(57)【要約】【課題】低電圧、且つ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置及び電子機器を提供する。【解決手段】液晶装置１０は、対向して配置された第１基板１２と第２基板１４との間に挟持された液晶層１６を有し、液晶層１６の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、第１基板１２は、互いに交差する走査線３６Ａ及びデータ線と、複数の画素電極３０と、走査線３６Ａ又はデータ線よりも液晶層１６側に設けられた絶縁膜６２と、絶縁膜６２に形成したコンタクトホール５７を介して走査線３６Ａ又はデータ線と電気的に接続された転移電極５８と、転移電極５８と画素電極３０との間に設けられた誘電体膜６６と、を含み、転移電極５８は、誘電体膜６６を介して画素電極３０との間に電位差を生じさせる。【選択図】図４
2009128739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層を有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記第１基板は、
互いに交差する走査線及びデータ線と、
複数の画素電極と、
前記走査線又はデータ線よりも前記液晶層側に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記走査線又はデータ線と電気的に接続された転移電極と、
前記転移電極と前記画素電極との間に設けられた誘電体膜と、
を含み、
前記転移電極は、前記誘電体膜を介して前記画素電極との間に電位差を生じさせることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置において、
前記転移電極の少なくとも一部は、平面視で前記画素電極の端部と重なることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置において、
前記画素電極又は転移電極に屈曲部が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記転移電極は、前記走査線と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記データ線と同層に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置において、
前記転移電極は、前記転移電極が電気的に接続された前記走査線に隣接して配置される他の走査線によって駆動される画素電極の端部と重なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記転移電極は、前記データ線と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特に液晶テレビジョン等に代表される液晶表示装置の分野においては、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードの液晶表示装置が脚光を浴びている。ＯＣＢモードにおいて、初期状態では液晶が２枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている必要がある。即ち、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することで高速応答性を実現している。
【０００３】
このようにＯＣＢモードの液晶表示装置の場合、電源遮断時に液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。そこで特許文献１には、画素電極との間に生じさせた横電界を用いて、液晶の初期配向転移を促進する技術が開示されている。又、特許文献２には、表示領域周辺に転移防止電極を用いて、表示領域の周辺にベンド配向を形成する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２９６５１９号公報
【特許文献２】特開２００３−８４２９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のような構成では、画素電極に屈曲部があることで遮光層（ブラックマトリックス層）の面積が大きくなり、パネル開効率が低下するという課題がある。又、特許文献２のような構成では、転移電極を制御駆動させるために新たなＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子等の形成が必要となる他、これらの素子を駆動するためにドライバの構成がより複雑になるという課題がある。更に、転移電極上に画素電極の端部を設けるため、転移電極と画素電極との間に寄生容量が存在する。データ信号の保持期間において、画素電極の電位は寄生容量を介して転移電極の電位変化の影響を受ける。画素電極の電位の振幅は非対称となるため、液晶層に直流電圧が供給されてフリッカや焼きつきが発生するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］対向して配置された第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層を有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記第１基板は、互いに交差する走査線及びデータ線と、複数の画素電極と、前記走査線又はデータ線よりも前記液晶層側に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記走査線又はデータ線と電気的に接続された転移電極と、前記転移電極と前記画素電極との間に設けられた誘電体膜と、を含み、前記転移電極は、前記誘電体膜を介して前記画素電極との間に電位差を生じさせることを特徴とする液晶装置。
【０００８】
これによれば、画素電極と転移電極との間に電界を生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成できる。更に、コンタクトホールを介して転移電極がゲート線と接続することにより、簡便な制御駆動にて配向転移を実現する。
【０００９】
［適用例２］上記液晶装置であって、前記転移電極の少なくとも一部は、平面視で前記画素電極の端部と重なることを特徴とする液晶装置。
【００１０】
これによれば、転移電極と画素電極とが上下に配置された構造となるので、例えば電極間に設けられる絶縁層（誘電体膜）の膜厚を小さくすることで、従来の横電界を用いた電極構造に比べて、電極間の距離を縮めることができ、その結果、低電圧で短時間に初期転移を行うことができる。
【００１１】
［適用例３］上記液晶装置であって、前記画素電極又は転移電極に屈曲部が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【００１２】
これによれば、屈曲部によって画素電極と転移電極との間で電界が様々な方向に生じるので、屈曲部により転移核の発生を更に確実なものとすることができ、初期転移の均一性、高速性を更に高めることができる。
【００１３】
［適用例４］上記液晶装置であって、前記転移電極は、前記走査線と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記データ線と同層に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【００１４】
これによれば、転移電極を画素領域内の所望の位置に配置することが可能となり、初期配向転移の起点をなす転移核を発生させる場所を任意の位置に設定することができる。又、ソース線と転移電極とを同時に成膜する事により、簡便な工程にて基板を製造できる。
【００１５】
［適用例５］上記液晶装置であって、前記転移電極は、前記転移電極が電気的に接続された前記走査線に隣接して配置される他の走査線によって駆動される画素電極の端部と重なることを特徴とする液晶装置。
【００１６】
これによれば、転移電極と隣接する画素電極との間に平面視で間隔が生じないため、転移電極と隣接する画素電極との間に保持容量を構成することができる。又、保持容量電極と画素電極との間の誘電体の膜厚を薄くすることができる。これにより、保持容量電極の面積を拡大せずに保持容量を増大でき、開口率を低下せずにフリッカや焼きつきを低減することができる。
【００１７】
［適用例６］上記液晶装置であって、前記転移電極は、前記データ線と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【００１８】
これによれば、広範囲に画素電極と転移電極との間に電界を生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を広範囲に形成することができる。
【００１９】
［適用例７］上記液晶装置を備える電子機器。
【００２０】
これによれば、低電圧、且つ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことのできる液晶装置を備えているので、表示品位に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照し、液晶装置及び電子機器の実施形態について説明する。尚、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。更に本明細書では、画像表示の最小単位を「サブ画素」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素の集合を「画素」と呼ぶこととする。
【００２２】
（第１の実施形態）
図１は本実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。図１（Ａ）は液晶装置を示す平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。図２は本実施形態に係る液晶装置の等価回路を示す図である。図３は本実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図である。図４及び図５は本実施形態に係る液晶装置の断面構造を示す図である。図４は図３のIV−IV線に沿う断面図、図５は図３のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は本実施形態に係る液晶分子の配向状態を示す概略図である。
【００２３】
本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴ素子を画素スイッチング素子として用いたＴＦＴ方式アクティブマトリクス型の液晶装置である。
【００２４】
液晶装置１０は、図１に示すように、素子基板（第１基板）１２と、素子基板１２に対向配置された対向基板（第２基板）１４と、素子基板１２及び対向基板１４に挟持された液晶層１６とを備えている。液晶層１６としては、誘電率異方性が正の液晶材料を用いた。
【００２５】
又、液晶装置１０は、素子基板１２及び対向基板１４をシール材１８によって貼り合わせており、液晶層１６をシール材１８で区画された領域内に封止している。シール材１８の内周に沿って周辺見切２０が形成されており、周辺見切２０で囲まれた平面視（対向基板１４側から素子基板１２を見た状態）で矩形状の領域を画像表示領域１２Ａとしている。
【００２６】
又、液晶装置１０は、シール材１８の外側領域に設けられたデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と、データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と導通する接続端子２６と、走査線駆動回路２４を接続する配線２８とを備えている。
【００２７】
液晶装置１０の画像表示領域１２Ａには、図２に示すように、複数のサブ画素領域が平面視マトリクス状に配列されている。各々のサブ画素領域に対応して、画素電極３０と、画素電極３０をスイッチング制御するＴＦＴ素子３２とが設けられている。画像表示領域１２Ａには又、複数のデータ線３４Ａと走査線３６Ａとが格子状に延びて形成されている。即ち、サブ画素領域は、データ線３４Ａ及び走査線３６Ａによって囲まれた領域に対応している。
【００２８】
ＴＦＴ素子３２のソースにデータ線３４Ａが電気的に接続されており、ゲートには走査線３６Ａが電気的に接続されている。ＴＦＴ素子３２のドレインは画素電極３０と電気的に接続されている。データ線３４Ａはデータ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する。走査線３６Ａは走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する。データ線駆動回路２２からデータ線３４Ａに供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線３４Ａ同士に対してグループ毎に供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３６Ａに対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００２９】
液晶装置１０は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３２が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線３４Ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極３０に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極３０を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極３０と液晶層１６を介して対向配置された後述する共通電極との間で一定期間保持される。
【００３０】
ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極３０と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量３８が接続されている。蓄積容量３８は、ＴＦＴ素子３２のドレインと容量線３６Ｂとの間に設けられている。
【００３１】
次に、液晶装置１０の詳細な構成について、図３〜図５を参照して説明する。図３において、平面視で略矩形状のサブ画素領域の長手方向、画素電極３０の長手方向、並びにデータ線３４Ａの延在方向をＹ軸方向、サブ画素領域の短手方向や画素電極３０の短手方向、走査線３６Ａ及び容量線３６Ｂの延在方向をＸ軸方向と規定している。
【００３２】
液晶装置１０は、図４に示すように、液晶層１６を挟持して対向する素子基板１２及び対向基板１４と、素子基板１２の外側（液晶層１６と反対側）に配置された位相差板４０及び偏光板４２と、対向基板１４の外側（液晶層１６と反対側）に配置された位相差板４１及び偏光板４４と、偏光板４２の外側に設けられて素子基板１２の外面側から照明光を照射する照明装置４６とを備えて構成されている。液晶層１６は、ＯＣＢモードで動作する構成となっており、液晶装置１０の動作時に図６（Ｂ）に示すように液晶分子４８が概略弓形に配向したベンド配向を呈する。
【００３３】
図３に示すように、各々のサブ画素領域には平面視矩形状の画素電極３０が形成されている。画素電極３０の辺端のうちＹ軸方向に沿ってデータ線３４Ａが延在しており、画素電極３０のＸ軸方向に沿って走査線３６Ａが延在している。走査線３６Ａの画素電極３０側に、走査線３６Ａと平行に延びる容量線３６Ｂが形成されている。
【００３４】
走査線３６Ａ上に、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３２が形成されている。ＴＦＴ素子３２は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層５０と、半導体層５０と一部平面的に重なるように配置されたソース電極３４Ｂ及びドレイン電極５２とを備えている。走査線３６Ａは半導体層５０と平面的に重なる位置でＴＦＴ素子３２のゲート電極として機能する。走査線３６Ａ（ゲート電極）、ソース電極３４Ｂ、ドレイン電極５２、データ線３４Ａ、及び容量線３６Ｂは、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、及びモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、及びこれらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等から構成することができる。
【００３５】
ソース電極３４Ｂは、半導体層５０と反対側の端部でデータ線３４Ａと接続されている。ドレイン電極５２は半導体層５０と反対側の端部で平面視略矩形状の容量電極５４と接続されている。容量電極５４は容量線３６Ｂの平面領域内に配置されており、容量電極５４と容量線３６Ｂとを電極とする蓄積容量３８を構成している。容量電極５４の平面領域内に形成された画素コンタクトホール５６を介して画素電極３０と容量電極５４とが電気的に接続されることで、ＴＦＴ素子３２のドレインと画素電極３０とが導通している。転移電極５８は、誘電体を介し画素電極３０の下層に設けられている。転移電極５８はデータ線３４Ａと同層である。これにより、ソース線と転移電極を同時に成膜することにより、簡便な工程にて基板を製造できる。
【００３６】
画素電極３０及び転移電極５８には屈曲部７８，８０が形成されている。各画素電極３０のＴＦＴ素子３２側の短辺における辺端は、部分的に屈曲した形状となっている。即ち、画素電極３０の長手方向に向かって画素電極３０の短辺の辺端から外側に突出する平面視三角形状の凸部（屈曲部）７８が形成されている。
【００３７】
転移電極５８は、転移電極５８が電気的に接続された走査線３６Ａに隣接して配置される他の走査線３６Ａによって駆動される画素電極３０の端部と重なっている。転移電極５８は、走査線３６Ａとコンタクトホール５７を介しての接続部から画素電極３０のＴＦＴ素子３２が接続された側の短辺の辺端まで延在して形成されており、互いの端部が平面的に重なるようにして形成されている。即ち、図３に示すように、転移電極５８の外形は、画素電極３０の外形に倣って形成され、画素電極３０の凸部７８と重なる部分は内側に凹んだ平面視三角形状の凹部（屈曲部）８０が形成される。尚、転移電極５８は画素電極３０と同段の走査線３６Ａと接続されていてもよい。
【００３８】
初期転移操作時には、画素電極３０の凸部７８と、転移電極５８の凹部８０との間で電位差（電界Ｅ）が生じる。この電界Ｅは、三角形状の両辺にそれぞれ生じ、異なる２方向の電界を含んだものとなっている。このような構成に係る液晶装置によれば、上記初期配向転移時に複数方向の電界が生じており、これら電界Ｅがそれぞれ交わる領域（三角形の頂点に対応する所）にて、特に液晶分子４８の配向が乱される。よって初期転移の起点となる転移核を良好に発生させることができる。
【００３９】
従って、上記構成を備えた本実施形態の液晶装置では、画素電極３０と転移電極５８との間に電界Ｅを生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成できる。この時、屈曲部７８，８０によって画素電極３０と転移電極５８との間で電界Ｅが複数方向に生じるので、屈曲部７８，８０により転移核の発生を更に確実なものとすることができ、初期転移の均一性、高速性を更に高めることができる。
【００４０】
この転移電極５８は、図４及び図５に示すように、走査線３６Ａ及びデータ線３４Ａよりも上層、且つ画素電極３０よりも下層に設けられている。そして、転移電極５８は画素電極３０との間に電位差を生じ、これら電極５８，３０間に電界Ｅを生じさせることで、詳細について後述するように、スプレイ配向からベンド配向への初期配向転移の起点をなすようになっている。
【００４１】
又、転移電極５８は、平面視した状態で（素子基板１２の垂直方向から素子基板面を視た場合）、転移電極５８における形成領域（転移電極５８の外形）の少なくとも一部が画素電極３０における形成領域（画素電極３０の外形）の外側に存在するように形成されている。
【００４２】
具体的に本実施形態では、平面視した状態で、転移電極５８上に画素電極３０の端部（走査線３６Ａ側）が存在している。即ち、転移電極５８及び画素電極３０の端部がそれぞれ重なった構成となっている（図３参照）。
【００４３】
本実施形態の液晶装置は、図３に示すように転移電極５８が島状に設けられ、この転移電極５８は、画素電極３０に設けられた凸部７８に凹部８０が重なるように配置されている。転移電極５８は、略矩形状からなり、走査線３６Ａに沿った方向に延在している。又、転移電極５８は、コンタクトホール５７を介して走査線３６Ａに電気的に接続されている。即ち、本実施形態に係る液晶装置では、転移電極５８は走査線３６Ａと同電位をなすようになっている。従って、転移電極を制御駆動する必要がない。従来の構成に比べ、簡便な制御駆動が可能である。尚、転移電極５８はコンタクトホールを介すことなく、走査線３６Ａ上に直接積層されるようにしてもよい。ここで、走査線に転移電極を直接作り込むことも考えられるが、この場合、走査線の形状が複雑となり、局所的に抵抗値が増加しまう。一方、上述したように走査線３６Ａ上に別途、転移電極５８を設けることで、転移電極５８の形成位置、及び形状を容易に調整でき、設計自由度を向上させることができる。
【００４４】
転移電極５８と画素電極３０との端部は、互いに重なったものとなっている。これにより、初期配向操作時に転移電極５８及び画素電極３０間で生じた電界Ｅにより、転移電極５８に重なる、画素電極３０の端部上の液晶分子４８を配向させることができる。
【００４５】
このような構成を採用することで、転移電極５８を画素領域内の所望の位置に配置することが可能となり、初期配向転移の起点をなす転移核を発生させる場所を任意の位置に設定することができる。
【００４６】
図４及び図５に示すように、素子基板１２は、例えばガラスや石英、プラスチック等の透光性材料で構成された基板本体６０を基体として備える。基板本体６０の内側（液晶層１６側）には、走査線３６Ａ及び容量線３６Ｂと、走査線３６Ａ及び容量線３６Ｂを覆うゲート絶縁膜６２と、ゲート絶縁膜６２を介して走査線３６Ａと対向する半導体層５０と、半導体層５０と接続されたソース電極３４Ｂ（データ線３４Ａ）、及びドレイン電極５２と、ドレイン電極５２と接続されると共にゲート絶縁膜６２を介して容量線３６Ｂと対向する容量電極５４とが形成されている。即ち、ＴＦＴ素子３２とこれに接続された蓄積容量３８とが形成されている。ゲート絶縁膜６２を介して走査線３６Ａと対向する転移電極５８が設けられている。この転移電極５８は、画素電極３０と同様にＩＴＯ等の透明導電材料からなる。これにより、転移電極５８上の液晶分子４８も表示に寄与させることができ、開口率の低下を防止している。
【００４７】
ＴＦＴ素子３２及び転移電極５８を覆って、ＴＦＴ素子３２及び転移電極５８等に起因する基板上の凹凸を平坦化して、誘電体膜６６が設けられる。この誘電体膜６６は、シリコン酸化物膜やシリコン窒化物膜等からなる透明絶縁膜である。この誘電体膜６６は、少なくとも転移電極５８を覆っている部分の膜厚が１μｍ以下となっているのが望ましい。
【００４８】
一般に、横電界方式では電極を互いに隣接させた状態に形成する必要がある。これら電極はフォトリソによって形成されるため、例えば加工精度等の技術的な問題から電極間隔が２μｍ程度に設定されてしまう。一方、本実施形態によれば、画素電極３０と転移電極５８との間に介在する誘電体膜６６の膜厚が１μｍ以下となっているので、従来の横電界方式に比べて電極間距離が縮まり、より低い電圧で同等の電界を生じさせることができ、この電界により初期転移を生じさせることが可能となっている。
【００４９】
又、誘電体膜６６を貫通して容量電極５４に達する画素コンタクトホール５６を介して、誘電体膜６６上に形成された画素電極３０と容量電極５４とが電気的に接続されている。画素電極３０を覆って配向膜６８が形成されている。この配向膜６８は、例えばポリイミドからなるものであり、サブ画素領域のＸ軸方向にラビング処理を施されている。液晶層１６に隣接する水平配向膜が形成され、液晶分子４８の方向がセル中央に対して上下対称になるようにラビングされている。転移電極５８と画素電極３０との間の電界Ｅの向きを０°にする。ラビング角度≠０°である。
【００５０】
対向基板１４は、例えばガラスや石英、プラスチック等の透光性材料で構成され基板本体７０を基体として備える。基板本体７０の内側（液晶層１６側）には、各々のサブ画素領域に対応する色種の色材層からなるカラーフィルタ７２と、共通電極７４と、配向膜７６とが積層形成されている。
【００５１】
共通電極７４は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、複数のサブ画素領域を覆う平面ベタ状に形成されたものである。
【００５２】
配向膜７６は、例えばポリイミドからなるものであり、共通電極７４を覆って形成されている。配向膜７６の表面には、配向膜６８の配向方向Ｒの方向にラビング処理が施されている。
【００５３】
そして、サブ画素の一隅部に、素子基板１２と対向基板１４との間隔を規制する柱状のスペーサ８２が形成されている。スペーサ８２は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、その径が素子基板１２及び対向基板１４の間隔と同等の球状となっている。又、このスペーサ８２は、各サブ画素領域と対応して配置されている。
【００５４】
次に、ＯＣＢモードの液晶装置１０の初期転移操作を図面に基づいて説明する。ここで、図６は、ＯＣＢモードの液晶分子の配向状態を示す説明図である。
ＯＣＢモードの液晶装置では、その初期状態（非動作時）において、図６（Ａ）に示すように液晶分子４８がスプレイ状に開いた配向状態（スプレイ配向）になっており、表示動作時には、図４に示すように液晶分子４８が弓なりに曲がった配向状態（ベンド配向）になっている。そして、液晶装置１０は、表示動作時にベンド配向の曲がり度合いで透過率を変調することで、表示動作の高速応答性を実現する構成となっている。
【００５５】
ＯＣＢモードの液晶装置１０の場合、電源遮断時における液晶分子の配向状態が図６（Ａ）に示すスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値以上の電圧を液晶分子４８に印加することで、図６（Ａ）に示す初期のスプレイ配向から、図６（Ｂ）に示す表示動作時のベンド配向に液晶分子４８の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分に行われないことで、表示不良や所望の高速応答性が得られないことが発生する。
【００５６】
本実施形態の液晶装置１０では、素子基板１２側に形成され、画素電極３０との間に電位差が生じる転移電極５８を備えているので、これら電極３０，５８間に電圧を印加することで、液晶層１６の初期転移操作を実施することができる。
【００５７】
本実施形態に係る液晶装置１０は、液晶パネルの駆動制御を行う制御部を備えている。この制御部は、対向基板１４側に設けられた共通電極７４の電位を制御する共通電極用制御部と、ＴＦＴ素子３２を介して画素電極３０の電位を制御する画素電極用制御部とを含んで構成されている。又、制御部は、転移電極５８の電位を制御する転移電極用制御部を含んでもよく、これによれば転移電極５８と画素電極３０とを互いに独立に電位制御することができるので、初期転移操作時及び画像表示時の双方で詳細な電位制御が可能になる。
【００５８】
上記構成を備えた液晶装置１０における液晶層１６の初期転移操作としては、転移電極５８に対して直流或いは交流電圧を印加することで、図４に示したように、画素電極３０と転移電極５８との間に斜め方向の電界Ｅを発生させ、基板法線方向の電界成分と基板面方向の電界成分とを含む電界Ｅを液晶層１６に作用させる。
【００５９】
これにより、画素電極３０と転移電極５８との境界領域では、斜め方向の電界Ｅによって液晶分子４８がチルトするので、対向基板１４近傍の液晶層１６において配向状態の異なる複数の液晶領域が形成される。そして、液晶層１６の初期転移は、このような液晶領域の境界が核となって周囲に伝播することで生じる。本実施形態では、図３に示したように、転移電極５８が走査線３６Ａの延在方向に沿って島状、すなわち複数のサブ画素領域に亘って形成されたものとなっている。従って、画素電極３０と転移電極５８との間に生じる電界Ｅにより、画素電極３０の短辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。即ち、初期転移操作に際してバルクの液晶により配向転移を進行させることができ、初期転移を均一に進行させることができる。この時、図３に示したように、上記電界Ｅの発生する領域はデータ線３４Ａの延在方向に一致しており、電界印加時には液晶の配向方向Ｒと異なる方向に液晶分子４８を配向できる。
【００６０】
又、上述したように、画素電極３０と転移電極５８との間に介在する誘電体膜６６の膜厚が１μｍ以下と電極間距離が小さいので、より低電圧で初期転移を生じさせることができる。従って、短時間且つ均一に初期転移を進行させることができる。
【００６１】
又、図３に示したように転移電極５８及び画素電極３０の端部がそれぞれ重なった構成となっているので、画素電極３０の端部上の液晶分子４８に対しても電界Ｅが作用することとなる。従って画素電極３０の端部上の液晶が層厚方向にチルトすることで、画素電極３０上の広範囲で液晶分子４８を転移させることができる。
【００６２】
ところで、液晶装置１０における画像表示には、転移電極５８と共通電極７４との間に電位差があると、転移電極５８と画素電極３０との境界部近傍にて液晶分子４８の配向が乱れるおそれがある。従って、本実施形態に係る液晶装置１０では、画像表示を行う場合には、転移電極５８と共通電極７４の電位を同一電圧とすることで、画像表示に不具合が生じるのを防止している。
【００６３】
尚、本実施形態では、配向膜６８，７６のラビング方向を画素電極３０の短辺方向（走査線３６Ａの延在方向）としたが、かかるラビング方向（液晶の初期配向方向）については、図３に示す配向方向Ｒに限定されるものではない。
【００６４】
初期転移操作時に素子基板１２側の転移電極５８に電圧を印加する場合、画素電極３０と転移電極５８との間に生じる電界Ｅの向きがラビング方向（初期配向方向）と交差する方向となるように、上記ラビング方向を選択すればよい。従って、上記関係を満たすのであれば、例えばデータ線３４Ａ及び走査線３６Ａの延在方向に対して斜め方向になる方向に設定してもよい。
【００６５】
上述したように、本実施形態に係る液晶装置１０によれば、画素電極３０と転移電極５８との間に電界Ｅを生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成できる。又、転移電極５８と画素電極３０とが上下に配置された構造となるので、電極３０，５８間に設けられる誘電体膜６６の膜厚を小さく（１μｍ以下）することで、従来の横電界を用いた電極構造に比べて、電極３０，５８間の距離が短くできる。よって、従来に比べて低電圧且つ短時間で液晶層１６の初期転移を行うことができるものとなる。
【００６６】
尚、上述した本実施形態に係る液晶装置１０では、転移電極５８及び画素電極３０の互いの端部が平面的に重なる部位での屈曲部７８，８０が、画素電極３０のＴＦＴ素子３２が接続された側の短辺において形成されているが、画素電極３０の形状の角部に対応した部位を屈曲部として、画素電極３０の端部と重なる転移電極５８の形状を、ＴＦＴ素子３２が接続された側の短辺であって角部に隣接した短辺の一部と、該角部に隣接した画素電極３０の長辺の一部と、に沿った線状の形状を有して構成することもできる。
【００６７】
このような構成にすれば、画素電極３０の角部をそのまま屈曲部として用いることができるとともに、角部に隣接した画素電極３０の短辺と長辺の両方に沿って広く転移電極が形成されるので、より安定した転移の制御が可能となる。
【００６８】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について図面を参照して説明する。
図７は本実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。尚、本実施形態の液晶装置は、上記実施形態に係る液晶装置と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、画素電極３０及び転移電極５８の形状にある。従って本実施形態の液晶装置の基本構成は上記実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００６９】
本実施形態の液晶装置は、図７に示すように、転移電極５８と隣接する画素電極３０とは、互いの端部が重なるようにして形成されている。即ち、転移電極５８の一部が隣接する画素の保持容量電極として形成されている。転移電極５８は画素電極３０の平面領域内に配置されており、転移電極５８と画素電極３０とを電極とする蓄積容量３８を構成している。走査線３６Ａ（ゲート電極）は、例えば、アルミ（Ａｌ）及び銅（Ｃｕ）等の抵抗の低い金属うちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、及びこれらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等から構成する。転移電極５８を保持容量電極に用いることにより、コンタクトホール５７を介して接続した走査線３６Ａの時定数が大きくするが、抵抗の低い金属をゲート電極に用いることで、時定数を小さくすることができる。
【００７０】
本実施形態の構成では、従来の構成に比べて、転移電極５８と画素電極３０の間の誘電体膜６６の膜厚は薄いので、保持容量電極としての転移電極５８の面積を拡大せずに蓄積容量３８を増大できる。従って、開口率を低下せずにフリッカや焼きつきを低減できる。
【００７１】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について図面を参照して説明する。
図８は本実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図である。図９は本実施形態に係る液晶装置の断面構造を示す図であり、図８のIX−IX線に沿う断面図である。尚、本実施形態の液晶装置は、上記実施形態に係る液晶装置と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、転移電極５８がデータ線３４Ａとコンタクトホール８４を介して電気的に接続されているところにある。従って本実施形態の液晶装置の基本構成は上記実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００７２】
本実施形態の液晶装置は、図８に示すように、平面視した状態（画素電極３０の垂直方向から視た状態）で、データ線３４Ａを覆うようにして、ストライプ状の転移電極５８が画素電極３０間に配置されている。又、図９に示すように、この転移電極５８は、データ線３４Ａよりも上層、且つ画素電極３０よりも下層に設けられている。
【００７３】
転移電極５８は、データ線３４Ａとコンタクトホール８４（図８参照）を介して電気的に接続されている。そして、転移電極５８は画素電極３０との間に電位差を生じ、これら電極５８，３０間に電界Ｅを生じさせることで、スプレイ配向からベンド配向への初期配向転移の起点をなすようになっている。
【００７４】
以下に、本実施形態に係る液晶装置における初期転移操作についてタイミングチャートを参照して説明する。
図１０は、本実施形態に係る液晶装置の初期転移操作を説明するためのタイミングチャートである。図１０に示すように、データ線３４Ａ（図９参照）の電位ＶDと画素電極３０（図９参照）の電位ＶPixelの電位差｜ＶD−ＶPixel｜にて転移核を形成し、画素電極３０の電位ＶPixelと共通電極７４（図９参照）の電位ＶCOMとの電位差｜ＶCOM−ＶPixel｜にてベンドドメインを拡大します。｜ＶD−ＶPixel｜＝０とならないように転移核形成プロセスではゲート信号の電位ＶGをＯＦＦとしています。
【００７５】
（電子機器）
図１１は、本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１１に示す携帯電話（電子機器）１００は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１０２として備え、複数の操作ボタン１０４、受話口１０６、及び送話口１０８を備えて構成されている。上記実施形態の液晶装置は、低電圧、且つ短時間でＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた液晶表示部を備えた携帯電話１００を提供することができる。
【００７６】
上記各実施形態の液晶装置は、上記した電子機器に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、更に携帯電話用ＬＣＤや車載用ＬＣＤの動画対応を目的とした高速応答ＬＣＤ、フィールドシーケンシャル（ＦＳ）表示方式を用いた３Ｄ液晶ディスプレイや２画面液晶ディスプレイ、プロジェクションテレビ向けライトバルブ等、いずれの電子機器においても明るく、高コントラストの優れた表示品質を得ることが可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の等価回路を示す図。
【図３】第１の実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図。
【図４】第１の実施形態に係る液晶装置の断面構造を示す図。
【図５】第１の実施形態に係る液晶装置の断面構造を示す図。
【図６】第１の実施形態に係る液晶分子の配向状態を示す概略図。
【図７】第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図。
【図８】第３の実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図。
【図９】第３の実施形態に係る液晶装置の断面構造を示す図。
【図１０】第３の実施形態に係る液晶装置の動作を説明するためのタイミングチャート。
【図１１】本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７８】
１０…液晶装置  １２…素子基板（第１基板）  １２Ａ…画像表示領域  １４…対向基板（第２基板）  １６…液晶層  １８…シール材  ２０…周辺見切  ２２…データ線駆動回路  ２４…走査線駆動回路  ２６…接続端子  ２８…配線  ３０…画素電極  ３２…ＴＦＴ素子  ３４Ａ…データ線  ３４Ｂ…ソース電極  ３６Ａ…走査線  ３６Ｂ…容量線  ３８…蓄積容量  ４０，４１…位相差板  ４２，４４…偏光板  ４６…照明装置  ４８…液晶分子  ５０…半導体層  ５２…ドレイン電極  ５４…容量電極  ５６…画素コンタクトホール  ５７…コンタクトホール  ５８…転移電極  ６０…基板本体  ６２…ゲート絶縁膜（絶縁膜）  ６６…誘電体膜  ６８…配向膜  ７０…基板本体  ７２…カラーフィルタ  ７４…共通電極  ７６…配向膜  ７８…凸部（屈曲部）  ８０…凹部（屈曲部）  ８２…スペーサ  ８４…コンタクトホール  １００…携帯電話（電子機器）  １０２…表示部  １０４…操作ボタン  １０６…受話口  １０８…送話口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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