(57)【要約】【課題】  本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、ライトシールド層が突出することを抑制して、ヘッドスライダの記録媒体表面からの浮上量を縮小できるようにする。【解決手段】  薄膜磁気ヘッド３００は、記録媒体に対向するエアベアリング面の側に磁極端面を有する主磁極層と、エアベアリング面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有している。この薄膜磁気ヘッドは、薄膜コイルがエアベアリング面からの距離が異なる位置に配置されている複数のターン部を有し、感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる非膨張部がターン部同士の間に形成されている。【選択図】  図１
2009272030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜コイルは、前記媒体対向面からの距離が異なる位置に配置されている複数のターン部を有し、
感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる非膨張部が前記ターン部同士の間に形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側に配置されている対向絶縁層を更に有し、
該対向絶縁層と、前記薄膜コイルとの間に前記非膨張部が更に形成されている請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記ライトシールド層は、前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側に配置されている前側シールド部を有し、該前側シールド部と、前記薄膜コイルとの間に前記非膨張部が更に形成されている請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記ライトシールド層は、前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面から離れた位置に配置されている後側シールド部を有し、該後側シールド部と前記薄膜コイルとの間に前記非膨張部が更に形成されている請求の範囲第３項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記ライトシールド層は、前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側に配置されている前側シールド部と、前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面から離れた位置に配置されている後側シールド部と、前記前側シールド部と前記後側シールド部とをつなぐ接続シールド部とを有し、前記前側シールド部と前記薄膜コイルとの間および前記後側シールド部と前記薄膜コイルとの間にそれぞれ前記非膨張部が更に形成されている請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記前側シールド部と前記後側シールド部との間において、前記薄膜コイルと前記非膨張部とに接触する層間絶縁層を更に有する請求の範囲第４項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記前側シールド部と前記後側シールド部との間において、前記薄膜コイルと前記非膨張部とに接触する層間絶縁層を更に有する請求の範囲第５項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
非磁性材料を用いて前記接続シールド部を覆うように形成された変位抑制層を更に有する請求の範囲第５項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記変位抑制層を露出しないように被覆する保護層を更に有する請求の範囲第８項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記ライトシールド層は、前記後側シールド部から前記媒体対向面側に回り込んで形成されている回り込みシールド部を更に有し、
前記層間絶縁層が前記回り込みシールド部に接触している請求の範囲第６項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記非膨張部は、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を用いて構成されている請求の範囲第１項〜第１０項のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
積層体の表面に前記薄膜コイルを形成した後、該薄膜コイルを被覆するようにして前記積層体の表面に感光性樹脂を塗布する工程と、
前記薄膜コイルが現われるまで前記積層体の表面を研磨した後、前記感光性樹脂を除去して得られる間隙部に、前記感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる絶縁充填材を満たして非膨張部を形成する工程と、
前記主磁極層、前記ギャップ層および前記ライトシールド層をそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記積層体の表面に前記感光性樹脂を塗布する工程の後に前記積層体の表面をカバーし得るカバー絶縁膜を前記積層体の表面に形成する工程を行い、その後、前記薄膜コイルが現われるまで前記積層体の表面を研磨する請求の範囲第１２項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記感光性樹脂を除去して前記間隙部が得られた後に前記積層体の表面に前記絶縁充填材を塗布して、前記積層体の表面をカバーし得るカバー絶縁膜を再び形成し、その後、前記薄膜コイルが現われるまで前記積層体の表面を研磨することにより、前記間隙部に前記絶縁充填材を満たして前記非膨張部を形成する請求の範囲第１３項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜コイルを構成するターン部同士の間および該ターン部と前記媒体対向面との間に前記間隙部を形成する請求の範囲第１４項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記間隙部のうち、前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面側に配置されている前側間隙部を形成するための、前記ライトシールド層を構成する前側シールド部を形成する工程を更に有する請求の範囲第１５項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁充填材として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を用いる請求の範囲第１２項〜第１６項のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルは、前記媒体対向面からの距離が異なる位置に配置されている複数のターン部を有し、
感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる非膨張部が前記ターン部同士の間に形成されているヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１９】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルは、前記媒体対向面からの距離が異なる位置に配置されている複数のターン部を有し、
感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる非膨張部が前記ターン部同士の間に形成されているハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近ではハードディスク装置の面記録密度は、１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに分けることができる。長手磁気記録方式はハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向にデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式はハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する方式である。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手磁気記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手磁気記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
従来の垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、米国特許第６，５０４，６７５号明細書、米国特許第４，６５６，５４６号明細書、米国特許第４，６７２，４９３号明細書、特開２００４−９４９９７号公報等に開示されている。
【０００５】
ところで、従来、垂直磁気記録方式の磁気ヘッド（ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｈｅａｄ：以下「ＰＭＲ」ともいう）は、磁極層と薄膜コイルとを有している。磁極層は、垂直磁気記録方式によってデータを記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。薄膜コイルは記録媒体に記録するデータに応じた磁界を発生する。
【０００６】
この種のＰＭＲとして、従来、米国特許第４，６５６，５４６号明細書に記載されているように、ライトシールド層を備えたＰＭＲが知られていた。ライトシールド層を備えたＰＭＲは、例えば図３９に示すような構造を有している。図３９は従来のＰＭＲ５００の構造を示す断面図である。
【０００７】
このＰＭＲ５００は、絶縁層５０１と、主磁極層５０２と、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面、ＡＢＳともいう）５０３と、ギャップ層５０４とを有している。また、ＰＭＲ５００は、ライトシールド（Ｗｒｉｔｅ  ｓｈｉｅｌｄ）層５０５と、薄膜コイル５０６と、フォトレジスト５０７とを有し、さらに、主磁極層５０２とライトシールド層５０５を連結する連結部５０８を有している。
【０００８】
主磁極層５０２は、絶縁層５０１上に形成され、ＡＢＳ５０３の側に配置された磁極端部を有している。ライトシールド層５０５は、ＡＢＳ５０３から離れた位置で主磁極層５０２と磁気的に連結され、ＡＢＳ５０３の側でギャップ層５０４を挟んで主磁極層５０２と対向している。薄膜コイル５０６は、フォトレジスト５０７により互いに絶縁され、連結部５０８の周りに平面渦巻き状に巻回されている。
【０００９】
そして、主磁極層５０２とライトシールド層５０５は、磁性材料によって形成され、ギャップ層５０４はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料によって形成されている。また、薄膜コイル５０６は銅等の導電性材料によって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第６，５０４，６７５号明細書
【特許文献２】米国特許第４，６５６，５４６号明細書
【特許文献３】米国特許第４，６７２，４９３号明細書
【特許文献４】特開２００４−９４９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来のＰＭＲでは、薄膜コイルに電流を流し磁界を発生させて記録媒体にデータを記録する。ＰＭＲ５００の場合であれば、薄膜コイル５０６に電流を流して記録媒体にデータを記録する。
【００１２】
しかし、薄膜コイル５０６は、電流を流すと発熱するため、その熱が周囲のフォトレジスト５０７に伝わってしまう。フォトレジスト５０７は、有機物質で形成されているため、薄膜コイル５０６よりも膨張係数が大きい。そのため、フォトレジスト５０７は熱が加わると膨張しやすい。フォトレジスト５０７が膨張すると、ライトシールド層５０５のＡＢＳ５０３側の端部がＡＢＳ５０３よりも外側に向かって押し出されてしまい、ライトシールド層５０５のＡＢＳ５０３側の端部が突出してしまう。
【００１３】
一方、図４０に示すように、ＰＭＲ５００のような記録媒体にデータを記録するときに用いる記録ヘッド５１１と、記録媒体に記録されているデータを読み出すときに用いる再生ヘッド５１２とは、ヘッドスライダ５１３に組み込まれている。ヘッドスライダ５１３は、記録媒体５２０の表面に対して傾斜した状態で図示しないジンバルに取り付けられている。ヘッドスライダ５１３は空気流入側の端部から、ＡＢＳと記録媒体５２０の表面との間に流入する空気流によって、記録媒体５２０の表面からごくわずかに浮上する（浮上量ｈ）ようになっている。
【００１４】
そして、記録密度の向上や、記録ヘッド５１１および再生ヘッド５１２の感度（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を高め、信号対雑音比を向上させるためには、可能な限りヘッドスライダ５１３を記録媒体５２０の表面に近づけて配置する、すなわち、浮上量ｈを縮小することが望ましい。
【００１５】
しかし、前述のように、フォトレジスト５０７の膨張によってＡＢＳ５０３側の端部が突出すると、記録ヘッド５１１が記録媒体５２０に衝突し、ハードディスク装置の故障を引き起こしやすくなる。とりわけ、再生ヘッド５１２よりも記録ヘッド５１１の方が記録媒体５２０の表面に近い位置に配置されているため、記録ヘッド５１１の方が記録媒体５２０に衝突しやすい。そのため、感度を高めたくても、ヘッドスライダ５１３を記録媒体５２０の表面に近づけることができない。このように従来のＰＭＲでは、ヘッドスライダ５１３の浮上量ｈを縮小することが困難であった。そのため、従来技術では、記録ヘッド５１１および再生ヘッド５１２の感度（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を高め、信号対雑音比を向上させることが困難であった。
【００１６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、ライトシールド層が突出することを抑制して、ヘッドスライダの記録媒体表面からの浮上量を縮小できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイルは、媒体対向面からの距離が異なる位置に配置されている複数のターン部を有し、感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる非膨張部がターン部同士の間に形成されている薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
【００１８】
この薄膜磁気ヘッドの場合、非膨張部は感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなるため、薄膜コイルの熱が加わっても膨張しない。
【００１９】
また、上記薄膜磁気ヘッドは、薄膜コイルよりも媒体対向面側に配置されている対向絶縁層を更に有し、その対向絶縁層と、薄膜コイルとの間に非膨張部が更に形成されているようにすることができる。
【００２０】
このような非膨張部を形成することにより、媒体対向面に近い部分の膨張を抑制することができる。
【００２１】
さらに、ライトシールド層は、薄膜コイルよりも媒体対向面側に配置されている前側シールド部を有し、その前側シールド部と、薄膜コイルとの間に非膨張部が更に形成されているようにすることができる。
【００２２】
このような非膨張部を形成しても、媒体対向面に近い部分の膨張を抑制することができる。
【００２３】
さらにライトシールド層は、薄膜コイルよりも媒体対向面から離れた位置に配置されている後側シールド部を有し、その後側シールド部と薄膜コイルとの間に非膨張部が更に形成されているようにすることができる。このようにすると、媒体対向面側の突出を確実に抑制することができる。
【００２４】
さらにライトシールド層は、薄膜コイルよりも媒体対向面側に配置されている前側シールド部と、薄膜コイルよりも媒体対向面から離れた位置に配置されている後側シールド部と、前側シールド部と後側シールド部とをつなぐ接続シールド部とを有し、前側シールド部と薄膜コイルとの間および後側シールド部と薄膜コイルとの間にそれぞれ非膨張部が更に形成されているようにすることができる。このようにすると、媒体対向面側の突出をより確実に抑制することができる。
【００２５】
また、前側シールド部と後側シールド部との間において、薄膜コイルと非膨張部とに接触する層間絶縁層を更に有するようにすることができる。
【００２６】
そして、上記薄膜磁気ヘッドは、非磁性材料を用いて接続シールド部を覆うように形成された変位抑制層を更に有することが好ましい。
【００２７】
この変位抑制層は、薄膜コイルの発生する熱による接続シールド部の変位を抑制する。
【００２８】
また、変位抑制層を露出しないように被覆する保護層を更に有することが好ましい。この保護層は、媒体対向面を形成する際に、変位抑制層が媒体対向面から突出することを抑制する。
【００２９】
さらに、ライトシールド層は、後側シールド部から媒体対向面側に回り込んで形成されている回り込みシールド部を更に有し、層間絶縁層が回り込みシールド部に接触しているようにすることもできる。
【００３０】
上記いずれの薄膜磁気ヘッドも、非膨張部は、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を用いて構成されているようにすることができる。
【００３１】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）から（３）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）積層体の表面に薄膜コイルを形成した後、その薄膜コイルを被覆するようにして積層体の表面に感光性樹脂を塗布する工程
（２）薄膜コイルが現われるまで積層体の表面を研磨した後、感光性樹脂を除去して得られる間隙部に、感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる絶縁充填材を満たして非膨張部を形成する工程
（３）主磁極層、ギャップ層およびライトシールド層をそれぞれ形成する工程
【００３２】
この製造方法では、非膨張部を形成するための間隙部を感光性樹脂を用いて確保し、その間隙部に絶縁充填材を満たして非膨張部を形成している。
【００３３】
また、上記製造方法において、積層体の表面に感光性樹脂を塗布する工程の後に積層体の表面をカバーし得るカバー絶縁膜を積層体の表面に形成する工程を行い、その後、薄膜コイルが現われるまで積層体の表面を研磨することができる。こうすると、カバー絶縁膜と薄膜コイルとの間に非膨張部を形成することができる。
【００３４】
さらに、上記製造方法において、感光性樹脂を除去して間隙部が得られた後に積層体の表面に絶縁充填材を塗布して、積層体の表面をカバーし得るカバー絶縁膜を再び形成し、その後、薄膜コイルが現われるまで積層体の表面を研磨することにより、間隙部に絶縁充填材を満たして非膨張部を形成することができる。こうすると、絶縁充填材を塗布することによって絶縁性非膨張部を形成することができる。
【００３５】
上記製造方法では、薄膜コイルを構成するターン部同士の間およびそのターン部と媒体対向面との間に間隙部を形成することができる。こうすると薄膜コイルよりも媒体対向面側に非膨張部を形成することができる。
【００３６】
また、間隙部のうち、薄膜コイルよりも媒体対向面側に配置されている前側間隙部を形成するための、ライトシールド層を構成する前側シールド部を形成する工程を更に有するようにすることができる。
【００３７】
こうすると、前側シールド部と薄膜コイルとの間に前側間隙部を形成し、そこに絶縁性非膨張部を形成することができる。
【００３８】
上記製造方法では、絶縁充填材として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を用いることができる。
【００３９】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは、媒体対向面からの距離が異なる位置に配置されている複数のターン部を有し、感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる非膨張部がターン部同士の間に形成されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００４０】
さらに、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面の側において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは、媒体対向面からの距離が異なる位置に配置されている複数のターン部を有し、感光性樹脂よりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなる非膨張部がターン部同士の間に形成されているハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００４１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、ライトシールド層が突出することを抑制して、ヘッドスライダの記録媒体表面からの浮上量を縮小できるようにする。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと交差する方向に沿った図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、図１（ｂ）は薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図２】図２（ａ）は第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程における図１（ａ）に対応した断面図、図２（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３】図３（ａ）は図２の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図３（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図４】図４（ａ）は図３の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図４（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図５】図５（ａ）は図４の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図５（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図６】図６（ａ）は図５の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図６（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図７】図７（ａ）は図６の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図７（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図８】図８（ａ）は図７の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図８（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図９】図９（ａ）は図８の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図９（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は図９の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１０（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は図１０の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１１（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は図１１の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１２（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１３】図１３（ａ）は図１２の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１３（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は図１３の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１４（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１５】図１５（ａ）は図１４の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１５（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１６】図１６（ａ）は図１５の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１６（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１７】図１７（ａ）は図１６の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１７（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１８】図１８（ａ）は図１７の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１８（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図１９】図１９（ａ）は図１８の後続の工程を示す図１（ａ）に対応した断面図、図１９（ｂ）は同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【図２０】図２０（ａ）はキャビティを示す平面図、図２０（ｂ）は同じく図２０（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２１】図２１（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと交差する方向に沿った図２１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、図２１（ｂ）は薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図２２】図２２（ａ）は第２の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程における図２１（ａ）に対応した断面図、図２２（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図２３】図２３（ａ）は図２２の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図２３（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図２４】図２４（ａ）は図２３の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図２４（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図２５】図２５（ａ）は図２４の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図２５（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図２６】図２６（ａ）は図２５の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図２６（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図２７】図２７（ａ）は図２６の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図２７（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図２８】図２８（ａ）は図２７の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図２８（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図２９】図２９（ａ）は図２８の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図２９（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３０】図３０（ａ）は図２９の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図３０（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３１】図３１（ａ）は図３０の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図３１（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３２】図３２（ａ）は図３１の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図３２（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３３】図３３（ａ）は図３２の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図３３（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３４】図３４（ａ）は図３３の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図３４（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３５】図３５（ａ）は図３４の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図３５（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３６】図３６（ａ）は図３５の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図３６（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３７】図３７（ａ）は図３６の後続の工程を示す図２１（ａ）に対応した断面図、図３７（ｂ）は同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【図３８】図３８は本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【図３９】図３９は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
【図４０】図４０は従来の薄膜磁気ヘッドを組み込んだスライダと、記録媒体の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
【００４４】
まず、図１（ａ）、（ｂ）を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」という）と交差する方向に沿った図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、図１（ｂ）は薄膜磁気ヘッド３００のＡＢＳ３０を示す正面図である。
【００４５】
薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３０を有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。
【００４６】
再生ヘッドは、ＡＢＳ３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、基板１上に形成されている絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３と、ＭＲ素子５をシールドしているシールドギャップ膜４とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜４の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層６と、上部シールド層６の上に形成されている絶縁層７とを有している。
【００４７】
ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。
【００４８】
記録ヘッドは、下部薄膜コイル１０と、上部薄膜コイル５０と、下部非膨張部１５と、上部非膨張部５５と、主磁極層２５と、ギャップ層２６と、ライトシールド層４０と、変位抑制層６０および保護層６１を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【００４９】
また、記録ヘッドは、下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳ３０側に（ＡＢＳ３０に近い位置に）配置されている下部対向絶縁層２１ａおよび上部対向絶縁層３６と、下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている後側絶縁層２１ｂとを有している。
【００５０】
さらに、記録ヘッドは第１の層間絶縁層３４と、第２の層間絶縁層３５とを有している。
【００５１】
下部薄膜コイル１０は下部対向絶縁層２１ａと後側絶縁層２１ｂとの間に４つのターン部１１，１２，１３，１４を有している。下部薄膜コイル１０は上部薄膜コイル５０と図示しない部分でつながって一連のコイルを形成し、主磁極層２５の回りに巻回されている。そして、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０とは記録媒体に記録するデータに応じた磁界を発生する。
【００５２】
上部薄膜コイル５０は、後述する前側シールド部４２と後側シールド部４４との間に４つのターン部５１，５２，５３，５４を有している。上部薄膜コイル５０は、下部薄膜コイル１０と図示しない部分でつながって一連のコイルを形成している。
【００５３】
下部非膨張部１５は、下部薄膜コイル１０のターン部１１，１２，１３，１４の間に埋め込むようにして形成され、ターン部１１，１２，１３，１４に直に接触している。また、下部非膨張部１５はターン部１１と下部対向絶縁層２１ａとの間にも埋め込むようにして形成されており、ターン部１１と下部対向絶縁層２１ａの双方にも直に接触している。さらに、下部非膨張部１５は、ターン部１４と後側絶縁層２１ｂとの間にも埋め込むようにして形成されており、ターン部１４と後側絶縁層２１ｂの双方にも直に接触している。これらの下部非膨張部１５は、フォトレジストよりも熱膨張係数の小さい絶縁性の材料からなり、本実施の形態では、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）によって構成されている。そのため、下部非膨張部１５は、下部薄膜コイル１０の発生する熱を内側に溜め込まずに外に放散する作用に優れている。
【００５４】
上部非膨張部５５は、上部薄膜コイル５０のターン部５１，５２，５３，５４の間に埋め込むようにして形成され、ターン部５１，５２，５３，５４に直に接触している。また、上部非膨張部５５はターン部５１と後述する前側シールド部４２との間にも埋め込むようにして形成されており、ターン部５１と前側シールド部４２との双方にも直に接触している。さらに、上部非膨張部５５は、ターン部５４と後側シールド部４４との間にも埋め込むようにして形成されており、ターン部５４と後側シールド部４４の双方にも直に接触している。これらの上部非膨張部５５も、下部非膨張部１５と同様にＳＯＧによって構成されている。上部非膨張部５５は、上部薄膜コイル５０の発生する熱を内側に溜め込まずに外に放散する作用に優れている。
【００５５】
主磁極層２５は、図１（ｂ）に示すように、ＡＢＳ３０側に磁極端面２５ａを有している。磁極端面２５ａは下部薄膜コイル１０側よりも上部薄膜コイル５０側の幅が広く、その幅が下部薄膜コイル１０に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面２５ａの上部薄膜コイル５０側の幅がトラック幅ｔｗを規定している。トラック幅ｔｗは例えば０．０５〜０．２μｍ程度である。
【００５６】
そして、主磁極層２５は、磁極端面２５ａを有するトラック幅規定部と、トラック幅規定部よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも、幅広の幅広部とを有している（トラック幅規定部と、幅広部とは図示せず）。トラック幅規定部はＡＢＳ３０からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がった後、一定の大きさになっている。本実施の形態では、磁極端面２５ａから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。また、トラック幅規定部のＡＢＳ３０からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば０．０５〜０．３μｍ程度である。
【００５７】
なお、後述する非磁性層３１の下面におけるＡＢＳ３０に最も近い縁部分と、ＡＢＳ３０との距離がスロートハイトと等しい。スロートハイトは例えば０．０８〜０．１２μｍ程度である。
【００５８】
また、主磁極層２５は、傾斜面(詳しくは図１１（ａ）参照)２５ｂと、上端面２５ｃと、段差部２５ｄと、上端面２５ｅとを有している。傾斜面２５ｂは、ＡＢＳ３０から離れるにしたがいＡＢＳ３０からの距離が漸次大きくなる上り傾斜状に形成されている。上端面２５ｃは、傾斜面２５ｂよりも離れた位置にＡＢＳ３０と垂直な方向に沿って平坦に形成されている。段差部２５ｄは、上端面２５ｃからやや下がって形成されている。上端面２５ｅは、段差部２５ｄよりも離れた位置にＡＢＳ３０と垂直な方向に沿って平坦に形成されている。
【００５９】
主磁極層２５には、後述する対向シールド部４１と、回り込みシールド部４５との間の上端面２５ｃ上に非磁性層３１，３２が積層されている。
【００６０】
さらに、主磁極層２５は、被膜２４および研磨停止層２７を介して積層されている。そして、主磁極層２５は、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０が発生した磁界に対応する磁束を通過させるとともに、垂直磁気記録方式によってデータを記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
【００６１】
次に、ギャップ層２６は、主磁極層２５の傾斜面２５ｂに沿って、対向シールド部４１と、主磁極層２５および非磁性層３１，３２との間に形成されている。ギャップ層２６は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなり、傾斜面２５ｂと、非磁性層３１，３２を被覆するようにして形成されている。
【００６２】
そして、ライトシールド層４０は、対向シールド部４１と、前側シールド部４２と、接続シールド部４３と、後側シールド部４４と、回り込みシールド部４５を有している。
【００６３】
対向シールド部４１は、ＡＢＳ３０に臨む端面を有し、ギャップ層２６を挟んで、ＡＢＳ３０側から順に主磁極層２５、非磁性層３１，非磁性層３２に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部４１は上面が平坦になっていて、その上面に前側シールド部４２が接続されている。
【００６４】
前側シールド部４２は、上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ３０側に配置されている。前側シールド部４２は、上部対向絶縁層３６と上部非膨張部５５との間に配置され、上部対向絶縁層３６と上部非膨張部５５の双方に直に接触している。また、前側シールド部４２は、対向シールド部４１と、接続シールド部４３とに接続されている。
【００６５】
接続シールド部４３は、上部非膨張部５５および上部薄膜コイル５０を跨ぐように形成され、前側シールド部４２と後側シールド部４４とを接続している。
【００６６】
後側シールド部４４は上部非膨張部５５および上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。後側シールド部４４は、上部非膨張部５５に直に接触している。また、後側シールド部４４は接続シールド部４３と回り込みシールド部４５とに接続されている。
【００６７】
回り込みシールド部４５は、後側シールド部４４からＡＢＳ３０側に、ターン部５２、５３，５４および上部非膨張部５５の分、回り込んで形成されている。回り込みシールド部４５は後側シールド部４４からＡＢＳ３０側に回り込んだ部分が第１の層間絶縁層３４に接触している。回り込みシールド部４５は、主磁極層２５の上端面２５ｃの一部と、段差部２５ｄと、上端面２５ｅに接続されている。さらに、回り込みシールド部４５は上部薄膜コイル５０および上部非膨張部５５よりもＡＢＳ３０から離れた位置に後側シールド部４４が接続されている。
【００６８】
第１の層間絶縁層３４と第２の層間絶縁層３５とは、いずれも、前側シールド部４２と後側シールド部４４との間において、上部薄膜コイル５０と上部非膨張部５５とに接触している。そして、第１の層間絶縁層３４は下部薄膜コイル１０と、上部薄膜コイル５０との間に配置され、第２の層間絶縁層３５は上部薄膜コイル５０の外側に配置されている。
【００６９】
一方、変位抑制層６０は接続シールド部４３を覆うように形成され、ＡＢＳ３０に沿った端面６０ａを有している。端面６０ａは、ＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【００７０】
変位抑制層６０は線熱膨張係数の小さい非磁性材料によって形成されている。例えば、変位抑制層６０は無機材料または金属材料を用いることが好ましく、例えばＳｉＣ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４、Ｗ（タングステン）を用いることができる。特に、変位抑制層６０は硬度の大きい非磁性材料を用いることが好ましい。例えば、ＳｉＣはアルミナに比べてビッカース硬度が大きいため、変位抑制層６０はＳｉＣを用いることが好ましい。保護層６１は、変位抑制層６０が露出しないように被覆するようにして形成されている。
【００７１】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は下部非膨張部１５と上部非膨張部５５とを有している。下部非膨張部１５と上部非膨張部５５は、いずれもＳＯＧから構成されている。そのため、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５は、フォトレジストよりも熱膨張係数が小さく、しかも多数の微粒子が含まれているから外側から熱を伝えられても、その熱を内側に溜め込むことなく放散する作用に優れている。また、下部非膨張部１５と、上部非膨張部５５とは、それぞれターン部１１〜１４、ターン部５１〜５４の間に埋め込むようにして形成されているから、各ターン部１１〜１４、ターン部５１〜５４の側面部分に広く接触している。そのため、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５とは、各ターン部の発生する熱を広く受け入れるようになっている。
【００７２】
そして、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０とに電流が流れると、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０とが熱を発生する。下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０には、直に下部非膨張部１５と上部非膨張部５５が接触しているから、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０が発生した熱は直接それぞれ下部非膨張部１５と上部非膨張部５５とに伝達される。また、各ターン部１１〜１４、ターン部５１〜５４の両側の側面に下部非膨張部１５と上部非膨張部５５が接触しているから、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０の発生した熱はより効果的に下部非膨張部１５と上部非膨張部５５に伝達される。
【００７３】
しかしながら、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５は熱膨張係数が小さい絶縁性の材料で形成されているから、熱が加わっても、膨張することが極めて少なくほとんど膨張しない。そのため、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０に電流を流し、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０が発熱しても、下部非膨張部１５よりもＡＢＳ３０側に配置されている下部対向絶縁層２１ａや、上部非膨張部５５よりもＡＢＳ３０側に配置されている前側シールド部４２がＡＢＳ３０に向かって外側に押し出されることがない。
【００７４】
したがって、薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１０や上部薄膜コイル５０の発熱に伴いライトシールド層４０が突出することを抑制することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。
【００７５】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、図示しないスライダに組み込まれるが、そのスライダの記録媒体表面からの浮上量を縮小することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度（resolution）を高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド３００のような構成を備えることで、記録密度の高いＰＭＲの歩留まりを高めることができる。
【００７６】
特に、薄膜磁気ヘッド３００の場合、各ターン部５１〜５４の間だけでなく、ターン部５１と前側シールド部４２との間にも上部非膨張部５５が形成されている。各ターン部５１〜５４の間にだけ、上部非膨張部５５を形成しても、上部薄膜コイル５０の発熱に伴う前側シールド部４２の突出を抑制することは可能である。しかしながら、ターン部５１のＡＢＳ３０側の側面にフォトレジストを埋め込んだままにしておくと、そのフォトレジストがターン部５１からの発熱で膨張してしまい、前側シールド部４２を押し出してしまう。
【００７７】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００は、ターン部５１と前側シールド部４２の間にも上部非膨張部５５を形成することによって、ターン部５１のＡＢＳ３０側の側面から発生する熱を効果的に放散し、前側シールド部４２の突出を抑制するようにしている。これにより、ライトシールド層４０の突出を一層抑制することができる。
【００７８】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００では、ターン部５４と後側シールド部４４との間にも上部非膨張部５５を形成している。こうすることによって、ターン部５４のＡＢＳ３０から離れた側の側面から発生する熱を効果的に放散して、ライトシールド層４０の突出をより一層抑制するようにしている。
【００７９】
その上、薄膜磁気ヘッド３００では、ターン部１１と下部対向絶縁層２１ａの間およびターン部１４と後側絶縁層２１ｂとの間にも、下部非膨張部１５を形成している。こうすることによって、ターン部１１のＡＢＳ３０側の側面およびターン部１４のＡＢＳ３０から離れた側の側面から発生する熱を効果的に放散してライトシールド層４０の突出をより一層抑制するようにしている。
【００８０】
以上のような下部非膨張部１５および上部非膨張部５５に加え、薄膜磁気ヘッド３００は、変位抑制層６０が形成されている。そのため、下部薄膜コイル１０および上部薄膜コイル５０の発生する熱による接続シールド部４３の変位を抑制することもできる。したがって、接続シールド部４３の変位に伴う対向シールド部４１および前側シールド部４２の変位を抑制することができ、これにより、対向シールド部４１のＡＢＳ３０からの突出をより一層抑制できるようにもなっている。
【００８１】
そして、アルミナよりも硬度が大きいＳｉＣのような非磁性材料を用いて変位抑制層６０を構成する場合、仮に、その変位抑制層６０がＡＢＳ３０上で露出していたとする。そうすると、積層体について、ＡＢＳ３０を形成するための研磨を行った際に、変位抑制層６０がＡＢＳ３０から突出してしまうおそれがある。これは、アルミナよりも硬度が大きい非磁性材料はアルミナよりも研磨されにくいからである。そのため、変位抑制層６０を形成するときは、ＡＢＳ３０から離した位置に変位抑制層６０を形成するとともに、保護層６１を形成し、その保護層６１によって変位抑制層６０をＡＢＳ３０上で露出させないことが好ましい。
【００８２】
また、変位抑制層６０を構成する非磁性材料の熱伝導率が大きいときは、下部薄膜コイル１０および上部薄膜コイル５０の発生する熱を変位抑制層６０によって放散することもできる。そのため、変位抑制層６０は熱伝導率が大きい非磁性材料を用いることが好ましい。
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
【００８３】
次に、前述の図１（ａ）、（ｂ）とともに、図２（ａ）、（ｂ）〜図２０（ａ）、（ｂ）を参照して、前述の構造を有する第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【００８４】
ここで、図２（ａ）〜図１９（ａ）は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における図１（ａ）に対応した断面図、図２（ｂ）〜図１９（ｂ）は、同じく図１（ｂ）に対応した断面図である。
【００８５】
まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３を順に形成する。次に、絶縁材料を用いて、ＭＲ素子５をシールドするようにシールドギャップ膜４を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードをシールドギャップ膜４で覆う。それから、磁性材料を用いて、シールドギャップ膜４の上に上部シールド層６を形成する。
【００８６】
次に、上部シールド層６の上にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、上部シールド層６と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層７を形成する。これまでの工程で、記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。その後、薄膜コイルのうちの下部薄膜コイル１０をフレームめっき法によって形成する。
【００８７】
そして、下部薄膜コイル１０を被覆するようにして、積層体の表面にフォトレジストを塗布する。このフォトレジストを塗布することによって、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、下部薄膜コイル１０のターン部１１，１２，１３，１４の間とターン部１１，１４の側面部分およびターン部１１，１２，１３，１４の表面を被覆するようにしてフォトレジスト層７０が形成される。
【００８８】
次いで、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、積層体の表面をカバーし得る第１のカバー絶縁膜７１を形成する。それから、下部薄膜コイル１０が現われるまで積層体の表面を例えば化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）により研摩して、積層体表面の平坦化を行う。すると、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ターン部１１，１２，１３，１４の間にフォトレジスト層７０が残った状態が得られる。また、第１のカバー絶縁膜７１のうちの下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳ３０側の部分によって下部対向絶縁層２１ａが形成され、下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳから離れた部分によって後側絶縁層２１ｂが形成される。さらに、下部対向絶縁層２１ａとターン部１１との間および後側絶縁層２１ｂとターン部１４との間にもフォトレジスト層７０が残る。
【００８９】
次に、積層体表面に残っているフォトレジスト層７０を除去する。すると、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、ターン部１１，１２，１３，１４の間に溝状の間隙部７２が得られる。このとき、下部対向絶縁層２１ａとターン部１１との間、および後側絶縁層２１ｂとターン部１４との間にも間隙部７２が得られる。各間隙部７２は、前述の下部非膨張部１５を形成するために設けたものである。間隙部７２は、ターン部１１，１２，１３，１４、下部対向絶縁層２１ａ、後側絶縁層２１ｂによって囲まれているため、位置、形状、大きさが規定されている。
【００９０】
続いて、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、積層体の表面に絶縁充填材としてのＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を塗布してＳＯＧ膜７３（厚さは約２０００〜５０００Å）を形成する。さらに、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、積層体の表面をカバーし得る第２のカバー絶縁膜７４（厚さは約1μｍ〜２μｍ）を形成する。その後、積層体の表面を下部薄膜コイル１０が現われるまで例えばＣＭＰにより研摩して、積層体表面の平坦化を行う。
【００９１】
すると、図７（ａ）、（ｂ）に示すようにターン部１１，１２，１３，１４の間、すなわち、間隙部７２にＳＯＧ膜７３を満たすことができる。また、下部対向絶縁層２１ａとターン部１１との間の間隙部７２と、後側絶縁層２１ｂとターン部１４との間の間隙部７２にもＳＯＧ膜７３を満たすことができる。ここで満たされたＳＯＧ膜７３によって前述の下部非膨張部１５を形成することができる。
【００９２】
さらに続いて、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、積層体の表面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて中間絶縁層２２を形成する。
【００９３】
さらに、積層体の表面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層２３を形成する。そして、スパッタ法により、ベース絶縁層２３の上に非磁性金属材（例えばＲｕ）からなる非磁性金属層２３ｂを形成する。その上で、積層体の表面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、積層体の表面を後述するキャビティ（cavity）８０に対応した形状に露出させるレジストパターンを形成する。
【００９４】
そして、そのレジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）を行い、積層体の表面のレジストパターンで被覆されない部分を除去する。すると、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２３にキャビティ８０が形成される。キャビティ８０は設定通りの寸法および形状で主磁極層２５を形成するため、図２０（ａ）、（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２３の一部を主磁極層２５の外形形状に対応する形状に窪ませて形成されている。
【００９５】
次に、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、トラック幅調整を目的として、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、Ｔａ，Ｗ，ＴｉＮなどからなる被膜２４をＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法またはスパッタ法により形成する。その後、キャビティ８０を被覆するようにして、ＣＭＰのストッパとなる研磨停止層２７を約４００〜６００Åで形成する。研磨停止層２７は、非磁性導電材料を用いることができ、スパッタリングまたはＣＶＤで形成することができる。ＣＶＤで研磨停止層２７を形成するときは、アトミックレイヤー法を採用することが好ましい。その場合、研磨停止層２７の材料にはＴａ，Ｒｕを用いることが好ましい。アトミックレイヤー法で形成される研磨停止層２７はステップカバレージが非常に良好なので、キャビティ８０内に研磨停止層２７を均質に形成することができる。そのため、トラック幅の正確な制御が可能になる。なお、アトミックレイヤー法で研磨停止層２７を形成するときは、被膜２４を形成しなくてもよい。
【００９６】
その後、積層体の表面全体にＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの磁性材を用いてスパッタリングにより、積層体の表面全体に０．５〜０．８μｍ程度の厚さで磁性層７５を形成する。この磁性層７５によって、後に主磁極層２５が形成される。これまでの工程を経ることで、積層体は図９（ａ）、（ｂ）に示す状態になる。
【００９７】
そして、積層体の表面全体をＣＭＰで研磨して、積層体表面の平坦化を行う。このとき、研磨停止層２７がＣＭＰを停止させるストッパとして機能するため、研磨停止層２７が露出した時点でＣＭＰが停止する。
【００９８】
その後、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、スパッタリングにより積層体の表面全体に、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層７６（厚さは約１０００Å）を形成する。非磁性層７６は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層３１となる。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン酸化物等の無機絶縁材料を用いて非磁性層７７（厚さは約２０００Å）を形成する。非磁性層７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層３２となる。
【００９９】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン７８を形成する。次に、レジストパターン７８をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層７７の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層７６の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層７６には、非磁性層７７と比べて、非磁性層７７をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１００】
次に、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、レジストパターン７８を除去する。それから、残された非磁性層７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、非磁性層７６の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層７６をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることによって、磁性層７５のＡＢＳ側に傾斜面２５ｂが形成される。また、磁性層７５のＡＢＳから離れた位置に、段差部２５ｄと上端面２５ｅも形成される。
【０１０１】
続いて、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料や、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはＣＶＤによってギャップ層２６を形成する。
【０１０２】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２６、非磁性層７６および非磁性層７７の一部を除去する。ここで、ギャップ層２６、非磁性層７６および非磁性層７７の一部を除去することによって、前述の回り込みシールド部４５を形成するためのスペースを確保している。
【０１０３】
そして、積層体の表面全体にめっき法により、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの磁性材を用いて、０．５〜１．０μｍ程度の厚さで磁性層を形成する。この磁性層は、後に対向シールド部４１および回り込みシールド部４５になる。続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。さらに、積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。そうすると、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、対向シールド部４１、回り込みシールド部４５および絶縁層３３が形成される。
【０１０４】
次に、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。この絶縁層は、後に第１の層間絶縁層３４となる。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層のうちの上部薄膜コイル５０と上部非膨張部５５を形成する部分を残し、他を除去して第１の層間絶縁層３４を形成する。
【０１０５】
そして、第１の層間絶縁層３４の上に薄膜コイルのうちの上部薄膜コイル５０をフレームめっき法によって形成する。それから、フレームめっき法によって、上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ側に前側シールド部４２を形成し、上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳから離れた位置に後側シールド部４４をいずれも０．４〜０．６μｍ程度の厚さで形成する。なお、上部薄膜コイル５０と、前側シールド部４２および後側シールド部４４とは、順序を逆にして形成してもよい。
【０１０６】
その後、上部薄膜コイル５０、前側シールド部４２および後側シールド部４４を被覆するようにして、積層体の表面にフォトレジストを塗布して、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、フォトレジスト層７９を形成する。
【０１０７】
次に、図１５（ａ）、（ｂ）に示すようにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて積層体の表面をカバーし得る第３のカバー絶縁膜８１を形成する。それから、積層体の表面を上部薄膜コイル５０が現われるまでＣＭＰにより研摩して、積層体表面の平坦化を行う。
【０１０８】
すると、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、上部薄膜コイル５０のターン部５１，５２，５３，５４の間にフォトレジスト層７９が残った状態が得られる。また、第３のカバー絶縁層８１のうちの前側シールド部４２よりもＡＢＳ側の部分によって上部対向絶縁層３６が形成される。さらに、前側シールド部４２とターン部５１との間および後側シールド部４４とターン部５４との間にもフォトレジスト層７９が残る。
【０１０９】
次に、積層体表面に残っているフォトレジスト層７９を除去する。すると、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、ターン部５１，５２，５３，５４の間に間隙部８２が得られる。このとき、前側シールド部４２とターン部５１との間、および後側シールド部４４とターン部５４との間にも間隙部８２が得られる。これらの間隙部８２のうち、前側シールド部４２とターン部５１との間隙部８２は上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ側に配置されているため、前側間隙部８２ａとなる。各間隙部８２は前述した上部非膨張部５５を形成するために設けたものである。間隙部８２はターン部５１，５２，５３，５４、前側シールド部４２、後側シールド部４４によって囲まれているため、位置、形状、大きさが規定されている。
【０１１０】
続いて図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、積層体の表面に絶縁充填材としてのＳＯＧを塗布してＳＯＧ膜８３（厚さは約２０００〜５０００Å）を形成する。さらに、積層体の表面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、積層体の表面をカバーし得る第４のカバー絶縁膜８４（厚さは約1μｍ〜２μｍ）を形成する。その後、積層体の表面を上部薄膜コイル５０が現われるまで例えばＣＭＰにより研摩して、積層体表面の平坦化を行う。
【０１１１】
すると、図１９（ａ）、（ｂ）に示すようにターン部５１，５２，５３，５４の間、すなわち、間隙部８２にＳＯＧ膜８３を満たすことができる。また、前側シールド部４２とターン部５１との間の間隙部８２（前側間隙部８２ａ）と、後側シールド部４４とターン部５４との間の間隙部８２にもＳＯＧ膜８３を満たすことができる。ここで満たされたＳＯＧ膜８３によって前述の上部非膨張部５５を形成することができる。
【０１１２】
そして、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。この絶縁層は、後に第２の層間絶縁層３５となる。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層のうちの上部薄膜コイル５０と上部非膨張部５５とが形成されている部分を残し、他を除去して第２の層間絶縁層３５を形成する。
【０１１３】
さらに、第２の層間絶縁層３５の上に、フレームめっき法によって接続シールド部４３を形成する。その後、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。それから、積層体の表面を接続シールド部４３が現われるまでＣＭＰにより研摩して、積層体表面の平坦化を行う。こうすると、接続シールド部４３と対向絶縁層３７が形成される。
【０１１４】
続いて、変位抑制層６０を形成し、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、変位抑制層６０をカバーするようにして保護層６１を形成すると、薄膜磁気ヘッド３００が完成する。
【０１１５】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５とを有しているが、前述の製造工程では、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５を形成する際に、予めそれぞれを形成するための間隙部７２，間隙部８２を確保するようにしている。絶縁充填材としてのＳＯＧはフォトレジストと同様の浸透性を有しているから、フォトレジストと同様に、積層体の表面に塗布することによって、間隙部７２，間隙部８２に満たす（充填する）ことができる。そのため、前述の製造工程では、積層体の表面にＳＯＧを塗布して間隙部７２，間隙部８２にそれぞれＳＯＧを充填し、それによって、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５とを形成している。
【０１１６】
このような下部非膨張部１５や上部非膨張部５５を形成するためのＳＯＧは、多数の微粒子が含まれているため、熱がこもりにくく、熱を放散する作用が良好である。そのため、ＳＯＧを用いることによって下部非膨張部１５や上部非膨張部５５を形成することができる。
【０１１７】
しかし、ＳＯＧはフォトレジストに比べると、形がくずれやすい。そのため、ＳＯＧを満たそうとする位置に、間隙部７２や間隙部８２のように両側が別の部材で囲まれた閉鎖的な場所を予め確保して、塗布したＳＯＧが動かないようにしないと、ＳＯＧにクラックが入ってしまうなどの不都合を生じる。
【０１１８】
例えば、前述の図３（ａ）、（ｂ）に示した製造工程において、フォトレジスト層７０の代わりにＳＯＧを用いて被膜を形成する場合、その被膜は下部薄膜コイル１０よりも高さを高くして形成しなければならない。しかし、この被膜はその周囲を取り囲む部材がないためにくずれやすく、クラックが入ってしまう。これでは、下部薄膜コイル１０や上部薄膜コイル５０の周囲に下部非膨張部１５や上部非膨張部５５を形成することができない。
【０１１９】
そこで、前述の製造工程では、下部非膨張部１５や上部非膨張部５５を形成しようとする位置にフォトレジストを用いるなどして下部非膨張部１５や上部非膨張部５５を形成するための溝状の場所（すなわち、間隙部７２，間隙部８２）を予め確保するようにしておき、その後、フォトレジストを除去することによって得られる間隙部７２や間隙部８２にＳＯＧを満たすことで、下部非膨張部１５および上部非膨張部５５を形成している。こうすることにより、熱膨張係数が小さくて熱の放散作用の良好なＳＯＧを用いることによって、下部非膨張部１５および上部非膨張部５５を形成することができる。このように、本実施の形態ではフォトレジストを、間隙部７２，間隙部８２という下部非膨張部１５や上部非膨張部５５を形成する場所を確保するための部材として一時的に用いている。
第２の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
【０１２０】
次に、図２１（ａ）、（ｂ）を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図２１（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド４００のＡＢＳ１３０と交差する方向に沿った図２１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、図２１（ｂ）はＡＢＳ１３０を示す正面図である。
【０１２１】
薄膜磁気ヘッド４００は、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、ＡＢＳ１３０を有している。なお、薄膜磁気ヘッド４００は薄膜磁気ヘッド３００と一致する構成を有しているので、以下の説明では、薄膜磁気ヘッド４００の薄膜磁気ヘッド３００と相違する構成を中心に説明し、共通する構成の説明は省略ないし簡略化する。
【０１２２】
再生ヘッドは、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、基板１上に形成されている絶縁層２と、下部シールド層３と、シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と、上部シールド層６および絶縁層７を有している。
【０１２３】
記録ヘッドは、下部薄膜コイル１０と、上部薄膜コイル５０と、下部非膨張部１５と、上部非膨張部５５と、主磁極層１２５と、ギャップ層２６およびライトシールド層１４０と、変位抑制層６０および保護層６１を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【０１２４】
また、記録ヘッドは下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳ側に配置されている下部対向絶縁層１２１ａおよび上部対向絶縁層３６を有している。
【０１２５】
さらに、記録ヘッドは第１の層間絶縁層３４と、第２の層間絶縁層３５と有するほか、第３の層間絶縁層１２０と第４の層間絶縁層１２２を有している。
【０１２６】
下部薄膜コイル１０は、後述する前側シールド部１５０と後側シールド部１４８との間に４つのターン部１１，１２，１３，１４を有している。下部薄膜コイル１０は上部薄膜コイル５０と図示しない部分でつながって一連のコイルを形成して、主磁極層１２５の回りに巻回されている。
【０１２７】
上部薄膜コイル５０は、後述する前側シールド部１４３と後側シールド部１４５との間に４つのターン部５１，５２，５３，５４を有している。
【０１２８】
下部非膨張部１５は、下部薄膜コイル１０のターン部１１，１２，１３，１４の間に埋め込むようにして形成され、ターン部１１，１２，１３，１４に直に接触している。また、下部非膨張部１５はターン部１１と前側シールド部１５０との間にも埋め込むようにして形成されており、ターン部１１と前側シールド部１５０の双方に直に接触している。さらに、下部非膨張部１５はターン部１４と後側シールド部１４８との間にも埋め込むようにして形成されており、ターン部１４と後側シールド部１４８の双方にも直に接触している。これらの下部非膨張部１５は、第１の実施の形態と同様に、ＳＯＧによって構成されているため、下部薄膜コイル１０の発生する熱を内側に溜め込まずに外に放散する作用に優れている。
【０１２９】
上部非膨張部５５は、上部薄膜コイル５０のターン部５１，５２，５３，５４の間に埋め込むようにして形成され、ターン部５１，５２，５３，５４に直に接触している。また、上部非膨張部５５はターン部５１と前側シールド部１４３との間にも埋め込むようにして形成されており、ターン部５１と前側シールド部１４３の双方にも直に接触している。さらに、上部非膨張部５５は、ターン部５４と後側シールド部１４５との間にも埋め込むようにして形成されており、ターン部５４と後側シールド部１４５の双方にも直に接触している。これらの上部非膨張部５５も下部非膨張部１５と同様にＳＯＧによって構成されているため、上部薄膜コイル５０の発生する熱を内側に溜め込まずに外に放散する作用に優れている。
【０１３０】
主磁極層１２５は、図２１（ｂ）に示すように、ＡＢＳ側に、磁極端面２５ａと同様のベベル形状の磁極端面１２５ａを有している。
【０１３１】
そして、主磁極層１２５は、磁極端面１２５ａを有するトラック幅規定部と、トラック幅規定部よりもＡＢＳ１３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも、幅広の幅広部とを有している（トラック幅規定部と、幅広部とは図示せず）。
【０１３２】
また、主磁極層１２５は、傾斜面(詳しくは図３２（ａ）参照)１２５ｂと、上端面１２５ｃと、段差部１２５ｄと、上端面１２５ｅと、段差部１２５ｆとを有している。傾斜面１２５ｂは、傾斜面２５ｂと同様の上り傾斜状に形成されている。上端面１２５ｃは、上端面２５ｃと同様の平坦に形成されている。段差部１２５ｄは、上端面１２５ｃからやや下がって形成されている。上端面１２５ｅは、上端面２５ｅと同様に平坦に形成されている。段差部１２５ｆは、主磁極層１２５の下部薄膜コイル１０側に形成されている。
【０１３３】
また、主磁極層１２５には、後述する対向シールド部１４１と回り込みシールド部１４７との間の上端面１２５ｃ上に非磁性層３１，３２が積層されている。さらに、主磁極層１２５は、被膜１２４および研磨停止層１２７を介して積層されている。
【０１３４】
次に、ギャップ層２６は、主磁極層１２５の傾斜面１２５ｂに沿って、対向シールド部１４１と、主磁極層１２５および非磁性層３１，３２との間に形成されている。さらに、ギャップ層２６を挟んでＡＢＳ１３０側で主磁極層１２５、非磁性層３１，３２と対向するようにして、対向シールド部１４１が形成されている。
【０１３５】
次に、ライトシールド層１４０は、対向シールド部１４１と、前側シールド部１４２，１４３と、接続シールド部１４４と、後側シールド部１４５と、回り込みシールド部１４６，１４７とを有している。さらに、ライトシールド層１４０は、前側シールド部１５０と、接続シールド部１４９と、後側シールド部１４８とを有している。
【０１３６】
対向シールド部１４１は、ＡＢＳ１３０に臨む端面を有し、ギャップ層２６を挟んで、ＡＢＳ１３０側から順に主磁極層１２５、非磁性層３１，非磁性層３２に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部１４１は上面が平坦になっていて、その上面に前側シールド部１４２が接続されている。
【０１３７】
前側シールド部１４２は、ＡＢＳ１３０に臨む端面を有している。前側シールド部１４２は、ＡＢＳ１３０側で前側シールド部１４１に接続され、ＡＢＳ１３０から離れた位置において前側シールド部１４３に接続されている。
【０１３８】
前側シールド部１４３は、上部非膨張部５５および上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ１３０側に配置されている。前側シールド部１４３は、上部対向絶縁層３６と上部非膨張部５５との間に配置され、上部対向絶縁層３６と上部非膨張部５５の双方に直に接触している。また、前側シールド部１４３は、前側シールド部１４２と、接続シールド部１４４とに接続されている。
【０１３９】
接続シールド部１４４は、上部非膨張部５５および上部薄膜コイル５０を跨ぐように形成され、前側シールド部１４３と後側シールド部１４５とを接続している。
【０１４０】
後側シールド部１４５は上部非膨張部５５および上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ１３０から離れた位置に配置されている。後側シールド部１４５は上部非膨張部５５に直に接触している。また、後側シールド部１４５は接続シールド部１４４と回り込みシールド部１４６とに接続されている。
【０１４１】
回り込みシールド部１４６は、後側シールド部１４５からＡＢＳ１３０側に、ターン部５２、５３，５４、ターン部５１の一部および上部非膨張部５５の分、回り込んで形成されている。回り込みシールド部１４６は後側シールド部１４５からＡＢＳ１３０側に回り込んだ部分が第１の層間絶縁層３４に接触している。さらに、回り込みシールド部１４６は上部薄膜コイル５０および上部非膨張部５５よりもＡＢＳ１３０から離れた位置に後側シールド部１４５が接続され、反対側に回り込みシールド部１４７が接続されている。
【０１４２】
回り込みシールド部１４７は、回り込みシールド部１４６と同様に、後側シールド部１４５からターン部５２、５３，５４、ターン部５１の一部および上部非膨張部５５の分、回りこんで形成されている。さらに、回り込みシールド部１４７は上部薄膜コイル５０側の面に回り込みシールド部１４６が接続され、反対側の面に後側シールド部１４８が接続されている。
【０１４３】
後側シールド部１４８は下部非膨張部１５および下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳ１３０から離れた位置に配置されている。後側シールド部１４８は上部非膨張部５５に接触している。また、後側シールド部１４８は接続シールド部１４９と回り込みシールド部１４７とに接続されている。
【０１４４】
接続シールド部１４９は、下部非膨張部１５および下部薄膜コイル１０を跨ぐように形成され、前側シールド部１５０と後側シールド部１４８とを接続している。
【０１４５】
前側シールド部１５０は、下部非膨張部１５および下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳ１３０側に配置されている。また、前側シールド部１５０は、下部対向絶縁層１２１ａと下部非膨張部１５との間に配置され、下部対向絶縁層１２１ａと下部非膨張部１５の双方に直に接触している。
【０１４６】
以上のように、薄膜磁気ヘッド４００は薄膜磁気ヘッド３００と同様の下部非膨張部１５と上部非膨張部５５とを有している。下部非膨張部１５と上部非膨張部５５は熱膨張係数が小さいため、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０の発生する熱が加わってもほとんど膨張しない。そのため、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０に電流を流しても、下部非膨張部１５よりもＡＢＳ１３０側に配置されている下部対向絶縁層１２１ａおよび前側シールド部１５０や、上部非膨張部５５よりもＡＢＳ１３０側に配置されている上部対向絶縁層３６および前側シールド部１４３が、ＡＢＳ１３０に向かって外側に押し出されることがない。
【０１４７】
したがって、薄膜磁気ヘッド４００も、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、下部薄膜コイル１０や上部薄膜コイル５０の発熱に伴いライトシールド層１４０が突出することを抑制することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド４００は記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。したがって、薄膜磁気ヘッド４００は、スライダの記録媒体表面からの浮上量を縮小でき、記録ヘッド、再生ヘッドいずれについても、解像度を高め信号対雑音比を向上させることができる。
【０１４８】
特に、薄膜磁気ヘッド４００の場合、上部薄膜コイル５０のＡＢＳ１３０側に前側シールド部１４３が形成されているだけでなく、下部薄膜コイル１０についても、ＡＢＳ１３０側に前側シールド部１５０が形成されている。しかし、その下部薄膜コイル１０に対しても、そのターン部１１と前側シールド部１５０との間に下部非膨張部１５が形成されている。したがって、その下部非膨張部１５によって前側シールド部１５０の突出が抑制され、スライダの記録媒体表面からの浮上量を縮小できるようになっている。
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
【０１４９】
次に、前述の図２１（ａ）、（ｂ）とともに、図２２（ａ）、（ｂ）〜図３７（ａ）、（ｂ）を参照して、前述の構造を有する第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド４００の製造方法について説明する。
【０１５０】
ここで、図２２（ａ）〜図３７（ａ）は、薄膜磁気ヘッド４００の各製造工程における図２１（ａ）に対応した断面図、図２２（ｂ）〜図３７（ｂ）は、同じく図２１（ｂ）に対応した断面図である。
【０１５１】
まず、図２２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１の上に絶縁層２、下部シールド層３、シールドギャップ膜４、ＭＲ素子５および上部シールド層６を薄膜磁気ヘッド３００の場合と同様にして形成する。また、上部シールド層６の上に絶縁膜７を形成する。これまでの工程で、記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。その後、接続シールド部１４９を形成するための磁性層を形成して、積層体表面に絶縁層を形成し、ＣＭＰによって積層体表面の平坦化を行う。すると、下部対向絶縁層１２１ｂと接続シールド部１４９が形成される。
【０１５２】
続いて、積層体の表面全体に絶縁層を形成する。この絶縁層は、後に第３の層間絶縁層１２０となる。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、図２２（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層のうちの下部薄膜コイル１０を形成する部分と、後に下部対向絶縁層１２１ａが形成される部分とを残し、他を除去して第３の層間絶縁層１２０を形成する。
【０１５３】
そして、第３の層間絶縁層１２０の上に薄膜コイルのうちの下部薄膜コイル１０をフレームめっき法によって形成する。それから、フレームめっき法により、前側シールド部１５０と、後側シールド部１４８とを形成する。なお、下部薄膜コイル１０と、前側シールド部１５０および後側シールド部１４８とは、順序を逆にして形成してもよい。
【０１５４】
次に、下部薄膜コイル１０、前側シールド部１５０および後側シールド部１４８を被覆するようにして、積層体の表面にフォトレジストを塗布する。そして、積層体の表面をカバーし得る第１のカバー絶縁膜（図示せず）を形成する。それから、積層体の表面を下部薄膜コイル１０が現われるまでＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、図２３（ａ）、（ｂ）に示すように下部薄膜コイル１０のターン部１１，１２，１３，１４の間にフォトレジスト層１０９が残った状態が得られる。また、第１のカバー絶縁膜のうちの前側シールド部１５０よりもＡＢＳ１３０側の部分によって、下部対向絶縁層１２１ａが形成される。さらに、前側シールド部１５０とターン部１１との間および後側シールド部１４８とターン部１４との間にもフォトレジスト層１０９が残る。
【０１５５】
次に、積層体表面に残っているフォトレジスト層１０９を除去する。すると、図２４（ａ）、（ｂ）に示すように、ターン部１１，１２，１３，１４の間に溝状の間隙部１１２が得られる。このとき、前側シールド部１５０とターン部１１との間、および後側シールド部１４８とターン部１４との間にも間隙部１１２が得られる。各間隙部１１２は前述した下部非膨張部１５を形成するために設けたものである。間隙部１１２は間隙部７２と同様に、位置、形状、大きさが規定されている。
【０１５６】
続いて、図２５（ａ）、（ｂ）に示すように、積層体の表面にＳＯＧを塗布してＳＯＧ膜１１３を形成する。さらに、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて積層体の表面をカバーし得る第２のカバー絶縁膜１１４（厚さは約1μｍ〜２μｍ）を形成する。その後、積層体の表面を下部薄膜コイル１０が現われるまでＣＭＰにより研摩して、積層体表面の平坦化を行う。
【０１５７】
すると、図２６（ａ）、（ｂ）に示すようにターン部１１，１２，１３，１４の間、すなわち、間隙部１１２にＳＯＧ膜１１３を満たすことができる。また、前側シールド部１５０とターン部１１との間の間隙部１１２と、後側シールド部１４８とターン部１４との間の間隙部１１２にもＳＯＧ膜１１３を満たすことができる。ここで満たされたＳＯＧ膜１１３によって前述の下部非膨張部１５を形成することができる。
【０１５８】
そして、図２７（ａ）、（ｂ）に示すように積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて中間絶縁層１２２を形成する。
【０１５９】
さらに、積層体の表面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層１２３を形成する。そして、ベース絶縁層１２３の上に非磁性金属層１２３ｂを形成する。その上で、積層体の表面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、積層体の表面を後述するキャビティ（cavity）１８０に対応した形状に露出させるレジストパターンを形成する。
【０１６０】
そして、そのレジストパターンをマスクにしてＲＩＥを行い、積層体の表面のレジストパターンで被覆されない部分を除去する。すると、図２８（ａ）、（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１２３にキャビティ１８０が形成される。キャビティ１８０は設定通りの寸法および形状で主磁極層１２５を形成するため、ベース絶縁層１２３の一部を主磁極層１２５の外形形状に対応する形状に窪ませて形成されている。また、キャビティ１８０を形成する際、中間絶縁層１２２の一部を除去して、主磁極層１２５と後側シールド部１４８とが連結されるようにしている。
【０１６１】
次に、図２９（ａ）、（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、Ｔａ，Ｗ，ＴｉＮなどからなる被膜１２４をＣＶＤ法またはスパッタ法により形成する。その後、キャビティ１８０を被覆するようにして、ＣＭＰのストッパとなる研磨停止層１２７をＴａ，Ｒｕを用いて約４００〜６００Åで形成する。
【０１６２】
その後、積層体の表面全体にＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの磁性材を用いてスパッタリングにより、積層体の表面全体に０．５〜０．８μｍ程度の厚さで磁性層１７５を形成する。この磁性層１７５によって、後に主磁極層１２５が形成される。これまでの工程を経ることで、積層体は図２９（ａ）、（ｂ）に示す状態になる。
【０１６３】
そして、積層体の表面全体をＣＭＰで研磨して、図３０（ａ）、（ｂ）に示すように、積層体表面の平坦化処理を行う。このとき、研磨停止層１２７がＣＭＰを停止させるストッパとして機能するため、研磨停止層１２７が露出した時点でＣＭＰが停止する。
【０１６４】
その後、図３１（ａ）、（ｂ）に示すように、スパッタリングにより積層体の表面全体に、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層１７６を形成する。非磁性層１７６は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層３１となる。さらに、積層体の表面全体に非磁性層１７７を形成する。非磁性層１７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層３２となる。
【０１６５】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン１７８を形成する。次に、レジストパターン１７８をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層１７７の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層１７６の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層１７６は、非磁性層１７７と比べて非磁性層１７７をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１６６】
次に、図３２（ａ）、（ｂ）に示すようにレジストパターン１７８を除去する。それから、残された非磁性層１７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、非磁性層１７６の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層１７６をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層１７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることにより、磁性層１７５のＡＢＳ側に傾斜面１２５ｂが形成される。また、磁性層１７５のＡＢＳから離れた位置に、段差部１２５ｄと上端面１２５ｅも形成される。
【０１６７】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料や、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてギャップ層２６を形成する。
【０１６８】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２６、非磁性層１７６および非磁性層１７７の一部を除去する。ギャップ層２６、非磁性層１７６および非磁性層１７７の一部を除去することによって、前述の回り込みシールド部１４７を形成するためのスペースを確保している。
【０１６９】
そして、積層体の表面全体にめっき法により、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの磁性材を用いて、０．５〜１．０μｍ程度の厚さで磁性層を形成する。この磁性層は、後に対向シールド部１４１および回り込みシールド部１４７になる。
【０１７０】
次に、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。この絶縁層は後に絶縁層３３となる。それから、積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して、積層体表面の平坦化を行う。そうすると、図３３（ａ）、（ｂ）に示すように、対向シールド部１４１、回り込みシールド部１４７および絶縁層３３が形成される。
【０１７１】
また、積層体の表面全体にめっき法により、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの磁性材を用いて磁性層を形成する。この磁性層は、後に前側シールド部１４２および回り込みシールド部１４６になる。
【０１７２】
さらに再び積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。この絶縁層は後に絶縁層１３８となる。それから、積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して、積層体表面の平坦化を行う。そうすると、図３３（ａ）、（ｂ）に示すように、前側シールド部１４２、回り込みシールド部１４６および絶縁層１３８が形成される。
【０１７３】
そして、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層を形成する。この絶縁層は、後に第１の層間絶縁層３４となる。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、図３４（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層のうちの上部薄膜コイル５０と上部非膨張部５５とを形成する部分を残し、他を除去して除去して第１の層間絶縁層３４を形成する。
【０１７４】
そして、第１の層間絶縁層３４の上に薄膜コイルのうちの上部薄膜コイル５０をフレームめっき法によって形成する。それからフレームめっき法によって、上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ側に前側シールド部１４３を形成し、上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳから離れた位置に後側シールド部１４５をいずれも０．４〜０．６μｍ程度の厚さで形成する。なお、上部薄膜コイル５０と、前側シールド部１４３および後側シールド部１４５とは、順序を逆にして形成してもよい。
【０１７５】
その後、上部薄膜コイル５０、前側シールド部１４３および後側シールド部１４５を被覆するようにして、積層体の表面にフォトレジストを塗布する。次に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて積層体の表面をカバーし得る第３のカバー絶縁膜（図示せず）を形成する。
【０１７６】
それから、積層体の表面を上部薄膜コイル５０が現われるまでＣＭＰにより研摩して、積層体表面の平坦化を行う。すると、図３４（ａ）、（ｂ）に示すように上部薄膜コイル５０のターン部５１，５２，５３，５４の間にフォトレジスト層１７９が残った状態が得られる。また、第３のカバー絶縁膜のうちの上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ１３０側の部分によって、上部対向絶縁層３６が形成される。さらに、前側シールド部１４３とターン部５１との間および後側シールド部１４５とターン部５４との間にもフォトレジスト層１７９が残る。
【０１７７】
次に、積層体表面に残っているフォトレジスト層１７９を除去する。すると、図３５（ａ）、（ｂ）に示すように、ターン部５１，５２，５３，５４の間に間隙部１８２が得られる。このとき、前側シールド部１４３とターン部５１との間、および後側シールド部１４５とターン部５４との間にも間隙部１８２が得られる。このうち、前側シールド部１４３とターン部５１との間隙部１８２は上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ側に配置されているため、前側間隙部１８２ａとなる。各間隙部１８２は前述した上部非膨張部５５を形成するために設けたもので、位置、形状、大きさが規定されている。
【０１７８】
続いて、図３６（ａ）、（ｂ）に示すように、積層体の表面にＳＯＧを塗布してＳＯＧ膜１８３を形成する。さらに、積層体の表面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて第４のカバー絶縁膜１８４（厚さは約1μｍ〜２μｍ）を形成する。その後、積層体の表面を上部薄膜コイル５０が現われるまでＣＭＰにより研摩して、積層体表面の平坦化を行う。
【０１７９】
すると、図３７（ａ）、（ｂ）に示すようにターン部５１，５２，５３，５４の間、すなわち、間隙部１８２にＳＯＧ膜１８３を満たすことができる。また、前側シールド部１４３とターン部５１との間の間隙部１８２（前側間隙部１８２ａ）、および後側シールド部１４５とターン部５４との間の間隙部１８２にもＳＯＧ膜１８３を満たすことができる。ここで満たされたＳＯＧ膜１８３によって前述の上部非膨張部５５を形成することができる。
【０１８０】
そして、以降の工程を薄膜磁気ヘッド３００の場合と同様に実行することによって、薄膜磁気ヘッド４００が得られる。
【０１８１】
以上のように、薄膜磁気ヘッド４００は、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５を有しているが、前述の製造工程では、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５を形成する際に、予めそれぞれを形成するための間隙部１１２，間隙部１８２を確保した上で、積層体の表面にＳＯＧを塗布している。そのため、薄膜磁気ヘッド４００でも、薄膜磁気ヘッド３００の場合と同様に、ＳＯＧを間隙部１１２や間隙部１８２に埋め込むようにして、下部非膨張部１５と上部非膨張部５５を形成することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド４００の製造方法でも、薄膜磁気ヘッド３００と同様に熱膨張係数が小さくて熱の放散作用が良好でありながら、くずれやすいＳＯＧを用いて下部非膨張部１５，上部非膨張部５５を形成することができる。
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
【０１８２】
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について説明する。
【０１８３】
図３８は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Ｈｅａｄ  Ｇｉｍｂａｌｓ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）２１５とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１５を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、磁気情報の記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では３枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。ＨＧＡ２１５は、薄膜磁気ヘッド３００が形成された基台を有するヘッドスライダ２１１を搭載したジンバル２１２と、ジンバル２１２を支えるサスペンションアーム２１３とがディスクの各記録面に配置され、支軸２１４の回りに図示しない例えばボイスコイルモータによって回転可能になっている。そして、ＨＧＡ２１５を回転させると、ヘッドスライダ２１１がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０１８４】
このようなＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１は薄膜磁気ヘッド３００を有しているから、ハードディスク２０２の表面からの浮上量を縮小し、ヘッドスライダ２１１をハードディスク２０２に近づけることができる。
【０１８５】
なお、上記の実施の形態では、薄膜コイルが主磁極層の周りに巻回されているタイプ（タイプ１）を例にとって説明しているが、本発明は、ライトシールド層の周りに平面渦巻き状に巻回されているタイプ（タイプ２）の薄膜磁気ヘッドについても適用がある。
【符号の説明】
【０１８６】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４…シールドギャップ膜、６…上部シールド層、１０…下部薄膜コイル、１１〜１４…ターン部、１５…下部非膨張部、２１ａ…下部対向絶縁層、２１ｂ…後側絶縁層、２２…中間絶縁層、２３…ベース絶縁層、２５…主磁極層、２６…ギャップ層、２７…研磨停止層、３０…エアベアリング面、３４，３５…層間絶縁層、３６…上部対向絶縁層、３７…対向絶縁層、４０…ライトシールド層、５０…上部薄膜コイル、４１〜４５…シールド部、５１〜５４…ターン部、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク、２１１…ヘッドスライダ、２１５…ヘッドジンバルアセンブリ、３００，４００…薄膜磁気ヘッド。
【図１】
2009272030.tif 000003
【図２】
2009272030.tif 000004
【図３】
2009272030.tif 000005
【図４】
2009272030.tif 000006
【図５】
2009272030.tif 000007
【図６】
2009272030.tif 000008
【図７】
2009272030.tif 000009
【図８】
2009272030.tif 000010
【図９】
2009272030.tif 000011
【図１０】
2009272030.tif 000012
【図１１】
2009272030.tif 000013
【図１２】
2009272030.tif 000014
【図１３】
2009272030.tif 000015
【図１４】
2009272030.tif 000016
【図１５】
2009272030.tif 000017
【図１６】
2009272030.tif 000018
【図１７】
2009272030.tif 000019
【図１８】
2009272030.tif 000020
【図１９】
2009272030.tif 000021
【図２０】
2009272030.tif 000022
【図２１】
2009272030.tif 000023
【図２２】
2009272030.tif 000024
【図２３】
2009272030.tif 000025
【図２４】
2009272030.tif 000026
【図２５】
2009272030.tif 000027
【図２６】
2009272030.tif 000028
【図２７】
2009272030.tif 000029
【図２８】
2009272030.tif 000030
【図２９】
2009272030.tif 000031
【図３０】
2009272030.tif 000032
【図３１】
2009272030.tif 000033
【図３２】
2009272030.tif 000034
【図３３】
2009272030.tif 000035
【図３４】
2009272030.tif 000036
【図３５】
2009272030.tif 000037
【図３６】
2009272030.tif 000038
【図３７】
2009272030.tif 000039
【図３８】
2009272030.tif 000040
【図３９】
2009272030.tif 000041
【図４０】
2009272030.tif 000042