(57)【要約】【課題】薄化されたウェーハのハンドリング性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法、半導体ウェーハの研削ホイールおよび半導体ウェーハの加工装置を提供すること。【解決手段】ウェーハ１０の裏面の内周領域を選択的に研削し、外周領域に内周領域よりも厚い外周補強部１ｃを形成することで、ウェーハの裏面に凹部を作成する工程と、凹部に、ダイアタッチ材５１を充填する工程と、ウェーハ１０を複数のチップに個片化する工程とを備える。ダイアタッチ材５１は、チップをダイボンディングする際に用いられるダイボンディング用接着剤であり、ダイボンディング工程において、そのままダイアタッチ材５１が接着剤として使用される。ウェーハ１０の裏面が平面にされることにより、ダイシング用のテープを裏面に貼ることなどが可能となるため、ダイシングによりウェーハを複数のチップに個片化することが可能となる。【選択図】図３
2009272590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの裏面の内周領域を選択的に研削し、外周領域に前記内周領域よりも厚い外周補強部を形成することで、前記ウェーハの裏面に凹部を作成する工程と、
前記凹部に、ダイボンディング用接着剤又はフィルム用接着剤よりなる充填材を充填する工程と、
前記ウェーハを複数のチップに個片化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記内周領域の表面から前記外周補強部の表面までの距離は、
前記充填材が前記ダイボンディング用接着剤または前記フィルム用接着剤として機能するための必要厚さとされることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記充填材を充填する工程は、
前記凹部に液状の前記充填材を充填する工程と、
充填された前記充填材を平坦化する工程と、
充填された前記充填材を固化する工程と
を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記充填材を平坦化する工程は、
前記外周補強部の表面を含む平面内から溢れた前記充填材をへら部材により除去することにより行われることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記充填材は、第１のダイアタッチ材と第２のダイアタッチ材とを含み、
前記充填材を充填する工程は、
前記凹部に、前記ウェーハに対する接着性が前記第２のダイアタッチ材よりも良好な前記第１のダイアタッチ材を充填する工程と、
前記第１のダイアタッチ材の充填後に、前記凹部に、前記チップがダイボンディングされる部材に対する接着性が前記第１のダイアタッチ材よりも良好な前記第２のダイアタッチ材を充填する工程と、
を備えることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体ウェーハを薄化するための研削ホイールであって、
スピンドルの先端部に取り付けられる円盤形状の第１ホイールと、
前記第１ホイールの直径よりも小さい直径を有し、前記スピンドルの回転軸を共通するように前記第１ホイールと一体に取り付けられる円盤形状の第２ホイールとを備え、
前記第１ホイールの前記回転軸に対して垂直な面と、前記第２ホイールの前記回転軸に対して垂直な面との距離が調整可能とされることを特徴とする半導体ウェーハの研削ホイール。
【請求項７】
ウェーハを薄化するための加工装置であって、
前記ウェーハを保持するテーブルと、
前記テーブルに保持された前記ウェーハを研磨する研磨ホイールと、
前記テーブルに保持された前記ウェーハに液状の充填材を供給する供給部と、
前記ウェーハに供給された前記充填材を固化する固化部と、
を有し、
前記研磨ホイールは、
スピンドルの先端部に取り付けられる円盤形状の第１ホイールと、
前記第１ホイールの直径よりも小さい直径を有し、前記スピンドルの回転軸を共通するように前記第１ホイールと一体に取り付けられる円盤形状の第２ホイールとを備え、
前記第１ホイールの前記回転軸に対して垂直な面と、前記第２ホイールの前記回転軸に対して垂直な面との距離が調整可能とされることを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置の製造方法、半導体ウェーハの研削ホイールおよび半導体ウェーハの加工装置に関し、特に薄化されたウェーハのハンドリング性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年は、各種電子機器の小型化、軽量化のために、半導体ウェーハは薄化が求められている。通常、背面研削によりウェーハを薄化すると、ウェーハ自体が撓んだり、反ったりする為、ハンドリングが容易ではなくなる。その解決策として、ウェーハの外周部を残して内周部のみを研削する技術が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開2007-19379公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウェーハをダイシングによりチップに個片化する際には、ウェーハ裏面にテープ部材を貼り付ける必要がある場合がある。しかし、ウェーハ裏面の内周部を研削した状態では、ウェーハ裏面の外周部と内周部との間に段差が存在し、当該段差によりテープ部材を貼ることができない。すると、ダイシングをすることができないため問題である。また、ウェーハ裏面に段差がある状態でウェーハをテーブルに固定しダイシングを行うと、ウェーハ内周部が撓んで割れるおそれがあるため、ダイシングをすることができず問題である。
【０００５】
また、ダイシング工程に対応させる為に、外周部を切断する場合もある。しかし、外周部を切断するという工程が増加するため問題である。また、ハンドリング性（形状保持安定化）が損なわれるため、問題である。
【０００６】
本発明は前記背景技術の課題の少なくとも１つを解消するためになされたものであり、工程を増加させることなく、薄化されたウェーハのハンドリング性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法、半導体ウェーハの研削ホイールおよび半導体ウェーハの加工装置を提供することを提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の半導体装置の製造方法では、ウェーハの裏面の内周領域を選択的に研削し、外周領域に内周領域よりも厚い外周補強部を形成することで、ウェーハの裏面に凹部を作成する工程と、凹部に、ダイボンディング用接着剤又はフィルム用接着剤よりなる充填材を充填する工程と、ウェーハを複数のチップに個片化する工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
ウェーハの裏面には、凹部が形成されている。そして、凹部に充填材が埋められる。よって、ウェーハ裏面が平面にされることにより、ダイシング用のテープを裏面に貼ることなどが可能となるため、ダイシングによりウェーハを複数のチップに個片化することが可能となる。また、凹部に充填材を充填することにより、ウェーハ内周部に中空部が形成されることが防止される。よって、ダイシング時にウェーハの内周領域が撓んでウェーハが割れることを防止できるため、ダイシングが可能となる。
【０００９】
また、充填材は、チップをダイボンディングする際に用いられるダイボンディング用接着剤、または、ダイシングの際に用いられるフィルムにウェーハを固定するフィルム用接着剤である。よって充填材を充填する工程の後に行われるダイシング工程やダイボンディング工程において、そのまま充填材を接着剤として使用することが可能となる。このように、後の工程で用いる材料を用いて凹部を平坦化するため、工程が増加することを防止することが可能となる。
【００１０】
また本開示の半導体ウェーハの研削ホイールでは、スピンドルの先端部に取り付けられる円盤形状の第１ホイールと、第１ホイールの直径よりも小さい直径を有し、スピンドルの回転軸を共通するように第１ホイールと一体に取り付けられる円盤形状の第２ホイールとを備え、第１ホイールの回転軸に対して垂直な面と、第２ホイールの回転軸に対して垂直な面との距離が調整可能とされることを特徴とする。
【００１１】
第２ホイールの直径は第１ホイールよりも小さくされるため、研削ホイールの断面形状は、スピンドルの先端側へ向かって凸形状とされる。よって、第１ホイールの回転軸に対して垂直な面と、第２ホイールの回転軸に対して垂直な面との間には、段差ができる。そして第２ホイールの回転軸に対して垂直な面でウェーハの裏面の内周領域を研削し、第１ホイールの回転軸に対して垂直な面でウェーハの裏面の外周領域を研削することにより、研削ホイールの段差がウェーハ裏面に転写され、ウェーハの裏面の外周領域は内周領域に対して段差高さの分だけ高くなる。よって、ウェーハの裏面に凹部を形成することができる。
【００１２】
また、研削ホイールの段差がウェーハ裏面に転写されることから、凹部の深さは、第１ホイールの回転軸に対して垂直な面と第２ホイールの回転軸に対して垂直な面との距離と等しくなる。そして当該距離は調整可能とされるため、凹部の深さも調整することが可能とされる。
【００１３】
また第１ホイールと第２ホイールとが一体化された研削ホイールを用いることにより、内周領域と外周領域を同時に研削することができるため、凹部を形成する研削加工の効率を高めることが可能となる。
【００１４】
また本開示の半導体ウェーハの加工装置では、ウェーハを保持するテーブルと、テーブルに保持されたウェーハを研磨する研磨ホイールと、テーブルに保持されたウェーハに液状の充填材を供給する供給部と、ウェーハに供給された充填材を固化する固化部と、を有し、研磨ホイールは、スピンドルの先端部に取り付けられる円盤形状の第１ホイールと、第１ホイールの直径よりも小さい直径を有し、スピンドルの回転軸を共通するように第１ホイールと一体に取り付けられる円盤形状の第２ホイールとを備え、第１ホイールの回転軸に対して垂直な面と、第２ホイールの回転軸に対して垂直な面との距離が調整可能とされることを特徴とする。
【００１５】
半導体ウェーハの加工装置は、研削機構（研削ホイール）と、充填機構（供給部）と、固化機構（固化部）とを備える。研削ホイールによって、研削ホイールの段差がウェーハ裏面に転写され、ウェーハの裏面の外周領域は内周領域に対して段差高さの分だけ高くなることで、ウェーハには凹部を形成することができる。そして、供給部によって、凹部に液状の充填材を充填することができる。そして、固化部によって充填材を固化することができる。
【００１６】
これにより、ウェーハ加工装置内に研削機構、充填機構、および固化機能を持たせることにより、加工装置での加工完了後は、ウェーハは裏面が平坦でかつ形状保持が可能な状態とされる。よって後の工程においても、特殊なハンドリングが不要となるため、現行の装置でウェーハの処理が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本開示の半導体装置の製造方法、半導体ウェーハの研削ホイールおよび半導体ウェーハの加工装置によれば、工程を増加させることなく、薄化されたウェーハのハンドリング性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法等を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本開示に係るウェーハ加工装置２を、図１および図２に示す。図１に示すように、ウェーハ加工装置２は、吸着テーブル２０、スピンドル２２、研削ホイール２３を備える。吸着テーブル２０は、ウェーハ１０を保持して回転可能とされるテーブルである。スピンドル２２は、昇降可能であり、かつウェーハ１０の平面方向に移動自在とされる。スピンドルの先端部には、研削ホイール２３が取り付けられる。
【００１９】
図２に示すように、研削ホイール２３は、上部研削ホイール２４および下部研削ホイール２５を備える。上部研削ホイール２４は直径ＤＤ１の円盤形状をしており、スピンドル２２に取り付けられる。また、下部研削ホイール２５は直径ＤＤ２の円盤形状をしており、スピンドル２２の回転軸を共通するように上部研削ホイール２４と一体に取り付けられる。直径ＤＤ２は直径ＤＤ１よりも小さくされるため、研削ホイールの断面形状は、スピンドル２２の先端側へ向かって凸形状とされる。よって、上部研削ホイール２４の回転軸に対して垂直な面である下面２４ａと、下部研削ホイール２５の回転軸に対して垂直な面である下面２５ａとの間には、距離Ｈ１を有する段差が形成される。そして、距離Ｈ１は調整可能とされる。距離Ｈ１の値によって、後述するウェーハ裏面１０ｂの凹部の深さＣＤが決められる。また、下面２４ａおよび２５ａには研削砥石が固着される。また、下面２４ａの幅Ｗ２は、後述する外周補強部１ｃの幅Ｗｃよりも大きくされる。
【００２０】
本開示に係る半導体ウェーハの加工方法の実施形態を、図３ないし図１１を用いて説明する。図３に加工方法のフローを示す。Ｓ１において、ウェーハ１０の表面Ｗａに表面保護テープＧＴが貼り付けられる。
【００２１】
Ｓ２において、ウェーハ加工装置２を用いてウェーハ１０の裏面研削が行われる。まず、ウェーハ１０を裏返し、保護部材１側が吸着テーブル２０に固定されることで、図１に示すように、ウェーハ裏面１０ｂが研削ホイール２３と対向した状態とされる。ウェーハ裏面１０ｂの研削は、スピンドル２２の回転に伴って回転する研削ホイール２３が下降してウェーハ裏面１０ｂに接触することで行われる。このときスピンドル２２は、ウェーハ１０の水平方向の前後左右に自在に動くことができる。そして下面２５ａでウェーハ裏面１０ｂの内周領域を研削し、下面２４ａでウェーハの裏面の外周領域を研削する。このとき、内周領域の研削と外周領域の研削とは同時に行われるため、研削加工の効率が高くされる。これにより、研削ホイール２３の段差がウェーハ裏面１０ｂに転写されるため、図４に示すように、外周補強部１ｃを有する凹部がウェーハ１０に形成される。そして、外周補強部１ｃと内周領域との高さの差が凹部の深さＣＤとなり、深さＣＤの値は距離Ｈ１と等しくなる。
【００２２】
ウェーハ１０の研削前の初期厚さは、５００〜８００（μｍ）程度である。そして研削後のウェーハ１０においては、外周補強部１ｃの厚さＯＴは１００〜２００（μｍ）とされ、内周領域の厚さＩＴは３０〜１００（μｍ）とされる。また凹部の深さＣＤは、５０（μｍ）以下程度とされる。
【００２３】
外周補強部１ｃの厚さＯＴを薄くする効果を説明する。厚さＯＴを薄くしない場合には、外周補強部１ｃと内周領域との高さの差が大きくなり、凹部の深さＣＤは数百〜７００（μｍ）と深くなる。そして、深い凹部を平坦にするようにダイアタッチ材５１を充填すると、ダイアタッチ材５１の厚さも数百〜７００（μｍ）と厚くなる。しかし通常、ダイアタッチ材の厚さは５０μｍ程度あればダイボンディングが可能とされ、これ以上ダイアタッチ材の厚さが厚くなると、ダイシング工程において切削ブレード３５がダイアタッチ材の下部まで届かないなどの理由により、ダイシングが困難となる。よって、外周補強部１ｃの厚さＯＴを薄くすることで、凹部の深さＣＤを５０（μｍ）以下程度にすることが好ましい。なお、外周補強部１ｃの厚さは、ウェーハ１０の形状保持安定性が失われない程度に厚くする必要がある。よって外周補強部１ｃの厚さは、ダイアタッチ材のダイシングの容易性と、ウェーハ１０の形状保持安定性とのバランスによって適宜決定すればよい。
【００２４】
Ｓ３において、ウェーハ１０の凹部にダイアタッチ材を充填する。図５に示すように、ノズル３１から液状のダイアタッチ材５１が凹部に流し込まれることで充填される。ここでダイアタッチ材５１は、チップをリードフレームやパッケージに接着・固定するための接合材である。ダイアタッチ材５１の例としては、ポリイミド系やエポキシ系の樹脂が挙げられる。
【００２５】
Ｓ４において、凹部に充填されたダイアタッチ材５１が平坦化される。平坦化の方法として、まず、吸着テーブル２０が回転することで、遠心力によりダイアタッチ材５１をウェーハ１０の外周部まで伸ばす方法がある。ダイアタッチ材５１の充填量が凹部の体積よりも多い場合は、ウェーハ１０の外周部からダイアタッチ材５１が溢れることで、外周補強部１ｃの表面とダイアタッチ材５１の液面の表面とが略同一平面となることで、ウェーハ裏面が平坦化される。一方、ダイアタッチ材５１の充填量が凹部の体積よりも少ない場合は、外周補強部１ｃの表面に対して、ダイアタッチ材５１の液面の表面が低くなるため、ウェーハ裏面が平坦化されない。よってダイアタッチ材５１の充填量は、凹部の体積よりも多くすることが、平坦性確保の観点から好ましい。
【００２６】
平坦化の方法として、次に、図６に示すように、外周補強部１ｃの表面を基準面として、スキージ３２（へら部材）が基準面上をスイープする方法がある。これにより、基準面よりも上方に存在するダイアタッチ材５１が、スキージ３２（へら部材）により除去されるため、ウェーハ裏面の平坦度をさらに向上させることができる。
【００２７】
Ｓ５において、充填されたダイアタッチ材５１を１次凝固させる。図７に示すように、加熱器３３を用いてダイアタッチ材５１の表面を低温（１２０℃以下）で加熱することで、ダイアタッチ材５１を１次凝固させることができる。１次凝固したダイアタッチ材５１は、熱可塑性を有しており、ダイボンディング時に加熱すれば再度軟化する性質を有している。よって、凹部を平坦化する充填材として、ダイアタッチ材５１を使用することができる。なお、加熱は、吸着テーブル２０を加熱することによって行ってもよい。また、凝固は、ＵＶ（UltraViolet）光によって行っても良い。
【００２８】
このようにウェーハ加工装置２内に充填機構、平坦化機構、１次凝固機能を持たせることにより、ウェーハ加工装置２での加工完了後は裏面が平坦でかつ形状保持が可能な状態でウェーハ１０を取り出すことができる。加工後のウェーハ１０は、フレーム（金属のリング状の治具）により、テープマウント工程へ搬送される。
【００２９】
Ｓ６において、テープマウント工程が行われる。図８に示すように、ダイシング用のテープ４２がフレーム４１に固定される。テープ４２は、厚さが１０〜２０（μｍ）程度の糊層４３と、厚さが１００（μｍ）程度の基材層４４とを備える２層構造を有し、糊層４３が上面となるようにフレーム４１に固定される。そしてダイアタッチ材５１が充填されたウェーハ１０を、回路が形成されたウェーハ表面１０ａが上方となるように、テープ４２に貼り付けされる。このとき、ウェーハ裏面１０ｂが平坦にされているため、テープ４２をウェーハ裏面１０ｂに貼ることが可能とされる。
【００３０】
Ｓ７において、ダイシングが行われる。図９に示すように、高速回転する切削ブレード３５をダイシングラインに切り込ませて、ウェーハ１０をチップに個片化する。このとき、ウェーハ１０と共に、凹部に埋め込まれたダイアタッチ材５１も切り離される。そして、凹部に充填されたダイアタッチ材５１によってウェーハ１０の内周部に中空部が形成されることが防止され、ウェーハ１０が撓むことが防止されるため、ウェーハ割れ等の発生を防止することができる。よって、薄化されていないウェーハ用の既存の技術や設備を用いて、ウェーハ１０をダイシングすることが可能となる。
【００３１】
ダイシングが終了すると、図１０に示すように、テープ４２の裏面から紫外線ランプ３６を用いてＵＶ光を照射する。これにより糊層４３を固化させ、糊層４３の粘着力が落とされる。
【００３２】
Ｓ８に示すように、ダイボンディングが行われる。図１１に示すように、個片化されたチップ１１は、ダイアタッチ材５１が付いた状態でピックアップ用ノズル３４によりピックアップされ、基板１２まで移動される。そして基板１２にチップを密着させて加熱する。このとき高温（２００℃程度）で加熱することで、ダイアタッチ材５１を２次凝固させることができる。２次凝固したダイアタッチ材５１は、熱硬化しており、熱可塑性は有しない。
【００３３】
以上より、本実施形態に係るウェーハ加工装置２および半導体ウェーハの加工方法では、ウェーハ裏面１０ｂの凹部にダイアタッチ材５１を充填することでウェーハ裏面１０ｂを平面にすることにより、テープ４２をウェーハ裏面１０ｂに貼ることが可能となるため、薄化されていないウェーハ用の既存の技術や設備を用いて、ダイシングやダイボンディングをすることが可能となる。また凹部にダイアタッチ材５１を充填するため、ダイシング時にウェーハ１０の内周領域が撓むことを防止できるため、ダイシングが可能となる。
【００３４】
また、ダイアタッチ材５１は、ダイアタッチ材５１を充填する後の工程である、ダイボンディング工程で用いられる材料である。よってダイボンディング工程において、そのままダイアタッチ材５１を用いてダイボンディングすることが可能となる。このように、後の工程で用いる材料を用いて凹部を平坦化するため、工程が増加することを防止することが可能となる。
【００３５】
また、凹部の深さＣＤは、上部研削ホイール２４の下面２４ａと下部研削ホイール２５の下面２５ａとの距離Ｈ１と等しくなる。そして、距離Ｈ１を調整することで、凹部の深さＣＤを調整することが可能とされる。
【００３６】
また、上部研削ホイール２４と下部研削ホイール２５とが一体化された研削ホイール２３を用いることにより、ウェーハ裏面１０ｂの内周領域と外周領域を同時に研削することができるため、凹部を形成する研削加工の効率を高めることが可能となる。
【００３７】
また、ウェーハ加工装置２内に充填機構（ノズル３１）、平坦化機構（スキージ３２）、１次凝固機能（加熱器３３）を持たせることにより、ウェーハ加工装置２での加工完了後は、ウェーハ１０は裏面が平坦でかつ形状保持が可能な状態とされる。よって後のテープマウント工程、ダイシング工程、ダイボンディング工程などの工程においても、特殊なハンドリングが不要となるため、薄化されていないウェーハ用の既存の技術や設備を用いてウェーハ１０の処理が可能となる。
【００３８】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは言うまでもない。本実施形態では、凹部に充填する充填材としてダイアタッチ材５１を用いるとしたが、この形態に限られない。充填材として、ダイシング用のテープ４２の糊層４３を形成する、液状の糊部材を用いてもよい。この場合、ダイボンディングでのチップのピックアップ時（図１１）には、糊部材とチップとの界面が剥がれる。これにより、例えば、チップをＡｇペーストで基板・リードフレーム等に固定するなどのダイアタッチ材を使用しない場合においても、後のダイシング工程で用いる糊部材を充填材として用いることで、工程が増加することを防止しながら凹部を平坦化することが可能となる。
【００３９】
また、本実施形態では、凹部に１種類のダイアタッチ材５１を充填するとしたが、この形態に限られず、複数種類の材料を層状に充填するとしてもよい。例えば、チップに対する接着性が良好な第１のダイアタッチ材と、リードフレームやパッケージに対する接着性が良好な第２のダイアタッチ材とを層状に充填するとしてもよい。このように、ダイアタッチ材の複層化が可能となるのは、本実施形態の半導体装置の製造方法が、凹部にダイアタッチ材を充填するという工程を有するためである。ここで第１のダイアタッチ材の例としては、平坦な表面に対する接着性が高いエポキシ系樹脂製のダイアタッチ材が挙げられる。また第２のダイアタッチ材の例としては、凹凸が存在する表面に対する接着性が高いポリイミド系樹脂製のダイアタッチ材が挙げられる。そして、充填工程では、第１のダイアタッチ材をウェーハの凹部の下層に充填する工程と、第１のダイアタッチ材を平坦化して固化する工程と、第２のダイアタッチ材を凹部が略平面となるように凹部の上層に充填する工程と、第２のダイアタッチ材を固化する工程と、が行われる。これにより、チップとリードフレームやパッケージとを接着する際に、それぞれの部材に最適なダイアタッチ材を用いることができるため、接着性をより高めることが可能となる。
【００４０】
また凹部に、チップに対する接着性が良好な第１のダイアタッチ材と、テープ４２の糊層４３を形成する糊部材とを、層状に充填するとしてもよい。この場合、ダイボンディングでのチップのピックアップ時（図１１）には、糊部材と第１のダイアタッチ材との界面が剥がれることにより、チップは第１のダイアタッチ材が付いた状態でピックアップされることになる。これにより、後のダイシング工程で用いる糊部材と、後のダイボンディング工程で用いるダイアタッチ材とを充填材として用いることで、工程が増加することを防止しながら凹部を平坦化することが可能となる。また、ダイアタッチ材のみを用いて凹部を平坦化する場合には、ダイアタッチ材の最大厚さが決まっているため、外周補強部１ｃの最大厚さも制限される結果、ウェーハの形状保持が不十分となる場合がある。しかし、ダイアタッチ材と糊部材との複層構造を用いることにより、ダイアタッチ材の最大厚さに制限されることなく外周補強部１ｃの厚さを厚くすることができるため、ウェーハの形状保持性をより高めることが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態では、凹部に充填する充填材として液状のダイアタッチ材５１を用いるとしたが、この形態に限られない。充填材として、フィルムにダイアタッチ材が塗布されたダイアタッチフィルムを用いてもよい。この場合、例えば、凹部の内径サイズにあわせてカットされたダイアタッチフィルムを、ローラーを用いて凹部に熱圧着するなどの工程を行えばよい。
【００４２】
なお、ダイアタッチ材５１は充填材の一例、スキージ３２はへら部材の一例、上部研削ホイール２４は第１ホイールの一例、下部研削ホイール２５は第２ホイールの一例である。
【００４３】
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
ウェーハの裏面の内周領域を選択的に研削し、外周領域に前記内周領域よりも厚い外周補強部を形成することで、前記ウェーハの裏面に凹部を作成する工程と、
前記凹部に、ダイボンディング用接着剤又はフィルム用接着剤よりなる充填材を充填する工程と、
前記ウェーハを複数のチップに個片化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記内周領域の表面から前記外周補強部の表面までの距離は、
前記充填材が前記ダイボンディング用接着剤または前記フィルム用接着剤として機能するための必要厚さとされることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記充填材は液状であり、
前記充填材を充填する工程は、
前記凹部に液状の前記充填材を充填する工程と、
充填された前記充填材を平坦化する工程と、
充填された前記充填材を固化する工程と
を備えることを特徴とする付記１または付記２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記充填材を平坦化する工程は、
前記外周補強部の表面を含む平面内から溢れた前記充填材をへら部材により除去することにより行われることを特徴とする付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記充填材を平坦化する工程は、
前記ウェーハを円周方向に回転させることにより行われることを特徴とする付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記充填材は、第１のダイアタッチ材と第２のダイアタッチ材とを含み、
前記充填材を充填する工程は、
前記凹部に、前記ウェーハに対する接着性が前記第２のダイアタッチ材よりも良好な前記第１のダイアタッチ材を充填する工程と、
前記第１のダイアタッチ材の充填後に、前記凹部に、前記チップがダイボンディングされる部材に対する接着性が前記第１のダイアタッチ材よりも良好な前記第２のダイアタッチ材を充填する工程と、
を備えることを特徴とする付記３ないし付記５に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記充填材は、第１のダイアタッチ材と糊部材とを含み、
前記充填材を充填する工程は、
前記凹部に、前記ウェーハに対する接着性が前記糊部材よりも良好な前記第１のダイアタッチ材を充填する工程と、
前記第１のダイアタッチ材の充填後に、前記凹部に、前記ダイシング用の際に用いられる前記フィルムに対する接着性が前記第１のダイアタッチ材よりも良好な前記糊部材を充填する工程と、
を備えることを特徴とする付記３ないし付記５に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
半導体ウェーハを薄化するための研削ホイールであって、
スピンドルの先端部に取り付けられる円盤形状の第１ホイールと、
前記第１ホイールの直径よりも小さい直径を有し、前記スピンドルの回転軸を共通するように前記第１ホイールと一体に取り付けられる円盤形状の第２ホイールとを備え、
前記第１ホイールの前記回転軸に対して垂直な面と、前記第２ホイールの前記回転軸に対して垂直な面との距離が調整可能とされる
ことを特徴とする半導体ウェーハの研削ホイール。
（付記９）
ウェーハを薄化するための加工装置であって、
前記ウェーハを保持するテーブルと、
前記テーブルに保持された前記ウェーハを研磨する研磨ホイールと、
前記テーブルに保持された前記ウェーハに液状の充填材を供給する供給部と、
前記ウェーハに供給された前記充填材を固化する固化部と、
を有し、
前記研磨ホイールは、
スピンドルの先端部に取り付けられる円盤形状の第１ホイールと、
前記第１ホイールの直径よりも小さい直径を有し、前記スピンドルの回転軸を共通するように前記第１ホイールと一体に取り付けられる円盤形状の第２ホイールとを備え、
前記第１ホイールの前記回転軸に対して垂直な面と、前記第２ホイールの前記回転軸に対して垂直な面との距離が調整可能とされることを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
（付記１０）
前記研削ホイールによって凹部が形成された前記ウェーハの最上面を基準面として、前記基準面上をスイープするへら部材を備えることを特徴とする付記９に記載の半導体ウェーハの加工装置。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】ウェーハ加工装置２の概略図（その１）
【図２】研削ホイール２３の概略図
【図３】本発明の一実施例における半導体ウェーハの加工方法のフロー図
【図４】ウェーハ１０の概略図
【図５】ウェーハ加工装置２の概略図（その２）
【図６】ウェーハ加工装置２の概略図（その３）
【図７】ウェーハ加工装置２の概略図（その４）
【図８】テープマウント装置の概略図
【図９】ダイシング装置の概略図（その１）
【図１０】ダイシング装置の概略図（その２）
【図１１】ダイボンディング装置の概略図
【符号の説明】
【００４５】
１ｃ  外周補強部
１０  ウェーハ
１０ａ  ウェーハ表面
１０ｂ  ウェーハ裏面
２２  スピンドル
２３  研削ホイール
２４  上部研削ホイール
２５  下部研削ホイール
３２  スキージ
５１  ダイアタッチ材
Ｈ１  距離
ＣＤ  深さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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