(57)【要約】【課題】モールドのプレス圧力が比較的低い場合であっても、モールドの形状が転写された構造体を得ることが可能な構造体の製造方法、及びそのような製造方法により得られた構造体を提供する。【解決手段】本発明の構造体の製造方法は、基体上にシロキサン樹脂を含む膜形成組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、この樹脂層にモールドを押し付ける工程と、樹脂層からモールドを剥離する工程と、を含む。特に膜形成組成物には、質量平均分子量３００〜５０００の低分子量のシロキサン樹脂が含まれる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上にシロキサン樹脂を含む膜形成組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層にモールドを押し付ける工程と、
前記樹脂層から前記モールドを剥離する工程と、を含み、
前記シロキサン樹脂が、質量平均分子量３００〜５０００の低分子量のシロキサン樹脂を含むことを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２】
前記低分子量のシロキサン樹脂が、質量平均分子量３００〜３０００であることを特徴とする請求項１記載の構造体の製造方法。
【請求項３】
前記シロキサン樹脂全体における前記低分子量のシロキサン樹脂の割合が、３０質量％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の構造体の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂層に前記モールドを押し付けた状態で該樹脂層を硬化させることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の構造体の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項記載の構造体の製造方法により得られた構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、室温ナノインプリント技術を用いた構造体の製造方法、及びそのような製造方法により得られた構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基体上に微細なパターンを形成する技術の１つとして、ナノインプリント技術が提案されている（特許文献１参照）。このナノインプリント技術は、基本的には、所定のパターンが形成されたモールドを、表面に樹脂層が形成された基体に対して押し付け、モールドの形状を樹脂層に転写することにより、微細な転写パターンを得るものである。このようにして得られたパターン状の樹脂層は、例えば基体をエッチング加工する際のレジストとして利用される。本明細書では、このようにナノインプリント技術を用いて得られたパターン状の樹脂層を「構造体」と総称する。
【０００３】
これまで、樹脂層には熱可塑性樹脂や光硬化性樹脂が用いられており、それぞれ「熱ナノインプリント技術」、「光ナノインプリント技術」として公知である。熱ナノインプリント技術では、予め加熱により樹脂を軟化させておき、次いで、モールドを樹脂層に押し付け、その状態で樹脂層を冷却して樹脂を硬化させ、その後、モールドを剥離することにより転写パターンを形成する。一方、光ナノインプリント技術では、モールドを樹脂層に押し付け、その状態で樹脂層に光を照射して樹脂を硬化させ、その後、モールドを剥離することにより転写パターンを形成する。
【０００４】
また、近年になり、樹脂層にシロキサン樹脂を用い、室温にて転写パターンを得る技術が提案されており、「室温ナノインプリント技術」として認識されるに至っている（特許文献２参照）。この室温ナノインプリント技術では、モールドを樹脂層に押し付け、その後、モールドを剥離することにより転写パターンを形成する。この室温ナノインプリント技術は、従来の熱ナノインプリント技術や光ナノインプリント技術のように加熱や光照射の工程が必要ないため、スループットが高いという特長がある。また、樹脂層にはシロキサン樹脂が用いられているため、得られた構造体は、エッチング用のレジストとしてのみならず、ＣＭＯＳセンサーにおける極小レンズ等としても利用し得る。
【特許文献１】米国特許第５７７２９０５号明細書
【特許文献２】特開２００３−１００６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、この室温ナノインプリント技術は、熱ナノインプリント技術や光ナノインプリント技術と比較して、転写パターンを形成するために加熱や光照射の工程が必要ないという利点がある一方で、モールドを樹脂層に押し付ける際に必要なプレス圧力が高いという欠点がある。このため、比較的低いプレス圧力でモールドの形状を樹脂層に転写することのできる室温ナノインプリント技術が望まれていた。
【０００６】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたものであり、モールドのプレス圧力が比較的低い場合であっても、モールドの形状が転写された構造体を得ることが可能な構造体の製造方法、及びそのような製造方法により得られた構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、樹脂層に質量平均分子量が所定範囲内のシロキサン樹脂を含めることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【０００８】
本発明の第一の態様は、基体上にシロキサン樹脂を含む膜形成組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層にモールドを押し付ける工程と、前記樹脂層から前記モールドを剥離する工程と、を含み、前記シロキサン樹脂が、質量平均分子量３００〜５０００の低分子量のシロキサン樹脂を含むことを特徴とする構造体の製造方法である。
【０００９】
本発明の第二の態様は、本発明の構造体の製造方法により得られた構造体である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、樹脂層に質量平均分子量が３００〜５０００のシロキサン樹脂を含めることにより、モールドのプレス圧力が比較的低い場合であっても、モールドの形状が転写された構造体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
≪膜形成組成物≫
＜シロキサン樹脂（Ａ）＞
本発明の構造体の製造方法で用いられる膜形成組成物は、シロキサン樹脂（Ａ）を含むものである。このシロキサン樹脂（Ａ）としては、例えば下記一般式（ａ）で表される少なくとも１種のシラン化合物の加水分解物及び／又は部分縮合物が挙げられる。
【００１２】
【化１】
2009056737.tif 000002
【００１３】
上記一般式（ａ）中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜２０の有機基を表し、複数個のＲは同一でも異なっていてもよい。有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、プロペニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等が挙げられ、水酸基、アルコキシ基等で置換されていてもよい。
【００１４】
また、上記一般式（ａ）中、Ｘは加水分解性基を表す。加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基；ビニロキシ基、２−プロペノキシ基等のアルケノキシ基；フェノキシ基、アセトキシ基等のアシロキシ基；ブタノキシム基等のオキシム基；アミノ基等が挙げられる。この中でも、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、加水分解、縮合時の制御のし易さから、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基が特に好ましい。
また、上記一般式（ａ）中、ｎは０〜２の整数を表す。
【００１５】
なお、シロキサン樹脂（Ａ）の製造には、上記一般式（ａ）で表されるシラン化合物のうち、少なくともｎ＝０の化合物を用いることが好ましい。これにより、得られる構造体の機械強度をより向上させることができる。また、ｎ＝１，２の場合には、Ｒが有機基であるものを用いることが好ましい。
【００１６】
上記一般式（ａ）で表されるシラン化合物の具体例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリフェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキシシラン、フルオロトリイソプロポキシシラン、フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フルオロトリフェノキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリイソプロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、イソプロピルトリイソプロポキシシラン、イソプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、イソプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、イソプロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、イソプロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリイソプロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルイソトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリイソプロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリフェノキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリイソプロポキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチルジイソプロポキシシラン、ジエチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジフェノキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジイソプロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジフェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジフェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジイソプロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００１７】
上記一般式（ａ）で表されるシラン化合物のうち好ましいものとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラフェノキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、トリメチルモノメトキシシラン、トリメチルモノエトキシシラン、トリエチルモノメトキシシラン、トリエチルモノエトキシシラン、トリフェニルモノメトキシシラン、トリフェニルモノエトキシシランが挙げられる。
【００１８】
シロキサン樹脂（Ａ）の質量平均分子量は特に限定されないが、本発明の構造体の製造方法で用いられる膜形成組成物は、質量平均分子量（ＧＰＣによるポリスチレン換算質量。本明細書において同じ。）が３００〜５０００である低分子量のシロキサン樹脂を少なくとも含む。このように、質量平均分子量が３００〜５０００である低分子量のシロキサン樹脂を膜形成組成物中に含めることにより、含めない場合と比較して、低いプレス圧力でモールドを樹脂層に押し込むことができる。この低分子量のシロキサン樹脂の質量平均分子量は、３００〜３０００であることがより好ましい。
シロキサン樹脂（Ａ）全体における上記低分子量のシロキサン樹脂の割合は、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、特に好ましくは１００質量％である。
【００１９】
＜有機溶剤（Ｂ）＞
膜形成組成物は、シロキサン樹脂（Ａ）等の全ての成分を適当な有機溶剤に溶解して溶液の形態で用いるのが好ましい。
有機溶剤（Ｂ）としては、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコール類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル若しくはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体；ジオキサン等の環状エーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤等が挙げられる。これらの有機溶剤（Ｂ）は、１種を用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。この中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ｎ−ブタノールを用いることが好ましい。
【００２０】
有機溶剤（Ｂ）の配合量は、特に限定されないが、シロキサン樹脂（Ａ）の濃度が０．１〜４０質量％となるように用いることが好ましく、１〜３０質量％となるように用いることがより好ましい。
【００２１】
＜界面活性剤（Ｃ）＞
膜形成組成物は、必要に応じて界面活性剤（Ｃ）を含有していてもよい。界面活性剤（Ｃ）を含有することにより、モールドの形状の転写性が良好なものとなる。界面活性剤（Ｃ）としては、特に限定されず、公知の成分を用いることができる。
【００２２】
≪構造体の製造方法≫
本発明の構造体の製造方法は、基体上にシロキサン樹脂を含む膜形成組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、樹脂層にモールドを押し付ける工程と、樹脂層からモールドを剥離する工程と、を含むものである。特に膜形成組成物には、質量平均分子量３００〜５０００の低分子量のシロキサン樹脂が含まれる。
【００２３】
先ず、基体上にシロキサン樹脂を含む膜形成組成物をスピンコート法等により塗布し、樹脂層を形成する。樹脂層の膜厚は、製造する構造体の種類にもよるが、例えば１０ｎｍ〜５μｍ程度が好ましい。
また、基体としては、特に限定されず、例えば、シリコン、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属からなる基板やガラス基板、或いはこれらに所定の配線パターンが形成されたものを用いることができる。また、これらの基板に有機層や無機層が形成されたものを用いてもよい。
【００２４】
なお、形成された樹脂層に対して、５０〜１５０℃で０．１〜１０分間、ライトベークを施すようにしても構わない。
【００２５】
次に、基体上に形成された樹脂層に所定形状のモールドを押し付け、モールドの形状を樹脂層に転写する。この際、質量平均分子量３００〜５０００の低分子量のシロキサン樹脂を含む膜形成組成物を用いた場合には、比較的低いプレス圧力でモールドを押し込むことができる。なお、必ずしもモールドの凸部の先端が樹脂層の最下部に達するまでモールドを押し付ける必要はない。言い換えれば、モールドの形状が転写された樹脂層の下部に、モールドの形状が転写されていない樹脂層が残膜として残っていてもよい。この場合、樹脂層の残膜の上部において構造体が形成されていることになる。
【００２６】
モールドのプレス圧力は、５〜１００ＭＰａ程度であることが好ましい。また、プレス時間は、樹脂層の厚さにもよるが、１０〜１２０秒程度であることが好ましい。このようにモールドを押し付けた状態で所定時間プレスすることにより、樹脂層の形状がより硬化する。
【００２７】
その後、樹脂層からモールドを剥離する。この結果、モールドの形状が転写された構造体が基体上に形成される。
【００２８】
このようにして、モールドの形状が転写された構造体を基体上に形成することができる。形成された構造体は、基体をエッチング加工する際のレジストとしてのみならず、ＣＭＯＳセンサーにおける極小レンズ等としても利用し得る。すなわち、本発明では、モールドの形状を変えることにより、様々な形状の構造体を製造することができる。
【００２９】
なお、モールドの剥離後に構造体を加熱したり紫外線（ＵＶ光）等を照射したりして、構造体をさらに硬化させるようにしても構わない。特にＵＶ光の照射は、構造体を安定化させることができ、形成された構造体の変形（シュリンク、型崩れ等）を防止することができ好ましい。このようにＵＶ光が照射された構造体は、その後に加熱等の工程がある場合にも形状変化することがなく、特にシュリンクすることがないため、そのまま構造体として用いる場合に特に好ましい。
【実施例】
【００３０】
次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３１】
＜実施例１＞
ＣＨ３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３：Ｓｉ（ＯＣＨ３）４＝１：１（モル比）をイソプパノール：アセトン＝２：１の混合溶媒中で加水分解縮合させ、形成されるシルセスキオキサン樹脂の濃度が４質量％（ＳｉＯ２換算）となるようにイソプパノール：アセトン＝２：１の混合溶媒で調整し、膜形成組成物１を得た。このシルセスキオキサン樹脂の質量平均分子量は１８００であった。
【００３２】
シリコン基板表面上にこの膜形成組成物１をスピンコート法にて塗布し、膜厚１５０ｎｍの樹脂層を得た。樹脂層を乾燥や硬化することなく、ナノインプリンター  ＮＭ−０４０１（明昌機工社製）を用いて、樹脂層に対してモールド（凸型ホールパターン、ホール直径１５０ｎｍ、ホール高さ１５０ｎｍ）をプレス圧力４０ＭＰａ（１０ｋＮの荷重）にて室温（２５℃）で６０秒間押し付けた。その後、モールドを剥離することにより、基板上にパターン状の構造体を形成した。
【００３３】
得られた構造体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、高精度のパターンが基板上に再現されていることが分かった。また、プレス圧力４０ＭＰａ、プレス時間６０秒間という条件で、１５０ｎｍの膜厚を貫通する１００％の深さまでパターニングできていることを確認した。
【００３４】
＜実施例２＞
フェニルトリメトキシシランを加水分解して得られた下記構造式（１）で表される構成単位からなるシルセスキオキサン樹脂（質量平均分子量：１５００）を用い、この樹脂の濃度が５質量％（ＳｉＯ２換算）となるようにプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートで調整し、膜形成組成物２を得た。
【００３５】
【化２】
2009056737.tif 000003
【００３６】
この膜形成組成物２を用いて実施例１と同様に構造体を形成し、得られた構造体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、高精度のパターンが基板上に再現されていることが分かった。また、プレス圧力４０ＭＰａ、プレス時間６０秒間という条件で、１５０ｎｍの膜厚を貫通する１００％の深さまでパターニングできていることを確認した。
【００３７】
＜比較例１＞
フェニルトリメトキシシランを加水分解して得られた上記構造式（１）で表される構成単位からなるシルセスキオキサン樹脂（質量平均分子量：６５００）を用い、この樹脂の濃度が４質量％となるようにプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートで調整し、膜形成組成物３を得た。
【００３８】
この膜形成組成物３を用いて実施例１，２と同様に構造体を形成し、得られた構造体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、実施例１，２と同じプレス圧力、プレス時間では、４５％（７０ｎｍ）未満の深さまでしかモールドを押し込むことができなかった。