(57)【要約】【課題】分断配線の配線抵抗を小さくすることができ、表示品質を高めることができる表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ソース信号線Ｙ１を、ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と交差する位置で、交差部分１６０と主要部分１７０とに分ける。交差部分１６０を、例えばゲート電極と同層に形成し、主要部分１７０を、ゲート絶縁膜を間にしてソース／ドレイン電極，ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と同層に形成する。交差部分１６０を、Ａｌなどの低抵抗金属よりなる第１層１６１と、この第１層１６１よりも融点の高い材料、例えばＭｏ等の高融点金属よりなる第２層１６２との積層構造とする。第１層１６１および第２層１６２を連続して形成することにより、表面自然酸化膜などを介在させることなく、直接接触させ、交差部分１６０の抵抗値を小さくする。【選択図】図５
2009103732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板に、異なる方向に形成された複数の配線と、薄膜トランジスタと、表示素子とを備えた表示装置であって、
前記複数の配線のうち少なくとも一つの配線は、
前記複数の配線のうち他の配線と交差する位置に形成された交差部分と、
絶縁膜を間にして前記他の配線と同層に形成されると共に、前記絶縁膜に設けられた導電性接続部を介して前記交差部分に電気的に接続された主要部分と
を有する分断配線であり、
前記主要部分および前記交差部分の少なくとも一方は、前記絶縁基板の側から順に、第１層と、前記第１層に直接接触すると共に前記第１層よりも融点の高い材料よりなる第２層とを有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１層および前記第２層は、連続して形成されたものである
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１層は、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）および銀（Ａｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金により構成され、
前記第２層は、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル（Ｎｉ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金により構成されている
ことを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記主要部分および前記交差部分の少なくとも一方は、前記絶縁基板と前記第１層との間に、前記第１層よりも融点の高い材料よりなる第３層を有する
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第３層は、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル（Ｎｉ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金により構成されている
ことを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記交差部分の上面および側面は、前記第１層よりも融点の高い材料よりなるキャップ層で被覆されている
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の配線は、ソース信号線およびゲート配線を含み、前記ソース信号線が前記分断配線である
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタは半導体膜をアニールすることにより形成されたものであり、
前記ソース信号線の交差部分は、前記レーザ光の照射領域外に形成されている
ことを特徴とする請求項７記載の表示装置。
【請求項９】
絶縁基板に、ソース信号線およびゲート配線を含む複数の配線と、薄膜トランジスタと、表示素子とを形成する表示装置の製造方法であって、
前記複数の配線を形成する工程は、
前記ゲート配線と交差する位置に、前記ソース信号線の交差部分を形成する工程と、
前記交差部分を形成した前記絶縁基板上に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記ソース信号線の主要部分と前記ゲート配線とを形成すると共に、前記絶縁膜に導電性接続部を設けて前記主要部分と前記交差部分とを電気的に接続する工程と
を含み、
前記ソース信号線の交差部分を形成する工程において、前記絶縁基板の側から順に、第１層と、前記第１層よりも融点の高い材料よりなる第２層とを連続して形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１層を、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）および銀（Ａｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金により構成し、
前記第２層を、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル（Ｎｉ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金により構成する
ことを特徴とする請求項９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ソース信号線の交差部分を形成する工程において、前記絶縁基板の側から順に、前記第１層よりも融点の高い材料よりなる第３層と、前記第１層と、前記第２層とを連続して形成する
ことを特徴とする請求項９または１０記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第３層を、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル（Ｎｉ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金により構成する
ことを特徴とする請求項１１記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記交差部分の上面および側面を、前記第１層よりも融点の高い材料よりなるキャップ層で被覆する
ことを特徴とする請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記キャップ層と同時に、前記薄膜トランジスタのゲート電極を、前記キャップ層と同一材料により形成する
ことを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜トランジスタを形成する工程は、半導体膜をアニールする工程を含み、
前記ソース信号線の交差部分を、前記レーザ光の照射領域外に形成する
ことを特徴とする請求項９ないし１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機発光表示装置または液晶表示装置として好適な表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の表示装置が盛んに開発されており、省スペース、高輝度、低消費電力等が要望されている。このような表示装置として有機発光素子を用いた有機発光表示装置（有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ）が注目されている。この有機発光表示装置は、自発光型であるため視野角が広く、バックライトを必要としないため省電力が期待でき、応答性が高く、装置自体の厚さを薄くできるなどの特徴を有している。更に、有機発光表示装置は、有機発光材料が本来有するフレキシブル性を利用するために基板としてプラスチック基板を用いることにより、フレキシブル性を有する装置としても注目されている。
【０００３】
有機発光表示装置の駆動方式のうち、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）による駆動素子が用いられるアクティブマトリクス方式は、従来のパッシブマトリクス方式に比べて応答時間や解像度の点で優れており、上述した特徴を有する有機発光表示装置には、特に適した駆動方式と考えられている。
【０００４】
アクティブマトリクス型の有機発光表示装置を構成する薄膜トランジスタは、少なくとも画素の明暗を制御するスイッチングトランジスタと、有機発光素子の発光を制御する駆動トランジスタとが必要である。また、駆動トランジスタのゲート電極には、表示信号に応じた電荷を保持するための保持容量を接続する。
【０００５】
このようなアクティブマトリクス型の有機発光素子は、大画面化や高精細化に伴って、ゲート配線やソース信号線、電流供給線の長さを長くし、配線幅も細くしなければならない。しかしながら、配線の抵抗値は長さに比例し、断面積に反比例して高くなる。配線の高抵抗化は、信号の波形を歪ませ、信号の伝達遅延を生じ、画像の不均一や画質低下をもたらす。
【０００６】
配線抵抗を下げるために、材質として低抵抗の材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）を用いることが考えられる。しかし、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料は耐熱性が十分ではない。薄膜トランジスタの製造プロセスでは、ゲート絶縁膜など基板温度を３００℃以上として形成する工程が不可避であり、アルミニウム（Ａｌ）を単独で用いた場合には、熱応力によりヒロックが発生し、層間絶縁膜の絶縁性が劣化してしまうという問題がある。
【０００７】
例えば特許文献１では、走査線３ａ、およびデータ線６ａの本体部分６１ａを、アルミニウムまたはアルミニウム合金といった低抵抗金属から構成し、配線の交差部では、データ線６ａの中継部分６２ａを、走査線３ａおよび容量線３ｂの下層側に設け、この中継部分６２ａを高融点金属により構成するようにしている。このような分断配線とすれば、薄膜トランジスタの製造工程で中継部分が高温にさらされても、交差部でのヒロックの発生を抑えることができる。
【特許文献１】特開２００３−４５９６６号公報（図４、段落００４１）
【特許文献２】特開平７−８６２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、この特許文献１の構成では、中継部分６２ａを低抵抗金属により構成することができないので、配線抵抗が少なからず上がってしまい、大画面化した場合には信号の伝達遅延を生じてしまうおそれがあった。
【０００９】
ちなみに、特許文献２には、アルミニウム（Ａｌ）配線の表面を酸素雰囲気中で酸化させたのち、高融点材料で覆うことが記載されている。この手法では、アルミニウム（Ａｌ）配線と高融点材料との間に形成される酸化膜が抵抗成分となる。分断配線ではない通常の構成では、アルミニウム（Ａｌ）配線と高融点材料はピンホールなどにより数箇所で接続されており、この抵抗成分は問題とはならない。しかし、特許文献２の手法を上述した分断配線に適用した場合には、それぞれの中継部分で抵抗成分ができてしまうので、下層の低抵抗材料の利点はほとんど活かされず、上層の高融点金属のみで接続されているのと同じことになってしまっていた。その結果、配線抵抗を十分に下げることができず、信号の波形が歪み、信号の伝達遅延を生じ、画像の不均一や画質低下をもたらすという問題があった。
【００１０】
また、薄膜トランジスタの製造工程では、シリコン結晶化のために基板全面にレーザ照射する場合がある。その場合、アルミニウム（Ａｌ）などの低抵抗材料は、高融点金属で覆ったとしても、高温においては耐熱性や拡散に問題が発生するため使用できないおそれがあった。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、分断配線の配線抵抗を小さくすることができ、表示品質を高めることができる表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による表示装置は、絶縁基板に、異なる方向に形成された複数の配線と、薄膜トランジスタと、表示素子とを備えたものであって、複数の配線のうち少なくとも一つの配線は、複数の配線のうち他の配線と交差する位置に形成された交差部分と、絶縁膜を間にして他の配線と同層に形成されると共に、絶縁膜に設けられた導電性接続部を介して交差部分に電気的に接続された主要部分とを有する分断配線であり、主要部分および交差部分の少なくとも一方は、絶縁基板の側から順に、第１層と、第１層に直接接触すると共に第１層よりも融点の高い材料よりなる第２層とを有するものである。
【００１３】
本発明による表示装置の製造方法は、絶縁基板に、ソース信号線およびゲート配線を含む複数の配線と、薄膜トランジスタと、表示素子とを形成するものであって、複数の配線を形成する工程は、ゲート配線と交差する位置に、ソース信号線の交差部分を形成する工程と、交差部分を形成した絶縁基板上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に、ソース信号線の主要部分とゲート配線とを形成すると共に、絶縁膜に導電性接続部を設けて主要部分と交差部分とを電気的に接続する工程とを含み、ソース信号線の交差部分を形成する工程において、絶縁基板の側から順に、第１層と、第１層よりも融点の高い材料よりなる第２層とを連続して形成するようにしたものである。
【００１４】
本発明の表示装置では、第１層と、この第１層よりも融点の高い材料よりなる第２層とが、直接接触しているので、交差部分の抵抗値が小さくなる。よって、分断配線の配線抵抗が小さくなり、信号の波形の歪みや信号の伝達遅延などが抑えられ、表示品質が向上する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の表示装置によれば、第１層と、この第１層よりも融点の高い材料よりなる第２層とを直接接触させるようにしたので、交差部分の抵抗値を下げることができる。よって、分断配線の配線抵抗を小さくすることができ、信号の波形の歪みや信号の伝達遅延などを押さえ、表示品質を向上させることができる。また、本発明の表示装置の製造方法によれば、第１層と第２層とを連続して形成するようにしたので、上記本発明の表示装置を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスまたはプラスチックよりなる絶縁基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
【００１８】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。画素駆動回路１４０において、行方向にはゲート配線Ｘ１が複数配置され、列方向にはソース信号線Ｙ１が複数配置されている。各ゲート配線Ｘ１とソース信号線Ｙ１との交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各ソース信号線Ｙ１は、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０からソース信号線Ｙ１を介して後述する書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各ゲート配線Ｘ１は走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０からゲート配線Ｘ１を介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１９】
図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。
【００２０】
書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極はゲート配線Ｘ１に接続され、ソース電極はソース信号線Ｙ１に接続され、ドレイン電極は駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極およびキャパシタＣｓの一端に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、上下方向に延在する電流供給線Ｙ２に接続され、ドレイン電極は有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）に接続されている。キャパシタＣｓの他端は電流供給線Ｙ２に接続されている。
【００２１】
図３は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の一例を表したものである。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）の薄膜トランジスタであり、絶縁基板１１上に、ゲート電極１５１，ゲート絶縁膜１５２，半導体膜１５３，エッチングストップ層１５４，ｎ＋ａ−Ｓｉ層１５５，ソース／ドレイン電極１５６を順に有し、全面にパッシべーション膜１５７が形成されている。なお、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の構成はスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２２】
ゲート電極１５１は、例えば、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ）およびタンタル（Ｔａ）からなる高融点金属の群のうちの少なくとも１種を含む金属または合金により構成されている。
【００２３】
ゲート絶縁膜１５２は、例えば、ゲート電極１５１側から順に、厚みが１００ｎｍのＳｉＮｘ層１５２Ａと、厚みが２００ｎｍのＳｉＯｘ層１５２Ｂとを積層した構成を有している。ゲート絶縁膜１５２の厚みは、リーク電流、容量のバランスを考慮し、合計で５０ｎｍ〜７００ｎｍ程度であることが望ましい。
【００２４】
半導体膜１５３は、例えば、厚みが１０ｎｍ〜５０ｎｍであり、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射するアニール工程により結晶化させ、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）または微結晶シリコンとしたものである。このアニール工程は、駆動トランジスタＴｒ１または書き込みトランジスタＴｒ２の閾値シフトを軽減するために行うものである。すなわち、有機発光表示装置の薄膜トランジスタでは、ゲート電極に電圧が印加された状態が長く続くと閾値電圧がシフトしてしまうことが知られている。更に、有機発光表示装置の薄膜トランジスタは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを発光させている限り通電した状態を維持する必要があるので、閾値シフトが起きやすい。駆動トランジスタＴｒ１の閾値電圧がシフトすると、駆動トランジスタＴｒ１を流れる電流量が変動してしまい、結果として各画素を構成する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの輝度が変化してしまう。アニール工程により半導体膜１５３を結晶化させ、チャネル領域を多結晶シリコンまたは微結晶シリコンで構成することで、このような駆動トランジスタＴｒ１の閾値シフトを軽減することが可能である。
【００２５】
エッチングストップ層１５４は、例えば、厚みが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、具体的には２００ｎｍ程度であり、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＳｉＯＮにより構成されている。
【００２６】
ｎ＋ａ−Ｓｉ層１５５は、例えば、厚みが１０ｎｍ〜３００ｎｍ、具体的には１００ｎｍ程度である。
【００２７】
ソース／ドレイン電極１５６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層との積層構造を有している。
【００２８】
図４は図２に示した画素駆動回路１４０の平面構成を表したものであり、図５は図４のゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２とソース信号線Ｙ１とが交差する位置を表したものである。ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２は、左右方向に延在している。このゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２には、上下方向に延在するソース信号線Ｙ１が直交している。
【００２９】
ソース信号線Ｙ１は、ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と交差する位置で、交差部分１６０と主要部分１７０とに分けられた分断配線である。交差部分１６０は、例えばゲート電極１５１と同層に形成され、主要部分１７０は、ゲート絶縁膜１５２を間にしてソース／ドレイン電極１５６，ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と同層に形成されている。交差部分１６０と、主要部分１７０とは、ゲート絶縁膜１５２に設けられた導電性接続部１８０を介して電気的に接続されている。
【００３０】
図６は、交差部分１６０の断面構成を表したものである。交差部分１６０は、絶縁基板１１の側から順に、第１層１６１と、この第１層１６１よりも融点の高い材料よりなる第２層１６２とを有している。
【００３１】
第１層１６１は、低抵抗金属、例えば、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）および銀（Ａｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金により構成されている。第１層１６１の厚みは、必要抵抗に応じて厚くする必要があるが、耐熱性の観点から５０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であることが好ましい。また、第１層１６１は、単層構造でもよいし、２層以上の積層構造でもよい。
【００３２】
第２層１６２は、第１層１６１よりも融点の高い材料により構成されている。具体的には、第２層１６２の構成材料としては、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル（Ｎｉ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金が挙げられる。中でも、モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ）などのいわゆる高融点金属またはその合金が好ましい。また、第２層１６２は、酸化インジウムまたは酸化亜鉛などの化合物導電体により構成されていてもよい。第２層１６２の厚みは、第１層１６１の耐熱性が低くても問題が生じないような厚みであることが必要であり、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。また、第２層は、単層構造でもよいし、２層以上の積層構造でもよい。
【００３３】
第１層１６１および第２層１６２は、後述するように連続して形成されたものであり、表面自然酸化膜などが介在することなく、直接接触している。これにより、この表示装置では、ソース信号線Ｙ１の配線抵抗を小さくすることができ、表示品質を高めることができるようになっている。
【００３４】
交差部分１６０の上面および側面は、キャップ層１６４で被覆されている。これにより、第１層１６１の側面が露出せず、キャップ層１６４で覆うことができ、第１層１６１の耐熱性が低くてもアニールによるヒロック等の発生を抑え、ゲート絶縁膜１５２の耐圧性を向上させることができる。キャップ層１６４は、第１層１６１よりも融点の高い材料、例えば、モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ）およびニオブ（Ｎｂ）からなる高融点金属の群のうちの少なくとも１種を含む金属または合金により構成されている。
【００３５】
主要部分１７０は、ソース／ドレイン電極１５６と同様に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層との積層構造を有している。
【００３６】
このような交差部分１６０および主要部分１７０は、後述するように、半導体膜１５３をアニールするレーザ光ＬＢの照射領域Ｒ（図９参照。）を考慮して配置されており、交差部分１６０はレーザ光ＬＢの照射領域Ｒ外に形成されている。レーザ光ＬＢの照射は４００℃以上の熱処理であるので、低抵抗金属を主として構成されている第１層１６１は、高融点金属などよりなる第２層１６２で被覆されていたとしても、４００℃以上の高温において耐熱性や拡散に問題が生じるおそれがある。交差部分１６０をレーザ光ＬＢの照射領域Ｒ外に形成することにより、交差部分１６０がレーザ光ＬＢによる熱で損傷を受けるのを回避することができる。
【００３７】
図７は表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００３８】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化絶縁膜１２、陽極としての第１電極１３、電極間絶縁膜１４、後述する発光層を含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。
【００３９】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層３０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板２１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板２１には、必要に応じてカラーフィルタ２２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００４０】
駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。
【００４１】
平坦化絶縁膜１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機材料が挙げられる。
【００４２】
第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。また、第１電極１３は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。
【００４３】
電極間絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、ポリイミドなどの有機材料、または酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機絶縁材料により構成されている。電極間絶縁膜１４は、第１電極１３の発光領域に対応して開口部を有している。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域だけでなく電極間絶縁膜１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは電極間絶縁膜１４の開口部だけである。
【００４４】
有機層１５は、例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層（いずれも図示せず）を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。なお、有機層１５の構成材料は、一般的な低分子または高分子有機材料であればよく、特に限定されない。
【００４５】
第２電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、第２電極１７は、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。
【００４６】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４７】
図８および図９は、この表示装置の製造方法を説明するためのものである。この製造方法は、例えば、基板１１に上述した画素駆動回路１４０を形成する工程と、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程とを含んでいる。
【００４８】
（画素駆動回路１４０を形成する工程）
まず、図８（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１上に、例えばスパッタ法により、上述した厚みおよび材料よりなる第１層１６１および第２層１６２を、大気に触れることなく連続して成膜し、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形して、交差部分１６０を形成する。第１層１６１および第２層１６２を連続して形成することにより、第１層１６１の表面に、抵抗成分となる自然酸化膜などが生成されることがなく、第１層１６１と第２層１６２とが直接接触する。よって、交差部分１６０の抵抗値が小さくなり、ソース信号線Ｙ１の配線抵抗の低減が可能となる。
【００４９】
次いで、図８（Ｂ）に示したように、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなるキャップ層１６４を形成し、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形し、交差部分１６０の上面および側面をキャップ層１６４で被覆する。このとき、キャップ層１６４と同時に、ゲート電極１５１を、キャップ層１６４と同一材料で形成する。これにより、工程を簡素化することができる。
【００５０】
続いて、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）により、上述した厚みおよび材料よりなるゲート絶縁膜１５２および半導体膜１５３を形成する。
【００５１】
そののち、例えば固体レーザを用いて半導体膜１５３にレーザ光ＬＢを照射し（アニール）、半導体膜１５３を構成するａ−Ｓｉを結晶化する。このとき、図４に示したように、レーザ光ＬＢの長軸幅を画素サイズよりもやや狭くし、レーザ光ＬＢを短軸方向に走査しながら照射する。すなわち、レーザ光ＬＢの照射領域Ｒは、図９において斜線を付した領域となり、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２が形成される領域はレーザ光ＬＢの照射領域Ｒ内になるが、交差部分１６０は照射領域Ｒ外となる。よって、交差部分１６０を避けてレーザ光ＬＢを照射することができ、レーザ照射による４００℃以上の高温や熱に起因して第１層１６１が損傷を受けることを抑えると共に、良好なタクトで処理することができる。
【００５２】
なお、レーザ光ＬＢとして、画素サイズと同等の短軸幅をもつエキシマレーザ光を使用し、短軸方向への画素長ステップ移動とパルス照射とを繰り返すようにしてもよい。
【００５３】
半導体膜１５３にレーザ光ＬＢを照射したのち、結晶化した半導体膜１５３上に、上述した厚みおよび材料よりなるエッチングストップ層１５４を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形し、最終的にチャネル領域となる部分のみにエッチングストップ層１５４を残す。
【００５４】
エッチングストップ層１５４を形成したのち、エッチングストップ層１５４および結晶化された半導体膜１５３上に、例えばＣＶＤ法により、上述した厚みのｎ＋ａ−Ｓｉ層１５５を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。
【００５５】
ｎ＋ａ−Ｓｉ層１５５を形成したのち、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなるソース／ドレイン電極１５６を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。このとき、上述した材料よりなるゲート配線Ｘ１，電流供給線Ｙ２およびソース信号線Ｙ１の主要部分１７０を形成し、ソース／ドレイン電極１５６と接続する。また、ソース信号線Ｙ１の主要部分１７０を、ゲート絶縁膜１５２に設けた導電性接続部１８０を介して交差部分１６０に接続する。更に全体にパッシべーション膜１５７を形成する。以上により、図１ないし図６に示した画素駆動回路１４０が形成される。
【００５６】
（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する工程）
続いて、画素駆動回路１４０の上に、例えばスピンコート法により、例えば上述した材料を塗布、露光、現像することにより平坦化絶縁膜１２を形成する。
【００５７】
そののち、平坦化絶縁膜１２の上に、例えば直流スパッタリングにより、上述した材料よりなる第１電極１３を成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。続いて、例えばＣＶＤ法により上述した厚みおよび材料よりなる電極間絶縁膜１４を形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて開口部を形成する。そののち、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層１５および第２電極１６を順次成膜し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。続いて、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを、上述した材料よりなる保護膜１７で覆う。
【００５８】
そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成する。そののち、カラーフィルタが設けられ、上述した材料よりなる封止用基板２１を用意し、基板１１と封止用基板２１とを接着層３０を間にして貼り合わせる。以上により、図７に示した表示装置が完成する。
【００５９】
この表示装置では、第１電極１３と第２電極１６との間に所定の電圧が印加されると、有機層１５の発光層に電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより発光が起こる。この光は、第２電極１６，保護膜１７および封止用基板２１を透過して取り出される。ここでは、ソース信号線Ｙ１が交差部分１６０と主要部分１７０とに分かれた分断配線とされており、交差部分１６０において、低抵抗金属よりなる第１層１６１と、それより融点の高い材料よりなる第２層１６２とが直接接触しているので、交差部分１６０の抵抗値が小さくなる。よって、ソース信号線Ｙ１の配線抵抗が小さくなり、信号の波形の歪みや信号の伝達遅延などが抑えられ、表示品質が向上する。
【００６０】
このように本実施の形態の表示装置では、ソース信号線Ｙ１を、交差部分１６０と主要部分１７０とに分けた分断配線とし、交差部分１６０において、第１層１６１と、この第１層１６１よりも融点の高い材料よりなる第２層１６２とを直接接触させるようにしたので、交差部分１６０の抵抗値を下げることができる。よって、ソース信号線Ｙ１の配線抵抗を小さくすることができ、信号の波形の歪みや信号の伝達遅延などを押さえ、表示品質を向上させることができる。また、本実施の形態の表示装置の製造方法では、第１層１６１と第２層１６２とを連続して形成するようにしたので、本実施の形態の表示装置を容易に製造することができる。特に、駆動トランジスタＴｒ１の閾値シフトによる電流量の変化により発光性能に影響を受けやすい有機発光表示装置に好適である。
【００６１】
（第２の実施の形態）
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置のソース信号線Ｙ１の交差部分１６０の断面構成を表したものである。本実施の形態は、絶縁基板１１と第１層１６１との間に第３層１６３を設けて交差部分１６０を３層構造としたことを除いては第１の実施の形態と同様である。よって、対応する構成要件には同一の符号を付して説明する。
【００６２】
第３層１６３は、低抵抗金属よりなる第１層１６１の下面を覆うことにより、レーザ照射の熱による第１層１６１の損傷を確実に抑え、ゲート絶縁膜１５２の耐圧性を更に高めるためのものであり、第１層１６１よりも融点の高い材料により構成されている。具体的には、第３層１６３の構成材料としては、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル（Ｎｉ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群のうち少なくとも１種を含む金属あるいは合金が挙げられる。また、第３層１６３は、酸化インジウムまたは酸化亜鉛などの化合物導電体により構成されていてもよい。第３層１６３の厚みは、製造工程上第２層１６２，第１層１６１および第３層１６３を一度にエッチングすることが好ましく、また断面形状が順テーパとなることが望ましいので、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。また、第３層は、単層構造でもよいし、２層以上の積層構造でもよい。
【００６３】
なお、本実施の形態では、交差部分１６０を構成する第１層１６１〜第３層１６３のうち、少なくとも第１層１６１および第２層１６２が直接接触していればよい。ソース信号線Ｙ１の主要部分１７０はキャップ層１６４を介して第２層１６２と接続されており、第３層１６３は配線抵抗には直接関係ないからである。また、第３層１６３は、第１層１６１とは自然酸化膜を介して直接接触していないことが望ましい。第３層１６３は配線抵抗にはほとんど関係ない部分であり、抵抗に無関係の箇所はなるべく自然酸化膜を介して直接接触していないほうが望ましいからである。ただし、製造上は連続成膜処理するほうが工程が簡素化されるので、第３層１６３は、第１層１６１と連続して形成されることにより直接接触していてもよい。
【００６４】
この表示装置は、交差部分１６０を形成する際に、絶縁基板１１の側から順に、上述した厚みおよび材料よりなる第３層１６３と、第１層１６１と、第２層１６２とを形成することを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。その際、第３層１６３，第１層１６１および第２層１６２は、連続して形成するようにしてもよいし、第１層１６１および第２層１６２のみを連続して形成するようにしてもよい。
【００６５】
（第３の実施の形態）
図１１は、本発明を液晶表示装置に適用した場合の断面構成の一例を表したものである。本実施の形態は、表示素子を液晶表示素子により構成したことを除いては、上記第１および第２の実施の形態と全く同一であり、その作用および効果も同一である。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００６６】
液晶表示素子の構成は特に限定されないが、例えば、図１１に示したように、絶縁基板１１上に各画素ごとにＴＦＴが形成され、その上に平坦化絶縁膜４２およびＩＴＯ（Indium Tin Oxide；インジウムスズ酸化物）よりなる画素電極４３が形成されている。画素電極４３には、ガラス等よりなる対向基板４４上に形成されたＩＴＯよりなる共通電極４５が対向配置され、その間に液晶層４６が設けられている。基板１１および対向基板４４の各々には、偏光板４７が、それらの光学軸（図示せず）を直交させるように設けられている。なお、絶縁基板１１には、図示しないＴＦＴ，容量素子，配線等が設けられている。
【００６７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６８】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板５０および接着層４０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００６９】
（適用例１）
図１３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７０】
（適用例２）
図１４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７１】
（適用例３）
図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７２】
（適用例４）
図１６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７３】
（適用例５）
図１７は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【実施例】
【００７４】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００７５】
（実施例１）
上記第１の実施の形態と同様にして画素駆動回路１４０を形成した。まず、ガラスよりなる絶縁基板１１上に、スパッタ法により、厚みが３００ｎｍであり、Ａｌ−Ｎｄ合金よりなる第１層１６１と、厚みが５０ｎｍであり、モリブデン（Ｍｏ）よりなる第２層１６２とを、大気に触れることなく連続して成膜し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形して、交差部分１６０を形成した（図８（Ａ）参照。）。
【００７６】
次いで、スパッタ法により、モリブデン（Ｍｏ）よりなるキャップ層１６４を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形し、交差部分１６０の上面および側面をキャップ層１６４で被覆した。このとき、キャップ層１６４と同時に、ゲート電極１５１を、キャップ層１６４と同一材料で形成した（図８（Ｂ）参照。）。
【００７７】
続いて、プラズマＣＶＤにより、ゲート絶縁膜１５２および半導体膜１５３を形成した。ゲート絶縁膜１５２は、厚みが１００ｎｍのＳｉＮｘ層１５２Ａと、厚みが２００ｎｍのＳｉＯｘ層１５２Ｂとの積層構造とした。半導体膜１５３は、厚みを３０ｎｍとし、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）により構成した。
【００７８】
そののち、固体レーザを用いて半導体膜１５３にレーザ光ＬＢを照射し（アニール）、半導体膜１５３を構成するａ−Ｓｉを結晶化した。このとき、図４に示したように、レーザ光ＬＢの長軸幅を画素サイズよりもやや狭くして、レーザ光ＬＢを短軸方向に走査し、交差部分１６０を回避して、図９において斜線を付した領域に照射した。
【００７９】
半導体膜１５３にレーザ光ＬＢを照射したのち、結晶化した半導体膜１５３上に、厚みが２００ｎｍであり、ＳｉＮｘよりなるエッチングストップ層１５４を形成し、エッチングにより所定の形状に成形し、最終的にチャネル領域となる部分のみにエッチングストップ層１５４を残した。
【００８０】
エッチングストップ層１５４を形成したのち、エッチングストップ層１５４および結晶化された半導体膜１５３上に、ＣＶＤ法により、厚みが１００ｎｍのｎ＋ａ−Ｓｉ層１５５を形成し、エッチングにより所定の形状に成形した。
【００８１】
ｎ＋ａ−Ｓｉ層１５５を形成したのち、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層とを積層したソース／ドレイン電極１５６を形成し、エッチングにより所定の形状に成形した。このとき、同じくアルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層とを積層したゲート配線Ｘ１，電流供給線Ｙ２およびソース信号線Ｙ１の主要部分１７０を形成し、ソース／ドレイン電極１５６と接続した。また、ソース信号線Ｙ１の主要部分１７０を、ゲート絶縁膜１５２に設けた導電性接続部１８０を介して交差部分１６０に接続した。更に全体にパッシべーション膜１５７を形成した。以上により、図１ないし図６に示した画素駆動回路１４０が形成された。
【００８２】
（実施例２）
上記第２の実施の形態と同様に、交差部分１６０を３層構造としたことを除いては、上記実施例１と同様にして画素駆動回路１４０を形成した。その際、第３層１６３の厚みを５０ｎｍとし、モリブデン（Ｍｏ）により構成した。第１層１６１と第２層１６２とを、大気に触れることなく連続して成膜した。
【００８３】
（比較例１）
第１層を形成したのちに一度大気中に取り出し、数時間後に第２層を形成したことを除いては、上記実施例１と同様にして画素駆動回路を形成した。
【００８４】
（比較例２）
図１８に示したような、分断配線を用いない画素駆動回路を形成した。まず、絶縁基板８１１上に、ソース信号線Ｙ１の全体を形成した。ソース信号線Ｙ１の断面構成は、実施例１の交差部分１６１と同様に第１層と第２層との積層構造としたが、第１層と第２層とを連続して形成しなかった。具体的には、スパッタ法により、厚みが３００ｎｍであり、Ａｌ−Ｎｄ合金よりなる第１層８６１を形成したのちに一度大気中に取り出し、数時間後に、厚みが５０ｎｍであり、モリブデン（Ｍｏ）よりなる第２層８６２を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形した。
【００８５】
次いで、半導体膜にレーザ照射を行わなかったことを除いては、実施例１と同様にして駆動トランジスタＴｒ１等を形成した。ソース／ドレイン電極を形成する際に、アルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層とを積層したゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２を形成し、ソース／ドレイン電極と接続した。
【００８６】
（配線抵抗評価）
得られた実施例１，２および比較例１，２のソース信号線について、長さ３００ｍｍ、幅５μｍの両端より配線抵抗の測定を行った。測定位置である両端に、アルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層とを積層した引き出し部を形成し、この引き出し部に測定用の端子を接触させて測定した。その結果を表１に示す。
【００８７】
【表１】
2009103732.tif 000003
【００８８】
表１から分かるように、交差部分１６０の第１層１６１と第２層１６２とを連続して形成した実施例１，２では、配線抵抗は、第１層１６１の構成材料であるＡｌ−Ｎｄ合金の抵抗値となっていた。これに対して、第１層と第２層とを連続して形成しなかった比較例１では、配線抵抗は、第２層の構成材料であるモリブデン（Ｍｏ）の抵抗値となっていた。なお、比較例２では、第１層と第２層とを連続して成膜しなかったにもかかわらず、配線抵抗はＡｌ−Ｎｄ合金の抵抗値に抑えられた。これは、ソース信号線Ｙ１の全体を第１層と第２層との積層構造としたので、ピンホールなどにより第１層と第２層とが数箇所で接続され、表面酸化膜などの抵抗成分が問題にならなかったこと、および、レーザ照射を行わなかったので第１層が熱による損傷を受けなかったこと等によるものと考えられる。
【００８９】
すなわち、ソース信号線Ｙ１を、交差部分１６０と主要部分１７０とに分けた分断配線とし、交差部分１６０において、第１層１６１と、この第１層１６１よりも融点の高い材料よりなる第２層１６２とを連続して形成し、これらを直接接触させるようにすれば、交差部分１６０の抵抗値を下げて、ソース信号線Ｙ１における配線抵抗を小さくすることができることが分かった。
【００９０】
（耐圧評価）
実施例１，２および比較例２について、耐圧測定の評価を行った。絶縁基板１１の全面に、実施例１および比較例２については第１層および第２層、実施例２については第１層〜第３層を、３０μｍ×３５００μｍのパターンで形成し、それぞれのパターンをモリブデン（Ｍｏ）よりなるキャップ層で完全に被覆した。このパターン上に、厚み３００ｎｍのＳｉＮ層および厚み３００ｎｍのＳｉＯ2 層を積層した絶縁膜を間にして、アルミニウム（Ａｌ）層とチタン（Ｔｉ）層とを積層した対向電極を形成した。
【００９１】
得られた実施例１，２および比較例２のパターンと対向電極との間に電圧を印加し、流れる電流が１０−７Ａ以上となったパターンを故障として、累積故障率を算出した。その結果を図１９に示す。
【００９２】
図１９から分かるように、絶縁基板１１と第１層１６１との間に第３層１６３を設けて交差部分１６０を３層構造とした実施例２では、故障率が大幅に低減された。すなわち、絶縁基板１１と第１層１６１との間に、第１層よりも融点の高い材料よりなる第３層１６３を設けるようにすれば、耐圧性をより向上させることができることが分かった。
【００９３】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、ソース信号線Ｙ１を各画素ごとに分断する場合について説明したが、隣り合う２画素を線対称に設計し、各画素のうち結晶化の必要な領域を２画素分結合して、２画素同時にレーザ光ＬＢを照射するようにしてもよい。その場合も、交差部分１６０をレーザ光ＬＢの照射領域Ｒ外に設ければ、第１または第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９４】
また、例えば、上記実施の形態および実施例においては、ソース信号線Ｙ１の交差部分１６０のみを、第１層１６１および第２層１６２の２層構造、または第１層１６１ないし第３層１６３の３層構造とした場合について説明したが、交差部分１６０および主要部分１７０の両方を２層または３層構造としてもよい。
【００９５】
更に、例えば、上記実施の形態および実施例においては、ソース信号線Ｙ１を交差部分１６０および主要部分１７０に分けて分断配線とした場合について説明したが、ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２を分断配線としてもよい。
【００９６】
加えて、例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００９７】
更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂ，１０Ｇの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００９８】
加えてまた、本発明は、有機発光素子および液晶表示素子のほか、無機エレクトロルミネッセンス素子、またはエレクトロデポジション型もしくエレクトロクロミック型の表示素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図３】図２に示した駆動トランジスタおよび書き込みトランジスタの一例を表す断面図である。
【図４】図２に示した画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図５】図４におけるゲート配線および電流供給線とソース信号線との交差位置の構成を表す斜視図である。
【図６】図５に示した交差部分の構成を表す断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の構成を表す断面図である。
【図８】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置のソース信号線の交差部分の構成を表す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１２】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１３】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１４】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１７】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１８】比較例２のゲート配線および電流供給線とソース信号線との交差位置の構成を表す斜視図である。
【図１９】実施例の結果を表す図である。
【符号の説明】
【０１００】
１１…基板、１２…平坦化絶縁膜、１３…第１電極、１４…電極間絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…保護膜、２１…封止用基板、３０…接着層、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路、１５１…ゲート電極、１５２…ゲート絶縁膜、１５３…半導体膜、１５４…エッチングストップ層、１５５…ｎ＋ａ−Ｓｉ層、１５６…ソース／ドレイン電極、１６０…交差部分、１６１…第１層、１６２…第２層、１６３…第３層、１６４…キャップ層、１７０…主要部分、１８０…導電性接続部、Ｘ１…ゲート配線、Ｙ１…ソース信号線、Ｙ２…電流供給線
【図１】
2009103732.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2009103732.tif 000019
【図１７】
2009103732.tif 000020
【図１８】
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【図１９】
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