(57)【要約】【課題】隣接するリード端子の間隔が大きくなるのを抑制しながら、封止樹脂の端面にクラックが発生するのを十分に抑制することが可能な半導体装置用リードフレームを提供する。【解決手段】このリードフレーム（半導体装置用リードフレーム）１は、樹脂封止タイプのリードフレーム１であって、複数のリード端子１１と、複数のリード端子１１を連結するタイバー１３と、リード端子１１間に配置され、タイバー１３から樹脂封止領域２０側に延びる突出部１４とを備え、突出部１４は、突出部１４の樹脂封止領域２０側に設けられた先端部１４ｃと、先端部１４ｃおよびリード端子１１を接続する接続部１４ｂとを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止タイプの半導体装置用リードフレームであって、
複数のリード端子と、
前記複数のリード端子を連結するタイバーと、
前記リード端子間に配置され、前記タイバーから樹脂封止領域側に延びる突出部とを備え、
前記突出部は、前記突出部の前記樹脂封止領域側に設けられた先端部と、前記先端部および前記リード端子を接続する接続部とを含むことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
前記接続部は、前記リード端子側の部分が、前記先端部側の部分よりも前記樹脂封止領域側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項３】
前記突出部は、Ａｇめっきされていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項４】
前記突出部の側面は、曲面形状を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項５】
前記突出部の少なくとも一部は、前記タイバーよりも厚みが小さくなるように形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項６】
前記突出部の前記タイバーよりも厚みが小さい部分には、穴部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項７】
前記突出部の前記タイバーよりも厚みが小さい部分は、前記タイバーから所定の間隔を隔てて形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項８】
前記突出部には、溝部が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項９】
前記突出部は、前記タイバー側から前記樹脂封止領域側に向かって広がるように形成されており、
前記溝部は、前記樹脂封止領域側から前記タイバー側に向かって延びるように形成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項１０】
前記溝部は、前記突出部の前記タイバーから所定の間隔を隔てて形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項１１】
前記突出部は、前記タイバーと同一の材料により構成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項１２】
半導体装置用リードフレームは、Ｃｕ系またはＦｅ系の材料により構成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項１３】
上記請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを準備する工程と、
前記半導体装置用リードフレームに半導体素子を搭載する工程と、
封止樹脂を用いて前記半導体素子を封止する工程と、
前記タイバーをリード端子から切断する工程とを備え、
前記タイバーをリード端子から切断する工程は、樹脂封止領域、前記リード端子および前記タイバーにより囲まれた部分の封止樹脂を、前記樹脂封止領域内の封止樹脂の端面から切断する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記半導体素子を封止する工程は、前記封止樹脂の端面のうちの前記突出部に対向する部分を、凹形状に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記請求項１３または１４に記載の半導体装置の製造方法を備えたことを特徴とする電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法に関し、特に、樹脂封止タイプの半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、樹脂封止タイプの半導体装置用リードフレームが知られている。このような樹脂封止タイプの半導体装置用リードフレームには、複数のリード端子と、複数のリード端子を連結するタイバーとが設けられている。そして、半導体装置用リードフレームをトランスファモールドにより樹脂封止する場合、タイバーにより、封止樹脂が外側に漏れるのを抑制している。また、樹脂封止することによって、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分には、封止樹脂が充填される。そして、後の工程において、タイバーがリード端子から切断されて除去されるのと同時に、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分の封止樹脂が、樹脂封止領域内の封止樹脂から切断されて除去される。このとき、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分の封止樹脂は、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面に対して折られるように切断されて除去される。このため、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面にクラックが発生しやすいという不都合がある。
【０００３】
このような不都合を解消するために、従来では、図１９に示すように樹脂封止領域２１０、リード端子２０１およびタイバー２０２により囲まれた部分の中心部２２０に対応する樹脂封止用金型の部分に、凸部２３０を設ける方法や、樹脂封止領域側に突出するとともに外部電極（リード端子）とは分離されたＴ型のダムバリストッパー（突出部）を外部電極間に設ける構造（たとえば、特許文献１参照）が提案されている。
【０００４】
図１９に示した従来の方法では、樹脂封止領域２１０、リード端子２０１およびタイバー２０２により囲まれた部分の中心部２２０に対応する樹脂封止用金型の部分に凸部２３０を設けるので、樹脂封止領域２１０、リード端子２０１およびタイバー２０２により囲まれた部分に充填される封止樹脂２０３の量をある程度少なくすることができる。これにより、樹脂封止領域２１０、リード端子２０１およびタイバー２０２により囲まれた部分の封止樹脂２０３を、樹脂封止領域２１０内の封止樹脂２０３の端面２０３ａから切断して除去する際に、樹脂封止領域２１０内の封止樹脂２０３の端面２０３ａに発生する応力をある程度小さくすることができる。その結果、樹脂封止領域２１０内の封止樹脂２０３の端面２０３ａにクラックが発生するのをある程度抑制することができる。
【０００５】
また、上記特許文献１に提案された構造では、樹脂封止領域側に突出するとともに外部電極とは分離されたＴ型のダムバリストッパーを外部電極間に設けるので、樹脂封止領域、外部電極およびタイバーにより囲まれた部分に充填される封止樹脂の量を少なくすることができる。これにより、樹脂封止領域、外部電極およびタイバーにより囲まれた部分の封止樹脂を、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面から切断して除去する際に、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面に発生する応力を小さくすることができるので、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面にクラックが発生するのを抑制することができる。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−２２８６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図１９に示した従来の方法では、樹脂封止領域２１０、リード端子２０１およびタイバー２０２により囲まれた部分の中心部２２０に対応する樹脂封止用金型の部分に凸部２３０を設けるので、樹脂封止用金型の凸部２３０と半導体装置用リードフレームとの噛み込みが発生するのを防止する必要がある。また、樹脂封止工程では、樹脂封止用金型を１７５℃程度にし、封止樹脂を溶融させて樹脂封止するので、樹脂封止用金型と半導体装置用リードフレームとの熱膨張係数を考慮した上での樹脂封止用金型と半導体装置用リードフレームとのマッチング精度が必要である。特に、樹脂封止領域がマトリックス状に配置された半導体装置用リードフレームを用いる場合には、樹脂封止用金型の精度がより必要となる。このため、図１９に示した従来の方法では、樹脂封止用金型の凸部２３０と半導体装置用リードフレームとの隙間（クリアランス）を大きくする必要がある。このように樹脂封止用金型の凸部２３０と半導体装置用リードフレームとの隙間（クリアランス）を大きくする場合、樹脂封止領域２１０、リード端子２０１およびタイバー２０２により囲まれた部分に充填される封止樹脂２０３の量を十分に少なくすることが困難である。このため、樹脂封止領域２１０内の封止樹脂２０３の端面２０３ａに発生する応力を十分に小さくすることが困難であるので、樹脂封止領域２１０内の封止樹脂２０３の端面２０３ａにクラックが発生するのを十分に抑制することが困難であるという問題点がある。
【０００８】
また、上記特許文献１に提案された構造では、樹脂封止領域側に突出するとともに外部電極（リード端子）とは分離されたＴ型のダムバリストッパー（突出部）を外部電極間に設けるので、Ｔ型のダムバリストッパーと外部電極とを分離する必要がある。このようにＴ型のダムバリストッパーと外部電極とを分離するためには、Ｔ型のダムバリストッパーと外部電極との間に半導体装置用リードフレームの厚みと同程度の大きさの隙間が必要となるので、隣接する外部電極（リード端子）の間隔が大きくなるという問題点がある。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、隣接するリード端子の間隔が大きくなるのを抑制しながら、封止樹脂の端面にクラックが発生するのを十分に抑制することが可能な半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体装置用リードフレームは、樹脂封止タイプの半導体装置用リードフレームであって、複数のリード端子と、複数のリード端子を連結するタイバーと、リード端子間に配置され、タイバーから樹脂封止領域側に延びる突出部とを備え、突出部は、突出部の樹脂封止領域側に設けられた先端部と、先端部およびリード端子を接続する接続部とを含む。
【００１１】
この第１の局面による半導体装置用リードフレームでは、上記のように、複数のリード端子と、複数のリード端子を連結するタイバーと、リード端子間に配置され、タイバーから樹脂封止領域側に延びる突出部とを設けることによって、樹脂封止工程において、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分に充填される封止樹脂の量を十分に少なくすることができる。これにより、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分の封止樹脂を、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面から切断して除去する際に、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面に発生する応力を十分に小さくすることができる。その結果、封止樹脂の端面にクラックが発生するのを十分に抑制することができる。また、突出部に、突出部の樹脂封止領域側に設けられる先端部と、先端部およびリード端子を接続する接続部とを設けることによって、突出部とリード端子との間に半導体装置用リードフレームの厚みと同程度の大きさの隙間を設ける必要がないので、隣接するリード端子の間隔が大きくなるのを抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面による半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、接続部は、リード端子側の部分が、先端部側の部分よりも樹脂封止領域側に配置されている。このように構成すれば、樹脂封止領域、リード端子および突出部により囲まれる部分を小さくすることができるので、樹脂封止領域、リード端子および突出部により囲まれた部分に充填される封止樹脂の量を少なくすることができる。これにより、樹脂封止領域、リード端子および突出部により囲まれる部分の封止樹脂を、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面から切断して除去する際に、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面に発生する応力をより小さくすることができるので、封止樹脂の端面にクラックが発生するのをより抑制することができる。
【００１３】
上記第１の局面による半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、突出部は、Ａｇめっきされている。このように構成すれば、封止樹脂は、Ｃｕ系やＦｅ系の金属との密着強度よりもＡｇとの密着強度の方が大きいので、半導体装置用リードフレームがＣｕ系やＦｅ系の金属材料により構成されている場合、封止樹脂の突出部に対する密着強度を大きくすることができる。これにより、タイバーをリード端子から切断して除去する際に、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分に充填される封止樹脂を、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面から切断して除去しやすくすることができる。また、封止樹脂の突出部に対する密着強度を大きくすることができるので、切断した封止樹脂がタイバーから外れて飛散するのを抑制することができる。これにより、切断した封止樹脂が飛散するのを抑制するための構造を別途設ける必要がない。
【００１４】
上記第１の局面による半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、突出部の側面は、曲面形状を有する。このように構成すれば、封止樹脂と突出部との密着面積を大きくすることができるので、封止樹脂の突出部に対する密着強度を大きくすることができる。また、突出部の側面を、曲面形状を有するように形成することによって、封止樹脂と突出部との密着面を曲面にすることができるので、封止樹脂と突出部との密着面が平面である場合に比べて、封止樹脂の突出部に対する密着強度を大きくすることができる。
【００１５】
上記第１の局面による半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、突出部の少なくとも一部は、タイバーよりも厚みが小さくなるように形成されている。このように構成すれば、封止樹脂を突出部のタイバーよりも厚みが小さい部分の上面や下面にも密着させることができるので、封止樹脂と突出部との密着面積を大きくすることができる。これにより、封止樹脂の突出部に対する密着強度を大きくすることができる。
【００１６】
上記突出部の少なくとも一部がタイバーよりも厚みが小さくなるように形成されている半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、突出部のタイバーよりも厚みが小さい部分には、穴部が形成されている。このように構成すれば、封止樹脂を突出部の穴部の内面にも密着させることができるので、封止樹脂と突出部との密着面積をより大きくすることができる。これにより、封止樹脂の突出部に対する密着強度をより大きくすることができる。
【００１７】
上記突出部の少なくとも一部がタイバーよりも厚みが小さくなるように形成されている半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、突出部のタイバーよりも厚みが小さい部分は、タイバーから所定の間隔を隔てて形成されている。このように構成すれば、突出部のタイバーよりも厚みが小さい部分をタイバーの近傍に形成する場合に比べて、樹脂封止工程においてタイバー上に封止樹脂が漏れるのを抑制することができる。
【００１８】
上記第１の局面による半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、突出部には、溝部が形成されている。このように構成すれば、封止樹脂を突出部の溝部にも密着させることができるので、封止樹脂と突出部との密着面積を大きくすることができる。これにより、封止樹脂の突出部に対する密着強度を大きくすることができる。
【００１９】
上記突出部に溝部が形成されている半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、突出部は、タイバー側から樹脂封止領域側に向かって広がるように形成されており、溝部は、樹脂封止領域側からタイバー側に向かって延びるように形成されている。このように構成すれば、樹脂封止工程において、封止樹脂を、突出部の溝部を通過してタイバー側にも充填させることができるので、封止樹脂と突出部との密着面積をより大きくすることができる。これにより、封止樹脂の突出部に対する密着強度をより大きくすることができる。
【００２０】
上記突出部に溝部が形成されている半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、溝部は、突出部のタイバーから所定の間隔を隔てて形成されている。このように構成すれば、突出部の溝部をタイバーの近傍に形成する場合に比べて、樹脂封止工程においてタイバー上に封止樹脂が漏れるのを抑制することができる。
【００２１】
上記第１の局面による半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、突出部は、タイバーと同一の材料により構成されている。このように構成すれば、突出部の熱膨張係数をタイバー（半導体装置用リードフレーム）の熱膨張係数と同じにすることができるので、樹脂封止用金型の設計を容易にすることができる。
【００２２】
上記第１の局面による半導体装置用リードフレームにおいて、好ましくは、半導体装置用リードフレームは、Ｃｕ系またはＦｅ系の材料により構成されている。このように構成すれば、Ｃｕ系またはＦｅ系の金属材料からなる半導体装置用リードフレームの熱膨張係数を、樹脂封止用金型の熱膨張係数に近づけることができるので、樹脂封止用金型の設計を容易にすることができる。
【００２３】
この発明の第２の局面による半導体装置の製造方法は、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを準備する工程と、半導体装置用リードフレームに半導体素子を搭載する工程と、封止樹脂を用いて半導体素子を封止する工程と、タイバーをリード端子から切断する工程とを備え、タイバーをリード端子から切断する工程は、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分の封止樹脂を、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面から切断する工程を含む。
【００２４】
この第２の局面による半導体装置の製造方法では、上記のように、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを準備する工程を設けることによって、半導体素子を封止する工程において、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分に充填される封止樹脂の量を十分に少なくすることができる。これにより、樹脂封止領域、リード端子およびタイバーにより囲まれた部分の封止樹脂を、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面から切断して除去する際に、樹脂封止領域内の封止樹脂の端面に発生する応力を十分に小さくすることができる。その結果、封止樹脂の端面にクラックが発生するのを十分に抑制することができる。また、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを準備する工程を設けることによって、突出部とリード端子との間に半導体装置用リードフレームの厚みと同程度の大きさの隙間を設ける必要がないので、隣接するリード端子の間隔が大きくなるのを抑制することができる。
【００２５】
上記第２の局面による半導体装置の製造方法において、好ましくは、半導体素子を封止する工程は、封止樹脂の端面のうちの突出部に対向する部分を、凹形状に形成する工程を含む。このように構成すれば、タイバーをリード端子から切断する際に、カットパンチ（タイバー切断用金型）を樹脂封止領域内の封止樹脂から離れた位置に配置することができる。これにより、カットパンチ（タイバー切断用金型）が封止樹脂領域内の封止樹脂の端面に接触するのを抑制することができるとともに、封止樹脂領域内の封止樹脂の端面に発生する応力をより小さくすることができる。その結果、封止樹脂領域内の封止樹脂の端面にクラックが発生するのをより抑制することができる。
【００２６】
この発明の第３の局面による電子機器の製造方法は、請求項１３または１４に記載の半導体装置の製造方法を備えている。このように構成すれば、隣接するリード端子の間隔が大きくなるのを抑制しながら、封止樹脂の端面にクラックが発生するのを十分に抑制することが可能な半導体装置を備えた電子機器を得ることができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上のように、本発明によれば、隣接するリード端子の間隔が大きくなるのを抑制しながら、封止樹脂の端面にクラックが発生するのを十分に抑制することが可能な半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１実施形態）
【００２９】
図１は、本発明の第１実施形態によるリードフレームを用いた半導体装置を備えた液晶テレビジョン受像機の全体構成を示した分解斜視図である。図２は、本発明の第１実施形態によるリードフレームを用いた半導体装置の構造を示した断面図である。図３は、図２に示した第１実施形態によるリードフレームを用いた半導体装置の構造を示した平面図である。図４〜図７は、図２に示した第１実施形態によるリードフレームの構造を示した図である。図１〜図７を参照して、本発明の第１実施形態によるリードフレーム１を用いた半導体装置１１０を備えた液晶テレビジョン１００、半導体装置１１０およびリードフレーム１の構造について説明する。なお、液晶テレビジョン受像機１００は、本発明の「電子機器」の一例であり、リードフレーム１は、本発明の「半導体装置用リードフレーム」の一例である。
【００３０】
本発明の第１実施形態によるリードフレーム１を用いた半導体装置１１０を備えた液晶テレビジョン受像機１００は、図１に示すように、液晶表示装置１０１と、液晶表示装置１０１を収納するフロントキャビネット１０２およびリアキャビネット１０３と、フロントキャビネット１０２に取り付けられたスピーカ１０４と、チューナ用基板１０５と、電源用基板１０６と、支持部材１０７とを備えている。そして、電源用基板１０６には、本発明の第１実施形態によるリードフレーム１を用いた半導体装置１１０が取り付けられている。
【００３１】
本発明の第１実施形態によるリードフレーム１を用いた半導体装置１１０は、図２および図３に示すように、リードフレーム１と、リードフレーム１上に搭載されるＩＣチップ２と、ＩＣチップ２をリードフレーム１に固定するためのダイボンド材３（図２参照）と、ＩＣチップ２とリードフレーム１とを電気的に接続する金線４と、ＩＣチップ２および金線４を保護する封止樹脂５とを備えている。なお、ＩＣチップ２は、本発明の「半導体素子」の一例である。
【００３２】
リードフレーム１は、Ｃｕ系またはＦｅ系の導電性を有する金属材料により構成されている。また、リードフレーム１は、複数のリード端子１１と、複数のリード端子１１のうちの１つのリード端子１１に連結されたダイパッド１２とを有している。
【００３３】
ＩＣチップ２は、リードフレーム１のダイパッド１２に搭載されている。また、金線４は、一方の端部がＩＣチップ２の上面に接続されているとともに、他方の端部がリード端子１１のダイパッド１２近傍の部分に接続されている。また、封止樹脂５は、リードフレーム１のリード端子１１のダイパッド１２側の部分と、ダイパッド１２と、ＩＣチップ２と、金線４とを覆うように形成されている。
【００３４】
ここで、第１実施形態では、図３に示すように、封止樹脂５のリード端子１１側の端面５ａのうちのリード端子１１間に位置する部分には、平面的に見て凹形状を有する凹部５ｂが形成されている。すなわち、封止樹脂５の端面５ａのうちの後述する突出部１４（図５参照）に対向する部分は、平面的に見て凹形状に形成されている。
【００３５】
リードフレーム１には、図４に示すように、封止樹脂５が形成される樹脂封止領域２０がマトリックス状に配置されている。これにより、半導体装置１１０の生産効率を向上させることが可能である。
【００３６】
また、第１実施形態では、図５に示すように、リードフレーム１は、後述するタイバー１３を切断する工程以前の状態では、複数のリード端子１１と、ダイパッド１２と、複数のリード端子１１を連結するタイバー１３と、リード端子１１間に配置され、タイバー１３から樹脂封止領域２０側に延びる突出部１４とによって構成されている。また、リードフレーム１には、リード端子１１、タイバー１３および突出部１４によって、リードフレーム１を厚み方向に貫通する間隙部１５が形成されている。
【００３７】
タイバー１３は、樹脂封止領域２０から所定の間隔を隔てて配置されている。また、タイバー１３は、後述する樹脂封止工程において、封止樹脂５（図３参照）が外側（矢印Ａ方向側）に流出するのを抑制する機能を有する。
【００３８】
また、第１実施形態では、突出部１４は、リード端子１１、ダイパッド１２およびタイバー１３と一体的に形成されている。すなわち、突出部１４は、タイバー１３などと同一の材料（Ｃｕ系またはＦｅ系の導電性を有する金属材料）により構成されている。
【００３９】
また、第１実施形態では、図６に示すように、突出部１４は、平面的に見て略長方形状の主部１４ａと、２つの接続部１４ｂとを含んでいる。この主部１４ａは、リード端子１１の延びる方向に沿って形成されているとともに、樹脂封止領域２０（封止樹脂５）側に、先端部１４ｃを有している。また、主部１４ａは、図７に示すように、略長方形状の断面を有する。また、突出部１４は、後述する樹脂封止工程において、樹脂封止用金型の固定ピン（図示せず）が当接されるように構成されており、リードフレーム１を固定する機能を有する。
【００４０】
接続部１４ｂは、図６に示すように、主部１４ａの先端部１４ｃと、隣接するリード端子１１とを接続するように形成されている。この接続部１４ｂは、先端部１４ｃ側からリード端子１１側に向かって広がるように形成されている。また、接続部１４ｂの樹脂封止領域２０側の端面１４ｄは、リード端子１１側の部分が、先端部１４ｃ（主部１４ａ）側の部分よりも樹脂封止領域２０側に位置するように配置されている。
【００４１】
また、第１実施形態では、突出部１４（主部１４ａおよび接続部１４ｂ）は、リード端子１１やタイバー１３などと同じ厚みに形成されている。これにより、後述する樹脂封止工程において、封止樹脂５が突出部１４の接続部１４ｂを越えてタイバー１３側（矢印Ａ方向側）に漏れるのを抑制することが可能である。その結果、封止樹脂５が外側に流出するのをより抑制することが可能である。
【００４２】
図８は、本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。図１〜図５および図８を参照して、本発明の第１実施形態による半導体装置１１０および液晶テレビジョン受像機１００の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、図２に示すように、リードフレーム１のダイパッド１２上にダイボンド材３を用いてＩＣチップ２を固定（搭載）する。そして、金線４を用いてワイヤーボンディングを行うことによって、ＩＣチップ２の上面とリード端子１１とを電気的に接続する。
【００４４】
その後、図８に示すように、樹脂封止用金型（図示せず）を用いて、樹脂封止領域２０（図５参照）を樹脂封止する。このとき、封止樹脂５によって、リードフレーム１のリード端子１１のダイパッド１２（図５参照）側の部分と、ダイパッド１２と、ＩＣチップ２（図３参照）と、金線４とが覆われる。また、このとき、図８に示すように、封止樹脂５のリード端子１１側の端面５ａには、突出部１４に対向する部分に、平面的に見て凹形状を有する凹部５ｂが形成される。また、封止樹脂５は、樹脂封止領域２０（封止樹脂５の端面５ａ）、リード端子１１および突出部１４に囲まれた部分１６に充填される一方、突出部１４の主部１４ａ（先端部１４ｃ）および接続部１４ｂによって、外側（矢印Ａ方向側）に流出するのが抑制される。
【００４５】
次に、カットパンチ（タイバー切断用金型）３０を用いて、複数のリード端子１１を連結するタイバー１３を切断する。具体的には、カットパンチ３０は、略長方形状に形成されており、突出部１４の主部１４ａ（先端部１４ｃ）および接続部１４ｂよりも樹脂封止領域２０側の部分からタイバー１３よりも外側（矢印Ａ方向側）の部分までを覆うように配置される。そして、タイバー１３がリード端子１１から切断されて除去されるとともに、突出部１４（接続部１４ｂ）が隣接するリード端子１１から切断されて除去される。このとき、樹脂封止領域２０（封止樹脂５の端面５ａ）、リード端子１１および突出部１４に囲まれた部分１６に充填された封止樹脂５は、突出部１４の樹脂封止領域２０側の側面に密着した状態で、リード端子１１および樹脂封止領域２０内の封止樹脂５から切断されて除去される。
【００４６】
その後、図４に示したマトリックス状のリードフレーム１から個片に切断されることによって、図２および図３に示した半導体装置１１０が作製される。
【００４７】
このように作製された半導体装置１１０は、図１に示すように、電源用基板１０６に取り付けられる。そして、液晶表示装置１０１およびチューナ用基板１０５と共に、フロントキャビネット１０２およびリアキャビネット１０３に収納される。このようにして、図１に示した液晶テレビジョン受像機１００が得られる。
【００４８】
第１実施形態では、上記のように、リード端子１１間に配置され、タイバー１３から樹脂封止領域２０側に延びる突出部１４を設けることによって、樹脂封止工程において、樹脂封止領域２０、リード端子１１および突出部１４により囲まれた部分１６に充填される封止樹脂５の量を十分に少なくすることができる。これにより、樹脂封止領域２０、リード端子１１および突出部１４により囲まれた部分１６の封止樹脂５を、樹脂封止領域２０内の封止樹脂５の端面５ａから切断して除去する際に、樹脂封止領域２０内の封止樹脂５の端面５ａに発生する応力を十分に小さくすることができる。その結果、封止樹脂５の端面５ａにクラックが発生するのを十分に抑制することができる。また、突出部１４に、先端部１４ｃおよびリード端子１１を接続する接続部１４ｂを設けることによって、突出部１４とリード端子１１との間にリードフレーム１の厚みと同程度の大きさの隙間を設ける必要がないので、隣接するリード端子１１の間隔が大きくなるのを抑制することができる。
【００４９】
また、第１実施形態では、接続部１４ｂの樹脂封止領域２０側の端面１４ｄを、リード端子１１側の部分が、先端部１４ｃ（主部１４ａ）側の部分よりも樹脂封止領域２０側に位置するように配置することによって、樹脂封止領域２０、リード端子１１および突出部１４により囲まれた部分１６をより小さくすることができるので、樹脂封止領域２０、リード端子１１および突出部１４により囲まれた部分１６に充填される封止樹脂５の量を、より少なくすることができる。これにより、封止樹脂５の端面５ａにクラックが発生するのをより抑制することができる。
【００５０】
また、第１実施形態では、突出部１４を、タイバー１３と一体的に形成することによって、突出部１４の熱膨張係数をタイバー１３（リードフレーム１）の熱膨張係数と同じにすることができるので、樹脂封止用金型の設計を容易にすることができる。また、突出部１４を、タイバー１３と一体的に形成することによって、突出部１４をタイバー１３などとは別の材料（部品）を用いて形成する場合に比べて、リードフレーム１を容易に形成することができる。
【００５１】
また、第１実施形態では、リードフレーム１を、Ｃｕ系またはＦｅ系の金属材料により構成することによって、Ｃｕ系またはＦｅ系の金属材料からなるリードフレーム１の熱膨張係数を、樹脂封止用金型の熱膨張係数に近づけることができるので、樹脂封止用金型の設計を容易にすることができる。
【００５２】
また、第１実施形態では、封止樹脂５のリード端子１１側の端面５ａのうちの突出部１４に対向する部分に、平面的に見て凹形状を有する凹部５ｂを形成することによって、タイバー１３をリード端子１１から切断する際に、カットパンチ（タイバー切断用金型）を樹脂封止領域２０内の封止樹脂５から離れた位置に配置することができる。これにより、カットパンチ（タイバー切断用金型）が樹脂封止領域２０内の封止樹脂５の端面５ａに接触するのを抑制することができるとともに、樹脂封止領域２０内の封止樹脂５の端面５ａに発生する応力をより小さくすることができる。その結果、樹脂封止領域２０内の封止樹脂５の端面５ａにクラックが発生するのをより抑制することができる。
【００５３】
（第２実施形態）
【００５４】
図９および図１０は、本発明の第２実施形態によるリードフレームの構造を示した図である。この第２実施形態では、図９および図１０を参照して、上記第１実施形態と異なり、突出部４４がＡｇめっきされているとともに、突出部４４の側面が曲面形状を有する場合について説明する。
【００５５】
本発明の第２実施形態によるリードフレーム４０は、図９に示すように、上記第１実施形態と同様、複数のリード端子４１と、複数のリード端子４１を連結するタイバー４３と、リード端子４１間に配置され、タイバー４３から樹脂封止領域２０側に延びる突出部４４とを含んでいる。なお、リードフレーム４０は、本発明の「半導体装置用リードフレーム」の一例である。
【００５６】
ここで、第２実施形態では、突出部４４の主部４４ａの側面は、曲面形状を有するように形成されている。具体的には、突出部４４の主部４４ａは、樹脂封止領域２０側の部分のうちのコーナー部４４ｅが、平面的に見て曲線形状を有するように形成されている。すなわち、突出部４４の主部４４ａの樹脂封止領域２０側の部分は、テーパ形状に形成されている。また、突出部４４の主部４４ａは、図１０に示すように、コーナー部４４ｆが曲線形状を有する断面形状に形成されている。なお、突出部４４の主部４４ａは、曲面形状ではなく傾斜面（Ｃ面）を有するように形成されていてもよい。また、突出部４４の接続部４４ｂも、主部４４ａと同様に、曲線形状の断面を有していてもよい。
【００５７】
また、第２実施形態では、突出部４４の表面（上面、側面および下面）上は、スポットＡｇめっきされている。
【００５８】
その他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００５９】
第２実施形態では、上記のように、突出部４４に、Ａｇめっきすることによって、封止樹脂５は、Ｃｕ系やＦｅ系の金属との密着強度よりもＡｇとの密着強度の方が大きいので、封止樹脂５の突出部４４に対する密着強度を大きくすることができる。これにより、タイバー４３をリード端子４１から切断して除去する際に、樹脂封止領域２０、リード端子４１および突出部４４により囲まれた部分１６に充填される封止樹脂５を、樹脂封止領域２０内の封止樹脂５の端面５ａから切断して除去しやすくすることができる。また、封止樹脂５の突出部４４に対する密着強度を大きくすることができるので、切断した封止樹脂５がタイバー４３から外れて飛散するのを抑制することができる。これにより、切断した封止樹脂５が飛散するのを抑制するための構造を別途設ける必要がない。
【００６０】
また、第２実施形態では、突出部４４の側面を、曲面形状を有するように形成することによって、封止樹脂５と突出部４４との密着面積を大きくすることができるので、封止樹脂５の突出部４４に対する密着強度を大きくすることができる。また、突出部４４の側面を、曲面形状を有するように形成することによって、封止樹脂５と突出部４４との密着面を曲面にすることができるので、封止樹脂５と突出部４４との密着面が平面である場合に比べて、封止樹脂５の突出部４４に対する密着強度を大きくすることができる。
【００６１】
第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６２】
また、第２実施形態の半導体装置の製造方法は、上記第１実施形態と同様である。
【００６３】
（第３実施形態）
【００６４】
図１１および図１２は、本発明の第３実施形態によるリードフレームの構造を示した図である。この第３実施形態では、図１１および図１２を参照して、上記第１実施形態と異なり、突出部５４の所定領域がタイバー５３よりも厚みが小さくなるように形成されているとともに、突出部５４に複数の穴部５４ｆが形成されている場合について説明する。
【００６５】
本発明の第３実施形態によるリードフレーム５０は、図１１に示すように、上記第１実施形態と同様、複数のリード端子５１と、複数のリード端子５１を連結するタイバー５３と、リード端子５１間に配置され、タイバー５３から樹脂封止領域２０側に延びる突出部５４とを含んでいる。なお、リードフレーム５０は、本発明の「半導体装置用リードフレーム」の一例である。
【００６６】
ここで、第３実施形態では、図１１および図１２に示すように、突出部５４の主部５４ａの周縁部５４ｅと、接続部５４ｂとは、上面および下面がコイニングされることにより、リード端子５１やタイバー５３などと比べて厚みが小さくなるように形成されている。これにより、樹脂封止工程において、封止樹脂５が主部５４の周縁部５４ｅと接続部５４ｂとの上面上および下面上に充填されるとともに、間隙部５５にも充填される。なお、突出部５４の主部５４ａの周縁部５４ｅと、接続部５４ｂとのいずれか一方のみが、リード端子５１やタイバー５３などと比べて厚みが小さくなるように形成されていてもよい。
【００６７】
また、第３実施形態では、突出部５４の主部５４ａの周縁部５４ｅには、周縁部５４ｅを厚み方向に貫通するように、複数の穴部５４ｆが形成されている。これにより、樹脂封止工程において、封止樹脂５が複数の穴部５４ｆ内に充填される。なお、複数の穴部５４ｆは、周縁部５４ｅを貫通せずに窪んだ形状（凹形状）であってもよい。また、穴部５４ｆは、接続部５４ｂにも形成されていてもよい。
【００６８】
その他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００６９】
第３実施形態では、上記のように、突出部５４の周縁部５４ｅおよび接続部５４ｂを、タイバー５３よりも厚みが小さくなるように形成することによって、封止樹脂５を突出部５４の周縁部５４ｅおよび接続部５４ｂの上面や下面にも密着させることができるので、封止樹脂５と突出部５４との密着面積を大きくすることができる。これにより、封止樹脂５の突出部５４に対する密着強度を大きくすることができる。また、突出部５４の周縁部５４ｅおよび接続部５４ｂを、タイバー５３よりも厚みが小さくなるように形成した場合にも、樹脂封止領域２０、リード端子５１およびタイバー５３により囲まれた部分に充填される封止樹脂５の量を十分に少なくすることができるので、封止樹脂５の端面５ａにクラックが発生するのを十分に抑制することができる。
【００７０】
また、第３実施形態では、突出部５４の周縁部５４ｅに、穴部５４ｆを設けることによって、封止樹脂５を突出部５４の穴部５４ｆの内面にも密着させることができるので、封止樹脂５と突出部５４との密着面積をより大きくすることができる。これにより、封止樹脂５の突出部５４に対する密着強度をより大きくすることができる。
【００７１】
第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７２】
また、第３実施形態の半導体装置の製造方法は、上記第１実施形態と同様である。
【００７３】
（第４実施形態）
【００７４】
図１３および図１４は、本発明の第４実施形態によるリードフレームの構造を示した図である。この第４実施形態では、図１３および図１４を参照して、上記第１および第３実施形態と異なり、突出部６４のタイバー６３から所定の間隔を隔てた領域が、タイバー６３よりも厚みが小さくなるように形成されている場合について説明する。
【００７５】
本発明の第４実施形態によるリードフレーム６０は、図１３に示すように、上記第１実施形態と同様、複数のリード端子６１と、複数のリード端子６１を連結するタイバー６３と、リード端子６１間に配置され、タイバー６３から樹脂封止領域２０側に延びる突出部６４とを含んでいる。なお、リードフレーム６０は、本発明の「半導体装置用リードフレーム」の一例である。
【００７６】
ここで、第４実施形態では、図１３および図１４に示すように、突出部６４の主部６４ａのタイバー６３から所定の間隔を隔てた領域と、接続部６４ｂとは、上面および下面がコイニングされることにより、リード端子６１やタイバー６３などと比べて厚みが小さくなるように形成されている。これにより、樹脂封止工程において、封止樹脂５が主部６４ａのタイバー６３から所定の間隔を隔てた領域と接続部６４ｂとの上面上および下面上に充填されるとともに、間隙部６５にも充填される。なお、突出部６４の主部６４ａのタイバー６３から所定の間隔を隔てた領域と、接続部６４ｂとのいずれか一方のみが、リード端子６１やタイバー６３などと比べて厚みが小さくなるように形成されていてもよい。
【００７７】
また、第４実施形態では、突出部６４の主部６４ａの厚みが小さく形成された領域には、主部６４ａを厚み方向に貫通するように、複数の穴部６４ｆが形成されている。これにより、樹脂封止工程において、封止樹脂５が複数の穴部６４ｆ内に充填される。なお、複数の穴部６４ｆは、主部６４ａを貫通せずに窪んだ形状（凹形状）であってもよい。また、穴部６４ｆは、接続部６４ｂにも形成されていてもよい。
【００７８】
その他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００７９】
第４実施形態では、上記のように、突出部６４のタイバー６３よりも厚みが小さい部分を、タイバー６３から所定の間隔を隔てて形成することによって、突出部６４のタイバー６３よりも厚みが小さい部分をタイバー６３の近傍に形成する場合に比べて、樹脂封止工程においてタイバー６３上に封止樹脂５が漏れるのを抑制することができる。
【００８０】
第４実施形態のその他の効果は、上記第１および第３実施形態と同様である。
【００８１】
また、第４実施形態の半導体装置の製造方法は、上記第１実施形態と同様である。
【００８２】
（第５実施形態）
【００８３】
図１５は、本発明の第５実施形態によるリードフレームの構造を示した平面図である。この第５実施形態では、図１５を参照して、上記第１実施形態と異なり、突出部７４が逆三角形状に形成されている場合について説明する。
【００８４】
本発明の第５実施形態によるリードフレーム７０は、図１５に示すように、上記第１実施形態と同様、複数のリード端子７１と、複数のリード端子７１を連結するタイバー７３と、リード端子７１間に配置され、タイバー７３から樹脂封止領域２０側に延びる突出部７４とを含んでいる。なお、リードフレーム７０は、本発明の「半導体装置用リードフレーム」の一例である。
【００８５】
ここで、第５実施形態では、突出部７４は、タイバー７３側から樹脂封止領域２０側に向かって広がるように、略逆三角形状に形成されている。
【００８６】
また、第５実施形態では、突出部７４の上面には、主部７４ａと接続部７４ｂとの境界領域に、側面視でＶ字型の溝部７４ｅが形成されている。この溝部７４ｅは、樹脂封止領域２０、リード端子７１および突出部７４に囲まれた領域７６と間隙部７５とを接続するように形成されている。また、溝部７４ｅは、リード端子７１の延びる方向に沿って形成されている。これにより、リードフレーム７０を金型を用いて形成する場合、溝部７４ｅを形成するパンチ（金型）を斜めに配置する必要がないので、リードフレーム７０を形成する金型の構造が複雑になるのを抑制することが可能である。なお、溝部７４ｅは、突出部７４の上面のみでなく下面にも形成してもよい。
【００８７】
また、第５実施形態では、溝部７４ｅは、タイバー７３から所定の間隔を隔てて形成されている。
【００８８】
その他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００８９】
また、第５実施形態では、突出部７４を、タイバー７３側から樹脂封止領域２０側に向かって広がるように形成し、溝部７４ｅを、タイバー７３側から樹脂封止領域２０側に向かって延びるように形成することによって、樹脂封止工程において、封止樹脂５を、突出部７４の溝部７４ｅを通過してタイバー７３側にも充填させることができるので、封止樹脂５と突出部７４との密着面積を、より大きくすることができる。これにより、封止樹脂５の突出部７４に対する密着強度を、より大きくすることができる。また、溝部７４ｅをタイバー７３側から樹脂封止領域２０側に向かって延びるように形成した場合にも、樹脂封止領域２０、リード端子およびタイバー７３により囲まれた部分に充填される封止樹脂５の量を十分に少なくすることができるので、封止樹脂５の端面５ａにクラックが発生するのを十分に抑制することができる。
【００９０】
また、第５実施形態では、溝部７４ｅを、タイバー７３から所定の間隔を隔てて形成することによって、突出部７４の溝部７４ｅをタイバー７３の近傍に形成する場合に比べて、樹脂封止工程においてタイバー７３上に封止樹脂５が漏れるのを抑制することができる。
【００９１】
第５実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００９２】
また、第５実施形態の半導体装置の製造方法は、上記第１実施形態と同様である。
【００９３】
（第６実施形態）
【００９４】
図１６および図１７は、本発明の第６実施形態によるリードフレームの構造を示した図である。この第６実施形態では、図１６および図１７を参照して、上記第１および第５実施形態と異なり、突出部８４に間隙部８５同士を接続する溝部８４ｅが形成されている場合について説明する。
【００９５】
本発明の第６実施形態によるリードフレーム８０は、図１６に示すように、上記第１実施形態と同様、複数のリード端子８１と、複数のリード端子８１を連結するタイバー８３と、リード端子８１間に配置され、タイバー８３から樹脂封止領域２０側に延びる突出部８４とを含んでいる。なお、リードフレーム８０は、本発明の「半導体装置用リードフレーム」の一例である。
【００９６】
ここで、第６実施形態では、図１６および図１７に示すように、突出部８４は、主部８４ａと、２つの接続部８４ｂとにより構成されており、突出部８４の主部８４ａの上面および下面には、側面視でＶ字型の溝部８４ｅが形成されている。この溝部８４ｅは、隣接する間隙部８５同士を接続するように形成されている。また、溝部８４ｅは、リード端子８１の延びる方向に垂直な方向に形成されている。
【００９７】
また、第６実施形態では、溝部８４ｅは、タイバー８３から所定の間隔を隔てて形成されている。
【００９８】
その他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００９９】
第６実施形態では、上記のように、突出部８４に、溝部８４ｅを形成することによって、樹脂封止工程において、封止樹脂５が突出部８４の接続部８４ｂを越えてタイバー８３側（間隙部８５側）に漏れた場合に、漏れた封止樹脂５を突出部８４の溝部８４ｅに密着させることができる。
【０１００】
第６実施形態のその他の効果は、上記第１および第５実施形態と同様である。
【０１０１】
また、第６実施形態の半導体装置の製造方法は、上記第１実施形態と同様である。
【０１０２】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【０１０３】
たとえば、上記実施形態では、電子機器として液晶テレビジョン受像機に適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、液晶テレビジョン受像機以外の、たとえばＤＶＤレコーダなどの他の電子機器に適用してもよい。
【０１０４】
また、上記実施形態では、突出部を、タイバーと同一の材料により構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、突出部をタイバーとは異なる材料により構成してもよい。
【０１０５】
また、上記第２実施形態では、突出部の側面を曲面形状に形成するとともに、突出部にＡｇめっきを行った例について示したが、本発明はこれに限らず、突出部の側面を曲面形状にするだけでもよいし、突出部にＡｇめっきを行うだけでもよい。
【０１０６】
また、上記実施形態では、樹脂封止領域２０がマトリックス状に配置されたリードフレームに適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、図１８に示した変形例によるリードフレーム９０のように、樹脂封止領域２０がマトリックス状に配置されていないリードフレームに適用してもよい。
【０１０７】
また、上記第５および第６実施形態では、溝部をＶ字型に形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、溝部をＶ字型以外の形状に形成してもよい。
【０１０８】
また、本発明の半導体装置用リードフレームは、金型を用いて形成してもよいし、エッチングにより形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態によるリードフレームを用いた半導体装置を備えた液晶テレビジョン受像機の全体構成を示した分解斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるリードフレームを用いた半導体装置の構造を示した断面図である。
【図３】図２に示した第１実施形態によるリードフレームを用いた半導体装置の構造を示した平面図である。
【図４】図２に示した第１実施形態によるリードフレームの全体構造を示した平面図である。
【図５】図２に示した第１実施形態によるリードフレームの構造を示した平面図である。
【図６】図２に示した第１実施形態によるリードフレームの構造を示した平面図である。
【図７】図２に示した第１実施形態によるリードフレームの突出部の主部の構造を示した断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図９】本発明の第２実施形態によるリードフレームの構造を示した平面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態によるリードフレームの突出部の主部の構造を示した断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態によるリードフレームの構造を示した平面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態によるリードフレームの突出部の主部の構造を示した断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態によるリードフレームの構造を示した平面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態によるリードフレームの突出部の主部の構造を示した断面図である。
【図１５】本発明の第５実施形態によるリードフレームの構造を示した平面図である。
【図１６】本発明の第６実施形態によるリードフレームの構造を示した平面図である。
【図１７】本発明の第６実施形態によるリードフレームの突出部の主部の構造を示した断面図である。
【図１８】本発明の変形例によるリードフレームの全体構造を示した平面図である。
【図１９】従来の一例による半導体装置用リードフレームの構造を示した平面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１、４０、５０、６０、７０、８０、９０  リードフレーム（半導体装置用リードフレーム）
２  ＩＣチップ（半導体素子）
５  封止樹脂
５ａ  端面
１１、４１、５１、６１、７１、８１  リード端子
１３、４３、５３、６３、７３、８３  タイバー
１４、４４、５４、６４、７４、８４  突出部
１４ｂ、４４ｂ、５４ｂ、６４ｂ、７４ｂ、８４ｂ  接続部
１４ｃ  先端部
２０  樹脂封止領域
５４ｆ、６４ｆ  穴部
７４ｅ、８４ｅ  溝部
１００  液晶テレビジョン受像機（電子機器）
１１０  半導体装置
【図１】
2009004467.tif 000003
【図２】
2009004467.tif 000004
【図３】
2009004467.tif 000005
【図４】
2009004467.tif 000006
【図５】
2009004467.tif 000007
【図６】
2009004467.tif 000008
【図７】
2009004467.tif 000009
【図８】
2009004467.tif 000010
【図９】
2009004467.tif 000011
【図１０】
2009004467.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2009004467.tif 000016
【図１５】
2009004467.tif 000017
【図１６】
2009004467.tif 000018
【図１７】
2009004467.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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