(57)【要約】      （修正有）【課題】効率よくプラズマガン内部を減圧することができ、また、成膜装置の更なる低コスト化、成膜装置の製造工程時間の短縮化を図ることができるプラズマガン及びそれを備える成膜装置を提供する。【解決手段】内部を減圧可能な筒体２２と、一方の主面が筒体２２の一方の端面を閉鎖するように配置された蓋部材２３と、蓋部材２３の主面に配置されたカソード４１と、を有するカソードユニット１と、一方の主面が筒体２２の他方の端面を閉鎖するように配置され、円筒状の中空部を有する板状の中間電極２と、を備え、カソードユニット１には、筒体２２の内部を排気して減圧する第１減圧装置５と接続される第１排気口４６が設けられている。【選択図】図２
2009087664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒体と、一方の主面が前記筒体の一方の端面を閉鎖するように配置された蓋部材と、前記蓋部材の前記主面に配置されたカソードと、を有するカソードユニットと、
一方の主面が前記筒体の他方の端面を閉鎖するように配置され、通孔を有する板状の中間電極と、を備え、
前記カソードユニットには、前記筒体の内部を排気して減圧する第１減圧装置と接続される第１排気口が設けられている、プラズマガン。
【請求項２】
前記第１排気口は、前記蓋部材に設けられている、請求項１に記載のプラズマガン。
【請求項３】
前記第１排気口は、前記筒体に設けられている、請求項１に記載のプラズマガン。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマガンと、
その内部空間が前記プラズマガンの前記中間電極の通孔と連通するように設けられた成膜室と、
前記成膜室の内部に配置されたアノードと、
前記成膜室に設けられた第２排気口と、
前記第１排気口を通じて、少なくとも前記筒体の内部を排気する第１減圧装置と、
前記第２排気口を通じて、少なくとも前記成膜室の内部を排気する第２減圧装置と、を備える、成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマガン及びそれを備える成膜装置、特にプラズマガンの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ成膜装置は、プラズマガンで生成されたプラズマをイオン源として用いて基板を成膜する装置である。プラズマ成膜装置では、プラズマガンのカソードでプラズマを生成させる工程、発生させたプラズマを用いて基板を成膜する工程、プラズマの発生を停止させ、カソードを自然冷却する工程、装置内を大気開放して成膜された基板を取り出す工程、といった一連の動作を経て、成膜工程が終了する。このため、複数の基板を連続して成膜を行うような場合、１の基板に対して一連の成膜工程を行ってから、次の基板を装置内に配置して成膜を行わなければならず、非常に効率が悪いものであった。
【０００３】
このような問題に関して、成膜時はプラズマチャンバーの真空容器と成膜チャンバーの真空容器との間に配置された仕切りバルブを開放し、成膜時以外は仕切りバルブを閉鎖してプラズマチャンバーの真空容器内でプラズマ生成状態を維持するアーク放電型真空成膜装置および成膜方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に開示されているアーク放電型真空成膜装置および成膜方法では、成膜時以外でもプラズマ生成状態を維持することにより、カソードの冷却工程やプラズマの生成工程を省略することができ、複数の基板を効率よく連続して成膜することができる。
【特許文献１】特開２００５−１４６３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示されているアーク放電型真空成膜装置および成膜方法では、プラズマガンとして複合陰極型のプラズマガンと圧力勾配型のプラズマガンを組み合わせたデュアルタイプのプラズマガンを使用している。このデュアルタイプのプラズマガンでは、プラズマチャンバーの真空容器内で圧力勾配を形成させるために、陽極と陰極との間に中央部に通孔を有し、絞りとして機能する中間電極が設けられている。
【０００５】
しかしながら、中間電極の通孔は、その断面積が小さいため、成膜装置全体を減圧する際に、プラズマチャンバーの真空容器内部の減圧に時間がかかる。このため、特許文献１に開示されているアーク放電型真空成膜装置では、成膜装置における成膜工程時間の短縮化の観点から、未だ改善の余地があった。
【０００６】
また、特許文献１に開示されているアーク放電型真空成膜装置では、仕切りバルブを配設しているため、コストがかかり、また、装置全体が大きくなり、成膜装置の更なる低コスト化、コンパクト化の観点から、未だ改善する余地があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、効率よくプラズマガン内部を減圧することができ、また、成膜装置の更なる低コスト化、成膜装置の製造工程時間の短縮化を図ることができるプラズマガン及びそれを備える成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明に係るプラズマガンは、内部を減圧可能な筒体と、一方の主面が前記筒体の一方の端面を閉鎖するように配置された蓋部材と、前記蓋部材の前記主面に配置されたカソードと、を有するカソードユニットと、一方の主面が前記筒体の他方の端面を閉鎖するように配置され、通孔を有する板状の中間電極と、を備え、前記カソードユニットには、前記筒体の内部を排気して減圧する第１減圧装置と接続される第１排気口が設けられている。
【０００９】
これにより、筒体の内部の減圧を容易に行うことができる。
【００１０】
また、本発明に係るプラズマガンでは、前記第１排気口は、前記蓋部材に設けられていてもよい。
【００１１】
さらに、本発明に係るプラズマガンでは、前記第１排気口は、前記筒体に設けられていてもよい。
【００１２】
また、本発明に係る成膜装置は、前記プラズマガンと、その内部空間が前記プラズマガンの前記中間電極の通孔と連通するように設けられた成膜室と、前記成膜室の内部に配置されたアノードと、前記成膜室に設けられた第２排気口と、前記第１排気口を通じて、少なくとも前記筒体の内部を排気する第１減圧装置と、前記第２排気口を通じて、少なくとも前記成膜室の内部を排気する第２減圧装置と、を備える。
【００１３】
これにより、プラズマガンの筒体内の減圧が容易に行うことができるので、成膜装置の製造工程時間の短縮化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のプラズマガン及びそれを備える成膜装置によれば、効率よくプラズマガン内部を減圧することができ、また、成膜装置の更なる低コスト化、成膜装置の製造工程時間の短縮化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好ましい実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、全ての図面において、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
（実施の形態１）
［プラズマガンの構成］
まず、本発明の実施の形態１に係るプラズマガンの構成について説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態１に係るプラズマガンの概略構成を模式的に示す断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施の形態１に係るプラズマガン１００は、カソードユニット１と、第１中間電極２と、第２中間電極３と、を備えており、後述する本発明の実施の形態１に係る成膜装置２００のチャンバ（減圧容器）４に取り付けられている。
【００１８】
まず、第１中間電極２及び第２中間電極３の構成について説明する。
第１及び第２中間電極２、３は、ここでは、周知のものを使用し、ともに中央部に円柱状の通孔（開口）を有する円板状（ドーナツ状）に形成されていて、通孔の中心軸が互いに一致するように構成されている。また、第１及び第２中間電極２、３は、適宜な配線により、直流電源からなる主電源６２の陽極と適宜の抵抗体Ｒ１、Ｒ２を介して電気的にそれぞれ接続されている。
第１及び第２中間電極２、３の通孔には、保護筒１１、１２がそれぞれ嵌挿されている。そして、第１及び第２中間電極２、３は、ともに中空に形成されていて、第１中間電極２の内部には、永久磁石１３が配置され、第２中間電極３の内部には、電磁コイル１４が配置されている。
また、第１及び第２中間電極２、３の主面の周縁部には、複数の貫通孔１５が設けられており、該貫通孔１５には、ボルト１６が挿通されている。ボルト１６の先端部は、チャンバ４に形成されたねじ孔１７に螺入されている。これにより、第１及び第２中間電極２、３、ひいては、プラズマガン１全体が、チャンバ４に取り付けられている。なお、第１及び第２中間電極２、３とチャンバ４とは、適宜な手段により、気密的に、かつ、互いに絶縁されている。
次に、カソードユニット１の構成について説明する。
カソードユニット１は、筒体２２と、蓋部材２３と、カソード４１と、を有しており、ボルト２９により、第１中間電極２に取り付けられている。
筒体２２は、耐熱性のガラスで構成されており、ここでは、円筒状に形成されている。そして、筒体２２の内部空間により、放電空間２４が形成されている。筒体２２の両端には、それぞれフランジ１９、２５が設けられている。筒体２２のフランジ１９側の端は、第１中間電極２によって閉鎖されている。一方、筒体２２のフランジ２５側の端は、円板状の蓋部材２３によって閉鎖されている。
具体的には、筒体２２の周壁のフランジ１９側端部には、円環状の固定部材２６が、筒体２２に嵌入されており、固定部材２６とフランジ１９との間には、リング部材２７が、筒体２２に嵌入されて配設されている。固定部材２６の適所には、厚み方向に貫通孔２８が複数設けられており、貫通孔２８には、ボルト２９が挿通されている。このボルト２９の先端部は第１中間電極２の主面に形成されたねじ孔２９に螺入されている。これにより、筒体２２と第１中間電極２が固定され、筒体２２のフランジ１９側の端は、第１中間電極２によって閉鎖されている。なお、リング部材２７によって、フランジ１９に過度の力が加わるのが防止され、フランジ１９が破損されるのを防止することができる。
一方、第１中間電極２のカソードユニット１側の主面には、厚み方向に凹んだ環状の第２凹部１８が設けられている。この第２凹部１８に、筒体２２のフランジ１９が、嵌挿されている。これにより、第１中間電極２とカソードユニット１との位置決めを容易に行うことができる。
また、第２凹部１８の底面には、環状の溝２０が形成されており、該溝２０には、気密性を保つためのＯリング２１が配設されている。これにより、第１中間電極２とカソードユニット１との間の気密性を保つことができる。
さらに、筒体２２の周壁のフランジ２５側端部には、円環状の固定部材３０が、筒体２２に嵌入されており、固定部材３０とフランジ２５との間には、リング部材３１が、筒体２２に嵌入されて配設されている。固定部材３０の適所には、厚み方向に貫通孔３２が複数設けられており、貫通孔３２には、ボルト３３が挿通されている。このボルト３３の先端部は蓋部材２３の第１中間電極２側の主面（以下、裏面という）に形成されたねじ孔３４に螺入されている。これにより、筒体２２と蓋部材２３が固定され、筒体２２のフランジ２５側の端は、蓋部材２３によって閉鎖されている。なお、リング部材３１によって、フランジ２５に過度の力が加わるのが防止され、フランジ２５が破損されるのを防止することができる。
蓋部材２３の裏面には、厚み方向に凹んだ環状の第１凹部３５が設けられている。この第１凹部３５に、筒体２２のフランジ２５が嵌挿されている。これにより、筒体２２と蓋部材２３との位置決めを容易に行うことができる。
また、第１凹部２５には、厚み方向に環状の溝３６が形成されており、溝３６には、気密性を保つためのＯリング３７が配設されている。これにより、筒体２２と蓋部材２３との間の気密性を保つことができる。
また、蓋部材２３の裏面には、筒体２２の中心軸に沿って延びるように、かつ、第１中間電極２の中心軸と一致するように、タンタル（Ｔａ）で構成された円筒状の補助陰極３９が配設されている。具体的には、蓋部材２３の裏面の中心部にねじ孔３８が形成されており、該ねじ孔３８に補助陰極３９の基端部が螺入されて、蓋部材２３に固定されている。
【００１９】
補助陰極３９の先端近傍の外周面には、６ホウ化ランタン（ＬａＢ6）で構成された円環状の主陰極４０が設けられている。補助陰極３９と主陰極４０によって、カソード４１が構成されている。カソード４１は、適宜な配線により、直流電源からなる主電源６２（図２参照）の負極と抵抗体Ｒ１（図２参照）を介して電気的に接続されている。また、蓋部材２３の裏面には、蓋部材２３の中心軸と同軸状に、蓋部材２３の厚み方向に延びるように、補助陰極３９よりも径の大きいモリブデン（Ｍｏ）、又は、タングステン（Ｗ）で構成された円筒状の保護部材４２が、蓋部材２３に気密的に配設されている。保護部材４２の先端には、タングステンで構成された円環状の窓部材４３が設けられている。この保護部材４２と窓部材４３により、カソード４１が保護される。
また、蓋部材２３の周面の適所には、孔４４が径方向に延びるように、かつ、補助陰極３９の基端と連通するように、設けられており、該孔４４がアルゴンガス供給路４４を構成する。また、孔４４を形成する蓋部材２３の開口部には、配管４５の下流端が接続されており、その上流端は、図示されないアルゴン（Ａｒ）ガスタンクに接続されている。この配管４５が、Ａｒガス供給流路４５を構成する。これにより、Ａｒガスタンクから放電ガスとしてのＡｒガスが、Ａｒガス供給流路４５に供給され、Ａｒガス供給流路４５に供給されたＡｒガスは、Ａｒガス供給流路４５及びアルゴンガス供給路４４を通流して、補助陰極３９の先端から放電空間２４内に供給される。
さらに、蓋部材２３の表面には、厚み方向の貫通孔（第１排気口）４６が設けられている。そして、蓋部材２３の表面には、貫通孔４６と連通するように配管４７の下流端が接続されており、その上流端は、第１真空ポンプ（第１減圧容器）５（図２参照）と接続されている。該配管４７が、第１排気流路４７を構成し、第１排気流路４７の途中には、仕切り弁６が設けられている。仕切り弁６は、図示されない制御装置によって、その開度が調整されている。これにより、第１真空ポンプ５の真空引きによって、筒体２２内を容易に減圧することができる。なお、本実施の形態においては、第１真空ポンプ５として、ターボ分子ポンプを使用し、仕切り弁６として、ゲート型バルブを使用している。
[成膜装置の構成]
次に、本発明の実施の形態１に係る成膜装置について、図２を参照しながら説明する。
【００２０】
図２は、本発明の実施の形態１に係る成膜装置の概略構成を示す模式図である。なお、本実施の形態では、成膜装置の構造における方向を、便宜上、図２に示す、三次元直交座標系のＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の方向で表わす。
【００２１】
図２に示すように、本実施の形態１に係る成膜装置２００は、本実施の形態１に係るプラズマガン１００と、プラズマガン１００で発生したプラズマを利用して基材を成膜する成膜室９と、を備えている。プラズマガン１００と成膜室９は、適宜な手段により、互いに気密状態を保って連通されている。また、プラズマガン１００の筒体２２の径方向の外側には、磁力の強さをコントロールできる環状の電磁コイル４８が、筒体２２の周壁を取り囲むように、筒体２２と同心に設けられている。
【００２２】
成膜室９は、チャンバ４を有しており、チャンバ４の内部空間により、成膜空間４９が形成される。チャンバ４の側壁のプラズマガン１００側の適所には、貫通孔５０が設けられている。貫通孔５０は、プラズマガン１００の第２中間電極３の通孔（正確には、通孔に配置された保護筒１２の内部空間）と連通するように形成されている。
【００２３】
チャンバ４の適所（ここでは、上部）には、貫通孔５１が設けられており、該貫通孔５１が第２排気口５１を構成する。第２排気口５１には、配管５２の下流端が接続されており、配管５２の上流端には、第２真空ポンプ（第２減圧容器）７が接続されている。該配管５２が第２排気流路５２を構成し、また、第２排気流路５２の途中には、仕切り弁８が設けられている。仕切り弁８は、図示されない制御装置により制御されている。これにより、チャンバ４の内部空間（成膜空間４９）が、成膜可能なレベルの真空度にまで速やかに減圧される。なお、本実施の形態においては、第２真空ポンプ７として、ドライポンプとターボ分子ポンプを使用し、仕切り弁８として、Ｌ型バルブを使用し、ドライポンプとターボ分子ポンプを切り替えている。
【００２４】
また、チャンバ４内の上部には、基材５４を保持するための基材ホルダ５３が配設されている。該基材ホルダ５３は、ホルダ部５３ａと回転軸５３ｂを有している。回転軸５３ｂは、チャンバ４の天井壁４ａを気密的に、かつ、回動自在に貫通するように配設されている。また、回転軸５３ｂのチャンバ４の外側の部分は、回転駆動機構５４と接続されており、それにより回転される。また、基材ホルダ５３は、バイアス電源６３と電気的に接続されている。バイアス電源６３は、ホルダ部５３ａにプラズマガン１００で発生された円柱プラズマＣＰに対して負のバイアス電圧を印加する。なお、基材ホルダ５３の回転軸５３ｂと天井壁４ａ（チャンバ４）とは、絶縁されて接続されている。
【００２５】
一方、チャンバ４内の下部には、ハース（アノード）５５、永久磁石５６及び支持体５７から構成される蒸発源５８が設けられている。ハース５５の内部には、成膜材料５９が収容されている。また、ハース５５は、永久磁石５６が内部に設けられた支持体５７に支持されており、適宜な配線により、主電源６２の陽極と電気的に接続されている。これにより、成膜室９に流入した円柱プラズマＣＰは、永久磁石５６が形成する磁場の磁力線に沿ってＺ軸方向からＹ軸方向に曲がり、ハース５５がアノードとしてプラズマを受けることができる。なお、成膜装置２００は、装置全体の動作を制御する制御装置（図示せず）を備えている。
[成膜装置の動作]
次に、本実施の形態１に係る成膜装置２００の動作について、図１および図２を参照しながら説明する。なお、この動作は、図示されない制御装置の制御によって実現される。
【００２６】
まず、成膜室９の基板ホルダ５３に基材５４を配置し、ハース５５に成膜材料５９を配置する。ついで、仕切り弁６の開度を０％にし、第２排気流路５２と第２真空ポンプ７のドライポンプとが連通するように、仕切り弁８を作動させ、第２真空ポンプ７のドライポンプを作動させる。すると、第２排気口５１からプラズマガン１００及び成膜室９内部に存在する空気が排気される。
【００２７】
次に、プラズマガン１００内が、所定の圧力（例えば、４０Ｐａ）になると、第２排気流路５２と第２真空ポンプ７のターボ分子ポンプとが連通するように、仕切り弁８を作動させ、また、仕切り弁６の開度を１００％にし、第１真空ポンプ５及び第２真空ポンプ７のターボ分子ポンプを作動させる。これにより、第１排気口４６及び第２排気口５１からプラズマガン１００及び成膜室９内部に存在する空気が排気され、プラズマガン１００及び成膜室９内のそれぞれが真空状態になる。
【００２８】
このとき、第１及び第２中間電極２、３の内周面に配置された保護筒１１、１２の内径が小さいため、プラズマガン１００の筒体２２の内部空間（放電空間）２４に存在する空気を、貫通孔５０を介して第２排気口５１から排気するには、時間がかかるが、本実施の形態１に係る成膜装置２００では、蓋部材２３に第１排気口４６を設け、該第１排気口４６から筒体２２内の空気を排気することができる。このため、プラズマガン１００の筒体２２内の減圧を短時間で行うことができる。
【００２９】
次に、プラズマガン１００内が、所定の圧力（例えば、５．０×１０-4Ｐａ）になると、第１仕切り弁６の開度を０％にして、第１排気口４６からの排気を止める。ついで、図示されないＡｒガスタンクからアルゴンガスを放電空間２４内に供給する。具体的には、Ａｒガスタンクから配管４５にＡｒガスが供給され、配管４５に供給されたＡｒガスは、配管４５及びアルゴンガス供給路４４を通流して、補助陰極３９の基端に供給される。そして、補助陰極３９の先端から、Ａｒガスが放電空間２４内に供給される。これにより、プラズマガン１００内では、カソード４１側の圧力が高くなるような圧力勾配が生じる。
【００３０】
次に、主電源６２が、アノード５５とカソード４１との間に電圧を印加し、補助陰極３９でグロー放電が行われる。このグロー放電により、補助陰極３９の先端部分の温度が上昇すると、この熱で主陰極４０が加熱されて高温になり、アーク放電が行われる。このようにして、カソード４１からプラズマ放電誘発用熱電子が放出され、プラズマが発生する。発生したプラズマは、第１及び第２電極２、３による電界と電磁コイル４８による磁界により、カソード４１から成膜室９側に引き出され、円柱状のプラズマ（円柱プラズマ）ＣＰに成形される。
【００３１】
次に、成形された円柱プラズマＣＰは、貫通孔５０から流出して成膜室９（正確には、成膜空間４９）に導かれる。成膜室９に導かれた円柱プラズマＣＰは、永久磁石５６が形成する磁場の磁力線に沿ってＺ軸方向からＹ軸方向に曲がり、ハース５５が円柱プラズマＣＰを受ける。このハース５５に照射されるプラズマにより、ハース５５に充填されている成膜材料５９が蒸発する。蒸発した成膜材料５９は、成膜空間４９中に存在するプラズマ中を通過し、このとき陽イオンにイオン化される。この陽イオンは、負にバイアスされた基材５４上に堆積し、電子を受け取り、基材５４上に成膜される。
【００３２】
このように、本実施の形態１に係る成膜装置２００では、蓋部材２３に設けた第１排気口４６から筒体２２内の空気を排気することができるため、特に減圧するまでに時間がかかるプラズマガン１００の筒体２２内の減圧を短時間で行うことができる。また、成膜装置２００内を大気開放した状態からの減圧を短時間で行うことができるので、バッチ方式で基材５４を成膜するような場合でも、短時間で成膜作業を行うことができる。
【００３３】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２に係るプラズマガン１００の概略構成を模式的に示す断面図である。
【００３４】
図３に示すように、本実施の形態２に係るプラズマガン１００は、実施の形態１に係るプラズマガン１００と基本的構成は同じであるが、筒体２２の外周面に第１排気口４６が設けられている点が異なる。具体的には、筒体２２の外周面に厚み方向に貫通孔４６が設けられており、該貫通孔４６が第１排気口４６を構成する。そして、第１排気口４６には、配管４７の下流端が接続されており、その上流端は、第１真空ポンプ５（図示せず）に接続されている。
【００３５】
また、本実施の形態２に係るプラズマガン１００では、補助陰極３９が、蓋部材２３の中心部を気密的に貫通するように配設されており、補助陰極３９の基端部は、配管４５の下流端と接続されている。また、蓋部材２３には、環状の冷却流路６０が、補助陰極３９の基部を囲むように設けられている。冷却流路６０は、図示されない冷却媒体供給装置と適宜な配管により接続されており、冷却媒体供給装置から冷却流路６０に冷却媒体（ここでは、水）が供給されることにより、補助陰極３９の基部が、冷却される。
【００３６】
このような実施の形態２に係るプラズマガン１００においても、実施の形態１に係るプラズマガン１００と同様の作用効果を奏し、本実施の形態２に係るプラズマガン１００を取り付けた成膜装置においても、本実施の形態１に係る成膜装置２００と同様の作用効果を奏する。
【００３７】
なお、上記実施の形態においては、成膜装置として、イオンプレーティング装置を例示したが、これに限定されず、シートプラズマ成膜装置等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明のプラズマガン及びそれを備える成膜装置は、プラズマガンの筒体内の減圧が容易に行うことができるので、成膜装置の製造工程時間の短縮化を図ることができるプラズマガン及びプラズマガン成膜装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態１に係るプラズマガンの概略構成を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る成膜装置の概略構成を示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係るプラズマガンの概略構成を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  カソードユニット
２  第１中間電極
３  第２中間電極
４  チャンバ（減圧容器）
４ａ  天井壁
５  第１真空ポンプ（第１減圧装置）
６  仕切り弁
７  第２真空ポンプ（第２減圧装置）
８  仕切り弁
９  成膜室
１１  保護筒
１２  保護筒
１３  永久磁石
１４  電磁コイル
１５  貫通孔
１６  ボルト
１７  ねじ孔
１８  第２凹部
１９  フランジ
２０  溝
２１  Ｏリング
２２  筒体
２３  蓋部材
２４  放電空間
２５  フランジ
２６  固定部材
２７  リング部材
２８  貫通孔
２９  ボルト
３０  固定部材
３１  リング部材
３２  貫通孔
３３  ボルト
３４  ねじ孔
３５  第１凹部
３６  溝
３７  Ｏリング
３８  ねじ孔
３９  補助陰極
４０  主陰極
４１  カソード
４２  保護部材
４３  窓部材
４４  孔
４５  配管（Ａｒガス供給流路）
４６  貫通孔（第１排気口）
４７  配管（第１排気流路）
４８  電磁コイル
４９  成膜空間
５０  貫通孔
５１  貫通孔（第２排気口）
５２  配管（第２排気流路）
５３  基材ホルダ
５３ａ  ホルダ部
５３ｂ  回転軸
５４  基材
５５  ハース
５６  永久磁石
５７  支持体
５８  蒸発源
５９  成膜材料
６０  冷却流路
６１  ねじ孔
６２  主電源
６３  バイアス電源
１００  プラズマガン
２００  成膜装置
ＣＰ  円柱プラズマ
Ｒ１  抵抗体
Ｒ２  抵抗体
Ｒ３  抵抗体
【図１】
2009087664.tif 000003
【図２】
2009087664.tif 000004
【図３】
2009087664.tif 000005