(57)【要約】【課題】活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体ウエハは、第１導電型の不純物を添加した第１クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第１の拡散抑止多層構造層と、第２導電型の不純物を添加した第２クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第２の拡散抑止多層構造層とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の不純物を添加した第１クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第１の拡散抑止多層構造層と、
第２導電型の不純物を添加した第２クラッド層と前記活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第２の拡散抑止多層構造層と
を備える半導体ウエハ。
【請求項２】
前記第１の拡散抑止多層構造層の厚さが、前記第２拡散抑止多層構造層の厚さより薄い請求項１に記載の半導体ウエハ。
【請求項３】
前記第１の拡散抑止多層構造層の前記複数の拡散抑止層が、前記活性層が発した光に対して透明な第１の拡散抑止層及び第２の拡散抑止層と、前記第１の拡散抑止層と前記第２の拡散抑止層とのヘテロ接合界面とから形成される複数のペア層を含んで形成され、
前記第２の拡散抑止多層構造層の前記複数の拡散抑止層は、前記活性層が発した光に対して透明な第１の拡散抑止層及び第２の拡散抑止層と、前記第１の拡散抑止層と前記第２の拡散抑止層とのヘテロ接合界面とから形成される複数のペア層を含んで形成される請求項１又は２に記載の半導体ウエハ。
【請求項４】
前記第１の拡散抑止多層構造層が有する前記複数の拡散抑止層の不純物濃度が、前記第１クラッド層の不純物濃度よりも低く、
前記第２の拡散抑止多層構造層が有する前記複数の拡散抑止層の不純物濃度が、前記第２クラッド層の不純物濃度よりも低い請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項５】
前記第１の拡散抑止多層構造層の膜厚と、前記第２の拡散抑止多層構造層の膜厚との合計の膜厚が、５０ｎｍから２０００ｎｍの範囲内である請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項６】
前記複数の拡散抑止層のそれぞれの膜厚が、３ｎｍから５００ｎｍの範囲内である請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成される第１導電型の不純物を添加した第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上方に形成される活性層と、
前記第１クラッド層と前記活性層との間に、複数の拡散抑止層を有して形成される第１の拡散抑止多層構造層と、
前記活性層の上方に形成される第２導電型の不純物を添加した第２クラッド層と、
前記第２クラッド層と前記活性層との間に、複数の前記拡散抑止層を有して形成される第２の拡散抑止多層構造層と、
を備える発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ及び発光装置に関する。特に、本発明は、高信頼性の発光装置用の半導体ウエハ及び高信頼性の発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）として、例えば、活性層側のｐ型クラッド層の一部をアンドープ層にするＬＥＤがある。このＬＥＤは、例えば、ｎ型半導体基板上に、ｎ型クラッド層と、アンドープ活性層と、ｐ型クラッド層と、ｐ型電流拡散層とを順次積層すると共に、ｐ型クラッド層の一部をアンドープ化した層を、アンドープ活性層とｐ型クラッド層との間に備える（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載のＬＥＤによれば、活性層とｐ型クラッド層との間に、ｐ型クラッド層の一部をアンドープ化したアンドープ層を設けることによって、ｐ型クラッド層のアクセプタが活性層に拡散することを抑制できる。これにより、アンドープ層がない場合に比べて活性層の結晶性が劣化することを防止できるので、発光効率の向上を図ることができる。
【０００４】
また、上記のＬＥＤを改良したＬＥＤとして、例えば、活性層とｐ型クラッド層との間に活性層が発する光に対して透明なそれぞれ異なる材料から形成される複数の層よりなる拡散抑止多層構造層を設けたＬＥＤがある。このＬＥＤは、例えば、ｎ型半導体基板上に、ｎ型クラッド層と、アンドープ活性層と、アンドープ活性層が発した光に対して透明なそれぞれ異なる材料からなる複数の層よりなる拡散抑止多層構造層と、ｐ型クラッド層と、ｐ型電流分散層とがこの順に順次積層されて形成される（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
特許文献２に記載のＬＥＤによれば、活性層とｐ型クラッド層との間に、アンドープ活性層が発した光に対して透明なそれぞれ異なる材料からなる複数の層よりなる拡散抑止多層構造層を備えるので、その異なる材料からなる層と層との間のヘテロ接合界面にてｐ型クラッド層のアクセプタを効率よくトラップできる。これにより、ｐ型クラッド層のアクセプタが活性層に拡散することを特許文献１に記載のＬＥＤに比べて更に抑制できる。
【特許文献１】特開平８−３２１６３３号公報
【特許文献２】特開２００６−１３５２１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載のＬＥＤでは、ｐ型クラッド層の一部をアンドープ化した層によって、アンドープ活性層へのアクセプタの拡散をある程度は抑制できるものの、アンドープ活性層へのアクセプタの拡散を十分には抑止しきれない。更に、特許文献２に記載のＬＥＤにおいては、当該ＬＥＤに樹脂モールドを施さない状態で、２５℃下、５０ｍＡ通電の条件を２４時間課した後に２０ｍＡの電流を供給したところ、ＬＥＤの発光出力は当該通電前の発光出力よりも低下することが判明した。より高信頼性のＬＥＤを提供するためには、この低下を抑制しなければならない。本発明者は、この発光出力の低下は発光出力にほとんど影響しないと考えられていたドナーの発光層への拡散にあることを発見した。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するため、第１導電型の不純物を添加した第１クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第１の拡散抑止多層構造層と、第２導電型の不純物を添加した第２クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第２の拡散抑止多層構造層とを備える半導体ウエハが提供される。
【０００９】
また、上記半導体ウエハは、第１の拡散抑止多層構造層の厚さが、第２拡散抑止多層構造層の厚さより薄くてもよい。また、第１の拡散抑止多層構造層の複数の拡散抑止層が、活性層が発した光に対して透明な第１の拡散抑止層及び第２の拡散抑止層と、第１の拡散抑止層と第２の拡散抑止層とのヘテロ接合界面とから形成される複数のペア層を含んで形成され、第２の拡散抑止多層構造層の複数の拡散抑止層は、活性層が発した光に対して透明な第１の拡散抑止層及び第２の拡散抑止層と、第１の拡散抑止層と第２の拡散抑止層とのヘテロ接合界面とから形成される複数のペア層を含んで形成されてもよい。
【００１０】
また、上記半導体ウエハは、第１の拡散抑止多層構造層が有する複数の拡散抑止層の不純物濃度が、第１クラッド層の不純物濃度よりも低く、第２の拡散抑止多層構造層が有する複数の拡散抑止層の不純物濃度が、第２クラッド層の不純物濃度よりも低くてもよい。また、第１の拡散抑止多層構造層の膜厚と、第２の拡散抑止多層構造層の膜厚との合計の膜厚が、５０ｎｍから２０００ｎｍの範囲内であってもよい。また、上記半導体ウエハは、複数の拡散抑止層のそれぞれの膜厚が、３ｎｍから５００ｎｍの範囲内であってもよい。
【００１１】
また、本発明は、上記目的を達成するため、基板と、基板上に形成される第１導電型の不純物を添加した第１クラッド層と、第１クラッド層の上方に形成される活性層と、第１クラッド層と活性層との間に、複数の拡散抑止層を有して形成される第１の拡散抑止多層構造層と、活性層の上方に形成される第２導電型の不純物を添加した第２クラッド層と、第２クラッド層と活性層との間に、複数の拡散抑止層を有して形成される第２の拡散抑止多層構造層とを備える発光装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［実施の形態］
図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置の断面を示す。
【００１４】
（発光装置１０の構成）
本実施形態に係る発光装置１０は、第１導電型としてのｎ型の導電性を有するｎ型半導体基板１００と、ｎ型半導体基板１００の上に形成されるバッファ層１１０と、バッファ層１１０の上に形成される反射層１２０と、反射層１２０の上に形成される第１クラッド層としてのｎ型クラッド層１３０と、ｎ型クラッド層１３０の上に形成され第１の拡散抑止多層構造層としての不純物（ドーパント）が添加されていないアンドープのｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａと、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａの上に形成され所定の波長の光を発する活性層１５０とを備える。
【００１５】
更に、発光装置１０は、活性層１５０の上に形成される第２導電型としてのｐ型の第２の拡散抑止多層構造層としてのアンドープのｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂと、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂの上に形成される第２クラッド層としてのｐ型クラッド層１３５と、ｐ型クラッド層１３５の上に形成される電流分散層１６０とを備える。
【００１６】
更に、発光装置１０は、電流分散層１６０のｐ型クラッド層１３５と接する面の反対の面の一部の領域に形成される上部電極１７０と、ｎ型半導体基板１００のバッファ層１１０が形成される面の反対の面の略全面に形成される下部電極１７５とを備える。
【００１７】
また、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａは、ｎ型クラッド層１３０に接して設けられる第１拡散抑止層１４１ａと、第１拡散抑止層１４１ａの上に形成される第２拡散抑止層１４２ａと、第２拡散抑止層１４２ａの上に形成される第３拡散抑止層１４３ａとを有する。そして、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａが有する複数の層はそれぞれ、不純物がドーピングされていないアンドープの層である。
【００１８】
ここで、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａは、第２拡散抑止層１４２（例えば、第２拡散抑止層１４２ａ）と第３拡散抑止層１４３（例えば、第３拡散抑止層１４３ａ）とを１つのペア層として、複数のペア層を有する。一例として、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａは、２つのペア層を有する。
【００１９】
同様にして、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂは、活性層１５０の上に形成される第３拡散抑止層１４３ｃと、第３拡散抑止層１４３ｃの上に形成される第２拡散抑止層１４２ｃとを１つのペア層として、複数のペア層を有すると共に、ｐ型クラッド層１３５の下側に、第１拡散抑止層１４１ｂを有する。一例として、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂは、２つのペア層を有する。なお、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂが有する複数のペア層は全て、不純物がドーピングされていない。なお、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａ及びｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂはそれぞれ、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から形成される。
【００２０】
本実施形態に係る発光装置１０は上面視にて略正方形に形成される。一例として、発光装置１０の平面寸法は、縦寸法及び横寸法がそれぞれ略３００μｍである。また、発光装置１０の厚さは、略２００μｍに形成される。
【００２１】
具体的に、導電性を有する半導体基板としてのｎ型半導体基板１００は、一例として、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｔｅ等のｎ型用のドーパントを少なくとも１つ、所定の濃度ドーピングしたｎ−ＧａＡｓ基板である。なお、本実施形態においてｎ型用のドーパントと記載した場合、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｔｅ等のｎ型用のドーパント（ドナー）を少なくとも１つ含むことを意味する。また、ｎ型半導体基板１００は、Ｓｉ基板から形成することもできる。更に、ｎ型半導体基板１００は、Ｇｅに置き換えて形成してもよい。また、ｎ型半導体基板１００の一の表面上に形成されるバッファ層１１０は、一例として、ｎ型用のドーパントを所定濃度ドーピングしたｎ−ＧａＡｓ層である。
【００２２】
ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａとｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂとの間に位置する活性層１５０は、ドーパントがドーピングされていない化合物半導体層の単層から形成される。一例として、波長６３０ｎｍの赤色光を含む光を発するＡｌＧａＩｎＰ層から形成される。
【００２３】
反射層１２０は、バッファ層１１０のｎ型半導体基板１００と接する面の反対側の面に形成され、活性層１５０が発する波長の光を反射する。反射層１２０は、屈折率がそれぞれ異なる複数の化合物半導体層から形成される分布ブラッグ反射層（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＤＢＲ層）である。すなわち、反射層１２０は、一の屈折率を示す第１の層と、他の屈折率を示す第２の層とを交互に積層した積層構造を有するＤＢＲ層である。なお、第１の層の膜厚と第２の層の膜厚とはそれぞれ、活性層１５０が発する光の波長の１／（４ｎ）（ｎは第１の層又は第２の層の屈折率）である。
【００２４】
一例として、第１の層はＡｌＩｎＰ層から形成することができ、第２の層はＡｌＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）層から形成することができる。また、第１の層をＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ層（０≦ｘ≦１）から形成すると共に、第２の層をＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層（ｘ≠ｙ、０≦ｙ≦１）から形成することもできる。
【００２５】
ｎ型クラッド層１３０は、反射層１２０の上に形成される。ｎ型クラッド層１３０は、一例として、ｎ型用のドーパントを所定濃度ドーピングしたｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層である。そして、ｎ型クラッド層１３０の反射層１２０と接している面の反対側の面に、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａが形成される。
【００２６】
ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａは、ドーパントがドープされていない複数の化合物半導体層の積層構造を有する。具体的に、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａは、アンドープの第１拡散抑止層１４１ａの上に、アンドープの第２拡散抑止層１４２ａとアンドープの第３拡散抑止層１４３ａとを含む第１のペア層と、アンドープの第２拡散抑止層１４２ｂとアンドープの第３拡散抑止層１４３ｂとを含む第２のペア層とを有する。各ペア層が含む第２拡散抑止層１４２（例えば、第２拡散抑止層１４２ａ）と第３拡散抑止層１４３（例えば、第３拡散抑止層１４３ａ）とはそれぞれ、不十分物がドーピングされていない化合物半導体材料であって、それぞれ異なる化合物半導体材料から形成される。
【００２７】
なお、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａは、ｎ型クラッド層１３０のドーパントの濃度よりも低い濃度のドーパントが添加された複数の化合物半導体層の積層構造から形成することもできる。また、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａは、アンドープの化合物半導体と、ｎ型クラッド層１３０のドーパントの濃度よりも低い濃度のドーパントが添加された化合物半導体との積層構造から形成することもできる。更に、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａは、第１のペア層と第２のペア層とに加えて、他のペア層を含んで形成することもできる。
【００２８】
ここで、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａが有する複数の化合物半導体層はそれぞれ、活性層１５０が発した波長の光に対して透明な材料から形成される。
【００２９】
例えば、活性層１５０が発する光の波長６３０ｎｍに対して透明な材料として、第１拡散抑止層１４１ａは、アンドープ−ＡｌＧａＩｎＰ層から形成することができる（以下、アンドープをｕｎと記す）。また、第２拡散抑止層１４２ａ及び第２拡散抑止層１４２ｂはそれぞれ、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層から形成することができ、第３拡散抑止層１４３ａ及び第３拡散抑止層１４３ｂはそれぞれ、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層から形成することができる。
【００３０】
ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂは、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａと同様に形成される。すなわち、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂは、活性層１５０の上に、アンドープの第３拡散抑止層１４３ｃと第２拡散抑止層１４２ｃとの第３のペア層が形成される。そして、第３のペア層の上に、第４のペア層として、第３拡散抑止層１４３ｄと第２拡散抑止層１４２ｄとが形成される。更に、第４のペア層の上に、第１拡散抑止層１４１ｂが形成される。
【００３１】
なお、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂは、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａと同様に、ｐ型クラッド層１３５のドーパントの濃度よりも低い濃度のドーパントが添加された複数の化合物半導体層の積層構造や、アンドープの化合物半導体とｐ型クラッド層１３５のドーパントの濃度よりも低い濃度のドーパントが添加された化合物半導体との積層構造から形成することもできる。
【００３２】
更に、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂについてもｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａと同様に、活性層１５０が発した波長の光に対して透明な材料から形成される。例えば、第１拡散抑止層１４１ｂ、並びに第３拡散抑止層１４３ｃ及び第３拡散抑止層１４３ｄは、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層から形成することができ、第２拡散抑止層１４２ｃ及び第２拡散抑止層１４２ｄはそれぞれ、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層から形成することができる。
【００３３】
ｐ型クラッド層１３５は、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂの上に形成され、一例として、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｂｅ等のｐ型用のドーパント（アクセプタ）を所定濃度ドーピングしたｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層である。なお、本実施形態においてｐ型用のドーパントと記載した場合、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｂｅ等のｐ型用のドーパントを少なくとも１つ含むことを意味する。そして、電流分散層１６０はｐ型クラッド層１３５の上に形成される。電流分散層１６０は、一例として、ｐ型用のドーパントを所定濃度ドーピングしたｐ−ＧａＰ層から形成される。
【００３４】
上部電極１７０は、上面視にて略円形状を有すると共に、電流分散層１６０と電気的に接合する。上部電極１７０は、一例として、Ａｕ及びＺｎを含む金属材料から形成される。そして、上部電極１７０は、一例として、上面視での直径が１２０μｍの略円形に形成される。また、下部電極１７５は、ｎ型半導体基板１００のバッファ層１１０が形成されている面の反対側の全面において、ｎ型半導体基板１００と電気的に接合する。下部電極１７５は、一例として、Ａｕ、Ｇｅ、及びＮｉを含む金属材料から形成される。
【００３５】
このような構成を備える発光装置１０は、波長６３０ｎｍの光を含む赤色光を発するＬＥＤである。例えば、発光装置１０は、順方向電流が２０ｍＡの場合におけるピーク波長が６３０ｎｍの光を発する赤色ＬＥＤである。一例として、発光装置１０は、交通用信号、自動車のブレーキランプ、フォグランプ、表示用デバイス等に用いることができる。
【００３６】
ここで、ｎ型導体基板１００の上に形成されるバッファ層１１０等の複数の化合物半導体の層は、例えば、有機金属気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＯＶＰＥ）によって形成することができる。なお、ｎ型半導体基板１００の上の複数の化合物半導体の層は、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）又はハライド気相エピタキシー法（Ｈａｌｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等を用いて形成することもできる。
【００３７】
なお、ｎ型のバッファ層１１０と、ｎ型の反射層１２０と、ｎ型クラッド層１３０とのそれぞれにドーピングするｎ型のドーパントは１種類に限られず、２種類以上であってもよい。同様に、ｐ型クラッド層１３５と、ｐ型の電流分散層１６０とにそれぞれドーピングするｐ型のドーパントも１種類に限られず、２種類以上であってもよい。
【００３８】
また、ｐ型クラッド層１３５のｐ型のドーパントがＺｎである場合、ドーパントが活性層１５０へ拡散することを抑止するには、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂが有する第２拡散抑止層１４２ｃ、１４２ｄのバンドギャップの値と第３拡散抑止層１４３ｃ、１４３ｄのバンドギャップの値との差は所定値以上であることが好ましい。更には、第２拡散抑止層１４２ｃ、１４２ｄを形成する材料の組成と第３拡散抑止層１４３ｃ、１４３ｄを形成する材料の組成とが異なっていることが望ましい。これは、第２拡散抑止層１４２ｃ、１４２ｄと第３拡散抑止層１４３ｃ、１４３ｄとが異種の材料で形成されている方が、同種の材料で形成されている場合よりもドーパントが活性層１５０に拡散し難いからである。
【００３９】
ここで、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａ、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂを形成する材料は、活性層１５０が発する光に対して透明であることが望ましい。活性層１５０が発する光を吸収するような材料でｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａ、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂを形成すると、発光出力が低下するからである。よって、本実施形態のように波長６３０ｎｍの光を含む赤色光を発する活性層１５０を用いる場合、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａ、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂを形成する材料は、（Ａｌ０．１０Ｇａ０．９０）０．５Ｉｎ０．５ＰからＡｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐの範囲内の化合物半導体層と、Ａｌ０．４ＧａＡｓからＡｌＡｓの範囲内の化合物半導体層とを用いることが好ましい。
【００４０】
また、活性層１５０は、単一量子井戸又は多重量子井戸構造を含んで形成することもできる。そして、活性層１５０が発する光の波長は上記の実施の形態に係る波長に限定されない。すなわち、活性層１５０の構造を制御して、橙色光、黄色光等の波長を含む所定の波長範囲の光を発する活性層１５０を形成することもできる。また、ｎ型半導体基板１００上に形成される反射層１２０がｎ型半導体基板１００との格子整合を保持して形成することができる限り、バッファ層１１０を設けなくてもよい。
【００４１】
また、反射層１２０であるＤＢＲ層は、活性層１５０が発する光の波長に応じて所定の反射率を有するように形成することができる。この場合、ＤＢＲ層が含む第１の層と第２の層のそれぞれの屈折率、及び第１の層と第２の層とからなるペア数を適宜変更して、所定の反射率を示すＤＢＲ層を形成できる。また、反射層１２０は、活性層１５０が発する光の波長に対して所定の反射率を有する金属材料から形成される金属層であってもよい。金属層としての反射層１２０は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、又はＡｌを含んで形成することができる。
【００４２】
また、電流分散層１６０の上に、電流分散層１６０のドーパントの濃度よりも高いドーパントの濃度を有するｐ型のコンタクト層を更に形成することもできる。そして、上部電極１７０の形状は上記の実施の形態に限られない。一例として、上部電極１７０は、枝つきの形状、又は四角形、ひし形等の多角形状に形成することもできる。
【００４３】
（発光装置１０の製造方法）
図２は、本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程の流れを示す。
【００４４】
まず、略円形状のｎ型半導体基板１００の上に、バッファ層１１０と、反射層１２０と、ｎ型クラッド層１３０と、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａと、活性層１５０と、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂと、ｐ型クラッド層１３５と、電流分散層１６０とを、ＭＯＶＰＥを用いてこの順に順次エピタキシャル成長して形成する（Ｓ１００）。これにより、ｎ型半導体基板１００の上に複数の化合物半導体の層である化合物半導体積層構造が形成された半導体ウエハとしてのエピタキシャルウエハが形成される。
【００４５】
次に、フォトリソグラフィー法及び真空蒸着法を用いて、電流分散層１６０の上面の所定の領域に上部電極１７０を形成する。そして、上部電極１７０と電流分散層１６０との間の電気的接合を形成することを目的として、所定の雰囲気下、所定温度で合金化処理を施す。続いて、ｎ型半導体基板１００の化合物半導体積層構造が形成されていない面の全面に、真空蒸着法を用いて下部電極１７５を形成する。そして、下部電極１７５とｎ型半導体基板１００との間の電気的接合を形成することを目的として、所定の雰囲気下、所定温度で合金化処理を施す（Ｓ１１０）。これにより、電極付エピタキシャルウエハが形成される。
【００４６】
次に、電極付エピタキシャルウエハを、ダイシングマシーンを用いて、所定形状を有する複数の素子に分離する。具体的には、電極付エピタキシャルウエハから、略３００μｍ角の略四角形状の複数の素子を発光装置１０として切り出す（Ｓ１２０）。なお、電極付エピタキシャルウエハから複数の素子を切り出した後、ダイシング時に素子端面に生じたダイシングダメージを除去することを目的として、複数の素子の端面にエッチング等の表面処理を施してもよい。これにより、エピタキシャルウエハから複数の発光装置１０が形成される。
【００４７】
次に、複数の発光装置１０のそれぞれを、Ｃｕ等の金属材料から形成されたステムに、Ａｇペースト等の導電性接着剤を用いて搭載する（ダイボンディング）。具体的には、発光装置１０の下部電極１７５の側を、ステムの素子搭載面側に向けて発光装置１０をステムに搭載する。そして、発光装置１０の上部電極１７０とステムに予め設けられた上部電極に電力を供給する端子とを、Ａｕ等の金属材料から形成されたワイヤーで接続する（Ｓ１３０）。
【００４８】
そして、ステムに搭載された発光装置１０について、発光波長、発光光量等の素子特性の評価を実施する（Ｓ１４０）。続いて、所定の温度環境下において、ステムに搭載された発光装置１０に所定値の電流を所定時間、通電して、信頼性の評価を実施する（Ｓ１５０）。
【００４９】
（実施例１）
図３は、本発明の実施例１に係る発光装置の断面を示す。
【００５０】
本発明の第１の実施例に係る発光装置２０は、ｎ−ＧａＡｓ基板２００と、ｎ−ＧａＡｓ基板２００の上に形成されるｎ−ＧａＡｓバッファ層２１０と、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２１０の上に形成されるｎ−ＤＢＲ層２２０と、ｎ−ＤＢＲ層２２０の上に形成されるｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａと、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａの上に形成されるｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５０と、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５０の上に形成されるｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂと、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂのうえに形成されるｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３５の上に形成されるｐ−ＧａＰ電流分散層２６０とを備える。
【００５１】
更に、発光装置２０は、ｐ−ＧａＰ電流分散層２６０の表面の所定の領域に形成される上部電極２７０と、ｎ−ＧａＡｓ基板２００のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１０が形成されている面の反対側の略全面に形成される下部電極２７５とを備える。ｎ−ＧａＡｓ基板２００の上に形成されるｎ−ＧａＡｓバッファ層２１０等の化合物半導体の層は、ＭＯＶＰＥを用いて形成した。ＭＯＶＰＥを用いたエピタキシャル成長は、成長温度７００℃、成長圧力５０Ｔｏｒｒで実施した。なお、各化合物半導体層の成長速度を０．３ｎｍ／ｓから１．０ｎｍ／ｓに設定すると共に、Ｖ／ＩＩＩ比を５０から２００に設定してＭＯＶＰＥによるエピタキシャル成長を実施した。
【００５２】
まず、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２１０として、１×１０１８ｃｍ−３のＳｅをドープしたｎ−ＧａＡｓ層を４００ｎｍの厚さでｎ−ＧａＡｓ基板２００上に形成した。続いて、５０ｎｍ厚のＡｌＩｎＰと４０ｎｍ厚のＡｌＧａＡｓとを１つのペアとして、このペアを１５ペア積層してｎ−ＤＢＲ層２２０を形成した。次に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３０として、１×１０１８ｃｍ−３のＳｅをドープしたｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を４００ｎｍの厚さで形成した。
【００５３】
次に、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａのｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４１ａとして、ｕｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を１００ｎｍの厚さで形成した。次に、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層２４２ａとして、ｕｎ−Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を２０ｎｍの厚さで、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４３ａとして、ｕｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を２０ｎｍの厚さで形成した。これに続き、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層２４２ｂとｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４３ｂとを、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層２４２ａ及びｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４３ａと同様にして形成した。
【００５４】
次に、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５０として、ｕｎ−（Ａｌ０．１０Ｇａ０．９０）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を５００ｎｍの厚さで形成した。
【００５５】
そして、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５０の形成に続き、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂのｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４３ｃとして、ｕｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を５０ｎｍの厚さで形成した。次に、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層２４２ｃとして、ｕｎ−Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を５０ｎｍの厚さで形成した。次に、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４３ｄとして、ｕｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を２０ｎｍの厚さで、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層２４２ｄとして、ｕｎ−Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を２０ｎｍの厚さで形成した。そして、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂのｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４１ｂとして、ｕｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を１００ｎｍの厚さで形成した。
【００５６】
次に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３５として、５×１０１７ｃｍ−３のＺｎをドープしたｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を４００ｎｍの厚さで形成した。これに続き、ｐ−ＧａＰ電流分散層２６０として、３×１０１８ｃｍ−３のＺｎをドープしたｐ−ＧａＰ層を１００００ｎｍの厚さで形成した。これにより、半導体ウエハとしてのエピタキシャルウエハが形成された。
【００５７】
なお、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａが有する各層の膜厚の合計膜厚は１８０ｎｍであり、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂが有する各層の膜厚の合計膜厚は２４０ｎｍとなる。すなわち、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａの膜厚は、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂの膜厚よりも薄く形成される。また、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａの膜厚とｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂの膜厚との合計膜厚は４２０ｎｍであり、５００ｎｍに満たない。
【００５８】
続いて、ｐ−ＧａＰ電流分散層２６０の表面上に、上面視にて略円形を有する上部電極２７０（直径：略１２０μｍ）を形成すると共に、ｎ−ＧａＡｓ基板２００のエピタキシャル成長層とは反対側の表面の略全面に下部電極２７５を形成した。これにより、電極付エピタキシャルウエハが形成された。
【００５９】
そして、電極付エピタキシャルウエハを、上部電極２７０が中心に位置するように、略３００μｍ角に切断した。これにより、発光装置２０が得られた。そして、得られた発光装置２０をＴＯ−１８ステム上にダイボンディングした。更に、ステムに搭載された発光装置２０の上部電極２７０に対して、ワイヤボンディングを施した。
【００６０】
このようにして形成された発光装置２０の発光出力は、樹脂モールドを施さない状態、すなわちベアチップの状態において２０ｍＡの電流を供給したときに２．１ｍＷであった。更に、発光装置２０に樹脂モールドを施さない状態で、２５℃下、５０ｍＡ通電の条件でエージングして、信頼性試験を実施した。通電を開始して２４時間経過後、発光装置２０に２０ｍＡの電流を供給したところ、発光装置２０の発光出力は通電前と変化しなかった（相対出力：１００％以上）。
【００６１】
図４は、本発明の実施例１に係る発光装置のｎ側拡散抑止多層構造層及びｐ側拡散抑止多層構造層のそれぞれが有する各層の膜厚（単層膜厚）に対する相対出力の関係を示す。
【００６２】
ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａが有するｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４１ａ、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層２４２ａ、２４２ｂ、及びｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４３ａ、２４３ｂそれぞれの膜厚、並びに、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂが有するｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４１ｂ、ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層２４２ｃ、２４２ｄ、及びｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層２４３ｃ、２４３ｄそれぞれの膜厚は、所定の膜厚に制御されて形成される。
【００６３】
すなわち、これらの層の膜厚が所定値以下だとドーパントが拡散することを抑止する効果が薄れる一方で、これらの膜厚が所定値を超えるとドーパントが拡散することを抑止する効果の大幅な向上は望めない。このような観点からの検討の結果より、本発明者は、発光装置２０の信頼性の向上の観点からは、これらの層の膜厚は以下の膜厚の範囲で形成することが好ましいという知見を得た。
【００６４】
具体的には、図４に示すように、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａ及びｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂがそれぞれ有する各層の膜厚が３ｎｍから４００ｎｍまでは、発光装置２０の相対出力は略１００％以上であった。また、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａ及びｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂがそれぞれ有する各層の膜厚が５００ｎｍの場合、相対出力は約９８％であり、１０００ｎｍの場合約９２％であった。
【００６５】
以上の結果から、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａ及びｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂがそれぞれ有する各層の膜厚は、各層を安定して形成できる最小限の厚さである３ｎｍから５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、また、３ｎｍからヘテロ障壁の数の減少を防止することのできる１００ｎｍの範囲内であることがより好ましいという知見を得た。
【００６６】
換言すると、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａの厚さを一定とした場合に、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａ中に含まれるヘテロ障壁の数の減少を防止することを目的として、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａが有する複数の層は、それぞれの厚さが所定の厚さの範囲内となるように形成される。なお、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂにおいても、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂに含まれるヘテロ障壁の数の減少を防止することを目的として、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂが有する複数の層は、それぞれの厚さが所定の厚さの範囲内となるように形成される。
【００６７】
また、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａ、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂが有する各層の合計の膜厚が厚いほど、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５０が発する光の発光効率が向上すると共に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３５のドーパント及びｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３０のドーパントがｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５０への拡散を抑止できるので、発光装置２０の信頼性は向上する。
【００６８】
図５は、本発明の実施例１に係る発光装置のｎ側拡散抑止多層構造層及びｐ側拡散抑止多層構造層の総膜厚に対する相対出力の関係を示す。
【００６９】
拡散抑止多層構造層が有する各層の合計の膜厚が所定値を超えると、発光装置２０の発光出力及び信頼性の大幅な向上は望めない。また、各層の合計の膜厚が厚いほど製造コストも増大する。このような観点からの検討の結果より、本発明者は、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａ、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂが有する各層の合計の膜厚が５０ｎｍから２０００ｎｍが適しているという知見を得た。
【００７０】
すなわち、図５に示すように、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａの総膜厚又はｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂの総膜厚が５０ｎｍである場合、発光装置２０の相対出力は約９９％であり、総膜厚が５０ｎｍ以上である場合は、発光装置２０の相対出力は１００％以上であるという知見を得た。また、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａの総膜厚又はｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂの総膜厚が５０ｎｍ未満である場合は、発光装置２０の相対出力が急激に減少するという知見を得た。
【００７１】
なお、図示しないが、ｐ型のドーパントをＭｇに変え、他の構成は実施例１に係る発光装置２０と略同一の構成を備える発光装置（実施例２）も作成した。実施例２に係る発光装置において実施例１と同様に信頼性試験を実施したところ、実施例１に係る発光装置２０と同様の結果が得られた。
【００７２】
更に、図示しないが、ｐ型のドーパントをＭｇにすると共に、ｎ型のドーパントをＴｅに変え、他の構成は実施例１に係る発光装置２０と略同一の構成を備える発光装置（実施例３）も作成した。実施例３に係る発光装置において実施例１と同様に信頼性試験を実施したところ、実施例１に係る発光装置２０と同様の結果が得られた。
【００７３】
（比較例１）
図６は、比較例に係る発光装置の断面を示す。
【００７４】
比較例１に係る発光装置３０は、実施例１に係る発光装置２０とは、ｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａ及びｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂがない点を除き、略同一の構成を有する。したがって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００７５】
発光装置３０は、ｎ−ＧａＡｓ基板３００上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層３１０と、ｎ−ＤＢＲ層３２０と、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３０と、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５０と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３５と、ｐ−ＧａＰ電流分散層３６０とをこの順に備える。
【００７６】
発光装置３０の発光出力は、樹脂モールドを施さない状態、すなわちベアチップの状態において２０ｍＡの電流を供給したときに１．１ｍＷであり、実施例１に係る発光装置２０の場合の約半分であった。これは、比較例１に係る発光装置３０は、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５０が発した光に対して透明な拡散抑止多層構造層を有していないので、実施の形態及び実施例に係る発光装置と比べて光取り出し効率が向上していないためである。更に、発光装置３０に樹脂モールを施さない状態で、２５℃下、５０ｍＡ通電の条件でエージングした。通電を開始して２４時間経過後、発光装置３０に２０ｍＡの電流を供給したところ、発光装置３０の発光出力は通電前より低下した（相対出力：６０％）。
【００７７】
これは、比較例１に係る発光装置３０においては、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３５に含まれるドーパントが、エピタキシャル成長中及び通電試験中にｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５０に拡散して、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５０中に欠陥が生成することに起因する。すなわち、生成した欠陥によって発光装置３０の発光出力が低下したものである。これにより、比較例に係る発光装置３０の信頼性は十分ではないことが分かる。
【００７８】
（比較例２）
図示しないが、比較例２においては、比較例１に係る発光装置３０において、５ｎｍから２００ｎｍのｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層を、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５０とｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３５との間に設けた。このような構成を有する発光装置３０においては、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３５のドーパントがｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５０への拡散を完全には抑止することができず、信頼性の向上には限界があった。
【００７９】
（実施の形態及び実施例の効果）
本発明の実施の形態及び実施例に係る発光装置は、ｐ型クラッド層１３５と活性層１５０との間に複数の異なるアンドープ拡散抑止層が交互に形成されたｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂを設けると共に、ｎ型クラッド層１３０と活性層１５０との間にｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂと同様な構造を有するｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａを設けるので、ｐ型及びｎ型のドーパントが活性層１５０に拡散することを効率よく抑制できる。これにより、ｐ型及びｎ型のドーパントが活性層１５０内に拡散して活性層１５０内に欠陥が発生することを抑制できるので、活性層１５０の劣化を防止でき、発光出力及び信頼性が向上した発光装置を容易に提供できる。
【００８０】
また、第１の材料から形成される第１の化合物半導体層と第２の材料から形成される第２の化合物半導体層とを接合させた場合、第１の化合物半導体層又は第２の化合物半導体層の外側から拡散してきたｐ型又はｎ型のドーパントが、接合界面としてのヘテロ接合界面で抑制又はトラップされる。本発明の実施の形態及び実施例に係る発光装置は、異なる材料からそれぞれ形成される複数の拡散抑止層を有するｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａ、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂを備え、ｎ側拡散抑止多層構造層１４０ａ、ｐ側拡散抑止多層構造層１４０ｂはそれぞれ複数のへテロ接合界面を有する。これにより、複数のヘテロ接合界面においてｐ型又はｎ型のドーパントの拡散を効率よく抑制・トラップできるので、信頼性が向上した発光装置を提供できる。
【００８１】
また、本発明の実施の形態及び実施例に係る発光装置は、２種類以上の異なる材料からなる複数の拡散抑止層を有するｎ側拡散抑止多層構造層２４０ａ、ｐ側拡散抑止多層構造層２４０ｂを備えているので、単層からなる拡散抑止層を備える場合に比べて、複数のヘテロ接合界面においてｐ型又はｎ型のドーパントの拡散を効率よく抑制・トラップできる。これにより、拡散抑止多層構造層が有する各層の合計膜厚が単層からなる拡散抑止層より薄い場合であっても、信頼性が向上した発光装置を提供できる。
【００８２】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図２】実施の形態に係る発光装置の製造工程のフローチャートである。
【図３】実施例１に係る発光装置の断面図である。
【図４】実施例１に係る発光装置のｎ側拡散抑止多層構造層及びｐ側拡散抑止多層構造層のそれぞれが有する各層の膜厚（単層膜厚）に対する相対出力の関係を示す図である。
【図５】実施例１に係る発光装置のｎ側拡散抑止多層構造層及びｐ側拡散抑止多層構造層の総膜厚に対する相対出力の関係を示す図である。
【図６】比較例１に係る発光装置の断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０、２０、３０  発光装置
１００  ｎ型半導体基板
１１０  バッファ層
１２０  反射層
１３０  ｎ型クラッド層
１３５  ｐ型クラッド層
１４０ａ、２４０ａ  ｎ側拡散抑止多層構造層
１４０ｂ、２４０ｂ  ｐ側拡散抑止多層構造層
１４１ａ、１４１ｂ  第１拡散抑止層
１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃ、１４２ｄ  第２拡散抑止層
１４３ａ、１４３ｂ、１４３ｃ、１４３ｄ  第３拡散抑止層
１５０  活性層
１６０  電流分散層
１７０  上部電極
１７５  下部電極
２００、３００  ｎ−ＧａＡｓ基板
２１０、３１０  ｎ−ＧａＡｓバッファ層
２２０、３２０  ｎ−ＤＢＲ層
２３０、３３０  ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２３５、３３５  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２４１ａ、２４１ｂ  ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層
２４２ａ、２４２ｂ、２４２ｃ、２４２ｄ  ｕｎ−ＡｌＩｎＰ層
２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ  ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層
２５０、３５０  ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰ活性層
２６０、３６０  ｐ−ＧａＰ電流分散層
２７０、３７０  上部電極
２７５、３７５  下部電極
【図１】
2009076535.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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