(57)【要約】【課題】本発明の目的は、銀塩微粒子を用いる方式により、ひび割れ等を発生させることなく、低コストで、生産性高く、また、フォトリソ方式に対しても、同じ抵抗値で透過率が高い、電磁波遮蔽フィルムが生産可能な、電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することにある。【解決手段】支持体上に、金属塩微粒子、バインダーを含む塗布液を、少なくとも２層以上同時重層塗布、乾燥して、メッシュ露光の後、現像、更に物理現像及び／又はメッキ処理を行うことにより電磁波遮蔽フィルムを製造する、電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、前記塗布液において、金属塩微粒子とバインダーの体積比率を、金属塩微粒子を金属に換算した金属とバインダーとの体積比率で表したとき、上層塗布液の金属／バインダー体積比率が下層塗布液の金属／バインダー体積比率に対して大きいことを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、金属塩微粒子、バインダーを含む塗布液を、少なくとも２層以上同時重層塗布、乾燥して、メッシュ露光の後、現像、更に物理現像及び／又はメッキ処理を行うことにより電磁波遮蔽フィルムを製造する、電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、前記塗布液において、金属塩微粒子とバインダーの体積比率を、金属塩微粒子を金属に換算した金属とバインダーとの体積比率で表したとき、上層塗布液の金属／バインダー体積比率が下層塗布液の金属／バインダー体積比率に対して大きいことを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項２】
下層塗布液の金属／バインダー体積比率が１／１０〜１／４であり、上層塗布液の金属／バインダー体積比率が１／４〜３であることを特徴とする請求項１記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項３】
下層塗布液のバインダーとして高分子バインダー、上層塗布液のバインダーとして低分子バインダーを使用することを特徴とする請求項１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項４】
下層塗布液のバインダーの平均分子量が５００００〜２０００００であり、上層塗布液のバインダーの平均分子量が１００００〜３００００であることを特徴とする請求項１〜３のいずか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項５】
金属塩微粒子、バインダーを含む塗布液の合計塗布量が、金属塩微粒子付量として、金属換算付量で１〜１０ｇ／ｍ2であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項６】
支持体上に、金属塩微粒子、バインダーを含む塗布液を、少なくとも２層以上同時重層塗布、乾燥する際の塗膜の表面温度が、１５〜３５℃であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項７】
金属塩微粒子が、銀塩微粒子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連続して走行する支持体上に、金属塩微粒子を含有する、複数層の塗布液を均一に重層塗布形成した層に、露光、現像、物理現像及び／又はメッキ処理を行って、金属部と光透過部からなる導電性の金属メッシュパターンを支持体上に連続して形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法に関するものであり、また該製造方法により作製された電磁波遮蔽フィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の電気設備や電子応用設備の利用の増加に伴い、電磁波障害（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＥＭＩ）が急増し、電子電気機器では、電磁波放出の強さを規格又は規制内に抑えることが要求されている。
【０００３】
例えば、ＣＲＴ（陰極線管）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、液晶、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などのディスプレイ前面に用いる電磁波シールド材料がある。
【０００４】
特に、ＰＤＰは、ＣＲＴ等と比較すると多量の電磁波を発生し、強い電磁波シールド能が求められるため、ＰＤＰ用の透光性電磁波シールド材料では極めて高い導電性が要求されている。
【０００５】
透光性電磁波遮蔽材料は何らかの方法で導電性メッシュパターンを支持体上に形成するか、又は金属の超薄膜を支持体上の全面に製膜することにより作製される。
【０００６】
導電性メッシュパターンの作製については、これまでにも、種々の材料・方法が提案されている。例えば、金属薄膜のフォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工により、透明基体上に金属薄膜のメッシュを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００７】
また、これとは別に、銀塩材料を利用し、金属銀の薄膜メッシュパターンを形成する方法が知られている。銀塩微粒子含有感光層を露光し、現像処理し、金属銀部と光透過性部とを形成したのち、物理現像及び／又はメッキ処理することにより金属銀部に導電性金属粒子を担持させ、高い導電性と透光性を同時に満たす導電性金属メッシュパターンを電磁波シールド膜として容易に得ることができる（例えば、特許文献２）。
【０００８】
しかしながら、前記のフォトリソを用いた方式（特許文献１）では工程数が多く、工数がかかるため、生産収率が低く、装置コストも高くなり、非常にコストアップしてしまう。
【０００９】
また、特許文献２の銀塩微粒子含有感光材料を用いた方式では、従来の写真用銀塩微粒子含有感光材料に対して、その表面比抵抗を下げるため、金属銀／バインダー比率を上げる必要があり、従来の構成のまま製造を行ったとき、ヒビ割れ等の金属銀／バインダー比率を上げたことに起因する故障、及び膜剥がれ故障が発生し、生産収率を大きく損なってしまうという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−４６２９３号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明の目的は、銀塩微粒子を用いる方式により、ひび割れ、膜剥がれ等を発生させることなく、低コストで、生産性高く、また、フォトリソ方式に対しても、同じ抵抗値で透過率が高い、電磁波遮蔽フィルムが生産可能な、電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の上記課題は下記の手段により達成される。
【００１２】
１．支持体上に、金属塩微粒子、バインダーを含む塗布液を、少なくとも２層以上同時重層塗布、乾燥して、メッシュ露光の後、現像、更に物理現像及び／又はメッキ処理を行うことにより電磁波遮蔽フィルムを製造する、電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、前記塗布液において、金属塩微粒子とバインダーの体積比率を、金属塩微粒子を金属に換算した金属とバインダーとの体積比率で表したとき、上層塗布液の金属／バインダー体積比率が下層塗布液の金属／バインダー体積比率に対して大きいことを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１３】
２．下層塗布液の金属／バインダー体積比率が１／１０〜１／４であり、上層塗布液の金属／バインダー体積比率が１／４〜３であることを特徴とする前記１記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１４】
３．下層塗布液のバインダーとして高分子バインダー、上層塗布液のバインダーとして低分子バインダーを使用することを特徴とする前記１または２記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１５】
４．下層塗布液のバインダーの平均分子量が５００００〜２０００００であり、上層塗布液のバインダーの平均分子量が１００００〜３００００であることを特徴とする前記１〜３のいずか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１６】
５．金属塩微粒子、バインダーを含む塗布液の合計塗布量が、金属塩微粒子付量として、金属換算付量で１〜１０ｇ／ｍ2であることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１７】
６．支持体上に、金属塩微粒子、バインダーを含む塗布液を、少なくとも２層以上同時重層塗布、乾燥する際の塗膜の表面温度が、１５〜３５℃であることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１８】
７．金属塩微粒子が、銀塩微粒子であることを特徴とする前記１〜６のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１９】
８．１〜７のいずれか１項記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
【発明の効果】
【００２０】
本発明により銀塩方式を用いて、ひび割れ、膜剥がれ等の故障を発生させることのない、低コストで生産性高い、電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２２】
電磁波障害（ＥＭＩ）に対する電磁波シールド材の、銀塩方式による製造は、基材フィルム上への銀塩微粒子含有感光材料の塗布、乾燥、塗布層へのメッシュ露光、現像、によるメッシュパターン化、物理現像、及び／又は、メッキによる導電性付与という工程により行われる。
【００２３】
電磁波シールド材に求められる機能として、導電性という機能についての要求レベルが高いため、金属成分を多く付ける必要があり、尚且つバインダー成分を少なくする必要があるため、電磁波シールド層の金属／バインダーの比率を大きくする必要がある。しかしながら、このような構成をとると塗布／乾燥工程において、塗布膜面にひび割れ、膜剥がれ等の故障が発生し、生産収率を低下させる。また、このような構成をとらないと、物理現像、及び／又はメッキの工程が長くなり、設備が大型となり、尚且つこの工程は生産速度が遅いため、生産効率を著しく低下させる。
【００２４】
本発明は、金属／バインダー比率が大きくした構成においても、生産収率が高く、生産性の高い、導電性が高い電磁波遮蔽フィルムを製造する技術である。
【００２５】
本発明においては、連続して走行する支持体上に少なくとも２層以上の金属塩微粒子とバインダーを含有する塗布液、具体的には銀塩微粒子とバインダーを含有する感光層塗布液を均一に重層塗布、乾燥して、その銀塩微粒子塗布層にメッシュ露光を行って、現像処理することにより支持体上に金属メッシュパターンを連続して形成する。次いで、形成された金属メッシュに物理現像処理及び／又はメッキ処理を行うことで金属メッシュに捕力処理を行って導電性を付与して電磁波遮蔽フィルムを製造する。本発明は、支持体上に塗布される少なくとも２層以上の塗布液において、金属塩微粒子とバインダーの体積比率を、金属塩微粒子の金属塩を金属に換算した金属とバインダーとの体積比率で表したとき、上層塗布液の金属／バインダー体積比率が、下層塗布液に対して大きいことを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法である。金属塩の金属への換算は金属塩を等モルの金属に換算する。
【００２６】
即ち、上層に例えば銀のような金属成分を多く付けて尚且つバインダー成分を少なくし、下層では銀のような金属に対するバインダーの比を多くすることで、高い導電性をもつと同時に、塗布膜面にひび割れが生じたり膜付き故障を起こすことのない堅固な被膜を得ることが出来、本発明の電磁波遮蔽フィルムは生産収率の低下がない。
【００２７】
金属塩微粒子の金属塩を金属に換算したときの金属量とバインダー量との体積比率（金属／バインダー体積比率）は、金属及びバインダーそれぞれの質量をそれぞれバルクの密度を用い体積に換算して算出する。
【００２８】
以下、本発明で用いられる構成要件について説明する。
【００２９】
［支持体］
本発明において用いられる支持体としては、プラスチックフィルム、プラスチック板、ガラスなどを用いることができるが、好ましいのはプラスチックフィルムである。
【００３０】
プラスチックフィルムの原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、環状オレフィン系樹脂などであり、ロール状の基材から巻き出されながら連続して塗布、露光、現像処理等が行われる。
【００３１】
透明性、耐熱性、取り扱いやすさ及び価格の点から、上記プラスチックフィルムのうちポリエチレンテレフタレートフィルム、トリアセチルセルロースフィルムであることが好ましい。
【００３２】
フィルムの厚さは１０〜３００μｍが好ましい。特に２０μｍ以上、さらに３５μｍ以上が好ましい。また、２００μｍ以下、さらに１２０μｍ以下が好ましい。
【００３３】
本発明におけるプラスチックフィルム等は、単層で用いることもできるが、例えば２層以上を組み合わせた多層フィルムとして用いることも可能である。
【００３４】
本発明においては、支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥後、その塗布層に、マスクを用いて、メッシュ露光行う。金属塩微粒子を含有する塗布層は、具体的には光センサーとしての銀塩微粒子を含有する層（銀塩微粒子含有感光層）であり、銀塩微粒子含有感光層は、銀塩微粒子のほか、架橋性をもつバインダー（樹脂）、また、添加剤等が含有され、また、溶媒等を含有することができる。
【００３５】
［銀塩微粒子含有感光層］
本発明に用いられる銀塩微粒子としては、ハロゲン化銀などの無機銀塩及び酢酸銀などの有機銀塩が挙げられるが、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましい。
【００３６】
本発明で好ましく用いられるハロゲン化銀についてさらに説明する。
【００３７】
本発明で用いられるハロゲン化銀においては、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられるハロゲン化銀技術をそのまま用いることができる。
【００３８】
ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、さらにＡｇＣｌ主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。
【００３９】
ここで、「ＡｇＣｌ主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中に占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。このＡｇＣｌを主体としたハロゲン化銀粒子は、塩化物イオンのほかに沃化物イオン、臭化物イオンを含有していてもよい。
【００４０】
ハロゲン化銀は固体粒子状であり、露光、現像処理後に形成されるパターン状金属銀層の画像品質の観点からは、ハロゲン化銀の平均粒子サイズは、球相当径で０．１〜１０００ｎｍ（１μｍ）であることが好ましく、０．１〜１００ｎｍであることがより好ましく、１〜１００ｎｍであることがさらに好ましい。尚、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、走査型電子顕微鏡を用いてハロゲン化銀粒子を撮影したときのハロゲン化銀粒子の投影面積を同面積の円像に換算したときの直径（円相当径）をいう。走査型電子顕微鏡を用い１０００個の粒子の平均から求める。
【００４１】
ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、１４面体状など様々な形状であることができる。
【００４２】
本発明で用いられるハロゲン化銀においては、硬調な乳剤を得るために金属イオンをドープすることも有用である。特にロジウムイオンやイリジウムイオンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることもできる。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げることができる。具体的な化合物の例としては、Ｋ3Ｒｈ2Ｂｒ9及びＫ2ＩｒＣｌ6などが挙げられる。
【００４３】
本発明において、ハロゲン化銀に含有されるロジウム化合物及び／又はイリジウム化合物の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して、１０-10〜１０-2モル／モルＡｇであることが好ましく、１０-9〜１０-3モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
【００４４】
その他、本発明では、Ｐｄ（II）イオン及び／又はＰｄ金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用いることができる。Ｐｄはハロゲン化銀粒子内に均一に分布していてもよいが、ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有させることが好ましい。ここで、Ｐｄが「ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有する」とは、ハロゲン化銀粒子の表面から深さ方向に５０ｎｍ以内において、他層よりもパラジウムの含有率が高い層を有することを意味する。このようなハロゲン化銀粒子は、ハロゲン化銀粒子を形成する途中でＰｄを添加することにより作製することができ、銀イオンとハロゲンイオンとをそれぞれ総添加量の５０％以上添加した後に、Ｐｄを添加することが好ましい。またＰｄ（II）イオンを後熟時に添加するなどの方法でハロゲン化銀表層に存在させることも好ましい。
【００４５】
このＰｄ含有ハロゲン化銀粒子は、物理現像や無電解メッキの速度を速め、所望の電磁波シールド材の生産効率を上げ、生産コストの低減に寄与する。Ｐｄは、無電解メッキ触媒としてよく知られ用いられているが、本発明では、ハロゲン化銀粒子の表層にＰｄを偏在させることが可能なため、極めて高価なＰｄを節約することが可能である。
【００４６】
本発明において、ハロゲン化銀に含まれるＰｄイオン及び／又はＰｄ金属の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して１０-4〜０．５モル／モルＡｇであることが好ましく、０．０１〜０．３モル／モルＡｇであることがさらに好ましい。
【００４７】
使用するＰｄ化合物の例としては、ＰｄＣｌ4やＮａ2ＰｄＣｌ4等が挙げられる。
【００４８】
本発明では、さらに光センサーとしての感度を向上させるため、写真乳剤で行われる化学増感を施すこともできる。化学増感としては、例えば、金増感などの貴金属増感、イオウ増感などのカルコゲン増感、還元増感等を利用することができる。
【００４９】
本発明で使用できる乳剤としては、例えば、特開平１１−３０５３９６号公報、特開２０００−３２１６９８号公報、特開平１３−２８１８１５号公報、特開２００２−７２４２９号公報の実施例に記載されたカラーネガフィルム用乳剤、特開２００２−２１４７３１号公報に記載されたカラーリバーサルフィルム用乳剤、特開２００２−１０７８６５号公報に記載されたカラー印画紙用乳剤などがあり、これらを好適に用いることができる。
【００５０】
化学増感されたハロゲン化銀粒子は、また分光増感することができる。好ましい分光増感色素としては、シアニン、カルボシアニン、ジカルボシアニン、複合シアニン、ヘミシアニン、スチリール色素、メロシアニン、複合メロシアニン、ホロポーラー色素等を挙げることができ、当業界で用いられている分光増感色素を単用、あるいは併用して使用することができる。
【００５１】
特に有用な色素はシアニン色素、メロシアニン色素、及び複合メロシアニン色素である。これらの色素類には、その塩基性異節環核としてシアニン色素類に通常利用される核のいずれをも通用できる。即ち、ピロリン核、オキサゾリン核、チアゾリン核、ピロール核、オキサゾール核、チアゾール核、セレナゾール核、イミダゾール核、テトラゾール核、ピリジン核及びこれらの核に脂環式炭化水素環が融合した核；及びこれらの核に芳香族炭化水素環が融合した核、即ちインドレニン核、ベンズインドレニン核、インドール核、ベンズオキサゾール核、ナフトオキサゾール核、ベンゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、ベンゾセレナゾール核、ベンズイミダゾール核、キノリン核などである。これらの核は、炭素原子上で置換されてもよい。メロシアニン色素または複合メロシアニン色素には、ケトメチレン構造を有する核として、ピラゾリン−５−オン核、チオヒダントイン核、２−チオオキサゾリジン−２，４−ジオン核、チアゾリジン−２，４−ジオン核、ローダニン核、チオバルビツール酸核などの５から６員異節環核を適用することができる。特に好ましい増感色素は近赤外増感色素である。これらの色素は、特開２０００−３４７３４３号、同２００４−０３７７１１号、同２００５−１３４７１０号の各公報を参考にすることができる。
【００５２】
［バインダー］
本発明の銀塩微粒子含有感光層において、架橋性をもつバインダー（樹脂）は、銀塩微粒子を均一に分散させ、かつ銀塩微粒子含有感光層と支持体との密着を補助する目的で用いることができる。本発明においては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれもバインダーとして用いることができるが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。
【００５３】
水溶性ポリマーとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース等が挙げられる。これらは、官能基のイオン性によって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質を有する。
【００５４】
銀塩微粒子としてハロゲン化銀微粒子、即ち写真用ハロゲン化銀乳剤をもちいるためバインダー（樹脂）としてゼラチンが最も好ましい。
【００５５】
ゼラチンとしては石灰処理ゼラチンのほか、酸処理ゼラチン、また、フタル化ゼラチン或いはフェニルカルバモイル化ゼラチン等、各種修飾ゼラチンも含むものである。
【００５６】
本発明の銀塩微粒子含有感光層中に含有されるバインダーの含有量は、特に限定されず、導電性、分散性、及び密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することができる。導電性向上の観点からは。Ａｇ／バインダーの体積比率が大きいことが好ましく、分散性、密着性、乾燥過程での故障発生という観点からは、Ａｇ／バインダー比率が小さいことが好ましい。
【００５７】
銀塩微粒子を用いた場合、導電性向上のため、後工程で化学現像、更に、物理現像及び／又はメッキ処理を行うため、表層に近い部分にＡｇ／バインダー比率の大きい層を配置し、支持体に近い部分には支持体との密着性向上や、乾燥過程での故障防止の観点より、Ａｇ／バインダー比率の小さい層を配置する構成が、最も好ましい。
【００５８】
従って、上層のＡｇ／バインダー比率は、導電性向上の観点より高い方が好ましいが、分散性の観点より制約があり、塗布液または塗布層中のＡｇ／バインダー比率を、銀塩微粒子を金属銀に換算して銀（Ａｇ）とバインダーとの体積比率で表したとき、上層のＡｇ／バインダー比率は、１／４〜１０が好ましく、１／４〜５が更に好ましく、１／４〜３が最も好ましい。これ以上Ａｇ／バインダー比率を高めると分散性が劣化し、均一乾燥できなくなる。
【００５９】
下層のＡｇ／バインダー比率については、密着性の観点より低い方が好ましいが、導電性の観点より制約があり、１／１００〜１／４が好ましく、１／５０〜１／４が更に好ましく、１／１０〜１／４が最も好ましい。これ以上Ａｇ／バインダー比率を下げると、物理現像及び／又はメッキ処理工程において、金属粒子同士が互いに接触しなくなるため、導電性を高めることが難しい。
【００６０】
塗布液又は塗布層の銀／バインダー比率は、塗布層（或いは塗布液）中の銀塩微粒子質量を金属銀の質量に換算し、これとバインダー量をそれぞれ、銀そしてゼラチンのバルクの密度を用いてそれぞれ体積換算して、Ａｇ／バインダー比率を算出する。尚、銀の比重は、１０．５０ｇ／ｃｍ3（２０℃）を用い、また、ゼラチンの（真）比重は湿度によって変わるが、ここでは比重１．３５として計算した。
【００６１】
銀塩微粒子含有感光層に使用するバインダーとして、ゼラチンは高分子化合物であるが、上層には比較的低分子な低分子ゼラチン、下層には比較的高分子な高分子ゼラチンを使用することが、密着性、乾燥過程での故障防止の観点より好ましい。上層に使用する比較的低分子な低分子ゼラチンの分子量としては１００００〜１０００００が好ましく、１００００〜５００００が更に好ましい。下層に使用する比較的高分子な高分子ゼラチンの分子量としては、３００００〜２０００００が好ましく、５００００〜２０００００が更に好ましい。
【００６２】
本発明において、用いられるバインダー（樹脂）の平均分子量は、方法、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフ法によって測定することが出来る。
【００６３】
ゼラチンの分子量分布および平均分子量についても一般的な公知の方法であるゲルパーミエーションクロマトグラ法（ＧＰＣ法）によって測定することが出来る。
【００６４】
ゼラチンの分子量については、Ｄ．Ｌｏｒｒｙ  ａｎｄ  Ｍ．Ｖｅｄｒｉｎｅｓ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ４ｔｈ  ＩＡＧ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｓｅｐｔ．１９８３，Ｐ．３５、大野隆司、小林裕幸、水澤伸也、日本写真学会誌、４７，２３７（１９８４）等に記載されているように、コラーゲンの構成単位であるα成分（分子量約１０万）及び、その二量体、三量体であるβ成分、γ成分、単量体である高分子両性分、更には、これらの成分が不規則に切断された低分子量成分からなるのが一般的である。
【００６５】
ゼラチン分子量分布の測定は、上記文献や、特開昭６０−８０８３８号、同６２−８７９５２号、同６２−２６５６４５号、同６２−２７９３２９号、同６４−４６７４２号等に記載されている様に、ゲルパーミエーションクロマトグラフ法によって行われる。本発明においては、ゼラチンの各分子量成分の割合は以下の条件でＧＰＣ法によって求める。
【００６６】
（ＧＰＣ法）
ａ）カラム：Ａｓａｈｉｐａｋ、ＧＳ−６２０（旭化成工業社製）
２本直列接続  カラム温度５０℃
ｂ）溶離液：０．１Ｍ  ＫＨ2ＰＯ4と０．１Ｍ  Ｎａ2ＨＰＯ4との等量混合溶液ｐＨ６．８  流速１．０ｍｌ／ｍｉｎ
ｃ）試料：ゼラチンの０．２％溶離液溶液
注入量  １００μＬ
ｄ）検出：紫外線吸収分光光度計（ＵＶ波長２３０ｎｍ）
リテンションタイム（Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ  Ｔｉｍｅ）による２３０ｎｍの吸収の変化をみると、先ず排除限界のピークがあらわれ、次にゼラチンのγ成分、β成分、α成分によるピークが順次現れ、さらにリテンションタイムが長くなるにつれて徐々に減衰するような形となる。
【００６７】
標準サンプルにて校正した流出曲線のリテンションタイム（Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ  Ｔｉｍｅ）から分子量を求めることができる。
【００６８】
α成分は分子量約１０万のポリペプチド鎖で構成され、α鎖の二量体（β成分）、三量体（γ成分）等ゼラチンは、種々の分子量をもつゼラチン分子の集合体となっており、また、ゼラチンメーカーから所定の平均分子量を有するゼラチンを入手することも出来る。
【００６９】
また、上記ゼラチン等のパインダーは、銀塩微粒子含有感光層を形成する際には、架橋剤によって架橋され所定の膜強度を保つように形成されている。
【００７０】
バインダーの架橋剤としては実質的にバインダー架橋するものであれば、特に限定されない。
【００７１】
ゼラチンの場合には特開昭６１−２４９０４５号、同６１−２４５１５３号広報記載のビニルスルホン型硬膜剤やクロロトリアジン型硬膜剤などを使用することができる。また、その他、必要に応じて増粘剤、また延展剤としての活性剤等種々の添加剤を含んでもよい。
【００７２】
また、銀塩微粒子含有感光層中のハロゲン化銀微粒子を硬調化する方法として、ヒドラジン化合物等を使用してもよい。また硬調化促進剤等を用いてもよい。
【００７３】
［溶媒］
本発明に係わる銀塩微粒子含有感光層塗布液において用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、ホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、酢酸エチルなどのエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。写真用ハロゲン化銀乳剤を用いる場合には、水を主体とする溶媒が好ましい。水を主体とする溶媒とは水を７０質量％以上、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上含有する溶媒である。水単独も好ましい。
【００７４】
［塗布］
ハロゲン化銀粒子を含有する銀塩微粒子含有感光層を塗布する方法としては、従来より種々の方法が知られている。例えば、ディップ塗布法、ブレード塗布法、エアーナイフ塗布法、ワイヤーバー塗布法、グラビア塗布法、リバースロール塗布法、エクストリュージョン型塗布法、スライドホッパー塗布法、スロット型カーテン塗布法、スライド型カーテン塗布法等が知られている。
【００７５】
本発明においては、重層塗布することから、スライドホッパー型塗布法、スライド型カーテン塗布法が好ましい。減圧チャンバーを用いたエクストリュージョン型塗布法（減圧押し出し塗布方法）を用いても構わない。Ａｇ付量（金属銀換算付量）、塗布速度の観点から適宜塗布方法は選択可能である。本発明においては、Ａｇ付量は１〜１０ｇ／ｍ2が好ましく、２〜８ｇ／ｍ2が更に好ましく、４〜７ｇ／ｍ2が最も好ましい。塗布速度にも依るが、この範囲であれば、上記塗布方法をすべて選択可能である。Ａｇ付量（金属銀換算付量）とは、塗布されたハロゲン化銀を当モルの銀に換算した質量である。
【００７６】
減圧押し出し塗布法、スライドホッパー塗布法は、支持体の表面性や濡れ性の変化があっても、ビード部を減圧しているため支持体に対する塗布液の接液位置がほとんど変動せず、均一な膜厚の塗布膜が得ることができる。スライド型カーテン塗布法は、減圧は行わないが、カーテン膜の衝突力により、同様に均一な塗布が可能である。
【００７７】
塗布された銀塩微粒子含有感光層（ハロゲン化銀感光層）は、冷却ゾーンに入り冷却され、ゼラチンがプリン状に固化し、複数層の塗布層が混合できない状態となる。冷却ゾーンを出た塗布層は、乾燥ゾーンに入り、プリン状に固化したまま、ゆっくりと乾燥される。乾燥過程における塗布膜面の表面温度は、乾燥過程で発生する故障の観点から、１５〜３５℃に維持するのが好ましい。１５〜３０℃が更に好ましく、１５〜２５℃が最も好ましい。膜表面の温度は、非接触赤外線表面温度計を用いて測定する。非接触赤外線表面温度計は例えば、株式会社キーエンス製、超小型・小スポット赤外放射温度計ＩＴ２−５０を用いることができる。
【００７８】
乾燥ゾーン突入直後は、含水率１０００％以上で恒率乾燥域と呼ばれる。乾燥が進み、含水率が２００％程度以下となると減率乾燥域に推移するが、塗布膜面温度の影響は、減率乾燥域で特に顕著となる。
【００７９】
［露光］
本発明においては、ハロゲン化銀感光層に、乾燥後、メッシュ露光を行うことによってメッシュ状の金属パターンが形成される。
【００８０】
本発明においては、後述する現像・補力処理により、導電性の金属メッシュパターンを形成するために支持体上に設けられたハロゲン化銀粒子含有層に露光を行う。露光に用いられる光源としては、例えば、可視光線、紫外線などの光、電子線、Ｘ線などの放射線等が挙げられるが、紫外線または近赤外線を用いる態様が好ましい。更に露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、波長分布の狭い光源を用いてもよい。
【００８１】
可視光線は、必要に応じてスペクトル領域に発光を示す各種発光体が用いられる。例えば、赤色発光体、緑色発光体、青色発光体のいずれか１種または２種以上が混合されて用いられる。スペクトル領域は上記の赤色、緑色及び青色に限定されず、黄色、橙色、紫色あるいは赤外領域に発光する蛍光体も用いられる。また、紫外線ランプも好ましく、水銀ランプのｇ線、水銀ランプのｉ線等も利用される。
【００８２】
また、本発明では露光は種々のレーザービームを用いて行うことができる。例えば、本発明における露光は、ガスレーザー、発光ダイオード、半導体レーザー、半導体レーザーまたは半導体レーザーを励起光源に用いた固体レーザーと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発光光源（ＳＨＧ）等の単色高密度光を用いた走査露光方式を好ましく用いることができ、更にＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ2レーザー等も用いることができる。
【００８３】
システムをコンパクトで迅速なものにするために、露光は半導体レーザー、半導体レーザーあるいは固体レーザーと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発生光源（ＳＨＧ）を用いて行うことが好ましい。特にコンパクトで迅速、更に寿命が長く、安定性が高い装置を設計するためには、露光は半導体レーザーを用いて行うことが好ましい。
【００８４】
レーザー光源としては、具体的には紫外半導体、青色半導体レーザー、緑色半導体レーザー、赤色半導体レーザー、近赤外レーザーなどが好ましく用いられる。
【００８５】
ハロゲン化銀粒子含有層をメッシュパターン状に露光する方法は、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービームによる走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた集光式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、面々接触露光、近接場露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。レーザーの出力は、ハロゲン化銀を感光させるのに適した量であればよいので数十μＷ〜５Ｗ程度でよい。
【００８６】
［現像処理］
本発明において現像処理（工程）とは、下記のように現像処理から定着処理までをあらわす。
【００８７】
本発明では、支持体上に銀塩微粒子含有感光層を有する電磁波遮蔽フィルム用原版を露光した後、現像処理が行われる。現像処理は、発色現像主薬を含有しない、いわゆる黒白現像処理であることが好ましい。
【００８８】
現像処理液としては、現像主薬としてハイドロキノン、ハイドロキノンスルホン酸ナトリウム、クロルハイドロキノン等のハイドロキノン類の他に、１−フェニル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４，４−ジメチル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−４−ヒドロキシメチル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−３−ピラゾリドン等のピラゾリドン類及びＮ−メチルパラアミノフェノール硫酸塩等の超加成性現像主薬と併用することができる。また、ハイドロキノンを使用しないでアスコルビン酸やイソアスコルビン酸等レダクトン類を上記超加成性現像主薬と併用することが好ましい。
【００８９】
また、現像処理液には保恒剤として亜硫酸ナトリウム塩や亜硫酸カリウム塩、緩衝剤として炭酸ナトリウム塩や炭酸カリウム塩、現像促進剤としてジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルアミノプロパンジオール等を適宜使用できる。
【００９０】
現像処理で用いられる現像処理液は、画質を向上させる目的で、画質向上剤を含有することができる。画質向上剤としては、例えば、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、５−メチルベンゾトリアゾール等の含窒素へテロ環化合物を挙げることができる。また、リス現像液を利用する場合、特に、ポリエチレングリコールを使用することも好ましい。
【００９１】
本発明においては、露光後に行われる現像処理が、定着前物理現像を含んでいることが好ましい。ここで言う定着前物理現像とは、後述の定着処理を行う前に、露光により潜像を有するハロゲン化銀微粒子の内部以外から銀イオンを供給し、現像銀を補強するプロセスのことを示す。現像処理液から銀イオンを供給するための具体的な方法としては、例えば予め現像処理液中に硝酸銀等を溶解しておき銀イオンを溶かしておく方法、あるいは現像液中に、チオ硫酸ナトリウム、チオシアン酸アンモニウム等のようなハロゲン化銀溶剤を溶解しておき、現像時に未露光部のハロゲン化銀を溶解させ、潜像を有するハロゲン化銀微粒子の現像を補力する方法等が挙げられる。
【００９２】
本発明においては、現像液中に予めハロゲン化銀溶液を溶解しておく処方を用いた方が、未露光部でのカブリ発生による、フィルムの透過率低下を抑制できるため好ましい。
【００９３】
本発明において、メッシュ露光後のハロゲン化銀感光層の現像処理においては、露光されたハロゲン化銀微粒子の現像終了後に、未露光部分のハロゲン化銀微粒子を除去して安定化させる目的で定着処理を行う。本発明における定着処理は、ハロゲン化銀微粒子を用いた写真フィルムや印画紙等で用いられる定着液処方を用いることができる。定着処理で使用する定着液は、定着剤としてチオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム等を使用することができる。定着時の硬膜剤として硫酸アルミウム、硫酸クロミウム等を使用することができる。定着剤の保恒剤としては、現像処理液で述べた亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、アスコルビン酸、エリソルビン酸等を使用することができ、その他にクエン酸、蓚酸等を使用することができる。
【００９４】
露光及び現像処理を行うことにより金属銀からなるメッシュパターンが形成されると共に光透過性部も形成される。
【００９５】
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法においては、特に、定着液中に水溶性アルミニウム化合物などの硬膜剤を含まない定着液で現像処理をすることが好ましい。
【００９６】
露光後に行われる最初の現像処理に於いては、硬膜は強くない方が好ましい。従って、特に、定着液中に水溶性アルミニウム化合物などの硬膜剤を含まない定着液で現像処理をすることが好ましい。
【００９７】
一方、電磁波遮蔽材料（フィルム）としては金属パターンを含む電磁波遮蔽層に一定の膜強度を持たせる必要があるので、物理現像及び／又はメッキ処理の後では、膜を架橋して膜強度を高める必要があり、金属パターンを含む層中のバインダー樹脂を架橋、硬膜することが好ましく、例えばバインダー樹脂がセラチンの場合、グルタルアルデヒド、グルタルアルデヒドの亜硫酸付加物などのアルデヒド化合物や塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、カリ明礬などの水溶性アルミニウム塩などで膜を架橋することが好ましい。従って、物理現像またはメッキ処理浴の後に、例えば、ゼラチン硬膜剤を含有する硬膜浴を設け、バインダー（樹脂）を架橋したのち乾燥する。
【００９８】
或いは、物理現像及び／又はメッキ処理工程中に架橋剤を含有させて硬膜浴とかねても良い。
【００９９】
特に、アルミニウムイオンを含有する硬膜浴は、物理現像及び／又はメッキ処理の後、硬膜浴に電磁波遮蔽材料を浸漬するだけでよく、硬膜浴自体の安定性もよく、ゼラチンの場合架橋によって強固な膜を得ることができるため特に好ましい。
【０１００】
本発明において、電磁波遮蔽フィルム用原版をハロゲン化銀感光材料としてみたとき、現像処理後のＤ／ＬｏｇＥ（Ｄ：濃度、Ｅ：露光量）で規定される階調は、特に限定されるものではないが、４．０を超えることが好ましい。現像処理後の階調が４．０を超えると、光透過性部の透明性を高く保ったまま、導電性金属部の導電性を高めることができる。階調を４．０以上にする手段としては、例えば、前述のロジウムイオン、イリジウムイオンのドープが挙げられる。
【０１０１】
［物理現像及びメッキ処理］
本発明では、前記露光及び現像処理により形成される金属銀部に導電性を付与する目的で、前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させるための物理現像及び／又はメッキ処理を行う。
【０１０２】
本発明における「物理現像」とは、金属や金属化合物の核上に、銀イオンなどの金属イオンを還元剤で還元して金属粒子を析出させることをいう。この物理現象は、インスタントＢ＆Ｗフィルム、インスタントスライドフィルムや、印刷版製造等に利用されており、本発明ではその技術を用いることができる。
【０１０３】
また、物理現像は、露光後の現像処理と同時に行っても、現像処理後に別途行ってもよい。
【０１０４】
本発明において、メッキ処理は、無電解メッキ（化学還元メッキや置換メッキ）、電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの両方を用いることができる。
【０１０５】
本発明において、メッキ処理は、無電解メッキ処理を行って、これに続き電解メッキ処理を行うことが好ましい。
【０１０６】
また、電解メッキ処理は、先ず、低い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことが好ましい。
【０１０７】
低い電流値での電解メッキは、高抵抗値のフィルムにも均一なメッキが可能だが、メッキ金属の成長速度が遅い。また、高い電流値での電解メッキは高抵抗値のフィルムに均一なメッキができないが、メッキ金属の成長速度が速い。品質面、生産能力の面から、採用される各電流値及び各電流値でのメッキ処理時間は決めればよい。
【０１０８】
本発明において、無電解メッキは、公知の無電解メッキ技術を用いることができ、例えば、プリント配線板などで用いられている無電解メッキ技術を用いることができ、また、無電解メッキは無電解銅メッキであることが好ましい。
【０１０９】
無電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤としてホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子としてＥＤＴＡやトリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やメッキ皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン等が挙げられる。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。
【０１１０】
本発明におけるメッキ処理時のメッキ速度は、緩やかな条件で行うことができ、さらに５μｍ／ｈｒ以上の高速メッキも可能である。メッキ処理において、メッキ液の安定性を高める観点からは、例えば、ＥＤＴＡなどの配位子など種々の添加剤を用いることができる。
【０１１１】
又、電解メッキ処理としては、公知の電解メッキ技術を適用することができ、例えば、プリント配線板等で用いられている電解メッキ技術を適用することができ、電解メッキは電解銅メッキであることが好ましい。メッキ液としては、電解銅メッキ液を適用することが好ましい。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴、ピロリン酸銅浴、ホウフッ化銅浴等が挙げられる。電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、メッキ液の安定性、導電性を高め、均一電着性の増加を図る硫酸、アノードの溶解促進及び添加剤の補助効果作用の塩素、浴の安定化やメッキ緻密性を向上させるための添加剤としてポリエチレンオキサイド、ビピリジン等が挙げられる。
【０１１２】
電解メッキ装置を用い、陰電極側給電ロールから被メッキ面である支持体上の金属（銀）メッシュ部へ、メッキ用電源から電解メッキ電流を流し、電解メッキを施す。金属メッシュパターンがシームレスに連続していれば連続して電解メッキを行うことができる。
【０１１３】
なお、電解メッキ処理は、槽を２セット配置し、電流値を変えて行うことが好ましい。また、所望のメッキ膜厚（導電性金属部の厚み）に応じて、これを２以上行ってもよい。
【０１１４】
その後、電解メッキ処理が施された金属メッシュパターンを有する長尺フィルムは、同一の処理を繰り返した後、付着したメッキ液をエアーナイフ及び吸水ロール等により除去して、更に洗浄槽に搬入し洗浄、また防錆処理等を施し乾燥して巻取られる。
【０１１５】
このようにして、走行する支持体上に銀塩微粒子を含有する塗布液を均一に塗布、乾燥して感光層とした感光材料を電磁波遮蔽フィルム用原版として用いて、これを露光、現像処理することで感光層中に得られるメッシュ状金属銀部に、メッキ（導電性金属部）が形成される。ここで、導電性金属部は、導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することがさらに好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／またはメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることができる。さらに、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。
【０１１６】
［導電性金属部］
次に、本発明において形成された導電性金属部パターンについて説明する。
【０１１７】
本発明では、導電性金属部からなる電磁波遮蔽性のメッシュバターンは、前述した露光及び現像処理により形成された金属銀部からなるメッシュパターンを物理現像又はメッキ処理することにより前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させることにより形成されることが好ましい。
【０１１８】
前記金属銀部に、物理現像及び／又はメッキ処理により担持させる導電性金属粒子としては、上述した銀のほか、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、コバルト、スズ、ステンレス、タングステン、クロム、チタン、パラジウム、白金、マンガン、亜鉛、ロジウムなどの金属、又はこれらを組み合わせた合金の粒子を挙げることができる。導電性、価格等から、銅、アルミニウム又はニッケルの粒子が好ましい。また、電磁波シールド性を付与する場合、常磁性金属粒子を用いることが好ましい。
【０１１９】
上記導電性金属部において、コントラストを高め、かつ導電性金属部が経時的に酸化され退色するのを防止する観点から、導電性金属部に含まれる導電性金属粒子は銅粒子であることが好ましく、その表面が黒化処理されたものであることがさらに好ましい。黒化処理は、プリント配線板分野で行われている方法を用いて行うことができる。例えば、亜塩素酸ナトリウム（３１ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（１５ｇ／ｌ）、リン酸三ナトリウム（１２ｇ／ｌ）の水溶液中で、９５℃で２分間処理することにより黒化処理を行うことができる。
【０１２０】
上記導電性金属部は、該導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することがさらに好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることができる。
【０１２１】
さらに、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。
【０１２２】
本発明における導電性金属部は、導電性金属粒子を担持するため良好な導電性が得られる。このため、本発明の透光性電磁波シールド膜（導電性金属部）の表面抵抗率は、１０3Ω／□以下であることが好ましく、１０2Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましく、１．０Ω／□以下であることが最も好ましい。
【０１２３】
透光性電磁波遮蔽材料の用途において、上記導電性金属部の線幅は２０μｍ以下、線間隔は５０μｍ以上であることが好ましい。また、導電性金属部は、アース接続などの目的においては、線幅は２０μｍより広い部分を有していてもよい。また画像を目立たせなくする観点からは、導電性金属部の線幅は１５μｍ未満であることが好ましく、１０μｍ未満であることがさらに好ましく、７μｍ未満であることが最も好ましい。
【０１２４】
形成されるメッシュパターンにおいて、光透過性部の比率（即ち開口率）は、可視光透過率の点から８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とは、メッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅１０μｍ、ピッチ２００μｍの正方形の格子状メッシュの開口率は、９０％である。
【０１２５】
［光透過率］
本発明において、可視光域の平均透過率とは、４００〜７００ｎｍまでの可視光領域の透過率を、少なくとも５ｎｍ毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算し、その平均値として求めたものと定義する。
【０１２６】
測定においては、測定アパチャーを、前述のメッシュパターンより十分大きくとっておく必要があり、少なくともメッシュの格子面積より１００倍以上大きな面積で測定して求める。
【０１２７】
本発明においては、可視光域における平均透過率が、８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。
【０１２８】
［電磁波遮蔽材料の層構成］
本発明の電磁波遮蔽材料における支持体の厚さは、
１０〜３００μｍであることが好ましく、２０μｍ以上、さらに３５μｍ以上が好ましい。また、２００μｍ以下、さらに１２０μｍ以下が好ましい。１０〜３００μｍの範囲であれば所望の可視光の透過率が得られ、かつ取り扱いも容易である。
【０１２９】
物理現像及び／又はメッキ処理前の支持体上に設けられる金属銀部の厚さは、支持体上に塗布されるハロゲン化銀粒子含有層用の塗布液の塗布厚みで適宜決定することができる。金属銀部の厚さは、３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、０．０１〜９μｍであることがさらに好ましく、０．０５〜５μｍであることが最も好ましい。
【０１３０】
ディスプレイの電磁波シールド材の用途としては、導電性金属部の厚さが薄いほどディスプレイの視野角が広がり好ましい。導電性配線材料としては、薄膜化、高密度化が要求され、このような観点から、導電性金属部に担持された導電性金属からなる層の厚さは、９μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上５μｍ未満であることがより好ましく、０．１μｍ以上３μｍ未満であることがさらに好ましい。
【０１３１】
本発明では、上述した銀塩含有層の塗布厚みをコントロールすることにより所望の厚さの金属銀部を形成し、さらに物理現像及び／又はメッキ処理により導電性金属粒子からなる層の厚みを自在にコントロールできるため、５μｍ未満、好ましくは３μｍ未満の厚みを有する透光性の電磁波シールド膜であっても容易に形成することができる。
【実施例】
【０１３２】
以下に、本発明の実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
【０１３３】
なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１３４】
実施例１
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１の調製》
水媒体中のＡｇ１００ｇに対してゼラチン４ｇを含む、球相当径平均０．０４４μｍの塩臭化銀粒子（Ｉ＝２．５モル％）を含有する乳剤を調製した。塗布液として仕上げる際、Ａｇ／ゼラチン体積比は２となるようにゼラチンを追加し、ゼラチン種としては平均分子量５００００のアルカリ処理低分子量ゼラチンを用いた。尚、銀比重は１０．５０ｇ／ｃｍ3、ゼラチン比重は１．３５として計算した。
【０１３５】
また、このハロゲン化銀微粒子含有液中には臭化ロジウム酸カリウム及び塩化イリジウム酸カリウムを濃度が１０-7（モル／モル銀）になるように添加し、臭化銀粒子にＲｈイオンとＩｒイオンをドープした。
【０１３６】
このハロゲン化銀微粒子含有液に塩化パラジウム酸ナトリウムを添加し、更に塩化金酸とチオ硫酸ナトリウムを用いて金硫黄増感を行った後、近赤外増感色素をハロゲン化銀１モル当たり１０-4モル添加し、近赤外増感（（Ｓ−１）を使用）をした後、硬調化剤としてヒドラジン（Ｈ−２）、促進剤のアミン化合物（Ａ−１０）を加えた。
【０１３７】
【化１】
2009010001.tif 000002
【０１３８】
（Ｈ−２）：１−トリフロロメチルカルボニル−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニル｝ヒドラジン
（Ａ−１０）：１−ジメチルアミノ−２−プロパノール
なお、ハロゲン化銀微粒子径は、仕込み時の温度（２５℃）により４４ｎｍとなるように作製した。
【０１３９】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２の調製》
ハロゲン化銀粒子含有液−１と同じ液を作製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比のみ０．２に変更した。
【０１４０】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、及びハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量（銀換算付き量）は、２層の合計で５ｇ／ｍ2とした。尚、乾燥ゾーンにおける乾燥過程では塗布膜面の表面温度をモニターしつつ、２０℃±３℃に維持した。
【０１４１】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１４２】
その後、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１４３】
（現像液組成）
ハイドロキノン                                                        ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン                          １．５ｇ
臭化カリウム                                                        ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム                                                      ５０ｇ
水酸化カリウム                                                        ３０ｇ
硼酸                                                                  １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン                                      １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１４４】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム７２．５％水溶液                              ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム                                                      １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩                                              ６．５ｇ
硼酸                                                                ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩                                          ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液                                                １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液                                                    ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％質量／容量の水溶液）  ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１４５】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１４６】
（物理現像液）
純水                                                              ８００ｍｌ
クエン酸                                                                ５ｇ
ハイドロキノン                                                          ７ｇ
硝酸銀                                                                  ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１４７】
《電解メッキ》
次に、電解メッキ槽において、陰電極側給電ロールから被メッキ面である支持体上の金属メッシュ部へ、メッキ用電源から電解メッキ電流を流し、電解メッキを施した。電解メッキ液としては、下記電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム１を作製した。
【０１４８】
（電解メッキ液）
硫酸銅                                                                ８０ｇ
硫酸                                                                ２００ｇ
塩素イオン                                                        ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１４９】
実施例２
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比のみ、１．２に変更した。
【０１５０】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比のみ０．７に変更した。
【０１５１】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−３》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−３を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比のみ０．２に変更した。
【０１５２】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を中層、及びハロゲン化銀微粒子含有液−３を下層とし、３層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、３層分合計で７ｇ／ｍ2とした。
【０１５３】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１５４】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１５５】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃、３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１５６】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム２を作製した。
【０１５７】
実施例３
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比のみ２．５に変更した。
【０１５８】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比のみ０．２に変更した。
【０１５９】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライド型カーテン塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で７ｇ／ｍ2とした。
【０１６０】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１６１】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１６２】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１６３】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム３を作製した。
【０１６４】
実施例４
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を２．５、及び平均分子量２００００のゼラチンに変更した。
【０１６５】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．２、及び平均分子量１０００００のゼラチンに変更した。
【０１６６】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で７ｇ／ｍ2とした。
【０１６７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１６８】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１６９】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１７０】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム４を作製した。
【０１７１】
実施例５
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を２．５、及び平均分子量２００００のゼラチンに変更した。
【０１７２】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．２、及び平均分子量１５００００のゼラチンに変更した。
【０１７３】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で７ｇ／ｍ2とした。
【０１７４】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１７５】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１７６】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１７７】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム５を作製した。
【０１７８】
実施例６
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．５、及び平均分子量５００００のゼラチンに変更した。
【０１７９】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．１、及び平均分子量１０００００のゼラチンに変更した。
【０１８０】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で７ｇ／ｍ2とした。
【０１８１】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１８２】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１８３】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１８４】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム６を作製した。
【０１８５】
実施例７
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．５、及び平均分子量２００００のゼラチンに変更した。
【０１８６】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．１、及び平均分子量２０００００のゼラチンに変更した。
【０１８７】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で７ｇ／ｍ2とした。
【０１８８】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１８９】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１９０】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１９１】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム７を作製した。
【０１９２】
実施例８
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．３、及び平均分子量５００００のゼラチンに変更した。
【０１９３】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．１、及び平均分子量１０００００のゼラチンに変更した。
【０１９４】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で７ｇ／ｍ2とした。
【０１９５】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０１９６】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１９７】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０１９８】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム８を作製した。
【０１９９】
実施例９
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．３、及び平均分子量２００００のゼラチンに変更した。
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．１、及び平均分子量２０００００のゼラチンに変更した。
【０２００】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で７ｇ／ｍ2とした。
【０２０１】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０２０２】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２０３】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０２０４】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム９を作製した。
【０２０５】
比較例１
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を１に変更した。
【０２０６】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を１．５に変更した。
【０２０７】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で５ｇ／ｍ2とした。
【０２０８】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０２０９】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２１０】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０２１１】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム１０を作製した。
【０２１２】
比較例２
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．５に変更した。
【０２１３】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．５に変更した。
【０２１４】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で５ｇ／ｍ2とした。
【０２１５】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０２１６】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２１７】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０２１８】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム１１を作製した。
【０２１９】
比較例３
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．５に変更した。
【０２２０】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．５に変更した。
【０２２１】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で１２ｇ／ｍ2とした。
【０２２２】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０２２３】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２２４】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０２２５】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム１２を作製した。
【０２２６】
比較例４
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．５、ゼラチンの平均分子量を１０００００に変更した。
【０２２７】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を０．５、ゼラチンの平均分子量を２００００に変更した。
【０２２８】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で５ｇ／ｍ2とした。
【０２２９】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０２３０】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２３１】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０２３２】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム１３を作製した。
【０２３３】
比較例５
《ハロゲン化銀微粒子含有液−１》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を２、ゼラチンの平均分子量を４００００に変更した。
【０２３４】
《ハロゲン化銀微粒子含有液−２》
実施例１のハロゲン化銀微粒子含有液−１と同じ方法で、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を調製したが、Ａｇ／ゼラチン体積比を３、ゼラチンの平均分子量を１０００００に変更した。
【０２３５】
《ハロゲン化銀微粒子含有液の塗布》
下引き済みポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）上に、ハロゲン化銀微粒子含有液−１を上層、ハロゲン化銀微粒子含有液−２を下層とし、２層構成でスライドホッパー型塗布装置により塗布／乾燥を行った。Ａｇ付量は、２層分合計で５ｇ／ｍ2とした。
【０２３６】
《露光／現像》
ハロゲン化銀微粒子含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／２４５μｍ、露光長（長手方向のメッシュ露光パターン長（Ｌ））２０００ｍｍ、メッシュ部の外縁部に３０ｍｍの光透過部を有するガラスマスクを使用して、露光を行った。光源としては、赤色半導体レーザー露光（６８５ｎｍ）を使用した。
【０２３７】
その後、下記の実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０２３８】
《物理現像》
実施例１と同じ物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。
【０２３９】
《電解メッキ》
実施例１と同じ電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、電磁波遮蔽フィルム１４を作製した。
【０２４０】
《評価》
このようにして得られた、導電性の金属メッシュ部分を有する透明な電磁波遮蔽フィルム試料各々に対して、表面比抵抗（表面抵抗率）と透過率をそれぞれ抵抗率計（ロレスタＧＰ（ＭＣＰ−Ｔ６１０型）：（株）ダイヤインスツルメンツ社製）と分光光度計（日立分光光度計Ｕ−３２１０：（株）日立製作所製）を用いて測定した。なお、透過率は４００〜７００ｎｍまでの可視光領域の透過率を少なくとも５ｎｍ毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算しその平均値として求めた。
【０２４１】
各々の評価項目について、下記のように評価した。
【０２４２】
（表面比抵抗）
○：非常に優れている
△：欠点はあるが、実用下限
×：使用不可
（透過率）
○：非常に優れている
△：欠陥が散発するが、実用下限
×：使用不可
（表面観察）
また目視によりその表面観察を行い欠陥の数を評価した。下記基準により評価を行った。
【０２４３】
○：非常に優れている
△：欠陥が散発するが、実用下限
×：使用不可
【０２４４】
【表１】
2009010001.tif 000003
【０２４５】
本発明に係わる電磁波遮蔽フィルムは良好な遮蔽性と、高い透過率を有することが判る。また、表面観察の結果欠陥の数も少ないことが判る。