(57)【要約】【課題】セラミック電子部品の誘電体層の誘電率や圧電定数を主とした特性を向上させることができ、かつ絶縁性、信頼性を向上させることができる誘電体セラミックス粒子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、少なくともチタン源を含む粒子Ａとバリウム源を含む粒子Ｂを溶液または融液Ｃ中において熱処理し前駆体粒子Ｄを合成する工程と、上記前駆体粒子Ｄとバリウム源を含む粒子Ｅを溶液または融液Ｆ中において熱処理しチタン酸バリウムを主成分とする配向粒子である誘電体セラミックス粒子Ｇを合成する工程と、を含む誘電体セラミックス粒子の製造方法において、上記チタン源を含む粒子Ａが形状異方性を有することを特徴とするものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともチタン源を含む粒子Ａとバリウム源を含む粒子Ｂを溶液または融液Ｃ中において熱処理し前駆体粒子Ｄを合成する工程と、上記前駆体粒子Ｄとバリウム源を含む粒子Ｅを溶液または融液Ｆ中において熱処理しチタン酸バリウムを主成分とする配向粒子である誘電体セラミックス粒子Ｇを合成する工程と、を含む誘電体セラミックス粒子の製造方法において、上記チタン源を含む粒子Ａが形状異方性を有することを特徴とする誘電体セラミックス粒子の製造方法。
【請求項２】
上記チタン源を含む粒子Ａが板状の酸化チタン粒子である、請求項１記載の誘電体セラミックス粒子の製造方法。
【請求項３】
上記溶液または融液ＣおよびＦが塩化カリウムを主成分とする融液である、請求項２記載の誘電体セラミックス粒子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載の誘電体セラミックス粒子の製造方法にて作製されたチタン酸バリウムを主成分とする配向粒子であることを特徴とする誘電体セラミックス粒子。
【請求項５】
上記誘電体セラミックス粒子の不純物含有量がほぼゼロである、請求項４記載の誘電体セラミックス粒子。
【請求項６】
上記誘電体セラミックス粒子の形状が角状であり、その発達面が｛１００｝面である、請求項５記載の誘電体セラミックス粒子。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか一つに記載の誘電体セラミックス粒子を誘電体部の主成分として用いたセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に用いられる誘電体セラミックス粒子の製造方法および誘電体セラミックス粒子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化により、電子機器に用いられる各種セラミック電子部品にも小型化が求められているが、それと同時に高性能化との両立が要望されている。
【０００３】
セラミック電子部品の一例として、積層セラミックコンデンサを用いて説明する。積層セラミックコンデンサにとっての高性能化とは高容量化・低損失化・温度特性・高信頼性などを指すが、そのうち高容量化は次世代製品の開発にとって重要なファクターである。積層セラミックコンデンサの容量は誘電体層の厚みや誘電率などによって決まる。
【０００４】
高容量化のための第一の方法として誘電体層の薄層化が考えられる。しかし単に誘電体層を薄層化した場合には絶縁特性および信頼性が著しく低下する。なぜなら絶縁特性や信頼性は電極層間に存在する誘電体層を構成するセラミックス粉末の粒界径路長によって決まるために、単純に電極層間が狭くなった場合、セラミックス粉末の粒界径路長も短くなるからである。これを抑制するには誘電体層に使用するセラミックス粉末の厚み方向の径をできる限り細かく、横方向の径をできる限り大きくして、電極層間のセラミックス粉末の粒界径路長をできるだけ長くする必要がある。
【０００５】
高容量化のための第二の方法としては誘電体層の誘電率を向上させるという方法が考えられる。一般的に、積層セラミックコンデンサの誘電体層としてはペロブスカイト化合物が用いられている。例えば代表的なペロブスカイト化合物であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）は結晶方位により誘電率が異なる性質を有する。つまり厚み方向に高い誘電率を有する誘電体層を作製できれば高容量化が可能になると考えられる。そのためにはチタン酸バリウムの比誘電率の大きい方位を厚み方向に優先的に配向させることが必要である。
【０００６】
このような背景から、従来の誘電体セラミックス粒子の製造方法としてＴＭＣ変換法と呼ばれる方法が挙げられている。これは例えばペロブスカイト化合物がＢａＴｉＯ3の場合、前駆体であるビスマス（Ｂｉ）層状ペロブスカイト化合物よりなる異方形状粉末を合成する工程と、上記Ｂｉ層状ペロブスカイト化合物中のＢｉをバリウム（Ｂａ）に置換するイオン交換工程と、上記イオン交換工程で作製されたＢａＴｉＯ3とＢｉ成分のうち余剰成分であるＢｉ成分を除去する工程とを備えているものである。上記誘電体セラミックス粒子の製造方法で作製された誘電体セラミックス粒子は、発達面が｛１００｝面からなり、アスペクト比が２以上の異方形状粉末である誘電体セラミックス粒子である。
【０００７】
上記誘電体セラミックス粒子を分散媒やバインダーと混合してスラリーとし、このスラリーをシート状に成形し、さらに積層および焼成することでセラミック電子部品を得るものである。
【０００８】
なお、本発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−２５５４２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら従来の誘電体セラミックス粒子の製造方法では工程が多いのはもちろんのこと前駆体としてＢｉ成分を含有している。そのため、次のイオン交換工程でＢｉ成分をＢａ成分へ置換する際にＢｉがＢａに完全には置換されずＢａＴｉＯ3粒子の一部にＢｉ成分が残留する。このようにして作製されたＢａＴｉＯ3粒子を焼成するとＢｉ成分の一部の揮発等によってＢａＴｉＯ3粒子の焼結挙動が不安定となり、焼結体の寸法精度および絶縁性が著しく悪化する。また、Ｂｉ成分が残存するため不純物のないＢａＴｉＯ3に比べて誘電率も小さくなる。そのため積層セラミックコンデンサや積層アクチュエータに代表されるセラミック電子部品の誘電体層の誘電率上昇、高絶縁性、高信頼性を実現するのは難しいという問題があった。
【００１０】
そこで本発明は、セラミック電子部品の誘電体層の誘電率や圧電定数を主とした特性を向上させることができ、かつ絶縁性、信頼性を向上させることができる誘電体セラミックス粒子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的を達成するために、本発明は、少なくともチタン源を含む粒子Ａとバリウム源を含む粒子Ｂを溶液または融液Ｃ中において熱処理し前駆体粒子Ｄを合成する工程と、上記前駆体粒子Ｄとバリウム源を含む粒子Ｅを溶液または融液Ｆ中において熱処理しチタン酸バリウムを主成分とする配向粒子である誘電体セラミックス粒子Ｇを合成する工程と、を含む誘電体セラミックス粒子の製造方法において、上記チタン源を含む粒子Ａが形状異方性を有することを特徴とする誘電体セラミックス粒子の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の、誘電体セラミックス粒子の製造方法によれば、不純物成分を極めて少なくしたチタン酸バリウムを主成分とする配向誘電体セラミックス粒子を得ることができる。その結果、セラミック電子部品の誘電体層の誘電率や圧電定数を主とした特性を向上させることができ、かつ絶縁性、信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、一実施の形態および図面を用いて、本発明の誘電体セラミックス粒子の製造方法および誘電体セラミックス粒子について説明する。
【００１４】
図１および２は、本発明の誘電体セラミックス粒子の製造方法および誘電体セラミックス粒子、これを用いたセラミック電子部品の製造方法を示したステップ図である。
【００１５】
図３にペロブスカイト化合物の結晶構造を模式的に示す。ペロブスカイト化合物は酸化物の場合、一般にＡＢＯ3（ＡはＡサイト３０１の元素、ＢはＢサイト３０２の元素、Ｏ303は酸素をそれぞれ示す）のように表され、ＡイオンとＢイオンの原子価が足して平均で３価になるような組み合わせで構造が成立っている。なお、Ａサイト３０１とは１２個のＯイオンに囲まれている位置を指し（１２配位）、Ｂサイト３０２とは６個のＯイオンから囲まれている位置を指す（６配位）。
【００１６】
チタン酸バリウムのようなペロブスカイト化合物は結晶構造がほぼ等方的であるため、直接ペロブスカイト化合物粉末を作製しても形状異方性を有する粉末を得ることが難しい。そこで２ステップでペロブスカイト化合物粉末を作製する。１ステップ目で結晶構造に異方性のある化合物を前駆体粒子として作製し、その後２ステップ目でＡＢＯ3となるように残りの成分を加えて反応させることにより配向ＡＢＯ3粒子（Ａイオンは２価、Ｂイオンは４価）を作製する。上記２ステップによるペロブスカイト化合物粉末の製造方法としては溶融塩法あるいは水熱法などが知られている。例として結晶構造に異方性のある前駆体粒子ＤをＢａ4Ｔｉ13Ｏ30であると仮定した場合に溶融塩法で配向ＢａＴｉＯ3（Ａイオンは２価、Ｂイオンは４価）粒子を作製する方法を以下に説明する。図１に示すように、まず原料粉末であるチタン源を含む粒子Ａ（ここでは酸化チタン（ＴｉＯ2）粒子）とバリウム源を含む粒子Ｂ（ここでは炭酸バリウムＢａＣＯ3）と溶液または融体Ｃ（ここでは融体）を混合し、１ステップ目に前駆体粒子ＤとしてＢａ4Ｔｉ13Ｏ30を熱処理（溶融塩処理）により作製する。その後、ろ過を行い、溶液または融体Ｃを除去する。次に２ステップ目でＢａＴｉＯ3となるように不足成分であるバリウム源を含む粒子Ｅ（ここでは炭酸バリウムＢａＣＯ3）を加えて、さらに溶液または融体Ｆ（ここでは融体）を混合し、熱処理（溶融塩処理）およびろ過することによりチタン酸バリウムを主成分とする配向粒子である誘電体セラミックス粒子Ｇが得られる。反応式は次の（化１）に示すとおりである。
【００１７】
【化１】
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【００１８】
本発明では原料であるチタン源を含む粒子Ａの形状に特徴がある。チタン源を含む粒子Ａの形状により、粒子自身のもつ界面エネルギーが異なるため合成反応時の粒子の成長形態が変化するのではないかと考えた。そこで今回、原料ＴｉＯ2粒子の形状を変えることでチタン酸バリウム（ＢＴ）粒子の成長速度に異方性を持たせ、優先的に成長する面を変えることのできるＢＴ粒子を合成することができることを見出した。
【００１９】
特にチタン源を含む粒子Ａが板状の酸化チタンＴｉＯ2粒子であるとき、｛１００｝面を優先的に発達させた角状のＢＴ粒子を合成できることを見出した。
【００２０】
そして、上記溶融塩法を用いる場合、融体成分が塩化カリウムである場合に特にその効果が大きい、つまり配向度合いの高い粒子の合成が可能であることを見出した。
【００２１】
また、上記製造方法によって合成されたＢＴ粒子は従来技術と比較して、(1)Ｂｉを介する方法でないため、置換しきれない残存Ｂｉがなく焼結収縮制御に有利であり、高い誘電率を保持できる、(2)酸処理を含まないためプロセスが簡便で、酸処理によるＢａ・Ｔｉ比の変化もない、という利点を有する。
【００２２】
このようにして合成された上記配向チタン酸バリウム粒子Ｇを所定の容器に秤量し、他に分散媒、バインダー、可塑剤などを加える。これをボールミルや媒体攪拌ミルなどによって混合し、スラリーとする。作製されたスラリーをドクターブレード方式やダイコーディング方式などによりキャリアフィルム上にシート状に成形、乾燥し、セラミックグリーンシートを得る。図２には例として｛１００｝面を優先的に発達させた角状の配向チタン酸バリウム粒子２０１を挙げた。同図に示すとおり、シート状に成形することにより、配向チタン酸バリウム粒子を用いたグリーンシート２０２はシート成形方向に垂直な方向に｛１００｝面を並べることができる。
【００２３】
得られたセラミックグリーンシートを所定の大きさに切断し、これらを複数枚積層する。図４に示すような積層セラミックコンデンサを作製する場合は誘電体層４０１であるセラミックグリーンシートと内部電極層４０２を交互に積層する。得られた積層体を必要に応じてさらに加圧して積層体の密度を上昇させ、個片に切断する。そして所定の雰囲気、温度にて焼成を行う。必要に応じて面取りを行う、あるいは外部電極４０３を形成することによりセラミック電子部品が完成する。
【００２４】
なお、上記実施の形態では結晶構造に異方性のある前駆体をＢａ4Ｔｉ13Ｏ30であるとしたが、Ｂａ4Ｔｉ13Ｏ30のみである必要はなく、また結晶構造に異方性のある前駆体であれば他の組成の化合物であってもよい。また、２ステップ目の不足成分についてＢａ元素を含む酸化物であるＢａＣＯ3としたが炭酸塩以外の化合物であってもよい。また、原料粉末は溶液状のものであってもよい。また、用いる溶融塩としては塩化ナトリウムや塩化カリウム、酸化モリブデン、モリブデン酸カリウムなどが適宜用いられる。また、上記実施の形態では、ペロブスカイト化合物粉末合成の際に熱処理として溶融塩処理を用いたが上述のように水熱処理でもよい。
【００２５】
また、本発明の誘電体セラミックス粒子の製造方法により作製したセラミックス粉末を用いることのできるセラミック電子部品としては、上述した積層セラミックコンデンサの他に、圧電センサ、積層アクチュエータ、圧電発振子、圧電フィルタに代表される圧電電子部品、積層インダクタ、ノイズフィルタに代表される磁性電子部品、バンドパスフィルタ、アンテナスイッチモジュール、ワイヤレスランモジュール、ブルートゥースモジュールに代表される高周波モジュール、サーミスタ用電子部品、またはこれらの複合部品が挙げられる。
【００２６】
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明する。
【００２７】
（実施例１）
以下、本発明の誘電体セラミックス粒子の製造方法およびこの方法を用いた誘電体セラミックス粒子、セラミック電子部品、における実施例１について説明する。
【００２８】
代表して（表１）に示す試料番号２の結果について説明する。まず、１ステップ目の反応操作を行った。チタン源を含む粒子Ａとして板状ＴｉＯ2粒子であるルクセレンシルクＨ（朝日化学工業製）を用意した。上記粒子の長径は約７μｍ、厚みは約０．７μｍであった。次にバリウム源ＢとしてＢａＣＯ3粒子であるＬＣ３（日本化学製）を用意し、ＢａとＴｉのモル比がＢａ：Ｔｉ＝６：１７となるように秤量した。また、溶液または融液Ｃとして塩化カリウム（ＫＣｌ）粒子を秤量した。ＫＣｌの量は上記板状ＴｉＯ2粒子とバリウム源ＢであるＢａＣＯ3粒子の重量の和と同重量とした。これらを乾式混合し、アルミナるつぼに入れた。アルミナるつぼを電気炉に投入し、昇温速度３００℃／ｈ、最高温度１１５０℃、最高温度における保持時間１ｈにて熱処理を行った。冷却後のるつぼ中の物質を温水で溶かし、ろ過を行い、ＫＣｌ成分を完全除去した。ろ紙上に残存した不溶成分を乾燥し、前駆体粒子Ｄとした。Ｘ線回折の結果、上記前駆体粒子ＤはＢａ4Ｔｉ13Ｏ30が主成分であることがわかった。
【００２９】
次に、２ステップ目の反応操作を行った。上記前駆体粒子Ｄ（主成分Ｂａ4Ｔｉ13Ｏ30）を用意した。バリウム源ＥとしてＢａＣＯ3粒子であるＬＣ３（日本化学製）を用意した。上記前駆体粒子ＤとＢａＣＯ3を混合したときにＢａとＴｉのモル比が１：１となるように両者を秤量した。また、溶液または融液Ｆとして塩化カリウム（ＫＣｌ）粒子を秤量した。ＫＣｌの量は上記前駆体粒子Ｄとバリウム源ＥであるＢａＣＯ3粒子の重量の和と同重量とした。これらを乾式混合し、アルミナるつぼに入れた。アルミナるつぼを電気炉に投入し、昇温速度３００℃／ｈ、最高温度１１００℃、最高温度における保持時間１ｈにて熱処理を行った。冷却後のるつぼ中の物質を温水で溶かし、ろ過を行い、ＫＣｌ成分を完全除去した。ろ紙上に残存した不溶成分を乾燥し、誘電体セラミックス粒子Ｇとした。
【００３０】
ＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折により誘電体セラミックス粒子の不純物相の評価を行った。その結果、上記誘電体セラミックス粒子ＧはＢａＴｉＯ3単相であることがわかった。また、ＢａＴｉＯ3のピークのうち、｛１００｝と｛２００｝の強度がＪＣＰＤＳカードのデータと比較して高かった。また、不純物成分の定量を行った結果、ＫやＣｌはｐｐｍオーダーであり、極めて少なかった。また、誘電体セラミックス粒子をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察した。その結果、図５（ａ）に示すように角状形状で１〜２μｍ程度の粒子であった。
【００３１】
次に、合成した誘電体セラミックス（ＢａＴｉＯ3）粒子を用意した樹脂容器に投入した。さらに有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を上記セラミックス粉末１００重量％としたとき８重量％、分散媒として酢酸ブチル８０重量％、可塑剤としてフタル酸ジブチル６重量％を上記樹脂容器に投入した。なお、樹脂容器には１０ｍｍφのジルコニアボールをあらかじめ投入してある。この容器を２４時間ボールミル分散しスラリーを作製した。これをフィルタにてろ過後、ドクターブレード法によりグリーンシートを成形した。なおドクターブレードのギャップは３００μｍとした。作製したグリーンシートを約２０枚積層した後、約１２ｍｍ□の大きさに切断し、５５０℃で脱バインダおよび１４５０℃で焼成を行った。焼成後の試料は約１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．６ｍｍｔであった。アルキメデス法により焼結体密度を測定した。また、試料の表面のＸ線回折（ＸＲＤ）測定を行い、厚み方向の｛１００｝面配向度の評価を行った。配向度はロットゲーリングの方法（非特許文献  ＬｏｔｇｅｒｉｎｇＦ．Ｋ．，Ｊ．Ｉｎｏｒｇ．Ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．，９（１９５９），ｐ．１１３−１２３）を用いた。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
焼結体密度は５．８であり、ＢａＴｉＯ3の理論密度が６．０であることを考えても相対密度９５％以上の良好な焼結体が得られた。さらに図６に示すように試料表面のＸＲＤ測定の結果、ＢａＴｉＯ3のピークのうち、｛１００｝と｛２００｝の強度がＪＣＰＤＳカードのデータと比較して極めて高かった。具体的には｛２００｝がメインピークであり、無配向の場合のメインピークである｛１００｝のピーク強度は｛２００｝の１／１０以下であった。｛１００｝面配向度を計算した結果、９１％と極めて高い値が得られた。なお上記計算において｛２００｝は｛１００｝と等価であるとした。
【００３４】
上述の条件以外に（表１）に示した数通りの方法で焼結体を作製した。すなわち第１ステップにおける前駆体粒子のＢａ：Ｔｉ比を変えたものを作製した（試料１⇒２：５、試料３⇒１：３、試料４⇒４：１３、試料５⇒４：１５）。第１ステップの最高保持温度は１１５０℃、第２ステップの最高保持温度は１１００℃、焼成温度は１４５０℃と試料２の作製時と同様とした。その結果、ほぼ試料２と同じ形状のＢａＴｉＯ3粒子および焼結体が得られ、前駆体粒子のＢａ：Ｔｉ比にある程度の幅があってもほぼ同じ特性をもつ焼結体が得られることがわかった。
【００３５】
また、前駆体粒子のＢａ：Ｔｉ比を６：１７と固定、第１ステップの最高保持温度を１１５０℃、焼成温度を１４５０℃と固定し、第２ステップの最高保持温度を１２５０、１１５０、１０５０、９５０℃と変えたものを作製した（１２５０℃⇒試料６、１１５０℃⇒試料７、１０５０℃⇒試料８、９５０℃⇒試料９）。その結果、合成された誘電体セラミックス粒子については、１２５０℃では未反応のＢａＣＯ3は認められなかったもののやや粒子形状が丸くなった。また９５０℃では粒子形状は角状であったものの未反応のＢａＣＯ3が少量残存していた。しかしながら上記９５０〜１２５０℃の温度範囲で試料番号２のときとほぼ同様にして焼結性の良好でかつ配向度の高い焼結体が得られた。
【００３６】
また、チタン源を含む粒子Ａとして別の試料も用意した。すなわち試料１〜９よりも粒径の小さい板状ＴｉＯ2粒子であるルクセレンシルクＤ（朝日化学工業製、長径約５μｍ、厚み約０．５μｍ）および等軸状ＴｉＯ2粒子（平均粒径約０．７μｍ）を用意し、それぞれ試料１０、＃１１とした。前駆体粒子のＢａ：Ｔｉ比を６：１７、第１ステップの最高保持温度を１１５０℃とし、第２ステップの最高保持温度を１１００℃、焼成温度１４５０℃と固定した。その結果、試料１０に関しては粒径の大小によらず試料２とほぼ同じ特性の焼結体が得られた。それに対して等軸状ＴｉＯ2粒子を用いた試料＃１１に関して不純物相は認められなかったものの図５（ｂ）に示すように粒子形状が角状ではなく丸い形状であった。また、図７に示すように焼結体の｛１００｝配向がほとんど認められなかった。
【００３７】
（比較例）
次に比較例として従来文献の方法でＢａＴｉＯ3粒子を合成した（試料番号＃１２）。すなわち以下の反応式に従って合成した。
【００３８】
【化２】
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【００３９】
第１ステップについて、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12（ＢｉＴ）は所定の組成比でＢｉ2Ｏ3粒子と等軸ＴｉＯ2粒子を配合・混合した後、１１００℃−２ｈの熱処理を行い合成した。第２ステップについてはＢｉＴとＢａＣＯ3を所定の組成比で配合・混合した後、アルミナるつぼに入れた。その後溶融塩成分としてＫＣｌを上記ＢｉＴとＢａＣＯ3の総量と同重量だけアルミナるつぼに添加して１０５０℃−８ｈの条件で熱処理し、ＢａとＢｉ成分のイオン交換を行った。冷却後のるつぼ中の物質を温水で溶かし、ろ過を行い、ＫＣｌ成分を完全除去した。ろ紙上に残存した不溶成分を乾燥し、粉体を得た。第３ステップについて、２．５Ｎの硝酸水溶液にて１ｈ上記粉体を酸処理し、Ｂｉ2Ｏ3を溶解除去してろ過を行い、ろ紙上に残存した不溶成分を乾燥し、誘電体セラミックス粒子Ｇを得た。
【００４０】
ＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折により誘電体セラミックス粒子の不純物相の評価を行った。その結果、上記誘電体セラミックス粒子ＧはほぼＢａＴｉＯ3単相であり、ＢａＴｉＯ3のピークのうち、｛１００｝と｛２００｝の強度がＪＣＰＤＳカードのデータと比較して高かった。しかしながらＢｉ成分の残存も認められた。不純物成分の定量を行った結果、Ｂｉ成分が約２％置換しきれずに残っていた。
【００４１】
次に上記誘電体セラミックス粒子を実施例１と同様の方法にて焼成したところ、焼結体の形状が崩れ、寸法精度の良好な焼結体の作製ができなかった。残存したＢｉ成分の一部の揮発等によってＢａＴｉＯ3粒子の焼結挙動が不安定となったものと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、セラミック電子部品の誘電体層の誘電率や圧電定数を主とした特性を向上させることができ、かつ絶縁性、信頼性を向上させることができるという特徴を有し、特に、高性能化、小型化、高信頼性が要求されるセラミック電子部品等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施の形態におけるセラミック電子部品の製造方法を示したステップ図
【図２】本発明の誘電体セラミックス粒子を用いて作製したグリーンシートの模式断面図
【図３】ペロブスカイト化合物の結晶構造を示した概念図
【図４】積層セラミックコンデンサの模式断面図
【図５】実施例および比較例で製造したＢａＴｉＯ3粒子（試料番号２および＃１１）の電子顕微鏡写真
【図６】実施例で製造したＢａＴｉＯ3粒子を用いて焼成した焼結体（試料番号２）表面のＸ線回折スペクトル図
【図７】比較例で製造したＢａＴｉＯ3粒子を用いて焼成した焼結体（試料番号＃１１）表面のＸ線回折スペクトル図
【符号の説明】
【００４４】
２０１  配向チタン酸バリウム粒子
２０２  配向チタン酸バリウム粒子を用いたグリーンシート
３０１  Ａサイト
３０２  Ｂサイト
３０３  Ｏ（酸素）
４０１  誘電体層
４０２  内部電極層
４０３  外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図５】
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