(57)【要約】【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。【解決手段】膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚を有する、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、絶縁表面上に形成し、
前記導電膜上に、開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部に重なる前記導電膜の残存膜厚が、０．５μｍ以上であって、前記導電膜の膜厚の９０％若しくは５μｍのうちいずれか小さい値以下となるまで、前記導電膜をウェットエッチングし、
前記ウェットエッチング後の前記導電膜を、前記絶縁表面が露出するまでドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚を有する、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、絶縁表面上に形成し、
前記導電膜上に、開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部に重なる前記導電膜が残存する程度に、前記導電膜をウェットエッチングし、
前記開口部に重なる前記絶縁表面が露出するまで、前記ウェットエッチング後の前記導電膜をドライエッチングし、
前記ドライエッチング後において前記導電膜上に前記マスクが残存していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ドライエッチング後の前記導電膜を、ＲＦタグのアンテナとして用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
バリアメタル膜を絶縁表面上に形成し、
１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚を有する、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、前記バリアメタル膜上に形成し、
前記導電膜上に、開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部に重なる前記導電膜の残存膜厚が、０．５μｍ以上であって、前記導電膜の膜厚の９０％若しくは５μｍのうちいずれか小さい値以下となるまで、前記導電膜をウェットエッチングし、
前記ウェットエッチング後の前記導電膜及び前記バリアメタル膜を、前記絶縁表面が露出するまでドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
バリアメタル膜を絶縁表面上に形成し、
１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚を有する、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、前記バリアメタル膜上に形成し、
前記導電膜上に、開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部に重なる前記導電膜が残存する程度に、前記導電膜をウェットエッチングし、
前記開口部に重なる前記絶縁表面が露出するまで、前記ウェットエッチング後の前記導電膜及び前記バリアメタル膜をドライエッチングし、
前記ドライエッチング後において前記導電膜上に前記マスクが残存していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記バリアメタル膜は、チタン、タンタル、タングステンまたはモリブデンを含む高融点金属、若しくは前記高融点金属の窒化物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか１項において、前記バリアメタル膜の膜厚は、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか１項において、前記ドライエッチング後の前記導電膜及び前記バリアメタル膜を、ＲＦタグのアンテナとして用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１のバリアメタル膜を絶縁表面上に形成し、
１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚を有する、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、前記第１のバリアメタル膜上に形成し、
前記導電膜上に第２のバリアメタル膜を形成し、
前記第２のバリアメタル膜上に、開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部に重なる前記導電膜の残存膜厚が、０．５μｍ以上であって、前記導電膜の膜厚の９０％若しくは５μｍのうちいずれか小さい値以下となるまで、前記第２のバリアメタル膜及び前記導電膜をウェットエッチングし、
前記ウェットエッチング後の前記導電膜及び前記第１のバリアメタル膜を、前記絶縁表面が露出するまでドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１のバリアメタル膜を絶縁表面上に形成し、
１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚を有する、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、前記第１のバリアメタル膜上に形成し、
前記導電膜上に第２のバリアメタル膜を形成し、
前記第２のバリアメタル膜上に、開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部に重なる前記導電膜が残存する程度に、前記第２のバリアメタル膜及び前記導電膜をウェットエッチングし、
前記開口部に重なる前記絶縁表面が露出するまで、前記ウェットエッチング後の前記導電膜及び前記第１のバリアメタル膜をドライエッチングし、
前記ドライエッチング後において前記第２のバリアメタル膜上に前記マスクが残存していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、前記第１のバリアメタル膜または前記第２のバリアメタル膜は、チタン、タンタル、タングステンまたはモリブデンを含む高融点金属、若しくは前記高融点金属の窒化物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか１項において、前記第１のバリアメタル膜または前記第２のバリアメタル膜の膜厚は、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか１項において、前記ドライエッチング後の前記導電膜、前記第１のバリアメタル膜及び前記第２のバリアメタル膜を、ＲＦタグのアンテナとして用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記絶縁表面と、前記ドライエッチング後の前記導電膜の端部における表面とで形成されるテーパー角が、５０度以上９０度以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、前記ウェットエッチングは、弗化アンモニウムと硝酸とを含む水溶液をエッチャントとして用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜のエッチングを用いた半導体装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線で信号の送受信を行い個体の識別をする技術（ＲＦＩＤ：Ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）は、様々な分野において実用化が進められており、新しい情報通信の形態としてさらなる市場の拡大が見込まれている。ＲＦタグは、ＩＤチップ、無線タグ、ＩＣタグとも呼ばれており、アンテナと、集積回路（チップ）とを通常有している。そして、ＲＦタグには、別々に形成された集積回路とアンテナとを接続するアンテナ外付けのものと、集積回路とアンテナとを同一の基板に形成（一体形成）するオンチップのものとがある。
【０００３】
ＲＦタグは、集積回路のインピーダンスにもよるが、アンテナの抵抗値を低くするほど通信距離が伸びる傾向にある。そして、アンテナの抵抗値を低くするには、アンテナとして用いる導電膜の材料の選択に加え、該導電膜の膜厚を大きくすることが重要である。
【０００４】
ところで、配線、電極、アンテナ等のような所定の形状を有する導電膜の形成には、インクジェット法を含む液滴吐出法、メッキ法、パターニングをしてエッチングする方法などが一般的に用いられる。中でもエッチングは、導電膜に用いられる材料の種類に制約が少なく、高精細なパターンが形成できるというメリットを有している。下記の特許文献１には、厚さ３μｍ以上のアルミニウム合金層を含む積層配線層を、所望のパターンに形成するエッチング方法について記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７９５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、エッチングを用いて配線、電極、アンテナ等の所定の形状を有する導電膜を形成する場合、膜厚が数μｍ程度まで大きくなるように導電膜を成膜すると、導電膜が基板面に対して平行な方向にエッチングされること（サイドエッチング）によりエッチング後の導電膜における端部の勾配がなだらかになる、サイドエッチングによりエッチング後の導電膜の線幅が細くなる、エッチング中におけるパターニングマスクの消失によりエッチング後の導電膜の膜厚が小さくなる、などの問題が生じる。導電膜の端部の勾配がなだらかになる、或いは導電膜の膜厚が小さくなると、導電膜の断面積が小さくなるため、配線、電極、アンテナ等の抵抗値を低くするために、膜厚が大きくなるように導電膜を形成しても、結果的にエッチング後の導電膜の抵抗値を低く抑えることが難しい。
【０００７】
また、サイドエッチングが進みすぎると、マスクのパターンと、エッチング後の導電膜の形状との差が大きくなり、高精細なパターンを有する導電膜を形成できなくなる。
【０００８】
そして、高融点金属を用いたバリアメタル膜と呼ばれる導電膜と、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの低抵抗金属を用いた導電膜と、を積層することで得られる積層構造の導電膜の場合、エッチングに用いるエッチャントの種類によっては、バリアメタル膜だけエッチングされない、もしくはバリアメタル膜だけが極端にサイドエッチングされてしまうなどの問題があった。
【０００９】
本発明の一態様は、上述した問題に鑑み、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製することを課題とする。
【００１０】
また本発明の一態様は、上述した問題に鑑み、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる、積層構造を有する導電膜を、エッチングを用いて作製することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
ウェットエッチングだとマスクの膜厚が減少するのを抑えることができるが、導電膜のサイドエッチングが進みやすく、また、ドライエッチングだとサイドエッチングが進みにくいが、マスクの膜厚が減少しやすいことに着目することで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、まずウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えられることを見出した。
【００１２】
サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。
【００１３】
また、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜と、高融点金属を用いたバリアメタル膜と呼ばれる導電膜とを積層させることで得られる積層構造の導電膜も、同様にエッチングを行う。すなわち、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜の下層にバリアメタル膜が存在する場合であっても、逆に上層にバリアメタル膜が存在する場合であっても、上層と下層にバリアメタル膜が存在する場合であっても、ウェットエッチングを用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜が所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングする。上記構成により、積層構造の導電膜であっても、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えられる。
【００１４】
サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む積層構造の導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。なお、本明細書において、サイドエッチングとは、基板面に対して平行な方向に膜をエッチングすることを指す。また、サイドエッチングの量は、エッチング前におけるマスクの開口部の端部を基準として、基板面に対して平行な方向に膜がエッチングされた距離とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の効果の一態様として、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられることで高精細なパターンを有する導電膜を、エッチングを用いて作製することができる。これにより、エッチング後の導電膜の抵抗値を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図４】ウェットエッチング後におけるサンプルＡの断面のＳＥＭ像と、ドライエッチング後におけるサンプルＡの断面のＳＥＭ像。
【図５】ウェットエッチング後におけるサンプルＢの断面のＳＥＭ像と、ドライエッチング後におけるサンプルＢの断面のＳＥＭ像。
【図６】ウェットエッチング後におけるサンプルＡの断面のＳＥＭ像と、ウェットエッチング後におけるサンプルＢの断面のＳＥＭ像。
【図７】ドライエッチング後におけるサンプルＡの断面のＳＥＭ像と、ウェットエッチング後におけるサンプルＡの断面のＳＥＭ像。
【図８】ドライエッチング後におけるサンプルＢの断面のＳＥＭ像と、ウェットエッチング後におけるサンプルＢの断面のＳＥＭ像。
【図９】ドライエッチング後におけるサンプルＣの断面のＳＥＭ像。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図１２】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図１３】ＲＦタグの斜視図。
【図１４】ＲＦタグのブロック図。
【図１５】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図１６】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す図。
【図１７】ＲＦタグの利用形態を示す図。
【図１８】ウェットエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像と、ドライエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像。
【図１９】ウェットエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像と、ドライエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像。
【図２０】ウェットエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像と、ドライエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像。
【図２１】ウェットエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像と、ドライエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像。
【図２２】ウェットエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像と、ドライエッチング後のサンプルの断面におけるＳＥＭ像。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１８】
なお本発明は、マイクロプロセッサ、画像処理回路などの集積回路や、ＲＦタグ、半導体表示装置等、ありとあらゆる半導体装置の作製に用いることができる。半導体表示装置には、液晶表示装置、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子を各画素に備えた発光装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等や、導電膜を用いた回路素子を駆動回路に有しているその他の半導体表示装置がその範疇に含まれる。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、半導体装置の作製方法に用いられる、導電膜のエッチングについて説明する。
【００２０】
まず、図１（Ａ）に示すように、絶縁表面上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜１０１を、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは２μｍ以上６μｍ以下となるように形成する。図１（Ａ）では、基板１００上に絶縁膜１０２を形成し、該絶縁膜１０２上に導電膜１０１を形成している場合を例示している。アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜１０１は、スパッタリング法またはＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
【００２１】
そして、レジストを用いて、開口部１０４を有するマスク１０３を導電膜１０１上に形成する。マスク１０３の膜厚を厚くすると、後に行われるドライエッチングにおいてマスク１０３が消失するまでの時間を稼ぐことができるので、マスク１０３の消失により導電膜１０１の上面がエッチングされるのを防ぐことができる。しかし、マスク１０３の膜厚を厚くし過ぎると、マスク１０３の解像度が低くなり、結果的に高精細なパターンを有する導電膜を形成することが難しくなる。よって、例えばマスク１０３間の最小間隔、すなわちエッチング前の開口部１０４の最小幅を数μｍ程度とするならば、マスク１０３の膜厚の最大値を３μｍ程度に設定することが望ましい。
【００２２】
次に、図１（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングを用いて、開口部１０４に重なる導電膜１０１が残存する程度に、導電膜１０１をエッチングする。ウェットエッチングによりエッチングする導電膜１０１の膜厚Ｔｗは、後に行われるドライエッチングによりエッチングされる導電膜１０１の膜厚Ｔｄによって決める。ドライエッチングによりエッチングする導電膜１０１の膜厚Ｔｄは、０．５μｍ以上とし、またエッチング前の導電膜１０１の９割以下となるように設定する。ただし、エッチング前の導電膜１０１の膜厚が大きすぎる場合、エッチング前の９割に相当する膜厚分の導電膜１０１を全てドライエッチングで除去すると、マスク１０３が消失してしまう恐れが生じる。よって、エッチング前の導電膜１０１の膜厚が大きい場合は、所望の解像度を確保することができる最大値の膜厚を有するマスク１０３が完全に消失しない程度に、膜厚Ｔｄの最大値を設定する。具体的に、マスク１０３の膜厚を３μｍとするならば、膜厚Ｔｄの最大値は５μｍ程度、より好ましくは３μｍ程度とするのが望ましい。
【００２３】
ウェットエッチングを行うことで、図１（Ｂ）に示すように、マスク１０３の開口部１０４に重なる導電膜１０１に、マスク１０３側に口を開くような凹部が形成される。
【００２４】
次に、図１（Ｃ）に示すように、ドライエッチングを用いて、導電膜１０１をさらにエッチングし、マスク１０３の開口部１０４に重なる絶縁膜１０２の表面を露出させる。図１（Ｃ）では、導電膜１０１の下地として絶縁膜１０２が形成されている場合を例示しているので、上記ドライエッチングにより絶縁膜１０２が部分的に露出する。
【００２５】
マスク１０３は、エッチングを行う前の状態と比較すると、その膜厚及び形成されている領域の面積が小さくなる傾向にある。しかし、本実施の形態では、エッチング前におけるマスク１０３の膜厚に合わせて膜厚Ｔｄの最大値を定めるので、ドライエッチングによりマスク１０３が消失するのを防ぐことができる。
【００２６】
ウェットエッチングの後にドライエッチングを行うことで、図１（Ｃ）に示すように、端部の勾配が急峻、具体的には、端部における導電膜１０１の表面と下地となる絶縁膜１０２の表面との間に形成されるテーパー角θが、５０度以上９０度以下、或いは６０度以上９０度以下となる、導電膜１０１を形成できる。また、ウェットエッチングのみを用いる場合と比べて、サイドエッチングを抑えることができ、マスク１０３のパターンとの形状の差が抑えられる高精細な導電膜１０１を形成できる。そして、ドライエッチングによるマスク１０３の消失を防ぐことで、エッチング後の導電膜１０１において、所望の膜厚を確保することができる。
【００２７】
なお、図１では、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜１０１を単層で用いた場合のエッチングについて説明したが、本実施の形態は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜と、高融点金属を用いたバリアメタル膜と呼ばれる導電膜とを積層させることで得られる積層構造の導電膜も、同様にエッチングを行うことができる。
【００２８】
図２を用いて、バリアメタル膜１０５上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜１０１が積層された、積層構造の導電膜１０６のエッチングについて説明する。
【００２９】
まず、図２（Ａ）に示すように、絶縁表面上に、バリアメタル膜１０５を膜厚５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下となるように形成した後、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜１０１を、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは２μｍ以上６μｍ以下となるように形成することで、積層構造を有する導電膜１０６を形成する。図２（Ａ）では、基板１００上に絶縁膜１０２を形成し、該絶縁膜１０２上にバリアメタル膜１０５と導電膜１０１とを順に形成している場合を例示している。バリアメタル膜１０５は導電膜１０１と同様に、スパッタリング法またはＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
【００３０】
バリアメタル膜１０５は、高融点金属、例えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはそれら高融点金属の窒化物などを用いることができる。
【００３１】
そして、図１（Ａ）の場合と同様に、レジストを用いて、開口部１０４を有するマスク１０３を導電膜１０６上に形成する。
【００３２】
次に、図２（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングを用いて、開口部１０４に重なる導電膜１０１が残存する程度に、導電膜１０１をエッチングする。ウェットエッチングを行うことで、マスク１０３の開口部１０４に重なる導電膜１０１にマスク１０３側に口を開くような凹部が形成される。そして上記ウェットエッチングでは、導電膜１０１を膜厚Ｔｗだけエッチングするので、バリアメタル膜１０５は導電膜１０１に覆われたままである。
【００３３】
ウェットエッチングによりエッチングする導電膜１０１の膜厚Ｔｗは、後に行われるドライエッチングによりエッチングされる導電膜１０１の膜厚Ｔｄによって決める。ドライエッチングによりエッチングする導電膜１０１の膜厚Ｔｄは、０．５μｍ以上とし、またエッチング前の導電膜１０１の９割以下となるように設定する。ただし、エッチング前の導電膜１０１の膜厚が大きすぎる場合、エッチング前の９割に相当する膜厚分の導電膜１０１とバリアメタル膜１０５とを全てドライエッチングで除去すると、マスク１０３が消失してしまう恐れが生じる。よって、エッチング前の導電膜１０１の膜厚が大きい場合は、所望の解像度を確保することができる最大値の膜厚を有するマスク１０３が完全に消失しない程度に、さらにバリアメタル膜１０５の膜厚をも考慮に入れて、膜厚Ｔｄの最大値を設定する。具体的に、マスク１０３の膜厚を３μｍとするならば、膜厚Ｔｄの最大値は５μｍ程度、より好ましくは３μｍ程度とするのが望ましい。
【００３４】
次に、図２（Ｃ）に示すように、ドライエッチングを用いて、膜厚Ｔｄの導電膜１０１と、バリアメタル膜１０５とをエッチングし、マスク１０３の開口部１０４に重なる絶縁膜１０２の表面を露出させる。図２（Ｃ）では、導電膜１０１の下地として絶縁膜１０２が形成されている場合を例示しているので、上記ドライエッチングにより絶縁膜１０２が部分的に露出する。
【００３５】
マスク１０３は、エッチングを行う前の状態と比較すると、その膜厚及び形成されている領域の面積が小さくなる傾向にある。しかし、本実施の形態では、エッチング前におけるマスク１０３の膜厚に合わせて膜厚Ｔｄの最大値を定めるので、ドライエッチングによりマスク１０３が消失するのを防ぐことができる。
【００３６】
ウェットエッチングの後にドライエッチングを行うことで、図２（Ｃ）に示すように、端部の勾配が急峻、具体的には、端部における導電膜１０６の表面と下地となる絶縁膜１０２の表面との間に形成されるテーパー角θが、５０度以上９０度以下、より望ましくは６０度以上９０度以下となる、積層構造の導電膜１０６を形成できる。また、ウェットエッチングのみを用いる場合と比べて、サイドエッチングを抑えることができ、マスク１０３のパターンとの形状の差が抑えられる、高精細な積層構造の導電膜１０６を形成できる。そして、ドライエッチングによるマスク１０３の消失を防ぐことで、エッチング後の導電膜１０６において、所望の膜厚を確保することができる。
【００３７】
また図３を用いて、バリアメタル膜１０５と、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜１０１と、バリアメタル膜１０７とが順に積層された、積層構造の導電膜１０８のエッチングについて説明する。
【００３８】
まず、図３（Ａ）に示すように、絶縁表面上に、バリアメタル膜１０５を膜厚５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下となるように形成した後、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜１０１を、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは２μｍ以上６μｍ以下となるように形成する。そして、導電膜１０１上にバリアメタル膜１０７を膜厚５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下となるように形成することで、積層構造を有する導電膜１０８を形成する。図３（Ａ）では、基板１００上に絶縁膜１０２を形成し、該絶縁膜１０２上にバリアメタル膜１０５と導電膜１０１とバリアメタル膜１０７とを順に形成している場合を例示している。バリアメタル膜１０５と、バリアメタル膜１０７とは、導電膜１０１と同様に、スパッタリング法またはＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
【００３９】
バリアメタル膜１０５と、バリアメタル膜１０７とは、高融点金属、例えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはそれら高融点金属の窒化物などを用いることができる。
【００４０】
そして、図１（Ａ）の場合と同様に、レジストを用いて、開口部１０４を有するマスク１０３を導電膜１０８上に形成する。
【００４１】
次に、図３（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングを用いて、バリアメタル膜１０７をエッチングした後、開口部１０４に重なる導電膜１０１が残存する程度に、導電膜１０１をエッチングする。ウェットエッチングを行うことで、マスク１０３の開口部１０４に重なる導電膜１０１に、マスク１０３側に口を開くような凹部が形成される。そして上記ウェットエッチングでは、導電膜１０１を膜厚Ｔｗだけエッチングするので、バリアメタル膜１０５は導電膜１０１に覆われたままである。
【００４２】
ウェットエッチングによりエッチングする導電膜１０１の膜厚Ｔｗは、後に行われるドライエッチングによりエッチングされる導電膜１０１の膜厚Ｔｄによって決める。ドライエッチングによりエッチングする導電膜１０１の膜厚Ｔｄは、０．５μｍ以上とし、またエッチング前の導電膜１０１の９割以下となるように設定する。ただし、エッチング前の導電膜１０１の膜厚が大きすぎる場合、エッチング前の９割に相当する膜厚分の導電膜１０１とバリアメタル膜１０５とを全てドライエッチングで除去すると、マスク１０３が消失してしまう恐れが生じる。よって、エッチング前の導電膜１０１の膜厚が大きい場合は、所望の解像度を確保することができる最大値の膜厚を有するマスク１０３が完全に消失しない程度に、さらにバリアメタル膜１０５の膜厚をも考慮に入れて、膜厚Ｔｄの最大値を設定する。具体的に、マスク１０３の膜厚を３μｍとするならば、膜厚Ｔｄの最大値は５μｍ程度、より好ましくは３μｍ程度とするのが望ましい。
【００４３】
次に、図３（Ｃ）に示すように、ドライエッチングを用いて、膜厚Ｔｄの導電膜１０１と、バリアメタル膜１０５とをエッチングし、マスク１０３の開口部１０４に重なる絶縁膜１０２の表面を露出させる。図３（Ｃ）では、導電膜１０１の下地として絶縁膜１０２が形成されている場合を例示しているので、上記ドライエッチングにより絶縁膜１０２が部分的に露出する。
【００４４】
マスク１０３は、エッチングを行う前の状態と比較すると、その膜厚及び形成されている領域の面積が小さくなる傾向にある。しかし、本実施の形態では、エッチング前におけるマスク１０３の膜厚に合わせて膜厚Ｔｄの最大値を定めるので、ドライエッチングによりマスク１０３が消失するのを防ぐことができる。
【００４５】
ウェットエッチングの後にドライエッチングを行うことで、図３（Ｃ）に示すように、端部の勾配が急峻、具体的には、端部における導電膜１０８の表面と下地となる絶縁膜１０２の表面との間に形成されるテーパー角θが、５０度以上９０度以下、より望ましくは６０度以上９０度以下となる、積層構造の導電膜１０８を形成できる。また、ウェットエッチングのみを用いる場合と比べて、サイドエッチングを抑えることができ、マスク１０３のパターンとの形状の差が抑えられる、高精細な積層構造の導電膜１０８を形成できる。そして、ドライエッチングによるマスク１０３の消失を防ぐことで、エッチング後の導電膜１０８において、所望の膜厚を確保することができる。
【００４６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、ウェットエッチングの後にドライエッチングを行うことで所定の形状に加工（パターニング）した導電膜の、断面形状について説明する。
【００４７】
まず、エッチングを行う前の、サンプルの作製方法について説明する。サンプルは、バリアメタル膜と導電膜とが順に２層積層されたサンプルＡ及びサンプルＣと、バリアメタル膜と導電膜とバリアメタル膜とが順に３層積層されたサンプルＢとを用いた。
【００４８】
具体的にサンプルＡは、ガラス基板上にポリイミドを用いて絶縁膜を形成した後、スパッタリング法を用いて、膜厚１００ｎｍのチタン膜と、膜厚５μｍのアルミニウム膜とを、順に積層することで２層構造の導電膜を形成した。また、サンプルＢは、ガラス基板上にポリイミドを用いて絶縁膜を形成した後、スパッタリング法を用いて、膜厚１００ｎｍのチタン膜と、膜厚５μｍのアルミニウム膜と、膜厚１００ｎｍのチタン膜とを、順に積層することで３層構造の導電膜を形成した。また、サンプルＣは、ガラス基板上にポリイミドを用いて絶縁膜を形成した後、スパッタリング法を用いて、膜厚１００ｎｍのチタン膜と、膜厚４μｍのアルミニウム膜とを、順に積層することで２層構造の導電膜を形成した。
【００４９】
そして、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ共に、積層構造を有する導電膜上に、所定のパターンを有する膜厚２．５μｍ程度のマスクを、レジストを用いて形成した。レジストは、ポジ型レジスト（東京応化製、ＴＦＲ−１０００Ｈ）を用いた。
【００５０】
ウェットエッチングは、関東化学製の商品名ＫＳＭＦ−２３０／５を水で希釈することで得られる、１％未満の弗化アンモニウムと５％未満の硝酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、圧力０．１ＭＰａ、液温４５℃の条件で、スプレー式でサンプルに吹き付けることで行った。
【００５１】
ドライエッチングは、塩素及び三塩化ホウ素の混合ガスをエッチングガスとして用い、ＩＣＰエッチング法で行った。具体的には、最初にエッチングガスである塩素の流量を２５０ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量を６５０ｓｃｃｍとし、反応圧力を２．０Ｐａ、下部電極の温度２０℃、コイル型の電極に投入するＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力０Ｗ、下部電極（バイアス側）に投入する電力１５００Ｗとし、次にエッチングガスである塩素の流量を１００ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量を７００ｓｃｃｍ、反応圧力を２．０Ｐａ、下部電極の温度を２１℃、コイル型の電極に投入するＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を０Ｗ、下部電極（バイアス側）に投入する電力が７５０Ｗとなるように、途中で条件を変更してドライエッチングを行った。
【００５２】
図４（Ａ）に、ウェットエッチングした後のサンプルＡの断面を走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。図４（Ａ）では、基板４００上にポリイミドで形成された絶縁膜４０１が存在しており、絶縁膜４０１上にチタン膜４０２、アルミニウム膜４０３、マスク４０４が順に積層されている様子が分かる。そして、ウェットエッチング後のサンプルＡは、マスク４０４の開口部に重なるアルミニウム膜４０３が深さ１．９６μｍ程度エッチングされていることがわかる。また、ウェットエッチング後のアルミニウム膜４０３は、マスク４０４の開口部の端部から、１６．６μｍ程度の領域まで、サイドエッチングされていることがわかる。
【００５３】
次に、図４（Ｂ）に、図４（Ａ）に示した状態からさらにドライエッチングした後のサンプルＡの断面を、走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。図４（Ｂ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルＡは、マスク４０４の開口部に重なるアルミニウム膜４０３及びチタン膜４０２が除去され、絶縁膜４０１が露出している。そして、ドライエッチング後のサンプルＡは、図４（Ａ）よりもマスク４０４の膜厚は小さくなっているが、アルミニウム膜４０３上にマスク４０４が０．７μｍ程度の膜厚で残存している。また、チタン膜４０２及びアルミニウム膜４０３で形成される導電膜の端部において、導電膜の表面と絶縁膜４０１の表面との間に形成されるテーパー角θは、約５８度となった。
【００５４】
また、図５（Ａ）に、ウェットエッチングした後のサンプルＢの断面を走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。図５（Ａ）では、基板５００上にポリイミドで形成された絶縁膜５０１が存在しており、絶縁膜５０１上にチタン膜５０２、アルミニウム膜５０３、チタン膜５０４、マスク５０５が順に積層されている様子が分かる。そして、ウェットエッチング後のサンプルＢは、マスク５０５の開口部に重なるチタン膜５０４及びアルミニウム膜５０３が、併せて深さ２．５５μｍ程度エッチングされている。また、ウェットエッチング後のチタン膜５０４及びアルミニウム膜５０３は、マスク５０５の開口部の端部から、２．６μｍ程度の領域まで、サイドエッチングされている。
【００５５】
次に、図５（Ｂ）に、図５（Ａ）に示した状態からさらにドライエッチングした後のサンプルＢの断面を、走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。図５（Ｂ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルＢは、マスク５０５の開口部に重なる、ウェットエッチング後に残存していたアルミニウム膜５０３及びチタン膜５０２が除去され、絶縁膜５０１が露出している。そして、ドライエッチング後のサンプルＢは、図５（Ａ）よりも、計測ができない程度にマスク５０５の膜厚が小さくなっているが、アルミニウム膜５０３上にマスク５０５が残存しているのが分かる。また、チタン膜５０２、アルミニウム膜５０３、チタン膜５０４で形成される導電膜の端部において、導電膜の表面と絶縁膜５０１の表面との間に形成されるテーパー角θは、約６６度となった。
【００５６】
なお、図４（Ｂ）に示すように、サンプルＡでは、ウェットエッチングの際にサイドエッチングされる量がサンプルＢより多いため、ドライエッチング後においてマスク４０４とアルミニウム膜４０３との間に、若干の隙間が形成されている。一方、図５（Ｂ）に示すように、サンプルＢでは、ウェットエッチングの際にサイドエッチングされる量がサンプルＡより少ないため、ドライエッチング後においてマスク５０５とアルミニウム膜５０３との間に隙間が形成されにくい。これは、マスクとの間の密着性が、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜よりもバリアメタル膜の方が高い傾向にあることを示唆している。よって、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜上にバリアメタル膜を積層させた導電膜の方が、サイドエッチングを抑えることができるので、よりテーパー角θを大きくでき、マスクのパターンとの形状の差が抑えられる、高精細な積層構造の導電膜を形成できると言える。
【００５７】
次に、比較のために、サンプルＡ及びサンプルＢを、ウェットエッチングのみを用いてパターニングした場合の、導電膜の断面形状について説明する。なお、ウェットエッチングの条件は、図４及び図５の場合と同様とした。
【００５８】
図６（Ａ）に、ウェットエッチングした後のサンプルＡの断面を走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。図６（Ａ）では、アルミニウム膜４０３及びチタン膜４０２が除去されることで、絶縁膜４０１が部分的に露出している。そして、図６（Ａ）では、アルミニウム膜４０３のサイドエッチングが進みすぎたため、マスク４０４が剥離し、消失している。図６（Ａ）において、サンプルＡは、チタン膜４０２及びアルミニウム膜４０３で形成される導電膜の端部において、導電膜の表面と絶縁膜４０１の表面との間に形成されるテーパー角θが、約１５度となった。
【００５９】
また、図６（Ｂ）に、ウェットエッチングした後のサンプルＢの断面を走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。図６（Ｂ）では、チタン膜５０４、アルミニウム膜５０３及びチタン膜５０２が除去されることで、絶縁膜５０１が部分的に露出している。また、図６（Ｂ）では、マスク５０５は残存しているが、チタン膜５０２、アルミニウム膜５０３及びチタン膜５０４で形成されている導電膜のサイドエッチングが進んでおり、マスク５０５の開口部の端部から１０．９μｍ程度の領域まで完全に導電膜が除去されて絶縁膜５０１が露出している。そして、図６（Ｂ）において、サンプルＢは、チタン膜５０２、アルミニウム膜５０３及びチタン膜５０４で形成される導電膜の端部において、導電膜の表面と絶縁膜５０１の表面との間に形成されるテーパー角θが、約１３度となった。
【００６０】
よって、図４及び図５と、図６との比較から、実施の形態１で示したように、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまで導電膜をエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、ウェットエッチングのみの場合に比べて、サイドエッチングを抑えられることが分かる。従って、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法は、ウェットエッチングのみの場合に比べて、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるように導電膜をエッチングできることが分かる。
【００６１】
次に、比較のために、サンプルＡ及びサンプルＢを、ドライエッチングの後にウェットエッチングを行うことでパターニングした場合の、導電膜の断面形状について説明する。なお、ウェットエッチングの条件及びドライエッチングの条件は、図４及び図５の場合と同様とした。
【００６２】
図７（Ａ）に、ドライエッチングした後のサンプルＡの断面を走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。図７（Ａ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルＡは、マスク４０４の開口部に重なるアルミニウム膜４０３が深さ１．３μｍ程度エッチングされている。
【００６３】
次に、図７（Ｂ）に、図７（Ａ）に示した状態からさらにウェットエッチングした後のサンプルＡの断面を、走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。ウェットエッチング後のサンプルＡは、アルミニウム膜４０３及びチタン膜４０２が除去されることで、絶縁膜４０１が部分的に露出している。そして、図７（Ｂ）に示すように、ウェットエッチング後のサンプルＡは、サイドエッチングが進みすぎたため、マスク４０４が剥離し、消失している。図７（Ｂ）において、サンプルＡは、チタン膜４０２及びアルミニウム膜４０３で形成される導電膜の端部において、導電膜の表面と絶縁膜４０１の表面との間に形成されるテーパー角θが、約１１度となった。
【００６４】
また、図８（Ａ）に、ドライエッチングした後のサンプルＢの断面を走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。図８（Ａ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルＢは、マスク５０５の開口部に重なるチタン膜５０４及びアルミニウム膜５０３が、併せて深さ１．５μｍ程度エッチングされている。
【００６５】
次に、図８（Ｂ）に、図８（Ａ）に示した状態からさらにウェットエッチングした後のサンプルＢの断面を、走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率３０００倍のＳＥＭ像を示す。ウェットエッチング後のサンプルＢは、ドライエッチング後に残存していたアルミニウム膜５０３及びチタン膜５０２が除去されることで、絶縁膜５０１が部分的に露出している。また、図８（Ｂ）では、マスク５０５は残存しているが、チタン膜５０２、アルミニウム膜５０３及びチタン膜５０４で形成されている導電膜のサイドエッチングが進んでおり、マスク５０５の開口部の端部から７．１μｍ程度の領域まで完全に導電膜が除去されて絶縁膜５０１が露出している。そして、図８（Ｂ）において、サンプルＢは、アルミニウム膜５０３の端部における表面が、なだらかではなく、かどが突き出た状態になっている。図８（Ｂ）において、サンプルＢは、アルミニウム膜５０３の端部において最も突き出た箇所からチタン膜５０４の端部までの傾斜面と、絶縁膜５０１の表面との間に形成されるテーパー角θが、約１４度となった。
【００６６】
よって、図４及び図５と、図７及び図８との比較から、実施の形態１で示したように、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまで導電膜をエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、ドライエッチングの後にウェットエッチングを行う場合に比べて、サイドエッチングを抑えられることが分かる。また、図５と図８との比較から、実施の形態１で示したように、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまで導電膜をエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、ドライエッチングの後にウェットエッチングを行う場合に比べて、導電膜の端部が角張るのを防ぐことができるのが分かる。従って、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法は、ドライエッチングの後にウェットエッチングを行う場合に比べて、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるように導電膜をエッチングできることが分かる。
【００６７】
次に、比較のために、サンプルＣを、ドライエッチングのみを用いてパターニングした場合の、導電膜の断面形状について説明する。なお、ドライエッチングの条件は、図４及び図５の場合と同様とした。
【００６８】
図９に、ドライエッチングした後のサンプルＣの断面を走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率１００００倍のＳＥＭ像を示す。図９では、基板６００上にポリイミドで形成された絶縁膜６０１が存在しており、絶縁膜６０１上にチタン膜６０２、アルミニウム膜６０３、マスク６０４が順に積層されている様子が分かる。図９では、アルミニウム膜６０３及びチタン膜６０２が除去されることで、絶縁膜６０１が部分的に露出している。図９において、サンプルＣは、チタン膜６０２及びアルミニウム膜６０３で形成される導電膜の端部において、導電膜の表面と絶縁膜６０１の表面との間に形成されるテーパー角θが、約５５度となった。
【００６９】
そして、サンプルＣのアルミニウム膜６０３の膜厚は約４μｍであり、サンプルＡのアルミニウム膜４０３に比べると、その膜厚が約１μｍ程度小さいのにも関わらず、図９に示すマスク６０４の膜厚は約０．６３μｍであり、図４（Ｂ）に示すマスク４０４の膜厚（約０．７μｍ）と同程度である。そして、図９に示すマスク６０４の膜厚は約０．６３μｍと小さいことから、サンプルＡを全てドライエッチングのみでパターニングすると、マスク４０４が消失してしまうことも考えられる。また、マスクの膜厚を２．５μｍから３μｍまで厚くした場合でも、マスクが消失する前にパターニングを完了させることができるアルミニウム膜の膜厚は、最大約５μｍ程度と見積もることができる。また、基板面内におけるマスクの膜厚のばらつきを考慮するならば、マスクが消失する前にパターニングを完了させることができるアルミニウム膜の膜厚は、最大約３μｍ程度と見積もられる。
【００７０】
よって、図４（Ｂ）と、図９との比較から、実施の形態１で示したように、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまで導電膜をエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、ドライエッチングのみの場合に比べて、マスクの膜厚が減少するのを抑えられることが分かる。従って、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法は、ドライエッチングのみの場合に比べて、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるように導電膜をエッチングできることが分かる。
【００７１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、ＲＦタグを例に挙げて、半導体装置の作製方法について説明する。なお、本実施の形態では、ＲＦタグが有するアンテナの作製に、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用させた場合について説明するが、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法はアンテナに限定されず、配線、電極、または、所定の形状を有するその他の導電膜の作製にも適用させることが可能である。また、本実施の形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を半導体素子の一例として示すが、本発明の半導体装置に用いられる半導体素子はこれに限定されない。例えばＴＦＴの他に、記憶素子、ダイオード、抵抗、コイル、容量、インダクタなどを用いることができる。
【００７２】
まず図１０（Ａ）に示すように、耐熱性を有する基板７００上に、絶縁膜７０１、半導体膜７０２を順に形成する。絶縁膜７０１及び半導体膜７０２は連続して形成することが可能である。
【００７３】
基板７００として、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、表面に絶縁膜が形成されたステンレス基板を含む金属基板、または表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板を用いても良い。プラスチック等の合成樹脂を含む、可撓性を有する基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。
【００７４】
プラスチック基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。
【００７５】
絶縁膜７０１は基板７００中に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜７０２中に拡散し、トランジスタなどの半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。よってアルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜７０２への拡散を抑えることができる酸化珪素や、酸化窒化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素などを用いて絶縁膜７０１を形成する。なお、ガラス基板、ステンレス基板またはプラスチック基板のように、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から基板７００と半導体膜７０２との間に絶縁膜７０１を設けることは有効である。しかし、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない基板７００を用いる場合は、必ずしも設ける必要はない。
【００７６】
絶縁膜７０１は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素（ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等）、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の絶縁性を有する材料を用いて形成する。なお、酸化窒化珪素とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）及び水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて測定した場合に、濃度範囲として酸素が５０〜７０原子％、窒素が０．５〜１５原子％、珪素が２５〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化珪素とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、ＲＢＳ及びＨＦＳを用いて測定した場合に、濃度範囲として酸素が５〜３０原子％、窒素が２０〜５５原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素が１０〜３０原子％の範囲で含まれるものをいう。但し、酸化窒化珪素または窒化酸化珪素を構成する原子の合計を１００原子％としたとき、それらに含まれる窒素、酸素、珪素及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。
【００７７】
絶縁膜７０１は、単数の絶縁膜を用いたものであっても、複数の絶縁膜を積層して用いたものであっても良い。本実施の形態では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜、膜厚５０ｎｍの窒化酸化珪素膜、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を順に積層して絶縁膜７０１を形成するが、各膜の材料、膜厚、積層数は、これに限定されるものではない。例えば、下層の酸化窒化珪素膜に代えて、膜厚０．５〜３μｍのシロキサン系樹脂をスピンコート法、スリットコーター法、液滴吐出法、印刷法などによって形成しても良い。また、中層の窒化酸化珪素膜に代えて、窒化珪素膜（ＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等）を用いてもよい。また、上層の酸化窒化珪素膜に代えて、酸化珪素膜を用いていても良い。また、それぞれの膜厚は、０．０５〜３μｍとするのが望ましく、その範囲から自由に選択することができる。
【００７８】
酸化珪素膜は、シランと酸素、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）と酸素等の組み合わせの混合ガスを用い、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、バイアスＥＣＲＣＶＤ等の方法によって形成することができる。また、窒化珪素膜は、代表的には、シランとアンモニアの混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。また、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜は、代表的には、シランと一酸化二窒素の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成することができる。
【００７９】
半導体膜７０２は、絶縁膜７０１を形成した後、大気に曝さずに形成することが望ましい。半導体膜７０２の膜厚は２０〜２００ｎｍ（望ましくは４０〜１７０ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍ）とする。なお半導体膜７０２は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体または単結晶半導体を用いることができる。また半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
【００８０】
なお半導体膜７０２は、公知の技術により結晶化しても良い。公知の結晶化方法としては、レーザ光を用いたレーザ結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法がある。或いは、触媒元素を用いる結晶化法とレーザ結晶化法とを組み合わせて用いることもできる。また、基板７００として石英のような耐熱性に優れている基板を用いる場合、電熱炉を使用した熱結晶化方法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法、９５０℃程度の高温アニール法を組み合わせた結晶法を用いても良い。
【００８１】
例えばレーザ結晶化を用いる場合、レーザ結晶化の前に、半導体膜７０２中の水素を低減してレーザ光に対する半導体膜７０２の耐性を高めるために、５５０℃、４時間の加熱処理を該半導体膜７０２に対して行なう。そして連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。具体的には、連続発振のＹＶＯ４レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換し、出力１０Ｗのレーザ光を得る。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、半導体膜７０２に照射する。このときのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度、好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度とし、照射する。
【００８２】
連続発振の気体レーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザなどを用いることが出来る。また連続発振の固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどを用いることが出来る。
【００８３】
またパルス発振のレーザとして、例えばＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いることができる。
【００８４】
また、パルス発振のレーザ光の発振周波数を１０ＭＨｚ以上とし、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を用いてレーザ結晶化を行なっても良い。パルス発振でレーザ光を照射することにより半導体膜７０２が溶融してから完全に固化するまでの時間は数十ｎｓｅｃ〜数百ｎｓｅｃと言われている。よって上記周波数を用いることで、半導体膜７０２がレーザ光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザ光を照射できる。したがって、半導体膜７０２中において固液界面を連続的に移動させることができるので、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を有する半導体膜７０２が形成される。具体的には、含まれる結晶粒の走査方向における幅が１０〜３０μｍ、走査方向に対して垂直な方向における幅が１〜５μｍ程度の結晶粒の集合を形成することができる。該走査方向に沿って連続的に成長した単結晶の結晶粒を形成することで、少なくともＴＦＴのチャネル方向には結晶粒界のほとんど存在しない半導体膜７０２の形成が可能となる。
【００８５】
なおレーザ結晶化は、連続発振の基本波のレーザ光と連続発振の高調波のレーザ光とを同時に照射するようにしても良いし、連続発振の基本波のレーザ光とパルス発振の高調波のレーザ光とを同時に照射するようにしても良い。
【００８６】
なお、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる、トランジスタの閾値電圧のばらつきを抑えることができる。
【００８７】
上述したレーザ光の照射により、結晶性がより高められた半導体膜７０２が形成される。なお、予め半導体膜７０２に、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などで形成した多結晶半導体を用いるようにしても良い。
【００８８】
また本実施の形態では半導体膜７０２を結晶化しているが、結晶化せずに非晶質珪素膜または微結晶半導体膜のまま、後述のプロセスに進んでも良い。非晶質半導体、微結晶半導体を用いたＴＦＴは、多結晶半導体を用いたＴＦＴよりも作製工程が少ない分、コストを抑え、歩留まりを高くすることができるというメリットを有している。
【００８９】
非晶質半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が挙げられる。この珪素を含む気体を、水素、水素及びヘリウムで希釈して用いても良い。
【００９０】
次に半導体膜７０２に対して、ｐ型を付与する不純物元素又はｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加するチャネルドープを行う。チャネルドープは半導体膜７０２全体に対して行っても良いし、半導体膜７０２の一部に対して選択的に行っても良い。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、ボロン（Ｂ）を用い、当該ボロンが１×１０１６〜５×１０１７／ｃｍ３の濃度で含まれるよう添加する。
【００９１】
次に図１０（Ｂ）に示すように、半導体膜７０２を所定の形状に加工（パターニング）し、島状の半導体膜７０３、半導体膜７０４を形成する。そして、図１０（Ｃ）に示すように、半導体膜７０３、半導体膜７０４を用いて、トランジスタ７０５、トランジスタ７０６を形成する。
【００９２】
具体的には、半導体膜７０３、半導体膜７０４上にゲート絶縁膜７０７を形成する。そして、ゲート絶縁膜７０７上に、所望の形状に加工（パターニング）された導電膜７０８と、導電膜７０９とを形成する。半導体膜７０３と重なる導電膜７０８が、トランジスタ７０５のゲート電極として機能する。半導体膜７０４と重なる導電膜７０９が、トランジスタ７０６のゲート電極として機能する。
【００９３】
また、図１０（Ｃ）では、絶縁膜を用いて、導電膜７０８及び導電膜７０９の両サイドにサイドウォール７１０が形成されている場合を例示している。そして、導電膜７０８、導電膜７０９、サイドウォール７１０、あるいはレジストを成膜しパターニングしたものをマスクとして用い、半導体膜７０３、半導体膜７０４にｎ型またはｐ型を付与する不純物を添加し、ソース領域、ドレイン領域等を形成する。なお、図１０（Ｃ）では、トランジスタ７０５をｐ型、トランジスタ７０６をｎ型とする。
【００９４】
なおゲート絶縁膜７０７には、例えば酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を単層で、または積層させて用いる。積層する場合には、例えば、基板７００側から酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の３層構造とするのが好ましい。また形成方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができる。例えば、酸化珪素を用いたゲート絶縁膜をプラズマＣＶＤ法で形成する場合、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）とＯ２を混合したガスを用い、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ２とし、形成する。
【００９５】
ゲート絶縁膜７０７は、高密度プラズマ処理を行うことにより半導体膜７０３、半導体膜７０４の表面を酸化または窒化することで形成しても良い。高密度プラズマ処理は、例えばＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと酸素、酸化窒素、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスとを用いて行う。この場合、プラズマの励起をマイクロ波の導入により行うことで、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。このような高密度のプラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜７０３、半導体膜７０４の表面を酸化または窒化することにより、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍの絶縁膜が半導体膜７０３、半導体膜７０４に接するように形成される。この５〜１０ｎｍの絶縁膜をゲート絶縁膜７０７として用いる。
【００９６】
上述した高密度プラズマ処理による半導体膜の酸化または窒化は固相反応で進むため、ゲート絶縁膜と半導体膜の界面準位密度をきわめて低くすることができる。また高密度プラズマ処理により半導体膜を直接酸化または窒化することで、形成される絶縁膜の厚さのばらつきを抑えることが出来る。また半導体膜が結晶性を有する場合、高密度プラズマ処理を用いて半導体膜の表面を固相反応で酸化させることにより、結晶粒界においてのみ酸化が速く進んでしまうのを抑え、均一性が良く、界面準位密度の低いゲート絶縁膜を形成することができる。高密度プラズマ処理により形成された絶縁膜を、ゲート絶縁膜の一部または全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつきを抑えることができる。
【００９７】
また窒化アルミニウムをゲート絶縁膜７０７として用いることができる。窒化アルミニウムは熱伝導率が比較的高く、トランジスタで発生した熱を効率的に発散させることができる。またアルミニウムの含まれない酸化珪素や酸化窒化珪素等を形成した後、窒化アルミニウムを積層したものをゲート絶縁膜として用いても良い。
【００９８】
導電膜７０８、導電膜７０９は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等を用いることが出来る。また上記金属を主成分とする合金を用いても良いし、上記金属を含む化合物を用いても良い。または、半導体膜に導電性を付与するリン等の不純物元素をドーピングした、多結晶珪素などの半導体を用いて形成しても良い。
【００９９】
なお、本実施の形態では、導電膜７０８、導電膜７０９が単層の導電膜である場合を例示しているが、本発明はこの構成に限定されない。導電膜７０８、導電膜７０９が、２つ以上の導電膜を積層した構造を有していても良い。３つの導電膜を積層する３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【０１００】
また、導電膜７０８、導電膜７０９は、１層目の導電膜として窒化タンタルまたはタンタル（Ｔａ）を、２層目の導電膜としてタングステン（Ｗ）を用いた、２層構造を有していても良い。２つの導電膜の組み合わせとして、上述した例の他に、窒化タングステンとタングステン、窒化モリブデンとモリブデン、アルミニウムとタンタル、アルミニウムとチタン等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、２層の導電膜を形成した後の工程において、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。また、２層の導電膜の組み合わせとして、例えば、ｎ型を付与する不純物がドーピングされた珪素とニッケルシリサイド、ｎ型を付与する不純物がドーピングされたＳｉとＷＳｉｘ等も用いることが出来る。
【０１０１】
導電膜７０８、導電膜７０９の形成にはＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いることが出来る。
【０１０２】
なお、導電膜７０８、導電膜７０９を形成する際に用いるマスクとして、レジストの代わりに酸化珪素、酸化窒化珪素等をマスクとして用いてもよい。この場合、パターニングして酸化珪素、酸化窒化珪素等のマスクを形成する工程が加わるが、エッチング時におけるマスクの膜減りがレジストよりも少ないため、所望の形状を有する導電膜７０８、導電膜７０９を形成することができる。またマスクを用いずに、液滴吐出法を用いて選択的に導電膜７０８、導電膜７０９を形成しても良い。なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出または噴出することで所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。
【０１０３】
なお、導電膜７０８、導電膜７０９を形成する際に、用いる導電膜の材料によって、最適なエッチングの方法、エッチャントの種類を適宜選択すれば良い。
【０１０４】
不純物領域を形成した後、不純物領域の加熱処理による活性化を行っても良い。例えば、５０ｎｍの酸化窒化珪素膜を形成した後、５５０℃、４時間、窒素雰囲気中において、加熱処理を行えばよい。
【０１０５】
また、水素を含む窒化珪素膜を１００ｎｍの膜厚で形成した後、４１０℃、１時間、窒素雰囲気中において加熱処理を行ない、半導体膜７０３、半導体膜７０４を水素化しても良い。或いは、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、４００〜７００℃、好ましくは５００〜６００℃で加熱処理を行ない、さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の加熱処理を行うことで、半導体膜７０３、半導体膜７０４を水素化するようにしても良い。この工程は、熱的に励起された水素によりダングリングボンドを終端する目的で行なわれる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。また活性化処理は、後の絶縁膜７１１が形成された後に行っても良い。
【０１０６】
加熱処理には、ファーネスアニール炉を用いる熱アニール法、レーザーアニール法またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）などを用いることが出来る。加熱処理により、水素化のみならず、半導体膜７０３、半導体膜７０４に添加された不純物元素の活性化も行うことが出来る。
【０１０７】
上記一連の工程によって、ｐチャネル型のトランジスタ７０５、ｎチャネル型のトランジスタ７０６を形成することができる。なお、トランジスタの作製方法は、上述した工程に限定されない。
【０１０８】
次に図１１（Ａ）に示すように、トランジスタ７０５、トランジスタ７０６を覆うように絶縁膜７１１を形成する。絶縁膜７１１は必ずしも設ける必要はないが、絶縁膜７１１を形成することで、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物が、トランジスタ７０５、トランジスタ７０６へ侵入するのを防ぐことが出来る。具体的に絶縁膜７１１として、窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化窒化珪素、酸化珪素などを用いるのが望ましい。本実施の形態では、膜厚６００ｎｍ程度の酸化窒化珪素膜を、絶縁膜７１１として用いる。この場合、上記水素化の工程は、該酸化窒化珪素膜形成後に行っても良い。
【０１０９】
次に、トランジスタ７０５、トランジスタ７０６を覆うように、絶縁膜７１１上に絶縁膜７１２を形成する。絶縁膜７１２は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン系絶縁膜を用いて形成することができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどを用いることが出来る。無機絶縁膜ならば酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に代表される炭素を含む材料、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナなどを用いることができる。シロキサン系絶縁膜は、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるシロキサン系樹脂を用いる。置換基として、水素の他、フッ素、フルオロ基、有機基（例えばアルキル基、アリール基）のうち、少なくとも１種を有していても良い。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜７１２を形成しても良い。
【０１１０】
絶縁膜７１２の形成には、その材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。
【０１１１】
本実施の形態では、絶縁膜７１１及び絶縁膜７１２が層間絶縁膜として機能しているが、単層の絶縁膜を層間絶縁膜として用いても良いし、積層させた三層以上の絶縁膜を層間絶縁膜として用いても良い。
【０１１２】
次に、半導体膜７０３、半導体膜７０４がそれぞれ一部露出するように絶縁膜７１１及び絶縁膜７１２にコンタクトホールを形成する。半導体膜７０３、半導体膜７０４がゲート絶縁膜７０７で覆われている場合は、絶縁膜７１１及び絶縁膜７１２に加えてゲート絶縁膜７０７にもコンタクトホールを形成する。コンタクトホール開口時のエッチングに用いられるガスは、ＣＨＦ３とＨｅの混合ガスを用いたが、これに限定されるものではない。そして、該コンタクトホールを介して半導体膜７０３に接する導電膜７１３と、該コンタクトホールを介して半導体膜７０４に接する導電膜７１４と、絶縁膜７１２上に形成された導電膜７１５及び導電膜７１６とを形成する。
【０１１３】
導電膜７１３〜導電膜７１６は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成することができる。具体的に導電膜７１３〜導電膜７１６として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）等を用いることが出来る。また上記金属を主成分とする合金を用いても良いし、上記金属を含む化合物を用いても良い。導電膜７１３〜導電膜７１６は、上記金属を有する単数の膜を、または上記金属を有する積層された複数の膜を、用いることが出来る。
【０１１４】
アルミニウムを主成分とする合金の例として、アルミニウムを主成分としニッケルを含むものが挙げられる。また、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素または珪素の一方または両方とを含むものも例として挙げることが出来る。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜７１３〜導電膜７１６を形成する材料として最適である。特にアルミニウムシリコンは、導電膜７１３〜導電膜７１６をパターニングするとき、レジストベークにおけるヒロックの発生をアルミニウム膜に比べて防止することができる。また、珪素（Ｓｉ）の代わりに、アルミニウム膜に０．５％程度のＣｕを混入させても良い。
【０１１５】
導電膜７１３〜導電膜７１６は、例えば、バリアメタル膜とアルミニウムシリコン膜とバリアメタル膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリアメタル膜として、高融点金属、例えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはそれら高融点金属の窒化物などを用いることができる。アルミニウムシリコン膜を間に挟むようにバリアメタル膜を形成すると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生をより防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンを用いてバリアメタル膜を形成すると、半導体膜７０３及び半導体膜７０４上に薄い酸化膜ができていたとしても、バリアメタル膜に含まれるチタンがこの酸化膜を還元し、導電膜７１３と半導体膜７０３とが、導電膜７１４と半導体膜７０４とが、それぞれ良好なコンタクトをとることができる。またバリアメタル膜を複数積層するようにして用いても良い。その場合、例えば、導電膜７１３〜導電膜７１６を下層からチタン、窒化チタン、アルミニウムシリコン、チタン、窒化チタンの５層構造とすることが出来る。
【０１１６】
本実施の形態では、絶縁膜７１２に近い側から、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜を積層し、これらの積層された膜をパターニングすることで、導電膜７１３〜導電膜７１６を形成する。
【０１１７】
次に図１１（Ｂ）に示すように、導電膜７１３〜導電膜７１６を覆うように絶縁膜７１７を形成し、その後、導電膜７１５の一部及び導電膜７１６の一部が露出するように、該絶縁膜７１７にコンタクトホールを形成する。
【０１１８】
絶縁膜７１７は、絶縁膜７１２と同様に、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン系絶縁膜を用いて形成することができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどを用いることが出来る。無機絶縁膜ならば酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に代表される炭素を含む材料、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナなどを用いることができる。シロキサン系絶縁膜は、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるシロキサン系樹脂を用いる。置換基として、水素の他、フッ素、フルオロ基、有機基（例えばアルキル基、アリール基）のうち、少なくとも１種を有していても良い。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜７１７を形成しても良い。
【０１１９】
絶縁膜７１７の形成には、その材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。
【０１２０】
次に、絶縁膜７１７に形成されたコンタクトホールを介して、導電膜７１５及び導電膜７１６に接する導電膜７１８を、絶縁膜７１７上に形成する。
【０１２１】
導電膜７１８は、導電膜７１３〜導電膜７１６と同様に、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成することができる。導電膜７１８として、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を用いることが出来る。または、アルミニウムを含む導電膜には、アルミニウムが混合された導電膜の他に、アルミニウムを有する化合物を用いた導電膜も、その範疇に含まれる。
【０１２２】
アルミニウムを主成分とする合金の例として、アルミニウムを主成分としニッケルを含むものが挙げられる。また、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素または珪素の一方または両方とを含むものも例として挙げることが出来る。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜７１８を形成する材料として最適である。特にアルミニウムシリコンは、導電膜７１８をパターニングするとき、レジストベークにおけるヒロックの発生をアルミニウム膜に比べて防止することができる。また、珪素（Ｓｉ）の代わりに、アルミニウム膜に０．５％程度のＣｕを混入させても良い。
【０１２３】
また、導電膜７１８は、上記のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜と、バリアメタル膜とが積層されることで形成される、積層構造の導電膜であっても良い。バリアメタル膜として、高融点金属、例えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはそれら高融点金属の窒化物などを用いることができる。この場合、例えば、導電膜７１８が、バリアメタル膜と、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜とを順に積層することで形成されていても良いし、バリアメタル膜と、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜と、バリアメタル膜とを順に積層することで形成されていても良い。なお、アルミニウムまたはアルミニウム合金を間に挟むようにバリアメタル膜を形成すると、アルミニウムまたはアルミニウム合金のヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンを用いてバリアメタル膜を形成すると、導電膜７１５及び導電膜７１６上に薄い酸化膜ができていたとしても、バリアメタル膜に含まれるチタンがこの酸化膜を還元し、導電膜７１８と、導電膜７１５及び導電膜７１６とが、良好なコンタクトをとることができる。またバリアメタル膜を複数積層するようにして用いても良い。その場合、例えば、導電膜７１８を下層からチタン、窒化チタン、アルミニウムシリコン、チタン、窒化チタンの５層構造とすることが出来る。
【０１２４】
なお、導電膜７１８は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜のみの単層構造であっても、バリアメタル膜とアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜との積層構造であっても、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは２μｍ以上６μｍ以下程度となるように形成する。また、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜の下層または上層に形成するバリアメタル膜は、それぞれ膜厚が５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下となるように形成する。
【０１２５】
本実施の形態では、絶縁膜７１７に近い側から、膜厚１００ｎｍ程度のチタンを用いたバリアメタル膜７２０、膜厚５μｍ程度のアルミニウムを用いた導電膜７２１、膜厚１００ｎｍ程度のチタンを用いたバリアメタル膜７２２を順に積層することで、導電膜７１８を形成する。
【０１２６】
次に、導電膜７１８上にレジストでマスク７１９を形成する。そして、図１２（Ａ）に示すように、ウェットエッチングを用いて導電膜７１８を所定の膜厚となるまでエッチングする。本実施の形態では、導電膜７１８が、順に積層されたバリアメタル膜７２０と、導電膜７２１と、バリアメタル膜７２２とを有しているため、まず、最上層のバリアメタル膜７２２がエッチングされ、次に真ん中の層の導電膜７２１が所定の膜厚となるまでエッチングされる。ウェットエッチングを行うことで、マスク７１９の開口部７２３に重なる導電膜７１８に、マスク７１９側に口を開くような凹部が形成される。
【０１２７】
ウェットエッチングは、エッチャントを満たした容器内において被処理物を浸すディップ式、霧状にエッチャントを噴出させて被処理物に吹き付けるスプレー式、スピナーと呼ばれる回転台に被処理物を取り付けてエッチャントを滴下するスピン式など、公知の方法を用いることが可能である。エッチャントは、硝酸と弗化アンモニウムとを含む溶液等を用いることができる。
【０１２８】
具体的に、本実施の形態では、関東化学製の商品名ＫＳＭＦ−２３０／５を水で希釈することで得られる、１％未満の弗化アンモニウムと５％未満の硝酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、圧力０．１ＭＰａ、液温４５℃の条件で、スプレー式で導電膜７１８が形成された基板７００に吹き付けることで、ウェットエッチングを行った。
【０１２９】
ウェットエッチングによりエッチングする導電膜７２１の膜厚Ｔｗは、後に行われるドライエッチングによりエッチングされる導電膜７２１の膜厚Ｔｄによって決める。ドライエッチングによりエッチングする導電膜７２１の膜厚Ｔｄは、０．５μｍ以上とし、またエッチング前の導電膜７２１の９割以下となるように設定する。ただし、エッチング前の導電膜７２１の膜厚が大きすぎる場合、エッチング前の９割に相当する膜厚分の導電膜７２１と、下層のバリアメタル膜７２０とを全てドライエッチングで除去すると、マスク７１９が消失してしまう恐れが生じる。よって、エッチング前の導電膜７２１の膜厚が大きい場合は、所望の解像度を確保することができる最大値の膜厚を有するマスク７１９が完全に消失しない程度に、さらにバリアメタル膜７２０の膜厚をも考慮に入れて、膜厚Ｔｄの最大値を設定する。具体的に、本実施の形態では、マスク７１９の膜厚を２．５μｍとし、膜厚約５μｍの導電膜７２１のうち、ウェットエッチングで除去する膜厚Ｔｗを約２．５μｍ、ドライエッチングで除去する膜厚Ｔｄを約２．５μｍとする。
【０１３０】
なお、上記ウェットエッチングにより、導電膜７１８は、開口部７２３と重なる領域がエッチングされるのに加えて、マスク７１９と重なる領域においても、サイドエッチングが進む。しかし、本実施の形態では、ウェットエッチングで除去する膜厚Ｔｗを上述の値に設定することで、導電膜７２１全てをウェットエッチングにより除去する場合よりも、サイドエッチングを抑えることができる。
【０１３１】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、ウェットエッチング後の導電膜７１８をドライエッチングでエッチングすることで、所定の形状を有する導電膜７２４を形成する。マスク７１９はドライエッチングにより膜減りするため、基板７００の上面に対して垂直方向及び水平方向において、ドライエッチング後のマスク７１９は小さくなる。
【０１３２】
本実施の形態では、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）エッチング法、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング法、平行平板型（容量結合型）エッチング法、マグネトロンプラズマエッチング法、２周波プラズマエッチング法またはヘリコン波プラズマエッチング法等のドライエッチング法を用いることができる。
【０１３３】
例えばＩＣＰエッチング法を用いる場合、エッチングガスである塩素の流量１ｓｃｃｍ〜８３７ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量１ｓｃｃｍ〜１７２０ｓｃｃｍ、コイル型の電極に投入するＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力０Ｗ、下部電極（バイアス側）に投入する電力５０Ｗ〜５０００Ｗ、反応圧力０．５Ｐａ〜１３３．３Ｐａとすれば良い。具体的に、本実施の形態では、エッチングガスである塩素の流量２５０ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量６５０ｓｃｃｍ、反応圧力２．０Ｐａ、下部電極の温度２０℃、コイル型の電極に投入するＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力０Ｗ、下部電極（バイアス側）に投入する電力１５００Ｗとした後、エッチングガスである塩素の流量１００ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量７００ｓｃｃｍ、反応圧力２．０Ｐａ、下部電極の温度２１℃、コイル型の電極に投入するＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力０Ｗ、下部電極（バイアス側）に投入する電力７５０Ｗとなるように、途中で条件を変更してドライエッチングを行った。
【０１３４】
エッチングガスには、塩素、塩化硼素、塩化珪素、三塩化ホウ素または四塩化炭素などの塩素系ガス、四弗化炭素、弗化硫黄または弗化窒素などのフッ素系ガス、酸素などを適宜用いることができる。
【０１３５】
上記ドライエッチングにより、端部の勾配が急峻、具体的には、端部における導電膜７２４の表面と下地となる絶縁膜７１７の表面との間に形成されるテーパー角θが、５０度以上９０度以下、より望ましくは６０度以上９０度以下となる、積層構造の導電膜７２４を形成できる。また、ウェットエッチングのみを用いる場合と比べて、サイドエッチングを抑えることができ、エッチング前のマスク７１９のパターンとの形状の差が抑えられ、高精細な積層構造の導電膜７２４を形成できる。そして、ドライエッチングによるマスク７１９の消失を防ぐことで、エッチング後の導電膜７２４において、所望の膜厚を確保することができる。
【０１３６】
ドライエッチング後において、残存しているマスク７１９を除去する。
【０１３７】
上記プロセスを経て、半導体装置の一つであるＲＦタグを作製できる。
【０１３８】
なお、上記方法を用いて作製される半導体素子を、プラスチックなどの可撓性を有する基板上に転写することで、半導体装置を形成しても良い。転写は、基板と半導体素子の間に金属酸化膜を設け、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して半導体素子を剥離し、転写する方法、基板と半導体素子の間に水素を含む非晶質珪素膜を設け、レーザ光の照射またはエッチングにより該非晶質珪素膜を除去することで基板と半導体素子とを剥離し、転写する方法、半導体素子が形成された基板を機械的に削除または溶液やガスによるエッチングで除去することで半導体素子を基板から切り離し、転写する方法等、様々な方法を用いることができる。なお転写は、アンテナとして機能する導電膜７２４を作製する前でも後でも行なうことができる。
【０１３９】
また、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を用いた半導体装置は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を利用することで、単結晶半導体を用いて半導体素子が形成されていても良い。ＳＯＩ基板は、例えば、スマートカットに代表されるＵＮＩＢＯＮＤ、ＥＬＴＲＡＮ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、誘電体分離法、ＰＡＣＥ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法などの貼り合わせ方法や、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）法などを用いて作製することができる。
【０１４０】
本実施の形態は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１４１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、ウェットエッチング後の導電膜の膜厚の違いによる、ドライエッチング後の導電膜の形状の変化について説明する。
【０１４２】
まず、エッチングを行う前の、サンプルの作製方法について説明する。本実施の形態では、ガラス基板上にポリイミドを用いて膜厚１．５μｍの絶縁膜を形成した後、スパッタリング法を用いて、膜厚１００ｎｍのチタン膜と、膜厚５μｍのアルミニウム膜と、膜厚１００ｎｍのチタン膜とを、順に積層することで３層構造の導電膜を形成したサンプルを用いた。
【０１４３】
そして、積層構造を有する導電膜上に、所定のパターンを有する膜厚２．５μｍ程度のマスクを、レジストを用いて形成した。レジストは、ポジ型レジスト（東京応化製、ＴＦＲ−１０００Ｈ）を用いた。
【０１４４】
ウェットエッチングは、関東化学製の商品名ＫＳＭＦ−２３０／５を水で希釈することで得られる、１％未満の弗化アンモニウムと５％未満の硝酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、圧力０．１ＭＰａ、液温４５℃の条件で、スプレー式でサンプルに吹き付けることで行った。
【０１４５】
ドライエッチングは、エッチングガスである塩素の流量２５０ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量６５０ｓｃｃｍ、反応圧力２．０Ｐａ、下部電極の温度２０℃、コイル型の電極に投入するＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力０Ｗ、下部電極（バイアス側）に投入する電力１５００Ｗとした後、エッチングガスである塩素の流量１００ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量７００ｓｃｃｍ、反応圧力２．０Ｐａ、下部電極の温度２１℃、コイル型の電極に投入するＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力０Ｗ、下部電極（バイアス側）に投入する電力７５０Ｗとなるように、途中で条件を変更して行った。
【０１４６】
図１８（Ａ）に、ウェットエッチングした後のサンプルの断面を走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率１００００倍のＳＥＭ像を示す。図１８（Ａ）では、基板２００上にポリイミドで形成された絶縁膜２０１が存在しており、絶縁膜２０１上にチタン膜２０２、アルミニウム膜２０３、チタン膜２０４、マスク２０５が順に積層されている様子が分かる。そして、ウェットエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４が深さ５６３ｎｍ程度エッチングされている。よって、膜厚１００ｎｍのチタン膜２０４を用いているので、アルミニウム膜２０３は４６３ｎｍ程度エッチングされていることになり、ウェットエッチング後のアルミニウム膜２０３の膜厚は、４５３７ｎｍとなる。
【０１４７】
次に、図１８（Ｂ）に、図１８（Ａ）に示した状態からさらにドライエッチングした後のサンプルの断面を、走査型電子顕微鏡により撮影することで得られる、倍率１００００倍のＳＥＭ像を示す。図１８（Ｂ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３、チタン膜２０４が除去され、絶縁膜２０１が露出している。そして、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４で形成される導電膜の端部におけるテーパー角θは、約５２度となった。また、ドライエッチング後の上記導電膜は、ウェットエッチング前におけるマスク２０５の開口部の端部から、５．５μｍ程度の領域まで、サイドエッチングされている。
【０１４８】
次に、ウェットエッチングの量を増やした場合の、ウェットエッチング後のサンプルの断面における倍率１００００倍のＳＥＭ像を、図１９（Ａ）に示す。図１９（Ａ）に示すウェットエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４が深さ１３８８ｎｍ程度エッチングされている。よって、膜厚１００ｎｍのチタン膜２０４を用いているので、アルミニウム膜２０３は１２８８ｎｍ程度エッチングされていることになり、ウェットエッチング後のアルミニウム膜２０３の膜厚は、３７１２ｎｍとなる。
【０１４９】
次に、図１９（Ｂ）に、図１９（Ａ）に示した状態からさらにドライエッチングした後の、サンプルの断面における倍率１００００倍のＳＥＭ像を示す。図１９（Ｂ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３、チタン膜２０４が除去され、絶縁膜２０１が露出している。そして、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４で形成される導電膜の端部におけるテーパー角θは、約６０度となった。また、ドライエッチング後の上記導電膜は、ウェットエッチング前におけるマスク２０５の開口部の端部から、４．５μｍ程度の領域まで、サイドエッチングされている。
【０１５０】
次に、ウェットエッチングの量をさらに増やした場合の、ウェットエッチング後のサンプルの断面における倍率１００００倍のＳＥＭ像を、図２０（Ａ）に示す。図２０（Ａ）に示すウェットエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４が深さ２１５５ｎｍ程度エッチングされている。よって、膜厚１００ｎｍのチタン膜２０４を用いているので、アルミニウム膜２０３は２０５５ｎｍ程度エッチングされていることになり、ウェットエッチング後のアルミニウム膜２０３の膜厚は、２９４５ｎｍとなる。
【０１５１】
次に、図２０（Ｂ）に、図２０（Ａ）に示した状態からさらにドライエッチングした後の、サンプルの断面における倍率１００００倍のＳＥＭ像を示す。図２０（Ｂ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３、チタン膜２０４が除去され、絶縁膜２０１が露出している。そして、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４で形成される導電膜の端部におけるテーパー角θは、約６４度となった。また、ドライエッチング後の上記導電膜は、ウェットエッチング前におけるマスク２０５の開口部の端部から、３．８μｍ程度の領域まで、サイドエッチングされている。
【０１５２】
次に、ウェットエッチングの量をさらに増やした場合の、ウェットエッチング後のサンプルの断面における倍率１００００倍のＳＥＭ像を、図２１（Ａ）に示す。図２１（Ａ）に示すウェットエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４が深さ３４１７ｎｍ程度エッチングされている。よって、膜厚１００ｎｍのチタン膜２０４を用いているので、アルミニウム膜２０３は３３１７ｎｍ程度エッチングされていることになり、ウェットエッチング後のアルミニウム膜２０３の膜厚は、１６８３ｎｍとなる。
【０１５３】
次に、図２１（Ｂ）に、図２１（Ａ）に示した状態からさらにドライエッチングした後の、サンプルの断面における倍率１００００倍のＳＥＭ像を示す。図２１（Ｂ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３、チタン膜２０４が除去され、絶縁膜２０１が消失している。そして、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４で形成される導電膜の端部におけるテーパー角θは、約７３度となった。また、ドライエッチング後の上記導電膜は、ウェットエッチング前におけるマスク２０５の開口部の端部から、２．７μｍ程度の領域まで、サイドエッチングされている。
【０１５４】
次に、ウェットエッチングの量をさらに増やした場合の、ウェットエッチング後のサンプルの断面における倍率１００００倍のＳＥＭ像を、図２２（Ａ）に示す。図２２（Ａ）に示すウェットエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４が深さ４５２４ｎｍ程度エッチングされている。よって、膜厚１００ｎｍのチタン膜２０４を用いているので、アルミニウム膜２０３は４４２４ｎｍ程度エッチングされていることになり、ウェットエッチング後のアルミニウム膜２０３の膜厚は、５７６ｎｍとなる。
【０１５５】
次に、図２２（Ｂ）に、図２２（Ａ）に示した状態からさらにドライエッチングした後の、サンプルの断面における倍率１００００倍のＳＥＭ像を示す。図２２（Ｂ）に示すように、ドライエッチング後のサンプルは、マスク２０５の開口部に重なる、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３、チタン膜２０４が除去され、絶縁膜２０１が消失している。そして、チタン膜２０２、アルミニウム膜２０３及びチタン膜２０４で形成される導電膜の端部におけるテーパー角θは、約６８度となった。また、ドライエッチング後の上記導電膜は、ウェットエッチング前におけるマスク２０５の開口部の端部から、３．３μｍ程度の領域まで、サイドエッチングされている。
【０１５６】
図１８乃至図２２に示したＳＥＭ写真から、最小値が０．５μｍ、最大値がエッチング前の膜厚の９割もしくは５μｍのうちの小さい値となるように、ウェットエッチング後のアルミニウム膜２０３の膜厚を設定することで、その後のドライエッチング後の導電膜が有するテーパー角θを５０度以上９０度以下の最適な範囲にできることが分かる。
【０１５７】
なお、図２１（Ｂ）、図２２（Ｂ）に示したＳＥＭ写真に着目すると、ドライエッチングにより絶縁膜２０１が消失していることが分かる。図２１（Ｂ）と図２２（Ｂ）に示したサンプルは、図２１（Ａ）と図２２（Ａ）に示すように、事前に行われたウェットエッチングによるエッチング量が大きい。よって、ウェットエッチングによるエッチング量の、基板面内におけるばらつきが大きくなり、ドライエッチング後に絶縁膜２０１が消失する箇所が出てくるものと予測される。ウェットエッチングによるエッチング量の、基板面内におけるばらつきを抑え、絶縁膜２０１の消失を防ぐためには、上述した最適なテーパー角を得るための条件に加え、ウェットエッチング後のアルミニウム膜２０３の膜厚を、エッチング前の膜厚の４割以上となるように設定するのが望ましい。
【０１５８】
また、サイドエッチングの量に着目すると、図２０（Ｂ）、図２１（Ｂ）、図２２（Ｂ）に示したサンプルが、サイドエッチングの量が４μｍ以下と小さくなっている。よって、サイドエッチングの量を４μｍ以下に抑えるためには、上述した最適なテーパー角を得るための条件に加え、ウェットエッチング後のアルミニウム膜２０３の膜厚を、エッチング前の膜厚の６割以下となるように設定するのが望ましい。
【０１５９】
本実施の形態は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例１】
【０１６０】
次に、半導体装置の一つであるＲＦタグの構成について説明する。
【０１６１】
まず、図１３（Ａ）に、ＲＦタグが有する集積回路１３０１が、基板１３０２上に形成されている様子を示す。また、図１３（Ａ）に示した基板１３０２及び集積回路１３０１上に、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を用いて形成されたアンテナ１３０３が、該集積回路１３０１と電気的に接続されている様子を、図１３（Ｂ）に示す。
【０１６２】
なお、図１３（Ｂ）では、集積回路１３０１とアンテナ１３０３とを同一の基板１３０２に形成（一体形成）するオンチップのＲＦタグを例示しているが、本発明はこの構成に限定されない。別途用意した基板上に、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を用いてアンテナを形成した後、該アンテナと集積回路１３０１とを電気的に接続させるようにしても良い。或いは、集積回路１３０１に電気的に接続されたアンテナ１３０３と、質問器との間において、非接触にて電波の周波数を変換することができるブースターアンテナを設けたＲＦタグに、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用することも可能である。
【０１６３】
また、図１３（Ｂ）では、アンテナ１３０３がコイル状である場合を例示しているが、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を用いて形成することができるアンテナの形状は、これに限定されない。アンテナ１３０３の形状は、無線で信号を受信できるものであれば良い。例えばダイポールアンテナ、パッチアンテナ、ループアンテナ、八木アンテナなどを用いることができる。アンテナの形状は、キャリアの波長、伝送方式に合わせて適宜選択すれば良い。
【０１６４】
なお、質問器とアンテナ及び集積回路との間において、インピーダンスの整合を取ることで、電波の反射による電力の損失を抑えることができる。そして、インピーダンスの虚数部に相当するリアクタンスは、アンテナが有する容量値に従って変化するので、インピーダンスの整合を取るためには、所望の容量値を有するアンテナが得られるように、アンテナの形状を設計するのが望ましい。実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法をＲＦタグのアンテナの作製に用いることで、アンテナをより所望の形状に近づけることが可能である。よって、設計段階において予想されるアンテナの容量値と、実際に形成されたアンテナが有する容量値とのずれを抑えることができるので、インピーダンスが不整合になるのを防ぐことができ、質問器から送られてくる電力の損失を極力抑えることが可能になる。
【０１６５】
次に、ＲＦタグが有する集積回路の構成について説明する。図１４は、アンテナ１３０３に接続されている集積回路１３０１の一形態を示すブロック図である。集積回路１３０１は、電源回路１３０４、復調回路１３０５、変調回路１３０６、レギュレータ１３０７、制御回路１３０８、メモリ１３０９を有している。
【０１６６】
アンテナ１３０３は、質問器から発せられる電波を受信することで、交流電圧を生成する。電源回路１３０４では、アンテナ１３０３において生成された交流電圧を整流し、電源用の電圧を生成する。電源回路１３０４において生成された電源用の電圧は、制御回路１３０８とレギュレータ１３０７に与えられる。レギュレータ１３０７は、電源回路１３０４からの電源用の電圧を安定化させるか、またはその高さを調整した後、集積回路１３０１内の復調回路１３０５、変調回路１３０６、制御回路１３０８またはメモリ１３０９などの各種回路に供給する。
【０１６７】
復調回路１３０５は、アンテナ１３０３が受信した交流信号を復調して、後段の制御回路１３０８に出力する。制御回路１３０８は復調回路１３０５から入力された信号に従って演算処理を行い、別途信号を生成する。上記演算処理を行う際に、メモリ１３０９は一次キャッシュメモリまたは二次キャッシュメモリとして用いることが出来る。また制御回路１３０８は、復調回路１３０５から入力された信号を解析し、質問器から送られてきた命令の内容に従って、メモリ１３０９内の情報の出力、またはメモリ１３０９内における命令の内容の保存を行う。制御回路１３０８から出力される信号は符号化され、変調回路１３０６に送られる。変調回路１３０６は該信号に従ってアンテナ１３０３に交流電圧を印加し、それにより質問器から送られてくる電波を変調する。アンテナ１３０３において変調された電波は質問器で受け取られる。なお、変調の方式も規格により振幅変調、周波数変調、位相変調など様々な方式があるが、規格に即した変調方式であればどの変調方式を用いても良い。
【０１６８】
メモリ１３０９は不揮発性メモリであっても揮発性メモリであってもどちらでも良い。メモリ１３０９として、例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ、有機メモリ等などを用いることが出来る。
【０１６９】
なお、図１４に示したＲＦタグに、発振回路、一次電池または二次電池を設けても良い。
【０１７０】
また図１４では、集積回路１３０１に電気的に接続されたアンテナ１３０３を１つだけ有するＲＦタグの構成について説明したが、本発明はこの構成に限定されない。電力を受信するためのアンテナと、信号を受信するためのアンテナとの、２つのアンテナが、集積回路１３０１に電気的に接続されていても良い。集積回路に電気的に接続されたアンテナが２つあると、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数とを使い分けることができる。
【０１７１】
本実施例は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例２】
【０１７２】
本実施例では、半導体基板（ボンド基板）から支持基板（ベース基板）に貼り合わせた半導体膜を用いて半導体素子を形成する、半導体装置の作製方法について説明する。
【０１７３】
まず図１５（Ａ）に示すように、ボンド基板９００上に絶縁膜９０１を形成する。絶縁膜９０１は、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化珪素等の絶縁性を有する材料を用いて形成する。絶縁膜９０１は、単数の絶縁膜を用いたものであっても、複数の絶縁膜を積層して用いたものであっても良い。例えば本実施例では、ボンド基板９００に近い側から、窒素よりも酸素の含有量が高い酸化窒化珪素、酸素よりも窒素の含有量が高い窒化酸化珪素の順に積層された絶縁膜９０１を用いる。
【０１７４】
例えば酸化珪素を絶縁膜９０１として用いる場合、絶縁膜９０１はシランと酸素、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）と酸素等の混合ガスを用い、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、バイアスＥＣＲＣＶＤ等の気相成長法によって形成することができる。この場合、絶縁膜９０１の表面を酸素プラズマ処理で緻密化しても良い。また、窒化珪素を絶縁膜９０１として用いる場合、シランとアンモニアの混合ガスを用い、プラズマＣＶＤ等の気相成長法によって形成することができる。また、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素を絶縁膜９０１として用いる場合、シランとアンモニアの混合ガス、またはシランと酸化窒素の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤ等の気相成長法によって形成することができる。
【０１７５】
また絶縁膜９０１として、有機シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化珪素を用いていても良い。有機シランガスとしては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。
【０１７６】
次に図１５（Ａ）に示すように、ボンド基板９００に、矢印で示すように水素又は希ガス、或いは水素イオン又は希ガスイオンを照射し、ボンド基板９００の表面から一定の深さの領域に、微小ボイドを有する脆化層９０２を形成する。脆化層９０２が形成される位置は、上記照射の加速電圧によって決まる。そして脆化層９０２の位置により、ボンド基板９００からベース基板９０４に貼り合わされる半導体膜９０８の厚さが決まるので、照射の加速電圧は半導体膜９０８の厚さを考慮して行う。当該半導体膜９０８の厚さは１０ｎｍ乃至２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ乃至５０ｎｍの厚さとする。例えば水素をボンド基板９００に照射する場合、ドーズ量は１×１０１６乃至１×１０１７／ｃｍ２とするのが望ましい。
【０１７７】
なお、脆化層９０２を形成する上記工程において、ボンド基板９００に高い濃度の水素又は希ガス、或いは水素イオン又は希ガスイオンを照射するので、ボンド基板９００の表面が粗くなってしまい、ベース基板９０４との間における貼り合わせで十分な強度が得られない場合がある。絶縁膜９０１を設けることで、水素又は希ガス、或いは水素と希ガスのイオンを照射する際にボンド基板９００の表面が保護され、ベース基板９０４とボンド基板９００の間における貼り合わせを良好に行うことが出来る。
【０１７８】
次に図１５（Ｂ）に示すように、絶縁膜９０１上に絶縁膜９０３を形成する。絶縁膜９０３は、絶縁膜９０１と同様に、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化珪素等の絶縁性を有する材料を用いて形成する。絶縁膜９０３は、単数の絶縁膜を用いたものであっても、複数の絶縁膜を積層して用いたものであっても良い。また絶縁膜９０３として、有機シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化珪素を用いていても良い。本実施例では、絶縁膜９０３として、有機シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化珪素を用いる。
【０１７９】
なお、絶縁膜９０１または絶縁膜９０３に窒化珪素、窒化酸化珪素などのバリア性の高い絶縁膜を用いることで、後に形成される半導体膜９０９にアルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物がベース基板９０４から入るのを防ぐことができる。
【０１８０】
また、本実施例では、脆化層９０２を形成した後に絶縁膜９０３を形成しているが、絶縁膜９０３は必ずしも設ける必要はない。ただし絶縁膜９０３は脆化層９０２を形成した後に形成されるので、脆化層９０２を形成する前に形成される絶縁膜９０１よりも、その表面の平坦性は高い。よって、絶縁膜９０３を形成することで、後に行われる貼り合わせの強度をより高めることができる。
【０１８１】
次に、ボンド基板９００とベース基板９０４とを貼り合わせる前に、ボンド基板９００に水素化処理を行うようにしても良い。水素化処理は、例えば、水素雰囲気中において３５０℃、２時間程度行う。
【０１８２】
そして図１５（Ｃ）に示すように、ボンド基板９００と、ベース基板９０４とを、絶縁膜９０３を間に挟むように重ねて、図１５（Ｄ）に示すように貼り合わせる。絶縁膜９０３とベース基板９０４とが貼り合わせられることで、ボンド基板９００とベース基板９０４とを貼り合わせることができる。
【０１８３】
具体的には、ベース基板９０４と絶縁膜９０３を対向させて、ベース基板９０４あるいはボンド基板９００の一箇所を外部から軽く押しつけると、局所的に接合面同士の距離が縮まる事によって、Ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ力と水素結合とにより、ベース基板９０４と絶縁膜９０３とがお互いに引きつけ合う。更に、隣接した領域でも対向する基板間の距離が縮まるので、Ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ力が強く作用する領域や水素結合が関与する領域が広がる事によって、接合が進行し、接合は最終的にはベース基板９０４と絶縁膜９０３とが接する面の全域に接合が広がる。なお、上記の貼り合わせは低温で行うことが可能であるため、ベース基板９０４は様々なものを用いることが可能である。例えばベース基板９０４としては、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板の他、石英基板、サファイア基板などの基板を用いることが出来る。さらにベース基板９０４として、シリコン、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの半導体基板などを用いることができる。
【０１８４】
なお、ベース基板９０４の表面にも絶縁膜を形成しておき、該絶縁膜と絶縁膜９０３との間で貼り合わせを行うようにしても良い。この場合、ベース基板９０４として上述したものの他に、ステンレス基板を含む金属基板を用いても良い。また、プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであればベース基板９０４として用いることが可能である。プラスチック基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に代表されるポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。
【０１８５】
ボンド基板９００として、シリコン、ゲルマニウムなどの単結晶半導体基板または多結晶半導体基板を用いることができる。その他に、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体で形成された単結晶半導体基板を、ボンド基板９００として用いることができる。またボンド基板９００として、結晶格子に歪みを有するシリコン、シリコンに対しゲルマニウムが添加されたシリコンゲルマニウムなどの半導体基板を用いていても良い。歪みを有するシリコンは、シリコンよりも格子定数の大きいシリコンゲルマニウムまたは窒化珪素上における成膜により、形成することができる。
【０１８６】
なおベース基板９０４とボンド基板９００とを貼り合わせた後に、加熱処理又は加圧処理を行っても良い。加熱処理又は加圧処理を行うことで貼り合わせの強度を向上させることができる。
【０１８７】
上記貼り合わせを行った後、熱処理を行うことにより、脆化層９０２において隣接する微小ボイドどうしが結合して、微小ボイドの体積が増大する。その結果、図１６（Ａ）に示すように、ボンド基板９００の一部であった半導体膜９０８が、脆化層９０２においてボンド基板９００から分離する。熱処理の温度はベース基板９０４の耐熱温度以下で行うことが好ましく、例えば４００℃乃至６００℃の範囲内で熱処理を行えば良い。この分離により、半導体膜９０８が、絶縁膜９０１及び絶縁膜９０３と共にベース基板９０４に貼り合わされる。その後、絶縁膜９０３とベース基板９０４の貼り合わせをさらに強固にするため、４００℃乃至６００℃の熱処理を行うのが好ましい。
【０１８８】
半導体膜９０８の結晶面方位はボンド基板９００の面方位によって制御することができる。形成する半導体素子に適した結晶面方位を有するボンド基板９００を、適宜選択して用いればよい。またトランジスタの移動度は半導体膜９０８の結晶面方位によって異なる。より移動度の高いトランジスタを得たい場合、チャネルの向きと結晶面方位とを考慮し、ボンド基板９００の貼り合わせの方向を定めるようにする。
【０１８９】
次に、貼り合わされた半導体膜９０８の表面を平坦化する。平坦化は必ずしも必須ではないが、平坦化を行うことで、後に形成されるトランジスタにおいて半導体膜９０８とゲート絶縁膜の界面の特性を向上させることが出来る。具体的に平坦化は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）または液体ジェット研磨などにより、行うことができる。半導体膜９０８の厚さは、上記平坦化により薄膜化される。
【０１９０】
なお本実施例では、脆化層９０２の形成により半導体膜９０８をボンド基板９００から分離するスマートカット法を用いる場合について示すが、ＥＬＴＲＡＮ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、誘電体分離法、ＰＡＣＥ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法などの、他の貼り合わせ法を用いて半導体膜９０８をベース基板９０４に貼り合わせるようにしても良い。
【０１９１】
次に、図１６（Ｂ）に示すように、半導体膜９０８を所望の形状に加工（パターニング）することで、島状の半導体膜９０９を形成する。
【０１９２】
上記工程を経て形成された半導体膜９０９を用い、トランジスタ等の各種半導体素子を形成することが出来る。図１６（Ｃ）には、半導体膜９０９を用いて形成されたトランジスタ９１０を例示している。
【０１９３】
上述した作製方法を用いることで、半導体素子を作製することができる。
【０１９４】
本実施例は、上記実施の形態または実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例３】
【０１９５】
実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を用いて作製されたＲＦタグは、アンテナの抵抗値を抑えることができ、またインピーダンスの整合を取りやすいので、質問器から送られてくる電力の損失を極力抑えることができる。よって、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法が適用されたＲＦタグは、集積回路を高機能化する、或いは通信距離を長くすることが可能であるため、用途の幅が広がる。
【０１９６】
ＲＦタグが有する集積回路の中に、データの書き換えができないＲＯＭなどのメモリを形成しておけば、ＲＦタグが取り付けられた対象物の偽造を防止することができる。よって例えば、産地、生産者などによって商品価値が大きく左右される食料品に、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグを用いることは、産地、生産者などの偽装を防止するのに有用である。
【０１９７】
具体的に実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグは、例えば、荷札、値札、名札など、対象物の情報を有するタグに取り付けて用いることができる。或いは、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグ自体をタグとして用いても良い。また例えば、戸籍謄本、住民票、パスポート、免許証、身分証、会員証、鑑定書、クレジットカード、キャッシュカード、プリペイドカード、診察券、定期券など、事実を証明する文書に相当する証書に取り付けても良い。また例えば、手形、小切手、貨物引換証、船貨証券、倉庫証券、株券、債券、商品券、抵当証券など、私法上の財産権を表示する証券に相当する有価証券に取り付けても良い。
【０１９８】
また例えば、商品のラベルに実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグを付けておき、該ＲＦタグを用いて商品の流通を管理するような利用の仕方も可能である。
【０１９９】
図１７（Ａ）に示すように、裏面が粘着性を有する商品のラベル１４０１などの支持体に、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグ１４０２を取り付ける。そして、ＲＦタグ１４０２が取り付けられたラベル１４０１を、商品１４０３に装着する。商品１４０３に関する識別情報は、ラベル１４０１に貼り合わされたＲＦタグ１４０２から、無線で読み取ることが可能である。よってＲＦタグ１４０２により、流通の過程において、商品の管理が容易になる。
【０２００】
例えば、ＲＦタグ１４０２内の集積回路が有するメモリとして、書き込みが可能な不揮発性メモリを用いている場合、商品１４０３の流通のプロセスを記録することができる。また商品の生産段階におけるプロセスを記録しておくことで、卸売業者、小売業者、消費者が、産地、生産者、製造年月日、加工方法などを把握することが容易になる。
【０２０１】
また、書籍、ＤＶＤ、ＣＤなど内在している情報に価値を有する商品の場合、内在する情報全てを開示できるようにすると商品としての価値が下がり、かといって全く開示しないと商品としての価値が把握しにくいという問題を有している。上記商品を、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグを取り付けた包装材で包装し、ＲＦタグに商品が有する情報の一部を記憶させておくことで、商品の価値を下げることなく、商品の価値を客に把握してもらうことができる。図１７（Ｂ）に、書籍１４１１を、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグ１４１３を取り付けた包装材１４１２で包装している様子を示す。
【０２０２】
そして、例えば携帯電話のような携帯情報端末に質問器としての機能を付加しておくことで、客が書籍１４１１の内容を一部把握することができる。
【０２０３】
上記構成により、商品に内在している情報を全て開示せずとも、客が商品の内容を把握することが可能になる。
【０２０４】
図１７（Ｃ）に、実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグ１４２０を取り付けた、無記名債券類１４２１の一例を示す。無記名債券類１４２１には、切手、切符、チケット、入場券、商品券、図書券、文具券、ビール券、おこめ券、各種ギフト券、各種サービス券等が含まれるが、勿論これらに限定されるものではない。なおＲＦタグ１４２０は無記名債券類１４２１の内部に形成しても良いし、無記名債券類１４２１の表面に露出させるように形成しても良い。実施の形態１で示した導電膜のエッチング方法を適用したＲＦタグは、可撓性を有する無記名債券類１４２１に取り付けられても、応力により破壊されにくく、摩擦によって生じる静電気により破壊されにくいというメリットを有している。
【０２０５】
本実施例は、上記実施の形態または実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０２０６】
１００    基板
１０１    導電膜
１０２    絶縁膜
１０３    マスク
１０４    開口部
１０５    バリアメタル膜
１０６    導電膜
１０７    バリアメタル膜
１０８    導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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