(57)【要約】【課題】チップの位置ずれが発生した場合であっても、隣接する照射領域の間の隙間の発生を抑制する技術を提供する。【解決手段】発光素子から光ビームを射出するチップが設けられた基板と、発光素子からの光ビームを移動する像面に向けて結像する光学系とを備え、基板では像面の移動方向に対応する第１方向に複数のチップが並び、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第２方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、像面の移動に応じて素子集合から射出した光ビームを光学系を介して像面に照射して照射領域を形成し、互いに異なるチップにより形成されるともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子が発光する。【選択図】図１７
2009006581.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを射出する複数の発光素子が形成されたチップと、
前記チップが複数設けられた基板と、
前記発光素子からの光ビームを移動する像面に向けて結像する光学系と
を備え、
前記基板では前記像面の移動方向に対応する第１方向に複数の前記チップが並び、該複数のチップのそれぞれは、前記移動方向に直交する直交方向に対応する第２方向の互いに異なる位置に前記発光素子を設けた素子集合を有し、前記像面の移動に応じて前記素子集合から射出した光ビームを前記光学系を介して前記像面に照射して照射領域を形成し、
互いに異なる前記チップにより形成されるともに前記直交方向において隣接する前記照射領域が繋がるように、前記素子集合の前記発光素子が発光することを特徴とするラインヘッド。
【請求項２】
前記複数のチップそれぞれにおいて、前記素子集合は前記照射領域の形成に必要な個数よりも多くの前記発光素子を有し、該素子集合が有する複数の前記発光素子のうち一部の前記発光素子が発光して、前記照射領域が形成される請求項１記載のラインヘッド。
【請求項３】
前記チップの位置ずれに応じて、該チップの前記素子集合が有する前記複数の発光素子の一部が発光する請求項２記載のラインヘッド。
【請求項４】
前記チップが前記素子集合の前記発光素子から光ビームを射出すると、複数のスポットが前記直交方向に並んで前記照射領域が形成され、
互いに異なる前記チップよりに形成されるとともに前記直交方向に隣接する前記スポットの間のピッチが最大ピッチ以下となるように、前記発光素子は発光する請求項２または３に記載のラインヘッド。
【請求項５】
互いに異なる前記チップにより形成されるとともに前記直交方向に隣接する前記スポットの間のピッチが最小ピッチ以上となるように、前記発光素子は発光する請求項４記載のラインヘッド。
【請求項６】
前記光学系の倍率の絶対値は１より大きい請求項１乃至５のいずれかに記載のラインヘッド。
【請求項７】
基板に設けられたチップが有する発光素子を発光させて該発光素子から射出された光ビームを移動する像面に照射する光照射工程を備え、
前記基板では、前記像面の移動方向に対応する第１方向に複数の前記チップが並び、該複数のチップのそれぞれは、前記移動方向に直交する直交方向に対応する第２方向の互いに異なる位置に前記発光素子を設けた素子集合を有し、前記像面の移動に応じて前記素子集合から光ビームを射出して前記像面に照射領域を形成し、
光照射工程では、互いに異なる前記チップにより形成されるとともに前記直交方向において隣接する前記照射領域が繋がるように、前記素子集合の前記発光素子の発光を制御することを特徴とするラインヘッドの制御方法。
【請求項８】
表面が移動する潜像担持体と、
光ビームを射出する複数の発光素子が形成されたチップと、
前記チップが複数設けられた基板と、
前記発光素子からの光ビームを前記潜像担持体表面に向けて結像する光学系と、
前記発光素子の発光を制御する制御手段と
を備え、
前記基板では前記潜像担持体表面の移動方向に対応する第１方向に複数の前記チップが並び、該複数のチップのそれぞれは、前記移動方向に直交する直交方向に対応する第２方向の互いに異なる位置に前記発光素子を設けた素子集合を有し、前記潜像担持体表面の移動に応じて前記素子集合から射出した光ビームを前記光学系を介して前記潜像担持体表面に照射して照射領域を形成し、
前記制御手段は、互いに異なる前記チップにより形成されるともに前記直交方向において隣接する前記照射領域が繋がるように、前記素子集合の前記発光素子の発光を制御することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、像面に対して光ビームを照射するラインヘッド、該ラインヘッドの制御方法及び該ラインヘッドを用いた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子から射出された光ビームを像面に向けて結像して、該像面に光ビームを照射するラインヘッドが従来知られている。また、特許文献１では、発光素子としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いたラインヘッドが提案されている。つまり、特許文献１のラインヘッドは、ＬＥＤが形成されたＬＥＤアレイチップを複数有し、各ＬＥＤアレイチップのＬＥＤから射出された光ビームを像面に照射する。このように、複数のＬＥＤアレイチップのそれぞれは、像面のうち該ＬＥＤアレイチップが対応する領域に光ビームを照射する。
【０００３】
【特許文献１】特開平２−４５４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のラインヘッドでは、ダイ・ボンディング等の接合技術を用いて、複数のＬＥＤアレイチップ（チップ）が基板に設けられているため、基板上においてチップの位置が所望位置からずれる（チップの位置ずれが発生する）と、該チップにより光ビームが照射される領域（照射領域）の位置も所望位置ずれることとなる。その結果、隣接する２つの照射領域の間に隙間が発生する可能性があった。このように、複数のチップを用いて像面に光ビームを照射するラインヘッドでは、チップの位置が所望位置からずれると、隣接する照射領域の間に隙間が発生する可能性があった。特にこのような問題を有するラインヘッドを用いて潜像担持体表面に潜像を形成する画像形成装置では、潜像を良好に形成できない場合があった。
【０００５】
この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、チップの位置ずれが発生した場合であっても、隣接する照射領域の間の隙間の発生を抑制する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかるラインヘッドは、上記目的を達成するため、光ビームを射出する複数の発光素子が形成されたチップと、チップが複数設けられた基板と、発光素子からの光ビームを移動する像面に向けて結像する光学系とを備え、基板では像面の移動方向に対応する第１方向に複数のチップが並び、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第２方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、像面の移動に応じて素子集合から射出した光ビームを光学系を介して像面に照射して照射領域を形成し、互いに異なるチップにより形成されるともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子が発光することを特徴としている。
【０００７】
また、この発明にかかるラインヘッドの制御方法は、上記目的を達成するため、基板に設けられたチップが有する発光素子を発光させて該発光素子から射出された光ビームを移動する像面に照射する光照射工程を備え、基板では、像面の移動方向に対応する第１方向に複数のチップが並び、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第２方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、像面の移動に応じて素子集合から光ビームを射出して像面に照射領域を形成し、光照射工程では、互いに異なるチップにより形成されるとともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子の発光を制御することを特徴としている。
【０００８】
また、この発明にかかる画像形成装置は、上記目的を達成するために、表面が移動する潜像担持体と、光ビームを射出する複数の発光素子が形成されたチップと、チップが複数設けられた基板と、発光素子からの光ビームを潜像担持体表面に向けて結像する光学系と、発光素子の発光を制御する制御手段とを備え、基板では潜像担持体表面の移動方向に対応する第１方向に複数のチップが並び、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第２方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、潜像担持体表面の移動に応じて素子集合から射出した光ビームを光学系を介して潜像担持体表面に照射して照射領域を形成し、制御手段は、互いに異なるチップにより形成されるともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子の発光を制御することを特徴としている。
【０００９】
このように構成された発明（ラインヘッド、ラインヘッドの制御方法及び画像形成装置）は、発光素子から光ビームを射出するチップにより、像面（潜像担持体表面）に光ビームを照射する。そして、かかるチップは基板に設けられている。つまり、基板では、像面（潜像担持体表面）の移動方向に対応する第１方向に複数のチップが並ぶ。そして、該複数のチップのそれぞれは、移動方向に直交する直交方向に対応する第２方向の互いに異なる位置に発光素子を設けた素子集合を有し、像面の移動に応じて素子集合から射出した光ビームを該像面に照射して照射領域を形成する。
【００１０】
そして、上記発明は、互いに異なるチップにより形成されるともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるように、素子集合の発光素子が発光する。したがって、チップの位置が多少ずれたとしても、隣接する照射領域の間における隙間の発生を抑制することが可能であり、良好な光ビームの照射を行なうことができる。また、このようなラインヘッドを用いた画像形成装置では、良好な潜像を潜像担持体表面に形成することが可能となる。
【００１１】
ここで、複数のチップそれぞれにおいて、素子集合は照射領域の形成に必要な個数よりも多くの発光素子を有し、該素子集合が有する複数の発光素子のうち一部の発光素子が発光して、照射領域が形成されるようにラインヘッドを構成しておくと良い。
【００１２】
つまり、このような構成を有するラインヘッドでは、各チップの素子領域は、照射領域を形成するのに必要な個数より多くの発光素子２９５１を、予め有している。そして、実動作においては照射領域の形成に必要な発光素子のみを発光させて照射領域を形成する。したがって、チップの位置が多少ずれた場合であっても、適切な位置に照射領域を形成して、上述のような縦筋等の問題を効果的に抑制できる。
【００１３】
ここで、チップの位置ずれに起因した照射領域の隙間の発生を効果的に抑制するとの観点から、チップの位置ずれに応じて、該チップの素子集合が有する複数の発光素子の一部が発光するようにラインヘッドを構成しても良い。
【００１４】
また、チップが素子集合の発光素子から光ビームを射出すると、複数のスポットが直交方向に並んで照射領域が形成されるラインヘッドにあっては、次のように構成しても良い。即ち、互いに異なるチップよりに形成されるとともに直交方向に隣接するスポットの間のピッチが最大ピッチ以下となるように、発光素子が発光するようにラインヘッドを構成しても良い。つまり、かかるラインヘッドは、互いに異なるチップよりに形成されるとともに直交方向に隣接するスポットの間のピッチが最大ピッチ以下であることを要求して、互いに異なるチップにより形成されるとともに直交方向において隣接する照射領域が繋がるようにしている。その結果、かかるラインヘッドでは、チップの位置が多少ずれたとしても隣接する照射領域の間における隙間の発生を抑制することが可能であり、良好な光ビームの照射が実現される。
【００１５】
また、互いに異なるチップにより形成されるとともに直交方向に隣接するスポットの間のピッチが最小ピッチ以上となるように、発光素子が発光するようにラインヘッドを構成しても良い。なんとなれば、このように構成することで、隣接して形成されるスポットの過度の重複を抑制することが可能となり、より良好な光ビームの照射が実現されるからである。
【００１６】
また、光学系の倍率の絶対値が１より大きいラインヘッドにあっては、上記発明を適用することが特に好適である。つまり、光学系の倍率の絶対値が１より大きいラインヘッドにあっては、基板でのチップの位置ずれが僅かであっても、かかる位置ずれは拡大されて像面での照射領域のずれとなる。したがって、かかる光学系を備えるラインヘッドでは、上述のような隙間の問題が発生しやすい。そこで、かかるラインヘッドでは、上記発明を適用して、照射領域の隙間の発生を抑制することが、特に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施形態について説明するが、具体的な実施形態の前に、本発明を適用可能であるラインヘッド及び該ラインヘッドを用いた画像形成装置の基本構成について説明する。そして、かかる基本構成の説明に続いて、本発明の実施形態について説明する。
【００１８】
基本構成
図１は本発明を適用可能な画像形成装置の構成を示す図である。また、図２は図１の画像形成装置の電気的構成を示す図である。この装置は、ブラック（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の４色のトナーを重ね合わせてカラー画像を形成するカラーモードと、ブラック（Ｋ）のトナーのみを用いてモノクロ画像を形成するモノクロモードとを選択的に実行可能な画像形成装置である。なお図１は、カラーモード実行時に対応する図面である。この画像形成装置では、ホストコンピューターなどの外部装置から画像形成指令がＣＰＵやメモリなどを有するメインコントローラＭＣに与えられると、このメインコントローラＭＣはエンジンコントローラＥＣに制御信号などを与えるとともに画像形成指令に対応するビデオデータＶＤをヘッドコントローラＨＣに与える。また、このヘッドコントローラＨＣは、メインコントローラＭＣからのビデオデータＶＤとエンジンコントローラＥＣからの垂直同期信号Ｖsyncおよびパラメータ値とに基づき各色のラインヘッド２９を制御する。これによって、エンジン部ＥＧが所定の画像形成動作を実行し、複写紙、転写紙、用紙およびOHP用透明シートなどのシートに画像形成指令に対応する画像を形成する。
【００１９】
この実施形態にかかる画像形成装置が有するハウジング本体３内には、電源回路基板、メインコントローラＭＣ、エンジンコントローラＥＣおよびヘッドコントローラＨＣを内蔵する電装品ボックス５が設けられている。また、画像形成ユニット７、転写ベルトユニット８および給紙ユニット１１もハウジング本体３内に配設されている。また、図１においてハウジング本体３内右側には、２次転写ユニット１２、定着ユニット１３、シート案内部材１５が配設されている。なお、給紙ユニット１１は、装置本体１に対して着脱自在に構成されている。そして、該給紙ユニット１１および転写ベルトユニット８については、それぞれ取り外して修理または交換を行うことが可能な構成になっている。
【００２０】
画像形成ユニット７は、複数の異なる色の画像を形成する４個の画像形成ステーションＳＴＹ（イエロー用）、ＳＴＭ（マゼンダ用）、ＳＴＣ（シアン用）、ＳＴＫ（ブラック用）を備えている。また、各画像形成ステーションＳＴＹ、ＳＴＭ、ＳＴＣ、ＳＴＫには、それぞれの色のトナー像がその表面に形成される感光体ドラム２１が設けられている。各感光体ドラム２１はそれぞれ専用の駆動モータに接続され図中矢印Ｄ２１の方向に所定速度で回転駆動される。これにより感光体ドラム２１の表面が副走査方向に搬送されることとなる。また、感光体ドラム２１の周囲には、回転方向に沿って帯電部２３、ラインヘッド２９、現像部２５および感光体クリーナ２７が配設されている。そして、これらの機能部によって帯電動作、潜像形成動作及びトナー現像動作が実行される。したがって、カラーモード実行時は、全ての画像形成ステーションＳＴＹ、ＳＴＭ、ＳＴＣ、ＳＴＫで形成されたトナー像を転写ベルトユニット８が有する転写ベルト８１に重ね合わせてカラー画像を形成するとともに、モノクロモード実行時は、画像形成ステーションＳＴＫで形成されたトナー像のみを用いてモノクロ画像を形成する。なお、図１において、画像形成ユニット７の各画像形成ステーションは構成が互いに同一のため、図示の便宜上一部の画像形成ステーションのみに符号をつけて、他の画像形成ステーションについては符号を省略する。
【００２１】
帯電部２３は、その表面が弾性ゴムで構成された帯電ローラを備えている。この帯電ローラは帯電位置で感光体ドラム２１の表面と当接して従動回転するように構成されており、感光体ドラム２１の回転動作に伴って感光体ドラム２１に対して従動方向に周速で従動回転する。また、この帯電ローラは帯電バイアス発生部（図示省略）に接続されており、帯電バイアス発生部からの帯電バイアスの給電を受けて帯電部２３と感光体ドラム２１が当接する帯電位置で感光体ドラム２１の表面を帯電させる。
【００２２】
ラインヘッド２９は、感光体ドラム２１の軸方向（図１の紙面に対して垂直な方向）に配列された複数の発光素子を備えるとともに、感光体ドラム２１から離間配置されている。そして、これらの発光素子から、帯電部２３により帯電された感光体ドラム２１の表面に対して光を照射して該表面に潜像を形成する。なお、この実施形態では、各色のラインヘッド２９を制御するためにヘッドコントローラＨＣが設けられ、メインコントローラＭＣからのビデオデータＶＤと、エンジンコントローラＥＣからの信号とに基づき各ラインヘッド２９を制御している。すなわち、この実施形態では、画像形成指令に含まれる画像データがメインコントローラＭＣの画像処理部５１に入力される。そして、該画像データに対して種々の画像処理が施されて各色のビデオデータＶＤが作成されるとともに、該ビデオデータＶＤがメイン側通信モジュール５２を介してヘッドコントローラＨＣに与えられる。また、ヘッドコントローラＨＣでは、ビデオデータＶＤはヘッド側通信モジュール５３を介してヘッド制御モジュール５４に与えられる。このヘッド制御モジュール５４には、上記したように潜像形成に関連するパラメータ値を示す信号と垂直同期信号ＶsyncがエンジンコントローラＥＣから与えられている。そして、これらの信号およびビデオデータＶＤなどに基づきヘッドコントローラＨＣは各色のラインヘッド２９に対して素子駆動を制御するための信号を作成し、各ラインヘッド２９に出力する。こうすることで、各ラインヘッド２９において発光素子の作動が適切に制御されて画像形成指令に対応する潜像が形成される。
【００２３】
そして、この実施形態においては、各画像形成ステーションＳＴＹ、ＳＴＭ、ＳＴＣ、ＳＴＫの感光体ドラム２１、帯電部２３、現像部２５および感光体クリーナ２７を感光体カートリッジとしてユニット化している。また、各感光体カートリッジには、該感光体カートリッジに関する情報を記憶するための不揮発性メモリがそれぞれ設けられている。そして、エンジンコントローラＥＣと各感光体カートリッジとの間で無線通信が行われる。こうすることで、各感光体カートリッジに関する情報がエンジンコントローラＥＣに伝達されるとともに、各メモリ内の情報が更新記憶される。
【００２４】
現像部２５は、その表面にトナーが担持する現像ローラ２５１を有する。そして、現像ローラ２５１と電気的に接続された現像バイアス発生部（図示省略）から現像ローラ２５１に印加される現像バイアスによって、現像ローラ２５１と感光体ドラム２１とが当接する現像位置において、帯電トナーが現像ローラ２５１から感光体ドラム２１に移動してラインヘッド２９により形成された静電潜像が顕在化される。
【００２５】
このように上記現像位置において顕在化されたトナー像は、感光体ドラム２１の回転方向Ｄ２１に搬送された後、後に詳述する転写ベルト８１と各感光体ドラム２１が当接する１次転写位置ＴＲ1において転写ベルト８１に１次転写される。
【００２６】
また、この実施形態では、感光体ドラム２１の回転方向Ｄ２１の１次転写位置ＴＲ1の下流側で且つ帯電部２３の上流側に、感光体ドラム２１の表面に当接して感光体クリーナ２７が設けられている。この感光体クリーナ２７は、感光体ドラムの表面に当接することで１次転写後に感光体ドラム２１の表面に残留するトナーをクリーニング除去する。
【００２７】
転写ベルトユニット８は、駆動ローラ８２と、図１において駆動ローラ８２の左側に配設される従動ローラ８３（ブレード対向ローラ）と、これらのローラに張架され図示矢印Ｄ８１の方向（搬送方向）へ循環駆動される転写ベルト８１とを備えている。また、転写ベルトユニット８は、転写ベルト８１の内側に、感光体カートリッジ装着時において各画像形成ステーションＳＴＹ、ＳＴＭ、ＳＴＣ、ＳＴＫが有する感光体ドラム２１各々に対して１対１で対向配置される、４個の１次転写ローラ８５Ｙ，８５Ｍ，８５Ｃ，８５Ｋを備えている。これらの１次転写ローラ８５は、それぞれ１次転写バイアス発生部（図示省略）と電気的に接続される。そして、後に詳述するように、カラーモード実行時は、図１に示すように全ての１次転写ローラ８５Ｙ，８５Ｍ，８５Ｃ，８５Ｋを画像形成ステーションＳＴＹ、ＳＴＭ、ＳＴＣ、ＳＴＫ側に位置決めすることで、転写ベルト８１を画像形成ステーションＳＴＹ、ＳＴＭ、ＳＴＣ、ＳＴＫそれぞれが有する感光体ドラム２１に押し遣り当接させて、各感光体ドラム２１と転写ベルト８１との間に１次転写位置ＴＲ1を形成する。そして、適当なタイミングで上記１次転写バイアス発生部から１次転写ローラ８５に１次転写バイアスを印加することで、各感光体ドラム２１の表面上に形成されたトナー像を、それぞれに対応する１次転写位置ＴＲ1において転写ベルト８１表面に転写してカラー画像を形成する。
【００２８】
一方、モノクロモード実行時は、４個の１次転写ローラ８５のうち、カラー１次転写ローラ８５Ｙ，８５Ｍ，８５Ｃをそれぞれが対向する画像形成ステーションＳＴＹ、ＳＴＭ、ＳＴＣから離間させるとともにモノクロ１次転写ローラ８５Ｋのみを画像形成ステーションＳＴＫに当接させることで、モノクロ画像形成ステーションＳＴＫのみを転写ベルト８１に当接させる。その結果、モノクロ１次転写ローラ８５Ｋと画像形成ステーションＳＴＫとの間にのみ１次転写位置ＴＲ1が形成される。そして、適当なタイミングで１次転写バイアス発生部からモノクロ１次転写ローラ８５Ｋに１次転写バイアスを印加することで、各感光体ドラム２１の表面上に形成されたトナー像を、１次転写位置ＴＲ1において転写ベルト８１表面に転写してモノクロ画像を形成する。
【００２９】
さらに、転写ベルトユニット８は、モノクロ１次転写ローラ８５Ｋの下流側で且つ駆動ローラ８２の上流側に配設された下流ガイドローラ８６を備える。また、この下流ガイドローラ８６は、モノクロ１次転写ローラ８５Ｋが画像形成ステーションＳＴＫの感光体ドラム２１に当接して形成する１次転写位置ＴＲ1での１次転写ローラ８５Ｋと感光体ドラム２１との共通内接線上において、転写ベルト８１に当接するように構成されている。
【００３０】
駆動ローラ８２は、転写ベルト８１を図示矢印Ｄ８１の方向に循環駆動するとともに、２次転写ローラ１２１のバックアップローラを兼ねている。駆動ローラ８２の周面には、厚さ３mm程度、体積抵抗率が１０００ｋΩ・ｃｍ以下のゴム層が形成されており、金属製の軸を介して接地することにより、図示を省略する２次転写バイアス発生部から２次転写ローラ１２１を介して供給される２次転写バイアスの導電経路としている。このように駆動ローラ８２に高摩擦かつ衝撃吸収性を有するゴム層を設けることにより、駆動ローラ８２と２次転写ローラ１２１との当接部分（２次転写位置ＴＲ２）へのシートが進入する際の衝撃が転写ベルト８１に伝達しにくく、画質の劣化を防止することができる。
【００３１】
給紙ユニット１１は、シートを積層保持可能である給紙カセット７７と、給紙カセット７７からシートを一枚ずつ給紙するピックアップローラ７９とを有する給紙部を備えている。ピックアップローラ７９により給紙部から給紙されたシートは、レジストローラ対８０において給紙タイミングが調整された後、シート案内部材１５に沿って２次転写位置ＴＲ２に給紙される。
【００３２】
２次転写ローラ１２１は、転写ベルト８１に対して離当接自在に設けられ、２次転写ローラ駆動機構（図示省略）により離当接駆動される。定着ユニット１３は、ハロゲンヒータ等の発熱体を内蔵して回転自在な加熱ローラ１３１と、この加熱ローラ１３１を押圧付勢する加圧部１３２とを有している。そして、その表面に画像が２次転写されたシートは、シート案内部材１５により、加熱ローラ１３１と加圧部１３２の加圧ベルト１３２３とで形成するニップ部に案内され、該ニップ部において所定の温度で画像が熱定着される。加圧部１３２は、２つのローラ１３２１，１３２２と、これらに張架される加圧ベルト１３２３とで構成されている。そして、加圧ベルト１３２３の表面のうち、２つのローラ１３２１，１３２２により張られたベルト張面を加熱ローラ１３１の周面に押し付けることで、加熱ローラ１３１と加圧ベルト１３２３とで形成するニップ部が広くとれるように構成されている。また、こうして定着処理を受けたシートはハウジング本体３の上面部に設けられた排紙トレイ４に搬送される。
【００３３】
また、この装置では、ブレード対向ローラ８３に対向してクリーナ部７１が配設されている。クリーナ部７１は、クリーナブレード７１１と廃トナーボックス７１３とを有する。クリーナブレード７１１は、その先端部を転写ベルト８１を介してブレード対向ローラ８３に当接することで、２次転写後に転写ベルトに残留するトナーや紙粉等の異物を除去する。そして、このように除去された異物は、廃トナーボックス７１３に回収される。また、クリーナブレード７１１及び廃トナーボックス７１３は、ブレード対向ローラ８３と一体的に構成されている。したがって、次に説明するようにブレード対向ローラ８３が移動する場合は、ブレード対向ローラ８３と一緒にクリーナブレード７１１及び廃トナーボックス７１３も移動することとなる。
【００３４】
図３は、ラインヘッドの概略を示す斜視図である。また、図４は、ラインヘッドの幅方向の断面図である。ラインヘッド２９が対向する感光体ドラム２１の表面は、主走査方向ＭＤに直交する副走査方向ＳＤへと搬送される。そして、ラインヘッド２９の長手方向ＬＧＤが主走査方向ＭＤと平行となるとともに、長手方向ＬＧＤとほぼ直交する幅方向ＬＴＤが副走査方向ＳＤと平行となるように、ラインヘッド２９は感光体ドラム表面に対向して配置されている。つまり、感光体ドラム２１側における主走査方向ＭＤおよび副走査方向ＳＤがそれぞれラインヘッド２１側における長手方向ＬＧＤおよび幅方向ＬＴＤに対応している。
【００３５】
このラインヘッド２９は、長手方向ＬＧＤと平行に延設されたケース２９１を備えるとともに、かかるケース２９１の両端には、位置決めピン２９１１とねじ挿入孔２９１２が設けられている。そして、かかる位置決めピン２９１１を、感光体ドラム２１を覆うとともに感光体ドラム２１に対して位置決めされた感光体カバー（図示省略）に穿設された位置決め孔（図示省略）に嵌め込むことで、ラインヘッド２９が感光体ドラム２１に対して位置決めされる。そして更に、ねじ挿入孔２９１２を介して固定ねじを感光体カバーのねじ孔（図示省略）にねじ込んで固定することで、ラインヘッド２９が感光体ドラム２１に対して位置決め固定される。
【００３６】
ケース２９１は、感光体ドラム２１の表面に対向する位置にマイクロレンズアレイ２９９を保持するとともに、その内部に、該マイクロレンズアレイ２９９に近い順番で、遮光部材２９７及びヘッド基板２９３を備えている。また、ヘッド基板２９３の表面（ヘッド基板２９３が有する２つの面のうちマイクロレンズアレイ側の面）には、複数のチップＣＰが接合されている。つまり、例えば特開２００２−３１４１９１号公報のように、ヘッド基板２９３（同公報のパッケージ基板）に対してチップＣＰ（同公報のレーザアレイ）がボンディングされている。更に図３、図４に示すラインヘッド２９では、各チップＣＰは、チップ長軸ＣＬＧがラインヘッド２９の長手方向ＬＧＤに平行となるとともに、チップ短軸ＣＬＴがラインヘッド２９の幅方向ＬＴＤに平行となるように、ヘッド基板２９３の表面に接合されている。
【００３７】
チップＣＰは、発光素子２９５１としてのＬＥＤ（Light
Emitting Diode）を複数有する所謂ＬＥＤアレイであり、例えば特開２００２−２２２９８８号公報や２００３−３４７５８１号公報等に記載のＬＥＤアレイのように、小片状のシリコン基板に複数のＬＥＤを形成した構成を有している。また、チップＣＰは、図３の破線内部に示すような構成を有する。つまり、各チップＣＰは、ラインヘッド２９の長手方向ＬＧＤ（チップ長軸ＣＬＧ）に所定のピッチで配置された複数（図３においては３個）の発光素子グループ２９５を有する。複数の発光素子グループ２９５のそれぞれは、複数（図３においては８個）の発光素子２９５１を有している。より具体的には、各発光素子グループ２９５は、長手方向ＬＧＤ（チップ長軸ＣＬＧ）に複数（図３においては４個）の発光素子２９５１を直線状に並べて成る発行素子行２９５１Ｒを、ラインヘッド２９の幅方向ＬＴＤ（チップ端軸ＣＬＴ）に２個並べて構成されている。このとき、各発光素子グループ２９５では、８個の発光素子２９５１の長手方向ＬＧＤ（チップ長軸ＣＬＧ）における位置は、互いに異なる。その結果、これら８個の発光素子２９５１は千鳥状に配置される。
【００３８】
そして、複数のチップＣＰが長手方向ＬＧＤおよび幅方向ＬＴＤに互いに離れて２次元的にヘッド基板２９３に配置されることで、ヘッド基板２９３の表面には、複数の発光素子グループ２９５が長手方向ＬＧＤおよび幅方向ＬＴＤに互いに離れて２次元的に配置されることとなる。このとき、複数の発光素子グループ２９５の長手方向ＬＧＤにおける位置は互いに異なる。そして、ヘッド基板２９３に形成された駆動回路（図示省略）によって発光素子グループ２９５の発光素子２９５１が駆動されると、該発光素子２９５１から感光体ドラム２１の方向に光ビームが射出される。そして、この光ビームは遮光部材２９７へ向うこととなる。
【００３９】
遮光部材２９７は、ヘッド基板２９３の表面に対向配置されるとともに、該ヘッド基板２９３の表面に対して離間している。かかる離間間隔は、チップＣＰの厚みに応じて設定される。つまり、離間間隔を設けることで、遮光部材２９７とチップＣＰとの接触を防止している。遮光部材２９７には、複数の発光素子グループ２９５に対して１対１で複数の導光孔２９７１が穿設されている。また、かかる導光孔２９７１は、ヘッド基板２９３の法線と平行な線を中心軸として遮光部材２９７を貫通する略円柱状の孔として穿設されている。よって、１つの発光素子グループ２９５に属する発光素子から出た光は全て同一の導光孔２９７１を介してマイクロレンズアレイ２９９へ向うとともに、異なる発光素子グループ２９５からでた光ビーム同士の干渉が遮光部材２９７により防止される。そして、遮光部材２９７に穿設された導光孔２９７１を通過した光ビームは、マイクロレンズアレイ２９９により、感光体ドラム２１の表面にスポットとして結像されることとなる。なお、マイクロレンズアレイ２９９の具体的構成、及び、該マイクロレンズアレイ２９９による光ビームの結像状態については、後に詳述する。
【００４０】
図４に示すように、固定器具２９１４によって、裏蓋２９１３がヘッド基板２９３を介してケース２９１に押圧されている。つまり、固定器具２９１４は、裏蓋２９１３をケース２９１側に押圧する弾性力を有するとともに、かかる弾性力により裏蓋を押圧することで、ケース２９１の内部を光密に（つまり、ケース２９１内部から光が漏れないように、及び、ケース２９１の外部から光が侵入しないように）密閉している。なお、固定器具２９１４は、ケース２９１の長手方向に複数箇所設けられている。
【００４１】
図５は、マイクロレンズアレイの概略を示す斜視図である。また、図６は、マイクロレンズアレイの長手方向の断面図である。マイクロレンズアレイ２９９は、ガラス基板２９９１有するとともに、該ガラス基板２９９１を挟むように１対１で配置された２枚のレンズ２９９３Ａ，２９９３Ｂにより構成されるレンズ対を複数有している。なお、これらレンズ２９９３Ａ，２９９３Ｂは例えば樹脂により形成することができる。
【００４２】
つまり、ガラス基板２９９１の表面２９９１Ａには複数のレンズ２９９３Ａが配置されるとともに、複数のレンズ２９９３Ａに１対１で対応するように、複数のレンズ２９９３Ｂがガラス基板２９９１の裏面２９９１Ｂに配置されている。また、レンズ対を構成する２枚のレンズ２９９３Ａ，２９９３Ｂは、相互に光軸ＯＡを共通にする。また、これら複数のレンズ対は、複数の発光素子グループ２９５に１対１で配置されている。つまり、これら複数のレンズ対は、発光素子グループ２９５の配置に対応して、長手方向ＬＧＤ及び幅方向ＬＴＤに互いに所定間隔だけ離れて２次元的に配置されている。より詳しく説明すると、このマイクロレンズアレイ２９９では、レンズ２９９３Ａ，２９９３Ｂから成るレンズ対と、該レンズ対に挟まれるガラス基板２９９１とで、マイクロレンズＭＬが構成されている。そして、これらのマイクロレンズＭＬを長手方向ＬＧＤに複数個並べたレンズ行ＭＬＲが幅方向ＬＴＤに複数行（図５では「３」行）並べられて、複数のマイクロレンズＭＬが互いに異なる長手方向位置に配置されている。そして、全てのマイクロレンズＭＬは同一構成であり、同一の倍率ｍを有している。なお、後述するように、本実施形態では、倍率ｍが負の値を有するマイクロレンズＭＬを用いているが、もちろん倍率ｍを正の値に設定してもよいことは言うまでもない。
【００４３】
図７は、マイクロレンズアレイの結像状態を示す図である。なお、同図では遮光部材２９７は省略されている。また、同図では、マイクロレンズアレイ２９９の結像特性の理解を容易とするために、発光素子グループ２９５の幾何重心Ｅ0と、該幾何重心Ｅ0より長手方向ＬＧＤに所定間隔だけ離れた位置Ｅ1，Ｅ2とから射出された光ビームの軌跡を表している。かかる軌跡が示すように、各位置から射出された光ビームは、マイクロレンズアレイ２９９を介して感光体ドラム２１の表面（感光体表面）に到達する。つまり、ヘッド基板２９３の表面に設けられたチップＣＰから射出された光ビームは、マイクロレンズアレイ２９９のマイクロレンズＭＬにより、感光体表面に結像される。
【００４４】
図７が示すように、発光素子グループ２９５の幾何重心位置Ｅ0から射出される光ビームは、感光体表面とレンズ２９９３Ａ，２９９３Ｂの光軸ＯＡとの交点Ｉ0に結像される。これは、発光素子グループ２９５の幾何重心位置Ｅ0がレンズ２９９３Ａ，２９９３Ｂの光軸ＯＡの上に在ることに起因するものである。また、位置Ｅ1，Ｅ2から射出される光ビームは、それぞれ感光体ドラム２１の表面の位置Ｉ1，Ｉ2に結像される。つまり、位置Ｅ1から射出される光ビームは、主走査方向ＭＤにおいてレンズ２９９３Ａ，２９９３Ｂの光軸ＯＡを挟んで逆側の位置Ｉ1に結像されるとともに、位置Ｅ2から射出される光ビームは、主走査方向ＭＤにおいてレンズ２９９３Ａ，２９９３Ｂの光軸ＯＡを挟んで逆側の位置Ｉ2に結像される。このようにマイクロレンズＭＬは反転特性を有する（換言すれば、マイクロレンズＭＬの倍率ｍは負の値を有する）。また、同図が示すように、位置Ｅ1，Ｅ0の間の距離と比較して、光ビームが結像される位置Ｉ1，Ｉ0の間の距離は長い。つまり、マイクロレンズＭＬの倍率の絶対値は１より大きい。
【００４５】
図８、図９は、本明細書で用いる用語の説明図である。ここで、これらの図を用いて本明細書において用いる用語について整理する。本明細書では、上述の通り、感光体ドラム２１の表面（像面ＩＰ）の搬送方向を副走査方向ＳＤと定義し、該副走査方向ＳＤに直交する方向を主走査方向ＭＤと定義している。また、ラインヘッド２９は、その長手方向ＬＧＤが主走査方向ＭＤに対応し、その幅方向ＬＴＤが副走査方向ＳＤに対応するように、感光体ドラム２１の表面（像面ＩＰ）に対して配置されている。
【００４６】
レンズアレイ２９９が有する複数のマイクロレンズＭＬに一対一の対応関係でヘッド基板２９３に配置された、複数（図８、９においては８個）の発光素子２９５１の集合を、発光素子グループ２９５と定義する。つまり、ヘッド基板２９３において、複数の発光素子２９５１からなる発光素子グループ２９５は、複数のマイクロレンズＭＬのそれぞれに対して配置されている。また、発光素子グループ２９５からの光ビームを該発光素子グループ２９５に対応するマイクロレンズＭＬにより像面ＩＰに向けて結像することで、像面ＩＰに形成される複数のスポットＳＰの集合を、スポットグループＳＧと定義する。つまり、複数の発光素子グループ２９５に一対一で対応して、複数のスポットグループＳＧを形成することができる。また、各発光素子グループ２９５において、長手方向ＬＧＤ及び幅方向ＬＴＤに最上流の発光素子２９５１を特に第１の発光素子と定義する。そして、各スポットグループＳＧにおいて、第１の発光素子２９５１に対応するスポットＳＰを特に第１のスポットと定義する。
【００４７】
なお、図８、９は、発光素子グループ２９５とマイクロレンズＭＬとスポットグループＳＧとの対応関係が理解しやすいように、像面ＩＰが静止した状態でスポットＳＰを形成した場合を表した。したがって、スポットグループＳＧにおけるスポットＳＰの形成位置は、発光素子グループ２９５における発光素子２９５１の配置位置に略相似する。しかしながら、後述するように、実際のスポット形成動作は、像面ＩＰ（感光体ドラム２１の表面）を副走査方向ＳＤに搬送しつつ実行する。その結果、ヘッド基板２９３が有する複数の発光素子２９５１により形成されるスポットＳＰは、主走査方向ＭＤに略平行な直線上に形成される。
【００４８】
また、図９の「像面上」の欄に示すように、スポットグループ行ＳＧＲ、スポットグループ列ＳＧＣを定義する。つまり、主走査方向ＭＤに並ぶ複数のスポットグループＳＧをスポットグループ行ＳＧＲと定義する。そして、複数行のスポットグループ行ＳＧＲは、所定のスポットグループ行ピッチＰsgrで副走査方向ＳＤに並んで配置される。また、副走査方向ＳＤにスポットグループ行ピッチＰsgrで且つ主走査方向ＭＤにスポットグループピッチＰsgで並ぶ複数（同図においては３個）のスポットグループＳＧをスポットグループ列ＳＧＣと定義する。なお、スポットグループ行ピッチＰsgrは、同ピッチで並ぶ２つのスポットグループ行ＳＧＲそれぞれの幾何重心の、副走査方向ＳＤにおける距離である。また、スポットグループピッチＰsgは、同ピッチで並ぶ２つのスポットグループＳＧそれぞれの幾何重心の、主走査方向ＭＤにおける距離である。
【００４９】
同図の「レンズアレイ」の欄に示すように、レンズ行ＭＬＲ、レンズ列ＭＬＣを定義する。つまり、長手方向ＬＧＤに並ぶ複数のマイクロレンズＭＬをレンズ行ＭＬＲと定義する。そして、複数行のレンズ行ＭＬＲは、所定のレンズ行ピッチＰlsrで幅方向ＬＴＤに並んで配置される。また、幅方向ＬＴＤにレンズ行ピッチＰlsrで且つ長手方向ＬＧＤにレンズピッチＰlsで並ぶ複数（同図においては３個）のマイクロレンズＭＬをレンズ列ＭＬＣと定義する。なお、レンズ行ピッチＰlsrは、同ピッチで並ぶ２つのレンズ行ＭＬＲそれぞれの幾何重心の、幅方向ＬＴＤにおける距離である。また、レンズピッチＰlsは、同ピッチで並ぶ２つのマイクロレンズＭＬそれぞれの幾何重心の、長手方向ＬＧＤにおける距離である。
【００５０】
同図の「ヘッド基板」の欄に示すように、発光素子グループ行２９５Ｒ、発光素子グループ列２９５Ｃを定義する。つまり、長手方向ＬＧＤに並ぶ複数の発光素子グループ２９５を発光素子グループ行２９５Ｒと定義する。そして、複数行の発光素子グループ行２９５Ｒは、所定の発光素子グループ行ピッチＰegrで幅方向ＬＴＤに並んで配置される。また、幅方向ＬＴＤに発光素子グループ行ピッチＰegrで且つ長手方向ＬＧＤに発光素子グループピッチＰegで並ぶ複数（同図においては３個）の発光素子グループ２９５を発光素子グループ列２９５Ｃと定義する。なお、発光素子グループ行ピッチＰegrは、同ピッチで並ぶ２つの発光素子グループ行２９５Ｒそれぞれの幾何重心の、幅方向ＬＴＤにおける距離である。また、発光素子グループピッチＰegは、同ピッチで並ぶ２つの発光素子グループ２９５それぞれの幾何重心の、長手方向ＬＧＤにおける距離である。
【００５１】
同図の「発光素子グループ」の欄に示すように、発光素子行２９５１Ｒ、発光素子列２９５１Ｃを定義する。つまり、各発光素子グループ２９５において、長手方向ＬＧＤに並ぶ複数の発光素子２９５１を発光素子行２９５１Ｒと定義する。そして、複数行の発光素子行２９５１Ｒは、所定の発光素子行ピッチＰelrで幅方向ＬＴＤに並んで配置される。また、幅方向ＬＴＤに発光素子行ピッチＰelrで且つ長手方向ＬＧＤに発光素子ピッチＰelで並ぶ複数（同図においては２個）の発光素子２９５１を発光素子列２９５１Ｃと定義する。なお、発光素子行ピッチＰelrは、同ピッチで並ぶ２つの発光素子行２９５１Ｒそれぞれの幾何重心の、幅方向ＬＴＤにおける距離である。また、発光素子ピッチＰelは、同ピッチで並ぶ２つの発光素子２９５１それぞれの幾何重心の、長手方向ＬＧＤにおける距離である。
【００５２】
同図の「スポットグループ」の欄に示すように、スポット行ＳＰＲ、スポット列ＳＰＣを定義する。つまり、各スポットグループＳＧにおいて、主走査方向ＭＤに並ぶ複数のスポットＳＰをスポット行ＳＰＲと定義する。そして、複数行のスポット行ＳＰＲは、所定のスポット行ピッチＰsprで副走査方向ＳＤに並んで配置される。また、副走査方向ＳＤにスポットピッチＰsprで且つ主走査方向ＭＤにスポットピッチＰspで並ぶ複数（同図においては２個）のスポットをスポット列ＳＰＣと定義する。なお、スポット行ピッチＰsprは、同ピッチで並ぶ２つのスポット行ＳＰＲそれぞれの幾何重心の、副走査方向ＳＤにおける距離である。また、スポットピッチＰspは、同ピッチで並ぶ２つのスポットＳＰそれぞれの幾何重心の、主走査方向ＭＤにおける距離である。
【００５３】
図１０は基板上におけるチップの配置を示す図である。同図に示すように。ヘッド基板２９３の表面には、複数のチップＣＰ_A，ＣＰ_B，ＣＰ_C，…が配置されている。各チップＣＰは、長軸が長手方向ＬＧＤに平行となり、且つ、短軸が幅方向ＬＴＤと平行となるように、配置されている。ここで、本明細書において、複数のチップのうちの何れのチップであるかを特定しない場合は、単にチップＣＰと称することとする。そして、各チップＣＰには、３つの発光素子グループ２９５が形成されている。例えば、チップＣＰ_Aには、発光素子グループ２９５_A1〜発光素子グループ２９５_A3が、チップＣＰ_Bには、発光素子グループ２９５_B1〜発光素子グループ２９５_B3が、チップＣＰ_Cには、発光素子グループ２９５_C1〜発光素子グループ２９５_C3が形成されている。
【００５４】
このとき、同図が示すように、所定個数の発光素子グループ２９５が長手方向ＬＧＤにおいて相互に離間しながら配置されて発光素子グループ行２９５Ｒが形成されている。ここで、本明細書において、複数の発光素子グループのうちの何れの発光素子グループであるかを特定しない場合は、単に発光素子グループ２９５と称することとする。これらの発光素子グループ行２９５Ｒが幅方向ＬＴＤに複数行（図１０では「３」行）並んで配置されている。そして、かかる３行の発光素子グループ行２９５Ｒは、互いに長手方向ＬＧＤに所定ピッチずれて配置されている。その結果、複数の発光素子グループ２９５は２次元的に配置されるとともに、複数の発光素子グループ２９５の長手方向における位置は互いに異なる。そして、図１０に示すように配置された複数の発光素子グループ２９５に一対一の対応関係で複数のマイクロレンズＭＬが配置されている。
【００５５】
図３にも示した通り、各発光素子グループ２９５は８個の発光素子２９５１を有しており、発光素子２９５１は以下のように配置されている。すなわち、各発光素子グループ２９５では、４個の発光素子２９５１が長手方向ＬＧＤに所定ピッチ（＝素子ピッチＰelの２倍）で並べられて発光素子行２９５１Ｒが形成されている。また、発光素子行２９５１Ｒは幅方向ＬＴＤに２行並べられている。しかも、長手方向ＬＧＤにおける発光素子行２９５１Ｒのシフト量は素子ピッチＰelとなっている。このため、各発光素子グループ２９５では、全ての発光素子２９５１は互いに異なる長手方向位置に素子ピッチＰelで配置されている。したがって、各発光素子グループ２９５が８個全ての発光素子２９５１から光ビームを射出した場合、これら８個の発光素子２９５１から射出された光ビームはマイクロレンズＭＬにより主走査方向ＭＤにおいて互いに異なる位置で感光体表面に向けて結像される。つまり、発光素子グループ２９５が８個全ての発光素子２９５１を発光させることで、８個のスポットが主走査方向ＭＤに並ぶスポットグループを形成することができる。
【００５６】
図１１及び図１２はラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図であり、４つの発光素子グループ、例えば図１０中の発光素子グループ２９５_A1，２９５_B1，２９５_C1，２９５_A2によりスポットが形成される様子を模式的に示している。なお、図１１及び図１２中のスポットグループＳＧ_A1は発光素子グループ２９５_A1により形成されたスポットＳＰの一群を示し、スポットグループＳＧ_B1は発光素子グループ２９５_B1により形成されたスポットＳＰの一群を示し、スポットグループＳＧ_C1は発光素子グループ２９５_C1により形成されたスポットＳＰの一群を示し、スポットグループＳＧ_A2は発光素子グループ２９５_A2により形成されたスポットＳＰの一群を示している。このように、スポットグループＳＧ_A1及びスポットグループＳＧ_A2はチップＣＰ_Aにより形成され、スポットグループＳＧ_B1はチップＣＰ_Bにより形成され、スポットグループＳＧ_C1はチップＣＰ_Cにより形成される。なお、図１１に示すように、発光素子２９５１を同時に点灯させると、感光体表面に形成されるスポットグループＳＧ_A1，ＳＧ_B1，ＳＧ_C1，ＳＧ_A2も２次元配置されてしまう。
【００５７】
そこで、図１２に示すように、発光素子行２９５１Ｒの各々では、感光体ドラム２１の回転移動に応じたタイミングで、即ち、感光体表面の副走査方向ＳＤへの移動に応じたタイミングで、該発光素子行２９５１Ｒを構成する発光素子２９５１が発光するように構成している。具体的には、発光素子グループ２９５_A1，２９５_B1，２９５_C1，２９５_A2を構成する発光素子行２９５１Ｒの点灯タイミングを次のように感光体ドラム２１の回転移動に対応して相違させている。
【００５８】
つまり、
(a)タイミングＴ01：発光素子グループ２９５_C1の上段発光素子行２９５１Ｒの点灯タイミング、
(b)タイミングＴ02：発光素子グループ２９５_C1の下段発光素子行２９５１Ｒの点灯タイミング、
(c)タイミングＴ03：発光素子グループ２９５_B1の上段発光素子行２９５１Ｒの点灯タイミング、
(d)タイミングＴ04：発光素子グループ２９５_B1の下段発光素子行２９５１Ｒの点灯タイミング、
(e)タイミングＴ05：発光素子グループ２９５_A1及び発光素子グループ２９５_A2の上段発光素子行２９５１Ｒの点灯タイミング、
(f)タイミングＴ06：発光素子グループ２９５_A1及び発光素子グループ２９５_A2の下段発光素子行２９５１Ｒの点灯タイミング
に基づいて、発光素子行２９５１Ｒの点灯を制御している。このため、このタイミング調整のみにより上段発光素子行により形成されるスポットＳＰと下段発光素子行により形成されるスポットＳＰとを主走査方向ＭＤに並んで形成することができる。このように、簡単な発光タイミング調整によりスポットＳＰを主走査方向ＭＤに一列に形成することができる。
【００５９】
このように、ヘッド基板２９３に設けられた複数のチップＣＰのそれぞれは、該チップＣＰが対応する領域に対して光ビームをスポットＳＰとして照射して照射領域を形成する。つまり、チップＣＰ_Aは、該チップＣＰ_Aが対応する領域に対してスポットグループＳＧ_A1，ＳＧA2を形成することで、照射領域ＩＲ_A1，ＩＲ_A2を形成可能である。また同様に、チップＣＰ_Bは、該チップＣＰ_Bが対応する領域に対してスポットグループＳＧ_B1を形成することで、照射領域ＩＲ_B1を形成可能である。さらに、チップＣＰ_Cは、該チップＣＰ_Cが対応する領域に対してスポットグループＳＧ_C1を形成することで、照射領域ＩＲ_C1を形成可能である。
【００６０】
また、図１１及び図１２から明らかなように、感光体表面に照射される全てのスポットＳＰは主走査方向ＭＤにおいて互いに異なる位置にあるとともに、主走査方向ＭＤにおいて全てのスポットＳＰはスポットピッチ（Ｐsp＝ｍ・Ｐel）で形成される。したがって、チップＣＰが所望位置からずれる（チップＣＰの位置ずれが発生する）と、該チップＣＰにより形成される照射領域の位置もずれて、隣接する照射領域の間に隙間が発生する可能性がある。そして、このように照射領域に隙間が発生した状態で潜像形成動作を実行すると、所謂縦筋が引き起こされる可能性がある。
【００６１】
図１３は、チップの位置ずれに起因した不具合を説明する図である。チップＣＰに位置ずれが発生していない場合は、照射領域にも位置ずれは無い。つまり、隣接する照射領域は主走査方向ＭＤに隙間無く繋がり、複数の照射領域ＩＲ_A1，ＩＲ_B1，ＩＲ_C1は主走査方向ＭＤに連続的に繋がる。その結果、隣接するスポットグループが連続的に繋がり良好なスポット形成が行われる（図１３（ａ）参照）。しかしながら、図１３（ｂ）に示すように、例えばチップＣＰ_BがチップＣＰ_Aから長手方向ＬＧＤにずれたような場合、主走査方向ＭＤにおいて照射領域ＩＲ_A1と照射領域ＩＲ_B1との間に隙間が発生する。そして、このように照射領域に隙間が発生した状態で、潜像形成動作を実行した場合、縦筋が発生することとなる。
【００６２】
実施形態
図１４は、実施形態におけるラインヘッドを示す斜視図である。図１５は、実施形態における基板上でのチップの配置を示す図である。なお、以下の実施形態の説明では、上述の基本構成と異なる点ついて主に説明し、共通する構成・動作については相当符号を付して説明を省略する。これらの図に示すように。ヘッド基板２９３の表面には、複数のチップＣＰ_A，ＣＰ_B，ＣＰ_C，ＣＰ_D，…が配置されている。各チップＣＰは、長軸ＣＬＧが長手方向ＬＧＤに平行となり、且つ、短軸ＣＬＴが幅方向ＬＴＤと平行となるように、配置されている。また、各チップＣＰには、複数の発光素子２９５１から成る素子集合２９５１SETが形成されている。そして、図１４、図１５が示すように、複数（本実施形態では３個）のチップＣＰ（例えば、チップＣＰ_A，ＣＰ_B，ＣＰ_C）が、幅方向ＬＴＤに並ぶとともに長手方向ＬＧＤに互いにシフトして、配置されている。よって、幅方向ＬＴＤに隣り合うチップ（例えば、チップＣＰ_A，ＣＰ_B）の素子集合２９５１SETは、長手方向ＬＧＤにおいて部分的に重なり合う。
【００６３】
各チップＣＰに形成された素子集合２９５１SETは、ラインヘッド２９の長手方向ＬＧＤ（チップ長軸ＣＬＧ）に複数の発光素子２９５１を発光素子ピッチＰelで配置している。詳しくは、素子集合２９５１SETは、所定個数の発光素子２９５１を長手方向ＬＧＤに所定ピッチ（＝素子ピッチＰelの２倍）で直線状に並べた発光素子ライン２９５１Ｌを幅方向ＬＴＤに２つ並べて成る。しかも、長手方向ＬＧＤにおける発光素子ライン２９５１Ｌのシフト量は素子ピッチＰelとなっている。このため、素子集合２９５１SETでは、全ての発光素子２９５１は互いに異なるチップ長軸位置（長手方向位置）に素子ピッチＰelで千鳥状に配置されている。このように、素子集合２９５１SETでは、複数の発光素子２９５１が長手方向ＬＧＤに素子ピッチＰelで敷き詰められている。
【００６４】
そして、このような素子集合２９５１SETに対して、複数（本実施形態では３個）のマイクロレンズＭＬが対向して設けられている。つまり、本実施形態では、３個のマイクロレンズＭＬがチップＣＰに対向して配置されている。なお、これら３個のマイクロレンズＭＬは、対向するチップＣＰのチップ長軸ＣＬＧに所定ピッチ（レンズピッチＰlsの３倍のピッチ）で並ぶ。具体的には、例えば３個のマイクロレンズＭＬ_A1，ＭＬ_A2，ＭＬ_A3がチップＣＰ_Aに対向するとともに、これら３個のマイクロレンズＭＬ_A1，ＭＬ_A2，ＭＬ_A3はチップＣＰ_Aのチップ長軸にレンズピッチＰlsの３倍のピッチで並ぶ。そして、各マイクロレンズＭＬは、対向するチップＣＰの発光素子２９５１から射出された光ビームを感光体表面に結像して、感光体表面にスポットグループＳＧを形成する。
【００６５】
ところで、後のスポット形成動作の説明を通じて詳述するが、本実施形態では各スポットグループＳＧは、８個のスポットからなる。つまり、各マイクロレンズＭＬは、８個の発光素子２９５１から射出された光ビームを結像して、１つのスポットグループＳＧを形成する。一方、各マイクロレンズＭＬが対向する素子集合２９５１SETは、上述のような複数の発光素子２９５１が敷き詰められた構成を有する。したがって、素子集合２９５１SETの各マイクロレンズＭＬが対向する範囲には、スポットグループＳＧを形成するのに必要な個数である８個よりも多くの発光素子２９５１が、長手方向ＬＧＤ（チップ長軸）に素子ピッチＰelで並んで存在する。そこで、後述するように、本実施形態のラインヘッド２９は、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１から照射領域の形成に適当な８個の発光素子２９５１を選択して発光させている。
【００６６】
図１６は、マイクロレンズアレイの結像状態を示す図である。なお、同図では遮光部材２９７は省略されている。また、同図では、マイクロレンズアレイ２９９の結像特性の理解を容易とするために、素子集合２９５１SETにおいて、マイクロレンズＭＬ（ＭＬ1〜ＭＬ3）の光軸ＯＡ（ＯＡ1〜ＯＡ3）の上にある位置（Ｅ１_0，Ｅ２_0，Ｅ３_0）と、かかる光軸上の位置より長手方向ＬＧＤに向いて所定間隔だけ離れた位置（Ｅ１_1，Ｅ２_1，Ｅ３_1）と、かかる光軸上の位置より長手方向ＬＧＤの逆側に向いて所定間隔だけ離れた位置（Ｅ１_2，Ｅ２_2，Ｅ３_2）とから射出された光ビームの軌跡を表している。かかる軌跡が示すように、各位置から射出された光ビームは、マイクロレンズアレイ２９９を介して感光体ドラム２１の表面（感光体表面）に到達する。つまり、ヘッド基板２９３の表面に設けられたチップＣＰから射出された光ビームは、マイクロレンズアレイ２９９のマイクロレンズＭＬにより、感光体表面に結像される。
【００６７】
より具体的には、マイクロレンズＭＬ１が対向する位置（例えば、位置Ｅ１_0，Ｅ１_1，Ｅ１_2）から射出される光ビームは、該マイクロレンズＭＬ１により次のように結像される。つまり、位置Ｅ１_0から射出される光ビームは、感光体表面とマイクロレンズＭＬ１の光軸ＯＡ１との交点Ｉ１_0に結像される。また、位置Ｅ１_1，Ｅ１_2から射出される光ビームは、それぞれ感光体ドラム２１の表面の位置Ｉ１_1，Ｉ１_2に結像される。つまり、位置Ｅ１_1から射出される光ビームは、主走査方向ＭＤにおいてマイクロレンズＭＬ１の光軸ＯＡ１を挟んで逆側の位置Ｉ１_1に結像されるとともに、位置Ｅ１_2から射出される光ビームは、主走査方向ＭＤにおいてマイクロレンズＭＬ１の光軸ＯＡ１を挟んで逆側の位置Ｉ１_2に結像される。このようにマイクロレンズＭＬ１は反転特性を有する（換言すれば、マイクロレンズＭＬ１の倍率ｍは負の値を有する）。また、同図が示すように、位置Ｅ１_1，Ｅ１_0の間の距離と比較して、光ビームが結像される位置Ｉ１_1，Ｉ１_0の間の距離は長い。つまり、マイクロレンズＭＬ１の倍率の絶対値は１より大きい。
【００６８】
また、上述のマイクロレンズＭＬ１による結像と同様にして、マイクロレンズＭＬ２が対向する位置（例えば、位置Ｅ２_0，Ｅ２_1，Ｅ２_2）から射出される光ビームは該マイクロレンズＭＬ２により感光体表面の位置（位置Ｉ２_0，Ｉ２_1，Ｉ２_2）に結像されるとともに、マイクロレンズＭＬ３が対向する位置（例えば、位置Ｅ３_0，Ｅ３_1，Ｅ３_2）から射出される光ビームは該マイクロレンズＭＬ３により感光体表面の位置（位置Ｉ３_0，Ｉ３_1，Ｉ３_2）に結像される。
【００６９】
図１７は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図１７は、全てのチップＣＰが所望の位置にあり、チップの位置ずれが発生していない場合に対応する。ここで、同図の実線円は形成可能であるスポットＳＰを示す。また、これらの実線円のうち、内部が斜線で塗りつぶされている実線円は実際に形成されるスポットを示すとともに、内部が空白である実線円は実際には形成されないスポットを示す。なお、発明の理解を容易とするために、同図では感光体表面が静止した状態でスポットＳＰを形成した場合を表した。したがって、スポットグループＳＧにおけるスポットＳＰは２次元的に配置される。しかしながら、図１２を用いて説明したように、実際のスポット形成動作は、感光体表面を副走査方向ＳＤに移動させるとともに、該感光体表面の移動に応じて発光素子２９５１を発光させて実行される。その結果、ヘッド基板２９３が有する複数の発光素子２９５１により形成されるスポットＳＰは、主走査方向ＭＤに略平行な直線上に形成される。なお、これら図１７について説明した内容は、後に示す図１８〜図２１についても同様である。
【００７０】
２点鎖線で区切られた３つの段のうち、上段にあるスポットＳＰはチップＣＰ_Aにより形成可能なスポットＳＰである。また、同図では特に、チップＣＰ_Aにより形成可能なスポットＳＰのうち、該チップＣＰ_Aに対向するマイクロレンズＭＬ_A2により形成可能なスポットＳＰと、該チップＣＰ_Aに対向するマイクロレンズＭＬ_A3により形成可能なスポットＳＰとを示している。
【００７１】
また、２点鎖線で区切られた複数の段のうち、中段にあるスポットＳＰはチップＣＰ_Bにより形成可能なスポットＳＰである。また、同図では特に、チップＣＰ_Bにより形成可能なスポットＳＰのうち、該チップＣＰ_Bに対向するマイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰと、該チップＣＰ_Bに対向するマイクロレンズＭＬ_B3により形成可能なスポットＳＰとを示している。
【００７２】
更に、２点鎖線で区切られた複数の段のうち、下段にあるスポットＳＰはチップＣＰ_Cにより形成可能なスポットＳＰである。また、同図では特に、チップＣＰ_Cにより形成可能なスポットＳＰのうち、該チップＣＰ_Cに対向するマイクロレンズＭＬ_C1により形成可能なスポットＳＰと、該チップＣＰ_Cに対向するマイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットＳＰとを示している。
【００７３】
同図が示すように、各チップＣＰは、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから選択したスポットＳＰ（同図斜線スポット）のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから１６個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A2を形成して）照射領域ＩＲ_A2を形成している。また、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A3に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A3により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A3を形成して）照射領域ＩＲ_A3を形成している。
【００７４】
また、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Bは、マイクロレンズＭＬ_B2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_B2を形成して）照射領域ＩＲ_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Cは、マイクロレンズＭＬ_C2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_C2を形成して）照射領域ＩＲ_C2を形成している。
【００７５】
なお、同図においては、チップＣＰ_Aにより形成されるスポットグループＳＧとして、スポットグループＳＧ_A2，ＳＧ_A3の２つのみが示され、チップＣＰ_Bにより形成されるスポットグループＳＧとして、スポットグループＳＧ_B2のみが示され、チップＣＰ_Cにより形成されるスポットグループＳＧとして、スポットグループＳＧ_C2のみが示されている。しかしながら、各チップＣＰに対向する３つのマイクロレンズＭＬのそれぞれがスポットグループＳＧを形成可能である。したがって、実際には、１つのチップＣＰにより３つのスポットグループＳＧが形成可能である。
【００７６】
ここで注目すべきは、チップＣＰ_Aにより形成される照射領域ＩＲ_A2と、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_A及びチップＣＰ_Bそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している点である。つまり、チップＣＰ_Aは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_A2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。これにより、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2とが繋がることとなる。
【００７７】
また、同様に、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2と、チップＣＰ_Cにより形成される照射領域ＩＲ_C2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_B及びチップＣＰ_Cそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している。つまり、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Cは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_C2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。これにより、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2とが繋がることとなる。
【００７８】
このように、本実施形態では、互いに異なるチップＣＰにより形成されるとともに主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域が繋がるように、素子集合２９５１SETの発光素子２９５１の発光が制御されている。特に、本実施形態では、照射領域を良好に繋げるために、互いに異なるチップＣＰにより形成されるとともに隣接するスポットＳＰの間のピッチが、最大ピッチ以下で且つ最小ピッチ以上となるように、発光素子２９５１の発光を制御している。具体的には、同一のチップにより形成されるとともに主走査方向ＭＤにおいて隣接するスポットＳＰの間のスポットピッチをチップ内スポットピッチＰsp_inと定義し、互いに異なるチップＣＰにより形成されるとともに主走査方向ＭＤにおいて隣接するスポットＳＰの間のスポットピッチをチップ外スポットピッチＰsp_outと定義したとき、次式
０．５×Ｐsp_in≦Ｐsp_out≦１．５×Ｐsp_in  …式１
を満たすように、素子集合２９５１SETの発光素子２９５１の発光が制御されている。なお、上述のような発光素子２９５１の制御は、例えば、ヘッドコントローラＨＣのヘッド制御モジュール５４（制御手段）により実行することができる。
【００７９】
なお、図１７では、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_outは、スポット内ピッチＰsp_inと同じである。また、照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outも、スポット内ピッチＰsp_inと同じである。
【００８０】
図１８は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図１８は、チップＣＰ_Bの位置が所望位置から長手方向ＬＧＤにずれて、結果として、チップＣＰ_Bにより形成可能なスポットの位置が、主走査方向ＭＤの上流側にチップ内スポットピッチＰsp_inの０．４倍（つまり、０．４・Ｐsp_in）だけずれた場合に対応する。かかるチップの位置ずれにより、例えば、位置ずれが無い状態（図１７）では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズＭＬ_A2により形成可能なスポットＳＰ7と、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰ15とが、主走査方向ＭＤにおいてチップ内スポットピッチＰsp_inの０．４倍だけ位置ずれを起こしている。また、位置ずれが無い状態（図１７）では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰ7と、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットＳＰ15とが、主走査方向ＭＤにおいてチップ内スポットピッチＰsp_inの０．４倍だけ位置ずれを起こしている。また、図１８についての以下の説明では、主に図１７との違いを説明し、図１７との共通部分については相当符号を付して説明を省略する。
【００８１】
同図が示すように、各チップＣＰは、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから選択したスポットＳＰ（同図斜線スポット）のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから１６個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A2を形成して）照射領域ＩＲ_A2を形成している。また、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A3に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A3により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A3を形成して）照射領域ＩＲ_A3を形成している。
【００８２】
また、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Bは、マイクロレンズＭＬ_B2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_B2を形成して）照射領域ＩＲ_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Cは、マイクロレンズＭＬ_C2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_C2を形成して）照射領域ＩＲ_C2を形成している。
【００８３】
ここで注目すべきは、チップＣＰ_Aにより形成される照射領域ＩＲ_A2と、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_A及びチップＣＰ_Bそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している点である。つまり、チップＣＰ_Aは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_A2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。これにより、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2とが繋がることとなる。
【００８４】
また、同様に、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2と、チップＣＰ_Cにより形成される照射領域ＩＲ_C2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_B及びチップＣＰ_Cそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している。つまり、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Cは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_C2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。これにより、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2とが繋がることとなる。
【００８５】
また、図１８では、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_outはスポット内ピッチＰsp_inの０．６倍（つまり、Ｐsp_out＝０．６・Ｐsp_in）である。さらに、照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outはスポット内ピッチＰsp_inの１．４倍（つまり、Ｐsp_out＝１．４・Ｐsp_in）である。このように、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_out及び照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outの何れもが、上述の式１の条件を満たすように、素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。
【００８６】
図１９は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図１９は、チップＣＰ_Bの位置が所望位置から長手方向ＬＧＤにずれて、結果として、チップＣＰ_Bにより形成可能なスポットの位置が、主走査方向ＭＤの上流側にチップ内スポットピッチＰsp_inの０．7倍（つまり、０．７・Ｐsp_in）だけずれた場合に対応する。かかるチップの位置ずれにより、例えば、位置ずれが無い状態（図１７）では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズＭＬ_A2により形成可能なスポットＳＰ7と、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰ15とが、主走査方向ＭＤにおいてチップ内スポットピッチＰsp_inの０．７倍だけ位置ずれを起こしている。また、位置ずれが無い状態（図１７）では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰ7と、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットＳＰ15とが、主走査方向ＭＤにおいてチップ内スポットピッチＰsp_inの０．７倍だけ位置ずれを起こしている。また、図１９についての以下の説明では、主に図１７との違いを説明し、図１７との共通部分については相当符号を付して説明を省略する。
【００８７】
同図が示すように、各チップＣＰは、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから選択したスポットＳＰ（同図斜線スポット）のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから１６個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A2を形成して）照射領域ＩＲ_A2を形成している。また、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A3に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A3により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A3を形成して）照射領域ＩＲ_A3を形成している。
【００８８】
また、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Bは、マイクロレンズＭＬ_B2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ6〜ＳＰ13を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_B2を形成して）照射領域ＩＲ_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Cは、マイクロレンズＭＬ_C2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_C2を形成して）照射領域ＩＲ_C2を形成している。
【００８９】
ここで注目すべきは、チップＣＰ_Aにより形成される照射領域ＩＲ_A2と、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_A及びチップＣＰ_Bそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している点である。つまり、チップＣＰ_Aは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_A2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ6〜ＳＰ13に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。
【００９０】
特に図１９では、チップＣＰ_Bは、その照射領域ＩＲ_B2をチップＣＰ_Aの照射領域ＩＲ_A2と繋げるために、図１７、図１８では形成していたスポットＳＰ14を形成していない。換言すれば、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2とを繋げるために、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、該スポットＳＰ14に対応する発光素子２９５１が発光しないように、素子集合２９５１SETの発光が制御されている。つまり、図１９では、チップＣＰ_Bの位置ずれに応じて、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップＣＰ_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2とが繋がることとなる。
【００９１】
また、同様に、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2と、チップＣＰ_Cにより形成される照射領域ＩＲ_C2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_B及びチップＣＰ_Cそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している。つまり、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ6〜ＳＰ13に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Cは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_C2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。
【００９２】
特に図１９では、チップＣＰ_Bは、その照射領域ＩＲ_B2をチップＣＰ_Cの照射領域ＩＲ_C2と繋げるために、図１７、図１８では形成していなかったスポットＳＰ6を形成している。換言すれば、照射領域ＩＲ_C2と照射領域ＩＲ_B2とを繋げるために、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、該スポットＳＰ6に対応する発光素子２９５１が発行するように、素子集合２９５１SETの発光が制御されている。つまり、図１９では、チップＣＰ_Bの位置ずれに応じて、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップＣＰ_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2とが繋がることとなる。
【００９３】
また、図１９では、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_outはスポット内ピッチＰsp_inの１．３倍（つまり、Ｐsp_out＝１．３・Ｐsp_in）である。さらに、照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outはスポット内ピッチＰsp_inの０．７倍（つまり、Ｐsp_out＝０．７・Ｐsp_in）である。このように、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_out及び照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outの何れもが、上述の式１の条件を満たすように、素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。
【００９４】
図２０は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図２０は、チップＣＰ_Bの位置が所望位置から長手方向ＬＧＤにずれて、結果として、チップＣＰ_Bにより形成可能なスポットの位置が、主走査方向ＭＤの上流側にチップ内スポットピッチＰsp_inの１．４倍（つまり、１．４・Ｐsp_in）だけずれた場合に対応する。かかるチップの位置ずれにより、例えば、位置ずれが無い状態（図１７）では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズＭＬ_A2により形成可能なスポットＳＰ7と、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰ15とが、主走査方向ＭＤにおいてチップ内スポットピッチＰsp_inの１．４倍だけ位置ずれを起こしている。また、位置ずれが無い状態（図１７）では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰ7と、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットＳＰ15とが、主走査方向ＭＤにおいてチップ内スポットピッチＰsp_inの１．４倍だけ位置ずれを起こしている。また、図２０についての以下の説明では、主に図１７との違いを説明し、図１７との共通部分については相当符号を付して説明を省略する。
【００９５】
同図が示すように、各チップＣＰは、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから選択したスポットＳＰ（同図斜線スポット）のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから１６個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A2を形成して）照射領域ＩＲ_A2を形成している。また、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A3に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A3により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A3を形成して）照射領域ＩＲ_A3を形成している。
【００９６】
また、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Bは、マイクロレンズＭＬ_B2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ6〜ＳＰ13を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_B2を形成して）照射領域ＩＲ_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Cは、マイクロレンズＭＬ_C2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_C2を形成して）照射領域ＩＲ_C2を形成している。
【００９７】
ここで注目すべきは、チップＣＰ_Aにより形成される照射領域ＩＲ_A2と、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_A及びチップＣＰ_Bそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している点である。つまり、チップＣＰ_Aは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_A2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ6〜ＳＰ13に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。
【００９８】
特に図２０では、チップＣＰ_Bは、その照射領域ＩＲ_B2をチップＣＰ_Aの照射領域ＩＲ_A2と繋げるために、図１７、図１８では形成していたスポットＳＰ14を形成していない。換言すれば、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2とを繋げるために、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、該スポットＳＰ14に対応する発光素子２９５１が発光しないように、素子集合２９５１SETの発光が制御されている。つまり、図２０では、チップＣＰ_Bの位置ずれに応じて、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップＣＰ_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2とが繋がることとなる。
【００９９】
また、同様に、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2と、チップＣＰ_Cにより形成される照射領域ＩＲ_C2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_B及びチップＣＰ_Cそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している。つまり、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ6〜ＳＰ13に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Cは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_C2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。
【０１００】
特に図２０では、チップＣＰ_Bは、その照射領域ＩＲ_B2をチップＣＰ_Cの照射領域ＩＲ_C2と繋げるために、図１７、図１８では形成していなかったスポットＳＰ6を形成している。換言すれば、照射領域ＩＲ_C2と照射領域ＩＲ_B2とを繋げるために、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、該スポットＳＰ6に対応する発光素子２９５１が発行するように、素子集合２９５１SETの発光が制御されている。つまり、図２０では、チップＣＰ_Bの位置ずれに応じて、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップＣＰ_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2とが繋がることとなる。
【０１０１】
また、図２０では、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_outはスポット内ピッチＰsp_inの０．６倍（つまり、Ｐsp_out＝０．６・Ｐsp_in）である。さらに、照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outはスポット内ピッチＰsp_inの１．４倍（つまり、Ｐsp_out＝１．４・Ｐsp_in）である。このように、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_out及び照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outの何れもが、上述の式１の条件を満たすように、素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。
【０１０２】
図２１は、ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図である。また、図２１は、チップＣＰ_Bの位置が所望位置から長手方向ＬＧＤにずれて、結果として、チップＣＰ_Bにより形成可能なスポットの位置が、主走査方向ＭＤの上流側にチップ内スポットピッチＰsp_inの１．７倍（つまり、１．７・Ｐsp_in）だけずれた場合に対応する。かかるチップの位置ずれにより、例えば、位置ずれが無い状態（図１７）では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズＭＬ_A2により形成可能なスポットＳＰ7と、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰ15とが、主走査方向ＭＤにおいてチップ内スポットピッチＰsp_inの１．７倍だけ位置ずれを起こしている。また、位置ずれが無い状態（図１７）では主走査方向位置が一致していたマイクロレンズＭＬ_B2により形成可能なスポットＳＰ7と、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットＳＰ15とが、主走査方向ＭＤにおいてチップ内スポットピッチＰsp_inの１．７倍だけ位置ずれを起こしている。また、図２１についての以下の説明では、主に図１７との違いを説明し、図１７との共通部分については相当符号を付して説明を省略する。
【０１０３】
同図が示すように、各チップＣＰは、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから選択したスポットＳＰ（同図斜線スポット）のみを形成する。つまり、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Aは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから１６個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A2を形成して）照射領域ＩＲ_A2を形成している。また、チップＣＰ_Aは、マイクロレンズＭＬ_A3に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_A3により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_A3を形成して）照射領域ＩＲ_A3を形成している。
【０１０４】
また、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Bは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Bは、マイクロレンズＭＬ_B2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_B2により形成可能な複数のスポットのうち８個のスポットＳＰ5〜ＳＰ12を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_B2を形成して）照射領域ＩＲ_B2を形成している。更に、同図に示す範囲においては、チップＣＰ_Cは、実際のスポット形成動作において、形成可能な複数のスポットＳＰのうちから８個のスポットＳＰのみを実際に形成している。かかるスポット形成動作を実行すべく、チップＣＰ_Cは、マイクロレンズＭＬ_C2に対向する複数の発光素子２９５１から８個の発光素子２９５１を選択して発光させることで、マイクロレンズＭＬ_C2により形成可能なスポットのうち８個のスポットＳＰ7〜ＳＰ14を主走査方向ＭＤに並べて（つまりスポットグループＳＧ_C2を形成して）照射領域ＩＲ_C2を形成している。
【０１０５】
ここで注目すべきは、チップＣＰ_Aにより形成される照射領域ＩＲ_A2と、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_A及びチップＣＰ_Bそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している点である。つまり、チップＣＰ_Aは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_A2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ5〜ＳＰ12に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。
【０１０６】
特に図２１では、チップＣＰ_Bは、その照射領域ＩＲ_B2をチップＣＰ_Aの照射領域ＩＲ_A2と繋げるために、図１７、図１８では形成していたスポットＳＰ14を形成していない。さらに図１７〜図２０では形成していたスポットＳＰ13をも形成していない。換言すれば、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2とを繋げるために、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、これらのスポットＳＰ13，ＳＰ14に対応する発光素子２９５１が発光しないように、素子集合２９５１SETの発光が制御されている。つまり、図２１では、チップＣＰ_Bの位置ずれに応じて、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップＣＰ_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2とが繋がることとなる。
【０１０７】
また、同様に、チップＣＰ_Bにより形成される照射領域ＩＲ_B2と、チップＣＰ_Cにより形成される照射領域ＩＲ_C2とが主走査方向ＭＤにおいて繋がるように、チップＣＰ_B及びチップＣＰ_Cそれぞれの素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光している。つまり、チップＣＰ_Bは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_B2を照射するスポットＳＰ5〜ＳＰ12に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。また、チップＣＰ_Cは、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、照射領域ＩＲ_C2を照射するスポットＳＰ7〜ＳＰ14に対応する８個の発光素子２９５１のみを発光させる。
【０１０８】
特に図２１では、チップＣＰ_Bは、その照射領域ＩＲ_B2をチップＣＰ_Cの照射領域ＩＲ_C2と繋げるために、図１７、図１８では形成していなかったスポットＳＰ6を形成している。さらに図１７〜図２０では形成していなかったスポットＳＰ5をも形成している。換言すれば、照射領域ＩＲ_C2と照射領域ＩＲ_B2とを繋げるために、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、該スポットＳＰ5，ＳＰ6に対応する発光素子２９５１が発行するように、素子集合２９５１SETの発光が制御されている。つまり、図２１では、チップＣＰ_Bの位置ずれに応じて、チップＣＰ_Bの素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。これにより、チップＣＰ_Bに位置ずれが発生しているにも拘わらず、主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2とが繋がることとなる。
【０１０９】
また、図２１では、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_outはスポット内ピッチＰsp_inの１．３倍（つまり、Ｐsp_out＝１．３・Ｐsp_in）である。さらに、照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outはスポット内ピッチＰsp_inの０．７倍（つまり、Ｐsp_out＝０．７・Ｐsp_in）である。このように、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2との間のスポット外ピッチＰsp_out及び照射領域ＩＲ_B2と照射領域ＩＲ_C2との間のスポット外ピッチＰsp_outの何れもが、上述の式１の条件を満たすように、素子集合２９５１SETの発光素子の発光が制御されている。
【０１１０】
このように、上記実施形態において、ヘッド基板２９３が本発明の「基板」に相当し、マイクロレンズアレイ２９９が本発明の「光学系」に相当し、感光体表面が本発明の「像面」に相当している。また、副走査方向ＳＤが本発明の「移動方向」に相当し、主走査方向ＭＤが本発明の「直交方向」に相当している。また、感光体ドラム２１が本発明の「潜像担持体」に相当している。さらに、幅方向ＬＴＤが本発明の「第１方向」に相当し、長手方向ＬＧＤが本発明の「第２方向」に相当している。また、感光体ドラム２１が本発明の「潜像担持体」に相当している。
【０１１１】
このように、上記実施形態におけるラインヘッド２９は、上述のとおり感光体表面に光ビームを照射して照射領域を形成する（光照射工程）。そして、同ラインヘッド２９は、互いに異なるチップＣＰにより形成されるともに主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域（例えば、照射領域ＩＲ_A2と照射領域ＩＲ_B2）が繋がるように、素子集合２９５１SETの発光素子２９５１が発光する。したがって、チップＣＰの位置が多少ずれたとしても、図１３に示したような隣接する照射領域の間における隙間や縦筋の発生を抑制することが可能であり、良好な光ビームの照射を行なうことができる。また、このようなラインヘッド２９を用いた画像形成装置１では、良好な潜像を感光体表面に形成することが可能となる。
【０１１２】
ところで、上記実施形態のラインヘッド２９では、各チップＣＰの素子集合２９５１SETは、照射領域の形成に必要な個数よりも多くの発光素子２９５１を長手方向ＬＧＤ（チップ長軸）に素子ピッチＰelで並べて有している。そして、素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち一部の発光素子２９５１が発光して、照射領域が形成される。
【０１１３】
詳述すると、図１５に示したように素子集合２９５１SETでは複数の発光素子２９５１が長手方向ＬＧＤに素子ピッチＰelで敷き詰められており、チップＣＰの素子集合２９５１SETは、照射領域を形成するのに必要な個数より多くの発光素子２９５１を、長手方向ＬＧＤに並べて有する。そして、図１８〜図２１を用いて説明したように、実動作においては照射領域の形成に必要な発光素子２９５１のみを選択して発光させて照射領域を形成する。つまり、チップＣＰは、照射領域を形成するに際して、該チップＣＰの素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１のうち、該照射領域を形成するのに適当な一部の発光素子２９５１のみを選択的に発光させる。したがって、チップの位置が多少ずれた場合であっても、かかる位置ずれに合わせて発光させる発光素子を選択することで（換言すれば、チップの位置ずれに応じて発光素子の発光を制御することで）、適切な位置に照射領域を形成することができる。つまり、互いに異なるチップＣＰにより形成されるともに主走査方向ＭＤにおいて隣接する照射領域が繋がるように、素子集合２９５１SETの発光素子２９５１の発光を制御することができ、上述の縦筋等の問題の発生を抑制することができる。
【０１１４】
また、上記実施形態では、図１８〜図２１を用いて説明したように、チップＣＰの位置ずれに応じて、該チップＣＰの素子集合２９５１SETが有する複数の発光素子２９５１の一部が発光する。したがって、チップＣＰの位置ずれに起因した照射領域の隙間の発生を効果的に抑制することが可能となっており、上記実施形態は好適である。
【０１１５】
また、上記実施形態では、互いに異なるチップＣＰよりに形成されるとともに主走査方向に隣接するスポットＳＰの間のピッチＰsp_outが最大ピッチ（上記実施形態では、１．５・Ｐsp_in）以下で且つ最小ピッチ（上記実施形態では、０．５・Ｐsp_in）以上となるように、発光素子２９５１が発光する。つまり、上記式１を満たすように、素子集合２９５１SETの発光素子は発光する。このように、互いに異なるチップＣＰよりに形成されるとともに主走査方向に隣接するスポットＳＰの間のピッチＰsp_outが最大ピッチ以下となることで、互いに異なるチップにより形成されるとともに直交方向において隣接する照射領域が良好に繋がることが可能となる。更に、互いに異なるチップＣＰにより形成されるとともに主走査方向ＭＤに隣接するスポットＳＰの間のピッチＰsp_outが最小ピッチ以上となることで、隣接して形成されるスポットＳＰの過度の重複を抑制することが可能となり、より良好な光ビームの照射が実現される。
【０１１６】
その他
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態でのチップＣＰは、発光素子２９５１としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）を複数有する所謂ＬＥＤアレイであるが、チップＣＰはこれに限られない。つまり、所謂ＶＣＳＥＬ(Vertical Cavity Surface Emitting Laser）と称される面発光レーザを有するチップＣＰを発光素子として用いても良い。なお、このような面発光レーザを有するチップとしては、例えば特開２００１−３５８４１１号公報に記載の２次元面発光レーザアレイが知られている。
【０１１７】
また、上記実施形態ではマイクロレンズアレイ２９９（光学系）が有するマイクロレンズＭＬの倍率の絶対値は１よりも大きい。しかしながら、マイクロレンズＭＬの倍率はこれに限られるものではなく、例えば、倍率の絶対値は１以下であってもよい。但し、マイクロレンズＭＬの倍率の絶対値が１よりも大きいラインヘッドにあっては、本発明を適用することが特に好適である。つまり、マイクロレンズＭＬの倍率の絶対値が１より大きいラインヘッド２９にあっては、ヘッド基板２９３でのチップＣＰの位置ずれが僅かであっても、かかる位置ずれは拡大されて感光体表面での照射領域のずれとなる。したがって、かかるマイクロレンズＭＬを備えるラインヘッドでは、上述のような隙間の問題が発生しやすい。そこで、かかるラインヘッド２９では、上記発明を適用して、照射領域の隙間の発生を抑制することが、特に好適である。
【０１１８】
また、上記実施形態では、発光素子ライン２９５１Ｌをチップ短軸ＣＬＴ（幅方向ＬＴＤ）に２つ並べて素子集合２９５１SETを形成しているが、素子集合２９５１SETを形成する発光素子ライン２９５１Ｌの個数はこれに限られるものではない。
【０１１９】
また、上記実施形態では、素子集合２９５１SETに対して、３個のマイクロレンズＭＬが対向して設けられているが、素子集合２９５１SETに対向して設けられるマイクロレンズＭＬの個数は３個に限られない。
【０１２０】
また、上記実施形態では、カラー画像形成装置に本発明が適用されているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、いわゆる単色画像を形成するモノクロ画像形成装置に対しても本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明を適用可能な画像形成装置の構成を示す図。
【図２】図１の画像形成装置の電気的構成を示す図。
【図３】ラインヘッドの概略を示す斜視図。
【図４】ラインヘッドの幅方向の断面図。
【図５】マイクロレンズアレイの概略を示す斜視図。
【図６】マイクロレンズアレイの長手方向の断面図。
【図７】マイクロレンズアレイの結像状態を示す図。
【図８】本明細書で用いる用語の説明図。
【図９】本明細書で用いる用語の説明図。
【図１０】基板上におけるチップの配置を示す図。
【図１１】ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図。
【図１２】ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図。
【図１３】チップの位置ずれに起因した不具合を説明する図。
【図１４】実施形態におけるラインヘッドを示す斜視図。
【図１５】実施形態における基板上でのチップの配置を示す図。
【図１６】マイクロレンズアレイの結像状態を示す図。
【図１７】ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図。
【図１８】ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図。
【図１９】ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図。
【図２０】ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図。
【図２１】ラインヘッドにより感光体表面に形成されるスポットの位置を示す図。
【符号の説明】
【０１２２】
２１Ｙ、２１Ｋ…感光体ドラム（潜像担持体）、  ２９…ラインヘッド、  ２９５１…発光素子、  ２９５１SET…素子集合、  ２９３…ヘッド基板（基板）、２９９…マイクロレンズアレイ（光学系）、  ＭＬ…マイクロレンズ、  ＣＰ…チップ、  ＩＲ_A2，ＩＲ_A3，ＩＲ_B2，ＩＲ_C2…照射領域、  ＭＤ…主走査方向（直交方向），  ＳＤ…副走査方向（移動方向）、  ＬＧＤ…長手方向（第２方向）、  ＬＴＤ…幅方向（第１方向）、  ＣＬＧ…チップ長軸、  ＣＬＴ…チップ短軸
【図１】
2009006581.tif 000003
【図２】
2009006581.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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