(57)【要約】【課題】  蛍光Ｘ線分析方法及び蛍光Ｘ線分析装置に関し、バックグランドを低減して検出感度を向上するとともに、分析対象以外の部位に由来する妨害元素の検出を抑えて分析精度を向上する。【解決手段】  高さを有する試料２のエッジ近傍領域に微小スポットのＸ線１を照射し、試料２において照射したＸ線１により励起された特性Ｘ線５を測定する際に、測定対象となる試料２のエッジ近傍領域にメタルマスク６を密着させる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高さを有する試料のエッジ近傍領域に微小スポットのＸ線を照射し、前記試料において前記照射したＸ線により励起された特性Ｘ線を測定する際に、前記測定対象となる試料のエッジ近傍領域にメタルマスクを密着させることを特徴とする蛍光Ｘ線分析方法。
【請求項２】
前記試料における分析対象元素が鉛またはビスマスであって、前記メタルマスクが、クロム、鉄、ニッケル、銅、亜鉛のいずれかの単体、或いは、クロム、鉄、ニッケル、銅、亜鉛を構成成分とする合金のいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の蛍光Ｘ線分析方法。
【請求項３】
前記分析対象元素からの特性Ｘ線の測定を開始するまえに、前記試料の主成分元素の面分析を行い、前記面分析の結果に基づいて分析対象となる試料の種類を判別して、予め用意した複数のメタルマスクの内から最適な形状のメタルマスクを選別する工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載の蛍光Ｘ線分析方法。
【請求項４】
前記主成分元素の面分析の結果に基づいて、前記エッジ近傍領域における、点分析位置の位置決めを行うことを特徴とする請求項３記載の蛍光Ｘ線分析方法。
【請求項５】
微小スポットのＸ線を照射する微小Ｘ線源、試料からの特性Ｘ線を検出するＸ線検出器、前記試料の少なくとも端部に密着可能な複数のメタルマスク、前記試料の主成分元素の面分析を行う面分析手段、前記面分析手段による分析結果に基づいて、前記複数のメタルマスクの内から最適な形状のメタルマスクを選別して前記試料に密着させる手段とを少なくとも備えたことを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。
【請求項６】
前記面分析手段による分析結果に基づいて、前記エッジ近傍領域における点分析位置の位置決め手段を備えたことを特徴とする請求項５記載の蛍光Ｘ線分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蛍光Ｘ線分析方法及び蛍光Ｘ線分析装置に関するものであり、特に、走査型の微小プローブ蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）法を用いた微小領域の分析精度を向上させるための構成に特徴のある蛍光Ｘ線分析方法及び蛍光Ｘ線分析装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＸＲＦ法は、励起源および分析にＸ線を用いるが、Ｘ線は透過力が強い、電荷を持たない、屈折率がほとんど１であるという性質を持つため、分析深さが深くかつ分析領域が比較的広いという特徴を持っている。
この性質ゆえ、非破壊で簡単に感度良く分析できることから、材料を構成する元素の特定手段として、素材生産における品質管理や材料研究に広く利用されてきた。
【０００３】
近年、欧州のＲｏＨＳ指令（Ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｕｓｅ  ｏｆ  Ｃｅｒｔａｉｎ  Ｈａｚａｒｄｏｕｓ  Ｓｕｂｓｔａｎｃｅ  Ｓ  ｉｎ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）、ＥＬＶ（Ｅｎｄ  ｏｆ  Ｌｉｆｅ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）等、一般消費者向け製品中の有害物質に関する規制が強化されつつある。
【０００４】
そのため、購入部品中に規制物質が含まれているか否かをチェックする手段として、電気メーカなどの部品仕様化部門や受け入れ部門で検査装置を大量に導入するニーズが増加している。
【０００５】
このような有害元素の有無判定においては、含有濃度が実際上問題にならない程度に微量である場合に非含有と判定するため、定量下限が十分低いことが必要である。
また、製品を構成する膨大な数の部品が調査対象となるため、できる限り非破壊でかつ短時間にチェックを行なう必要がある。
【０００６】
エネルギー分散型ＸＲＦ法（例えば、特許文献１参照）は、このようなニーズに適していることから、分析機器メーカ各社からＲｏＨＳ、ＥＬＶ規制向けのバルク材料対応のエネルギー分散型ＸＲＦ装置が市販されており、Ｐｂ、Ｃｄ等の規制対象元素の蛍光Ｘ線を検出しやすくするための一次Ｘ線フィルタや検量線プログラムの開発が進み、広く実用化されている。
【０００７】
さらに、微小領域を非破壊で検査するため装置としては、微小ビームで励起した蛍光Ｘ線を用い、元素マッピングが可能な分析装置が市販されている。
【０００８】
また、ＲｏＨＳ指令では、ＰｂまたはＣｄの含有が許容されている物質があるため、実装プリント板のように種類の異なる物質が混在しているような部品においては、ＰｂやＣｄの有無のみならず、ＰｂやＣｄを含んでいる物質を特定する必要がある。
【０００９】
そこで、本発明者は、はんだ材と高温はんだ材、または、接点のカドミウムめっきとそれ以外のカドミウム含有物質を識別することにより、検査対象となる規制対象物質のみを絞り込み分析効率を向上する方法を提案している（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】再表２００５−００５９６９号公報
【特許文献２】特開２００７−１６３１８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
さらに、本発明者は、鉛はんだと鉛ガラスとの識別することにより、検査対象となる規制対象物質のみを絞り込み分析効率を向上する方法も提案している（必要ならば、特願２００６−１１９１０８参照）。
【００１１】
このように、微小ビームで励起したＸＲＦ装置を用いて微小領域の特定部位を選択的に分析する場合に、横方向および下層に妨害成分が高濃度に含まれているような電極めっき部を分析対象とする電子部品の場合、妨害の影響を受けない位置、即ち、試料のエッジ近傍を精度良く位置決めし、最適点を分析する必要がある。
【００１２】
しかし、電子部品のように高さを有する試料のエッジ近傍の分析においては、
ａ．エッジ効果の影響で、空間分解能が低下する
ｂ．部品の周囲にある試料ステージやプリント板を同時に測定してしまいバックグランド    が高くなる、または、
ｃ．分析対象以外の部位に由来する妨害元素を検出してしまう、
等の問題が生じ、高精度な分析ができないという課題があるのでこの事情を図１２を参照して説明する。
【００１３】
図１２参照  
図１２は、高さを有する試料のエッジ近傍の分析における問題点の説明図であり、上段図は試料の一方のエッジ近傍の平面図であり、中段図はその断面図であり、また、下段図は放射された蛍光Ｘ線の検出状態の説明図である。
まず、分析対象となる試料１０は、基板１１の端部に、Ｐｂ等の妨害物質を含む内部電極等の妨害物質を含む膜１２、Ｎｉ中間電極等の妨害物質を含まない膜１３、Ｓｎめっき外部電極膜等の分析対象となる膜１４が積層して設けられるとともに、上側の中央部には鉛ガラス膜等の妨害物質を含む膜１５が設けられている。
【００１４】
この試料１０における有害物質の検出を行う場合に、規制対象ではない鉛ガラス膜の影響を避けるため、試料１０のエッジ部近傍に微小スポットの白色Ｘ線１６を照射する。
照射箇所からは試料１０の照射箇所を構成する元素の特性Ｘ線、即ち、蛍光Ｘ線１７が放射されるが、この蛍光Ｘ線１７には、分析対象となる膜１４からの蛍光Ｘ線１７14以外に、妨害物質を含む膜１２からの蛍光Ｘ線１７12や妨害物質を含まない膜１３からの蛍光Ｘ線１７13も同時に検出される。
【００１５】
この場合、鉛ガラスを含む内部電極膜、即ち、妨害物質を含む膜１２におけるＰｂ等の妨害物質は規制対象にならないので、検出された蛍光Ｘ線１７に規制物質からの蛍光Ｘ線が含まれていても、規制対象となるＳｎめっき外部電極膜等の分析対象となる膜１４に規制物質が含まれていると判定できないことになる。
【００１６】
即ち、図に示すように、蛍光Ｘ線１７はエッジ効果の影響で広範囲に放出されるため、空間分解能が低下し、したがって、規制物質からの蛍光Ｘ線が検出されてもその蛍光Ｘ線の発生箇所を精度良く特定することが困難であるため、分析対象となる膜１４に規制物質が含まれているのか、或いは、妨害物質を含む膜１２に含まれている規制物質であるのかの判定が困難になる。
【００１７】
このような場合、妨害物質を含む膜１２に含まれている規制物質からの蛍光Ｘ線であっても、分析対象となる膜１４に規制物質が含まれていると判定される場合があり、本来良品である電子部品が不良品として廃棄されるという問題がある。
【００１８】
したがって、本発明は、バックグランドを低減して検出感度を向上するとともに、分析対象以外の部位に由来する妨害元素の検出を抑え、精度良く位置決めして分析精度を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、高さを有する試料２のエッジ近傍領域に微小スポットのＸ線１を照射し、試料２において照射したＸ線１により励起された特性Ｘ線５を測定する際に、測定対象となる試料２のエッジ近傍領域にメタルマスク６を密着させることを特徴とする。
【００２０】
このように、測定対象となる試料２のエッジ近傍領域にメタルマスク６を密着させることによって、試料２の周囲にある試料ステージやプリント板を同時に測定することを妨げることができるので、バックグランドが低減して検出感度が向上する。
【００２１】
また、分析対象以外の部位に由来する妨害元素からの蛍光Ｘ線はメタルマスク６で吸収されるため、妨害元素からの蛍光Ｘ線検出が抑えられ、それによって、精度良く妨害元素からの蛍光Ｘ線の発生源を位置決めすることができるため、分析精度を向上することができる。
【００２２】
この場合、微小スポットのサイズは、分析対象となる試料２の分析対象箇所のサイズにより、妨害元素からの蛍光Ｘ線の発生源の位置決めを精度良く行うためには、Ｘ線１の強度のビーム径として、１００μｍ以下のスポットサイズのＸ線１を用いることが望ましい。
【００２３】
また、メタルマスク６の高さが、試料２の高さの±５０μｍの範囲内であることが望ましく、＋５０μｍを超えると分析対象となる試料２からの蛍光Ｘ線も吸収され、一方、−５０μｍを超えると側端面の露出面積が増加するので分析対象以外の妨害部位４に由来する妨害元素からの蛍光Ｘ線の吸収による遮蔽効果が低下することになる。
【００２４】
また、試料２における分析対象元素が鉛またはビスマスである場合には、メタルマスク６が、クロム、鉄、ニッケル、銅、亜鉛のいずれかの単体、或いは、クロム、鉄、ニッケル、銅、亜鉛を構成成分とする合金のいずれかが好適である。
なお、ビスマスは規制対象元素ではないが、ハンダの融点や密着性などハンダ接合系面の信頼性に強く影響するので分析対象元素とする。
【００２５】
クロム、鉄、ニッケル、銅、亜鉛は鉛の蛍光Ｘ線であるＰｂ−Ｌα線の質量吸収係数が大きいので、分析対象以外の部位に由来する妨害元素からの蛍光Ｘ線を効率良く吸収して遮蔽することができ、また、それ自体の蛍光Ｘ線波長が鉛の蛍光Ｘ線波長に重ならないので、妨害元素からの蛍光Ｘ線を精度良く検出することができる。
【００２６】
この場合、分析対象元素からの特性Ｘ線５の測定を開始するまえに、試料２の主成分元素の面分析を行い、面分析の結果に基づいて分析対象となる試料２の種類を判別して、予め用意した複数のメタルマスク６の内から最適な形状のメタルマスク６を選別する工程を有することが望ましく、それによって、メタルマスク６による分析対象以外の部位に由来する妨害元素からの蛍光Ｘ線を効果的に遮蔽することができる。
【００２７】
また、主成分元素の面分析の結果に基づいて、エッジ近傍領域における、点分析位置の位置決めを行うことが望ましく、それによって、最適測定点における規制元素の測定が可能になる。
【００２８】
また、本発明は、蛍光Ｘ線分析装置において、微小スポットのＸ線１を照射する微小Ｘ線源、試料２からの特性Ｘ線５を検出するＸ線検出器、試料２の少なくとも端部に密着可能な複数のメタルマスク６、試料２の主成分元素の面分析を行う面分析手段、面分析手段による分析結果に基づいて、複数のメタルマスク６の内から最適な形状のメタルマスク６を選別して試料２に密着させる手段とを少なくとも備えたことを特徴とする。
【００２９】
このような装置構成とすることによって、分析対象部３の下層に妨害部位４が存在する部品中の特定の微少領域に、規制物質が含まれるか否かを判定するためのインテリジェント化された分析装置を実現することができる。
【００３０】
この場合、面分析手段による分析結果に基づいて、エッジ近傍領域における点分析位置の位置決めを手段を備えることが望ましく、それによって、最適測定点における規制元素の測定が可能になる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、試料の側面に、妨害成分を含まず、かつ、分析対象特性Ｘ線の吸収係数が大きい元素で構成されるメタルマスクを設置しているので、エッジ効果を低減し空間分解能を向上させることができ、また、部品の周囲にある試料ステージやプリント板を同時に測定することを妨げることによって、バックグランドを低減して検出感度を向上することができ、さらに、分析対象以外の部位に由来する妨害元素の検出が抑えられるので、精度良く位置決めすることができ、分析精度を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
ここで、図２乃至図７を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図２参照  
図２は、本発明における分析フローチャートの一例であり、まず、
Ａ．蛍光Ｘ線分析装置に試料をセットする。次いで、
Ｂ．ＣＣＤカメラで試料の画像情報を取込み、試料の位置（ＸＹ座標）を読み込む。次い    で、                                                                        Ｃ．試料の製品品種に対応する最適なサイズのメタルマスクを選択して、試料に密着させ    る。次いで、
Ｄ．Ｓｎの蛍光Ｘ線からＳｎのマッピングデータを収集する。次いで、
Ｅ．Ｓｎの面分析結果に基づいて分析対象となる電極めっき膜の座標を構成度に位置決め    する。次いで、
Ｆ．登録された各試料の最適測定点を読み込み、予めメモリに格納しておいた試料の電極    めっき膜用の測定条件で定性・定量分析を行い、分析結果をメモリに格納する。次い    で、
Ｇ．試料の電極めっき膜中の規制物質の濃度の測定結果を表示・格納する。最後に、
Ｈ．測定結果に基づいて判定結果を表示する
ことによって、一連の分析フローが終了する。
【００３３】
図３参照  
図３は、蛍光Ｘ線分析装置の概念的構成図であり、試料１０を載置する試料ステージ２１、微小スポットのＸ線を照射する微小Ｘ線源２２、試料１０からの特性Ｘ線を検出するＸ線検出器２３をハード的に備えるとともに、試料１０の主成分元素の面分析を行う面分析手段、及び、面分析手段による分析結果に基づいてエッジ近傍領域における点分析位置の位置決めする手段をソフト的に備えている。
【００３４】
また、この蛍光Ｘ線分析装置２０には、試料１０の製品品種に応じて複数のサイズのメタルマスク１８が格納されており、上述の面分析手段による分析結果に基づいて複数のメタルマスク１８の内から最適な形状のメタルマスクを選別して試料１０に密着させる手段（図示は省略）も備えている。
特に、チップ抵抗等のチップ部品は、工業規格でサイズが定められているので、定められたチップサイズに対応したテンプレートを予め作成し、チップサイズごとに指定して用いることができ、分析対象となる電極めっき膜の側面に設置可能で、且つ、妨害元素となるＰｂを十分遮蔽できる幅（メタルマスクの構成元素により、鉄で６０μｍ、銅で４０μｍ以上）あれば、形状は矩形状でもコ字状でも枠状でも良い。
【００３５】
図４参照  
図４は、蛍光Ｘ線測定時におけるメタルマスクの設置状態の説明図であり、試料１０に設けた分析対象となる膜１４の側端面にメタルマスク１８を密着して配置するものであり、試料１０の側端面からの蛍光Ｘ線１７は、分析対象となる膜１４からの蛍光Ｘ線１７14も含めて、妨害物質を含む膜１２からの蛍光Ｘ線１７12や妨害物質を含まない膜１３からの蛍光Ｘ線１７13も吸収により遮蔽され、分析対象となる膜１４の表面部からの蛍光Ｘ線１７14のみがＸ線検出装置で検出されることになる。
【００３６】
図５参照  
図５は、各種元素のＰｂ−Ｌα線の質量吸収係数の説明図であり、Ａｉ，Ｔｉ，Ｗは  Ｐｂ−Ｌα線の質量吸収係数が１００ｃｍ2 ／ｇ以下であり、一方、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，ＴａのＰｂ- Ｌα線の質量吸収係数は１００ｃｍ2 ／ｇ以上であり、Ｘ線の遮蔽効果のみを考えると、メタルマスクの構成成分としてＣｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｔａが望しいことが分かった。
【００３７】
図６参照  
図６は、電極めっき膜の主成分元素であるＳｎ及び分析対象元素のＰｂとメタルマスクの各構成元素の特性Ｘ線の重なり具合の説明図であり、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの特性Ｘ線は、分析対象元素のＰｂの特性Ｘ線と重ならないが、Ｔａの特性Ｘ線は、分析対象元素のＰｂの特性Ｘ線と重なることが分かる。
【００３８】
したがって、メタルマスクの素材としては、Ｐｂ- Ｌα線の質量吸収係数が大きく、且つ、Ｐｂの特性Ｘ線と重ならないＣｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎのいずれかの単体、または、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎを構成成分とする合金が望ましい。
【００３９】
図７参照  
図７は、電極めっき膜の主成分元素であるＳｎ及び分析対象元素のＢｉとメタルマスクの各構成元素の特性Ｘ線の重なり具合の説明図であり、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの特性Ｘ線は、分析対象元素のＢｉの特性Ｘ線と重ならないが、Ｔａの特性Ｘ線は、分析対象元素のＢｉの特性Ｘ線と重なることが分かる。
【００４０】
したがって、メタルマスクの素材としては、Ｂｉの特性Ｘ線と重ならないＣｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎのいずれかの単体、または、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎを構成成分とする合金が望ましい。
なお、Ｂｉは規制対象物質ではないが、Ｐｂにかわるハンダを構成する重要元素であり、Ｂｉの濃度により融点やハンダの密着性が重要になるので、分析対象元素の有力候補となる。
【実施例１】
【００４１】
以上を前提として、次に、図８乃至図１１を参照して、本発明の実施例１の蛍光Ｘ線分析方法を説明する。
図８参照  
図８は、本発明の実施例１の蛍光Ｘ線分析方法の分析対象となるチップ抵抗の説明図であり、上図はチップ抵抗の外観図であり、下図は具体的構成断面図である。
【００４２】
下図の断面図に示すように、チップ抵抗３０は、アルミナ基板３１の表面の両端部に設けられたＡｇと鉛ガラスを混合したＡｇ焼付表面電極３２、両端のＡｇ焼付表面電極３２に跨がるように設けられた抵抗体３３、抵抗体３３を被覆保護する鉛ガラス３４、鉛ガラス３４を保護する樹脂膜３５、露出したＡｇ焼付表面電極３２に接続するとともにアルミナ基板３１に裏面の両端部に設けられたＡｇと鉛ガラスを混合したＡｇ焼付裏面電極３６を覆うように設けたＡｇ焼付側面電極３７、Ａｇ焼付側面電極３７を覆うニッケルめっき電極３８、ニッケルめっき電極３８を覆うように設けたハンダめっきからなる外部電極３９から構成される。
【００４３】
この場合、ハンダめっきからなる外部電極３９は鉛規制対象となるが、鉛ガラス３４、Ａｇと  鉛ガラスを混合したＡｇ焼付表面電極３２及びＡｇと鉛ガラスを混合したＡｇ焼付裏面電極３６は鉛規制対象とならないため、外部電極３９に含まれる鉛のみを精度良く分析する必要があり、鉛ガラス３４、Ａｇ焼付表面電極３２及びＡｇ焼付裏面電極３６に含まれる鉛は妨害物質となる。
【００４４】
図９参照  
図９は、本発明の実施例１における測定時の試料近傍の構成図であり、長さが２．００ｍｍのチップ抵抗３０の端部に幅が０．６ｍｍの銅マスク４０が設けられており、この銅マスク４０の高さは、チップ抵抗３０の両端部の高さの５００μｍと略等しい高さにしている。
【００４５】
図１０参照  
図１０の上図は、図２に示した工程ＤのＳｎの蛍光Ｘ線強度分布図であり、左図はメタルマスクを設けた場合のＳｎの蛍光Ｘ線強度分布図であり、右図はメタルマスクを設けない場合のＳｎの蛍光Ｘ線強度分布図であり、下図はそれぞれのＳｎ強度を示す図である。
両者を比較すると、メタルマスクを設けた場合、Ｓｎ強度分布の半値幅が小さくなっており、試料側面にメタルマスクを設置することにより、空間分解能が向上することが確認された。
【００４６】
図１１参照  
図１１は、図２に示した工程Ｆにおける定性・定量分析におけるバックグランドの説明図であり、メタルマスクを設けた場合に、試料ステージ等に起因するバックグランドが大幅に低減していることが分かる。
【００４７】
また、測定対象となるＰｂの蛍光Ｘ線はメタルマスクを設けた場合には実質的に検出されず、一方、メタルマスクなしの場合には、Ｐｂの蛍光Ｘ線が多少検出されており、これは、Ａｇ焼付電極に含まれているＰｂが検出されたものと考えられる。
【００４８】
したがって、メタルマスクを設けることによって、
ａ．空間分解能が向上し、
ｂ．バックグランドも低減し、
ｃ．妨害物質を含む規制対象外の層からの蛍光Ｘ線の遮蔽が可能になり、
精度の高い蛍光Ｘ線分析が可能になる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明してきたが、本発明は実施の形態及び実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の実施例においては、検出対象をＰｂとしているが、Ｐｂに限られるものではなくＣｄの検出にも適用されるものである。
【００５０】
さらには、規制対象物質ではないＢｉ等の検出にも適用されるものである。
即ち、鉛フリーハンダにはＢｉが含まれることが多いが、Ｂｉを含有されることによってハンダの融点や接合特性が変わるので、ハンダ中にＢｉが含まれているか否か、或いは、接触不良箇所におけるＢｉ濃度を測定することが重要になるためである。
【００５１】
また、上記の実施例においては、試料であるチップ抵抗を試料ステージ上に載置して測定しているが、チップ状態ではなく、プリント配線基板等の実装基板上に実装したのちのチップ抵抗の測定にも適用されるものであり、その場合には、プリント配線基板やハンダ付け部材からのバックグランド蛍光Ｘ線を遮蔽することによって、チップ抵抗自体のめっき外部電極における規制物質の有無の測定が可能になる。
【００５２】
即ち、チップ状態における測定だけではなく、セットメーカーにおいては購入したボードに実装された電子部品における規制対象部材に規制物質が含有されているか否かの判定が重要になり、そのために、ボードに実装された状態における測定が必要になるためである。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明の活用例としては、チップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ化された電子部品が典型的なものであるが、このような電子部品に限られるものではなく、各種の規制対象部材における規制物質の検出に適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明における分析フローチャートの一例である。
【図３】蛍光Ｘ線分析装置の概念的構成図である。
【図４】蛍光Ｘ線測定時におけるメタルマスクの設置状態の説明図である。
【図５】各種元素のＰｂ−Ｌα線の質量吸収係数の説明図である。
【図６】電極めっき膜の主成分元素であるＳｎ及び分析対象元素のＰｂとメタルマスクの各構成元素の特性Ｘ線の重なり具合の説明図である。
【図７】電極めっき膜の主成分元素であるＳｎ及び分析対象元素のＢｉとメタルマスクの各構成元素の特性Ｘ線の重なり具合の説明図である。
【図８】本発明の実施例１の蛍光Ｘ線分析方法の分析対象となるチップ抵抗の説明図である。
【図９】本発明の実施例１における測定時の試料近傍の構成図である。
【図１０】図２に示した工程ＤのＳｎの蛍光Ｘ線強度分布図である。
【図１１】図２に示した工程Ｆにおける定性・定量分析におけるバックグランドの説明図である。
【図１２】高さを有する試料のエッジ近傍の分析における問題点の説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  Ｘ線
２  試料
３  測定対象部
４  妨害部位
５  特性Ｘ線
６  メタルマスク
１０  試料
１１  基板
１２  妨害物質を含む膜
１３  妨害物質を含まない膜
１４  分析対象となる膜
１５  妨害物質を含む膜
１６  入射Ｘ線（白色Ｘ線）
１７，１７12，１７13，１７14  蛍光Ｘ線
１８  メタルマスク
２０  Ｘ線分析装置
２１  試料ステージ
２２  微小Ｘ線源
２３  Ｘ線検出器
３０  チップ抵抗
３１  アルミナ基板
３２  Ａｇ焼付表面電極
３３  抵抗体
３４  鉛ガラス
３５  樹脂膜
３６  Ａｇ焼付裏面電極
３７  Ａｇ焼付側面電極
３８  ニッケルめっき電極
３９  外部電極
４０  銅マスク
【図１】
2009103551.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009103551.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009103551.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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