(57)【要約】【課題】基板製造装置のアイドル時に装置の異常を検知して歩留り低下を防止する。【解決手段】基板製造装置のモニタリングシステム１０は、データ収集部１２、データ保存部１４、制御状態判定部１５、データ判定部１３を備える。データ収集部１２は、付帯装置６を含めた基板製造装置１から制御パラメータデータを収集する。当該データ収集部１２にて収集された制御パラメータデータはデータ保存部１４に格納される。制御状態判定部１５は、データ保存部１４のデータを基に基板製造装置の制御状態を判定する。データ判定部１３は、判定された制御状態毎に異常／正常の判定を行う。これにより基板処理前の装置アイドル時においても装置異常を検知することができるため、製品の歩留りの低下を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が配置された反応室内で所定の反応処理を行わせる、付帯装置を含めた基板製造装置をモニタリングするシステムであって、
前記基板製造装置からの制御パラメータのデータを所定のサンプリング間隔でもって収集するデータ収集部と、
前記データ収集部にて収集された制御パラメータのデータを保存するデータ保存部と、
前記データ保存部のデータを基に付帯装置を含めた基板製造装置の制御状態を判定する制御状態判定部と、
判定された制御状態毎に、異常の有無を判定するデータ判定部と、
を備え、
得られた制御パラメータのデータから付帯装置を含めた基板製造装置での、基板処理中およびアイドル中の制御状態を判定し、制御状態毎に制御パラメータの異常の有無を判定することを特徴とする基板製造装置のモニタリングシステム。
【請求項２】
前記付帯装置が備える各制御部の制御電圧を含むアナログパラメータを取得し、取得したアナログパラメータをアナログデータからデジタルデータへ変換するアナログパラメータ収集部を、さらに備えた請求項１記載の基板製造装置のモニタリングシステム。
【請求項３】
基板が配置された反応室内で所定の反応処理を行わせる、付帯装置を含めた基板製造装置のモニタリング方法であって、
前記基板製造装置からの制御パラメータのデータを所定のサンプリング間隔でもって収集するデータ収集ステップと、
前記データ収集ステップにて収集された制御パラメータのデータをデータ保存部に保存するデータ保存ステップと、
前記データ保存部のデータを基に付帯装置を含めた基板製造装置の制御状態を判定する制御状態判定ステップと、
判定された制御状態毎に、異常の有無を判定するデータ判定ステップと、
を含み、
得られた制御パラメータのデータから付帯装置を含めた基板製造装置での、基板処理中およびアイドル中の制御状態を判定し、制御状態毎に制御パラメータの異常の有無を判定することを特徴とする基板製造装置のモニタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板製造装置の監視システムに関し、特に付帯装置を含めた基板製造装置のモニタリングシステムおよびモニタリング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の基板装置の高集積化に伴い、基板製造工程数は多くなる傾向にあり、各工程の内容も複雑化している。基板装置の歩留りを決定する大前提は、基板製造装置が正常に動作していることであり、装置が異常で正常範囲内の基板処理を実行していない場合は、製造歩留りに装置状態が決定因子として付加される。このような基板製造装置に起因して不良が発生するものについては、早急に原因究明や対策を遂行する必要がある。
【０００３】
従来における基板製造装置のモニタリングは、各種装置パラメータをモニタリングすることで行われる。ここで、装置パラメータとは、基板製造装置から取得されるパラメータであり、例えば、（ａ）レシピで制御されている流量や温度などの「制御パラメータ」、（ｂ）ウェーハのロット名やレシピ名などのウェーハ特有のＩＤを表す「コンテキストパラメータ」、（ｃ）レシピステップ番号、処理中またはアイドル中等の装置状態を示す処理ステートや、薬液のライフタイム（薬液投入からの使用時間）などの処理状態を示す「処理状態パラメータ」、（ｄ）製造装置や付帯装置の計器から直接電圧や電流などを取得する「アナログパラメータ」等が含まれる。
【０００４】
基板製造装置の基板処理時には、前記装置パラメータの中から必要なデータをリアルタイムで収集する必要があり、近年は、特許文献１、特許文献２などにて公開されているように、装置パラメータを電気的にモニタリングする方法が行われている。このような方法を用いることにより、長期間に亘って連続的に基板製造装置のモニタリングが可能となる。したがって、基板製造装置の装置パラメータの変動や経時変化に対して迅速に対処することができる。
【０００５】
図７に従来における基板製造装置の概略図を示す。当該基板製造装置は、薬液を供給することにより、反応処理室内に設置された処理対象の基板を処理する装置である。
【０００６】
図７において、基板製造装置１０１は、反応処理室（チャンバともいう）１０２を備える。反応処理室１０２には、薬液の調合や濃度・温度制御を行う薬液キャビネット（付帯装置）１０７および反応処理室内を減圧する真空ポンプ１０９が接続されている。基板処理装置１０１の各部には、基板製造装置１０１内で圧力や温度等の制御パラメータを計測するセンサー１０３、１０４、１０５が配置されている。また、薬液キャビネット１０７内には、薬液の流量等の制御パラメータを計測するセンサー１０８が配置されている。さらに、基板処理装置１０１には、各センサーが計測した制御パラメータに基づいて、基板処理装置１０１および薬液キャビネット１０７の動作を制御する制御用コンピューター１０６が設けられている。
【０００７】
また、基板製造装置１０１には、基板製造装置１０１および薬液キャビネット１０７をモニタリングするモニタリングシステム１１１が接続されている。モニタリングシステム１１１は、切り替えスイッチ（バイパススイッチともいう）１１２、データ収集部１１３、データ保存部１１５、データ判定部１１４を備える。また、切り替えスイッチ１１２には、ホストコンピューター１１０が接続されている。
【０００８】
前記構成において、基板は反応処理室１０２に搬送され所定の処理が実施される。処理が実施されている間、各センサー１０３〜１０５は制御用コンピューター１０６内で記憶されている処理レシピで決められた設定値に制御されるか、あるいはそれらの設定値になるように自動的にコントロールされる。そのため各センサーの計測値は変動し、それらセンサー１０３〜１０５のデータは制御用コンピューター１０６に送信される。薬液キャビネット１０７でも同様に基板製造装置１０１（制御用コンピューター１０６）から制御指示が与えられ、制御指示に応じた動作をするのと同時にセンサー１０８のデータを制御用コンピューター１０６に送信する。このとき、各センサーの情報は指定されたサンプリング周期でもってモニタリングシステム１１１のデータ収集部１１３にて収集されるとともに、データ保存部１１５に保存されていた。
【０００９】
なお、製造工程のレシピのダウンロード、基板処理の開始、完了報告等の指令は、切り替えスイッチ１１２を介して制御用コンピューター１０６に接続されるホストコンピューター１１０から行われる。なお、切り替えスイッチ１１２は、制御用コンピューター１０６とホストコンピューター１１０とを通信可能に接続する状態と、制御用コンピューター１０６とデータ収集部１１３とを通信可能に接続する状態とを切り替える機能を有している。
【００１０】
図８に従来の基板製造装置におけるモニタリングシステムで収集した制御パラメータの時間変化を示す。図８は薬液流量計での流量波形を示しており、横軸が時間に対応する。領域８１、８２、８３、８４は、レシピで設定される４つの処理ステップＡ〜Ｄがそれぞれ実施されている期間を示している。各処理ステップが順に進行した場合、薬液流量は処理ステップに応じて変動する。図中に一点鎖線で示す直線８５は、正常に制御されている場合の変動領域の上限（流量の上限）のしきい値を表す。同様に、図中に破線で示す直線８６は、正常に制御されている場合の変動領域の下限（流量の下限）のしきい値を表す。前記上下限のしきい値は、各レシピの処理ステップ毎に処理条件に応じて設定され、このしきい値を外れた場合に基板製造装置が異常であるとみなされる。前記の技術を用いると、機器トラブル等により基板製造装置が不安定な状態になった場合に、オペレーターにアラーム等の信号を送ったり、基板製造装置の運転を自動的に停止させたりすることが可能となる。その結果、歩留り低下による重大な損害を回避することができる。
【特許文献１】特開平１０−１０６９１６号公報
【特許文献２】特開２００４−３１９８５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述したような基板製造装置では次のような課題がある。
【００１２】
通常、基板製造装置には、基板の処理を行っている状態と、処理を行っていないアイドルの状態とがある。さらに、処理を行っていないアイドルの状態には、単に処理を行っておらずに直ぐに基板処理が開始可能である待機状態と、基板処理前に基板製造装置の制御パラメータ（例えば反応処理室内の温度）が安定した状態になるまで待機している安定待ちの状態が存在する。この制御パラメータ安定待ちの状態への移行には、主に２つの理由があり、以下に基板洗浄装置を例にして説明する。
【００１３】
１つは、多品種を扱う生産工場においては、条件の異なる処理レシピ（処理条件）が複数存在するため、先の基板処理が異なるレシピで実施されていた場合、各制御パラメータが処理レシピの条件に応じた値になるまで基板処理を開始しないためである。この制御パラメータには瞬時に処理レシピの設定値への移行制御が困難な温度や濃度などが挙げられる。
【００１４】
２つは、基板洗浄装置の付帯装置で実行される個別の制御完了を待ってから基板処理が開始されるためである。具体的には、例えば基板洗浄装置に薬液を送っている薬液キャビネットでは、一定の条件を満たした時に基板洗浄装置から薬液交換の指示が出され、薬液キャビネット内のタンクの薬液に対して排液、給液、温度調整などの制御が実施される。当該制御は、基板洗浄装置がアイドル状態時に実施され、それら一連の制御が行われている間は、薬液キャビネットから基板洗浄装置へ薬液を送ることができない。したがって、基板の洗浄処理を開始することができない。このような薬液交換の制御は、薬液キャビネット内で基板洗浄装置とは独立した制御で行われ、薬液交換完了時に基板洗浄装置へ完了の報告が行われる。
【００１５】
図９に薬液交換時を含んだ薬液の温度と洗浄装置の各制御状態での経過時間との関係を示す。図９において、左縦軸が温度に対応し、右縦軸がそれぞれの状態になった時点からの経過時間に対応する。また、横軸は時刻に対応する。なお、図中では、薬液温度を実線で示し、経過時間を点線で示している。
【００１６】
図９において、領域９１は洗浄装置がアイドルの状態、領域９２は薬液交換を実施している状態、領域９３は基板処理を行っている状態である。
【００１７】
薬液キャビネットは、排液、給液、温度調整などの付帯装置内での制御イベントを基板洗浄装置本体へ報告しない。基板洗浄装置は、薬液交換等の指示を出すため、薬液キャビネットで実施されるおおまかな制御については把握しているが、さらにその詳細な制御、例えば薬液交換中の排液、給液、温度調整といった付帯装置の詳細な制御状態は認識できない。したがって、制御状態毎の異常判定ができず、付帯装置の異常を検出することは困難であった。
【００１８】
すなわち、従来のモニタリングシステムでは、基板製造装置のアイドル時に制御パラメータの状態監視を行っていない結果、基板処理時に初めて基板処理装置が異常であることが判明し、製品の歩留りを低下させることがあった。
【００１９】
この課題は、付帯装置に直接従来のモニタリングシステムを接続することで解決可能である。しかしながら、基板製造装置には一般的に複数の付帯装置が接続されているため、その全てに接続すると多額の費用が必要となるため現実的ではない。
【００２０】
そこで本発明は、基板製造装置および付帯装置の装置パラメータを取得する手段と、取得した装置パラメータより付帯装置の制御状態を判定する手段とを備え、判定した付帯装置の制御状態毎に制御パラメータ値の異常の有無を判定することで、付帯装置を含め基板製造装置の異常を早期に検知するモニタリングシステムおよびモニタリング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記課題を解決するために、本発明は、以下の技術的手段を採用している。まず、本発明は、基板が配置された反応室内で所定の反応処理を行わせる付帯装置を含めた基板製造装置をモニタリングするシステムを前提としている。そして、本発明に係る基板製造装置のモニタリングシステムは、データ収集部が、基板製造装置からの制御パラメータのデータを所定のサンプリング間隔でもって収集する。当該データ収集部にて収集された制御パラメータのデータは、データ保存部に保存される。制御状態判定部は、データ保存部のデータを基に付帯装置を含めた基板製造装置の制御状態を判定する。また、データ判定部は、判定された制御状態毎に、異常の有無を判定する。当該構成を有する本発明に係る基板製造装置のモニタリングシステムは、得られた制御パラメータのデータから付帯装置を含めた基板製造装置での、基板処理中およびアイドル中の制御状態を判定し、制御状態毎に制御パラメータの異常の有無を判定する。
【００２２】
この構成により、基板製造装置がアイドル時の各制御状態を把握することが可能となる。各制御状態が把握できることで、制御状態毎に異常／正常（異常または正常）の判断を行うことができる。
【００２３】
また、上記モニタリングシステムは、上記付帯装置が備える各制御部の制御電圧を含むアナログパラメータを取得するとともに、アナログデータからデジタルデータへ変換（アナログ／デジタル変換）するアナログパラメータ収集部を、さらに備えてもよい。
【００２４】
なお、付帯装置が備える各制御部の制御電圧などのアナログパラメータは付帯装置の制御状態がわかるものであれば良く、薬液ラインの電磁バルブの制御電圧や薬液タンクの容量を検知しているレベルセンサーの出力電圧等が挙げられる。もしこれらが基板製造装置の制御コンピューターを介して取得できるデータであれば、取得する必要はない。
【００２５】
一方、他の観点では、本発明は、基板が配置された反応室内で所定の反応処理を行わせる付帯装置を含めた基板製造装置のモニタリング方法を提供することもできる。すなわち、本発明に係る基板製造装置のモニタリング方法では、まず、基板製造装置からの制御パラメータのデータを所定のサンプリング間隔でもって収集する。当該収集された制御パラメータのデータはデータ保存部に保存される。当該データ保存部のデータを基に付帯装置を含めた基板製造装置の制御状態が判定される。また、判定された制御状態毎に、異常の有無が判定される。そして、得られた制御パラメータのデータから付帯装置を含めた基板製造装置での、基板処理中およびアイドル中の制御状態を判定し、制御状態毎に制御パラメータの異常の有無が判定される。
【００２６】
この方法により、基板製造装置がアイドル時の各制御状態を把握することが可能となる。各制御状態が把握できることで、制御状態毎に異常／正常の判断を行うことができるため、従来は基板処理時にレシピで制御される場合でしか制御パラメータの異常を検出できなかったのに対し、基板処理前に付帯装置や基板製造装置の異常／正常の判定を行うことができる。したがって、最終的には歩留まりの低下を事前防止することが可能となる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、基板製造装置の異常を事前に検知でき、製造歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の一実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【００２９】
図１は本実施形態における基板製造装置の構成を示す概略図である。当該基板製造装置は、薬液を供給することにより、反応処理室内に設置された処理対象の基板を処理する装置である。なお、以下では、反応処理室と、付帯装置である薬液キャビネットとを含めて基板処理装置という。
【００３０】
本実施形態の基板製造装置１では、従来の構成と同様に、基板は反応処理室２に搬送され、所定の処理が実施される。処理が実施されている間、比抵抗、温度などの各制御パラメータは、制御用コンピューター５内で記憶されている処理レシピで決められた設定値に制御される。あるいは、他の制御パラメータが処理レシピで決められた設定になるように装置内で自動的にコントロールされる。それら比抵抗計３、温度計４などの各センサーのデータは、データ経路１６を通って制御用コンピューター５に送信される。薬液キャビネット６でも同様に、ＨＮＯ3流量、ＨＦ流量などの各制御パラメータが制御用コンピューター５から制御指示によってそれに応じた動作をする。同時に、ＨＮＯ3流量計７、ＨＦ流量計８などのセンサーのデータは制御用コンピューター５に送信される。このとき、ある指定されたサンプリング周期でもって各制御パラメータのデータがモニタリングシステム１０のデータ収集部１２で収集されるとともに、データ保存部１４に保存される。
【００３１】
なお、製造工程のレシピ名およびウェーハ特有のＩＤであるウェーハ名、ロット名などのダウンロード、基板処理の開始、完了報告等の指令は、切り替えスイッチ１１を介して制御用コンピューター５に接続されるホストコンピューター９から行われる。
【００３２】
このとき、ホストコンピューター９から制御用コンピューター５にダウンロードされたロット名、ウェーハ名、レシピ名などのコンテキストパラメータは制御パラメータと同様にモニタリングシステム１０のデータ収集部１２で収集されるとともに、データ保存部１４に保存される。
【００３３】
さらにレシピステップ番号、処理中またはアイドル中を示す処理ステート、薬液のライフタイム（薬液投入からの使用時間）などの、基板製造装置の状態や処理状況を示す処理状態パラメータもモニタリングシステム１０のデータ収集部１２で収集されるとともに、データ保存部１４に保存される。
【００３４】
この基板製造装置１が従来のものと相違するのは、前記データを基に付帯装置を含めた基板製造装置の制御状態を判定する制御状態判定部１５を備えている点である。制御状態判定部１５は、データ保存部１４に蓄積されるデータから制御状態を判定し、判定された制御状態と制御パラメータとの紐付けを実施している。基板製造装置１の制御状態と紐付けされた制御パラメータはデータ保存部１４に保存され、データ判定部１３で基板製造装置１または薬液キャビネット６などの付帯装置の制御状態に応じて、各制御パラメータ値が正常または異常かの判断が行われる。
【００３５】
ここで各制御パラメータ値が異常であるとデータ判定部１３が判断した場合、データ判定部１３は、制御用コンピューター５に停止指示１７を送信し、基板製造装置１の処理を停止させる。
【００３６】
なお、図１の形態において得られる各センサーのデータだけでは、制御状態を判定するのに不十分である可能性がある。その場合は図１に示す構成に付帯装置が備える各制御部の制御電圧などのアナログパラメータを取得して、データを拡充させる必要がある。
【００３７】
図２に、前記課題を克服するため図１に示す構成に加えて、付帯装置が備える各制御部の制御電圧などのアナログパラメータを取得してアナログ／デジタル変換を行うアナログパラメータ収集部を備えた基板製造装置を示す。なお、以下の説明において、既に説明した部材と同一部材については、その詳しい説明は省略する。
【００３８】
図２において、アナログパラメータ収集部１８は、付帯装置の薬液ラインに設けられた電磁バルブ１９の制御電圧を取得している。この制御電圧をアナログパラメータ収集部１８でアナログ／デジタル変換し、薬液の吐出状態を把握することができる。このようにアナログパラメータ収集部１８のようなハードを用いて実現してもよい。ここでは電磁バルブ１９の制御電圧はバルブの開閉をコントロールしており、バブルが開状態で薬液が供給されている状態とバルブが閉状態で薬液が供給されていない状態とを、制御電圧で間接的に知ることが可能となる。これにより、薬液がタンクに補充されるタイミングが明確になり、付帯装置で給液されている状態を特定して、さらに制御状態を詳細に分類することが可能となる。同様にアナログパラメータ収集部１８は、薬液キャビネット６内で、反応処理室に供給する薬液が収容されている薬液タンク内に設置された比抵抗計２０や温度計２１の出力電圧を取得している。
【００３９】
次に、図３に示すフローチャートに基づき、本実施形態における基板製造装置の付帯装置である薬液キャビネットの制御状態の判定について説明する。
【００４０】
図３において、まず、制御状態判定部１５が、制御状態の判定に必要な処理状態パラメータのデータをデータ保存部１４から取得し、基板製造装置１のステートの判定を行う（ステップＳ１、Ｓ２）。すなわち、制御状態判定部１５は、基板処理装置１が基板の処理を行っている状態か、基板の処理を行っていない状態か、装置メンテナンスやエラーによる緊急停止などの使用できない状態かを判定する。ここでは、制御状態判定部１５は、取得した処理状態パラメータが「０」であれば、アイドル状態と判定する。取得した処理状態パラメータが「１」であれば、プロセス中（ウェーハ処理中）と判定する。取得した処理状態パラメータが「２」であれば、使用できない状態と判定する。
【００４１】
上記判定において、基板製造装置１がアイドル状態であると判定すると、制御状態判定部１５は、さらに、アイドル中のいずれの制御状態に属するかを判定する（ステップＳ３）。ここでは、アイドル中の制御状態として、付帯装置である薬液キャビネット６の薬液交換中の各制御状態を判別している。ここでは、薬液交換とは、薬液キャビネットの薬液タンクから、薬液を排出する排液状態、排液後に薬液タンクに薬液を供給する給液状態、給液後に、処理レシピに応じた温度に薬液温度を調節する温度調節状態の各処理状態を含む。
【００４２】
本基板製造装置１において、薬液交換は、薬液交換からの経過時間を表すライフタイムが１４４０分あるいは薬液交換からの基板処理回数を表すライフカウントが１０００回に到達した場合、かつ装置アイドル時に実施される。このため、制御状態判定部１５は、処理状態パラメータである、ライフタイムおよびライフカウントにより薬液キャビネット６の制御状態を判定する（ステップＳ３）。ステップＳ３では基板製造装置１が基板処理を実施しておらず、かつ前記薬液交換の条件を満たしていた時に、制御状態判定部１５は排液の制御と判定する。特に限定されないが、本実施形態では、ライフタイムおよびライフカウントは、排液が完了した時点でリセットされる。なお、本実施形態では、薬液交換を前記ライフタイム１４４０分あるいはライフカウント１０００回に到達した場合としているが、これは基板製造装置の設定によって異なるため、一様ではない。基板製造装置の設定に応じて、ステップＳ３でのライフタイムとライフカウントの閾値は変更される必要がある。
【００４３】
また、ステップＳ３にてライフタイムが１６．６分未満の時、すなわち、排液完了後の経過時間が１６．６分未満のときには、制御状態判定部１５は、データ保存部１４からアナログパラメータを取得し、当該アナログパラメータにより薬液キャビネット６が給液状態であるか、温度調節状態であるかを判定する（ステップＳ４、Ｓ５）。ステップＳ５において、付帯装置の薬液ラインの電磁バルブ１９が開いている状態であれば、制御状態判定部１５はアイドル中の制御状態を薬液排液後の給液の制御と判定する。また、ステップＳ３にてライフタイムが１６．６分未満であり、ステップＳ５で付帯装置の薬液ラインの電磁バルブ１９が閉じている状態であり、かつステップＳ６で薬液温度（タンク温度）が設定温度の±５％外であれば温度調整の制御と判定する。前記いずれの状態にも当てはまらない場合は、基板製造装置が直ちに基板処理を実施可能なアイドルの状態であると判定する。
【００４４】
なお、ステップＳ３においてライフタイムの閾値を１６．６分に設定しているのは、本実施形態の付帯装置を含む基板製造装置が正常であれば、薬液排液後の給液から温度調節までの制御が、必ず１６．６分以内に行われるからである。薬液の給液開始から１６．６分以上経過しても温度調節が完了しない時すなわち、１６．６分以内にステップＳ６のタンク温度が設定温度±５％以内にならないときは、付帯装置でエラーが発生し、基板製造装置１の全ての処理が緊急停止する構造および設定になっている。ステップＳ３では、基板製造装置１が通常使用が可能な状態で、さらにアイドル状態において、詳細な制御状態を判定することを目的にしており、前述した緊急停止状態や装置のメンテナンス状態等の特別な停止状態での判定は含めていない。これはステップＳ２での基板製造装置１のステートの判定で既に前記の特別な停止状態を判定できているからである。
【００４５】
図４に図３のフローチャートに従い、制御状態を判定した時の制御状態判定結果および各制御パラメータと処理状態パラメータの推移を示す。図３のフローチャートに従うと、図４中の薬液交換時の各制御状態（排液、給液、温度調整）が判断でき、付帯装置の各制御状態を把握することが可能であることが分る。なお、上述のように、判定された制御状態は、そのときに取得された制御パラメータと紐付けされてデータ保存部１４に保存される。
【００４６】
図５に本実施形態における基板製造装置１の異常／正常判定フローチャートを示す。ここでは、図３に示したフローにより特定したアイドル時の制御状態毎に制御パラメータの規格値を設定し、当該規格値に基づいて、特定された制御状態毎に異常／正常を判定する。
【００４７】
図５において、まず、データ判定部１３は、データ保存部１４から制御状態とともに制御パラメータを取得する（ステップＳ１１）。そして、取得した制御パラメータの制御状態に基づいて、基板製造装置１および付帯装置（薬液キャビネット６）の制御状態を確認し、取得した各制御パラメータの値に対して、制御状態毎に制御パラメータの値が異常か正常かの判定を行う（ステップＳ１２、Ｓ１３）。前記判定で正常と判断された場合は基板製造装置１の稼動を続行させ（ステップＳ１４）、異常と判断された場合はアラームを発報して装置を停止させる（ステップＳ１５、Ｓ１６）。この一連のフローチャートにより、基板製造装置１が異常な状態で基板処理されることを事前に防止でき、歩留りの低下を防止することが可能となる。
【００４８】
図６に本実施形態における薬液交換時の温度調整時間のトレンドの例を示す。
【００４９】
図６は薬液交換時に温度を昇温させるのにかかった時間の推移を示しており、徐々にその時間が長くなっていることが分る。これは薬液交換時に温度上昇を行うヒーターの性能が徐々に劣化していることを示し、監視規格上限値を超えた時点でヒーターの故障が発生している。このように制御状態毎に制御パラメータを監視したり、制御状態の経過時間の推移をモニタリングしたりすることで、基板製造装置１のパーツ劣化等による故障についても事前に検知することが可能となる。
【００５０】
以上説明したように、本発明によれば、付帯装置をともなう基板製造装置において、アイドル中の各制御状態を極めて容易に判別することができる。また、判別した制御状態と制御パラメータとを関連づけ、制御パラメータに対して制御状態毎に規格値を設定することで、アイドル中の制御状態毎に異常の有無を非常に簡便に判定することができる。そのため、アイドル中（基板処理開始前）に装置異常を検出することができ、異常状態で基板処理が実施されることを防止できる。その結果、製造歩留りの低下を未然に防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、高歩留りで異常のない製造ラインを構成する基板製造装置およびモニタリングシステムに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態における基板製造装置の構成を示す概略図
【図２】本発明の一実施形態における基板製造装置の構成変形例を示す概略図
【図３】本発明の一実施形態における薬液キャビネット制御状態の判定フローチャートを示す図
【図４】本発明の一実施形態における制御状態の判定結果を示す図
【図５】本発明の一実施形態における基板製造装置の状態判定フローチャートを示す図
【図６】本発明の一実施形態における薬液交換時の温度調整時間のトレンドを示す図
【図７】従来の基板製造装置を示す概略図
【図８】従来の基板製造装置における薬液流量の時間変化を示す図
【図９】従来の基板製造装置における装置のアイドル時に収集した温度の時間変化を示す図
【符号の説明】
【００５３】
１  基板製造装置
２  反応処理室
３  比抵抗計
４  温度計
５  制御用コンピューター
６  薬液キャビネット
７  ＮＨＯ3流量計
８  ＨＦ流量
９  ホストコンピューター
１０  モニタリングシステム
１１  切り替えスイッチ
１２  データ収集部
１３  データ判定部
１４  データ保存部
１５  制御状態判定部
１６  データ経路
１７  停止指示
【図１】
2009027143.tif 000003
【図２】
2009027143.tif 000004
【図３】
2009027143.tif 000005
【図４】
2009027143.tif 000006
【図５】
2009027143.tif 000007
【図６】
2009027143.tif 000008
【図７】
2009027143.tif 000009
【図８】
2009027143.tif 000010
【図９】
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