(57)【要約】【課題】広視野角化を実現でき、表示品位に優れた液晶表示パネルを提供する。【解決手段】液晶表示パネルは、アレイ基板と、対向基板と、液晶層とを備えている。アレイ基板は、スイッチング素子と、遮光部と、絶縁膜と、遮光部に重ねて絶縁膜に形成されたコンタクトホール３２と、画素電極３４と、柱状スペーサ３５と、柱状スペーサと同一の材料で形成され、コンタクトホール内に形成された突出部３６とを具備している。突出部３６は、液晶層内において対向基板側に突出して形成され、液晶層の液晶分子の傾く方向を制御する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に配置されたスイッチング素子と、前記第１基板上に形成された遮光部と、前記第１基板、スイッチング素子及び遮光部上に形成された絶縁膜と、前記遮光部に重ねて前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記絶縁膜上に形成され前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、前記コンタクトホールから外れた前記絶縁膜上に形成された柱状スペーサと、前記柱状スペーサと同一の材料で形成され、前記コンタクトホール内に形成された突出部と、を具備したアレイ基板と、
第２基板上に設けられた対向電極を有し、前記柱状スペーサにより隙間を保持して前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板間に挟持された液晶層と、を備え、
前記突出部は、前記液晶層内において前記対向基板側に突出して形成され、前記液晶層の液晶分子の傾く方向を制御する液晶表示パネル。
【請求項２】
前記画素電極及び突出部は、それぞれ長軸を有し、
前記突出部の長軸は、前記画素電極の長軸と直交している請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記突出部は、半球状に形成されている請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記画素電極に対向する前記対向基板の対向電極には、前記液晶層の液晶分子の傾く方向を制御する配向制御部を備えている請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記突出部及び配向制御部は、それぞれ長軸を有し、
前記配向制御部の長軸は、前記突出部の長軸と直交している請求項４に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記配向制御部は、前記遮光部に全て重なっている請求項４に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
前記配向制御部は、前記対向電極に設けられた切り欠き部である請求項４乃至６の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
前記対向基板には、前記アレイ基板側に突出して形成され、前記液晶層の液晶分子の傾く方向を制御する突出部を備え、
前記配向制御部は、他の突出部である請求項４乃至６の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項９】
前記遮光部である補助容量線と、前記補助容量線に層間絶縁膜を介して対向配置された補助容量電極と、を有した補助容量素子をさらに備えている請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
前記補助容量電極は、前記コンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続されている請求項９に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置として液晶表示パネルを備えた液晶表示装置が知られている。液晶表示パネルは、アレイ基板と、対向基板と、液晶層とを有している。近年、液晶表示パネルは、コントラスト向上等、表示品位の向上が求められている。液晶表示パネルとして、ＶＡ方式の液晶表示パネルが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、液晶表示パネルとして、広視野角特性を有するＭＶＡ方式の液晶表示パネルが知られている。
【０００３】
このＭＶＡ方式の液晶表示パネルの概略的な構造の説明をする。アレイ基板上には、互いに離間された複数の画素電極が配列されている。これら画素電極はそれぞれスリットを有している。対向基板上には、共通電極および畝状の突起が順に形成されている。
【０００４】
突起及びスリットは、液晶層内に、電気力線の方向が互いに異なる複数の領域を形成する。このため、画素電極に対応する液晶層に、液晶分子の配向方向が互いに異なる複数のドメインが形成される。これにより、視野角が補償されるため、液晶表示パネルは、広い視角特性を得ることができる。
【特許文献１】特開２００４−２４５９５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した液晶表示パネルにおいて、液晶分子を配向制御する突起等により、広視野角化を実現している。しかしながら、突起を少なく又は小さくすると、透過率及び正面コントラストは向上するが画素ごとに配向状態が異なり表示がざらついてしまう。また、突起を多く又は大きくすると、透過率及び正面コントラストは低下してしまう。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、広視野角化を実現でき、表示品位に優れた液晶表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る液晶表示パネルは、
第１基板上に配置されたスイッチング素子と、前記第１基板上に形成された遮光部と、前記第１基板、スイッチング素子及び遮光部上に形成された絶縁膜と、前記遮光部に重ねて前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記絶縁膜上に形成され前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、前記コンタクトホールから外れた前記絶縁膜上に形成された柱状スペーサと、前記柱状スペーサと同一の材料で形成され、前記コンタクトホール内に形成された突出部と、を具備したアレイ基板と、
第２基板上に設けられた対向電極を有し、前記柱状スペーサにより隙間を保持して前記アレイ基板に対向配置された対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板間に挟持された液晶層と、を備え、
前記突出部は、前記液晶層内において前記対向基板側に突出して形成され、前記液晶層の液晶分子の傾く方向を制御する。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、広視野角化を実現でき、表示品位に優れた液晶表示パネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る液晶表示パネルについて詳細に説明する。  
図１及び図５に示すように、液晶表示パネルは、アレイ基板１と、このアレイ基板に対向配置された対向基板２と、これら両基板間に挟持された液晶層３とを備えている。液晶表示パネルは、アレイ基板１及び対向基板２が重なった表示領域Ｒと、この表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素１３とを有している。なお、画素１３については後述する。
【０００９】
図１乃至図７に示すように、アレイ基板１は、透明で絶縁性を有する第１基板として、例えばガラス基板１０を備えている。ガラス基板１０上にはアンダーコーティング層１２が成膜されている。
【００１０】
表示領域Ｒにおいて、ガラス基板１０上には、複数の走査線１９及びこれら走査線に直交した複数の信号線２７が配置されている。ガラス基板１０上には、走査線１９に平行な複数の補助容量線２１が形成されている。この実施の形態において、補助容量線２１は遮光部として機能している。隣合う２本の走査線１９及び隣合う２本の信号線２７で囲まれた各領域には画素１３が形成されている。
【００１１】
図２に示すように、表示領域Ｒの外側において、ガラス基板１０上には、走査線駆動回路４、信号線駆動回路５、及び補助容量線駆動回路６が形成されている。走査線駆動回路４は、表示領域Ｒの外側に延出した複数の走査線１９と接続されている。信号線駆動回路５は、表示領域Ｒの外側に延出した複数の信号線２７と接続されている。補助容量線駆動回路６は、表示領域Ｒの外側に延出した複数の補助容量線２１と接続されている。
【００１２】
次に、図２に示す画素１３を１つ取り出して説明する。  
図３乃至図７に示すように、画素１３は、画素電極３４、この画素電極に接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４及び補助容量素子１６を有している。
【００１３】
図３は、図２の画素１３の領域部分を示す図である。走査線１９、ゲート電極２０及び補助容量線２１は、アルミニウムやモリブデン−タングステン等の遮光性を有する低抵抗材料により同時に形成されている。この実施の形態において、走査線１９、ゲート電極２０及び補助容量線２１は、モリブデン−タングステンで形成されている。
【００１４】
各ゲート電極２０は、各チャネル層１５に重なって形成されている。各補助容量線２１は、複数の補助容量電極１７に重なって形成されている。ゲート絶縁膜１８を介して対向配置された補助容量電極１７及び補助容量線２１は、補助容量素子１６を形成している。
【００１５】
ゲート絶縁膜１８、走査線１９、ゲート電極２０及び補助容量線２１上に、層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２上には、複数のソース電極２６、複数の信号線２７、複数のドレイン電極２８、複数の接続配線２９及び複数のコンタクト電極３０が形成されている。
【００１６】
ソース電極２６及び信号線２７は、一体に形成され、互いに電気的に接続されている。複数のドレイン電極２８、複数の接続配線２９及び複数のコンタクト電極３０は、一体に形成され、互いに電気的に接続されている。
【００１７】
図５は図３のＡ−Ａの部分である。アンダーコーティング層１２上に、チャネル層１５及び補助容量電極１７が形成されている。チャネル層１５及び補助容量電極１７は、アンダーコーティング層１２上に形成された半導体膜をパターニングすることにより、同一材料で同時に形成されている。この実施の形態において、チャネル層１５及び補助容量電極１７は、ポリシリコンで形成されている。
【００１８】
アンダーコーティング層１２、チャネル層１５及び補助容量電極１７上に、ゲート絶縁膜１８が成膜されている。ゲート絶縁膜１８上に、複数の走査線１９と、これら走査線の一部を延出した複数のゲート電極２０と、複数の補助容量線２１とが形成されている。補助容量電極１７と重なった領域において、補助容量線２１にそれぞれ開口部２１ａが形成されている。
【００１９】
ソース電極２６は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２３を介してチャネル層１５のソース領域ＲＳに電気的に接続されている。ドレイン電極２８は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２４を介してチャネル層１５のドレイン領域ＲＤに電気的に接続されている。
【００２０】
また、図６は図３のＢ−Ｂの部分の断面図であり、図７は図３のＣ−Ｃの部分の断面図である。コンタクト電極３０は、ゲート絶縁膜１８及び層間絶縁膜２２の一部を貫通したコンタクトホール２５を介して補助容量電極１７に電気的に接続されている。コンタクトホール２５は、補助容量線２１の開口部２１ａを通っている。このため、コンタクト電極３０及び補助容量線２１間の絶縁状態は維持されている。
【００２１】
ソース電極２６、信号線２７、ドレイン電極２８、接続配線２９及びコンタクト電極３０は、アルミニウムやモリブデン−タングステン等の遮光性を有する低抵抗材料により同時に形成されている。この実施の形態において、ソース電極２６、信号線２７、ドレイン電極２８、接続配線２９及びコンタクト電極３０は、アルミニウムで形成されている。
【００２２】
層間絶縁膜２２、ソース電極２６、信号線２７、ドレイン電極２８、接続配線２９及びコンタクト電極３０上に、絶縁膜として、透明な樹脂により平坦化膜３１が成膜されている。平坦化膜３１は、補助容量線２１及びコンタクト電極３０にそれぞれ重ねて形成された複数のコンタクトホール３２を有している。
【００２３】
平坦化膜３１上には、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明な導電材料により複数の画素電極３４が形成されている。画素電極３４は、コンタクトホール３２を介してコンタクト電極３０に電気的に接続されている。画素電極３４は、隣合う２本の走査線１９及び隣合う２本の信号線２７に周縁を重ねて形成されている。画素電極３４は、信号線２７に沿った方向に長軸を有している。  
上記したように、ガラス基板１０上に、ＴＦＴ１４、補助容量素子１６及び画素電極３４等を有した下地層１１が形成されている。
【００２４】
下地層１１上には、複数のコンタクトホール３２から外れた複数の柱状スペーサ３５と、複数のコンタクトホール３２に重なった複数の突出部３６とが形成されている。柱状スペーサ３５及び突出部３６は、同一材料で同時に形成されている。この実施の形態において、柱状スペーサ３５は画素電極３４から外れた平坦化膜３１上に形成され、突出部３６は画素電極３４上に形成されている。
【００２５】
突出部３６は、コンタクトホール３２内に形成されているとともに下地層１１の表面を越えて対向基板２側に突出して形成されている。突出部３６は、液晶層３内において対向基板２側に突出して形成されている。突出部３６は、液晶層３中にある負の誘電率異方性をもつ液晶分子の傾く方向を制御するものである。下地層１１、柱状スペーサ３５および突出部３６上に、配向膜３７が形成されている。この実施の形態において、配向膜３７は垂直配向膜である。
【００２６】
次に、対向基板２について説明する。  
図１、図５乃至図９に示すように、対向基板２は、透明で絶縁性を有する第２基板として、例えばガラス基板４０を備えている。ガラス基板４０上には、カラーフィルタ５０が形成されている。
【００２７】
カラーフィルタ５０は、複数の赤色の着色層５０Ｒ、複数の緑色の着色層５０Ｇ及び複数の青色の着色層５０Ｂを有している。各着色層は、ストライプ状に形成され、信号線２７の延出した方向に平行である。各着色層の周縁は、信号線２７に重なっている。
【００２８】
カラーフィルタ５０上には、ＩＴＯ等の透明な導電材料により対向電極４１が形成されている。対向電極４１は、複数の配向制御部として、液晶層３の液晶分子の傾く方向を制御する複数の切り欠き部４２を有している。カラーフィルタ５０及び対向電極４１上に、配向膜４３が形成されている。この実施の形態において、配向膜４３は垂直配向膜である。
【００２９】
アレイ基板１及び対向基板２は、複数の柱状スペーサ３５により、所定の隙間を保持して対向配置されている。アレイ基板１及び対向基板２は、表示領域Ｒ外周の両基板間に配置されたシール材６０により接合されている。液晶層３は、アレイ基板１、対向基板２及びシール材６０で囲まれた領域に形成されている。シール材６０の一部には液晶注入口６１が形成され、この液晶注入口は封止材６２で封止されている。
【００３０】
複数の画素１３は、ガラス基板１０及びガラス基板４０間に設けられ、ＴＦＴ１４、補助容量素子１６、コンタクトホール３２、画素電極３４、突出部３６、切り欠き部４２をそれぞれ１つずつ有している。  
尚、図４には、上述した画素部の等価回路を示す。
【００３１】
次に、上述した実施の形態の液晶表示パネルの実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２について説明する。
【００３２】
（実施例１）
図６及び図８に示すように、コンタクトホール３２は、矩形状に形成され、画素電極３４に対して中央に位置している。コンタクトホール３２の長さ（走査線１９に沿った方向の距離）は、４０μｍである。コンタクトホール３２の幅（信号線２７に沿った方向の距離）は、６μｍである。
【００３３】
突出部３６の長さ及び幅は、コンタクトホール３２と同様である。突出部３６の高さ（コンタクトホール３２に形成された画素電極３４の表面から突出部３６の頂点までの距離）は、３．５μｍである。突出部３６は、走査線１９に沿った方向に長軸を有している。突出部３６の長軸は、画素電極３４の長軸と直交している。
【００３４】
切り欠き部４２は、画素電極３４に対して中央に位置している。切り欠き部４２は、信号線２７に沿った方向に長軸を有している。切り欠き部４２の長軸は、突出部３６の長軸と直交している。コンタクトホール３２、突出部３６及び切り欠き部４２は、補助容量線２１に重なっている。
【００３５】
配向膜３７及び配向膜４３の膜厚は７０ｎｍである。液晶層３は、ネガ型の液晶材料で形成されている。アレイ基板１及び対向基板２間の隙間（セルギャップ）は、３．８μｍである。
【００３６】
（実施例２）
図９に示すように、コンタクトホール３２は、楕円形に形成されている。アレイ基板１の面方向において、コンタクトホール３２は、突出部３６を全て収容するサイズである。実施例２において、他の構成は上述した実施例１と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略した。
【００３７】
（比較例１）
図１０に示すように、コンタクトホール３２は、円形に形成されている。突出部３６は、信号線２７に沿った方向に延出して形成されている。突出部３６は、走査線１９に沿った方向に画素電極３４を２等分する位置に形成されている。突出部３６は、補助容量線２１に重なっているとともに補助容量線２１から外れて形成されている。切り欠き部４２は形成されていない。  
比較例１において、他の構成は上述した実施例１と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略した。
【００３８】
（比較例２）
図１１に示すように、コンタクトホール３２は、円形に形成されている。対向電極４１上に、複数の配向制御部として、複数の突出部４４が形成されている。複数の突出部４４は、アレイ基板１側に突出して形成され、液晶層３の液晶分子の傾く方向を制御するものである。
【００３９】
突出部４４は、信号線２７に沿った方向に延出して形成されている。突出部４４は、走査線１９に沿った方向に画素電極３４を２等分する位置に形成されている。突出部４４は、補助容量線２１に重なっている。突出部４４の両端部は、補助容量線２１から外れて形成されている。突出部４４において、長さは１５μｍ、幅は６μｍ、高さは１μｍである。なお、突出部３６及び切り欠き部４２は形成されていない。  
比較例２において、他の構成は上述した実施例１と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略した。
【００４０】
次に、本願発明者等は、この実施の形態の液晶表示パネルの実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２のざらつきの有無、透過率及び正面コントラストをそれぞれ調査した。なお、透過率及び正面コントラストについては比較例１を基準（１．００）として相対評価を行った。
【００４１】
図１２に示すように、実施例１、実施例２及び比較例１において、表示画像にざらつきは無かったが、比較例２において、表示画像にざらつきが生じた。  
図１３に示すように、実施例１、実施例２及び比較例２において、比較例１より、透過率及び正面コントラストが向上していることが分かる。
【００４２】
以上のように構成された液晶表示パネルによれば、突出部３６は、遮光部としての補助容量線２１に重なったコンタクトホール３２に重なっている。突出部３６は、液晶層３の液晶分子の傾く方向を制御する。柱状スペーサ３５及び突出部３６は同一材料で同時に形成されている。
【００４３】
上記したように、配向規制力をもつ突出部３６を補助容量線２１に重ねて形成することにより、広視野角化を実現することができ、透過率及び正面コントラストに優れた液晶表示パネルを得ることができる。さらに、対向基板２側に切り欠き部４２を設けることにより、配向を安定させることができ、表示品位の一層高い液晶表示パネルを得ることができる。
【００４４】
柱状スペーサ３５は、コンタクトホール３２から外れた下地層１１上に形成され、突出部３６は、コンタクトホール３２に重なった下地層上に柱状スペーサと同一の材料で形成されている。このため、製造効率を向上させることができ、製造コストを低減することができる。
【００４５】
配向膜３７、４３は配向処理（ラビング）を必要としない。このため、ラビングによる静電破壊不良及びゴミの発生の問題は無く、また、ラビング後の洗浄工程も不要である。さらに、液晶分子のプレティルトのバラツキによる表示ムラの問題も無い。このため、プロセスの簡便化、製造歩留まりの向上により、低コスト化が可能である。  
上記したことから、広視野角化を実現でき、表示品位に優れた液晶表示パネルを得ることができる。
【００４６】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４７】
突出部３６の形状は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、例えば、半球状に形成されていても良い。コンタクトホール３２の形状は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、突出部３６を全て収容するサイズであれば良い。
【００４８】
対向基板２側の配向制御部は、切り欠き部４２又は突出部４４で形成されていれば良い。コンタクトホール３２、突出部３６、切り欠き部４２及び突出部４４は、補助容量線２１に重なっている必要はなく、遮光部として機能する部材に重なっていれば良い。
【００４９】
柱状スペーサ３５及び突出部３６は、画素電極３４を形成した後ではなく、画素電極３４を形成する前に形成されても上述した効果を得ることができる。カラーフィルタ５０は、対向基板２側ではなく、アレイ基板１側に形成されても良い。
【００５０】
表示方式は何れのモードを用いても良いが、誘電率異方性が負の液晶材料を用いたＭＶＡモードにすることが望ましく、これにより、光学特性の良い液晶表示パネルを得ることができる。
【００５１】
画素電極３４及び対向電極４１上に配向膜３７、４３のみを配置したが、構造によっては、絶縁膜を配置しても良い。この場合、絶縁膜は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮＸ、Ａｌ２Ｏ３などの無機系薄膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶など有機系薄膜などを用いて形成することができる。
【００５２】
絶縁膜が無機系薄膜の場合には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、あるいは溶液塗布法などによって絶縁膜を形成できる。
【００５３】
また、絶縁膜が有機系薄膜の場合には、有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、スクリーン印刷塗布法、ロール塗布法などで塗布し、所定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＬＢ（Langumuir-Blodgett）法などで絶縁膜を形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示パネルの斜視図。
【図２】図１に示したアレイ基板の平面図。
【図３】図１及び図２に示したアレイ基板の一部を示す拡大平面図。
【図４】図３に示したアレイ基板の等価回路図。
【図５】図３に示した液晶表示パネルの線Ａ−Ａ断面図。
【図６】図３に示した液晶表示パネルの線Ｂ−Ｂ断面図。
【図７】図３に示した液晶表示パネルの線Ｃ−Ｃ断面図。
【図８】上記液晶表示パネルの一部を示す拡大平面図であり、特に、実施例１の補助容量線、画素電極、突出部及び切り欠き部を対向基板側から見た拡大平面図。
【図９】実施例２の補助容量線、コンタクトホール、画素電極、突出部及び切り欠き部を対向基板側から見た拡大平面図。
【図１０】比較例１の補助容量線、コンタクトホール、画素電極及び突出部を対向基板側から見た拡大平面図。
【図１１】比較例２の補助容量線、コンタクトホール、画素電極及び突出部を対向基板側から見た拡大平面図。
【図１２】上記実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２の表示画面に生じるざらつきの有無を表で示した図。
【図１３】上記実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２の透過率比及びコントラスト比を表で示した図。
【符号の説明】
【００５５】
１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、１０…ガラス基板、１１…下地層、１３…画素、１４…ＴＦＴ、１６…補助容量素子、１７…補助容量電極、１９…走査線、２１…補助容量線、２２…層間絶縁膜、２７…信号線、３１…平坦化膜、３２…コンタクトホール、３４…画素電極、３５…柱状スペーサ、３６…突出部、３７…配向膜、４０…ガラス基板、４１…対向電極、４２…切り欠き部、４３…配向膜、４４…突出部、５０…カラーフィルタ、Ｒ…表示領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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