(57)【要約】【課題】省スペースで、水平姿勢の基板に対して処理具を移動させて基板に処理を行うことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】略水平方向に並べて設けられ、基板Ｗを略水平姿勢で保持する複数の処理ユニット１０１ａ、１０１ｂと、基板Ｗに現像液を供給するノズル１１１ａ、１１１ｂと、ノズル１１１ａ、１１１ｂを支持するアーム部材１１３ａ、１１３ｂと、アーム部材１１３ａ、１１３ｂを直線的に移動させる駆動部１２０ａ、１２０ｂと、を備えている。駆動部１２０ａ、１２０ｂは異なる高さ位置に配置され、平面視で一部重複している。アーム部材１１３ａは、駆動部１２０ｂと干渉しない形状を呈して、駆動部１２０ａが駆動部１２０ｂと平面視で一部重複している範囲にも移動可能である。このように、複数の駆動部１２０ａ、１２０ｂを平面視で一部重複させて設けているので、設置面積を抑制することができる。【選択図】図２
2009164255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置において、
略水平方向に並べて設けられ、基板を略水平姿勢で保持する複数の処理ユニットと、
前記複数の処理ユニットごとに、基板に処理を行う処理具と、前記処理具を支持するアーム部材と、前記アーム部材を直線的に移動させる駆動部と、をそれぞれ別個に備え、
前記駆動部は異なる高さ位置に配置され、平面視で前記駆動部同士が少なくとも一部重複しており、
前記アーム部材は、当該アーム部材を駆動する駆動部以外の駆動部と干渉しない形状を呈して、当該アーム部材を駆動する駆動部が他の駆動部と平面視で一部重複している範囲にも移動可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記各駆動部は、平面視で前記処理ユニットが並ぶ並び方向と略平行な同一直線上に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記駆動部は前記複数の処理ユニットの側方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。  
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
各駆動部はそれぞれ、前記処理ユニットの並び方向と略同じ方向に前記アーム部材を移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
各駆動部はそれぞれ前記処理具よりも低い高さ位置に配置されており、
各アーム部材はそれぞれ、各駆動部から上方に向けて延びていることを特徴とする基板処理装置。    
【請求項６】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記アーム部材は、折れ曲がり部を有して、当該アーム部材を駆動する駆動部以外の駆動部との干渉を回避していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記折れ曲がり部は、前記処理ユニット側に向いて突出することを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記アーム部材は、基板の上方の高さ位置で前記処理具を支持することを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記駆動部はそれぞれ、前記処理具を、当該処理具に対応する処理ユニットに保持される基板の上方の処理位置と、この基板の上方から外れた待機位置とにわたって移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ユニットの並び方向の両端に位置する各処理ユニットの両外側は、これら両端の処理ユニットに対応して設けられる前記処理具の待機位置であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理具は、基板に処理液を供給するノズルまたは基板に押し当てられるブラシの少なくともいずれかであることを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ユニットは基板を現像する現像処理ユニットであり、
前記処理具は基板に現像液を供給するノズルであることを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記アーム部材の全てを移動方向に案内する共通のガイド部材を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、保持部によって水平姿勢で保持された基板にノズルから処理液を供給する、あるは、この基板にブラシを押し当てて処理する装置がある。具体的には、処理液として現像液を供給する現像装置や、ブラシで基板を洗浄する洗浄装置が例示される。これらノズルやブラシなど基板に処理を行う処理具は、駆動部によって基板の上方と基板の上方から外れた位置とにわたって移動可能に構成されている。これにより、基板全面に好適に処理を行うことができる。また、基板の搬入、搬出を容易に行うことができる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１３８１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、単一の装置、または、単一のチャンバーにおいて、基板を１枚ずつしか処理できない。このため、単一の装置またはチャンバーではスループットが低いという不都合がある。これに対して、装置またはチャンバーを複数配置するとフットプリントが大きくなりやすいという不都合がある。
【０００４】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、省スペースで、水平姿勢の基板に対して処理具を移動させて基板に処理を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、略水平方向に並べて設けられ、基板を略水平姿勢で保持する複数の処理ユニットと、前記複数の処理ユニットごとに、基板に処理を行う処理具と、前記処理具を支持するアーム部材と、前記アーム部材を直線的に移動させる駆動部と、をそれぞれ別個に備え、前記駆動部は異なる高さ位置に配置され、平面視で前記駆動部同士が少なくとも一部重複しており、前記アーム部材は、当該アーム部材を駆動する駆動部以外の駆動部と干渉しない形状を呈して、当該アーム部材を駆動する駆動部が他の駆動部と平面視で一部重複している範囲にも移動可能であることを特徴とする。
【０００６】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、基板を保持する処理ユニットを複数設けるとともに、これらに付随する複数の駆動部を平面視で一部重複させて設けているので、設置面積を抑制することができる。また、アーム部材が他の駆動部と干渉しない形状のため、駆動部が重複している範囲を含め、駆動部の可動域全体にわたって移動することができる。よって、処理具による処理を好適に行うことができる。
【０００７】
本発明において、前記各駆動部は、平面視で前記処理ユニットが並ぶ並び方向と略平行な同一直線上に配置されていることが好ましい（請求項２）。駆動部を好適に重複させて配置することができ、容易に駆動部の設置面積を低減することができる。
【０００８】
本発明において、前記駆動部は前記複数の処理ユニットの側方に配置されていることが好ましい（請求項３）。処理ユニットの上方、下方に配置する場合に比べて、基板に行う処理に駆動部が干渉することや、処理の影響を駆動部が受けることを好適に防止することができる。
【０００９】
本発明において、各駆動部はそれぞれ、前記処理ユニットの並び方向と略同じ方向に前記アーム部材を移動させることが好ましい（請求項４）。隣り合う処理具の待機位置を同じ領域とすることができ、設置面積の低減を図ることができる。
【００１０】
本発明において、各駆動部はそれぞれ前記処理具よりも低い高さ位置に配置されており、
各アーム部材はそれぞれ、各駆動部から上方に向けて延びていることが好ましい（請求項５）。装置高さの低減を図ることができる。
【００１１】
本発明において、前記アーム部材は、折れ曲がり部を有して、当該アーム部材を駆動する駆動部以外の駆動部との干渉を回避していることが好ましい（請求項６）。好適に他の駆動部との干渉を避けることができる。
【００１２】
本発明において、前記折れ曲がり部は、前記処理ユニット側に向いて突出することを特徴とすることが好ましい（請求項７）。処理ユニットと反対側に向かって突出させる場合を比べて、設置面積を低減することができる。
【００１３】
本発明において、前記アーム部材は、基板の上方の高さ位置で前記処理具を支持することを特徴とすることが好ましい（請求項８）。基板に好適に処理を行うことができる。
【００１４】
本発明において、前記駆動部はそれぞれ、前記処理具を、当該処理具に対応する処理ユニットに保持される基板の上方の処理位置と、この基板の上方から外れた待機位置とにわたって移動させることが好ましい（請求項９）。基板に好適に処理を行うことができるとともに、処理ユニットに対する基板の搬入、搬出を好適に行うことができる。
【００１５】
本発明において、前記処理ユニットの並び方向の両端に位置する各処理ユニットの両外側は、これら両端の処理ユニットに対応して設けられる前記処理具の待機位置であることが好ましい（請求項１０）。処理ユニットが並んでいる中央側にスペースを確保することができる。これにより、処理具に付随する配管系、電気系を効率よく収納、配設できる。
【００１６】
本発明において、前記処理具は、基板に処理液を供給するノズルまたは基板に押し当てられるブラシの少なくともいずれかであることが好ましい（請求項１１）。基板に好適に処理を行うことができる。
【００１７】
本発明において、前記処理ユニットは基板を現像する現像処理ユニットであり、前記処理具は基板に現像液を供給するノズルであることを特徴とすることが好ましい（請求項１２）。基板を好適に現像することができる。
【００１８】
本発明において、前記アーム部材の全てを移動方向に案内する共通のガイド部材を備えていることが好ましい（請求項１３）。ガイド部材を単一とすることができ、設置面積の低減を図ることができる。
【００１９】
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
【００２０】
（１）請求項１から請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理具は前記アーム部材に連結されており、前記駆動部は前記処理具を直線的に移動させることを特徴とする基板処理装置。
【００２１】
（２）請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、各駆動部はそれぞれ前記保持部よりも高い位置に配置されており、各アーム部材は、それぞれ各駆動部から下方に向けて延びていることを特徴とする基板処理装置。
【００２２】
前記（２）に記載の基板処理装置によれば、装置高さの低減を図ることができる。
【００２３】
（３）請求項１から請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記駆動部は、前記処理具を、当該処理具に対応する処理ユニットの前記並び方向の両側方まで移動可能であることを特徴とする基板処理装置。
【００２４】
前記（３）に記載の基板処理装置によれば、柔軟に処理具を移動させることができるので、基板に所望の処理を行うことができる。また、処理具同士、またはアーム同士などの干渉を適宜に避けることができる。
【００２５】
（４）請求項１から請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記駆動部は、前記処理具を、当該処理具に対応する処理ユニット以外の他の処理ユニットが保持する基板の上方にも移動可能であることを特徴とする基板処理装置。
【００２６】
前記（４）に記載の基板処理装置によれば、柔軟に処理具を移動させることができるので、基板に所望の処理を行うことができる。
【００２７】
（５）請求項１から請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理ユニットは、基板を水平姿勢で保持する保持部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００２８】
（６）請求項１から請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記保持部は基板を回転可能であることを特徴とする基板処理装置。
【００２９】
（７）請求項１から請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記複数の処理ユニットは全て、同じチャンバー内に収容されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の効果】
【００３０】
この発明に係る基板処理装置によれば、基板を保持する処理ユニットを複数設けるとともに、これらに付随する複数の駆動部を平面視で一部重複させて設けているので、設置面積を抑制することができる。また、アーム部材が他の駆動部と干渉しない形状のため、駆動部が重複している範囲を含め、駆動部の可動域全体にわたって移動することができる。よって、処理具による処理を好適に行うことができる。
【実施例１】
【００３１】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置の構成を示す平面図であり、図２は、実施例に係る基板処理装置の構成を示す斜視図である。
【００３２】
実施例１は、基板処理装置として、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗを現像する装置、いわゆる現像装置を例にとって説明する。本実施例に係る現像装置は、基板を略水平姿勢で保持する複数の処理ユニット１０１を備えている。各処理ユニット１０１は、基板Ｗの下面を吸着して、基板Ｗを水平姿勢で保持するスピンチャック１０３を備えている。スピンチャック１０３にはモータの出力軸（図示省略）が連結されており、モータは基板Ｗを鉛直軸周りに回転させる。スピンチャック１０３の周囲には、飛散防止カップ１０５が配備されている。飛散防止カップ１０５は、基板Ｗの外周から周囲に飛散する現像液等を下方へ案内するとともに回収する機能を備える。なお、スピンチャック１０３は、上記の例に限らず、基板Ｗの端縁を保持する複数のピンが設けられた回転板で構成してもよい。
【００３３】
このように構成される処理ユニット１０１は、略水平方向に２台並べられている。図１、図２では、各処理ユニット１０１の並び方向を符号「ｄ」を付して明示する。以下では、２台の処理ユニット１０１を適宜に処理ユニット１０１ａ、１０１ｂと記載して区別する。各処理ユニット１０１ａ―１０１ｂの間には隔壁又は仕切り壁等はない。すなわち、全ての処理ユニット１０１ａ、１０１ｂは共通の単一のチャンバーに収容されているのみで、各処理ユニット１０１ａ、１０１ｂの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（周囲の雰囲気は連通している）。なお、後述するノズル１１１ａ、１１１ｂが通過する領域にのみ開口が形成されている隔壁を、各処理ユニット１０１ａ−１０１ｂの間に設けるように構成することもできる。
【００３４】
各処理ユニット１０１ａ、１０１ｂには、それぞれ別個に基板Ｗに現像液を供給するノズル１１１ａ、１１１ｂが設けられている。各ノズル１１１ａ、１１１ｂの下面には、現像液を吐出するためのスリット１１２が形成されている。スリット１１２の長手方向は、基板Ｗの直径相当の長さを有している。ノズル１１１ａ、１１１ｂは、この発明における処理具に相当する。
【００３５】
各ノズル１１１ａ、１１１ｂにはそれぞれ、アーム部材１１３ａ、１１３ｂの一端と連結されている。アーム部材１１３ａ、１１３ｂは、それぞれノズル１１１ａ、１１１ｂを基板Ｗの上方の高さ位置に支持している。各アーム部材１１３ａ、１１３ｂは各処理ユニット１０１（飛散防止カップ１０５）の側方において上下方向に延びている。また、アーム部材１１３ａの略中央には、略「コ」の字状に折れ曲がった折れ曲がり部１１４（図２参照）を有している。この折れ曲がり部１１４は、処理ユニット１０１側に向いて突き出ている。この折れ曲がり部１１４の大きさや形状は、後述する駆動部と接触しない程度である。
【００３６】
各アーム部材１１３ａ、１１３ｂの他端側である下端は、それぞれ駆動部１２０ａ、１２０ｂに連結されて、移動可能に構成されている。各駆動部１２０ａ（１２０ｂ）はそれぞれ、従動プーリ１２１ａ、１２２ａ（１２１ｂ、１２２ｂ）と、ベルト１２３ａ（１２３ｂ）と、主動プーリ１２５ａ（１２５ｂ）と、ガイドローラ１２７ａ（１２７ｂ）と、モータ１２９ａ（１２９ｂ）などを備えている。
【００３７】
各駆動部１２０ａ、１２０ｂの構成は略同じであるので、両者を特に区別せず説明する。従動プーリ１２１、１２２は、並び方向ｄと略平行な方向に対向して設けられている。各従動プーリ１２１、１２２の並び方向ｄにおける位置は、対応する処理ユニット１０１の両側方となるように配置されている。各従動プーリ１２１、１２２は、各処理ユニット１０１の並び方向ｄと略直行する水平軸心周りに回転自在に設置されている。これら従動プーリ１２１、１２２には、ベルト１２３がそれぞれ相対スリップすることなく巻き回されている。このベルト１２３にアーム部材１１３の下端が連結されている。主動プーリ１２５は各従動プーリ１２１、１２２の間であってそれらの下方に配置されている。この主動プーリ１２５に上述のベルト１２３が１対のガイドローラ１２７に案内されて巻き掛けられている。主動プーリ１２５にはモータ１２９が連結されている。モータ１２９は、主動プーリ１２５を水平軸心まわりに回転駆動する。これにより、ベルト１２３が回動し、アーム部材１１３が処理ユニット１０１の並び方向ｄと略平行な方向に直線的に進退移動する。さらに、各アーム部材１１３ａ、１１３ｂを進退移動に案内する単一のガイド部材１１５が設けられている。
【００３８】
各駆動部１２０ａ、１２０ｂは、処理ユニット１０１の側方に、並び方向ｄと略平行な同一直線ｌ上に配置されている。また、各駆動部１２０ａ、１２０ｂは、それぞれ異なる高さ位置に配置されている。さらに、各駆動部１２０ａ、１２０ｂ同士は平面視で一部が重複するように配置されている。図１、図２では、駆動部１２０ａのベルト１２３ａの一部と従動プーリ１２２ａが、駆動部１２０ｂのベルト１２３ｂの一部と従動プーリ１２１ｂと平面視で重複している様子を例示している。
【００３９】
また、図１、２から明らかなように、各駆動部１２０はノズル１１１より下方に配置されており、各アーム部材１１３はそれぞれ駆動部１２０から上方に延びるように設けられている。
【００４０】
このように構成される各駆動部１２０ａ、１２０ｂによって、各ノズル１１１ａ、１１１ｂは、基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方から外れた待機位置との間で移動可能である。移動方向は各処理ユニット１０１の並び方向ｄと略同じである。各ノズル１１１ａ、１１１ｂの待機位置は、各処理ユニット１０１ａ、１０１ｂの両外側である（図１において実線で示すノズル１１１ａ、１１ｂの各位置）。さらに、各処理ユニット１０１ａ、１０１ｂの間の領域を、各ノズル１１１ａ、１１１ｂの共通の待機位置としている（図１において点線で示すノズル１１１ａ、１１１ｂの位置）。
【００４１】
このほか、ノズル１１１ａ、１１１ｂに現像液を供給するための配管などを備えている。
【００４２】
次に、実施例１に係る基板処理装置の動作について説明する。
【００４３】
ノズル１１１ａ、１１１ｂは、各処理ユニット１０１ａ、１０１ｂの両外側の待機位置にある状態で、図示省略の基板搬送機構が基板Ｗをスピンチャック１０３ａに載置する。スピンチャック１０３ａは基板Ｗを回転させる。駆動部１２０ａは、ノズル１１１ａを待機位置から基板Ｗの上方に移動させる。この際、ノズル１１１ａはスリット１１２から現像液を吐出する。これにより、基板Ｗの全面に現像液が供給される。
【００４４】
また、駆動部１２０ａはノズル１１１ａを適宜に処理ユニット１０１ａ、１０１ｂの間の領域まで移動させてもよい。このとき、アーム部材１１３ａが平面視で駆動部１２０ａが駆動部１２０ｂと重複している範囲に移動しても、アーム部材１１３ａは折れ曲がり部１１４を有しているので、駆動部１２０ｂと干渉することを好適に回避することができる。このため、アーム部材１１３ａを駆動部１２０ａの可動域全体にわたって移動させることができる。
【００４５】
所定の期間が経過すると、ノズル１１１ａを処理ユニット１０１ａの外側の待機位置に移動させるとともに、ノズル１１１ａからの現像液の吐出を終了する。スピンチャック１０３ａは基板Ｗの回転を停止する。その後、図示省略の基板搬送機構によって基板Ｗが外部へ搬送される。
【００４６】
他方、基板Ｗがスピンチャック１０３ｂに搬送されたときも、同様に、基板Ｗを回転させつつ、ノズル１１１ｂを基板Ｗの上方に移動させて、ノズル１１１ｂから基板Ｗに現像液を供給する。なお、駆動部１２０ｂは駆動部１２０ａより高い位置に配置されているので、アーム部材１１３ｂは駆動部１２０ａと干渉するおそれがない。このため、アーム部材１１３ｂについても駆動部１２０ｂの可動域全体に移動させることができる。
【００４７】
また、駆動部１２０ａ、１２０ｂは別個独立のノズル１１１ａ、１１１ｂをそれぞれ移動させる。このため、処理ユニット１０１ａと処理ユニット１０１ｂとで並行して処理を進めることができる。
【００４８】
このように、実施例１に係る基板処理装置によれば、複数の処理ユニット１０１ａ、１０１ｂに対応して設けられる駆動部１２０ａ、１２０ｂを平面視で重複させて設けているので、駆動部を横方向に並べて配置する場合に比べて設置面積を抑制することができる。
【００４９】
また、駆動部１２０ａ、１２０ｂを同一直線ｌ上に配置しているので、駆動部１２０ａ、１２０ｂを好適に重複させることができ、容易に設置面積の低減を図ることができる。
【００５０】
また、駆動部１２０ａ、１２０ｂを側方に配置しているので、基板Ｗに行う処理や、基板Ｗの搬入、搬出に駆動部１２０ａ、１２０ｂが干渉することを好適に防止することができる。また、処理液が飛散するなど処理に伴う影響を駆動部１２０ａ、１２０ｂが受けることを好適に防止することができる。
【００５１】
また、駆動部１２０ａ、１２０ｂは、処理ユニット１０１ａ、１０１ｂの並び方向ｄと略同じ方向に前記アーム部材１１３ａ、１１３ｂを移動させるため、処理ユニット１０１ａ、１０１ｂの間の領域を、双方のノズル１１１ａ、１１１ｂの待機位置として共用することができる。これにより、さらに設置面積の低減を図ることができる。
【００５２】
また、アーム部材１１３ａは折れ曲がり部１１４を有しているため、駆動部１２０ｂと干渉するおそれがない。よって、アーム部材１１３ａを駆動部１２０ａの可動域全体にわたって移動させることができる。
【００５３】
また、折れ曲がり部１１４は、処理ユニット１０１ａ、１０１ｂ側に向かって凸状に形成されているので、設置面積が増大させることを防ぐことができる。
【００５４】
また、各処理ユニット１０１ａ、１０１ｂの両外側を、ノズル１１１ａ、１１１ｂの待機位置としているので、ノズル１１１ａ、１１１ｂの間にまとまったスペースを確保することができる。これにより、ノズル１１１ａ、１１１ｂに付随する配管系、電気系を効率よく収納、配設できる。
【００５５】
また、ガイド部材１１５は、各アーム部材１１３ａ、１１３ｂに共通して設けられているため、装置構成を簡略化できるとともに、省スペース化を図ることができる。
【実施例２】
【００５６】
以下、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。実施例２は、実施例１に係る基板処理装置を現像処理部に適用した例である。図３は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図４と図５は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図６ないし図１０は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００５７】
実施例２は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とに分けられる。ＩＤ部１、処理部３およびＩＦ部５はこの順番に隣接して設けられている。ＩＦ部５にはさらに本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。
【００５８】
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９と各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。
【００５９】
処理部３は、基板Ｗに塗膜を形成する処理と、基板Ｗを現像する処理を行う。処理部３は複数の階層を有する階層構造で構成されている。本実施例では、上下方向に２つの階層に分けられている。上側および下側の各階層は、後述するように略同じである。各階層には、それぞれＩＤ部１とＩＦ部５との間にわたって基板Ｗを搬送しつつ、基板Ｗに処理を行う基板処理列が構成される。各階層で行われる処理は、基板Ｗに塗膜を形成する処理と基板Ｗを現像する処理である。なお、図１は、上側の階層を示している。
【００６０】
処理部３は、塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１とを各階層にそれぞれ設けている。塗布処理ユニット３１は基板Ｗに処理液を塗布する。熱処理ユニット４１は基板Ｗに熱処理を行う。塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１は、基板Ｗに塗膜を形成する塗膜形成処理部を構成する。また、処理部３は、基板Ｗに現像液を供給する現像処理ユニットＤＥＶや、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２などを備えている（後述）。
【００６１】
また、処理部３は、４基の主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を備えている。主搬送機構Ｔ１、Ｔ２は上側の階層に設けられており、主搬送機構Ｔ３、Ｔ４は下側の階層に設けられている。主搬送機構Ｔ１、Ｔ２は、それぞれ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１に対して基板Ｗを搬送する。また、主搬送機構Ｔ３、Ｔ４は、それぞれ現像処理ユニットＤＥＶなどに対して基板Ｗを搬送する。また、主搬送機構Ｔ１と主搬送機構Ｔ２との間で、基板Ｗの受け渡しを行う。同様に、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４との間で、基板Ｗの受け渡しを行う。さらに、主搬送機構Ｔ１、Ｔ２はそれぞれ、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。
【００６２】
ＩＦ部５は、本装置とは別体の露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡとＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢを有する。
【００６３】
以下では、本実施例の各部の構成をより詳細に説明する。
［ＩＤ部１］
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９を備える。カセット載置台９は４個のカセットＣを１列に並べて載置可能に構成される。ＩＤ部１はＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、後述する載置部ＰＡＳＳ１及び載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。
【００６４】
［処理部３］
本実施例では、処理部３は、複数（２台）の処理ブロックＢａ、Ｂｂを横方向（搬送方向と略同じ）に並べて構成されている。各処理ブロックＢａ、Ｂｂは、それぞれ上下方向に複数（２つ）の階層Ｋに分けられている。なお、本明細書では、処理ブロックＢａ、Ｂｂの各階層について符号「Ｋ」を付す。処理ブロックＢａの上側の階層Ｋ１には上述の主搬送機構Ｔ１とこれに対応する各種処理ユニットが配置されており、下側の階層Ｋ３には主搬送機構Ｔ３と各種処理ユニットが配置されている。同様に、処理ブロックＢｂの上側の階層Ｋ２には主搬送機構Ｔ２と各種処理ユニットが配置されており、下側の階層Ｋ４には主搬送機構Ｔ４と各種処理ユニットが配置されている。
【００６５】
そして、主搬送機構Ｔ１、Ｔ２間で基板Ｗを受け渡し可能に連結された階層Ｋ１、Ｋ２が、処理部３の上側の階層を構成する。同様に、主搬送機構Ｔ３、Ｔ４間で基板Ｗを受け渡し可能に連結された階層Ｋ３、Ｋ４が、処理部３の下側の階層を構成する。
【００６６】
［処理部３〜処理ブロックＢａ］
処理ブロックＢａはＩＤ部１に隣接して設けられている。ＩＤ部１と処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の間には、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３が設けられている。載置部ＰＡＳＳ１には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ１との間で受け渡される基板Ｗが載置される。同様に、載置部ＰＡＳＳ３には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ３との間で受け渡される基板Ｗが載置される。断面視では載置部ＰＡＳＳ１は上側の階層Ｋ１の下部付近の高さ位置に配置され、載置部ＰＡＳＳ３は下側の階層Ｋ３の上部付近の高さに配置されている。このように載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３の位置が比較的近いので、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３との間を移動することができる。
【００６７】
処理ブロックＢａ、Ｂｂの間にも、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４が設けられている。載置部ＰＡＳＳ２は階層Ｋ１と階層Ｋ２との間に、載置部ＰＡＳＳ４は階層Ｋ３と階層Ｋ４との間にそれぞれ配置されている。そして、主搬送機構ＴＩと主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２を介して基板Ｗを受け渡し、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４は載置部ＰＡＳＳ４を介して基板Ｗを受け渡す。
【００６８】
各載置部ＰＡＳＳ１は複数（２台）であり、それぞれ上下方向に近接して配置されている。２つの載置部ＰＡＳＳ１のうち、一方の載置部ＰＡＳＳ１Ａには、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤから主搬送機構Ｔ１へ渡す基板Ｗが載置され、他方の載置部ＰＡＳＳ１Ｂには主搬送機構Ｔ１からＩＤ用搬送機構ＴＩＤへ渡す基板Ｗが載置される。載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４および後述する載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６も複数（２台）であり、基板Ｗが受け渡される方向に応じていずれかの載置部ＰＡＳＳが選択される。また、載置部ＰＡＳＳ１Ａ、ＰＡＳＳ１Ｂには基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤおよび主搬送機構Ｔ１による基板Ｗの受け渡しを制御する。同様のセンサは載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ６にも付設されている。
【００６９】
階層Ｋ１について説明する。主搬送機構Ｔ１は、平面視で階層Ｋ１の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースＡ１を移動可能に設けられている。階層Ｋ１に設けられる処理ユニットは、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理ユニット３１と、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４１に大きく分けられる。塗布処理ユニット３１は搬送スペースＡ１の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット４１が配置されている。塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１とは、上述したように塗膜形成処理部を構成する。
【００７０】
塗布処理ユニット３１は、それぞれ搬送スペースＡ１に面して縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、基板Ｗの搬送路に沿って２列２段で合計４つの塗布処理ユニット３１が配置されている。
【００７１】
塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに反射防止膜を形成する反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜を形成する（レジスト膜形成処理を行う）レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを含む。
【００７２】
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは反射防止膜用の処理液を基板Ｗに塗布し、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴはレジスト膜材料を基板Ｗに塗布する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは複数（２台）であり、下段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴも複数であり、上段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの間には隔壁又は仕切り壁等はない。すなわち、全ての反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを共通のチャンバーに収容するのみで、各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。同様に、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの周囲の雰囲気も互いに遮断されていない。
【００７３】
図１０を参照する。図１０（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット３１は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。
【００７４】
供給部３４は、複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動（可撓）に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの場合には、処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル３５に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの場合には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。
【００７５】
ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。
【００７６】
熱処理ユニット４１は複数であり、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に３つの熱処理ユニット４１を配置可能に、縦方向に５つの熱処理ユニット４１を積層可能である。熱処理ユニット４１はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。熱処理ユニット４１は基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰ、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰおよび基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを含む。なお、加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。
【００７７】
主搬送機構Ｔ１を具体的に説明する。図１１を参照する。図１１は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ１の略中央まで横方向に張り出している。さらに、第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１の各位置にベース部５３を移動させる。
【００７８】
ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニット４１及び載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置に回転台５５を対向させ、これら塗布処理ユニット３１等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。
【００７９】
階層Ｋ３について説明する。なお、階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３および処理ユニットの平面視でのレイアウト（配置）は階層Ｋ１のそれらと略同じである。このため、主搬送機構Ｔ３から見た階層Ｋ３の各種処理ユニットの配置は、主搬送機構Ｔ１から見た階層Ｋ１の各種処理ユニットの配置と略同じである。階層Ｋ３の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１は、それぞれ階層Ｋ１の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１の下側にそれぞれ積層されている。
【００８０】
以下において、階層Ｋ１、Ｋ３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、階層Ｋ１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１」と記載する）。
【００８１】
処理ブロックＢａのその他の構成について説明する。搬送スペースＡ１、Ａ３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆで第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の下部に配置されている。搬送スペースＡ１と搬送スペースＡ３の雰囲気は、搬送スペースＡ１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。よって、各階層Ｋ１、Ｋ３は互いに雰囲気が遮断されている。
【００８２】
搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に、搬送スペースＡ１の上部から搬送スペースＡ３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ１、Ａ３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ１の下部から搬送スペースＡ３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ１、Ａ３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ１、Ａ３は個別に清浄な状態に保たれる。
【００８３】
階層Ｋ１、Ｋ３の各塗布処理ユニット３１には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各塗布処理ユニット３１の所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。
【００８４】
また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに階層Ｋ１、Ｋ３の塗布処理ユニット３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。
【００８５】
また、処理ブロックＢａは、一の筐体７５に収容されている。後述する処理ブロックＢｂも別個の筐体７５に収容されている。このように、処理ブロックＢａ、Ｂｂごとに主搬送機構Ｔおよび処理ユニットをまとめて収容する筐体７５を備えることで、処理部３を簡易に製造することができる。
【００８６】
［処理部３〜処理ブロックＢｂ］
処理ブロックＢｂはＩＦ部５と隣接している。階層Ｋ２について説明する。階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ２の搬送スペースＡ２は搬送スペースＡ１の延長上となるように形成されている。
【００８７】
階層Ｋ２の処理ユニットは、基板Ｗを現像する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷである。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理ユニット３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。現像処理ユニットＤＥＶおよび熱処理ユニット４２は、基板を現像する現像処理部を構成する。
【００８８】
現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック１０３と、基板Ｗの周囲に設けられる飛散防止カップ１０５とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、各現像処理ユニットＤＥＶには、それぞれ現像液を供給するノズル１１１ａ、１１１ｂと、ノズル１１１ａ、１１１ｂを別個に移動させる駆動部１２０ａ、１２０ｂが設けられている。各駆動部１２０ａ、１２０ｂは平面視で一部が重複するように配置されているとともに、駆動部１２０ａ、１２０ｂが重複している範囲であっても各駆動部１２０ａ、１２０ｂは各ノズル１１１ａ、１１１ｂを搬送可能に構成されている。現像処理ユニットＤＥＶは、この発明における処理ユニットに相当する。
【００８９】
熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は、基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰを含む。
【００９０】
加熱冷却ユニットＰＨＰは複数である。各加熱冷却ユニットＰＨＰは、最もＩＦ部５側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がＩＦ部５側に面している。階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰについては、その側部に基板Ｗの搬送口を形成している。そして、加熱冷却ユニットＰＨＰに対しては、後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。そして、これら階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰで、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。同様に、階層Ｋ４に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰは、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。
【００９１】
エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。
【００９２】
さらに、加熱冷却ユニットＰＨＰの上側には、載置部ＰＡＳＳ５が積層されている。この載置部ＰＡＳＳ５を介して、主搬送機構Ｔ２と後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦとが基板Ｗの受け渡しを行う。
【００９３】
主搬送機構Ｔ２は平面視で搬送スペースＡ２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ２は主搬送機構Ｔ１と同様に構成されている。そして、載置部ＰＡＳＳ２と各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ５との間で、主搬送機構Ｔ２が基板Ｗを搬送する。
【００９４】
階層Ｋ４について簡略に説明する。階層Ｋ２と階層Ｋ４の各構成の関係は、階層Ｋ１、Ｋ３間の関係と同様である。階層Ｋ２、Ｋ４の搬送スペースＡ２、Ａ４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。
【００９５】
以下において、階層Ｋ２、Ｋ４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、階層Ｋ２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ２」と記載する）。
【００９６】
［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は階層Ｋ２、Ｋ４と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢを有する。第１搬送機構ＴＩＦＡは、階層Ｋ２、Ｋ４に対して基板Ｗを搬送する。上述したように、本実施例では第１搬送機構ＴＩＦＡは、階層Ｋ３、Ｋ４の載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と、各階層Ｋ３、Ｋ４の加熱冷却ユニットＰＨＰに対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構ＴＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。
【００９７】
第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢとは、処理ブロックＢａ、Ｂｂが並ぶ方向と略直交した横方向に並んで設けられている。第１搬送機構ＴＩＦＡは階層Ｋ２、Ｋ４の熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。第２搬送機構ＴＩＦＢは階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファ部ＢＦが設けられている。バッファＢＦは複数枚の基板Ｗを載置または収容可能である。第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢは、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ及び載置部ＰＡＳＳ７を介して基板Ｗを受け渡す。バッファＢＦには、専ら第１搬送機構ＴＩＦＡのみがアクセスする。
【００９８】
第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。
【００９９】
次に本装置の制御系について説明する。図１２は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置の制御部９０は、メインコントローラ９１と第１ないし第７コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９を備えている。
【０１００】
メインコントローラ９１は、第１から第７コントローラ９３〜９９を統括的に制御する。また、メインコントローラ９１は、ホストコンピュータを介して露光機ＥＸＰが備える露光機用コントローラと通信可能である。第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構ＴＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１と反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１と冷却ユニットＣＰ１と加熱冷却ユニットＰＨＰ１とアドヒージョン処理ユニットＡＨＬ１における基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ２と現像処理ユニットＤＥＶ２と加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ２、ＰＨＰ４における基板処理を制御する。第７コントローラ９９は、ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢによる基板搬送を制御する。上述した第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。
【０１０１】
メインコントローラ９１および第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【０１０２】
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。図１３は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図１４は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。
【０１０３】
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置する（図１３におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。なお、載置部ＰＡＳＳ１Ｂに基板Ｗがない場合はステップＳ２３を省略する。続いて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはカセットＣにアクセスして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。
【０１０４】
このようなＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作は、第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ１に送るとともに、階層Ｋ１から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。同様に、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ３へ送るとともに、階層Ｋ３から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。
【０１０５】
［主搬送機構Ｔ１、Ｔ３］
主搬送機構Ｔ３の動作は主搬送機構Ｔ１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ１についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ１は直前に載置部ＰＡＳＳ２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。
【０１０６】
主搬送機構Ｔ１は冷却ユニットＣＰ１にアクセスする。冷却ユニットＣＰ１には既に冷却処理が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ１Ａから受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ１は冷却された基板Ｗを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１に移動する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗに対して冷却処理を開始する（ステップＳ２）。この熱処理（冷却）は、当該冷却処理ユニットＣＰ１に主搬送機構Ｔ１が次にアクセスする際には既に終了している。以下の説明では、その他の各種の熱処理ユニット４１や塗布処理ユニット３１においても、主搬送機構Ｔ１がアクセスする際に、それぞれ所定の処理を終えた基板Ｗが既にあるものとする。
【０１０７】
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１から反射防止膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１の回転保持部３２に置く。その後、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜が形成された基板Ｗを保持して加熱冷却ユニットＰＨＰ１に移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１は回転保持部３２に載置された基板Ｗに対して反射防止膜材料塗布処理を開始する（ステップＳ３ａ）。
【０１０８】
具体的には、回転保持部３２が基板Ｗを水平姿勢で回転させるとともに、把持部３６で一のノズル３５を把持し、ノズル移動機構３７の駆動により把持したノズル３５を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル３５から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから捨てられる。カップ３３は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Ｗに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。
【０１０９】
主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１にアクセスすると、加熱冷却ユニットＰＨＰ１から熱処理が済んだ基板Ｗを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に投入する。その後、主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１から搬出した基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１に移動する。加熱冷却ユニットＰＨＰ１では２つのプレート４３上に順次、基板Ｗを載置して、一のプレート４３上で基板Ｗを加熱した後に他のプレート４３上で基板Ｗを冷却する（ステップＳ４ａ）。
【０１１０】
主搬送機構Ｔ１は冷却ユニットＣＰ１に移動すると、冷却ユニットＣＰ１内の基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗを冷却する（ステップＳ５ａ）。
【０１１１】
続いて、主搬送機構Ｔ１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を塗布する（ステップＳ６ａ）。
【０１１２】
主搬送機構Ｔ１はさらに加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に搬入し、加熱冷却ユニット部ＰＨＰ１で処理が済んだ基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に移すとともに、この冷却ユニットＣＰ１において処理が済んだ基板Ｗを受け取る。加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ７ａ、ステップＳ８ａ）。
【０１１３】
主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ２に移動して、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置し（ステップＳ９ａ）、載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１ａ）。
【０１１４】
その後、主搬送機構Ｔ１は再び載置部ＰＡＳＳ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、カセットＣから載置部ＰＡＳＳ１に搬送された基板Ｗは全て、階層Ｋ１において各種処理ユニット間を上述した搬送経路で搬送され、搬送された各処理ユニットで所定の処理が順次行われる。
【０１１５】
また、主搬送機構Ｔ１は、載置部ＰＡＳＳ１に搬送された基板Ｗを所定の処理ユニット（本実施例では冷却ユニットＣＰ１）に搬送するとともに、当該処理ユニットから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて、取り出した基板Ｗを次の処理ユニット（本実施例で反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１）に搬送するとともにこの処理ユニットから処理済みの基板Ｗを取り出す。このように、各処理ユニットで処理が済んだ基板Ｗをそれぞれ新たな処理ユニットに移すことで、複数の基板Ｗについて並行して処理を進める。そして、先に載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ２に載置して、階層Ｋ２へ払いだす。同様に、先に載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ１に載置して、ＩＤ部１へ払い出す。
【０１１６】
［主搬送機構Ｔ２、Ｔ４］
主搬送機構Ｔ４の動作は主搬送機構Ｔ２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ２についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置するとともに（ステップＳ２１ａ）、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ９ａ）。
【０１１７】
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ１０ａ）。
【０１１８】
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置し（ステップＳ１１ａ）、載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６ａ）。
【０１１９】
主搬送機構Ｔ２は冷却ユニットＣＰ２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７ａ）。
【０１２０】
主搬送機構Ｔ２は現像処理ユニットＤＥＶ２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ２のスピンチャック１０３に置く。現像処理ユニットＤＥＶ２はスピンチャック１０３に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１８ａ）。具体的には、スピンチャック１０３が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、ノズル１１１から基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。
【０１２１】
主搬送機構Ｔ２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ２は加熱ユニットＨＰ２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ１において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１９ａ、ステップＳ２０ａ）。
【０１２２】
その後、主搬送機構Ｔ２は再び載置部ＰＡＳＳ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ２Ｂに払い出される。
【０１２３】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡ］
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。
【０１２４】
次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。
【０１２５】
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに搬送する（ステップＳ１６）。続いて、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ１１ｂ、１２）。次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から加熱冷却ユニットＰＨＰ４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ４における露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ４Ｂに載置する。
【０１２６】
その後、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第６コントローラ９８によって制御されている。
【０１２７】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢ］
ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。
【０１２８】
その後、ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【０１２９】
このように、実施例２に係る基板処理装置によれば、現像処理ユニットＤＥＶに設けられる駆動部１２０ａ、１２０ｂは平面視で重複させて設けられているので、現像処理ユニットＤＥＶを小容量化することができる。これにより、現像処理ユニットＤＥＶをより高密度に基板処理装置に搭載することができる。
【０１３０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１３１】
（１）上述した各実施例では、駆動部１２０ａ、１２０ｂが一部重複するように配置されていたが、これに限られない。たとえば、全部重複するように配置してもよい。
【０１３２】
（２）上述した実施例１では、基板処理装置として現像装置を例示したが、これに限られない。例えば、洗浄処理装置や塗布処理装置など、水平姿勢で保持する基板Ｗに処理を行う装置であれば、適宜に選択、変更することができる。さらに、塗布処理装置に変更した場合には、実施例２で説明した塗布処理ユニット３１に適用するように変更してもよい。
【０１３３】
これに伴って、ノズル１１１ａ、１１１ｂも適宜に変更することができる。たとえば、他の処理液、薬液、洗浄液を基板Ｗに供給するノズルに変更してもよい。また、基板Ｗに押し付けるブラシを変更してもよい。
【０１３４】
（３）上述した実施例では、ノズル１１１ａ、１１１ｂはスリット１１２を有するものであったが、これに限られない。たとえば、単一または複数の小孔が吐出口として形成されているノズルであってもよい。
【０１３５】
（４）上述した実施例では、駆動部１２０ａ、１２０ｂはベルト駆動であったが、これに限られない。シリンダ、ラック・ピニオン、螺子軸、または、ワイヤーを用いた機構など一軸駆動機構であれば、適宜に変更することができる。
【０１３６】
（５）上述した実施例１では、各アーム部材１１３を共通して案内する単一のガイド部材を備えていたが、これに限られない。アーム部材１１３ごとに別個にガイド部材を設けてもよい。
【０１３７】
（６）上述した実施例１では、アーム部材１１３ａは略「コ」の字状の折れ曲がり部１１４を有していたが、折れ曲がり部１１４の形状はこれに限られない。アーム部材１１３ａが駆動部１２０ｂと干渉しない形状であれば、適宜に変更することができる。たとえば、折れ曲がり部の下側部位と上側部位とでアーム部材の縦軸心が異なるような段形状を呈する折れ曲がり部に変更してもよい。また、駆動部１２０ｂが挿通可能な略水平軸まわりのリング状あるいは環状を呈する折れ曲がり部に変更してもよい。
【０１３８】
（７）上述した各実施例では、処理ユニット１０１、または、現像処理ユニットＤＥＶを２つ並べて設ける構成であったが、３つ以上の処理ユニット、または、現像処理ユニットＤＥＶを並べるように変更してもよい。この場合、３以上の処理ユニット１０１、または、現像処理ユニットＤＥＶのそれぞれに、ノズル１１１、アーム部材１１３及び駆動部１２０を備えるように適宜に変更することができる。
【０１３９】
（８）上述した実施例１では、アーム部材１１３ａは処理ユニット１０１側に突出した折れ曲がり部１１４を有していたが、これに限られない。処理ユニット１０１とは反対側に突出させるように変更してもよい。
【０１４０】
（９）上述した実施例１では、各駆動部１２０ａ、１２０ｂは、並び方向ｄと略平行な同一直線ｌ上に配置されていると説明したが、これに限られない。各駆動部１２０ａ、１２０ｂが同一直線上とならないように適宜に変更してもよい。
【０１４１】
（１０）上述した実施例２では、処理部３は基板Ｗにレジスト膜や反射防止膜を形成する処理や、露光後加熱（ＰＥＢ）処理、現像処理を行うものであったが、これに限られない。処理部３において洗浄処理などその他の処理を基板Ｗに行うように変更してもよい。これにより、各処理ユニットの種類、個数等は適宜に選択、設計される。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施例に係る基板処理装置の構成を示す斜視図である。
【図３】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図４】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図５】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図６】図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。
【図７】図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
【図８】図１におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。
【図９】図１におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
【図１０】（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。
【図１１】主搬送機構の斜視図である。
【図１２】実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１３】基板に行う一連の処理をフローチャートである。
【図１４】各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１  …インデクサ部（ＩＤ部）
３  …処理部
５  …インターフェイス部（ＩＦ部）
３１  …塗布処理ユニット
４１、４２  …熱処理ユニット
６１  …第１吹出ユニット
６１ａ  …第１吹出口
６２  …排出ユニット
６２ａ  …排出口
６５  …第２気体供給管
６６  …第２気体排出管
９０  …制御部
９１  …メインコントローラ
９３〜９９  …第１ないし第７コントローラ
Ｋ、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４  …階層
Ｂ、Ｂａ、Ｂｂ  …処理ブロック
ＢＡＲＣ  …反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ  …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ  …現像処理ユニット
ＥＥＷ  …エッジ露光ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４  …主搬送機構
ＴＩＦ  …ＩＦ用搬送機構
ＴＩＦＡ  …第１搬送機構
ＴＩＦＢ  …第２搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ  …載置部
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４  …搬送スペース
ＥＸＰ  …露光機
Ｃ  …カセット
１０１、１０１ａ、１０１ｂ  …処理ユニット
１０３、１０３ａ、１０３ｂ  …スピンチャック
１１１、１１１ａ、１１１ｂ  …ノズル
１１３、１１３ａ、１１３ｂ  …アーム部材
１１４  …折れ曲がり部
１１５  …ガイド部材
１２０、１２０ａ、１２０ｂ  …駆動部
ｄ  …処理ユニットの並び方向
Ｗ  …基板
【図１】
2009164255.tif 000003
【図２】
2009164255.tif 000004
【図３】
2009164255.tif 000005
【図４】
2009164255.tif 000006
【図５】
2009164255.tif 000007
【図６】
2009164255.tif 000008
【図７】
2009164255.tif 000009
【図８】
2009164255.tif 000010
【図９】
2009164255.tif 000011
【図１０】
2009164255.tif 000012
【図１１】
2009164255.tif 000013
【図１２】
2009164255.tif 000014
【図１３】
2009164255.tif 000015
【図１４】
2009164255.tif 000016