(57)【要約】【課題】半導体レーザおよびその駆動回路より放出される不要輻射を従来より低減できる画像形成装置を提供する。【解決手段】ｎ本のレーザ光を生成するｎ個のレーザダイオードＬＤ１１と、ｎ個のレーザダイオードのそれぞれと対となり近接配置されたｎ個の非発光素子ＲＤ１１と、ｎ個のレーザダイオードのそれぞれの一端が接続され、さらにｎ個の非発光素子のそれぞれの一端が接続されたコモン端と、ｎ個のレーザダイオードのそれぞれの他端とこれにそれぞれ対応するｎ個の電流源ＣＣ１との間の配線中に設置され画像データにもとづいて駆動されるｎ個の第一のスイッチング素子Ｑ１０〜Ｑ８０と、ｎ個の非発光素子のそれぞれの他端とこれにそれぞれ対応するｎ個の電流源との間の配線中に設置され第一のスイッチング素子と逆位相で駆動されるｎ個の第二のスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ８１と、を備えた画像形成装置により前記課題を解決する。【選択図】図１
2009128598.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データにしたがいレーザ光を感光体に照射して感光体の表面に静電潜像を形成し、前記静電潜像をトナーで可視化する画像形成装置であって、
ｎ本（ｎは２以上の自然数）の前記レーザ光を生成するｎ個のレーザダイオードと、
前記ｎ個のレーザダイオードのそれぞれと対となり近接配置されたｎ個の非発光素子と、
前記ｎ個のレーザダイオードのそれぞれの一端が接続され、さらに前記ｎ個の非発光素子のそれぞれの一端が接続されたコモン端と、
前記ｎ個のレーザダイオードとそれぞれ対応し、各レーザダイオードに点灯電流を流すｎ個の電流源と、
前記ｎ個のレーザダイオードのそれぞれの他端とこれにそれぞれ対応する前記ｎ個の電流源との間の配線中に設置され画像データにもとづいて駆動されるｎ個の第一のスイッチング素子と、
前記ｎ個の非発光素子のそれぞれの他端とこれにそれぞれ対応する前記ｎ個の電流源との間の配線中に設置され前記第一のスイッチング素子と逆位相で駆動されるｎ個の第二のスイッチング素子と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像形成装置おいて、
前記非発光素子は、露光面側の反射膜の反射率を大きくして出射光量を前記静電潜像の形成に影響しないまでに下げたレーザダイオードであることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数本のレーザ光を照射する半導体レーザを用いた画像形成装置に関し、特にその半導体レーザの駆動回路より放出される電波の不要輻射（以下、単に「不要輻射」という）の低減に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置が備える光走査装置は、入力された画像データに応じて半導体レーザを駆動し、その画像データに応じた静電潜像を感光体上に形成している。より一層の高速化および高解像度化を図るためには、半導体レーザから出射されたレーザビームを感光体上に走査するポリゴンミラーをより高速で回転させるか、またはレーザビームを出射する半導体レーザの発光点をさらに増加させて感光体上を同時に走査するレーザビームの数を増加させる必要がある。しかし、ポリゴンミラーをより高速で回転させるには、発熱や騒音、およびミラーそのものの強度を考慮した場合、限界がある。
【０００３】
そこで、従来用いられてきた端面発光型レーザダイオードから、近年、より多くのレーザビームを出射可能な光源として面発光レーザアレイ（Vertical Cavity-Surface Emitting Laser（ＶＣＳＥＬ））を用いる構成が製品化されてきている。
。
【０００４】
多くのレーザビーム（多ビーム）を出射可能な光源を画像形成装置に用いた例を以下に説明する（特許文献１）。
図５は多ビームの半導体レーザおよびそのドライバ回路の例を示す図である。後述の図４で示すレーザダイオード１０１７は図５において半導体レーザＬＤ１００に相当する。半導体レーザＬＤ１００はパッケージ内にレーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２〜ＬＤ８が構成され、ＬＤ１、ＬＤ２〜ＬＤ８レーザダイオードのカソード端子が共通端子となり接地される。ＬＤ１、ＬＤ２〜ＬＤ８レーザダイオードのアノード端子はそれぞれドライバ回路ｄｒｉｖｅｒ１、ｄｒｉｖｅｒ２〜ｄｒｉｖｅｒ８に接続され、各々のドライバ回路より点灯電流を供給される。
【０００５】
ｄｒｉｖｅｒ１、ｄｒｉｖｅｒ２〜ｄｒｉｖｅｒ８はそれぞれ同一の回路であり、代表してｄｒｉｖｅｒ１の動作説明を行う。ホトダイオードＰＤ１はレーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２〜ＬＤ８の光量をモニタするためにレーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２〜ＬＤ８の放射光またはその一部が照射される位置に設置される。ホトダイオードＰＤ１のアノード端子は接地される。カソード端子は抵抗Ｒ１を介し電源Ｖｃｃに接続され、バイアス電圧が印加され、カソード端子がモニタ出力となる。ホトダイオードＰＤ１のカソード端子はエラーアンプＯＰ１の＋入力端子に接続される。またエラーアンプＯＰ１の−入力端子は基準電圧Ｖｒｅｆが印加されている。エラーアンプＯＰ１の出力端子はアナログスイッチＳＷ１に接続される。アナログスイッチＳＷ１の動作を制御するコントロール端子にはｃｏｎｔ１信号が入力される。またｃｏｎｔ１信号は図４で示すコントローラ１０２７により生成され供給される。アナログスイッチＳＷ１の出力端はコンデンサＣ１の片端に供給され、さらに定電流源ＣＣ１の制御信号となり入力される。コンデンサＣ１の他端は接地される。
【０００６】
定電流源ＣＣ１は印加される電圧に応じた電流を出力端より供給する。出力端にはＰＮＰトランジスタＱ１０、Ｑ１１のエミッタ端子がそれぞれ接続される。ＰＮＰトランジスタＱ１０のコレクタ端子はｄｒｉｖｅｒ１の出力端となりレーザダイオードＬＤ１のアノード端子に接続される。ＰＮＰトランジスタＱ１１のコレクタ端子には抵抗ＲＤ１が接続され、ＲＤ１抵抗の他端は接地される。ＰＮＰトランジスタＱ１０のベース端子にはインバータＱ１２を介して、ＰＮＰトランジスタＱ１１のベース端子にはバッファＱ１３を介してそれぞれｄａｔａ１信号が入力される。またｄａｔａ１信号は図４で示すメモリ１０２８により供給される。ｄｒｉｖｅｒ２〜ｄｒｉｖｅｒ８の構成も同様である。この構成において動作の説明を行う。
【０００７】
半導体レーザの光出力特性は周囲の温度の変化に敏感なため、一定電流で駆動していても周囲の温度変化又は自己発熱等により、光出力は大きく変動してしまう。この光出力の温度依存性に対応させて、光出力を一定に保つために半導体レーザのレーザ光量制御を行うことをオートパワーコントロール（ＡＰＣ）(Auto Power Control)制御と呼んでいる。
【０００８】
図５により動作の説明を行う。まずレーザダイオードＬＤ１のオートパワーコントロール（ＡＰＣ）モードとなるようにコントローラ１０２７（図４参照）によりｃｏｎｔ１信号、ｄａｔａ１信号共にＨｉが出力される。そして、ｃｏｎｔ２〜ｃｏｎｔ８信号、ｄａｔａ２〜ｄａｔａ８信号にはＬｏが出力される。
まずｄａｔａ１信号はＨｉであるためインバータＱ１２の出力はＬｏとなりＰＮＰトランジスタＱ１０はＯＮする。また、ＰＮＰトランジスタＱ１１は逆にＯＦＦする。ＰＮＰトランジスタＱ１０がＯＮすると定電流源ＣＣ１より供給される電流によりレーザダイオードＬＤ１が点灯する。レーザダイオードＬＤ１の光量が増すと、ホトダイオードＰＤ１ドの出力電流は増大しＯＰ１エラーアンプに入力される電圧は低下する。ＰＤ１ホトダイオードの出力はＯＰ１エラーアンプによりＶｒｅｆ基準電源と比較され、ＯＰ１エラーアンプの出力電圧は低下する。ＯＰ１エラーアンプの出力電圧が低下するため定電流源ＣＣ１の出力電流も低下する。定電流源ＣＣ１の出力電流が低下するとレーザダイオードＬＤ１の光量も低下する。以上のように同回路は負帰還回路を構成しておりホトダイオードＰＤ１の出力とＶｒｅｆが同一の電圧となるように一定の光量でレーザダイオードＬＤ１が点灯することとなる。
他のレーザダイオードＬＤ２〜ＬＤ８のＡＰＣモードも同様である。
【０００９】
次に印字モードの説明を行う。印字モードはコントローラ１０２７によりｃｏｎｔ１信号〜ｃｏｎｔ８信号にＬｏが出力され、ｄａｔａ１〜ｄａｔａ８信号には印字するための画像データが出力される。
ｃｏｎｔ１信号がＬｏであるためアナログスイッチＳＷ１がＯＦＦする。このためＡＰＣモード時の電圧がコンデンサＣ１により保持される。定電流源ＣＣ１の制御端子にはコンデンサＣ１の電圧が印加されるため、定電流源ＣＣ１の出力はＡＰＣモード時と同じ電流値となる。
ｄａｔａ１信号がＨｉの場合はＰＮＰトランジスタＱ１０がＯＮするため、レーザダイオードＬＤ１は点灯する。ｄａｔａ１信号がＬｏの場合はＰＮＰトランジスタＱ１０がＯＦＦするため、レーザダイオードＬＤ１は消灯する。これにより画像データによりレーザの点滅駆動が可能となり画像露光を行うこととなる。また、半導体レーザは、同一環境においては同一の電流値では一定の光量で点灯することが知られており、これにより点灯時はＡＰＣモードと同等の一定光量で点灯することが可能となる。
【００１０】
また、ｄａｔａ１信号がＨｉの場合はＰＮＰトランジスタＱ１１がＯＦＦする。ｄａｔａ１信号がＬｏの場合はＰＮＰトランジスタＱ１１がＯＮするため抵抗ＲＤ１に電流源ＣＣ１より供給される電流が印加される。これによりｄｅｔａ１信号の状況に影響されずに定電流源ＣＣ１より供給される電流は一定となる。一般的に定電流回路の高速駆動、特に画像形成を行う数十ＭＨｚでの動作は困難であるが、前述の構成によれば。ＰＮＰトランジスタＱ１０、Ｑ１１は高速での動作を必要とするが、定電流源ＣＣ１は高速の動作を必要としないため画像形成が容易となる。
他のレーザダイオードＬＤ２〜ＬＤ８の印字モードも同様である。
【特許文献１】特開２００４−１０２１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年のプリンタ、複写機の高速化、高画質化においては、露光用のレーザの多ビーム化が図られてきていることを前述したが、この多ビーム化によって不要輻射が増えるという弊害が発生するようになってきた。
【００１２】
これは、画像を露光するために半導体レーザは画像データによって点滅駆動を行うが、この点滅駆動は数十ＭＨｚとなる。また、点灯させるための電流は露光を安定させるために急峻に立ち上がり、立ち下がる必要がある。この高速、かつ急峻なスイッチングにより不要輻射が発生するが、多ビーム化により、この不要輻射の発生源が増してしまい、今まで以上に不要輻射も増してしまっていた。
たとえば図５において、Ｄｒｉｖｅｒ１〜Ｄｒｉｖｅｒ８の出力から半導体レーザＬＤ１００の各アノード端子まで、さらに半導体レーザＬＤ１００のコモン端子からＧＮＤを介し各Ｄｒｉｖｅｒ１〜Ｄｒｉｖｅｒ８のＧＮＤ端子までが不要輻射に関係する。ここに数十ＭＨｚの高速のパルス電流が流れることにより不要輻射が増大し、この対策のためにシールド部材、ノイズ対策部品の追加などによるコストアップおよび機器の大型化を招いていた。
【００１３】
また、同一の半導体ウエハに複数の発光素子を形成した場合、通常アノード端子またはカソード端子が共通の端子となる構造となる。これら複数の発光素子は各々異なる画像信号により駆動されるため、電流の流れるタイミングも各々異なる。このタイミングの違いによる他の発光素子への干渉も問題となってきている。
これは、他の発光素子に対する容量的な結合や、共通端子の共通インピーダンスに流れる各々の発光素子のスイッチング電流による電圧降下による電気的な干渉が発光光量に影響するものと、点灯時に発光素子に生じる昇温が他の発光素子の光量に影響するものがある。
【００１４】
図６は電流の干渉を説明する図である。同図においてＲ１００は半導体レーザＬＤ１００の内部の共通インピーダンスを、Ｒ１０１はパターンの共通インピーダンスを示している。このインピーダンスが存在することによりレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ８の点灯状態により共通インピーダンスＲ１００、Ｒ１０１に流れる電流が異なり、レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ８のカソードの電圧が変動することとなっている。
実際共通インピーダンスＲ１００、Ｒ１０１の抵抗値は非常に小さいものであり、さらに半導体レーザも２ビーム〜４ビーム程度であったため、従来は無視されてきた。しかし、半導体レーザの更なる多ビーム化と近年の高画質化の流れの中では無視できない重要な問題としてクローズアップされてきた。
【００１５】
また図７により昇温による光量への干渉を説明する。同図は一般的なレーザダイオードの電流−光量特性（Ｉ−Ｌ特性）を示している。同図においてＩ−Ｌ特性は周囲温度に大きく依存することを表している。つまり光量Ｐｏを得るために入力する点灯電流Ｉｏｐは温度によってＩｏｐａｔ０℃、Ｉｏｐａｔ２５℃、Ｉｏｐａｔ５０℃と大きく異なっている。前述の従来例で説明した制御方式はこのレーザダイオードの温度特性による光量変動に対し画像形成時の光量変動を極力抑えるために考え出されたものである。
つまり非画像形成時に光量をモニタし点灯電流を決定し、画像形成時は決定された点灯電流で定電流制御を行うことにより光量を一定化する。さらに走査する毎にこのシーケンスを繰り返すことにより機器の昇温等の比較的短い時定数の温度変動に対しても光量安定性を高めることを可能としていた。しかし、レーザダイオード自身の昇温、マルチビームにおいては周囲の発光部が発光することによる昇温の影響が発生し、画像形成時の点滅による温度変動が他の発光部に干渉し光量の不安定化を招いていた。この問題も従来は無視できる程度であったが、半導体レーザの更なる多ビーム化と近年の高画質化の流れの中で無視できない重要な問題としてクローズアップされてきた。
【００１６】
本発明は、このようの状況のもとでなされたもので、半導体レーザおよびその駆動回路より放出される不要輻射を従来より低減できる画像形成装置を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記課題を解決するため、本発明では、画像形成装置を次の（１）のとおりに構成する。
【００１８】
（１）画像データにしたがいレーザ光を感光体に照射して感光体の表面に静電潜像を形成し、前記静電潜像をトナーで可視化する画像形成装置であって、
ｎ本（ｎは２以上の自然数）の前記レーザ光を生成するｎ個のレーザダイオードと、
前記ｎ個のレーザダイオードのそれぞれと対となり近接配置されたｎ個の非発光素子と、
前記ｎ個のレーザダイオードのそれぞれの一端が接続され、さらに前記ｎ個の非発光素子のそれぞれの一端が接続されたコモン端と、
前記ｎ個のレーザダイオードとそれぞれ対応し、各レーザダイオードに点灯電流を流すｎ個の電流源と、
前記ｎ個のレーザダイオードのそれぞれの他端とこれにそれぞれ対応する前記ｎ個の電流源との間の配線中に設置され画像データにもとづいて駆動されるｎ個の第一のスイッチング素子と、
前記ｎ個の非発光素子のそれぞれの他端とこれにそれぞれ対応する前記ｎ個の電流源との間の配線中に設置され前記第一のスイッチング素子と逆位相で駆動されるｎ個の第二のスイッチング素子と、
を備えた画像形成装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、半導体レーザおよびその駆動回路より放出される不要輻射を従来より低減することができる。また、半導体レーザの複数のレーザダイオード素子の共通端に流れる各々のレーザダイオード素子の駆動電流の干渉によるレーザ光への影響を抑えることができる。また画像データの影響による半導体レーザの昇温変動を抑えることによりレーザ光への影響を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下本発明を実施するための最良の形態を、実施例により詳しく説明する。
【実施例１】
【００２１】
実施例１の説明に入る前に図４により実施例１のベースとなる従来の装置（従来例）について説明する。図４は半導体レーザを用いた電子写真方式の画像形成装置であるプリンタの構成図である。同図において、１０１５は回転多面鏡、１０１６は回転多面鏡１０１５を回転駆動するスキャナーモータである。１０１７は露光用光源であるところのレーザダイオードである。レーザダイオード１０１７はレーザドライバ１０２９により画像信号に応じて点灯または消灯し、レーザダイオード１０１７から発した光変調されたレーザ光は回転多面鏡１０１５に向けて照射される。
【００２２】
レーザダイオード１０１７から発したレーザ光は回転多面鏡１０１５の回転に伴い、その反射面で連続的に角度を変える偏向ビームとして反射される。この反射光は図示しないｆ−θレンズなどのレンズ群により歪曲収差の補正等を受け、反射鏡１０１８を経て感光ドラム１０１０の主走査方向に等速で走査する。回転多面鏡１０１５の１つの面は１ラインの走査に対応し、回転多面鏡１０１５の回転によりレーザダイオード１０１７から発したレーザ光は１ラインずつ感光ドラム１０１０の主走査方向に走査する。感光ドラム１０１０は予め帯電器１０１１により帯電されており、レーザ光の走査により順次露光され、静電潜像が形成される。また、感光ドラム１０１０は矢印方向に回転していて、形成された静電潜像は現像器１０１２により現像され、現像された可視像は転写帯電器１０１３により不図示の転写紙に転写される。可視像が転写された転写紙は、定着器１０１４に搬送され、定着を行った後に機外に排出される。
【００２３】
ここで、感光ドラム１０１０の側部における主走査方向の走査開始位置近傍または相当する位置に、ＢＤセンサ１０１９が配置されている。回転多面鏡１０１５の各反射面で反射されたレーザ光は各々１ラインの走査に先立ってＢＤセンサ１０１９により検出される。検出されたＢＤ信号は主走査方向の走査開始基準信号としてコントローラ１０２７に入力される。コントローラ１０２７はＢＤセンサ１０１９の信号を基準として各々ラインの主走査方向の書き出し開始位置の同期がとられるようにメモリＦＩＦＯ１０２８、レーザドライバ１０２９のタイミング信号を生成し制御する。このようにして画像形成を行う。
【００２４】
以上のように、半導体レーザ駆動回路により、電気的画像信号にもとづき、半導体レーザの光パルス信号を生成することにより感光体上の画像露光を行い、画像形成を行う。
【００２５】
図１は、実施例１である”画像形成装置“で用いるレーザドライバの回路図である。ただし、この実施例に記載されている構成要素はあくまで例示であり、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２６】
図１においてＬＤ１１０は半導体レーザであり、レーザダイオードＬＤ１１〜ＬＤ１８および抵抗ＲＤ１１〜ＲＤ１８（請求項でいう非発光素子に相当）により構成されている。そして、接地されたコモン端（共通端子）には、レーザダイオードＬＤ１１〜ＬＤ１８のそれぞれの一端が接続され、さらに抵抗ＲＤ１１〜ＲＤ１８のそれぞれの一端が接続される。レーザダイオードＬＤ１１〜ＬＤ１８は、レーザ光を感光体に照射して感光体の表面に静電潜像を形成する素子であり、この静電潜像は不図示のトナーで可視化される。すなわち、レーザダイオードＬＤ１１〜ＬＤ１８は、請求項でいう“ｎ本（ｎは２以上の自然数）の前記レーザ光を生成するｎ個のレーザダイオード”に相当する。抵抗ＲＤ１１はＰＮＰトランジスタＱ１１のコレクタに接続される。抵抗ＲＤ１２〜ＲＤ１８も同様にそれぞれＰＮＰトランジスタＱ２１ないしＱ８１（不図示）のコレクタに接続される。
他の構成は図５に示す従来例のレーザドライバと同様である。また、画像形成装置の全体構成および動作は、図４に示す従来例と同様である。
【００２７】
次にレーザドライバの動作を説明する。定電流源ＣＣ１〜ＣＣ１８と、コモン端子に一端が接続されたレーザダイオードＬＤ１１ないしＬＤ１８との配線中にＰＮＰトランジスタＱ１０〜Ｑ８０（不図示）が設置される。また、定電流源ＣＣ１〜ＣＣ１８と、コモン端子に一端が接続された抵抗ＲＤ１１ないしＲＤ１８との配線中にＰＮＰトランジスタＱ１１〜Ｑ８０（不図示）が設置される。
そして、ＰＮＰトランジスタＱ１０（請求項でいう第一のスイッチング素子に相当）とＰＮＰトランジスタＱ１１（請求項でいう第二のスイッチング素子に相当）は相補的に動作する。このため、定電流源ＣＣ！より供給される電流はレーザダイオードＬＤ１１または抵抗ＲＤ１１のどちらかを流れることとなる。レーザダイオードＬＤ１１または抵抗ＲＤ１１のどちらかを流れた電流は共通インピーダンスを有する共通端子を介し、ＧＮＤに流れる。このため共通端子には画像データに影響されず、常に一定の電流が流れることとなる。このようにして、レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ８のカソード端子の電圧の変動を抑えることが可能となる。また、レーザダイオードＬＤ１１と抵抗ＲＤ１１を流れるパルス電流の位相が逆（逆位相）であるため発生する不要輻射が相殺される。さらにＤｒｉｖｅｒ１の出力端からレーザダイオードＬＤ１１のアノード端子までのパターンと、Ｄｒｉｖｅｒ１から抵抗ＲＤ１１までのパターンを近傍に配置することによりこの相殺効果を高めることが容易となる。
また、抵抗ＲＤ１１〜１８をレーザダイオードＬＤ１１〜ＬＤ１８のそれぞれの近傍に設置（近接配置）することにより、レーザダイオードＬＤの非点灯時も抵抗ＲＤが電流消費を行う。これにより、半導体レーザＬＤ１１０の画像データに影響されず発熱が一定になり光量変動を抑える効果を得ることが可能となる。
【００２８】
以上説明したように、本実施例によれば、半導体レーザおよびその駆動回路より放出される不要輻射を従来より低減することができる。また、半導体レーザの複数のレーザダイオード素子の共通端に流れる各々のレーザダイオード素子の駆動電流の干渉によるレーザ光への影響を抑えることができる。また画像データの影響による半導体レーザの昇温変動を抑えることによりレーザ光への影響を抑えることができる。
【実施例２】
【００２９】
実施例２である“画像形成装置”について説明する。本実施例の全体構成は、従来例と同様なので、その説明を援用し、説明を省略する。
【００３０】
図２はレーザダイオードのＶ−Ｉ特性を示した図である。
同図においてレーザダイオードのＶ−Ｉ特性は独特の特性を有しているのがわかる。また、この特性は温度によって大きく影響される。よって、抵抗によりこの特性を近似させることは不可能であることがわかる。よってレーザダイオードと抵抗に交互に同一の電流を印加した場合でも、電圧降下が異なるため、定電流源の応答が相対的に遅くなり、波形に影響する場合も生じてきた。
【００３１】
この問題を解決した本実施例で用いるレーザドライバの回路を図３に示す。同図においてＤ１〜Ｄ８（請求項でいう非発光素子に相当）はレーザダイオードである。しかし、静電潜像の形成に用いられるレーザダイオードダイオードＬＤ１１〜ＬＤ１８に比べ、露光面側の反射膜の反射率を十分に上げることにより、半導体レーザＤ１〜Ｄ８は出射光量が静電潜像の形成に影響しないまでに下げた構成となっている。同構成においてレーザダイオードＬＤ１１〜ＬＤ１８とレーザダイオードＤ１〜Ｄ８のＶ−Ｉ特性をほぼ同一とすることにより電圧降下を一定として、定電流源の応答を改善し波形に影響のない画像形成を行うことを可能とする。
【００３２】
以上説明したように、本実施例によれば、実施例１の効果に加えて、レーザダイオードの点灯電流の波形を改善することができるという効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施例１で用いるレーザドライバの回路図
【図２】レーザダイオードのＶ−Ｉ特性を示す図
【図３】実施例２で用いるレーザドライバの回路図
【図４】従来例の概略構成を示す図
【図５】従来例で用いるレーザドライバの回路図
【図６】従来例の問題点を示す図
【図７】一般的なレーザダイオードのＩ−Ｌ特性を示す図
【符号の説明】
【００３４】
ＣＣ１      定電流源
ＬＤ１１〜ＬＤ１８      レーザダイオード
ＲＤ１１〜ＲＤ１８      抵抗
Ｑ１０      ＰＮＰトランジスタ
Ｑ１１      ＰＮＰトランジスタ
【図１】
2009128598.tif 000003
【図２】
2009128598.tif 000004
【図３】
2009128598.tif 000005
【図４】
2009128598.tif 000006
【図５】
2009128598.tif 000007
【図６】
2009128598.tif 000008
【図７】
2009128598.tif 000009