(57)【要約】【課題】半導体パッケージにおいて、半導体チップからボンディングワイヤを通してパッケージ外部に伝わるノイズ、あるいは外部から半導体チップへ侵入するノイズを低減可能とする。【解決手段】半導体パッケージ１００において、半導体チップ１０３を搭載した、複数のボンディングパッド１０４を有するパッケージ基板１０５と、該半導体チップ１０３の複数の電極パッド１０３ａを、該パッケージ基板１０５の対応するボンディングパッド１０４に接続する複数のボンディングワイヤとを備え、該ボンディングワイヤのうちの特定のボンディングワイヤ１０２を、少なくとも一部にコイル状部分１１０を有する構造とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをパッケージ本体内に収容し、該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成してなる半導体パッケージであって、
該半導体チップを搭載した、複数のボンディングパッドを有するパッケージ基板と、
該パッケージ基板の複数のボンディングパッドと、該半導体チップの対応する電極パッドとを接続する複数のボンディングワイヤとを備え、
該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有する半導体パッケージ。
【請求項２】
半導体チップをパッケージ本体内に収容し、該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成してなる半導体パッケージであって、
該外部回路と接続される複数の外部接続端子と、
該半導体チップの対応する電極パッドを、対応する外部接続端子と接続する複数のボンディングワイヤとを備え、
該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有する半導体パッケージ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体パッケージにおいて、
前記特定のボンディングワイヤは、前記半導体チップに電源を供給する電極パッドと、前記パッケージ基板の対応するボンディングパッドとの間に接続されているものである半導体パッケージ。
【請求項４】
半導体チップを収容した半導体パッケージを複数実装基板上に実装してなる半導体装置であって、
該複数の半導体パッケージは、
該半導体チップを搭載した、複数のボンディングパッドを有するパッケージ基板と、
該パッケージ基板の複数のボンディングパッドと、該半導体チップの対応する電極パッドとを接続する複数のボンディングワイヤとを備え、
該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成したものであり、
該複数の半導体パッケージのうちの少なくとも１つの特定の半導体パッケージでは、
該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有している半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記特定のボンディングワイヤは、前記半導体チップに電源を供給する電極パッドと、前記パッケージ基板の対応するボンディングパッドとの間に接続されている半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、
前記パッケージ本体に形成され、前記パッケージ基板のボンディングパッドと接続された外部端子を有し、
前記パッケージ本体の外部端子を前記実装基板上に載せて該半導体パッケージを該実装基板に固定する表面実装型パッケージである半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体を構成する前記パッケージ基板の裏面に前記外部端子を配列したものである半導体装置。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体の周辺に前記外部端子を配列したものである半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体の平面形状を略矩形形状とし、前記外部端子を前記パッケージ本体の４つの側面から突出するよう形成したクアッドフラットパッケージである半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体を、前記パッケージ基板に搭載された半導体チップのチップサイズ程度に小型化したチップサイズパッケージである半導体装置。
【請求項１１】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、
前記パッケージ本体に形成され、前記パッケージ基板のボンディングパッドに接続された外部端子を有し、
前記パッケージ本体の外部端子を前記実装基板に形成された貫通穴に挿入して該半導体パッケージを該実装基板に固定する挿入実装型パッケージである半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体を構成する前記パッケージ基板の裏面に前記外部端子を配列したものである半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体の周辺に前記外部端子を配列したものである半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体装置において、
前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体の平面形状を略矩形形状とし、前記外部端子を前記パッケージ本体の対応する２つの側面から突出するよう形成し、該外部端子の突出部分を下方に折り曲げたデュアルインラインパッケージである半導体装置。
【請求項１５】
半導体チップを収容した半導体パッケージを複数実装基板上に実装してなる半導体装置であって、
該複数の半導体パッケージは、
該外部回路と接続される複数の外部接続端子と、
該半導体チップの対応する電極パッドを、対応する外部接続端子と接続する複数のボンディングワイヤとを備え、
該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成したものであり、
該複数の半導体パッケージのうちの少なくとも１つの特定の半導体パッケージでは、
該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有している半導体装置。
【請求項１６】
半導体チップと、該半導体チップを搭載したパッケージ基板とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法であって、
該半導体チップの表面に形成された電極パッドに該ボンディングワイヤの先端を固着する第１のボンディング処理を行うステップと、
該ボンディングワイヤを、その一部がコイルとして機能するよう螺旋状に巻きながら、該半導体チップの電極パッドから該パッケージ基板上に形成されたボンディングパッド上まで案内するステップと、
該パッケージ基板のボンディングパッドに該ボンディングワイヤの、該ボンディングパッドに対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行うステップとを含むワイヤボンディング方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のワイヤボンディング方法において、
前記第２のボンディング処理後に、前記ボンディングワイヤを、前記パッケージ基板のボンディングパッドと該ボンディングワイヤとの固着部分から切り離すステップを含むワイヤボンディング方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載のワイヤボンディング方法において、
前記ボンディングワイヤを送り出すとともに、該ボンディングワイヤを前記半導体チップの電極パッドあるいは該パッケージ基板のボンディングパッドに圧着する第１のボンディングツールと、該ボンディングワイヤをクランプする第２のボンディングツールとを用い、
該第２のボンディングツールは、円柱状支柱と、該円柱状支柱の下端に取り付けられ、該ボンディングワイヤをクランプするクランプ機構とを有するワイヤボンディング方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載のワイヤボンディング方法において、
前記ボンディングワイヤの案内ステップでは、
前記第１のボンディングツールにより、前記ボンディングワイヤの一端を前記半導体チップの電極パッドに固着した後、前記第２のボンディングツールにより、該ボンディングワイヤと該半導体チップの電極パッドとの固着部分の近傍をクランプした状態で、該第１のボンディングツールを引き上げながら、該第２のボンディングツールの周囲を回転させて、前記ボンディングワイヤを該第２のボンディングツールの周囲に螺旋状に巻回し、
該第２のボンディング処理のステップでは、
該第１のボンディングツールにより、該パッケージ基板のボンディングパッドに該ボンディングワイヤを固着した後、該第２のボンディングツールを、該ボンディングワイヤの螺旋状に巻回したコイル状部分から抜き取るワイヤボンディング方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載のワイヤボンディング方法において、
前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、
前記第１のボンディング処理は、該Ａｕ線の先端に形成したＡｕボールと前記半導体チップの電極パッドとを熱圧着により固着するボンディング処理であるワイヤボンディング方法。
【請求項２１】
請求項１６に記載のワイヤボンディング方法において、
前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、
前記第２のボンディング処理は、該Ａｕ線を、前記パッケージ基板上のボンディングパッドに熱圧着するボンディング処理であるワイヤボンディング方法。
【請求項２２】
半導体チップと外部端子とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法であって、
該半導体チップの表面に形成された電極パッドに該ボンディングワイヤの先端を固着する第１のボンディング処理を行うステップと、
該ボンディングワイヤを、その一部がコイルとして機能するよう螺旋状に巻きながら、該半導体チップの電極パッドから該外部端子上まで案内するステップと、
該外部端子に該ボンディングワイヤの該外部端子に対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行うステップとを含むワイヤボンディング方法。
【請求項２３】
半導体チップと、該半導体チップを搭載したパッケージ基板とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法であって、
コイルとして機能するよう螺旋状に巻かれたコイル状ボンディングワイヤの先端を、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに固着する第１のボンディング処理を行うステップと、
該コイル状ボンディングワイヤを、該半導体チップの電極パッドから該パッケージ基板上に形成されたボンディングパッド上まで案内するステップと、
該パッケージ基板のボンディングパッドに、該コイル状ボンディングワイヤの、該ボンディングパッドに対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行うステップとを含むワイヤボンディング方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載のワイヤボンディング方法において、
前記第２のボンディング処理後に、前記コイル状ボンディングワイヤを、前記パッケージ基板のボンディングパッドと該ボンディングワイヤとの固着部分から切り離すステップを含むワイヤボンディング方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載のワイヤボンディング方法において、
前記コイル状ボンディングワイヤを送り出す第１のボンディングツールと、該コイル状ボンディングワイヤをクランプするとともに、前記半導体チップの電極パッドあるいは該パッケージ基板のボンディングパッドに圧着する第２のボンディングツールとを用い、
該第１のボンディングツールは、円筒状部材からなり、該円筒状部材の内径を、該コイル状ボンディングワイヤが該筒状部材内面にガイドされて移動するよう設定したものであるワイヤボンディング方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載のワイヤボンディング方法において、
前記ボンディングワイヤの案内ステップでは、
前記第１のボンディングツールの下端から突出する、前記ボンディングワイヤの一端を、前記第２のボンディングツールでクランプして、前記半導体チップの電極パッドに固着し、
該第１のボンディングツールを、該コイル状ボンディングワイヤが該パッケージ基板のボンディングパッド上に導かれるよう移動させ、
前記第２のボンディング処理のステップでは、
前記第１のボンディングツールの下端から突出する、前記ボンディングワイヤの一端を、前記第２のボンディングツールでクランプして、該パッケージ基板のボンディングパッドに該ボンディングワイヤを固着するワイヤボンディング方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載のワイヤボンディング方法において、
前記第２のボンディング処理後に、前記ボンディングワイヤを、前記第１のボンディングツールでクランプした状態で、該第１および第２のボンディングツールを前記パッド基板から引き離して、前記ボンディングワイヤを、そのパッケージ基板のボンディングパッドとの固着部分から切り離すステップを含むワイヤボンディング方法。
【請求項２８】
請求項２３に記載のワイヤボンディング方法において、
前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、
前記第１のボンディング処理は、該Ａｕ線の先端に形成したＡｕボールと前記半導体チップの電極パッドとを熱圧着により固着するボンディング処理であるワイヤボンディング方法。
【請求項２９】
請求項２３に記載のワイヤボンディング方法において、
前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、
前記第２のボンディング処理は、該Ａｕ線を、前記パッケージ基板上のボンディングパッドに熱圧着するボンディング処理であるワイヤボンディング方法。
【請求項３０】
半導体チップと外部端子とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法であって、
コイルとして機能するよう螺旋状に巻かれたコイル状ボンディングワイヤの先端を、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに固着する第１のボンディング処理を行うステップと、
該コイル状ボンディングワイヤを、該半導体チップの電極パッドから該外部端子上まで案内するステップと、
該外部端子に、該コイル状ボンディングワイヤの、該外部端子に対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行うステップとを含むワイヤボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ、半導体装置、およびワイヤボンディング方法に関し、特に、ＩＣパッケージにおけるノイズ対策に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージにおける高密度実装技術は飛躍的に進歩しており、種々のパッケージが開発されている。
【０００３】
図９は、このような種々のタイプの半導体パッケージを説明する図である。
【０００４】
例えば、ＤＩＰ（デュアル・イン・ライン・パッケージ）９１（図９（ａ））は、２列のリードを有し、これらのリードは、パッケージ本体の２側面から突き出てさらに下方に曲げられている。
【０００５】
また、ＳＩＰ（シングル・イン・ライン・パッケージ）９２（図９（ｂ））は、パッケージ本体の１側面から引き出された１列のリードを有している。
【０００６】
また、ＳＯＰ（スモール・アウト・ライン・パッケージ）９３（図９（ｃ））は、パッケージ本体の側面から表面実装可能となるよう突き出た２列のリードを有している。
【０００７】
また、ＱＦＰ（クアッド・フラット・パッケージ）９４（図９（ｄ））は、パッケージ本体の４つの側面から表面実装可能となるよう突き出たリードを有している。
【０００８】
また、ＳＯＪ（Ｊリーディド・パッケージ）９５（図９（ｅ））は、リードがＪ字型に内側に曲げられたパッケージである。
【０００９】
また、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）９６（図９（ｆ））は、パッケージの一面にはんだボール端子が配列されたパッケージである。
【００１０】
ここで、ＤＩＰパッケージ９１およびＳＩＰパッケージ９２は、プリント配線板の貫通穴に外部端子用リードを挿入して固定する挿入実装型パッケージである。また、その他のパッケージ９３〜９６は、プリント配線板の表面にパッケージの外部端子を載せて固定する表面実装型パッケージである。
【００１１】
図１０は、上記のようなパッケージの組立て方法を説明する図であり、図１０（ａ）は、リードフレーム２００のダイパッド３上にＩＣチップ１をダイボンドした状態を示している。また、図１０（ｂ）は、ＩＣチップ１の電極パッド２とリード２０２とをボンディングワイヤ２０３で接続した状態を示している。なお、図１０（ａ）中、Ｂは、樹脂封止される領域であり、Ａは、樹脂封止後にリードフレームが切断される部分である。
【００１２】
図１１は、実装基板１０上に樹脂封止パッケージ２１０を実装した状態を示している。
【００１３】
この樹脂封止パッケージ２１０は、リード端子（外部端子）２０２がパッケージ本体の周囲に配列されたペリフェラル型パッケージであり、樹脂封止パッケージ２１０内には、半導体チップ１が収容され、該半導体チップ１は、ボンディングワイヤ２０３によりリード端子２０２に接続されている。また、リード端子２０２の先端は、はんだ２１２ａにより、実装基板１０上のパッド１１ａに固定されている。
【００１４】
また、図１２は、実装基板１０上に上記樹脂封止パッケージ２１０とは異なるタイプのパッケージ２２０を実装した状態を示している。
【００１５】
このパッケージ２２０は、リード端子（外部端子）がパッケージ本体の裏面に配列されたエリアアレイ型パッケージであり、パッケージ２２０内には、パッケージ基板２２１上に搭載された半導体チップ１が収容され、該半導体チップ１の電極パッド１ａは、ボンディングワイヤ２０３により、パッケージ基板２２１上のボンディングパッド２２２に接続されている。また、パッケージ基板２２１の裏面には、はんだボール２２３が外部端子として形成されており、該はんだボール２２３は、実装基板１０上のパッド１１ｂに固着されている。なお、図１２中、２２３は、半導体チップを封止する樹脂層である。
【００１６】
ここで、上記半導体チップ１の電極パッド１ａと該パッケージ基板２２１のボンディングパッド２２２とを、ボンディングワイヤ２０３によりボンディングする方法について、図１５を用いて簡単に説明する。
【００１７】
図１５（ａ）には、ボンディング装置５０が示されており、該ボンディング装置５０は、ボンディングワイヤを供給するためのワイヤスプール５１と、ボンディングを行うボンディングツール５３と、ボンディングワイヤの加熱用トーチ５４とを有している。
【００１８】
まず、ボンディングツール５３によりボンディングワイヤ（Ａｕ線）の先端を、パッケージ基板２２１上に搭載された半導体チップ１の電極パッド１ａ上に移動させ、ボンディングワイヤの先端をトーチ５４で加熱してＡｕボールを形成する（図１５（ａ））。
【００１９】
次に、ボンディングツール５３により、Ａｕボールを半導体チップ１の電極パッド１ａに熱圧着させる。この熱圧着は、超音波を利用するものであってもよい。
【００２０】
その後、ボンディングツール５３を、ボンディングワイヤの形状を所定の形状となるように、パッケージ基板２２１のボンディングパッド２２２上まで移動させる（図１５（ｂ））。
【００２１】
そして、ボンディングツール５３により、ボンディングワイヤ２０３をパッケージ基板２２１のボンディングパッド２２２に圧着し（図１５（ｃ））、その後、ボンディングツール５３を引き上げて、ボンディングワイヤをボンディング部分から切り離す（図１５（ｄ））。
【００２２】
これにより、半導体チップ１の電極パッドと該半導体チップ１の電極パッド１ａとがボンディングワイヤにより電気的に接続されることとなる。
【００２３】
ところで、上述したような従来のＩＣパッケージ内部では、十分なノイズ対策を行う事は難しかった。
【００２４】
そこで、図１３に示すように、従来から、図１２に示すＩＣパッケージに代えて、半導体チップ１ａを磁気シールド層２２３ａで覆うことにより、ＩＣパッケージに対するノイズ対策を施したＩＣパッケージ２２０ａがある。
【００２５】
図１３はこのようなＩＣパッケージを概念的に示しているが、特許文献１には、このような磁気シールドＩＣパッケージの具体的な構成が開示されており、以下図１４を用いて具体的に説明する。
【００２６】
このＩＣパッケージ３００では、基板３０２の一方の主面上には、所定の配線パターンが形成されている。すなわち、複数のランド部３０３が形成されている。また、基板３０２上には、ソルダーレジストで構成されたレジスト層３０４がランド部３０３間に形成されている。チップ搭載部のレジスト層３０４上には、接着剤層３０８が形成されており、その接着剤層３０８上に半導体素子であるベアＩＣ３０６が搭載されている。ベアＩＣ３０６の上面には、電極３０７が形成されており、この電極３０７と基板３０２上に形成されたランド部３０３とが接続部材であるワイヤ３０９により電気的に接続されている。また、上記基板３０２の一方の主面上には、フェライトペースト層３１０が形成されている。さらに上記基板３０２の他方の主面上には、接続ランド部３０５及びレジスト層３０４が形成されている。上記ランド部３０３上には金属層３０３ａが形成され、また、接続ランド３０５の表面には金属層３０５ａを介してバンプ電極３１３が形成されている。
【００２７】
このようなＩＣパッケージ３００では、基板３０２上に形成された配線パターンと半導体素子（ベアＩＣ）を覆うように、フェライト粉末をペーストして、これらを磁気シールドしているので、ノイズ低減効果が得られる。
【特許文献１】特開２００１−２４１０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
しかしながら、上記特許文献１に記載のＩＣパッケージでは、ボンディングワイヤを伝わるノイズに対しては、ノイズ低減効果が無いという問題がある。
【００２９】
また、基板にフェライトをペーストするため、基板のコストが高くなるという問題がある。
【００３０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ボンディングワイヤを伝わるノイズを低減することができ、しかも、低コストでノイズ低減を図ることができる半導体パッケージ、半導体装置、およびワイヤボンディング方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
本発明に係る半導体パッケージは、半導体チップをパッケージ本体内に収容し、該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成してなる半導体パッケージであって、該半導体チップを搭載した、複数のボンディングパッドを有するパッケージ基板と、該パッケージ基板の複数のボンディングパッドと、該半導体チップの対応する電極パッドとを接続する複数のボンディングワイヤとを備え、該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３２】
本発明に係る半導体パッケージは、半導体チップをパッケージ本体内に収容し、該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成してなる半導体パッケージであって、該外部回路と接続される複数の外部接続端子と、該半導体チップの対応する電極パッドを、対応する外部接続端子と接続する複数のボンディングワイヤとを備え、該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３３】
本発明は、上記半導体パッケージにおいて、請求項１または２に記載の半導体パッケージにおいて、前記特定のボンディングワイヤは、前記半導体チップに電源を供給する電極パッドと、前記パッケージ基板の対応するボンディングパッドとの間に接続されているものであることが好ましい。
【００３４】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップを収容した半導体パッケージを複数実装基板上に実装してなる半導体装置であって、該複数の半導体パッケージは、該半導体チップを搭載した、複数のボンディングパッドを有するパッケージ基板と、該パッケージ基板の複数のボンディングパッドと、該半導体チップの対応する電極パッドとを接続する複数のボンディングワイヤとを備え、該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成したものであり、該複数の半導体パッケージのうちの少なくとも１つの特定の半導体パッケージでは、該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有しているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３５】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定のボンディングワイヤは、前記半導体チップに電源を供給する電極パッドと、前記パッケージ基板の対応するボンディングパッドとの間に接続されていることが好ましい。
【００３６】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体に形成され、前記パッケージ基板のボンディングパッドと接続された外部端子を有し、前記パッケージ本体の外部端子を前記実装基板上に載せて該半導体パッケージを該実装基板に固定する表面実装型パッケージであることが好ましい。
【００３７】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体を構成する前記パッケージ基板の裏面に前記外部端子を配列したものであることが好ましい。
【００３８】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体の周辺に前記外部端子を配列したものであることが好ましい。
【００３９】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体の平面形状を略矩形形状とし、前記外部端子を前記パッケージ本体の４つの側面から突出するよう形成したクアッドフラットパッケージであることが好ましい。
【００４０】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体を、前記パッケージ基板に搭載された半導体チップのチップサイズ程度に小型化したチップサイズパッケージであることが好ましい。
【００４１】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体に形成され、前記パッケージ基板のボンディングパッドに接続された外部端子を有し、前記パッケージ本体の外部端子を前記実装基板に形成された貫通穴に挿入して該半導体パッケージを該実装基板に固定する挿入実装型パッケージであることが好ましい。
【００４２】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体を構成する前記パッケージ基板の裏面に前記外部端子を配列したものであることが好ましい。
【００４３】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体の周辺に前記外部端子を配列したものであることが好ましい。
【００４４】
本発明は、上記半導体装置において、前記特定の半導体パッケージは、前記パッケージ本体の平面形状を略矩形形状とし、前記外部端子を前記パッケージ本体の対応する２つの側面から突出するよう形成し、該外部端子の突出部分を下方に折り曲げたデュアルインラインパッケージであることが好ましい。
【００４５】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップを収容した半導体パッケージを複数実装基板上に実装してなる半導体装置であって、該複数の半導体パッケージは、該外部回路と接続される複数の外部接続端子と、該半導体チップの対応する電極パッドを、対応する外部接続端子と接続する複数のボンディングワイヤとを備え、該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成したものであり、該複数の半導体パッケージのうちの少なくとも１つの特定の半導体パッケージでは、該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有しているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００４６】
本発明に係るワイヤボンディング方法は、半導体チップと、該半導体チップを搭載したパッケージ基板とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法であって、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに該ボンディングワイヤの先端を固着する第１のボンディング処理を行うステップと、該ボンディングワイヤを、その一部がコイルとして機能するよう螺旋状に巻きながら、該半導体チップの電極パッドから該パッケージ基板上に形成されたボンディングパッド上まで案内するステップと、該パッケージ基板のボンディングパッドに該ボンディングワイヤの、該ボンディングパッドに対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行うステップと含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００４７】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記第２のボンディング処理後に、前記ボンディングワイヤを、前記パッケージ基板のボンディングパッドと該ボンディングワイヤとの固着部分から切り離すステップを含むことが好ましい。
【００４８】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記ボンディングワイヤを送りすとともに、該ボンディングワイヤを前記半導体チップの電極パッドあるいは該パッケージ基板のボンディングパッドに圧着する第１のボンディングツールと、該ボンディングワイヤをクランプする第２のボンディングツールとを用い、該第２のボンディングツールは、円柱状支柱と、該円柱状支柱の下端に取り付けられ、該ボンディングワイヤをクランプするクランプ機構とを有することが好ましい。
【００４９】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記ボンディングワイヤの案内ステップでは、前記第１のボンディングツールにより、前記ボンディングワイヤの一端を前記半導体チップの電極パッドに固着した後、前記第２のボンディングツールにより、該ボンディングワイヤと該半導体チップの電極パッドとの固着部分の近傍をクランプした状態で、該第１のボンディングツールを引き上げながら、該第２のボンディングツールの周囲を回転させて、前記ボンディングワイヤを該第２のボンディングツールの周囲に螺旋状に巻回し、該第２のボンディング処理のステップでは、該第１のボンディングツールにより、該パッケージ基板のボンディングパッドに該ボンディングワイヤを固着した後、該第２のボンディングツールを、該ボンディングワイヤの螺旋状に巻回したコイル状部分から抜き取ることが好ましい。
【００５０】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、前記第１のボンディング処理は、該Ａｕ線の先端に形成したＡｕボールと前記半導体チップの電極パッドとを熱圧着により固着するボンディング処理であることが好ましい。
【００５１】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、前記第２のボンディング処理は、該Ａｕ線を、前記パッケージ基板上のボンディングパッドに熱圧着するボンディング処理であることが好ましい。
【００５２】
本発明に係るワイヤボンディング方法は、半導体チップと外部端子とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法であって、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに該ボンディングワイヤの先端を固着する第１のボンディング処理を行うステップと、該ボンディングワイヤを、その一部がコイルとして機能するよう螺旋状に巻きながら、該半導体チップの電極パッドから該外部端子上まで案内するステップと、該外部端子に該ボンディングワイヤの該外部端子に対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行うステップとを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００５３】
本発明に係るワイヤボンディング方法は、半導体チップと、該半導体チップを搭載したパッケージ基板とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法であって、コイルとして機能するよう螺旋状に巻かれたコイル状ボンディングワイヤの先端を、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに固着する第１のボンディング処理を行うステップと、該コイル状ボンディングワイヤを、該半導体チップの電極パッドから該パッケージ基板上に形成されたボンディングパッド上まで案内するステップと、該パッケージ基板のボンディングパッドに、該コイル状ボンディングワイヤの、該ボンディングパッドに対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行うステップとを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００５４】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記第２のボンディング処理後に、前記コイル状ボンディングワイヤを、前記パッケージ基板のボンディングパッドと該ボンディングワイヤとの固着部分から切り離すステップを含むことが好ましい。
【００５５】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記コイル状ボンディングワイヤを送りす第１のボンディングツールと、該コイル状ボンディングワイヤをクランプするとともに、前記半導体チップの電極パッドあるいは該パッケージ基板のボンディングパッドに圧着する第２のボンディングツールとを用い、該第１のボンディングツールは、円筒状部材からなり、該円筒状部材の内径を、該コイル状ボンディングワイヤが該筒状部材内面にガイドされて移動するよう設定したものであることが好ましい。
【００５６】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記ボンディングワイヤの案内ステップでは、前記第１のボンディングツールの下端から突出する、前記ボンディングワイヤの一端を、前記第２のボンディングツールでクランプして、前記半導体チップの電極パッドに固着し、該第１のボンディングツールを、該コイル状ボンディングワイヤが該パッケージ基板のボンディングパッド上に導かれるよう移動させ、前記第２のボンディング処理のステップでは、前記第１のボンディングツールの下端から突出する、前記ボンディングワイヤの一端を、前記第２のボンディングツールでクランプして、該パッケージ基板のボンディングパッドに該ボンディングワイヤを固着することが好ましい。
【００５７】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記第２のボンディング処理後に、前記ボンディングワイヤを、前記第１のボンディングツールでクランプした状態で、該第１および第２のボンディングツールを前記パッド基板から引き離して、前記ボンディングワイヤを、そのパッケージ基板のボンディングパッドとの固着部分から切り離すステップを含むことが好ましい。
【００５８】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、前記第１のボンディング処理は、該Ａｕ線の先端に形成したＡｕボールと前記半導体チップの電極パッドとを熱圧着により固着するボンディング処理であることが好ましい。
【００５９】
本発明は、上記ワイヤボンディング方法において、前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、前記第２のボンディング処理は、該Ａｕ線を、前記パッケージ基板上のボンディングパッドに熱圧着するボンディング処理であることが好ましい。
【００６０】
本発明に係るワイヤボンディング方法は、半導体チップと外部端子とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法であって、コイルとして機能するよう螺旋状に巻かれたコイル状ボンディングワイヤの先端を、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに固着する第１のボンディング処理を行うステップと、該コイル状ボンディングワイヤを、該半導体チップの電極パッドから該外部端子上まで案内するステップと、該外部端子に、該コイル状ボンディングワイヤの、該外部端子に対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行うステップとを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００６１】
以下、本発明の作用について説明する。
【００６２】
本発明においては、半導体パッケージにおけるボンディングワイヤを、少なくとも一部にコイル状部分を有する構造としたので、半導体チップからボンディングワイヤを通してパッケージ外部に伝わるノイズ、あるいは外部から半導体チップへ侵入するノイズを低減することが可能となる。
【００６３】
また、半導体パッケージで用いるボンディングワイヤの一部をコイル状に形成しているだけであるので、ノイズ低減を低コストで実現できる。
【００６４】
また、本発明においては、半導体チップのボンディングワイヤをコイル状に巻きながらボンディングするので、ボンディングワイヤのコイル状部分を、ボンディング処理中に形成できる。
【００６５】
さらに、本発明においては、コイル状に巻かれたボンディングワイヤを用いて、半導体パッケージにおけるボンディングを行うので、半導体チップの電極パッドと、パッケージ基板のボンディングパッドとが離れている場合でも、これらの間を接続するボンディングワイヤを、全体にわたってコイル状にすることができ、半導体チップからのノイズの放出や侵入を効果的に防止することができる。
【発明の効果】
【００６６】
以上のように、本発明によれば、半導体チップの電極とパッケージ基板のボンディングパッドとを、一部にコイル状部分を有するボンディングワイヤで接続したので、ワイヤを伝わるノイズ低減を低コストで実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００６８】
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１による半導体パッケージを説明する図であり、図１（ａ）は該半導体パッケージを示し、図１（ｂ）は該半導体パッケージを実装基板上に実装した状態を示している。
【００６９】
この半導体パッケージ１００は、半導体チップ１０３をパッケージ本体１０１内に収容し、該半導体チップ１０３を該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成したものである。
【００７０】
この半導体パッケージ１００は、該半導体チップ１０３を搭載した、複数のボンディングパッド（図では１つのみ示している）１０４を有するパッケージ基板１０５と、該パッケージ基板１０５の複数のボンディングパッド１０４と、該半導体チップ１０３の対応する電極パッド１０３ａとを接続する複数のボンディングワイヤ（図では１つのみ示している）１０２とを備えている。また、この半導体パッケージ１００では、該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤ１０２は、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部１１０を有している。
【００７１】
また、このような半導体パッケージ１００は実装基板１０上に複数実装されて、半導体装置５００を構成する。ここで、半導体パッケージ１００は、バンプ電極１１３（外部端子）がパッケージ本体の裏面に配列されたエリアアレイ型パッケージである。なお、図１中、１０１は封止樹脂である。
【００７２】
このような構成の実施形態１の半導体パッケージでは、半導体パッケージにおけるボンディングワイヤを、少なくとも一部にコイル状部分を有する構造としたので、半導体チップからボンディングワイヤを通してパッケージ外部に伝わるノイズ、あるいは外部から半導体チップへ侵入するノイズを低減することが可能となる。
【００７３】
また、半導体パッケージで用いるボンディングワイヤの一部をコイル状に形成しているだけであるので、ノイズ低減を低コストで実現できる。
【００７４】
なお、上記半導体パッケージは、上記のようにパッケージの裏面側にはんだボール（外部接続端子）を形成したものに限らず、パッケージの側面にリードフレームを形成したＱＦＰなどのペリフェラル型パッケージであってもよい。
【００７５】
つまり、上記半導体パッケージは、半導体チップをパッケージ本体内に収容し、該半導体チップを該パッケージ外部の外部回路と電気的に接続可能に構成してなる半導体パッケージであって、該外部回路と接続される複数の外部接続端子と、該半導体チップの対応する電極パッドを、対応する外部接続端子と接続する複数のボンディングワイヤとを備え、該複数のボンディングワイヤのうちの少なくとも１つの特定のボンディングワイヤは、コイルとして機能するよう螺旋状に形成したコイル状部を有するものであってもよい。
（実施形態２）
図２は本発明の実施形態２による半導体パッケージを説明する図であり、図２（ａ）は該半導体パッケージを示し、図２（ｂ）は該半導体パッケージを実装基板上に実装した状態を示している。
【００７６】
この実施形態２の半導体パッケージ１００ａは、上記実施形態１の半導体パッケージ１００における特定のボンディングワイヤ１０２に代えて、ボンディング処理中にボンディングワイヤの一部を螺旋状の加工してコイル状部を作成したボンディングワイヤ１１０ａを用いたものである。また、このような半導体パッケージ１００ａは実装基板１０上に複数実装されて、半導体装置５００を構成する。ここで、半導体パッケージ１００ａは、バンプ電極１１３（外部端子）がパッケージ本体の裏面に配列されたエリアアレイ型パッケージである。なお、図１中、１０１は封止樹脂である。
【００７７】
次に製造方法について説明する。
【００７８】
図３および図４はこの実施形態２の半導体パッケージの製造方法を説明する図であり、図３（ａ）〜（ｃ）は、半導体チップの電極パッドにボンディングワイヤボンディングする処理を示し、図４（ａ）〜（ｃ）は、パッケージ基板のボンディングパッドにボンディングワイヤをボンディングする処理を示している。
【００７９】
ここで、上記ワイヤボンディングは、第１および第２のボンディングツールを用いて行う。この第１のボンディングツール６０は、前記ボンディングワイヤを送り出すとともに、該ボンディングワイヤを前記半導体チップの電極パッドあるいは該パッケージ基板のボンディングパッドに圧着するものである。また、第２のボンディングツールは、該ボンディングワイヤをクランプするものであり、円柱状支柱５１と、該円柱状支柱の下端に取り付けられ、該ボンディングワイヤをクランプするクランプ機構５２とを有している。なお、円柱状支柱５１の側面の突起部５３はボンディングワイヤを係止するものであり、第１のボンディングツールを移動させるときに、ボンディングワイヤを支持するものであるが、必ずしも必要ではない。
【００８０】
まず、半導体チップ１０３の表面に形成された電極パッド１０３ａに該ボンディングワイヤ１０２の先端を、第１のボンディングツール６０を用いて固着する第１のボンディング処理を行う（図３（ａ））。
【００８１】
次に、第１および第２のボンディングツール６０および５０を用いて、該ボンディングワイヤ１０２を、その一部がコイルとして機能するよう螺旋状に巻きながら（図３（ｂ）、（ｃ））、該半導体チップの電極パッドから該パッケージ基板上に形成されたボンディングパッド上まで案内する。
【００８２】
ここで、ワイヤを螺旋状に巻くステップでは、前記第１のボンディングツール６０により、前記ボンディングワイヤの一端を前記半導体チップの電極パッドに固着した後、前記第２のボンディングツールにより、該ボンディングワイヤと該半導体チップの電極パッドとの固着部分の近傍をクランプした状態で、該第１のボンディングツールを引き上げながら、該第２のボンディングツールの周囲を回転させて、前記ボンディングワイヤを該第２のボンディングツールの周囲に螺旋状に巻回させる。
【００８３】
続いて、該パッケージ基板のボンディングパッドに該ボンディングワイヤの、該ボンディングパッドに対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行う（図４（ａ））。
【００８４】
さらに、前記第２のボンディング処理後に第２のボンディングツールを、ワイヤのコイル状部分から抜き取って（図４（ｂ））、前記ボンディングワイヤを、前記パッケージ基板のボンディングパッドと該ボンディングワイヤとの固着部分から切り離す（図４（ｃ））。
【００８５】
なお、ここでは、前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、前記第１のボンディング処理には、具体的には該Ａｕ線の先端に形成したＡｕボールと前記半導体チップの電極パッドとを熱圧着により固着するボンディング処理を用いているがこれに限るものではない。
【００８６】
例えば、前記第２のボンディング処理は、該Ａｕ線を、前記パッケージ基板上のボンディングパッドに熱圧着するボンディング処理であってもよい。
【００８７】
このように本実施形態２では、半導体チップのボンディングワイヤをコイル状に巻きながらボンディングするので、ボンディングワイヤのコイル状部分を、ボンディング処理中に形成できる。
【００８８】
なお、上記半導体パッケージは、上記のようにパッケージの裏面側にはんだボール（外部接続端子）を形成したものに限らず、パッケージの側面にリードフレームを形成したＱＦＰなどのペリフェラル型パッケージであってもよい。
【００８９】
この場合、上記ボンディングは以下のように行われることとなる。
【００９０】
つまり、半導体チップと外部端子とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法では、まず、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに該ボンディングワイヤの先端を固着する第１のボンディング処理を行う。その後、該ボンディングワイヤを、その一部がコイルとして機能するよう螺旋状に巻きながら、該半導体チップの電極パッドから該外部端子上まで案内する。さらに、該外部端子に該ボンディングワイヤの該外部端子に対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行う。
（実施形態３）
次に本発明の実施形態３について説明する。
【００９１】
図５は本発明の実施形態３による半導体パッケージを説明する図であり、図５（ａ）は該半導体パッケージを示し、図５（ｂ）は該半導体パッケージを実装基板上に実装した状態を示している。
【００９２】
この実施形態３の半導体パッケージ１００ｂは、ボンディングワイヤとして、連続する螺旋状のボンディングワイヤ１１０ｂを用いたものである。
【００９３】
また、このような半導体パッケージ１００ｂは実装基板１０上に複数実装されて、半導体装置５００ｂを構成する。ここで、半導体パッケージ１００ｂは、バンプ電極１１３（外部端子）がパッケージ本体の裏面に配列されたエリアアレイ型パッケージである。なお、図１中、１０１は封止樹脂である。
【００９４】
次に製造方法について説明する。
【００９５】
図６〜図８はこの実施形態３の半導体パッケージの製造方法を説明する図であり、図６（ａ）〜（ｂ）は、半導体チップの電極パッドにボンディングワイヤをボンディングする処理を示し、図７（ａ）〜（ｂ）は、ボンディングワイヤをパッケージ基板のボンディングパッド上に案内する様子を示し、図８（ａ）〜（ｂ）は、パッケージ基板のボンディングパッドにボンディングワイヤをボンディングする処理を示している。
【００９６】
ここでは、前記コイル状ボンディングワイヤを送り出す第１のボンディングツール３０９と、該コイル状ボンディングワイヤをクランプするとともに、前記半導体チップの電極パッドあるいは該パッケージ基板のボンディングパッドに圧着する第２のボンディングツール３１０とを用いる。
【００９７】
該第１のボンディングツールは、円筒状部材からなり、該円筒状部材の内径を、該コイル状ボンディングワイヤが該筒状部材内面にガイドされて移動するよう設定している。
【００９８】
まず、コイルとして機能するよう螺旋状に巻かれたコイル状ボンディングワイヤの先端を、ボンディングツール３１０によりクランプし（図６（ａ））、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに固着する（図６（ｂ））。
【００９９】
続いて、該コイル状ボンディングワイヤを、該半導体チップの電極パッドから該パッケージ基板上に形成されたボンディングパッド上まで案内し（図７（ａ））、ボンディングツール３１０で、ボンディングワイヤの先端をクランプする（図７（ｂ））。
【０１００】
該パッケージ基板のボンディングパッドに、該コイル状ボンディングワイヤの、該ボンディングパッドに対向する部分を固着する第２のボンディング処理を行う（図８（ａ））。
【０１０１】
さらに、前記第２のボンディング処理後に、前記コイル状ボンディングワイヤを、前記パッケージ基板のボンディングパッドと該ボンディングワイヤとの固着部分から切り離す（図８（ｂ））。
【０１０２】
なお、ここでは、前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、前記第１のボンディング処理は、該Ａｕ線の先端に形成したＡｕボールと前記半導体チップの電極パッドとを熱圧着により固着するボンディング処理であるが、前記ボンディングワイヤは、Ａｕ線からなり、前記第２のボンディング処理は、該Ａｕ線を、前記パッケージ基板上のボンディングパッドに熱圧着するボンディング処理であってもよい。
【０１０３】
なお、上記半導体パッケージは、上記のようにパッケージの裏面側にはんだボール（外部接続端子）を形成したものに限らず、パッケージの側面にリードフレームを形成したＱＦＰなどのペリフェラル型パッケージであってもよい。
【０１０４】
この場合、上記ボンディングは以下のように行われることとなる。
【０１０５】
つまり、半導体チップと外部端子とをボンディングワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法では、コイルとして機能するよう螺旋状に巻かれたコイル状ボンディングワイヤの先端を、該半導体チップの表面に形成された電極パッドに固着する第１のボンディング処理を行う。その後、該コイル状ボンディングワイヤを、該半導体チップの電極パッドから該外部端子上まで案内する。その後さらに、該外部端子に、該コイル状ボンディングワイヤの、該外部端子に対向する部分を固着する。
【０１０６】
このように本実施形態３では、ボンディングツール３０９が、あらかじめコイル状に巻かれたワイヤを供給し、ボンディングツール３１０によりボンディングパッド１０３ａにボンディングを行い、コイル状のワイヤをボンディングパッド１０４にボンディングするので、この一連の動作により、ＩＣチップにボンディングするワイヤをコイル状とすることができ、低コストで、ＩＣから発生するノイズ、かつパッケージ外部からＩＣに侵入するノイズを低減する事が可能となる。
【０１０７】
なお、上記各実施形態では特に言及していないが、少なくとも一部にコイル状部分を有するボンディングワイヤは、上記半導体チップに電源を供給する電極パッドと、上記パッケージ基板の対応するボンディングパッドとの間に接続されているものであることが望ましい。
【０１０８】
さらに上述した実施形態１のボンディングワイヤ、および上記実施形態２および３のワイヤボンディング方法は、上記図９（ａ）〜（ｆ）に示すいずれのタイプの半導体パッケージにも適用できることは言うまでもない。
【０１０９】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、半導体パッケージ、半導体装置、およびワイヤボンディング方法に関し、特に、ＩＣパッケージにおけるノイズ対策に関する分野において、半導体チップの電極とパッケージ基板のボンディングパッドとを、一部にコイル状部分を有するボンディングワイヤで接続することにより、ワイヤを伝わるノイズの低減を低コストで実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】図１は本発明の実施形態１による半導体パッケージを説明する図であり、図１（ａ）は該半導体パッケージを示し、図１（ｂ）は該半導体パッケージを実装基板上に実装した状態を示している。
【図２】図２は本発明の実施形態２による半導体パッケージを説明する図であり、図２（ａ）は該半導体パッケージを示し、図２（ｂ）は該半導体パッケージを実装基板上に実装した状態を示している。
【図３】図３はこの実施形態２の半導体パッケージの製造方法を説明する図であり、図３（ａ）〜（ｃ）は、半導体チップの電極パッドにボンディングワイヤをボンディングする処理を示している。
【図４】図４はこの実施形態２の半導体パッケージの製造方法を説明する図であり、図４（ａ）〜（ｃ）は、パッケージ基板のボンディングパッドにボンディングワイヤをボンディングする処理を示している。
【図５】図５は本発明の実施形態３による半導体パッケージを説明する図であり、図５（ａ）は該半導体パッケージを示し、図５（ｂ）は該半導体パッケージを実装基板上に実装した状態を示している。
【図６】図６はこの実施形態３の半導体パッケージの製造方法を説明する図であり、図６（ａ）〜（ｂ）は、半導体チップの電極パッドにボンディングワイヤをボンディングする処理を示している。
【図７】図７はこの実施形態３の半導体パッケージの製造方法を説明する図であり、図７（ａ）〜（ｂ）は、ボンディングワイヤをパッケージ基板のボンディングパッド上に案内する様子を示している。
【図８】図８はこの実施形態３の半導体パッケージの製造方法を説明する図であり、図８（ａ）〜（ｂ）は、パッケージ基板のボンディングパッドにボンディングワイヤをボンディングする処理を示している。
【図９】図９は、従来の種々のタイプの半導体パッケージ（図９（ａ）〜図９（ｆ））を説明する図である。
【図１０】図１０は、上記のようなパッケージの組立て方法を説明する図であり、図１０（ａ）は、リードフレームのダイパッド上にＩＣチップ１をダイボンドした状態を示し、また、図１０（ｂ）は、ＩＣチップ１の電極パッドとリードとをボンディングワイヤで接続した状態を示している。
【図１１】図１１は、実装基板上に樹脂封止パッケージを実装した状態を示す図である。
【図１２】図１２は、実装基板上に上記樹脂封止パッケージとは異なるタイプのパッケージを実装した状態を示す図である。
【図１３】図１３は、図１２に示すＩＣパッケージに代えて、半導体チップを磁気シールド層で覆うことにより、ＩＣパッケージに対するノイズ対策を施したＩＣパッケージを概念的に示す図である。
【図１４】図１４は特許文献１に記載のＩＣパッケージを説明する図である。
【図１５】図１５は、半導体チップの電極パッドとパッケージ基板のボンディングパッドとを、ボンディングワイヤによりボンディングする方法を工程順（図（ａ）〜図（ｄ））に説明する図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１００、１００ａ、１００ｂ  半導体パッケージ
１０５  パッケージ基板
１１０  コイル
１１３  バンプ
５００、５００ａ、５００ｂ  半導体装置
【図１】
2009158839.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2009158839.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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