(57)【要約】【課題】トップハーフ型の多階調フォトマスクにおける遮光膜及び半透光膜の形状精度を高め、かつ膜構成を簡単にする。【課題を解決するための手段】  本発明に係る多階調フォトマスク２７は、透明基板２１上に形成され、露光光の一部を透過させる半透光部Ａ、露光光の全部を遮光する遮光部Ｂと、露光光の全部を透過させる透光部Ｃとを含んでいる。そして、遮光部Ｂは、少なくとも２層の遮光膜のパターン２３ａ，２４ａが上下に積層された積層構造による遮光膜のパターンを有している。上層遮光膜のパターン２４ａの材質は、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、下層遮光膜のパターン２３ａの材質は、鉄又は鉄を含む金属で構成され、透明基板２１の一部及び上層遮光膜２４のパターンの表面に半透光膜のパターン２２ａが設けられている。【選択図】  図４
2009258504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板（２１）と、前記透明基板上に形成され、露光光に対して遮光性を具備する遮光膜（２３、２４）とを含み、
前記遮光膜は、２層の遮光膜が上下に積層された積層構造を有し、
上層遮光膜（２４）の材質が、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、
下層遮光膜（２３）の材質が、鉄又は鉄を含む金属で構成されることを特徴とする多階調マスクブランクス（２０）。
【請求項２】
請求項１記載の多階調マスクブランクスの表面に第１の感光性樹脂膜（２５）を塗布する工程と、前記第１の感光性樹脂膜に対して第１のパターンを露光する工程と、前記第１の感光性樹脂膜を現像して第１の感光性樹脂膜のパターン（２５ａ）を形成する工程と、前記第１の感光性樹脂膜のパターンをエッチングマスクとして前記上層遮光膜をエッチングして上層遮光膜のパターン（２４ａ）を形成する工程と、前記上層遮光膜のパターンをエッチングマスクとして前記下層遮光膜をエッチングして下層遮光膜のパターン（２３ａ）を形成する工程と、前記第１の感光性樹脂膜のパターンを除去する工程とを含む遮光膜のパターニング工程と、
前記遮光膜のパターニング工程の後、遮光膜のパターン（２４ａ、２３ａ）を含む前記透明基板の表面全体に半透光膜（２２）を堆積する工程と、
前記透明基板の表面に第２の感光性樹脂膜（２６）を塗布する工程と、前記第２の感光性樹脂膜に対して第２のパターンを露光する工程と、前記第２の感光性樹脂膜を現像して第２の感光性樹脂膜のパターン（２６ａ）を形成する工程と、前記第２の感光性樹脂膜のパターンをエッチングマスクとして前記半透光膜をエッチングして半透光膜のパターン（２２ａ）を形成する工程と、前記第２の感光性樹脂膜のパターンを除去する工程とを含む半透光膜のパターニング工程と、
を含むことを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。
【請求項３】
透明基板（２１）上に、露光光の一部を透過させる半透光部（Ａ）、露光光の全部を遮光する遮光部（Ｂ）と、露光光の全部を透過させる透光部（Ｃ）とを含み、
前記遮光部は、少なくとも２層の遮光膜のパターン（２３ａ，２４ａ）が上下に積層された積層構造による遮光膜のパターンを有し、
上層遮光膜のパターン（２４ａ）の材質は、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、
下層遮光膜のパターン（２３ａ）の材質は、鉄又は鉄を含む金属で構成され、
前記透明基板の一部及び前記上層遮光膜のパターンの表面に、半透光膜のパターン２２ａが設けられていることを特徴とする多階調フォトマスク（２７）。
【請求項４】
前記半透光膜のパターン（２２ａ）の材質は、クロム又は、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロムその他のクロムを含む金属化合物で構成されることを特徴とする請求項３記載の多階調フォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トップハーフ型の多階調フォトマスク等に関し、特に、遮光膜の材質及び構造に特徴を有する多階調フォトマスク、及び多階調マスクブランクス等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
「多階調フォトマスク」は、一般に、半透光膜の透過率に応じた量の光を透過させる半透光部Ａと、遮光膜によって光を全く透過させない遮光部Ｂと、透明基板が露出した透光部Ｃとで構成される。
【０００３】
多階調フォトマスク及びこれを製造するための多階調マスクブランクスは、透明基板上に形成される遮光膜と半透光膜の積層構成によって、「ボトムハーフ型」と「トップハーフ型」とに大別される。このうち、トップハーフ型とは、半透光膜が遮光膜の上側に設けられる構造であり、透明基板上に、「遮光膜」が堆積された構造を有するマスクブランクスを出発材料として、２度のフォトリソグラフィ工程により、製造される。その製造工程においては、感光性樹脂膜をエッチングパターンとして、遮光膜及び半透光膜の層をそれぞれ所望のパターンにエッチングし、遮光部、半透光部及び透光部を順次形成する。
【０００４】
従来のトップハーフ型の多階調マスクブランクスを用いた多階調フォトマスクの製造方法は、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされた感光性樹脂膜をエッチングマスクとして、まず遮光膜をエッチングし、次いで、感光性樹脂膜を除去した後、半透光膜を堆積し、再びフォトリソグラフィ工程によって半透光膜をパターニングすることによって形成されていた（特許文献１、２等参照）。
【０００５】
図５は、従来のトップハーフ型の多階調フォトマスクの構造及び使用態様を示す図である。（従来の）多階調フォトマスク１２７は、半透光部Ａと、遮光部Ｂと、透光部Ｃと、を含み、透明基板１２１上に、半透光膜のパターン１２２ａと、遮光膜のパターン１２３ａが設けられている。
【０００６】
このように、従来のトップハーフ型の多階調フォトマスク１２７は、遮光膜のパターンを形成した後で半透光膜を形成するため、遮光膜のパターン１２３ａの上部には、半透光膜のパターン１２２ａが残置する構造であった。また、遮光膜と半透光膜の代表的な組み合わせは、例えばクロム膜と酸化クロム膜のように、同一金属元素を含むものが用いられることが一般的であった。
【０００７】
ところで、遮光膜と半透光膜にクロム膜と酸化クロム膜が用いられた場合、クロム膜は相対的に高い反射率を有する一方、酸化クロム膜は相対的に低い反射率を有するという特徴を備えている。
【０００８】
そのため、従来の多階調フォトマスク１２７に強度Ｉ１の露光光を入射した時、多階調フォトマスク１２７は、被露光対象となる基板１２８側の表面から強度Ｉ２の反射光を受ける。その場合、多階調フォトマスク１２７の表面で再度反射が起こり、強度Ｉ３の再反射光が基板１２８側に戻ることになる。
【０００９】
もし、再反射光の強度Ｉ３が大きいと、被露光対象となる基板１２８側の表面には感光性樹脂膜が塗布されているため、露光不良が起こることになる。しかし、図５に示すように、反射率の高い遮光膜のパターン１２３ａの表面に反射率の低い半透光膜１２２ａが設けられていると、最表面の半透光膜のパターン１２２ａによって再反射光の強度Ｉ３を小さくすることができ、すなわち、式（１）により表される関係が成立する。
【００１０】
Ｉ１＞Ｉ２ ≫Ｉ３    ・・・（１）
【００１１】
このように、トップハーフ型の多階調フォトマスクでは、最表面の半透光膜の作用により、再反射光の強度Ｉ３が小さく抑えられることによって、本来的に多階調フォトマスク表面での再反射に起因する露光不良を大幅に軽減することができる。
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−１８００１号公報
【特許文献２】特開２００７−２６４５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従来のトップハーフ型の多階調フォトマスクの製造方法には、以下に示す２つの問題があった。１つは、各層をエッチングする際に、感光性樹脂膜をエッチングマスクとして用いるため、エッチング中に感光性樹脂膜のパターンエッジが変形して、遮光膜のパターンや半透光膜のパターンに、本来望まれるパターン形状とは異なる「パターン不良」が発生しやすく、所望の形状精度が得られにくいという問題である。
【００１４】
他の１つは、トップハーフ型の多階調フォトマスクでは、遮光膜の上層に半透光膜が形成され、この膜が反射防止膜としての機能を有しているが、従来以上に低反射率の多階調フォトマスクが必要とされ、従来の半透光膜では反射防止効果が十分でないという問題である。
【００１５】
すなわち、従来のトップハーフ型の多階調マスクブランクスでは、パターンエッジ形状不良が起こりやすいという基本的な問題に加えて、遮光膜の上層に残置される低反射率の半透光膜が十分に反射防止機能を有していないという問題が起こりつつある。
【００１６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、半透光膜の透過率に応じた量の光を透過させる半透光部と、遮光膜によって光を全く透過させない遮光部と、透明基板が露出した透光部とで構成される多階調フォトマスクにおいて、遮光膜及び半透光膜のパターン鮮鋭化を図り、さらに、従来よりも低反射率の多階調フォトマスクとその製造方法及びマスクブランクスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る多階調マスクブランクス２０は、透明基板２１と、前記透明基板上に形成され、露光光に対して遮光性を具備する遮光膜２３、２４とを含み、
前記遮光膜は、２層の遮光膜が上下に積層された積層構造を有し、
上層遮光膜２４の材質が、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、
下層遮光膜２３の材質が、鉄又は鉄を含む金属で構成されることを特徴とする。
【００１８】
上記構成では、チタンと鉄の積層膜は、露光光に対して高い遮光性を有すると共に、チタンと鉄とは異なるエッチング特性を有するため、高いエッチング選択性を有する。さらに、上層遮光膜であるチタンの反射率は、銀、アルミニウム、クロムなど他の金属と比較して低いため、それ自体が反射防止膜としての機能を有する。このため、チタン又はチタンを含む金属を上層遮光膜とすることにより、上層遮光膜の更に上層に設けられる半透光膜の表面の、反射防止効果がより高められる。
【００１９】
なお、上層遮光膜の表面に酸化皮膜が形成されていてもよい。酸化皮膜は自然酸化により形成されるものであるが、チタンの自然酸化膜は露光光に対し十分な透過性があり、しかも極めて膜厚も薄いため、遮光性に悪影響を与えないだけでなく、表面に親水性を付与するという好ましい作用をもたらす。したがって、成膜後の洗浄工程やフォトレジスト塗布工程において、表面濡れ性が向上し、表面欠陥の発生を低減することができる。
【００２０】
本発明に係る多階調フォトマスクの製造方法は、
上記の多階調マスクブランクスの表面に第１の感光性樹脂膜２５を塗布する工程と、前記第１の感光性樹脂膜に対して第１のパターンを露光する工程と、前記第１の感光性樹脂膜を現像して第１の感光性樹脂膜のパターン２５ａを形成する工程と、前記第１の感光性樹脂膜のパターンをエッチングマスクとして前記上層遮光膜をエッチングして上層遮光膜のパターン２４ａを形成する工程と、前記上層遮光膜のパターンをエッチングマスクとして前記下層遮光膜をエッチングして下層遮光膜のパターン２３ａを形成する工程と、前記第１の感光性樹脂膜のパターンを除去する工程とを含む遮光膜のパターニング工程と、
前記遮光膜のパターニング工程の後、遮光膜のパターン２４ａ、２３ａを含む前記透明基板の表面全体に半透光膜２２を堆積する工程と、
前記透明基板の表面に第２の感光性樹脂膜２６を塗布する工程と、前記第２の感光性樹脂膜に対して第２のパターンを露光する工程と、前記第２の感光性樹脂膜を現像して第２の感光性樹脂膜のパターン２６ａを形成する工程と、前記第２の感光性樹脂膜のパターンをエッチングマスクとして前記半透光膜をエッチングして半透光膜のパターン２２ａを形成する工程と、前記第２の感光性樹脂膜のパターンを除去する工程とを含む半透光膜のパターニング工程と、
を含むことを特徴とする。
【００２１】
上記の製造方法によると、下層遮光膜のパターンを形成する場合には、所要のフォトレジストパターンに加えて上層遮光膜が対エッチングパターンとして作用して下層遮光膜がエッチングされるため、下層遮光膜のパターンのエッジがくっきりと形成され、パターン不良が発生しにくくなる。また、この構造では、上層遮光膜のパターンが、それ自体で反射防止膜としての機能を有している。これは、上層遮光膜であるチタンの反射率が、銀、アルミニウム、クロムなど他の金属と比較して低いためである。このため、チタン又はチタンを含む金属を、上層遮光膜とすることにより、上層遮光膜の表面に設けられる低反射率の半透光膜による反射防止効果がより高められる。
【００２２】
本発明に係る多階調フォトマスク２７は、
透明基板２１上に、露光光の一部を透過させる半透光部Ａ、露光光の全部を遮光する遮光部Ｂと、露光光の全部を透過させる透光部Ｃとを含み、
前記遮光部は、少なくとも２層の遮光膜のパターン２３ａ，２４ａが上下に積層された積層構造による遮光膜のパターンを有し、
上層遮光膜のパターン２４ａの材質は、チタン又はチタンを含む金属で構成されると共に、
下層遮光膜のパターン２３ａの材質は、鉄又は鉄を含む金属で構成され、
前記透明基板の一部及び前記上層遮光膜のパターンの表面に、半透光膜のパターン２２ａが設けられていることを特徴とする。
【００２３】
前記半透光膜のパターン２２ａの材質は、例えば、クロム又は、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロムその他のクロムを含む金属化合物など上層遮光膜との間にエッチング選択比を大きくとることができるもので構成されることが好ましい。
【００２４】
前記遮光膜の膜厚は、上層遮光膜と下層遮光膜の単独では十分な遮光性を有しない膜厚であっても、上下層を重ねることによって露光光に対する遮光率が必要な値を示すものであればよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る多階調マスクブランクスにより得られる多階調フォトマスクは、下層遮光膜のパターンのエッジがくっきりと形成され、パターン不良が発生しにくい。また、反射防止膜としての機能を有する半透光膜の下層に、低反射率の遮光膜が設けられているため、多階調フォトマスク全体として、反射率を十分に小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る多階調マスクブランクスの概略断面図である。多階調マスクブランクス２０は、透明基板２１上に、露光光に対して遮光性を具備する上下２層の遮光膜を順次堆積した積層構造を有する。図１に示すように、遮光膜は、下層遮光膜２３と、上層遮光膜２４とからなる積層構造を有している。
【００２７】
遮光膜を構成する下層遮光膜２３の材質は、例えば、厚さ４０ｎｍの鉄（Ｆｅ）であり、上層遮光膜２４は、例えば、厚さ４０ｎｍのチタン（Ｔｉ）である。チタン及び鉄は、いずれもスパッタリング法等の既知の方法により形成することができるが、成膜方法は特に限定されない。
【００２８】
また、上層遮光膜２４の材質は、チタンに代えてチタンを主成分とする合金等（以下、チタンを含めて「チタン系金属」という。）であってもよい。また、下層遮光膜２２の材質は、鉄に代えて鉄を主成分とする合金等（以下、鉄を含めて「鉄系金属」という。）であってもよい。
【００２９】
第１の実施形態に係る多階調マスクブランクス２０は、上層遮光膜２４に反射率の低いチタン系金属膜が用いられているので、上層遮光膜自体が反射を防止することができる。
【００３０】
多階調マスクブランクス２０を出発材料として最終的に製造される多階調フォトマスクの構造は、上層遮光膜２４の更に上層に半透光膜が設けられた状態となり、最上層の半透光膜の表面が反射防止効果を有するが、上層遮光膜２４と半透光膜の積層構造によって、反射防止効果が高められ、多階調フォトマスク全体として従来よりも低反射率を実現することができる。
【００３１】
なお、上層遮光膜２４の材質は、チタン系金属であればチタンに限らない。また、下層遮光膜２２の材質は、鉄系金属であれば鉄に限らない。
【００３２】
（第２の実施形態）
図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ｅ）〜（ｈ）は、第１の実施形態に係る多階調マスクブランクス（図１）を用いた多階調フォトマスクの製造方法を示す各工程の概略断面図である。このうち、図２に示す各工程は、多階調フォトマスクにおける遮光膜のパターン形成工程（これを「遮光膜のパターニング工程」という。）を示し、図３に示す各工程は、多階調フォトマスクにおける半透光膜のパターン形成工程（これを「半透光膜のパターニング工程」という。）を示している。
【００３３】
図２（ａ）は、図１に示す多階調マスクブランクス２０と同一構造の多階調マスクブランクスを示している。
【００３４】
図２（ｂ）は、多階調マスクブランクス２０の表面に感光性樹脂膜２５を塗布膜形成装置により塗布し、遮光膜のパターンを露光した状態を示している。
【００３５】
図２（ｃ）は、遮光膜のパターンを露光した後で現像を行うことによって遮光膜形成用のフォトジスト膜のパターン２５ａを形成し、更に、感光性樹脂膜のパターン２５ａをエッチングマスクとして上層遮光膜２４をエッチングすることにより、上層遮光膜のパターン２４ａを形成した状態を示している。上層遮光膜２４の材質は、チタン系の金属膜であることから、上層遮光膜２４は、例えば、過硫酸塩とフッ化物を混合したエッチング液により、ウエットエッチングされる。このエッチング液は、下層遮光膜２３である鉄系金属膜に対して高いエッチング選択性を有する。また、感光性樹脂膜のパターン２５ａは、少なくとも上層遮光膜２４をエッチングできる程度の膜厚でよく、しかも、ウエットエッチングは感光性樹脂膜に対して高いエッチング選択性を有するので、極めて高い形状精度で上層遮光膜のパターン２４ａが形成される。
【００３６】
図２（ｄ）は、上層遮光膜のパターン２４ａをエッチングマスクとして下層遮光膜２３をエッチングし、その後感光性樹脂膜のパターン２５ａを除去した状態を示している。なお、感光性樹脂膜のパターン２５ａを除去するタイミングは、下層遮光膜２３のエッチング前後を問わない。感光性樹脂膜のパターン２５ａを、下層遮光膜２３のエッチング後に除去する場合は、上層遮光膜のパターン２４ａの上部に感光性樹脂膜のパターン２５ａが残っているので、感光性樹脂膜のパターン２５ａと上層遮光膜のパターン２４ａの両方を下層遮光膜２３をエッチングするためのエッチングマスクとする。
【００３７】
下層遮光膜２３の材質は、鉄系金属膜であることから、下層遮光膜２３は、所定の濃度、例えば、比重３８〜４２ボーメ度の塩化第二鉄エッチング液により、ウエットエッチングされ、下層遮光膜のパターン２３ａが形成される。このエッチング液は、上層遮光膜に対して高いエッチング選択性を有する。したがって、上層遮光膜のパターン２４ａを、極めてエッチング耐性に優れた対エッチングパターンとして使用して、下層遮光膜２３がエッチングされる。したがって、くっきりとしたエッジを有する下層遮光膜のパターン２３ａが形成される。すなわち、極めて高い形状精度で遮光膜のパターン（２４ａ、２３ａ）が透明基板２１上に形成される。以上の工程により、遮光膜のパターニング工程が終了する。
【００３８】
なお、上述の通り感光性樹脂膜の負荷は小さくエッチングパターンの形状精度は従来よりも高い。
【００３９】
図３（ｅ）は、遮光膜のパターン（２４ａ、２３ａ）を含む透明基板の表面に半透光膜２２を堆積した状態を示している。半透光膜２２の材質は、透過率が透明基板と遮光膜の中間の値を示す既知の膜、例えば、厚さ約２０ｎｍの酸化クロム（ＣｒＯｘ）であり、露光光の一部を通過することができる。半透光膜２２の材質は、酸化クロムに代えて、他の材料であってもよい。例えば、膜厚の薄いクロムや、窒化クロム、酸窒化クロムその他のクロムを含む金属化合物等が考えられる。  
【００４０】
図３（ｆ）は、半透光膜２２を形成した透明基板２１の表面に、感光性樹脂膜２６を塗布膜形成装置により塗布し、半透光膜のパターンを露光した状態を示している。ここでは、透明基板を露出させる部分に露光光を照射している。
【００４１】
図３（ｇ）は、感光性樹脂膜２６に半透光膜のパターンを露光した後で現像を行って半透過膜のパターン形成用の感光性樹脂膜のパターン２６ａを形成した状態を示している。
【００４２】
半透光膜２２の材質は、酸化クロム（ＣｒＯｘ）等であることから、半透光膜２２は、例えば、硝酸第二セリウムアンモニア水溶液により、ウエットエッチングされる。半透光膜２２の膜厚は非常に薄いため、感光性樹脂膜２６をマスクとして容易に半透光膜がエッチングされ、透明基板を選択的に露出させることによって、半透光膜のパターン２２ａが形成される。
【００４３】
図３（ｈ）は、最終的に得られる多階調フォトマスク２７の構造断面図であり、半透光膜のパターン形成後、感光性樹脂膜のパターン２６ａを除去した状態を示している。なお、半透光膜が残っていてもその下層に遮光膜がある部分は、遮光部となる。以上の工程により、半透光膜のパターニング工程が終了する。
【００４４】
従来は遮光膜のエッチングに際して感光性樹脂膜をエッチングマスクとしていたため、必要な厚みの遮光膜をエッチングしていく過程でレジストパターンエッジの変形が問題となっていた。しかし、本発明に係る多階調マスクブランクスを用いると、所要のフォトレジストパターンに加えて上層遮光膜のパターン２４ａが、対エッチングパターンとしての役割を果たすと共に、下層遮光膜のパターン２３ａと併せて「遮光膜パターン」を構成し、かつ両者が異なるエッチング特性を有するため、それぞれの膜厚を薄くすることが可能となる。すなわち、上層遮光膜と下層遮光膜の両方を重ねた遮光膜の遮光率が必要な値を示すものであればよい。
【００４５】
さらに、上層遮光膜２４の材質が低反射率のチタンであるため、反射防止膜としての機能を有する半透光膜と、もともと低反射率である上層遮光膜とが相俟って、全体としての反射率も小さく抑えることができる。
【００４６】
図４は、本発明に係る多階調フォトマスクの構造及び使用態様を示す図である。多階調フォトマスク２７は、半透光部Ａと、遮光部Ｂと、半透光部Ｃとを含み、透明基板２１上に、遮光膜のパターン２３ａ、２４ａと半透光膜のパターン２２ａとが設けられている。
【００４７】
そして、多階調フォトマスク２７に強度Ｉ１の露光光を入射した時、多階調フォトマスク２７は、被露光対象となる基板２８側の表面から強度Ｉ２の反射光を受ける。その場合、フォトマスク２７の表面で再度反射が起こり、強度Ｉ３の再反射光が基板２８側に戻ることになる。
【００４８】
被露光対象となる基板２８側の表面には、感光性樹脂膜が塗布されているが、多階調フォトマスク２７の表面には反射率の低い金属膜であるチタン系金属で構成される上層遮光膜のパターン２４ａと、反射防止膜としての機能を有する半透光膜のパターン２２ａとが設けられているため、再反射光の強度Ｉ３を十分に抑えることができ、露光不良を防止することができる。すなわち、上述した式（１）により表される関係（すなわち、Ｉ１＞Ｉ２ ≫Ｉ３）が成立する。
【００４９】
このように、再反射光の強度Ｉ３が小さく抑えられることによって、多階調フォトマスクによる再反射に起因する露光不良を大幅に軽減することができる。 
【００５０】
なお、上層遮光膜が単体のチタンである場合、単体のチタンは、常温においては表面が自然酸化による極めて薄い透明な酸化皮膜で覆われて不動態を形成する。このため、結果的に、微視的には上層遮光膜の表面に酸化皮膜が形成されているとしても、遮光性には一切影響がない。
【００５１】
さらに好ましいことに、酸化皮膜は多階調フォトマスク２７の表面に親水性を付与する。したがって、成膜後の洗浄工程やフォトレジスト塗布工程において、表面濡れ性が向上し、洗浄やフォトレジスト塗布工程に起こりやすい表面欠陥の発生を低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、トップハーフ型の多階調フォトマスクの製造に関して、遮光膜のパターニング工程における形状精度を向上させ、また従来よりも低反射率の多階調フォトマスクを提供することができる点で、産業上の利用可能性は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る多階調マスクブランクスの概略断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る多階調マスクブランクス（図１）を用いた多階調フォトマスクの製造方法を示す各工程の概略断面図である。
【図３】（ｅ）〜（ｈ）は、第１の実施形態に係る多階調マスクブランクス（図１）を用いた多階調フォトマスクの製造方法を示す各工程の概略断面図である。
【図４】本発明に係る多階調フォトマスクの構造及び使用態様を示す図である。
【図５】従来のトップハーフ型の多階調フォトマスクの構造及び使用態様を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
２０  多階調マスクブランクス（トップハーフ型）
２１  透明基板
２２  半透光膜
２２ａ  半透光膜のパターン
２３  下層遮光膜（鉄）
２３ａ  下層遮光膜のパターン
２４  上層遮光膜（チタン）
２４ａ  上層遮光膜のパターン
２５  第１の感光性樹脂膜
２５ａ  第１の感光性樹脂膜のパターン
２６  第２の感光性樹脂膜
２６ａ  第２の感光性樹脂膜のパターン
２７  多階調フォトマスク
２８  被露光対象となる基板
１２１  透明基板
１２２ａ  半透光膜のパターン
１２３ａ  遮光膜のパターン
１２７  （従来の）多階調フォトマスク
１２８  被露光対象となる基板
１２０ａ  エッチングストッパー膜のパターン
１２１ａ  反射防止膜のパターン
Ａ  半透光部
Ｂ  遮光部
Ｃ  透光部
Ｉ１〜Ｉ３  光の強度
【図１】
2009258504.tif 000003
【図２】
2009258504.tif 000004
【図３】
2009258504.tif 000005
【図４】
2009258504.tif 000006
【図５】
2009258504.tif 000007