(57)【要約】【課題】  本発明は、被転写体全面に一回の加圧で微細構造を転写でき、ベース層の分布を均一と出来るナノインプリント用モールド、および本モールドを適用して生産される記録媒体を提供することを課題とする。【解決手段】  本発明は、被転写体、またはモールドの複数の箇所に樹脂材料を配し、モールドによって前記樹脂材料を押し広げることでモールド上の形状を前記樹脂材料に転写するナノインプリントに用いるモールドであって、前記モールドが形状，間隔の何れが異なる凹凸形状を有する複数の領域を有し、前記の個々の樹脂材料が押し広げられる際のモールド面内方向における形状をＡとして、少なくともモールド表面の凹凸形状を有して樹脂材料に接するように設計された領域の中から任意に選択するＡの領域において、モールド凹部の面積の割合が一定であるナノインプリント用モールドを用いることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を表面に有するインプリントモールドにおいて、
前記パターン形成領域は、形状，間隔の何れが異なる凹凸パターンが形成された複数の領域を有し、
前記パターン形成領域よりも小さく、かつ、前記パターン形成領域の複数の凹部及び凸部が含まれる大きさの所定の領域Ａを仮定した場合、前記パターン形成領域内で任意に選択された箇所における領域Ａ内の凹部の開口面積又は体積と、異なる箇所における領域Ａ内の凹部の開口面積又は体積がほぼ一定であることを特徴とするインプリントモールド。
【請求項２】
請求項１において、前記所定の領域Ａは、被転写体表面に液状の樹脂材料を塗布した状態で前記インプリントモールドを押し付け、前記樹脂材料が押し広げられる際のインプリントモールド面内方向における形状であることを特徴とするインプリント用モールド。
【請求項３】
請求項２において、前記樹脂材料は光反応性の樹脂であることを特徴とするインプリント用モールド。
【請求項４】
請求項１において、情報を記録するための記録部に対応する凹凸パターンと、該記録部によって囲まれた情報を読み取るための検出素子の位置決め部に対応する凹凸パターンとを有することを特徴とする記録媒体形成用インプリントモールド。
【請求項５】
請求項４において、前記記録部に対応する凹凸パターン、及び、位置決め部に対応する凹凸パターンが形成された第１の領域と、前記第１の領域外に形成された凹凸パターンを有する第２の領域を備えることを特徴とする記録媒体用インプリントモールド。
【請求項６】
請求項５において、第２の領域に形成された凹凸形状が溝状であり、第１の領域の周りを囲んでいることを特徴とする記録媒体用インプリントモールド。
【請求項７】
凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を表面に有するインプリントモールドにおいて、
前記パターン形成領域は、形状，間隔の何れが異なる凹凸パターンが形成された複数の領域を有し、各領域で凹部の深さが異なっていることを特徴とするインプリントモールド。
【請求項８】
請求項７において、各領域の凹部の体積和をほぼ一定であることを特徴とするインプリントモールド。
【請求項９】
請求項７において、凹部開口面積が大きい領域の凹部の深さに対して、凹部開口面積が小さい領域の凹部の深さが深いことを特徴とするインプリントモールド。
【請求項１０】
凸部又は凸部表面に記録層が形成され、凹凸形状により互いに離間された複数の記録部と、
該記録部の情報を読み取る検出素子の位置決めをするための凹凸形状を有する位置決め部とを備え、
前記位置決め部における凸部の面積又は体積と、前記記録部における凸部の面積又は体積がほぼ一定であることを特徴とする記録媒体。
【請求項１１】
請求項１０において、位置決め部が、
位置決め機能を有する第一の形状と、
相当直径，幅のいずれかが第一の形状よりも小さく、第一の形状が有する間隔よりも短い間隔で周期的に配置された第二の形状の組合せにより構成されることを特徴とする記録媒体。
【請求項１２】
請求項１０において、位置決め部が、
位置決め機能を有する第一の形状と、
相当直径，幅のいずれかが第一の形状よりも小さく、検出素子の掃引方向に対して、第一の形状が有する間隔よりも短い間隔で周期的に配置された第二の形状の組合せにより構成されることを特徴とする記録媒体。
【請求項１３】
請求項１０において、前記記録部の周囲に配された辺縁部を有し、
前記辺縁部における凸部の割合と、前記記録部における凸部の割合がほぼ一定であることを特徴とする記録媒体。
【請求項１４】
請求項１３において、辺縁部に配された形状が溝状であることを特徴とする記録媒体。
【請求項１５】
請求項１３において、記録媒体が中心穴を有する円盤状であり、辺縁部が記録部の内周部と外周部の少なくとも何れか一方に設けられていることを特徴とする記録媒体。
【請求項１６】
請求項１２において、記録媒体が円盤状であり、辺縁部が記録部の内周部と外周部の何れかに配され、辺縁部に配された形状が記録媒体と中心を同じくする同心円状の溝形状であることを特徴とする記録媒体。
【請求項１７】
インプリントモールドの凹凸形状を被転写体に転写するパターン形成方法において、
前記被転写体上に複数箇所に光硬化性樹脂を滴下する工程と、
前記インプリントモールドを被転写体上の光硬化性樹脂に押し付け、該光硬化性樹脂を押し広げてインプリントモールド内の凹部内に該光硬化性樹脂を充填する工程と、
前記光硬化性樹脂を硬化させる工程と、
前記インプリントモールドを前記光硬化性樹脂から離す工程と、を有し、
前記インプリントモールドとして、形状，間隔の何れが異なる複数の凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を有し、前記パターン形成領域よりも小さく、かつ、前記パターン形成領域の複数の凹部及び凸部が含まれる大きさの所定の領域Ａを仮定した場合、前記パターン形成領域内で任意に選択された箇所における領域Ａ内の凹部の開口面積又は体積と、異なる箇所における領域Ａ内の凹部の開口面積又は体積がほぼ一定であるモールドを用いることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記インプリントモールドを前記光硬化性樹脂から離した後、前記光硬化性樹脂をマスクとして、前記被転写体の表面にインプリントモールドの凹凸形状を転写する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被転写体の表面にモールドの微細な凹凸形状を転写するインプリントで使用されるモールドと、該モールドを適用して製造された記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、さらなる微細加工を実現するために、例えばフォトリソグラフィ装置によって半導体集積回路のパターンを形成する際の高精度化が図られている。その一方で、微細加工のオーダが露光光源の波長に近づいてきたことで、パターンの形成の高精度化は限界に近づいてきた。そのため、さらなる高精度化を図るために、フォトリソグラフィ装置に代えて荷電粒子線装置の一種である電子線描画装置が用いられるようになった。
【０００３】
しかしながら、電子線描画装置によるパターンの形成は、ｉ線，エキシマレーザ等の光源を使用した一括露光方法によるものと異なって、電子線で描画するパターンが多ければ多いほど露光（描画）時間がかかる。したがって、半導体集積回路の集積化が進むにつれてパターンの形成に要する時間が長くなって、スループットが著しく劣ることとなる。
【０００４】
そこで、電子線描画装置によるパターンの形成の高速化を図るために、各種形状のマスクを組み合わせて、それらに一括して電子線を照射する一括図形照射法の開発が進められている。しかしながら、一括図形照射法を使用する電子線描画装置は大型化するとともに、マスクの位置をより高精度に制御する機構がさらに必要となって装置自体のコストが高くなるという問題がある。
【０００５】
また、他のパターンの形成技術として、所定のモールドを型押ししてその表面形状を転写するナノインプリント技術が知られている。このナノインプリント技術は、形成しようとするパターンの凹凸を反転した形状の凹凸形状を表面に有するモールドを、例えば所定の基板上に樹脂層を形成して得られる被転写体に型押しするものであり、１枚のモールドを繰り返し使用して、凹凸幅が５０ｎｍ以下の微細構造を形成した被転写基板を複数枚製造することができる。そして、このナノインプリント技術は、大容量記録媒体における記録ビットのパターンの形成や、半導体集積回路のパターンの形成への応用が検討されている。例えば、大容量記録媒体用基板や半導体集積回路用基板は、ナノインプリント技術で形成したパターン形成層の凸部をマスクとして、基板をエッチングすることで製造することができる。
【０００６】
このようなナノインプリント技術において、被転写体に樹脂材料を塗布する方法としてはスピンコート法を用いて樹脂材料を製膜する手法や、特許文献１に記載のようにディスペンス法を適用してモールド表面の凹凸に応じて樹脂材料の配置する方法が知られている。
【０００７】
【特許文献１】米国公開特許第２００４−００６５９７６Ａ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ナノインプリント技術では、モールドを被転写体表面の樹脂層に型押しした後、モールドを剥離することで、被転写体の樹脂層に微細構造が転写される。その際、転写後における被転写体表面の樹脂層の膜厚を均一にする技術が重要になる。特に前述のエッチングのようにナノインプリント技術で形成したパターン形成層の凸部をマスクとする場合には、凸部以外の領域の樹脂層（以後、ベース層と呼ぶ）の厚みを均一にすることが重要である。
【０００９】
ベース層の厚みを均一にする為には、ナノインプリント時の圧力分布と共に被転写体表面に配する樹脂材料の分布やモールド表面の凹凸形状の分布が重要である。樹脂材料をスピンコート法で被転写体表面に配する方法では樹脂材料は被転写体表面に均一に配されるが、モールド上の凹凸形状がモールド面内において均一でない場合には凹凸形状に対応したベース層の厚み分布が生じると言う課題が生じる。
【００１０】
他方、特許文献１に記載のように、樹脂材料を供給する方法にディスペンス法を適用してモールド表面の凹凸に応じて樹脂材料の配置を設計することでモールドの凹凸分布によるベース層の分布を均一とすることが出来る。しかしながら、モールドの凹凸分布によっては樹脂材料を供給する位置を厳密に指定する必要があるために高度なディスペンス機構が必要であり、また、振動や気流によるレジストの滴下位置のずれがベース層の分布に直結すると言う課題が残されていた。
【００１１】
前述したように、加圧プロセスや樹脂材料の供給によってのみベース層の均一化を図ることには困難性を有し、大容量記録媒体用基板のように工業的な量産を必要とする応用製品への適用には課題が残る。
【００１２】
そこで、本発明はモールドの凹凸形状を適切に設計することによって、転写後におけるベース層の厚みのばらつきを低減できるインプリントモールド、および本モールドを適用して生産される記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決する本発明は、凹凸パターンが形成されたパターン形成領域を表面に有し、前記パターン形成領域は、形状，間隔の何れが異なる凹凸パターンが形成された複数の領域を有し、前記パターン形成領域よりも小さく、かつ、前記パターン形成領域の複数の凹部及び凸部が含まれる大きさで所定の領域Ａを仮定し、前記パターン形成領域内で任意に選択された箇所における領域Ａ内の凹部の開口面積又は体積と、異なる箇所における領域Ａ内の凹部の開口面積又は体積がほぼ一定であるインプリントモールドを特徴とする。ここで、インプリントモールドとは、被転写体またはモールドに樹脂材料を配し、モールドによって前記樹脂材料を押し付けることでモールド上の形状を前記樹脂材料に転写するナノインプリントに用いるモールドのことをいう。
【００１４】
また、本発明は、凸部又は凸部表面に記録層が形成され、凹凸形状により互いに離間された複数の記録部と、該記録部の情報を読み取る検出素子の位置決めをするための凹凸形状を有する位置決め部とを備え、前記位置決め部における凸部の面積又は体積と、前記記録部における凸部の面積又は体積がほぼ一定である記録媒体を特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のインプリントモールドにより、ベース層の厚さのばらつきを低減できるインプリントプロセスを実現することが可能になる。また、記録媒体に適用することで記録媒体のサーボパターン形状の加工精度を向上することができ、記録媒体に用いる検出素子の位置決め特性を改善することも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明の実施形態について適宜図面を参照しながら説明する。図１は、ナノインプリントプロセスの概念を示している。基板１０２上の複数箇所に液状の樹脂材料１０３を滴下する。樹脂材料１０３が配された基板１０２をモールド１００の凹凸形状形成部１０１で加圧し、樹脂材料１０３を押し広げてモールド１００の凹部内に樹脂材料を充填する。その後、樹脂材料１０３を硬化させ、モールド１００を樹脂材料から離すことで凹凸形状形成部１０１の形状を有する樹脂材料１０４を得ることが出来る。ただし、図２に示すようにモールド１００の凹凸形状形成部１０１にモールド凹部の開口面積の割合が異なる領域第１の領域１０１ａと第２の領域１０１ｂが存在すると、図２（ｃ）に示すようなベース層１０５の分布（１０５ａ，１０５ｂ）が生じやすくなる。これは、モールド１００の加圧により樹脂材料１０３が押し広げられる際に、モールド凹部の割合が少ない第２の領域１ｂでは、モールド凹部の割合が多い第１の領域１ｃよりも広い範囲に押し広げられる傾向となる。これに対し、基板に配される樹脂材料１０３は、押し広げられた後に基板１０２全体に行き渡り連続薄膜となるように、所定の間隔で均等に配置されている。そのため、モールド凹部の割合が少ない第２の領域１ｂでは、より大面積に広がろうとする樹脂材料１０３同士がぶつかりあうことで樹脂材料１０３の逃げ場がない状態が生じやすくなり、これによりベース層１０５が厚くなるためである。なお、これに対して、樹脂材料１０３同士のぶつかりあいが少なくするように樹脂材料１０３の液滴の間隔を大きくすればよいが、その場合は逆に、モールド凹部の割合が多い第１の領域１ｃにおいて押し広げられた樹脂が行き渡らずに連続薄膜にならない領域が発生しやすくなる。これにより、モールド１００の凹凸形状が転写されない領域が発生することになる。
【００１７】
図３は本実施形態に係るモールド１００の主要部を示す概略図である。図３に示すようにモールド１００の凹凸形状形成部１０１には第１の領域１０１ａと第２の領域１０１ｂとがあり、それぞれには凸部１０６と凹部１０７とが各領域に特有の形状に配されている。ここで、凹部１０７の面積の割合は第１の領域１０１ａと第２の領域１０１ｂとで異なるために前述のベース層１０５の面内分布が発生する原因となる。このため、凹部１０７の面積の割合を凹凸形状形成部１０１において一定とする為に凹部からなる追加形状１０８を第２の領域１０１ｂに限定して形成している。
【００１８】
次に、本モールド１００における追加形状１０８の役割について図４を用いて説明する。図４は、モールド１００を用いたナノインプリントプロセスの一例を示す図である。説明のためにモールド１００と樹脂材料１０３，押し広げられた樹脂材料１０４のみを図示し、被転写体やナノインプリント装置は省略している。図４（ａ）（ｂ）は追加形状１０８を有さない場合、図４（ｃ）（ｄ）は追加形状１０８を有する場合を示している。樹脂材料１０３はディスペンサなどの手法で被転写体またはモールド１００上に、モールド１００との位置関係が図４（ａ）（ｃ）に示すように配する。この時に第１の樹脂材料１０３ａは第１の領域１０１ａに、第２の樹脂材料１０３ｂは第２の領域１０１ｂに、第３の樹脂材料１０３ｃは第１の領域１０１ａと第２の領域１０１ｂの境界部に配されたとする。モールド１００を被転写体に加圧して押し広げられた樹脂材料１０３の形状を図４（ｂ）（ｄ）に示す。各樹脂材料１０３ａ，ｂ，ｃは加圧・硬化工程によって押し広げられた樹脂材料１０４ａ，ｂ，ｃとなる。押し広げられた樹脂材料１０４の形状をＡとする。ここでは、押し広げられた樹脂材料１０４ａ，ｂ，ｃに対して、Ａの形状が同一と仮定する。図４（ｂ）においては、Ａの面積が一定とすると凹部１０７の凸部１０６に対する割合が低い押し広げられた樹脂材料１０４ｂの方が、押し広げられた樹脂材料１０４ａよりも厚いベース層１０５（図示せず）を有することになる。この現象は図２に示した現象と同一である。また、第１の領域１０１ａと第２の領域１０１ｂの境界部に配された第３の樹脂材料１０３ｃについてはＡの範囲において凹部１０７の凸部１０６に対する割合が変化するためにベース層１０５の厚みは不均一となる。一方、図４（ｄ）においては追加形状１０８のために凹部１０７の面積の割合が凹凸形状形成部１０１において一定であり、押し広げられた樹脂材料１０４ａ，ｂ，ｃのベース層１０５の膜厚を一定とすることが出来る。Ａの形状が押し広げられた樹脂材料１０４ａ，ｂ，ｃによって異なる場合も、図４（ｂ）の条件においてはベース層１０５膜厚に分布が生じやすくなることは同様であり、追加形状１０８を加えることでベース層１０５膜厚をより均一化することが可能となる。ナノインプリントプロセスでは押し広げられた樹脂材料１０４が連続薄膜を形成するように樹脂材料１０３を配することが多いが、その際も樹脂材料１０３を配するレイアウトは図４に示すようなそれぞれの樹脂材料１０３の広がり方を元に決定する事が多い。図４（ｄ）のように追加形状１０８を形成することで、凹凸形状形成部１０１の任意のＡの領域において凹部１０７と追加形状１０８の両者（凹部１０７と追加形状１０８の区別が付かない場合は「モールド凹部」）を併せた開口面積の割合（以下、フィリングファクターと呼ぶ）を一定とすることが重要となる。
【００１９】
追加形状１０８の配し方については、凹凸形状形成部１０１の任意のＡの領域においてフィリングファクターを一定とすることが求められる。より詳細には各々の追加形状１０８の凹凸形状形成部１０１の面内における大きさは前記のＡよりも小さいことが望ましい。ここでは凹凸形状形成部１０１に追加する形状を追加形状１０８と呼んでいるが、追加する形状は凹部でも凸部でも良いことは明らかである。つまり、凹凸形状形成部１０１の任意のＡの領域においてフィリングファクターを一定とすることができれば追加形状１０８は任意の形状を選択することが出来る。ただし、本来の形状である凸部１０６および凹部１０７とは異なる形状や大きさもしくは間隔，周期などを有することによって凸部１０６および凹部１０７が有する機能を害さないことが好まれる。
【００２０】
以上の構成においては凹部１０７と追加形状１０８が同一の高さを有している例を示した。本構成に依れば、凹部１０７のモールド１００への形成時に同時に追加形状１０８をもモールド１００に形成することが容易であるために工程数低減や形状の位置合せ精度向上の点で好ましい。ただし、前記の凸部１０６および凹部１０７の機能の問題などで同じ深さとすることが好ましくない時は追加形状１０８を異なる深さとすることも可能である。また、追加形状１０８を形成する箇所は凸部１０６の位置に限定されず、図５に示すように凹部１０７の底に追加形状１０８を形成することも可能である。これらの場合は「凹凸形状形成部１０１の任意のＡの領域において凹部１０７と追加形状１０８の面積の割合を一定とする」と言う前記の条件は「凹凸形状形成部１０１の任意のＡの領域において凹部１０７と追加形状１０８の体積和（凹部１０７と追加形状１０８の区別が付かない場合は「モールド凹部の体積」）を一定とする」と言う条件に置き換えられる。なお、本条件は凹部１０７と追加形状１０８が同一の深さを有している場合には等価である。前記のフィリングファクターとはこのような体積においても同様に定義することが出来る。
【００２１】
モールド１００の材料としては、例えば、石英やガラス，シリコンなどの無機物、ニッケル等の金属、そして各種の樹脂等が挙げられる。また、モールド１００の外形は、加圧方式に応じて、円形，楕円形，多角形のいずれであってもよい。モールド１００には、中心穴が加工されていてもよい。また、モールド１００、特に凹凸形状形成部１０１の表面には、押し広げられた樹脂材料１０４とモールド１００との剥離を促進するために、フッ素系，シリコーン系などの離型処理を施すこともできる。なお、樹脂材料１０３として光反応性物質を用いてモールド側から光照射する際には、反応に用いる光の波長に対してモールド１００は透明である必要がある。
【００２２】
モールド１００上の凹凸形状形成部１０１の凸部１０６，凹部１０７，追加形状１０８は所望のモールド材料や精度に応じて周知の加工法によって形成される。例えばフォトリソグラフィ，集束イオンビームリソグラフィ，電子ビーム描画法，切削加工など機械加工、また、モールド原盤からの成型法，メッキ法などによるレプリカ作製などの手法を取ることができる。凸部１０６，凹部１０７についてはその用途に応じて様々な形状を取ることが可能である。
【００２３】
前記した基板１０２の材料としては、例えば、シリコン，ガラス，アルミニウム合金，樹脂等の各種材料を加工したものが挙げられる。また、基板１０２は、その表面に金属層，樹脂層，酸化膜層等が形成された多層構造体であってもよい。また、基板１０２の外形は、円形，楕円形，多角形のいずれであってもよく、中心穴が加工されていてもよい。
【００２４】
樹脂材料１０３は、モールド１００に形成された微細パターンが転写される対象である。樹脂材料１０３は光硬化性樹脂を用いることが最も好ましい。この光硬化性樹脂は特に限定されることなくラジカル重合系，カチオン重合系，アニオン重合系など公知のものでよく、光反応性の樹脂材料に開始剤を添加したものを使用することができる。光硬化性樹脂を樹脂材料１０３に用いる場合にはモールド１００と基板１０２の少なくとも何れかが硬化に用いる光に対して十分に透明である必要があり、ナノインプリント装置には光照射機構を組み込む必要がある。なお、樹脂材料１０３には熱可塑性樹脂，熱硬化性樹脂や高粘性体などを用いることも可能であり、この場合はそれぞれの樹脂材料１０３に応じたモールド１００，基板１０２，ナノインプリント装置を用いる必要がある。
【００２５】
樹脂材料１０３の塗布方法としては、例えばインクジェット法やディスペンス法，スクリーン印刷法などを使用することができる。何れの手法においても樹脂材料１０３は基板１０２またはモールド１００の表面に滴下される。そして、滴下された樹脂材料１０３は、モールド１００へと加圧されることでモールド１００と基板１０２の表面に広がる。樹脂材料１０３の滴下位置は複数とすることが好ましく、滴下位置の中心間距離は樹脂材料１０３の直径よりも広く設定する。樹脂材料１０３を滴下する位置は、凹凸形状形成部１０１に対応する硬化後の樹脂材料１０４の広がりＡを予め評価しておき、この評価結果に基づいて凹凸形状形成部１０１を硬化後の樹脂材料１０４が隙間無く覆うように定めると良い。
【００２６】
前記実施形態で微細パターンが転写された基板１０２は、磁気記録媒体や光記録媒体等の情報記録媒体に適用可能である。また、大規模集積回路部品や、レンズ，偏光板，波長フィルタ，発光素子，光集積回路等の光学部品，免疫分析，ＤＮＡ分離，細胞培養等のバイオデバイスへの適用が可能である。
【００２７】
次に、実施例を示しながら本発明をさらに具体的に説明する。
【００２８】
（実施例１）
本実施例では、図６に模式的に示すモールド１００を使用してナノインプリント法によってパターンを形成した例について説明する。
【００２９】
図６（ａ）のモールド１００は、最外直径１００mm，厚さ１mmの円形の石英基板を使用した。そしてモールド１００には、直径９０mmより内側のパターン形成領域に、図６の第１の領域１０１ａと第２の領域１０１ｂをフォトリソグラフィ法にて加工した。第１の領域１０１ａには一辺２００ｎｍ，深さ１００ｎｍのドット形状が間隔４００ｎｍの正方格子状に、第２の領域には同じく一辺２００ｎｍ，深さ１００ｎｍのドット形状が間隔８００ｎｍの正方格子状に配列されている。本実施例ではフィリングファクターの小さい第２の領域に対して幅１５０ｎｍ，深さ１００ｎｍ，間隔８００ｎｍの溝形状からなる追加形状１０８を凸部１０６上に第２の領域１０１ｂに限定して形成した。また、比較例として図６（ｂ）に示す追加形状１０８を有さないモールド１００ｒを作製した。それぞれのモールドの表面にはフッ素を含んだ離型層を形成した。
【００３０】
ここでは、基板１０２として直径１００mm，厚さ０.６３１mm のｐ型シリコンウエハを使用した。基板１０２の表面には、ナノインプリントの直前にディスペンス法で樹脂材料１０３を滴下した。樹脂は感光性物質を添加したアクリレート系光硬化性樹脂であり、粘度が４ｍＰａ・ｓである。ノズルが５１２（２５６×２列）個配列され、ピエゾ方式で樹脂を吐出する塗布ヘッドで１滴辺り約５０ｐＬの樹脂材料１０３を塗布された。
【００３１】
吐出位置は、樹脂材料１０３の１滴をモールド１００と基板１０２を加圧することで求められる１滴分の広がりより決定した。基板１０２の表面に樹脂材料１０３を滴下し、モールド１００を押し当てた結果、第１の領域１０１ａに配した樹脂材料１０３は直径１１３０μｍの円状に広がり、ベース層１０５の厚みは２５ｎｍとなった。この結果、本検討では基板１０２の直径９０ｎｍまでの第１の領域１０１ａ，第２の領域１０１ｂに間隔１０００μｍの正方格子状に樹脂材料１０３を配することとした。基板１０２全体では６３６００箇所に各５０ｐＬの樹脂材料１０３（総量３.２μＬ ）を等間隔に配したことになる。
【００３２】
本実施例におけるナノインプリント工程を図７に示す。ナノインプリント装置内の上下に可動するステンレス製の下部ステージ１０９の上面には、厚さ０.５mmのシリコーンゴム層を設置して緩衝層１１１としている。ナノインプリント装置の上部ステージ１１０は厚さ２０mmの石英板よりなり、モールド１００が凹凸形状形成部１０１を下部ステージ１０９に向けて設置されている。樹脂材料１０３を塗布した基板１０２を下部ステージ１０９の緩衝層１１１上に配して減圧雰囲気（約０.０１気圧）として下部ステージ１０９を上昇させて約１ＭＰａの圧力で基板１０２をモールド１００に押し当て、高圧水銀灯（図示せず）からの紫外線（強度１００ｍＷ／cm2）を２０秒間照射した。その後下部ステージ１０９を下降してモールド１００を基板１０２から離し、押し広げられた樹脂材料１０４からなる微細形状を基板１０２上に形成した。このナノインプリント工程を前記のモールド１００、及び比較例として作製したモールド１００ｒについて実施した。
【００３３】
基板１０２上の押し広げられた樹脂材料１０４における微細形状を原子間力顕微鏡にて評価した所、追加形状１０８を配したモールド１００に対しては第１の領域１０１ａ，第２の領域１０１ｂにはそれぞれ一辺２００ｎｍ，高さ１００ｎｍの形状が形成されていた。また、ベース層１０５ａ，１０５ｂの値は何れの場所においてもそれぞれ２５ｎｍ±５ｎｍの範囲に収まっており、ベース層１０５には十分な均一性があることが確認された。一方、比較例として作製したモールド１００ｒに対しても微細形状は同じく一辺２００ｎｍ，高さ１００ｎｍとなった。しかし、ベース層１０５については第１の領域のベース層１０５ａについては２５ｎｍ±５ｎｍの範囲に収まったが、第２の領域のベース層１０５ｂは４４ｎｍ±８ｎｍとなり、ベース層１０５にフィリングファクターの相違によるベース層分布が生じることを確認した。以上の実施例によって、追加形状１０８のベース層に対する効果を確認することができた。
【００３４】
なお、押し広げられた樹脂材料１０４をマスクとして下地の基板１０２をエッチングする際には、押し広げられた樹脂材料１０４のエッチング耐性やエッチングプロセスによっても異なるが、一般的にはベース層１０５の厚みを凸部の高さの半分以下にすることが好まれる。より好ましくは高さの４分の１以下にすると良い。例えば本検討では凸部の高さが１００ｎｍのため、ベース層１０５は２５ｎｍ以下で２０％以内のばらつきに収めることを目的とした。モールド１００の凹部の深さが全て同一の場合には、先に示したフィリングファクターは以下の式で表される。
【００３５】
Ｖ＝（Ｆｈp＋ｂ）Ａ    Ｆ＝（（Ｖ／Ａ）−ｂ）／ｈp
Ｖ：樹脂材料１０３の一滴辺りの体積
Ｆ：フィリングファクター
ｈp：モールド１００の凹部の深さ
ｂ：ベース層１０５の厚さ
Ａ：押し広げられた樹脂材料１０４の面積
上記の式にＶ＝５０ｐｌ，ｈp＝１００ｎｍ，ｂ＝２５ｎｍ±５ｎｍ，Ａ＝１mm2（樹脂材料１０３の１滴辺りの面積）を代入すると、Ｆは０.２５±０.０５となる。この値は実際のモールド１００のＦの値と一致する。一般にはＦの値は面内において２０％以内の変動に抑える事でベース層１０５の変動を防止することができるため後のエッチング工程における精度を高めることが出来る。Ｆである開口面積又は体積はほぼ一定とすることが好ましいが、ベース層の変動を防止できればよく、開口面積又は体積の変化量は２０％以内とすればよい。
【００３６】
（実施例２）
本実施例では、本発明で開示するモールドを使用して大容量磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディア）用の微細パターンを形成した。参照する図面において、図８は、本実施例に関わる記録媒体を示す模式図である。図８（ａ）は記録媒体を示す全体図、（ｂ）はその詳細を示す模式図である。
【００３７】
図８を用いて磁気記録媒体の構成を説明する。本図においては各記録トラックが磁気的に分離されている所謂ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）の模式図を示しているが、各記録ビットが分離されているビットパターンドメディア（ＢＰＭ）においても本実施例で示すプロセスを適用可能である。
【００３８】
図８は作製が完了した磁気記録媒体２００を示す模式図である。磁気記録媒体２００は直径６５mm，厚さ０.６３１mm の円盤状であり、基板２０１上に複数の磁性層および他の層が堆積された構造となっている。基板２０１の中央部にはスピンドルに磁気記録媒体２００を固定するための直径２０mmの穴２０２が設けられている。
【００３９】
記録トラック２０３は同心円状に形成されており、非磁性体により磁気的に隣接トラックと分離された構造となっている。ただし磁気記録媒体２００の最表面は平坦化されており、記録トラック２０３と非磁性体領域の高さの差は５ｎｍ未満となっている。隣接する記録トラック２０３同士の中心間距離、即ちトラックピッチ（Ｔｐ）は記録密度に応じて決定する必要があるが、本実施例においてＴｐは中心部で１５０ｎｍである。Ｔｐは磁気記録媒体２００上の半径値に依存して変化させてある。これはハードディスクドライブ（ＨＤＤ）においてロータリーアクチュエータにより記録再生ヘッドを駆動することに起因したヨー角に対応するためである。記録再生ヘッドの駆動をリニアアクチュエータを用いて行う場合は、半径値によらず一定のＴｐを採用してよい。なお、後述するサーボパターン２０４に付与するためダミーパターン２１４の形状を設計する際は、Ｔｐは各々のサーボパターン２０４近傍のＴｐを用いて設計することが最も好ましい。しかし簡便化のために、例えば中心部のＴｐ、あるいは磁気記録媒体２００におけるＴｐの平均値などをＴｐの代表値として全てのサーボパターン２０４に付与するダミーパターン２１４の設計に用いることもできる。
【００４０】
また磁気記録媒体２００には所望のトラック上の領域にアクセスし、記録再生動作を行うためのサーボパターン２０４も形成してある。図８（ａ）ではサーボパターン２０４は模式的に曲線で示されているが、内部には微細パターンが存在している。このパターン構造については後述する。また、本実施例においては１周を２００分割し、各エリアごとにサーボパターン２０４が入るようにした。勿論サーボパターンの数は２００個に限定されるものではなく記録再生特性から決定する必要がある。
【００４１】
また磁気記録媒体２００には記録トラック２０３，サーボパターン２０４が形成されていない内周部２０６と外周部２０５を設けることが出来る。
【００４２】
本媒体の製造プロセスについて図９を用いて説明する。製造プロセスにおいてはまず基板２０１上に軟磁性裏打層２０７（ＳＵＬ）を成長させた。基板２０１の材料はガラスに限ることなく、アルミニウムなどの金属，シリコンなどの半導体，セラミックスなどの絶縁体などを選択することが可能である。軟磁性裏打層２０７はＦｅ−Ｔａ−Ｃ合金を採用し、真空チャンバー内でのスパッタ蒸着後、熱処理を行った。軟磁性裏打層２０７には媒体半径方向への磁気異方性をつけておくことが望ましい。Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ合金に代えて他の軟磁性裏打層２０７を用いても構わず、また、スパッタ蒸着以外の他の成長方法を採用しても構わない。また必要に応じて基板２０１と軟磁性裏打層２０７の間に、両者の密着性を高めるための密着層，軟磁性裏打層２０７の結晶性を制御する中間層などを挿入してもよい。軟磁性裏打層２０７の形成後に、引き続き記録層２０８を真空中にてスパッタ蒸着により成長させる。本実施例においては記録層２０８としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を採用した。この材料は膜面方向に対し垂直方向に磁化容易軸を有する特徴を有する。従って本実施例においては磁気異方性の軸がディスク面に対しほぼ垂直となるようにスパッタ蒸着の条件を選んだ。記録層２０８として用いる磁性材料はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金に限らず、他の材料でも構わない。特にグラニュラ膜と呼ばれるＳｉを含有した記録層２０８は本発明と相性がよい。以上のプロセスにより図９（ａ）に示す基板２０１を形成する。
【００４３】
引き続き図９（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すナノインプリント工程を行う。なお、本図では簡略化のためナノインプリント装置は省略する。以下、光硬化終了までの工程は紫外線カット光下で行う。前記プロセスにより完成した平坦な構造上に、液状の感光性物質を添加したアクリレート系光硬化性樹脂（以下、レジスト２０９と呼ぶ）を塗布する。本実施例に於いては実施例１で説明したインクジェット法を使用してレジスト２０９を塗布した。なおレジスト２０９と連続膜構造の磁気記録媒体表面との密着性を高めるために、可能であればレジスト２０９塗布の直前に酸素プラズマ中で短時間のクリーニングを行っておくことが望ましい。また、表面処理法は酸素プラズマに限定されず、密着層の付与による手法も有効である。
【００４４】
このようにレジスト２０９が塗布された基板２０１を、図９（ｂ）に示すようにレジスト塗布面を上にしてナノインプリント装置上の下部ステージ上に配置する。また、直径６５mm，厚さ１mmのモールド２１０はナノインプリント装置の上部ステージに、基板２０１のレジスト塗布面とモールド２１０の凹凸形成面が相対するように配置されている。本実施例ではモールド２１０として石英を使用したが、レジスト２０９の硬化に必要な波長の光を透過させることができる材料であれば他の物質でも構わない。また、熱可塑性を有する物質をレジスト２０９として用いる熱ナノインプリントを使用する場合においては透光性に関係なくモールド２１０の材料を選択することが可能である。本実施例ではモールド２１０にも基板と同一の直径２０mmの中心穴２０２が形成されている。この中心穴２０２を用いてモールド２１０と基板２０１に対して機械的に中心位置アライメントを行った。但し、本実施例においては使用しなかったが必要に応じて光学的測定によるフィードバック機構を用いても構わない。アライメントに用いる移動機構は、水平面内移動，上下移動，回転，傾き補正が可能である。モールド２１０には先に示した磁気記録媒体２００上に形成される記録トラック２０３，サーボパターン２０４に対応し、鏡英の関係にある凹凸形状が形成されている。本モールド２１０に形成する凹部の深さは全て１００ｎｍである。
【００４５】
位置決め終了後、図９（ｃ）に示すようにモールド２１０と基板２０１を０.９ＭＰａの圧力で接触した後に光を照射した。本実施例においては光源として１００ｍＷ／cm2の高圧水銀灯を使用した。照射量はレジスト２０９の種類に依存するが本実施例に於いては０.３ｍＪ／cm2とした。この値は使用するレジスト２０９の種類や照射条件などに応じて変更する必要がある。光の強度は予め測定しておき、必要なエネルギーに達するよう照射時間で制御した。もちろん、チャンバー内に光検出器を設置し、実時間で光量をモニターし光のドーズ量を測定しても構わない。光硬化後に図９（ｄ）に示すように基板２０１とモールド２１０をそれぞれ裏面から真空吸着し、基板２０１面に対して垂直方向に引っ張り応力を印加することにより剥離を行った。本工程によって硬化したレジスト２１１を基板２０１上に形成した。
【００４６】
次にディスクをナノインプリント装置から取り出し、イオンミリング装置にて、上方からイオンにてミリングした。本実施例ではイオン種としてＡｒを使用したが、他のイオン種を使用してもよい。またイオンミリングではなく反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）やウエットエッチングなどによりパターン転写を行っても構わない。この工程により、硬化したレジスト２１１全体を薄層化し、硬化したレジスト２１１の膜厚の薄い領域の下地にある記録層２０８をアルゴンイオン暴露によって除去する。この工程によって図９（ｅ）に示すよう硬化したレジスト２１１の凹凸形状が記録層２０８上に形成される。なお、本工程では行わなかったがイオンミリングの前に酸素プラズマで予め硬化したレジスト２１１をエッチングし、硬化したレジスト２１１の膜厚の薄い領域を除去して下地にある記録層２０８が直接に後のイオンミリング工程でアルゴンイオンに曝されるようにしておくとパターン精度向上の点でより好ましい。
【００４７】
その後、硬化したレジスト２１１をリンス工程によって除去して図９（ｆ）に示す凹凸形状を有する記録層２０８を形成することができる。その後、必要に応じ溝部に非磁性体２１２を埋め込む。例えば、Ｓｉ−Ｏを基板上部から成長させ、エッチバックまたは化学機械研磨（ＣＭＰ）により平坦化することが可能である。更に必要に応じ、さらに保護膜２１３や潤滑膜（図示せず）を成長させ図９（ｇ）に示す磁気記録媒体２００が完成する。
【００４８】
なお、本実施例においてはナノインプリント工程によって記録層２０８を加工したが、上述の方法と同様に基板２０１を同じくナノインプリント工程で加工した後に基板２０１の凹凸形状の上から各磁性膜を成長させることも可能である。
【００４９】
本発明においては前述のようにナノインプリント工程によって磁気記録媒体２００に物理的形状を転写している。従って前記の磁気記録媒体２００の作製に使用するモールド２１０は、磁気記録媒体２００に付与する形状に対して、凹凸を反転した形状とする必要がある。以下では磁気記録媒体２００の図を用いて説明を行うが、本発明のモールド２１０の形状としては磁気記録媒体２００の形状の凹凸を反転した形状とする必要がある。
【００５０】
図１０（ａ）は、従来のサーボパターン２０４の一例を示す模式図である。一般にサーボパターン２０４は、トラック番号を記録したグレイコード領域，トラック中心位置を指示するバースト領域などから形成されている。従来の連続媒体において、これらサーボ情報は磁気的パターンとして平坦なディスク上に記録されているため、磁性体の物理的形状として作製することは考慮されていない。またバースト信号間に存在するＤＣ消磁領域には磁気的パターンがなく、一様な方向に磁化されている。
【００５１】
図１０（ｂ）はサーボパターン２０４の一例である。本実施例ではバースト領域のＤＣ領域部において高周波の磁化パターンを書き込み、ダミー信号領域とすることによりノイズの低減を図ることを目的としている。しかしながらこのようなダミー信号は磁気的パターンとして平坦なディスク上に記録されており、磁性体の物理的形状として作製することは考慮されていない。
【００５２】
本発明による磁気記録媒体２００の作製プロセスでは、図１１に示すようにＤＣ消磁部に高周波構造からなるダミーパターン２１４を有するモールド２１０を作製した。ここで磁気記録媒体２００上に形成される凹凸構造はモールド２１０に作製された凹凸を反転した形状である。本実施例ではモールド２１０に作製する構造として、サーボパターン２０４領域全体を含めて計測したときにモールド凹部の面積の凸部の面積に対する割合の変化を記録トラック２０３に対して２０％以内とするようにダミーパターン２１４を形成した。また、ダミーパターン２１４として使用する高周波は記録ビット周波数の２倍以上とした。ダミーパターン２１４は本実施例ではトラック方向に垂直方向に伸びるライン形状としたが、他の方向に伸びるライン形状であっても良いし、他のドット形状などで設計することも可能である。
【００５３】
ＨＤＤにおいて、再生動作を行う際、高周波構造で埋め尽くされたダミーパターン２１４を形成した領域において発生する磁束は高周波パターンであるためローパスフィルタにより除去することが可能である。本実施例ではモールド凹部の面積の凸部の面積に対する割合の変化を２０％以内とすることにより、ベース層厚の分布を均一にし、精度の高い加工が可能となった。また同時に媒体の歩留まりも５０％程度向上させることができた。このような高周波構造を有するモールドは、本実施例では先に示した記録トラック２０３と同時に電子線リソグラフィ法により描画後、ＲＩＥによるドライエッチングプロセスを用いることで作製した。
【００５４】
（実施例３）
本実施例では、本発明で開示するモールドを使用して大容量磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディア）用の微細パターンを形成した別の一例を示す。
【００５５】
図１２を用いて磁気記録媒体の構成を説明する。本図においては各記録トラックが磁気的に分離されている所謂ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）の模式図を示しているが、各記録ビットが分離されているビットパターンドメディア（ＢＰＭ）においても本実施例で示すプロセスを適用可能である。
【００５６】
図１２（ａ）は作製が完了した磁気記録媒体２００を示す模式図である。磁気記録媒体２００は直径６５mm，厚さ０.６３１mmの円盤状であり、基板２０１上に複数の磁性層および他の層が堆積された構造となっている。基板２０１の中央部にはスピンドルに磁気記録媒体２００を固定するための直径２０mmの穴２０２が設けられている。なお、磁気記録媒体２００に形成された記録トラック２０３，サーボパターン２０４の機能や形状，構成は先に示した実施例２のおける形状と同一である。
【００５７】
また磁気記録媒体２００には記録トラック２０３，サーボパターン２０４が形成されていない外周部２０５と内周部２０６を設けることが出来る。図１２（ｂ）は磁気記録媒体２００の外周部２０５に対応するモールドの詳細である。以後、外周部２０５の詳細について示すが同様の構成は内周部２０６にも適用することができる。
【００５８】
外周部２０５には通常は記録に用いない領域があり、このために記録トラック２０３やサーボパターン２０４を有さない領域が存在する。しかし、外周部２０５を完全に平坦にすると先に示したモールド凹部の面積の凸部の面積に対する割合（フィリングファクター）の値が記録トラック２０３と異なる値となるため、ナノインプリント工程においてレジストの膜厚分布が生じる原因となる。このため、本実施例では外周部２０５に図１２（ｂ）に示すようにフィリングファクターを調整するための凹凸形状を形成した。本実施例では外周部２０５には深さ１００ｎｍで、ピッチ４μｍの同心円状の溝形状を外周部２０５に形成した。ここで、インクジェット法で塗布されるレジスト２０９の液滴直径（約３０μｍ）や、押し広げられた後のレジスト２０９の液滴の直径（約１mm）よりも小さい値となるように溝形状のピッチを設定した。最外部の記録トラック２０３のトラックピッチ１５０ｎｍ，トラック幅７５ｎｍより、溝形状の幅は２μｍに設定した。この溝形状の形成によって外周部２０５におけるフィリングファクターは最外部の記録トラック２０３と同一に設計され、モールド２１０全体を見てもフィリングファクターの値の変動を面内で２０％以内に収めることが可能になった。なお、本実施例では同心円状の溝形状を用いてフィリングファクターの調整を行ったが、必ずしも調整に用いる形状は溝状でも、同心円状でもある必要は無い。例えば、多数の独立した穴形状などでもフィリングファクターの調整は可能であり、同様の効果が得られることは明らかである。
【００５９】
本実施例では外周部２０５にモールド凹部の面積の凸部の面積に対する割合の変化を２０％以内とすることにより、ベース層厚の分布を均一にし、通常はベース層厚の分布が生じやすい外周部２０５近傍においても精度の高い加工が可能となった。また同時に媒体の歩留まりも５０％程度向上させることができた。また、ナノインプリント時に過剰なレジスト２０９が外周部２０５からはみ出ることによるナノインプリント装置の汚染を防止することができると言う副次的な効果も得ることができた。
【００６０】
（実施例４）
本実施例では、電子部品の製造方法に対して本発明のナノインプリント用モールドを適用する手法について説明する。図１４は電子部品の製造に用いられるナノインプリント用モールドにおけるパターン例である。図１４（ａ）はモールド４００全体のレイアウト、図１４（ｂ）はモールド４００上に配した配線パターンに対応する凹凸形状の詳細を示している。
【００６１】
本発明において解決される、ナノインプリントにおけるベース層の分布を均一にするという課題は電子部品の製造にナノインプリントを適用する際において重要な課題である。最も好ましいのは電子部品の回路形状だけでフィリングファクターを一定とするように設計することであるが、実際には所望の回路特性によって電子部品の回路形状は決定される為にフィリングファクターのみに注目して回路を決定することは難しい。本発明で開示した追加形状４０１をダミーパターンとしてモールド上に追加することによってフィリングファクターを調整してベース層を均一化出来る。
【００６２】
追加形状４０１は、例えば図１５（ａ）に示すようにモールド上の配線の集中するメモリ部やトランジスタ部などの配線領域４０２の周辺に配してフィリングファクターを調整することができる。また、より微視的に図１５（ｂ）のように微小パターン４０３の周辺部に追加形状４０１を配することもできる。何れの場合においても追加形状４０１は光リソグラフィにおける位相シフトマスク設計時におけるパターン補正法と同様に、最終的には電子部品が本来有する機能を害することなくフィリングファクターを調整するように設計する必要がある。
【００６３】
本実施例における電子部品の製造方法の一例を図１５に示す。ここでは金属薄膜４０５を部分的に除去することによって微小配線４０８を形成するプロセスを示している。本実施例では金属薄膜４０５のエッチングによる除去について示すが、例えば金属めっき，リフトオフ法による配線形成など他のプロセスにも適用可能である。実際の電子部品の製造プロセスでは同様の工程を位置合せをしながら繰返し行う必要がある場合が多い。
【００６４】
まず基板４０４上に金属薄膜４０５を形成する。その後、金属薄膜４０５上にアクリレート系の光硬化性を有するレジスト４０６を配し、微小パターン４０３と共にフィリングファクターに基づいて設計した追加形状４０１を有するフッ素系の離型処理を施した石英製のモールド４００をレジスト４０６に押し付けて光照射することによって硬化したレジスト４０７を得た。モールド４００を離し、酸素プラズマによって硬化したレジスト４０７の膜厚の薄い領域を除去し、開口部で露出した金属薄膜４０５に対して塩素ガスによるドライエッチングを施すことで開口部の金属薄膜４０５を除去した。その後、リンス工程で残った硬化したレジスト４０７を除去することによって基板４０４上に微小配線４０８を形成した。追加形状４０１に対応する追加パターン４０９は予め微小配線４０８の機能を害さないように設計すると後工程で追加パターン４０９を除去する必要が無く好ましい。
【００６５】
本実施例における追加形状４０１を用いるナノインプリント用モールドの設計法は大規模集積回路やプリント基板のような一般的な電子部品の製造に適用することができる。追加形状４０１の付与によってナノインプリントにおけるベース層の分布が均一化し、ナノインプリントで形成したレジストをマスクとする後工程の寸法精度が改善する。このことから電子部品の歩留り向上に寄与することが出来る。
【００６６】
（実施例５）
本実施例では、本発明の微細構造転写方法を使用した光学部品の製造方法について説明する。図１６は微細構造の形成によって得られるフォトニックバンドギャップを用いる光デバイス製造に用いられるモールドの例である。図１６（ａ）はモールド５００全体のレイアウト、図１６（ｂ）はモールド５００上に配した光導波路に対応する凹凸形状５０３の詳細を示している。
【００６７】
本発明において解決される、ナノインプリントにおけるベース層の分布を均一にするという課題は光学部品の製造にナノインプリントを適用する際において重要な課題である。最も好ましいのは光学部品の凹凸形状だけでフィリングファクターを一定とするように設計することであるが、実際には所望の光学特性によって形状は決定される為にフィリングファクターのみに注目して回路を決定することは難しい。本発明で開示した追加形状５０１をダミーパターンとしてモールド上に追加することによってフィリングファクターを調整してベース層を均一化出来る。
【００６８】
追加形状５０１は、例えば図１６（ｂ）に示すようにフォトニック結晶を構成する光導波路に対応する凹凸形状５０３が有する微小凹凸５０５の周囲に配することができる。微小凹凸５０５は光導波路から光が漏れ出無いように設計されるが、追加形状５０１には特にそのような機能は求められない為により大きい構造とするなど異なる形状とすることができる。これらの追加形状５０１の効果によって凹凸密度が低い微小凹凸５０５周辺部の影響によるベース層分布の変動を防止することができる。
【００６９】
本実施例における光学部品の製造方法の一例を図１７に示す。ここでは石英製の基板５０６の一部を部分的に除去することによって光導波路５１１を形成するプロセスを示している。本実施例では基板５０６のエッチングによる除去について示すが、電極形成などの他のプロセスにも本実施例で用いたモールドは適用可能である。
【００７０】
まず加工対象の基板５０６上にアクリレート系の光硬化性を有するレジスト５０７を配し、微小凹凸５０５と共にフィリングファクターに基づいて設計した追加形状５０１を有するフッ素系の離型処理を施した石英製のモールド５００をレジスト５０７に押し付けて光照射することによって硬化したレジスト５０８を得た。モールド５００を離し、酸素プラズマによって硬化したレジスト５０８の膜厚の薄い領域を除去し、開口部で露出した基板５０６に対してＣＦ4 ガスによるドライエッチングを施すことで基板５０６の開口部をエッチングした。その後、リンス工程で残った硬化したレジスト５０８を除去することによって基板５０６上に微小凹凸５０９を有する光導波路５１１を形成した。追加形状５０１に対応する追加パターン５１０は予め光導波路５１１の機能を害さないように設計すると後工程で追加パターン５１０を除去する必要が無く好ましい。
【００７１】
本実施例における追加形状５０１を用いるナノインプリント用モールドの設計法は本実施例で示した光回路部品の他にも一般的な光学部品の製造に適用することができる。追加形状５０１の付与によってナノインプリントにおけるベース層の分布が均一化し、ナノインプリントで形成したレジストをマスクとする後工程の寸法精度が改善する。このことから光学部品の歩留り向上に寄与することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】ナノインプリント工程を示す模式図。
【図２】凹部の割合に差のあるモールドを用いるナノインプリント工程を示す模式図。
【図３】本発明におけるモールドを示す模式図。
【図４】本発明におけるモールドの効果を示す模式図。
【図５】本発明におけるモールドの別の構成を示す模式図。
【図６】実施例１で使用したモールドの模式図。
【図７】実施例１におけるナノインプリント工程を示す模式図。
【図８】実施例２で示す磁気記録媒体を示す模式図。
【図９】実施例２で示す磁気記録媒体の形成工程を示す模式図。
【図１０】実施例２で示す磁気記録媒体のサーボパターンを示す模式図。
【図１１】実施例２で示す磁気記録媒体のサーボパターンに対応するモールドの形状を示す模式図。
【図１２】実施例３で示す磁気記録媒体を示す模式図。
【図１３】実施例３で示す磁気記録媒体の外周部を示す模式図。
【図１４】実施例４で示す電子部品に用いるナノインプリントモールドを示す模式図。
【図１５】実施例４で示すナノインプリントモールドを用いた電子デバイス形成の一工程を示す模式図。
【図１６】実施例５で示す光回路部品に用いるナノインプリントモールドを示す模式図。
【図１７】実施例５で示すナノインプリントモールドを用いた光回路部品形成の一工程を示す模式図。
【符号の説明】
【００７３】
１００，２１０，４００，５００  モールド
１０１  凹凸形状形成部
１０１ａ  第１の領域
１０１ｂ  第２の領域
１０２，２０１，４０４，５０６  基板
１０３  樹脂材料
１０４  押し広げられた樹脂材料
１０５  ベース層
１０６  凸部
１０７  凹部
１０８，４０１，５０１  追加形状
１０９  下部ステージ
１１０  上部ステージ
１１１  緩衝層
２００  磁気記録媒体
２０２  穴
２０３  記録トラック
２０４  サーボパターン
２０５  外周部
２０６  内周部
２０７  軟磁性裏打層
２０８  記録層
２０９，４０６，５０７  レジスト
２１１，４０７，５０８  硬化したレジスト
２１２  非磁性体
２１３  保護膜
２１４  ダミーパターン
４０２  配線領域
４０３  微小パターン
４０５  金属薄膜
４０８  微小配線
４０９，５１０  追加パターン
５０２  発振ユニットの形成領域
５０３  光導波路に対応する凹凸形状
５０４  光コネクタの形成領域
５０５，５０９  微小凹凸
５１１  光導波路
【図１】
2009006619.tif 000003
【図２】
2009006619.tif 000004
【図３】
2009006619.tif 000005
【図４】
2009006619.tif 000006
【図５】
2009006619.tif 000007
【図６】
2009006619.tif 000008
【図７】
2009006619.tif 000009
【図８】
2009006619.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2009006619.tif 000012
【図１１】
2009006619.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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