(57)【要約】【課題】Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の厚さに圧延（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法を提供する。【解決手段】Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度を３８０℃〜５２０℃の範囲内に調節しながら、Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回、圧延工程を行う。圧延パス（圧延ローラ１０・１０間の距離）は、１回の圧延工程における、「｛（圧延前の厚さ−圧延後の厚さ）／圧延前の厚さ｝×１００」で表される圧下率が２％以上、９％以下の範囲内になるように設定することが好ましい。或る圧延工程と次の圧延工程との間に、Ｃｕ−Ｇａ合金板を再加熱する再加熱工程や、Ｃｕ−Ｇａ合金板の反りを除去する反り除去工程を行ってもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度を３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内に調節しながら、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回、圧延工程を行うことを含むことを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法。
【請求項２】
１回の圧延工程における、「｛（圧延前の厚さ−圧延後の厚さ）／圧延前の厚さ｝×１００」で表される圧下率（％）が、２％以上、９％以下の範囲内になるように圧延パスが設定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
或る圧延工程と次の圧延工程との間に、Ｃｕ−Ｇａ合金板を再加熱する再加熱工程が行われることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
或る圧延工程と次の圧延工程との間に、Ｃｕ−Ｇａ合金板の反りを除去する反り除去工程が行われることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
Ｃｕ−Ｇａ合金中のＧａの組成比が、１０モル％以上、２５モル％以下であることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
得られるＣｕ−Ｇａ合金板の用途が、スパッタリングターゲットであることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
Ｃｕ−Ｇａ合金板が、溶解鋳造によって製造されたものであることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｃｕ−Ｇａ合金の圧延方法に関するものであり、より詳しくは、例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金板であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の厚さに圧延（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、金属板の圧延は、当該金属板を加熱した後、１，２回の圧延工程を行うことによって行われている。具体的には、例えば、特許文献１には、アルミニウム合金板を温度が４５０〜５００℃の範囲内となるように加熱した後、熱間圧延を開始し、温度が３１０℃以上のときに熱間圧延を終了し、次いで、焼き鈍し処理を行うこと無く、冷間圧延を行う方法が開示されている。つまり、一般的な圧延加工では、金属板の温度を一定の範囲内となるように制御しておらず、また、加熱した後、１，２回の圧延工程を行うだけであるので、圧延工程１回当たりの圧下率（圧延率と同義）が大きい。
【０００３】
一方、従来、アルミニウム系スパッタリングターゲットは、例えば３００ｍｍ×４００ｍｍ×１０００ｍｍの大きさに溶解鋳造された直方体形状の合金（インゴット）を、旋盤や丸鋸を用いて幾つかに切断し、切断された合金片（スラブ）を圧延、切削することにより製造している。より具体的には、合金板（スラブ）を熱処理炉に入れて均質化処理を施した後、一対の圧延ローラを備えた圧延機を用いて当該合金板を１，２回圧延して圧延板に加工し、次いでホットプレス機を用いて当該圧延板の反りを除去した後、さらに当該圧延板を熱処理炉に入れて熱処理（焼き鈍し処理・歪み取り処理）を施すことにより、目的物であるスパッタリングターゲットを製造している。
【０００４】
そして、近年、薄膜型太陽電池を構成する光吸収層の薄膜形成用スパッタリングターゲットとして、Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金が使用されている。
【０００５】
ところが、Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金は、延性や展性が乏しく、硬度が高くて割れ易い（脆い）。このため、例えば直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金板に一般的な圧延加工を施すと、加工後の当該Ｃｕ−Ｇａ合金板にヒビが入ったり、割れたり欠けたりする。このような不都合が生じたＣｕ−Ｇａ合金板を製品化するには、例えばヒビが入った部分等を切削して除去しなければならない。しかしながら、この切削によって発生した切削クズには切削時に不純物が混入するため、当該切削クズを再利用することができない。それゆえ、Ｃｕ−Ｇａ合金の製品の歩留りが悪くなる。
【０００６】
また、溶解鋳造によるスパッタリングターゲット用のＣｕ−Ｇａ合金の製造方法も提案されている（例えば、特許文献２）が、この方法では、所望するＣｕ−Ｇａ合金の大きさに合わせたモールドをその都度用意しなければならないので、生産性が極めて低い。さらに、この方法で得られたＣｕ−Ｇａ合金においても、一般的な圧延加工を施すと、加工後の当該Ｃｕ−Ｇａ合金にヒビが入ったり、割れたり欠けたりする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−７７３１０（２００６年３月２３日公開）
【特許文献２】特開２０００−７３１６３（２０００年３月７日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般的な溶解鋳造によって製造されたＣｕ−Ｇａ合金をスパッタリングターゲットとして用いる場合には、当該Ｃｕ−Ｇａ合金に圧延加工を施す必要が生じるが、従来の加工方法では加工後の当該Ｃｕ−Ｇａ合金にヒビが入ったり、割れたり欠けたりする。従って、Ｃｕ−Ｇａ合金を製品化するには、例えばヒビが入った部分等を切削して除去しなければならないので、再利用できない多量の切削クズが発生してＣｕ−Ｇａ合金の製品の歩留りが悪くなるという問題点を有している。
【０００９】
それゆえ、溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金板であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の厚さに圧延（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法が望まれている。
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金板であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の厚さに圧延（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法は、上記の課題を解決するために、Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度を３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内に調節しながら、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回、圧延工程を行うことを含む。
【００１２】
圧延工程は、Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度を一定の範囲内となるように調節しながら、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回行われる。従って、上記の方法によれば、Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金板であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の厚さに圧延（加工）することができる。また、Ｃｕ−Ｇａ合金板にヒビが入ったり、割れたり欠けたりしないので、従来は必要であった切削工程が不要となる。従って、再利用できない多量の切削クズが発生することが無いので、Ｃｕ−Ｇａ合金の製品の歩留りが良好となる。従って、Ｃｕ−Ｇａ合金の製品の生産性を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法においては、１回の圧延工程における、「｛（圧延前の厚さ−圧延後の厚さ）／圧延前の厚さ｝×１００」で表される圧下率（％）が、２％以上、９％以下の範囲内になるように圧延パスが設定されることがより好ましい。さらに、本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法においては、或る圧延工程と次の圧延工程との間に、Ｃｕ−Ｇａ合金板を再加熱する再加熱工程が行われることがより好ましい。本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法においては、或る圧延工程と次の圧延工程との間に、Ｃｕ−Ｇａ合金板の反りを除去する反り除去工程が行われることがより好ましい。本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法においては、Ｃｕ−Ｇａ合金中のＧａの組成比が、１０モル％以上、２５モル％以下であることがより好ましい。本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法においては、得られる圧延板であるＣｕ−Ｇａ合金の用途が、スパッタリングターゲットであることがより好ましい。本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法においては、Ｃｕ−Ｇａ合金板が、溶解鋳造によって製造されたものであることがより好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法は、Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度を３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内に調節しながら、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回、圧延工程を行う方法である。
【００１５】
これにより、Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の厚さに圧延（加工）することができるＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る圧延方法の手順の一例を示すものであり、概略の工程を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法の好適な実施形態の一例について、以下に説明する。先ず、本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法の圧延対象物であるＣｕ−Ｇａ合金板について説明する。
【００１８】
＜Ｃｕ−Ｇａ合金＞
本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の圧延方法の圧延対象物であるＣｕ−Ｇａ合金板は、溶解鋳造によって製造されていることが好ましい。溶解鋳造によって製造することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金中のＧａが偏析し難いので、得られる圧延板であるＣｕ−Ｇａ合金をスパッタリングターゲットとしてスパッタリングに用いたときに得られる薄膜の性能を維持することができる。尚、溶解鋳造の具体的な方法は、一般的な方法を採用することができ、特に限定されるものではない。また、Ｃｕ−Ｇａ合金の用途は、スパッタリングターゲットに限定されるものではない。
【００１９】
Ｃｕ−Ｇａ合金中のＧａの組成比は、任意の値とすればよいが、１０モル％以上、２５モル％以下であることが好ましい。係る組成比であれば、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板を、薄膜型太陽電池を構成する光吸収層の薄膜形成用スパッタリングターゲット等として使用することができる。尚、本発明においては、「モル％」を「atomic％」と同義として扱うこととする。
【００２０】
また、Ｃｕ−Ｇａ合金中のＧａができるだけ偏析しないようにするには、Ｃｕ−Ｇａ合金全体がより均一に冷却されることが望ましい。従って、特に制限はされないものの、例えば溶解鋳造されるＣｕ−Ｇａ合金板は、直方体形状が好ましい。具体的には、Ｃｕ−Ｇａ合金板は、溶解鋳造の条件にもよるが、溶解鋳造時における厚さを５０ｍｍ程度として、ゆっくり冷却して、縦横が２５０ｍｍ×５００ｍｍ程度のインゴット（塊）を鋳造した後、超鋼合金製の帯鋸で切断して２５０ｍｍ×１５０ｍｍ×５０ｍｍ程度のスラブ（板）とし、これを圧延用材料として使用すればよい。
【００２１】
＜圧延方法＞
上記Ｃｕ−Ｇａ合金に対して行う本発明に係る圧延方法の好適な実施形態の一例を説明する。本発明に係る圧延方法は、Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度を３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内に調節しながら、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回、圧延工程を行う方法である。
【００２２】
より具体的には、図１に示すように、例えば溶解鋳造された直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊（インゴット）から切断されたＣｕ−Ｇａ合金板（スラブ）を熱処理炉に入れて均質化処理を施した後、Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度が３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内となるように調節しながら、一対の圧延ローラ１０・１０を備えた圧延機を用いて当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回、圧延工程（熱間圧延）を行うことによって圧延板に加工し、次いでホットプレス機を用いて当該圧延板の反りを除去した後、さらに当該圧延板を熱処理炉に入れて熱処理（焼き鈍し処理・歪み取り処理）を施すことにより、目的の圧延板である圧延後の厚さｂのＣｕ−Ｇａ合金を製造する。Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度は、例えば接触式温度計で測定すればよい。尚、Ｃｕ−Ｇａ合金板は熱伝導率が高いので、Ｃｕ−Ｇａ合金板における表面温度の測定箇所は、特に限定されるものではない。
【００２３】
上記圧延工程を、その前後の工程も含めて、手順を追ってさらに詳細に説明する。
【００２４】
先ず、例えば溶解鋳造された直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊（インゴット）から、Ｃｕ−Ｇａ合金板（スラブ）を切断する（切断工程）。当該Ｃｕ−Ｇａ合金板（スラブ）の厚さ（厚さａ）は、圧延工程全般にわたる圧下率（後段にて詳述する）にもよるが、例えば、２０〜５０ｍｍ程度にすればよい。また、Ｃｕ−Ｇａ合金板（スラブ）の大きさ（幅および長さ）は、目的の圧延板である圧延後のＣｕ−Ｇａ合金の大きさに応じて適宜設定すればよい。
【００２５】
次に、Ｃｕ−Ｇａ合金板を熱処理炉に入れて、その表面温度が３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内になるように充分に加熱し、Ｃｕ−Ｇａ合金板全体にわたって均質化処理を施す（均質化工程）。熱処理炉の構成は、特に限定されるものではない。Ｃｕ−Ｇａ合金板の加熱温度は、３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内で、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板中におけるＧａの組成比に応じて適宜設定すればよい。そして、上記均質化処理（均質化工程）は、１回目の圧延工程を行う前の加熱処理（加熱工程）を兼ねている。
【００２６】
上記加熱温度（表面温度）が３８０℃未満になると、充分な圧延処理を行うことができないので、Ｃｕ−Ｇａ合金板にヒビが入ったり、割れたり欠けたりするおそれがあり、耳率が上昇する。尚、「耳率」とは、最終的な目的物（例えば、スパッタリングターゲット）に有効に加工することができない割合（全体から歩留りを除いた残り）のことを指す。従って、加熱温度が低いと、耳率は上昇し、歩留りが悪化する。
【００２７】
一方、上記加熱温度（表面温度）が５２０℃を超えると、Ｃｕ−Ｇａ合金中のＧａが偏析し易くなる。
【００２８】
但し、本発明において「ヒビ」とは、長さ（表面方向）が１６ｍｍ以上、或いは、深さ（厚さ方向）が３ｍｍ以上の亀裂を指すこととする。尚、亀裂の深さは、Ｃｕ−Ｇａ合金板を切削することによって確認することができる。
【００２９】
均質化処理を行ったＣｕ−Ｇａ合金板、即ち、加熱処理を行った上記Ｃｕ−Ｇａ合金板を、その表面温度が３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内となるように調節しながら、一対の圧延ローラ１０・１０を備えた圧延機を用いて当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回、圧延処理（熱間圧延）を行う（圧延工程）。圧延機の構成は、特に限定されるものではないが、上記圧延ローラの材質は、例えば、ＪＩＳ−ＳＵＪ−２等が好適であり、圧延ローラの直径は、例えば、５００ｍｍ以上、７００ｍｍ以下が好適である。さらに、圧延ローラの回転速度、即ち、Ｃｕ−Ｇａ合金板の圧延速度は、３ｍ／分以上、５ｍ／分以下であることが好ましい。
【００３０】
各圧延工程における圧延ローラ間の圧延パスの大きさは、Ｃｕ−Ｇａ合金中におけるＧａの組成比に応じて制御すればよいが、より具体的には、当該圧延パスは、１回の圧延工程における、「｛（圧延前の厚さ−圧延後の厚さ）／圧延前の厚さ｝×１００」で表される圧下率（％）が、２％以上、９％以下の範囲内、より好ましくは４％以上、６％以下の範囲内になるように設定すればよい。本発明において「圧延パス」とは、Ｃｕ−Ｇａ合金板を通過させる一対の圧延ローラ間の距離（ローラギャップ）を指す。１回の圧延工程における圧下率が上記範囲を上回ると、圧延工程を行ったときにＣｕ−Ｇａ合金板にヒビが入ったり、割れたり欠けたりするおそれがある。一方、１回の圧延工程における圧下率が上記範囲を下回ると、ヒビ、割れ、欠け等の影響は無いものの、圧下効率が悪くなるため、経済的ではない。
【００３１】
従って、例えば、厚さａが５０ｍｍ、厚さｂが１８ｍｍである場合には、圧延工程全般にわたる圧下率（％）は｛（５０−１８）／５０｝×１００＝６４％であるので、１７回〜２０回程度、圧延工程を繰り返せばよい。つまり、所望する圧延後のＣｕ−Ｇａ合金板の厚さに応じて、段階的に圧延パスを狭くしながら、圧延工程を繰り返し行えばよい。これにより、直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金板から、所望の厚さの圧延板であるＣｕ−Ｇａ合金を得ることができる。尚、圧延条件、即ち、圧下率や加熱温度等の組み合わせは、本発明における範囲内において、Ｃｕ−Ｇａ合金中におけるＧａの組成比等に応じて具体的に設定すればよい。
【００３２】
また、圧延工程を行っている間に冷却されて、Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度が３８０℃未満になる場合には、或る圧延工程と次の圧延工程との間に、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板を再加熱する再加熱工程が行われる。これにより、圧延工程全般にわたって、Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度を３８０℃以上、５２０℃以下の範囲内に調節（維持）することができる。Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度が３８０℃未満になると、圧延工程を繰り返し行ったときにＣｕ−Ｇａ合金板にヒビが入ったり、割れたり欠けたりするおそれがある。尚、再加熱工程の回数は、特に制限されるものではない。
【００３３】
さらに、複数回の圧延工程を行うことによってＣｕ−Ｇａ合金板に反りが生じる場合には、必要に応じて、或る圧延工程と次の圧延工程との間に、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の反りを除去する反り除去工程が行われる。反り除去工程では、圧延工程におけるＣｕ−Ｇａ合金板の圧延方向（圧延ローラ間を通過する通過方向）とは直交する方向になるように、圧延ローラ間に当該Ｃｕ−Ｇａ合金板を通過させる。反り除去工程では、圧延処理は行わない。これにより、Ｃｕ−Ｇａ合金板の反りを無くすことができる。尚、反り除去工程の回数は、特に制限されるものではない。
【００３４】
次に、上記圧延工程を繰り返し行うことによって得られた厚さｂのＣｕ−Ｇａ合金板である圧延板の反りを、ホットプレス機を用いて、保温しながら除去する（最終反り除去工程）。
【００３５】
その後、当該圧延板を熱処理炉に入れて熱処理（焼き鈍し処理・歪み取り処理）を施す（熱処理工程）。当該熱処理の時間は、特に制限されるものではない。これにより、目的の厚さｂを有する圧延板を製造する。
【００３６】
上記圧延工程全般の、より具体的な一実施例を、以下に説明する。尚、実施例および比較例において、圧延機は株式会社大野ロール製作所製，２４型圧延機を用いた。
【実施例１】
【００３７】
圧延加工を行うＣｕ−Ｇａ合金として、溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が２１モル％である直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金板を用いた。当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の大きさは、縦１７０ｍｍ×横２５０ｍｍ×厚さ（厚さａ）５０ｍｍとした。
【００３８】
上記のＣｕ−Ｇａ合金板に対して、圧延工程終了後の厚さｂが１８ｍｍとなるように、圧延加工を行った。即ち、各圧延工程における圧下率（％）が２％以上、９％以下の範囲内になるように圧延パスを設定して、１７回の圧延工程を行うと共に、３回の反り除去工程を行った。反り除去工程は、６回目の圧延工程と７回目の圧延工程との間、１３回目の圧延工程と１４回目の圧延工程との間、および、１５回目の圧延工程と１６回目の圧延工程との間に行った。また、再加熱工程は、４，６，７，９，１１，１３，１４，１７回目の圧延工程開始前、および、３回目の反り除去工程開始前に行った（合計９回）。結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
2009262234.tif 000003
【００４０】
表１の結果から明らかなように、１７回の圧延工程を行っても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなくＣｕ−Ｇａ合金板を圧延することができ、圧延板を製造することができた。
［比較例１］
上記実施例１と同じ組成および大きさのＣｕ−Ｇａ合金板を用い、圧延工程終了後の厚さｂが２１ｍｍとなるように、実施例１と同様の圧延加工を行った。結果を表２に示す。
【００４１】
【表２】
2009262234.tif 000004
【００４２】
表２の結果から明らかなように、本比較例では１２回目の圧延工程で、Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度が３８０℃よりも低くなったため、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板にヒビが入り、所望する圧延板を製造することができなかった。
［比較例２］
上記実施例１と同じ組成のＣｕ−Ｇａ合金板を用い、５０℃以下の温度で２２回、圧延工程（冷間圧延）を行った。但し、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の大きさは、縦１００ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ７．７ｍｍとした。結果を表３に示す。尚、表３中の「パススケジュール」は「圧延パス」と同義である。
【００４３】
【表３】
2009262234.tif 000005
【００４４】
［比較例３］
上記実施例１と同じ組成のＣｕ−Ｇａ合金を用い、各圧延工程における圧下率（％）が９％を上回るように圧延パスを設定して、８回の圧延工程（熱間圧延）を行った。但し、当該Ｃｕ−Ｇａ合金板の大きさは、縦１５０ｍｍ×横２４０ｍｍ×厚さ４６ｍｍとした。結果を表４に示す。尚、表４中の「パススケジュール」は「圧延パス」と同義である。
【００４５】
【表４】
2009262234.tif 000006
【００４６】
表３，４の結果から明らかなように、本発明に係る圧延方法ではない圧延方法（冷間圧延，熱間圧延）を採用した場合には、Ｃｕ−Ｇａ合金板を圧延することができなかった。
【００４７】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明によれば、硬度が高くて割れ易い（脆い）Ｃｕ−Ｇａ合金板を所望の厚さに圧延（加工）することができる。即ち、例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金板であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の厚さに圧延（加工）することができるので、例えばスパッタリングターゲットの製造等の、幅広い産業上の利用が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  圧延ローラ
【図１】
2009262234.tif 000007