(57)【要約】【課題】太線化されたボンディングワイヤを有し、半導体チップに機械的損傷がなく、ボンディングワイヤと半導体チップの接合状態が安定した半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ１００の電極膜７の厚みを３．５μｍから１０μｍにすることで、ボンディングワイヤ（アルミワイヤ１２）の直径を３００μｍ以上に太線化しても、層間絶縁膜６やｎ半導体基板１にクラックを発生させることなく、超音波ボンディングできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散領域を有する半導体基板上に絶縁膜を介して形成した電極膜と、該電極膜に超音波ボンディングで接合したボンディングワイヤを有する半導体装置において、前記電極膜を膜厚が３．５μｍ以上で、１０μｍ以下のアルミ・シリコン膜で構成し、前記ボンディングワイヤに直径が３００μｍ以上６００μｍ以下のアルミワイヤを用い、前記ボンディングワイヤと前記電極膜との接合面は楕円形をなし、該楕円形の接合面の長軸方向が、前記電極膜表面のストライプ状の凸部の長手方向と直交することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記楕円形の接合面において、前記ボンディングワイヤと前記電極膜とは、前記電極膜表面のストライプ状の凸部ならびに凸部と凸部との間の部分で接合していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板の一方の主面の表面層にウエル領域を形成し、該ウエル領域の表面層にエミッタ領域を形成し、前記ウエル領域と前記エミッタ領域はストライプ構造をなし、前記エミッタ領域に挟まれた前記ウエル領域上および前記半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、該ゲート電極上に層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールを開けた後、前記ウエル領域，前記エミッタ領域，前記層間絶縁膜上であって、前記層間絶縁膜上が凸部となるストライプ状の電極膜を形成し、該ストライプ状の電極膜にボンディングワイヤを超音波ボンディングする半導体装置の製造方法において、
前記電極膜を前記凸部上の厚さが３．５μｍ以上で、１０μｍ以下となるアルミ・シリコン膜で形成し、
前記ボンディングワイヤに直径が３００μｍ以上６００μｍ以下のアルミワイヤを用い、
前記ボンディングワイヤに、前記ストライプ状の電極の長手方向と直角の方向に超音波振動を与えて、前記ストライプ状の電極の長手方向と直角の方向が長軸なる楕円形の接合面を形成して前記電極膜と前記ボンディングワイヤとを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ボンディングワイヤを半導体チップの電極膜にボンディングしたＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）モジュールなどの半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、ＩＧＢＴモジュールの要部断面図である。パッケージ構造は、ヒートシンク７２と回路パターニングされた銅薄膜が固着した絶縁基板７１（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｃｏｐｐｅｒ基板）およびＩＧＢＴが形成された半導体チップ２００がそれぞれ半田７３、７４で接合され、この一体となったものを樹脂成形されたケース７５に固着した構造である。そして、半導体チップ２００とボンディングワイヤ６２、６３および絶縁基板７１を水分や湿気および塵から保護する目的で、ケース７５内はゲル７７が封止されている。半導体チップ２００の電極膜にはワイヤボンディングが行われ、半導体チップ２００の裏面は、絶縁基板７３上の回路パターニングされた銅薄膜に半田接合されている。
図８は、ボンディングワイヤを固着した半導体チップの要部拡大断面図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ部の拡大図である。尚、平面図は半導体基板表面を示し、要部断面図はアルミワイヤ６２が固着した半導体チップ２００を示す。
半導体チップ２００は、半導体基板５１（例えばシリコン）の上に、ゲート酸化膜５４、ポリシリコンのゲート電極５５、層間絶縁膜５６、電極膜５７、さらにその上に図示しない保護膜が形成された構成となっている。そして、電極膜５７には電気的接続を確保するためにボンディングワイヤであるアルミワイヤ６２が超音波接合されている。また、半導体基板５１には、ウエル領域５２、エミッタ領域５３が形成され、ゲート酸化膜５４は、チャネル形成箇所上は、薄いゲート酸化膜５４ａ、それ以外の箇所は厚いゲート酸化膜５４ｂで形成され、テラスゲート構造５８となっている。
【０００３】
従来のＩＧＢＴなどの半導体チップ２００では、電極膜５７はアルミ・シリコン膜で形成され、そのセル構造はストライプ構造であり、電極膜の膜厚Ｗ0 は２〜３μｍの厚さである。半導体チップ２００のゲート構造は、テラスゲート構造５８を採用しており、その電極膜５７の表面は、平坦でなく、テラスゲート構造５８の厚いゲート酸化膜５４ｂ上の電極膜５７の表面はストライプ状の凸部５９となっている。
このストライプ状の凹凸をした電極膜５７の表面に、φ３００μｍ未満のアルミワイヤ６２が、このストライプ状の凸部５９の長手方向６５と直交するように超音波振動させて、ボンディングされている。この固着箇所６３の形状は、振動方向に長い楕円形をしており、そのため、図８（ａ）のように、この楕円の長軸方向６４はストライプ状の凸部５９の長手方向６５と直交する。
アルミワイヤ６２の直径が３００μｍ未満では、アルミ・シリコンで形成された電極膜の膜厚Ｗ0 を３μｍ程度以下にしても、ボンディング時に半導体チップ２００を構成する層間絶縁膜５６や半導体基板５１のＣ部やＤ部で発生する機械的な応力を十分小さくできていた。
【特許文献１】特開平11-284176号公報
【特許文献２】特開昭55-5129号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、最近、工程時間の短縮と製品のコストダウンのために、アルミワイヤ６２の直径を３００μｍ以上の太線化し、アルミワイヤ６２の本数を削減することが検討されている。このアルミワイヤ６２の太線化は、超音波ボンディング時に半導体チップ２００に発生する機械的応力を増大させるため、層間絶縁膜５６や半導体基板５１にクラック６０（破壊）が導入され易くなる。通常、このクラック６０の発生箇所は、ヒール側６３ｂよりトウ側６３ａの方が多く、このクラック６０の進入開始場所は、テラスゲート構造５８のＣ部やＤ部が多い。
このような機械的損傷は、半導体チップ２００の電気的特性不良、例えば、漏れ電流増大によるゲート特性不良（ゲート耐圧不良）などのチップ不良を発生させる。このチップ不良の発生率が増大すると、アルミワイヤ６２の太線化により、製造工数の低減が図られたとしても、チップ不良率が増大することにより、ＩＧＢＴモジュールのコストダウンは見込めなくなる。
また、機械的損傷が軽微で、ボンディング工程後の電気特性チェックで不良とならなかった場合でも、固着が不十分で、接合性が良好でない場合には、実使用時（スイッチング）の温度の上昇と降下の繰返しなどのパワーサイクルにより、ボンディング時の半導体チップ２００の表面構造６１（具体的には層間絶縁膜５６や半導体基板５１）にマイクロクラックが発生し、それを起点として、パワーサイクルにより大きなクラックに発展し、層間絶縁膜５６や半導体基板５１を破壊させたり、またアルミワイヤ６２と電極膜５７との固着部（接合部）を剥離させたりする。最悪の場合、半導体チップ２００が動作しなくなる。
【０００５】
尚、表面構造６１とは、ゲート酸化膜５４、ゲート電極５５、層間絶縁膜５６および電極膜５７で構成された部分をいう。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、太線化されたボンディングワイヤを有し、半導体チップに機械的損傷がなく、ボンディングワイヤと半導体チップの接合状態が安定した半導体装置とその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するために、拡散領域を有する半導体基板上に絶縁膜を介して形成した電極膜と、該電極膜に超音波ボンディングで接合したボンディングワイヤを有する半導体装置において、前記電極膜を膜厚が３．５μｍ以上で、１０μｍ以下のアルミ・シリコン膜で構成し、前記ボンディングワイヤに直径が３００μｍ以上６００μｍ以下のアルミワイヤを用い、前記ボンディングワイヤと前記電極膜との接合面は楕円形をなし、該楕円形の接合面の長軸方向が、前記電極膜表面のストライプ状の凸部の長手方向と直交するものとする。
また、前記楕円形の接合面において、前記ボンディングワイヤと前記電極膜とは、前記電極膜表面のストライプ状の凸部ならびに凸部と凸部との間の部分で接合しているものとする。
また、半導体基板の一方の主面の表面層にウエル領域を形成し、該ウエル領域の表面層にエミッタ領域を形成し、前記ウエル領域と前記エミッタ領域はストライプ構造をなし、前記エミッタ領域に挟まれた前記ウエル領域上および前記半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、該ゲート電極上に層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールを開けた後、前記ウエル領域，前記エミッタ領域，前記層間絶縁膜上であって、前記層間絶縁膜上が凸部となるストライプ状の電極膜を形成し、該ストライプ状の電極膜にボンディングワイヤを超音波ボンディングする半導体装置の製造方法において、前記電極膜を前記凸部上の厚さが３．５μｍ以上で、１０μｍ以下となるアルミ・シリコン膜で形成し、前記ボンディングワイヤに直径が３００μｍ以上６００μｍ以下のアルミワイヤを用い、前記ボンディングワイヤに、前記ストライプ状の電極の長手方向と直角の方向に超音波振動を与えて、前記ストライプ状の電極の長手方向と直角の方向が長軸なる楕円形の接合面を形成して前記電極膜と前記ボンディングワイヤとを接合するものとする。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、電極膜の膜厚を３．５μｍ以上に厚膜化することで、太線化したアルミワイヤをボンディングする際に、層間絶縁膜に発生する応力を緩和することができて、ボンディング工程時の半導体チップへの機械的損傷が抑えられ、チップ不良の発生が抑えられ、接合状態の安定した半導体装置の供給ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、この発明の実施例の半導体装置であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ部の拡大図である。ここでは、ワイヤが固着した半導体チップの図で、図８に相当した図を示す。尚、平面図はｎ半導体基板１の表面を示し、要部断面図はワイヤが固着した半導体チップ１００を示す。
ｎ半導体基板１の一方の主面の表面層にｐウエル領域２を形成し、ｐウエル領域２の表面層にｎエミッタ領域３を形成する。ｐウエル領域２とｎエミッタ領域３はストライプ構造をしている。
ｎエミッタ領域３に挟まれたｐウエル領域２上およびｎ半導体基板１上にゲート酸化膜４を介してゲート電極５を形成する。ゲート構造は、チャネルが形成されない箇所のゲート酸化膜４ｂの膜厚を厚くしたテラスゲート構造８とする。ゲート電極５上に層間絶縁膜６を形成し、コンタクトホールを開けた後、エミッタ電極である電極膜７を、シリコンが微量（１％程度）に混入したアルミ・シリコン膜で形成する。この電極膜７の表面は、平坦でなく、テラスゲート構造８の厚いゲート酸化膜４ｂ上の電極膜７の表面はストライプ状の凸部９となっている。
【０００９】
一方、図示しない他方の主面（裏面）の表面層にｎバッファ領域を形成し、ｎバッファ領域の表面層にｐコレクタ領域を形成し、ｐコレクタ領域上にエミッタ電極を形成する。
前記した電極膜７の表面に、図示しない超音波ボンダーにより、アルミワイヤ１２を加圧し超音波振動させて固着（接合）する。このとき、図２のように、超音波振動の振動方向１６はストライプ構造１０の長手方向１５に直角の方向であり、この直角方向は、アルミワイヤ１２と電極膜７との固着箇所１３（接合面）の長軸方向１４と一致する。
この固着箇所１３の平面形状は、超音波振動方向１６に長い楕円形となり、従って、この楕円の長軸方向と振動方向も一致する。また、この楕円形の接合面で、アルミワイヤ１２の自由端１２ａ側がトウ側１３ａであり、アルミワイヤ１２が図示しない超音波ボンダーに収納される側がヒール側１３ｂとなる。
この電極膜７は、膜厚Ｗが３．５μｍ以上で１０μｍ以下のアルミ・シリコン膜であり、この膜厚Ｗは、成膜装置の成膜時間あるいは成膜回数を制御することで、所定の厚い膜厚にする。また、ボンディングワイヤであるアルミワイヤ１２の直径は、３００μｍ以上で６００μｍ以下である。
このように、電極膜の膜厚Ｗを３．５μｍ以上とすることで、超音波ボンディング時に層間絶縁膜６やｎ半導体基板１に発生する応力を低減できて、従来の膜厚Ｗ0 で、Ｃ部やＤ部に発生していたクラック６０を無くすることができる。しかし、膜厚Ｗを１０μｍを超して増大させても、応力の低減効果は少なく、一方、製造コストは増大するために、膜厚Ｗは１０μｍ以下がよい。つぎに、具体的な応力解析データについて説明する。
【００１０】
図３は、電極膜の膜厚をパラメータとした有限要素法（ＦＥＭ）による応力解析の結果を示した図である。応力解析はシミュレーションで行った。図の横軸は半導体チップ１００の電極膜の膜厚Ｗであり、３μｍから１０μｍまでの範囲とした。また、縦軸は層間絶縁膜６に発生する応力（単位面積当たり）である。
膜厚Ｗを増大させるほど、層間絶縁膜６に発生する応力は緩和される。勿論、ｎ半導体基板１に加わる応力も緩和される。このように、応力が緩和されるのは、電極膜７が、座布団のような働きをして、電極膜の膜厚Ｗが厚くなるほど、クッション作用が大きくなるためである。従って、膜厚Ｗを増やせば、アルミワイヤ１２に加える加圧力および超音波パワーを大きくすることができて、アルミワイヤ１２の直径を大きくすることができる。
尚、図３は、アルミワイヤ１２の直径が４００μｍの場合であるが、直径が６００μｍまで増大させても、図３の関係は殆ど変わらない。
図４は、アルミ・シリコンの電極膜の膜厚とチップ不良が発生する超音波パワーとの関係を示す図である。図の横軸は半導体チップ１００の膜厚Ｗであり、３μｍから１０μｍまで範囲とした。また、縦軸はチップ不良が発生する超音波パワーである。チップ不良とは、前記したようにゲート耐圧不良のことである。
【００１１】
膜厚Ｗを増せば、チップ不良が発生する超音波パワーを増加させることができる。これは、図３で示すように、膜厚Ｗを増せば、層間絶縁膜６に発生する応力が緩和されるためである。
また、ゲート耐圧が良好な半導体装置を用いて、温度差７５℃で１０万回のパワーサイクル試験を行った結果、このパワーサイクル試験に耐えるようにするためには、アルミワイヤ１２に加える超音波パワーが８Ｗ以上必要であることが分かった。この試験に合格するということは、半導体装置のパワーサイクル耐量が確保されるということであり、このことは、電極膜７とアルミワイヤ１２が、良好な接合性（十分大きい接合面積）を確保しているということを意味する。つまり、接合性を確保するためには、超音波パワーを８Ｗ以上とする必要があるということである。
以上より、ボンディング時のチップ不良の発生を抑え、且つ、アルミワイヤ１２と電極膜７との接合性（パワーサイクル耐量）を確保するには、電極膜の膜厚Ｗを３．５μｍ以上とする必要がある。
一方、前記したように、この膜厚Ｗを１０μｍを超して大きくしても、層間絶縁膜６に発生する応力の低減効果が小さく、製造コストが増大する丈なので、膜厚Ｗは１０μｍ以下でよい。
【００１２】
また、アルミワイヤ１２の直径を大きくすると、十分な接合面積（固着箇所１３の面積）を確保する必要があり、超音波パワーを上げる必要がある。この超音波パワーを上げてもチップ不良を発生させないためには、図４に示すように電極膜の膜厚Ｗを大きくすると勿論よい。そのために、アルミワイヤ１２の直径を３００μｍから６００μｍに大きくした場合は、３００μｍの場合より、電極膜の膜厚Ｗを大きくした方が好ましいことは勿論である。
図５は、この発明の参考例の半導体装置であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のＹ−Ｙ線で切断した要部断面図、同図（ｄ）は、同図（ｂ）のＢ部の拡大図である。
図１との違いは、超音波の振動方向１６が、ストライプ状の凸部９の長手方向１５に平行させて、アルミワイヤ１２を電極膜７にボンディングする点である。この場合、楕円形の接合面（固着箇所１３）の長軸方向１４がストライプ構造１０の長手方向１５と平行になる。このときの長手方向１５に対して長軸方向１４（振動方向１６と一致）の角度θ（図６に示す）は零となる。また、この角度θは２０度以下であれば、振動による応力の直角成分（長手方向に対して）が小さい。勿論、この角度θが小さい程、直角成分が小さくなるために好ましい。
【００１３】
図５において、電極膜の膜厚Ｗを５μｍにして、アルミワイヤ１２の直径を４００μｍにしたとき、層間絶縁膜６に発生する応力は、２０．６×９．８Ｎ／ｍｍ2 である。この値は、図３の三角印で示した。図３から分かるように、ストライプ状の凸部９の長手方向と平行に超音波振動させる（ボンディングする）ことにより、層間絶縁膜６に発生する応力は直角にボンディングするよりも、約２０％低減できる。このことは、電極膜７に発生する応力が、低減することで、層間絶縁膜６に導入されるクラックが少なくなり、チップ不良発生率が低くなる。また、超音波振動の方向をストライプ状の凸部の長手方向１５に対して直角方向にした場合と同じ応力とすると、超音波パワーを上げることができる。その結果、接合面積（固着面積）を増大させることができて、半導体装置のパワーサイクル耐量を高めることができる。
第１、第２実施例のように、半導体チップの電極膜７を厚膜化すること、ボンディング方向をストライプセル構造（ストライプ状の凸部９）と平行にすることで、ボンディング時に半導体チップの表面構造１１（層間絶縁膜６やｎ半導体基板１）に発生する応力を緩和できて、初期欠陥のない高品質な半導体装置を提供できる。尚、これらの実施例は、当然、電気的配線にワイヤボンディングを使用している半導体装置に共通したものである。
【００１４】
この参考例によれば、ボンディング時の超音波振動の方向をストライプセル構造の長手方向とほぼ平行にすることで、太線化したアルミワイヤをボンディングする際に、層間絶縁膜に発生する応力を緩和できて、ボンディング工程時の半導体チップへの機械的損傷が抑えられ、チップ不良の発生が抑えられ、接合状態の安定した半導体装置の供給ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の実施例の半導体装置であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ部の拡大図である。
【図２】超音波振動の方向を示す図である。
【図３】電極膜の膜厚をパラメータとした有限要素法（ＦＥＭ）による応力解析の結果を示した図である。
【図４】アルミ・シリコンの電極膜の膜厚とチップ不良が発生する超音波パワーとの関係を示す図である。
【図５】この発明の参考例の半導体装置であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ線で切断した要部断面図、（ｄ）は、（ｂ）のＢ部の拡大図である。
【図６】超音波振動の方向を示す図である。
【図７】ＩＧＢＴモジュールの要部断面図である。
【図８】ボンディングワイヤを固着した半導体チップの要部拡大断面図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ部の拡大図である。
【符号の説明】
【００１６】
１    ｎ半導体基板
２    ｐウエル領域
３    ｎエミッタ領域
４    ゲート酸化膜
４ａ  薄いゲート酸化膜
４ｂ  厚いゲート酸化膜
５    ゲート電極
６    層間絶縁膜
７    電極膜
８    テラスゲート構造
９    ストライプ状の凸部
１１    表面構造
１２    アルミワイヤ
１２ａ  自由端
１３    固着箇所（接合面）
１３ａ  トウ側
１３ｂ  ヒール側
１４    長軸方向
１５    長手方向
１６    振動方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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