(57)【要約】      （修正有）【課題】回路パターンの寸法安定性と耐熱性を高めて、回路パターンと集積回路チップまたは表示装置に含まれる回路電極の密着強度などが向上できる軟性フィルム及びそれを備える表示装置を提供する。【解決手段】ポリイミドなどからなる軟性フィルム４４０はベースフィルムで形成される絶縁フィルム、及び絶縁フィルム上に形成される金属層を含み、金属層をエッチングすることにより形成された回路パターン上にスズを含む接合層が形成されている。【選択図】図４ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルム上に配置される金属層とを含み、
前記金属層は回路パターンと、前記回路パターン上に配置されるスズを含む接合層を含むことを特徴とする軟性フィルム。
【請求項２】
前記絶縁フィルムは、ポリイミド、液晶ポリマー、及びポリエステルのうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の軟性フィルム。
【請求項３】
前記金属層は、ニッケル、金、クロム、及び銅のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の軟性フィルム。
【請求項４】
前記接合層の厚みは５０ｎｍ乃至２μｍであることを特徴とする請求項１に記載の軟性フィルム。
【請求項５】
前記接合層は、前記回路パターンに電解めっきされたことを特徴とする請求項１に記載の軟性フィルム。
【請求項６】
絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルム上に配置される金属層と、
前記金属層上に配置される集積回路チップと、を含み、
前記金属層は、回路パターンと前記回路パターン上に形成されるスズを含む接合層を含むことを特徴とする軟性フィルム。
【請求項７】
前記絶縁フィルムは、ポリイミド、液晶ポリマー、及びポリエステルのうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項６に記載の軟性フィルム。
【請求項８】
前記金属層は、ニッケル、金、クロム、及び銅のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項６に記載の軟性フィルム。
【請求項９】
前記接合層の厚みは５０ｎｍ乃至２μｍであることを特徴とする請求項６に記載の軟性フィルム。
【請求項１０】
前記接合層は、前記回路パターンに電解めっきされたことを特徴とする請求項６に記載の軟性フィルム。
【請求項１１】
パネルと、
駆動部と、
前記パネルと前記駆動部との間に配置される軟性フィルムと、を含み、
前記軟性フィルムは、
絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルム上に配置される金属層とを含み、
前記金属層は、回路パターンと前記回路パターン上に形成されるスズを含む接合層を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記パネルは、
第１電極と、
前記第１電極と交差する方向に形成された第２電極とを含み、
前記第１電極と前記第２電極は、前記回路パターンに連結されたことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記軟性フィルムは、前記回路パターン上に配置される前記集積回路チップをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記接合層の厚みは５０ｎｍ乃至２μｍであることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記パネルと前記駆動部のうち、少なくとも１つを前記軟性フィルムに連結する導電性フィルムをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記導電性フィルムは異方性導電フィルムであることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記導電性フィルムに接触されている前記軟性フィルムの一部分を封入する樹脂をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟性フィルムに関し、より詳しくは、絶縁フィルム上に形成される金属層に回路パターンを形成し、回路パターン上にスズを含む接合層を形成することによって、信頼性、耐熱性、及び寸法安定性を向上し、集積回路チップと回路パターンとの間の接着性を高めることができる軟性フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
平板ディスプレイ技術が発達するにつれて、液晶表示装置（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、有機電界発光表示装置（Organic Light Emitting Device：ＯＬＥＤ）のような種々の平板ディスプレイ装置が開発されている。平板ディスプレイは駆動部及びパネルを含み、駆動部から伝達する画像信号がパネルに含まれる多数の電極に伝達されることにより画像を表示する。
【０００３】
平板ディスプレイに含まれる駆動部は、印刷回路基板（Printed Circuit Board：ＰＣＢ）であることができ、パネルに含まれる多数の電極に画像信号を印加してパネルに画像を表示する。駆動部から印加する画像信号はＣＯＧ（Chip-On-Glass）方式などによりパネルの電極に伝達される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、軟性フィルムに含まれる金属層上に回路パターンを形成し、回路パターン上にスズを含む接合層を形成することによって、寸法安定性、耐熱性、及び集積回路チップと回路パターンとの密着強度が優れる軟性フィルム及びそれを含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明に係る軟性フィルムは、絶縁フィルム、及び上記絶縁フィルム上に配置される金属層を含み、上記金属層は所定の回路パターンを含み、上記回路パターン上にスズ（Tin）を含む接合層が形成される。
【０００６】
また、本発明に係る軟性フィルムは、絶縁フィルム、上記絶縁フィルム上に配置される金属層、及び上記金属層上に配置される集積回路チップＩＣを含み、上記金属層は上記集積回路チップと連結される所定の回路パターンを含み、上記回路パターン上にスズを含む接合層が形成される。
【０００７】
一方、本発明に係る表示装置は、画像を表示するパネル、上記パネルに画像信号を印加する駆動部、上記パネルと上記駆動部との間に配置される軟性フィルム、及び上記パネル及び上記駆動部のうち、少なくとも１つを上記軟性フィルムと連結する導電性フィルムを含み、上記軟性フィルムは、絶縁フィルム、及び上記絶縁フィルム上に形成される金属層を含み、上記金属層は回路パターンを含み、上記回路パターン上にスズを含む接合層が形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、回路パターン上にスズを含む接合層を形成することによって、回路パターンの寸法安定性と耐熱性を高めて、回路パターンと集積回路チップまたは表示装置に含まれる回路電極の密着強度などを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の好ましい実施形態に対して図面を参照しつつ説明する。
【００１０】
図１ａ乃至図１ｆは、本発明の一実施形態に係る軟性フィルムの断面を示す図である。軟性フィルム１００ａ、１００ｂは、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式の表示装置が含む駆動部から印加する画像信号をパネルの電極に伝達する。
【００１１】
軟性フィルム１００ａ、１００ｂは、絶縁性を有するフィルム上に金属層を形成し、金属層に回路パターンを印刷することで、駆動部から印加する画像信号をパネルの電極に伝達する。したがって、ＴＡＢ方式に使われる軟性フィルムの回路パターンは、駆動部の回路及びパネルの電極と連結されて駆動部から印加する信号をパネルに伝達する。
【００１２】
図１ａ及び図１ｂは、１層の金属層１２０ａ、１２０ｂを含む軟性フィルム１００ａ、１００ｂを図示する。図１ａ及び図１ｂを参照すると、本実施形態に係る軟性フィルム１００ａ、１００ｂは、絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂ、及び絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂ上に配置される金属層１２０ａ、１２０ｂを含む。
【００１３】
金属層１２０ａ、１２０ｂは電気導電性を有する金属を含み、回路パターンが印刷されることができる。一方、上記回路パターン上にスズを含む接合層がさらに形成されることができる。金属層１２０ａ、１２０ｂ上には、上記回路パターンを保護するために接着層で保護層を付着することができる。
【００１４】
絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂは、絶縁性を有するポリイミド（polyimide）、ポリエステル（polyester）、または液晶ポリマー（liquid crystal polymer）などの高分子物質を含むことができる。絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂ上に形成される金属層１２０ａ、１２０ｂは、ニッケル、金、クロム、または銅などを含むことができる。
【００１５】
金属層１２０ａ、１２０ｂは、絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂ上にキャスティング、またはラミネーティング方式などにより形成されることができる。キャスティング方式を利用する場合、所定の金属薄膜上に液状の絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂを塗布し、高温のオーブンで乾燥して硬化させることによって、絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂ上に金属層１２０ａ、１２０ｂを形成することができる。一方、ラミネーティング方式を利用して絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂ上に接着剤を塗布し、オーブンに焼いて接着層を固定した後、絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂ上に金属層１２０ａ、１２０ｂを位置させ、プレス加工して軟性フィルム１００ａ、１００ｂを製造することができる。
【００１６】
金属層１２０ａ、１２０ｂは、ニッケル、銅、金、クロムなどを含むことができ、一実施形態として、ニッケルとクロムとの合金で形成されることができる。好ましくは、ニッケルが９７％、クロムを３％の割合で含む合金、及びニッケル９３％、クロム７％で構成される合金で金属層１２０ａ、１２０ｂを含むことができる。ニッケルとクロムとの合金で金属層１２０ａ、１２０ｂを形成することによって、軟性フィルム１００の耐熱性を高めることができる。金属層１２０ａ、１２０ｂの厚みは剥離強度と軟性フィルム１００ａ、１００ｂの製品特性を考慮して４乃至１３μｍのものが好ましい。
【００１７】
金属層１２０ａ、１２０ｂが形成されると、金属層１２０ａ、１２０ｂをエッチングして回路パターンを形成し、上記回路パターン上に接合層を形成する。上記接合層は、上記回路パターンを他の電極または集積回路チップなどと連結する場合、ハンダ付けを容易にすることができ、一実施形態として、スズ（Tin）を含むことができる。溶融点が３００℃以下のスズを含む接合層を上記回路パターン上に形成することによって、溶融点が３３０℃以上の蝋を利用する場合に比べて、より容易に上記回路パターンを他の電極または集積回路チップなどと接合することができる。
【００１８】
図１ｃ及び図１ｄは、２層の金属層１２０ｃ〜１３０ｃ、１２０ｄ〜１３０ｄを含む軟性フィルム１００ｃ、１００ｄを図示する。図１ｃ及び図１ｄを参照すると、本実施形態に係る軟性フィルム１００ｃ、１００ｄは、絶縁フィルム１１０ｃ、１１０ｄ、絶縁フィルム１１０ａ、１１０ｂ上に配置される第１金属層１２０ｃ、１２０ｄ、及び第１金属層１２０ｃ、１２０ｄ上に配置される第２金属層１３０ｃ、１３０ｄを含む。
【００１９】
第１金属層１２０ｃ、１２０ｄは、絶縁フィルム１１０ｃ、１１０ｄ上にスパッタリングまたは無電解めっき方式により形成されることができ、ニッケル、クロム、金、または銅などを含むことができる。スパッタリング方式を利用する場合、ニッケルとクロムとの合金で第１金属層１２０ｃ、１２０ｄを形成することができ、第１金属層１２０ｃ、１２０ｄは９３乃至９７％の割合でニッケルを含むことができる。
【００２０】
無電解めっき方式を利用する場合、絶縁フィルム１１０ｃ、１１０ｄを所定の金属イオンを含む無電解めっき液に浸漬し、還元剤を添加して上記金属イオンを金属に析出することで、第１金属層１２０ｃ、１２０ｄを形成することができる。一実施形態として、硫酸銅水溶液に絶縁フィルム１１０ｃ、１１０ｄを浸漬し、還元剤としてホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）を追加して銅イオンを銅に析出することで、銅を含む第１金属層１２０ｃ、１２０ｄを形成することができる。他の実施形態として、硫酸ニッケル水溶液に絶縁フィルム１１０ｃ、１１０ｄを浸漬し、還元剤として次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）を利用することで、ニッケルを含む第１金属層１２０ｃ、１２０ｄを形成することができる。
【００２１】
第２金属層１３０ｃ、１３０ｄは、第１金属層１２０ｃ、１２０ｄ上に形成され、金または銅などを含むことができる。一実施形態として、第２金属層１３０ｃ、１３０ｄは電流を印加して金属イオンを金属に析出する電解めっき方式を利用して形成することができる。電解めっき方式を利用する場合、印加する電流の量及び電流を印加する時間を調節して第２金属層１３０ｃ、１３０ｄの厚みを調節することができる。
【００２２】
金属層１２０ｃ〜１３０ｃ、１２０ｄ〜１３０ｄの厚みに特別な制限はないが、剥離強度及び軟性フィルム１００ｃ、１００ｄの特性を絶縁フィルム１１０ｃ、１１０ｄの厚みの２／３倍乃至１／１０倍のものが好ましい。一実施形態として、絶縁フィルム１１０ｃ、１１０ｄの厚みが３５乃至３８μｍの場合、金属層１２０ｃ〜１３０ｃ、１２０ｄ〜１３０ｄを４乃至１３μｍの厚みで形成することができる。特に、第１金属層１２０ｃ、１２０ｄは１００ｎｍ内外、第２金属層１３０ｃ、１３０ｄは９μｍ内外の厚みで形成することができる。この際、第１金属層１２０ｃ、１２０ｄの厚みが小さ過ぎる場合、回路パターン及び接合層を形成する過程で第１金属層１２０ｃ、１２０ｄが上記接合層に置換できるので、第１金属層１２０ｃ、１２０ｄは所定の厚み以上に形成することが好ましい。
【００２３】
金属層１２０ｃ〜１３０ｃ、１２０ｄ〜１３０ｄが形成されると、金属層１２０ｃ〜１３０ｃ、１２０ｄ〜１３０ｄをエッチングして回路パターンを形成し、上記回路パターン上に所定の接合層を形成する。上記接合層は、上記回路パターンを他の電極または集積回路チップなどと連結する場合、ハンダ付けを容易にすることができ、一実施形態として、スズ（Tin）を含むことができる。溶融点が３００℃以下のスズを含む接合層を上記回路パターン上に形成することによって、溶融点が３３０℃以上の蝋を利用する場合に比べて、より容易に上記回路パターンを他の電極または集積回路チップなどと接合することができる。
【００２４】
図１ｅ及び図１ｆは、３層の金属層１２０ｅ〜１４０ｅ、１２０ｆ〜１４０ｆを含む軟性フィルム１００ｅ、１００ｆを図示する。図１ｅ及び図１ｆを参照すると、本実施形態に係る軟性フィルム１００ｅ、１００ｆは、絶縁フィルム１１０ｅ、１１０ｆ、絶縁フィルム１１０ｅ、１１０ｆ上に配置される第１金属層１２０ｅ、１２０ｆ、第１金属層１２０ｅ、１２０ｆ上に配置される第２金属層１３０ｅ、１３０ｆ、及び第２金属層１３０ｅ、１３０ｆ上に配置される第３金属層１４０ｅ、１４０ｆを含む。
【００２５】
第１金属層１２０ｅ、１２０ｆは、絶縁フィルム１１０ｅ、１１０ｆ上にスパッタリングまたは無電解めっき方式により形成されることができ、ニッケル、クロム、金、または銅などを含むことができる。スパッタリング方式を利用する場合、ニッケルとクロムとの合金で第１金属層１２０ｅ、１２０ｆを形成することができ、第１金属層１２０ｅ、１２０ｆは９３乃至９７％の割合でニッケルを含むことができる。
【００２６】
無電解めっき方式を利用する場合、絶縁フィルム１１０ｅ、１１０ｆを所定の金属イオンを含む無電解めっき液に浸漬し、還元剤を添加して上記金属イオンを金属に析出することで、第１金属層１２０ｅ、１２０ｆを形成することができる。一実施形態として、硫酸銅水溶液に絶縁フィルム１１０ｅ、１１０ｆを浸漬し、還元剤としてホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）を追加して銅イオンを銅に析出することで、銅を含む第１金属層１２０ｅ、１２０ｆを形成することができる。他の実施形態として、硫酸ニッケル水溶液に絶縁フィルム１１０ｅ、１１０ｆを浸漬し、還元剤として次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）を利用することで、ニッケルを含む第１金属層１２０ｅ、１２０ｆを形成することができる。
【００２７】
第２金属層１３０ｅ、１３０ｆは、第１金属層１２０ｅ、１２０ｆ上にスパッタリング方式により形成することができる。特に、第１金属層１２０ｅ、１２０ｆがニッケルとクロムとの合金で形成される場合、電気抵抗の低い銅で第２金属層１３０ｅ、１３０ｆを形成することによって、第３金属層１４０ｅ、１４０ｆを形成する電解めっき工程の効率を高めることができる。
【００２８】
第３金属層１４０ｅ、１４０ｆは、電解めっき工程を利用して形成することができ、電気導電性が優れる金または銅を含むことができる。金属イオンを含む電解めっき溶液に所定の電流を印加して上記金属イオンを金属に析出することで、第３金属層１４０ｅ、１４０ｆを形成することができる。
【００２９】
金属層１２０ｅ〜１４０ｅ、１２０ｆ〜１４０ｆの厚みは、絶縁フィルム１１０ｅ、１１０ｆの厚みと１：１．５乃至１：１０の割合を有することが好ましい。上記の割合は、軟性フィルム１００ｅ、１００ｆの製品特性、剥離強度などを考慮して決定できる数値であり、第３金属層１４０ｅ、１４０ｆまで形成すると、金属層１２０ｅ〜１４０ｅ、１２０ｆ〜１４０ｆをエッチングして回路パターンを形成し、上記回路パターン上に所定の接合層を形成する。
【００３０】
一実施形態として、上記接合層はスズ（Tin）を含むことができ、上記回路パターンのうち、集積回路チップＩＣと連結される回路パターン、または表示装置の駆動部及びパネルの電極などと連結される回路パターン上に形成されることができる。一般的なハンダ付け用金属に比べて溶融点が相対的に低いスズを含む接合層を形成することによって、上記回路パターンを集積回路チップＩＣまたは表示装置の駆動部及びパネルなどに容易に連結することができる。
【００３１】
図２ａ乃至図２ｃは、本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＴＣＰ（Tape-Carrier-Package）を示す図である。図２ａを参照すると、本実施形態に係るＴＣＰ２００は、軟性フィルム２１０、軟性フィルム２１０上に形成される回路パターン２２０、回路パターン２２０上に形成される接合層２３０、及び集積回路チップ２４０を含む。ＴＣＰ２００は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式により動作する表示装置に含まれて駆動部から発生する画像信号をパネルの電極に伝達することができる。
【００３２】
軟性フィルム２１０は、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーなどの高分子物質で形成される絶縁フィルム、及び絶縁フィルム上に形成される金属層を含む。上記の金属層は、ニッケル、クロム、金、または銅などを含むことができ、１層構造、２層構造、または３層構造を有することができる。
【００３３】
一実施形態として、金属層を２層構造で形成する場合、第１金属層はスパッタリング方式または無電解めっき方式などにより形成されることができ、ニッケル、クロム、金、または銅などを含むことができる。第１金属層をニッケルとクロムとの合金で形成する場合、ニッケル及びクロムを９３：７または９７：３の割合で含む合金で第１金属層を形成することによって、軟性フィルム２１０の耐熱性を向上させることができる。ニッケルとクロムとの合金で第１金属層を形成する場合は、スパッタリング方式を利用することが好ましい。
【００３４】
第２金属層は、電解めっき方式により第１金属層上に形成されることができる。第１金属層がニッケルとクロムとの合金を含む場合、第１金属層の高い電気抵抗により第２金属層を形成する電解めっき工程の効率が低くなることがある。したがって、第１金属層を無電解めっき方式により銅で形成することによって、上記電解めっき工程の効率を高めることができる。上記銅層は電気抵抗を低めることによって、第１金属層をニッケル及びクロムの合金で形成した場合より、電解めっきの効率を高めることができる。
【００３５】
回路パターン２２０は、軟性フィルム２１０に含まれる金属層に印刷され、集積回路チップ２４０と連結されるインナーリード（Inner Lead）２２０ａ、及び表示装置の駆動部またはパネルと連結されるアウターリード（Outer Lead）２２０ｂを含む。インナーリード（Inner Lead）２２０ａとアウターリード（Outer Lead）２２０ｂは、各々ＩＬＢ（Inner Lead Bonding）パッド及びＯＬＢ（Outer Lead Bonding）パッドを介して集積回路チップ２４０、及び表示装置の駆動部またはパネルと連結される。
【００３６】
回路パターン２２０上にはスズを含む接合層２３０が形成されることができる。接合層２３０は、金属層に形成された回路パターン２２０上に無電解めっき方式により形成されることができる。特に、回路パターン２２０のインナーリード（Inner Lead）２２０ａにスズ層２３０を形成することによって、集積回路チップ２４０の金バンプと接合層２３０とが熱または超音波などで容易に連結されることができる。接合層２３０がスズを含む場合、上記金バンプと接合層２３０とは熱または超音波によりＡｕ−Ｓｎ結合を生成する。
【００３７】
図２ｂは、図２ａに示すＴＣＰの２−２’方向の断面を示す断面図である。図２ｂを参照すると、本実施形態に係るＴＣＰ２００は、デバイスホール２５０が形成される軟性フィルム２１０、集積回路チップ２４０、及び軟性フィルム２１０に含まれるスズ層２３０と集積回路チップ２４０を連結する金バンプ２６０を含むことができる。
【００３８】
図２ｂに示すように、軟性フィルム２１０は、絶縁フィルム２１２、及び絶縁フィルム２１２上に形成される金属層２１４を含み、金属層２１４には回路パターン２２０が印刷されることができる。絶縁性を有するポリイミド、液晶ポリマーなどの物質を含む絶縁フィルム２１２上に金属層２１４をスパッタリング、無電解めっき、または電解めっき方式などにより形成し、金属層２１４をエッチングすることで、回路パターン２２０を形成することができる。
【００３９】
回路パターン２２０は、集積回路チップ２４０と連結されるインナーリード（Inner Lead）２２０ａ、及び駆動部またはパネルに連結されるアウターリード（Outer Lead）２２０ｂを含むことができる。一実施形態として、インナーリード（Inner Lead）２２０ａは４０μｍ内外、アウターリード（Outer Lead）２２０ｂは６０μｍ内外のピッチで形成されることができ、ＴＣＰ２００が適用される表示装置の解像度によって上記ピッチ値は変わることができる。
【００４０】
回路パターン２２０上には接合層２３０が形成されることができる。絶縁フィルム２１２上に形成された金属層２１４に回路パターン２２０を印刷し、回路パターン２２０上に接合層２３０を無電解めっきする。回路パターン２２０上に接合層２３０を形成することによって、ＴＣＰ２００が表示装置の駆動部及びパネルと容易に連結されることができる。
【００４１】
この際、金属層２１４に含まれるシード層が薄過ぎると、接合層２３０をめっきする過程でシード層を形成した金属物質が接合層２３０に含まれるスズに置換されることができる。したがって、上記置換を防止するために、絶縁フィルム２１２上に形成される金属層２１４のシード層は一定の厚み以上に形成されなければならず、好ましくは３０乃至１００ｎｍの厚みを有することができる。
【００４２】
ＴＣＰ２００に含まれる軟性フィルム２１０は、集積回路チップ２４０が付着される領域に形成されるデバイスホール２５０を含む。デバイスホール２５０は、軟性フィルム２１０に形成される孔であって、軟性フィルム２１０にデバイスホール２５０を形成し、デバイスホール２５０に形成された領域の回路パターンにフライングリード（Flying Lead）という電極を形成した後、上記フライングリードに集積回路チップ２４０を連結する。フライングリードにはスズなどの金属がめっきされて電極が形成されることができ、集積回路チップ２４０の金バンプ２６０と上記スズ電極が熱または超音波などで連結されてＡｕ−Ｓｎ結合が形成されることができる。
【００４３】
図２ｃは、図２ａに示すＴＣＰ２００のｘ１−ｙ１方向の断面を示す図である。図２ｃを参照すると、本実施形態に係るＴＣＰ２００は、軟性フィルム２１０に含まれる絶縁フィルム２１２、絶縁フィルム２１２上に形成される金属層２１４をエッチングして形成する回路パターン２２０ａ、回路パターン２２０ａ上に形成される接合層２３０、及び接合層２３０と金バンプ２６０を通じて回路パターン２２０ａと連結される集積回路チップ２４０を含む。
【００４４】
絶縁フィルム２１２は、軟性フィルム２１０のベースフィルムであって、ポリエステル、ポリイミド、または液晶ポリマーなどの高分子物質を含む。絶縁フィルム２１２上には金属層２１４が形成され、金属層２１４をエッチングすることで、回路パターン２２０ａを形成することができる。回路パターン２２０ａ上には接合層２３０が無電解めっきされる。
【００４５】
一実施形態として、接合層２３０はスズ（Tin）を含むことができ、金バンプ２６０とＡｕ−Ｓｎ結合を生成して回路パターン２２０ａと集積回路チップ２４０とを電気的に連結する。金バンプ２６０と接合層２３０とは、熱または超音波により連結されることができ、接合層２３０に含まれるスズは溶融点が他のハンダ付け用金属に比べて相対的に低いので、集積回路チップ２４０と回路パターン２２０ａとの結合を容易にすることができる。
【００４６】
【表１】
2009158914.tif 000003
【００４７】
上記の表１に表れるように、接合層２３０の厚みは５０ｎｍ乃至２μｍのものが好ましい。接合層２３０の厚みが５０ｎｍより小さければ、接合に必要とされるスズの量が足りないで集積回路チップ２４０と回路パターン２２０ａとの連結が弱くなることがある。一方、接合層２３０の厚みが２μｍより大きければ、回路パターン２２０ａが含む金属に比べて相対的に高いスズの電気抵抗により集積回路チップ２４０と回路パターン２２０ａとの間の通電が低下することがある。
【００４８】
図３ａ乃至図３ｃは、本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＣＯＦ（Chip-On-Film）を示す図である。本実施形態に係るＣＯＦ３００は、軟性フィルム３１０、軟性フィルム３１０上に形成される回路パターン３２０、回路パターン３２０上に形成される接合層３３０、及び集積回路チップ３４０を含む。
【００４９】
軟性フィルム３１０は、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーなどを含む絶縁フィルム３１２、及び絶縁フィルム３１２上に形成される金属層３１４を含む。金属層３１４は、絶縁フィルム３１２上にスパッタリング、無電解めっき、または電解めっき方式などにより形成されることができ、ニッケル、クロム、金、または銅などを含むことができる。金属層３１４には数十μｍのピッチを有する回路パターン３２０が形成される。
【００５０】
回路パターン３２０は、金属層３１４をエッチングすることにより形成することができる。回路パターン３２０が形成されると、回路パターン３２０上に無電解めっき方式により接合層３３０を形成することができる。接合層３３０を形成することによって、回路パターン３２０を表示装置の駆動部、パネル、または集積回路チップ３４０と容易に連結することができる。一実施形態として、回路パターン３２０のインナーリード（Inner Lead）３２０ａ上にスズ（Tin）を含む接合層３３０を形成して集積回路チップ３４０に付着された金バンプとインナーリード（Inner Lead）３２０ａとを熱または超音波を通じて連結することができる。
【００５１】
回路パターン３２０上に接合層３３０を形成する場合、接合層３３０と金属層３１４との間で置換が生じることができる。特に、金属層３１４が絶縁フィルム３１２上に形成されるシード層を含む場合、シード層の厚みが薄過ぎると、スズ層３３０を形成する過程でシード層に含まれた物質が接合層３３０に含まれたスズに置換されることができる。したがって、接合層３３０を形成する場合、シード層と接合層３３０との間で置換が生じないようにシード層を一定の厚み以上に形成しなければならない。好ましくは、シード層を２０乃至１００ｎｍの厚みで形成することができる。
【００５２】
集積回路チップ３４０と連結されるインナーリード（Inner Lead）３２０ａは、３０μｍ内外のピッチで形成されることができる。アウターリード（Outer Lead）３２０ｂは６０μｍ内外に、インナーリード（Inner Lead）３２０ａより大きいピッチ値を有することが一般的であるが、インナーリード（Inner Lead）３２０ａとアウターリード（Outer Lead）３２０ｂのピッチ値は表示装置の解像度によって変わることができる。
【００５３】
集積回路チップ３４０は、軟性フィルム３１０上に形成された回路パターン３２０と付着され、特に、回路パターン３２０上の接合層３３０を通じて付着されることができる。集積回路チップ３４０は駆動部から印加する画像信号を表示装置のパネルに形成された電極に印加することで、表示装置に画像を具現する。
【００５４】
図３ｂは、本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＣＯＦの３−３’方向の断面を示す断面図である。図３ｂを参照すると、本実施形態に係るＣＯＦ３００は、絶縁フィルム３１２と絶縁フィルム３１２上に形成される金属層３１４を含む軟性フィルム３１０、金属層３１４に形成される回路パターン３２０と連結される集積回路チップ３４０、及び集積回路チップ３４０と回路パターン３２０とを連結する金バンプ３５０を含む。
【００５５】
絶縁フィルム３１２は軟性フィルム３１０に含まれる基本フィルムであって、絶縁性を有するポリイミド、ポリエステル、または液晶ポリマーなどの高分子物質を含むことができる。絶縁フィルム３１２は、金属層３１４との剥離強度、軟性などを考慮して１５乃至４０μｍの厚みで形成することができ、より好ましくは３５乃至３８μｍの厚みを有することができる。
【００５６】
金属層３１４は電気導電性が優れる金属で形成される薄膜層であって、１層構造、２層構造、または３層構造を有することができる。一実施形態として、金属層３１４が２層構造を有する場合、絶縁フィルム３１２上に配置される第１金属層は、ニッケル、クロム、金、または銅などを含んで、スパッタリング方式または無電解めっき方式により形成されることができ、第２金属層は、金または銅などを含んで、電解めっき方式により形成されることができる。特に、第１金属層をニッケルとクロムとの合金で形成することによって、軟性フィルム３１０の耐熱性を向上させることができる。
【００５７】
第１金属層は、第２金属層を形成する前のシード層としての役目をすることができる。一方、第１金属層をニッケルとクロムとの合金で形成する場合は、電気抵抗が増加するにつれて第２金属層を形成する電解めっき工程の効率が低下することがあるので、第１金属層上にスパッタリング方式により銅層を形成して金属層３１４を３層構造で形成することによって、電気抵抗を低めることができる。
【００５８】
第１金属層の厚みが１００ｎｍより大きければ、第２金属層の剥離強度及び寸法安定性が低下することがある。また、第１金属層の厚みが１００ｎｍより小さければ、第２金属層及び回路パターンが形成された後、回路パターン上に接合層３３０を形成する過程で、第１金属層が接合層３３０に含まれるスズに置換されることがある。したがって、第１金属層の厚みは１００ｎｍ内外に形成することが好ましい。
【００５９】
集積回路チップ３４０は、回路パターン３２０のインナーリード（Inner Lead）３２０ａと連結されて表示装置の駆動部から伝達する画像信号をパネルに転送する。インナーリード（Inner Lead）３２０ａは、ＣＯＦ３００と連結される表示装置の解像度によって異なるピッチを有することができ、最近は表示装置の解像度の増加によって３０μｍ内外のピッチを有するインナーリード（Inner Lead）を形成する。集積回路チップ３４０は、金バンプ３５０及び接合層３３０を通じてインナーリード（Inner Lead）３２０ａと連結されることができる。
【００６０】
図３ｂを参照すると、ＣＯＦ３００には、ＴＣＰ２００とは異なり、デバイスホール２５０が形成されない。デバイスホール２５０を形成しないことによって、ＣＯＦ３００はＴＣＰ２００に存在するフライングリードによるファインピッチ（Fine Pitch）対応の問題点を克服することができ、軟性が優れてベンディング（Bending）のための別途のスリットを形成する必要がないので、製造工程の効率を高めることができる。一実施形態として、ＴＣＰ２００で４０μｍ内外のピッチを有するリード（Lead）を形成することに比べて、ＣＯＦ３００では３０μｍ内外のピッチを有するリード（Lead）が形成できるので、解像度の高い表示装置に適用することに有利である。
【００６１】
図４ａ乃至４ｃは、本発明の一実施形態に係る表示装置を示す図である。図４ａを参照すると、本実施形態に係る表示装置４００は、画像を表示するパネル４１０、パネル４１０に画像信号を印加する駆動部４２０、４３０、パネル４１０と駆動部４２０、４３０とを連結する軟性フィルム４４０、及び軟性フィルム４４０をパネル４１０または駆動部４２０、４３０と付着する導電性フィルム４５０を含む。
【００６２】
本実施形態に係る表示装置４００は平面表示装置（Flat Panel Display：ＦＰＤ）であって、液晶表示装置（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、または有機電界発光表示装置（Organic Light Emitting Device）でありうる。
【００６３】
パネル４１０は画像を表示する多数の画素を含む。パネル４１０には、駆動部４２０、４３０と連結される多数の電極が配置され、上記電極が交差する領域に画素が形成される。上記電極は、第１電極４１０ａ、及び第１電極４１０ａと交差する方向に形成される第２電極４１０ｂを含むことができ、一実施形態として、第１電極４１０ａは水平方向、第２電極４１０ｂは垂直方向に形成されることができる。
【００６４】
第１電極４１０ａと第２電極４１０ｂとが交差する領域に形成される画素は、表示装置４００の駆動方式に従ってトランジスタ素子を含むことができる。表示装置４００が各画素別に画像を表現する能動行列（Active-Matrix）駆動方式により動作する場合、各画素は少なくとも１つ以上のスイッチング素子を含むことができる。一方、表示装置４００が手動行列（Passive-Matrix）駆動方式により動作する場合、各画素はスイッチ素子を含まない。
【００６５】
駆動部４２０、４３０は、スキャンドライバ４２０、及びデータドライバ４３０を含むことができ、パネル４１０に形成された第１電極４１０ａ及び第２電極４１０ｂと連結されることができる。一実施形態として、スキャンドライバ４２０はパネル４１０上に水平方向に形成される第１電極４１０ａと連結されるように配置され、データドライバ４３０はパネル４１０上に垂直方向に形成される第２電極４１０ｂと連結されるように配置されることができる。
【００６６】
スキャンドライバ４２０は第１電極４１０ａにスキャン信号を印加してデータドライバ４３０が垂直方向に配列された第２電極４１０ｂにデータ信号を転送できるようにする。スキャンドライバ４２０が第１電極４１０ａにスキャン信号を印加すると、スキャン信号が印加された第１電極４１０ａにデータ信号を印加できるようになり、データドライバ４３０から転送するデータ信号に従って画像がパネル４００に表示される。スキャンドライバ４２０及びデータドライバ４３０から転送する信号は軟性フィルム４４０を通じてパネル４００の電極に伝達される。
【００６７】
軟性フィルム４４０は所定の回路パターンが印刷された軟性を有するフィルムであって、絶縁性を有する絶縁フィルム、上記絶縁フィルム上に形成される金属層、及び上記金属層に形成される回路パターンと連結される集積回路チップなどを含むことができる。駆動部４２０、４３０から印加する画像信号は、軟性フィルム４４０の回路パターン及び集積回路チップを通じてパネル４１０の電極に伝達される。軟性フィルム４４０は、パネル４１０及び駆動部４２０、４３０と導電性フィルム４５０で連結されることができる。
【００６８】
導電性フィルム４５０は接着性を有する薄膜形態のフィルムであって、軟性フィルム４４０とパネルとの間、及び駆動部４２０、４３０と軟性フィルム４４０との間に配置される。一実施形態として、導電性フィルム４５０は、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）でありうる。導電性フィルム４５０は電気導電性を有する導電ボール（Conductive Ball）を含むことができ、上記導電ボールが軟性フィルム４４０の回路パターンとパネル４１０の電極及び駆動部４２０、４３０の回路の間に配置されて、駆動部４２０、４３０が印加する信号をパネル４１０に伝達する。
【００６９】
導電性フィルム４５０に含まれる導電ボールは、電気導電性を有する金属層を含む。一実施形態として、導電ボールは絶縁性を有するプラスチックボール上に形成される金属層を含むか、または、ニッケルまたは銅を含む少なくとも１つ以上の金属層のみを含むことができる。または、金属層の外郭に薄いプラスチック薄膜を形成し、軟性フィルム４４０とパネル４１０、または軟性フィルム４４０と駆動部４２０、４３０とを付着する過程で、上記プラスチック薄膜が破壊されることにより画像信号を伝達することもできる。
【００７０】
図４ｂは、図４ａに示す表示装置４００の４−４’方向の断面図である。図３ｂを参照すると、パネル４１０に形成されるボンディングパッド（Bonding Pad）４１０ｃと軟性フィルム４４０の回路パターン４４０ｂが導電性フィルム４５０で連結される。一方、軟性フィルム４４０の回路パターン４４０ｂは、データドライバ４３０の基板４３０ａ上に形成される回路４３０ｃと導電性フィルム４５０を通じて連結される。
【００７１】
データドライバ４３０は、基板４３０ａ、パネル４１０に印加する画像信号を生成する駆動ＩＣ４３０ｂ、及び基板４３０ａ上に形成される回路４３０ｃを含む。基板４３０ａ上に駆動ＩＣ４３０ｂ及び回路４３０ｃが形成され、回路４３０ｃは駆動ＩＣ４３０ｂと連結されて、駆動ＩＣ４３０ｂで発生する画像信号を軟性フィルム４４０に伝達する。データドライバ４３０の回路４３０ｃは、導電性フィルム４５０を通じて軟性フィルム４４０の回路パターン４４０ｂと連結される。
【００７２】
軟性フィルム４４０は、ベースフィルムで形成される絶縁フィルム４４０ａ、絶縁フィルム４４０ａ上に形成される金属層をエッチングすることにより形成される回路パターン４４０ｂ、回路パターン４４０ｂと連結される集積回路チップ４４０ｃ、及び集積回路チップ４４０ｃと回路パターン４４０ｂを保護する保護樹脂４４０ｄなどを含む。
【００７３】
絶縁フィルム４４０ａは、ポリイミド、ポリエステル、または液晶ポリマーなどの物質を含み、軟性フィルム４４０の引張強度、熱膨張係数、水分吸湿性などの物理的特性を決定することができる。絶縁フィルム４４０ａとしては、ポリイミドフィルムが広く使われるが、熱膨張係数と水分吸湿性などの特性が優れる液晶ポリマーフィルムを使用することもする。特に、液晶ポリマーフィルムを使用する場合、水分吸湿性などの特性が優れて周波数の高い信号の伝達に有利である。
【００７４】
絶縁フィルム４４０ａ上に、スパッタリング、無電解めっき、または電解めっき方式などにより金属層を形成し、上記金属層をエッチングすることで、回路パターン４４０ｂを形成する。回路パターン４４０ｂは、集積回路チップ４４０ｃと連結され、保護樹脂４４０ｄで封入される。軟性フィルム４４０がＴＣＰである場合は、図３ｂに示すように、集積回路チップ４４０ｃが配置される領域にデバイスホールが形成でき、軟性フィルム４４０がＣＯＦである場合は、デバイスホールが形成できない。
【００７５】
回路パターン４４０ｂ上にはスズ層がさらに形成されることができる。金属層をエッチングして回路パターン４４０ｂを形成した後、スズ層を塗布し、またエッチングすることで、回路パターン４４０ｂ上にスズ層を形成する。回路パターン４４０ｂ上に形成されたスズ層は集積回路チップ４４０ｃに付着された金バンプ４４０ｅと熱または超音波などで連結されてＡｕ−Ｓｎ結合を形成することができる。
【００７６】
軟性フィルム４４０の回路パターン４４０ｂは、導電性フィルム４５０を通じてパネル４１０の第２電極４１０ｂと連結される。データドライバ４３０の駆動ＩＣ４３０ｂで発生した画像信号は、データドライバ４３０の回路４３０ｃ、導電性フィルム４５０、及び軟性フィルム４４０の回路パターン４４０ｂを通じて軟性フィルム４４０の集積回路チップ４４０ｃに伝達される。
【００７７】
集積回路チップ４４０ｃは、上記画像信号を分析して回路パターン４４０ｂ及び導電性フィルム４５０を通じてパネルの第２電極４１０ｂに伝達する。第２電極４１０ｂから受信した画像信号が第１電極４１０ａと交差する地点の画素に伝達されると、能動行列駆動方式の場合、各画素に含まれるスイッチング素子が動作して上記画像信号に従う画像をパネル４１０に表示する。
【００７８】
図４ｃは、図４ａに示す表示装置４００の５−５’方向の断面を示す断面図である。図４ｃを参照すると、データドライバ４３０と軟性フィルム４４０が導電性フィルム４５０を通じて連結される。導電性フィルム４５０は通電のための所定の導電ボール（Conductive Ball）４５０ａを含む異方性導電フィルムでありうる。
【００７９】
データドライバ４３０は、基板４３０ａ、及び基板上に形成される回路４３０ｃを含む。回路４３０ｃは、データドライバの駆動ＩＣ４３０ｂで発生する画像信号を軟性フィルム４４０に伝達する。回路４３０ｃは、上記画像信号を軟性フィルム４４０の回路パターン４４０ｂに伝達するために、導電性フィルム４５０に含まれる導電ボール４５０ａを通じて軟性フィルム４４０ｂの回路パターン４４０ｂと連結される。
【００８０】
導電ボール４５０ａは電気導電性が優れる金属層を少なくとも１つ以上含むボールであって、５μｍ以下の直径を有することができる。図４ｃを参照すると、データドライバ４３０の回路４３０ｃと軟性フィルム４４０の回路パターン４４０ｂとの間に少なくとも１つ以上の導電ボール４５０ａが配置されることによって、導電ボール４５０ａを通じて画像信号がデータドライバ４２０から軟性フィルム４４０へ伝達されることができる。
【００８１】
軟性フィルム４４０の回路パターン４４０ｂには接合層４４０ｇが形成されることができる。接合層４４０ｇは導電性フィルム４５０を通じた軟性フィルム４４０とデータドライバ４２０の接合効率を高めることができ、一実施形態として、溶融点の低いスズ（Tin）を含んで、導電性フィルム４５０を配置し、軟性フィルム４４０とデータドライバ４２０とを熱圧着して付着する接合工程の効率を高めることができる。この際、接合層４４０ｇの厚みを５０ｎｍ乃至２μｍに形成することによって、軟性フィルム４４０とデータドライバ４２０の通電が低下することを防止することができる。
【００８２】
図５は、図４ａに示す表示装置のＡ−Ａ’の断面を示す断面図である。
【００８３】
図５を参照すると、本実施形態に係る表示装置５００は、画像を表示するパネル５１０、パネル５１０に画像信号を印加する駆動部５３０、駆動部５３０とパネル５１０とを連結する軟性フィルム５４０、及び軟性フィルム５４０を駆動部５４０及びパネル５１０と電気的に連結する導電性フィルム５５０を含む。
【００８４】
また、本実施形態に係る表示装置５００は、軟性フィルム５４０と導電性フィルム５５０とが連結される領域を封入する樹脂５６０をさらに含むことができる。樹脂５６０は、絶縁物質で形成されることができ、軟性フィルム５４０と導電性フィルム５５０とが連結される領域に流入できる不純物を遮断することによって、パネル５１０と連結される軟性フィルム５４０の信号ラインの損傷を防止し、寿命を延長する。
【００８５】
本図面に図示してはいないが、パネル５１０は横方向に配置される多数のスキャン電極及び上記スキャン電極と交差するように配置される多数のデータ電極を含むことができる。Ａ−Ａ’方向に配置されるデータ電極は、図５に図示された導電性フィルム５５０を通じて軟性フィルム５４０と連結されて、データドライバ５３０から印加する画像信号を受信し、それによって画像を表示する。
【００８６】
データドライバ５３０は、基板５３０ａ上に形成される駆動ＩＣ５３０ｂ、及び駆動ＩＣ５３０ｂを保護する保護樹脂５３０ｃを含む。保護樹脂５３０ｃは、絶縁性を有する物質で形成されることができ、基板５３０ａ上に形成される回路パターン（図示せず）及び駆動ＩＣ５３０ｂを外部から流入できる不純物から遮断する。駆動ＩＣ５３０ｂは、表示装置５００の制御部（図示せず）から転送する制御信号によって画像信号を軟性フィルム５４０を通じてパネル５１０に印加する。
【００８７】
パネル５１０とデータドライバ５３０との間に配置される軟性フィルム５４０は、絶縁性を有するポリイミドなどで形成されるベースフィルム５４０ａ、ベースフィルム５４０ａ上に形成される金属薄膜５４０ｂ、金属薄膜に形成される所定の回路パターンと連結されるＩＣ５４０ｃ、及び上記回路パターンとＩＣ５４０ｃを封入して保護するレジン（Resin）保護膜５４０ｄを含む。
【００８８】
図６は、本発明の他の実施形態に係る表示装置を示す図である。
【００８９】
導電性フィルム６５０を通じて軟性フィルム６４０がパネル６１０及び駆動部６２０、６３０と付着されると、導電性フィルム６５０と付着された軟性フィルム６４０を樹脂６６０で封入することができる。図６を参照すると、導電性フィルム６５０に付着された軟性フィルム６４０の領域を樹脂６６０で封入して連結された領域の破損を防止し、外部から流入する不純物を遮断することができる。
【００９０】
以上、本発明の好ましい実施形態に対して図示及び説明したが、本発明は前述した特定の実施形態に限定されず、請求範囲で請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当該発明が属する技術分野で通常の知識を有する者により多様な変形実施が可能であることは勿論であり、このような変形実施は本発明の技術的思想や展望から個別的に理解されてはならない。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１ａ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムの断面を示す図である。
【図１ｂ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムの断面を示す図である。
【図１ｃ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムの断面を示す図である。
【図１ｄ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムの断面を示す図である。
【図１ｅ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムの断面を示す図である。
【図１ｆ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムの断面を示す図である。
【図２ａ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＴＣＰを示す図である。
【図２ｂ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＴＣＰを示す図である。
【図２ｃ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＴＣＰを示す図である。
【図３ａ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＣＯＦを示す図である。
【図３ｂ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＣＯＦを示す図である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態に係る軟性フィルムを含むＣＯＦを示す図である。
【図４ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す図である。
【図４ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す図である。
【図５】図４ａの表示装置のＡ−Ａ’断面を示す図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る表示装置を示す図である。
【符号の説明】
【００９２】
１００ａ〜１００ｆ    軟性フィルム
１１０ａ〜１１０ｆ    絶縁フィルム
１２０ａ〜１２０ｆ    第１金属層
１３０ｃ〜１３０ｆ    第２金属層
１４０ｅ〜１４０ｆ    第３金属層
２００    ＴＣＰ
３００    ＣＯＦ
４００    表示装置
【図１ａ】
2009158914.tif 000004
【図１ｂ】
2009158914.tif 000005
【図１ｃ】
2009158914.tif 000006
【図１ｄ】
2009158914.tif 000007
【図１ｅ】
2009158914.tif 000008
【図１ｆ】
2009158914.tif 000009
【図２ａ】
2009158914.tif 000010
【図２ｂ】
2009158914.tif 000011
【図２ｃ】
2009158914.tif 000012
【図３ａ】
2009158914.tif 000013
【図３ｂ】
2009158914.tif 000014
【図３ｃ】
2009158914.tif 000015
【図４ａ】
2009158914.tif 000016
【図４ｂ】
2009158914.tif 000017
【図４ｃ】
2009158914.tif 000018
【図５】
2009158914.tif 000019
【図６】
2009158914.tif 000020