(57)【要約】【課題】画質の低下を引き起こさせずに、消費電力を低減させる。【解決手段】表示パネルの表示領域外にアノード−カソード間電圧を検出できるダミー画素回路を設け、そのダミー画素回路を常に１フレーム内の最大階調値で発光させることによって、表示領域内に存在する最大階調で発光する画素の有機ＥＬ素子の両端電圧を、ダミー画素回路を利用して検出する。このダミー画素回路から検出されるアノード−カソード間電圧は、その時の有機ＥＬ素子の温度状態を的確に反映したものであり、またＩＶ特性の劣化についてもある程度体現する。このダミー画素回路から検出したアノード−カソード間電圧を元に、発光駆動用電源電圧の低減コントロールを行うことで、不必要な電力消費分をより正確かつ確実に削減する。【選択図】図１
2009075320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素回路において有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用い、各画素回路では供給される表示データ信号に基づく輝度の発光動作を行うとともに、画像表示エリア外の画素回路としてダミー画素回路が設けられている表示パネル部と、
上記表示パネル部に供給する表示データ信号について、所定期間毎に最大階調値を検出するとともに、検出した最大階調値が、上記ダミー画素回路に対する表示データ信号となるようにして、表示データ信号を上記表示パネル部に供給する表示データ供給部と、
上記表示データ供給部から供給される表示データ信号により、上記表示パネル部の各画素回路で発光動作が行われている際に、上記ダミー画素回路の有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード−カソード間電圧を検出する電圧検出部と、
上記電圧検出部で検出された、アノード−カソード間電圧に基づいて、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動用の電源電圧値情報を生成する駆動電圧決定部と、
上記駆動電圧決定部で生成された電源電圧値情報に基づいて、上記表示パネル部の各画素回路に供給する、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動用の電源電圧値を変化させる駆動電圧可変部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記表示データ供給部は、上記所定期間として、１フレーム期間毎に最大階調値を検出することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記表示パネル部において、上記ダミー画素は、表示色毎に設けられており、
上記表示データ供給部は、上記表示パネル部に供給する表示データ信号について、所定期間毎に、表示色毎の最大階調値を検出するとともに、検出した表示色毎の各最大階調値が、表示色毎に形成された各ダミー画素回路に対する表示データ信号となるようにして、表示データ信号を上記表示パネル部に供給し、
上記電圧検出部は、表示色毎の各ダミー画素回路のそれぞれの上記アノード−カソード間電圧を検出し、その中の最大値をアノード−カソード間電圧の検出結果とすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
上記駆動電圧可変部には、発光駆動用の電源電圧として、最低環境温度下において仕様最高輝度の発光を行う場合の、有機エレクトロルミネッセンス素子の両端電圧を用いて決定される電源電圧値が入力されるとともに、
上記駆動電圧決定部は、上記駆動電圧可変部から出力される上記発光駆動用の電源電圧値を低下させるようにする上記電源電圧値情報を、上記電圧検出部で検出されたアノード−カソード間電圧に基づいて生成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
各画素回路において有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用い、各画素回路では供給される表示データ信号に基づく輝度の発光動作を行うとともに、画像表示エリア外の画素回路としてダミー画素回路が設けられている表示パネル部を備えた表示装置の表示駆動方法であって、
上記表示パネル部に供給する表示データ信号について、所定期間毎に最大階調値を検出するとともに、検出した最大階調値が、上記ダミー画素回路に対する表示データ信号となるようにして、表示データ信号を上記表示パネル部に供給するステップと、
表示データ信号により、上記表示パネル部の各画素回路で発光動作が行われている際に、上記ダミー画素回路の有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード−カソード間電圧を検出するステップと、
検出されたアノード−カソード間電圧に基づいて、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動用の電源電圧値情報を生成するステップと、
生成された電源電圧値情報に基づいて、上記表示パネル部の各画素回路に供給する、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動用の電源電圧値を変化させるステップと、
を備えたことを特徴とする表示駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を用いた表示装置と、その表示駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開２００６−６５１４８号公報
【特許文献２】特開２００５−３２６８３０号公報
【特許文献３】特開２００４−１３８９７６号公報
【０００３】
フラットパネルディスプレイは、コンピュータディスプレイ、携帯端末、テレビジョン受像器などの製品で広く普及している。現在、主には液晶ディスプレイパネルが多く採用されているが、依然、視野角の狭さや、応答速度の遅さが指摘され続けている。一方、自発光素子で形成された有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬ）ディスプレイは、前記の視野角や応答性の課題を克服できるのに加え、バックライト不要の薄い形態、高輝度、高コントラストを達成できるため、液晶ディスプレイに代わる次世代表示装置として期待されている。
【０００４】
有機ＥＬディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式としてパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。このアクティブマトリクス方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子（一般には薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）によって制御するものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで有機ＥＬディスプレイは、現在実用化されているものも存在する中でありながら、消費電力の高さがまだまだ問題視されている。全ての表示装置にとっても共通して言えることでもあるが、消費電力を抑えることや、負荷の急変動の影響を抑制させることは、装置全体の消費電力を低くし、電源システムの規模も削減できる視点から、取組むべき大きな課題として捉えられている。
ところが有機ＥＬディスプレイは自発光ディスプレイであり、画面内の平均表示輝度が高いほど、消費電力を多く必要とする。従って、明るく綺麗な表示を実現する、一般的な高画質化と低消費電力化を両立させることは今まで困難とされてきた。
【０００６】
なお、上記各特許文献には、以下のような技術が記載されている。
特許文献１には、映像データのピーク値を検出して、その検出データに基づいて、発光駆動用電源電圧をコントロールし、消費電力の低減を図る技術が開示されている。これは、有機ＥＬ素子のＩＶ特性に対応して、消費電力を低減することが可能であるが、ＩＶ特性の温度特性までには言及していない。また、ＩＶ特性は事前に決められたある設計値であり、実際の動きとの誤差の存在は否定できず、従って、無駄な消費電力を削減し切れなかったり、また場合によっては輝度低下の発生を避け得ない場合も考えられる。
【０００７】
特許文献２には、色別に発光駆動用電源を用意し、色別のＩＶ特性に合わせた電源電圧値にすることにより、消費電力低減を図る技術が記載されている。
この技術によれば、色別の最適最大値をカスタマイズ出来る点で、ワースト状態での電力削減には効果を発揮するが、発光輝度や環境温度によって変動する有機ＥＬ素子の両端電圧に応じた発光駆動用電源電圧のコントロールが出来ず、無駄な消費電力の削減を出来ない、といった課題がある。また、電源回路を色別に用意することで回路規模が増大するといった課題もあった。
【０００８】
特許文献３には、パッシブマトリクス駆動において、画素の点灯率（輝度）に応じて、発光駆動用電源電圧をコントロールし、消費電力や発熱を抑えるようにした駆動装置が記載されている。しかしながらこの場合、アクティブマトリクス、パッシブマトリクスという駆動方法の違いはあるにしても、上記特許文献１と同一の課題が存在している。
【０００９】
このように従来は、色別に電源電圧値を変えたり、映像信号に応じて、つまりは有機ＥＬデバイスのある一つの温度条件におけるＩＶ特性に応じて、可能な限りの発光駆動用電源電圧の低減コントロールを行ったりして、消費電力を低減させることは可能であっても、そのＩＶ特性の温度変動を含めて適正に発光駆動用電源電圧をコントロールできるようにはなっておらず、通常想定される製品の使用温度範囲内において、輝度を低下させる画質低下を招いたり、無駄な消費電力を削減しきれない状況を発生させ得ることが存在していた。
またさらには、ＩＶ特性の劣化現象（経時的劣化）についても対応しきれず、これも次第に実動作とのズレを生じてしまうという状態を避け得なかった。
【００１０】
本発明では、これらの従来の課題に鑑み、画質の低下を引き起こさせずに、消費電力を低減させることができる手法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の表示装置は、各画素回路において有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用い、各画素回路では供給される表示データ信号に基づく輝度の発光動作を行うとともに、画像表示エリア外の画素回路としてダミー画素回路が設けられている表示パネル部と、上記表示パネル部に供給する表示データ信号について、所定期間毎に最大階調値を検出するとともに、検出した最大階調値が、上記ダミー画素回路に対する表示データ信号となるようにして、表示データ信号を上記表示パネル部に供給する表示データ供給部と、上記表示データ供給部から供給される表示データ信号により、上記表示パネル部の各画素回路で発光動作が行われている際に、上記ダミー画素回路の有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード−カソード間電圧を検出する電圧検出部と、上記電圧検出部で検出された、アノード−カソード間電圧に基づいて、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動用の電源電圧値情報を生成する駆動電圧決定部と、上記駆動電圧決定部で生成された電源電圧値情報に基づいて、上記表示パネル部の各画素回路に供給する、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動用の電源電圧値を変化させる駆動電圧可変部とを備える。
【００１２】
また上記表示データ供給部は、上記所定期間として、１フレーム期間毎に最大階調値を検出する。
また上記表示パネル部において、上記ダミー画素は、表示色毎に設けられているようにする。この場合、上記表示データ供給部は、上記表示パネル部に供給する表示データ信号について、所定期間毎に、表示色毎の最大階調値を検出するとともに、検出した表示色毎の各最大階調値が、表示色毎に形成された各ダミー画素回路に対する表示データ信号となるようにして、表示データ信号を上記表示パネル部に供給する。また上記電圧検出部は、表示色毎の各ダミー画素回路のそれぞれの上記アノード−カソード間電圧を検出し、その中の最大値をアノード−カソード間電圧の検出結果とする。
また上記駆動電圧可変部には、発光駆動用の電源電圧として、最低環境温度下において仕様最高輝度の発光を行う場合の、有機エレクトロルミネッセンス素子の両端電圧を用いて決定される電源電圧値が入力されるとともに、上記駆動電圧決定部は、上記駆動電圧可変部から出力される上記発光駆動用の電源電圧値を低下させるようにする上記電源電圧値情報を、上記電圧検出部で検出されたアノード−カソード間電圧に基づいて生成する。
【００１３】
本発明の表示駆動方法は、各画素回路において有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用い、各画素回路では供給される表示データ信号に基づく輝度の発光動作を行うとともに、画像表示エリア外の画素回路としてダミー画素回路が設けられている表示パネル部を備えた表示装置の表示駆動方法である。そして、上記表示パネル部に供給する表示データ信号について、所定期間毎に最大階調値を検出するとともに、検出した最大階調値が、上記ダミー画素回路に対する表示データ信号となるようにして、表示データ信号を上記表示パネル部に供給するステップと、表示データ信号により、上記表示パネル部の各画素回路で発光動作が行われている際に、上記ダミー画素回路の有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード−カソード間電圧を検出するステップと、検出されたアノード−カソード間電圧に基づいて、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動用の電源電圧値情報を生成するステップと、生成された電源電圧値情報に基づいて、上記表示パネル部の各画素回路に供給する、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動用の電源電圧値を変化させるステップとを備える。
【００１４】
有機ＥＬ素子の消費電力は、有機ＥＬ素子に流れる電流に、有機ＥＬ素子のアノード−カソード間の電圧を乗じたもので算出される。ただ、実際には、表示階調に応じた定電流を流すための手段として、ＴＦＴによる駆動トランジスタを用いる、駆動トランジスタは、ディスプレイが使用されるあらゆる環境において、定電流駆動を実現させる為、特性に対しマージンを持ったドレイン−ソース間電圧が与えられる構成になっている。したがって、（設計マージンを持った駆動トランジスタのドレイン−ソース間電圧）＋（有機ＥＬ素子のアノード−カソード間電圧）で決められたある一定値を発光駆動用電源電圧として有機ＥＬパネルに供給させることが一般的である。つまり消費電力は、有機ＥＬ素子に流れる電流に、この発光駆動用の電源電圧を乗じたもので表されることになる。
【００１５】
ここで、有機ＥＬ素子に流す電流は、発光させたい輝度に対して決まってしまうため、高効率の材料やデバイス構造が開発されない限り低消費電力化は図れないが、発光駆動用電源電圧は駆動トランジスタや有機ＥＬ素子の特性に合わせて適宜コントロールすることが可能になる。そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ（流れる電流対アノード−カソード間電位差）特性とその温度変動特性を利用する。
【００１６】
有機ＥＬ素子は、発光するためのある電流が流れているときに、有機ＥＬ素子の両端（アノード−カソード間）に電位差が発生している。この電位差は、ある一定電流に対して温度特性を持っており、上記発光駆動用電源電圧は、ワーストの使用環境温度においての最大電位差を必ず下回らないように決められていることが一般的である。このため、通常の使用環境においては、特性上問題はないが、常に有機ＥＬパネルには不必要な過電圧がかかっており電力を無駄に消費している動作を否定できない。
また、流れる電流（発光輝度）に対しても同様である。一般的に電流が小さい（輝度が低い）時は有機ＥＬ素子の両端の電位差が小さく、電流が大きく（輝度が高く）なるにつれて電位差も大きくなる特性をもっており、輝度が低い時は不必要な過電圧がかかっており、不必要な消費電力を発生させている。
さらに、有機ＥＬ素子は経時的劣化としてＩ−Ｖ特性が変動する。
【００１７】
有機ＥＬ素子は、このように環境温度、電流値に応じて、アノード−カソード間電圧が変動し、さらにアノード−カソード間電圧は、経時劣化によっても変動する。
そして、上記のように有機ＥＬ素子のアノード−カソード間電圧は、発光駆動用の電源電圧値設定の基準の１つとなっているが、逆に言えば、アノード−カソード間電圧が低下する場合は、その分、電源電圧値を低下させてもよいことになる。
そこで本発明においては、表示パネルの表示領域外にアノード−カソード間電圧を検出できるダミー画素回路を設け、そのダミー画素回路を常に１フレーム内の最大階調値で発光させることによって、表示領域内に存在する最大階調で発光する画素の有機ＥＬ素子の両端電圧を、ダミー画素回路を利用して検出するようにする。このダミー画素回路から検出されるアノード−カソード間電圧は、その時の有機ＥＬ素子の温度状態を的確に反映したものであり、従って環境温度などを検出しなくとも、正確にターゲットとする有機ＥＬ素子の両端電圧を把握できる。また、ＩＶ特性の劣化についてもある程度体現する。
従って、このダミー画素回路から検出したアノード−カソード間電圧を元に、発光駆動用電源電圧の低減コントロールを行うことで、不必要な電力消費分を、より正確かつ確実に、削減することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ダミー画素回路を所定期間単位の最大階調値で発光させ、その有機ＥＬ素子のアノード−カソード間電圧を検出することで、現在の環境温度状況や劣化による変動の生じているアノード−カソード間電圧を直接的に検出する。そして検出されたアノード−カソード間電圧に応じて、発光駆動用の電源電圧を変化させることで、最適な発光駆動用電源電圧を供給することが可能になるため、従来常に発生していた無駄な電力消費を削減することができるという効果がある。
また、ダミー画素回路を、現在のフレームにおける最大階調値で発光駆動し、その状態でアノード−カソード間電圧を検出することで、発光駆動用電源電圧が下げすぎとなることが確実に防止され、画質低下を生じさせない状態で、最大限の消費電力削減の効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の表示装置、表示駆動方法の実施の形態を説明する。
図１に実施の形態の表示装置の構成を示す。本例の表示装置は、有機ＥＬ素子を発光素子として用いる有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１と、ダミー画素情報加算部２と、表示信号検出部３と、駆動電圧決定部４と、駆動電圧可変部５と、アノード電位検出部６を備える。
【００２０】
まず図２、図３、図４、図５、図６を参照して有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１について述べる。
図２に有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１の構成の一例を示す。この有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１は、有機ＥＬ素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路１０を含むものである。
図２に示すように、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１は、画素回路１０が列方向と行方向にマトリクス状に配列された画素アレイ部２０と、データドライバ１１と、ゲートドライバ１２，１３，１４を備える。
またデータドライバ１１により選択され、供給される表示データ信号に応じた信号値Ｖｓｉｇを画素回路１０に対する入力信号として供給する信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・が、画素アレイ部２０に対して列方向に配されている。信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・は、画素アレイ部２０においてマトリクス配置された画素回路１０の列数分だけ配される。
【００２１】
また画素アレイ部２０に対して、行方向に走査線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・、走査線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・、走査線ＲＳＬ１，ＲＳＬ２・・・が配されている。これらの走査線ＷＳＬ、ＤＳＬ，ＲＳＬは、それぞれ、画素アレイ部２０においてマトリクス配置された画素回路１０の行数分だけ配される。
走査線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・）は、画素回路１０への信号値Ｖｓｉｇの書込（ライトスキャン）を行うための走査線であり、ゲートドライバ１２により駆動される。ゲートドライバ１２は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各走査線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・に順次、走査パルスＷＳを供給して、画素回路１０を行単位で線順次走査する。
走査線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・）はゲートドライバ１３により駆動される。ゲートドライバ１３は、有機ＥＬ素子の発光駆動のための走査パルスＤＳを、行状に配設された各電源線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・にそれぞれ所定タイミングで供給する。
走査線ＲＳＬ（ＲＳＬ１，ＲＳＬ２・・・）はゲートドライバ１４により駆動される。ゲートドライバ１４は、画素回路１０のリセット動作のための走査パルスＲＳを、行状に配設された各走査線ＲＳＬ１，ＲＳＬ２・・・にそれぞれ所定タイミングで供給する。
データドライバ１１は、ゲートドライバ１２による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・に対して、画素回路１０に対する入力信号としての信号値（Ｖｓｉｇ）を供給する。
【００２２】
図３に画素回路１０の構成を示している。この画素回路１０が、図２の構成における画素回路１０のようにマトリクス配置される。なお、図３では簡略化のため、信号線ＤＴＬと走査線ＷＳＬ、ＤＳＬ、ＲＳＬが交差する部分に配される１つの画素回路１０のみを示している。
実施の形態として採用できる画素回路１０の構成は多様に考えられるが、この例では、画素回路１０は、発光素子である有機ＥＬ素子３０と、１個の保持容量Ｃｓと、サンプリングトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２、スイッチングトランジスタＴｒ３、リセット用トランジスタＴｒ４としての４個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とで構成されている。各トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３、Ｔｒ４はｎチャネルＴＦＴとされている。
【００２３】
保持容量Ｃｓは、一方の端子が駆動トランジスタＴｒ２のソースに接続され、他方の端子が同じく駆動トランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。
画素回路１０の発光素子は例えばダイオード構造の有機ＥＬ素子３０とされ、アノードとカソードを備えている。有機ＥＬ素子１のアノードは駆動トランジスタＴｒ２のソースに接続され、カソードは所定の接地配線（カソード電位Ｖcath）に接続されている。
サンプリングトランジスタＴｒ１は、そのドレインとソースの一端が信号線ＤＴＬに接続され、他端が駆動トランジスタＴｒ２のゲートに接続される。またサンプリングトランジスタのゲートは走査線ＷＳＬに接続されている。
スイッチングトランジスタＴｒ３は、そのドレインとソースの一端が電源電圧Ｖｃｃに接続され、他端が駆動トランジスタＴｒ２のドレインに接続される。またスイッチングトランジスタＴｒ３のゲートは走査線ＤＳＬに接続されている。
リセット用トランジスタＴｒ４は、そのドレインとソースの一端が駆動トランジスタＴｒ２のソースに接続され、他端が所定のリセット電位Ｖｒｓに接続される。またリセット用トランジスタＴｒ４のゲートは走査線ＲＳＬに接続されている。
【００２４】
このような画素回路１０の動作を図４を参照して簡単に説明する。図４（ａ）は信号線ＤＴＬに与えられる信号値Ｖｓｉｇ、図４（ｂ）は水平同期信号ＨＳ、図４（ｃ）は走査線ＷＳＬからサンプリングトランジスタＴｒ１のゲートに与えられる走査パルスＷＳ、図４（ｄ）は走査線ＲＳＬからリセット用トランジスタＴｒ４のゲートに与えられる走査パルスＲＳ、図４（ｅ）は駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧Ｖｇ、図４（ｆ）は駆動トランジスタＴｒ２のソース電圧Ｖｓ、図４（ｇ）は走査線ＤＳＬからスイッチングトランジスタＴｒ３のゲートに与えられる走査パルスＤＳを、それぞれ示している。
【００２５】
水平同期信号ＨＳによって水平走査の開始時点が決められる。そして図における書込期間として、信号線ＤＴＬに信号値Ｖｓｉｇが印加される。この書込期間には、走査パルスＷＳによってサンプリングトランジスタＴｒ１が導通されることで、信号線ＤＴＬからの信号値Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる。
また、この書込期間には、走査パルスＲＳによりリセット用トランジスタＴｒ４が導通され、保持容量Ｃｓの他端側がリセット電位Ｖｒｓとされる。これは保持容量Ｃｓの他端側の電位が不定であると、保持容量Ｃｓに書き込まれる電圧が、信号値Ｖｓｉｇと同じにならないためである。
結果として、この書込期間では、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧は、保持容量Ｃｓへの信号値Ｖｓｉｇの書込に応じて上昇する。一方、駆動トランジスタＴｒ２のソース電圧Ｖｓは、リセット電位Ｖｒｓに維持される。
【００２６】
書込期間に続いて発光期間としての動作が行われる。発光期間では、走査パルスＷＳ、ＲＳがＬレベルとされてサンプリングトランジスタＴｒ１、リセット用トランジスタＴｒ４がオフとされ、一方、走査パルスＤＳによってスイッチングトランジスタＴｒ３が導通される。これによって駆動電源電圧Ｖｃｃからの電流供給により、駆動トランジスタＴｒ２が保持容量Ｃｓに保持された信号電位（即ち駆動トランジスタＴｒ２のゲート・ソース間電圧）に応じた電流を有機ＥＬ素子３０に流し、有機ＥＬ素子３０を発光させる。駆動トランジスタＴｒ２は飽和領域で動作し、有機ＥＬ素子３０に対して、信号値Ｖｓｉｇに応じた駆動電流を与える定電流源として機能する。
以上のような動作により画素回路１０の発光駆動が行われる。
なお、有機ＥＬ素子３０に電流が流れることで有機ＥＬ素子３０の両端電圧が上昇するため、発光期間当初は、これに伴って駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧Ｖｇとソース電圧Ｖｓが上昇する。
【００２７】
有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１は、基本的には以上のような構成及び動作となるが、本例の場合、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１は、配列されている画素回路１０の一部がダミー画素回路１０ｄとされている。
図５は、ダミー画素回路１０ｄを、上記図３と同様の形式で示している。この図５からわかるように、ダミー回路１０ｄは、画素回路構成は、他の通常の画素回路１０と同様である。但し、有機ＥＬ素子３０のアノード電圧を検出するための検出端子３１が用意されている。
なお、本例では、有機ＥＬ素子３０のカソード電圧Ｖcathは固定電位であるとしており、このため、検出端子３１でアノード電圧を検出すれば、アノード−カソード間電圧を検出できることになる。
【００２８】
このようなダミー画素回路１０ｄとしては、画素の表示色毎に設けられる。即ち通常の画素回路としては、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各画素回路が形成されているが、ダミー画素回路１０ｄとしても、Ｒダミー画素回路１０ｄＲ、Ｇダミー画素回路１０ｄＧ、Ｂダミー画素回路１０ｄＢが設けられている。
【００２９】
図６（ａ）（ｂ）はダミー画素回路１０ｄの配置エリアについて示したものである。図６（ａ）（ｂ）においては図２に示した画素アレイ部２０を模式的に示している。即ち多数の画素回路１０が配列されている領域である。
この画素アレイ部２０において、表示エリア２１が、実際に画像表示を行う表示領域（ユーザによって画像が視認される領域）であるとすると、図６（ａ）のように斜線部で示す、表示エリア２１の周囲において、ダミー画素回路１０ｄを設けることが考えられる。
また、後述するが、本例の動作のポイントの一つとしては、発光駆動用電源電圧を過低減させてしまうことによる発光輝度の低下が引き起こす画質の低下を必ず防止することである。有機ＥＬ素子３０の両端電圧（アノード−カソード間電圧）は、低温であるほど高いという特性があるため、ダミー画素回路１０ｄは、なるべく表示領域内で発光して発熱する温度の影響を受けない位置に配置されることが望ましい。
そして表示装置は通常主に立てて使用することがほとんどであることを考慮すると、発光による熱が空気の対流の影響を受けないように画面の上側への配置を避け、図６（ｂ）の斜線部のように画面の下側に配置を行うようにすると好適である。
【００３０】
図１に戻って、本例の構成を説明する。
表示データ信号は、表示信号検出部３及びダミー画素情報加算部２に供給される。
表示信号検出部３は、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に対して供給されるべき表示データ信号について、例えば１フレーム期間ごとに、表示色毎の最大階調値を抽出する。
ここでいう最大階調値とは、或る１フレームにおいて各画素に与える輝度値のうちで、最も高輝度となる値のことであり、つまり１フレーム内での、最も高輝度で発光させる画素に対する表示データ信号値のことである。
このような最大階調値を、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色毎に検出する。
従って、１フレーム期間の表示データ信号のうちのＲ画素回路に対応する信号値（輝度値）について、順次比較処理を行っていくことで、１フレーム期間内でのＲ画素についての最大階調値を検出する。同様に、Ｂ画素、Ｇ画素についても、それぞれ最大階調値を検出する。
なお、表示信号検出部２にフレームメモリを用意し、１フレーム期間の表示データ信号値を一時的に記憶して、その中からＲ、Ｇ、Ｂ各色毎の最大階調値を検出するようにしてもよい。
表示信号検出部３は、このようにして検出した、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色についての１フレーム期間の最大階調値を、ダミー画素情報加算部２に供給する。
【００３１】
ダミー画素情報加算部２は、表示データ信号に、表示信号検出部３から入力される色別の１フレームごとの最大階調値を、ダミー画素回路１０ｄＲ，１０ｄＧ，１０ｄＢ用のデータ信号として加算処理し、上述のようにダミー画素回路１０ｄ（１０ｄＲ，１０ｄＧ，１０ｄＢ）を有した有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に出力する。
なおこの際、フレームメモリなどを用い、ダミー画素回路１０ｄ用の表示内容に対し、実際の表示データ信号（通常の表示用の画素回路１０に対する表示データ信号）のみを１フレーム遅延させるようにし、表示エリア２１の表示内容に対し、適正な発光駆動用電源電圧Ｖｃｃの供給が行えるよう、出力遅延コントロールを行う。
つまり、ダミー画素回路１０ｄに与える表示データ信号は、次のフレーム期間に表示エリア２１において表示される表示内容での最大階調値となるようにする。
これは、後述するようにダミー画素回路１０ｄにおいて有機ＥＬ素子３０のアノード−カソード間電圧を検出して、その検出結果に応じて電源電圧Ｖｃｃを制御した後のタイミング（即ち１フレーム後）で、ダミー画素回路１０ｄに与えた最大階調値を含む画像内容が表示エリア２１に表示されるようにするためである。
【００３２】
ダミー画素情報加算部２から有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に表示データ信号が供給されることで、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１では、上述のように表示データ信号に基づいて、各画素回路１０及びダミー画素回路１０ｄに信号値Ｖｓｉｇが与えられ、画像表示が実行される。
【００３３】
有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１においては、発光が行われたダミー画素回路１０ｄの有機ＥＬ素子３０のアノード電圧が、アノード電位検出部６で検出される。
図７に有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１における色毎のダミー画素回路１０ｄＲ、１０ｄＧ、１０ｄＢと、アノード電位検出部６の構成例を示している。
アノード電位検出部６は、Ｒダミー画素回路１０ｄＲの検出端子３１から得られるアノード電圧を、アンプ６１Ｒを介してＡ／Ｄ変換器６２Ｒに入力し、Ｒ画素についてのデジタル値としてのアノード電圧値Ｖａ_ｒを得る。
またＧダミー画素回路１０ｄＧの検出端子３１から得られるアノード電圧を、アンプ６１Ｇを介してＡ／Ｄ変換器６２Ｇに入力し、Ｇ画素についてのデジタル値としてのアノード電圧値Ｖａ_ｇを得る。
さらにＢダミー画素回路１０ｄＢの検出端子３１から得られるアノード電圧を、アンプ６１Ｂを介してＡ／Ｄ変換器６２Ｂに入力し、Ｂ画素についてのデジタル値としてのアノード電圧値Ｖａ_ｂを得る。
これらＲ、Ｇ、Ｂ各色についてのアノード電圧値Ｖａ_ｒ、Ｖａ_ｇ、Ｖａ_ｂを比較演算部６３に入力する。比較演算部６３は、色別のアノード電圧値（Ｖａ_r、Ｖａ_ｇ、Ｖａ_ｂ）の中から最大値（Ｖａｍａｘ）の抽出を行い、その情報を駆動電圧決定部４に出力する。
【００３４】
駆動電圧決定部４は、アノード電圧の最大値Ｖａｍａｘから、最適Ｖｃｃ値を算出し、その情報を駆動電圧可変部５に出力する。なお、最適Ｖｃｃ値の算出手法例については後述する。
駆動電圧可変部５は、所定の電圧値として設定されている駆動電源電圧（Ｖｃｃ）について、電圧値を変換して有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に供給する。この駆動電圧可変部５から出力される駆動電源電圧Ｖｃｃは、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１の全ての画素回路１０（及び１０ｄ）に共通に供給される。
この駆動電圧可変部５は、入力されるＥＬ駆動電源電圧について、駆動電圧決定部４で決定される最適Ｖｃｃ値に変換し（最適ＥＬ駆動電源電圧）、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に供給する。電圧変換手法の例については後述する。
【００３５】
このような本例の表示装置についての動作を説明していく。
まず、図８により、一般的な発光駆動用電源電圧Ｖｃｃの決定手法について述べる。ここで決定される一般的な電源電圧Ｖｃｃとは、本例では図１の駆動電圧可変部５に入力される段階（電圧値変換前）の電源電圧値となる。
【００３６】
図８では上述した画素回路１０を示しているが、駆動トランジスタＴｒ２が、そのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに対応した一定電流を流し続ける（飽和領域動作を保証する）ためには、ドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ間がある電位以上に保たれなくてはならない。その為の電位を図示するＶｄｓ(sat)とすると、電源電圧Ｖｃｃ−カソード電位Ｖcath間の電圧は、いかなる駆動環境／条件であろうとも、このドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ(sat)を割り込まないように決められることが一般的である。
電源電圧Ｖｃｃ−カソード電位Ｖcath間には、画素回路の構成上、最低使用環境温度／仕様最高輝度（仕様最大電流）における有機ＥＬ素子３０の最大両端（アノード−カソード間）電圧：ＶEL(MAX)と、上記のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ(sat)、さらにスイッチングトランジスタＴｒ３のオン時に発生するワースト最大電圧：ＶＤＳ(on)の３つに、Ｉ−Ｖ特性劣化マージン分：Ｖmarginを加えた要素が存在する。このため、これらの加算で電源電圧Ｖｃｃが決定される。
なおＩ−Ｖ特性劣化マージン分とは、有機ＥＬ素子３０の経時劣化を考慮したマージンである。
【００３７】
決定される電源電圧Ｖｃｃ値をＶｃｃ_defaultとすると、
Ｖｃｃ_default＝Ｖcath＋ＶEL(MAX)＋Ｖｄｓ(sat)＋ＶＤＳ(on)＋Ｖmargin
として算出される。
仕様から決まる輝度、即ち電流値Ｉｄｓは、有機ＥＬデバイスによって決まってしまい、駆動電圧に左右されないため、Ｖｃｃ_default×Ｉｄｓで算出される消費電力の低減化は、Ｖｃｃ_defaultを如何に下げられるかにかかっている。
【００３８】
従来は、このようにマージンを持った最大の定電圧（Ｖｃｃ_default）を、発光駆動電源電圧Ｖｃｃとして与え続けており、通常平均的に使用される階調や環境温度を考えても無駄に電力を消費している状態が意外に多い。
本例では、有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶEL（アノード−カソード間電圧）を、ダミー画素回路１０ｄから検出するが、これは、環境温度と階調による両端電圧変動、及びＩ−Ｖ特性劣化による両端電圧変動を含んだうえでの、両端電圧ＶEL値である。
この検出された両端電圧ＶELに応じて電源電圧Ｖｃｃを可変することで、無駄な電力消費分を削減する。
【００３９】
特に言えば、有機ＥＬ素子３０の最大両端電圧ＶEL(MAX)は、あくまでも最低使用環境温度／仕様最高輝度（仕様最大電流）を想定しているものであるが、常に最低の使用環境温度の条件下で、常に最大の輝度の発光状態であるものではないにもかかわらず、このような最大両端電圧ＶEL(MAX)を考慮して電源電圧Ｖｃｃを決めなければならないため、無駄な電力消費が生じていた。
そこで本例では、環境温度、階調、特性劣化に応じて変動する有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの変動に応じて、電源電圧Ｖｃｃを可変する。つまりは、上記のＶｃｃ_default算出式におけるＶEL(MAX)が低下する分だけ、電源電圧Ｖｃｃを低下させるという考え方で、無駄な電力消費分を削減するものである。
【００４０】
図９は有機ＥＬ素子３０のＩ−Ｖ特性の温度特性一例である。ここでは高温（６０℃）、常温（２５℃）、低温（−１０℃）のそれぞれにおいて、有機ＥＬ素子に流れる電流Ｉｄｓと有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの特性を示している。
図からわかるように有機ＥＬ素子３０のＩ−Ｖ特性は、温度が高くなるに連れて低電圧側へ、温度が低くなるに連れて高電圧側へと、電流に対する電圧の特性が変動する。
併せて、電流値によって、温度によるシフト（変動）している量が変わってもいる。例えば電流値ａの状態では、低温時と高温時の間の両端電圧ＶELの変動はΔＶａとなるが、電流値ｂの状態では、低温時と高温時の間の両端電圧ＶELの変動はΔＶｂとなる（ΔＶａ＞ΔＶｂ）。
また、温度に応じた両端電圧ＶELの変動比率は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色毎でも異なる。
【００４１】
図１０は、図９のグラフから抽出される、温度による有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶEL（アノード−カソード間電圧（カソード電位固定の場合はアノード電圧））の変化を表したもので、発光輝度（電流）によりその変化量に差があることを示す一例である。ここでは実線は中間的な輝度、破線は高輝度、一点鎖線は低輝度の各場合において温度状況に応じた有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの変化を示している。例えば高輝度発光の場合において−１０℃と６０℃の場合の両端電圧ＶELの変動量を１とした場合、低輝度発光時における−１０℃と６０℃の場合の両端電圧ＶELの変動量は０．９５となる。
【００４２】
図１１は、有機ＥＬ素子３０のＩ−Ｖ特性劣化の一例を示したものである。
有機ＥＬ素子３０は、発光量に応じてＩ−Ｖ特性が劣化していく性質を持っており、時間と共に、同電流に対する電圧が上昇していく傾向を示している。図では、実線、一点鎖線、破線の順序で、経時的な特性の変動を示している。
なお従って、同じ輝度を維持するためには、時間がたつにつれ、初期から比較して、より高い発光駆動用電源電圧が必要になってくることを示している。通常、上述したように、使用推定寿命から、劣化変動するＩ−Ｖ特性分をマージン分（Ｖmargin）として含まれた、初期発光駆動用電源電圧（Ｖｃｃ_default）が設定されるものである。
【００４３】
このように有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELは、温度と発光輝度（電流値）に応じて変動し、また経時的な変動も生じる。
本例では、これら環境温度と電流値（発光階調）、さらには経時劣化成分を含んだ有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの変動に応じて、電源電圧Ｖｃｃを可変することで、発光輝度に影響を与えずに、効果的に消費電力を低減させる。
【００４４】
上述のように発光駆動用の電源電圧Ｖｃｃは、図１に示した駆動電圧可変部５で可変して有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に供給するが、この電源電圧可変のための動作を説明していく。
図１２は、電源電圧Ｖｃｃを可変させるための各部の処理を示したものである。以下の＜Ｓ１＞〜＜Ｓ４＞としての各処理が行われ、駆動電圧可変部５に最適Ｖｃｃ値の情報が供給される。
【００４５】
まず処理＜Ｓ１＞として、アノード電位検出部６は、色別のダミー画素回路１０ｄＲ、１０ｄＧ、１０ｄＢを、１フレーム内での最大階調値で発光させたときのアノード電圧Ｖａ_ｒ、Ｖａ_ｇ、Ｖａ_ｂを検出し、デジタル値に変換する。
なお、上述したように、ダミー画素情報加算部２では、実際の表示データ信号（通常の表示用の画素回路１０に対する表示データ信号）を、ダミー画素回路１０ｄ用の表示データ信号に対して１フレーム遅延させるようにして有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に供給するため、この処理＜Ｓ１＞の際にダミー画素回路１０ｄＲ、１０ｄＧ、１０ｄＢに与えている信号値は、次のフレームの表示データ信号内での最大階調値となる。
【００４６】
次に処理＜Ｓ２＞として、アノード電位検出部６は、色別のアノード電圧（Ｖａ_ｒ、Ｖａ_ｇ、Ｖａ_ｂ）の中から最大のものを選択し、最大値Ｖａｍａｘとして抽出する。この最大値Ｖａｍａｘは、駆動電圧決定部４に送られる。
なお、色別のアノード電圧（Ｖａ_ｒ、Ｖａ_ｇ、Ｖａ_ｂ）の中から最大のものを選択して、最大値Ｖａｍａｘを、有機ＥＬ素子３０のアノード−カソード間電圧の情報として駆動電圧決定部４に送るのは、有機ＥＬ素子３０のアノード−カソード間電圧の温度による変動率が、色毎にも異なるためである。即ち、ここでは色毎の変動率も考慮して、あくまでも、現フレームとしての最大のアノード−カソード間電圧を検出するためである。
【００４７】
処理＜Ｓ３＞では、駆動電圧決定部４が、供給された最大値Ｖａｍａｘを用い、有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの仕様上ワーストとして設定した、ＶEL（ｍａｘ）＋Ｖｍａｒｇｉｎに対し、現在のワーストＶELがどの程度下がっているかの変化量ΔＶELを次式にて算出する。
ΔＶEL＝ＶEL（ｍａｘ）＋Ｖｍａｒｇｉｎ−Ｖａｍａｘ
これにより、所定輝度に対し、輝度の低下を引き起こさせずに下げられる最大の電圧ΔＶELを正確に把握できる。
【００４８】
そして処理＜Ｓ４＞で駆動電圧決定部４は、最適Ｖｃｃ値を次式で算出する。
最適Ｖｃｃ値＝Ｖｃｃ_default−ΔＶEL
即ち初期電源電圧値Ｖｃｃ_defaultから変化量ΔＶELを減じた結果が、画質を低下させずに消費電力を最大に削減することのできる、最適Ｖｃｃ値となる。
この最適Ｖｃｃ値の情報は、駆動電圧可変部５に送られ、発光駆動用電源電圧Ｖｃｃの低減変換が行われる。
【００４９】
図１３は、駆動電圧可変部５の構成の一例を示している。例えば図のように電源可変コントロール部５１，デジタルポテンショメータ５２、抵抗Ｒ１を備えた構成とされる。
電源可変コントロール部５１は、入力電圧Ｖｉｎについて電圧可変した出力電圧Ｖｏｕｔを得る。
一般的な、電源可変コントロール回路は、スイッチングレギュレータとシリーズレギュレータに大別されるが、出力電圧Ｖｏｕｔを可変コントロールする手法は基本的に同一である。電圧可変量を比較的多く取りたい場合は、効率の関係上スイッチングレギュレータが選択されることがほとんどである。
電源可変コントロール部５１には、出力電圧をある電位でフィードバックさせるためのＦＢ端子が設けられており、この電位をある一定値に保とうとする動作で出力電圧を安定化させる。ＦＢ電位は一般的に１〜３Ｖ程度であるため、出力電圧を抵抗分圧し、ＦＢ端子に接続する構成により、電圧可変制御が可能となる。
即ちＦＢ電位はある値（例えば２Ｖ）で決められているため、出力電圧を可変させるためには抵抗分圧の比を変えてやれば良い。
このために一方を固定抵抗Ｒ１、もう一方を抵抗値可変のディジタル制御が可能なディジタルポテンショメータ５２を使用する。駆動電圧決定部４が、最適Ｖｃｃ値を得るためのデジタル値をデジタルポテンショメータ５２に供給し、抵抗値を可変制御することで、出力電圧Ｖｏｕｔ、即ち発光駆動用電源電圧Ｖｃｃをコントロールできる。
【００５０】
以上の動作により本例の表示装置では、色毎のダミー画素回路１０ｄＲ、１０ｄＧ、１０ｄＢから検出したアノード電圧値（有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶEL）に応じて、発光駆動用電源電圧Ｖｃｃが可変制御される。
そして、このように可変制御された発光駆動用電源電圧Ｖｃｃは、次のフレーム期間に各画素回路１０に供給される。このとき、発光駆動用電源電圧Ｖｃｃは、そのフレームの表示データ信号における最大階調値の電流を有機ＥＬ素子３０に流した場合でのアノード電圧値に基づいて、電圧値がコントロールされたものとなる。
【００５１】
このように本実施の形態では、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１の表示エリア３１外にアノード電圧（アノード−カソード間電圧：両端電圧ＶEL）を検出できるダミー画素回路１０ｄを色別に設け、そのダミー画素回路を常に１フレーム内の最大階調値で発光させることによって、表示エリア３１内に存在する最大階調で発光する画素の有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELを、ダミー画素回路１０ｄを利用して検出するようにしている。このダミー画素回路１０ｄから検出されるアノード電圧は、その時の有機ＥＬ素子３０の温度状態を的確に反映したものであり、環境温度などを検出せずに、正確にターゲットとする有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELを把握できるようになる。また、ＩＶ特性の劣化についてもある程度体現するため、初期において劣化マージン分のさらなる消費電力低減も可能になる。このようなアノード電圧の検出情報を元に、発光駆動用電源電圧Ｖｃｃの低減コントロールを行うことで、不必要な電力消費分を、より正確かつ確実に、削減することができるようになる。
そして、自発光型フラットパネルディスプレイの画質低下を視認させないように低消費電力化を図ることが実現できるため、表示装置をバッテリ動作機器とすれば、動作時間を長時間化することに貢献し、またＡＣコンセントから電源を得る機器であれば節電や電気代の節約に貢献できることになる。
【００５２】
両端電圧ＶELとしては５Ｖ以上変化する有機ＥＬ素子も存在するため、以上のように両端電圧ＶELの変動特性に応じて電源電圧Ｖｃｃを低下させることで、消費電力の低減を効果的に実現できる。
消費電力はＶｃｃ×Ｉｄｓで算出されるため、電源電圧Ｖｃｃが電圧低下後の発光駆動用電源電圧値だとすると、Ｖｃｃ_defaultに対する電圧値の低減比がそのまま、消費電力の低減比になる。仮にＶｃｃ_defaultを１５Ｖ、Ｖｃｃを１０Ｖとし、５Ｖの電圧低減コントロールを行ったとすると、消費電力の最大低減比率は約６７％にもなるという大きな効果を得られることになる。
【００５３】
発光輝度に影響を与えない範囲で電源電圧Ｖｃｃを可変できるのは、映像信号（表示データ信号）から１フレームごとに最大階調値を検出していることによる。つまり、フレーム毎に、有機ＥＬ素子３０に流す電流量の最大値を基準として、その際の両端電圧ＶELに応じて、最低限必要な電源電圧Ｖｃｃが画素回路１０に供給されるようにしているためである。
これによって発光駆動用電源電圧Ｖｃｃが、下げすぎになることを確実に防止でき、適正な輝度での発光状態を確保した上で、最大限の消費電力削減の効果を実現できる。
【００５４】
また、経時劣化による有機ＥＬ素子３０のＩ−Ｖ特性の変動については、発光量の推定を積算していく手法もあるが、膨大な時間に亘って累積計算をしなければならないことでの規模増と、あくまで推定計算であることからの誤差の大きさが考えられ、精度をある程度制限することを強いられるが、本例のようにアノード電圧の検出によって、経時劣化による変動成分も含んで制御できるため、このような点は全く解消される。
【００５５】
また発光駆動用電源電圧Ｖｃｃは、駆動電圧可変部５で得られるが、この駆動電圧可変部５をシリーズレギュレータや降圧型スイッチングレギュレータによって構成すれば、電源電圧値を下げた場合に、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１で消費している電力をレギュレータ側に移すことで、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１自体で消費している電力を下げ、有機ＥＬデバイスの温度を低く抑えることとなる。
または、駆動電圧可変部５を、ある出力電圧範囲の間において、変換効率の変化しない／変化が少ない昇圧型スイッチングレギュレータによって構成すれば、電源電圧値を下げた場合に、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１自体で消費している電力を下げ、有機ＥＬデバイスの温度を低く抑えるようにすることに加え、機器全体の消費電力をも下げられるようになる。
【００５６】
実施の形態としては、多様な変形例が考えられる。
例えば上記例では、全ての画素回路に共通の電源電圧Ｖｃｃを与える構成を示したが、画素回路１０としては、Ｒ（赤）用画素回路、Ｇ（緑）用画素回路、Ｂ（青）用画素回路が配列されている。これら色毎の画素回路に対してそれぞれ電源電圧Ｖｃｃラインを独立して設け、上記電源電圧Ｖｃｃの可変処理を色毎に行うようにしてもよい。
その場合、各色についてのダミー画素回路１０ｄで得られるアノード電圧に基づいて、その色の電源電圧の可変制御を行うようにすればよい。
また、ダミー画素回路１０ｄを色別には設けない例も考えられる。
【００５７】
また、上記例では、表示信号検出部３では１フレーム単位で色別の最大階調値を検出したが、２フレーム単位など、他の所定期間で、色別の最大階調値を検出し、それを当該所定期間でのダミー画素回路１０ｄに与える信号値としてもよい。
【００５８】
また有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１における画素回路構成を図３に示したが、本発明は、図３以外の画素回路構成を採用する場合も適用できる。特にアクティブマトリクス方式で画素駆動を行う表示装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態の表示装置の構成のブロック図である。
【図２】実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネルモジュールの説明図である。
【図３】実施の形態に画素回路の説明図である。
【図４】実施の形態の画素回路の動作の説明図である。
【図５】実施の形態にダミー画素回路の説明図である。
【図６】実施の形態のダミー画素回路の配置位置の説明図である。
【図７】実施の形態のアノード電位検出部の説明図である。
【図８】実施の形態で採用する画素回路における一般的な電源電圧決定の説明図である。
【図９】有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の温度特性の説明図である。
【図１０】有機ＥＬ素子の両端電圧の温度特性の説明図である。
【図１１】有機ＥＬ素子の経時的なＩ−Ｖ特性変動の説明図である。
【図１２】実施の形態の最適Ｖｃｃ値算出処理の説明図である。
【図１３】実施の形態の駆動電圧可変部の説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  有機ＥＬディスプレイパネルモジュール、２  ダミー画素情報加算部、３  表示信号検出部、４  駆動電圧決定部、５  駆動電圧可変部、６  アノード電位検出部、１０  画素回路、１０ｄ（１０ｄＲ、１０ｄＧ、１０ｄＢ）  ダミー画素回路１１  データドライバ、１２，１３，１４  ゲートドライバ、２０  画素アレイ部、３０  有機ＥＬ素子、Ｃｓ  保持容量、Ｔｒ１  サンプリングトランジスタ、Ｔｒ２  駆動トランジスタ、Ｔｒ３  スイッチングトランジスタ
【図１】
2009075320.tif 000003
【図２】
2009075320.tif 000004
【図３】
2009075320.tif 000005
【図４】
2009075320.tif 000006
【図５】
2009075320.tif 000007
【図６】
2009075320.tif 000008
【図７】
2009075320.tif 000009
【図８】
2009075320.tif 000010
【図９】
2009075320.tif 000011
【図１０】
2009075320.tif 000012
【図１１】
2009075320.tif 000013
【図１２】
2009075320.tif 000014
【図１３】
2009075320.tif 000015