(57)【要約】【課題】  基板を露光描画テーブルに押圧し、基板を平面状に伸ばしてテーブルに密着させて正確な描画パターンを形成する露光描画装置を提供する。【解決手段】露光描画装置は、紫外光を基板（ＳＷ）に投影する投影光学系（５０）と、基板（ＳＷ）を載置して投影光学系（３５）と相対的に第１方向及びこの第１方向と交差する第２方向に移動する描画テーブル（１５）と、描画テーブル（１５）側に紫外光が照射される露光領域（４９）の周囲を押圧する基板押圧手段（４０）と、を備える。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外光を基板に投影する投影光学系と、
前記基板を載置して前記投影光学系と相対的に第１方向及びこの第１方向と交差する第２方向に移動する描画テーブルと、
前記描画テーブル側に前記紫外光が照射される露光領域の周囲を押圧する基板押圧手段と、
を備えることを特徴とする露光描画装置。
【請求項２】
前記基板押圧手段は、前記露光領域に対して前記第１方向及び前記第２方向にそれぞれ配置された回転ローラであることを特徴とする請求項１に記載の露光描画装置。
【請求項３】
前記基板には、ドライフィルムレジストが設けられていることを特徴とする請求項２に記載の露光描画装置。
【請求項４】
前記描画テーブルが前記第２方向に移動する際に、前記回転ローラと前記基板とが非接触の状態になることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の露光描画装置。
【請求項５】
前記基板押圧手段は、前記露光領域に対して前記第１方向及び前記第２方向にそれぞれ配置され、前記基板にガスを吹き付けるガス噴出部であることを特徴とする請求項１に記載の露光描画装置。
【請求項６】
前記基板には、液体レジストが塗布されていることを特徴とする請求項５に記載の露光描画装置。
【請求項７】
前記ガス噴出部による押圧は、前記ガスの噴出量又は前記ガス噴出部と前記基板との距離を調整することで決められることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の露光描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光材料層が形成されている平面基板に、描画パターンを描画露光させる露光描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路基板（プリント回路基板、以下は基板とする）は、例えば、携帯電話，各種モバイル，パーソナルコンピュータ等の電子機器に搭載されている。これらの電子機器の小型化に伴い、基板上に形成される回路パターンにおける配線、接続用ランド又はビア等についても、微細パターンを要求される傾向にある。
【０００３】
それらの要求に応えるには、従来のコンタクト方式の露光装置では、予め描画対象パターンと等倍のマスクを予め用意し、そのマスクを正常に管理・維持しなければならない。一方、ダイレクト露光方式の露光描画装置では、描画パターンをイメージ化した描画データに基づいてＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等の光空間変調素子が形成したイメージの像を基板の表面に投影することによって描画パターンを描画する。この描画方法では、多量の基板に対して正確に描画パターンを形成している。
【０００４】
ところが、露光描画装置に投入される基板は、熱処理が行われるため、反ったり変形したりして露光描画装置に投入されることになる。従って、露光描画装置は基板を露光描画テーブルに密着させるために、露光描画テーブルに変形した基板を平らに固定する様々な手段が講じられてきた。特許文献１では基板の２辺の端部を加圧して、基板を露光描画テーブルに吸着させている。特許文献２では基板の４辺の端部をクランプすることで加圧して、基板を露光描画テーブルに吸着させている。
【特許文献１】特開２００８−１８３４７号公報
【特許文献２】特開２００８−８３４７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実装される装置及びユニットが小型及び薄型になるにつれ、さらに最近の基板は薄くなる傾向にある。基板の薄型化は露光描画工程までの熱処理工程による基板の反りが起こりやすい。描画パターンを描画する露光描画装置では、熱のために周辺が反ることで波状に変形して、真空吸着機構だけでは露光テーブルに密着しにくい状態になる。したがって、露光描画装置において、特許文献１及び特許文献２においての加圧方法では、薄型化する基板を十分に均一平面にすることができず、正確な描画パターンを形成することができない。
【０００６】
そこで、本発明の露光描画装置は、薄型化する基板においても描画パターンを描画する露光描画装置にて、基板を露光描画テーブルに押圧し、該基板を平面状に伸ばしてテーブルに密着させて正確な描画パターンを形成する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
これらの課題を解決するために本発明では、露光描画装置の露光描画ステップにおいて、反って変形した基板を露光描画テーブルに平面に押圧できる手段を有する露光描画装置を提供することになる。
【０００８】
そこで第１の観点の露光描画装置は、紫外光を基板に投影する投影光学系と、基板を載置して投影光学系と相対的に第１方向及びこの第１方向と交差する第２方向に移動する描画テーブルと、描画テーブル側に紫外光が照射される露光領域の周囲を押圧する基板押圧手段と、を備える。
基板の中央で反っていても、基板押圧手段は、基板を平面に矯正し精度の高い描画パターンを形成することができる。
【０００９】
第２の観点の露光描画装置の基板押圧手段は、露光領域に対して第１方向及び第２方向にそれぞれ配置された回転ローラである。
回転ローラで基板を押圧するため、基板との摩擦を小さくするとともに確実に基板の反りを無くすことができる。
第３の観点の露光描画装置は、第２の観点において、ドライフィルムレジストが設けられている。
【００１０】
第４の観点の露光描画装置は、第２又は第３の観点において、描画テーブルが第２方向に移動する際に回転ローラと基板とが非接触の状態になる。
【００１１】
第５の観点の露光描画装置の基板押圧手段は、露光領域に対して第１方向及び第２方向にそれぞれ配置され、基板にガスを吹き付けるガス噴出部である。
ガスを吹き付けて基板を押圧するため、基板との摩擦をほどんど無くすることができ、さらに基板の反りを無くすことができる。
【００１２】
第６の観点の露光描画装置は、第５の観点において、基板に液体レジストが塗布されている。
【００１３】
第７の観点の露光描画装置は、第５又は第６の観点において、ガス噴出部による押圧は、ガスの噴出量又はガス噴出部と基板との距離を調整することで決められる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の露光描画装置は、露光描画領域の基板を平面状に伸ばすことで、基板が露光描画テーブル上に密着し、描画パターンを正確に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
《第一実施形態》
以下に、本発明の露光描画装置１００について説明する。図１は露光描画装置１００の全体斜視図である。ただし、露光描画装置の光学系を説明するために一部をカットして内部構造を示してある。
【００１６】
＜露光描画装置１００の構成＞
露光描画装置１００は、フォトレジスト等の感光材料を表面に塗布した基板ＳＷへ紫外光ＵＶを照射することにより、描画パターンを形成する装置である。露光描画装置１００は筐体底部１１をベースに筐体底部１１の側面にゲート構造部１２が接続され、ゲート構造部１２の上に２箇所の光学系２０が設置されている。ゲート構造部１２の間には露光描画部３０が配置されている。露光描画部３０の前面にはスライド１３が設置されており、スライド１３にはアライメントカメラＡＣが２箇所に設置されている。なお、必要に応じてアライメントカメラＡＣは３箇所以上の複数箇所に設置して、より基板ＳＷの位置を正確に計測することもできる。
【００１７】
筐体底部１１の上には移動テーブル１５が設置され、移動テーブル１５は筐体底部１１のＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能であり、移動テーブル１５に基板ＳＷが載置される。なお、移動テーブル１５は、例えばリニア移動手段にて基板ＳＷを精密に筐体のＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能となっている。なお移動テーブル１５は、リニア移動手段だけでなく、ボールねじと、スライドウエイと、ねじ駆動用モータ等で構成する移動手段を用いてもよい。いずれの移動手段においても移動用と現在位置を正確に反映する制御ができる機構であれば構わない。露光描画装置１００の制御はメイン制御部９０が行い、移動テーブル１５、光学系２０、露光描画部３０及びアライメントカメラＡＣなどを制御している。メイン制御部９０の制御系については後述する。
【００１８】
光源部２０は同じ内部構成を持つ２箇所の光源部２０ａと，光源部２０ｂとで構成されている。光源部２０ａと，光源部２０ｂとは同じ構成のため光源部２０ａを代表して説明する。
【００１９】
光源部２０ａはＵＶランプ２１と、第１全反射ミラー２２、コンデンサーレンズ２３、第２全反射ミラー２４、フライアイレンズ２５、楕円ミラー２６及びアパーチャ（不図示）とから構成されている。なお、光源部２０からは３６５ｎｍから４４０ｎｍまでの各種の波長が混在した紫外光ＵＶが発射されている。
【００２０】
光源部２０ａはＵＶランプ２１から発する露光描画に適した紫外光ＵＶは、楕円ミラー２６により天方向（＋Ｚ軸方向）に射出され、第１全反射ミラー２２により水平方向に向きを変え、コンデンサーレンズ２３にて集光され、第２全反射ミラー２４にて地面方向（−Ｚ軸方向）に向きを変える。向きを変えた紫外光ＵＶはフライアイレンズ２５及びアパーチャを経て露光描画部３０に入射する。
【００２１】
露光描画部３０は光分岐部３１、第１投影レンズ３２、反射ミラー３３、ＤＭＤ（ダイレクト・マイクロ・ミラー・デバイス）素子３４及び第２投影レンズ群３５で構成されている。
【００２２】
露光描画部３０に入射した紫外光ＵＶは光分岐部３１で４分岐されたビームとなる。ビームは更に８個の第１投影レンズ３２と、８個の反射ミラー３３とを経由して、８個のＤＭＤ素子３４に入射することで制御されたビームとなる。この制御されたビームは８個の第２投影レンズ群３５を通過することで、投影する露光描画の倍率を調整して、基板ＳＷに照射される。つまり、露光描画装置１００は、所望の描画像をあらかじめ収納してある描画データに従い、光源部２０ａ及び光源部２０ｂの紫外光ＵＶを制御することで、所定の倍率と光量とを基板に照射することができる。なお、露光描画装置１００は紫外光ＵＶの通過経路の途中にシャッタ（不図示）を設けて紫外光ＵＶの光量の制御、または不要な紫外光ＵＶの除去を行ってもよい。
【００２３】
アライメントカメラＡＣは、基板ＳＷの幅方向（Ｙ軸方向）に移動可能であり、スライド１３に沿って移動する。スライド１３はリニア駆動又はモータ駆動にて、基板ＳＷのアライメントマークＡＭを撮像するように、Ｙ軸方向にアライメントカメラＡＣを動かすことができる。アライメントカメラＡＣは、第１面の基板ＳＷのアライメントマークＡＭを検出して、基板ＳＷの位置確認をしている。本実施形態では２箇所にアライメントカメラＡＣを設置しているが、基板ＳＷの露光像の描画パターンが精細な場合には３箇所以上に増加させ、アライメントマークＡＭの間隔を狭くしても構わない。
【００２４】
＜基板固定手段＞
露光描画装置１００に搬送される基板ＳＷは薄く形成されたＸ軸方向に６００ｍｍ程度、Ｙ軸方向に５００ｍｍ程度の大きな基板であり、紫外光ＵＶで露光描画できるようにレジスト層が形成されている。基板ＳＷにレジスト層を積層するために本実施形態では感光性ドライフィルムを用いる。感光性ドライフィルムは片面にレジスト層が形成されているタイプを用いており、もう一方の片面はレジスト層が形成されていない。感光性ドライフィルムはレジスト層側を基板ＳＷの表面に接着させることで、フィルム側が大気と接触する面となる。感光性ドライフィルムは、接着後に後熱処理することで基板ＳＷに固着させる。
【００２５】
感光性ドライフィルムのレジスト面を接着した基板ＳＷは露光描画装置１００の移動テーブル１５の所定位置に搬送され、吸着固定される。吸着固定した基板ＳＷは移動テーブル１５がＸ軸方向へ移動することで、ゲート構造部１２の下部に搬送される。ゲート構造部１２の下部ではアライメントカメラＡＣでアライメントマークＡＭを検出し、露光描画処理を行う。
【００２６】
図２は移動テーブル１５の構成を示した図である。図２（ａ）は移動テーブル１５の断面の構成図を示し、図２（ｂ）は移動テーブル１５の上面図を示している。移動テーブル１５の表面は均一平面を形成しており、基板ＳＷを吸着固定するための吸着口１６が複数箇所に設置され、吸着配管１７に接続されている。移動テーブル１５は吸着配管１７より吸引ポンプ（不図示）で吸引することで移動テーブル１５に載置した基板ＳＷを吸着口１６で吸着固定する。吸着口１６は図２（ｂ）で示すように、基板ＳＷが載置される領域（破線で表示）に均等に形成され、基板ＳＷを均一な圧力で吸着することができるような構造となっている。なお、移動テーブル１５は静電吸着方式を採用することで、基板ＳＷを吸着してもよい。
【００２７】
変形した基板ＳＷは上記の基板固定手段を用いても、基板ＳＷを均一平面にすることができない場合があるため、本実施形態では露光描画部３０の直下の露光描画する範囲において、基板ＳＷを均一にするために基板押圧部４０を設置する。
【００２８】
図３は露光描画装置１００の上面図であり、光源部２０及び露光描画部３０を取り除いて、基板押圧部４０の配置を示した図である。図４はゲート構造部１２の下部に設置された基板押圧部４０の斜視図である。基板押圧部４０は移動テーブル１５と露光描画部３０との間に設置され、基板押圧部４０と移動テーブル１５との間に基板ＳＷがＸ軸方向に通過する。基板ＳＷは吸着固定されているが、部分的に数ミリメートルも反っていることがあるため、露光範囲の周辺を押圧することで均一平面を形成する必要がある。
【００２９】
図４に示されるように、基板押圧部４０は、基板を押圧する複数のローラ４１とブラケット４２で構成されている。ブラケット４２は紫外光ＵＶからの熱などで変形しにくい素材で形成され、ローラ４１は回転軸４３で保持され自由回転することができる。ローラ４１は基板ＳＷの搬送方向順に８個の前部ローラ４１ａ、９個の中部ローラ４１ｂ、８個の後部ローラ４１ｃが配置し、前部ローラ４１ａは前部回転軸４３ａで、中部ローラ４１ｂは中部回転軸４３ｂ、後部ローラ４１ｃは後部回転軸４３ｃで保持されている。また、ローラ４１は基板に均一な平面を形成するために、移動テーブル１５との接触面が均一な圧力で接触するように水平に配置する。回転軸４３も同様に移動テーブル１５と水平に配置され、前部回転軸４３ａ及び後部回転軸４３ｃはそれぞれ８個の前部ローラ４１ａ及び８個の後部ローラ４１ｃを貫通するように形成されている。中部回転軸４３ｂは９箇所に形成されており、９個の中部ローラ４１ｂを片持ち式で支えている。露光描画部３０の第２投影レンズ群３５の描画領域４９は、前部ローラ４１ａと、中部ローラ４１ｂと、後部ローラ４１ｃとで囲まれた領域であり、基板ＳＷに紫外光ＵＶで描画パターンを描画する領域である。複数のローラ４１の素材は基板ＳＷの表面にダメージを与えないように樹脂性であることが望ましく、通常の鋼製のベアリングであっても構わない。
【００３０】
図５（ａ）は露光描画部３０の描画領域４９を示した上面図であり、第２投影レンズ群３５及び基板押圧部４０との関係を示した図である。図５（ｂ）は（ａ）の側面図である。描画領域４９のＸ軸方向の大きさは１５ｍｍ程度であり、Ｙ軸方向に２５ｍｍ程度である。
【００３１】
８箇所の第２投影レンズ群３５から射出される紫外光ＵＶは８箇所の描画領域４９ａ、描画領域４９ｂ、描画領域４９ｃ、描画領域４９ｄ、描画領域４９ｅ、描画領域４９ｆ、描画領域４９ｇ及び描画領域４９ｈの空間を確保しておき、描画領域内で描画パターンを形成することができる。図５（ａ）に示すように描画領域４９の周囲にローラ４１が配置されており、４方のローラ４１が基板ＳＷを押圧して移動テーブル１５で吸着することで描画領域４９の基板ＳＷは均一平面に保たれる。
【００３２】
図６は基板ＳＷに描画パターンを描画する描画領域４９の経路を示した図である。露光描画部３０は８箇所の第２投影レンズ群３５で８箇所の描画領域４９ａから描画領域４９ｈが描画される。第２投影レンズ群３５は基板ＳＷのＹ軸方向に平行に設置しているため、描画領域４９は基板ＳＷが＋Ｘ軸方向に移動することで、相対的に−Ｘ軸方向に移動する。以下は代表して描画領域４９ａについて説明するが、描画領域４９ｂから描画領域４９ｇも同様に−Ｘ軸方向に移動する。
【００３３】
露光描画装置１００はアライメントカメラＡＣが基板ＳＷの先端側のアライメントマークＡＭ１及びアライメントマークＡＭ３を検知すると、描画領域４９ａを描画し始める。描画領域４９ａは移動テーブル１５が＋Ｘ軸方向に移動することで、相対的に矢印ＡＲ０方向（−Ｘ軸方向）に移動しながら描画パターンを描画していく。露光描画装置１００はアライメントカメラＡＣが基板ＳＷの後端側のアライメントマークＡＭ２及びアライメントマークＡＭ４を検知すると、基板ＳＷの後端で描画を中止して、描画領域４９ａの幅（Ｙ軸方向）の長さ分だけ移動テーブル１５を矢印ＡＲ１方向（＋Ｙ軸方向）に動かす。露光描画装置１００は描画を開始して、移動テーブル１５を−Ｘ軸方向に移動することで、相対的に矢印ＡＲ２向（＋Ｘ軸方向）に移動しながら描画パターンを描画していく。露光描画装置１００はアライメントカメラＡＣが基板ＳＷの先端側のアライメントマークＡＭ１及びアライメントマークＡＭ３を検知すると、基板ＳＷの先端で描画を中止して、描画領域４９ａの幅（Ｙ軸方向）の長さ分だけ移動テーブル１５を矢印ＡＲ３方向（＋Ｙ軸方向）に動かす。露光描画装置１００は描画を開始して、移動テーブル１５を＋Ｘ軸方向に移動することで、相対的に矢印ＡＲ４方向（−Ｘ軸方向）に移動しながら描画パターンを描画していく。露光描画装置１００はアライメントカメラＡＣが基板ＳＷの後端側のアライメントマークＡＭ２及びアライメントマークＡＭ４を検知すると、基板ＳＷの後端で描画を中止する。
【００３４】
つまり、露光描画装置１００は移動テーブル１５を２往復させることで、基板ＳＷの全面の描画パターンを描画することができる。
【００３５】
図７は基板押圧部４０を駆動させる上下駆動部５０を示した図である。図７（ａ）は基板押圧部４０及び上下駆動部５０の上面図であり、図７（ｂ）は基板押圧部４０及び上下駆動部５０の側面図である。
【００３６】
上下駆動部５０は支持部５１、シリンダ部５２及び連結部５３で構成されている。支持部５１は第２投影レンズ群３５を固定するレンズ固定部３６と接合されており、垂直下方（−Ｚ軸方向）になるよう設置されている。基板押圧部４０はブラケット４２と、上下駆動部５０の連結部５３及びシリンダ部５２と接続されている。シリンダ部５２は固定部５４が支持部５１に固定され、移動部55が支持部５１に沿って垂直に移動することができる。上下駆動部５０はシリンダ部５２を駆動させることにより、基板押圧部４０を垂直に昇降することができる。このため、基板押圧部４０のローラ４１は移動テーブル１５と水平に昇降し基板ＳＷを均一に押圧することができる。
【００３７】
露光描画装置１００は基板ＳＷが部分的に変形していても、ローラ４１で基板ＳＷを移動テーブル１５の均一平面に押し付け、移動テーブル１５により吸着固定することで描画領域４９を平面に保つことができるため、正確に描画パターンを描画することができる。なお、シリンダ部５２の移動距離は基板ＳＷの厚みと相関させることが望ましく、シリンダ部５２のストロークと、例えばスプリングなどの緩衝部（不図示）により、Ｚ軸方向の高さを変化させ、基板ＳＷにかかる圧力を均一に保持することもできる。
【００３８】
＜露光描画装置の制御系の構成＞
図８は露光描画装置１００の制御系の全体図である。露光描画装置１００のメイン制御部９０はテーブル制御部９１、露光制御部９２、光源制御部９３、基板押圧制御部９４、アライメントマーク観察部９５及びラスタ変換部９６を制御している。
【００３９】
テーブル制御部９１はメイン制御部９０からアライメントマーク観察部９５の情報より基板ＳＷを載置した移動テーブル１５を、Ｘ軸駆動部６１及びＹ軸駆動部６２をもちいて駆動させる。また、テーブル制御部９１は移動テーブル１５の位置情報を位置検出部６３で取得し、正確な位置であるかをフィードバックしてＸ軸駆動部６１及びＹ軸駆動部６２を駆動させる。
【００４０】
光源制御部９３はメイン制御部９０からの指示により光源部２０を制御し、フィルタ及びシャッタを制御することで、所望の波長及び光量の紫外光ＵＶを射出する。
【００４１】
基板押圧制御部９４はメイン制御部９０からの指示により、露光処理時に基板押圧部４０を適切な位置及び圧力で基板ＳＷに押圧する。
【００４２】
アライメントマーク観察部９５はアライメントカメラＡＣで基板ＳＷに形成されているアライメントマークＡＭを検出し、基板のずれを検出してメイン制御部９０に伝える。
【００４３】
メイン制御部９０は基板ＳＷに露光するＣＡＤデータのパターンデータ６５をラスタ変換部９６にかけラスタ変換する。メイン制御部９０はラスタ変換した描画データを露光制御部９２でビットマップメモリ６６を生成する。露光制御部９２はビットマップメモリ６６を用いて、露光描画部３０を制御することで光源部２０からの紫外光ＵＶを描画パターンに変換して基板ＳＷに露光する。露光描画装置１００はこれらの制御により、基板を均一平面にして、描画パターンを正確に描画することができる。
【００４４】
図９は露光描画装置１００の露光描画制御のフローチャートである。以下はフローチャートに従い説明する。
【００４５】
ステップＳ１１において、メイン制御部９０はテーブル制御部９１で吸引ポンプを作動させることで、搬送された基板ＳＷを移動テーブル１５に吸着固定する。基板ＳＷはレジスト層を形成し、熱処理されている。
【００４６】
ステップＳ１２において、メイン制御部９０はアライメントマーク観察部９５の情報から、移動テーブル１５のＹ軸駆動部６２を駆動させ、Ｙ軸方向の位置を調整する。
ステップＳ１３において、メイン制御部９０はアライメントマーク観察部９５の情報から、移動テーブル１５のＸ軸駆動部６１を駆動させ、Ｘ軸方向の位置を調整する。なお、移動テーブル１５のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報は位置検出部63により取得する。
【００４７】
ステップＳ１４において、メイン制御部９０は上下駆動部５０を駆動させ、基板押圧部４０を下降させる。
ステップＳ１５において、メイン制御部９０は基板押圧制御部９４で基板ＳＷの厚みに応じた下降位置を調整することで密着圧を制御し、基板押圧部４０のローラ４１を基板に押し付け基板ＳＷを平面にさせる。
【００４８】
ステップＳ１６において、メイン制御部９０はラスタ変換部９６によりパターンデータ６５をビットマップメモリ６６にし、露光制御部９２及び光源制御部９３を制御することで、露光描画を開始する。光源制御部９３はシャッタで紫外光ＵＶの光量及び波長を制御し、露光制御部９２は露光描画部３０に入射する紫外光ＵＶを制御することで描画パターンに変換し、基板ＳＷに描画パターンの露光処理を開始する。
【００４９】
ステップＳ１７において、メイン制御部９０は移動テーブル１５のＸ軸駆動部６１を駆動させ、Ｘ軸方向（図６の参照）に移動をさせることで、位置検出部６３で取得した位置に適合する描画パターンを露光描画していく。また、メイン制御部９０はアライメントマーク観察部９５でアライメントマークＡＭを観察しながら精密な基板位置を調節する。
【００５０】
ステップＳ１８において、メイン制御部９０は、光源制御部９３によりシャッタを閉じることで光源部２０の光を遮断し、露光描画を終了する。
【００５１】
ステップＳ１９において、メイン制御部９０は、上下駆動部５０を駆動させ、基板押圧部４０を上昇させる。
【００５２】
ステップＳ２０において、メイン制御部９０は、基板ＳＷの全面を露光描画したかを判断する。露光描画してない場合はステップ１２に戻りＹ軸方向の位置を調節する。全面を露光描画している場合は露光描画処理を終了する。
【００５３】
≪第二実施形態≫
第一実施形態ではローラ４１が移動テーブル１５に載置された基板ＳＷを加圧して変形した基板ＳＷを矯正したが、ローラ４１が基板ＳＷに接触して移動するため、基板ＳＷの表面に形成した感光性ドライフィルムに負荷が掛かるおそれがある。また、液体レジストを基板ＳＷに塗布した場合には液体レジストを熱処理して硬化させても、レジストに粘張度が残るため、ローラ４１で加圧すると、ローラ４１とレジストとの接着又はレジストのはがれ等をおこし、露光描画処理を行うことができない。そこで本実施形態では液体レジストを用いる場合においても、基板を均一平面に保持することができる露光描画装置１００を提供する。
【００５４】
本実施形態の露光描画装置１００はローラ４１を用いない基板押圧部１４０を設置している。基板押圧部１４０以外は第一実施形態と同様なため、基板押圧部１４０についてのみ説明する。
【００５５】
図１０（ａ）は基板押圧部１４０の斜視図であり、一部をカットして内部を見やすく示している。図１０（ｂ）は上下駆動部５０及び基板押圧部１４０の側面図である。
【００５６】
基板押圧部１４０は空気配管１４１とブラケット１４２とで構成され、ブラケット１４２の長軸方向（Ｙ軸方向）と平行に空気配管１４１が設置されている。空気配管１４１はφ２５ｍｍ程度の円柱状で、管状に形成されており、下面（―Ｚ軸方向）に突出口１４３が８箇所に形成されている。空気配管１４１の吸入口１４４からポンプ（不図示）により圧縮空気を送り込むことで、突出口１４３から圧縮空気が排出される。なお、ポンプから送り込む気体は空気だけでなく、窒素ガス等の不活性ガスを送ることで、レジストに過酸素の影響を低下させることができる。また８箇所の以上の突出口１４３を設けてもよい。
【００５７】
基板ＳＷは移動テーブルに１５で吸着固定された後、描画開始位置に配置されると突出口１４３よりガスが噴出することで、基板ＳＷの変形が矯正され均一平面を形成することができる。
【００５８】
基板押圧部１４０は上下駆動部５０を駆動させて基板ＳＷとの間隔が数ｍｍの位置に配置させる。
【００５９】
基板押圧部１４０の描画領域を確保する空間はＸ軸方向に１５ｍｍ程度であり、Ｙ軸方向は露光描画部３０の全幅に相当する５００ｍｍ程度の空間を形成することができる。このため露光制御部は基板押圧部１４０を基板ＳＷの上部の数ｍｍ程度に配置した後は、移動テーブル１５をＸ軸方向及びＹ軸方向に自由に移動させることができるため、基板全面の露光描画処理が終了するまで基板押圧部１４０を上昇する必要がない。
本実施形態では２本の円柱状の空気配管１４１を示したが、平板を内蔵した２本の配管でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】露光描画装置１００の全体斜視図である。
【図２】（ａ）は、移動テーブル１５の断面の構成図である。  （ｂ）は、移動テーブル１５の上面図である。
【図３】露光描画装置１００に配置した基板押圧部４０を示した上面図である。
【図４】基板押圧部４０の斜視図である。
【図５】（ａ）は、描画領域４９を示した上面図である。  （ｂ）は、（ａ）の側面図である。
【図６】基板ＳＷに描画パターンを描画する描画領域４９の経路を示した図である。
【図７】（ａ）は、基板押圧部４０及び上下駆動部５０の上面図である。  （ｂ）は、基板押圧部４０及び上下駆動部５０の側面図である。
【図８】露光描画装置１００の制御系の全体図である
【図９】露光描画装置１００の露光描画制御のフローチャートである。
【図１０】（ａ）は、基板押圧部１４０の斜視図である。  （ｂ）は、基板押圧部１４０及び上下駆動部５０の側面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１１    …  筐体底部
１２    …  ゲート構造部
１３    …  スライド
１５    …  移動テーブル
１６    …  吸着口、１７    …  吸着配管
２０    …  光学系
２１    …  ＵＶランプ
２２    …  第１全反射ミラー、２３    …  コンデンサーレンズ
２４    …  第２全反射ミラー、２５    …  フライアイレンズ、２６    …  楕円ミラー
３０    …  露光描画部
３１    …  光分岐部
３２    …  第１投影レンズ
３３    …  反射ミラー
３４    …  ＤＭＤ素子、３５    …  第２投影レンズ群
３６    …  レンズ固定部
４０    …  基板押圧部
４１    …  ローラ、４２    …  ブラケット、４３    …  回転軸
４９    …  描画領域
５０    …  上下駆動部
５１    …  支持部
５２    …  シリンダ部
５３    …  連結部、５４    …  固定部、５５    …  移動部
６１    …  Ｘ軸駆動部、６２    …  Ｙ軸駆動部
６３    …  位置検出部
９０    …  メイン制御部
９１    …  テーブル制御部
９２    …  露光制御部
９３    …  光源制御部
９４    …  基板押圧制御部
９５    …  アライメントマーク観察部
９６    …  ラスタ変換部
１００  …  露光描画装置、１４０  …  基板押圧部
１４１  …  空気配管、１４２  …  ブラケット
１４３  …  突出口、１４４  …  吸入口
ＡＣ    …  アライメントカメラ、ＡＭ    …  アライメントマーク
ＳＷ    …  基板
ＵＶ    …  紫外光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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