(57)【要約】【課題】混入防止の虞が低く、しかも簡単且つ低コストでガス中のパーティクルを帯電させ、該パーティクルを捕捉することができるガスフィルタ及びガス供給装置を提供する。【解決手段】ガスが通流するガス流入口９１ｃ及びガス排出口９１ｄを有する基部９１と、基部９１に螺合して筐体を構成する収容筒９２と、ガス流入口９１ｃ及びガス排出口９１ｄを隔離するように基部９１及び収容筒９２に収容されており、ガス流入口９１ｃから流入したガス中のパーティクルを捕捉するフィルタ部材９３とを備えるエンドフィルタ９に、ガスの通流によって該ガス中のパーティクルを帯電させる帯電孔９６ａが形成されたパーティクル帯電板９６を、基部９１のガス流入口９１ｃに設ける。また、エンドフィルタ９をガス供給装置に設ける。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスが通流する２つの通流口を有する筐体と、各通流口を隔離するように前記筐体に収容されており、一の通流口から流入したガス中のパーティクルを捕捉するフィルタ部材とを備えるガスフィルタにおいて、
ガスの通流によって該ガス中のパーティクルを帯電させる帯電孔が形成されたパーティクル帯電部を、前記筐体の一の通流口側に設けてある
ことを特徴とするガスフィルタ。
【請求項２】
前記帯電孔は音速ノズルである
ことを特徴とする請求項１に記載のガスフィルタ。
【請求項３】
前記フィルタ部材は、
一の通流口を覆う有底筒状をなし、
前記帯電孔は、前記フィルタ部材の中心軸に対して、前記フィルタ部材の側面側に偏在している
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガスフィルタ。
【請求項４】
半導体デバイス製造装置にガスを供給するガス供給路を備えたガス供給装置において、
請求項１又は請求項２に記載のガスフィルタを前記ガス供給路の途中に介装してあり、
前記パーティクル帯電部は、
前記ガスフィルタ及び前記ガス供給路間をシールするシール部材に前記帯電孔を形成してなる
ことを特徴とするガス供給装置。
【請求項５】
半導体デバイス製造装置にガスを供給するガス供給路を備えたガス供給装置において、
請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載のガスフィルタを前記ガス供給路の途中に介装してある
ことを特徴とするガス供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス中のパーティクルを帯電させて捕捉するガスフィルタ、及び該ガスフィルタを備えたガス供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程でパーティクルが混入し、該パーティクルがウエハ表面に付着すると、半導体デバイスの配線が短絡し、半導体デバイスの歩留まりが低下する原因となるため、パーティクルが装置内に混入しないように、各種パーティクル混入防止対策が講じられている。
【０００３】
パーティクル混入防止対策の一つとして、ガス供給装置にはガスフィルタが設けられている。ガス供給装置は、ガス圧、流量等を制御してプロセスガス、パージガス等を半導体デバイス製造装置に供給する装置である。ガスフィルタは、２つの通流口を有する筒状の筐体と、該筐体に収容されたフィルタ部材とを備え、ガス供給路に介装されている。フィルタ部材は、例えば焼結ステンレス製、セラミック製又は樹脂製であり、約数十μｍのポア径を有している。
【０００４】
フィルタ部材のポア径よりも粒径が大きいパーティクルは、フィルタ部材によって物理的に捕捉され、ポア径より粒径が小さいパーティクルも、パーティクル及びフィルタ部材間に働く分子間力によって捕捉される。具体的には、前記フィルタ部材によって、粒径が約０．００３μｍ程度の微小なパーティクルも捕捉することが可能である。
【０００５】
一方、空気中の塵埃を捕捉する集塵装置が開示されている（例えば、特許文献１）。特許文献１に係る集塵装置は、空気中の塵埃を帯電させる荷電部と、該荷電部の下流に設けられており、帯電した塵埃を集塵する集塵部とを備えている。荷電部は、例えば導電性の電極線及び電極板で構成され、電極線及び電極板に電圧が印加されるように構成されている。電極線及び電極板に電圧が印加された場合、電極線及び電極板の周囲に電界が形成され、空気の絶縁破壊によって、空気がイオン化し、塵埃を帯電させるもことができる。帯電した塵埃は、集塵部によって集塵される。
【特許文献１】特開２００１−３１０１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、ガスの種類によっては、従来のガスフィルタでパーティクルを捕捉できない場合があり、ガスフィルタを通過したパーティクルが、ウエハ表面に付着する事例が報告されている。具体的には、洗浄用のフッ素ガス中に含まれる、鉄を主成分としたパーティクルがフィルタ部材を透過していることが分かった。パーティクルがフィルタ部材に捕捉されない原因としては、パーティクル及びフィルタ部材間に働く分子間力に比べ、パーティクル及びガス間に働く分子間力が大きいことが考えられる。
【０００７】
一方、特許文献１においては、パーティクルを帯電させて捕捉する集塵装置が開示されているが、電界を発生させる荷電部を備える必要があるため、構成が複雑で、高コストになるという問題があった。
また、半導体製造工程又は洗浄工程においては、数ｎｍのパーティクルを捕捉する必要があるところ、電極線及び電極板で構成された荷電部をガス供給路に配置した場合、該荷電部及び荷電部の固定部位から、不測のパーティクルが発生する虞があり、パーティクル混入防止対策が困難になるという問題があった。
更に、半導体デバイス製造用のガス供給装置においては腐食性のプロセスガスが供給される場合があり、荷電部が腐食する虞があった。
【０００８】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、ガスの通流によって該ガスに含まれるパーティクルを帯電させる帯電孔を有するパーティクル帯電部をフィルタ部材の上流側に設けることによって、従来技術に比べてパーティクル混入の虞が低く、しかも簡単且つ低コストでガス中のパーティクルを帯電させ、該パーティクルを捕捉することができるガスフィルタ及びガス供給装置を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明の他の目的は、帯電孔を音速ノズルとして構成することにより、ガスの通流速度を音速にすることができ、パーティクルを効果的に帯電させて捕捉することができるガスフィルタ及びガス供給装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、帯電孔が有底筒状のフィルタ部材の中心軸に対して、該フィルタ部材の側壁側に偏在するように設けることにより、帯電したパーティクルを速やかにフィルタ部材に到達させて効果的に捕捉することができるガスフィルタ及びガス供給装置を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、ガスフィルタ及びガス供給路間をシールするシール部材に帯電孔を形成することにより、パーティクル帯電部とシール部材とを兼用することができるガス供給装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１発明に係るガスフィルタは、ガスが通流する２つの通流口を有する筐体と、各通流口を隔離するように前記筐体に収容されており、一の通流口から流入したガス中のパーティクルを捕捉するフィルタ部材とを備えるガスフィルタにおいて、ガスの通流によって該ガス中のパーティクルを帯電させる帯電孔が形成されたパーティクル帯電部を、前記筐体の一の通流口側に設けてあることを特徴とする。
【００１３】
第２発明に係るガスフィルタは、前記帯電孔は音速ノズルであることを特徴とする。
【００１４】
第３発明に係るガスフィルタは、前記フィルタ部材は、一の通流口を覆う有底筒状をなし、前記帯電孔は、前記フィルタ部材の中心軸に対して、前記フィルタ部材の側面側に偏在していることを特徴とする。
【００１５】
第４発明に係るガス供給装置は、半導体デバイス製造装置にガスを供給するガス供給路を備えたガス供給装置において、第１又は第２発明に係るガスフィルタを前記ガス供給路の途中に介装してあり、前記パーティクル帯電部は、前記ガスフィルタ及び前記ガス供給路間をシールするシール部材に前記帯電孔を形成してなることを特徴とする。
【００１６】
第５発明に係るガス供給装置は、半導体デバイス製造装置にガスを供給するガス供給路を備えたガス供給装置において、第１乃至第３発明のいずれか一つのガスフィルタを前記ガス供給路の途中に介装してあることを特徴とする。
【００１７】
第１及び第５発明にあっては、パーティクルを含むガスが帯電孔を通流した場合、該ガス中のパーティクルは、摩擦によって帯電し、帯電したパーティクルはフィルタ部材に静電吸着される。帯電したパーティクル及びフィルタ部材間に働く静電力は、パーティクル及びガス間に働く分子間力に比べて大きい。
従って、たとえパーティクル及びフィルタ部材間に働く分子間力が、パーティクル及びガス間に働く分子間力より小さい場合であっても、該パーティクルをフィルタ部材にて捕捉することが可能になる。
また、従来技術の荷電部に比べて、簡単な構成であるため、従来技術に比べ、パーティクル帯電部から不純物のパーティクルが発生する虞は低い。
更に、従来技術の荷電部に比べて、簡単且つ低コストな構成でパーティクルを帯電させることが可能になる。
【００１８】
第２及び第５発明にあっては、帯電孔は音速ノズルであるため、パーティクルを含むガスは、帯電孔の一番狭い部分（スロート部）を音速で通流する。なお、音速ノズルの下流側の圧力を上流側の圧力で除して得られる比が所定の臨界圧力比以下である場合、音速ノズルを通流するガスの流速は音速に等しくなることが知られている。
従って、ガス中に含まれるパーティクルを摩擦によって効果的に帯電させることが可能になる。
【００１９】
第３及び第５発明にあっては、フィルタ部材は有底筒状をなしており、帯電孔はフィルタ部材の中心軸に対して側面側に偏在している。このため、帯電孔を通流して帯電したパーティクルは、帯電孔がフィルタ部材の中心軸に位置している場合に比べて、より速くフィルタ部材に到達する。
従って、静電力によってパーティクルをより効果的に捕捉することが可能になる。
【００２０】
第４発明にあっては、ガスフィルタ及びガス供給路間をシールするシール部材に帯電孔を形成し、パーティクル帯電部を構成している。
従って、パーティクル帯電部とシール部材とを兼用することが可能になる。
【発明の効果】
【００２１】
第１及び第５発明によれば、従来技術に比べてパーティクル混入の虞が低く、しかも簡単且つ低コストでガス中のパーティクルを帯電させ、該パーティクルを捕捉することができる。
【００２２】
第２及び第５発明によれば、ガスの通流速度を音速にすることができ、パーティクルを効果的に帯電させて捕捉することができる。
【００２３】
第３及び第５発明によれば、帯電したパーティクルを速やかにフィルタ部材に到達させて効果的に捕捉することができる。
【００２４】
第４発明によれば、パーティクル帯電部とシール部材とを兼用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るガス供給装置の構成を示す模式図である。本発明の実施の形態１に係るガス供給装置は、いわゆるサーフェスマウント型の集積化ガス供給システムであり、図示しないＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング装置、プラズマエッチング装置等の半導体デバイス製造装置にガスを供給するガス供給路１と、ガスの圧力、流量等を制御する制御部１１（図４参照）とを備えている。
【００２６】
ガス供給路１は、上流側（図１中左側）から順に、プレート型の継手２ａ・・２ｉを介して連結されたプレフィルタ３と、マウント型の手動弁４と、ガスの圧力を調整する圧力調整弁５と、ガスの圧力を検出する圧力センサ６と、スルー流路ブロック７ａと、ガスの逆流を防止する逆止弁１０ａと、供給するガスの切り替えを行う三方弁１０ｂと、ガスの流量を制御する流量コントローラ８と、スルー流路ブロック７ｂと、エンドフィルタ（ガスフィルタ）９とを備える。
【００２７】
図２は、本発明に係るエンドフィルタ９の一例を模式的に示す側断面図である。エンドフィルタ９は、筐体を構成する基部９１及び収容筒９２と、一端側が開放した有底円筒状をなし、ガス中のパーティクルを捕捉するフィルタ部材９３と、ガス中のパーティクルを帯電させる円板状のパーティクル帯電板９６とを備える。
【００２８】
基部９１は、ステンレス製の円板状をなし、基部９１の一端面（図２中、上面）には収容筒９２が内嵌する円筒状の嵌合筒部９１ａが略垂直に突設されている。嵌合筒部９１ａの中心軸は、基部９１の中心軸と略一致しており、その外周面には、収容筒９２を基部９１に締結するための雄ねじ９１ｂが形成されている。また、基部９１は、一端面の略中央部に、パーティクル帯電板９６及びフィルタ部材９３の開放端が内嵌する横断面円形状の嵌合凹部９１ｅを有している。嵌合凹部９１ｅの略中央部にはガス流入口９１ｃ（通流口）が形成されている。また、嵌合凹部９１ｅと嵌合筒部９１ａとの間にはガス排出口（通流口）９１ｄが形成されている。ガス流入口９１ｃ及びガス排出口９１ｄは夫々、基部９１の厚み方向に連通している。
【００２９】
収容筒９２は、一端側が開放した有底円筒状のステンレス製である。収容筒９２は、外周面が拡径した段状部分を開放端側に有し、該段状部分が基部９１の嵌合筒部９１ａに内嵌している。また、収容筒９２の開放端と、基部９１との間には、収容筒９２と基部９１との間をシールするニッケル製、又はステンレス製のガスケット９５、例えばＯリングが介装されている。そして、収容筒９２及び基部９１は、締結部材９４によって締結されて、筐体を構成している。締結部材９４は、嵌合筒部９１ａの雄ねじ９１ｂに螺合する雌ねじ９４ａを内周面に有するナットであり、一端側の内径が収容筒９２の段状部分の外径よりも小さく、収容筒９２に当接する当接部を有している。締結部材９４が嵌合筒部９１ａに螺合することによって、収容筒９２の段状部分は締結部材９４の当接部にて基部９１側に押圧され、収容筒９２は基部９１に締結される。
【００３０】
図３は、パーティクル帯電板９６の一例を模式的に示す平面図及び側断面図である。図３（ａ）は、パーティクル帯電板９６の平面図、図３（ｂ）は、パーティクル帯電板９６の側断面図である。パーティクル帯電板９６は、ガスの通流によって該ガス中のパーティクルを帯電させる帯電孔９６ａを略中央部に有しており、図２に示すように基部９１の嵌合凹部９１ｅに内嵌している。帯電孔９６ａは、通流面積が出側及び入側よりも小さく形成されたスロート部を途中に有する音速ノズルである。
パーティクル帯電板９６は、例えばステンレス製であり、パーティクル帯電板９６の直径は４〜８ｍｍ、厚み方向の幅は約１ｍｍ、帯電孔の径は、１０〜１００μｍである。
なお、パーティクル帯電板９６は、基部９１及びフィルタ部材９３間をシールするガスケットとして構成しても良いし、専用のオリフィスとして構成しても良い。
【００３１】
フィルタ部材９３は、例えば、焼結ステンレス製、セラミック製又は樹脂製であり、約数十μｍのポア径を有している。フィルタ部材９３の開放端は、図２に示すように嵌合凹部９１ｅに内嵌している。
【００３２】
なお、エンドフィルタ９のガス流入口９１ｃ及び継手２ｈ間、並びにガス排出口９１ｄ及び継手２ｉ間夫々は、ガスケット９７，９８によってシールされている。
【００３３】
図４は、制御部１１の構成を示すブロック図である。制御部１１は、ＣＰＵ１１ａを備えたコンピュータである。ＣＰＵ１１ａには、コンピュータの動作に必要な制御プログラムを記憶したＲＯＭ１１ｂ、ＣＰＵ１１ａの演算処理を実行する際に生ずる各種データを一時記憶するＲＡＭ１１ｃ、入力インタフェース（入力ＩＦ）１１ｄ及び出力インタフェース（出力ＩＦ）１１ｅがバス１１ｆを介して接続されている。入力インタフェース１１ｄには、エンドフィルタ９の上流側のガスの圧力を検出する圧力センサ６と、エンドフィルタ９の下流側のガスの圧力を検出する下流側圧力センサ１２とが接続され、ＣＰＵ１１ａは、ガスの上流側圧力及び下流側圧力を検出するように構成されている。なお、下流側圧力センサ１２は、例えばガス供給装置又は図示しない半導体デバイス製造装置に設けられたセンサである。また、出力インタフェース１１ｅには、圧力調整弁５が接続されており、ＣＰＵ１１ａは、出力インタフェース１１ｅを介して制御信号を与えることによって、圧力調整弁５の動作を制御する。
【００３４】
図５は、ＣＰＵ１１ａの圧力制御に係る処理手順を示すフローチャートである。まず、ＣＰＵ１１ａは、下流側圧力センサ１２にて下流側圧力を検出し（ステップＳ１１）、圧力センサ６にて上流側圧力を検出する（ステップＳ１２）。
【００３５】
次いで、ＣＰＵ１１ａは、下流側圧力を上流側圧力で除して得られる比が所定臨界圧力比以下であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。所定臨界圧力比は、帯電孔９６ａを通流するガスの流速が音速になるときの下流側圧力と、上流側圧力との比であり、所定臨界圧力の値はＲＯＭ１１ｂが記憶している。前記比が所定臨界圧力比以下である場合、帯電孔９６ａを通流するガスの流速は、音速で一定になる。
【００３６】
所定臨界圧力比より大きいと判定した場合（ステップＳ１３：ＮＯ）、ＣＰＵ１１ａは、圧力調整弁５の動作を制御することによって上流側のガスの圧力を増加させ（ステップＳ１４）、処理をステップＳ１１に戻す。所定臨界圧力比以下であると判定した場合（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、ＣＰＵ１１ａは、処理を終える。
【００３７】
次に、本発明に係るエンドフィルタ９及びガス供給装置の作用を説明する。
図６は、エンドフィルタ９の作用を概念的に示す説明図である。ガス供給路１の上流側から供給されたガスは、継手２ｈ及びガス流入口９１ｃを通じて帯電孔９６ａの入側に到達し、帯電孔９６ａを通流する。エンドフィルタ９の下流側圧力をエンドフィルタ９の上流側圧力で除して得られる比が所定臨界圧力以下である場合、帯電孔９６ａを通流するガスの流速は音速に達する。帯電孔９６ａを音速で通流するガス中のパーティクルＰは、帯電孔９６ａとの摩擦によって帯電、例えば正に帯電する。そして、帯電孔９６ａを通流したガスはフィルタ部材９３を通流する際、帯電したパーティクルＰは静電力によってフィルタ部材９３に捕捉される。パーティクルＰ及びフィルタ部材９３間に働く静電力は、パーティクルＰ及びガス間に働く分子間力に比べて大きいため、パーティクルＰを効果的に捕捉することが可能になる。
【００３８】
このように構成された実施の形態１に係るエンドフィルタ９及びガス供給装置にあっては、従来技術に比べてパーティクル混入の虞が低く、しかも簡単且つ低コストでガス中のパーティクルを帯電させ、該パーティクルを捕捉することができる。
【００３９】
また、帯電孔９６ａを音速ノズルとして構成することによって、ガスの通流速度を音速にすることができ、パーティクルを効果的に帯電させて捕捉することができる。
【００４０】
更に、帯電孔９６ａは、出側の通流面積が途中の通流面積に比べて大きくなるように形成されているため、帯電孔９６ａを通流したガスは、放射状に噴射し、帯電したパーティクルは、フィルタ部材９３の側面に到達する。従って、パーティクルを効果的に捕捉することができる。
【００４１】
図７は、第１の変形例に係るエンドフィルタ１０９を模式的に示す側断面図、図８は、第１の変形例に係るパーティクル帯電板１９６を模式的に示す平面図及び側断面図である。図８（ａ）は、パーティクル帯電板１９６の平面図、図８（ｂ）は、パーティクル帯電板１９６の側断面図である。第１の変形例に係るパーティクル帯電板１９６は、フィルタ部材９３の中心軸に対して、フィルタ部材９３の側面側に偏在するように複数の帯電孔１９６ａ，１９６ａ，…を有している。例えば、４個の帯電孔１９６ａ，１９６ａ，…がパーティクル帯電板１９６の周方向に等配されている。
【００４２】
第１の変形例にあっては、帯電したパーティクルを速やかにフィルタ部材９３に到達させて効果的に捕捉することができる。
また、複数の帯電孔１９６ａ，１９６ａ，…を設けているため、一つの帯電孔を設けた場合に比べ、上流側の圧力をより低圧にしてガスの流量を確保することができる。
【００４３】
図９は、第２の変形例に係るエンドフィルタ２０９を模式的に示す側断面図、図１０は、第２の変形例に係るパーティクル帯電板２９６を模式的に示す平面図及び側断面図である。図１０（ａ）は、パーティクル帯電板２９６の平面図、図１０（ｂ）は、パーティクル帯電板２９６の側断面図である。第２の変形例に係るパーティクル帯電板２９６は、フィルタ部材９３と、収容筒９２との間に位置するように、内径がフィルタ部材９３の外形より大きく、内径が収容筒９２程度の円環状をなしている。また、パーティクル帯電板２９６は、フィルタ部材９３と収容筒９２との間に帯電孔２９６ａを有している。
【００４４】
第２の変形例にあっては、ガス排出口９１ｄ側から逆にガスを流入させ、ガス流入口９１ｃからガスを排出するように用いた場合、フィルタ部材９３の内側からガスを流入させる場合に比べて、帯電したパーティクルを速やかにフィルタ部材９３に到達させて効果的に捕捉することができる。
【００４５】
図１１は、第３の変形例に係るエンドフィルタ９を模式的に示す側断面図である。第３の変形例に係るエンドフィルタ９は、専用のパーティクル帯電板９６に代えて、エンドフィルタ９と継手２ｈとの間をシールするガスケットとしてパーティクル帯電板３９７を構成してある。つまり、第３の変形例に係るパーティクル帯電板３９７は、エンドフィルタ９と継手２ｈとの間をシールするガスケットであり、通常の通流口に代えて帯電孔３９７ａを有している。
【００４６】
第３の変形例にあっては、パーティクル帯電部３９７とガスケットとを兼用することができる。
【００４７】
なお、実施の形態１においては、ガスフィルタの一例としてエンドフィルタを説明したが、その用途は限定されず、本発明に係るガスフィルタをガス供給装置の他の部位に介装しても良い。
【００４８】
また、ガスフィルタの一例としてマウント型を説明したが、インライン型、ディスク型その他のガスフィルタに本発明を適用しても良い。
【００４９】
更に、帯電孔を設けることによってパーティクルを帯電させる例を説明したが、ガスを音速で噴射することができるポンプをエンドフィルタの上流側に配することによって、パーティクルを帯電させるように構成しても良い。
【００５０】
（実施の形態２）
図１２は、本発明の実施の形態２に係るエンドフィルタ４０９の一例を模式的に示す側断面図である。本発明の実施の形態２に係るインライン型のエンドフィルタ４０９は、一端側が開放しており、ガス中のパーティクルを捕捉する有底円筒状のフィルタ部材４９３と、フィルタ部材４９３を収容するための収容筒４９２及び覆体４９９と、パーティクルを帯電させる帯電孔４９６ａを略中央に有する円板状のパーティクル帯電板４９６とを備える。
【００５１】
収容筒４９２は、両端側が開放しており、フィルタ部材４９３よりも大径の筒状をなしている。収容筒４９２は、ガスが流入するガス流入口４９２ｂを一端側（図１２中左端側）に有しており、ガス流入口４９２ｂにはパーティクル帯電板４９６が内嵌固定、例えば圧入されている。なお、パーティクル帯電板４９６は、収容筒４９２と一体形成しても良い。収容筒４９２の他端側の外周面は縮径し、雄ねじ４９２ａが形成されている。
【００５２】
覆体４９９は、両端側が開放した筒状をなし、収容筒４９２の雄ねじ４９２ａに螺合する雌ねじ４９９ａを一端側に有し、他端側にガス排出口４９９ｂを有する。また、覆体４９９の他端側の内径は、フィルタ部材４９３の開放端側の外径よりも小さく形成されている。
【００５３】
フィルタ部材４９３は、実施の形態１と同様の構成であり、開放端を覆体４９９側に向け、収容筒４９２と同軸的になるように収容筒４９２に収容されている。また、フィルタ部材４９３と収容筒４９２との間にはガスケット４９５が介装され、覆体４９９が収容筒４９２に螺合することによって、フィルタ部材４９３は収容固定されている。
【００５４】
実施の形態２に係るエンドフィルタ４０９にあっては、実施の形態１と同様、従来技術に比べてパーティクル混入の虞が低く、しかも簡単且つ低コストでガス中のパーティクルを帯電させ、該パーティクルを捕捉することができる。
【００５５】
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１に係るガス供給装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明に係るエンドフィルタの一例を模式的に示す側断面図である。
【図３】パーティクル帯電板の一例を模式的に示す平面図及び側断面図である。
【図４】制御部の構成を示すブロック図である。
【図５】ＣＰＵの圧力制御に係る処理手順を示すフローチャートである。
【図６】エンドフィルタの作用を概念的に示す説明図である。
【図７】第１の変形例に係るエンドフィルタを模式的に示す側断面図である。
【図８】第１の変形例に係るパーティクル帯電板を模式的に示す平面図及び側断面図である。
【図９】第２の変形例に係るエンドフィルタを模式的に示す側断面図である。
【図１０】第２の変形例に係るパーティクル帯電板を模式的に示す平面図及び側断面図である。
【図１１】第３の変形例に係るエンドフィルタを模式的に示す側断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係るエンドフィルタの一例を模式的に示す側断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  ガス供給路
９，１０９，２０９，４０９  エンドフィルタ（ガスフィルタ）
９１  基部（筐体）
９１ｃ，４９２ｂ  ガス流入口（通流口）
９１ｄ，４９９ｂ  ガス排出口（通流口）
９２，４９２  収容筒（筐体）
９３  フィルタ部材
９６，１９６，２９６，３９７，４９６  パーティクル帯電板
９６ａ，１９６ａ，２９６ａ，３９７ａ，４９６ａ  帯電孔
４９９  覆体（筐体）
【図１】
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【図２】
2009240984.tif 000004
【図３】
2009240984.tif 000005
【図４】
2009240984.tif 000006
【図５】
2009240984.tif 000007
【図６】
2009240984.tif 000008
【図７】
2009240984.tif 000009
【図８】
2009240984.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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