(57)【要約】【課題】ｐ型クラッド層や活性層への最適な量のＺｎの拡散を実現できる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びそのエピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板（１）上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層（４）、活性層（６）及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層（９）と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（１１）と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層（１３）と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層（９）と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（１１）の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）（１０）が挿入されているものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ＧａＡｓ基板上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層、活性層及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、
前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）が挿入されていることを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハ。
【請求項２】
ｎ型ＧａＡｓ基板上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層、活性層及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層と、ｐ型中間層と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、
前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）が挿入されていることを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハ。
【請求項３】
ｎ型ＧａＡｓ基板上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層、活性層、ｐ型第１クラッド層、ｐ型エッチング停止層及びＭｇをドーピングしたｐ型第２クラッド層と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、
前記Ｍｇをドーピングしたｐ型第２クラッド層と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）が挿入されていることを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハ。
【請求項４】
請求項１または２に記載の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）のバンドギャップ波長が、前記ｐ型クラッド層のバンドギヤップ波長より長いことを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハ。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）のバンドギヤップ波長が、前記ｐ型第２クラッド層のバンドギャップ波長より長いことを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて製作されたことを特徴とする半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子に関し、更に詳しくは、ｐ型クラッド層や活性層への最適な量のＺｎ拡散が図れる半導体発光素子（発光ダイオード、半導体レーザ）用エピタキシャルウェハ及びこれを用いて作製した半導体発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体発光素子用エピタキシャルウェハの成長方法としては、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）が主に用いられてきた。この方法において、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを成長させる際には、気相成長装置の成長炉内に設置したｎ型ＧａＡｓ基板を加熱し、各エピタキシャル層の原料となるIII族原料ガス、Ｖ族原
料ガス、ドーパント原料ガス、キャリアガスを成長炉内に導入し、炉内で原料ガスを熱分解させ、基板上に結晶膜を成長させる。
【０００３】
このようにして作製された半導体発光素子用エピタキシャルウェハは、高密度光ディスク装置における読み取り・書き込み用光源となる半導体レーザ（ＬＤ）や、ディスプレイ、リモコン、センサー、車載用ランプ等に用いられる発光ダイオード（ＬＥＤ）のような発光素子として利用される。
特に、高密度光ディスクに利用される半導体レーザには、安定した高出力・高温動作が要求されており、そのためには半導体発光素子用エピタキシャルウェハのｐ型クラッド層のキャリア濃度を１×１０１８ｃｍ−３程度に高濃度化する必要がある。
【０００４】
この高濃度化を満たすｐ型ドーパントとしては、Ｚｎ（亜鉛）もしくはＭｇ（マグネシウム）が考えられる。ｐ型クラッド層のｐ型ドーパントにＺｎを用いた例として、特許文献１に示すものがある。しかし、一般的にＺｎは活性層に拡散されやすく、Ｚｎが活性層に拡散した場合、結晶の品質が損なわれてしまう。そのため、最近ではＺｎに比べ拡散定数が小さく、ｐ型クラッド層に比較的に高濃度のキャリア濃度を添加できるＭｇを用いる傾向がある。
【０００５】
一方、ｐ型コンタクト層には、電極との接触抵抗を可能な限り低くする必要性から、ｐ型クラッド層より一桁以上高いキャリア濃度が要求されている。そのため、ｐ型コンタクト層は、通常ガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成され、ｐ型ドーパントとしては、拡散定数が比較的に大きいという短所はあるものの、キャリア濃度を１×１０１９ｃｍ−３以上とするのに優れたＺｎが用いられている。
【０００６】
しかし、最も上層に形成するｐ型ＧａＡｓコンタクト層のｐ型ドーパントとしてＺｎを用いる場合には、このｐ型ＧａＡｓコンタクト層に添加したＺｎが、その成長中に下の層のｐ型クラッド層を通過して活性層まで拡散し、活性層のフォトルミネッセンス・スペクトルの半値幅が大きくなるなどの現象が起こり、活性層の結晶品質が損なわれていた。特に、ｐ型クラッド層のドーパントとしてＭｇを用いた場合には、ＭｇとＺｎとの相互拡散が起こるため、活性層側へのＺｎの拡散が顕著となり、発光特性の劣化や素子寿命を低下させるという大きな問題が生じていた。
【０００７】
この問題を解消するために、ｐ型コンタクト層からのＺｎ拡散を防止する方法に関しては、図２に示すような構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハが提案されている（特許文献２参照）。これは、ＧａＡｓからなるｎ型基板１０１上に、ＧａＡｓからなるＳｉドープｎ型バッファ層１０２、ＧａＩｎＰからなるＳｉドープｎ型バッファ層１０３、
ＡｌＧａＩｎＰからなるＳｉドープｎ型クラッド層１０４、ＡｌＧａＩｎＰからなるアンドープガイド層１０５、多重量子井戸構造からなる活性層１０６、ＡｌＧａＩｎＰからなるアンドープガイド層１０５、さらにＡｌＧａＩｎＰからなるＭｇドープｐ型第１クラッド層１０７、ＧａＩｎＰからなるＭｇドープｐ型エッチング停止層１０８、ＡｌＧａＩｎＰからなるＭｇドープｐ型第２クラッド層１０９を順次エピタキシャル成長し、その上に、亜鉛拡散抑止層となるカーボンドープＡｌＧａＡｓ層１１０、ＭｇドープＧａＩｎＰ中間層１１１、及びＧａＡｓからなるＺｎドープｐ型コンタクト層１１２を順次成長した構造である。
【０００８】
この構造によれば、ｐ型クラッド層１０７、１０９にＭｇをドーピングしてｐ型クラッド層１０７、１０９のキャリア濃度を高くすることを実現しつつ、ｐ型コンタクト層１１２にドーピングしたＺｎの活性層１０６側への拡散を、カーボンドープＡｌＧａＡｓ層１１０（亜鉛拡散抑止層）により、ほとんど止めるようにしている。
【特許文献１】特開平１１−１８６６６５号公報
【特許文献２】特開２００７−９６２６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、Ｚｎの拡散は半導体発光素子特性を安定させる効果もあるため、上記特許文献２に示される手法を用いて、ｐ型コンタクト層からのＺｎ拡散がほぼ全くないことが必ずしも良いとは言えず、適量のＺｎをｐ型クラッド層や活性層に拡散させるのが望ましい場合がある。更に、ｐ型クラッド層や活性層へのＺｎ拡散がほぼ全くなくなると、従来、Ｚｎの拡散を想定して設定したｐ型クラッド層の構造やキャリア濃度の変更、及び素子工程などの製造条件変更が必要となる可能性がある。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、ｐ型クラッド層や活性層への最適な量のＺｎの拡散を実現できる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びそのエピタキシャルウェハを用いて作製される、安定した高出力動作及び高温動作が可能な高信頼性を有する半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
【００１２】
本発明の第１の態様は、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層、活性層及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）が挿入されていることを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハである。
【００１３】
本発明の第２の態様は、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層、活性層及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層と、ｐ型中間層と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）が挿入されていることを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハである。
【００１４】
本発明の第３の態様は、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層、活性層、ｐ型第１クラッド層、ｐ型エッチング停止層及びＭｇをドーピングしたｐ型第２クラッド層と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型第２クラッド層と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）が挿入されていることを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハである。
【００１５】
本発明の第４の態様は、第１または第２の態様の半導体発光素子用エピタキシャルウェハおいて、前記Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）のバンドギャップ波長が、前記ｐ型クラッド層のバンドギャップ波長より長いことを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハである。
【００１６】
本発明の第５の態様は、第３の態様の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）のバンドギャップ波長が、前記ｐ型第２クラッド層のバンドギャップ波長より長いことを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハである。
【００１７】
本発明の第６の態様は、第１〜第５の態様に記載の半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて製作されたことを特徴とする半導体発光素子である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、キャリア濃度の高いコンタクト層を形成でき、且つｐ型クラッド層や活性層への適量のＺｎ拡散を実現できる半導体発光素子用エピタキシャルウェハが得られる。したがって、この半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いることにより、従来から実績のあるｐ型クラッド層の構造や素子工程などを変更することなく、高出力・高温特性に優れた信頼性の高い半導体発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明に係る半導体発光素子用エピタキシャルウェハの実施形態を説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態の半導体発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層、活性層及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）が挿入されているものである。
【００２１】
カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層は、ｐ型コンタクト層中のＺｎの拡散を抑止するＺｎ拡散抑止層となり、Ｚｎドープのｐ型コンタクト層のＺｎは、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層を超えてｐ型クラッド層側へはほとんど拡散しない。
しかしながら、ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層側へのＺｎの拡散がほとんどない状態にすると、従来のＺｎの拡散がある状態を想定して設定した、ｐ型クラッド層の構造や素子製作プロセスの大幅な変更が必要となる可能性がある。これを回避するために、ｐ型クラッド層や活性層への適度な量のＺｎ拡散を実現するのが望ましい。
【００２２】
そこで、ｐ型クラッド層や活性層への適度なＺｎ拡散を実現するために、本実施形態では、まず、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）を設けることで、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）より下層へのＺｎの拡散がほとんどない状態にまで抑止できる。これにより、活性層の結晶品質を損なうことなく、キャリア濃度の高いｐ型コンタクト層の形成を実現する。
これに加えて、ｐ型クラッド層とカーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）との間又は界面に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）を挿入することにより、ｐ型クラッド層側への最適な量のＺｎ拡散を調整している。即ち、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）は、ｐ型クラッド層側へ最適な量のＺｎ拡散を調整するＺｎ拡散調整層として機能する。
Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層）の厚さ又はＺｎ濃度を調整することによって、最適な量のＺｎをｐ型クラッド層側に拡散させることが可能となる。
【００２３】
このような構造を採用することによって、従来より実績のあるｐ型クラッド層の構造やキャリア濃度の設定の変更を行わずに従来工程で、ｐ型クラッド層や活性層に所望のＺｎが拡散した赤色半導体レーザ等の発光素子を作製するのに適した半導体発光素子用エピタキシャルウェハを得ることができる。また、この半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いることにより、高出力・高温特性に優れた信頼性の高い半導体発光素子を作製することができる。
【００２４】
上記実施形態の半導体発光素子用エピタキシャルウェハおいて、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層）のバンドギャップ波長が、ｐ型クラッド層のバンドギャップ波長より長いことことが望ましい。これにより、ｐ型クラッド層とＺｎをドープしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層)とのバンドギャップ不連
続による界面の抵抗成分を減らすことができる。ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層)のバンドギャップ波長は、そのＡｌ組成によって設定される。
【００２５】
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、上記第１の実施形態の半導体発光素子用エピタキシャルウェハおいて、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層とＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層との間に、さらにｐ型中間層を設けたものである。
ｐ型中間層は、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）とＧａＡｓのｐ型コンタクト層との間のバンドギャップ不連続による界面の抵抗成分を減少するために設けられるＧａＩｎＰ等からなる層である。この第２の実施形態においても、バンドギャップ不連続による界面の抵抗成分を減らすために、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層）のバンドギャップ波長が、ｐ型クラッド層のバンドギャップ波長より長いことことが好ましい。
【００２６】
（第３の実施形態）
第３の実施形態は、上記第１の実施形態の半導体発光素子用エピタキシャルウェハおいて、上記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層が、ｐ型第１クラッド層、ｐ型エッチング停止層、及びＭｇをドーピングしたｐ型第２クラッド層から構成され、Ｍｇをドーピングしたｐ型第２クラッド層とカーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層）が挿入されているものである。
この第３の実施形態においても、Ｚｎをドーピングしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層）のバンドギャップ波長が、Ｍｇをドーピングしたｐ型第２クラッド層のバンドギャップ波長より長いことが好ましい。
【実施例】
【００２７】
次に、本発明の実施例を説明する。
図１は、この実施例に係る半導体発光素子（半導体レーザ）用エピタキシャルウェハを示す断面模式図である。
【００２８】
図１に示すように、この実施例の半導体発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、ＧａＡｓと格子整合したｎ型ＧａＩｎＰバッファ層３と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラツド層４と、ＡｌＧａＩｎＰアンドープガイド層５と、アンドープのＡｌＧａＩｎＰ障壁層とＧａＩｎＰ井戸層とから構成される多重量子井戸構造（ＭＱＷ）からなる活性層６と、ＡｌＧａＩｎＰアンドープガイド層５と、Ｍｇドープのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層７と、Ｍｇドープのｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層８と、Ｍｇドープのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層９と、Ｚｎをドープしたｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層）１０と、カーボンオートドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）１１と、Ｍｇドープのｐ型ＧａＩｎＰ中間層１２と、Ｚｎドープのｐ型コンタクト層１３とを、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により順次、積層成長させて形成されている。
【００２９】
上記エピタキシャル層のＭＯＶＰＥ法による成長では、気相成長装置の成長炉内に設置したｎ型ＧａＡｓ基板１を加熱し、各エピタキシャル層２〜１３に必要とするIII族有機
金属原料ガス、Ｖ族原料ガス、キャリアガス、ドーパント原料ガスを成長炉内に導入し、炉内で原料ガスを熱分解させ、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル結晶を順次成長させた。
III族有機金属ガスとしては、Ｇａの原料としてＴＭＧ（トリメチルガリウム）、Ａｌ
の原料としてＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、Ｉｎの原料としてＴＭＩ（トリメチルインジウム）を導入し、Ｖ族原料ガスとしては、Ａｓの原料としてＡｓＨ３、Ｐの原料としてＰＨ３（ホスフィン）を導入し、ドーパント原料ガスとしては、ｎ型不純物であるＳｉの原料としてＳｉ２Ｈ６（ジシラン）、ｐ型の不純物であるＭｇの原料としてＣｐ２Ｍｇ、Ｚｎの原料としてＤＥＺ（ジエチル亜鉛）を導入し、キャリアガスとしては高純度水素ガスを用いた。ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）１１へのカーボンドーピングは、カーボンドーピング原料ガスを導入してもよいが、本実施例では、III族有機金属原料
とＶ族原料とのＶ／III比を小さく調整して、有機金属原料からのカーボンのオートドー
ピングにより行った。
【００３０】
上記のＺｎをドープしたｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層）１０のＡｌ組成は、カーボンドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）１１と同じＡｌ組成になっており、Ｚｎをドープしたｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層）１０のバンドギャップ波長は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層９のバンドギャップ波長よりも長いことが好ましい。
これは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層９、Ｚｎをドープしたｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散調整層)１０、カーボンドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑止層）１１
及びｐ型ＧａＩｎＰ中間層１２の各層間のバンドギャップ不連続による界面の抵抗成分を減らすためである。
【００３１】
上記図１のような構造にすることにより、カーボンオートドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑上層）１１がＺｎの拡散を防止するため、ｐ型コンタクト層１３にドープされたＺｎは、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎ拡散抑上層）１１より活性層６側へはほとんど拡散しなくなった。また加えて、Ｚｎをドープしたｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ｚｎ拡散調整層）１０を設け、その厚さ又はＺｎ濃度を調整することによって、ｐ型ＡｌＧａＡｓ（Ｚｎ拡散調整層）１０からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層９側へ所望の量のＺｎ拡散を実現できた。また、最適なＺｎ量をｐ型クラッド層側に拡散させた、本実施例のエピタキシャル
ウェハを用いて、従来の素子工程により、高出力・高温特性に優れた信頼性の高い赤色半導体レーザを作製することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施例に係る半導体発光素子用エピタキシャルウェハを示す断面模式図である。
【図２】従来の半導体発光素子用エピタキシャルウェハを示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板
２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層（Ｓｉドープ）
３  ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層（Ｓｉドープ）
４  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（Ｓｉドープ）
５  アンドープガイド層
６  活性層
７  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層（Ｍｇドープ）
８  ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層（Ｍｇドープ）
９  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラツド層（Ｍｇドープ）
１０  ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（Ｚｎドープ）
１１  ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（カーボンドープ）
１２  ｐ型ＧａＩｎＰ中間層（Ｍｇドープ）
１３  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（Ｚｎドープ）
【図１】
2009158818.tif 000003
【図２】
2009158818.tif 000004