(57)【要約】【課題】高い位置精度を有したパターンをウェハ上に転写できるフォトマスクを作製するフォトマスク作製方法を得ること。【解決手段】フォトマスク作製方法において、フォトマスク１１が露光装置２のマスクステージ上で保持された際にフォトマスク１１が歪むことによって生じるパターン位置の位置変動量を解消するよう描画装置４および位置測定装置３を校正する校正ステップと、校正された描画装置４によってフォトマスク１１に描画されたパターンのパターン位置を校正された位置測定装置３が測定する位置測定ステップと、を含み、校正された位置測定装置３が測定したパターン位置の測定結果に基づいて、基準となるパターン位置からのフォトマスク１１に描画されたパターンの位置ずれ量を算出するとともに、算出した位置ずれ量に基づいて、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置精度を判定する。【選択図】        図１
2009175276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画装置によってフォトマスクにパターンの描画を行うとともに、前記描画装置によって描画されたパターンのフォトマスク面内のパターン位置を位置測定装置によって測定して前記フォトマスクを作製するフォトマスク作製方法において、
前記フォトマスクが露光装置のマスクステージ上で保持された際に前記フォトマスクが歪むことによって生じる前記フォトマスク面内のパターン位置の位置変動量を解消するパターン位置へパターンを描画するよう前記描画装置を校正するとともに測定したパターン位置の測定結果に前記位置変動量を加算するよう前記位置測定装置を校正する校正ステップと、
校正された描画装置によってフォトマスクに描画されたパターンのパターン位置を、校正された位置測定装置が測定する位置測定ステップと、
を含み、
前記校正された位置測定装置が測定したパターン位置の測定結果に基づいて、基準となるパターン位置からの前記フォトマスクに描画されたパターンの位置ずれ量を算出するとともに、算出した位置ずれ量に基づいて、前記フォトマスクに描画されたパターンの位置精度を判定することを特徴とするフォトマスク作製方法。
【請求項２】
描画装置によってフォトマスクにパターンの描画を行うとともに、前記描画装置によって描画されたパターンのフォトマスク面内のパターン位置を位置測定装置によって測定して前記フォトマスクを作製するフォトマスク作製方法において、
前記フォトマスクが露光装置のマスクステージ上で保持された際に前記フォトマスクが歪むことによって生じる前記フォトマスク面内のパターン位置の位置変動量を解消するパターン位置へパターンを描画するよう前記描画装置を校正する校正ステップと、
校正された描画装置によってフォトマスクに描画されたパターンのパターン位置を、前記位置測定装置が測定する位置測定ステップと、
を含み、
前記位置測定装置が測定したパターン位置を、当該パターン位置に前記位置変動量を加算した新たなパターン位置に換算するとともに、換算した新たなパターン位置に基づいて、基準となるパターン位置からの前記フォトマスクに描画されたパターンの位置ずれ量を算出し、算出した位置ずれ量に基づいて、前記フォトマスクに描画されたパターンの位置精度を判定することを特徴とするフォトマスク作製方法。
【請求項３】
描画装置によってフォトマスクにパターンの描画を行うとともに、前記描画装置によって描画されたパターンのフォトマスク面内のパターン位置を位置測定装置によって測定して前記フォトマスクを作製するフォトマスク作製システムにおいて、
前記描画装置は、
前記フォトマスクが露光装置のマスクステージ上で保持された際に前記フォトマスクが歪むことによって生じる前記フォトマスク面内のパターン位置の位置変動量に基づいて、前記位置変動量を解消するパターン位置へパターンを描画するよう自装置を校正する校正部を備え、
前記位置測定装置は、
校正された描画装置によってフォトマスクに描画されたパターンのパターン位置を測定し、測定した前記パターン位置を、当該パターン位置に前記位置変動量を加算した新たなパターン位置に換算した測定結果を出力する位置測定部と、
前記位置測定部による測定結果に基づいて、基準となるパターン位置からの前記フォトマスクに描画されたパターンの位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部と、
を備えることを特徴とするフォトマスク作製システム。
【請求項４】
描画装置によってフォトマスクにパターンの描画を行うとともに、前記描画装置によって描画されたパターンのフォトマスク面内のパターン位置を位置測定装置によって測定して前記フォトマスクを作製するフォトマスク作製システムにおいて、
前記描画装置は、
前記フォトマスクが露光装置のマスクステージ上で保持された際に前記フォトマスクが歪むことによって生じる前記フォトマスク面内のパターン位置の位置変動量に基づいて、前記位置変動量を解消するパターン位置へパターンを描画するよう自装置を校正する校正部を備え、
前記位置測定装置は、
校正された描画装置によってフォトマスクに描画されたパターンのパターン位置を測定する位置測定部と、
前記位置測定部が測定したパターン位置を、当該パターン位置に前記位置変動量を加算した新たなパターン位置に換算する換算部と、
前記換算部が換算した新たなパターン位置に基づいて、基準となるパターン位置からの前記フォトマスクに描画されたパターンの位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部と、
を備えることを特徴とするフォトマスク作製システム。
【請求項５】
請求項１または２に記載のフォトマスク作製方法によって作製されたフォトマスクを用いて作製されることを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク作製方法、フォトマスク作製システムおよび半導体デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの製造工程では、所定のパターン（回路パターンなど）が形成されたフォトマスク（露光用マスク）を露光装置のマスクステージ上で保持し、このフォトマスクのパターンをウェハ上に縮小転写してウェハ上に回路パターンなどを形成する方法が用いられている。
【０００３】
このようなフォトマスクは、マスクステージ上に載せられた状態で、フォトマスクへのパターン描画、描画したパターンの位置測定、ウェハへの露光処理などが行われる。例えば、フォトマスクの製造工程では、位置測定装置（パターン位置を測定する装置）が、フォトマスクに強制力を与えることなくフォトマスクを載置した状態でフォトマスク上のパターン位置を測定している。このとき、位置測定装置では、位置測定を行なう際に用いる測定パラメータＨを校正することによって、位置測定装置自体の製造誤差等に起因する測定誤差を除去し、測定誤差を除去した理想座標系での位置測定を行なっている。そして、理想座標系での測定結果に基づいて、フォトマスクに描画されたパターンの位置精度が評価されている。また、描画装置（フォトマスクのパターンを描画する装置）は、フォトマスクに強制力を与えることなくフォトマスクを載置した状態で、位置測定装置が作成した描画位置校正パラメータ（理想座標系に従った校正パラメータ）を用いてフォトマスクのパターン描画を行なっている。
【０００４】
ところが、上記のようにして作製されたフォトマスクを用いてウェハへの露光を行う際には、露光装置が真空チャックなどを用いてフォトマスクをマスクステージ上で保持するので、この保持の際に生じる強制力によってフォトマスクが歪み、その結果、転写後のウェハパターンの位置精度が低下する。このため、露光工程でフォトマスクを保持する際に発生するウェハパターンの位置精度の低下を改善する必要が生じてきた。
【０００５】
ウェハパターンの位置精度の低下を改善するために、特許文献１に記載の方法では、露光装置がフォトマスクをマスクステージで保持した際に生じるフォトマスクのパターンの位置変動を予め予測している。そして、フォトマスクにパターン描画を行う際には、予測した位置変動を打ち消すようにパターン位置を補正してパターン描画している。
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術では、露光時に発生する位置変動を補正するよう描画位置のみの補正を行なってフォトマスクを作製しているので、理想座標系を基準とした位置測定装置でフォトマスクの位置精度を評価した場合に不良品と判断される場合がある。また、フォトマスクの位置精度保証規格を緩和して良品と判断した場合、露光時に発生する位置変動以外の要因によるパターン位置変動を見落とすことになり、高い位置精度を保証できていなかった。このように、上記従来の技術では、高い位置精度を保証したフォトマスクを作製することができないという問題があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−３９２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高い位置精度を有したパターンをウェハ上に転写できるフォトマスクを作製するフォトマスク作製方法、フォトマスク作製システムおよび半導体デバイスを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明の一態様によれば、描画装置によってフォトマスクにパターンの描画を行うとともに、前記描画装置によって描画されたパターンのフォトマスク面内のパターン位置を位置測定装置によって測定して前記フォトマスクを作製するフォトマスク作製方法において、前記フォトマスクが露光装置のマスクステージ上で保持された際に前記フォトマスクが歪むことによって生じる前記フォトマスク面内のパターン位置の位置変動量を解消するパターン位置へパターンを描画するよう前記描画装置を校正するとともに測定したパターン位置の測定結果に前記位置変動量を加算するよう前記位置測定装置を校正する校正ステップと、校正された描画装置によってフォトマスクに描画されたパターンのパターン位置を、校正された位置測定装置が測定する位置測定ステップと、を含み、前記校正された位置測定装置が測定したパターン位置の測定結果に基づいて、基準となるパターン位置からの前記フォトマスクに描画されたパターンの位置ずれ量を算出するとともに、算出した位置ずれ量に基づいて、前記フォトマスクに描画されたパターンの位置精度を判定することを特徴とするフォトマスク作製方法が提供される。
【００１０】
また、本願発明の一態様によれば、描画装置によってフォトマスクにパターンの描画を行うとともに、前記描画装置によって描画されたパターンのフォトマスク面内のパターン位置を位置測定装置によって測定して前記フォトマスクを作製するフォトマスク作製方法において、前記フォトマスクが露光装置のマスクステージ上で保持された際に前記フォトマスクが歪むことによって生じる前記フォトマスク面内のパターン位置の位置変動量を解消するパターン位置へパターンを描画するよう前記描画装置を校正する校正ステップと、校正された描画装置によってフォトマスクに描画されたパターンのパターン位置を、前記位置測定装置が測定する位置測定ステップと、を含み、前記位置測定装置が測定したパターン位置を、当該パターン位置に前記位置変動量を加算した新たなパターン位置に換算するとともに、換算した新たなパターン位置に基づいて、基準となるパターン位置からの前記フォトマスクに描画されたパターンの位置ずれ量を算出し、算出した位置ずれ量に基づいて、前記フォトマスクに描画されたパターンの位置精度を判定することを特徴とするフォトマスク作製方法が提供される。
【００１１】
また、本願発明の一態様によれば、描画装置によってフォトマスクにパターンの描画を行うとともに、前記描画装置によって描画されたパターンのフォトマスク面内のパターン位置を位置測定装置によって測定して前記フォトマスクを作製するフォトマスク作製システムにおいて、前記描画装置は、前記フォトマスクが露光装置のマスクステージ上で保持された際に前記フォトマスクが歪むことによって生じる前記フォトマスク面内のパターン位置の位置変動量に基づいて、前記位置変動量を解消するパターン位置へパターンを描画するよう自装置を校正する校正部を備え、前記位置測定装置は、校正された描画装置によってフォトマスクに描画されたパターンのパターン位置を測定し、測定した前記パターン位置を、当該パターン位置に前記位置変動量を加算した新たなパターン位置に換算した測定結果を出力する位置測定部と、前記位置測定部による測定結果に基づいて、基準となるパターン位置からの前記フォトマスクに描画されたパターンの位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部と、を備えることを特徴とするフォトマスク作製システムが提供される。
【００１２】
また、本願発明の一態様によれば、描画装置によってフォトマスクにパターンの描画を行うとともに、前記描画装置によって描画されたパターンのフォトマスク面内のパターン位置を位置測定装置によって測定して前記フォトマスクを作製するフォトマスク作製システムにおいて、前記描画装置は、前記フォトマスクが露光装置のマスクステージ上で保持された際に前記フォトマスクが歪むことによって生じる前記フォトマスク面内のパターン位置の位置変動量に基づいて、前記位置変動量を解消するパターン位置へパターンを描画するよう自装置を校正する校正部を備え、前記位置測定装置は、校正された描画装置によってフォトマスクに描画されたパターンのパターン位置を測定する位置測定部と、前記位置測定部が測定したパターン位置を、当該パターン位置に前記位置変動量を加算した新たなパターン位置に換算する換算部と、前記換算部が換算した新たなパターン位置に基づいて、基準となるパターン位置からの前記フォトマスクに描画されたパターンの位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部と、を備えることを特徴とするフォトマスク作製システムが提供される。
【００１３】
また、本願発明の一態様によれば、前記フォトマスク作製方法によって作製されたフォトマスクを用いて作製されることを特徴とする半導体デバイスが提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高い位置精度を有したパターンをウェハ上に転写できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明に係るフォトマスク作製方法、フォトマスク作製システムおよび半導体デバイスの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１６】
（第１の実施の形態）
まず、第１の実施の形態に係るフォトマスク作製方法の概念について説明する。図１は、第１の実施の形態に係るフォトマスク作製方法の概念を説明するための説明図である。フォトマスク作製システム１では、露光装置２がフォトマスク１１を保持した際に発生するパターン歪みを補正するよう、描画装置４がマスク基板（ブランクス）にパターンを描画して、フォトマスク１１を作製する。さらに、本実施の形態では、位置測定装置３は、作製されたフォトマスク１１のパターン位置を測定する際に、露光装置２がフォトマスク１１を保持した際に発生するパターン歪みを補正してフォトマスク１１上のパターン位置を測定する。これにより、フォトマスク作製システム１では、露光時のフォトマスク１１のパターンの位置変動を考慮してフォトマスク１１上のパターンの歪みを検査し、フォトマスク１１の位置精度保証を行う。
【００１７】
具体的には、フォトマスク作製システム１の露光装置２が、露光装置２のマスクステージでフォトマスク１１（マスク基板）を保持した際の、フォトマスク１１の撓み量を見積もる（１）。そして、この撓みに起因して生じる、基準となるパターン位置（設計値や理論値などに基づく位置）（基準設計位置）からのフォトマスク１１のパターンの位置変動量（歪み量）（パターン位置歪マップ）Ｐを、位置測定装置３などによって算出しておく。この位置変動量Ｐは、フォトマスク１１を用いて露光した場合にウェハ上に形成されるパターンの位置ずれ量に略対応している。なお、ここではフォトマスク作製システム１が露光装置２を有している場合について説明したが、フォトマスク作製システム１と露光装置２とを別々の構成としてもよい。
【００１８】
位置測定装置３は、算出した位置変動量Ｐを補正するための、フォトマスク１１の位置校正パラメータＢを作成（算出）する（２）。そして、描画装置４では、位置測定装置３が作成した位置校正パラメータＢを用いて校正を行う。さらに、本実施の形態では、位置測定装置３が位置校正パラメータＢを用いて校正を行う（３）。描画装置４は、フォトマスク１１を描画する際に用いる描画パラメータＧ（図示せず）を補正することによって校正され、位置測定装置３は、フォトマスク１１のパターンの位置を測定する際に用いる測定パラメータＨ（図示せず）を補正することによって校正される。
【００１９】
この後、描画装置４では、マスク基板にパターンを描画することによってフォトマスク１１を作製する（４）。そして、位置測定装置３は、描画装置４で作製されたフォトマスク１１のパターン位置を測定し、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置ずれ情報（位置偏差や位置ずれ量など）Ｑを算出する（５）。位置ずれ情報Ｑは、基準となるパターン位置（基準設計位置）（後述の目標位置情報）からのずれ量に関する情報である。さらに、位置測定装置３は、算出した位置ずれ情報Ｑに基づいて、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置精度を判定しパターン位置を評価する（６）。そして、フォトマスク１１に描画されたパターンを良品と判定した場合には、このフォトマスク１１を用いて所定のデバイス（ＣＭＯＳなどの半導体装置）を作製する（７）。
【００２０】
なお、（３）で説明した、位置測定装置３による位置校正パラメータＢを用いた校正は、描画装置４で作製されたフォトマスク１１のパターン位置を測定する処理（５）の前であれば何れのタイミングで行なってもよい。
【００２１】
つぎに、第１の実施の形態に係るフォトマスク作製システムの構成について説明する。図２は、第１の実施の形態に係るフォトマスク作製システムの構成を示す図である。フォトマスク作製システム１は、位置測定装置３、描画装置４を含んで構成されている。
【００２２】
デバイス作製システム５の露光装置２は、フォトマスク１１を用いてウェハへの露光処理を行う装置であり、フォトマスク１１を保持するマスクステージ（図示せず）を備えている。露光装置２は、マスクステージに載置したフォトマスク１１を真空チャックなどによって保持する。露光装置２では、露光装置２がマスクステージでフォトマスク１１を保持する際の、フォトマスク１１の撓み量を見積もっておく。この撓み量の見積もりは、露光装置２の種類やマスク基板に関する情報に基づいて予測してもよいし、実際にフォトマスク１１が保持された状態でのフォトマスク１１の撓み量を測定してもよい。
【００２３】
位置測定装置３は、フォトマスク１１のパターン位置を測定する装置である。位置測定装置３は、フォトマスク１１の撓みに起因して生じるパターンの位置変動量Ｐ（露光装置２のフォトマスク１１の保持に起因する位置変動量Ｐ）を算出する。位置測定装置３は、露光装置２によって見積もられたフォトマスク１１の撓み量に基づいて、位置変動量Ｐを算出する。また、実際にフォトマスク１１によってウェハへの露光処理を行い、パターン形成された後（現像後やエッチング後）のウェハを用いて位置測定装置３が位置変動量Ｐを算出してもよい。位置測定装置３は、算出した位置変動量Ｐを解消（相殺）するよう測定位置を補正するための位置校正パラメータＢを作成する。位置測定装置３は、フォトマスク１１のパターン位置を測定する前に、予め位置校正パラメータＢを用いて校正（位置を測定する際の測定パラメータＨの補正）を行なっておく。換言すると、位置測定装置３は、測定したパターン位置の測定結果に位置変動量Ｐが加算されるよう自装置を校正しておく。
【００２４】
また、位置測定装置３は、描画装置４で作製されたフォトマスク１１のフォトマスク面内に形成されているパターンのパターン位置を測定し、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置ずれ情報Ｑを算出する。位置測定装置３は、算出した位置ずれ情報Ｑに基づいて、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置精度を評価（良否判定）する。
【００２５】
描画装置４は、マスク基板にパターンの描画を行なうことによってフォトマスク１１を作製する装置（電子ビーム描画装置など）である。描画装置４は、フォトマスク１１を作成する前に、位置測定装置３で作成された位置校正パラメータＢを用いて予め校正を行なっておく。描画装置４は、図示しない校正部を備えており、この校正部によって、位置校正パラメータＢを用いた校正をする。換言すると、描画装置４は、位置変動量Ｐを解消するパターン位置へパターンを描画するよう自装置を校正する。
【００２６】
デバイス作製システム５は、描画装置４で作製されたフォトマスク１１を用いてデバイス９を作製するシステムであり、例えば薄膜の生成装置、レジストの塗布装置、露光装置２、エッチング装置などを有している。
【００２７】
フォトマスク作製システム１で用いるマスク基板は、例えば６インチ角（１５２ｍｍ角）で厚さ約６ｍｍの石英基板（透明基板）と、この石英基板上に設けられたＡｒＦハーフトーン膜と、このＡｒＦハーフトーン膜上に設けられたＣｒ膜と、を有している。
【００２８】
なお、ここでは位置測定装置３が位置変動量Ｐを算出する場合について説明したが、位置変動量Ｐは、他の情報処理装置が算出してもよい。以下では、他の情報処理装置が位置変動量Ｐを算出して位置測定装置３に入力する場合について説明する。
【００２９】
つぎに、位置測定装置３の詳細な構成について説明する。図３は、位置測定装置の構成を示すブロック図である。位置測定装置３は、露光情報入力部３１、位置測定部３２、位置校正パラメータ作成部３３、位置情報記憶部３４、位置ずれ量算出部３５、位置精度判定部３６、結果出力部３７、制御部３８を有している。
【００３０】
露光情報入力部３１へは、露光装置２でフォトマスク１１を保持する際に生じるパターンの位置変動量Ｐが入力される。位置校正パラメータ作成部３３は、露光情報入力部３１に入力されたパターンの位置変動量Ｐに基づいて、パターンの位置変動を補正するための位置校正パラメータＢを作成する。
【００３１】
位置情報記憶部３４は、フォトマスク１１のパターン位置（描画データで定義された理論値）に関する目標位置情報、位置校正パラメータ作成部３３で作成された位置校正パラメータＢ、位置ずれ情報Ｑなどを算出する際に用いる基準設計位置、位置ずれの判定基準となる閾値、後述の位置校正パラメータＡなどを記憶する。
【００３２】
位置測定部３２は、位置情報記憶部３４が記憶する位置校正パラメータＡ，Ｂを用いてフォトマスク１１のパターン位置を測定する。位置校正パラメータＢは、露光装置２がフォトマスク１１を保持した際に発生するパターン歪みを補正した状態でパターン位置の測定結果を得ることができるよう、測定パラメータＨを補正するためのパラメータである。位置測定部３２は、測定したパターン位置を、当該パターン位置に位置変動量Ｐを加算した新たなパターン位置に換算して位置情報記憶部３４などへ出力する。
【００３３】
位置ずれ量算出部３５は、位置情報記憶部３４が記憶する目標位置情報と、位置測定部３２が測定したパターン位置（実測値）と、に基づいて、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置ずれ情報Ｑを算出する。
【００３４】
位置精度判定部３６は、位置ずれ量算出部３５が算出した位置ずれ情報Ｑと、位置情報記憶部３４が記憶する位置ずれ判定の閾値と、に基づいて、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置精度を評価（パターンの良否判定）する。結果出力部３７は、位置精度判定部３６の評価結果（判定結果）を出力する。
【００３５】
制御部３８は、露光情報入力部３１、位置測定部３２、位置校正パラメータ作成部３３、位置情報記憶部３４、位置ずれ量算出部３５、位置精度判定部３６、結果出力部３７を制御する。
【００３６】
また、位置測定装置３は、図示しないマスクステージを備えている。ここで、位置測定装置３のマスクステージの構成について説明する。マスク基板は、ウェハと比較すると非常に厚いので製造誤差が大きい。また、フォトマスク１１は、製造誤差に起因して個々のマスク基板に固有の撓みを内在している。このようなフォトマスクに真空チャックなどによって強制力を与えると、フォトマスク１１面内でフォトマスク１１の撓みに依存したパターンの歪みを生じさせることとなる。換言すると、フォトマスク１１に変形がない場合（チャック前）と、フォトマスク１１に変形がある場合（チャック後）とでは、フォトマスク１１の平坦度が３次元的に変化し、結果としてフォトマスク１１面内のパターンの位置にずれが生じる。このため、本実施の形態では、位置測定装置３のマスク保持ステージは、フォトマスク１１や後述の校正用マスク５１に対して強制力を与えないで保持する載置構造（自由端保持構造）を有している。これにより、位置測定装置３では、各フォトマスク１１に固有の撓みに影響されることなくパターンの位置を測定できる。
【００３７】
つぎに、第１の実施の形態に係るフォトマスク１１の作製手順について説明する。図４は、第１の実施の形態に係るフォトマスク作製手順を示すフローチャートである。まず、位置測定装置３では、位置測定装置３自体の製造誤差等によって生じるパターンの歪み（装置固有の測定誤差）を補正する処理を行う（ステップＳ１０）。
【００３８】
具体的には、位置測定装置３は、位置測定装置３自体の製造誤差等によって生じるパターンの歪みを補正するための位置校正パラメータＡによって位置測定装置３の校正を行う。図５−１および図５−２は、位置測定装置の校正方法を説明するための図である。図５−１では、フォトマスク１１がフォトマスク１１面内で回転されることなく、マスクステージ上に載置された場合のフォトマスク１１上の測定点を示している。また、図５−２では、フォトマスク１１がフォトマスク１１面内で１８０度回転された状態で、マスクステージ上に載置された場合のフォトマスク１１上の測定点を示している。
【００３９】
まず、図５−１に示すように、位置測定装置３は、校正用のフォトマスク（校正用マスク５１）を位置測定装置３のマスクステージ上（０度方向）に載置する。校正用マスク５１は、位置評価パターンがフォトマスク面内の複数の箇所（例えば４すみ）に形成されたフォトマスクである。位置測定装置３は、校正用マスク５１上に複数配置された位置評価パターンの位置測定を順番に行う。
【００４０】
位置測定部３２によって校正用マスク５１上にある所定の測定点（１点目）を位置測定すると、その測定結果（Ｘ，Ｙ）は、位置測定装置３の座標系（位置測定装置座標系Ｌｘ，Ｌｙ）と、理想座標系であるフォトマスク１１の設計上の座標系（マスク設計座標系Ｍｘ，Ｍｙ）と、を足し合わせた式（１）によって示すことができる。ここでの、（Ｘ，Ｙ）は、位置測定装置座標系Ｌｘ，Ｌｙの原点を基準とした座標である。また、（ｘ１，ｙ１）は位置測定装置座標系Ｌｘ，Ｌｙの座標であり、（ｘ２，ｙ２）は、マスク設計座標系Ｍｘ，Ｍｙの座標である。
【００４１】
Ｘ＝（ｘ１・Ｌｘ）＋（ｘ２・Ｍｘ）＝ａｘ・Ｌｘ
Ｙ＝（ｙ１・Ｌｙ）＋（ｙ２・Ｍｙ）＝ａｙ・Ｌｙ
・・・（１）
【００４２】
さらに、図５−２に示すように、位置測定部３２は、校正用マスク５１の保持方向を、校正用マスク５１の主面と平行な面内で校正用マスク５１の中心点Ｃを中心に１８０度方向変化させて、位置評価パターンの位置測定を行う。校正用マスク５１の保持方向を、１８０度回転させると、測定点の（ｘ２，ｙ２）が（ｙ２，ｘ２）になる。したがって、位置測定部３２による測定結果は、式（１）と同様に式（２）によって示すことができる。
【００４３】
Ｘ＝（ｘ１・Ｌｘ）＋（ｙ２・Ｍｘ）＝ｂｘ・Ｌｘ
Ｙ＝（ｙ１・Ｌｙ）＋（ｘ２・Ｍｙ）＝ｂｙ・Ｌｙ
・・・（２）
【００４４】
式（１）と式（２）を比較すると、その差分（ｂｘ−ａｘ）はマスク設計座標系Ｍｘ，Ｍｙの（ｙ２−ｘ２）に対応する値となる。しかしながら、位置測定装置３自体に製造誤差等があるので、実際の測定値には、所定の差分（測定誤差）が生じることとなる。
【００４５】
同様に、位置測定部３２は、校正用マスク５１の保持方向を、校正用マスク５１の主面と平行な面内で９０度方向、２７０度方向に変化させて、位置評価パターンの位置測定を行ない、０度方向での測定結果と比較すると、それぞれの保持方向で所定の差分が生じることになる。
【００４６】
また、位置測定部３２によって構成用マスク上にある測定点（２点目〜ｎ（ｎは自然数）点目）を測定すると、各測定点の０度方向、９０度方向、１８０度方向、２７０度方向の４方向で所定の差分が生じることとなる。
【００４７】
このように、位置測定部３２は、校正用マスク５１上の複数点でパターン位置を測定することによって、マスク設計座標系に対する差分のデータ（校正用マスク５１上の面内分布）を取得する。
【００４８】
図６は、位置校正パラメータの算出方法の概念を説明するための図である。位置校正パラメータ作成部３３は、差分データを多項式近似して、各マスク保持方向間の測定結果のばらつきが最小となるような位置校正パラメータＡを作成（算出）する。換言すると、４方向でフォトマスク１１を保持した場合に、同一の位置測定結果が得られるよう位置校正パラメータ（第１の校正パラメータ）Ａを作成する。すなわち、位置校正パラメータ作成部３３は、フォトマスク１１を回転させることによって、本来移動すべき位置のデータ（位置測定装置３に製造誤差が無い場合に測定されるはずのデータ）と、位置測定部３２によって実際に測定された位置のデータと、で生じる差分ができるだけ小さくなるよう、位置測定装置３の位置測定装置座標系を換算する。そして、位置校正パラメータ作成部３３は、作成した位置校正パラメータＡを、位置情報記憶部３４に記憶させておく。
【００４９】
位置校正パラメータ作成部３３では、作成した位置校正パラメータＡを適用した測定座標系を新たな理想座標系と定義する。換言すると、位置校正パラメータ作成部３３では、位置校正パラメータＡによって位置測定用の測定パラメータＨを校正する。この測定パラメータＨの校正によって、位置測定装置３では、フォトマスク１１をマスクステージ上に載置した際のフォトマスク１１の姿勢差を含んだ校正を行うことができる。フォトマスク１１の姿勢差は、例えばフォトマスク１１が傾斜した状態で載置されることによるパターン位置のずれや、フォトマスク１１がフォトマスク１１面内で回転した状態で載置されることによるパターン位置のずれなどである。これにより、位置測定装置３では、位置測定装置３の製造誤差等によって生じる位置測定値の直交度成分誤差、Ｘ方向成分誤差、Ｙ方向成分誤差等の位置誤差を除去して、フォトマスク１１の保持の仕方（保持に起因するパターン位置のずれ）に依存しない位置測定を行うことが可能となる。
【００５０】
（ステップＳ２０）
つぎに、描画装置４は、位置測定装置３で定義した理想座標系に従うよう、位置校正パラメータＡによって描画装置４の校正を行う。このとき、位置校正パラメータＡをそのまま描画装置４の校正に用いることができない場合は、位置校正パラメータＡを描画装置４に応じたパラメータに変換し、変換したパラメータを用いて描画装置４の校正を行う。
【００５１】
（ステップＳ２５）
位置測定装置３では、露光装置２でフォトマスク１１を保持した際のフォトマスク１１の撓みに起因するパターンの位置変動量Ｐ（転写後のパターン位置偏差など）を予測する。この位置変動量Ｐの予測は、露光装置２で予測してもよいし、露光装置２や位置測定装置３以外の装置を用いて予測してもよい。そして、位置測定装置３の位置校正パラメータ作成部３３は、予測したパターンの位置変動量Ｐを相殺するような位置校正パラメータＢ（第２の校正パラメータ）を作成する。この位置校正パラメータＢが、露光時に発生する位置変動量Ｐを補正するためのパラメータとなる。位置校正パラメータ作成部３３は、作成した位置校正パラメータＢを、位置情報記憶部３４に記憶させておく。
【００５２】
（ステップＳ３０）
描画装置４では、理想座標系に従うよう位置校正パラメータＡによって補正された描画パラメータＧを、位置校正パラメータＢによってさらに補正することにより、描画装置４を追加校正する。換言すると、描画装置４では、位置校正パラメータＡと位置校正パラメータＢとを合わせたパラメータによって描画パラメータＧの補正を行う。
【００５３】
（ステップＳ４０，Ｓ５０）
この後、追加校正された描画装置４を用いて所望のパターンをマスク基板（位置校正パラメータＢを作成する際に用いたマスク基板）上に描画するとともに、マスク基板に対して現像やエッチングなどのパターン形成のプロセス処理を施してマスク基板上にパターンを形成する。具体的には、描画装置４によってパターン描画されたマスク基板を、ＰＥＢ（Post  Ｅxposure  Ｂake）および現像処理を行ってマスク基板上にレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクにして、エッチング装置により、Ｃｒ膜とハーフトーン膜をエッチングし、フォトマスク１１を作製する。
【００５４】
（ステップＳ６０）
理想座標系に従うように校正された位置測定装置３では、位置校正パラメータ作成部３３が、描画装置４の追加校正に用いた位置校正パラメータＢを用いて測定パラメータＨの追加校正を行う。換言すると、位置校正パラメータ作成部３３は、位置校正パラメータＡと位置校正パラメータＢとを合わせたパラメータによって測定パラメータＨの補正を行う。
【００５５】
（ステップＳ７０）
次に、位置校正パラメータＡ，Ｂによって追加校正された位置測定装置３は、作製されたフォトマスク１１のパターン位置を位置測定部３２によって測定する。ここでの位置測定装置３が測定したパターン位置の測定結果は、位置測定装置３が位置校正パラメータＢによって校正された後の測定結果であるので、位置測定装置３による測定結果はフォトマスク１１のパターン位置を位置変動量Ｐに基づいて補正した値に対応する。
【００５６】
（ステップＳ８０）
さらに、位置ずれ量算出部３５は、位置測定部３２によって測定されたパターン位置と、描画データで定義された目標位置情報と、に基づいてフォトマスク１１に描画されたパターンの位置ずれ情報Ｑを算出する。
【００５７】
（ステップＳ９０）
位置精度判定部３６は、算出した位置ずれ情報Ｑと、位置情報記憶部３４が記憶する位置ずれ判定の閾値と、に基づいて、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置精度を評価する。結果出力部３７は、位置精度判定部３６の評価結果を出力する。デバイス作製システム５は、フォトマスク１１に描画されたパターンが良品である場合には、作製したフォトマスク１１を用いて所定のデバイス（半導体デバイス）を作製する。
【００５８】
具体的には、まずデバイスの作製に用いるウェハ上にレジストを塗布しておく。そして、露光装置２に、作製したフォトマスク１１およびウェハをセットし、ウェハ上に塗布されたレジストをフォトマスク１１を介して露光する。その後、ウェハに対して現像処理等の通常のレジストプロセスを行なって、ウェハ上にレジストパターンを形成する。
【００５９】
次に、レジストパターンをマスクにしてウェハをエッチングし、ウェハ上にデバイスパターンを形成する。この後、膜生成、露光、現像、エッチングなどの処理を繰り返すことによって、ウェハ上に素子分離溝、トランジスタ、配線、電極、コンタクトホール等のパターンを順番に形成していく。このとき、露光によって各デバイスパターンを形成する際には、デバイスパターンに応じたフォトマスク１１を用いる。したがって、デバイスを作製する際には、複数枚（複数種類）のフォトマスク１１を用いる。これにより、ウェハ上には、複数に積層されたデバイスパターン（多層パターン）が形成されることになる。
【００６０】
なお、本実施の形態では、位置測定装置３が位置校正パラメータＡ，Ｂを作成したが、ＰＣ（Personal  Computer）などの所定の情報処理装置が、位置校正パラメータＡ，Ｂを作成してもよい。また、所定の情報処理装置が、位置測定装置３によって測定されたパターン位置と、描画データで定義された目標位置情報と、に基づいてフォトマスク１１に描画されたパターンの位置ずれ情報Ｑを算出してもよい。さらに、所定の情報処理装置が、位置ずれ情報Ｑに基づいてフォトマスク１１に描画されたパターンの位置精度を評価してもよい。
【００６１】
また、本実施の形態では、露光装置２が、露光装置２のマスクステージでフォトマスク１１を保持した際のフォトマスク１１の撓み量を見積もる場合について説明したが、露光装置２以外の情報処理装置によってフォトマスク１１の撓み量を算出してもよい。
【００６２】
なお、本実施の形態では、位置測定装置３の理想座標系への校正や描画装置４の理想座標系への校正を、１枚のマスク基板を製造する度に実施する場合について説明したが、位置測定装置３の理想座標系への校正や描画装置４の理想座標系への校正は任意のタイミングで行ってもよい。例えば、位置測定装置３や描画装置４の安定性に従って所定回数に１回の割合で校正を行なってもよいし、１日に１回の割合で校正を行ってもよい。
【００６３】
また、本実施の形態では、校正用マスク５１上の位置評価パターンの位置測定を行う際に、校正用マスク５１の保持方向を、０度方向、９０度方向、１８０度方向、２７０度方向の４方向に回転させて、位置測定を行っているが、回転方向は３方向以下であってもよいし、５方向以上であってもよい。例えば、校正精度等に応じて、校正用マスク５１の保持方向を０度と９０度などの２方向で校正してもよい。また、校正精度を向上するために複数枚の校正用マスク５１を用いて、位置校正パラメータＡを作成してもよい。
【００６４】
また、本実施の形態では、位置校正パラメータＡを用いて予め位置測定装置３や描画装置４の製造誤差を補正するための校正を行うこととしたが、位置測定装置３や描画装置４の製造誤差を補正するための校正を省略してもよい。
【００６５】
このように、第１の実施の形態では、露光時に発生する位置変動量Ｐを補正する位置校正パラメータＢによって描画装置４を追加校正している。また、位置校正パラメータＢによって位置測定装置３を追加校正している。
【００６６】
したがって、第１の実施の形態によれば、位置測定装置３は、露光装置２がフォトマスク１１を保持した際に発生するフォトマスク１１の撓み以外の要因（フォトマスク１１の温度膨張など）によってパターン位置が変動した場合であっても、本来描画されるべきパターン位置からの位置変動を測定できる。これにより、フォトマスク１１のパターン位置を正確に測定できるので、フォトマスク１１の位置精度を正確に評価することが可能となる。また、フォトマスク１１を用いてウェハに露光を行うことによって、ウェハへは正確な位置を有したパターンを形成できるので、ウェハ上に歪みのないデバイスを作製することが可能となる。
【００６７】
（第２の実施の形態）
つぎに、図７および図８を用いてこの発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態では、作製したフォトマスク１１のパターン位置を位置測定装置３で測定した後、測定後のパターン位置を位置校正パラメータＢに応じた位置に換算してパターン位置の位置精度を評価する。
【００６８】
まず、第２の実施の形態に係るフォトマスク作製方法の概念について説明する。図７は、第２の実施の形態に係るフォトマスク作製方法の概念を説明するための説明図である。なお、図７の各構成要素のうち図１に示す第１の実施の形態のフォトマスク作製方法で用いる構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
【００６９】
まず、露光装置２が、露光装置２のマスクステージでフォトマスク１１を保持した際の、フォトマスク１１の撓み量を見積もる（１１）。位置測定装置３では、この撓みに起因して生じるフォトマスク１１のパターンの位置変動量Ｐを算出し、位置変動量Ｐを補正するための位置校正パラメータＢを算出する（１２）。描画装置４では、算出された位置校正パラメータＢを用いて校正を行う（１３）。
【００７０】
この後、描画装置４では、マスク基板にパターンを描画することによってフォトマスク１１を作製する（１４）。そして、位置測定装置３は、描画装置４で作製されたフォトマスク１１のパターン位置を測定する。さらに、本実施の形態の位置測定装置３は、測定したパターン位置を、位置校正パラメータＢで補正する。換言すると、位置測定装置３は、測定したパターン位置を、位置校正パラメータＢの座標系へ換算する（１５）。第１の実施の形態と同様に、位置測定装置３は、予め位置校正パラメータＡによって校正を行なっておくので、フォトマスク１１のパターン位置（測定結果）は、第１の実施の形態で説明した位置校正パラメータＡ，Ｂで補正されたこととなる。
【００７１】
この後、位置測定装置３は、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置ずれ情報Ｑを算出する（１６）。さらに、位置測定装置３は、算出した位置ずれ情報Ｑに基づいて、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置精度を判定しパターン位置を評価する（１７）。そして、フォトマスク１１に描画されたパターンを良品と判定した場合には、このフォトマスク１１を用いて所定のデバイスを作製する（１８）。
【００７２】
つぎに、第２の実施の形態に係るフォトマスク１１の作製手順について説明する。図８は、第２の実施の形態に係るフォトマスク作製手順を示すフローチャートである。なお、図８に示す手順のうち、図４に示した第１実施の形態に係るフォトマスクの作製手順と同様の処理を行う手順についてはその説明を省略する。なお、第２の実施の形態に係るフォトマスク１１の作製処理は、図４に示した第１の実施の形態のフォトマスク作製処理のステップＳ１０〜Ｓ５０まで同じ処理を行う。
【００７３】
（ステップＳ１１０）
位置測定装置３では、位置測定装置３自体の製造誤差等によって生じるパターンの歪みを補正するため、校正用マスク５１を用いて位置校正パラメータＡを算出する。そして、位置測定装置３は、位置校正パラメータＡを用いて位置測定装置３の校正を行う。位置測定装置３では、算出した位置校正パラメータＡを適用した測定座標系を新たな理想座標系と定義する。
【００７４】
（ステップＳ１２０，Ｓ１２５）
つぎに、描画装置４は位置測定装置３で定義した理想座標系に従うよう、位置校正パラメータＡによって描画装置４を校正する（ステップＳ１２０）。さらに、露光装置２では、露光装置２でフォトマスク１１を保持した際のフォトマスク１１の撓みに起因するパターンの位置変動量Ｐを予測する。そして、位置測定装置３の位置校正パラメータ作成部３３は、予測したパターンの位置変動量Ｐを相殺するための位置校正パラメータＢを作成する（ステップＳ１２５）。
【００７５】
（ステップＳ１３０〜Ｓ１５０）
描画装置４では、理想座標系に従うよう位置校正パラメータＡによって補正された測定パラメータＨを位置校正パラメータＢによってさらに補正することにより、描画装置４を追加校正する（ステップＳ１３０）。この後、追加校正された描画装置４を用いて所望のパターンをマスク基板上に描画してマスク基板上にパターンを形成する（ステップＳ１４０，Ｓ１５０）。ここでのステップＳ１１０〜Ｓ１５０までの処理が、図４で説明したステップＳ１０〜Ｓ５０までの処理に対応している。
【００７６】
（ステップＳ１６０，Ｓ１７０）
次に、位置測定装置３は、作製されたフォトマスク１１のパターン位置を位置測定部３２によって測定する（ステップＳ１６０）。そして、本実施の形態では、位置ずれ量算出部３５が、パターン位置の測定結果を位置校正パラメータＢに応じた測定位置となるよう換算する。これにより、位置ずれ量算出部３５は、測定結果（パターン位置）を、位置校正パラメータＢによって形成される座標系に従うよう換算する（ステップＳ１７０）。
換言すると、位置ずれ量算出部３５は、測定したパターン位置を、当該パターン位置に位置変動量Ｐを加算した新たなパターン位置に換算する。以上の処理により、フォトマスク１１のパターンは、第１の実施の形態で説明した位置校正パラメータＡ，Ｂで補正されたこととなる。換言すると、換算後の測定結果は、位置校正パラメータＢを用いた換算であるので、フォトマスク１１のパターン位置を位置変動量Ｐに基づいて補正した値に対応する。
【００７７】
（ステップＳ１８０）
位置ずれ量算出部３５は、位置校正パラメータＢを用いて換算された後のパターン位置（測定結果）と、描画データで定義された目標位置情報と、に基づいてフォトマスク１１に描画されたパターンの位置ずれ情報Ｑを算出する。
【００７８】
（ステップＳ１９０）
さらに、位置精度判定部３６は、算出した位置ずれ情報Ｑと、位置情報記憶部３４が記憶する位置ずれ判定の閾値と、に基づいて、フォトマスク１１に描画されたパターンの位置精度を評価する。この後、第１の実施の形態での処理と同様に、結果出力部３７は、位置精度判定部３６の評価結果を出力する。そして、フォトマスク１１に描画されたパターンが良品である場合には、作製したフォトマスク１１を用いて所定のデバイスを作製する。
【００７９】
なお、本実施の形態では、位置測定装置３がフォトマスク１１のパターン位置の測定を行う前に位置校正パラメータＡを用いて校正を行なったが、位置校正パラメータＡを用いた校正を省略してもよい。この場合、位置測定装置３は、位置校正パラメータＡと位置校正パラメータＢとを用いて測定結果の換算処理を行えばよい。
【００８０】
このように、第２の実施の形態では、位置測定装置３がフォトマスク１１のパターン位置を測定した後に、描画装置４の追加校正に用いた位置校正パラメータＢの座標系に従うよう測定結果を換算している。
【００８１】
したがって、第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態の場合と同様に、フォトマスク１１の位置精度を正確に評価することが可能となる。これにより、フォトマスク１１を用いてウェハへ露光を行うと、正確な位置を有したパターンをウェハへ形成できるので、ウェハ上に歪みのないデバイスを作製することが可能となる。
【００８２】
（第３の実施の形態）
つぎに、この発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態では、第１の実施の形態や第２の実施の形態で用いた位置校正パラメータＡ，Ｂを、理想座標系で定義される座標の多項式（フォトマスク１１のパターン座標に対する多項式）として定義する。
【００８３】
位置測定装置３の校正に用いる位置校正パラメータＡは、理想座標系（ｘ，ｙ）の多項式を用いたパラメータとして表現できる。例えば、位置校正パラメータＡによって校正された後の座標を校正位置座標（Ｘ１，Ｙ１）とすると、この校正位置座標（Ｘ１，Ｙ１）は、式（３）によって近似される。ここでの（ｘ，ｙ）は、マスク設計座標系である。
【００８４】
Ｘ１−ｘ＝ａ0＋ａ1ｘ＋ａ2ｙ＋ａ3ｘ2＋ａ4ｘｙ＋ａ5ｙ2・・・
Ｙ１−ｙ＝ｂ0＋ｂ1ｘ＋ｂ2ｙ＋ｂ3ｘ2＋ｂ4ｘｙ＋ｂ5ｙ2・・・
・・・（３）
【００８５】
なお、校正位置座標（位置測定装置座標系）が理想座標系（マスク設計座標系）の座標と一致する場合は、ａ0＝ａ1＝ａ2＝ａ3＝ａ4＝ａ5＝・・・＝ｂ0＝ｂ1＝ｂ2＝ｂ3＝ｂ4＝ｂ5＝・・・＝０となる。次に、マスク基板の撓みを補正するための位置校正パラメータＢによって校正された後の座標を校正位置座標（Ｘ２，Ｙ２）とすると、この校正位置座標（Ｘ２，Ｙ２）は式（４）によって近似される。
【００８６】
Ｘ２−ｘ＝ｃ0＋ｃ1ｘ＋ｃ2ｙ＋ｃ3ｘ2＋ｃ4ｘｙ＋ｃ5ｙ2・・・
Ｙ２−ｙ＝ｄ0＋ｄ1ｘ＋ｄ2ｙ＋ｄ3ｘ2＋ｄ4ｘｙ＋ｄ5ｙ2・・・
・・・（４）
【００８７】
これにより、位置校正パラメータＡと位置校正パラメータＢとを合わせた位置校正パラメータによって位置測定装置３を校正した後の校正位置座標（Ｘ３，Ｙ３）は、式（５）によって近似される。
【００８８】
Ｘ３−ｘ＝（ａ0＋ｃ0）＋（ａ1＋ｃ1）ｘ＋（ａ2＋ｃ2）ｙ＋（ａ3＋ｃ3）ｘ2＋（ａ4＋ｃ4）ｘｙ＋（ａ5＋ｃ5）ｙ2・・・
Ｙ３−ｙ＝（ｂ0＋ｄ0）＋（ｂ1＋ｄ1）ｘ＋（ｂ2＋ｄ2）ｙ＋（ｂ3＋ｄ3）ｘ2＋（ｂ4＋ｄ4）ｘｙ＋（ｂ5＋ｄ5）ｙ2・・・
・・・（５）
位置測定装置３では、式（３）〜（５）などの多項式から算出される位置校正パラメータＡ，Ｂによって、自装置の校正や測定結果の換算処理を行う。
【００８９】
次に、第１の実施の形態〜第３の実施の形態で説明した位置測定装置３のハードウェア構成について図９を用いて説明する。図９は、位置測定装置のハードウェア構成を示す図である。同図に示すように、位置測定装置３は、ハードウェア構成として、フォトマスク１１のパターン位置の測定や、測定パラメータＨの校正を行なうプログラムなどを格納するＲＯＭ（Read  Only  Memory）６２と、ＲＯＭ６２内のプログラムにしたがって、位置測定装置３の各部を制御するＣＰＵ（Central  Processing  Unit）６１と、位置測定装置３の制御に必要な種々のデータを記憶するＲＡＭ（Random  Access  Memory）６３と、ネットワークに接続して通信を行う通信Ｉ／Ｆ６４と、各部を接続するバス６５とを備えている。
【００９０】
なお、測定パラメータＨの校正を行なうプログラムなどは、インストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＣＤ（Compact  Disk）−ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ（Compact  Disk  Recordable）、ＤＶＤ（Digital  Versatile  Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録して提供するように構成してもよい。
【００９１】
また、測定パラメータＨの校正を行なうプログラムなどを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、測定パラメータＨの校正を行なうプログラムなどをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。
【００９２】
このように、第３の実施の形態では、位置校正パラメータＡや位置校正パラメータＢを多項式によって表現しているので、多項式の加法性により、位置校正パラメータＡと位置校正パラメータＢを合わせた校正パラメータを、容易に算出することが可能となる。したがって、位置測定装置３は、フォトマスク１１に描画されたパターンのパターン位置を容易に算出することが可能となる。
【００９３】
なお、第１の実施の形態〜第３の実施の形態で説明したフォトマスク１１の製造方法を組み合わせてフォトマスク１１を作製してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】第１の実施の形態に係るフォトマスク作製方法の概念を説明するための説明図である。
【図２】第１の実施の形態に係るフォトマスク作製システムの構成を示す図である。
【図３】位置測定装置の構成を示すブロック図である。
【図４】第１の実施の形態に係るフォトマスク作製手順を示すフローチャートである。
【図５−１】位置測定装置の校正方法を説明するための図（１）である。
【図５−２】位置測定装置の校正方法を説明するための図（２）である。
【図６】位置校正パラメータの算出方法の概念を説明するための図である。
【図７】第２の実施の形態に係るフォトマスク作製方法の概念を説明するための説明図である。
【図８】第２の実施の形態に係るフォトマスク作製手順を示すフローチャートである。
【図９】位置測定装置のハードウェア構成を示す図である。
【符号の説明】
【００９５】
１  フォトマスク作製システム、２  露光装置、３  位置測定装置、４  描画装置、５  デバイス作製システム、１１  フォトマスク、３５  位置ずれ量算出部、３６  位置精度判定部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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