(57)【要約】【課題】貫通孔を構成する（１１１）面を保護しながら逃げ溝を異方性エッチングにより形成する液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。また、このような異方性エッチングを実現するマイクロデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板に、基準孔よりも広い開口部１４１を有するマスク１４０を、前記開口部が前記基準孔３２に対向するように設けるマスク形成工程と、前記開口部を介して前記基板を異方性エッチングすることにより、前記基準孔の外周に接着剤の逃げ溝３３を形成する逃げ溝形成工程を備え、前記マスク形成工程では、前記マスクの前記開口部内の前記（１１１）面に対向する位置に、島状の補正マスク部を設け、前記逃げ溝形成工程で、当該補正マスク部１４２ａ、１４２ｃは、前記対象基板の異方性エッチングによりエッチングされ除去されることにより、前記基準孔の外周に逃げ溝が形成される。【選択図】    図４
2009220319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体が流通する流路が形成された流路形成基板を含む複数の基板を積層し接合して液体噴射ヘッドを製造するに際し、
前記基板のうち、表面の結晶面方位が（１１０）面であるシリコン単結晶基板からなる対象基板に設けられた基準孔の周縁部を構成する（１１１）面を基準として位置決めを行い、接着剤を介して他の基板と接合して前記液体噴射ヘッドを製造する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記対象基板に、前記基準孔に対向する位置に前記基準孔よりも広い開口部を有するマスク部と、前記マスク部の前記開口部内の前記（１１１）面に対向する位置に、島状の補正マスク部とを形成するマスク形成工程と、
前記対象基板を異方性エッチングすることにより、前記開口部に対向する前記対象基板の領域を除去すると共に、前記補正マスク部をエッチングし、前記対象基板の前記補正マスク部に対向していた領域を除去して、前記基準孔の外周に接着剤の逃げ溝を形成する逃げ溝形成工程を備えることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記逃げ溝形成工程において異方性エッチングにより前記開口部に対向する前記対象基板の領域を所定の深さとなるように除去する間に、前記補正マスク部が当該異方性エッチングされると共に、前記対象基板の補正マスク部がエッチングされた領域が、前記異方性エッチングの終了時に前記所定の深さとなるように、前記補正マスク部が設けられたことを特徴とする請求項１記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記補正マスク部が、長手方向が前記（１１１）面に沿って設けられた長方形状となるように設けられ、かつ、前記（１１１）面と面一になるように設けられたことを特徴とする請求項１又は２記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記基準孔が、前記対象基板と前記他の基板とを接合する場合に位置決めを行うための位置決めピンを挿入する貫通孔であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記液体噴射ヘッドが、前記基板として、前記流路形成基板の一方面側に積層され、かつ前記ノズル開口が形成されるノズルプレートと、前記流路形成基板の他方面側に積層されると共にリザーバが形成され、かつ、前記圧力発生手段としての圧力発生素子を保護するための保護基板と、前記リザーバを封止するためのコンプライアンス基板とを有し、
前記対象基板が前記保護基板であり、この前記保護基板のコンプライアンス基板との接合面に前記基準孔が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記マスク部が、ＳｉＯ２膜からなり、前記対象基板がシリコン単結晶基板であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項７】
表面の結晶面方位が（１１０）面の結晶基板に、前記結晶基板に設けられた基準孔より広い開口部を有するマスクを前記開口部が前記基準孔に対向するように設けるマスク形成工程と、前記結晶基板を異方性エッチングして、前記基準孔の外周に段差部を形成するエッチング工程とを備えたマイクロデバイスの製造方法であって、
前記マスク形成工程では、前記マスクの開口部内の前記基準孔の周縁部を構成する（１１１）面に対向する位置に島状の補正マスク部を形成すると共に、前記エッチング工程で当該補正マスク部が、前記対象基板の異方性エッチングによりエッチングされて、前記基準孔の外周に段差部を形成することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体噴射ヘッドの製造方法及びマイクロデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの代表的な例であるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室とこの圧力発生室に連通する連通部が形成されると共に、その一方面側に圧電素子が設けられた流路形成基板と、流路形成基板の連通部と共にリザーバの一部を構成するリザーバ部が形成されたリザーバ形成基板と、リザーバ形成基板のリザーバ部を封止するためのコンプライアンス基板を具備するものがある。これらの基板を接合する場合、接着剤塗布後、位置決めピンを貫通孔に挿入して位置決めを行ってから接着剤を介して接合されていることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−０５０６７４号公報（請求項１、図５等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、例えば、リザーバ形成基板と、コンプライアンス基板とを接着剤により接合する場合について説明する。まず、画像認識装置により、結晶面方位が（１１０）面のシリコン単結晶基板であるリザーバ形成基板に設けられた貫通孔を構成する（１１１）面の検出を行う。これは、この（１１１）面を基準として画像認識により正確にその位置を検出して、その後の接着剤塗布を正確に行うためである。次いで、この（１１１）面を基準としてリザーバ形成基板の設置位置を検出し、接着剤塗布装置により所定の領域に接着剤を塗布し、リザーバ形成基板とコンプライアンス基板とを貼り合わせる。最後に、接着剤が乾燥する前に貫通孔に位置決めピンを挿入して、高精度に位置決めを行い、両基板を正確な位置で完全に固着させる。
【０００５】
このように位置決めピンを用いて基板同士を固着させる場合、位置決めピンに乾燥の接着剤が付着しないように、貫通孔の周囲には接着剤の逃げ溝を異方性エッチングにより形成している。具体的には、貫通孔が形成された基板に対し、逃げ溝を形成するための貫通孔より広い開口を有するマスクを、貫通孔に対向する位置にこの開口が配置されるように設け、このマスクを介して異方性エッチングして貫通孔の周囲に逃げ溝を形成している。
【０００６】
しかしながら、逃げ溝形成時の異方性エッチングにより、逃げ溝の底部にある貫通孔の開口部分がだれてしまうことがある。この場合、貫通孔を構成する面のうち、接着剤塗布時の位置決めに用いた貫通孔の（１１１）面がだれてしまうと、画像認識によりその位置を検出できず、接着剤塗布が行えない場合があるという問題がある。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑み、貫通孔を構成する（１１１）面を保護しながら逃げ溝を異方性エッチングにより形成することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、このような異方性エッチングを実現することができるマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液体噴射ヘッドの製造方法は、液体が流通する流路が形成された流路形成基板を含む複数の基板を積層し接合して液体噴射ヘッドを製造するに際し、前記基板のうち、表面の結晶面方位が（１１０）面であるシリコン単結晶基板からなる対象基板に設けられた基準孔の周縁部を構成する（１１１）面を基準として位置決めを行い、接着剤を介して他の基板と接合して前記液体噴射ヘッドを製造する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記対象基板に、前記基準孔に対向する位置に前記基準孔よりも広い開口部を有するマスク部と、前記マスク部の前記開口部内の前記（１１１）面に対向する位置に、島状の補正マスク部とを形成するマスク形成工程と、前記対象基板を異方性エッチングすることにより、前記開口部に対向する前記対象基板の領域を除去すると共に、前記補正マスク部をエッチングし、前記対象基板の前記補正マスク部に対向していた領域を除去して、前記基準孔の外周に接着剤の逃げ溝を形成する逃げ溝形成工程を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、前記マスク形成工程では、前記マスクの前記開口部内の前記（１１１）面に対向する位置に、島状の補正マスク部を設けることで、基準孔を構成する（１１１）面を保護し、だれを防止している。即ち、補正マスク部が設けられていることで、対象基板の補正マスク部に面する領域は、補正マスク部が異方性エッチングされないとエッチングが始まらない。従って、エッチング開始が遅くなるので、対象基板に対する異方性エッチングが終了して逃げ溝の形成が終わった時点でも、この（１１１）面のエッチングがすすみ過ぎてだれることを防止している。従って、（１１１）面を画像認識でき、この面基準として正確に接着剤の塗布を行うことが可能である。
【００１０】
この場合に、前記逃げ溝形成工程において異方性エッチングにより前記開口部に対向する前記対象基板の領域を所定の深さとなるように除去する間に、前記補正マスク部が当該異方性エッチングされると共に、前記対象基板の補正マスク部がエッチングされた領域が、前記異方性エッチングの終了時に前記所定の深さとなるように、前記補正マスク部が設けられたことが好ましい。このように前記対象基板の補正マスク部が除去された領域が、前記異方性エッチングの終了時に前記所定の深さとなることで、深さが一定の好適な逃げ溝を形成することができる。
【００１１】
このような逃げ溝を形成する補正マスク部の好適な形状としては、前記補正マスク部が、長手方向が前記（１１１）面に沿って設けられた長方形状となるように設けられ、かつ、前記（１１１）面と面一になるように設けられたものが挙げられる。
【００１２】
前記液体噴射ヘッドの製造方法の好適な実施としては、前記基準孔が、前記対象基板と前記他の基板とを接合する場合に位置決めを行うための位置決めピンを挿入する貫通孔であることがあげられる。貫通孔を基準として用いれば、新たに基準孔を設ける必要が無いからである。
【００１３】
また、前記液体噴射ヘッドの製造方法の好適な実施としては、前記液体噴射ヘッドが、前記基板として、前記流路形成基板の一方面側に積層され、かつ前記ノズル開口が形成されるノズルプレートと、前記流路形成基板の他方面側に積層されると共にリザーバが形成され、かつ、前記圧力発生手段としての圧力発生素子を保護するための保護基板と、前記リザーバを封止するためのコンプライアンス基板とを有し、前記対象基板が前記保護基板であり、この前記保護基板のコンプライアンス基板との接合面に前記基準孔が設けられていることがあげられる。
【００１４】
この場合、前記マスク部が、ＳｉＯ２膜からなり、前記対象基板がシリコン単結晶基板であれば、上記のような好適な態様での実施を行うことができるので好ましい。
【００１５】
本発明のマイクロデバイスの製造方法は、表面の結晶面方位が（１１０）面の結晶基板に、前記結晶基板に設けられた基準孔より広い開口部を有するマスクを前記開口部が前記基準孔に対向するように設けるマスク形成工程と、前記結晶基板を異方性エッチングして、前記基準孔の外周に段差部を形成するエッチング工程とを備えたマイクロデバイスの製造方法であって、前記マスク形成工程では、前記マスクの開口部内の前記基準孔の周縁部を構成する（１１１）面に対向する位置に島状の補正マスク部を形成すると共に、前記エッチング工程で当該補正マスク部が、前記対象基板の異方性エッチングによりエッチングされて、前記基準孔の外周に段差部を形成することを特徴とする。この本発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、補正マスク部がエッチングにより除去されるまで時間がかかるので、エッチング終了時に、結晶基板の補正マスクに面する領域、即ち基準孔を構成する（１１１）面のエッチングが進行しすぎて、この面がだれることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。流路形成基板１０は、表面の結晶面方位が（１１０）面のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００１７】
流路形成基板１０には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１４と連通路１５とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１５の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成されている。
【００１８】
インク供給路１４は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路１４は、リザーバ１００と各圧力発生室１２との間の圧力発生室１２側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室１２の幅より小さい幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１９】
すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２と、圧力発生室１２の短手方向の断面積より小さい断面積を有するインク供給路１４と、このインク供給路１４に連通すると共にインク供給路１４の短手方向の断面積よりも大きい断面積を有する連通路１５とからなる液体流路が複数の隔壁１１により区画されて設けられている。
【００２０】
このような圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５は、弾性膜５０とは反対側の面から流路形成基板１０を異方性エッチングすることによって形成されている。異方性エッチングは、シリコン単結晶基板のエッチングレートの違いを利用して行われる。
【００２１】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。ノズルプレート２０としてシリコン単結晶基板を用いた場合には、ノズル開口２１は、上述した流路形成基板１０と同様に、異方性エッチングにより形成することができる。すなわち、ノズルプレート２０としてシリコン単結晶基板を用いた場合には、ノズルプレート２０も結晶基板となる。
【００２２】
一方、このような流路形成基板１０のノズルプレート２０とは反対側の面には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部３２０という。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室１２毎に圧電体能動部３２０が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０及び絶縁体膜５５を設けずに、下電極膜６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電素子３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
【００２３】
また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、流路形成基板１０のインク供給路１４とは反対側の端部近傍まで延設された金（Ａｕ）等のリード電極９０がそれぞれ接続されている。このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加される。
【００２４】
さらに、流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、保護基板３０が接着剤等の接着層を介して接合されている。保護基板３０には、連通部１３に対向する領域に連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成するリザーバ部３１が設けられている。
【００２５】
リザーバ部３１は、圧力発生室１２の並設方向に沿って形成され、その長手方向両端部には、それぞれ外側に向かって幅が漸小する漸小部が設けられている。これにより、本実施形態に係るリザーバ部３１の開口は、略台形形状となっている。
【００２６】
なお、リザーバ部３１の漸小部は、各圧力発生室１２の流路抵抗が一定となるようにし、ノズル開口２１から吐出されるインク滴の吐出特性を均一化するために設けられている。
【００２７】
このようなリザーバ部３１を有する保護基板３０は、流路形成基板１０と同一材料である表面の結晶面方位が（１１０）面のシリコン単結晶基板からなり、リザーバ部３１は、保護基板３０をその両面から異方性エッチングすることによって形成されている。
【００２８】
また、保護基板３０には、保護基板３０と、流路形成基板１０及び後述するコンプライアンス基板４０とを接合する際に位置決めとして用いられる位置決め用ピンを挿入する貫通孔３２が設けられている。貫通孔３２は、後述するようにその周縁部の一部、即ちその周縁部が２つの第１の（１１１）面及び２つの第２の（１１１）面により構成されており、これら４つの（１１１）面が接着剤塗布時における画像認識での位置検出に用いられる。貫通孔３２の外周には、接着剤の逃げ溝３３が、両開口側に一定の深さで設けられている。
【００２９】
また、保護基板３０には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３５が設けられている。なお、圧電素子保持部３５は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
【００３０】
なお、本実施形態では、流路形成基板１０の連通部１３と保護基板３０のリザーバ部３１とがリザーバ１００を構成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、リザーバ部３１のみをリザーバとしてもよい。また、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、絶縁体膜５５等）にリザーバと各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。
【００３１】
また、保護基板３０上には、圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が実装されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００３２】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接着剤層４４を介して接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００３３】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッド１では、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００３４】
本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法について簡単に説明する。まず、流路形成基板１０の表面に弾性膜５０を形成し、この弾性膜５０の圧電素子形成面側に、絶縁体膜５５を形成する。次に、下電極膜６０、圧電体層７０、及び上電極膜８０を順次積層し、これらを同時にパターニングして圧電素子３００を形成する。次いでリード電極９０を流路形成基板１０の全面に亘って形成すると共に、各圧電素子３００毎にパターニングする。
【００３５】
その後、予めリザーバ部３１、貫通孔３２及び逃げ溝３３等が形成された保護基板３０を、上記膜形成プロセス終了後の流路形成基板１０上に接着する。次いで、流路形成基板１０を所望の厚さにし、その後、シリコン単結晶基板である流路形成基板１０の異方性エッチングを行い、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を形成する。
【００３６】
流路形成基板１０の保護基板３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合する。そして、保護基板３０の貫通孔３２を構成する（１１１）面を画像認識により検出し、この検出された（１１１）面を基準として保護基板３０の所定の位置に接着剤を塗布し、保護基板３０上にコンプライアンス基板４０を接合する。最後に、流路形成基板１０、保護基板３０等の各基板をチップサイズに分割することにより、図１に示すような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００３７】
ここで、上述したような貫通孔３２を構成する（１１１）面を画像認識により検出する場合に、逃げ溝３３の形成時に（１１１）面がだれてしまっては、正確に画像認識できないのでこれを防止する必要がある。そこで、接着剤の逃げ溝３３を形成する場合、以下に示した接着剤の逃げ溝形成工程により、貫通孔３２を構成する（１１１）面を保護しながら接着剤の逃げ溝を形成する。
【００３８】
以下、逃げ溝形成工程を図３〜図４を参照して詳細に説明する。図３は、本発明のインクジェット式記録ヘッド１の製造方法において、保護基板３０の製造工程を示す模式的要部平面図である。また、図４は、保護基板３０の製造工程を示すものであり、図３におけるＸ―Ｘ′線における模式的要部断面図である。
【００３９】
図３（ａ）によれば、保護基板３０には、貫通孔３２が設けられている。この貫通孔３２は、例えば、保護基板３０にリザーバ部３１を形成する場合の両面エッチング時に同時に形成される。このような保護基板３０の表面の全面に、マスクとなる二酸化シリコン膜１３０を形成する。
【００４０】
本実施形態では、保護基板３０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に二酸化シリコン膜１３０を形成した。なお、マスクの材料は二酸化シリコンに限定されず、窒化シリコン等の他の材料であってもよい。また、マスクの形成方法は特に限定されず、蒸着やスパッタリング法等であってもよい。
【００４１】
次に、図３（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、二酸化シリコン膜１３０を、レジスト膜等を介してエッチングすることによりパターニングすることで、逃げ溝３３を形成するためのマスク１４０を形成する（マスク形成工程）。
【００４２】
この形成されたマスク１４０は、開口部１４１を備えている。開口部１４１は、所望の逃げ溝３３の開口形状に合わせてその形状が設定されているものであり、図中では、略六角形形状である。この開口部１４１を介して逃げ溝３３が形成される。開口部１４１内には、４つの補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄが設けられている。各補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄは、貫通孔３２を構成する結晶面方位の第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面に対向する位置、島状に、かつ細長い長方形状で、第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面と面一になるように（図４（ｂ）参照）形成されている。この補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄを備えることで、後述するように、後のエッチング工程で保護基板３０を異方性エッチングする場合に、（１１１）面を保護して、この面のだれを防止することができる。
【００４３】
保護基板３０に開口部１４１及び補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄを有するマスク１４０を形成した後、開口部１４１を介して、保護基板３０の両面から異方性エッチングを行って逃げ溝３３を形成する（エッチング工程又は逃げ溝形成工程）。本実施形態では、保護基板３０を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等のアルカリ溶液に浸漬することで、保護基板３０の両面から異方性エッチングする。
【００４４】
これにより、図４（ｃ）に示すように、保護基板３０は、マスク１４０が形成されていない部分（開口部１４１に面した領域）から徐々にエッチングされる。このエッチングと同時に、図３（ｃ）に示すように、結晶方位面の（１１１）面に対して２９°の角度をつけて補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄが徐々にエッチングされる。即ち、細長い四角形状である補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄは、その四隅から徐々にエッチングされる。そしてエッチングにより除去された補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄ下の領域から順に、保護基板３０がエッチングされる。補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄのエッチングが進行すると、図３（ｄ）及び図４（ｄ）に示すように補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄは全て除去される。
【００４５】
所定時間経過後、図３（ｅ）及び図４（ｅ）に示すように、マスク１４０が形成されていない部分の保護基板３０の深さ方向のエッチングが終了して所定の深さの逃げ溝３３が形成される。ここで、補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄに面した保護基板３０の領域も、前記所定の深さがエッチングが終了し、逃げ溝の深さは略均一となる。これは、補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄが十分に細かったため、保護基板３０のこれらに面する領域はエッチングが進行しやすく、この領域のエッチング深さは、逃げ溝３３のエッチング深さはほぼ同一となるものである。このように、逃げ溝３３の深さは、略均一となることが好ましい。これは、エッチングにより補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄに面した保護基板３０の領域のうち、（１１１）面に除去できない部分が多量に残ると、位置決めピンを挿入した場合に接触し、折れてしまう虞もあるからである。従って、補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄは、逃げ溝３３のエッチング終了時に、補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄに面した領域のエッチング深さが、他の部分のエッチング深さと同一、又は略同一となるように、予め設けることが好ましい。なお、位置決めピンを挿入した場合に折れない程度の長さが残った場合には、接着剤塗布時に基準とされる貫通孔３２の（１１１）面はだれずに残り、かつ、得られた逃げ溝３３は逃げ溝としては十分に機能する。
【００４６】
このように、本実施形態においては、逃げ溝３３を形成した場合、補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄがあることで、貫通孔３２を構成する結晶方位が（１１１）面である部分のエッチングが遅れて開始されるので、この部分のだれを防止できる。即ち、本実施形態においては、補正マスク部１４２ａ〜１４２ｄによって、貫通孔３２の縁の結晶方位が（１１１）面である部分を保護して、この面がだれないように構成している。
【００４７】
以上のようにして得られた保護基板３０では、接着剤塗布時の基準となる貫通孔３２を構成する（１１１）面がだれていないので、その後の接着剤塗布工程において、画像認識で正確に位置を検出することができる。
【００４８】
上記マスク形成工程及びエッチング工程（又は逃げ溝形成工程）後、基準孔を構成する（１１１）面を基準として基板の位置を検出した後、対象基板に接着剤を塗布して、他の部材を接着し、次いで、接着剤が完全に固着する前に、位置決めピンを前記貫通孔に挿入して、位置決めをして、対象基板と他の部材とを完全に固着させる。
【００４９】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、もちろん上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１では、貫通孔３２の両側に接着剤の逃げ溝として機能する逃げ溝３３を形成したが、貫通孔３２の一側にのみ逃げ溝３３を形成してもよい。
【００５０】
また、上述した実施形態１では、結晶基板（保護基板３０）として、シリコン単結晶基板を用いた例を示したが、特にこれに限定されず、表面の結晶面方位が（１１０）面である結晶性を有する基板であれば、特にこれに限定されるものではない。
【００５１】
また、上述した実施形態１では、ノズル開口２１からインク滴を吐出する圧力発生手段として薄膜型の圧電素子３００を有するアクチュエータ装置を用いて説明したが、特にこれに限定されず、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型の圧電素子を有するアクチュエータ装置や、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズル開口から液滴を吐出するアクチュエータ装置や、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズル開口から液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエータ装置などを使用することができる。
【００５２】
さらに、上述した実施形態１では、液体噴射ヘッドの製造方法の一例としてインクジェット式記録ヘッド１の製造方法を挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドの製造方法を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００５３】
また、本発明は液体噴射ヘッドの製造方法に限定されず、結晶面方位が（１１０）面の結晶基板を異方性エッチングすることにより微細加工を行うマイクロデバイスの製造方法に広く適用することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る保護基板の製造工程を示す模式的要部平面図である。
【図４】実施形態１に係る保護基板の製造工程を示す模式的要部断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  １０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  １５  連通路、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板（結晶基板）、  ３１  リザーバ部、  ３２  貫通孔、  ３３  逃げ溝、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５５  絶縁体膜、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバ、  １２０  駆動回路、  １２１  接続配線、  １３０  二酸化シリコン膜、  １４０  マスク、  １４１  開口部、  １４２ａ〜１４２ｄ  補正マスク部、  ３００  圧電素子
【図１】
2009220319.tif 000003
【図２】
2009220319.tif 000004
【図３】
2009220319.tif 000005
【図４】
2009220319.tif 000006