(57)【要約】【課題】振幅電圧の最大振幅時に対応する透過率と最小振幅時に対応する透過率とが等しくなる場合のオフセット電圧を算出することにより正確で短い測定時間で残留ＤＣを測定する。【解決手段】残留ＤＣ測定装置３０は、１つのオフセット電圧毎に矩形電圧が正極性となった時の最大透過率である正極性時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得し、１つの前記オフセット電圧毎に矩形電圧が負極性となった時の最小透過率である負極性時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する信号取得部３１と、信号取得部３１が取得した前記正極性時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから近似直線を求めるとともに、負極性時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータからも近似直線を求め、前記２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める直線近似・交点演算部３３とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルに発生した残留ＤＣを、液晶パネルに振幅電圧を印加して駆動しながら検出された、該液晶パネルの透過光の透過率を用いて測定する残留ＤＣ測定装置であって、
前記振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、
前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、
前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得手段と、
前記データ取得手段が取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、
前記データ取得手段が取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、
前記２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算手段とを備えることを特徴とする残留ＤＣ測定装置。
【請求項２】
前記最大振幅時透過率と、前記最小振幅時透過率との差が最小となるオフセット電圧を仮残留ＤＣとして取得し、取得した前記仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための信号を出力するオフセット電圧制御手段を備え、
前記データ取得手段は、前記仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得することを特徴とする請求項１に記載の残留ＤＣ測定装置。
【請求項３】
前記オフセット電圧制御手段が変化させるオフセット電圧の前記所定の電圧幅の範囲は、前記仮残留ＤＣの±１００ｍＶであることを特徴とする請求項２に記載の残留ＤＣ測定装置。
【請求項４】
前記最大振幅時透過率は、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化したときから正極性から負極性に変化する直前までの所定の時間に前記データ取得手段が取得する透過率であり、
前記最小振幅時透過率は、１つの前記オフセット電圧の期間に正極性から負極性に変化したときから負極性から正極性に変化する直前までの所定の時間に前記データ取得手段が取得する透過率であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の残留ＤＣ測定装置。
【請求項５】
前記所定の時間は、前記振幅電圧の０．４周期後から０．５周期後未満であることを特徴とする請求項４に記載の残留ＤＣ測定装置。
【請求項６】
前記演算手段は、前記求めた２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧が前記所定の電圧幅の範囲外である場合、求めた前記オフセット電圧を予測残留ＤＣとして前記オフセット電圧制御手段に出力し、
前記オフセット電圧制御手段は、前記演算手段から前記予測残留ＤＣを取得すると、取得した前記仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための指示を出力し、
前記データ取得手段は、前記予測残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内の最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得することを特徴とする請求項２に記載の残留ＤＣ測定装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の残留ＤＣ測定装置、および前記液晶パネルに印加する振幅電圧を制御する指示信号を出力するシステム制御手段を含む演算・制御手段と、
光源、前記光源からの光を透過する透過領域に複数の前記液晶パネルを搭載可能で、該搭載した前記液晶パネルを前記光源からの光の出射方向に対して垂直方向に移動可能なＸＹステージ、前記ＸＹステージおよび前記液晶パネルを透過した前記光源からの光を受光し、電圧を出力する受光手段を含む光学手段と、
前記受光手段から出力される電圧を電気信号として前記演算・制御手段に出力する電圧取得手段と、
前記システム制御手段からの前記液晶パネルに印加する駆動電圧を制御する指示信号を取得し、前記液晶パネルに対して振幅電圧を印加する波形電圧発生手段とを備えることを特徴とする残留ＤＣ測定システム。
【請求項８】
前記液晶パネルに、負荷電圧であるストレス電圧を印加することを指示するストレス電圧指示信号を前記波形電圧発生手段に出力するストレス電圧指示手段を前記演算・制御手段が備え、
前記ストレス電圧が印加される前後の透過率を示す電気信号を前記電圧取得手段から取得し、取得した前記電気信号から前記液晶パネルの焼付きを測定する焼付き測定手段を前記演算・制御手段が備えることを特徴とする請求項６に記載の残留ＤＣ測定システム。
【請求項９】
前記焼付き測定手段は、前記ストレス電圧印加前の前記液晶パネルの透過率と、前記ストレス電圧印加後の前記液晶パネルの透過率との比から前記焼付き率を算出することを特徴とする請求項８に記載の残留ＤＣ測定システム。
【請求項１０】
前記ストレス電圧の印加と、前記残留ＤＣの測定とを複数回繰り返すことを特徴とする請求項８に記載の残留ＤＣ測定システム。
【請求項１１】
前記ストレス電圧の印加と、前記焼付きの測定とを複数回繰り返すことを特徴とする請求項８または９に記載の残留ＤＣ測定システム。
【請求項１２】
液晶パネルに発生した残留ＤＣを、液晶パネルに振幅電圧を印加して駆動しながら検出された、該液晶パネルの透過光の透過率を用いて測定する残留ＤＣ測定方法であって、
前記振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、
前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、
前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得ステップと、
前記データ取得ステップで取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、
前記データ取得ステップで取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、
前記２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算ステップとを含むことを特徴とする残留ＤＣ測定方法。
【請求項１３】
請求項１〜６までの何れか１項に記載の残留ＤＣ測定装置を動作させるための残留ＤＣ測定装置制御プログラムであって、コンピュータを前記の各手段として機能させるための残留ＤＣ測定装置制御プログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の残留ＤＣ測定装置制御プログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルの評価に関するものであり、特に残留ＤＣを評価することにより液晶パネルの品質の評価に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、テレビ、パソコン、携帯電話、カーナビゲーション等幅広い分野で使用されている。一方で、動画の応答特性の向上、色度範囲の拡大、視野角特性の改善はもちろん、一度表示した映像が画面を切り替える映像情報を送っても残ってしまう、いわゆる「焼付き」の発生は許されない等、高い表示品位が求められている。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶パネルおよびバックライト光源を有し、その液晶パネルにより、バックライト光源から発光される光を透過したり遮光したりして映像を表示している。この液晶パネルは、ある電圧を印加すれば、所定の光透過率を実現するよう設計されている。
【０００４】
しかしながら、液晶パネルに焼付きが発生すると、その焼付きが発生している箇所は、ある電圧を印加しても所定の光透過率が得られなくなる。このような焼付きは、例えば、数千時間以上に亘る非常に長時間、液晶パネルに同一表示をした後、視認されるようになる。
【０００５】
そこで、液晶パネルの焼付きの評価パラメータとして、残留ＤＣというものがある。液晶パネルは、液晶層に、正極性および負極性が対称な矩形波を印加する機構を有している。しかし、実際には完璧に対称波形にすることは難しく、わずかにオフセット電圧がかかり、液晶パネル内の、例えば液晶層と配向膜との境界などに電荷が蓄積される。
【０００６】
その結果、液晶層には、外から電極を通して印加される電圧と、上記液晶パネル内に蓄積された電荷による電圧とが加わることになる。このように、外から印加される電圧に液晶パネル内に蓄積された電荷による電圧が加わった場合、正極性と負極性とで液晶層にかかる電圧が異なるので、液晶パネルからはフリッカーが発生し、所定の透過率が得られなくなる。この液晶パネル内に蓄積された電荷による電圧を残留ＤＣと呼ぶ。
【０００７】
さらに、残留ＤＣの評価方法には、非特許文献１に記載のフリッカー消去法という手段がある。まず、液晶パネルに一定のオフセット電圧を負荷として印加する。その直後に中間調程度の振幅の電圧を印加しつつオフセット電圧を変化させる。あるオフセット電圧になると液晶パネル内に蓄積された電荷による電圧と打ち消しあい、液晶パネルのフリッカーが最小となる。このときのオフセット電圧を残留ＤＣと定義する。このように、残留ＤＣを測定することにより焼付きの発生を評価することができる。
【０００８】
なお、液晶材料や配向膜材料、プロセス等を工夫することにより同じオフセット電圧が印加されても残留ＤＣを非常に小さくすることができる。すなわち、焼付きを抑えることができる。
【０００９】
また、他の残留ＤＣの評価方法として、非特許文献２に記載の誘電吸収法という手段も公開されている。
【非特許文献１】N. Fukuoka, M. Okamoto, Y. Yamamoto, M. Hasegawa, Y. Tanaka, H. Hatoh, K. Mukai: Proc. of AM-LCD94, p. 216, 1994
【非特許文献２】井上、真鍋、中野渡：液晶討論会予稿集、p.216, 1997
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述のように、従来の残留ＤＣ評価方法では測定が不正確である。オフセット電圧を複数回変化させて、フリッカー強度が最小となるときのオフセット電圧を残留ＤＣとしていた。しかし、この従来の方法ではオフセット電圧の変化幅の精度でしか残留ＤＣを見積もれない。逆に、厳密に測定するためにオフセット電圧を非常に細かく変化させると、オフセット電圧を変化させる時間が長くなって測定に時間がかかり、系を乱してしまう。
【００１１】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、正確で短い測定時間で残留ＤＣを測定することができる残留ＤＣ測定装置、残留ＤＣ測定システム、残留ＤＣ測定方法、残留ＤＣ測定装置制御プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の残留ＤＣ測定装置は、液晶パネルに発生した残留ＤＣを、液晶パネルに振幅電圧を印加して駆動しながら検出された、該液晶パネルの透過光の透過率を用いて測定する残留ＤＣ測定装置であって、前記振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得手段と、前記データ取得手段が取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、前記データ取得手段が取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、前記２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
また、上記課題を解決するため、本発明の残留ＤＣ測定方法は、液晶パネルに発生した残留ＤＣを、液晶パネルに振幅電圧を印加して駆動しながら検出された、該液晶パネルの透過光の透過率を用いて測定する残留ＤＣ測定方法であって、前記振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得ステップと、前記データ取得ステップで取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、前記データ取得ステップで取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、前記２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算ステップとを含むことを特徴とする。
【００１４】
ここで、前記最大振幅時透過率とは、振幅電圧の１周期において、その正極性時に含まれる所定時の透過率であり、前記最小振幅時透過率とは、振幅電圧の１周期において、その負極性時に含まれる所定時の透過率である。
【００１５】
前記構成によると、データ取得手段は、１つの前記オフセット電圧の期間に振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。また、前記データ取得手段は、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。
【００１６】
そして、前記演算手段は、前記データ取得手段が取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求める。さらに、前記演算手段は、前記データ取得手段が取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求める。そして、前記演算手段は、前記２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める。このように、前記演算手段が求めたオフセット電圧が、前記最大振幅時透過率と前記最小振幅時透過率とが等しくなるときのオフセット電圧である。このオフセット電圧が残留ＤＣである。
【００１７】
ここで、上述したように従来は、複数回オフセット電圧を変化させて、フリッカーが最小となるオフセット電圧が残留ＤＣであると推測していた。
【００１８】
フリッカーが最小となるとは、オフセット電圧が加わった振幅電圧の最大振幅時に対応する透過率と、前記オフセット電圧が加わった振幅電圧の最小振幅時に対応する透過率との差が最も小さくなることである。
【００１９】
一方、上記構成によると、２本の近似直線の交点を求めることにより、前記最大振幅時透過率と前記最小振幅時透過率とが等しくなるときのオフセット電圧を残留ＤＣとして求めることができる。このため、従来の方法と比較して正確に残留ＤＣを求めることができる。
【００２０】
さらに、前記演算手段が前記２本の近似直線を求めることができる程度のデータ数分の回数だけオフセット電圧を変化させればよいので、オフセット電圧を変化させる回数が少なくて済む。このため、短い測定時間で残留ＤＣを測定することができる。
【００２１】
このように、上記構成によると、振幅電圧の最大振幅時に対応する透過率と最小振幅時に対応する透過率とが等しくなる場合のオフセット電圧を算出することにより、正確で短い測定時間で残留ＤＣを測定することができる。
【００２２】
さらに、上記構成によると、残留ＤＣの測定時間が短くて済むため、前記液晶パネルの同一箇所で複数回の残留ＤＣの測定を行ったとしても、時間的な負荷を大幅に低減することが可能である。
【００２３】
このように、前記構成によると、振幅電圧の最大値に対応する透過率と最小値に対応する透過率とが等しくなる時のオフセット電圧を残留ＤＣとして求めることにより、正確で短い測定時間で残留ＤＣを求めることができる。
【００２４】
前記残留ＤＣ測定装置においては、前記最大振幅時透過率と、前記最小振幅時透過率との差が最小となるオフセット電圧を仮残留ＤＣとして取得し、取得した前記仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための信号を出力するオフセット電圧制御手段を備え、前記データ取得手段は、前記仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得することが好ましい。
【００２５】
前記構成によると、前記オフセット電圧制御手段は、前記仮残留ＤＣを含めて、所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させることができる。そして、前記データ取得手段は、前記仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。さらに前記データ取得手段は、前記仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内で最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。
【００２６】
このため、前記演算手段が算出する２本の近似直線の交点は、前記オフセット電圧制御手段が変化させたオフセット電圧の範囲内に含まれることになる。このように、前記演算手段は、オフセット電圧制御手段が変化させたオフセット電圧の範囲内で前記２本の近似直線の交点を求めることができるので、正確に残留ＤＣを求めることができる。
【００２７】
前記残留ＤＣ測定装置においては、前記オフセット電圧制御手段が変化させるオフセット電圧の前記所定の電圧幅の範囲は、前記仮残留ＤＣの±１００ｍＶであることが好ましい。
【００２８】
ここで、前記オフセット電圧制御手段が変化させる所定の電圧幅の範囲を、例えば±２００ｍＶなどのように±１００ｍＶを超える範囲とすると、複数の正極性時透過率のデータ、および複数の負極性時透過率のデータのばらつきが大きくなり、前記演算手段は、正確な近似直線を算出することができない。そこで、前記構成のように、前記オフセット電圧制御手段が変化させるオフセット電圧の前記所定の電圧幅の範囲を±１００ｍＶとすることにより、複数の正極性時透過率のそれぞれ、および複数の負極性時透過率のそれぞれのデータのばらつきが小さくなる。このため、前記演算手段が複数の正極性時透過率、負極性時透過率のそれぞれから、誤差を小さく近似直線を算出することができるので、正確に残留ＤＣを算出することができる。
【００２９】
前記残留ＤＣ測定装置においては、前記最大振幅時透過率は、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化したときから正極性から負極性に変化する直前までの所定の時間に前記データ取得手段が取得する透過率であり、前記最小振幅時透過率は、１つの前記オフセット電圧の期間に正極性から負極性に変化したときから負極性から正極性に変化する直前までの所定の時間に前記データ取得手段が取得する透過率であることが好ましい。
【００３０】
これは、液晶パネルの液晶は、前記振幅電圧に応じてが応答するにはある程度の時間が必要となる。そこで、前記データ取得手段は、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化したときから正極性から負極性に変化する直前までの所定の時間に液晶パネルの透過率を最大振幅時透過率として取得し、１つの前記オフセット電圧の期間に正極性から負極性に変化したときから負極性から正極性に変化する直前までの所定の時間に液晶パネルの透過率を最小振幅時透過率として取得する。このため、前記データ取得手段は、液晶パネルの液晶の応答が完了した透過率を取得するので、正確な値で、最大振幅時透過率および最小振幅時透過率を取得することができる。
【００３１】
前記残留ＤＣ測定装置においては、前記所定の時間は、前記振幅電圧の０．４周期後から０．５周期後未満であることが好ましい。
【００３２】
ここで、例えば、矩形電圧の極性の変化時から０．１周期程度では、液晶が応答途中であり、フリッカーの発生が小さくなりノイズの影響が大きくなる。一方、振幅電圧の変化時から０．４周期後では、液晶の応答がほぼ完了している（液晶の配向がほぼ完了している）と考えられ、ノイズの影響を小さくすることができる。
【００３３】
上記構成のように、前記データ取得手段が１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化時から０．４周期後の液晶パネルの透過率を最大振幅時透過率として取得し、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が正極性から負極性に変化時から０．４周期後の液晶パネルの透過率を最小振幅時透過率として取得することにより、前記データ取得手段は、確実に、液晶が前記振幅電圧に対応して応答した後の透過率を取得することができる。
【００３４】
さらに、前記データ取得手段が１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が負極性から正極性に変化時から０．５周期未満の液晶パネルの透過率を最大振幅時透過率として取得し、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が正極性から負極性に変化時から０．５周期未満の液晶パネルの透過率を最小振幅時透過率として取得することにより、前記データ取得手段は前記振幅電圧のうち、最大振幅時透過率を含む半周期の中から最大振幅時透過率を取得することができる。また、前記データ取得手段は前記振幅電圧のうち、最小振幅時透過率を含む半周期の中から最小振幅時透過率を取得することができる。従って、前記データ取得手段は正確に最大振幅時透過率および最小振幅時透過率を取得することができる。
【００３５】
前記残留ＤＣ測定装置においては、前記演算手段は、前記所定の電圧幅の範囲外での２本の近似直線の交点である予測残留ＤＣを求め、前記オフセット電圧制御手段に出力し、前記オフセット電圧制御手段は、前記演算手段から前記予測残留ＤＣを取得すると、取得した前記仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための指示を出力し、前記データ取得手段は、前記予測残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得することが好ましい。
【００３６】
前記構成によると、前記オフセット電圧制御手段が変化させたオフセット電圧の電圧幅の範囲内で前記２本の近似直線が交わらない場合でも、前記演算手段は、前記２本の近似直線が交わる位置を求め予測残留ＤＣとして算出する。そして、前記オフセット電圧制御手段は、予測残留ＤＣを前記演算手段から取得すると、再度、オフセット電圧を所定の電圧幅の範囲内で変化させるための指示を出力する。
【００３７】
また、前記データ取得手段は、前記予測残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。さらに、前記データ取得手段は、前記予測残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内で最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。
【００３８】
これにより、前記演算手段は、確実に、前記オフセット電圧制御手段が変化させたオフセット電の範囲内で、前記２本の近似直線の交点を取得することができる。このため、前記演算手段は、正確に残留ＤＣを測定することができる。
【００３９】
本発明の残留ＤＣ測定システムは、前記残留ＤＣ測定装置、および前記液晶パネルに印加する振幅電圧を制御する指示信号を出力するシステム制御手段を含む演算・制御手段と、光源、前記光源からの光を透過する透過領域に複数の前記液晶パネルを搭載可能で、該搭載した前記液晶パネルを前記光源からの光の出射方向に対して垂直方向に移動可能なＸＹステージ、前記ＸＹステージおよび前記液晶パネルを透過した前記光源からの光を受光し、電圧を出力する受光手段を含む光学手段と、前記受光手段から出力される電圧を電気信号として前記演算・制御手段に出力する電圧取得手段と、前記システム制御手段からの前記液晶パネルに印加する駆動電圧を制御する指示信号を取得し、前記液晶パネルに対して振幅電圧を印加する波形電圧発生手段とを備えることが好ましい。
【００４０】
前記構成によると、前記波形電圧発生手段は、前記ＸＹステージ上に搭載された前記液晶パネルに対して振幅電圧を印加する。前記波形電圧発生手段から振幅電圧が印加される前記液晶パネルは、前記印加された振幅電圧に対応して駆動する。また、前記光源から発光される光は、前記ＸＹステージ、および前記液晶パネルを透過し、前記受光手段により受光される。そして、前記液晶パネルを透過した光を受光した前記受光手段は、前記受光した光量に応じた電圧を前記電圧取得手段に出力する。そして、前記電圧取得手段は、前記受光手段から電圧が入力されると電気信号として前記演算・制御手段に出力する。また、前記演算・制御手段は、前記電圧取得手段から電気信号が入力されると前記液晶パネルの透過率を算出する。そして、前記残留ＤＣ測定装置により、残留ＤＣを算出することが可能となる。
【００４１】
本発明の残留ＤＣ測定システムは、前記液晶パネルに、負荷電圧であるストレス電圧を印加することを指示するストレス電圧指示信号を前記波形電圧発生手段に出力するストレス電圧指示手段を前記演算・制御手段が備え、前記ストレス電圧が印加される前後の透過率を示す電気信号を前記電圧取得手段から取得し、取得した前記電気信号から前記液晶パネルの焼付きを測定する焼付き測定手段を前記演算・制御手段が備えることが好ましい。
【００４２】
前記構成によると、予め、前記焼付き測定手段は、前記液晶パネルにストレス電圧が印加される前の透過率を取得しておく。そして、前記波形電圧発生手段は、前記液晶パネルにストレス電圧を印加する。その後、前記焼付き測定手段は、前記液晶パネルにストレス電圧が印加された後の透過率を取得する。そして、前記焼付き測定手段は、ストレス電圧が印加される前後の前記液晶パネルの透過率から焼付きを算出することができる。
【００４３】
また、前記演算・制御手段は、前記残留ＤＣ測定装置と、焼付き測定手段とを備えるので、前記光学パネルの残留ＤＣと、焼付きとを両方測定することが可能となる。このため、前記液晶パネルに焼付きが発生している場合、その焼付きの原因が残留ＤＣであるかを直接対応付けて判断することが可能となる。
【００４４】
また、前記焼付き測定手段は、前記ストレス電圧印加前の前記液晶パネルの透過率と、前記ストレス電圧印加後の前記液晶パネルの透過率との比から前記焼付き率を算出することが好ましい。これにより、前記液晶パネルの焼付きを評価することができる。
【００４５】
そして、ストレス電圧印加前の前記液晶パネルの透過率と、前記ストレス電圧印加後の前記液晶パネルの透過率とが等しければ（焼付き率が１であれば）、焼付きは残留ＤＣ起因のみであるが、ストレス電圧印加前の前記液晶パネルの透過率と、前記ストレス電圧印加後の前記液晶パネルの透過率とが等しくなければ（焼付き率が１でなければ）残留ＤＣ以外の要因もあると判定することができる。これにより、焼付きの原因が残留ＤＣか否かを簡単に判定することができる。
【００４６】
本発明の残留ＤＣ測定システムは、前記ストレス電圧の印加と、前記残留ＤＣの測定とを複数回繰り返すことが好ましい。
【００４７】
これにより、液晶パネルの残留ＤＣの時間変化を測定することが可能となる。従って、最終的に焼付きの発生が小さい液晶材料、配向膜材料等の組み合わせを特定することが可能となる。
【００４８】
また、残留ＤＣの緩和過程を測定することが可能となる。
【００４９】
ここで、残留ＤＣが起因する焼付きがどの程度の時間で消えるかは、残留ＤＣの緩和速度と強い相関がある。そして、残留ＤＣの緩和速度が遅い場合は焼付きが長く残ってしまうことになる。従って、焼付きが短い時間で消える液晶パネルを特定することが可能となる。
【００５０】
さらに、前記ＸＹステージは、搭載した複数の前記液晶パネルを、前記光源からの光の出射方向に対して垂直方向に移動することができる。このため、複数の液晶パネルのそれぞれで複数回の残留ＤＣを測定する場合、残留ＤＣを測定した液晶パネルにストレス電圧を印加し、続けて、測定点を移動して異なる液晶パネルの残留ＤＣを測定することができる。このように、ストレス電圧の印加と、残留ＤＣの測定とを複数の液晶パネルで並列処理を行うことができる。このため、残留ＤＣの測定効率を大幅に向上させることが可能となる。
【００５１】
さらに、複数箇所の残留ＤＣを測定することができるので、それぞれの測定点で、各々独立して残留ＤＣの時間変化、絶対値の解析が可能となる。また、１枚のサンプルの多点測定をする場合は、例えば注入口付近、シール材付近、中央部といった光学パネル内の残留ＤＣの分布を測定することが可能である。
【００５２】
本発明の残留ＤＣ測定システムにおいては、前記ストレス電圧の印加と、前記焼付きの測定とを複数回繰り返すことが好ましい。
【００５３】
これにより、焼付きの時間変化を測定することが可能となり、最終的に焼付きが大きく発生する液晶材料、配向膜材料等の組み合わせを特定することが可能となる。
【００５４】
また、焼付きの緩和過程を測定することが可能となり、焼付きが長く残る液晶パネルを特定することが可能となる。
【００５５】
さらに、前記ＸＹステージは、複数の前記液晶パネルを搭載し、前記搭載した複数の液晶パネルを、前記光源からの光の出射方向に対する垂直方向に移動することができるので、ストレス電圧の印加と、焼付きの測定とを複数の液晶パネルで並列処理を行うことができる。このため、焼付きの測定効率を大幅に向上させることが可能となる。
【００５６】
なお、前記は、コンピュータによって実現してもよい。この場合、コンピュータを上記各手段として動作させることにより上記をコンピュータにおいて実現する残留ＤＣ測定装置制御プログラム、およびその残留ＤＣ測定装置制御プログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体も、本発明の範疇に入る。
【発明の効果】
【００５７】
以上のように、本発明に係る残留ＤＣ測定装置は、振幅電圧には、所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得手段と、前記データ取得手段が取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、前記データ取得手段が取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、前記２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算手段とを備える。
【００５８】
また、本発明に係る残留ＤＣ測定方法は、振幅電圧に所定の周期毎に異なるオフセット電圧が加えられており、検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最大振幅となった時の透過率である最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、前記検出された透過率のうち、１つの前記オフセット電圧の期間に前記振幅電圧が最小振幅となった時の透過率である最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するデータ取得ステップと、前記信号取得ステップで取得した前記最大振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最大振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求めるとともに、前記信号取得ステップで取得した前記最小振幅時透過率および前記オフセット電圧の複数組のデータから、前記最小振幅時透過率と前記オフセット電圧との関係を示す近似直線を求め、さらに、前記２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧を求める演算ステップとを含む。
【００５９】
それゆえ、振幅電圧の最大振幅時に対応する透過率と最小振幅時に対応する透過率とが等しくなるときのオフセット電圧を算出することにより、正確で短い測定時間で残留ＤＣを測定することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６０】
〔残留ＤＣ測定システムの概略構成〕
本発明の一実施形態について図１〜図１５に基づいて説明すると以下の通りである。
【００６１】
図２は、本実施の形態に係る残留ＤＣ測定装置３０を適用する残留ＤＣ測定システム１の構成を表すブロック図である。
【００６２】
図２に示すように、残留ＤＣ測定システム１は、光学系としての光学部（光学手段）２と、光学部２から出力される電圧信号を取得する信号取得部（データ取得手段）７と、光学部２に対して波形信号を出力する波形信号発生部（波形発生手段）８と、電圧取得部７から取得される信号の演算および波形電圧発生部８に対して波形信号の発生の指示を行う演算・制御部（演算・制御手段）９とを備える。
【００６３】
残留ＤＣ測定システム１は２種類の測定を行う。１種類目は残留ＤＣの測定を行うことであり、２種類目は、焼付き率を測定することである。
【００６４】
光学部２は、恒温層６内に配置されており、ハロゲンランプなどを用いた光源３、回転機構を有する２つの偏光板（偏光素子）４ａ，４ｂ、２つの偏光板４ａ，４ｂの間に設けられ、残留ＤＣを測定する液晶パネルなどを１つまたは複数のサンプルを搭載可能なＸＹステージ１０、受光した光量を電圧信号に変換する受光部５とを有する。
【００６５】
ただし、残留ＤＣ測定システム１を設置する部屋の温度が安定している場合、恒温層６を暗箱で代替してもよい。また、光学部２は調整可能なレンズを有し、サンプル上に焦点をあわせる機構（不図示）を有する。
【００６６】
電圧取得部７は、マルチメータやオシロスコープなどからなり、受光部５と接続される。電圧取得部７は、受光部５から出力される電圧をデジタルデータに変換し、電圧信号として演算・制御部９に出力する。
【００６７】
演算・制御部９は、残留ＤＣ測定装置３０と、システム制御装置４０と、リファレンス測定部４４と、焼付き測定装置（焼付き測定手段）４５とからなる。
【００６８】
残留ＤＣ測定装置３０は、電圧取得部７から出力される電圧信号を受信し、受信した電圧信号から残留ＤＣの演算を行う。なお、残留ＤＣ測定装置３０の詳細は後述する。
【００６９】
また、システム制御装置４０は、波形電圧発生部８に対して液晶パネル２０の駆動電圧の発生および出力を指示する駆動制御信号を出力すると共に、残留ＤＣ測定システム１の制御を行う。さらにシステム制御装置４０は、液晶パネルのフリッカーが最小となるオフセット電圧を算出し、仮残留ＤＣを取得する。
【００７０】
なお、残留ＤＣ測定装置３０と、システム制御装置４０と、リファレンス測定部４４と、焼付き測定装置４５とのそれぞれはパーソナルコンピューター（ＰＣ）からなり、１台のＰＣから成っていてもよい。
【００７１】
波形電圧発生部８は、演算・制御部９と接続されている。液晶パネルの接続端子に接続するためにＸＹステージ１０上に設けられる電圧印加用端子（電圧印加用端子１２）と接続されている。波形電圧発生部８は、演算・制御部９からの駆動制御信号を受信することにより、波形電圧を液晶パネルに印加する。すなわち、波形電圧発生部８は液晶パネルに、任意の周波数、振幅で、さらに任意のオフセット電圧が加わった矩形電圧を印加することができる任意波形発生装置である。波形電圧発生部８はＸＹステージ１０に１つまたは複数搭載されている。この波形電圧発生部８は複数ＸＹステージ１０に搭載する場合は、専用ラックを用いて配線をまとめるなどを行う。また、配線や、上記電圧印加用端子をＸＹステージ１０に貼り付けるか埋め込むなどの工夫を行うことが好ましい。なお、上記電圧印加用端子は、導電ゴムで液晶パネル２０の接続端子（ＩＴＯ等）に接触させ、バネ機構で軽く押し付けるなどの工夫を行うことが好ましい。さらに、複数の波形電圧発生部８は、ＧＰＩＢ等で独立制御可能である。
【００７２】
そして、光学部２として、顕微鏡の光学系を用いてもよい。この際、顕微鏡としては一般的な透過型顕微鏡でよく、例えばハロゲンランプとコンデンサレンズを有する透過照明系を有し、ＸＹステージ１０を有し、電動リボルバにより交換可能な1倍から１００倍の対物レンズを有し、対物レンズとカメラ用の鏡筒を有する３眼式である。さらに、受光部５として、カメラ用の鏡筒にはＣマウントのＰＭＴ(光電子増倍管)モジュールを有する。ＰＭＴなどからなる受光部５の出力は、マルチメータまたはオシロスコープなどからなる電圧取得部７で取り込み、ＰＣからなる演算・制御部９で解析する。これにより、液晶パネルのどの部分で焼付きが発生しているかを観測できることが可能である。例えば、ＭＶＡモードの液晶パネルでは、画素がスリット構造やリブ構造を有しており、画素電極上、リブ上、スリット上各々の残留ＤＣや焼付き率を測定することが可能である。
【００７３】
次に、図３（ａ）（ｂ）を用い、ＸＹステージ１０の構成について説明する。
【００７４】
図３（ａ）は、ＸＹステージ１０の構成を表す平面図であり、図３（ｂ）は、ＸＹステージ１０の側面図である。
【００７５】
図３（ａ）に示すように、ＸＹステージ１０は、ＸＹステージ１０上に液晶パネルの外枠を支持し、固定するための固定機構１３と、光を遮光するための遮光領域ａとからなる。
【００７６】
固定機構１３は、光を透過する透過部１１と、液晶パネルに電圧を印加するための電圧印加用端子１２とからなり、ＸＹステージ１０上に１つまたは複数併置されている。本実施の形態においては、ＸＹステージ１０上に６つの固定機構１３が併置されている。そして、それぞれの固定機構１３に電圧印加用端子１２と接続された液晶パネル２０が固定されている。
【００７７】
また、ＸＹステージ１０には、透過部１１以外の領域に、リファレンス測定用の開口部１４と、非開口部１５とが設けられている。開口部１４は、光源３から発光される光の１００％の透過率の測定値を得るためのものであり、非開口部１５は、光源３から発光される光の０％の透過率の測定値を得るためのものである。開口部１４は、光源３からの光を透過する透明部材で構成されており、非開口部１５は、光源３からの光を遮光する部材で構成されている。
【００７８】
また、図３（ｂ）に示すように、ＸＹステージ１０は、液晶パネル２０を搭載および固定するための液晶パネル搭載部１６と、この液晶パネル搭載部１６の裏面側（光源３が設けられている側）に設けられ、着脱が可能で透明なホットステージ（ホットプレート）１７とを備えている。
【００７９】
次に、図１を用い、演算・制御部９の詳細について説明する。
【００８０】
図１は、本実施の形態に係る演算・制御部９の構成を表すブロック図である。
【００８１】
図１に示すように、演算・制御部９は、残留ＤＣ測定装置３０と、システム制御装置４０と、リファレンス測定部４４と、焼付き測定装置４５とを備える。
【００８２】
そして、残留ＤＣ測定装置３０は、信号取得部３１と、記憶部３２と、直線近似・交点演算部３３と、残留ＤＣ出力部３４と、オフセット電圧制御部（オフセット電圧制御手段）３５とを備える。
【００８３】
システム制御装置４０は、残留ＤＣ測定システム１を制御すると共に、波形電圧発生部８に対して、液晶パネルを駆動するための振幅電圧出力させるための指示信号（駆動制御信号）を出力するとともに、上記指示信号に含まれるオフセット電圧の調整を行う。また、残留ＤＣ測定装置３０で残留ＤＣを測定するための、仮残留ＤＣを算出する。
【００８４】
リファレンス測定部４４は、残留ＤＣ測定システム１の初期設定であるリファレンス測定、Ｖ−Ｔ特性の算出、階調と電圧と関係の計算などを行う。
【００８５】
焼付き測定装置４５は、残留ＤＣ測定システム１で、液晶パネル２０の焼付きを測定するためのものである。
【００８６】
信号取得部３１は、電圧取得部７から、液晶パネル２０の透過率を示す信号（以下、単に透過率と称する）を取得する。また、前記取得した透過率のうち、システム制御装置４０が出力する振幅電圧の指示信号の正極性の最大値に対応する透過率を正極性時透過率として、記憶部３２および直線近似・交点演算部３３に出力する。さらに、前記取得した透過率のうち、システム制御装置４０が出力する振幅電圧の指示信号の負極性の最小値に対応する透過率を負極性時透過率として、記憶部３２および直線近似・交点演算部３３に出力する。
【００８７】
また、信号取得部３１は、予測残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内で最大振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得するとともに、最小振幅時透過率と、その時のオフセット電圧との組のデータを複数取得する。
【００８８】
直線近似・交点演算部３３は、信号取得部３１から取得する複数の正極性時透過率のから近似直線を算出し、信号取得部３１から取得する複数の負極性時透過率の値から近似直線を算出し、上記２本の近似直線の交点を算出する。そして、直線近似・交点演算部３３は、算出した交点の値を残留ＤＣ出力部３４に出力する。また、残留ＤＣ出力部３４は、直線近似・交点演算部３３から取得する上記交点の値を残留ＤＣとして外部に出力する。
【００８９】
また、直線近似・交点演算部３３は、求めた２本の近似直線の交点に対応するオフセット電圧が所定の電圧幅の範囲外である場合、求めたオフセット電圧を予測残留ＤＣとしてオフセット電圧制御部３５に出力する。
【００９０】
オフセット電圧制御部３５は、残留ＤＣを求めるためにオフセット電圧を調整するものであり、システム制御装置４０が算出する仮残留ＤＣを含む所定の電圧範囲でオフセット電圧を制御する旨のオフセット電圧制御信号をシステム制御装置４０に出力する。また、オフセット電圧制御部３５は、直線近似・交点演算部３３から予測残留ＤＣを取得すると、取得した仮残留ＤＣを含む所定の電圧幅の範囲内でオフセット電圧を変化させるための指示を出力する。
【００９１】
（初期設定用測定）
次に、残留ＤＣ測定システム１による残留ＤＣ測定方法について説明する。
【００９２】
初めに、残留ＤＣ測定システム１の初期設定を行うための測定について説明する。
【００９３】
まず、残留ＤＣ測定前に、リファレンス測定を行う。
【００９４】
なお、本実施の形態においては、液晶パネル２０は、1ｃｍ×1ｃｍ程度の大きな電極を有する単純な構造のテストセルを前提とするが、これに限定されるものではない。この液晶パネル２０は、ＸＹステージ１０の固定機構１３に設置される。すなわち、液晶パネル２０は透過部１１に設置され、電極は電圧印加用端子１２と接続される。
【００９５】
まず、光源３からの光の透過率１００％と０％との基準となるリファレンス測定を行う。光源３から発光される光が開口部１４を透過するように、ＸＹステージ１０を移動する。そして、光源３から発光され、開口部１４を透過し、受光部５および電圧取得部７を介して演算・制御部９に入力される電圧信号を、信号取得部３１が取得する。そして、信号取得部３１は、上記取得した電圧信号をリファレンス測定部４４へ出力する。
【００９６】
そして、リファレンス測定部４４では、上記入力された電圧信号を透過率１００％（最大透過率）の輝度の電圧信号（最大透過率電圧；Ｖ１００）として設定される。
【００９７】
次に、光源３から発光される光が非開口部１５に照射されるように、ＸＹステージ１０を移動する。この非開口部１５により、光源３から発光される光は遮光されるため、受光部５では光を受光しない。リファレンス測定部４４では、この際の電圧信号を透過率０％（最小透過率）の輝度の電圧信号（最小透過率電圧；Ｖ０）として設定される。
【００９８】
なお、このリファレンス測定を行う際、偏光板４ａ，４ｂによって光が遮光されないようにするため、偏光板４ａ，４ｂはパラニコルにするか、または、偏光板４ａ，４ｂにもＸＹステージ機構をつけて、光軸から偏光板４ａ，４ｂを外しておく。
【００９９】
次に、図１０に示すような電圧‐透過率特性（Ｖ‐Ｔ特性）を測定する。
【０１００】
システム制御装置４０は、オフセット電圧が含まれない矩形電圧の振幅を徐々に大きくしながら、液晶パネル２０に印加する。また、システム制御装置４０は、矩形電圧の電圧値をリファレンス測定部４４に出力する。
【０１０１】
そして、信号取得部３１は、電圧取得部７から入力される透過率の値をリファレンス測定部４４に出力する。そして、リファレンス測定部４４は、システム制御装置４０から入力される上記矩形電圧の電圧値と、信号取得部３１から入力される透過率の値とを対応付ける。これにより、Ｖ−Ｔ特性が得られる。
【０１０２】
なお、透過率は上述したリファレンス測定の結果を利用して校正する。
【０１０３】
図１０は、液晶パネル２０のＶ−Ｔ特性を表すグラフである。横軸は、電圧Ｖであり、縦軸は透過率Ｔである。
【０１０４】
図１０に示すように、オフセット電圧が含まれておらず正極性と負極性の振幅幅が対称な矩形電圧を液晶パネル２０に印加し、この矩形電圧の振幅を徐々に大きくして、液晶パネル２０の透過率を測定する。
【０１０５】
さらに、リファレンス測定部４４では、上述のように測定したＶ−Ｔ特性から、階調−電圧特性を算出し、システム制御装置４０に出力する。そして、システム制御装置４０は、リファレンス測定部４４から取得する階調−電圧特性から、液晶パネル２０の最大透過率の半分の透過率（透過率Ｔ５０）となる電圧（Ｖ５０）を計算し、Ｖ５０信号を算出する。そして、以下で説明する残留ＤＣは、電圧Ｖ５０の矩形電圧にオフセット電圧を加えて測定する。これにより、フリッカーをきれいに観察することが可能となる。
【０１０６】
（残留ＤＣ測定方法）
本実施の形態に係る残留ＤＣの測定方法について、まず、図４（ａ）〜（ｄ）を用い、仮残留ＤＣの測定方法について説明し、次に、図５（ａ）〜（ｃ）を用い、残留ＤＣの測定方法について説明する。
【０１０７】
本実施の形態においては、システム制御装置４０は、液晶パネル２０を駆動させるための振幅電圧として、矩形電圧を液晶パネル２０に出力する。そして、信号取得部３１は、上記矩形電圧に対応した液晶パネル２０の透過率を取得する。上記矩形電圧と、この矩形電圧に対応する透過率の値との関係を図４（ａ）〜（ｄ）に示す。
【０１０８】
図４（ａ）は、オフセット電圧を変化させた矩形波電圧と、その際の液晶パネルの透過率を表すグラフであり、図４（ｂ）は、ストレス電圧を加えた矩形波電圧と、その際の液晶パネルの透過率を表すグラフであり、図４（ｃ）は、矩形波電圧と、焼付いた状態の液晶パネルの透過率を表すグラフであり、図４（ｄ）は、オフセット電圧を変化させた矩形波電圧と、その際の液晶パネルの透過率を表すグラフである。
【０１０９】
図４（ａ）〜（ｄ）では、縦軸は透過率（％）または電圧（Ｖ）を表し、横軸は時間を表す。
【０１１０】
図４（ａ）に示すように矩形波電圧（サ）は、液晶パネル２０に印加される波形電圧であり、その１周期毎に、振幅中心ｓより大きい電圧値（正極性）と、振幅中心ｓより小さい電圧値（負極性）とからなる。そして、この矩形電圧（ア）にオフセット電圧を加える。
【０１１１】
ここで、オフセット電圧とは、矩形波電圧の１周期における振幅中心（振幅中心）ｓの電圧のことである。すなわち、矩形電圧（ア）で、１周期におけるオフセット電圧の期間に振幅電圧が最大幅となった時の電圧は正極性の電圧であり、１周期におけるオフセット電圧の期間に振幅電圧が最小幅となった時の電圧は、負極性の電圧である。
【０１１２】
なお、システム制御装置４０は、リファレンス測定部４４からＶ５０信号を取得し、この近傍でオフセット電圧を変化させる。これは、Ｖ−Ｔ特性は透過率Ｔ５０近傍で、ほぼ線形の関係になり、残留ＤＣを正確に求めることができるからである。詳細は後述する。
【０１１３】
図４（ａ）に示すように、システム制御装置４０が液晶パネル２０に対して印加する矩形電圧は、その１周期毎に、振幅中心ｓより大きい電圧値（正極性）と、振幅中心ｓより小さい電圧値（負極性）とからなる。さらに、システム制御装置４０は、この矩形電圧（サ）にオフセット電圧を加える。
【０１１４】
図４（ａ）に示すように、矩形電圧（サ）にオフセット電圧が加わると、矩形電圧（サ）の極性が変化した際に、液晶に印加される電圧の絶対値が異なることになる。このため、矩形波電圧の極性が変化するたびに、透過率が変化することになる。この透過率の変化がフリッカーとして視認される。
【０１１５】
図４（ａ）に示すように、矩形電圧（サ）の１周期毎にオフセット電圧の値を変化させた場合、オフセット電圧が０となる箇所がある（破線（ス））。この際、矩形電圧（サ）にはオフセット電圧が印加されていないので、矩形電圧（サ）の正極性の電圧値と、負極性の電圧値とで絶対値が等しくなる（以下、対称波形と称する）。この場合、矩形電圧（サ）の電圧値が正極性から負極正へと変化したとしても、透過率（シ）は変化しない。すなわち、破線（ス）の領域ではフリッカーは視認されない。
【０１１６】
なお、本実施形態においては、矩形電圧（サ）の振幅はフリッカーが観測しやすいよう、液晶パネルの最大透過率（透過率１００％）の約半分程度の電圧Ｖ５０になるように設定している。なお、電圧は厳密に電圧Ｖ５０に限定されるものではなく、フリッカーが最小となる場合に、矩形電圧（サ）がおおよそ対称波形となればよい。しかし上記のように電圧Ｖ５０とすることにより画一的に評価が可能である。
【０１１７】
次に、図４(ｂ)に示すように、一定のオフセット電圧が加わった矩形電圧（セ）を、波形電圧発生部８は液晶パネル２０に印加する。
【０１１８】
この矩形電圧（セ）は正極性の電圧と負極性の電圧とが非対称な電圧である（以下、非対称波形と称する）。このため、透過率（ソ）は、矩形電圧（セ）の正極性の電圧に対応する透過率の値と、負極性の電圧に対応する透過率の値とが異なっており、フリッカーが発生している状態を表す。
【０１１９】
この矩形電圧（セ）のように、液晶パネルにフリッカーを発生させるために、一定期間、一定のオフセット電圧を加えた矩形電圧のことをストレス電圧と称する。なお、ストレス電圧は、液晶パネルにフリッカーを発生させることができればよく、測定に応じ任意に設定することができ、交流電圧に限定されず、ＤＣ（直流）電圧でもよく、０Ｖでもよい。
【０１２０】
このストレス電圧を一定時間、液晶パネルに印加すると、図４（ｃ）に示すように、オフセット電圧が０、すなわち対称波形である矩形波電圧（タ）を印加しても、の透過率（チ）のようにフリッカーが発生する場合がある。このように、液晶パネルに対称波形電圧を印加しているにも関わらず、フリッカーが発生している状態を、液晶パネルが焼付いた状態と称する。
【０１２１】
次に、図４（ｄ）に示すように、システム制御装置４０は、矩形電圧（ツ）の１周毎にオフセット電圧を変化させ、矩形電圧（ツ）の電圧変化に対応して、変化する透過率（テ）を測定し、フリッカーが最小となる時のオフセット電圧を測定する。このときのオフセット電圧を仮残留ＤＣとする。すなわち、液晶パネル２０に残留ＤＣが発生している場合、破線部（ト）に示すように、オフセット電圧が０でない場合にフリッカーが最小となる。そこで、このフリッカーが最小になる際のオフセット電圧を仮残留ＤＣとする。この仮残留ＤＣの値をシステム制御装置４０が算出する。
【０１２２】
ここで、フリッカーが最小となるとは、矩形電圧（ツ）の正極性時に対応する透過率と、負極性時に対応する透過率との差が最小となる場合のことである。
【０１２３】
また、この際、上述したストレス電圧印加時のオフセット電圧をＶｓとした場合、システム制御装置４０は、仮残留ＤＣを求めるためのオフセット電圧の印加範囲をＶｓから−Ｖｓとすることにより、より確実に仮残留ＤＣを求めることができる。
【０１２４】
なお、ストレス電圧が大きくなると、同じ時間ストレス電圧を印加した場合に、フリッカーが最小になる電圧の絶対値は大きくなる傾向がある。すなわち、残留ＤＣの絶対値が大きくなる傾向がある。ただし、液晶パネル２０の液晶と配向膜等の組み合わせ（系）によって異なる。
【０１２５】
このように、フリッカーが最小となる時のオフセット電圧は、矩形電圧（ツ）の１周期のうち、正極性の電圧とオフセット電圧を足した電圧を液晶パネル２０に印加した場合の透過率（テ）の値と、負極性の電圧とオフセット電圧を足した電圧を液晶パネル２０に印加した場合の透過率（テ）の値との差が最も小さくなる際のオフセット電圧を、システム制御装置４０が求めることにより算出される。
【０１２６】
しかし、矩形電圧の極性の変化に対して、液晶の応答に時間がかかるので、矩形電圧の負極性から正極性へ変化したときから正極性から負極性へ変化する直前までに信号取得部３１が取得する透過率を正極性時透過率とする。また、矩形電圧の正極性から負極性へ変化したときから負極性から正極性へ変化する直前までに信号取得部３１が取得する透過率を負極性時透過率とする。なお、この直前の時間は、本実施の形態においては、０．０５周期とする。
【０１２７】
換言すれば、正極性時透過率とは、矩形電圧（ツ）の１周期において、その前半の半周期に含まれる一時の透過率であり、負極性時透過率とは、矩形電圧（ツ）の１周期において、その前半の半周期に含まれる一時の透過率である。上記一時とは矩形電圧（ツ）の電圧が変化してから０．４周期後から０．５周期後未満である。本実施の形態においては、０．４５周期の時間経過後とする。
【０１２８】
ここで、矩形電圧（ツ）の極性が正のときと負のときとで、液晶パネル２０の液晶に加わる電位差が異なれば、液晶の応答速度が遅くても、ある程度液晶が応答するので、フリッカーが発生することになる。
【０１２９】
しかし、矩形電圧の極性が変化した時間と、前記正極性時透過率および前記負極性時透過率との関係においては、フリッカーが発生しないオフセット電圧を探すことができればよく、液晶のモードはＶＡ、ＴＮ、ＩＰＳ等いずれの液晶モードであってもよい。すなわち、液晶の応答速度はあまり考慮する必要がない。
【０１３０】
なお、液晶の応答速度があまりにも遅く、フリッカーの計測が困難である場合や、ノイズなどによりフリッカーが最小となるオフセット電圧の決定が困難な場合、矩形電圧（ツ）の周波数を落とすなどによって、対応することが可能である。本実施の形態においては、矩形電圧の周波数は３０Ｈｚ程度である。
【０１３１】
また、正極性時透過率と、負極性時透過率との差がフリッカー（強度）であり、輝度差ΔＴｉとする。
【０１３２】
また、残留ＤＣ測定システム１（図２参照）にて液晶パネル２０の残留ＤＣを自動測定する場合、矩形波電圧の１周期毎に、オフセット電圧を所定の電圧内で変化させ、矩形電圧に対応する輝度または透過率などを測定する。
【０１３３】
本実施の形態に係る残留ＤＣ測定システム１では、以下のようにすることで、正確で短い測定時間で残留ＤＣを見積もることができる。
【０１３４】
これについて、図５（ａ）〜（ｃ）を用い、説明する。
【０１３５】
図５（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態に係る残留ＤＣ測定方法を表し、図５（ａ）は、オフセット電圧を変化させた矩形波電圧と、その際の液晶パネル２０の透過率を表すグラフであり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の透過率を直線近似し、残留ＤＣを求めるためのグラフを表し、図５（ｃ）は、図５（ａ）の透過率を直線近似し、予測残留ＤＣを求めるためのグラフを表す。
【０１３６】
図５（ａ）に示すように、所定の周期毎に異なるオフセット電圧を含む矩形電圧（ア）が、液晶パネル２０に加えられている。そして、透過率（イ）は、矩形電圧（ア）に応じて、信号取得部３１が取得する液晶パネル２０の透過率である。また、矩形電圧（ア）の１つのオフセット電圧の期間の透過率（イ）の最大値が正極性時透過率であり、矩形電圧（ア）の１つのオフセット電圧の期間の透過率（イ）の最小値が負極性時透過率である。
【０１３７】
システム制御装置４０は、フリッカーが最小となるオフセット電圧である仮残留ＤＣを求めると、求めた仮残留ＤＣをオフセット電圧制御部３５に出力する。そして、オフセット電圧制御部３５は、図５（ａ）に示すように、この仮残留ＤＣ（破線（ウ））の近傍の所定の電圧範囲でオフセット電圧を複数回変化させるようオフセット電圧制御信号をシステム制御装置４０に出力すると共に、信号取得部３１にも出力する。システム制御装置４０は、オフセット電圧制御部３５から入力されるオフセット電圧制御信号に基づき、波形電圧発生部８にオフセット電圧の制御を指示する。
【０１３８】
そして、信号取得部３１は、オフセット電圧制御部３５が変化させたオフセット電圧毎に正極性時透過率と負極性時透過率とを取得し、記憶部３２に出力する。本実施の形態においては、システム制御装置４０が変化させるオフセット電圧の範囲は、仮残留ＤＣの±５０ｍＶとし、オフセット電圧が連続的に小さくなるように、正から負にかけて８回変化させた。なお、オフセット電圧制御部３５が変化させることが可能なオフセット電圧の範囲については後述する。
【０１３９】
また、信号取得部３１が取得する正極性時透過率は、矩形電圧（ア）が正極性から負極性へ変化する直前（本実施の形態においては０．０５周期）の透過率とした。信号取得部３１が取得する負極性時透過率は、矩形電圧（ア）が負極性から正極性へ変化する直前（本実施の形態においては０．０５周期）の透過率とした。
【０１４０】
換言すれば、正極性時透過率とは、矩形電圧（ア）の１周期において、その半周期に含まれる透過率であり、負極性時透過率とは、矩形電圧（ア）の１周期において、その残りの半周期に含まれる一時の透過率である。タイミングは、矩形電圧（ア）の電圧が変化してから０．４５周期の時間経過時点が望ましい。
【０１４１】
なお、正極性時透過率および負極性時透過率は、上述のように矩形電圧の極性が変化してから０．４５周期後の透過率に限定されるものではないが、矩形電圧の極性が変化時から０．４周期後以上０．５周期後未満であることが好ましい。これは、上述のように、矩形電圧の極性が変化後、液晶が応答するにはある程度の時間が必要である。例えば、矩形電圧の極性が変化時から０．１周期程度では、液晶が応答途中であり、フリッカーの発生が小さくなりノイズの影響が大きくなる。一方、矩形電圧の極性が変化時から０．４周期後以上０．５周期後未満では、液晶の応答がほぼ完了している（液晶の際は移行が一定程度進んでいる）と考えられ、ノイズの影響を小さくすることができる。
【０１４２】
そして、信号取得部３１は、オフセット電圧制御部３５が複数回変化させたオフセット電圧の１つのオフセット電圧の期間の正極性時透過率とその際のオフセット電圧との組みのデータと、オフセット電圧制御部３５が複数回変化させたオフセット電圧の１つのオフセット電圧の期間の負極性時透過率とその際のオフセット電圧との組のデータとをオフセット電圧制御部３５がオフセット電圧を変化させた回数分（本実施の形態においては８回）、記憶部３２から取得する。
【０１４３】
ここで、オフセット電圧制御部３５が残留ＤＣを求めるためにオフセット電圧を変化させる回数は、複数の正極性時透過率から１本の近似直線を算出し、複数の負極性時透過率からさらにもう１本の近似直線を算出できる程度の回数であればよい。オフセット電圧制御部３５がオフセット電圧を変化させる回数が多ければ、上記２本の近似直線を正確に算出することができ、より正確に残留ＤＣを求めることができる。逆に、オフセット電圧制御部３５がオフセット電圧を変化させる回数が少なければ、残留ＤＣをより短い測定時間で算出することができる。
【０１４４】
そして、信号取得部３１は、記憶部３２から取得した前記正極性時透過率とオフセット電圧との組のデータと、前記負極性時透過率とオフセット電圧との組のデータとを直線近似・交点演算部３３へ出力する。
【０１４５】
そして、図５（ｂ）に示すように、直線近似・交点演算部３３は、信号取得部３１から入力される８つの正極性時透過率の値から、例えば最小二乗法などにより、近似直線（エ）を求める。また、直線近似・交点演算部３３は、信号取得部３１から入力される８つの負極性時透過率の値から、例えば最小二乗法などにより、近似直線（オ）を求める。
【０１４６】
さらに、直線近似・交点演算部３３は、求めた近似直線（エ）と近似直線（オ）との交点を求める。この交点に対応するオフセット電圧が、正極性時透過率と負極性透過率とが等しくなる場合のオフセット電圧であり、このオフセット電圧が残留ＤＣである。
【０１４７】
直線近似・交点演算部３３は、この交点のオフセット電圧の値を残留ＤＣ出力部３４に出力する。そして、残留ＤＣ出力部３４は、直線近似・交点演算部３３から入力された交点の値を、残留ＤＣとして外部に出力する。
【０１４８】
また、図５（ｃ）に示すように、仮残留ＤＣの±５０ｍＶの範囲内で２本の直線が交わらない場合がある。このように、仮残留ＤＣの±５０ｍＶの範囲内で２本の直線の交点を得られない場合、直線近似・交点演算部３３は、複数の正極性時透過率から求めた近似直線（カ）と、複数の負極性時透過率のから求めた近似直線（キ）とが、上記±５０ｍＶの範囲外で交わる交点を求める。直線近似・交点演算部３３は、この交点を予測残留ＤＣとして、オフセット電圧制御部３５に出力する。
【０１４９】
オフセット電圧制御部３５は、直線近似・交点演算部３３から上記予測残留ＤＣが入力されると、再度、予測残留ＤＣの±５０ｍＶの範囲内で複数回オフセット電圧を変化させる旨のオフセット電圧制御信号をシステム制御装置４０に出力する。
【０１５０】
そして、信号取得部３１は、オフセット電圧制御部３５が再度変化させた複数のオフセット電圧に対応し、正極性時透過率および負極性時透過率を取得し、記憶部３２に出力する。次に、信号取得部３１は、オフセット電圧制御部３５が変化させたオフセット電圧の回数分の正極性時透過率および負極性時透過率を記憶させると、記憶させた複数の正極性時透過率、および複数の負極性時透過率を記憶部３２から取得し、直線近似・交点演算部３３へ出力する。そして、直線近似・交点演算部３３が、再度２本の直線近似の交点を求めることにより、残留ＤＣを取得し、外部にその値を出力することができる。
【０１５１】
上述のように、オフセット電圧制御部３５が、仮残留ＤＣの近傍で変化させた電圧の範囲が狭かったとしても自動的に、最適なオフセット電圧の範囲を探して測定することが可能となる。
【０１５２】
以上のように残留ＤＣ測定システム１によると、正確で短い測定時間で残留ＤＣの測定が可能となる。
【０１５３】
また、本実施の形態においては、仮残留ＤＣの近傍でシステム制御装置４０が印加するオフセット電圧の所定の電圧範囲を±５０ｍＶとして説明したが、±５０ｍＶに限定されるものではない。
【０１５４】
上記所定の電圧範囲としては、直線近似・交点演算部３３が複数の正極性時透過率、負極性時透過率のそれぞれから、誤差を小さく近似直線を算出することができればよく、±１００ｍＶであってもよい。
【０１５５】
また、仮残留ＤＣの近傍でシステム制御装置４０が印加するオフセット電圧の所定の電圧範囲は、Ｖ−Ｔ特性に依存し、駆動電圧が高い液晶パネルの場合は、Ｖ−Ｔ特性の直線近似できる電圧幅を広くとることができ、駆動電圧が低い液晶パネルの場合は、Ｖ−Ｔ特性が狭い電圧範囲で変化することになるため、電圧幅を狭くする必要がある。
【０１５６】
従って、駆動電圧が低い場合はオフセット電圧の変化電圧を小さくして測定点を増やし、狭い電圧幅で直線近似を行う。これについて、実験結果を図６に示す。
【０１５７】
図６は、残留ＤＣを求めるためのグラフを表す。
【０１５８】
図６の横軸はオフセット電圧（ｍＶ）を表し、縦軸は輝度（ａ．ｕ．）を表す。
【０１５９】
データ系列（ク）およびデータ系列（ケ）は、液晶パネル２０の実際の正極性時透過率および負極性時透過率の測定結果である。正極性時透過率および負極性時透過率とも、図５（ｂ）で示した正極性時透過率および負極性時透過率より測定点を増やしている。
【０１６０】
データ系列（ク）は、オフセット電圧と、正極性時透過率との組のデータを複数プロットしたものであり、データ系列（ケ）は、オフセット電圧と、負極性時透過率との組のデータを複数プロットしたものである。
【０１６１】
上記正極性時透過率は、矩形電圧の極性変化後０．４周期経過後の輝度であり、上記負極性時透過率は、矩形電圧の極性変化後０．９周期経過後の輝度である。
【０１６２】
そして、所定の電圧範囲として仮残留ＤＣ近傍の±１００ｍＶの範囲内でオフセット電圧を変化させた場合の、データ系列（ク）の近似直線（コ）と、データ系列（ケ）の近似直線（サ）を表す。
【０１６３】
また、所定の電圧範囲として仮残留ＤＣ近傍の±２００ｍＶの範囲内でオフセット電圧を変化させた場合の、データ系列（ク）の近似直線（シ）と、データ系列（ケ）の近似直線（ス）を表す。
【０１６４】
図６に示すように、±１００ｍＶの範囲内において、近似直線（コ）とデータ系列（ク）とは重なっており、誤差が小さいことがわかる。そして、同様に±１００ｍＶの範囲内において、近似直線（サ）とデータ系列（ケ）とは重なっており、誤差が小さいことがわかる。
【０１６５】
一方、±２００ｍＶの範囲内において、近似直線（シ）とデータ系列（ク）とは重なっておらず、近似直線（シ）とデータ系列（ク）との誤差が大きい。同様に、±２００ｍＶの範囲内において、近似直線（ス）とデータ系列（ケ）とは重なっておらず、近似直線（ス）とデータ系列（ケ）との誤差が大きい。
【０１６６】
このように、所定の電圧範囲として、仮残留ＤＣ近傍の±１００ｍＶの範囲内でオフセット電圧を変化させた場合、正確に近似直線を算出することができる。
【０１６７】
なお、直線近似の方法として、本実施の形態においては、最小２乗法を用いたが、それ以外で一般的に用いられている方法により、直線近似を行ってもよい。例えば、透過率の極値にばらつきが小さい場合は、スプライン補間（各測定間を３次元曲線で結び、隣接する曲線の傾きを各測定点において等しくする方法）によって曲線による近似を行い、交点を求めることも可能である。
【０１６８】
（残留ＤＣ測定フロー）
次に、図７を用い、残留ＤＣ測定の測定の流れについて説明する。
【０１６９】
図７は、残留ＤＣ測定の流れを表すフローチャートである。
【０１７０】
システム制御装置４０が、仮残留ＤＣ近傍の所定の電圧範囲でオフセット電圧を複数回変化させると、Ｓ１０１で、オフセット電圧制御部３５は、仮残留ＤＣを含めた電圧範囲でオフセット電圧を複数回変化させるためのオフセット電圧制御信号をシステム制御装置４０に出力する。
【０１７１】
Ｓ１０２で、信号取得部３１は、電圧取得部７から取得する電気信号から、オフセット電圧制御部３５が変化させたオフセット電圧毎の正極性時透過率と負極性時透過率とを取得し、記憶部３２に出力する。そして、信号取得部３１は、オフセット電圧制御部３５が変化させたオフセット電圧の回数分の正極性時透過率と負極性時透過率とを記憶部３２に記憶すると、記憶部３２に記憶されている複数の正極性時透過率と負極性時透過率との値を、記憶部３２から取得し、直線近似・交点演算部３３へ出力する。
【０１７２】
Ｓ１０３で、直線近似・交点演算部３３は、信号取得部３１から取得する複数の正極性時透過率の値から、近似直線を算出する。さらに、直線近似・交点演算部３３は、信号取得部３１から取得する複数の負極性時透過率の値から、近似直線を算出する。
【０１７３】
Ｓ１０４で、直線近似・交点演算部３３は、Ｓ１０３で算出した２本の近似直線の交点を算出する。そして、直線近似・交点演算部３３は、算出した交点の値を残留ＤＣ出力部３４に出力する。
【０１７４】
Ｓ１０５で、残留ＤＣ出力部３４は、直線近似・交点演算部３３から取得した上記交点の値を残留ＤＣとして外部に出力する。
【０１７５】
このようにして、残留ＤＣ測定装置３０は残留ＤＣを算出し出力する。
【０１７６】
〔実施の形態２〕
次に、残留ＤＣの時間変化の測定を行う場合について、図８を用いて説明する。本実施の形態においては、液晶パネル２０に変えて、異なる３種類のテストセルであるサンプルＡ、サンプルＢ、およびサンプルＣの残留ＤＣの時間変化の測定を行った結果を示す。
【０１７７】
図８は、サンプルＡ、サンプルＢ、およびサンプルＣの残留ＤＣの時間変化を表すグラフである。
【０１７８】
残留ＤＣの測定系である残留ＤＣ測定システム１および残留ＤＣの測定方法は、実施の形態１で説明したものと同じである。実施の形態１で説明したストレス電圧の印加と残留ＤＣの測定とサンプルＡ、サンプルＢ、およびサンプルＣのそれぞれで繰り返し行い、残留ＤＣの時間変化をプロットしたグラフが図６である。なお、測定間隔は、任意に設定可能とした。
【０１７９】
残留ＤＣの時間変化は、液晶材料、配向膜材料等の組み合わせによって傾向が異なる。図８に示すように、サンプルＡはサンプルＣに比べ残留ＤＣの値が常に高い。このような関係であれば、サンプルＡおよびサンプルＣの残留ＤＣの時間変化を測定する必要性は低いことが分かる。
【０１８０】
一方、サンプルＢと、サンプルＣとのように、ある経過時間までは残留ＤＣが同程度の値であり、３回目の測定から６回目の測定にかけてサンプルＢの方が残留ＤＣの値が大きい。しかし、７回目の測定では、再びサンプルＢとサンプルＣとで残留ＤＣの値が同程度になる。これは、サンプルＣと比べ、サンプルＢの方が残留ＤＣの増加速度が速いが、サンプルＢは、ある程度残留ＤＣが増加した後、残留ＤＣの値がほぼ一定となる。このように、サンプルＢは、ある程度残留ＤＣが増加した後、飽和していることが分かる。一方、サンプルＣは、サンプルＢと比べ、残留ＤＣの増加速度は遅いが、サンプルＣは残留ＤＣが増加し続けている。このため、最終的には、サンプルＣの方が焼付きが大きくなる。
【０１８１】
このように、残留ＤＣの時間変化を測定することにより、最終的に焼付きが大きく発生する液晶材料、配向膜材料等の組み合わせを特定することが可能となる。
〔実施の形態３〕
次に、残留ＤＣの緩和過程を測定する場合について図９を用い説明する。本実施の形態においては、実施の形態２とは異なるテストセルであるサンプルＤ、サンプルＥ、およびサンプルＦの残留ＤＣの緩和過程の測定を行った結果を示す。
【０１８２】
図９は、サンプルＤ、サンプルＥ、およびサンプルＦの残留ＤＣの緩和過程を表すグラフである。残留ＤＣの測定系である残留ＤＣ測定システム１および残留ＤＣの測定方法は、実施の形態１で説明したものと同じである。
【０１８３】
まず、実施の形態１と同様に、サンプルＤ、サンプルＥ、およびサンプルＦのそれぞれにストレス電圧を印加後、残留ＤＣを測定する。その後、システム制御装置４０は、サンプルＤ、サンプルＥ、およびサンプルＦのそれぞれに０Ｖの駆動電圧を印加する。そして、残留ＤＣ測定装置３０で残留ＤＣの測定を行う。このように、サンプルＤ、サンプルＥ、およびサンプルＦのそれぞれに０Ｖの駆動電圧を印加、それぞれの残留ＤＣの測定を複数回繰り返し行い、その残留ＤＣの測定結果をプロットしたグラフが図９である。なお、測定間隔は、任意に設定可能とした。
【０１８４】
図９に示すように、サンプルＤ、サンプルＥ、およびサンプルＦの初期の残留ＤＣは、ほぼ同程度である。
【０１８５】
しかし、サンプルＥの残留ＤＣの緩和速度が一番速く、４回目の測定時には、ほぼ、残留ＤＣは０になっている。そして、サンプルＦは、サンプルＥの次に残留ＤＣの緩和速度が速く、６回目の測定時には、ほぼ、残留ＤＣが０となっている。サンプルＤは、緩和速度が一番遅く、６回の測定では残留ＤＣが０とならない。
【０１８６】
残留ＤＣが起因する焼付きがどの程度の時間で消えるかは、残留ＤＣの緩和速度と強い相関がある。そして、残留ＤＣの緩和速度が遅い場合は焼付きが長く残ってしまうことになる。そのため、一度発生した残留ＤＣの緩和過程を測定する必要性がある。
【０１８７】
上述したように、サンプルＤ、サンプルＥ、およびサンプルＦの残留ＤＣの緩和速度を測定することにより、サンプルＤが一番長く焼付きが残ることが分かる。
【０１８８】
〔実施の形態４〕
次に、残留ＤＣ測定システム１で、残留ＤＣおよび焼付きの測定を、並列で複数箇所の測定を行うシステムおよび測定方法について、図２、３の残留ＤＣ測定システム１の構成を参考にしつつ図１１を用い説明する。
【０１８９】
図１１は、本実施の形態における多点測定システムにおける測定の流れを表す説明図である。
【０１９０】
通常、焼付きは数十分から数時間以上観察する必要があり、残留ＤＣも同様の時間をかけて測定する必要性がある。
【０１９１】
一方で、焼付きなどの信頼性試験は再現実験が必要であり、多数のサンプルを測定することが多い。従来の残留ＤＣ測定装置では一度に一点しか測定できないため、莫大な時間を要するか、同じ装置を複数台必要せざるを得なかった。
【０１９２】
本実施の形態の多点測定システムでは、並列処理を可能にし、測定システムは１台で４点の測定を可能にした。なお、残留ＤＣの測定方法は、実施の形態１〜３と原則同じである。
【０１９３】
まず、ＸＹステージ１０上に４つの液晶セルをセットする。各々の液晶セルには、独立に制御される波形発生器が接続されている。そして、各々の液晶セルの測定点を測定点Ｓ１,Ｓ２,Ｓ３,Ｓ４とする。
【０１９４】
まず、全ての測定点Ｓ１〜Ｓ４には、駆動電圧０Ｖを印加する。そして測定点Ｓ１に光軸を合わせ、測定点Ｓ１の残留ＤＣを実施の形態１と同様に測定する。
【０１９５】
すなわち、Ｓ１１で、測定点Ｓ１にストレス電圧を印加する。そして、Ｓ１２で、測定点Ｓ１の残留ＤＣを測定する。この際、Ｓ２１で測定点Ｓ２にストレス電圧を印加しておく。
【０１９６】
そして、測定点Ｓ１の残留ＤＣ測定後、Ｓ２２で、ＸＹステージ１０を移動し、測定点Ｓ２に光軸を合わせる。そして、測定点Ｓ２の残留ＤＣの測定を開始すると共に、Ｓ１３で、測定点Ｓ１にストレス電圧を印加する。また、この際、Ｓ３１で測定点Ｓ３にはストレス電圧を印加しておく。
【０１９７】
次に、測定点Ｓ２の残留ＤＣ測定後、Ｓ３２で、ＸＹステージ１０を移動し、測定点Ｓ３に光軸を合わせる。そして、測定点Ｓ３の残留ＤＣの測定を開始すると共に、Ｓ２３で、測定点Ｓ２にストレス電圧を印加する。また、この際、Ｓ４１で測定点Ｓ４にはストレス電圧を印加しておく。
【０１９８】
そして、測定点Ｓ３の残留ＤＣ測定後、Ｓ４２で、ＸＹステージ１０を移動し、測定点Ｓ４に光軸を合わせる。そして、測定点Ｓ４の残留ＤＣの測定を開始すると共に、Ｓ３３で、測定点Ｓ３にストレス電圧を印加する。
【０１９９】
次に、測定点Ｓ４の残留ＤＣ測定後、Ｓ４３で測定点Ｓ４にストレス電圧を印加し、所定時間経過するまで待つ。そして、所定時間経過後、Ｓ１４でＸＹステージ１０を移動し、測定点Ｓ１に光軸を合わせる。そして測定点Ｓ１の残留ＤＣの測定を開始する。
【０２００】
そして、これらのステップを繰り返す。所定の回数繰り返した後、ストレス電圧の変わりに、測定点Ｓ１〜Ｓ４のそれぞれに駆動電圧０Ｖを印加し、残留ＤＣの緩和過程を並列に測定する。測定点Ｓ１〜Ｓ４それぞれでの残留ＤＣの緩和過程の測定方法は、実施の形態３で説明した通りである。
【０２０１】
なお、測定点Ｓ１〜Ｓ４は４つ全てを使う必要はなく、また設計を変更して４点を超える並列測定を行えるようにしてもよい。測定点が多い場合は測定点ごとに波形発生器を用意するのではなく、測定波形とストレス波形を発生する波形発生器を設置してリレーで信号を切り替える方が実用的である。
【０２０２】
各々の測定点Ｓ１〜Ｓ４は独立して残留ＤＣを測定できるので、各々独立して残留ＤＣの時間変化、絶対値の解析ができる。１枚のサンプルの多点測定をする場合は、例えば注入口付近、シール材付近、中央部といったパネル内の残留ＤＣの分布を測定することが可能である。
【０２０３】
〔実施の形態５〕
次に図１２を用い、テストセルである液晶パネル２０の焼付きを直接測定するための測定方法について説明する。
【０２０４】
図１２は、本実施の形態に係る焼付きの測定フローを表すフローチャートである。
【０２０５】
焼付き測定を行うための測定装置は実施の形態１〜４に記載の残留ＤＣ測定システムと同じである。
【０２０６】
まず、予め残留ＤＣ測定システム１のＶ−Ｔ特性を測定しておく。このＶ−Ｔ特性の測定は、実施の形態１で説明した方法と同じである。
【０２０７】
Ｓ２０１で、実施の形態１で説明したように、リファレンス測定を行い、透過率０％と１００％とを決定する。上述したように、透過率１００％を測定するときには、偏光板４ａ・４ｂはクロスニコル状態しておくか、ＸＹステージ１０を偏光板４ａ・４ｂにもとりつけて光軸から離しておく。あるいは最初から偏光板４ａ・４ｂは液晶パネル２０に添付し、残留ＤＣ測定システム１にはとりつけない。
【０２０８】
次に、Ｓ２０２で、予め設定された液晶パネル２０の測定点毎に、Ｖ‐Ｔ特性を測定する。そして、Ｓ２０２で、リファレンス測定部４４は、階調-電圧特性を算出し、算出した階調-電圧特性をシステム制御装置４０に出力する。システム制御装置４０は、リファレンス測定部４４から入力される階調-電圧特性から、最大透過率（透過率１００％）の半分となる電圧Ｖ５０を求め、透過率Ｔ５０を測定する。なお、この場合の透過率Ｔ５０はストレス電圧を印加しないで測定した初期透過率（透過率Ｔ０）と称する。そして、システム制御装置４０は、液晶パネル２０の焼付き測定の階調の電圧設定および残留ＤＣ測定時の矩形電圧の振幅を決定する。
【０２０９】
そして、システム制御装置４０は、ストレス電圧を液晶パネル２０に印加せず、Ｓ１００で示したステップにより、液晶パネル２０の初期残留ＤＣを測定する。これにより、液晶パネル２０に対してストレス電圧を印加する前の残留ＤＣ、すなわち初期残留ＤＣが０であることを確認する。ここで、初期残留ＤＣが０±１０ｍＶにない場合は、最初から液晶パネル２０が焼付いている可能性があるとして、プログラム上から警告を発し測定実行か中止かの選択を可能にしておく。
【０２１０】
次に、Ｓ２０４で、システム制御装置４０は、波形電圧発生部８に対して、液晶パネル２０にストレス電圧を一定時間加える指示信号を出力する。そして、波形電圧発生部８は、液晶パネル２０にストレス電圧を一定時間加える。そして、Ｓ１００で示したように、液晶パネル２０の残留ＤＣを測定する。なお、残留ＤＣまたは透過率測定のみを選択できるようプログラミング上選択できるようにしている。
【０２１１】
次に、実施の形態４で説明したように、他の測定点を測定し、並列処理を行なう。すなわち、Ｓ２０５で、他の測定点へＸＹステージ１０を移動し、光軸を合わせる。そして、レファレンス測定を行う。
【０２１２】
Ｓ２０６で、リファレンス測定部４４は、選択階調（Ｖ５０）の透過率（透過率Ｔ５０）を測定する旨の指示をシステム制御装置４０に出力する。そして、システム制御装置４０は、選択階調の矩形電圧を出力する旨の指示を波形電圧発生部８に出力する。波形電圧発生部８は、システム制御装置４０から出力される選択階調の矩形電圧を出力する旨の指示を取得すると、選択階調の矩形電圧を液晶パネル２０に出力する。そして、信号取得部３１は、液晶パネル２０のＶ５０印加時の透過率である透過率Ｔ５０を取得し、リファレンス測定部４４に出力する。これにより、リファレンス測定部４４は、Ｖ５０と透過率Ｔ５０とを対応付ける。
【０２１３】
そして、上述したＳ２０４、Ｓ１００、Ｓ２０５、Ｓ２０６を繰り返す。
【０２１４】
残留ＤＣ測定システム１では、プログラム上、ストレス電圧の印加時間、および残留ＤＣの測定回数が任意で設定できる。
【０２１５】
そして、Ｓ２０４、Ｓ１００、Ｓ２０５、Ｓ２０６を任意回数繰り返したあと、実施の形態３で説明したように残留ＤＣの緩和過程を測定する。
【０２１６】
すなわち、Ｓ２０７で、液晶パネル２０に対して任意のストレス条件を加える。任意のストレス条件とは、オフセット電圧を加えない矩形電圧であるストレス電圧を加えたり、液晶パネル２０に接続されている電極を短絡したりする。そして、一定時間経過後、Ｓ１００、Ｓ２０５、Ｓ２０６の処理を行う。すなわち、残留ＤＣ測定と透過率測定とを繰り返す。
【０２１７】
このように、残留ＤＣ測定および残留ＤＣの緩和過程を測定することができる。
【０２１８】
また、上述したステップにより、焼付き率を測定することもできる。ここで、焼付き率は所定の電圧における初期透過率Ｔ０、ストレス印加後の同じ電圧における透過率をＴ’としたとき、Ｔ’／Ｔ０で表される。
【０２１９】
焼付き測定装置４５は、リファレンス測定部４４から透過率Ｔ０および透過率Ｔ５０を取得する。そして、焼付き測定装置４５は、Ｔ’／Ｔ０を算出し、焼付き率として出力する。なお、ストレス電圧がない印加電圧０Ｖの画素の焼付き率測定を一緒に行い、データの再現性を確認することが望ましい。
【０２２０】
Ｔ’／Ｔ０≠１の場合、液晶パネル２０は焼付きが発生している。この場合、残留ＤＣ＝０Ｖであれば焼付きは残留ＤＣ以外が原因であることが分かる。そして、残留ＤＣ≠０Ｖのときは、焼付きの原因は残留ＤＣと他の要因が重なっている可能性がある。そこで、フリッカーが最小になるオフセット電圧を加えて、焼付き率を測定する階調の透過率Ｔ’（本実施の形態においては透過率Ｔ５０）を再度測定する。Ｔ’／Ｔ０＝１となれば焼付きは残留ＤＣ起因のみであるが、Ｔ’／Ｔ０≠１となれば残留ＤＣ以外の要因もあると判定することができる。
【０２２１】
このように、リファレンス測定をした後、焼付きを測定したい階調の透過率を測定し、それを初期の透過率で除算して焼付き率を求める。
【０２２２】
上述したようにストレス電圧を印加するなどして、液晶パネル２０に負荷をかけ、その後、液晶パネル２０の残留ＤＣまたは焼付き率を測定するという作業を一定時間繰り返し行い、液晶パネル２０の焼付きの総合的な評価をすることができる。
【０２２３】
なお、必要に応じて、残留ＤＣのみ、あるいは焼付き率のみの測定をすることもできるよう、システム制御装置４０に記憶される測定プログラムに選択肢を設けておく。
【０２２４】
また、一定時間付加をかけて液晶パネル２０を焼付かせた後、液晶パネル２０に接続される上下の電極を短絡して付加をなくし、残留ＤＣおよび焼付き率の緩和を測定することも可能である。
【０２２５】
〔実施例〕
次に、液晶パネル２０として、例えば、テレビなどに用いられるＴＦＴパネルの焼付き率を測定する例を示す。
【０２２６】
測定装置は残留ＤＣ測定システム１を用いた。また測定方法は、実施の形態で示した通りである。測定装置は残留ＤＣ測定システム１の電圧取得部７としてマルチメータを用いた。そして、残留ＤＣ測定システム１は、上記マルチメータからの出力を、ＰＣからなる演算・制御部９で取り込むシステムを有する。ＸＹステージ１０には液晶パネル２０を１枚または複数枚置いて固定する機構を有する。
【０２２７】
ＸＹステージ１０には、ＴＦＴを有する液晶パネル２０を置く。そして、図１３のようなフローに従い、焼付き率を測定する。
【０２２８】
図１３は、本実施例に係る焼付き率測定の一例を示すフローチャートである。
【０２２９】
まず、リファレンス測定を行い、Ｖ−Ｔ特性、階調−電圧特性の算出を行う（Ｓ２０１〜Ｓ２０３参照）。次に、Ｓ３０１で、システム制御装置４０から指示することにより、液晶パネル２０に電圧Ｖ５０を印加し、中間調表示させた。そして、ＸＹステージ１０を一方向に所定の速度で移動させつつ、連続的に液晶パネル２０の透過率を測定した。
【０２３０】
そして、Ｓ２０４と同様、液晶パネル２０に対して、ストレス電圧を印加した。
【０２３１】
図１４は、液晶パネル２０に印加されるストレス電圧の様子を表す概略図である。
【０２３２】
図１４に示すように、液晶パネル２０に、白表示のパターンと、黒表示のパターンとが市松模様となるような映像信号をストレス電圧として印加した。
【０２３３】
次に、Ｓ３０２で、再び液晶パネル２０に電圧Ｖ５０を印加し、中間調表示させた。そして、ＸＹステージ１０を一方向に所定の速度で移動させつつ、液晶パネル２０にストレス電圧印加前に透過率を測定した箇所と同じ箇所の透過率を測定した。その後、Ｓ２０７とＳ３０２とを任意回数繰り返した。
【０２３４】
図１５（ａ）に示すのは、市松模様のストレス電圧を印加後の中間調表示させた液晶パネル２０の表示状態を表す概略図であり、図１５（ｂ）に示すのは図１５（ａ）に示す測定方向の透過率の測定結果を表すグラフである。
【０２３５】
図１５（ａ）（ｂ）に示すように、液晶パネル２０に市松模様のストレス電圧を印加後、全面に同一の電圧を印加することにより中間調表示をさせても、濃いグレーの領域と、薄いグレーの領域とが市松模様に表示されている。すなわち、液晶パネル２０で、図１４に示す白を表示させていた領域は薄いグレーで表示され、黒を表示させていた領域は濃いグレーで表示されている。
【０２３６】
そして、焼付き測定装置４５は、上記濃いグレーで表示される領域の透過率（輝度）Ｔ０と、上記薄いグレーで表示される領域の透過率（輝度）Ｔ’とを信号取得部３１から取得し、比（Ｔ’／Ｔ０）を焼付き率として算出した。
【０２３７】
なお、液晶パネル２０に面内輝度ムラがある場合は、白を表示していた領域と黒を表示していた領域の境界近傍で輝度比を複数点算出し、最大値、最小値、平均を求める。測定箇所については、事前にシステム制御装置４０に記憶させておいた、測定箇所を任意に設定できるように作成された測定プログラムから設定した。さらに、中間調は、必要に応じて焼付き率を測定したい階調を、測定プログラムで選択できるようにしておいた。
【０２３８】
また、残留ＤＣ測定システム１の光学部２をとして、顕微鏡の光学系を用いた。これにより、液晶パネル２０がＭＶＡモードの場合で、リブとスリットの間隙、スリットの上、リブの上などの微小領域の残留ＤＣと焼付き率を測定することができた。
【０２３９】
以上説明したように、本発明によれば、液晶パネルの複数点あるいは複数枚の液晶パネルの残留ＤＣを同時に正確に測定することができ、測定直前に黒輝度と白輝度のレファレンス測定を行えるためテストセルの焼付き率を透過率という形で直接測定することが可能である。更に、任意の時間毎に焼付き率、残留DCを測定することが可能であるので、焼付き率と残留ＤＣの時間変化を測定することが可能である。また、焼付き率と残留ＤＣを同時に測定可能であるので、焼付きの原因を残留ＤＣと残留ＤＣでないものに切り分けることができる。
【０２４０】
その結果、液晶セルの開発を効率よく行える。
【０２４１】
（プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体）
また、実施の形態１から５および実施例で説明した残留ＤＣ測定装置の各ブロック、特に直線近似・交点演算部３３は、ハードウェアロジックによって構成してもよいし、次のようにＣＰＵを用いてソフトウェアによって実現してもよい。
【０２４２】
すなわち、直線近似・交点演算部３３は、各機能を実現する制御プログラムの命令を実行するＣＰＵ（central processing unit）、上記プログラムを格納したＲＯＭ（read only memory）、上記プログラムを展開するＲＡＭ（random access memory）、上記プログラムおよび各種データを格納するメモリ等の記憶装置（記録媒体）などを備えている。そして、本発明の目的は、上述した機能を実現するソフトウェアである直線近似・交点演算部３３の制御プログラムのプログラムコード（実行形式プログラム、中間コードプログラム、ソースプログラム）をコンピュータで読み取り可能に記録した記録媒体を、上記直線近似・交点演算部３３に供給し、そのコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記録媒体に記録されているプログラムコードを読み出し実行することによっても、達成可能である。
【０２４３】
上記記録媒体としては、例えば、磁気テープやカセットテープ等のテープ系、フロッピー（登録商標）ディスク／ハードディスク等の磁気ディスクやＣＤ−ＲＯＭ／ＭＯ／ＭＤ／ＤＶＤ／ＣＤ−Ｒ等の光ディスクを含むディスク系、ＩＣカード（メモリカードを含む）／光カード等のカード系、あるいはマスクＲＯＭ／ＥＰＲＯＭ／ＥＥＰＲＯＭ／フラッシュＲＯＭ等の半導体メモリ系などを用いることができる。
【０２４４】
また、直線近似・交点演算部３３を通信ネットワークと接続可能に構成し、上記プログラムコードを通信ネットワークを介して供給してもよい。この通信ネットワークとしては、特に限定されず、例えば、インターネット、イントラネット、エキストラネット、ＬＡＮ、ＩＳＤＮ、ＶＡＮ、ＣＡＴＶ通信網、仮想専用網（virtual private network）、電話回線網、移動体通信網、衛星通信網等が利用可能である。また、通信ネットワークを構成する伝送媒体としては、特に限定されず、例えば、ＩＥＥＥ１３９４、ＵＳＢ、電力線搬送、ケーブルＴＶ回線、電話線、ＡＤＳＬ回線等の有線でも、ＩｒＤＡやリモコンのような赤外線、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、８０２．１１無線、ＨＤＲ、携帯電話網、衛星回線、地上波デジタル網等の無線でも利用可能である。なお、本発明は、上記プログラムコードが電子的な伝送で具現化された、搬送波に埋め込まれたコンピュータデータ信号の形態でも実現され得る。
【０２４５】
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【０２４６】
また、本発明の残留ＤＣ測定装置、残留ＤＣ測定システム、残留ＤＣ測定方法、残留ＤＣ測定装置制御プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体以下のようにも表現できる。
【０２４７】
（１）フリッカー消去法による残留ＤＣ測定方法であって、矩形波に加えるオフセット電圧を１周期毎に単調に大きくまたは小さくしてフリッカーが最小になるオフセット電圧を求め、その最小になるオフセット電圧近傍±１００ｍＶの範囲で矩形波の極性が正のときの透過率とオフセット電圧の関係、および矩形波の極性が負のときの透過率とオフセット電圧の関係、各々を線形近似しその交点を残留ＤＣとする残留ＤＣの測定方法および残留ＤＣ測定プログラム。
【０２４８】
（２）オフセット電圧との関係を線形近似する透過率は、矩形波の半周期毎に電圧変化後０．４Ｔ以上０．５Ｔ未満での透過率である（１）の残留ＤＣの測定方法及び残留ＤＣ測定プログラム。
【０２４９】
（３）オフセット電圧変化内で前記近似直線が交わらない場合は、前記近似直線の延長線の交点を予測残留ＤＣとし、その周辺で再度オフセット電圧を変化させて残留ＤＣを測定する（１）または（２）の残留ＤＣの測定方法および残留ＤＣ測定プログラム
（４）（１）〜（３）において任意時間のストレス印加と残留ＤＣ測定を任意回数繰り返すことができる残留ＤＣ測定プログラムおよび残留ＤＣの測定方法。
【０２５０】
（５）光源、回転機構を有する２つの偏光素子、２つの偏光素子の間にあるＸＹステージ、受光部からなる光学系を有し、この光学系は外光を遮光可能な恒温槽内に配置されており、受光部の信号を電圧に変換してパーソナルコンピューターに取り込むシステムを有し、任意波形発生装置を有し、ＸＹステージには１乃至複数のセルを固定できる機構と、それらセルに前記任意波形発生装置より電圧を印加できる端子を設けてある焼付き評価装置。
【０２５１】
（６）ストレス印加と残留ＤＣ測定を、事前に指定した測定点毎にＸＹステージを移動しながら測定する（５）の焼付き評価装置を用いた残留ＤＣ測定方法。
【０２５２】
（７）ストレス印加と残留ＤＣ測定を繰り返す（６）の残留ＤＣの測定方法。
【０２５３】
（８）最初に透過率のレファレンスを測定した後、電圧-透過率特性を測定して階調-電圧特性を計算し、の後ストレス印加と任意の階調の透過率を、事前に指定した測定点毎にXYステージを移動しながら測定する（５）の焼きつき評価装置を用いた焼付き測定方法。
【０２５４】
（９）ストレス印加と焼付き測定を繰り返す（８）の焼きつき測定方法。
【０２５５】
（１０）ストレス印加後の透過率Ｔと初期の透過率Ｔ０の比（Ｔ／Ｔ０）を焼付き率とする（８）（９）の残留ＤＣの測定方法。
【０２５６】
（１１）ストレス印加と残留ＤＣ測定および透過率測定を繰り返す（５）の焼付き評価装置を用いた焼付きの測定方法。
【０２５７】
（１２）（１０）（１１）において、残留ＤＣ電圧をオフセット電圧として印加しつつ透過率Ｔ’を測定し、Ｔ’／Ｔ０を求めて、Ｔ’／Ｔ０＝１のときは焼付きの原因は残留ＤＣのみ、そうでないときは残留ＤＣ以外にもやきつきの原因があるとする、焼付きの原因が残留ＤＣ以外にあるかどうかを判定する焼付き評価方法。
【０２５８】
（１３）光学系が顕微鏡である（５）の焼付き評価装置。
【産業上の利用可能性】
【０２５９】
液晶パネルの残留ＤＣを光学的に測定し、品質評価を行うことができ、残留ＤＣまたは焼付きの測定を行う液晶パネルに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２６０】
【図１】本発明の残留ＤＣ測定装置の構成を表すブロック図である。
【図２】本発明の残留ＤＣ測定システムの要部構成を表すブロック図である。
【図３】（ａ）は、本発明の残留ＤＣ測定システムのＸＹステージの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の側面図である。
【図４】（ａ）は、オフセット電圧を変化させた矩形電圧と透過率との関係を表すグラフであり、（ｂ）は、ストレス電圧を印加時の矩形電圧と透過率との関係を表すグラフであり、（ｃ）は、液晶パネルが焼付いた状態を表す矩形電圧と透過率との関係を表すグラフであり、（ｄ）は、仮残留ＤＣ測定の際の矩形電圧と透過率との関係を表すグラフである。
【図５】（ａ）は、オフセット電圧を変化させた矩形電圧と透過率との関係を表すグラフであり、（ｂ）は、（ａ）に示す複数の正極性時透過率の近似直線と、複数の負極性時透過率の近似直線とから残留ＤＣを求めるためのグラフであり、（ｃ）は、（ａ）に示す複数の正極性時透過率の近似直線と、複数の負極性時透過率の近似直線とから予測残留ＤＣを求めるためのグラフである。
【図６】本発明の残留ＤＣ測定方法を表し、複数の正極性時透過率の近似直線と、複数の負極性時透過率の近似直線とから残留ＤＣを求めるための実験結果を表すグラフである。
【図７】本発明の残留ＤＣ測定方法の流れを表すフローチャートである。
【図８】本発明の残留ＤＣ測定方法により測定した残留ＤＣの時間変化を表すグラフである。
【図９】本発明の残留ＤＣ測定方法により、残留ＤＣの緩和過程を表すグラフである。
【図１０】本発明の実施の形態に係る液晶パネルのＶ−Ｔ特性の一例を表すグラフである。
【図１１】本発明の多点測定システムにおける測定の流れを表す説明図である。
【図１２】本発明の焼付きの測定フローを表すフローチャートである。
【図１３】本発明の焼付き率測定の一例を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の本実施の形態に係る液晶パネルに印加するストレス電圧一例を示す概略図である。
【図１５】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る液晶パネルの焼きつきの様子を表す概略図であり、（ｂ）は、（ａ）の透過率の測定結果を表すグラフである。
【符号の説明】
【０２６１】
１  残留ＤＣ測定システム
２  光学部（光学手段）
３  光源
４ａ，４ｂ  偏光板
５  受光部
６  恒温層
７  電圧取得部（電圧取得手段）
８  波形電圧発生部（波形電圧発生手段）
９  演算・制御部（演算・制御手段）
１０  ＸＹステージ
１１  透過部
１２  電圧印加用端子
１３  固定機構
２０  液晶パネル（光学パネル）
３０  残留ＤＣ測定装置
３１  信号取得部（データ取得手段）
３２  記憶部
３３  直線近似・交点演算部（演算手段）
３４  残留ＤＣ出力部
３５  オフセット電圧制御部（オフセット電圧制御手段）
４０  システム制御装置
４４  リファレンス測定部
４５  焼付き測定装置
ａ    遮光領域
【図１】
2009294364.tif 000003
【図２】
2009294364.tif 000004
【図３】
2009294364.tif 000005
【図４】
2009294364.tif 000006
【図５】
2009294364.tif 000007
【図６】
2009294364.tif 000008
【図７】
2009294364.tif 000009
【図８】
2009294364.tif 000010
【図９】
2009294364.tif 000011
【図１０】
2009294364.tif 000012
【図１１】
2009294364.tif 000013
【図１２】
2009294364.tif 000014
【図１３】
2009294364.tif 000015
【図１４】
2009294364.tif 000016
【図１５】
2009294364.tif 000017