(57)【要約】【課題】封止に必要な構造を含むＭＥＭＳ素子全体の平面寸法をより小さくできるようにする。【解決手段】固定電極１０３の上に対向して配置された可動電極１０６と、天井１０５に固定されて可動電極１０６を固定電極１０３の上に離間した状態に支持する支持構造体１０７とを備える。支持構造体１０７は、ばね梁１７１とばね梁１７１を天井１０５に連結する連結部１７２と、ばね梁１７１を可動電極１０６に連結する連結部１７３とを備える。変形可能とされたばね梁１７１を備える支持構造体１０７に支持された可動電極１０６は、天井１０５から基板１０１の方向に変位（移動）可能とされ、固定電極１０３との距離を可変可能とされている。【選択図】  図１Ａ
2009262301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成された枠部およびこの枠部の上部に配置されて前記枠部の内部を封止する天井部を備えた容器構造体と、
前記枠部の内側の前記基板の上に固定された固定電極と、
この枠部の内側で前記固定電極の上に離間して配置され、支持構造体を介して前記容器構造体に可動可能に支持された可動電極と
を少なくとも備えることを特徴とする微細構造体。
【請求項２】
請求項１記載の微細構造体において、
前記可動電極は、前記支持構造体を介して前記天井部に連結している
ことを特徴とする微細構造体。
【請求項３】
請求項１記載の微細構造体において、
前記可動電極は、前記支持構造体を介して前記枠部に連結している
ことを特徴とする微細構造体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の微細構造体において、
前記可動電極は、前記固定電極に対向して配置されている
ことを特徴とする微細構造体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細構造体において、
前記容器構造体は金属から構成されている
ことを特徴とする微細構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロマシン技術を利用して作製される可動構造を備えた微細構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシン加工技術により、シリコン基板上に作製された種々のマイクロマシンが、いろいろな応用分野において広く利用されている（非特許文献１参照）。このように、広く利用されるようになった理由としては、次に示すことが挙げられる。まず、シリコンは大量にかつ安価に入手可能な材料であり、また、マイクロマシン加工技術はいわゆる集積回路の製造技術を基本としているため、より微細な構造体の形成が容易であり、かつ非常に高い寸法精度および加工精度で微細構造が形成できる。また、シリコンウエハを用いた製造となるため、バッチ処理により量産が容易である。
【０００３】
上述したマイクロマシンの技術は、近年では、ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical Systems）技術と呼ばれる技術分野を作り上げるまでになり、非特許文献１に記載されている応用分野以外にも、各種センサー分野，医療分野，光通信分野，および無線通信分野などにも応用が広がっている。中でも、無線信号などの高周波信号を処理するＭＥＭＳは、「ＲＦ  ＭＥＭＳ」と呼ばれ、インダクタ，スイッチ，可変容量，共振子，フィルタ，伝送線路，およびアンテナなどの、非常に多くの種類がある。
【０００４】
ＭＥＭＳ技術の１つとして、例えば、可変容量素子がある（特許文献１参照）。微細構造による可変容量素子は、例えば、図４に示すように、シリコンからなる基板４０１を用いて作製されており、基板４０１に形成された凹部４０２の底部に基準電極４０３が形成され、また、基準電極４０３に対向する可動電極４０４が、凹部４０２を渡るように基板４０１の上に形成されている。基準電極４０３と可動電極４０４とにより容量が形成されている。基準電極４０３と可動電極４０４との間に直流のバイアス電圧を印加すると、静電力により可動電極４０４が基準電極４０３側にたわみ変形し、電極間距離が変化する。このように、両電極間に印加したバイアス電圧により、基準電極４０３と可動電極４０４との間の静電容量が変化することとなり、バイアス電圧によって制御される可変容量素子として働くこととなる。
【０００５】
また、特許文献１には、図５に示す構造の他の可変容量素子が示されている。この可変容量素子は、まず、上述した可変容量素子と同様に、シリコンからなる基板４０１を用いて作製されており、基板４０１に形成された凹部４０２の底部に基準電極４０３が形成され、また、基準電極４０３に対向する可動電極４０４が、凹部４０２を渡るように基板４０１の上に形成されている。
【０００６】
また、この可変容量素子は、基板４０１に基板４１１が重ね合わされている。基板４１１には、基板４０１と同様に凹部４１２を備え、凹部４０２と凹部４１２とが同位置で向かい合うように、基板４０１と基板４１１とが重ね合わされている。この中で、凹部４０２と凹部４１２との境界部分に、可動電極４０４が配置されることになる。また、凹部４１２の底部には、駆動電極４１３が形成されている。
【０００７】
可動電極４０４と駆動電極４１３の間に直流のバイアス電圧を印加すると、静電力により可動電極４０４が駆動電極４１３側にたわみ変形し、基準電極４０３と可動電極４０４の間の静電容量がバイアス電圧によって変化する可変容量素子として働くこととなる。
【０００８】
ここで、特許文献１には説明がないが、可変容量素子としての特性・品質を保証するためには、上述した微細構造をパッケージに封止した状態で用いることが望ましい。
【０００９】
微細構造を封止する従来方法として、例えば、ＳＡＷ（surface acoustic wave）共振子をパッケージング（封止）するために、ガラス基板に空間を作製し、作製した空間中にＳＡＷチップを収容し、最後に、２枚のガラス基板を貼り合わせてＳＡＷチップを封止する方法が示されている（非特許文献２参照）。このＳＡＷ共振器の封止方法は、種々のＭＥＭＳ素子の封止方法として利用可能である。
【００１０】
【特許文献１】特許第３３８９７６９号公報
【非特許文献１】K.E.Petersen, "Silicon as a mechanical material", Proceeding of the IEEE, Vol.70, No.5, pp.420-457, 1982.
【非特許文献２】D. Ando, et al. , "Glass Direct Bonding Technology for Hermetic Seal Package", IEEE 10th Int. Workshop on Micro Electro Mechanical Systems, pp.186-190, 1997.
【非特許文献３】N. Sato, H. Ishii, S. Shigematu, H. Morimura, T. Kamei, K. Kudou, M. Yano, K. Machida, H. Kyuragi, “A sealing technique for stacking MEMS on LSI using spin-coating film transfer and hot pressing," Jpn. J. Appl. Phys. , Vol. 42, Part 1, No. 4B, pp. 2462-2467, Apr. 2003.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述したように可動部を備える微細構造では、封止に必要な構造体を含むＭＥＭＳ素子全体の平面寸法を小さくすることが容易ではないという問題があった。例えば、可動部を備える微細構造として可動電極を備える可変容量素子では、素子動作としての実質的に有効な領域は、基準電極の面積となる。従って、可変容量素子は、素子動作だけを考えれば、基準電極の面積を可変容量素子の面積とすることができる。しかしながら、基準電極の上に可動電極を配置する場合、基準電極を配置する領域に加えて可動電極を支持するための領域が必要となる。このように、可変容量素子では、基準電極の領域に加えて可動電極を支持する領域も備えるため、素子全体の平面寸法を小さくすることが容易ではない。
【００１２】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、封止に必要な構造を含むＭＥＭＳ素子全体の平面寸法をより小さくできるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る微細構造体は、基板の上に形成された枠部およびこの枠部の上部に配置されて枠部の内部を封止する天井部を備えた容器構造体と、枠部の内側の基板の上に固定された固定電極と、この枠部の内側で固定電極の上に離間して配置され、支持構造体を介して容器構造体に可動可能に支持された可動電極とを少なくとも備えるものである。
【００１４】
上記微細構造体において、可動電極は、支持構造体を介して天井部に連結している。また、可動電極は、支持構造体を介して枠部に連結している。また、可動電極は、固定電極に対向して配置されている。
【００１５】
上記微細構造体において、容器構造体は金属から構成されているとよい。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、固定電極の上に離間して配置される可動電極が、支持構造体を介して容器構造体に可動可能に支持されているようにしたので、封止に必要な構造を含むＭＥＭＳ素子全体の平面寸法をより小さくできるという優れた効果が得られるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【００１８】
［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１について図１Ａおよび図１Ｂを参照して説明する。図１Ａは、本発明の実施の形態１における微細構造体の構成を説明する断面図、図１Ｂは、平面図である。この微細構造体は、例えば単結晶シリコンよりなる基板１０１の上に、絶縁層１０２を介して形成されたものであり、絶縁層１０２（基板１０１）の上に固定して配置された固定電極１０３と、固定電極１０３が形成された領域を囲うように絶縁層１０２の上に形成された枠状の側壁枠（枠部）１０４と、側壁枠１０４の上に形成された天井（天井部）１０５とを備える。側壁枠１０４に囲われた内側の領域は、側壁枠１０４と天井１０５とによる容器構造体により封止された状態とされている。なお、図１Ｂでは、天井１０５を省略して図示していない。
【００１９】
また、本実施の形態における微細構造体は、固定電極１０３の上に対向して配置された可動電極１０６と、天井１０５に固定されて可動電極１０６を固定電極１０３の上に離間した状態に支持する支持構造体１０７とを備える。支持構造体１０７は、ばね梁１７１とばね梁１７１を天井１０５に連結する連結部１７２と、ばね梁１７１を可動電極１０６に連結する連結部１７３とを備える。変形可能とされたばね梁１７１を備える支持構造体１０７に支持された可動電極１０６は、天井１０５から基板１０１の方向に変位（移動）可能とされ、固定電極１０３との距離を可変可能とされている。
【００２０】
側壁枠１０４，天井１０５，および支持構造体１０７は、可動電極１０６の電気的な接続を中継するので、電気抵抗の小さい金属材料から構成されていることが望ましい。また、これらは、金属材料以外の、例えば、不純物を導入することで低抵抗とされたポリシリコンから構成してもよい。なお、側壁枠１０４，天井１０５，および支持構造体１０７は、無機絶縁材料から構成してもよく、この場合、可動電極１０６に接続する配線を形成することになる。
【００２１】
ところで、本実施の形態における微細構造体では、側壁枠１０４と天井１０５との２つの部分で容器構造体を構成しており、よく知られた半導体装置の製造プロセスにより、容易に形成することができる。また、容器構造体を金属材料により形成した場合、容器構造の内部に配置される素子を電気的に（電磁波より）遮断することができ、素子への外部雑音などの影響や、外部への不要輻射を遮断することができる。なお、図１Ｂでは、側壁枠１０４の平面形状を矩形としているが、これに限るものではない、例えば、側壁枠１０４の平面形状が、三角形や６角形などの多角形であってもよく、また、円形であってもよい。また、一部が内側に凹んだ形状であってもよい。
【００２２】
上述したように構成された本実施の形態における微細構造体では、固定電極１０３と可動電極１０６とにより可変容量素子が構成されている。本実施の形態における微細構造体では、可変容量素子を構成する可動電極１０６が、支持構造体１０７により容器構造体の一部である天井１０５に連結支持されているようにした。このため、容器構造体（側壁枠１０４）の内側領域に、固定電極１０３の設置領域以外に可動電極１０６を支持するための領域を設ける必要がないので、容器構造体を含む微細構造体の平面寸法をより小さくすることが可能となる。
【００２３】
次に、本実施の形態における微細構造体の製造方法例について、図２Ａ〜図２Ｋを用いて説明する。まず、図２Ａに示すように、例えばシリコンよりなる基板１０１の上に例えば酸化シリコンからなる絶縁層１０２を形成する。基板１０１は、化合物半導体基板、セラミック基板、アルミナ基板、石英基板など、シリコン以外の材料の基板であってもよい。また、基板１０１は、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板であってもよい。また、基板１０１は、複数のトランジスタ、抵抗，容量，配線などから構成された半導体集積回路を備えていてもよく、例えば、集積回路の配線と電気的に接続するためのコンタクトホールなどが、絶縁層１０２の所定の箇所に形成されていてもよい。
【００２４】
次に、絶縁層１０２の上に第１シード層２０１を形成する。第１シード層２０１は、スパッタ法や蒸着法などにより、例えば、まず密着層としてのチタン（Ｔｉ）を堆積してこの上に金（Ａｕ）を堆積することで形成すればよい。Ｔｉの膜厚は０．１μｍ程度とし、Ａｕの膜厚は０．１μｍ程度とすればよい。
【００２５】
次に、第１シード層２０１の上にレジスト材料を塗布し、所望のパターンを備えるマスクを用いて露光することにより、所望箇所に開口部を備えたレジストパターンを形成し、このレジストパターンの開口部に露出する第１シード層２０１の上に、めっき法によりＡｕによる第１金属パターン２０２を形成し、この後レジストパターンを除去する。このときのレジストパターンの膜厚は１μｍ程度とし、めっき膜を膜厚０．３μｍ程度に形成する。第１金属パターン２０２は、後述するように、固定電極１０３の一部を構成するものであり、平面視矩形に形成する。
【００２６】
引き続いて、第１シード層２０１の上にレジスト材料を塗布し、所望のパターンを備えるマスクを用いて露光することにより、所望箇所に開口部を備えたレジストパターンを形成し、このレジストパターンの開口部に露出する第１シード層２０１の上に、めっき法によりＡｕによる第２金属パターン２０３を形成し、この後レジストパターンを除去する。このときのレジストパターンの膜厚は１μｍ程度とし、めっき膜を膜厚０．６μｍ程度に形成する。第２金属パターン２０３は、後述するように、側壁枠１０４の一部を構成するものであり、枠状に形成する。
【００２７】
以上の工程により、図２Ｂに示すように、第１シード層２０１の上に第１金属パターン２０２および第２金属パターン２０３が形成された後、これらの金属パターンをマスクとして第１シード層２０１をエッチング除去し、図２Ｃに示すように、絶縁層１０２の上に各々電気的に分離された第１シード層２０１の上に、第１金属パターン２０２および第２金属パターン２０３を形成する。この第１シード層２０１の選択的なエッチングでは、上層のＡｕ層のエッチングには王水を用い、下層のＴｉ層のエッチングにはフッ酸水溶液を用いればよい。なお、シード層の上層となるＡｕ層のエッチングでは、Ａｕのめっきにより形成した金属パターンも、一部がエッチングされるが、このエッチング量は非常に少ないため、問題とはならない。また、このシード層のエッチング量を考慮して、金属パターンの寸法を設定しておけばよい。なお、Ａｕのエッチングでは、ヨウ素，ヨウ化アンモニウム，水，およびエタノールからなるエッチング液を用いてもよい。
【００２８】
このようにして形成した一部の第１シード層２０１および第１金属パターン２０２より固定電極１０３が形成される。また、一部の第１シード層を含む第２金属パターン２０３よりなる第１構造体１４１が形成される。第１構造体１４１は、側壁枠１０４の一部となる構造体である。
【００２９】
次に、図２Ｄに示すように、第１構造体１４１により区画された領域を充填して固定電極１０３を埋め込む第１犠牲層２０４を形成する。例えば、ポリベンザオキサゾール（polybenzoxazole）よりなる感光性ポリイミドをスピン塗布形成し、第１構造体１４１の上部に対応する部分を、公知のフォトリソグラフィー技術により露光・現像して除去する。これにより、表面の平坦化が行われ、また、第１構造体１４１の上部を露出することができる。このように、第１構造体１４１の上部を露出しておくことで、後の工程で積層される金属よりなる構造体（パターン）との電気的な接続がとれるようにしておく。
【００３０】
次に、図２Ｅに示すように、第１犠牲層２０４の上において、第１構造体１４１の上部に第２構造体１４２を形成し、固定電極１０３に対向する領域の第１犠牲層２０４の上に可動電極１０６を形成する。これらは、前述した固定電極１０３および第１構造体１４１の形成と同様にすればよい。可動電極１０６は、第２シード層２０５と、この上にめっきされたＡｕからなる第３金属パターン２０６とから構成されている。また、第２構造体１４２は、第２シード層２０５と、この上にめっきされたＡｕからなる第４金属パターン２０７とから構成されている。この後、第１犠牲層２０４の形成と同様にすることで、可動電極１０６および第２構造体１４２の上部が露出した状態に、第２犠牲層２０８を形成する。
【００３１】
次に、図２Ｆに示すように、第２犠牲層２０８の上において、第２構造体１４２の上部に第３構造体１４３を形成し、可動電極１０６に接続（連結）する連結部１７３を形成する。これらは、前述した固定電極１０３，第１構造体１４１，および第２構造体１４２などの形成と同様にすればよい。連結部１７３は、第３シード層２０９と、この上にめっきされたＡｕからなる第５金属パターン２１０とから構成されている。また、第３構造体１４３は、第３シード層２０９と、この上にめっきされたＡｕからなる第６金属パターン２１１とから構成されている。
【００３２】
以上のようにして連結部１７３などが形成された後、図２Ｇに示すように、第２犠牲層２０８の形成と同様にすることで、第３構造体１４３の上部が露出した状態に、第３犠牲層２１２を形成する。なお、図２Ｇには示されていないが、第３犠牲層２１２は、連結部１７３の上部も露出した状態となっている。
【００３３】
次に、図２Ｈに示すように、第３犠牲層２１２の上において、第３構造体１４３の上部に第４構造体１４４を形成し、図示しない連結部１７３に連結するように、ばね梁１７１を形成する。これらは、前述した固定電極１０３，第１構造体１４１，および第２構造体１４２などの形成と同様であり、シード層の上にＡｕをめっきし、めっきした金属パターンをマスクにシード層をエッチングして分離することで形成すればよい。この後、第３犠牲層２１２の形成と同様にすることで、ばね梁１７１および第４構造体１４４の上部が露出した状態に、第４犠牲層２１３を形成する。
【００３４】
次に、図２Ｉに示すように、第４犠牲層２１３の上において、第４構造体１４４の上部に第５構造体１４５を形成し、ばね梁１７１に連結するように連結部１７２を形成する。これらは、前述した固定電極１０３，第１構造体１４１，第２構造体１４２，および連結部１７３などの形成と同様であり、シード層の上にＡｕをめっきし、めっきした金属パターンをマスクにシード層をエッチングして分離することで形成すればよい。
【００３５】
この後、図２Ｊに示すように、第４犠牲層２１３の形成と同様にすることで、第５構造体１４５の上部が露出した状態に、第５犠牲層２１４を形成する。なお、図２Ｊには示されていないが、第５犠牲層２１４は、連結部１７２の上部も露出した状態となっている。
【００３６】
次に、図２Ｋに示すように、第５犠牲層２１４の上において、第５構造体１４５の上部に接続し、また、図示しない連結部１７２が連結するように、上部金属構造体２１５が形成された状態とする。上部金属構造体２１５も、前述した各構造体と同様に、シード層の上にＡｕをめっきし（膜厚１μｍ程度）、めっきした金属パターンをマスクにシード層をエッチングして分離することで形成すればよい。ここで、上部金属構造体２１５は、第５犠牲層１４５にまで貫通する開口部２１５ａを備えた状態に形成する。なお、複数の開口部２１５ａが、形成されているようにする。例えば、平面視、上部金属構造体２１５が、格子状に形成されているようにする。
【００３７】
以上のように上部金属構造体２１５を形成した後、形成されている開口部２１５ａを介して例えば、オゾンや酸素プラズマなどを作用させることで、第１犠牲層２０４，第２犠牲層２０８，第３犠牲層２１２，第４犠牲層２１３，および第５犠牲層２１４を灰化して除去する。この後、上部金属構造体２１５の上に絶縁膜２２０を形成すれば、図２Ｌに示すように、前述した本実施の形態における微細構造体が形成されるようになる。なお、上部金属構造体２１５および絶縁膜２２０から天井１０５が構成され、第１構造体１４１，第２構造体１４２，第３構造体１４３，第４構造体１４４，および第５構造体１４５より、側壁枠１０４が構成されている。
【００３８】
なお、絶縁膜２２０は、例えば、公知のＳＴＰ法により貼り付けることで形成すればよい。このＳＴＰ法による絶縁膜２２０の形成について簡単に説明すると、まず、有機材料からなる所定の膜厚の絶縁膜が予め形成されているシートフィルムを用意する。次に、シートフィルムの絶縁膜形成面を、上部金属構造体２１５の上面に接着させる。この接着は、例えば、２０Ｐａ程度に減圧された処理室内で、所定の温度の加熱し、また、所定の荷重を加えて圧着することで行えばよい。この後、シートフィルムを離型すれば、上部金属構造体２１５の上に絶縁膜２２０が貼り付けられた状態となる。
【００３９】
以上に示したように、本実施の形態の製造方法によれば、微細構造体が、ウエハ状態のままの一貫した製造プロセスによって、固定電極および可動電極を備える素子を、側壁枠１０４および天井１０５よりなる容器構造の中に密閉して封止することができる。また、上述したように、側壁枠１０４および天井１０５（上部金属構造体２１５）が金属から構成され、また、支持構造体１０７が金属から構成されているようにすることで、例えば、基板１０１に形成した配線と可動電極１０６との電気的な接続が容易となる。
【００４０】
［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明する。図３Ａは、本発明の実施の形態２における微細構造体の構成を説明する断面図、図３Ｂは、平面図である。この微細構造体は、例えば単結晶シリコンよりなる基板３０１の上に、絶縁層３０２を介して形成されたものであり、絶縁層３０２の上に固定して配置された固定電極３０３と、固定電極３０３が形成された領域を囲うように絶縁層３０２の上に形成された枠状の側壁枠３０４と、側壁枠３０４の上に形成された天井３０５とを備える。側壁枠３０４に囲われた内側の領域は、側壁枠３０４と天井３０５とによる容器構造体により封止された状態とされている。これらは、前述した実施の形態１と同様である。
【００４１】
また、本実施の形態における微細構造体は、固定電極３０３の上に対向して配置された可動電極３０６と、側壁枠３０４に固定（連結）されて可動電極３０６を固定電極３０３の上に離間した状態に支持する支持構造体３０７とを備える。支持構造体３０７は、ばね梁３７１とばね梁３７１の一端を可動電極３０６に連結する連結部３７２とを備え、ばね梁３７１の他端が側壁枠３０４に連結（固定）されている。変形可能とされたばね梁３７１を備える支持構造体３０７に支持された可動電極３０６は、天井３０５から基板３０１の方向に変位（移動）可能とされ、固定電極３０３との距離を可変可能とされている。
【００４２】
上述したように構成された本実施の形態における微細構造体では、固定電極３０３と可動電極３０６とにより可変容量素子が構成されている。本実施の形態における微細構造体では、可変容量素子を構成する可動電極３０６が、支持構造体３０７により容器構造体の一部である側壁枠３０４に連結支持されているようにした。このため、容器構造体（側壁枠３０４）の内側領域に、固定電極３０３の設置領域以外に可動電極３０６を支持するための領域を設ける必要がないので、容器構造体を含む微細構造体の平面寸法をより小さくすることが可能となる。
【００４３】
なお、上述した実施の形態では、容器構造体の内部に可変容量素子を収容する場合について説明したが、本発明はこれに限るものではない。容器構造体の内部に収容される素子としては、例えば、スイッチ，共振子，フィルタ，変位センサ，加速度センサなど、微細な可動部を備えるよく知られた他のＭＥＭＳ素子であってもよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１Ａ】本発明の実施の形態１における微細構造体の構成を説明する断面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施の形態１における微細構造体の構成を説明する平面図である。
【図２Ａ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｂ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｃ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｄ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｅ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｆ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｇ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｈ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｉ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｊ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｋ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図２Ｌ】本発明の実施の形態１における微細構造体の製造方法例を説明する工程図である。
【図３Ａ】本発明の実施の形態２における微細構造体の構成を説明する断面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施の形態２における微細構造体の構成を説明する平面図である。
【図４】ＭＥＭＳ技術の１つとしての可変容量素子の構成を示す断面図である。
【図５】ＭＥＭＳ技術の他の可変容量素子の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０１…基板、１０２…絶縁層、１０３…固定電極、１０４…側壁枠（枠部）、１０５…天井、１０６…可動電極、１０７…支持構造体、１７１…ばね梁、１７２，１７３…連結部。
【図１Ａ】
2009262301.tif 000003
【図１Ｂ】
2009262301.tif 000004
【図２Ａ】
2009262301.tif 000005
【図２Ｂ】
2009262301.tif 000006
【図２Ｃ】
2009262301.tif 000007
【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図２Ｊ】
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【図２Ｋ】
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【図２Ｌ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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