(57)【要約】【課題】特性の良好な光電変換装置、特に、液体シリコン材料を用いた良好な光電変換装置を提供する。【解決手段】本発明に係る光電変換装置の製造方法は、第１導電型の微結晶シリコン層（１５）を形成する第１工程と、前記微結晶シリコン層上に液体シリコン材料を塗布する第２工程と、前記液体シリコン材料をアモルファス化する第３工程と、を有し、前記第２および第３工程により、前記微結晶シリコン層中の微結晶粒（１５ｇ）間および前記微結晶シリコン層（１５）上にアモルファスシリコン層（１７）が形成される。かかる方法によれば、微結晶粒と微結晶粒との間に液体シリコン材料が侵入しアモルファス化する。よって、微結晶粒とアモルファスシリコン層とが接触することとなり、界面積を向上させることができる。よって、光電変換効率を向上させることができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の微結晶シリコン層と、
前記微結晶シリコン層上に形成されたアモルファスシリコン層と、
を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記アモルファスシリコン層は、堆積膜であることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】
第１導電型の微結晶シリコン層と、
前記微結晶シリコン層中の微結晶粒間および前記微結晶シリコン層上に形成されたアモルファスシリコン層と、
を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
前記アモルファスシリコン層は、前記微結晶シリコン層上に塗布された液体シリコン材料を固化してなることを特徴とする請求項３記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記アモルファスシリコン層上に形成された第２導電型のアモルファスシリコン層と、
前記第２導電型のアモルファスシリコン層上に形成された電極と、
を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項記載の光電変換装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項７】
第１導電型の微結晶シリコン層を形成する第１工程と、
前記微結晶シリコン層上に堆積法を用いてアモルファスシリコン層を形成する第２工程と、
を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程は、アモルファスシリコンをスパッタリング法により堆積する工程、又は、シリコン膜をＣＶＤ法で堆積した後、アモルファス化する工程を有することを特徴とする請求項７記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
第１導電型の微結晶シリコン層を形成する第１工程と、
前記微結晶シリコン層上に液体シリコン材料を塗布する第２工程と、
前記液体シリコン材料をアモルファス化する第３工程と、
を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２および第３工程により、前記微結晶シリコン層中の微結晶粒間および前記微結晶シリコン層上にアモルファスシリコン層が形成されることを特徴とする請求項９記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
前記アモルファスシリコン層上に第２導電型のアモルファスシリコン層を形成する工程と、
前記第２導電型のアモルファスシリコン層上に電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一項記載の光電変換装置の製造方法を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置、特に、液体シリコン材料を用いた光電変換装置やその製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
省エネルギかつ省資源でクリーンなエネルギ源として太陽電池（光電変換装置）の開発が注目を浴びている。太陽電池は、光起電力効果を利用し、光エネルギを直接電力に変換する電力機器である。その構成には、種々のものがあるが、例えば、変換効率が高く、また、温度特性の良好な太陽電池としてＨＩＴ（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）型の太陽電池が挙げられる。このＨＩＴ型太陽電池は、結晶系のシリコン基板の片面または両面に、アモルファスシリコン層と透光性導電膜とを積層形成したものである（例えば、下記特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２８２９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明者らは、液体シリコン材料を用いた太陽電池（光電変換装置、半導体装置）に関する研究開発を行っており、製造が容易で、また、特性の良い太陽電池の検討を行っている。
【０００４】
特に、変換効率を向上させるためには、光吸収層と光電変換層との界面積を大きくする必要がある。例えば、上記特許文献１においては、結晶シリコン表面に数ミクロンオーダーの凹凸構造を形成している。
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の構造では、フォトリソ工程やエッチング工程が複雑となり、製造コストが上がる可能性がある。また、かかる構造では、光電変換に寄与する界面積も増加し得るが、その増加にも限界がある。
【０００６】
そこで、容易に界面積を向上させることができる太陽電池の新しい構造の開発が望まれる。また、当該太陽電池の抵コスト化および製法の簡易化の開発が望まれる。
【０００７】
よって、本発明に係る具体的態様は、特性の良好な光電変換装置およびその製造方法を提供することを目的とする。特に、液体シリコン材料を用いた良好な光電変換装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る光電変換装置は、第１導電型の微結晶シリコン層と、前記微結晶シリコン層上に形成されたアモルファスシリコン層と、を有する。かかる構成によれば、微結晶シリコン層とアモルファスシリコン層との界面積を向上させることができる。よって、光電変換効率を向上させることができる。前記アモルファスシリコン層は、真性である。
【０００９】
例えば、前記アモルファスシリコン層は、堆積膜である。このように、アモルファスシリコン層として堆積膜を用いてもよい。
【００１０】
本発明に係る光電変換装置は、第１導電型の微結晶シリコン層と、前記微結晶シリコン層中の微結晶粒間および前記微結晶シリコン層上に形成されたアモルファスシリコン層と、を有する。かかる構成によれば、微結晶粒とアモルファスシリコン層とが接触することとなり、界面積を向上させることができる。よって、光電変換効率を向上させることができる。
【００１１】
例えば、前記アモルファスシリコン層は、前記微結晶シリコン層上に塗布された液体シリコン材料を固化してなる。かかる構成によれば、容易に微結晶粒間にアモルファスシリコン層を配置することができる。
【００１２】
例えば、前記アモルファスシリコン層上に形成された第２導電型のアモルファスシリコン層と、前記第２導電型のアモルファスシリコン層上に形成された電極と、を有する。このように、第２導電型のアモルファスシリコン層と電極を配置してもよい。
【００１３】
本発明に係る電子機器は、上記太陽電池を有する。かかる構成によれば、電子機器の特性を向上させることができる。また、かかる電子機器の生産性を向上させることができる。
【００１４】
本発明に係る光電変換装置の製造方法は、第１導電型の微結晶シリコン層を形成する第１工程と、前記微結晶シリコン層上に堆積法を用いてアモルファスシリコン層を形成する第２工程と、を有する。かかる方法によれば、微結晶シリコン層の微結晶粒上にアモルファスシリコン層が堆積し、その凹凸によりこれらの層の界面積を向上させることができる。よって、光電変換効率を向上させた光電変換装置を製造することができる。
【００１５】
例えば、前記第２工程は、アモルファスシリコンをスパッタリング法により堆積する工程、又は、シリコン膜をＣＶＤ法で堆積した後、アモルファス化する工程を有する。このように、堆積方法として、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いることができる。
【００１６】
本発明に係る光電変換装置の製造方法は、第１導電型の微結晶シリコン層を形成する第１工程と、前記微結晶シリコン層上に液体シリコン材料を塗布する第２工程と、前記液体シリコン材料をアモルファス化する第３工程と、を有する。かかる方法によれば、微結晶粒と微結晶粒との間に液体シリコン材料が侵入しアモルファス化する。よって、微結晶粒とアモルファスシリコン層とが接触することとなり、界面積を向上させることができる。よって、光電変換効率を向上させた光電変換装置を製造することができる。
【００１７】
例えば、前記第２および第３工程により、前記微結晶シリコン層中の微結晶粒間および前記微結晶シリコン層上にアモルファスシリコン層が形成される。このように、微結晶粒と微結晶粒との間に液体シリコン材料が侵入しアモルファス化するため、前記微結晶シリコン層中の微結晶粒間にアモルファスシリコン層を形成し、また、微結晶シリコン層上にアモルファスシリコン層を残存させることができる。
【００１８】
例えば、前記アモルファスシリコン層上に第２導電型のアモルファスシリコン層を形成する工程と、前記第２導電型のアモルファスシリコン層上に電極を形成する工程と、を有する。このように、第２導電型のアモルファスシリコン層と電極を形成してもよい。
【００１９】
本発明に係る電子機器の製造方法は、上記太陽電池の製造方法を有する。かかる方法によれば、特性の良好な電子機器を製造することができる。また、かかる電子機器の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の機能を有するものには同一もしくは関連の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。
＜太陽電池の構造＞
図１〜図４は、本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の製造方法を示す工程断面図である。図４（Ｂ）の最終工程断面図に示すように、本実施の形態の太陽電池（多孔質ＨＩＴ型シリコン薄膜太陽電池）は、基板１１と、下部電極１３、第１導電型の微結晶シリコン膜（層）１５、真性（intrinsic）のアモルファスシリコン膜（層）１７、第２導電型のシリコン膜１９および上部電極２１を有する。
【００２１】
第１、第２導電型は、ｎ型又はｐ型であり、ｎ型の場合は、リンなどのｎ型不純物を、ｐ型の場合は、ホウ素などのｐ型不純物を有する。真性（ｉ型）とは、不純物が注入されておらず、ｎ型またはｐ型半導体膜（層）と比較し、不純物濃度が低い半導体膜である。微結晶の結晶粒径（直径）は、０．０１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下である。また、アモルファスシリコンを４００〜６００℃（例えば、５００℃程度）の低温にて加熱処理した際、微細な結晶層が生じる。これを微結晶シリコンとも言える。
【００２２】
例えば、図５に示すように、下部電極１３と上部電極２１とを外部回路（配線など）８により接続すると、外部回路８に電流（光励起電流）が流れる。
【００２３】
ここで、本実施の形態の特徴的構成は、微結晶シリコン膜１５を構成する微結晶粒１５ｇ間および微結晶シリコン膜１５上にアモルファスシリコン膜１７が形成されていることである（図３参照）。この図３は、微結晶シリコン膜１５とアモルファスシリコン膜１７との界面の部分拡大図を示す。
＜太陽電池の製造工程＞
次いで、図１〜図５を参照しながら、本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の製造方法について説明するとともに、その構成をより明確にする。
【００２４】
図１（Ａ）に示すように、基板１１として例えば、石英ガラス基板を準備する。基板１としては、ソーダガラス基板などの他のガラス基板の他、ポリカーボネート（Polycarbonate）、ポリエチレンテレフタレート（Polyethylene terephthalate）などの樹脂を用いた樹脂基板やセラミックス基板などを用いてもよい。基板１１を光透過性とすれば、基板１１の裏面側（図中下側）から集光できる。但し、基板１１の上方からの光のみを利用することも可能であるため、基板１１や後述の下部電極１３の材料として光透過性の低いものを用いてもよい。また、基板１１の下層に必要に応じて下地膜を形成してもよいし、又、基板１１自体を複数層の材料で構成してもよい。
【００２５】
次いで、基板１１上に下部電極（第１電極）１３としてＡｌ（アルミニウム）膜を形成する。例えば、基板１１上に、Ａｌをスパッタリング法により堆積し、必要に応じてパターニングすることにより下部電極１３を形成する。例えば、Ａｌ膜上に、フォトレジスト膜を形成し、露光・現像（フォトリソグラフィ）することにより略矩形状（図５参照）のフォトレジスト膜を形成する。次いで、フォトレジスト膜をマスクに、Ａｌ膜をエッチングする。次いで、残存するフォトレジスト膜を除去する。このフォトレジスト膜の形成から除去までの一連の工程をパターニングという。
【００２６】
下部電極１３の材料としては、Ａｌの他、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などの金属材料を用いてもよい。また、これらの合金を用いてもよい。また、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、フッ素ドープした酸化錫（ＦＴＯ）、酸化インジウム（ＩＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）のような導電性の金属酸化物を用いてもよい。これらは、透明導電性酸化物であり、これらの使用により、基板１１の裏面側（図中下側）からの光の透過性を向上させることができる。また、カーボン、カーボンナノチューブ、フラーレンのような導電性炭素材料等を用いても良い。また、上記各種材料を２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの材料膜は、スパッタリング法、スプレー法、インクジェット法等によって形成することができる。
【００２７】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、下部電極１３上を含む基板１１上に、第１導電型半導体膜として、ｐ型不純物をドープした微結晶シリコン膜１５を形成する。この微結晶シリコン膜１５は、例えば、ｐ型不純物（例えば、ホウ素など）を高濃度にドープしたシリコン（Ｓｉ）ターゲットを用い、ＲＦ（Radio Frequency）マグネトロンスパッタにより形成する。処理条件は、例えば、堆積膜の酸化を防止するため、７Ｎ(99.99999%以上)の純水素をチャンバ（処理室）内に流入させ、チャンバ内の圧力０．３〜１．０Ｔｏｒｒ（１Ｔｏｒｒ＝１．３３３２２×１０2Ｐａ）、ＲＦパワー１００Ｗ〜４５０Ｗ、基板温度６０〜１００℃で、堆積速度３〜２５ｎｍ／ｍｉｎで成膜する。微結晶シリコン膜１５の膜厚は、例えば数μｍから数百μｍであり、５μｍ以上であることが好ましい。
【００２８】
本発明者らの検討によれば、堆積速度２５ｎｍ／ｍｉｎで、８時間成膜し、膜厚約１２μｍの微結晶シリコン膜１５を得た。この場合、膜中の微結晶の結晶粒径（平均）は、約２０ｎｍであった。なお、図１（Ｂ）は、説明を分かり易くするため、微結晶シリコン膜１５中の微結晶粒１５ｇを模式的に示した図であり、その個数や積層状態は現実の堆積膜と異なる。なお、微結晶シリコン膜１５の成膜方法としては、上記スパッタリング法の他、ＣＶＤ（化学気相成長、Chemical Vapor Deposition）法や溶液プロセスなどを用いてもよい。また、アモルファスシリコン膜を堆積し、熱処理などにより微結晶化してもよい。
【００２９】
次いで、図２（Ａ）に示すように、微結晶シリコン膜１５上に、液体シリコン材料１７ａを塗布する。液体シリコン材料としては、例えば、ポリシラン（高分子水素化シラン、ＳｉnＨ2n+2（ｎ＞２））を有機溶媒に分散させた液体を用いることができる。この液体シリコン材料１７を、微結晶シリコン膜１５上にスピンコート法で塗布する。次いで、液体シリコン材料１７に２５０℃〜３５０℃、１０分〜１時間程度の熱処理を施し、アモルファス化（固化、焼成）する。これにより、アモルファスシリコン膜（光電変換層）１７が形成される（図２（Ｂ））。
【００３０】
ここで、液体シリコン材料１７ａは、微結晶粒１５ｇ間にも浸透し、アモルファス化するため、微結晶粒１５ｇ間および微結晶シリコン膜１５上にアモルファスシリコン膜１７が形成される（図３参照）。なお、図３は、前述した通り、例えば、図２（Ｂ）に示す図３は、微結晶シリコン膜１５とアモルファスシリコン膜１７との界面の部分拡大図である。微結晶シリコン膜１５上のアモルファスシリコン膜１７の膜厚は、５〜５０ｎｍ程度が好ましい。
【００３１】
また、液体シリコン材料１７ａとしては、上記の他、有機シリコン化合物などを用いてもよい。また、液体シリコン材料１７ａは、スピンコート法の他、インクジェット法を用いて塗布してもよい。この場合、所望の領域にのみ液体シリコン材料１７ａを塗布（吐出）することが可能となる。
【００３２】
次いで、図４（Ａ）に示すように、アモルファスシリコン膜１７上に、第２導電型半導体膜として、ｎ型不純物をドープしたシリコン膜１９を形成する。このシリコン膜１９は、例えば、上記液体シリコン材料に例えば黄燐（Ｐ4）等のリン化合物を加えた不純物添加液体シリコン材料を用いて形成する。不純物添加液体シリコン材料を、アモルファスシリコン膜１７上にスピンコート法で塗布する。次いで、不純物添加液体シリコン材料に熱処理を施し固化（焼成）する。熱処理条件は、例えば２５０℃〜３５０℃、１０分〜１時間程度であり、アモルファス化する。
【００３３】
次いで、図４（Ｂ）に示すように、シリコン膜１９上に、上部電極（第２電極）２１としてＩＴＯ膜を形成する。例えば、シリコン膜１９上に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により堆積し、必要に応じてパターニングすることにより上部電極２１を形成する。この際、下層のシリコン膜１９、アモルファスシリコン膜１７および微結晶シリコン膜１５を同時にパターニングしてもよい。さらに、この際、下部電極１３より小さい形状にパターニングすることにより、下部電極１３が露出し、外部回路（配線など）８とのコンタクトが可能となる（図５参照）。
【００３４】
なお、本実施の形態においては、上部電極２１や下部電極１３等を略矩形状にパターニングしたが、これらの形状に限定されず、他の形状としてもよい。
【００３５】
次いで、図示しない層間絶縁層や、下部電極１３又は上部電極２１と接続される配線などを適宜形成し、外部回路（８）と本実施の形態の太陽電池とを接続する。
【００３６】
図５は、本実施の形態の太陽電池の構成を示す斜視図である。図５に示すように、例えば、太陽光等の光を入射させて、光エネルギを電気エネルギに変換する。
【００３７】
特に、ＨＩＴ型太陽電池によれば、第１、第２導電型のシリコン膜（１５、１９）の間に真性のアモルファスシリコン膜を形成することで、これらの界面特性が向上し、発電ロスを減少させることができる。
【００３８】
さらに、本実施の形態によれば、第１導電型のシリコン膜を微結晶シリコン膜１５とし、真性のアモルファスシリコン膜１７として液体シリコン材料を用い、微結晶粒１５ｇ間にもアモルファスシリコン膜１７を形成したので、アモルファスシリコン膜１７と微結晶粒（微結晶シリコン膜）との界面積（界面の面積、接触面積、境界面積）が増加し、発電効率（光電変換効率）を向上させることができる。
【００３９】
次いで、本発明者らによるシュミュレーション結果について説明する。上記製造工程により形成された膜厚１２μｍの微結晶シリコン膜を用いた太陽電池の取得特性（電圧−電流特性）をソーラシュミュレータを用いて測定した。図６に、取得特性を示す。縦軸は、光電流密度（Phot current density）［ｍＡ／ｃｍ2］、横軸は、出力電圧（Output Voltage）［Ｖ］である。擬似太陽光の照射条件であるＡＭ１．５Ｇ、１００ｍＷ／ｃｍ2にてシュミュレーションを行った。
【００４０】
グラフ（Ａ）が、本実施の形態の上記太陽電池の特性であり、グラフ（Ｂ）は比較例である。比較例の太陽電池は、微結晶シリコン膜１５の代わりに膜厚６２５μｍの単結晶シリコン膜を用い、アモルファスシリコン層１７をＣＶＤ法で形成したものである。
【００４１】
微結晶シリコン膜１５の膜厚が１２μｍと、６２５μｍの５０分の１以下であるにも関わらず、短絡電流（short-circuit current）値ＩｓｃＡがＩｓｃＢの１０％程度の低下に留まっている。
【００４２】
このように、比較例と遜色のない特性が確認できた。また、微結晶シリコン膜１５を薄膜化しても、高い光電変換効率が得られていることが分かった。
【００４３】
以上詳細に説明したように、本実施の形態によれば、第１導電型のシリコン膜を微結晶シリコン膜１５とし、真性のアモルファスシリコン膜１７として液体シリコン材料を用い、微結晶粒１５ｇ間にもアモルファスシリコンを形成したので、アモルファスシリコン膜と微結晶粒（微結晶シリコン膜）との界面積が増加し、発電効率を向上させることができる。
【００４４】
さらに、上記比較例においては、単結晶膜を用いているため、高コストであるが、本実施の形態の太陽電池においては、抵コストで高効率な装置を提供できる。
【００４５】
また、上記製造工程によれば、低温プロセスが可能であり、基板１を樹脂基板などフレキシブルとすることも可能である。よって、低コスト化が可能な上、多様な電子機器に使用可能で、例えば、電子ペーパーなど、フレキシブル基板に形成された表示装置の駆動電池として用いることが可能である。
【００４６】
なお、上記実施の形態においては、微結晶シリコン膜１５をｐ型とし、シリコン膜１７をｎ型としたが、微結晶シリコン膜１５をｎ型とし、シリコン膜１７をｐ型としてもよい。この場合、ｎ型不純物を高濃度にドープしたシリコンターゲットを用い、微結晶シリコン膜１５を形成し、ｐ型不純物を加えた不純物添加液体シリコン材料を用いシリコン膜１７を形成する。
【００４７】
図７は、本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の他の構成を示す断面図である。図４（Ｂ）においては、アモルファスシリコン膜１７を液体シリコン材料を用いて形成したが、堆積法を用いてもよい。図７に示すように、スパッタリング法を用いてアモルファスシリコン膜１７Ａを形成してもよい。また、シリコン膜をＣＶＤ法で堆積した後、アモルファス化し、アモルファスシリコン膜１７Ａとしてもよい。この場合、微結晶粒間にシリコン膜は形成されないが、微結晶粒の凹凸により微結晶シリコン膜１５とシリコン膜１７Ａとの界面積が増加する。例えば、上記比較例より界面積が大きくなり、変換効率の向上を図ることができる。
【００４８】
＜電子機器＞
上記太陽電池（光電変換装置）は、各種電子機器に組み込むことができる。適用できる電子機器に制限はないがその一例について説明する。図８〜図１１に、本実施の形態の太陽電池を用いた電子機器の一例を示す。
【００４９】
図８は、本発明の太陽電池（光電変換装置）を適用した電卓を示す平面図、図９は、本発明の太陽電池（光電変換装置）を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）を示す斜視図である。
【００５０】
図８に示す電卓１００は、本体部１０１と、本体部１０１の上面（前面）に設けられた表示部１０２、複数の操作ボタン１０３および光電変換素子設置部１０４とを備えている。
【００５１】
図８に示す構成では、光電変換素子設置部１０４には、光電変換素子１が５つ直列に接続されて配置されている。
【００５２】
図９に示す携帯電話機２００は、本体部２０１と、本体部２０１の前面に設けられた表示部２０２、複数の操作ボタン２０３、受話口２０４、送話口２０５および光電変換素子設置部２０６とを備えている。
【００５３】
図９に示す構成では、光電変換素子設置部２０６が、表示部２０２の周囲を囲むようにして設けられ、光電変換素子１が複数、直列に接続されて配置されている。
【００５４】
なお、本発明の電子機器としては、図８に示す電卓、図９に示す携帯電話機の他、例えば、光センサー、光スイッチ、電子手帳、電子辞書、腕時計、クロック等に適用することもできる。
【００５５】
図１０は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計１１００は、表示部１１０１を備え、例えば、この表示部１１０１の外周に、本実施の形態の太陽電池を組み込むことができる。
【００５６】
図１１は、電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。この電子ペーパー１２００は、フレキシブル基板で構成される本体部１２０１と、表示部１２０２と、を備えている。この表示部１２０１の外周に、本実施の形態の太陽電池を組み込むことができる。
【００５７】
なお、上記実施の形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施の形態の記載に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本実施の形態の太陽電池の構成を示す斜視図である。
【図６】本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の取得特性（電圧−電流特性）を示す図である。
【図７】本実施の形態の太陽電池（光電変換装置）の他の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の太陽電池（光電変換装置）を適用した電卓を示す平面図である。
【図９】本発明の太陽電池（光電変換装置）を適用した携帯電話機を示す斜視図である。
【図１０】電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。
【図１１】電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５９】
８…外部回路、１１…基板、１３…下部電極、１５…微結晶シリコン膜、１５ｇ…微結晶粒、１７、１７Ａ…アモルファスシリコン膜、１７ａ…液体シリコン材料、１９…シリコン膜、２１…上部電極、１００…電卓、１０１…本体部、１０２…表示部、１０３…操作ボタン、１０４…光電変換素子設置部、２００…携帯電話機、２０１…本体部、２０２…表示部、２０３…操作ボタン、２０４…受話口、２０５…送話口、２０６…光電変換素子設置部、１１００…腕時計、１１０１…表示部、１２００…電子ペーパー、１２０１…表示部、ＩｓｃＡ、ＩｓｃＢ…短絡電流値
【図１】
2009158603.tif 000003
【図３】
2009158603.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2009158603.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図２】
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