(57)【要約】【課題】配向膜を変質させることなく製造し、良好な表示品質の液晶装置を高い生産性で製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】画素電極９に対応する表示領域Ｐを含む領域に形成された垂直配向膜と、表示領域Ｐ間の非表示領域ＢＭ内に形成された水平配向膜４２と、を有する液晶装置の製造方法であって、基板１０Ａの画素電極９側に水平配向膜４２となる樹脂膜４２ａを形成する工程、樹脂膜４２ａ上に保護層４３を形成する工程、保護層４３上の水平配向膜４２の形成領域にレジストパターンＲを形成し、レジストパターンＲを用いて、前記形成領域以外の樹脂膜４２ａ及び保護層４３を部分的に除去する工程、基板１０Ａ上にレジストパターンＲを覆って樹脂層４２ａをエッチングする工程、基板１０Ａ上に垂直配向膜４１となる樹脂層４１ａを形成する工程、レジストパターンＲを除去する工程、保護層４３を除去する工程を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極に対応する表示領域を含む領域に形成された第１の配向膜と、前記表示領域間の非表示領域内に形成された第２の配向膜と、を有する液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板の前記画素電極側に前記第２の配向膜となる第２の配向膜材料層を形成する工程と、
前記第２の配向膜材料層上に保護層を形成する工程と、
前記保護層上の前記第２の配向膜の形成領域にマスク材を形成し、前記マスク材を用いて、前記形成領域外の前記第２の配向膜材料層及び前記保護層を部分的に除去する工程と、
前記第１基板上に、前記マスク材を覆って、前記第１の配向膜となる第１の配向膜材料層を形成する工程と、
前記マスク材を除去する工程と、
前記保護層を除去する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極に対応する表示領域を含む領域に形成された第１の配向膜と、前記表示領域間の非表示領域内に形成された第２の配向膜と、を有する液晶装置の製造方法であって、
前記画素電極上の第１の配向膜の形成箇所にマスク材を形成する工程と、
前記第１基板上に前記マスク材を覆って第２の配向膜材料層を形成する工程と、
前記第２の配向膜材料層上に保護層を形成する工程と、
前記マスク材を除去する工程と、
前記保護層を除去する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護層をシリコン薄膜で形成し、
前記保護層を除去する工程において、前記保護層をドライエッチングで除去することを特徴とする請求項１または２記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記保護層を除去する工程において、
ドライエッチングする際のエッチングガスとして、ＸｅＦ２ガスを用いることを特徴とする請求項３記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の配向膜に対して選択的に配向処理を施し、
前記第１の配向膜上で略垂直配向を呈し、前記第２の配向膜上で所定の方位角を有して配向する前記液晶層を形成する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記画素電極の周縁部と、前記第２の配向膜と、が平面的に重なるように形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護層が剥離された前記第２の配向膜にラビング処理して配向性を付与する工程を有することを特徴とする項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の配向膜材料層を樹脂膜で形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置を用いて映像を大画面に表示する装置として液晶プロジェクタがある。プロジェクタにおいては高輝度、高コントラストが要求されており、その点、垂直配向方式の液晶装置は高コントラストの表示が可能で、近年、プロジェクタ用の液晶装置の液晶配向方式として採用されつつある。
【０００３】
しかし、垂直配向方式では液晶が基板表面に対して垂直に立っており、電圧印加時に倒れる方位方向での相互作用が弱い。しかも、画素電位を印加すると、画素電極端から基板面に平行な方向に、横方向の電界が発生する。そのため、この横方向の電界に起因して、液晶が様々な方向に倒れてしまい、ディスクリネーションを生じることがあった。ディスクリネーションが生じると、明暗のムラやコントラストの低下、残像等の表示欠陥が視認されてしまう。
【０００４】
そのため、表示領域では液晶を垂直配向させて、良好なコントラスト特性を確保し、画素領域周辺の、主に非表示領域では液晶を水平配向させ、液晶の配向を規制することでディスクリネーションを防止することが考えられる。このような構成の液晶装置は、例えば特許文献１に開示されており、特許文献１の液晶装置では、無機配向膜を斜方蒸着法によって形成し、その厚さを変化させることで無機配向膜の配向角を制御し、配向膜上の液晶の方位角を制御している。
【特許文献１】特開２００５−１０７３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、無機配向膜は有機配向膜よりも液晶を配向させる規制力が弱く、無機配向膜によって配向させられた液晶は横方向電界に負けて配向不良を生じるおそれがある。
したがって、表示領域に垂直配向膜を形成し、非表示領域には有機材料からなる水平配向膜を形成する方法が考えられる。この方法によれば、電圧印加時に画素領域周辺の液晶が倒れる方向を、有機配向膜によって十分に規制することができるので、液晶の配向不良を防止することができると考えられる。
【０００６】
ところで、このような配向膜を形成する場合、通常は垂直配向膜と水平配向膜のうち一方を先に形成し、他方を後で形成する。例えば、水平配向膜を先に形成する場合、基板上に水平配向膜材料層を形成し、この水平配向膜材料層上の水平配向膜形成箇所に積層されたレジストパターンをマスクにしてエッチングを行った後、レジストパターンを除去することによって水平配向膜を形成する。しかしながら、レジストパターンを除去する際に使用するレジスト剥離液によって、ポリイミドなどからなる水平配向膜の表面がダメージを受けて変質してしまい、画素領域周辺での液晶の配向が安定しないという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、配向膜を変質させることなく製造し、良好な表示品質の液晶装置を高い生産性で製造することができる製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶装置の製造方法は、上記課題を解決するために、複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極に対応する表示領域を含む領域に形成された第１の配向膜と、表示領域間の非表示領域内に形成された第２の配向膜と、を有する液晶装置の製造方法であって、第１基板の画素電極側に第２の配向膜となる第２の配向膜材料層を形成する工程と、第２の配向膜材料層上に保護層を形成する工程と、保護層上の第２の配向膜の形成領域にマスク材を形成し、マスク材を用いて、形成領域外の第２の配向膜材料層及び保護層を部分的に除去する工程と、第１基板上に、マスク材を覆って、第１の配向膜となる第１の配向膜材料層を形成する工程と、マスク材を除去する工程と、保護層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、第２の配向膜材料層が保護層で覆われた状態でレジストパターンを除去するため、マスク材の剥離液が第２の配向膜材料層に接液することを防止でき、上記剥離液によって第２の配向膜材料層の表面がダメージを受けることを阻止することができる。これにより、第２の配向膜の液晶配向制御性を低下させることなく製造することが可能になる。よって、画素領域周辺での液晶の配向が安定し、良好なコントラスト特性を有し且つ表示不良が防止された液晶装置を得ることができる。
【００１０】
本発明の液晶装置の製造方法は、上記課題を解決するために、複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極に対応する表示領域を含む領域に形成された第１の配向膜と、表示領域間の非表示領域内に形成された第２の配向膜と、を有する液晶装置の製造方法であって、画素電極上の第１の配向膜の形成箇所にマスク材を形成する工程と、
第１基板上にマスク材を覆って第２の配向膜材料層を形成する工程と、第２の配向膜材料層上に保護層を形成する工程と、マスク材を除去する工程と、保護層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、第２の配向膜材料層が保護層で覆われた状態でマスク材を除去するため、マスク材の剥離液が第２の配向膜材料層に接液することを防止でき、上記剥離液によって第２の配向膜材料層の表面がダメージを受けることを阻止することができる。これにより、第２の配向膜の液晶配向制御性を低下させることなく製造することが可能となる。よって、画素領域周辺での液晶の配向が安定し、良好なコントラスト特性を有し且つ表示不良が防止された液晶装置を得ることができる。
【００１２】
また、保護層をシリコン薄膜で形成し、保護層を除去する工程において、保護層をドライエッチングで除去することが好ましい。
本発明によれば、保護層をシリコン薄膜で形成することにより、マスク材の剥離液から第２の配向膜材料層（第２の配向膜）を確実且つ良好に保護することができ、上記剥離液によって第２の配向膜材料層（第２の配向膜）の表面が変質してしまうことを防止することができる。
【００１３】
また、保護層を除去する工程において、ドライエッチングする際のエッチングガスとして、ＸｅＦ2ガスを用いることが好ましい。
本発明によれば、他の構成に影響を与えることなく、シリコン薄膜からなる保護層のみを確実且つ容易に除去することができる。これにより、保護膜の効果的な除去作業が可能になり、歩留まりが向上する。
【００１４】
また、第２の配向膜に対して選択的に配向処理を施し、第１の配向膜上で略垂直配向を呈し、第２の配向膜上で所定の方位角を有して配向する液晶層を形成することが好ましい。また、画素電極の周縁部と、第２の配向膜と、が平面的に重なるように形成することが好ましい。
なお、本発明において、周縁とはある領域の内部であって、この領域内部と外部との境界近傍を意味し、周辺とはある領域の外部であって、この領域内部と外部との境界近傍を意味するものとする。
本発明によれば、画素電極の周縁部上（第２のエリア）に、液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向膜を設けているので、周縁部上の液晶は、画素電位を印加した際に、揃った方向に配向するようになる。したがって、表示領域（第１のエリア）内の液晶は、周縁部上の液晶によって配向する方向が規制され、画素電極端から基板と略平行な方向に発生する横方向電界に影響されることなく、一定の方向に配向するようになる。よって、表示領域での液晶の配向不良が防止され、ディスクリネーションが防止された液晶装置を製造することができる。
【００１５】
また、保護層が剥離された第２の配向膜にラビング処理して配向性を付与する工程を有することが好ましい。
本発明によれば、第２の配向膜表面が保護層によって被覆された状態でマスク材を剥離するため、第２の配向膜がレジスト剥離液によって変質することが防止され、このような第２の配向膜に対してラビング処理を施すことにより良好な配向性を付与することができる。
【００１６】
また、第２の配向膜材料層を樹脂膜で形成することが好ましい。
本発明によれば、公知のレジスト材料やエッチング方法を用いて第２の配向膜をパターニングし形成することができるため、高精度にパターニングされ、信頼性の高い第２の配向膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について、ＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置の製造方法を例に説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
［液晶装置］
まず、本発明の製造方法の説明に先立ち、図１〜４を用いて本発明の製造方法によって得られる液晶装置（透過型液晶装置）１の構成を説明する。
【００１９】
図１は透過型液晶装置１のマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。
図１に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００２０】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２１】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００２２】
図２は、透過型液晶装置１の表示部を示す図であって、画素電極９が配された第１基板の、配向膜（図示せず）が形成された面側から平面視した模式図である。液晶装置の表示部は、画素電極９（外周９ａとする）に対応してその内側に設けられた表示領域Ｐと、この表示領域Ｐ間、すなわち表示領域Ｐに囲まれた位置に設けられた非表示領域ＢＭとから構成されており、画素電極９は、その周縁部が非表示領域ＢＭに張り出して配置されている。また、少なくとも表示領域Ｐ全体を含んで、第１のエリアＡ１が形成されており、非表示領域ＢＭには第２のエリアＡ２が形成されている。
【００２３】
図３は、図２のＸ−Ｘ線断面の模式図である。図３に示すように、透過型液晶装置１は、素子基板１０（第１基板）と、対向基板２０（第２基板）と、これら基板間に挟持された液晶層５０とから構成されている。素子基板１０は、ガラス等の透明な基板１０Ａと、この基板１０Ａ上に形成された画素電極９や遮光膜１３、および垂直配向膜４１（第１の配向膜）、ＰＩ（ポリイミド）等からなる水平配向膜４２（第２の配向膜）等から構成されている。ＴＦＴ素子（図示せず）や配線（図示せず）等は遮光膜１３上に形成されており、基板１０Ａ側から入射する光が、ＴＦＴ素子等にあたることはない。また、遮光膜１３が形成されていることにより、非表示領域ＢＭが規定され、非表示領域ＢＭ間の画素開口部として表示領域Ｐが規定されている。
【００２４】
また、素子基板１０上には、少なくとも表示領域Ｐを含んで、第１のエリアＡ１が形成されており、非表示領域ＢＭには、少なくとも画素電極９の非表示領域に張り出してなる周縁部９ｂ上を含んで第２のエリアＡ２が形成されている。図３に示すように第１のエリアＡ１と第２のエリアＡ２とは連続して設けられている。また、第１のエリアＡ１に対応する画素電極９上には、垂直配向膜（第１の配向膜）４１が形成されており、第２のエリアＡ２に対応する画素電極９上および遮光膜１３上には、水平配向膜４２が形成されている。
【００２５】
対向基板２０は、ガラス等からなる透明な基板２０Ａと、垂直配向膜６１と、共通電極２１等から構成されている。なお、基板２０Ａ側にも遮光膜１３を形成してもよい。
【００２６】
図４は、画素電極９と共通電極２１との間に電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図である。画素電極９と共通電極２１との間に電圧を印加すると、その間の電圧に応じて液晶層５０の液晶が配向し、透過型液晶装置１の厚さ方向に透過する光が変調され、透過型液晶装置１は階調表示が可能なものとなる。
【００２７】
このとき、本発明の透過型液晶装置１では、第２のエリアＡ２に位置する液晶５２については、電圧無印加状態において所定のプレチルト角で配向させているので、電圧を印加した場合に、揃った方向へ倒れて配向する。すなわち、第１のエリアＡ１の、第２のエリアＡ２近傍に位置する液晶５１は、第２のエリアＡ２の外周部となる画素電極９の周縁部９ｂ上の液晶５２の動作に大きく影響を受け、特にその倒れる方向が周縁部９ｂ上の液晶５２の倒れる方向に規制される。
【００２８】
これにより、第１のエリアＡ１の液晶５１は、全て揃った方向に倒れ、均一に配向するようになる。よって、画素電極９の端部において素子基板１０に平行な方向に横方向電界が生じても、表示領域Ｐの液晶５１は、配向不良を生じることが防止される。また、本実施形態のように、ポリイミド（ＰＩ）等の有機材料からなる水平配向膜４２は、無機材料からなる配向膜よりも液晶５２の配向方向を規制する力が強いので、横方向電界による影響による液晶５２の配向不良をより確実に防止できる。
【００２９】
また、表示領域Ｐに対応する液晶５１と異なる配向となる液晶５２は、非表示領域ＢＭ内のみに配置しているので、表示領域（画素開口部）Ｐに対応する画素の透過率は液晶５１のみで規定される。したがって、画素の透過率を所望のものとすることができる。
【００３０】
［液晶装置の製造方法の第１実施形態］
次に、本発明に係る液晶装置の製造方法の第１実施形態を、上記透過型液晶装置１の製造方法を例にして説明する。
【００３１】
図５〜図８は、上記透過型液晶装置１（液晶装置）の製造方法の第１実施形態を説明する図である。
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス等からなる透明な基板１０Ａ上にＣｒ（クロム）等からなる遮光膜１３を格子状に形成し、この遮光膜１３によって非表示領域ＢＭを規定するとともに、この非表示領域ＢＭに囲まれた領域を表示領域（画素開口部）Ｐとする。続いて、遮光膜１３上に図１に示したＴＦＴ素子３０やデータ線６ａ、走査線３ａ等の配線を形成する。次に、表示領域Ｐから非表示領域ＢＭに張り出して、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電体を用いて画素電極９を形成する。これらの工程は、公知の方法を用いることができる。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、画素電極９が形成された基板１０Ａの画素電極９側に、例えばスピンコート法等の方法を用いて、後述する水平配向膜（第２の配向膜）の材料を塗布し、樹脂膜４２ａ（第２の配向膜材料層）を形成する。この水平配向膜の材料としては、例えばＰＩ（ポリイミド）等を用いる。
【００３３】
次に、図５（ｃ）に示すように、樹脂膜４２ａの表面全体にシリコンを、ＣＶＤ法やスパッタ法などを用いて塗布し、シリコン薄膜からなる保護層４３を形成する。保護層４３の厚みは数１００ｎｍ程度とする。このように、ポリイミド（ＰＩ）からなる樹脂膜４２ａの表面を保護層４３によって被覆しておく。
【００３４】
次に、図６（ａ）に示すように、保護層４３上の水平配向膜形成箇所（第２の配向膜形成箇所）にレジストパターンＲ（マスク材）を形成する。レジストパターンＲは、遮光膜１３上に配置され、非表示領域ＢＭからはみ出さないように形成される。そして、このレジストパターンＲをマスクにして、例えばドライエッチングすることによって、保護層４３と樹脂膜４２ａとを部分的に除去し、図６（ｂ）に示すように、水平配向膜４２（第２の配向膜）を形成する。水平配向膜４２が形成されたことにより、水平配向膜４２上に第２のエリアＡ２が形成可能となる。また、第２のエリアＡ２間が第１のエリアＡ１として規定される。
なお、保護層４３を覆っているレジストパターンＲについては、これを除去することなく、そのまま残しておく。
【００３５】
次に、図６（ｃ）に示すように、基板１０Ａ上に、水平配向膜４２上に形成されたレジストパターンＲを覆うようにして、後述する垂直配向膜４１（第１の配向膜）の材料を塗布し、塗布膜４１ａ（第１の配向膜材料層）を形成する。具体的には、例えポリシロキサンを含有する溶剤を、スピンコート法等の液相法によって基板１０Ａの水平配向膜４２を形成した面側に塗布し、２００℃程度の温度で硬化させることによって形成する。このとき、水平配向膜４２の上面はレジストパターンＲによって覆われているので、水平配向膜４２の上面に垂直配向膜４１の材料が付着することが防止される。このようにして、水平配向膜４２が形成された基板１０Ａの第１のエリアＡ１となる位置に垂直配向膜４１（第１の配向膜）を形成する。
【００３６】
次に、図７（ａ）に示すように、例えばＮメチル２ピロリドン等のレジスト剥離液を用いてレジストパターンＲを除去し、その上に設けられた垂直配向膜４１も一緒に除去することにより、保護層４３を露出させる。このとき、水平配向膜４２表面は保護層４３によって覆われているので、レジスト剥離液が水平配向膜４２表面に接液することがない。
【００３７】
次に、図７（ｂ）に示すように、レジストパターンＲが除去されたことによって露出した保護層４３をドライエッチングで除去する。本実施形態では、ドライエッチングに用いるエッチングガスとして、ＸｅＦ２ガスを用いている。
ここで、エッチングガスとしてＸｅＦガスを用いるエッチングとしては、パルスエッチグと呼ばれる手順によって行われる。パルスエッチングとしては、ＸｅＦ２ガスとして特に昇華により発生させたＸｅＦ２（２フッ化キセノン）ガスを用い、これをエッチングチャンバー内に、該エッチングチャンバー内が所望のガス圧に到達するまで供給し、一定時間保持して反応を進めた後、ドライポンプで一定時間廃棄するというサイクルを繰り返す方法である。エッチングチャンバーない及び昇華チャンバー内の圧力を、静電容量式圧力計でガス圧を監視しながら、エアー駆動バルブを開閉する方法で自動的に行う。
なお、ＸｅＦ２ガスによるシリコン（Ｓｉ）のエッチングのメカニズムは、以下の式の通りである。
２ＸｅＦ２＋Ｓｉ→２Ｘｅ＋ＳｉＦ４
【００３８】
保護層４３がシリコン（Ｓｉ）から形成されているので、保護層４３と、ＸｅＦ２とが化学反応して、Ｘｅ（キセノン）ガスと、ＳｉＦ４（４フッ化シリコン）ガスとが発生する。そのため、レジストマスクを用いることなく保護層４３をドライエッチングすることができる。また、ＸｅＦ２（２フッ化キセノン)はシリコン（Ｓｉ）に対して等方性エッチング可能であることから、水平配向膜４２上に保護層４３を残すことなく除去することができる。このように、エッチングガスとしてＸｅＦガス（ＸｅＦ２ガス）を用いてドライエッチングを施すことにより、水平配向膜４２や垂直配向膜４１にダメージを与えることなく保護層４３のみを選択的にエッチングすることができる。
これにより第１のエリアＡ１に垂直配向膜４１を、第２のエリアＡ２に水平配向膜４２を、それぞれ備えた素子基板１０を形成する。
【００３９】
次に、ラビング布をローラに巻きつけた不図示のラビング処理装置により、水平配向膜４２の表面にラビング処理を行い、水平配向膜４２に配向性を付与する。この時、垂直配向膜４１の表面にもラビング処理が施されることになるが、本実施形態の垂直配向膜４１ａは、上述したようにポリシロキサンのように無機系の材料からなる剛直な構造のものであるから、ラビング処理によって垂直配向膜４１ａに配向性が付与されることはない。そのため、水平配向膜４２のみに配向性が付与されることになる。
【００４０】
また、素子基板１０とは別に、図８（ａ）に示すように対向基板２０を形成する。この対向基板２０は、ガラス等の透明な材料からなる基板２０Ａ上に、ＩＴＯ等の透明導電体を用いて共通電極２１を形成し、この共通電極２１上に、垂直配向膜６１を形成する。これらの工程は公知の手法を用いることができ、例えば共通電極２１の形成にはスパッタ法等が、また、垂直配向膜６１の形成には、配向膜材料に応じてスピンコート法やＣＶＤ法等が用いられる。
【００４１】
次に、図８（ｂ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０とを、垂直配向膜４１、６１および水平配向膜４２が内側になるように貼り合わせ、図８（ｃ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０との間に、液晶層５０を封入することで、透過型液晶装置１を形成する。
【００４２】
以上のような製造方法によれば、レジストパターンＲを除去する際、水平配向膜４２の表面が保護層４３によって覆われているので、レジスト剥離液が水平配向膜４２の表面に接液することが防止され、レジスト剥離液によって水平配向膜４２が変質してしまうことを防止することができる。これにより、水平配向膜４２の配向性がレジスト剥離液によって影響（ダメージ）を受けることがなくなり、画素領域周辺の第２エリアＡ２（非表示領域内）において液晶を安定して配向させることができる。
したがって、効率的に水平配向膜４２と垂直配向膜４１とを形成することができ、よって、高い生産性で液晶装置１を製造できる。
【００４３】
なお、本実施形態では、遮光膜１３をＣｒ等によって形成して非表示領域ＢＭを規定しているが、例えば配線電極等によって非表示領域ＢＭを規定しても良い。
また、水平配向膜４２として、例えばＳｉＯ２等からなる無機配向膜を斜方蒸着法によって形成する場合等では、この無機配向膜の材料層についてはラビング処理を省略することができる。
【００４４】
［液晶装置の製造方法の第２実施形態］
次に、本発明に係る液晶装置の製造方法の第２実施形態について説明する。なお、本実施形態においては、上記透過型液晶装置１の製造方法を例にして説明し、第１の実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
図９及び図１０は、上記透過型液晶装置１（液晶装置）の製造方法の第２の実施形態を説明する図である。
【００４５】
本実施形態では、まず、図９（ａ）に示すように、基板１０Ａの画素電極９上にレジストパターンＲを形成する。具体的には、画素電極９上の垂直配向膜形成箇所（第１の配向膜形成箇所）に対応する第１エリアＡ１に、レジストパターンＲを形成する。
そして、図９（ｂ）に示すように、このレジストパターンＲをマスクにして、例えばスピンコート法等の方法によりポリイミド（ＰＩ）等の水平配向膜の材料を塗布し、樹脂膜４２ａ（第２の配向膜材料層）を形成する。このとき、画素電極９の垂直配向膜形成箇所（第１エリアＡ１）はレジストパターンＲによって覆われているので、画素電極９の垂直配向膜形成箇所に水平配向膜４２の材料が付着することが防止される。
【００４６】
次に、図９（ｃ）に示すように、樹脂膜４２ａの表面全体にシリコンを、ＣＶＤ法やスパッタ法などを用いて塗布し、シリコン薄膜からなる保護層４３を形成する。保護層４３の厚みは数１００ｎｍ程度とする。このように、ＰＩからなる樹脂膜４２ａの表面を保護層４３によって被覆しておく。
【００４７】
次に、図１０（ａ）に示すように、例えばＮメチル２ピロリドン等のレジスト剥離液を用いてレジストパターンＲを除去し、その上に設けられた樹脂膜４２ａや保護層４３も一緒に除去することにより、画素電極９の垂直配向膜形成箇所を露出させる。同時に基板１０Ａ上の第２のエリアＡ２となる位置に、表面が保護層４３で覆われた水平配向膜４２が形成される。
【００４８】
次に、図１０（ｂ）に示すように、水平配向膜４２上を覆っている保護層４３を、ＸｅＦ２（２フッ化キセノン）ガスを用いたドライエッチングで除去する。ＸｅＦ２（２フッ化キセノン）ガスは、上記したようにシリコン（Ｓｉ）のみに反応するため、水平配向膜４２や画素電極９にダメージを与えることなく保護層４３のみを除去できる。
【００４９】
次に、図１０（ｂ）に示すように、水平配向膜４２が形成された基板１０Ａの第１エリアＡ１となる位置に垂直配向膜４１（第１の配向膜）を形成する。垂直配向膜４１の形成には、配向膜材料や基板１０Ａ上の構成に応じて、スピンコート法やＣＶＤなどが用いられる。ＣＶＤ法では、例えば、長鎖アルキル基や剛直な平面構造を有する官能基を、水平配向膜４２間に露出した画素電極９上に選択的に形成することができる。具体的には、まず、基板１０Ａに、例えばＮ２雰囲気にて１５０〜１８０℃程度の温度で３時間程度乾燥処理を行う。その後、基板１０Ａを、例えばＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）溶液を有した容器とともに密閉容器内に放置する。そして、この容器を例えば１５０℃の温度で一時間程度加熱することによって、ＯＤＳ溶液の蒸気を基板１０Ａの画素電極９露出面に接触させ、垂直配向膜４１を形成する。
【００５０】
その後、水平配向膜４２の表面にラビング処理を行い、水平配向膜４２に配向性を付与する。
【００５１】
以下、第１実施形態同様に対向基板２０を形成し、素子基板１０と対向基板２０とを、垂直配向膜４１、６１および水平配向膜４２が内側になるように貼り合わせ、素子基板１０と対向基板２０との間に、液晶層５０を封入することで、透過型液晶装置１を形成する。
【００５２】
以上のような製造方法によっても、レジストパターンＲを除去する際、水平配向膜４２の表面が保護層４３によって覆われているので、レジスト剥離液が水平配向膜４２の表面に接液することを防止でき、レジスト剥離液によって水平配向膜４２が変質してしまうことを防止することができる。これにより、水平配向膜４２の配向性が、レジスト剥離液によって影響（ダメージ）を受けることがなくなり、画素領域周辺の第２エリアＡ２（非表示領域内）において液晶を安定して配向させることができる。したがって、効率的に水平配向膜４２と垂直配向膜４１とを形成することができ、よって、高い生産性で液晶装置１を製造できる。
【００５３】
［電子機器］
上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００５４】
図１１（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理装置本体、符号６０２は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００５５】
図１１（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００５６】
このように図８に示す電子機器は、表示部に上述の本発明の一例たる液晶装置を適用したものであるので、高コントラストで、かつ表示品質が高い表示装置となる。
【００５７】
［投射型表示装置］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置（プロジェクタ）の構成について、図１２を参照して説明する。図１２は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図１１において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投写レンズを示す。
【００５８】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【００５９】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００６０】
各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００６１】
上記構造を有する投射型表示装置は、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えたものであるので、高コントラストで、かつ表示品質が高い表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明に係る液晶装置１の等価回路図。
【図２】液晶装置１の表示部要部を平面視した模式図。
【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図。
【図４】電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図。
【図５】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図６】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図７】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図８】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図９】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図１０】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図１１】本発明に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図。
【図１２】本発明に係る投射型表示装置についての一例を示す図。
【符号の説明】
【００６３】
１…透過型液晶装置（液晶装置）、９…画素電極、９ａ…周辺部、１０…素子基板（第１基板）、１３…遮光膜、２０…対向基板（第２基板）、２１…共通電極、４１、６１…第１の配向膜（垂直配向膜）、４２…第２の配向膜（水平配向膜）、４１ａ…塗布膜（第１の配向膜材料層）、４２ａ…樹脂膜（第２の配向膜材料層）、４３…保護層、５０…液晶層、５１，５２…液晶Ａ１…第１のエリア、Ａ２…第２のエリア、Ｐ…表示領域（画素開口部）、ＢＭ…非表示領域、Ｒ…レジストパターン（マスク材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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