(57)【要約】【課題】ホールパターンを高密度に形成するパターン形成方法を提供する。【解決手段】被加工膜１上に複数の柱状の構造物を形成する工程と、複数の構造物に包囲された領域に窪み部が形成されるように、複数の構造物の側壁に側壁膜を形成する工程と、複数の構造物の上、及び窪み部の底部の側壁膜をエッチングして除去する工程と、側壁膜を残し、複数の構造物を選択的にエッチングする工程とを備える。【選択図】図１１Ａ
2009004535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工膜上に複数の柱状の構造物を形成する工程と、
複数の前記構造物に包囲された領域に窪み部が形成されるように、複数の前記構造物の側壁に側壁膜を形成する工程と、
複数の前記構造物の上、及び前記窪み部の底部の前記側壁膜をエッチングして除去する工程と、
前記側壁膜を残し、複数の前記構造物を選択的にエッチングする工程と
を備えるパターン形成方法。
【請求項２】
複数の柱状の構造物を形成する前記工程は、
前記被加工膜上に形成された第１の材料膜に所定の形状の複数の第１の開口を含むパターンを形成する工程と、
第２の材料膜を複数の前記第１の開口に充填して複数の前記構造物を形成する工程と、
複数の前記構造物を残し、前記第１の材料膜を選択的にエッチングする工程と
を備える請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
複数の前記第１の開口を含むパターンを形成する前記工程は、第１の方向と前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿って所定の間隔で複数の前記第１の開口を前記第１の材料膜に形成し、
前記第１の材料膜を選択的にエッチングする前記工程は、複数の柱状の前記構造物を、前記第１の方向と前記第２の方向とに沿って所定の間隔で前記被加工膜上に残し、
複数の前記構造物の側壁に前記側壁膜を形成する前記工程は、複数の前記構造物における第１の構造物と、前記第１の方向及び前記第２の方向に挟まれた第３の方向に沿って前記第１の構造物の隣に位置する第２の構造物との間に前記窪み部が形成されるように、前記第１の構造物の側壁及び前記第２の構造物の側壁に前記側壁膜を形成する請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
複数の前記構造物の側壁に前記側壁膜を形成する前記工程は、前記第１の構造物の側壁に形成される前記側壁膜と、前記第１の方向及び前記第２の方向に沿ってそれぞれ前記第１の構造物の隣に位置する第３の構造物及び第４の構造物の側壁に形成される前記側壁膜とがいずれも接すると共に、前記第１の構造物の側壁に形成される前記側壁膜と、前記第２の構造物の側壁に形成される前記側壁膜とが接しない厚さの前記側壁膜を形成する請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
複数の前記第１の開口を含むパターンを形成する前記工程は、
前記第１の材料膜にレジストを塗布する工程と、
前記第１の開口よりも寸法が大きい複数の第２の開口を有するレジストパターンをリソグラフィー法により前記レジストに形成する工程と、
前記レジストの寸法を拡大して、前記第２の開口の寸法を前記第１の開口の寸法まで縮小する工程と、
前記第１の開口の寸法まで縮小した複数の前記第２の開口を有するレジストパターンをマスクとして、前記第１の材料膜をエッチングすることにより、所定の形状の複数の前記第１の開口を含むパターンを前記第１の材料膜に形成する工程と
を有する請求項２に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において微細なホールパターンを形成するために、被加工膜上にレジストからなるホール形状のパターンをリソグラフィー法により形成した後、パターンの内壁に側壁膜を堆積することにより、リソグラフィー法の限界を超えた寸法のホール形状のパターンを形成するパターン形成方法が知られている。
【０００３】
また、特許文献１には、被加工膜上に設けた有機絶縁膜に凹部を形成した後、加熱すると有機絶縁膜と反応する上層膜を凹部が設けられた有機絶縁膜上に形成して、上層膜に加熱処理を施し、凹部の側面に有機絶縁膜と上層部とが反応して成長する反応層を設けることにより、凹部の寸法を縮小する半導体装置の製造方法が記載されている。
【０００４】
しかし、これら従来のパターン形成方法及び半導体装置の製造方法では、ホールパターンの寸法又は凹部の寸法は縮小するが、ホールパターン又は凹部の単位面積あたりにおける数は変わらない。
【特許文献１】特開２００７−５３７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ホールパターンを高密度に形成するパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、被加工膜上に複数の柱状の構造物を形成する工程と、複数の構造物に包囲された領域に窪み部が形成されるように、複数の構造物の側壁に側壁膜を形成する工程と、複数の構造物の上、及び窪み部の底部の側壁膜をエッチングして除去する工程と、側壁膜を残し、複数の構造物を選択的にエッチングする工程とを備えるパターン形成方法を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ホールパターンを高密度に形成するパターン形成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
［実施の形態］
（パターンの形成方法）
図１Ａは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第１の工程の上面図であり、図１Ｂは、実施の形態に係る図１ＡのＡ−Ａ’線での第１の工程の縦断面図である。
【０００９】
図１Ｂに示すように、シリコン酸化膜から形成される被加工膜１の上に、第１の材料膜としてのシリコン窒化膜２をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により堆積する。そして、シリコン窒化膜２の上にレジスト３を塗布する。続いて、所定の形状の複数の開口４を有するパターンを、リソグラフィー法を用いてレジスト３に形成する。
【００１０】
シリコン窒化膜２の上に形成される複数の開口４は、図１Ａに示すように、一例として略正八角形のホール形状を有する。例えば、複数の開口４はそれぞれ、直径６０ｎｍの円が開口４の各辺に内側から略接する大きさに形成される。更に、複数の開口４は、異なる２つの方向について実質的に等間隔で配列されてシリコン窒化膜２の上に形成される。例えば、複数の開口４は、シリコン窒化膜２の上にマトリックス状に配置されて形成される。
【００１１】
すなわち、シリコン窒化膜２の上に、第１の方向と第１の方向に垂直な第２の方向とのそれぞれに沿って複数の開口４が形成される。そして、一の開口４と、第１の方向及び第２の方向において一の開口４の隣に位置する他の開口４とのピッチが等間隔になるように、複数の開口４がシリコン窒化膜２の上に形成される。一例として、一の開口４と他の開口４とのピッチｄが１２０ｎｍとなるように、複数の開口４は形成される。
【００１２】
また、一の開口４（例えば、開口４ｂ）と他の開口４（例えば、開口４ｃ及び開口４ａ）との間隔ａ１及び間隔ｂ１は、間隔ａ１と間隔ｂ１との比が１：１となるように形成される。例えば、間隔ａ１及び間隔ｂ１がそれぞれ６０ｎｍとなるように、複数の開口４（例えば、開口４ａ、開口４ｂ、及び開口４ｃ等）がレジスト３に形成される。ここで、開口４ａ、開口４ｂ、開口４ｃはそれぞれマトリックス状に配置されており、開口４ａの対角の位置に開口４ｃが位置する。そして、開口４ｃと開口４ａとの間隔を間隔ｃ１とすると、間隔ｃ１は、間隔ａ１及び間隔ｂ１よりも広く設定される。
【００１３】
なお、被加工膜１は、シリコン等の半導体から主として形成される基板の上に堆積される絶縁膜であってもよく、シリコン酸化膜の代わりにＬｏｗ‐ｋ膜から形成することもできる。Ｌｏｗ‐ｋ膜としては、カーボン含有ＳｉＯ２膜（ＳｉＯＣ）、ＢＳＧ（boro-silicate glass）膜、多孔質シリカ膜等の無機絶縁膜、若しくはアモルファスカーボン膜、ポリイミド系又はフッ素樹脂系等の高分子膜、メチル基を含有するＳｉＯ２（methylsilsesquioxane：ＭＳＱ）膜等の有機絶縁膜を用いることができる。
【００１４】
図２は、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第１の工程に続く第２の工程の縦断面図を示す。
【００１５】
第２の工程においては、複数の開口４が形成されたレジスト３の表面に、レジスト３中の酸成分により硬化するパターンシュリンク材としての有機材料を塗布する。この有機材料をレジスト３の表面に塗布した後、レジスト３に所定の温度で所定の時間、加熱処理を施す。この加熱処理により、レジスト３の表面に塗布した有機材料が硬化して反応層１３が形成される。続いて、加熱処理により硬化しなかった有機材料を水洗除去する。これにより、開口４が形成されたレジスト３に反応層１３が形成され、開口４の上面視における寸法が縮小した開口５がシリコン窒化膜２の上に形成される。
【００１６】
反応層１３は、一例として、１０ｎｍの厚さでレジスト３の表面に形成される。したがって、開口５の上面視における寸法は、直径４０ｎｍの円が開口５に内側から略接する寸法となる。
【００１７】
ここで、パターンシュリンク材は、ポリビニルアルコール等の水溶性樹脂、メラミン誘導体等の水溶性架橋材、及び、水又は水とイソプロピルアルコール等の水溶性有機溶媒との混合液から構成される溶媒を有する有機材料である。パターンシュリンク材をレジスト３の表面に塗布した後、パターンシュリンク材を塗布したレジスト３に加熱処理、及び／又は露光処理を施すと、レジスト３から発生した酸成分、及びレジスト３中に存在する酸成分がパターンシュリンク材中に拡散する。
【００１８】
そして、パターンシュリンク材中に拡散した酸成分により、パターンシュリンク材が有する水溶性樹脂及び水溶性架橋材が架橋反応して、反応層１３が形成される。反応層１３がレジスト３の表面に形成されることにより、開口４の寸法が縮小した開口５が形成される。なお、パターンシュリンク材をレジスト３の表面に塗布した後、レジスト３に施す加熱処理の温度及び時間を制御することにより、反応層１３の厚さを所望の厚さに制御することができる。
【００１９】
なお、レジスト３の表面に、所定膜厚のポリシリコン等を堆積させることにより、開口４の寸法を縮小した開口５をシリコン窒化膜２の上に形成してもよい。
【００２０】
図３は、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第２の工程に続く第３の工程の縦断面図を示す。
【００２１】
第３の工程においては、第２の工程において形成された複数の開口５をマスクとして、ＣＨ２Ｆ２等のガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、シリコン窒化膜２をドライエッチングする。そして、Ｏ２等を用いたダウンフロー型のプラズマアッシング処理により、反応層１３を表面に有するレジスト３を、シリコン窒化膜２から剥離する。これにより、レジスト３及び反応層１３により形成された複数の開口５のパターンがシリコン窒化膜２に転写され、被加工膜１の上に複数の開口６が形成される。
【００２２】
図４は、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第３の工程に続く第４の工程の縦断面図を示す。
【００２３】
第４の工程においては、複数の開口６において露出している被加工膜１の上、及び複数の開口６を有するシリコン窒化膜２の上に、ＣＶＤ等の成膜方法を用いて所定の厚さを有する第２の材料膜としてのポリシリコン膜７を堆積する。
【００２４】
図５は、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第４の工程に続く第５の工程の縦断面図を示す。
【００２５】
第５の工程においては、複数の開口６において露出している被加工膜１の上、及び複数の開口６を有するシリコン窒化膜２の上に堆積したポリシリコン膜７を、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等により平坦化する。この場合において、少なくとも複数の開口６に充填されたポリシリコン膜７の表面が露出するまで平坦化する。ここで、シリコン窒化膜２上に堆積したポリシリコン膜７が取り除かれると、複数の開口６に充填されたポリシリコン膜７は、ポリシリコンから形成される柱状の構造物としてのポリシリコン柱１７となる。
【００２６】
図６は、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第５の工程に続く第６の工程の縦断面図を示す。
【００２７】
第６の工程においては、ＣＨ３Ｆ等のガスを用いたＲＩＥにより被加工膜１の上に形成されているシリコン窒化膜２を選択的に除去する。すなわち、第６の工程においては、被加工膜１上に形成されているシリコン窒化膜２をＲＩＥにより除去する一方で、複数の開口６に形成されたポリシリコン柱１７を残存させる。第６の工程を経た後、被加工膜１の上にはポリシリコンから形成される八角柱形状の複数のポリシリコン柱１７が残存することとなる。
【００２８】
なお、第６の工程においては、ポリシリコンに対するエッチング速度よりもシリコン窒化物に対するエッチング速度の方が大きいエッチャントを用いて、シリコン窒化膜２を選択的にウェットエッチングしてもよい。
【００２９】
図７Ａは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第６の工程に続く第７の工程の途中の工程を示す上面図を示しており、図７Ｂは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第７の工程の途中の工程を示す縦断面図を示す。
【００３０】
ポリシリコン膜７から形成されたポリシリコン柱１７の側壁のそれぞれ、及び被加工膜１の上面に、側壁膜としてのシリコン窒化膜８をＣＶＤ等の成膜法により一様に形成する。すなわち、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、ポリシリコン柱１７ａの側壁、及び被加工膜１の上面にシリコン窒化膜８を堆積させていく。
【００３１】
図８Ａは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第７の工程後の上面図を示しており、図８Ｂは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第７の工程後の縦断面図を示す。
【００３２】
第７の工程後において形成されるシリコン窒化膜８の厚さは、一のポリシリコン柱１７ａの側壁に形成されるシリコン窒化膜８と、他のポリシリコン柱１７ｂの側壁に形成されるシリコン窒化膜８とが接する厚さである。更に、ポリシリコン柱１７ａの中心とポリシリコン柱１７ｂの中心とを結んだ直線に対して第３の方向としての４５度の方向においてポリシリコン柱１７ｂの隣に位置するポリシリコン柱１７ｃの側壁に形成されるシリコン窒化膜８と、ポリシリコン柱１７ｂの側壁に形成されるシリコン窒化膜８とが接しない厚さである。
【００３３】
すなわち、ポリシリコン柱１７の側壁に形成するシリコン窒化膜８の厚さは、一のポリシリコン柱１７ａから他のポリシリコン柱１７ｂまでの間隔ａ２の１／２以上であり、かつ、ポリシリコン柱１７ｂとポリシリコン柱１７ｃとの間隔ｃ２の１／２未満に設定される。
【００３４】
一例として、複数のポリシリコン柱１７の側壁のそれぞれに４０ｎｍの厚さのシリコン窒化膜８が形成されるように、ポリシリコン柱１７のそれぞれ、及び被加工膜１の上面にＣＶＤを用いてシリコン窒化膜８を堆積する。これにより、被加工膜１の上面において、例えば、ポリシリコン柱１７ｃとポリシリコン柱１７ｂとの間に、窪み部としての開口９が形成される。すなわち、４つのポリシリコン柱１７に包囲された領域に、凹形状を有する窪み部としての開口９が形成される。
【００３５】
図９Ａは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第７の工程に続く第８の工程を示す上面図を示しており、図９Ｂは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第８の工程を示す縦断面図を示す。
【００３６】
第８の工程においては、シリコン窒化膜８の全面にレジスト１０を塗布した後、所定の領域に所定の形状を有するパターンをリソグラフィー法により形成する。具体的には、ポリシリコン柱１７が互いに隣接していない部分を含む所定の領域、より具体的には、４つのポリシリコン柱１７によって包囲された部分を含む所定の領域を除く領域に、レジスト１０のパターンを形成する。すなわち、第８の工程においては、後述する第９の工程において加工を施すことを要さないシリコン窒化膜８の上に、リソグラフィー法によりマスク材としてのレジスト１０のパターンを形成する。
【００３７】
図１０Ａは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第８の工程に続く第９の工程を示す上面図を示しており、図１０Ｂは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第９の工程を示す縦断面図を示す。
【００３８】
第９の工程においては、レジスト１０のパターンが形成されていない領域のシリコン窒化膜８を、ＣＨ２Ｆ２等のガスを用いたＲＩＥ等のドライエッチングにより選択的に加工する。すなわち、シリコン窒化膜８で被覆されている複数のポリシリコン柱１７の上面のそれぞれが露出すると共に、開口９の底部において被加工膜１が露出することにより開口１１が形成されるまで、シリコン窒化膜８にドライエッチングを施す。そして、ドライエッチング後、Ｏ２等を用いたダウンフロー型のプラズマアッシング処理により、シリコン窒化膜８からレジスト１０を剥離する。
【００３９】
なお、ポリシリコン柱１７及び被加工膜１のＲＩＥによるエッチング速度は、シリコン窒化膜８のＲＩＥによるエッチング速度よりも小さいので、シリコン窒化膜８を選択的にドライエッチングできる。また、４つのポリシリコン柱１７によって包囲されていない領域には、第８の工程においてレジスト１０のパターンが形成されているので、このパターンが形成されている領域は、第９の工程においてＲＩＥでドライエッチングされない。したがって、シリコン窒化膜８を取り除くべきではない被加工膜１上の部分から、シリコン窒化膜８が除去されることを防止できる。
【００４０】
図１１Ａは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第９の工程に続く第１０の工程を示す上面図を示しており、図１１Ｂは、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第１０の工程を示す縦断面図を示す。
【００４１】
第１０の工程においては、第９の工程で露出した複数のポリシリコン柱１７を取り除く。具体的には、シリコン窒化物に対するエッチング速度よりもポリシリコンに対するエッチング速度が大きいエッチャントを用いてポリシリコンをエッチングする。これにより、複数の開口１１及び複数の開口１２はシリコン窒化膜８によって互いにそれぞれ確実に隔離され、複数の開口１１同士、又は複数の開口１２同士、若しくは開口１１と開口１２とが連なることがないパターンが被加工膜１の上に形成される。
【００４２】
ここで、複数の開口１２はそれぞれ、第１の工程において形成された開口４の寸法よりも小さい寸法に形成される。そして、一の開口１２と他の開口１２との間隔ｅ及び間隔ｆは、開口１２の寸法が開口４の寸法よりも縮小した分、拡大する。また、複数の開口１２によって包囲された位置に形成される開口１１と、開口１１に隣接する開口１２との間のピッチｈは、第１の工程において形成した開口４のピッチｄの略１／１．４となる。
【００４３】
一例として、間隔ｅ及び間隔ｆは８０ｎｍであり、開口１２は直径が４０ｎｍの円が開口１２の各辺に内側から略接する大きさに形成される。また、開口１１は一辺が４０ｎｍの略正方形状に形成される。そして、単位面積あたりの開口１２及び開口１１の数の合計は、第１の工程において形成した開口４の単位面積あたりの数の２倍となる。この後、図示は省略するが、開口１１及び開口１２を含むシリコン窒化膜８のパターンをマスクとして、被加工膜１にピッチｈの複数のホールパターンを形成する。
【００４４】
（実施の形態の効果）
この実施の形態によれば、所定の間隔をおいて被加工膜上に形成したポリシリコン柱の側面にシリコン窒化膜を堆積させて、ポリシリコン柱で包囲された領域に新たな開口を形成することができる。これにより、リソグラフィー法で開口を形成する場合に比べて、形成する開口の寸法を縮小できると共に、単位面積あたりにおいてリソグラフィー法では作成することが困難な数の開口を形成することができる。
【００４５】
（変形例）
なお、第１の工程において形成する複数の開口４の配置は、この実施の形態に限られない。例えば、一の開口４と他の開口４との第１の方向の間隔ａ１と第２の方向の間隔ｂ１とを異ならせて複数の開口４を配置してもよい。すなわち、第１の方向と第２の方向とに挟まれた第３の方向において、隣に位置する開口４間の間隔をｃ１としたとき、間隔ａ１＜間隔ｂ１＜間隔ｃ１と設定して、開口４のそれぞれの位置にポリシリコン柱１７を形成する。そして、第７の工程においてポリシリコン柱１７の側壁に形成するシリコン窒化膜８の膜厚を、第２の方向で隣接するポリシリコン柱１７間の間隔ｂ２の１／２以上、第３の方向で隣接するポリシリコン柱１７間の間隔ｃ２の１／２未満に設定する。
【００４６】
これにより、４つのポリシリコン柱１７に包囲される領域に、窪み部としての開口９が形成される。続いて、ポリシリコン柱１７の上及び窪み部の底部を被覆しているシリコン窒化膜８を除去した後、ポリシリコン柱１７を除去することにより、単位面積あたり第１の工程において形成した開口４の２倍の数の開口１１及び開口１２を被加工膜１の上に形成することができる。
【００４７】
また、所定の間隔をおいて被加工膜１にポリシリコン柱１７を形成する方法についても、この実施の形態には限られない。例えば、被加工膜１上にリソグラフィー法を利用して、直接、略等間隔で配列されたポリシリコン膜７のパターンを形成した後、スリミング処理を施して被加工膜１上に図６に示したような柱状構造物としての複数のポリシリコン柱１７を形成してもよい。
【００４８】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１Ａ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第１の工程の上面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施の形態に係る図１ＡのＡ−Ａ’線での第１の工程の縦断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第１の工程に続く第２の工程の縦断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第２の工程に続く第３の工程の縦断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第３の工程に続く第４の工程の縦断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第４の工程に続く第５の工程の縦断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第５の工程に続く第６の工程の縦断面図である。
【図７Ａ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第６の工程に続く第７の工程の途中の工程を示す上面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第７の工程の途中の工程を示す縦断面図である。
【図８Ａ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第７の工程後の上面図である。
【図８Ｂ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第７の工程後の縦断面図である。
【図９Ａ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第７の工程に続く第８の工程を示す上面図である。
【図９Ｂ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第８の工程を示す縦断面図である。
【図１０Ａ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第８の工程に続く第９の工程を示す上面図である。
【図１０Ｂ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第９の工程を示す縦断面図である。
【図１１Ａ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第９の工程に続く第１０の工程を示す上面図である。
【図１１Ｂ】本発明の実施の形態に係るパターン形成方法の第１０の工程を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  被加工膜
２、８  シリコン窒化膜
３、１０  レジスト
４、５、６、９、１１、１２  開口
７  ポリシリコン膜
【図１Ａ】
2009004535.tif 000003
【図１Ｂ】
2009004535.tif 000004
【図２】
2009004535.tif 000005
【図３】
2009004535.tif 000006
【図４】
2009004535.tif 000007
【図５】
2009004535.tif 000008
【図６】
2009004535.tif 000009
【図７Ａ】
2009004535.tif 000010
【図７Ｂ】
2009004535.tif 000011
【図８Ａ】
2009004535.tif 000012
【図８Ｂ】
2009004535.tif 000013
【図９Ａ】
2009004535.tif 000014
【図９Ｂ】
2009004535.tif 000015
【図１０Ａ】
2009004535.tif 000016
【図１０Ｂ】
2009004535.tif 000017
【図１１Ａ】
2009004535.tif 000018
【図１１Ｂ】
2009004535.tif 000019