(57)【要約】【課題】  壁面端子に連結した際に突出する長さを短くできると共に、広帯域の周波数範囲にわたり良好な電気的特性とする。【解決手段】  プラグ本体１４は、円筒部１４ｂと鍔部１４ａとからなり、鍔部１４ａの周側面から円筒状突出部１４ｃが形成されている。円筒部１４ｂにおける貫通孔内にバネ１５が収納され、鍔部１４ａにおける第１収納孔１４ｉに中心コンタクト１２を支持している絶縁体１３が収納される。円筒状突出部１４ｃにねじ込まれた同軸ケーブル３の芯線３ｄは、中心コンタクト１２の挟持部１２ａに挟持されて接続されると共に、編組線３ｂが円筒状突出部１４ｃ内に接触して接続される。プラグ本体１４の第２収納孔１４ｊに所定の厚さの絶縁板１１を収納し、その上からシールドカバー１０を第３収納孔１４ｋに圧入する。【選択図】  図２
2009151985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒部と、該円筒部の後部に設けられ周側面から突出する円筒状突出部が形成された鍔部とからなり、全体にわたり貫通孔が形成されているプラグ本体と、
前記円筒部における前記貫通孔内に収納され、内側へ膨出する膨出部が形成されたバネと、
前記鍔部における前記貫通孔内に収納され、前記円筒部のほぼ中心軸に沿って延伸するよう中心コンタクトを支持する挿通孔がほぼ中心に形成されている絶縁体と、
前記プラグ本体の後面に所定の厚さの絶縁板を介して嵌合されるシールドカバーとを備え、
前記鍔部における前記円筒状突出部から導入されたケーブルの芯線が、前記中心コンタクトの後端部に接続されると共に、前記ケーブルのシールド導体が前記円筒状突出部内に接触して接続されるようにしたことを特徴とするＬ型同軸プラグ。
【請求項２】
前記中心コンタクトの後端部には、切溝が形成された挟持部が形成され、該挟持部から径が細くされて延伸するコンタクト部が形成されており、該コンタクト部が前記絶縁体における前記挿通孔内に挿通されることにより、該コンタクト部が前記円筒部のほぼ中心軸に沿って配置され、前記ケーブルの芯線が前記挟持部に挟持されて接続されることを特徴とする請求項１記載のＬ型同軸プラグ。
【請求項３】
前記円筒状突出部の内周面にはネジが切られたネジ孔と、該ネジ孔とテーパ部を介して連結された細径部が形成されており、該ネジ孔に前記ケーブルがねじ込まれて固着されるようにしたことを特徴とする請求項１記載のＬ型同軸プラグ。
【請求項４】
前記ネジ孔に前記ケーブルがねじ込まれた際に、前記芯線を前記シールド導体から絶縁している内部絶縁体が前記細径部に挿入されると共に、前記テーパ部に前記ケーブルのシールド導体が接触して接続されるようにしたことを特徴とする請求項３記載のＬ型同軸プラグ。
【請求項５】
前記鍔部における前記貫通孔の内周面に係合突起が形成されていると共に、該係合突起に係合する係合溝が前記絶縁体の外周面に形成されて、前記係合突起と前記係合溝とにより前記絶縁体の前記プラグ本体に対する位置合わせを行うことが可能とされていることを特徴とする請求項１記載のＬ型同軸プラグ。
【請求項６】
前記絶縁板は前記プラグ本体の後面を閉塞する形状とされており、前記絶縁板の厚さが略０．５ｍｍとされていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のＬ型同軸プラグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁面等に設けられた電気信号を導出する端子に連結された際に、突出する長さが短くされたＬ型同軸プラグに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＶ信号やＣＡＴＶなどにおける高周波の電気信号は壁面等に設けられた壁面端子から導出されてテレビジョン受像器やチューナに供給されることが一般的とされている。この壁面端子は同軸コネクタとされ、一端がテレビジョン受像器やチューナ等に接続されている同軸ケーブルの他端に装着されている同軸プラグが壁面端子に接続されることにより、テレビジョン受像器やチューナにＴＶ信号やＣＡＴＶ信号が入力される。この壁面端子に接続される同軸プラグとしてＬ型にされたものが知られている。Ｌ型同軸プラグでは、導出される同軸ケーブルの方向が壁面端子への装着方向と略直交しているため、Ｌ型同軸プラグを壁面端子に接続した際に、同軸ケーブルが壁面から突出することなく壁面にほぼ沿って配線することができる。
【０００３】
従来のＬ型同軸プラグの一例を図３１（ａ）（ｂ）に示す。図３１（ａ）は従来のＬ型同軸プラグ１００の構成を示す側面図、図３１（ｂ）は従来のＬ型同軸プラグ１００の構成を断面図で示す側面図である。これらの図に示すＬ型同軸プラグ１００は、同軸ケーブル１１０の先端に設けられており、モールド部１０１とプラグ外部導体１０２から構成されている。Ｌ型同軸プラグ１００は、プラグ外部導体１０２の一部が延伸されると共に略直交するよう折曲されており、この折曲部を同軸ケーブル１１０の外被上に折り返されたシールド導体にカシメるようにしている。同軸ケーブル１１０の芯線は直交するよう折曲されてプラグ外部導体１０２のほぼ中心軸上に配置され中心コンタクトとされている。また、電気的特性を向上するために同軸ケーブル１１０のシールド導体とプラグ外部導体１０２との接続部および折曲されている芯線が、シールド箱１０３により覆われている。そして、プラグ外部導体１０２の後部からシールド箱１０３および同軸ケーブル１１０にかけて樹脂材をモールドすることによりモールド部１０１が形成されてＬ型同軸プラグ１００が作成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のＬ型同軸プラグ１００を壁面端子とされる同軸コネクタに連結すると、壁面からモールド部１０１のほぼ全体が突出するようになる。このモールド部１０１の奥行きは長くされていることから、同軸コネクタに連結された際に壁面から突出するＬ型同軸プラグ１００の長さが長くなって邪魔になるという問題点があった。
また、従来のＬ型同軸プラグ１００の挿入損失の周波数特性の一例を図３２に示す。この場合、同軸ケーブル１１０は２Ｃタイプとされている。図３２に示す周波数範囲は、０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲とされ、図３２を参照すると、周波数が高くなるにつれて挿入損失が増大していき、周波数が約２５６０ＭＨｚの時に約１．７ｄＢの最大の挿入損失となる。すなわち、高域において挿入損失特性が劣化するようになる。さらに、従来のＬ型同軸プラグ１００の電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の周波数特性の一例を図３３に示す。図３３を参照すると、０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲において、周波数が高くなるにつれてＶＳＷＲが増大していき、周波数が約２５６０ＭＨｚの時に約１．５の最大のＶＳＷＲとなる。すなわち、高域になるとＶＳＷＲが劣化するようになる。
【０００５】
さらにまた、従来のＬ型同軸プラグ１００のインピーダンスの周波数特性の一例を図３４に示す。図３４を参照すると、０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲において、周波数が高くなるにつれてインピーダンスが中心からずれていくことが分かる。このように、従来のＬ型同軸プラグにおいては０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの広帯域の周波数範囲とされると、その周波数帯域の全体にわたり良好な電気的特性が得られないという問題点があった。
そこで、本発明は壁面端子に連結した際に突出する長さを短くできると共に、広帯域の周波数範囲にわたり良好な電気的特性を示すＬ型同軸プラグを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明のＬ型同軸プラグは、円筒部と、該円筒部の後部に設けられ周側面から突出する円筒状突出部が形成された鍔部とからなり全体にわたり貫通孔が形成されているプラグ本体と、鍔部における貫通孔内に収納され、円筒部のほぼ中心軸に沿って延伸するよう中心コンタクトを支持する挿通孔がほぼ中心に形成されている絶縁体と、プラグ本体の後面に所定の厚さの絶縁板を介して嵌合されるシールドカバーとを備え、円筒状突出部から導入されたケーブルの芯線が、中心コンタクトの後端部に接続されると共に、ケーブルのシールド導体が円筒状突出部内に接触して接続されるようにしたことを最も主要な特徴としている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、円筒部と、該円筒部の後部に設けられ周側面から突出する円筒状突出部が形成された鍔部とからなり全体にわたり貫通孔が形成されているプラグ本体と、鍔部における貫通孔内に収納され、円筒部のほぼ中心軸に沿って延伸するよう中心コンタクトを支持する挿通孔がほぼ中心に形成されている絶縁体と、プラグ本体の後面に所定の厚さの絶縁板を介して嵌合されるシールドカバーとを備え、円筒状突出部から導入されたケーブルの芯線が、中心コンタクトの後端部に接続されると共に、ケーブルのシールド導体が円筒状突出部内に接触して接続されるようにしたから、鍔部の厚さを薄くすることができる。従って、壁面端子に連結した際に厚さが薄くされている鍔部が突出するだけとなり、突出する長さを短くすることができる。また、絶縁板の厚さを所定の厚さとすることにより、広帯域にわたり良好な電気的特性を示すようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の実施例のＬ型同軸プラグを壁面等に設けられた直列ユニットに連結した態様を図１に示す。
図１において、直列ユニット２は壁面に埋め込まれているボックスに取り付けられ、図示しない同軸コネクタが備えられている。この同軸コネクタに本発明にかかるＬ型同軸プラグ１が連結されている。Ｌ型同軸プラグ１からは同軸ケーブル３が導出されている。図示されているように、同軸コネクタに連結されているＬ型同軸プラグ１が直列ユニット２のプレート面から突出する長さは短くされている。
【０００９】
ここで、本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグ１の構成を示す分解組立図を図２に示す。
図２に示すように、第１実施例のＬ型同軸プラグ１は、シールドカバー１０、絶縁板１１、中心コンタクト１２、絶縁体１３、プラグ本体１４およびバネ１５とから構成されており、同軸ケーブル３がプラグ本体１４から導入されている。シールドカバー１０は、金属製等の導電性とされて円板状の形状とされている。絶縁板１１は、ポリカーボネイト等の絶縁性の樹脂製とされ、シールドカバー１０より一回り小さい円板状の形状とされている。中心コンタクト１２は、金属製の棒を加工して形成されており、詳細構成が図２１（ａ）（ｂ）に示されている。図２１（ａ）は中心コンタクト１２の構成を示す中心軸に沿って切断した断面図で示す平面図であり、図２１（ｂ）は中心コンタクト１２の構成を示す側面図である。これらの図に示すように、中心コンタクト１２の後端部には径が大きくされた挟持部１２ａが形成されており、挟持部１２ａには所定深さの切溝１２ｃが形成されている。挟持部１２ａからはテーパ状に径が細くされて前方へ延伸するコンタクト部１２ｂが形成されており、コンタクト部１２ｂの先端は尖っている。
【００１０】
また、絶縁体１３はポリカーボネイトやポリエチレン等の絶縁性の樹脂製とされており、断面形状がほぼ円形とされている。絶縁体１３の詳細構成が図２０（ａ）（ｂ）（ｃ）に示されている。図２０（ａ）は絶縁体１３の構成を示す平面図であり、図２０（ｂ）は絶縁体１３の構成を示す正面図であり、図２０（ｃ）は絶縁体１３の構成をｆ−ｆ線で切断した断面図で示す正面図である。これらの図に示すように、絶縁体１３は略円板状の底板１３ｂを有し、底板１３ｂの周側から立設するリング部１３ａが形成されている。リング部１３ａの一部に切欠１３ｄが形成されている。切欠１３ｄには同軸ケーブル３の芯線３ｄを導入するための切欠である。底板１３ｂのほぼ中心には挿通孔１３ｃが形成されており、底板１３ｂの下面のほぼ中央にテーパ状に若干突出している突出部１３ｅが形成されている。挿通孔１３ｃは、中途からテーパ状に径が狭められており、底板１３ｂの上面に形成された挿通孔１３ｃの径より細くされた挿通孔１３ｃが突出部１３ｅに形成されている。この挿通孔１３ｃの断面形状は、中心コンタクト１２の挟持部１２ａとコンタクト部１２ｂとの境界の断面形状とほぼ同じとされている。
【００１１】
次に、プラグ本体１４は金属製等の導電性とされており、プラグ本体１４の詳細構成が図１５ないし図１９に示されている。図１５はプラグ本体の構成を示す側面図であり、図１６はプラグ本体の構成を示す背面図であり、図１７はプラグ本体の構成を示す下面図であり、図１８はプラグ本体の構成をｄ−ｄ線で切断した断面図で示す側面図であり、図１９はプラグ本体の構成をｅ−ｅ線で切断した断面図で示す下面図である。
これらの図に示すようにプラグ本体１４は、同軸コネクタに嵌挿される部位となる円筒部１４ｂを備え、円筒部１４ｂの後端に外径がやや大きくされた鍔部１４ａが形成されている。鍔部１４ａでは、後部の外径が若干大きくされた２段構成とされて把持しやすい形状とされている。この鍔部１４ａを把持して、直列ユニット２の同軸コネクタにＬ型同軸プラグ１を装着することで、図１に示す態様となる。円筒部１４ｂおよび鍔部１４ａの全体にわたり貫通孔１４ｄが形成されている。
【００１２】
鍔部１４ａの周側における下側からは、円筒状突出部１４ｃが形成されている。円筒状突出部１４ｃは、同軸ケーブル３を導入する部位とされ内周面にはネジが切られてネジ孔１４ｇが形成されている。ネジ孔１４ｇの奥にはテーパ部１４ｈが形成されて、径が細くされた細径部１４ｆがテーパ部１４ｈに連通して形成されている。鍔部１４ａの内周に形成された貫通孔１４ｄは３段に内径が大きくされて第１収納孔１４ｉ、第２収納孔１４ｊ、第３収納孔１４ｋが形成されている。ほぼ円形の第１収納孔１４ｉは円筒部１４ｂ側に若干内径が大きくされて形成されており、ほぼ円形の第２収納孔１４ｊは第１収納孔１４ｉに連接されてさらに若干内径が大きく形成されており、ほぼ円形の第３収納孔１４ｋは第２収納孔１４ｊに連接されてさらに若干内径が大きくされて最も背面側に形成されている。そして、円筒部１４ｂないし第３収納孔１４ｋにおける各境界には段差がそれぞれ形成されている。また、円筒部１４ｂの内周に形成されている貫通孔１４ｄの先端には若干径が絞られた係止部１４ｅが形成されている。
【００１３】
次に、バネ１５はリン青銅等の弾性を有する金属製とされており、その詳細構成が図１２ないし図１４に示されている。図１２はバネ１５の構成を示す展開図であり、図１３はバネ１５の構成を示すｃ−ｃ線で切断した断面図であり、図１４はバネ１５の構成を示す平面図である。
これらの図に示すように、バネ１５は薄い弾性を有する金属板を加工して形成した矩形状の本体部１５ａを有し、本体部１５ａには図１２に示すように縦方向に細長いすり割り１５ｂが複数本形成されている。そして、すり割り１５ｂとすり割り１５ｂとの間の部位が図１３に示すように屈曲することにより膨出部１５ｃが形成されている。次いで、本体部１５ａを膨出部１５ｃが内側に突出するように略円形に屈曲することにより、図１４に示す形状のバネ１５が作成される。すなわち、バネ１５の内周側には複数の膨出部１５ｃが突出するようになり、この膨出部１５ｃにより被支持体が弾性的に支持されるようになる。
【００１４】
図２に戻り、第１実施例のＬ型同軸プラグ１の組み立てについて説明すると、まず、プラグ本体１４の円筒部１４ｂの内周に形成されている貫通孔１４ｄ内にバネ１５の径を小さくなるよう把持して収納する。この場合、貫通孔１４ｄ内において弾性によりバネ１５の径が元に戻るようになって、バネ１５が円筒部１４ｂの内周面に弾性的に密着する。また、収納されたバネ１５の先端は貫通孔１４ｄの先端に形成されている係止部１４ｅに係止されて、バネ１５は円筒部１４ｂから抜け出ないようになる。次いで、プラグ本体１４の背面側から絶縁体１３を、リング部１３ａが背面側となるように鍔部１４ａ内に挿入する。この場合、絶縁体１３の挿通孔１３ｃに中心コンタクト１２を挿通しておく。この絶縁体１３の外径は貫通孔１４ｄの内径よりは大きく第１収納孔１４ｉの内径より小さく形成されていることから、挿入された絶縁体１３は円筒部１４ｂの内周と第１収納孔１４ｉとの間に形成された段差に当接して第１収納孔１４ｉ内に収納される。なお、絶縁体１３の切欠１３ｄの位置を円筒状突出部１４ｃに位置合わせしておく。
【００１５】
これにより、絶縁体１３に装着された中心コンタクト１２のコンタクト部１２ｂは円筒部１４ｂのほぼ中心軸上に配置され、挟持部１２ａは絶縁体１３のリング部１３ａのほぼ中心に配置されるようになる。次いで、円筒状突出部１４ｃの外側から同軸ケーブル３をネジ孔１４ｇにねじ込んでいく。ネジ孔１４ｇの内径は、同軸ケーブル３の外被３ａの外径より若干大きくされている。この場合、同軸ケーブル３の先端部は加工されており、加工の態様が図１１に示されている。図１１に示すように、同軸ケーブル３の外被３ａを所定長だけ切除して、シールド導体となる編組線３ｂを露出させる。次に、編組線３ｂを一部残して切除して絶縁体３ｃを露出させる。さらに、絶縁体３ｃを一部残して切除して所定長とされた芯線３ｄを露出させる。このように先端部が加工された同軸ケーブル３を円筒状突出部１４ｃのネジ孔１４ｇにねじ込んでいくと、芯線３ｄが円筒状突出部１４ｃの細径部１４ｆを通って収納されている絶縁体１３の切欠１３ｄから内部に挿通されていくようになる。この芯線３ｄを中心コンタクト１２における切溝１２ｃ内に挿通して挟持部１２ａをカシメ加工する。これにより、芯線３ｄは中心コンタクト１２に電気的に接続されるようになる。また、同軸ケーブル３の絶縁体３ｃはほぼ同径とされている細径部１４ｆ内に挿通されることから、編組線３ｂは円筒状突出部１４ｃにおけるテーパ部１４ｈに圧接されて接触し、電気的に確実に接続されるようになる。
【００１６】
次いで、プラグ本体１４の背面側から絶縁板１１を、鍔部１４ａ内に挿入する。この絶縁板１１の外径は第１収納孔１４ｉの内径よりは大きく第２収納孔１４ｊの内径より小さく形成されていることから、挿入された絶縁板１１は第１収納孔１４ｉと第２収納孔１４ｊとの間に形成された段差に当接して第２収納孔１４ｊ内に収納される。さらに、絶縁板１１の上から第３収納孔１４ｋの内径とほぼ同径とされたシールドカバー１０を鍔部１４ａの第３収納孔１４ｋに圧入する。これにより、第１実施例のＬ型同軸プラグ１を組み立てることができる。
【００１７】
このように組み立てられた本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグ１の構成を示す側面図を図３に、Ｌ型同軸プラグ１の構成を示す背面図を図４に、Ｌ型同軸プラグ１の構成を示す下面図を図５に、Ｌ型同軸プラグ１の組立途中の構成を断面図で示す側面図を図６に、Ｌ型同軸プラグ１の構成をａ−ａ線で切断した断面図で示す側面図を図７に、Ｌ型同軸プラグ１の構成を示す図７の一部拡大図を図８に、Ｌ型同軸プラグ１の構成をｂ−ｂ線で切断した断面図で示す平面図を図９に示す。また、Ｌ型同軸プラグ１の鍔部を変形した変形例を図１０に示す。
これらの図に示すように、円板状の絶縁体１３により中心コンタクト１２が支持されており、中心コンタクト１２が絶縁体１３に支持された際に絶縁体１３のリング部１３ａ側に突出する挟持部１２ａの高さはリング部１３ａの高さとほぼ同じになる。従って、シールドカバー１０と絶縁体１３との間に介挿されている絶縁板１１の一面は絶縁体１３のリング部１３ａの上面と挟持部１２ａの端面に密着するようになる。そして、円筒状突出部１４ｃから導入された同軸ケーブル３における芯線３ｄは鍔部１４ａ内において露出され金属製のシールドカバー１０に絶縁板１１を介して図７および図９に示すように対面するようになり、所定のインピーダンスが生じるようになる。このインピーダンスは、芯線３ｄとシールドカバー１０との間隔に対応することから、絶縁板１１の厚さを調整することによりインピーダンスを調整することができる。
【００１８】
また、本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグ１は、円筒状突出部１４ｃのネジ孔１４ｇに同軸ケーブル３をねじ込んだ際に、図８に拡大して示すように編組線３ｂが円筒状突出部１４ｃにおけるテーパ部１４ｈに、ねじ込みにより生じた圧力により圧縮されて圧接されるため、編組線３ｂとプラグ本体１４との電気的接続を確実に行うことができる。このようにねじ込みにより同軸ケーブル３を固着しているため、円筒状突出部１４ｃの長さを例えば５ｍｍ程度の短い長さとすることができる。さらに、円筒状突出部１４ｃのネジ孔１４ｇに同軸ケーブル３をねじ込んだ後に、円筒状突出部１４ｃにカシメ加工を施すとネジ孔１４ｇのねじ山が同軸ケーブル３の外被３ａに喰い込むようになって、引っ張り強度を向上することができるようになる。
なお、Ｌ型同軸プラグ１における把持する部分である鍔部を図１０に示す構成としても良い。図１０に示すＬ型同軸プラグ１’においては、鍔部１４ａ’の外径形状をテーパ状としている。このような形状の鍔部１４ａ’を備えるプラグ本体１４’としても良い。この場合のＬ型同軸プラグ１’の内部構成は、Ｌ型同軸プラグ１と同様とされる。
【００１９】
このように構成されている本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグ１を同軸コネクタに図１に示すように装着すると、バネ１５における膨出部１５ｃの内周面が同軸コネクタの外周面に圧接されると共に、中心コンタクト１２が同軸コネクタ内に進入して、同軸コネクタの中心導体と接続されるようになる。この場合、直列ユニット２のプレート面から突出するのは薄い構造とされた鍔部１４ａだけとなることから、突出する長さを短くすることができる。
【００２０】
次に、第１実施例のＬ型同軸プラグ１において同軸ケーブル３を２Ｃタイプの同軸ケーブルとした際の電気的特性を図２２ないし図２４に示す。図２２は同軸ケーブル３の長さを約１．５ｍ、シールドカバー１０の材質をアルミニウム、絶縁板１１の厚さｔを約０．５ｍｍとした際の挿入損失の周波数特性であり、図２３は同じ条件における電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の周波数特性であり、図２４は同じ条件におけるインピーダンス特性を示すスミスチャートである。図２２ないし図２４に示す周波数範囲は、０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲とされている。
図２２を参照すると、周波数が高くなるにつれて挿入損失が増大する傾向を示しているが、波打つように変化することはなく周波数が３０００ＭＨｚとされても約１．５ｄＢの最大の挿入損失に改善されるようになる。また、図２３を参照すると０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲において、周波数が高くなるにつれてＶＳＷＲが増大する傾向を示してはいるが全周波数範囲において１．２以下のＶＳＷＲに改善されている。さらに、図２４を参照すると０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲において、周波数が高くなるにつれてインピーダンスが中心からずれていく傾向を示してはいるが、ずれる率が小さくなるように改善されていることが分かる。
【００２１】
また、第１実施例のＬ型同軸プラグ１において絶縁板１１の厚さを変えた場合の電気的特性を図２５ないし図２７に示す。図２５は同軸ケーブル３の長さを約１．５ｍ、シールドカバー１０の材質をアルミニウム、絶縁板１１の厚さｔを約０．８ｍｍとした際の挿入損失の周波数特性であり、図２６は同じ条件における電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の周波数特性であり、図２７は同じ条件におけるインピーダンス特性を示すスミスチャートである。図２５ないし図２７に示す周波数範囲は、０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲とされている。
図２５を参照すると、周波数が高くなるにつれて挿入損失が増大する傾向を示し、高域において若干波打つように変化するようになり周波数が約３０００ＭＨｚの近辺において約１．６ｄＢの最大の挿入損失に若干劣化するが従来のＬ型同軸プラグ１００よりは改善されるようになる。また、図２６を参照すると０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲において、周波数が高くなるにつれてＶＳＷＲが増大する傾向を示し、全周波数範囲において１．２５以下のＶＳＷＲに若干劣化するが従来のＬ型同軸プラグ１００よりは改善されている。さらに、図２７を参照すると０．０３ＭＨｚないし３０００ＭＨｚの周波数範囲において、周波数が高くなるにつれてインピーダンスが中心からずれていく傾向を示し、ずれる率が若干大きくなるが従来のＬ型同軸プラグ１００よりは改善されていることが分かる。
このように、絶縁板１１の厚さｔを調整することによりＬ型同軸プラグ１の電気的特性を調整することができ、絶縁板１１の厚さｔを約０．５ｍｍとした際に最良の電気的特性を得ることができた。
【００２２】
次に、本発明の第２実施例のＬ型同軸プラグ５の構成を示す分解組立図を図２８に示す。本発明の第２実施例のＬ型同軸プラグ５においては、プラグ本体に位置合わせして絶縁体を嵌入することができる構成とされている。そこで、第２実施例のＬ型同軸プラグ５におけるプラグ本体２４の構成を示す背面図を図２９に、絶縁体２３の構成を示す平面図を図３０（ａ）に、絶縁体２３の構成をｇ−ｇ線で切断した断面図で示す正面図を図３０（ｂ）に示す。
図２８および図２９に示すように、第２実施例のＬ型同軸プラグ５におけるプラグ本体２４は金属製等の導電性とされており、円筒部２４ｂを備え、円筒部２４ｂの後端に外径が大きくされた鍔部２４ａが形成されている。鍔部２４ａは、後部の外径が大きくされて把持しやすい形状とされている。円筒部２４ｂおよび鍔部２４ａの全体にわたり貫通孔２４ｄが形成されている。
【００２３】
鍔部２４ａの周側における下側からは、円筒状突出部２４ｃが形成されている。円筒状突出部２４ｃの構成は第１実施例のＬ型同軸プラグ１における円筒状突出部１４ｃと同様とされているので、その説明は省略する。鍔部２４ａの内周に形成された貫通孔２４ｄは３段に内径が大きくされて第１収納孔２４ｉ、第２収納孔２４ｊ、第３収納孔２４ｋが形成されている。ほぼ円形の第１収納孔２４ｉは円筒部２４ｂ側に若干内径が大きくされて形成されており、その内周面に対向するよう一対の係合突起２４ｍが形成されている。また、ほぼ円形の第２収納孔２４ｊは第１収納孔２４ｉに連接されてさらに若干内径が大きく形成されており、ほぼ円形の第３収納孔２４ｋは第２収納孔２４ｊに連接されてさらに若干内径が大きく最も背面側に形成されている。そして、円筒部２４ｂないし第３収納孔２４ｋにおける各境界には段差がそれぞれ形成されている。また、円筒部２４ｂの内周に形成されている貫通孔２４ｄの先端には、図示されていないが若干径が絞られた係止部が形成されている。
【００２４】
また、図２８および図２９に示すように、第２実施例のＬ型同軸プラグ５における絶縁体２３は、ポリカーボネイトやポリエチレン等の絶縁性の樹脂製とされており、断面形状がほぼ円形とされている。絶縁体２３は略円板状の底板２３ｂを有し、底板２３ｂの周側から立設するリング部２３ａが形成されている。リング部２３ａの外周面には対向する一対の係合溝２３ｆが形成されていると共に、リング部２３ａの一部に切欠２３ｄが形成されている。一対の係合溝２３ｆには、プラグ本体２４の一対の係合突起２４ｍが係合可能とされ、切欠２３ｄは同軸ケーブル３の芯線３ｄを導入する切欠とされている。底板２３ｂのほぼ中心には挿通孔２３ｃが形成されており、底板２３ｂの下面のほぼ中央にテーパ状に若干突出している突出部２３ｅが形成されている。挿通孔２３ｃは、中途からテーパ状に径が狭められており、底板２３ｂの上面に形成された挿通孔２３ｃの径より細くされた挿通孔２３ｃが突出部２３ｅに形成されている。この挿通孔２３ｃの断面形状は、中心コンタクト１２の挟持部１２ａとコンタクト部１２ｂとの境界の断面形状とほぼ同じとされている。
ここで、第２実施例のＬ型同軸プラグ５を構成しているシールドカバー１０、絶縁板１１、中心コンタクト１２およびバネ１５の構成は、第１実施例のＬ型同軸プラグ１と同様とされているので、その説明は省略する。
【００２５】
図２８に戻り、第２実施例のＬ型同軸プラグ５の組み立てについて説明すると、まず、プラグ本体２４の円筒部２４ｂの内周に形成されている貫通孔２４ｄ内にバネ１５の径を小さくなるよう把持して収納する。この場合、貫通孔２４ｄ内において弾性によりバネ１５の径が元に戻るようになって、バネ１５が円筒部２４ｂの内周面に弾性的に密着する。また、収納されたバネ１５の先端は貫通孔２４ｄの先端に形成されている係止部に係止されて、バネ１５は円筒部２４ｂから抜け出ないようになる。次いで、挿通孔２３ｃに中心コンタクト１２が挿通されている絶縁体２３をリング部２３ａが背面側となるように、プラグ本体２４の背面側から鍔部２４ａ内に挿入する。この場合、絶縁体２３における一対の係合溝２３ｆに、鍔部２４ａ内に形成されている一対の係合突起２４ｍが係合するよう位置合わせして嵌入していく。これにより、絶縁体２３の切欠２３ｄの位置が円筒状突出部２４ｃに合うようになる。この絶縁体２３の外径は貫通孔２４ｄの内径よりは大きく第１収納孔２４ｉの内径より小さく形成されていることから、挿入された絶縁体２３は円筒部２４ｂの内周と第１収納孔２４ｉとの間に形成された段差に当接して第１収納孔２４ｉ内に収納される。
【００２６】
そして、絶縁体２３に装着された中心コンタクト１２のコンタクト部１２ｂは円筒部２４ｂのほぼ中心軸上に配置され、挟持部１２ａは絶縁体２３のリング部２３ａのほぼ中心に配置されるようになる。次いで、円筒状突出部２４ｃの外側から同軸ケーブル３をネジ孔２４ｇにねじ込んでいく。ネジ孔２４ｇの内径は、同軸ケーブル３の外被３ａの外径より若干大きくされている。この場合、同軸ケーブル３の先端部は図１１に示すように加工されている。このように先端部が加工された同軸ケーブル３を円筒状突出部２４ｃのネジ孔２４ｇにねじ込んでいくと、芯線３ｄが円筒状突出部２４ｃの細径部２４ｆを通って収納されている絶縁体２３の切欠２３ｄから挿通されていくようになる。この芯線３ｄを中心コンタクト１２における切溝１２ｃ内に挿通して挟持部１２ａをカシメ加工する。これにより、芯線３ｄは中心コンタクト１２に電気的に接続されるようになる。また、同軸ケーブル３の絶縁体３ｃは、ネジ孔２４ｇの奥にテーパ部を介して形成されている絶縁体３ｃとほぼ同径とされている細径部２４ｆ内に挿通されることから、編組線３ｂは円筒状突出部２４ｃにおいてネジ孔２４ｇの奥に形成されたテーパ部に圧接されて接触し、電気的に確実に接続されるようになる。
【００２７】
次いで、プラグ本体２４の背面側から絶縁板１１を、鍔部２４ａ内に挿入する。この絶縁板１１の外径は第１収納孔２４ｉの内径よりは大きく第２収納孔２４ｊの内径より小さく形成されていることから、挿入された絶縁板１１は第１収納孔２４ｉと第２収納孔２４ｊとの間に形成された段差に当接して第２収納孔２４ｊ内に収納される。さらに、絶縁板１１の上から第３収納孔２４ｋの内径とほぼ同径とされたシールドカバー１０を鍔部２４ａの第３収納孔２４ｋに圧入する。これにより、第２実施例のＬ型同軸プラグ５を組み立てることができる。
【００２８】
このように組み立てられた本発明の第２実施例のＬ型同軸プラグ５は、円板状の絶縁体２３により中心コンタクト１２が支持されており、中心コンタクト１２が絶縁体２３に支持された際に絶縁体のリング部２３ａ側に突出する挟持部１２ａの高さはリング部２３ａの高さとほぼ同じになる。従って、シールドカバー１０と絶縁体２３との間に介挿されている絶縁板１１の一面は絶縁体２３のリング部２３ａと挟持部１２ａの端面に密着するようになる。そして、円筒状突出部２４ｃから導入された同軸ケーブル３における芯線３ｄは鍔部２４ａ内において露出され絶縁板１１を介して金属製のシールドカバー１０に対面するようになり、所定のインピーダンスが生じるようになる。このインピーダンスは、芯線３ｄとシールドカバー１０との間隔に対応することから、絶縁板１１の厚さを調整することによりインピーダンスを調整することができる。
なお、絶縁板１１の厚さｔを調整することにより第２実施例のＬ型同軸プラグ５の電気的特性を調整することができ、絶縁板１１の厚さｔを約０．５ｍｍとした際にＬ型同軸プラグ５の電気的特性が最良となることは、第１実施例のＬ型同軸プラグ１と同様とされている。
【００２９】
また、本発明の第２実施例のＬ型同軸プラグ５においても、円筒状突出部２４ｃのネジ孔２４ｇに同軸ケーブル３をねじ込んだ際に、編組線３ｂが円筒状突出部２４ｃにおけるテーパ部に、ねじ込みにより生じた圧力により圧縮されて圧接されるため、編組線３ｂとプラグ本体２４との電気的接続を確実に行うことができる。このようにねじ込みにより同軸ケーブル３を固着しているため、円筒状突出部２４ｃの長さを例えば５ｍｍ程度の短い長さとすることができる。さらに、円筒状突出部２４ｃのネジ孔２４ｇに同軸ケーブル３をねじ込んだ後に、円筒状突出部２４ｃにカシメ加工を施すとネジ孔２４ｇのねじ山が同軸ケーブル３の外被３ａに喰い込むようになって、引っ張り強度を向上することができるようになる。
このように構成されている本発明の第２実施例のＬ型同軸プラグ５を同軸コネクタに装着した態様は図１に示す構成と同様となり、バネ１５における膨出部１５ｃの内周面が同軸コネクタの外周面に圧接されると共に、中心コンタクト１２が同軸コネクタ内に進入して、同軸コネクタの中心導体と接続されるようになる。この場合、直列ユニット２のプレート面から突出するのは薄い構造とされた鍔部２４ａだけとなることから、突出する長さを短くすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
以上説明した本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグ１および第２実施例のＬ型同軸プラグ５はＦ型同軸端子としているが、本発明はこれに限るものではなく他の種類の同軸端子としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明にかかる実施例のＬ型同軸プラグを壁面等に設けられた直列ユニットに連結した態様を示す斜視図である。
【図２】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの構成を示す分解組立図である。
【図３】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの構成を示す側面図である。
【図４】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの構成を示す背面図である。
【図５】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの構成を示す下面図である。
【図６】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの組立途中の構成を断面図で示す側面図である。
【図７】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの構成をａ−ａ線で切断した断面図で示す側面図である。
【図８】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの構成を示す図７の一部拡大図である。
【図９】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの構成をｂ−ｂ線で切断した断面図で示す平面図である。
【図１０】本発明にかかる第１実施例のＬ型同軸プラグの鍔部を変形した変形例を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおける同軸ケーブルの加工の態様を示す図である。
【図１２】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおけるバネの構成を示す展開図である。
【図１３】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおけるバネの構成をｃ−ｃ線で切断した断面図である。
【図１４】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおけるバネの構成を示す平面図である。
【図１５】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおけるプラグ本体の構成を示す側面図である。
【図１６】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおけるプラグ本体の構成を示す背面図である。
【図１７】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおけるプラグ本体の構成を示す下面図である。
【図１８】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおけるプラグ本体の構成をｄ−ｄ線で切断した断面図で示す側面図である。
【図１９】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおけるプラグ本体の構成をｅ−ｅ線で切断した断面図で示す下面図である。
【図２０】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおける絶縁体の構成を示す平面図、正面図、ｆ−ｆ線で切断した断面図で示す正面図である。
【図２１】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおける中心コンタクトの構成を示す中心軸に沿って切断した断面図で示す平面図、側面図である。
【図２２】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグの挿入損失の周波数特性を示す図である。
【図２３】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグのＶＳＷＲの周波数特性を示す図である。
【図２４】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。
【図２５】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおいて絶縁板の厚さを変えた際の挿入損失の周波数特性を示す図である。
【図２６】本発明の第１実施例のＬ型同軸プラグにおいて絶縁板の厚さを変えた際のＶＳＷＲの周波数特性を示す図である。
【図２７】本発明の第１実施例において絶縁板の厚さを変えた際のＬ型同軸プラグのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。
【図２８】本発明にかかる第２実施例のＬ型同軸プラグの構成を示す分解組立図である。
【図２９】本発明の第２実施例のＬ型同軸プラグにおけるプラグ本体の構成を示す背面図である。
【図３０】本発明の第２実施例のＬ型同軸プラグにおける絶縁体の構成を示す平面図、ｇ−ｇ線で切断した断面図で示す正面図である。
【図３１】従来のＬ型同軸コネクタプラグの構成を示す側面図、断面図で示す側面図である。
【図３２】従来のＬ型同軸コネクタプラグの挿入損失の周波数特性を示す図である。
【図３３】従来のＬ型同軸コネクタプラグのＶＳＷＲの周波数特性を示す図である。
【図３４】従来のＬ型同軸コネクタプラグのインピーダンス特性を示すスミスチャートである。
【符号の説明】
【００３２】
１  Ｌ型同軸プラグ、２  直列ユニット、３  同軸ケーブル、３ａ  外被、３ｂ  編組線、３ｃ  絶縁体、３ｄ  芯線、５  Ｌ型同軸プラグ、１０  シールドカバー、１１  絶縁板、１２  中心コンタクト、１２ａ  挟持部、１２ｂ  コンタクト部、１２ｃ  切溝、１３  絶縁体、１３ａ  リング部、１３ｂ  底板、１３ｃ  挿通孔、１３ｄ  切欠、１３ｅ  突出部、１４  プラグ本体、１４ａ  鍔部、１４ｂ  円筒部、１４ｃ  円筒状突出部、１４ｄ  貫通孔、１４ｅ  係止部、１４ｆ  細径部、１４ｇ  ネジ孔、１４ｈ  テーパ部、１４ｉ  第１収納孔、１４ｊ  第２収納孔、１４ｋ  第３収納孔、１５  バネ、１５ａ  本体部、１５ｂ  すり割り、１５ｃ  膨出部、２３  絶縁体、２３ａ  リング部、２３ｂ  底板、２３ｃ  挿通孔、２３ｄ  切欠、２３ｅ  突出部、２３ｆ  係合溝、２４  プラグ本体、２４ａ  鍔部、２４ｂ  円筒部、２４ｃ  円筒状突出部、２４ｄ  貫通孔、２４ｆ  細径部、２４ｇ  ネジ孔、２４ｉ  第１収納孔、２４ｊ  第２収納孔、２４ｋ  第３収納孔、２４ｍ  係合突起、１００  Ｌ型同軸プラグ、１０１  モールド部、１０２  プラグ外部導体、１０３  シールド箱、１１０  同軸ケーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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