル２４と、を備えている。１次コイル７と２次コイル２４は、絶縁膜１０，２７と、接着剤３１，３３と、絶縁体材料３２と、によって相互に隔てられている。絶縁体材料３２は、具体的には、ガラス、石英、サファイヤ、ポリイミド、セラミックなどの絶縁物でできており、板状またはシート状のものである。接着剤３１，３３は、たとえば、接着テープでもよい。接着テープは、その両面に粘着性を有しており、後のボンディング工程などにおいてかかる熱に対して耐性のあるものであればよい。接着テープは、具体的には、ＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）テープなどである。
【００２６】
半導体基板１の表面には、不純物拡散領域２が選択的に設けられている。不純物拡散領域２を含んだ基板全面には、絶縁膜３が堆積されている。この絶縁膜３には、第１の開口部４および第２の開口部５が設けられている。第１の開口部４は基板中央部に、第２の開口部５は基板縁部に、それぞれ設けられている。１次コイル７の中心パッド８は、第１の開口部４を介して不純物拡散領域２に接触している。また、パッド９は、第２の開口部５を介して不純物拡散領域２に接触している。そして、パッド９は、絶縁膜１０で覆われずに、露出している。したがって、パッド９は、不純物拡散領域２を介して１次コイル７の中心パッド８に電気的に接続されており、１次コイル７の中心側端部の引き出し電極となっている。
【００２７】
絶縁膜１０の上には、接着剤３１を介して絶縁体材料３２が設けられている。ここで、絶縁体材料３２のサイズは、１次コイル７のパッド９を覆わないサイズである。絶縁体材料３２の上には、接着剤３３を介して絶縁膜２７が設けられている。絶縁膜２７の表面層には、２次コイル２４が設けられている。また、２次コイル２４および絶縁膜２７の上には、絶縁体材料２３が設けられている。この絶縁体材料２３には、第３の開口部２８および第４の開口部２９が設けられている。第３の開口部２８は基板中央部に、第４の開口部２９は基板縁部に、それぞれ設けられており、これらの開口部において、２次コイル２４の中心パッド２５および外端パッド２６は、露出している。
【００２８】
図２〜図６は、本発明の実施の形態１にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を順に示す断面図である。まず、図２に示すように、半導体基板１の表面に不純物拡散領域２を選択的に形成する。半導体基板１は、たとえば、シリコン基板などである。ついで、プラズマＣＶＤ法などにより、基板全面に絶縁膜３を形成する。ここで、絶縁膜３の厚さは、たとえば、１μｍ程度であるのが適当である。また、絶縁膜３は、具体的には、酸化膜、窒化膜、ポリイミド膜などである。
【００２９】
ついで、図３に示すように、絶縁膜３の一部を、フォトリソグラフィ工程などにより除去し、第１の開口部４および第２の開口部５を形成する。ついで、基板全面に金属膜６を堆積する。ここで、金属膜６の厚さは、たとえば、３μｍ程度であるのが適当である。金属膜６は、第１の開口部４および第２の開口部５において、それぞれ不純物拡散領域２に接触する。
【００３０】
ついで、フォトリソグラフィ工程などにより金属膜６を部分的に除去し、１次コイル７を形成する。１次コイル７の形状は、たとえば、渦巻形状である。この渦巻の平面形状は、円形状でもよいし、角のある形状（たとえば、四角形状など）でもよい。１次コイル７の中心部分には、中心パッド８が形成される。この１次コイル７の中心パッド８は、第１の開口部４を介して不純物拡散領域２に接触する。また、１次コイル７の形成と同時に、第２の開口部５の上にパッド９を形成する。このパッド９は、第２の開口部５を介して不純物拡散領域２に接触する。
【００３１】
ついで、図４に示すように、プラズマＣＶＤ法などにより、１次コイル７および絶縁膜３の表面に絶縁膜１０を形成する。絶縁膜１０の厚さは、１次コイル７の上面から、たとえば、１μｍ程度の厚さである。ついで、パッド９の上部および１次コイル７の外端部分の図示しない外端パッドの上部の絶縁膜１０をフォトリソグラフィ工程などにより部分的に除去する。これによって、パッド９および外端パッドを露出させる。このようにして、実施の形態１にかかるマイクロトランスの１次側１００を形成する。
【００３２】
一方、図５に示すように、別の半導体基板２１を用意し、この半導体基板２１に、絶縁体材料２３を熱剥離シート２２によって貼り合わせる。これによって、半導体基板２１が支持基板となり、絶縁体材料２３を補強することができる。絶縁体材料２３は、たとえば、ガラス板である。絶縁体材料２３の厚さは、たとえば、５０μｍである。また、熱剥離シート２２は、たとえば、１５０℃の熱処理で剥がれるものである。そして、図５に示すように、絶縁体材料２３の全面に金属膜を堆積する。金属膜の厚さは、たとえば、３μｍ程度である。
【００３３】
ついで、フォトリソグラフィ工程などにより金属膜を部分的に除去し、２次コイル２４を形成する。２次コイル２４の形状は、１次コイル７とほぼ同じ形状である。２次コイル２４の中心部分には、中心パッド２５が形成される。また、２次コイル２４の外端部分には、外端パッド２６が形成される。さらに、プラズマＣＶＤ法などにより、２次コイル２４および絶縁体材料２３に絶縁膜２７を形成する。絶縁膜２７の厚さは、２次コイル２４上面から、たとえば、１μｍ程度の厚さである。このようにして、実施の形態１にかかるマイクロトランスの２次側１０１を形成する。
【００３４】
ついで、図６に示すように、１次側１００の１次コイル７の形成されている側の面に、絶縁体材料３２を、接着剤３１によって貼り合わせる。さらに、絶縁体材料３２の１次コイル７の貼り合わせていない面に、２次側１０１の２次コイル２４の形成されている側の面を、接着剤３３によって貼り合わせる。ここで、接着剤３１，３３は、たとえば、液状ポリイミドであり、加熱することで貼り合わせる。このとき、加熱によって熱剥離シート２２が２次側１０１の絶縁体材料２３から剥がれることとなる。これによって、熱剥離シート２２および半導体基板２１を取り除くことができる。また、１次側１００と、絶縁体材料３２と、２次側１０１と、の貼り合わせは、真空中でおこなわれてもよい。また、２次側１０１に絶縁体材料３２を貼り付けたものと１次側１００とを貼り合わせるようにしてもよい。
【００３５】
ついで、図１に示すように、絶縁体材料２３をパターニングし、２次コイル２４の中心パッド２５に到達する第３の開口部２８および２次コイル２４の外端パッド２６に到達する第４の開口部２９を形成し、これらの開口部によって、２次コイル２４の中心パッド２５および外端パッド２６を露出させる。ついで、２次コイル２４の中心パッド２５および外端パッド２６にワイヤを接続してパッケージングする。
【００３６】
実施の形態１にかかるマイクロトランスの製造方法によれば、半導体基板２１で補強された絶縁体材料２３の上で、２次コイル２４を形成することができるため、絶縁体材料２３の割れ、欠け、ひびなどを防止し、歩留まりを向上することができる。また、１次側１００と、絶縁体材料３２と、２次側１０１と、を貼り合わせる際の熱処理によって、半導体基板２１を取り除くことができるため、支持基板を除去するためのコストを抑え、スループットを向上させることができる。また、接着剤３１，３３によって貼り合わせるため、１次側１００および２次側１０１と、絶縁体材料３２と、の間に気泡が入り込むのを防ぐことができる。このため、信頼性を向上させることができる。
【００３７】
（実施の形態２）
つぎに、本発明の実施の形態２にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造について説明する。図７は、本発明の実施の形態２にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造を示す断面図である。図７に示すマイクロトランスは、図１に示すマイクロトランスと異なり、絶縁体材料２３ではなく絶縁膜４１が、２次コイル２４の上に設けられている。また、実施の形態２にかかるマイクロトランスの製造方法は、実施の形態１にかかるマイクロトランスの製造方法と異なり、接着剤もしくは接着テープを貼り付ける面に、プラズマ処理をおこなう。プラズマ処理は、たとえば、プラズマ発生用ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、チャンバー圧力を１０Ｐａとし、３００Ｗのパワーで１分間おこなう。
【００３８】
図８および図９は、本発明の実施の形態２にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を順に示す断面図である。まず、実施の形態１と同様に１次側１００（図４参照）を形成する。そして、１次側１００の絶縁膜１０に、プラズマ処理をおこなう。一方、図８に示すように、別の半導体基板２１の表面層に、絶縁膜４１を形成する。絶縁膜４１の表面に、実施の形態１または実施の形態２と同様に、２次コイル２４を形成する。２次コイル２４の表面に絶縁膜２７を形成する。このようにして、実施の形態２にかかるマイクロトランスの２次側１０２を形成する。そして、絶縁膜２７の表面にプラズマ処理をおこなう。
【００３９】
ついで、図９に示すように、１次側１００の１次コイル７の形成されている側の面に、両面にプラズマ処理をおこなった絶縁体材料３２を、接着剤３１によって貼り合わせる。さらに、絶縁体材料３２の１次コイル７を貼り合わせていない面に、２次側１０２の２次コイル２４の形成されている側の面を、接着剤３３によって貼り合わせる。ついで、半導体基板２１を、たとえば、０．１μｍ程度の厚さになるまで研磨する。さらに、コロイダルシリカを用いて研磨をおこなう。コロイダルシリカを用いた研磨は、シリコンの研磨レートは大きいが、シリコン酸化膜はほとんど削れない選択性を有している。これによって、シリコン酸化膜が露出したところで、ばらつきを少なく研磨を終了させることができる。ついで、絶縁膜４１をパターニングし、２次コイル２４の中心パッド２５および外端パッド２６を露出させる。その後、２次コイル２４の中心パッド２５および外端パッド２６にワイヤを接続してパッケージングする。
【００４０】
図１０は、プラズマ処理によるポリイミドフィルムの濡れ性について示す断面図である。図１０に示すように、プラズマ処理をおこなう前のポリイミドフィルムは、接触角がおよそ７０°である。一方、プラズマ処理をおこなった後のポリイミドフィルムは、接触角が１０°以下である。このように、プラズマ処理をおこなうことで、良好な密着性を得ることができる。これによって、沿面放電の発生を抑えることができる。
【００４１】
なお、実施の形態２においては、半導体基板２１の表面に絶縁膜４１を形成し、この絶縁膜４１の表面に２次コイル２４を形成する場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態２にかかる製造方法を、たとえば、実施の形態１に示すように、半導体基板２１の上に熱剥離シート２２によって絶縁体材料２３を貼り合わせ、この絶縁体材料２３の表面に２次コイル２４を形成した場合に適用してもよい。
【００４２】
実施の形態２にかかるマイクロトランスの製造方法によれば、１次側１００および２次側１０２と、絶縁体材料３２と、の間の密着性を向上させることができる。これによって、部分放電や沿面放電の発生を抑えることができる。
【００４３】
（実施の形態３）
つぎに、本発明の実施の形態３にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造について説明する。図１１は、本発明の実施の形態３にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造を示す断面図である。図１１に示すように、実施の形態３にかかるマイクロトランスは、実施の形態１または実施の形態２にかかるマイクロトランスと異なり、１次コイル７と２次コイル２４が、絶縁膜１０，２７と、接着剤５１，５３，５５と、絶縁体材料５２，５４と、によって相互に隔てられている。
【００４４】
図１２〜１４は、本発明の実施の形態３にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を順に示す断面図である。まず、実施の形態１または実施の形態２と同様に１次側１００（図１参照）を形成する。ついで、図１２に示すように、１次側１００の絶縁膜１０に、絶縁体材料５２を、接着剤５１によって貼り合わせる。ここで、絶縁体材料５２は、たとえば、カプトン（デュポン社の登録商標）である。
【００４５】
一方、実施の形態１と同様に、２次側１０１（図５参照）を形成する。ついで、図１３に示すように、２次側１０１の絶縁膜２７に、絶縁体材料５４を、接着剤５３によって貼り合わせる。ここで、絶縁体材料５４は、たとえば、カプトン（デュポン社の登録商標）である。
【００４６】
ついで、図１４に示すように、１次側１００の絶縁体材料５２と、２次側１０１の絶縁体材料５４と、を接着剤５５によって貼り合わせる。そして、半導体基板２１を取り除く。ついで、図１１に示すように、実施の形態１または実施の形態２と同様に、２次コイル２４の中心パッド２５および外端パッド２６を露出させる。その後、２次コイル２４の中心パッド２５および外端パッド２６にワイヤを接続してパッケージングする。
【００４７】
なお、実施の形態３においては、実施の形態１にかかる製造方法によって２次側１０１を形成する場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態３にかかる製造方法を、たとえば、実施の形態２にかかる製造方法によって形成された２次側１０２に適用してもよい。
【００４８】
実施の形態３にかかるマイクロトランスの製造方法によれば、１次側１００と、２次側１０１，１０２と、の間に複数の絶縁体材料を貼り合わせるため、１次コイル７と、２次コイル２４と、の間を所望の厚さにすることができる。これによって、所望の耐圧を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上のように、本発明にかかるマイクロトランスの製造方法は、電気的に絶縁された電気回路間での信号伝送をおこなうマイクロトランスの製造に有用であり、特に、輸送機器に用いられるスイッチング素子の導通、非導通を指示する制御信号およびスイッチング素子の状態信号の絶縁伝送をおこなうマイクロトランスの製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１０】プラズマ処理によるポリイミドフィルムの濡れ性について示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３にかかる製造方法により製造されるマイクロトランスの構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態３にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３にかかるマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１５】従来のマイクロトランスの構造を示す断面図である。
【図１６】従来のマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１７】従来のマイクロトランスの製造方法の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１，２１  半導体基板
２  不純物拡散領域
３，１０，２７  絶縁膜
７  １次コイル
８  １次コイルの中心パッド
９  １次コイルのパッド
２２  熱剥離シート
２３，３２  絶縁体材料
２４  ２次コイル
２５  ２次コイルの中心のパッド
２６  ２次コイルの外端パッド
３１，３３  接着剤
【図１】
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【図２】
2009076483.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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