(57)【要約】【課題】画素の開口率を確保しつつも層間絶縁膜にクラックが発生することを防止でき、これにより透過率の向上が図られ、かつ表示不良が防止された信頼性の高いＦＦＳモードの液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１基板３と第２基板との間に液晶層が挟持された表示装置であり、第１の基板３上には、薄膜トランジスタＴｒを備えた複数の画素回路、これらを覆う第１絶縁膜が設けられている。第１絶縁膜上には、各画素回路に対応する位置に開口部１５ａを有する共通電極１５が設けられている。この共通電極１５を覆う状態で第２絶縁膜１７が設けられ、この上部に櫛歯状の画素電極１９が配置されている。各画素電極１９は、共通電極１５の開口部１５ａ内において第２絶縁膜１７および第１絶縁膜に設けた接続孔１３ａを介して画素回路に接続されている。そして第２絶縁膜１７には分離溝１７ａが設けられている。【選択図】図１
2009103867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶層が挟持された表示装置であって、
前記第１基板上には、
複数の画素回路と、
前記画素回路を覆う状態で当該第１基板上に設けられた第１絶縁膜と、
前記画素回路に対応する各位置に開口部を有して前記第１絶縁上に設けられた共通電極と、
前記共通電極を覆う第２絶縁膜と、
前記共通電極の開口部内において前記第２絶縁膜および第１絶縁膜に設けた接続孔を介して前記画素回路に接続された状態で当該第２絶縁膜上に設けられた櫛歯状の画素電極とが配置され、
前記第２絶縁膜には分離溝が設けられている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項1記載の表示装置において、
前記第1絶縁膜は有機材料からなる膜であり、
前記第２絶縁膜は無機材料からなる膜である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置において、
前記第１基板上における前記第１絶縁膜の下層には、前記画素回路に接続された複数の走査線および信号線が行列状に配線され、
前記分離溝は、前記走査線または信号線の少なくとも一方に重ねて配置されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の表示装置において、
前記第２絶縁膜は、前記画素電極と略同一形状にパターニングされている
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、特には、横電界モードで液晶分子を駆動する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
横電界モードの液晶表示装置は、広視野角、高コントラストを実現する液晶モードとして注目されている。このうち特に、フリンジフィールドスイッチング（Fringe field switching：ＦＦＳ）モードは、インプレーンスイッチング（In-Plane-Switching：ＩＰＳ）モードと比較して、開口率および透過率の改善が図られている。
【０００３】
図１３（１）はＦＦＳモードの液晶表示装置の一例を示す要部平面図であり、図１３（２）は図１３（１）のＡ−Ａ’断面図である。この図に示すように、ＦＦＳモードの液晶表示装置においては、駆動側の第１基板２０１上に、複数の走査線２０２が水平方向に配置され、これと平行にさらに共通配線２０２ｃが配置されている。また、この共通配線２０２ｃに接続される状態で、透明導電膜からなる共通電極２０３が広い範囲で設けられている。
【０００４】
これらの走査線２０２，共通配線２０２ｃ，および共通電極２０３は、ゲート絶縁膜２０３（断面図のみに図示）で覆われている。このゲート絶縁膜２０３上には、走査線２０２の一部上に重なる形状の半導体層２０５が設けられている。またゲート絶縁膜２０３上には、走査線２０２と交差する方向に複数の信号線２０６が延設され、走査線２０２および信号線２０６の各交差部が１つの画素を構成している。そして、各信号線２０６からは、半導体層２０５上に端部を重ねたソース電極２０６ｓが延設され、半導体層２０５上においてソース電極２０６ｓと対向する位置にドレイン電極２０６ｄが設けられて薄膜トランジスタＴｒが構成されている。
【０００５】
以上の信号線２０６および薄膜トランジスタＴｒは層間絶縁膜２０７で覆われ、この層間絶縁膜２０７上の各画素には、層間絶縁膜２０７の接続孔２０７ａを介して薄膜トランジスタＴｒに接続された画素電極２０８が設けられている。この画素電極２０８は、信号線２０６（または走査線２０２）に沿って複数の電極部２０８ａを延設させた櫛歯状にパターニングされている。そして画素電極２０８を覆う状態で配向膜２０９が設けられている。
【０００６】
一方、以上のような駆動側の第１基板２０１における画素電極２０８の形成面側には、断面図のみに図示した対向側の第２基板３１が対向配置されている。この第２基板３１は、光透過性材料からなり画素電極２０８に向かう面上には、各色カラーフィルタが画素毎にパターン形成されたカラーフィルタ層３３が設けられ、このカラーフィルタ層３３を覆う状態で配向膜３５が設けられている。そして、二つの基板の配向膜２０９−３５間に、スペーサ（図示省略）と共に液晶層ＬＣが挟持されている。また、第１基板２０１および第２基板３１の外側には、偏光板４１，４３を配置して表示装置が構成されている。
【０００７】
このような構成のＦＦＳモードの液晶表示装置においては、画素電極２０８と共通電極２０３との間に電位差を与えることにより、第１基板２０１に対して平行な電界が発生し、液晶分子ｍを駆動させることにより光学変調が行われる。
【０００８】
また、以上のようなＦＦＳモードの液晶表示装置においては、共通配線２０２ｃおよび共通電極２０３を、ゲート絶縁膜２０４と層間絶縁膜２０７との間に配置した構成も提案されている（例えば下記特許文献1参照）。
【０００９】
【特許文献１】特許第３７４２８３６号公報（図３〜６および関連部分参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところでＦＦＳモードの液晶表示装置においては、例えば図１３に示した構成においては、走査線２０２によって共通電極２０３の形成領域が制限を受ける。また、特許文献１のように、共通電極２０３をゲート絶縁膜２０４上に配置した構成であっても、信号線２０６やソース電極２０６ｓおよびドレイン電極２０６ｄによって、共通電極２０３の形成領域が制限を受ける。
【００１１】
さらに、信号線２０６および走査線２０２の負荷容量の増大を回避するためには、信号線２０６および走査線２０２に対して重なることのないように共通電極２０３および画素電極２０８を配置する必要がある。
【００１２】
以上のことから、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、従来のＴＮ、ＥＣＢ、ＶＡなどのモードと比較して透過率が低いと言う問題があった。
【００１３】
この問題を回避するため、薄膜トランジスタＴｒを覆う層間絶縁膜２０７を積層構造とし、２層の層間絶縁膜間に共通電極を配置する構成が考えられる。この場合、共通電極には、層間絶縁膜２０７上の画素電極２０８を薄膜トランジスタに接続させるための開口部を設ければ良く、共通電極２０３をほぼ全面にベタ膜状に設けることができる。また、このような構成とすることにより、画素電極２０３の形成領域の自由度も確保され、画素の開口率の向上によって透過率の改善が見込まれる。
【００１４】
しかしながら、このような構成では、積層構造の層間絶縁膜のうちの下層は、ある程度の膜厚を必要とするために有機材料を用いた有機絶縁膜として構成されることになる。これに対して、層間絶縁膜のうちの上層は、液晶層の光学特性を得るべく膜厚均一性を確保するために無機材料を用いた無機絶縁膜として構成されることになる。
【００１５】
このため、高温高湿下での信頼性試験においては、下層の有機絶縁膜が吸湿、膨張し、上層の無機絶縁膜に応力が印加されてクラックが発生してしまう。この結果、液晶層における液晶分子の配向不良や保持不良などの表示不良が引き起こされる。
【００１６】
そこで本発明は、画素の開口率を確保しつつも層間絶縁膜にクラックが発生することを防止でき、これにより透過率の向上が図られ、かつ表示不良が防止された信頼性の高いＦＦＳモードの液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このような目的を達成するための本発明の表示装置は、第１基板と第２基板との間に液晶層が挟持された表示装置である。第１の基板上には、複数の画素回路と、これらの画素回路を覆う第１絶縁膜が設けられている。この第１絶縁膜上には、各画素回路に対応する各位置に開口部を有する共通電極が設けられている。また、共通電極を覆う状態で第２絶縁膜が設けられ、この上部には櫛歯状の画素電極が配置されている。各画素電極は、共通電極の開口部内において第２絶縁膜および第１絶縁膜に設けた接続孔を介して画素回路に接続されている。以上のような構成において、特に第２絶縁膜に、分離溝が設けられていることを特徴としている。
【００１８】
このような構成の表示装置では、画素回路を覆う第１絶縁膜上に共通電極を配置し、これを覆う第２絶縁膜上に画素電極を配置した構成であるため、共通電極および画素電極のレイアウト上の自由度が確保され、画素の開口率が向上して透過率の改善が見込まれる構成となっている。しかも、第２絶縁膜に分離溝を設けたことにより、第１絶縁膜と第２絶縁膜との線膨張係数差によって第２絶縁膜に加わる応力が緩和され、これらの第１絶縁膜および第２絶縁膜にクラックが発生することが防止される。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように本発明の表示装置によれば、第１基板上に第２絶縁膜を介して共通電極と画素電極とが設けられたＦＦＳモードにおいて、画素の開口率を確保しつつも層間絶縁膜にクラックが発生することを防止でき、これにより透過率の向上および信頼性の向上を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態の表示装置の構成を説明する数画素分の駆動基板側の平面模式図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ’断面に対応する１画素分の断面図である。尚、平面模式図においては、一部の絶縁膜や配向膜等の図示を省略している。
【００２２】
これらの図に示す表示装置１ａは、ＦＦＳモードの液晶表示装置であり、可視光に対して光透過性を有する第１基板３上の第１層目に、複数の走査線５（平面模式図のみに図示）が水平方向に配線されている。また、これらの走査線５を覆う状態で、第１基板３上にはゲート絶縁膜７が設けられている。
【００２３】
ゲート絶縁膜７上には、走査線５に重なる位置に半導体層９（平面模式図のみに図示）がパターン形成されている。また、ゲート絶縁膜７上には、複数の信号線１１が、走査線５と交差する垂直方向に配線されており、これらの走査線５および信号線１１の各交差部に対応して画素が設定されている。先の半導体層９は、各画素毎にパターン形成されていることとする。
【００２４】
ゲート絶縁膜７上の各画素には、走査線５を挟む両側において半導体層９の両端上に積層されたソース電極１１ｓおよびドレイン電極１１ｄが設けられ、走査線５をゲート電極とした薄膜トランジスタＴｒが構成されている。
【００２５】
これらのソース電極１１ｓおよびドレイン電極１１ｄは、信号線１１と同一層で構成され、ソース電極１１ｓが信号線１１から延設されていることとする。
【００２６】
また、このような薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で、ゲート絶縁膜７上には層間絶縁膜の第１層目として第１絶縁膜１３が設けられている。この第１絶縁膜１３は、下層の信号線１１およびソース電極１１ｓおよびドレイン電極１１ｄと、上層との絶縁性を確実に図ることが可能な膜厚を備えており、また表面平坦に設けられていることとする。このような第１絶縁膜１３は、例えばスピンコート法によって形成した有機絶縁膜からなることとする。
【００２７】
この第１絶縁膜１３上には、各画素に共通のベタ膜状に透明導電性材料（例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の）からなる共通電極１５が設けられている。このように、走査線５および信号線１１に対して、厚い第１絶縁膜１３を介して共通電極１５を配置することにより、走査線５および信号線１１の負荷容量の増大を回避する構成としている。しかも共通電極１５をベタ膜状としたことにより、画素の開口率の向上が見込まれる構成となっている。ただし、共通電極１５には、各画素に設けた薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１１ｄ上部を露出する開口部１５ａが設けられていることとする。
【００２８】
そして、このような共通電極１５上には、層間絶縁膜の第２層目として本発明に特徴的な構成の第２絶縁膜１７が設けられている。
【００２９】
この第２絶縁膜１７は、液晶層ＬＣを構成する液晶分子ｍの駆動特性を良好に得るために、膜厚均一性が確保された薄膜状であることが重要である。このような第２絶縁膜は、例えばＣＶＤ法によって形成した窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる無機絶縁膜として設けられ、例えば０．２μｍ程度の膜厚であることとする。
【００３０】
そして特に本第１実施形態において特徴的な構成として、この第２絶縁膜１７の信号線１１に重なる位置に分離溝１７ａが設けられている。この分離溝１７ａの深さは、第２絶縁膜１７を貫通して共通電極１５に達する状態で設けられていることが好ましいが、分離溝１７ａの底部に第２絶縁膜１７を残す深さであっても良い。また分離溝１７ａによって第２絶縁膜１７が複数部分に分割されていることが好ましいが、分離溝１７ａの端部で第２絶縁膜１７がつながっていても良い。このような分離溝１７ａは、全ての信号線１１に重なる位置に設けられていることが好ましいが、信号線１１の一部のみに重なる位置に設けられていても良い。
【００３１】
そして、各画素には、第２絶縁膜１７を介して画素電極１９が設けられている。この画素電極１９は、透明導電性材料（例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の）からなり、共通電極１５の開口部１５ａ内において第２絶縁膜１７および第１絶縁膜１３に設けた接続孔１３ａを介して、ドレイン電極１１ｄに接続されていることとする。
【００３２】
これにより、走査線５に入力する電気信号によって薄膜トランジスタＴｒが選択され、選択された薄膜トランジスタＴｒを介して信号線１１から書き込まれた映像信号が画素電極１９に供給される構成となっている。
【００３３】
各画素電極１９は、いわゆる櫛歯状の画素電極であり、信号線１１（または走査線５）に沿って平行に延設された複数の電極部１９ａを有している。
【００３４】
尚、この表示装置１ａが、マルチドメイン構造であれば、各電極部１９ａは延設方向の中央部において異なる方向に屈曲された平面形状を有し、各画素内が電極部１９ａを異なる方向に延設させた２つの領域に分割された構成となる。この場合、信号線１１（または走査線５）は、画素部１９ａに合わせて屈曲されていることが、開口率向上の上では好ましい。
【００３５】
そして以上のような画素電極１９が設けられた基板３上に、断面図のみに図示した配向膜２１が設けられ、駆動側の第１基板３の上部が構成されている。
【００３６】
一方、以上のような駆動側の第１基板３における画素電極１９の形成面側には、断面図のみに図示した第２基板３１が対向配置されている。この第２基板３１側の構成は従来と同様で有って良い。すなわち、第２基板３１は、光透過性材料からなり画素電極１９に向かう面上には、各色カラーフィルタが画素毎にパターン形成されたカラーフィルタ層３３が設けられ、このカラーフィルタ層３３を覆う状態で配向膜３５が設けられている。そして、二つの基板の配向膜２１−３５間に、スペーサ（図示省略）と共に液晶層ＬＣが挟持されている。
【００３７】
そして、第１基板３および第２基板３１の外側には、偏光板４１，４３を配置して表示装置１ａが構成されている。
【００３８】
このような表示装置１ａにおける光学構成は、一般的なＦＦＳモードの液晶表示装置と同様であって良い。
【００３９】
また以上の表示装置１ａにおいては、上述したように走査線５に入力する電気信号によって薄膜トランジスタＴｒを選択することにより、選択した薄膜トランジスタＴｒを介して信号線１１から書き込まれた映像信号が画素電極１９に供給される。これにより、共通電極１５と画素電極１９との間に電位差が与えられ、第１基板３に対して平行な電界が発生し、液晶分子ｍを駆動させることにより光学変調が行われる。
【００４０】
以上のように構成された表示装置１ａでは、薄膜トランジスタＴｒを備えた画素回路やこれに接続された走査線５および信号線１１を覆う第１絶縁膜１３上に共通電極１５を配置し、これを覆う第２絶縁膜１７上に画素電極１９を配置した構成である。このため、共通電極１５および画素電極１９のレイアウト上の自由度が確保され、画素の開口率が向上して透過率の改善が見込まれる構成となっている。
【００４１】
しかも、第２絶縁膜１７に分離溝１７ａが設けられている。このため、高温高湿下にて無機材料からなる第１絶縁膜１３と有機材料からなる第２絶縁膜１７との線膨張係数差によって第２絶縁膜１７に応力が加わった場合であっても、分離溝１７ａによって応力が緩和されて第２絶縁膜１７にクラックが発生することが防止され、高温高湿保存によって発生する表示不良を低減することが可能となる。
【００４２】
この結果、ＦＦＳモードの液晶表示装置１ａにおいて、画素の開口率を確保しつつも、第１絶縁膜１３と第２絶縁膜１７とからなる層間絶縁膜にクラックが発生することを防止でき、これにより透過率の向上および信頼性の向上を図ることが可能になる。
【００４３】
また特に、分離溝１７ａを信号線１１上に配置したことにより、第２絶縁膜１７に分離溝１７ａを設けたことによる配向膜２１表面の段差に起因する光漏れを防止することも可能である。
【００４４】
＜第２実施形態＞
図３は第２実施形態の表示装置の構成を説明する数画素分の駆動基板側の平面模式図であり、図４は図３におけるＢ−Ｂ’断面に対応する１画素分の断面図である。尚、平面模式図においては、一部の絶縁膜や配向膜等の図示を省略している。
【００４５】
これらの図に示す第２実施形態の表示装置１ｂが上述した第１実施形態の表示装置１ａと異なるところは、第２絶縁膜１７に設けた分離溝１７ａの配置状態にあり、その他の構成は第１実施形態と同様である。
【００４６】
すなわち第２実施形態の表示装置１ｂでは、第２絶縁膜１７の走査線５に重なる位置に分離溝１７ａが設けられているところが特徴的である。尚、分離溝１７ａの深さや形状は第１実施形態と同様で良い。つまり分離溝１７ａの深さは、第２絶縁膜１７を貫通して共通電極１５に達する状態で設けられていることが好ましいが、分離溝１７ａの底部に第２絶縁膜１７を残す深さであっても良い。また分離溝１７ａによって第２絶縁膜１７が複数部分に分割されていることが好ましいが、分離溝１７ａの端部で第２絶縁膜１７がつながっていても良い。このような分離溝１７ａは、全ての走査線５に重なる位置に設けられていることが好ましいが、走査線５の一部のみに重なる位置に設けられていても良い。
【００４７】
このような構成の表示装置１ｂであっても、薄膜トランジスタＴｒを備えた画素回路やこれに接続された走査線５および信号線１１を覆う第１絶縁膜１３上に共通電極１５を配置し、これを覆う第２絶縁膜１７上に画素電極１９を配置した構成であり、また第２絶縁膜１７に分離溝１７ａが設けられているため、第１実施形態と同様に透過率の向上および信頼性の向上を図ることが可能になる。
【００４８】
また分離溝１７ａを走査線５上に配置したことにより、第２絶縁膜１７に分離溝１７ａを設けたことによる配向膜２１表面の段差に起因する光漏れを防止することも可能である。
【００４９】
そしてこのような第２実施形態は、画素の形状が図３の例とは逆に［垂直方向サイズ（信号線１１の伸長方向）＜水平方向サイズ（走査線５の伸長方向）］となる構成に適用することで、より効果が発揮される。すなわち、このような構成においては、走査線５上に溝を配置したほうが、画素が配列された表示エリアにて分離溝１７ａの本数が増えるため、より第２絶縁膜１７のクラック耐性が増し、表示不良マージンが広がることとなる。
【００５０】
＜第３実施形態＞
図５は第３実施形態の表示装置の構成を説明する数画素分の駆動基板側の平面模式図であり、図中のＡ−Ａ’断面図は第１実施形態で用いた図２と同様であり、Ｂ−Ｂ’断面図は第２実施形態で用いた図４と同様である。
【００５１】
これらの図に示す第３実施形態の表示装置１ｃは、上述した第１実施形態の表示装置１ａと第２実施形態の表示装置１ｂとを組み合わせたものである。
【００５２】
すなわち第３実施形態の表示装置１ｃでは、第２絶縁膜１７の走査線５に重なる位置、および信号線１１に重なる位置の両方に分離溝１７ａが設けられているところが特徴的である。尚、分離溝１７ａの深さや形状は第１実施形態および第２実施形態と同様で良い。
【００５３】
このような構成の表示装置１ｃであっても、薄膜トランジスタＴｒを備えた画素回路やこれに接続された走査線５および信号線１１を覆う第１絶縁膜１３上に共通電極１５を配置し、これを覆う第２絶縁膜１７上に画素電極１９を配置した構成であり、また第２絶縁膜１７に分離溝１７ａが設けられているため、第１実施形態と同様に透過率の向上および信頼性の向上を図ることが可能になる。
【００５４】
また第１実施形態および第２実施形態と比較して、より多くの分離溝１７ａによって第２絶縁膜１７が分離されるため、上述した第２絶縁膜１７のクラックを防止する効果が高く、さらに表示不良マージンが広がって信頼性の向上が図られたものとなる。
【００５５】
また分離溝１７ａは、走査線５および信号線１１に重ねて配置したことにより、第２絶縁膜１７に分離溝１７ａを設けたことによる配向膜２１表面の段差に起因する光漏れを防止することも可能である。
【００５６】
＜第４実施形態＞
図６は第４実施形態の表示装置の構成を説明する数画素分の駆動基板側の平面模式図であり、図７は図６におけるＡ−Ａ’断面とＢ−Ｂ’断面とに対応する各１画素分の断面図である。尚、平面模式図においては、一部の絶縁膜や配向膜等の図示を省略している。
【００５７】
これらの図に示す第４実施形態の表示装置１ｄが上述した第１〜第３実施形態の表示装置１ａ〜１ｃと異なるところは、第２絶縁膜１７に設けた分離溝１７ａの配置状態にあり、その他の構成は他の実施形態と同様である。
【００５８】
すなわち第４実施形態の表示装置１ｄでは、第２絶縁膜１７が櫛歯状の画素電極１９と略同一形状にパターニングされている。このため第２絶縁膜１７は、画素電極１９の外周部分に分離溝１７ａが設けられ、さらに画素電極１９を構成する各電極部１９ａの両脇に分離溝１７ａが設けられた構成となっている。
【００５９】
このような構成の表示装置１ｄであっても、薄膜トランジスタＴｒを備えた画素回路やこれに接続された走査線５および信号線１１を覆う第１絶縁膜１３上に共通電極１５を配置し、これを覆う第２絶縁膜１７上に画素電極１９を配置した構成であり、また第２絶縁膜１７に分離溝１７ａが設けられているため、第１実施形態と同様に透過率の向上および信頼性の向上を図ることが可能になる。
【００６０】
また第２絶縁膜１７は、共通電極１５と画素電極１９とを絶縁できるだけの必要最小限の堆積にパターン形成されているため、第１絶縁膜１３との線膨張係数差によって加わる応力が最小限に抑えられた構成となっている。したがって、第２絶縁膜１７のクラックを防止する効果が最も高く、クラック発生による表示不良マージンが最大限に広げられて信頼性の向上が図られたものとなる。
【００６１】
尚、第２絶縁膜１７に分離溝１７ａを設けた構成であれば、この分離溝１７ａによって第２絶縁膜１７に加わる応力を緩和することが可能である。したがって本発明は、分離溝１７ａの配置状態が、上述した第１〜第４実施形態に限定されることはなく、共通電極１５と画素電極１９との間の絶縁性が確保できる範囲で設けられれば良い。
【００６２】
＜適用例＞
以上説明した本発明に係る表示装置は、図８〜図１２に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【００６３】
図８は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。 
【００６４】
図９は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００６５】
図１０は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 
【００６６】
図１１は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００６７】
図１２は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１実施形態の表示装置の構成を説明する数画素分の駆動基板側の平面模式図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ’断面に対応する１画素分の断面図である。
【図３】第２実施形態の表示装置の構成を説明する数画素分の駆動基板側の平面模式図である。
【図４】図３におけるＢ−Ｂ’断面に対応する１画素分の断面図である。
【図５】第３実施形態の表示装置の構成を説明する数画素分の駆動基板側の平面模式図である。
【図６】第４実施形態の表示装置の構成を説明する数画素分の駆動基板側の平面模式図である。
【図７】図６におけるＡ−Ａ’断面に対応する１画素分の断面図である。
【図８】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図９】本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１０】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１１】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１２】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１３】従来のＦＦＳモードの液晶表示装置の一例を示す要部平面図とＡ−Ａ’断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ…表示装置、３…第１基板、５…走査線、１１…信号線、１３…第１絶縁膜、１３ａ…接続孔、１５…共通電極、１７…第２絶縁膜、１７ａ…分離溝、１９…画素電極、１９ａ…電極部、３１…第２基板、ＬＣ…液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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