(57)【要約】【課題】ウエハの周縁部を異物から保護することができるウエハ保護カバー及びウエハ処理方法を提供すること。【解決手段】シリコンウエハWの周縁部の一部に嵌着される第１カバー本体１１と、周縁部の残りの部分に嵌着される第２カバー本体１２とを有するウエハ保護カバー１０による。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの周縁部の一部に嵌着される第１カバー本体と、
前記周縁部の残りの部分に嵌着される第２カバー本体と、
を有することを特徴とするウエハ保護カバー。
【請求項２】
前記第１カバー本体の外壁に凸部が設けられると供に、該凸部に嵌合する凹部が前記第２カバー本体の内壁に設けられて、前記凸部と前記凹部において前記第１カバー本体と前記第２カバー本体とが嵌脱自在となっていることを特徴とする請求項１に記載のウエハ保護カバー。
【請求項３】
前記第１カバー本体と前記第２カバー本体にヒンジが設けられ、該第１カバー本体と該第２カバー本体とが開閉自在となっていることを特徴とする請求項１に記載のウエハ保護カバー。
【請求項４】
前記第１カバー本体はオリフラタイプのウエハの円周部分に嵌着され、
前記第２カバー本体は前記ウエハのオリフラ部分に嵌着され、
前記第１カバー本体と前記第２カバー本体とがヒンジにより開閉自在となっていることを特徴とする請求項１に記載のウエハ保護カバー。
【請求項５】
前記第１カバー本体と前記第２カバー本体のそれぞれの内壁と、前記ウエハの端面との間に空間が形成されることを特徴とする請求項１に記載のウエハ保護カバー。
【請求項６】
ウエハの周縁部にウエハ保護カバーを嵌着する工程と、
前記ウエハ保護カバーが嵌着されたウエハに対して処理を行う工程と、
前記処理の後、前記ウエハから前記ウエハ保護カバーを外す工程と、
を有することを特徴とするウエハ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ保護カバー及びウエハ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体装置の製造工程では、パーティクル等の異物によって半導体装置が不良となるのを防止するため、半導体基板の表面の清浄度を高い状態に維持する必要がある。ところが、実際には、クリーンルーム内で使用される部品に半導体基板が触れる際に、その部品が汚染源となって、部品から基板に異物が乗り移ってしまう。
【０００３】
汚染源となる部品としては、例えば、半導体基板を搬送するためのカセット、処理チャンバ内で半導体基板をステージに押さえつけるクランプリング、オリフラ合わせ装置のローラ等がある。
【０００４】
これらの部品は基板の回路形成面と接触しないように設計されているので、部品と半導体基板とが接触した直後では、異物は基板の裏面や端面に付着しており、回路形成面に異物が付着することはない。
【０００５】
しかしながら、半導体基板を洗浄するために液槽内でウエット処理を行うと、異物が半導体基板を一旦離れて液槽内を漂い、その後に回路形成面に異物が再付着し、回路が不良となることがある。
【０００６】
特に、半導体基板の端面は、ベベルと呼ばれる面取り加工がなされているため、表面の凹凸が他の部分よりも大きく異物を付着し易い傾向があり、他の部分よりも汚染の発生源となり易い。
【０００７】
そのため、異物に起因した不良を低減するには、部品から半導体基板の端面に乗り移る異物をなるべく低減するのが有効である。
【０００８】
なお、本発明に関連する技術が次の特許文献１〜３に開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１００７３６号公報
【特許文献２】特開２００６−１１４８８４号公報
【特許文献３】特開２０００−２６９２９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ウエハの周縁部を異物から保護することができるウエハ保護カバー及びウエハ処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、ウエハの周縁部の一部に嵌着される第１カバー本体と、前記周縁部の残りの部分に嵌着される第２カバー本体とを有するウエハ保護カバーが提供される。
【００１１】
また、本発明の別の観点によれば、ウエハの周縁部にウエハ保護カバーを嵌着する工程と、前記ウエハ保護カバーが嵌着されたウエハに対して処理を行う工程と、前記処理の後、前記ウエハから前記ウエハ保護カバーを外す工程とを有するウエハ処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ウエハの周縁部にウエハ保護カバーを嵌着するので、クリーンルーム内で使用されるカセット等の部品にウエハの端面が直接触れず、ウエハの端面を清浄に保つことができる。そのため、洗浄工程において端面から離れる異物の数が少なくなり、その異物が洗浄液中を漂ってウエハ表面に再付着することで発生する半導体装置の歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（１）調査結果についての説明
本発明の実施の形態の説明に先立ち、本願発明者が行った調査結果について説明する。
【００１４】
この調査では、洗浄処理の後にシリコンウエハ表面に残留するパーティクルの面内分布が調べられた。なお、洗浄装置としては、１ロット（２５枚）のシリコンウエハを一括して液槽に浸すバッチ式の装置を用いた。そのうちの一枚のシリコンウエハSの結果を図１に示す。
【００１５】
図１に示されるように、シリコンウエハSの表面には、黒点で示されるパーティクルが多く分布している。
【００１６】
図２は、このシリコンウエハを洗浄する前のウエハ周縁部の顕微鏡写真である。これに示されるように、ウエハ周縁部には異物Pが存在する。この異物Pは、その後の洗浄処理の際に液槽内を漂いシリコンウエハS表面に再付着し、図１に示したような分布のパーティクルになったと考えられる。
【００１７】
図２で発見された異物は、クリーンルームで使用されるカセット等の部品に接触した際に付着したと推測されるため、異物による歩留まり低下を防止するには、シリコンウエハに対してその周縁部を覆った状態で処理を行うことが有効であると考えられる。
【００１８】
このような知見に鑑み、本願発明者は以下に説明するような実施形態に想到した。
【００１９】
（２）第１実施形態
図３は、本実施形態に係るウエハ保護カバーの斜視図である。
【００２０】
このウエハ保護カバー１０は、成膜処理等の半導体装置の製造工程において、ノッチタイプのシリコンウエハWの周縁部にパーティクル等の異物が付着するのを防止するために使用される。なお、ノッチタイプとは、シリコンの面方位をノッチ（切り欠き）Nによって示す方式をいう。
【００２１】
ウエハ保護カバー１０は、シリコンウエハWの周縁部のうちの半周部分に嵌着される第１カバー本体１１と、残りの半周部分に嵌着される第２カバー本体１２とを有する。
【００２２】
このうち、第１カバー本体１１の終端部分の外壁には凸部１１ａが設けられる。そして、第２カバー本体１２の終端部分の内壁には、該凸部１１ａに嵌合する凹部１２ａが設けられており、これら凸部１１ａと凹部１２ａにおいて第１、第２カバー本体１１、１２は嵌脱自在となっている。
【００２３】
更に、各カバー本体１１、１２には、シリコンウエハWの周縁部を嵌着するための溝１５が形成されている。
【００２４】
図４は、シリコンウエハWに嵌着された状態のウエハ保護カバー１０の斜視図である。
【００２５】
第１、第２カバー本体１１、１２の材料は特に限定されない。PFA、PTFE等の樹脂材料で第１、第２カバー本体１１、１２を構成してもよいし、金属材料でこれらのカバー本体１１、１２を構成してもよい。樹脂材料は、可撓性があるため密着性がよく、第１、第２カバー本体１１、１２によりシリコンウエハWの周縁部を保護し易いという利点がある。
【００２６】
図５は、第１、第２カバー本体１１、１２の断面図である。
【００２７】
これに示されるように、各カバー本体１１、１２の内壁とシリコンウエハWの端面Sとの間には空間が形成される。これにより、端面Sがカバー１１、１２の内壁に直接接触せず、カバー１１、１２との接触で端面Sに異物が付着するのを防止できる。
【００２８】
更に、シリコンウエハWにおいては、デバイス用の膜が端面Sから後退して形成されているのが普通であり、デバイス用の膜が形成されている領域Rに第１、第２カバー本体１１、１２が重なるとその膜に傷が付いてしまう。
【００２９】
そのため、領域Rよりも外側で第１、第２カバー本体１１、１２がシリコンウエハWの主面と接触するようにするのが好ましい。
【００３０】
更に、その接触部分Tは、接触に起因した異物の発生を低減するためになるべく少なくするのが好ましい。本実施形態では、接触部分Tの幅Xを４０００μm以下とすることで、異物の発生を抑えるようにする。
【００３１】
また、密着によりシリコンウエハWの周縁部を確実に保護するという観点からすると、第１、第２カバー本体１１、１２の内側の幅D1をシリコンウエハWの厚さにD0になるべく近くするのが好ましい。典型的には、厚さD0は、直径が６インチのシリコンウエハで約６２５μmであり、直径が８インチのもので約７２５μmである。本実施形態では、シリコンウエハWの厚さにD0に０．１mmを加えた厚さを内側の幅D1とする。
【００３２】
更に、第１、第２カバー本体１１、１２の肉厚が厚すぎると、これらを取り付けた状態でシリコンウエハWをカセット等に収容し難くなるので、なるべく薄い肉厚の第１、第２カバー本体１１、１２を使用するのが好ましい。本実施形態では、その肉厚ΔTを約０．５mmとする。
【００３３】
以上説明したウエハ保護カバー１０を半導体装置の製造工程で使用することで、カセット等との接触によってシリコンウエハWの端面Sに異物が付着するのを防止でき、洗浄工程等においてその異物がシリコンウエハWに再付着するのが抑制され、シリコンウエハWに形成される半導体装置が異物に起因して不良となるのを防ぐことができる。
【００３４】
特に、シリコンウエハWの端面Sは、図５に示されるようなベベルと呼ばれる面取り加工が施されており、他の部位と比較して表面の凹凸が大きく、異物が付着し易い状態となっている。このような異物の発生源となり得る端面Sの保護については従来全く考慮されていない。そのため、保護カバー１０による保護で、異物に起因した歩留まり低下を飛躍的に向上できると期待される。
【００３５】
（３）第２実施形態
図６は、本実施形態に係るウエハ保護カバー２０の上面図である。
【００３６】
この保護カバー２０は、ノッチタイプのシリコンウエハWの周縁部のうちの半周部分に嵌着される第１カバー本体２１と、残りの半周部分に嵌着される第２カバー本体２２とを有する。
【００３７】
各カバー本体２１、２２の一方の終端部分にはヒンジ２０ａが設けられ、該ヒンジ２０ａによって第１カバー本体２１と第２カバー本体２２とが開閉自在となっている。
【００３８】
更に、第１カバー本体２１の終端部分の外壁には凸部２１ａが設けられていると供に、第２カバー本体２２の終端部分の内壁には凹部２２ａが設けられており、凹部２２ａが凸部２１ａに嵌合することでカバー本体２１、２２同士が閉められる。
【００３９】
そして、シリコンウエハWは、カバー本体２１、２２に形成された第１実施形態で説明したような溝によりその周縁部が嵌着される。
【００４０】
このような保護カバー２０によっても、第１実施形態と同様に、シリコンウエハWの周縁部分に異物が付着するのが防止され、半導体装置の歩留まり向上に寄与することができる。
【００４１】
（４）第３実施形態
図７は、本実施形態に係るウエハ保護カバー３０の斜視図である。
【００４２】
この保護カバー３０は、直線状のオリフラ部分OFを有するオリフラタイプのシリコンウエハWに利用されるものであって、シリコンウエハWの円周部分に嵌着される第１カバー本体３１と、オリフラ部分OFに嵌着される第２カバー本体３２とを有する。
【００４３】
各カバー本体３１、３２は、ヒンジ３０ａによって開閉自在であると供に、第２カバー本体３２の終端部分の内壁に設けられた凹部３２ａが第１カバー本体３１の外壁の凸部３１ａに嵌合することで、カバー本体３１、３２同士が閉められる。
【００４４】
更に、カバー本体３１、３２のそれぞれは、第１実施形態で説明したような溝を有しており、該溝にシリコンウエハWの周縁部が嵌着される構造となっている。
【００４５】
このような保護カバー３０によれば、オリフラタイプのシリコンウエハWに対してもその周縁部分を保護することができ、周縁部分に異物が付着するのを抑制することができる。
【００４６】
また、第１カバー本体３１を樹脂等の可撓性材料から構成することにより、第１カバー本体３１へのシリコンウエハWの出し入れが容易となり、保護カバー３０の嵌着を簡単に行うことができる。
【００４７】
（５）第４実施形態
本実施形態では、第１〜第３実施形態で説明した保護カバーを用いたウエハ処理方法について説明する。
【００４８】
図８〜図１０はこのウエハ処理方法について説明するための断面図である。
【００４９】
この処理方法では、最初に、図８（ａ）に示すように、シリコンウエハWに第１実施形態で説明した第１、第２カバー本体１１、１２よりなるウエハ保護カバー１０を嵌着する。なお、このウエハ保護カバー１０に代えて、第２、第３実施形態で説明した保護カバー２０、３０を嵌着してもよい。更に、シリコンウエハWがオリフラタイプの場合には、第３実施形態で説明した保護カバー３０を嵌着してもよい。
【００５０】
また、シリコンウエハWは膜形成前のものである必要はなく、デバイス用の膜５２が形成されていてもよい。その膜５２は、酸化シリコン膜等の絶縁膜や、金属配線に使用されるアルミニウム膜等の導電膜である
次いで、図８（ｂ）に示すように、シリコンウエハW上にフォトレジスト５０を塗布する。このとき、第１、第２カバー本体１１、１２で覆われている部分のシリコンウエハWにはフォトレジスト５０は塗布されない。
【００５１】
続いて、図９（ａ）に示すように、フォトレジスト５０を露光、現像してレジストパターン５１とした後、そのレジストパターン５１をマスクにしてシリコンウエハW上に形成されていた膜５２をエッチングする。
【００５２】
このエッチングを終了した後に、レジストパターン５１は除去される。
【００５３】
次いで、図９（ｂ）に示すように、第１、第２カバー本体１１、１２よりなる保護カバー１０をシリコンウエハWから外す。
【００５４】
このとき、カセット等との接触により第１、第２カバー本体１１、１２の外面に付着していた異物はカバー本体１１、１２と一緒に除去されるので、シリコンウエハWの周縁部は高い清浄度に維持されている。
【００５５】
更に、レジストパターン５１（図９（ａ）参照）を除去する際に仮にレジスト残渣が発生しても、第１、第２カバー本体１１、１２で覆われていたシリコンウエハWの周縁部では、カバー本体１１、１２と一緒にレジスト残渣も除去されるので、レジストよりなる異物の発生を抑制することができる。
【００５６】
この後に、図１０に示すように、１ロットのシリコンウエハWをカセット１０１に入れ、純水等の洗浄液１０２が溜められた液槽１００にシリコンウエハWを浸すことにより、シリコンウエハWに対して洗浄処理を行う。
【００５７】
このようにして洗浄処理を行った後は、IPA(Isopropyl Alcohol)雰囲気でシリコン基板Wを乾燥させた後、次の成膜工程等に移ることになる。
【００５８】
ここまでの工程により、本実施形態に係るウエハ処理方法の主要工程を終了する。
【００５９】
以上説明した本実施形態に係るウエハ処理方法によれば、フォトレジストを塗布する工程（図８（ｂ））からエッチング工程（図９（ａ））の間において、シリコンウエハWの周縁部分に、第１、第２カバー本体１１、１２よりなる保護カバー１０が嵌着されている。したがって、少なくともこれらの工程間でシリコンウエハWをクリーンルーム内で搬送する際には、搬送に使用されるカセットとシリコンウエハWの端面とが直接接触せず、接触に起因した異物が発生しない。
【００６０】
また、図１０の工程で洗浄処理を行う際にはシリコンウエハWの端面がカセット１０１に触れることになるが、図８（ｂ）の工程から図１０の工程を通してみると、端面とカセットとが接触する機会は、保護カバー１０を用いない場合と比較して少なくなる。
【００６１】
そのため、図１０の洗浄処理の際、シリコンウエハWの端面から離脱して洗浄液中を漂う異物が少なくなり、その異物がシリコン基板Wの表面に再付着することで発生する歩留まりの低下を抑制することができる。
【００６２】
更に、製造途中にレジスト残渣等よりなる異物が発生しても、第１、第２カバー本体１１、１２を外す工程（図９（ｂ））において異物が一緒に除去されるので、製造工程を通してシリコン基板Wの周縁部を高い清浄度に維持することができる。
【００６３】
なお、シリコンウエハWの保護は、第１〜第３実施形態で説明した保護カバー１０〜３０を用いずに、次のようにしても行うことができる。
【００６４】
図１１は、シリコンウエハWを保護する別の方法について説明するための斜視図である。
【００６５】
この方法では、シリコンウエハWの周縁部分にシールテープ状薄膜４１を巻いて保護するようにする。
【００６６】
シールテープ状薄膜４１は、粘着性がなく自身の伸縮力によりシリコンウエハWに密着するものである。そのようなシールテープ状薄膜４１は、典型的にはPFAやPTFE等の薄膜よりなる。
【００６７】
これによれば、保護カバー１０〜３０を新たに作製せずに、市販のシールテープ状薄膜によりシリコンウエハWの周縁部を簡単に保護することができる。
【００６８】
また、図１０の洗浄工程後に行われる工程の一例としては、MOSトランジスタの形成工程がある。以下に、そのMOSトランジスタの形成方法について、図１２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００６９】
最初に、図１２（ａ）に示すように、上記の洗浄工程によって清浄化されたシリコンウエハWの表面を熱酸化して、ゲート絶縁膜となる熱酸化膜８２を形成する。
【００７０】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、熱酸化膜８２の上にポリシリコン膜を形成した後、そのポリシリコン膜をパターニングすることによりゲート電極８５を形成する。
【００７１】
そして、そのゲート電極８５をマスクにしてn型不純物をシリコンウエハWにイオン注入し、n型ソース／ドレインエクステンション８６を形成する。
【００７２】
続いて、図１２（ｃ）に示すように、酸化シリコン膜等の絶縁膜をシリコンウエハWの全面に形成した後、それをエッチバックしてゲート電極８５の横に絶縁性サイドウォール８９として残す。
【００７３】
その後、絶縁性サイドウォール８９とゲート電極８５とをマスクにしてシリコンウエハWにn型不純物を再びイオン注入することで、n型ソース／ドレイン領域８８を形成する。
【００７４】
以上により、MOSトランジスタTRの基本構造が得られた。
【００７５】
このようなMOSトランジスタTRによれば、図１２（ａ）の工程の前に行われる洗浄工程において、保護カバー１０の使用により洗浄液１０２（図１０参照）に持ち込まれる異物の数を低減したので、熱酸化膜８２に取り込まれる異物が殆どない。したがって、熱酸化膜８２よりなるゲート絶縁膜に異物に起因したリークパスが形成されず、MOSトランジスタTRが不良となるのを防ぐことができる。
【００７６】
（６）第５実施形態
半導体装置の量産工程では、複数枚のシリコンウエハWがカセットに収容された状態で搬送されるのが普通である。本実施形態では、このようにカセットに収容される複数枚のシリコンウエハWに一括して保護カバー３０を嵌着する方法について、図１３〜図１６を参照して説明する。
【００７７】
なお、以下では、第３実施形態で説明した保護カバー３０の嵌着方法について説明するが、第２実施形態の保護カバー２０も同様にして嵌着される。
【００７８】
まず、図１３（ａ）の断面図に示すように、カセット１０１に複数個の保護カバー３０を予めセットしておく。
【００７９】
図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のA側から見た側面図である。これに示されるように、この状態では、シリコンウエハのオリフラに嵌着される第２カバー本体３２は開いておく。
【００８０】
次いで、図１４（ａ）の断面図に示すように、処理の対象となる複数枚のシリコンウエハWをカセット１０１の上方に待機させる。このとき、シリコンウエハWの各々は、不図示のロボットによって一括して把持されている。
【００８１】
図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のA側から見た側面図である。これに示されるように、各シリコンウエハWは、オリフラ部分OFを上に向けた状態で待機している。
【００８２】
次いで、図１５（ａ）の断面図に示されるように、複数枚のシリコンウエハWを一括してカセット１０１内に下ろし、シリコンウエハWのそれぞれに第１カバー本体３１を嵌着する。
【００８３】
このとき、図１５（ａ）のA側から見た側面図は図１５（ｂ）のようになる。
【００８４】
なお、第１カバー本体３１の間口LはシリコンウエハWの直径よりも狭いが、第１カバー本体３１を樹脂等の可撓性材料から構成し、シリコンウエハWとの摺接により間口が自然に広がるようにすれば、第１カバー本体３１にシリコンウエハWを簡単に嵌着することができる。
【００８５】
続いて、図１６（ａ）に示すように、開いていた複数の第２カバー本体３２を一括して閉じる。
【００８６】
図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のA側から見た側面図である。複数の第２カバー本体３２を一括して閉じるには、例えばカセット１０１の側方から棒で複数の第２カバー本体３２を同時に押してやればよい。
【００８７】
以上により、シリコンウエハWへの保護カバー３０の嵌着が終了する。
【００８８】
このような嵌着方法によれば、複数枚のシリコンウエハWに保護カバー３０を一括して嵌着することができるので、嵌着に必要な時間を短縮して量産工程における半導体装置の生産性を維持しながら、搬送時におけるシリコンウエハWの端面への異物の付着を防止できる。
【００８９】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【００９０】
（付記１）  ウエハの周縁部の一部に嵌着される第１カバー本体と、
前記周縁部の残りの部分に嵌着される第２カバー本体と、
を有することを特徴とするウエハ保護カバー。
【００９１】
（付記２）  前記第１カバー本体は前記周縁部のうちの半周部分に嵌着され、前記第２カバー本体は前記周縁部のうちの残りの半周部分に嵌着されることを特徴とする付記１に記載のウエハ保護カバー。
【００９２】
（付記３）  前記第１カバー本体の外壁に凸部が設けられると供に、該凸部に嵌合する凹部が前記第２カバー本体の内壁に設けられて、前記凸部と前記凹部において前記第１カバー本体と前記第２カバー本体とが嵌脱自在となっていることを特徴とする付記１又は付記２に記載のウエハ保護カバー。
【００９３】
（付記４）  前記第１カバー本体と前記第２カバー本体にヒンジが設けられ、該第１カバー本体と該第２カバー本体とが開閉自在となっていることを特徴とする付記１に記載のウエハ保護カバー。
【００９４】
（付記５）  前記第１カバー本体はオリフラタイプのウエハの円周部分に嵌着され、
前記第２カバー本体は前記ウエハのオリフラ部分に嵌着され、
前記第１カバー本体と前記第２カバー本体とがヒンジにより開閉自在となっていることを特徴とする付記１に記載のウエハ保護カバー。
【００９５】
（付記６）  前記第１カバー本体が、可撓性材料からなることを特徴とする付記５に記載のウエハ保護カバー。
【００９６】
（付記７）  前記第１カバー本体と前記第２カバー本体のそれぞれに溝が形成され、該溝に前記ウエハの周縁部が嵌着されることを特徴とする付記１〜６のいずれかに記載のウエハ保護カバー。
【００９７】
（付記８）  前記第１カバー本体と前記第２カバー本体のそれぞれの内壁と、前記ウエハの端面との間に空間が形成されることを特徴とする付記１〜６に記載のウエハ保護カバー。
【００９８】
（付記９）  前記ウエハにおいてデバイス用の膜が形成されている領域よりも外側の領域において、前記第１、第２カバー本体が前記ウエハの主面と接触することを特徴とする付記１〜８のいずれかに記載のウエハ保護カバー。
【００９９】
（付記１０）  ウエハの周縁部にウエハ保護カバーを嵌着する工程と、
前記ウエハ保護カバーが嵌着されたウエハに対して処理を行う工程と、
前記処理の後、前記ウエハから前記ウエハ保護カバーを外す工程と、
を有することを特徴とするウエハ処理方法。
【０１００】
（付記１１）  前記ウエハ保護カバーを嵌着する工程は、前記ウエハの周縁部の一部に第１カバー本体を嵌着し、前記周縁部の残りの部分に第２カバー本体を嵌着して行われることを特徴とする付記１０に記載のウエハ処理方法。
【０１０１】
（付記１２）  前記ウエハ保護カバーを嵌着する工程は、前記ウエハの周縁部にテープを巻くことにより行われることを特徴とする付記１０に記載のウエハ処理方法。
【０１０２】
（付記１３）  前記ウエハ保護カバーを嵌着する工程は、
複数枚のウエハを収容するカセットに、該ウエハのそれぞれに対応する複数の前記ウエハ保護カバーを予めセットしておくステップと、
前記複数枚のウエハを一括して前記カセット内に下ろし、前記ウエハのそれぞれに前記ウエハ保護カバーを一括して嵌着するステップとを有することを特徴とする付記１０又は付記１１に記載のウエハ処理方法。
【０１０３】
（付記１４）  前記ウエハ保護カバーを外した後に、前記ウエハに対して洗浄処理を行う工程を更に有することを特徴とする付記１０〜１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【０１０４】
（付記１５）  前記洗浄処理は、前記ウエハにゲート絶縁膜を形成する前に行われることを特徴とする付記１４に記載の半導体装置の製造方法。
【０１０５】
（付記１６）  前記ウエハに対して処理を行う工程において、前記ウエハにフォトレジストを塗布する処理、又は前記ウエハ上に形成された膜に対するエッチング処理を行うことを特徴とする付記１０〜付記１５のいずれかに記載のウエハ処理方法。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】図１は、シリコンウエハに付着したパーティクルの面内分布を示す図である。
【図２】図２は、シリコンウエハを洗浄する前のウエハ周縁部の顕微鏡写真である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態に係るウエハ保護カバーの斜視図である。
【図４】図４は、シリコンウエハに嵌着された状態での本発明の第１実施形態に係るウエハ保護カバーの斜視図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態に係る第１、第２カバー本体の断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２実施形態に係るウエハ保護カバーの上面図である。
【図７】図７は、本発明の第３実施形態に係るウエハ保護カバーの斜視図である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係るウエハ処理方法について説明するための断面図（その１）である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係るウエハ処理方法について説明するための断面図（その２）である。
【図１０】図１０は、本発明の第４実施形態に係るウエハ処理方法について説明するための断面図（その３）である。
【図１１】図１１は、本発明の第４実施形態において、シールテープによりシリコンウエハの周縁部を保護する方法について説明するための斜視図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、洗浄工程後に行われるMOSトランジスタの形成工程について説明するための断面図である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第５実施形態において、複数枚のシリコンウエハに一括して保護カバーを嵌着する方法について説明するための図（その１）である。
【図１４】図１４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第５実施形態において、複数枚のシリコンウエハに一括して保護カバーを嵌着する方法について説明するための図（その２）である。
【図１５】図１５（ａ）、（ｂ）は、本発明の第５実施形態において、複数枚のシリコンウエハに一括して保護カバーを嵌着する方法について説明するための図（その３）である。
【図１６】図１６（ａ）、（ｂ）は、本発明の第５実施形態において、複数枚のシリコンウエハに一括して保護カバーを嵌着する方法について説明するための図（その４）である。
【符号の説明】
【０１０７】
１０〜３０…ウエハ保護カバー、１１、２１、３１…第１カバー本体、１１ａ、２１ａ、３１ａ…凸部、１２、２２、３２…第２カバー本体、１２ａ、２２ａ、３２ａ…凹部、１５…溝、２０ａ、３０ａ…ヒンジ、４１…シールテープ状薄膜、５０…フォトレジスト、５１…レジストパターン、５２…膜、８２…熱酸化膜、８５…ゲート電極、８６…n型ソース／ドレインエクステンション、８８…n型ソース／ドレイン領域、８９…絶縁性サイドウォール、１００…液槽、１０１…カセット、１０２…洗浄液。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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