(57)【要約】【課題】電力消費に時間的な偏りを防止し、システム電力の安定化を図り、電源線電圧降下に起因するクロストークを抑制する。【解決手段】それぞれ電流駆動型の発光素子を有する複数の画素と、前記各画素に画像電圧を書込むための複数の信号線と、前記複数の信号線を介して前記画像電圧を書込む画素を、表示ライン単位に前記複数の画素の中から選択する書込画素選択手段とを具備する画像表示装置であって、前記各表示ライン上の前記各画素内の前記発光素子に対して電力を供給する電源線を有し、発光期間内に前記電源線に対して、電圧レベルが時間に応じて変化する傾斜波形の電圧を供給する電源回路を具備する。前記電源線は、前記各表示ライン毎に設けられ、前記傾斜波形の電圧の位相は、前記各電源線毎に異なっている。【選択図】図３
2009075231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ電流駆動型の発光素子を有する複数の画素と、
前記各画素に画像電圧を書込むための複数の信号線と、
前記複数の信号線を介して前記画像電圧を書込む画素を、表示ライン単位に前記複数の画素の中から選択する書込画素選択手段とを具備する画像表示装置であって、
前記各表示ライン上の前記各画素内の前記発光素子に対して電力を供給する電源線を有し、
発光期間内に前記電源線に対して、電圧レベルが時間に応じて変化する傾斜波形の電圧を供給する電源回路を具備することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記電源線は、前記各表示ライン毎に設けられ、
前記傾斜波形の電圧の位相は、前記各電源線毎に異なっていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記電源線は、前記各表示ライン毎に設けられるとともに、複数のグループにグループ分けされ、
前記傾斜波形の電圧の位相は、前記各グループの電源線毎に異なっていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記傾斜波形の電圧は、前記発光期間内に、第１電圧レベルから前記第１電圧レベルよりも高電位の第２電圧レベルへ、あるいは、前記第２電圧レベルから前記第１電圧レベルへ少なくとも１回変化する電圧であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記傾斜波形の電圧は、電圧レベルが時間に応じて直線的に変化する電圧であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記傾斜波形の電圧は、三角波電圧、あるいは、鋸歯状波電圧であることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記傾斜波形の電圧は、電圧レベルが時間に応じて非線形に変化する電圧であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記書込画素選択手段は、複数の走査線を有し、
前記各画素は、第１電極が前記電源線に接続され、第２電極が前記発光素子の一端に接続された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極と前記第２電極との間に接続されるスイッチングトランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極と前記複数の信号線の中の対応する信号線との間に接続される容量素子とを有し、
前記各画素の前記発光素子の他端は接地電位に接続され、
前記スイッチングトランジスタのゲート電極は、前記複数の走査線の中の対応する走査線に接続されることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記駆動トランジスタと、前記スイッチングトランジスタとは、ｐ型トランジスタであることを特徴とする講求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記駆動トランジスタと、前記スイッチングトランジスタとは、半導体層がアモルファスシリコンで構成されることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記駆動トランジスタと、前記スイッチングトランジスタとは、半導体層がポリシリコンで構成されることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記スイッチングトランジスタは、前記発光期間前の書込み期間内で、前記複数の走査線の中の対応する走査線にリセット電圧が供給される第１の期間にオン、それ以外の期間にオフとなり、
前記第１の期間に前記スイッチングトランジスタがオフとなる画素に対して、前記書込期間内の前記第１の期間と、前記第１の期間に連続する第２の期間に前記複数の信号線から画像電圧が入力され、
前記第１の期間に前記スイッチングトランジスタがオフとなる画素に対して、前記第１の期間と、前記第２の期間内に、前記電源線から高電位の電圧が入力されることを特徴とする請求項８ないし請求項１１の何れか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記発光素子は、有機発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置に係り、特に、アクティブマトリクス方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＡＭＯＬＥＤという。）は、従来の液晶ディスプレイの次の世代のフラットパネルディスプレイとして期待されている。
従来、ＡＭＯＬＥＤの駆動回路として、下記特許文献１に開示されているような、有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を供給するための駆動用の薄膜トランジスタ（以下、ＥＬ駆動ＴＦＴという。）と、ＥＬ駆動ＴＦＴのゲート電極に接続され、画像電圧を保持する保持コンデンサと、ＥＬ駆動ＴＦＴのゲート電極とドレイン電極との間に接続されるリセット用の薄膜トランジスタ（以下、リセットスイッチという。）とからなる２トランジスタ構成の回路が知られている。
前述の特許文献１に開示されているＡＭＯＬＥＤでは、画素毎に存在する駆動ＴＦＴのしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきを、駆動ＴＦＴと有機ＥＬ素子で構成されるインバータ回路の論理しきい値ばらつきとしてキャンセルしつつ、Ｖｓの信号電圧に対応したＯＬＥＤ発光を得ることができるばかりか、このしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきのキャンセルを、各画素毎に設けられた駆動ＴＦＴ、リセットスイッチからなる合計２個のトランジスタと、保持コンデンサの１個の容量で実現できるという長所がある。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００４−３４１１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述の特許文献１に開示されているＡＭＯＬＥＤでは、発光期間に、信号線に三角波電圧が入力され、これにより、Ｖｓの信号電圧に対応した発光を得ている。
しかしながら、前述の特許文献１に開示されているＡＭＯＬＥＤにおいて、発光期間に、信号線に三角波電圧が入力すると、パネル内の全画素が同期して発光するため、電力消費に時間的な偏りができ、システム電力の安定化や、電源線電圧降下に起因するクロストーク抑制の面で不利であるという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、画像表示装置において、電力消費に時間的な偏りを防止し、システム電力の安定化を図り、電源線電圧降下に起因するクロストークを抑制することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）それぞれ電流駆動型の発光素子を有する複数の画素と、前記各画素に画像電圧を書込むための複数の信号線と、前記複数の信号線を介して前記画像電圧を書込む画素を、表示ライン単位に前記複数の画素の中から選択する書込画素選択手段とを具備する画像表示装置であって、前記各表示ライン上の前記各画素内の前記発光素子に対して電力を供給する電源線を有し、発光期間内に前記電源線に対して、電圧レベルが時間に応じて変化する傾斜波形の電圧を供給する電源回路を具備する。
（２）（１）において、前記電源線は、前記各表示ライン毎に設けられ、前記傾斜波形の電圧の位相は、前記各電源線毎に異なっている。
（３）（１）において、前記電源線は、前記各表示ライン毎に設けられるとともに、複数のグループにグループ分けされ、前記傾斜波形の電圧の位相は、前記各グループの電源線毎に異なっている。
【０００６】
（４）（１）ないし（３）の何れかにおいて、前記傾斜波形の電圧は、前記発光期間内に、第１電圧レベルから前記第１電圧レベルよりも高電位の第２電圧レベルへ、あるいは、前記第２電圧レベルから前記第１電圧レベルへ少なくとも１回変化する電圧である。
（５）（１）ないし（４）の何れかにおいて、前記傾斜波形の電圧は、電圧レベルが時間に応じて直線的に変化する電圧である。
（６）（５）において、前記傾斜波形の電圧は、三角波電圧、あるいは、鋸歯状波電圧である。
（７）（１）ないし（４）の何れかにおいて、前記傾斜波形の電圧は、電圧レベルが時間に応じて非線形に変化する電圧である。
（８）（１）ないし（７）の何れかにおいて、前記書込画素選択手段は、複数の走査線を有し、前記各画素は、第１電極が前記電源線に接続され、第２電極が前記発光素子の一端に接続された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極と前記第２電極との間に接続されるスイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極と前記複数の信号線の中の対応する信号線との間に接続される容量素子とを有し、前記各画素の前記発光素子の他端は接地電位に接続され、前記スイッチングトランジスタのゲート電極は、前記複数の走査線の中の対応する走査線に接続される。
【０００７】
（９）（８）において、前記駆動トランジスタと、前記スイッチングトランジスタとは、ｐ型トランジスタである。
（１０）（８）または（９）において、前記駆動トランジスタと、前記スイッチングトランジスタとは、半導体層がアモルファスシリコンで構成される。
（１１）（８）または（９）において、前記駆動トランジスタと、前記スイッチングトランジスタとは、半導体層がポリシリコンで構成される。
（１２）（８）ないし（１１）の何れかにおいて、前記スイッチングトランジスタは、前記発光期間前の書込み期間内で、前記複数の走査線の中の対応する走査線にリセット電圧が供給される第１の期間にオン、それ以外の期間にオフとなり、前記第１の期間に前記スイッチングトランジスタがオフとなる画素に対して、前記書込期間内の前記第１の期間と、前記第１の期間に連続する第２の期間に前記複数の信号線から画像電圧が入力され、前記第１の期間に前記スイッチングトランジスタがオフとなる画素に対して、前記第１の期間と、前記第２の期間内に、前記電源線から高電位の電圧が入力される。
（１３）（１）ないし（１２）の何れかにおいて、前記発光素子は、有機発光ダイオード素子である。
【発明の効果】
【０００８】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の画像表示装置によれば、電力消費に時間的な偏りを防止し、システム電力の安定化を図り、電源線電圧降下に起因するクロストークを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図１は、本発明の実施例の画像表示装置の有機ＥＬ表示パネルの概略構成を示すブロック図である。
図１に示すように、有機ＥＬ表示パネルの表示領域８０内には複数の画素７０がマトリクス状に設けられる。ここで、画素７０には、信号線７８及びリセットゲート線（本発明の走査線）７１、電源線７９がそれぞれ接続される。
信号線７８の一端は信号電圧生成回路８６に、リセットゲート線７１の一端は走査回路８５に接続され、電源線７９は電源回路８３に接続される。
なお、実際には画素７０は、有機ＥＬ表示パネルの表示領域８０内に多数個配置されるが、図面の簡略化のために図１では、４画素のみを記載してある。また、後述するように画素７０には、他にも共通接地線が配線されているが、これらの記載は省略してある。
また、信号電圧生成回路８６はＤＡ変換器と電圧バッファ回路を用いて従来からよく知られているＬＳＩ技術で実現されており、走査回路８５及び電源回路８３も既知のＬＳＩ技術を用いて作成された単一のＳｉ半導体チップ８４で実現されたものである。
【００１０】
図２は、図１に示す画素７０の構造を説明するための回路図である。
図２に示すように、各画素７０には、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という。）１が設けられており、有機ＥＬ素子１のカソード電極は共通接地線に接続される。また、アノード電極は、薄膜トランジスタ（以下、駆動ＴＦＴという。）７２を介して電源線７９に接続される。
また、駆動ＴＦＴ７２のゲート電極は、保持コンデンサ（本発明の容量素子）７４を介して信号線７８に接続され、駆動ＴＦＴ７２のドレイン電極とゲート電極との間には、リセット用の薄膜トランジスタ（以下、リセットスイッチという。）７６が設けられる。なお、リセットスイッチ７６のゲート電極は、リセットゲート線７１に接続される。
駆動ＴＦＴ７２と、リセットスイッチ７６は、半導体層にアモルファスシリコンを用いるアモルファスシリコン薄膜トランジスタや、半導体層にポリシリコンを用いる多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いてガラス基板上に構成されている。なお、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、多結晶シリコン薄膜トランジスタ、あるいは、有機ＥＬ素子１の製造方法などに関しては、一般に報告されているものと大きな相違はないため、ここではその説明は省略する。
【００１１】
本実施例の有機ＥＬ表示パネルの動作について図３および図４を用いて説明する。
図３は、本実施例の有機ＥＬ表示パネルの動作を説明するためのタイミングチャートであり、１フレーム期間における信号線７８、リセットスイッチ７６、電源線７９の動作を表している。但し、電源線７９は、一行目をｎ＝１、２行目をｎ＝２、．．．、ｎ行目をｎ＝ｎと記述した。
なお、リセットスイッチ７６の駆動タイミング波形は、上をスイッチがオフの状態、下をスイッチがオンの状態として示してある。
１フレーム期間は、前半の「書込み期間」と、後半の「発光期間」から構成されており、両期間の長さは凡そ等しく設定されている。
前半の「書込み期間」においては、走査回路８５及び電源回路８３の走査に従って、画素７０におけるリセットスイッチ７６、及び電源線７９は順次駆動され、これに合せて信号線７８には所定の画像電圧が入力される。
ここで、走査回路８５及び電源回路８３によって選択されたｋ行目の画素７０の「書込み期間」における動作について、図４を用いて説明する。
【００１２】
図４は、本実施例の有機ＥＬ表示パネルにおけるｋ行目の画素７０の動作を説明するためのタイミングチャートであり、当該画素７０の行が走査回路８５及び電源回路８３によって選択され、画像電圧が書込まれる際の、信号線７８、リセットスイッチ７６、電源線７９の動作を表している。
なお、リセットスイッチ７６の駆動タイミング波形を、上をスイッチがオフの状態、下をスイッチがオンの状態として示している。また、電源線７９は、上をＨレベル（高電圧）、下をＬレベル（低電圧）として示した。なお、ここでは、Ｌレベル電圧は、共通接地電圧とした。
画素７０への表示画像電圧の書込み時には、始めに、時刻Ｔ０でリセットスイッチ７６がオンになり、かつ電源線７９にＨレベルの電圧が、信号線７８には画像電圧Ｖｓ（ｋ）が供給される。これにより、駆動ＴＦＴ７２はゲート電極とドレイン電極とが接続されたダイオード接続になり、前のフィールドで保持コンデンサ７４に記憶されていた駆動ＴＦＴ７２のゲート電極の電圧はクリアされる。
なお、ここで、本画素回路を、駆動ＴＦＴ７２を駆動トタンジスタ、有機ＥＬ素子１を負荷としたインバータ回路と解釈することも可能である。このように考えると、時刻Ｔ０後の回路接続は、このインバータ回路の入力端子と出力端子間をリセットスイッチ７６で短絡した状態と見なすことができるため、インバータ回路の入力端子と出力端子には、共にインバータ回路出力における「高電圧出力」と「低電圧出力」のおよそ中間の電圧が生じている。
【００１３】
次に、時刻Ｔ１で、リセットスイッチ７６をオフすると、駆動ＴＦＴ７２のゲート電極電圧は、前述のインバータ回路出力における「高電圧出力」と「低電圧出力」のおよそ中間の電圧で固定される。ここで「高電圧出力」とは電源線７９に印加されているＨレベルの電源電圧であり、「低電圧出力」とは共通接地電圧であるＬレベル電圧である。
即ち、保持コンデンサ７４への書込みによって、信号線７８に先の画像電圧Ｖｓ（ｋ）が供給された際には、駆動ＴＦＴ７２のゲート電極には、前述のインバータ回路出力における「高電圧出力」と「低電圧出力」のおよそ中間の電圧が再現されることになる。
この後、時刻Ｔ２で電源線電圧がＬレベルになり、この行（ｎ＝ｋ）に関する画像電圧の書込みが完了する。
これに続いて、次の画素７０の行（ｎ＝ｋ＋１）への表示信号の書込みが開始され、信号線７８には、次の画素７０に書込むべき画像電圧Ｖｓ（ｋ＋１）（図示せず）が供給される。
以上の繰返しによって全ての画素７０に対して画像電圧が書込まれたところで、前半の「書込み期間」が終了する。
【００１４】
次に、後半の「発光期間」における有機ＥＬ表示パネルの動作について、再び図３を用いて説明する。
後半の「発光期間」においては、信号線７８には、図３に示すような一定電圧（Ｖｃｎ）が印加され、同時に全ての画素７０についてリセットスイッチ７６はオフされる。また、各電源線７９には、図のように少しずつ位相がシフトした鋸歯状波電圧が印加される。
仮に、Ｖｓの画像電圧を書き込んだときの電源線７９の電圧をＶｖｓ、各電源線７９に供給される鋸歯状波電圧の電圧をＶｖａとすると、電源線７９に供給される鋸歯状波電圧（Ｖｖａ）と、信号線７８に供給される一定電圧（Ｖｃｎ）との相対的な電圧関係が、（１）|Ｖｖａ−Ｖｃｎ｜＝|Ｖｖｓ−Ｖｓ｜のとき、駆動ＴＦＴ７２を駆動トランジスタとし、有機ＥＬ素子１を負荷としたインバータ回路はその出力がおおよそ中間電圧をとる。
また、（２）|Ｖｖａ−Ｖｃｎ｜＜|Ｖｖｓ−Ｖｓ｜のとき、駆動ＴＦＴ７２を駆動トランジスタとし、有機ＥＬ素子１を負荷としたインバータ回路の出力が「低電圧出力」（共通接地電圧）となり、（３）|Ｖｖａ−Ｖｃｎ｜＞|Ｖｖｓ−Ｖｓ｜のとき、駆動ＴＦＴ７２を駆動トランジスタとし、有機ＥＬ素子１を負荷としたインバータ回路の出力が「高電圧出力」となる。
【００１５】
従って、電源線７９に供給された電圧と信号線７８に供給された一定電圧（Ｖｃｎ）との相対的な電圧が、前述の（３）の関係の場合に、この画素７０の有機ＥＬ素子１は発光する。このとき有機ＥＬ素子１は実質的には発光／非発光の２値状態をとり、その発光期間は画像電圧Ｖｓによって制御されることによって階調発光することになる。
しかも、本実施例では、電源線７９に供給する鋸歯状波電圧は、行（表示ライン）毎に位相がシフトしているため、行毎に位相がシフトした時間でこの動作は行われる。更に保持コンデンサ７４へ書き込まれた画像電圧の大きさによってこの発光タイミングは変調されるため、画像電圧によって、有機ＥＬ素子１は発光期間内に、変調された階調発光を、行毎にシフトしたタイミングで行うことになる。
なお、本実施例において、電源線７９を複数の表示ライン毎に複数本ずつ揃え、複数の表示ライン毎に揃えた複数本の電源線７９毎に、電源線７９に供給する鋸歯状波電圧の位相を変化させてもよい。
【００１６】
以下、本実施例と対比するために、従来の有機ＥＬ表示パネルについて説明する。
従来の有機ＥＬ表示パネルの画素の構造を示す回路図は、図２に示す回路図と同じである。
図６は、従来の有機ＥＬ表示パネルの動作タイミングチャートであり、１フレーム期間における信号線７８、リセットスイッチ７６、電源線７９の動作を表している。
１フレーム期間の前半の「書込み期間」の動作は、本実施例と同じであるので、詳細な説明は省略する。
後半の「発光期」においては、信号線７８には、図６に示すような中心で最も電圧が低くなるような三角波電圧が印加され、同時に全ての画素７０についてリセットスイッチ７６はオフ、電源線７９にＨレベルの電圧が印加される。
信号線７８に、保持コンデンサ７４へ書き込まれた画像電圧Ｖｓと同じ電圧が供給された際には、駆動ＴＦＴ７２を駆動トランジスタとし、有機ＥＬ素子１を負荷としたインバータ回路はその出力がおおよそ中間電圧をとるが、信号線７８に画像電圧Ｖｓより高い電圧が供給された際には、このインバータ回路はその出力が「低電圧出力」（共通接地電圧）となり、信号線７８に画像電圧Ｖｓより低い電圧が供給された際には、このインバータ回路はその出力が「高電圧出力」（電源線７９に印加されているＨレベルの電圧）となる。
従って、図６に示すように、信号線７８の電圧が、予めその画素７０に書込まれていた画像電圧Ｖｓよりも低くなる期間Ｔｓにおいて、この画素７０の有機ＥＬ素子１には「高電圧出力」が印加されて発光する。即ち、このとき有機ＥＬ素子１は実質的には発光／非発光の２値状態をとり、その発光期間Ｔｓが画像電圧Ｖｓによって制御されることによって階調発光することになる。
【００１７】
本実施例においては、画素毎に存在する駆動ＴＦＴ７２のしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきを、駆動ＴＦＴ７２と有機ＥＬ素子１で構成されるインバータ回路の論理しきい値ばらつきとしてキャンセルしつつ、Ｖｓなる画像電圧に対応したＯＬＥＤ発光を得ることができる点では、本実施例の有機ＥＬ表示パネルは、前述の従来の有機ＥＬ表示パネルと同様の効果を得ることができる。
しかしながら、従来の有機ＥＬ表示パネルでは、発光期間に、信号線７８に三角波波形の電圧が入力すると、パネル内の全画素が同期して発光するため、電力消費に時間的な偏りができ、システム電力の安定化や、電源線電圧降下に起因するクロストーク抑制の面で不利であるという問題点があった。
これに対して、本実施例では、発光期間に、信号線７８には三角波電圧を供給する代わりに一定の電圧（Ｖｃｎ）を与え、電源線７９に鋸歯状波電圧を供給し、その上、電源線７９をリセットゲート線７１の延長方向に設け、電源線７９に印加される鋸歯状波電圧の位相を各電源線７９毎にずらすことによって、有機ＥＬ素子１の発光タイミングを各表示ライン毎にずらすことが可能となるので、システム電力の安定化や、電源線電圧降下に起因するクロストーク抑制が可能となる。
しかも、本実施例では、低コストで、かつ低性能なＴＦＴでも、「各行毎に発光時期をずらす」ことにより、システム電力の安定化や、電源線電圧降下に起因するクロストーク抑制が可能となる。
【００１８】
なお、本実施例では、しきい値電圧Ｖｔｈのばらつきのキャンセルを、各画素毎に設けられた駆動ＴＦＴ７２、リセットスイッチ７６からなる合計２個のトランジスタと、保持コンデンサ７４の１個の容量で実現できるという長所がある。そのため、一画素あたりの構成素子数を減少できた結果、発光表示デバイスの歩留りが向上し、コストの低下を図ることができる。
更にこれに加えて、本実施例では、駆動ＴＦＴ７２の電流駆動能力等のばらつきもキャンセルできるという優れた利点を有する。これは有機ＥＬ素子１が実質的には発光／非発光の２値状態で駆動されることに起因する。
なお、本実施例においては、駆動ＴＦＴ７２のゲート電極幅が大きい方が、画素回路のインバータ特性の立上りがより急峻になるため、インバータ回路の論理しきい値ばらつきの低減能力は向上する。但し駆動ＴＦＴ７２のゲート電極を大きくする場合には、それに対応して保持コンデンサ７４も大きくする必要があることには注意が必要である。
【００１９】
なお、本発明では、「発光期間」に電源線７９に印加する電圧は、鋸歯状波電圧に限定されるものではなく、「発光期間」に電源線７９に印加する電圧は、電圧レベルが時間に応じて変化する傾斜波形の電圧であればよい。
この傾斜波形としては、ＶＤＬの第１電圧レベルから、ＶＤＬの第１電圧レベルよりも高電位のＶＤＨの第２電圧レベルへ、あるいは、ＶＤＨの第２電圧レベルからＶＤＬの第１電圧レベルへ少なくとも１回変化する波形であればよい。
例えば、「発光期間」に電源線７９に印加する傾斜波形の電圧は、図５（ａ）に示すような、ＶＤＨの第２電圧レベルからＶＤＬの第１電圧レベルへ直線的に変化する鋸歯状波電圧、あるいは、図５（ｂ）に示すような、ＶＤＬの第１電圧レベルからＶＤＨの第２電圧レベルへ直線的に変化する鋸歯状波電圧であってもよい。
また、図５（ｃ）に示すような、ＶＤＨの第２電圧レベルからＶＤＬの第１電圧レベルへ直線的に変化した後にＶＤＨの第２電圧レベルに直線的に変化する三角状波電圧、あるいは、図５（ｄ）に示すような、ＶＤＬの第１電圧レベルからＶＤＨの第２電圧レベルへ直線的に変化した後にＶＤＬの第１電圧レベルに直線的に変化する三角状波電圧であってもよい。
【００２０】
あるいは、「発光期間」に電源線７９に印加する傾斜波形の電圧は、図５（ｅ）、（ｆ）に示すような、時間に応じて非線形に変化する電圧であってもよい。図５（ｅ）、（ｆ）に示すような、時間に応じて非線形に変化する傾斜波形の電圧を使用することにより、表示画像に適当なガンマ特性を付与することができる。
さらに、図５（ｇ）に示すように、「発光期間」に電源線７９に印加する傾斜波形の電圧としては、ＶＤＬの第１電圧レベルから、ＶＤＬの第１電圧レベルよりも高電位のＶＤＨの第２電圧レベルへ、あるいは、ＶＤＨの第２電圧レベルからＶＤＬの第１電圧レベルへ２回以上変化する電圧であってもよい。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施例の画像表示装置の有機ＥＬ表示パネルの概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す画素の構造を説明するための回路図である。
【図３】本発明の実施例の有機ＥＬ表示パネルの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】本発明の実施例の有機ＥＬ表示パネルにおけるｋ行目の画素の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】本発明の実施例の有機ＥＬ表示パネルにおいて、「発光期間」に電源線に印加する傾斜波形の電圧を説明するための図である。
【図６】従来の有機ＥＬ表示パネルの動作タイミングチャートである。
【符号の説明】
【００２２】
１  有機ＥＬ素子
７０  画素
７１  リセットゲート線
７２  薄膜トランジスタ（駆動ＴＦＴ）
７４  保持コンデンサ
７６  リセット用の薄膜トランジスタ（リセットスイッチ）
７８  信号線
７９  電源線
８０  有機ＥＬ表示パネルの表示領域
８３  電源回路
８４  半導体チップ
８５  走査回路
８６  信号電圧生成回路
【図１】
2009075231.tif 000003
【図２】
2009075231.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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