(57)【要約】【課題】装置サイズの増大を抑制しつつ、基板の熱処理にかかる時間を短縮する技術を提供することを目的とする。【解決手段】加熱処理を終えた基板９０は、搬送ロボット５のアーム５１によって支持されつつ、払出部４に設けられた受入部４１へと搬送される。複数の搬送用ローラ４２は、ローラ駆動部４３によって回転駆動されるとともに、搬送用ローラ４２の内部には冷媒供給部４４から冷媒が供給される。これにより、基板９０は、搬送用ローラ４２によって所定方向に払い出されつつ、搬送用ローラ４２の内部を流れる冷媒によって冷却処理される。基板９０の払い出し処理と冷却処理とが時間的に並行して行われることにより、スループットが向上し、装置の床面積も削減される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を熱処理する基板処理装置であって、
基板を加熱処理する加熱手段と、
前記加熱手段によって加熱された後の基板を所定の場所に払い出す払出手段と、
前記払出手段と連携することにより、基板の払い出しと並行して基板を冷却する冷却手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記払出手段のうち前記基板に接触して前記基板を払い出し方向に搬送する搬送接触部が、前記冷却手段のうち前記基板に接触する冷却接触部として兼用されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記払出手段は、基板の払い出し方向に沿って配列され、内部に中空部が設けられる複数の基板搬送用回転体を含み、
前記冷却手段は、前記中空部を通る冷媒によって、前記複数の基板搬送用回転体に支持された基板を冷却する冷却構造を有し、
前記冷却接触部と兼用された前記搬送接触部は、前記基板搬送用回転体のうち基板との接触部であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記複数の基板搬送用回転体は、前記払い出し方向搬送方向に沿って配列された複数のローラであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の基板処理装置であって、
前記冷媒は、冷却ガスであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記冷却手段は、
ボルテックス効果を利用して前記冷却ガスを生成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記冷却手段は、
前記払出手段による基板の払い出しと並行して、当該基板に向けて冷却ガスを吐出する冷却ガス吐出手段、
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記加熱手段から前記払出手段へと基板を搬送する搬送手段、
をさらに備え、
前記払出手段は、
前記加熱手段によって加熱処理された基板を受け入れる領域に分散配置され、基板の裏面の複数箇所のそれぞれで点状に当接する単位支持体の集合によって前記基板を前記搬送手段から受け取って支持する基板受入手段、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記基板受入手段は、基板を昇降可能に支持することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の熱処理技術に関するもので、特に、加熱された後の基板の冷却に要する時間を短縮させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、磁気／光ディスク用のガラス／セラミック基板等の各被処理基板（以下、単に「基板」と称する。）の製造分野において、一般に、「タクトタイムの短縮」が至上命題とされている。
【０００３】
そして、例えばレジスト液等の塗布液を塗布後や現像処理後等において、基板の熱処理（ここでは、加熱処理および冷却処理をいい、一般的には「プリベーク」、「ポストべーク」等とも称される。）が行われるが、このような熱処理工程についても、時間短縮が求められている。
【０００４】
ここで、例えば特許文献１には、熱処理を実行する基板処理装置（以下、主として基板処理システムに組み込まれた状態を想定して「温調部」とも称する。）のレイアウトが開示されている。具体的には、加熱部、搬送部および冷却部を、所定の方向に沿って一列に配置するものである。この場合、処理部間の基板搬送を迅速に行えるため、タクトタイム短縮には有効であるが、基板処理システムに占める温調部の面積比率が大きくなってしまう。
【０００５】
一方、図１３は、従来の基板処理装置（温調部１００）のレイアウトの一例を示す図である。図１３に示す例では、温調部の面積比率を小さくするため、基板１９０を外部から搬入する搬入部１０１の上方に、加熱後の基板を冷却するための冷却部１０３が設けられている。そのため、冷却部１０３の占める面積分だけ基板処理システムの大きさを小さくすることができる。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２３８７７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記いずれのレイアウトを採用した場合であっても、加熱、冷却処理および搬送（加熱部への搬送、加熱部から冷却部への搬送、冷却部からの払い出し）のための時間が、個別に必要となっている。
【０００８】
すなわち、特許文献１のように各熱処理部を一列に配置することで、搬送時間を短縮することはできるが、加熱、冷却処理する時間が個別的に必要であるため、これ以上タクトタイムを短縮させることが困難であった。また、基板の搬送装置の数が多いために、コストがかかってしまうという問題や、基板処理装置の床面積が大きくなってしまう問題もある。
【０００９】
一方で、図１３に示した例では、１台の搬送ロボット１０５が、基板１９０を搬入部１０１、加熱部１０２、冷却部１０３および払出部１０４の各部に搬送させるため、搬送ロボット１０５の搬送動作に時間がかかってしまうという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、装置サイズの増大を抑制しつつ、基板の熱処理にかかる時間を短縮する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を熱処理する基板処理装置であって、基板を加熱処理する加熱手段と、前記加熱手段によって加熱された後の基板を所定の場所に払い出す払出手段と、前記払出手段と連携することにより、基板の払い出しと並行して基板を冷却する冷却手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記払出手段のうち前記基板に接触して前記基板を払い出し方向に搬送する搬送接触部が、前記冷却手段のうち前記基板に接触する冷却接触部として兼用されていることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置であって、前記払出手段は、基板の払い出し方向に沿って配列され、内部に中空部が設けられる複数の基板搬送用回転体を含み、前記冷却手段は、前記中空部を通る冷媒によって、前記複数の基板搬送用回転体に支持された基板を冷却する冷却構造を有し、前記冷却接触部と兼用された前記搬送接触部は、前記基板搬送用回転体のうち基板との接触部であることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の基板搬送用回転体は、前記払い出し方向搬送方向に沿って配列された複数のローラであることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５の発明は、請求項３または４の発明に係る基板処理装置であって、前記冷媒は、冷却ガスであることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る基板処理装置であって、前記冷却手段は、ボルテックス効果を利用して前記冷却ガスを生成することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項７の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記冷却手段は、前記払出手段による基板の払い出しと並行して、当該基板に向けて冷却ガスを吐出する冷却ガス吐出手段、を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項８の発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記加熱手段から前記払出手段へと基板を搬送する搬送手段、をさらに備え、前記払出手段は、前記加熱手段によって加熱処理された基板を受け入れる領域に分散配置され、基板の裏面の複数箇所のそれぞれで点状に当接する単位支持体の集合によって前記基板を前記搬送手段から受け入れて支持する基板受入手段、を有することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項９の発明は、請求項８の発明に係る基板処理装置であって、前記基板受入手段は、前記基板を昇降可能に支持することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１ないし９に記載の発明によれば、冷却処理を基板の払い出し動作と並行して行うことで、基板処理のタクトタイムを短縮させることができる。また、装置サイズを大きくすることなく、タクトタイムを短縮させることができる。
【００２１】
また、請求項２に記載の発明によれば、搬送接触部と冷却接触部との兼用によって、装置がシンプルになる。
【００２２】
また、請求項３に記載の発明によれば、基板搬送用回転体を冷却することによって、個々の基板搬送用回転体が基板の各部を冷却可能である。
【００２３】
また、請求項５に記載の発明によれば、冷媒漏れなどの問題が生じたときに、冷媒がガス（気体）であるため、液体を冷媒とした場合に比べ、障害を最小限に抑えることができる。
【００２４】
また、請求項６に記載の発明によれば、圧縮したガスを準備するだけで冷却ガスを生成することができるため、冷媒の生成に必要なコストを抑制できる。また、冷却機構の構造がシンプルにでき、メンテナンスも容易となる。
【００２５】
また、請求項８に記載の発明によれば、分散配置されて基板の裏面のうち限定された箇所のみに当接する基板受入手段を設けることによって、基板受入手段が当接する部分の急速な温度下降による、基板の処理不良を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００２７】
＜１．  第１の実施の形態＞
＜１．１．構成および機能＞
［基板処理システム１０の概略構成］
図１は、本発明に係る基板処理装置（温調部１，１４）を備えた基板処理システム１０の一例を示す平面図である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは各要素の位置関係や方向関係を相対的に表現するために便宜上定義するものであって、各要素の配置方向をシステム外部との関係で限定するものではない。以下の各図についても同様である。
【００２８】
基板処理システム１０は、基板９０を所定の温度に調節して基板の加熱と冷却を行う温調部１，１４の他に、主として、被処理基板９０が搬入される搬入部１１と、基板９０を洗浄して清浄化させる洗浄部１２と、およびレジスト液等の薬液を塗布することにより、基板９０の表面に薬液の薄膜を形成させる塗布部１３とを備える。
【００２９】
また、基板処理システム１０は、回路パターン等を形成させるために基板９０の表面を露光する露光部１５と、露光された基板９０を現像処理する現像部１６と、基板９０の表面に形成されたパターンを検査する検査部１７と、基板処理システム１０における処理が終了した基板９０を外部に搬出する搬出部１８とをさらに備える。
【００３０】
このような構成の基板処理システム１０は液晶表示装置の画面パネルを製造するための角型ガラス基板を被処理基板９０としている。なお、基板処理システム１０は、図示しない制御部を備えており、当該制御部と各構成（例えば、温調部１）との間でデータ通信が可能とされている。
【００３１】
［温調部１］
図２は、温調部１の内部構成の概要を示す平面図である。温調部１は、主として温調部１に基板９０を搬入する搬入部２と、基板９０を加熱処理する加熱部３と、基板９０を冷却するとともに、この温調部１の外部の所定場所（図示例では検査部１７：図１）へ被処理基板９０の払い出しを行う払出部４と、基板９０を各部２，３，４間で移動させる旋回可能な搬送ロボット５とで構成される。
【００３２】
［搬入部２］
搬入部２は、詳細を図示しないが、基板を（−Ｙ）方向へ搬送する搬送機構（例えばローラ搬送機構）を有しており、現像部１６にて現像処理が終了した基板９０を温調部１の内部に搬入する機能を有する。
【００３３】
［加熱部３］
図３は、加熱部３の内部構成の概要を示す断面図である。加熱部３は、正面に開閉可能なシャッター３１が設けられた加熱チャンバー３２を有しており、その内部には、ホットプレート３３が配置される。なお、加熱部３における当該加熱チャンバー３２およびホットプレート３３のセットは一組に限られるものではなく、例えば上下多段積層されて構成されていてもよい。加熱部３は、当該ホットプレート３３上に基板９０を保持して、基板９０を加熱処理する機能を有する。
【００３４】
なお、当該ホットプレートの上面には複数のリフトピン３４が設けられており、当該リフトピン３４を昇降させることによって、基板９０のホットプレート３３への載置、あるいはホットプレート３３からの突き上げを行う。
【００３５】
すなわち、基板９０をホットプレート３３へ載置する場合には、あらかじめリフトピン３４を上昇させておき、搬送ロボット５のアーム５１から基板９０を（アーム５１を下降させることで）受け取り、その後、当該リフトピン３４を下降させて基板９０をホットプレート３３の上面に載置する。一方、加熱処理を終えた後リフトピンを再度上昇させることによって基板９０を上方移動させて基板の下方に空間を形成し、その空間に差し入れた搬送ロボット５のアーム５１ですくい上げるようにして基板９０を受け取る。
【００３６】
払出部４は、加熱部３において加熱処理された基板９０を冷却処理しつつ、温調部１から基板９０を払い出す機能を有する。払出部４の詳細な構成等については後述する。
【００３７】
［搬送ロボット５］
図４は、搬送ロボット５を側方から見た図である。搬送ロボット５は、搬送ロボット５のアーム部は後述する図５に部分的に示されており、アーム５１およびアーム支持部５２を有する単位アーム構造を、上下所定の間隔をあけて２組（一対）配列した構成（上アーム部５３および下アーム部５４）となっている。また、搬送ロボット５は、上アーム部５３および下アーム部５４を鉛直方向に一体的に昇降させる昇降機構５５と、上アーム部５３および下アーム部５４を水平面内において旋回させる旋回機構５６とを備える。
【００３８】
すなわち、昇降機構が上アーム部５３の高さ位置を変更する場合には、同時に下アーム部５４の高さ位置も変更される。また、旋回機構５６が上アーム部５３の向きを変更する場合には、同時に下アーム部５４の向きも変更される。ただし、搬送ロボット５は、上アーム部５３および下アーム部５４の高さ位置または向きを独立して変更する機構をそれぞれ備えていてもよい。なお、搬送ロボット５は、アーム５１およびアーム支持部５２を有する単位アーム構造を上下に３組以上備えていてもよく、１組だけを備えていてもよい。
【００３９】
また、搬送ロボット５は、アーム５１を構成する複数のフィンガ（例えば図２中では４本）で基板９０を下方から支持するが、各フィンガのうち基板９０との接触面（アーム５１の上面）には、多数の微小突起（プロキシミティピン：図示せず）が分散して設けられている。これにより、基板９０とアーム５１（具体的には各フィンガ）とが、微小面で接触するように構成されている。
【００４０】
このプロキシミティピンを用いることによって、例えば高温に熱せられた基板９０の、アーム５１との接触部分と非接触部分との間で、温度変化（温度下降速度）に顕著な差が生じることを防止することができる。また、基板９０の破損を防止することもできる。
【００４１】
［払出部４］
図５は、温調部１が備える払出部４を示す平面図である。図５に示すように、払出部４は、主として受入部４１、搬送用ローラ４２、ローラ駆動部４３および冷媒供給部４４で構成される。以下に、払出部４の各構成についてそれぞれ説明する。
【００４２】
［受入部４１］
受入部４１は、主として上下ピン４１１および上下ピン昇降部４１２で構成される。長尺の上下ピン昇降部４１２は、図５に示すように、払出部４の（−Ｙ）側（すなわち、加熱部３に近い方であって、基板９０を搬送ロボット５から受け取る領域）に複数箇所に亘って配置され（例えば図５中、３箇所）、それぞれの上下ピン昇降部４１２は、各搬送用ローラ４２の間に配置される。上下ピン昇降部４１２は、上下ピン４１１を上下に昇降させる機能を有する。
【００４３】
上下ピン４１１は、上下ピン昇降部４１２一つあたりに所定の間隔をあけて複数本（例えば図５中、５本）が配列して設けられている。搬送ロボット５のアーム５１に支持された基板９０が、受入部４１の上方に搬送されてきた後、アーム５１が下降してきた際には、アーム５１のフィンガの各隙間に上下ピン４１１が相対的に進入する。さらに、アーム５１が下降することによって基板９０が上下ピン４１１の上端に受け渡される。
【００４４】
なお、上下ピン４１１の上端は、所定の加工（例えば、丸み付け加工）がなされており、基板９０を保持した際に、微小な面で基板９０と当接する（点状接触する）ように設計される。すなわち、受入部４１は、加熱部３によって加熱処理された基板９０を受け入れる領域に分散配置され、基板の裏面の複数箇所のそれぞれで点状に当接する単位支持体（上下ピン４１１）の集合によって基板９０を昇降可能に支持する。
【００４５】
仮に、加熱部３で加熱処理を終えた基板９０を搬送用ローラ４２に直接載置した場合には、基板９０のうち搬送用ローラと接触する部分が急速に冷却されため、基板９０上で温度のムラが発生する。しかし、本実施の形態における受入部４１では、上下ピン４１１の集合によって基板９０を支持することにより、基板９０とその上下ピン４１１との当接部分が小さくなるため、基板９０の各部分の温度変化（具体的には、温度の下降速度）を、基板９０全面に亘ってほぼ均一化でき、基板の処理不良を防止できる。
【００４６】
受入部４１は、上下ピン４１１で基板９０を受け取った後、上下ピン昇降部４１２を駆動することによって上下ピン４１１を下降させ、基板９０を下方移動させる。このとき、上下ピン４１１は、基板９０を予備的に冷却できるように、ある程度時間をかけて基板９０を搬送用ローラ４２上に載置する。
【００４７】
これにより、後述する搬送用ローラ４２によって基板９０の一部分が急激に冷却されることを防止することもできる。また、上下ピン４１１で支持している間、基板９０上における化学反応（レジストの硬化反応、水分蒸発等）を、基板９０全面に亘って均一に進行させることができ、基板９０の処理不良を防止できる。
【００４８】
［搬送用ローラ４２］
搬送用ローラ４２は、基板搬送用回転体の好ましい１態様であり、図５に示すように、Ｘ軸方向（基板９０の搬送方向と直交する方向）に長手方向を有し、搬送方向（または、払出方向）に沿って互いに平行配列となるように複数配列される。また、詳細を省略するが、搬送用ローラ４２はローラ駆動部４３と接続されており、Ｘ方向に伸びる所定の軸線を中心に回転可能に構成される。
【００４９】
すなわち、搬送用ローラ４２は、ローラ駆動部４３を駆動することにより、基板９０を下方から支持しつつ、払い出し方向（（＋Ｙ）方向）に搬送する。なお、本実施の形態で示す搬送用ローラ４２は、基板９０の裏面と横幅（搬送時の基板９０のＸ方向の幅）方向全幅に亘って当接するように設計される（図５参照）。これにより、支持した基板９０を横幅方向に亘って均一に冷却することができる。したがって、基板９０各部分の温度変化にムラが生じることを防止できる。
【００５０】
図６は、搬送用ローラ４２の断面を示す図である。搬送用ローラ４２の内部には、この搬送用ローラ４２の外周面（円筒面）と同心円状の断面を持つほぼ円筒状の中空部４２１が設けられており、また、搬送用ローラ４２の両端に相当する側方部のそれぞれには、回転機構（例えば、ベアリング）付きシール部材４２２が備えられている。この中空部４２１には、図５に示す冷媒供給部４４から供給管４４１を介して、冷媒が供給される。冷媒として典型的なものは冷却水であるが、冷却対象となる基板９０が加熱後の高温体であることから、常温の水であっても基板９０の冷媒として使用することができる。
【００５１】
すなわち、搬送用ローラ４２内で作用する冷媒の温度については、一般的には加熱した基板９０の温度よりも低ければ利用可能であるが、迅速な冷却のためには常温よりも低いことが望ましい。この実施形態のシステムで使用される温調部１の場合には、検査部１７に搬入されるまでに、基板９０が６０℃以下（好ましくは、４０℃以下）に冷却されればよく、冷媒の温度、搬送用ローラ４２の数および搬送用ローラ４２による基板９０の搬送距離等は、検査部１７に搬入される段階での基板９０の冷却目標温度に応じて決定される。
【００５２】
なお、中空部４２１からあふれた冷媒は、回収管４４２を介して冷媒供給部４４に回収される。すなわち、冷媒供給部４４から供給管４４１を通って搬送用ローラ４２に至り、回収管４４２を経て冷媒供給部４４に戻る経路から構成される冷却手段は、払出部４（一般には払出手段）と連携することにより、基板の払い出しと並行して基板を冷却処理する機能を有していることになる。そして、この実施の形態での搬送用ローラ４２では、払出手段のうち基板に接触して基板を払い出し方向に搬送する搬送接触部（搬送用ローラ４２の表面）が、冷却手段のうち基板に接触する冷却接触部として兼用されていることになる。これについては後述する第２および第３の実施の形態でも同様である。
【００５３】
＜１．２．動作説明＞
次に、温調部１の動作について、図２を参照しつつ説明する。
【００５４】
まず、搬入部２から基板９０が搬入されてくると、搬送ロボット５は、上下一対のアーム５１のうち上方のアーム５１で当該基板９０を受け取り、当該アーム５１を引き込む。そして、アーム５１が加熱部３の方向に向くように、アーム５１を所定の方向に旋回させる（例えば図２中、右回りに９０°旋回させる）。
【００５５】
次に、搬送ロボット５は、下方のアーム５１を押し出すとともに、加熱部３から既に加熱処理を終えた基板９０を受け取る。一方、搬送ロボット５は、上方のアーム５１を押し出すことによって、保持している未加熱処理の基板９０を加熱部３に載置する。
【００５６】
なお、実際には、下方のアーム５１が、複数のリフトピン３４によって上方の位置に持ち上げられた加熱処理済みの基板９０を受け取り、その後、上方のアーム５１が、加熱部３のホットプレート３３の上面から突出しているリフトピン３４の上端に未加熱処理の基板９０を受け渡す。
【００５７】
そして、搬送ロボット５は、各アーム５１が払出部４の方向に向くように、各アーム５１を所定の方向に旋回させる（例えば図２中、右回りに９０°旋回させる）。
【００５８】
［払出部４による払出動作］
次に、搬送ロボット５による、払出部４へ基板９０を受け渡した後、払出部４による払出動作について説明する。
【００５９】
図７は、搬送ロボット５による、払出部４への基板９０の受渡動作を説明するための図である。また、図８は、払出部４による基板９０の払出動作を説明するための図である。なお、図７および図８は、払出部４を、（−Ｘ）側から見た時の側面図を示す。
【００６０】
まず、搬送ロボット５は、図示しない伸縮機構を駆動することによって、アーム５１を（＋Ｙ）方向へ突出させ、その上に保持した基板９０を、受入部４１の上方の位置（図７中、実線で示す位置）に配置させる。なお、上下ピン４１１は、その上端が所定の高さ位置（基板受取位置）に配置されるように、あらかじめ上方へ突出している（図７参照）。
【００６１】
次に、搬送ロボット５は、昇降機構を駆動することによって、アーム５１を下降させて、上面に支持した基板９０を上下ピン４１１の上端へ受け渡す。さらに、アーム５１は下降し続け、所定の位置（上下ピン４１１の上端の高さ位置と搬送用ローラ４２の上端の高さ位置との間の高さ位置）に到達すると、搬送ロボット５は、伸縮機構を駆動することによって、アーム５１を（−Ｙ）方向へ引き込む（図８参照）。
【００６２】
上記動作と同時に（または遅れて）、温調部１は、上下ピン昇降部４１２を駆動させることにより、上下ピン４１１を所定の速度で下降させる。これにより、上下ピン４１１の上端で支持された基板９０が下降する。そして、上下ピン４１１の上端の高さ位置が搬送用ローラ４２の上端の高さ位置に到達すると、基板９０が上下ピン４１１の上端から、搬送用ローラ４２に受け渡される（図８参照）。このとき、搬送のタクトタイムを乱さない範囲で上下ピン昇降部４１２を意図的に動作させることによって、任意の時間の間、上下ピン４１１上で基板９０を予備的に冷却することもできる。
【００６３】
この受渡しの完了の直後に（すなわち待ち時間を経ることなく）、温調部１は、払出部４のローラ駆動部４３を駆動することにより、搬送用ローラ４２のそれぞれを回転させ、基板９０を（＋Ｙ）方向へ所定速度で搬送する。なお、温調部１は、あらかじめ冷媒供給部４４を駆動することにより、搬送用ローラ４２の中空部４２１内部に冷媒を循環させている。したがって、払出部４は、搬送用ローラ４２によって基板９０を搬送させつつ（払い出しつつ）、それと時間的に並行して基板の冷却処理をすることができる。基板９０が搬送用ローラ４２に受け渡された直後に払い出しのための搬送が開始されるため、基板９０のうち複数の搬送用ローラ４２が当接している部分のみが他部分よりも先行して冷却されてしまうことを抑制できる。
【００６４】
検査部１７では、所定の撮像位置に到達した基板９０の表面を、ＣＣＤ等の撮像部によって撮像し、取得される画像データに基づいて画像解析することによって、基板９０上における配線パターンの形成やレジスト液等の塗布ムラ等を検査する。そのため、基板９０が検査部１７にて検査されるまでに（すなわち、基板が所定の撮像位置に到達する前）、所定の温度以下にまで冷却されていなければ、正確な画像データを取得できない虞れがある。そこで、温調部１は、搬送用ローラ４２による基板９０の搬送速度や、中空部４２１を循環させる冷媒の温度等を制御することによって、基板９０が検査部１７に搬送される前に、基板９０を所定の温度（例えば６０℃以下、より好ましくは４０℃以下）まで冷却処理する。
【００６５】
払出部４に基板９０を受け渡した搬送ロボット５は、再びアーム５１を搬入部２に向けて未加熱処理の基板９０を受け取る。以降は、上記に説明した動作を繰り返して行う。以上が、第１の実施の形態に係る温調部１の動作説明である。
【００６６】
＜１．３．効果＞
温調部１では、払出部４によって基板９０を払い出しつつ冷却処理することができる。また、従来のような冷却用のユニットを別個に設ける必要がないため、基板処理装置のサイズの縮小化を図れるとともに、搬送にかかる時間を削減できるため、基板処理のタクトタイムを短縮できる。
【００６７】
特に、ローラによる基板搬送においては、冷却された各ローラの上をほぼ平等に基板９０の裏面の全体が通過してゆくため、基板の一部のみを冷却体に接触させつつ搬送する場合と比較して、基板の各部の冷却の均一性が高くなる。
【００６８】
また、受入部４１では、上下ピン４１１上端の微小な面での接触（点状接触）によって、高温の基板９０を支持する。したがって、基板９０の各部分の温度変化を均一化することができる。
【００６９】
＜２．  第２の実施の形態＞
＜２．１．構成および機能＞
第１の実施の形態では、受入部４１が主として上下ピン４１１と上下ピン昇降部４１２とで構成され、上下ピン４１１によって加熱処理を終えた基板９０を払出部４に受け入れる、と説明した。しかし、基板９０の受入機構は、これに限定されるものではない。
【００７０】
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る払出部４ａの平面図である。なお、第１の実施の形態と同様の構成については、適宜同符号を付し、説明を省略する。以下の各実施の形態においても同様とする。
【００７１】
図９に示すように、払出部４ａには、受入部４１ａが（−Ｙ）側に備えられる。受入部４１ａは、主として、Ｘ軸方向に長手方向を有し、かつ、Ｙ軸方向に沿って互いに平行配列された複数の受入用ローラ４１３で構成される。また、受入用ローラ４１３には、薄状（例えば、厚みが１ｍｍ以下）であってかつ、円盤形状の支持部材４１４が、受入用ローラ４１３の回転軸に沿って所定の間隔をあけて複数箇所設けられる（例えば図９中、５箇所）。
【００７２】
すなわち、本実施の形態における受入部４１ａは、加熱部３によって加熱処理された基板９０を受け入れる領域に分散配置され、基板の裏面の複数箇所のそれぞれで点状（線状も含む）に当接する単位支持体（支持部材４１４）の集合によって基板９０を支持する。
【００７３】
仮に、加熱処理を終えた基板９０を搬送用ローラ４２に直接載置した場合には、基板９０の搬送用ローラと接触する部分が、急速に冷却されため、基板９０上で温度のムラが発生してしまう。しかし、本実施の形態における受入部４１ａでは、受入用ローラ４１３が有する薄板状の支持部材４１４の上端で基板９０を受け入れるため、支持部材４１４が基板に接触して支持する受入接触部（支持部材４１４の上端）の面積が、搬送用ローラ４２が基板に接触して搬送する搬送接触部の面積よりも小さい。したがって、面積が小さい分、温度ムラの発生を抑制することが可能である。
【００７４】
払出部４ａによる基板９０の搬送（払出）方向は、（＋Ｙ）方向であるが、下流側には、第１の実施の形態と同様の搬送用ローラ４２が互いに平行となるよう、搬送方向に沿って複数配列されている。なお、支持部材４１４上端の高さ位置と搬送用ローラ４２上端の高さ位置（以下、「搬送高さ位置」とも称する。）はほぼ一致しており、いわゆる「基板搬送パス」を形成する。さらに、ローラ駆動機構が、搬送用ローラ４２および受入用ローラ４１３に接続されており、払出部４ａは、基板９０を水平に連続搬送することができる。
【００７５】
＜２．２．動作説明＞
次に、払出部４ａによる基板９０の払出動作について説明する。
【００７６】
図１０は、払出部４ａによる基板９０の払出動作を説明するための図である。なお、図８は、払出部４ａを（−Ｘ）側から見たときの図を示している。
【００７７】
まず、加熱部３での加熱処理が終了すると、搬送ロボット５は、第１の実施の形態と同様に、基板９０を受入部４１ａの上方へ移動させる。そして、搬送ロボット５は、アーム５１を下方へ移動させることによって、基板９０を支持部材４１４の上端に載置する（図１０中、二点鎖線で示す）。このとき、基板９０は、支持部材４１４上端の微小な面での接触（点状接触）により支持される。
【００７８】
なお、図９に示すように、受入部４１ａに基板９０を搬入する際、搬送ロボット５の各アーム５１の配置位置が各支持部材４１４の間にそれぞれ配置されるように、アーム５１の位置や、支持部材４１４の配置位置等が設定されている。もちろん、アーム支持部５２におけるアーム５１の取り付け位置を、支持部材４１４の位置に合わせて設計してもよい。これにより、アーム５１を支持部材４１４と干渉することなく受入部４１の受入高さ位置（支持部材４１４の上端の高さ位置）よりも下方に移動させることが可能となる。
【００７９】
搬送ロボット５は、基板９０を支持部材４１４上端に載置させた後、アーム５１を所定の位置（少なくとも受入用ローラ４１３上端の高さ位置よりも下方の位置）にまで下降させる。この動作とともに（または遅れて）、払出部４ａは、受入用ローラ４１３を回転させて、基板９０をＹ方向へ搬送させる。
【００８０】
さらに、基板９０の搬送方向の上流側の端部が搬送用ローラ４２にまで搬送されると、搬送用ローラ４２の中空部４２１を循環する冷媒と、搬送用ローラ４２の回転とによって、基板９０の冷却と搬出（払い出し）とが並行して実行されることとなる。以上が、第２の実施の形態にかかる払出部４ａによる基板９０の払出動作の説明である。
【００８１】
＜２．３．効果＞
本実施の形態においても、第１の実施の形態の場合と同様に、払出機構と連携することにより、基板の払い出しと並行して基板を冷却する冷却機構が設けられることから、加熱処理した後の基板９０を搬送用ローラ４２で搬送しつつ、基板の冷却を行うことが可能である。このため、冷却用のユニットを別個に設ける必要がなく、基板処理装置サイズの縮小化を図れるとともに、基板処理のタクトタイムを短縮できる。
【００８２】
また、加熱処理した後の基板９０を搬送用ローラ４２に支持させる前に、受入部４１ａによって基板９０を受け容れることで、高温の基板９０の一部分だけが急激に冷却されることを防止することができる。
【００８３】
また、受入部４１ａは、第１の実施の形態における受入部４１に比べて構造を単純化できるため、払出部４の製造コストや、メンテナンスコストの面でも有効である。
【００８４】
＜３．  第３の実施の形態＞
上記実施の形態では、冷媒供給部４４が搬送用ローラ４２の中空部４２１に冷媒として、液体（冷却水等）を循環させることで、基板９０を冷却処理する。しかし、冷媒はこれに限られるものではなく、例えば冷却ガス（常温のガスも含む）であってもよい。
【００８５】
図１１は、本発明の第３の実施の形態に係る冷媒供給部４４ａを示す概略図である。冷媒供給部４４ａは、主として供給管４４１ａ、圧縮空気供給部４４３、チューブ４４４、熱風排出部４４５および冷風排出部４４６で構成される。
【００８６】
冷媒供給部４４ａでは、圧縮空気供給部４４３からチューブ４４４の内部に圧縮空気が供給されると、いわゆるボルテックス効果により、熱風と冷風とに分離することができる。ここで、熱風排出部４４５からは熱ガスが、冷風排出部４４６からは冷却ガスがそれぞれ供給される。
【００８７】
なお、ボルテックス効果とは、圧縮された気体を所定の経路に導入すると、螺旋状に刻まれた溝によって当該経路内で旋回気流が発生し、遠心力によってエネルギーが奪われた気体（冷却ガス）が所定の経路の中央部に生成される。冷媒供給部４４ａでは、この発生する冷却ガスを、気圧差を利用することで取り出している。
【００８８】
供給管４４１ａは、上記実施の形態における供給管４４１と同様に、搬送用ローラ４２の中空部４２１と連通しており、冷風供給部４４６から供給された冷却ガス（冷却ガス）を搬送用ローラ４２内部に供給する機能を有する。
【００８９】
このような冷媒供給部４４ａによっても、搬送用ローラ４２によって高温の基板９０を冷却処理すると同時に、搬出（払い出し）することもできる。また、本実施の形態では、冷媒として液体ではなく気体を使用するため、仮に供給管４４１ａ等で破損が生じた場合であっても、液体を使用した場合に比べて、障害を最小限に抑えることができる。
【００９０】
また、ボルテックス効果を利用して冷却ガスを生成するため、冷媒供給部４４ａの構造を単純化することが可能であり、メンテナンスが容易となる。さらに、冷媒供給部４４ａでは、圧縮した気体を供給するだけで、冷媒を取得できるため、稼働コストを抑えられるだけでなく、環境面でも有利である。
【００９１】
＜４．  第４の実施の形態＞
上記実施の形態では、冷媒供給部４４，４４ａによって搬送用ローラ４２の中空部４２１に冷媒を循環させることによって高温の基板９０を冷却処理する。しかし、冷却機構はこれに限られるものではなく、別の方法によっても実現が可能である。
【００９２】
図１２は、本発明の第４の実施の形態に係る払出部４ｂの側面図である。払出部４ｂは、第１の実施の形態における払出部４の上方に、基板９０と冷却ガス吐出部４５を追加したものである。なお、図１２においては、受入部４１（上下ピン４１１および上下ピン昇降部４１２）の図示を省略している。
【００９３】
払出部４ｂでは、搬送される基板９０（の上面）に対して、内部にファンを備える冷却ガス吐出部４５から冷却ガス（常温のガスを含む）が、払い出されつつある基板９０に向けて吐出される（図１２中、矢印で示す）。すなわち、基板９０は、外部へ払い出されながら、搬送用ローラ４２の中空部４２１内を循環する冷却水と、冷却ガス吐出部４５から吐出される冷却ガスとで、冷却される。
【００９４】
また、冷却ガス吐出部４５のガス吐出口にＨＥＰＡフィルタを取り付けることが望ましい。これにより、基板９０の表面にパーティクルが付着する等の汚染を防止することができる。
【００９５】
この第４の実施の形態では、払出部４ｂが基板の搬送動作を行っている際に、冷却手段の要部としての冷却ガス吐出部４５は、基板９０の全面を冷却する。したがって、この第４の実施の形態の冷却機構もまた、払出機構と連携することによって、基板の払い出しと並行して基板を有効に冷却していることになる。
【００９６】
＜５．  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００９７】
例えば、上記実施の形態では、温調部１の構成について詳細に説明したが、これらの構成は、温調部１４（図１）についても同様に適用することが可能である。
【００９８】
また、上記の実施の形態では、基板９０の各部分の温度変化を均一化するため、払出部４，４ａにそれぞれ受入部４１，４１ａを設けると説明した。しかし、必ずしも基板９０の温度変化を均一にする必要がない場合（例えば、基板９０の洗浄処理後の熱処理等の場合）には、上記のような構成の受入部４１，４１ａを設けなくてもよい。
【００９９】
また、第３の実施の形態では、冷媒供給部４４ａがボルテックス効果を利用して冷却ガスを生成すると説明したが、これに限られるものではなく、断熱膨張や液冷などその他の方法で冷却ガスの生成機構が実現されていてもよい。工場の空調設備の一部を利用して冷却温度を取得してもよい。
【０１００】
また、払出部４，４ａ，４ｂにおける、受入部４１，４１ａ、冷媒供給部４４，４４ａや、冷却ガス吐出部４５等の組み合わせは、適宜に選択することができる。すなわち、例えば払出部４ａ（受入部４１ａを備える、図９参照）に冷媒供給部４４ａ（冷媒が冷却ガス）を適用し、さらに冷却ガス吐出部４５を設けることも有効である。
【０１０１】
また、第４の実施の形態では、冷却機能を有する搬送用ローラ４２で冷却処理しつつ、冷却ガス吐出部４５によっても基板９０を冷却処理すると説明したが、払出部４ｂの冷却機構はこれに限られるものではない。例えば、搬送用ローラ４２を、冷却機能を有さない通常のローラ（例えば、受入用ローラ等）、あるいは、中空部４２１を有さない搬送用ローラ等に置換し、基板の払い出しと並行して基板の冷却を行う冷却ガス吐出部４５のみによって冷却機構が実現されていてもよい。
【０１０２】
また、第４の実施の形態では、冷却ガス吐出部４５がファンを備えており、基板９０に向けて冷却ガスを吐出すると説明したが、冷却ガス吐出部４５は、ボルテックス効果により冷却ガスを生成し、当該冷却ガスを冷却ガスとして基板９０に向けて吐出する構成としてもよい。
【０１０３】
さらに、基板の払出部において基板搬送機能と冷却機能とを有する機構としては、中空のローラに限らず、冷却された複数の回転体一般が利用できる。たとえば回転駆動される複数の円盤体（輪状体）を２次元的に分散配置して基板の搬送機構としてある場合に、冷却機構によってそれぞれの円盤体を冷却してもよい。この場合の冷却はペルチェ素子などを使用することもできる。
【０１０４】
さらに、基板のベルト搬送機構において、基板を搬送する無端ベルトを冷却することもこの発明の範囲に含まれる。
【０１０５】
基板払出用の複数のローラ中に冷媒を流す構成においては、図５のような一方向への並列的な供給のほか、ローラを順次に往復しつつ冷媒を流す蛇行的直列供給であってもよい。また、並列的な冷媒経路であっても、（＋Ｘ）方向へと冷媒を流すローラと（−Ｘ）方向へと冷媒を流すローラとを交互配置して冷却の均一性をさらに向上させるなどの変形も可能である。
【０１０６】
また、払出部４等の搬送機構は、基板９０に向けてエアを噴出等させることで、基板９０を所定の高さ位置に支持するとともに搬送することで実現されてもよい。この場合には、例えば噴出させるエアの温度を調整することで基板９０を冷却することも可能であり有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置（温調部）を備えた基板処理システムの一例を示す平面図である。
【図２】温調部を示す平面図である。
【図３】加熱部の内部構成の概要を示す断面図である。
【図４】搬送ロボットを側方から見た図である。
【図５】温調部が備える払出部を示す平面図である。
【図６】搬送用ローラの断面を示す図である。
【図７】搬送ロボットによる、払出部への基板の受渡動作を説明するための図である。
【図８】払出部による基板の払出動作を説明するための図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る払出部の平面図である。
【図１０】払出部による基板の払い出し動作を説明するための図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る冷媒供給部を示す概略図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態に係る払出部の側面図である。
【図１３】従来の基板処理装置（温調部）のレイアウトの例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１，１４  温調部
１０  基板処理システム
１７  検査部
２  搬入部
３  加熱部
４，４ａ，４ｂ  払出部
４１，４１ａ  受入部
４１１  上下ピン
４１２  上下ピン昇降部
４１３  受入用ローラ
４１４  支持部材
４２  搬送用ローラ
４２１  中空部
４４，４４ａ  冷媒供給部
４４６  冷風排出部
４５  冷却ガス吐出部
５  搬送ロボット
９０  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009158792.tif 000008
【図７】
2009158792.tif 000009
【図８】
2009158792.tif 000010
【図９】
2009158792.tif 000011
【図１０】
2009158792.tif 000012
【図１１】
2009158792.tif 000013
【図１２】
2009158792.tif 000014
【図１３】
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