(57)【要約】【課題】ディスクリートトラック型の磁気記録媒体の製造において、磁性層を分離する溝内において非磁性層の隙間や膜抜けといった層の不良発生を低減する。【解決手段】基板上に磁性層と非磁性層を互いに分離してなる磁気記録層を成膜してなる磁気記録媒体の製造方法であり、基板上に非磁性層を成膜する第１の工程と、第１の工程で成膜した非磁性層に溝を形成する第２の工程と、第２の工程で非磁性層に形成した溝内に磁性層を埋め込む第３の工程とを備える。基板上で磁気記録層を構成する磁性層は、非磁性層によって互いに分離されたパターンによって形成される。  本発明は、磁性層を非磁性層によって分離する構成の磁気記録媒体において、前工程で基板上に非磁性層を成膜し、この非磁性層に溝を形成し、後工程において、形成した溝内に磁性層を埋め込むという順序とすることによって、非磁性層の隙間や膜抜けといった不良層の発生を低減する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁性層と非磁性層を互いに分離してなる磁気記録層を成膜してなる磁気記録媒体の製造方法において、
基板上に非磁性層を成膜する第１の工程と、
前記非磁性層に溝を形成する第２の工程と、
前記溝内に磁性層を埋め込む第３の工程とを備え、
前記非磁性層と前記磁性層とは基板上に磁気記録層を形成することを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記第３の工程の後、前記磁性層を平坦化して当該磁性層と前記非磁性層とを同一平面で露出させる第４の工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、非磁性基板上に軟磁性層もしくは反強磁性層の下地層を成膜してなることを特徴とする、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記溝を形成する第１の工程は、基板上にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）又は炭素系材料を成膜して非磁性層を形成することを特徴とする、請求項１から３の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記溝を形成する第２の工程は、
前記非磁性層にマスクを用いて前記磁性層を埋め込むための溝を形成することを特徴とする、請求項１から４の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記溝を形成する第２の工程は、
凹凸部を有するスタンパによって基板上に成膜した前記非磁性層を押圧し、当該押圧によって前記凹凸部を前記非磁性層に転写し、前記磁性層を埋め込むための溝を形成することを特徴とする、請求項１から４の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程の非磁性層の成膜および前記第３の工程の磁性層の埋め込みを、ＣＶＤ法あるいはＰＶＤ法によって行うことを特徴とする請求項１から６の何れか一つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記軟磁性層もしくは反強磁性層の下地層の成膜をＣＶＤ法あるいはＰＶＤ法により行うことを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、特にディスクリートトラック型の磁気記録媒体やビットパターン型の磁気記録媒体等の溝を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高い記録密度が得られる磁気記録媒体としてＤＴＭ（Discrete Track Media：ディスクリートトラック媒体）と呼ばれる磁気記録媒体が提案されている。この磁気記録媒体は、記録トラック同士を互いに分離し、記録ヘッドからの磁界が隣接する記録トラックにおよぼすサイドフリンジと呼ばれる影響を防止することで、記録密度の向上を図るものである。
【０００３】
磁気記録媒体のトラックを磁気的に分離する方式として、基板上に形成した磁性層をパターニングして溝を形成し、この溝内に非磁性層を埋め込んだ後、表面を切削して平坦化する磁性層切削方式、基板上に形成した磁性層にパターンを形成し、イオンの打ち込みによって磁性層の一部を非磁性化するイオン打ち込み方式、基板上をパターニングして溝を形成し、磁性層を形成する基板切削方式等が提案されている（非特許文献１参照）。
【０００４】
磁性層切削方式による磁気記録媒体の形成では、非磁性基板上に磁気記録層を互いに分離させるようにパターン化して形成し、この磁気記録層のパターン間に非磁性体を埋め込んで平坦化する。この磁気記録層のパターン間に非磁性体を埋め込んで行う平坦化することで、磁気記録媒体上で磁気ヘッドを浮上させる際の安定性を図っている（特許文献１、２、３参照）。
【０００５】
図６、図７は従来のディスクリートトラック型の磁気記録媒体の製造手順を説明するためのフローチャートおよび手順を説明するための説明図である。
【０００６】
図７（ａ）に示すように、ガラス基板等の非磁性の基板１１０上に磁性層１２２を積層し（図７（ａ））（S11）、磁性層１２２上の金属マスク１３０等のマスク層を形成し（図７（ｂ））（S12）、このマスク層のパターンを用いて磁性層１２２をエッチングして溝１２３を形成する（図７（ｃ））。溝１２３は磁性層１２２を互いに分離する。この磁性層１２２の分離パターンは、マスク層のパターンによって形成される(S13)。
【０００７】
磁性層１２２と磁気ヘッドとの浮上安定性を確保するために、溝１２３内に非磁性材を埋め込んで非磁性層１２１を形成し（図７（ｄ））(S14)、余剰の非磁性材を除去して平坦化して磁性層１２２の表面を露出させる。互いに分離された磁性層１２２と非磁性層１２１は、磁気記録層１２０を形成する（図７（ｅ））（S15）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−３３１５７８号公報
【特許文献２】特開２００７−２５００９１号公報
【特許文献３】特開２００６−７９８０５号公報
【非特許文献１】NIKKEI ELECTRONICS 2007.11.19 P89-P94
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体では、基板上にはじめに磁性層を形成し、次に、この磁性層に形成した溝内に非磁性体を埋め込むことによって、互いに分離したパターンの磁性層を形成している。
【００１０】
本願の発明者は、従来の磁性層切削方式による磁気記録媒体の形成では、磁性層に溝を形成する工程において、磁性層にダメージが生じるおそれがあるという課題があり、また、磁性層に形成した溝内に非磁性体を埋め込む工程において、溝内への非磁性体の埋め込みが不十分となるおそれがあるという課題があることを見出した。なお、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体の製造する際に、上記のような、磁性層に対するダメージ、および、非磁性体の埋め込みの不十分さといった課題があることは、発明者が知る限りでは知られていない。
【００１１】
図８は上記課題を説明するための図である。図８（ａ）は、磁性層に溝を形成する工程における磁性層に対するダメージを説明するための図である。図８（ａ）は、基板１１０上に積層した磁性層１２２上にレジスト１４０を設け、このレジスト１４０に形成したパターンによって磁性層１２２に溝１２３を形成する状態を模式的に示している。
【００１２】
一般に、レジスト１４０を用いて磁性層１２２をエッチングすると、レジスト１４０の膜厚は磁性層１２２の膜厚よりも大きいため、レジスト１４０の最下層付近にある磁性層１２２では、十分に安定した状態でエッチングを行うことが難しくなる。そのため、磁性層１２２の側壁部１２２ａの面は、エッチングによってダメージを受け凹凸形状となるおそれがある。この磁性層１２２の側壁部１２２ａの面が凹凸形状となると、磁気記録層１２０の磁気特性を均一化することが難しくなるという問題が生じる。
【００１３】
図８（ｂ）は、磁性層に形成した溝内に非磁性体を埋め込む工程において、溝内への非磁性体を埋め込み状態を説明するための図である。図８（ｂ）は、磁性層１２２に形成した溝１２３内に非磁性層１２１を埋め込んだ状態を模式的に示している。
【００１４】
通常、基板１１０は磁性層１２２との接着性を向上させるために、ＳＵＬ層（ソフトアンダーレイヤ層）１１２と呼ばれる軟磁性下地層を設け、このＳＵＬ層１１２上に磁性層１２２を成膜することで層間の親和力を高めている。このような層構成においてエッチングによって溝を形成すると、ＳＵＬ層１１２も削られて凹凸面が形成される。
【００１５】
したがって、磁性層１２２に溝１２３を形成した状態では、溝底部に相当するＳＵＬ層１１２の上面、および、溝側部に相当する磁性層１２２の側壁部１２２ａの面には凹凸が形成されることになる。
【００１６】
また、一般に、非磁性層と磁性層との接着性は不良であり、また、磁性層の分離パターンでは、アスペクト比を高めるために磁性層の幅を非磁性層の幅よりも大きく設定している。
【００１７】
上記したように、従来のはじめに磁性層を形成し、磁性層に形成した溝内に非磁性層を埋め込むという工程では、磁性層１２２の溝１２３内の側壁面が平滑ではなく凹凸形状となるという形状上の特徴点、および、非磁性層１２１を埋め込む溝１２３の溝幅が狭いという形状上の特徴点があり、また、溝１２３内に埋め込む非磁性層１２１との基板１１０側との接着性が低いという特徴点がある。これらの特徴点は磁性層１２２を埋め込む際には不利な条件となる。
【００１８】
このような特徴点があるため、溝１２３内に埋め込んだ非磁性層１２１には、基板１１０のＳＵＬ層１１２との境界面や磁性層１２２との境界面に隙間（ボイド）１２１ａが発生したり、非磁性層１２２が形成されない膜抜けといった不良が発生するおそれがある。
【００１９】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体の製造において、磁性層を分離する溝内において非磁性層の隙間や膜抜けといった層の不良発生を低減することを目的とする。
【００２０】
また、より詳細には、磁性層を非磁性層によって分離する構成の磁気記録媒体において、磁性層と非磁性層とが平滑な側壁面で隣接することを目的とする。
【００２１】
また、磁性層を非磁性層によって分離する構成の磁気記録媒体において、基板と、この基板上に形成する磁性層および非磁性層との接着性を向上させることを目的とする。
【００２２】
また、磁性層を非磁性層によって分離する構成の磁気記録媒体において、基板上の層に溝を形成し、この溝内に他の層を埋め込む際に、埋め込み層と基板との接着性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明は、磁性層を非磁性層によって分離する構成の磁気記録媒体において、基板上に磁性層を成膜し、この磁性層に溝を形成し、この溝内に非磁性層を埋め込むという順序に代えて、はじめの工程で基板上に非磁性層を成膜し、この非磁性層に溝を形成し、後の工程において、形成した溝内に磁性層を埋め込むという順序とすることによって、非磁性層の隙間や膜抜けといった不良層の発生を低減することができる。
【００２４】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板上に磁性層と非磁性層を互いに分離してなる磁気記録層を成膜してなる磁気記録媒体の製造方法であり、基板上に非磁性層を成膜する第１の工程と、第１の工程で成膜した非磁性層に溝を形成する第２の工程と、第２の工程で非磁性層に形成した溝内に磁性層を埋め込む第３の工程とを備える。この第１〜第３の工程によって、基板上で磁気記録層を構成する磁性層は、非磁性層によって互いに分離されたパターンによって形成される。
【００２５】
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、従来のように磁性層に溝を形成する工程と異なり、第１の工程で形成した非磁性層に、第２の工程において非磁性層に溝を形成するため、磁性層の側壁面にダメージを与えることなく溝を形成することができる。
【００２６】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、第１の工程において、基板と非磁性層との接着性を向上させることができる。
【００２７】
これは、基板側の下地層（軟磁性層または反強磁性層）と第１の工程で成膜する非磁性層との接着性は良好ではないが、第１の工程では非磁性層は基板の全表面に成膜されるため、基板側の下地層と非磁性層との接着面積を広くとることができるためである。このように、接着面積を広くすることによって、基板と非磁性層との接着性を向上させることができる。
【００２８】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、第３の工程において、溝内に埋め込む磁性層と基板側の下地層とは接着性を向上させることができる。
【００２９】
これは、溝内に埋め込む磁性層と基板側の下地層とは接着性が良好であるため、溝内の溝幅が狭いことによって基板と埋め込みを行う磁性層との接着面積が小さい場合であっても良好な接着性を得ることができるためである。このように、溝内に充填する材料を磁性材とすることによって、基板と溝内の磁性層との接着性を向上させることができる。
【００３０】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、第２、３の工程において、磁性層と非磁性層とを平滑な側壁面で隣接させることができる。
【００３１】
これは、第２の工程において、非磁性層に溝の形成することによって磁性層へのダメージを防ぐことができるからである。
【００３２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、第３の工程によって磁性層を非磁性層によって分離した構成の磁気記録層を形成した後、磁性層を平坦化し、磁性層と非磁性層とを同一平面で露出させる第４の工程を含む。
【００３３】
この第４の工程によって磁気記録層の最表面は平坦化され、磁気記録層と所定間隔を保持して浮上する磁気ヘッドの浮上性を向上させることができる。
【００３４】
本発明の磁気記録媒体の製造方法において、ガラス基板等の非磁性基板上に軟磁性層または反強磁性層の下地層を成膜することによって基板を形成することができる。この下地層を設けることで、磁気記録層の磁気特性を安定化させることができる。また、狭い溝内に磁性材を埋め込んで磁性層を形成する際に、埋め込む磁性層と基板との接着性を向上させることができる。
【００３５】
また、溝底面に相当する下地層と磁性層との親和力が高いため、溝幅がナノオーダーの寸法であっても、良好な接着性を得ることができるため、磁性層を埋め込む溝幅の設計の自由度を高めることができる。
【００３６】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法では、磁性層を後工程で成膜することによって溝幅の広い部分に膜生成が可能となる。これによって、ＤＴＭ等の磁気記録媒体において、パターンが形成される同一平面上で、磁性層の幅を非磁性層の幅よりも大きくとることができ、磁性部分の非磁性部分に対するアスペクト比を高め、磁気記録における磁気特性を向上させることができる。
【００３７】
本発明の磁気記録媒体の製造方法において、溝を形成する第１の工程の一形態は、基板上にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）又は炭素系材料を成膜し、マスクを用いてパターニングすることで非磁性層に磁性層を埋め込むための溝を形成する。
【００３８】
パターニングを行う非磁性層としてＤＬＣ又は炭素系材料を用いることによって、エッチングの際にＯ２ラジカルなどによるアッシングを利用することができ、排ガス処理を要する塩素系あるいはフッ素系のエッチングガスの使用を避けることができる。
【００３９】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法において、溝を形成する第２の工程の他の形態は、凹凸部を有するスタンパによって基板上に成膜した前記非磁性層を押圧し、押圧によって凹凸部を非磁性層に転写し、磁性層を埋め込むための溝を形成する
【００４０】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、第１の工程の非磁性層の成膜、第３の磁性層の埋め込み、軟磁性層または反強磁性層の下地層の成膜をＣＶＤ法やＰＶＤ法によって行うことができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体の製造において、磁性層を分離する溝内において非磁性層の隙間や膜抜けといった不良層の発生を低減することができる。
【００４２】
また、本発明によれば、磁性層を非磁性層によって分離する構成の磁気記録媒体において、磁性層と非磁性層とを平滑な側壁面で隣接させることができる。
【００４３】
また、本発明によれば、磁性層を非磁性層によって分離する構成の磁気記録媒体において、基板と、この基板上に形成する磁性層および非磁性層との接着性を向上させることができる。
【００４４】
また、本発明によれば、磁性層を非磁性層によって分離する構成の磁気記録媒体において、基板上の層に溝を形成し、この溝内に他の層を埋め込む際に、埋め込む層と基板との接着性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００４６】
図１は、本発明の磁気記録媒体１の実施形態の断面図である。磁気記録媒体１は、磁性層２２を非磁性層２１によって互いに分離した磁気記録層２０を形成している。分離した磁性層２２を形成した磁気記録層２０は、同心円状の記録トラックを分離してなるディスクリートトラック型の磁気記録媒体（ＤＴＭ）に適用する他、プリアンブル部、アドレス部、バースト部等を含むサーボ領域やデータ領域のパターンを含む記録トラックを分離してなるディスクリートトラック型パターンド媒体（ＤＴＲ）に適用することができる。
【００４７】
磁気記録媒体１は、基板１０と当該基板１０上に形成された磁気記録層２０とを備える。基板１０は、ガラス基板等の非磁性基板１１上に、ＳＵＬ（ソフトアンダーレイヤ）層１２と呼ばれる軟磁性の下地層、および中間層１２が形成されて成る。
【００４８】
磁気記録層２０は磁性層２２と非磁性層２１とを含み、磁性層２２は非磁性層２１に形成された溝２３内に磁性体を埋め込むことで形成される。
【００４９】
また、磁気記録層２０の上部には、金属層、カーボン保護膜を形成し、カーボン保護膜上に潤滑剤を塗布することができる。図１では、上記金属層、カーボン保護膜、および潤滑剤は図示していない。
【００５０】
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法について、図２〜図５を用いて説明する。なお、図２は本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明するためのフローチャートであり、図３は本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明するための説明図であり、図４，５は本発明の磁気記録媒体の製造方法において、非磁性層に磁性層を埋め込むための溝の形成を説明するための説明図である。図４はマスクを用いたエッチングにより溝を形成する例を示し、図５はスタンパによる凹凸部の転写により溝を形成する例を示している。
【００５１】
図２（ａ）に示すように、基板１０は、非磁性基板１１上に、スパッタリングによって軟磁性のＳＵＬ層１２および中間層１３の下地層を成膜して形成される。垂直磁気記録では、下地層として、反強磁性（軟磁性）の裏打ち層、結晶を制御する中間層を配置するとともに、磁気記録層として垂直異方性を有する磁性層を用いる。
【００５２】
基板１０上に非磁性層２１を、例えばスパッタリングによって成膜する。非磁性層２１は、例えばＳｉＯ２やＣ等を用いることができる(S1)。
【００５３】
次に、図２（ｂ）に示すように、非磁性層２１上にパターン化したマスク３０を形成する。非磁性層２１は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）や炭素系材料を用いることができる。このマスクは、非磁性層２１に磁性層２２の分離したパターンの生成のための溝を形成するためであり、非磁性層２１にマスクを用いてエッチングして溝を形成する他、スタンパを押圧して凹凸形状を転写することによって溝を形成することができる。このマスク形成については、図４、図５を用いて後述する(S2)。
【００５４】
次に、図３（ｃ）に示すように、Ａｒイオンミリングにより、金属マスク３０をパターンとして非磁性層２１をエッチングし、磁性層２２を分離するパターンを形成する。これによって、非磁性層２１には、磁性層２２を形成するための溝２３が形成される。溝２３を形成した後、例えばスパッタリング等でマスクを除去し、非磁性層２１の上面を露出させる(S3)。
【００５５】
次に、図３（ｄ）に示すように、磁性体を成膜して、非磁性層２１に形成した溝２３に磁性体を埋め込む。この成膜によって、磁性体は溝２３内を埋めるとともに、非磁性層２１の上面も覆う（S4）。
【００５６】
次に、図３（ｅ）に示すように、Ａｒイオンミリングにより、磁気記録層２０の表面を露出させるように余剰の磁性体を除去して表面を平坦化する。この平坦化によって、磁性層２２とともに非磁性層２１の上面も露出させ、同一平面を形成する。
【００５７】
さらに、図示していないが、非磁性層２１によって互い分離された磁性層２２を含む磁気記録層２０の上側に金属層を堆積する。金属層には、たとえば磁気記録層２０に含まれる磁性層のうち最上層の磁性層と同じ組成の磁性材料を用いることができる。このように最上層の磁性層と同じ組成の磁性金属材料を用いることで金属層を再度形成し、平坦化で削られた厚み分を補うことができ、これによって、平坦かにより生じる可能性のある磁気特性劣化を抑制することができる。なお、金属層は、最上層の磁性層と異なる組成の磁性金属材料を用いてもよく、この場合であっても同様に磁気特性劣化を抑制することができる。
【００５８】
さらに、金属層上にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）からなるカーボン保護膜を成膜し、さらに潤滑剤を塗布して磁気記録媒体１を製造する。
【００５９】
ここで、カーボン保護膜の形成では、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）またはＩＢＤ（Ion Beam Deposition）などの成膜法を用いることができる。これらの成膜法によって良質のカーボン保護膜を得るには、基板バイアス電圧を印加する。また、カーボン保護膜の成膜時に基板バイアス電圧を印加するための基板の導通性を確保するためには、金属膜として例えばＣｒ、Ｔｉなどの非磁性金属材料を用いてもよい。
【００６０】
次に、図４を用いて、非磁性層に磁性層を埋め込むための溝の形成として、マスクを用いたエッチングによる一例を説明する。
【００６１】
図４（ａ）において、ガラス基板の非磁性基板１１上に、例えばＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性の下地層１２、例えばＲｕからなる中間層１３、ＤＬＣや炭素系材料からなる非磁性層２１を成膜し、非磁性層２１上に、レジスト４０として例えばスピンオングラス（ＳＯＧ）をスピンコーティングする。
【００６２】
図４（ｂ）に示すように、所望のパターンを有するマスクを用いた露光・現像を行うことによって、レジスト４０にパターンを形成する。
【００６３】
図４（ｃ），（ｄ）において、レジスト４０を用いて金属マスク３０をエッチングすることによって、スタンパ５０の凸部およびレジスト４０の凹部に対応する金属マスク３０は除去され、レジスト４０の凸部の下の金属マスク３０のパターンが残される。これにより金属マスク３０にパターンが転写される。金属マスク３０のパターンは、ディスクリートトラック（またはディスクリートビット）などの非磁性層のパターンとして用いられ、金属マスク３０が除かれた部分のパターンは、ディスクリートトラック（またはディスクリートビット）などの磁性層のパターンとして用いられる。
【００６４】
次に、図５を用いて、非磁性層に磁性層を埋め込むための溝の形成として、スタンパによる凹凸部の転写による一例を説明する。
【００６５】
図５（ａ）において、ガラス基板の非磁性基板１１上に、例えばＣｏＺｒＮｂからなる反強磁性（軟磁性）の下地層１２、例えばＲｕからなる中間層１３、ＤＬＣや炭素系材料からなる非磁性層２１を成膜し、非磁性層２１上に、レジスト４０として例えばスピンオングラス（ＳＯＧ）をスピンコーティングする。
【００６６】
図５（ｂ）に示すように、このレジスト４０に対向するようにスタンパ５０を配置する。スタンパ５０には磁性層のパターンに対応して凹部パターンが形成されている。このスタンパ５０を用いてインプリントを行い、熱又は紫外線を加えることでレジスト４０にパターンを転写する。このインプリントによる転写により、スタンパ５０の凹部に対応して図５（ｃ）中のレジスト４０の凸部が形成され、スタンパ５０の凸部に対応して図５（ｃ）中のレジスト４０の凹部が形成される。なお、図５（ｃ）ではレジスト４０の凹部は示していない。
【００６７】
なお、パターン化されたレジスト４０の凹部の底に残っているレジスト残渣は、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置でエッチングを行って除去することができる。
【００６８】
図５（ｄ），（ｅ）において、レジスト４０を用いて金属マスク３０をエッチングすることによって、スタンパ５０の凸部およびレジスト４０の凹部に対応する金属マスク３０は除去され、レジスト４０の凸部の下の金属マスク３０のパターンが残される。これにより金属マスク３０にパターンが転写される。金属マスク３０のパターンは、ディスクリートトラック（またはディスクリートビット）などの非磁性層のパターンとして用いられ、金属マスク３０が除かれた部分のパターンは、ディスクリートトラック（またはディスクリートビット）などの磁性層のパターンとして用いられる。
【００６９】
以下、本発明の実施形態に適用することができる各材料の一例について説明する。なお、以下に示す材料例は、特許文献２で知られるものである。
【００７０】
基板１０の非磁性基板１１としては、例えばガラス基板の他に、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板などを用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラスおよび結晶化ガラスが用いられる。アモルファスガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスが挙げられる。
【００７１】
結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスが挙げられる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが挙げられる。基板としては、上述した金属基板や非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。
【００７２】
なお、基板上への薄膜の形成方法としてスパッタリング法の他、真空蒸着法や電解メッキ法などを用いてもよい。
【００７３】
下地層である軟磁性のＳＵＬ層は、垂直磁磁気記録層を磁化するために、磁気ヘッドを含み磁路を形成し、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる作用を有する。
【００７４】
ＳＵＬ層には、Ｆｅ、ＮｉまたはＣｏを含む材料を用いることができる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどを挙げることができる。
【００７５】
ＳＵＬ層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、ＴｉおよびＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることもできる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂおよびＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。
【００７６】
ＳＵＬ層の下に、ＳＵＬ層の結晶性の向上または基板との密着性の向上のために、さらに下地層を設けてもよい。この下地層の材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、これらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。
【００７７】
ＳＵＬ層と記録層との間に、非磁性体からなる中間層１２を設けてもよい。中間層１２は、記録層の結晶性を制御する。また、ＳＵＬ層と記録層との交換結合相互作用を遮断する作用を有する。材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、これらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。
【００７８】
なお、下地層としては、反強磁性層を用いることもできる。
【００７９】
磁性層は、例えばＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を用いることができ、Ｃｏを主成分とし、少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含む材料を用いることが好ましく、垂直磁気記録層は、必要に応じて、Ｃｒを含んでいてもよく、酸化物としては、特に酸化シリコン、酸化チタンが好適であることが知られている。
【００８０】
また、保護層は、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的で設けられる。保護層の材料としては、たとえばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが挙げられる。
【００８１】
通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、ｓｐ２結合炭素とｓｐ３結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。ｓｐ３結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれ、耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護層として利用されている。ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によるＤＬＣの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってＤＬＣを生成させるため、条件を合わせることで、よりｓｐ３結合炭素に富んだＤＬＣを形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、ディスクリートトラック型の磁気記録媒体や、ビットパターン型の磁気記録媒体の製造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の磁気記録媒体１の実施形態の断面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体の製造方法において、マスクを用いたエッチングによる溝の形成を説明するための説明図である。
【図５】本発明の磁気記録媒体の製造方法において、スタンパによる凹凸部の転写による溝の形成を説明するための説明図である。
【図６】従来のディスクリートトラック型の磁気記録媒体の製造手順を説明するためのフローチャートである。
【図７】従来のディスクリートトラック型の磁気記録媒体の製造手順を説明するための説明図である。
【図８】本発明の課題を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８４】
１…磁気記録媒体、１０…基板、１１…非磁性基板、１２…ＳＵＬ層、１３…中間層、２０…磁気記録層、２１…非磁性層、２２…磁性層、２３…溝、３０…マスク、４０…レジスト、５０…スタンパ、１１０…基板、１１１…非磁性基板、１１２…ＳＵＬ層、１２０…磁気記録層、１２１…非磁性層、１２１ａ…ボイド、１２２…磁性層、１２２ａ…側壁部、１２３…溝。
【図２】
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【図６】
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【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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