(57)【要約】【課題】電界記録再生ヘッド、それを採用した電界記録再生装置及び電界記録再生ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】電界効果によって強誘電性記録媒体に情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドであって、空気軸受パターンが形成された第１面及び第１面と交差した第２面を備える本体と、本体の第２面の第１面から離隔されて位置し、強誘電性記録媒体の情報を読み込むセンシング部と、センシング部上に設けられ、その一端部が第１面まで延びて強誘電性記録媒体の電場をセンシング部に案内するフローティングゲートと、を備える電界記録再生ヘッドである。【選択図】図２
2009151915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果によって強誘電性記録媒体に情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドであって、
空気軸受パターンが形成された第１面及び、前記第１面と交差した第２面を備える本体と、
前記本体の第２面の前記第１面から離隔されて位置して、前記強誘電性記録媒体の情報を読み込むセンシング部と、
前記センシング部上に設けられ、その一端部が前記第１面まで延びて前記強誘電性記録媒体の電場を前記センシング部に案内するフローティングゲートと、を備える電界記録再生ヘッド。
【請求項２】
前記センシング部は、高濃度不純物領域のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間に位置する低濃度不純物領域である抵抗領域と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項３】
前記フローティングゲートは、前記抵抗領域と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項４】
電界効果によって、強誘電性記録媒体に情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドであって、
空気軸受パターンが形成された第１面及び、前記第１面と交差した第２面を備える本体と、
前記本体の第２面に位置して前記強誘電性記録媒体の情報を読み込むものであって、高濃度不純物領域であるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間に位置する低濃度不純物領域である抵抗領域とを備えるセンシング部と、
前記センシング部と前記第１面との間に設けられるバッファ部と、
前記抵抗領域上に設けられ、その一端部が前記バッファ部を越えて前記第１面まで延び、前記強誘電性記録媒体の電場を前記抵抗領域に案内するフローティングゲートと、を備える電界記録再生ヘッド。
【請求項５】
絶縁層を介して前記フローティングゲート上に位置する書き込み電極をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし４のうち何れか１項に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項６】
強誘電性記録媒体と、
前記記録媒体上で浮遊して、電界効果によって前記記録媒体に情報を記録／再生するものであって、前記請求項１ないし５のうち何れか１項に記載の電界記録再生ヘッドと、を備える電界記録再生装置。
【請求項７】
相互交差した第１面と第２面とを備える半導体本体と、
前記第２面に位置し、前記第１面から離隔されたセンシング部と、
前記センシング部と電気的に接触しているものであって、その一端部が前記第１面に延びたフローティングゲートと、を備える記録再生ヘッド。
【請求項８】
前記第１、第２面は、相互垂直であり、前記第１面は、記録媒体の記録面に対向することを特徴とする請求項７に記載の記録再生ヘッド。
【請求項９】
半導体基板上の仮想の切断面から離隔された位置に、高濃度不純物領域であるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置する低濃度不純物領域である抵抗領域とを備えるセンシング部を形成する工程と、
前記抵抗領域上に導電物質を積層し、その一端部が前記仮想の切断面に向けて延びたフローティングゲートを形成する工程と、
前記仮想の切断面に沿って前記半導体基板を切断する工程と、
前記半導体基板の切断面を前記フローティングゲートが露出されるように研磨する工程と、
前記研磨面に空気軸受パターンを形成する工程と、を含む電界記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記センシング部を形成する工程は、
前記半導体基板の上面に前記仮想の切断面から離隔された位置に第１領域を画定する第１マスクをパターニングする工程と、
前記第１マスクをイオン注入マスクとして、前記第１領域に不純物を低濃度に注入して前記抵抗領域を形成する工程と、
前記第１マスクを除去する工程と、
前記半導体基板の上面に、前記第１領域の少なくとも一部と、前記第１領域と前記仮想の切断面との間の領域とを覆う第２マスクをパターニングする工程と、
前記第２マスクをイオン注入マスクとして、前記第２マスクによって覆われていない前記半導体基板の上面に不純物を高濃度に注入して前記ソース領域と前記ドレイン領域とを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項９に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記フローティングゲートが形成された前記半導体基板の上面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に導電物質を積層して書き込み電極を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項９または１０に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層の一部を除去し、前記ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接触する電極パッドを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録再生ヘッド、それを採用した記録再生装置及び記録再生ヘッドの製造方法に係り、特に、電界効果によって情報を記録及び／または再生する電界記録／再生ヘッド、それを採用した電界記録再生装置及び電界記録再生ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの主保存装置として主に使われるＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）は、記録媒体を回転させつつ、磁気記録再生ヘッドを利用して情報を記録再生する装置である。すなわち、磁場を利用して磁性記録媒体に第１方向及びその逆方向（以下、第２方向という）に磁化した複数の磁気ドメインを作り、第１方向に磁化した磁気ドメインをデータ‘０’に、第２方向に磁化した磁気ドメインをデータ‘１’に対応させる。
【０００３】
このような磁気記録方式が使われるＨＤＤの記録密度は、最近数十年間急増して、水平磁気記録方式のＨＤＤの場合、１００Ｇｂ／ｉｎ２ほどの記録密度が得られ、垂直磁気記録方式のＨＤＤの場合、最大５００Ｇｂ／ｉｎ２ほどの記録密度が得られると予想される。しかし、磁気記録再生ヘッドとしては、強い局所磁場を生成し難いため、記録密度の向上に限界がある。
【０００４】
最近、磁場でなく電場によってデータが記録される強誘電性記録媒体及びその記録再生のための電場センサーについての研究がなされている。電界記録方式は、電場を利用して強誘電体の表面に第１方向及びその逆方向（以下、第２方向という）に分極された電気ドメインを形成し、第１、第２方向に分極された電気ドメインをデータ‘０’及び‘１’にそれぞれ対応させる方式である。電気ドメインの分極方向によってその上に位置する電場センサーの抵抗が変わるので、ヘッドのソース電極とドレイン電極との間に流れる電流量が変わる。この電流量の変化を検出することによって、電気ドメインに使われた情報を判別しうる。電界記録再生方式によれば、１Ｔｂ／ｉｎ２以上の高い記録密度が得られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、電界効果によって強誘電性記録媒体に情報を記録及び／または再生できる電界記録再生ヘッド、その製造方法、及びこれを採用した電界記録再生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による電界記録再生ヘッドは、電界効果によって強誘電性記録媒体に情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドであって、空気軸受パターンが形成された第１面及び前記第１面と交差した第２面を備える本体と、前記本体の第２面の前記第１面から離隔されて位置して前記強誘電性記録媒体の情報を読み込むセンシング部と、前記センシング部上に設けられ、その一端部が前記第１面まで延びて前記強誘電性記録媒体の電場を前記センシング部に案内するフローティングゲートと、を備える。
【０００７】
本発明による電界記録再生ヘッドは、電界効果によって強誘電性記録媒体に情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドであって、空気軸受パターンが形成された第１面及び前記第１面と交差した第２面を備える本体と、前記本体の第２面に位置して前記強誘電性記録媒体の情報を読み込むものであって、高濃度不純物領域であるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間に位置する低濃度不純物領域である抵抗領域を備えるセンシング部と、前記センシング部と前記第１面との間に設けられるバッファ部と、前記抵抗領域上に設けられ、その一端部が前記バッファ部を越えて前記第１面まで延びて前記強誘電性記録媒体の電場を前記抵抗領域に案内するフローティングゲートと、を備える。
【０００８】
一実施形態であって、前記電界記録再生ヘッドは、絶縁層を介して前記フローティングゲート上に位置する書き込み電極をさらに備える。
【０００９】
本発明による電界記録再生装置は、強誘電性記録媒体と、前記記録媒体上で浮遊して電界効果によって前記記録媒体に情報を記録／再生する前記電界記録再生ヘッドと、を備える。
【００１０】
本発明によれば、記録再生ヘッドは、相互交差した第１面及び第２面を備える半導体本体と、前記第２面に位置し、前記第１面から離隔されたセンシング部と、前記センシング部と電気的に接触しているものであって、その一端部が前記第１面に延びたフローティングゲートと、を備える。
【００１１】
一実施形態であって、前記第１、第２面は、相互垂直であり、前記第１面は、記録媒体の記録面と対向する。
【００１２】
本発明の電界記録再生ヘッドの製造方法は、半導体基板上の仮想の切断面から離隔された位置に、高濃度不純物領域であるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置される低濃度不純物領域である抵抗領域とを備えるセンシング部を形成する工程と、前記抵抗領域上に導電物質を積層してその一端部が前記仮想の切断面に向けて延びたフローティングゲートを形成する工程と、前記仮想の切断面に沿って前記半導体基板を切断する工程と、前記半導体基板の切断面を前記フローティングゲートが露出されるように研磨する工程と、前記研磨面に空気軸受パターンを形成する工程と、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付された図面を参照して、本発明による電界記録再生ヘッド、これを採用した電界記録再生装置、及び電界記録再生ヘッドの製造方法の実施形態を説明する。添付された図面に示された層や領域の幅及び厚さは、明細書の明確性のために誇張されて示された。そして、添付された図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を表す。
【００１４】
図１は、本発明による電界記録再生装置の一実施形態の構成図である。本実施形態の電界記録再生装置は、回転されるディスクタイプの記録媒体５００を備えるＨＤＤタイプの保存装置である。記録媒体５００は、強誘電性記録媒体である。図面に示されていないが、記録媒体５００は、基板上に下部電極、強誘電体層が順次に形成された形態である。基板は、Ｓｉ、ガラスで形成される。下部電極は、半導体メモリ素子に使われる電極物質を使用し、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属またはＳｒＲｕＯ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｏＯなどの金属酸化物で形成される。下部電極は、接地される。強誘電体層は、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３）、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）、ＫＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３などの強誘電物質で形成しうる。強誘電体層上には、保護層がさらに設けられる。保護層は、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）と通常的なハードディスクの表面に使用する潤滑剤とを共に使用して形成されてもよく、ＤＬＣ及び潤滑剤のうち何れか一つで形成されてもよい。
【００１５】
スイングアーム３００の端部に設けられたサスペンションアーム２００には、電界記録再生ヘッド１００が装着される。スイングアーム３００は、ボイスコイルモータ４００によって回動される。それにより、記録媒体５００が回転されれば、電界記録再生ヘッド１００は、空気軸受効果によって記録媒体５００の表面から浮き上がる。図１に示された本発明の情報記録再生装置の駆動システムは、従来のＨＤＤの駆動システムと同じである。但し、本発明の情報記録再生装置では、従来のＨＤＤにおける磁性記録媒体が強誘電性記録媒体に代替され、それと共に、磁気記録再生ヘッドが電界記録再生ヘッドに代替される。
【００１６】
図２は、本発明による電界記録再生ヘッドの一実施形態の斜視図である。図３は、図２のＡ−Ａ’による断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’による断面図である。図５は、図２で第２面１２に沿って切断した図面である。図２ないし図５を参照すれば、本体１０は、第１面１１と第２面１２とを備える。第１面１１は、空気軸受パターン２０が形成される面であって、記録媒体５００の記録面５０１と対向する面である。空気軸受パターン２０は、記録媒体５００の表面から電界記録再生ヘッド１００が浮き上がるように空気の流れを誘導するパターンである。空気軸受パターンは、磁気記録再生方式を採用したハードディスクドライブに適用された公知の技術であるので、それ以上の詳細な説明は省略する。第２面１２は、第１面１１と交差される面であって、望ましくは、第１面１１と直交するが、これにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
【００１７】
センシング部３０は、抵抗領域Ｒ、ソース領域Ｓ、ドレイン領域Ｄを備える。ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとは、高濃度不純物領域である。抵抗領域Ｒは、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとの間に位置し、低濃度不純物領域である。例えば、半導体基板１０がｐ型半導体基板である場合に、抵抗領域Ｒは、ｎ−型不純物領域であり、ソース及びドレイン領域Ｓ，Ｄは、ｎ＋型不純物領域である。逆に、半導体基板１０がｎ型半導体基板である場合には、抵抗領域Ｒは、ｐ−型不純物領域であり、ソース及びドレイン領域Ｓ，Ｄは、ｐ＋型不純物領域である。ｎ型不純物としては、例えば、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）が使われ、ｐ型不純物としては、ホウ素（Ｂ）が使われる。
【００１８】
抵抗領域Ｒは、その半導体的性質によって、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとに流れる電流量を制御するゲートとして作用される。抵抗領域Ｒに作用される電場の極性によって、抵抗領域Ｒ内には、電子の蓄積または空乏が発生する。これにより、抵抗領域Ｒの抵抗は、減少するか、または増加する。
【００１９】
センシング部３０は、本体１０の第２面１２に位置する。センシング部３０、厳密には、抵抗領域Ｒは、本体１０の第１面１１から所定距離離隔されて位置する。抵抗領域Ｒの先端部３１と第１面１１との間の領域が、後述する研磨工程による抵抗領域Ｒの損傷を防止するためのバッファ部ＢＦとなる。
【００２０】
本体１０の全部または一部は、半導体基板でありうる。本体１０の一部が半導体基板である場合に、本体１０の少なくともセンシング部３０が形成される部分は、半導体基板でなければならない。半導体基板としては、例えば、シリコン単結晶半導体基板が使われる。以下で、本体１０の全体が半導体基板である場合について説明する。
【００２１】
電界記録再生ヘッド１００は、フローティングゲート４０をさらに備える。フローティングゲート４０は、導電体である。本実施形態の電界記録再生ヘッド１００によれば、センシング部３０が本体１０の第１面１１から離隔されて位置している。そのため、強誘電性記録媒体５００の電気ドメインによる電場が抵抗領域Ｒにまで及ばない可能性もある。また、及ぶとしても、その強度が低くて、抵抗領域Ｒがソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとに流れる電流量を制御するゲートとしての作用に不十分でありうる。これにより、本発明による電界記録再生ヘッド１００は、強誘電性記録媒体５００の電気ドメインによって発生する電場をセンシング部３０、厳密には、抵抗領域Ｒに案内するためのフローティングゲート４０をさらに備える。フローティングゲート４０は、抵抗領域Ｒと電気的に接続される。また、フローティングゲート４０の一端部４１は、本体１０の第１面１１にまで延びる。
【００２２】
抵抗領域Ｒがｎ−領域である場合、フローティングゲート４０と対向する記録媒体５００の電気ドメインが第１分極方向に分極されて、その表面電荷が負（−）であれば、抵抗領域Ｒの電子密度が低下して抵抗領域Ｒの抵抗値は大きくなる。それにより、抵抗領域Ｒを横切って流れる電流量は減少する。逆に、抵抗領域Ｒと対向する記録媒体５００の電気ドメインが第２分極方向に分極されて、その表面電荷が正（＋）であれば、抵抗領域Ｒの電子密度が上昇して抵抗領域Ｒの抵抗値は小さくなる。それにより、抵抗領域Ｒを横切って流れる電流量は増加する。このような電流量の変化に基づいて、記録媒体５００の表面に記録された情報を読み取れる。抵抗領域Ｒがｐ−領域である場合には、前記のものと反対に動作されるということが当業者ならば分かる。
【００２３】
フローティングゲート４０上には、書き込み電極６０が設けられる。フローティングゲート４０と書き込み電極６０との間には、絶縁層５０が介在される。書き込み電極６０は、強誘電性記録媒体５００の電気ドメインに電気的分極を誘発させて情報を記録するための電極である。書き込み電極６０を通じて、その絶対値が記録媒体５００に分極を誘発する臨界電圧の絶対値より大きい電圧が記録媒体５００に印加される。これにより、記録媒体５００の電気ドメインを第１分極方向または第２分極方向に分極させることによって、記録媒体５００に情報を記録しうる。
【００２４】
電極パッド７１，７２は、絶縁層５０を貫通してソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄとそれぞれ電気的に接続される。
【００２５】
抵抗領域Ｒは、電流量を制御するためのゲートとして機能するため、そのサイズ、特に、幅Ｗ（図４）が非常に重要である。空気軸受パターン２０を形成する工程は、本体１０の第１面１１を研磨する工程を伴う。本発明による電界記録再生ヘッド１００によれば、センシング部３０、厳密には、抵抗領域Ｒが第１面１１から離隔されて位置しているため、研磨工程によって抵抗領域Ｒが研磨されることが発生しない。したがって、抵抗領域Ｒの幅Ｗは、空気軸受パターン２０を形成する工程によって影響を受けないので、正確な幅Ｗを有する抵抗領域Ｒを形成しうる。
【００２６】
以下で、電界記録再生ヘッド１００の製造方法の一例を説明する。
【００２７】
図６Ａに示したような基板７００を準備する。本実施形態では、基板７００として、例えば、シリコンをベース物質とするｐ型半導体基板を採用した場合について説明する。図６Ａで、横線７０１と縦線７０２とによって四角形に区画された領域のそれぞれに電界記録再生ヘッド１００が設けられる。横線７０１と縦線７０２とは、電界記録再生ヘッド１００が設けられる領域を表示するための仮想の線である。次いで、図６Ｂに示したように、基板７００を横線７０１に沿って切断し、切断面７０３を研磨する。次いで、研磨面に空気軸受パターン２０を形成する。次いで、縦線７０２に沿って再び切断することによって、図２に示したような電界記録再生ヘッド１００が製造される。
【００２８】
横線７０１と縦線７０２とによって四角形に区画された領域のそれぞれに電界記録再生ヘッド１００が設けられる過程の一例を、図７Ａないし図７Ｈを参照しつつ詳細に説明する。図７Ａないし図７Ｇは、平面図とＸ−Ｘ’断面図とを共に示す。
【００２９】
図７Ａに示したように、基板７００の上面７０４に、仮想の切断面７０３から離隔された位置に第１領域７１０を画定する第１マスクＰＲ１をパターニングする。ここで、‘仮想の切断面７０３’で表現した理由は、切断工程（図６Ｂを参照）が行われていない状態であるためである。このとき、仮想の切断面７０３と第１領域７１０との距離Ｃは、切断工程（図６Ｂを参照）後に切断面７０３を研磨する過程で、第１領域７１０が研磨されないほどに設定される。これにより、第１領域７１０では、基板７００の上面７０４が露出され、第１領域７１０を除外した基板７００の上面７０４の残りの領域は、第１マスクＰＲ１によって覆われる。この工程は、例えば、フォトレジストを利用した通常のリソグラフィ法によって行われる。
【００３０】
次いで、図７Ｂに示したように、第１マスクＰＲ１をイオン注入マスクとして利用して第１領域７１０に該当する基板７００の上面７０４に不純物を低濃度に注入する。ここで、基板７００がｐ型半導体基板であるので、不純物は、ｎ型不純物である。そして、第１マスクＰＲ１を除去する。この工程によって、第１領域７１０は、低濃度不純物領域となる。
【００３１】
次いで、図７Ｃに示したように、基板７００の上面７０４に第２マスクＰＲ２をパターニングする。第２マスクＰＲ２は、第１領域７１０の少なくとも一部と、第１領域７１０と仮想の切断面７０３との間を覆う形態にパターニングされる。
【００３２】
次いで、図７Ｄに示したように、第２マスクＰＲ２をイオン注入マスクとして利用して、第２マスクＰＲ２によって覆われていない基板７００の上面７０４に不純物を高濃度に注入する。そして、第２マスクＰＲ２を除去する。それにより、基板７００の上面７０４の仮想の切断面７０３から離隔された位置に抵抗領域Ｒ、ソース領域Ｓ、及びドレイン領域Ｄを備えるセンシング部３０が形成される。
【００３３】
次いで、抵抗領域Ｒ上にフローティングゲート４０を形成する工程が行われる。センシング部３０が形成された基板７００の上面７０４に抵抗領域Ｒの上を露出させるマスク（図示せず）を形成し、露出された抵抗領域Ｒ上に金属またはその化合物などの導電物質を蒸着することにより、図７Ｅに示したように、フローティングゲート４０を形成しうる。
【００３４】
次いで、図７Ｆに示したように、フローティングゲート４０及び基板７００の上面７０４の全体に絶縁層５０を積層し、その最上面を平坦化する。
【００３５】
次いで、絶縁層５０上に書き込み電極６０を形成する工程が行われる。絶縁層５０上に書き込み電極６０が形成される領域を定義するマスク（図示せず）を形成し、露出された絶縁層５０上に金属またはその化合物などの導電物質を蒸着することによって、図７Ｇに示したように書き込み電極６０を形成しうる。
【００３６】
次いで、絶縁層５０の一部を除去してソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとを露出させ、露出された領域に金属またはその化合物などの導電物質を蒸着することによって、図７Ｈに示したように電極パッド７１，７２を形成しうる。
【００３７】
前記過程が行われた後に、図６Ｂに示したように、基板７００を横線７０１に沿って切断する。切断面７０３を、例えば、化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程を利用して研磨する。このとき、センシング部３０は、切断面７０３から離隔されて位置しているので、研磨工程によってセンシング部３０が研磨または損傷されない。抵抗領域Ｒは、図７Ａ及び図７Ｂの工程によって形成された状態を維持し、抵抗領域の幅Ｗ（図４）も同じ状態に維持される。このように、抵抗領域Ｒの幅Ｗは、第１マスクＰＲ１をパターニングする工程にのみ依存し、研磨工程には影響を受けない。第１マスクＰＲ１をパターニングする工程は、通常のリソグラフィ工程によって行われるが、抵抗領域Ｒの幅Ｗは、この工程の解像度にのみ影響を受ける。したがって、電界記録再生ヘッド１００のセンシング感度に影響を及ぼす抵抗領域Ｒの幅Ｗを非常に精密に制御しうる。
【００３８】
図８には、抵抗領域Ｒが本体１０の第１面１１に露出された形態のセンシング部３０ａを備える電界記録再生ヘッド１００ａが示されている。書き込み電極６０と抵抗領域Ｒとの間には、図面に示されていないが、絶縁層が介在される。このような形態の電界記録再生ヘッド１００ａの場合には、半導体基板７００を切断して電界記録再生ヘッド１００ａを分離した後に、切断面に空気軸受パターン２０を形成せねばならない。この場合に、切断面をＣＭＰ工程によって研磨する工程が伴われる。しかしながら、抵抗領域Ｒが本体１０の第１面１１に露出されているため、研磨工程が行われる時に抵抗領域Ｒの先端３１ａも共に研磨される。この過程で、抵抗領域Ｒが損傷される。また、抵抗領域Ｒの幅が研磨程度によって変わる。しかし、前記のように、本発明による電界記録再生ヘッド１００によれば、抵抗領域Ｒは、研磨工程に露出されていないため、損傷の危険がほとんどなく、抵抗領域Ｒの幅Ｗ（図４）も研磨工程に影響を受けず、精密に形成される。
【００３９】
研磨工程後に、研磨面に空気軸受パターン２０を形成する。空気軸受パターン２０は、当業界で周知であり、また、これらの工程は、公知のパターニング及びエッチング工程によって行われるので、ここで詳細な説明は省略する。
【００４０】
次いで、縦線７０２に沿って再び切断することによって、図２に示したような電界記録再生ヘッド１００の製造が完了する。
【００４１】
前記説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。そのため、本発明の範囲は、説明された実施形態によって決定されず、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、ＨＤＤなどの情報記録関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明による電界記録再生装置の一実施形態の構成図である。
【図２】本発明による電界記録再生ヘッドの一実施形態の斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’による断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’による断面図である。
【図５】図２に示された電界記録再生ヘッドの一実施形態を第２面に沿って切断した形態を示す図面である。
【図６Ａ】半導体基板から複数の電界記録再生ヘッドを製造する過程を簡略に示す図面である。
【図６Ｂ】半導体基板から複数の電界記録再生ヘッドを製造する過程を簡略に示す図面である。
【図６Ｃ】半導体基板から複数の電界記録再生ヘッドを製造する過程を簡略に示す図面である。
【図７Ａ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を詳細に示す図面である。
【図７Ｂ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を詳細に示す図面である。
【図７Ｃ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を詳細に示す図面である。
【図７Ｄ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を詳細に示す図面である。
【図７Ｅ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を詳細に示す図面である。
【図７Ｆ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を詳細に示す図面である。
【図７Ｇ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を詳細に示す図面である。
【図７Ｈ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を詳細に示す図面である。
【図８】抵抗領域が第１面に露出された形態の電界記録再生ヘッドの一例を示す図面である。
【符号の説明】
【００４４】
１０    本体
１１    第１面
１２    第２面
２０    空気軸受パターン
４０    フローティングゲート
５０    絶縁層
６０    書き込み電極
７１，７２    電極パッド
１００    電界記録再生ヘッド
【図１】
2009151915.tif 000003
【図２】
2009151915.tif 000004
【図３】
2009151915.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図８】
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