(57)【要約】      （修正有）【課題】より均一なめっきが可能なめっき用導電性基材を提供するとともに、導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造できるようにする。【解決手段】基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材１であり、好ましくは、表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材２及びその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に形成されている絶縁層３を有し、その絶縁層３に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部４が形成されているめっき用導電性基材。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜が形成されているめっき用導電性基材。
【請求項２】
基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材。
【請求項３】
基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含むめっき用導電性基材であって、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、水素フリーのダイヤモンドライクカーボン膜である請求項２に記載のめっき用導電性基材。
【請求項４】
基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含むめっき用導電性基材であって、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、導電性を付与するための不純物を含むものである請求項２に記載のめっき用導電性基材。
【請求項５】
基材及びその基材の表面に形成されている導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材であって、導電性無機材料膜が窒化クロム膜である請求項２に記載のめっき用導電性基材。
【請求項６】
基材と導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜との間にＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている請求項２〜５のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項７】
基材の表面が、鋼、Ｔｉ、ニッケル基合金、クロム若しくはニッケルの合金めっき又は溶射された金属からなる請求項２〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項８】
表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材及びその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に形成されている絶縁層を有し、その絶縁層に開口方向に向かって幅広な凹部であってめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材。
【請求項９】
導電性基材が基材とその表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜を含むものである請求項８に記載のめっき用導電性基材。
【請求項１０】
導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、水素フリーのダイヤモンドライクカーボン膜である請求項９に記載のめっき用導電性基材。
【請求項１１】
導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、導電性を付与する不純物を含むものである請求項９に記載のめっき用導電性基材。
【請求項１２】
導電性基材が、表面に窒化クロム膜からなる導電性無機材料膜が形成されているものである請求項９に記載のめっき用導電性基材。
【請求項１３】
導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その基材と導電性ダイヤモンドライクカーボン膜の間にＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている請求項９〜１２に記載のめっき用導電性基材。
【請求項１４】
基材の表面が、鋼、Ｔｉ、ニッケル基合金、クロム若しくはニッケルの合金めっき又は溶射された金属からなる請求項９〜１３のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項１５】
めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている請求項８〜１４のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項１６】
凹部の最小幅が１〜４０μｍ、凹部の最大幅が２〜６０μｍ及び凹部の間隔が５０〜１０００μｍである請求項８〜１５のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項１７】
凹部側面の角度が絶縁層側で３０度以上９０度未満である請求項８〜１６のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項１８】
絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる請求項８〜１７のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項１９】
導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている請求項８〜１８のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項２０】
（Ａ）表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材のその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、
（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる絶縁層を形成する工程
及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２１】
除去可能な凸状のパターンが、感光性レジストを用いるフォトリソグラフ法により形成されたものである請求項２０記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２２】
除去可能な凸部のパターン形状が、幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであり、それにより幾何学的図形が描かれるものである請求項２０又は２１記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２３】
絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料である請求項２０〜２２のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２４】
絶縁層を形成する工程において、導電性基材上と凸状のパターンの側面に性質又は特性の異なる絶縁膜を形成する請求項２０〜２３のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２５】
絶縁層を形成する工程において、形成される絶縁層であるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、凸状パターンの側面に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度よりも大きい請求項２４記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２６】
導電性基材上に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、１０〜４０ＧＰａであり、凸状パターンの側面に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が１〜１５ＧＰａである請求項２５記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２７】
絶縁層を形成する工程において、導電性基材に形成される絶縁層と、除去可能な凸状のパターンの側面に形成される絶縁層との境界面が、全体として凸状パターンの外側に向かって傾斜している請求項２４〜２６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２８】
境界面の角度が導電性基材の表面に対して３０度以上９０度未満に形成される請求項２７記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項２９】
絶縁層であるダイヤモンドライクカーボン膜が真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法またはプラズマＣＶＤ法により形成される請求項２０〜２８のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項３０】
除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程を行う前に、除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、中間層を形成する工程を行う請求項２０〜２９のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
【請求項３１】
中間層が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか１以上を含む請求項３０記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項３２】
（イ）項８〜１９のいずれかに記載のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
（ロ）上記導電性基材の凹部に析出させた金属を剥離する工程を含むことを特徴とする導体層パターンの製造方法。
【請求項３３】
（イ）請求項８〜１９のいずれかに記載のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
（ロ）上記導電性基材の凹部に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３４】
めっきにより析出させる金属の厚さを凹部の深さの２倍以下とする請求項３３記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３５】
別の基材が、表面に少なくとも接着性を有する接着層を有する請求項３３又は３４のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３６】
めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属を黒化処理する工程を含む請求項３３〜３５のいずれかに記載の導体層パターン付基材の製造方法。
【請求項３７】
さらに、別の基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含む請求項３３〜３６のいずれかに記載の導体層パターン付基材の製造方法。
【請求項３８】
請求項３３〜３７のいずれかに記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
【請求項３９】
請求項３８に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
【請求項４０】
請求項３８に記載の導体層パターン付き基材又は請求項３９に記載の透光性電磁波遮蔽部材を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき用導電性基材、その製造方法及びそれを用いた導体層パターン若しくは導体層パターン付き基材の製造方法、導体層パターン付き基材および透光性電磁波遮蔽部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁波を発生するディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する方法は、従来より種々の提案がなされている。例えば、被遮蔽面上に電磁波遮蔽塗料を全面塗布する方法、被遮蔽面上に金属箔を貼り合わせる方法、金属めっきされた繊維メッシュを樹脂シートにラミネートした電磁波遮蔽シートを被遮蔽面に貼り合わせる方法、導電性繊維をメッシュ状に編んだものを被遮蔽面に貼り合わせる方法等が一般的に行われている。
【０００３】
これらのうち、透明ガラス面、透明樹脂パネル面、陰極線管（ＣＲＴ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などのディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する場合には、電磁波遮蔽用部材が薄くて、光透過性（透明性）が良好で、これらに相反する電磁波遮蔽性をバランスよく両立させるものとして、金属メッシュを用いた電磁波遮蔽用部材が主流になっている。
【０００４】
金属メッシュを電磁波シールド層として有する電磁波遮蔽用部材の製造法として、特許文献１には、メッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、接着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法（以下、転写法という）が記載されている。上記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンと逆パターンを形成し、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。また、特許文献１には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されている。
【０００５】
特許文献２には、電子部品の回路パターンやセラミックコンデンサの電極パターンを作製するための金属層転写用ベースシートが開示されている。金属層転写用ベースシートは、ベース金属層および電気絶縁層を備え、ベース金属層の表面には、転写金属層を電解めっきにより形成するための凸状パターンが形成されており、電気絶縁層は、ベース金属層の表面における前記凸状パターンが形成されていない部分に、形成されているものである。金属層転写用ベースシートの製造法として、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いてエッチングレジストを凸状パターンと同一パターンで形成し、エッチングレジストで覆われず露出しているベース金属層の表面をエッチングして凹部を形成し、この後、エッチングレジストを除去し、エッチングされたベース金属層の全表面に電気絶縁層を形成し、次いで、凸状パターンが露出するまで電気絶縁層を研磨する方法が開示されている。このとき、電気絶縁層の表面とベース金属層の凸状パターンの表面は同一平面上に配置され面一となる。また、その作製方法の他の例として、めっきレジストからなる電気絶縁層を、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて凸状パターンと逆パターン（反転パターン）で形成し、電気絶縁層の間から露出するベース金属層の表面に、電解めっき金属層を凸状パターンで形成するが、このとき、電解めっき金属層の厚みを、電気絶縁層よりも厚くする方法が記載されている。電解めっき金属層の表面を、電気絶縁層の表面よりも高く形成することによって、凸状パターン上に電気めっきにより形成された転写金属層を粘着シートに転写するときに、上記電気絶縁層がこの粘着シートに損傷を与えることを防止することができる旨記載されている。
【０００６】
また、上記のようなパターン化された金属箔に限らず、金属箔が導電性基材上に電解めっきにより金属を析出させて製造されることはよく知られている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２６９８０号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
導電性基材表面に傷や微少な窪みなどがあると均一なめっきができず、従って均一な金属箔を形成することができない。そのような傷、微少な窪みなどの表面状態のむらの検査にも時間と労力がかかり、生産性の面からは問題である。
【０００９】
前記特許文献１に記載の転写法は、電磁波遮蔽部材の作製に当たりコスト低減をはかることができる方法として期待できる。
特許文献１には、電着基板の作製に際し、絶縁層をフォトレジストによって、形成することが記載されているが、このような電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能であるが、数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レベルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁層が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁層が剥離してしまうためである。
また、ＳｉＯ２を導電性基材上に作製し、これをフォトエッチングして絶縁層を形成した電着基板が開示されるが、フォトエッチングするので、その電着基板の作製の工程が増えるという問題がある。オーバーエッチングで凹部が開口方向に向かって狭くなるというという問題がある。
また、特許文献１には、金属基板面にフォトリソグラフィーや切削で必要な凹部を形成し、次いで、この凹部の中に強固な絶縁性樹脂を埋め込み、硬化させて、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を有する電着基板を作製する方法が開示される。しかし、この方法で金属基板状に凹部を作製することは、パターンの精度、パターンの無欠陥、パターン作製の所要時間等に問題があり、生産性のよい方法とは言えない。また、絶縁層に絶縁性樹脂を使用すると、絶縁層の耐久性に問題がある。
また、特許文献１には、タンタルやチタン等の単体金属板、または、表面がこれらの金属面である場合には、電着部を構成する部分に相当する箇所にのみレジストを形成した後、陽極酸化して酸化チタン、酸化タンタル等の絶縁性酸化物層を形成し、次いでレジストを除去することにより、耐久性が極めて高く、かつ、反復使用性の極めて高い電着基板を作製することができること、陽極金属酸化層は、硬度が高く、傷がつきにくいこと、電着圧着に十分に耐えることができる絶縁性膜を持つことが開示される。
しかし、この場合、また、上記の場合も含めて、形成される凹状のメッシュパターン（電着部）においては、陽極酸化による絶縁性酸化物層は、極めて薄くその幅方向の断面が面一であり、形状的な凹凸を伴わないため、電着層を形状的に成形する作用はない。即ち、電着されるライン形状の制御が困難と言える。また、陽極酸化による絶縁性酸化物層のは耐久性が劣り、連続作業においては実用的に適さない。現に、Ｎｉの電鋳においては、毎回、転写前の陽極酸化を余儀なくされている。さらに、陽極酸化による絶縁性酸化物層は、絶縁性が低いため、高速電解めっきには適さない。ただし、アルミの陽極酸化による絶縁性酸化物層の場合は、比較的絶縁性が高いと言えるが、機械的耐久性に劣る。
また、特許文献１には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されているが、この方法によれば、実際は、導電性メッシュの側面にも金属が電着され、このことがメッシュ状電着金属層の接着転写に対する抵抗となり、剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こるという問題があることを、本発明者らは確認した。
【００１０】
特許文献２において、電気絶縁層の材料としては、有機絶縁樹脂が例示される。しかし、このような電気絶縁層の表面とベース金属層の凸状パターンの表面が同一平面上に配置され面一となっている金属層転写用ベースシートを用いて凸状パターン上に形成された転写金属層を粘着シートに転写する場合、電着基板上の電気絶縁層が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁層が剥離してしまうという問題がある。
また、特許文献２において、電解めっき金属層からなる凸状パターンの表面を電気絶縁層の表面よりも高く形成した金属層転写用ベースシートを用いて凸状パターン上に形成された転写金属層を粘着シートに転写する場合、凸状パターンの側面にも転写金属層がめっきされ、このことが転写金属層の接着転写に対する抵抗となり、転写金属層を凸状パターンから剥離できなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こるという問題がある。
特許文献２において、金属層転写用ベースシートの製造法として、ベース金属層の表面上へのエッチングレジストの形成、エッチングレジストで覆われず露出しているベース金属層の表面のエッチングを含む場合には、その工程数が増え、生産性の良い方法とは言えない。
【００１１】
本発明は、第一に、より均一なめっきが可能なめっき用導電性基材を提供するものであり、そのようなめっき用導電性基材の準備を容易にするめっき用導電性基材の製造方法を提供するものである。第二に、本発明は、パターニングされた導体層パターンを生産性よく製造することができ、また、パターニングされた導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造することができ、しかも、それ自体作製が容易であるめっき用導電性基材及びその製造方法を提供するものである。また、第三に、本発明は、そのようなめっき用導電性基材を用いた導体層パターン若しくは導体層パターン付き基材の製造方法、導体層パターン付き基材およびそれを用いた電磁波遮蔽部材を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、次のものに関する。
１．  表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜が形成されているめっき用導電性基材。
２．  基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材。
３．  基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含むめっき用導電性基材であって、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、水素フリーのダイヤモンドライクカーボン膜である項２に記載のめっき用導電性基材。
４．  基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含むめっき用導電性基材であって、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、導電性を付与するための不純物を含むものである項２に記載のめっき用導電性基材。
５．  基材及びその基材の表面に形成されている導電性無機材料膜を含むめっき用導電性基材であって、導電性無機材料膜が窒化クロム膜である項２に記載のめっき用導電性基材。
６．  基材と導電性ダイヤモンドライクカーボン膜又は導電性無機材料膜との間にＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている項２〜５のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
７．  基材の表面が、鋼、Ｔｉ、ニッケル基合金、クロム若しくはニッケルの合金めっき又は溶射された金属からなる項２〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
８．  表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材及びその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に形成されている絶縁層を有し、その絶縁層に開口方向に向かって幅広な凹部であってめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材。
９．  導電性基材が基材とその表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜を含むものである項８に記載のめっき用導電性基材。
１０．  導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、水素フリーのダイヤモンドライクカーボン膜である項９に記載のめっき用導電性基材。
１１．  導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その導電性ダイヤモンドライクカーボン膜が、導電性を付与する不純物を含むものである項９に記載のめっき用導電性基材。
１２．  導電性基材が、表面に窒化クロム膜からなる導電性無機材料膜が形成されているものである項９に記載のめっき用導電性基材。
１３．  導電性基材が、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン膜を含み、その基材と導電性ダイヤモンドライクカーボン膜の間にＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている項９〜１２に記載のめっき用導電性基材。
１４．  基材の表面が、鋼、Ｔｉ、ニッケル基合金、クロム若しくはニッケルの合金めっき又は溶射された金属からなる項９〜１３のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
１５．  めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている項８〜１４のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
１６．  凹部の最小幅が１〜４０μｍ、凹部の最大幅が２〜６０μｍ及び凹部の間隔が５０〜１０００μｍである項８〜１５のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
１７．  凹部側面の角度が絶縁層側で３０度以上９０度未満である項８〜１６のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
１８．  絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる項８〜１７のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
１９．  導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている項８〜１８のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
２０．  （Ａ）表面に導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜が形成されている導電性基材のその導電性ダイヤモンドライクカーボン膜若しくは導電性無機材料膜の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、
（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる絶縁層を形成する工程
及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造方法。
２１．  除去可能な凸状のパターンが、感光性レジストを用いるフォトリソグラフ法により形成されたものである項２０記載のめっき用導電性基材の製造方法。
２２．  除去可能な凸部のパターン形状が、幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであり、それにより幾何学的図形が描かれるものである項２０又は２１記載のめっき用導電性基材の製造方法。
２３．  絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料である項２０〜２２のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
２４．  絶縁層を形成する工程において、導電性基材上と凸状のパターンの側面に性質又は特性の異なる絶縁膜を形成する項２０〜２３のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
２５．  絶縁層を形成する工程において、形成される絶縁層であるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、凸状パターンの側面に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度よりも大きい項２４記載のめっき用導電性基材の製造方法。
２６．  導電性基材上に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、１０〜４０ＧＰａであり、凸状パターンの側面に形成されるダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が１〜１５ＧＰａである項２５記載のめっき用導電性基材の製造方法。
２７．  絶縁層を形成する工程において、導電性基材に形成される絶縁層と、除去可能な凸状のパターンの側面に形成される絶縁層との境界面が、全体として凸状パターンの外側に向かって傾斜している項２４〜２６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
２８．  上記境界面の角度が導電性基材の表面に対して３０度以上９０度未満に形成されることを項２７記載のめっき用導電性基材の製造方法。
２９．  絶縁層であるダイヤモンドライクカーボン膜が真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法またはプラズマＣＶＤ法により形成される項２０〜２８のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
３０．  除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程を行う前に、除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、中間層を形成する工程を行う項２０〜２９のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造方法。
３１．  中間層が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物のいずれか１以上を含む項３０記載のめっき用導電性基材の製造法。
３２．  （イ）項８〜１９のいずれかに記載のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
（ロ）上記導電性基材の凹部に析出させた金属を剥離する工程を含むことを特徴とする導体層パターンの製造方法。
３３．  （イ）項８〜１９のいずれかに記載のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
（ロ）上記導電性基材の凹部に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
３４．  めっきにより析出させる金属の厚さを凹部の深さの２倍以下とする項３３記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３５．  別の基材が、表面に少なくとも接着性を有する接着層を有する項３３又は３４のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３６．  めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属を黒化処理する工程を含む項３３〜３５のいずれかに記載の導体層パターン付基材の製造方法。
３７．  さらに、別の基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含む項３３〜３６のいずれかに記載の導体層パターン付基材の製造方法。
３８．  項３３〜３７のいずれかに記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
３９．  項３８に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
４０．  項３８に記載の導体層パターン付き基材又は項３９に記載の透光性電磁波遮蔽部材を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽板。
また、前記したいずれの絶縁層も、ダイヤモンドライクカーボン、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２であることが好ましい。また、前記したいずれの絶縁層も、硬度が１０〜４０ＧＰａのダイヤモンドライクカーボンであることが好ましい。また、前記したいずれの絶縁層の厚さも、０．５〜２０μｍであることが好ましい。また、前記したいずれのめっき用導電性基材も、導電性のロール（ドラム）またはロールに巻き付けるものであってもよい。
絶縁層を形成する工程において、前記した境界面の角度は、導電性基材の表面に対して３０度以上６０度以下であることが好ましく、また、前記めっき用導電性基材の凹部側面の角度は、絶縁層側で３０度以上６０度以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のめっき用導電性基材において、基材表面に導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜を形成することにより、基材上の微少な歪みの是正、傷、微少な窪み等の修復を行うことができ、また、表面をより平滑にすることができる。この結果、パターン化されているかまたはされていないかにかかわらず、より均一な金属箔を作製することができる。また、その結果、導電性基材表面にパターニングされた絶縁層を形成する場合には、そのために使用されるレジスト膜の密着性を向上させることができ、よりパターニングの高精度化と微細化が図れる。
また、本発明のめっき用導電性基材において、基材上に導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜を形成することにより、めっき用導電性基材を繰り返し使用する場合、その表面の清掃や修正を簡単に又は省略することができる。また、従来、導電性基材として金属を使用する場合に発生していためっき薬品による金属表面の劣化が低減され若しくはなくなり、定期的に行う必要があった導電性基材表面の研磨あるいは化学処理のメンテナンス作業が簡単に又は不要となる。さらに、めっきした金属の転写の際に導電性基材の金属表面が少しずつ剥離していくといった欠点が低減できる。その結果、めっき用導電性基材を安価に提供できるようになる。
また、基材上に導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜を形成することにより、導電性基材表面の傷や窪みの有無の検査を簡単又は省略することができる。
基材と導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜との間の中間層により、基材と導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜との間の密着性を向上させることができる。
【００１４】
本発明のめっき用導電性基材は、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かって幅広となっている場合、めっきにより得られる導体層パターンのめっき用導電性基材からの剥離が容易である。また、絶縁層の材料をＤＬＣ又は無機材料とすることにより導電性基材への密着性が優れ、その耐剥離性が優れる。その絶縁層は、中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに長くすることができる。
【００１５】
本発明のめっき用導電性基材の製造法によれば、導電性基材上に凸状のパターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状のパターンを除去することにより凹部を作製することができるため、工程数が少なく、開口方向に向かって幅広の凹部を容易に作製することができるため、特に、導電性基材上の絶縁層と凸状のパターンの側面に形成される絶縁層との境界面が全体として凸状パターンの外側に向かって傾斜していると開口方向に向かって幅広の凹部をより容易に作製することができるため、めっき用導電性基材を生産効率よく製造できる。
【００１６】
本発明の導体層パターンの製造法によれば、めっきにより得られる導体層パターンのめっき用導電性基材からの剥離が容易であるため、特定のパターンを有する導体層パターンが容易に製造でき、また、透光性、電磁波シールド性又は導電性に優れた導体層パターンを容易に製造できる。さらに、また、このような導体層パターンを生産効率よく製造できる。
【００１７】
本発明の導体層パターン付き基材の製造法によれば、めっきにより得られる導体層パターンのめっき用導電性基材からの剥離が容易であるため、導体層パターン付き基材が容易に製造でき、また、電磁波シールド性又は導電性に優れた導体層パターン付き基材を容易に製造できる。さらに、また、このような導体層パターン付き基材を生産効率よく製造できる。
【００１８】
本発明における電磁波遮蔽部材及び電磁波遮蔽板は、特定の導体層パターンを使用することにより、光透過性及び電磁波シールド性に優れ、また、生産効率よく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明におけるめっき用導電性基材は、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜又は導電性無機材料膜を含む導電性基材であり、電解めっきによりその表面にめっきを施すことができるものである。
上記導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜の導電性の程度は、体積抵抗率で１×１０３Ω・ｃｍ以下が好ましく、１×１０２Ω・ｃｍ以下がより好ましく、１×１０Ω・ｃｍ以下が最も好ましい。導電性が高い程めっきが析出しやすく体積抵抗率は低い方が好ましい。１×１０３Ω・ｃｍを越えると、めっきが析出しない或は析出しても抵抗値が高いため、めっき時の電圧が高くなったり、発熱等が起こる傾向がある。体積抵抗率は１×１０−６Ω・ｃｍ未満になるとその生成が困難に成る傾向があるので、それ以上が好ましい。上記導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜の導電性の、体積抵抗率による評価は、後記するように、その下に中間層を有するときは、中間層に導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜を積層してこれらを併せて測定した値である。
体積抵抗率の測定は、別途シリコンウェハやガラス等の絶縁物に上記導電性ＤＬＣ膜若しくは導電性無機材料膜、又は、中間層を形成後その上に上記導電性ＤＬＣ膜若しくは導電性無機材料膜を成膜し、四端針抵抗測定法（装置としては、例えばロレスターＧＰ、三菱化学株式会社製を使用することができる）により測定できる。中間層を使用した場合、中間層の厚みと上記導電性ＤＬＣ膜若しくは導電性無機材料膜の厚みとの和を試料厚みとして、体積抵抗率を算出した。
【００２０】
本発明におけるめっき用導電性基材は、また、パターン状のめっき部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部（めっき部）が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。この導電性基材は、基材及びその基材の表面に形成されている導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜を含むものである。
【００２１】
本発明において、導電性基材は、その表面のめっき部に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものである。その導電性基材中の導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜を表面に有する基材は、金属等の導電性の基材であることが特に好ましい。また、めっき用導電性基材はめっき部の表面に電解めっきにより形成された金属層を容易に剥離できるものであることが好ましく、また、接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであるものが好ましい。導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜が形成される基材は、上に形成される導電性ＤＬＣ膜又は導電性無機材料膜に仮にピンホールがあった場合でも耐食性を維持できるようにある程度の耐食性があることが好ましい。そのような導電性の基材の材料としてはステンレス鋼、チタン、チタン合金、チタンをライニングした材料、ニッケル、ニッケル基合金、などを用いることができる。また、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、ニッケル合金めっきが施された鋼などのめっきにより耐食層を形成することもできる。あるいはサーメットや超硬合金などを溶射により形成することもできる。導電性ＤＬＣ膜が十分な導電性を有する場合には、基材は、セラミック等の絶縁体であってもよい。基材は耐食性があり、かつ高硬度であることがさらに好ましい。
【００２２】
基材上に導電性ＤＬＣ膜若しくは導電性無機材料膜を形成する方法は、基本的には下記する絶縁性ＤＬＣ膜若しくは無機材料膜を形成する方法と同様であるが、ＤＬＣ膜若しくは無機材料膜に導電性を付与する方法が加味される。
【００２３】
ＤＬＣ膜に導電性を付与する方法としては様々な手法を用いることができる。以下にその例を幾つか列挙するが、下記に記載された方法に限定されるものではない。
例えば、炭素、水素以外にホウ素、窒素、リンのような１種類以上の不純物を混ぜることによりＤＬＣ膜を導電性にすることができる。プラズマＣＶＤ方式で不純物を混ぜる際には、それら不純物を含有するＤＬＣ形成用ガスをチャンバー内に混入させてＤＬＣ膜を形成することで不純物（ホウ素及び窒素）がＤＬＣ膜内に分子又は原子の形で取り込まれ、得られた膜は導電性を発現する。
その際に使用するプラズマＣＶＤ反応ガスとして、不純物であるホウ素源としては、例えば、ジボラン（Ｂ２Ｈ２）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）を用いることができる。また、窒素源としては、例えば、窒素（Ｎ２）を用いることができる。これらの元素を混ぜることはシリコンのような単結晶を素材とする半導体の製造に不純物として用いられているように、電気絶縁性を有する硬質炭素を用いるにもかかわらず、ＤＬＣ膜を導電性にする。
【００２４】
また、上記不純物以外にもそれ自体が導電性を有する物質（不純物）を膜中に取り込むことにより、ＤＬＣ膜に導電性を付与することができる。例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ａｇ（銀）から選ばれる元素を少なくとも１種類以上を膜中に添加することにより、導電性膜を得ることができる。
【００２５】
電気抵抗率を下げるべく不純物添加量を多くすると、一方で耐摩耗性などの特性が悪化する傾向がある。不純物添加量の下限は、たとえばプラズマＣＶＤ法によるタングステン（Ｗ）添加の場合は、０．０００１原子％以上添加しないと電気抵抗率は１×１０６Ω・ｃｍ以下にならない。一方、Ａｕをイオン注入法で添加する場合、０．０００００１原子％の添加でも電気抵抗率は１×１０６Ω・ｃｍ以下になる。このように、添加する元素や方法により電気抵抗率の下限は異なってくる。したがって、本発明のＤＬＣ膜における不純物添加量の下限は、各添加元素を考慮して０．００１原子％以下を好ましい値とする。
【００２６】
本発明の導電性ＤＬＣ膜の形成において不純物を添加する方法として以下に示すような方法が適用できる。
（ａ）公知の方法でＤＬＣ膜を形成中に、不純物元素を含むガスを反応系に供給して膜中に添加する方法。特にプラズマＣＶＤ法、スパッタ法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法などにおいてこの方法は有効である。
（ｂ）  公知の方法でＤＬＣ膜を形成中に不純物元素を含む固体源を、加熱蒸発、スパッタ蒸発、またはアブレーションさせ、膜中に添加する方法。この方法は、特にスパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタ法、レーザアブレーション法などにおいて有効である。
（ｃ）  公知の方法でＤＬＣ膜を形成中に、不純物元素を含むイオンビームを照射することにより、膜中に不純物を添加する方法。
（ｄ）  公知の方法でＤＬＣ膜を形成した後、不純物を含むイオンを注入して不純物を添加する方法。
（ｅ）  公知の方法で不純物元素を含む固体源をスパッタしながら、反応性の炭素源となるガスを流して不純物元素を含むＤＬＣを成膜する方法。
不純物を添加したＤＬＣ膜の形成には、上記の方法を単独で適用してもよく、複数の方法を併用してもよい。また、上記の方法とそれ以外の方法とを併用してもよい。
また、それら不純物元素を膜中に添加する際、成膜と同時に、堆積されつつあるＤＬＣ膜にイオン照射を行うことにより、炭素非晶質ネットワークの密度を高め、さらに前記の添加元素をクラスタリングさせることなく、微細に分散させることができる。さらに、成膜後、低エネルギーの電子線を前記非晶質炭素膜に照射することにより、マクロには炭素の非晶質ネットワークの構造を変えることなく、微細分散させた不純物元素の周辺のみに局所的な極微細グラファイトクラスターを形成させることができる。
他に、不純物を添加せず、基板側から順に上層に向かって連続的又は段階的に、グラファイト成分が多いｓｐ２軌道の含有割合の高いＤＬＣ層からダイヤモンド成分が多いｓｐ３軌道の含有割合の高いＤＬＣ層を堆積し、ＤＬＣ膜を形成する、といった手法で導電性ＤＬＣ膜を形成することができる。
【００２７】
上記以外の方法として、パルス電源を用いたイオン注入法で、正パルスを印可しながら導電性を付与する方法もある。すなわち、メタンプラズマ中に置いた基材に、負高電圧パルスを印加することによって、基材の全方向からメタンイオン照射を行い、基材表面の酸化膜など高抵抗層を除去すると共に、イオン注入によって、基材表面に、炭素原子の分散した導電性皮膜を形成する。次に、トルエンなど分子量の大きい炭化水素を真空槽に導入し、高周波放電、グロー放電などによって、これらのプラズマを生成し、ラジカルを堆積させるとともに、基材に、負高電圧パルスを印加し、正イオンを基材に加速して照射する。この際に、正高電圧パルスを基材に印加し、プラズマ中の電子を基材に照射することによって、表層のみをパルス的に活性化、及び高温状態にさせ、炭化水素ラジカル及びイオンを堆積させる。これらの工程を有機的に組み合わせることにより、高導電性、高耐食性、及び高密着性のＤＬＣ膜を形成することができる。また、上記ＤＬＣ膜生成工程のガス中に窒素を混入させてもよい。
【００２８】
また、逆に不純物を混ぜない水素フリーのＤＬＣ膜なども導電性を有する。スパッタリング法や真空アーク蒸着法を用い、カーボンをターゲット又は陰極材料として、メタンやアセチレンといった水素源となる雰囲気ガスを流さずに成膜することにより水素フリーのＤＬＣ膜を作製することができる。スパッタリング法でできる一般的な水素フリーのＤＬＣ膜では体積抵抗率（比抵抗）が１００〜１×１０５Ω／ｃｍの膜が得られ、真空アーク蒸着法でもｓｐ２成分を増やすことで導電性を上げることができる。
上記の水素フリー膜といっても、スパッタリングターゲット、基材、チャンバー内壁に吸着した水分等の影響で膜中に数％程度の水素が含まれることがあるが、必要な導電性を有していれば、導電性ＤＬＣ膜として使用できることは言うまでもない。
【００２９】
無機材料を導電性にする方法も上記のＤＬＣを導電性にする方法に準じて行うことができる。しかし、それ自体導電性の無機材料であれば、導電性付与の操作は不要である。それ自体導電性の無機材料としては、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタンなどの無機化合物などがある。これらの製膜は、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。その中でも窒化クロムが耐薬品性に優れているため特に好ましい。窒化クロムは、イオンプレーティング法やスパッタリング法等で成膜することができる。例えばスパッタリング法で成膜する場合には窒化クロムをターゲットとしてそのまま成膜する方法や、クロムをターゲットとして窒素ガスを導入しながら反応性スパッタリングで成膜する方法があるが、そのどちらでも適用できる。反応性スパッタリングではクロムと窒素の比が１対１にならず、局所的に金属クロム成分などがそのまま含まれる可能性があるが、その場合でも耐食性に問題はなく使用できる。
【００３０】
前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。
【００３１】
本発明のめっき用導電性基材が、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かって幅広となって形成されている場合、例えば、その凹部は、導電性基材表面に形成される絶縁層を用いて形成される。
絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、０．１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、１〜５μｍであることが特に好ましい。
【００３２】
上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の無機化合物のような無機材料で形成することもできる。
【００３３】
凹部又は絶縁層の形状は、目的応じて適宜決定されるが、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、楕円、星型などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。
光透過性電磁波遮蔽部材の性能の観点からは溝状の凹部に囲まれる絶縁層を三角形とすることが最も有効であり、可視光透過性の点からは溝状の凹部が同一のライン幅なら、それにより囲まれる絶縁層が（正）ｎ角形のとき、ｎ数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。
【００３４】
本発明の一例を図面を用いて説明する。
図１は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図を示す。図２の（ａ）は凹部の側面が平面的であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材１は、導電性基材２の上に絶縁層３が積層されており、絶縁層３にめっき部である凹部４が形成されており、凹部４の底部は、導電性基材２が露出している。凹部４の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層３は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部４が溝状に形成されている。
導電性基材２と絶縁層３の間には、絶縁層３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部４は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で１μｍ以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
【００３５】
凹部の側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図２（ｂ）に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さｈ（これは、すなわち、絶縁層の厚さとなる）と凹部の側面の幅ｓ（水平方向で凹部の側面の幅方向）を求め、
【数１】
2009167523.tif 000003
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層（導体層パターン）を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
【００３６】
本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られるパターン化金属の用途に応じて適宜決定される。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成するパターン化金属の形状に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽部材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。
【００３７】
また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部４の深さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜１０μｍであることがより好ましく、１〜５μｍであることが特に好ましい。
【００３８】
本発明のめっき用導電性基材を用いて転写法により光透過性電磁波遮蔽部材を作製するために使用するときは、図２に示すような凹部４の幅は、開口部の幅ｄが２〜６０μｍ、底部の幅ｄ′が１〜４０μｍで有ることが好ましい。また、凹部４の開口部の幅ｄは４〜１５μｍ、底部の幅ｄ′は３〜１０μｍであることが特に好ましい。凹部４の中心間隔（ラインピッチ）は５０〜１０００μｍであることが好ましく、特に１００〜４００μｍであることが好ましい。溝の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは５０％以上、特に好ましくは８０％以上とすることを考慮して決定する。
上記のような凹部以外のめっき部において、めっき部の幅及び中心間隔は（ラインピッチ）は、それぞれ、１〜４０μｍ及び５０〜１０００μｍを目安にして決定することが好ましく、導体層パターンの開口率を好ましくは５０％以上、特に好ましくは８０％以上とすることを考慮して決定する。
なお、本発明において、凹部の中心間隔（ラインピッチ）は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
【００３９】
ディスプレイ用の電磁波遮蔽材における可視光透過性の点からは、電磁波遮蔽材における上記のような幾何学図形を描く導体層パターン開口率は５０％以上であることが必要とされ、導体層パターンの開口率は８０％以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積（例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積）に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。
【００４０】
本発明のめっき用導電性基材を用いて穴明き金属箔を作製するために使用するときは、図２に示すような絶縁層３は、その底面（導電性基材との接触面）の面積が１〜１×１０６平方ミクロンメートルであることが好ましく、絶縁層の間隔（凸部と凸部の最短距離）が１〜１０００μｍであることが好ましい。また、絶縁層３は、底面の面積が１×１０２〜１×１０４平方ミクロンメートルであることがより好ましく、絶縁層の間隔が１０〜１００μｍであることがより好ましい。絶縁層底面の面積及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは１０％以上、特に好ましくは３０％以上とすることを考慮して決定する。このような穴明き金属箔は、キャパシタの集電体として有用である。
【００４１】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程
及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含む。
【００４２】
上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
この方法は、
（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ａ−２）感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程
及び
（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
【００４３】
また、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、
（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ｂ−２）感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程
及び
（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
【００４４】
感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式の対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。
【００４５】
具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。
【００４６】
上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
【００４７】
前記において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。
【００４８】
印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。
【００４９】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図３は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
【００５０】
導電性基材２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）５形成されている（図３（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層５をパターン化する（図３（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層５の不要部を除去して突起部６を残すことにより行われる。突起部６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材２上の凹部４とそのパターンに対応するよう考慮される。
【００５１】
この時、突起部６の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部６が導電性基材２に接する端部に対して、突起部６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部６の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値ｄ１は、凸状パターンと導電性基材２に接する幅ｄ０と等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はｄ１によって決定されるからである。ここで、突起部６の断面形状で、突起部６の幅の最大値ｄ１が突起部６と導電性基材２に接する幅ｄ０と等しいか大きくする方法としては、突起部６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄ１は凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部６の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅１μｍ以上、間隔が１μｍ以上、高さが１〜５０μｍであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部６は、最大幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅３〜１０μｍ、間隔が１００〜４００μｍであることが好ましい。また、めっき用導電性基材を、穴明き金属箔を作製するために使用するときは、前記したような絶縁層３が形成されるように、平面形状が適宜の大きさの円形又は矩形である突起部を適当な間隔に配置する。
【００５２】
前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部６からなる凸状パターンを有する導電性基材２の表面に絶縁層７を形成する（図３（ｃ））。
【００５３】
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【００５４】
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、ＤＬＣ形成用ガスが用いられる。原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００５５】
絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の無機化合物のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをＳｉまたはＡｌにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング法を用いる場合にはＳｉやＡｌを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、ＣＶＤ法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのＣＶＤは、例えばＴＥＯＳ、オゾンを用いたプラズマＣＶＤで行える。窒化シリコンのＣＶＤは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマＣＶＤで行える。
【００５６】
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜又は無機材料膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜又は無機材料膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ又はそれらの窒化物若しくは炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
【００５７】
次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層７が付いている状態（図３（ｃ）参照）で、突起部６からなる凸状パターンを除去する（図３（ｄ）参照）。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、３％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
【００５８】
導電性基材２上に形成される絶縁層と、突起部６の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。すなわち、硬度が、前者の方が後者より大きい。ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば９０度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
突起部６を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上６０度以下がより好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましく、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤで作製する場合、ほぼ４０〜６０度に制御することが容易になる。すなわち、凹部４は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部６の高さを調整する方法が好ましい。突起部６の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
【００５９】
上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性（例えば、同じ硬度）の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。
【００６０】
本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、１０〜４０ＧＰａであることが好ましい。硬度が１０ＧＰａ未満の絶縁層は軟質であり、本導電性基材をめっき用版として用いる際に、繰り返し使用における耐久性が低くなる。硬度が４０ＧＰａ以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生しやすくなる。導電性基材上に形成される絶縁層の硬度は、より好ましくは１２〜３０ＧＰａである。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１５ＧＰａであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１０ＧＰａであることがより好ましい。
【００６１】
絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み、そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また、凸部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から凸部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に１〜１００ｍＮの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では３ｍＮの荷重で１０秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材１を作製することができる。
【００６２】
図４は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部６からなる凸状パターンが形成された導電性基材２の表面に、絶縁層７を形成する前に、中間層８を形成することが好ましい（図４（ｃ′））。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層８を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部４の底部は、導電性基材２が露出しており、それ以外では、中間層８の上に絶縁層７が形成されている（図４（ｄ′））。また、中間層は、凸状パターン６の形成前に、導電性基材２の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材２を露出させる。
【００６３】
本発明において、めっき部が導電性の凸部パターンからなる導電性基材をめっき用導電性基材として使用することもできる。
この凸部は、（露出部分が）先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっていることが好ましい。このとき、凸部に対応した凹部は、絶縁層で被覆されていることが好ましい。さらに、この場合、凸部の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当することが好ましい。凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超えるものが好ましい。
【００６４】
導電性基材上に導電性の凸部を形成させる方法としては、次のような方法をあげることができる。
（１）基材の凹部を形成すべき部分（導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）に、直接レーザー光を照射し、凹部を形成し、導体層パターンに対応した凸部を形成する方法、
（２）基材上にフォトリソグラフ法又は印刷法によって、基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン（レジストパターン）を形成する工程を行なった後、基材をエッチングする方法、
（３）彫刻により基材の凹部を形成すべき部分（導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）を掘削する方法
（４）導電性基材上にフォトリソグラフ法又は印刷法によって、導電性基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン（レジストパターン）を形成する工程を行なった後、導電性基材の露出部分にレジストパターンの厚さより厚くめっきを行い、導電性の凸部パターンを形成する方法などがある。
基材の材質が硬い場合、直接加工するには上記（１）方法（レーザ加工法）または（２）の方法（エッチング法）などを用いることが好ましいが、銅などの柔らかく加工性に優れた材料を用いる場合は、上記（３）の方法（彫刻法）により容易に加工することもでき、このとき、加工後に、クロム等の硬質のめっきを表面に施して、強度を上げることができる。
上記（１）〜（３）の方法において、基材として、導電性又は非導電性の表面に導電性膜を形成したものを用いてもよい。また、導電性又は非導電性の基材を用いて上記の処理を施して凸部を形成後に表面に導電性膜を形成しても良い。
【００６５】
上記（２）の方法において、印刷法を用いる場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。
また、フォトリソグラフ法を用いる場合には、ドライフィルムレジストなどをラミネートし、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来るし、液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥あるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来る。光硬化性の樹脂にマスクを介して活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。枚葉で版のサイズが大きい場合、あるいはロール・トゥ・ロール（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）で作製する場合などはドライフィルムレジストをラミネートしてマスクを介して露光する方法が生産性の観点からは好ましく、めっきドラムなどに直接加工する場合にはドライフィルムレジストを貼り合わせるあるいは液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザーなどでダイレクトに露光する方法が好ましい。
また、上記（２）の方法における基材のエッチングは、エッチング液を用いて行うことができる。エッチング液としては基材の材質によって様々な種類があり、それぞれの基材に対してエッチング液が市販されている場合は、それらを使用することができる。例えば、基材がステンレスであれば、塩化第二鉄を用いることが一般的であり、チタンであればふっ酸系のエッチング液がよく用いられる。ステンレスのエッチングに関しては、塩化第二鉄の比重が４０°Ｂｅ（ボーメ）〜６０°Ｂｅ（ボーメ）の範囲の液が好んで用いられる。比重が低いとエッチングスピードは速いが、サイドエッチングが大きくなるため、凹
部が浅くなる傾向にあり、逆に比重が高いと、エッチングスピードは遅いが、サイドエッチングが少なく、凹部が深くなる傾向にある。したがって、エッチング液の比重は、４５°Ｂｅ（ボーメ）〜５０°Ｂｅであることがさらに好ましい。また、エッチング温度は、低いとエッチンスピードが低下し生産性が低下するため、４０℃以上であることが好ましい。さらに、エッチング温度が６０℃を超えると、エッチング液の腐食性が大きくなるため、エッチング槽をチタン製にする等設備投資が大きくなるため、６０℃以下であることが好ましい。
残存するレジストは、基材のエッチング後に、剥離液等を使用して剥離することができる。
【００６６】
凹部に絶縁層を形成する方法としては、例えば、次の方法がある。
次いで、この導電性基材の一方の面を剥離可能な粘着フィルムなどを貼り合わせて保護し、エッチングした面の全面に絶縁層を被覆する。この後に、プラズマエッチングに対するマスク層を絶縁層の上に形成する。
絶縁層のための料絶縁材は、導電性基材との密着性が高く、耐薬品性が強い材料が好んで用いられる。電気めっきもしくは無電解めっきの工程では、前処理液やめっき液に浸漬されるため、耐酸性と耐アルカリ性双方に強い材料が特に好ましい。絶縁材料としては、前記したＤＬＣを用いることができる。ＤＬＣ膜と導電性基材の間に前記した中間層を介在させても良い。
絶縁材料として、また、熱硬化性樹脂、例えば、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等が用いることができるが、これらは自己硬化性のものである（硬化触媒を使用してもよい）。
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとして、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。熱硬化性樹脂を用いる絶縁層の形成方法としては、例えば、刷毛塗りや、スプレー塗装、さらには、ディッピングした後にスキージやブレード等で樹脂を掻き取った後に乾燥させるなどの方法が挙げられる。
絶縁材料としては、さらに、皮膜の均一性や、形成の簡便さ、さらに環境に対する負荷が少ないことから、電着塗料を用いてもよい。電着塗料は、それ自体既知のカチオン型及びアニオン型のいずれでも使用することができる。
【００６７】
マスク層が形成されている箇所では、絶縁層がエッチングされないため、導電性基材の凸部の先端部分に形成された絶縁層の上のマスク層を除去する。マスク層のこの部分的な除去は凸部の露出させる先端部分の幅を勘案して除去される。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、露出する絶縁層の幅が、上面の幅と同一又はそれよりも広くなるようにすることが好ましい。
【００６８】
次いで、絶縁層にドライエッチングを施すことにより、凸部の先端部分に形成された絶縁層を除去することができ、これにより凸部の先端部分を露出させることができる。
特に、酸素ガスでプラズマエッチングを行った場合などには、導電性基材表面が無機材料膜であるとこれがストッパー層となる。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、凸部の上面の幅を超えた部分の絶縁層をマスク層から露出させておけば、絶縁層のドライエッチングによる除去が、凸部の側面部にまで及び、その結果、凸部の側面までいくらか露出させることができる。側面部の絶縁層の除去の制御は、ドライエッチングの時間、出力によって行うことができる。
次いで、凹部の絶縁層上に形成されているマスク層は、薬液浸漬等により除去される。このようにしてめっき部が凸部パターンからなるめっき用導電性基材を作製することができる。
【００６９】
上記マスク層は、無機系と有機系のマスク層に大別できる。
無機系のマスク層としては、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）等の金属が、特に酸素プラズマに対する耐性が強く好ましく用いられる。これらの膜は、スパッタ法、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電着法、無電解めっき法などの薄膜形成方法により形成される。これらの材料の中では、酸素プラズマに対する耐性が高く、廉価であり、蒸着が容易で、酸性物質に対しても塩基性物質に対しても可溶であることから、アルミニウム（Ａｌ）が好んで用いられる。アルミニウムは導電性であるため、ドライエッチング後に残しておくと導電性基材の全面にめっきが析出するので、除去する必要がある。アルミニウムのエッチング剤としては、塩基性物質としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸二カリウム等、また酸性物質としては硫酸、過硫酸、リン酸、塩酸及びその塩等であるが、絶縁層の耐性を考慮して、適宜選択する。
【００７０】
さらに、酸素プラズマに対する耐性を持つ無機材料としては、ウェットコーティング法を用いる場合にはアルカリ金属、オルガノポリ金属、オルガノアルコキシ金属、アルコキシ金属、変性アセチルアセトネート金属等からなる金属酸化物系ポリマーや、無機フィラーを含有した塗料、さらに、セラミックコーティングと呼ばれるケイ素化合物フリット類による塗料を、アルコールや水などの溶剤を加えた状態でスプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。また、金属のフッ化物錯体を用いて液層析出法（ＬＰＤ法）などにより絶縁層の上にマスク層として形成させることもできる。また、ドライコーティング法で各種金属の酸化物を形成させることも可能である。コーティングする方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングといったＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ，熱ＣＶＤといったＣＶＤ法の他、溶射などの方法を用いて作製することができる。具体的には、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴａＯ５、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＺｒＯ２等の皮膜が好ましく用いられる。
【００７１】
また、有機系のマスク層としては、ドライエッチングに対する耐性があるもので、公知のものが使用できるが、特に酸素プラズマを用いる場合には、一般的にシリコンを含有するレジスト膜が酸素プラズマに対する耐性があるため、好んで用いられる。シリコンを含有するレジスト膜には、感光性があっても、なくてもよい。凸部の上面にあるマスク層を除去する方法として、凸部の上面にあるマスク層を現像して除去してから、現像した箇所をドライエッチングする場合には、レジスト膜が感光性を有していることが好ましいが、凸部の上面にあるマスク層を機械研磨で除去する場合には、必ずしも感光性は必要でない。用いるレジスト膜は、ネガ型でもポジ型でもよく、液状でもフィルム状でもよい。液状の場合は、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布でき、フィルムの場合は、加熱ラミネートして、凹部にレジストを追随させながら埋め込むことができる。
【００７２】
本発明において、導体層パターン付き基材は、例えば、
（イ）前記のめっき用導電性基材のめっき部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
（ロ）上記導電性基材のめっき部に析出させた金属を別の基材に転写する工程
を含む方法により製造される。
【００７３】
本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）第８７〜５０４頁を参照することができる。
【００７４】
次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好んで用いられる。また、ｐＨは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、Ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、ＥＤＴＡ等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記非特許文献１の第５０５〜５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
【００７５】
本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、めっき用導電性基材の凹部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法である。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、凹部を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
【００７６】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ／ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ／ｃｍ）、銅（１．７２μΩ／ｃｍ）、金（２．４μΩ／ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ／ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ／ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ／ｃｍ）、鉄（９．０μΩ／ｃｍ）、クロム（１７μΩ／ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ／ｃｍであることがより好ましく、５μΩ／ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ／ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
【００７７】
前記した導電性基材のめっき部にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、目的に応じて適宜決定される。めっき厚さは、十分な導電性を示す（このとき電磁波シールド性が十分に発現する）ためには、０．５μｍ以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される（このとき、例えば、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、３μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成された金属層は幅方向にも広がる。これも目的に応じて、適宜調整される。このように、めっき厚さが大きすぎるとラインの幅が広くなり、得られる金属層を電磁波シールド層に利用するとき、その開口率が低下し、電磁波遮蔽部材の透明性、非視認性を低下させる傾向がある。したがって、電磁波遮蔽部材として、十分な透明性、非視認性を確保するためには、形成された金属層の厚みを２０μｍ以下とすることが好ましく、さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは１０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００７８】
前記した別の基材（導体層パターンが転写される基材）としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、０．５ｍｍ〜５ｍｍがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。
【００７９】
本発明における別の基材は、プラスチックフィルムが好ましい。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が７０％以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、１ｍｍ以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは５〜５００μｍがより好ましく、５０〜２００μｍとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムとして使用するためには、透明であるもの（すなわち、透明基材）が好ましい。
【００８０】
上記の別の基材の導体層パターンが転写される面は、転写する際に粘着性を有していることが必要である。そのためには、基材自体が必要な粘着性を有していてもよいが、転写面に粘着層を積層しておくことが好ましい。
上記の粘着層は、転写時に粘着性を有しているもの又は加熱若しくは加圧下に粘着性を示すものが好ましい。粘着性を有しているものとしては、ガラス転移温度が２０℃以下の樹脂が好ましく、ガラス転移温度が０℃以下である樹脂を用いることが最も好ましい。粘着層に用いる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂等を使用することができる。加熱時に粘着性を示す場合、そのときの温度が高すぎると、透明基材にうねりやたるみ、カール等の変形が起こることがあるので、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂のガラス転移点は８０℃以下であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂の重量平均分子量は、５００以上のものを使用することが好ましい。分子量が５００未満では樹脂の凝集力が低すぎるために金属との密着性が低下するおそれがある。
【００８１】
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステルが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。
【００８２】
活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基）、メタクリル基（メタクリロイル基）、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
【００８３】
熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。
【００８４】
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。
【００８５】
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。
【００８６】
本発明で粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（以下、これらを、「粘着剤」という）には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合してもよい。
【００８７】
粘着層の厚さは、薄すぎると十分な強度を得られないため、めっきで形成された金属層を転写する際に、金属が粘着層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着層の厚みは、１μｍ以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることが更に好ましい。また、粘着層の厚さが厚いと、粘着層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着層の変形量が多くなるため、粘着層の厚みは３０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がさらに好ましい。
別の基材に粘着剤を塗布して形成した粘着層を有するフィルムを、金属層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要ならば加熱される。
【００８８】
最終的に得られる導体層パターン付き基材の導体層パターン（金属パターンを黒化処理したときは黒化処理された導体層パターンを意味する）のライン幅は、４０μｍ以下、ライン間隔は５０μｍ以上の範囲とすることが好ましい。また、導体層パターン（幾何学図形）の非視認性の観点からライン幅は２５μｍ以下、可視光透過率の点からライン間隔は１２０μｍ以上がさらに好ましい。ライン幅は、あまりに小さく細くなると表面抵抗が大きくなりすぎて遮蔽効果に劣るので１μｍ以上が好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。
【００８９】
また、本発明によって得られる導体層パターン付き基材をディスプレイ前面用途に使用する場合、可視光透過率の点から、電磁波シールド機能を担わせる部分の開口率は５０％以上が必要であるが、６０％以上が好ましく、特に８０％以上が好ましい。開口率が大きすぎるとライン幅が小さくなりすぎるため、開口率は９７％以下であることが好ましい。ライン間隔という観点からは、ライン間隔は１０００μｍ（１ｍｍ）以下とするのが好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下する傾向がある。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。可視光透過率の点からライン間隔は、５０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましく、１２０μｍ以上が特に好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。
【００９０】
また、導体層パターンの厚みは１００μｍ以下が好ましく、ディスプレイ前面の電磁波遮蔽シートとして適用した場合、厚みが薄いほどディスプレイの視野角が広がり電磁波遮蔽材料として好ましく、また、金属層をめっきにより形成させるのにかかる時間を短縮することにもなるので４０μｍ以下とすることがより好ましく、１８μｍ以下であることがさらに好ましい。あまりに厚みが薄いと表面抵抗が大きくなりすぎて電磁波遮蔽効果に劣るようになり、また、導体層パターンの強度が劣り、転写時の導電性基材からの剥離が困難になるため０．５μｍ以上が好ましく、さらに１μｍ以上がさらに好ましい。
【００９１】
めっき部が凹部である場合、析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属箔の厚さを絶縁層の高さの２倍以下とすることが好ましく、特に１．５倍以下、さらに１．２倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。また、めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
【００９２】
上記のめっき用導電性基材を用いた導体層パターン付き基材の作製例を次に示す。
図５は、導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図６はその後半を示す断面図である。
上記のめっき用導電性基材１上に、前記しためっき工程により、めっき部である凹部４内にめっきを施し、導体層パターン９を形成する（図５（ｅ））。ついで、別個に準備された転写用基材１０、これは、別の基材（透明基材）１１に粘着剤層１２が積層されている。導体層パターン８が形成されためっき用導電性基材１に転写用基材１０を粘着剤層１２を向けて圧着する準備を行う（図５（ｆ））。
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１に転写用基材９を粘着剤層１２を向けて圧着する（図６（ｇ））。このとき、粘着剤層１２が絶縁層７に接触してもよい。
ついで、転写用基材１０を引きはがすと導体層パターン９は、その粘着剤層１２に接着してめっき用導電性基材１のめっき部である凹部４から剥離され、この結果、導体層パターン付き基材１３が得られる（図６（ｈ））。
【００９３】
図７は、めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図、図８は、その凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図を示す。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。転写用基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部４内に収まる程度に施しても良い。この状態を図７に示す。この場合でも、図８に示すように、転写用基材を圧着することにより、導体層パターン９を粘着剤層１２に転着して、めっき用導電性基材１から導体層パターン９を剥離して、導体層パターン付き基材１３を作製することができる。
【００９４】
本発明により得られる導体層パターン付き基材の導体層パターンを黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。このためには、上記図６（ｈ）又は図８に示すような導体層パターン付き基材１３の導体層パターン９を黒化処理する方法、めっき用導電性基材１のめっき部である凹部４に形成された導体層パターン９をそれが、転写される前に黒化処理する方法及びこれらの両方の黒化処理を行う方法がある。
このように黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。
【００９５】
上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。
【００９６】
本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の接着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。
【００９７】
図９に導体層パターン付き基材が他の基材に貼着されて得られた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。図９において、基材（別の基材）１１に積層されている粘着剤層１２上に金属からなる導体層パターン９が貼り付けられ、この上に他の基材１３が積層されており、導体層パターン９は、粘着剤層１２に埋設されている。これは、導体層パターン付き基材の導体層パターン９側を他の基材１３に加熱又は非加熱下に加圧することにより作製することができる。この場合、粘着剤層１２が十分な流動性を有するものであるか十分な流動性を有するうちに、適度な圧力を加えることにより導体層パターンを粘着剤層１２に埋設する。基材（別の基材）１１及び基材（他の基材）１３として、透明性を有し、しかもその表面の平滑性が優れるものを使用することにより、透明性が高い電磁波遮蔽部材を得ることができる。
図１０に導体層パターン付き基材が保護樹脂で覆われた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。基材（別の基材）１１に積層されている粘着剤層１２上に金属からなる導体層パターン９が貼り付けられており、これらは、透明な保護樹脂１４によって被覆されている。
【００９８】
図１１は、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。この電磁波遮蔽体は、図１０の電磁波遮蔽部材が、基材１１の導体層パターン９がある面とは反対の面で、接着剤層１５を介して他の基材１６が貼り合わされたものである。
図１２は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図１１において、基材（別の基材）１１に粘着剤層１２を介して金属からなる導体層パターン９が接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤１７により被覆され、さらにその上に保護フィルム１８が積層されている。基材１１のもう一方の面には接着剤層１５を介してガラス板等の他の基材１６が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材（別の基材）１１に粘着剤１２を介して接着されている導体層パターン９を有する導体層パターン付き基材の導体層パターン９が存在する面を、透明な接着剤または粘着材１７によりコーティングし、さらに保護フィルム１８を積層し、ついで、得られた積層物の基材１１のもう一方の面（何も積層されていない面）に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、これを他の基材１６に押しつけて接着することにより作製することができる。上記の透明樹脂１７としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂を主成分とする接着剤または粘着剤を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。
【００９９】
また、本発明で用いられる導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のように最表面には導電性ＤＬＣ又は導電性無機材料膜、その下の基材にはステンレス鋼、チタン、チタン合金、チタンをライニングした材料、ニッケル、ニッケル基合金、などを用いることができる。また、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、ニッケル合金めっきが施された鋼などのめっきにより耐食層を形成することもできる。あるいはサーメットや超硬合金などを溶射により形成することもできる。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
【０１００】
回転体を用いて、電界めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図１３を用いて説明する。図１３は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電界めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図（一部正面図）である。
【０１０１】
すなわち、電解浴１００内の電解液１０１が陽極１０２とドラム電極などの回転体１０３の間のスペースに配管１０４とポンプ１０５により供給されるようになっている。陽極１０２と回転体１０３の間に電圧をかけ、回転体１０３を一定速度で回転させると、回転体１０３の表面に金属が電解析出し、電解液１０１の外で、回転体１０３表面の導電性の凹部に析出した金属１０６に、粘着層を形成したフィルム１０７の粘着層を圧着ロール１０８で圧着し、連続的に回転体１０３から金属１０６を剥離しつつ粘着層を形成したフィルム１０７にその金属１０６を転写し、導体層パターン付き基材１０９とする。これはロール（図示せず）に巻き取ることができる。このようにして導体層パターン付き基材１０９を製造することができる。なお、上記の回転体１０３の表面には、凹部とそれにより描かれている幾何学図形状の絶縁層が形成されている。また、回転中の回転体１０３から、凹部に析出した金属１０６が剥離させられた後で、電解液１０１に浸かる前に、回転体１０３表面をエッチング洗浄したり（図示せず）してもよい。なお、図示していないが陽極１０２の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極１０２の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。
【０１０２】
さらに、本発明で用いられる導電性基材として、フープ状の導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。
フープ状の導電性基材に関しては、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のように最表面には導電性ＤＬＣ又は導電性無機材料膜、その下の基材にはステンレス鋼、チタン、チタン合金、チタンをライニングした材料、ニッケル、ニッケル基合金、などを用いることができる。また、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、ニッケル合金めっきが施された鋼などのめっきにより耐食層を形成することもできる。あるいはサーメットや超硬合金などを溶射により形成することもできる。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【０１０３】
フープ状の導電性基材を用いて、電界めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図１４を用いて説明する。図１４は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層パターンを電界めっきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。
【０１０４】
フープ状の導電性基材１１０を、搬送ロール１１１〜１２８を用い、前処理槽１２９、めっき槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽１２９で導電性基材１１０の脱脂もしくは酸処理等の前処理を行う。その後、めっき槽１３０で、導電性基材１１０上に金属を析出させる。この後に、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次通して、それぞれで、導電性基材１１０上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防錆処理する。各処理工程後にある水洗槽は、１槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前に他の前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材１３６を導電性基材１１０の導電性の凹部に析出した金属が転写されるように搬送ロール１２８上の導電性基材１１０と圧着ロール１３７の間を通し、上記金属をプラスチックフィルム基材１３６に転写して、導体層パターン付き基材１３８を連続的に製造することができる。得られる導体層パターン付き基材１３８は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール１３７を加熱することもできるし、図示はしないが、プラスチックフィルム基材１３６を、圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、転写したフィルムの巻取りには、必要に応じて、離型ＰＥＴ等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で導体層パターン付き基材を製造することができる。
【０１０５】
上記のようにして得られる導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターンに保護層を形成する際に用いられるカバーフィルム（例えば、図１２の保護フィルム１８）が、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。
【０１０６】
また、本発明における導体層パターン付き基材は、上記のような回転ロールやフープを利用した連続的なめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。
【０１０７】
本発明における導体層パターン付き基材において、導体層パターンの開口率を高くすることができ、これにより透光性を優良にできる。本発明における導体層パターン付き基材は、透光性電磁波遮蔽部材として使用することができる。
【０１０８】
以上で詳細に説明しためっき用導電性支持体は、開口方向に幅広な凹部のパターン及びそれに対応した絶縁層を有し、適当な広さで作製される。電磁波遮蔽部材要の導体層パターンを作製する場合、その領域を領域Ａとすると、本発明に係るめっき用導電性基材には、そのまわりに、電磁波遮蔽部材のアース部に対応する領域（領域Ｂという）を備えることができる。領域Ａと領域Ｂは同一の導体層パターンを有するものであってもよい。また、領域Ａにおける絶縁層の面積比率（平面図で見たときに、全面積に対する凹部を除いた部分の面積の比率）は、領域Ｂにおける絶縁層の面積比率よりも大きくされていてもよく、好ましくは１０％以上大きくされていてもよい。また、領域Ｂの絶縁層比率を０としてもよいが、この場合には、めっき用導電性支持体上にめっきによりベタの金属膜が周辺に形成される。ベタの金属膜は転写に際し、割れやすいので、望ましくは、領域Ｂの絶縁層の面積率は４０％以上とすることが好ましく、また、９７％未満であることが好ましい。
領域Ｂにおいて、凹部のパターンによって描かれる幾何学図形状としては、
（１）メッシュ状幾何学的模様
（２）所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
（３）所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
（４）円模様又は楕円模様
（５）三角形模様
（６）五角形以上の多角形模様
（７）星形模様等がある。
また、領域Ｂにおけるめっき部の形成、絶縁層の形成等は、前記した領域Ａと同様に行うことができる。さらに、めっき部の深さ又は高さ、めっき部が凹部である場合、凹部のが開口方向に幅広であることも領域Ａと同様にされることが好ましい。
【０１０９】
また、接地機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みは、十分な電気抵抗を確保するために、同様に０．５μｍ以上が好ましく、さらに１μｍ以上がさらに好ましい。さらに、電磁波シールド機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みとの差が大きいと、転写する際に段差となるために、境目の部分が転写されなかったり、折れが発生しやすくなるため、電磁波シールド機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みとの差は１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。
【０１１０】
前記の導体層パターン付き基材は、電磁波遮蔽部材以外にも、タッチパネル部材、太陽電池用電極取り出し若しくは配線、デジタイザー部材、スキミングバリアカード部材、透明アンテナ、透明電極、不透明電極、電子ペーパー部材、調光フィルム用基材等として応用が可能である。
【０１１１】
次の方法によりパターン化金属箔を製造することができる。
（ａ）めっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、
この後、
（ｂ）上記導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程
を含むことを特徴とするパターン化金属箔の製造方法。
ここで、めっき用導電性基材、その表面へのめっきによる金属の析出方法は、前記したとおりである。
【０１１２】
導体層パターン付き基材の製造法において、転写に際し使用する別の基材を剥離用粘着フィルムとして使用して、上記導電性基材のめっき部に析出させた金属を剥離するために利用し、転写された導体層パターンをこの別の基材からさらに剥離して、パターン化金属箔として使用しても良い。
【０１１３】
また、前記で説明した、導体層パターン付き基材の製造法において、（ロ）上記導電性基材のめっき部に析出させた金属を別の基材に転写する工程の代わりに（ロ′）上記導電性基材のめっき部に析出させた金属を粘着フィルムを使用せず、それ自体を剥離する工程とすることにより、導体層パターン（パターン化金属箔）を製造することができる。
【０１１４】
本発明におけるパターン化金属箔は、前記しためっき用導電性基材の形状に対応したものとなり、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの貫通孔がある金属箔、このような形状の凹部がある金属箔、このような形状の個々に分離された金属箔等であり、めっき後にめっき用導電性基材から剥がしやすくするためには、貫通孔がある場合でも連続した箔であることが好ましい。なお、形状は、目的に応じて選択される。このような形状は、組合せて使用できる。また、貫通孔又は凹部の大きさ、分布密度は、目的応じて適宜決定される。
【０１１５】
図１５はパターン化金属箔の一例である穴あき金属箔の一部を示す底面図である。図中、３個の同心円からなる一組の円群が６組描いてあるが、これらは、左右上下方向に適宜の回数千鳥状に繰り返されているものとする。また、図１５中のＢ−Ｂ′断面図に相当するものを図１６に示すが、図１６においては、パターン化金属箔がめっき用導電性基材上に存在する状態を示す。
パターン化金属箔１９には、穴２０が貫通している。穴２０の周りには、段差部２１及びこの段差部２１に続いて小さな幅の傾斜部２２が存在する。段差部２１及び傾斜部２２は、導電性基材２の上の絶縁層３及びこれにより形成される導電性基材２の上のめっき部である凹部に対応するものであり、傾斜部２２は、絶縁層３の末広がりの傾斜部に対応して形成される。すなわち、傾斜部２２には図１６において、内周（最小径）と外周（最大径）が表現されるが、直径の小さな内周（段差部２１の端）から直径の大きな外周に向かって傾斜している。段差部２１は、めっきがめっき用導電性基材の凹部から絶縁層３に覆い被さるように形成された部分に対応する。従って、段差部２１におけるパターン化金属箔１９の厚さは、絶縁層３に覆い被さるように形成された部分であるため、穴２０に近い部分ほど厚さが小さくなり、また、その底面は、めっき部である凹部に対応するパターン化金属箔の底面より、絶縁層３の厚さの分だけ高くなる。
【０１１６】
図１７は、パターン化金属箔の別の例を示す断面図であり、図１６と同様にめっき用導電性基材上に存在する状態を示す。導電性基材２上のめっき部である凹部に析出しためっきは、絶縁層３の上に乗り上げるように成長して貫通孔はないが、絶縁層３に対応した凹部を有するパターン化金属箔１９となる。上記の絶縁層３を紙面の表裏方向に伸ばし、幅を小さくしたものにすることにより、パターン化金属箔に微細は溝を形成することができる。この溝を内部が埋まらないように適当な材料で塞ぐことにより、微細な液体又は気体の流路をたやすく形成することができる。従って、ヒートシンク、微量薬物の供給流路等に応用が可能である。なお、上記の適当な材料としては、溝や凹部のない平らな金属箔、上記のパターン化金属箔自体（溝が対向するよう、又は、溝を通す面が対向するが溝が重ならないように貼り合わせる）などがあり、上記のパターン化金属箔を複数枚、同一の向きに積層してもよく、最後の露出している溝を含む面は、適当な材料で塞ぐことができる。
【０１１７】
上記のめっき用導電性基材を用いて、めっきした後、その基材上に形成されたパターン化金属箔を剥離することにより、パターン化金属箔を取得することができる。この場合、剥離用基材として、別の基材に粘着剤層が積層されているものを使用し、パターン化金属箔が形成されているめっき用導電性基材の金属箔面に粘着剤を向けて、剥離用基材を圧着後、剥離し、パターン化金属箔を剥離用基材に転写してめっき用導電性基材からパターン化金属箔を剥離することもできる。パターン化金属箔は適宜、この剥離用基材から剥離して取得される。また、前記した図１３及び図１４のような装置を用いてパターン化金属箔を作製することができる。この場合、作製されたパターン化金属箔は、フィルム１０７や１３６を使用せず直接めっき用導電性基材から剥離してもよく、フィルム１０７や１３６をめっき用導電性基材からパターン化金属箔を剥離するための剥離用フィルム（これ自体パターン化金属箔から最終的には剥離されるもの）を使用してもよい。
【実施例１】
【０１１８】
（導電性ＤＬＣ膜の形成）
装置内にガス導入管とスパッタリング用のターゲットの両方を有するコーティング装置（ＨＡＵＺＥＲ社製、ＨＴＣ１５００）を用いて導電性ＤＬＣ膜を形成した。詳しくは、１００ｍｍ□のステンレス基板（ＳＵＳ３０４、鏡面仕上げ、厚み０．５ｍｍ、日新製鋼（株）製。以下、基板）を真空チャンバー内に入れ、最初にＡｒガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった後、基板の片面に中間層としてＣｒをスパッタリングにより０．２μｍ形成した。次いで、アセチレンガス及びメタンガスを導入しながら、タングステンカーバイド（ＷＣ）をスパッタし、膜厚が１．５〜２．５μｍとなるように、中間層の上にタングステン（Ｗ）を１０％含有したＤＬＣ層を形成した。
【０１１９】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、１０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を上記で得られた基板の導電性ＤＬＣが形成された面に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状にパターンが８０ｍｍ角のサイズで形成されているネガフィルムを、基板の導電性ＤＬＣが形成された面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置し、基板の上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、導電性ＤＬＣの上にライン幅３９〜４１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１０μｍ）からなる格子状パターンを形成した。
【０１２０】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたまま基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、基板のレジスト膜が形成された面をアルゴンガスで表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が５〜６μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した。そのときレジスト膜により形成された凸部両側のＤＬＣ膜の厚さは、４〜６μｍであった。境界面の角度は導電性基材の表面に対して４５〜５１度であった。なお、絶縁層の厚さ及び境界面の角度の測定は導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、レジスト膜の両側を測定したので計１０点の最大値と最小値を採用した。
【０１２１】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着した基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは５〜６μｍであった。また、凹部の底部での幅は、３９〜４１μｍ、開口部での幅（最大幅）は４９〜５３μｍであった。凹部のピッチはピッチ３００μｍであった。
【０１２２】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ７μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１２３】
（転写用粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマー（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック（株）製）を厚さ１０μｍに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製した。
【０１２４】
（転写）
上記転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅６３〜６９μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体層厚さ（最大）７〜８μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。導体層の形状は、凹部の形状を反映して、下部から上部（粘着層）に向かって幅広になっており、さらに凹部からあふれた部分が傘のように広がっていた。  転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。ライン幅、導体層厚さの測定は、得られた導体層パターン付き基材を一部切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、凹部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した（以下も同様）。ラインピッチの測定は、顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００、キーエンス（株）製）を用いて、倍率２００倍で観察して測定し、測定は、無作為の５点で行った。
【０１２５】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【０１２６】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、５００回使用後にめっき用導電性を切り取って導電性ＤＬＣの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【０１２７】
（体積抵抗率の測定）
前記した「（導電性ＤＬＣ膜の形成）」におけるのと同様にしてガラス板の上に中間層及びその上に導電性ＤＬＣ膜を形成し、体積抵抗率を四端針抵抗測定法（ロレスターＧＰ、三菱化学株式会社製）により測定した。その結果、体積抵抗率は、２×１０−３Ω・ｃｍであった。
【実施例２】
【０１２８】
（導電性ＤＬＣ膜の形成）
導電性ＤＬＣ膜の形成は実施例１と同様に行ない、１００ｍｍ□のステンレス基板（以下、基板）にＤＬＣ層を形成した。
【０１２９】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、１０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を上記で得られた導電性ＤＬＣを形成した基板の導電性ＤＬＣが形成された面に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光が透過しない円形パターンの直径がφ１００μｍ、円形パターンピッチが２５０μｍで形成されているネガフィルムを、基板の導電性ＤＬＣが形成された面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置した基板の上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、基板の導電性ＤＬＣ形成面上に円形パターン直径が９８〜１０１μｍ、円形パターンピッチ２５０μｍのレジスト膜（高さ１０μｍ）からなるパターンを形成した。
【０１３０】
（絶縁層の形成）
絶縁層の形成は実施例１と同様に行った。
【０１３１】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬することにより、凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜を剥離し、めっき用導電性基材を得た。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは５〜６μｍであった。また、円形パターンのピッチはピッチ２５０μｍであった。
【０１３２】
（銅めっき）
上記で得られためっき用導電性基材を陰極として、実施例１と同様に電解銅めっきを行い、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ２０μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１３３】
（剥離）
上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面から、銅めっき部分を銅箔として剥離した。ラインスピードは１ｍ／ｍｉｎとした。すると、穴形がφ５７〜６３μｍ、穴ピッチ２５０μｍのパターンからなる穴明き銅箔が得られた。
【０１３４】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性を切り取って導電性ＤＬＣの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【実施例３】
【０１３５】
（導電性ＤＬＣ膜の形成）
導電性ＤＬＣ膜の形成は実施例１と同様に行ない、１００ｍｍ□のステンレス基板にＤＬＣ層を形成した。その後、凸状パターンの形成、絶縁層の形成は行わなかった。
【０１３６】
（銅めっき）
上記で得られためっき用導電性基材を陰極として、実施例１と同様に電解銅めっきを行い、析出した金属の厚さがほぼ２０μｍになるまでめっきした。
【０１３７】
（剥離）
上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面から、銅めっき部分を銅箔として剥離した。ラインスピードは１ｍ／ｍｉｎとした。すると、平滑な銅箔が得られた。
【０１３８】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、１００回使用後にめっき用導電性を切り取って導電性ＤＬＣの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【実施例４】
【０１３９】
（導電性無機材料膜の形成）
装置内にガス導入管とスパッタリング用のターゲットの両方を有するコーティング装置（ＨＡＵＺＥＲ社製、ＨＴＣ１５００）を用いて窒化クロム膜を形成した。詳しくは、１００ｍｍ□のステンレス（ＳＵＳ３０４、鏡面仕上げ、厚み０．５ｍｍ、日新製鋼（株）製）上に硬質クロムめっきを厚み３０μｍ施した基板（以下、基板）を真空チャンバー内に入れ、最初にＡｒガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった後、ターゲットとしてクロムを用い、反応性ガスとして窒素を流しながらクロムを厚みが２μｍになるまでスパッタし、窒化クロムが最表面に形成された基板を得た。
【０１４０】
（凸部パターンの形成）
凸部パターンの形成は実施例１と同様に行い、窒化クロムの上に凸部パターンを形成した。同マスクを用いて同条件で行ったので、基板の上にライン幅３９〜４１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１０μｍ）からなる格子状パターンが形成された。
【０１４１】
（絶縁層の形成）
絶縁層の形成は実施例１と同様に行った。
【０１４２】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着した基板から、実施例１と同様に凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜を剥離し、めっき用導電性基材を得た。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは５〜６μｍであった。また、凹部の底部での幅は、３９〜４１μｍ、開口部での幅（最大幅）は４９〜５３μｍであった。凹部のピッチはピッチ３００μｍであった。
【０１４３】
（銅めっき）
実施例１と同様にめっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ７μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１４４】
（転写）
実施例１で作製した転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅６３〜６９μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体層厚さ（最大）７〜８μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。導体層の形状は、凹部の形状を反映して、下部から上部（粘着層）に向かって幅広になっており、さらに凹部からあふれた部分が傘のように広がっていた。転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。
【０１４５】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、めっき用導電性を切り取って窒化クロムの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【０１４６】
（体積抵抗率の測定）
前記した「（導電性無機材料膜の形成）」におけるのと同様にしてガラス板の上に導電性無機材料膜を形成し、体積抵抗率を四端針抵抗測定法（ロレスターＧＰ、三菱化学株式会社製）により測定した。その結果、体積抵抗率は、７×１０−４Ω・ｃｍであった。
【実施例５】
【０１４７】
（導電性ＤＬＣ膜の形成）
スパッタリング装置（株式会社神戸製鋼所製、ＵＢＭＳ５０４）を用いて導電性ＤＬＣ膜を形成した。１００ｍｍ□のチタン基板（ＴＰ５５０、＃４００研磨仕上げ、厚み０．５ｍｍ、株式会社神戸製鋼所製。以下、基板）を真空チャンバー内に入れ、最初にＡｒガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった。ターゲットとしてクロムを用いて中間層を０．２μｍ形成した。最初タングステンカーバイド（ＷＣ）とカーボンを同時に成膜して傾斜層を作った後、カーボンのみを成膜して水素フリーの導電性ＤＬＣを厚み１μｍになるまで成膜し、導電性ＤＬＣが最表面に形成された基板を得た。
【０１４８】
（凸部パターンの形成）
凸部パターンの形成は実施例１と同様に行い、導電性ＤＬＣの上に凸部パターンを形成した。同マスクを用いて同条件で行ったので、基板の上にライン幅３９〜４１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１０μｍ）からなる格子状パターンが形成された。
【０１４９】
（絶縁層の形成）
絶縁層の形成は実施例１と同様に行った。
【０１５０】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着した基板から、実施例１と同様に凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜を剥離し、めっき用導電性基材を得た。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは５〜６μｍであった。また、凹部の底部での幅は、３９〜４１μｍ、開口部での幅（最大幅）は４９〜５３μｍであった。凹部のピッチはピッチ３００μｍであった。
【０１５１】
（銅めっき）
実施例１と同様にめっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ７μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１５２】
（転写）
実施例１で作製した転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅６３〜６９μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体層厚さ（最大）７〜８μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。導体層の形状は、凹部の形状を反映して、下部から上部（粘着層）に向かって幅広になっており、さらに凹部からあふれた部分が傘のように広がっていた。転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。
【０１５３】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして３００回繰り返した結果、銅めっきの析出性及び剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。また、３００回使用後にめっき用導電性を切り取って導電性ＤＬＣの表面形状を電子顕微鏡で観察したが、形状に変化は見られなかった。
【０１５４】
（体積抵抗率の測定）
前記した「（導電性ＤＬＣ膜の形成）」におけるのと同様にしてガラス板の上に中間層及びその上に水素フリーの導電性ＤＬＣ膜を形成し、体積抵抗率を四端針抵抗測定法（ロレスターＧＰ、三菱化学株式会社製）により測定した。その結果、体積抵抗率は、３×１０−４Ω・ｃｍであった。また、ガラス板の上に中間層を形成することなく、水素フリーの導電性ＤＬＣ膜のみを前記と同様にして形成し、同様に、体積抵抗率を測定した結果、体積抵抗率は、５Ω・ｃｍであった。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】本発明のめっき用導電性基材の一例を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図。
【図４】中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
【図５】導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図。
【図６】導体層パターン付き基材の作製例の後半を示す断面図。
【図７】めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図。
【図８】図７に示す凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図。
【図９】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１０】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１１】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１２】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１３】回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【図１４】フープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【図１５】パターン化金属箔の一例である穴あき金属箔の一部を示す底面図。
【図１６】図５中のＡ−Ａ′断面図（ただし、めっき用導電性基材上に存在する状態）。
【図１７】パターン化金属箔の別の例を示す断面図（ただし、めっき用導電性基材上に存在する状態）。
【符号の説明】
【０１５６】
１：めっき用導電性基材
２：導電性基材
３：絶縁層
４：凹部
５：感光性レジスト層（感光性樹脂層）
６：突起部
７：ＤＬＣ膜
８：中間層
９：導体層パターン
１０：転写用基材
１１：別の基材
１２：粘着剤層
１３：他の基材
１４：保護樹脂
１５：接着剤
１６：他の基材
１７：接着剤又は粘着剤
１８：保護フィルム
１９：パターン化金属箔
２０：穴
２１：段差部
２２：傾斜部
１００：電解浴
１０１：電解液
１０２：陽極
１０３：回転体
１０４：配管
１０５：ポンプ
１０６：金属
１０７：フィルム
１０８：圧着ロール
１０９：導体層パターン付き基材
１１０：フープ状の導電性基材
１１１〜１２８：搬送ロール
１２９：前処理槽
１３０：めっき槽（電解浴槽）
１３１：水洗槽
１３２：黒化処理槽
１３３：水洗槽
１３４：防錆処理槽
１３５：水洗槽
１３６：プラスチックフィルム基材（接着フィルム）
１３７：圧着ロール
１３８：導体層パターン付き基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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