(57)【要約】【課題】非磁性体の帯状基板を用いても、該帯状基板を十分に大きな力でローラーに押し付けながら搬送でき、ガスゲート部の隙間を小さくすることを可能とし、かつ成膜室間のガスの混合を防いで高品質の半導体素子を製造することが可能な半導体素子の連続的製造装置を提供することにある。【解決手段】複数の成膜室２０の間を接続するガスゲー１０内に、帯状基板４を該帯状基板４の長手方向に複数個列設されたローラー２の回転により搬送して次の成膜室２０に移送する帯状基板搬送手段を備えた半導体素子の連続的製造装置において、ガスゲート１０内を搬送される帯状基板４に近接して電極３をガスゲート１０の内部に配置し、電極３と帯状基板４との間に誘電体１を設置し、電極３に直流または交流の電圧を印加して電極３と誘電体１との共働により、非磁性体の帯状基板を用いながら該帯状基板４をローラー２に押し付けて、ガスゲート１０部の隙間を小さくした状態で帯状基板４を支持している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の成膜室の間を接続するガスゲート内に、帯状基板を該帯状基板の長手方向に複数個列設されたローラーの回転により搬送して次の成膜室に移送する帯状基板搬送手段を備えたロール・ツー・ロール方式の半導体素子の連続的製造装置において、前記ガスゲート内を搬送される前記帯状基板に近接して電極を前記ガスゲートの内部に配置し、前記電極と前記帯状基板との間に誘電体を設置し、前記電極に直流または交流の電圧を印加して前記電極と誘電体との共働により前記帯状基板を支持するように構成したことを特徴とする半導体素子の連続的製造装置。
【請求項２】
前記誘電体を、中空円筒からなる回転自在なローラーの外周に嵌挿し、前記電極を前記ローラーに電気的に接続される回転軸に連結して、該回転軸を軸受により前記ガスゲートに支持し、前記電極からの電力を前記回転軸、前記軸受及び前記ローラーを介して前記誘電体に伝達するように構成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の連続的製造装置。
【請求項３】
前記ローラーを、絶縁体を介して軸方向に２分割してそれぞれを回転軸に連結し、該各回転軸に前記電極をそれぞれ接続したことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の連続的製造装置。
【請求項４】
前記誘電体を、中空円筒からなる回転自在なローラーの外周に嵌挿し、前記ローラーを前記回転軸と一体に形成し、前記電極を前記回転軸と一体のローラーに接続するとともに、該ローラーを軸受にて前記ガスゲートに支持し、前記電極からの電力をスリップリングを介して前記回転軸と一体のローラーに接続し、該ローラーを介して前記誘電体に伝達するように構成したことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の連続的製造装置。
【請求項５】
前記ローラーの内部に円周方向に沿って形成された絶縁体を設け、該絶縁体の外周に一定間隔で前記誘電体の内周面に開口する溝を形成し、該溝内に円周方向に沿って正電極と負電極とを交互に埋め込み、前記誘電体の内周に接触させるように構成したことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の連続的製造装置。
【請求項６】
複数の成膜室の間を接続するガスゲート内に、帯状基板を該帯状基板の長手方向に搬送して次の成膜室に移送する帯状基板搬送手段を備えた半導体素子の連続的製造装置において、前記ガスゲート内を搬送される前記帯状基板に接する誘電体を単独で回転可能とし、固定部材に固定した正電極と負電極を前記誘電体の内周に接触させるように構成したことを特徴とする半導体素子の連続的製造装置。
【請求項７】
複数の成膜室の間を接続するガスゲート内に、帯状基板を該帯状基板の長手方向に搬送して次の成膜室に移送する帯状基板搬送手段を備えた半導体素子の連続的製造装置において、前記ガスゲート内に溝を設け、該溝内に２個の補助ローラーを並設して該補助ローラーに誘電体をベルトコンベア式に架設し、該誘電体を前記帯状基板に接触させながら回転駆動し、前記２個の補助ローラーの間に絶縁体を配置し、該絶縁体の長手方向に沿って正電極と負電極とを交互に埋め込み、回転駆動される前記誘電体に接触させるように構成したことを特徴とする半導体素子の連続的製造装置。
【請求項８】
複数の成膜室の間を接続するガスゲート内に、帯状基板を該帯状基板の長手方向に搬送して次の成膜室に移送する帯状基板搬送手段を備えた半導体素子の連続的製造装置において、前記ガスゲートの壁面に絶縁体を長手方向に沿って配置し、該絶縁体内に長手方向に沿って埋設された複数の電極を誘電体に接触させ、前記帯状基板を、前記誘電体上をスライド可能に構成したことを特徴とする半導体素子の連続的製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池等に用いられる大面積の半導体薄膜素子を、帯状基板上に連続的に作成する半導体素子の連続的製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
長尺の帯状基板上に複数の層を成膜する方法として、成膜室間を搬送される帯状基板上に複数の層を次々と成膜するロール・ツー・ロール方式が多く用いられている。かかるロール・ツー・ロール方式の一例として、特許文献２（米国特許４，４００，４０９号公報）のように、帯状の基板に対して、ロール・ツー・ロール方式を用いてプラズマＣＶＤにより、太陽電池薄膜素子を製造する方法が開示されている。
この方法では、グロー放電装置を備えた複数の成膜室を、ガスゲートを呼ばれる構造で接続し、帯状基板が各成膜室に順次通過するように連続的に搬送することで、種類の異なる複数の半導体層を帯状基板の表面に形成している。
【０００３】
上記ガスゲートは、成膜室の間をスリット状の通路によって分割し、この通路の途中にＨ2やＡｒ等の掃気用ガスを供給するか、またはこの通路の途中でガスを排気することで、隣接する成膜室のガス成分が、互いに拡散、混合することを抑制している。
上記ガスゲートのような狭い隙間を流れるガスの流量は、隙間の３乗に比例するので、掃気用ガスの供給量又はガスゲートからの排気量を抑えるには、当該隙間はなるべく小さいことが望ましい。
そこで、特許文献３（米国特許４，４６２，３３２号公報）では、帯状基板の片面をガスゲートの壁面に密着させて隙間の管理を容易にするために、磁性体基板を磁力によってガスゲート壁面に密着させ、磁性体基板を壁面に対して滑らせながら搬送する方法が開示されている。このような構成とすることで、基板の位置が安定するため、しわ、うねりが存在する基板でもガスゲートの隙間を狭くことができる。
しかしながら、上記特許文献３の方法では、帯状基板とガスゲートの壁面との間に生じる摩擦力によって搬送に必要な張力が増加したり、帯状基板の変形の
よる堆積膜の欠陥が生ずるという問題がある。
【０００４】
このような問題を解決するための１つとして、特許文献１（特許２，９７５，１５１号公報）が提供されている。
図１０は、かかる特許文献１における半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部の縦断面図である。図１０に示すように、複数の成膜室２０，２０の間を接続するガスゲート１０内において、帯状基板４を、該帯状基板４の長手方向に、複数個（この例では４個）列設されたローラー２の回転により搬送し、磁石３０の磁力により磁性体からなる帯状基板４を、ローラー２に押し付けることにより、摩擦の少ない搬送を可能としている。なお、符号６は掃気用ガス供給口である。
【０００５】
【特許文献１】特許２，９７５，１５１号公報
【特許文献２】米国特許４，４００，４０９号公報
【特許文献３】米国特許４，４６２，３３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
すなわち、特許文献１（特許２，９７５，１５１号公報）においては、磁石３０の磁力により磁性体からなる帯状基板４を、ローラー２に押し付けることにより、摩擦の少ない搬送を可能としているが、磁石３０の磁力による方法では十分に大きな力で帯状基板４をローラー２に押し付けることができず、従ってガスゲート部の隙間を小さくするには限界があった。
【０００７】
本発明はこのような実状に鑑みてなされたものであって、その目的は、非磁性体の帯状基板を用いても、該帯状基板を十分に大きな力でローラーに押し付けながら搬送でき、ガスゲート部の隙間を小さくすることを可能とし、かつ成膜室間のガスの混合を防いで高品質の半導体素子を製造することが可能な半導体素子の連続的製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、複数の成膜室の間を接続するガスゲート内に、帯状基板を該帯状基板の長手方向に複数個列設されたローラーの回転により搬送して次の成膜室に移送する帯状基板搬送手段を備えたロール・ツー・ロール方式の半導体素子の連続的製造装置において、前記ガスゲート内を搬送される前記帯状基板に近接して電極を前記ガスゲートの内部に配置し、前記電極と前記帯状基板との間に誘電体を設置し、前記電極に直流または交流の電圧を印加して前記電極と誘電体との共働により前記帯状基板を支持するように構成している。
本発明は、具体的には次のように構成するのが好ましい。
前記誘電体を、中空円筒からなる回転自在なローラーの外周に嵌挿し、前記電極を前記ローラーに電気的に接続される回転軸に連結して、該回転軸を軸受により前記ガスゲートに支持し、前記電極からの電力を前記回転軸、前記軸受及び前記ローラーを介して前記誘電体に伝達するように構成している。
【０００９】
そして、本発明は前記ローラーを次のように構成するのが好ましい。
（１）前記ローラーを、絶縁体を介して軸方向に２分割してそれぞれを回転軸に連結し、該各回転軸に前記電極をそれぞれ接続している。
（２）前記誘電体を、中空円筒からなる回転自在なローラーの外周に嵌挿し、前記ローラーを前記回転軸と一体に形成し、前記電極を前記回転軸と一体のローラーに接続するとともに、該ローラーを軸受にて前記ガスゲートに支持し、前記電極からの電力をスリップリングを介して前記回転軸と一体のローラーに接続し、該ローラーを介して前記誘電体に伝達するように構成している。
（３）前記ローラーの内部に円周方向に沿って形成された絶縁体を設け、該絶縁体の外周に一定間隔で前記誘電体の内周面に開口する溝を形成し、該溝内に円周方向に沿って正電極と負電極とを交互に埋め込み、前記誘電体の内周に接触させるように構成している。
【００１０】
また、本発明は、複数の成膜室の間を接続するガスゲート内に、帯状基板を該帯状基板の長手方向に搬送して次の成膜室に移送する帯状基板搬送手段を備えた半導体素子の連続的製造装置において、前記ガスゲート内を搬送される前記帯状基板に接する誘電体を単独で回転可能とし、固定部材に固定した正電極と負電極を前記誘電体の内周に接触させるように構成している。
【００１１】
さらに、本発明は、複数の成膜室の間を接続するガスゲート内に、帯状基板を該帯状基板の長手方向に搬送して次の成膜室に移送する帯状基板搬送手段を備えた半導体素子の連続的製造装置において、前記ガスゲート内に溝を設け、該溝内に２個の補助ローラーを並設して該補助ローラーに誘電体をベルトコンベア式に架設し、該誘電体を前記帯状基板に接触させながら回転駆動し、前記２個の補助ローラーの間に絶縁体を配置し、該絶縁体の長手方向に沿って正電極と負電極とを交互に埋め込み、回転駆動される前記誘電体に接触させるように構成している。
【００１２】
また、本発明は、複数の成膜室の間を接続するガスゲート内に、帯状基板を該帯状基板の長手方向に搬送して次の成膜室に移送する帯状基板搬送手段を備えた半導体素子の連続的製造装置において、前記ガスゲートの壁面に絶縁体を長手方向に沿って配置し、該絶縁体内に長手方向に沿って埋設された複数の電極を誘電体に接触させ、前記帯状基板を、前記誘電体上をスライド可能に構成している。
【発明の効果】
【００１３】
本発明においては、ガスゲートの壁面またはガスゲートの内部に配置されたローラーと帯状基板とを密着させる手段として誘電体に発生する静電力を用いている。前記静電力の適正値は、数十〜数百Ｐａ程度である。
すなわち、ガスゲート内を搬送される帯状基板に近接して、静電力を付与するための電極をガスゲートの内部に配置し、電極と帯状基板との間に中空円筒からなる回転自在なローラーに誘電体を設置し、前記電極を前記ローラーに電気的に接続される回転軸に連結して前記電極に直流または交流の電圧を印加して、前記電極と誘電体との共働により前記帯状基板を支持している。
【００１４】
前記帯状基板には、それ自体が導電性を有するか、または絶縁体の基板の表面または内部に導体部分を有するものが用いられている。例えば、ポリイミド樹脂膜の表面に銀の層を設けたものを用いることが可能である。
前記電極と前記帯状基板との間には、絶縁を維持し、静電力を向上させるために厚さの薄い誘電体を備えている。すなわち、前記静電力は印加電圧の２乗に比例し誘電体厚さの２乗に反比例するので、薄い誘電体ほど大きな吸引力で帯状基板を引き付けることができる。
また、前記誘電体の誘電率は、大きいほど、静電力が増加することになる。従って、ポリイミドやＰＴＦＥといった樹脂材、窒化アルミやシリコンカーバイドといったセラミックス材料、アルミの陽極酸化膜等を、誘電体として用いることが可能である。
【００１５】
印加する電圧としては、直流または交流のいずれをも用いることができる。直流は大きな静電力が得られ、また交流は静電力が周期的に変化するために、基板を電極から引き離すことが容易になるという利点がある。
また、基板を接地するための構造を省略するには、直流電圧を印加する場合は接地電位を基準として正極と負極とが、基板に対してほぼ同じ面積で近接するようにすることが好ましい。同じ理由で交流を用いる場合は、位相の異なる電圧を印加する電極が、同程度の面積で基板と近接するようにすることが好ましい。
【００１６】
従って、本発明によれば、誘電体の厚さを薄くするほど静電気が大きくなり、前記ローラーの表面に被覆された誘電体に前記帯状基板を吸着する力が大きくなる。これにより、前記帯状基板は、該帯状基板とローラーの表面に被覆された誘電体との間に隙間を生ずることなく密着することになる。なお、誘電体の厚さの下限は、該誘電体の強度面から決定する。
そして、誘電体の内部に発生する静電気によるものであるので、前記帯状基板が非磁性材であっても、例えば、ポリイミド樹脂膜の表面に銀の層を設けた等を用いることができ、小さなガスゲートの隙間を実現し、成膜室間のガスの拡散混合を抑制することで、高品質の半導体薄膜素子を製造することができる。
【００１７】
また、前記ローラーを、絶縁体を介して軸方向に２分割してそれぞれを回転軸に連結し、該各回転軸に前記電極をそれぞれ接続すれば、１本のローラーに正電極と負電極とを組み込むことができ、構造を簡単化することができる。
また、絶縁体をガスゲートの、内壁面全体に配置することにより、ローラーとガスゲートとの絶縁性を高めることができる。
【００１８】
一方、前記誘電体を、中空円筒からなる回転自在なローラーの外周に嵌挿し、前記ローラーを前記回転軸と一体に形成し、前記電極を前記回転軸と一体のローラーに接続するとともに、該ローラーを軸受にてガスゲートに支持し、前記電極からの電力をスリップリングを介して前記回転軸と一体のローラーに接続し、該ローラーを介して前記誘電体に伝達するように構成すれば、軸がローラーと一体で回転することになるので、構造が簡単で、かつ部品点数も少なくて済み、コストダウンを図ることができる。
【００１９】
また、前記ローラーの内部に円周方向に沿って形成された絶縁体を設け、該絶縁体の外周に一定間隔で前記誘電体の内周面に開口する溝を形成し、該溝内に円周方向に沿って正電極と負電極とを交互に埋め込み、前記誘電体の内周に接触させるように構成すれば、１本のローラーに接触する前記帯状基板の表面に、正電荷と負電荷とを誘起することができ、装置のコンパクト化を図ることができる。
【００２０】
さらに、前記ガスゲート内を搬送される前記帯状基板に接する誘電体を単独で回転可能とし、固定部材に固定した正電極と負電極を前記誘電体の内周に接触させることように構成すれば、誘電体をセラミックス等にして強度と高める必要があり、それに対応して印加電圧も高める必要があるが、電極の数が少なくて済むという利点がある。
【００２１】
また、前記ガスゲート内に溝を設け、該溝内に２個の補助ローラーを並設して該補助ローラーに誘電体をベルトコンベア式に架設し、該誘電体を前記帯状基板に接触させながら回転駆動し、前記２個の補助ローラーの間に絶縁体を配置し、該絶縁体の長手方向に沿って正電極と負電極とを交互に埋め込み、回転駆動される前記誘電体に接触させるように構成すれば、電極は正電極と負電極のみでよく、電極の数が少なくて済む。
【００２２】
そして、前記ガスゲートの壁面に絶縁体を長手方向に沿って配置し、該絶縁体内に長手方向に沿って埋設された複数の電極を誘電体に接触させ、前記帯状基板を、前記誘電体上をスライド可能に構成すれば、帯状基板と誘電体との接触面積を大きくすることが可能となる。このため、誘電体との材質として潤滑性の高い材料を用いるとともに、静電吸引力も小さめにするのが好ましい。かかる本発明によれば、３相交流電圧を印加した場合、静電吸引力が周期的に変化するため、帯状基板の搬送に必要な張力を小さくすることができる。また、３相交流電圧に代えて位相が１８０°ずれた２相交流を正、負の電極に加えることも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２４】
［第1実施形態］
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部の縦断面図、図２はローラーの軸心に沿う断面図（図１のＡ―Ａ線断面図）である。
図１及び図２に示すように、複数の成膜室２０，２０の間を接続するガスゲート１０内において、帯状基板４が、複数個（この実施形態では４個）列設されたローラー２の回転により、当該帯状基板４の長手方向に搬送されるようになっている。
図２に示すように、上記ローラー２は中空状に形成されて正電極１１を構成し、その中央部にはＳＵＳ３０４、鋼鉄、アルミニウム等の導電性を有する材料からなる軸７が貫通配置されており、該軸７の両端部付近は、ローラー２の両側部において、導電性を有する材料からなる軸受９により回転自在に支持されている。
【００２５】
上記軸７の両端部には、絶縁体８が嵌挿されており、該絶縁体８によって軸７とガスゲート１０とを絶縁した状態で、当該ガスゲート１０の壁面に固定されている。
また、上記ローラー２はアルミニウム合金Ａ５０５０の中空円筒であり、該ローラー２を構成する正電極１１の表面には、厚さ７５μｍ程度で誘電率３．６程度のポリイミド樹脂膜等からなる誘電体１が被覆されている。これらローラー２が負電極を構成する場合も、上記と同様な誘電体１で構成されている。
誘電体１としては、他にポリエチレンフィルム、酸化タンタル、チタン酸バリウム等が用いられる。
【００２６】
上記帯状基板４は、例えば、幅３００ｍｍ、厚さ５０μｍ程度の寸法のポリイミド樹脂膜で表裏に厚さ０．２〜０．３μｍの銀からなる導電性膜５が成膜されている。ガスゲート１０の中央位置の２箇所に設けられた掃気用ガス供給口６からは、例えば、２５０ｓｃｃｍ程度のＨ2がそれぞれ供給されるようになっている。
また、上記ガスゲート１０の両側に接続される成膜室２０，２０は、圧力が２〜５Ｔｏｒｒ，温度は１４０〜１８０℃程度の設定条件が適当である。また、成膜室２０，２０のガス組成は、Ｈ2、ＳiＨ4をベースとし、片側の成膜室２０には、微量のＰＨ4またはＢ2Ｈ6が混合されてもよい。
【００２７】
図２に示されるように（図２には帯状基板４を省略している）、上記各軸７の軸先端部には直流電源３が接続されている。この直流電源３は、図１に示すように、正極となるローラー２の隣には少なくとも一つの負極となるローラー２が配置されている。このような構成とすることにより、上記帯状基板４には、正負同量の電荷が誘起され、帯状基板４の電位は正極と負極の中間電位、すなわち接地電極と同等になる。
【００２８】
図１及び図２において、直流電源３が通電されると、該電流は軸７及び軸受９を通って、ポリイミド樹脂膜等からなる誘電体１に伝達される。ここで、誘電体１に電極の移動が発生して正負電荷の中心が分離し、静電気が発生して電気モーメントが分布する状態になる。この静電気は、印加電圧の２乗に比例し、誘電体１厚さの２乗に反比例している。
従って、誘電体１の厚さを薄くするほど静電気が大きくなり、ローラー２の表面に被覆された誘電体１に帯状基板４を吸引する力が大きくなる。これにより、帯状基板４は、該帯状基板４とローラー２の表面に被覆された誘電体１との間に隙間を生ずることなく、密着することになる。
ただし、誘電体１の厚さの下限は、該誘電体１の強度面から決定する。また、ガスゲート１０の一例として、隙間は３ｍｍ、幅と長さは３００ｍｍとする。さらに、誘電体１の内部に発生する静電気によるので、帯状基板４が非磁性材であっても、例えば、ポリイミド樹脂膜の表面に銀の層を設けた等の場合は用いることが可能である。
【００２９】
［第２実施形態］
図３は本発明の第２実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部の縦断面図である。
このガスゲート１０においては、ローラー２は絶縁体８を介して正電極１１と負電極１２とに分けられ、それぞれの正電極１１は軸受９ａを介して軸７ａに連結され、負電極１２は軸受９ｂを介して軸７ｂに連結されている。そして、各軸７ａ及び軸７ｂは、それぞれ直流電源３ａ及び直流電源３ｂに接続されている。その他の構成は、上記第１実施形態と同一であり、これと同一の部材は同一の符号で示している。
第２実施形態のように構成すれば、１本のローラー２に正電極１１と負電極１２とを組み込むことができ、構造を簡単化することができる。また、絶縁体８ａをガスゲート１０の、内壁面全体に配置することにより、ローラー２とガスゲート１０との絶縁性を高めることができる。
【００３０】
［第３実施形態］
図４は本発明の第３実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部の縦断面図である。
この第３実施形態においては、軸７がローラー２（例えば正電極１１、負電極１２でもよい）と一体に形成され、両端部は軸受９，９で支持されている。これら軸受９，９は、絶縁体８，８で支持され、ガスゲート１０と絶縁されている。この場合は、軸７の先端部にスリップリング１０が嵌挿されており、直流電源３からの直流電流をスリップリング１０ａを介して軸７に通流し、軸７がローラー２（例えば正電極１１）と一体で回転している。従って、上記軸受９，９は導電性を有する材料でなくてもよい。その他の構成は、上記第１実施形態と同一であり、これと同一の部材は同一の符号で示している。
かかる第３実施形態においては、軸７がローラー２と一体で回転しているので、より一層構造が簡単となり、部品点数も少なくなる。
【００３１】
［第４実施形態］
図５〜図７は本発明の第４実施形態〜第６実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部のローラー軸心に直角な方向の断面図であって、ローラーが１個の場合を示している。なお、図５〜図７はローラーが１個の場合を示しているが、実際は図１〜図４と同様にローラーが複数個ずつ設けられている。
図５に示される第４実施形態は、図１及び図２の第１実施形態と同様であり、ローラー２は、正電極１１と負電極１２に相当している。また、上記帯状基板４には、第１実施形態と同様に、表裏に厚さ０．２〜０．３μｍの銀からなる導電性膜５が成膜されている。さらに、誘電体１の表面とガスゲート１０との隙間Ｓは、掃気用ガスの通過を少なくするためにできるだけ小さく形成されている。
その他の構成は、上記第１実施形態と同一であり、これと同一の部材は同一の符号で示している。
【００３２】
［第５実施形態］
図６に示される第５実施形態は、ローラー２の内部において、円周方向に沿って形成された絶縁体８の外周に一定間隔で、誘電体１の内周面に開口する溝２１が形成され、該溝２１内には円周方向に沿って正電極１１と負電極１２とが交互に埋め込まれている。その他の構成は、上記第１実施形態と同一であり、これと同一の部材は同一の符号で示している。
第５実施形態のように構成すれば、１本のローラー２に接触する帯状基板４の表面に、正電荷と負電荷とを誘起することができ、装置のコンパクト化が図れることになる。    
【００３３】
［第６実施形態］
図７に示される第６実施形態は、ローラー２から正電極１１と負電極１２とが分離して固定部材４０に固定され、誘電体１を単独で回転させながら帯状基板４と接触するように構成されている。その他の構成は、上記第１実施形態と同一であり、これと同一の部材は同一の符号で示している。
この場合は誘電体１を単独で回転させているので、厚さ１ｍｍ程度のセラミックス等にして、強度を高める必要があり、それに対応して印加電圧も高める必要がある。しかしながら、この第６実施形態によれば、電極の数が少なくて済む。
【００３４】
［第７実施形態］
図８は本発明の第７実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部のローラー軸心に直角な方向の断面図であって、補助ローラーが２個の場合を示している。
この第７実施形態では、ガスゲート１０の溝１０ａ内に、２個の補助ローラー１６が並設され、該補助ローラー１６間には誘電体１がベルトコンベア式に架設されて、補助ローラー１６が回転駆動するように構成されている。一方、２個の補助ローラー１６間には、絶縁体８の溝内で、長手方向に沿って正電極１１と負電極１２とが交互に埋め込まれ、該正電極１１と負電極１２とに対し、誘電体１が回転させられるようになっている。なお、帯状基板４には、第１実施形態と同様に、表裏に厚さ０．２〜０．３μｍの銀からなる導電性膜５が成膜されている。
かかる第７実施形態によれば、電極は正電極１１と負電極１２のみでよく、電極の数が少なくて済む。
【００３５】
［第８実施形態］
図９は本発明の第８実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部の断面図である。
図９において、ガスゲート１０の壁面には、絶縁体８の長手方向に沿って埋設されたＵ相電極１３、Ｖ相電極１４及びＷ相電極１５が一定の間隔を置いて配置され、各電極には、周波数１ＨＺ〜１００ＨＺｎの３相交流電圧が印加されるように構成されている。
上記Ｕ相電極１３、Ｖ相電極１４及びＷ相電極１５と、帯状基板４との間には、厚さ１ｍｍのアルミナ系セラミックスが誘電体１として配置されている。帯状基板４は、誘電体１上を矢印Ｚ方向で示すように、スライド可能に構成されている。このように構成すると、実効値３００Ｖの交流電圧を印加した場合、静電吸引力は３０Ｐａ程度となる。
【００３６】
この第８実施形態においては、帯状基板４と誘電体１との接触面積が大きいので、誘電体１との材質として潤滑性の高い材料を用いるとともに、静電吸引力も小さめにするのが好ましい。
かかる第８実施形態によれば、３相交流電圧を印加した場合、静電吸引力が周期的に変化するため、帯状基板４の搬送に必要な張力を小さくすることができる。また、３相交流電圧に代えて位相が１８０°ずれた２相交流を正、負の電極に加えることができる。
【００３７】
以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変更及び変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第1実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部を示す縦断面図である。
【図２】ローラーの軸心に沿う断面図（図１のＡ―Ａ線断面図）である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部を示す縦断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部を示す縦断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部のローラー軸心に直角な方向の断面図であって、ローラーが１個の場合を示している。
【図６】本発明の第５実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部のローラー軸心に直角な方向の断面図であって、ローラーが１個の場合を示している。
【図７】本発明の第６実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部のローラー軸心に直角な方向の断面図であって、ローラーが１個の場合を示している。
【図８】本発明の第７実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部のローラー軸心に直角な方向の断面図であって、補助ローラーが２個の場合を示している。
【図９】本発明の第８実施形態に係る半導体素子の連続的製造装置のガスゲート部を示す断面図である。
【図１０】従来例を示すものであって、図１に対応する縦断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  誘電体
２  ローラー
３  直流電源
４  帯状基板
５  導電性膜
６  掃気用ガス供給口
７  軸
８  絶縁体
９  軸受
１０  ガスゲート
１０ａ  スリップリング
１１  正電極
１２  負電極
１３  Ｕ相電極
１４  Ｖ相電極
１５  Ｗ相電極
２０  成膜室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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