(57)【要約】【課題】誘電率が異なる複数の被覆層を具備する被帯電体の被覆層の層厚を容易に検出する。【解決手段】制御ユニット６２は、電流検出部８８介して像保持体２２の飽和電荷量Ｑの初期値を検出し、検出した飽和電荷量の初期値の逆数Ａ０を算出した後に、保護層９８の層厚初期値を変えることなく、保護層９８の誘電率が電荷輸送層９６の誘電率と等しいと仮定して、像保持体２２の飽和電荷量の仮定初期値の逆数Ａ１を算出し、その後に検出する像保持体２２の飽和電荷量の逆数が像保持体２２の寿命を示す所定値Ｃ（像保持体２２が寿命に達したと判定されるべき電荷輸送層９６の層厚ｃに対応する値）に略一致した場合に、像保持体２２が寿命に達したと判定する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電率が所定値である第１の被覆層と、この第１の被覆層よりも誘電率が大きく、前記第１の被覆層をさらに被覆する第２の被覆層とを具備する像保持体と、この像保持体に接触又は近接して該像保持体を帯電させる帯電部材と、この帯電部材により帯電させられる前記像保持体の飽和電荷量を検出する飽和電荷量検出手段と、この飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量に基づいて、前記第２の被覆層の層厚初期値を変えることなく、前記第２の被覆層の誘電率が前記第１の被覆層の誘電率と等しいと仮定した場合の飽和電荷量の仮定初期値を算出する仮定初期値算出手段と、この仮定初期値算出手段が算出する飽和電荷量の仮定初期値と前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量との相対関係に基づいて、前記第１の被覆層の層厚を算出する層厚算出手段とを有する画像形成装置。
【請求項２】
前記仮定初期値算出手段は、前記第１の被覆層と前記第２の被覆層との層厚比及び誘電率比に基づいて、飽和電荷量の仮定初期値を算出する請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記像保持体の動作量を検出する動作量検出手段と、前記飽和電荷量検出手段が飽和電荷量を検出する時機を制御する制御手段とをさらに有し、前記制御手段は、前記動作量検出手段が検出する動作量に基づいて、前記飽和電荷量検出手段が飽和電荷量の検出を再開するよう制御する請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の検出結果及び検出精度に基づいて、前記飽和電荷量検出手段が飽和電荷量を検出する時機の間隔を制御する請求項３記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記層厚算出手段が算出する前記第１の被覆層の層厚に基づいて、前記像保持体の寿命を判定する寿命判定手段をさらに有する請求項１乃至４いずれか記載の画像形成装置。
【請求項６】
誘電率が所定値である第１の被覆層と、この第１の被覆層よりも誘電率が大きく、第１の被覆層をさらに被覆する第２の被覆層とを具備する被帯電体の飽和電荷量を検出し、第２の被覆層の層厚初期値を変えることなく、第２の被覆層の誘電率が第１の被覆層の誘電率と等しいと仮定して、検出した飽和電荷量に基づく飽和電荷量の仮定初期値を算出し、算出した飽和電荷量の仮定初期値とその後の被帯電体の飽和電荷量との相対関係に基づいて、第１の被覆層の層厚を算出することにより検出する層厚検出方法。
【請求項７】
誘電率が所定値である第１の被覆層と、この第１の被覆層よりも誘電率が大きく、第１の被覆層をさらに被覆する第２の被覆層とを具備する被帯電体の飽和電荷量を検出するステップと、第２の被覆層の層厚初期値を変えることなく、第２の被覆層の誘電率が第１の被覆層の誘電率と等しいと仮定して、検出した飽和電荷量に基づく飽和電荷量の仮定初期値を算出するステップと、算出した飽和電荷量の仮定初期値とその後の被帯電体の飽和電荷量との相対関係に基づいて、第１の被覆層の層厚を算出することにより検出するステップとをコンピュータに実行させる被帯電体の層厚検出プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置、層厚検出方法及び層厚検出プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、電極部材に異なる電圧を印加して得られたＶ−Ｉ特性に基づいて、被帯電体の厚みを検知する画像形成装置を開示する。
【０００３】
【特許文献１】特許第３０６４６４３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、誘電率が異なる複数の被覆層を具備する被帯電体の被覆層の層厚を容易に検出することができる画像形成装置、層厚検出方法及び層厚検出プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、請求項１に係る本発明は、誘電率が所定値である第１の被覆層と、この第１の被覆層よりも誘電率が大きく、前記第１の被覆層をさらに被覆する第２の被覆層とを具備する像保持体と、この像保持体に接触又は近接して該像保持体を帯電させる帯電部材と、この帯電部材により帯電させられる前記像保持体の飽和電荷量を検出する飽和電荷量検出手段と、この飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量に基づいて、前記第２の被覆層の層厚初期値を変えることなく、前記第２の被覆層の誘電率が前記第１の被覆層の誘電率と等しいと仮定した場合の飽和電荷量の仮定初期値を算出する仮定初期値算出手段と、この仮定初期値算出手段が算出する飽和電荷量の仮定初期値と前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量との相対関係に基づいて、前記第１の被覆層の層厚を算出する層厚算出手段とを有する画像形成装置である。
【０００６】
請求項２に係る本発明は、前記仮定初期値算出手段が、前記第１の被覆層と前記第２の被覆層との層厚比及び誘電率比に基づいて、飽和電荷量の仮定初期値を算出する請求項１記載の画像形成装置である。
【０００７】
請求項３に係る本発明は、前記像保持体の動作量を検出する動作量検出手段と、前記飽和電荷量検出手段が飽和電荷量を検出する時機を制御する制御手段とをさらに有し、前記制御手段は、前記動作量検出手段が検出する動作量に基づいて、前記飽和電荷量検出手段が飽和電荷量の検出を再開するよう制御する請求項１又は２記載の画像形成装置である。
【０００８】
請求項４に係る本発明は、前記制御手段が、前記飽和電荷量検出手段が検出する飽和電荷量の検出結果及び検出精度に基づいて、前記飽和電荷量検出手段が飽和電荷量を検出する時機の間隔を制御する請求項３記載の画像形成装置である。
【０００９】
請求項５に係る本発明は、前記層厚算出手段が算出する前記第１の被覆層の層厚に基づいて、前記像保持体の寿命を判定する寿命判定手段をさらに有する請求項１乃至４いずれか記載の画像形成装置である。
【００１０】
請求項６に係る本発明は、誘電率が所定値である第１の被覆層と、この第１の被覆層よりも誘電率が大きく、第１の被覆層をさらに被覆する第２の被覆層とを具備する被帯電体の飽和電荷量を検出し、第２の被覆層の層厚初期値を変えることなく、第２の被覆層の誘電率が第１の被覆層の誘電率と等しいと仮定して、検出した飽和電荷量に基づく飽和電荷量の仮定初期値を算出し、算出した飽和電荷量の仮定初期値とその後の被帯電体の飽和電荷量との相対関係に基づいて、第１の被覆層の層厚を算出することにより検出する層厚検出方法である。
【００１１】
請求項７に係る本発明は、誘電率が所定値である第１の被覆層と、この第１の被覆層よりも誘電率が大きく、第１の被覆層をさらに被覆する第２の被覆層とを具備する被帯電体の飽和電荷量を検出するステップと、第２の被覆層の層厚初期値を変えることなく、第２の被覆層の誘電率が第１の被覆層の誘電率と等しいと仮定して、検出した飽和電荷量に基づく飽和電荷量の仮定初期値を算出するステップと、算出した飽和電荷量の仮定初期値とその後の被帯電体の飽和電荷量との相対関係に基づいて、第１の被覆層の層厚を算出することにより検出するステップとをコンピュータに実行させる被帯電体の層厚検出プログラムである。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に係る本発明によれば、本構成を有していない場合に比較して、誘電率が異なる複数の被覆層を具備する像保持体の被覆層の層厚を容易に検出することができる。
【００１３】
請求項２に係る本発明によれば、請求項１に係る本発明の効果に加えて、像保持体の飽和電荷量の仮定初期値を容易に算出することができる。
【００１４】
請求項３に係る本発明によれば、請求項１又は２に係る本発明の効果に加えて、像保持体の交換が不要な時期に第１の被覆層の層厚を算出することを防止することができる。
【００１５】
請求項４に係る本発明によれば、請求項３に係る本発明の効果に加えて、第１の被覆層の層厚を効率的に精度よく算出することができる。
【００１６】
請求項５に係る本発明によれば、請求項１乃至４いずれかに係る本発明の効果に加えて、像保持体の寿命を容易に判定することができる。
【００１７】
請求項６に係る本発明によれば、本構成を有していない場合に比較して、誘電率が異なる複数の被覆層を具備する被帯電体の被覆層の層厚を容易に検出することができる。
【００１８】
請求項７に係る本発明によれば、本構成を有していない場合に比較して、誘電率が異なる複数の被覆層を具備する被帯電体の被覆層の層厚を容易に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１及び図２において、本発明の実施形態に係る画像形成装置１０の概要が示されている。画像形成装置１０は、画像形成部１２と、原稿読取装置１４とを有する。画像形成部１２は、例えばゼログラフィ方式のもので、用紙などの記録媒体が積載された例えば４段の給紙トレイ１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ及び手差しトレイ１８とを有し、これらトレイ１６ａ〜１６ｄ、１８から記録媒体搬送路２０に供給された記録媒体に画像を形成するようになっている。
【００２０】
即ち、画像形成部１２は、例えば円筒状の回転する像保持体２２と、この像保持体２２を一様に接触帯電する例えば帯電ロールからなる帯電部材２４と、この帯電部材２４により一様に帯電された像保持体２２に静電潜像を形成する露光装置（光書込み装置）２６と、この露光装置２６により形成された像保持体２２上の潜像を現像剤で可視化する現像装置２８と、この現像装置２８により形成された現像剤像を記録媒体に転写する転写装置３０と、像保持体２２に残った現像剤をクリーニングするクリーナ３２とを有する。
【００２１】
帯電部材２４は、例えばゴムなどの弾性を有する部材を表面に有し、像保持体２２に接触して回転する。露光装置２６は、レーザ走査方式のもので、例えば原稿読取装置１４で読み取った原稿の画像をレーザのオンオフ信号に変えて出力する。転写装置３０は例えば転写ロールから構成され、この転写装置３０により現像剤像が転写された記録媒体が定着装置３４に送られ、この定着装置３４により現像剤像が記録媒体に定着される。現像剤像が定着された記録媒体は、排出トレイ３６に排出される。
【００２２】
記録媒体搬送路２０には、複数の記録媒体搬送ロール３８が設けられている。この記録媒体搬送ロール３８の一つとして、転写装置３０上流側近傍には、レジストロール４０が配置されている。このレジストロール４０は、供給された記録媒体を一時停止させ、像保持体２２に潜像が形成されるタイミングと同期して記録媒体を転写装置３０に供給するように制御される。
【００２３】
原稿読取装置１４は、原稿を光学的に読み取る光学系４２と、自動原稿送り装置４４とを有する。
光学系４２は、自動原稿送り装置４４により送られた原稿を流し読みする機能と、反射ミラー等を走査して原稿台ガラス５４上に載置された原稿を読み取る機能とを備えている。
【００２４】
自動原稿送り装置４４は、多数の原稿が載置される原稿載置台５６と、原稿を搬送する原稿搬送路５８と、画像を読み取った後の原稿が排出される排出台６０とを有する。
【００２５】
また、画像形成装置１０は、制御ユット６２、表示装置及びキーボードなどを含むユーザインタフェース装置（ＵＩ装置）６４、ＨＤＤ・ＣＤ装置などの記憶装置６６及び通信装置６８などを有する。制御ユニット６２は、ＣＰＵ７０及びメモリ７２などを含み、画像形成装置１０を構成する各部を制御するようにされている。
このように、画像形成装置１０は、コンピュータとしての機能を含み、記憶媒体７４又は通信装置６８を介して受け入れたプログラムを実行することにより、印刷などの処理を行う。
【００２６】
次に、像保持体２２、帯電部材２４及びその周辺について詳述する。
図３は、像保持体２２、帯電部材２４及びその周辺の構成の詳細を示す模式図である。帯電部材２４には、電源部８２が接続されている。電源部８２は、交流電源８４及び直流電源８６を有し、制御ユニット６２の制御に応じて、所定の直流電圧Ｖｄｃに交流電圧Ｖａｃを重畳した電圧を帯電部材２４に印加する。例えば、電源部８２は、交流電源８４が１０００Ｈｚの周波数でピーク間電圧Ｖｐｐが８００〜２５００Ｖ程度の交流電圧を帯電部材２４に対して印加し、直流電源８６が−７５０Ｖ程度の直流電圧Ｖｄｃを帯電部材２４に対して印加して、所定の電流を帯電部材２４に供給するようにされている。電流検出部８８は、電源部８２が帯電部材２４に対して流す電流を検出し、制御ユニット６２に対して出力する。
【００２７】
像保持体２２は、例えば接地されたアルミニウムなどからなる円筒状の導電性支持体９０と、この導電性支持体９０の外面を覆う感光層９２とを有し、例えば帯電部材２４が接触する軸方向の長さが３００ｍｍにされている。感光層９２は、図４に示すように、例えば電荷発生層９４、電荷輸送層（ＣＴ層）９６及び保護層（ＯＣ層）９８から構成される。電荷発生層９４は、電荷キャリア生成材料を含んで導電性支持体９０を被覆している。電荷輸送層９６は、電荷キャリア輸送材料を含む所定の誘電率の部材からなり、層厚が所定値に設定され、電荷発生層９４の外側に積層されている。保護層９８は、誘電率が電荷輸送層９６よりも大きい部材からなり、層厚が所定値に設定され、電荷輸送層９６の外側に積層されている。また、保護層９８は、電荷輸送層９６よりも硬度が高くされている。
【００２８】
図５は、電流検出部８８が検出する直流電流値と像保持体２２の電位との関係を示すグラフである。ここで、電源部８２は像保持体２２を帯電させるために帯電部材２４に対して交流電圧と直流電圧とを印加しており、直流電源８６が帯電部材２４に対して印加する直流電圧が−７５０Ｖとなっている。帯電部材２４に−７５０Ｖの直流電圧が印加され、像保持体２２が１回転すると、像保持体２２は約−７２０Ｖに帯電し、制御ユニット６２は電流検出部８８が検出する帯電電流とリーク電流とを含む直流電流値に応じて電荷量Ｑ１を算出する。像保持体２２は１回転しても帯電電荷量が飽和していない。
【００２９】
像保持体２２が２回転すると、像保持体２２は約−７４０Ｖに帯電し、制御ユニット６２は電流検出部８８が検出する帯電電流とリーク電流とを含む直流電流値に応じて電荷量Ｑ２を算出する。像保持体２２は２回転しても帯電電荷量が飽和していない。像保持体２２が３回転すると、像保持体２２は約−７５０Ｖに帯電し、制御ユニット６２は電流検出部８８が検出する帯電電流とリーク電流とを含む直流電流値に応じて電荷量Ｑ３を算出する。像保持体２２は３回転すると帯電電荷量が飽和している。像保持体２２が４回転すると、像保持体２２の帯電電荷量が飽和しているので、制御ユニット６２は電流検出部８８が検出するリーク電流のみからなる直流電流値に応じて電荷量Ｑ４を算出する。なお、電流検出部８８が検出するリーク電流には、電源部８２が印加する電圧値に応じて変化するリーク電流と、電源部８２が印加する電圧値によらず流れるリーク電流とが含まれている。
【００３０】
像保持体２２が３回転するまでに制御ユニット６２が算出した電荷量Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３には、それぞれリーク電流に対応する電荷量Ｑ４が含まれている。そこで、制御ユニット６２は、像保持体２２の飽和電荷量Ｑを下式１により算出することにより、検出するようにされている。
【００３１】
飽和電荷量Ｑ＝Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３−Ｑ４×３      ・・・（１）
【００３２】
像保持体２２は、上述したように円筒状の部材であり、帯電部材２４が接触することによって外面側から摩耗し、感光層９２の総層厚が摩耗によって減少すると、飽和電荷量Ｑが増大する。
そこで、制御ユニット６２は、像保持体２２の飽和電荷量Ｑを検出し、感光層９２の総層厚を算出することにより検出して、像保持体２２の寿命を判定するようにされている。
【００３３】
図６は、像保持体２２の動作量に応じて摩耗する感光層９２の総層厚の変化と、像保持体２２の飽和電荷量の変化との関係を示すグラフである。なお、像保持体２２の飽和電荷量の変化は、図６において、縦軸に像保持体２２の飽和電荷量の逆数をとることによって示されている。
【００３４】
図６に示すように、感光層９２の総層厚の初期値をａ（仕様値：定数）とすると、像保持体２２の動作量に応じて感光層９２が摩耗し、感光層９２の総層厚がｂ０（仕様値：定数）になるまで、略保護層（ＯＣ層）９８のみが摩耗する。保護層９８が摩耗する間は、感光層９２の総層厚と像保持体２２の飽和電荷量の逆数とが比例関係にある。感光層９２の層層厚がｂ０に達すると、保護層９８は略消失しており、さらに感光層９２が動作を続けると、電荷輸送層（ＣＴ層）９６のみが摩耗する。また、電荷輸送層９６が摩耗する間も、感光層９２の総層厚と像保持体２２の飽和電荷量の逆数とが比例関係にある。ただし、上述したように、保護層９８は、誘電率が電荷輸送層９６よりも大きいので、感光層９２の総層厚に対する像保持体２２の飽和電荷量の逆数の傾きは、保護層９８が摩耗している期間よりも、電荷輸送層９６が摩耗している期間の方が大きくなっている。
【００３５】
制御ユニット６２は、電流検出部８８介して像保持体２２の飽和電荷量Ｑの初期値を検出し、保護層９８の層厚初期値を変えることなく、保護層９８の誘電率が電荷輸送層９６の誘電率と等しいと仮定して、像保持体２２の飽和電荷量の仮定初期値を算出し、その後に検出する像保持体２２の飽和電荷量Ｑが像保持体２２の寿命を示す所定値（像保持体２２が寿命に達したと判定されるべき電荷輸送層９６の層厚ｃに対応する値）に略一致した場合に、像保持体２２が寿命に達したと判定するようにされている。
【００３６】
制御ユニット６２は、図６に示したように、飽和電荷量Ｑを示す値に代えて、飽和電荷量の逆数を用いて飽和電荷量の変化を示すようにされてもよい。
例えば、制御ユニット６２は、電流検出部８８介して像保持体２２の飽和電荷量Ｑの初期値を検出し、検出した飽和電荷量の初期値の逆数Ａ０を算出した後に、保護層９８の層厚初期値を変えることなく、保護層９８の誘電率が電荷輸送層９６の誘電率と等しいと仮定して、像保持体２２の飽和電荷量の仮定初期値の逆数Ａ１を算出し、その後に検出する像保持体２２の飽和電荷量の逆数が像保持体２２の寿命を示す所定値Ｃ（像保持体２２が寿命に達したと判定されるべき電荷輸送層９６の層厚ｃに対応する値）に略一致した場合に、像保持体２２が寿命に達したと判定するようにされてもよい。
【００３７】
像保持体２２の寿命を示す所定値Ｃは、飽和電荷量の仮定初期値の逆数Ａ１に対する相対値であり、感光層９２の総層厚が初期値ａから例えば４０％消失した場合の飽和電荷量の逆数に対応している。
また、制御ユニット６２は、像保持体２２の動作量を検出し、飽和電荷量が誤差を含んで検出されても、検出精度に応じて、飽和電荷量の逆数が所定値Ｃよりも大きい値（例えば所定値Ｂ１：電荷輸送層９６の層厚ｃよりも大きい値の層厚ｂ１に対応）になるように、像保持体２２の動作量に応じて感光層９２の摩耗量（又は総層厚）を予測し、予測結果に応じたタイミング（時機）に飽和電荷量Ｑの検出を再開するようにされてもよい。
さらに、制御ユニット６２は、電流検出部８８を介して検出した飽和電荷量Ｑの値に応じて、次に飽和電荷量Ｑを検出する時機を設定するようにされてもよい。例えば、制御ユニット６２は、検出した飽和電荷量Ｑの値が層厚ｃの値に近づくにつれて、飽和電荷量Ｑを検出する間隔を短くするようにされてもよい。
【００３８】
次に、制御ユニット６２が電荷輸送層９６の層厚を算出し、像保持体２２の寿命を判定するために行う処理の具体例について説明する。
図７は、制御ユニット６２が電荷輸送層９６の層厚を算出し、像保持体２２の寿命を判定するために実行する寿命判定プログラム１００の構成を示すプログラム構成図である。
図７に示すように、寿命判定プログラム１００は、サイクル数（動作量）検出部１０２、時機（タイミング）制御部１０４、飽和電荷量検出部１０６、仮定初期値算出部１０８、層厚算出部１１０及び寿命判定部１１２から構成される。
【００３９】
サイクル数検出部１０２は、例えば像保持体２２に対する静電潜像形成回数情報（像保持体２２の回転数）を取得して、像保持体２２のサイクル数（動作量）を検出し、時機制御部１０４に対して出力する。
【００４０】
時機制御部１０４は、サイクル数検出部１０２が出力する像保持体２２のサイクル数に応じて、飽和電荷量検出部１０６が飽和電荷量Ｑの初期値を検出する時機（タイミング）を制御するとともに、飽和電荷量検出部１０６が検出する飽和電荷量Ｑの検出結果、及びサイクル数検出部１０２が出力する像保持体２２のサイクル数に応じて、飽和電荷量検出部１０６が次に飽和電荷量Ｑを検出する時機（タイミング）を制御する。
【００４１】
飽和電荷量検出部１０６は、時機制御部１０４の制御（設定）に応じて、電流検出部８８が検出する帯電電流とリーク電流とを含む直流電流値を受け入れ、上式１を用いて像保持体２２の飽和電荷量Ｑを算出することにより検出し、飽和電荷量Ｑの初期値を仮定初期値算出部１０８に対して出力し、その他の飽和電荷量Ｑの値を時機制御部１０４及び層厚算出部１１０に対して出力する。
【００４２】
仮定初期値算出部１０８は、飽和電荷量検出部１０６が出力する飽和電荷量Ｑの初期値を受け入れ、例えば上述した像保持体２２の飽和電荷量の仮定初期値を算出し、層厚算出部１１０に対して出力する。
なお、仮定初期値算出部１０８は、飽和電荷量検出部１０６が出力する飽和電荷量Ｑの初期値を受け入れ、例えば上述した像保持体２２の飽和電荷量Ｑの初期値の逆数Ａ０、及び像保持体２２の飽和電荷量の仮定初期値の逆数Ａ１を算出し、層厚算出部１１０に対して出力するようにされてもよい。
【００４３】
層厚算出部１１０は、仮定初期値算出部１０８が出力する飽和電荷量の仮定初期値（又は仮定初期値の逆数Ａ１）と、飽和電荷量検出部１０６が出力する飽和電荷量Ｑとを受け入れ、飽和電荷量の仮定初期値（又は仮定初期値の逆数Ａ１）と飽和電荷量Ｑ（又は１／Ｑ）との相対関係に応じて感光層９２の総層厚を算出し、寿命判定部１１２に対して出力する。
例えば、層厚算出部１１０は、仮定初期値の逆数Ａ１と飽和電荷量Ｑの逆数１／Ｑとの相対関係に応じて感光層９２の総層厚を算出する場合、下式２による演算を行って、感光層９２の総層厚の値を算出する。
【００４４】
Ａ１＝Ａ０×（ａ０×Ｒ＋ｂ０）÷（ａ０＋ｂ０）      ・・・（２）
ただし、
Ａ１：仮定初期値の逆数
Ａ０：飽和電荷量Ｑの初期値の逆数
ａ０：保護層９８の層厚（仕様値：定数）
ｂ０：電荷輸送層９６の層厚（仕様値：定数）
Ｒ：誘電率比＝ε１／ε２
ε１：保護層９８の誘電率
ε２：電荷輸送層９６の誘電率
【００４５】
寿命判定部１１２は、層厚算出部１１０が出力した感光層９２の総層厚の値を受け入れ、感光層９２の総層厚が電荷輸送層９６の層厚ｂ０（仕様値：定数）以下であり、像保持体２２の寿命と判定されるべき電荷輸送層９６の層厚ｃ（判定基準値）に略一致した場合に、像保持体２２が寿命に達したと判定し、例えばＵＩ装置６４などに対して出力する。
【００４６】
図８は、制御ユニット６２が寿命判定プログラム１００を実行して像保持体２２の寿命を判定するために行う処理例（Ｓ１０）を示すフローチャートである。
図８に示すように、ステップ１００（Ｓ１００）において、飽和電荷量検出部１０６は、時機制御部１０４の制御に応じて、飽和電荷量Ｑの初期値を検出する。
【００４７】
ステップ１０２（Ｓ１０２）において、仮定初期値算出部１０８は、像保持体２２の飽和電荷量の仮定初期値（又は仮定初期値の逆数Ａ１）を算出する。
【００４８】
ステップ１０４（Ｓ１０４）において、サイクル数検出部１０２は、像保持体２２のサイクル数（動作量）を検出する。
【００４９】
ステップ１０６（Ｓ１０６）において、時機制御部１０４は、Ｓ１０４の処理で検出したサイクル数が例えば所定値に達したか否かを判定し、所定値に達した（サイクル数＝所定値）場合にはＳ１０８の処理に進み、その他の場合にはＳ１０４の処理に進む。ここで、制御ユニット６２がサイクル数と比較する所定値は、例えば電荷輸送層９６の層厚が層厚ｃよりも大きい値の層厚ｂ１であることを予測可能なサイクル数（像保持体２２の動作量）である。
【００５０】
ステップ１０８（Ｓ１０８）において、時機制御部１０４は、飽和電荷量Ｑの検出時機を飽和電荷量検出部１０６に対して設定する。
【００５１】
ステップ１１０（Ｓ１１０）において、飽和電荷量検出部１０６は、時機制御部１０４による設定に応じて飽和電荷量Ｑを検出する。
【００５２】
ステップ１１２（Ｓ１１２）において、層厚算出部１１０は、Ｓ１０２の処理において算出された像保持体２２の飽和電荷量の仮定初期値（又は仮定初期値の逆数Ａ１）と、Ｓ１１０の処理において検出された飽和電荷量Ｑ（又は１／Ｑ）との相対関係に応じて感光層９２の総層厚を算出する。
【００５３】
ステップ１１４（Ｓ１１４）において、寿命判定部１１２は、Ｓ１１２の処理において算出された感光層９２の総層厚が像保持体２２の寿命と判定されるべき電荷輸送層９６の層厚ｃ（判定基準値）に略一致するか否かを判定し、感光層９２の総層厚が層厚ｃに略一致する場合にはＳ１１６の処理に進み、その他の場合はＳ１０８の処理に進む。
【００５４】
ステップ１１６（Ｓ１１６）において、寿命判定部１１２は、像保持体２２が寿命であると判定する。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施形態に係る画像形成装置の概要を示す側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る画像形成装置の概要を示す構成図である。
【図３】像保持体、帯電部材及びその周辺の構成の詳細を示す模式図である。
【図４】像保持体の断面の構成を示す模式図である。
【図５】電流検出部が検出する直流電流値と像保持体の電位との関係を示すグラフである。
【図６】像保持体の動作量に応じて摩耗する感光層の総層厚の変化と、像保持体の飽和電荷量の変化との関係を示すグラフである。
【図７】制御ユニットが電荷輸送層の層厚を算出し、像保持体の寿命を判定するために実行する寿命判定プログラムの構成を示すプログラム構成図である。
【図８】制御ユニットが寿命判定プログラムを実行して像保持体の寿命を判定するために行う処理例（Ｓ１０）を示すフローチャートである。
【００５６】
１０    画像形成装置
１２    画像形成部
２２    像保持体
２４    帯電部材
６２    制御ユニット
６４    ＵＩ装置
７０    ＣＰＵ
７２    メモリ
８２    電源部
８４    交流電源
８６    直流電源
８８    電流検出部
９０    導電性支持体
９２    感光層
９４    電荷発生層
９６    電荷輸送層
９８    保護層
１００    寿命判定プログラム
１０２    サイクル数検出部
１０４    時機制御部
１０６    飽和電荷量検出部
１０８    仮定初期値算出部
１１０    層厚算出部
１１２    寿命判定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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