(57)【要約】【課題】振動特性を損なうことなく、導電性異物による短絡などのトラブルを防止できる弾性表面波デバイス、および弾性表面波デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１上に、表面に絶縁膜２０が形成されたＩＤＴ電極１２と、反射器１３とが備えられている。ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの表面に形成された絶縁膜２０は、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分において、圧電基板１１と接触しないように圧電基板１１との間に側壁部分の表面が露出された所定の隙間を設け、その他の各電極指１２ａ，１２ｂの上面および側面（側壁部分）に形成されている。絶縁膜２０は、各電極指１２ａ，１２ｂの形成用材料であるアルミニウムを陽極酸化させることにより形成された陽極酸化膜からなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、該圧電基板上に設けられ表面に絶縁膜が形成されたＩＤＴ電極とを少なくとも有する弾性表面波デバイスであって、
前記絶縁膜が、前記圧電基板と接触しない態様で前記ＩＤＴ電極の電極指の上面および側面に形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記絶縁膜が、前記ＩＤＴ電極の形成用金属材料の酸化膜であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記ＩＤＴ電極の形成材料としてアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金が用いられ、
前記絶縁膜が、前記ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
圧電基板と、該圧電基板上に設けられ表面に絶縁膜が形成されたＩＤＴ電極とを少なくとも有し、前記絶縁膜が、前記圧電基板と接触しない態様で前記ＩＤＴ電極の電極指の上面および側面に形成されている弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記圧電基板上にフォトリソグラフィ法を用いて前記ＩＤＴ電極を形成し、前記ＩＤＴ電極上のフォトレジストを残したままにするＩＤＴ電極形成工程と、
少なくとも前記ＩＤＴ電極が形成された領域の前記圧電基板上に、前記ＩＤＴ電極の厚みよりも薄い厚みにて犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記フォトレジストを除去して前記ＩＤＴ電極の表面の一部を露出させるフォトレジスト除去工程と、
前記フォトレジスト除去工程の後で、少なくとも前記ＩＤＴ電極の電極指の上面および側面に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜形成工程の後で、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記絶縁膜を形成する工程で、前記ＩＤＴ電極の形成用金属材料を酸化させて酸化膜を形成し、この酸化膜を前記絶縁膜とすることを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記ＩＤＴ電極形成工程で、前記ＩＤＴ電極の形成用金属材料としてアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金が用いられ、
前記絶縁膜形成工程で、前記ＩＤＴ電極を陽極酸化させることにより陽極酸化膜からなる前記絶縁膜を形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項４または５のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記犠牲層形成工程で、前記犠牲層の形成用材料には無機の両性酸化物が用いられ、
前記犠牲層除去工程で、希酸を用いて前記犠牲層を溶解させて除去することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記犠牲層形成工程で、前記犠牲層の形成用材料に酸化亜鉛が用いられ、
前記犠牲層除去工程で、希塩酸または希硝酸を用いて前記犠牲層を溶解させて除去することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイス、および弾性表面波デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高周波デバイスの分野では、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極により圧電体表面に弾性表面波を励振させたり、弾性表面波を検出したりするように構成された弾性表面波デバイスが様々な電子機器に用いられている。弾性表面波デバイスとして、水晶やニオブ酸リチウムあるいはタンタル酸リチウムなどの圧電材料からなる圧電基板上に、ＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極の両側に配置された一対の反射器とが設けられた弾性表面波デバイス（弾性表面波共振子）が、例えば特許文献１に示されている。
特許文献１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、ＩＤＴ電極は、アルミニウムなどからなる一方のバスバーに連結された複数の電極指と、他方のバスバーに連結された複数の電極指とが向かい合って互いに接触しないように交互に配置された構成となっている。この一方のバスバーと他方のバスバーを介してそれぞれの電極指間に交流電圧を印加することによりＩＤＴ電極が励振され、ＩＤＴ電極から発振して圧電基板に伝搬される弾性表面波を反射器で反射させてＩＤＴ電極内に弾性表面波エネルギーを閉じ込めることにより、エネルギー損失が少なくＱ値の高い共振特性を得られるようになっている。
【０００３】
ところで、弾性表面波デバイスにおける大きな特性不良要因の一つとして、ＩＤＴ電極の電極指間に導電性を有する異物が付着することによるＩＤＴ電極の短絡がある。このような導電性異物によるＩＤＴ電極の短絡を防止するための手段として、ＩＤＴ電極の表面に絶縁膜を形成する方法がある。例えば特許文献１に、弾性表面波デバイスを、酸素プラズマ中に置いてプラズマ放電を行う方法や、酸化液に浸漬する方法などにより、ＩＤＴ電極の表面に酸化膜（酸化アルミニウム）を形成することが記載されており、この酸化膜はＩＤＴ電極の短絡防止用の絶縁膜とすることが可能である。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−１０９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極の表面全体に絶縁膜を形成すると、ＩＤＴ電極の各電極指の側壁部分の絶縁膜が弾性表面波の伝搬面となる圧電基板と接触している状態となるので、絶縁膜が弾性表面波の励振を阻害して振動損失を増大させてしまう。例えば、弾性表面波デバイスが弾性表面波共振子である場合にはＱ値の低下とＣＩ（Crystal Impedance）値の増大を生じさせ、弾性表面波デバイスが弾性表面波フィルタである場合には伝送特性の挿入損失を増大させる。
また、絶縁膜が圧電基板に接触して弾性表面波の励振を阻害すると、弾性表面波デバイスの電気機械結合係数Ｋ2が小さくなって圧電効果が減じてしまう。例えば、弾性表面波デバイスが弾性表面波共振子である場合には、容量比γが増大して共振と反共振の周波数差が狭まり、共振子のインピーダンスが狭い周波数間隔で急激に変化してしまうため、発振回路において発振の条件を満たすことが困難になる。また、弾性表面波デバイスが共振子型の弾性表面波フィルタである場合には、通過帯域幅の広帯域化が困難になるなど、弾性表面波デバイスの振動特性が劣化する虞があるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
〔適用例１〕本適用例にかかる弾性表面波デバイスは、圧電基板と、該圧電基板上に設けられ表面に絶縁膜が形成されたＩＤＴ電極とを少なくとも有する弾性表面波デバイスであって、前記絶縁膜が、前記圧電基板と接触しない態様で前記ＩＤＴ電極の電極指の上面および側面に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、ＩＤＴ電極の側壁部分の絶縁膜が圧電基板に接触しないように形成されているので、絶縁膜がＩＤＴ電極の表面全面を覆うように形成されてＩＤＴ電極の側壁部分の絶縁膜が圧電基板と接触している場合に起こり得る不具合を回避できる。例えば、絶縁膜が弾性表面波の伝搬を阻害して振動損失を増大させ、弾性表面波デバイスが弾性表面波共振子である場合のＱ値の低下とＣＩ値の増大や、弾性表面波デバイスが弾性表面波フィルタである場合の伝送特性の挿入損失の増大を防止できる。また、絶縁膜が圧電基板に接触して弾性表面波の励振を阻害することにより、弾性表面波デバイスの電気機械結合係数Ｋ2が小さくなって圧電効果が減じてしまうことによって起こり得る不具合を回避できる。例えば、弾性表面波デバイスが共振子型の弾性表面波フィルタである場合に、容量比γが増大して共振と反共振の周波数差が狭まり、共振子のインピーダンスが狭い周波数間隔に急激に変化してしまうことによって、発振回路において発振の条件を満たすことが困難になることを回避できる。また、弾性表面波デバイスが共振子型の弾性表面波フィルタである場合には、通過帯域幅の広帯域化が困難になるなどの振動特性の劣化を抑制することができる。
したがって、振動特性を損ねることなく、導電性の異物によるＩＤＴ電極の短絡を防止することが可能な弾性表面波デバイスを提供することができる。
【０００９】
〔適用例２〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、前記絶縁膜が、前記ＩＤＴ電極形成用金属材料の酸化膜であることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、ＩＤＴ電極そのものを陽極酸化させることにより絶縁膜を形成することができるので、比較的簡便な製造工程により、ＩＤＴ電極の表面に均一な絶縁膜を形成することができる。また、陽極酸化により形成される酸化膜は、例えばＩＤＴ電極の形成用金属材料の自然酸化膜や、加熱処理することなどにより得られる酸化膜に比して、厚い厚みを有して且つ強固な酸化膜を形成することができるので、絶縁性に優れた絶縁膜を備えた弾性表面波デバイスを提供することができる。
【００１１】
〔適用例３〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の形成材料としてアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金が用いられ、前記絶縁膜が、前記ＩＤＴ電極を陽極酸化することにより形成された陽極酸化膜であることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金は、加工およびコストの点から弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極材料として従来より最も多く用いられているとともに、陽極酸化によりアルマイトを形成する金属材料の代表的なものである。これにより、上記適用例にかかる弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極の形成用材料として好適あり、周知の陽極酸化条件により、ＩＤＴ電極の表面に均一な絶縁膜を安定して形成することができる。
【００１３】
〔適用例４〕本適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板と、該圧電基板上に設けられ表面に絶縁膜が形成されたＩＤＴ電極とを少なくとも有し、前記絶縁膜が、前記圧電基板と接触しない態様で前記ＩＤＴ電極の電極指の上面および側面に形成されている弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記圧電基板上にフォトリソグラフィ法を用いて前記ＩＤＴ電極を形成し、前記ＩＤＴ電極上のフォトレジストを残したままにするＩＤＴ電極形成工程と、少なくとも前記ＩＤＴ電極が形成された領域の前記圧電基板上に、前記ＩＤＴ電極の厚みよりも薄い厚みにて犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記フォトレジストを除去して前記ＩＤＴ電極の表面の一部を露出させるフォトレジスト除去工程と、前記フォトレジスト除去工程の後で、少なくとも前記ＩＤＴ電極の電極指の上面および側面に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜形成工程の後で、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、ＩＤＴ電極形成工程でＩＤＴ電極上にフォトレジストを残したままにしているので、犠牲層形成工程で、例えばスパッタリング法などにより犠牲層を形成するとき、犠牲層はＩＤＴ電極上に残したままのフォトレジスト上や、ＩＤＴ電極が形成された領域およびその周辺の圧電基板上に積層される。このとき、フォトレジストがスパッタリングの障壁となるため、露出しているＩＤＴ電極の側壁部分には犠牲層はほとんど積層されず、圧電基板上にＩＤＴ電極よりも薄い厚みにて形成された犠牲層の厚み分だけ、ＩＤＴ電極の側壁部分が犠牲層により覆われた状態になる。そして、次の絶縁膜形成工程で絶縁膜を形成することにより、ＩＤＴ電極の側壁部分のうち犠牲層に覆われた部分を除いたＩＤＴ電極の表面に絶縁膜が形成されるので、絶縁膜を圧電基板と接触しない態様でＩＤＴ電極の電極指の上面および側面に形成することができる。
これにより、絶縁膜が圧電基板と接触している場合に起こり得るＱ値の低下やＣＩ値の増大などの振動損失の増大や、電気機械結合係数Ｋ2が小さくなって圧電効果が減ずることによる振動特性の劣化などの不具合を抑えることができる。したがって、振動特性を損なうことなく、導電性の異物によるＩＤＴ電極の短絡を防止することが可能な弾性表面波デバイスを製造することができる。
【００１５】
〔適用例５〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程で、前記ＩＤＴ電極の形成用金属材料を酸化させて酸化膜を形成し、この酸化膜を前記絶縁膜とすることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、ＩＤＴ電極そのものを陽極酸化させることにより絶縁膜を形成することができ、簡便な製造工程により、ＩＤＴ電極の表面に均一な絶縁膜を形成することができる。また、陽極酸化する際の印加電圧を制御することにより、例えばＩＤＴ電極の形成用金属材料の自然酸化膜や、加熱処理することなどにより得られる酸化膜に比して、厚い厚みを有して且つ強固な酸化膜を形成することができるので、絶縁性に優れた絶縁膜を備えた弾性表面波デバイスを製造することができる。
【００１７】
〔適用例６〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記ＩＤＴ電極形成工程で、前記ＩＤＴ電極の形成材料としてアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金が用いられ、前記絶縁膜形成工程で、前記ＩＤＴ電極を陽極酸化させることにより陽極酸化膜からなる前記絶縁膜を形成することを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金は、加工性やコストなどの利点から弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極材料として従来より最も多く用いられているとともに、陽極酸化によりアルマイトを形成する金属材料として陽極酸化の適用金属の代表的なものである。したがって、周知の陽極酸化条件により、ＩＤＴ電極表面に均一な絶縁膜を安定して形成することができる。
【００１９】
〔適用例７〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記犠牲層形成工程で、前記犠牲層の形成用材料には無機の両性酸化物が用いられ、前記犠牲層除去工程で、希酸を用いて前記犠牲層を溶解させて除去することを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、無機の両性酸化物からなる犠牲層は希酸により除去することができるとともに、ＩＤＴ電極の材料に例えばアルミニウムやアルミニウム合金を用いた場合、アルミニウムやアルミニウム合金は表面に形成される自然酸化膜の作用により希酸にはほとんど溶解しないので、犠牲層除去工程で、絶縁膜が形成されたＩＤＴ電極をほとんど侵すことなく犠牲層を除去して上記適用例にかかる弾性表面波デバイスを製造することができる。
【００２１】
〔適用例８〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記犠牲層形成工程で、前記犠牲層の形成用材料に酸化亜鉛が用いられ、前記犠牲層除去工程で、希塩酸または希硝酸を用いて前記犠牲層を溶解させて除去することを特徴とする。
【００２２】
この構成によれば、酸化亜鉛は希塩酸または希硝酸により比較的容易に溶解して除去することができるとともに、ＩＤＴ電極の材料に例えばアルミニウムやアルミニウム合金を用いた場合、アルミニウムやアルミニウム合金は表面に形成される自然酸化膜の作用により希塩酸または希硝酸にはほとんど溶解しない。これにより、犠牲層除去工程で、絶縁膜が形成されたＩＤＴ電極をほとんど侵すことなく犠牲層を除去して上記適用例にかかる弾性表面波デバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、弾性表面波デバイスの一実施形態であるＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）共振子について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態のＳＡＷ共振子１０を説明するものであり、図１（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、同図（ｃ）は、（ｂ）の図中Ｂの範囲の断面を拡大して説明する部分拡大断面図である。また、図２（ａ）〜（ｃ）および図３（ａ）〜（ｄ）は、ＳＡＷ共振子の製造過程を説明する部分拡大断面図であり、それぞれの製造過程における図１（ｃ）と同じ断面部分を示している。
【００２４】
〔ＳＡＷ共振子〕
まず、ＳＡＷ共振子の構造について説明する。
図１（ａ）に示すように、ＳＡＷ共振子１０は、水晶などの圧電材料からなる矩形状の圧電基板１１上に、ＩＤＴ電極１２と反射器１３が備えられている。圧電基板１１は表裏に主面１４，１５を有し、一方の主面１４にＩＤＴ電極１２と反射器１３が形成されている。
【００２５】
ＩＤＴ電極１２は二つの櫛型の交差指電極を有し、一方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２ａと、他方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２ｂとが、向かい合って互いに接触しないように配置されて形成されている。ＩＤＴ電極１２は、本実施形態ではアルミニウム（Ａｌ）で形成され、二つの交差指電極の電極指１２ａと電極指１２ｂのそれぞれに逆相の電圧が印加されることで弾性表面波を励振できるように構成されている。
【００２６】
反射器１３は、ＩＤＴ電極１２を両側から挟むように配置されて形成されている。そして、ＩＤＴ電極１２から伝搬された弾性表面波を反射器１３で反射させて、圧電基板１１の中央部にエネルギーを封じ込める役目を果たしている。なお、本実施形態では反射器１３もＩＤＴ電極１２と同様にアルミニウムで形成されている。
【００２７】
図１（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１２における電極指１２ａと電極指１２ｂ間の距離は等間隔ピッチＰにて形成され、励振される弾性表面波の波長λはλ＝２Ｐの関係になる。また、ＩＤＴ電極１２は厚みＨにて形成されている。また、圧電基板１１の厚みｔは弾性表面波の４波長（４λ）以上の厚みに設定されている。
【００２８】
図１（ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの表面には、絶縁膜２０が形成されている。この絶縁膜２０は、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分において、圧電基板１１と接触しないように圧電基板１１との間に側壁部分の表面が露出された所定の隙間を設けて、各電極指１２ａ，１２ｂの上面および側面に形成されている。本実施形態の絶縁膜２０は、各電極指１２ａ，１２ｂの形成用材料であるアルミニウムを陽極酸化させることにより形成された陽極酸化膜からなっている。
【００２９】
上記実施形態のＳＡＷ共振子１０によれば、絶縁膜２０が、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂに、圧電基板１１と接触しない態様で各電極指１２ａ，１２ｂの上面および側面に形成されている。これにより、絶縁膜がＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの表面全体を覆うように形成された場合のように、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分の絶縁膜２０が圧電基板１１と接触していることにより弾性表面波の励振を阻害し、振動損失を増大させてＱ値の低下やＣＩ値の増大が生じたり、電気機械結合係数Ｋ2が小さくなって圧電効果が減じたりすることがない。したがって、振動特性を損ねることなく、導電性の異物によるＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂどうしの短絡を防止することが可能なＳＡＷ共振子１０を提供することができる。
また、絶縁膜２０が、ＩＤＴ電極１２の形成用金属材料であるアルミニウムを陽極酸化することによる陽極酸化膜からなっている。これにより、別個の絶縁膜材料を塗布する場合などに比して均一な絶縁膜２０を形成することができるとともに、例えばアルミニウムの自然酸化膜や加熱処理することなどにより得られる酸化膜よりも厚い厚みを有し、且つ強固な酸化膜を形成することができるので、絶縁膜２０は絶縁性に優れている。
【００３０】
〔ＳＡＷ共振子の製造方法〕
次に、上記第１の実施形態のＳＡＷ共振子１０の製造方法について図２および図３を参照して説明する。なお、図２および図３において、圧電基板１１の厚みとＩＤＴ電極１２との厚みの比率は実際とは異なり、圧電基板１１の厚みは薄く図示してある。
図２（ａ）において、まず、圧電基板１１上に、蒸着法あるいはスパッタリング法などにより、ＩＤＴ電極の形成用金属材料であるアルミニウム薄膜１２Ｍを積層させる。次に、アルミニウム薄膜１２Ｍ上に、このアルミニウム薄膜１２Ｍをフォトリソグラフィ法によりパターニングしてＩＤＴ電極１２を形成するためのフォトレジスト膜９０をスピンコート法や浸漬法などにより形成する。
次に、図２（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜９０にＩＤＴ電極１２パターンを露光してから現像することにより、ＩＤＴ電極１２のフォトレジストパターン９０Ｐを形成する。そして、図２（ｃ）に示すように、フォトレジストパターン９０Ｐをエッチングレジストとしてアルミニウム薄膜１２Ｍをエッチングすることにより、複数の電極指１２ａ，１２ｂを有するＩＤＴ電極１２を形成する。なお、本実施形態では、図示はしないが、ＩＤＴ電極１２と同じアルミニウムからなる反射器１３も、上述したＩＤＴ電極１２と同様な形成方法によりＩＤＴ電極１２と同時に形成する。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、スパッタリング法などにより両性の無機材料からなる薄膜である犠牲層５５を、ＩＤＴ電極１２の厚みよりも薄い厚みに形成する。本実施形態では、犠牲層５５として、無機の両性酸化物である酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いる。
犠牲層５５をスパッタリング法で積層させたとき、犠牲層５５は、ＩＤＴ電極１２の上面に残されているフォトレジストパターン９０Ｐ上と、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂ間およびＩＤＴ電極１２の周辺に露出している圧電基板１１の表面に積層される。このとき、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分には、フォトレジストパターン９０Ｐが障壁となって犠牲層５５はほとんど積層されず、圧電基板１１側の側壁部分の一部のみが圧電基板１１上に積層された犠牲層５５で覆われた状態となる。なお、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂ間の圧電基板１１上に積層される犠牲層５５は、上述したとおりフォトレジストパターン９０Ｐが障壁となって各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分に近い位置ほど積層されにくくなるので、各電極指１２ａ，１２ｂ間の中央部分に厚く積層され、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分にいくにしたがって薄くなる略円弧状の断面形状を呈して積層される。
【００３２】
次に、フォトレジストパターン９０Ｐを剥離すると、図３（ｂ）に示すように、フォトレジストパターン９０Ｐとともにフォトレジストパターン９０Ｐ上に積層された犠牲層５５が除去され、圧電基板１１上に、ＩＤＴ電極１２と犠牲層５５とが残される。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極１２の露出されている表面に絶縁膜２０を形成する。本実施形態では、アルミニウムからなるＩＤＴ電極１２を陽極酸化させることによりアルミニウムの表面に形成される陽極酸化膜を絶縁膜２０とする。ＩＤＴ電極１２の表面に陽極酸化による酸化膜を形成する方法としては、例えば、ＩＤＴ電極１２を構成する各電極指１２ａ，１２ｂのそれぞれを陽極側として陽極酸化用の電源と接続した状態で、ＩＤＴ電極１２および犠牲層５５が形成された圧電基板１１を陽極酸化液に浸す。この陽極酸化液には、前記陽極酸化用の電源の陰極側と接続された陰極板が浸されている。そして、陽極酸化用の電源からＩＤＴ電極１２を構成する各電極指１２ａ，１２ｂを陽極として、所定の電解電圧を印加して電流を流しアルミニウムを電解酸化することによってＩＤＴ電極１２の表面に酸化膜からなる絶縁膜２０を形成する。
なお、陽極酸化液としては、例えば燐酸塩の水溶液または、ほう酸塩の水溶液の混合液や、クエン酸塩やアジピン酸塩などの中性近傍の塩の水溶液を用いることができる。また、陽極酸化液の液温は、絶縁膜２０として成膜される陽極酸化膜が多孔性の被膜となるのを避けるため室温程度が望ましく、例えば、ほう酸塩の水溶液を用いた場合は２０〜３０°Ｃ程度が望ましい。
【００３４】
このような条件下で陽極酸化して得られる酸化膜からなる絶縁膜２０は、陽極酸化する際の印加電圧に略比例した膜厚に制御してＩＤＴ電極１２の表面に形成できる。また、例えばアルミニウムを加熱することなどによって得られる酸化物であるアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や、空気中でアルミニウムの表面に自然に形成される酸化膜などに比して厚く形成することができ、また、強固な酸化膜となる。これにより、ＩＤＴ電極１２の陽極酸化により得られる酸化膜からなる絶縁膜２０は、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂに導電性の異物が付着することによる短絡などの電気的なトラブルをより効果的に防止する保護膜となり得る。
【００３５】
そして、図３（ｄ）に示すように、例えば１％の塩酸（ＨＣｌ）あるいは硝酸（ＨＮＯ3）などの希酸により犠牲層５５を除去することによってＳＡＷ共振子１０を得る。
犠牲層５５は、両性酸化物である酸化亜鉛により形成されているので、希酸に対しては塩基性酸化物として作用して比較的容易に溶解する。一方、アルミニウムからなるＩＤＴ電極１２の大部分の表面に形成されている絶縁膜２０、および犠牲層５５で覆われて絶縁膜２０が形成されなかったＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの圧電基板１１側の側壁部分が自然酸化されて形成された酸化膜は、希酸にはほとんど溶解されない。これにより、ＩＤＴ電極１２の表面をほとんど侵すことなく犠牲層５５を除去することができる。
【００３６】
上記実施形態のＳＡＷ共振子１０の製造方法によれば、ＩＤＴ電極１２の形成工程でＩＤＴ電極１２上にフォトレジストパターン９０Ｐを残したままにしている。これにより、犠牲層５５の形成工程でスパッタリング法などにより犠牲層５５を形成したとき、フォトレジストパターン９０Ｐがスパッタリングの障壁となって、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分には犠牲層５５はほとんど積層されず、各電極指１２ａ，１２ｂよりも薄い厚みにて圧電基板１１上に形成される。すると、犠牲層５５の厚み分だけ各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分が犠牲層５５により覆われた状態になる。そして、次の絶縁膜２０の形成工程で絶縁膜２０を形成することにより、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分のうち犠牲層５５に覆われた部分を除いた各電極指１２ａ，１２ｂの表面に絶縁膜２０が形成されるので、絶縁膜２０を圧電基板１１と接触しない態様でＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの上面および側面（側壁部分）に形成することができる。
これにより、振動特性を損なうことなく、導電性の異物によるＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの短絡を防止することが可能なＳＡＷ共振子１０を製造することができる。
【００３７】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態のＳＡＷ共振子１０およびその製造方法では、アルミニウムからなるＩＤＴ電極１２を陽極酸化することにより形成される陽極酸化膜を絶縁膜２０とした。このようにＩＤＴ電極１２の形成用金属材料の酸化膜を絶縁膜２０とすることに限らず、絶縁性材料をＩＤＴ電極１２表面に積層させて絶縁膜とすることもできる。
【００３８】
図４（ａ）〜（ｃ）は、ＩＤＴ電極の形成用金属材料の酸化膜以外の絶縁膜が形成されたＳＡＷ共振子の製造過程を説明するものであり、それぞれの製造過程における図１（ｃ）と同じ断面部分を示す部分拡大断面図である。なお、本実施形態のＳＡＷ共振子の製造方法のうち、上記第１の実施形態で説明した、図２（ａ）〜（ｃ）および図３（ａ），（ｂ）までの製造過程は同一であるため説明を省略するとともに、上記第１の実施形態と同じ構成については同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
図４（ａ）は、上記第１の実施形態のＳＡＷ共振子１０の製造方法において、図３（ｂ）で図示したものと同じ製造過程まで進められた状態を示している。すなわち、圧電基板１１上にＩＤＴ電極１２を形成し、さらに犠牲層５５を積層させた後に、余分な犠牲層５５などを除去して、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂ間およびＩＤＴ電極１２周辺の圧電基板１１上に犠牲層５５を残した状態である。
次に、図４（ｂ）に示すように、スパッタリング法などにより二酸化珪素（ＳｉＯ2）などの酸化物、あるいは窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）などの窒化物などからなる絶縁膜２０'を積層させる。
【００４０】
スパッタリング法により形成される絶縁膜２０'は、ＩＤＴ電極１２の表面および犠牲層５５の表面に積層される。このとき、ＩＤＴ電極１２の表面に形成される絶縁膜２０'のうち、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分に絶縁膜２０'が積層されていくにしたがって、側壁部分の上方側に積層された絶縁膜２０'が障壁となり、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分の圧電基板１１側と、犠牲層５５上の各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分側とへの絶縁膜２０'の積層が阻害される。特に、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分のうち圧電基板１１側の犠牲層５５に覆われた部分との境目付近には絶縁膜２０'がほとんど積層されずに、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分の表面が僅かに露出した隙間が生じた状態となる。
【００４１】
次に、図４（ｃ）に示すように、例えば１％の塩酸あるいは硝酸などの希酸により犠牲層５５を除去することによってＳＡＷ共振子１０'を得る。このとき、ＩＤＴ電極１２の大部分の表面と犠牲層５５との表面に積層されている絶縁膜２０'は希酸にはほとんど溶解しないが、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分のうち、圧電基板１１側の犠牲層５５に覆われていた部分との境目付近において、上記したように絶縁膜２０'がほとんど積層されずに形成された隙間から希酸が浸入して犠牲層５５を溶解し、犠牲層５５上の絶縁膜２０'はリフトオフされて除去される。また、犠牲層５５が除去されるのにともなって各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分の圧電基板１１側のアルミニウムが露出されていくが、アルミニウム表面が自然酸化されて形成された酸化膜は希酸にはほとんど溶解されないので、ＩＤＴ電極１２の表面をほとんど侵すことなく犠牲層５５を除去することができる。
以上説明したように、犠牲層５５および犠牲層５５上に積層された不要な絶縁膜２０'を除去することにより、ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分において、圧電基板１１と接触しない態様で、各電極指１２ａ，１２ｂの上面および側面（側壁部分）に形成された絶縁膜２０'を有するＳＡＷ共振子１０'が製造される。
【００４２】
上記第２の実施形態の製造方法によれば、ＩＤＴ電極１２の表面に、圧電基板１１と接触しないように形成された絶縁膜２０'を有することにより、優れた特性を維持したまま、導電性の異物による短絡などのトラブルに対する耐性の強いＳＡＷ共振子１０'を製造することができる。
【００４３】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態およびその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００４４】
例えば、上記第１および第２の実施形態では、ＩＤＴ電極１２を構成する一対の交差指電極の各電極指１２ａ，１２ｂの両方ともに絶縁膜２０，２０'を形成した。これに限らず、いずれか一方の交差指電極の電極指１２ａまたは電極指１２ｂのみに絶縁膜２０，２０'を形成する構成としても、導電性の異物の付着による短絡を防止することができる。
【００４５】
また、上記第１の実施形態では、ＩＤＴ電極１２の形成用金属材料であるアルミニウムを陽極酸化することにより得られる陽極酸化膜を絶縁膜２０とした。これに限らず、絶縁膜として十分な絶縁性を確保できる厚みに形成すれば、例えばアルミニウムを加熱処理して得られる酸化物であるアルミナを絶縁膜２０とすることも可能である。
【００４６】
また、上記第１および第２の実施形態で説明した圧電基板１１には水晶を用いたが、これに限定されない。水晶以外に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウム、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの薄膜圧電材料を積層させて構成された圧電基板を用いることもできる。
【００４７】
また、上記第１および第２の実施形態では、ＩＤＴ電極１２および反射器１３の形成用金属材料としてアルミニウムを用いたが、これに限定されない。例えば、陽極酸化により絶縁膜２０を形成する第１の実施形態では、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料を用いることもできる。また、第２の実施形態では、金（Ａｕ）とクロム（Ｃｒ）の多層膜、あるいはマグネシウム（Ｍｇ）などを用いることも可能である。
【００４８】
また、上記第１および第２の実施形態では、弾性表面波デバイスの一例として１ポート型のＳＡＷ共振子１０，１０'およびその製造方法について詳細に説明した。これに限定されず、より高い周波数帯に利用可能な２ポート型のＳＡＷ共振子であってもよく、この他、ＳＡＷフィルタ、あるいはセンサやコンボルバなどのＳＡＷ遅延素子などの、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されてなる他の弾性表面波デバイスであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）は、弾性表面波デバイスの一実施形態であるＳＡＷ共振子を説明する斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は、（ｂ）の図中Ｂの範囲の部分拡大断面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態のＳＡＷ共振子の製造方法における製造過程を説明する部分拡大断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態のＳＡＷ共振子の製造方法における製造過程を説明する部分拡大断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態のＳＡＷ共振子の製造方法における製造過程を説明する部分拡大断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１０，１０’…弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷ共振子、１１…圧電基板、１２…ＩＤＴ電極、１２ａ，１２ｂ…ＩＤＴ電極の各電極指、１２Ｍ…ＩＤＴ電極の形成用金属材料としてのアルミニウム薄膜、１３…反射器、２０，２０’…絶縁膜、５５…犠牲層、９０Ｐ…フォトレジストとしてのフォトレジストパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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