(57)【要約】【課題】半導体ウェハーのＦＩＢ加工処理おいて、真断面径となる加工断面を自動的に判定する。【解決手段】ＦＩＢ加工における仕上げ加工中に、ＦＩＢ加工された加工断面を逐次撮像するステップと、撮像された画像に基づいて加工断面上のパターン寸法を求めるステップと、パターン寸法と撮像時刻とに基づいて、パターン寸法の時間関数を求めるステップと、関数演算手段によって求められた時間関数に基づいて、ＦＩＢ加工の停止位置を制御するステップと、を備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって加工するＦＩＢ加工装置であって、
ＦＩＢによって加工された加工断面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求める寸法演算手段と、
前記パターン寸法の時間当たりの変化率が所定値以下になることを検出する検出手段と、
前記検出手段によって変化率が所定値以下であることが検出されると、前記ＦＩＢ加工の停止位置を制御する制御装置と、を備えることを特徴とするＦＩＢ加工装置。
【請求項２】
所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって加工するＦＩＢ加工装置であって、
ＦＩＢによって加工された加工断面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求め、該パターン寸法をその撮像時刻に対応付けて記憶する記憶手段と、
前記記憶されたパターン寸法と撮像時刻とに基づいて、前記パターン寸法の時間関数を求める関数演算手段と、
前記関数演算手段によって求められた時間関数に基づいて、前記ＦＩＢ加工の停止位置を制御する制御装置と、を備えることを特徴とするＦＩＢ加工装置。
【請求項３】
前記時間関数が、前記パターン寸法の時間微分であり、該時間微分の値が０になった時点で、前記パターン寸法の真断面径が得られたとして前記ＦＩＢによる加工を停止する、請求項２に記載のＦＩＢ加工装置。
【請求項４】
前記関数演算手段は、異なる２つ以上の時刻でそれぞれ測定されたパターン寸法に基づいて、前記パターン寸法の時間関数を演算によって求める、請求項２に記載のＦＩＢ加工装置。
【請求項５】
前記関数演算手段は、前記時間関数に基づいて前記パターン寸法が真断面径となる時刻を予測する、請求項４に記載のＦＩＢ加工装置。
【請求項６】
前記制御装置は、前記パターン寸法が真断面径となる時刻以前に前記ＦＩＢによる加工を停止する、請求項５に記載のＦＩＢ加工装置。
【請求項７】
前記パターンの両側からＦＩＢ加工を実施し、双方のＦＩＢ加工において、前記パターン寸法が真断面径となる時刻以前に前記ＦＩＢによる加工を停止する、請求項６に記載のＦＩＢ加工装置。
【請求項８】
前記撮像手段が走査型電子顕微鏡であり、更に、前記加工断面を解析するための透過型電子顕微鏡を更に備える、請求項７に記載のＦＩＢ加工装置。
【請求項９】
所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって加工するＦＩＢ加工方法であって、
ＦＩＢによって加工された加工断面を撮像するステップと、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求めるステップと、
前記パターン寸法の時間当たりの変化率が所定値以下になることを検出するステップと、
前記検出ステップによって変化率が所定値以下であることが検出されると、前記ＦＩＢ加工の停止するステップと、を有することを特徴とするＦＩＢ加工方法。
【請求項１０】
所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって加工するＦＩＢ加工方法であって、
ＦＩＢによって加工された加工断面を撮像するステップと、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求め、該パターン寸法をその撮像時刻に対応付けて記憶するステップと、
前記記憶されたパターン寸法と撮像時刻とに基づいて、前記パターン寸法の時間関数を求めるステップと、
前記関数演算手段によって求められた時間関数に基づいて、前記ＦＩＢ加工の停止位置を制御するステップと、を有することを特徴とするＦＩＢ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＦＩＢ（集束イオンビーム）加工装置及び方法に関し、更に詳しくは、半導体ウェハー上でパターン観察を行う際に利用されるＦＩＢ加工装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化が進むにつれ、コンタクト加工における問題が顕在化してきた。例えば、コンタクトホール・エッチングでの形状異常や抜け不良、コンタクトホール・エッチング時のデポジション膜の残り、或いは、コンタクトプラグ埋め込み時の埋め込み不良などが、このような問題として挙げられる。従来技術では、コンタクト加工で問題が発生したと疑われる際には、その当該箇所をＦＩＢ（集束イオンビーム）加工で露出させ、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察するＦＩＢ−ＳＥＭ法、或いは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察するＦＩＢ−ＴＥＭ法による解析が行われている。
【０００３】
最近の半導体製造プロセスでは、ＦＩＢ−ＳＥＭ観察機能を有するＦＩＢ−ＳＥＭ装置が普及し、解析力の向上に大きな貢献を果たしている。しかし、このような解析には、多くの時間と熟練したスキルとが不可欠なため、半導体製造プロセスで、ＦＩＢ−ＳＥＭ装置を使いこなすには、困難が存在する。特に、現在普及しているＦＩＢ−ＳＥＭ装置は、ＦＩＢ装置及びＳＥＭ装置の両軸間の角度が３０〜６０°のものが多く、一般に、ＦＩＢ装置は加工専用に、ＳＥＭ装置は斜めからの観察専用にと区分けされている。ＦＩＢ−ＳＥＭ装置については、例えば、特許文献１に記載がある。
【０００４】
図１０は、従来のＦＩＢ−ＳＥＭ装置による半導体ウェハーの加工処理を示すフローチャートである。この処理では、ＦＩＢ−ＳＥＭ装置で、例えば、アレイ状に配列された、或いは、列状に並んだコンタクトパターンの断面が現れるように、ウェハーにＦＩＢ加工処理を施す。まず、ウェハーのアラインメントマークに合わせて加工座標を設定する（ステップＳ１）。次いで、コンタクトパターンの平面画像を撮像する（ステップＳ２）。次いで、ＦＩＢ加工の範囲となる加工枠をウェハー面上で設定し、また、ＦＩＢ加工のためのビーム条件を設定する（ステップＳ３）。引き続き、ＦＩＢ加工を開始し、設定された加工枠の範囲内で１ラインずつ順次にスキャンニングしながらＦＩＢを照射し、その照射部分をＦＩＢ加工によりエッチングする（ステップＳ４）。ウェハー表面の位置情報に基づいて、所定の位置までスキャン照射及びエッチングが終了したら、その時点で露出した加工断面を観察する。観察の結果、所望の断面が得られていなければ、更にＦＩＢ照射を行って加工断面を修正する（ステップＳ５）。
【特許文献１】特開２００４−３６１１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、ＦＩＢ加工に際して所望の加工断面を得ることは、ウェハー表面上の位置情報からのみでは困難なため、所望の加工断面を得るためには、人手に頼った修正が不可欠である。また、所望の加工断面が得られたか否かについての判断及びその後の修正は、これに従事する人の熟練度によっても異なり、容易ではなかった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、人手による修正を必要とせずに、所望の加工断面を得ることが容易な断面加工装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、第１の態様において、
所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって加工するＦＩＢ加工装置であって、
ＦＩＢによって加工された加工断面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求める寸法演算手段と、
前記パターン寸法の時間当たりの変化率が所定値以下になることを検出する検出手段と、
前記検出手段によって変化率が所定値以下であることが検出されると、前記ＦＩＢ加工の停止位置を制御する制御装置と、を備えることを特徴とするＦＩＢ加工装置を提供する。
【０００８】
本発明は、第２の態様において、所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって加工するＦＩＢ加工装置であって、
ＦＩＢによって加工された加工断面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求め、該パターン寸法をその撮像時刻に対応付けて記憶する記憶手段と、
前記記憶されたパターン寸法と撮像時刻とに基づいて、前記パターン寸法の時間関数を求める関数演算手段と、
前記関数演算手段によって求められた時間関数に基づいて、前記ＦＩＢ加工の停止位置を制御する制御装置と、を備えることを特徴とするＦＩＢ加工装置を提供する。
【０００９】
本発明は、第３の態様において、所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって加工するＦＩＢ加工方法であって、
ＦＩＢによって加工された加工断面を撮像するステップと、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求めるステップと、
前記パターン寸法の時間当たりの変化率が所定値以下になることを検出するステップと、
前記検出ステップによって変化率が所定値以下であることが検出されると、前記ＦＩＢ加工の停止するステップと、を有することを特徴とするＦＩＢ加工方法を提供する。
【００１０】
本発明は、第４の態様において所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって加工するＦＩＢ加工方法であって、
ＦＩＢによって加工された加工断面を撮像するステップと、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求め、該パターン寸法をその撮像時刻に対応付けて記憶するステップと、
前記記憶されたパターン寸法と撮像時刻とに基づいて、前記パターン寸法の時間関数を求めるステップと、
前記関数演算手段によって求められた時間関数に基づいて、前記ＦＩＢ加工の停止位置を制御するステップと、を有することを特徴とするＦＩＢ加工方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のＦＩＢ加工装置及び方法によると、ＦＩＢ加工断面の画像からパターン寸法の時間関数を求めるので、ＦＩＢ加工を停止する際に必要なパターン寸法の情報が、その情報が必要な時点で得られる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は、本発明のＦＩＢ加工方法が対象とする半導体ウェハーを示す平面図であり、その半導体ウェハー上で設定されるＦＩＢ加工枠を示している。半導体ウェハーには、コンタクトプラグ（パターン）１１が三角アレイ状に配列されており、各コンタクトプラグ１１は、断面が円形の柱状に形成されている。
【００１３】
半導体ウェハー上には、ＦＩＢ加工に先立って、ＦＩＢ加工枠が設定される。ＦＩＢ加工枠としては、タングステン（Ｗ）保護膜を形成するための保護膜加工枠１２と、最初に実行される荒堀加工のための荒堀加工枠１３と、荒堀加工に後続して実行される中堀加工のための中堀加工枠１４と、中堀加工に後続し最終的に実行される仕上げ堀加工のための仕上げ堀加工枠１５とが設定される。半導体ウェハーの表面には、ＦＩＢ加工（ＦＩＢエッチング加工）に先立って、所望の加工断面位置を囲む平面位置に保護膜が形成される。保護膜は、半導体ウェハー表面への原料ガス供給と、保護膜加工枠１２内へのＦＩＢ照射とによって、形成される。
【００１４】
ＦＩＢ加工は、荒堀加工、中堀加工、及び、仕上げ堀加工と順次に実行され、これらに設定された各枠１３、１４、１５内でのＦＩＢ照射により行われる。このＦＩＢ照射は、荒堀加工、中堀加工、及び、仕上げ堀加工のそれぞれにおいて、所定の速度で１ラインずつ進行するように実施される。ＦＩＢ照射方向は、半導体ウェハーの表面と所定角度を成す斜め方向である。ＳＥＭ装置は、ＦＩＢ加工の進行に伴って現れる加工断面の画像をモニターしている。ＳＥＭ装置は、最終の仕上げ堀加工の段階で、その加工終端位置でＦＩＢ照射が停止するように、ＦＩＢ加工を制御する。
【００１５】
図２（ａ）及び（ｂ）は、荒堀加工及び中堀加工が終了し、仕上げ堀加工に移行した段階（時刻Ｔ１）で、図１の半導体ウェハーの平面図及びＳＥＭ断面図をそれぞれ示す。なお、荒堀加工枠の表示は省略している。この段階では、中堀加工に後続して仕上げ堀加工が行われる、図２（ｂ）には、この時刻Ｔ１における、監視対象とするコンタクトプラグ１１の縦断面のパターン幅ｗ１（ｎｍ）が示されている。ＳＥＭ装置は、加工断面の画像から、画像処理技術によりパターン幅を演算し、この幅を監視する。
【００１６】
図３（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、図２の段階から仕上げ堀加工が更に進行し、監視対象のコンタクトプラグ１１の縦断面におけるパターン幅が最大の状態（ｗ３）にある工程段階を示す平面図及び断面図である。つまり、現時点の加工断面が、コンタクトプラグの中心を通る真断面の位置にあり、パターン幅ｗ３はこの時刻（Ｔ３）におけるコンタクトプラグ１１の真断面径Ａに等しい。この位置で、ＦＩＢ加工を停止することで、所望の加工断面が得られる。
【００１７】
図４（ａ）は、監視対象のコンタクトプラグが現れる加工断面の位置で逐次観察されるコンタクトプラグのパターン幅ｗを、時間の経過に従って示している。また、図４（ｂ）は、そのパターン幅ｗの時間微分値ｄｗ／ｄｔを示している。これらの図で、Ｔ０は監視対象のコンタクトプラグが断面上に現れる時間、Ｔ１は図２の状態における時刻、Ｔ２は、幅ｗが真断面径Ａとなる以前のある時刻、Ｔ３は図３の状態における時刻、Ｔ４は監視対象のコンタクトプラグが消え去る時刻をそれぞれ示している。同図（ａ）に示すように、加工断面に現れるコンタクトプラグの幅ｗは時間（ｔ）の関数であり、時刻ｔがＴ０≦ｔ≦Ｔ４の範囲で、
ｗ＝Ａ・ｓｉｎω（ｔ−Ｔ０）                    （１）
で示される。また、同図（ｂ）に示す時間微分値ｄｗ／ｄｔは、
ｄｗ／ｄｔ＝Ａω・ｃｏｓω（ｔ−Ｔ０）            （２）
で示される。
【００１８】
時間微分値ｄｗ／ｄｔを監視し、ｄｗ／ｄｔ＝０を検出することにより、コンタクトプラグの真断面径が既知でなくとも、幅ｗが最大値ｗ３をとる時刻Ｔ３が特定でき、これによって目的とする加工断面の検出が可能である。また、真断面径が既知の値であれば、任意の時刻Ｔ１及びＴ２（但し、Ｔ０≦Ｔ１≦Ｔ３，Ｔ０≦Ｔ２≦Ｔ３）における幅ｗ１、ｗ２を加工断面の画像データから演算で求めることにより、上記式（１）を求めることも可能である。この式から、画像データに基づいて演算された幅が最大値に等しい時刻で得られた加工断面が、目的とする加工断面であると検出できる。
【００１９】
図５は、上記実施形態の方法に従って、ＦＩＢ加工を実施するＦＩＢ−ＳＥＭ装置における処理を示すフローチャートである。まず、ＦＩＢ対象の半導体ウェハーをＦＩＢ−ＳＥＭ装置のステージに搭載し、ＳＥＭ装置によりウェハー上の基準点を検出し、ウェハー上で加工座標を定める（ステップＳ１１）。次いで、加工開始前のウェハー平面画像を取得する（ステップＳ１２）。ウェハー平面画像上で加工枠を決定し、同時に加工ビームの条件を設定する（ステップＳ１３）。保護膜加工枠１２に従ってＦＩＢ照射及び原料ガス供給を行って、保護膜を形成した上で、ＦＩＢ加工を開始し、荒堀加工及び中堀加工を行う（ステップＳ１４）。
【００２０】
引き続き、加工断面をＳＥＭ画像上でモニターしながら、仕上げ加工を開始する（ステップＳ１５）。ＳＥＭ画像からコンタクトプラグの幅ｗを計算し、更にその時間微分値ｄｗ／ｄｔを計算し、ｄｗ／ｄｔ＝０が成立するか否かを判定する（ステップＳ１６）。ｄｗ／ｄｔ＝０でなければ、ステップＳ１５に戻って仕上げ加工を継続し、ｄｗ／ｄｔ＝０と判定されたら、ＦＩＢ加工を終了する（ステップＳ１７）。
【００２１】
上記実施形態のＦＩＢ加工により、ＦＩＢ加工時間の短縮が可能である。その理由は、従来は人手による加工断面修正が相当な時間を占めていたが、上記実施形態では対象とする加工断面が自動的に得られるからである。ここで、従来は通常４０分程度の加工時間が必要であったものが、上記実施形態では、２０分程度にまで加工時間が短縮できる。
【００２２】
図６は、本発明の第２の実施形態のＦＩＢ加工処理を示す。まず、ＦＩＢ対象の半導体ウェハーを、ＦＩＢ−ＳＥＭ装置のステージに搭載し、ＳＥＭ装置によりウェハー上の基準点を検出し、ウェハー上で加工座標を定める（ステップＳ１１）。次いで、加工開始前のウェハー平面画像を取得する（ステップＳ１２）。次いで、ウェハー平面画像上で加工枠を決定し、同時に加工ビームの条件を設定する（ステップＳ１３）。タングステン保護膜を形成した上で、ＦＩＢエッチングによる加工を開始し、荒堀加工及び中堀加工を行う（ステップＳ１４）。その後、加工断面をＳＥＭ画像上でモニターしながら、仕上げ加工を開始し、その仕上げ加工中に対象となるコンタクトプラグが現れてから幅径が最大値に達する以前に、断面ＳＥＭ画像を少なくとも２箇所撮像する（ステップＳ１５）。撮像した断面ＳＥＭ画像から、対象コンタクトプラグの幅径（ｗ１、ｗ２）を求め、その幅径と画像の撮像時（Ｔ１，Ｔ２）とから、Ｔ３を求める（ステップＳ１６）。時刻Ｔ３をＦＩＢ加工コントローラにフィードバックし、時刻Ｔ３でＦＩＢ加工を終了させる（ステップＳ１７）。本実施形態では、２回のＳＥＭ画像取得により、対象とするコンタクトプラグの真断面径が得られる時刻Ｔ３を求める例である。
【００２３】
図７は、本発明の第３の実施形態のＦＩＢ加工処理を示す。まず、ＦＩＢ対象の半導体ウェハーを、ＦＩＢ−ＳＥＭ装置のステージに搭載し、ＳＥＭ装置によりウェハー上の基準点を検出し、ウェハー上で加工座標を定める（ステップＳ２１）。次いで、加工開始前のウェハー平面画像を取得する（ステップＳ２２）。次いで、ウェハー平面画像上で加工枠を決定し、同時に加工ビームの条件を設定する（ステップＳ２３）。タングステン保護膜を形成した上で、ＦＩＢエッチングによる加工を開始し、荒堀加工及び中堀加工を行う（ステップＳ２４）。その後、加工断面をＳＥＭ画像上でモニターしながら、仕上げ加工を開始し、その仕上げ加工中に対象となるコンタクトプラグが現れてから幅径が最大値に達する以前に、断面ＳＥＭ画像を少なくとも２箇所撮像する（ステップＳ２５）。ここまでの処理は、第２の実施形態と同様である。
【００２４】
撮像した断面ＳＥＭ画像から、対象コンタクトプラグの幅径（ｗ１、ｗ２）を求め、その幅径と画像の撮像時（Ｔ１，Ｔ２）とから、時刻Ｔ０及びＴ３を求める（ステップＳ２６）。次いで、この求めた時刻Ｔ０、Ｔ３から
Ｔ３−（Ｔ３−Ｔ０）×（１／４）〜Ｔ３−（Ｔ３−Ｔ０）×（３／４）
の範囲の内から所定の１つの時刻を選択する。この選択した時刻を、ＦＩＢ−ＳＥＭコントローラにフィードバックし、その時刻でＦＩＢ加工を一旦停止する（ステップＳ２７）。
【００２５】
次いで、対象とするコンタクトプラグのから見て、先にＦＩＢ加工した側とは逆側で同様なＦＩＢ加工を行う。先のＦＩＢ加工と同様に、ウェハー上で加工座標を定める（ステップＳ２８）。次いで、ウェハー上で平面画像を取得し（ステップＳ２９）、加工枠及び加工ビームの条件を設定し（ステップＳ３０）、タングステン保護膜の形成、ＦＩＢ加工による荒堀加工及び中堀加工を行う（ステップＳ３１）。引き続き、仕上げ加工を開始し、同様に断面ＳＥＭ画像を少なくとも２箇所撮像する（ステップＳ３２）。撮像した断面ＳＥＭ画像から、時刻Ｔ０及びＴ３を同様に求める（ステップＳ３３）。次いで、
Ｔ３−（Ｔ３−Ｔ０）×（１／４）〜Ｔ３−（Ｔ３−Ｔ０）×（３／４）
の範囲で、先に選択した時刻と同じ１つの時刻を選択し、選択した時刻をＦＩＢ−ＳＥＭコントローラにフィードバックし、その時刻でＦＩＢ加工を終了する（ステップＳ３４）。
【００２６】
図８は、上記第３の実施形態のＦＩＢ加工処理によって得られた対象コンタクトプラグを含む試料の平面図である。また、図９はその斜視図（鳥瞰図）である。保護膜１６によって頂部が保護されたコンタクトプラグ１１のパターンが示されている。上記両側からのＦＩＢ加工によって、残されたコンタクトプラグ１１を含む試料壁（ＴＥＭサンプル薄壁部）１７は、対象コンタクトプラグ１１の真断面径の１／２〜１／４程度の厚みを有する。この厚みの試料をＴＥＭ画像により解析することで、有効なＴＥＭ解析が可能になる。本実施形態では、コンタクトプラグに真断面径が現れる以前にＦＩＢ加工を停止する必要があり、上記のように、Ｔ３以前にＦＩＢ加工を停止するものである。
【００２７】
上記実施形態において、断面ＳＥＭ画像からコンタクトプラグの真断面径を求める具体的な方法は、この技術分野で周知であり、その詳細な説明を省略している。同様に、時刻Ｔ１、Ｔ２で求めた幅ｗ１、ｗ２からＴ３、Ｔ０を求める方法も周知であり、その説明を省略している。
【００２８】
上記実施形態では、横断面が円形のコンタクトプラグを例に挙げて、その真断面径に達する時刻を求める例を示した。しかし、本発明が対象とするパターンは、横断面が真円の形状に限定されるものではなく、予め設計された所定形状を有するパターンであって、そのパターン寸法の微分値から真断面径に達した旨が検出できるパターン、或いは、任意の時刻で測定される２つ以上の断面から、その真断面径に達する時刻が演算によって求められる形状のパターンであればよい。
【００２９】
以上、本発明をその好適な実施例に基づいて説明したが、本発明のＦＩＢ加工装置及び方法は、上記実施例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施例の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】半導体ウェハー上で、ＦＩＢ加工で設定される加工枠を示す平面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、仕上げ加工中のＴ１時刻における半導体ウェハー平面図及びＳＥＭ断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、コンタクトパターンが真断面径となる時刻Ｔ３における半導体ウェハーの平面図及びＳＥＭ断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、パターン寸法の時間変化、及び、パターン寸法の微分値の時間変化を示すグラフ。
【図５】本発明の第１の実施形態のＦＩＢ加工処理を示すフローチャート。
【図６】本発明の第２の実施形態のＦＩＢ加工処理を示すフローチャート。
【図７】本発明の第３の実施形態のＦＩＢ加工処理を示すフローチャート。
【図８】第３の実施形態で得られるサンプルの平面図。
【図９】第３の実施形態で得られるサンプルの斜視図。
【図１０】従来のＦＩＢ加工処理を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００３１】
１１：コンタクトプラグ（コンタクトパターン）
１２：保護膜加工枠
１３：荒堀加工枠 
１４：中堀加工枠
１５：仕上げ堀加工枠
１６：保護膜
１７：ＴＥＭサンプル薄壁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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