(57)【要約】【課題】カケを防止してウェハ表面の傷の発生を抑制することが可能なウェハの製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ製造方法１は、第１から第４工程を有している。第１工程では、炭化ケイ素単結晶からなるインゴットを切断してウェハが得られる。第２工程では、第１工程において得られたウェハのエッジ部がエッジ研削部により研削加工される。第３工程では、第２工程において研削加工されたエッジ部がエッジ研磨部によりバフ研磨される。第４工程では、第３工程においてエッジ部がバフ研磨されたウェハの表面が表面研磨部により研磨される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化ケイ素単結晶からなるインゴットを切断してウェハを得る第１工程と、
前記第１工程において得られた前記ウェハの前記エッジ部を研削加工する第２工程と、
前記第２工程において研削加工された前記エッジ部を研磨する第３工程と、
前記第３工程において前記エッジ部が研磨された前記ウェハの表面を研磨する第４工程と、
を有することを特徴とするウェハの製造方法。
【請求項２】
前記研削加工は、Ｒ加工である
ことを特徴とする請求項１に記載のウェハの製造方法。
【請求項３】
前記第３工程後の前記ウェハの前記エッジ部の表面粗さＲａが０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウェハの製造方法。
【請求項４】
前記第３工程における前記ウェハの前記エッジ部の研磨において、バフもしくはゴム砥石を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェハ製造方法においては、以下の方法が行われている。まず、炭化ケイ素単結晶からなるインゴットをマルチワイヤーソーで切断してウェハを得る。その後、ダイヤモンドの砥石を用いてウェハのエッジ部を研削加工する。そして、研削加工したウェハを治具に貼り付け、ウェハ表面を片面ずつ研磨することで両面を研磨する。最後にＣＭＰ研磨によって表面の加工ダメージを取り除く（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−３３３６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来に係るウェハ製造方法の場合、ウェハのエッジ部の研削加工による加工ダメージによって、エッジ部にカケが発生しやすく、ウェハ表面を研磨する際にカケによって傷（スクラッチ）が発生しやすくなってしまう。
【０００４】
本発明はこのような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、カケを防止してウェハ表面の傷の発生を抑制することが可能なウェハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のウェハ製造方法は、炭化ケイ素単結晶からなるインゴットを切断してウェハを得る第１工程と、第１工程において得られたウェハのエッジ部を研削加工する第２工程と、記第２工程において研削加工されたエッジ部を研磨する第３工程と、第３工程においてエッジ部が研磨されたウェハの表面を研磨する第４工程と、を有する。
【０００６】
このウェハ製造方法によれば、研削加工されたエッジ部を研磨するため、エッジ部のカケが防止され、後の工程においてカケに起因するウェハ表面を傷の発生を抑えることができる。従って、カケを防止してウェハ表面の傷の発生を抑制することができる。
【０００７】
また、本発明のウェハ製造方法において、研削加工は、Ｒ加工であることが好ましい。
【０００８】
このウェハ製造方法によれば、Ｒ加工を行った場合においてもカケを防止してウェハ表面の傷の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のウェハ製造方法によれば、カケを防止してウェハ表面の傷の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のウェハ製造方法は、まず炭化ケイ素単結晶なるインゴットをマルチワイヤーソーで所定の厚さに切断してウェハを得る。次にエッジ研削機に所定のＲ形状をつけたダイヤモンド砥石を取り付け、先に得られたウェハの外径の加工とエッジ部のＲ加工を行う。
【００１１】
次に、ハンドグラインダーにバフを取り付け、まず９μｍのダイヤモンドスラリーでウェハのエッジ部を研磨し、順次研磨に使用するダイヤモンドスラリーを細かくしながら、最後に１μｍのダイヤモンドスラリーを用いて表面を仕上げる。エッジ研削後の表面状態によっては９μｍより粗い又は細かいダイヤモンドスラリーを用いてウェハのエッジ部の研磨を開始しても良く、最初に十分に加工ダメージを取り除くことが重要である。
【００１２】
ハンドグラインダーにはバフだけでなくゴム砥石のような柔軟性のあるボンドにダイヤモンド粒子を保持させたような砥石で研磨しても良い。また、エッジ加工機にゴム砥石を取り付けてエッジを研磨しても良い。
【００１３】
以上によって研磨されたエッジ部の表面粗さはＲａで０．１μｍ以下、好ましくは０．０３μｍ以下であると良い。これにより後工程の研磨やＣＭＰ研磨工程でのスクラッチの発生を防止できる。
【００１４】
（実施例１）
まず、マルチワイヤーソーで切断してウェハを得た後、♯５００のメタルボンドダイヤモンド砥石を備えるエッジ加工機によってエッジ部のＲ加工を行った。そして、ハンドグラインダーにバフを取り付け、ダイヤモンドスラリーを用いて粗い番手のダイヤから順次番手を細かくしながら、最終的に１μｍのダイヤを用いてエッジ部を研磨した。このときの表面粗さＲａは０．０１〜０．０３μｍであった。次に、通常の研磨のように粗い番手のダイヤから順次番手を細かくしながら研磨し、最後に１μｍのダイヤモンドスラリーを用いてウェハＣ面（カーボン面）側の鏡面加工を行った。さらに、ウェハのＳｉ面（シリコン面）側をＣ面と同様に研磨し、鏡面加工後、発泡ウレタンパッドによってＣＭＰ研磨した。ＣＭＰ研磨の研磨剤は、コロイダルシリカＣＭＰスラリーを用いた。
【００１５】
上記のような工程を経た後、光学顕微鏡及び光干渉計によって、表面の傷を観察した。なお、光干渉計観察は、０．７×０．５８ｍｍの範囲を５箇所観察した、図１は、そのうちの１箇所の拡大図である。図１に示すように、観察範囲内において傷は発見されなかった。また、図示していないが、他の４箇所についても傷は発見されなかった。
【００１６】
（実施例２）
実施例１とい同様にマルチワイヤソーで切断してウェハを得た後、♯５００のメタルボンドダイヤモンド砥石を備えるエッジ加工機によってエッジ部のＲ加工を行った。そしてハンドグラインダーに♯１５０のダイヤのゴム砥石を用いてエッジ部を研磨した。このときの表面粗さＲａは０．０８μｍであった。次いで、実施例１と同様にＣ面とＳｉ面を研磨し、鏡面加工後、発泡ウレタンパッドによってＣＭＰ研磨した。ＣＭＰ研磨の研磨剤はコロイダルシリカＣＭＰスラリーを用いた。
【００１７】
上記のような工程を経た後、光学顕微鏡及び光干渉計によって、表面の傷を観察した。なお、光干渉計は０．７×０．５８ｍｍの範囲を５箇所観察した。図示していないが、図１と同様、観察範囲内において傷は発見されなかった。
【００１８】
（比較例１）
実施例１と同様にマルチワイヤソーで切断してウェハを得た後、♯５００のメタルボンドダイヤモンド砥石を備えるエッジ加工機によってエッジ部のＲ加工を行った。このときの表面粗さＲａは０．６μｍであった。次いで、発泡ウレタンパッドによってＣＭＰ研磨した。ＣＭＰ研磨の研磨剤は、コロイダルシリカＣＭＰスラリーを用いた。
【００１９】
上記のような工程を経た後、光学顕微鏡及び光干渉計によって、表面の傷を観察した。なお、光干渉計観察は、０．７×０．５８ｍｍの範囲を５箇所観察した、図２は、そのうちの１箇所の拡大図である。図２に示すように、観察範囲内において傷が発見された。また、図示していないが、他の４箇所についても傷が発見された。
【００２０】
このようにして、本実施の形態に係るウェハの製造方法によれば、研削加工されたエッジ部をバフ研磨するため、エッジ部のカケが防止され、後の工程においてカケに起因するウェハ表面を傷の発生を抑えることができる。従って、カケを防止してウェハ表面の傷の発生を抑制することができる。
【００２１】
以上、実施の形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施の形態に係るウェハ製造方法を用いた場合におけるウェハ表面の様子を示す拡大図である。
【図２】従来に係るウェハ製造方法を用いた場合におけるウェハ表面の様子を示す拡大図である。
【図１】
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【図２】
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