(57)【要約】【課題】−１５℃〜５℃の低温下において、エキスパンドによる接着剤フィルムの分断性を向上させることのできるエキスパンド可能な粘着テープを提供すること。【解決手段】本発明のウエハ加工用テープは、基材シート１１と粘着剤層１２とを有する粘着テープ１０と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤フィルム１３とを備え、−１５℃〜５℃の低温下にて、粘着テープ１０をエキスパンドすることにより接着剤フィルム１３を個々のチップに対応して分断する際に用いられ、粘着テープ１０の、０℃±２℃での剥離試験により得られる接着剤フィルム１３に対する剥離力が、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材シートと粘着剤層とを有する粘着テープと、
前記粘着テープの前記粘着剤層上に設けられた接着剤フィルムと
を備えたウエハ加工用テープであって、
−１５℃〜５℃の低温下にて、前記粘着テープをエキスパンドすることにより前記接着剤フィルムを個々のチップに対応して分断する際に用いられ、
前記粘着テープの、０℃±２℃での剥離試験により得られる接着剤フィルムに対する剥離力が、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
前記粘着テープの前記基材シートは、伸び率２００％以上、０℃±２℃におけるヤング率２００ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
基材シートと、該基材シートの片面に設けられた粘着剤層とを有し、−１５℃〜５℃の低温下にてエキスパンドにより接着剤フィルムを個々のチップに対応して分断する際に用いる、エキスパンド可能な粘着テープであって、
０℃±２℃での剥離試験により得られる接着剤フィルムに対する剥離力が、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘着テープと接着剤フィルムとが積層されたウエハ加工用テープであって、特に、エキスパンドにより接着剤フィルムを個々のチップに対応して分断する際に用いられるウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに伸縮性且つ粘着性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位で切断（ダイシング）する工程、粘着テープをエキスパンドする工程、さらに切断されたチップをピックアップする工程が実施される。
【０００３】
上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材シートと粘着剤層とからなる粘着テープ（ダイシングテープ）の他、ダイシングテープと接着剤フィルムであるダイボンディングフィルム（ダイアタッチフィルムともいう）とが積層された構造を有するダイシング・ダイボンディングフィルムが提案されている。
【０００４】
一般に、ダイシング・ダイボンディングフィルムを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面にダイシング・ダイボンディングフィルムのダイボンディングフィルム側を貼り付けて半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハ及びダイボンディングフィルムをチップ単位にダイシングする。その後、ダイシングテープを周方向にエキスパンドすることによって、チップ同士の間隔を広げる。このエキスパンド工程は、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるため、及び、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。
【０００５】
しかしながら、上記ダイシング工程において、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハとダイボンディングフィルムとを一緒にダイシングする場合には、ウエハの切削屑だけでなく、ダイボンディングフィルムの切削屑も発生する。ダイボンディングフィルムの切削屑は、それ自身が接着機能を有するので、切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造歩留まりが低下する。
【０００６】
上記の問題を解決するために、ダイシング工程では半導体ウエハのみをダイシングし、エキスパンド工程において、ダイシングテープをエキスパンドすることにより、ダイボンディングフィルムを個々のチップに対応して分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１の段落番号「００５５」〜段落番号「００５６」）。このようなエキスパンド時の張力を利用したダイボンディングフィルムの分断方法によれば、接着剤の切削屑が発生せず、ピックアップ工程において悪影響を及ぼすことがない。
【０００７】
また、半導体ウエハを切断する方法としては、半導体ウエハのフルカットダイシングを行わずに、ウエハ表面からウエハの厚さよりも浅い切り込み深さの溝を形成するハーフカットダイシング法が知られている。この方法では、ハーフカットされたウエハを保持するダイシングテープをエキスパンドすることにより、ウエハをチップ単位に分割することができる。そして、このハーフカットダイシング法においても、エキスパンド時の張力を利用して、ウエハとともにダイボンディングフィルムを分断することが考えられる。
【０００８】
また近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを切断する、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。
【０００９】
例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、ダイボンド樹脂層（ダイボンディングフィルム）を介在させてシート（ダイシングテープ）が貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、シートを拡張（エキスパンド）させることにより、切断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド樹脂層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。
【００１０】
特許文献２の半導体基板の切断方法によれば、レーザー光の照射とシートのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハとダイボンド樹脂層（ダイボンディングフィルム）を切断するので、ダイシングブレードを用いる場合のようなチッピングを発生させることなく半導体ウエハの切断が可能である。したがって、例えば５０μｍ以下の極薄半導体ウエハを切断する場合に特に有用である。
【特許文献１】特開２００７−５５３０号公報
【特許文献２】特開２００３−３３８４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように、フルカットダイシング法、ハーフカットダイシング法、及びステルスダイシング法のいずれを採用した場合においても、接着剤であるダイボンディングフィルムの切削屑の発生を回避するためには、ダイシングテープのエキスパンドによってダイボンディングフィルムを分断することが有効である。
【００１２】
しかしながら、ダイボンディングフィルムは、柔軟で伸び易いため、ダイシングテープのエキスパンドによって分断され難いという問題がある。エキスパンドによるダイボンディングフィルムの分断性を向上させるためには、ダイボンディングフィルム自身の組成及び特性等を変化させることが考えられるが、ダイボンディングフィルムの持つ本来の機能、すなわち、半導体チップの裏面に接着して、半導体チップをパッケージ基板等にマウントするといった接着剤としての機能が阻害されるおそれがあり、ダイボンディングフィルム自身の組成及び特性等を変化させることは好ましくない。このようなことから、ダイボンディングフィルムの分断性を向上させることのできるダイシングテープの開発が望まれている。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、−１５℃〜５℃の低温下において、エキスパンドによる接着剤フィルムの分断性を向上させることのできるウエハ加工用テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、上記の課題に対して鋭意検討した結果、以下のような知見を得た。
（１）−１５℃〜５℃程度の低温下でエキスパンド工程を実施することにより、接着剤フィルム（ダイボンディングフィルム）を固くして分断しやすくできること。
【００１５】
（２）上記のような低温下では、接着剤フィルムを保持する粘着テープ（の粘着強度が不足すると、エキスパンド時に接着剤フィルムと粘着テープとの間に剥離が発生し、その結果、粘着テープのみが引き伸ばされ、接着剤フィルムを分断することができなくなる。このため、粘着テープは、上記のような低温下においても接着剤フィルムを保持するだけの粘着強度が必要であること。
【００１６】
（３）０℃±２℃での剥離試験により得られる接着剤フィルムに対する剥離力（ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準ずる）が、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上の粘着テープを使用することで、上記のような低温下においても接着剤フィルムに対する粘着強度を十分に確保することができ、接着剤フィルムと粘着テープとの間の剥離を抑制して、接着剤フィルムの分断性を向上させることができること。
本発明は、上記の知見に基づき完成されたものである。
【００１７】
すなわち、本発明の第１の態様は、基材シートと粘着剤層とを有する粘着テープと、前記粘着テープの前記粘着剤層上に設けられた接着剤フィルムとを備えたウエハ加工用テープであって、−１５℃〜５℃の低温下にて、前記粘着テープをエキスパンドすることにより前記接着剤フィルムを個々のチップに対応して分断する際に用いられ、前記粘着テープの、０℃±２℃での剥離試験により得られる接着剤フィルムに対する剥離力が、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とするテープである。
【００１８】
本発明の第２の態様は、前記第１の態様に係るウエハ加工用テープにおいて、前記粘着テープの前記基材シートは、伸び率２００％以上、０℃±２℃におけるヤング率２００ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【００１９】
本発明の第３の態様は、基材シートと、該基材シートの片面に設けられた粘着剤層とを有し、−１５℃〜５℃の低温下にてエキスパンドにより接着剤フィルムを個々のチップに対応して分断する際に用いる、エキスパンド可能な粘着テープであって、０℃±２℃での剥離試験により得られる接着剤フィルムに対する剥離力が、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする粘着テープである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のウエハ加工用テープは、粘着テープの接着剤フィルムに対する粘着強度に優れ、低温下でのエキスパンド時においても接着剤フィルムと粘着テープとの間で剥離を抑制することができる。したがって、低温下でエキスパンドを行うことによって、接着剤フィルムの分断性を高い状態に維持しつつ、粘着テープのエキスパンドによる張力を接着剤フィルムに伝搬させることができ、接着剤フィルムを個々のチップに対応して良好に分断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態を示すウエハ加工用テープの断面図である。ウエハ加工用テープは、基材シート１１と粘着剤層１２とを有する粘着テープ１０と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤フィルム１３とを備えている。
【００２２】
本発明のウエハ加工用テープは、−１５℃〜５℃の低温下にて、粘着テープ１０をエキスパンドすることにより接着剤フィルム１３を個々のチップに対応して分断する際に用いられ、粘着テープ１０の、０℃±２℃での剥離試験により得られる接着剤フィルム１３に対する剥離力（ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準ずる）が、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上である。粘着テープ１０の接着剤フィルム１３に対する剥離力が小さいと、接着剤フィルム１３に対する粘着強度が不足して、低温下でのエキスパンド時に接着剤フィルム１３と粘着テープ１０との間に剥離が発生し、接着剤フィルム１３を分断することができない。接着剤フィルム１３に対する剥離力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であれば、低温下においても接着剤フィルム１３に対する粘着強度を十分に確保することができ、接着剤フィルム１３と粘着剤テープ１０との間の剥離を抑制して、接着剤フィルム１３の分断性を向上させることができる。
【００２３】
本発明において、粘着テープ１０の接着剤フィルム１３に対する剥離力は、ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合する引張試験装置を使用して、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準じて、以下のような剥離試験によって得られる。
剥離力（粘着強度）：接着剤フィルム１３と粘着テープ１０とが積層された幅２５ｍｍ、長さ約１００ｍｍの試験片を準備し、シリコンウエハ上に２ｋｇのゴムローラを３往復させて加熱圧着し、１時間放置した後、上記引張試験装置を用いて、０℃±２℃にて、粘着テープ１０の接着剤フィルム１３に対する剥離力（粘着強度）を測定する。測定は、９０°剥離法によって、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで行う。
【００２４】
以下に、基材シート、粘着剤層、及び接着剤フィルムについてそれぞれ詳細に説明する。
【００２５】
＜基材シート＞
基材シート１１は、伸び率２００％以上、０℃±２℃におけるヤング率２００ＭＰａ以上を有する。伸び率が２００％より小さいと、エキスパンド性が悪く、ウエハ及び接着剤フィルムの分断性が低くなる。ヤング率が低いと、基材シートが柔らかくなりすぎ、粘着テープのエキスパンドの均一性が劣化する。
【００２６】
本発明において、基材シートの伸び率は、引張試験装置（ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１）を使用して、以下のような引張試験によって得られる。
伸び率：基材シートを１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１）で打ち抜いて試験片を作成し、標線間距離４０ｍｍ、引張速度３００ｍｍｍ／ｍｉｎでの標線間破断時の伸び率を測定する。
また、本発明において、基材シートのヤング率は、上記引張試験により得られる応力−伸び率曲線の直線部の傾きをいう。
【００２７】
基材シートを構成する材料としては、上記特性を有する限り特に限定されないが、ポリオレフィン及びポリ塩化ビニルから選択されることが好ましい。
【００２８】
上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【００２９】
後述する粘着剤層として放射線照射により硬化し、粘着強度が低下するタイプを用いる場合には、基材シートは、上記特性を有し、且つ、放射線透過性であることが好ましい。基材シートの厚さは、強度およびチップのピックアップ性確保の観点から、５０〜３００μｍであることが好ましい。また、基材シートは、単層であっても、複数層で構成されていてもよい。
【００３０】
＜粘着剤層＞
粘着剤層１２は、基材シート１１上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層１２としては特に制限はないが、粘着剤層１２上に貼り合わされる接着剤フィルムに対する剥離力（粘着強度）が、上記の範囲を満たし、且つ、ピックアップ時には接着剤フィルムとの剥離が容易である特性を有するものであればよい。ピックアップ性を向上させるためには、粘着剤層１２は放射線硬化性のものが好ましい。
【００３１】
例えば、本発明では、主鎖に対して、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、水酸基及びカルボキシル基を含有する基をそれぞれ有するアクリル系共重合体を主成分とし、かつゲル分率が６０％以上であることが好ましい。さらには、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。
【００３２】
粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着強度の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
【００３３】
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、Ｔｇという。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
【００３４】
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。
【００３５】
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。粘着剤二重結合量については加熱乾燥された粘着剤約１０ｇに含まれる炭素−炭素二重結合量を真空中暗所における臭素付加反応による重量増加法により定量測定できる。
【００３６】
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
【００３７】
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
【００３８】
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００３９】
化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
【００４０】
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
【００４１】
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００４２】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の重量平均分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、重量平均分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、重量平均分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における重量平均分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４３】
なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着強度を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着強度の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
【００４４】
つぎに、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材シートと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００４５】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。
【００４６】
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
【００４７】
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．４〜３質量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
【００４８】
また、本発明において、粘着剤層１２には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層１２ｂの含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００４９】
さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００５０】
粘着剤層の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００５１】
＜接着剤フィルム＞
接着剤フィルム１３は、半導体ウエハが貼り合わされ切断された後、チップをピックアップする際に、切断された接着剤フィルム１３が粘着剤層１２から剥離してチップに付着しており、チップをパッケージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能するものである。
【００５２】
接着剤フィルム１３としては、特に限定されるものではないが、ダイボンディングフィルムとして一般的に使用されるフィルム状接着剤を好適に使用することができ、ポリイミド系接着剤、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂／無機フィラーのブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００５３】
＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープの使用用途としては、少なくとも接着剤フィルム分断用途であれば特に限定されない。例えば、フルカットダイシング法によりダイシングされたウエハの裏面に貼り付けられた接着剤フィルムの分断用途や、ハーフカットダイシング法及びステルスダイシング法により切断の起点となる部位が形成されたウエハ及びその裏面に貼り付けられた接着剤フィルムとの分断用途に用いることができる。
【００５４】
＜使用方法＞
ステルスダイシング法を用いた場合の、本発明のウエハ加工用テープの使用方法について、図２〜図４を参照しながら説明する。
まず、図２に示すように、半導体ウエハＷの分割予定部分にレーザー光を照射して、ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を３０形成する。別途、図２に示す基材シート１１及び粘着剤層１２からなる粘着テープ１０の粘着剤層１２上に、接着剤フィルム１３を貼り合わせ、図１で示したウエハ加工用テープを準備する。
【００５５】
次に、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハＷの裏面を接着剤フィルム１３に貼り付け、粘着剤層１２の外周部にリングフレーム２０を貼り付けて、粘着テープの基材シート１１の下面を、エキスパンド装置のステージ２１上に載置する。図中、符号２２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。
なお、半導体ウエハＷにレーザー光を照射する工程に先立って、接着剤フィルム１３との貼合せ工程を実施してもよい。
【００５６】
次に、−１５℃〜５℃の低温下にて、図４（ｂ）に示すように、リングフレーム２０を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材２２を上昇させ、粘着テープ１０をエキスパンドする。これにより粘着テープ１０が周方向に引き伸ばされ、半導体ウエハＷが、改質領域を起点としてチップ単位で分断されるとともに、接着剤層１３も分断される。
その後、粘着剤層１２に放射線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、半導体チップＣをピックアップすることで、接着剤付き半導体チップを得ることができる。
【００５７】
上記のようなエキスパンド工程において、接着剤フィルム１３は、ウエハＷの裏面に接着している部分ではエキスパンドによる伸び（変形）が抑制され、破断は起こらないが、一方、チップ間の位置では、粘着テープ１０のエキスパンドによる張力が集中して破断する。本発明によれば、接着剤フィルムに対する剥離力（粘着強度）に優れた粘着テープを使用することで、低温下でのエキスパンド工程においても、粘着剤テープと接着剤フィルムとの間での剥離を抑制、防止することができる。したがって、低温によって接着剤フィルムの分断性を高い状態に維持しつつ、エキスパンド時の張力を接着剤フィルムに伝搬させることができ、接着剤フィルムを個々のチップに対応して良好に分断することができる。また、粘着テープ１０は、エキスパンド装置のリングフレームに対する粘着強度にも優れるので、リングフレームからの剥がれも防止することができる。
【００５８】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５９】
使用した基材シート、粘着剤層組成物、及び接着剤組成物を以下に示す。
基材シートＡ：アイオノマー樹脂シート
基材シートＢ：アイオノマー樹脂シート
基材シートＣ：エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂シート
粘着剤層組成物ａ：アクリル系放射線硬化性粘着剤組成物
粘着剤層組成物ｂ：アクリル系放射線硬化性粘着剤組成物
粘着剤層組成物c：アクリル系放射線硬化性粘着剤組成物
接着剤組成物（１）：エポキシ−アクリル系接着剤
接着剤組成物（２）：エポキシ−アクリル系接着剤
接着剤組成物（３）：エポキシ−アクリル系接着剤
【００６０】
（実施例１）
基材シートＡに、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物aを乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着テープを作製した。別途、有機溶剤に溶解した接着剤層組成物（１）を、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、Ｂステージ状態の接着剤フィルム（接着剤層）を得た。粘着テープ及びＰＥＴフィルム付き接着剤フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着テープの粘着剤層と接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着剤層からＰＥＴフィルムを剥離し、実施例１のウエハ加工用テープを得た。
【００６１】
（実施例２）
接着剤組成物として、接着剤組成物（２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２のウエハ加工用テープを作製した。
【００６２】
（実施例３）
接着剤組成物として、接着剤組成物（３）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３のウエハ加工用テープを作製した。
【００６３】
（実施例４）
基材シートとして基材シートＣを、粘着剤組成物として粘着剤組成物ｃを、接着剤組成物として接着剤組成物（２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４のウエハ加工用テープを作製した。
【００６４】
（比較例１）
粘着剤として粘着剤組成物ｂを用い、基材シートとして基材シートＢを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１のウエハ加工用テープを作製した。
【００６５】
＜剥離力試験＞
ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合する引張試験装置を使用して、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準じて、以下のような剥離試験を実施した。
剥離力（粘着強度）：接着剤フィルムと粘着テープとが積層された幅２５ｍｍ、長さ約１００ｍｍの試験片を準備し、シリコンウエハ上に２ｋｇのゴムローラを３往復させて加熱圧着した。１時間放置した後、上記引張試験装置を用いて、０℃±２℃にて、粘着テープの接着剤フィルムに対する剥離力（粘着強度）を測定した。測定は、９０°剥離法によって、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで行った。
【００６６】
＜基材シートの伸び率及びヤング率＞
引張試験装置（ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１）を使用して、０℃±２℃の環境下で、以下のような引張試験によって基材シートの伸び率を測定した。
伸び率：基材シートを１号ダンベル形状（ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１）で打ち抜いて試験片を作成し、標線間距離４０ｍｍ、引張速度３００ｍｍｍ／ｍｉｎでの標線間破断時の伸び率を測定した。
また、この引張試験により得られる応力−伸び率曲線の直線部の傾きより、ヤング率を算出した。
【００６７】
＜接着剤層の分断性試験＞
半導体ウエハ（厚さ５０μｍ、径３００ｍｍ）に、レーザー光を照射し、ウエハ内部に改質領域を形成した。レーザー照射後の半導体ウエハ及びステンレス製のリングフレームに、実施例１、２、３及び比較例１のウエハ加工用テープをラミネートした。次に、粘着テープの外周部に、内径３３０ｍｍの樹脂製のエキスパンドリングを貼り付け、エキスパンド装置によりリングを固定し、粘着テープを以下のエキスパンド条件にてエキスパンドした。
エキスパンド速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
エキスパンド量：１５ｍｍ
その後、粘着テープに紫外線を照射し、粘着テープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させた。
【００６８】
＜接着剤層の分断性の評価方法＞
エキスパンド後に、半導体ウエハとともに接着剤層が分断されたか否かを光学顕微鏡で観察した。結果を表１に示す。表1に示す分断性は、総チップ数に対する、良好に分断された接着剤層の数をパーセンテージで表したものである。なお、レーザー加工後の総チップ数は、約４００個であり、チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍである。
【００６９】
【表１】
2009164556.tif 000003
【００７０】
表１の結果より、粘着テープの接着剤フィルムに対する剥離力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上である実施例１〜４のウエハ加工用テープは、優れた分断性を示すことが分かり、本発明の効果を確認することができた。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明のウエハ加工用テープの一例を示す断面図である。
【図２】本発明の粘着テープを示す断面図である。
【図３】レーザー加工により半導体ウエハに改質領域が形成された様子を示す断面図である。
【図４】（ａ）は、ウエハ加工用テープが、エキスパンド装置に搭載された状態を示す断面図であり、（ｂ）は、エキスパンド後のウエハ加工用テープ及び半導体ウエハを示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０：粘着テープ
１１：基材シート
１２：粘着剤層
１３：接着剤フィルム
２０：リングフレーム
２１：ステージ
２２：突き上げ部材
【図１】
2009164556.tif 000004
【図２】
2009164556.tif 000005
【図３】
2009164556.tif 000006
【図４】
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