(57)【要約】【課題】  エッチング取代のバラツキを低減させることができるシリコンウエーハのエッチング方法及び装置を提供する。  【解決手段】  シリコンウエーハをエッチング液に浸漬しエッチングを行うエッチング方法において、前記エッチングを行う前に、前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温と同温又は該液温から所定の温度範囲内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温し、該加温したシリコンウエーハを前記エッチング液に浸漬するようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエーハをエッチング液に浸漬しエッチングを行うエッチング方法において、前記エッチングを行う前に、前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温から所定の温度範囲内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温し、該加温したシリコンウエーハを前記エッチング液に浸漬するようにしたことを特徴とするシリコンウエーハのエッチング方法。
【請求項２】
前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温から±５℃以内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温することを特徴とする請求項１記載のシリコンウエーハのエッチング方法。
【請求項３】
前記エッチング液の液温が、６５℃〜８５℃の範囲内の温度であることを特徴とする請求項１又は２記載のシリコンウエーハのエッチング方法。
【請求項４】
前記エッチングによる前記シリコンウエーハの除去厚が、該シリコンウエーハの両面で１０〜４０μｍの範囲内となるように前記エッチングを行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のシリコンウエーハのエッチング方法。
【請求項５】
前記エッチング液がアルカリ成分を含有するアルカリ水溶液であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のシリコンウエーハのエッチング方法。
【請求項６】
前記アルカリ成分の濃度が４８．０〜５５．０重量％の範囲内であることを特徴とする請求項５記載のシリコンウエーハのエッチング方法。
【請求項７】
前記アルカリ成分が、水酸化ナトリウムであることを特徴とする請求項５又は６記載のシリコンウエーハのエッチング方法。
【請求項８】
シリコンウエーハをエッチング液に浸漬しエッチングを行うエッチング装置において、前記エッチングを行うエッチング槽の前に、前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温から所定の温度範囲内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温する加温手段を設けたことを特徴とするシリコンウエーハのエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばスライス工程、面取り工程、ラッピング工程等のシリコンウエーハの製造工程において生じる加工歪を除去するためのシリコンウエーハのエッチング方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来よりＩＣやＬＳＩ等の集積回路やトランジスタやダイオード等の個別半導体素子に用いられるシリコンウエーハを製造する場合には、チョクラルスキー法（ＣＺ法）やフロートゾーン法（ＦＺ法）によって得られた単結晶をワイヤーソー等を用いて切断し、周辺部を面取り加工し、平坦度を向上させるために主表面を遊離砥粒によるラップ加工や固定砥粒による研削加工をした後に、これらの工程でウエーハに加えられた加工歪を除去するため湿式エッチングがなされ、その後鏡面研磨が行われている。
【０００３】
この加工歪を除去する湿式エッチングは、例えばフッ酸、硝酸、酢酸からなる混酸を用いる酸エッチングと、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリを用いるアルカリエッチングとがある。
【０００４】
上記酸エッチングは、混酸を構成する成分の比率を変化させることにより、エッチングレートやエッチング後の面状態を制御することが可能であるが、総じてエッチングレートが大きく、ラップ加工により向上したウエーハの平坦度を維持することが困難であるという問題点がある。
【０００５】
一方、上記アルカリエッチングは、エッチングレートが遅いことからエッチング後のウエーハの平坦度の良好なものが得られるという利点を有する。近年におけるシリコンウエーハの製造においては、非常に高い平坦度が要求される。したがって、このアルカリエッチングは、その利点から広く用いられるようになってきた。
【０００６】
なお、このエッチング後のウエーハを研磨する場合、その後の鏡面研磨は、例えば、１枚ずつ研磨する枚葉式の装置や複数枚同時に研磨するバッチ式の装置で研磨する。またこの研磨はウエーハ表裏を同時に研磨する方式や、片面ずつ研磨する方法などがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年要求されている高平坦度なウエーハを製造する場合、研磨工程の能力のほかに、如何に安定した原料を研磨工程に投入できるかが課題である。例えば、ウエーハ表裏面を複数枚同時に研磨するバッチ式の研磨装置の場合、エッチング後の厚さバラツキが大きな課題となる。
【０００８】
通常、エッチング工程ではラップ工程等で一定の厚さにそろえたウエーハを、一定の時間でエッチング処理を行い、一定のエッチング取代（除去厚）で加工歪を除去している。従って、エッチング後の厚さバラツキは、この取代のバラツキと、エッチング前の厚さ、例えば、ラップや研削などにより加工された後の厚さバラツキの影響を受ける。
【０００９】
従って、エッチング工程のエッチング取代のバラツキは極力小さくすることが重要である。
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、エッチングによる取代バラツキを低減させることができるシリコンウエーハのエッチング方法及び装置を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のシリコンウエーハのエッチング方法は、シリコンウエーハをエッチング液に浸漬しエッチングを行うエッチング方法において、前記エッチングを行う前に、前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温から所定の温度範囲内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温し、該加温したシリコンウエーハを前記エッチング液に浸漬するようにしたことを特徴とする。
【００１２】
このように、シリコンウエーハの温度をエッチング液の液温とほぼ同程度にする事で、エッチング開始時の薬液温度の変化を緩やかにできる。これによりエッチング処理中のエッチング液の温度制御を安定にでき、エッチング取代も安定する。
【００１３】
従って、結果的にエッチング後の厚さバラツキを小さくでき、その後の研磨工程で高平坦度なウエーハを加工できる。
【００１４】
特に前記エッチングを行う前に、ウエーハ温度が該エッチング液と±５℃以内の温度差になるように加温してからエッチングすることが好ましい。エッチング装置の形態（槽の大きさやヒータ能力、温度制御の仕方等）により最適な温度範囲を設定する必要があるが、ウエーハ温度とエッチング液との温度差が少なくとも±５℃以内の温度になるように加温してからエッチングを行えば効果がある。更に好ましくはエッチング液とウエーハの反応熱による温度上昇を考慮に入れウエーハ温度がエッチング液より若干低めの−１℃〜０℃の範囲内の温度になるように加温しておく事が好ましい。
【００１５】
前記エッチング液の液温が６５℃〜８５℃の範囲内の温度であるのが好適である。そして、本発明方法は、前記エッチングによるシリコンの除去厚（エッチング取代）が両面で１０〜４０μｍの範囲内となるようにエッチングを行う時に特に有効である。
【００１６】
前記エッチング液としてはアルカリ成分を含有するアルカリ水溶液を用いるのが好ましく、そのアルカリ成分の濃度が４８．０〜５５．０重量％の範囲内でかつそのアルカリ成分が水酸化ナトリウムであるのが好ましい。
【００１７】
このような６５℃〜８５℃と高温のエッチング液（薬液）を用いエッチング処理を行うときに、エッチング液は投入するウエーハの温度の影響を特に受けやすい。また上記のようなエッチング条件で処理した場合、前工程の加工歪も十分除去でき、さらにウエーハ表面の粗さも極力小さくでき、研磨工程の負担を低減できる利点がある。
【００１８】
また、本発明に係るシリコンウエーハのエッチング装置は、シリコンウエーハをエッチング液に浸漬しエッチングを行うエッチング装置において、前記エッチングを行うエッチング槽の前に、前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温と該液温から所定の温度範囲内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温する加温手段を設けたことを特徴とする。
【００１９】
前記加温手段は、特に限定しないが、温水槽でもよいし、温風又はヒータ等による加熱手段を有した炉のようなものを設置しても良い。
【００２０】
上記のような加温手段を備えたエッチング装置を用いる事で、シリコンウエーハをエッチング液に浸漬する前に、シリコンウエーハの温度をエッチング液と略同温にすることができ、エッチング取代のバラツキを小さくエッチング処理が可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、エッチング開始時のエッチング液の温度の変化を緩やかにでき、エッチング処理中のエッチング液の温度制御を安定にできる。その結果、シリコンウエーハのエッチング取代を安定にでき、従って、シリコンウエーハのエッチング後の厚さバラツキを小さくでき、その後の研磨工程で高平坦度なシリコンウエーハを加工できるという効果が達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。図１は本発明のエッチング装置の一つの実施形態を示す側面的概略説明図である。
【００２３】
図１において、符号１０は本発明に係るエッチング装置である。該エッチング装置１０には加温手段である温水槽１２Ａを含む加温部１２が設けられている。該温水槽１２Ａとしては、例えば、温純水の水槽等が用いられる。１４はエッチング槽１４Ａを含むエッチング部で、加温されたシリコンウエーハＷをエッチング処理する。該エッチング槽１４Ａとしてはアルカリエッチング槽が好適に用いられる。１６はリンス槽１６Ａを含むリンス部で、エッチングされたシリコンウエーハＷの洗浄等のために設置されている。１８は温水引上げ又は吸引等の乾燥手段１８Ａを備えた乾燥部で、洗浄されたシリコンウエーハＷを乾燥するためのものである。
【００２４】
２０はシリコンウエーハＷをエッチング装置１０に投入するためのローダ部で、該エッチング装置１０の前部に設けられている。２２はシリコンウエーハＷをエッチング装置１０から排出するためのアンローダ部で、該エッチング装置１０の後部に設けられている。２４は搬送ロボットで、加温部１２、エッチング部１４、リンス部１６及び乾燥部１８の上方に移動自在に設けられ、シリコンウエーハＷを保持して、上記各部１２，１４，１６，１８への搬送及び各部１２，１４，１６，１８からの取り出し操作を行う。
【００２５】
なお、リンス槽１６Ａの数など、槽の構成は任意であるが、本発明のエッチング装置においてはエッチング槽１４Ａの前段として加温手段である温水槽１２Ａを含む加温部１２を設置することが必要である。また、搬送ロボット２４の数と形態も任意である。
【００２６】
本発明のエッチング装置１０において、加温部１２を構成する加温手段としては、特に限定はないが、該温水槽１２Ａの他に温風又はヒータ等で構成することもできる。
【００２７】
ここで一般的なシリコンウエーハの製造方法について説明する。図２は一般的なシリコンウエーハの製造工程を示すフローチャートである。チョクラルスキー法またはフロートゾーン法によって成長したシリコンインゴットは、まず、スライス工程（図２のステップ１００）において、内周刃スライサーやワイヤーソーによりウエーハ状に切断される。次いで、ウエーハ側面の欠け等を防止するために、面取り工程（図２のステップ１０２）において面取り加工が施される。さらに、平坦化のためラップ工程（図２のステップ１０４）でラップ加工が施される。続くエッチング工程（図２のステップ１０６）では、上記ラップ工程までに加えられた加工により発生した加工歪を除去するため、エッチングが施される。エッチング工程の後に、主表面の一方または両方を鏡面研磨する鏡面研磨工程（図２のステップ１０８）を経ることにより、鏡面シリコンウエーハが製造される。
【００２８】
本発明のエッチング装置１０は、上記したシリコンウエーハの製造方法におけるエッチング工程において用いられるもので、その作用について以下に説明する。
【００２９】
まず、処理されるシリコンウエーハＷの処理条件に応じてエッチング槽１４Ａのエッチング液を所定の最適液温に温度設定する。次いで、例えば、図２のラップ工程を経たシリコンウエーハＷを、ローダ部２０を介して温水槽１２Ａに浸漬し、加温処理を行う。該温水槽１２Ａにおいて、該シリコンウエーハＷは前記エッチング液の設定液温とほぼ同温に加温される。
【００３０】
この所定温度に加温されたシリコンウエーハＷは、搬送ロボット２４によって次のエッチング槽１４Ａに搬送し、浸漬され、エッチング処理が行われる。このエッチング処理によって、シリコンウエーハＷの両面から所定量のエッチング取代で除去される。
【００３１】
このエッチング処理されたシリコンウエーハＷは、搬送ロボット２４によって次のリンス槽１６Ａに搬送され、リンス槽１６Ａにおいて洗浄される。さらにこの洗浄されたシリコンウエーハＷは、搬送ロボット２４によって次の乾燥部１８に搬送され、乾燥部１８で乾燥される。この乾燥されたシリコンウエーハＷはアンローダ部２２を介してエッチング装置１０から排出される。
【００３２】
続いて、本発明のシリコンウエーハのエッチング方法を、図３を用いて説明する。図３は本発明のシリコンウエーハのエッチング方法の工程順の一例を示すフローチャートである。最初に、エッチング処理で使用するエッチング液を所定の液温に温度設定する。次に、ラップ工程を経たシリコンウエーハを加温工程において上記エッチング液の液温と略同温まで加温する（図３のステップ２００）。この所定温度に加温されたシリコンウエーハを、所定の温度に加温保持されているエッチング液に所定の時間浸漬することによってエッチング処理が行われる（図３のステップ２０２）。このエッチング処理によって、シリコンウエーハの両面から所定量のエッチング取代で除去される。このエッチング処理されたシリコンウエーハは、リンス処理で洗浄され（図３のステップ２０４）、さらにこの洗浄されたシリコンウエーハは、乾燥処理において乾燥される（図３のステップ２０６）。
【００３３】
本発明のエッチング方法において用いられるエッチング液としては、特にシリコンをエッチングすることが可能であれば特に限定されるものではないが、エッチング能力の点でアルカリ成分を含有するアルカリエッチング液が好ましい。アルカリ成分としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物が好ましく、好ましくは水酸化ナトリウムである。
【００３４】
また、本発明において用いられるエッチング液としては、上記したアルカリ成分を単独で用いてもよく、また複数のアルカリ成分を混合して用いてもよい。例えば、水酸化ナトリウムと水酸化カリウムとを混合して用いてもよいし、水酸化ナトリウム単独で用いてもよい。
【００３５】
ここで、エッチング液の液温は、エッチングが可能であれば特に限定されるものではないが、６５℃〜８５℃であることが好ましい。エッチング液の液温が６５℃未満ではエッチング速度が遅くなるため生産性の観点から好ましくない。また、エッチング液の液温が８５℃を越えると、エッチング液が沸騰する危険性がある点や薬品の取扱が危険となる点等の装置的な問題や、８５℃を越えると急激に反応速度が上り、選択化学エッチング性が顕著となる点等の問題が生じるため好ましくない。
【００３６】
また、本発明のエッチング方法によりエッチング除去されるシリコンウエーハのエッチング取代は、エッチング工程以前（スライス工程や面取り工程、ラップ工程や研削工程）の工程で受けた加工歪を除去できる最小限度の厚みであればよく、特に限定されるものではないが、除去する必要がある加工歪の侵入深さのバラツキを考慮すると、シリコンウエーハの両面で１０μｍ〜４０μｍの範囲内となる。
【００３７】
このシリコンウエーハの除去厚は、主にシリコンウエーハをエッチング液に浸漬する時間（エッチング時間）を調整することにより制御される。また、逆にシリコンウエーハの浸漬時間は、上記エッチング取代とエッチング液の濃度との関係で設定されるものであり、エッチング取代が１０μｍ〜４０μｍの範囲内となる時間に設定されることが好ましい。通常は、エッチング時間は５分〜２０分程度である。
【００３８】
なお、シリコンウエーハをエッチング液に浸漬するに際し、均一にエッチングされるようにウエーハを揺動等したり、エッチング液に超音波等を印加したりする等の従来行われている方法を本発明においても適用することは任意である。
【００３９】
本発明方法の眼目は、上記のようなエッチング条件でエッチングする際、エッチング液に浸漬するシリコンウエーハの温度をあらかじめエッチング液と略同温に加温しておく点にある。
【００４０】
通常、エッチング装置においてはエッチング液を一定の温度、例えば、８０℃に設定し処理するが、この温度はヒータ等により温度制御されている。温度制御は一般的にＰＩＤ（比例積分微分）制御などで行われている。
【００４１】
エッチング液は自然放射によりその液温が低下したり、又はエッチング液の液温よりも遥かに低い温度（例えば、２０℃〜２５℃程度）のシリコンウエーハがエッチング液中に投入されることによりその液温が低下する。このようなエッチング液の液温が低下すると、ヒータ等の出力が働いて液温を一定温度に保とうとする。
【００４２】
ここで問題なのは、シリコンウエーハが投入されることによってエッチング液の液温が低下するが、直ぐに反応熱によりその液温が上昇することである。この時、ヒータ出力が上昇し、更にシリコンウエーハとエッチング液との反応によって発生する反応熱がプラスされエッチング液の液温が急激に上昇し、エッチング液の設定温度より高くなりやすい。
【００４３】
ＰＩＤ制御のファクターは一般的に製品等が投入されていない状態でオートチューニングにより設定されることが多く、製品が投入された時の急激な温度変化に対して温度制御が追従しないことが多い。また、製品が入った時の状態を考慮に入れＰＩＤ制御を設定しても良いが、製品の処理する枚数等が変化した場合、同様に温度制御が不安定になることがある。
【００４４】
本発明方法では、エッチングする前に、シリコンウエーハの温度をエッチング液の液温と略同温に加温しておき、その後エッチング液（好ましくは、アルカリエッチング液）によりエッチングすることで、エッチング液の液温の急激な温度変化を低減し、オートチューニングにより設定したＰＩＤ制御でもエッチング液の液温を安定して制御できるようになった。
【００４５】
なお、上記説明では、本発明方法におけるエッチング液の液温制御についてはＰＩＤ制御による例を示したが、その他の制御手段、例えば比例制御のみや、ＯＮ／ＯＦＦ制御等でも同様の説明が適用できるものである。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明を実施例および比較例を挙げて説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
【００４７】
（実施例１）
まず、直径３００ｍｍ、抵抗率が約１０Ω・ｃｍのｐ型シリコン単結晶インゴットをチョクラルスキー法により得た。得られたインゴットを、図２に示したような工程により、ワイヤーソーで切断し、周辺部を面取り加工した後、ラップ加工を行いラップドシリコンウエーハを得た。
【００４８】
エッチング液は、濃度５１．０％の水酸化ナトリウム水溶液を調製した。この水酸化ナトリウム水溶液をエッチング槽に満たし、加熱して８０℃に昇温した。
【００４９】
昇温後、８０℃に保ったエッチング槽に、上記ラップ加工を施した２０枚のラップドシリコンウエーハのエッチングを行った。この時、図１に示したようなエッチング装置を用いて、前段に８０℃の温水槽を準備し、温水槽に約２分浸漬した後、８０℃に設定されたエッチング槽に投入した。その時の温度変化とヒーターパワーの変化を図４に示す。
【００５０】
上記シリコンウエーハを１１分間エッチングし、その後のシリコンウエーハのエッチング取代を測定した。このエッチング取代は、エッチング前後の厚さを測定して算出した。この時のシリコンウエーハのエッチング取代は両面で平均２０．０μｍであった。
【００５１】
同様に複数バッチのシリコンウエーハを連続して処理したが、これらのシリコンウエーハのエッチング後のエッチング取代のバラツキは、２０．０±０．６μｍ程度に収まっていた。
【００５２】
（比較例１）
８０℃に保ったエッチング槽に、上記ラップ加工を施した２０枚のラップドシリコンウエーハをエッチング液に直接投入した。この時の温度変化とヒーターパワーの変化を図５に示した。投入前のシリコンウエーハの温度は約２５℃であった。低温のシリコンウエーハが投入された事により、エッチング液の液温が８０℃から急激に低下し、それに合わせてヒータ出力も急激に変化している。その後、８０℃を過ぎてもＰＩＤ制御によってヒータ出力が働き、すぐには設定値の８０℃に戻らなかった。この間に所定のエッチング時間（１１分間）が終了し、シリコンウエーハのエッチング取代は両面で平均２０．９μｍであった。
【００５３】
同様に複数バッチのシリコンウエーハを連続して処理したが、これらのシリコンウエーハのエッチング後のエッチング取代のバラツキは、２０．５±１．５μｍ程度と大きかった。
【００５４】
（実施例２）
エッチング液は、濃度４８．０％の水酸化ナトリウム水溶液を調製した。この水酸化ナトリウム水溶液をエッチング槽に満たし、加熱して６５℃に昇温した。
【００５５】
昇温後、６５℃に保ったエッチング槽に、上記ラップ加工を施した後のラップドシリコンウエーハのエッチングを行った。この時、図１に示したようなエッチング装置を用いて、前段に６０℃の温水槽を準備し、温水槽に約２分浸漬した後、６５℃に設定されたエッチング槽に投入して、上記シリコンウエーハを任意の時間エッチングした。
【００５６】
上記エッチング処理は、１バッチの処理枚数を、１枚、５枚、１０枚、１５枚、２０枚に変えて行った。この時のエッチング取代は、１枚処理時：２０．２μｍ、５枚処理時：平均２０．４μｍ、１０枚処理時：平均２０．３μｍ、１５枚処理時：平均２０．５μｍ、２０枚処理時：平均２０．６μｍであり、１バッチの処理枚数が異なる場合でも２０．２μｍ〜２０．６μｍの範囲に収まり、バラツキは小さかった。
【００５７】
（比較例２）
６５℃に保ったエッチング槽に、上記ラップ加工を施した後のラップドシリコンウエーハをエッチング液に直接投入した。投入前のシリコンウエーハの温度は約２５℃であった。実施例２と同様に上記エッチング処理は、１バッチの処理枚数を、１枚、５枚、１０枚、１５枚、２０枚に変えて行った。
【００５８】
この時のエッチング取代は１枚処理時：１９．０μｍ、５枚処理時：平均１９．８μｍ、１０枚処理時：平均２０．６μｍ、１５枚処理時：平均２０．０μｍ、２０枚処理時：平均２０．９μｍであり、１９．０μｍ〜２０．９μｍの範囲とバラツキは大きくなった。
【００５９】
このように、温度の低いシリコンウエーハがエッチング液に投入された時の枚数の違いによって、エッチング液の温度変化の差や、ヒータ出力のバラツキでエッチング液の温度が不安定になり、エッチング取代に影響した。
【００６０】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００６１】
特に、上記した本発明の説明において、シリコンウエーハをエッチングする場面として、ラップ工程後における加工歪みを除去するエッチングを中心に説明したが、本発明はこのようなエッチングに限定されるものではなく、半導体シリコンウエーハをエッチングするものであれば特に限定されるものではない。例えば、デバイス工程におけるシリコンウエーハ表面のエッチング、あるいはシリコンウエーハ上の薄膜のエッチング、その他シリコンウエーハをエッチングする場合、仕上げ厚さのバラツキの低減が要求されるものであれば、本発明はいずれのエッチングにも適用可能であり、効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明のエッチング装置の一つの実施形態を示す側面的概略説明図である。
【図２】一般的なシリコンウエーハの製造工程を示すフローチャートである。
【図３】本発明のエッチング方法の工程順の一例を示すフローチャートである。
【図４】実施例１におけるエッチング液の液温とヒータ出力の関係を示した図である。
【図５】比較例１におけるエッチング液の液温とヒータ出力の関係を示した図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０：エッチング装置、１２：加温部、１２Ａ：温水槽、１４：エッチング部、１４Ａ：エッチング槽、１６：リンス部、１６Ａ：リンス槽、１８：乾燥部、１８Ａ：乾燥手段、２０：ローダ部、２２：アンローダ部、２４：搬送ロボット、Ｗ：シリコンウエーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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