(57)【要約】【課題】半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍテストウエハであり、レーザマーク内で膜剥離が生じない設計仕様とし、ＣＭＰ処理後に表面の傷が生じない３００ｍｍテストウエハを提供する。【解決手段】基本的にはレーザマーク２１２のドット内部に膜がついてなければ、剥がれるということはない。膜がつく場合であっても膜の構造に一定の制限を仕様として設けると解決される。例えばウエハ表面に１００ｎｍ以上の厚みの金属膜が積層されている場合でも、ウエハ識別のためのレーザマーク２１２がついているテストウエハ１００等において、レーザマーク２１２のドット２１３の内側表面に１５０ｎｍ以上の同金属膜が付着してない設計仕様で作製された３００ｍｍのテストウエハであればよい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置とその消耗部品および半導体製造用材料とを開発し評価するために用いられる直径が３００ｍｍのテストウエハであって、
ウエハおもて面に、１５０ｎｍ以上の合計厚みで複数の金属膜が付着され、かつウエハ識別のためのレーザマークが形成され、前記レーザマークのドット内部に付着した前記複数の金属膜の合計厚みは１５０ｎｍ以下であることを特徴とするテストウエハ。
【請求項２】
前記ウエハ表面に１８０ｎｍ以下の線幅寸法のパターンを備えたことを特徴とする請求項１記載のテストウエハ。
【請求項３】
前記複数の金属膜のいずれか１つの材質が、Ｃｕ、Ｗ、ＷＮ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、またはＴａＮであることを特徴とする請求項１または２記載のテストウエハ。
【請求項４】
前記レーザマークのドット内部には前記金属膜が付着していないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のテストウエハ。
【請求項５】
前記ウエハおもて面に前記レーザマークが形成されていないことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のテストウエハ。
【請求項６】
前記レーザマークは、露光工程と膜付け工程の後に設けたレーザマーク形成工程により形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のテストウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はテストウエハに関し、特に、半導体製造装置、評価装置および材料の開発に適した直径３００ｍｍのテストウエハに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウエハのＩＤとしてレーザマークが使われた。デバイス製造で用いるウエハが製造歩留まりに影響を与えるので、開発フローの管理や製造管理のため、ウエハを認識するためのＩＤが必要であったからである。そのためレーザでマークを入れる方法が考案された。
レーザマークを構成する凹み形状のレーザマークドット２１３（以下「ドット２１３」と記す）を図１７の（Ａ）と（Ｂ）に示す。図１７の（Ａ）に示すように、レーザで溶けたシリコンウエハ２０１が温度の低い周り部分に移動して盛り上がり２０２ができる。溶けた部分は、図１７の（Ｂ）に示すようにドット状マーク２０３として残り、それが光学的に読み取られる。ウエハ製造の研磨工程を過ぎると、盛り上がり２０２は平坦に加工される。このようなドット２１３を、後述する図１８の（Ｂ），（Ｃ）に示すごとく、複数作って所要の配列で配置し、文字やバーコードを作り、識別に用いるようにしたのが、レーザマークである。
【０００３】
２００ｍｍウエハでは現在もレーザマークを入れて使うのが一般的である。３００ｍｍウエハでは、初期にはウエハ１枚１枚を認識する必要があるのでレーザマークが入れられた。当該レーザマークはウエハ裏面にあることも、ウエハおもて面にあることもあった。
【０００４】
一方で、３００ｍｍウエハによる製造技術開発と併せて、化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ）という表面を平坦にする研磨技術が導入され始めた。表面を平坦に研磨するという工程が導入されると、焦点合わせに余裕ができたので露光波長よりも短い線幅の加工が可能となった。
【０００５】
１９９５年以前の製造はi線を用いた露光が主流であったが、その後、０．１８μｍの最小線幅パタンが使用される製造技術が開発され始めたので、ＣＭＰという技術も最小線幅０．１８μｍ以下のパタンを対象として開発が進んだ。
【０００６】
以上のように、最小線幅の縮小、新しい平坦化技術のＣＭＰ、３００ｍｍウエハの組み合わせが、本発明の技術背景として存する。
【０００７】
半導体デバイスの開発では、歩留まりに影響を与える障害因子としていつも粒子（ゴミ）がある。時代と共に管理して減らすべきゴミのサイズは小さくなっていく。分かりやすいゴミ管理値は製造デバイスの最小線幅の１／２である。
【０００８】
露光技術の観点からは、ゴミがウエハ裏面に付くことにより表面が傾いて焦点ずれを起こすが、露光装置の他の管理数値との兼ね合いで、ゴミの許容値も同じ程度の値である。
【０００９】
次に、ＣＭＰとゴミの管理の係わりについて説明する。
【００１０】
ＣＭＰではスラリーという微小な研磨粉を混ぜた液体を用いてウエハ表面を研磨する。研磨粉は硬く研磨能力をもっているが管理すべきゴミより小さい。従って、上記で述べたゴミという扱いではないが、研磨粉は、異物であるので、研磨終了後は洗浄されて除去されるべきものである。
【００１１】
本発明に係るレーザーマークの課題は、ＣＭＰの採用と共に顕在化したが、ＣＭＰを使用する前からあった課題もあるので、背景理解のために説明する。
【００１２】
当該課題は、レーザマークの内部に膜材料が埋まり、レーザマークが読み取れないということである。この課題は、レーザマーク以外をレジストで覆いマークの中の材料をエッチングして除去して回避していた。またレーザマークを深く入れて、埋まらないようにする回避方法もあった。
【００１３】
しかしながら、レーザマークを深くすると、今度はレーザマークの中にゴミが集積して、それが洗浄装置のなかで巻き散らかされる課題が発生した。従って、工程増になっても埋まった材料を除去する回避方法が取られた。コストはかかるが回避可能な課題であった。しかしながら、ＣＭＰによる独特の課題が発生した。
【００１４】
レーザマークの内部に付着した膜がＣＭＰという研磨工程で剥がれて、新しいゴミになると共に、それが硬いために大きな研磨粉として作用する障害が顕著になりだした。顕著になるのは、微細な線幅のパタンを有するデバイスの場合である。ゴミが線幅と同等サイズになると、それがデバイスパターンを削りとるので、明らかに深刻となった。またレーザマークの近くだけに収まらず、ＣＭＰという工程では、ウエハから剥がれた膜ゴミが装置の研磨運動でウエハ全体に広がり、傷を一面につけながらウエハ表面を移動するという深刻な問題となった。当該剥がれは必然に起きるというものでなく、膜の種類や質、厚み、積層構造、ＣＭＰ装置の運転仕様、スラリーに依存し、制御が困難であった。この損害はデバイスの加工寸法に依存して高額になる。次に、当該問題の深刻度の変化について説明する。
【００１５】
直径３００ｍｍのウエハによる製造では事情が変化する。３００ｍｍウエハを用いて、ＡｒＦ露光技術を採用し１３０ｎｍ以下の最小線幅のデバイスが製造されるようになった２０００年以降について、事情の変化を説明する。
【００１６】
線幅が１３０ｎｍ以下のデバイスになると、線幅縮小に伴って小さなゴミの問題は重要となった。特にレーザマークが発生するゴミは再び深刻であった。数工程ならばレーザマークの内部の膜剥離に起因するゴミ発生は、適宜に設計することにより制御することができたが、さまざまに違う品種で３００−５００工程となると解決策がない。またＣＭＰを用いる多層配線では、配線工程が５〜１３層に達する。膜も一層当り２〜３種類を積層することもあり、膜同士のストレスの発生により剥がれる確率も増した。
【００１７】
以上がデバイスの微細化および積層化の進展とレーザマークの内部のゴミ発生の係わりとの説明である。次に３００ｍｍウエハのゴミに関する変化について説明する。
【００１８】
２０００年を過ぎ、３００ｍｍウエハによる微細パターンデバイスでは、製造設備投資も数千億円になり、ウエハ処理管理、設備管理、歩留まり管理、ウエハ場所管理、搬送ロボット、保管はコンピュータ支援の管理製造でしかできない時代になった。コンピュータ支援による製造を一般にＣＩＭ（Computer Integrated Manufacturing）と呼び、工場全体がＣＩＭ管理される時代になった。このＣＩＭの登場が変化をもたらした。すなわちＣＩＭの採用が、レーザマークの作り出すゴミの問題を解決した。以下にそれを説明する。
【００１９】
まず製造設備は、ウエハが２５枚格納されたカセットからウエハを取り出す。搬送処理と装置によるウエハ処理（プロセス）は、１枚ずつ、コンピュータに報告される。搬送エラーや処理条件、処理結果も報告されて管理される。コンピュータは、１枚ごとに、ウエハがどこにあり、どんな処理を受けたかを、レーザマークＩＤを読まなくても、ウエハの存在場所（スロット）で管理できるようになった。
【００２０】
従って、３００ｍｍウエハを使ったデバイス製造によれば、かって発生したレーザマークの内部の膜剥がれによる問題は、ＣＩＭ管理された３００ｍｍウエハ製造工場では存在しない。
【００２１】
以上のように、粒子ゴミを発生させるレーザマークが、デバイスの微細化、３００ｍｍウエハの採用、ＣＩＭの登場という変化の過程で不要になった。
【００２２】
上記のごとく３００ｍｍウエハによる半導体デバイス製造ではレーザマークに関する問題はなくなったが、他方で、レーザマークに関心を持たねばならない３００ｍｍウエハが登場した。それはテストウエハという製造技術評価のためのウエハである。商品デバイスを製造しないので、テストウエハにはチップ製造歩留まりの概念がない。従って、レーザマークが商品歩留まりを下げることはないので、レーザマークが入っているテストウエハも使用されるし、またレーザマークがないテストウエハも使用される。なお、「３００ｍｍウエハ」とは、ＳＥＭＩ規格に準拠した径３００ｍｍ±０．５ｍｍのシリコン（Ｓｉ）ウエハのことを示している。
【００２３】
レーザマークを入れたテストウエハを使用する場合でも、レーザマークの中に残る膜材料と歩留まりの関係を研究する目的も、それを改善する設計データとる必要もなかった。しかし、時代が変わり、デバイスメーカーが製造技術の開発を装置メーカーに求めるようになると、装置メーカーや材料メーカーがＣＭＰの装置やスラリーの性能を評価するために、３００ｍｍテストウエハにパターンを加工して酸化膜、窒化チタン（ＴｉＮ）などのバリアー膜、銅（Ｃｕ）のめっき膜、タングステン（Ｗ）膜などの金属膜を付けたウエハをテストウエハとして使用するようになった。
【００２４】
商品としてのチップデバイスを作らないので、テストウエハのレーザマークの内部状況を調べて、それと関連させてＣＭＰの傷や微細パタンと関連させるデータをとる目的は無かった。また内部に残る膜に制限を与える設計も必要ではなかった。従って、テストウエハでは、レーザマークの内部の膜の設計をして製造仕様や購入仕様を決めることなしに用いている。
【００２５】
チップ歩留まりが商品歩留まりであるというデバイスメーカーが気にしたコストや利益の課題は存在してないから、テストウエハを販売する時点では、レーザマーカの内部に残る膜設計は販売仕様にない。様々な装置で工程を行うので、組み合わせで様々な膜がレーザマークの中に残ったり、残らなかったりする。その結果、気にしないうちにテストウエハのマーク内部の膜状況は様々になっている。
【００２６】
図１８の（Ａ）に、テストウエハを作るときのスタート材料としての３００ｍｍシリコンウエハ２１１を示す。ウエハ識別のためのレーザマーク２１２が存在している。この図示例では、長方形領域を示すようにレーザマーク２１２が形成されている。レーザマーク２１２の形成パターンについては、ウエハ２１１の製造元を識別するレーザマークである場合、製造履歴をトレースするためのレーザマークである場合、または、連続した番号のレーザマークである場合など、目的別に組み合わせ内容は異なる。レーザマーク２１２としては、例えば、図１８の（Ｂ）に示すようなドットマトリクスによる数字パターン２１２ａや、図１８の（Ｃ）に示すような２次元コードを示すドットパターン２１２ｂが使用されている。図１８の（Ｂ）と（Ｃ）において示された多数の黒点２１３が前述した「ドット」を示している。本明細書の説明で「ドット」に関しては「ドット２１３」と記す。
【００２７】
前述した通り、図１７の（Ａ）には実際のレーザマークの１つのドット２１３の断面の構造を示している。当該レーザマークはウエハおもて面にある場合またはない場合、ウエハ裏面にある場合、両面にある場合またはない場合がある。レーザマークのドット状マーク２０３（ドット２１３）の内部の深さも異なるし、領域面積も異なる。人が認識できる文字を用いることもあるが、バーコードを用いて面積を縮小する場合がある。レーザマークのドット２１３の内部に膜が残っていて問題になる例があることを以下に説明する。
【００２８】
図１９の（Ａ）と（Ｂ）に、タングステン（Ｗ）をウエハ全面に成長させたときの３００ｍｍテストウエハ２２０を示す。図１９の（Ａ）はテストウエハ２２０の平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＸ１−Ｘ１線の縦断面図である。３００ｍｍテストウエハ２２０では、シリコンウエハ２２１の上にバリアー膜としてのタングステンナイトライド（ＷＮ）膜２２２、タングステン（Ｗ）膜２２３が積層されている。前述したレーザマーク２１２のドット内部はＷＮ膜２２２とＷ膜２２３で覆われている。図２０は、レーザマーク２１２を形成する複数のドットのうちの１つのドット２１３の縦断面図を模式的に示している。この状態がテストウエハ２２０であり、商品として販売されているが、レーザマーク２１２のドット２１３の内部の膜は気にしてないので、問題はない。しかしながら、これを用いてＷ膜２２３のＣＭＰをすると問題が発生する。スラリーや研磨圧力、ウエハの運動のさせ方に依存してレーザマーク２１２のドット内部の一部のＷ膜が剥がれる場合が発生する。剥がれたＷ膜はスラリーより十分に大きい場合、ウエハ表面全体を移動して傷を発生させる。
【００２９】
剥離を起こさせないＣＭＰ装置や工程であれば、上記の問題は発生しない。この場合には問題のない良い装置という評価になる。しかし、剥離が起きたり、起きなかったりすると、スラリーの中に異物がもともとあったものなのか、ＣＭＰ装置の制御不足が誘起した問題なのか、を区別しがたいという混乱が生まれる。
【００３０】
パターンのないタングステンウエハでなく、１８０ｎｍ以下を含む微細パターンが作られたテストウエハの場合、特定のパターン設計で現れるものか、ＣＭＰ装置とパターン設計の組み合わせで現れるものかの区別を困難にさせる。
【００３１】
図２１の（Ａ）に、Ｗ膜２２３を成膜したテストウエハ２２０のＣＭＰ後の当該テストウエハ２３０の表面を観察した結果を模式的に示す。図２１の（Ｂ）はレーザマーク２１２を形成する複数のドットのうちの１つドット２１３の縦断面図を模式的に示す。レーザマーク２１２のドット２１３の内部で剥離した膜片２３１は模式的に示したものであり、形は様々である。テストウエハ２３０の表面に形成された傷２３２とゴミ２３３は、その数や太さ、大きさを自動検査装置で分類して評価し、テストウエハのマップとして表示することも、その数を表示することも可能である。ここには数本の傷を分類として示したが一般には多数である。下記の非特許文献１によればパターンのあるウエハではＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社のＳＥＭレビューなどで、正規の期待されるパターンと傷のついた実際のパターンの比較で検査する。パターンのない膜付きウエハを用いて光学式の散乱光による欠陥検査による評価も使用される。
【００３２】
非特許文献１の記述では、ＣＭＰの欠陥として、レーザマークの内部の膜の剥がれによる傷の発生は言及されてない。デバイスチップの製造歩留まりを評価目的にしない限りは、注目しない評価であるからである。
【００３３】
実際のデバイス製造に係わる会社では、前述したようにこの課題が深刻にあるので表面マークを使わなくなった。問題は、テストウエハの製造会社で発現するものではないので、工程設計や製造仕様には現れない。
【００３４】
ＣＭＰ関連の製造装置やスラリーの会社はＣｕ配線の開発のためにＣｕめっき膜を成長させたテストウエハを用いる。その例を図２２の（Ａ）と（Ｂ）に示す。図２２の（Ａ）はテストウエハ２４０の平面図であり、図２２の（Ｂ）は（Ａ）におけるＸ２−Ｘ２線縦断面図である。テストウエハ２４０では、３００ｍｍシリコンウエハ２２１の表面に、最初に熱酸化膜２４１が例えば１００ｎｍ程度の厚みで成長させられ、次にＴｉＮ／Ｔｉバリアー膜２４２が５０ｎｍの厚みで成膜され、そしてＣｕめっき膜（１μｍ）／Ｃｕシード膜（１００ｎｍ）からなるＣｕ膜２４３が積層されている。
【００３５】
他の製造装置へのＣｕ汚染や付着を避けるために、Ｃｕめっき装置の種類に依存してウエハエッジ約３ｍｍにめっき成長を起こさせない場合がある。まためっきのためのシード層としてＣｕスパッタ膜がバリアーメタル（ＴｉＮ／ＴｉやＴａ）の上に付けられるが、めっき装置の性能や洗浄仕上げ仕様によっては周囲にＣｕ膜がない状態で仕上げる場合がある。その例を図２２の（Ａ）においてエッジエクスクルージョン（ＥＥ）２４４として示している。この場合、エッジエクスクルージョン２４４の幅Ｗ１は３ｍｍである。Ｃｕ膜を全面に残す製造装置もあり、設計して指示しないと、エッジの様子はさまざまな場合がある。
【００３６】
この場合、レーザマーク２１２は、エッジエクスクルージョン２４４の内部に配置されているので、レーザマーク２１２のドット内部にＣｕ膜がある。図２３は、図２２の（Ａ）で示したレーザマーク２１２を形成する複数のドットのうちの１つのドット２１３の縦断面図を模式的に示す。
【００３７】
上記のテストウエハ２４０を用いてＣＭＰを行うと、ＣＭＰ装置の圧力制御、速度制御、スラリーの種類などによっては傷がつく。ＣＭＰ後の傷とゴミの典型例であるテストウエハ２５０を図２４の（Ａ）に模式的に示す。傷２５１は長いもの短いもの、直線的なものが装置に依存して様々である。剥離したＣｕ膜がゴミ２５２として観察される場合もある。レーザマーク２１２を形成する複数のドットのうちの１つのドット２１３の内部の膜片２５３の剥離例を模式的に図２４の（Ｂ）に示す。
【００３８】
レーザマーク２１２のドット２１３の内部で膜片２５３の剥離が起きると、タングステン膜の場合と同じように表面に傷をつける。
図２２に示した３００ｍｍテストウエハ２４０はＣＭＰ装置やスラリーの評価をする会社では調べようとする自社の商品（装置やスラリー、パッドなど）の性能にレーザマーク２１２のドット内部の膜剥離の問題が加わり、評価を困難にさせる問題が発生する。
図２５に、テストウエハ２６０で、レーザマーク２１２が部分的にＣｕ膜２４３で覆われた場合の例を示す。エッジエクスクルージョン２４４の値やレーザマーク２１２の大きさや位置などに依存してこの場合が生じる。この場合も、図２２，２３，２４で説明した現象と同じことが起きる。
この場合もテストウエハ２６０の製造会社に問題はない。ＣＭＰ装置やスラリーの評価をする会社で問題になる。
問題が発生しない例も、自然に、意図せずに存在している。その例を図２６に示す。このテストウエハ２７０では、拡大したエッジエクスクルージョン２４５の幅Ｗ２（＝４ｍｍ）とレーザマーク２１２の位置、大きさの関係で、レーザマーク２１２をＣｕ膜２４３が覆わない状態になっている。
この場合のテストウエハ２７０のレーザマーク２１２の内部にはＣｕ膜が残ってない。レーザマーク２１２を形成する複数のドットのうちの１つのドット２１３の縦断面図を模式的に図２６の（Ｂ）に示す。レーザマーク２１２のドット２１３の内部にはＴｉＮ／Ｔｉバリアー膜２４２の５０ｎｍ、酸化膜２４１の１００ｎｍのみが残っている。このテストウエハを用いてＣＭＰをすると、レーザマーク２１２のドット内部からのＣｕ膜片の剥離はない。従ってスラリーやウエハ表面にあるゴミに起因した傷のみがＣＭＰ後の評価の対象にできる。
このように特に設計しないが、自然に剥離のないウエハが製造されていた事実もある。しかし、傷やゴミを評価するには、評価対象外の要因を設計して除く必要がある。
テストウエハを製造する会社と評価する会社が異なるときは、レーザマークの内部の膜の条件を規定することが価値のあるテストウエハには必要なことである。
レーザマークの中の規定がまだ必要でないのは開発の現状がデバイス製造歩留まりに関心をおいた開発でなく、まだ基本的な研磨能力の開発段階にあるからである。
基本的な能力の評価項目としてはディッシングとかエロージョン（またはシニング）という項目がある。下記の非特許文献２を参照してその評価項目を図２７に示した。
【００３９】
図２７において、２８１は層間絶縁膜、２８２はＴｉＮバリアー膜、２８３はＣｕめっき膜、２８５はディッシング、２８６はエロージョンである。ディッシング２８５もエロージョン２８６も表面のうねりのモホロジーを課題にしている。凹んでいる所に、次の層の絶縁膜がかぶさり、その上に金属（Ｃｕ）配線がくると、次のＣＭＰ平坦化工程で凹み部分の金属（Ｃｕ）が研磨残りとなり、設計に依存して凹みの上の金属配線同士の短絡という致命的欠陥となる。傷（または「スクラッチ」と呼ぶ）等の欠陥はそれが発生したところだけが欠陥であるが、上記の２つの欠陥はどのチップにも設計に依存して発生するので、歩留まりゼロの原因になる欠陥である。基礎的欠陥とはそのような致命的な欠陥であるので、装置メーカーなどは装置の基本性能として注目して研究調査する。
【００４０】
ＣＭＰの研磨レートとかディッシング２８５、エロージョン２８６というＣＭＰの基本性能を評価するだけの目的ならば、膜剥がれ片（例えば２３１，２５３）による傷の問題はさほど大きな問題ではないので、レーザマークの内部の膜が剥がれることに無関心であってよい。しかし、微細パターンに対する傷やそれを用いて電気特性を評価する目的であるならば、わずかの傷２５１やゴミ２５３は評価の結果に影響を与えるので許されない。傷２５１やゴミ２５３がどのくらい発生しないかとか、微細配線の断線の頻度はどのくらいかとかの評価では、傷２５１やゴミ２５２、膜剥がれ片２３１，２５３に関心を強くもつ。
【００４１】
従って、電気特性に影響する因子を含めてのＣＭＰ性能評価にはレーザマーク２１２の中の膜については仕様として規定する必要がある。
【００４２】
ＣＭＰの装置やスラリーを開発製造している会社では、数千億円を投資してＣＩＭ管理の工場を作るデバイスメーカーと違い、レーザマーク２１２のない３００ｍｍウエハを用いることは管理上できない。レーザマーク２１２を利用することにより１枚ごとのウエハを区別して認識する必要がある。
【００４３】
本発明は、３００ｍｍというウエハを、デバイス製造に用いるのでなく、製造技術開発に用いるテストウエハとして用いるときに限定した発明である。
【００４４】
ここでレーザマークの概要を説明する。ウエハのＩＤのため、以前は、ダイヤモンドペンで印字するとか、フォトマークが使用された。しかし、結晶欠陥を作るとか、あるいはマークを消失する等の問題があり、１９８０年の中頃からレーザマークが使用されるようになった。レーザマークは、レーザーでウエハのシリコンを溶かして蒸発または変形させ、凹みドットを作るという方法で作られるので、周辺が少し盛り上がる。レーザマークのドットの縦断面を前述した通り図１７に模式的に示した。レーザマークは現在７０μｍ径で深さが３または６μｍである。盛り上がり２０２は深さの１／３程度である。
【００４５】
多数の工程（１００工程以上）で作る製品デバイスのときには、凹み（ドット状マーク２０３）に工程膜が付けられて埋まり、判読できない問題があるので、解決策として深く５０μｍ以上の凹み２０３を付ける場合もある（ハードレーザマーク）。しかし、凹みが深いと、凹みの内部にゴミが集積するので、これを避けるにはレーザマークの深さを浅くする。
【００４６】
また最近では、デバイス製品の作製の上で邪魔にならないように、２次元バーコードにして占有面積を減らすというものがある。レーザマークはウエハのエッジ３ｍｍの領域に配置される場合もあれば、５ｍｍ以上内部に配置される場合もある。設計して指示しないと、受け入れたままの位置にあるので、さまざまなウエハが存在する。またウエハの裏面に配置されるときもあるし、表面に配置されるときまたはされないとき、また両面に配置されるときまたはされないときがある。さらにレーザマークはウエハ購入時にウエハベンダーが入れる場合と、使用者側が入れる場合がある。
【非特許文献１】土肥俊郎  編著  詳説「70） 半導体ＣＭＰ技術」71） ３１９ページ、株式会社工業調査会発行、初版２００１年１月１０日
【非特許文献２】土肥俊郎、河西敏雄、中川威雄  著、「97） 半導体平坦化ＣＭＰ技術、超ＬＳＩ製造のキープロセス」、２８ページ、株式会社工業調査会発行、初版１９９８年７月１５日
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４７】
レーザマーク２１２のドット内部に付いた膜は、その種類、層数、膜厚、組み合わせ、ＣＭＰ装置の運転仕様、スラリー、薬品の染み込みなどに依存して剥がれる。当該膜が剥がれると、剥がれた膜片がゴミになり、それが研磨粉のように作用してウエハ表面に傷をつけるという問題が発生する。
上記の問題に対して、デバイスメーカーはＣＩＭ管理することによりレーザマーク２１２を入れないという方法で解決をした。
他方、装置材料メーカーにとっては、ＣＩＭ管理を行えないので、レーザマーク２１２を使わないという解決方法は選択できない。基本性能を調べている限りにおいては大きな問題は生じなかったが、微細パターン付きのテストウエハにおいて傷の入り方を調べる目的の場合には、開発レベルの向上と共に問題として出てくる。この場合には、発生したゴミが、レーザマーク２１２のドット内部から発生したゴミなのか、または装置や材料の性能に依存したゴミや傷なのかについて、ＣＭＰ装置やスラリーの開発を行う会社は、区別する必要がある。装置メーカーや材料メーカーは、開発で扱うウエハ枚数が少ないので、設備投資してマークなしでもウエハ管理を可能にする高額なＣＩＭ管理システムを導入することはできない。
本発明の課題は、３００ｍｍのテストウエハでの独特の新しい課題である。
【００４８】
上記の課題は、ＫｒＦ露光とＡｒＦ露光が可能にさせる微細加工と共に出現してきた経緯があり、ＣＭＰという工程との組み合わせで深刻になった。典型的には１８０ｎｍ以下の加工線幅の加工技術を開発するときに、課題になる実際の膜の厚みもそれに近いものとなる。
【００４９】
従って本発明の課題は、複数の積層膜がレーザマークの内部に付いていて、１８０ｎｍ以下の微細パタンを加工する半導体製造技術開発に用いる３００ｍｍのテストウエハにおける限定した課題である。
【００５０】
本発明の目的は、上記の課題に鑑み、半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍのテストウエハを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００５１】
本発明に係るテストウエハは、上記目的を達成するため、次のように構成される。
【００５２】
第１のテストウエハ（請求項１に対応）は、半導体製造装置とその消耗部品および半導体製造用材料とを開発し評価するために用いられる直径が３００ｍｍのテストウエハであって、ウエハ表面に、１５０ｎｍ以上の合計厚みで複数の金属膜が付着され、かつウエハ識別のためのレーザマークが備えられ、当該レーザマークのドット内部に付着した複数の金属膜の合計厚みは１５０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００５３】
上記の解決手段を以下に挙げると、テストウエハにおいて、レーザマークのドット内部に膜がつかないようにレーザマークをウエハおもて面に付けずにウエハ裏面につける。または剥がれないようにレーザマークのドット内部の表面の付く膜の厚みを制限することである。１つの膜の厚みを厚くても、パターンの最小寸法以下とする。剥がれやすくなるのを防ぐために、膜を成長させるとき、レーザマークをマスクする機構を用いて膜を成長させない。さらにはパターンが加工されたウエハであるかに拘わらずに、レーザマークのないウエハで工程を進ませ、レーザマークを、膜付け工程やパターン形成工程の後に入れる。
【００５４】
第２のテストウエハ（請求項２に対応）は、上記の構成において、ウエハ表面に１８０ｎｍ以下の寸法のパターンを備えたことを特徴とする。
【００５５】
第３のテストウエハ（請求項３に対応）は、上記の構成において、複数の金属膜のいずれか１つの材質が、Ｃｕ、Ｗ、ＷＮ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、またはＴａＮであることを特徴とする。
【００５６】
第４のテストウエハ（請求項４に対応）は、上記の構成において、レーザマークのドット内部には金属膜が付着していないことを特徴とする。
【００５７】
第５のテストウエハ（請求項５に対応）は、上記の構成において、ウエハおもて面にレーザマークが備えられていないことを特徴とする。
【００５８】
第６のテストウエハ（請求項６に対応）は、上記の構成において、レーザマークは、露光工程と膜付け工程の後に設けたレーザマーク形成工程により形成されることを特徴とする。
【００５９】
半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍテストウエハで、のレーザマークのドット内部の膜が剥がれて、剥がれた膜片がＣＭＰ処理した表面の傷の原因となる。研磨速度、選択比、ディッシング、エロージョン、などの基本特性研究の範囲では対象でなかった傷であるが、デバイスメーカーと同じ開発レベルでＣＭＰを開発しようとするとレーザマークの中から膜が剥離しない設計仕様を求めて、その仕様で製造した３００ｍｍテストウエハを利用する環境を作る。
基本的にはレーザマークのドット内部に膜がついてなければ、剥がれるということはない。膜がつく場合であっても膜の構造に一定の制限を仕様として設けると解決される。例えば、表面に金属膜が積層されている場合でも、ウエハ識別のためのレーザマークがついているウエハにおいて、マークのドット内側表面に１５０ｎｍ以上の同金属膜が付着してない設計仕様の３００ｍｍのテストウエハであればよい。
【発明の効果】
【００６０】
本発明によれば次の効果を奏する。
半導体製造装置と材料の開発がデバイスメーカーで行われなくなってきたため、開発に必要なテストウエハという３００ｍｍウエハの供給が市場から要求され始めるようになった。基本的な特性の開発では問題ではなかったＣＭＰ工程で生じる傷までが評価対象にしなくてはならない時代になると、ウエハおもて面等に形成されるレーザマークのドット内部の膜構造までもが設計されてテストウエハは製造しなくてはならない。
本発明によれば、レーザマークのドット内部の積層膜が剥がれてゴミとなり、ＣＭＰの傷とならない条件を設計して、実験データからそれを確認した。本発明が設計して提示するレーザマークのドット内部の膜仕様の３００ｍｍテストウエハを用いることにより、デバイスメーカーが求めるＣＭＰのデータを取得することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６１】
以下に、本発明の好適な実施形態（実施例）を添付図面に基づいて説明する。
なお以下の説明では、必要に応じて、前述した図１７〜図２７およびこれらの図中で説明した要素を引用して説明を行う。
【００６２】
まず、本発明に係るテストウエハの実施形態の効果を明確できるようにするため、典型的に、傷の発生しやすいタングステン膜（以下「Ｗ膜」と記す）のＣＭＰによる傷を、レーザマークのドット中にタングステン（Ｗ）が埋まっているテストウエハと、設計に基づきレーザマークのドット中にＷ膜が存在しないようにしたテストウエハとを用意して、それらの比較を行う。
【００６３】
最初に、レーザマークのドット内部にＷ膜を埋め込むように設計されたテストウエハの製造工程を説明する。
【００６４】
（１）レーザマークをウエハ表面に入れた３００ｍｍウエハを１０枚投入する。
（２）熱酸化処理する。酸化層の厚みは１００ｎｍである。
（３）タングステンナイトライド（ＷＮ）膜を全面スパッタ成長により５０ｎｍの膜厚で成膜する。
（４）タングステン（Ｗ）膜を全面スパッタ成長により５００ｎｍの膜厚で成膜する。
【００６５】
テストウエハの表面に上記の膜を全面成長させるには、テストウエハを支持台の上に置くだけか、または静電チャックにより吸着してウエハを固定する方法を用いる。そのテストウエハの支持方法を実現そうする成膜処理装置の模式的構成を図１に示す。支持台１１の表面に設けられた静電チャック１２でテストウエハ２１１を吸着する。静電チャック１２はそのカバーリング１３で保護される。テストウエハ２１１の表面に堆積した成長膜１４はウエハ表面の全面に形成される。
【００６６】
以上の工程により、前述した図１９に示したテストウエハ２２０が製造されることになる。この状態で、図２０に示されたように、テストウエハ２２０の表面に形成されたレーザマーク２１２のドット２１３の内部に堆積したＷ膜２２３の厚みは、ウエハ表面に堆積したＷ膜２２３の厚みと同じであり、５００ｎｍである。なお図２０で、２２２は前述した通りＷＮ膜である。
【００６７】
次に、上記のテストウエハ２２０のＷ膜２２３のＣＭＰを行い、欠陥検査装置で０．５μｍ以上の傷の本数を測定すると、５本以下の傷を有するテストウエハはなく、６本以上の傷を有するテストウエハが１０枚であった。傷の原因になるゴミがあると、傷はテストウエハの回転や並進運動でウエハ表面の全面に広がるので、傷を生じさせるゴミが発生したときは、傷は桁違いに多い数となる。
【００６８】
以上のように、典型的な結果として、５本以下の傷を有するテストウエハについてのＣＭＰ結果は得られなかった。前述の図２１の（Ａ）に、テストウエハ２３０の表面についての模式的に観察結果を示している。なお、図２１に示したテストウエハ２３０のウエハ表面には、傷２３２に関して、長い傷、短い傷、直線的な傷の３種類のパターン例を示しただけであり、数は表現してない。テストウエハの表面において傷が発見されると、それは１０本を越えて観察されるのが普通である。
【実施例１】
【００６９】
次に、設計してレーザマークのドット内部にＷ膜が残らないようにテストウエハを作製した。その製造工程の第１の例を以下に説明する。
【００７０】
（１）レーザマークをウエハおもて面に入れた３００ｍｍウエハを１０枚投入する。
（２）熱酸化処理する。酸化層の厚みは１００ｎｍである。
（３）タングステンナイトライド（ＷＮ）膜を全面成長により５０ｎｍの膜厚で成膜する。
（４）タングステン（Ｗ）膜をエッジ遮蔽の下でスパッタ成長により５００ｎｍの膜厚で成膜する。
【００７１】
上記のテストウエハの製造工程では、シールド部品でテストウエハの周縁エッジ部分を遮蔽してスパッタ成長を行う。このときのテストウエハを固定する支持装置の構成を模式的に図２に示す。支持台２１の表面部に設けた静電チャック２２でテストウエハ２１１を吸着する。静電チャック２２はその周囲部分がカバーリング２３で保護される。シールド機構２４はテストウエハ２１１のウエハエッジを遮蔽する。膜２５は、テストウエハ２１１の表面等に堆積した成長膜である。
【００７２】
図３は、以上の工程で作られたテストウエハ３０の平面図である。図２で示されるように、テストウエハ２１１のエッジ遮蔽領域（略３ｍｍ）以内には成長膜２５が存在しないのを確認した。これにより、図３に示すように、作られたテストウエハ３０では、生成されたエッジエクスクルージョン３１の領域内に存するレーザマーク２１２のドット内部にはＷ膜３２はない。
【００７３】
図３に示したレーザマーク２１２を形成する複数のドットのうちの１つのドット２１３の縦断面図として、レーザマーク２１２のドット内部の膜構造を模式的に図４に示す。レーザマーク２１２のドット２１３の内部には、熱酸化膜３３が１００ｎｍの膜厚で、ＷＮ膜３４が５０ｎｍの膜厚で存在するだけである。このテストウエハ３０を用いてタングステン（Ｗ）膜のＣＭＰを行った。その結果として得られたテストウエハ４０（図５）の傷の観察測定を行った。
【００７４】
テストウエハ４０の平面図を、前述した図２１と比較するという意味で、模式的に図５に示す。傷の本数は５本以下のテストウエハが９枚で、６本以上のテストウエハが１枚であった。以上の結果を従来のテストウエハと比較すると、レーザマーク２１２のドット内部のＷ膜に依存して傷が発生することがわかる。これにより、レーザマーク２１２のドット内部に厚いＷ膜を成長させない工程設計がＣＭＰ中に傷を発生させないテストウエハ製造に有効であることが判明した。
【実施例２】
【００７５】
次に、テストウエハの製造工程の第２の例を説明する。この製造工程では、設計してレーザマークのドット内部にＷＮ膜とＷ膜の両方が成長しないようにした例である。
【００７６】
（１）レーザマークをウエハおもて面に入れた３００ｍｍウエハを１０枚投入する。
（２）熱酸化処理する。酸化層の厚みは１００ｎｍである。
（３）タングステンナイトライド（ＷＮ）膜をエッジ遮蔽（３ｍｍ）の下でスパッタ成長により５０ｎｍの膜厚で成膜する。エッジ遮蔽なのでエッジ３ｍｍ領域にＷＮ膜が成長していないのを確認した。
（４）タングステン（Ｗ）膜をエッジ遮蔽（３ｍｍ）の下でスパッタ成長により５００ｎｍの膜厚で成膜する。
【００７７】
上記のテストウエハ製造工程では、図２に示した支持台２１でエッジ遮蔽のためのシールド機構２４を有するので、エッジ３ｍｍの領域内にＷＮ膜の成長がないことが確認された。
【００７８】
以上のテストウエハ製造工程で作ったテストウエハ５０の平面図を図６の（Ａ）に示し、（Ａ）に示したレーザマーク２１２を形成する複数のドットのうちの１つのドット２１３の内部の断面図を図６の（Ｂ）に示す。この実施例２によるテストウエハ５０では、そのエッジ上にはＷ膜／ＷＮ膜が成長しないので、エッジエクスクルージョン３１が生成される。次に、当該テストウエハ５０を用いてＷ膜のＣＭＰ処理を行い、テストウエハ６０を作製する。欠陥検査装置でテストウエハ６０の傷を観察し測定した結果を、模式的に図７に示す。その結果については、傷の本数５本以下のテストウエハは９枚、６本以上のテストウエハは１枚であった。
【実施例３】
【００７９】
次に、テストウエハの製造工程の第３の例を説明する。この製造工程では、テストウエハ２１１の裏面にレーザマーク２１２を入れた例である。
【００８０】
（１）レーザマーク２１２をウエハ裏面に入れた３００ｍｍウエハを１０枚投入する。ウエハ裏面の様子を図８に示す。
（２）熱酸化処理する。酸化層の厚みは１００ｎｍである。
（３）タングステンナイトライド（ＷＮ）膜を全面スパッタ成長により５０ｎｍの膜厚で成膜する。
（４）タングステン（Ｗ）膜をエッジ遮蔽（３ｍｍ）の下でスパッタ成長により５００ｎｍの膜厚で成膜する。
【００８１】
上記の製造工程で作られたテストウエハでは、Ｗ膜の成膜で３ｍｍのエッジ遮蔽が用いられるので、エッジ３ｍｍ領域にＷ膜が成長しないことを確認した。
【００８２】
以上の製造工程で作ったテストウエハ７０の平面図を図９に示す。次に、そのテストウエハ７０を用いてＷ膜のＣＭＰ処理を行ったテストウエハ８０を作り、欠陥検査装置で当該テストウエハ８０の傷を観察測定した結果を模式的に図１０に示す。その結果、傷の本数５本以下のテストウエハは９枚、６本以上のテストウエハは１枚であった。従来の例ではテストウエハ１０枚とも６本以上の傷が発見されたのに比べ、ウエハ裏面にレーザマークを移したことによっても、大幅に改善される結果となることを確認した。
【実施例４】
【００８３】
次に、テストウエハの製造工程の第４の例を説明する。この製造工程の例は、最小線幅１００ｎｍの溝とスペースとによって形成されたパターンにＣｕ膜設けたウエハの例である。
【００８４】
（１）レーザマークをウエハおもて面に入れた３００ｍｍウエハを１０枚投入する。
（２）ＳｉＮ膜を膜厚１００ｎｍで成膜する。
（３）プラズマＴＥＯＳ酸化膜を膜厚２５０ｎｍで成膜する。  
（４）酸化膜をエッチングする。
ウエハ裏面とエッジ部の裏面と表面３ｍｍをエッチングした。そのために、枚葉洗浄装置を用いる。ウエハ裏面からＨＦ希釈液でＴＥＯＳ酸化膜をエッチングする。この装置における薬品の流れ制御の模式図を図１１に示す。ウエハ９０の裏面に対する窒素吹き込み量９１を制御することでウエハ９０の表面に回りこむ薬品の流れ９２を制御する。これにより、表面におけるエッジ３ｍｍのプラズマＴＥＯＳ酸化膜９３をエッチ除去する。
（５）最小線幅１００ｎｍの溝とスペースのＡｒＦ露光を行う。
（６）酸化膜をエッチングする。
（７）レジストを剥離する。
（８）洗浄する。
（９）Ｔａバリアーメタルを膜厚３０ｎｍで成膜する。
（１０）Ｃｕシード膜を膜厚１００ｎｍでスパッタ成膜する。
（１１）Ｃｕめっきを厚み１μｍで行う。
（１２）設計してエッジから３ｍｍの領域のＣｕ膜を薬品（硫酸）で除去する。
【００８５】
本実施形態による製造工程で作製したテストウエハ１００の表面を模式的に図１２の（Ａ）に示し、（Ａ）に示したレーザマーク２１２を形成する複数のドットのうちの１つのドット２１３の縦断面を図１２の（Ｂ）に示す。薬品によってエッジ部のＣｕ膜を除去したので、エッジエクスクルージョン１０１が生成され、レーザマーク２１２のドット内部にはＣｕ膜は残ってなく、ＳｉＮ膜（１００ｎｍ）１０２とＴａ膜（３０ｎｍ）１０３が残っているだけである。Ｃｕ膜１０４で覆われた部分には溝とスペースのテストパターンがある。
図１３は、図１２の（Ａ）でのＸ５−Ｘ５線縦断面にあるパターンを代表する部分の模式的断面図である。図１３で、シリコンウエハ２２１の上で、１１１はＴＥＯＳガスから成長させたプラズマ酸化膜、１１２はＣｕシード膜、１１３はＣｕめっき膜である。用いたパターンは、溝の最小線幅が１００ｎｍであり、最大が１００μｍである。スペースを変化させて溝の密度を変化させてある。密度は５７％が最大で、１００μｍ離して孤立ライン（＝溝）が配置されている。線幅が同じグループは１００μｍ離して配置され、チップ同士は１０μｍの溝３本とスペースで剥離防止対策がパターン設計されている。このテストウエハ１００を用いてＣｕ膜１０４のＣＭＰ処理を行い、テストウエハ１２０を作った。欠陥検査装置でテストウエハ１２０の表面の傷を観察測定した結果を模式的に図１４に示す。１２１は表面に傷のないＣＭＰ処理後のＣｕ膜表面を示す。その結果は、傷の本数５本以下のテストウエハは９枚、６本以上のテストウエハは１枚であった。
【実施例５】
【００８６】
次に、テストウエハの製造工程の第５の例を説明する。この製造工程の例は、レーザマークをテストウエハ製造工程の最後に入れる例である。
【００８７】
（１）レーザマークのない３００ｍｍウエハを１０枚投入する。
（２）熱酸化処理する。酸化層の厚みは１００ｎｍである。
（３）Ｔａバリアーメタルを膜厚３０ｎｍで成膜する。
（４）Ｃｕシード膜を膜厚１００ｎｍでスパッタ成膜する。
（５）Ｃｕめっきを厚み１μｍで行う。
（６）設計してエッジから３ｍｍの領域のＣｕ膜を薬品（硫酸）で除去する。（図１５参照）
（７）ウエハ表面にレーザマークを付ける。（図１６参照）  
【００８８】
以上の製造工程に基づき、領域Ｒ１にレーザマークのないテストウエハ１３０の当該領域Ｒ１の表面にレーザマーク２１２をＣｕめっき膜工程の後に入れた３００ｍｍテストウエハ１４０を用い、Ｃｕ膜のＣＭＰを行った。欠陥検査装置でテストウエハ１４０のＣｕ膜表面の傷を観察測定した結果、傷の本数５本以下のテストウエハが１０枚、６本以上のテストウエハが０枚であった。
【００８９】
以上の実施例１，２，３，４，５で説明したように、テストウエハに付けられたレーザマークのドット内部の膜の厚みに制限を加えることで、ＣＭＰ後の傷を大幅に改善することができた。レーザマークの内部に膜が残る設計の場合において、残した膜の厚みは酸化膜が１００ｎｍ、バリアー膜が３０〜５０ｎｍである。従って、レーザマークの内部に膜が付かない設計（実施例２）と、積層の膜厚で１３０〜１５０ｎｍの厚みの膜が残るように設計した実施例とが、図２１を参照して説明した従来例よりＣＭＰ後の傷の数に関して改善される結果であることを確認した。上記の実施例ではＣｕ，ＷＮ，ＴｉＮ，Ｔｉ，Ｔａの各金属膜を例として示したが、シリコン膜であっても、シリコンとの合金膜であっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、レーザマークの内部の積層膜が剥がれてゴミとなりＣＭＰの傷とならない条件を設計し、デバイスメーカーが求めるＣＭＰのデータを取得可能な３００ｍｍテストウエハとして利用される。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】ウエハ表面の全面に膜を成長させるテストウエハの支持装置の構造例を示す模式的縦断面図である。
【図２】エッジを遮蔽して膜成長させるテストウエハの支持装置の構造例を示す模式的縦断面図である。
【図３】レーザマークのドット内部にＷ膜を成長させない３００ｍｍテストウエハの平面図である。
【図４】図３におけるレーザマークの１つのドットの内部構造を示す縦断面図である。
【図５】レーザマークのドット内部にＷ膜が埋め込まれてない３００ｍｍテストウエハのＣＭＰ処理後の平面図である。
【図６】レーザマークのドット内部にＷ膜およびＷＮ膜が埋め込まれてない３００ｍｍテストウエハの平面図（Ａ）と、（Ａ）におけるレーザマークの１つのドットの内部構造を示す縦断面図（Ｂ）である。
【図７】レーザマークのドット内部にＷ膜およびＷＮ膜が埋め込まれてない３００ｍｍテストウエハのＣＭＰ処理後の平面図である。
【図８】ウエハ裏面にレーザマークを付けた３００ｍｍテストウエハの裏面図である。
【図９】ウエハ裏面にレーザマークが存在し、ウエハ表面にレーザマークが存在しない３００ｍｍテストウエハの平面図である。
【図１０】Ｗ膜を成長させたウエハ表面にレーザマークが存在しない３００ｍｍテストウエハのＣＭＰ処理後の平面図である。
【図１１】窒素ガスの流れを制御してテストウエハの裏面とウエハ表面のエッジ部に付着した膜をエッチングする装置における薬品の流れを示す模式図である。
【図１２】薬品でレーザマークのドット内部に付いたＣｕ膜を除去した３００ｍｍテストウエハの平面図（Ａ）と、（Ａ）におけるレーザマークの１つのドットの内部構造を示す縦断面図（Ｂ）である。
【図１３】線幅が１００ｎｍ〜１００μｍである溝またはスペースから成る酸化膜パターンにＣｕ膜をめっきした３００ｍｍテストウエハの部分縦断面図である。
【図１４】線幅が１００ｎｍ〜１００μｍである溝またはスペースから成る酸化膜パターンにＣｕ膜をめっきした３００ｍｍテストウエハのＣＭＰ処理後の平面図である。
【図１５】レーザマークのないウエハ表面で膜付け工程を行った３００ｍｍテストウエハのウエハ表面を示す平面図である。
【図１６】レーザマークのないウエハ表面で膜付け工程を行い、最後の工程としてウエハ表面にレーザマークを付けた３００ｍｍテストウエハのウエハ表面を示す平面図である。
【図１７】レーザマークを形成する１つのドットの縦断面図（Ａ）と、レーザマークを形成する２つのドットの平面図（Ｂ）である。
【図１８】レーザマークが付けられた工程開始前の３００ｍｍシリコンウエハの平面図（Ａ）と、レーザマークを形成する多数のドットの第１の例を示す配置パターン図（Ｂ）と、レーザマークを形成する多数のドットの第２の例を示す配置パターン図（Ｃ）である。
【図１９】ウエハ表面にタングステン膜を全面成長させた３００ｍｍテストウエハの平面図（Ａ）と、（Ａ）におけるＸ１−Ｘ１線断面図（Ｂ）である。
【図２０】図１９の（Ａ）におけるレーザマークの１つのドットの内部構造を示す縦断面図である。
【図２１】レーザマークのドット内部にタングステン（Ｗ）膜が成長した３００ｍｍテストウエハのＣＭＰ処理後の平面図（Ａ）と、（Ａ）におけるレーザマークの１つのドットの内部構造を示す縦断面図（Ｂ）である。
【図２２】レーザマークのドット内部にバリア膜とＣｕ膜が埋め込まれた３００ｍｍテストウエハの平面図（Ａ）と、（Ａ）におけるＸ２−Ｘ２線断面図（Ｂ）である。
【図２３】図２２の（Ａ）におけるレーザマークの１つのドット内部構造を示す縦断面図である。
【図２４】レーザマークの内部にバリア膜とＣｕ膜が埋め込まれた３００ｍｍテストウエハのＣＭＰ処理後の平面図（Ａ）と、（Ａ）におけるレーザマークの１つのドットの内部構造を示す縦断面図（Ｂ）である。
【図２５】レーザマークの一部にバリア膜とＣｕ膜が埋め込まれた３００ｍｍテストウエハの平面図である。
【図２６】レーザマークがエッジエクスクルージョンに存在し、そのドット内部にＣｕ膜が埋め込まれてない３００ｍｍテストウエハの平面図（Ａ）と、（Ａ）におけるレーザマークの１つのドットの内部構造を示す縦断面図（Ｂ）である。
【図２７】溝を加工した酸化膜の上にＣｕ膜をめっきしたウエハのＣＭＰ処理後の要部の縦断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１１，２１    支持台
１２，２２    静電チャック
１３，２３    カバーリング
１４          成長膜
２５          膜
３０          レーザマークにＷ膜を成長させないテストウエハ
４０          表面に傷のないＷ膜のＣＭＰ後のテストウエハ
５０          レーザマークにＷ膜もＷＮ膜もついてないテストウエハ
６０          レーザマークにＷ膜もＷＮ膜もついてないテストウエハをＣＭＰ処理したテストウエハ
７０          表面にレーザマークのないテストウエハ
８０          表面にレーザマークのないウエハにＷ膜成長させてＣＭＰ処理したテストウエハ
９０          ウエハ
１００        薬品でレーザマーク内のＣｕ膜を除去したテストウエハ
１２０        １００ｎｍパタンを有するテストウエハをＣＭＰ処理したテストウエハ
１３０        膜付け工程後にレーザマークをまだいれてないテストウエハ
１４０        表面レーザマークを工程の最後にいれたテストウエハ
２０１        シリコンウエハ
２１１        ３００ｍｍシリコンウエハ
２１２        レーザマーク
２１３        ドット（レーザマークドット）
２２０        タングステン（Ｗ）膜を成長させたテストウエハ
３４，２２２  タングステンナイトライド（ＷＮ）膜
３２，２２３  タングステン（Ｗ）膜
２３０        傷の発生したＷ膜のＣＭＰ後のテストウエハ
２３１        剥離したＷ膜（膜片）
２３２        ＣＭＰ後の表面の傷
２３３        ＣＭＰ後のゴミ
２４０        Ｃｕめっきしたテストウエハ
２５０        傷の発生したＣｕのＣＭＰ後のテストウエハ
２６０        レーザマークの一部にＣｕめっき膜の付いたテストウエハ
２７０        レーザマークにＣｕめっき膜の付いないテストウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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