(57)【要約】【課題】各研磨工程で使用する研磨装置がどのような研磨傾向を有するかを把握することによって、極めて平坦で平滑な表面性状を有する基板の製造方法を提供すること。【解決手段】製品として供する基板の研磨工程とは別に試験用基板を研磨する試験工程を含み、試験工程は、前段と後段とで連続する各研磨工程で使用する研磨機でそれぞれ少なくとも１回試験研磨する工程と、試験研磨する工程後のそれぞれの試験用基板の形状により、研磨機の研磨パッドの採用または不採用および後段の工程での基板のセット方向を選択する工程と、からなり、試験工程において、研磨パッドが不採用の場合、研磨パッドが採用となるまで研磨パッドを修正または交換した後に再度新たな試験用基板を用いて試験工程を繰り返し、基板を研磨する際、試験工程において採用された研磨パッドを用い、および選択された基板のセット方向に従って基板を研磨する工程を有することによって達成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の研磨工程を有する基板の製造方法において、
試験用基板を研磨する試験工程を含み、
前記試験工程は、研磨工程で使用する各研磨機で少なくとも１回試験研磨する工程と、
前記試験工程後のそれぞれの前記試験用基板の形状により、前記研磨機の研磨パッドの採用または不採用、および後段の工程での前記基板のセット方向を選択する工程を有する基板の製造方法。
【請求項２】
前記試験工程において不採用と判定された前記研磨パッドを交換、または採用となるまで前記研磨パッドを修正した後、新たな試験用基板を用いて前記試験工程を実施し、後段の工程での前記基板のセット方向を選択する工程を有する請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記試験用基板の形状は、前記製品として供する基板の形状と同一である請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記試験用基板の寸法は、前記製品として供する基板の寸法と同一である請求項１から３のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項５】
一次研磨工程において、前記基板の２つの主面を凹状とし、前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が１０００ｎｍ以下となるように、または
一方の前記主面を凸状とし、前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が７００ｎｍ以下、他方の前記主面を凹状とし前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が１０００ｎｍ以下となるように研磨する請求項１から４のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記一次研磨工程後に連続する二次研磨工程において、前記二次研磨工程終了後の前記基板の２つの主面を凹状とし、それぞれの前記主面を前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が７００ｎｍ以下となるように研磨する請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記二次研磨工程後に連続する三次研磨工程において、前記三次研磨工程終了後の前記基板の２つの主面を前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が４００ｎｍ以下となるように研磨する請求項６に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記三次研磨工程は、基板表面にかかる面荷重が１００ｇ／ｃｍ２以下となるように研磨する請求項７に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
前記三次研磨後の前記基板の十点平均粗さは、１０ｎｍ以下である請求項７から８のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の基板の製造方法によって製造された基板を用いた半導体露光用マスク。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれかに記載の基板の製造方法によって製造された基板を用いたハードディスク磁気ヘッドの浮上高テスト用ディスク。
【請求項１２】
請求項１から９のいずれかに記載の基板の製造方法によって製造された基板を用いた化学分析用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極めて平坦で平滑な表面性状を有する基板の製造方法に関し、例えば、半導体露光用マスク、半導体露光ミラー、ハードディスク磁気ヘッドの浮上高テスト用ディスクおよび化学分析等に使用する基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスや結晶化ガラスは様々な用途の基板材料に用いられており、平坦かつ平滑な表面性状が必要とされることが多い。近年では特に、半導体露光用マスクや露光ミラー等においてより高精度な表面性状を有する基板が求められている。
【０００３】
例えば、次世代の半導体露光技術である極端紫外線露光技術（ＥＵＶＬ）に使用するミラーやフォトマスクサブストレートは、露光品質の劣化を防ぐため、熱による変形が少ない事や、表面性状が良好であることが求められる。そのため、ＥＵＶＬに使用するミラーやフォトマスクサブストレートの基板材料は低膨張特性を有するガラスや結晶化ガラスが適用され、その形状は規格によって極めて平坦で平滑な表面性状であることが求められている。
【０００４】
また、ハードディスク用磁気ディスクの分野においては、近年その記録密度が急速に高まりつつある。この記録密度の向上に伴い、ハードディスクドライブ装置の磁気ヘッドと磁気ディスクとの距離、すなわち磁気ヘッド浮上高が小さくなっている。近年では磁気ヘッド浮上高は約１０〜５０ｎｍとなり、さらに浮上高は小さくなりつつある。そして各磁気ディスクメーカー、またはハードディスクドライブ装置メーカーでは、磁気ヘッドの浮上高試験において、磁気ディスクの代用として透明模擬ディスクを使用し、入射光の干渉等から磁気ヘッド浮上高の測定を行っている。このような透明模擬ディスクにおいても高い平坦性と平滑性が要求される。
【０００５】
その他、医薬検査を初めとして化学分析の分野においては、試料の検査効率向上のため、検査装置の自動化と一度に多数の試料の検査が可能となるように試料の微細化が進んでいる。そして、滴下試料の大きさがマイクロメートルオーダーとなる場合には、滴下された試料を保持する基板表面のうねり形状が試料の静保持に悪影響を及ぼす可能性がある。そこで、医薬検査等の化学分析において、試料の検査に使用する検査用基板は滴下する試料の誤混を防ぐために高精度の表面性状が要求されつつある。
【０００６】
その他様々な分野で表面の極めて平坦で平滑な表面性状を有する基板が求められ、そのような基板を製造するための製造方法が研究されている。
【０００７】
例えば、特許文献１には、マスクブランクス用基板、その製造方法について開示されている。この製造方法では、所望の平面度（ＰＶ値）を有する基板を得るために複数の研磨工程で順次表面粗さ（ＲＭＳ値）を低減させており、複数段階の研磨において、予め各研磨工程における形状変化を把握しておいて、各研磨工程における基板主表面の表面形状と平面度（ＰＶ値）の合わせ込みにより、予め規定した表面形状、平面度（ＰＶ値）となるようにしている。そして、複数段階の研磨工程の間に研磨された基板の平面度（ＰＶ値）を測定し、最終的に合格品を得るのに適した基板を選別し選定している。
【０００８】
しかしながら、実際の製品の製造工程において研磨パッドの形状を直接測定することは容易ではなく、各研磨工程における形状変化を詳細に把握しておくことは容易ではない。特許文献１において、「予め各研磨工程における形状変化の把握」とは「仕上げの研磨において基板が凸化方向に研磨される」等の一般的で大まかな把握にとどまるものであり、各研磨工程の形状変化特性を具体的かつ詳細に把握するものではない。従って各研磨工程の間に製品に供する基板の選別工程が必要となり、基板の選別工程によって不合格となるものが含まれるため、歩留まりが悪いという問題を有していた。
【特許文献１】特開２００６−１２６８１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
平坦で平滑な表面性状を有する基板を製造するにあたっては１つ以上の研磨工程で順次表面粗さ（ＲＭＳ値）を低減させているが、この時各前工程終了後の形状を相殺するように次工程の研磨を施すことが平坦で平滑な表面性状を得るために好ましい。例えば、基板の後段の研磨工程で２つの主面の一方の面形状が凸傾向になるのであれば、その前段の研磨工程ではその面を凹形状にしておくことが好ましい。
【００１０】
ＥＵＶＬに使用する基板等、極めて平坦で平滑な表面が求められる基板の製造工程においては、より微細なレベルで各研磨工程での加工傾向を把握することが必要となる。しかしながら、極めて平坦で平滑な表面が求められる技術分野においては、各研磨工程で基板の２つの主面がどのような形状となるか、換言すれば各研磨工程で使用する研磨装置がどのような研磨傾向を有しているかを直接測定することは困難である。
【００１１】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、極めて平坦で平滑な表面性状を有する基板の製造方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、１つ以上の研磨工程からなる各研磨工程において、試験研磨を行い、試験用基板の平面度（ＰＶ値）を測定し形状を把握した上で、各研磨工程の研磨装置がどのような研磨傾向を有するかを把握することによって、基板の表裏形状を制御管理することにより、極めて平滑で平坦性が良好な高精度の表面性状を有する基板を製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【００１３】
（１）  １つ以上の研磨工程を有する基板の製造方法において、
試験用基板を研磨する試験工程を含み、
前記試験工程は、研磨工程で使用する各研磨機で少なくとも１回試験研磨する工程と、
前記試験工程後のそれぞれの前記試験用基板の形状により、前記研磨機の研磨パッドの採用または不採用、および後段の工程での前記基板のセット方向を選択する工程を有する基板の製造方法。
【００１４】
（２）  前記試験工程において不採用と判定された前記研磨パッドを交換、または採用となるまで前記研磨パッドを修正した後、新たな試験用基板を用いて前記試験工程を実施し、後段の工程での前記基板のセット方向を選択する工程を有する（１）に記載の基板の製造方法。
【００１５】
（３）  前記試験用基板の形状は、前記製品として供する基板の形状と同一である（１）または（２）に記載の基板の製造方法。
【００１６】
（４）  前記試験用基板の寸法は、前記製品として供する基板の寸法と同一である（１）から（３）のいずれかに記載の基板の製造方法。
【００１７】
（５）  一次研磨工程において、前記基板の２つの主面を凹状とし、前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が１０００ｎｍ以下となるように、または
一方の前記主面を凸状とし、前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が７００ｎｍ以下、他方の前記主面を凹状とし前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が１０００ｎｍ以下となるように研磨する（１）から（４）のいずれかに記載の基板の製造方法。
【００１８】
（６）  前記一次研磨工程後に連続する二次研磨工程において、前記二次研磨工程終了後の前記基板の２つの主面を凹状とし、それぞれの前記主面を前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が７００ｎｍ以下となるように研磨する（５）に記載の基板の製造方法。
【００１９】
（７）  前記二次研磨工程後に連続する三次研磨工程において、前記三次研磨工程終了後の前記基板の２つの主面を前記基板と同一の重心を有する前記基板の８７％の面積の相似形状の領域内での平面度（ＰＶ値）が４００ｎｍ以下となるように研磨する（６）に記載の基板の製造方法。
【００２０】
（８）  前記三次研磨工程は、基板表面にかかる面荷重が１００ｇ／ｃｍ２以下となるように研磨する（７）に記載の基板の製造方法。
【００２１】
（９）  前記三次研磨後の前記基板の十点平均粗さは、１０ｎｍ以下である（７）から（８）のいずれかに記載の基板の製造方法。
【００２２】
（１０）  （１）から（９）のいずれかに記載の基板の製造方法によって製造された基板を用いた半導体露光用マスク。
【００２３】
（１１）  （１）から（９）のいずれかに記載の基板の製造方法によって製造された基板を用いたハードディスク磁気ヘッドの浮上高テスト用ディスク。
【００２４】
（１２）  （１）から（９）のいずれかに記載の基板の製造方法によって製造された基板を用いた化学分析用基板。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、平坦性が良好な高精度の表面性状を有する基板を安定して製造することができるようになった。また、試験工程を行うことにより、歩留まりが良好になった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本形態は一例であって本発明の全てではなく、本形態によって本発明を制限するものではない。
【００２７】
本発明は１つ以上の研磨工程を有する基板の製造方法において、試験用基板を研磨する試験工程を含み、前記試験工程は、研磨工程で使用する各研磨機で少なくとも１回試験研磨する工程と、前記試験工程後のそれぞれの前記試験用基板の形状により、前記研磨機の研磨パッドの採用または不採用、および後段の工程での前記基板のセット方向を選択する工程を有することを特徴とする。
【００２８】
さらに好ましい態様としては、本発明は、複数の研磨工程を有する基板の製造方法において、製品として供する基板の研磨工程とは別に試験用基板を研磨する試験工程を含み、試験工程は、前段と後段とで連続するそれぞれの研磨工程で使用する研磨機でそれぞれ少なくとも１回試験研磨する工程と、試験研磨する工程後のそれぞれの試験用基板の形状により、研磨機の研磨パッドの採用または不採用および後段の工程での基板のセット方向を選択する工程と、からなり、試験工程において、研磨パッドが不採用の場合、研磨パッドが採用となるまで、研磨パッドを修正または交換した後に再度新たな試験用基板を用いて試験工程を繰り返し、基板を研磨する際、試験工程において採用された研磨パッドを用い、および選択された基板のセット方向に従って基板を研磨する工程を有することを特徴とする。
【００２９】
本発明においては基板形状の呼称を次の様に定義する。
【００３０】
まず、基板の重心と同一の重心を有する基板の８７％の面積の相似形領域内において、基板の平均面に直角な平面で基板を切断したときの切断面に現れる基板の一方の主面の輪郭を示す曲線を断面曲線とする。前記平均面とは、最小二乗法によって求められる面をいう。
【００３１】
次に、前記重心を通り、断面曲線の山（最高点）と谷（最低点）の高低差が最も大きくなる切断面を選択する。
【００３２】
選択された切断面において、前記平均面と切断面との交線方向をｘ軸方向とし、断面曲線の山（最高点）から重心までのｘ軸方向の距離と、断面曲線の谷（最低点）から重心までのｘ軸方向の距離とを比較した時、山から重心までのｘ軸方向の距離が短い場合は凸状、谷から重心までのｘ軸方向の距離が短い場合は凹状と定義する。
【００３３】
本明細書において、平面度（ＰＶ値）とは、基板の重心と同一の重心を有する基板の８７％の面積の相似形領域内において、基板表面の任意の基準面からの表面形状の最大高さと最小高さの差をいい、半導体レーザを波長変更光源としフーリエ変換位相シフト法を利用した測定機を用い、解像度０．３ｍｍ／ピクセルの条件で得られる値である。具体的には、例えばＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴによって測定することができる。
【００３４】
そして、前記の方法によって測定された基板の平面度（ＰＶ値）が７００ｎｍを超える場合は「強」、４００ｎｍを超えて７００ｎｍ以下の場合は「弱」、４００ｎｍ以下の場合は「フラット」と定義し、前記凸状、凹状の定義と合わせて、「凸強」、「凹弱」等と呼称する場合がある。
【００３５】
本明細書において、基板の主面とは、最も広い面積を有する、対向する二面のそれぞれの面をいう。
【００３６】
また、本明細書において、十点平均粗さとは、視野角２．８ｍｍ×２．１１ｍｍの測定領域についての、基板表面の任意の基準面からの第１位から第５位までの表面形状の山頂の平均標高と、基板表面の任意の基準面からの第１位から第５位までの表面形状の谷底の平均標高の値の差をいい、走査型白色干渉顕微鏡を用い、２．５倍の対物レンズを用いてシステム倍率１．０倍の条件でフイルターを用いず測定して得られる値である。具体的には、例えばＺｙｇｏ社のＮｅｗＶｉｅｗによって測定することができる。
【００３７】
本明細書において、表面粗さ（ＲＭＳ値）とは、視野角１０μｍ×１０μｍの測定領域についての、任意の基準面から表面までの偏差の二乗の平均値の平方根をいい、原子間力顕微鏡を用いて得られる値である。具体的には、例えば日本ビーコ社のＮａｎｏ  Ｓｃｏｐｅ  ＩＩＩａ／Ｄ−３０００によって測定することができる。
【００３８】
以下、本発明の基板の製造方法の実施形態について詳細に説明するが、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の趣旨を限定するものではない。
【００３９】
本発明の製造方法によって得られる製品として供する基板（以下、断りがない場合以外は単に「基板」という。）の種類は特に限定されず、例えば、金属基板、ガラス、ガラスセラミックス等公知の種々の基板を製造することができる。
【００４０】
本発明の基板の製造方法は、試験工程と、製品として供する基板を研磨する１つ以上の研磨工程（製品研磨工程）を有する。以下、説明の便宜上、１つ以上の研磨工程のうち、最初に行う研磨工程を一次研磨工程、一次研磨工程後に行う研磨工程を二次研磨工程、二次研磨工程後に行う研磨工程を三次研磨工程（以下、必要に応じて適宜高次設定できる）という。一次研磨工程を行う前には、必要に応じて公知のスライス切断工程、研削工程、およびラップ工程を行っても良い。
【００４１】
研磨工程での加工時間を短くするために、一次研磨工程前の基板の平面度は、１５００ｎｍ以下であることが好ましく、１４００ｎｍ以下であることがより好ましく、１２００ｎｍ以下であることが最も好ましい。また、一次研磨工程前の十点平均粗さをある程度まで小さくすると、最終的にうねりが少ない基板を得やすくなるため、一次研磨工程前の十点平均粗さは、３５ｎｍ以下であることが好ましく、２５ｎｍ以下であることがより好ましく、１５ｎｍ以下であることが最も好ましい。
【００４２】
本発明の目的の１つは平坦で平滑な基板を得ることであり、一次研磨工程前の基板の平面度および十点平均粗さは小さいほど好ましいのでこれらの値の下限値は特に限定されない。ただし、通常ラップ工程後の基板すなわち一次研磨工程前の基板の平面度が４００ｎｍ以下、十点平均粗さが１０ｎｍ以下とはなりにくい。
【００４３】
［試験工程］
本発明の基板の製造方法では、製品として供する基板とは別に試験用基板を研磨する試験工程を行い、試験用基板の平面度（ＰＶ値）を測定し形状を把握した上で、各研磨工程の研磨装置がどのような研磨傾向を有するかを把握することによって、基板の表裏形状を制御管理する。これにより、研磨パッドを直接測定することなく、その研磨傾向を正確に把握することができるため、極めて平滑で平面度（ＰＶ値）が良好な高精度の表面性状を有する基板を製造でき、製品として供する基板の歩留まりを向上させることもできる。なお、試験工程は、一度行えばそのデータを基に製品として供する基板の表裏形状を相当期間制御管理できるので、製品として供する基板を研磨する前に必ず行う必要はなく、例えば、製品として供する基板を所定数研磨した場合や、研磨パッドが摩耗したため交換した場合等に再度試験工程を行えばよい。
【００４４】
試験工程は、研磨工程で使用する、製品として供する基板を製造するための各研磨機および研磨パッドについて行う。すなわち、一次研磨工程から三次研磨工程まで研磨工程がある場合には一次、二次、三次研磨工程のそれぞれの研磨機および研磨パッドについて行う。研磨機は、例えば図１および図２に示すような両面研磨機が用いられる。試験工程は、上述した一次研磨工程から三次研磨工程で製品として供する基板１を研磨する前に行うことが好ましい。試験工程は、各研磨工程での研磨状況を試験するためのものであるので、一次研磨工程から三次研磨工程まで連続して行ってもよく、一次研磨工程のみ独立して試験工程を行ってもよく、二次研磨工程のみ独立して試験工程を行ってもよく、三次研磨工程のみ独立して試験工程を行ってもよい。また、一次研磨工程と二次研磨工程のみ連続して試験工程を行ってもよい。
【００４５】
試験工程にて使用する試験用基板は、一次研磨工程後、二次研磨工程後および三次研磨工程後の主面の形状、平面度（ＰＶ値）を試験するので、正確な試験結果を得るため、製品として供する基板１と同一の形状であることが好ましく、同一の寸法を有することがより好ましい。同様に正確な試験結果を得るために、製品として供する基板１の研磨において、一台の研磨機で一度に複数枚の基板１を加工する場合は、試験用基板も同様に複数枚用いることが好ましい。
【００４６】
（一次研磨工程に対する試験工程）
図３は、試験工程の前記の例の概要を示すフローチャートである。まず、一次研磨工程で使用する研磨機で試験用基板を研磨する試験研磨する工程を行う（Ｓ１）。この試験工程で使用する試験用基板は、正確な試験結果を得るために、一次研磨工程前として好ましい上記の形状であることがよい。試験用基板の研磨方法は、製品として供する基板１と同様の方法で行う。また、製品として供する基板１を研磨しようとする研磨パッド３、研磨剤等全て同一のものを使用することが正確な試験結果を得るためには好ましい。
【００４７】
試験研磨する工程（Ｓ１）終了後、試験用基板の２つの主面について表面形状を測定し、平面度（ＰＶ値）とその形状（凸状または凹状）を求める。求めた結果により一次研磨で使用する研磨機の研磨パッドの採用・不採用を検討する（Ｓ２、Ｓ３）。試験用基板が複数ある場合は任意に１枚を抜き取り測定すればよい。測定は例えばＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いることができる。
【００４８】
一次研磨工程に対する試験工程では試験用基板の二つ主面が凸状かつ平面度（ＰＶ値）が１０００ｎｍ以上となる場合、一次研磨工程で使用する研磨パッドを不採用とする。
さらに好ましくは試験用基板の二つ主面が凹状かつ平面度（ＰＶ値）が１０００ｎｍ以下となる場合、または一方の主面が凸弱かつ、他方の主面が凹状かつ平面度（ＰＶ値）が１０００ｎｍ以下となる場合に、一次研磨工程で使用する研磨パッドを採用し、それ以外の場合は不採用とする。
【００４９】
本試験工程での採用・不採用の判断基準値を上記の様に設定することで高精度な表面性状を有する基板１を得やすくなる。より容易に高精度な表面性状を有する基板１を得やすくするためには上記採用となる判断基準を、２つの主面を凹状かつ、平面度（ＰＶ値）が９００ｎｍ以下とすることがより好ましく、８００ｎｍ以下とすることが最も好ましい。または、採用となる判断基準を、一方の前記主面を凸状かつ平面度（ＰＶ値）が６００ｎｍ以下、他方の前記主面を凹状かつ平面度（ＰＶ値）が９００ｎｍ以下とすることがより好ましく、一方の前記主面を凸状かつ平面度（ＰＶ値）が５００ｎｍ以下、他方の前記主面を凹状かつ平面度（ＰＶ値）が８００ｎｍ以下とすることが最も好ましい。
【００５０】
研磨パッドが不採用となった場合には、その研磨パッドを修正するか交換し、再度試験工程を実施し、研磨パッドが採用となるまで試験工程を繰り返す。
【００５１】
研磨パッドの修正は、片面に＃８０のダイヤモンドペレットを数十個貼り付けた修正キャリアを使用して行う。修正キャリアを４個均等に、隣り合う修正キャリアの表裏が反対になるようにセットして水を供給してかけ流しにより、荷重は１００ｇ／ｃｍ２以下になる様に設定し、回転数は、５０ｒｐｍ以下に設定し、修正時間は適時任意に設定し行なうことができる。
【００５２】
試験工程の後、採用された研磨機の研磨パッド３を用いて、製品に供する基板１の一次研磨工程を行う（製品研磨工程）（Ｓ４）。なお、必要に応じてＳ４を行わずに二次研磨工程に対する試験工程（Ｓ１）を行ってもよい。
【００５３】
（二次研磨工程に対する試験工程）
図３に示したように、二次研磨工程で使用する研磨機で試験用基板を研磨する試験研磨する工程を行う（Ｓ１）。なお、この試験工程で使用する試験用基板は正確な試験結果を得るために、一次研磨工程に対する試験工程で採用された研磨パッドで研磨した基板であることがよい。試験用基板の研磨方法は、製品として供する基板１と同様の方法で行う。二次研磨工程での試験工程は、一次研磨工程での試験工程後に連続して行ってもよく、独立して行ってもよい。また、製品として供する基板１を研磨しようとする研磨パッド３、研磨剤等全て同一のものを使用することが正確な試験結果を得るためには好ましい。
【００５４】
二次研磨工程に対する試験工程では、まず、一次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向で、すなわち基板の表裏を変えずに試験用基板をセットし、試験研磨を行う。
【００５５】
この後、試験用基板の２つの主面について表面形状を測定し、平面度（ＰＶ値）とその形状（凸状または凹状）を求める（Ｓ２、Ｓ３）。ここで、試験用基板の二つの主面が凹状かつ平面度（ＰＶ値）が７００ｎｍ以下となる場合は二次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用となる。さらに基板のセット方向について、一次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向が選択される。
【００５６】
本試験工程での採用・不採用の判断基準値を上記の様に設定することで高精度な表面性状を有する基板を得やすくなる。より容易に高精度な表面性状を有する基板を得やすくするためには上記採用となる判断基準を、２つの主面の形状を凹状かつ、平面度（ＰＶ値）が６００ｎｍ以下とすることがより好ましく、２つの主面の形状を凹状かつ、平面度（ＰＶ値）が５００ｎｍ以下とすることが最も好ましい。
【００５７】
試験用基板が前記の形状とならなかった場合には、新たに試験用基板を用意し、一次研磨工程の基板のセット方向と基板のセット方向を逆にして、すなわち基板の表裏を変えて試験用基板をセットし再度試験研磨を行う。この後同様に試験用基板の形状を測定し、基板の形状が上記の形状となる場合は二次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用となる。さらに基板のセット方向について、一次研磨工程の基板のセット方向と逆の方向が選択される。前記の形状とならなかった場合は、研磨パッドは不採用となる。
【００５８】
研磨パッドが不採用となった場合には、その研磨パッドを修正するか交換し、再度試験工程を実施し、研磨パッドが採用となるまで試験工程を繰り返す。研磨パッドの修正については一次研磨工程に対する試験工程の場合と同様である。
【００５９】
試験工程の後、採用された研磨機の研磨パッドを用い、選択された基板のセット方向に従って製品に供する基板の二次研磨工程を行う（製品研磨工程）（Ｓ４）。なお、必要に応じてＳ４を行わずに三次研磨工程に対する試験工程（Ｓ１）を行ってもよい。
【００６０】
（三次研磨工程に対する試験工程）
図３に示したように、三次研磨工程で使用する研磨機で試験用基板を研磨する試験研磨する工程を行う（Ｓ１）。なお、この試験工程で使用する試験用基板は、正確な試験結果を得るために、一次研磨工程に対する試験工程で採用された研磨パッド、および二次研磨工程に対する試験工程で採用された基板のセット方向に従って、採用された研磨パッドで研磨した基板であることがよい。試験用基板の研磨方法は、製品として供する基板１と同様の方法で行う。三次研磨工程での試験工程は、二次研磨工程での試験工程後に連続して行ってもよく、独立して行ってもよい。また、製品として供する基板１を研磨しようとする研磨パッド３、研磨剤等全て同一のものを使用することが正確な試験結果を得るためにはこのましい。
【００６１】
三次研磨工程に対する試験工程では、まず、二次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向で、すなわち基板の表裏を変えずに試験用基板をセットし、試験研磨を行う。
【００６２】
この後、試験用基板の２つの主面について表面形状を測定し、平面度（ＰＶ値）とその形状（凸状または凹状）を求める（Ｓ２、Ｓ３）。ここで、試験用基板の二つの主面の平面度（ＰＶ値）が４００ｎｍ以下となる場合は三次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用となる。さらに基板のセット方向について、二次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向が選択される。
【００６３】
本試験工程での採用・不採用の判断基準値を上記の様に設定することで高精度な表面性状を有する基板を得やすくなる。より容易に高精度な表面性状を有する基板を得やすくするためには上記採用となる判断基準を、２つの主面の平面度（ＰＶ値）が３００ｎｍ以下とすることがより好ましく、２００ｎｍ以下とすることが最も好ましい。
【００６４】
試験用基板が前記の形状とならなかった場合には、新たに試験用基板を用意し、二次研磨工程の基板のセット方向と試験用基板のセット方向を逆にして、すなわち試験用基板の表裏を変えて試験用基板をセットし再度試験研磨を行う。この後同様に試験用基板の形状を測定し、試験用基板の形状が上記の形状となる場合は三次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用となる。さらに試験用基板のセット方向について、二次研磨工程の基板のセット方向と逆の方向が選択される。前記の形状とならなかった場合は、研磨パッドは不採用となる。
【００６５】
研磨パッドが不採用となった場合には、その研磨パッドを修正するか交換し、再度試験工程を実施し、研磨パッドが採用となるまで試験工程を繰り返す。研磨パッドの修正については一次研磨工程に対する試験工程の場合と同様である。
【００６６】
試験工程の後、採用された研磨機の研磨パッドを用い、選択された基板１のセット方向に従って製品に供する基板１の三次研磨工程を行う（製品研磨工程）（Ｓ４）。
【００６７】
各試験工程終了後、試験工程にて採用された研磨パッド３と、後段の工程での製品に供する基板１のセット方向に従って、製品に供する基板１を研磨する。これにより、基板１の表裏形状を制御管理でき、極めて平滑で平面度（ＰＶ値）が良好な高精度の表面性状を有する基板を製造できると共に、製品として供する基板１の歩留まりを向上させることもできる。
【００６８】
次に製品研磨工程について説明する。
【００６９】
［一次研磨工程］
一次研磨工程は、主に前工程例えばラップ工程での平面度（ＰＶ値）を悪化することなく表面粗さ（ＲＭＳ値）を向上させ研磨面にすることを目的として、研磨パッドで研磨剤を供給しながら基板表面を研磨する工程である。具体的には、図１および図２に示すように、研磨パッド３を貼り付けた定盤２を回転させ、研磨剤（図示せず）を分散させたスラリー（図示せず）を供給しながら基板１表面を研磨する。
【００７０】
一次研磨工程においては、高い加工精度を得やすくなり、効率的に加工しやすくなるため、定盤２に貼り付けた研磨パッド３と基板１とを相対移動させる研磨機を用いることが好ましい。研磨機は片面研磨機、または両面研磨機等を用いることができ、特に限定するものではないが、片方の面を研磨している間に他方の面が汚染される等の心配がないこと、または加工時間の観点から、両面研磨機を用いることが好ましい。
【００７１】
研磨パッド３の主材料は、研磨する基板１の材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、ウレタン等の樹脂、不織布、または不織布に樹脂等を含浸させた材料等を主材料とする研磨パッド３を使用することができる。なお、これら主材料が単独で構成されている研磨パッド３を使用してもよく、複数の主材料で構成されている研磨パッド３を使用してもよい。
【００７２】
また、主材料中に無機物等からなる粒子を分散させた研磨パッド３を使用することが好ましい。このような研磨パッド３を使用することにより、研磨レートを向上することができる。主材料中に分散させる無機物等からなる粒子は、研磨する基板１の材質等に応じて適宜変更することができるが、例えば、酸化セリウム、酸化ジルコニウム等があげられる。これらは、単独で使用してもよいが、複数組み合わせて使用してもよい。
【００７３】
一次研磨工程における研磨パッド３の硬度については、平面度（ＰＶ値）を悪化しにくくするためにＪＩＳ  Ｋ６２３５における硬度が６０以上であることが好ましく、６５以上であることがより好ましく、７０以上であることが最も好ましい。また、逆にＪＩＳ  Ｋ６２３５における硬度が高すぎると、スクラッチ等の表面欠陥が発生しやすくなり、表面品質の悪化が想定されるため一次研磨工程における研磨パッド３の硬度はＪＩＳ  Ｋ６２３５における硬度が１１０以下であることが好ましく、１０５以下であることがより好ましく、１００以下であることが最も好ましい。
【００７４】
一次研磨工程で使用する研磨剤は、基板１の材質等に応じて適宜変更することができるが、例えば、酸化セリウム、酸化ジルコニウム等を使用することが好ましい。特に酸化セリウムは酸化ジルコニウムに比べて柔らかいため基板１表面にスクラッチ等をつけることなく研磨することができる。なお、研磨剤は、通常は水等の液体に分散させてスラリー状として使用する。
【００７５】
一次研磨工程で使用する研磨剤の平均粒径は、短時間で効果的に研磨するために０．６μｍ以上であることが好ましく、０．８μｍ以上であることがより好ましく、１．０μｍ以上であることが最も好ましい。また、研磨剤の平均粒径が２．０μｍを超えると、酸化セリウムであっても基板１表面にスクラッチ等をつける恐れがあるため２．０μｍ以下が好ましく、１．８μｍ以下がより好ましく、１．６μｍ以下が最も好ましい。
【００７６】
なお、研磨剤の平均粒径の測定方法はコールターカウンター（ＣＯＵＬＴＥＲ  ＣＯＵＮＴＥＲ  ＭＯＤＥＬ  ＴＡ  ＩＩ）（コールター社製）を用いて測定し、研磨剤の体積を基準として測定した。
【００７７】
研磨機の回転数は、基板１の材質等に応じて適宜変更できるが、５０ｒｐｍを超えると、研磨機に回転ムラや振動が起こりやすくなり、それによって平面度（ＰＶ値）が悪化する傾向となりやすい。従って前記回転数の上限は５０ｒｐｍ以下であることが好ましく、４８ｒｐｍ以下であることがより好ましく、４５ｒｐｍ以下であることが最も好ましい。また、回転数が１０ｒｐｍ未満であると、十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化する傾向となりやすい。従って回転数の下限は１０ｒｐｍ以上であることが好ましく、１３ｒｐｍであることがより好ましく、１５ｒｐｍであることが最も好ましい。
【００７８】
ここで、研磨機の回転数とは両面研磨機の場合、下定盤の回転数をいい、そのとき上定盤は下定盤とは反対方向に下定盤の回転数の１／３の回転数で回転し、被研磨物はキャリアと共に下定盤と同方向に下定盤の回転数の１／３の回転数で回転する。
【００７９】
一次研磨工程において、研磨機で研磨する場合の基板１表面にかかる面荷重は、軽過ぎると平面度（ＰＶ値）と十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化しやすくなるため、６０ｇ／ｃｍ２以上とすることが好ましく、８０ｇ／ｃｍ２以上とすることがより好ましく、１００ｇ／ｃｍ２以上とすることが最も好ましい。６０ｇ／ｃｍ２以上とすることで、短時間で効果的に研磨することができる効果も得られる。また、面荷重が重過ぎても同様な平面度（ＰＶ値）と十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化しやすくなるため、一次研磨工程において、研磨機で研磨する場合の基板１表面にかかる面荷重は、２４０ｇ／ｃｍ２以下が好ましく、２２０ｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、２００ｇ／ｃｍ２以下が最も好ましい。
【００８０】
一次研磨工程後の基板１の主面の形状は、主面の少なくとも一面が凹形状を有していることが好ましい。すなわち、基板１の主面の形状が両面とも凹形状のとなるように、または一方の主面が凹形状であって他方の主面が凸形状となるように研磨する。
【００８１】
高精度な表面性状を有する基板１が求められる技術分野に用いられる基板の場合、一次研磨工程後の基板１表面の形状は、２つの主面を凹状とし、その主面の平面度（ＰＶ値）がそれぞれ１０００ｎｍ以下となるように研磨することが好ましく、９００ｎｍ以下となるように研磨することがより好ましく、８００ｎｍ以下となるように研磨することが最も好ましい。または、一方の前記主面を凸状とし平面度（ＰＶ値）が７００ｎｍ以下、他方の前記主面を凹状とし平面度（ＰＶ値）が１０００ｎｍ以下となるように研磨することが好ましく、一方の前記主面を凸状とし平面度（ＰＶ値）が６００ｎｍ以下、他方の前記主面を凹状とし平面度（ＰＶ値）が９００ｎｍ以下となるように研磨することがより好ましく、一方の前記主面を凸状とし平面度（ＰＶ値）が５００ｎｍ以下、他方の前記主面を凹状とし平面度（ＰＶ値）が８００ｎｍ以下となるように研磨することが最も好ましい。
本発明の目的の１つは平坦で平滑な基板を得ることであり、一次研磨工程後の基板の平面度は小さいほど（０に近いほど）好ましいので、これらの値の下限値は特に限定されない。
【００８２】
［二次研磨工程］
二次研磨工程は一次研磨工程の後に行われ、主に一次研磨工程で得られた平面度（ＰＶ値）を悪化せず維持し、さらに十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）の向上を目的とした工程であり、一次研磨工程と同様研磨パッドで研磨剤を供給しながら基板表面を研磨する工程である。
【００８３】
二次研磨工程においても、片面研磨機、または両面研磨機等の研磨パッド３と基板１とを相対移動させる研磨機を用いることが好ましいが、一次研磨工程と同様の理由から、両面研磨機を用いることがより好ましい。
【００８４】
二次研磨工程における研磨パッド３の主材料は、十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）を向上させやすくするため不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドまたはＰＥＴシートの上にＮＡＰ層を形成したスエードパッドが好ましい。
【００８５】
二次研磨工程における研磨パッド３の硬度については、十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）を向上させやすくするためＪＩＳ  Ｋ６２３５における硬度が８０以下であることが好ましく、７５以下であることがより好ましく、７０以下であることが最も好ましい。また、逆に低過ぎると平面度（ＰＶ値）が悪化しやすくなるため二次研磨工程における研磨パッド３の硬度はＪＩＳ  Ｋ６２３５における硬度が２０以上であることが好ましく、２５以上であることがより好ましく、３０以上であることが最も好ましい。
【００８６】
二次研磨工程で使用する研磨剤は、基板１の材質等に応じて適宜変更することができるが、例えば、コロイダルシリカ、酸化セリウム、酸化ジルコニウム等を使用することが好ましい。特にコロイダルシリカは研磨剤同士が凝集することがなく、酸化セリウム、酸化ジルコニウム等よりも平均粒径が小さいため、十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）を向上することができる。
【００８７】
二次研磨工程で使用する研磨剤の平均粒径は、３００ｎｍ未満であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが最も好ましい。研磨剤の平均粒径が３００ｎｍ以上であると、十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）を向上することができない場合があるからである。また、二次研磨工程で使用する研磨剤の平均粒径は短時間で効果的に研磨しやすくするため１０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましく、５０ｎｍ以上であることが最も好ましい。
【００８８】
二次研磨工程の研磨機の回転数は、基板１の材質等に応じて適宜変更できるが、５０ｒｐｍを超えると、研磨機に回転ムラや振動が起こりやすくなり、それによって平面度（ＰＶ値）が悪化する傾向となりやすい。従って前記回転数の上限は５０ｒｐｍ以下であることが好ましく、４８ｒｐｍ以下であることがより好ましく、４５ｒｐｍ以下であることが最も好ましい。また、回転数が１０ｒｐｍ未満であると、十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化する傾向となりやすい。従って回転数の下限は１０ｒｐｍ以上であることが好ましく、１３ｒｐｍ以上であることがより好ましく、１５ｒｐｍ以上であることが最も好ましい。
【００８９】
二次研磨工程において、研磨機で研磨する場合の基板１表面にかかる面荷重は、軽過ぎると平面度（ＰＶ値）と十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化する傾向にあり、また短時間で効果的に研磨しやすくするため１０ｇ／ｃｍ２以上とすることが好ましく、２０ｇ／ｃｍ２以上とすることがより好ましく、３０ｇ／ｃｍ２以上とすることが最も好ましい。また、面荷重が重過ぎても同様な平面度（ＰＶ値）と十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化しやすくなるためニ次研磨工程において、研磨機で研磨する場合の基板１表面にかかる面荷重は、１００ｇ／ｃｍ２以下が好ましく、９０ｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、８０ｇ／ｃｍ２以下が最も好ましい。
【００９０】
一次研磨工程後に連続して行う二次研磨工程では、高精度な表面性状を有する基板１が求められる技術分野への適用を容易とするために、基板１の２つの主面の形状を凹状とし、ＰＶ値が７００ｎｍ以下となるように研磨することが好ましく、６００ｎｍ以下となるように研磨することがより好ましく、５００ｎｍ以下となるように研磨することが最も好ましい。研磨工程は基板１の周辺部分の加工率が高いため、最終研磨工程の前の形状を凹状とすることにより、最終研磨工程後に極めて平坦で平滑な表面性状を得ることができる。
【００９１】
なお、本発明の目的の１つは平面度の良好な基板を得ることであるので、前記二次研磨工程での基板１の２つの主面のＰＶ値は小さいほど（０に近いほど）好ましい。従ってこの値の下限値は特に限定されない。
【００９２】
［三次研磨工程］
必要に応じて、一次研磨工程および二次研磨工程後に連続する三次研磨工程を行う。三次研磨工程は二次研磨工程の後に行われ、主に二次研磨工程で得られた平面度（ＰＶ値）を悪化せず維持し、さらに十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）の向上を目的とした工程であり、二次研磨工程と同様研磨パッドで研磨剤を供給しながら基板表面を研磨する工程である。
【００９３】
三次研磨工程においても、片面研磨機、または両面研磨機等の研磨パッド３と基板１とを相対移動させる研磨機を用いることが好ましいが、一次研磨工程と同様の理由から、両面研磨機を用いることがより好ましい。
【００９４】
三次研磨工程で使用する研磨剤は、基板１の材質等に応じて適宜変更することができるが、例えば、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカ等を使用することが好ましい。特に研磨剤に酸化セリウムを使用することによって、研磨剤が基板１表面に食い込むことが少なくなり、二次研磨工程後の基板１表面に存在するコロイダルシリカ研磨剤の除去が容易となる。また、一般的に三次研磨工程で使用する研磨パッド３は表面形状のうねり成分へ与える影響が大きいが、酸化セリウム研磨剤は比較的平均粒径が大きいので、基板１表面への研磨パッド３のうねりの影響を少なくすることができ、基板１表面のうねりが悪化しにくくなる。従って、三次研磨工程で使用する研磨剤は酸化セリウムがより好ましい。なお、研磨剤は、通常は水等の液体に分散させてスラリー状として使用する。
【００９５】
三次研磨工程で使用する研磨剤の平均粒径の上限は、１μｍ以下であることが好ましく、７５０ｎｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることが最も好ましい。研磨剤の平均粒径が１μｍを超えると、研磨剤の比表面積が小さくなり、基板１表面を効果的に研磨しにくくなる。また、前記平均粒径の下限は基板１表面への研磨パッド３のうねりによる基板１表面の形状の悪化の影響を少なくする効果を容易に得るために１０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、５０ｎｍ以上が最も好ましい。また、前記平均粒径は小さすぎると所望の表面形状を得るための加工時間が長くなり、加工時間が長くなるとロールオフが大きくなりやすくなるため、ロールオフを低減する観点からも前記平均粒径の下限値の範囲は上記の範囲が好ましい。
【００９６】
三次研磨工程にて使用する研磨パッド３の主材料は、不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドまたはＰＥＴシートの上にＮＡＰ層を形成したスエードパッドが好ましい。
【００９７】
三次研磨工程における研磨パッド３の硬度については、十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）を向上させやすくするため、ＪＩＳ  Ｋ６２３５における硬度が９０以下であることが好ましく、８５以下であることがより好ましく、８０以下であることが最も好ましい。また、逆に低過ぎると平面度（ＰＶ値）が悪化しやすくなるため二次研磨工程における研磨パッド３の硬度はＪＩＳ  Ｋ６２３５における硬度が４０以上であることが好ましく、４５以上であることがより好ましく、５０以上であることが最も好ましい。
【００９８】
三次研磨工程の研磨機の回転数は、基板１の材質等に応じて適宜変更できるが、５０ｒｐｍを超えると、研磨機に回転ムラや振動が起こりやすくなり、それによって平面度（ＰＶ値）が悪化する傾向となりやすいため、上限は５０ｒｐｍ以下であることが好ましく、４８ｒｐｍ以下であることがより好ましく、４５ｒｐｍ以下であることが最も好ましい。また、回転数が低いと加工に長い時間を要し、効率的で無く、十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化する傾向となりやすい。従って研磨機の回転数の下限は１０ｒｐｍ以上であることが好ましく、１３ｒｐｍ以上であることがより好ましく、１５ｒｐｍ以上であることが最も好ましい。
【００９９】
三次研磨工程において、研磨機で研磨する場合の基板１表面にかかる面荷重は、軽過ぎると平面度（ＰＶ値）と十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化しやすくなるため、１０ｇ／ｃｍ２以上とすることが好ましく、２０ｇ／ｃｍ２以上とすることがより好ましく、３０ｇ／ｃｍ２以上とすることが最も好ましい。さらに１０ｇ／ｃｍ２以上とすることで、短時間で効果的に研磨しやすくなる。また、面荷重が重過ぎても同様な平面度（ＰＶ値）と十点平均粗さと表面粗さ（ＲＭＳ値）が悪化しやすくなるため、三次研磨工程において、研磨機で研磨する場合の基板１表面にかかる面荷重は、１００ｇ／ｃｍ２以下が好ましく、９０ｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、８０ｇ／ｃｍ２以下が最も好ましい。
【０１００】
三次研磨工程を行った際の基板１の表面性状は、高精度な表面性状を有する基板１が求められる技術分野への適用を容易にするために、基板１の２つの主面の平面度（ＰＶ値）が４００ｎｍ以下となるように研磨することが好ましく、３００ｎｍ以下となるように研磨することがより好ましく、２００ｎｍ以下となるように研磨することが最も好ましい。
【０１０１】
また、同様に三次研磨工程を行った後の基板１の表面性状は、高精度な表面性状を有する基板１が求められる技術分野への適用を容易にするために、十点平均粗さが、１０ｎｍ以下であることが好ましく、８ｎｍ以下であることがより好ましく、６ｎｍ以下であることが最も好ましい。
【０１０２】
また、基板１の表面の表面粗さ（ＲＭＳ値）は、１ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以下であることがより好ましく、０．２ｎｍ以下であることが最も好ましい。
【０１０３】
本発明の目的の１つは平坦で平滑な基板を得ることであり、三次研磨工程後の基板の平面度、十点平均粗さ、および表面粗さ（ＲＭＳ値）は小さいほど（０に近いほど）好ましいので、これらの値の下限値は特に限定されない。
【０１０４】
本発明の基板の製造方法によれば、平面度（ＰＶ値）が４００ｎｍ以下、十点平均粗さが１０ｎｍ以下、表面粗さ（ＲＭＳ値）が１ｎｍ以下の表面性状を有する基板を得ることができ、フォトマスク用基板等の各種用途の基板を得ることができる。そして必要に応じてＭＲＦ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ  Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ）加工機を使用し平面度修正加工を施し、精密研磨工程を施すことにより、ＥＵＶＬ用フォトマスク基板等の極めて精密な平坦性、表面粗さを有する基板をより得やすくなる。
【０１０５】
［基板の用途］
本発明の基板１の製造方法によって得られた基板１は、基板１表面は平面度に優れ、表面欠陥がないことから、例えば、半導体露光用マスク、半導体露光ミラー、ハードディスク磁気ヘッドの浮上高テスト用ディスク、および医薬検査等を初めとした化学分析用基板等に使用することができる。
【実施例】
【０１０６】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１０７】
［実施例１］
試験用基板として、結晶化ガラス（株式会社オハラ製「ＣＬＥＡＲＣＥＲＡＭ−Ｚ  ＨＳ」）を使用し、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．４０ｍｍを用いて、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．３５ｍｍになるように切断工程、研削工程、ラップ工程を実施した。
【０１０８】
＜一次研磨工程に対する試験工程＞
試験研磨を１バッチ５枚同時に行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が８７の研磨パッドにより、面荷重が１２０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が１．１μｍの酸化セリウムを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を６０分間研磨した。なお、研磨パッドは、酸化セリウム粒子を含有する硬質発泡ウレタン樹脂からなり、かさ密度は０．４９ｇ／ｃｍ３であった。
【０１０９】
試験研磨終了後、５枚加工したうちの１枚の試験用基板を抜取りＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が７５４ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が７２５ｎｍであった。形状は、上面が凹強であり、下面が凹強であった。この結果から一次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断された。
【０１１０】
＜二次研磨工程に対する試験工程＞
二次研磨工程に対する試験工程を行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が５０の研磨パッドにより、面荷重が６０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が８０ｎｍのコロイダルシリカを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して２０分間研磨した。なお、研磨パッドは不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドを使用した。
【０１１１】
試験研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が４０６ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４６９ｎｍであった。試験用基板の形状は、上面が凹弱、下面が凹弱であった。この結果から二次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断され、試験用基板のセット方向は一次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向が選択された。
【０１１２】
＜三次研磨工程に対する試験工程＞
三次研磨工程に対する試験工程を行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が６５の研磨パッドにより、面荷重が５０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が０．１３μｍの酸化セリウムを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を２０分間研磨した。なお、研磨パッドは、不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドを使用した。
【０１１３】
試験研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が１９８ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が１５３ｎｍであった。形状は、上面がフラット、下面がフラットであった。この結果から三次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断され、基板のセット方向は二次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向が選択された。
【０１１４】
各試験工程で採用された研磨機の研磨パッドを用い、選択された基板のセット方向に従って、製品研磨工程を実施した。三次研磨工程後の基板の表面性状は平面度（ＰＶ値）が平均値で約１８０ｎｍであり、十点平均粗さが平均値で約４．５ｎｍであり、表面粗さ（ＲＭＳ値）が平均値で約０．１７ｎｍであった。当該実施例の製品研磨工程では、三次研磨工程後の歩留まりは１００％であった。
【０１１５】
［実施例２］
試験用基板として、結晶化ガラス（株式会社オハラ製「ＣＬＥＡＲＣＥＲＡＭ−Ｚ  ＨＳ」）を使用し、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．４０ｍｍを用いて、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．３５ｍｍになるように切断工程、研削工程、ラップ工程を実施した。
【０１１６】
＜一次研磨工程に対する試験工程＞
試験研磨を１バッチ５枚同時に行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が８７の研磨パッドにより、面荷重が１２０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が１．１μｍの酸化セリウムを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を６０分間研磨した。なお、研磨パッドは、酸化セリウム粒子を含有する硬質発泡ウレタン樹脂からなり、かさ密度は０．４９ｇ／ｃｍ３であった。
【０１１７】
試験研磨終了後、５枚加工したうちの１枚の試験用基板を抜取りＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が５０７ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が６５５ｎｍであった。形状は、上面が凹弱であり、下面が凹弱であった。この結果から一次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断された。
【０１１８】
＜二次研磨工程に対する試験工程＞
二次研磨工程に対する試験工程を行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が５０の研磨パッドにより、面荷重が６０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が８０ｎｍのコロイダルシリカを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して２０分間研磨した。なお、研磨パッドは不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドを使用した。
【０１１９】
試験研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が４３８ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４７２ｎｍであった。試験用基板の形状は、上面が凹弱、下面が凹弱であった。この結果から二次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断され、基板のセット方向は一次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向が選択された。
【０１２０】
＜三次研磨工程に対する試験工程＞
三次研磨工程に対する試験工程を行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が６５の研磨パッドにより、面荷重が５０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が０．１３μｍの酸化セリウムを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を２０分間研磨した。なお、研磨パッドは、不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドを使用した。
【０１２１】
試験研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定し、測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が１６３ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が１８８ｎｍであった。試験用基板の形状は、上面がフラット、下面がフラットであった。この結果から三次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断され、基板のセット方向は二次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向が選択された。
【０１２２】
各試験工程で採用された研磨機の研磨パッドを用い、選択された基板のセット方向に従って、製品研磨工程を実施した。三次研磨工程後の基板の表面性状は平面度（ＰＶ値）が平均値で約１７０ｎｍであり、十点平均粗さが平均値で約４．７ｎｍであり、表面粗さ（ＲＭＳ値）が平均値で約０．１７ｎｍであった。当該実施例の製品研磨工程では、三次研磨工程後の歩留まりは１００％であった。
【０１２３】
［実施例３］
試験用基板として、結晶化ガラス（株式会社オハラ製「ＣＬＥＡＲＣＥＲＡＭ−Ｚ  ＨＳ」）を使用し、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．４０ｍｍを用いて、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．３５ｍｍになるように切断工程、研削工程、ラップ工程および粗研磨工程を実施した。
【０１２４】
＜一次研磨工程に対する試験工程＞
試験研磨を１バッチ５枚同時に行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が８７の研磨パッドにより、面荷重が１２０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が１．１μｍの酸化セリウムを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を６０分間研磨した。なお、研磨パッドは、酸化セリウム粒子を含有する硬質発泡ウレタン樹脂からなり、かさ密度は０．４９ｇ／ｃｍ３であった。
【０１２５】
試験研磨終了後、５枚加工したうちの１枚の試験用基板を抜取りＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が７３４ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４７１ｎｍであった。形状は、上面が凹強であり、下面が凸弱であった。この結果から一次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断された。
【０１２６】
＜二次研磨工程に対する試験工程＞
二次研磨工程に対する試験工程を行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が５０の研磨パッドにより、面荷重が６０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が８０ｎｍのコロイダルシリカを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して２０分間研磨した。なお、研磨パッドは不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドを使用した。
【０１２７】
試験研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が４５５ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４４８ｎｍであった。試験用基板形状は、上面が凹弱、下面が凹弱であった。この結果から二次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断され、試験用基板のセット方向は、一次研磨工程の基板のセット方向を反転させることが選択された。
【０１２８】
＜三次研磨工程に対する試験工程＞
三次研磨工程に対する試験工程を行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が６５の研磨パッドにより、面荷重が５０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が０．１３μｍの酸化セリウムを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を２０分間研磨した。なお、研磨パッドは、不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドを使用した。
【０１２９】
試験研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が１７８ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が１８５ｎｍであった。形状は、上面がフラット、下面がフラットであった。この結果から三次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断され、基板のセット方向は二次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向が選択された。
【０１３０】
各試験工程で採用された研磨機の研磨パッドを用い、選択された基板のセット方向に従って、製品研磨工程を実施した。三次研磨工程後の基板の表面性状は平面度（ＰＶ値）が平均値で約１８０ｎｍであり、十点平均粗さが平均値で約４．７ｎｍであり、表面粗さ（ＲＭＳ値）が平均値で約０．１６ｎｍであった。当該実施例の製品研磨工程では、三次研磨工程後の歩留まりは１００％であった。
【０１３１】
［実施例４］
試験用基板として、結晶化ガラス（株式会社オハラ製「ＣＬＥＡＲＣＥＲＡＭ−Ｚ  ＨＳ」）を使用し、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．４０ｍｍを用いて、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．３５ｍｍになるように切断工程、研削工程、ラップ工程および粗研磨工程を実施した。
【０１３２】
＜一次研磨工程に対する試験工程＞
試験研磨を１バッチ５枚同時に行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が８７の研磨パッドにより、面荷重が１２０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が１．１μｍの酸化セリウムを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を６０分間研磨した。なお、研磨パッドは、酸化セリウム粒子を含有する硬質発泡ウレタン樹脂からなり、かさ密度は０．４９ｇ／ｃｍ３であった。
【０１３３】
試験研磨終了後、５枚加工したうちの１枚の試験用基板を抜取りＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が４３４ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が７６２ｎｍであった。形状は、上面が凸弱であり、下面が凹強であった。この結果から一次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断された。
【０１３４】
＜二次研磨工程に対する試験工程＞
二次研磨工程に対する試験工程を行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が５０の研磨パッドにより、面荷重が６０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が８０ｎｍのコロイダルシリカを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を２０分間研磨した。なお、研磨パッドは不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドを使用した。
【０１３５】
試験研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が４８６ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４２１ｎｍであった。試験用基板の形状は、上面が凹弱、下面が凹弱であった。この結果から二次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断され、試験用基板のセット方向は、一次研磨工程の基板のセット方向を反転させることが選択された。
【０１３６】
＜三次研磨工程に対する試験工程＞
三次研磨工程に対する試験工程を行った。ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５による硬度が６５の研磨パッドにより、面荷重が５０ｇ／ｃｍ２となるようにし、研磨剤は平均粒径が０．１３μｍの酸化セリウムを水に分散させながら供給し、研磨パッドを３０ｒｐｍで回転させながら研磨機（スピードファム社製１２Ｂ両面研磨機）を使用して試験用基板を２０分間研磨した。なお、研磨パッドは、不織布の表面にナップ層を形成したスエードパッドを使用した。
【０１３７】
試験研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が１４８ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が１７７ｎｍであった。サンプル形状は、上面がフラット、下面がフラットであった。この結果から三次研磨工程で使用する研磨機の研磨パッドは採用と判断され、基板のセット方向は二次研磨工程の基板のセット方向と同じ方向が選択された。
【０１３８】
各試験工程で採用された研磨機の研磨パッドを用い、選択された基板のセット方向に従って、製品研磨工程を実施した。面荷重、研磨剤、研磨機の回転数等のその他の条件についても採用となった試験工程での条件と同一とした。三次研磨工程後の基板の表面性状は平面度（ＰＶ値）が平均値で約１６０ｎｍであり、十点平均粗さが平均値で約４．８ｎｍであり、表面粗さ（ＲＭＳ値）が平均値で約０．１６ｎｍであった。当該実施例の製品研磨工程では、三次研磨工程後の歩留まりは１００％であった。
【０１３９】
［比較例１］
比較例１として、試験工程を実施せず、すなわち研磨パッドについて最初に選定したものを修正・交換せずに研磨加工を行った。研磨条件は基板のセット方向の選択を実施しないこと以外は実施例１の試験工程と同様に行った。
【０１４０】
基板として、結晶化ガラス（株式会社オハラ製「ＣＬＥＡＲＣＥＲＡＭ−Ｚ  ＨＳ」）を使用し、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．４０ｍｍを用いて、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．３５ｍｍになるように切断工程、研削工程、ラップ工程を実施した。
【０１４１】
＜一次研磨工程＞
一次研磨を１バッチ５枚同時に行った。一次研磨終了後、５枚加工したうちの１枚の基板を抜取りＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が５７１ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が６６２ｎｍであった。形状は、上面が凹弱であり、下面が凹弱であった。
【０１４２】
＜二次研磨工程＞
二次研磨工程を行った。基板のセット方向は一次研磨と同じとした。
【０１４３】
二次研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が５２５ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４９６ｎｍであった。基板の形状は、上面が凹弱、下面が凸弱であった。
【０１４４】
＜三次研磨工程＞
三次研磨工程を行った。基板のセット方向は二次研磨と同じとした。
【０１４５】
三次研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が４８７ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が６３８ｎｍであった。形状は、上面が凹弱、下面が凸弱であった。
【０１４６】
上記と同じ研磨条件で製品研磨工程をさらに２バッチ実施した。三次研磨工程後の基板の表面性状は平面度（ＰＶ値）が平均値で約５５０ｎｍであり、十点平均粗さが平均値で約５．７ｎｍであり、表面粗さ（ＲＭＳ値）が平均値で約０．１７ｎｍであった。三次研磨工程後の歩留まりは０％であった。
【０１４７】
［比較例２］
比較例２として、試験工程を実施せず、すなわち研磨パッドについて最初に選定したものを修正・交換せずに研磨加工を行った。研磨条件は基板のセット方向の選択を実施しないこと以外は実施例２の試験工程と同様に行った。
【０１４８】
基板として、結晶化ガラス（株式会社オハラ製「ＣＬＥＡＲＣＥＲＡＭ−Ｚ  ＨＳ」）を使用し、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．４０ｍｍを用いて、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．３５ｍｍになるように切断工程、研削工程、ラップ工程を実施した。
【０１４９】
＜一次研磨工程＞
一次研磨を１バッチ５枚同時に行った。一次研磨終了後、５枚加工したうちの１枚の試験用基板を抜取りＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が５３２ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が５９６ｎｍであった。形状は、上面が凸弱であり、下面が凸弱であった。
【０１５０】
＜二次研磨工程＞
二次研磨工程を行った。基板のセット方向は一次研磨と同じとした。
【０１５１】
二次研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が６２１ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が５６９ｎｍであった。試験用基板の形状は、上面が凸弱、下面が凹弱であった。
【０１５２】
＜三次研磨工程＞
三次研磨工程に対する試験工程を行った。基板のセット方向は二次研磨と同じとした。
【０１５３】
三次研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が６８２ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４９３ｎｍであった。試験用基板の形状は、上面が凸弱、下面が凹弱であった。
【０１５４】
上記と同じ研磨条件で製品研磨工程をさらに２バッチ実施した。三次研磨工程後の基板の表面性状は平面度（ＰＶ値）が平均値で約５７０ｎｍであり、十点平均粗さが平均値で約５．８ｎｍであり、表面粗さ（ＲＭＳ値）が平均値で約０．１７ｎｍであった。三次研磨工程後の歩留まりは０％であった。
【０１５５】
［比較例３］
比較例３として、試験工程を実施せず、すなわち研磨パッドについて最初に選定したものを修正・交換せずに研磨加工を行った。研磨条件は基板のセット方向の選択を実施しないこと以外は実施例３の試験工程と同様に行った。
【０１５６】
試験用基板として、結晶化ガラス（株式会社オハラ製「ＣＬＥＡＲＣＥＲＡＭ−Ｚ  ＨＳ」）を使用し、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．４０ｍｍを用いて、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．３５ｍｍになるように切断工程、研削工程、ラップ工程および粗研磨工程を実施した。
【０１５７】
＜一次研磨工程＞
一次研磨を１バッチ５枚同時に行った。一次研磨終了後、５枚加工したうちの１枚の試験用基板を抜取りＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が６８２ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が８８２ｎｍであった。形状は、上面が凹弱であり、下面が凸強であった。
【０１５８】
＜二次研磨工程＞
二次研磨工程を行った。基板のセット方向は一次研磨と同じとした。
【０１５９】
二次研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が５２９ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が６４２ｎｍであった。試験用基板形状は、上面が凹弱、下面が凸弱であった。
【０１６０】
＜三次研磨工程＞
三次研磨工程を行った。基板のセット方向は二次研磨と同じとした。
【０１６１】
三次研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が５３７ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が５９８ｎｍであった。形状は、上面が凸弱、下面が凸弱であった。
【０１６２】
上記と同じ研磨条件で製品研磨工程をさらに２バッチ実施した。三次研磨工程後の基板の表面性状は平面度（ＰＶ値）が平均値で約５７０ｎｍであり、十点平均粗さが平均値で約５．６ｎｍであり、表面粗さ（ＲＭＳ値）が平均値で約０．１６ｎｍであった。三次研磨工程後の歩留まりは０％であった。
【０１６３】
［比較例４］
比較例４として、試験工程を実施せず、すなわち研磨パッドについて最初に選定したものを修正・交換せずに研磨加工を行った。研磨条件は基板のセット方向の選択を実施しないこと以外は実施例４の試験工程と同様に行った。
【０１６４】
試験用基板として、結晶化ガラス（株式会社オハラ製「ＣＬＥＡＲＣＥＲＡＭ−Ｚ  ＨＳ」）を使用し、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．４０ｍｍを用いて、縦１５２ｍｍ横１５２ｍｍ厚さ６．３５ｍｍになるように切断工程、研削工程、ラップ工程および粗研磨工程を実施した。
【０１６５】
＜一次研磨工程＞
一次研磨を１バッチ５枚同時に行った。一次研磨終了後、５枚加工したうちの１枚の試験用基板を抜取りＺｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が８３４ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４５６ｎｍであった。形状は、上面が凸強であり、下面が凹弱であった。
【０１６６】
＜二次研磨工程＞
二次研磨工程を行った。基板のセット方向は一次研磨と同じとした。
【０１６７】
二次研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が５２８ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４６８ｎｍであった。試験用基板の形状は、上面が凸弱、下面が凹弱であった。
【０１６８】
＜三次研磨工程＞
三次研磨工程を行った。基板のセット方向は二次研磨と同じとした。
【０１６９】
三次研磨終了後、Ｚｙｇｏ社のＶｅｒｉＦｉｒｅ−ＡＴを用いて表面形状を測定した。測定値としては上面の平面度（ＰＶ値）が５５１ｎｍであり、下面の平面度（ＰＶ値）が４８２ｎｍであった。形状は、上面が凸弱、下面が凸弱であった。
【０１７０】
上記と同じ研磨条件で製品研磨工程をさらに２バッチ実施した。三次研磨工程後の基板の表面性状は平面度（ＰＶ値）が平均値で約５１０ｎｍであり、十点平均粗さが平均値で約５．２ｎｍであり、表面粗さ（ＲＭＳ値）が平均値で約０．１６ｎｍであった。三次研磨工程後の歩留まりは０％であった。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】一次研磨工程から三次研磨工程および試験工程にて使用する装置の上から見た図ある。
【図２】一次研磨工程から三次研磨工程および試験工程にて使用する装置の概略図である。
【図３】試験工程のフローチャートである。
【符号の説明】
【０１７２】
１      基板
２      基盤
３      研磨パッド
４      キャリア
【図１】
2009006457.tif 000003
【図２】
2009006457.tif 000004
【図３】
2009006457.tif 000005