(57)【要約】      （修正有）【課題】青色発光特性に優れ、有機発光素子に低電圧、高輝度、長寿命の特性を付与することができる新規なシリコン系化合物及びこれを利用した有機発光素子を提供する。【解決手段】下記の化学式（１）で示されるシリコン系化合物。2009046484.tif 000057前記化学式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４のうちの１つまたは２つはそれぞれ独立してジアリールビニル基を有するフェニル基、またはジアリールアミノフェニル基である。【選択図】図１
2009046484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の化学式（１）で示されることを特徴とする化合物：
【化１】
2009046484.tif 000037
前記化学式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４のうちの１つまたは２つはそれぞれ独立して
【化２】
2009046484.tif 000038
または
【化３】
2009046484.tif 000039
であり、Ｒ１〜Ｒ４のうちの前記１つまたは２つに該当しない残りはそれぞれ独立して炭素数６〜５０の置換されていてもよいアリール基または炭素数１〜５０の置換されていてもよいアルキル基であり、
Ａｒ1は
【化４】
2009046484.tif 000040
であり、Ａは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、または炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜５０のアリール基を有するアミン誘導体であり、Ａｒはそれぞれ独立して炭素数６〜５０の置換されていてもよいアリール基であり、ｎは１または２である。
【請求項２】
前記化学式（１）の化合物が下記の化学式（１−１）〜（１−１６）で示される請求項１に記載の化合物：
【化５】
2009046484.tif 000041
【化６】
2009046484.tif 000042
【化７】
2009046484.tif 000043
【化８】
2009046484.tif 000044
【化９】
2009046484.tif 000045
【化１０】
2009046484.tif 000046
【化１１】
2009046484.tif 000047
【化１２】
2009046484.tif 000048
【化１３】
2009046484.tif 000049
【化１４】
2009046484.tif 000050
【化１５】
2009046484.tif 000051
【化１６】
2009046484.tif 000052
【化１７】
2009046484.tif 000053
【化１８】
2009046484.tif 000054
【化１９】
2009046484.tif 000055
【化２０】
2009046484.tif 000056
【請求項３】
請求項１に記載の化合物で形成されている有機発光素子の有機薄膜層。
【請求項４】
前記有機薄膜層が請求項１に記載の化合物を青色発光材料として含む請求項３に記載の有機発光素子の有機薄膜層。
【請求項５】
前記有機薄膜層が発光層である請求項３に記載の有機発光素子の有機薄膜層。
【請求項６】
前記有機薄膜層のドーパントのドーピング濃度がホスト１００質量部対比０．０１〜１５質量部である請求項３に記載の有機発光素子の有機薄膜層。
【請求項７】
前記有機薄膜層の厚さが１０〜１０００ｎｍである請求項３に記載の有機発光素子の有機薄膜層。
【請求項８】
アノードとカソードの間に１つ以上の有機薄膜層を含む有機発光素子において、請求項３記載の有機薄膜層を少なくとも１層含むことを特徴とする有機発光素子。
【請求項９】
請求項８に記載の有機発光素子を含むことを特徴とするディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規な化合物及びこれを利用した有機発光素子に関するものであって、より詳しくは、青色発光特性に優れ、有機発光素子に低電圧、高輝度、長寿命の特性を付与することができる新規なシリコン系化合物及びこれを利用した有機発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業が発達するに伴ってディスプレイ装置の使用が急増しており、最近、軽量、薄膜、高解像度のディスプレイ装置が要求されているのが実情である。このような要求に応えて液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や有機発光特性を利用するディスプレイ素子が開発されている。
【０００３】
ディスプレイ装置の軽量化及び薄膜化を実現するためには、ガラス基板を使用する従来のディスプレイ素子とは異なり、軽くて薄いプラスチック基板を使用するのが有利である。プラスチック基板を使用する次世代ディスプレイ素子としては現在のディスプレイ素子のうちの有機発光素子が最も現実性があるものとして注目を浴びており、これに関する集中的な研究が行われている。
【０００４】
有機発光素子は一般に基板上部にアノード（anode）が形成されており、このアノード上部にホール輸送層、発光層、電子輸送層、及びカソード（cathode）が順次に形成されている構造を有している。ここで、ホール輸送層、発光層、及び電子輸送層は有機化合物からなる有機薄膜である。
【０００５】
前記のような構造を有する有機ＥＬ素子の駆動原理は次の通りである。
まず、前記アノード及びカソードの間に電圧を印加すると、アノードから注入されたホールはホール輸送層を経由して発光層に移動する。一方、電子はカソードから電子輸送層を経由して発光層に注入され、発光層領域でキャリアが再結合してエキシトン（励起子，exciton）を生成する。このエキシトンが励起状態から基底状態に変化し、これによって発光層の蛍光性分子が発光することによって画像が形成される。この時、励起状態が一重項励起状態を通じて基底状態に落ちながら発光することを蛍光と言い、三重項励起状態を通じて基底状態に落ちながら発光することをリン光と言う。前記蛍光の場合、一重項励起状態の確率が２５％（三重項状態７５％）であり、発光効率の限界がある反面、リン光を使用すれば、三重項７５％と一重項励起状態２５％まで利用することができるので、理論的には内部量子効率１００％までも可能である。
【０００６】
正孔と電子が結合して発光をする発光層用有機単分子は機能的な側面から大きくホスト（host）用物質とゲスト（guest）用物質に分かれる。一般にホスト用またはゲスト用物質単独で光を出すことができるが、効率及び輝度が低く同じ分子同士のセルフ−パッキング（self-packing）現象のため、各分子固有の特性でないエキシマー（excimer）特性が共に示されるので、ホストにゲストをドーピング（dopping）して、このような問題点を補完する。
【０００７】
青色発光層用有機物質は緑色発光体であるトリス（８−キノリレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）に比べて融点及び初期状態の発光安定性が低く寿命が短いという問題点を持っている。また、大部分の青色発光層用物質は純粋な青色でないライトブルー（light blue）であるため依然としてフルカラー化ディスプレイに不適であり、発光効率を高めるためにペリレン（perylene）やジスチルアリレン（distyrylarylene；ＤＳＡ）系アミンなどをドーピングして使用する。代表的な青色発光層用有機物質は芳香族炭化水素、スピロ（spiro）型物質、アルミニウムを含む有機金属化合物、イミダゾール基を有する異形環（heterocyclic）化合物、縮合した芳香族化合物等があり、これらは下記特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４及び特許文献５に掲載されている。
【０００８】
しかし、前記それぞれの層に対する適切な有機単分子物質を利用した有機電気発光ディスプレイは全般的に素子の寿命が短く、保存耐久性及び信頼性が低いという問題点を持っている。このような原因としては有機物質の物理的、化学的な変化、光化学的、電気化学的な変化、陰極の酸化、剥離現象及び有機化合物の溶融、結晶化、熱分解現象等がある。
【０００９】
有機電気発光素子は適切な有機単分子物質の構造を変化させて任意の発光色を得ることが可能であり、ホストゲストシステムによる多様な高効率の有機電気発光素子が提案されているが、実用化水準での使用時の満足な輝度特性、寿命及び耐久性が欠如されている。
【００１０】
下記特許文献６では特定のシラン化合物からなる有機発光素子に関する発明が開示されているが、リン光素子、特に青色の高効率化に重要な最低励起エネルギー準等級やエネルギーギャップの広さについては全く言及がない。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第５，５１６，５７７号明細書
【特許文献２】米国特許第５，３６６，８１１号明細書
【特許文献３】米国特許第５，８４０，２１７号明細書
【特許文献４】米国特許第５，１５０，００６号明細書
【特許文献５】米国特許第５，６４５，９４８号明細書
【特許文献６】特開２０００−３５１９６６号公報
【特許文献７】米国特許第４，３５６，４２９号明細書
【特許文献８】特開平１１−３２９７３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
このような従来の技術の問題点を解決するため、本発明は、青色発光特性に優れると共に、有機発光素子に低電圧、高輝度、長寿命の特性を付与することができる新規な化合物を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、前記の新規な化合物を有機発光素子の有機薄膜層に適用して高効率発光が可能であり、低電圧、高輝度、長寿命の特性を付与することができる有機発光素子の有機薄膜層、有機発光素子、及びこれを含むディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明は、下記の化学式（１）で示されるシリコン系化合物を提供する。
【００１４】
【化１】
2009046484.tif 000003
前記化学式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４のうちの１つまたは２つはそれぞれ独立して
【化２】
2009046484.tif 000004
または
【化３】
2009046484.tif 000005
であり、Ｒ１〜Ｒ４のうちの前記１つまたは２つに該当しない残りはそれぞれ独立して炭素数６〜５０の置換されていてもよいアリール基または炭素数１〜５０の置換されていてもよいアルキル基であり、
Ａｒ1は
【化４】
2009046484.tif 000006
であり、Ａは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、または炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜５０のアリール基を有するアミン誘導体であり、Ａｒはそれぞれ独立して炭素数６〜５０の置換されていてもよいアリール基であり、ｎは１または２である。
【００１５】
また、本発明は、前記シリコン系化合物で形成された有機発光素子の有機薄膜層を提供する。
【００１６】
また、本発明は、アノードとカソードの間に１つ以上の有機薄膜層を含む有機発光素子において、前記有機薄膜層を少なくとも１つ層以上含むことを特徴とする有機発光素子を提供する。
【００１７】
また、本発明は、前記有機発光素子を含むことを特徴とするディスプレイ装置を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明による化学式（１）で示されるシリコン系化合物は、青色発光特性に優れて青色発光材料に使用することができるだけでなく、同時に有機発光素子に適用して低電圧、高輝度、長寿命の特性を付与することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の化学式（１）で示される新規なシリコン系化合物は青色発光特性に優れ、同時に有機発光素子に低電圧、高輝度、長寿命の特性を付与することができる。
【００２０】
【化５】
2009046484.tif 000007
前記化学式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４のうちの１つまたは２つはそれぞれ独立して
【化６】
2009046484.tif 000008
または
【化７】
2009046484.tif 000009
であり、Ｒ１〜Ｒ４のうちの前記１つまたは２つに該当しない残りはそれぞれ独立して炭素数６〜５０の置換されていてもよいアリール基または炭素数１〜５０の置換されていてもよいアルキル基であり、
Ａｒ1は
【化８】
2009046484.tif 000010
であり、Ａは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、または炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜５０のアリール基を有するアミン誘導体（例えば、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基）であり、Ａｒはそれぞれ独立して炭素数６〜５０の置換されていてもよいアリール基であり、ｎは１または２である。
【００２１】
本発明の前記化学式（１）で示される化合物の好ましい具体的例としては、下記の化学式（１−１）〜（１−１６）で示される化合物が挙げられる。
【００２２】
【化９】
2009046484.tif 000011
【化１０】
2009046484.tif 000012
【化１１】
2009046484.tif 000013
【化１２】
2009046484.tif 000014
【化１３】
2009046484.tif 000015
【化１４】
2009046484.tif 000016
【化１５】
2009046484.tif 000017
【化１６】
2009046484.tif 000018
【化１７】
2009046484.tif 000019
【化１８】
2009046484.tif 000020
【化１９】
2009046484.tif 000021
【化２０】
2009046484.tif 000022
【化２１】
2009046484.tif 000023
【化２２】
2009046484.tif 000024
【化２３】
2009046484.tif 000025
【化２４】
2009046484.tif 000026
【００２３】
本発明のシリコン基を有する化合物は下記の反応式１によって製造することができるが、これは本発明のシリコン基を有する化合物を製造するための一例に過ぎず、本発明の化学式（１）で示されるシリコン基を有する化合物の製造方法が下記の反応式１に限定されるものではない。
【化２５】
2009046484.tif 000027
【００２４】
前記反応式１中、Ｒ１〜Ｒ４、Ａｒ1及びｎは前記と同じ意味を表わし、ｍは０、または１〜４の整数である。
【００２５】
また、本発明は、本発明による前記化学式（１）で形成される有機発光素子の有機薄膜層及びこの有機薄膜層を少なくとも１層含む有機発光素子を提供するものである。
【００２６】
以下、前記有機発光素子の製造方法を説明する。
一般的な有機発光素子は、アノードとカソードの間に正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）等の有機薄膜層を１つ以上含むことができる。
【００２７】
まず、基板上部に高い仕事関数を有するアノード電極用物質を蒸着させてアノードを形成する。この時、前記基板は通常の有機発光素子で使用される基板を用いることができ、特に機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性、及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板を使用するのがよい。また、アノード電極用物質としては、透明で伝導性に優れた酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を使用することができる。前記アノード電極用物質は通常のアノード形成方法によって蒸着することができ、具体的に蒸着法またはスパッタリング法によって蒸着することができる。
【００２８】
その次に、前記アノード電極上部に正孔注入層（ＨＩＬ）物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法等のような方法によって形成することができるが、均一な膜質を得やすく、またピンホールが発生しにくいという等の点から真空蒸着法によって形成することが好ましい。前記真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は正孔注入層の材料として使用する化合物、目的する正孔注入層の構造及び特性等によって異なるが、一般に５０〜５００℃の蒸着温度、１０-8〜１０-3ｔｏｒｒの真空度、０．０１〜１００Å／秒の蒸着速度、１０Å〜５μｍの膜厚範囲で適切に選択することが好ましい。
【００２９】
前記正孔注入層物質は特に制限されず、前記特許文献７（米国特許第４，３５６，４２９号明細書）に開示された銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物またはスターバースト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ（Advanced Material, 6, p677(1994)）等を正孔注入層物質として使用することができる。
【００３０】
その次に、前記正孔注入層上部に正孔輸送層（ＨＴＬ）物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法等のような方法によって形成することができるが、均一な膜質を得やすく、ピンホールが発生しにくいという点から真空蒸着法によって形成することが好ましい。前記真空蒸着法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般に正孔注入層の形成とほとんど同一の条件範囲で選択するのがよい。
【００３１】
また、前記正孔輸送層物質は特に制限されず、正孔輸送層に使用されている通常の公知物質のうちから任意に選択して使用することができる。具体的に、前記正孔輸送層物質はＮ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４、４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）等の芳香族縮合環を有する通常のアミン誘導体等を使用することができる。
【００３２】
その後、前記正孔輸送層上部に発光層（ＥＭＬ）物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法等のような方法によって形成することができるが、均一な膜質を得やすく、ピンホールが発生しにくいという点から真空蒸着法によって形成することが好ましい。前記真空蒸着法によって発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般に正孔注入層の形成とほとんど同一の条件範囲で選択するのがよい。また、前記発光層材料は本発明の化学式（１）で示される化合物を単独で使用したり、またはホストとして使用することができる。
【００３３】
前記化学式（１）で示される化合物を発光ホストとして使用する場合、リン光または蛍光ドーパントと共に使用して発光層を形成することができる。この時、蛍光ドーパントとしては出光社で購入可能なＩＤＥ１０２またはＩＤＥ１０５を使用することができ、リン光ドーパントとしては緑色リン光ド−パントＩｒ（ｐｐｙ）３（fac tris(2-phenylpyridine)iridium）、青色リン光ドーパントであるＦ２Ｉｒｐｉｃ（iridium(III)bis[4,6-di-fluorophenyl)-pyridinato-N,C2']picolinate）、ＵＤＣ社の赤色リン光ドーパントＲＤ６１等を共通真空蒸着（ドーピング）することができる。ドーパントのドーピング濃度は特に制限されないが、ホスト１００質量部対比ドーパントの濃度は０．０１〜１５質量部であるのが好ましい。ドーパントの含量が０．０１質量部未満である場合にはドーパント量が充分でなくて発色が十分に行われないという問題点があり、１５質量部を超過する場合には濃度消光現象によって効率が急激に減少するという問題点がある。
【００３４】
また、発光層にリン光ドーパントと共に使用する場合には、三重項励起子または正孔が電子輸送層（ＨＴＬ）に拡散する現象を防止するために正孔抑制材料（ＨＢＬ）を追加的に真空蒸着法またはスピンコーティング法によって積層させることが好ましい。この時に使用できる正孔抑制物質は、特に制限されないが、正孔抑制材料として使用されている公知のもののうちから任意のものを選択して利用することができる。、例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、または前記特許文献８に記載されている正孔抑制材料等が挙げられ、代表的にＢａｌｑ（Bis(2-methyl-8-quinolimato)-4-(phenylphenolate)aluminum）、フェナントロリン（phenanthrolines）系化合物（例：ＵＤＣ社のＢＣＰ）等を使用することができる。
【００３５】
前記のように形成された発光層上部には電子輸送層（ＥＴＬ）材料が形成され、この時、前記電子輸送層は真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法などの方法で形成され、特に真空蒸着法によって形成するのが好ましい。
【００３６】
前記電子輸送層材料は、電子注入電極（Cathode）から注入された電子を安定的に輸送する機能を働くものであって、その種類が特に制限されず、例えばキノリン誘導体、特にトリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）を使用することができる。また、電子輸送層上部に陰極からの電子の注入を容易にする機能を有する物質である電子注入層（ＥＩＬ）を積層することができ、電子注入層物質としてはＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ等の物質を利用することができる。
【００３７】
また、前記電子輸送層（ＥＴＬ）の蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般に正孔注入層の形成とほとんど同一な条件範囲で選択するのがよい。
その後、前記電子輸送層上部に電子注入層（ＥＩＬ）物質を形成することができ、この時、前記電子輸送層は通常の電子注入層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法等の方法で形成され、特に真空蒸着法によって形成することが好ましい。
【００３８】
最後に、電子注入層上部にカソード形成用金属を真空蒸着法やスパッタリング法等の方法によって形成して、陰極（cathode）として使用する。ここで、カソード形成用金属としては低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物を使用することができる。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等がある。また、前面発光素子を得るためにＩＴＯ、ＩＺＯを用いた透過型カソードを使用することもできる。
【００３９】
本発明の有機発光素子は、アノード、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、カソード構造の有機発光素子だけでなく、多様な構造の有機発光素子の構造が可能であり、必要によって１層または２層の中間層をさらに形成することも可能である。図１〜図３は本発明の化学式（１−１）、（１−２）及び（１−８）で示される化合物で測定したフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルであって、本発明の化学式（１−１）、（１−２）及び（１−８）で示される化合物が有機発光素子に有効に適用することができることを示している。
【００４０】
前記のように本発明によって形成される有機薄膜層の厚さは要求される程度によって調節することができ、好ましくは１０〜１，０００ｎｍであり、さらに好ましくは２０〜１５０ｎｍである。
【００４１】
また、本発明による前記化学式（１）で示されるシリコン系化合物を蒸着させて形成された有機薄膜層は基板との接着力に優れ、有機薄膜層の厚さを分子単位で調節することができるため表面が均一であり、形態安定性に優れた長所がある。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明の理解のために好ましい実施例を提示するが、下記の実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の範囲が下記の実施例に限定されるのではない。
【００４３】
実施例１：化学式（１−１）で示される化合物の製造
１−ブロモ−４−（２，２−ジフェニルビニル）−ベンゼン（５.４ｇ、１６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）８０ｍｌに溶かした後、−７８℃で２Ｍ  ｎ−ＢｕＬｉ（９ｍｌ、１９.２ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した後、１時間低温で撹拌した。ここにジクロロジフェニルシラン（１.９４ｍｌ、９.６ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加した後、１時間低温で撹拌し、３０分間０℃で追加的に撹拌した。撹拌後にジクロロメタンと蒸留水を使用して有機層を抽出した後、溶媒はエバポレーターを通じて除去し、ｎ−ヘキサンを用いて再結晶を行った。沈殿物をろ過し、これを乾燥し精製して最終化合物；化学式（１−１）を得た（収率５４％）。
1H NMR(CDCl3):[ppm]= 6.96 (s, 2H), 7.00 (d, J = 8Hz, 4H), 7.20 (m, 2H), 7.28 (d, J = 8Hz, 8H), 7.31 (m, 20H), 7.47 (dd, J = 8Hz, 4H)。
【化２６】
2009046484.tif 000028
【００４４】
実施例２：化学式（１−２）で示される化合物の製造
【化２７】
2009046484.tif 000029
ビス−（４−ジメチルアミノフェニル）−メタノン（５.７７ｇ、２１.５２ｍｍｏｌ）、（４−ブロモベンジル）−ホスホン酸−ジフェニルエステル（１２.４ｇ、１７.９４ｍｍｏｌ）、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（２.４１ｇ、２１.５２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ  ５０ｍｌに溶かした後、窒素雰囲気下で８時間撹拌した。反応終結後、メチレンクロライドと蒸留水を用いて有機層を抽出して乾燥した後、カラムクロマトグラフィー展開剤（メチレンクロライド：ヘキサン＝２：１）を利用して化合物を精製して、４，４’−（２−（４−ブロモフェニル）エテン−１，１−ジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルベンゼンアミン）を得た（収率７２％）。
1H NMR(CDCl3):[ppm]= 2.97(s, 12H), 6.65(s, 1H), 6.66 (d, J = 8.8Hz, 4H), 6.92(d, J = 8.8Hz, 2H), 7.04(d, J = 8.8Hz, 2H), 7.22(J = 8.8Hz, 4H)。
【００４５】
前記４，４’−（２−（４−ブロモフェニル）エテン−１，１−ジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルベンゼンアミン）（３.１１ｇ、７.３８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ３０ｍｌに溶かした後、ここにｎ−ＢｕＬｉ（５.１６ｍｌ、１０.３３ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加した後、１時間窒素雰囲気下で撹拌した。撹拌が終わった後、ジフェニルジクロロシラン（３.０４ｍｌ、１４.７６ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加した後、１時間再び撹拌した後、０℃で３０分間追加的に撹拌した。撹拌が終わった後、メチレンクロライドと蒸留水を用いて有機層を抽出して乾燥した後、コラムクロマトグラフィー展開剤（メチレンクロライド：ヘキサン＝２：１）を利用して化合物を精製して、最終化合物；化学式（１−２）を得た（収率４２％）。
1H NMR(CDCl3):[ppm]= 2.93(s, 24H), 6.66(d, J = 8.8Hz, 8H), 6.74(s, 2H), 7.06(m, 4H), 7.23(d, J = 8.8Hz, 4H), 7.37(d, J =  8.8Hz, 8H), 7.42(m, 6H), 7.60(d, J = 4H)。
【化２８】
2009046484.tif 000030
【００４６】
実施例３：化学式（１−５）で示される化合物の製造
【化２９】
2009046484.tif 000031
（４−ブロモフェニル）−ジナフタレン−２−イル−アミン（２.６３ｇ、６.２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ３０ｍｌに溶かした後、ｎ−ＢｕＬｉ（３.２２ｍｌ、６.４４ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加した後、１時間窒素雰囲気下で撹拌した。撹拌後、ジフェニ
ルジクロロシラン（０.６３ｍｌ、３.１ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加した後、再度１時間撹拌した後、０℃で３０分間追加的に撹拌した。撹拌が終わった後、メチレンクロライドと蒸留水を用いて有機層を抽出して乾燥した後、カラムクロマトグラフィー展開剤（メチレンクロライド：ヘキサン＝１：３）を利用して精製をして最終化合物；化学式
（１−５）を得た（収率４３％）。
1H NMR(CDCl3):[ppm]= 7.03(m = 8H), 7.19(d, 3J = 11.2Hz, 4H), 7.33(m = 4H), 7.38(m, 8H), 7.41(m, 8H), 7.65(d, J = 4H), 7.75(m, 8H)。
【化３０】
2009046484.tif 000032
【００４７】
実施例４：化学式（１−８）で示される化合物の製造
【化３１】
2009046484.tif 000033
４，４−ジブロモベンゼンフェノン（３ｇ、８.８ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン（２.９７ｇ、１７.６ｍｍｏｌ）、［ｒａｃ−２，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１−ビナフチル］（０.２１７ｇ、０.３５ｍｍｏｌ）、ソジウム−tert−ブトキシド（２.０３ｇ、２１.１２ｍｍｏｌ）、パラジウム（II）アセテート（０.１２ｇ、０.５２８ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶かした後、１２時間窒素状態で還流した。反応終結後、メチレンクロライドと蒸留水を用いて有機層を抽出して乾燥した後、コラムクロマトグラフィー展開剤（メチレンクロライド）を利用して精製して、４，４’−（２−（４−ブロモフェニル）エテン−１，１−ジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルベンゼンアミン）を得た（収率６８％）。
1H NMR(CDCl3):[ppm]= 6.52(d, J = 8.8Hz, 8H), 6.58(m, 4H), 6.62(m, 4H), 7.01(m, 8H), 7.52(d, J = 4H)。
【００４８】
前記４，４’−（２−（４−ブロモフェニル）エテン−１，１−ジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルベンゼンアミン）（０.５４ｇ、０.８０６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ３０ｍｌに溶かした後、ｎ−ＢｕＬｉ（０.４８ｍｌ、０.９７ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加した後、１時間窒素雰囲気下で撹拌した。ここにクロロトリフェニルシラン（０.２８ｇ、０.９７ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加した後、再度１時間撹拌した後、０℃で３０分間追加的に撹拌した。撹拌が終わった後、メチレンクロライドと水を用いて有機層を抽出して乾燥した後、コラムクロマトグラフィー展開剤（メチレンクロライド：ヘキサン＝１：２）を利用して精製をして、最終化合物；化学式（１−８）を得た（収率４５％）。
1H NMR(CDCl3):[ppm]= 6.46(m, 12H), 6.62(m, 4H), 6.94(s, 1H), 7.05(m, 8H), 7.15(d, J = 4H), 7.32(m, 9H), 7.54(m, 10H)。
【化３２】
2009046484.tif 000034
【００４９】
実施例５：化学式（１−９）で示される化合物の製造
【化３３】
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ジ−ｐ−トリル−メタノン（４.５２ｇ、２１.５２ｍｍｏｌ）、（４−ブロモベンジル）−ホスホン酸ジエチルエステル（１２.４ｇ、１７.９４ｍｍｏｌ）、カリウム−tert−ブトキシド（２.４１ｇ、２１.５２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ５０ｍｌに溶かした後、窒素雰囲気下で８時間撹拌した。反応終結後、メチレンクロライドと蒸留水を用いて有機層を抽出して乾燥した後、コラムクロマトグラフィー展開剤（メチレンクロライド：ヘキサン＝２：１）を利用して精製をして、４，４’−（２−（４−ブロモフェニル）エテン−１，１−ジイル）ビスメチルベンゼンを得た（収率７４％）。
1H NMR(CDCl3):[ppm]= 2.32(s, 6H), 6.68(s, 1H), 7.10 (d, J = 8.4Hz, 4H), 7.31(d, J = 8.4Hz, 4H), 7.38(d, J = 8.8Hz, 2H), 7.42(J = 8.8Hz, 2H)。
【００５０】
前記４，４’−（２−（４−ブロモフェニル）エテン−１，１−ジイル）ビスメチルベンゼン（４.８２ｇ、１３.２７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ３０ｍｌに溶かした後、ｎ−ＢｕＬｉ（７.９６ｍｌ、１５.９３ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加し１時間窒素雰囲気下で撹拌した。撹拌後、ジフェニルジクロロシラン（１.２７ｍｌ、６.０３ｍｍｏｌ）を−７８℃で徐々に滴加し１時間撹拌した後、０℃で３０分間追加的に撹拌した。撹拌が終わった後、メチレンクロライドと蒸留水を用いて有機層を抽出して乾燥した後、コラムクロマトグラフィー展開剤（メチレンクロライド：ヘキサン＝１：３）を利用して精製をして、最終化合物；化学式（１−９）を得た（収率４８％）。
1H NMR(CDCl3):[ppm]= 2.31(s = 12H), 6.72(s, 2H), 7.06(J = 8.4Hz, 8H), 7.28(J = 8.4Hz, 8H), 7.38(m, 6H), 7.54(m = 12H)。
【化３４】
2009046484.tif 000036
【００５１】
実施例６：電気化学的蒸着
前記実施例１〜２で合成した化合物の電気化学的特性とＨＯＭＯ（最高被占）、ＬＵＭＯ（最底空）準位を見るためにＰｔ作業電極とＰｔカウンター電極、そしてＡｇ／Ａｇ+（０.１Ｍ）電極を基準電極としてＣＶ実験を行った。ＣＶは０.１Ｍ ＴＢＡＰＦ６を電解質としてＤＭＦ溶媒に溶かして常温で窒素ガスを吹きながらいろいろな測定速度を別にして実験した。測定された値はフェロセン（ferrocene）を基準に検定した。ＣＶを利用した電気化学的蒸着は１００ｍＶ／ｓの速度で行った。前記実施例１で合成された化合物のＣＶ図を図４及び図５に示した。
図４及び図５に示されているように全て電気化学的蒸着がされることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の化学式（１−１）の化合物を使用したＰＬスペクトルである。
【図２】本発明の化学式（１−２）の化合物を使用したＰＬスペクトルである。
【図３】本発明の化学式（１−８）の化合物を使用したＰＬスペクトルである。
【図４】本発明の実施例１である化学式（１−１）で示されるシリコン系化合物に電気化学的蒸着が行われることを示すサイクリックボルタモグラム（cyclic voltammogram）である。
【図５】本発明の実施例２である化学式（１−２）で示されるシリコン系化合物に電気化学的蒸着が行われることを示すサイクリックボルタモグラム（cyclic voltammogram）である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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