(57)【要約】【課題】ＣＡＰコーターを用いて基板表面にレジスト膜を形成する場合、基板面内での塗布膜厚のばらつきが小さく、塗布膜厚の均一性が良好なマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽から毛細管現象により塗布ノズルを通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させながら、基板と塗布ノズルとを相対的に移動させることによって、前記被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。前記レジスト膜形成工程において、前記相対移動によって塗布ノズルが基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記被塗布面への塗布量が減少するように塗布条件を変更する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽から毛細管現象により塗布ノズルを通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させながら、前記基板と前記塗布ノズルとを相対的に移動させることによって、前記被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜形成工程において、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板の被塗布面への塗布量が減少するように塗布条件を変更することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板と前記塗布ノズルとの相対的な移動速度を減少させることを特徴とする請求項１記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記相対的な移動速度を、塗布終了位置近傍到達時点の塗布速度に対して少なくとも１／５以下となるように減少させることを特徴とする請求項２記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記基板の塗布終了位置近傍は、塗布終了側の基板端面から５〜３０ｍｍ内側の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクを用い、前記薄膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして転写パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の被塗布面に毛細管現象を利用して塗布液を塗布する塗布方法を用いてレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フォトリソグラフィー法を用いたパターン形成においては、フォトレジストなどの塗布液を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程が必要であるが、この塗布液を塗布する塗布装置（コーター）として、いわゆるスピンコーターが知られている。このスピンコーターは、水平に保持した基板（の被塗布面）の中央に塗布液を滴下した後、この基板を水平面内で高速回転させることにより、遠心力の作用によって塗布液を基板全面に伸展させ、基板表面に塗布膜を形成するものである。
【０００３】
しかしながら、このスピンコーターにおいては、基板の周縁部にフリンジと呼ばれるレジストの盛り上がりが発生してしまうという問題があった。このようなフリンジが発生すると、レジスト膜の膜厚が基板面内において不均一となり、パターンを形成したときにＣＤ（線幅）の面内ばらつきが生じてしまう。特にこのようなフリンジの盛り上がりは、基板の形状が回転対称でない場合（長方形等）には膜厚の不均一を助長する。更に、スピンコーターを用いた場合、近年の液晶表示装置や液晶表示装置製造用のフォトマスクにおいては基板が更に大型化、大重量化する傾向にあること、一定速度での回転駆動機構が得にくいこと、大きな回転空間（チャンバー）の必要性、塗布液のロスが多い等の問題が生じる。
【０００４】
一方、大型基板に好適な塗布装置として、従来、「ＣＡＰコーター」と通称される塗布装置が提案されている（たとえば特許文献１）。このＣＡＰコーターは、内部に毛管状の隙間を有する塗布ノズルを基板の被塗布面に対して接近させ、塗布液を満たした液槽から塗布ノズルを通過し、塗布ノズル先端開口部に到達した塗布液を基板の被塗布面に接液させ、この状態で前記基板と前記塗布ノズルを相対的に移動させることによって、前記基板の被塗布面に塗布液を塗布して塗布膜を形成するものである。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−６２３７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のＣＡＰコーターを用いた塗布方法の場合においても、基板上に形成されるレジスト膜の厚さの均一性が不充分となることがあり、特に塗布終了側の基板周縁部における膜厚上昇という問題が生じていた。
このような基板面内で塗布膜（レジスト膜）に膜厚のばらつきがあると、形成されたレジスト膜の厚さの均一性が不充分となり、パターンを形成したときにＣＤの面内ばらつきを生じてしまう。特に近年の液晶表示装置や液晶表示装置製造用のフォトマスクにおいては基板が更に大型化する傾向にあり、またパターンも更なる微細化が要求されてきており、このような厳しい要求を満足させるためには、基板面内におけるレジスト膜の塗布膜厚のばらつきは決して無視できない重要な解決課題となっている。
【０００７】
そこで本発明は、上述の従来技術の課題に鑑み、ＣＡＰコーターを用いて基板表面にレジスト膜を形成する場合、基板面内での塗布膜厚のばらつきが小さく、塗布膜厚の均一性が良好なマスクブランクの製造方法を提供することを第１の目的とする。
また、上記製造方法による、塗布膜厚の均一性が良好なレジスト膜が形成されたマスクブランクを用いるフォトマスクの製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者の検討によると、従来のようにＣＡＰコーターを用いて基板上に粘度が約５〜１５ｃｐのレジスト剤の塗布を行った場合、塗布ノズルが基板の塗布終了位置に到達した際、レジスト剤が基板の被塗布面と離液するときに、レジスト剤の戻りが生じ、それが塗布終了側の基板周縁部における膜厚上昇を発生させることが判明した。
このような基板面内で塗布膜（レジスト膜）に膜厚のばらつきがあると、前述したように、パターンを形成したときにＣＤの面内ばらつきを生じてしまうという問題だけでなく、大型液晶表示装置製造用のフォトマスクの場合、描画にレーザー描画機を使用することが多いが、描画機のヘッドは膜面と一定の微小距離をもって走査されるため、たとえば基板周縁部で膜厚の厚い部分があった場合、描画の際に描画機のヘッドが膜面に接触するという重大な問題が生じる。
【０００９】
上述のごとく本発明者が見い出した、ＣＡＰコーターを用いて基板表面にフォトレジストの塗布膜を形成する場合の課題に基づき鋭意検討した結果、本発明を完成するに到った。すなわち、本発明は、前記課題を解決するために、以下の構成を有するものである。
【００１０】
（構成１）転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽から毛細管現象により塗布ノズルを通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させながら、前記基板と前記塗布ノズルとを相対的に移動させることによって、前記被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜形成工程において、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板の被塗布面への塗布量が減少するように塗布条件を変更することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
【００１１】
（構成２）前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板と前記塗布ノズルとの相対的な移動速度を減少させることを特徴とする構成１記載のマスクブランクの製造方法である。
（構成３）前記相対的な移動速度を、塗布終了位置近傍到達時点の塗布速度に対して少なくとも１／５以下となるように減少させることを特徴とする構成２記載のマスクブランクの製造方法である。
【００１２】
（構成４）前記基板の塗布終了位置近傍は、塗布終了側の基板端面から５〜３０ｍｍ内側の範囲内であることを特徴とする構成１乃至３のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法である。
（構成５）構成１乃至４のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクを用い、前記薄膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして転写パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のマスクブランクの製造方法によれば、ＣＡＰコーターを用いて、転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程において、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板の被塗布面への塗布量が減少するように塗布条件を変更することで、従来の塗布膜に生じていた、基板の塗布終了側で、レジスト剤が基板の被塗布面と離液するときのレジスト剤の戻りによる基板周縁部における膜厚上昇を効果的に低減することができ、その結果基板面内のレジスト膜の塗布膜厚のばらつきを低減でき、塗布膜厚の均一性が良好なマスクブランクを得ることができる。
また、上記製造方法による、塗布膜厚の均一性が良好なレジスト膜が形成されたマスクブランクを用いることにより、高精度なパターンの形成されたフォトマスクを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
本発明は、転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽から毛細管現象により塗布ノズルを通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させながら、前記基板と前記塗布ノズルとを相対的に移動させることによって、前記被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜形成工程において、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板の被塗布面への塗布量が減少するように塗布条件を変更することを特徴とする。
【００１５】
このような本発明のマスクブランクの製造方法によると、ＣＡＰコーターを用いて基板表面にレジスト膜を形成する場合、つまり、転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽から毛細管現象によりノズルを通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させることによって、前記被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する場合、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板の被塗布面への塗布量が減少するように塗布条件を変更することで、従来の塗布膜に生じていた、基板の塗布終了側で、レジスト剤が基板の被塗布面と離液するときのレジスト剤の戻りによる基板周縁部における膜厚上昇を効果的に低減することができ、それによって基板面内のレジスト膜の塗布膜厚のばらつきを低減でき、塗布膜厚の均一性が良好なマスクブランクを得ることができる。
【００１６】
そのため、従来の、パターンを形成したときにＣＤの面内ばらつきを生じてしまうという問題や、レーザー描画の際にレーザー描画機のヘッドが膜面に接触するという問題を解消することができる。
そして基板サイズが大型の場合にも、基板面内の塗布膜厚の均一性を向上させることができるので、本発明は、特に大型サイズのレジスト膜付きマスクブランクの製造に好適である。
【００１７】
本発明において、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板の被塗布面への塗布量が減少するように塗布条件を変更する方法としては、たとえば、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板と前記塗布ノズルとの相対的な移動速度を減少させる方法が好ましく挙げられる。
また、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板の被塗布面と前記塗布ノズル上端部との距離を変更する方法が挙げられる。
さらに、前記相対移動によって前記塗布ノズルが前記基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記塗布ノズル内部の毛管状の隙間の間隔を変更する方法が挙げられる。
これらの塗布条件を変更する方法の詳細は後述する。
【００１８】
まず、本発明のマスクブランクの製造方法におけるレジスト膜の形成工程を実施する上で好ましく用いることができる塗布装置の一実施の形態を説明する。
図１は上記塗布装置の側面概略図、図２はその正面概略図である。
図１に示すように、塗布装置１は、ベースフレーム１１に設けられた塗布手段２と、移動フレーム１２に設けられた吸着手段３と、移動フレーム１２をベースフレーム１１上で水平方向に移動させる移動手段４と、基板１０を着脱自在に保持する保持手段５と、図示しない制御部とを備えている。
【００１９】
塗布手段２は、被塗布面を下方に向けた状態の基板１０に対して塗布液の塗布を行うものである。この塗布手段２は、矩形箱状のベースフレーム１１の略中央に設けてある。塗布手段２の構成については後で更に詳しく説明する。
【００２０】
移動フレーム１２は、対向する一対の側板と、この側板を連結する天板とが一体的に形成されており、基板１０と塗布手段２との位置精度が狂うことがないように、十分な機械的強度を有している。また、移動フレーム１２は、リニアウェイ４１を介して、ベースフレーム１１と水平方向に移動自在に連結されている。そして、移動フレーム１２内には、吸着手段３が設けられている。この吸着手段３は、例えば、天板の略中央部に複数の吸着孔（図示せず）が穿設された吸着板からなる。また、移動フレーム１２の一方の側板には、後述するボールスクリュウ４２が螺合するナットの形成された移動部１３が突設されている。
【００２１】
移動手段４は、移動フレーム１２の側板をガイドさせながら移動させるリニアウェイ４１と、移動部１３のナットに螺合するボールスクリュウ４２と、該ボールスクリュウ４２を回転させるモータ４３とから構成されている。図示しない制御部からの指示によってモータ４３を回転させるとボールスクリュウ４２が回転し、移動部１３をボールスクリュウ４２の回転方向に応じた方向へ所定の距離だけ水平移動させることができる。
【００２２】
保持手段５は、ベースフレーム１１と一体的に形成された保持手段用フレーム５１、該保持手段用フレーム５１上に設けられたリニアウェイ５３、該リニアウェイ５３にガイドされ上記保持手段用フレーム５１上を移動するベース板５２、該ベース板５２を水平方向に移動させるリニアモータ５４、ロッド先端に保持部材５５を設けたエアシリンダ（又は電磁ソレノイド）５６を備える。なお、エアシリンダ５６は、種々の基板サイズに対応できるようベース板５２の任意の取付位置に着脱自在に取り付けられている。また、上記保持部材５５は、基板１０の周縁部を載置する載置面と、基板１０の位置決めを行う係止用段差とからなっている。保持部材５５は、例えば矩形状の基板１０に対しては、基板１０の四隅を保持するようにベース板５２の四隅に配設してある。勿論、保持部材５５の配設位置は、基板の形状、位置精度などを考慮して適宜変更することができる。
【００２３】
次に、上記構成の塗布装置１の全体的な動作を説明する。
まず上記塗布装置１の初期状態は、ベース板５２が基板のセット位置にあり、移動フレーム１２が吸着位置にあり、またベース板５２上の四隅にある各エアシリンダ５６のロッドが下降している状態である。
次に、作業者（又はロボット）が、被塗布面を下向きにした状態で基板１０を保持部材５５の載置面に載置する。保持部材５５には前記係止用段差を設けているので、基板１０を容易に位置決めすることができる。また、この係止用段差により、ベース板５２がセット位置から吸着位置に移動し停止する（後述）とき、基板１０を係止することができる。
【００２４】
このようにして基板１０が保持部材５５に載置されると、以降は制御部からの指示によって次のように動作する。
まず、ベース板５２がリニアモータ５４によって吸着位置まで移動し停止する。こうして保持手段５が吸着位置に位置決めされると、その四隅にある４個のエアシリンダ５６のロッドが同時に上昇し、基板１０を吸着手段３に当接又は近接させる。ここで吸着手段３による吸引によって基板１０が吸着手段３に吸着される。そして、各エアシリンダ５６のロッドが下降すると、移動フレーム１２が処理位置方向へ移動していく。移動フレーム１２が処理位置を通過する途中で、被塗布面が下向きの基板１０の被塗布面に、下方から塗布手段２によって塗布液の塗布が行われる。
【００２５】
そして、塗布手段２による塗布が終了すると、モータ４３（ボールスクリュウ４２）を逆回転させて、移動フレーム１２が処理位置から吸着位置まで戻る。その時点で各エアシリンダ５６のロッドが上昇し、保持部材５５の載置面と基板１０とを当接させる。この際、基板１０は保持部材５５の係止用段差によって位置決めされる。そして、吸着手段３による吸着を停止させた後、各エアシリンダ５６のロッドを同時に下降させ、塗布済みの基板１０を保持部材５５に載置させる。次いで、ベース板５２をリニアモータ５４によって吸着位置からセット位置まで移動させ、作業者（又はロボット）が塗布済みの基板１０を保持部材５５から取り出す。なお、上記移動フレーム１２の移動は、ボールスクリュウを用いるほか、リニアモータなど他の手段を用いても良い。
【００２６】
以上のようにして、１回の塗布作業が完了する。なお、上述の構成では、移動フレーム１２（吸着手段３）が処理位置方向へ移動していき、処理位置を通過する途中で、基板１０の被塗布面に下方から塗布手段２によって塗布液の塗布が行われる構成としているが、たとえば、移動フレーム１２を移動させずに（つまり基板１０を所定位置に固定したまま）、塗布手段２を水平方向に移動させて塗布を行う構成としてもよい。さらには、移動フレーム１２と塗布手段２の双方を移動させる構成としてもよい。
また、上述の構成では、セット位置と吸着位置が異なるが、セット位置と吸着位置が同じ位置であるような構成としてもよい。
【００２７】
次に、上記塗布手段２の構成を更に詳しく説明する。
図３は、この塗布装置における塗布手段２の構成を示す断面図である。
塗布手段２は、図３に示すように、液槽２０に溜められた塗布液（例えば液体状のフォトレジスト液）２１をノズル２２の毛管状隙間２３における毛細管現象により上昇させ、下方に向けられた基板１０の被塗布面にノズル２２の先端部（上端部）を近接させ、ノズル先端部まで上昇した塗布液を該ノズル先端部を介して上記基板１０の被塗布面に接液させるように構成されている。
【００２８】
ここで、上記液槽２０は、基板１０の横方向の一辺の長さ、即ち前述の移動フレーム１２によって移動される縦方向に直交する方向（図３においては紙面に直交する方向となっている）の一辺の長さよりも長い横幅を有している。この液槽２０は、支持プレート２４の上端側に、図示しない駆動機構により支持プレート２４に対して上下方向に移動可能に取り付けられて支持されている。
そして、この支持プレート２４は、その下端側において、互いに直交して配置されたリニアウェイ２５，２６を介して、ベースフレーム１１の底フレーム１４上に支持されている。つまり、支持プレート２４は、底フレーム１４上において、直交する２方向への位置調整が可能なようになっている。また、この支持プレート２４には、スライド機構２７を介して、液槽２０内に収納されたノズル２２を支持する支持杆２８が取り付けられている。上記スライド機構２７は、図示しない駆動機構により、支持杆２８を支持プレート２４に対して上下方向に移動操作する（ノズル接離手段）。即ち、液槽２０とノズル２２とは、互いに独立に、支持プレート２４に対して上下方向に移動操作することができるようになっている。
【００２９】
図４は、上記塗布手段２の要部の構成を示す断面図である。上記支持杆２８は、図４に示すように、液槽２０の底面に設けられた透孔２０ｂを介して、この液槽２０内に上端側を進入させている。この支持杆２８の上端部には前記ノズル２２が取り付けられている。つまり、ノズル２２は、支持杆２８に支持されて、液槽２０内に収納されている。このノズル２２は、少なくとも前述の基板１０の横方向（図４においては紙面に直交する方向となっている）の長さに相当する長さ（横幅）を有して構成され、この方向（長手方向）に沿って、スリット状の毛管状隙間２３を有している。そしてこのノズル２２は、この毛管状隙間２３を挟んで先端側の幅が狭くなって尖ったような断面形状を有している。この毛管状隙間２３の上端部は、ノズル２２の先端部において、このノズル２２の略全長（横幅）にわたるスリット状に開口している。また、この毛管状隙間２３は、ノズル２２の下方側に向けても開口している。
【００３０】
また、液槽２０の上面部には、ノズル２２の先端部がこの液槽２０の上方側に突出されるための透孔部２０ａが設けられており、なお且つ、液槽２０内の塗布液２１が大気に触れることをできるだけ防止するため、液槽２０の上面部は、上端側の幅が狭くつぼまったような断面形状を有している。なお、液槽２０の底面の透孔２０ｂの周囲とノズル２２の底面とは蛇腹２９で繋がれており、上記透孔２０ｂから液槽２０内の塗布液２１が漏れることを防止している。
【００３１】
図５は、上記塗布手段２が塗布を行っている状態を示す断面図である。
すなわち、図５に示すように、液槽２０に溜められた塗布液２１をノズル２２のスリット状の毛管状隙間２３（隙間間隔Ｔ）における毛細管現象により上昇させ、下方に向けられた基板１０の被塗布面１０ａにノズル２２の先端部（上端部）を所定の塗布ギャップＧを介して近接させ、ノズル先端部まで上昇した塗布液を該ノズル先端部を介して上記基板１０の被塗布面１０ａに接液させながら、基板１０とノズル２２とを相対的に、かつ被塗布面１０ａに平行に移動させて、基板１０の被塗布面１０ａに塗布液２１を塗布して塗布膜を形成する。このときの基板１０とノズル２２の相対的な移動方向は、図５中の矢印Ｖで示すように、ノズル２２の先端部において毛管状隙間２３が形成するスリット状の開口と直交する方向である。
【００３２】
次に、本発明のマスクブランク製造におけるレジスト膜形成工程における上記塗布装置の塗布手段２の動作をさらに詳しく説明する。
（１）一回の塗布が終了した後、液槽２０を所定位置まで下降させ、またノズル２２を液槽２０中の塗布液２１（液状レジスト剤）に浸漬させる（図４に示す状態であり、謂わば液槽２０とノズル２２の位置の初期状態である。）。なお、この時点では、液槽２０内の塗布液の液面レベルは、前回の塗布に消費された分だけ下がっている。
【００３３】
（２）次の塗布に先立って、給液ライン（図示せず）から塗布液を液槽２０内に供給（補給）して、塗布開始時の液面レベルを一定に管理する。そして、液面レベルが一定になった時点で、ノズル２２が液槽２０中の塗布液２１に浸漬した状態で、ノズル２２及び液槽２０を所定位置まで上昇させ、ここでノズル２２のみ突出させて、ノズル２２の先端と被塗布面１０ａ（マスクブランク基板１０の被塗布面）との間隔が所定の接液ギャップとなるようにノズル２２の位置を調節して、ノズル２２先端の塗布液を被塗布面に接液する。
【００３４】
そして、接液を維持した状態で、ノズル２２（又は、ノズル２２及び液槽２０）を、所望の塗布膜厚に応じて、所定量降下させ、ノズル２２と被塗布面１０ａとの距離（間隔）を所定の塗布ギャップＧ（前述の図５を参照）に調整する。そして、上記塗布ギャップＧの状態で、基板（被塗布面）１０とノズル２２を相対的に、かつ被塗布面に平行に移動させることによって、塗布を開始する。
【００３５】
本実施の形態ではたとえば基板のみを移動させるが、これに限らず、ノズル２２側を移動させてもよいし、あるいは基板とノズルの両方を移動させてもよい。
このときの基板１０とノズル２２の相対的な移動方向は、前述の図５中の矢印Ｖで示すように、ノズル２２の先端部において毛管状隙間２３が形成するスリット状の開口と直交する方向である。
【００３６】
本発明においては、上記相対移動によって前記塗布ノズル２２が前記基板１０の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板１０の被塗布面１０ａへの塗布量が減少するように塗布条件を変更する。例えば、本実施の形態では、上記相対移動によって前記塗布ノズル２２が前記基板１０の塗布終了位置近傍まで到達した際に、前記基板１０の被塗布面１０ａと前記塗布ノズル２２上端部との距離（上述の塗布ギャップ）を変更するようにする。
これによって、従来の塗布膜に生じていた、基板の塗布終了側で、レジスト剤が基板の被塗布面と離液するときのレジスト剤の戻りによる基板周縁部における膜厚上昇を効果的に低減することができ、その結果基板面内のレジスト膜の塗布膜厚のばらつきを低減でき、基板面内の塗布膜厚の均一性が良好なレジスト膜を基板１０上に形成することができる。
【００３７】
このような塗布条件の変更は、前記塗布ノズル２２の位置制御によって行うことが可能である。基板１０の被塗布面１０ａと塗布ノズル２２上端部との距離をどの程度変更するのかは、それによって基板の被塗布面への塗布量がどの程度減少するのか（減少量）を考慮して、適宜設定されることが望ましい。
【００３８】
また、基板１０の塗布終了位置近傍とは、基板１０の塗布終了位置の手前側近傍の位置であり、適宜設定することができる。なお、本発明による作用効果を効果的に奏するためには、基板の塗布終了位置近傍の位置は、塗布終了側の基板端面から５〜３０ｍｍ内側の範囲内に設定することがとくに好適である。
【００３９】
（３）このようにして、一回の塗布が終了すると、再び上述の（１）の工程から実施する。そして、以上の塗布工程により、基板上に基板面内での塗布膜厚のばらつきが小さく、均一なレジスト膜を形成したマスクブランクが得られる。
【００４０】
以上説明した実施の形態では、相対移動によって塗布ノズル２２が基板１０の塗布終了位置近傍まで到達した際に、基板１０の被塗布面１０ａへの塗布量が減少するように塗布条件を変更する方法として、基板１０の被塗布面１０ａと前記塗布ノズル２２上端部との距離（上述の塗布ギャップ）を変更するようにしたが、他の実施の形態として、基板１０とノズル２２の相対的な移動速度（塗布速度）を減少させることにより、塗布条件を変更してもよい。
【００４１】
このような塗布条件の変更によっても、従来の塗布膜に生じていた、基板の塗布終了側で、レジスト剤が基板の被塗布面と離液するときのレジスト剤の戻りによる基板周縁部における膜厚上昇を効果的に低減することができ、基板面内の塗布膜厚の均一性が良好なレジスト膜を基板１０上に形成することが可能である。
このような実施の形態による塗布条件の変更は、たとえばノズル２２に対して基板１０のみを移動させて塗布速度を減少させるためには、基板１０の保持手段５を備える移動フレーム１２をベースフレーム１１上で水平方向に移動させる移動手段４において、ボールスクリュウ４２と、該ボールスクリュウ４２を回転させるモータ４３の制御によって行うことが可能である。
【００４２】
基板１０とノズル２２の相対的な移動速度（塗布速度）をどの程度減少させるのかは、それによって基板の被塗布面への塗布量がどの程度減少するのか（減少量）を考慮して、適宜設定されることが望ましい。本発明による作用効果を効果的に奏するためには、前記塗布ノズル２２が前記基板１０の塗布終了位置近傍まで到達した際に、基板１０とノズル２２の相対的な移動速度（塗布速度）を、その直前（塗布終了位置近傍到達時点）の塗布速度に対して、少なくとも１／５以下となるように減少させることが好ましい。１／５を超えると、レジスト剤の戻りにより膜厚上昇を効果的に低減することができないからである。ただし、速度が０．０１ｍ／分未満になると、レジストが乾いてしまい、次の基板にレジストを塗布すると異物の問題が生じてしまう。
【００４３】
また、この実施の形態においても、前述の塗布ギャップを変更する場合と同様、基板１０の塗布終了位置近傍の位置は適宜設定することができ、本発明による作用効果を効果的に奏するためには、基板の塗布終了位置近傍の位置は、塗布終了側の基板端面から５〜３０ｍｍ内側の範囲内に設定することがとくに好適である。
【００４４】
また、相対移動によって塗布ノズル２２が基板１０の塗布終了位置近傍まで到達した際に、基板１０の被塗布面１０ａへの塗布量が減少するように塗布条件を変更する方法として、以上説明した実施形態の他には、たとえば前記塗布ノズル２２内部の毛管状の隙間２３の間隔Ｔ（図５参照）を変更するようにする手段を用いてもよい。
【００４５】
このように本発明によれば、ＣＡＰコーターを用いてマスクブランク上にレジスト膜を形成する場合、相対移動によって塗布ノズルが基板の塗布終了位置近傍まで到達した際に、基板の被塗布面への塗布量が減少するように塗布条件を変更することにより、従来の塗布膜に生じていた、基板の塗布終了側で、レジスト剤が基板の被塗布面と離液するときのレジスト剤の戻りによる基板周縁部における膜厚上昇を効果的に低減することができ、それによって基板面内のレジスト膜の塗布膜厚のばらつきを低減でき、塗布膜厚の均一性が良好なマスクブランクを得ることができる。
【００４６】
そして、上記製造方法による、塗布膜厚の均一性が良好なレジスト膜が形成されたマスクブランクを用いて、その薄膜をパターニングすることにより、高精度なパターンの形成されたフォトマスクを得ることができる。この際、従来の、パターンを形成したときにＣＤの面内ばらつきを生じてしまうという問題や、レーザー描画の際にレーザー描画機のヘッドが膜面に接触するという問題を解消することができる。
よって、近年の液晶表示装置や液晶表示装置製造用のフォトマスクに求められているパターンの更なる微細化の要求にも十分対応することが可能である。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例により本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
前述の図１乃至図５に示す塗布装置を用いて、レジスト膜の形成を行った。レジスト膜の形成を行う基板としては、５２０ｍｍ×８００ｍｍの大きさのガラス基板上に、Ｃｒを主成分とする遮光膜を成膜したマスクブランクを用い、レジストは、レーザー描画用のポジ型フォトレジストを用いた。
【００４８】
塗布条件は次のように設定した。
すなわち、レジスト膜の膜厚が９０００Åとなるように、基板の被塗布面と塗布ノズル上端部との塗布ギャップを３００μｍとした。また、塗布ノズルと基板の相対移動は、ノズル２２に対して基板１０のみを移動させることによって行い、その移動速度は０．５ｍ／分とした。そして、基板の塗布終了側の基板端面から２０ｍｍ内側の位置に塗布ノズルが到達した際に、塗布ギャップは変更せずに、基板の移動速度を０．０４ｍ／分に変更した。
以上のようにして、１０枚のマスクブランクのレジスト膜形成を行った。その結果、いずれのマスクブランクにおいても、基板の塗布終了側で、基板周縁部における膜厚上昇は小さく、基板面内での塗布膜厚のばらつきは、３００Å以下とすることができた。
【００４９】
なお、基板の塗布終了側の基板端面から４０ｍｍ内側の位置に塗布ノズルが到達した際に、上記移動速度を変更したこと以外は、上記塗布条件の下でレジスト塗布を行ったところ、塗布終了側での基板周縁部における膜厚上昇は若干大きくなった。したがって、本発明において、塗布条件を変更する塗布終了位置近傍の位置は、基板の塗布終了側の基板端面から５〜３０ｍｍ内側の範囲内とすることがより好適である。
【００５０】
（比較例）
実施例１において、塗布開始から塗布終了に至るまで塗布条件は一切変更せずに、１０枚のマスクブランクのレジスト膜形成を行った。その結果、いずれのマスクブランクにおいても、基板の塗布終了位置でレジストが離液するときの塗り戻りによる基板周縁部における膜厚上昇は大きくなった。そのため基板面内での塗布膜厚のばらつきは、６００Åと非常に大きくなり、近年のパターンの微細化の要求に必要な塗布膜厚の均一性が得られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のマスクブランクの製造方法におけるレジスト膜の形成工程に用いる塗布装置の側面概略図である。
【図２】前記塗布装置の正面概略図である。
【図３】前記塗布装置における塗布手段の構成を示す断面図である。
【図４】前記塗布装置における塗布手段の要部の構成を示す断面図である。
【図５】前記塗布装置における塗布手段が塗布を行っている状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  塗布装置
２  塗布手段
３  吸着手段
４  移動手段
５  保持手段
１０  基板
２０  液槽
２１  塗布液
２２  ノズル
２３  毛管状隙間
【図１】
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【図２】
2009258152.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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