(57)【要約】【課題】開口度、外力からの耐性及び基板間の位置決め精度を向上させた液晶表示装置を提供すること。【解決手段】本発明は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦの間に液晶層４０を挟持してシール材２で貼り合わせてなる液晶表示装置１であって、アレイ基板ＡＲは、複数本の走査線１１及び信号線１２と、ＴＦＴからなるスイッチング素子と、スイッチング素子を含む基板全体を覆う層間膜１７と、層間膜１７上に形成された少なくとも１つの電極と、を有し、カラーフィルタ基板ＣＦは、所定色のカラーフィルタ層３２を有し、さらに、アレイ基板ＡＲのスイッチング素子のチャネル部ＣＲを覆う層間膜１７には開口部ＯＰが設けられており、カラーフィルタ基板ＣＦの開口部ＯＰに平面視で重なる部分には遮光層３１が延設されているとともに、一部が開口部ＯＰに埋め込まれるように第１柱状スペーサＳＰ１が配設されている。【選択図】図３
2009175568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持し、前記一対の基板のうち、一方の基板は、表示領域に絶
縁膜を介してマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号
線の交差部近傍に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子、前記走査線及
び信号線が設けられた基板全体を覆うように形成される層間膜と、前記層間膜上の前記走
査線及び信号線で囲まれた領域毎に形成された少なくとも１つの電極と、を有し、他方の
基板は、所定色のカラーフィルタ層を有し、前記一対の基板をシール材で貼り合わせてな
る液晶表示装置において、
前記一方の基板の前記スイッチング素子のチャネル部を覆う前記層間膜には開口部が設
けられており、前記他方の基板の前記開口部に平面視で重なる部分には遮光層が延設され
ているとともに、一部が前記開口部に埋め込まれるように第１柱状スペーサが配設されて
いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの電極は、前記層間膜に形成されたコンタクトホールを経て前記ス
イッチング素子の電極に電気的に接続されており、一部が前記コンタクトホールに埋め込
まれるように第２柱状スペーサが配設されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの電極は、前記層間膜上に形成されると共に前記層間膜に形成され
た前記コンタクトホールを経て前記スイッチング素子の電極に電気的に接続された第１電
極と、前記一方の基板の前記表示領域の周縁部に沿って形成されたコモン配線に電気的に
接続された第２電極と、からなり、前記第１及び第２電極には複数のスリットが形成され
るとともに、くし歯状に互いに噛み合うように一定間隔を隔てて配置されていることを特
徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの電極は、前記層間膜上に形成されると共に前記層間膜に形成され
た前記コンタクトホールを経て前記スイッチング素子の電極に電気的に接続された第１電
極と、前記一方の基板の前記表示領域の周縁部に沿って形成されたコモン配線に電気的に
接続された第２電極と、からなり、前記第２電極には複数のスリットが形成されるととも
に、無機透明絶縁材料からなる電極間絶縁膜を介して前記第１電極の前記液晶層側に対向
配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記層間膜は前記スイッチング素子の電極を直接被覆しており、前記電極間絶縁膜は前
記開口部を介して前記チャネル部を直接被覆していることを特徴とする請求項３及び４に
記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの電極は、前記層間膜上に形成されると共に前記層間膜に形成され
た前記コンタクトホールを経て前記スイッチング素子の電極に電気的に接続された第１電
極からなり、さらに、前記他方の基板には第２電極が形成されており、前記一方の基板は
前記スイッチング素子を直接被覆する無機絶縁層を備えていることを特徴とする請求項１
又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記柱状スペーサと前記シール材とは同一材料を用いて形成されていることを特徴とす
る請求項1〜６の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１柱状スペーサあるいは第２柱状スペーサの前記開口部あるいは前記コンタクト
ホールに埋め込まれる部分の長さは、前記第１柱状スペーサあるいは第２柱状スペーサの
全長の１／４以上の長さであることを特徴とする請求項1〜６の何れかに記載の液晶表示
装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、一対の基板間に配設される柱状スペーサの配設位
置を工夫することにより、外力からの高い耐性及び高開口度を実現した液晶表示装置に関
するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話機等に代表される携帯型の機器に多く使用される液晶表示装置は、一対
の基板間距離、すなわち液晶のセルギャップを一定とするため、スペーサが使用されてい
る。このスペーサとしては球状スペーサや柱状スペーサが知られている。このうち、柱状
スペーサを使用すると、この柱状スペーサは、一方の基板側に一体化して形成でき、しか
も高さを一定にできると共に表示領域を避けて配置することができるので、表示品質が良
好となる利点を有している。
【０００３】
このような柱状スペーサを用いた液晶表示装置としては、例えば下記特許文献１〜４に
開示されたものが知られている。
これらの下記特許文献１〜４に開示された発明は、いずれも柱状スペーサをスイッチン
グ素子としての薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）のチャネル部に合わせて配
設するとともに、このＴＦＴが形成された位置が遮光層に覆われる構造を採用している。
【０００４】
更に詳しく述べれば、例えば下記特許文献１には、柱状スペーサを一方の基板に形成さ
れるＴＦＴ遮光用の遮光層と同時に形成して、ＴＦＴ上に載置した液晶表示装置の発明が
開示されている。
【０００５】
また、下記特許文献２には、柱状スペーサの頂部を粗面加工することにより一対の基板
間に反り、撓み等が発生した際の柱状スペーサに加わる応力に起因する基板ずれを防止し
た液晶表示装置の発明が開示されている。
【特許文献１】特開平７−５４７５号公報
【特許文献２】特開２００５−３１４１４号公報
【特許文献３】特開２００１−２７７６２号公報
【特許文献４】特開２００５−３１６３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１〜４に開示された発明によれば、柱状スペーサを遮光層により遮光され
たＴＦＴ上に配設することでこの柱状スペーサに起因して生じる配向ずれ等は視認できな
くなるため、表示品質の高い液晶表示装置が得られる。
【０００７】
ところで、液晶表示装置においては、外部からの応力によって基板にずれや反り、ある
いは撓みが発生しないように外力からの耐性に優れたものが求められている。このような
要求は近年のタッチパネル式表示装置の需要拡大に合わせてますます高まってきている。
しかしながら、上記特許文献１〜４に開示された液晶表示装置において、外力が例えば横
方向から生じた場合には、柱状スペーサは一方の基板表面を擦りながら移動し、縦方向か
ら生じた場合には柱状スペーサが形成された位置に応力が集中する。したがって、柱状ス
ペーサが基板表面を擦りながら移動した場合には、基板表面の膜、例えば配向膜の剥離、
異質物化を誘発する恐れがあるし、柱状スペーサが形成された位置に応力が集中した場合
には、この位置が基板の反り、撓み等の起点となってしまうという恐れがある。
【０００８】
なお、上記特許文献２に開示された液晶表示装置には、基板の反り、撓み等による基板
ずれを防止する目的で、柱状スペーサの頂部を粗面加工し、基板間の静止摩擦係数を上げ
るという構造が記載されている。この構造を採用すれば、一応外力に対する基板ずれがよ
り生じにくくなる。しかし、この構造を採用したとしても、横方向からの外力に起因して
基板が実際にずれてしまった際には上述したように柱状スペーサが基板表面を擦りながら
移動することになり、上述したものと同様の課題が顕在してしまう。また、柱状スペーサ
の頂部を粗面加工して得られる静止摩擦力では外力に対する基板ずれを防止するには十分
とはいえない。
【０００９】
また、公知の液晶表示装置は、通常、一対の基板のうちの一方に柱状スペーサを形成し
、これらの基板を対向させてシール材を用いて貼り合わせ、内部に液晶を封入することで
組み立てられている。この一連の組立工程において、一対の基板を貼り合わせる際には、
例えば基板に予めアライメントマーク等を形成して位置合わせを行い貼り合わせている。
しかしながら、この位置合わせは各基板に形成された配線等が非常に高精細であるために
、例えばナノメータオーダーでの作業となっている。したがってこの位置決め制御は非常
に煩雑となっている。
【００１０】
本発明は、上述した種々の課題を解決するためになされたものであって、柱状スペーサ
に基板貼り合わせ時の位置決め機能を付加し、加えて外力に対する耐性をも高めることが
可能な構造を採用したことにより、高い開口度、外力からの高い耐性及び基板間の高い位
置決め精度を実現した液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本願の液晶表示装置の発明は一対の基板間に液晶層を挟持
し、前記一対の基板のうち、一方の基板は、表示領域に絶縁膜を介してマトリクス状に形
成された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線の交差部近傍に形成されたス
イッチング素子と、前記スイッチング素子、前記走査線及び信号線が設けられた基板全体
を覆うように形成される層間膜と、前記層間膜上の前記走査線及び信号線で囲まれた領域
毎に形成された少なくとも１つの電極と、を有し、他方の基板は、所定色のカラーフィル
タ層を有し、前記一対の基板をシール材で貼り合わせてなる液晶表示装置において、
前記一方の基板の前記スイッチング素子のチャネル部を覆う前記層間膜には開口部が設
けられており、前記他方の基板の前記開口部に平面視で重なる部分には遮光層が延設され
ているとともに、一部が前記開口部に埋め込まれるように第１柱状スペーサが配設されて
いることを特徴とする。
【００１２】
上記発明によれば、一方の基板のスイッチング素子のチャネル部を覆う層間膜に開口部
が形成され、他方の基板の開口部に対向する位置に遮光層及びこの開口部に一部が埋め込
まれる第１柱状スペーサが形成された構成を備えている。つまり、両基板が貼り合わされ
た状態で、第１柱状スペーサは開口部により横方向及び縦方向の何れの方向にもその移動
が規制されることになる。したがって、この第１柱状スペーサは横方向あるいは縦方向の
応力に対して基板のずれあるいは反り等を規制する効果を奏することになり、外力からの
耐性に優れた液晶表示装置を得ることができるようになる。また、第１柱状スペーサの頂
部の開口部内への埋め込みは、両基板を貼り合わせた際に行われるため、この基板貼り合
わせ時においては位置合わせを補完する役目を果たすことができる。したがって、高精度
な位置合わせが要求される両基板の貼り合わせ工程が簡単になる。さらに、この第１の柱
状スペーサは本来遮光層で遮光されて非表示領域となるスイッチング素子上に形成するの
で、この柱状スペーサにより画素領域内の開口面積が小さくなることがなく、開口度を低
下させない構造とすることができる。
【００１３】
また、上記発明において、前記少なくとも１つの電極は、前記層間膜に形成されたコン
タクトホールを経て前記スイッチング素子の電極に電気的に接続されており、一部が前記
コンタクトホールに埋め込まれるように第２柱状スペーサが配設されていると好ましい。
【００１４】
上記好ましい態様によれば、上述した開口部と同様に、スイッチング素子の電極と少な
くとも１つの電極とが接続する位置は、スイッチング素子の電極が、通常遮光性金属材料
で形成されることから非表示領域となるため、この位置に第２柱状スペーサを配設しても
開口度を低下させることがない。また、走査線及び信号線で囲まれた領域（１画素領域）
に対して柱状スペーサを２つ配設することが可能となるのでセルギャップの均一性も十分
に維持することができる。さらに、このコンタクトホールに第２柱状スペーサの頂部が埋
め込まれるので、液晶表示装置の外力からの耐性をさらに高くすることができる。なお、
層間膜の開口部とコンタクトホールとは平面視で繋がっていてもよい。その場合、前記コ
ンタクトホールと開口部が連続することで拡大された開口部に埋め込まれるように柱状ス
ペーサが配設されていると好ましい。
【００１５】
また、上記発明において、前記少なくとも１つの電極は、前記層間膜上に形成されると
共に前記層間膜に形成された前記コンタクトホールを経て前記スイッチング素子の電極に
電気的に接続された第１電極と、前記一方の基板の前記表示領域の周縁部に沿って形成さ
れたコモン配線に電気的に接続された第２電極と、からなり、前記第１及び第２電極には
複数のスリットが形成されるとともに、くし歯状に互いに噛み合うように一定間隔を隔て
て配置されていると好ましい。
【００１６】
上記好ましい態様によれば、一方の基板に第１、第２電極を形成しているので、いわゆ
る横電界方式の液晶表示装置のうち、特にＩＰＳモードの液晶表示装置においても上述の
効果が得られるようになる。
【００１７】
また、上記発明において、前記少なくとも１つの電極は、前記層間膜上に形成されると
共に前記層間膜に形成された前記コンタクトホールを経て前記スイッチング素子の電極に
電気的に接続された第１電極と、前記一方の基板の前記表示領域の周縁部に沿って形成さ
れたコモン配線に電気的に接続された第２電極と、からなり、前記第２電極には複数のス
リットが形成されるとともに、無機透明絶縁材料からなる電極間絶縁膜を介して前記第１
電極の前記液晶層側に対向配置されていると好ましい。
【００１８】
上記好ましい態様によれば、一方の基板に第１、第２電極を形成しているので、いわゆ
る横電界方式の液晶表示装置のうち、特にＦＦＳモードの液晶表示装置においても上述の
効果が得られるようになる。
【００１９】
また、上記発明において、前記層間膜は前記スイッチング素子の電極を直接被覆してお
り、前記電極間絶縁膜は前記開口部を介して前記チャネル部を直接被覆していると好まし
い。
【００２０】
上記好ましい態様によれば、ＦＦＳモードの液晶表示装置においては、電極間絶縁膜が
直接チャネル部を被覆する構成を採用することにより、従来スイッチング素子の絶縁性及
び耐湿性を補償するために成膜される無機絶縁層、いわゆるパッシベーション膜を形成す
る必要がなくなる。よって製造工数を少なくすることができる。
【００２１】
また、上記発明において、前記少なくとも１つの電極は、前記層間膜上に形成されると
共に前記層間膜に形成された前記コンタクトホールを経て前記スイッチング素子の電極に
電気的に接続された第１電極からなり、さらに、前記他方の基板には第２電極が形成され
ており、前記一方の基板は前記スイッチング素子を直接被覆する無機絶縁層を備えている
と好ましい。
【００２２】
上記好ましい態様によれば、一対の基板のそれぞれに第１、第２電極を形成しているの
で、ＴＮモード、ＶＡモードあるいはＭＶＡモードに代表されるいわゆる縦電界方式の液
晶表示装置において上述した効果を得ることができるようになる。
【００２３】
また、上記発明において、前記柱状スペーサと前記シール材とは同一材料を用いて形成
されていると好ましい。
【００２４】
上記好ましい態様によれば、第１及び第２柱状スペーサとシール材に同一材料を使用で
きるので、複数種の材料を用意する必要がなく製造コストを安価にすることが可能となる
。また、第１及び第２の柱状スペーサもシール材も同一の基板に形成あるいは塗布されて
用いられるものであり、しかも第１及び第２の柱状スペーサの高さ方向の全長と一対の基
板の基板間距離はほぼ同一であるので、第１及び第２の柱状スペーサの形成プロセスとシ
ール材の塗布プロセスとを同時に行うことも可能となる。よって製造工数を少なくできる
。
【００２５】
また、上記発明において、前記第１柱状スペーサあるいは第２柱状スペーサの前記開口
部あるいは前記コンタクトホールに埋め込まれる部分の長さは、前記第１柱状スペーサあ
るいは第２柱状スペーサの全長の１／４以上の長さであると好ましい。
【００２６】
上記好ましい態様によれば、第１あるいは第２の柱状スペーサの開口部あるいはコンタ
クトホール内への埋め込み長さを第１あるいは第２の柱状スペーサの全長の１／４以上と
すれば、外力からの耐性が極めて向上するので好ましい。なお、第１柱状スペーサの全長
から開口部内への埋め込み長さを引いた長さ、あるいは第２柱状スペーサの全長からコン
タクトホール内への埋め込み長さを引いた長さはセルギャップとほぼ同一となるので、セ
ルギャップの調整と合わせて第１あるいは第２の柱状スペーサの長さを調節すれば簡単に
上述の関係にすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであって、本発明
をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれる
その他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【００２８】
図１は本発明の実施例１に係る液晶表示装置を示す平面図である。図２は図１に示す液
晶表示装置のアレイ基板表面の１画素部分を拡大して示す要部拡大図である。図３は図２
のIII−III線で切断した断面図である。図４は本発明の実施例２に係る液晶表示装置を示
す平面図である。図５は図４の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して示す３画素
分の拡大平面図である。図６は図５のVI−VI線で切断した断面図である。図７は実施例２
の液晶表示装置の変形例を示す図６に対応する断面図である。図８は本発明の実施例３に
係る液晶表示装置の図６に対応する断面図である。
【００２９】
なお、ここで述べるアレイ基板及びカラーフィルタ基板の「表面」とは各種配線が形成
された面ないしは液晶と対向する側の面を示すものとする。また、この明細書における説
明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に
比例して表示されているものではない。
【実施例１】
【００３０】
本実施例１に係る液晶表示装置１は、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertica
l Alignment）モードあるいはＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モードで駆動
するいわゆる縦電界方式の液晶表示装置である。また、図１に示すように、アレイ基板Ａ
Ｒ及びカラーフィルタ基板ＣＦと、両基板ＡＲ、ＣＦを貼り合わせるシール材２と、アレ
イ基板ＡＲ、カラーフィルタ基板ＣＦ及びシール材２により囲まれた領域に封入された液
晶層４０（図３参照）と、から構成されたいわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）型の液晶表
示装置である。この液晶表示装置１においては、シール材２により囲まれた領域が表示領
域ＤＡを形成しており、この表示領域ＤＡの外側が額縁部分となっている。なお、図１に
は表示領域ＤＡに当たる領域に格子状のハッチングが施されている。
【００３１】
アレイ基板ＡＲは、図１〜図３に示すように、矩形状のガラス基板からなる透明基板１
０の表面に液晶駆動用の各種配線等が形成されたものである。このアレイ基板ＡＲはカラ
ーフィルタ基板ＣＦよりもその長手方向の長さが長く、両基板ＡＲ、ＣＦを貼り合わせた
際に外部に延在する延在部１０ａが形成されるようになっている。この延在部１０ａには
駆動信号を出力するＩＣチップあるいはＬＳＩ等からなるドライバＤｒが設けられている
。
【００３２】
アレイ基板１０の表示領域ＤＡ内には、図２に示すように、マトリクス状に複数本の走
査線１１及び信号線１２が形成されており、この複数本の走査線１１及び信号線１２は、
表示領域ＤＡ外まで延出されて引回されてドライバＤｒに接続されている。
【００３３】
更に、アレイ基板ＡＲの表示領域ＤＡ内には、図３に示すように、複数本の走査線１１
及び信号線１２に加えて、複数本の走査線１１間に設けられこの走査線１１と平行な複数
本の補助容量線１３と、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、及び半導体層１
５４からなるスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）と、走査線１１
と信号線１２とで囲まれた領域を覆う画素電極１８と、が設けられている。なお、ＴＦＴ
の半導体層１５としてはポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
あるいはＬＴＰＳ（Low Temperature Poly Silicon）が通常用いられる。また、複数本の
走査線１１及び信号線１２により囲まれた領域が１画素領域（サブピクセル）ＰＡ１を形
成している。
【００３４】
次に、主に図２及び図３を参照して、アレイ基板ＡＲの表面に形成された各種配線等の
製造工程について簡単に説明する。
先ず、透明基板１０上に所定厚のアルミニウム、モリブデン、クロム、チタンあるいは
これらの合金からなる導電物質を成膜する。なお、前述した材料以外の材料でも可能であ
る。そして、周知のフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによりその一部
をエッチング除去して、横方向に伸びる複数本の走査線１１と、これら複数本の走査線１
１間に位置する補助容量線１３と、走査線１１から延在するゲート電極Ｇと、補助容量線
１３の一部を拡幅して形成される補助容量電極１３ａと、を形成する。
【００３５】
次に、前記工程によって走査線１１や補助容量線１３等が形成された透明基板１０上を
覆うように公知のプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等を用いて所定厚のゲート
絶縁膜１４が成膜される。このゲート絶縁膜１４としては窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸
化シリコン（ＳｉＯ２）等からなる透明な無機絶縁材料が用いられる。
【００３６】
次に、ゲート絶縁膜１４上に半導体材料、例えばａ−Ｓｉを成膜する。そして、ゲート
電極Ｇを覆う部分を残してａ−Ｓｉ層をエッチング除去し、ＴＦＴの一部となる半導体層
１５を形成する。そして同様の手法により、上述の工程で複数の層が形成された透明基板
１０上に更に導電性物質を成膜し、走査線１１に交差する方向に延びる複数本の信号線１
２、この信号線１２から延設され半導体層１５に接続されるソース電極Ｓ、補助容量電極
１３ａ上を覆うとともに一端が半導体層１５に接続されるドレイン電極Ｄをパターニング
する。これにより、透明基板１０の走査線１１と信号線１２との交差部近傍にＴＦＴが形
成される。
【００３７】
さらにまた、これらの各種配線を覆うように表面の安定化のための透明な無機絶縁材料
、例えばＳｉＮＸあるいはＳｉＯ２からなるパッシベーション膜１６を成膜し、続いて、
アレイ基板ＡＲの表面を平坦化するための透明な感光性樹脂材料、例えばフォトレジスト
からなる層間膜１７が成膜される。そして、この層間膜１７のＴＦＴのチャネル部ＣＲを
覆う位置には開口部ＯＰが形成されている。加えて、層間膜１７及びパッシベーション膜
１６の補助容量電極１３ａ上に位置する部分には、後述する画素電極１８とドレイン電極
Ｄとを電気的に接続するためのコンタクトホールＣＨが設けられている。
【００３８】
層間膜１７の成膜工程について詳述すると、先ずＴＦＴが形成された透明基板１０の表
面にフォトレジスト等の感光性樹脂材料からなる膜を形成し、プリベークした後、公知の
露光装置を用いて露光すると共に現像処理して、表示領域ＤＡに層間膜１７を形成した後
、光反応処理及びベーキング処理を行なう。このうち、光反応処理は、感光性樹脂膜の透
明性を向上させる目的でＵＶ光を照射して感光性官能基を光反応させる処理である。また
、ベーキング処理は、加熱処理を行うことにより、パターン形成された感光性樹脂を焼成
し、樹脂内の化学反応（主には架橋反応）によって化学的、物理的に安定な絶縁膜として
基板上に形成する処理である。なお、ここで形成された層間膜１４の厚さは、例えば１．
５〜３．０μｍとすることが好ましい。層間膜１４の厚さが１．５μｍ未満であると、Ｔ
ＦＴ等の存在箇所で段差が生じるようになるので、以降の工程で形成される下電極１７や
上電極２１にも段差が生じるようになり、セルギャップが不均一となるので好ましくない
。また、層間膜１４の厚さが３．０μｍを超えると、層間膜１４による光吸収率が大きく
なって表示領域ＤＡの明るさが低下するので好ましくない。
【００３９】
開口部ＯＰは露光形成される層間膜１７の成膜プロセス時に同時に形成されるものであ
り、開口部ＯＰの底部にはＴＦＴのチャネル部ＣＲを覆うパッシベーション膜１６が露出
している。また、コンタクトホールＣＨは露光形成される層間膜１７の成膜プロセス時に
層間膜１７に形成された穴の底部に露出したパッシベーション膜１６をエッチング除去す
ることにより形成される。なお、このコンタクトホールＣＨは、補助容量電極１３ａが所
定の容量を得られる程度にその面積が大きく取られているため、開口部ＯＰに比して大き
な径を備えるものである。
【００４０】
そして、走査線１１及び信号線１２によって囲まれた１画素領域ＰＡ１ごとに例えばＩ
ＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）からなる画素電極１９を
形成する。このとき好ましくはその外縁部が走査線１１及び信号線１２上に位置し、かつ
隣接する画素電極１９同士が非接続状態となるように設ける。最後に、上述の工程を経て
複数層が形成された基板上に配向膜１９を成膜し、配向膜１９の表面をラビング処理する
。以上の工程によりアレイ基板ＡＲが製造される。なお、このようにして製造されたアレ
イ基板ＡＲの開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨは、窪み状に維持されており、後述す
る第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部が収容可能な状態となっている。
【００４１】
カラーフィルタ基板ＣＦは、図１及び図３に示すように、矩形状のガラス基板からなる
透明基板３０の表面に液晶駆動用の各種配線等が形成されたものである。詳しくは、アレ
イ基板ＡＲに形成された走査線１１及び信号線１２に合わせて格子状に形成されるととも
にアレイ基板ＡＲに形成されたＴＦＴ上を覆うように形成された遮光層３１と、各画素領
域ＰＡ１にそれぞれ形成された複数色、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各
色からなるカラーフィルタ層３２と、遮光層３１及びカラーフィルタ層３２とを覆う保護
膜３３とを備えている。なお、遮光層３１の形状は、上記のような格子状に必ずしも限定
されるものではなく、例えばストライプ状やＴＦＴ上を覆うだけの形状であってもよい。
【００４２】
加えて、この保護膜３３の表面には、アレイ基板ＡＲに設けられた画素電極１８との間
で電界を形成し液晶層４０を駆動するためのＩＴＯまたはＩＺＯからなる共通電極３４と
、この共通電極３４の表面を覆う配向膜３５と、が形成されている。共通電極３４は、カ
ラーフィルタ基板ＣＦの額縁部分に形成されたトランスファ電極Ｔ（図１参照）を介して
アレイ基板ＡＲ側に引回されており、ドライバＤｒに接続されている。
【００４３】
そして、配向膜３５の表面には、所定高さの第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２が
設けられている。第１柱状スペーサＳＰ１は、ＴＦＴの表面を覆う遮光層３１上に間に保
護層３４や共通電極３５等を介して設けられており、その径は、アレイ基板ＡＲの開口部
ＯＰ内にその先端部が埋め込み可能なように調節されている。また、第２柱状スペーサＳ
Ｐ２は、アレイ基板ＡＲのコンタクトホールＣＨが形成された位置に設けられており、こ
のコンタクトホールＣＨ内にその先端部が埋め込み可能な径を有している。なお、この第
２柱状スペーサＳＰ２が形成される位置は、補助容量電極１３ａが通常遮光性材料から形
成されるため、非表示領域となる。したがって、この位置にも遮光層３１を延設させてお
けば、この位置に生じる配向ずれに起因する光漏れ等を抑制することができる。また、こ
の第２柱状スペーサＳＰ２は、コンタクトホールＣＨが開口部ＯＰに比して大きく設けら
れているので、その径を大きく取ることができ、セルギャップの均一性及び外力からの耐
性を飛躍的に向上させることができるようになるため、好ましい。
【００４４】
次に、主に図３を参照して、カラーフィルタ基板ＣＦの表面に形成された各種配線等の
製造工程について簡単に説明する。
先ず、透明基板３０表面に金属クロム又は金属クロムと酸化クロムを塗布し、公知のス
パッタリング法で走査線１１、信号線１２及びＴＦＴ上を遮光する遮光層３１を成膜する
。次いで、複数色のカラーフィルタ層３２を例えばストライプ状あるいはモザイク状等の
所定の配置でそれぞれの色毎に順次成膜を行う。次に、遮光層３１及びカラーフィルタ層
３２を保護するとともにこれらの部材と後述する共通電極３４との密着性を向上させるた
めのシリカ等からなる保護膜３３を成膜する。
【００４５】
そして、上に示した工程を経て得られた基板の表面全体に亘ってＩＴＯ又はＩＺＯ等か
らなる共通電極３４を成膜する。また、この共通電極３４の表面には配向膜３５が成膜さ
れ、この配向膜３５の表面はラビングローラ等によりラビングされる。さらに、この配向
膜３５の表面には紫外線硬化樹脂、例えばアクリル樹脂等を所定厚で塗布し、公知のフォ
トリソグラフィ法を用いて少なくともＴＦＴ上を覆う遮光層３１上、及びドレイン電極Ｄ
と画素電極１８とが接続された部分に対向する位置に第１、第２柱状スペーサＳＰ１、Ｓ
Ｐ２を形成する。以上の工程によりカラーフィルタ基板ＣＦが製造される。なお、このよ
うに製造されるアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦの外面には偏光板４１が設け
られている。
【００４６】
以上のように形成されたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦの貼り合わせは、
先ず、カラーフィルタ基板ＣＦ側の表示領域ＤＡを覆うように額縁状に、例えばディスペ
ンサ等を用いて紫外線硬化樹脂からなるシール材２を塗布する。なお、このシール材２は
後に液晶が封入される液晶封入口２ａ（図１参照）を一部に形成するように塗布される。
次いで、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦの表面同士を互いに対向させて重ね合
わせる。この際、第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部が開口部ＯＰ及びコンタ
クトホールＣＨ内に埋め込まれるように位置合わせを行う。このように第１、第２柱状ス
ペーサＳＰ１、ＳＰ２と開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨとを位置合わせして重ね合
わせると、位置決め精度が向上すると共に、以降のシール材硬化工程時等に横方向から何
らかの外力が発生したとしてもこの応力によって基板がずれることを第１、第２柱状スペ
ーサＳＰ１、ＳＰ２が抑制する働きをするため、基板ずれが生じることがない。
【００４７】
上述のように両基板ＡＲ、ＣＦを重ね合わせた後、シール材２に紫外線を照射すること
によりシール材２が硬化されて、一対の基板ＡＲ、ＣＦからなる空セルが形成される。そ
して、この空セルの液晶注入口２ａから液晶を注入し、その後液晶注入口２ａを封止剤で
封止することにより液晶表示装置１が製造される。
【００４８】
このようにして製造された液晶表示装置１は、図３に示すように、第１、第２柱状スペ
ーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部が開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨ内に埋め込まれるよう
にして配置している。したがって、例えば一方の基板に横方向の外力が生じた場合には、
開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨ内に埋め込まれている第１、第２柱状スペーサＳＰ
１、ＳＰ２の頂部が開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨの側壁面に接触し、横方向の外
力に対して基板ずれを抑制する効果が得られる。加えて、第１、第２柱状スペーサＳＰ１
、ＳＰ２の頂部がアレイ基板ＡＲ側の配向膜１９を擦るように横方向に移動することがな
いので、配向膜１９の剥離あるいは異質物化が生じることもない。
【００４９】
また、例えば一方の基板に縦方向の外力が生じた場合にも、第１、第２柱状スペーサＳ
Ｐ１、ＳＰ２の頂部が開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨ内に埋め込まれているので、
この第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２が外力により横方向に変形することなく、緩
衝材として基板を強固に支持することができる。
【実施例２】
【００５０】
次に、図４〜図６を参照して、他の態様に係る液晶表示装置１Ａについて説明を行う。
なお、本実施例２において上記実施例１の液晶表示装置１と同様の構成からなる部分につ
いては同一の符号を付してその詳細な説明は省略し、異なる構成についてのみ詳述する。
【００５１】
本実施例２に係る液晶表示装置１Ａは、いわゆる横電界方式の液晶表示装置に関するも
のであって、ここでは、特にＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示装置１
Ａについて説明を行う。この液晶表示装置１Ａは、図４に示すように、アレイ基板ＡＲ１
及びカラーフィルタ基板ＣＦ１と、両基板ＡＲ１、ＣＦ１を貼り合わせるシール材２と、
アレイ基板ＡＲ１、カラーフィルタ基板ＣＦ１及びシール材２により囲まれた領域に封入
された液晶層４０（図６参照）と、から構成されたいわゆるＣＯＧ型の液晶表示装置であ
る。この液晶表示装置１Ａにおいては、シール材２により囲まれた領域が表示領域ＤＡを
形成しており、この表示領域ＤＡの外側は額縁領域となっている。また、シール材２の一
部には液晶を注入するための液晶注入口２ａが形成されている。なお、図４には表示領域
ＤＡに当たる領域に格子状のハッチングが施されている。
【００５２】
アレイ基板ＡＲ１は、透明基板１０上に各種配線が設けられたものからなり、カラーフ
ィルタ基板ＣＦ１よりもその長手方向の長さが長く、両基板ＡＲ１、ＣＦ１を貼り合わせ
た際に外部に延在する延在部１０ａが形成されるようになっており、この延在部１０ａに
はドライバＤｒが設けられている。そして、このアレイ基板ＡＲ１の額縁領域には、ドラ
イバＤｒからの各種信号を後述する走査線１１及び信号線１２に送るために各種引回し線
（図示省略）が形成されており、更には、後述する下電極２１に接続されるコモン配線Ｃ
ｏｍも形成されている。なお、本実施例２の液晶表示装置１Ａにはトランスファ電極Ｔは
形成されていない。
【００５３】
次に各基板の構成について、図５及び図６を参照して説明を行う。先ず、アレイ基板Ａ
Ｒ１には、図５及び図６に示すように、透明基板１０の表面に例えばＭｏ／Ａｌの２層配
線からなる複数の走査線１１が互いに平行になるように形成されている。また、この走査
線１１が形成された透明基板１０の表面全体に亘ってＳｉＮＸないしはＳｉＯ２等の無機
透明絶縁材料からなるゲート絶縁膜１４が被覆されている。更に、このゲート絶縁膜１４
の表面のスイッチング素子（例えばＴＦＴ）が形成される領域にはａ−Ｓｉ等からなる半
導体層１５が形成されている。この半導体層１５が形成されている位置の走査線１１の領
域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。
【００５４】
また、ゲート絶縁膜１４の表面には、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層か
らなるソース電極Ｓを含む信号線１２及びドレイン電極Ｄが形成されている。この信号線
１２のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄは、いずれも半導体層１５の表面に部分的に
重なっている。更に、このアレイ基板ＡＲ１の表面全体に透明な無機絶縁材料からなるパ
ッシベーション膜１６が形成されている。そして、このパッシベーション膜１６の表面全
体に感光性材料からなる層間膜１７が被覆されており、加えて、この層間膜１７のチャネ
ル部ＣＲに対応する位置には開口部ＯＰが形成され、ドレイン電極Ｄに対応する位置には
コンタクトホールＣＨが形成されている。
【００５５】
そして、図２に示したパターンとなるように、走査線１１及び信号線１２で囲まれた領
域の層間膜１７上に透明導電性材料、例えばＩＴＯないしＩＺＯからなる下電極（画素電
極）１８が形成されている。この下電極１８はコンタクトホールＣＨを介してドレイン電
極Ｄと電気的に接続されている。更に、この下電極１８上には電極間絶縁膜２２が形成さ
れている。この電極間絶縁膜１８には、例えばＳｉＮＸ等の無機透明絶縁材料が使用され
る。そして、この電極間絶縁膜１８上には走査線１１及び信号線１２で囲まれた領域に複
数のスリット２０を有する透明導電性材料、例えばＩＴＯないしＩＺＯからなる上電極（
共通電極）２１が形成されている。なお、この上電極２１は、各画素領域に形成されてい
るとともに、それぞれが連結部２１Ｂで互いに連結され、液晶表示装置１Ａの額縁領域に
配線されたコモン配線Ｃｏｍに電気的に接続されている。なお、このコモン配線Ｃｏｍと
上電極２１とは例えば図４のＸ部分で接続され、コモン配線Ｃｏｍの他端部はドライバＤ
ｒに接続されている。このように上電極２１を額縁領域に配線されたコモン配線Ｃｏｍに
接続する構成とすると、画素領域ＰＡ２内に補助容量線１３等を形成する必要がないので
開口度を向上させることができる。そして、この基板の表面全体に亘り所定の配向膜１９
が形成されている。
【００５６】
スリット２０を有する上電極２１は、走査線１１及び信号線１２で囲まれた領域毎に平
面視で例えばくし歯状となるよう、スリット２０の信号線１２側の一端の幅が大きい開放
端２０ａとなっているとともに他端が閉鎖端２０ｂとなっている。これにより、開放端２
０ａ側の開口度が向上し、より明るい表示を行うことができるようになっている。
【００５７】
カラーフィルタ基板ＣＦ１は、図６に示すように、透明基板３０の表面に走査線１１、
信号線１２及びＴＦＴに対応する位置を被覆するように遮光層３１が形成されている。更
に、遮光層３１で囲まれた透明基板３０の表面には、複数色、例えばＲ、Ｇ、Ｂの３色か
らなるカラーフィルタ層３２が形成され、更に遮光層３１及びカラーフィルタ層３２の表
面を被覆するように保護膜３３が形成されている。そして、この基板の表面全体に亘り所
定の配向膜３５が形成されている。
【００５８】
そして、配向膜３５の表面には、上記実施例１の液晶表示装置１と同様に、所定高さの
第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２が設けられている。第１柱状スペーサＳＰ１は、
ＴＦＴの表面を覆う遮光層３１上に間に保護層３４や共通電極３５等を介して設けられて
おり、その径は、アレイ基板ＡＲ１の開口部ＯＰ内にその先端部が埋め込み可能なように
調節されている。また、第２柱状スペーサＳＰ２は、アレイ基板ＡＲ１のコンタクトホー
ルＣＨが形成された位置に設けられており、このコンタクトホールＣＨ内にその先端部が
埋め込み可能な径を有している。
【００５９】
以上の構成を有するアレイ基板ＡＲ１及びカラーフィルタ基板ＣＦ１の貼り合わせは、
先ず、カラーフィルタ基板ＣＦ１側の表示領域ＤＡを覆うように額縁状に、例えばディス
ペンサ等を用いて紫外線硬化樹脂からなるシール材２を塗布する。なお、このシール材２
は後に液晶が封入される液晶封入口２ａ（図４参照）を一部に形成するように塗布される
。次いで、アレイ基板ＡＲ１とカラーフィルタ基板ＣＦ１の表面同士を互いに対向させて
重ね合わせる。この際、第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部が開口部ＯＰ及び
コンタクトホールＣＨ内に埋め込まれるように位置合わせを行う。このように第１、第２
柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２と開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨとを位置合わせして
重ね合わせると、位置決め精度が向上すると共に、以降のシール材硬化工程時等に横方向
から何らかの外力が発生したとしてもこの応力によって基板がずれることを第１、第２柱
状スペーサＳＰ１、ＳＰ２が抑制する働きをするため、基板ずれが生じることがない。
【００６０】
上述のように両基板ＡＲ１、ＣＦ１を重ね合わせた後、シール材２に紫外線を照射する
ことによりシール材２が硬化されて、一対の基板ＡＲ１、ＣＦ１からなる空セルが形成さ
れる。そして、この空セルの液晶注入口２ａから液晶を注入し、その後液晶注入口２ａを
封止剤で封止することにより液晶表示装置１Ａが製造される。
【００６１】
このようにして製造された液晶表示装置１Ａは、図６に示すように、第１、第２柱状ス
ペーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部が開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨ内に埋め込まれるよ
うにして配置している。したがって、例えば一方の基板に横方向の外力が生じた場合には
、開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨ内に埋め込まれている第１、第２柱状スペーサＳ
Ｐ１、ＳＰ２の頂部が開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨの側壁面に接触し、横方向の
外力に対して基板ずれを抑制する効果が得られる。加えて、第１、第２柱状スペーサＳＰ
１、ＳＰ２の頂部がアレイ基板ＡＲ１側の配向膜１９を擦るように横方向に移動すること
がないので、配向膜１９の剥離あるいは異質物化が生じることもない。
【００６２】
なお、本実施例２においては、ＦＦＳモードの液晶表示装置１Ａについて説明したが、
他の横電界方式、詳しくはＩＰＳ（In-Plane Switching）モードの液晶表示装置において
も同様の構成を採用できる。なお、このＩＰＳモードの液晶表示装置は、ＦＦＳモードの
液晶表示装置１Ａに比して、画素電極及び共通電極のそれぞれにスリットが形成され、こ
れらの電極が互いにくし歯状に噛み合うように同一層に配設される点のみ異なり、その他
の構成についてはほぼ同一である。
【００６３】
また、本実施例２においては、コンタクトホールＣＨに対向する位置に第２柱状スペー
サＳＰ２を形成したものを説明したが、図７に示す変形例としての画素領域ＰＡ２'のよ
うに、この第２柱状スペーサＳＰ２を設けることなく、第１柱状スペーサＳＰ１のみでセ
ルギャップを保持する構造とすることももちろん可能である。
【実施例３】
【００６４】
次に、本発明の実施例３として、上記実施例２に示した横電界方式の液晶表示装置１Ａ
を改良したものについて、図８を参照して説明を行う。なお、図８は上記実施例２の図６
と対応するように図示したものであり、実施例２の液晶表示装置１Ａと同様の構成である
部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００６５】
本実施例３に係る液晶表示装置は、上記実施例２の液晶表示装置１Ａに比して、アレイ
基板ＡＲ２の成膜構造が異なるのみであり、カラーフィルタ基板ＣＦ２の構成、及びアレ
イ基板ＡＲ２とカラーフィルタ基板ＣＦ２との貼り合わせ作業等は液晶表示装置１Ａのも
のと同一である。したがって、以下には本実施例３に係る液晶表示装置のアレイ基板ＡＲ
２の成膜構造についてのみ説明する。
【００６６】
アレイ基板ＡＲ２は、透明基板１０上に各種配線が設けられたものからなり、カラーフ
ィルタ基板ＣＦ２よりもその長手方向の長さが長く、両基板ＡＲ２、ＣＦ２を貼り合わせ
た際に外部に延在する延在部１０ａが形成されるようになっており、この延在部１０ａに
はドライバＤｒが設けられている。そして、このアレイ基板ＡＲ１の額縁領域には、ドラ
イバＤｒからの各種信号を後述する走査線１１及び信号線１２に送るために各種引回し線
（図示省略）が形成されており、更には、後述する下電極２１に接続されるコモン配線Ｃ
ｏｍも形成されている。なお、本実施例２の液晶表示装置１Ａにはトランスファ電極Ｔは
形成されていない。
【００６７】
このアレイ基板ＡＲ１には、図８に示すように、透明基板１０の表面に例えばＭｏ／Ａ
ｌの２層配線からなる複数の走査線１１が互いに平行になるように形成されている。また
、この走査線１１が形成された透明基板１０の表面全体に亘ってゲート絶縁膜１４が被覆
されている。更に、このゲート絶縁膜１４の表面のＴＦＴが形成される領域にはａ−Ｓｉ
等からなる半導体層１５が形成されている。この半導体層１５が形成されている位置の走
査線１１の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。また、ゲート絶縁膜１４の表面には
、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層からなるソース電極Ｓを含む信号線１２
及びドレイン電極Ｄが形成されている。この信号線１２のソース電極Ｓ部分及びドレイン
電極Ｄは、いずれも半導体層１５の表面に部分的に重なっている。
【００６８】
そして、上記実施例２においては、ソース電極Ｓを含む信号線１２及びドレイン電極Ｄ
が形成された後、このアレイ基板ＡＲ１の表面全体に透明な無機絶縁材料からなるパッシ
ベーション膜１６が形成されている。しかしながら、本実施例３においては、このパッシ
ベーション膜１６は形成せずに、直ちに層間膜１７を形成する。すなわち、ＴＦＴが形成
された透明基板１０の表面にフォトレジスト等の感光性材料からなる膜を形成し、プリベ
ークした後、公知の露光装置を用いて露光すると共に現像処理して、表示領域ＤＡに層間
膜１７を形成した後、光反応処理及びベーキング処理を行なう。従って、層間膜１７はＴ
ＦＴのチャネル部ＣＲ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄの表面を直接被覆するように形
成される。加えて、この層間膜１７のチャネル部ＣＲに対応する位置には開口部ＯＰが形
成され、ドレイン電極Ｄに対応する位置にはコンタクトホールＣＨが形成されている。
【００６９】
以降は、上記実施例２に示したものと同様に、下電極（画素電極）１８、電極間絶縁膜
２２、複数のスリット２０を有する上電極（共通電極）２１及び配向膜１９が順次形成さ
れる。なお、電極間絶縁膜２２は開口部ＯＰ内にまで延在するように成膜されている。ま
た、上電極２１は液晶表示装置の額縁領域に配線されたコモン配線Ｃｏｍに電気的に接続
されている。
【００７０】
このように、本実施例３に係る液晶表示装置においては、アレイ基板ＡＲ２にパッシベ
ーション膜１６が形成されていないので、実施例２に示すアレイ基板ＡＲ１に対して、パ
ッシベーション膜１６の成膜プロセスと、下電極１８とドレイン電極Ｄとを電気的に接続
するための、ドレイン電極Ｄ上に成膜されたパッシベーション膜１６のエッチングプロセ
スと、が不要となる。したがって製造工程数を削減することが可能となる。また、開口部
ＯＰの底部は透明な無機絶縁材料からなる電極間絶縁膜２２により覆われているので、チ
ャネル部ＣＲの絶縁性及び耐湿性が低下する恐れもない。そして、本実施例３の液晶表示
装置においても上記実施例３に示した液晶表示装置１Ａと同様の効果が得られることは明
らかである。
【００７１】
なお、上記各実施例において、好ましくは第１柱状スペーサＳＰ１あるいは第２柱状ス
ペーサＳＰ２の全長Ｌ１と、この第１柱状スペーサＳＰ１あるいは第２柱状スペーサＳＰ
２の頂部が開口部ＯＰあるいはコンタクトホールＣＨ内に埋め込まれる長さＬ２の関係を
以下の式（１）に示す関係となるように設定すれば、外力に対する耐性が十分に得られる
ようになる。なお、図面中では第１柱状スペーサＳＰ１の全長をＬ１とし、この第１柱状
スペーサＳＰ１が開口部ＯＰに埋め込まれる長さをＬ２として示している。
Ｌ２≧（１／４）Ｌ１                        ・・・（１）
【００７２】
さらにまた、上記実施例１においては、第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２とシー
ル材２とはいずれも紫外線硬化樹脂により形成されているので、材料を統一することがで
き、製造単価を安くすることができる。加えて、第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２
の全長Ｌ１はアレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦとの基板間距離とほぼ等しいため
、カラーフィルタ基板ＣＦへの第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２の形成プロセスと
シール材２塗布プロセスとを同時に行うことが可能となり、製造工程を少なくすることが
できるようになる。
【００７３】
さらに加えて、上記各実施例で述べた第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部と
開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨの底部とは当接した状態で図示したが（図３、図６
及び図８参照）、計時変化によって基板が僅かに反ったり、あるいは柱状スペーサ形成時
の成膜精度のばらつき等によりこの部分が離間する場合がある。すると、従来の液晶表示
装置においては横方向の外力に対してはシール材の接着力のみで基板ずれを抑えるしかな
くなるが、本発明の液晶表示装置においては、依然として第１、第２柱状スペーサＳＰ１
、ＳＰ２が基板ずれの抑制効果を奏する。また、縦方向の応力が生じた場合であっても第
１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部と開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨの底
部との間に生じた隙間に入り込んだ液晶が緩衝材の役目を果たし、外力からの耐性を確保
することができる。なお、第１、第２柱状スペーサＳＰ１、ＳＰ２の頂部と開口部ＯＰ及
びコンタクトホールＣＨの底部との間の少なくともいずれかに予め僅かな隙間を形成して
おくことももちろん可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の実施例１に係る液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置のアレイ基板表面の１画素部分を拡大して示す要部拡大図である。
【図３】図２のIII−III線で切断した断面図である。
【図４】本発明の実施例２に係る液晶表示装置を示す平面図である。
【図５】図４の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して示す３画素分の拡大平面図である。
【図６】図５のVI−VI線で切断した断面図である。
【図７】実施例２の液晶表示装置の変形例を示す図６に対応する断面図である。
【図８】本発明の実施例３に係る液晶表示装置の図６に対応する断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１、１Ａ：液晶表示装置  ２：シール材  １０、３０：透明基板  １１：走査線  １２：
信号線  １３：補助容量線  １３ａ：補助容量電極  １４：ゲート絶縁膜  １５：半導体
層  １６：パッシベーション膜  １７：層間膜  １８：画素電極  １９、３５：配向膜  
２０：スリット  ２１、３４：共通電極  ３１：遮光膜  ３２：カラーフィルタ層  ３３
：保護膜  ＡＲ、ＡＲ１、ＡＲ２：アレイ基板  ＣＦ、ＣＦ１、ＣＦ２：カラーフィルタ
基板  ＯＰ：開口部  ＣＨ：コンタクトホール  ＳＰ１、ＳＰ２：第１、第２柱状スペー
サ  ＣＲ：チャネル部  Ｓ：ソース電極  Ｄ：ドレイン電極  Ｇ：ゲート電極  ＤＡ：表
示領域  ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ２'、ＰＡ３：画素領域  Ｄｒ：ドライバ  Ｔ：トランス
ファ電極  Ｃｏｍ：コモン配線
【図１】
2009175568.tif 000003
【図２】
2009175568.tif 000004
【図３】
2009175568.tif 000005
【図４】
2009175568.tif 000006
【図５】
2009175568.tif 000007
【図６】
2009175568.tif 000008
【図７】
2009175568.tif 000009
【図８】
2009175568.tif 000010