(57)【要約】【課題】直径が０．５〜２．５μｍである高分子纎維の外部に８０〜１５００nm厚さの磁性金属層を形成して、これを熱処理して高分子纎維だけ選択的に取除くことで形成された、電磁波吸収用中空型金属纎維。【解決手段】本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維は、０．５μｍ以上２．５μｍ未満の孔１２が長さ方向で穿孔されて、０．０８μｍないし２μｍの厚さの金属層１４で構成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．５μｍ以上２．５μｍ未満の孔が長さ方向で穿孔されて、０．０８μｍないし２μｍの厚さの金属層で構成されたことを特徴とする電磁波吸収用中空型金属繊維。
【請求項２】
前記金属層は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、コバルト(Co)、錫(Ｓn)中の一つ以上の磁性金属で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収用中空型金属纎維。
【請求項３】
前記金属層は、多数の層で形成されて、それぞれの層は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、コバルト(Co)、錫(Ｓn)中の一つ以上の金属で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収用中空型金属纎維。
【請求項４】
０．５μｍ以上２．５μｍ未満の直径を持つ高分子纎維を界面活性剤で洗滌して、表面の不純物を取除く高分子纎維洗滌段階と、前記高分子纎維のメッキ反応性を高めるための纎維敏感化段階と、活性化液で高分子纎維を活性化する纎維活性化段階と、前記高分子纎維を３ないし３０分間硫酸水溶液に浸して加速化する加速化段階と、前記高分子纎維の外面に無電解メッキ法で金属層を形成する金属層形成段階と、前記金属層内部の高分子纎維を炭化させて取除く高分子纎維炭化段階と、で構成されることを特徴とする電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法。
【請求項５】
前記纎維敏感化段階は、常温で塩化錫(ＳnCl２)水溶液と塩酸(HCl)溶液に、前記高分子纎維を３分ないし３０分間接触させる過程であることを特徴とする請求項４に記載の電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法。
【請求項６】
前記纎維活性化段階は、パラジウム、金、銀の中で何れかの一つを含む活性化液に、前記高分子纎維を３分ないし３０分接触させる過程であることを特徴とする請求項４に記載の電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法。
【請求項７】
前記金属層形成段階において、前記高分子纎維は、金属塩、錯化剤、安定剤、促進剤、還元剤及びpH調節剤を含んで構成されるメッキ溶液に、５ないし９０分間４０〜９０℃の温度で浸漬されることを特徴とする請求項４に記載の電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法。
【請求項８】
前記高分子纎維炭化段階において、前記金属層が形成された高分子纎維は、不活性気体雰囲気下のオーブンで４００〜６００℃で２〜６時間の間熱処理されることを特徴とする請求項４又は請求項７に記載の電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直径が０．５〜２．５μｍである高分子纎維の外部に８０〜１５００nm厚さの金属層を形成して、これを熱処理して高分子纎維だけ選択的に取除くことで、軽量化された電磁波吸収用中空型金属纎維及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電磁波とは、電場と磁場の周期的な変化が一つになりながら波動で伝播されることであり、デジタル技術と半導体技術などが急速に発達することに伴い、電子製品及びコンピューター関連機器などが日常生活と密接な関係を維持している。
【０００３】
最近では、電子機器と次世代情報通信機器の発展に伴い、回路の動作周波数が〜GHzの高周波帯域へと増加し、機器が多機能且つ小型化される成り行きであり、このような機器よりの電磁波放出によって、人体に有害な電磁波及び電磁波公害が深刻な問題とされている。
【０００４】
過去には、電磁波を遮蔽することで前記の諸問題を解決して来たが、機器内部に反射された電磁波のインターフェア及びノイズ発生によって、機器の誤作動及び信号品質の低下を惹き起こし、このような問題を解決するためには、電磁波を吸収する概念の技術開発が必要不可欠であり、最近、数多い研究が活発に行われている。
【０００５】
優れた電磁波吸収能のためには、高透磁率の磁性材料が主に利用されているが、大部分の磁性素材は、高周波数によって共振現象が起きるため、GHz帯域では透磁率をほとんど喪失してしまい、その密度によって吸収素材の重量が非常に高くなってしまう。従って、薄くて軽い電磁波吸収素材の開発が熱くなっている。
【０００６】
また、磁性スピンは、方向性を有するので、素子や回路の複雑な方向性に合わせた電磁波エネルギー吸収のための微細調節がとても難しい。これを乗り越えるためには、粒子の形状的な側面で纎維の形状が要求され、重量減少的な側面では、極微細の中空型磁性粒子が必須である。
【０００７】
このために、大韓民国特許第２００３-００１２７７６号には、中空炭素纎維または中空炭素粒子に金属を蒸着させている。しかし蒸着された金属の厚さが薄くて、内部には炭素基質(Substrate)が残っているため、重量減少をすることができず、重たい問題点がある。
【０００８】
また、大韓民国公開特許公報第２００７-００４１０２４号には、炭素ナノチューブのような極微細粒子に、無電解メッキを施して金属をコーティングする技術が記載されている。しかし、金属コーティングの厚さが数nmと非常に低くて、吸収素材として製造した場合、高い透磁率を得ることが難しくて炭素基質がそのまま残っていて粒子そのものの重量減少效果がないという短所がある。
【０００９】
大韓民国公開特許公報第２００５-００４８１９７号には、電磁波遮断用多孔質または中空纎維及びその製造方法が記載されていて、多孔質纎維または中空纎維に導電性粒子が混合された樹脂がコーティングされる。しかし、コーティング層に含まれた金属粉末の重量分率が４０〜９０%でコーティング厚さが１０μｍ以上であるため、重量が非常に高くて軽い吸収素材を製造するのが難しい。また基質纎維と金属粉末を含んでいるコーティング層の樹脂がそのまま残っているので、高透磁率を具現するのに問題点がある。
【００１０】
日本特開平１１-１９３４７３では、炭素纎維などに無電解メッキにて金属をコーティングした後、酸素雰囲気で炭素纎維を炭化させて、中空型纎維を製造する技術が記載されている。
【００１１】
前記引用特許では、炭素纎維の直径が１０μｍ以上であるため、極微細金属纎維を製造することができない。だけでなく、中空型にするために炭素纎維を１０００℃以上の温度で長時間熱処理をしなければならないので、多くの費用が必要であり、高い温度で熱処理を行えば、コーティングされている金属が溶融して纎維の形状を維持しにくいという短所がある。
【００１２】
大韓民国特許第２００３-００６８６０１号、第１９９４-００１５０７７号、第２００３-０００４８６１号、日本特開平７-１３８８７４、特開平７-１０２４７６及び米国特許５９３５７０６、２００７-０１１６９７９Ａ１等の発明は、ポリエステル、ナイロン、ポリオレフィン及びケブラーなどの合成纎維に金属をコーティングして電磁波遮蔽に適用している。このような技術に適用された基質纎維は、直径が１０μｍ以上であるため微細な金属纎維の製造が不可能であり、基質纎維がそのまま存在するため重量減少效果をあまり期待できない問題点がある。
【特許文献１】大韓民国特許第２００３-００１２７７６号
【特許文献２】大韓民国公開特許公報第２００７-００４１０２４号
【特許文献３】大韓民国公開特許公報第２００５-００４８１９７号
【特許文献４】特開平１１-１９３４７３号公報
【特許文献５】大韓民国特許第２００３-００６８６０１号
【特許文献６】大韓民国公開特許公報第１９９４-００１５０７７号
【特許文献７】大韓民国公開特許公報第２００３-０００４８６１号
【特許文献８】特開平７-１３８８７４号公報
【特許文献９】特開平７-１０２４７６号公報
【特許文献１０】米国特許５９３５７０６号
【特許文献１１】米国特許２００７-０１１６９７９Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、かかる前記のような問題点を解決するためのもので、直径が０．５〜２．５μｍである高分子纎維の外部に磁性金属を８０〜２０００nmの厚さでコーティングして、これを高温で熱処理して高分子纎維だけを選択的に取除くことで、電磁波吸収效率を高めるだけでなく軽量化が可能な電磁波吸収用中空型金属纎維及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維は、０．５μｍ以上２．５μｍ未満の孔が長さ方向で穿孔されて、０．０８μｍないし２μｍの厚さの金属層で構成されたことを特徴とする。前記金属層は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、コバルト(Co)、錫(Ｓn)中の一つ以上の磁性金属で形成されることを特徴とする。
【００１５】
前記金属層は、多数の層で形成されて、それぞれの層は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、コバルト(Co)、錫(Ｓn)中の一つ以上の磁性金属で形成されることを特徴とする。
【００１６】
本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法は、０．５μｍ以上２．５μｍ未満の直径を持つ高分子纎維を界面活性剤で洗滌して、表面の不純物を取除く高分子纎維洗滌段階と、前記高分子纎維のメッキ反応性を高めるための纎維敏感化段階と、活性化液で前記高分子纎維を活性化する纎維活性化段階と、前記高分子纎維を３ないし３０分間硫酸水溶液に浸して加速化する加速化段階と、前記高分子纎維の外面に無電解メッキ法で金属層を形成する金属層形成段階と、前記金属層内部の高分子纎維を炭化させて取除く高分子纎維炭化段階で構成されることを特徴とする。
【００１７】
前記纎維敏感化段階は、常温で塩化錫(ＳnCl２)水溶液と塩酸(HCl)溶液に、前記高分子纎維を３分ないし３０分間接触させる過程であることを特徴とする。
【００１８】
前記纎維活性化段階は、パラジウム、金、銀の中で何れかの一つを含む活性化液に、前記高分子纎維を３分ないし３０分接触させる過程であることを特徴とする。
【００１９】
前記金属層形成段階において、前記高分子纎維は、金属塩、錯化剤、安定剤、促進剤、還元剤及びpH調節剤を含んで構成されるメッキ溶液に、５ないし９０分間４０〜９０℃温度で浸漬されることを特徴とする。
【００２０】
前記高分子纎維炭化段階において、前記金属層が形成された高分子纎維は、不活性気体雰囲気下のオーブンで４００〜６００℃で２〜６時間の間熱処理されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
以上で説明しているように、本発明では、０．５〜２．５μｍの直径を持つ高分子纎維外面に敏感化、活性化、加速化及び無電解メッキにて磁性金属層をコーティングして、これを高温で熱処理して高分子纎維だけを選択的に炭化してとり除いている。したがって、本発明によって製造された金属纎維は、中空形状を持つためより軽い利点があり、纎維形態であるため優れた電磁波吸収性能を持つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、電磁波吸収用中空型金属纎維(以下「金属纎維」とする)の構成を添付された図１を参照して説明する。
【００２３】
図１には、本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維を現わした拡大写真が記載されている。
【００２４】
図１のように、本発明による金属纎維１０は、中央部に孔１２が長さ方向で穿孔された円柱形状の外形を持ち、全体的に金属層１４によって形成される。
【００２５】
前記孔１２は、０．５μｍ以上２．５μｍ未満の内径を持ち、前記金属層１４内部に位置していた高分子纎維が除去されることで形成されたものである。そして、前記金属層１４は、０．０８μｍないし２μｍの厚さを持ち、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、コバルト(Co)、錫(Ｓn)中の一つ以上の磁性金属で形成される。
【００２６】
また、前記金属層１４は、多数の層で構成されることもできる。より詳細に説明すると前記金属層１４は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、コバルト(Co)、錫(Ｓn)中の一つ以上の磁性金属で多数回無電解メッキを施して、それぞれの金属層１４が相互違う材質で形成されるように構成することもできる。
【００２７】
以下、電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法を添付された図２を参照して説明する。図２には、本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法を現わした製造工程図が図示されている。
【００２８】
図２のように、本発明による金属纎維の製造する方法は、０．５μｍ以上２．５μｍ未満の直径を持つ高分子纎維を界面活性剤で洗滌して、表面の不純物を取除く高分子纎維洗滌段階Ｓ１００と、前記高分子纎維のメッキ反応性を高めるための纎維敏感化段階Ｓ２００と、前記高分子纎維を活性化液で活性化する纎維活性化段階Ｓ３００と、前記高分子纎維を３ないし３０分間硫酸水溶液に浸して加速化する加速化段階Ｓ４００と、前記高分子纎維の外面に無電解メッキ法で金属層１４を形成する金属層形成段階Ｓ５００と、前記金属層１４内部の高分子纎維を炭化させて取除く高分子纎維炭化段階Ｓ６００で構成される。
【００２９】
前記高分子纎維洗滌段階Ｓ１００は、金属層形成段階Ｓ５００の実施を容易くするための過程であり、図示されてはないが、前記高分子纎維は、直径が０．５〜２．５μｍの極微細高分子纎維であり、天然纎維とポリエステル纎維、ポリアミド纎維、ポリアクリル纎維、ポリオレフィン纎維、ポリイミド纎維、ポリアリルエーテルケトン纎維のような合成纎維で構成される。
【００３０】
そして、前記高分子纎維は、直径が０．５μｍ未満の場合は、中空型に製造された金属纎維１０において重量減少效果が小くなって、直径が２．５μｍを超えた場合には、高分子纎維の体積分率(Volume Fraction)が大きくなるから微細な金属纎維１０を得るのに望ましくない。
【００３１】
前記高分子纎維洗滌段階Ｓ１００にて洗滌された高分子纎維は、高分子纎維炭化段階Ｓ６００にて除去されて前記孔１２を形成するようなり、前記金属纎維１０は、長さ方向の中央に孔１２が穿孔された中空型を現わすようになる。
【００３２】
前記高分子纎維洗滌段階Ｓ１００以後には、纎維敏感化段階Ｓ２００が実施される。前記纎維敏感化段階Ｓ２００は、常温で塩化錫(SnCl２)水溶液と塩酸(HCl)溶液に前記高分子纎維を３分ないし３０分間接触させて、高分子纎維を敏感化(Sensitizing)する過程である。
【００３３】
前記纎維敏感化段階Ｓ２００以後には、纎維活性化段階Ｓ３００が実施される。前記纎維活性化段階Ｓ３００は、常温で塩化パラジウム(PdCl２)水溶液と塩酸(HCl)溶液などの活性化液に前記高分子纎維を３分ないし３０分接触させて高分子纎維を活性化(Activating)させる過程である。
【００３４】
この時前記活性化液は、銀及び金が含まれた溶液であることがあり、硫酸溶液及びアンモニア水の単独及び混合形態の物が添加されることもある。以後前記高分子纎維は、硫酸水溶液に３分ないし３０分間浸され加速化(Accelerating)される加速化段階Ｓ４００を経るようになる。
【００３５】
前記加速化段階Ｓ４００以後には、前記金属層１４を形成するための金属層形成段階Ｓ５００が実施される。前記金属層形成段階Ｓ５００は、高分子纎維外側に無電解メッキで金属層１４を形成する過程である。
【００３６】
すなわち、前記金属層形成段階Ｓ５００では、金属塩、錯化剤、安定剤、促進剤、還元剤及びpH調節剤が投入されたメッキ溶液に、高分子纎維を５分ないし９０分間４０〜９０℃の温度範囲で浸漬させることで、高分子纎維表面に０．０８μｍないし２μｍの厚さを持つ金属層１４を形成させるようになる。
【００３７】
前記メッキ溶液に含まれた金属は、ニッケル、銅、鉄、金、銀、鉛、コバルト及び錫であることがあり、単独または混合して使われることもある。そして、高透磁率を具現するためには、ニッケル、鉄及びコバルトの単独または混合形態での使用が望ましい。
【００３８】
前記金属層形成段階Ｓ５００が完了すれば、前記高分子纎維は、金属層１４の内部中央に長さ方向で長く挟まれた状態になる。
【００３９】
そして、前記金属層１４は、ニッケル、銅、鉄、金、銀、鉛、コバルト及び錫が、単独または混合して構成されることができる単層または多層で形成されることがある。
【００４０】
前記金属層１４の厚さは、０．０８μｍないし２μｍであることが望ましいが、０．０８μｍ未満の場合は、十分な量の中空型金属纎維１０を得ることと、その強度が弱くて纎維の形状を維持することが難しくなる。
【００４１】
また、金属層１４の厚さが２μｍを超えた場合には、高分子纎維の除去による中空型を通じての重量減少效果が落ちるため、望ましくない。以後前記金属層形成段階Ｓ５００によって金属層１４が形成されれば、前記高分子纎維炭化段階Ｓ６００が実施される。
【００４２】
前記高分子纎維炭化段階Ｓ６００は、金属層１４と高分子纎維の中で高分子纎維のみを選択的に取除いて、前記金属纎維１０内部に孔１２を形成することで中空型を形成するようにする過程である。
【００４３】
このために、内部に高分子纎維が挟まれた状態の金属層１４は、不活性気体雰囲気下のオーブンで４００〜６００℃で２〜６時間の間熱処理されて、この際、前記金属層１４内部の高分子纎維は炭化されて除去されて、前記金属層１４内部には孔１２が形成されることで、中空型金属纎維１０の製造は完了する。
【００４４】
以下、本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法を実施例をあげて説明することにする。
＜実施例１＞
【００４５】
前記実施例１に使われた高分子纎維は、直径が１μｍである極微細ポリエステルであり、アルキルベンゼンスルホン酸塩２g/L水溶液に１時間の間浸漬させて精錬した後、前記高分子纎維を蒸溜水に充分に水洗して乾燥して使う(高分子纎維洗滌段階:Ｓ１００)。
【００４６】
敏感化のために、前記精錬、乾燥した高分子纎維を塩化錫１０g/L水溶液と塩酸溶液７ml/Lに入れて常温で１０分間処理する(纎維敏感化段階:Ｓ２００)。
【００４７】
敏感化された高分子纎維は、活性化のための塩化パラジウムを使う。塩化パラジウム０．５g/L水溶液と塩酸溶液２ml/Lの混合溶液を４０℃に維持して、高分子纎維を混合溶液に投入して３０分間接触させる(纎維活性化段階:Ｓ３００)。
【００４８】
塩化パラジウム処理された高分子纎維は、硫酸１５%溶液に１０分間処理して加速化させる(加速化段階:Ｓ４００)。前記金属層形成段階Ｓ５００では、無電解ニッケルメッキを適用してあり、下のような組成のメッキ浴を製造して実施している。
【００４９】
【表１】
2009185378.tif 000003
【００５０】
前記金属層形成段階Ｓ５００は、pH=９、９０℃のメッキ浴で１０分間行い、メッキ反応が終わった以後、ニッケルがコーティングされた高分子纎維は、真空乾燥される。中空型のニッケル金属纎維１０に製造するために、５００℃の高温オーブンでアルゴン雰囲気下で４時間の間熱処理して、ポリエステルに形成された高分子纎維を炭化させるようになる(高分子纎維炭化段階:Ｓ６００)。実施例１によって製造された金属纎維１０は、コーティング厚さ、金属組成及び電磁波特性を測定して表３に現わしている。
＜実施例２＞
【００５１】
ポリエステル高分子纎維に鉄で構成された金属層１４を形成するため、実施例１のように精錬Ｓ１００、敏感化Ｓ２００、活性化Ｓ３００及び加速化Ｓ４００過程を行う。そして、金属層形成段階Ｓ５００は、表２のような組成のメッキ浴を製造して実施している。
【００５２】
【表２】
2009185378.tif 000004
【００５３】
前記金属層形成段階Ｓ５００で非電解鉄メッキは、pH=８．５、８０℃のメッキ浴で６０分間行い、金属層１４が形成された高分子纎維は、真空乾燥している。
【００５４】
以後中空型の鉄金属纎維１０に製造するために５００℃の高温オーブンでアルゴン雰囲気下で４時間の間熱処理して、ポリエステル高分子纎維を炭化させている(高分子纎維炭化段階:Ｓ６００)。実施例２によって製造された中空型鉄金属纎維１０は、コーティング厚さ、金属組成及び電磁波特性を測定して表３に現わしている。
【００５５】
【表３】
2009185378.tif 000005
※組成：ＥＤＳにて測定している。
※コーティング厚さ：ＳＥＭで観察している。
※電磁波吸収性能：それぞれの中空型金属纎維を、エポキシ樹脂に３０ｗｔ％を投入し硬化させて複合材料を製作した後、ネットワークアナライザにて吸収性能を測定している。
＜実施例３＞
【００５６】
ポリエステル高分子纎維にコバルト金属層１４を形成するため、実施例１のように精錬Ｓ１００、敏感化Ｓ２００、活性化Ｓ３００及び加速化Ｓ４００段階を行う。そして、前記金属層形成段階Ｓ５００は、表４のような組成のメッキ浴を製造して実施している。
【００５７】
【表４】
2009185378.tif 000006
【００５８】
前記実施例３での金属層形成段階Ｓ５００は、pH=９、８０℃のメッキ浴で６０分間行い、コバルト金属層１４が形成された以後、高分子纎維及び金属層１４は真空乾燥される。
【００５９】
以後中空型のコバルト金属纎維１０に製造するために、５００℃の高温オーブンでアルゴン雰囲気下で４時間の間熱処理して、ポリエステルに形成された高分子纎維だけ炭化させて取除くようになる(高分子纎維炭化段階:Ｓ６００)。実施例３によって製造された中空型コバルト金属纎維１０は、コーティング厚さ、金属組成及び電磁波特性を測定して表３に現わしている。
＜実施例４＞
【００６０】
ポリエステル高分子纎維にニッケル-鉄金属層１４を形成するため、実施例１のように精錬Ｓ１００、敏感化Ｓ２００、活性化Ｓ３００及び加速化Ｓ４００過程を行う。そして、前記金属層形成段階Ｓ５００のための無電解メッキ浴は、表５のような組成で製造している。
【００６１】
【表５】
2009185378.tif 000007
【００６２】
前記金属層形成段階Ｓ５００のためのメッキ浴は、pH=９に調整して、９０℃で６０分間行い、金属層１４が形成された高分子纎維は、真空乾燥している。以後中空型金属纎維１０に製造するために、５００℃の高温オーブンでアルゴン雰囲気下で４時間の間熱処理して、ポリエステルに形成された高分子纎維が炭化されるようにしている(Ｓ６００)。
【００６３】
実施例４で中空型金属纎維１０は、コーティング厚さ、金属組成及び電磁波特性を測定して表３に現わしている。
＜実施例５＞
【００６４】
ポリエステル高分子纎維にニッケル-鉄-コバルトコーティングをするために、実施例１のように精錬Ｓ１００、敏感化Ｓ２００、活性化Ｓ３００及び加速化Ｓ４００過程を行う。そして、前記金属層形成段階Ｓ５００のための無電解メッキ浴は、表６のような組成で製造している。
【００６５】
【表６】
2009185378.tif 000008
【００６６】
前記金属層形成段階Ｓ５００のためのメッキ浴は、pH=９に調整して、９０℃で６０分間行い、メッキ反応が終わった以後、金属層１４が形成された高分子纎維は、真空乾燥している。
【００６７】
以後中空型金属纎維１０に製造するために、５００℃の高温オーブンでアルゴン雰囲気下で４時間の間熱処理して、ポリエステルに形成された高分子纎維が炭化されるようにしている(Ｓ６００)。
【００６８】
実施例５によって製造された中空型金属纎維１０は、コーティング厚さ、金属組成及び電磁波特性を測定して表３に現わしている。
＜実施例６＞
【００６９】
ポリエステル高分子纎維にニッケル金属層１４と鉄金属層１４を順次に形成するため、実施例１のように精錬Ｓ１００、敏感化Ｓ２００、活性化Ｓ３００及び加速化Ｓ４００過程を行う。そして、前記金属層形成段階Ｓ５００のための無電解メッキ浴組成は、表７のように製造している。
【００７０】
【表７】
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【００７１】
前記金属層形成段階Ｓ５００のためのメッキ浴は、pH=９に調整して、９０℃で１０分間行い、メッキ反応が終わった後、ニッケル金属層１４が形成された高分子纎維は、真空乾燥している。
【００７２】
前記ニッケル金属層１４の外面に２次的に鉄金属層１４を形成するために、ニッケル金属層１４が形成された高分子纎維に敏感化Ｓ２００、活性化Ｓ３００及び加速化Ｓ４００段階を実施する。
【００７３】
前記纎維敏感化段階Ｓ２００は、塩化錫３g/L水溶液と塩酸溶液５ml/Lに入れて常温で５分間実施している。
【００７４】
前記纎維活性化段階Ｓ３００は、塩化パラジウム０．２g/L水溶液と塩酸溶液２ml/Lの混合溶液を４０℃に維持して、ニッケル金属層１４が形成された高分子纎維を投入した後１０分間実施している。
【００７５】
前記加速化段階Ｓ４００は、硫酸１５%溶液に５分間浸けて実施している。以後前記金属層形成段階Ｓ５００は、表７のような組成で無電解メッキしてニッケル金属層１４の外面に鉄金属層１４を形成するようになる。
【００７６】
このようにした後、前記鉄金属層１４とニッケル金属層１４の外側で順次に積層形成された高分子纎維は、５００℃の高温オーブンでアルゴン雰囲気下で４時間の間熱処理されて炭化される(Ｓ６００)されることで、図１のような中空型の金属纎維１０の製造が完了する。
【００７７】
そして、中空型の金属纎維１０は、コーティング厚さ、金属組成及び電磁波特性を測定して表３に現している。
【００７８】
このような本発明の範囲は、前記で例示した実施例に限定するのではなく、前記のような技術範囲内で通常の技術を有する当業者においては、本発明を基にする他の数多い変形が可能であろう。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維を現わした拡大写真。
【図２】本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維の製造方法を現わした製造工程図。
【符号の説明】
【００８０】
１０  金属纎維
１２  孔
１４  金属層
Ｓ１００  高分子纎維洗滌段階
Ｓ２００  纎維敏感化段階
Ｓ３００  纎維活性化段階
Ｓ４００  加速化段階
Ｓ５００  金属層形成段階
Ｓ６００  高分子纎維炭化段階
【図２】
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【図１】
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