(57)【要約】【課題】光量の分解能とダイナミックレンジの両立を図った光ディスク装置を提供する。【解決手段】光ディスク装置が，第１の光量分解能に対応する第１の光量設定値に従って，半導体レーザの光量を制御する第１の制御回路と，第１の光量分解能より小さい第２の光量分解能に対応する第２の光量設定値に従って，半導体レーザの光量を制御する第２の制御回路と，第１，第２の制御回路に従って，半導体レーザを駆動する駆動回路と，を具備する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクにレーザ光を照射する半導体レーザと，
第１の光量分解能に対応する第１の光量設定値に従って，前記半導体レーザの光量を制御する第１の制御回路と，
前記第１の光量分解能より小さい第２の光量分解能に対応する第２の光量設定値に従って，前記半導体レーザの光量を制御する第２の制御回路と，
前記第１，第２の制御回路に従って，前記半導体レーザを駆動する駆動回路と，
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記第１の制御回路が，前記第１の光量分解能と前記第１の光量設定値の積に対応する第１の電流を出力し，
前記第２の制御回路が，前記第２の光量分解能と前記第２の光量設定値の積に対応する第２の電流を出力し，
前記第１，第２の電流の和に対応して，前記駆動回路が前記半導体レーザを駆動する，
ことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記第１の光量設定値と前記半導体レーザの光量との関係を表す第１のデータと，前記第２の光量設定値と前記半導体レーザの光量との関係を表す第２のデータと，を記憶する記憶部と，
前記第１，第２のデータ，および目標光量に基づいて，前記第１，第２の光量設定値を算出する算出部と，
前記算出された第１，第２の光量設定値をそれぞれ，前記第１，第２の制御回路に設定する設定部と，
をさらに具備することを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記算出部が，
前記第１のデータから前記第１の光量分解能および光量オフセットを算出する第１の算出部と，
前記第２のデータから前記第２の光量分解能を算出する第２の算出部と，を有する
ことを特徴とする請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記算出部が，
前記第１の光量分解能，前記光量オフセット，および前記目標光量から前記第１の光量設定値を算出する第３の算出部と，
前記第１，第２の光量分解能，前記光量オフセット，前記目標光量，および前記算出された第１の光量設定値から前記第２の光量設定値を算出する第４の算出部と，をさらに有する
ことを特徴とする請求項４記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記第１のデータが，前記第１の光量設定値と，前記光量の複数の組み合わせであり，
前記第２のデータが，前記第２の光量設定値と，前記光量の複数の組み合わせである，
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の光ディスク装置。
【請求項７】
前記第１のデータが，前記第１の光量分解能および光量オフセットであり，
前記第２のデータが，前記第２の光量分解能である，
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，光ディスクにデータを記録し，再生する光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクにデータを記録し，再生する光ディスク装置が用いられている。記録時，再生時それぞれに応じて，光量が制御され光ディスクに照射される（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２０３０３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで，記録時，再生時の光量の相違が大きい場合に，この双方を正確に制御することは必ずしも容易でない。即ち，光量の分解能とダイナミックレンジの両立は必ずしも容易でない。
上記に鑑み，本発明は，光量の分解能とダイナミックレンジの両立を図った光ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様に係る光ディスク装置は，光ディスクにレーザ光を照射する半導体レーザと，第１の光量分解能に対応する第１の光量設定値に従って，前記半導体レーザの光量を制御する第１の制御回路と，前記第１の光量分解能より小さい第２の光量分解能に対応する第２の光量設定値に従って，前記半導体レーザの光量を制御する第２の制御回路と，前記第１，第２の制御回路に従って，前記半導体レーザを駆動する駆動回路と，を具備する。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば，光量の分解能とダイナミックレンジの両立を図った光ディスク装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下，図面を参照して，本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は，本発明の一実施形態に係る光ディスク装置１０を表すブロック図である。
光ディスク装置１０は，光ディスクＤに情報を記録及び再生する。
【０００７】
光ディスクＤは，例えば，ＤＶＤ（Digital Versatile Disc），ＨＤ−ＤＶＤ等の情報記憶媒体である。光ディスクＤには，同心円状，又は螺旋状に溝が刻まれている。この溝の一周をトラックと呼ぶ。このトラックに沿って，強度変調されたレーザ光を照射してマーク（ピット等）を形成することで，ユーザデータが記録される。データの再生時には，記録時より弱いレーザ光がトラックに沿って照射される。トラック上のマークからの反射光強度の変化を検出することで，データが再生される。
【０００８】
光ディスクＤは，光ディスクモータ１１によって回転駆動される。光ディスクモータ１１は，光ディスクモータ制御回路１２によって制御される。光ヘッド１３は，光ディスクＤに情報を記録，再生する。
【０００９】
情報記録時（マーク形成時）には，インターフェース回路２４を介して，ホスト装置２５から変調回路１４にユーザデータが供給される。変調回路１４は，このユーザデータをＥＦＭ変調（例えば，８−１４変調）し，データ信号Wｄｔとして，レーザ制御回路３１に出力する。
【００１０】
レーザ制御回路３１は，変調回路１４から供給されるデータ信号Wｄｔに基づいて，書き込み用電流（駆動電流Ｉｄ）を半導体レーザ（レーザダイオード）３２に供給する。このとき，ＰＬＬ回路１８からのクロック信号Wｃｌｋ，ＣＰＵ２１からの制御信号Ｓｃｒｌが用いられる。情報読取り時には，レーザ制御回路３１は前記書き込み用電流より小さい読取り用電流（駆動電流Ｉｄ）を半導体レーザ３２に供給する。なお，レーザ制御回路３１の詳細は後述する。
【００１１】
光検出器（フロントモニタ）３４は半導体レーザ３２が発生するレーザ光の光量（発光パワー）を検出し，光量検出電流Ｉｐをレーザ制御回路３１に供給する。
レーザ制御回路３１は，光検出器３４からの検出電流に基づいて，半導体レーザ３２を制御する。その結果，半導体レーザ３２は，ＣＰＵ２１により設定された再生時レーザパワー，および記録時レーザパワーで発光する。
【００１２】
半導体レーザ３２から発せられるレーザ光は，ハーフプリズム３３，コリメータレンズ３５，ハーフプリズム３６，対物レンズ３７を介して光ディスクＤ上に照射される。光ディスクＤからの反射光は，対物レンズ３７，ハーフプリズム３６，集光レンズ４１，およびシリンドリカルレンズ４２を介して，光検出器４３に導かれる。光検出器４３は，例えば４分割の光検出セルからなり，これら光検出セルの検知信号がＲＦアンプ１５に出力される。
【００１３】
ＲＦアンプ１５は光検知セルからの信号を処理し，フォーカスエラー信号ＦＥ，トラッキングエラー信号ＴＥ，及びＲＦ信号を生成する。フォーカスエラー信号ＦＥは，ジャストフォーカスからのズレ（誤差）を示す。トラッキングエラー信号ＴＥは，レーザ光のビームスポット中心とトラック中心のズレ（誤差）を示す。ＲＦ信号は，光検知セルからの信号の全てを加算した信号であり，光ディスクＤのトラック上に形成されたマークからの反射光が反映される。ＲＦ信号が，データ再生回路１７に供給され，データが再生される。
【００１４】
フォーカスエラー信号ＦＥ，トラッキングエラー信号ＴＥが，サーボ制御回路１６に供給され，フォーカス駆動信号およびトラック駆動信号が生成される。フォーカス駆動信号およびトラック駆動信号は，駆動コイル４４に供給され，対物レンズ３７がフォーカシング方向（レンズの光軸方向）およびトラッキング方向（レンズの光軸と直交する方向）に移動される。この結果，フォーカスサーボ（レーザ光が光ディスクＤの記録膜上に常時ジャストフォーカスとなる），トラッキングサーボ（レーザ光が光ディスクＤ上に形成されたトラック上を常にトレースする）がなされる。
【００１５】
ＣＰＵ(Central Processing Unit)２１はインターフェース回路２４を介してホスト装置２５から提供される動作コマンドに従って，光ディスク装置１０を総合的に制御する。ＣＰＵ２１は，ＲＡＭ（Random Access Memory）２２を作業エリアとして使用し，ＲＯＭ（Read Only Memory）２３に記録された制御プログラムに従って，動作する。
【００１６】
ＣＰＵ２１は，次の１），２）として機能する。
１）光量設定値Ｎ１，Ｎ２（第１，第２の光量設定値）を算出する算出部
２）光量設定値Ｎ１，Ｎ２をそれぞれ，絶対光量制御回路５３，相対光量制御回路５４（第１，第２の制御回路）に設定する設定部
【００１７】
ＲＯＭ２３には，例えば，フラッシュメモリのような不揮発性のメモリを用いることができる。ＲＯＭ２３は，光量設定値Ｎ１と半導体レーザ３２の光量Ｐとの関係を表す第１のデータと，光量設定値Ｎ２と半導体レーザ３２の光量Ｐとの関係を表す第２のデータと，を記憶する。
【００１８】
ここで，第１のデータは，光量設定値Ｎ１と光量Ｐの複数の組み合わせから構成できる。第２のデータは，光量設定値Ｎ２と光量Ｐの複数の組み合わせから構成できる。また，第１のデータを，光量分解能Ａ１（第１の光量分解能）および光量オフセットＢｔの組み合わせから構成しても良い。第１のデータを，光量分解能Ａ２（第２の光量分解能）から構成しても良い。
【００１９】
（レーザ制御回路３１の詳細）
図２は，レーザ制御回路３１の内部構成を表すブロック図である。レーザ制御回路３１は，可変抵抗器５１，基準電流生成回路５２，絶対光量制御回路５３，相対光量制御回路５４，オフセット電流調整回路５５，誤差検出回路５６，レーザ駆動回路５７，シリアルインタフェース回路５８を有する。本図には，半導体レーザ３２の光量Ｐを制御する機構が示される。なお，半導体レーザ３２を変調する機構の記載は省略している。
【００２０】
可変抵抗器５１は，基準電流生成回路５２で生成される基準電流Ｉｓを規定することで，絶対光量制御回路５３の光量分解能Ａ１を調整する。
基準電流生成回路５２は，基準電流Ｉｓを生成する。基準電流Ｉｓは，可変抵抗器５１で規定され，絶対光量制御回路５３が出力する光量設定電流Ｉ１の基準となる。
【００２１】
絶対光量制御回路５３は，光量設定値（絶対光量設定値）Ｎ１を記憶し，光量設定値Ｎ１および基準電流Ｉｓに対応する光量設定電流（絶対光量設定電流）I１を出力する。光量設定電流I１は，半導体レーザ３２を駆動する駆動電流Ｉｄ，ひいては半導体レーザ３２から出射されるレーザ光の光量Ｐを規定する。なお，光量設定電流I１は，後述の式（１）に示される光量Ｐ１（＝Ａ１＊Ｎ１＋Ｂ１）と比例する。
【００２２】
光量設定値Ｎ１は，例えば，０から所定の最大値Ｍ１（例えば，２５５）までの整数である。光量設定値Ｎ１は，半導体レーザ３２の光量（強度）Ｐ１［ｍＷ］と次の式（１）で表される関係を有する。なお，光量Ｐ１は，半導体レーザ３２の全光量Ｐ中，絶対光量制御回路５３によって制御される成分である。
【００２３】
Ｐ１＝Ａ１＊Ｎ１＋Ｂ１                    ……  式（１）
Ａ１：  光量分解能［ｍＷ／ｄｅｃ］
Ｂ１：  光量オフセット［ｍＷ］
光量分解能Ａ１は，可変抵抗器５１で規定され，例えば，０．１［ｍＷ／ｄｅｃ］の値を取る。
【００２４】
相対光量制御回路５４は，光量設定値（相対光量設定値）Ｎ２を記憶し，光量設定値Ｎ２に対応する光量設定電流（相対光量設定電流）I２を出力する。光量設定電流I２は，半導体レーザ３２を駆動する駆動電流Ｉｄ，ひいては半導体レーザ３２から出射されるレーザ光の光量Ｐを規定する。なお，光量設定電流I２は，後述の式（２）に示される光量Ｐ２（＝Ａ２＊Ｎ２＋Ｂ２）と比例する。
【００２５】
光量設定値Ｎ２は，例えば，０から所定の最大値Ｍ２（例えば，６３）までの整数である。光量設定値Ｎ２は，半導体レーザ３２の光量（強度）Ｐ２［ｍＷ］と次の式（２）で表される関係を有する。なお，光量Ｐ２は，半導体レーザ３２の全光量Ｐ中，相対光量制御回路５４によって制御される成分である。
【００２６】
Ｐ２＝Ａ２＊Ｎ２＋Ｂ２                      ……  式（２）
Ａ２：  光量分解能［ｍＷ／ｄｅｃ］
Ｂ２：  光量オフセット［ｍＷ］
光量分解能Ａ２は，光量分解能Ａ１より小さい値を取る。
【００２７】
半導体レーザ３２の全光量Ｐは，次の式（３）で表される。
Ｐ＝Ｐ１＋Ｐ２
＝Ａ１＊Ｎ１＋Ｂ１＋Ａ２＊Ｎ２＋Ｂ１  
＝Ａ１＊Ｎ１＋Ａ２＊Ｎ２＋Ｂｔ            ……  式（３）
Ｂｔ（＝Ｂ１＋Ｂ２）：  総光量オフセット
【００２８】
レーザ光の全光量Ｐを考える上で，光量オフセットＢ１，Ｂ２それぞれの値は必要とされない。この観点からすると，式（１），（２）に替えて，次の式（４），（５）を用いることができる。
【００２９】
Ｐ１＝Ａ１＊Ｎ１＋Ｂｔ                      ……  式（４）
Ｐ２＝Ａ２＊Ｎ２                            ……  式（５）
【００３０】
光量分解能Ａ２が光量分解能Ａ１より小さいことから，光量設定値Ｎ１，Ｎ２はそれぞれ，光量の粗調整，微調整に用いることができる。絶対光量制御回路５３，相対光量制御回路５４を組み合わせることで，光量Ｐの分解能とダイナミックレンジの両立が図られる。
【００３１】
なお，相対光量制御回路５４は，絶対光量制御回路５３よりも光量Ｐの変化幅が小さくて良い。また，光量設定値Ｎ２の最大値Ｍ２は，光量設定値Ｎ１の最大値Ｍ１より小さくて良い。光量設定値Ｎ１，Ｎ２を比較的少ないビット数で表現できる。
【００３２】
オフセット電流調整回路５５は，光検出器３４と並列に接続され，オフセット調整電流Ｉｏを出力する。オフセット調整電流Ｉｏは，絶対光量制御回路５３，および相対光量制御回路５４のオフセット電流をキャンセルするためのものである。前述の光量オフセットＢ１，Ｂ２，Ｂｔは，オフセット調整電流Ｉｏの誤差等によりキャンセルしきれなかったオフセット電流等により発生する。
【００３３】
誤差検出回路５６は，光検出器３４からの光量検出電流Ｉｐと光量設定電流Ｉｔ（光量設定電流Ｉ１，Ｉ２の総和，Ｉｔ＝Ｉ１＋Ｉ２）を比較し，その差分が０になるように（光量検出電流Ｉｐと光量設定電流Ｉｔが等しくなるように），レーザ駆動回路５７にレーザ駆動回路制御信号を出力する。
【００３４】
レーザ駆動回路５７は，誤差検出回路５６から出力されたレーザ駆動回路制御信号を増幅して，駆動電流Ｉｄを出力し，半導体レーザ３２を駆動する。この結果，半導体レーザ３２からの光量Ｐが式（３）で規定されるようになる。
【００３５】
シリアルインタフェース回路５８は，ＣＰＵ２１からの制御信号Ｓｃｒｌにより，絶対光量制御回路５３，相対光量制御回路５４の光量設定値Ｎ１，Ｎ２を設定する。シリアルインタフェース回路５８は，絶対光量制御回路５３，相対光量制御回路５４と，例えば，４ビットのデータバス５９で接続される。
【００３６】
（光ディスク装置１０の動作手順）
光ディスク装置１０の動作手順を説明する。図３は，光ディスク装置１０の動作手順の一例を表すフロー図である。
【００３７】
（１）光ディスクＤの装着（ステップＳ１１）
光ディスクＤが光ディスク装置１０に装着される。ＣＰＵ２１が光ヘッド１３を制御することで，光ディスクＤから光ディスクを判別する情報（ディスク種別情報）を読み出す。
【００３８】
（２）絶対光量設定値Ｎ１と光量Ｐの対応関係の読み出し（ステップＳ１２）
ＣＰＵ２１がＲＯＭ２３から光量設定値Ｎ１と光量Ｐの対応関係を表すデータを読み出す。例えば，光量設定値Ｎ１と，この光量設定値Ｎ１のときの半導体レーザ３２の光量Ｐの複数の組が読み出される。この組の数は３以上とすることができる。組の数を多くすると，光量Ｐの制御精度が向上する。
【００３９】
なお，これらの組は，相対光量設定値Ｎ２を任意の固定した値，例えば最小（０）にして，光量設定値Ｎ１を変化させ，光量Ｐを測定することで得られる。光ディスク装置１０の製造時に測定した光量設定値Ｎ１と光量Ｐの組をＲＯＭ２３に記憶させておけば良い。
【００４０】
（３）絶対光量分解能Ａ１と光量オフセットＢｔの算出（ステップＳ１３）
ＣＰＵ２１が，光量設定値Ｎ１と光量Ｐの複数の組から，例えば，最小二乗法により，光量分解能Ａ１と光量オフセットＢｔを算出する。このとき，式（４）が用いられる。光量分解能Ａ１および光量オフセットＢｔを算出することで，目標再生光量Ｐｔへの正確な制御を可能とする（例えば，絶対光量制御回路５３の光量分解能Ａ１を決定する可変抵抗器５１の調整バラツキに対応する）。
【００４１】
（４）相対光量設定値Ｎ２と光量Ｐの対応関係の読み出し（ステップＳ１４）
ＣＰＵ２１がＲＯＭ２３から光量設定値Ｎ２と光量Ｐの対応関係を表すデータを読み出す。例えば，光量設定値Ｎ２と，光量設定値Ｎ２のときの半導体レーザ３２の光量Ｐの複数の組が読み出される。この組の数は３以上とすることができる。組の数を多くすると，光量Ｐの制御精度が向上する。
【００４２】
なお，これらの組は，絶対光量設定値Ｎ１を任意の固定した値，例えば最小（０）にして，光量設定値Ｎ２を変化させ，光量Ｐを測定することで得られる。光ディスク装置１０の製造時に測定した光量設定値Ｎ２と光量Ｐの組をＲＯＭ２３に記憶させておけば良い。
【００４３】
（５）相対光量分解能Ａ２の算出（ステップＳ１５）
ＣＰＵ２１が，光量設定値Ｎ２と光量Ｐの複数の組から，例えば，最小二乗法により，光量分解能Ａ２を算出する。このとき，式（５）が用いられる。光量分解能Ａ２を算出することで，目標再生光量Ｐｔへの正確な制御を可能とする。既述のように，相対光量制御回路５４の光量オフセットＢ２を問題にする必要はない。
【００４４】
（６）基準光量分解能Ａ０，および目標再生光量Ｐｔの読み出し（ステップＳ１６）
ＣＰＵ２１がＲＯＭ２３から基準光量分解能Ａ０，目標再生光量Ｐｔを読み出す。
【００４５】
基準光量分解能Ａ０は，絶対光量制御回路５３の光量分解能Ａ１の基準値（設計値（理想値））であり，光ディスク装置１０の型式が同一であれば，共通の値を有する（光量分解能Ａ１は，光ディスク装置１０それぞれで個別に測定される）。レーザ制御回路３１の外部からは，基準光量分解能Ａ０に従って，光量Ｐが制御されるように見える。
【００４６】
目標再生光量Ｐｔは，光ディスクＤからデータを再生するときに目標とする光量である。目標再生光量Ｐｔは，光ディスクＤの種別により異なり，ディスク種別情報と対応してＲＯＭ２３に記憶されている。
【００４７】
（７）絶対光量設定値Ｎ１の算出（ステップＳ１７）
次の式（６）を用いて，ＣＰＵ２１が，基準光量分解能Ａ０，目標再生光量Ｐｔから絶対光量設定値Ｎ１［ｄｅｃ］が算出する。なお，絶対光量設定値Ｎ１は整数なので，小数点以下の値は切り捨てられる。
Ｐｔ＝Ａ０＊Ｎ１                        ……  式（６）
【００４８】
（８）相対光量設定値Ｎ２の算出（ステップＳ１８）
次の式（７）を用いて，ＣＰＵ２１が，光量分解能Ａ１，光量オフセットＢｔ，絶対光量設定値Ｎ１から，光量誤差Ｐｅｒｒ［ｍＷ］を算出する。
Ｐｅｒｒ  ＝Ｐｔ−（Ａ１×Ｎ１＋Ｂｔ）    ……  式（７）
次の式（８）を用いて，光量誤差Ｐｅｒｒから，相対光量設定値Ｎ２を算出する。なお，相対光量設定値Ｎ２は整数なので，小数点以下の値は切り捨てられるか，切り上げられる。この切り捨て，切り上げの何れを採用するかは，相対光量設定値Ｎ２と光量誤差Ｐｅｒｒの関係によって定まる。即ち，相対光量設定値Ｎ２を式（８）に代入したときに，光量誤差Ｐｅｒｒに近い方が採用される。
Ｐｅｒｒ＝Ａ２＊Ｎ２                      ……  式（８）
【００４９】
（９）光量Ｐの設定（ステップＳ１９）
ＣＰＵ２１が，半導体レーザ３２の光量Ｐを設定する。即ち，光量設定値Ｎ１，Ｎ２が絶対光量制御回路５３及び相対光量制御回路５４に記憶（設定）される。この結果，光量設定値Ｎ１，Ｎ２に従って，半導体レーザ３２が光量Ｐのレーザ光を出射する。
【００５０】
本実施形態では以下の利点（１）〜（３）を享受できる。
（１）光量Ｐのダイナミックレンジと分解能の両立
光量分解能Ａ１，Ａ２が異なる絶対光量制御回路５３，相対光量制御回路５４を組み合わせることで，光量Ｐの変化幅（ダイナミックレンジ）と精度（分解能）を両立できる。この結果，記録時の光量Ｐｗと再生時の光量Ｐｒの差が大きい場合でも，光量Ｐｗ，Ｐｒの双方を精度良く制御できる。例えば，再生時の光量Ｐｒが０．５［ｍＷ］と比較的小さい場合に，絶対光量制御回路５３の光量分解能Ａ１を細かくすることなく，光量Ｐｒを正確に制御できる。
【００５１】
目標再生光量Ｐｔが０．５［ｍＷ］，光量分解能Ａ１が０．１［ｍＷ／ｄｅｃ］の場合を想定する。この場合，光量設定値Ｎ１を１つ変化したときの光量Ｐの変化量が目標再生光量Ｐｔの２０［％］となる。即ち，光量Ｐの細かな調整が困難となる。
【００５２】
ここで，絶対光量制御回路５３での光量分解能Ａ１を細かくすることで，低い再生光量への対応が可能である。しかし，絶対光量制御回路５３の光量設定値Ｎ１を最大に設定した場合の最大光量（記録時の光量Ｐｗ）が低下する。光量設定値Ｎ１のビット数を大きくすれば，光量Ｐのダイナミックレンジと分解能の両立は可能であるが，絶対光量制御回路５３等の内部構成が複雑化する。
【００５３】
以上のように，絶対光量制御回路５３，相対光量制御回路５４を組み合わせることで，光量設定値Ｎ１のビット数を増大すること無く，光量Ｐの変化幅と精度の両立が可能となる。
【００５４】
（２）光ディスク装置１０毎の記録，再生性能のばらつきの低減
光ディスク装置１０毎に測定した光量設定値Ｎ１，Ｎ２と光量Ｐの対応関係を用いて，光量Ｐを制御する。この結果，光ディスク装置１０毎の光量Ｐのバラツキ，ひいては，光ディスク装置１０記録，再生性能のバラツキが低減される。なお，この対応関係として，光量分解能Ａ１，Ａ２，光量オフセットＢｔ自体をＲＯＭ２３に記憶させることも可能である。光量分解能Ａ１，Ａ２，光量オフセットＢｔの算出が不要となる。
【００５５】
（３）光量オフセットの調節が１つで良い
既述のように，本実施形態では，絶対光量制御回路５３，相対光量制御回路５４の光量オフセットＢ１，Ｂ２の総和Ｂｔのみについて考慮すれば足りる。光量オフセットＢ１，Ｂ２をそれぞれ別個に調整する必要が無い。
【００５６】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張，変更可能であり，拡張，変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態に係る光ディスク装置を表すブロック図である。
【図２】レーザ制御回路の内部構成を表すブロック図である。
【図３】光ディスク装置の動作手順の一例を表すフロー図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０…光ディスク装置，１１…光ディスクモータ，１２…光ディスクモータ制御回路，１３…光ヘッド，１４…変調回路，１５…アンプ，１６…サーボ制御回路，１７…データ再生回路，１８…ＰＬＬ回路，２１…ＣＰＵ，２２…ＲＡＭ，２３…ＲＯＭ，２４…インターフェース回路，２５…ホスト装置，３１…レーザ制御回路，３２…半導体レーザ，３３…ハーフプリズム，３４…光検出器，３５…コリメータレンズ，３６…ハーフプリズム，３７…対物レンズ，４１…集光レンズ，４２…シリンドリカルレンズ，４３…光検出器，４４…駆動コイル，５１…可変抵抗器，５２…基準電流生成回路，５３…絶対光量制御回路，５４…相対光量制御回路，５５…オフセット電流調整回路，５６…誤差検出回路，５７…レーザ駆動回路，５８…シリアルインタフェース回路
【図１】
2009087388.tif 000003
【図２】
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【図３】
2009087388.tif 000005