(57)【要約】【課題】電気光学装置に対して高精度な検査を行う。【解決手段】電気光学装置の検査方法は、基板（１０）上に、（ｉ）高電源電位（ＶＤＤＸ）及び低電源電位（ＶＳＳＸ）により規定されるパルス高を有する転送開始パルス（ＤＸ）を順次転送して転送信号を順次出力するシフトレジスタ（１６０）と、（ｉｉ）転送信号に基づいて、画像信号をデータ線に供給する他の回路とからなる画像信号供給回路（１０１）と、画像信号供給回路の一部を模擬したモニタ回路（２７）とを備えた電気光学装置を検査する検査方法であって、高電源電位（ＶＤＤＸ）をモニタ回路に対して入力し、モニタ回路から出力される出力信号を第１検査信号（ＣＫ２）として検出する工程（Ｓ３０）と、低電源電位（ＶＳＳＸ）をモニタ回路に対して入力し、モニタ回路から出力される出力信号を第２検査信号（ＣＫ３）として検出する工程（Ｓ５０）とを含む。【選択図】図６
2009075507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
複数の画素部と、
該画素部に電気的に接続された複数のデータ線及び複数の走査線と、
（ｉ）所定電位より高電位の高電源電位及び前記所定電位より低電位の低電源電位により規定されるパルス高を有する転送開始パルスを順次転送して複数の段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、（ｉｉ）前記順次出力された転送信号に基づいて、画像信号を前記複数のデータ線に供給する他の回路とからなる画像信号供給回路と、
該画像信号供給回路の少なくとも一部を模擬したモニタ回路と
を備えた電気光学装置を検査する電気光学装置の検査方法であって、
前記高電源電位を前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第１検査信号として検出する工程と、
前記低電源電位を前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第２検査信号として検出する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項２】
前記第１検査信号と前記高電源電位又は前記低電源電位とに基づいて、前記第１検査信号の電位が前記高電源電位又は前記低電源電位に対してずれる第１電位ずれ量を測定する工程と、
前記第２検査信号と前記高電源電位又は前記低電源電位とに基づいて、前記第２検査信号の電位が前記高電源電位又は前記低電源電位に対してずれる第２電位ずれ量を測定する工程と
を含むことを特徴する請求項１に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項３】
前記転送開始パルスを前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第３検査信号として検出する工程と、
前記転送開始パルス及び前記第３検査信号に基づいて、前記第３検査信号が前記転送開始パルスに対して遅延する信号遅延量を測定する工程と
を含むことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項４】
前記第１及び第２電位ずれ量並びに前記信号遅延量に基づいて、前記画像信号供給回路に不具合が発生しているか否かを判定する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の検査方法を用いて電気光学装置を検査する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記電気光学装置を実装ケースに収容する工程を含み、
前記検査する工程は、前記実装ケースに収容する工程よりも後に行われる
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の検査方法、及び該検査方法を含む電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、例えば、基板上の画素領域（或いは画素アレイ領域）には、画素毎に設けられた画素部を駆動するために、複数の走査線及び複数のデータ線が設けられる。そして、基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域には、例えば、データ線に対して画像信号をサンプリングして供給するサンプリング回路や、該サンプリング回路に対して、画像信号のデータ線への出力タイミングを規定する駆動信号或いはサンプリング回路駆動信号を供給するデータ線駆動回路が設けられる。
【０００３】
データ線駆動回路には、スタートパルス及びクロック信号が供給され、クロック信号のクロック周期に同期して、スタートパルスが、その内蔵するシフトレジスタの各段に転送されて転送信号が出力される。出力された転送信号は、バッファ回路やレベルシフタ回路等を介して、サンプリング回路駆動信号としてサンプリング回路に順次出力される。サンプリング回路は、サンプリング回路駆動信号に応じて画像信号をサンプリングする。
【０００４】
この際、データ線駆動回路におけるバッファ回路等やサンプリング回路において発生した信号遅延に起因して、画像信号を供給するタイミングに、クロック信号を基準として無視し得ない程度の遅延が生じることがある。
【０００５】
そこで、例えば特許文献１には、基板上にデータ線駆動回路やサンプリング回路を模擬するモニタ回路を設けて、このモニタ回路からのモニタ信号に基づいて、画像信号の出力タイミングの遅延量を間接的に測定する技術が開示されている。
【０００６】
他方、例えば特許文献２には、走査線に対して走査信号を供給する走査線駆動回路に内蔵されたシフトレジスタを、論理回路を用いて検査する検査方法が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２５５３２号公報
【特許文献２】特開２００３−２７１１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
電気光学装置の製造途中或いは完成後に行われる検査時には、上述した遅延量（即ち、モニタ回路を用いて間接的に測定された遅延量）に基づいてデータ線駆動回路やサンプリング回路を検査することができる。
【０００９】
ここで、データ線駆動回路やサンプリング回路においては、上述した信号遅延に加えて、信号電位のずれが発生するおそれがあり、この信号電位のずれに起因して、画像信号の電位に、所定電位を基準として無視し得ない程度のずれが生じることがある。そこで、上述したモニタ回路からのモニタ信号に基づいて、画像信号の電位のずれを間接的に測定することが考えられる。このように測定された電位のずれを、所定の基準値と比較することで、データ線駆動回路やサンプリング回路を検査することができるので、上述した遅延量のみに基づく検査と比較して、より高精度な検査を行うことが可能になる。
【００１０】
しかしながら、モニタ信号にはオーバシュート等のノイズが含まれるために、モニタ信号の電位を例えばオシロスコープを用いて読み取ることが困難であり、検査精度が低くなってしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【００１１】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、モニタ回路における信号電位のずれを精度良く測定することができ、高精度な検査を行うことが可能な電気光学装置の検査方法、及び該検査方法を含む電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の検査方法は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素部と、該画素部に電気的に接続された複数のデータ線及び複数の走査線と、（ｉ）所定電位より高電位の高電源電位及び前記所定電位より低電位の低電源電位により規定されるパルス高を有する転送開始パルスを順次転送して複数の段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、（ｉｉ）前記順次出力された転送信号に基づいて、画像信号を前記複数のデータ線に供給する他の回路とからなる画像信号供給回路と、該画像信号供給回路の少なくとも一部を模擬したモニタ回路とを備えた電気光学装置を検査する電気光学装置の検査方法であって、前記高電源電位を前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第１検査信号として検出する工程と、前記低電源電位を前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第２検査信号として検出する工程とを含む。
【００１３】
本発明に係る電気光装置の検査方法の検査対象となる電気光学装置では、その動作時には、外部回路から画像信号、クロック信号、制御信号、電源信号等の各種信号が画像信号供給回路に供給される。これと並行して、例えば、外部回路からクロック信号、制御信号、電源信号等の各種信号が走査線駆動回路に供給される。これらにより、走査線を介して走査信号が画素部に供給されると共に、画像信号供給回路によりデータ線を介して画像信号が画素部に供給され、例えば液晶等の電気光学物質を各画素部で駆動することで、アクティブマトリクス駆動が行なわれる。
【００１４】
画像信号供給回路は、転送信号を順次出力するシフトレジスタと、該転送信号に基づいて、画像信号を複数のデータ線に供給する他の回路とからなる。他の回路は、例えば、シフトレジスタから順次出力された転送信号を複数系列のイネーブル信号を用いて整形して整形信号として出力するイネーブル回路と、この整形信号又はこの整形信号に基づくサンプリング回路駆動信号に応じて画像信号をサンプリングして、データ線に供給するサンプリング回路とを含んで構成される。
【００１５】
画像信号供給回路においては、これを構成する回路素子における論理積や論理和、或いは回路素子自体の特性によって、大なり小なり、信号遅延が発生したり、信号電位のずれが発生したりする。
【００１６】
ここで、本発明に係る電気光装置の検査方法の検査対象となる電気光学装置は、モニタ回路を備える。モニタ回路は、画像信号供給回路の少なくとも一部、例えば、画像信号供給回路における、シフトレジスタの複数段のうち一つの段及び他の回路のうち該一つの段に対応して設けられた部分を模擬して形成される。よって、モニタ回路は、例えば、画像信号供給回路に含まれるイネーブル回路から出力される筈の擬似的なサンプリング回路駆動信号や、画像信号供給回路に含まれるサンプリング回路から出力される筈の擬似的な画像信号など、画像信号供給回路の一部から出力される信号を模擬する信号を出力することができる。
【００１７】
このようなモニタ回路に対して、例えば、所定パルスを入力し、モニタ回路から出力される信号に基づいて、画像信号供給回路における、信号遅延や信号電位のずれを間接的に測定することで、画像信号供給回路の検査を行う場合、モニタ回路から出力される信号には、オーバーシュート等のノイズが含まれるために、モニタ回路から出力される信号の電位を精度良く測定することが困難となり、検査精度が低くなってしまうおそれがある。
【００１８】
しかるに、本発明では特に、モニタ回路に対して高電源電位を入力し、モニタ回路から出力される出力信号を第１検査信号として検出する。更に、この第１検査信号を検出する工程よりも前或いは後に、モニタ回路に対して低電源電位を入力し、モニタ回路から出力される出力信号を第２検査信号として検出する。ここで、高電源電位及び低電源電位は、シフトレジスタの転送開始パルスのパルス高を規定する電源電位であり、時間に対して固定された電位（即ち一定の電位）を有する信号である。よって、第１及び第２検査信号には、例えばモニタ回路に対して所定パルスとして転送開始パルスを入力した場合におけるモニタ回路からの出力信号と比較して、オーバーシュート等のノイズが殆ど或いは全く含まれない。従って、第１及び第２検査信号の各々の電位、更にはモニタ回路における信号電位のずれを精度良く測定することができる。これにより、モニタ回路が模擬する画像信号供給回路の一部における信号電位のずれを間接的に精度良く測定することができる。
【００１９】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置の検査方法によれば、モニタ回路を備えた電気光学装置に対し、モニタ回路における信号電位のずれを精度良く測定することができ、電気光学装置の高精度な検査を行うことが可能となる。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置の検査方法の一態様では、前記第１検査信号と前記高電源電位又は前記低電源電位とに基づいて、前記第１検査信号の電位が前記高電源電位又は前記低電源電位に対してずれる第１電位ずれ量を測定する工程と、前記第２検査信号と前記高電源電位又は前記低電源電位とに基づいて、前記第２検査信号の電位が前記高電源電位又は前記低電源電位に対してずれる第２電位ずれ量を測定する工程とを含む。
【００２１】
この態様によれば、第１及び第２電位ずれ量を、予め定められた所定の基準値或いは基準範囲と比較することで、画像信号供給回路の良否を容易に判定することができ、画像信号供給回路の検査を容易に行うことが可能となる。
【００２２】
上述した第１及び第２電位ずれ量を測定する工程を含む態様では、前記転送開始パルスを前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第３検査信号として検出する工程と、前記転送開始パルス及び前記第３検査信号に基づいて、前記第３検査信号が前記転送開始パルスに対して遅延する信号遅延量を測定する工程とを含んでもよい。
【００２３】
この場合には、モニタ回路が模擬する画像信号供給回路の一部における信号遅延量を間接的に測定することができ、画像信号供給回路の検査の精度を高めることが可能となる。
【００２４】
上述した信号遅延量を測定する工程を含む態様では、前記第１及び第２電位ずれ量並びに前記信号遅延量に基づいて、前記画像信号供給回路に不具合が発生しているか否かを判定する工程を含んでもよい。
【００２５】
この場合には、例えば、信号遅延量のみに基づいて画像信号供給回路に不具合が発生しているか否かを判定する場合と比較して、画像信号供給回路の検査の精度を高めることができる。
【００２６】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置の検査方法（但し、各種態様を含む）を用いて電気光学装置を検査する工程を含む。
【００２７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置の検査工程における検査精度が向上されるので、後工程に送品される電気光学装置の良品率が向上し、無駄となる工数を省くことができる。或いは、出荷される製品の良品率が向上し、信頼性の向上に効果がある。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記電気光学装置を実装ケースに収容する工程を含み、前記検査する工程は、前記実装ケースに収容する工程よりも後に行われる。
【００２９】
この態様によれば、上述した本発明に係る電気光学装置の検査方法を用いて電気光学装置を検査する工程は、電気光学装置が実装ケースに収容された後、好ましくは、電気光学装置の製造プロセスにおける、できる限り後の工程（言い換えれば、製品として出荷される直前）に行われる。よって、例えば、電気光学装置の組み立て時、他の検査時或いは運搬時などに電気光学装置の周辺で発生した静電気によって画像信号供給回路やモニタ回路が劣化又は破壊されてしまったままの状態で、電気光学装置が製品として出荷されてしまう事態をより確実に回避することができる。
【００３０】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。尚、本実施形態では、本発明に係る電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の製造方法を、電気光学装置の一例である液晶装置に適用した例をとる。
＜電気光学装置の検査方法＞
本実施形態に係る液晶装置の検査方法について、図１から図９を参照して説明する。
【００３２】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の検査方法を適用する液晶装置の全体構成について、図１を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の検査方法を適用する液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【００３３】
図１に示すように、液晶装置１は、主要部として、液晶パネル１００、タイミング制御回路２００及び画像信号処理回路３００を備えている。
【００３４】
タイミング制御回路２００及び画像信号処理回路３００は、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）として、フレキシブル基板を含む配線基材に形成された外部回路内に作り込まれる。そして、外部回路は、後述する外部回路接続端子１０２に電気的に接続されて、液晶パネル１００に実装される。
【００３５】
タイミング制御回路２００は、駆動回路１２０で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。図４を参照して後に詳細に説明するが、タイミング制御回路２００の一部であるタイミング信号出力回路部により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＫ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。
【００３６】
画像信号処理回路３００は、１系統の画像信号ＶＩＤが入力されると、これを６相の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６にシリアル−パラレル変換して出力して、液晶パネル１００に供給するものである。
【００３７】
液晶パネル１００は、画素スイッチング素子としてＴＦＴ１１６を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。
【００３８】
液晶パネル１００は、その素子基板上に配列された複数の画素から構成される画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域に、駆動回路１２０が、走査線駆動回路１３０、画像信号供給回路１０１を含み、更に、モニタ回路２７を備えて構成されている。画像信号供給回路１０１には、サンプリング回路１４０及びデータ線駆動回路１５０が含まれている。
【００３９】
図１において、モニタ回路２７は、ブロック図の一部として一ブロックとして図式的に示されているが、その構成及び動作について、詳細は後述する。
【００４０】
液晶パネル１００は更に、その素子基板の中央を占める画像表示領域１１０に、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２を備え、それらの交点に対応する各画素に、マトリクス状に配列された画素電極１１８及び画素電極１１８をスイッチング制御するためのＴＦＴ１１６を備えている。そして、画像信号供給線７１１に供給される６相の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を、サンプリング回路１４０によって、データ線駆動回路１５０から供給されるサンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに応じてサンプリングして、データ線１１４に供給するように構成されている。
【００４１】
ＴＦＴ１１６のソース電極には、このように画像信号が供給されるデータ線１１４が電気的に接続されている一方、ＴＦＴ１１６のゲート電極には、走査信号が供給される走査線１１２が電気的に接続されると共に、ＴＦＴ１１６のドレイン電極には、画素電極１１８が接続されている。そして、各画素は、画素電極１１８と、対向基板に形成された共通電極と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される結果、走査線１１２とデータ線１１４との各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
【００４２】
尚、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量１１９が、画素電極１１８と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。
【００４３】
図１において、走査線駆動回路１３０は、シフトレジスタを有しており、タイミング制御回路２００から供給される、Ｙクロック信号ＣＬＹや、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ等に基づいて、走査信号を各走査線１１２に対して順次出力する。
【００４４】
ここで、画像信号供給回路１０１の構成について、図２を参照して詳細に説明する。ここに図２は、本実施形態に係る画像信号供給回路の一部及びモニタ回路の構成を示す回路図である。
【００４５】
図２において、画像信号供給回路１０１に含まれるデータ線駆動回路１５０は、データ線１１４を、その配列方向（即ち、図２中Ｘ方向）に沿う双方向から順次駆動可能とするための双方向シフトレジスタ１６０を備えている。双方向シフトレジスタ１６０におけるシフト方向は方向制御信号Ｄにより決定される。方向指示信号Ｄがハイレベルの場合、双方向シフトレジスタ１６０には、図２中左側から本発明に係る「転送開始パルス」の一例としてのＸスタートパルスＤＸが入力され、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、左から右へ（即ちＸ方向に）順次シフトされて、双方向シフトレジスタ１６０の各段ＳＲＳ（ｉ）（但し、ｉ＝１、２、３、…、ｎ）から転送信号ＳＲ１〜ＳＲｎが出力される。尚、反転方向制御信号Ｄｉｎｖがハイレベルの場合は、双方向シフトレジスタ１６０の図２中右方向からＸスタートパルスＤＸが入力され、右から左に順次シフトされることになる。
【００４６】
また、データ線駆動回路１５０は、双方向シフトレジスタ１６０の各段ＳＲＳ（ｉ）に対して設けられたイネーブル回路を備えている。図２には、双方向シフトレジスタ１６０において、ＸスタートパルスＤＸが、同図中、左から右へ転送される場合における、双方向シフトレジスタ１６０の第１段目及び第２段目に対応するイネーブル回路１７０ａ及び１７０ｂの構成についてのみ示してある。尚、第３段目から第ｎ段目についても、第１及び第２段目と同様のイネーブル回路が設けられるものとする。即ち、本実施形態では、データ線駆動回路１５０の１段分には、シフトレジスタ１６０の一段分及びイネーブル回路が含まれる。尚、データ線駆動回路１５０には、これらに代えて又は加えて、バッファ回路、レベルシフタ回路等が設けられてもよい。
【００４７】
イネーブル回路１７０ａ及び１７０ｂは、ＮＡＮＤ回路１７１ａ及び１７１ｂ並びにインバータ１７２ａ及び１７２ｂにより構成されている。双方向シフトレジスタ１６０から出力された転送信号ＳＲ１及びＳＲ２は、イネーブル回路１７０ａ及び１７０ｂに供給される。また、イネーブル回路１７０ａ及び１７０ｂには夫々、イネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２のいずれかが入力される。これにより転送信号ＳＲ１又はＳＲ２が出力されており且つイネーブル信号ＥＮＢ１又はＥＮＢ２が出力されているときに、サンプリング信号Ｓ１又はＳ２がサンプリング回路１４０に供給される。そして、サンプリング信号Ｓ１又はＳ２が供給されたサンプリングスイッチ１４１を介して画像信号ＶＩＤ１又はＶＩＤ２が、データ線１１４に供給され、データ線１１４が駆動される。
【００４８】
画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、画像信号処理回路３００より画像信号線７１１に、Ｘクロック信号等の各種タイミング信号に同期したタイミングで、伝送される。本実施形態では、上述したように、イネーブル信号ＥＮＢ１又はＥＮＢ２により、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の、画像信号供給線７１１に対する伝送タイミングに同期して、より具体的には画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の安定出力時にデータ線１１４を活性状態にするように制御している。
【００４９】
転送信号ＳＲ１及びＳＲ２は、イネーブル回路１７０ａ及び１７０ｂにより、イネーブル信号ＥＮＢ１又はＥＮＢ２との論理積がとられた後、サンプリング信号Ｓ１及びＳ２としてサンプリング回路１４０に供給される。
【００５０】
データ線駆動回路１５０において、第１及び第２段目に設けられたイネーブル回路１７０ａ及び１７０ｂと同様に、第３段目から第ｎ段目に設けられたイネーブル回路が駆動されることにより、各段よりサンプリング信号Ｓ１〜Ｓｎが出力されて、サンプリング回路１４０に供給される。
【００５１】
サンプリング回路１４０は、サンプリングスイッチ１４１として、例えば片チャネル型ＴＦＴを複数備えている。そして、サンプリング回路１４０は、６本のデータ線１１４を１群とするデータ線群毎に、サンプリング信号Ｓ１〜Ｓｎに応じて、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を夫々サンプリングして、供給するものである。よって、本実施形態では、画像信号供給回路１０１の一段に着目すれば、該一段には、データ線駆動回路１５０の一段と、データ線駆動回路１５０の一段に対応する６個のサンプリングスイッチ１４１により構成される。
【００５２】
詳細には、サンプリング回路１４０には、サンプリングスイッチ１４１が各データ線１１４の一端に設けられるとともに、各サンプリングスイッチ１４１のソース電極は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のいずれかが供給される画像信号線７１１に接続され、ドレイン電極はデータ線１１４に接続されている。また、サンプリング回路１４０において、各サンプリングスイッチ１４１のゲート電極には、データ線群に対応する６個のサンプリングスイッチ１４１毎に、サンプリング信号Ｓｉが供給される。
【００５３】
尚、本実施形態では、例えば、各サンプリングスイッチ１４１には、配列方向に沿って線順次にデータ線１１４を駆動するように、該データ線１１４の配列方向に沿って順次にサンプリング信号Ｓ１〜Ｓｎが供給されるようにしてもよい。この場合、画像信号線７１１に、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は順次シフトされたタイミングで供給されることとなる。
【００５４】
次に、上述した画像信号供給回路１０１の動作について、図２及び図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る画像信号供給回路に係る各種信号の経時的変化を示すタイミングチャートである。
【００５５】
図３に示すように、画像信号供給回路１０１に含まれるデータ線駆動回路１５０では、双方向シフトレジスタ１６０に入力されたＸスタートパルスＤＸは、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖにより、これらクロック信号の半周期単位でシフトされて、双方向シフトレジスタ１６０の各段からクロック信号の半周期分ずつ遅れた転送信号ＳＲ１〜ＳＲｎが順次出力される。
【００５６】
転送信号ＳＲ１〜ＳＲｎは、データ線１１４の駆動期間を画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の安定出力期間と同期させるために、データ線駆動回路１５０のイネーブル回路によりイネーブル信号ＥＮＢ１又はＥＮＢ２との論理積がとられ、サンプリング信号Ｓ１〜Ｓｎとして出力される。
【００５７】
これにより、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の伝送タイミングとサンプリング信号Ｓｉとの同期がとれると共に、更に、サンプリングスイッチ１４１におけるサンプルホールドのタイミングと、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の伝送タイミングとの同期が確保できれば表示不良の発生を防止して、高品質な画像表示が可能となる。
【００５８】
尚、以上においては、画像信号供給回路１０１に対して、２種のイネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２を供給する例について説明したが、１種或いは３種以上のＥＮＢ信号でサンプリングするようにしてもよい。
【００５９】
次に、上述したタイミング制御回路２００の構成及び動作について、図１に加えて図４を参照して詳細に説明する。ここに図４は、本実施形態に係るタイミング制御回路の構成を示す回路図である。
【００６０】
図４に示すように、タイミング制御回路２００は、タイミング信号出力回路部２００ａ及びタイミング調整回路部２００ｂを備えている。
【００６１】
タイミング信号出力回路部２００ａは、発振回路２１、カウンタ２２及びデコーダ２３を備えている。発振回路２１は、ドットクロックＤＣの数倍の周波数を有するクロック信号ＯＳＣＩを出力する。カウンタ２２は、水平同期信号ＨＳＹＮＣの立ち上がりに同期してリセットされ、カウンタ２２は、リセットされた後は初期値よりクロック信号ＯＳＣＩのパルス数をカウントする。ここで、カウンタ２２には、リセットされた際のカウント値の初期値を入力する初期値入力端ＩＮＩＴが設けられている。デコーダ２３は、カウンタ２２の出力値をデコードして、ドットクロックＤＣ、ＸスタートパルスＤＸ及びＹスタートパルスＤＹ、Ｘクロック信号ＣＬＸ及びＹクロック信号ＣＬＹ、並びに、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ等の各種のタイミング信号を出力する。
【００６２】
タイミング調整回路部２００ｂは、レジスタ２５及びカウンタ２６を備えている。カウンタ２６は、その入力端ＳＴＡＲＴにＸスタートパルスＤＸが入力されると、クロック信号ＯＳＣＩのカウントを開始するとともに、入力端ＳＴＯＰにモニタ回路２７から後述するモニタ信号ＭＯＮが入力されると、カウントを終了させる。
【００６３】
これにより、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖの立上りや立下り周期を決定するクロック信号ＯＳＣＩを基準として、ＸスタートパルスＤＸの出力タイミングに対するモニタ信号ＭＯＮの出力タイミングの遅延量を、測定することが可能となる。このモニタ信号ＭＯＮの出力タイミングの遅延量は、後述するモニタ回路２７の構成及び機能により、画像信号供給回路１０１の少なくとも１段分における画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の出力タイミングの遅延量を間接的に示すものである。そして、モニタ信号ＭＯＮの出力タイミングの遅延量に基づいてカウンタ２２における初期値がプリセットされ、デコーダ２３から出力されるドットクロックＤＣ、ＸスタートパルスＤＸ、Ｘクロック信号ＣＬＸ等のタイミング信号は、モニタ信号ＭＯＮの出力タイミングの遅延量に相当する時間だけ早いタイミングで出力されることになる。これにより、画像信号供給回路１０１における画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の出力タイミングが調整される。
【００６４】
尚、レジスタ２５は、記憶手段であり、垂直同期信号ＶＳＹＮＣに同期してカウンタ２６のカウント結果をラッチする。
【００６５】
次に、上述したモニタ回路２７の構成について、図１及び図２を参照して詳細に説明する。
【００６６】
図１において、モニタ回路２７は、画像信号供給回路１０１における画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の出力タイミングを間接的にモニタリングするために設けられている。画像信号供給回路１０１の複数段では、夫々、データ線駆動回路１５０の各段を構成する回路素子による論理積等、或いは回路素子自体の特性、更には、サンプリング回路１４０におけるサンプリングスイッチ１４１の特性等によって信号遅延が発生し、Ｘクロック信号ＣＬＸに基づくタイミングより、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の出力タイミングが遅延することがある。
【００６７】
図２に示すように、モニタ回路２７は、画像信号供給回路１０１の１段分を模擬するように構成されている。即ち、モニタ回路２７は、データ線駆動回路１５０のシフトレジスタ１６０の一段分を模擬する単位回路２７１ａと、該一段分に対応するイネーブル回路を模擬する単位回路２７１ｂとを含む模擬回路２７１と、データ線駆動回路１５０の一段に対応するサンプリングスイッチ１１４を模擬する６個のスイッチング素子２７２とを有している。ここで、図２においては、簡単のため、６個のスイッチング素子２７２のうち１個について図示し、その他５個については、図示を省略してある。尚、後述する図５に係るモニタ回路２７の構成についても、図２と同様とする。
【００６８】
模擬回路２７１のうち単位回路２７１ａの主要部は、ＮＡＮＤ回路７１及びＮＯＲ回路７２を含む構成となっており、単位回路２７１ｂには、２つのインバータ７３ｂ及び７３ｃが含まれている。加えて、スイッチング素子２７２は例えば片チャネル型ＴＦＴにより形成される。サンプリングスイッチ１４１を形成するＴＦＴの構成に対応させて、例えば、ｎチャネル型或いはｐチャネル型ＴＦＴによりスイッチング素子２７２を形成するとよい。これにより、モニタ回路２７の構成を、該モニタ回路２７によって模擬した画像信号供給回路１０１の各段の構成に近づけることが可能となり、その結果、モニタ回路２７を用いたモニタリングをより精度良く行うことが可能となる。
【００６９】
よって、モニタ回路２７においては、当該モニタ回路２７によって模擬された、データ線駆動回路１５０の一段及び該一段に対応するサンプリングスイッチ１４１の夫々の動作を模擬することができる。従って、モニタ回路２７を動作させて、モニタ信号ＭＯＮの出力タイミングを測定することにより、データ線駆動回路１５０の一段及び該一段に対応するサンプリングスイッチ１４１における信号遅延に基づく画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の出力タイミングを間接的に測定することができる。
【００７０】
続いて、このように構成されたモニタ回路２７の動作について、図１及び図２に加えて図５を参照して説明する。ここに図５（ａ）は、モニタ回路における信号波形の変化を模式的に示す図であり、図５（ｂ）はモニタ信号の信号波形について概略的に示す図である。
【００７１】
図５（ａ）において、モニタ回路２７には、液晶装置１の駆動時、ＸスタートパルスＤＸが、シフトレジスタ１６０に入力されるタイミングと概ね一致するタイミングで入力される。モニタ回路２７の模擬回路２７１において、単位回路２７１ａのＮＡＮＤ回路７１について、２つの入力端のうち一方は画像信号供給回路１０１の高電位電源に電気的に接続されることで高電源電位ＶＤＤＸが供給されており、他方にＸスタートパルスＤＸが入力される。
【００７２】
ここで、図５（ａ）中、モニタ回路２７の構成を示す回路図の右側に、該モニタ回路２７の各部における信号波形を模式的に示してある。ＸスタートパルスＤＸは、ＮＡＮＤ回路７１の論理積によって反転されて出力され、単位回路２７１ａのＮＯＲ回路７２に入力される。ここで、ＮＯＲ回路７２の２つの入力端のうち一方に、ＮＡＮＤ回路７１の出力信号が入力されると共に、他方はインバータ７３ａを介して画像信号供給回路１０１の低電位電源に電気的に接続されることで低電源電位ＶＳＳＸが供給されている。そして、ＮＡＮＤ回路７１の出力信号は、ＮＯＲ回路７２の論理和によって更に反転されて出力される。
【００７３】
そして、ＮＯＲ回路７２の出力信号は、更に、単位回路２７１ｂの２つのインバータ７３ｂ及び７３ｃによって反転されて出力される。即ち、ＸスタートパルスＤＸは、模擬回路２７１において４回反転されて出力され、スイッチング素子２７２のゲートに入力されて、スイッチング素子２７２がオン状態となる。
【００７４】
ここで、スイッチング素子２７２のソースは画像信号供給回路１０１の低電位電源に電気的に接続されることで低電源電位ＶＳＳＸが供給されており、スイッチング素子２７２がオン状態となると、ソースに向かって電流が流れることにより、モニタ信号ＭＯＮは、図５（ｂ）に示すような立下りの信号として、モニタリング端子２９に出力される。図１に示すように、モニタリング端子２９から出力されたモニタ信号ＭＯＮは、タイミング制御回路２００に入力され、ＸスタートパルスＤＸの出力タイミングに対するモニタ信号ＭＯＮの出力タイミングの遅延量が測定される。モニタ信号ＭＯＮを立下りの信号として出力することにより、立上りの信号として出力する場合と比較して、信号波形のなまりを防止して、モニタ信号ＭＯＮの出力タイミングの遅延量をより正確に測定することが可能となる。
【００７５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の検査方法について、図６及び図７を参照して説明する。ここに図６は、モニタ回路を用いた画像信号供給回路の検査の流れを示すフローチャートである。図７から図９は、モニタ回路を用いた画像信号供給回路の検査を説明するための模式図であり、各図における（ａ）は、検査時の各工程における、モニタ回路に対する入力及びモニタ回路からの出力を示す図であり、（ｂ）は、検査時の各工程における、モニタ回路に対する入力信号及びモニタ回路からの検査信号の各々の信号波形について概略的に示す図である。
【００７６】
図１から図５を参照して上述したように、液晶装置１は、モニタ回路２７を備えており、モニタ回路２７は、画像信号供給回路１０１の一部（より具体的には、シフトレジスタ１６０の一段分と、該一段分に対応するイネーブル回路と、データ線駆動回路１５０の一段に対応するサンプリングスイッチ１１４）を模擬して形成されている。よって、モニタ回路２７は、この画像信号供給回路１０１の一部から出力される信号を模擬する信号を出力することができる。
【００７７】
そこで、本実施形態に係る液晶装置の検査方法では、図６に示すような、モニタ回路２７を用いた画像信号供給回路１０１の検査を行う。
【００７８】
図６において、モニタ回路２７を用いた画像信号供給回路１０１の検査では、先ず、モニタ回路２７に対してＸスタートパルスＤＸを入力し、モニタ回路２７から検査信号ＣＫ１を検出する（ステップＳ１０）。即ち、図７（ａ）に示すように、モニタ回路２７に対して、通常駆動時と同様に、低電源電位ＶＳＳＸ及び高電源電位ＶＤＤＸによって規定されるＸスタートパルスＤＸを入力し、モニタ回路２７からモニタリング端子２９を介して出力される出力信号を検査信号ＣＫ１として検出する。検査信号ＣＫ１の検出は、モニタリング端子２９に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。尚、検査信号ＣＫ１は、本発明に係る「第３検査信号」の一例である。
【００７９】
次に、図６において、モニタ回路２７における信号遅延を測定する（ステップＳ２０）。即ち、図７（ｂ）に示すように、ステップＳ１０に係る工程によって検出された検査信号ＣＫ１が、モニタ回路２７に入力されたＸスタートパルスＤＸに対して遅延する信号遅延量ｔ１を測定する。信号遅延量ｔ１の測定は、モニタリング端子２９に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。信号遅延量ｔ１を測定することによって、モニタ回路２７が模擬する画像信号供給回路１０１の一部における信号遅延量を間接的に測定することができる。
【００８０】
次に、図６において、モニタ回路２７に対して高電源電位ＶＤＤＸを入力し、モニタ回路２７から検査信号ＣＫ２を検出する（ステップＳ３０）。即ち、図８（ａ）に示すように、モニタ回路２７に対して高電源電位ＶＤＤＸを入力し、モニタ回路２７からモニタリグ端子２９を介して出力される出力信号を検査信号ＣＫ２として検出する。検査信号ＣＫ２の検出は、モニタリング端子２９に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。尚、検査信号ＣＫ２は、本発明に係る「第１検査信号」の一例である。
【００８１】
次に、図６において、モニタ回路２７における信号電位のずれを測定する（ステップＳ４０）。即ち、図８（ｂ）に示すように、ステップＳ３０に係る工程によって検出された検査信号ＣＫ２が、低電源電位ＶＳＳＸに対してずれる電位ずれ量ΔＶＬ２を測定する。電位ずれ量ΔＶＬ２の測定は、モニタリング端子２９に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。電位ずれ量ΔＶＬ２を測定することによって、モニタ回路２７が模擬する画像信号供給回路１０１の一部における信号電位のずれを間接的に測定することができる。ここで特に、検査信号ＣＫ２には、例えば、ステップＳ１０に係る工程によって検出された検査信号ＣＫ１と比較して、オーバーシュート等のノイズが殆ど或いは全く含まれない。つまり、ステップＳ３０に係る工程においてモニタ回路２７に入力される高電源電位ＶＤＤＸは、ＸスタートパルスＤＸのように電位が急激に変化する部分を有するパルス信号ではなく、時間に対して固定された電位を有する信号であるが故に、オーバーシュート等のノイズが殆ど或いは全く含まれない。よって、電位ずれ量ΔＶＬ２（即ち、モニタ回路２７における信号電位のずれ）を容易に精度良く測定することができる。従って、モニタ回路２７が模擬する画像信号供給回路１０１の一部における信号電位のずれを間接的に精度良く測定することができる。
【００８２】
尚、図７（ｂ）において、仮に、何らの対策も施さずに、ステップＳ３０に係る工程によって検出された検査信号ＣＫ１における低電位側電位ＶＬ１が低電源電位ＶＳＳＸに対してずれる電位ずれ量ΔＶＬ１や、検査信号ＣＫ１における高電位側電位ＶＨ１が高電源電位ＶＤＤＸに対してずれる電位ずれ量ΔＶＨ１を測定する場合には、検査信号ＣＫ１に含まれるオーバーシュート等のノイズのために、電位ずれ量ΔＶＬ１及びΔＶＨ１を精度良く測定することは困難である。
【００８３】
次に、図６において、モニタ回路２７に対して低電源電位ＶＳＳＸを入力し、モニタ回路２７から検査信号ＣＫ３を検出する（ステップＳ５０）。即ち、図９（ａ）に示すように、モニタ回路２７に対して低電源電位ＶＳＳＸを入力し、モニタ回路２７からモニタリグ端子２９を介して出力される出力信号を検査信号ＣＫ３として検出する。検査信号ＣＫ３の検出は、モニタリング端子２９に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。
【００８４】
次に、図６において、モニタ回路２７における信号電位のずれを測定する（ステップＳ６０）。即ち、図９（ｂ）に示すように、ステップＳ５０に係る工程によって検出された検査信号ＣＫ３が、高電源電位ＶＤＤＸに対してずれる電位ずれ量ΔＶＨ２を測定する。電位ずれ量ΔＶＨ２の測定は、モニタリング端子２９に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。電位ずれ量ΔＶＨ２を測定することによって、モニタ回路２７が模擬する画像信号供給回路１０１の一部における信号電位のずれを間接的に測定することができる。ここで特に、検査信号ＣＫ３には、例えば、ステップＳ１０に係る工程によって検出された検査信号ＣＫ１と比較して、オーバーシュート等のノイズが殆ど或いは全く含まれない。よって、電位ずれ量ΔＶＨ２（即ち、モニタ回路２７における信号電位のずれ）を容易に精度良く測定することができる。従って、モニタ回路２７が模擬する画像信号供給回路１０１の一部における信号電位のずれを間接的に精度良く測定することができる。
【００８５】
次に、図６において、モニタ回路２７における信号遅延及び信号電位のずれに基づいて、画像信号供給回路１０１に不具合が発生しているか否かを判定する（ステップＳ７０）。即ち、ステップＳ２０に係る工程によって測定された信号遅延量ｔ１（図７（ｂ）参照）、ステップＳ４０に係る工程によって測定された電位ずれ量ΔＶＬ２（図８（ｂ）参照）及びステップＳ６０に係る工程によって測定された電位ずれ量ΔＶＨ２（図９（ｂ）参照）に基づいて、画像信号供給回路１０１に不具合が発生しているか否かを判定する（言い換えれば、画像信号供給回路１０１の良否を検査する）。具体的には、信号遅延量ｔ１、電位ずれ量ΔＶＬ２及びΔＶＨ２の各々を、予め定められた所定の基準値或いは基準範囲と比較することで、画像信号供給回路１０１の良否を検査する。例えば、信号遅延量ｔ１がその所定の基準範囲である４０ｎｓ以上１２０ｎｓ以下の範囲内であって、電位ずれ量ΔＶＬ２がその所定の基準値である１．０Ｖよりも小さく且つ電位ずれ量ΔＶＨ２がその所定の基準値である０．７Ｖよりも小さい場合には、画像信号供給回路１０１に不具合が発生していないと判定し、信号遅延量ｔ１、電位ずれ量ΔＶＬ２及びΔＶＨ２の少なくとも一つが所定の基準範囲外或いは所定の基準値以上である場合には、画像信号供給回路１０１に不具合が発生していると判定する。ここで、本発明では特に、信号遅延量ｔ１に加えて、電位ずれ量ΔＶＬ２及びΔＶＨ２に基づいて、画像信号供給回路１０１の良否を検査するので、仮に、信号遅延量ｔ１のみに基づいて、画像信号供給回路１０１の良否を検査する場合と比較して、検査精度を高めることができる。更に、本発明では特に、電位ずれ量ΔＶＬ２及びΔＶＨ２を測定するので、単に画像信号供給回路１０１の良否を判定するだけに留まらす、画像信号供給回路１０１に不具合が発生していないと判定した場合における、画像信号供給回路１０１に不具合が発生するまでのマージン或いは余裕度を検出することも可能となる。
【００８６】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置の検査方法によれば、モニタ回路２７を備えた液晶装置１に対し、モニタ回路２７における信号電位のずれを精度良く測定することができ、液晶装置１の高精度な検査を行うことが可能となる。
【００８７】
また、本実施形態では、信号遅延量ｔ１並びに電位ずれ量ΔＶＬ２及びΔＶＨ２に基づいて、画像信号供給回路１０１に不具合が発生しているか否かを判定するので、画像信号供給回路１０１の検査の精度をより一層高めることができる。
＜電気光学装置の製造方法＞
本実施形態に係る電気光学装置の製造方法について、図１０から図１３を参照して説明する。
【００８８】
先ず、上述した液晶装置１の具体的な全体構成について、図１０及び図１１を参照して説明する。ここに図１０は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１１は、図１０のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８９】
図１０及び図１１において、素子基板としてのＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１１０の周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００９０】
図１０において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１１０の額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。
【００９１】
シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線１１４に画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線１１４を駆動する画像信号供給回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿って、走査線１１２に走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線１１２を駆動する走査線駆動回路１３０が設けられている。尚、走査線１１２に供給される走査信号遅延が問題になる場合には、走査線駆動回路１３０を、画像信号供給回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１３０は互いに接続されるようにする。或いは、画像信号供給回路１０１を画像表示領域１１０の両側に配置させてもよい。
【００９２】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００９３】
図１１において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、ここでは図示を省略するが、図１を参照して上述した画素スイッチング用のＴＦＴ１１６や走査線１１２、データ線１１４等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１１０には、ＴＦＴ１１６や走査線１１２、データ線１１４等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極１１８がマトリクス状に設けられている。画素電極１１８上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１１０内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極１１８と対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００９４】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら画像信号供給回路１０１、走査線駆動回路１３０等に加えて、複数のデータ線１１４に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００９５】
また、投射光が入射する対向基板２０側及び出射光が出射するＴＦＴアレイ基板１０側には、夫々、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００９６】
以上に説明した液晶装置１は、例えばプロジェクタに適用される。この場合、３つの液晶装置がＲＧＢ３原色夫々のライトバルブとして用いられる。このように液晶装置１がプロジェクタにおけるライトバルブとして用いられる場合には、以下に説明するような実装ケースに収容された状態で、プロジェクタに実装される。尚、本実施形態に係る液晶装置の製造方法は、液晶装置１を、実装ケースに収容されてなる実装ケース入り液晶装置として製造する。
【００９７】
図１２は、実装ケースを液晶装置と共に示す分解斜視図である。
【００９８】
図１２において、液晶装置１は、実装ケース６０１内に収容されて、例えばプロジェクタ等の電子機器に実装される。
【００９９】
図１２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の外部回路接続端子１０２には、ＦＰＣ５０１が接続されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０上の内蔵回路である駆動回路１２０とは別に、ＦＰＣ５０１上には、タイミング制御回路２００及び画像信号処理回路３００を含む外部回路が形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々について、外側表面には、反射防止板等の光学部材が付設されている。但し、偏光板や位相差板等は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の外側表面に付設されてもよいが、液晶装置１が実装される、例えばプロジェクタの光学系が備えていてもよい。
【０１００】
図１２に示すように、実装ケース６０１は、液晶装置１を収容するフレーム６１０と、フレーム６１０に被さるカバー部材６２０とからなる。液晶装置１は、フレーム６１０に対向基板２０側が面する向きに収容され、ＴＦＴアレイ基板１０側の外側表面をカバー部材６２０で覆われている。
【０１０１】
液晶装置１は、その周縁部側からフレーム６１０によって包囲された状態で、該フレーム６１０に接着剤によって接着されることによって固定されて、該フレーム６１０内に収容される。よって、液晶装置１は、フレーム６１０によって、その周縁部側から包囲される状態となる。
【０１０２】
フレーム６１０及びカバー部材６２０には、これらの部材に開口された窓部６１０ｈ及び６２０ｈが設けられている。窓部６１０ｈ及び６２０ｈは、実装ケース６０１内に液晶装置が収容された状態における画像表示領域１１０の位置に対応して、フレーム６１０及びカバー部材６２０に配置される。これにより、液晶装置において、画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域は、フレーム６１０及びカバー部材６２０によって額縁状に覆われる。
【０１０３】
液晶装置が実装ケース６０１に収容されて例えば液晶プロジェクタに実装されて液晶ライトバルブとして用いられる際には、フレーム６１０の側から例えば投射光が入射され、液晶装置１の画像表示領域１１０を透過して、カバー部材６２０の側から出射される。この場合、液晶装置１における周辺領域は、実装ケース６０１及び対向基板２０上に設けられた額縁遮光膜５３によって覆われているため、周辺領域に対して投射光は入射され難くなっている。
【０１０４】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置１から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光が、液晶装置１に対して入射される場合がある。このような戻り光についても、実装ケース６０１によって遮光することができ、液晶装置１の周辺領域に対しては入射され難くなっている。
【０１０５】
従って、実装ケース６０１及び額縁遮光膜５３によって、液晶装置１の周辺領域における光抜けを防止したり或いは周辺領域から画像表示領域１０ａ内に迷光が進入したりするのを防止することができる。
【０１０６】
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図１３を参照して説明する。ここに図１３は、本実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャートである。尚、本実施形態では、液晶装置１は、図１２を参照して上述したように、実装ケースに収容されてなる実装ケース入り液晶装置として製造される。
【０１０７】
先ず、図１３において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、データ線１１４や走査線１１２、ＴＦＴ１１６、画素電極１１８等の各種構成要素を形成すると共に、対向基板２０上に、遮光膜２３や額縁遮光膜５３、対向電極２１等の各種構成要素を形成した後に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、画素電極１１８と対向電極２１とが対向するように、シール材５２を介して貼り合わせることにより液晶装置１を製造する（ステップＳ１１０）。
【０１０８】
次に、図１３において、液晶装置１を実装ケース６０１に収容する（ステップＳ１２０）。
【０１０９】
次に、図１３において、液晶装置１が実装ケースに６０１に収容された状態で、液晶装置１における光透過率やコントラスト等が所定の基準を満たしているか否かの検査を行う（ステップＳ１３０）。
【０１１０】
次に、図１３において、液晶装置１が実装ケース６０１に収容された状態で、液晶装置１に対して、モニタ回路２７を用いた画像信号供給回路１０１の検査を行う（ステップＳ１４０）。即ち、液晶装置１が実装ケース６０１に収容された状態で、図１から図９を参照して詳細に説明した検査方法を用いた検査を行う。その後、良品とされた液晶装置１は、製品として出荷或いは保管される。
【０１１１】
ここで本実施形態では特に、モニタ回路２７を用いた画像信号供給回路１０１の検査を行う検査工程（ステップＳ１４０）は、液晶装置１を実装ケース６０１に収容する工程（ステップＳ１２０）の後（更には、液晶装置１に対して光透過率やコントラストの検査を行う工程（ステップＳ１３０）の後）、言い換えれば、液晶装置１の製造プロセスにおける、できる限り後の工程に行われる。よって、例えば、液晶装置１の組み立て時、他の検査時或いは運搬時などに液晶装置１の周辺で発生した静電気によって画像信号供給回路１０１やモニタ回路２７が劣化又は破壊されてしまったままの状態で、液晶装置１が製品として出荷されてしまう事態をより確実に回避することができる。
【０１１２】
尚、上述の本発明の実施形態では液晶装置を例にとって説明したが、本発明が適用可能な液晶装置には半導体基板を用いた反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）も含まれる。
【０１１３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の検査方法、及び該検査方法を含む電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の検査方法を適用する液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態に係る画像信号供給回路の一部及びモニタ回路の構成を示す回路図である。
【図３】本実施形態に係る画像信号供給回路に係る各種信号の経時的変化を示すタイミングチャートである。
【図４】本実施形態に係るタイミング制御回路の構成を示す回路図である。
【図５】図５（ａ）は、モニタ回路における信号波形の変化を模式的に示す図であり、図５（ｂ）はモニタ信号の信号波形について概略的に示す図である。
【図６】モニタ回路を用いた画像信号供給回路の検査の流れを示すフローチャートである。
【図７】モニタ回路を用いた画像信号供給回路の検査を説明するための模式図（その１）である。
【図８】モニタ回路を用いた画像信号供給回路の検査を説明するための模式図（その２）である。
【図９】モニタ回路を用いた画像信号供給回路の検査を説明するための模式図（その３）である。
【図１０】本実施形態における液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１２】実装ケースを液晶装置と共に示す分解斜視図である。
【図１３】本実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１５】
１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、２７…モニタ回路、１０１…画像信号供給回路、１５０…データ線駆動回路、１４０…サンプリング回路、１６０…シフトレジスタ、ＣＫ１、ＣＫ２、ＣＫ３…検査信号、ＤＸ…Ｘスタートパルス、ＶＤＤＸ…高電源電位、ＶＳＳＸ…低電源電位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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