(57)【要約】【課題】位相差層の遅層軸の精度を高め、配向膜のラビング処理に伴うキズや異物発生のリスクを回避して、優れた表示品質を有する液晶表示装置とその製造方法、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶表示装置１００は、第１の基板１０と、第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に位置する液晶層３０と、を備えた液晶表示装置１００であって、第１の基板１０上に配置された第１の配向電極４２と第２の配向電極４４と、第１の基板１０上の所定の領域に第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とを覆うように配置され、光または熱硬化性材料が第１の配向電極４２と第２の配向電極４４との間に発生する電界により配向された状態で硬化されて形成された位相差層４０と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶層と、を備えた液晶表示装置であって、
前記第１の基板上に配置された複数の透明電極と、
前記第１の基板上の所定の領域に前記複数の透明電極を覆うように配置され、光または熱硬化性材料が前記複数の透明電極間に発生する電界により配向された状態で硬化されて形成された位相差層と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の透明電極のそれぞれは複数の電極指を備えた櫛歯形状を有しており、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液晶表示装置であって、
一つの画素領域内に透過表示領域と前記所定の領域としての反射表示領域とを有しており、
前記複数の透明電極は少なくとも前記反射表示領域に配置され、
前記位相差層は前記反射表示領域に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の透明電極と前記位相差層とが、前記第１の基板の前記液晶層側に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の透明電極と前記位相差層とが、前記第１の基板の前記液晶層とは反対側に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶表示装置であって、
前記第１の基板上の前記透過表示領域には、光学的等方性を有し前記位相差層とほぼ同じ層厚を有する透明層が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶層と、を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に、複数の透明電極を形成する電極形成工程と、
前記第１の基板上に、前記複数の透明電極を覆うように、光または熱硬化性材料を配置する材料配置工程と、
前記複数の透明電極間に電圧を印加して電界を発生させ、前記第１の基板上に配置された前記光または熱硬化性材料の分子を前記電界によって配向させた状態で、所定の領域の前記光または熱硬化性材料を硬化させて位相差層を形成する材料硬化工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記電極形成工程では、前記複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いに交互に配置されるように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
一つの画素領域内に透過表示領域と前記所定の領域としての反射表示領域とを有しており、
前記電極形成工程では、少なくとも前記反射表示領域に前記複数の透明電極を配置し、
前記材料硬化工程では、前記反射表示領域の前記光または熱硬化性材料の分子が配向された状態で硬化させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７から９のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記電極形成工程では、前記複数の透明電極を前記第１の基板の前記液晶層側に配置することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７から９のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記電極形成工程では、前記複数の透明電極を前記第１の基板の前記液晶層とは反対側に配置することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記材料硬化工程の後に、前記透過表示領域の前記光または熱硬化性材料を除去する材料除去工程と、
前記第１の基板上の前記光または熱硬化性材料が除去された領域に、光学的等方性を有し前記位相差層とほぼ同じ層厚を有する透明層を形成する透明層形成工程をさらに含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９から１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記材料硬化工程の後に、前記透過表示領域の前記光または熱硬化性材料を光学的に等方化された状態で硬化させる材料等方化工程をさらに含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９から１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記材料配置工程の前に、前記第１の基板上の前記透過表示領域に光学的等方性を有する透明層を形成する透明層形成工程をさらに含み、
前記材料配置工程では、前記第１の基板上の前記透明層が配置されていない領域に、前記透明層とほぼ同じ層厚になるように前記光または熱硬化性材料を配置することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一つの画素領域内に透過表示部と反射表示部とを有する半透過反射型液晶表示装置の形態の一つとして、液晶層を挟持する上基板と下基板とのうち下基板の反射表示部の領域の液晶層側に反射層を設け、上基板と下基板との外側（液晶層の反対側）の全面にそれぞれ位相差板を配置する構成が提案されている。この構成では、本来位相差板がなくてもよい透過表示部にも位相差板が配置されるため、反射表示部に比べて透過表示部の表示品位が低下するというという課題があった。
【０００３】
これに対し、他の形態として、下基板の反射表示部の領域に設けられた反射層上に位相差層を配置する構成が提案されている（例えば特許文献１）。また、位相差層を液晶セル内の反射層に対向する側に配置する構成が提案されている（例えば特許文献２）。これらの構成によれば、位相差層を液晶セル外の両側かつ全面に配置する構成に比べ、位相差層を反射表示領域のみに配置することで透過表示領域の表示品位を低下させることがなく、また液晶表示装置全体を薄くすることができる。
【０００４】
上述のような位相差層は、一般的に、ラビング等の配向処理を施した配向膜上に配置した液晶材料を配向させた状態で硬化させることにより形成される。このとき、配向膜上に配置された液晶材料は配向膜に施されたラビング処理の方向に沿って配向し、この配向方向が位相差層の遅相軸の方向となる。すなわち、このような構成においては、位相差層の遅相軸の方向はラビング処理の方向によって規定される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３８２０５号公報
【特許文献２】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、位相差層の遅相軸の方向の精度はラビング処理の方向の精度に依存するため、ラビング処理の方向にずれが生じた場合、位相差層の遅層軸も所望の軸方向からずれてしまい、その結果、位相差層の光学特性の低下を招く。また、ラビング処理において配向膜にキズや異物が発生することがあり、これにより配向に乱れが生じ歩留まりが低下するという課題があった。
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる液晶表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶層と、を備えた液晶表示装置であって、前記第１の基板上に配置された複数の透明電極と、前記第１の基板上の所定の領域に前記複数の透明電極を覆うように配置され、光または熱硬化性材料が前記複数の透明電極間に発生する電界により配向された状態で硬化されて形成された位相差層と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、複数の透明電極は第１の基板上に配置されているので、複数の透明電極に電圧が印加されると、第１の基板面にほぼ平行な方向に電界が発生する。この電界は、複数の透明電極の互いに対向している範囲に亘ってほぼ同じ方向に発生する。したがって、位相差層の材料である光または熱硬化性材料の分子を、複数の透明電極間に発生した電界によって、第１の基板面にほぼ平行でほぼ同じ方向に配向させることができる。
【００１０】
このとき、光または熱硬化性材料の分子の配向方向、すなわち位相差層の遅相軸の方向の精度は、複数の透明電極間に発生する電界の方向の精度、つまり複数の透明電極の位置精度に依存する。複数の透明電極をフォトリソグラフィ法により形成すれば、複数の透明電極の位置精度は、ラビング処理を行う場合の位置精度に比べて格段に高い。これにより、位相差層の遅相軸の方向の精度が格段に高められ、高い光学補償特性が得られる。したがって、優れた表示品質を有する液晶表示装置を提供できる。
【００１１】
また、位相差層の材料である光または熱硬化性材料の分子を電界により配向させるので、位相差層の材料を配向させるための配向膜およびそのラビング処理を必要としない。これにより、配向膜のラビング処理に伴うキズや異物の発生を回避できる。
【００１２】
［適用例２］上記適用例にかかる液晶表示装置であって、前記複数の透明電極のそれぞれは複数の電極指を備えた櫛歯形状を有しており、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていてもよい。
【００１３】
この構成によれば、交互に配置されたそれぞれの複数の電極指同士の間に電界が発生するので、第１の基板上に、より均一に電界を発生させることができる。これにより、位相差層の材料である光または熱硬化性材料の分子をより均一に配向させることができる。
【００１４】
［適用例３］上記適用例にかかる液晶表示装置であって、一つの画素領域内に透過表示領域と前記所定の領域としての反射表示領域とを有しており、前記複数の透明電極は少なくとも前記反射表示領域に配置され、前記位相差層は前記反射表示領域に配置されていてもよい。
【００１５】
この構成によれば、反射表示領域に対応して、高い光学補償特性を有する位相差層が配置されるので、優れた表示品質を有する半透過反射型の液晶表示装置を提供できる。
【００１６】
［適用例４］上記適用例にかかる液晶表示装置であって、前記複数の透明電極と前記位相差層とが、前記第１の基板の前記液晶層側に配置されていてもよい。
【００１７】
この構成によれば、位相差層は第１の基板と第２の基板と液晶層とで構成される液晶セルの内部に配置される。このため、液晶表示装置を薄型化できる。
【００１８】
［適用例５］上記適用例にかかる液晶表示装置であって、前記複数の透明電極と前記位相差層とが、前記第１の基板の前記液晶層とは反対側に配置されていてもよい。
【００１９】
この構成によれば、位相差層は第１の基板と第２の基板と液晶層とで構成される液晶セルの外部に配置される。このため、従来の液晶セルの外部に位相差板を配置する構成における位相差板を位相差層に置き換えることができる。
【００２０】
［適用例６］上記適用例にかかる液晶表示装置であって、前記第１の基板上の前記透過表示領域には、光学的等方性を有し前記位相差層とほぼ同じ層厚を有する透明層が配置されていてもよい。
【００２１】
この構成によれば、第１の基板上の位相差層が配置されない領域に、位相差層とほぼ同じ層厚を有する透明層が配置される。これにより、透過表示領域と反射表示領域とに亘って段差のない面を構成することができるので、この段差のない面上に偏光板をムラなく配置できる。
【００２２】
［適用例７］本適用例にかかる液晶表示装置の製造方法は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶層と、を備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板上に、複数の透明電極を形成する電極形成工程と、前記第１の基板上に、前記複数の透明電極を覆うように、光または熱硬化性材料を配置する材料配置工程と、前記複数の透明電極間に電圧を印加して電界を発生させ、前記第１の基板上に配置された前記光または熱硬化性材料の分子を前記電界によって配向させた状態で、所定の領域の前記光または熱硬化性材料を硬化させて位相差層を形成する材料硬化工程と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、複数の透明電極は第１の基板上に形成されるので、複数の透明電極間に電圧を印加すると、第１の基板面にほぼ平行な方向に電界が発生する。この電界は、複数の透明電極が互いに対向している範囲に亘ってほぼ同じ方向に発生する。したがって、位相差層の材料である光または熱硬化性材料の分子を、複数の透明電極間に発生した電界によって、第１の基板面にほぼ平行でほぼ同じ方向に配向させることができる。
【００２４】
このとき、光または熱硬化性材料の分子の配向方向、すなわち位相差層の遅相軸の方向の精度は、複数の透明電極間に発生する電界の方向の精度、つまり複数の透明電極の位置精度に依存する。複数の透明電極をフォトリソグラフィ法により形成すれば、複数の透明電極の位置精度は、ラビング処理を行う場合の位置精度に比べて格段に高い。これにより、位相差層の遅相軸の方向の精度が格段に高められ、高い光学補償特性が得られる。したがって、優れた表示品質を有する液晶表示装置を提供できる。
【００２５】
また、位相差層の材料である光または熱硬化性材料の分子を電界により配向させるので、位相差層の材料を配向させるための配向膜およびそのラビング処理を必要としない。このため、配向膜のラビング処理に伴うキズや異物発生のリスクが回避でき、高い歩留まりで液晶表示装置を製造できる。
【００２６】
［適用例８］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法であって、前記電極形成工程では、前記複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いに交互に配置されるように形成してもよい。
【００２７】
この構成によれば、交互に配置されたそれぞれの複数の電極指同士の間に電界が発生するので、第１の基板上に、より均一に電界を発生させることができる。これにより、位相差層の材料である光または熱硬化性材料の分子をより均一に配向させることができる。
【００２８】
［適用例９］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法であって、一つの画素領域内に透過表示領域と前記所定の領域としての反射表示領域とを有しており、前記電極形成工程では、少なくとも前記反射表示領域に前記複数の透明電極を配置し、前記材料硬化工程では、前記反射表示領域の前記光または熱硬化性材料の分子が配向された状態で硬化させてもよい。
【００２９】
この構成によれば、反射表示領域に対応して、高い光学補償特性を有する位相差層が配置されるので、優れた表示品質を有する半透過反射型の液晶表示装置を提供できる。
【００３０】
［適用例１０］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法であって、前記電極形成工程では、前記複数の透明電極を前記第１の基板の前記液晶層側に配置してもよい。
【００３１】
この構成によれば、位相差層は第１の基板と第２の基板と液晶層とで構成される液晶セルの内部に配置される。このため、液晶表示装置を薄型化できる。
【００３２】
［適用例１１］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法であって、前記電極形成工程では、前記複数の透明電極を前記第１の基板の前記液晶層とは反対側に配置してもよい。
【００３３】
この構成によれば、位相差層は第１の基板と第２の基板と液晶層とで構成される液晶セルの外部に配置される。このため、従来の液晶セルの外部に位相差板を配置する構成における位相差板を位相差層に置き換えることができる。
【００３４】
［適用例１２］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法であって、前記材料硬化工程の後に、前記透過表示領域の前記光または熱硬化性材料を除去する材料除去工程と、前記第１の基板上の前記光または熱硬化性材料が除去された領域に、光学的等方性を有し前記位相差層とほぼ同じ層厚を有する透明層を形成する透明層形成工程をさらに含んでいてもよい。
【００３５】
この構成によれば、第１の基板上の光または熱硬化性材料が除去された領域、すなわち位相差層を形成しない領域に、位相差層とほぼ同じ層厚を有する透明層が形成される。これにより、透過表示領域と反射表示領域とに亘って段差のない面を構成することができるので、この段差のない面上に偏光板をムラなく配置できる。
【００３６】
［適用例１３］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法であって、前記材料硬化工程の後に、前記透過表示領域の前記光または熱硬化性材料を光学的に等方化された状態で硬化させる材料等方化工程をさらに含んでいてもよい。
【００３７】
この構成によれば、位相差層を必要としない透過表示領域内の光または熱硬化性材料を除去する工程を不要にできる。
【００３８】
［適用例１４］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法であって、前記材料配置工程の前に、前記第１の基板上の前記透過表示領域に光学的等方性を有する透明層を形成する透明層形成工程をさらに含み、前記材料配置工程では、前記第１の基板上の前記透明層が配置されていない領域に、前記透明層とほぼ同じ層厚になるように前記光または熱硬化性材料を配置してもよい。
【００３９】
この構成によれば、第１の基板上に光または熱硬化性材料を配置する前に透過表示領域に透明層を形成するので、材料配置工程で光または熱硬化性材料を位相差層を必要とする反射表示領域のみに配置できる。また、光または熱硬化性材料は反射表示領域以外には配置されないので、材料硬化工程で光を照射して硬化させる場合に反射表示領域以外の部分をマスキングすることが不要となる。
【００４０】
［適用例１５］本適用例にかかる電子機器は、上記記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。
【００４１】
この構成によれば、優れた表示品質を有する液晶表示装置を備えた電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、参照する各図面において、素子、配線、接続部等を省略してある。
【００４３】
（第１の実施形態）
＜液晶表示装置＞
まず、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図２のＡ−Ａ’線、または図３のＢ−Ｂ’に沿った断面図である。図２および図３は、図１の上側から見た平面図である。図２は位相差層と一対の電極との位置関係を説明する図であり、図３は位相差層と画素との位置関係を説明する図である。図２および図３では、これらの位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
【００４４】
図１に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置１００は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有するＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の半透過反射型の液晶表示装置である。液晶表示装置１００は、第１の基板１０と、第２の基板２０と、液晶層３０と、複数の透明電極としての第１の配向電極４２および第２の配向電極４４と、位相差層４０と、を備えている。
【００４５】
第１の基板１０は、液晶表示装置１００の観察側に位置している。第１の基板１０は、第１の基材１２と、カラーフィルタ層１４と、保護層１６と、を備えている。第１の基材１２は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。カラーフィルタ層１４と保護層１６とは、第１の基材１２の液晶層３０側に順に積層されている。カラーフィルタ層１４は、例えば、Red、Green、Blueの３色の色要素を含んでいる。第１の基板１０の液晶層３０とは反対側、すなわち観察側には、第１の偏光板１８が配置されている。
【００４６】
第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とは、第１の基板１０上の液晶層３０側に位置している。第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とは、保護層１６上に配置されている。図２に示すように、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とのそれぞれは、複数の電極指を備えた櫛歯形状を有している。また、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とは、第１の基板１０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。第１の配向電極４２の備える複数の第１の電極指４２ａのそれぞれと、第２の配向電極４４の備える複数の第２の電極指４４ａのそれぞれと、は少なくとも反射表示領域Ｒに、互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されている。
【００４７】
第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとは、図２のＹ軸に沿った方向に対して所定の角度ずれて配置されている。本実施形態では、第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに１１２．５°ずれている。第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とは、透明な導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。
【００４８】
位相差層４０は、第１の基板１０上の反射表示領域Ｒに重なるように位置し、第１の配向電極４２の第１の電極指４２ａと第２の配向電極４４の第２の電極指４４ａとを覆うように配置されている。位相差層４０は、複屈折性を有する光または熱硬化性材料からなる。このような光硬化性材料の一例として、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を用いることができる。この光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶は、例えば、正の誘電率異方性を有している。光または熱硬化性材料は、負の誘電率異方性を有していてもよい。
【００４９】
位相差層４０は、第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとの間に発生する電界により、光または熱硬化性材料が配向された状態で硬化されて形成されている。後述するが、位相差層４０の遅相軸４０ａ（図４参照）は、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。なお、Ｙ軸に沿った方向が、第１の偏光板１８の透過軸１８ａ（図４参照）の方向である。
【００５０】
また、位相差層４０は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差を付与する。位相差層４０は、例えば、入射される可視光に対し１／２波長分の位相差を付与する。
【００５１】
図１に戻って、第２の基板２０は、液晶層３０を挟んで、第１の基板１０に対向する側に位置している。第２の基板２０は、第２の基材２１と、第１の絶縁層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、第２の絶縁層２５と、画素電極２６と、を備えている。第２の基材２１は、透明な材料からなる。第２の基材２１の材料は、例えばガラスである。第１の絶縁層２２は、第２の基材２１の第１の基板１０に対向する側を覆うように形成されている。第１の絶縁層２２の反射表示領域Ｒには、図示しないが、外光を散乱させるための凹凸形状が形成されている。
【００５２】
反射層２３は、第１の絶縁層２２上の反射表示領域Ｒのみに形成されている。反射層２３は、反射率の高い金属膜からなる。反射層２３の材料は、例えばアルミニウムである。反射層２３の材料は、ＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）であってもよい。共通電極２４は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘って形成されており、反射表示領域Ｒにおいては反射層２３上に形成され透過表示領域Ｔにおいては第１の絶縁層２２上に形成されている。共通電極２４は、例えばＩＴＯからなる。
【００５３】
共通電極２４上には、その上面を覆うように第２の絶縁層２５が形成されている。さらに、第２の絶縁層２５上には、複数のスリット状の開口部２６ａを有する画素電極２６が形成されている。画素電極２６は、例えばＩＴＯからなる。
【００５４】
図３に示すように、複数の画素電極２６のそれぞれは、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔにまたがって配置されている。複数の画素電極２６は、マトリクス状に配置されている。複数の画素電極２６は、Ｘ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように隣接し、Ｙ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように隣接している。
【００５５】
ここで、位相差層４０は、複数の画素電極２６のそれぞれの反射表示領域Ｒに重なるように配置されている。また、位相差層４０は、Ｘ軸に沿った方向に複数の画素電極２６に亘って一列に配置されている。
【００５６】
複数の画素電極２６のそれぞれは、カラーフィルタ層１４（図１参照）のRed、Green、Blueの３色のいずれかに対応している。これらの３色のそれぞれと対応する３つの画素電極２６との組み合わせにより、３色のサブ画素２７Ｒ（Red）、２７Ｇ（Green）、２７Ｂ（Blue）がそれぞれ構成される。そして、これらのサブ画素２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの３つで一つの画素２８が構成される。したがって、一つの画素２８は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを有している。
【００５７】
再び図１に戻って、第２の基板２０の第１の基板１０と反対の側には、第２の偏光板２９が配置されている。なお、第２の基板２０には、図示しないが、液晶層３０を駆動するための素子、配線パターン、接続部等が設けられている。
【００５８】
液晶層３０は、第１の基板１０と第２の基板２０との間に位置している。第１の基板１０の液晶層３０に接する側には、保護層１６と位相差層４０とを覆うように第１の配向膜３２が形成されている。また、第２の基板２０の液晶層３０に接する側には、第２の絶縁層２５と画素電極２６とを覆うように、第２の配向膜３４が形成されている。液晶層３０は、第１の配向膜３２と第２の配向膜３４とに施された配向処理によって配向方向が規制されており、ホモジニアス配向している。
【００５９】
液晶層３０は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで層厚が異なる。具体的には、液晶層３０の反射表示領域Ｒにおける層厚は、液晶層３０の透過表示領域Ｔにおける層厚のほぼ１／２となっている。このことにより、液晶層３０は入射される可視光の波長に対して、反射表示領域Ｒにおいて１／４波長分の位相差を付与し、透過表示領域Ｔにおいて１／２波長分の位相差を付与する。
【００６０】
反射表示を行う液晶表示装置では、光学設計上、暗表示を行う際に反射層２３に到達する外光がすべての可視波長域でほぼ円偏光である必要がある。反射層２３に到達した外光が楕円偏光であると暗表示に色づきが生じ、高コントラストな反射表示を得ることが困難になるからである。
【００６１】
本実施形態では、反射表示領域Ｒに対応する領域に選択的に位相差層４０を配置し、反射表示領域Ｒにおける液晶層３０の層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層３０の層厚に比べて薄くなるように構成している。これにより、第１の偏光板１８と位相差層４０と反射表示領域Ｒ内の液晶層３０とで広帯域円偏光を作り出せるようにして反射層２３に到達する外光をすべての可視波長域で円偏光に近づけている。
【００６２】
＜軸配置および表示原理＞
次に、液晶表示装置１００の軸配置を説明する。図４は、液晶表示装置１００の軸配置を説明する図である。第１の偏光板１８の透過軸１８ａを図４（ａ）に示す。位相差層４０の遅相軸４０ａは、図４（ｂ）に示すように、第１の偏光板１８の透過軸１８ａに対して時計回り方向に２２．５°ずれている。また、液晶層３０の配向方向３０ａは、図４（ｃ）に示すように、第１の偏光板１８の透過軸１８ａに対して時計回り方向に９０°ずれている。なお、図示しないが、第２の偏光板２９の透過軸は、第１の偏光板１８の透過軸１８ａに対して直交している。すなわち、第２の偏光板２９の透過軸は、液晶層３０の配向方向３０ａに平行である。
【００６３】
次に、液晶表示装置１００の表示原理を説明する。本実施形態では、液晶表示装置１００は、液晶層３０に電圧が印加されない状態が暗表示となる「ノーマリーブラック」型である。したがって、暗表示を行う場合は、液晶層３０に電圧が印加されない状態（非選択電圧印加状態）とする。
【００６４】
まず、反射表示領域Ｒにおいては、第１の偏光板１８の上方から入射した光は透過軸１８ａに平行な直線偏光となり、その状態で位相差層４０に入射する。位相差層４０に入射した光は、位相差層４０により振動方向の異なる直線偏光に変換され、液晶層３０に入射する。この液晶層３０に入射した直線偏光は、液晶層３０を通過することにより円偏光となる。この円偏光は、反射層２３（図１参照）で反射されることにより回転方向が反転した円偏光になり、次いで液晶層３０と位相差層４０とを再び通過することにより透過軸１８ａに垂直な直線偏光となる。そして、透過軸１８ａに垂直な直線偏光は第１の偏光板１８に吸収されて第１の偏光板１８の上方（観察側）へ戻らないため、暗表示となる。
【００６５】
一方、透過表示領域Ｔにおいては、第２の偏光板２９（図１参照）の下方から入射した光は、第２の偏光板２９の透過軸に平行な直線偏光となり、液晶層３０に入射する。この直線偏光の振動方向は液晶層３０の配向方向３０ａに平行であり、液晶層３０によって位相差が付与されない。したがって、液晶層３０を通過した直線偏光は、第２の偏光板２９の透過軸に平行な状態のまま、すなわち第１の偏光板１８の透過軸１８ａに垂直な状態で、第１の偏光板１８に入射する。そして、透過軸１８ａに垂直な直線偏光は第１の偏光板１８に吸収されて第１の偏光板１８の上方（観察側）へ届かないため、暗表示となる。
【００６６】
次に、明表示を行う場合は、液晶層３０に電圧が印加された状態（選択電圧印加状態）とする。電圧が印加された状態において、液晶層３０における液晶分子は電界により第１の偏光板１８の透過軸１８ａに対し４５°に配向する。
【００６７】
まず、反射表示領域Ｒにおいては、位相差層４０を出た偏光は、液晶層３０を通過し、偏光の状態を変えずに反射層２３で反射して、液晶層３０と位相差層４０とを再び通過することにより透過軸１８ａに平行な直線偏光となる。そして、透過軸１８ａに平行な直線偏光は第１の偏光板１８を透過し、第１の偏光板１８の上方（観察側）へ戻るため、明表示となる。
【００６８】
一方、透過表示領域Ｔにおいては、第２の偏光板２９の下方から入射した光は、第２の偏光板２９の透過軸に平行な直線偏光となり、液晶層３０に入射する。この直線偏光の振動方向は液晶層３０の配向方向３０ａと４５°ずれており、液晶層３０によって１／２波長分の位相差が付与される。したがって、液晶層３０を通過した直線偏光は、第２の偏光板２９の透過軸に垂直な状態で、すなわち第１の偏光板１８の透過軸１８ａに平行な状態で、第１の偏光板１８に入射する。そして、透過軸１８ａに平行な直線偏光は第１の偏光板１８を透過し第１の偏光板１８の上方（観察側）へ届くため、明表示となる。
【００６９】
＜製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を図を参照して説明する。図５は、マザー基板を示す図である。図６は、液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図７は、液晶表示装置の製造方法を説明する平面図である。
【００７０】
各工程を説明する前に、本実施形態では、第１の基板１０は複数枚取りできる大型の基板（マザー基板）で加工が行われ、最終的にそのマザー基板を切断して個片化することにより、複数の第１の基板１０が得られる。図５は、複数の第１の基板１０を含むマザー基板１０ｂを示している。以下に説明する各工程では、個片化する前のマザー基板１０ｂの状態で、マザー基板１０ｂに含まれる複数の第１の基板１０上にそれぞれの加工が行われる。
【００７１】
図６は、本実施形態に係る液晶表示装置の備える位相差層の形成工程を示している。図６に示すように、本実施形態に係る位相差層の形成方法は、配向電極を形成する電極形成工程（ステップＳ１０）と、光または熱硬化性材料を配置する材料配置工程（ステップＳ２０）と、配置された前述の材料を配向する材料配向工程（ステップＳ３０）と、前述の材料を配向された状態で硬化させる材料硬化工程（ステップＳ４０）と、前述の材料の反射表示領域Ｒ以外の部分を除去する材料除去工程（ステップＳ５０）と、を備えている。
【００７２】
＜１．電極形成工程＞
まず、図６のステップＳ１０では、第１の基板１０上に第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とを形成する。第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とを形成する方法は、例えばフォトリソグラフィ法を適用する。このとき、図２に示すように、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とは、第１の基板１０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。
【００７３】
また、第１の配向電極４２の複数の第１の電極指４２ａのそれぞれと、第２の配向電極４４の複数の第２の電極指４４ａのそれぞれと、は少なくとも反射表示領域Ｒに、互いにほぼ平行であるとともに交互に配置される。また、第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回り方向に１１２．５°ずれて配置される。
【００７４】
この工程では、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４を形成すると同時に、図５に示すように、マザー基板１０ｂ上に第１のベース電極４２ｂと第２のベース電極４４ｂとを形成する。第１のベース電極４２ｂは、複数の第１の基板１０のそれぞれの第１の配向電極４２に接続されている。第２のベース電極４４ｂは、複数の第１の基板１０のそれぞれの第２の配向電極４４に接続されている。
【００７５】
＜２．材料配置工程＞
次に、図６のステップＳ２０では、図２に示すように、第１の基板１０上に第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とを覆うように、位相差層４０の材料となる光または熱硬化性材料を配置する。本実施形態では、光または熱硬化性材料として、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を用いる場合を例にとり説明する。また、この光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶は、正の誘電率異方性を有しているものとする。
【００７６】
まず、第１の基板１０上の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとに亘って、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤を含む有機溶媒とからなる液晶材料層４１（図７参照）を配置する。液晶材料層４１を配置する方法は、例えばスピンコート法を適用する。続いて、配置された液晶材料層４１をプレベークする。プレベークは、例えば、９０℃に加熱された雰囲気に１分間放置して行う。
【００７７】
＜３．材料配向工程＞
次に、図６のステップＳ３０では、液晶材料層４１を配向する。まず、液晶材料層４１を、例えば６０℃以上に加熱して液晶相の状態にする。液晶材料層４１を液晶相の状態に維持したまま、図５に示すマザー基板１０ｂ上の第１のベース電極４２ｂと第２のベース電極４４ｂとの間に、例えば５Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加する。これにより、マザー基板１０ｂに含まれる複数の第１の基板１０のそれぞれにおいて、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４との間に５Ｖ〜１０Ｖの直流電圧が印加される。第１のベース電極４２ｂと第２のベース電極４４ｂとの間には、５Ｖ〜１０Ｖの交流電圧を印加してもよい。
【００７８】
図７は、このときの第１の基板１０の観察側から見た反射表示領域Ｒにおける液晶材料層４１の一部を拡大して模式的に示している。図７に示すように、第１の配向電極４２および第１の電極指４２ａと第２の配向電極４４および第２の電極指４４ａとは第１の基板１０の同一面上に位置している。そのため、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とに電圧が印加されると、第１の基板１０の第１の配向電極４２および第１の電極指４２ａと第２の配向電極４４および第２の電極指４４ａとが形成された面に対してほぼ平行な方向に電界が発生する。液晶材料層４１の液晶分子４１ａは、この電界により、わずか数秒で配向する。
【００７９】
第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとが互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されているので、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４との間に電圧が印加されると、第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとの間に、それぞれが互いに対向している範囲に亘ってほぼ均一に電界が発生する。この第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとの間に発生する電界は、第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとが伸びている方向に対してほぼ直交する方向を向いている。
【００８０】
液晶材料層４１は正の誘電率異方性を有しているので、液晶材料層４１の液晶分子４１ａは、第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとの間に発生した電界の方向に沿って、第１の基板面に対してほぼ平行に配向する。なお、液晶材料層４１が負の誘電率異方性を有している場合は、液晶分子４１ａは第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとの間に発生した電界の方向に対して直交する方向に沿って配向する。
【００８１】
ここで、第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回り方向に１１２．５°ずれて配置されているので、第１の電極指４２ａと第２の電極指４４ａとの間に発生する電界はＹ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。したがって、液晶分子４１ａの配向方向は、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。この方向が、前述の位相差層４０の遅相軸４０ａ（図４参照）の方向となる。また、Ｙ軸に沿った方向が、第１の偏光板１８の透過軸１８ａ（図４参照）の方向である。
【００８２】
＜４．材料硬化工程＞
次に、図６のステップＳ４０では、液晶材料層４１を硬化させる。液晶分子４１ａが配向した状態を維持し、液晶材料層４１に紫外光を照射する。このとき、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒのみに紫外光が照射されるように、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒ以外の部分をマスキングする。これにより液晶材料層４１のうち反射表示領域Ｒのみにおいて、液晶分子４１ａのアクリル基が光重合され硬化される。
【００８３】
＜５．材料除去工程＞
次に、図６のステップＳ５０では、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒ以外の部分、すなわち透過表示領域Ｔ（図２参照）の部分を除去する。液晶材料層４１の透過表示領域Ｔの部分は硬化していないので、有機溶媒を用いてこの部分を現像し除去する。有機溶媒は、例えば、プロピレングリコールメチルエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、あるいはシクロペンタノンを用いることができる。現像の時間は、例えば９０秒である。
【００８４】
以上により、図２に示すように、第１の基板１０上の反射表示領域Ｒに位相差層４０が形成される。なお、第１の配向電極４２および第１の電極指４２ａと第２の配向電極４４および第２の電極指４４ａとは、位相差層４０が形成された後も第１の基板１０上にそのまま残るが、透明な材料で構成されているので、液晶表示装置１００の視認性を損なうことはない。
【００８５】
上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００８６】
（１）液晶表示装置１００の位相差層４０は、液晶材料層４１の液晶分子４１ａが第１の電極指４２ａ（第１の配向電極４２）および第２の電極指４４ａ（第２の配向電極４４）との間に発生した電界によって配向された状態で、液晶材料層４１が硬化されて形成される。このとき、液晶分子４１ａの配向方向、すなわち位相差層４０の遅相軸４０ａの方向の精度は、第１の電極指４２ａおよび第２の電極指４４ａの位置精度に依存する。この第１の電極指４２ａおよび第２の電極指４４ａをフォトリソグラフィ法により形成すれば、第１の電極指４２ａおよび第２の電極指４４ａの位置精度はラビング処理を行う場合の位置精度よりも格段に高い。したがって、位相差層４０の遅相軸４０ａの方向の精度が格段に高められ、高い光学補償特性が得られる。したがって、優れた表示品質を有する液晶表示装置１００を提供できる。
【００８７】
（２）液晶表示装置１００においては、液晶材料層４１の液晶分子４１ａを電界で配向させるため、液晶分子４１ａを配向するための配向膜およびそのラビング処理を必要としない。このため、配向膜のラビング処理に伴うキズや異物発生のリスクが回避でき、高い歩留まりで液晶表示装置１００を製造できる。
【００８８】
（３）液晶表示装置１００においては、反射表示領域Ｒに対応して、高い光学補償特性を有する位相差層４０が配置されるので、優れた表示品質を有する半透過反射型の液晶表示装置１００を提供できる。そして、位相差層４０が第１の基板１０の液晶層３０側に配置されているので、液晶表示装置１００を薄型化できる。また、液晶層３０の反射表示領域Ｒにおける層厚を、位相差層４０の層厚により調整できる。
【００８９】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶表示装置の構成について図を参照して説明する。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。図８は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。図９は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【００９０】
第２の実施形態に係る液晶表示装置２００は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１００とほぼ同様の構成を有している。ただし、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４と位相差層４０とが第１の基板１０の液晶層３０とは反対側に配置されている点と、透過表示領域Ｔに透明層４６が配置されている点と、が異なっている。
【００９１】
図８に示すように、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とは、第１の基板１０上の液晶層３０とは反対側に位置している。位相差層４０は、第１の基板１０上の液晶層３０とは反対側の反射表示領域Ｒに位置している。すなわち、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４と位相差層４０とは、液晶表示装置２００の観察側に位置している。
【００９２】
第１の基板１０上の液晶層３０とは反対側の透過表示領域Ｔには、光学的等方性を有する透明層４６が配置されている。透明層４６は、位相差層４０とほぼ同じ層厚を有している。透明層４６は、例えば透明な樹脂からなる。透明層４６の材料の一例として、ＪＳＲ株式会社のＮＮ５２５Ｅを用いることができる。位相差層４０と透明層４６との上には第１の偏光板１８が配置されている。
【００９３】
第２の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第１の実施形態における液晶表示装置の製造方法とほぼ同じである。ただし、位相差層を形成した後にさらに透明層を形成する点が異なっている。図９は、第２の実施形態に係る位相差層と透明層との形成方法を示している。図９に示すように、第２の実施形態においては、材料除去工程（ステップＳ５０）の後に、さらに透明層形成工程（ステップＳ６０）を備えている。
【００９４】
＜透明層形成工程＞
図９のステップＳ６０では、図８に示すように、第１の基板１０上の液晶材料層４１が除去された部分、すなわち透過表示領域Ｔに、例えば液滴吐出法により透明層４６の材料を配置する。これにより透明層４６が形成される。このとき、透明層４６の層厚が位相差層４０の層厚と同じになるように調整する。
【００９５】
上記第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００９６】
（１）第１の基板１０上に位相差層４０のみが配置された状態では第１の基板１０上に段差ができてしまうのに対して、位相差層４０が配置されない領域に位相差層４０とほぼ同じ層厚を有する透明層４６が配置されるので、第１の基板１０上の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとに亘って段差のない面を構成することができる。これにより、この段差のない位相差層４０と透明層４６との上にムラなく第１の偏光板１８を配置できる。
【００９７】
（２）位相差層４０が第１の基板１０と第２の基板２０と液晶層３０とで構成される液晶セルの外部に配置されるため、従来の液晶セルの外部に位相差板を配置する構成の液晶表示装置において、液晶セルの光学設計を変更することなく位相差板を位相差層４０に置き換えることができる。
【００９８】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、第２の実施形態に係る液晶表示装置２００と同様の構成を有している。ただし、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、第２の実施形態における液晶表示装置の製造方法に対して、位相差層と透明層との形成方法が異なっている。図１０は、第３の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【００９９】
第３の実施形態においては、材料硬化工程（ステップＳ４０）の後に、図９に示す材料除去工程（ステップＳ５０）と透明層形成工程（ステップＳ６０）との代わりに、図１０に示す材料等方化工程（ステップＳ７０）を備えている。
【０１００】
＜材料硬化工程＞
図１０のステップＳ４０では、液晶材料層４１のうち反射表示領域Ｒの部分、すなわち位相差層４０の領域の部分が硬化される。この時点で、液晶材料層４１のうち位相差層４０の領域以外の部分は液晶状態を維持している。
【０１０１】
＜材料等方化工程＞
次に、図１０のステップＳ７０では、液晶材料層４１のうち位相差層４０の領域以外の部分を等方化する。まず、液晶材料層４１を、例えば１２０℃〜１８０℃の温度で加熱する。これにより、液晶材料層４１の位相差層４０の領域以外の部分、すなわち透明層４６を配置する部分が光学的に等方化する。続いて、液晶材料層４１に紫外光を照射する。これにより、液晶材料層４１の透明層４６を配置する部分が光学的に等方化した状態、すなわち透明な状態で硬化する。この結果、位相差層４０と透明層４６とが形成される。
【０１０２】
上記第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【０１０３】
（１）材料除去工程（図９のステップＳ５０）を省略でき、透明層４６を形成するために別途材料を配置することが不要となる。
【０１０４】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、第２の実施形態に係る液晶表示装置２００と同様の構成を有している。ただし、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、第２の実施形態における液晶表示装置の製造方法に対して、位相差層と透明層との形成方法が異なっている。図１１は、第４の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【０１０５】
第４の実施形態においては、図１１に示すように、材料配置工程（ステップＳ２１）の前に、透明層形成工程（ステップＳ６１）を備えている。
【０１０６】
＜透明層形成工程＞
図１１のステップＳ６１では、第１の基板１０上の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒと（図２参照）に亘って、例えば液滴吐出法により透明層４６の材料を配置する。透明層４６の材料を配置する方法は、スピンコート法を適用してもよい。このとき、透明層４６の材料の層厚が、後の工程で形成される位相差層４０の層厚と同じになるように調整する。
【０１０７】
そして、第１の基板１０上に配置された透明層４６の材料のうち反射表示領域Ｒの部分を、例えばフォトリソグラフィ法により除去する。これにより、第１の基板１０上の透過表示領域Ｔに透明層４６が形成される。また、第１の基板１０上の反射表示領域Ｒの部分においては、第１の基板１０と第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とが露出する。
【０１０８】
＜材料配置工程＞
次に、図１１のステップＳ２１では、液晶材料層４１を第１の基板１０上の透明層４６が形成されていない領域、すなわち反射表示領域Ｒに配置する。液晶材料層４１を形成する方法は、例えば液滴吐出法を適用する。このとき、先に形成された透明層４６をバンクとして用いてもよい。
【０１０９】
＜材料硬化工程＞
図１１のステップＳ４１では、反射表示領域Ｒに配置された液晶材料層４１に紫外光を照射して硬化させる。
【０１１０】
上記第４の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【０１１１】
（１）第１の基板１０上に液晶材料層４１を配置する前に透過表示領域Ｔに透明層４６を形成するので、液晶材料層４１を位相差層４０を必要とする反射表示領域Ｒのみに配置できる。
【０１１２】
（２）液晶材料層４１は反射表示領域Ｒ以外には配置されていないので、紫外光を照射する際に反射表示領域Ｒ以外の部分をマスキングすることが不要となる。
【０１１３】
上記実施形態の他に、様々な変形を加えることができる。以下、変形例をあげて説明する。
【０１１４】
（変形例１）
上記実施形態の液晶表示装置は、位相差層４０を配向するための複数の透明電極として、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４との一対の電極を備えていたが、このような形態に限定されない。液晶表示装置は、第１の配向電極４２と第２の配向電極４４とのそれぞれが複数に分割され互いに対向して配置された、複数対の透明電極を備えていてもよい。この場合、電極形成工程において、第１の配向電極４２が分割された複数の電極のそれぞれがマザー基板１０ｂ上の第１のベース電極４２ｂに接続され、第２の配向電極４４が分割された複数の電極のそれぞれがマザー基板１０ｂ上の第２のベース電極４４ｂに接続されていればよい。
【０１１５】
（変形例２）
上記実施形態の液晶表示装置は、ＦＦＳ方式の液晶表示装置であったが、この構成に限定されない。液晶表示装置は、例えば、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶表示装置であってもよいし、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の液晶表示装置であってもよい。
【０１１６】
なお、以上の各実施形態において説明されていない構成要素の材料および加工方法は、公知の技術を適用すればよい。
【０１１７】
（電子機器）
上述した液晶表示装置１００および液晶表示装置２００は、例えば、図１２（ａ）に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に液晶表示装置１００または液晶表示装置２００のいずれかを備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は優れた表示品質を有している。
【０１１８】
電子機器は、図１２（ｂ）に示すように、表示部５１２を有する電子ビューファインダ５１０であってもよい。また、電子機器は、図１３（ａ）に示すように、表示部５２２を有する車載用モニタ５２０であってもよいし、図１３（ｂ）に示すように、表示部５３２を有する携帯型ゲーム機５３０であってもよい。これらの電子機器はそれぞれ、表示部５１２、表示部５２２、表示部５３２に液晶表示装置１００または液晶表示装置２００のいずれかを備えている。また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す断面図。
【図２】図１の上側から見た平面図。
【図３】図１の上側から見た平面図。
【図４】液晶表示装置の軸配置を説明する図。
【図５】マザー基板を示す図。
【図６】液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図７】液晶表示装置の製造方法を説明する平面図。
【図８】第２の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す断面図。
【図９】第２の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１０】第３の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１１】第４の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図。
【図１２】本実施の形態における電子機器を示す図。
【図１３】本実施の形態における電子機器を示す図。
【符号の説明】
【０１２０】
１０…第１の基板、１０ｂ…マザー基板、１２…第１の基材、１４…カラーフィルタ層、１６…保護層、１８…第１の偏光板、１８ａ…透過軸、２０…第２の基板、２１…第２の基材、２２…第１の絶縁層、２３…反射層、２４…共通電極、２５…第２の絶縁層、２６…画素電極、２６ａ…開口部、２７Ｒ…サブ画素、２７Ｇ…サブ画素、２７Ｂ…サブ画素、２８…画素、２９…第２の偏光板、３０…液晶層、３０ａ…配向方向、３２…第１の配向膜、３４…第２の配向膜、４０…位相差層、４０ａ…遅相軸、４１…液晶材料層、４１ａ…液晶分子、４２…第１の配向電極、４２ａ…第１の電極指、４２ｂ…第１のベース電極、４４…第２の配向電極、４４ａ…第２の電極指、４４ｂ…第２のベース電極、４６…透明層、４８…透明層、１００…液晶表示装置、２００…液晶表示装置、５００…携帯電話機、５０２…表示部、５１０…電子ビューファインダ、５１２…表示部、５２０…車載用モニタ、５２２…表示部、５３０…携帯型ゲーム機、５３２…表示部、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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