(57)【要約】  【課題】  ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と透明導電層との接触抵抗を小さくすることによって動作電圧が低い発光素子を提供すること。  【解決手段】  発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａと、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層２ｂと、上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域７を有する第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃと、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃ上に形成された透明導電層４とを具備している。【選択図】  図１
2009158685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層と、前記発光層上に形成された、上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域を有する第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された透明導電層とを有する発光素子。
【請求項２】
前記インジウム拡散領域はインジウムの最大組成比においてガリウムを含む請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記透明導電層は、亜鉛，インジウム，錫及びマグネシウムのうちの少なくとも１種の酸化物から成る請求項１または２記載の発光素子。
【請求項４】
第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層とを順次形成し、
次に、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層上にインジウム層及び錫−インジウム合金層を順次形成し、
次に、前記インジウム層を前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層に熱拡散させることによって、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域を形成し、
次に、前記錫−インジウム合金層を酸化することによって酸化錫インジウムから成る透明導電層を形成する発光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか記載の発光素子と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備している照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体を利用した発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）等の発光素子及び照明装置に関するものであり、更に詳細には、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子のｐ型コンタクト層の構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、紫外光領域から青色光までの光を発光する発光素子として、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体及び窒化物系半導体を用いた発光素子が注目されている。
【０００３】
このような窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子は、蛍光体と組み合わせることにより白色の光を発光することが可能であり、また省エネルギーかつ長寿命であることから、白熱電球や蛍光ランプの代替品として有望視されると共に実用化が始まっている。しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子は、蛍光灯に比較すると発光効率が低いため、更なる高効率化が求められており、そのための様々な研究が行われている。
【０００４】
従来の発光素子の一例の断面図を図２に示す。サファイア等から成る基板１１上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２ａ、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層１２ｂ及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｃを含む半導体層１２が形成されている。ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２ａの上面の露出部と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｃの上面に、それぞれｎ型電極１３及びｐ型電極１４が形成されている。ｐ型電極１４としては、発光した光に対して透明な導電層が用いられ、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｃに電流を均一に拡散させるために、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｃの上面の全面に形成される。ｎ型電極１３及びｐ型電極１４の一部には、外部から電流を注入するために、それぞれｎ型パッド電極１５、ｐ型パッド電極１６が設けられており、ワイヤーボンディングによってパッケージの配線等と接続される。
【非特許文献１】アプライド．フィジックス．レターズ．８７．０４２１０９（２００５）  （APPLIED.PHYSICS.LETTERS.87.042109(2005)）
【非特許文献２】ジャーナル．オブ．アプライド．フィジックス．１０１．０１３７１１（２００７）  （JOURNAL.OF.APPLIED.PHYSICS.101.013711(2007)）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の発光素子の問題点の一つとして、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｃとｐ型電極１４の間の高い接触抵抗が挙げられる。これは、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｃの低いホール濃度に起因する。発光素子の高輝度化、大電流密度化に伴い、高い接触抵抗による電圧降下および発熱によって動作電圧の上昇、素子特性の劣化が顕著になる。
【０００６】
非特許文献１には、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の上にｐ型電極としてガリウムインジウム酸化物層を形成し、熱処理を加えることにより接触抵抗が低減すると記載されている。熱処理によって、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のガリウムがガリウムインジウム酸化物層に拡散し、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層にガリウム欠損ができ、ガリウム欠損によりホールが発生することによってｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のホール濃度が増加し、接触抵抗が低減すると記載されている。また、ガリウムインジウム酸化物のインジウムがｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の界面で反応し、窒化インジウムもしくは窒化インジウムガリウム層が形成され、この部分のホール濃度が増加したことによっても接触抵抗が低減すると記載されている。
【０００７】
また、非特許文献２には、インジウムスズ酸化物から成るｐ型電極とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の間に、歪窒化インジウムガリウム層を挿入し、熱処理をすることによって接触抵抗が低減すると記載されている。これは、窒化インジウムガリウム層が歪むことによってピエゾ分極が発生し、従って窒化インジウムガリウム層のバンドの曲がりが起こり表面にホールが蓄積されることによって接触抵抗が低減すると記載されている。また、熱処理後にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体のガリウムがｐ型電極に拡散し、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層にガリウム欠損ができることも接触抵抗の低減に寄与していると記載されている。
【０００８】
窒化ガリウム系化合物半導体を利用した発光素子において、動作電圧低減の要求は常にあり、発光素子の高輝度化に伴い電流密度も高まっていることから、動作電圧に対する接触抵抗の影響も大きくなってきており、接触抵抗の更なる低減が求められている。
【０００９】
従って、本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の新規な構成により動作電圧がより低い発光素子、その製造方法、及び照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層と、前記発光層上に形成された、上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域を有する第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された透明導電層とを有するものである。
【００１１】
また、本発明の発光素子は好ましくは、前記インジウム拡散領域はインジウムの最大組成比においてガリウムを含む。
【００１２】
また、本発明の発光素子は好ましくは、前記透明導電層は、亜鉛，インジウム，錫及びマグネシウムのうちの少なくとも１種の酸化物から成る。
【００１３】
本発明の発光素子の製造方法は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層とを順次形成し、次に、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層上にインジウム層及び錫−インジウム合金層を順次形成し、次に、前記インジウム層を前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層に熱拡散させることによって、前記第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域を形成し、次に、前記錫−インジウム合金層を酸化することによって酸化錫インジウムから成る透明導電層を形成するものである。
【００１４】
本発明の照明装置は、上記本発明の発光素子と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備しているものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層と、発光層上に形成された、上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域を有する第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された透明導電層とを有することから、インジウム拡散領域において、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層との格子不整合による結晶性低下を抑えつつ、インジウム組成を従来より高めることができ、これにより透明導電層とのコンタクト抵抗（接触抵抗）を低減することが可能となり、従って発光素子の動作電圧の低減が可能となる。
【００１６】
また、本発明の発光素子は好ましくは、インジウム拡散領域はインジウムの最大組成比においてガリウムを含むことから、インジウム拡散領域のバンドギャップを光透過率に影響が出ない程度まで大きくすることができ、発光層より発光した光がインジウム拡散領域を通して外部に十分放出される。その結果、光の発光素子表面からの取り出しが可能となる。
【００１７】
また、本発明の発光素子は好ましくは、透明導電層は、亜鉛，インジウム，錫及びマグネシウムのうちの少なくとも１種の酸化物から成ることから、インジウム拡散領域を通して射出された光が透明導電層で吸収されること無く、発光素子の表面から取り出すことができる。
【００１８】
本発明の発光素子の製造方法は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層とを順次形成し、次に、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層上にインジウム層及び錫−インジウム合金層を順次形成し、次に、インジウム層を第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層に熱拡散させることによって、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域を形成し、次に、錫−インジウム合金層を酸化することによって酸化錫インジウムから成る透明導電層を形成することから、インジウム拡散領域及び透明導電層をそれぞれ形成せずに、熱拡散及び酸化処理によってインジウム層及び錫−インジウム合金層の組成を変化させて連続的に形成することができる。
【００１９】
また、インジウム層を第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層に熱拡散させることによって、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の形成後の大気中で必然的に形成される、接触抵抗を増加させる要因となる第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のガリウム自然酸化膜を、インジウムの熱拡散の過程で還元し、除去することができる。
【００２０】
また、錫−インジウム合金層を酸化することによって、熱処理雰囲気を変更するだけで連続的に酸化錫インジウムから成る透明導電層を形成することができる。
【００２１】
また、インジウム層および錫−インジウム合金層を酸化することによって、インジウム拡散領域の表面を大気に曝すこと無く透明導電層を形成できるため、大気暴露によるコンタミの付着及び自然酸化膜の形成を抑制できるとともに、透明導電層とインジウム拡散領域との密着性を高めることができる。
【００２２】
本発明の照明装置は、上記本発明の発光素子と、発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備していることから、従来の窒化ガリウム系発光素子よりも動作電圧が低く、従ってより発光効率の高い照明装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本実施の形態の発光素子について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で変更、改良等を施すことは何ら差し支えない。
【００２４】
図１は、本実施の形態の発光素子（発光ダイオード：ＬＥＤ）について一例を示す模式的な断面図である。図１において、１はサファイア等から成る基板、２は窒化ガリウム系化合物半導体層を複数層積層して成る半導体層（積層体）であり、２ａは第１導電型（ｎ型）窒化ガリウム系化合物半導体層、２ｂは窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層、２ｃは上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域７を有する第２導電型（ｐ型）窒化ガリウム系化合物半導体層である。
【００２５】
３は第１導電型電極（ｎ型電極）、４は透明導電層である第２導電型電極（ｐ型電極）である。ｎ型電極３の上面及びｐ型電極４の上面の一部には、外部から電流を注入するために、それぞれｎ型パッド電極５、ｐ型パッド電極６が設けられており、ワイヤーボンディングによって外部のパッケージの配線等と接続される。
【００２６】
本実施の形態の発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａと、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体２ａ上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層２ｂと、発光層２ｂ上に形成された、上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域７を有する第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃと、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃ上に形成された透明導電層４とを有する。
【００２７】
この構成により、インジウム拡散領域７において、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃとの格子不整合による結晶性低下を抑えつつ、インジウム組成を従来より高めることができ、これにより透明導電層４とのコンタクト抵抗（接触抵抗）を低減することが可能となり、従って発光素子の動作電圧の低減が可能となる。
【００２８】
インジウム拡散領域７の厚みは１ｎｍ〜１０ｎｍが好ましい。１ｎｍ〜１０ｎｍとすることにより、インジウムの組成の傾斜を付け易い十分な厚みとし、また、厚みが増加することによってインジウム拡散領域７での光の吸収量が増加し光の取り出し効率が低下することを抑制することができる。
【００２９】
インジウム拡散領域７のインジウム組成比をｘとしたときｘは０≦ｘ＜１が好ましい。コンタクト層の最下層部ではｘ＝０であるが、最上層部においてｘ＝１となると光の吸収量が大きくなるため光の取り出し効率の低下が大きくなる。従って、インジウム拡散領域７はインジウムの最大組成比（インジウム拡散領域７の最上層部）においてガリウムを含む（ｘ＜１）ことがよい。
【００３０】
透明導電層４の材質は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ），酸化錫（ＳｎＯ２），酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物系のものが使用できるが、これらの中では特に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は紫外光から青色光に対して高い透過率を有するため好ましい。さらに、本実施の形態の製造方法を用いる事によって、インジウム拡散領域７の形成と透明導電層４の形成を一連の熱処理工程で形成することができ、インジウム拡散領域７を形成した後に別途透明導電層４を成膜する場合と比較して、工程の簡略化が可能となるため、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が好ましい。透明導電層４は、最初に錫−インジウム合金層を電子ビーム蒸着法を用いて形成することが、コンタクト層に窒素欠陥の誘発等のダメージを与えないため好ましい。
【００３１】
本実施の形態の発光素子の製造方法は、図１に示すように、サファイア等から成る基板１上に、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａと、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層２ｂと、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃとを順次形成し、次に、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃ上にインジウム層及び錫−インジウム合金層を順次形成し、次に、インジウム層を第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃに熱拡散させることによって、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃの上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域７を形成し、次に、錫−インジウム合金層を酸化することによって酸化錫インジウムから成る透明導電層４を形成する。
【００３２】
この構成により、インジウム拡散領域７及び透明導電層４をそれぞれ形成せずに、熱拡散及び酸化処理によってインジウム層及び錫−インジウム合金層の組成を変化させて連続的に形成することができる。
【００３３】
また、インジウム層を第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃに熱拡散させることによって、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃの形成後の大気中で必然的に形成される、接触抵抗を増加させる要因となる第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のガリウム自然酸化膜を、インジウムの熱拡散の過程で還元し、除去することができる。
【００３４】
また、錫−インジウム合金層を酸化することによって、熱処理雰囲気を変更するだけで連続的に酸化錫インジウムから成る透明導電層４を形成することができる。
【００３５】
また、インジウム層および錫−インジウム合金層を酸化することによって、インジウム拡散領域７の表面を大気に曝すこと無く透明導電層４を形成できるため、大気暴露によるコンタミの付着及び自然酸化膜の形成を抑制できるとともに、透明導電層４とインジウム拡散領域７との密着性を高めることができる。
【００３６】
インジウム拡散領域７を形成するための熱拡散時の温度は、５００℃〜１０００℃が好ましい。５００℃〜１０００℃とすることによって、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃ中へのインジウムの拡散速度が十分なものとなり、また、温度が高すぎることによって、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃ中の窒素が蒸発し、結晶の劣化が起こると共に発光層２ｂの窒化インジウムガリウム量子井戸のインジウムの拡散が顕著になり、発光波長が変化し、内部量子効率が低下し易くなるのを抑制することができる。
【００３７】
熱拡散時の温度５００℃〜１０００℃の保持時間は数分程度である。
【００３８】
次に熱処理のための雰囲気ガスに酸素ガスを導入し、錫−インジウム合金層を酸化することにより、酸化錫インジウムから成る透明導電層４を形成する。
【００３９】
酸化時の温度は５００℃〜６００℃が好ましい。５００℃〜６００℃とすることにより、錫、インジウムの酸化反応に要する時間を短くし、また、温度が高すぎることによる第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃの表面の酸化を抑制することができる。
【００４０】
酸化時の温度５００℃〜６００℃の保持時間は３分〜１０分程度がよい。３分〜１０分程度とすることにより、窒化ガリウム系化合物半導体層の酸化を防ぎ、錫−インジウム合金層のみ酸化できる。
【００４１】
半導体層２は、サファイア，ＳｉＣ等から成る基板１上に、窒化ガリウム層等の窒化ガリウム系化合物半導体層から成るバッファ層を介して、エピタキシャル成長される。半導体層２は、発光層２ｂを、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａとｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃとで挟んだ構成であるが、例えば、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａは、第１のｎ型クラッド層としてのＧａＮ層、第２のｎ型クラッド層としてのＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層の積層体等からなる。ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａの厚みは２μｍ〜３μｍ程度である。
【００４２】
また、例えば、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃは、第１のｐ型クラッド層としてのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層、第２のｐ型クラッド層としてのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層、ｐ型コンタクト層としてのＧａＮ層の積層体等からなる。ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃの厚みは２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。
【００４３】
また、例えば、発光層２ｂは、禁制帯幅の広い障壁層としてのＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎ層と、禁制帯幅の狭い井戸層としてのＩｎ0.11Ｇａ0.89Ｎ層とを、交互に例えば３回繰り返し規則的に積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Mulitiple Quantum Well）等からなる。発光層２ｂの厚みは２５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００４４】
ｎ型電極３の材質は、発光層２ｂから発生した光を損失なく反射し、かつｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａと良好なオーミック接続がとれるものがよい。そのような材質のものとしては、例えばアルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），錫（Ｓｎ），モリブデン（Ｍｏ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），ニオブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｖ），白金（Ｐｔ），鉛（Ｐｂ），ベリリウム（Ｂｅ），酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3），金−シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）合金，金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）合金，金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）合金，金−ベリリウム（Ａｕ−Ｂｅ）合金等を用いればよい。これらの中でも、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）は、発光層２ｂが発光する青色光（波長４５０ｎｍ）〜紫外光（波長３５０ｎｍ）の光に対して反射率が高いので好適である。また、アルミニウム（Ａｌ）はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａとのオーミック接合の点でも特に好適である。また、上記材料の中から選択した層を複数層積層したものとしても構わない。
【００４５】
また、ｎ型電極３及び透明導電層４上には、それぞれ外部との電気的接続をとるための導線等を接続するｎ側パッド電極５とｐ側パッド電極６が設けられている。両電極は、例えばチタン（Ｔｉ）層、またはチタン（Ｔｉ）層を下地層として金（Ａｕ）層を積層したものを用いればよい。
【００４６】
また、本実施の形態の上記の発光素子（ＬＥＤ）は次のように動作する。即ち、発光層２ｂを含む半導体層２にバイアス電流を流して、発光層２ｂで波長３５０〜４００ｎｍ程度の紫外光〜近紫外光や紫光を発生させ、発光素子の外側にその紫外光〜近紫外光や紫光を取り出すように動作する。
【００４７】
なお、上記の実施の形態においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたが、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としてもよい。
【００４８】
また、本実施の形態の発光素子は照明装置に適用できるものであり、その照明装置は、本実施の形態の発光素子と、発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備している構成である。この構成により、従来と比較して動作電圧の低い照明装置を得ることができる。この照明装置は、発光素子を透明樹脂等で覆うか内包するようにし、その透明樹脂等に蛍光体や燐光体を混入させた構成とすればよく、蛍光体や燐光体によって発光素子の紫外光〜近紫外光を白色光等に変換するものとすることができる。また、集光性を高めるために透明樹脂等に凹面鏡等の光反射部材を設けることもできる。このような照明装置は、従来の蛍光灯等よりも消費電力が小さく、小型であることから、小型で高輝度の照明装置として有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施の形態の発光素子の一例を示す断面図である。
【図２】従来の発光素子の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１：基板
２：半導体層
２ａ：第１導電型（ｎ型）窒化ガリウム系化合物半導体層
２ｂ：発光層
２ｃ：第２導電型（ｐ型）窒化ガリウム系化合物半導体層
４：透明導電層
７：インジウム拡散領域
【図１】
2009158685.tif 000003
【図２】
2009158685.tif 000004