(57)【要約】【課題】内部に機能素子が配置された減圧された空洞部を備えた電子部品の検査方法において、当該空洞部の減圧封止状態の検査・確認を製造プロセス途中において容易に行うことができる新規の検査方法を実現する。【解決手段】本発明の電子部品の検査方法は、内部に機能素子１２が配置された減圧された第１の空洞部Ｃ１を備えた電子部品の検査方法であって、少なくとも前記第１の空洞部Ｃ１と共通する減圧封止工程で減圧された第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を予め形成し、前記第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を被覆する被覆部３２Ｃ、３３Ｃの撓み状況を外部より検出することを特徴とする。【選択図】図３
2009164336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に機能素子が配置された減圧された第１の空洞部を備えた電子部品の検査方法であって、
少なくとも前記第１の空洞部と共通する減圧封止工程で減圧された第２の空洞部を、当該第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積が前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積より大きくなるように予め形成し、
前記第２の空洞部を被覆する被覆部の撓み状況を外部より検出することを特徴とする電子部品の検査方法。
【請求項２】
前記第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状を前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状の相似形とすることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の検査方法。
【請求項３】
前記第２の空洞部を被覆する被覆部を前記第１の空洞部を被覆する被覆部と同じ厚み及び素材構成とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の検査方法。
【請求項４】
前記被覆部の撓み状況の検出を前記被覆部の光学的計測により行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品の検査方法。
【請求項５】
前記反射光計測を前記第２の空洞部を被覆する被覆部の撮影画像を処理することで行うことを特徴とする請求項４に記載の電子部品の検査方法。
【請求項６】
内部に機能素子が配置された減圧された第１の空洞部を備えた電子部品であって、
前記第１の空洞部とは別に設けられた、減圧された第２の空洞部を具備し、
前記第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積は、前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積より大きいことを特徴とする電子部品。
【請求項７】
前記第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状が前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状の相似形であることを特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記被覆部の被覆面積が相互に異なる被覆面積を備えた複数の前記第２の空洞部を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記第２の空洞部を被覆する被覆部と同じ厚み及び素材構成を有し、前記被覆部の被覆形状及び被覆面積が前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状及び被覆面積と等しい第３の空洞部がさらに設けられていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第２の空洞部を被覆する被覆部は前記第１の空洞部を被覆する被覆部と同じ厚み及び素材構成とされていることを特徴とする請求項６乃至９の何れか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の検査方法、電子部品、及び、電子部品の製造方法に係り、特に、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）素子を減圧された空洞内に封入してなる構造を含む電子部品に対して好適な製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）は、半導体製造プロセス等で用いられる微細パターニング技術を利用した種々の電子部品として製造されているが、空気の粘性によるダンピングに敏感なＭＥＭＳレゾネータ（共振子）などのＭＥＭＳ素子は通常の微細パターニング技術だけでなく、ＭＥＭＳ素子を減圧された空間内に封止する減圧封止工程が別途必要とされる。
【０００３】
この場合、水晶振動子などの通常の電子部品のように、チップ単位で減圧封止を行うことが考えられる。このとき、高品位の製品を安定して製造するには、減圧封止部分の減圧レベルを検査・確認するための方法が重要となる。
【０００４】
従来の減圧封止レベルの検査方法としては、水晶振動子などの素子をパッケージ内に減圧封止してなる電子部品に適用させたものが知られている。例えば、以下の特許文献１乃至３に記載されたものが挙げられる。特許文献１には、試料の周囲の気体を加圧してから試料を試験液中に浸漬させ、その後、周囲を減圧することによって試料より浸出する気体を試験液中に生ずる気泡の有無により把握するといった、試料の封止性能を評価する方法が記載されている。また、特許文献２には、電子部品を耐圧容器内の液体中に浸漬させ、一旦加圧した後に常圧まで戻すことで、封止不良の電子部品中に液体を浸透させて機能の劣化若しくは破壊を生じさせ、その後、電気的測定を行って良品の選別を行う方法が記載されている。さらに、特許文献３には、加圧したヘリウムガス中にリファレンス品を配置した後、真空容器中でリファレンス品から放出されるヘリウムガスを検出する方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００４−２４５７５２号公報
【特許文献２】特開２００５−５３５０号公報
【特許文献３】特開２００７−３２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、本発明者らは先に上記の微細パターニング技術を用いた製造プロセス中でＭＥＭＳ素子を内部に配置してなる微細な空洞部（キャビティ）を減圧封止する技術を開発し、これによって従来の減圧封止方法で製品ごとにパッケージ化することによる製造の非効率性を回避することが可能にした。すなわち、微細パターニング技術による製造プロセス中で空洞部を減圧封止することで例えば多数の製品予定領域を一括して形成してなるウエハ単位での減圧封止処理が可能になり、この減圧封止処理を行った後にウエハを分割して個々の製品を製造できるため、製造効率を大幅に向上させることが可能になった。
【０００６】
しかしながら、前述の各特許文献に記載された減圧レベルの検出技術は、本来的に個々のチップ状の電子部品をパッケージ化してなる製品に対してリークテストを行うものであるため、従来の微細パターニング技術を用いた製造プロセス中で当該検出方法を実施することは難しく、また、当該製造プロセス途中において検査を行うことでその後の製造プロセスから不良品を排除したり、その前の製造プロセスの条件を変更したりすることにより、製造効率や製品の品位を高めるといったことができないという問題点がある。さらに、微細パターニング技術の製造プロセス中で空洞部を形成して減圧封止する場合には多数の製品予定領域を一括して処理できるという利点があるが、従来の検査方法では多数の製品予定領域を一括して検査すると、個々の製品予定領域に着目した検査を実施することが不可能で、ウエハ内の製品予定領域別の良否の判断をすることができないという問題点もある。
【０００７】
具体的には、上記の空洞部を備えた電子部品については、所定の減圧状態が得られない封止不良や、減圧による内外圧力差によって被覆部が内側に撓んで陥没し、被覆部が機能素子に接触することによる素子不良が発生する場合があるが、上記従来の方法で検査を行う場合には、通常、減圧封止工程での封止不良や素子不良が発生しても最終製品に近い状態（パッケージ体）となるまで確認できないため、これによって製造効率の低下を招く虞がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、内部に機能素子が配置された減圧された空洞部を備えた電子部品の検査方法において、当該空洞部の減圧封止状態の検査・確認を製造プロセス途中において容易に行うことができる新規の検査方法を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
斯かる実情に鑑み、本発明の電子部品の検査方法は、内部に機能素子が配置された減圧された第１の空洞部を備えた電子部品の検査方法であって、少なくとも前記第１の空洞部と共通する減圧封止工程で減圧された第２の空洞部を、当該第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積が前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積より大きくなるように予め形成し、前記第２の空洞部を被覆する被覆部の撓み状況を外部より検出することを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、機能素子を内在させた第１の空洞部とは別に、当該第１の空洞部と共通の減圧封止工程で減圧された第２の空洞部を形成し、当該第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積を第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積より大きくすることにより、第２の空洞部を被覆する被覆部を撓みやすく構成できるため、その減圧封止による被覆部の撓みの有無や撓み量を容易に確認することが可能になる。したがって、第１の空洞部の減圧封止状態（減圧されているか否か、内部圧力の大小など）や第１の空洞部を被覆する被覆部の撓みによる機能素子の不具合等を推定し、これによって第１の空洞部の減圧不良や機能素子の良否を判定することが容易になる。
【００１１】
この場合に、上記機能素子とは、何らかの電気的若しくは機械的機能を有する素子を言い、共振子などのレゾネータ、振動子、フィルタ、マイクロアクチュエータなどが含まれる。典型的には、ＭＥＭＳ素子とよばれる微細パターニング技術を用いて形成された微細な機能素子が挙げられる。また、撓み状況の検出とは、肉眼による目視、顕微鏡等による観察、画像撮影等の光学的検出、プローブによる触診などの機械的検出、音波による検出などの音響的検出等といった、被覆部の撓み状態を外部より把握するための全ての方法を含む。
【００１２】
本発明の一つの態様においては、前記第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状を前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状の相似形とする。これによって、第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積を大きくしたときに、その被覆形状が第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状と相似形であるために、より確実に被覆部が類似の態様で撓みやすくなることから、第２空洞部を被覆する被覆部の撓み状態から第１の空洞部の減圧状態や第１の空洞部を被覆する被覆部の撓み状態をより確実に確認することが可能になる。
【００１３】
また、本発明の他の態様においては、前記第２の空洞部を被覆する被覆部を前記第１の空洞部を被覆する被覆部と同じ厚み及び素材構成とする。これによって、第２の空洞部を被覆する被覆部の撓み特性を第１の空洞部を被覆する被覆部の撓み特性にさらに近い状態とすることができるため、第１の空洞部の減圧封止状態や被覆部の撓み状態をより確実に判定することが可能になる。
【００１４】
本発明の他の態様においては、前記被覆部の撓み状況の検出を前記被覆部の光学的計測により行う。これによれば、光学的計測で検出を行うことにより、被覆部の撓み状態を非接触で把握することができる。ここで、光学的計測とは、光を用いて被覆部を計測する方法を意味し、目視による観察、光学系を用いた拡大観察、画像撮影、反射光計測などを含む。
【００１５】
この場合においては、前記光学的計測を前記第２の空洞部を被覆する被覆部の撮影画像を処理することで行うときがある。たとえば、被覆部の撮影画像から被覆部の明度値や明度分布を導出し、その態様に応じて撓み状態を把握、算出することができる。
【００１６】
次に、本発明の電子部品は、内部に機能素子が配置された減圧された第１の空洞部を備えた電子部品であって、前記第１の空洞部とは別に設けられた、減圧された第２の空洞部を具備し、前記第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積は、前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆面積より大きいことを特徴とする。
【００１７】
この発明の電子部品としては、第１の空洞部を備えた個々の製品を構成する電子部品、たとえば振動子製品やフィルタ製品の外に、複数の製品相当部分を含むウエハなどの中間製品、たとえば半導体ウエハをも含む。
【００１８】
本発明の一態様では、前記第２の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状が前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状の相似形である。これによれば、第２の空洞部を被覆する被覆部の撓み量をより確実かつ高精度に検出可能となる。
【００１９】
本発明の一つの態様においては、前記被覆部の被覆面積が相互に異なる被覆面積を備えた複数の前記第２の空洞部が形成される。これによって、被覆面積に応じて異なる複数種の撓み状態を知ることができるため、第１の空洞部の減圧封止状態や被覆部の撓み量などをより高い精度で推定できる。
【００２０】
本発明の別の態様においては、前記第２の空洞部を被覆する被覆部と同じ厚み及び素材構成を有し、前記被覆部の被覆形状及び被覆面積が前記第１の空洞部を被覆する被覆部の被覆形状及び被覆面積と等しい第３の空洞部が含まれる。このように、その被覆部の被覆形状及び被覆面積が第１の空洞部を被覆する被覆部と等しい第３の空洞部を設けることで、第１の空洞部の形状や周囲構造等と第２の空洞部の形状や周囲構造等とが何らかの点で異なっている場合でも、第２の空洞部と第３の空洞部の被覆部の撓み状態を外部より対比することで、当該相違点による影響の有無を確認することができる。
【００２１】
本発明の他の態様においては、前記第２の空洞部を被覆する被覆部は、前記第１の空洞部を被覆する被覆部と同構造、すなわち、同じ厚み及び素材構成とされる。これによれば、被覆部が同構造とされることで、第２の空洞部を被覆する被覆部の撓み状態で第１の空洞部を被覆する被覆部の撓み状態の判定をより確実かつ高精度に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［第１実施形態］
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本発明に係る第１実施形態の電子部品の一部を拡大して示す拡大部分縦断面図である。本実施形態では、シリコンや化合物半導体などの半導体基板等よりなる基板１１上に、共振器（レゾネータ）、フィルタ、アクチュエータ、センサ等を構成するＭＥＭＳ素子１２が形成されている。ただし、本発明において基板１１はガラス、セラミックス、サファイア、ダイヤモンド、合成樹脂等の他の素材で構成される場合もありうる。
【００２３】
図示例のＭＥＭＳ素子１２は、基板１１の表面上に形成された下部電極１２ａと、この下部電極１２ａと間隔を有して対向し、基板１１の表面上に形成された可動電極１２ｂとを有する。可動電極１２ｂは、基板１１上に固定された支持部１２ｂ―１と、この支持部１２ｂ−１の上部に一体に接続された可動部１２ｂ−２とを備え、当該可動部１２ｂ−２が支持部１２ｂ−１より周囲に張り出すことで、下部電極１２ａと対向するように構成されている。
【００２４】
下部電極１２ａ及び可動電極１２ｂの材料は特に限定されないが、ＭＥＭＳ素子１２を構成する要素としては導電体であることが好ましく、例えば、導電性シリコン膜（ドーピングされた多結晶シリコン）で構成されることが望ましい。導電性シリコン膜は半導体製造プロセスにおいて形成される機能層を構成する素材であり、たとえばＣＭＯＳ回路等の半導体回路をＭＥＭＳ素子１２と一体に構成する場合に当該半導体回路中の機能層（たとえばゲート電極）と同時に形成することで製造工程を共通化できるという利点がある。
【００２５】
ＭＥＭＳ素子１２の製造方法の一例としては、例えば、下部電極１２ａを基板１１上に形成した後、下部電極１２ａ上及び下部電極１２ａの形成されていない領域上に酸化シリコンやＰＳＧ等よりなる犠牲層を形成し、当該犠牲層の形成されていない領域及び犠牲層の上に上記支持部１２ｂ−１及び可動部１２ｂ−２を形成し、上記犠牲層を後述するリリース工程により除去することで、図示のように支持部１２ｂ−１の上に周囲に張り出した動作可能な可動部１２ｂ−２が形成される。なお、上記リリース工程は、後述する第１の空洞部Ｃ１を形成するためのエッチングと同時に行われる。
【００２６】
基板１１上には、絶縁層である酸化シリコン（ＳｉＯ２）、より詳細にはＰＳＧ（リンドープガラス）やＴＥＯＳ（テトラエトキシシランなどを原料ガスとして形成されるＣＶＤ膜）等よりなる層間絶縁膜１３、１４、１５、及び、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）などからなる表面保護膜２２が積層され、必要に応じてアルミニウム等よりなる配線層１６、１７が各層間絶縁膜１３，１４，１５のいずれかの上に形成される。配線層１６，１７は基板１１の表層部や基板１１上に所定の回路（ＣＭＯＳなど）や配線を形成するための導電パターンとされる。
【００２７】
上記層間絶縁膜１３，１４，１５には開口部が設けられ、この開口部によって上記ＭＥＭＳ素子１２が内部に配置された第１の空洞部Ｃ１が構成される。第１の空洞部Ｃ１は第１の被覆層２１と第２の被覆層２３とから構成される被覆部により上方から被覆されることで密閉されている。第１の被覆層２１には第１の空洞部Ｃ１に連通する複数の細孔２１ａが形成され、これらの細孔２１ａは、第２の被覆層２３が上方から覆われることで閉鎖されている。
【００２８】
上記第１の被覆層２１は例えば同層において配線層１７と同時に形成され、アルミニウム等の金属膜で構成される。たとえば、金属層を成膜し、その後、パターニングすることで、配線層１７と同時に細孔２１ａを備えた第１の被覆層２１が形成される。
【００２９】
なお、実際には上記層間絶縁膜１３，１４，１５を形成した後に上記第１の被覆層２１を形成し、当該第１の被覆層２１の細孔２１ａを通してウエットエッチングやドライエッチング等で上記層間絶縁膜１３，１４，１５をエッチング除去し、その後、洗浄するといった処理を行うリリース工程で、上記開口部である第１の空洞部Ｃ１が形成される。
【００３０】
また、第２の被覆層２３は、第１の被覆層２１上に真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法等の気相成長法により減圧下で成膜され、これによって、上記第１の空洞部Ｃ１が細孔２１ａを通して減圧された状態で細孔２１ａが閉鎖される。第２の被覆層２３は、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁体やアルミニウム、チタン、タングステン等の金属により形成される。この第２の被覆層２３の形成工程が第１の空洞部Ｃ１の減圧封止工程となる。
【００３１】
なお、上記のように成膜された第２の被覆層２３をパターニングすると同時に、他の配線層や接続パッドなどを形成してもよい。
【００３２】
本実施形態では、上記の第１の空洞部Ｃ１と並行して、第３の空洞部Ｃ２及び第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を形成している。第３の空洞部Ｃ２及び第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４は第１の空洞部Ｃ１と同構造（厚み及び素材構成が同一の構造）により画成されている。すなわち、基板上に上記層間絶縁膜１３，１４，１５が除去されてなる開口部が設けられ、第３の空洞部Ｃ２及び第２の空洞部Ｃ３，Ｃ４は、上から細孔３１ａ，３２ａ，３３ａを備えた第１の被覆層３１，３２，３３と第２の被覆層３４，３５，３６とからなる被覆部で上記開口部が密閉された構造で形成される。
【００３３】
図２は、図１に示す構造の平面形状の例を示す拡大部分平面図である。本実施形態において、上記第１の空洞部Ｃ１と同様の被覆形状乃至寸法（空洞部を被覆部が覆う部分の形状）、すなわち、図示例のように平面視矩形状の被覆形状を有する場合には、第３の空洞部Ｃ２を覆う被覆部３１Ｃの被覆形状及び被覆面積は第１の空洞部を覆う被覆部２１Ｃと同一である。したがって、被覆部３１Ｃの被覆形状の長さ及び幅は被覆部２１Ｃの被覆形状の長さＬ１及び幅Ｗ１と同一となっている。また、第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を被覆する被覆部３２Ｃ、３４Ｃの被覆形状は被覆部２１Ｃの被覆形状と相似であり、その被覆面積は被覆部２１Ｃよりも大きく構成されている。すなわち、図示例の場合、Ｌ２>Ｌ１及びＷ２>Ｗ１、並びに、Ｌ３>Ｌ２及びＷ３>Ｗ２であって、被覆部３２Ｃの被覆面積は被覆部２１Ｃ、３１Ｃの被覆面積より大きく、被覆部３３Ｃの被覆面積は被覆部３２Ｃよりさらに大きくなっている。
【００３４】
本実施形態では、図２に示すように、第１の空洞部Ｃ１内に配置されたＭＥＭＳ素子１２の下部電極１２ａと配線Ｄ１を介して導電接続された端子Ｅ１が設けられ、また、可動電極１２ｂと配線Ｆ１を介して導電接続された端子Ｇ１が設けられている。なお、ＭＥＭＳ素子１２は上記端子Ｅ１，Ｇ１ではなく、或いは、端子Ｅ１，Ｇ１とともに、基板１１の表層部若しくは基板１１上に設けられた内部回路に接続されていてもよい。なお、被覆部を構成する第１の被覆層２１と第２の被覆層２３の少なくとも一方が導電体で構成されている場合、当該少なくとも一方は、図示しない配線を介して所定電位（例えば接地電位）に導電接続されていることが好ましい。これによって第１の空洞部Ｃ１の内部を電気的に遮蔽することができ、ＭＥＭＳ素子１２に対する外部電磁界の影響を低減することができる。
【００３５】
本実施形態では、上記の第１の空洞部Ｃ１、第３の空洞部Ｃ２、第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４が並行して形成されると共に、共通の減圧封止工程において減圧され、封止されている。特に、本実施形態の場合、各空洞部を画成する周囲構造は全て同一工程かつ同一素材で構成されている。したがって、通常は、第２の空洞部に減圧不良、封止不良等があれば第１の空洞部にも同様の不良が存在する可能性が高いことになる。
【００３６】
上記各空洞部が封止された後には、各空洞部と外部の間に内外圧力差が生じるので、この内外圧力差によって被覆部が内側に陥没する態様で撓むことになる。この被覆部の撓みは各空洞部が減圧されていることを示すものであるが、被覆部の撓み量が大きくなると、第１の空洞部Ｃ１では被覆部２１Ｃ（特に内側の第１の被覆層２１）が内部のＭＥＭＳ素子１２に接触して素子不良を招くことがある。したがって、第１の空洞部Ｃ１においては被覆部２１Ｃの撓み量を或る程度小さくする必要がある。
【００３７】
一方、各空洞部の被覆部の撓み量が少なすぎると、外部からは空洞部が減圧されているか否かを確認することができなくなる。したがって、第１の空洞部Ｃ１では被覆部の撓み量を外部より（すなわち、空洞部の外側から）確認可能で、しかも素子不良を防止できる範囲に設定する必要があるが、実際には上記撓み量を当該範囲内に設定することは極めて困難である。
【００３８】
本実施形態では、上記の第３の空洞部Ｃ２及び第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を設け、この第３の空洞部及び第２の空洞部を被覆する被覆部３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃの撓み状態を外部より観察することで、第１の空洞部Ｃ１の減圧封止状態を確認できるようにしている。特に、第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を被覆する被覆部３２Ｃ、３３Ｃの被覆面積は第１の空洞部Ｃ１を被覆する被覆部２１Ｃの被覆面積より大きいため、内外圧力差が同様であっても撓み量が大きくなるから、当該撓みの状態を外部より確認しやすくなる。例えば、図３に示すように、被覆部２１Ｃ及び３１Ｃの撓み量が小さく、外部より撓みが確認できない場合でも、被覆面積の大きい被覆部３２Ｃ、３３Ｃの撓みは大きくなるので、これらの撓みを確認することで、これらの第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４と同時に減圧封止された第１の空洞部Ｃ１も減圧封止されていることが推定される。
【００３９】
一方、被覆部２１Ｃと同じ被覆面積を有する被覆部３１Ｃで撓み量が小さければ、第１の空洞部Ｃ１内で被覆部２１ＣがＭＥＭＳ素子１２と接触するような不良が発生していないことを推定することができる。この第３の空洞部Ｃ２を覆う被覆部３１Ｃを設ける意義は、主として、同構造で構成された被覆部３２Ｃ、３３Ｃでは撓みが大きいが被覆部３１Ｃでは撓みが小さいことで、各被覆部の撓みの大小が被覆面積の大小に起因するものであることを確認することができることから、被覆部３１と同一の被覆形状及び被覆面積を有する被覆部２１Ｃでも撓みが小さく、ＭＥＭＳ素子１２の不良が発生していないであろうということをより確実に推定できるというものである。
【００４０】
被覆部３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃの撓みを外部よりを検出する方法としては、たとえば顕微鏡等により目視で被覆部３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃの外観を観察し、撓み量を検査することが考えられる。この場合、被覆部３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃの撓みがないか極めて小さければ、図４（ａ）に示すように入射光ＩＬの入射方向を垂直方向とすれば反射光ＲＬの反射方向も垂直方向となるが、被覆部の撓みが大きくなると図４（ｂ）に示すように入射光ＩＬの入射方向を垂直方向としても反射光ＲＬは異なる方向に反射するようになるので、特定方向の反射光ＲＬの強度が異なることとなるため、明らかに外観が異なって見える。もちろん、入射光ＩＬの入射方向は垂直方向とは限らないが、当該入射方向の如何に拘わらず、被覆部の撓みの有無で外観上区別することが可能である。通常、撓み量の差は反射光の大小による明度の差で判別できる。
【００４１】
ここで、上記の外観による被覆部の撓み量の観察を容易にするために、被覆部の表面、すなわち露出する第２の被覆層３１、３５、３６を凹凸の視認しやすい表面態様、たとえば、粗面状に構成することが好ましい。ただし、顕微鏡等の光学系を介して被覆部を観察する場合には、当該光学系にフィルタ等を配置して表面凹凸を視認しやすくすることも可能である。さらに、特定方向への反射光による反射率測定によって被覆部の撓み量を計測する場合には、反射率の高い素材、たとえば、アルミニウム等の金属で被覆部の表面を構成することが望ましい。
【００４２】
なお、図１乃至図３に示す各空洞部の相対配置は特に意味を有するものではなく、あくまでも模式的に描いたものであり、各空洞部の位置関係は基板１１上において任意である。また、被覆部２１Ｃ、３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃ以外の表面は、リリース工程のエッチングに耐性ないし充分な選択性を有する素材よりなる表面保護膜２２に覆われている。これは、リリース工程において各被覆部の第１の被覆層２１、３１，３２，３３に設けられた細孔２１ａ、３１ａ、３２ａ、３３ａを通した内部エッチングのみが生じ、それ以外の表面エッチングが実質的に行われないようにするためである。
【００４３】
上述の被覆部の被覆面積と撓み量の関係について図１２乃至図１４を用いて説明する。図１２（ａ）及び（ｂ）はシリコン単結晶よりなる基板１の表面に凹部１ａが形成され、この凹部１ａをアルミニウム膜よりなる被覆部２が覆うように構成された構造を示す。そして、当該構造において被覆形状は一辺の長さＬの正方形であり、被覆部の厚みはｔである。この構造で厚みｔを４．５μｍとして構造計算を行った結果、図１３及び図１４に示す関係を得た。
【００４４】
図１３は内外圧力差が０．１ＭＰａ（真空と大気圧の圧力差）の場合の長さＬと被覆部２の中央の変位量（撓み量）の関係を示すグラフ、図１４は長さＬ＝１５０μｍとした場合の内外圧力差と被覆部２の中央の変位量（撓み量）の関係を示すグラフである。
【００４５】
図１３をみると、被覆寸法を示す一辺の長さＬが増大すると被覆部２の中央の変位量は急激に増加することがわかる。具体的には一辺の長さＬと前記変位量との関係を示す指数関数的な曲線態様からすれば、当該変位量は被覆面積のｎ乗（ｎは１より大きな整数）に比例するものと思われる。この図１３に示す関係を用いることにより、たとえば、被覆部２１Ｃとは被覆面積の異なる被覆部３２Ｃ、３３Ｃの変位量に基づいて第１の空洞部Ｃ１の変位量を算出することも可能になる。
【００４６】
また、図１４に示すように、被覆部２の上記変位量は内外圧力差にほぼ比例する。この図１４に示す関係を用いることにより、被覆部３１Ｃの変位量に基づいて被覆部２１Ｃの内外圧力差を算出することができる。また、図１３に示す関係を用いることで、被覆部２１Ｃとは被覆面積の異なる被覆部３２Ｃ、３３Ｃの変位量に基づいて被覆部２１Ｃの内外圧力差を算出することもできる。
【００４７】
本実施形態の場合、上記の被覆部の撓み状況は外部より検出される。当該検出方法は、光を用いた光学的方法、音波を用いた音響的方法、その他の放射線（電子等の荷電粒子など）を用いた方法、プローブ等を用いた機械的方法など、各種の方法で行うことができるが、本実施形態ではそれらの一例として光学的方法で被覆部の撓みを外部より検出する場合について説明する。当該光学的方法としては、単に光学顕微鏡等で目視で撓み状態を観察してもよいが、以下ではより精密な撓み量の測定が可能な方法について詳細に説明する。
【００４８】
上述の被覆部の撓み量を測定する機器の一例を図１５に示す。図１５は拡大観察（顕微鏡）システム５０の概略構成を示す概略構成ブロック図である。当該システム５０は、レーザ発振器等よりなる第１光源５１Ｌ及びフォトダイオード等よりなる第１光検出器５１Ｄを含み、第１光源５１Ｌの光を試料Ｓを経て第１光検出器５１Ｄへ導く第１光学系５１を備えている。また、白色ランプ等よりなる第２光源５２Ｌ及びＣＣＤ（電化結合素子）等の撮像素子よりなる第２光検出器５２Ｄを含み、第１光源５２Ｌの光を試料Ｓを経て第２光検出器５２Ｄへ導く第２光学系５２を備えている。
【００４９】
試料Ｓはステージ５５上に設置され、このステージ５５は駆動機構５６によって光軸方向に移動可能に構成される。また、第１光源５１Ｌは駆動電源５３を介して、第２光検出器５２Ｄは画像処理回路５４を介して、駆動機構５６は制御回路５７を介して、その他の第２光源５２Ｌ及び第１光検出器５１Ｄはそれぞれ直接に、入出力回路５８ａを通して制御装置５８に接続されている。なお、制御装置５８には、表示モニタ５９Ａ、記憶装置５９Ｂ及び操作部５９Ｃも接続されている。
【００５０】
上記の第１光学系５１は、コリメートレンズ５１１、偏光ビームスプリッタ５１２、１／４波長板５１３、ガルバノミラー等よりなる水平偏向器５１４及び垂直偏向器５１５、リレーレンズ５１６、対物レンズ５１７、結像レンズ５１８及びピンホール５１９を含む。この第１光学系５１により、第１光源５１Ｌから放出された光はコリメートレンズ５１１で集光された後、偏光ビームスプリッタ５１２で反射されて１／４波長板５１３を経て、水平偏向器５１３及び垂直偏向器５１４で試料Ｓに対する所定位置に向けて光束位置が設定された状態で、リレーレンズ５１６及び対物レンズ５１７を経て試料Ｓに照射される。試料Ｓからの反射光は対物レンズ５１７及びリレーレンズ５１６を経て上記の光路を戻り、偏光ビームスプリッタ５１２を通して結像レンズ５１８で収束され、ピンホール５１９を通して第１光検出器５１Ｄにて検出される。
【００５１】
この第１光学系５１は試料Ｓに対する焦点位置を検出することが可能であり、第１光源５１Ｌから照射される光が試料Ｓ上で合焦したとき、反射光がピンホール５１９を通して第１光検出器５１Ｄにて所定強度で検出されるが、試料Ｓ上で合焦しないときには、反射光の収束位置はピンホール５１９からずれるので、第１光検出器５１Ｄにおける検出光量は小さくなる。このとき、上述のようにステージ５５は光軸方向に移動可能とされているので、駆動機構５６によってステージ５５を移動させて試料Ｓ上で合焦状態を得ることができる。また、試料Ｓの表面に凹凸が存在する場合には、照射スポットの範囲内で焦点深度内の異なる位置に焦点を合わせ、その反射光強度を第１光検出器５１Ｄで検出することも可能である。いずれにしても、ステージ５５を光軸方向に移動させながら第１光検出器５１Ｄの光検出値を測定し、その最大値若しくは極大値が得られる場所でステージ５５を停止させることで、試料Ｓの表面若しくはその一部に焦点が合った状態とすることができる。
【００５２】
ここで、試料Ｓの表面に照射される第１光学系５１の光スポットを水平偏向器５１４及び垂直偏向器５１５で平面的に走査していく場合、走査ステップごとに第１光学系５１を介して第１光検出器５１Ｄの検出光量を測定し、試料Ｓに対する焦点位置を検出することができる。したがって、光スポットの走査を行いながら焦点位置を検出していくことで、試料Ｓの表面の凹凸形状分布を求めることができる。これは、上記被覆部の撓み形状を光学的に測定することができることを意味する。
【００５３】
上記の試料Ｓの表面の凹凸形状分布は、高さデータを明度や色相に変換することで適宜の凹凸形状を表す画像を得るために用いることができ、また、適宜の画像処理により３次元形状を示すデータを求め、当該３次元形状を表す画像を合成することも可能にする。
【００５４】
一方、試料Ｓの表面の走査データから走査範囲内の各点（画素）について得られた受光量を輝度データとし、試料Ｓの表面画像を得ることもできる。この画像は、各点において焦点が合った被写界深度の非常に高い共焦点画像となる。また、任意の注目画素で最大光検出値が得られた高さに固定した画像を合成した場合には、注目画素の焦点位置との高低差が大きい焦点位置を有する画素の光検出値は著しく小さくなるので、上記注目画素と同じ高さの部分は明るく、これと高低差の大きい部分は暗く表示される。
【００５５】
第２光学系５２は、コリメートレンズ５２１、第１ハーフミラー５２２、集光レンズ５２３、第２ハーフミラー５２４を含み、第２光源５２Ｌから放出される照明光をコリメートレンズ５２１を経て第１ハーフミラー５２２で反射させ、対物レンズ５１７を介して試料Ｓに照射し、その反射光を対物レンズ５１７を経て第１ハーフミラー５２２を透過させて集光レンズ５２３を経て第２ハーフミラー５２４で反射させることで、第２光検出器５２Ｄで検出することができる。ここで、第２光検出器５２ＤはＣＣＤ等の撮像素子で構成されるので、試料Ｓの表面画像を撮影することが可能になる。
【００５６】
ここで、第１光学系５１と第２光学系５２の光軸は相互に一致し、また、第２光検出器５２Ｄは、第１光学系５１の第１光検出器５１Ｄの前に配置されたピンホール５１９と共役又は共役に近い位置に設けられている。第２光検出器５２Ｄで撮影された画像（カラー画像）は画像処理回路５４によって読み出されてデジタルデータに変換される。そして、このデータは表示モニタ５９Ａに表示される。
【００５７】
この場合、第１光学系５１で得られた共焦点画像と、第２光学系５２で得られたカラー画像とを組み合わせて、全ての画素でピントの合った被写界深度の大きいカラー共焦点画像を得ることも可能である。たとえば、上記カラー画像を構成する輝度信号を上記共焦点画像の輝度信号で置き換えることにより、簡易にカラー共焦点画像を生成することができる。
【００５８】
なお、上記拡大観察システムでは、共焦点光学系である第１光学系５１と、非共焦点光学系である第２光学系５２とが設けられているが、拡大観察システムとしてはこのような構成に限らず、第１光学系５１のみ、或いは、第２光学系５２のみを設けたものとしてもよい。
【００５９】
本実施形態では、上記の拡大観察システム５０を用いて微細な第３の空洞部Ｃ２及び第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を被覆する被覆部３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃの撓み状況を各種画像の形で表示モニタ５９Ａ等で観察し、第１の空洞部Ｃ１の減圧封止状態の良否、ＭＥＭＳ素子１２の良否を判定する。これによって、製品の品位向上や製造条件の最適化による製造効率の向上を図ることができる。また、被覆部の撓み状況の検査において、上記の画像を観察する場合に限らず、上記拡大観察システム５０等により得られたデータを用いて手動判定（例えば、判断の基準となる検査データを表示させ、これを視認した検査員が良否を判断する。）若しくは自動判定（例えば、判断の基準となる検査データを所定の基準値と自動的に比較して判定結果を報知する。）を行うようにしてもかまわない。
【００６０】
［第２実施形態］
次に、図５を参照して本発明に係る第２実施形態について説明する。この実施形態では、基本的に第１実施形態と同様の部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。本実施形態では、基板１１上にＭＥＭＳ素子１２を内部に収容した第１の空洞部Ｃ１、第３の空洞部Ｃ２、及び、第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４が、配線層の一部で構成された導電体よりなる隔壁ＷＬ１、ＷＬ２、ＷＬ３、ＷＬ４で画成されている点で第１実施形態とは異なる。これらの隔壁ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３，ＷＬ４は上記第１の被覆層２１、３１、３２、３３と連結され、層間絶縁膜１３，１４，１５が直接第１の空洞部Ｃ１、第３の空洞部Ｃ２、及び、第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４に臨まないように構成されている。
【００６１】
上記のように構成すると、第１実施形態において説明したリリース工程において層間絶縁膜１３，１４，１５や犠牲層などをエッチングする際に、不要なサイドエッチングを低減することができるため、各空洞部をコンパクトに構成することができ、また、各空洞部の被覆面積を小さく、しかも再現性よく構成することができるという効果が得られる。
【００６２】
さらに、各空洞部が導電体で囲まれるように構成されるので、外部の電磁界に対する遮蔽効果が得られるので、第１の空洞部Ｃ１ではＭＥＭＳ素子１２の外部電磁界による影響を低減できるという利点もある。
【００６３】
なお、図示例では第１の空洞部Ｃ１、第３の空洞部Ｃ２、及び、第３の空洞部Ｃ３、Ｃ４の全てにおいて上記隔壁ＷＬ１、ＷＬ２、ＷＬ３、ＷＬ４を設けているが、以下の第３実施形態及び第４実施形態のように、第１の空洞部Ｃ１は第１実施形態と同様に隔壁を有しない態様で構成し、第３の空洞部及び第２の空洞部を本実施形態と同様に隔壁を設けるなど、隔壁を設ける空洞部を適宜に設定しても構わない。
【００６４】
［第３実施形態］
次に、図６乃至図８を参照して本発明に係る第３実施形態として製造方法についてより詳細に説明する。この実施形態は、第１実施形態及び第２実施形態の構成の組み合わせよりなる構造を製造する工程を示すものであるので、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６５】
本実施形態においては、図６に示すように、基板１１の表面上に導電性ポリシリコン等からなる下部電極１２ａを形成し、その後、基板１１上に酸化シリコン等よりなる犠牲層１３Ｇの成膜及びパターニングを行う。
【００６６】
次に、犠牲層１３Ｇ上及びその非形成部に導電性シリコン等で支持部１２ｂ−１及び可動部１２ｂ−２からなる可動電極１２ｂを形成して、ＭＥＭＳ素子１２を設ける。なお、電子部品として上記のＭＥＭＳ素子とともにＣＭＯＳ回路などの半導体回路を構成する場合には、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子を同時並行して形成する。たとえば、ＭＯＳトランジスタを構成する場合には、ソース領域及びドレイン領域を基板１１の表層部に形成するとともに、基板１１上にはゲート絶縁膜やゲート電極を形成する。これらの形成工程は、上記のＭＥＭＳ素子の形成工程と同時に行うことで、製造プロセスの複雑化を回避できる。
【００６７】
しかる後に層間絶縁膜１３を成膜し、層間絶縁膜１３にパターニングにより開口部を形成し、この開口部内及び層間絶縁膜１３の表面上にアルミニウム等の導電体の成膜及びパターニング等により配線層１６及び隔壁ＷＬ２、ＷＬ３、ＷＬ４の下部を形成する。
【００６８】
そして、必要に応じて上記の層間絶縁膜の形成、配線層及び隔壁の形成を繰り返すことにより、層間絶縁膜１３、１４、１５及び配線層１６、１７の積層構造を構成し、適宜の配線構造と上記隔壁ＷＬ２、ＷＬ３、ＷＬ４を形成する。なお、このときに上層の層間絶縁膜１５上の配線層と同時に細孔２１ａ，３１ａ，３２ａ，３３ａを備えた第１の被覆層２１、３１、３２、３３がそれぞれ上記のＭＥＭＳ素子１２の上方位置、或いは、適宜の上方位置（隔壁ＷＬ２〜ＷＬ４で囲まれた部分の上方位置）に形成される。また、最上層には、上記第１の被覆層の細孔２１ａ，３１ａ，３２ａ，３３ａを露出した態様で、上記層間絶縁膜１３，１４，１５や犠牲層１３Ｇとの間にエッチング選択性を有する素材（たとえば窒化シリコンなど）で構成された表面保護膜２２が形成される。
【００６９】
次に、図７に示すように、第１の被覆層２１，３１，３２，３３の細孔２１ａ，３１ａ，３２ａ，３３ａを通してエッチング処理を施すことでリリース工程を実施する。リリース工程では、酸化シリコンをエッチング除去するために沸酸系のウエットエッチング液若しくはエッチングガスを用いる。そして、このエッチング後、各空洞部を水洗等により洗浄する。
【００７０】
最後に、図８に示すように、減圧された容器内において蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの気相成膜法によって第２の被覆層２３、３４、３５、３６を成膜し、細孔２１ａ，３１ａ，３２ａ，３３ａを閉鎖する。この工程により、第１の空洞部Ｃ１、第３の空洞部Ｃ２及び第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４は減圧された状態で同時に封止される。第２の被覆層は、アルミニウム等の金属、ＴＥＯＳなどの酸化シリコン、或いは、窒化シリコン等の絶縁体によって形成することができる。各空洞部の減圧状態は気相成膜時の容器内の圧力によって決定される。通常、各空洞部の圧力は１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）−１３３３．２Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）の範囲内とされることが好ましい。
【００７１】
［第４実施形態］
次に、図９乃至図１１を参照して、本発明に係る第４実施形態について説明する。この実施形態では、第３実施形態とは異なる構造に関する製造方法を示す。ただし、第３実施形態と同様の部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００７２】
図９に示すように、本実施形態では、基板１１上にＭＥＭＳ素子１２を形成するとともに層間絶縁膜１３、１４、１５を形成し、上記ＭＥＭＳ素子１２の上方位置において層間絶縁膜上に第１の被覆層２１を形成している点では第３実施形態と同様である。しかしながら、第１の被覆層３１，３２，３３は、層間絶縁膜１５が形成されていない領域（パターニングで除去されている領域）において下層の層間絶縁膜１４上に形成されている点で第３実施形態とは異なる。なお、図示例では第１の被覆層３１，３２，３３が層間絶縁膜１４上に形成されているが、上記領域において層間絶縁膜１４をも形成しないで最下層の層間絶縁膜１３上に第１の被覆層３１，３２、３３を形成してもよい。
【００７３】
その後、第３実施形態と同様にしてリリース工程を実施し、図１０に示すように第１の空洞部Ｃ１と、第３の空洞部Ｃ２′と、第２の空洞部Ｃ３′、Ｃ４′を形成する。さらに、図１１に示すように、第３実施形態と同様にして第２の被覆層２３，３４，３５，３６を形成し、各空洞部を減圧封止する。
【００７４】
本実施形態では、上述のように第３の空洞部Ｃ２′、及び、第２の空洞部Ｃ３′、Ｃ４′上の第１の被覆層３１，３２，３３が第１の空洞部Ｃ１上の第１の被覆層２１よりも下層に配置されているので、被覆部の高さを第３実施形態の場合よりも低くすることができるから、外部より第３の空洞部Ｃ２′及び第２の空洞部Ｃ３′、Ｃ４′の撓み状況を検出する際に、検出位置（たとえば焦点位置）が第１の空洞部Ｃ１の被覆部２１Ｃと異なるため、当該被覆部２１Ｃとの混同を防止できるという利点がある。したがって、第３の空洞部及び第２の空洞部における被覆部の撓み量をより容易かつ確実に検出することができ、これによって第１の空洞部の被覆部の撓みの有無、減圧封止状態の良否などをより確実に推定することができる。
【００７５】
［第５実施形態］
最後に、上記各実施形態で説明した電子部品の検査方法について、より具体的な態様を第５実施形態として説明する。図１６は本実施形態の半導体ウエハ１１０の概略平面図、図１７はその一部拡大平面図である。
【００７６】
図１６に示すように、本実施形態では、上記基板１１を構成する半導体ウエハ１１０内に複数の製品（チップ）予定領域１１１が縦横に配列形成され、各製品予定領域１１１には、上記のＭＥＭＳ素子１２及びこれを内部に収容する第１の空洞部Ｃ１が必要に応じて設けられる半導体回路とともに形成される。また、半導体ウエハ１１０には位置決め基準（図示例ではオリエンテーションフラット）１１０ａが設けられ、当該位置決め基準によって検査工程における所定の位置決めがなされる。また、この位置決めがなされた状態で既定の位置に既定数の検査ポイントＰ１〜Ｐ５が設定される。
【００７７】
図１７に示すように、半導体ウエハ１１０には、製品予定領域１１１を分離する仮想分離線１１１Ｔ、１１１Ｈが縦横に設定され、これらの仮想分離線１１１Ｔ、１１１Ｈは、検査工程の後に行われる製品分割工程（たとえばダイシング又はブレイク工程）において分割される位置を示すものである。これらの仮想分離線の間には上記製品予定領域１１１が構成され、また、この製品予定領域１１１の周囲には上記仮想分離線を含みその両側に既定の幅を有する境界領域１１２が構成される。ここで、境界領域１１２には、上記の第１の空洞部Ｃ１、ＭＥＭＳ素子１２、半導体回路などの製品（チップ）の一部となるべき構造は形成されない。
【００７８】
各検査ポイントＰ１〜Ｐ５には、上記の境界領域１１２において第３の空洞部Ｃ２、及び、第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を被覆する被覆部３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃが形成される。これらの検査用の構造は、仮想分離線１１１Ｔ、１１１Ｈを中心とする境界領域１１２に設けられる。もっとも、これらの検査用の構造の一部が製品の機能に影響を与えない範囲で製品予定領域１１１の内部に形成されていても構わない。ここで、上記検査用の構造の主要部分が仮想分離線１１１Ｔ、１１１Ｈと交差するように構成される場合、半導体ウエハ１１０が分割されて各製品（チップ）になったときには当該構造は破壊されてもはや機能しない状態となる。ただし、上記構造の主要部分を仮想分離線と交差しないように構成し、製品化後においても再検査を行うことができるようにすることは可能である。
【００７９】
上記のように構成すると、検査用の構造を境界領域１１２内に設けることで製品予定領域１１１の構造に影響を与えなくなり、製品のコンパクト化や設計自由度の向上を図ることができる。もっとも、製品予定領域１１１の内部に上記検査用の構造を設け、製品（チップ）に分離させた後においても当該検査用の構造が残存するように構成してもよい。
【００８０】
なお、本明細書において、上記の半導体ウエハ１１０は最終製品ではないが、これも本明細書においては上記電子部品の一態様であり、また、この半導体ウエハ１１０から分割された各製品（チップ）もまた電子部品の一態様である。
【００８１】
また、本実施形態では、半導体ウエハ１１０内に設定された検査ポイントＰ１〜Ｐ５に上記検査用の構造を設けたが、製品予定領域１１１の内部或いは製品にそれぞれ上記検査用の構造を設けて、各製品予定領域１１１又は製品ごとに検査を実施できるように構成してもよい。
【００８２】
さらに、本実施形態では被覆面積の異なる複数の第２の空洞部Ｃ３、Ｃ４を設けているが、単一の第２の空洞部のみを設けても構わない。また、本実施形態では、第２の空洞部のほかに第３の空洞部Ｃ２を設け、この第３の空洞部Ｃ２を被覆する被覆部３１Ｃを外部からの撓み検出の対象としているが、第３の空洞部Ｃ２を設けずに、上記第２の空洞部のみを設けても構わない。
【００８３】
次に、上記検査用の構造を用いた検査方法についてより詳細に説明する。本実施形態の検査方法においては、上述のように光学的方法で被覆部の撓み状況を直接若しくは表示画像で観察したり、光検出値から得られる各種の検査データによる手動判定若しくは自動判定などによって行うが、図１８及び図１９には、その際の判定対象となる視界若しくは画像を表し、或いは、当該判定対象となる上記各種の検査データに相当する検査用の構造の状況例を視覚的に表現したものを示す。
【００８４】
図１８は、被覆部２１Ｃ、３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃの拡大画像を示すものである。当該拡大画像では、各被覆部の撓み形状に応じて光の反射方向が異なるため、図示例では、観察方向への反射光の大小により、撓み量の大きい被覆部３２Ｃ、３３Ｃの周縁部ＥＧの明度は高いが、中央部ＣＴの明度が低下した様子が観察される。この図１８に示す態様は、たとえば、通常の光学顕微鏡での観察、上記拡大観察システム５０の第２光学系５２（非共焦点光学系）を用いて得られる画像、上記拡大観察システム５０の第１光学系５１（共焦点光学系）における焦点位置を固定したときの輝度データなどで得られる。
【００８５】
上記の図１８に示す状況では、周縁部ＥＧと中央部ＣＴの明度の差により被覆部の撓み部分が示されているため、当該撓み部分（中央部ＣＴ）の面積の大小により撓み量の大小を検出することができる。図示例では、被覆部３３Ｃの上記撓み部分の面積が最も大きいためにその撓み量が大きいことがわかり、被覆部３２Ｃの上記撓み部分の面積がその次に大きいために撓み量がそれに続き、被覆部３１Ｃの上記撓み部分の面積が小さいためにその撓み量が最も小さいことがわかる。この場合、単に拡大視野や拡大画像を観察して検査員が被覆部２１Ｃの良否判定を行ってもよく、或いは、画像処理によって検査データを自動的に算出することで検査員が当該検査データを見て被覆部２１Ｃの良否判定を行ってもよく、さらには、上記検査データを所定の基準値に応じて自動判定するようにしてもよい。
【００８６】
図１９（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す態様は、相互に異なる焦点位置における拡大画像を示すものである。図１９（ａ）は各被覆部３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃの周縁部の表面に焦点を合わせたときの画像を示すものである。ここで、撓み量が少ない被覆部３１Ｃではほぼ全体に亘り焦点が合った状態で鮮明に視認されるが、撓み量の大きい被覆部３２Ｃ、３３Ｃでは、それらの周縁部ＥＧのみで焦点が合って鮮明な画質が得られているが、中央部ＣＴの撓み部分では焦点が合っていないために鮮明な画質が得られていない。
【００８７】
また、図１９（ｂ）は図１９（ａ）よりも深い位置に焦点を合わせたときの画像を示すものである。ここでは、撓み量の少ない被覆部３１Ｃでは全体が不鮮明な状態とされる一方、それよりも撓み量の多い被覆部３２Ｃでは中央部ＣＴの撓み部分に焦点が合って鮮明に視認され、周縁は不鮮明な状態となっている。そして、さらに撓み量の多い被覆部３３Ｃでは中央外側部ＣＴＯの撓み部分に焦点が合って鮮明に視認されるが、中央内側部ＣＴＩの撓み部分には焦点が合わずに不鮮明となるとともに、周縁部ＥＧも焦点が合わずに不鮮明な状態となっている。
【００８８】
さらに、図１９（ｃ）は図１９（ｂ）よりもさらに深い位置に焦点を合わせたときの画像を示すものである。ここでは、被覆部３１Ｃ、３２Ｃの全体が不鮮明な状態とされる一方、被覆部３３Ｃにおいては、中央外側部ＣＴＯ及び周縁部ＥＧは不鮮明な状態であるものの、中央内側部ＣＴＩでは焦点が合って鮮明な画質が得られている。
【００８９】
この場合、上記の各画像について各被覆部のうち鮮明な画像が得られている範囲と不鮮明な画像が得られている範囲とを識別した上で、各範囲の面積の大小により撓み量を求めることが可能であり、その結果、図１８の場合と同様の種々の方法で良否判定を行うことができる。また、上記の各画像間の焦点位置の変化量からそれぞれの被覆部の撓み量を導出するようにしてもよい。ここで、上記の拡大観察システム５０を利用する場合には、第１光学系５１と第２光学系５２の少なくともいずれか一方を用いることができるが、特に、第１光学系５１を利用することで、各被覆部の撓み形状の縁部分と底部分の焦点位置を容易に検出することができるので、被覆部の撓み量を迅速かつ確実に求めることができる。
【００９０】
尚、本発明の電子部品の検査方法及び電子部品は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】第１実施形態の断面構造を模式的に示す拡大部分縦断面図。
【図２】第１実施形態の平面構造を模式的に示す拡大部分平面図。
【図３】第１実施形態の一部の被覆部が撓み状態にある様子を示す拡大部分縦断面図。
【図４】第１実施形態の被覆部の撓み状態を外部より検出する原理を示す拡大部分縦断面図。
【図５】第２実施形態の断面構造を模式的に示す拡大部分縦断面図。
【図６】第３実施形態の製造工程を模式的に示す工程断面図。
【図７】第３実施形態の製造工程を模式的に示す工程断面図。
【図８】第３実施形態の製造工程を模式的に示す工程断面図。
【図９】第４実施形態の製造工程を模式的に示す工程断面図。
【図１０】第４実施形態の製造工程を模式的に示す工程断面図。
【図１１】第４実施形態の製造工程を模式的に示す工程断面図。
【図１２】計算において設定された仮想的な空洞部及び被覆構造を示す平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）。
【図１３】被覆形状の一辺の長さと被覆部中央の変位量との関係を示すグラフ。
【図１４】空洞部の内外圧力差と被覆部中央の変位量との関係を示すグラフ。
【図１５】第５実施形態の検査方法に用いる拡大観察システムの構成ブロック図。
【図１６】第６実施形態の半導体ウエハの平面図。
【図１７】第６実施形態の半導体ウエハの拡大部分平面図。
【図１８】第６実施形態の観察態様の一例を示す拡大視野図。
【図１９】第６実施形態の観察態様の他の例を示す拡大視野図。
【符号の説明】
【００９２】
１１…基板、１２…ＭＥＭＳ素子、１３、１４、１５…層間絶縁膜、１３Ｇ…犠牲層、１６、１７…配線層、１９…表面保護膜、２１、３１、３２、３３…第１の被覆層、２１ａ，３１ａ，３２ａ，３３ａ…細孔、２３，３４、３５、３６…第２の被覆層、１１０…半導体ウエハ、１１１…製品予定領域、１１２…境界領域、Ｐ１〜Ｐ５…検査ポイント、ＥＧ…周縁部、ＣＴ…中央部、ＣＴＯ…中央外側部、ＣＴＩ…中央内側部
【図１】
2009164336.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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