(57)【要約】【課題】半導体装置の高生産または低コスト化を実現させる。【解決手段】半導体素子２０の電気的特性を評価する素子試験装置１は、半導体素子２０のコレクタ電極が接するように、半導体素子２０を載置する支持台１１と、半導体素子２０のエミッタ電極に接触する導電性樹脂３０と、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触する、少なくとも一つの接触子３０ｇと、を有することを特徴とする。このような素子試験装置１を用いて、半導体素子２０の素子試験を行うことにより、半導体装置の高生産または低コスト化が実現する。【選択図】図１
2009128189.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置において、
前記半導体素子の第１の主電極が接するように前記半導体素子を載置する支持台と、
前記半導体素子の第２の主電極に接触する導電性樹脂と、
前記半導体素子の制御用電極に接触する、少なくとも一つの接触子と、
を有することを特徴とする素子試験装置。
【請求項２】
前記導電性樹脂が複数の導電性粒子を樹脂に含有させた構造を有していることを特徴とする請求項１記載の素子試験装置。
【請求項３】
前記導電性樹脂の形状が平板であり、前記平板の一部に切欠部が形成されていることを特徴とする請求項２記載の素子試験装置。
【請求項４】
前記導電性樹脂の表面に、前記導電性粒子の表出を抑制するバリア層が形成されていることを特徴とする請求項２記載の素子試験装置。
【請求項５】
前記バリア層がタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）の少なくとも一つを含む金属を主たる成分とすることを特徴とする請求項４記載の素子試験装置。
【請求項６】
前記バリア層に、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムシリコン（ＡｌＳｉ）を主たる成分とする被膜が形成されていることを特徴とする請求項４記載の素子試験装置。
【請求項７】
前記第１の主電極と前記支持台とを第１の金属箔を介して接触させることを特徴とする請求項１記載の素子試験装置。
【請求項８】
前記第２の主電極と前記導電性樹脂とを第２の金属箔を介して接触させることを特徴とする請求項１記載の素子試験装置。
【請求項９】
前記第２の主電極に導通する前記導電性樹脂に荷重を与える加重手段を備えたことを特徴とする請求項１，７，８記載の素子試験装置。
【請求項１０】
前記支持台と前記導電性樹脂に接触する導電体との間に第１の電圧を印加し、前記導電体と前記接触子との間に第２の電圧を印加する電圧印加手段を備えていることを特徴とする請求項１，７，８記載の素子試験装置。
【請求項１１】
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置において、
支持台と、
前記支持台上に配置され、前記半導体素子の第１の主電極に接触させる第１の金属箔を選択的に形成した第１の樹脂フィルムと、
前記第１の樹脂フィルムに対向するように配置され、前記半導体素子の第２の主電極に接触させる第２の金属箔を選択的に形成した第２の樹脂フィルムと、
前記第２の金属箔に接触する導電性樹脂と、
前記半導体素子の制御用電極に接触する、少なくとも一つの接触子と、
を有することを特徴とする素子試験装置。
【請求項１２】
前記第１の金属箔が前記第１の樹脂フィルムの端まで延在していることを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項１３】
前記第１の金属箔の端部が前記第１の樹脂フィルムに把持され、前記第１の金属箔の上下の主面の一部が前記支持台の主面または前記第１の主電極に対し、表出していることを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項１４】
前記第２の金属箔の端部が前記第２の樹脂フィルムに把持され、前記第２の金属箔の上下の主面の一部が前記導電性樹脂の主面または前記第２の主電極に対し、表出していることを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項１５】
前記第２の樹脂フィルムの一部に、前記接触子を貫通させる貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項１６】
前記第１の樹脂フィルムが帯状であり、前記第１の樹脂フィルムの巻き取り量を調節することにより、前記第１の金属箔と前記支持台との相対位置を調整する調整手段を備えていることを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項１７】
前記第２の樹脂フィルムが帯状であり、前記第２の樹脂フィルムの巻き取り量を調節することにより、前記第２の金属箔と前記支持台との相対位置を調整する調整手段を備えていることを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項１８】
前記第２の主電極に導通する前記導電性樹脂に荷重を与える加重手段を備えたことを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項１９】
前記第１の金属箔と前記導電性樹脂に接触する導電体との間に第１の電圧を印加し、前記導電体と前記接触子との間に第２の電圧を印加する電圧印加手段を備えていることを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項２０】
前記支持台と前記導電性樹脂に接触する導電体との間に第１の電圧を印加し、前記導電体と前記接触子との間に第２の電圧を印加する電圧印加手段を備えていることを特徴とする請求項１１記載の素子試験装置。
【請求項２１】
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験方法において、
支持台上に、前記半導体素子の第１の電極が接触するように、前記半導体素子を載置するステップと、
前記半導体素子の第２の電極上に、導電性樹脂を載置するステップと、
を有することを特徴とする素子試験方法。
【請求項２２】
前記支持台上に、第１の金属箔を載置し、前記第１の金属箔の主面に前記半導体素子の前記第１の電極が接触するように、前記第１の金属箔上に前記半導体素子を載置することを特徴とする請求項２１記載の素子試験方法。
【請求項２３】
前記半導体素子の第２の電極上に、第２の金属箔を載置し、前記第２の金属箔の主面に前記導電性樹脂を載置することを特徴とする請求項２１記載の素子試験方法。
【請求項２４】
前記第２の電極に前記導電性樹脂を導通させた後、前記導電性樹脂に荷重を与えることを特徴とする請求項２１記載の素子試験方法。
【請求項２５】
前記支持台と前記導電性樹脂に接触する導電体との間に第１の電圧を印加し、前記導電体と前記半導体素子の制御用電極との間に第２の電圧を印加することを特徴とする請求項２１記載の素子試験方法。
【請求項２６】
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験方法において、
支持台上に、第１の樹脂フィルムに選択的に形成された第１の金属箔を配置するステップと、
前記第１の金属箔上に、前記半導体素子の第１の主電極が接触するように、前記半導体素子を載置するステップと、
前記半導体素子の第２の主電極上に、第２の樹脂フィルムに選択的に形成された第２の金属箔を位置させるステップと、
前記第２の主電極を前記第２の金属箔を介して導電性樹脂により押圧し、前記第２の主電極と前記導電性樹脂とを導通するステップと、
を有することを特徴とする素子試験方法。
【請求項２７】
前記第２の電極に前記導電性樹脂を導通させた後、前記導電性樹脂に荷重を与えることを特徴とする請求項２６記載の素子試験方法。
【請求項２８】
前記第１の金属箔と前記導電性樹脂に接触する導電体との間に第１の電圧を印加し、前記第２の金属箔と前記半導体素子の制御用電極との間に第２の電圧を印加することを特徴とする請求項２６記載の素子試験方法。
【請求項２９】
前記支持台と前記導電性樹脂に接触する導電体との間に第１の電圧を印加し、前記第２の金属箔と前記半導体素子の制御用電極との間に第２の電圧を印加することを特徴とする請求項２６記載の素子試験方法。
【請求項３０】
前記半導体素子の電気的特性を評価した後、前記第１の樹脂フィルムを移動させることにより、前記支持台上に、前記第１の樹脂フィルムに選択的に形成された別の第１の金属箔を配置することを特徴とする請求項２６記載の素子試験方法。
【請求項３１】
前記半導体素子の電気的特性を評価した後、前記第２の樹脂フィルムを移動させることにより、前記第２の主電極上に、前記第２の樹脂フィルムに選択的に形成された別の第２の金属箔を配置することを特徴とする請求項２６記載の素子試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は素子試験装置及び素子試験方法に関し、特に、半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置及び素子試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両機器等で用いられる電力用スイッチング素子として、低損失且つ高速スイッチングが可能なパワー半導体素子が用いられている。
車両機器では、作動させる電流容量が大きいことから、例えば、縦型のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）素子を並列接続して、所謂パワーモジュールとして用いるのが一般的である。
【０００３】
このパワーモジュールの出荷試験では、モジュール化前に、パワー半導体素子単体でのゲート遮断時の漏れ電流測定、瞬時最大電流値でのスイッチング試験等を行い、不良素子を事前に排除している。
【０００４】
このようなパワー半導体素子を検査する試験装置について以下に説明する。
例えば、図１５にはＩＧＢＴ素子の要部図を示し、図１６には素子試験装置の要部斜視図を示している。ここで、図１５には、試験用に用いるＩＧＢＴ素子の上面と、その側面が示され、図１６には、瞬時最大電流値でのスイッチング試験が可能な素子試験装置の要部構成が示されている。
【０００５】
図１５に示すように、ＩＧＢＴ素子１００は、例えば、縦型のパワー半導体素子であり、その主面（上面側）の一部にゲート電極１０１が配置されている。そして、ゲート電極１０１以外の部分にエミッタ電極１０２を配置している。また、ゲート電極１０１とエミッタ電極１０２との間には絶縁層１０３が設けられ、ゲート電極１０１とエミッタ電極１０２間の絶縁を確保している。更に、ゲート電極１０１とエミッタ電極１０２が配置されている主面の反対側（裏面側）には、コレクタ電極１０４を配置している。
【０００６】
そして、上記のＩＧＢＴ素子１００を、図１６に示す如く、素子試験装置２００の基体２０１上に載置する。
ここで、素子試験装置２００にあっては、上述した基体２０１と、金属製の支持台２０２と、多数の接触子（コンタクトピン）を配置した接触子部２０３とを含む構成としている。そして、当該支持台２０２に電圧を印加することにより、コレクタ電極１０４に所定の電圧が印加される。
【０００７】
また、素子試験装置２００にあっては、接触子部２０３を矢印の方向に降下させ、接触子部２０３の夫々の先端をＩＧＢＴ素子１００のゲート電極１０１及びエミッタ電極１０２に接触させる。
【０００８】
そして、ゲート電極１０１には、接触子部２０３の中の接触子２０３ｇを接触させ、接触子２０３ｇを介し、ゲート電極１０１にゲート信号を入力する。
また、エミッタ電極１０２に接触した接触子は接地させ、エミッタ電極１０２を接地電位とする。
【０００９】
素子試験装置２００に、このような多数の接触子を配置する理由は、エミッタ電極１０２上での局部的な電流集中を回避するためである。
例えば、数本の接触子のみをエミッタ電極１０２に接触させた場合、エミッタ電極１０２側においては、当該接触子の先端が点接触するため、当該先端に電流が集中する。そして、かかる電流集中により、ＩＧＢＴ素子１００内で、局部的な発熱が生じ、ＩＧＢＴ素子１００が破損する場合がある。
【００１０】
このような電流集中を回避するために、多数の接触子をエミッタ電極１０２に接触させ、各々の接触子に電流を分散させる。これにより、ＩＧＢＴ素子１００は、局部的な発熱を有することなく、許容発熱温度以下を維持する。
【００１１】
このような素子試験装置２００を用いて、ＩＧＢＴ素子１００のエミッタ電極１０２とコレクタ電極１０４との間に電圧を印加し、ゲート電極１０１にゲート信号を入力する。そして、ＩＧＢＴ素子１００のエミッタ電極１０２とコレクタ電極１０４間の導通または遮断状態を繰り返させ、例えば、スイッチング特性を評価する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−３３７２４７号公報（第１０図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、エミッタ電極１０２表面には、極薄ながら自然酸化膜が形成されている。従って、エミッタ電極１０２に接触させる接触子部２０３の接触子を複数本にしても、当該自然酸化膜を介して接触子とエミッタ電極１０２とが接触することになる。
【００１３】
また、上記の素子試験装置２００は、微視的な見地では、接触子を単にエミッタ電極１０２に押し付けているだけである。即ち、接触子の先端形状に倣って、素子の主電極表面が凹むわけではない。
【００１４】
このような状態では、接触抵抗が高くなり、通電時に接触部に於いてジュール熱が発生する。これにより、素子試験装置２００を用いてパワー半導体素子の試験を実施すると、エミッタ電極１０２表面が溶融・軟化する場合があった。そして、溶融し、更に再結晶化した電極部は、溶融しない部分と比べ結晶粒が小さくなっている。その結果、エミッタ電極１０２は、均質膜でなくなってしまう。
【００１５】
このような不均一材質の主電極（エミッタ電極）に大電流が通電すると、パワー半導体素子の特定セルのみに大電流が通電し、本来良品である筈のパワー半導体素子に損傷を与えることがあった。
【００１６】
従って、上述した構成の素子試験装置２００を用いて素子試験を行うと、半導体装置の生産性が向上しないという問題があった。
また、当該破壊によって、パワー半導体素子から微小な破壊片が発生し、当該微小な破壊片が接触子、支持台２０２等に拡散・付着し、新規に検査するＩＧＢＴ素子に悪影響を与える場合もあった。
【００１７】
従前に於いては、このような破損が発生する毎に、接触子、支持台２０２等から微小な破壊片の除去作業を行ってしたが、このような作業工程は半導体装置の生産性を低下させ、更にコスト高を招来してしまう。
【００１８】
本発明は、上記の問題を解決するものであり、半導体装置の高生産または低コスト化を図ることのできる素子試験装置及び素子試験方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様では、半導体素子の第１の主電極が接するように前記半導体素子を載置する支持台と、前記半導体素子の第２の主電極に接触する導電性樹脂と、前記半導体素子の制御用電極に接触する、少なくとも一つの接触子と、を有することを特徴とする素子試験装置が提供される。
【００２０】
また、本発明の別の一態様では、支持台と、前記支持台上に配置され、半導体素子の第１の主電極に接触させる第１の金属箔を選択的に形成した第１の樹脂フィルムと、前記第１の樹脂フィルムに対向するように配置され、前記半導体素子の第２の主電極に接触させる第２の金属箔を選択的に形成した第２の樹脂フィルムと、前記第２の金属箔に接触する導電性樹脂と、前記半導体素子の制御用電極に接触する、少なくとも一つの接触子と、を有することを特徴とする素子試験装置が提供される。
【００２１】
また、本発明の更に別の一態様では、支持台上に、半導体素子の第１の電極が接触するように、前記半導体素子を載置するステップと、前記半導体素子の第２の電極上に、導電性樹脂を載置するステップと、を有することを特徴とする素子試験方法が提供される。
【００２２】
また、本発明の更に別の一態様では、支持台上に、第１の樹脂フィルムに選択的に形成された第１の金属箔を配置するステップと、前記第１の金属箔上に、半導体素子の第１の主電極が接触するように、前記半導体素子を載置するステップと、前記半導体素子の第２の主電極上に、第２の樹脂フィルムに選択的に形成された第２の金属箔を位置させるステップと、前記第２の主電極を前記第２の金属箔を介して導電性樹脂により押圧し、前記第２の主電極と前記導電性樹脂とを導通するステップと、を有することを特徴とする素子試験方法が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、半導体装置の高生産または低コスト化を図ることのできる素子試験装置及び素子試験方法が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
図１は第１の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部斜視図である。この図には、素子試験装置１の要部構成と共に、被検体である半導体素子２０が併せて例示されている。
【００２５】
素子試験装置１は、セラミックまたは樹脂で構成された基体１０と、基体１０上に固定された支持台１１と、支持台１１上に配置された半導体素子２０と、半導体素子２０の上面に配置された導電性樹脂３０と、導電性樹脂３０上に配置された導電体４０並びに加重機構（または、加圧機構とも称する。）４１と、加重機構４１内に貫入された接触子（コンタクトピン）３０ｇとを含む構成としている。
【００２６】
支持台１１上は、銅（Ｃｕ）を主たる成分とする材質で構成され、その上面（半導体素子２０下面との当接面）が平坦性よく研磨されている。また、支持台１１上には、被検体である半導体素子２０が載置されている。
【００２７】
ここで、半導体素子２０は、例えば、図１５に例示した縦型のＩＧＢＴ素子１００であり、その上面側に、制御用電極であるゲート電極２０ｇと、主電極であるエミッタ電極とを配置している。
【００２８】
また、半導体素子２０の上面とは反対の主面、即ち裏面側に於いては、他の主電極であるコレクタ電極が配置されている。
そして、ゲート電極２０ｇ領域を除いた半導体素子２０の上面には、導電性樹脂３０が配置されている。また、導電性樹脂３０には、半導体素子２０のゲート電極２０ｇを上方に露出させるための切欠部３０ａが設けられている。
【００２９】
即ち、素子試験装置１では、被検体としてＩＧＢＴ素子を用いた場合、半導体素子２０の裏面側においては、支持台１１とコレクタ電極とが面接触する構造を有し、上面側においては、導電性樹脂３０とエミッタ電極とが面接触する構造を有している。
【００３０】
また、素子試験装置１にあっては、ゲート電極２０ｇの上方に、棒状の接触子３０ｇを配置している。この接触子３０ｇは、上述した加重機構４１内に貫入され、矢印ａの方向（加重機構４１の主面に対し上下の方向）に可動できるようになっている。
【００３１】
また、素子試験装置１にあっては、加重機構４１下に、銅（Ｃｕ）を主たる成分とする導電体４０を配置している。そして、導電体４０の一部には、切欠部４０ａが形成されている。この切欠部４０ａ中に、加重機構４１に貫入させた接触子３０ｇを挿入させることにより、接触子３０ｇと導電体４０との絶縁が確保されている。
【００３２】
このような導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇを、矢印ｂの方向に降下させ、導電体４０の下面を導電性樹脂３０の上面に接触させる。また、接触子３０ｇの先端を半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触させる。
【００３３】
そして、加重機構４１の加重手段により、導電体４０、導電性樹脂３０、半導体素子２０等に荷重を与える。これにより、導電体４０の下面と導電性樹脂３０の上面、導電性樹脂３０の下面とエミッタ電極の上面とが充分に密着する。
【００３４】
また、接触子３０ｇにおいては、素子試験装置１に備えられた別の加重機構（図示しない）により、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに押し付けられる。これにより、接触子３０ｇの先端をゲート電極２０ｇに確実に接触させることができる。
【００３５】
そして、導電性樹脂３０及び接触子３０ｇを、半導体素子２０の主面に接触させた後においては、支持台１１と導電体４０との間に、所定の電圧を印加し、ゲート電極２０ｇには、接触子３０ｇを通じて所定の電圧信号（パルス信号）を印加する。
【００３６】
尚、半導体素子２０は、ＩＧＢＴ素子に限ることはない。縦型のパワーデバイスであれば適用が可能であり、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）またはダイオードであってもよい。ただし、ダイオードの場合は、ゲート電極２０ｇとこれに対応する部分がないものとなる。
【００３７】
次に、上述した素子試験装置１の構造を、より深く理解するために、素子試験装置１の断面模式図を用いて、その構造を詳細に説明する。
尚、以下に例示する全ての図面においては、同一の部材に同一の符号を付し、一度説明した部材についての詳細な説明は必要のない限り省略する。
【００３８】
図２は第１の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。この図では、上述した導電性樹脂３０を半導体素子２０の上面に接触させた状態が示されている。
【００３９】
素子試験装置１にあっては、基体１０上に、支持台１１を設置・固定している。また、支持台１１上には、被検体である半導体素子２０が配置されている。そして、半導体素子２０の下面（コレクタ電極２０ｃ側）と支持台１１上面とを面接触させ、コレクタ電極２０ｃと支持台１１とを直接的に導通させている。
【００４０】
また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上には、導電性樹脂３０が配置されている。この導電性樹脂３０の構造を、別の図を用いて補説する。
図３は導電性樹脂の要部斜視図である。
【００４１】
図示するように、導電性樹脂３０は、平板状の形態をなし、その一部に矩形状の切欠部３０ａを設けている。この切欠部３０ａ内に、上述した接触子３０ｇが挿入される。これにより、接触子３０ｇと導電性樹脂３０との非接触状態が維持される。尚、例示した導電性樹脂３０の外形は、角状であるが、この形状は一例であり、エミッタ電極の表面形状にあわせて、その外形を構成すればよい。
【００４２】
また、導電性樹脂３０の下面（エミッタ電極２０ｅ上面との当接面）と上面（導電体４０下面との当接面）は、平坦性よく加工されている。そして、このような導電性樹脂３０は、樹脂を主たる成分とし、弾性を有している。
【００４３】
また、導電性樹脂３０は、樹脂に多数の導電性粒子を含有させることにより高い導電率を有している。例えば、導電性樹脂３０は、液晶樹脂またはシリコンゴムを主たる成分とする樹脂内に、粒径が１０〜３０μｍの導電性粒子を３次元的に含有させた構造を有している。このような導電性粒子を樹脂内で互いに接触させることにより、導電性樹脂３０は、高い導電率を有し、樹脂内において、等方的な電気抵抗を有する。
【００４４】
ここで、導電性粒子としては、表面に銀（Ａｇ）をコーティングさせたガラスビーズが適用される。そして、樹脂内には、導電性粒子の中心部の位置を１０〜３０μｍの間隔（ピッチ）で配置している。
【００４５】
尚、コーティング材としては、銀（Ａｇ）の他に、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）の何れかの金属を用いてもよい。または、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）の少なくとも一つを含む合金を用いてもよい。
【００４６】
また、導電性樹脂３０の上下の主面は、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面よりも大きい面積を有している。
また、このような導電性樹脂３０は、平板状の導電性樹脂板に切欠部４０ａを設けただけの構造なので安価に製造できる。
【００４７】
再び、図２に戻り、素子試験装置１の説明を続ける。
上述したように、素子試験装置１においては、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上に、導電性樹脂３０を配置している。即ち、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面と導電性樹脂３０の下面とが面接触し、エミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とが導通している。
【００４８】
また、導電性樹脂３０上には、導電性樹脂３０の上面よりも面積が大きい導電体４０を配置し、導電性樹脂３０を導電体４０に接触させる構造としている。そして、導電体４０上には、加重機構４１を設け、当該加重機構４１により、その下方に設けた導電体４０、導電性樹脂３０、半導体素子２０等に荷重を与えることができる。また、加重機構４１の貫通孔４１ｈ内には、接触子３０ｇが貫入されている。
【００４９】
そして、加重機構４１による加重手段が実行されると、導電性樹脂３０は、エミッタ電極２０ｅを押し付ける。
このような押し付けにより、導電性樹脂３０の下面と半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面とが隙間なく密着することになる。また、導電性樹脂３０の上面においても、導電体４０の下面と隙間なく密着することになる。
【００５０】
また、支持台１１の上面は、上述した如く、平坦性よく研磨されている。従って、上記の加重手段が実行されると、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃと支持台１１の上面とが隙間なく密着することになる。
【００５１】
このように、素子試験装置１では、エミッタ電極２０ｅ上面に導電性樹脂３０下面を隙間なく密着させることができる。また、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃ下面に、支持台１１上面を隙間なく密着させることができる。
【００５２】
特に、素子試験装置１では、弾性を有する導電性樹脂３０を加重機構４１下に配置している。このような導電性樹脂３０が加重機構４１下に存在すると、加重機構４１による所謂、片当たりが導電性樹脂３０により補正され、加重機構４１による均等な荷重が電極表面に与えられる。
【００５３】
従って、半導体素子２０の主電極間を通電状態とすると、当該主電極間に通電する電流は、導電性樹脂３０で均等に分散され、主電極の特定領域に電流が集中することがない。
その結果、素子試験中において、半導体素子２０内部に並列に配置された各セルに、均等に電流が通電することになる。これにより、素子試験装置１を用いれば、半導体素子２０の電気的特性試験を安定して実施することができる。
【００５４】
このように、素子試験装置１は、主に、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃが接するように、半導体素子２０を載置する支持台１１と、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅに接触する導電性樹脂３０と、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触する、少なくとも一つの接触子３０ｇと、を有している。
【００５５】
次に、素子試験装置１を用いた具体的な素子試験方法をより詳細に説明する。
先ず、図１に示すように、支持台１１上に、ハンドラ（図示しない）によって半導体素子２０を載置する。これにより、半導体素子２０の下面が支持台１１上面に接触する。また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上に、ハンドラによって導電性樹脂３０を載置する。
【００５６】
この段階で、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃと支持台１１とが導通する。また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とが導通する。
そして、半導体素子２０の上方で、導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇの位置あわせを行い、導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇを、ゲート電極２０ｇ、導電性樹脂３０に対向させる。
【００５７】
次に、図２に示すように、導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇを、ゲート電極２０ｇ、導電性樹脂３０に向かい降下させ、導電体４０と導電性樹脂３０とを接触させる。また、上述した別の加重機構を用いて、接触子３０ｇの先端をゲート電極２０ｇに接触させる。
【００５８】
次に、加重機構４１により、導電体４０、導電性樹脂３０、半導体素子２０に荷重を与える。
このような荷重が与えられると、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とが隙間なく密着する。また、半導体素子２０の下部においては、支持台１１とコレクタ電極２０ｃとが隙間なく密着する。
【００５９】
そして、導電体４０と支持台１１間に、素子試験装置１に外付けしたテスタ（図示しない）により所定の電圧（数キロボルト以下）を印加する。更に、接触子３０ｇと導電体４０間に、ゲート信号（例えば、Pulse Width Modulation，PWM）を印加する。
【００６０】
そして、この後においては、半導体素子２０の電気的特性評価（例えば、大電流スイッチング試験、逆バイアス安全動作領域試験（ＲＢＳＯＡ）、ターンオフ試験、アバランシェ試験、負荷短絡試験等）を遂行する。
【００６１】
尚、図示しないテスタからは、導電体４０、接触子３０ｇ、支持台１１と導通するためのリード線が複数延出されている。また、各リード線が導電体４０、接触子３０ｇ、支持台１１に電気的に接続され、素子試験回路が構成されている。
【００６２】
＜第２の実施の形態＞
図４は第２の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部斜視図である。この図には、素子試験装置２の要部構成と共に、被検体である半導体素子２０が併せて例示されている。
【００６３】
素子試験装置２は、基体１０と、基体１０上に固定された支持台１１と、支持台１１上に配置された半導体素子２０と、半導体素子２０の上面に配置された導電性樹脂３０と、導電性樹脂３０上に配置された導電体４０並びに加重機構４１と、加重機構４１内に貫入された接触子３０ｇとを含む構成としている。
【００６４】
支持台１１の上面（半導体素子２０下面との当接面）が平坦性よく研磨されている。また、支持台１１上には、金属箔２１ｃが配置されている。更に、金属箔２１ｃ上には、被検体である半導体素子２０が載置されている。尚、金属箔２１ｃの主面の面積は、半導体素子２０の主面の面積よりも大きく形成されている。
【００６５】
そして、ゲート電極２０ｇ領域を除いた半導体素子２０のエミッタ電極の上面には、金属箔２１ｅが配置されている。更に、金属箔２１ｅ上には、導電性樹脂３０が配置されている。
【００６６】
即ち、素子試験装置２では、被検体としてＩＧＢＴ素子を用いた場合、半導体素子２０の裏面側においては、支持台１１と金属箔２１ｃとが面接触し、更に、金属箔２１ｃとコレクタ電極とが面接触する構造を有している。
【００６７】
また、半導体素子２０の上面側においては、導電性樹脂３０と金属箔２１ｅとが面接触し、更に、金属箔２１ｅとエミッタ電極とが面接触する構造を有している。
また、素子試験装置２にあっては、ゲート電極２０ｇの上方に、棒状の接触子３０ｇを配置している。この接触子３０ｇは、上述した加重機構４１内に貫入され、矢印ａの方向（加重機構４１の主面に対し上下の方向）に可動できるようになっている。
【００６８】
また、素子試験装置２にあっては、加重機構４１下に、銅（Ｃｕ）を主たる成分とする導電体４０を配置している。そして、導電体４０の一部には、切欠部４０ａが形成されている。この切欠部４０ａ中に、加重機構４１に貫入させた接触子３０ｇを挿入させることにより、接触子３０ｇと導電体４０との絶縁が確保されている。
【００６９】
このような導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇを、矢印ｂの方向に降下させ、導電体４０の下面を導電性樹脂３０の上面に接触させる。また、接触子３０ｇの先端を半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触させる。
【００７０】
そして、加重機構４１の加重手段により、導電体４０、導電性樹脂３０、半導体素子２０等に荷重を与える。これにより、導電体４０の下面と導電性樹脂３０の上面、導電性樹脂３０の下面と金属箔２１ｅの上面、金属箔２１ｅの下面とエミッタ電極の上面とが充分に密着する。
【００７１】
また、加重機構４１により、支持台１１の上面と金属箔２１ｃの下面、金属箔２１ｃの上面とコレクタ電極の下面とが充分に密着する。
また、接触子３０ｇにおいては、素子試験装置２に備えられた別の加重機構（図示しない）により、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに押し付けられる。これにより、接触子３０ｇの先端をゲート電極２０ｇに確実に接触させることができる。
【００７２】
そして、導電性樹脂３０及び接触子３０ｇを、半導体素子２０の主面に接触させた後においては、支持台１１と導電体４０との間に、所定の電圧を印加し、ゲート電極２０ｇには、接触子３０ｇを通じて所定の電圧信号（パルス信号）を印加する。
【００７３】
次に、上述した素子試験装置２の構造を、より深く理解するために、素子試験装置２の断面模式図を用いて、その構造を詳細に説明する。
図５は第２の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。この図では、上述した導電性樹脂３０を金属箔２１ｅを介し、半導体素子２０の上面に接触させた状態が示されている。
【００７４】
素子試験装置２にあっては、基体１０上に、支持台１１を設置・固定している。支持台１１上には、金属箔２１ｃが配置されている。また、金属箔２１ｃ上には、被検体である半導体素子２０が配置されている。
【００７５】
このように、半導体素子２０の下面（コレクタ電極２０ｃ側）と金属箔２１ｃの上面とを面接触させ、金属箔２１ｃの下面と支持台１１の上面とを面接触させている。即ち、コレクタ電極２０ｃと支持台１１とを金属箔２１ｃを介して接触・導通させている。
【００７６】
また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上には、金属箔２１ｅを配置している。更に、金属箔２１ｅ上には、導電性樹脂３０を配置している。
このように、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面と金属箔２１ｅの下面とを面接触させ、金属箔２１ｅの上面と導電性樹脂３０の下面とを面接触させている。即ち、エミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とを金属箔２１ｅを介して接触・導通させている。
【００７７】
尚、金属箔２１ｅ，２１ｃは、例えば、銅（Ｃｕ）を主たる成分とする材質により構成され、その厚みは、１０〜１００μｍである。
また、導電性樹脂３０上には、導電性樹脂３０の上面よりも面積が大きい導電体４０を配置している。そして、導電体４０上には、加重機構４１を設け、当該加重機構４１により、その下方に設けた導電体４０、導電性樹脂３０、金属箔２１ｅ、半導体素子２０等に荷重を与えることができる。
【００７８】
例えば、加重機構４１による加重手段が実行されると、導電性樹脂３０は、エミッタ電極２０ｅを金属箔２１ｅを介して押し付ける。
このような押し付けにより、導電性樹脂３０の下面と金属箔２１ｅの上面、金属箔２１ｅの下面と半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面とが隙間なく密着することになる。また、導電性樹脂３０の上面においても、導電体４０の下面と隙間なく密着することになる。
【００７９】
また、支持台１１の上面は、上述した如く、平坦性よく研磨されている。従って、上記の加重手段が実行されると、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃの下面と金属箔２１ｃの上面、金属箔２１ｃの下面と支持台１１の上面とが隙間なく密着することになる。
【００８０】
特に、素子試験装置２では、弾性を有する導電性樹脂３０を加重機構４１下に配置している。このような導電性樹脂３０が加重機構４１下に存在すると、加重機構４１による片当たりが導電性樹脂３０の変形により補正され、当該加重機構４１によって均等な荷重が電極表面に与えられる。
【００８１】
従って、半導体素子２０の主電極間を通電状態とすると、当該主電極間に通電する電流は、導電性樹脂３０で均等に分散され、主電極の特定領域に電流が集中することがない。
その結果、素子試験中において、半導体素子２０内部に並列に配置された各セルに、均等に電流が通電することになる。これにより、素子試験装置２を用いれば、半導体素子２０の電気的特性試験を安定して実施することができる。
【００８２】
このように、素子試験装置２は、主に、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃが接するように、半導体素子２０を載置する支持台１１と、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅに接触する導電性樹脂３０と、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触する、少なくとも一つの接触子３０ｇと、を有している。更に、コレクタ電極２０ｃと支持台１１とを金属箔２１ｃを介して接触させている。また、エミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とを金属箔２１ｅを介して接触させている。
【００８３】
次に、素子試験装置２を用いた具体的な素子試験方法をより詳細に説明する。
先ず、図４に示すように、支持台１１上に、ハンドラ（図示しない）によって金属箔２１ｃを載置し、更に、金属箔２１ｃの主面上に、半導体素子２０を載置する。これにより、金属箔２１ｃを介して、半導体素子２０の下面が支持台１１上面に接触する。また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上に、ハンドラによって金属箔２１ｅを載置し、更に、金属箔２１ｅの主面上に、導電性樹脂３０を載置する。
【００８４】
この段階で、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃと支持台１１とが金属箔２１ｃを介して導通する。また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とが金属箔２１ｅを介して導通する。
【００８５】
そして、半導体素子２０の上方で、導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇの位置あわせを行い、導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇを、ゲート電極２０ｇ、導電性樹脂３０に対向させる。
【００８６】
次に、図５に示すように、導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇを、ゲート電極２０ｇ、導電性樹脂３０に向かい降下させ、導電体４０と導電性樹脂３０とを接触させる。また、上述した別の加重機構を用いて、接触子３０ｇの先端をゲート電極２０ｇに接触させる。
【００８７】
次に、加重機構４１により、導電体４０、導電性樹脂３０、金属箔２１ｅ、半導体素子２０に荷重を与える。
このような荷重が与えられると、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とがその間隙に金属箔２１ｅを挟んだ状態で隙間なく密着する。また、半導体素子２０の下部においては、支持台１１とコレクタ電極２０ｃとがその間隙に金属箔２１ｃを挟んだ状態で隙間なく密着する。
【００８８】
そして、導電体４０と支持台１１間に、素子試験装置２に外付けしたテスタ（図示しない）により所定の電圧（数キロボルト以下）を印加する。更に、接触子３０ｇと導電体４０間に、ゲート信号（例えば、ＰＷＭ）を印加する。
【００８９】
そして、この後においては、半導体素子２０の電気的特性評価（例えば、大電流スイッチング試験、逆バイアス安全動作領域試験（ＲＢＳＯＡ）、ターンオフ試験、アバランシェ試験、負荷短絡試験等）を遂行する。
【００９０】
尚、図示しないテスタからは、導電体４０、接触子３０ｇ、支持台１１と導通するためのリード線が複数延出されている。また、各リード線が導電体４０、接触子３０ｇ、支持台１１に電気的に接続され、素子試験回路が構成されている。
【００９１】
ここで、仮に、被検体である半導体素子２０が不良品であり、素子試験中において、半導体素子２０が破損した場合は、電気的特性評価を終了させた後、導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇを上方に移動させ、次に説明するように、金属箔２１ｅまたは金属箔２１ｃの交換をする。
【００９２】
例えば、エミッタ電極２０ｅ側の破損が著しい場合には、ハンドラにより、エミッタ電極２０ｅに密着していた金属箔２１ｅ及び破損した半導体素子２０を金属箔２１ｃ上から取り除き、金属箔２１ｅと同形態の別の金属箔、新規の半導体素子を準備する。
【００９３】
次に、ハンドラによって新規の半導体素子を金属箔２１ｃ上に載置する。
続いて、新規の半導体素子のエミッタ電極上に、金属箔２１ｅと同形態の別の金属箔をハンドラによって載置し、上記と同様の手段で、当該半導体素子についての素子試験を再開する。
【００９４】
また、コレクタ電極２０ｃ側の破損が著しい場合は、破損した半導体素子２０及びコレクタ電極２０ｃに密着していた金属箔２１ｃを、ハンドラにより支持台１１上から取り除く。そして、金属箔２１ｃと同形態の別の金属箔を準備する。
【００９５】
次に、支持台１１上に、当該別の金属箔を載置する。続いて、新規の半導体素子を用意し、ハンドラによって新規の半導体素子を当該別の金属箔上に載置する。
そして、上記と同様の手段で、当該半導体素子についての素子試験を再開する。
【００９６】
また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ側及びコレクタ電極２０ｃ側の破損が共に著しい場合は、金属箔２１ｅ，２１ｃを共に交換し、上記と同様の手段で、新規の半導体素子の素子試験を再開する。
【００９７】
＜第３の実施の形態＞
図６は第３の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部斜視図である。この図では、被検体である半導体素子は図示されていない。
【００９８】
素子試験装置３は、基体１０と、基体１０上に固定された上記の支持台１１（図６では不図示）と、導電性樹脂３０、導電体４０並びに加重機構４１と、加重機構４１内に貫入された接触子３０ｇとを含む構成としている。更に、素子試験装置３には、導電性樹脂３０と支持台１１との間に、帯状の樹脂フィルム５０，５１が対向するように配置されている。
【００９９】
また、樹脂フィルム５０には、被検体である半導体素子の主電極（エミッタ電極）に接触させるための金属箔５０ｅが複数個、選択的に配置されている。また、樹脂フィルム５０には、接触子３０ｇを貫通させるための貫通孔５０ｇｈが選択的に配置されている。また、このような金属箔５０ｅ及び貫通孔５０ｇｈの組は、樹脂フィルム５０の長手方向に周期的に配置されている。
【０１００】
一方、樹脂フィルム５０と対向する樹脂フィルム５１の上面側には、被検体である半導体素子の主電極（コレクタ電極）に接触させるための金属箔５１ｃが複数個、選択的に配置されている。そして、金属箔５１ｃは、樹脂フィルム５１の片端にまで延在している。また、金属箔５１ｃは、樹脂フィルム５０の長手方向に周期的に配置されている。
【０１０１】
即ち、素子試験装置３にあっては、樹脂フィルム５０によって支持された金属箔５０ｅと、樹脂フィルム５１によって支持された金属箔５１ｃとが互いに対向する構造を有している。そして、金属箔５０ｅと金属箔５１ｃとの間に、上述した半導体素子２０を挟持して、素子試験を遂行する。
【０１０２】
また、これらの樹脂フィルム５０，５１においては、その両端において、貫通孔５０ｈ，５１ｈを設け、当該貫通孔５０ｈ，５１ｈに歯車等の回転部材（図示しない）を係合させることにより、樹脂フィルム５０，５１をその長手方向（図の矢印Ａの方向）に順次送り出すことができる。
【０１０３】
尚、対向する樹脂フィルム５０，５１同士は、その短手方向において、樹脂フィルム５０，５１の夫々の主面が若干、ずれた配置を構成してもよい。このような配置の場合、貫通孔５１ｈ付近に位置する金属箔５１ｃは、素子試験装置３の上方へ向かい露出している状態にある。
【０１０４】
ここで、金属箔５０ｅ，５１ｃを選択的に配置した樹脂フィルム５０，５１の構造を、別の図を用いて補説する。
図７及び図８は金属箔が配置された樹脂フィルムを説明するための要部図である。ここで、図７（Ａ）には、金属箔５０ｅを選択的に配置した樹脂フィルム５０の斜視図が示され、図７（Ｂ）には、図７（Ａ）のＡ−Ｂ部分の断面図が示されている。また、図８（Ａ）には、金属箔５１ｃを選択的に配置した樹脂フィルム５１の斜視図が示され、図８（Ｂ）には、図８（Ａ）のＡ−Ｂ部分の断面図が示されている。
【０１０５】
図７（Ａ）に示すように、樹脂フィルム５０には、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅに接触させるための金属箔５０ｅが複数個、選択的に配置されている。
また、夫々の金属箔５０ｅの近傍には、接触子３０ｇを貫通させるための貫通孔５０ｇｈが設けられている。
【０１０６】
更に、樹脂フィルム５０の両端には、回転機構に係合させるための貫通孔５０ｈが配置されている。
そして、このような金属箔５０ｅは、図７（Ｂ）に示すように、金属箔５０ｅの端が接着部材によって樹脂フィルム５０に把持された状態にある。そして、金属箔５０ｅの上下の主面の大部分は、導電性樹脂３０の主面またはエミッタ電極に対し、露出した状態にある。
【０１０７】
また、図８（Ａ）に示すように、樹脂フィルム５１には、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃに接触させるための金属箔５１ｃが複数個、選択的に配置されている。
また、樹脂フィルム５１の両端には、回転機構に係合させるための貫通孔５１ｈが配置されている。
【０１０８】
そして、このような金属箔５１ｃは、図８（Ｂ）に示すように、金属箔５１ｃの主面が樹脂フィルム５１の主面に固着された状態にある。即ち、金属箔５１ｃの上面は、露出した状態にある。
【０１０９】
このような金属箔５０ｅ，５１ｃは、例えば、銅（Ｃｕ）を主たる成分とする材質により構成され、夫々の厚みは、１０〜１００μｍである。
また、樹脂フィルム５０，５１は、ポリイミド樹脂を主たる成分とする樹脂で構成され、夫々の厚みは、１０〜１００μｍである。
【０１１０】
従って、金属箔５０ｅ，５１ｃを配置した樹脂フィルム５０，５１は、フレキシブル性を有する。
再び、図６に戻り、素子試験装置３の説明を続ける。
【０１１１】
上述したように、素子試験装置３にあっては、導電性樹脂３０と支持台１１との間に、樹脂フィルム５０によって支持された金属箔５０ｅと，樹脂フィルム５１によって支持された金属箔５１ｃが対向するように配置している。そして、金属箔５０ｅと金属箔５１ｃとの間に、上述した半導体素子２０を挟持して、素子試験を遂行する。
【０１１２】
更に、金属箔５０ｅ上には、導電性樹脂３０が配置されている。
即ち、素子試験装置３では、被検体としてＩＧＢＴ素子を用いた場合、半導体素子２０の裏面側においては、金属箔５１ｃとコレクタ電極とが面接触する構造を有している。
【０１１３】
また、半導体素子２０の上面側においては、導電性樹脂３０と金属箔５０ｅとが面接触し、更に、金属箔５０ｅとエミッタ電極とが面接触する構造を有している。
また、素子試験装置３にあっては、ゲート電極２０ｇの上方に、棒状の接触子３０ｇを配置している。この接触子３０ｇは、上述した加重機構４１内に貫入され、矢印ａの方向（加重機構４１の主面に対し上下の方向）に可動できるようになっている。
【０１１４】
また、素子試験装置３にあっては、加重機構４１下に、銅（Ｃｕ）を主たる成分とする導電体４０を配置している。
このような導電体４０、加重機構４１及び接触子３０ｇを、矢印ｂの方向に降下させ、導電体４０の下面を導電性樹脂３０の上面に接触させる。また、接触子３０ｇの先端を、樹脂フィルム５０に設けた貫通孔５０ｇｈに貫通させて、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触させる。
【０１１５】
そして、加重機構４１の加重手段により、導電体４０、導電性樹脂３０、半導体素子２０等に荷重を与える。これにより、導電体４０の下面と導電性樹脂３０の上面、導電性樹脂３０の下面と金属箔５０ｅの上面、金属箔５０ｅの下面とエミッタ電極の上面とが充分に密着する。
【０１１６】
また、加重機構４１により、金属箔５１ｃの上面とコレクタ電極の下面とが充分に密着する。
また、接触子３０ｇにおいては、素子試験装置３に備えられた別の加重機構（図示しない）により、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに押し付けられる。これにより、接触子３０ｇの先端をゲート電極２０ｇに確実に接触させることができる。
【０１１７】
そして、導電性樹脂３０及び接触子３０ｇを、半導体素子２０の主面に接触させた後においては、金属箔５１ｃと導電体４０との間に、所定の電圧を印加し、ゲート電極２０ｇには、接触子３０ｇを通じて所定の電圧信号（パルス信号）を印加する。
【０１１８】
次に、上述した素子試験装置３の構造を、より深く理解するために、素子試験装置３の断面模式図を用いて、その構造を詳細に説明する。
図９は第３の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。この図では、上述した導電性樹脂３０を金属箔５０ｅを介し、半導体素子２０の上面に接触させた状態が示されている。
【０１１９】
素子試験装置３にあっては、基体１０上に、支持台１１を設置・固定している。支持台１１上には、樹脂フィルム５１を配置している。また、樹脂フィルム５１上には、金属箔５１ｃを選択的に固着・配置している。また、金属箔５１ｃ上には、被検体である半導体素子２０が配置されている。
【０１２０】
このように、半導体素子２０の下面（コレクタ電極２０ｃ側）と金属箔５１ｃの上面とを面接触させている。即ち、コレクタ電極２０ｃと金属箔５１ｃとを導通させている。
また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上には、金属箔５０ｅを配置している。この金属箔５０ｅは、上述した如く、樹脂フィルム５０に把持されている。更に、金属箔５０ｅ上には、導電性樹脂３０を配置している。
【０１２１】
このように、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面と金属箔５０ｅの下面とを面接触させ、金属箔５０ｅの上面と導電性樹脂３０の下面とを面接触させている。即ち、エミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とを金属箔５０ｅを介して導通させている。
【０１２２】
また、導電性樹脂３０上には、導電性樹脂３０の上面よりも面積が大きい導電体４０を配置している。そして、導電体４０上には、加重機構４１を設け、当該加重機構４１により、その下方に設けた導電体４０、導電性樹脂３０、金属箔２１ｅ、半導体素子２０等に荷重を与えることができる。
【０１２３】
例えば、加重機構４１による加重手段が実行されると、導電性樹脂３０は、エミッタ電極２０ｅに金属箔５０ｅを介して押し付けられる。
このような押し付けにより、導電性樹脂３０の下面と金属箔５０ｅの上面、金属箔５０ｅの下面と半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面とが隙間なく密着することになる。また、導電性樹脂３０の上面においても、導電体４０の下面と隙間なく密着することになる。
【０１２４】
また、支持台１１の上面は、上述した如く、平坦性よく研磨されている。従って、上記の加重手段が実行されると、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃの下面と金属箔５１ｃの上面とが隙間なく密着することになる。
【０１２５】
また、接触子３０ｇにおいては、その先端を、樹脂フィルム５０に設けた貫通孔５０ｇｈを貫通させて、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触させている。
特に、素子試験装置３では、弾性を有する導電性樹脂３０を加重機構４１下に配置している。このような導電性樹脂３０が加重機構４１下に存在すると、加重機構４１による片当たりが導電性樹脂３０の変形により補正され、当該加重機構４１によって均等な荷重が電極表面に与えられる。
【０１２６】
従って、半導体素子２０の主電極間を通電状態とすると、当該主電極間に通電する電流は、導電性樹脂３０で均等に分散され、主電極の特定領域に電流が集中することがない。
その結果、素子試験中において、半導体素子２０内部に並列に配置された各セルに、均等に電流が通電することになる。これにより、素子試験装置３を用いれば、半導体素子２０の電気的特性試験を安定して実施することができる。
【０１２７】
このように、素子試験装置３は、主に、支持台１１と、支持台１１上に配置され、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃに接触させる金属箔５１ｃを選択的に形成した樹脂フィルム５１と、樹脂フィルム５１に対向するように配置され、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅに接触させる金属箔５０ｅを選択的に形成した樹脂フィルム５０と、金属箔５０ｅに接触する導電性樹脂３０と、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触する、少なくとも一つの接触子３０ｇと、を有している。
【０１２８】
次に、素子試験装置３を用いた具体的な素子試験方法をより詳細に説明する。
図１０及び図１１は素子試験方法の具体的な方法を説明するための要部図である。
図１０に示すように、素子試験装置３には、上述した部材の他、回転機構６０ｕｐｒ，６０ｕｐｌ，６０ｄｎｒ，６０ｄｎｌ、歯車６１ｕｐｒ，６１ｕｐｌ，６１ｄｎｒ，６１ｄｎｌが備えられている。そして、樹脂フィルム５０，５１の巻き取り量を調節することにより、金属箔５０ｅと支持台１１との相対位置、金属箔５１ｃと支持台１１との相対位置を調整する調整手段を備えている。
【０１２９】
図示するように、樹脂フィルム５１に配置された所定の金属箔５１ｃとが、支持台１１と導電性樹脂３０との間に位置するように位置あわせを行う。
例えば、金属箔５１ｃの位置の調節は、樹脂フィルム５１を巻きつけた回転機構６０ｄｎｒ，６０ｄｎｌを矢印の方向に所定の角度のみ回転させることにより実施する。
【０１３０】
尚、樹脂フィルム５０，５１は、夫々の両端に配置した貫通孔５０ｈ，５１ｈ（図７及び図８参照）に、歯車６１ｕｐｒ，６１ｕｐｌ，６１ｄｎｒ，６１ｄｎｌを係合させることにより、若干、伸張した状態にある。このような歯車６１ｕｐｒ，６１ｕｐｌ，６１ｄｎｒ，６１ｄｎｌの配置により、樹脂フィルム５０，５１は、素子試験中において撓みのない状態を維持している。
【０１３１】
また、支持台１１と導電性樹脂３０との間に位置する樹脂フィルム５０，５１は、互いに平行状態を維持している。これにより、金属箔５０ｅと金属箔５１ｃとが接触しない状態を維持する。
【０１３２】
また、支持台１１と導電性樹脂３０との間に位置する樹脂フィルム５０，５１の間隙は、半導体素子２０の厚み以上に調節されている。
そして、樹脂フィルム５１に配置された金属箔５１ｃと樹脂フィルム５０との間隙に、ハンドラ（図示しない）によって半導体素子２０を設置する。
【０１３３】
続いて、樹脂フィルム５０に配置された所定の金属箔５０ｅが、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上に位置するように位置あわせを行う。
例えば、金属箔５０ｅの位置の調節は、樹脂フィルム５０を巻きつけた回転機構６０ｕｐｒ，６０ｕｐｌを、矢印の方向に所定の角度のみ回転させることにより実施する。
【０１３４】
この段階で、半導体素子２０が支持台１１上に位置する金属箔５１ｃ上に設置される。そして、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃと金属箔５１ｃとが接触し、当該コレクタ電極２０ｃと金属箔５１ｃとが導通する。但し、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅと金属箔５０ｅとは、若干離反した状態にある。
【０１３５】
次に、図１１に示すように、導電性樹脂３０、導電体４０、加重機構４１並びに接触子３０ｇを、半導体素子２０上に位置する金属箔５０ｅに向かい降下させ、樹脂フィルム５０に固着された金属箔５０ｅを上方から押圧する。
【０１３６】
上述したように、樹脂フィルム５０，５１はフレキシブルな形状を有しているため、樹脂フィルム５０，５１ならびに金属箔５０ｇ，５０ｅにたるみ、ゆがみ、撓みなどがある場合がある。そこで、図示しないテンショナーなどで樹脂フィルム５０，５１に所定の張力を与えて、樹脂フィルム５０，５１のたるみ、ゆがみ、撓みなどを矯正する。更に、導電性樹脂３０等による押し付けにより、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅと金属箔５０ｅとが容易に接触する。
【０１３７】
続いて、加重機構４１により半導体素子２０の主面に荷重を与える。このような荷重が半導体素子２０の主面に与えられると、半導体素子２０の上側においては、エミッタ電極２０ｅと金属箔５０ｅとが隙間なく密着する。また、金属箔５０ｅと導電性樹脂３０とが隙間なく密着する。更に、半導体素子２０の下側においては、支持台１１と金属箔５１ｃとが隙間なく密着する。更に、金属箔５１ｃとコレクタ電極２０ｃとが隙間なく密着する。
【０１３８】
また、接触子３０ｇにおいては、その先端を、樹脂フィルム５０に設けた貫通孔５０ｇｈを貫通させて、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触させる。
そして、導電体４０と金属箔５１ｃ間に、素子試験装置３に外付けしたテスタ（図示しない）により所定の電圧（数キロボルト以下）を印加する。更に、接触子３０ｇと導電体４０間に、ゲート信号（例えば、ＰＷＭ）を印加する。
【０１３９】
ここで、図示しないテスタからは、導電体４０、接触子３０ｇ、金属箔５１ｃに導通させるためのリード線が複数延出されている。また、各リード線が導電体４０、接触子３０ｇ、金属箔５１ｃに電気的に接続され、素子試験回路を構成している。
【０１４０】
特に、リード線と、金属箔５１ｃとの導通は、対応するリード線の端に接続された接触子と、樹脂フィルム５１の端まで延在させた金属箔５１ｃとを接触させることにより行われる。
【０１４１】
そして、この後においては、半導体素子２０の電気的特性評価（例えば、大電流スイッチング試験、逆バイアス安全動作領域試験（ＲＢＳＯＡ）、ターンオフ試験、アバランシェ試験、負荷短絡試験等）を遂行する。
【０１４２】
ここで、仮に、被検体である半導体素子２０が不良品であり、素子試験中において、半導体素子２０が破損した場合は、電気的特性評価を終了させた後、導電性樹脂３０、導電体４０、加重機構４１並びに接触子３０ｇを上方に移動させ、破損した半導体素子２０を、ハンドラにより樹脂フィルム５０及び樹脂フィルム５１の間隙から取り除く。
【０１４３】
ここで、半導体素子２０の破損は、例えば、主電極間の短絡等を起因とする破損が該当する。例えば、この破損により、半導体素子２０の主電極に溶融物が形成したり、或いは、微小な破壊片が主電極から発生したりする。
【０１４４】
そして、本実施の形態の素子試験方法では、エミッタ電極２０ｅ側の破損が著しい場合には、樹脂フィルム５０を巻きつけた回転機構６０ｕｐｒ，６０ｕｐｌを所定の角度のみ回転させることにより、エミッタ電極２０ｅに密着していた金属箔５０ｅを、支持台１１と導電性樹脂３０との間から移動させる。即ち、金属箔５０ｅに隣接する別の金属箔パターンを、導電性樹脂３０と支持台１１との間に位置させる。
【０１４５】
そして、新規の半導体素子を用意し、上記と同様の手段で、当該半導体素子についての素子試験を再開する。
また、コレクタ電極２０ｃ側の破損が著しい場合は、樹脂フィルム５１を巻きつけた回転機構６０ｄｎｒ，６０ｄｎｌを所定の角度のみ回転させることにより、コレクタ電極２０ｃに密着していた金属箔５１ｃを支持台１１と導電性樹脂３０との間から移動させる。即ち、金属箔５１ｃに隣接する別の金属箔を支持台１１と導電性樹脂３０との間に位置させる。
【０１４６】
そして、新規の半導体素子を用意し、上記と同様の手段で、当該半導体素子についての素子試験を再開する。
また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ側及びコレクタ電極２０ｃ側の破損が共に著しい場合は、樹脂フィルム５０，５１を共に移動させて、上記と同様の手段で、新規の半導体素子の素子試験を再開する。
【０１４７】
尚、半導体素子の下地となる樹脂フィルムは、図８に例示する樹脂フィルム５１とは限らない。次に、樹脂フィルム５１の変形例について説明する。
図１２は別の金属箔が配置された樹脂フィルムを説明するための要部図である。ここで、図１２（Ａ）には、金属箔５２ｃを選択的に配置した樹脂フィルム５１の斜視図が示され、図１２（Ｂ）には、図１２（Ａ）のＡ−Ｂ部分の断面図が示されている。
【０１４８】
図１２（Ａ）に示すように、樹脂フィルム５１には、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃに接触させるための金属箔５２ｃが複数個、選択的に配置されている。
更に、樹脂フィルム５１の両端には、上述した回転機構に係合させるための貫通孔５１ｈが配置されている。
【０１４９】
そして、このような金属箔５２ｃは、図１２（Ｂ）に示すように、金属箔５２ｃの端が接着部材によって樹脂フィルム５１に把持された状態にある。そして、金属箔５２ｃの上下の主面の大部分は、支持台１１の主面またはコレクタ電極２０ｃに対し、露出した状態にある。
【０１５０】
このような樹脂フィルム５１を半導体素子の下地として用いてもよい。この場合、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃは、金属箔５２ｃを介し、支持台１１と導通する。従って、テスタから延出されたリード線と、コレクタ電極２０ｃとの導通は、当該リード線を支持台１１に接触させることにより行われる。
【０１５１】
そして、導電体４０と支持台１１間に、素子試験装置３に外付けしたテスタ（図示しない）により所定の電圧（数キロボルト以下）を印加する。更に、接触子３０ｇと導電体４０間に、ゲート信号（例えば、ＰＷＭ）を印加して、素子試験を遂行する。
【０１５２】
尚、金属箔５２ｃは、例えば、銅（Ｃｕ）を主たる成分とする材質により構成され、夫々の厚みは、１０〜１００μｍである。
＜第４の実施の形態＞
図１３は第４の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。
【０１５３】
この実施の形態では、上述した導電性樹脂３０の主面に、金属膜を形成させたことを特徴としている。尚、この図では、金属膜３０ｍａを形成させた導電性樹脂３０を半導体素子２０の上面に接触させた状態が示されている。
【０１５４】
素子試験装置４にあっては、基体１０上に、支持台１１を設置・固定している。また、支持台１１上には、被検体である半導体素子２０が配置されている。そして、半導体素子２０の下面（コレクタ電極２０ｃ側）と支持台１１上面とを面接触させ、コレクタ電極２０ｃと支持台１１とを直接的に導通させている。
【０１５５】
また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上には、金属膜３０ｍａを表面に形成させた導電性樹脂３０を配置している。
ここで、金属膜３０ｍａの材質は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）の少なくとも一つを含む金属が適用される。
【０１５６】
また、このような金属膜３０ｍａは、真空蒸着法、スパッタリング法、導電ペースト法、スプレー法、鍍金法の何れかの手段により形成する。そして、膜厚は、１μｍ以上である。
【０１５７】
このように、素子試験装置４にあっては、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面と導電性樹脂３０の主面に形成させた金属膜３０ｍａの主面とが面接触し、エミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とが導通している。
【０１５８】
また、導電性樹脂３０上には、導電性樹脂３０の上面よりも面積が大きい導電体４０を配置している。そして、導電体４０上には、加重機構４１を設け、当該加重機構４１により、その下方に設けた導電体４０、導電性樹脂３０、半導体素子２０等に荷重を与えることができる。
【０１５９】
例えば、加重機構４１による加重手段が実行されると、導電性樹脂３０は、エミッタ電極２０ｅを押し付ける。
このような押し付けにより、導電性樹脂３０の主面に形成させた金属膜３０ｍａの主面と半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面とが隙間なく密着することになる。また、導電性樹脂３０の上面においても、導電体４０の下面と隙間なく密着することになる。
【０１６０】
また、支持台１１の上面は、上述した如く、平坦性よく研磨されている。従って、上記の加重手段が実行されると、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃと支持台１１の上面とが隙間なく密着することになる。
【０１６１】
特に、素子試験装置４では、弾性を有する導電性樹脂３０を加重機構４１下に配置している。このような導電性樹脂３０が加重機構４１下に存在すると、加重機構４１による片当たりが導電性樹脂３０により補正され、加重機構４１による均等な荷重が電極表面に与えられる。
【０１６２】
また、導電性樹脂３０の主面に金属膜３０ｍａを形成させていることから、導電性樹脂３０を直接、エミッタ電極２０ｅに接触させることなく、導電性樹脂３０とエミッタ電極２０ｅとを導通させることができる。
【０１６３】
従って、上記加重手段を実行しても、上記導電性粒子によるエミッタ電極２０ｅへの転写（例えば、めり込み、引っかき傷）を発生させることがない。即ち、金属膜３０ｍａは、導電性樹脂３０中に含有している導電性粒子のバリア層として機能し、導電性粒子が導電性樹脂３０の表面から表出することを防止する。
【０１６４】
また、導電性樹脂３０の主成分として、シリコンゴムを用いた場合には、導電性樹脂３０とエミッタ電極２０ｅとの密着性が過剰に高くなる。このため、導電性樹脂３０をエミッタ電極２０ｅから離反させても、導電性樹脂３０の樹脂部分の一部がエミッタ電極２０ｅ上に残存する場合がある。
【０１６５】
然るに、本実施の形態では、導電性樹脂３０の主面に金属膜３０ｍａを形成させている。このため、導電性樹脂３０とエミッタ電極２０ｅとを直接、接触させることを回避できる。これにより、素子試験を遂行しても、導電性樹脂３０の樹脂部分の一部がエミッタ電極２０ｅ上に残存するという現象は発生しない。
【０１６６】
従って、半導体素子２０の主電極間を通電状態としても、当該主電極間に通電する電流は、導電性樹脂３０で均等に分散される。即ち、主電極の特定領域に電流が集中することがない。
【０１６７】
その結果、素子試験中において、半導体素子２０内部に並列に配置された各セルに、均等に電流が通電することになる。これにより、素子試験装置４を用いれば、半導体素子２０の電気的特性試験を安定して実施することができる。
【０１６８】
このように、素子試験装置４では、導電性樹脂３０の表面に導電性粒子の表出を抑制するバリア層が形成されている。
また、このような素子試験装置４を用いて、第１の実施の形態で説明した素子試験と同様の方法により、半導体素子２０の素子試験を遂行する。
【０１６９】
＜第５の実施の形態＞
図１４は第５の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。
この実施の形態では、上述した導電性樹脂３０の主面に、多層の金属膜３０ｍを形成させたことを特徴としている。尚、この図では、多層の金属膜３０ｍを形成させた導電性樹脂３０を半導体素子２０の上面に接触させた状態が示されている。
【０１７０】
素子試験装置５にあっては、基体１０上に、支持台１１を設置・固定している。また、支持台１１上には、被検体である半導体素子２０が配置されている。そして、半導体素子２０の下面（コレクタ電極２０ｃ側）と支持台１１上面とを面接触させ、コレクタ電極２０ｃと支持台１１とを直接的に導通させている。
【０１７１】
また、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上には、多層の金属膜３０ｍを表面に形成させた導電性樹脂３０を配置している。
例えば、金属膜３０ｍは、導電性樹脂３０の主面から、順に、金属膜３０ｍａ、金属膜３０ｍｂ、金属膜３０ｍｃを形成させた構造を有している。
【０１７２】
ここで、導電性樹脂３０に接している金属膜３０ｍａの材質は、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）の少なくとも一つを含む金属を主たる成分とする金属が適用される。
【０１７３】
また、エミッタ電極２０ｅに接する金属膜３０ｍｃの材質は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムシリコン（ＡｌＳｉ）を主たる成分とする被膜が適用される。
また、金属膜３０ｍａと金属膜３０ｍｃとの間に形成されている金属膜３０ｍｂの材質は、金属膜３０ｍａと金属膜３０ｍｃとの成分を共に含有する金属が適用される。特に、金属膜３０ｍａ側においては、金属膜３０ｍａの成分が高く、金属膜３０ｍｃ側においては、金属膜３０ｍｃの成分が高い傾斜濃度構造を有した金属であってもよい。
【０１７４】
また、このような金属膜３０ｍａ、金属膜３０ｍｂ、金属膜３０ｍｃは、夫々、真空蒸着法、スパッタリング法、導電ペースト法、スプレー法、鍍金法の何れかの手段により形成する。そして、金属膜３０ｍの膜厚は、１μｍ以上である。
【０１７５】
このように、素子試験装置５にあっては、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面と導電性樹脂３０の主面に形成させた金属膜３０ｍの主面とが面接触し、エミッタ電極２０ｅと導電性樹脂３０とが導通している。
【０１７６】
また、導電性樹脂３０上には、導電性樹脂３０の上面よりも面積が大きい導電体４０を配置している。そして、導電体４０上には、加重機構４１を設け、当該加重機構４１により、その下方に設けた導電体４０、導電性樹脂３０、半導体素子２０等に荷重を与えることができる。
【０１７７】
例えば、加重機構４１による加重手段が実行されると、導電性樹脂３０は、エミッタ電極２０ｅを押し付ける。
このような押し付けにより、金属膜３０ｍの最表面を構成する金属膜３０ｍｃの主面と半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅの上面とが隙間なく密着することになる。また、導電性樹脂３０の上面においても、導電体４０の下面と隙間なく密着することになる。
【０１７８】
また、支持台１１の上面は、上述した如く、平坦性よく研磨されている。従って、上記の加重手段が実行されると、半導体素子２０のコレクタ電極２０ｃと支持台１１の上面とが隙間なく密着することになる。
【０１７９】
特に、素子試験装置５では、弾性を有する導電性樹脂３０を加重機構４１下に配置している。このような導電性樹脂３０が加重機構４１下に存在すると、加重機構４１による片当たりが導電性樹脂３０により補正され、加重機構４１による均等な荷重が電極表面に与えられる。
【０１８０】
また、導電性樹脂３０の主面に金属膜３０ｍを形成させていることから、導電性樹脂３０を直接、エミッタ電極２０ｅに接触させることなく、導電性樹脂３０とエミッタ電極２０ｅとを導通させることができる。
【０１８１】
従って、上記加重手段を実行しても、上記導電性粒子のエミッタ電極２０ｅへの転写（例えば、めり込み、引っかき傷）を発生させることがない。即ち、金属膜３０ｍａは、導電性樹脂３０中に含有している導電性粒子のバリア層として機能し、導電性粒子が導電性樹脂３０の表面から表出することを抑制する。
【０１８２】
また、導電性樹脂３０の主成分として、シリコンゴムを用いた場合には、導電性樹脂３０とエミッタ電極２０ｅとの密着性が過剰に高くなる。このため、導電性樹脂３０をエミッタ電極２０ｅから離反させても、導電性樹脂３０の樹脂部分の一部がエミッタ電極２０ｅ上に残存する場合がある。
【０１８３】
然るに、本実施の形態では、導電性樹脂３０の主面に金属膜３０ｍを形成させている。このため、導電性樹脂３０とエミッタ電極２０ｅとが直接、接触することを回避している。これにより、素子試験を遂行しても、導電性樹脂３０の樹脂部分の一部がエミッタ電極２０ｅ上に残存するという現象は発生しない。
【０１８４】
また、本実施の形態では、金属膜３０ｍの最表面に、低硬度の金属で構成される金属膜３０ｍｃを形成している。これにより、金属膜３０ｍとエミッタ電極２０ｅとの密着性がより向上する。
【０１８５】
従って、半導体素子２０の主電極間を通電状態としても、当該主電極間に通電する電流は、導電性樹脂３０で均等に分散される。即ち、主電極の特定領域に電流が集中することがない。
【０１８６】
その結果、素子試験中において、半導体素子２０内部に並列に配置された各セルに、均等に電流が通電することになる。これにより、素子試験装置５を用いれば、半導体素子２０の電気的特性試験を安定して実施することができる。
【０１８７】
このように、素子試験装置５では、導電性樹脂３０の表面に導電性粒子の表出を抑制するバリア層が形成されている。更に、バリア層上に、低硬度の金属膜が形成されている。
また、このような素子試験装置５を用いて、第１の実施の形態で説明した素子試験と同様の方法により、半導体素子の素子試験を遂行する。
【０１８８】
以上説明した第１乃至第５の実施の形態では、次に示す有利な効果を得る。
素子試験装置１，２，３，４，５においては、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅとの導通を図る接触部材として、図１６に示す接触子部２０３を用いず、導電性樹脂３０を用いている。
【０１８９】
上述したように、導電性樹脂３０は、樹脂内に、粒径が１０〜３０μｍの導電性粒子を３次元的に含有させた構造を有している。そして、樹脂内には、当該導電性粒子の中心部の位置を１０〜３０μｍの間隔（ピッチ）で配置している。
【０１９０】
また、ＩＧＢＴ素子等の半導体素子は、数１０μｍの電流セルの集合体により構成されている。従って、このような導電性樹脂３０を半導体素子の主電極に接触させることにより、導電性粒子のピッチと電流セルのピッチとが略一致し、導電性樹脂３０から各電流セルに均等に電流を通電させることができる。
【０１９１】
また、素子試験装置１，２，３，４，５においては、加重機構４１を用いて、弾性を有する導電性樹脂３０を介して、導電性樹脂３０または金属箔を半導体素子２０の主電極へ押し付ける機構としている。
【０１９２】
これにより、半導体素子２０の主面と、当該主面に接触させた導電性樹脂３０または金属箔との平行度のずれが導電性樹脂３０の変形よって修正され、半導体素子２０の主面と、導電性樹脂３０または金属箔との片当りが大きく修正される。その結果、素子試験中に、半導体素子２０の主電極の特定領域に電流集中が生じることが回避される。
【０１９３】
即ち、より確実に半導体素子２０内に並列に配置された各セルに、均等に電流を通電させることが可能になる。その結果、より安定して半導体素子の電気的特性試験を行うことができる。
【０１９４】
特に、素子試験装置２，３においては、金属箔によって、半導体素子２０の上下の主面を覆いながら素子試験を遂行している。従って、被検体である半導体素子２０が不良品であり、当該半導体素子２０が破損した結果、半導体素子２０から溶融物、微小な破壊片が発生しても、当該微小な破壊片を、金属箔間で封じることができる。即ち、素子試験装置２，３においては、半導体素子２０の破損の影響を、金属箔以外の他の部材に及ぼすことがない。
【０１９５】
これにより、溶融物、微小な破壊片を支持台１１、接触子部２０３から除去する等の無駄な作業工程がなくなる。
更に、素子試験装置２，３においては、常にクリーンな表面状態の金属箔を、半導体素子の主電極に接触させて素子試験を遂行している。従って、安定して半導体素子の電気的特性試験を行うことができる。
【０１９６】
また、素子試験装置３においては、複数個の金属箔５０ｅ，５１ｃ，５２ｃを周期的に樹脂フィルム５０，５１に配置し、樹脂フィルム５０，５１を巻きつける回転機構を備えている。これにより、半導体素子２０の電極に接触させる金属箔の交換が簡便になり、素子試験時間の短縮化を図ることができる。
【０１９７】
このように、第１乃至第５の実施の形態によれば、半導体装置の高生産または低コスト化を図ることのできる素子試験装置及び素子試験方法が実現する。
尚、素子試験装置１，２，３，４，５においては、接触子３０ｇの他、コレクタ電流をモニタリングするモニタ用接触子、半導体素子２０の温度を測定する温度センサ用接触子を準備し、これらの接触子を、加重機構４１に貫入し、切欠部３０ａ，４０ａに挿入した構造としてもよい。
【０１９８】
即ち、切欠部３０ａ，４０ａに挿入したモニタ用接触子、温度センサ用接触子を半導体素子２０に接触させることにより、半導体素子２０のコレクタ電流、温度を計測する手段を備えてもよい。
【０１９９】
また、導電性樹脂３０においては、導電体４０に接着させた構造としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】第１の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部斜視図である。
【図２】第１の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。
【図３】導電性樹脂の要部斜視図である。
【図４】第２の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部斜視図である。
【図５】第２の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。
【図６】第３の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部斜視図である。
【図７】金属箔が配置された樹脂フィルムを説明するための要部図である（その１）。
【図８】金属箔が配置された樹脂フィルムを説明するための要部図である（その２）。
【図９】第３の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。
【図１０】素子試験方法の具体的な方法を説明するための要部図である（その１）。
【図１１】素子試験方法の具体的な方法を説明するための要部図である（その２）。
【図１２】別の金属箔が配置された樹脂フィルムを説明するための要部図である。
【図１３】第４の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。
【図１４】第５の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面模式図である。
【図１５】ＩＧＢＴ素子の要部図である。
【図１６】素子試験装置の要部斜視図である。
【符号の説明】
【０２０１】
１，２，３，４，５  素子試験装置
１０  基体
１１  支持台
２０  半導体素子
２０ｃ  コレクタ電極
２０ｅ  エミッタ電極
２０ｇ  ゲート電極
２１ｃ，２１ｅ，５０ｅ，５１ｃ，５２ｃ  金属箔
３０  導電性樹脂
３０ａ，４０ａ  切欠部
３０ｇ  接触子
３０ｍ，３０ｍａ，３０ｍｂ，３０ｍｃ  金属膜
４０  導電体
４１  加重機構
４１ｈ  貫通孔
５０ｈ，５１ｈ，５０ｇｈ  貫通孔
５０，５１  樹脂フィルム
６０ｕｐｒ，６０ｕｐｌ，６０ｄｎｒ，６０ｄｎｌ  回転機構
６１ｕｐｒ，６１ｕｐｌ，６１ｄｎｒ，６１ｄｎｌ  歯車
【図１】
2009128189.tif 000003
【図２】
2009128189.tif 000004
【図３】
2009128189.tif 000005
【図４】
2009128189.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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