(57)【要約】【課題】  パネル周辺の耐湿性改善を実現するための構造を備えた放射線像変換パネルを提供する。【解決手段】  放射線像変換パネル(1)は、支持体(100)と、該支持体(100)上に形成された放射線変換膜(200)とを備える。放射線変換膜(200)は、支持体(100)の第１主面(100a)のうち少なくとも該第１主面(100a)の重心位置を含む膜形成領域(R)上に形成される。膜形成領域(R)の重心位置(G)にある中央測定エリア上に位置する柱状結晶の平均結晶径に対し、該膜形成領域(R)の周辺測定エリア上に位置する柱状結晶の平均結晶径が１．３倍以上に制御されることにより、パネル周辺の耐湿性が改善され、パネル全体として十分な蛍光寿命が維持される。【選択図】  図１
2009258056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と、該第１主面に対向する第２主面を有する支持体と、
前記支持体の前記第１主面のうち少なくとも該第１主面の重心位置を含む膜形成領域上に設けられた放射線変換膜であって、該第１主面の法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成された放射線変換膜とを備えた放射線像変換パネルであって、
前記第１主面における前記膜形成領域において、前記重心位置を含む最大幅１ｍｍ以下の中央測定エリア上に存在する前記柱状結晶の平均結晶径に対し、該重心位置からの離間距離が該重心位置から該膜形成領域のエッジまでの最短距離の６０％である最大幅１ｍｍ以下の周辺測定エリア上に存在する前記柱状結晶の平均結晶径は、１．３倍以上である放射線像変換パネル。
【請求項２】
第１主面と、該第１主面に対向する第２主面を有する支持体と、
前記支持体の前記第１主面のうち少なくとも該第１主面の重心位置を含む膜形成領域上に設けられた放射線変換膜であって、該第１主面の法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成された放射線変換膜とを備えた放射線像変換パネルであって、
前記第１主面における前記膜形成領域において、前記重心位置を含む最大幅１ｍｍ以下の中央測定エリア上に存在する前記柱状結晶の平均結晶径に対し、該第１主面における該膜形成領域の全面積に対する面積比が０．３６となる前記重心位置を中心とする円の円周上に位置する最大幅１ｍｍ以下の周辺測定エリア上に存在する前記柱状結晶の平均結晶径は、１．３倍以上である放射線像変換パネル。
【請求項３】
前記中央測定エリアと前記周辺測定エリアを結んだ線分の中間点に位置する、最大幅１ｍｍ以下である測定エリアにおける平均結晶径は、前記中央測定エリアにおける平均結晶径よりも大きくかつ前記周辺測定エリアにおける平均結晶径よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】
前記中央測定エリア及び前記周辺測定エリアのそれぞれは、少なくとも、１０個以上の柱状結晶の列が５列以上存在する電子顕微鏡の観察視野であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の放射線像変換パネル。
【請求項５】
前記周辺測定エリア上に存在する前記柱状結晶の平均結晶径は、前記中央測定エリア上に存在する前記柱状結晶の平均結晶径に対し、２．５倍以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の放射線像変換パネル。
【請求項６】
前記周辺測定エリア上に存在する前記柱状結晶の平均結晶径は、前記中央測定エリア上に存在する前記柱状結晶の平均結晶径に対し、２．０倍以下であることを特徴とする請求項５記載の放射線像変換パネル。
【請求項７】
前記支持体の前記第１主面に覆われた面を除く、前記放射線変換膜の露出面を覆う保護膜をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の放射線像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、入射された放射線を可視光に変換する、柱状結晶構造を有する放射線変換膜を備えた放射線像変換パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線画像に代表される放射線画像は、従来から病気診断用などに広く用いられている。このような放射線画像を得る技術として、例えば、照射された放射線エネルギーを蓄積、記録する一方、励起光を照射することにより蓄積、記録された放射線エネルギーに応じて可視光を発する放射線変換膜を用いた放射線像の記録再生技術が広く実用化されている。
【０００３】
このような放射線像の記録再生技術に適用される放射線像変換パネルは、支持体と、該支持体の上に設けられた放射線変換膜を備える。放射線変換膜には、気相成長（堆積）により形成された柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体膜が知られている。輝尽性蛍光体層が柱状結晶構造を有する場合、輝尽励起光又は輝尽発光の横方向への拡散が効果的に抑制されるため（クラック（柱状結晶）界面において反射を繰り返しながら支持体面まで到達する）、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができる。
【０００４】
例えば、特許文献１には、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し、一定の傾きを持った細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが提案されている。また、特許文献２には、輝尽性蛍光体層における柱状結晶径を、該輝尽性蛍光体層の中心から周辺に向けて等方的に分布させるとともに、それらの変動を抑制することで、より耐衝撃性に優れた均一な結晶径分布を実現する技術が提案されている。
【特許文献１】特開平２−５８０００号公報
【特許文献２】特開２００５−９８７１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明者らは、従来の放射線像変換パネルについて詳細に検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、従来の放射線像変換パネルにおける放射線変換膜には、感度ムラを低減するとともにより高い解像度を得るため、柱状結晶径を小さくすることが要求されてきた。
【０００６】
しかしながら、支持体上に形成された放射線変換膜の周辺は、中心付近と比べて水分による影響で蛍光寿命が短い。そのため、平面的に分布する柱状結晶の結晶径自体を全面的にかつ均一に小さくすると、もともと耐湿性のよくない該放射線変換膜の周辺の耐湿性がさらに悪化するという課題があった。
【０００７】
この発明は上述のような課題を解決するためになされたものであり、パネル中央領域の解像度向上と該パネル周辺領域の耐湿性改善を実現するための構造を備えた放射線像変換パネルを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る放射線像変換パネルは、支持体と、該支持体上に形成された放射線変換膜とを備える。支持体は、放射線変換膜が形成される第１主面と、該第１主面に対向する第２主面を有する平行平板を含む。放射線変換膜は、支持体の第１主面のうち少なくとも該第１主面の重心位置を含む膜形成領域上に形成される。この放射線変換膜は、Ｅｕが添加された輝尽性蛍光体層であり、第１主面の法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成されている。
【０００９】
特に、この発明に係る放射線像変換パネルは、発明者らが、柱状結晶の結晶径が当該パネルの耐湿性に影響することを発見したことにより完成されたものである。具体的には、支持体の第１主面上に規定される膜形成領域の中央測定エリア上に存在する柱状結晶の平均結晶径に対し、該膜形成領域の周辺測定エリア上に存在する柱状結晶の平均結晶径を１．３倍以上に制御することにより、放射線変換膜周辺の耐湿性が改善される。そのため、放射線中央付近の解像度が高くなっても全体として蛍光寿命を十分に維持することが可能になる。
【００１０】
なお、膜形成領域における中央測定エリア及び周辺測定エリアのそれぞれは、最大幅１ｍｍ以下かつ最小幅４０μｍ以上の電子顕微鏡の観察視野であって、少なくとも、１０個以上の柱状結晶の列が５列以上存在する顕微鏡観察視野であるのが好ましい。また、この明細書において、平均結晶径とは、上記顕微鏡観察視野内に存在する柱状結晶のうち、１列が１０個以上の柱状結晶で構成された３結晶列に含まれる、合計３０個以上かつ１０００個以下の柱状結晶の径平均を意味する。
【００１１】
膜形成領域における中央測定エリアは、支持体における第１主面の重心位置であるのが好ましいが、該重心位置の周辺であってもよい。すなわち、中央測定エリアは、重心位置からの離間距離が該重心位置から該膜形成領域のエッジまでの最短距離の５％以下となる膜形成領域のエリア（中央エリア）内に位置すればよい。一方、膜形成領域における周辺測定エリアは、重心位置からの離間距離が最短距離の６０％となる位置に存在する。ただし、膜形成領域における周辺測定エリアも、半径が重心位置から幕形成領域のエッジまでの最短距離の６０％である該重心位置を中心とした円の円周と、該膜形成領域のエッジで挟まれたエリア（周辺エリア）内に位置すればよい。
【００１２】
また、膜形成領域における中央測定エリアは、該膜形成領域の全面積に対して面積比が０．０５以下となる重心位置を中心とする円で規定される、該膜形成領域の中央エリア内に位置してもよい。この場合、膜形成領域における周辺測定エリアは、該膜形成領域の全面積に対して面積比が０．３６となる重心位置を中心とする円の円周と該該膜形成領域のエッジで挟まれた、該膜形成領域の周辺エリア内に位置してもよい。
【００１３】
理想的には、中央測定エリアと周辺測定エリアを結ぶ線分上に位置する１又はそれ以上の測定エリアそれぞれにおける平均結晶径は、該中央測定エリアから該周辺測定エリアに向かって単調増加している。少なくとも、中央測定エリアと周辺測定エリアを結ぶ線分の中間点に位置する測定エリアにおける平均結晶径は、該中央測定エリアにおける平均結晶径よりも大きくかつ該周辺測定エリアにおける平均結晶径よりも小さい。
【００１４】
この発明に係る放射線像変換パネルにおいて、膜形成領域の周辺測定エリア上に位置する柱状結晶の平均結晶径は、膜形成領域の中央測定エリア上に存在する柱状結晶の平均結晶径に対し、２．５倍以下であるのが好ましい。結晶径比が２．５倍を大きく超えると、中央測定エリアと周辺測定エリアの解像度差が大きくなりすぎ、パネル面の画像ムラや感度ムラが顕著になるからである。より好ましくは、膜形成領域の周辺測定エリア上に存在する柱状結晶の平均結晶径は、膜形成領域の中央測定エリア上に存在する柱状結晶の平均結晶径に対し、２．０倍以下、さらに好ましくは１．６倍以下である。
【００１５】
さらに、この発明に係る放射線像変換パネルは、支持体の第１主面に覆われた面を除く、放射線変換膜の露出面を覆う耐湿保護膜（透明有機膜）を備えてもよい。
【００１６】
なお、この発明に係る各実施例は、以下の詳細な説明及び添付図面によりさらに十分に理解可能となる。これら実施例は単に例示のために示されるものであって、この発明を限定するものと考えるべきではない。
【００１７】
また、この発明のさらなる応用範囲は、以下の詳細な説明から明らかになる。しかしながら、詳細な説明及び特定の事例はこの発明の好適な実施例を示すものではあるが、例示のためにのみ示されているものであって、この発明の思想及び範囲における様々な変形および改良はこの詳細な説明から当業者には自明であることは明らかである。
【発明の効果】
【００１８】
上述のようにこの発明は、柱状結晶の結晶径が支持体の膜形成領域の中央エリアよりも周辺エリアの方が大きくなるよう、該膜形成領域上に放射線変換膜が形成される。そのため、当該放射線変換パネルにおける中央付近の解像度を向上させたとしても周辺の耐湿性が改善されるので、全体として十分な蛍光寿命が維持される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、この発明に係る放射線像変換パネルの各実施形態を、図１〜図７を参照しながら詳細に説明する。なお、図の説明において同一部位、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００２０】
図１は、この発明に係る放射線像変換パネルの一実施形態の構造を示す図である。特に、図１（ａ）は、当該放射線像変換パネル１の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿った当該放射線像変換パネル１の断面図、また、図１（ｃ）は、図１（ａ）中のＩＩ−ＩＩ線に沿った当該放射線像変換パネル１の断面図である。
【００２１】
図１において、放射線像変換パネル１は、支持体１００と、該支持体１００上に形成された放射線変換膜２００と、支持体１００及び放射線変換膜２００を全体的に覆う保護膜（透明有機膜）を備える。支持体１００は、放射線変換膜２００が形成される第１主面１００ａと、該第１主面１００ａに対向する第２主面１００ｂを有する平行平板である。放射線変換膜２００は、支持体１００の第１主面１００ａのうち少なくとも該第１主面１００ａの重心位置Ｇを含む膜形成領域Ｒ上に形成される。この放射線変換膜２００は、第１主面１００ａの法線方向に一致するか、あるいは所定角度の傾きを持った柱状結晶により構成されている。
【００２２】
図２は、この発明に係る放射線変換膜における各部の断面構造及び表面顕微鏡写真を示す図である。具体的に、図２（ａ）は、図１（ｃ）における領域Ａ２の断面図、図２（ｂ）は、図１（ｃ）における領域Ｂ２の断面図、図２（ｃ）は、図１（ｃ）における領域Ｃ２の断面図である。また、図２（ｄ）は、図１（ｂ）における領域Ａ１の顕微鏡平面写真、図２（ｅ）は、図１（ｂ）における領域Ｂ１の顕微鏡平面写真、図２（ｆ）は、図１（ｂ）における領域Ｃ１の顕微鏡平面写真である。
【００２３】
これら図２（ａ）〜２（ｆ）から分かるように、放射線変換膜２００を構成する柱状結晶の結晶径は、該放射線変換膜２００の中央付近から周辺に向かって徐々に拡大している。具体的には、第１主面１００ａ上に規定される膜形成領域Ｒの重心位置Ｇにおける中央測定エリア上に位置する柱状結晶の平均結晶径に対し、該膜形成領域Ｒの周辺測定エリア上に位置する柱状結晶の平均結晶径は１．３倍以上である。このように、放射線変換膜２００の中央付近よりも周辺における柱状結晶の結晶径を大きくしておくことにより、該放射線変換膜２００の周辺における耐湿性が改善され、パネル全体として十分な蛍光寿命を維持することができる。
【００２４】
具体的に、図２（ａ）及び２（ｄ）に示された柱状結晶の結晶径Ｗ１は、約４μｍである。図２（ｂ）及び２（ｅ）に示された柱状結晶の結晶径Ｗ２は、約６μｍである。図２（ｃ）及び２（ｆ）に示された柱状結晶の結晶径Ｗ３は、約１０μｍ（Ｗ１に対する結晶径比は２．５倍）である。ただし、膜形成領域Ｒの周辺測定エリア上に位置する柱状結晶の平均結晶径は、膜形成領域Ｒの中央測定エリア上に存在する柱状結晶の平均結晶径に対し、２．５倍以下であるのが好ましい。より好ましくは、膜形成領域Ｒの周辺測定エリア上に位置する柱状結晶の平均結晶径は、膜形成領域Ｒの中央測定エリア上に位置する柱状結晶の平均結晶径に対し、２．０倍以下、さらに好ましくは１．６倍以下である。このように、結晶径比が放射線変換膜２００の中央付近と周辺の解像度差が大きくなりすぎると、パネル面の画像ムラや感度ムラが顕著になるからである。
【００２５】
次に、図３を用いて、平均結晶径を比較する中央測定エリアと周辺測定エリアについて説明する。図３は、支持体１００の第１主面１００ａ上における中央測定エリアと周辺測定エリアの特定方法を具体的に説明するための図である。
【００２６】
具体的な特定方法としては、図３（ａ）及び３（ｂ）に示されたように、２種類ある。まず、第１特定方法では、図３（ａ）に示されたように、膜形成領域Ｒにおける中央測定エリアは、支持体１００における第１主面１００ａの重心位置Ｇにある。一方、膜形成領域における周辺測定エリアは、重心位置からの離間距離が重心位置Ｇから該膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離の６０％となる位置（半径が最短距離の６０％となる重心位置Ｇを中心とした円の円周上）に存在する。
【００２７】
なお、この図３（ａ）の第１特定方法においても、膜形成領域Ｒにおける中央測定エリアは、支持体１００における第１主面１００ａの重心位置Ｇの周辺であってもよい。すなわち、中央測定エリアは、重心位置Ｇからの離間距離が該重心位置Ｇから該膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離の５％となる膜形成領域Ｒの中央エリアＡＲ１内（半径が最短距離の５％となる重心位置Ｇを中心とした円の内側）に位置すればよい。一方、膜形成領域Ｒにおける周辺測定エリアは、半径が最短距離の６０％となる重心位置Ｇを中心とした円の円周と、膜形成領域Ｒのエッジで挟まれたエリアＡＲ２内に位置すればよい。
【００２８】
また、図３（ｂ）の第２特定方法でも、膜形成領域Ｒにおける中央測定エリアは、重心位置Ｇであればよいが、該重心位置Ｇの周辺であってもよい。具体的に、中央測定エリアは、膜形成領域Ｒの全面積に対して面積比が０．０５となる重心位置Ｇを中心とする円で規定されるエリアＡＲ１（中央エリア）内に位置してもよい。一方、膜形成領域Ｒにおける周辺測定エリアは、該膜形成領域の全面積に対して面積比が０．３６となる重心位置Ｇを中心とする円の円周と該該膜形成領域Ｒのエッジで挟まれた、該膜形成領域Ｒの周辺エリア内に存在してもよい。
【００２９】
図３（ａ）及び３（ｂ）のいずれの特定方法においても、最小の平均結晶径を有する測定エリアは、膜形成領域Ｒの中央エリアＡＲ１内に存在する。
【００３０】
次に、図４は、この発明に係る放射線像変換パネルにおける放射線変換膜を支持体上に形成するための製造装置の構成を示すである。
【００３１】
この図４に示された製造装置１０は、支持体１００の第１主面１００ａ上に放射線変換膜２００を気相堆積法により形成する装置である。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等が適用可能であるが、一例として、蒸着法によりＥｕドープＣｓＢｒの放射線変換膜２００を支持体１００上に形成する場合について説明する。この製造装置１０は、少なくとも、真空容器１１と、支持体ホルダ１４と、回転軸１３ａと、駆動装置１３と、蒸発源１５と、真空ポンプ１２を備える。支持体ホルダ１４、蒸発源１５、及び回転軸１３ａの一部は真空容器１１内に配置される。支持体ホルダ１４は、支持体１００を加熱するためのヒータ１４ａを含む。駆動装置１３から伸びた回転軸１３ａの一端は支持体ホルダ１４に取り付けられており、駆動装置１３が回転軸１３ａを介して支持体ホルダ１４を回転させる。蒸発源１５は、真空容器１１の中心軸ＡＸからずれた位置に配置されており、支持体ホルダ１４に設置される支持体１００に蒸着される金属蒸気として供給される金属材料を保持する。真空ポンプ１２は、真空容器１１内を所定の真空度まで減圧する。
【００３２】
蒸発源１５には、ＣｓＢｒとＥｕＢｒの混合材料がセットされるとともに、支持体１００が支持体ホルダ１４にセットされる。支持体１００の、蒸発源１５に対面した面上に形成される柱状結晶の結晶径は、ヒータ１４ａで支持体１００自体の温度を調整することにより、また、真空容器１１内の真空度や材料減１５から支持体１００への金属蒸気流入角度等を制御することにより、調整される。
【００３３】
まず、支持体１００の第１主面１００ａ（蒸発源１５に対面した面）にＥｕドープＣｓＢｒの柱状結晶を蒸着法によって成長させる。このとき、駆動装置１３は、回転軸１３ａを介して支持体ホルダ１４を回転させており、これにより支持体１００も軸ＡＸを中心に回転している。
【００３４】
このような蒸着法により、支持体１００上に膜厚５００μｍ±５０μｍの放射線変換膜２００が形成される。このとき、放射線変換膜２００の中央付近（軸ＡＸを中心とした局所領域）における柱状結晶の結晶径は、４μｍ程度である。また、放射線変換膜２００の周辺における柱状結晶の結晶径は、１０μｍ程度である（図２参照）。
【００３５】
上述のように支持体１００上に形成された放射線像変換膜２００をなすＣｓＢｒは、吸湿性が高い。この放射線変換膜２００を露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまう。そこで、放射線変換膜２００の蒸着法による形成工程に続いて、放射線変換膜２００の露出面全体を覆うように、ＣＶＤ法により耐湿保護膜３００が形成される。すなわち、放射線像変換膜２００が形成された支持体１００をＣＶＤ装置に入れ、膜厚１０μｍ程度の耐湿保護膜３００が放射線変換膜２００の露出面上に成膜される。これにより、放射線像変換膜２００及び支持体１００に耐湿保護膜３００が形成された放射線像変換パネル１が得られる。
【００３６】
次に、上述のように蒸着法及びＣＶＤ法により得られた放射線像変換パネル１のサンプルにおける平均結晶径の測定方法について説明する。図５は、平均結晶径の測定方法を説明するための図である。また、図６は、平均結晶径の測定位置と重心位置Ｇからの離間距離との関係を説明するための表である。
【００３７】
支持体１００の第１主面１００ａに規定される膜形成領域Ｒにおける測定エリアは、図５に示されたように、最大幅１ｍｍ以下かつ最小幅４０μｍ以上の電子顕微鏡の観察視野であって、少なくとも、１０個以上の柱状結晶の列が５列以上存在する柱状結晶群の電子顕微鏡観察視野から、該測定エリア上に存在する柱状結晶の平均結晶径が計算される。
【００３８】
具体的には、上述のようなサイズの測定エリア上に存在する柱状結晶群の電子顕微鏡写真が取得されると、この取得された電子顕微鏡写真に、図５に示されたような３本の平行線Ｌ１〜Ｌ３が引かれる。線Ｌ１〜Ｌ３ごとに、これら線Ｌ１〜Ｌ３が通る柱状結晶の数がそれぞれカウントされ、一つの線の平均結晶数が求められる。続いて、各線Ｌ１〜Ｌ３の長さが、求められた平均結晶数で割られることにより、一つの測定エリアにおける平均結晶径が得られる。
【００３９】
また、図６において、測定位置φ０は、重心位置Ｇ（＝Ｗ０）を示す（重心位置Ｇからの離間距離Ｗが該重心位置Ｇから膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離Ｗｍｉｎに対して０％）。測定位置φ１５０は、重心位置Ｇからの離間距離Ｗが重心位置Ｇから膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離Ｗｍｉｎに対して３０％（＝Ｗ０．３）、測定位置φ２００は、重心位置Ｇからの離間距離Ｗが重心位置Ｇから膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離Ｗｍｉｎに対して４０％（＝Ｗ０．４）、測定位置φ２５０は、重心位置Ｇからの離間距離Ｗが重心位置Ｇから膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離Ｗｍｉｎに対して５０％（＝Ｗ０．５）、測定位置φ３００は、重心位置Ｇからの離間距離Ｗが重心位置Ｇから膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離Ｗｍｉｎに対して６０％（＝Ｗ０．６）、そして、測定位置φ４５０は、重心位置Ｇからの離間距離Ｗが重心位置Ｇから膜形成領域Ｒのエッジまでの最短距離Ｗｍｉｎに対して９０％（＝Ｗ０．９）を示す。
【００４０】
図７は、この発明に係る放射線像変換パネルとして用意されたサンプル（サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．３）と、比較例に係る放射線像変換パネルとして用意されたサンプル（サンプルＮｏ．４〜Ｎｏ．５）について、諸元を纏めた表である。
【００４１】
図７（ａ）〜（ｃ）及び（ｅ）には、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．３ぞれぞれの放射線変換膜について、測定位置（φ０〜φ４５０）ごとに測定エリアにおけるサンプリング結晶数、平均個数、平均結晶数、平均結晶径Ｄ（なお、図７では単に結晶径と表記されている）、及び結晶径比を示す。ここで、サンプリング結晶数は、図５に示されたように、取得された電子顕微鏡写真上に引かれた線Ｌ１〜Ｌ３それぞれを通る結晶数である。平均個数は、線Ｌ１〜Ｌ３それぞれを通る結晶数の平均である。平均結晶数は、線Ｌ１〜Ｌ３それぞれの長さを平均個数で割ることにより得られた値である。結晶径比は、測定位置φ０における平均結晶径を１としたときの各測定位置における平均結晶径の比率である。
【００４２】
また、図７（ｄ）には、比較例のサンプルＮｏ．４及びＮｏ．５それぞれの放射線変換膜について、測定位置（φ０〜φ４５０）ごとに測定エリアにおける結晶径比を示す。
【００４３】
サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．３それぞれの放射線変換膜は、いずれも測定位置φ０における測定エリアの平均結晶径に対し、測定位置φ３００における測定エリアの平均結晶径比が１．３以上である。また、測定位置φ３００よりも重心位置Ｇから離れた周辺エリア（測定位置φ４５０を含む）でも、測定エリアの平均結晶径比は１．３以上である。ただし、図７（ｅ）のサンプルについては、測定位置φ３００における測定エリアの平均結晶径比は１．３以上になっているが、測定位置φ４５０における測定エリアの平均結晶径比１．３を大きく下回っている。大面積のパネルとして使用される場合には、このように、最も外側に位置する領域では、蛍光寿命が短くなったとしても実用上問題とはならない。
【００４４】
一方、比較例のサンプルＮｏ．４及びＮｏ．５の放射線変換膜は、いずれの測定位置φ０~φ４５０においても、平均結晶径比は、１．３を大きく下回っている。
【００４５】
図８は、上述のような結晶径分布を有するサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．５の放射線変換膜について、測定位置と平均結晶径比（図８では単に結晶径比と表記されている）の関係を示すグラフである。なお、図８において、グラフＧ８１０はサンプルＮｏ．２の平均結晶径比の距離分布、グラフＧ８２０はサンプルＮｏ．１の平均結晶径比の距離分布、グラフＧ８３０はサンプルＮｏ．３の平均結晶径比の距離分布、グラフＧ８４０は比較例に係るサンプルＮｏ．４の平均結晶径比の距離分布、グラフＧ８５０は比較例に係るサンプルＮｏ．５の平均結晶径比の距離分布をそれぞれ示す。
【００４６】
また、図９は、用意されたサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．５の放射線変換膜について、それらの蛍光寿命の評価結果を示す表である。具体的な蛍光寿命評価は、温度２５℃、湿度５０％の環境下で１ヶ月間（７２０時間）使用したサンプルの輝度値を測定することにより行われる。この際、測定された輝度値が初期の輝度値に対して８０％以上維持されているサンプルが評価○、８０％以下であっても実用上許容可能であるサンプルが評価△、実用上許容できない程度まで輝度値が低下したサンプルが評価×で表されている。
【００４７】
サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．３の放射線変換膜では、測定位置φ３００（＝Ｗ０．６）の測定エリアにおける平均結晶径比が１．３以上であり、いずれも放射線変換膜周辺において蛍光寿命の劣化は見られない。逆に、比較例に係るサンプルＮｏ．４及びＮｏ．５の放射線変換膜では、測定位置φ３００（＝Ｗ０．６）の測定エリアにおける平均結晶径比が１．３を大きく下回っており、いずれも放射線変換膜周辺において蛍光寿命の劣化が見られた。このように、支持体１００の第１主面１００ａ上に規定される膜形成領域Ｒの中央測定エリア（測定位置φ０の測定エリア）上に存在する柱状結晶の平均結晶径に対し、該膜形成領域Ｒの周辺測定エリア（測定位置φ３００の測定エリア）上に存在する柱状結晶の平均結晶径を１．３倍以上に制御することにより、当該放射線像変換パネルの耐湿性を改善することが可能になる。
【００４８】
なお、図８から分かるように、重心位置Ｇに相当する測定位置φ０と測定位置φ３００を結ぶ線分の中間点（測定位置φ１５０）に位置する測定エリアにおける平均結晶径は、測定位置φ０の測定エリアにおける平均結晶径よりも大きく、かつ、測定位置φ３００の測定エリアにおける平均結晶径よりも小さい。理想的には、測定位置φ０から測定位置φ２５０（又はφ３００）までを結ぶ線分上に位置する１又はそれ以上の測定エリアそれぞれの平均結晶径は単調増加するのが好ましい。また、平均結晶径が最大となる測定エリアは、測定位置φ２００（＝Ｗ０．４）〜φ４００（＝Ｗ０．８）の間にあるのが好ましい。
【００４９】
一方で、膜形成領域Ｒの周辺測定エリア（測定位置φ３００の測定エリア）上に位置する柱状結晶の平均結晶径は、膜形成領域Ｒの中央測定エリア（測定位置φ０の測定エリア）上に存在する柱状結晶の平均結晶径に対し、２．５倍以下であるのが好ましい。結晶径比が大きくなりすぎると、放射線変換膜の中央付近と周辺の解像度差が大きくなりすぎ、パネル面の画像ムラや感度ムラが顕著になるからである。
【００５０】
以上の説明から、この発明を様々に変形しうることは明らかである。そのような変形は、この発明の思想および範囲から逸脱するものとは認めることはできず、すべての当業者にとって自明である改良は、以下の請求の範囲に含まれるものである。
【産業上の利用分野】
【００５１】
この発明に係る放射線変換像パネルは、Ｈｅ−Ｎｅレーザや光電子増倍管と組み合わされることにより放射線イメージセンサを構成することが可能であり、このような放射線イメージセンサが、医療、工業分野におけるＸ線撮影等へ適用される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明に係る放射線像変換パネルの一実施形態の構造を示す図である。
【図２】この発明に係る放射線像変換パネルの放射線変換膜における各部の断面構造及び電子顕微鏡写真を示す図である。
【図３】支持体の第１主面上における中央測定エリアと周辺測定エリアの特定方法を具体的に説明するための図である。
【図４】この発明に係る放射線像変換パネルの製造工程の一部として、支持体上に放射線変換膜を形成するための製造装置の構成を示すである。
【図５】平均結晶径の測定方法を説明するための図である。
【図６】平均結晶径の測定位置と重心位置からの離間距離との関係を説明するための表である。
【図７】この発明に係る放射線像変換パネルとして用意されたサンプルと、比較例に係る放射線像変換パネルとして用意されたサンプルについて、諸元を纏めた表である。
【図８】用意されたサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．５の放射線像変換パネル（放射線変換膜）について、測定位置と結晶径比の関係を示すグラフである。
【図９】用意されたサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．５の放射線像変換パネル（放射線変換膜）について、それらの蛍光寿命の評価結果を示す表である。
【符号の説明】
【００５３】
１００…支持体、１００ａ…第１主面、１００ｂ…第２主面、２００…放射線変換膜、３００…保護膜、Ｒ…膜形成領域、ＡＲ１…中央エリア、ＡＲ２…周辺エリア。
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図２】
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