(57)【要約】【課題】半導体装置の製造に掛かるコストの低減化を図り得るフォトマスクの作成方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハに形成するウェーハパターンの設計データを、ウェーハパターンの形成に用いるフォトマスク１に形成するマスクパターン２に対応するマスクデータに変換する。それとともに、このマスクデータに基づいてフォトマスク１にマスクパターン２を形成する。また、設計データをマスクデータへ変換する際のデータ変換処理情報をコード化したコードパターン７をフォトマスク１に形成する。【選択図】      図１
2009151109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハに形成するウェーハパターンの設計データを、前記ウェーハパターンの形成に用いるフォトマスクに形成するマスクパターンに対応するマスクデータに変換するとともに、このマスクデータに基づいて前記フォトマスクに前記マスクパターンを形成し、
前記設計データを前記マスクデータへ変換する際のデータ変換処理情報をコード化したコードパターンを前記フォトマスクに形成する、
ことを特徴とするフォトマスクの作成方法。
【請求項２】
前記コードパターンに、前記設計データを識別するための識別情報、前記データ変換処理の手順を表現する情報、前記データ変換処理に使用する補正モデルを作成するための情報、前記データ変換処理環境を表現する情報、および前記設計データから前記フォトマスクの作成の際に用いるマスク描画装置に適する描画データへの変換処理情報のうちの少なくとも一つを含ませることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの作成方法。
【請求項３】
前記設計データを前記マスクデータへ変換する際のデータ変換処理に、層間データ演算処理、ＯＰＣ処理、ＰＰＣ処理、ＭＤＰ処理、および前記設計データから前記フォトマスクの作成の際に用いるマスク描画装置に適する描画データへの変換処理のうちの少なくとも一つを含ませることを特徴とする請求項１または２に記載のフォトマスクの作成方法。
【請求項４】
半導体ウェーハに形成するウェーハパターンの設計データを前記ウェーハパターンの形成に用いるフォトマスクに形成するマスクパターンに対応するマスクデータに変換する際の、データ変換処理情報をコード化したコードパターンを有することを特徴とするフォトマスク。
【請求項５】
請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載のフォトマスクの作成方法により作成された前記フォトマスクを用いて前記半導体ウェーハに前記マスクパターンを転写し、
転写された前記マスクパターンに基づいて前記半導体ウェーハに前記ウェーハパターンを形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、半導体装置の製造工程に係り、特にリソグラフィ工程に用いられるフォトマスクにパターン形成するためのデータ作成手順および処理環境を表わす情報を管理可能なフォトマスクおよびその作成方法ならびに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、半導体デバイスの製造過程で用いられるフォトマスクを作成するための一般的な工程について簡潔に説明する。先ず、フォトマスクに所望パターンを形成するために、半導体デバイスのパターンを表現した設計データに対して所定の手順に沿ったデータ処理を施す。これにより、設計データからマスクデータへとデータ変換処理を行う。続けて、マスクデータに基づいて荷電ビームやレーザービームを用いた描画装置によりフォトマスク上に所望パターンを描画する。この後、フォトマスク上に描画されたパターンに現像およびエッチング処理を施して所望パターンに加工することにより、フォトマスクに所望パターンが形成される。これにより、所望パターンを有するフォトマスクが作成される。
【０００３】
通常、設計データからマスクデータへとデータ変換する工程においては、設計データで表現された半導体デバイスパターンが所望の精度で半導体ウェーハにパターン形成されるように所定の補正処理が行われる。この補正処理の代表例としては、例えば光近接効果補正（ Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）と呼ばれるデータ処理がある。このＯＰＣ処理とは、具体的には、フォトマスクに形成されたパターンをアライナと呼ばれる縮小投影露光装置を用いて半導体ウェーハに露光処理する際に発生するパターン変形を補正する処理である。なお、フォトマスクに形成されたパターンを半導体ウェーハに露光処理する際に発生するパターン変形には、例えばターゲットパターン周辺部の影響による寸法変動や、パターン終端部でのパターン細りなどが挙げられる。
【０００４】
このＯＰＣ処理に代表されるデータ処理は、アライナの露光波長に対する半導体ウェーハ上の加工パターン幅の縮小化に伴って、その処理内容が極めて複雑化しつつある状況となっている。また、所望される性能を達成あるいは満足する半導体デバイスを得るためには、設計データの修正はもとより、ＯＰＣ処理における補正内容の修正を経たフォトマスクの作成および半導体ウェーハへの露光処理とパターン加工との処理サイクルを繰り返しつつ、半導体デバイスを開発しなければならない。そして、そのような開発過程で生じるＯＰＣ処理内容の修正履歴やＯＰＣ処理を行うソフトウェアのバージョン管理履歴および処理した計算機環境などをドキュメント管理することが、半導体デバイスの開発を行う上で重要となっている。しかしながら、このような寸法保証方法を利用する半導体デバイスの開発には次に述べるような問題がある。
【０００５】
通常、半導体デバイスの製造に用いるフォトマスクを製作する際の設計データ、ＯＰＣ処理手順、およびＯＰＣ処理環境などの各種の履歴は、例えば特許文献１、２に開示されているように、電子ファイルでドキュメント管理されている。ところが、それら各履歴とそれら各履歴の生成物であるフォトマスクとを対応させる管理は、前述した設計データやＯＰＣ処理内容の修正頻度の増大や、あるいはデータ処理に要するＴＡＴ（ Turn Around Time ）の短縮化の要求が高まる中、非常に煩雑になっている。それに加えて、製作するマスク数の増加およびマスク製作に費やす時間の経過に伴って、電子ファイルでのドキュメント管理量が膨大な量になっている。ひいては、それら各種のデータおよび情報を保管して管理するためのインフラや、管理して運用するための人的リソースが必要となっている。これらは、半導体デバイスの開発に掛かるコストの低減化を妨げる阻害要因となり、コスト低減化を図る上で大きな問題となっている。
【特許文献１】特開平５−３１３３５０号公報
【特許文献２】特開２００１−１３６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明では、半導体装置の製造に掛かるコストの低減化を図り得るフォトマスクおよびその作成方法ならびに半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために、本願発明の一態様に係るフォトマスクの作成方法は、半導体ウェーハに形成するウェーハパターンの設計データを、前記ウェーハパターンの形成に用いるフォトマスクに形成するマスクパターンに対応するマスクデータに変換するとともに、このマスクデータに基づいて前記フォトマスクに前記マスクパターンを形成し、前記設計データを前記マスクデータへ変換する際のデータ変換処理情報をコード化したコードパターンを前記フォトマスクに形成する、ことを特徴とするものである。
【０００８】
また、前記課題を解決するために、本願発明の他の態様に係るフォトマスクは、半導体ウェーハに形成するウェーハパターンの設計データを前記ウェーハパターンの形成に用いるフォトマスクに形成するマスクパターンに対応するマスクデータに変換する際の、データ変換処理情報をコード化したコードパターンを有することを特徴とするものである。
【０００９】
さらに、前記課題を解決するために、本願発明のまた他の態様に係る半導体装置の製造方法は、本願発明に係るフォトマスク作成方法により作成された前記フォトマスクを用いて前記半導体ウェーハに前記マスクパターンを転写し、転写された前記マスクパターンに基づいて前記半導体ウェーハに前記ウェーハパターンを形成する、ことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明に係るフォトマスクおよびその作成方法ならびに半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の製造に掛かるコストの低減化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本願発明に係る各実施形態を図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
（第１の実施の形態）
先ず、本願発明に係る第１実施形態について図１〜図７を参照しつつ説明する。この第１実施形態は、具体的にはフォトマスクの作成方法に係る。図１には、本実施形態に係るフォトマスクの作成工程をフローチャートにして示す。
【００１３】
先ず、図１に示すように、半導体デバイスを製造するための所望のパターンを設計する。具体的には、半導体デバイスに供される半導体ウェーハに形成する所望のウェーハパターンを設計する。それとともに、このウェーハパターンを表現する設計データを作成する。これをステップ１（Ｓｔ．１）とする。
【００１４】
次に、ステップ１において作成した設計データに所定の処理を施す。具体的には、ステップ１において作成した設計データに、コンピュータによるＣＡＤ（ Computer Aided Design ）処理を施す。これをステップ２（Ｓｔ．２）とする。このステップ２におけるＣＡＤ処理には、以下に述べるような様々なデータ変換処理が含まれる。
【００１５】
例えば、ステップ１において作成した設計データから半導体デバイスの製造工程に用いるフォトマスクに形成すべきマスクパターンを表現するマスクパターンデータを生成するための、層間データ演算処理。この層間データ演算処理には、例えばウェーハパターンの設計データのＡＮＤ処理やＯＲ処理等が含まれる。マスクパターンは、半導体ウェーハにパターン転写されてウェーハパターンの基礎となる。
【００１６】
また、他のデータ変換処理として、フォトマスクおよび露光装置を用いて半導体ウェーハにマスクパターンを露光して転写する際に生じる、光近接効果（ Optical Proximity Effect：ＯＰＥ）を補正するための光近接効果補正（ Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）と呼ばれる処理が行われる。
【００１７】
また、他のデータ変換処理として、露光後のウェーハパターンを現像およびエッチング処理によりパターン加工する際に生じる、プロセス近接効果（ Process Proximity Effect：ＰＰＥ）によるパターン変形を補正するためのプロセス近接効果補正（ Process Proximity Correction：ＰＰＣ）と呼ばれる処理が行われる。
【００１８】
さらに、他のデータ変換処理として、リサイズと呼ばれるウェーハパターンに対する寸法補正処理や、ウェーハパターンのネガとポジとを反転させるネガ・ポジ反転処理（白黒反転処理）が行われる。これらの寸法補正処理やネガ・ポジ反転処理は、まとめてＭＤＰ（ Mask Data Preparation）処理とも呼ばれる。
【００１９】
このような各種様々な処理、あるいはそれら各処理を組み合わせた構成から成るＣＡＤ処理を、ステップ２において設計データに施す。そして、ＣＡＤ処理が施された設計データに基づいて、フォトマスクに形成すべき所望のマスクパターンのデータを作成する。
【００２０】
次に、ステップ２において作成されたマスクパターンデータをマスク描画データに変換する。具体的には、パターン情報（図形情報）としてのマスクパターンデータを、フォトマスクを製作する際に使用するパターン描画装置あるいはパターン発生装置等に入力可能なマスク描画データ（マスクデータ）に変換する。これをステップ３（Ｓｔ．３）とする。パターン描画装置あるいはパターン発生装置の代表例としては、例えば電子ビーム描画装置が挙げられる。
【００２１】
そして、図１に示すように、前述したステップ２およびステップ３を実行する際に、これらと並行して次に述べるステップ４（Ｓｔ．４）を実行する。
【００２２】
先ず、ステップ２におけるＣＡＤ処理工程の実行情報として所定のデータ変換処理用の情報群を抽出する。それとともに、ステップ２におけるデータ変換処理情報をコード化する。そして、このコード化された変換情報を含むとともに、ステップ２におけるＣＡＤ処理工程をはじめとするフォトマスクを作成する際のデータ変換処理に係る情報を管理するためのコードパターンをフォトマスクに生成する。これをステップ４（Ｓｔ．４）とする。すなわち、フォトマスクを作成する際のデータ処理に係る情報は、このステップ４において生成されたコードパターンに含まれるコード化された変換情報に基づいて管理される。以下、このステップ４についてより具体的に説明する。
【００２３】
先ず、前述したＭＤＰ処理、ＯＰＣ処理、およびＰＰＣ処理等を含む一連のＣＡＤ処理工程の実行情報として、下記の（１）〜（４）に大別される情報群を文字列として抽出する。
【００２４】
（１）ステップ１においてパターン設計されたウェーハパターンの設計データを識別するための管理情報を抽出する。この設計データ管理情報は、前述したようにステップ２におけるＣＡＤ処理を実行する際の入力データとなる。この入力データには、具体的には、設計データのパターン寸法、パターン配置、ならびに半導体装置の内部におけるパターンの機能等が含まれる。この設計データ管理情報は、例えばウェーハパターンの設計データのバージョン番号やファイル名などの一意的な情報である。
【００２５】
（２）ステップ２におけるＣＡＤ処理の手順に関する情報（手順書）を抽出する。このＣＡＤ処理手順書は、以下の説明において単に処理デックと呼ぶこととする。この処理デックの一例を図２に示す。この図２に示す処理デックは、ステップ２における全ての処理デックのうち特にＯＰＣ処理およびＭＤＰ処理に関する処理デックを抜粋したものである。
【００２６】
より具体的には、図２に示す処理デックのうち、“／／ＯＰＣ”で始まる（ｉ）〜（vii）までの７行の処理デックがＯＰＣ処理に関する処理デック（Ａ）である。また、このＯＰＣ処理に関する処理デック（Ａ）に続いて、“／／ＭＡＳＫ data Preparation”で始まる（viii）〜（xiv）までの７行の処理デックがＭＤＰ処理に関する処理デック（Ｂ）である。
【００２７】
また、図３には、図２に示す処理デックサンプルの（ｉ）〜（xiv）までのそれぞれの記述式のより具体的な意味および内容を示す。そして、これら図３および図２に示す処理デックサンプルは、図３の冒頭部に示すように、下記の１）〜６）までの処理の流れを示している。
【００２８】
・１）ＧＤＳ（ Global Drafting System ）を読み込む。
【００２９】
・２）ＯＰＣの前処理（ＯＲ処理）を行う。
【００３０】
・３）ＯＰＣ処理を行う。
【００３１】
・４）ファイルに出力する。
【００３２】
・５）マスクバイアスを掛ける。
【００３３】
・６）マスクデータ変換処理を行う。
【００３４】
例えば、上記１）の処理は、図２および図３中の記述式（iv）に相当する。また、上記２）の処理は記述式（ｖ）に相当する。また、上記３）の処理は記述式（vi）に相当する。また、上記４）の処理は記述式（vii）に相当する。また、上記５）の処理は記述式（ix）に相当する。さらに、上記６）の処理は記述式（xiv）に相当する。
【００３５】
（３）補正モデルを作成するための情報を抽出する。この補正モデル作成用の情報の一例をグラフにして図４に示す。図４に示すグラフの横軸は、ターゲットとするパターンとこのターゲットパターンに最も近い隣接パターンとの距離を表わす。また、図４に示すグラフの縦軸は、ウェーハ上のターゲットパターンの仕上がり寸法値を表わす。したがって、図４に示すグラフは、具体的にはターゲットパターンとその最近接パターンとの距離に応じて変化するウェーハ上のターゲットパターンの仕上がり寸法値の変化の傾向を表している。
【００３６】
この図４に示すウェーハパターン補正用の補正モデルを作成するための情報は、例えばこのステップ４を実施するのに先立って、ステップ１において作成された設計データに基づいて予めパターン転写試験を行うことにより得ることができる。具体的には、先ず、ステップ１において作成された設計データに基づいて実際に試験用のフォトマスクにマスクパターンを形成する。そして、このマスクパターンが形成されたフォトマスクを用いて実際にウェーハ上にウェーハパターンを形成する。この後、ウェーハ上に形成されたウェーハパターンとステップ１において作成された設計データに基づく理想的なウェーハパターンとの誤差を実測する。これにより、図４に示すウェーハパターン補正用の補正モデルを作成するための情報を得ることができる。あるいは、このステップ４を実施するのに先立って、ステップ１において作成された設計データに基づいてシミュレーションを行うことによっても、図４に示すウェーハパターン補正用の補正モデルを作成するための情報を同様に得ることができる。
【００３７】
ただし、実際に補正を行う際には、図４に示すような補正モデルをベースとして、ターゲットパターンの仕上がり寸法値の変動の許容範囲に応じた、より複雑な補正モデルが必要となる。すなわち、前述したターゲットパターンとその隣接パターンとの間の距離をはじめとするターゲットパターンとその周辺に配置される他のパターンとの間の距離に基づく補正モデル以外の補正モデルが必要となる。そのような補正モデルとしては、例えば、ターゲットパターンの周辺領域のパターン被覆率に基づくターゲットパターン寸法差を含んだ寸法補正モデルなどが挙げられる。なお、図４に示すウェーハパターン補正用の補正モデルを作成するための情報は、ＯＰＣ処理のみならずＰＰＣ処理を含めたウェーハパターン補正用の補正モデルを作成するための情報とすることが好ましい。
【００３８】
（４）データ処理環境情報を抽出する。このデータ処理環境とは、具体的には前述したＣＡＤ処理を実行するハードウェアシステムとしての計算機を識別するための管理情報や、ＣＡＤ処理用のソフトウェアシステムを識別する管理情報を指す。特に、ソフトウェアシステムを識別する管理情報には、ソフトウェア名やそのバージョン番号などが含まれる。
【００３９】
ステップ４においては、以上説明した（１）〜（４）に大別される情報群を文字列として抽出する。
【００４０】
続けて、ステップ４においては、（１）〜（４）までの各情報が第三者に容易に解読されることが不可能なものとするために、所定のキーワードとの組み合わせにより暗号化処理を施した情報に加工する。それとともに、この暗号化処理が施された情報をコードパターン、例えば２次元バーコードパターンに変換する。したがって、この２次元バーコードパターンには、前述したステップ３におけるマスクパターンデータから描画データへのデータ変換処理に使用するデータ変換処理システムやデータ変換処理方法を表わす情報、ならびにデータ変換処理の手順を表現するデータ変換処理デック情報等が含まれる。それとともに、この２次元バーコードパターンには、前述した（３）のＯＰＣ補正モデルを表す情報が含まれる。なお、この２次元バーコードパターンは、前述したステップ３においてマスクパターンデータから変換されたマスク描画データとともに、パターン描画装置が解読可能なデータ表現として生成される。
【００４１】
この後、所望のマスクパターンを有するフォトマスクを製作する。具体的には、前述したマスク描画データに基づいて所望のマスクパターンをフォトマスクに形成する。また、これと並行して、前述した２次元バーコードパターンをフォトマスクのマスクパターンが形成される領域以外の領域に形成する。これをステップ５（Ｓｔ．５）とする。これにより、本実施形態に係るフォトマスクの作成工程を終了とする。
【００４２】
図５には、以上説明した工程により作成されるフォトマスク１のイメージを簡略化して示す。図５中、フォトマスク１の中央部の黒塗りのＦマーク２が付されている領域３が、所望の半導体デバイスパターン（ウェーハパターン）となるマスクパターンが形成される領域である。ここでは、Ｆマーク２を以ってマスクパターンの代表とする。そして、フォトマスク１の面内のうち領域３を除くその外側の領域８が、マスクパターンが形成される領域以外の領域である。このマスクパターン形成領域３とマスクパターン非形成領域８との境界は、実際のパターン転写工程において後述する他のパターンやマークがウェーハ上に転写されず、マスクパターン２が適正な形状で露光転写され得る範囲に設定される。
【００４３】
このマスクパターンが形成される領域以外の領域８のうち、図５中打点部で示されている複数の領域４は、マスクパターン２とは異なる役割が与えられたパターンが形成される領域である。例えば、これら各領域４には、フォトマスク１のマスクパターン２をアライナと呼ばれる光露光手段を用いて半導体ウェーハに転写する際に必要となる、アライメント用のマーク群が形成される。あるいは、各領域４には、複数のフォトマスク１ごとに異なる半導体デバイスパターンに依存しないパターン精度をモニタするための、品質管理（ Quality Control：ＱＣ）用のマーク群が形成される。
【００４４】
また、図５中斜線を付されて示されている複数の領域５が、前述した２次元バーコードパターンが形成される領域である。これら各領域５に形成される２次元バーコードパターンには、前述したコード化されたデータ変換情報やフォトマスク１の作成に係るデータ処理の管理情報のみならず、パターン位置精度計測情報や位置精度合否判定情報を表現する情報も含められる。これらのパターン位置精度計測情報や位置精度合否判定情報を表現する情報とは、例えばアライメント用マークに基づいてアライメントを行う際に計測されるパターンの位置精度に関する情報や、パターンの位置精度がその誤差の許容範囲を満たすか否かに関する情報などを指す。前述したように、２次元バーコードパターンの形成位置は、ウェーハ上へのデバイスパターンの露光転写時に２次元バーコードパターンがウェーハ上へ転写されない位置に設定される。
【００４５】
図６には、各フォトマスク１に形成されるパターン群が表現するマスク描画データの体系（構造）を模式的に示す。この図６に示すように、前述した半導体デバイスパターンが表現されたウェーハパターン本体部のパターンデータ、アライメントマークおよびＱＣマークに含まれるデータ、ならびに２次元バーコードパターンに含まれるデータは、それぞれ分別されて記憶用ディスク６の内部に格納される。それとともに、記憶用ディスク６の内部には、それら各マーク（各データ）をフォトマスク１内のどの位置に描画するのかを表現するマスク内パターン配置情報も格納される。その上で、前述した各データあるいは各マークはマスク内パターン配置情報に結び付けられてデータ定義されている。
【００４６】
次に、前述した２次元バーコードパターンについて具体的に説明する。
【００４７】
図７には、各フォトマスク１に形成されるパターン群に含まれる２次元バーコードパターンが表現する情報（データ）およびその配置の一例を簡略化して示す。この図７においても、前述した図５と同様に、斜線を付されて示されている２箇所の領域５が、２次元バーコードパターン７が形成される領域として設定されている。なお、１個の２次元バーコードパターン７によって表現できる文字数には制限がある。このため、２次元バーコードパターン７を用いて表現しようとする情報が１個の２次元バーコードパターン７では表現し切れない程多量の場合や、表現しようとする複数の情報の属性がそれぞれ異なる場合には、図７に示すように、複数個の２次元バーコードパターン７を用いる。そして、それら各２次元バーコードパターン７で表現する情報の量や属性ごとに各２次元バーコードパターン７で表現する情報を個別に定義する。そして、これら表現する情報が個別に定義された各２次元バーコードパターン７を、フォトマスク１のマスクパターン２が形成されない領域内の複数箇所に配置する体系とする。
【００４８】
なお、ここで情報属性とは、対象となる２次元バーコードパターン７で表現する情報となる、パターン位置精度計測情報や位置精度合否判定情報などを区別するための識別情報とする。また、ある情報が複数個の２次元バーコードパターン７に亘って表現される場合においても、この情報属性に基づいて分類して表現することが好ましい。
【００４９】
より具体的には、図７に示すように、各２次元バーコードパターン７には、“１．属性情報”として、図１を用いて説明したＭＤＰ処理、ＯＰＣ処理、およびＰＰＣ処理等を含む一連のＣＡＤ処理工程の実行情報の情報属性を表わす属性情報が組み込まれる。それとともに、各２次元バーコードパターン７には、“２．実データ情報”として、前述したＣＡＤ処理を実行する際に用いる実際の処理情報が組み込まれる。すなわち、前述したステップ４において作成した（１）〜（４）の各情報群に含まれる内容をコンピュータ等からなるマスクパターン作成装置としてのデータ処理装置が読み取ることができるように、（１）〜（４）の各情報群に対応する（１’）〜（４’）の各情報群が実行用データとして各２次元バーコードパターン７に組み込まれる。これにより、製作したフォトマスク１についてのＣＡＤ処理工程の実行情報を、そのＣＡＤ処理が施されたフォトマスク１と一体化させて管理することが可能となる。
【００５０】
したがって、本実施形態によれば、フォトマスク１に形成されたマスクパターン２自体についての情報（データ）と、この情報以外のフォトマスク１を作成する際に用いられる様々な重要な情報（データ）とを、互いの整合性を取って容易に情報管理することが可能となる。そして、当然のことながら、大量のフォトマスク１を製作する場合には、各フォトマスク１ごとにそれぞれ異なるＣＡＤ処理工程の実行情報を、各フォトマスク１ごとに１対１で対応させつつ、それぞれのＣＡＤ処理が施された各フォトマスク１と一体化させて正確に、かつ、効率良く管理することが可能となる。したがって、本実施形態によって得られる前述した優れた情報管理能力は、製作するフォトマスク１の枚数が増えれば増える程、より顕著に発揮される。
【００５１】
以上説明したように、この第１実施形態によれば、半導体デバイスの製造に用いるフォトマスク１を作成するのに必要となるマスクデータを作成する際の設計データと、この設計データをマスクデータに変換処理する際に行われる各種処理の手順や用いられるツール、あるいは処理環境等を表現したフォトマスク１の製作に係るデータ処理情報とを、処理対象のフォトマスク１ごとに一括してパターン化させて生成する。そして、これらパターン化されて生成された各データを、半導体デバイスパターン（ウェーハパターン）となるマスクパターン２とともにフォトマスク１に一括して形成する。これにより、それら各データ（パターン）を製作したフォトマスク１と一体化させて管理することが可能となる。すなわち、従来では書類や磁気ディスク等のフォトマスク１とは別個の記録媒体を用いて管理していた半導体デバイスパターンの作成に係るデータ処理情報を、本実施形態では半導体デバイスパターンを半導体ウェーハに形成するための中間生成物であるフォトマスク１（マスクパターン２）と一体化させて正確かつ容易に、また効率良く管理することができる。
【００５２】
この結果、製作対象であるフォトマスク１に関与するデータ処理情報を管理するインフラが不要になる。それとともに、フォトマスク１に形成されるマスクパターン２自体のデータ処理情報とフォトマスク１の製作に関与する各種データ処理情報との不整合を解消することができる。したがって、本実施形態によれば、フォトマスク１に形成されるマスクパターン２自体に関する情報内容をはじめとするフォトマスク１の作成に関与する様々な情報内容やデータの管理工程の簡略化や、データ管理に掛かる労力の削減を図ることができる。ひいては、本実施形態に係るフォトマスクの作成方法を適用することにより、半導体デバイスの製造および開発に掛かるコストの低減が可能となる。
【００５３】
（第２の実施の形態）
次に、本願発明に係る第２実施形態について図示を省略して簡潔に説明する。なお、前述した第１実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
【００５４】
本実施形態は、第１実施形態に係るフォトマスクの作成方法により作成されたフォトマスク１を用いて半導体装置を製造する技術に関する。
【００５５】
先ず、露光装置およびフォトマスク１を用いて半導体ウェーハ上のレジスト膜にマスクパターン２を露光して転写する。それとともに、レジスト膜を現像してマスクパターン２に基づくレジストパターンをレジスト膜に形成する。続けて、レジスト膜に形成されたレジストパターンに沿ってレジスト膜の下方の被加工膜や半導体基板をエッチング等により加工する。これにより、半導体デバイスパターンとなる所望のウェーハパターンを半導体ウェーハに形成することができる。この後、ウェーハパターンが形成された半導体ウェーハを、トランジスタ製造工程、配線形成工程、ダイシング工程、チップマウンティング工程、ボンディング工程、およびモールディング工程等に流す。これにより、本実施形態に係る図示しない所望の半導体装置を得る。
【００５６】
以上説明したように、この第２実施形態によれば、第１実施形態に係るフォトマスク１を用いてマスクパターン２の露光および転写を行う。これにより、所望のウェーハパターンを半導体ウェーハに正確かつ容易に、また効率良く形成することができる。したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、所望の機能を有する半導体装置を正確かつ容易に、また効率良く製造して、半導体装置の製造に掛かるコストや労力、あるいは時間などを低減することができる。
【００５７】
なお、本願発明に係るフォトマスク作成方法および半導体装置の製造方法は、前述した第１および第２の各実施形態には制約されない。本願発明の趣旨を逸脱しない範囲で、それらの構成、あるいは製造工程などの一部を種々様々な設定に変更したり、あるいは各種設定を適宜、適当に組み合わせて用いたりして実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本願発明の第１実施形態に係るフォトマスクの作成工程をフローチャートにして示すブロック図。
【図２】本願発明の第１実施形態に係るフォトマスク作成方法におけるＣＡＤ処理の手順の一例を示す図。
【図３】図２に示すＣＡＤ処理の手順の具体的な内容を示す図。
【図４】本願発明の第１実施形態に係るフォトマスク作成方法において用いるウェーハパターン補正用の補正モデルを作成するための情報の一例をグラフにして示す図。
【図５】本願発明の第１実施形態に係るフォトマスク作成方法においてフォトマスクに形成されるパターン群を簡略化して示す平面図。
【図６】図５に示すフォトマスクのパターン群に含まれるデータ構造を簡略化して示すブロック図。
【図７】図５に示すフォトマスクのパターン群に含まれる２次元バーコードパターンが表現する情報の一例を簡略化して示す図。
【符号の説明】
【００５９】
１…フォトマスク、２…Ｆマーク（マスクパターン）、７…２次元バーコードパターン（コードパターン）、
【図１】
2009151109.tif 000003
【図２】
2009151109.tif 000004
【図３】
2009151109.tif 000005
【図４】
2009151109.tif 000006
【図５】
2009151109.tif 000007
【図６】
2009151109.tif 000008
【図７】
2009151109.tif 000009