(57)【要約】【課題】温度検出素子や温度検出用配線が占有する面積が狭い場合でも、画素領域全体の温度を確実に監視することのできる電気光学装置を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００では、画素領域１０ｂの温度を検出するための温度検出素子として、金属膜からなる抵抗線１０５を利用している。このため、温度検出素子が占有する面積が狭くてよいとともに、抵抗線１０５を画素領域１０ｂの全周の１／２以上にわたって延在させても、他の配線などを設けるのに支障がない。また、抵抗線１０５を画素領域１０ｂの全周の１／２以上にわたって延在させているので、画素領域１０ｂの温度を正確に検出することができる。【選択図】図１
2009103780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成された素子基板を有する電気光学装置において、
前記素子基板には、前記画素領域の周りにおいて当該画素領域の全周の少なくとも１／２に沿って延在する温度検出用の抵抗線が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記抵抗線は、一方の端部から延びた後、当該一方の端部に向けて他方の端部が近接する方向に曲がっていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記抵抗線は、１本の配線が途中で折り返した平面形状を備えていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素領域は、矩形の平面形状をもって形成され、
前記抵抗線は、少なくとも前記画素領域の隣接する２辺に沿って延在していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記抵抗線は、前記画素領域の少なくとも３辺に沿って延在していることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記抵抗線は、前記画素トランジスタを構成する複数の導電層のいずれかと同一層であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記抵抗線は、金属膜からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記素子基板には、前記画素領域より外周側に駆動回路が形成され、
前記抵抗線は、前記画素領域と前記駆動回路とによって挟まれた領域で延在していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記画素領域から前記駆動回路に延びた信号線と、前記抵抗線とは、複数の絶縁膜により上下が挟まれた複数の層間のうち、異なる層間に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記画素領域から前記駆動回路に延びた信号線と、前記抵抗線とは、複数の絶縁膜で上下が挟まれた複数の層間のうちの同一の層間に形成され、
当該層間において、前記信号線と前記抵抗線との交差部分では前記信号線が途切れているとともに、当該層間と異なる層間には、前記信号線の途切れ部分同士を電気的に接続する中継用ブリッジ配線が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記素子基板は、当該素子基板に対して対向配置された対向基板との間に液晶層を保持していることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記素子基板において、前記画素電極上には有機エレクトロルミネッセンス素子用の機能層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬという）装置などといった電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として代表的なものとしては、液晶装置や有機ＥＬ装置などが挙げられ、かかる電気光学装置に用いられる素子基板では、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成されている。このような電気光学装置のうち、液晶装置では、温度が変化すると液晶の応答速度や光学特性などが変化し、有機ＥＬ装置では、温度が変化すると有機ＥＬ素子の発光特性が変化するので、電気光学装置で表示した画像の品位が低下する。
【０００３】
そこで、電気光学装置に温度センサを内蔵させ、温度センサでの検出結果に基づいて、駆動条件などを調節することが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載の構成では、画素領域と駆動回路とによって挟まれた領域に薄膜トランジスタを形成し、この薄膜トランジスタの抵抗値が温度によって変化することにより、電気光学装置の温度を監視するようになっている。
【０００５】
特許文献２に記載の構成では、矩形の平面形状をもつ画素領域の１辺に沿って延在する陰極線の抵抗変化を検出して、電気光学装置の温度を監視するようになっている。
【０００６】
特許文献３に記載の構成では、矩形の平面形状をもつ画素領域の相対向する２辺の各々に金属線を用いた抵抗素子を計４つ、互い点在させて電気光学装置の温度を監視するようになっている。
【特許文献１】特開平８−２９２６５号公報
【特許文献２】特開２００４−１９８５０３号公報
【特許文献３】特開２００７−２５６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の特許文献１〜３のいずれにおいても、電気光学装置の局所的な温度しか監視できないため、画素領域全体の温度を監視するという状況には程遠い。このため、温度センサの検出結果に基づいて駆動条件を変化させた際、無用な変化や逆方向への調整を行なってしまうという問題点がある。
【０００８】
かといって、特許文献１に記載の構成では、薄膜トランジスタをこれ以上、大型化するのは困難である。また、特許文献２に記載の構成では、陰極線を利用している限りにおいて、これ以上、広い領域から温度情報を得るのは困難である。さらに、特許文献３に記載の構成では、これ以上、抵抗素子を増やすと、抵抗素子から延びる配線が増えてしまい、配線領域を確保できないという問題点がある。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、温度検出素子や温度検出用配線が占有する面積が狭い場合でも、画素領域全体の温度を確実に監視することのできる電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明では、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成された素子基板を有する電気光学装置において、前記素子基板には、前記画素領域の周りにおいて当該画素領域の全周の少なくとも１／２に沿って延在する温度検出用の抵抗線が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、画素領域の温度を検出するための温度検出素子として抵抗線を利用しているため、温度検出素子が占有する面積が狭くてよい。また、温度検出素子として抵抗線を利用しているため、抵抗線自身が温度検出用配線の一部あるいは全部を兼ねているので、温度検出用配線が占有する面積が存在しないか、狭くてよい。従って、抵抗線を画素領域の全周の少なくとも１／２に沿って延在させても、他の配線などを設けるのに支障がない。また、抵抗線を画素領域の全周の少なくとも１／２に沿って延在させているので、画素領域の温度を正確に検出することができるので、画素領域の温度に対応させて駆動条件を適正に調節することができる。
【００１２】
本発明において、前記抵抗線は、一方の端部から延びた後、当該一方の端部に向けて他方の端部が近接する方向に曲がっていることが好ましい。抵抗線の場合には両端部から電流値や電圧値を検出するが、抵抗線を曲げて両端部が近接させた場合には、広い領域にわたって抵抗線を延在させた場合でも、抵抗線に対する端子などを狭い領域内に配置することができる。
【００１３】
例えば、前記抵抗線は、前記画素領域の周りで、１本の配線が途中で折り返した平面形状を備えていることが好ましい。このように構成すると、画素領域が抵抗線によって囲まれた状態を回避することができるので、抵抗線が画素領域の周りを囲んだ場合と違って、抵抗線から誘導磁力線が発生した場合でも、かかる誘導磁力線がノイズとして画素領域に侵入することを防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記画素領域は、矩形の平面形状をもって形成され、前記抵抗線は、少なくとも前記画素領域の隣接する２辺に沿って延在していることが好ましい。このように構成すると、画素領域全体の温度を監視した場合と同様な監視結果を得ることができるので、画素領域の温度に正確に対応させて、駆動条件を適正に調節することができる。
【００１５】
本発明において、前記抵抗線は、前記画素領域の少なくとも３辺に沿って延在していることが好ましい。このように構成すると、画素領域全体の温度を監視した場合と同等の監視結果を得ることができるので、画素領域の温度に正確に対応させて、駆動条件を適正に調節することができる。
【００１６】
本発明において、前記抵抗線は、前記画素トランジスタを構成する複数の導電層のいずれかと同一層であることが好ましい。このように構成すると、製造工程を追加することなく、抵抗線を形成することができる。
【００１７】
本発明において、前記抵抗線は、金属膜からなることが好ましい。このように構成すると、抵抗線を半導体膜で形成した場合よりも正確に温度を検出することができる。すなわち、半導体膜の場合には、照度によって抵抗値が変化するおそれがあるが、金属膜の場合には、かかる変化がほとんどないので、照度にかかわらず、画素領域の温度を正確に監視することができる。
【００１８】
本発明において、前記素子基板には、前記画素領域より外周側に駆動回路が形成され、前記抵抗線は、前記画素領域と前記駆動回路とによって挟まれた領域で延在していることが好ましい。このように構成すると、抵抗線を画素領域の近傍で延在させることができるので、駆動回路より外側で抵抗線を延在させた場合と比較して、画素領域の温度を正確に監視することができる。
【００１９】
本発明において、前記画素領域から前記駆動回路に延びた信号線と、前記抵抗線とは、複数の絶縁膜により上下が挟まれた複数の層間のうち、異なる層間に形成されていることが好ましい。このように構成すると、前記画素領域から前記駆動回路に延びた信号線に交差するように抵抗線を延在させることができ、画素領域の周りで抵抗線を延在するのが容易である。
【００２０】
本発明において、前記画素領域から前記駆動回路に延びた信号線と、前記抵抗線とは、複数の絶縁膜で上下が挟まれた複数の層間のうちの同一の層間に形成され、当該層間において、前記信号線と前記抵抗線との交差部分では前記信号線が途切れているとともに、当該層間と異なる層間には、前記信号線の途切れ部分同士を電気的に接続する中継用ブリッジ配線が形成されていることが好ましい。このように構成すると、前記画素領域から前記駆動回路に延びた信号線に交差する方向に抵抗線を延在させることができ、画素領域の周りで抵抗線を延在するのが容易である。
【００２１】
本発明を適用した電気光学装置が液晶装置である場合、前記素子基板は、当該素子基板に対して対向配置された対向基板との間に液晶層を保持している構成となる。
【００２２】
本発明を適用した電気光学装置が有機ＥＬ装置である場合、前記素子基板において、前記画素電極上には有機ＥＬ素子用の機能層が形成されている構成となる。
【００２３】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。また、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）は、投射型表示装置のライトバルブとして用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、薄膜トランジスタでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００２５】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２６】
図１に示すように、本形態の電気光学装置１００は液晶装置であり、矩形の平面形状を有する画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、および画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０ａ（画素トランジスタ）が形成されている。データ線駆動回路１０１から延びたデータ線６ａは、薄膜トランジスタ３０ａのソースに電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１は、データ線６ａに画像信号を線順次で供給する。走査線駆動回路１０４から延びた走査線３ａは、薄膜トランジスタ３０ａのゲートに電気的に接続されており、走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに走査信号を線順次で供給する。画素電極９ａは、薄膜トランジスタ３０ａのドレインに電気的に接続されており、電気光学装置１００では、薄膜トランジスタ３０ａを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画像信号を各画素１００ａの液晶容量５０ａに所定のタイミングで書き込む。液晶容量５０ａに書き込まれた所定レベルの画像信号は、素子基板１０に形成された画素電極９ａと、後述する対向基板の共通電極との間で一定期間保持される。画素電極９ａと共通電極との間には保持容量６０が形成されており、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置１００が実現される。本形態では、保持容量６０を構成するにあたって、走査線３ａと並行するように容量線３ｂが形成されているが、前段の走査線３ａとの間に保持容量６０が形成される場合もある。また、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ（Fring Field Switching））モードの液晶装置の場合、共通電極は、画素電極９ａと同様、素子基板１０上に形成される。
【００２７】
図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置である。素子基板１０の上には、シール材１０７が矩形枠状に設けられており、シール材１０７によって対向基板２０と素子基板１０とが貼り合わされている。対向基板２０とシール材１０７とは略同一の輪郭を備えており、シール材１０７で囲まれた領域内に液晶５０が保持されている。液晶５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。なお、シール材１０７の角部分には素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続を行なうための導通材１０９が配置されている。
【００２８】
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域（画素領域１０ｂの外側領域）には、データ線駆動回路１０１、およびＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２には、外部回路との電気的な接続を行なうフレキシブル配線基板（図示せず）が接続される。また、素子基板１０において、シール材１０７の外側領域（画素領域１０ｂの外側領域）には、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０３が設けられている。さらに、対向基板２０に形成された遮光膜からなる額縁２８の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が設けられることもある。
【００２９】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁２８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。対向基板２０では、素子基板１０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成されている。
【００３０】
このように構成した電気光学装置１００において、画像表示領域１０ａは、図１を参照して説明した画素領域１０ｂと重なる領域であるが、画素領域１０ｂの外周に沿って、表示に直接寄与しないダミーの画素が形成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミーの画素を除いた領域によって画像表示領域１０ａが構成される。
【００３１】
（画素の詳細な構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。なお、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であり、図３（ａ）では、画素電極９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
【００３２】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが画素１００ａ毎に形成され、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ、および走査線３ａが形成されている。また、素子基板１０において、走査線３ａと並列して容量線３ｂが形成されている。
【００３３】
図３（ｂ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板１０ｄからなり、対向基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板２０ｄからなる。素子基板１０には、支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａと対応する領域に薄膜トランジスタ３０ａが形成されている。薄膜トランジスタ３０ａは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなるゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。半導体層１ａは、素子基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜、あるいは単結晶シリコン層である。図３（ｂ）には、ゲート絶縁層２が半導体層１ａの表面に熱酸化により形成されたものとして表されているが、ゲート絶縁層２はＣＶＤ法などにより形成される場合もある。
【００３４】
薄膜トランジスタ３０ａの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁層７１、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁層７２、および厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる層間絶縁膜７３（平坦化膜）が形成されている。層間絶縁層７１の表面（層間絶縁膜７１、７２の層間）にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁層７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁層７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００３５】
層間絶縁層７３の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁層７２、７３に形成されたコンタクトホール７３ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１６が形成されている。また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁層２と同時形成された絶縁層（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、保持容量６０が構成されている。
【００３６】
本形態において、走査線３ａおよび容量線３ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。また、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。なお、図１および図２（ａ）、（ｂ）に示す端子１０２は、層間絶縁膜７１、７２、７３に形成したコンタクトホール、あるいは層間絶縁膜７２、７３に形成したコンタクトホールを介して、走査線３ａやデータ線６ａと同時形成された配線に電気的に接続されたＩＴＯ膜からなる。
【００３７】
対向基板２０では、遮光膜２３の上層側にＩＴＯ膜からなる共通電極２１が形成され、その表面に配向膜２２が形成されている。ここで、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合、対向基板２０には、複数の画素１００ａの各々にカラーフィルタ（図示せず）が形成される。
【００３８】
このように構成した素子基板１０と対向基板２０とは、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように配置され、かつ、これらの基板間には、前記のシール材１０７（図２（ａ）、（ｂ）参照）により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶５０が封入されている。液晶５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６、２２により所定の配向状態をとる。
【００３９】
（温度補償のための構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置において温度監視結果に基づいて駆動条件を補正するための回路構成を示すブロック図である。図５は、抵抗線として金属膜および半導体膜を用いた場合の温度−抵抗との関係を示すグラフである。図６は、本形態の電気光学装置において抵抗線として用いた金属膜の構成を示す断面図である。
【００４０】
再び図１において、素子基板１０において、画素領域１０ｂの周りには、画素領域１０ｂの温度を検出する温度検出素子としての抵抗線１０５が形成されており、本形態において、抵抗線１０５は、画素領域の周りにおいて画素領域１０ｂの全周の少なくとも１／２に沿って延在している。より具体的には、抵抗線１０５は、矩形の平面形状をもつ画素領域１０ｂの４辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙ、１０ｚのうち、隣接する３辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙに沿って延在しており、その両端部は、データ線駆動回路１０１の両側を通って、画素領域１０ｂの辺１０ｚに対してデータ線駆動回路１０１を挟んで並列する複数の端子１０２のうち、２つの端子１０２に各々接続されている。このため、抵抗線１０５は、一方の端部から画素領域１０ｂの辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙに沿って曲がりながら延在した後、他方の端部が一方の端部に近接するように曲がった平面形状を有している。
【００４１】
また、本形態において、素子基板１０には、画素領域１０ｂより外周側にデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されており、抵抗線１０５において、画素領域１０ｂの辺１０ｗ、１０ｙに沿って延在する部分は、画素領域１０と走査線駆動回路１０４とによって挟まれた領域内で延在している。ここで、抵抗線１０５は、画素領域１０と走査線駆動回路１０４とによって挟まれた領域であれば、図２（ａ）に示すように、額縁２８と重なる領域で延在している構成の他、額縁２８とシール材１０７とによって挟まれた領域と重なる領域で延在している構成、シール材１０７と重なる領域で延在している構成、シール材１０７より外側領域で延在している構成を採用することができる。なお、走査線駆動回路１０４がシール材１０７と重なる領域に形成されている場合があるが、かかる構成の場合にも、抵抗線１０５は、画素領域１０と走査線駆動回路１０４とによって挟まれた領域で延在するように形成される。
【００４２】
このように構成した抵抗線１０５は、後述するように、温度変化に伴って抵抗値が変化するため、抵抗線１０５が接続されている端子１０２を介して定電圧が印加されるとともに、電流値が計測され、その結果に基づいて、抵抗線１０５の抵抗値変化が検出される結果、画素領域１０ｂの温度が監視される。あるいは、抵抗線１０５は、端子１０２を介して定電流が通電されるとともに、両端の電圧値が計測され、その結果に基づいて、抵抗線１０５の抵抗値変化が検出される結果、画素領域１０ｂの温度が監視される。かかる画素領域１０ｂの温度監視結果は、図４に示す構成の回路により、駆動条件の補正に用いられ、温度補償が行なわれる。
【００４３】
図４に示す回路において、信号源１０８は、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が画像信号および走査信号を出力するためのデータ信号およびクロック信号を出力する。ここで、データ信号は、信号源１０８から出力された後、駆動電圧補正回路１０６を介してデータ線駆動回路１０１に入力されるようになっている。また、駆動電圧補正回路１０６には、温度検出用の抵抗線１０５（温度検出素子）と電気的に接続されており、駆動電圧補正回路１０６は、抵抗線１０５での抵抗変化に基づいて、データ信号の増幅レベルを調節する。すなわち、液晶５０の印加電圧−透過率曲線の傾きは、温度が低い場合には小さくなり、温度が高い場合には急峻になることから、画素領域１０ｂの温度に応じてデータ信号を補正し、適正な階調表示を行なわせる。例えば、温度が低い場合には、液晶５０への印加電圧を高め、温度が高い場合には、液晶５０への印加電圧を低める。
【００４４】
かかる抵抗線１０５は、金属膜および半導体膜を線状にパターニングすることにより形成される。ここで、抵抗線１０５が金属膜である場合、図５に実線Ｌ１で示すように、温度が高くなるほど、抵抗が増大する一方、抵抗線１０５が半導体膜からなる場合、図５に点線Ｌ２で示すように、温度が高くなるほど、抵抗が低下する。かかる抵抗線１０５は、薄膜トランジスタ３０ａを構成する導電膜（金属膜および半導体膜）を同時形成することができ、本形態では、薄膜トランジスタ３０ａを構成する金属膜と抵抗線１０５とを同時形成する。
【００４５】
すなわち、本形態では、図６（ａ）に示すように、データ線６ａと同時形成された金属膜によって、抵抗線１０５を形成してあり、抵抗線１０５は、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。このため、抵抗線１０５は、層間絶縁膜７１、７２の層間に形成されている。ここで、抵抗線１０５は、画素領域１０ｂと走査線駆動回路１０４とによって挟まれた領域に形成されていることから、抵抗線１０５と、走査線３ａおよび容量線３ｂとは交差するが、走査線３ａおよび容量線３ｂは下地絶縁層１２と層間絶縁膜７１との層間に形成されているため、抵抗線１０５と、走査線３ａおよび容量線３ｂとは異なる層間に形成されている。従って、抵抗線１０５と、走査線３ａおよび容量線３ｂとが短絡することはない。なお、抵抗線１０５が接続された端子１０２は、層間絶縁膜７３の表面に形成されたＩＴＯ膜からなるため、層間絶縁膜７２、７３に形成されたコンタクトホール７３ｂを介して抵抗線１０５に電気的に接続している。
【００４６】
抵抗線１０５は、走査線３ａと同時形成された金属膜によって形成することができ、この場合も、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。この場合、抵抗線１０５、走査線３ａおよび容量線３ｂはいずれも、下地絶縁層１２と層間絶縁膜７１との層間に形成されることになる。このような場合には、図６（ｂ）に示すように、抵抗線１０５と、走査線３ａおよび容量線３ｂとの交差部分では、走査線３ａおよび容量線３ｂに途切れ部分を形成するとともに、層間絶縁膜７１、７２の層間に中継用ブリッジ配線６ｄをデータ線６ａと同時形成する。かかる中継用ブリッジ配線６ｄは、コンタクトホール７１ｃ、７１ｄを介して走査線３ａおよび容量線３ｂの端部に電気的に接続しているので、走査線３ａおよび容量線３ｂに途切れ部分を設けても支障がない。
【００４７】
かかる中継用ブリッジ配線を用いた構成は、例えば、データ線６ａと同時形成された金属膜によって抵抗線１０５を形成した場合において、データ線６ａと抵抗線１０５とが交差する場合に適用することもできる。
【００４８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、画素領域１０ｂの温度を検出するための温度検出素子として抵抗線１０５を利用しているため、温度検出素子が占有する面積が狭くてよい。また、温度検出素子として抵抗線１０５を利用しているため、抵抗線１０５自身が温度検出用配線の全部を兼ねているので、温度検出用配線が占有する面積が存在しない。従って、抵抗線１０５を画素領域１０ｂの全周の１／２以上にわたって延在させても、他の配線などを設けるのに支障がない。また、抵抗線１０５を画素領域１０ｂの全周の１／２以上にわたって延在させているので、画素領域１０ｂの温度を正確に検出することができる。それ故、画素領域１０ｂの温度に正確に対応させて、各画素１００ａに対する駆動条件を適正に調節することができる。
【００４９】
しかも、抵抗線１０５を画素領域１０ｂと走査線駆動回路１０４とによって挟まれた領域で延在させたので、抵抗線１０５が画素領域１０ｂの近傍で位置する。このため、画素領域１０ｂの温度を正確に監視することができる。
【００５０】
また、抵抗線１０５は、一方の端部から延びた後、一方の端部に向けて他方の端部が近接する方向に曲がっているため、素子基板１０の辺に沿って配置された端子１０２に電気的に接続することができる。それ故、広い領域にわたって抵抗線１０５を延在させた場合でも、端子１０２を狭い領域内に配置することができる。
【００５１】
さらに、薄膜トランジスタ３０ａを構成する複数の導電層のいずれかと同一層で抵抗線１０５を形成したので、製造工程を追加する必要がない。
【００５２】
さらにまた、抵抗線１０５については金属膜および半導体膜で形成することができるが、本形態では、金属膜で形成したので、正確に温度を検出することができる。すなわち、半導体膜の場合には、照度によって抵抗値が変化するおそれがあるが、金属線の場合には、かかる変化がほとんどないので、照度にかかわらず、画素領域１０ｂの温度を正確に監視することができる。
【００５３】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。図８は抵抗線に起因するノイズの説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分について同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５４】
図７に示す電気光学装置１００も、実施の形態１と同様、液晶装置であり、矩形の平面形状を有する画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。
【００５５】
本形態において、素子基板１０において、画素領域１０ｂの周りには、画素領域１０ｂの温度を検出する温度検出素子としての抵抗線１０５が形成されている。本形態において、抵抗線１０５は、画素領域の周りにおいて画素領域１０ｂの全周の少なくとも１／２に沿って延在している。より具体的には、抵抗線１０５は、矩形の平面形状をもつ画素領域１０ｂの４辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙ、１０ｚのうち、隣接する３辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙに沿って延在しており、その両端部は、画素領域１０ｂの辺１０ｚに対してデータ線駆動回路１０１を挟んで並列する複数の端子１０２のうち、隣合う２つの端子１０２に接続されている。すなわち、抵抗線１０５は、一方の端部から画素領域１０ｂの辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙに沿って曲がりながら延在した後、画素領域１０ｂの辺１０ｙ、１０ｚがなす角部分で折り返し、他方の端部が一方の端部に隣接するように、画素領域１０ｂの辺１０ｙ、１０ｘ、１０ｗに沿って曲がりながら延在している。
【００５６】
また、素子基板１０には、画素領域１０より外周側にデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されており、抵抗線１０５において、画素領域１０ｂの辺１０ｗ、１０ｙに沿って延在する部分は、画素領域１０と走査線駆動回路１０４とによって挟まれた領域内で延在している。
【００５７】
このように構成した抵抗線１０５の他の構成は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略するが、本形態でも、抵抗線１０５を画素領域１０ｂの全周の１／２以上にわたって延在させているので、画素領域１０ｂの温度を正確に検出することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５８】
また、本形態では、抵抗線１０５が画素領域１０ｂを囲んでいないため、図８に示すように、抵抗線１０５に電流が流れた際に抵抗線１０５から誘導磁力線が発生した場合でも、かかる誘導磁力線がノイズとして画素領域１０ｂに侵入することがない。
【００５９】
［実施の形態３］
以下、本発明を有機ＥＬ装置に適用した例を説明する。なお、以下の説明では、実施の形態１、２との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。
【００６０】
（全体構成）
図９は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）の電気的構成を示すブロック図である。図１０（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００６１】
図９に示す電気光学装置１００は、有機ＥＬ装置であり、素子基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して並列して延在する複数の電源線３ｅとを有している。また、素子基板１０において、矩形形状の画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。画素領域１０ｂの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃと、この薄膜トランジスタ３０ｃを介して電源線３ｅに電気的に接続したときに電源線３ｅから駆動電流が流れ込む画素電極９ａ（陽極層）と、この画素電極９ａと陰極層との間に有機機能層が挟まれた有機ＥＬ素子８０を構成している。
【００６２】
かかる構成によれば、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線３ｅから画素電極９ａに電流が流れ、さらに有機機能層を介して対極層に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００６３】
なお、図９に示す構成では、電源線３ｅは走査線３ａと並列していたが、電源線３ｅがデータ線６ａに並列している構成を採用してもよい。また、図９に示す構成では、電源線３ｅを利用して保持容量７０を構成していたが、電源線３ｅとは別に容量線を形成し、かかる容量線によって保持容量７０を構成してもよい。
【００６４】
図１０（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０と封止基板９０とがシール材１０７によって貼り合わされており、素子基板１０と封止基板９０との間には乾燥剤（図示せず）が収納されている。素子基板１０において、シール材１０７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、およびＩＴＯ膜からなる端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０３が設けられている。詳しくは後述するが、素子基板１０には、画素電極（陽極）、有機機能層および陰極がこの順に積層された有機ＥＬ素子８０がマトリクス状に形成されている。なお、封止基板９０を用いずに、素子基板１０を封止樹脂で覆った構造を採用することもある。
【００６５】
（画素の詳細な構成）
図１１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。なお、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ′線における断面図であり、図１１（ａ）では、画素電極９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
【００６６】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（長い点線で囲まれた領域）が画素１００ａ毎に形成され、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、および走査線３ａ（実線で示す領域）が形成されている。また、素子基板１０において、走査線３ａと並列して電源線３ｅが形成されている。
【００６７】
図１１（ｂ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板１０ｄからなる。素子基板１０では、支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａに対応する領域に薄膜トランジスタ３０ｃが形成されている。薄膜トランジスタ３０ｃは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側にはゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極３ｆが形成されている。かかるゲート電極３ｆは、薄膜トランジスタ３０ｂのドレインに電気的に接続されている。なお、薄膜トランジスタ３０ｂの基本的な構成は、薄膜トランジスタ３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００６８】
薄膜トランジスタ３０ｃの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁層７１、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁層７２、および厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる層間絶縁膜７３（平坦化膜）が形成されている。層間絶縁層７１の表面（層間絶縁膜７１、７２の層間）にはソース電極６ｇおよびドレイン電極６ｈが形成され、ソース電極６ｇは、層間絶縁層７１に形成されたコンタクトホール７１ｇを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｈは、層間絶縁層７１に形成されたコンタクトホール７１ｈを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。
【００６９】
層間絶縁層７３の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁層７２、７３に形成されたコンタクトホール７３ｇを介してドレイン電極６ｈに電気的に接続している。
【００７０】
また、画素電極９ａの上層には、発光領域を規定するための開口部を備えたシリコン酸化膜などからなる隔壁層５ａ、および感光性樹脂などからなる厚い隔壁層５ｂが形成されている。隔壁層５ａおよび隔壁層５ｂで囲まれた領域内において、画素電極９ａの上層には、３、４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などからなる正孔注入層８１、および発光層８２からなる有機機能層が形成され、発光層８２の上層には陰極層８５が形成されている。このようにして、画素電極９ａ、正孔注入層８１、発光層８２および陰極層８５によって、有機ＥＬ素子８０が構成されている。発光層８２は、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９、１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料から構成される。また、発光層８２としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる組成物も使用可能である。本形態において、有機機能層は、インクジェット法などの塗布法により形成される。なお、塗布法としては、フレキソ印刷法、スピンコート法、スリットコート法、ダイコート法などが採用される場合もある。また、有機機能層については、蒸着法などにより形成される場合もある。さらに、発光層８２と陰極層８５との層間にはＬｉＦなどからなる電子注入層が形成されることもある。
【００７１】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、支持基板１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、陰極層８５は、薄いアルミニウム膜や、マグネシウムやリチウムなどの薄い膜をつけて仕事関数を調整したＩＴＯ膜などといった透光性電極として形成され、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板の他、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどの金属板に表面酸化などの絶縁処理を施したもの、樹脂基板などが挙げられる。これに対して、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、支持基板１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。
【００７２】
（温度補償のための構成）
再び図９において、本形態でも、素子基板１０において、画素領域１０ｂの周りには、画素領域１０ｂの温度を検出する温度検出素子としての抵抗線１０５が形成されており、本形態において、抵抗線１０５は、画素領域の周りにおいて画素領域１０ｂの全周の少なくとも１／２に沿って延在している。より具体的には、抵抗線１０５は、矩形の平面形状をもつ画素領域１０ｂの４辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙ、１０ｚのうち、隣接する３辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙに沿って延在しており、その両端部は、データ線駆動回路１０１の両側を通って２つの端子１０２の各々接続されている。このため、抵抗線１０５は、一方の端部から画素領域１０ｂの辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙに沿って曲がりながら延在した後、他方の端部が一方の端部に近接するように曲がった平面形状になっている。また、素子基板１０には、画素領域１０より外周側にデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されており、抵抗線１０５において、画素領域１０ｂの辺１０ｗ、１０ｙに沿って延在する部分は、画素領域１０ｂと走査線駆動回路１０４とによって挟まれた領域内で延在している。
【００７３】
このように構成した抵抗線１０５は、温度変化に伴って抵抗値が変化するため、実施の形態１と同様、抵抗線１０５を介して画素領域１０ｂの温度が監視され、かかる温度監視結果は、図４を参照して説明した回路などにより、各画素１００ａに対する駆動条件の補正に用いられる。すなわち、有機ＥＬ素子８０の印加電流−輝度曲線の傾きは温度によって変化するので、画素領域１０ｂの温度に応じてデータ信号を補正し、適正な階調表示を行なわせる。
【００７４】
かかる抵抗線１０５を構成するにあたっては、本形態でも、実施の形態１と同様、金属膜および半導体膜を線状にパターニングすることにより形成でき、本形態では、データ線６ａやソース電極６ｇと同時形成された金属膜、あるいは走査線３ａと同時形成された金属膜によって、抵抗線１０５が形成されている。このため、抵抗線１０５は、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。
【００７５】
このように構成した場合も、抵抗線１０５を画素領域１０ｂの全周の１／２以上にわたって延在させているので、画素領域１０ｂの温度を正確に検出することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７６】
［実施の形態４］
図１２は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態３と同様であるため、共通する部分について同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７７】
図１２に示す電気光学装置１００も、実施の形態３と同様、有機ＥＬ装置であり、矩形の平面形状を有する画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。
【００７８】
本形態において、素子基板１０において、画素領域１０ｂの周りには、画素領域１０ｂの温度を検出する温度検出素子としての抵抗線１０５が形成されている。本形態において、抵抗線１０５は、画素領域の周りにおいて画素領域１０ｂの全周の少なくとも１／２に沿って延在している。より具体的には、抵抗線１０５は、矩形の平面形状をもつ画素領域１０ｂの４辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙ、１０ｚのうち、隣接する３辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙに沿って延在しており、その両端部は、画素領域１０ｂの辺１０ｚに対してデータ線駆動回路１０１を挟んで並列する複数の端子１０２のうち、隣合う２つの端子１０２に接続されている。すなわち、抵抗線１０５は、一方の端部から画素領域１０ｂの辺１０ｗ、１０ｘ、１０ｙに沿って曲がりながら延在した後、画素領域１０ｂの辺１０ｙ、１０ｚがなす角部分で折り返し、他方の端部が一方の端部に隣接するように、画素領域１０ｂの辺１０ｙ、１０ｘ、１０ｗに沿って曲がりながら延在している。
【００７９】
また、素子基板１０には、画素領域１０ｂより外周側にデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されており、抵抗線１０５において、画素領域１０ｂの辺１０ｗ、１０ｙに沿って延在する部分は、画素領域１０ｂと走査線駆動回路１０４とによって挟まれた領域内で延在している。
【００８０】
このように構成した抵抗線１０５の他の構成は実施の形態３と同様であるため、説明を省略するが、本形態でも、抵抗線１０５を画素領域１０ｂの全周の１／２以上にわたって延在させているので、画素領域１０ｂの温度を正確に検出することができるなど、実施の形態３と同様な効果を奏する。
【００８１】
また、本形態では、抵抗線１０５が画素領域１０ｂを囲んでいないため、図８を参照して説明したように、抵抗線１０５に電流が流れた際に抵抗線１０から誘導磁力線が発生した場合でも、かかる誘導磁力線がノイズとして画素領域１０ｂに侵入することがない。
【００８２】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、金属膜によって抵抗線１０５を形成したが、薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体層と同時形成された半導体膜を導電化することによって、抵抗線１０５を形成してもよい。また、データ線や走査線が導電性ポリシリコン層で形成される場合、かかる導電性ポリシリコン層と抵抗線１０５とを同時形成してもよい。
【００８３】
上記実施の形態では、端子１０２とデータ線駆動回路１０１とが素子基板１０の同一の辺に沿って形成されていたが、素子基板１０において相対向する２つの辺の各々に沿うように、端子１０２およびデータ線駆動回路１０１が構成されている場合に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、抵抗線１０５と端子１０２とを電気的に接続し、外部回路において駆動条件の補正を行なったが、回路方式によっては、抵抗線１０５をデータ線駆動回路１０１の内部に向けて引き回してもよい。
【００８４】
さらに、上記実施の形態では、素子基板１０上にデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されていたが、かかる駆動回路が素子基板１０上に形成されていない電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８５】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１３（ａ）に、電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１３（ｂ）に、電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１３（ｃ）に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【００８６】
なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１３に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置において温度監視結果に基づいて駆動条件を補正するための回路構成を示すブロック図である。
【図５】抵抗線として金属膜および半導体膜を用いた場合の温度−抵抗との関係を示すグラフである。
【図６】本発明を適用した電気光学装置において抵抗線として用いた金属膜の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図８】抵抗線に起因するノイズの説明図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図１３】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００８８】
３ａ・・走査線、６ａ・・データ線、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ｂ・・画素領域、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・薄膜トランジスタ（画素トランジスタ）、５０・・液晶、８０・・有機ＥＬ素子、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１００ｂ・・画素領域、１０５・・抵抗線
【図１】
2009103780.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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