(57)【要約】【課題】磁気ディスク装置の更なる高記録密度化に伴い、記録媒体が更に狭トラック化し高保磁力化しても十分な書き込み能力を有する記録ヘッドを提供する。【解決手段】少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極、ヨーク、リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、体心立方相である第一の磁性膜層と面心立方相である第二の磁性膜層とを交互に形成したことを特徴とする、薄膜磁気ヘッドを提供する。本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、薄膜磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数が高周波数化しても、高μを得ることができる。【選択図】図２
2009151834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Co、Ni及びFeのうち2種類以上の元素とSを含み体心立方相である第一の磁性膜層と、Co、Ni及びFeのうち2種類以上の元素を含み面心立方相である第二の磁性膜層とを交互に形成したことを特徴とする、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第一の磁性膜層は、前記Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、前記Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、前記Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％であり、前記Ｓの組成比が０．５ｗｔ％−１．０ｗｔ％であることを特徴とする、
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁性膜は、Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−５５ｗｔ％であり、Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−１５ｗｔ％であり、Ｆｅの組成比が３０ｗｔ％−７５ｗｔ％であることを特徴とする、
請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第一の磁性膜層の前記磁性膜全体に対する割合は、前記第二の磁性層めっき膜の前記磁性膜全体に対する割合よりも多いことを特徴とする、
請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第一の磁性膜層の前記磁性膜全体に対する割合は８０％以上であることを特徴とする、
請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第二の磁性膜層は、磁歪定数が負であることを特徴とする、
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第二の磁性膜層は、一層あたりの膜厚が０．５ｎｍ以上であることを特徴とする、
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドと、
前記薄膜磁気ヘッドがアクセスする磁気記録媒体とを、
少なくとも有する磁気記録装置。
【請求項９】
少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜を、
Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上のイオンを含有し、さらにＳの錯体を含有し、ｐＨが２．０以下であるめっき浴で、電流密度が150ｍＡ／ｃｍ２以上である電流を印加する第一の工程と、
電流密度が150ｍＡ／ｃｍ２より小さい電流を印加する第二の工程とを交互に行うことにより成膜することを特徴とする、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第二の工程で印加する電流の電流密度を３ｍＡ／ｃｍ２以下とすること特徴とする、
請求項９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第一の工程で印加する電流はパルス電流であることを特徴とする、
請求項９に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記磁性膜の成膜時に、窒素バブリング及びパドル攪拌を行うことを特徴とする、
請求項９記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜を、
Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上のイオンを含有し、さらにＳの錯体を含有し、ｐＨが２．０以下であるめっき浴で、体心立方相を成膜するように設定された電流密度である電流を印加する第一の工程と、
前記電極に、面心立方相を成膜するように設定された電流密度である電流を印加する第二の工程とを交互に行うことにより成膜することを特徴とする、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第二の工程で印加する電流を磁歪定数が負の膜を成膜するように設定したことを特徴とする、
請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第一の工程で印加する電流はパルス電流であることを特徴とする、
請求項１３に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記磁性膜の成膜時に、窒素バブリング及びパドル攪拌を行うことを特徴とする、
請求項１３記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関し、特に、高飽和磁束密度及び高透磁率を有する磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスク・ドライブ装置として、光ディスク装置、光磁気ディスク装置、あるいはフレキシブル磁気ディスク装置などの様々な態様の装置が知られているが、その中で、ハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）は、コンピュータの記憶装置として広く普及し、現在のコンピュータ・システムにおいて欠かすことができない記憶装置の一つとなっている。HDDは磁気ディスク装置である。
【０００３】
磁気ディスク装置は薄膜磁気ヘッドにより記録媒体に磁気情報を書き込み、記録媒体から磁気情報を読み出す。そして、磁気ディスク装置は、記録媒体に記録できる磁気情報のデータ量を増やすため、年々高記録密度化している。それに伴い、記録媒体は高保磁力化することが要求される。また、高保磁力化した記録媒体にエラーすることなく書き込むため、記録ヘッドは、磁気コア材料として飽和磁束密度が高く、強い磁界により記録媒体に書き込むことができる材料を使用することが要求される。
【０００４】
高飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する材料として、特許文献１や特許文献２が開示されている。特許文献１には、上部磁性層及び下部磁性層又は上シールド層を形成するコバルト、鉄、ニッケル磁性膜であって、コバルト含有量が４０−７０重量％、鉄含有量が２０−４０重量％、およびニッケル含有量が１０−２０重量％であり、体心立方構造のγ相と面心立方構造のα相の混晶である結晶構造を有する磁性膜が開示されている。混晶は、同じ面の中に体心立方構造と面心立方構造とを混在させて成長させることにより実現される。また、特許文献２には、Ｆｅが２５−４０ａｔ％、Ｎｉが１０−１５ａｔ％、Ｃｏが４０−７０ａｔ％、Ｃｏが４０−７０ａｔ％、及びＳが０−０．３ａｔ％含まれ、かつ結晶構造が面心立方晶もしくは面心立方晶とごくわずかの体心立方晶からなる磁性薄膜を上部磁気コア及び下部磁気コアとに用いた磁気記録ヘッドが開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−７４１２２号公報
【特許文献２】特開２０００−１７３０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気ディスク装置の更なる高記録密度化に伴い、記録媒体が更に狭トラック化し高保磁力化しても十分な書き込み能力を有する記録ヘッドが求められている。具体的には、記録媒体のトラック幅が狭くなると、それに伴い、記録ヘッドの主磁極のトラック幅も合わせて狭くなり、磁性膜も薄膜化するため、磁化特性が劣化してしまう。さらに、記録媒体が高保磁力化すると、記録ヘッドがエラーなく記録媒体に書き込むためには、記録ヘッドから強い記録磁界を発生させる必要がある。したがって、薄膜化しても高い飽和磁束密度（以下「Ｂｓ」とする）を有する材料を記録ヘッドの磁性膜として用いることが必要となる。
【０００７】
また、高速通信化に対応して記録周波数の高周波数化を図るため、コイル電流の記録磁界変換効率を向上すべく、記録ヘッドの主磁極部や副磁極部などにおけるヒステリシス損失を低減する必要がある。困難軸方向の保磁力（以下「Ｈｃ」とする）或いは異方性磁界（以下「Ｈｋ」とする）が低く、透磁率（以下「μ」とする）が高い特性を有する材料を使用することが要求される。
【０００８】
従来、高いＢｓを有する材料としてのＣｏＮｉＦｅ系の材料を電気めっきで作製して用いていたが、なお十分に高いＢｓを得ることができるまでには至っていない。また、材料としては高いＢｓは有しているものの、薄膜化することが困難であり実用化できるまでには至っていなかった。
【０００９】
また、特許文献１に開示される薄膜磁気ヘッドに使用される磁性膜は、Ｂｓが１．９Ｔ−２．２Ｔであり、更なる高記録密度を実現するためには十分ではない。特許文献２に開示される磁気記録ヘッドの磁性薄膜は、Ｂｓが２．０Ｔと低く、Ｈｋが１６Ｏｅと高いため、更なる高記録密度化に対応するためには十分ではない。また、どちらの文献でもμについては示唆されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、本発明は、上記従来の課題に鑑みなされたものであり、従来と比較して、より高いＢｓおよび高いμを有する磁性膜を使用した薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。また、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を提供する。
【００１１】
具体的には、少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Co、Ni及びFeのうち2種類以上の元素とSを含み体心立方相である第一の磁性膜層と、Co、Ni及びFeのうち2種類以上の元素を含み面心立方相である第二の磁性膜層とを交互に形成したことを特徴とする、薄膜磁気ヘッドである。
【００１２】
また、少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記主磁極、前記ヨーク、前記リターンポールの少なくとも一部の磁性膜を、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上のイオンを含有し、さらにＳの錯体を含有し、ｐＨが２．０以下であるめっき浴で、電流密度が150ｍＡ／ｃｍ２以上である電流を印加する第一の工程と、電流密度が150ｍＡ／ｃｍ２より小さい電流を印加する第二の工程とを交互に行うことにより成膜することを特徴とする、薄膜磁気ヘッドの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数を高周波数化しても、高μを得ることができる。さらに、本発明の製造方法により、上記効果を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、図面を参照しつつ本発明の形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。また、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１５】
まず、図１を参照し、本実施形態の磁気ディスク装置の概略を説明する。磁気ディスク装置は、情報を記録する磁気記録媒体１０５、磁気記録媒体を回転させるスピンドルモーター１０６、磁気記録媒体に情報を記録し再生する薄膜磁気ヘッド１０７、薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体の目標位置に位置決めするアクチュエ−タ１０８及びボイスコイルモ−タ１０９とを備える。そして、アクチュエータの先端部には、記録又は再生時において薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隔をサブミクロンスペ−スで安定浮上させる為のサスペンション１１０が固定されている。また、アクチュエ−タとボイスコイルモ−タにより駆動されるガイドア−ム１１１を備えている。更に磁気記録媒体回転制御系、ヘッド位置決め制御系、記録/再生信号処理系(図示せず)などを備えている。
【００１６】
次に、本実施形態における磁気記録媒体１０５に情報を記録し再生する薄膜磁気ヘッド１０７を更に詳しく説明する。図２に垂直記録型薄膜磁気ヘッドを示す。ここで、図２に示される、Ｘ方向をトレーリング方向、トレーリング方向の逆方向をリーディング方向と呼び、Ｙ方向をヘッド後方方向と呼ぶ（以下、同様）。そして、線２４で示される面をヘッド浮上面と呼ぶ（以下、同様）。薄膜磁気ヘッドは、非磁性基板（図示せず）からトレーリング方向に順に各部を形成し、製造される。そのため、トレーリング方向を上方向、リーディング方向を下方向とも呼ぶ。なお、垂直磁気記録型薄膜磁気ヘッドにもさまざまな形態があるが、本実施形態はその一例である。また、本実施形態は垂直記録型薄膜磁気ヘッドを用いるが、当然に面内記録型薄膜磁気ヘッドを用いることもできる。
【００１７】
まず、非磁性基板（図示せず）上に再生ヘッドを形成する。具体的には、下部シールド膜１６、下部磁気ギャップ膜(図示せず)を形成しこの上に再生用素子１５としてＭＲ、ＧＭＲまたはＴＭＲセンサ等を形成する。磁区制御層、電極膜、上部磁気ギャップ膜(図示せず)を形成後、上部磁気シールド膜１４を形成する。
【００１８】
次に、再生ヘッド上に記録ヘッドを形成する。再生素子と記録素子の磁気ギャップ膜を形成し、その上に副磁極１９を形成する。そして、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、ＣＭＰにより副磁極を平坦化した後、さらに下部磁極２３をとして、下地膜をスパッタリング後、めっき法でＣｏＮｉＦｅ膜あるいは４６ＮｉＦｅ膜を所定の厚さまでめっきした。ここで、垂直記録型薄膜磁気記録ヘッドにおいてはこの下部磁極は形成せず、端子部のみにめっきをする構造でもよい。この場合、先に絶縁膜を形成し、端子部のみ絶縁膜を除去する。つづいて絶縁膜、記録電流を印加するためのコイル２０、及び有機絶縁層を形成後、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、CMPにより下部磁極２３を平坦化する。なお、副磁極や下部磁極がない垂直記録型薄膜磁気ヘッドにも、本発明を適用することは可能である。次に、ヨーク１７を形成する。ヨーク１７は下地膜形成後、所望のパターンを作製し、Ｂｓ、μの高い膜をめっきする。下地膜除去後、アルミナ膜をスパッタリングし、ＣＭＰによりヨーク１７を平坦化する。その後、主磁極１８を形成する。主磁極１８は、下地膜をスパッタリング後、レジストにて所望のパターンを形成し、本発明によるめっき膜を0.7μｍめっきする。本発明によるめっき膜は後に詳述する。レジスト剥離後トリミングを行い、アルミナ、ストッパー膜を順次形成し、CMPにて所望の膜厚とする。ここで、主磁極18として、本実施形態によるめっき膜を形成し、その後所望のパターンをめっき膜上に形成して、トリミングする方法を用いてもよい。つまり、本実施形態の磁性膜の一部を主磁極１８に形成することもできる。ギャップ膜を形成後、シールド21を形成する。アルミナ膜をスパッタリングし、CMPによりシールド21を平坦化する。記録電流を印加するためのコイル20、及び有機絶縁層を形成後、リターンポール22をめっきにより作製し、端子工程を経て、ヘッドを作製する。
【００１９】
本実施形態では主磁極の全部又は一部に本実施形態によるめっき膜を形成したが、これに限定されるものではない。高いＢｓ及び／又は高いμを必要とする部分には使用することができる。例えば、副磁極１９やヨーク１７、リターンポール２２、下部磁極２３などである。
【００２０】
本実施形態の磁性膜について以下に詳しく説明する。本実施形態の磁性膜は、体心立方相である第一の磁性膜層と面心立方相である第二の磁性膜層とを交互に形成する。磁性膜全体の含有する元素の組成は、Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−５５ｗｔ％であり、Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−１５ｗｔ％であり、Ｆｅの組成比が３０ｗｔ％−７５ｗｔ％である。体心立方相である第一の磁性膜層と組成の異なる面心立方相である第二の磁性膜層とを交互に形成することより、各磁性膜層の成長を第一の磁性膜層と第二の磁性膜層との境界でとめることができるため、結晶粒の径を微細化することができる。そして、結晶粒の径が微細化すると、各結晶粒が磁気的な変化への反応速度が速くなるため、高いμを実現することができる。
【００２１】
図３にCo、Ni、Feの3元系組成図を示す。図に示すようにFe：20wt%、Co：70 wt%、Ni：10wt%の交点とNi：40wt%、Fe：60wt%を結ぶ直線付近に面心立方相と体心立方相の境界がある。
【００２２】
第一の磁性膜層は、Co、Ni及びFeのうち2種類以上の元素とSを含み、Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％であり、Ｓの組成比が０．５ｗｔ％−１．０ｗｔ％膜である。このように、本実施形態では磁性膜中の第一の磁性膜層にＳを含有させ、その組成比を０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％の範囲で膜中に存在させる。Ｓを含有させることにより、結晶粒を微細化することができ、高Ｂｓを実現することが可能となる。Ｓの組成比を０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％とした別の理由を以下に示す。1.0wt％より大きくすると、Ｓの含有量が多いため、膜の耐食性が劣化してしまう。また図４に示すとおり、Ｓの含有量が0.5wt％より減ると、急激に膜応力が大きくなってしまう。したがって、Ｓの含有量が0.5wt％より小さいと膜応力が大きく、薄膜で成膜するとはがれやすくなってしまうため、０.５ｗｔ％以上とした。さらに、第一の磁性膜層の結晶粒は、結晶粒の膜面に平行な面の格子定数をa、膜面に垂直な面の格子定数をbのときのa/bが0.995以下である。
【００２３】
第二の磁性膜層は、磁歪定数が負であるめっき膜を用いる。具体的には、図３の点線部よりＣｏ側の領域が、磁歪定数が負である組成比を示す。具体的には、図３のNi：80ｗｔ％−100ｗｔ％をつなぐ線と、Co：0ｗｔ％―70ｗｔ％をつなぐ線と、Co：70ｗｔ％から（Fe：10ｗｔ％、Co：50ｗｔ％、Ni：40ｗｔ％）の点と（Ni：70ｗｔ％、Co：10ｗｔ％、Fe20ｗｔ％）の点を通り、Ni：80ｗｔ％に至る線とで囲まれた範囲内で達成できる。磁歪定数が負である領域の磁歪定数は、磁歪定数が正である第一の磁性膜層の磁歪定数に比べ無視できるほどに小さい。したがって、第一の磁性膜層の磁歪定数を調整することにより、磁性膜全体の磁歪定数を調整することができ、所望の磁歪定数に設定することが容易になる。所望の磁歪定数とは100E-7以下である。磁歪定数を100E-7以下とすると、磁性膜をめっき後に加工した場合に、磁性膜の容易磁化方向が変化してしまうことを防ぐことができる。
【００２４】
また、第二の磁性膜層は、一層あたりの膜厚が０．５ｎｍ以上である。０．５ｎｍより小さいと膜が薄いために、各磁性膜層の成長を第一の磁性膜層と第二の磁性膜層との境界でとめることができず、結晶粒を微細化することができないからである。マージンを考慮すると、２ｎｍ以上であることが好ましい。
【００２５】
第一の磁性膜層の磁性膜全体に対する割合は、第二の磁性膜層の磁性膜全体に対する割合よりも大きい。第一の磁性膜層により高いＢｓを実現することができるため、第一の磁性膜層の含有する割合が、第二の磁性膜層より含有する割合より大きいほうが、磁性膜全体のＢｓを高く保つことができるためである。また、本実施形態では、膜全体に占める第一の磁性膜層は、膜全体のBsに影響を及ぼすため、80％以上とした。これにより、磁性膜のBsは2.2T以上とすることができる。
【００２６】
次に、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法について詳しく説明する。本実施形態の薄膜磁気ヘッドの主磁極を図５のめっき浴にて電気めっきする。図５に示すとおり、めっき浴にはＣｏイオン、Ｎｉイオン、Ｆｅイオンに加えＳが錯体の形で含有されている。Ｓを含有するため、めっき浴にはサッカリンナトリウムが含有されている。そして、体心立方構造からなる第一の磁性膜層をめっきにより成膜する場合には、電流密度を150mＡ/ｃｍ2以上し、面心立方構造からなる第二の磁性膜層をめっきにより成膜する場合には、電流密度を150mＡ/ｃｍ2より小さい電流密度に設定する。また、磁歪定数を負とするために3mＡ/ｃｍ2以下であることが望ましい。つまり、本実施形態の磁性膜は、めっき液組成範囲を図５のようにすることにより、体心立方構造からなる第一の磁性膜層と、面心立方構造からなる第二の磁性膜層とを、同一めっき槽により電流密度を変化させることのみで作製することが可能となる。
【００２７】
さらに、第一の磁性膜層を成膜する場合に、電流密度150mＡ/ｃｍ2以上とするのは、150ｍＡ/ｃｍ2より小さい場合、成膜時に磁性膜中にＳが取り込まれにくく、Ｓが0.5wt%-1.0wt%の範囲で膜中に存在できないためである。１００ｍＡ/ｃｍ２以上の場合でも、顕著にBsやμを高くすることはできず、所望とするSの含有量に至っていない。
【００２８】
また、第一の磁性膜層を成膜する場合に、電気めっき時の電流は、直流の一定電流を印加するか、パルス電流を印加する。パルス電流を用いるのは、電流密度を高くすると、DCの一定電流のみではめっきが異常成膜してしまうためである。具体的には、電流密度が高くなると、低電流密度の場合に比べめっきの反応が早くなり、界面近傍の供給イオンが早く消費されてしまい、めっきに異常が生じる。したがって、パルス電流を用いて電流をかけない時間（off time）を設けることにより、濃度を回復させ、正常なめっき成膜を可能とする。
【００２９】
めっき浴の電流密度が１５０ｍＡ/ｃｍ２以上のように大電流の場合、めっき速度が速いとめっきの異常成膜が生じ表面粗さなどに影響がある。そこで、ｐＨを２．０以下とすると、めっき速度が低下し、異常成長を抑えることができる。さらに、ｐＨを２．０以下とするとめっき膜が白濁しにくくなる。ｐＨを２．０以下にするためには、ｐＨを測定し、硫酸又は塩酸を入れることにより、ｐＨの上昇を抑え制御する。なお、ｐＨを０．８より小さくすると、浴中の水素イオンが多くなりすぎるため、電流密度が大きい電流を印加しても電圧が低くなり、正常にめっきすることができない。
【００３０】
めっき速度が速いため、さらにN2バブリングやパドル攪拌をおこなうとよい。めっき膜の分布を均一に保つことができるからである。
【００３１】
図６に本実施形態による磁性膜をパターン内部にめっきして、Focus Ion Beamにて加工した断面を観察した概略図を示す。これより、パターン内部においても、体心立方相と面心立方相との積層膜が形成できていることがわかる。
【００３２】
図７に図５のめっき浴で第一の磁性膜層を形成するときに電流密度200ｍA /cm2とし、第二の磁性膜層を形成するときに電流密度2ｍA /cm2として、磁性膜を第一の磁性膜層と第二の磁性膜層を交互に積層した本実施形態によるめっき膜のB-Hカーブを示す。ここで、第一の磁性膜層は３０秒、第二の磁性膜層は１分３０秒ずつ成膜した。また、比較例のB-Hカーブも示す。比較例は図５のめっき浴で電流密度を６ｍA /cm2に一定とした場合であり、本実施例のように体心立方相と面心立方相とを交互に形成した構造ではなく、体心立方相が一層の構造である。両者を比較すると、本実施形態の製造方法により製造した磁性膜の方が、保磁力（困難軸：Ｈｃｈ、容易軸：Ｈｃｅ）が低下しており、Ｂｓが高くなっている。また、２．４Ｔという高いＢｓを得ることができている。つまり、Ｓの含有量が０.５ｗｔ％−1.０ｗｔ％の範囲内にあることや、結晶粒の微細化と結晶粒の歪みにより、軟磁気特性が改善される。また、異方性磁界Ｈｋは少し増加しているが、保磁力が大きく改善しているため、軟磁気特性は改善される。
【００３３】
図８に比較例の製法で作製した磁性膜と本実施形態の製法で作製した磁性膜のμを示す。比較例の製法で作製した磁性膜の透磁率は最大７００、高周波数領域である１ＧＨzでは１５０と十分なμを有していないのに対し、本実施形態の製法で作製した磁性膜は最大1600、高周波数領域である１ＧＨzでも1700である。したがって、本実施形態の製法で作製した磁性膜のμの最大値は大きくなり、かつ、高周波領域での低下もほとんどなく、高周波特性が改善できていることがわかる。ここで、本実施形態のように第一の磁性膜層として、Co、Ni及びFeのうち2種類以上の元素とSを含み、Ｃｏの組成比が１０ｗｔ％−４０ｗｔ％であり、Ｎｉの組成比が０ｗｔ％−５ｗｔ％であり、Ｆｅの組成比が５５ｗｔ％−９０ｗｔ％であり、Ｓの組成比が０．５ｗｔ％−１ｗｔ％である磁性膜を用いないと、透磁率μも最大値が1000程度までしか改善できない。
【００３４】
この体心立方構造（bcc）からなる磁性めっき薄膜のX線回折パターンを図９示す。ｂｃｃ構造由来の回折パターンが主として認められる。
【００３５】
図１０にこの回折パターンから求めた格子定数を示す。正立方晶では膜面に平行な面すなわち膜厚方向の格子定数をa、膜面に垂直な面すなわち膜面内方向の格子定数をbとするとa=bすなわちa/b=1である。本実施形態によるめっき膜はa/b=0.994と膜厚方向に縮んでいる。この結晶の歪が高Bs化（Bs＞2.4T）発現の原因と考える。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本実施形態の磁気ディスク装置の一例の概略図である。
【図２】本実施形態の薄膜磁気ヘッドの一例の概略図である。
【図３】FeCoNiめっき薄膜における、膜中のFe,Co,Ni濃度とBsの関係を示した図である。
【図４】本実施形態による膜中のイオウ(S)含有量と膜応力を示す図である。
【図５】本実施形態の電気めっき浴の条件を示す図である。
【図６】本実施形態の磁性膜の断面FIB写真示す図である。
【図７】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜のB-Hカーブを示す図である。
【図８】本実施形態及び比較例による磁性めっき薄膜の透磁率μを示す図である。
【図９】本実施形態による磁性めっき薄膜のＸ線回折結果を示す図である。
【図１０】本実施形態による磁性めっき薄膜の格子定数を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
14…上部部磁気シ−ルド、15…再生用素子、  16…下部磁気シ−ルド、  17…ヨーク、  18…主磁極、  19…副磁極、  20…コイル、  21…シールド、  22…リターンポール、23…下部磁極
105…磁気記録媒体、  106…スピンドルモ−タ−、  107…薄膜磁気ヘッド、  108…アクチュエ−タ
109…ボイスコイルモ−タ、  110…サスペンション、  111…ガイドア−ム。
【図１】
2009151834.tif 000003
【図２】
2009151834.tif 000004
【図３】
2009151834.tif 000005
【図４】
2009151834.tif 000006
【図５】
2009151834.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009151834.tif 000009
【図８】
2009151834.tif 000010
【図９】
2009151834.tif 000011
【図１０】
2009151834.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2009151834.tif 000013