(57)【要約】      （修正有）【課題】基板に対してより均一にガスを供給する供給口を有する基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を処理する処理室５と、処理室内で基板を支持する支持具４１と、処理室内にガスを供給する供給口１４ａ，１５ａと、を有し、供給口には積層焼結金網８ａが設けられ、ガスは積層焼結金網を介して処理室内に供給される。または供給口には複数の貫通孔を有する多孔板が設けられ、それぞれの貫通孔内には金属多孔質材が着脱可能に設けられ、ガスは金属多孔質材を介して処理室内に供給される。【選択図】図１
2009167438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内で基板を支持する支持具と、
前記処理室内にガスを供給する供給口と、を有し、
前記供給口には積層焼結金網が設けられ、前記ガスは前記積層焼結金網を介して前記処理室内に供給される
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内で基板を支持する支持具と、
前記処理室内にガスを供給する供給口と、を有し、
前記供給口には複数の貫通孔を有する多孔板が設けられ、各々の前記貫通孔内には金属多孔質材が着脱可能にそれぞれ設けられ、前記ガスは前記金属多孔質材を介して前記処理室内に供給される
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上に薄膜、例えば導電性金属膜等の薄膜を形成する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭ等の半導体装置を製造する工程においては、例えば、基板上にガスを供給して導電性金属膜等の薄膜を形成する等の基板処理工程が実施される場合がある。かかる基板処理工程は、基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する支持具と、処理室内にガスを供給する供給口とを有する基板処理装置によって実施されていた。そして、処理室内に供給されたガスを基板上に均一に供給するように、供給口には、ガスを分散させるシャワープレートが設けられていた。シャワープレートは、例えば小径のシャワー孔（貫通孔）を切削加工により多数設けたアルミプレートとして構成されていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、切削加工によりシャワー孔を設ける場合には、その孔径は例えば０．５ｍｍ程度以上となり、０．５ｍｍ以下にすることは困難である。このような孔径では、シャワー孔から噴出するガスの流速が早くなり、シャワー孔の直下とシャワー孔の周辺とではガスの供給流量が不均一となってしまい、形成する薄膜の膜厚に差異が生じてしまう場合があった。
【０００４】
本発明は、基板に対してより均一にガスを供給することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記処理室内にガスを供給する供給口と、を有し、前記供給口には積層焼結金網が設けられ、前記ガスは前記積層焼結金網を介して前記処理室内に供給される基板処理装置が提供される。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記処理室内にガスを供給する供給口と、を有し、前記供給口には複数の貫通孔を有する多孔板が設けられ、各々の前記貫通孔には金属多孔質材が着脱可能にそれぞれ設けられ、前記ガスは前記金属多孔質材を介して前記処理室内に供給される基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明にかかる基板処理装置によれば、基板に対してより均一にガスを供給することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の縦断面構成図であり、図２は、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程としての基板処理工程を示す図である。
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
まず、本実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図１を用いて説明する。なお、図１に例示する基板処理装置は、本実施形態に示すようなＡＬＤ法による成膜方法の実施に限らず、ＣＶＤ法による成膜方法の実施にも適用可能である。
【００１０】
基板処理装置は、基板としてのシリコンウエハ１を内部に搬入して処理する処理室５を備えている。処理室５は処理容器５ａの内部に形成される。処理室５の側面部には、基板搬入搬出口２ａの開閉を行うゲート弁２が設けられている。そして、ゲート弁２を開くことで開放された基板搬入搬出口２ａを介して、搬送ロボット（図示せず）が、処理室５の内外にシリコンウエハ１を搬送できるようになっている。
【００１１】
処理室５の内部には、シリコンウエハ１を下方から支持する支持具としてのサセプタ４１が設けられている。そして、サセプタ４１は、支持台としてのヒータユニット４０により下方から支持されている。ヒータユニット４０は、シリコンウエハ１を加熱するヒータ４を内蔵している。そして、ヒータ４は、温度制御手段１７によって制御され、サセプタ４１上のシリコンウエハ１を所定の温度に加熱することが出来るようになっている。
【００１２】
また、ヒータユニット４０は、処理室５内にプラズマを発生させるプラズマ発生器としてのＲＦ電極４２を内蔵している。ＲＦ電極４２には、ＲＦマッチングボックス４３及びマッチングコントローラ４４を介して、ＲＦ電極４２に高周波電力を供給するＲＦ電源４５が接続されている。ＲＦマッチングボックス４３及びマッチングコントローラ４４は、ＲＦ電極４２に所定のマッチング条件に従って高周波電力が供給されるように、ＲＦ電源４５から出力される高周波電力の周期や電圧等を調整する。なお、ＲＦ電極４２が発生させたプラズマは、処理室５内に供給された反応ガスを活性化するように構成されている。そして、このプラズマで活性化した反応ガスは、シリコンウエハ１の表面に対して供給されるように構成されている。
【００１３】
ヒータユニット４０は、昇降機構３９によって処理室５内を昇降自在に設けられ、必要に応じて回転自在にも設けられている。ヒータユニット４０は、シリコンウエハ１の搬送時には点線で示す位置まで下降する。ヒータユニット４０の下降後は、サセプタ４１の表面より突出した突き上げピン３が、シリコンウエハ１を支持するように構成されている。また、シリコンウエハ１上への成膜時には、ヒータユニット４０は実線で示す位置まで上昇する。ヒータユニット４０の上昇後は、突き上げピン３がサセプタ４１の表面より没入するため、サセプタ４１がシリコンウエハ１を支えるように構成されている。また、この際、シリコンウエハ１の外周と処理室５の内壁側面との間の隙間は、整流板４６により塞がれるように構成されている。整流板４６は、後述するシャワーヘッド２７からシリコンウエハ１上に供給されたガスを、処理室５の内壁側面に向けて放射状に流すように構成されている。整流板４６の外周部には、処理室５内の側方に流れたガスを、処理室５内の下方に流すための通気孔が設けられている。
【００１４】
処理室５の底面部には、処理室５内を排気する排気管９が連結されている。排気管９には処理室５を排気するための真空ポンプｖｐが接続されている。
【００１５】
処理室５の上面部には、処理室５内にガスを供給するシャワーヘッド２７が設けられている。シャワーヘッド２７は、シャワーヘッド２７内に供給されるガスを拡散させるバッファ空間７ａと、バッファ空間７ａに拡散されたガスを分散させる分散板７と、分散板７によって分散されたガスを拡散させるバッファ空間２８と、拡散されたガスを処理室５内へシャワー状に噴射する積層焼結金網８ａとを有している。
【００１６】
積層焼結金網８ａは、その外周がバッファ空間２８を構成するシャワーヘッド２７の内壁に密着するように形成され、シリコンウエハ１と対向する位置に設けられる板材として
構成されている。積層焼結金網８ａは、例えば、ＳＵＳ３１６、ハステロイ（登録商標）、インコネル（登録商標）、及びニッケル等により構成された複数枚の金網を積層して真空中等で高温焼結することにより得られた焼結金網フィルタ材を、上述の板材の形状に切断加工することにより得られる。また、本実施形態における積層焼結金網８ａは、孔径が例えば１μｍ以上３００μｍ以下である多数の濾過用孔を有している。分散板７を介してバッファ空間２８に供給されたガスは、積層焼結金網８ａが有する濾過用孔を介して処理室５内に供給されるように構成されている。
【００１７】
シャワーヘッド２７の上部には、原料ガスを処理室５内に供給する原料ガス供給ライン１５が接続されている。さらに、シャワーヘッド２７の上部には、反応ガスを処理室５内に供給する反応ガス供給ライン２９と、原料ガスのシリコンウエハ１上への吸着を助ける吸着補助ガスを処理室５内に供給する吸着補助ガス供給ライン３０とが、それぞれ開閉バルブ１４、１３を介して接続されている。シャワーヘッド２７と原料ガス供給ライン１５との接続部、及びシャワーヘッド２７と反応ガス供給ライン２９との接続部は、それぞれ処理室５内にガスを供給する供給口１４ａ，１５ａを構成している。
【００１８】
上述の原料ガス供給ライン１５は、原料ガスとしてのＲｕ（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）（（ＣＨ３）Ｃ５Ｈ５）を気化させたガス（以下、ＤＥＲガスと略す。）を処理室５内に供給する。原料ガス供給ライン１５には、ＤＥＲガスを供給するＤＥＲガス管３１と、不活性ガスとしての窒素（Ｎ２）ガスを供給する窒素ガス管３２と、反応ガスとしてのアンモニア（ＮＨ３）ガスを供給するアンモニアガス管３３とが、それぞれ開閉バルブ６，１０，１６を介して接続されている。ＤＥＲガス管３１の上流側には、図示しないが、液体原料としてのルテニウム原子を含む有機液体金属原料であるＤＥＲを供給するＤＥＲ供給源が接続されている。ＤＥＲガス管３１には、ＤＥＲ供給源から供給されたＤＥＲを気化してＤＥＲガスを発生させる気化器５０が設けられている。また、窒素ガス管３２の上流側には、図示しないが、窒素ガスを供給する窒素ガス供給源が接続されている。窒素ガス管３２は、原料ガスの供給停止時に原料ガス供給ライン１５内に窒素ガスを供給して、原料ガス供給ライン１５内に反応ガスや吸着補助ガスが逆流（侵入）することを防止する。また、窒素ガス管３２は、処理室５内へ窒素ガスを供給して、処理室５内をパージして窒素ガスに置換する。また、アンモニアガス管３３の上流側には、図示しないが、アンモニアガスを供給するアンモニアガス供給源が接続されている。開閉バルブ１６を開けることにより、原料ガス供給ライン１５からアンモニアガスを処理室５内へ供給することも可能である。
【００１９】
上述の反応ガス供給ライン２９は、反応ガスとしてのアンモニアガス、アルゴンガス、あるいはこれらの混合ガスを処理室５内に供給する。反応ガス供給ライン２９の上流側には、アンモニアガス管３３から分岐した分岐管３４と、アルゴンガスを供給するアルゴンガス供給管３５とが、それぞれ接続されている。アルゴンガス供給管３５の上流側には、図示しないが、アルゴンガスを供給するアルゴンガス供給源が接続されている。また、反応ガス供給ライン２９には、ベントライン（バイパス管）３６が接続されている。ベントライン３６には開閉バルブ１２が設けられている。ベントライン３６は、開閉バルブ１２を開けることにより、反応ガスとしてのアンモニアガス、アルゴンガス、あるいはこれらの混合ガスを、処理室５内をバイパスして排気管９へと逃がすように構成されている。
【００２０】
上述の吸着補助ガス供給ライン３０は、原料ガスのシリコンウエハ１上への吸着を助ける吸着補助ガスとしての酸素ガスを、処理室５内に供給する。吸着補助ガス供給ライン３０の上流側には、酸素ガスを供給する酸素ガス管３７が、開閉バルブ２３を介して接続されている。さらに、吸着補助ガス供給ライン３０には、窒素ガスを供給するための窒素ガス管３８が、開閉バルブ２４を介して接続されている。酸素ガス管３７の上流側には、図示しないが、酸素ガスを供給する酸素ガス供給源が接続されている。また、窒素ガス管３
８の上流側には、図示しないが、窒素ガスを供給する窒素ガス供給源が接続されている。窒素ガス管３８は、吸着補助ガスの供給停止時に窒素ガスを供給して、吸着補助ガス供給ライン３０内へ原料ガスや反応ガス等が逆流（侵入）することを防止する。また、窒素ガス管３８は、反応ガスの供給停止時に吸着補助ガス供給ライン３０を介して反応ガス供給ライン２９内に窒素ガスを供給して、反応ガス供給ライン２９内に原料ガスが侵入することを防止する。また、窒素ガス管３８は、処理室５内へ窒素ガスを供給して処理室５内をガス置換する。
【００２１】
上述の開閉バルブ６、１０、１６、１２〜１４、２３、及び２４は、コントローラ６０によって、それぞれ開閉制御される。また、上述の配管３２、３３、３５、３７、及び３８には、ガス流量を制御するための流量制御器２１、２０、１９、２５、及び２６がそれぞれ設けられる。また、上述の配管３１には、ＤＥＲの液体流量を制御するための液体流量制御器２２が設けられる。各流量制御器は、コントローラ６０によってそれぞれ制御される。また、上述の排気管９には、処理室５の内部圧力を調整するための排気配管コンダクタンス制御部１８が設けられる。排気配管コンダクタンス制御部１８は、コントローラ６０によって制御される。なお、コントローラ６０はこの他、基板処理装置を構成する各部の動作を制御する。
【００２２】
（２）基板処理方法
続いて、上述の基板処理装置により実施される基板処理方法として、シリコンウエハ１上にルテニウム薄膜を形成する方法について図２を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ６０によって制御される。なお、シリコンウエハ１を処理室５内へ搬入する前に、予め処理室５内に窒素ガスを充満させて処理室５内の雰囲気を窒素等の不活性ガスに置換しておく。
【００２３】
まず、上述の処理室５内にシリコンウエハ１を搬入し、ヒータユニット４０を上昇させることでサセプタ４１上にシリコンウエハ１を載せ、シリコンウエハ１を成膜位置まで上昇させる。そして、開閉バルブ６、１０、１６、１４、２３を閉め、開閉バルブ２４、１３を開けることにより、処理室５内に窒素ガスを供給しつつ排気管９より排気することで、処理室５内をパージして窒素ガスで充満させる。そして、シリコンウエハ１をヒータ４により所定温度まで加熱して、処理室５内の圧力を所望の値に安定させる（開始）。具体的には、例えばシリコンウエハ１の表面温度は１５０〜４００℃、処理室内圧力は０．１〜数１０Ｔｏｒｒ（１３．３〜数千Ｐａ）とする。
【００２４】
続いて、開閉バルブ６を開けることにより、分散板７、積層焼結金網８ａを介して処理室５内に原料ガスとしてのＤＥＲガスを供給しつつ排気管９より排気する（工程１）。具体的には、例えばＤＥＲの流量は０．０１〜０．２ｇ／分とし、１サイクルあたりの供給時間は１〜６０秒とする。その結果、ＤＥＲガス分子はシリコンウエハ１に物理吸着または化学吸着する。なお、開閉バルブ２４、１３は開いたままの状態として、ＤＥＲガスを窒素ガスで希釈して供給するようにしてもよい。
【００２５】
続いて、開閉バルブ６を閉め、開閉バルブ１０を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、排気管９より排気することにより、処理室５内をパージして窒素ガスに置換する（工程２）。なお、この間、すなわち工程１，２では、開閉バルブ２４，１３は開いたままの状態として吸着補助ガス供給ライン３０より窒素ガスを供給し続けることで、ＤＥＲガスが吸着補助ガス供給ライン３０内に逆流（侵入）することを防止するようにする。
【００２６】
続いて、開閉バルブ１４を開けることにより、反応ガスとしてのアンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガスを処理室５内に供給しつつ排気管９より排気する（工程３）。具体
的には、例えばアンモニアガスの流量は１０〜５０００ｓｃｃｍとし、１サイクルあたりの供給時間は１〜６０秒とする。その結果、処理室５内にアンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガスが均一に拡散した状態となる。なお、開閉バルブ２４，１３は開いたままの状態として、アンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガスを窒素ガスで希釈して供給するようにしてもよい。
【００２７】
続いて、処理室５内をアンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガスで一様にした状態で、ＲＦ電源４５からＲＦ電極４２へと高周波電力を供給する（工程４）。この際、ＲＦ電極４２に所定のマッチング条件に従って高周波電力が供給されるように、ＲＦマッチングボックス４３及びマッチングコントローラ４４を用いて、ＲＦ電源４５から出力される高周波電力を調整する。その結果、処理室５内にプラズマが発生し、処理室５内に均一に拡散していたアンモニアガスがプラズマにより活性化され、プラズマで活性化されたアンモニアガスがシリコンウエハ１上に供給される。そして、プラズマで活性化したアンモニアガスに含まれる励起水素が、シリコンウエハ１上に吸着しているＤＥＲガス分子と反応してＤＥＲガス分子を分解し、シリコンウエハ１上にルテニウムの薄膜を生成する。
【００２８】
続いて、開閉バルブ１４を閉め、開閉バルブ２４，１３を開けることで処理室５内に窒素ガスを供給しつつ、排気管９より処理室５内を排気することにより、処理室５内をパージして窒素ガスに置換する（工程５）。なお、この間、すなわち工程３，４では、開閉バルブ１０は開いたままの状態として原料ガス供給ライン１５より窒素ガスを供給し続けることで、アンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガスが原料ガス供給ライン１５内に逆流（侵入）することを防止するようにする。
【００２９】
そして、工程１から工程５までを１サイクルとして、シリコンウエハ１上に所望膜厚のルテニウム薄膜が形成されるまでこのサイクルを複数回繰り返す。例えば、トータル膜厚は６〜２５ｎｍとする。
【００３０】
その後、ルテニウム薄膜形成後のシリコンウエハ１を処理室５内から搬出して、基板処理工程を完了する（終了）。
【００３１】
（３）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００３２】
本実施形態にかかるシャワーヘッド２７内には、小径のシャワー孔を切削加工により多数設けたシャワープレートの代わりに、積層焼結金網８ａが設けられている。上述したとおり、シャワー孔を切削加工により設ける場合には、その孔径を例えば０．５ｍｍ以下にすることは困難であった。そのため、シャワー孔から噴出するガス（原料ガスや反応ガス）の流速が早くなってしまい、シャワー孔の直下とシャワー孔の周辺とではシリコンウエハ１に供給されるガス量が不均一となってしまう場合があった。これに対し、本実施形態では積層焼結金網８ａの濾過用孔の孔径を、１μｍ以上３００μｍ以下としている。そのため、濾過用孔から噴出されるガスを減速できるとともに、シリコンウエハ１上に供給するガス量を均一にすることができる。その結果、シリコンウエハ１上に形成するルテニウム薄膜の膜厚をより均一にすることができる。
【００３３】
また、本実施形態によれば、積層焼結金網８ａの有する濾過用孔の孔径を例えば１μｍ以上３００μｍ以下の範囲で調整することにより、シャワーヘッド２７によるガスの圧力損失（シャワーヘッド２７を通過した後のガスの流速）を自在かつ容易に変更することが可能となる。
【００３４】
また、本実施形態によれば、積層焼結金網８ａの有する濾過用孔の孔径は例えば１μｍ
以上３００μｍ以下であり、供給口１４ａ，１５ａから処理室５内にパーティクルが侵入することを抑制できる。
【００３５】
また、シャワープレートに小径のシャワー孔を切削加工により多数設けるには、加工に多くの時間を要し、基板処理装置の製造コストが嵩んでしまう場合があった。本実施形態によれば、このようなシャワープレートを用いる必要がないため、基板処理装置の製造コストを低減させることが可能となる。
【００３６】
＜本発明の他の実施形態＞
続いて、本発明の他の実施形態について図面を参照しながら説明する。図３は、本発明の他の実施形態にかかる多孔板の概略構成図を示しており、（ａ）は多孔板の斜視図であり、（ｂ）は多孔板の上面図であり、（ｃ）は多孔板の部分断面構成図である。
【００３７】
本実施形態にかかる基板処理装置では、積層焼結金網８ａの代わりに複数の貫通孔８ｃを有する多孔板８ｂが設けられている点が上述の基板処理装置と異なる。その他の構成は、上述の実施形態にかかる基板処理装置と同一である。
【００３８】
多孔板８ｂが有する貫通孔８ｃ内には、ガスフィルタとして機能する金属多孔質材８ｄが隙間なく着脱可能にそれぞれ設けられるように構成されている。貫通孔８ｃは、図３（ｃ）にその断面を示すように、その下端部をフランジ加工する等により金属多孔質材８ｄの脱落を防止するように構成されている。金属多孔質材８ｄは、ＳＵＳ３１６、ハステロイ（登録商標）、インコネル（登録商標）、及びニッケル等により構成された複数枚の金網を積層して真空中等で高温焼結することにより得られた金属の焼結体、あるいはＳＵＳ３１６、ハステロイ（登録商標）、インコネル（登録商標）、及びニッケル等により構成された金属不織布からなる。金属多孔質材８ｄは、孔径が例えば１μｍ以上３００μｍ以下である多数の濾過用孔を有している。分散板７を介してバッファ空間２８内に供給されたガスは、金属多孔質材８ｄが有する濾過用孔を介して処理室５内に供給されるように構成されている。
【００３９】
なお、貫通孔８ｃ内に装着する金属多孔質材８ｄの濾過用孔の孔径は、多孔板８ｂ全面にわたりそれぞれ均一とする場合に限らず、局所的に異なるように構成してもよい。金属多孔質材８ｄの濾過用孔の孔径を局所的に異なるように構成することで、シリコンウエハ１へのガスの供給量をより均一にすることが出来る。例えば、分散板７を介してバッファ空間２８内に供給されるガスの流速は、多孔板８ｂの中心部分（供給口１４ａ，１５ａ付近）では速く、多孔板８ｂの外周部分（供給口１４ａ，１５ａから離れた位置）では遅い場合がある。このような場合、多孔板８ｂの中心部分に設けられる金属多孔質材８ｄの濾過用孔の孔径を、多孔板８ｂの外周部分に設けられる金属多孔質材８ｄの濾過用孔の孔径よりも小さく構成することで、多孔板８ｂの中心部分におけるコンダクタンスを多孔板８ｂの外周部分におけるコンダクタンスよりも小さくさせ、多孔板８ｂを介してシリコンウエハ１に供給するガスの供給量をより均一にすることが出来る。
【００４０】
＜本発明のさらに他の実施形態＞
上述の実施形態においては、工程１の前に、処理室５内へ吸着補助ガスを供給する工程（工程１’）と、処理室５内を窒素ガスにガス置換する工程（工程１”）とをさらに設け、工程１’から工程５を１サイクルとして、このサイクルを繰り返すようにしてもよい。
【００４１】
上述の実施形態においては、反応ガスとして、アンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いたが、本発明は上述の形態に限定されない。例えば、上述したように、反応ガスとしてアンモニアガスを単体で用いてもよく、アルゴンガスを単体で用いてもよい。なお、反応ガスとしてアンモニアガスを単体で用いる場合には、処理室５内へ反応ガスを供
給して処理室５内を反応ガスで一様にする工程において、開閉バルブ１４を開けずに、開閉バルブ１６を開けるとよい。また、反応ガスとしてアルゴンガスを単体で用いる場合には、分岐管３４に開閉バルブを更に設けて、開閉バルブ１４を開ける際に、分岐管３４に設けた開閉バルブを閉めてもよい。
【００４２】
また、上述の実施形態においては、基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＶＤ法やＡＬＤ法により酸化膜、窒化膜を形成する処理、半導体膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
【００４３】
＜本発明の好ましい態様＞
第１の態様は、基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記処理室内にガスを供給する供給口と、を有し、前記供給口には積層焼結金網が設けられ、前記ガスは前記積層焼結金網を介して前記処理室内に供給される基板処理装置である。
【００４４】
第２の態様は、基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記処理室内にガスを供給する供給口と、を有し、前記供給口には複数の貫通孔を有する多孔板が設けられ、各々の前記貫通孔内には金属多孔質材が着脱可能にそれぞれ設けられ、前記ガスは前記金属多孔質材を介して前記処理室内に供給される基板処理装置である。
【００４５】
好ましくは、前記多孔板は前記基板と対向する位置に設けられている。
【００４６】
また好ましくは、前記金属多孔質材は金属の焼結体あるいは金属不織布からなり、前記ガスに対してフィルタとして作用する濾過用孔を有している。
【００４７】
また好ましくは、前記金属多孔質材が有する濾過用孔の孔径は１μｍ以上３００μｍ以下である。
【００４８】
また好ましくは、前記多孔板の中心部分に設けられる前記金属多孔質材の濾過用孔の孔径は、前記多孔板の外周部分に設けられる前記金属多孔質材の濾過用孔の孔径よりも小さい。
【００４９】
第３の態様は、処理室内にガスを供給して基板を処理する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に基板を搬入する工程と、積層焼結金網を介して前記処理室内にガスを供給して基板を処理する工程と、前記処理室内から処理後の基板を搬出する工程と、有する半導体装置の製造方法である。
【００５０】
第４の態様は、処理室内にガスを供給して基板を処理する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に基板を搬入する工程と、複数の貫通孔を有する多孔板の各々の前記貫通孔内に着脱可能にそれぞれ設けられた金属多孔質材を介して前記処理室内にガスを供給して基板を処理する工程と、前記処理室内から処理後の基板を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の縦断面構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程としての基板処理工程を示す図である。
【図３】本発明の他の実施形態にかかる多孔板の概略構成図を示しており、（ａ）は多孔板の斜視図であり、（ｂ）は多孔板の上面図であり、（ｃ）は多孔板の部分断面構成図である。
【符号の説明】
【００５２】
１      シリコンウエハ（基板）
５      処理室
８ａ    積層焼結金網
８ｂ    多孔板
８ｃ    貫通孔
８ｄ    金属多孔質材
４１    サセプタ（支持具）
１４ａ，１５ａ    供給口
【図１】
2009167438.tif 000003
【図２】
2009167438.tif 000004
【図３】
2009167438.tif 000005