(57)【要約】【課題】ＩＣ素子に課せられる制約を増やすことなく、ＩＣ素子を搭載する基板の仕様を共通化できるようにした基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＩＣ素子を固定してそのパッド端子を外部に引き出すために使用される基板であって、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本のポスト５と、複数本のポスト５を表面から裏面に至る間の一部分で互いに連結する連結部６とを備え、一部のポスト５の表面には、他のポストと見分けがつく認識マーク８が形成されている。ＩＣ素子を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子の外部端子として複数本のポスト５を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本のポスト５をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。【選択図】図３
2009055014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣ素子を固定するための基板であって、
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱と、
前記複数本の金属支柱を前記第１の面から前記第２の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部と、を備え、
前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
ＩＣ素子を固定するための基板であって、
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱と、
前記複数本の金属支柱の前記第２の面を支持する支持基板と、を備え、
前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されており、
前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されていることを特徴とする基板。
【請求項３】
前記複数本の金属支柱は、その各々が同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板。
【請求項４】
ＩＣ素子を固定するための基板の製造方法であって、
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する金属板を少なくとも前記第１の面から部分的にエッチングして、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱を形成する工程と、
前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の第１の面に、認識マークを形成する工程と、を含み、
前記複数本の金属支柱を形成する工程では、前記複数本の金属支柱が前記第１の面と前記第２の面の間で互いに連結されるように、前記エッチングを行うことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項５】
ＩＣ素子を固定するための基板の製造方法であって、
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する金属板の前記第２の面を支持基板に貼り付ける工程と、
前記金属板の前記第２の面を前記支持基板に貼り付ける工程の後、前記金属板を前記第１の面から部分的にエッチングすることによって、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱を形成する工程と、
前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の第１の面に、認識マークを形成する工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項６】
前記認識マークを形成する工程では、インクジェット工法又はレーザーマークによって、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面を着色して前記認識マークを形成する、ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を有する前記複数本の金属支柱と、
前記第１の金属支柱の前記第１の面に固定されたＩＣ素子と、
前記第２の金属支柱の前記第１の面と前記ＩＣ素子のパッド端子とを接続する第１の導電部材と、
前記複数本の金属支柱の一部と前記ＩＣ素子及び前記第１の導電部材を封止する樹脂とを備え、
前記複数本の金属支柱の前記第２の面は前記樹脂から露出し、
前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記複数本の金属支柱は第３の金属支柱及び第４の金属支柱を有し、
前記第３の金属支柱の前記第１の面に固定された受動部品と、
前記第４の金属支柱の前記第１の面と前記受動部品の端子部とを接続する第２の導電部材と、をさらに備え、
前記受動部品と、前記第２の導電部材とが前記樹脂により封止されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を有する前記複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱を前記第１の面から前記第２の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部と、を備え、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されている基板を用意する工程と、
前記認識マークを用いて前記第１の金属支柱を認識する工程と、
認識された前記第１の金属支柱の前記第１の面に前記ＩＣ素子を固定する工程と、
前記ＩＣ素子を固定する工程の後、前記ＩＣ素子のパッド端子と前記第２の金属支柱の前記第１の面とを第１の導電部材で接続する工程と、
前記ＩＣ素子及び前記第１の導電部材と、前記複数本の金属支柱のうちの前記第１の面側の部位を樹脂で封止する工程と、
前記樹脂で封止する工程の後、前記連結部を前記第２の面からエッチングして取り除く工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を有する前記複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第２の面を支持する支持基板と、を備え、前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されており、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されている基板を用意する工程と、
前記認識マークを用いて前記第１の金属支柱を認識する工程と、
認識された前記第１の金属支柱の前記第１の面に前記ＩＣ素子を固定する工程と、
前記ＩＣ素子を固定する工程の後、前記ＩＣ素子のパッド端子と前記第２の金属支柱の前記第１の面とを第１の導電部材で接続する工程と、
前記支持基板上に樹脂を供給して、前記ＩＣ素子と前記複数本の金属支柱の一部と、前記第１の導電部材と、を前記樹脂で封止する工程と、
前記樹脂及び当該樹脂によって封止された前記複数本の金属支柱の前記第２の面から前記支持基板を剥離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記認識マークを目印に前記第２の金属支柱を認識する工程、をさらに含み、
前記ＩＣ素子と前記第２の金属支柱とを前記第１の導電部材で接続する工程では、前記認識マークを目印に認識された前記第２の金属支柱の前記第１面と、前記ＩＣ素子の前記パッド端子とを、ワイヤー状の前記第１の導電部材で接続することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージは、外部端子をパッケージ周辺に配置したペリフェラル型と、外部端子をパッケージ下面に配置したエリア型とに大別される。ペリフェラル型とは、図４０（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＤＩＰ、ＳＯＰ、ＱＦＰに代表されるパッケージのことである。図４０（ｄ）に示すように、ペリフェラル型は、ダイパッド２０１といわれるチップ搭載部にＩＣ素子２１０を搭載し、ＩＣ素子２１０上の電極とリードフレームのリード２０３とを金線等で接続し、その後、リード２０３の外周部の一部を残し、それ以外の全てを樹脂封止することで製造される。リード２０３のうちの樹脂パッケージ内側の部分は内部端子と呼ばれ、樹脂パッケージ外側の部分は外部端子とも呼ばれている。
【０００３】
また、エリア型とは、図４１（ａ）及び（ｂ）、並びに、図４２（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＢＧＡに代表されるパッケージのことであり、基板２１１の上にＩＣ素子２１０を搭載し、金線もしくは半田、金のバンプにより基板２１１とＩＣ素子２１０を電気的に接続させ、更にＩＣ素子２１０等を樹脂封止することにより製造される。図４１（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板２１１とＩＣ素子２１０とが金線２１３で接続されているものは金線型ＢＧＡとも呼ばれている。
【０００４】
また、図４２（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板２１１とＩＣ素子２１０とがバンプ２２３で接続されているものはバンプ型ＢＧＡとも呼ばれている。特に、バンプ型ＢＧＡでは、図４２（ａ）及び（ｂ）に示すように樹脂封止を行わないタイプのものもある。図４１（ａ）〜図４２（ｂ）に示すように、エリア型の外部端子はリードではなく、基板２１１の裏面に搭載された電極（又は、半田ボール）２２５となっている。
【０００５】
さらに、近年では、図４３（ａ）〜（ｉ）に示すように、金属板２３１の上に電柱状の端子２３３及びダイパッド２３５を電気メッキで形成した後、ダイパッド２３５上にＩＣ素子２１０を搭載し、金線２１３によるＩＣ素子２１０と端子２３３との接続を行い、その後樹脂封止を行い、樹脂成型部２３６から金属板２３１を引き剥がして、個々の製品に切断するパッケージも作られている。
【０００６】
詳しく説明すると、図４３（ａ）及び（ｂ）では、まず始めに、金属板２３１の上にレジストを塗布し、これに露光現像処理を施してレジストパターン２３７を形成する。次に、図４３（ｃ）に示すように、レジストパターン２３７下から露出している金属板２３１の表面に例えば銅を電気メッキで形成し、電柱状の端子２３３及びダイパッド２３５を形成し、その後、図４３（ｄ）に示すようにレジストパターンを除去する。次に、図４３（ｅ）に示すように、電気メッキによって形成されたダイパッド２３５上にＩＣ素子２１０を搭載し、ワイヤーボンディングを行う。そして、図４３（ｆ）に示すＩように、ＩＣ素子２１０及び金線２１３等を樹脂封止する。次に、図４３（ｇ）に示すように、樹脂成型部２３６から金属板２３１を引き剥がす。そして、図４３（ｈ）及び（ｉ）に示すように、樹脂成型部２３６を個々の製品に切断して、パッケージを完成させる。
【０００７】
また、特許文献１には、平板状のリードフレームの支持部の一方の面をハーフエッチングした後で、リードフレームのダイパッド上にＩＣ素子を搭載し、続いて、ワイヤーボンディング及び樹脂封止を行い、その後、一方の面がハーフエッチされている支持部の他方の面を研削して支持部を除去することによって、ペリフェラル型パッケージを完成させる技術が開示されている。特許文献２には、平面視で基板の中心から外側へ放射状に配線を配置することで、エリア型パッケージの汎用性を高めようとする技術が開示されている。
【特許文献１】特開平２−２４０９４０号公報
【特許文献２】特開２００４−２８１４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の技術では、ペリフェラル型パッケージ、エリア型パッケージ、図４３（ａ）〜（ｉ）に示したパッケージ、特許文献１に記載のパッケージのいずれにおいても、ＩＣ素子搭載面としてダイパッドもしくは、インターポーザなどの基板を必要としており、ＩＣ素子の大きさ、ＩＣ素子からの外部出力数（即ち、リード数もしくはボール数）に応じて、固有のリードフレーム又は固有の基板、若しくは（電柱形成用の）固有のフォトマスクを必要としていた。特に、少量多品種の製品においては、製品の生産に合わせて多くのリードフレーム又は基板、若しくはフォトマスクを保有する必要があり、製造コスト低減の妨げとなっていた。
【０００９】
また、特許文献２では、基板の中心から外側へ放射状に配線を配置することで、大小のチップサイズに対応したエリア型パッケージを達成している。しかしながら、この技術では、基板中心から放射状に延びる配線と平面視で必ず重なるようにＩＣ素子のパッド端子を配置する必要があるので、パッド端子のレイアウトに関して設計の自由度が低くなってしまう。つまり、パッケージの汎用性は高まるものの、一方で、ＩＣ素子に課せられる制約も増えてしまう。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ＩＣ素子に課せられる制約を増やすことなく、ＩＣ素子を搭載する基板の仕様を共通化できるようにした基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
〔発明１〜３〕  上記目的を達成するために、発明１の基板は、ＩＣ素子を固定するための基板であって、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱を前記第１の面から前記第２の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部と、を備え、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
ここで、本発明の「第１の面」は例えばＩＣ素子のパッド端子と接続される側の面であり、「第２の面」は例えばマザーボードと接続される側の面である。また、本発明の「一部分」は第１の面と第２の面との間の中間部分であっても良いし、中間部分から第２の面に至る間であって当該第２の面を含む部分であっても良い。本発明の「一部分」が第２の面を含む場合は、「連結部」は中間部分と第２の面との間に形成され、例えばその下方の面は第２の面と面一となるように形成される。
【００１２】
発明２の基板は、ＩＣ素子を固定するための基板であって、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第２の面を支持する支持基板と、を備え、前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されており、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されていることを特徴とするものである。ここで、本発明の「支持基板」は例えばガラス基板である。
発明３の基板は、発明１又は発明２の基板において、前記複数本の金属支柱は、その各々が同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
発明１〜３の基板によれば、ＩＣ素子を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子の外部端子として複数本の金属支柱を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本の金属支柱をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。従って、ＩＣ素子の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板（インターポーザなど）を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子に対して、そのパッド端子のレイアウト（配置位置）に制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。これにより、基板の製造コストの低減に寄与することができる。
また、発明１〜３の基板によれば、一部の金属支柱の第１の面には、他の前記金属支柱と見分けがつく認識マークが形成されている。従って、複数本の金属支柱が例えば同一形状で同一寸法、且つ同一色の場合でも、上記認識マークを目印に特定の金属支柱を正しく認識することができる。
【００１４】
〔発明４〕  発明４の基板の製造方法は、ＩＣ素子を固定するための基板の製造方法であって、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する金属板を少なくとも前記第１の面から部分的にエッチングして、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱を形成する工程と、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の第１の面に、認識マークを形成する工程と、を含み、前記複数本の金属支柱を形成する工程では、前記複数本の金属支柱が前記第１の面と前記第２の面の間で互いに連結されるように、前記エッチングを行うことを特徴とするものである。ここで、本発明の「金属板」は例えば銅板である。発明４の製造方法によれば、発明１の基板を製造することができる。
【００１５】
〔発明５〕  発明５の基板の製造方法は、ＩＣ素子を固定するための基板の製造方法であって、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する金属板の前記第２の面を支持基板に貼り付ける工程と、前記金属板の前記第２の面を前記支持基板に貼り付ける工程の後、前記金属板を前記第１の面から部分的にエッチングすることによって、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱を形成する工程と、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の第１の面に、認識マークを形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。発明５の製造方法によれば、発明２の基板を製造することができる。
【００１６】
〔発明６〕  発明６の基板の製造方法は、発明４又は発明５の製造方法において、前記認識マークを形成する工程では、インクジェット工法又はレーザーマークによって、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面を着色して前記認識マークを形成する、ことを特徴とするものである。ここで、第１の面を着色する「着色材料」には例えば耐熱性異色インク、又は、異色メッキ等を使用する。
発明６の製造方法によれば、認識マークの形成位置に応じて複数種類のマスク原版を用意する必要がないので、製造コストの低減に寄与することができる。
【００１７】
〔発明７〕  発明７の半導体装置は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を有する前記複数本の金属支柱と、前記第１の金属支柱の前記第１の面に固定されたＩＣ素子と、前記第２の金属支柱の前記第１の面と前記ＩＣ素子のパッド端子とを接続する第１の導電部材と、前記複数本の金属支柱の一部と前記ＩＣ素子及び前記第１の導電部材を封止する樹脂とを備え、前記複数本の金属支柱の前記第２の面は前記樹脂から露出し、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
ここで、本発明の「樹脂」は例えばモールド樹脂である。モールド樹脂の膨張率をα１、ソルダーレジストの膨張率をα２、アンダーフィルの膨張率をα３とすると、その大小関係は例えばα１＜α３＜α２である。膨張率が小さいほど伸びにくく、膨張率が大きいほど伸びやすい。即ち、モールド樹脂は、ソルダーレジストやアンダーフィルよりも伸びにくい。また、モールド樹脂の弾性率をβ１、ソルダーレジストの弾性率をβ２、アンダーフィルの弾性率をβ３とすると、その大小関係は例えばβ１＞β３＞β２である。弾性率が小さいほど柔らかく、弾性率が大きいほど硬い。即ち、モールド樹脂は、ソルダーレジストやアンダーフィルよりも硬い。
【００１９】
発明７の半導体装置によれば、ＩＣ素子を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子の外部端子として複数本の金属支柱を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本の金属支柱をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。従って、ＩＣ素子の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板（インターポーザなど）を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子に対して、そのパッド端子のレイアウト（配置位置）に制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。これにより、半導体装置の製造コストの低減に寄与することができる。
【００２０】
また、発明７の半導体装置によれば、従来のダイパッドのように金属が一箇所に集まっていない。ダイパッドや外部端子として機能する金属支柱は樹脂パッケージ内で分散して配置されているので、水分の凝集位置を分散することができ、水蒸気圧の集中を低減することができる。従って、吸湿及び加熱を伴う信頼性試験において樹脂パッケージの破裂を抑制することができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００２１】
さらに、発明７の半導体装置によれば、複数本の金属支柱が例えば同一形状で同一寸法、且つ同一色の場合でも、上記認識マークを目印にＩＣ素子が取り付けられる金属支柱（即ち、第１の金属支柱）を正しく認識することができる。従って、第１の金属支柱にＩＣ素子を精度良く位置合わせすることができ、第１の金属支柱にＩＣ素子を位置ズレ少なく取り付けることができる。
【００２２】
〔発明８〕  発明８の半導体装置は、発明７の半導体装置において、前記複数本の金属支柱は第３の金属支柱及び第４の金属支柱を有し、前記第３の金属支柱の前記第１の面に固定された受動部品と、前記第４の金属支柱の前記第１の面と前記受動部品の端子部とを接続する第２の導電部材と、をさらに備え、
前記受動部品と、前記第２の導電部材とが前記樹脂により封止されていることを特徴とするものである。
【００２３】
このような構成であれば、複数本の金属支柱が例えば同一形状で同一寸法、且つ同一色の場合でも、上記認識マークを目印に受動部品が取り付けられる金属支柱（即ち、第３の金属支柱）を正しく認識することができる。従って、第３の金属支柱に受動部品を精度良く位置合わせすることができ、第３の金属支柱に受動部品を位置ズレ少なく取り付けることができる。
【００２４】
〔発明９、１０〕  発明９の半導体装置の製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を有する前記複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱を前記第１の面から前記第２の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部と、を備え、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されている基板を用意する工程と、前記認識マークを用いて前記第１の金属支柱を認識する工程と、認識された前記第１の金属支柱の前記第１の面に前記ＩＣ素子を固定する工程と、前記ＩＣ素子を固定する工程の後、前記ＩＣ素子のパッド端子と前記第２の金属支柱の前記第１の面とを第１の導電部材で接続する工程と、前記ＩＣ素子及び前記第１の導電部材と、前記複数本の金属支柱のうちの前記第１の面側の部位を樹脂で封止する工程と、前記樹脂で封止する工程の後、前記連結部を前記第２の面からエッチングして取り除く工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００２５】
発明１０の半導体装置の製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本の金属支柱であって、第１の金属支柱及び第２の金属支柱を有する前記複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第２の面を支持する支持基板と、を備え、前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されており、前記複数本の金属支柱のうちのいずれかの金属支柱の前記第１の面には、認識マークが形成されている基板を用意する工程と、前記認識マークを用いて前記第１の金属支柱を認識する工程と、認識された前記第１の金属支柱の前記第１の面に前記ＩＣ素子を固定する工程と、前記ＩＣ素子を固定する工程の後、前記ＩＣ素子のパッド端子と前記第２の金属支柱の前記第１の面とを第１の導電部材で接続する工程と、前記支持基板上に樹脂を供給して、前記ＩＣ素子と前記複数本の金属支柱の一部と、前記第１の導電部材と、を前記樹脂で封止する工程と、前記樹脂及び当該樹脂によって封止された前記複数本の金属支柱の前記第２の面から前記支持基板を剥離する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００２６】
発明９、１０の製造方法によれば、ＩＣ素子に課せられる制約を増やすことなく、ＩＣ素子を搭載する基板の仕様を共通化できるので、半導体装置の製造コストを低減することができる。また、複数本の金属支柱が例えば同一形状で同一寸法、且つ同一色の場合でも、上記認識マークを目印にＩＣ素子が取り付けられる金属支柱（即ち、第１の金属支柱）を正しく認識することができる。従って、第１の金属支柱にＩＣ素子を精度良く位置合わせすることができ、第１の金属支柱にＩＣ素子を位置ズレ少なく取り付けることができる。
【００２７】
〔発明１１〕  発明１１の半導体装置の製造方法は、発明９又は発明１０の半導体装置の製造方法において、前記認識マークを目印に前記第２の金属支柱を認識する工程、をさらに含み、前記ＩＣ素子と前記第２の金属支柱とを前記第１の導電部材で接続する工程では、前記認識マークを目印に認識された前記第２の金属支柱の前記第１面と、前記ＩＣ素子の前記パッド端子とを、ワイヤー状の前記第１の導電部材で接続することを特徴とするものである。ここで、本発明の「ワイヤー状の第１の導電部材」は例えば金線である。
このような構成であれば、複数本の金属支柱が例えば同一形状で同一寸法、且つ同一色の場合でも、上記認識マークを目印に、ワイヤー状の第１の導電部材が取り付けられる金属支柱（即ち、第２の金属支柱）を正しく認識することができる。従って、ワイヤー状の第１の導電部材を第２の金属支柱に精度良く取り付けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
（１）第１実施形態
この第１実施形態では、まず始めに基板の製造方法について説明し、次に、この基板にＩＣ素子を取り付けて半導体装置を製造する方法について説明する。なお、この第１実施形態では基板の製造方法の一例として、図１及び図２に示す二通りの製造方法を説明する。図１はセミアディティブ工法を応用した製造方法であり、図２はサブトラクティブ工法を応用した製造方法である。この二通りの製造方法について説明した後、図３においてＩＣ素子の取り付け及び樹脂封止の工程を説明し、図４においてダイシング工程を説明する。
【００２９】
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１実施形態に係る基板１０の製造方法（セミアディティブ工法）を示す断面図である。まず始めに、図１（ａ）に示すように銅板１を用意する。銅板１の平面視での縦、横の寸法は、銅板１から作成される半導体装置のパッケージ外形よりも大きいものであれば良い。また、銅板１の厚さは、例えば０．１０〜０．３０ｍｍ程度である。次に、図１（ｂ）に示すように、銅板１の表面及び裏面にそれぞれフォトレジスト２ａ及び２ｂを塗布する。このフォトレジスト２ａ及び２ｂは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。
【００３０】
そして、図１（ｃ）に示すように、フォトレジストを露光及び現像処理して、複数本の円筒状電極（以下、ポストという。）が形成される領域を露出し、それ以外の領域を覆うレジストパターン２ａ´及び２ｂ´を形成する。ここでは、銅板１の表面にレジストパターン２ａ´を形成すると共に、銅板１の裏面にレジストパターン２ｂ´を形成する。
次に、図１（ｄ）に示すように、例えば電解メッキ法により、レジストパターン２ａ´及び２ｂ´から露出している領域（即ち、ポストが形成される領域）の銅板１にメッキ層３ａ及び３ｂを形成する。ここでは、銅板１の表面にメッキ層３ａを形成すると共に、銅板１の裏面にメッキ層３ｂを形成する。
【００３１】
なお、図１（ｄ）ではメッキ層３ａ及び３ｂをそれぞれ２層構造で示しているが、メッキ層３ａ及び３ｂは２層以上の積層構造でも単層構造でも良い。例えば、メッキ層３ａ及び３ｂは、Ｎｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる３層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる２層構造、又は、Ａｇからなる単層構造を採ることができる。メッキ層３ａ及び３ｂが上記のような構成を採る場合、Ｎｉ層又はＡｇ層を厚く形成することが好ましい。
【００３２】
次に、図１（ｅ）に示すように、銅板１の表面及び裏面からそれぞれレジストパターンを除去する。そして、図１（ｆ）に示すように、メッキ層３ａをマスクに銅板１を表面側からエッチングして凹部４ａを形成する共に、メッキ層３ｂをマスクに銅板１を裏面側からエッチングして凹部４ｂを形成する。ここでは、銅板１を表面及び裏面からそれぞれハーフエッチングして、複数本のポスト５を形成すると共に、これらポスト５を断面視で横方向に連結する連結部６を形成する。即ち、複数本のポスト５間で銅板１が完全にエッチングされて無くなる前（即ち、貫通前）にエッチングを止める。そして、このようなハーフエッチングにより、銅板１の表面から裏面に至る間の一部分でポストが互いに連結された状態の基板１０を完成させる。
【００３３】
図１（ｆ）に示す銅板１のハーフエッチングは、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。また、エッチング液には、例えば塩化第２鉄溶液、又は、アルカリ性のエッチング溶液（以下、アルカリ溶液という。）を用いる。
なお、メッキ層３ａ及び３ｂが例えばＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又は、Ｎｉ／Ａｕからなる場合は、上記エッチング液にアルカリ溶液を用いることが好ましい。Ｎｉはアルカリ溶液に溶けにくいので、図１（ｆ）のように、メッキ層３ａ及び３ｂをポスト５の表面及び裏面からそれぞれ外側へはみ出すように残すことができる。また同様に、メッキ層３ａ及び３ｂが例えばＡｇからなる場合は、上記エッチング液に塩化第２鉄溶液を用いることが好ましい。Ａｇは塩化第２鉄溶液に溶けにくいので、図１（ｆ）のように、メッキ層３ａ及び３ｂをポスト５の表面及び裏面からそれぞれ外側へはみ出すように残すことができる。
【００３４】
また、銅板１の表面及び裏面にそれぞれ形成する凹部４ａ及び４ｂは、それぞれ同じ深さに形成しても良いし、異なる深さに形成しても良い。例えば、スプレー式のウェットエッチングで凹部４ａ及び４ｂを形成する場合は、表面側のエッチング時間を裏面側のエッチング時間の２倍に設定する。これにより、表面側に例えば深さ０．１ｍｍの凹部４ａを形成すると共に、裏面側に深さ０．０５ｍｍの凹部４ｂを形成することができる。
【００３５】
また、図１（ｆ）に示したハーフエッチングでは、エッチング液により銅板１の露出している面が酸化して黒ずむ場合がある。そこで、ハーフエッチング後に基板１０を洗浄して黒ずんでいる酸化層を除去しても良い。このような洗浄処理により、銅板１の露出面から酸化層を除去することができ、銅板１に輝きを取り戻すことができる。また、この洗浄処理後に銅板１の露出面に酸化防止材を塗布しても良い。これにより、以降の組立工程で、銅板１の酸化を防止することができる。
【００３６】
また、図１（ｅ）において、銅板１をエッチングする前に銅板１の表面及び裏面にそれぞれメッキ保護用のフォトレジスト（図示せず）を新たに形成しておいても良い。銅板１のエッチング工程では当該フォトレジストで覆われたメッキ層３ａ及び３ｂをマスクに銅板１をエッチングすることになるので、メッキ層３ａ及び３ｂをエッチング液から保護することができる。
【００３７】
また、このメッキ保護用のフォトレジストは、凹部４ａ及び４ｂを形成した後もそのまま残しておいても良い。これにより、以降の組立工程においても、メッキ層３ａ及び３ｂを保護し続けることができる。このメッキ保護用のフォトレジストは、メッキ層３ａ及び３ｂの両方に残しておいても良いし、メッキ層３ｂにのみ残しても良い。メッキ層３ｂにのみフォトレジストを残した場合、以降の組立工程においても、メッキ層３ｂを保護し続けることが出来る。  また、このようなメッキ保護用のフォトレジストは、銅板１のエッチング前ではなく、銅板１のエッチング後に形成しても良い。このような構成であっても、以降の組立工程においても、メッキ層３ａ及び３ｂを保護し続けることができる。
【００３８】
次に、もう一方の基板の製造方法について、図２を参照しながら説明する。
図２（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第１実施形態に係る基板１０の製造方法（サブトラクティブ工法）を示す断面図である。図２において、図１と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
まず始めに、図２（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、図２（ｂ）に示すように、例えば電解メッキ法により、銅板１の表面及び裏面にそれぞれメッキ層３ａ´及び３´ｂを形成する。図１と同様、図２（ｂ）でもメッキ層３ａ´及び３ｂ´をそれぞれ２層構造で示しているが、メッキ層３ａ´及び３ｂ´は２層以上の積層構造でも単層構造でも良い。メッキ層３ａ´及び３ｂ´は、例えばＮｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる積層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる積層構造、又は、Ａｇからなる単層構造を採ることができる。メッキ層３ａ´及び３ｂ´が上記のような構成を採る場合、Ｎｉ層又はＡｇ層を厚く形成することが好ましい。
【００３９】
次に、図２（ｃ）に示すように、銅板１の表面及び裏面にそれぞれフォトレジスト７ａ及び７ｂを塗布する。そして、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト７ａ及び７ｂを露光及び現像処理して、ポストが形成される領域を覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン７ａ´及び７ｂ´を形成する。次に、レジストパターン７ａ´及び７ｂ´をマスクにメッキ層３ａ´及び３ｂ´をそれぞれエッチングして除去する。これにより、図２（ｅ）に示すように、パターニングされたメッキ層３ａ及び３ｂが銅板１の表面と裏面とにそれぞれ形成される。
【００４０】
ここで、メッキ層３ａ及び３ｂが例えばＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又は、Ｎｉ／Ａｕからなる場合は、メッキ層のエッチング液に例えば王水を使用する。また、メッキ層３ａ及び３ｂが例えばＡｇからなる場合は、エッチング液に例えば硝酸溶液を使用する。このようにメッキ層をエッチングした後で、図２（ｆ）に示すように、レジストパターン７ａ´及び７ｂ´と、これに覆われているメッキ層３ａ及び３ｂとをマスクに銅板１を表面側及び裏面側からそれぞれエッチングする。これにより、銅板１の表面側に凹部４ａを形成する共に、その裏面側に凹部４ｂを形成する。
【００４１】
この図２に示す製造方法においても、図１に示した製造方法と同様、銅板１を表面及び裏面からそれぞれハーフエッチングして、複数本のポスト５を形成すると共に、これらポスト５を断面視で横方向に連結する連結部６を形成する。即ち、複数本のポスト５間で銅板１が完全にエッチングされて無くなる前（即ち、貫通前）にエッチングを止める。そして、このようなハーフエッチングにより、銅板１の表面から裏面に至る間の一部分でポスト５が互いに連結された状態の基板１０を完成させる。図２（ｆ）に示す銅板１のハーフエッチングは、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。エッチング液には、例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を用いる。
【００４２】
なお、メッキ層３ａ及び３ｂが例えばＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又は、Ｎｉ／Ａｕからなる場合は、エッチング液にアルカリ溶液を用いることが好ましい。また、メッキ層３ａ及び３ｂが例えばＡｇからなる場合は、上記エッチング液に塩化第２鉄溶液を用いることが好ましい。このようなエッチング液の選択により、図２（ｆ）のように、メッキ層３ａ及び３ｂをポスト５の表面及び裏面からそれぞれ外側へはみ出すように残すことができる。
【００４３】
また、表面及び裏面にそれぞれ形成する凹部４ａ及び４ｂは、それぞれ同じ深さに形成しても良いし、異なる深さに形成しても良い。例えば、スプレー式で凹部４ａ及び４ｂを形成する場合は、図１の製造方法と同様にウェットエッチングの所要時間を調整することで、表面側に例えば深さ０．１ｍｍの凹部を形成すると共に、裏面側に深さ０．０５ｍｍの凹部を形成することができる。また、これら凹部４ａ及び４ｂの形成後に、図１の製造方法と同様、基板１０を洗浄して黒ずんでいる酸化層を除去しても良い。これにより、銅板１に輝きを取り戻すことができる。さらに、この洗浄処理後に銅板１の露出面に酸化防止材を塗布しても良い。これにより、以降の銅板１の酸化を防止することができる。
【００４４】
その後、図２（ｇ）に示すように、基板１０からレジストパターンを除去する。
なお、図２（ｇ）のレジスト除去工程は、本実施の形態において必須の工程ではない。本実施の形態では、基板１０の両面にレジストパターンを残しておいても良い。また、図２（ｇ）では、基板１０の表面側のレジストパターンだけを取り除き、裏面側のレジストパターンはそのまま残しておいても良い。これにより、以降の組立工程においてレジストパターンをメッキ層３ａ及び３ｂ、又はメッキ層３ｂの保護膜として利用することができる。
【００４５】
また、この図２に示す製造方法では、図２（ｃ）〜（ｅ）の工程をウェットエッチングのような化学的な加工ではなく、物理的な加工により行っても良い。例えば、サンドブラスト処理や切削工具を用いた処理により、メッキ層３ａ及び３ｂを部分的に除去することも可能である。サンドブラスト処理は、例えばガラス粒子を部分的に吹き付けてメッキ層３ａ及び３ｂを削る処理であるが、このときのガラス粒子の吹き付ける量と吹きつけ圧力等を調整することにより、図２（ｅ）に示したようなメッキ層３ａ及び３ｂの加工が可能である。
図５は基板１０の形状の一例を示す図である。図１（ａ）〜（ｆ）に示す方法で形成された基板１０の構成と、図２（ａ）〜（ｇ）に示す方法で形成された基板１０の構成は同じであり、その形状を立体的に見ると例えば図５に示す通りである。即ち、基板１０は、縦方向及び横方向（縦方向に対して直角に交わる方向）に並んだ複数本のポスト５を備え、これらのポスト５は表面から裏面に至る間の一部分（例えば、厚さ方向の中間部分）で互いに連結された構造となっている。また、各ポスト５の側面は、表面又は裏面から中間部分にかけて当該ポスト５の径が徐々に広がるように（即ち、椀状に）湾曲している。
【００４６】
次に、この基板１０にベア状態のＩＣ素子を取り付けて半導体装置を製造する方法について説明する。
図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法（認識マーク形成〜樹脂封止工程まで）を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、まず始めに、基板１０の表面に認識マーク８を形成する。ここで、基板１０が有する複数本のポスト５は、例えばその各々が全て同一形状で同一寸法、且つ同一色である。また、例えば平面視で見たときの縦方向に沿って隣り合うポスト５間の距離（各ポスト５の中心同士の距離）は全て等しく、平面視で見たときの横方向に沿って隣り合うポスト５間の距離（各ポスト５の中心同士の距離）は全て等しくなっている。そのため、ＩＣ素子を基板１０に取り付ける（固定する）際に、基板１０におけるＩＣ固定領域を認識することができず、ＩＣ素子をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができないおそれがある。なお、このとき、縦方向に沿って隣り合うポスト５間の距離と、横方向に沿って隣り合うポスト５間の距離とも全て等しくなっていてもよい。
【００４７】
そこで、本実施の形態では、例えばインクジェット工法又はレーザーマークによって、所望の位置のポスト５表面（上面）を着色して認識マーク８を形成する。認識マーク８をインクジェット工法で形成する場合、その着色材料には例えば耐熱性異色インク、又は、異色メッキ等を採用することが可能である。
なお、異色メッキの場合は、インクジェット工法以外に、マスクをかけてメッキ処理することも可能である。但し、マスクを用いるこの方法では、認識マーク８を形成する所望の位置に応じて複数種類のマスク原版が必要となるので、製造コストの上昇を招くおそれもある。それゆえ、この認識マーク８の形成工程では、マスクをかけたメッキ処理を行うよりも、インクジェット工法又はレーザーマークによる処理を行う方が望ましい。また、認識マーク８は、ディスペンサーを用いて形成してもよいし、印刷法を用いて形成してもよい。
【００４８】
図６は、認識マーク８の配置位置の一例を示す図である。認識マーク８の配置位置は、ＩＣ素子を固定する領域（即ち、ＩＣ固定領域）の内側又はその外側のどちらでも良く、又は、内側及びその外側の両方にあっても良い。図６は、認識マーク８をＩＣ固定領域の外側に配置する場合を示しており、ＩＣ固定領域（例えば、平面視で矩形である）の対角線の延長上に当該領域から一定の距離を置いて認識マーク８を形成している。認識マーク８の配置間隔（ピッチ）は例えば一定である。また、認識マーク８の色は、ＩＣ素子を基板１０に取り付ける際にカメラ等で認識できる程度に着色されていれば良い。図６では、一例として、黒色の認識マーク８を形成する場合を示している。
【００４９】
なお、図６では、１つのＩＣ固定領域に例えば２つの認識マーク８が対応しているが、ＩＣ素子と基板１０との位置合わせ精度に余裕がある（即ち、それほど高精度が求められない）製品の場合は、１つのＩＣ固定領域に１つの認識マーク８が対応していても良い。ＩＣ素子とポスト５との接続を例えばワイヤーボンディングで行うような製品では、位置合わせ精度に余裕がある（即ち、位置合わせにそれほど高精度が求められない）ものも多い。そのような製品については、１つのＩＣ固定領域に対応する認識マーク８の数を少なく設定することも可能である。例えばＩＣ固定領域の対角線の交点、又は、ダイシングラインの対角線の交点に認識マーク８を１つ形成しても良い。
【００５０】
また、ＩＣ素子とポスト５との接続を例えばフェイスダウンで行うような製品では、位置合わせ精度に余裕がない（即ち、位置合わせに高精度が求められる）ものも多い。そのような製品については、１つのＩＣ固定領域に対応する認識マークの数を多く設定することも可能である。例えば、１つのＩＣ固定領域に３つの認識マーク８が対応していても良い。このように、本実施の形態では、半導体装置の種類（機種）やその実装方式、位置合わせの要求精度等に合わせて、基板１０に所望の数だけ認識マーク８を形成する。
【００５１】
次に、図３（ｂ）に示すように、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識する。例えば、認識マーク８から一定の方向（図３（ｂ）では、断面視で右方向）に一定の距離だけ離れた位置にある領域がＩＣ固定領域であると認識する。そして、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子１１を位置合わせし、位置合わせした状態で、ＩＣ固定領域にある複数本のポスト５上にＩＣ素子１１を取り付ける。このような方法によれば、ＩＣ素子１１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ素子１１を基板１０に位置ズレ少なく取り付けることができる。なお、このダイアタッチ工程では、ＩＣ素子１１とポスト５とを接着剤１２で取り付ける。使用する接着剤１２は、例えば熱硬化ペースト又はシート状のものである。
【００５２】
次に、図３（ｃ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域（即ち、ＩＣ素子の直下から外れた領域）にあるポスト５の上面と、ＩＣ素子１１の能動面に設けられているパッド端子とを例えば金線１３で接続する。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト５を認識し、認識したポスト５に金線１３の一端を接続するようにしても良い。このような方法によれば、複数本のポスト５の中から外部端子となるポスト５を正しく認識することができ、認識したポスト５に金線１３を精度良く取り付けることができる。なお、認識マーク８がポスト５又はメッキ層３ａと同様に導電性を有する場合は、例えば、認識マーク８が形成されたポスト５に金線１３を接続して当該ポスト５を外部端子として使用しても良い。
【００５３】
次に、図３（ｄ）に示すように、ＩＣ素子１１、金線１３及びポスト５を含む基板１０の上方全体をモールド樹脂１４で封止する。モールド樹脂１４は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等である。この樹脂封止工程では、例えば、ＩＣ素子１１を含む基板１０の表面側にキャビティを被せてその内側を減圧し、減圧されたキャビティ内にモールド樹脂１４を供給する。このような減圧下での樹脂供給により、キャビティ内にモールド樹脂１４を充填性良く供給することができ、図３（ｄ）に示すように、モールド樹脂１４で凹部４ａを隙間無く埋め込むことができる。
【００５４】
その後、ポスト５同士を連結している連結部６を裏面の側からエッチングして取り除く。この連結部６のエッチングは、凹部４ａ及び４ｂを形成したときと同様、例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を用いて行う。これにより、図３（ｅ）に示すように、隣り合うポスト５同士を電気的に切り離すことができ、金線１３に繋がるポスト５をそれぞれ電気的に独立した外部端子として使用することが可能となる。また、各ポスト５はモールド樹脂１４によってその表面側の部位が固定されているので、連結部を取り除いた後もその位置が保持される。
【００５５】
なお、メッキ層３ｂの保護膜として裏面側に図示しないフォトレジストが残されている場合は、当該フォトレジストを連結部のエッチング後に除去する。
また、メッキ層３ｂがＡｇメッキの場合は、Ａｇメッキを除去し、別のメッキ処理を行っても良い。即ち、Ａｇメッキを除去し、その後、別種類のメッキをメッキ層３ｂとして付け直しても良い。別種類のメッキとしては、例えば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又は、Ｎｉ／Ａｕ、半田などが挙げられる。このようなメッキ層３ｂの付け直しは、裏面側にフォトレジストが形成されている場合は当該フォトレジストを除去した後で行えば良く、また、裏面側にフォトレジストが形成されていない場合は連結部を除去した後で行えば良い。
【００５６】
次に、モールド樹脂１４をダイシングして個片化する。このダイシング工程では、ダイシングラインに沿ってモールド樹脂１４を個々の樹脂パッケージに分割すると共に、製品にならない樹脂の余白部分を切断して除去する。また、モールド樹脂１４の切断は、例えば、ポスト５裏面の露出している部分を目印にして行う。このダイシング工程では、図４（ａ）に示すように端子サイズ以上のブレード１５で端子部（即ち、ポスト５）をカットしても良いし、図４（ｂ）に示すようにハーフエッチング幅サイズ以下のブレード１５を用いて端子間（即ち、隣り合う一方のポスト５と他方のポスト５との間）をカットしても良い。また、図４（ａ）に示すように、認識マーク８が形成されたポスト５をカットしても良い。これにより、半導体装置１００が完成する。
【００５７】
なお、認識マーク８が形成されたポスト５をカットした場合（即ち、ダイシングラインと認識マーク８とが重なり合う場合）は、この認識マーク８は半導体装置１００の内部にもちろん残らない。また、認識マーク８がダイシングラインよりも内側にある場合にはダイシング後も半導体装置１００の内部に認識マーク８が残り、認識マーク８がダイシングラインよりも外側にある場合にはダイシング後は半導体装置１００の内部に認識マーク８が残らない。ダイシングラインと認識マーク８との位置関係により、認識マーク８が半導体装置１００の内部に残る場合と、残らない場合とがある。
【００５８】
このように、本発明の第１実施形態によれば、ＩＣ素子１１を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子１１の外部端子として複数本のポスト５を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本のポスト５をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。従って、ＩＣ素子１１の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板１０（インターポーザなど）を用意して半導体装置１００を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子１１に対して、そのパッド端子のレイアウト（配置位置）に制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板１０の仕様を共通化できる。これにより、半導体装置の製造コストの低減に寄与することができる。
【００５９】
また、従来のダイパッドのように金属が一箇所に集まっていない。ダイパッドや外部端子として機能するポスト５は樹脂パッケージ内で分散して配置されているので、水分の凝集位置を分散することができ、水蒸気圧の集中を低減することができる。従って、吸湿及び加熱を伴う信頼性試験（即ち、モールド樹脂１４からなる樹脂パッケージを湿度の高い雰囲気中に載置した状態で加熱処理を施して、樹脂パッケージに異常が生じないかどうかを検査する試験）において樹脂パッケージの破裂を抑制することができ、半導体装置１００の信頼性を高めることができる。
【００６０】
さらに、半導体装置の種類（機種）やその実装方式、位置合わせの要求精度等に合わせて、基板１０に所望の数だけ認識マーク８を形成する。そして、ダイアタッチ工程では、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識する。このような方法によれば、ＩＣ固定領域を正しく認識することができる。従って、ＩＣ素子１１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ固定領域にあるポスト５上にＩＣ素子１１を位置ズレ少なく取り付けることができる。
【００６１】
また、図７に示すように、ポスト５の側面が断面視で湾曲しており、隣り合うポスト５間の凹部４ａ及び４ｂは断面視で椀型となっている。これにより、ポスト５の側面が湾曲していない（即ち、ポスト５の側面が表面及び裏面に対して垂直である）場合と比べて、モールド樹脂１４とポスト５側面との接触面積を増やすことができ、モールド樹脂１４とポスト５との接合力を高めることができる。
【００６２】
さらに、各ポスト５の表面にそれぞれ形成されたメッキ層３ａは、表面から外側へはみ出しており、図７の破線で示すように、メッキ層３ａとポスト５との断面視による形状が「Ｔ」字型となっている。これにより、メッキ層３ａのはみ出している部分がモールド樹脂１４に引っかかり、メッキ層３ａによるアンカー効果を得ることができる。
このように、本発明の第１実施形態によれば、下記ａ）、ｂ）の２重の脱落防止対策を施しているので、ポスト５をモールド樹脂１４側に押さえつけることができ、モールド樹脂１４からポスト５が脱落してしまうことを防ぐことができる。
ａ）ポスト５の側面の湾曲形状
ｂ）メッキ層３ａとポスト５とによるＴ字型のアンカー効果
【００６３】
この第１実施形態では、銅板１が本発明の「金属板」に対応し、銅板１の表面が本発明の「第１の面」に対応し、銅板１の裏面が本発明の「第２の面」に対応している。また、ポスト５が本発明の「金属支柱」に対応し、ＩＣ素子１１が取り付けられたポスト５が本発明の「第１の金属支柱」に対応し、メッキ層３ａを介して金線１３に接続されたポスト５が本発明の「第２の金属支柱」に対応している。さらに、金線１３が本発明の「第１の導電部材」に対応し、モールド樹脂１４が本発明の「樹脂」に対応している。また、認識マーク８を有する基板１０が本発明の「基板」に対応している。
【００６４】
（２）第２実施形態
図８（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置１１０の製造方法を示す断面図である。ここでは、図３（ｅ）に示した裏面貫通（即ち、連結部６の除去）後に、基板１０の裏面側にある凹部４ｂをレジストで埋め込むと共に、裏面側のメッキ層３ｂにＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、を用いる又は裏面側のメッキ層３ｂに半田メッキを追加で形成する場合について説明する。なお、図８（ａ）〜（ｃ）において、第１実施形態で説明した各図と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００６５】
図８（ａ）において、裏面貫通工程までは第１実施形態と同じである。この第２実施形態では、裏面貫通後に基板１０の裏面側にソルダーレジスト１６を塗布して凹部４ｂを埋め込む。次に、このソルダーレジスト１６を露光、現像処理してソルダーレジスト１６を部分的に除去し、図８（ｂ）に示すように、メッキ層３ｂを露出させると共に、凹部４ｂ内にはソルダーレジスト１６を残す。
【００６６】
ここでは、ソルダーレジスト１６がポジ型の場合は、凹部４ｂが形成された領域のみを遮光するフォトマスク（図示せず）を用いてソルダーレジスト１６を露光する。また、ソルダーレジスト１６がネガ型の場合は、ポスト５が形成された領域のみを遮光するフォトマスク（図示せず）を用いてソルダーレジスト１６を露光する。これにより、凹部４ｂ内にソルダーレジスト１６を残すことができる。
【００６７】
次に、図８（ｃ）に示すように、露出したメッキ層３ｂの表面に半田メッキ等の端子部１７を形成する。そして、モールド樹脂１４をダイシングして個片化する。このダイシング工程は、図４（ａ）に示したように、端子サイズ以上のブレード１５でポスト５をカットしても良いし、図４（ｂ）に示すようにハーフエッチング幅サイズ以下のブレード１５を用いてポスト５間をカットしても良い。ダイシングラインと認識マーク８との位置関係により、認識マーク８が半導体装置１１０の内部に残る場合と、残らない場合とがある。これにより、半導体装置１１０が完成する。
【００６８】
このように、本発明の第２実施形態によれば、凹部４ｂにはソルダーレジスト１６が埋め込まれているので、第１実施形態と比べて、隣り合うポスト５同士の連結力が強い。また、ポスト５の厚さ方向の中間部分には円盤状の突起部１８があり、この突起部１８はソルダーレジスト１６によってモールド樹脂１４側に固定されている。この突起部１８は、表面及び裏面側からそれぞれ進むウェットエッチングの境界部分である。この突起部１８は例えば、ポスト５の断面視で他の部分よりも幅が広い部分と言ってもよい。
【００６９】
本発明の第２実施形態によれば、下記ａ）〜ｃ）の３重の脱落防止対策を施しているので、ポストをモールド樹脂１４側に押さえつけることができ、モールド樹脂１４からのポストの脱落を防ぐことができる。
ａ）ポスト５の側面の湾曲形状
ｂ）メッキ層３ａとポスト５とによるＴ字型のアンカー効果
ｃ）ソルダーレジスト１６による脱落押さえ（突起部１８の固定を含む）
第２実施形態における本発明との対応関係は、第１実施形態と同じである。
【００７０】
（３）第３実施形態
図９（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置１２０の製造方法を示す断面図である。ここでは、図３（ｅ）の裏面貫通（即ち、連結部６の除去）後に、基板１０の裏面側にある凹部４ｂをソルダーレジスト１６で埋め込むと共に、メッキ層３ｂに半田ボール１９を搭載する場合について説明する。なお、図９（ａ）〜（ｃ）において、第１、第２実施形態で説明した各図と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００７１】
図９（ａ）において、裏面貫通工程までは第１実施形態と同じである。この第３実施形態では、裏面貫通後に基板１０の裏面にソルダーレジスト１６を塗布して凹部４ｂを埋め込む。ここでは、第２実施形態よりもソルダーレジスト１６を厚めに塗布しておく。次に、このソルダーレジスト１６を露光、現像処理してソルダーレジスト１６を部分的に除去し、図９（ｂ）に示すように、メッキ層３ｂを露出させると共に、凹部４ｂ内にはソルダーレジスト１６を残す。ここでは、図９（ｂ）に示すように、ソルダーレジスト１６の（メッキ層３ｂを露出する）開口部を第２実施形態よりも小さく形成し、ソルダーレジスト１６をポスト５側にオーバーハングさせる。ここでソルダーレジスト１６としては、例えば樹脂を用いる。特に、ソルダーレジスト１６として、モールド樹脂１４の熱膨張率よりも大きい熱膨張率を有する樹脂を用いることが望ましい。また、ソルダーレジスト１６として、モールド樹脂１４の弾性率よりも小さい弾性率を有する樹脂を用いることが望ましい。
【００７２】
そして、図９（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト１６から露出しているメッキ層３ｂに半田ボール１９を搭載する。ここでは、ソルダーレジスト１６によってメッキ層３ｂの露出面が狭くなっている（即ち、絞られている）ので、半田ボール１９を盛り上げるように（即ち、断面視でキノコ型となるように）形成することができる。この半田ボール１９により、安定した実装端子面積、高さ（コプラナリティ）が得られるので、二次実装性が有利となる。
【００７３】
その後、モールド樹脂１４をダイシングして個片化する。このダイシング工程は、図４（ａ）又は図４（ｂ）に示した通りである。即ち、図４（ａ）に示したように、端子サイズ以上のブレード１５でポスト５をカットしても良いし、図４（ｂ）に示すようにハーフエッチング幅サイズ以下のブレード１５を用いて隣り合うポスト５間をカットしても良い。また、図４（ａ）に示すように、認識マーク８が形成されたポスト５をカットしても良い。ダイシングラインと認識マーク８との位置関係により、認識マーク８が半導体装置１２０の内部に残る場合と、残らない場合とがある。これにより、半導体装置１２０が完成する。
【００７４】
このように、本発明の第３実施形態によれば、第２実施形態と同様、凹部４ｂにはソルダーレジスト１６が埋め込まれているので、第１実施形態と比べて、隣り合うポスト５同士の連結力が強い。また、図１０に示すように、各々のポスト５の厚さ方向の中間部分には表面及び裏面側からのそれぞれのウェットエッチングにより形成された円盤状の突起部１８があり、この突起部１８はソルダーレジスト１６によってモールド樹脂１４側に固定されている。
【００７５】
さらに、凹部４ｂに埋め込まれているソルダーレジスト１６はポスト５側にオーバーハングしており、このオーバーハングしている部分によってメッキ層３ｂの外周部は押さえられている。また、このソルダーレジスト１６のポスト５側にオーバーハングしている部分は半田ボール１９によって押さえられている。このような構成であれば、メッキ層３ｂが形成されたポスト５をソルダーレジスト１６で押さえることができ、このソルダーレジスト１６を半田ボール１９で押さえることができる。
【００７６】
本発明の第３実施形態によれば、下記ａ）〜ｄ）の４重の脱落防止対策を施しているので、ポスト５をモールド樹脂１４側に押さえつけることができ、モールド樹脂１４からのポスト５脱落を防ぐことができる。
ａ）ポスト５の側面の湾曲形状
ｂ）メッキ層３ａとポスト５とによるＴ字型のアンカー効果
ｃ）ソルダーレジスト１６による押さえ
（突起部１８の固定とオーバーハング構造による下側からの押さえ、の両方を含む）
ｄ）キノコ型半田ボール１９による押さえ
第３実施形態における本発明との対応関係は、第１実施形態と同じである。
【００７７】
（４）第４実施形態
図１１は本発明の第４実施形態に係る半導体装置１３０の構成例を示す断面図である。図１１において、第１〜第３実施形態で説明した各図と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図１１に示す半導体装置１３０は、第１実施形態においてダイシングした後の半導体装置１００（図７参照）をマザーボード２１に取り付け、モールド樹脂１４とマザーボード２１との間にアンダーフィル２２を注入することにより形成されたものである。即ち、この半導体装置１３０は、ポスト５の裏面に設けられたメッキ層３ｂと、マザーボード２１の表面に設けられた配線層２３とが接合されており、モールド樹脂１４とマザーボード２１との間で、ポスト５のモールド樹脂１４から露出した部分と、メッキ層３ｂと配線層２３とがアンダーフィル２２によって封止されたものである。このように、２次実装後にアンダーフィル２２を注入することで、ＩＣ素子１１とマザーボード２１との接続信頼性を向上することができる。ここでアンダーフィル２２としては、例えば樹脂を用いる。特に、アンダーフィル２２として、モールド樹脂１４の熱膨張率よりも大きい熱膨張率を有する樹脂を用いることが望ましい。また、アンダーフィル２２として、モールド樹脂１４の弾性率よりも小さい弾性率を有する樹脂を用いることが望ましい。
第４実施形態における本発明との対応関係は、第１実施形態と同じである。
【００７８】
（５）第５実施形態
上記の第１実施形態では、ＩＣ素子１１を基板１０に取り付けた後で連結部６をエッチングして取り除く場合について説明した。しかしながら、本発明では、ＩＣ素子１１の取り付け前に連結部６をエッチングしても良い。第５実施形態では、このような方法について説明する。
【００７９】
図１２（ａ）〜図１３（ｄ）は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置１４０の製造方法を示す断面図である。図１２及び図１３において、第１〜第４実施形態で説明した各図と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図１２（ａ）において、基板１０は、例えば図１又は図２で説明した方法で製造したものである。基板１０の裏面にソルダーレジスト１６を塗布して凹部４ｂを埋め込む。ここでは、例えば第３実施形態と同様に、ソルダーレジスト１６を厚めに塗布する。
【００８０】
そして、隣り合うポスト５同士を連結している連結部６を表面の側からエッチングして取り除く。この連結部６のエッチングは、例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を用いて行う。これにより、図１２（ｂ）に示すように、隣り合うポスト５同士を電気的に切り離すことができる。なお、この第５実施形態では、連結部をエッチングする際に凹部４ｂにソルダーレジスト１６が埋め込まれている。このため、連結部を除去した後も、隣り合うポスト５同士はソルダーレジスト１６によって連結状態が維持される。
【００８１】
次に、ソルダーレジスト１６を露光、現像処理してソルダーレジスト１６を部分的に除去し、図１２（ｃ）に示すように、メッキ層３ｂを露出させると共に、凹部４ｂ内にソルダーレジスト１６を残す。ここでは、例えば第３実施形態と同様に、ソルダーレジスト１６をポスト５側にオーバーハングさせる。
次に、認識マークの配置はインクジェット工法又はレーザーマークによって、所望の位置のポスト５表面（上面）を着色して認識マーク８を形成する。認識マーク８をインクジェット工法で形成する場合、その着色材料には例えば耐熱性異色インク、又は、異色メッキ等を採用することが可能である。なお、認識マーク８を形成する工程は、ソルダーレジスト１６を部分的に除去する工程の前に行ってもよいが、ソルダーレジスト１６を除去する工程や、その前の工程であって認識マーク８を設ける工程の後に行う工程において、形成した認識マーク８が傷つく若しくは除去されてしまうことを防ぐために、ソルダーレジスト１６を除去する工程後、若しくは後述するダイアタッチ工程の直前に認識マーク８を形成することが望ましい。
【００８２】
次に、図１３（ａ）に示すように、ＩＣ固定領域にある複数本のポスト５上に接着剤１２を介してＩＣ素子１１を取り付ける。このダイアタッチ工程では、認識マーク８を目印にＩＣ素子１１をＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子１１を位置合わせする。そして、ＩＣ素子１１をＩＣ固定領域に位置合わせした状態で、ＩＣ固定領域にある複数本のポスト５上にＩＣ素子１１を取り付ける。このような方法によれば、ＩＣ素子１１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ素子１１を基板１０に位置ズレ少なく取り付けることができる。
【００８３】
次に、図１３（ｂ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域（即ち、ＩＣ素子１１の直下から外れた領域）にあるポスト５の表面と、ＩＣ素子１１の能動面に設けられているパッド端子とを例えば金線１３で接続する。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト５を認識し、認識したポスト５に金線１３の一端を接続するようにしても良い。このような方法によれば、複数本のポスト５の中から外部端子となるポスト５を正しく認識することができ、認識したポスト５に金線１３を精度良く取り付けることができる。
【００８４】
次に、図１３（ｃ）に示すように、ＩＣ素子１１、金線１３及びポスト５を含む基板１０の上方全体をモールド樹脂１４で封止する。モールド樹脂１４は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等である。この樹脂封止工程では、第１実施形態と同様に、例えば、ＩＣ素子１１を含む基板１０の表面側にキャビティを被せてその内側を減圧し、減圧されたキャビティ内にモールド樹脂１４を供給する。このような減圧下での樹脂供給により、図１３（ｃ）に示すように、モールド樹脂１４で凹部４ａを隙間無く埋め込むことができる。
【００８５】
次に、図１３（ｄ）に示すように、ソルダーレジスト１６から露出しているメッキ層の表面に半田ボール１９を搭載する。ここでは、第３実施形態と同様に、ソルダーレジスト１６によってメッキ層３ｂの露出面が狭くなっている（即ち、絞られている）ので、半田ボール１９の断面視での形状をキノコ型にすることができる。その後、モールド樹脂１４をダイシングして個片化する。このダイシング工程は、図４（ａ）又は図４（ｂ）に示した通りであり、認識マーク８が形成されたポスト５をカットしても良い。ダイシングラインと認識マーク８との位置関係により、認識マーク８が半導体装置１４０の内部に残る場合と、残らない場合とがある。これにより、半導体装置１４０が完成する。
【００８６】
このように、本発明の第５実施形態によれば、第１実施形態と同様、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子１１を位置合わせしている。従って、ＩＣ素子１１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ固定領域にあるポスト５上にＩＣ素子１１を位置ズレ少なく取り付けることができる。また、本発明の第５実施形態によれば、下記ａ）〜ｄ）の４重の脱落防止対策を施しているので、ポスト５をモールド樹脂１４側に押さえつけることができ、モールド樹脂１４からのポスト５脱落を防ぐことができる。
【００８７】
ａ）ポスト５の側面の湾曲形状
ｂ）メッキ層３ａとポスト５とによるＴ字型のアンカー効果
ｃ）ソルダーレジスト１６による脱落押さえ（突起部１８の固定とオーバーハング構造を含む）
ｄ）キノコ型半田ボール１９による脱落押さえ
【００８８】
さらに、本発明の第５実施形態によれば、銅板からなる連結部６を除去した後も隣り合うポスト５同士の連結状態をソルダーレジスト１６により維持することができる。このため、例えば、図１２（ｃ）に示した状態で基板１０を流通させることが可能であり、銅板のエッチングや、ソルダーレジストの塗布、露光及び現像処理を行う装置を持たない組立工程（施設）においても、半導体装置１４０を組み立てることができる。
この第５実施形態では、連結部６及びソルダーレジスト１６が本発明の「連結部」に対応している。その他の対応関係は、第１実施形態と同じである。
【００８９】
（６）第６実施形態
上記の第１実施形態では、図１及び図２に示したように、銅板１を表面及び裏面からそれぞれハーフエッチングして基板１０を製造する場合について説明した。しかしながら、本発明に係る基板の製造方法はこれに限定されるものではない。例えば、銅板１の表面のみをハーフエッチングして基板を製造しても良い。第６実施形態では、この点について説明する。なお、この第６実施形態では基板の製造方法の一例として、図１４及び図１５に示す二通りの製造方法を説明する。図１４はセミアディティブ工法を応用した製造方法であり、図１５はサブトラクティブ工法を応用した製造方法である。この二通りの製造方法について説明した後、図１６においてＩＣ素子の取り付け及び樹脂封止の工程を説明する。
【００９０】
図１４（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第６実施形態に係る基板２０の製造方法（セミアディティブ工法）を示す断面図である。図１４において、第１〜第５実施形態で説明した各図と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
まず始めに、図１４（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、図１４（ｂ）に示すように、銅板１の表面及び裏面にそれぞれフォトレジスト２ａ及び２ｂを塗布する。そして、図１４（ｃ）に示すように、フォトレジスト２ａ及び２ｂを露光及び現像処理して、ポスト５が形成される領域を露出し、それ以外の領域を覆うレジストパターン２ａ´及び２ｂ´を形成する。ここでは、銅板１の表面にレジストパターン２ａ´を形成すると共に、銅板１の裏面にレジストパターン２ｂ´を形成する。
【００９１】
次に、図１４（ｄ）に示すように、例えば無電解メッキ法により、レジストパターン２ａ´及び２ｂ´から露出している領域（即ち、ポスト５が形成される領域）の銅板１にメッキ層３ａ及び３ｂを形成する。メッキ層３ａ及び３ｂを形成した後、図１４（ｅ）に示すように、銅板１の表面及び裏面からそれぞれレジストパターンを除去する。そして、図１４（ｆ）に示すように、メッキ層３ａをマスクに銅板１を表面側からハーフエッチングして凹部４ａを形成する。この図１４（ｆ）の工程では、銅板１を表面側からのみエッチングし、裏面側からはエッチングしない。このような片面のみのエッチングは、スプレー式のウェットエッチングにより実行可能である。例えば、エッチング液として例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を選択し、これを銅板１の表面側に噴霧することで凹部４ａを形成する。
【００９２】
なお、凹部４ａの深さは、銅板１の厚さの半分でも良いし、それよりも深くても浅くても良い。また、第１実施形態と同じ理由から、ハーフエッチング後に基板２０を洗浄しても良いし、洗浄処理後に（凹部の内面を含む）銅板１の表裏面に酸化防止材を塗布しても良い。
また、図１４（ｅ）において、銅板１をエッチングする前に銅板１の表面及び裏面にそれぞれメッキ保護用のフォトレジスト（図示せず）を新たに形成しておいても良い。銅板１のエッチング工程では当該フォトレジストで覆われたメッキ層３ａをマスクに銅板１を表面側からエッチングすることになる。従って、メッキ層３ａ及び３ｂをエッチング液から保護することができる。
【００９３】
また、このメッキ保護用のフォトレジストは、凹部４ａを形成した後もそのまま残しておいても良い。これにより、以降の組立工程においても、メッキ層３ａ及び３ｂを保護し続けることができる。このメッキ保護用のフォトレジストは、メッキ層３ａ及び３ｂの両方に形成しても良いし、メッキ層３ｂにのみ残しても良い。また、このようなメッキ保護用のフォトレジストは、銅板１のエッチング前ではなく、銅板１のエッチング後に形成しても良い。このような構成であっても、以降の組立工程においても、メッキ層３ａ及び３ｂを保護し続けることができる。
【００９４】
次に、もう一方の製造方法について、図１５を参照しながら説明する。
図１５（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第６実施形態に係る基板２０の製造方法（サブトラクティブ工法）を示す断面図である。図１５において、第１〜第５実施形態で説明した各図と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
まず始めに、図１５（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、図１５（ｂ）に示すように、例えば無電解メッキ法により、銅板１の表面及び裏面にそれぞれメッキ層３ａ´及び３ｂ´を形成する。そして、図１５（ｃ）に示すように、銅板１の表面及び裏面にそれぞれフォトレジスト７ａ及び７ｂを塗布する。次に、図１５（ｄ）に示すように、フォトレジスト７ａ及び７ｂを露光及び現像処理して、ポストが形成される領域を覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン７ａ´及び７ｂ´を銅板１の表面及び裏面にそれぞれ形成する。そして、図１５（ｅ）に示すように、レジストパターン７ａ´及び７ｂ´をマスクにメッキ層３ａ´及び３ｂ´をそれぞれエッチングして除去する。これにより、図１５（ｅ）に示すように、パターニングされたメッキ層３ａ及び３ｂが銅板１の表面と裏面とにそれぞれ形成される。
【００９５】
次に、図１５（ｆ）に示すように、レジストパターン７ａ´と、これに覆われているメッキ層３ａとをマスクに銅板１を表面側からハーフエッチングする。これにより、銅板１の表面側に凹部４ａを形成する。この図１５（ｆ）の工程では、銅板１の表面側からのみエッチングを行い、裏面側からはエッチングを行わない。このような表面側からのみのエッチングは、例えばスプレー式のウェットエッチングにより実行可能である。ここでは、エッチング液として例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を選択し、これを銅板１の表面側に噴霧することで凹部４ａを形成する。
【００９６】
なお、銅板１の表面に形成する凹部の深さは、銅板１の厚さの半分でも良いし、それよりも深くても浅くても良い。また、第１実施形態と同じ理由から、ハーフエッチング後に基板２０を洗浄しても良いし、洗浄処理後に（凹部の内面を含む）銅板１の表裏面に酸化防止材を塗布しても良い。
次に、図１５（ｇ）に示すように、基板２０からレジストパターンを除去する。なお、図１５（ｇ）のレジスト除去工程は、本実施の形態において必須ではなく、一つの例である。本実施の形態では、基板２０の両面にレジストパターンを残しておいても良い。また、図１５（ｇ）では、基板２０の表面側のレジストパターンだけを取り除き、裏面側のレジストパターンはそのまま残しておいても良い。これにより、以降の組立工程においてレジストパターンをメッキ層３ｂの保護膜として利用することができる。
【００９７】
また、図１５に示す製造方法では、図１５（ｃ）〜（ｅ）の工程をウェットエッチングのような化学的な加工ではなく、物理的な加工により行っても良い。第１実施形態と同様、サンドブラスト処理や切削工具を用いた処理により、メッキ層を部分的に除去しても良い。図１６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置１５０の製造方法（認識マーク加工〜樹脂封止工程まで）を示す断面図である。図１６において、第１〜第５実施形態で説明した各図と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００９８】
図１６（ａ）では、まず始めに、図１４又は図１５の方法により製造した基板２０を用意し、この基板２０の表面に認識マーク８を形成する。ここでは、第１実施形態と同様、例えばインクジェット工法又はレーザーマークによって、所望の位置のポスト５上面を着色して認識マーク８を形成する。次に、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子１１を位置合わせする。そして、ＩＣ固定領域の複数本のポスト５上に接着剤１２を介してＩＣ素子１１を取り付ける。
【００９９】
次に、図１６（ｂ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域（即ち、ＩＣ素子１１の直下から外れた領域）のポスト５の上面と、ＩＣ素子１１の能動面に設けられているパッド端子とを例えば金線１３で接続する。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト５を認識し、認識したポスト５に金線１３の一端を接続するようにしても良い。このような方法によれば、複数本のポスト５の中から外部端子となるポスト５を正しく認識することができ、認識したポスト５に金線１３を精度良く取り付けることができる。
【０１００】
次に、図１６（ｃ）に示すように、ＩＣ素子１１、金線１３及びポスト５を含む基板２０の上方全体をモールド樹脂１４で封止する。モールド樹脂１４は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等である。この樹脂封止工程では、例えば、ＩＣ素子１１を含む基板２０の表面側にキャビティを被せてその内側を減圧し、減圧されたキャビティ内にモールド樹脂１４を供給する。このような減圧下での樹脂供給により、キャビティ内にモールド樹脂１４を充填性良く供給することができ、図１６（ｃ）に示すように、モールド樹脂１４で凹部４ａを隙間無く埋め込むことができる。
【０１０１】
その後、メッキ層３ｂをマスクに基板２０を裏面の側からエッチングして連結部６を取り除き、図１６（ｄ）に示すように、隣り合うポスト５同士を電気的に切り離す。この基板２０のエッチングは、例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を用いて行う。これにより、金線１３に繋がるポスト５をそれぞれ電気的に独立した外部端子として使用することが可能となる。
【０１０２】
なお、メッキ層３ｂの保護膜として裏面側に図示しないフォトレジストが残されている場合は、当該フォトレジストを連結部のエッチング後に除去する。
また、メッキ層３ｂがＡｇメッキの場合は、Ａｇメッキを除去し、別のメッキ処理を行っても良い。即ち、Ａｇメッキを除去し、その後、別種類のメッキをメッキ層３ｂとして付け直しても良い。別種類のメッキとしては、例えば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又は、Ｎｉ／Ａｕ、半田などが挙げられる。このようなメッキ層３ｂの付け直しは、裏面側にフォトレジストが形成されている場合は当該フォトレジストを除去した後で行えば良く、また、裏面側にフォトレジストが形成されていない場合は連結部を除去した後で行えば良い。
【０１０３】
その後、モールド樹脂１４をダイシングして個片化する。このダイシング工程は、図４（ａ）又は図４（ｂ）に示した通りであり、認識マーク８が形成されたポスト５をカットしても良い。ダイシングラインと認識マーク８との位置関係により、認識マーク８が半導体装置１５０の内部に残る場合と、残らない場合とがある。これにより、半導体装置１５０が完成する。
【０１０４】
このように、本発明の第６実施形態によれば、第１実施形態と同様、ＩＣ素子１１を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子１１の外部端子として複数本のポスト５を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本のポスト５をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。従って、第１実施形態と同様、素子搭載及び外部端子として用いる基板２０の仕様を共通化でき、半導体装置の製造コストの低減に寄与することができる。
また、本発明の第６実施形態によれば、第１実施形態と同様、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子１１を位置合わせしている。従って、ＩＣ素子１１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ固定領域にあるポスト５上にＩＣ素子１１を位置ズレ少なく取り付けることができる。
【０１０５】
さらに、本発明の第６実施形態によれば、下記ａ）、ｂ）の２重の脱落防止対策を施しているので、ポスト５をモールド樹脂１４側に押さえつけることができ、モールド樹脂１４からポスト５が脱落することを防ぐことができる。
ａ）ポスト５の側面の湾曲形状
ｂ）メッキ層３ａとポスト５とによるＴ字型のアンカー効果
この第６実施形態では、認識マーク８を有する基板２０が本発明の「基板」に対応している。その他の対応関係は、第１実施形態と同じである。
【０１０６】
（７）第７実施形態
上記の第１〜第６実施形態では、複数本のポスト５を有する基板１０又は２０上にＩＣ素子１１を搭載する場合について説明した。しかしながら、本発明では、基板１０又は２０に搭載される素子はＩＣ素子１１に限定されるものではなく、例えば抵抗体素子、容量素子等の受動部品であっても良い。
【０１０７】
図１７（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置１６０、１７０、１８０の構成例を示す断面図である。図１７において、第１〜第６実施形態と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図１７（ａ）に示す半導体装置１６０は、受動部品３１がポスト５の表面に半田３２で固定されると共に、この受動部品３１とＩＣ素子１１との電気的接続（即ち、結線）がマザーボード（図示せず）側で行われるタイプの装置である。図１７（ａ）において、この半導体装置１６０のポスト５の裏面側の部位はモールド樹脂１４から露出しており、且つ、ポスト５の側面は断面視で湾曲している。また、半田３２層は、例えば、受動部品３１を実装する前にポスト５の表面にクリーム半田３２が塗布され、実装時に当該クリーム半田３２にリフロー処理が施されることにより形成されたものである。
【０１０８】
図１７（ｂ）に示す半導体装置１７０は、受動部品３１がポスト５に半田３２で固定されると共に、この受動部品３１とＩＣ素子１１との電気的接続が金線３３等で行われるタイプの装置である。この半導体装置１７０においても、ポスト５の裏面側の部位はモールド樹脂１４から露出しており、且つ、ポスト５の側面は断面視で湾曲している。また、受動部品３１の端子部３４はその表面がＡｕ又はＡｇでメッキされており、端子部３４とポスト５の表面とが金線３３で接続されている。さらに、ＩＣ素子１１に繋がる金線１３の一部と、受動部品３１に繋がる金線３３の一部が同一のポスト５の表面に接続されており、金線１３と、ポスト５と、金線３３とを介してＩＣ素子１１と受動部品３１とが電気的に接続されている。
【０１０９】
図１７（ｃ）に示す半導体装置１８０は、受動部品３１がポスト５に絶縁性樹脂３５で固定されると共に、この受動部品３１とＩＣ素子１１との電気的接続が金線３３等で行われるタイプの装置である。この半導体装置１８０において、図１７（ｂ）に示した半導体装置１７０と異なる点は、受動部品３１とポスト５とを接合する接合部材が、半田ではなく絶縁性樹脂３５であるという点だけである。その他の構成は全て同じである。
【０１１０】
このように、本発明の第７実施形態に係る半導体装置１６０、１７０、１８０は、ＩＣ素子１１又は受動部品３１を搭載するためのダイパッドとして、また、ＩＣ素子１１又は受動部品３１の外部端子として、複数本のポスト５をそれぞれ利用することができる。そして、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさと、受動部品３１を固定する領域の形状及び大きさとに応じて、複数本のポスト５をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。従って、第１実施形態と同様、基板１０の仕様を共通化でき、半導体装置の製造コストの低減に寄与することができる。
【０１１１】
また、本発明の第７実施形態では、ダイアタッチ工程において、認識マーク８を目印に受動部品３１が取り付けられる領域（以下、所定領域という。）を認識し、認識した所定領域に受動部品３１を位置合わせしても良い。このような方法によれば、受動部品３１を所定領域に精度良く位置合わせすることができ、所定領域にある複数本のポスト５上に受動部品３１を位置ズレ少なく取り付けることができる。また、ワイヤーボンディング工程において、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト５を認識し、認識したポスト５に金線１３、３３の一端をそれぞれ接続するようにしても良い。このような方法によれば、複数本のポスト５の中から外部端子となるポスト５を正しく認識することができ、認識したポスト５に金線１３、３３をそれぞれ精度良く取り付けることができる。
【０１１２】
さらに、本発明の第７実施形態によれば、下記ａ）、ｂ）の２重の脱落防止対策を施しているので、ポスト５をモールド樹脂１４側に押さえつけることができ、モールド樹脂１４からのポスト５の脱落を防ぐことができる。
ａ）ポスト５の側面の湾曲形状
ｂ）メッキ層３ａとポスト５とによるＴ字型のアンカー効果
この第７実施形態では、受動部品３１が取り付けられたポスト５が本発明の「第３の金属支柱」に対応し、受動部品３１と電気的に接続されたポスト５が本発明の「第４の金属支柱」に対応している。また、半田３２又は金線３３が本発明の「第２の導電部材」に対応している。その他の対応関係は第１実施形態と同じである。
【０１１３】
（８）第８実施形態
上記の第１〜第７実施形態では、複数本のポスト５とＩＣ素子１１とを金線１３を用いて電気的に接続する場合（即ち、ワイヤーボンディング方式）について説明した。しかしながら、本発明はワイヤーボンディング方式に限られることはなく、例えばフェイスダウン方式でも良い。第８実施形態では、この点について具体的に説明する。
【０１１４】
図１８（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置１９０の製造方法を示す断面図である。図１８において、第１〜第７実施形態で説明した各図と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図１８（ａ）では、まず始めに、図１又は図２の方法により製造した基板１０を用意し、この基板１０の表面に認識マーク８を形成する。ここでは、第１実施形態と同様、例えばインクジェット工法又はレーザーマークによって、所望の位置のポスト５上面を着色して認識マーク８を形成する。なお、ワイヤーボンディング方式と比べて、フェイスダウン方式ではＩＣ素子４１と基板１０との位置合わせにより高精度が求められるので、例えば、１つのＩＣ固定領域に対して２つ以上の認識マーク８を形成しておくと良い。
【０１１５】
次に、図１８（ｂ）に示すように、ＩＣ素子４１の能動面を基板１０に向けた状態で、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子４１を位置合わせする。そして、図１８（ｃ）に示すように、ＩＣ素子４１をＩＣ固定領域に位置合わせした状態で、ＩＣ素子４１を基板１０側に押し当てて、ＩＣ素子４１の能動面に形成された複数個の電極４２を、これらに各々対応する複数本のポスト５上面にそれぞれ接合する。ここで、電極４２は例えば金からなるスタッドバンプであり、その配置間隔（ピッチ）は、ポスト５のピッチの整数倍となるように設計されている。これにより、ＩＣ素子４１が基板１０に取り付けられ、ＩＣ素子４１の電極４２とポスト５とが電気的に接続される。なお、電極４２としては、電解メッキで形成した金からなるバンプや、半田バンプなどを用いてもよい。
【０１１６】
次に、図１８（ｄ）に示すように、ＩＣ素子４１を含む基板１０の上方全体をモールド樹脂１４で封止する。モールド樹脂１４は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等である。この樹脂封止工程では、例えば、ＩＣ素子４１を含む基板１０の表面側にキャビティを被せてその内側を減圧し、減圧されたキャビティ内にモールド樹脂１４を供給する。これにより、キャビティ内にモールド樹脂１４を充填性良く供給することができ、モールド樹脂１４で凹部４ａを隙間無く埋め込むことができる。
【０１１７】
その後、ポスト５同士を連結している連結部６を裏面の側からエッチングして取り除く。これにより、図１８（ｅ）に示すように、隣り合うポスト５同士を電気的に切り離すことができ、ポスト５をそれぞれ電気的に独立した外部端子として使用することが可能となる。その後、モールド樹脂１４をダイシングして個片化する。このダイシング工程は、図４（ａ）又は図４（ｂ）に示した通りであり、認識マーク８が形成されたポスト５をカットしても良い。これにより、半導体装置１９０が完成する。
【０１１８】
このように、本発明の第８実施形態によれば、ワイヤーボンディング方式と同様、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本のポスト５をダイパッド又は外部端子として使い分けることができるので、第１実施形態と同様、素子搭載及び外部端子として用いる基板１０の仕様を共通化でき、半導体装置の製造コストの低減に寄与することができる。
【０１１９】
また、本発明の第８実施形態によれば、第１実施形態と同様、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子４１を位置合わせしている。従って、ＩＣ素子４１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ固定領域にあるポスト５上にＩＣ素子４１を位置ズレ少なく取り付けることができる。
さらに、本発明の第８実施形態によれば、下記ａ）、ｂ）の２重の脱落防止対策を施しているので、ポスト５をモールド樹脂１４側に押さえつけることができ、モールド樹脂１４からのポスト５の脱落を防ぐことができる。
ａ）ポスト５の側面の湾曲形状
ｂ）メッキ層３ａとポスト５とによるＴ字型のアンカー効果
【０１２０】
この第８実施形態では、電極４２が本発明の「第１の導電部材」に対応している。その他の対応関係は第１実施形態と同じである。
なお、上記の第１〜第８実施形態では、基板１０に形成される凹部４ａ及び４ｂの断面視での形状（以下、断面形状という。）が腕型である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、凹部４ａ及び４ｂの断面形状はこれに限られることはない。例えば、図１９（ａ）〜（ｅ）に示すように、凹部４ａ及び４ｂの断面形状は楕円を横に倒したしたような形状でも良い。このとき、凹部４ａ又は４ｂに面するポスト５の側面は、くびれ形状となる。
【０１２１】
このような構成であれば、図１９（ｄ）において、ＩＣ素子１１及び基板１０の表面側の部位を樹脂封止する際にくびれがモールド樹脂１４を掴むような形となる。従って、図１９（ｄ）以降の工程では、くびれによるアンカー効果を得ることができ、モールド樹脂１４からのポスト５の脱落をより強固に防止することができる。
また、図１９（ａ）〜（ｅ）に示すくびれ形状は、例えばスプレー式のウェットエッチングにより形成することが可能である。スプレー式では、エッチング溶液の噴霧角度を銅板の表面に対して垂直に設定することで深さ方向へのエッチングを促進させることができ、斜めにすることで横方向へのエッチング（即ち、サイドエッチング）を促進させることができる。さらに、エッチング液の噴霧圧力を高めることにより、エッチング速度を高めることもできる。従って、例えば、銅板のエッチングをスプレー式で行うと共に、銅板の表面に対するエッチング溶液の噴霧角度、噴霧圧力をエッチング中に適宜変化させることにより、ポスト５の側面を断面視でくびれ形状にすることができる。
【０１２２】
（９）第９実施形態
図２０〜図２５は、本発明の第９実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図である。詳しく説明すると、図２０（ａ）、図２１（ａ）及び図２３（ａ）は下面図であり、図２０（ｂ）、図２１（ｂ）及び図２３（ｂ）は、図２０（ａ）、図２１（ａ）及び図２３（ａ）をＸ１−Ｘ´１線、Ｘ２−Ｘ´２線、Ｘ４−Ｘ´４線でそれぞれ切断したときの端面図である。また、図２５（ａ）〜（ｃ）は、図２４（ｃ）以降の製造工程を示す端面図である。
【０１２３】
まず始めに、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すような銅板１０１を用意する。銅板１０１の平面視での縦、横の寸法は、銅板１０１から作成される半導体装置のパッケージ外形よりも大きいものであれば良い。また、銅板１０１の厚さｈは、例えば０．１０〜０．３０ｍｍ程度である。次に、図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、銅板１０１の上面をレジスト１０３で全面的に覆うと共に、銅板１０１の下面にはその表面を部分的に露出するレジストパターン１０５を形成する。図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、レジストパターン１０５の形状は例えば正円形であり、その中心間の距離（即ち、ピッチ）は例えば０．５〜１．０ｍｍ程度、直径φは０．２〜０．３ｍｍ程度である。
【０１２４】
次に、図２２に示すように、このレジストパターン１０５をマスクに銅板１０１の下面をハーフエッチング（即ち、銅板１０１の厚み方向の途中までエッチング）して、銅板１０１の下面側に凹部１０７を形成する。銅板１０１のエッチングには、例えば塩化第２鉄溶液を使用する。その後、図２３（ａ）及び（ｂ）に示すように、銅板１０１の上下両面に銀（Ａｇ）又はパラジウム（Ｐｄ）等の金属薄膜１０９をメッキする。なお、この金属薄膜１０９のメッキは、銅板１０１のエッチングの前に行ってもよい。
【０１２５】
また、このようなメッキ処理等と前後して或いは同時に、図２４（ａ）に示すような支持基板１２１を用意し、図２４（ｂ）に示すように支持基板１２１の上面に接着剤を塗布しておく。支持基板１２１は例えばガラス基板である。また、接着剤１２３は例えばソルダーレジスト、紫外線硬化接着剤（即ち、ＵＶ接着剤）又は熱硬化接着剤などである。そして、図２４（ｃ）に示すように、メッキ処理が施された銅板１０１の下面を、接着剤１２３が塗布された支持基板１２１の上面に押し当てて接着する。
【０１２６】
次に、図２５（ａ）に示すように、凹部１０７が形成された領域を開口し、それ以外の領域を覆うレジストパターン１３１を銅板１０１の上面に形成する。そして、図２５（ｂ）に示すように、このレジストパターン１３１をマスクに銅板１０１を貫通するまでエッチングして、複数本の円筒状電極（即ち、ポスト）４０を形成する。銅板１０１から複数本のポスト４０を形成した後は、図２５（ｃ）に示すように、ポスト４０の上面からレジストパターンを除去する。これにより、基板５０が完成する。
【０１２７】
その後、例えばインクジェット工法又はレーザーマークによって、所望の位置にあるポスト４０の表面（上面）を着色して認識マーク８を形成する。認識マーク８をインクジェット工法で形成する場合、その着色材料には例えば耐熱性異色インク、又は、異色メッキ等を採用することが可能である。図２６に示すように、支持基板１２１上には銅板１０１からなるポスト４０が多数形成されており、それらは互いに同一形状且つ同一寸法で、縦、横方向にそれぞれ等間隔で配置されている。また、一部のポスト４０の表面には、他のポスト４０と見分けがつく認識マーク８が形成されている。
図２７（ａ）〜（ｃ）は、ポスト４０の断面形状の一例を示す図である。図２７（ａ）〜（ｃ）に示すように、上記の製造方法によって形成されるポスト４０の上面及び下面の直径φ１、φ２は同一の大きさでも良いし、φ１がφ２よりも小さくても良いし、φ１がφ２よりも大きくても良い。各々の場合にそれぞれ利点がある。
【０１２８】
即ち、図２７（ａ）に示すように、φ１＝φ２となるようにポスト４０を形成するためには、マスク領域（即ち、覆う領域）の形状及び大きさが同一のレジストパターン１０５、１３１（図２１及び図２５参照。）を用いて、銅板１０１を下面及び上面からそれぞれエッチングすれば良い。この場合、レジストパターン１０５、１３１を同一種類のフォトマスクで形成することができるので、それぞれ別種類のフォトマスクを用いる場合と比べて、基板５０の製造コストを低く抑えることができる。また、図２７（ｂ）に示すように、φ１＜φ２となるようにポスト４０を形成すると、支持基板１２１とポスト４０との接着面積が大きくポスト４０の姿勢が安定するため、後で説明するＩＣ素子の取付工程（即ち、ダイアタッチ工程）や樹脂封止工程で、ポスト４０が転倒してしまう可能性を低く抑えることができる。さらに、図２７（ｃ）に示すように、φ１＜φ２となるようにポスト４０を形成すると、支持基板１２１に近い側でポスト−ポスト間の隙間を広く確保でき、この隙間への樹脂充填が比較的容易となる。
【０１２９】
なお、図２７（ｂ）に示すように、φ１＜φ２となるようにポスト４０を形成するためには、銅板１０１の下面に形成するレジストパターン１０５のマスク領域と、銅板１０１の上面に形成するレジストパターン１３１のマスク領域とを同一の正円形とすると共に、レジストパターン１０５のマスク面積をレジストパターン１３１のマスク面積よりも大きくすれば良い。即ち、レジストパターン１０５の開口面積をレジストパターン１３１の開口面積よりも小さくすれば良い。これにより、銅板１０１の上面は下面と比べて広範囲にエッチングされるので、φ１＜φ２となる。
【０１３０】
また、図２７（ｃ）に示すように、φ１＞φ２となるようにポスト４０を形成するためには、銅板１０１下面に形成するレジストパターン１０５のマスク領域と、銅板１０１上面に形成するレジストパターン１３１のマスク領域とを同一の正円形とすると共に、レジストパターン１０５のマスク面積をレジストパターン１３１のマスク領域の面積よりも小さくすれば良い。これにより、銅板１０１の下面は上面と比べて広範囲にエッチングされるので、φ１＞φ２となる。
【０１３１】
さらに、フォトリソグラフィによって銅板１０１上にレジストパターン１０５、１３１をそれぞれ形成する工程では、例えば銅板１０１の外形を目印にフォトマスクの位置合わせを行うと良い。このような方法により、銅板１０１に対してレジストパターン１０５、１３１をそれぞれ位置精度良く形成することができ、レジストパターン１０５、１３１間での相対的な位置ずれ量を十分に少なくすることが可能である。
【０１３２】
次に、この基板５０にベア状態のＩＣ素子を取り付けて半導体装置２００を製造する方法について説明する。
図２８〜図３２は、本発明の第９実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図である。詳しく説明すると、図２８（ａ）〜図３２（ａ）は、ＩＣ素子１５１のチップサイズが例えば２ｍｍ角の場合を示す平面図である。また、図２８（ｂ）〜図３２（ｂ）は、ＩＣ素子１５１のチップサイズが例えば１ｍｍ角の場合を示す平面図である。さらに、図２８（ｃ）〜図３２（ｃ）は、図２８（ｂ）〜図３２（ｂ）をＹ９−Ｙ´９線〜Ｙ１３−Ｙ´１３線で切断したときの端面図である。
【０１３３】
図２８（ａ）〜（ｃ）において、まず始めに、ＩＣ固定領域のポスト４０上（又は、ＩＣ素子１５１の裏面側）に接着剤（図示せず）を塗布する。ここで使用する接着剤は、例えば熱硬化ペーストもしくはシートである。次に、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子１５１を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、ＩＣ固定領域の複数本のポスト４０上にＩＣ素子１５１の裏面を接触させて固定する（ダイアタッチ工程）。次に、図２９（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域の（即ち、ＩＣ素子１５１の直下から外れた領域）のポスト４０の上面と、ＩＣ素子１５１表面のパッド端子とを例えば金線１５３で接続する。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト４０を認識し、認識したポスト４０に金線１５３の一端を接続するようにしても良い。
【０１３４】
そして、図３０（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＩＣ素子１５１、金線１５３、ポスト４０及び認識マーク８を含む支持基板１２１の上方全体をモールド樹脂１６１で封止する（樹脂封止工程）。モールド樹脂１６１は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等である。上述したように、支持基板１２１は例えばガラス基板であり、比較的熱膨張係数が小さい材料であるため、樹脂封止工程で２００℃程度の熱が加わった場合でも、平面視で縦及び横方向にほとんど広がらない。従って、樹脂封止工程の間も、隣接するポスト４０間の距離をほぼ一定に保ち続けることが可能である。
【０１３５】
その後、図３１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＩＣ素子１５１を内包したモールド樹脂１６１を支持基板から剥がす。支持基板からの引き剥がしは、接着剤１２３として紫外線硬化型接着剤を用いた場合には、ＵＶ（紫外線）照射により接着力を低下させてから引き剥がしても良い。若しくは、機械的に力を加えてＩＣ素子１５１を内包したモールド樹脂１６１を支持基板から引き剥がすだけでも良い。また、引き剥がし後の接着剤は樹脂側に残っていても良いし、支持基板側に残っていても良い。図３４（ａ）は接着剤１２３がモールド樹脂１６１側に残った場合であり、図３４（ｂ）は接着剤１２３が支持基板共に取り去られた場合である。本発明では、図３４（ａ）及び（ｂ）のどちらの形態でも良い。なお、支持基板からモールド樹脂１６１を引き剥がした後は、その剥がした面から金属薄膜１０９が露出した状態となる。
【０１３６】
次に、図３１（ａ）〜（ｃ）において、例えばインク及びレーザを用いて、モールド樹脂１６１の上面（即ち、端子が露出していない側の面）に製品マーク（図示せず）などを記す。そして、図３２（ａ）〜（ｃ）に示すように、モールド樹脂１６１の上面全体に例えば紫外線硬化テープ（ＵＶテープ）１６３を連続して貼る。そして、ブレードを用いてモールド樹脂１６１を製品外形に合わせて切断する。このダイシング工程では、モールド樹脂１６１を個々の樹脂パッケージ１６２に分割すると共に、製品にならない樹脂の余白部分を切断して除去する。また、樹脂の切断は、例えば、モールド樹脂１６１の下面（即ち、端子が露出している側の面）から露出しているポスト４０を目印にして行う。
【０１３７】
これにより、図３３（ａ）、（ｂ）に示すように、ＩＣ素子１５１と、ポスト４０と、金線１５３と、これらを封止する樹脂パッケージ１６２とからなる半導体装置２００が完成する。樹脂パッケージから露出しているポスト４０（即ち、外部端子）はそのままでも良いし、ＢＧＡのように半田ボール等を搭載しても良い。なお、表１に、第９実施形態に係る半導体装置２００の適用チップサイズ、チップ下の（外部）端子数、最大外部端子数及びパッケージ外形の一例を示す。
【０１３８】
【表１】
2009055014.tif 000003
【０１３９】
表１において、ピッチとは、隣接するポスト間の距離であり、一方のポスト中心から他方のポスト中心までの距離である。表１及び図３５（ａ）に示すように、ピッチは例えば０．５ｍｍ程度である。また、適用チップサイズとは、樹脂パッケージに封止されているＩＣ素子のチップサイズのことである（ＩＣ素子の平面視での形状は例えば正方形である。）。
【０１４０】
また、最大外部端子数とは、樹脂パッケージによって樹脂封止されるポスト４０の最大数であり、パッケージ外形とは樹脂パッケージの平面視での縦又は横の長さのことである（樹脂パッケージの平面視での形状は例えば正方形である。）。表１及び図３５（ｂ）に示すように、ポスト４０が平面視で縦方向及び横方向にそれぞれ整然と並んだ状態、即ち、平面視で正格子上の各交点位置に配置されている（以下、単に「格子状に配置されている」という。）場合には、ＩＣ素子を固定する領域（即ち、ＩＣ固定領域）及び樹脂封止する領域（即ち、封止領域）の面積が大きいほど、それぞれの領域に含まれるポスト４０も多くなる。
【０１４１】
以上説明したように、本発明の第９実施形態によれば、ＩＣ素子１５１を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子１５１の外部端子としてポスト４０を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、ポスト４０をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。即ち、ポスト４０はダイパッドにもなるし外部端子にもなる。従って、従来技術のように、ＩＣ素子１５１の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板（インターポーザなど）を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子１５１に対して、そのパッド端子のレイアウトに制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板５０の仕様を共通化できる。これにより、半導体装置の製造コストの低減に寄与することができる。
また、図２５（ａ）〜（ｃ）等に示したように、ポスト４０の下面側の外周面に金属薄膜１０９を形成することができる。従って、ポスト４０の下面を例えばマザーボード等にハンダ付けする場合、ポストの下面からその外周面にかけてハンダを広く載せることができるので、ポスト４０とマザーボードとを接合強度高く繋げることができる。
【０１４２】
さらに、図３６（ａ）〜（ｃ）に示すように、従来のダイパッドのように金属が一箇所に集まっていない。ダイパッドや外部端子として機能するポスト４０は樹脂パッケージ１６２内で分散して配置されているので、水分の凝集位置を分散することができ、水蒸気圧の集中を低減することができる。従って、吸湿及び加熱を伴う信頼性試験において樹脂パッケージ１６２の破裂を抑制することができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。なお、図３６（ａ）〜（ｃ）は、ＩＣ素子１５１のチップサイズが例えば２ｍｍ角の場合を示しており、図３６（ａ）では、図面の複雑化を回避するために樹脂パッケージ１６２の記入を省略している。
【０１４３】
また、本発明の第９実施形態によれば、第１実施形態と同様、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子１５１を位置合わせしている。従って、ＩＣ素子１５１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ固定領域にあるポスト４０上にＩＣ素子１５１を位置ズレ少なく取り付けることができる。
この第９実施形態では、銅板１０１が本発明の「金属板」に対応し、銅板１０１の表面が本発明の「第１の面」に対応し、銅板１０１の裏面が本発明の「第２の面」に対応している。また、ポスト４０が本発明の「金属支柱」に対応し、ＩＣ素子１５１が取り付けられたポスト４０が本発明の「第１の金属支柱」に対応し、金属薄膜１０９を介して金線１５３に接続されたポスト４０が本発明の「第２の金属支柱」に対応している。さらに、金線１５３が本発明の「第１の導電部材」に対応し、モールド樹脂１６１が本発明の「樹脂」に対応している。また、認識マーク８を有する基板５０が本発明の「基板」に対応している。
【０１４４】
なお、この第９実施形態では、図３５（ｂ）に示したように、平面視で縦方向及び横方向にポスト４０がそれぞれ整然と並んだ状態、即ち、平面視で格子状に配置されている場合について説明した。しかしながら、ポスト４０の配置はこれに限られることはない。例えば、図３７に示すように、ポスト４０は、奇数列と偶数列とが半ピッチずつずれると共に、奇数行と偶数行とが半ピッチずつずれた状態、即ち、平面視で千鳥足状に配置されていても良い。このような構成であっても、ポスト４０はダイパッド又は外部端子のどちらにもなるので、従来技術のように専用のダイパッドは必要ない。また、認識マーク８が形成されているので、格子状の場合と同様、ＩＣ固定領域を正しく認識することができる。
【０１４５】
また、この第９実施形態では、ポスト４０の側面を形成する銅板１０１のエッチング工程を、銅板１０１の上下両面から２回に分けて行う場合について説明した。しかしながら、このエッチング工程は２回ではなく、１回のみに抑えることも可能である。即ち、図３８（ａ）に示すように、まず始めに、下面に凹部が形成されていない平らな銅板１０１の表面全体にＡｇ等の金属薄膜１０９をメッキする。次に、このメッキ処理が施された銅板１０１の下面を、接着剤１２３が塗布された支持基板１２１の上面に押し当てて接着する。そして、図２５（ｂ）に示すように、図示しないレジストパターンをマスクに銅板１０１を貫通するまでエッチングして、複数本のポスト４０を形成する。銅板１０１から複数本のポスト４０を形成した後はレジストパターンを除去し、その後、図２５（ｃ）に示すように、認識マーク８を目印に、ＩＣ固定領域のポスト４０上にＩＣ素子１５１を取り付ける。そして、金線１５３を介して、ＩＣ素子１５１のパッド端子をＩＣ固定領域以外のポスト４０に接続する。
【０１４６】
このような方法によれば、エッチング工程を２回から１回に減らすことができるので、基板５０の製造に要する時間を短くすることができ、製造コストを低減することができる。但し、図３８（ａ）〜（ｃ）の方法では、ポスト４０の側面にＡｇ等の金属薄膜１０９が形成されないので、２回に分けてエッチングする場合と比べて金属薄膜１０９の塗布面積が少ない。従って、ポスト４０の下面を例えばマザーボード等にハンダ付けする際に、ポスト４０とマザーボードとの接合強度が低下してしまう可能性も考えられる。
【０１４７】
（１０）第１０実施形態
上記の第９実施形態では、例えば図３６（ａ）〜（ｃ）に示したように、樹脂パッケージ１６２内にＩＣ素子１５１を１チップのみ配置した場合（即ち、シングルチップパッケージ）について説明したが、本発明はこれに限られることはない。
図３９は、本発明の第１０実施形態に係る半導体装置３００の構成例を示す図である。詳しく説明すると、図３９（ａ）及び（ｂ）は半導体装置３００の構成例を示す平面図であり、図３９（ｃ）は、図３９（ｂ）をＸ２０−Ｘ´２０線で切断したときの端面図である。図３９（ａ）では、図面の複雑化を回避するためにモールド樹脂１６１の記入を省略している。なお、図３９（ａ）〜（ｃ）において、第９実施形態で説明した図２０〜図３８と同一構成を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１４８】
図３９（ａ）〜（ｃ）に示すように、本発明では、樹脂パッケージ１６２内に２個以上のＩＣ素子１５１を配置しても良い。ＩＣ素子１５１は同一種類でも良いし、互いに外形やパッド端子の数が異なる異種類でも良い。このように、複数個のＩＣ素子１５１をベアチップの状態で１つの樹脂パッケージ１６２で封止したＭＣＭの製造方法も、上記の実施形態と同様の方法で製造することができる。
【０１４９】
即ち、図３９（ａ）に示すように、まず始めに、認識マーク８を目印に、第１のＩＣ固定領域と第２のＩＣ固定領域をそれぞれ認識する。次に、第１のＩＣ固定領域のポスト４０上に第１のＩＣ素子１５１を取り付けると共に、第２のＩＣ固定領域のポスト４０上に第２のＩＣ素子１５１を取り付ける（ダイアタッチ工程）。そして、ＩＣ固定領域以外の領域に配置されているポスト４０と、ＩＣ素子１５１のパッド端子とを金線１５３などで接続する。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト４０を認識し、認識したポスト４０に金線１５３の一端を接続するようにしても良い。
【０１５０】
次に、図３９（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ＩＣ素子１５１、金線１５３及びポスト４０を例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等で封止する（樹脂封止工程）。その後、ＩＣ素子１５１を封止した樹脂を支持基板（図示せず）から剥がし、２個のＩＣ素子１５１が一括して同一パッケージに含まれるようにモールド樹脂１６１をダイシングすることによって、個々の樹脂パッケージ１６２に分割する。
【０１５１】
このように、本発明の第１０実施形態によれば、第９実施形態と同様に、ポスト４０はダイパッドにもなるし外部端子にもなる。従って、ＭＣＭを組み立てる際に、ＩＣ素子１５１の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板（インターポーザなど）を用意する必要はなく、その製造コストの低減が可能である。また、半導体装置３００の構造自体についても、第９実施形態と同様に、ダイパッドや外部端子として機能するポスト４０は樹脂パッケージ１６２内で分散して配置されている。従って、樹脂パッケージ１６２内での水分の凝集位置を分散することができ、水蒸気圧の集中を低減することができる。それゆえ、吸湿及び加熱を伴う信頼性試験において樹脂パッケージ１６２の破裂を抑制することができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０１５２】
さらに、認識マーク８を目印に２つのＩＣ固定領域を認識し、認識した２つのＩＣ固定領域にＩＣ素子１５１を１つずつ位置合わせしているので、２つのＩＣ素子１５１をＩＣ固定領域にそれぞれ精度良く位置合わせすることができ、２つのＩＣ素子１５１をそれぞれ位置ズレ少なく取り付けることができる。
なお、本発明では、図３９（ａ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域のポスト４０を金線１５３の中継端子として使用しても良い。即ち、金線１５３ａを介してＩＣ素子１５１のパッド端子に接続されているポスト４０ａを、金線１５３ｂを介して他のポスト４０ｂに接続しても良い。このような方法によれば、ポスト４０の配置位置を変えなくても、ＩＣ素子１５１のパッド端子を任意の位置まで引き出すことができるので、半導体装置３００の外部端子を実質的に変更することができる。従って、例えば図２６に示した基板５０の汎用性をさらに高めることができる。
【０１５３】
さらに、図３９（ａ）に示すように、ＩＣ素子１５１の両方のパッド端子を金線１５３及びポスト４０を介して電気的に接続しても良い。また、認識マーク８がポスト４０又はメッキ層と同様に導電性を有する場合は、例えば、図３９（ａ）に示すように、認識マーク８が形成されたポスト４０に金線１５３を接続して当該ポスト４０を外部端子又は中継端子として使用しても良い。これにより、半導体装置の設計の自由度をさらに高めることができる。
第１０実施形態における本発明との対応関係は、第９実施形態と同じである。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】第１実施形態に係る基板１０の製造方法を示す図。
【図２】第１実施形態に係る基板１０の製造方法を示す図。
【図３】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図。
【図４】第１実施形態に係るダイシング工程を示す図。
【図５】基板１０の形状の一例を示す図。
【図６】基板１０における認識マーク８の形成位置の一例を示す図。
【図７】半導体装置１００の断面形状の一例を示す図。
【図８】第２実施形態に係る半導体装置１１０の製造方法を示す図。
【図９】第３実施形態に係る半導体装置１２０の製造方法を示す図。
【図１０】半導体装置１２０の断面形状の一例を示す図。
【図１１】第４実施形態に係る半導体装置１３０の構成例を示す図。
【図１２】第５実施形態に係る半導体装置１４０の製造方法を示す図。
【図１３】第５実施形態に係る半導体装置１４０の製造方法を示す図。
【図１４】第６実施形態に係る基板２０の製造方法を示す図。
【図１５】第６実施形態に係る基板２０の製造方法（を示す図。
【図１６】第６実施形態に係る半導体装置１５０の製造方法を示す図。
【図１７】第７実施形態に係る半導体装置１６０等の構成例を示す図。
【図１８】第８実施形態に係る半導体装置１９０の製造方法を示す図。
【図１９】ポスト５の側面形状の他の例を示す図。
【図２０】第９実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図。
【図２１】第９実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図。
【図２２】第９実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図。
【図２３】第９実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図。
【図２４】第９実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図。
【図２５】第９実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図。
【図２６】基板５０の構成例を示す図。
【図２７】ポスト４０の断面形状の一例を示す図。
【図２８】第９実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図。
【図２９】第９実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図。
【図３０】第９実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図。
【図３１】第９実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図。
【図３２】第９実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図。
【図３３】第９実施形態に係る半導体装置２００の構成例を示す図。
【図３４】第９実施形態に係る半導体装置２００の構成例を示す図。
【図３５】ポスト４０の格子状の配置例を示す図。
【図３６】半導体装置２００の構成例を示す図。
【図３７】ポスト４０の千鳥足状の配置例を示す図。
【図３８】半導体装置２００の他の製造方法を示す図。
【図３９】第１０実施形態に係る半導体装置３００の構成例を示す図。
【図４０】従来例を示す図。
【図４１】従来例を示す図。
【図４２】従来例を示す図。
【図４３】従来例を示す図。
【符号の説明】
【０１５５】
１  銅板、２ａ、２ｂ  フォトレジスト、２ａ´、２ｂ´  レジストパターン、３ａ、３ｂ  メッキ層、３ａ´、３ｂ´  （パターニング前の）メッキ層、４ａ、４ｂ  凹部、５、１４０、１４０ａ、１４０ｂ  ポスト、６  連結部、７ａ、７ｂ  フォトレジスト、７ａ´、７ｂ´  レジストパターン、８  認識マーク、１０、２０、１５０  基板、１１、４１、１５１  ＩＣ素子、１２  接着剤、１３、３３、１５３、１５３ａ、１５３ｂ  金線、１４、１６１  モールド樹脂、１５  ブレード、１６  ソルダーレジスト、１７  端子部、１８  突起部、１９  半田ボール、２１  マザーボード、２２  アンダーフィル、配線層、３１  受動部品、３２  半田、３４  端子部、３５  絶縁性樹脂、４２  電極、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、３００  半導体装置  １２１  支持基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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