(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤの接合信頼性に優れ、高周波の信号を高速で通過させることができる安価な半導体素子収納用パッケージを提供する。【解決手段】ヒートシンク板１２上にセラミック枠体１３がろう付け接合され半導体素子１１を搭載するためのキャビティ部１４を設けると共に、セラミック枠体１３の上面にろう付け接合され上面が半導体素子１１とボンディングワイヤ２１を介して接続するための接続部位となり、他方の端子側が外部側に突出する外部リード端子１８を設ける半導体素子収納用パッケージ１０において、セラミック枠体１３にろう付け接合される外部リード端子１８の一方の端子側の上面周辺部の少なくとも半導体素子１１とボンディングワイヤ２１を介して接続し電気的に導通状態とするための接続部位の表面粗さがＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定される中心線平均粗さで０．１μｍ以下からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンク板上に窓枠状のセラミック枠体がろう付け接合され前記ヒートシンク板上に半導体素子を前記セラミック枠体で囲繞して搭載するためのキャビティ部を設けると共に、前記セラミック枠体の上面に一方の端子側の下面がろう付け接合され上面が前記半導体素子とボンディングワイヤを介して接続するための接続部位となり、他方の端子側が前記セラミック枠体から外部側に突出する平板状の金属板からなる外部リード端子を設ける半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記セラミック枠体に前記ろう付け接合される前記外部リード端子の一方の端子側の上面周辺部の少なくとも前記半導体素子とボンディングワイヤを介して接続し電気的に導通状態とするための接続部位の表面粗さがＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定される中心線平均粗さで０．１μｍ以下からなることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用等の半導体素子と、外部リード端子間をボンディングワイヤを介して接続し、電気的に導通状態とすることができるヒートシンク板、セラミック枠体、及び外部リード端子の接合体からなる半導体素子収納用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のシリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子を搭載されるための半導体素子収納用パッケージは、半導体素子の作動時の発熱が大きいので、発生する熱を大気中に良好に放散させなければ、装置を正常に作動させることができなくなる恐れがある。また、上記の半導体素子収納用パッケージは、搭載された半導体素子の高周波の信号を高速で通過させるために、半導体素子と、外部リード端子との間をできるだけ近接させることができるようにすると共に、外部リード端子の上面をボンディングパッドとしてボンディングワイヤを直接接続させることで特性インピーダンスの不整合を発生させないようにして半導体素子と、外部リード端子との間の距離をできるだけ短くできるようにしている。
【０００３】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の半導体素子収納用パッケージ５０は、半導体素子５１を載置する部分となるヒートシンク板５２を、後述するセラミック枠体５３のセラミックと熱膨張係数が近似し、しかも熱伝導率の高い、例えば、銅タングステン（Ｃｕ−Ｗ）系の略長方形状をした高放熱特性を有する複合金属板で設けている。また、この半導体素子収納用パッケージ５０は、半導体素子５１を囲繞して収納するためのキャビティ部５４を形成するためにヒートシンク板５２の上面に接合されるセラミック枠体５３を、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックで形成している。そして、上記のキャビティ部５４は、セラミック枠体５３の下面に形成されたタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属からなるメタライズ膜５５、更にこの上に形成された第１のＮｉめっき被膜５６と、ヒートシンク板５２との間にＡｇろう等のろう材５７を挟み込んで加熱してろう付け接合することで形成している。
【０００４】
また、セラミック枠体５３の上面側には、そこに形成されたタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属からなるメタライズ膜５５ａ、更にこの上に形成された第１のＮｉめっき被膜５６と、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等の金属部材からなる外部リード端子５８の一方の端子側の下面との間にＡｇろう等のろう材５７を挟み込んで加熱してろう付け接合している。そして、半導体素子収納用パッケージ５０は、外部リード端子５８の他方の端子側をセラミック枠体５３から外部側に突出させると共に、ヒートシンク板５２、セラミック枠体５３、及び外部リード端子５８の接合体の外部に露出する全ての金属表面に、第２のＮｉめっき被膜５９、及びＡｕめっき被膜６０が施されることでパッケージとされている。上記の半導体素子収納用パッケージ５０には、キャビティ部５１に半導体素子５１が搭載され、半導体素子５１と外部リード端子５８の一方の端子側の上面との間をボンディングワイヤ６１で接続した後、蓋体６２を接合させることでキャビティ部５４内の半導体素子５１を中空状態にして気密に封止するようになっている。
【０００５】
従来の半導体素子収納用パッケージには、外部リード端子と、ヒートシンク板との間にＡｇろう材のデントライトによる短絡が発生しないようにするために、セラミック枠体の上面に形成するメタライズ膜を外周側部分と内周側部分に分ける絶縁帯を設け、外周側部分で外部リード端子を接合するパッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、従来の半導体素子収納用パッケージには、外部リード端子のメタライズ膜に対するろう付け接合強度を向上させるために、メタライズ膜の表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍ≦Ｒａ≦１μｍ、最大高さ（Ｒｍａｘ）で２μｍ≦Ｒｍａｘ≦４μｍとするパッケージが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３１８３０５号公報
【特許文献２】特開平９−９２７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述したような従来の半導体素子収納用パッケージは、次のような問題がある。
（１）従来の半導体素子収納用パッケージの外部リード端子の上面には、セラミック枠体に外部リード端子の下面を、例えば、Ａｇろう材を用いてろう付け接合するときのろう材が外部リード端子の表面を流れるようにして這い上がってくる。この這い上がりによって、外部リード端子の上面は、表面が凸凹状態となり、例えこの上面に第２のＮｉめっき被膜、及びＡｕめっき被膜を形成したとしてもめっき被膜は薄いので、這い上がったろう材の凸凹状態がそのまま外部リード端子の上面の表面状態となっている。この外部リード端子上面の凸凹表面状態の所に、例えば、Ａｕ線や、Ａｌ線等からなるボンディングワイヤを接続させようとする場合には、ボンディングワイヤ接合部の状態が不安定となり、接合強度の信頼性が低くなっている。
（２）特開２００３−３１８３０５号公報で開示される半導体素子収納用パッケージは、セラミック枠体のメタライズ膜上面にろう材流れのないボンディングパッドを設けているので、ボンディングワイヤ接合部の状態が安定しており、接合強度の信頼性を確保することができる。しかしながら、外部リード端子は、接合面積が小さくなるので、接合強度の信頼性が低くなっている。また、半導体素子と、外部リード端子の間は、屈折した電気的な導通状態となるので、半導体素子の高周波の信号を高速で通過させるのに問題を有している。
（３）特開平９−９２７６８号公報で開示される半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子を接合するためのメタライズ膜の表面を特段の表面粗さとしてろう付け接合するときの接合強度の信頼性を向上させている。しかしながら、この半導体素子収納用パッケージは、同一平面上に２種類の表面粗さとなるメタライズ膜を形成する必要があり、形成方法が難しく半導体素子収納用パッケージのコストアップとなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、ボンディングワイヤの接合信頼性に優れ、高周波の信号を高速で通過させることができる安価な半導体素子収納用パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板上に窓枠状のセラミック枠体がろう付け接合されヒートシンク板上に半導体素子をセラミック枠体で囲繞して搭載するためのキャビティ部を設けると共に、セラミック枠体の上面に一方の端子側の下面がろう付け接合され上面が半導体素子とボンディングワイヤを介して接続するための接続部位となり、他方の端子側がセラミック枠体から外部側に突出する平板状の金属板からなる外部リード端子を設ける半導体素子収納用パッケージにおいて、セラミック枠体にろう付け接合される外部リード端子の一方の端子側の上面周辺部の少なくとも半導体素子とボンディングワイヤを介して接続し電気的に導通状態とするための接続部位の表面粗さがＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定される中心線平均粗さで０．１μｍ以下からなる。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージは、セラミック枠体にろう付け接合される外部リード端子の一方の端子側の上面周辺部の少なくとも半導体素子とボンディングワイヤを介して接続し電気的に導通状態とするための接続部位の表面粗さがＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定される中心線平均粗さで０．１μｍ以下からなるので、外部リード端子の一方の端子側の上面周辺部の少なくとも半導体素子とボンディングワイヤを介して接続し電気的に導通状態とするための接続部位へのろう付け接合時のろう材流れを防止して、ボンディングワイヤ接合部の状態を安定化でき、ボンディングワイヤの接合強度の信頼性を向上させることができる。また、この半導体素子収納用パッケージは、従来からの形状に変化がなく、設計的な無理がないので、外部リード端子の接合強度を維持できると共に、半導体素子の高周波の信号を高速で通過させることができる。更に、この半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子の製造段階で容易に表面の表面粗さをよくすることができるので、特段のコストアップを招くことなく安価な半導体素子収納用パッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの説明図である。
【００１１】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ１０は、実装される半導体素子１１から発生する高温、且つ大量の熱を放熱するための熱伝導率の高い高放熱特性を有する略長方形板状の金属板からなるヒートシンク板１２を有している。このヒートシンク板１２は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体、例えば、Ｃｕ−Ｗ（銅タングステン）からなる金属板で、しかもＣｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板には、Ｃｕめっき被膜を有するのがよい。ヒートシンク板１２がＣｕ、Ｃｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板である場合には、熱伝導率が高いので、半導体素子１１からの発熱を速やかに外部に伝熱させて放熱させることができる。また、ヒートシンク板１２の表面がＣｕ層で形成されている場合には、例えば、ＢＡｇ−８（Ａｇが７２％と、残部がＣｕからなる共晶合金）等のＡｇろう系のろう材のろう材流れを抑制するように作用させることができる。
【００１２】
上記の半導体素子収納用パッケージ１０は、ヒートシンク板１２の上面に半導体素子１１を囲繞して収納するためのキャビティ部１４を形成するために窓枠状のセラミック枠体１３がろう付け接合されている。このセラミック枠体１３は、アルミナや、窒化アルミニウム等のセラミックからなり、ろう付け接合される前の下面側のヒートシンク板１２との接合部分には、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなるメタライズ膜１５の表面に、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等からなる第１のＮｉめっき被膜１６を設けている。そして、セラミック枠体１３は、第１のＮｉめっき被膜１６の表面と、ヒートシンク板１２との間に、例えば、ＢＡｇ−８等のＡｇろう系のろう材１７を挟んで加熱してヒートシンク板１２と、セラミック枠体１３をろう付け接合している。
【００１３】
また、この半導体素子収納用パッケージ１０は、セラミック枠体１３の上面に、半導体素子１１をキャビティ部１４に搭載して電気的に接続し、外部との電気的導通を行うためのＫＶや、４２アロイ等の金属部材からなり、平板状の外部リード端子１８の一方の端子側の下面が上記と同様のろう材１７をセラミック枠体１３との間に挟んで加熱してろう付け接合されるようになっている。この外部リード端子１８がろう付け接合される前のセラミック枠体１３の上面側には、外部リード端子１８との接合部分に上記と同様のタングステンや、モリブデン等の高融点金属からなるメタライズ膜１５ａ、及びメタライズ膜１５ａ上に、例えば、上記と同様のＮｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等からなる第１のＮｉめっき被膜１６が設けられている。
【００１４】
そして、セラミック枠体１３の上面に外部リード端子１８の一方の端子側の下面がろう付け接合され、外部リード端子１８の他方の端子側をセラミック枠体５３から外部側に突出させたヒートシンク板１２、セラミック枠体１３、及び外部リード端子１８の接合体は、外部に露出する全ての金属表面に、第２のＮｉめっき被膜１９、及びＡｕめっき被膜２０が施されることで半導体素子収納用パッケージ１０としている。この半導体素子収納用パッケージ１０は、外部リード端子１８の一方の端子側の上面を、キャビティ部１４に搭載される半導体素子１１とボンディングワイヤ２１を介して接続するための接続部位としている。
【００１５】
上記の半導体素子収納用パッケージ１０を構成する外部リード端子１８は、セラミック枠体１３にろう付け接合される一方の端子側の上面周辺部の少なくとも半導体素子１１とボンディングワイヤ２１を介して接続し、電気的に導通状態とするための接続部位の表面粗さがＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される中心線平均粗さで０．１μｍ以下からなっている。この外部リード端子１８の表面粗さを０．１μｍ以下とするための作製方法は、特に限定するものではないが、例えば、外部リード端子１８の金属素材を板状にするときの圧延機のローラーの表面状態が外部リード端子１８の表面に大きく影響するので、このローラーの表面状態を管理することで作製することができる。また、作製方法には、外部リード端子１８のボンディングワイヤ接合部にコイニングプレス加工を行って、表面粗さをよくすることもできる。更には、作製方法には、外部リード端子１８の全体表面、あるいは必要部分表面を研磨することで、表面粗さをよくすることもできる。
【００１６】
上記の表面粗さがＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される中心線平均粗さで０．１μｍ以下の場合には、外部リード端子１８の一方の端子側の上面周辺部のボンディングワイヤ接合部のろう材流れを表面張力を利用して防止できるので、ボンディングワイヤの接続状態を安定化でき、接合強度の信頼性を向上させることができる。表面粗さがＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される中心線平均粗さで０．１μｍを超える場合には、外部リード端子１８の表面が粗くなって表面張力を受ける力が小さくなり、ろう材流れの範囲がボンディングワイヤ接合部にまで拡大してボンディングワイヤの接続状態が不安定となり、接合強度の信頼性が低下する。
【実施例】
【００１７】
本発明者は、ＫＶからなる外部リード端子の表面粗さを０．０８μｍＲａ、０．１０μｍＲａ、０．１２μｍＲａ、とするそれぞれ３０個の外部リード端子のサンプルを準備した。それぞれの外部リード端子のサンプルは、セラミック枠体の上面との間にＢＡｇ−８からなるＡｇろうを挟み込み、同一加熱条件下でろう付け接合した。そして、外部リード端子１８の一方の端子側の上面周縁から上面周辺部に流れたろう流れ幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
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【００１９】
ろう流れ幅は、外部リード端子の表面粗さを小さくすることで小さくなることが確認された。また、ろう流れ幅は、ボンディングワイヤを接続させるときの接続エリアを確保するために０．８ｍｍ以下が必要となっているので、外部リード端子の表面粗さが中心線平均粗さで０．１μｍ以下必要であることが確認された。なお、ろう流れ幅は、半導体素子収納用パッケージの寸法精度バラツキ、及びワイヤボンダの精度バラツキ等の大きさを安全側に考慮して、好ましくは、０．５ｍｍ以下がよく、この場合には外部リード端子の表面粗さを０．０８μｍＲａ以下とするのが好ましい。
【００２０】
次いで、上記の半導体素子収納用パッケージ１０の製造方法を説明する。
先ず、半導体素子収納用パッケージ１０を構成するのに用いられる各部材の内のセラミック枠体１３は、アルミナや、窒化アルミニウム等からなるセラミックから形成されている。セラミック枠体１３がセラミックの一例であるアルミナからなる場合には、先ず、Ａｌ２Ｏ３粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製している。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを形成し、適当なサイズの矩形状に切断したセラミックグリーンシートを作製している。
【００２１】
１又は複数枚のセラミックグリーンシートには、例えば、枠体状になるように中空部を打ち抜き加工すると共に、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる金属導体ペーストを用いて、セラミック枠体１３の下面側が一方の主面、上面側が他方の主面となるようにスクリーン印刷してそれぞれろう付け接合用の導体パターンを形成する。また、セラミックグリーンシートが複数枚の場合には、積層して積層体の一方の主面、及び他方の主面が導体パターンとなるようにスクリーン印刷して形成する。そして、導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートは、高融点金属とセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で同時焼成して両表面にメタライズ膜１５、１５ａを有するセラミック枠体１３を作製する。なお、下面のメタライズ膜１５は、ヒートシンク板１２とろう付け接合するために、例えば、窓枠状の下面全周面に形成されており、上面のメタライズ膜１５ａは、外部リード端子１８とろう付け接合するために、例えば、窓枠状の上面周面に部分的に形成されている。更に、セラミック枠体１３のメタライズ膜１５、１５ａの表面には、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等のＮｉ合金等からなる第１のＮｉめっき被膜１６が電解めっき法や、無電解めっき法で形成されている。
【００２２】
次に、ヒートシンク板１２は、熱伝導率の高い高放熱特性を有する、例えば、Ｃｕや、Ｃｕ合金からなる金属板や、熱膨張係数をセラミックの熱膨張係数と近似させ、熱伝導率の比較的高い高放熱特性を有する、例えば、ポーラス状のタングステン（Ｗ）に銅（Ｃｕ）を含浸させたりして作製されるＣｕ−Ｗ系の複合金属板や、Ｃｕとモリブデン（Ｍｏ）からなるＣｕ−Ｍｏ系の合金金属板や、Ｃｕ−Ｍｏ系複合金属板の両面にＣｕ板をクラッドしたＣｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕの接合板等から形成されている。ヒートシンク板１２の選定には、放熱特性を向上させるために、熱伝導性のよいＣｕの比率を高めたものを用いることが有効であるが、Ｃｕは熱膨張係数が高いので、セラミックとの熱膨張係数の整合性を図るためのＣｕ以外の材料選定や、Ｃｕと他の金属との板材としての構造が重要となる。そして、ヒートシンク板１２は、切削加工や、粉末冶金等の手法を用いて基台にねじ止め固定するための取り付け部２２を設けて、実質的に長方形状に形成されている。なお、因みに、ヒートシンク板１２がＣｕ−Ｗの場合は、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱膨張係数が７．８×１０−６／Ｋ（３０〜８００℃）程度であり、Ｃｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕ（厚さ比率＝２：３：２）の場合は、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱膨張係数が９．２×１０−６／Ｋ（３０〜８００℃）程度である。
【００２３】
次に、外部リード端子１８は、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等のセラミックと熱膨張係数が近似する金属部材からなり、切削加工や、エッチング加工や、打ち抜き加工等で１つの半導体素子収納用パッケージ１０に備える複数の外部リード端子１８をタイバー部で支え持つようにしたリードフレーム形状に形成されている。外部リード端子１８の表面粗さは、金属部材を圧延する段階で、例えば、圧延機のローラーの表面状態を管理して形成している。あるいは、外部リード端子１８の表面粗さは、金属部材の段階や、外部リード端子１８の形状に加工された後に、例えば、研磨することで形成している。更には、外部リード端子１８の表面粗さは、外部リード端子１８の形状に加工された後に、例えば、外部リード端子１８のボンディングワイヤ接合部にコイニングプレス加工を行って形成している。なお、因みに、外部リード端子１８を構成するＫＶの熱膨張係数は、５．３×１０−６／Ｋ程度であり、セラミックの熱膨張係数に近似させている。
【００２４】
次いで、ヒートシンク板１２と、セラミック枠体１３、及び外部リード端子１８をろう付け接合して形成する接合体の作製方法を説明する。先ず、ヒートシンク板１２の平面形状からなる上面と、セラミック枠体１３のメタライズ膜１５の第１のＮｉめっき被膜１６との間には、例えば、ＢＡｇ−８等からなるＡｇ系のろう材１７を挟み込み、非酸化性雰囲気中、約７８０〜９００℃で加熱してろう材１７を溶融し、ヒートシンク板１２とセラミック枠体１３をろう付け接合している。次に、セラミック枠体１３の上面のメタライズ膜１５ａの第１のＮｉめっき被膜１６の上面と、外部リード端子１８の一方の端子側の下面との間には、例えば、ＢＡｇ−８等のＡｇ系のろう材１７を挟み込み、非酸化性雰囲気中、約７８０〜９００℃で加熱してろう材１７を溶融し、セラミック枠体１３と外部リード端子１８をろう付け接合して接合体を形成している。なお、この接合体の形成は、ヒートシンク板１２と、セラミック枠体１３の接合、及びセラミック枠体１３と、外部リード端子１８の接合を同時に行って形成することもできる。
【００２５】
次に、接合体の外表面に露出する全金属表面上には、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等のＮｉ合金等からなる第２のＮｉめっき被膜１９が施され、更に、この第２のＮｉめっき被膜１９上にＡｕめっき被膜２０が施されることで半導体素子収納用パッケージ１０が作製される。上記のようにして形成された半導体素子収納用パッケージ１０は、キャビティ部１４に、例えば、高周波用等の半導体素子１１が搭載され、半導体素子１１と、外部リード端子１８をボンディングワイヤ２１で電気的に接続し、外部リード端子１８を含めたセラミック枠体１３上に蓋体２３を接合させることで半導体素子１１を気密に封止するようになっている。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、例えば、シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子を実装でき、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のために用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの説明図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の半導体素子収納用パッケージの説明図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０：半導体素子収納用パッケージ、１１：半導体素子、１２：ヒートシンク板、１３：セラミック枠体、１４：キャビティ部、１５、１５ａ：メタライズ膜、１６：第１のＮｉめっき被膜、１７：ろう材、１８：外部リード端子、１９：第２のＮｉめっき被膜、２０：Ａｕめっき被膜、２１：ボンディングワイヤ、２２：取り付け部、２３：接合材、２４：蓋体
【図１】
2009158537.tif 000004
【図２】
2009158537.tif 000005