(57)【要約】【課題】ＰＤＰの放電空間内の不純物濃度を効率的に低減させる。【解決手段】放電空間を介して対向配置される前面基板構造体（第１基板構造体）１１および背面基板構造体（第２基板構造体）１２を有するプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を以下のように製造する。放電空間を区画する隔壁が配置される隔壁形成領域２６の外側を囲むように枠状に配置されるシール部材２７と、隔壁形成領域２６の外周とシール部材２７との間の領域に複数の支持部材２８とをそれぞれ形成する。支持部材２８は、シール部材２７よりも軟化点の高い材料で構成され、支持部材２８の高さは隔壁の高さよりも高く形成し、シール部材２７の高さは支持部材２８の高さよりも高く形成する。これにより、ＰＤＰの周囲を封着し、内部のガスを排気する工程で、隔壁の上部に排気クリアランスを確保することができるので、排気効率が向上する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１基板の第１の面側に表示電極対を構成する複数の第１電極および第２電極と、前記表示電極対を覆う誘電体層とが形成された第１基板構造体と、第２基板の第２の面側に放電空間を区画する隔壁が形成された第２基板構造体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１基板構造体または前記第２基板構造体に前記隔壁が配置される隔壁形成領域の外側を囲むように枠状に配置されるシール部材と、前記隔壁形成領域の外周と前記シール部材との間の領域にそれぞれ間隔を開けて配置される複数の支持部材とをそれぞれ形成する工程と、
（ｃ）前記第１基板構造体と前記第２基板構造体とを前記放電空間を介して対向配置して組み立てる工程とを有し、
前記（ｃ）工程には、
（ｃ１）前記第１基板構造体と前記第２基板構造体とを前記放電空間を介して対向配置する工程と、
（ｃ２）前記シール部材を加温することにより、前記第１基板構造体と前記第２基板構造体とが重なる領域の外周を封着して、前記シール部材が形成された領域の内側の空間のガスを前記支持部材と前記シール部材との間に形成された通気経路を通じて排気する工程とを含み、
前記支持部材は、前記シール部材よりも軟化点の高い材料で構成され、
前記（ｂ）工程では、前記支持部材の高さは前記隔壁の高さよりも高く形成され、前記シール部材の高さは前記支持部材の高さよりも高く形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記支持部材は、前記支持部材が形成される平面の中心に対して対称な位置に配置されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記シール部材は、前記第１基板構造体と前記第２基板構造体が重なる領域の外周に沿って四辺形を成すように配置され、前記支持部材は、前記四辺形のシール部材が有する４つの角部の内側に配置されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記支持部材は、前記シール部材が有する４つの角部の内側に配置される第１支持部材と、隣り合う前記第１支持部材の間に間隔を開けて配置される第２支持部材とを有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記支持部材は、前記シール部材が有する４つの辺のうち隣り合う２辺を結ぶ直線に沿って形成され、前記支持部材の両端と前記シール部材との間には隙間を有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記複数の支持部材のうち、前記通気経路に最も近い位置に配置される支持部材には、前記シール部材との間に２方向の開口部を有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記（ｃ２）工程では、対向配置された前記第１基板構造体と前記第２基板構造体の全体を加熱する工程を含み、その温度プロファイルは、前記シール部材の軟化点に達してから前記支持部材の軟化点に達するまでの単位時間当りの温度上昇率を、加熱開始から前記シール部材の軟化点に達するまでの単位時間当りの温度上昇率よりも小さくすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記支持部材と、前記シール部材とは色相が異なることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
放電空間を介して対向配置される第１基板構造体および第２基板構造体と、
前記第１基板構造体と前記第２基板構造体の対向面側に前記放電空間を区画するように配置される隔壁と、
前記隔壁が配置される隔壁形成領域の外側を囲むように配置され、前記第１基板構造体と前記第２基板構造体の間の空間を封着する枠状のシール部材と、
前記隔壁形成領域の外周と前記シール部材との間の領域にそれぞれ間隔を開けて配置される複数の支持部材と、
前記支持部材と前記シール部材との間に配置され、外側の端部が密封された通気経路とを有し、
前記支持部材は、前記シール部材よりも軟化点が高い材料で構成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記シール部材は、前記第１基板構造体と前記第２基板構造体が重なる領域の外周に沿って四辺形を成すように配置され、前記支持部材は、前記四辺形のシール部材が有する４つの角部の内側に配置されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示用のデバイスであるプラズマディスプレイパネルの技術に関し、放電空間を介して対向配置される前面基板構造体と背面基板構造体とを有し、その放電空間内に放電ガスを封入した構造のプラズマディスプレイパネルに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示用のデバイスであるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；Plasma Display Panel）は一般に放電空間を介して対向配置される前面基板構造体と背面基板構造体とを有し、その放電空間内に放電ガスとよばれる例えば希ガスなどの混合ガスを封入した構造となっている。この放電空間は背面基板構造体に形成されるストライプ状あるいは格子状の隔壁によって区画されている。
【０００３】
また、該隔壁の側面および放電空間の底面には放電によって所定の放電ガスから放射される紫外線に励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の可視光をそれぞれ発光する蛍光体が形成され、この可視光が前面基板構造体を透過して表示面側に所望の画像を形成する。
【０００４】
ＰＤＰの放電空間内に放電ガスを封入する工程は一般に以下のように行う。
【０００５】
まず、封着工程として、前面基板構造体または背面基板構造体の外周に設けられた低融点ガラスなどからなるシール部材によってＰＤＰの外周を封着する。
【０００６】
次に、排気工程として、シール部材の内側に形成された通気孔を介して前面基板構造体と背面ガラス基板とシールとで密閉された（放電空間を含む）空間内のガスを、所定の真空度まで排気する。
【０００７】
次に放電ガス封入工程として、放電に必要な放電ガスを所定のガス圧力で封入し、その後通気孔に接続されたガスの通気経路を完全に封止する。
【０００８】
ここで、上記排気工程での排気が不十分な場合、放電空間内に有機系不純物ガスが残留する場合がある。また、上記放電ガス封入工程では、放電ガスと一緒にＣＯ２やＨ２Ｏなどの不純物ガスが進入する場合がある。この不純物ガスが表示領域（所望の画像を形成するための放電空間）内の隔壁や蛍光体、あるいは前面基板構造体の放電空間側の表面に形成された保護膜などに吸着すると、電圧特性に差が生じ表示品位を低下させる問題がある。
【０００９】
この不純物ガスが表示領域内に吸着されることを防止するため、いくつかの方法が提案されている。
【００１０】
例えば、特開２００６−３１００５０号公報（特許文献１）には通気孔近傍に放電ガス導入路を形成し、導入路内の保護膜に不純物ガスを吸着させて表示領域にまで不純物ガスが到達することを抑制する構造が開示されている。
【００１１】
また、例えば、特開２００２−０５６７８０号公報（特許文献２）には、シール部の内側に排気障害壁を形成し、シール部材と排気障害壁の間に通気孔を設けることにより、上記（ｂ）工程での排気コンダクタンスを均一化する構造が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３１００５０号公報
【特許文献２】特開２００２−０５６７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら上記した特許文献１や特許文献２に開示された技術では解決されていない以下の課題がある。
【００１３】
上記した封着工程および排気工程では、まず、前面基板構造体または背面基板構造体の外周にペースト状のシール部材を四辺形枠状に塗布する。次に、前面基板構造体と背面基板構造体とを位置合わせした状態で対向配置して、金属製のクリップなどにより固定する。
【００１４】
このような状態で除々に昇温してゆきシール部材が溶融する温度になったら排気を開始する。理想的にはＰＤＰ全体が同じ温度プロファイルで昇温され、４辺のシール部材が同時に溶融し、前面基板構造体（または背面基板構造体）の４辺が同時に沈み込むような状況が好ましい。
【００１５】
しかし、ＰＤＰ全体を同じ温度プロファイルで昇温させることは難しく、温度にバラツキが生じるため、ある１辺が先に沈みこむような状況が発生する場合がある。この場合、前面基板構造体、背面基板構造体およびシール部材とで密閉された空間内の排気状態にバラツキが生じる場合がある。
【００１６】
また、４辺同時にシール部材が溶融した場合であっても、前面基板構造体と隔壁の頂部が短時間で密着するため、排気経路の排気抵抗が大きくなり、放電空間内の排気が不十分になる場合がある。特に、隔壁が格子状に形成されるボックス構造と呼ばれる構造のＰＤＰにおいては、放電空間の周囲が隔壁に囲まれており、排気経路が狭くなっているため排気が不十分になりやすい。
【００１７】
このように、排気状態にバラツキが生じる場合、あるいは、排気が不十分になる場合には、不純物ガスが放電空間内に残留する可能性が高くなる。このため、不純物ガスを完全に排出するためには、長時間排気する必要があり、結果としてＰＤＰの製造効率を低下させる原因となる。
【００１８】
上記特許文献１には放電ガスを封入する際に導入される不純物ガスについては対策が施されているが、排気不足により残留する不純物ガスに対する対策については記載されていない。また、特許文献１では、放電ガス導入経路を形成してＰＤＰ内部の通気経路を一方向に規制するため、静圧により排気効率が低下するおそれがある。
【００１９】
また、上記特許文献２では、排気障害壁を設けることにより排気コンダクタンスを一様にすることが記載されているが、単にシール部材と排気障害壁の間に通気孔を設けた構造では、ＰＤＰ内部の排気コンダクタンスが一様に低下して、排気効率が低下するおそれがある。
【００２０】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的はＰＤＰの放電空間内の不純物濃度を効率的に低減させることができる技術を提供することにある。
【００２１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２３】
すなわち、本発明の一つの実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、以下の工程を有している。
【００２４】
（ａ）第１基板の第１の面側に表示電極対を構成する複数の第１電極および第２電極と、前記表示電極対を覆う誘電体層とが形成された第１基板構造体と、第２基板の第２の面側に放電空間を区画する隔壁が形成された第２基板構造体を準備する工程。
【００２５】
（ｂ）前記第１基板構造体または前記第２基板構造体に前記隔壁が配置される隔壁形成領域の外側を囲むように枠状に配置されるシール部材と、前記隔壁形成領域の外周と前記シール部材との間の領域にそれぞれ間隔を開けて配置される複数の支持部材とをそれぞれ形成する工程。
【００２６】
（ｃ）前記第１基板構造体と前記第２基板構造体とを前記放電空間を介して対向配置して組み立てる工程。また、前記（ｃ）工程には、以下の工程が含まれる。
【００２７】
（ｃ１）前記第１基板構造体と前記第２基板構造体とを前記放電空間を介して対向配置する工程。
【００２８】
（ｃ２）前記シール部材を加温することにより、前記第１基板構造体と前記第２基板構造体とが重なる領域の外周を封着して、前記シール部材が形成された領域の内側の空間のガスを前記支持部材と前記シール部材との間に形成された通気経路を通じて排気する工程。
【００２９】
ここで、前記支持部材は、前記シール部材よりも軟化点の高い材料で構成され、前記（ｂ）工程では、前記支持部材の高さは前記隔壁の高さよりも高く形成され、前記シール部材の高さは前記支持部材の高さよりも高く形成される。
【発明の効果】
【００３０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００３１】
すなわち、本発明の一つの実施の形態によれば、放電空間内の不純物濃度を効率的に低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００３３】
また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は原則として省略する。また、本実施の形態を説明するための全図においては、各部材の構成をわかりやすくするために、平面図であってもハッチングや模様を付す場合がある。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３４】
＜ＰＤＰの基本構造＞
まず、図１を用いて本実施の形態のＰＤＰの構造の一例について交流面放電型のＰＤＰを例に説明する。図１は本実施の形態のＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大分解斜視図である。
【００３５】
図１において、ＰＤＰ１は前面基板構造体（第１基板構造体）１１と背面基板構造体（第２基板構造体）１２とを有している。前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは対向配置された状態で重ね合わされ、その間に放電空間２４を有している。つまり、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは放電空間２４を介して対向配置されている。
【００３６】
前面基板構造体１１はＰＤＰ１の表示面を有し、表示面側には主にガラスで構成される前面基板（第１基板）１３を有している。前面基板１３の表示面と反対側の面（第１の面）１３ａにはＰＤＰ１の表示電極であるＸ電極（第１電極、維持電極、サステイン電極）１４と、Ｙ電極（第２電極、走査電極、スキャン電極）１５とがそれぞれ複数形成されている。
【００３７】
Ｘ電極１４およびＹ電極１５は維持放電（表示放電、サステイン放電）を行うための一対の表示電極対を構成し、例えば、行方向（第１方向、横方向）ＤＸに沿って帯状に延在するようにそれぞれ交互に配置されている。この一対のＸ電極１４とＹ電極１５とがＰＤＰ１における表示の行を構成する。なお、図１では、一対のＸ電極１４およびＹ電極１５を拡大して示しているが、ＰＤＰ１は、この表示の行数に応じて複数のＸ電極１４およびＹ電極１５を有している。
【００３８】
このＸ電極１４およびＹ電極１５は一般に例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＳｎＯ２などの透明な電極材料で構成されるＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａと、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ、Ｃｒ、あるいはこれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）などからなるＸバス電極（金属電極部）１４ｂ、Ｙバス電極（金属電極部）１５ｂとで構成される。
【００３９】
図１では、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａが帯状に延びる形状を示しているが、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａの形状はこれに限定されない。例えば、維持放電の安定化や放電効率の向上のため、一対の電極対間の最短距離（放電ギャップと呼ばれる）がセルに対応して近づくようにＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂと重なる位置からそれぞれ対向する方向に突出部を形成する構造としても良い。
【００４０】
また、これらの電極群（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）は誘電体層１７で被覆されている。
【００４１】
また、誘電体層１７の表面には、前述した維持放電などの際に、生じるイオンなどの衝突（スパッタ）による衝撃から誘電体層１７を保護するため、保護層１８が形成されている。保護層１８は誘電体層１７の一方の表面を覆うように形成されている。保護層１８には高いスパッタ耐性と２次電子放出係数が要求されるため、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）を主とする材料を用いることができる。
【００４２】
一方、背面基板構造体１２は、主にガラスで構成される背面基板（基板、第２基板）１９を有している。背面基板１９の前面基板構造体１１と対向する面（第２の面、内側面）上には、複数のアドレス電極（第３電極）２０が形成されている。各アドレス電極２０は、Ｘ電極１４およびＹ電極１５が延在する方向と交差する（略直交する）列方向（第２方向、縦方向）ＤＹに沿って延在するように形成されている。また、各アドレス電極２０は、互いに略平行となるように所定の配置間隔を持って配置されている。
【００４３】
アドレス電極２０を構成する材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ、Ｃｒ、あるいはこれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）などを用いることができる。
【００４４】
このアドレス電極２０と、前面基板構造体１１に形成されたＹ電極１５とは、セル２５の点灯／非点灯を選択するための放電であるアドレス放電を行うための電極対を構成する。つまり、Ｙ電極１５は維持放電用の電極としての機能とアドレス放電用の電極（走査電極）としての機能とを併せ持っている。
【００４５】
アドレス電極２０は、誘電体層２１で被覆されている。誘電体層２１上には背面基板構造体１２の厚さ方向に伸びる複数の隔壁（第１隔壁）２２が形成されている。隔壁２２はアドレス電極２０が延在する列方向ＤＹに沿ってライン状に延在するように形成されている。また、隔壁２２の平面上の位置は、隣り合うアドレス電極２０の間に配置されている。隔壁２２を隣り合うアドレス電極２０の間に配置することにより、各アドレス電極の位置に対応して誘電体層２１の表面を列方向ＤＹに区分けする放電空間２４が形成される。
【００４６】
各放電空間２４には、放電ガスと呼ばれる希ガスなどのガスが所定の圧力で封入されている。放電ガスとしては、例えばＸｅの分圧比が数％〜数十％に調整されたＸｅ−Ｎｅ−Ｈｅなどの混合ガスを用いて、封入されるガスの圧力は例えば４００ｔｏｒｒ〜６００ｔｏｒｒ（約５４ｋＰａ〜約８０ｋＰａ）とすることができる。
【００４７】
図１では隔壁２２を列方向ＤＹに沿ってストライプ状に形成する例について示しているが、隔壁の配置はこれには限定されない。例えば列方向ＤＹに沿って延在する隔壁２２に加えて、行方向ＤＸに沿って延在する第２隔壁を配置して放電空間２４を格子状に区画する構造としても良い。この場合、放電空間２４は、隔壁２２と第２隔壁とによりセル２５毎にボックス状に区画されるので、このような隔壁の構造はボックス構造と呼ばれる。
【００４８】
また、アドレス電極２０上の誘電体層２１の上面、および隔壁２２の側面には、真空紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発生する蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂがそれぞれ所定の位置に形成されている。
【００４９】
また、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは、保護層１８が形成された面と隔壁２２が形成された面とが対向した状態で固定されている。
【００５０】
一対のＸ電極１４とＹ電極１５とアドレス電極２０との交差に対応して１個のセル２５が構成される。つまり、セル２５は表示電極対（Ｘ電極１４とＹ電極１５の対）とアドレス電極２０の交差毎に形成される。セル２５の平面積は一対のＸ電極１４とＹ電極１５の配置間隔と、隔壁２２の配置間隔により規定される。
【００５１】
また、各セル２５には、赤用の蛍光体部２３ｒ、緑用の蛍光体部２３ｇ、または青用蛍光体部２３ｂのいずれかがそれぞれ形成されている。
【００５２】
このＲ、Ｇ、Ｂの各セル２５のセットにより画素（ピクセル）が構成される。つまり、各蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂはＰＤＰ１の発光素子であり維持放電によって発生する所定波長の真空紫外線に励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発光する。
【００５３】
ＰＤＰ１は、このセル２５毎に維持放電を発生させて、維持放電により発生する真空紫外線によりの各蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂを励起して発光させる構造となっている。
【００５４】
＜ＰＤＰの外周部の構造＞
次に、図２および図３を用いてＰＤＰ１の周囲部の構造について説明する。
【００５５】
図２は図１に示す前面基板構造体と背面基板構造体とを重ね合わせた状態を示す平面図、図３は図２に示す第１基板構造体を透過した状態を示す要部平面図である。なお、図３では、シール部材と、支持部材との位置関係を判りやすく示すため、図１に示す隔壁や蛍光体の図示は省略している。
【００５６】
図２に示すように、ＰＤＰ１は前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とが互いに対向した状態で重ね合わされ、その平面形状は略四角形（方形）の形状となっている。
【００５７】
ただし、ＰＤＰ１を構成する前面基板構造体１１および背面基板構造体１２の外縁辺の長さは異なっており、互いに一部が張り出した状態で重なっている。これは、ＰＤＰ１が有するアドレス電極２０（図１参照）、Ｘ電極１４（図１参照）、Ｙ電極１５（図１参照）の各電極群の電極端子をこの張り出した部分に形成し、ＰＤＰ１に接続する各回路との電気的接続を容易にするためである。
【００５８】
また、図３に示すように、背面基板構造体１２の中央には隔壁形成領域２６が設けられ、この隔壁形成領域２６に図１に示す隔壁２２がＰＤＰ１の画素数に応じて複数形成されている。この隔壁形成領域２６の外側には、これを囲むようにシール部材２７が形成されている。
【００５９】
シール部材２７は前面基板構造体１１（図２参照）と背面基板構造体１２とが重なる領域の外周に配置され、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２の間の空間（ＰＤＰ１の側面）を封着する役割を果たしている。このため、シール部材２７は隔壁形成領域２６の周囲に隙間無く枠状に形成されている。
【００６０】
また、シール部材２７は、ＰＤＰ１の内部の空間を広くとるため、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とが重なる領域の外周に沿って四辺形を成すように配置されている。
【００６１】
本実施の形態では、図３に示す隔壁形成領域２６と、シール部材２７との間の領域に支持部材２８を形成している。支持部材２８はシール部材２７のように隙間無く形成される訳ではなく、間隔を開けて複数（図３では４個）形成されている。
【００６２】
この支持部材２８はシール部材２７よりも軟化点が高い材料で形成されており、これにより、ＰＤＰ１の製造工程において、ＰＤＰ１内部のガスを効率的に排出することを可能にするものであるが、その理由については、ＰＤＰ１の製造方法を説明する際に詳述する。
【００６３】
また、支持部材２８とシール部材２７との間には、ＰＤＰ１の製造段階で内部と外部との通気経路となる通気孔２９が形成されている。図３では通気孔２９を１箇所に形成した例を示しているが、通気孔２９を複数の箇所に形成しても良い。また、図３では通気孔２９を背面基板構造体に形成する例を示しているが、通気孔２９を前面基板構造体１１に形成しても良い。
【００６４】
＜ＰＤＰの製造方法＞
次に、本実施の形態のＰＤＰ１の製造方法について図１〜図１０を用いて説明する。
【００６５】
図４〜図８は本実施の形態のＰＤＰの製造工程を示す説明図であって、図４は背面基板構造体にシールフリットペーストおよび支持部材ペーストを塗布した状態を示す要部拡大断面図、図５は図４に示すシールフリットペーストおよび支持部材ペースト中の有機化合物成分を蒸発させて硬化させた後、前面基板構造体を対向配置した状態を示す要部拡大断面図である。
【００６６】
また、図６は図５に示すシール部材が軟化して前面基板構造体が支持部材によって支持された状態を示す要部拡大断面図、図７は図６に示す支持部材の温度をさらに昇温させて支持部材の軟化させた状態を示す要部拡大断面図、図８は、放電ガスを封入した後通気経路である通気管を密封した状態を示す要部拡大断面図である。なお、図４〜図８の断面は図３に示すＡ−Ａ線に沿った断面に対応している。
【００６７】
また、図９は、図５〜図８に示す製造工程で、前面基板構造体および背面基板構造体の温度プロファイルの一例を示す説明図、図１０は図９に示す温度プロファイルの変形例を示す説明図である。
【００６８】
（ａ）まず、図１に示す前面基板構造体１１と、背面基板構造体１２とを準備する（以下基板構造体準備工程と記す）。
【００６９】
前面基板構造体１１は例えば以下のように予め形成される。
【００７０】
まず、前面基板１３を用意して一方の面に表示電極対を構成するＸ電極（第１電極）１４およびＹ電極（第２電極）１５を所定のパターンで形成する。この電極形成工程では、フォトリソグラフィー法やエッチング法を用いて、透明電極（Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１４ｂ）、バス電極（Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂ）の順で形成する。次に、前面基板１３上に、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５を覆うように誘電体層１７を形成する。
【００７１】
次に、誘電体層１７の表面に図１に示す保護層１８を形成する。保護層１８は例えばＭｇＯで構成され、例えば、ターゲットとしてＭｇＯソースを用いた電子ビームによる真空蒸着法で、形成することができる。
【００７２】
保護層１８にＭｇＯなどの酸化金属を用いる場合、保護層１８は水分などの不純物を吸着し易い特性を有している。保護層１８に水分や二酸化炭素などの不純物が吸着した状態で長時間放置すると、ＭｇＯなどの酸化金属が水と反応して潮解、あるいはＭｇ（ＯＨ）２やＭｇＣＯ３などの水酸化物や炭酸塩に変質する場合がある。この水酸化物や炭酸塩は耐スパッタ特性や二次電子放出係数が変質していないＭｇＯと比較して著しく劣る。保護層１８の変質を防止するため、保護層１８を形成する工程は、後述する組み立て工程の直前に行うことが好ましい。
【００７３】
また、背面基板構造体１２は例えば以下のように予め形成される。
【００７４】
まず、背面基板１９を用意して一方の面にアドレス電極２０を所定のパターンで形成する。次に背面基板１９の表面にアドレス電極２０を覆うように誘電体層２１を形成する。次に誘電体層２１の表面に放電空間を区画する隔壁２２を形成する。隔壁２２は、アドレス電極２０に沿って延在するように形成する。
【００７５】
また、この基板構造体準備工程では、前面基板構造体１１または背面基板構造体１２の少なくとも一方に形成された通気孔２９およびこれに接続される通気管３０を形成しておくことが好ましい。通気管３０の形成方法は、予め筒状に形成した通気管３０を、例えば低融点ガラスなどを主成分とする接着材（図示は省略）により接着して形成する方法を用いることができる。
【００７６】
（ｂ）次に、前面基板構造体１１あるいは背面基板構造体１２のいずれか一方にシール部材２７および支持部材２８を形成する。図４には背面基板構造体１２に形成する例を示している。
【００７７】
まず、背面基板構造体１２の外周の内側に、シール部材２７（図３参照）の原料となるシールフリットペースト２７ａを塗布する。シールフリットペースト２７ａは例えば低融点ガラスフリットなどを主成分とする無機粒子がバインダ剤などの有機化合物中に分散されたペーストを用いることができる。この工程では、隔壁形成領域２６を囲むようにシールフリットペースト２７ａを枠状に塗布する。シールフリットペースト２７ａは、例えばノズルが取り付けられたディスペンサから数ｍｍの幅で連続的に塗布することにより形成できる。塗布されたシールフリットペースト２７ａの形状は例えば、図３に支持部材２７として示すように４つの角部を有する四辺形となる。
【００７８】
次に、隔壁形成領域２６とシールフリットペースト２７ａを塗布する領域との間に、支持部材２８の原料となる支持部材ペースト２８ａを塗布する。支持部材ペースト２８ｂにも例えばガラスフリットなどを主成分とする無機粒子がバインダ剤などの有機化合物中に分散されたペーストを用いることができる。
【００７９】
ただし、図３に示す支持部材２８は、シール部材２７よりも軟化点が高い材料とする必要があるため、シールフリットペースト２７ａに含まれる無機粒子と、支持部材ペースト２８ａに含まれる無機粒子とは、軟化点に差が生じるように（支持部材２８の軟化点が高くなるように）調整する必要がある。
【００８０】
この軟化点の差を生じさせる方法として、例えば、シールフリットペースト２７ａに含まれる無機粒子として鉛（Ｐｂ）を含む有鉛材料を用い、支持部材ペースト２８ａに含まれる無機粒子として鉛を含まない無鉛材料を用いる方法を例示することができる。支持部材ペースト２８ａにも鉛が含まれる場合は、この鉛含有率をシールフリットペースト２７ａの鉛含有率よりも大幅に低下させて、支持部材２８の軟化点を高くしても良い。
【００８１】
このように支持部材２８を構成する材料として無鉛材料（あるいは鉛の含有率がシール部材２７よりも低い材料）を、シール部材２７を構成する材料として有鉛材料（あるいは鉛の含有率が支持部材２８よりも高い材料）を用いると、軟化点の差が生じることに加えて、両者の色相にも差が生じる。このように、支持部材２８とシール部材２７の色相を異なるものとすると、ＰＤＰ１の製造工程において、パネルや材料の管理や識別に利用することができる。
【００８２】
また、シールフリットペースト２７ａと支持部材ペースト２８ａに含まれる無機粒子として鉛（Ｐｂ）を含まない無鉛材料のみを用いる場合には、鉛の代わりに軟化点を下げるアルカリ成分を調整することで軟化点に差を生じさせることができる。ここで、アルカリ成分を調整とは以下である。ガラス材料にナトリウムなどのアルカリ成分を添加すると軟化点が低くなる。アルカリ成分の含有率が高くなるほど軟化点は低下する。そこで、図３に示す支持部材２８に含まれるアルカリ成分の含有率を、シール部材２７に含まれるアルカリ成分の含有率よりも低くする。あるいはシール部材２７にはアルカリ成分が含まれ、支持部材２８にはアルカリ成分が含まれない構成とする。これによりシール部材２７と支持部材２８の間に軟化点の差を生じさせることができる。
【００８３】
または、図３に示す支持部材２８に含まれる無機材料としてシール部材２７とは異なる材料（軟化点がシールフリットペースト２７ａに用いる無機材料よりも高い材料）を用いても良い。支持部材２８にはシール部材２７のようにＰＤＰ１（図１参照）の側面を封着する機能が要求される訳ではない。したがって、シール部材２７の軟化点よりも高い軟化点を有する材料であれば、背面基板１９（あるいは前面基板１３）との接着性や塗布する際の成型性など考慮して適切な材料を選択すれば良く、材料の選択枝は広い。
【００８４】
また、支持部材ペースト２８の塗布方法もシールフリットペースト２７ａと同様に例えばノズルが取り付けられたディスペンサを用いて塗布することができる。
【００８５】
支持部材２８（図３参照）は、後述する組み立て工程においてシール部材２７（図３参照）が軟化して前面基板構造体１１（図２参照）が沈み込んだ時にＰＤＰ１（図１参照）の内部空間のガスを排出する間これを支持する機能を有している。この機能を果たすためには、後述する排気工程で、内部空間のガスを排出する経路を確保する必要がある。このため、支持部材ペースト２８ａを塗布する際は、例えば図３に示すように複数の箇所に間隔を開けて塗布することにより、図３に示す支持部材２８が間隔を開けて形成されるようにする。
【００８６】
図３では、四辺形を成すシール部材２７の４つの角部の内側に屈曲部を有するＬ字型の平面形状を成すよう支持部材２８を形成する例を示しており、この場合、図３に示す支持部材２８の平面形状に沿って図４に示す支持部材ペースト２８ａを塗布する。
【００８７】
また、本実施の形態では、隔壁２２の高さ（背面基板１９の表面から隔壁２２の頂部までの高さ）ＨＲ、支持部材ペースト２８ａの高さ（背面基板１９の表面から支持部材ペースト２８ａの頂部までの高さ）ＨＳ１、シールフリットペースト２７ａの高さ（背面基板１９の表面からシールフリットペースト２７ａの頂部までの高さ）ＨＳ２の関係が、高さＨＲ＜高さＨＳ１＜高さＨＳ２となるように形成する。
【００８８】
すなわち、シールフリットペースト２７ａおよび支持部材ペースト２８ａを硬化させて図５に示すシール部材２７、支持部材２８とした時に、隔壁２２の高さＨＲよりも支持部材２８の高さＨＳ１の方が高く、また支持部材２８の高さＨＳ１よりもシール部材２７の高さＨＳ２が高くなるように形成する。
【００８９】
隔壁２２の高さＨＲよりも支持部材２８の高さＨＳ１を高くすることにより、後述する組み立て工程において、ＰＤＰ１（図１参照）の内部空間のガスを排出する際に隔壁２２と前面基板構造体１１（図５参照）との間に排気クリアランスを確保することができる。また、支持部材２８の高さＨＳ１よりもシール部材２７の高さＨＳ２が高くなるように形成することにより、後述する組み立て工程において、シール部材２７を前面基板構造体１１および背面基板構造体１２にしっかりと固定することができる。
【００９０】
なお、シールフリットペースト２７ａを塗布する工程と支持部材ペースト２８ａを塗布する工程の順序はどちらが先でも良い。
【００９１】
次に、シールフリットペースト２７ａおよび支持部材ペースト２８ａを加温（仮焼成）してこれらを硬化させる。この仮焼成工程では、ペースト中の有機化合物成分の一部または全部を蒸発させることにより硬化させるので、ある程度高い温度まで昇温させるが、シールフリット２７ａに含まれる無機材料の軟化点よりも低い温度で留める。
【００９２】
この仮焼成工程が終わると、図５に示すシール部材２７および支持部材２８が得られる。図５に示すシール部材２７および支持部材２８は、シールフリットペースト２７ａおよび支持部材ペースト２８ａを塗布した際の高さの関係を維持している。
【００９３】
したがって、図５に示す隔壁２２の高さ（背面基板１９の表面から隔壁２２の頂部までの高さ）ＨＲ、支持部材２８の高さ（背面基板１９の表面から支持部材２８の頂部までの高さ）ＨＳ１、シール部材２７の高さ（背面基板１９の表面からシール部材２７の頂部までの高さ）ＨＳ２の関係は、高さＨＲ＜高さＨＳ１＜ＨＳ２となるように形成される。
【００９４】
なお、図４および図５では、背面基板構造体１２にシール部材２７および支持部材２８を形成する方法について説明したが、前面基板構造体１１に形成しても良い。この場合、支持部材２８の高さＨＳ１およびシール部材２７の高さＨＳ２は、それぞれ、前面基板１３の表面から支持部材２８、あるいはシール部材２７の頂部までの高さとなる。
【００９５】
（ｃ）次に、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とを対向配置してＰＤＰ１を組み立てる。前面基板構造体１１と背面基板構造体１２との組み立ては以下のように行う。
【００９６】
（ｃ１）まず、位置合せ工程として、図５に示すように、前面基板構造体１１の保護層１８が形成された面と、背面基板構造体１２の隔壁２２が形成された面とを対向させた状態で位置合せをする。位置合せ工程では、前面基板構造体１１のＸ電極１４（図１参照）、Ｙ電極１５（図１参照）と背面基板構造体１２のアドレス電極２０とが所定の位置関係となるように調整する。
【００９７】
本実施の形態では、この位置合せを行う段階では、前面基板構造体１１と当接するのはシール部材２７の頂部のみであり、支持部材２８の頂部や隔壁２２の頂部は前面基板構造体１１とは当接していない。
【００９８】
位置合せが完了すると、その後の位置ずれを防止するため、例えば図示しないクリップなどの固定治具を用いて前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とを挟み、固定する。
【００９９】
（ｃ２）次に、封着、排気工程として前面基板構造体１１と背面基板構造体１２との周囲部を封着する。この封着、排気工程では、例えば、位置合せされた前面基板構造体１１および背面基板構造体１２全体を図９あるいは図１０に示すような温度プロファイルで加温して図５に示すシール部材２７、支持部材２８を順に軟化させる。
【０１００】
加熱手段としては、例えば、位置合せされた前面基板構造体１１および背面基板構造体１２全体を加熱炉内に戴置する方法を例示することができる。
【０１０１】
まず、図５に示すシール部材２７の温度が軟化点に達すると、シール部材２７が溶融（軟化）して前面基板構造体１１が背面基板構造体１２の方向に沈み始める。
【０１０２】
この時、支持部材２８の軟化点はシール部材２７の軟化点よりも高くなっているので、支持部材２８はこの時点では軟化せず、また、支持部材２８の高さＨＳ１は隔壁２２の高さＨＲよりも高く形成してあるため、前面基板構造体１１の沈み込みは支持部材２８の頂部と当接した所で止まる。つまり、図６に示すように、前面基板構造体１１は支持部材２８に支持された状態となる。
【０１０３】
また、シール部材２７が軟化することにより、前面基板構造体１１に融着するので、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２が重なる領域の周囲部は封着されることとなる。したがってシール部材２７で封着された領域の内側の空間と外側の空間との通気経路は、図６に示す背面基板構造体１２を貫通する通気孔２９および通気管３０によって確保された通気経路のみとなる。
【０１０４】
なお、図６に示すように誘電体層１７および保護層１８は前面基板１３の端部までは形成されていない。このため、シール部材２７は前面基板１３と融着している。これは、封着した後に通気孔２９および通気管３０によって確保される通気経路以外のリークパスの発生を防止するためである。
【０１０５】
次に、図９あるいは図１０に示すように加熱炉内の温度がシール部材２７の軟化点に達した時点で排気を開始する。加温しながら排気を行うと、前面基板構造体１１、あるいは背面基板構造体１２に吸着していた不純物ガスが保護層１８、蛍光体部２３、隔壁２２、支持部材２８、あるいはシール部材２７から脱離してシール部材２７で封着された領域の内側の空間に放出され、続いて通気孔２９および通気管３０を経由して系外に排出される。
【０１０６】
なお、加熱手段として加熱炉内全体のガスを排気しながら加熱する方法（例えば、真空加熱炉など）を用いれば、例えば加温開始直後から排気を開始することもできる。ただし、この場合、加熱炉内全体のガスを排気する必要が生じるので、製造装置の構造や機構が複雑になる。また、排気する領域の体積が大きいため大きな排気エネルギーが必要となる。
【０１０７】
したがって、この排気工程では、図６に示す通気管３０に図示しない通気配管を接続した状態で、シール部材２７が軟化した後から排気を開始することが好ましい。この場合、例えば、通気管３０に通気配管を接続して排気を行うことができるので、加熱炉の構造や機構をより簡略化することができる。また、排気する領域の体積を出来る限り小さくすることにより排気エネルギーの効率化を図ることができる。
【０１０８】
ところで、本実施の形態によれば、図６に示すように、前面基板構造体１１が、隔壁２２の高さＨＲよりも高い高さＨＳ１を有する支持部材２８に支持された状態で排気を行うことができる。
【０１０９】
このため、前面基板構造体１１の内面側の表面（つまり保護層１８の表面）と隔壁２２の頂部との間には排気クリアランス３１を確保することができる。この排気クリアランス３１を確保することにより、前面基板構造体１１の内面側の表面と隔壁２２の頂部とが当接した状態で排気する場合と比較して排気抵抗を大幅に低減することができる。
【０１１０】
そして、排気抵抗が低減されると、図６に示すシール部材２７で封着された領域の内側の空間内のガス（不純物ガスを含むガス）を短時間で、また、小さい排気エネルギーで排出することができる。つまり、ＰＤＰ１の放電空間２４内の不純物濃度を効率的に低減させることができる。
【０１１１】
特に、前述したボックス構造のＰＤＰ（例えば、図１に示す列方向ＤＹに沿って延在する第１の隔壁２２に加えて、行方向ＤＸに沿って延在する第２隔壁を配置して放電空間２４をボックス状に区画する構造）の場合、放電空間２４がボックス状に区画されるため、支持部材２８を設けない構造とすると、前面基板構造体１１の内面側の表面と隔壁との間の隙間が極めて狭くなる。このため、ボックス構造のＰＤＰはストライプ構造のＰＤＰと比較して排気抵抗が大きくなりやすい。
【０１１２】
しかし、本実施の形態によれば排気クリアランス３１を確保することができるので、このボックス構造のＰＤＰに適用した場合であっても排気抵抗を大幅に低減することができるので、排気効率を向上させることができる。
【０１１３】
また、支持部材２８を設けない構造の場合、加熱炉内の温度分布のバラツキに起因して、例えばシール部材２７のある1辺が他の辺に先立って軟化点に達し、前面基板構造体１１が偏って沈み込む場合がある。
【０１１４】
このように前面基板構造体１１が偏って沈み込むと、シール部材２７で封着された領域の内側の空間の排気抵抗にはバラツキが生じるので、一部にガスが滞留してしまうおそれがある。
【０１１５】
しかし、本実施の形態によれば、軟化点に達していない支持部材２８によって支持された状態で排気を行うことができるので、排気抵抗を一様とすることができる。このため、ガスが滞留することを防止して、不純物ガスを確実に系外に排出することができる。
【０１１６】
本実施の形態では上記の通り、前面基板構造体１１が、隔壁２２の高さＨＲよりも高い高さＨＳ１を有する支持部材２８に支持された状態で排気を行うことにより排気効率を向上させている。したがって、支持部材２８は位置ずれ等を生じさせることなく前面基板構造体１１を確実に支持する構造とする必要がある。
【０１１７】
前面基板構造体１１を確実に支持するためには、まず、複数の支持部材２８の配置位置は、支持部材２８が形成される平面（図６の場合は背面基板１９の表面）の中心に対して対称な位置とすることが好ましい。対称な位置に支持部材２８を配置することにより、前面基板構造体１１をバランス良く支持することができる。また、支持部材２８を対称な位置に配置すると支持部材２８が軟化して前面基板構造体１１が更に沈み込む際に前面基板構造体１１のいずれか１辺が他の辺に先立って偏って沈み込むことを抑制することができる。
【０１１８】
また、図３に示すシール部材２７が成す四辺形の全ての辺に沿って支持部材２８が配置されていることが好ましい。４点以上で支持することによって安定させることができるからである。
【０１１９】
また、図３に示すように、四辺形を成すシール部材２７の４つの角部の内側に配置することが好ましい。前面基板構造体１１を支持する支点の内側の面積を最も広くとることができるからである。
【０１２０】
次に、図６に示す状態での排気効率を管理する際に特に好ましい温度プロファイルについて説明する。本実施の形態では図６に示す前面基板構造体１１を、支持部材２８で支持している状態で、シール部材２７で封着された領域の内側の空間の不純物ガスを殆ど系外に排出することが好ましい。
【０１２１】
したがって、図９に示す温度プロファイルにおいて、シール部材２７の軟化点を超えてから支持部材２８の軟化点に達するまでの時間ｔ１を確実に確保する必要がある。シール部材２７と支持部材２８の各軟化点の温度差を広くとることができれば、図９に示すように加熱開始から支持部材２８の軟化点を超えるまで直線的に加熱した場合であっても時間ｔ１を確保することができる。
【０１２２】
しかし、図６に示すシール部材２７で封着された領域の内側の空間の不純物ガスを排出するために要する時間は、ＰＤＰの大きさあるいは構造によって異なる。したがって、シール部材２７の軟化点を超えてから支持部材２８の軟化点に達するまでの時間ｔ１を制御することが不純物ガスを安定的に排出する観点からは好ましい。
【０１２３】
そこで、図１０に示すようにシール部材２７の軟化点に達してから支持部材２８の軟化点に達するまでの単位時間当りの温度上昇率を加熱開始からシール部材２７の軟化点に達するまでの単位時間当りの温度上昇率よりも小さくすることが好ましい。この場合、図６に示す状態で排気する時間ｔ１を必要に応じて調整することができるので、不純物ガスの殆どを確実に系外に排出することができる。
【０１２４】
次に、加熱炉内の温度をさらに上昇させて、支持部材２８の軟化点を超えると、支持部材２８が軟化する。すると図７に示すように前面基板構造体１１の自重と、組み合わされた前面基板構造体１１および背面基板構造体１２の内部空間と外部との気圧差により前面基板構造体１１がさらに沈み込んで前面基板１１と隔壁２２の頂部の一部が当接する状態となる。
【０１２５】
隔壁２２は、例えばガラスフリットなどにより構成されるが、その軟化点は支持部材２８の軟化点よりもさらに高くなっている。このため、隔壁２２は軟化しておらず、前面基板構造体１１の沈み込みは隔壁２２の頂部と当接した所で止まる。
【０１２６】
図７に示す状態で、更に継続して排気すると、シール部材２７で封着された領域の内側の空間の真空度はさらに上がり略真空となる。そして、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは外部の大気圧よってよりしっかりと固定される。
【０１２７】
なお、本実施の形態では前述の通り、図６に示す前面基板構造体１１を、支持部材２８で支持している状態で、シール部材２７で封着された領域の内側の空間の不純物ガスを殆ど系外に排出することができる。したがって、図７に示す状態で排気を行う際に系外に排出されるのは、支持部材２８あるいはシール部材２７に吸着されたごく僅かなガスであるため、前面基板構造体１１と隔壁２２の頂部とが当接した状態であっても十分に排出することができる。
【０１２８】
（ｃ３）次に、放電ガス封入工程として、シール部材２７で封着された領域の内側の空間が所定の真空度となった段階で排気を終了し、続いて放電ガスを封入する。放電ガスは図７に示すように通気管３０および通気孔２９によって確保された通気経路から導入される。
【０１２９】
ここで、放電ガスを封入する際に、配管中に不純物ガスが残留している場合、この不純物ガスが放電ガスに同伴されて内部に浸入するおそれがある。しかし、本実施の形態では、図３に示すように、通気孔２９は支持部材２８とシール部材２７との間に配置されている。このため、放電ガスは直ちに隔壁形成領域２６に達する訳ではなく、支持部材２８で規制される放電ガス導入路３２を通って隔壁形成領域２６に達する。
【０１３０】
また、例えば図７に示すように放電ガス導入路内には保護層１８が形成されている。この保護層１８は不純物ガスを吸着し易い性質を有している。このため、放電ガスに同伴されて不純物ガスが浸入した場合であってもガス導入路３２内に形成された保護層１８等に吸着されるので、隔壁形成領域２６にまで達することを防止し、表示品位の低下を防止することができる。なお、このガス導入路３２にゲッター剤を配置して不純物ガスの吸着効率を向上させても良い。
【０１３１】
また、本実施の形態では支持部材２８とシール部材２７の間に２方向の開口部を有している。このため、いずれか１方向のみに開口部を有している場合と比較すると、静圧を大幅に小さくすることができる。したがって、ガス導入路３２を形成し不純物ガスの浸入を防止しつつ、かつ、排気抵抗の増加を防止することができる。
【０１３２】
最後に、放電ガスを所定の圧力で封入した後、図８に示すように通気管３０を封着して、通気経路の外側の端部を密封し、図１に示すＰＤＰ１が得られる。
【０１３３】
以上説明したように、本実施の形態では、図３に示す隔壁形成領域２６とシール部材２７との間にシール部材２７よりも高い軟化点を有する支持部材２８を形成する。また、図５に示す隔壁２２の高さＨＲよりも支持部材２８の高さＨＳ１の方が高く、また支持部材２８の高さＨＳ１よりもシール部材２７の高さＨＳ２が高くなるように形成する。
【０１３４】
これにより排気工程において、隔壁２２と前面基板構造体１１との間に排気クリアランス３１を確保することができるので、排気効率が向上し、放電空間内の不純物濃度を効率的に低減させることができる。
【０１３５】
＜本実施の形態の変形例＞
ところで、支持部材２８の平面形状および配置する平面位置は図３に示す構造に限定されない。以下、支持部材の平面形状あるいは配置する平面位置の変形例について説明する。
【０１３６】
図１１〜図１３は図３に示す支持部材の平面形状あるいは配置する平面位置の変形例を示す平面図である。なお、図１１〜図１３にそれぞれ示す支持部材３５、３６はその平面形状あるいは配置する平面位置以外は図３に示す支持部材２８と同様である。したがって、図１１〜図１３に示す、支持部材３５、３６に用いる材料や、形成する高さ、あるいは製造方法は図３に示す支持部材２８と同様であるので繰り返しの説明は省略する。
【０１３７】
まず、図１１に示す支持部材３５と図３に示す支持部材２８の相違点は、平面形状である。支持部材３５は、シール部材２７が有する４つの辺のうち隣り合う２辺を結ぶ直線に沿って形成されている。このため、支持部材３５は図３に示す支持部材２８のように屈曲部を有さず、略直線状に形成されている。
【０１３８】
このように支持部材３５を直線状に形成する場合、支持部材３５の原料となるペーストを塗布する工程で、容易に形成することができる。
【０１３９】
また、支持部材３５は図３に示す支持部材２８と同様にシール部材２７が有する４つの角部の内側に支持部材３５が形成される平面の中心に対して対称な位置に配置されている。したがって、前述したように排気工程で図５に示す背面基板構造体１１を支持部材３５で支持する際に、４点で支持することとなるので、安定的に支持することができる。
【０１４０】
また、図１１では、支持部材３５の両端は、シール部材２７と接触しておらず、シール部材２７との間に２方向の開口部を有している。このため、いずれか１方向のみに開口部を有している場合と比較すると、静圧を小さくすることができる。
【０１４１】
なお、図１１に示す支持部材３５の一方の端部をシール部材２７と接触させた場合、開口部が１方向となるので、開口部を２方向に設ける場合と比較すると、排気工程での静圧が上がる。しかし、本実施の形態によれば、図５に示す排気クリアランス３１を設けた状態で排気することができるので、支持部材３５を形成しない場合と比較すると排気抵抗は大幅に小さくなる。したがって、支持部材３５の一方の端部をシール部材２７と接触させた構造とすることもできる。
【０１４２】
また、図１１ではシール部材２７が有する４つの角部の内側に略同じ形状の支持部材３５を４箇所配置する例を示しているが、支持部材３５の形状は全て同じ形状でなくともよく、例えば、通気孔２９と最も近い位置には図３に示す支持部材２８を形成し、残る３箇所には図１１に示す支持部材３５を形成するような構造としても良い。
【０１４３】
異なる平面形状を有する支持部材２８、３５を形成した場合であっても、支持部材２８、３５が形成される平面の中心に対して対称の位置に支持部材２８、３５を配置することにより排気工程において、前面基板構造体１１（図５参照）を安定的に支持することができる。
【０１４４】
次に、図１２に示すように、隣り合う支持部材（第１支持部材）２８の間に間隔を開けて配置される第２支持部材３６を形成しても良い。また、図１３に示すようにシール部材２７が有する一つの辺に沿って複数の第２支持部材３６をそれぞれ間隔を開けて配置しても良い。
【０１４５】
ＰＤＰを組み込んだプラズマディスプレイ装置は、近年特に大型化が進められており、これに伴ってＰＤＰの平面寸法も大きくなる傾向がある。ＰＤＰ１（図２参照）の平面寸法が大きくなるとこれにともなって前面基板構造体（図２参照）１１の平面寸法も大きくなる。このように、前面基板構造体１１が大きい場合であっても、図３で説明した（第１）支持部材２８に加えて第２支持部材３６を形成することにより、前述した排気工程において、図５に示す排気クリアランス３１を確実に確保することができる。
【０１４６】
また、第２支持部材３６は、それぞれ間隔を開けて配置されるので、図１２あるいは図１３に示す隔壁形成領域２６から通気孔２９に接続される通気経路を確保することができる。また、第２支持部材３６の配置間隔の幅を調整することにより、排気抵抗のバラツキを小さくすることができる。
【０１４７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１４８】
例えば、本実施の形態で第１の変形例として説明した図１１に示す支持部材３５の間に間隔を開けて図１２あるいは図１３に示す第２支持部材３６を形成しても良い。
【０１４９】
また、例えば、ＰＤＰは、要求性能や駆動方式に応じて各種構造が存在し、実施の形態で説明したＰＤＰ１とは異なる構造のＰＤＰにも適用することができる。
【０１５０】
例えば、本実施の形態ではＰＤＰの電極構造の例として、アドレス電極２０を背面基板構造体１２に形成する構造例について説明した。しかし、アドレス電極２０を前面基板構造体１１に設ける構造（例えば誘電体層１７と保護層１８との間に第２の誘電体層を積層して、該第２の誘電体層内に形成する構造）も知られており、このような構造に適用しても良い。Ｘ電極１４、Ｙ電極１５およびアドレス電極２０の平面的な位置関係が同様であれば、そのまま適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１５１】
本発明は、例えば、パーソナルコンピュータやワークステーション等のディスプレイ装置、平面型のテレビジョン、あるいは、広告や情報等を表示するための装置として利用されるプラズマディスプレイ装置に対して幅広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】本発明の実施の形態であるＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大分解斜視図である。
【図２】図１に示す前面基板構造体と背面基板構造体とを重ね合わせた状態を示す平面図である。
【図３】図２に示す第１基板構造体を透過した状態を示す要部平面図である。
【図４】背面基板構造体にシールフリットペーストおよび支持部材ペーストを塗布した状態を示す要部拡大断面図である。
【図５】図４に示すシールフリットペーストおよび支持部材ペースト中の有機化合物成分を蒸発させて効果させた後、前面基板構造体を対向配置した状態を示す要部拡大断面図である。
【図６】図５に示すシール部材が軟化して前面基板構造体が支持部材によって支持された状態を示す要部拡大断面図である。
【図７】図６に示す支持部材の温度をさらに昇温させて支持部材の軟化させた状態を示す要部拡大断面図である。
【図８】放電ガスを封入した後通気経路である通気管を密封した状態を示す要部拡大断面図である。
【図９】図５〜図８に示す製造工程で、前面基板構造体および背面基板構造体の温度プロファイルの一例を示す説明図である。
【図１０】図１０は図９に示す温度プロファイルの変形例を示す説明図である。
【図１１】図３に示す支持部材第１の変形例を示す平面図である。
【図１２】図３に示す支持部材第２の変形例を示す平面図である。
【図１３】図３に示す支持部材第３の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１５３】
１  ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
１１  前面基板構造体（第１基板構造体）
１２  背面基板構造体（第２基板構造体）
１３  前面基板（第１基板）
１３ａ  面（第１の面）
１４、４６  Ｘ電極（第１電極）
１４ａ  Ｘ透明電極（透明電極部）
１４ｂ  Ｘバス電極（金属電極部）
１５  Ｙ電極（第２電極）
１５ａ  Ｙ透明電極（透明電極部）
１５ｂ  Ｙバス電極（金属電極部）
１７  誘電体層
１８  保護層
１９  背面基板（第２基板）
１９ａ  面（第２の面）
２０  アドレス電極（第３電極）
２１  誘電体層
２２  隔壁
２３  蛍光体部
２４  放電空間
２５  セル
２６  隔壁形成領域
２７  シール部材
２７ａ  シールフリットペースト
２８  支持部材（第１支持部材）
２８ａ  支持部材ペースト
２９  通気孔（通気経路）
３０  通気管（通気経路）
３１  排気クリアランス
３２  ガス導入路
３５  支持部材（第１支持部材）
３６  第２支持部材
ＤＸ  行方向（第１方向）
ＤＹ  列方向（第２方向）
ＨＲ  高さ
ＨＳ１  高さ
ＨＳ２  高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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