(57)【要約】【課題】半導体レーザの駆動電流波形がバイアス駆動回路出力の影響を受けないようにする構成を備えることで、良好な光出力波形が得られるバースト光送信器を得ること。【解決手段】半導体レーザ１のカソードにデータ信号駆動回路２の出力端とバイアス信号駆動回路３の出力端とが並列に接続されるバースト光送信器において、データ信号駆動回路２の出力端とバイアス信号駆動回路３の出力端との間に、データ信号駆動回路２に対してバイアス信号駆動回路３の出力インピーダンスを高周波数域でも高く保持するインピーダンス変換回路４を設けてある。【選択図】        図１
2009158849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、入力するバーストデータ信号の“１”“０”を対応する電流値を有するデータ駆動用パルス電流に変換するデータ用駆動回路と、入力するバイアス信号の２値レベルを対応する電流値を有するバイアス駆動用パルス電流に変換するバイアス用駆動回路とを備え、前記データ駆動用パルス電流と前記バイアス駆動用パルス電流とを重畳して前記半導体レーザに供給して駆動するバースト光送信器において、
前記データ用駆動回路の出力端と前記バイアス用駆動回路の出力端との間に、前記データ用駆動回路に対して前記バイアス用駆動回路の出力インピーダンスを高周波数域でも高く保持するインピーダンス変換回路を設けてある、
ことを特徴とするバースト光送信器。
【請求項２】
半導体レーザと、入力するバーストデータ信号の“１”“０”を対応する電流値を有するデータ駆動用パルス電流に変換するデータ用駆動回路と、入力するバイアス信号の２値レベルを対応する電流値を有するバイアス駆動用パルス電流に変換するバイアス用駆動回路とを備え、前記データ駆動用パルス電流と前記バイアス駆動用パルス電流とを重畳して前記半導体レーザに供給して駆動するバースト光送信器において、
前記データ用駆動回路は電流引き込み形の差動回路で構成されるのに対して、前記バイアス用駆動回路は電流吐き出し形の差動回路で構成され、
接地電位側に、前記半導体レーザのバイアス電流を規定する電流源が設けられ、
前記半導体レーザのカソードが、前記データ用駆動回路に対して前記バイアス用駆動回路の出力インピーダンスを高周波数域でも高く保持するインピーダンス変換回路を介して前記電流源に接続されている
ことを特徴とするバースト光送信器。
【請求項３】
前記インピーダンス変換回路は、インダクタンス成分を主要素とする回路であることを特徴とする請求項１または２に記載のバースト光送信器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、バースト光送信器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のバースト光送信器では、半導体レーザを発光遅延なくバースト駆動できるようにするため、半導体レーザに、バーストデータ信号の駆動電流とバイアス信号の駆動電流とを並列に供給する構成が採用されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
そこでの電流駆動回路は、一般的なトランジスタによる差動回路で構成され、入力信号のディジタル信号“１”“０”のレベルによって電流の方向を切り替えているが、バイアス信号の駆動電流を生成するバイアス駆動回路では、トランジスタのコレクタ電極と半導体レーザとが直接接続された構成になっている。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−８３０５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そのため、従来のバースト光送信器では、バーストデータ信号の駆動電流を生成するデータ信号駆動回路は、半導体レーザのインピーダンスとバイアス駆動回路のインピーダンスとの合計を駆動する必要がある。
【０００６】
この場合、トランジスタのコレクタ電極には、ベース電極との間、エミッタ電極との間に、それぞれ寄生容量が存在するが、この寄生容量のために、コレクタ電極側のインピーダンスは、周波数が高くなるのに伴い低下していく特性を示す。
【０００７】
つまり、従来のバースト光送信器では、バイアス駆動回路は、周波数が高くなると、出力インピーダンスが低下するので、半導体レーザの駆動電流波形が劣化し、信号振幅も小さくなり、その結果、良好な光出力波形が得られないという問題がある。
【０００８】
この発明は、上記に鑑みてなされたものであり、半導体レーザの駆動電流波形がバイアス駆動回路出力の影響を受けないようにする構成を備えることで、良好な光出力波形が得られるバースト光送信器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成するために、この発明は、半導体レーザと、入力するバーストデータ信号の“１”“０”を対応する電流値を有するデータ駆動用パルス電流に変換するデータ用駆動回路と、入力するバイアス信号の２値レベルを対応する電流値を有するバイアス駆動用パルス電流に変換するバイアス用駆動回路とを備え、前記データ駆動用パルス電流と前記バイアス駆動用パルス電流とを重畳して前記半導体レーザに供給して駆動するバースト光送信器において、前記データ用駆動回路の出力端と前記バイアス用駆動回路の出力端との間に、前記データ用駆動回路に対して前記バイアス用駆動回路の出力インピーダンスを高周波数域でも高く保持する高くするインピーダンス変換回路を設けてあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、インピーダンス変換回路がバイアス用駆動回路の出力インピーダンスを高周波数域でも高く保持するので、半導体レーザの駆動電流波形がバイアス駆動回路出力の影響を受けないようにすることができ、半導体レーザの駆動電流波形の劣化を防ぎ、良好な光出力波形が得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
まず、この発明の理解を容易にするため、図１１〜図１８を参照して、この発明が解決しようとする課題について説明する。
【００１２】
図１１は、従来のバースト光送信器の構成例を示すブロック図である。図１１に示すように、特許文献１に開示される従来のバースト光送信器は、アノードが動作電源に接続される半導体レーザ１のカソードに、データ信号駆動回路２の出力端とバイアス駆動回路３の出力端とが並列に接続される構成である。
【００１３】
図１２は、図１１に示すバースト光送信器の具体的な構成例を示す回路図である。図１２に示すように、データ信号駆動回路２とバイアス駆動回路３とは、それぞれ、ＮＰＮ形のトランジスタによる差動回路で構成される。
【００１４】
すなわち、データ信号駆動回路２は、差動対のトランジスタ２１，２２と、トランジスタ２１，２２の各エミッタ電極と接地電位との間に配置される電流源２３とを基本的に備えている。トランジスタ２１のコレクタ電極は半導体レーザ１のカソードに接続され、トランジスタ２２のコレクタ電極は動作電源に接続されている。トランジスタ２１，２２の各ベース電極には、バーストデータ信号の論理値“１”“０”が入力される。
【００１５】
また、バイアス信号駆動回路３は、差動対のトランジスタ３１，３２と、トランジスタ３１，３２の各エミッタ電極と接地電位との間に配置される電流源３３とを基本的に備えている。トランジスタ３１のコレクタ電極は半導体レーザ１のカソードに接続され、トランジスタ３２のコレクタ電極は動作電源に接続されている。トランジスタ３１，３２の各ベース電極には、２値レベルのバイアス信号が入力される。
【００１６】
図１３は、図１２に示す回路において、各信号の入力から半導体レーザが光出力するまでの関係を示すタイムチャート図である。図１３に示すように当該バースト光送信器は、発光区間と消光区間とを交互に繰り返す動作を行う。
【００１７】
バーストデータ信号は、発光区間の開始端から若干遅れたタイミングから発光区間の終了端までにおいて論理値“１”“０”のパターンでデータ信号駆動回路２に入力し、消光区間において論理値“０”のレベル信号としてデータ信号駆動回路２に入力する。すなわち、差動回路構成のデータ信号駆動回路２は、発光区間において論理値“１”“０”のパターンで入力されるバーストデータ信号を対応するパルス幅のパルス電流に変換して出力する。
【００１８】
バイアス信号は、発光区間の全区間において高レベルとなり、消光区間の全区間において低レベルとなる２値のレベル信号としてバイアス信号駆動回路３に入力する。すなわち、差動回路構成のバイアス信号駆動回路３は、発光区間ではその全区間において高レベルの一定値電流を出力し、消光区間ではその全区間において低レベルの一定値電流を出力する。
【００１９】
その結果、半導体レーザ１のカソード側に発生する半導体レーザ駆動信号は、各駆動回路にて設定された駆動電流の和となるので、発光区間における波形は、バイアス信号駆動回路３が出力する駆動信号に、データ信号駆動回路２が出力する駆動信号が重畳された波形となる。半導体レーザ１は、発光区間においてはこのような半導体レーザ駆動信号に従って発光動作を行うことになる。また、消光区間での半導体レーザ駆動信号の波形は、バイアス信号駆動回路３が出力する低レベルの一定値になり、半導体レーザ１は、消光区間においては消光動作を行うことになる。
【００２０】
図１４は、半導体レーザの駆動電流対出力光特性を示す特性図であり、縦軸が光出力Ｐｏであり、横軸が半導体レーザ駆動電流ＩＬＤである。図４に示すように、半導体レーザ１は、発光区間の開始端における短期間ではバイアス電流のみが供給される。その間に半導体レーザ１内ではレーザ発振に必要なキャリアの移動が行われる。その後にデータ電流が供給されるので、半導体レーザ１は、時間遅れなくレーザ発振を行い、レーザ光を出力する。消光区間では、低レベルのバイアス電流が入力するので、光出力は得られない。したがって、図１３に示すように、発光区間においてのみレーザ発振する半導体レーザ１の出力光が得られる。
【００２１】
ところで、図１２に示したように、トランジスタ３１のコレクタ電極が半導体レーザ１のカソードに直接接続された構成になっている。そのため、データ信号駆動回路２は、半導体レーザ１のインピーダンスとバイアス駆動回路３のインピーダンスとの合計を駆動することになっている。
【００２２】
図１５は、トランジスタの電極間に存在する寄生容量を説明する図である。図１５に示すように、トランジスタでは、コレクタ電極とベース電極間に寄生容量Ｃｂｃが存在し、コレクタ電極とエミッタ間に寄生容量Ｃｅｃが存在し、ベース電極とエミッタ電極間に寄生容量Ｃｅｂが存在する。
【００２３】
そうすると、図１６は、トランジスタのコレクタ出力のインピーダンス特性を示す特性図であり、縦軸が出力インピーダンスＺｏであり、横軸が周波数ｆであるが、バイアス駆動回路３でのトランジスタ３１のコレクタ電極側の出力インピーダンスＺｏは、寄生容量Ｃｂｃ，Ｃｅｃのために、図１６に示すように、周波数ｆが高くなるのに伴い低下していくことになる。
【００２４】
図１７は、図１２に示す回路において、半導体レーザ単体での光出力対周波数特性とバイアス駆動回路のトランジスタを含めた場合の半導体レーザの光出力対周波数特性とを示す特性図であり、縦軸が光出力Ｐｏであり、横軸が周波数ｆである。この図１７では、半導体レーザ（ＬＤ）単体での光出力対周波数の特性５０と、バイアス駆動回路３のトランジスタ３１を含めた場合の半導体レーザの光出力対周波数の特性５１とが示されている。
【００２５】
半導体レーザ（ＬＤ）単体での光出力Ｐｏは、特性５０に示すように、周波数ｆが高くなっても低下の程度は少ない。しかし、トランジスタ３１を含めた場合の半導体レーザの光出力Ｐｏは、特性５１に示すように、周波数ｆが高くなると、トランジスタ３１の出力インピーダンス低下の影響を受けて、低下の程度が大きくなる。
【００２６】
図１８は、図１１に示す従来のバースト光送信器における問題点を説明する図である。図１８に示すように、半導体レーザ駆動信号は、トランジスタ３１の出力インピーダンス低下の影響を受けて、応答特性を示す波形のｔｒ／ｔｆ（ｔｒは立ち上がり時間、ｔｆは立ち下がり時間）が劣化するとともに、信号振幅も小さくなり、その結果、駆動される半導体レーザ１の出力光も同様に劣化するという問題がある。
【００２７】
そこで、この発明では、バイアス駆動回路出力の高インピーダンス化を図ることで、半導体レーザの駆動信号波形がバイアス駆動回路出力の影響を受けて劣化しないようにし、これによって、良好な光出力波形が得られるようにした。以下に図面を参照して、この発明にかかるバースト光送信器の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００２８】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１によるバースト光送信器の構成を示すブロック図である。なお、図１では、図１１（従来例）に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態１に関わる部分を中心に説明する。
【００２９】
図１に示すように、この実施の形態１によるバースト光送信器は、図１１（従来例）に示した構成において、データ信号駆動回路２の出力端とバイアス信号駆動回路３の出力端との間に、インピーダンス変換回路４を介在させた構成になっている。
【００３０】
インピーダンス変換回路４は、データ信号駆動回路２に対するバイアス駆動回路３の出力インピーダンスを、高周波数域でも高く保持する回路であり、インダクタンス成分を主要素として構成されている。この実施の形態では、説明の便宜から、インピーダンス変換回路４は、所望のインダクタンス値を有するコイルで構成されているとして説明するが、コイルに抵抗素子や容量素子を組み合わせた構成も当然に用いることができる。
【００３１】
図２は、図１に示すバースト光送信器の具体的な構成例を示す回路図である。図２に示すように、データ信号駆動回路２とバイアス信号駆動回路３は、それぞれ、図１２で示したのと同様の差動回路で構成される。この構成において、インピーダンス変換回路（インダクタンスＬｂ）４が、バイアス信号駆動回路３の出力トランジスタ３１のコレクタ電極と半導体レーザ１のカソードとの間に設けてある。
【００３２】
次に、動作について説明する。以上の構成において、データ信号駆動回路２は、入力するバーストデータ信号の“１”“０”を、対応する電流値を有するデータ駆動用電流に変換する。また、バイアス信号駆動回路３は、入力するバイアス信号の２値レベルを、対応する電流値を有するバイアス駆動用電流に変換する。
【００３３】
この場合に、実施の形態１では、データ信号駆動回路２が変換出力するデータ駆動用電流は、直接半導体レーザ１のカソードに供給されるが、バイアス信号駆動回路３が変換出力するバイアス駆動用電流は、インピーダンス変換回路４にてインピーダンスの変換処理を受けた後に、半導体レーザ１のカソードに供給される。
【００３４】
したがって、半導体レーザ１の駆動電流パルス波形は、インピーダンス変換回路４にてインピーダンスの変換処理を受けたバイアス駆動用電流に、データ駆動用電流が重畳した波形になる。
【００３５】
以下、図３〜図６を参照して、この実施の形態１による作用・効果について説明する。図３は、トランジスタのコレクタ電極にインダクタンスを接続した回路図である。図３では、図２に示すトランジスタ３１のコレクタ電極にインピーダンス変換回路４のインダクタンス成分を接続した直列回路が示されている。図３に示すＡ点は、半導体レーザ１のカソードとの接続端である。
【００３６】
トランジスタ３１には、寄生容量Ｃｂｃ，Ｃｅｃ，Ｃｅｂがそれぞれ存在する。インピーダンス変換回路４のインダクタンス成分の値は、Ｌｂである。
【００３７】
図４は、インダクタンス単独でのインピーダンス特性を示す特性図である。なお、図４では、縦軸がインピーダンスＺｏであり、横軸が周波数ｆである。図４に示すように、インダクタンス単独でのインピーダンスＺｏは、周波数ｆが高くなるにつれて、大きくなる特性を有している。これによって、トランジスタ３１の出力インピーダンスが、コレクタ電極に存在する寄生容量Ｃｂｃ，Ｃｅｂの影響を受けて周波数ｆが高くなるのに伴い小さくなる特性を補償することができる。
【００３８】
すなわち、図５は、図３に示すＡ点でのトランジスタ出力のインピーダンス特性を示す特性図であり、縦軸がインピーダンスＺｏであり、横軸が周波数ｆであるが、図５に示すように、Ａ点でのトランジスタ３１の出力インピーダンスＺｏを、全周波数ｆに渡って平坦な特性にすることができる。
【００３９】
図６は、インピーダンス変換回路（インダクタンス）を追加した図１に示すバースト光送信器における半導体レーザの光出力対周波数特性を示す特性図であり、縦軸が光出力Ｐｏであり、横軸が周波数ｆである。この図６では、半導体レーザ（ＬＤ）単体での光出力対周波数の特性５０と、バイアス駆動回路３のトランジスタ３１の出力インピーダンスを高くするインピーダンス変換回路を含めた場合の半導体レーザの光出力対周波数の特性２０とが示されている。
【００４０】
図６に示すように、以上のようにバイアス駆動回路３のトランジスタ３１の出力インピーダンスを高周波数域まで高い状態で維持できると、この場合の半導体レーザ１の駆動特性２０は、高周波数域まで、単独の半導体レーザ１の駆動特性５０に相似の特性になる。これによって、光出力波形のｔｒ／ｔｆを改善することができ、振幅を改善することができる。
【００４１】
このように、実施の形態１によれば、バイアス駆動回路出力の高インピーダンス化を図る構成を備えたので、半導体レーザの駆動電流波形の劣化を防ぐことができ、良好な光出力波形を得ることできる。
【００４２】
実施の形態２．
この実施の形態２では、実施の形態１に示したバースト光送信器の特性を改善する構成を示す。
【００４３】
図７は、インピーダンス変換回路（インダクタンス）を追加した図１に示すバースト光送信器における問題点を説明する波形図である。図７に示すローパスフィルタ２４におけるＣＬＤは、図２に示してある半導体レーザ１の寄生容量である。すなわち、インピーダンス変換回路４を追加すると、そのインダクタンスＬｂと半導体レーザ１の寄生容量ＣＬＤとでローパスフィルタ２４が形成されてしまう。
【００４４】
図７（１）に示すように、インピーダンス変換回路４の入力端ａでのバイアス電流信号は、立ち上がり立ち下がり特性の優れた波形であるが、インピーダンス変換回路４の出力端ｂでのバイアス電流信号は、立ち上がり特性が、ローパスフィルタ２４の時定数Ｌ・Ｃによって劣化した立ち上がり波形２５になり、半導体レーザ１に応答を遅れさせる。
【００４５】
つまり、半導体レーザ１の駆動波形では、その前縁に鈍りが起こりｔｒ／ｔｆが劣化するので、インピーダンス変換回路４を追加した図１に示すバースト光送信器では、光バーストの発光特性に変動が生ずるという問題がある。
【００４６】
そこで、図８は、この発明の実施の形態２によるバースト光送信器の構成を示すブロック図であるが、この実施の形態２によるバースト光送信器では、図８に示すように、インピーダンス変換回路４の配置場所を変更し、バイアス駆動回路３に代えてバイアス駆動回路６を設けてある。すなわち、バイアス駆動回路６の出力端は、データ信号駆動回路２の出力端と一緒に、直接半導体レーザ１のカソードに接続する。そして、接地電位側に電流源（電流値Ｉｂ）５を設け、この電流源５に半導体レーザ１のカソードが、インピーダンス変換回路４を介して接続される構成とした。
【００４７】
図９は、図８に示すバースト光送信器の具体的な構成例を示す回路図である。図９に示すように、データ信号駆動回路２には、変更ないが、バイアス信号駆動回路６がＰＮＰ形のトランジスタを用いた差動回路になっている。つまり、バイアス信号駆動回路３は、実施の形態１では、電流引き込み形であるが、この実施の形態２では、電流吐き出し形になっている。
【００４８】
すなわち、バイアス信号駆動回路６は、差動対のトランジスタ３４，３５と、トランジスタ３４，３５の各エミッタ電極と動作電源との間に配置される電流源３３とを基本的に備えている。トランジスタ３４，３５の各ベース電極には、２値レベルのバイアス信号が入力される。そして、トランジスタ３４のコレクタ電極は接地電位に接続され、トランジスタ３５のコレクタ電極は、トランジスタ２１のコレクタ電極と共に半導体レーザ１のカソードに接続されている。
【００４９】
つまり、半導体レーザ１のカソードには、インピーダンス変換回路（インダクタンス）４を介して接地電位側に設けた電流源５が接続されると共に、トランジスタ３５のコレクタ電極を介して動作電源側に設けた電流源３３が接続されている。なお、電流源３３は、電流源５と同じ値の一定電流を流すものである。
【００５０】
次に、動作について説明する。データ信号駆動回路２の動作は、実施の形態１と同様である。バイアス信号駆動回路６において、トランジスタ３４がオン動作して、トランジスタ３５がオフ動作する場合は、電流源３３で定まる一定値電流はトランジスタ３４を介して接地電位側に流れるので、半導体レーザ１は、電流源５にて設定した一定電流値Ｉｂのバイアス電流が流れ、レーザ発振を行って発光する。この場合、インピーダンス変換回路（インダクタンス）４には、電流源５にて設定した一定電流値Ｉｂのバイアス電流が流れる。
【００５１】
また、バイアス信号駆動回路６において、トランジスタ３４がオン動作して、トランジスタ３５がオフ動作する場合は、電流源３３で定まる一定値電流はトランジスタ３４を介して、インピーダンス変換回路（インダクタンス）４〜電流源５と流れるので、半導体レーザ１は、バイアス電流が流れず、レーザ発振を停止して消光する。この場合は、インピーダンス変換回路（インダクタンス）４には、電流源３３にて設定した一定電流値Ｉｂのバイアス電流が流れる。
【００５２】
すなわち、この実施の形態２によるバースト光送信器においても、実施の形態１によるバースト光送信器と同様に、図１３に示した発光区間と消光区間の制御が同様に行える。この場合に、この実施の形態２によるバイアス信号駆動回路６は、発光区間においては、半導体レーザ１に、電流源５にて設定した一定電流値Ｉｂのバイアス電流がインピーダンス変換回路（インダクタンス）４を介して流れる状態に維持し、消光区間になると、電流源３３から電流源５と同一値の電流をインピーダンス変換回路（インダクタンス）４を介して電流源５に流し込むことで、半導体レーザ１に流れるバイアス電流を無くし、半導体レーザ１の電流源５にて設定した一定電流値Ｉｂのバイアス電流による出力光を消光する動作を行う。
【００５３】
そして、この場合のインピーダンス変換回路（インダクタンス）４の作用と半導体レーザ１の動作は、図１０に示すようになる。図１０は、図８に示すバースト光送信器の作用・効果を説明するための図である。なお、図１０に破線で示す動作波形は、図７に示したもので、比較のために示してある。
【００５４】
図１０（１）（２）に示すように、インピーダンス変換回路（インダクタンス）４に流れる電流は、パルス電流ではなく、常に一定値の電流であり、変化しない。したがって、図１０（３）に示すように、半導体レーザ１に流れるバイアス電流の立ち上がり特性は、劣化することなく急峻な立ち上がり波形２６となり、ｔｒ／ｔｆの早い光出力応答が可能になる。
【００５５】
以上のように、この実体の形態２によれば、バイアス信号駆動回路６の出力インピーダンスの高インピーダンス化を図る場合に、バーストの発光特性に変動が生じないようにすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上のように、この発明にかかるバースト光送信器は、半導体レーザの駆動電流波形の劣化を防ぎ、良好な光出力波形を得るのに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】この発明の実施の形態１によるバースト光送信器の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示すバースト光送信器の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３】図２に示すインピーダンス変換回路（インダクタンス）の作用・効果を説明するための回路図である。
【図４】インダクタンス単独でのインピーダンス特性を示す特性図である。
【図５】図３に示すＡ点でのトランジスタ出力のインピーダンス特性を示す特性図である。
【図６】インピーダンス変換回路（インダクタンス）を追加した図１に示すバースト光送信器における半導体レーザの光出力対周波数特性を示す特性図である。
【図７】インピーダンス変換回路（インダクタンス）を追加した図１に示すバースト光送信器における問題点を説明する波形図である。
【図８】この発明の実施の形態２によるバースト光送信器の構成を示すブロック図である。
【図９】図８に示すバースト光送信器の具体的な構成例を示す回路図である。
【図１０】図８に示すバースト光送信器の作用・効果を説明するための図である。
【図１１】従来のバースト光送信器の構成例を示すブロック図である。
【図１２】図１１に示すバースト光送信器の具体的な構成例を示す回路図である。
【図１３】図１２に示す回路において、各信号の入力から半導体レーザが光出力するまでの関係を示すタイムチャート図である。
【図１４】半導体レーザの駆動電流対出力光特性を示す特性図である。
【図１５】トランジスタの電極間に存在する寄生容量を説明する図である。
【図１６】トランジスタのコレクタ出力のインピーダンス特性を示す図である。
【図１７】図１２に示す回路において、半導体レーザ単体での光出力対周波数特性とバイアス駆動回路のトランジスタを含めた場合の半導体レーザの光出力対周波数特性とを示す特性図である。
【図１８】図１１に示す従来のバースト光送信器における問題点を説明する図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  半導体レーザ
２  データ信号駆動回路
３，６  バイアス信号駆動回路
４  インピーダンス変換回路
５  電流源
【図１】
2009158849.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2009158849.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009158849.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009158849.tif 000011
【図１０】
2009158849.tif 000012
【図１１】
2009158849.tif 000013
【図１２】
2009158849.tif 000014
【図１３】
2009158849.tif 000015
【図１４】
2009158849.tif 000016
【図１５】
2009158849.tif 000017
【図１６】
2009158849.tif 000018
【図１７】
2009158849.tif 000019
【図１８】
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