(57)【要約】      （修正有）【課題】耐久性が高い有機電界発光素子を提供。【解決手段】一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を前記有機層に含有する。2009272339.tif 000094（一般式（I）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2及びQ4はそれぞれ独立にベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Mは二価の金属イオンを表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2009272339.tif 000087
（一般式（I）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2及びQ4はそれぞれ独立にベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1〜Z4はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y1、Y３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。MとZ1〜Z4との結合は配位結合または共有結合を表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【請求項２】
一般式（I）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2009272339.tif 000088
（一般式（Ｉ−ａ）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1、Z3はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y1、Y３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1またはQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ3の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ1の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【請求項３】
一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ−１）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【化３】
2009272339.tif 000089
（一般式（Ｉ−ａ−１）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ1の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Ｌは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【請求項４】
Z1が炭素原子であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ−４）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【化４】
2009272339.tif 000090
（一般式（Ｉ−ａ−４）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z3は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ3の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【請求項６】
Z3が窒素原子であることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
一般式（I）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化５】
2009272339.tif 000091
（一般式（Ｉ−ｂ）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1、Z3はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y1、Y３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ1の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ3の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【請求項８】
一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ−１）で表される化合物であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
【化６】
2009272339.tif 000092
（一般式（Ｉ−ｂ−１）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q４は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z3は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ3の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【請求項９】
Z3が炭素原子であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ−４）で表される化合物であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
【化７】
2009272339.tif 000093
（一般式（Ｉ−ｂ−４）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z3は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ3の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【請求項１１】
Z1が窒素原子であることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
Mが二価の白金イオンを表すことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
Ｌが置換または無置換の炭素原子であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１４】
一般式（Ｉ）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層に含有することを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１６】
前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」または「素子」ともいう）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから活発に研究開発が行われている。有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。
【０００３】
近年、燐光発光材料を用いることによる高発光効率素子の研究開発が進んでおり、燐光発光材料としてイリジウム錯体や白金錯体などを用いた燐光発光素子に関する発明が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。しかしながら、高効率と高耐久性を両立する素子の開発には至っていない。
【０００４】
錯体の耐久性や燐光量子収率を向上させる目的で、三座以上の配位子の錯体を用いた有機電界発光素子に関する発明が開示されている（例えば特許文献３〜８）。しかしながら、より一層高い効率と耐久性を実現する燐光材料が求められている。また保管条件によらず高性能を発現する、保存安定性に優れた材料が望まれていた。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６３０３２３８号明細書
【特許文献２】国際公開第００／５７６７６号パンフレット
【特許文献３】特開２００５−３１０７３３号公報
【特許文献４】特開２００５−３１７５１６号公報
【特許文献５】特表２００６−５２６２７８号公報
【特許文献６】特開２００６−２６１６２３号公報
【特許文献７】特開２００６−９３５４２号公報
【特許文献８】特開２００８−３７８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、耐久性が高い有機電界発光素子の提供にある。また、保存安定性に優れた有機電界発光素子用材料の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、一般式（I）で表される特定の構造を有する四座配位子の金属錯体を見出し、さらにこの金属錯体を有機層に添加することにより、公知の材料と比較して耐久性が向上することを見出した。また、材料を高温、高湿下に一定時間保存した後でも、有機電界発光素子の特性変化が小さいことを見出した。
更に、有機層に重水素原子を少なくとも１つ有する化合物を使用することにより、耐久性がより向上することを見出した。
すなわち、本発明は下記の手段により達成された。
【０００８】
〔１〕
一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【０００９】
【化１】
2009272339.tif 000002
【００１０】
（一般式（I）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2及びQ4はそれぞれ独立にベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1〜Z4はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y1、Y３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。MとZ1〜Z4との結合は配位結合または共有結合を表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【００１１】
〔２〕
一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００１２】
【化２】
2009272339.tif 000003
【００１３】
（一般式（Ｉ−ａ）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1、Z3はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y1、Y３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1またはQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ3の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ1の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【００１４】
〔３〕
一般式（I-a）で表される化合物が、下記一般式（I-a-1）で表される化合物であることを特徴とする〔２〕に記載の有機電界発光素子。
【００１５】
【化３】
2009272339.tif 000004
【００１６】
（一般式（Ｉ−ａ−１）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ1の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Ｌは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【００１７】
〔４〕
Z1が炭素原子であることを特徴とする〔３〕に記載の有機電界発光素子。
〔５〕
一般式（I-a）で表される化合物が、下記一般式（I-a-4）で表される化合物であることを特徴とする〔２〕に記載の有機電界発光素子。
【００１８】
【化４】
2009272339.tif 000005
【００１９】
（一般式（Ｉ−ａ−４）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z3は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ3の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【００２０】
〔６〕
Z1が窒素原子であることを特徴とする〔５〕に記載の有機電界発光素子。
〔７〕
一般式（I）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物であることを特徴とする、〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００２１】
【化５】
2009272339.tif 000006
【００２２】
（一般式（Ｉ−ｂ）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1、Z3はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y1、Y３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ1の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ3の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【００２３】
〔８〕
一般式（I-b）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ−１）で表される化合物であることを特徴とする〔７〕に記載の有機電界発光素子。
【００２４】
【化６】
2009272339.tif 000007
【００２５】
（一般式（Ｉ−ｂ−１）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z3は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ3の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【００２６】
〔９〕
Z3が炭素原子であることを特徴とする〔８〕に記載の有機電界発光素子。
〔１０〕一般式（I-b）で表される化合物が、下記一般式（I-b-4）で表される化合物であることを特徴とする〔７〕に記載の有機電界発光素子。
【００２７】
【化７】
2009272339.tif 000008
【００２８】
（一般式（Ｉ−ｂ−４）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q4は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z3は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ3の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【００２９】
〔１１〕
Z1が窒素原子であることを特徴とする〔１０〕有機電界発光素子。
〔１２〕
Mが二価の白金イオンを表すことを特徴とする〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１３〕
Ｌが置換または無置換の炭素原子であることを特徴とする〔１〕〜〔１２〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１４〕
一般式（Ｉ）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔１３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１５〕
重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔１４〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１６〕
前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする〔１５〕に記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の発光素子は、耐久性が高く、また、本発明の化合物は保存安定性に優れているため、製造コストを低減することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、一般式（I）で表される化合物を前記有機層に含有する。
有機層は、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層などを有していてもよい。またこれらの各層は、それぞれ他の機能を兼備していても良い。
【００３２】
本発明における有機層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の層から形成されていてもよい。
【００３３】
本発明の錯体は、有機層が複数の層からなる場合、いずれの層にも含有されていてもよい。本発明の錯体は、発光層に含有されることが好ましく、発光材料として発光層に含有されることがさらに好ましく、少なくとも一種のホスト材料と共に発光層に含有されることが特に好ましい。ここで、ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。
【００３４】
本発明の錯体の含有量は、発光層に発光材料として含有される場合、該層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上３０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上２０質量％以下の範囲がさらに好ましく、０．５質量％以上１５質量％以下の範囲が最も好ましい。
前記一般式（I）で表される金属錯体を発光層以外の層（例えば電荷輸送層等）に用いる場合には、その層中において１０質量％〜１００質量％含まれることが好ましく、３０質量％〜１００質量％含まれることがより好ましい。
【００３５】
一般式（I）で表される化合物について説明する。
【００３６】
【化８】
2009272339.tif 000009
【００３７】
（一般式（I）中、Q1及びQ3は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2及びQ4はそれぞれ独立にベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z1〜Z4はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y1、Y３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X11〜X13、X32、X33はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-RC1を表す。X21〜X23、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。X31は窒素原子または炭素原子を表す。Q1及びQ3において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。MとZ1〜Z4との結合は配位結合または共有結合を表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。）
【００３８】
なお、前記一般式において、配位結合とは電荷をもたない中性の基と金属イオンとの結合を表し、共有結合とはアニオン性の基と金属イオンとの結合を表す。
【００３９】
X11〜X13、X21〜X23、X31〜X33、X41〜X44、Y1〜Y４、Z1〜Z4はQ1〜Q4がベンゼン環または芳香族ヘテロ環になるように選ばれる。
Z1〜Z4として好ましくは炭素原子または窒素原子である。
Y1〜Y４はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。
X11〜X13、X21〜X23、X31〜X33、X41〜X44はそれぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、C-RC1を表す。
なお、X11〜X13、X41〜X43、X21〜X23、X31〜X3のうち複数がN-RN1及び／又はC-RC1である場合、可能であれば、複数のRN1及び／又はRC1同士が互いに結合して環を形成してもよい。
その場合、Q1〜Q4は縮環体となる。Q1〜Q4が縮環体となる場合の具体例を挙げると、Q1及びQ4としては、インドール環、インダゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。Q2としては、イソキノリン環等が挙げられる。Q3としては、ナフタレン環、キノリン環等が挙げられる。
RC1で表される基としては、水素原子の他、下記置換基群Aから選ばれる基が挙げられる。
【００４０】
Ｌは、好ましくはジ置換メチレン連結基である。ジ置換メチレン連結基としては、ジアルキルメチレン基、ジアリールメチレン基、ジヘテロアリールメチレン基が好ましく、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基がより好ましく、ジメチルメチレン基がさらに好ましい。
Mは二価の金属イオンを表す。Mとして好ましくは二価の白金イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオン、銅イオンであり、より好ましくは白金イオン、パラジウムイオンであり、さらに好ましくは白金イオンである。Mが白金イオンであることにより、発光量子収率の高い錯体が得られ、素子の量子効率も高くなるという効果が得られる。
【００４１】
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）
【００４２】
RC1で表される基として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、フルオロ基、クロロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ホスホリル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基である。
【００４３】
RN1で表される基としては、水素原子の他、下記置換基群Bから選ばれる基が挙げられる。
【００４４】
（置換基群B）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）
【００４５】
RN1で表される基として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基ヘテロ環基である。
【００４６】
Q1は芳香族ヘテロ環を表す。Q1で表される芳香族ヘテロ環としては、炭素原子、窒素原子でMと結合するものが好ましい。炭素原子でMに結合するQ1としては、共有結合でMと結合する環でも配位結合でMと結合する環でもよく、共有結合でMと結合する環としてはフラン環、チオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、シロール環および、それらを含む縮環体（例えばインダゾール環、ベンゾチアゾール環など））が挙げられる。配位結合でMと結合する環としてはイミダゾールカルベン環が挙げられる。窒素原子でMに結合するQ1としては、共有結合でMと結合する環でも配位結合でMと結合する環でもよく、配位結合でMと結合する環としてはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えばベンゾイミダゾール環など）が挙げられる。共有結合でMと結合する環としては、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えはインドール環、ベンゾイミダゾール環など））が挙げられる。Q1で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは、チオフェン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体であり、より好ましくはチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体である。Q1がチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身が安定になり、これらを用いた素子の耐久性が向上する点で好ましい。
【００４７】
Q2はベンゼン環または芳香族ヘテロ環を表す。Q2で表されるベンゼン環または芳香族ヘテロ環としては、炭素原子、窒素原子でMと結合するものが好ましい。炭素原子でMに結合するQ2としては、共有結合でMと結合する環であり、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環、ナフタレン環など）が挙げられる。窒素原子でMに結合するQ2としては、配位結合でMと結合する環であり、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環など）が挙げられる。Q2で表されるベンゼン環または芳香族ヘテロ環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体である。Q2がベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身が安定になり、これらを用いた素子の耐久性が高い点で好ましい。
【００４８】
Q3は芳香族ヘテロ環を表す。Q3で表される芳香族ヘテロ環としては、炭素原子、窒素原子でMと結合する基が好ましい。炭素原子でMに結合するQ3としては、共有結合でMと結合する環でも配位結合でMと結合する環でもよく、アニオン性の環としてはフラン環、チオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、シロール環および、それらを含む縮環体（例えばインダゾール環、ベンゾチアゾール環など））が挙げられる。配位結合でMと結合する環としてはイミダゾールカルベン環が挙げられる。窒素原子でMに結合するQ3としては、共有結合でMと結合する環でも配位結合でMと結合する環でもよく、配位結合でMと結合する環としてはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えばベンゾイミダゾール環など）が挙げられる。共有結合でMと結合する環としては、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えはインドール環、ベンゾイミダゾール環など））が挙げられる。Q3で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは、チオフェン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体であり、より好ましくはチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体である。Q3がチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身が安定になり、これらを用いた素子の耐久性が高い点で好ましい。
【００４９】
Q4はベンゼン環または芳香族ヘテロ環を表す。Q4で表されるベンゼン環または芳香族ヘテロ環としては、炭素原子、窒素原子でMと結合する基が好ましい。炭素原子でMに結合するQ2としては、共有結合でMと結合する環であり、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環、ナフタレン環など）が挙げられる。窒素原子でMに結合するQ4としては、配位結合でMと結合する環であり、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環など）が挙げられる。Q4で表されるベンゼン環環または芳香族ヘテロ環環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体である。Q4がベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身が安定になり、これらを用いた素子の耐久性が高い点で好ましい。
【００５０】
一般式（I）で表される化合物は、以下の六つの一般式に分類できる。
【００５１】
【化９】
2009272339.tif 000010
【００５２】
上記一般式(I-a)〜一般式(I-f)中、Z1〜Z4、X11〜X13、X21〜X23、X31〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
一般式（I）で表される化合物として好ましくは、一般式(I-a)、一般式(I-b)、一般式(I-c)、一般式(I-d)で表される化合物であり、より好ましくは一般式(I-a)、一般式(I-b)で表される化合物である。一般式(I-a)、一般式(I-b)、一般式(I-c)、一般式(I-d)で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００５３】
まず、一般式(I-a)について説明する。一般式（I-a）で表される化合物は、以下の四つの一般式に分類できる。
【００５４】
【化１０】
2009272339.tif 000011
【００５５】
上記一般式(I-a-1)〜一般式(I-a-4)中、Z1、Z3、X11〜X13、X21〜X23、X31〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
一般式（I-a）で表される化合物として好ましくは、一般式(1-a-1)で表される化合物および一般式(1-a-4)で表される化合物である。一般式(1-a-1)で表される化合物および一般式(1-a-4)で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００５６】
一般式(1-a-1)で表される化合物として好ましくは、一般式(1-a-1-1)で表される化合物である。一般式（1-a-1-1）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００５７】
【化１１】
2009272339.tif 000012
【００５８】
上記一般式(I-a-1-1)中、X11〜X13、X21〜X23、X32〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
【００５９】
一般式（1-a-1-1）で表される化合物は、より好ましくは一般式（1-a-1-2）で表される化合物である。一般式（1-a-1-2）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００６０】
【化１２】
2009272339.tif 000013
【００６１】
上記一般式(I-a-1-2)中、X11〜X13、X21〜X23、X32〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
【００６２】
一般式(1-a-4)で表される化合物として好ましくは、一般式(1-a-4-1)で表される化合物である。一般式（1-a-4-1）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００６３】
【化１３】
2009272339.tif 000014
【００６４】
上記一般式(I-a-4-1)中、X11〜X13、X21〜X23、X32〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
【００６５】
一般式（1-a-4-1）で表される化合物は、より好ましくは一般式（1-a-4-2）で表される化合物である。一般式（1-a-4-2）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００６６】
【化１４】
2009272339.tif 000015
【００６７】
上記一般式(I-a-4-2)中、X11〜X13、X21〜X23、X32〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
【００６８】
次に一般式（I-b）について説明する。一般式（I-b）で表される化合物は、以下の四つの一般式に分類できる。
【００６９】
【化１５】
2009272339.tif 000016
【００７０】
上記一般式(I-b-1)〜一般式(I-b-4)中、Z1、Z3、X11〜X13、X21〜X23、X31〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
一般式（I-b）で表される化合物として好ましくは、一般式(1-b-1)で表される化合物および一般式(1-b-4)で表される化合物である。一般式(1-b-1)で表される化合物および一般式(1-b-4)で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００７１】
一般式(1-b-1)で表される化合物として好ましくは、一般式(1-b-1-1)で表される化合物である。一般式（1-b-1-1）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００７２】
【化１６】
2009272339.tif 000017
【００７３】
上記一般式(I-b-1-1)中、X11〜X13、X21〜X23、X32〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
【００７４】
一般式（1-b-1-1）で表される化合物は、より好ましくは一般式（1-b-1-2）で表される化合物である。一般式（1-b-1-2）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００７５】
【化１７】
2009272339.tif 000018
【００７６】
上記一般式(I-b-1-2)中、X11〜X13、X21〜X23、X32〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
【００７７】
一般式(1-b-4)で表される化合物として好ましくは、一般式(1-b-4-1)で表される化合物である。一般式（1-b-4-1）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００７８】
【化１８】
2009272339.tif 000019
【００７９】
上記一般式(I-b-4-1)中、X11〜X13、X21〜X23、X32〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
【００８０】
一般式（1-b-4-1）で表される化合物は、より好ましくは一般式（1-b-4-2）で表される化合物である。一般式（1-b-4-2）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。
【００８１】
【化１９】
2009272339.tif 000020
【００８２】
上記一般式(I-b-4-2)中、X11〜X13、X21〜X23、X32〜X33、X41〜X44、Q1〜Q4、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
【００８３】
一般式（I）におけるQ1、Q2、Q3、Q4で表される部分構造の例を以下に挙げるが、本発明がこれらに限定されることはない。式中、M、Lはそれぞれ一般式（Ｉ）のM、Lに対応し、Qは、それぞれの部分構造がQ1の場合はQ2、Q2の場合はQ1、Q3の場合はQ4、Q4の場合はQ3を表す。
【００８４】
Q1で表される構造
【００８５】
【化２０】
2009272339.tif 000021
【００８６】
【化２１】
2009272339.tif 000022
【００８７】
【化２２】
2009272339.tif 000023
【００８８】
【化２３】
2009272339.tif 000024
【００８９】
【化２４】
2009272339.tif 000025
【００９０】
【化２５】
2009272339.tif 000026
【００９１】
【化２６】
2009272339.tif 000027
【００９２】
【化２７】
2009272339.tif 000028
【００９３】
【化２８】
2009272339.tif 000029
【００９４】
【化２９】
2009272339.tif 000030
【００９５】
【化３０】
2009272339.tif 000031
【００９６】
【化３１】
2009272339.tif 000032
【００９７】
【化３２】
2009272339.tif 000033
【００９８】
【化３３】
2009272339.tif 000034
【００９９】
【化３４】
2009272339.tif 000035
【０１００】
【化３５】
2009272339.tif 000036
【０１０１】
【化３６】
2009272339.tif 000037
【０１０２】
【化３７】
2009272339.tif 000038
【０１０３】
Q2で表される構造
【０１０４】
【化３８】
2009272339.tif 000039
【０１０５】
【化３９】
2009272339.tif 000040
【０１０６】
【化４０】
2009272339.tif 000041
【０１０７】
【化４１】
2009272339.tif 000042
【０１０８】
【化４２】
2009272339.tif 000043
【０１０９】
【化４３】
2009272339.tif 000044
【０１１０】
Q3で表される構造
【０１１１】
【化４４】
2009272339.tif 000045
【０１１２】
【化４５】
2009272339.tif 000046
【０１１３】
【化４６】
2009272339.tif 000047
【０１１４】
【化４７】
2009272339.tif 000048
【０１１５】
【化４８】
2009272339.tif 000049
【０１１６】
【化４９】
2009272339.tif 000050
【０１１７】
【化５０】
2009272339.tif 000051
【０１１８】
【化５１】
2009272339.tif 000052
【０１１９】
【化５２】
2009272339.tif 000053
【０１２０】
【化５３】
2009272339.tif 000054
【０１２１】
【化５４】
2009272339.tif 000055
【０１２２】
【化５５】
2009272339.tif 000056
【０１２３】
【化５６】
2009272339.tif 000057
【０１２４】
Q4で表される構造
【０１２５】
【化５７】
2009272339.tif 000058
【０１２６】
【化５８】
2009272339.tif 000059
【０１２７】
【化５９】
2009272339.tif 000060
【０１２８】
【化６０】
2009272339.tif 000061
【０１２９】
【化６１】
2009272339.tif 000062
【０１３０】
【化６２】
2009272339.tif 000063
【０１３１】
Mは二価の金属イオンを表す。MとZ1〜Z4との結合は配位結合または共有結合を表す。Mとして好ましくは二価の白金イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオン、銅イオンであり、より好ましくは白金イオン、パラジウムイオンであり、さらに好ましくは白金イオンである。
【０１３２】
Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。Lの具体例を以下に示すがこれらに限定されることはない。
【０１３３】
【化６３】
2009272339.tif 000064
【０１３４】
【化６４】
2009272339.tif 000065
【０１３５】
【化６５】
2009272339.tif 000066
【０１３６】
本発明の一般式（I）で表される化合物の具体例としては、前記Q1、Q2、Q3、Q4およびLで表される部分構造として示したものの任意の組み合わせと金属イオン種Mとの組み合わせで表される化合物が挙げられるが、本発明がそれらの化合物に限定されることはない。
【０１３７】
【化６６】
2009272339.tif 000067
【０１３８】
【化６７】
2009272339.tif 000068
【０１３９】
【化６８】
2009272339.tif 000069
【０１４０】
【化６９】
2009272339.tif 000070
【０１４１】
【化７０】
2009272339.tif 000071
【０１４２】
【化７１】
2009272339.tif 000072
【０１４３】
【化７２】
2009272339.tif 000073
【０１４４】
【化７３】
2009272339.tif 000074
【０１４５】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、種々の公知の合成法の組み合わせにて合成することができる。
一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば以下に示す工程により製造することができる。
【０１４６】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、パラジウム・イン・ヘテロサイクリック・ケミストリー（Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  ｉｎ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）、第２版、ジー・ジャック・リーら著（Ｊｉｅ  Ｊａｃｋ  Ｌｉｅ  ａｎｄ  Ｇｏｒｄｏｎ  Ｗ．Ｇｒｉｂｂｌｅ）、エルゼビア（ＥＬＳＥＶＩＥＲ）、（２００６）等に記載の鈴木−宮浦カップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング、根岸カップリング、園頭カップリングなどのパラジウム触媒を用いた炭素−炭素結合反応や銅触媒を用いた炭素−窒素結合生成反応や、塩基−アルキルハライドを用いたアルキル化反応、縮合反応、脱水反応、酸化反応、還元反応、脱離反応、求核置換反応、求電子置換反応、転位反応などの反応を組み合わせることにより、合成可能である。例えば特開２００５−３１０７３３号公報、特開２００７−９６２５５号公報に記載の方法等を利用して合成することができる。
【０１４７】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価の亜鉛を含むものとして、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンジアミン）亜鉛、酢酸亜鉛、銅アセチルアセトナート、臭化亜鉛、塩化亜鉛、フッ化亜鉛等が挙げられ、より好ましい銅塩としては、臭化亜鉛、塩化亜鉛等のハロゲン化亜鉛が挙げられる。
【０１４８】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価の銅を含むものとして、酢酸銅、銅アセチルアセトナート、臭化銅、塩化銅、フッ化銅、炭酸銅、シアン化銅、水酸化銅、酸化銅、硫酸銅、トリフルオロ酢酸銅等が挙げられ、より好ましい銅塩としては、臭化銅、塩化銅、フッ化銅等のハロゲン化銅が挙げられる。
【０１４９】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価のニッケルを含むものとしては、酢酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトナート、塩化ニッケル、臭化ニッケル、フッ化ニッケル、ヨウ化ニッケル、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル等が挙げられ、より好ましいニッケル塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケルが挙げられる。
【０１５０】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価のパラジウムを含むものとして、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナート、パラジウムトリフルオロアセテート、アリルパラジウムクロライド−ダイマー、（２，２’−ビピリジン）ジクロロパラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム、（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）ジクロロパラジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）パラジウム、ジクロロ（１，１０−フェナントロリン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィンパラジウム）、アンモニウムテトラクロロパラデート、ジアンミンジブロモパラジウム、ジアンミンジクロロパラジウム、ジアンミンジヨードパラジウム、ポタッシウムテトラブロモパラデート、ポタッシウムテトラクロロパラデート、ソジウムテトラクロロパラデート等、０価のパラジウムを含むものとしては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム等が挙げられる。
【０１５１】
より好ましいパラジウム塩としては、塩化パラジウム、臭化パラジウム等のハロゲン化パラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム等のニトリル錯体、（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）ジクロロパラジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム等のオレフィン錯体が挙げられ、この中でも塩化白金、臭化白金等のハロゲン化パラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム等のニトリル錯体が更に好ましい。
【０１５２】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に、用いられる白金塩としては、２価の白金を含むものとして、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金、プラチナアセチルアセトナート、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）プラチナ、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）プラチナ、ジクロロ（１，１０−フェナントロリン）プラチナ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）プラチナ、アンモニウムテトラクロロパラデート、ジアンミンジブロモパラジウム、ジアンミンジクロロプラチナ、ジアンミンジヨードプラチナ、ポタッシウムテトラブロモプラチナ−ト、ポタッシウムテトラクロロプラチナート、ソジウムテトラクロロプラチナート、ジメチルビス（ジメチルスルホキシド）白金、ジメチルビス（ジメチルスルフィド）白金、ジメチル（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）白金等が挙げられる。
【０１５３】
より好ましい白金塩としては、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金等のハロゲン化白金、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（ベンゾニトリル）、ジクロロプラチナビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ等のニトリル錯体、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）プラチナ等のオレフィン錯体、が挙げられ、この中でも塩化白金、臭化白金等のハロゲン化白金、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ等のニトリル錯体が更に好ましい。
【０１５４】
金属錯体の製造において使用する金属塩は、結晶水、結晶溶媒、配位溶媒を含んでいても良い。金属の価数は、特に問わないが、金属が、２価と０価が好ましく、より好ましくは２価である。
【０１５５】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に用いる金属塩の使用量は、該金属塩中に錯体を形成する金属原子が１つ含まれる場合は、通常、配位子１モルに対して０．１〜１０モル、好ましくは０．５〜５モル、更に好ましくは、１〜３モルである。なお、金属塩に錯体を形成する金属原子が、ｎ個含まれる場合は、その使用量は、１／ｎ倍で良い。
【０１５６】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に使用される溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、４塩化炭素、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類、水等が挙げられる。
【０１５７】
より好ましい溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類が挙げられ、この中でもアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類が更に好ましい。
【０１５８】
これらの溶媒は、単独で使用しても、２種類以上混合して使用しても構わない。
【０１５９】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に用いられる溶媒の量としては、反応が十分に進行できる量であれば特に制限されないが、通常は使用する配位子に対して、１〜２００倍体積量、好ましくは５〜１００倍体積量が好ましい。
【０１６０】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に、ハロゲン化水素等の酸性物質が生成する場合、塩基性物質の存在下で反応を行っても構わない。塩基性物質としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、１，８−ジメチルアミノナフタレン等の３級アミン類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等の金属アルコキシド類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基類が挙げられる。
【０１６１】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素、アルゴン等が挙げられる。
【０１６２】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時における反応温度、反応時間、反応圧力は、原料、溶媒などによって異なるが、通常、２０℃〜３００℃、好ましくは５０℃〜２５０℃、更に好ましくは８０℃〜２２０℃の範囲である。反応時間は、通常３０分〜２４時間であるが、好ましくは１〜１２時間、さらに好ましくは２〜１０時間であり、反応圧力に関しては、通常、常圧であるが、必要に応じて加圧下でも減圧下でも差し支えない。
【０１６３】
本発明の金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時の、加熱手段は特に限定されない。具体的には、オイルバス、マントルヒーターによる加熱や、マイクロ波照射による加熱を使用することができる。
【０１６４】
このようにして得られた本発明の金属錯体は、必要に応じて単離、精製を行うことができる。単離、精製の方法としては、カラムクロマトグラフィー、再結晶、再沈殿、昇華等が挙げられる。これらは単独で用いても併用しても構わない。
【０１６５】
なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、または該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、グリーン（Ｔ．  Ｗ．  Ｇｒｅｅｎｅ）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ  Ｉｎｃ．）（１９８１年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。
【０１６６】
前記有機層には、重水素原子を少なくともひとつ有する材料を用いることが好ましい。重水素原子を少なくともひとつ有する材料を用いることにより、耐久性をより向上させることができる。
【０１６７】
重水素原子を少なくともひとつ有する材料とは、有機材料であっても、無機材料であっても、その両方であってもよいが、有機材料であることが好ましい。
【０１６８】
重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料とは、水素原子または重水素原子が結合し得る位置において、重水素原子と水素原子の比率(重水素原子の原子数：水素原子の原子数)が、１００：０から１：９９の範囲に含まれていることを意味する。ここで、水素原子または重水素原子が結合し得る位置は、１分子中、少なくとも特定の１箇所から全部の範囲の何れでもよい。言い換えれば、上記比率は水素原子または重水素原子が結合し得る位置の総和において、重水素原子が占める割合（重水素化率）が１〜１００％であることと同義である。
従って、上記比率の状態は、当該位置に重水素を含む化合物と重水素を含まない化合物を、適当な比率で同時に使用することによって実現できる。
【０１６９】
重水素原子と水素原子の組成の範囲として、好ましくは１００：０から５：９５であり、より好ましくは１００：０から５０：５０であり、特に好ましくは１００：０から８０：２０である。
【０１７０】
重水素原子を少なくともひとつ有する材料は、有機電界発光素子のいずれの層に含まれていても良いが、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、もしくは複数に含有されるのが好ましく、発光層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、もしくは複数に含有されるのがより好ましく、発光層に含有されるのがさらに好ましく、特に発光層中のホスト材料として含有されるのが好ましい。有機層中における重水素原子を少なくともひとつ有する材料の割合は１０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、２０質量％以上１００質量％以下がさらに好ましく、３０質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。
【０１７１】
重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料としては、例えば、国際公開第０２／４７４４０号パンフレットに記載の化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【０１７２】
重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料として、特に好ましいものの例としては、窒素原子を含む材料が好ましく、なかでも、三級アミン骨格、カルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料が好ましく、カルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料がより好ましく、カルバゾール骨格を含む材料が特に好ましい。
【０１７３】
重水素原子を少なくともひとつ有するカルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。
【０１７４】
【化７４】
2009272339.tif 000075
【０１７５】
重水素原子を少なくとも１つ有する材料は、種々の公知の合成法にて合成することが可能である。例えば、特開２００４−１１４００および特開２００４−４６０６６に記載の方法を用いることにより、対応する化合物の水素原子を重水素原子に変換することが出来る。また、重水素原子を含む原料を用いて、重水素原子を少なくとも１つ有する材料を合成することも出来る。重水素原子を含む原料として具体的には、重ブロモベンゼン-d5（CAS No. 4165-57-5）、重ヨウ化メチル-d3（CAS No. 865-50-9）や、J.Am.Chem.Soc. vol.126, No.40, 13033-03043項(2004年)に記載の方法で合成できるレゾルシノール-d6および、そのスルホン酸エステル誘導体などが挙げられる。
【０１７６】
次に本発明の化合物を含有する有機電界発光素子について説明する。
【０１７７】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に発光層（を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。
【０１７８】
本発明における有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び／又は発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けても良い。
尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【０１７９】
有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、およびスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０１８０】
次に、本発明の発光素子を構成する要素について、詳細に説明する。
【０１８１】
（基板）
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【０１８２】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【０１８３】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【０１８４】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【０１８５】
（陽極）
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
【０１８６】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【０１８７】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【０１８８】
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【０１８９】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１９０】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【０１９１】
陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【０１９２】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【０１９３】
（陰極）
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０１９４】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、ＬＩ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【０１９５】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【０１９６】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【０１９７】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【０１９８】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１９９】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【０２００】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【０２０１】
（有機層）
本発明における有機層について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
【０２０２】
−有機層の形成−
本発明の有機ＥＬ素子において、有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等いずれによっても好適に形成することができる。
【０２０３】
−発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料と正孔輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【０２０４】
本発明における発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために２種類以上の発光材料を含有することができる。  本発明における発光材料は、更に前記ホスト化合物との間で、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たす発光材料であることが駆動耐久性の観点で好ましい。
【０２０５】
《燐光発光材料》
前記燐光発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
例えば、該遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【０２０６】
錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、芳香族炭素環配位子（例えば、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数６〜３０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、またはナフチルアニオンなど）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数６〜３０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、またはフェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、さらに好ましくは炭素数２〜１６であり、酢酸配位子など）、アルコラト配位子（例えば、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、フェノラト配位子など）、シリルオキシ配位子（例えば、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、さらに好ましくは炭素数３〜２０であり、例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、さらに好ましくは炭素数３〜２０、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルホスフィン配位子など）、チオラト配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜２０、例えば、フェニルチオラト配位子など）、ホスフィンオキシド配位子（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数８〜３０、さらに好ましくは炭素数１８〜３０、例えば、トリフェニルホスフィンオキシド配位子など）であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。  
【０２０７】
これらの中でも、発光材料の具体例としては、例えば、米国６３０３２３８号明細書、米国６０９７１４７号明細書、国際公開第００／５７６７６号パンフレット、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、国際公開第０１／０８２３０号パンフレット、国際公開第０１／３９２３４パンフレット、国際公開第０１／４１５１２号パンフレット、国際公開０２／０２７１４号パンフレット、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、国際公開第０２／４４１８９号パンフレット、国際公開第０５／１９３７３パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００３−１３３０７４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００３−１２３９８２号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、欧州特許出願公開第１２１１２５７明細書、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００１−２９８４７０号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−２０３６７８号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００４−３５７７９１号公報、特開２００６−２５６９９９号公報、特開２００７−１９４６２号公報、特開２００７−８４６３５号公報、特開２００７−９６２５９号公報等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられ、中でも、更に好ましい発光材料としては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、およびＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が特に好ましく、本発明の化合物が最も好ましい。
【０２０８】
《蛍光発光材料》
前記蛍光性の発光材料としては、一般には、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、またはペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などを挙げることができる。
【０２０９】
発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。
【０２１０】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０２１１】
＜ホスト材料＞
ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。
【０２１２】
本発明に用いられるホスト材料としては、以下の材料を挙げることができる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体およびそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。
【０２１３】
本発明における発光層において、前記ホスト材料の三重項最低励起エネルギー（Ｔ１）が、前記燐光発光材料のＴ１より高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。
【０２１４】
発光層中のホスト材料の使用量は、特に限定されないが、発光層中において主成分（含有量が一番多い成分）であることが好ましく、５０質量％以上９９．９質量％以下がより好ましく、７０質量％以上９９．８質量％以下がさらに好ましく、８０質量％以上９９．７質量％以下が特に好ましく、９０質量％以上９９．５質量％以下が最も好ましい。
ホスト材料のガラス転移点は、１００℃以上５００℃以下であることが好ましく、１１０℃以上３００℃以であることがより好ましく、１２０℃以上２５０℃以下であることがさらに好ましい。
【０２１５】
（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
【０２１６】
本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性発光材料を含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性発光材料としては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
【０２１７】
具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、および三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。
【０２１８】
有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
この他にも、特開平６−２１２１５３号公報、特開平１１−１１１４６３号公報、特開平１１−２５１０６７号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２０００−２８６０５４号公報、特開２０００−３１５５８０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、特開２００１−１６０４９３号公報、特開２００２−２５２０８５号公報、特開２００２−５６９８５号公報、特開２００３−１５７９８１号公報、特開２００３−２１７８６２号公報、特開２００３−２２９２７８号公報、特開２００４−３４２６１４号公報、特開２００５−７２０１２号公報、特開２００５−１６６６３７号公報、特開２００５−２０９６４３号公報等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。
【０２１９】
このうちヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、またはフラーレンＣ６０が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、または２，３，５，６−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。
【０２２０】
これらの電子受容性発光材料は、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性発光材料の使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。
【０２２１】
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２２２】
（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、本発明の化合物の他、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０２２３】
本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性発光材料を含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性発光材料としては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることが出来る。
【０２２４】
これらの電子供与性発光材料は、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性発光材料の使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【０２２５】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２２６】
（正孔ブロック層）
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、アルミニウム(III)ビス(2-メチル-8-キノリナト)4-フェニルフェノラート（Aluminum (III)bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylphenolate（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２２７】
（電子ブロック層）
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
（保護層）
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＴＩ、ＮＩ等の金属、ＭｇＯ、ＳＩＯ、ＳＩＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮＩＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴＩＯ２等の金属酸化物、ＳＩＮｘ、ＳＩＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬＩＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０２２８】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０２２９】
（電荷発生層）
本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
【０２３０】
前記電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば何でもよく、単一化合物で形成されていても、複数の化合物で形成されていてもよい。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平１１−３２９７４８や、特開２００３−２７２８６０や、特開２００４−３９６１７に記載の材料が挙げられる。
更に具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料、Ｃ60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金、Ｍｇ：Ｌｉ合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものを用いてもよい。
前記正孔伝導性材料は、例えば２−ＴＮＡＴＡ、ＮＰＤなどの正孔輸送有機材料にＦ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ３などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、Ｐ型導電性高分子、Ｐ型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物をドープしたものや、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型半導体が挙げられる。Ｎ型半導体としては、Ｎ型Ｓｉ、Ｎ型ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＳなどが挙げられ、Ｐ型半導体としては、Ｐ型Ｓｉ、Ｐ型ＣｄＴｅ、Ｐ型ＣｕＯなどが挙げられる。
また、前記電荷発生層として、Ｖ２Ｏ５などの電気絶縁性材料を用いることもできる。
【０２３１】
前記電荷発生層は、単層でも複数積層させたものでもよい。複数積層させた構造としては、透明伝導材料や金属材料などの導電性を有する材料と正孔伝導性材料、または、電子伝導性材料を積層させた構造、上記の正孔伝導性材料と電子伝導性材料を積層させた構造の層などが挙げられる。
【０２３２】
前記電荷発生層は、一般に、可視光の透過率が５０％以上になるよう、膜厚・材料を選択することが好ましい。また膜厚は、特に限定されるものではないが、０．５〜２００ｎｍが好ましく、１〜１００ｎｍがより好ましく、３〜５０ｎｍがさらに好ましく、５〜３０ｎｍが特に好ましい。
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機化合物層の形成方法を用いることができる。
【０２３３】
電荷発生層は前記二層以上の発光層間に形成するが、電荷発生層の陽極側および陰極側には、隣接する層に電荷を注入する機能を有する材料を含んでいても良い。陽極側に隣接する層への電子の注入性を上げるため、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＣａＦ２などの電子注入性化合物を電荷発生層の陽極側に積層させてもよい。
以上で挙げられた内容以外にも、特開２００３−４５６７６号公報、米国特許第６３３７４９２号、同第６１０７７３４号、同第６８７２４７２号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
【０２３４】
（封止容器）
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、およびシリコーンオイル類が挙げられる。
【０２３５】
（駆動方法）
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号明細書、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０２３６】
本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
【０２３７】
本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。
【０２３８】
本発明における有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明または半透明電極、発光層、および金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平９−１８０８８３号公報に記載されている。第２の態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号公報に記載されている。
【０２３９】
（本発明の用途）
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
【０２４０】
有機ＥＬディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機ＥＬ素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機ＥＬ素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
また、上記方法により得られる異なる発光色の有機ＥＬ素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色および黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
【実施例】
【０２４１】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜有機電界発光素子＞
実施例に用いる材料を以下に示す。
【０２４２】
【化７５】
2009272339.tif 000076
【０２４３】
【化７６】
2009272339.tif 000077
【０２４４】
【化７７】
2009272339.tif 000078
【０２４５】
【化７８】
2009272339.tif 000079
【０２４６】
【化７９】
2009272339.tif 000080
【０２４７】
＜有機電界発光素子の評価＞
各素子は下記(a) (b)の項目について比較した。
【０２４８】
(a)材料の保存安定性の比較
材料を昇華精製後直ちに素子作成に用いた場合（Ａ）と、昇華精製後フタ付ガラス瓶に移した後、湿度70％、温度60℃の恒温層に6日保管した後に素子を作成した場合（Ｂ）の最大外部量子効率の比（Ｂ）／（Ａ）を比較した。  外部量子効率は、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させる。その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。これらを元に外部量子効率を輝度換算法により算出した。
(b)駆動耐久性の比較
各素子の発光初期輝度を発光ピーク波長に応じてそれぞれ規定し、該設定輝度になるように直流電圧を印加し、輝度が半減するまでの時間を測定した。この輝度半減時間を駆動耐久性評価の指標とした。
【０２４９】
＜実施例１＞
（比較素子１−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−１および比較化合物Ｔ−１（重量比９５：５）：５０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：４０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。
【０２５０】
（比較素子１−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−３にした以外は比較素子１−１と同様にして比較素子１−２を作成した。
【０２５１】
（比較素子１−３の作成）
第３層のＨ−１をＨ−２にした以外は比較素子１−１と同様にして比較素子１−３を作成した。
【０２５２】
（本発明の素子１−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−１を作成した。
【０２５３】
（本発明の素子１−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−１を作成した。
【０２５４】
（本発明の素子１−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−５にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−３を作成した。
【０２５５】
（本発明の素子１−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−６にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−４を作成した。
【０２５６】
（本発明の素子１−５の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−８にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−５を作成した。
【０２５７】
（本発明の素子１−６の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−９にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−６を作成した。
【０２５８】
（本発明の素子１−７の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１２にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−７を作成した。
【０２５９】
（本発明の素子１−８の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１３にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−８を作成した。
【０２６０】
（本発明の素子１−９の作成）
第３層のＨ−１をＨ−２にした以外は本発明の素子１−５と同様にして本発明の素子１−９を作成した。
【０２６１】
（実施例１の素子の評価）
【表１】
2009272339.tif 000081
【０２６２】
＜実施例２＞
（比較素子２−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−２：５ｎｍ
第２層：ＨＴ−４：２０ｎｍ
第３層：ＨＢ−１および比較化合物Ｔ−２（重量比９０：１０）：４０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：1０ｎｍ
第５層：ＥＴ−２：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。
【０２６３】
（本発明の素子２−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−２を化合物Ｊ−１にした以外は比較素子２−１と同様にして本発明の素子２−１を作成した。
【０２６４】
（本発明の素子２−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−２を化合物Ｊ−２にした以外は比較素子２−１と同様にして本発明の素子２−２を作成した。
【０２６５】
（本発明の素子２−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−２を化合物Ｊ−５にした以外は比較素子２−１と同様にして本発明の素子２−３を作成した。
【０２６６】
（本発明の素子２−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−２を化合物Ｊ−３にした以外は比較素子２−１と同様にして本発明の素子２−４を作成した。
【０２６７】
（実施例２の素子の評価）
【表２】
2009272339.tif 000082
【０２６８】
＜実施例３＞
（比較素子３−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−３：８０ｎｍ
第２層：ＨＴ−５：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−５および比較化合物Ｔ−１（重量比85：15）：３０ｎｍ
第４層：ＥＴ−１：４０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。
【０２６９】
（比較素子３−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−2にした以外は比較素子３−１と同様にして比較素子３−２を作成した。
【０２７０】
（本発明の素子３−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−４にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−１を作成した。
【０２７１】
（本発明の素子３−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−７にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−２を作成した。
【０２７２】
（本発明の素子３−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１０にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−３を作成した。
【０２７３】
（本発明の素子３−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１１にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−４を作成した。
【０２７４】
（本発明の素子３−５の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１８にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−５を作成した。
（本発明の素子３−６の作成）
３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−４にし、第四層をＥＴ−１Ｄにした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−６を作成した。
【０２７５】
（実施例３の素子の評価）
【表３】
2009272339.tif 000083
【０２７６】
＜実施例４＞
（比較素子４−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−３および比較化合物Ｔ−１（重量比85：15）：３０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。
【０２７７】
（本発明の素子４−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−８にした以外は比較素子４−１と同様にして本発明の素子４−１を作成した。
【０２７８】
（本発明の素子４−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−９にした以外は比較素子４−１と同様にして本発明の素子４−２を作成した。
【０２７９】
（実施例４の素子の評価）
【表４】
2009272339.tif 000084
【０２８０】
＜実施例5＞
（比較素子６−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−２：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−６、ＥＭ−１、Ｔ−１（重量比90：9：1）：４０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。
（本発明の素子５−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１４にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−１を作成した。
【０２８１】
（本発明の素子５−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１５にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−２を作成した。
【０２８２】
（本発明の素子５−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２３にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−３を作成した。
【０２８３】
（本発明の素子５−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２５にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−４を作成した。
【０２８４】
（本発明の素子５−5の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−16にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−5を作成した。
【０２８５】
（本発明の素子５−６の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１７にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−６を作成した。
【０２８６】
（本発明の素子５−７の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１９にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−７を作成した。
【０２８７】
（本発明の素子５−８の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２０にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−８を作成した。
【０２８８】
（本発明の素子５−９の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２１にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−９を作成した。
【０２８９】
（本発明の素子５−１０の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２６にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−１０を作成した。
【０２９０】
（実施例５の素子の評価）
【０２９１】
【表５】
2009272339.tif 000085
【０２９２】
＜実施例６＞
（比較素子６−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−１、ＥＭ−１（重量比90：１０）：４０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１、Ｔ−１（重量比９５：５）：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。
【０２９３】
（本発明の素子６−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１１にした以外は比較素子６−１と同様にして本発明の素子６−１を作成した。
【０２９４】
（本発明の素子５−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２２にした以外は比較素子６−１と同様にして本発明の素子６−２を作成した。
【０２９５】
（本発明の素子５−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２３にした以外は比較素子６−１と同様にして本発明の素子６−３を作成した。
【０２９６】
（本発明の素子６−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２４にした以外は比較素子６−１と同様にして本発明の素子６−４を作成した。
【０２９７】
（実施例６の素子の評価）
【０２９８】
【表６】
2009272339.tif 000086
【０２９９】
上記の結果から、一般式（I）で表される化合物を用いることにより耐久性が高く、高輝度時も高効率を維持できる有機電界発光素子を提供できることがわかった。