(57)【要約】【課題】アクティブマトリクス回路を採用しても着色粒子などの移動材の凝集を十分に抑制することである。【解決手段】着色粒子に対して各画素ごとにそれぞれ印加される駆動電圧Ｖｄを制御するためのアクティブマトリクス回路は、各画素に対してそれぞれ設けられたＴＦＴ１００１がアクティブ状態のときには駆動電圧ＶｄをＴＦＴが設けられた画素に対応する着色粒子に印加し、非アクティブ状態のときには駆動電圧を着色粒子に印加しないように動作する。このアクティブマトリクス回路は、各ＴＦＴをアクティブ状態と非アクティブ状態のいずれかに変化させる状態選択信号Ｖｇに高周波信号が付加され、かつ、各ＴＦＴに入力された状態選択信号に付加された高周波成分が各着色粒子に印加されるように、構成されている。【選択図】図４
2009042592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動材を移動させることにより表示画像を構成する複数の画素それぞれの表示状態が変化する表示部と、
移動材に対して各画素ごとにそれぞれ印加される駆動電圧を制御するためのアクティブマトリクス回路を有する回路部とを備えた画像表示装置において、
上記アクティブマトリクス回路は、各画素に対してそれぞれ設けられたアクティブ素子がアクティブ状態のときには駆動電圧を該アクティブ素子が設けられた画素に対応する移動材に印加し、非アクティブ状態のときには駆動電圧を該移動材に印加しないように動作するものであり、
各アクティブ素子をアクティブ状態と非アクティブ状態のいずれかに変化させる状態選択信号に交流成分が付加され、かつ、各アクティブ素子に入力された状態選択信号に付加された交流成分が移動材に印加されるように、該アクティブマトリクス回路を構成したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１の画像表示装置において、
少なくとも、上記状態選択信号が上記アクティブ素子をアクティブ状態にするためのアクティブ状態選択信号であるときに、上記交流成分を該状態選択信号に付加することを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１の画像表示装置において、
少なくとも、上記状態選択信号が上記アクティブ素子を非アクティブ状態にするための非アクティブ状態選択信号であるときに、上記交流成分を該状態選択信号に付加することを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１の画像表示装置において、
上記状態選択信号が上記アクティブ素子をアクティブ状態にするためのアクティブ状態選択信号になる直前の所定期間、若しくは、該状態選択信号が該アクティブ素子を非アクティブ状態にするための非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間、又は、その両方の期間に、上記交流成分を該状態選択信号に付加し、該状態選択信号が非アクティブ状態選択信号である残りの期間には該交流成分を該状態選択信号に付加しないことを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項４の画像表示装置において、
上記状態選択信号が上記非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間に上記交流成分を該状態選択信号に付加する場合の該所定期間は、該状態選択信号が該非アクティブ状態選択信号になった直後からの上記移動材の電位低下により該交流成分によって該移動材の電位極性が反転する時期よりも前に終了することを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項４の画像表示装置において、
上記状態選択信号が上記非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間に上記交流成分を該状態選択信号に付加する場合、該所定期間中に該状態選択信号に付加された交流成分の振幅を徐々に小さくすることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像表示装置において、
上記アクティブマトリクス回路の動作停止中は、交流成分が各移動材に印加されないように構成したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像表示装置において、
上記アクティブ素子は電界効果トランジスタであり、上記状態選択信号はゲート端子に入力することを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
請求項８の画像表示装置において、
上記電界効果トランジスタは薄膜トランジスタであることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示画像を構成する複数の画素ごとに配置された各移動材にそれぞれ印加される駆動電圧を制御するためのアクティブマトリクス回路を備えた、電子ペーパー、フレキシブル表示装置、電子本、可搬型表示装置などの画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１や特許文献２には、透明な表示基板と背面基板との間の各画素対応部分に着色粒子（移動材）を封入し、各画素対応部分の着色粒子を個別に移動させることで表示画像を切り替えることが可能な画像表示装置が開示されている。この画像表示装置では、基板間の各画素部分に印加する各駆動電圧を個々に制御して着色粒子に作用する電界を変化させて、着色粒子を移動させる。ここで、基板間に封入された着色粒子は画像表示を繰り返していくうちに、特に長時間の一方向の駆動電圧を継続して印加し続けると、徐々に着色粒子同士が凝集する。このように着色粒子同士が凝集すると電界変化の応答性が悪化するため、高速な表示切り替えができなくなるといった問題が生じる。上記特許文献１や上記特許文献２の画像表示装置では、この問題に対し、周波数が２０Ｈｚ以上２０ｋＨｚ以下の交番電圧である駆動電圧を用いることで対処している。すなわち、このような駆動電圧を用いることで着色粒子に交番電界が作用し、動き易い着色粒子が往復移動して動き難い着色粒子や凝集した着色粒子に衝突し、これにより着色粒子の凝集が抑制される。また、このような駆動電圧を用いると着色粒子の流動性が向上し、電界変化の応答性が向上するため、高速な表示切り替えが可能となるという効果もある。また、駆動電圧が印加されている間に電圧変化がない場合にヒステリシス現象が発生して正常なハーフトーン表示ができないという不具合があるが、交番電圧からなる駆動電圧を用いることでヒステリシス現象をキャンセルでき、安定して正常なハーフトーン表示を維持できる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−５２２７号公報
【特許文献２】特開２００３−３２２８８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１や上記特許文献２に記載の画像表示装置は、いわゆる単純マトリクス型の駆動回路を利用したものであるが、この駆動回路に比べて駆動速度を高めやすい等の利点があるアクティブマトリクス型の駆動回路（アクティブマトリクス回路）を利用することも考えられる。
【０００５】
図１１は、アクティブマトリクス回路を用いた回路部の一部（４画素分）を拡大した模式図である。
図中縦方向に延びる信号ラインを選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍとし、図中横方向に延びる信号ラインを信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎとする。図示された４つの画素の座標（選択線番号，信号線番号）は、それぞれ、（ｍ−１，ｎ−１）、（ｍ−１，ｎ）、（ｍ，ｎ−１）、（ｍ，ｎ）である。以下、（ｍ，ｎ）の画素を例に挙げて画素の構成について説明する。アースに接続されている共通電極１００６と、これに対向して配置される画素電極１００５との間には、移動材としての電気泳動材である着色粒子１０１４が配置されている。本例では、所定極性に帯電した着色粒子１０１４を移動させることで、表示面側の各画素の色や濃度（明るさ）などを調整して、画像を表示する。また、画素電極１００５には、アクティブ素子としての電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）１００１のソース端子が接続されている。このＴＦＴ１００１は、そのドレイン端子に信号線ｎが接続されており、そのゲート端子に選択線ｍが接続されている。
【０００６】
このようなアクティブマトリクス回路においては、各画素の電極１００５，１００６間に発生させる電界の向きを信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎに印加する駆動電圧の正負により決定する。また、どの画素について駆動電圧の印加を可能とするかは、どの選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍにアクティブ状態選択信号を送るかによって制御する。すなわち、例えば（ｍ，ｎ）の画素において、選択線ｍにアクティブ状態選択信号を印加すると、そのアクティブ状態選択信号がＴＦＴ１００１のゲート端子に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎを通じてＴＦＴ１００１のドレイン端子に印加される駆動電圧が、ソース端子に接続された画素電極１００５に印加される。一方、選択線ｍに非アクティブ状態選択信号を印加すると、その非アクティブ状態選択信号がＴＦＴ１００１のゲート端子に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＦＦ状態（非アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎから駆動電圧がＴＦＴ１００１のドレイン端子に印加されても、ソース端子に接続された画素電極１００５には駆動電圧が印加されない。
【０００７】
このようなアクティブマトリクス回路を利用した画像表示装置においても、長時間の一方向の電圧が継続して印加される等の状況下では、着色粒子１０１４が互いに凝集してしまい、電界変化の応答性が悪化するなどの問題が生じる。この問題に対し、上述した特許文献１や特許文献２に記載の画像表示装置のように駆動電圧に交番電圧を重畳させるなど、駆動電圧に交流成分を付加することにより、着色粒子１０１４を微小移動させることで、着色粒子１０１４の凝集を抑制するという解決方法が考えられる。以下、その解決方法の一例について説明する。
【０００８】
図１２は、３つの選択線ｍ−１，ｍ，ｍ＋１と１つの信号線ｎに印加される信号波形を示すグラフである。
信号線ｎには、選択線ｍ−１，ｍ，ｍ＋１に印加されるアクティブ状態選択信号（−Ｖｇ）の各タイミングに合わせて、３つの画素（ｍ−１，ｎ），（ｍ，ｎ），（ｍ＋１，ｎ）にそれぞれ正負の駆動電圧（＋Ｖｄ，−Ｖｄ）のいずれかが印加される。本例では、図示のとおり、駆動電圧を高速でＯＮ／ＯＦＦさせることで駆動電圧に交流成分を付加している。このような駆動電圧が画素電極１００５に印加されることで、着色粒子１０１４が微細振動（微小移動）し、着色粒子１０１４の凝集が抑制される。また、このような駆動電圧を用いると着色粒子１０１４の移動性（移動しやすさ）が向上し、電界変化の応答性が向上するため、高速な表示切り替えが可能となるという効果も得られる。また、ヒステリシス現象をキャンセルしてハーフトーン表示の安定化を図ることもできる。
なお、駆動電圧に交流成分を付加する方法としては、駆動電圧を高速でＯＮ／ＯＦＦさせる方法のほか、駆動電圧に高周波（画素切替周期よりも短い周期をもつ交流電圧）を重畳させる方法などであっても、同様の効果が得られる。ここで、画素切替周期とは、各画素にアクティブ状態選択信号が印加される時間ｔonに切替付加時間ｔaを加えた時間である。
【０００９】
ところが、駆動電圧に交流成分を付加する方法では、駆動電圧を印加している時間ｔonしか着色粒子１０１４を微小移動させることができず、駆動電圧を印加していない時間（ｔf−ｔon）には着色粒子１０１４を微小移動させることができない。駆動電圧を印加している時間ｔonは、一般に非常に短い時間に設定されるため、着色粒子１０１４の凝集を十分に抑制できないという問題があった。
【００１０】
本発明は、以上の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、アクティブマトリクス回路を採用しても着色粒子などの移動材の凝集を十分に抑制することができる画像表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、移動材を移動させることにより表示画像を構成する複数の画素それぞれの表示状態が変化する表示部と、移動材に対して各画素ごとにそれぞれ印加される駆動電圧を制御するためのアクティブマトリクス回路を有する回路部とを備えた画像表示装置において、上記アクティブマトリクス回路は、各画素に対してそれぞれ設けられたアクティブ素子がアクティブ状態のときには駆動電圧を該アクティブ素子が設けられた画素に対応する移動材に印加し、非アクティブ状態のときには駆動電圧を該移動材に印加しないように動作するものであり、各アクティブ素子をアクティブ状態と非アクティブ状態のいずれかに変化させる状態選択信号に交流成分が付加され、かつ、各アクティブ素子に入力された状態選択信号に付加された交流成分が移動材に印加されるように、該アクティブマトリクス回路を構成したことを特徴とするものである。
また、請求項２の発明は、請求項１の画像表示装置において、少なくとも、上記状態選択信号が上記アクティブ素子をアクティブ状態にするためのアクティブ状態選択信号であるときに、上記交流成分を該状態選択信号に付加することを特徴とするものである。
また、請求項３の発明は、請求項１の画像表示装置において、少なくとも、上記状態選択信号が上記アクティブ素子を非アクティブ状態にするための非アクティブ状態選択信号であるときに、上記交流成分を該状態選択信号に付加することを特徴とするものである。
また、請求項４の発明は、請求項１の画像表示装置において、上記状態選択信号が上記アクティブ素子をアクティブ状態にするためのアクティブ状態選択信号になる直前の所定期間、若しくは、該状態選択信号が該アクティブ素子を非アクティブ状態にするための非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間、又は、その両方の期間に、上記交流成分を該状態選択信号に付加し、該状態選択信号が非アクティブ状態選択信号である残りの期間には該交流成分を該状態選択信号に付加しないことを特徴とするものである。
また、請求項５の発明は、請求項４の画像表示装置において、上記状態選択信号が上記非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間に上記交流成分を該状態選択信号に付加する場合の該所定期間は、該状態選択信号が該非アクティブ状態選択信号になった直後からの上記移動材の電位低下により該交流成分によって該移動材の電位極性が反転する時期よりも前に終了することを特徴とするものである。
また、請求項６の発明は、請求項４の画像表示装置において、上記状態選択信号が上記非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間に上記交流成分を該状態選択信号に付加する場合、該所定期間中に該状態選択信号に付加された交流成分の振幅を徐々に小さくすることを特徴とするものである。
また、請求項７の発明は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像表示装置において、上記アクティブマトリクス回路の動作停止中は、交流成分が各移動材に印加されないように構成したことを特徴とするものである。
また、請求項８の発明は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像表示装置において、上記アクティブ素子は電界効果トランジスタであり、上記状態選択信号はゲート端子に入力することを特徴とするものである。
また、請求項９の発明は、請求項８の画像表示装置において、上記電界効果トランジスタは薄膜トランジスタであることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明においては、駆動電圧ではなく、アクティブ素子に印加される状態選択信号に交流成分を付加し、その交流成分をアクティブ素子の状態選択信号入力端子から移動材へ印加するように構成した。状態選択信号は、アクティブ素子をアクティブ状態にする場合にも非アクティブ状態にする場合にもアクティブ素子に入力される。したがって、アクティブ素子がアクティブ状態である時（すなわち駆動電圧が移動材に印加されている時間）に限らず、非アクティブ状態である時（すなわち駆動電圧が移動材に印加されていない時間）にも、状態選択信号の交流成分を移動材へ印加して、移動材を微細振動（微小移動）させることが可能となる。一般に、アクティブ素子が非アクティブ状態である時間は、アクティブ素子がアクティブ状態である時間よりも遙かに長い時間であるため、アクティブ素子がアクティブ状態である時しか移動材を微細振動させることができないものに比べて、移動材を微細振動させる時間を十分に確保することが可能となる。
【００１３】
なお、本発明における「移動材」とは、画像を切り替える際に各画素の移動材が移動することにより各画素の色や濃度（明るさ）が変更されるものを意味する。よって、移動材そのものの色で画素の色を表現する着色材のようなものに限らず、画素の濃度（明るさ）を調整するための移動材（画素の色自体は他の手段により表現する）なども含まれる。
また、本発明における「移動材」は、駆動電圧を制御することで移動をコントロールできるものであればよく、駆動電圧に応じて変化する電界の作用を受けて移動する移動材や、駆動電圧に応じて変化する磁界の作用を受けて移動する移動材などが含まれる。
また、状態選択信号への交流成分の付加方法としては、例えば、状態選択信号を高速でＯＮ／ＯＦＦさせる方法や、状態選択信号に高周波を重畳させる方法などを採用することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上、本発明によれば、アクティブマトリクス回路を採用した画像表示装置において、着色粒子などの移動材を効果的に微小移動させることができるという優れた効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を、画像表示装置である電子ペーパーに適用した一実施形態について説明する。
図１は、本電子ペーパーの表示部に表示される画像を構成する１画素に対応した回路部の一部を拡大した説明図である。
【００１６】
回路部は、表示部に表示される画像を構成する複数の画素にそれぞれ対応するアクティブ素子であるＴＦＴ１００１を備えたアクティブマトリクス回路で構成されている。図示された画素は、座標（選択線番号，信号線番号）で表せば（ｍ，ｎ）座標に位置する画素である。信号線ｎは、図中上下方向における上からｎ番目の全画素に対応するＴＦＴ１００１のドレイン端子（駆動電圧入力端子）１００３に接続されており、これらに駆動電圧を伝送するものである。一方、選択線ｍは、図中左右方向における左からｍ番目の全画素に対応するＴＦＴ１００１のゲート端子（状態選択信号入力端子）１００２に接続されており、状態選択信号を伝送するものである。ＴＦＴ１００１のソース端子１００４には、画素電極１００５が接続されており、画素電極１００５とこれに対向するこれに対向する共通電極１００６との間には、移動材としての電気泳動材である着色粒子１０１４が配置されている。共通電極１００６はアースに接続されている。本実施形態では、所定極性に帯電した着色粒子１０１４を移動させることで表示面側の各画素の色や濃度（明るさ）などを調整し、これらの画素によって構成される画像を表示部に表示する。本実施形態のＴＦＴ１００１は、有機半導体で構成されたｐチャネルのＴＦＴであるが、適切に電圧を設定し直すことで、ｎチャネルのＴＦＴであってもよい。
【００１７】
ＴＦＴ１００１は、選択線ｍに印加される状態選択信号がアクティブ状態選択信号（−Ｖｇ）のときにＯＮ状態（アクティブ状態）になり、信号線ｎを通じてＴＦＴ１００１のドレイン端子１００３に印加される駆動電圧がソース端子１００４に伝送されて、画素電極１００５に印加される。一方、選択線ｍに印加される状態選択信号が非アクティブ状態選択信号（＋Ｖｇ）の場合、ＴＦＴ１００１はＯＦＦ状態（非アクティブ状態）になり、信号線ｎを通じてＴＦＴ１００１のドレイン端子１００３に印加される駆動電圧が遮断され、その駆動電圧はソース端子１００４に伝送されない。
【００１８】
図２は、本電子ペーパーの表示部１３００及び回路部１２００の一部を切断した断面を模式的に示した説明図である。
表示部１３００の表示面１３０１ａは透明基板１３０１の一方の面で構成され、その透明基板１３０１の他方の面上には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極１００６が形成されている。透明電極１００６と、これに対向して配置される画素電極１００５との間には、白と黒の２色の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂを内包した複数のカプセル１３０３が配置されている。なお、本実施形態においては、カプセル１３０３の寸法が表示画素よりも大きいものであるが、カプセル１３０３の寸法が表示画素と同じであったり小さいものであったりしてもよい。本実施形態では、互いに逆極性に帯電した各色の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂを電界の作用により移動させることで、表示面１３０１ａ側の各表示画素の色や濃度（明るさ）などを調整して、画像を表示する。なお、透明電極１００６は、各画素電極に対して共通の電極であり、アースに接続されている。
【００１９】
画素電極１００５と透明電極１００６との間に発生する電界の向きは、対応する信号線ｎに印加する駆動電圧の極性により決定する。また、どの画素電極１００５に対して駆動電圧の印加を可能とするかは、対応する選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍに印加される選択電圧によって制御する。具体的に（ｍ，ｎ）の画素を例に挙げて説明する。選択線ｍにアクティブ状態選択電圧を印加すると、そのアクティブ状態選択電圧がＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎを通じてＴＦＴ１００１のソース端子１００３に印加される駆動電圧がドレイン端子１００４を通じて画素電極１００５に印加される。一方、選択線ｍに非アクティブ状態選択電圧を印加すると、その非アクティブ状態選択電圧がＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＦＦ状態（非アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎから駆動電圧がＴＦＴ１００１のソース端子１００３に印加されても、ドレイン端子１００４に接続された画素電極１００５には駆動電圧が印加されない。
【００２０】
カプセル１３０３内の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂは、外部電界が無い状態ではカプセル１３０３内で分散した状態となる。一方、駆動電圧の印加によって外部電界が発生した状態では、図４に示すように、カプセル１３０３内の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂは外部電界の向きに応じてカプセル１３０３内を移動する。これにより、カプセル１３０３内を表示面１３０１ａ側に移動した着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂの色に応じて各画素の色や濃度（明るさ）が決定し、表示面全体として白黒の画像が表示される。
【００２１】
図３は、選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍに状態選択信号を印加するための電源部１１００の構成を示す説明図である。
この電源部１１００は、Ｍ個の選択線に対し、それぞれ個別に、−Ｖｇ［Ｖ］のアクティブ状態選択信号又は＋Ｖｇ［Ｖ］の非アクティブ状態選択信号を印加できる構成になっている。具体的には、各選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍには、駆動ＩＣ１１０１上の各開閉器１１０２がそれぞれ接続されている。この開閉器１１０２によって、各選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍには、非アクティブ状態選択用の直流電源１１０３か又はアクティブ状態選択用の直流電源１１０４及び交流電源１１０５のいずれかが選択的に接続される。本実施形態の開閉器１１０２は、相補型ＭＯＳ構造で作製したものである。なお、非アクティブ状態選択用の直流電源１１０３とアクティブ状態選択用の直流電源１１０４の電圧の大きさは必ずしも同じである必要はない。
【００２２】
本実施形態において、各選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍに印加されるアクティブ状態選択信号は、直流電源１１０４が出力する直流電圧に、交流電源１１０５が出力する高周波信号（交流電圧）が容量１１０６を介して混合された信号となる。これにより、画像の表示切り替えのための画像書き替え信号（ディジタル信号）に応じ、選択線１〜Ｍのうちの通常１つの選択線に対応した開閉器１１０２がＯＮになったときに、その選択線に対し、直流電圧に高周波信号が重畳したアクティブ状態選択信号が印加される。
【００２３】
図４は、状態選択信号と、駆動電圧と、画素電極１００５の電位とを示す説明図である。
本実施形態の状態選択信号は、開閉器１１０２がＯＦＦ状態のときには＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号となり、開閉器１１０２がＯＮ状態のときには−Ｖｇのアクティブ状態選択信号に高周波信号が重畳した信号となる。アクティブ状態選択信号に重畳した高周波信号が選択線を通じてＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に入力されると、その高周波信号は、ゲート端子１００２とソース端子１００４との間にある容量すなわちゲート・ソース間容量Ｃｇｓを介してソース端子１００４に流入する。これにより、ソース端子１００４に接続された画素電極１００５の電位は、図４に示すように、その高周波信号に応じて変動する。その結果、画素電極１００５とアースに接続された共通電極１００６との間に生じる電界が周期的に変動するので、この電界の変動に応じて着色粒子が微小移動する。
【００２４】
高周波信号が重畳した−Ｖｇのアクティブ状態選択信号が選択線ｍ−１に印加されるタイミングに同期して、信号線ｎには−Ｖｄの駆動電圧が印加される。これにより、（ｍ−１、ｎ）座標の画素に対応するＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）になるとともに、画素電極１００５に−Ｖｄの駆動電圧が印加される。このとき、アクティブ状態選択信号に重畳した高周波信号は、ゲート端子１００２からソース端子１００４に伝送され、−Ｖｄの駆動電圧に重畳する。したがって、画素電極１００５には、−Ｖｄの駆動電圧に高周波信号が重畳された−Ｖｓの電圧が印加される。アクティブ状態選択信号の印加時間ｔonは、選択線ｍ−１にアクティブ状態選択信号が印加されるフレーム周期ｔfと比較してずっと短い時間であり、印加時間ｔonが過ぎると選択線ｍ−１には＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号が印加される。これにより、画素電極１００５に印加されていた駆動電圧はＯＦＦとなるとともに、選択線ｍ−１には高周波信号が流れないのでゲート端子１００２に印加されていた高周波信号がＯＦＦになり、よって画素電極１００５に印加されていた高周波信号もＯＦＦになる。その後、この選択線ｍ−１にはフレーム周期ｔｆ後に再び高周波信号が重畳した−Ｖｇのアクティブ状態選択信号が印加される。
【００２５】
ここで、選択線ｍ−１に非アクティブ状態選択信号が印加されると、画素電極１００５には信号線ｎからの駆動電圧がＯＦＦとなり、かつ、状態選択信号中の高周波信号もＯＦＦになる。そのため、画素電極１００５の電位が徐々に低下し始める。この電位低下は、電極１００５，１００６間で着色粒子が移動することと、電流リークとが主な原因である。なお、この電圧低下は、画素電極１００５に接続されているＴＦＴ１００１のソース端子１００４を通してゲート端子１００２やドレイン端子１００３に印加される直流電圧の影響を受ける場合とは若干異なるものである。また、実際には、ゲート端子１００２に印加される状態選択信号が切り替わる際、ゲート・ソース間容量Ｃｇｓを通じて高周波信号が通り抜けるのと同様に、その切り替わりの際の電位差に対応した電位変化の影響が出るが、この影響については説明を省略してある。
【００２６】
次の選択線ｍには、選択線ｍ−１に印加されていたアクティブ状態選択信号が非アクティブ状態選択信号に切り替わった後、同様に高周波信号が重畳した−Ｖｇのアクティブ状態選択信号が印加される。なお、図４に示した例では、選択線ｍにアクティブ状態選択信号が印加されている期間に、信号線ｎに印加される駆動電圧は＋Ｖｄである。よって、（ｍ，ｎ）座標の画素における画素電極１００５には、＋Ｖｄの駆動電圧に高周波信号が重畳された＋Ｖｓの電圧が印加される。そして、印加時間ｔonが過ぎて選択線ｍに＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号が印加された後、今度は選択線ｍ＋１に同様に高周波信号が重畳した−Ｖｇのアクティブ状態選択信号が印加される。このようにして、各選択線には、順次、高周波信号が重畳した−Ｖｇのアクティブ状態選択信号が周期的に印加される。
【００２７】
本実施形態においては、状態選択信号が非アクティブ状態選択信号であるときには画素電極１００５に高周波信号が印加されないが、状態選択信号がアクティブ状態選択信号であるときに画素電極１００５に高周波信号が印加される。本実施形態によれば、このようにＴＦＴ１００１がＯＮ状態のときにだけ高周波信号を画素電極１００５に印加する場合でも、着色粒子１０１４の凝集を十分に抑制することができる。この点について、以下に説明する。
【００２８】
アクティブマトリクス回路のアクティブ素子として有機半導体のように移動度が小さい半導体を利用した応答速度が低速のＦＥＴ（特にＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のもの）を採用した場合、駆動電圧に付加した高周波信号（交流成分）を画素電極に効果的に印加することができないという不具合が生じる。例えば有機半導体材料の場合、その移動度は大きいものでも１０［ｃｍ2／Ｖｓ］程度であるため、高周波信号をドレイン端子からソース端子側へ十分に伝送できず、高周波信号を画素電極に効果的に印加することができない。また、画像表示装置に用いるアクティブマトリクス回路においては、種々の事情から、既存のＩＣ技術で使用されているフォトリソグラフィーではなく一般に分解能が低い印刷によって作製する。そのため、微細加工上の制約が大きく、アクティブマトリクス回路上に高速なＦＥＴを作製することが一般的に困難である。そして、低速なＦＥＴを使用した場合、上述したようにドレイン端子に印加される高周波信号をソース端子側へ十分に伝送することができないため、高周波信号を画素電極に効果的に印加することができない。そのため、アクティブマトリクス回路において駆動電圧に交流成分を付加する方法では、その交流成分を画素電極１００５に効果的に印加することができず、着色粒子１０１４の凝集を抑制できない。
【００２９】
これに対し、本実施形態では、状態選択信号に高周波信号を付加し、ＴＦＴ１００１のゲート−ソース間容量成分を通じて、ゲート端子１００２に印加される高周波信号をソース端子１００４に接続された画素電極１００５に伝送する。このゲート−ソース間容量成分は、ＴＦＴ１００１の応答速度に関係しないものであるため、有機半導体のように移動度が小さい半導体を利用した応答速度が低速のＦＥＴを用いて、ソース端子１００４に接続された画素電極１００５に高周波信号を効率よく伝送することができる。  特に、ＴＦＴ１００１を印刷によって作製する場合、ゲート−ソース間容量成分は比較的大きなものとなるので、高周波信号をより効率よく伝送することができる。
【００３０】
〔変形例１〕
次に、上記回路部に設けられた電源部１１００の一変形例（以下、本変形例を「変形例１」という。）について説明する。
図５は、本変形例１における電源部２１００の構成を示す説明図である。
図６は、本変形例１における、状態選択信号と、駆動電圧と、画素電極１００５の電位とを示す説明図である。なお、上記実施形態と同様の構成部分については同じ符号を用いることとする。
【００３１】
本変形例１の電源部２１００は、上記実施形態の電源部１１００と比較すると、＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号を印加するための電源として、直流電源１１０３に交流電源１１０５が容量２１０６を介して並列接続されている点が異なっている。このような構成を採用していることで、−Ｖｇのアクティブ状態選択信号だけでなく、＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号にも高周波信号を重畳させることができる。これにより、上記実施形態では、ＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）である期間しか画素電極１００５に高周波信号を印加できなかったが、本変形例１では、図６に示すように、ＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）である期間だけでなく、ＴＦＴ１００１がＯＦＦ状態（非アクティブ状態）である期間も、画素電極１００５に高周波信号を印加できる。すなわち、本変形例１によれば、画素電極１００５に駆動電圧が印加されている期間だけでなく、画素電極１００５に駆動電圧が印加されていいない期間にも、画素電極１００５に高周波信号を印加できる。
【００３２】
また、本変形例１の電源部２１００は、アクティブ状態選択用及び非アクティブ状態選択用の交流電源１１０５，２１０５の出力部と各開閉器１１０２との間にＯＮ−ＯＦＦ開閉器２１１０Ａ，２１１０Ｂが挿入されている点でも、上記実施形態の電源部１１００と異なっている。高周波信号が画素電極１００５に印加されている状態では着色粒子１０１４が微小移動（微小振動）するため、画像の表示切り替えが終了して各画素電極１００５に対する電源部からの電圧印加を全面的に遮断する際、高周波信号が印加されている状態では、遮断直前まで微小振動している着色粒子１０１４が予定しない挙動をとり、画像に影響が出るおそれがある。本変形例１によれば、上記のような構成を採用しているため、電源部からの電圧印加を全面的に遮断する前に、これらのＯＮ−ＯＦＦ開閉器２１１０Ａ，２１１０ＢをＯＦＦにすることができるので、事前に高周波信号の印加を停止することができる。
【００３３】
図６に示すように、本変形例１では、少なくとも画像の表示切り替え期間中は、全画素に対応する各ＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に高周波信号が印加される。そして、画像の表示切り替えが終了したら、ＯＮ−ＯＦＦ開閉器２１１０Ａ，２１１０ＢをＯＦＦにした後、電源部からの電圧印加を全面的に遮断する。このような構成により、上記実施形態のように駆動電圧が印加されている期間だけしか画素電極１００５に高周波信号を印加できない構成と比較して、着色粒子１０１４の凝集に対する高い抑制効果が得られる。ただし、図６に示すように、駆動電圧が印加されていない期間の画素電極１００５の電位変動の幅（振幅）は、画素電極１００５に駆動電圧が印加されている期間よりも狭いものとなっている。これは、ＴＦＴ１００１がＯＦＦ状態のときはＯＮ状態のときに比べてゲート・ソース間の抵抗値が低くなるためである。
【００３４】
〔変形例２〕
次に、上記回路部に設けられた電源部１１００の他の変形例（以下、本変形例を「変形例２」という。）について説明する。
図７は、本変形例２における電源部３１００の構成を示す説明図である。
図８は、本変形例２における、（ｍ，ｎ）座標の画素についての状態選択信号、駆動電圧及び画素電極１００５の電位を示す説明図である。なお、上記実施形態と同様の構成部分については同じ符号を用いることとする。
【００３５】
本変形例２の電源部３１００は、＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号を印加するための電源として、直流電源１１０３のみからなる第１電源部と、直流電源３１０３に交流電源３１０５が容量３１０６を介して並列接続した第２電源部とを備えている。第１電源部及び第２電源部は、上記２極選択型の開閉器１１０２に代えて設けた３極選択型の開閉器３１０２に選択されることで、各画素のＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に接続される。このような構成を採用していることで、第２電源部を使用する場合には、上記変形例１と同様に、−Ｖｇのアクティブ状態選択信号だけでなく、＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号にも高周波信号を重畳させることができる。また、上記変形例１の場合、＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号には常に高周波信号を重畳させるように動作させていたが、本変形例２では、開閉器１１０２を制御して第１電源部を使用することで、高周波信号を重畳しない＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号を使用することができる。なお、上記変形例１の構成においても、ＯＮ−ＯＦＦ開閉器２１１０Ａを制御することで、高周波信号を重畳しない＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号を使用することができる。
【００３６】
本変形例２においては、図８に示すように、非アクティイブ状態選択信号の印加期間ｔ１，ｔ３，ｔ４のうち、アクティイブ状態選択信号の印加期間の直前の一定時間ｔ１と直後の一定時間ｔ３のときのみ、非アクティイブ状態選択信号に高周波信号を重畳し、残りの時間ｔ４のときには非アクティイブ状態選択信号に高周波信号を重畳させない。このような制御とすることで、アクティブ状態選択信号が印加される直前（駆動電圧が信号線を通じて画素電極１００５に印加される直前）に、選択線を通じて時間ｔ１だけ画素電極１００５に高周波信号が印加される。また、アクティブ状態選択信号が印加されている期間（駆動電圧が信号線を通じて画素電極１００５に印加されている時間ｔ２）も、選択線を通じて画素電極１００５に高周波信号が印加される。更に、アクティブ状態選択信号が印加される期間の終了直後（駆動電圧が信号線を通じて画素電極１００５に印加される期間の終了直後）も、選択線を通じて時間ｔ３だけ画素電極１００５に高周波信号が印加される。そして、その後は、次にアクティブ状態選択信号が印加されるタイミングの時間ｔ１だけ前の時期が到来するまでの時間ｔ４は、画素電極１００５には＋Ｖｇの非アクティブ状態選択信号のみが印加され、高周波信号は印加されない。なお、本変形例２におけるフレーム周期ｔfは、ｔf＝ｔ１＋ｔ２＋ｔ３＋ｆ４である。
【００３７】
本変形例２のように、駆動電圧を画素電極１００５に印加する直前の時間ｔ１に高周波信号を画素電極１００５に印加することで、凝集しているあるいは凝集しかかっている着色粒子１０１４を崩してから、駆動電圧による電界の作用によって着色粒子１０１４を移動させることができる。このように事前に着色粒子１０１４の電界応答性を回復させることで、移動性が高まった状態の着色粒子１０１４を駆動電圧に応じて移動させることができるので、画像の高速な表示切り替えを実現できる。
また、駆動電圧を画素電極１００５に印加する期間の終了直後の時間ｔ１に高周波信号を画素電極１００５に印加することで、駆動電圧の印加が終了した後も、しばらくの間は着色粒子１０１４の高い電界応答性を維持できる。よって、駆動電圧の印加が終了した後も、駆動電圧により充電された画素電極１００５の電位により、着色粒子１０１４はスムーズな移動を継続することができる。
【００３８】
また、本変形例２では、非アクティブ状態選択信号の印加期間中における時間ｔ４では、画素電極１００５に高周波信号を印加しないため、次のような不具合を解消できる。
すなわち、非アクティブ状態選択信号の印加期間中は、画素電極１００５に充電された電荷がリークして画素電極１００５の電位が徐々に低下する。そして、非アクティブ状態選択信号の印加１０１４の移動ロスを発生させることになる。そのため、上述した変形例１の場合のように非アクティブ状態選択信号の印加期間中ずっと高周波信号を印加する場合には、その高周波信号による画素電極１００５の電位変動時に画素電極１００５の電位極性が反転しないように、高周波信号の振幅を小さく抑える必要があり、非アクティブ状態選択信号の印加期間中における着色粒子１０１４の微小振動が不十分になるおそれがあった。しかし、本変形例２では、アクティブ状態選択信号の印加期間ｔ２の直後の一定時間ｔ３においては、まだ画素電極１００５の電位が十分に大きい状態にあるため、大きな振幅の高周波信号を使用することができ、その一定時間ｔ３においては着色粒子１０１４を十分に微小振動させることができる。なお、一定時間ｔ３は、高周波信号の振幅と画素電極１００５のリーク量（電位低下速度）とに基づいて、画素電極１００５の電位が反転する時期よりも前に終了するように設定することが前提であることはいうまでもない。一方、アクティブ状態選択信号の印加期間ｔ２の直前の一定時間ｔ１においては、画素電極１００５の電位が小さくなっているため、上記変形例１と同様に小さい振幅の高周波信号を使用する。
【００３９】
なお、上記変形例２では、高周波信号の振幅が一定である場合について説明したが、図９に示すように、一定時間ｔ３に印加する高周波信号として、その振幅が徐々に小さくなるような高周波信号を使用してもよい。この場合、画素電極１００５の電位極性を反転させない範囲で、アクティブ状態選択信号の印加期間ｔ２の直後に大きな振幅をもつ高周波信号を印加する一定時間ｔ３を長くすることができる。
【００４０】
〔変形例３〕
次に、上記回路部に設けられた電源部１１００の更に他の変形例（以下、本変形例を「変形例３」という。）について説明する。
図１０は、本変形例３における、状態選択信号と、駆動電圧と、画素電極１００５の電位とを示す説明図である。なお、上記実施形態と同様の構成部分については同じ符号を用いることとする。
【００４１】
本変形例３は、中間調の画像を表示する場合に、表示画面のリセットを行わずに直前の画像から次の画像へ直接表示切り替えするときの制御の一例である。本変形例３においては、上述した変形例２の場合と同様に、アクティイブ状態選択信号の、印加期間の直前の一定時間と直後の一定時間のときのみ非アクティイブ状態選択信号に高周波信号を重畳し、残りの時間のときには非アクティイブ状態選択信号に高周波信号を重畳させない。これにより、アクティイブ状態選択信号の印加期間の直前と直後で着色粒子１０１４を微小振動させることができ、これにより着色粒子１０１４の移動量に関するヒステリシス効果をキャンセルすることができる。したがって、中間調画像から中間調画像への表示切り替えの際に表示画面のリセットを行わなくても、適正な中間調画像を再現することができる。
【００４２】
具体的に説明すると、本変形例では、信号線ｎに印加される駆動電圧として、＋Ｖｄ２、＋Ｖｄ１、−Ｖｄ１、−Ｖｄ２という４つの電圧レベルが設定できるようになっている。図示の例では、（ｍ−１，ｎ）座標の画素では、−Ｖｄ１の駆動電圧が印加された後、−Ｖｄ２の駆動電圧が印加される。よって、（ｍ−１，ｎ）座標の画素電極１００５の電位は、−Ｖｓ１になった後、リークにより徐々に低下し、その後−Ｖｓ２になる。また、（ｍ，ｎ）座標の画素では、＋Ｖｄ１の駆動電圧が印加された後、−Ｖｄ２の駆動電圧が印加される。よって、（ｍ，ｎ）座標の画素電極１００５の電位は、＋Ｖｓ１になった後、リークにより徐々に低下し、その後−Ｖｓ２になる。
【００４３】
本変形例３では、図１０に示すように、アクティブ状態選択信号の印加期間ｔ２の直後の一定時間に印加する高周波信号として、その振幅が徐々に小さくなるような高周波信号を使用している。ただし、その高周波信号の振幅の大きさは、その直前のアクティブ状態選択信号印加期間ｔ２に印加されていた駆動電圧の大きさに応じて変更される。すなわち、駆動電圧が−Ｖｄ１又は＋Ｖｄ１と比較的小さい場合には、その直後の一定時間ｔ３’においては振幅が比較的小さい高周波信号を用い、駆動電圧が−Ｖｄ２又は＋Ｖｄ２と比較的大きい場合には、その直後の一定時間ｔ３においては振幅が比較的大きい高周波信号を用いる。また、駆動電圧が−Ｖｄ１又は＋Ｖｄ１と比較的小さい場合には、その次の駆動電圧が印加される期間の直前における一定時間ｔ１’においては振幅が比較的小さい高周波信号を用い、駆動電圧が−Ｖｄ２又は＋Ｖｄ２と比較的大きい場合には、その次の駆動電圧が印加される期間の直前における一定時間ｔ１においては振幅が比較的大きい高周波信号を用いる。
なお、上述した実施形態や上記変形例１及び２において中間調の画像を表示する場合には、本変形例３のように駆動電圧の大きさに応じて高周波信号の振幅を変更するようにしてもよい。
【００４４】
以上、本実施形態（上述した変形例１〜３を含む。以下同様。）における画像表示装置としての電子ぺーパーは、移動材としての電気泳動材である着色粒子１０１４を移動させることにより表示画像を構成する複数の画素それぞれの表示状態が変化する表示部と、着色粒子１０１４に対して各画素ごとにそれぞれ印加される駆動電圧Ｖｄを制御するためのアクティブマトリクス回路を有する回路部とを備えている。アクティブマトリクス回路は、各画素に対してそれぞれ設けられたアクティブ素子であるＴＦＴ１００１がアクティブ状態のときには駆動電圧ＶｄをＴＦＴ１００１が設けられた画素に対応する着色粒子１０１４に印加し、非アクティブ状態のときには駆動電圧Ｖｄを着色粒子１０１４に印加しないように動作する。そして、このアクティブマトリクス回路は、各ＴＦＴ１００１をアクティブ状態と非アクティブ状態のいずれかに変化させる状態選択信号Ｖｇに交流成分である高周波信号が付加され、かつ、各ＴＦＴ１００１に入力された状態選択信号Ｖｇに付加された高周波成分が各着色粒子１０１４に印加されるように、構成されている。ＴＦＴ１００１における駆動電圧Ｖｄが入力される駆動電圧入力端子であるドレイン端子１００３と駆動電圧Ｖｄが出力される駆動電圧出力端子であるソース端子１００４との間よりも、ＴＦＴ１００１の状態選択信号入力端子であるゲート端子１００２とソース端子１００４との間の方が高速応答性が高く、高周波信号を通しやすい。したがって、本実施形態によれば、駆動電圧Ｖｄに高周波信号を付加する場合に比べて、高周波成分を着色粒子１０１４へ効率よく伝送することができる。よって、着色粒子１０１４を効果的に微小移動させることができ、着色粒子１０１４を微小移動させることによる高い効果が得られる。
特に、本実施形態では、アクティブ素子として電界効果トランジスタの一種である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１００１を用いているので、アクティブ素子としてＴＦＴ１００１を用いた公知のアクティブマトリクス回路の技術を応用することができる。
また、本実施形態においては、少なくとも、状態選択信号がＴＦＴ１００１をアクティブ状態にするためのアクティブ状態選択信号であるときに高周波信号を状態選択信号に付加する。このような構成は、図３に示したように、アクティブ状態選択信号を生成するアクティブ状態選択信号生成手段としての直流電源１１０４に、高周波信号を生成する高周波信号生成手段としての交流電源１１０５を並列接続させるという簡単な構成で実現することができる。よって、低コスト化を図ることができる。また、上記変形例１においては、少なくとも、状態選択信号がＴＦＴ１００１を非アクティブ状態にするための非アクティブ状態選択信号であるときに高周波信号を状態選択信号に付加する。この構成により、アクティブ状態選択信号が入力されてＴＦＴ１００１がアクティブ状態になって駆動電圧が着色粒子１０１４に印加される前に、その着色粒子１０１４の移動性を事前に高めておくことができる。したがって、駆動電圧が印加された直後から着色粒子１０１４を効率よく移動させることができる。
また、上記変形例２及び上記変形例３においては、状態選択信号がＴＦＴ１００１をアクティブ状態にするためのアクティブ状態選択信号になる直前の所定期間ｔ１，ｔ１’、若しくは、状態選択信号がＴＦＴ１００１を非アクティブ状態にするための非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間ｔ３，ｔ３’、又は、その両方の期間に、高周波信号を状態選択信号に付加し、状態選択信号が非アクティブ状態選択信号である残りの期間ｔ４には高周波信号を状態選択信号に付加しない。これにより、事前に着色粒子１０１４の移動性を高めてから、その移動性が高まった状態の着色粒子１０１４を駆動電圧に応じて移動させることができるので、画像の高速な表示切り替えを実現できる。また、駆動電圧の印加が終了した後も、しばらくの間は着色粒子１０１４の高い移動性を維持できるので、駆動電圧の印加が終了した後も、駆動電圧により充電された画素電極１００５の電位により、着色粒子１０１４はスムーズな移動を継続することができる。
特に、上記変形例２では、状態選択信号が非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間ｔ３に高周波信号を状態選択信号に付加する場合の当該所定期間ｔ３は、状態選択信号が非アクティブ状態選択信号になった直後からの着色粒子１０１４の電位低下により高周波信号によって着色粒子１０１４の電位極性が反転する時期よりも前に終了するように設定されている。これにより、画素電極１００５の電位極性が反転してしまうことによる着色粒子１０１４の移動ロスを発生させないで済む。
また、上記変形例３では、状態選択信号が非アクティブ状態選択信号になった直後の所定期間ｔ３，ｔ３’に高周波信号を状態選択信号に付加する場合、その所定期間ｔ３，ｔ３’中に状態選択信号に付加された高周波信号の振幅を徐々に小さくする。これにより、画素電極１００５の電位極性が反転してしまうことによる着色粒子１０１４の移動ロスを発生させないで済むとともに、比較的長い時間高周波信号を印加できるので着色粒子１０１４の移動性をより高めることができる。
なお、アクティブマトリクス回路の動作停止中は高周波信号が各移動材に印加されないように構成することで、画像表示書き替え後にアクティブマトリクス回路の動作を停止しても、安定して画像を維持できるようになる。
【００４５】
なお、本実施形態では、電子ペーパーを例に挙げて説明したが、各画素ごとに配置される移動材の移動により各画素の表示状態が変化させることで画像を表示する画像表示装置であれば、フレキシブル表示装置、電子本、可搬型表示装置など、あらゆる画像表示装置に応用することができる。また、本実施形態の着色粒子１０１４やその配置方法などの構成については、これらの画像表示装置において利用されている移動材を広く使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】実施形態に係る電子ペーパーの表示部に表示される画像を構成する１画素に対応した回路部の一部を拡大した説明図である。
【図２】同電子ペーパーの表示部及び回路部の一部を切断した断面を模式的に示した説明図である。
【図３】同回路部における選択線に状態選択信号を印加するための電源部の構成を示す説明図である。
【図４】同回路部のアクティブマトリクス回路上の状態選択信号、駆動電圧及び画素電極の電位を示す説明図である。
【図５】変形例１における電源部の構成を示す説明図である。
【図６】変形例１における状態選択信号、駆動電圧及び画素電極の電位とを示す説明図である。
【図７】変形例２における電源部の構成を示す説明図である。
【図８】変形例２における、（ｍ，ｎ）座標の画素についての状態選択信号、駆動電圧及び画素電極の電位を示す説明図である。
【図９】変形例２の他の例における、（ｍ，ｎ）座標の画素についての状態選択信号、駆動電圧及び画素電極の電位を示す説明図である。
【図１０】変形例３における状態選択信号、駆動電圧及び画素電極の電位とを示す説明図である。
【図１１】アクティブマトリクス回路を用いた回路部の一部（４画素分）を拡大した模式図である。
【図１２】同アクティブマトリクス回路における３つの選択線ｍ−１，ｍ，ｍ＋１と１つの信号線ｎに印加される信号波形を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４７】
１００１  ＴＦＴ
１００２  ゲート端子
１００３  ドレイン端子
１００４  ソース端子
１００５  画素電極
１００６  共通電極
１０１４  着色粒子
１１００，２１００，３１００  電源部
１１０２，３１０２  開閉器
１１０３，１１０４，３１０３  直流電源
１１０５，２１０５，３１０５  交流電源
１１０６，２１０６，３１０６  容量
２１１０Ａ，２１１０Ｂ  ＯＮ−ＯＦＦ開閉器
【図１】
2009042592.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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