(57)【要約】      （修正有）【課題】導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造することができ、作製が容易である表面黒化銅金属の製造法、導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材を提供する。【解決手段】導電性基材２の表面に形成された絶縁層３に開口方向に向かって幅広に形成された凹部４に第１電流密度の下に銅金属を析出させて銅金属層を形成し、第１の電流密度よりも大きい第２の電流密度の下に銅表面に黒色乃至茶褐色になるように銅金属を析出させる工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき用導電性基材を用いて、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層を製造する方法において、めっき用導電性基材が、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広であってめっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材であり、そのめっき用導電性基材の凹部に第１電流密度の下に銅金属を析出させて銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、第１の電流密度よりも大きい第２の電流密度の下に上記銅金属層の表面に、その表面が黒色乃至茶褐色になるように銅金属を析出させる黒化処理工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項２】
導電層形成工程を第１の電流密度を含む第１の電着領域において行い、黒化処理工程を第２の電流密度を含む第２の電着領域において行う請求項１記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項３】
黒化処理工程において、明度２５の黒色を背景にして、開口率が５０％の光透過部の明度が２５〜５０、又は色度ａ＊及びｂ＊が共に５以下になるように銅金属を析出させる請求項１又は２記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項４】
黒化処理工程において、明度２５の黒色を背景にして、開口率が４０％以上光透過部の色度ａ＊及びｂ＊が共に２．８以下になるように金属を析出させる請求項１又は２記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項５】
黒化処理工程において、開口率が４０％未満であって、明度２５の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度ａ＊及びｂ＊が共に５以下になるように金属を析出させる請求項１又は２記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項６】
硫酸銅めっき浴が添加剤として界面活性剤を含む硫酸銅めっき浴である請求項１〜５のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項７】
第１の電流密度が０．５〜４０Ａ／ｄｍ２である請求項１〜６のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項８】
めっき用導電性基材において、めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている請求項１〜７のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項９】
めっき用導電性基材において、絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなる請求項１〜８のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１０】
めっき用導電性基材において、絶縁層が、ＤＬＣ、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２である請求項９に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１１】
めっき用導電性基材において、絶縁層が、硬度が１０〜４０ＧＰａのＤＬＣからなる請求項１０に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１２】
めっき用導電性基材において、導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１３】
めっき用導電性基材において、凹部の最小幅が１〜４０μｍ、凹部の最大幅が２〜６０μｍ及び凹部の間隔が５０〜１０００μｍである請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１４】
めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して１０度以上９０度未満である請求項１〜１３のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１５】
めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して１０度以上８０度以下である請求項１〜１４のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１６】
めっき用導電性基材において、絶縁層の厚さが、０．５〜２０μｍである請求項１〜１５のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１７】
めっき用導電性基材において、導電性基材の表面が、鋼又はＴｉからなる請求項１〜１６のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１８】
めっき用導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である請求項１〜１７のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項１９】
導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をめっき液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う請求項１〜１７のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属の製造方法。
【請求項２０】
銅金属層形成工程において、銅金属の厚さが０．１〜２０μｍになるように銅金属を析出させる請求項１〜１９のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とが、互いに離れて前記めっき液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項２２】
前記第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とが兼用されており、前記第１の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第２の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法を行った後、表面が黒化処理された銅金属層をめっき用導電性基材から剥離することを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属の製造方法。
【請求項２４】
導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材のめっき形成部に電気めっきにより銅金属を析出させる金属パターン作製工程及びめっき用導電性基材上に析出した銅金属を接着性支持体に転写する転写工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法であって、
金属パターン作製工程が第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、前記第１の電流密度よりも大きい第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面に、その表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２５】
導電層形成工程を第１の電流密度を含む第２の電着領域において行い、黒化処理工程を第２の電流密度を含む第２の電着領域において行う請求項２４記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２６】
黒化処理工程において、明度２５の黒色を背景にして、開口率が５０％の光透過部の明度が２５〜５０、又はａ＊及びｂ＊が共に５以下になるように銅金属を析出させる請求項２４又は２５記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２７】
黒化処理工程において、明度２５の黒色を背景にして、開口率が４０％以上光透過部の色度ａ＊及びｂ＊が共に２．８以下になるように金属を析出させる請求項２４又は２５記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２８】
黒化処理工程において、開口率が４０％未満であって、明度２５の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度ａ＊及びｂ＊が共に５以下になるように金属を析出させる請求項２４又は２５記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２９】
硫酸銅めっき浴が添加剤として界面活性剤を含むめっき浴である請求項２４〜２８のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３０】
第１の電流密度が０．５〜４０Ａ／ｄｍ２である請求項２４〜２９のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３１】
めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている請求項２４〜３０のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３２】
絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなる請求項２４〜３１のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３３】
絶縁層が、ＤＬＣ、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２である請求項３２に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３４】
絶縁層が、硬度が１０〜４０ＧＰａのＤＬＣからなる請求項３３に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３５】
導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている請求項２４〜３４のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３６】
凹部の最小幅が１〜４０μｍ、凹部の最大幅が２〜６０μｍ及び凹部の間隔が５０〜１０００μｍである請求項２４〜３５のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３７】
凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して１０度以上９０度未満である請求項２４〜３６のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３８】
凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して３０度以上８０度以下である請求項３７記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３９】
絶縁層の厚さが、０．５〜２０μｍである請求項２４〜３８のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項４０】
導電性基材の表面が、鋼又はＴｉからなる請求項２４〜３９のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項４１】
導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である請求項２４〜４０のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項４２】
導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をめっき液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う請求項２４〜４１のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項４３】
導電層形成工程において、導電性基材の凸部の上面において金属の厚さが０．１〜２０μｍになるように金属を析出させる請求項２４〜４２のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項４４】
請求項２４〜請求項４３のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とが、互いに離れて前記メッキ液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項４５】
請求項２４〜請求項４３のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とが兼用されており、前記第１の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第２の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項４６】
請求項２４〜４５のいずれか１項に記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
【請求項４７】
請求項４６記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
【請求項４８】
請求項４６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性に優れかつ光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅箔は、一般に、不溶性のカソード体と、同じく不溶性のアノード体との間に、これら金属のイオンを含む所定の電解液を供給しながら電解反応を行うことにより目的とする金属をカソード体の表面に所望の厚みだけ電析させて金属導体層を箔として形成し、ついで形成されたその金属導体層をカソード体の表面から剥離することによって製造されている。この場合カソード体としては、ドラム形状のものまたは板状のものが用いられている。
このようにして得られた銅箔は、表面の光沢を消し、また、樹脂への接着性を改良する目的で、その表面を黒化処理されることが知られている。
【０００３】
銅箔としては、銅張積層板の材料となる銅箔のようなべた状の銅箔以外に、電磁波のシールドに用いられるメッシュ状の銅箔などのパターン化された銅箔などがある。
【０００４】
公共施設、ホール、病院、学校、企業ビル、住宅等の壁面、ガラス窓、樹脂パネル、電磁波を発生するディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する方法は、従来種々提案されている。例えば、被遮蔽面上に電磁波遮蔽塗料を全面塗布する方法、被遮蔽面上に金属箔を貼り合わせる方法、金属めっきされた繊維メッシュを樹脂板に熱ラミネートしてなる電磁波遮蔽シートを、被遮蔽面に貼り合わせる方法、導電性繊維をメッシュ状に編んだものを被遮蔽面に貼り合わせる方法等が一般的に行われている。
【０００５】
これらのうち、透明ガラス面、透明樹脂パネル面、陰極線管（ＣＲＴ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などのディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する場合においては、電磁波遮蔽用部材がなるべく薄いことが要求されるとともに、光透過性（透明性）と、これに相反する電磁波遮蔽性とをバランスよく両立させることができるものとして、金属メッシュを電磁波シールド層として有する電磁波遮蔽用部材が主流になっている。
電磁波遮蔽用部材として用いられる金属メッシュは、表示面の視認性を向上させる目的で光沢のない暗色が望まれており、そのため黒化処理を必要とされている。
特許文献１には、同一の電解液を使用しつつ二つもしくはそれ以上のアノードを一つのドラム状カソードに対して配置し、めっき浴中にドラム状カソードを半分程度浸漬し、それを回転させつつ第１の電流密度により銅箔を製箔した後、引き続き、第２の電流密度を印加してその表面に微粒子上の銅を析出させることにより、ベタ銅箔のやけめっきを製造する方法が開示されている。しかし、透明性の電磁波シード部材のための導電体からなる幾何学図形について開示されない。
【０００６】
特許文献２にはメッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、接着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法が記載されている。前記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンと逆のパターンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。この電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能であるが、数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レベルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用でめっき用導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうためである。
【０００７】
前記特許文献２記載の転写法を利用した電磁波遮蔽板を製造する方法において、金属電着を行う工程と黒化処理する工程は別工程である。金属電着を行う工程で使用する溶液と黒化処理する工程で使用する溶液は通常お互いにめっき槽内で混ざり合うことが許されず、同一めっき槽内で行うことができない。そのために十分な水洗、さらには黒化処理の前処理工程が必要となる場合があり、製造に要する時間及びコスト、環境負荷は小さくない。
【０００８】
【特許文献１】特表２００２−５０６４８４号公報
【特許文献２】特開平１１−１１９６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層又はパターン化銅金属を効率よく生産する方法に関する。
本発明は、また、めっき用導電性基材上にパターン化銅金属層を電着析出させる工程と析出させた銅金属層の表面を効率的に黒化処理する工程を行い、黒化処理された導体層パターン付き基材を生産性良く製造する方法を提供することを目的とする。
本発明は、これらの方法において、さらに、電着基板（めっき用導電性基材）が繰返しの使用に耐え、量産性に優れた方法を提供するものである。
本発明は、上記の導体層パターン付き基材の製造法において、さらに、電着析出した金属の転写がより円滑に行われる導体層パターン付き基材の製造方法を提供するものである。
本発明は、また、このような方法により得られる電磁波シールド性及び光透過性が優れる導体層パターン付き基材及びこれを用いた電磁波遮蔽部材を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は次のものに関する。
１．  めっき用導電性基材を用いて、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層を製造する方法において、めっき用導電性基材が、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広であってめっきを形成するための凹部のパターンが形成されている導電性基材であり、そのめっき用導電性基材の凹部に第１電流密度の下に銅金属を析出させて銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、第１の電流密度よりも大きい第２の電流密度の下に上記銅金属層の表面に、その表面が黒色乃至茶褐色になるように銅金属を析出させる黒化処理工程を一つの硫酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
２．  導電層形成工程を第１の電流密度を含む第１の電着領域において行い、黒化処理工程を第２の電流密度を含む第２の電着領域において行う項１記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
３．  黒化処理工程において、明度２５の黒色を背景にして、開口率が５０％の光透過部の明度が２５〜５０、又は色度ａ＊及びｂ＊が共に５以下になるように銅金属を析出させる項１又は２記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
４．  黒化処理工程において、明度２５の黒色を背景にして、開口率が４０％以上光透過部の色度ａ＊及びｂ＊が共に２．８以下になるように金属を析出させる項１又は２記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
５．  黒化処理工程において、開口率が４０％未満であって、明度２５の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度ａ＊及びｂ＊が共に５以下になるように金属を析出させる項１又は２記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
６．  硫酸銅めっき浴が添加剤として界面活性剤を含むめっき浴である項１〜５のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
７．  第１の電流密度が０．５〜４０Ａ／ｄｍ２である項１〜６のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
８．  めっき用導電性基材において、めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている項１〜７のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
９．  めっき用導電性基材において、絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなる項１〜８のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１０．  めっき用導電性基材において、絶縁層が、ＤＬＣ、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２である項９に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１１．  めっき用導電性基材において、絶縁層が、硬度が１０〜４０ＧＰａのＤＬＣからなる項１０に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１２．  めっき用導電性基材において、導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている項１〜１１のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１３．  めっき用導電性基材において、凹部の最小幅が１〜４０μｍ、凹部の最大幅が２〜６０μｍ及び凹部の間隔が５０〜１０００μｍである項１〜１２のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１４．  めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して１０度以上９０度未満である項１〜１３のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１５．  めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して１０度以上８０度以下である項１〜１４のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１６．  めっき用導電性基材において、絶縁層の厚さが、０．５〜２０μｍである項１〜１５のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１７．  めっき用導電性基材において、導電性基材の表面が、鋼又はＴｉからなる項１〜１６のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１８．  めっき用導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である項１〜１７のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
１９．  導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をメッキ液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う項１〜１７のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属の製造方法。
２０．  銅金属層形成工程において、銅金属の厚さが０．１〜２０μｍになるように銅金属を析出させる項１〜１９のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
２１．  前記第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とが、互いに離れて前記めっき液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする項１〜２０のいずれか１項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
２２．  前記第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とが兼用されており、前記第１の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第２の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする項１〜１９のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
２３．  項１〜２２のいずれかに記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法を行った後、表面が黒化処理された銅金属層をめっき用導電性基材から剥離することを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属の製造方法。
２４．  導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材のめっき形成部に電気めっきにより銅金属を析出させる金属パターン作製工程及び導電性基材上に析出した銅金属を接着性支持体に転写する転写工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法において、
金属パターン作製工程が第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、前記第１の電流密度よりも大きい第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面に、その表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
２５．  導電層形成工程を第１の電流密度を含む第２の電着領域において行い、黒化処理工程を第２の電流密度を含む第２の電着領域において行う項２４記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２６．  黒化処理工程において、明度２５の黒色を背景にして、開口率が５０％の光透過部の明度が２５〜５０、又はａ＊及びｂ＊が共に５以下になるように銅金属を析出させる項２４又は２５記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２７．  黒化処理工程において、明度２５の黒色を背景にして、開口率が４０％以上光透過部の色度ａ＊及びｂ＊が共に２．８以下になるように金属を析出させる項２４又は２５記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２８．  黒化処理工程において、開口率が４０％未満であって、明度２５の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度ａ＊及びｂ＊が共に５以下になるように金属を析出させる項２４又は２５記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２９．  硫酸銅めっき浴が添加剤として界面活性剤を含むめっき浴である項２４〜２８のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３０．  第１の電流密度が０．５〜４０Ａ／ｄｍ２である項２４〜２９のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３１．  めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている項２４〜３０のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３２．  絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなる項２４〜３１のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３３．  絶縁層が、ＤＬＣ、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２である項３２に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３４．  絶縁層が、硬度が１０〜４０ＧＰａのＤＬＣからなる項３３に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３５．  導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか１以上を含む中間層を介在させている項２４〜３４のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３６．  凹部の最小幅が１〜４０μｍ、凹部の最大幅が２〜６０μｍ及び凹部の間隔が５０〜１０００μｍである項２４〜３５のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３７．  凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して１０度以上９０度未満である項２４〜３６のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３８．  凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して１０度以上８０度以下である項３７記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
３９．  絶縁層の厚さが、０．５〜２０μｍである項２４〜３８のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
４０．  導電性基材の表面が、鋼又はＴｉからなる項２４〜３９のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
４１．  導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である項２４〜４０のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
４２．  導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をめっき液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う項２４〜４１のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
４３．  導電層形成工程において、導電性基材の凸部の上面において金属の厚さが０．１〜２０μｍになるように金属を析出させる項２４〜４２のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
４４．  項２４〜項４３のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とが、互いに離れて前記めっき液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
４５．  項２４〜項４３のいずれか１項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第１の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第２の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
４６．  項２４〜４５のいずれか１項に記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
４７．  項４６記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
４８．  項４６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、パターン化された銅金属層の作製とその表面の黒化処理を一つのめっき浴中で行うことが出来るので、パターン化され、表面が黒化処理された銅金属層又は銅金属を生産性良く作製することができる。これにより、また、導体層パターン付き基材を生産性よく作製することができる。
【００１２】
本発明におけるめっき用導電性基材のめっき形成部である凹部が開口方向に向かって幅広となっているため、析出させた銅金属の剥離が容易である。また、そのめっき用導電性基材表面の絶縁層がＤＬＣ又は無機材料、特にＤＬＣであるときは、特に、耐久性に優れる。したがって、表面が黒化処理された銅金属層又は銅金属、並びに導体層パターン付き基材の生産効率が優れる。
【００１３】
導電性基材として金属製の回転体、または金属製の回転体に導電性基材を電気的に結合することにより、連続して、パターン化され表面が黒化処理された銅金属層の作製、また、その金属層の接着性支持体への転写を行うことができるため、さらに表面が黒化処理された銅金属層又は銅金属、並びに導体層パターン付き基材の生産効率がよくなる。
【００１４】
また、本発明において、めっき形成部が凹部であることから、一連の工程で細線部、幅広部を問わず均一に粉落ちのない黒化処理を施すことができる。これにより、導体層形成工程と黒化処理工程を含む金属パターン作製工程を短縮することが可能となる。第２の電着領域において黒色乃至茶褐色金属の析出条件を好適に制御することにより黒色乃至茶褐色金属を粒状あるいは瘤状に析出させることにより粉落ちのない良好な黒化処理を施すことができる。
【００１５】
前記の導電層パターンを利用して得られる電磁波遮蔽体は、光透過性に優れている。このためディスプレイの電磁波遮蔽体として使用した場合、その輝度を高めることなく通常の状態とほぼ同様の条件下で鮮明な画像を快適に、電磁波による体への悪影響なく観賞することができる。また、その電磁波遮蔽体は電磁波遮蔽性に優れるため、ディスプレイそのほかの電磁波を発生する装置、あるいは外部からの電磁波から保護される測定装置、測定機器や製造装置の筐体、特に透明性を要求される覗き窓のような部位に設けて使用すると効果が大きい。さらに、本発明における電磁波遮蔽体は前記の導体層パターン付き基材と同様、生産効率よく製造することができる。
【００１６】
前記導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面への透明基板貼合せ、または透明樹脂のコーティングにより、導体層パターンを保護することができる。別の基材の導体層転写面に予め接着剤層を形成していた場合には、この接着剤層への異物の付着の防止効果も有する。また、このとき透明基板の貼り合わせは接着剤層に透明基板を直接又は別の接着剤を介して加圧して貼り合わせることにより行うことができる。この場合適度な圧力により導体層パターンが接着剤層に埋設されるので、透明性や透明基板との密着性を向上させることが可能である。
【００１７】
導体層パターン付き透明基材を利用すれば高い光透過性（特に、導体層パターンの線幅が小さく高精細）と良導電性（高電磁波シールド性）を兼ね備える電磁波遮蔽体を容易に得ることができる。このためＰＤＰ等のディスプレイの電磁波遮蔽体として使用した場合、その輝度を高めることなく通常の状態とほぼ同様の条件下で鮮明な画像を快適に鑑賞することができる。また、その電磁波遮蔽体は電磁波遮蔽性に優れているため、ディスプレイその他の電磁波を発生する装置、あるいは電磁波から保護されるべき測定装置、測定機器、製造装置等の内部を覗く窓や筐体、特に透明性を要求される窓やディスプレイ表面のような部位に設けて使用すると効果が大きい。さらに、本発明における電磁波遮蔽体の製造法は、前記の導体層パターンの製造に於けると同様、生産効率が優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
電磁波遮蔽用部材として用いられる金属メッシュは、表示面の視認性を向上させる目的で光沢のない暗色が望まれており、そのため黒化処理を必要とされるのが一般である。黒化処理における黒色度は、望ましくは完全な黒色であるが、電磁波遮蔽部材又はそれを含むフィルター若しくはディスプレイ装置の製造技術および管理技術の高度化により、必ずしも良好な黒色を必要としない。従って、本発明において、黒色とは、表面の光沢を消し、反射を抑えることが可能な暗い色調、即ち茶褐色の色合いでもよい。
本発明におけるめっき用導電性基材は、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部（めっき形成部）が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。
【００１９】
本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。
【００２０】
前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。
【００２１】
絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、０．１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層の厚さは、１〜１０μｍであることが特に好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。このような観点からは、特に絶縁層の厚さは、１μｍ以上が好ましく、特に３μｍ以上であることが好ましい。
【００２２】
上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の無機化合物のような無機材料で形成することもできる。
【００２３】
凹部又は絶縁層の形状は、目的応じて適宜決定されるが、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。
光透過性電磁波遮蔽部材の性能の観点からは溝状の凹部に囲まれる絶縁層を三角形とすることが最も有効であり、可視光透過性の点からは溝状の凹部が同一のライン幅なら、それにより囲まれる絶縁層が（正）ｎ角形のとき、ｎ数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。
【００２４】
上記のめっき用導電性基材の一例を図面を用いて説明する。
図１は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図を示す。図２の（ａ）は凹部の側面が平らな面であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材１は、導電性基材２の上に絶縁層３が積層されており、絶縁層３に凹部４が形成されており、凹部４の底部は、導電性基材２が露出している。凹部４の底部は、導電性基材に導通している導電性材料からなる導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層３は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部４が溝状に形成されている。
導電性基材２と絶縁層３の間には、絶縁層３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部４は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される金属層（導体層パターン）の剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。
【００２５】
凹部の側面は、必ずしも平らな面ではない。この場合には、図２（ｂ）に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さｈ（多くの場合、絶縁層の厚さにより規定される）と凹部の側面の幅ｓ（水平方向で凹部の側面の幅方向）を求め、
【数１】
2009158842.tif 000003
によってαを決定する。
αは、角度で１０度以上９０度未満が好ましく、１０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、３０度以上がより好ましく、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層（導体層パターン）を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向があり、８０度以下がより好ましい。
【００２６】
本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られるパターン化金属の用途に応じて適宜決定される。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成するパターン化金属の形状に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するように、さらに、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽部材を作製したときの電磁波シールド層に対応させることができる。
【００２７】
また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部４の深さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜２０μｍであることがより好ましく、１〜１０μｍであることが特に好ましい。
【００２８】
本発明のめっき用導電性基材を用いて転写法により光透過性電磁波遮蔽部材、透明アンテナ等の光透過性ないし透明性が要求される用途の部材を作製するために使用するときは、図２に示すような凹部４の幅は、開口部の幅ｄが２〜６０μｍ、底部の幅ｄ′が１〜４０μｍで有ることが好ましい。また、凹部４の開口部の幅ｄは４〜１５μｍ、底部の幅ｄ′は３〜１０μｍであることが特に好ましい。凹部４の中心間隔（ラインピッチ）は５０〜１０００μｍであることが好ましく、特に１００〜４００μｍであることが好ましい。溝の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは５０％以上、特に好ましくは８０％以上とすることを考慮して決定する。
なお、本発明において、凹部の中心間隔（ラインピッチ）は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
【００２９】
ディスプレイ用の電磁波遮蔽材における可視光透過性の点からは、電磁波遮蔽材における上記のような幾何学図形を描く導体層パターン開口率は５０％以上であることが必要とされ、導体層パターンの開口率は８０％以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材などの用途の有効面積（例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲の面積等電磁波遮蔽などの用途において有効に機能する範囲の面積）に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。
【００３０】
本発明のめっき用導電性基材を用いて穴明き金属箔を作製するために使用するときは、図２に示すような絶縁層３は、その底面（導電性基材との接触面）の面積が１〜１×１０６平方ミクロンメートルであることが好ましく、絶縁層の間隔（凸部と凸部の最短距離）が１〜１０００μｍであることが好ましい。また、絶縁層３は、底面の面積が１×１０２〜１×１０４平方ミクロンメートルであることがより好ましく、絶縁層の間隔が１０〜１００μｍであることがより好ましい。絶縁層底面の面積及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは１０％以上、特に好ましくは３０％以上とすることを考慮して決定する。このような穴明き金属箔は、キャパシタの集電体として有用である。
【００３１】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法は、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、
（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、
（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程
及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含む。
【００３２】
上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程としては、印刷法やフォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
フォトリソグラフ法を利用する場合、この方法は、
（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ａ−２）感光性レジスト層をめっき形成部となる凹部パターンに対応したマスクを通して露光する工程
及び
（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む（以上の方法「ａ法」という）。
【００３３】
また、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、
（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ｂ−２）感光性レジスト層にめっき形成部となる凹部パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程
及び
（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程（感光性レジストの不要部を除去する工程）
を含む（以上の方法「ｂ法」という）。
【００３４】
感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式の対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。
【００３５】
具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。
【００３６】
上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
【００３７】
前記ｂ法において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。
【００３８】
印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。
【００３９】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図３は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
【００４０】
導電性基材２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）５形成されている（図３（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層５をパターン化する（図３（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層５の不要部を除去して突起部６を残すことにより行われる。突起部６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材２上の凹部４とそのパターンに対応するよう考慮される。
【００４１】
この時、突起部６の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部６が導電性基材２に接する端部に対して、突起部６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部６の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値ｄ１は、凸状パターンと導電性基材２に接する幅ｄ０と等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はｄ１によって決定されるからである。ここで、突起部６の断面形状で、突起部６の幅の最大値ｄ１が突起部６と導電性基材２に接する幅ｄ０と等しいか大きくする方法としては、突起部６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄ１は突起部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸状のパターンを形成する突起部６の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅１μｍ以上、間隔が１μｍ以上、高さが１〜５０μｍであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材や透明アンテナなどに使用される導体層パターン等の光透過性ないし透明性が要求される用途で使用するときは、突起部６は、最大幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅３〜１０μｍ、間隔が１００〜４００μｍであることが好ましい。また、めっき用導電性基材を、穴明き金属箔を作製するために使用するときは、前記したような絶縁層３が形成されるように、平面形状が適宜の大きさの円形又は矩形である突起部を適当な間隔に配置する。
【００４２】
前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部６からなる凸状パターンを有する導電性基材２（図３（ｂ）参照）の表面に絶縁層７を形成する（図３（ｃ）参照）。
【００４３】
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【００４４】
前記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香属炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。前記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして前述した炭素源と水素ガスとの混合物、前述した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００４５】
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
【００４６】
前記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
【００４７】
中間層は、前述したようなドライコーティング法により形成させることができる。
【００４８】
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
【００４９】
絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の無機化合物のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをＳｉまたはＡｌにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング法を用いる場合にはＳｉやＡｌを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、ＣＶＤ法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのＣＶＤは、例えばＴＥＯＳ、オゾンを用いたプラズマＣＶＤで行える。窒化シリコンのＣＶＤは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマＣＶＤで行える。
【００５０】
次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層７が付いている状態（図３（ｃ）参照）で、凸状パターンを除去する（図３（ｄ）参照）。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、３％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
【００５１】
導電性基材２上に形成される絶縁層と、突起部６の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。例えば、硬度が、前者の方が後者より大きくする。ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば９０度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
突起部６を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で１０度以上９０度未満が好ましく、１０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましく、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤで作製する場合、ほぼ４０〜６０度に制御することが容易になる。すなわち、凹部４は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部６の高さを調整する方法が好ましい。突起部６の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
【００５２】
上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性（例えば、同じ硬度）の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。
【００５３】
本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、１０〜４０ＧＰａであることが好ましい。硬度が１０ＧＰａ未満の絶縁層は軟質であり、めっき用導電性基材として繰り返して使用する場合に、耐久性が低くなる。硬度が４０ＧＰａ以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生するので好ましくない。より好ましくは１２〜３０ＧＰａである。
これに対して、突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１５ＧＰａであることが好ましい。突起部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１０ＧＰａであることがより好ましい。
【００５４】
絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み，そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また突起部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から突起部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に１〜１００ｍＮの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では３ｍＮの荷重で１０秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材１を作製することができる。
【００５５】
図４は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部６からなる凸状パターンが形成された導電性基材２の表面に、絶縁層７を形成する前に、中間層８を形成することが好ましい（図４（ｃ′））。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層８を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部４の底部は、導電性基材２が露出しており、それ以外では、中間層８の上に絶縁層７が形成されている（図４（ｄ′））。また、中間層は、凸状パターン６の形成前に、導電性基材２の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電解めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材２を露出させる。
【００５６】
前記のめっき用導電性基材を用いて。そのめっき形成部に電解めっきが施される。
本発明におけるめっき浴としては硫酸銅浴が用いられる。硫酸銅浴は、硫酸銅及び硫酸を含む電解液である。その具体例としては次の配合からなるものがある。
【００５７】
硫酸銅（五水和物）    ５０〜４００  ｇ／L（銅分として１２〜１００  ｇ／L）
硫酸                  ５０〜２００  ｇ／L
を含み、必要に応じて、塩素イオン、界面活性剤、光沢剤などを溶解・配合した水溶液が用いられる。塩素イオン源としては、塩酸、塩化ナトリウムなどがあり、２０〜１００ｍｇ／Ｌ使用することが好ましい。また、界面活性剤は、１〜２０ｍＬ／Ｌ、光沢剤は、０．１〜１０ｍＬ／Ｌ使用することがそれぞれ好ましい。界面活性剤に替わる薬剤として高分子多糖類、低分子膠を用いても対応可能である。好ましくは、界面活性剤は、必須成分とされ、光沢剤を含むことがさらに好ましい。
【００５８】
界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤を用いることができる。特にノニオン系界面活性剤が好ましい。
ノニオン系界面活性剤としては、高分子界面活性剤を包含する概念であり、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、ポリアクリルアミド等の高分子界面活性剤を包含する。また、このような高分子界面活性剤には、炭素数１〜２０のアルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール化合物、炭素数１〜２５のアルキルを有するアルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、炭素数１〜２５のアルキルを有するアルキルナフトール、炭素数１〜２５のアルキルを有するアルコキシル化リン酸(塩)、ソルビタンエステル、スチレン化フェノール、ポリアルキレングリコール、炭素数１〜２２の脂肪族アミン、炭素数１〜２２の脂肪族アミドなどにエチレンオキシド又はプロピレンオキシドをどちらか又は両方併せて２〜３００モル付加縮合したものなどがある。
カチオン系界面活性剤の例としては、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルアンモニウム塩、オクタデシルジメチルエチルアンモニウム塩、ジメチルベンジルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジルアンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トリエチルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウム塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピリジニウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミンアセテート、オクタデシルアミンアセテートなどが挙げられる。
アニオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、(モノ−、ジ−又はトリ−)アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。アルキル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウム、オレイル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレンノニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンドデシルエーテル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸塩などが挙げられる。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。また、(モノ、ジ、トリ)アルキルナフタレンスルホン酸塩としては、ジブチルナフタレンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。
両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられる。また、エチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシドとアルキルアミン又はジアミンとの縮合生成物の硫酸化、或はスルホン酸化付加物も使用できる。
光沢剤としては、有機硫黄化合物などが使用される。
有機硫黄化合物としては、例えば、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド、ビス（２−スルホプロピル）ジスルフィド、ビス（３−スルホ−２−ヒドロキシプロピル）ジスルフィド、ビス（４−スルホブチル）ジスルフィド、ビス（ｐ−スルホフェニル）ジスルフィド、３-メルカプト-１-プロパンスルホン酸、ジ−ｎ−プロピル−チオエーテル−ジ−３−スルホン酸、３−（ベンゾチアゾリル−２−チオ）プロピルスルホン酸、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオカルバミン酸−（３−スルホプロピル）エステル、Ｏ−エチル−ジエチル炭酸−Ｓ−（３−スルホプロピル）エステル、チオ尿素及びその誘導体、Ｓ−（２−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸、Ｓ−（４−ブチルアミド）−チオプロパンスルホン酸、Ｓ−（３−ブチルアミド）−チオプロパンスルホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロピル−２−ヒドロキシ−３−スルホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオフェニルスルホン酸、Ｓ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−プロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸、Ｓ−（Ｎ−フェニル−３−プロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸等、これらのナトリウム塩、カリウム塩などの塩がある。
本発明において、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造（金属パターン作製工程）は、導電層形成工程及び黒化処理工程を含み、同一めっき浴中でこれらの工程が行われる。導電層形成工程において、電解液に浸漬させられた導電性基材（陰極）と陽極の間に印加される第１の電流密度の下に、導電性基材に対し電解めっきが行われ（すなわち、導電性基材の凹部（めっき形成部）に銅を析出させて）、導電性の銅金属層が形成される。
この銅層の体積抵抗率は、１０μΩ／ｃｍ以下であることが好ましく、５μΩ／ｃｍ以下であることがさらに好ましい。この第１の電流密度の範囲としては正常な皮膜を生成する電流密度の上限を示す最大電流密度以下で、なおかつ正常な皮膜を生成するには下限となる臨界電流密度以上の範囲である。第１の電流密度は、具体的には、電解液の組成、添加物の種類、濃度、さらには循環方法や温度、攪拌方法などにより影響を受け、また、凹部のパターンにより影響を受けるので、一概に、規定できないが、好ましくは、０．５Ａ／ｄｍ２以上６０Ａ／ｄｍ２以下の範囲で適宜決定される。その理由は臨界電流密度を外れると正常な皮膜が得られない。０．５Ａ／ｄｍ２を下回ると目標厚みまで析出するのに長時間必要とし、結果生産効率が低下し生産コストが下がらない、また６０Ａ／ｄｍ２を超過すると析出銅が正常な皮膜にならずその後の転写などの工程に支障を及ぼす。この観点からは、第１電流密度は４０Ａ／ｄｍ２以下であることが好ましい。
パターン状めっき形成部として凹部のパターンを有する導電性基材を用いるときは、導電層形成工程において、導電層を品質良く形成するためには、電流密度は小さい方が好ましいが、めっき速度をあげるためには電流密度は大きい方が好ましく、このときには、めっき液の流れや温度を調節して良質の導電層が形成されるよう調整することが好ましい。
第１電流密度は、０．５Ａ／ｄｍ２以上２０Ａ／ｄｍ２以下であることが好ましい。
【００５９】
前記の導電層形成工程の後、黒化処理工程が行われる。黒化処理工程において、導電性基材（陰極）と陽極の間に印加される第２の電流密度の下に、導電層形成工程で形成された銅層の表面に、黒化処理が施される。この第２の電流密度の範囲は正常な皮膜を生成する電流密度の上限を示す最大電流密度以上であり、拡散によるイオンの補給が限界に達し、電圧を上げても電流密度が増加しなくなる電流密度の最大値を示す限界電流密度以下であることが好ましい。第２の電流密度は、メッシュ形状や、他のめっき条件によって適正値は変化するので一概にいえないが、黒色度を勘案して適宜決定される。場合により第２の電流密度が１Ａ／ｄｍ２や１０Ａ／ｄｍ２であっても黒化処理することができ、場合により、もっと高くないと黒化処理できないことがある。一般に、パターンが微細になるとより大きな電流密度が必要になる傾向がある。他の条件が同じなら、第２の電流密度は、一般に、選択した第１電流密度よりは大きい範囲から適宜選択される。第２の電流密度が大きすぎると析出銅は針状析出となり転写不良や粉落ちなどの不具合を生じる傾向がある。このため、第２の電流密度の上限は、１００Ａ／ｄｍ２とすることが好ましい。
【００６０】
第２の電流密度は、一つに限らず、二つもしくはそれ以上を段階的に変化させて黒化皮膜として析出する粒子の大きさを制御するようにしてもよい。
【００６１】
黒化処理工程においては、導電層形成工程で形成された銅金属層の表面に微粒子状の銅金属が電解めっきにより析出し、これにより黒色乃至茶褐色を帯びるようになる。この黒色は、微粒子状の銅金属がその下の導電層形成工程で形成された銅金属層上に析出した結果そのように見えるようになったものであり、そのような微粒子が銅金属層上に並んで、場合により重なって黒色乃至茶褐色金属層を形成しているといってよい。
【００６２】
色の定量的な評価を行うために数値化することが求められ、その方法として国際照明委員会（CIE）ではいくつか規格化されているが、その中の代表的な方法としてL*ａ*ｂ*表色系がある。これは、Ｌ*が明度を表し、ａ*は赤緑、ｂ*は黄青の色相と彩度を示すものである。Ｌ*は完全な黒色（光の全吸収）は０で、反対に完全な白（光の全反射）は１００で表される。
【００６３】
ディスプレイの表示面などに使用される電磁波遮蔽材、透明アンテナ等のための導体層パターン付き基材は良好な光透過性が求められ、そのため導体層パターンによる被覆率をなるべく減少させることが好ましく、さらに外光を反射せず、透過光の輝度を引き立たせ画質を向上させるためには、導体層パターン自体は黒であることが望ましい。しかしながら導体層パターン付き基材は前記の理由からそれ自体が光透過性が高いために微細な形状の導体層パターン自体の色度（明度）を直接測定することは困難である。
そこで、開口率が約５０％では、明度２５の黒色を背景に、導体層パターン部分の明度を測定する。具体的には、導体層パターンの黒化処理面を上して、導体層パターン付き基材の下に明度２５の黒色紙を敷き、明度を測定する。導体層パターンが良好な黒色ならば、明度Ｌ＊は２５乃至５０の値となり、また色度ａ＊とｂ＊はともに５以下の値を示す。黒化処理において、このように黒色度を調整することが好ましい。一方、黒化処理の程度が不十分で銅本来の色が残存する場合は、明度Ｌ＊は６０以上の高い値を示し、色度ａ＊、ｂ＊ともに赤みまたは黄色を示す５より大きい値となる。
また、開口率が大きくなると、上記の方法による明度では、黒色度を測ることは困難になるため、色度ａ＊とｂ＊により決定する。この方法は、開口率５０％でも成り立つ。すなわち、開口率が４０％以上では、上記と同様に明度２５の黒色を背景に、導体層パターン部分の色度を測定し、色度ａ＊とｂ＊がともに３以下、好ましくは２以下の値を示すときは、導体層パターンが良好な黒色を示す。この場合に、開口率５０％以上のメッシュ状導体層パターンであれば、その導体層パターンが良好な黒色を示すと共に、電磁波遮蔽材用途に適したものとなる。電磁波遮蔽材用途ではその光透過部の開口率が８０％以上であることがより好ましい。
【００６４】
なお、色度は分光測色計ＣＭ−５０８ｄ（コニカミノルタホールディングス）を使用し、反射モードに設定して測定できる。本計測機器の明度及び色度を測定する測色対象部は直径８ｍｍの円形であり、その開口部の平均表色を求めることができる。
【００６５】
導電層形成工程において、銅金属の厚さが０．１〜２０μｍになるように銅金属を析出させることが好ましい。十分な導電性を示す（例えば、電磁波シールド性が十分に発現されたり、キャパシタの集電体として十分機能する）ためには、０．１μｍ以上であることが好ましく、銅金属層にピンホールが形成される（このとき、例えば、電磁波シールド性や導電性が低下する）可能性を小さくするためには、３μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、析出した金属は幅方向にも広がるため、転写したラインの幅が広くなり、導体層付きパターン基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、析出した金属の厚みを２０μｍ以下とすることが好ましく、さらに、めっきの析出時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは１０μｍ以下であることがさらに好ましい。
黒化処理については、前述した明度又は色度を目安として処理される。黒化処理が進みすぎると細線部に粉落ちが発生しやすくなるので、注意を要する。
【００６６】
剥離用基材により接着剤または粘着剤を介してめっき皮膜を断線や剥離不良なく良好に剥離するために、めっきは、絶縁層より１μｍ程度以上高く金属を析出させるように行うことが好ましい。
一方、析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属の厚さを絶縁層の高さの２倍以下とすることが好ましく、特に１．５倍以下、さらに１．２倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、導体層パターンの剥離時のアンカー効果は極めて小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
【００６７】
本発明のように、銅金属層の生成から黒化処理を連続して行うと、導体層形成工程と黒化処理工程の間に水洗処理、及び導体層の表面処理が不要になるために製造時間の短縮・コストの低減ができ、環境負荷も低減できる。
【００６８】
上記のようにしてめっき用導電性基材上に形成された、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層を通常の方法で剥離することにより表面が黒化処理されたパターン化銅金属を得ることができる。この場合、剥離用基材として、別の基材に粘着剤層が積層されているものを使用し、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層（黒化パターン化銅層という）が形成されているめっき用導電性基材の面に粘着剤を向けて、剥離用基材を圧着後、剥離し、黒化パターン化銅層を剥離用基材に転写してめっき用導電性基材から黒化パターン化銅層を剥離することもできる。黒化パターン化銅層は適宜、この剥離用基材から剥離して取得される。
【００６９】
本発明のめっき用導電性基材において、表面に形成されている絶縁層が末広がりな凸形状であるが、これは、導電性基材の表面に除去可能な凸状パターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状パターンを除去することにより作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。同様の理由で、本発明のめっき用導電性基材の製造法によれば、工程数が少なく、特に、絶縁層が末広がりな凸形状を容易に作製することができるため、それを生産効率よく製造できる。
【００７０】
本発明におけるパターン化銅金属層は、前記しためっき用導電性基材の形状に対応したものとなり、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの貫通孔がある金属箔、このような形状の凹部がある金属箔、このような形状の個々に分離された金属箔等であり、めっき後にめっき用導電性基材から剥がしやすくするためには、貫通孔がある場合でも連続した箔であることが好ましい。なお、形状は、目的に応じて選択される。このような形状は、組合せて使用できる。また、貫通孔又は凹部の大きさ、分布密度は、目的応じて適宜決定される。
【００７１】
図５はパターン化銅金属層の一例である穴あき銅箔の一部を示す底面図である。図中、３個の同心円からなる一組の円群が６組描いてあるが、これらは、左右上下方向に適宜の回数千鳥状に繰り返されているものとする。また、図５中のＡ−Ａ′断面図に相当するものを図６に示すが、図６においては、パターン化銅金属層がめっき用導電性基材上に存在する状態を示す。
パターン化銅金属層９には、穴１０が貫通している。穴１０の周りには、段差部１１及びこの段差部１１に続いて小さな幅の傾斜部１２が存在する。段差部１１及び傾斜部１２は、導電性基材２の上の絶縁層３及びこれにより形成される導電性基材２の上の凹部に対応するものであり、傾斜部１２は、絶縁層３の末広がりの傾斜部に対応して形成される。すなわち、傾斜部１２には図６において、内周（最小径）と外周（最大径）が表現されるが、直径の小さな内周（段差部１１の端）から直径の大きな外周に向かって傾斜している。段差部１１は、めっきがめっき用導電性基材の凹部から絶縁層３に覆い被さるように形成された部分に対応する。従って、段差部１１におけるパターン化銅金属層９の厚さは、絶縁層３に覆い被さるように形成された部分であるため、穴１０に近い部分ほど厚さが小さくなり、また、その底面は、めっき形成部である凹部に対応するパターン化銅金属層９の底面より、絶縁層３の厚さの分だけ高くなる。
【００７２】
図７は、パターン化銅金属層の別の例を示す断面図であり、図６と同様にめっき用導電性基材上に存在する状態を示す。導電性基材２上の凹部に析出しためっきは、絶縁層３の上に乗り上げるように成長して貫通孔はないが、絶縁層３に対応した凹部を有するパターン化銅金属層９となる。上記の絶縁層３を紙面の表裏方向に伸ばし、幅を小さくしたものにすることにより、パターン化銅金属層に微細は溝を形成することができる。この溝を内部が埋まらないように適当な材料で塞ぐことにより、微細な液体又は気体の流路をたやすく形成することができる。従って、ヒートシンク、微量薬物の供給流路等に応用が可能である。なお、上記の適当な材料としては、溝や凹部のない平らな銅箔、上記のパターン化銅金属層自体（溝が対向するよう、又は、溝を通する面が対向するが溝が重ならないように貼り合わせる）などがあり、上記のパターン化銅金属層を複数枚、同一の向きに積層してもよく、最後の露出している溝を含む面は、適当な材料で塞ぐことができる。
【００７３】
本発明において、導体層パターン付き基材は、
（イ）前記のめっき用導電性基材上に表面が黒化処理されたパターン化銅金属層（導体層パターン）を形成する工程
及び
（ロ）上記導電性基材の凹部に析出させた金属を別の基材に転写する工程
を含む方法により製造される。
上記（イ）の工程は前記したとおりである。次に、上記（ロ）の工程について説明する。
【００７４】
前記した別の基材（導体層パターンが転写される基材）としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、０．５ｍｍ〜５ｍｍがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。
【００７５】
本発明における別の基材は、プラスチックフィルムが好ましい。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が７０％以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、１ｍｍ以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは５〜５００μｍがより好ましく、５０〜２００μｍとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムとして使用するためには、透明であるもの（すなわち、透明基材）が好ましい。
【００７６】
上記の別の基材の導体層パターンが転写される面は、転写する際に粘着性を有していることが必要である。そのためには、基材自体が必要な粘着性を有していてもよいが、転写面に粘着層を積層しておくことが好ましい。
上記の粘着層は、転写時に粘着性を有しているもの又は加熱若しくは加圧下に粘着性を示すものが好ましい。粘着性を有しているものとしては、ガラス転移温度が２０℃以下の樹脂が好ましく、ガラス転移温度が０℃以下である樹脂を用いることが最も好ましい。粘着層に用いる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂等を使用することができる。加熱時に粘着性を示す場合、そのときの温度が高すぎると、透明基材にうねりやたるみ、カール等の変形が起こることがあるので、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂のガラス転移点は８０℃以下であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂の重量平均分子量は、５００以上のものを使用することが好ましい。分子量が５００未満では樹脂の凝集力が低すぎるために金属との密着性が低下するおそれがある。
【００７７】
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステルが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。
【００７８】
活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基），メタクリル基（メタクリロイル基），ビニル基，アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
【００７９】
熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。
【００８０】
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。
【００８１】
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。
【００８２】
本発明で粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（以下、これらを、「粘着剤」という）には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合してもよい。
【００８３】
粘着層の厚さは、薄すぎると十分な強度を得られないため、めっきで形成された金属層を転写する際に、金属が粘着層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着層の厚みは、１μｍ以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることが更に好ましい。また、粘着層の厚さが厚いと、粘着層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着層の変形量が多くなるため、粘着層の厚みは３０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がさらに好ましい。
別の基材に粘着剤を塗布して形成した粘着層を有するフィルムを、金属層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要ならば加熱される。
【００８４】
本発明おける導体層パターン付き基材の導体層パターン（本発明では、片面は少なくとも黒化処理されている）をディスプレイ前面の電磁波遮蔽層や、透明アンテナ等として利用するときは、そのライン幅は、４０μｍ以下、ライン間隔は５０μｍ以上の範囲とすることが好ましい。また、導体層パターンの非視認性の観点からはライン幅は２５μｍ以下、可視光透過率の点からライン間隔は１２０μｍ以上がさらに好ましい。ライン幅は、あまりに小さく細くなると表面抵抗が大きくなりすぎて遮蔽効果に劣るので１μｍ以上が好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明によって得られる導体層パターンをディスプレイ前面に使用する場合、開口率は５０％以上が必要であるが、６０％以上がさらに好ましく、特に８０％以上が好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下するため、ライン間隔は１０００μｍ（１ｍｍ）以下とするのが好ましい。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。可視光透過率の点からライン間隔は、５０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましく、１２０μｍ以上が特に好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。
【００８５】
また、導体層パターン（本発明では、少なくとも片面は黒化処理されている）の厚みは１００μｍ以下が好ましい。ディスプレイ前面の電磁波遮蔽シートとして適用した場合、厚みが薄いほどディスプレイの視野角が広がり電磁波遮蔽材料として好ましく、また、金属層をめっきにより形成させるのにかかる時間を短縮することにもなるので４０μｍ以下とすることがより好ましく、１８μｍ以下であることがさらに好ましい。あまりに厚みが薄いと表面抵抗が大きくなりすぎて電磁波遮蔽効果に劣るようになり、また、導体層パターンの強度が劣り、転写時の導電性基材からの剥離が困難になるため０．５μｍ以上が好ましく、さらに１μｍ以上がさらに好ましい。
【００８６】
上記のめっき用導電性基材を用いた導体層パターン付き基材の作製例を次に示す。
図８は、導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図９はその後半を示す断面図である。
上記のめっき用導電性基材１上に、前記しためっき工程により、凹部４内にめっきを施し、導体層パターン１３を形成する（図８（ｅ））。ついで、別個に準備された転写用基材１４、これは、別の基材（透明基材）１５に粘着剤層１６が積層されている。導体層パターン１３が形成されためっき用導電性基材１に転写用基材１４を粘着剤層１６を向けて圧着する準備を行う（図８（ｆ））。
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１に転写用基材１３を粘着剤層１６を向けて圧着する（図９（ｇ））。このとき、粘着剤層１６が絶縁層７に接触してもよい。
ついで、転写用基材１４を引きはがすと導体層パターン１３は、その粘着剤層１６に接着してめっき用導電性基材１の凹部４から剥離され、この結果、導体層パターン付き基材１７が得られる（図９（ｈ））。
【００８７】
図１０は、めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図、図１１は、その凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図を示す。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。転写用基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部４内に収まる程度に施しても良い。この状態を図１０に示す。この場合でも、図１１に示すように、転写用基材を圧着することにより、導体層パターン１３を粘着剤層１６を介して別の基材（透明基材）１５に転写して、めっき用導電性基材１から導体層パターン１３を剥離して、導体層パターン付き基材１７を作製することができる。
【００８８】
本発明により得られる導体層パターン付き基材の導体層パターンを、さらに、黒化処理して、両面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。このためには、上記図９（ｈ）又は図１１に示すような導体層パターン付き基材１７の導体層パターン１３を黒化処理する方法がある。
黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられるが、両面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材であれば、そのどちらの面であっても黒化処理された面が視聴者側に向くようになるので、電磁波遮蔽部材としての製品設計の幅が広がる。
【００８９】
上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。
【００９０】
別の基材に転写した後に黒化処理工程を行うときの黒化処理としては、黒色ニッケルめっきなどの黒色めっきを行うことが望ましい。
【００９１】
黒色ニッケルめっきは硫化ニッケルを主成分とする黒色合金を被めっき体表面に電着で形成するめっき法であるが、ＶＩＩＩ族元素の鉄、コバルトもいずれも硫化物としたとき黒色を呈すので用いることができる。同じＶＩＩＩ族元素の中でも硫化ニッケルは目的にかなった黒色を呈し、さらに下地金属とも良好な密着性を有する。ＶＩＩＩ族元素以外の硫化物では銀、水銀、銅、鉛などを、用いることが可能である。またスズとニッケル、スズとコバルトなどの合金めっきや黒色クロムめっきを用いても粉落ちが無く、金属層のみに良好な密着性を有する黒化処理層（黒色層）を形成することができる。
【００９２】
黒色ニッケルめっき層を形成するに際しては、硫酸ニッケル６０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルアンモニウム３０〜５０ｇ／Ｌ、硫酸亜鉛２０〜４０ｇ／Ｌ、チオシアン酸ナトリウム１０〜２０ｇ／Ｌを含有するめっき液を用いることができる。このめっき浴を用い、ｐＨ：４〜７、温度：４５〜５５°Ｃ、電流密度０．５〜３．０Ａ／ｄｍ２の条件で、ステンレスアノード又はニッケルアノード、攪拌には循環ポンプ並びにエアー攪拌を使用することにより、プラズマディスプレイパネル用として好適な黒色ニッケルめっき層を形成することができる。黒色ニッケルめっきの前処理としては下地となる金属層との密着性を高めるために適切なアルカリ脱脂、酸洗浄を行うことがより好ましい。各成分の濃度範囲を超えたところでめっきを行うとめっき液が分解しやすく、良好な黒色を得ることが困難になる。また、温度に関しても５５℃を超える温度でめっきを行うとめっき液が分解しやすくなる。逆に４５℃未満では１．０Ａ／ｄｍ２以上のめっきを行うと、製品にざらつきが生じて粉落ちしやすくなり、やはりめっき液寿命が短くなる。４５℃未満で１．０Ａ／ｄｍ２以下の電流密度でめっきを行うことは可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となり、生産性を低下させてしまう。それゆえ、上の濃度組成のめっき液を使用して短時間で黒色ニッケルめっきを行う際の温度範囲は４５〜５５℃が最適である。また、電流密度に関しては温度範囲内で０．５Ａ／ｄｍ２以下でも可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となる。３．０Ａ／ｄｍ２以上でめっきを行うとめっき液が分解しやすく、粉落ちしやすい黒色皮膜が形成される。黒色ニッケルめっきではステンレスアノードを使用した場合、めっき液寿命が短くなるので、通常ニッケルアノードを使用するのが望ましい。
【００９３】
本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の接着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。
【００９４】
図１２に導体層パターン付き基材が他の基材に貼着されて得られた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。図１２において、基材（別の基材）１５に積層されている粘着剤層１６上に銅からなる導体層パターン１３が貼り付けられ、この上に他の基材１８が積層されており、導体層パターン１３は、粘着剤層１６に埋設されている。これは、導体層パターン付き基材の導体層パターン１３側を他の基材１８に加熱又は非加熱下に加圧することにより作製することができる。この場合、粘着剤層１６が十分な流動性を有するものであるか十分な流動性を有するうちに、適度な圧力を加えることにより導体層パターンを粘着剤層１６に埋設する。基材（別の基材）１５及び基材（他の基材）１８として、透明性を有し、しかもその表面の平滑性が優れるものを使用することにより、透明性が高い電磁波遮蔽部材を得ることができる。
図１３に導体層パターン付き基材が保護樹脂で覆われた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。基材（別の基材）１５に積層されている粘着剤層１６上に金属からなる導体層パターン１３が貼り付けられており、これらは、透明な保護樹脂１９によって被覆されている。
【００９５】
図１４は、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。この電磁波遮蔽体は、図１３の電磁波遮蔽部材が、基材１５の導体層パターン１３がある面とは反対の面で、接着剤層２０を介して他の基材２１が貼り合わされたものである。
図１５は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図１４において、基材（別の基材）１５に粘着剤層１６を介して金属からなる導体層パターン１３が接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤２２により被覆され、さらにその上に保護フィルム２３が積層されている。基材１５のもう一方の面には接着剤層２０を介してガラス板等の他の基材２１が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材（別の基材）１５に粘着剤１６を介して接着されている導体層パターン１３を有する導体層パターン付き基材の導体層パターン１３が存在する面を、透明な接着剤または粘着材２２によりコーティングし、さらに保護フィルム２３を積層し、ついで、得られた積層物の基材１５のもう一方の面（何も積層されていない面）に接着剤を塗布して接着剤層１６を形成し、これを他の基材２１に押しつけて接着することにより作製することができる。上記の透明樹脂２２としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂をを主成分とする接着剤または粘着剤を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。
【００９６】
本発明における導体層パターン付き基材において、導体層パターンの開口率を高くすることができ、これにより透光性を優良にできる。本発明における導体層パターン付き基材は、透光性電磁波遮蔽部材として使用することができる。
【００９７】
また、本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として、ディスプレイ等の前面に用いる場合には、反射防止等を含む視認性確保を図るために導電層パターンは、表面が黒化処理されたものであることが好ましい。電磁波遮蔽部材はその前面が黒色から茶褐色の暗色であることがハイコントラストの実現及びディスプレイの電源切断時に画面が黒いこと等の要求を満たすことから好ましいとされている。
【００９８】
表面が黒化処理された導体層パターンの防錆処理としては公知の手段としてクロメート処理、ベンゾトリアゾールなどを使用することができる。また、市販されている防錆剤を使用することもできる。また、表面が黒化処理された導電層を別の基材に転写した後に再度黒化処理を施す場合に、防錆処理を行うことが望ましい。防錆処理としては公知の手段としてクロメート処理、ベンゾトリアゾールなどを使用することができる。また、市販されている防錆剤を使用することもできる。また、黒化処理層つき導体層パターンを別の基材に転写した後に再度同じ方法で黒化処理層を形成する場合も同様に防錆処理を行うことが望ましい。
【００９９】
回転体を用いることにより電解めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得ることができる。すなわち、図１６において電解浴槽１０１内の電解液（メッキ液）１０２が陽極１０３とドラム電極などの回転体１０４の間のスペースに配管１０５とポンプ１０６により供給されるようにする。陽極１０３と回転体１０４の間に電圧をかけ、回転体１０４を一定速度で回転させると回転体１０４の表面に導体層が電解析出し、さらに、陽極１０３とは別の陽極１０７と回転体１０４の間に陽極１０３と回転体１０４の間よりも大きな電圧をかけることにより、析出した導体層パターンの上に黒色乃至茶褐色の皮膜を析出させることができる。陽極１０７は一つに限らず、二つもしくはそれ以上取り付け、段階的に電圧を変化させて黒化皮膜として析出する粒子の大きさを制御してもよい。
【０１００】
なお、図１６に示す状態では、第１の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための陽極１０３と、第２の電流密度の下に導電性金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための陽極１０７とが、互いに離れてめっき液の中に浸漬されているが、さらに、各陽極（電極）１０３、１０７の間に、絶縁体で構成された遮断部材１５１を設けてもよい。遮断部材１５１を設けることにより、第１の電流密度と第２の電流密度とを維持しやすくなる。
【０１０１】
導電性基材が回転体からなる電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材である場合、遮断部材１５１は板状に形成されて各電極１０３、１０７の間に設けられており、遮断部材１５１の基端部側は、電解浴槽１０１の内壁に一体的に固定されており、遮断部材１５１の先端部側は、導電性基材（回転体１０４）の近傍に位置している。したがって、導電性基材１０４と遮断部材１５１の先端部との間では、めっき液が通じている。
【０１０２】
また、陽極１０３、１０７の材質はチタニウム金属を基体とした表面に白金族金属又はその酸化物の薄膜を構成した不溶性陽極などであることが好ましい。さらにその形状としては特に限定されるわけではないが、平板状、棒状、多孔質状、メッシュ状等が挙げられる。
【０１０３】
すなわち、たとえば、図１７に示すように、長手方向に垂直な断面が長方形状である複数の陽極１０３ａ（陽極１０３に対応する陽極）と、長手方向に垂直な断面が長方形状である単数もしくは複数の陽極１０７ｂ（陽極１０７に対応する陽極）とを、回転体１０４の回転中心軸ＣＬ１の円周上に配置した構成であってもよい。
【０１０４】
黒化処理された導体層パターンは、電解液１０２の外で、形成された導体層パターン１０８に接着性支持体１０９を圧接ロール１１０によって圧接させながら、連続的に回転体１０４から剥離しつつ接着性支持体１０９に転写させ、導体層パターン付き接着支持体１１１をロールに巻き取ることができ、このようにして導体層パターンを製造することができる。なお、回転中の回転体から導体層パターンが剥離された後に、電解液に再び浸漬される前に回転体又は回転体に固定された導電性基材の表面をブラシロールで清掃するようにしてもよい。図示していないが、陽極の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水きりロールを設置してもよい。水切りロールによってせき止められた電解液は陽極の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間には消費された金属イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する工程、また各成分の分析を行う工程を追加することが望ましい。
上記において、導体層パターンは、導体層パターン付き接着支持体１１１として、得られるようになっているが、接着性支持体１０９を使用することなく、導体層パターンを回転体から剥離して回収するようにしても良い。
【０１０５】
さらには、前記第１の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための第１の陽極と、前記第２の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第２の陽極とを兼用し、前記第１の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第２の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うようにしてもよい。
【０１０６】
以上で詳細に説明しためっき形成部として凹部のパターン有するめっき用導電性基材において、その凹部パターンは、適当な広さで作製される。
【０１０７】
その領域を領域Ａとすると、本発明に係るめっき用導電性基材には、そのまわりに、電磁波遮蔽部材のアース部に対応する領域（領域Ｂという）を備えることができる。このとき、領域Ａと領域Ｂは同一のパターンでもよい。また、領域Ａにおける凹部の面積比率を、領域Ｂにおける凹部の面積比率と同じ又はそれよりも大きくすることが好ましく、１０％以上大きくすることはさらに好ましい。凹部の面積比率は、平面図で見たときに、ただし、各領域の全面積に対する各領域の凸部における露出部分を除いた部分の面積の比率をいう。また、領域Ｂの凹部比率を０としてもよいが、この場合には、めっき用導電性基材上にめっきによりベタの金属膜が周辺に形成される。ベタの金属膜は転写に際し、割れやすいので、望ましくは、領域Ｂの凹部の面積率は４０％以上とすることが好ましく、また、９７％未満であることが好ましい。
【０１０８】
領域Ｂにおいて、凹部のパターンによって描かれる幾何学図形状は、前記説明したものが使用できるが、改めて例示すると、
（１）メッシュ状幾何学的模様
（２）所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
（３）所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
（４）円模様又は楕円模様
（５）三角形模様
（６）五角形以上の多角形模様
（７）星形模様
等がある。
【０１０９】
また、領域Ｂにおける絶縁層及び凹部の形成等は、前述した領域Ａと同様に行うことができる。
【０１１０】
本発明において、透光性の電磁波シールド部の外側をアース部として、使用することが好ましい。このアース部は、透光性の電磁波シールド部と同様のパターンを有していてもよく、異なったパターンを有していてもよい。また、アース部は、前述したようなパターン又は全くベタ状の膜であってもよい。アース部は、その内側の透光性の電磁波シールド部と導通していることが好ましい。
【０１１１】
めっき用導電性基材の少なくとも透光性の電磁波シールド部の導体層パターンに対応した部分が矩形体又は回転体である場合、その外側で、透光性の電磁波シールド部の導体層パターンに対応した部分を囲むように、または、対向する２片にそって、連続した帯状に前記凸部の上面と同じ高さの部分（絶縁層がない）を設けることができる。これにより、導電性基材へのめっき後、導体層パターンの部分に連続した帯状のめっき箔を有する導体層パターン金属層を形成することができる。例えば、そのパターンの平面図を図１８に示す。図１８（a）中、黒い部分がめっきにより形成された導体層パターンとそれに連続した箔部分である。この箔部分があることにより、箔自体が支持体代わりとなり導体層パターンを導電性基材から剥離しやすくなる。得られた導体層パターンをその後の工程中に両端部分で十分支えることができるため、取扱に優れる。場合により、接着性支持体を用いず剥離することもできる。箔部分は後で不要分を切り落とすことができ、また、箔部分をある程度の幅で残してアース部として利用することもできる。前記のパターンの別の例を図１８（b）に示す。これは、導電性基材として回転体を使用した場合、回転体に導電性支持体を取り付けた場合などに作製できる導体層パターン金属層の一部の平面図である。これにより、透光性の電磁波シールド部の四辺にアース部を形成することができる。本発明で得られる導体層パターンにおいては、電磁波遮蔽部材を作製したときに、遮蔽した電磁波を電流としてアースするために網目状の導体層パターンの周囲に帯状の導体層（額縁部分）が導通状態で連続しているパターンがより好ましい。
【０１１２】
本発明において、めっき用導電性基材上に作製された導体層パターンは、前述したのと同様の転写法により、中間の接着性支持体を使用して導電性支持体から導体層パターンを転写剥離し、さらに、この中間の接着性支持体から最終の接着性支持体に前記転写法と同様にして導体層パターンを転写してもよい。また、転写された導体層パターンを有する中間の接着性支持体と最終の接着性支持体を導体層パターンを挟んで重ねて圧着して電磁波遮蔽体を作製することもできる。この場合の圧着方法としては、常温下又は加熱下にプレス機により加圧する方法、常温下又は加熱下に加圧ロール間を通過させる方法等がある。
本発明における導体層パターン付き基材を遮蔽体として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。めっき用導電性基材上に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターン層に樹脂をコーティングする際に用いられるカバーフィルムに、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。
【０１１３】
前記の導体層パターン付き基材は、電磁波遮蔽部材以外にも、タッチパネル部材、太陽電池用電極取り出し若しくは配線、デジタイザー部材、スキミングバリアカード部材、透明アンテナ、透明電極、不透明電極、電子ペーパー部材、調光フィルム部材等として応用が可能である。
【実施例１】
【０１１４】
（凸部パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、１５μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、鏡面研磨仕上げ、厚さ３００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図３（ａ）に対応する）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が１５μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状にパターンが１２０ｍｍ角のサイズで形成されているネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅１６〜１９μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度のレジスト膜からなる格子状パターンを形成した。突起部の導電性基材との接触部の幅（ｄ０）は、この最大幅より０〜約１μｍ小さかった。また、突起部の最小幅は、最大幅（ｄ１）より０〜約２μｍ小さく、突起部の導電性基材との接触部からわずかに高い箇所の幅である。これらは、倍率３０００倍で断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察することにより実測した。測定点は５点以上とした。
なお、凸部パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図３（ｂ）に対応する）。
【０１１５】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅIII、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図３（ｃ）に対応する）。そのときレジスト膜により形成された凸部両側のＤＬＣ膜の厚さは、２μｍであった。境界面の角度は４５〜５１度であった。なお、絶縁層の厚さ及び境界面の角度の測定は導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、レジスト膜の両側を測定したので計１０点の最大値と最小値を採用した。
【０１１６】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸部パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸部パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図３（ｄ）に対応する）。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは２μｍであった。また、凹部の底部での幅は、１６〜１９μｍ、開口部での幅（最大幅）は２１〜２７μｍであった。凹部のピッチは３００μｍであった。
【０１１７】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴の浴組成及び電解条件は次の通りである。
硫酸銅（五水和物）の濃度：２００ｇ／Ｌ
硫酸の濃度：１００ｇ／Ｌ
塩酸（３５％）使用量：０．２ｍＬ／Ｌ
添加剤：マイクロフィルVF-AN（メルテックス製、有機硫黄化合物、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド塩））０．３ｍL/L
マイクロフィルVF-BN（メルテックス製、界面活性剤、１〜４級アンモニウム基を含むポリエチレングリコール類）１５ｍL/L
浴温：２５℃
陽極：銅板
めっき浴の攪拌はエアレーションを行い液が十分に攪拌するようにした。導電性基材の凹部の金属面上に、析出した金属の厚さが４μｍになるまで電流密度１０Ａ／ｄｍ２でめっきした。この段階での析出した金属は、赤色であり、導電度は、０．０５Ω／□であった。この後、エアレーションを止めて液攪拌をなくし、電流密度を５０Ａ／ｄｍ２に変更して引き続き５秒間めっきを行い、表面を黒化した。表面が黒化処理された導体パターンがついた導電性基材をめっき浴から取り出し、水洗し、乾燥した。
【０１１８】
（転写用粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマー（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック（株）製）を厚さ１０μｍに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製した。
【０１１９】
（転写）
上記転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅２０〜２５μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体層厚さが平均で５μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。導体層の形状は、凹部の形状を反映して、図５（ｈ）に示されるように下部から上部（粘着層）に向かって幅広になっており、さらに凹部からあふれた部分が傘のように広がっていた。
転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。ライン幅、導体層厚さの測定は、得られた導体層パターン付き基材を一部切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、凹部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した（以下も同様）。ラインピッチの測定は、顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００、キーエンス（株）製）を用いて、倍率２００倍で観察して測定し、測定は、無作為の５点で行った（以下も同様）。
【０１２０】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【０１２１】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき転写の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。
【０１２２】
（明度及び色度の測定）
得られた導体層パターン付き基材の明度及び色度を分光測色計ＣＭ−５０８ｄ（コニカミノルタホールディングス（株）製）を用いて測定した。測定は基材の下側に明度Ｌ＊が２５の黒色紙を敷いて反射モードで行った。
測定対象は、表面が黒化処理された導体層パターンとし、開口面積は約７７％であった。測定したところ、明度Ｌ＊は４３であり好適な値の範囲内であった。また、色度はａ*は２．８、ｂ*は２．２であり、いずれも色相の低い値が得られた。
【実施例２】
【０１２３】
実施例１の凸部パターンの形成時に使用したレジストフィルムとして、フォテックＲＹ３４１５（１５μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を、導電性基材として、チタン板（＃４００研磨仕上げ、厚さ０．５ｍｍ、ミクロン工業（株）製）を使用した以外はすべて実施例１と同様にして導体層パターン付き基材を製造した。得られた導体層パターン付き基材に、実施例１と同様にして赤色、続いて黒色の電解めっきを施し、実施例１と同様にして転写用粘着フィルムに転写後、保護膜を形成した。
【０１２４】
得られた導体層パターンの明度と色度を実施例１と同様に測定した。測定対象は、表面が黒化処理された導体層パターンとし、開口面積は約８０％であった。測定したところ、明度Ｌ＊は４７であり好適な値の範囲内であった。また、色度はａ*は１．４、ｂ*は１．７であり、いずれも色相の低い値が得られた。
【実施例３】
【０１２５】
電解銅めっき浴の浴組成を次の通りにして、他は実施例２と同様にして導体層パターン付き基材を製造した。
硫酸銅（五水和物）の濃度：６０ｇ／Ｌ
硫酸の濃度：１７０ｇ／Ｌ
塩酸（３５％）使用量：０．２ｍＬ／Ｌ
添加剤：カパラシドGS（アトテック製、有機硫黄化合物）０．１ｍL/L
カパラシドHL（アトテック製、界面活性剤）２０ｍL/L
浴温：２５℃
陽極：チタン基材白金コーティング板
【０１２６】
得られた導体層パターンの明度と色度を実施例１と同様に測定した。測定対象は、表面が黒化処理された導体層パターンとし、開口面積は約８０％であった。測定したところ、明度Ｌ＊は４８であり好適な値の範囲内であった。また、色度はａ*は１．９、ｂ*は-１．０であり、いずれも色相の低い値が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明のめっき用導電性基材の一例を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図。
【図４】中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
【図５】パターン化銅金属層の一例である穴あき銅箔の一部を示す底面図。
【図６】図５中のＡ−Ａ′断面図（ただし、めっき用導電性基材上に存在する状態）。
【図７】パターン化銅金属層の別の例を示す断面図（ただし、めっき用導電性基材上に存在する状態）。
【図８】導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図。
【図９】導体層パターン付き基材の作製例の後半を示す断面図。
【図１０】めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図。
【図１１】図１０に示す凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図。
【図１２】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１３】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１４】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１５】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１６】回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【図１７】回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の変形例の概念断面図。
【図１８】導体層パターンの平面図。
【符号の説明】
【０１２８】
１：めっき用導電性基材
２：導電性基材
３：絶縁層
４：凹部
５：感光性レジスト層（感光性樹脂層）
６：突起部
７：ＤＬＣ膜
８：中間層
９：パターン化銅金属
１０：穴（貫通孔）
１１：段差部
１２：傾斜部
１３：導体層パターン
１４：転写用基材
１５：別の基材
１６：粘着剤層
１８：他の基材
１９：保護樹脂
２０：接着剤
２１：他の基材
２２：接着剤又は粘着剤
２３：保護フィルム
１０１：電解浴槽
１０２：電解液
１０３：陽極
１０４：回転体
１０５：配管
１０６：ポンプ
１０７：陽極
１０８：導体層パターン
１０９：接着性支持体
１１０：圧接ロール
１１１：導体層パターン付き接着支持体
１５１：遮断部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2009158842.tif 000017
【図１５】
2009158842.tif 000018
【図１６】
2009158842.tif 000019
【図１７】
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【図１８】
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