(57)【要約】【課題】発振回路の発振周波数の制御が簡単な構成でできるようにする。【解決手段】所定長の第１及び第２の分布定数線路１１，１２をほぼ平行に配置し、その第１及び第２の分布定数線路１１，１２の一端に所定の直流電圧ＶＤＤもしくは直流電流を供給する。第１の分布定数線路１１の途中と、第２の分布定数線路１２の途中との間に、１つ又は複数の容量素子Ｃ１１，Ｃ１２，・・・を接続する。第１及び第２の分布定数線路１１，１２の他端と、接地電位部との間には、スイッチング手段Ｑ１１，Ｑ１２を相互に接続した発振回路を構成させる。そして、第１，第２の分布定数線路１１，１２中の容量素子Ｃ１１，Ｃ１２，・・・の接続位置の設定で、発振周波数を制御できるようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定長の第１及び第２の分布定数線路をほぼ平行に配置し、前記第１及び第２の分布定数線路の一端を接続し、その一端の接続点に所定の直流電圧もしくは直流電流を供給し、
前記第１の分布定数線路の途中と、前記第２の分布定数線路の途中との間に、１つ又は複数の容量素子を接続し、
前記第１の分布定数線路の他端と、接地電位部との間に、第１のスイッチング手段を接続し、前記第２の分布定数線路の他端と、接地電位部との間に、第２のスイッチング手段を接続し、
前記第１のスイッチング手段の制御を前記第２の分布定数線路の他端に得られる信号で行い、前記第２のスイッチング手段の制御を前記第１の分布定数線路の他端に得られる信号で行い、
前記第１又は第２の分布定数線路の他端から、発振信号を取り出す構成としたことを特徴とする発振回路。
【請求項２】
請求項１記載の発振回路において、
前記容量素子を、前記第１及び第２の分布定数線路上の接続する位置の設定により、前記発振信号の周波数を制御することを特徴とする発振回路。
【請求項３】
請求項１又は２記載の発振回路において、
前記１つ又は複数の容量素子の前記第１及び第２の分布定数線路への接続を、選択的に行う選択手段を設け、
前記選択手段により前記第１及び第２の分布定数線路に接続する容量素子の選択で、前記発振信号の周波数を可変とすることを特徴とする発振回路。
【請求項４】
請求項３記載の発振回路において、
前記選択手段は、スイッチング手段で構成したことを特徴とする発振回路。
【請求項５】
請求項３記載の発振回路において、
前記容量素子として、容量値が制御される容量可変素子とし、
前記選択手段は、前記容量可変素子の容量を選択的に変化させる手段としたことを特徴とする発振回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を発振する発振回路に関し、特に高分解能の発振周波数制御が可能な発振回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発振回路の一例を、図８に示す。
この図７の構成を説明すると、所定の直流電圧ＶＤＤが得られる電源端子を、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の一端に接続し、各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の他端から、発振信号出力端子２，３を引き出す。スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタを使用する。そして、スイッチング素子Ｑ１の他端側を、スイッチング素子Ｑ２のゲート端子に接続し、スイッチング素子Ｑ２の他端側を、スイッチング素子Ｑ１のゲート端子に接続する。
【０００３】
また、スイッチング素子Ｑ１の他端を、スイッチング素子Ｑ３の一端に接続し、そのスイッチング素子Ｑ３の他端を接地させる。さらに、スイッチング素子Ｑ２の他端を、スイッチング素子Ｑ４の一端に接続し、そのスイッチング素子Ｑ３の他端を接地させる。そして、スイッチング素子Ｑ３の一端側を、スイッチング素子Ｑ４のゲート端子に接続し、スイッチング素子Ｑ４の一端側を、スイッチング素子Ｑ３のゲート端子に接続する。
【０００４】
そして、スイッチング素子Ｑ１の他端とスイッチング素子Ｑ３の一端との接続点と、スイッチング素子Ｑ２の他端とスイッチング素子Ｑ４の一端との接続点との間に、コイルＬ１を接続し、さらに容量素子Ｃ１，Ｃ２の直列回路を接続する。
ここでは、２つの容量素子Ｃ１，Ｃ２として、印加される電圧により容量が変化するバラクタを使用し、制御端子１から制御電圧Ｖｃを２つの容量素子Ｃ１，Ｃ２の接続点に供給する。
【０００５】
このように構成したことで、制御端子１から２つの容量素子Ｃ１，Ｃ２の接続点に供給する電圧値に応じて、２つの容量素子Ｃ１，Ｃ２の容量値が変化し、容量素子Ｃ１，Ｃ２とコイルＬ１とで構成される共振回路の共振特性が変化して、この発振回路の発振周波数が変化し、発振信号出力端子２，３に得られる発振信号の周波数が変化する。発振信号出力端子２に得られる発振信号Ｖoutと、発振信号出力端子３に得られる発振信号Ｖout′とは、同じ周波数で相互に位相が逆の信号である。
【０００６】
特許文献１には、この種の発振回路の例についての記載がある。
【特許文献１】特開２００７−２６６７００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、図８に示した発振回路の構成の場合、制御端子１に外部から供給する制御信号の電圧値により容量値を制御して、出力される発振周波数を制御するので、所望の発振周波数を得るためには、電圧値を厳密にコントロールする必要があり、発振周波数に対して０．０１％程度の周波数分解能を必要とするが、アナログの電圧値であるため、厳密な制御が困難であり、所望の発振周波数を得るための構成が複雑化するという問題があった。図７の回路で容量値の設定だけで所望の周波数を得るためには、容量値を非常に微妙に設定する必要があり、特にＧＨｚ帯などの高周波帯域で必要とする発振周波数を得るためには、現実的に実現困難な小容量のコンデンサが必要となり、現実的でない回路構成になってしまう。
【０００８】
従来、このような発振回路を使用して所望の周波数を得るためには、この発振回路を組み込んだＰＬＬ回路（フェーズ・ロックド・ループ回路）を構成させて、出力周波数をフィードバックして制御する構成としてあり、発振出力を逓倍や分周などで必要な周波数を得るのが一般的であり、構成が複雑化していた。
【０００９】
本発明の目的は、発振回路の発振周波数の、高分解能を有する制御が簡単な構成でできるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の発振回路は、所定長の第１及び第２の分布定数線路をほぼ平行に配置し、その第１及び第２の分布定数線路の一端を接続し、その一端の接続点に所定の直流電圧もしくは直流電流を供給する。そして、第１の分布定数線路の途中と、第２の分布定数線路の途中との間に、１つ又は複数の容量素子を接続する。
さらに、第１の分布定数線路の他端と、接地電位部との間に、第１のスイッチング手段を接続し、第２の分布定数線路の他端と、接地電位部との間に、第２のスイッチング手段を接続し、第１のスイッチング手段の制御を第２の分布定数線路の他端に得られる信号で行い、第２のスイッチング手段の制御を第１の分布定数線路の他端に得られる信号で行い、発振させる構成とする。そして、第１又は第２の分布定数線路の他端から、発振信号を取り出す構成とした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、第１，第２の分布定数線路を用意して、その途中に容量素子を接続したことで、その線路中の容量素子の接続位置の設定で、発振周波数を制御できるようになる。従って、従来のような電圧制御ではなく、容量素子の接続位置をパラメータとした発振周波数の設定も可能となり、従来の電圧制御とは異なる厳密な発振周波数制御が可能となる。
【００１２】
例えば、接続位置が異なる複数の容量素子を用意して、その複数の容量素子の接続を選択的に行うことで、接続させる容量素子をデジタル的に選択する制御で、発振周波数を可変させる構成が可能となり、簡単な制御で所望の発振周波数が得られるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施の形態の例を、図１〜図７を用いて説明する。
図１は、本実施の形態の発振回路の基本構成例を示した図である。図１の構成について説明すると、それぞれ所定の同じ長さの導電材で構成される第１の分布定数線路１１と、第２の分布定数線路１２を用意して、両分布定数線路１１，１２を所定の間隔でほぼ平行に配置する。そして、両分布定数線路１１，１２の一端（以下この一端を「短絡端」と称する。）１１ａ，１２ａを接続して、その接続点に、所定の直流電源電圧ＶＤＤを供給する。直流電源電圧ＶＤＤを接続点に接続する際には、図１に示すように電流源１５を接続して、電流源１５からの直流電流を供給する構成とする。本例の発振回路を集積回路として構成させた場合には、例えば２本の分布定数線路１１，１２は、その集積回路の平面状の回路形成方向（即ち集積回路の厚さ方向と直交する方向）に直線状に配置する。
【００１４】
２本の分布定数線路１１，１２の他端（（以下この他端を「開放端」と称する。）１１ｂ，１２ｂは、接続しない。開放端１１ｂ，１２ｂと接地電位部との間には、２つのスイッチング素子Ｑ１１，Ｑ１２を相互に接続した発振回路を構成させる。
即ち、第１の分布定数線路１１の開放端１１ｂを、スイッチング素子Ｑ１１を介して接地電位部に接続し、第２の分布定数線路１２の開放端１２ｂを、スイッチング素子Ｑ１２を介して接地電位部に接続する。そして、スイッチング素子Ｑ１１の制御端であるゲートを、第２の分布定数線路１２の開放端１２ｂ側に接続し、スイッチング素子Ｑ１２の制御端であるゲートを、第１の分布定数線路１１の開放端１１ｂ側に接続する。スイッチング素子Ｑ１１，Ｑ１２としては、例えばＭＯＳ型トランジスタを使用する。
【００１５】
そして、第１の分布定数線路１１の開放端１１ｂとスイッチング素子Ｑ１１との接続点から、発振信号出力端子１３を引き出し、この出力端子１３に発振信号出力Ｖoutを得る。また、第２の分布定数線路１２の開放端１２ｂとスイッチング素子Ｑ１２との接続点から、発振信号出力端子１４を引き出し、この出力端子１４に発振信号出力Ｖout′を得る。発振信号出力端子１３に得られる発振信号Ｖoutと、発振信号出力端子１４に得られる発振信号Ｖout′とは、同じ周波数で相互に位相が逆の信号である。
【００１６】
そして本実施の形態においては、平行に配置した第１の分布定数線路１１と第２の分布定数線路１２との間に、１つ又は複数のコンデンサを接続する。図１の例では、４つのコンデンサＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４を、ほぼ等間隔で均等に配置した例としてある。それぞれのコンデンサＣ１１〜Ｃ１４は、容量値が同じ素子であってもよい。
本実施の形態の発信回路の場合には、このコンデンサＣ１１〜Ｃ１４の分布定数線路１１，１２上の配置位置と、それぞれの容量値とで、発振回路での発振周波数が決まる。従って、例えば図１に示すように４つのコンデンサＣ１１〜Ｃ１４を用意した場合に、それぞれのコンデンサが同じ容量値のものであっても、それぞれのコンデンサＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４で２本の分布定数線路１１，１２を接続する位置の設定で、発振周波数を変化させることが可能となる。
なお、以上の説明においては、図１に示すように電流源１５を第１及び第２の分布定数線路１１，１２の一端１１ａ，１２ａに接続したが、電流源１５を設けずに、第１及び第２の分布定数線路１１，１２の一端１１ａ，１２ａに、直接、直流電圧ＶＤＤを供給する構成としてもよい。但し、電流源１５を接続した方が性能がよい。
【００１７】
また、図２に示したように、スイッチング素子Ｑ１１，Ｑ１２と接地電位部との間に、電流源１６を接続して、直流電圧ＶＤＤの供給路と第１及び第２の分布定数線路１１，１２の一端１１ａ，１２ａとの間には電流源を接続しない構成としてもよい。図２のその他の部分は、図１の回路と同様に構成する。
【００１８】
この図１に示す構成及び図２に示す構成で、発振周波数を設定できる点について以下説明する。
本実施の形態においては、コンデンサの容量変化が、発振周波数変化を引き起こす感度ｄｆｏｓｃ／ｄＣが、容量の分布定数線路上の位置によって大きく異なる現象を利用したものである。
即ち、発振器が発振した状態では、定在波が立ち、その電圧は分布定数線路１１，１２の開放端で最大となり、短絡端で最小になる。従って、容量を分布定数線路１１，１２上に分散して配置すれば、各容量変化に対する発振周波数の変化は開放端１１ｂ，１２ｂの位置にコンデンサを配置した場合で最大となり、短絡端１１ａ，１２ａの位置にコンデンサを配置した場合で最小となる。
【００１９】
図３は、容量変化に対する周波数変化の位置依存性を示した図である。図３の横軸で示した距離は、分布定数線路１１，１２の開放端からの距離を［ｍｍ］で示し、縦軸は周波数ステップ［ＭＨｚ］を示す。この例では、同じ容量値のコンデンサの有無が発振周波数の変化に及ぼす影響を示したものである。図２に示すように、開放端の位置に設けたコンデンサの場合には、約４００ＭＨｚの発振周波数変化を与えることができる。これに対して、短絡端の位置に近づくに従って、コンデンサの有無による周波数変化が少なくなっていることが判る。
従って、図１或いは図２に示した回路構成において、２本の分布定数線路１１，１２を接続するコンデンサの数と位置の設定で、この回路の出力端子１３，１４に得られる発振信号の周波数を所望の周波数とすることができる。
【００２０】
図４は、発振器が発振した状態では、定在波が立ち、その電圧は分布定数線路１１，１２の開放端で最大となり、短絡端で最小になることを、電圧波形で示したものである。この図４において、縦軸は電圧であり、ここでは＋２Ｖから−２Ｖまでの電圧変化があることを示し、横軸は時間を示し、時間での電圧の変化を示す。さらに、図４での奥行き方向は、短絡端からの距離として示す。この例では距離として４［ｍｍ］まで示してある。
この図４に示されるように、開放端では電圧が最大となり、短絡端では最小となっていることが判る。本実施の形態では、このことを積極的に利用して、分布定数線路１１，１２上でのコンデンサの位置で、発振周波数を変化させるようにしたものである。
【００２１】
図１或いは図２の回路で所望の発振周波数を得るためには、大きな周波数変化は、分布定数線路１１，１２の開放端１１ｂ，１２ｂ寄りの位置に設ける容量の制御により行い、小さな周波数変化は、分布定数線路１１，１２の短絡端１１ａ，１２ａ寄りの位置に設ける容量の制御により行う。このようにすることで、可変分解能を大きく取ることができ、高分解能の発振周波数制御が可能となる。
具体的には、例えば図１或いは図２に示した４つのコンデンサＣ１１〜Ｃ１４が、全て同じ容量値であっても、分布定数線路１１，１２に接続する位置の選定で、出力端子１３，１４に得られる発振信号の周波数を、必要な周波数とすることができる。勿論、各コンデンサＣ１１〜Ｃ１４の容量値をそれぞれ適正に設定する点と、各コンデンサＣ１１〜Ｃ１４を分布定数線路１１，１２に接続する位置の選定とを組み合わせて、発振周波数を選定するようにしてもよい。
【００２２】
次に、本発明の一実施の形態の発振回路において、発振周波数を可変させる構成を、図５及び図６を参照して説明する。図５と図６はそれぞれ別の例を示したものである。この図５及び図６において、図１に対応する部分には同一符号を付す。
【００２３】
まず図５の構成について説明すると、この例は、発振周波数を変化させる構成として、可変容量素子Ｃ２１〜Ｃ２８を使用した例としてある。
即ち、図５に示すように、２本平行に配置した第１の分布定数線路１１の短絡端１１ａと第２の分布定数線路１２の短絡端１２ａとを接続し、その接続点に、直流電源電圧ＶＤＤが供給される電流源１５を接続して、電流源１５からの電流を供給する。そして、第１及び第２の分布定数線路１１，１２の短絡端１１ｂ，１２ｂと、接地電位部との間に、それぞれスイッチング素子Ｑ１１，Ｑ１２を接続し、それぞれのスイッチング素子Ｑ１１，Ｑ１２のゲートを、別の他方の分布定数線路の短絡端１２ｂ又は１１ｂ側に接続して、発振回路を構成させる。
【００２４】
そして図５の例では、２本の分布定数線路１１，１２の間に、２個の可変容量素子Ｃ２１，Ｃ２２の直列回路と、２個の可変容量素子Ｃ２３，Ｃ２４の直列回路と、２個の可変容量素子Ｃ２５，Ｃ２６の直列回路と、２個の可変容量素子Ｃ２７，Ｃ２８の直列回路とを接続する。そして、この４つの直列回路の接続点に、制御信号入力端子２１，２２，２３，２４に得られる制御信号Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４を供給する。
それぞれの可変容量素子Ｃ２１〜Ｃ２８としては、ここでは電圧値により容量値が制御されるバラクタを使用してあり、各制御信号Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４の電圧値により、４つの可変容量素子の直列回路の容量値が制御される。
【００２５】
４つの可変容量素子の直列回路を、分布定数線路１１，１２に接続する位置の設定については、既に図１の構成で説明した通りである。即ち、容量変化に対する発振周波数の変化は開放端１１ｂ，１２ｂの位置にコンデンサを配置した場合で最大となり、短絡端１１ａ，１２ａの位置にコンデンサを配置した場合で最小となる点を利用して、所望の発振周波数が得られる配置とする。
そして、制御信号入力端子２１，２２，２３，２４に得られる各制御信号Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４の電圧値を制御することで、この図４の回路構成で出力端子１３，１４に得られる発振周波数Ｖout、Ｖout′の周波数を可変させることができる。各制御信号Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４の電圧値については、アナログ的に可変させてもよいが、例えばハイレベル“Ｈ”とローレベル“Ｌ”の２値などの予め決められた複数段階の中から選定する構成としてもよい。
【００２６】
図５の例では、４つの可変容量素子の直列回路を設けた例としたが、出力端子１３又は１４から取り出す必要のある周波数の可変範囲に応じて、１つの直列回路から任意の複数個の直列回路まで、適宜選択可能である。この場合、２つの分布定数線路１１，１２を接続させる容量素子として、全ての素子を可変容量素子で構成させるのではなく、一部の素子は図１の例のように容量値が決まったコンデンサとしてもよい。
また、図５の例の場合にも、電流源１５の代わりに、図２に示したように接地側に電流源１６を接続する構成としてもよい。
【００２７】
次に、図６の例について説明する。２本の分布定数線路１１，１２の間に、２個のコンデンサＣ３１，Ｃ３２とスイッチＳ１１との直列回路と、２個のコンデンサＣ３３，Ｃ３３とスイッチＳ１２との直列回路と、２個のコンデンサＣ３５，Ｃ３６とスイッチＳ１３との直列回路と、２個のコンデンサＣ３７，Ｃ３８とスイッチＳ１４との直列回路とを接続する。但し各スイッチＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４は、図６の例では２個のコンデンサの間に接続させてある。
そして、各スイッチＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４の開閉を、制御信号入力端子３１，３２，３３，３４に得られる制御信号Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ２４により制御する。各スイッチＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４としては、例えば半導体スイッチを使用する。
【００２８】
４つのコンデンサとスイッチの直列回路を、分布定数線路１１，１２に接続する位置の設定については、既に図１の構成で説明した通りである。即ち、容量変化に対する発振周波数の変化は開放端１１ｂ，１２ｂの位置にコンデンサを配置した場合で最大となり、短絡端１１ａ，１２ａの位置にコンデンサを配置した場合で最小となる点を利用して、所望の発振周波数が得られる配置とする。
そして、制御信号入力端子３１，３２，３３，３４に得られる各制御信号Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ２４により、各スイッチの開閉を個別に制御することで、この図５の回路構成で出力端子１３，１４に得られる発振周波数Ｖout、Ｖout′の周波数を可変させることができる。各制御信号Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ２４に得られる信号による制御としてはスイッチを開と閉のいずれかにするだけであるので、例えばハイレベル“Ｈ”とローレベル“Ｌ”の２値のいずれかを選択的に供給する構成でよい。このように半導体スイッチで容量を切り換える構成としたことで、トランジスタなどで構成される半導体スイッチは、電圧で制御される構成となり、電流型の制御でなくなり、スイッチ抵抗は無視でき、良好に容量を制御できるようになり。
【００２９】
図６の例では、４つのコンデンサとスイッチの直列回路を設けた例としたが、出力端子１３又は１４から取り出す必要のある周波数の可変範囲に応じて、１つの直列回路から任意の複数個の直列回路まで、適宜選択可能である。この場合、２つの分布定数線路１１，１２を接続させるコンデンサとして、全てのコンデンサをスイッチと直列に接続させるのではなく、一部の素子は図１の例のようにスイッチを設けずコンデンサだけで直接２本の分布定数線路と接続する構成としてもよい。
また、図６の例の場合にも、電流源１５の代わりに、図２に示したように接地電位側に電流源１６を接続する構成としてもよい。
【００３０】
図７は、この図５，図６の構成で、線路上の容量位置と、発振周波数の変化（図７（ａ））及び周波数ステップの変化（図７（ｂ））を示したものである。図７（ａ）と図７（ｂ）のいずれも、横軸は開放端から容量を接続した位置までの距離［ｍｍ］を示し、図７（ａ）の縦軸は出力発振周波数である。この例では、同じ容量値のコンデンサを接続する位置を線路１１，１２上で変化させることで、約８．８ＧＨｚから９．８ＧＨｚまで変化させていることを示している。また、図７（ｂ）に示すように、同じ容量値のコンデンサの接続位置の違いで、４００ＭＨｚステップから０ＭＨｚまで自在に周波数ステップを変化させることが判る。
【００３１】
この図７から判るように、同じ容量値のコンデンサを線路上に接続する位置を変えることで、発振周波数を大きく変えることができるだけでなく、短絡端側寄り配置したコンデンサ又は可変容量素子の接続を制御する構成としたことで、非常に小さな発振周波数の制御も可能であり、大きな周波数変化から小さな周波数変化まで、スイッチ制御又はバラクタの制御電圧の設定で簡単に行える効果を有する。従って、現実的に実現可能な容量値のコンデンサを使用して回路を組んだ場合でも、発振周波数の可変範囲を大きく取ることができ、高分解能の発振器周波数制御が可能となる。また、従来の発振回路と異なり、デジタル的な制御で周波数制御が行え、制御構成が簡単になる効果を有する。
【００３２】
なお、上述した実施の形態では、可変容量素子としてバラクタを使用した例としたが、その他の可変容量素子を使用してもよい。また、図３，図４、図７で示した発振周波数や周波数ステップなどの値は一例を示したものであり、この値に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施の形態の発振回路の基本構成例を示す構成図である。
【図２】図１の発振回路の電流源の接続位置を変えた例を示す構成図である。
【図３】本発明の一実施の形態における容量変化に対する位置依存性例を示した特性図である。
【図４】本発明の一実施の形態における位置と時間と電圧の関係の例を示した特性図である。
【図５】本発明の一実施の形態の発振回路の例（例１）を示す構成図である。
【図６】本発明の一実施の形態の発振回路の例（例２）を示す構成図である。
【図７】本発明の一実施の形態における発振周波数の可変特性例を示す特性図である。
【図８】従来の発振回路の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００３４】
１１…第１の分布定数線路、１１ａ…短絡端、１１ｂ…開放端、１２…第２の分布定数線路、１２ａ…短絡端、１２ｂ…開放端、１３，１４…発振信号出力端子、１５，１６…電流源、２１〜２４，３１〜３４…制御信号入力端子、Ｃ１１〜Ｃ１４…コンデンサ、Ｃ２１〜Ｃ２８…容量可変素子、Ｃ３１〜Ｃ３８…コンデンサ、Ｑ１１，Ｑ１２…スイッチング素子、Ｓ１１〜Ｓ１４…スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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