(57)【要約】【課題】半導体装置の生産性を向上させ、低コスト化を実現する素子試験装置を提供する。【解決手段】半導体素子２０を支持する支持台１１と、半導体素子２０に配置されたエミッタ電極２０ｅに面接触させる織布または不織布状の導電性シート３０ｓと、当該主電極に接触させた導電性シート３０ｓに荷重を与える加圧機構３０ｐと、導電性シート３０ｓと加圧機構３０ｐとの間に介在する弾性体層３０ｅと、半導体素子２０の制御用電極に接触させる、少なくとも一つのコンタクトピン３０ｇと、を有する素子試験装置１を提供する。これにより、半導体装置の生産性が向上し、低コスト化が実現する。【選択図】図１
2009128190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、
前記半導体素子を支持する支持台と、
前記半導体素子に配置された主電極に接触させる織布または不織布状の導電性シートと、
前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、
前記導電性シートと前記加圧機構との間に介在する弾性体層と、
前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、
を有することを特徴とする素子試験装置。
【請求項２】
前記導電性シートが複数の金属線を交差させた織布または不織布であることを特徴とする請求項１記載の素子試験装置。
【請求項３】
前記導電性シートが複数の樹脂線を交差させた織布または不織布であり、前記織布表面または前記不織布表面に金属膜を形成させたことを特徴とする請求項１記載の素子試験装置。
【請求項４】
前記織布または前記不織布に、金属板の少なくとも一つの主面を密着させたことを特徴とする請求項２または３記載の素子試験装置。
【請求項５】
前記金属線、前記金属膜、前記金属板の材質が金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン青銅（Ｓｎ−Ｐ−Ｃｕ）の何れかの金属、または、これらの金属の少なくとも２つを組み合わせた合金を主たる成分とする材質により構成されていることを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項に記載の素子試験装置。
【請求項６】
前記導電性シートの最表面に金（Ａｕ）を主成分とする金属膜が形成されていることを特徴とする請求項２または３記載の素子試験装置。
【請求項７】
前記弾性体層の主たる成分がシリコンゴムであることを特徴とする請求項１記載の素子試験装置。
【請求項８】
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、
前記半導体素子を支持する支持台と、
前記半導体素子に配置された主電極に接触させる、複数の凸部を有する導電性シートと、
前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、
前記導電性シートと前記加圧機構との間に介在する弾性体層と、
前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、
を有することを特徴とする素子試験装置。
【請求項９】
前記導電性シートが金属板であり、前記半導体素子の前記主電極に接触させる側の前記金属板に、前記凸部が形成されていることを特徴とする請求項８記載の素子試験装置。
【請求項１０】
前記導電性シートが樹脂表面に金属膜を形成させたシートであり、前記半導体素子の前記主電極に接触させる側の前記シートに、前記凸部が形成されていることを特徴とする請求項８記載の素子試験装置。
【請求項１１】
前記凸部の形状が半球状または半円筒状であることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか一項に記載の素子試験装置。
【請求項１２】
前記金属板、前記金属膜の材質が金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン青銅（Ｓｎ−Ｐ−Ｃｕ）の何れかの金属、または、これらの金属の少なくとも２つを組み合わせた合金を主たる成分とする材質により構成されていることを特徴とする請求項９または１０記載の素子試験装置。
【請求項１３】
前記導電性シートの最表面に金（Ａｕ）を主成分とする金属膜が形成されていることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか一項に記載の素子試験装置。
【請求項１４】
前記弾性体層の主たる成分がシリコンゴムであることを特徴とする請求項８記載の素子試験装置。
【請求項１５】
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、
前記半導体素子を支持する支持台と、
前記半導体素子に配置された主電極に接触させる、複数の凸部を有する導電性シートと、
前記凸部の裏側に埋入するように、前記導電性シートの主面上に配置された第１の弾性体層と、
前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、
前記第１の弾性体層と前記加圧機構との間に介在する第２の弾性体層と、
前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、
を有することを特徴とする素子試験装置。
【請求項１６】
前記導電性シートが金属板であり、前記半導体素子の前記主電極に接触させる側の前記金属板に、前記凸部が形成されていることを特徴とする請求項１５記載の素子試験装置。
【請求項１７】
前記導電性シートが樹脂表面に金属膜を形成させたシートであり、前記半導体素子の前記主電極に接触させる側の前記シートに、前記凸部が形成されていることを特徴とする請求項１５記載の素子試験装置。
【請求項１８】
前記凸部の形状が半球状または半円筒状であることを特徴とする請求項１５乃至１７の何れか一項に記載の素子試験装置。
【請求項１９】
前記第１の弾性体層の硬度が前記第２の弾性体層の硬度よりも高いことを特徴とする請求項１５記載の素子試験装置。
【請求項２０】
前記第１の弾性体層の材質がガラスビーズ、シリカビーズ、金属製ビーズの何れかの少なくとも一種のビーズをシリコンゴムに混在させた材質であることを特徴とする請求項１５記載の素子試験装置。
【請求項２１】
前記第２の弾性体層の主たる成分がシリコンゴムであることを特徴とする請求項１５記載の素子試験装置。
【請求項２２】
前記金属板、前記金属膜の材質が金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン青銅（Ｓｎ−Ｐ−Ｃｕ）の何れかの金属、または、これらの金属の少なくとも２つを組み合わせた合金を主たる成分とする材質により構成されていることを特徴とする請求項１６または１７記載の素子試験装置。
【請求項２３】
前記導電性シートの最表面に金（Ａｕ）を主成分とする金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１５乃至１７の何れか一項に記載の素子試験装置。
【請求項２４】
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、
前記半導体素子を支持する支持台と、
前記半導体素子に配置された主電極に接触させる、複数の凸部を有する導電性シートと、
前記凸部の裏側に埋入するように、前記導電性シートの主面上に配置された樹脂層と、
前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、
前記樹脂層と前記加圧機構との間に介在する弾性体層と、
前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、
を有することを特徴とする素子試験装置。
【請求項２５】
前記導電性シートが金属板であり、前記半導体素子の前記主電極に接触させる側の前記金属板に、前記凸部が形成されていることを特徴とする請求項２４記載の素子試験装置。
【請求項２６】
前記導電性シートが樹脂表面に金属膜を形成させたシートであり、前記半導体素子の前記主電極に接触させる側の前記シートに、前記凸部が形成されていることを特徴とする請求項２４記載の素子試験装置。
【請求項２７】
前記凸部の形状が半球状または半円筒状であることを特徴とする請求項２４乃至２６の何れか一項に記載の素子試験装置。
【請求項２８】
前記弾性体層の主たる成分がシリコンゴムであることを特徴とする請求項２４記載の素子試験装置。
【請求項２９】
前記金属板、前記金属膜の材質が金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン青銅（Ｓｎ−Ｐ−Ｃｕ）の何れかの金属、または、これらの金属の少なくとも２つを組み合わせた合金を主たる成分とする材質により構成されていることを特徴とする請求項２５または２６記載の素子試験装置。
【請求項３０】
前記導電性シートの最表面に金（Ａｕ）を主成分とする金属膜が形成されていることを特徴とする請求項２４乃至２６の何れか一項に記載の素子試験装置。
【請求項３１】
支持台の主面と半導体素子の主電極の主面とが接触するように、前記半導体素子を前記支持台上に載置するステップと、
導電性シート、加圧機構、前記導電性シートと前記加圧機構との間に介在する弾性体層、少なくとも一つの接触子を備えたコンタクトブロックを、前記半導体素子に配置された別の主電極と前記導電性シートとが面接触し、前記半導体素子の制御用電極と前記接触子とが接触するように、前記主面とは反対側の主面に前記コンタクトブロックを載置するステップと、
前記導電性シートに前記加圧機構により荷重を与えるステップと、
前記支持台と前記導電性シート間に第１の電圧を印加し、前記接触子と前記導電性シート間に第２の電圧を印加するステップと、
を有することを特徴とする素子試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は素子試験装置及び素子試験方法に関し、特に、半導体素子に係る素子試験装置及び素子試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両機器等で用いられる電力用スイッチング素子として、低損失且つ高速スイッチングが可能なパワー半導体素子が用いられている。
車両機器では、作動させる電流容量が大きいことから、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）素子を並列接続して、所謂パワーモジュールとして用いるのが一般的である。
【０００３】
このパワーモジュールの出荷試験では、モジュール化前に、パワー半導体素子単体でのゲート遮断時の漏れ電流測定、瞬時最大電流値でのスイッチング試験等を行い、不良素子を事前に排除している。
【０００４】
このようなパワー半導体素子を検査する試験装置について以下に説明する。
例えば、図１１にはＩＧＢＴ素子の要部図を示し、図１２には素子試験装置の要部斜視図を示している。ここで、図１１には、試験用に用いるＩＧＢＴ素子の上面と、その側面が示され、図１２には、瞬時最大電流値でのスイッチング試験が可能な素子試験装置の要部構成が示されている。
【０００５】
図１１に示すように、ＩＧＢＴ素子１００は、例えば、板状の外形をなし、その主面（上面側）の一部にゲート電極１０１が配置されている。そして、ゲート電極１０１以外の部分にエミッタ電極１０２を配置している。また、ゲート電極１０１とエミッタ電極１０２との間には絶縁層１０３が設けられ、ゲート電極１０１とエミッタ電極１０２間の絶縁を確保している。更に、ゲート電極１０１とエミッタ電極１０２が配置されている主面の反対側（裏面側）には、コレクタ電極１０４を配置している。
【０００６】
そして、上記のＩＧＢＴ素子１００を、図１２に示す如く、素子試験装置２００の基体２０１上に載置する。
ここで、素子試験装置２００にあっては、上述した基体２０１と、金属製の支持台２０２と、多数配置されたコンタクトピン２０３とを含む構成としている。そして、当該支持台２０２に電圧を印加することにより、コレクタ電極１０４に所定の電圧が印加される。
【０００７】
また、素子試験装置２００にあっては、コンタクトピン２０３を矢印の方向に降下させ、コンタクトピン２０３の先端をＩＧＢＴ素子１００のゲート電極１０１及びエミッタ電極１０２に接触させる。
【０００８】
そして、ゲート電極１０１には、コンタクトピン２０３の中の１本（コンタクトピン２０３ｇ）を接触させ、コンタクトピン２０３ｇを介し、ゲート電極１０１にゲート信号を入力する。
【０００９】
また、エミッタ電極１０２に接触したコンタクトピン２０３に於いては、これを接地し、エミッタ電極１０２を接地電位とする。
素子試験装置２００に、このような多数のコンタクトピン２０３を配置する理由は、エミッタ電極１０２上での局部的な電流集中を回避するためである。
【００１０】
例えば、数本のコンタクトピンのみをエミッタ電極１０２に接触させた場合、エミッタ電極１０２側に於いては、当該コンタクトピンの先端が点接触するため、当該接触部に電流が集中する。そして、かかる電流集中により、ＩＧＢＴ素子１００内で、局部的な発熱が生じ、ＩＧＢＴ素子１００が破損する場合がある。
【００１１】
このような電流集中を回避するために、多数のコンタクトピン２０３をエミッタ電極１０２に接触させ、各々のコンタクトピン２０３に電流を分散させる。これにより、ＩＧＢＴ素子１００は、局部的な発熱を有することなく、許容発熱温度以下を維持する。
【００１２】
このような素子試験装置２００を用いて、ＩＧＢＴ素子１００のエミッタ電極１０２とコレクタ電極１０４との間に電圧を印加し、ゲート電極１０１にゲート信号を入力する。そして、ＩＧＢＴ素子１００のエミッタ電極１０２とコレクタ電極１０４間の導通または遮断状態を繰り返させ、例えば、スイッチング特性を評価する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−３３７２４７号公報（第１０図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、エミッタ電極１０２表面には、自然酸化膜が形成されている。従って、エミッタ電極１０２に接触させるコンタクトピン２０３を複数本にしても、当該自然酸化膜を介してコンタクトピン２０３とエミッタ電極１０２とが接触することになる。
【００１４】
また、上記の素子試験装置２００は、微視的な見地では、コンタクトピン２０３を単にエミッタ電極１０２に押し付けているだけである。即ち、コンタクトピン２０３の先端形状に倣って、素子の主電極表面が凹むわけではない。
【００１５】
このような状態では、接触抵抗が高くなり、通電時に接触部に於いてジュール熱が発生する。これにより、素子試験装置２００を用いてパワー半導体素子の試験を実施すると、エミッタ電極１０２表面が溶融・軟化する場合があった。そして、溶融し、更に再結晶化した電極部は、溶融しない部分と比べ結晶粒が小さくなっている。その結果、エミッタ電極１０２は、均質膜でなくなってしまう。
【００１６】
このような不均一材質の主電極（エミッタ電極）に大電流が通電すると、パワー半導体素子の特定セルのみに大電流が通電し、本来良品である筈のパワー半導体素子に損傷を与えることがあった。
【００１７】
従って、上述した構成の素子試験装置２００を用いて素子試験を行うと、半導体装置の生産性が向上しないという問題があった。
また、当該破壊によって、パワー半導体素子から微小な破壊片等による汚染が発生し、当該微小な破壊片がコンタクトピン２０３、支持台２０２等に拡散・付着し、新規に検査するＩＧＢＴ素子に悪影響を与える場合もあった。
【００１８】
従前に於いては、このような破損が発生する毎に、コンタクトピン２０３、支持台２０２等から汚染の除去作業を行っていたが、このような作業工程は半導体装置の生産性を低下させ、コスト高を更に招来してしまう。
【００１９】
本発明は、上記の問題を解決するものであり、信頼性が高く、半導体装置の高生産性且つ低コスト化を図ることのできる素子試験装置及び素子試験方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の一態様では、上記課題を解決するために、半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、前記半導体素子を支持する支持台と、前記半導体素子に配置された主電極に接触させる織布または不織布状の導電性シートと、前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、前記導電性シートと前記加圧機構との間に介在する弾性体層と、前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、を有することを特徴とする素子試験装置が提供される。
【００２１】
また、本発明の別の一態様では、半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、前記半導体素子を支持する支持台と、前記半導体素子に配置された主電極に接触させる、複数の凸部を有する導電性シートと、前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、前記導電性シートと前記加圧機構との間に介在する弾性体層と、前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、を有することを特徴とする素子試験装置が提供される。
【００２２】
また、本発明の更に別の一態様では、半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、前記半導体素子を支持する支持台と、前記半導体素子に配置された主電極に接触させる、複数の凸部を有する導電性シートと、前記凸部の裏側に埋入するように、前記導電性シートの主面上に配置された第１の弾性体層と、前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、前記第１の弾性体層と前記加圧機構との間に介在する第２の弾性体層と、前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、を有することを特徴とする素子試験装置が提供される。
【００２３】
また、本発明の更に別の一態様では、半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、前記半導体素子を支持する支持台と、前記半導体素子に配置された主電極に接触させる、複数の凸部を有する導電性シートと、前記凸部の裏側に埋入するように、前記導電性シートの主面上に配置された樹脂層と、前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、前記樹脂層と前記加圧機構との間に介在する弾性体層と、前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、を有することを特徴とする素子試験装置が提供される。
【００２４】
更に、本発明の更に別の一態様では、支持台の主面と半導体素子の主電極の主面とが接触するように、前記半導体素子を前記支持台上に載置するステップと、導電性シート、加圧機構、前記導電性シートと前記加圧機構との間に介在する弾性体層、少なくとも一つの接触子を備えたコンタクトブロックを、前記半導体素子に配置された別の主電極と前記導電性シートとが面接触し、前記半導体素子の制御用電極と前記接触子とが接触するように、前記主面とは反対側の主面に前記コンタクトブロックを載置するステップと、前記導電性シートに前記加圧機構により荷重を与えるステップと、前記支持台と前記導電性シート間に第１の電圧を印加し、前記接触子と前記導電性シート間に第２の電圧を印加するステップと、を有することを特徴とする素子試験方法が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、半導体装置の高生産かつ低コスト化を図ることのできる素子試験装置及び素子試験方法が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
図１は第１の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部斜視図である。
【００２７】
素子試験装置１は、セラミックまたは樹脂で構成された基体１０と、基体１０上に固定された支持台１１と、複数の部材により構成されたコンタクトブロック３０を含む構成としている。
【００２８】
支持台１１上は、銅（Ｃｕ）を主たる成分とする材質で構成され、その主面が平坦性よく研磨・加工されている。また、支持台１１上には、半導体素子２０が載置・固定されている。
【００２９】
半導体素子２０は、例えば、図１０に例示するＩＧＢＴ素子１００であり、その主面（上面側）に制御用電極であるゲート電極２０ｇと、主電極であるエミッタ電極２０ｅを配置している。また、ゲート電極２０ｇと、エミッタ電極２０ｅとの間には、有機絶縁層（例えば、ポリイミド層）が形成され、ゲート電極２０ｇと、エミッタ電極２０ｅとの電気的な絶縁が確保されている。
【００３０】
また、半導体素子２０の前記主面とは反対側の主面（裏面側）に於いては、もうひとつの主電極であるコレクタ電極が配置されている。即ち、半導体素子２０がＩＧＢＴ素子である場合、その裏面側に配置されたコレクタ電極と支持台１１の主面とが面接触する。そして、当該支持台１１に、電圧を印加することにより、半導体素子２０のコレクタ電極に所定の電圧が印加される。
【００３１】
尚、半導体素子２０は、ＩＧＢＴ素子に限ることはない。縦型のパワーデバイスであれば適用が可能であり、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）またはダイオードであってもよい。ただし、ダイオードの場合は、ゲート電極２０とこれに対応する部分がないものとなる。
【００３２】
また、半導体素子２０の上方には、半導体素子２０のゲート電極２０ｇ、エミッタ電極２０ｅに接触させるコンタクトブロック３０が配置されている。
ここで、コンタクトブロック３０は、その下部に導電性シート３０ｓを配置し、導電性シート３０ｓに密着する金属箔（図示しない）と、当該金属箔上に配置された弾性体層３０ｅとを備えている。また、コンタクトブロック３０は、弾性体層３０ｅ上に加圧機構３０ｐを備え、導電性シート３０ｓ及び金属箔に導通する金属板３０ｐｌと、当該金属板３０ｐｌを挟持する金属板３０ｃとを、含む構成としている。更に、コンタクトブロック３０は、加圧機構３０ｐに貫通する少なくとも一つのコンタクトピン（接触子）３０ｇを備えている。
【００３３】
このようなコンタクトブロック３０を、矢印の方向に降下させ、導電性シート３０ｓと半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ、並びに、コンタクトピン３０ｇとゲート電極２０ｇとを接触させる。そして、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅを接地し、コレクタ電極とエミッタ電極２０ｅとの間に所定の電圧を印加し、ゲート電極２０ｇにゲート信号を入力させ、素子試験を行う（後述）。
【００３４】
次に、上述したコンタクトブロック３０の構成をより深く理解するために、コンタクトブロック３０の断面図を用いて、その構造を詳細に説明する。
尚、以下に例示する全ての図面においては、同一の部材に同一の符号を付し、一度説明した部材についての再度の説明は省略する。
【００３５】
図２はコンタクトブロックの要部断面図模式図である。この図は、コンタクトブロック３０を、半導体素子２０の上面に押し当てた状態が示されている。尚、この図では、上述したコンタクトピン３０ｇは図示されていない。
【００３６】
コンタクトブロック３０にあっては、極細の金属線を交差するように織った、繊維状の導電性シート３０ｓを最下層に備えている。従って、導電性シート３０ｓと半導体素子２０の上面とを接触させた場合、導電性シート３０ｓを構成するの金属線の交差部分（後述）と半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）とが接触することになる。
【００３７】
また、導電性シート３０ｓ上には、当該導電性シート３０ｓに密着するように金属板３０ｍが配置されている。更に、金属板３０ｍ上には、接着部材３０ａｄを介し、ゴム（例えば、シリコンゴム）等を主たる成分とする弾性体層３０ｅが配置されている。即ち、導電性シート３０ｓに密着する金属板３０ｍは、接着部材３０ａｄによって、弾性体層３０ｅに固着されている。
【００３８】
更に、コンタクトブロック３０にあっては、弾性体層３０ｅ上に、加圧機構３０ｐが備えられている。この加圧機構３０ｐに於いては、その中央下部に溝部３０ｄを形成し、弾性体層３０ｅと加圧機構３０ｐとが嵌合する形態をなしている。
【００３９】
そして、加圧機構３０ｐの加重により、導電性シート３０ｓ及び金属板３０ｍが荷重を与えられながら、半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）に接触する。
ここで、加圧機構３０ｐの下には、上述した如く、弾性体層３０ｅが設けられている。このような弾性体層３０ｅを加圧機構３０ｐと金属板３０ｍとの間に介在させることにより、加圧機構３０ｐの半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）に対する加重の隔たりが緩和される。
【００４０】
例えば、加圧機構３０ｐと半導体素子２０の上面との間に僅かな平行度のずれ（所謂、片当たり）が存在しても、その間に介在する弾性体層３０ｅの変形により当該ずれが修正される。そして、加圧機構３０ｐによる荷重を金属板３０ｍの全面に行き渡らせることができる。
【００４１】
これにより、導電性シート３０ｓの全ての交差部分に、加圧機構３０ｐによる均等な荷重を行き渡らせることができる。その結果、導電性シート３０ｓの全ての交差部分と半導体素子２０の上面とが隙間なく接触することになる。
【００４２】
また、コンタクトブロック３０にあっては、半導体素子２０の主電極間に大電流（３００Ａ以上）を通電させる必要性から、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅに通じる通電経路が必要になる。
【００４３】
そこで、コンタクトブロック３０の両側には、導電性シート３０ｓ及び金属板３０ｍに導通する金属板３０ｐｌが設けられている。更に、金属板３０ｃで、金属板３０ｐｌを外側から挟持することにより、金属板３０ｐｌと金属板３０ｍとの良好な電気的接続を確保している。尚、金属板３０ｃは、弾性体層３０ｅの側部にネジ３０ｓｃｒで固定されている。
【００４４】
そして、金属板３０ｐｌは、外付けされた電気回路により接地され、導電性シート３０ｓ及び金属板３０ｍに接触する半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅが接地されながら、素子試験が遂行される。
【００４５】
次に、金属板３０ｍに密着する導電性シート３０ｓの構造を詳細に説明する。
図３は金属板に密着する導電性シートの要部図である。ここで、図（Ａ）には、金属板３０ｍに密着する導電性シート３０ｓの要部斜視図が例示され、図（Ｂ）には、金属板３０ｍに密着する導電性シート３０ｓの任意の箇所Ａ−Ｂの要部断面模式図が例示されている。尚、図（Ａ）では、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅに接触する側の導電性シート３０ｓの面が上側に向けて表示されている。また、図（Ｂ）には、導電性シート３０ｓの他、半導体素子２０が併せて例示されている。
【００４６】
図示するように、導電性シート３０ｓは、金属板３０ｍに密着している（図（Ａ）参照）。そして、導電性シート３０ｓは、互いに直行する極細の金属線３０ｓａ，３０ｓｂが夫々立体的に交差するように織られた繊維構造をなしている。尚、金属線３０ｓａ，３０ｓｂは、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン青銅（Ｓｎ−Ｐ−Ｃｕ）の何れかの金属、またはこれらの金属の少なくとも２つを組み合わせた合金を主たる成分とする材質により構成されている。
【００４７】
これにより、上述した如く、導電性シート３０ｓと半導体素子２０の主面とを接触させた場合、金属線３０ｓａ，３０ｓｂの交差部分３０ｓｃが半導体素子２０の上面に抗するように押し付けられ、当該交差部分３０ｓｃと半導体素子２０の上面とが密着性よく接触する。
【００４８】
このような交差部分３０ｓｃによる接触点は、例えば、半導体素子２０のエミッタ電極２０ｅ上で、１０〜１００個／ｃｍ2形成されている。
また、導電性シート３０ｓの金属板３０ｍへの密着手段は、上述した加圧機構３０ｐによる加重によっても達成されるが、導電性シート３０ｓを金属板３０ｍに直接的に溶接・固着するか、または、半田等の導電性接着材による貼り付け、ピン止等の何れかの方法により実施してもよい。
【００４９】
また、図示はしないが、上述した導電性シート３０ｓの構造に代えて、交差する金属線３０ｓａ，３０ｓｂとを立体的に織らず、同一平面内で交差させた不織布構造としてもよい。
【００５０】
また、図示はしないが、上述した繊維構造を、樹脂線（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）を用いて織った繊維構造、または、成形加工により作製した繊維構造としてもよい。
【００５１】
この場合、作製した樹脂構造の表面に上述した金属材質の金属鍍金を施して、導電性シート３０ｓと同一の外形の導電性シートを形成させる。
特に、当該導電性シートでは、その主たる成分が弾性を示す樹脂となるために、上述した平行度のずれがより改善され得る。また、当該導電性シートの全ての交差部分と半導体素子２０の上面とが、より隙間なく接触することになる。
【００５２】
また、上述した夫々の導電性シートの最表面に金を主たる成分とする鍍金膜を形成してもよい。
また、複数の交差部分３０ｓｃは、周期的に形成してもよく、非周期的に形成してもよい。
【００５３】
また、図示はしないが、上述した導電性シートに於いては、支持台１１と半導体素子２０の下面（コレクタ電極）との間に挟み、導電性シート側をコレクタ電極に接触させた状態で、素子試験を実施してもよい。
【００５４】
＜第２の実施の形態＞
次に、上述したコンタクトブロック３０の形態を変形させた例について説明する。
図４は第２の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面図模式図である。この図では、上述したコンタクトピン３０ｇは図示されていない。
【００５５】
図示するように、このコンタクトブロック３１では、極細の金属線を交差するように織った、繊維状の導電性シート３０ｓｄｎを最下層に備えている。これにより、導電性シート３０ｓｄｎを構成するの金属線の交差部分と半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）とが接触することになる。
【００５６】
また、導電性シート３０ｓｄｎ上には、当該導電性シート３０ｓｄｎに密着する金属板３０ｍが配置されている。
更に、コンタクトブロック３１にあっては、導電性シート３０ｓｄｎに密着した金属板３０ｍの反対側の主面に、導電性シート３０ｓｕｐを密着させている。
【００５７】
そして、導電性シート３０ｓｕｐ上には、接着部材３０ａｄを介し、ゴム（例えば、シリコンゴム）等を主たる成分とする弾性体層３０ｅが配置されている。即ち、導電性シート３０ｓｄｎ、金属板３０ｍ及び導電性シート３０ｓｕｐは、接着部材３０ａｄによって、弾性体層３０ｅに固着されている。
【００５８】
このように、コンタクトブロック３１は、金属板３０ｍの上下の主面に導電性シート３０ｓｄｎ及び導電性シート３０ｓｕｐを密着させている。
これにより、第１の実施の形態で説明した素子試験装置１と同様の作用効果を得ると共に、金属板３０ｍに接触させる導電性シートの接触抵抗がより低下し、上述した大電流（３００Ａ以上）を安定して、金属板３０ｍ、導電性シート３０ｓｄｎ及び導電性シート３０ｓｕｐに通電させることができる。
【００５９】
尚、金属板３０ｍの上下の主面に配した導電性シート３０ｓｄｎと導電性シート３０ｓｕｐとの電気的接続は、外付け用のリード線を介して導通してもよく、金属板３０ｍ内に貫通させたビアを介して導通してもよい。
【００６０】
更に、導電性シート３０ｓｄｎと導電性シート３０ｓｕｐとを一体とする導電性シートを準備し、導電性シート３０ｓｄｎと導電性シート３０ｓｕｐとが対向するように折り曲げ、それらの間隙に金属板３０ｍを挟入させてもよい。
【００６１】
また、一体の導電性シートにより、金属板３０ｍの上下の主面及び両側面を包囲し、導電性シートを金属板３０ｍの上下の主面に密着させてもよい。
以上説明した第１、２の実施の形態の素子試験装置１は、半導体素子２０を支持する支持台１１と、半導体素子２０に配置された主電極（エミッタ電極２０ｅ）に面接触させる織布または不織布状の導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎと、当該主電極に接触させた導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎに荷重を与える加圧機構３０ｐと、導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎと加圧機構３０ｐとの間に介在する弾性体層３０ｅと、半導体素子２０の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子（コンタクトピン３０ｇ）と、を有することを特徴としている。
【００６２】
＜第３の実施の形態＞
次に、上述したコンタクトブロック３０の形態を変形させた別の例について説明する。
図５は第３の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面図模式図である。この図では、上述したコンタクトピン３０ｇは図示されていない。
【００６３】
図示するように、コンタクトブロック３２では、半球状の凸部３２ｂｍｐを複数配設した導電性シート３２ｓａを最下層に備えている。これにより、導電性シート３２ｓａに形成した複数の凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）とが接触することになる。
【００６４】
また、導電性シート３２ｓａ上には、接着部材３０ａｄを介し、ゴム（例えば、シリコンゴム）等を主たる成分とする弾性体層３０ｅが配置されている。即ち、導電性シート３２ｓａは、接着部材３０ａｄによって、弾性体層３０ｅに固着されている。
【００６５】
このように、コンタクトブロック３２は、弾性体層３０ｅに導電性シート３２ｓａを固着させた構造をなしている。
そして、加圧機構３０ｐの加重により、導電性シート３２ｓａが荷重を与えられながら、半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）に接触する。
【００６６】
ここで、加圧機構３０ｐの下には、上述した如く、弾性体層３０ｅが設けられている。このような弾性体層３０ｅを加圧機構３０ｐと導電性シート３２ｓａとの間に介在させることにより、加圧機構３０ｐの半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）に対する加重の隔たりが緩和される。
【００６７】
例えば、加圧機構３０ｐと半導体素子２０の上面との間に僅かな平行度のずれ（所謂、片当たり）が存在しても、その間に介在する弾性体層３０ｅの変形により当該ずれが修正される。
【００６８】
これにより、全ての凸部３２ｂｍｐに、加圧機構３０ｐによる均等な荷重を行き渡らせることができる。その結果、導電性シート３２ｓａの全ての凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面とが隙間なく接触することになる。
【００６９】
次に、弾性体層３０ｅに固着する導電性シート３２ｓａの構造を詳細に説明する。
図６は導電性シートの要部図である。ここで、図（Ａ）には、導電性シート３２ｓａの要部斜視図が例示され、図（Ｂ）には、導電性シート３２ｓａの任意の箇所Ａ−Ｂの要部断面模式図が例示されている。また、図（Ｂ）には、導電性シート３２ｓａの他、半導体素子２０、接着部材３０ａｄ、弾性体層３０ｅが併せて例示されている。
【００７０】
図示するように、導電性シート３２ｓａは、一体となった金属板であり、当該金属板に多数の半球状の凸部３２ｂｍｐが形成されている。このような凸部３２ｂｍｐは、ロール式またはプレス式によるエンボス加工により、導電性シート３２ｓａ内に周期的または非周期的に形成される。
【００７１】
また、導電性シート３２ｓａの板厚は、２０〜５０μｍであり、凸部３２ｂｍｐの径は、５０〜１５０μｍである。また、凸部３２ｂｍｐの高さは、５〜２０μｍであり、凸部３２ｂｍｐのピッチは、２００〜４００μｍである。そして、導電性シート３２ｓａは、弾性体層３０ｅに接着部材３０ａｄによって固着されている。
【００７２】
また、当該導電性シート３２ｓａは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン青銅（Ｓｎ−Ｐ−Ｃｕ）の何れかの金属、またはこれらの金属の少なくとも２つを組み合わせた合金を主たる成分とする材質により構成されている。
【００７３】
また、導電性シート３２ｓａに於いては、上記金属表面に金（Ａｕ）を主たる成分とする鍍金膜を形成させた構成であってもよい。この場合、導電性シート３２ｓａが半導体素子２０上面と接触する側の面のみに金鍍金を施してもよい。これにより、導電性シート３２ｓａと半導体素子２０上面（エミッタ電極２０ｅ）との接触抵抗がより低下する。
【００７４】
このような構成により、導電性シート３２ｓａと半導体素子２０の主面とを接触させた場合、導電性シート３２ｓａの凸部３２ｂｍｐが半導体素子２０の上面に抗するように押し付けられ、当該凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面とが密着性よく接触する。
【００７５】
また、導電性シート３２ｓａと半導体素子２０の主面とを離反させたときは、凸部３２ｂｍｐの弾性により、凸部３２ｂｍｐは、もとの半球状の形状を復元する。
尚、導電性シート３２ｓａに於いては、半球状の凸部３２ｂｍｐに代えて、円錐状の凸部を複数個形成させてよい。
【００７６】
次に、導電性シート３２ｓａの変形例について説明する。
図７は導電性シートの変形例を説明するための要部図である。ここで、図（Ａ）には、導電性シート３２ｓｂの一部分の要部上面図が例示され、図（Ｂ）には、導電性シート３２ｓｂの任意の箇所Ａ−Ｂの要部断面模式図が例示されている。また、図（Ｂ）には、導電性シート３２ｓｂの他、半導体素子２０、接着部材３０ａｄ、弾性体層３０ｅが併せて例示されている。尚、導電性シート３２ｓｂの外形は、導電性シート３２ｓａと同形である。
【００７７】
図示するように、導電性シート３２ｓｂに於いては、一体となった金属板であり、半円筒状の溝部３２ｄを縦横に配設している。このような形態によっても、導電性シート３２ｓｂが凸部３２ｂｍｐを有する構造になる。
【００７８】
このような凸部３２ｂｍｐは、ロール式またはプレス式によるエンボス加工により形成される。また、凸部３２ｂｍｐは、導電性シート３２ｓｂ内に周期的に形成させてもよく、非周期的に形成させてもよい。
【００７９】
また、導電性シート３２ｓｂの板厚は、２０〜５０μｍであり、凸部３２ｂｍｐの径は、５０〜１５０μｍである。また、凸部３２ｂｍｐの高さは、５〜２０μｍであり、溝部３２ｄのピッチは、２００〜４００μｍである。そして、導電性シート３２ｓｂは、弾性体層３０ｅに接着部材３０ａｄによって固着されている。
【００８０】
また、当該導電性シート３２ｓｂは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン青銅（Ｓｎ−Ｐ−Ｃｕ）の何れかの金属、またはこれらの金属の少なくとも２つを組み合わせた合金を主たる成分とする材質により構成されている。
【００８１】
また、導電性シート３２ｓｂに於いては、上記金属表面に金（Ａｕ）を主たる成分とする鍍金膜を形成させた構成であってもよい。この場合、導電性シート３２ｓｂが半導体素子２０上面と接触する側の面のみに金鍍金を施してもよい。これにより、導電性シート３２ｓｂと半導体素子２０上面（エミッタ電極２０ｅ）との接触抵抗がより低下する。
【００８２】
このような構成により、導電性シート３２ｓｂと半導体素子２０の主面とを接触させた場合、導電性シート３２ｓｂの凸部３２ｂｍｐが半導体素子２０の上面に抗するように押し付けられ、当該凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面とが密着性よく接触する。
【００８３】
また、導電性シート３２ｓｂと半導体素子２０の主面とを離反させたときは、凸部３２ｂｍｐの弾性により、凸部３２ｂｍｐはもとの半円筒状の形状を復元する。
尚、この図では、縦横に配設させた溝部３２ｄ同士を略垂直に交差させているが、必ずしも垂直とは限ることはない。縦横の溝部３２ｄに所定の角度をもたせて交差させてもよい。
【００８４】
また、図示はしないが、上述した導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂと同一の外形を有した樹脂シートを、樹脂（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）を用いた成形加工により作製し、当該樹脂シートの表面に金属鍍金を施して、導電性シートを形成してもよい。この場合、当該導電性シートは、導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂと同一の外形を有する。
【００８５】
特に、当該導電性シートでは、その主たる成分が弾性を示す樹脂となるために、上述した平行度のずれがより改善され得る。また、当該導電性シートの全ての凸部と半導体素子２０の上面とが、より隙間なく接触することになる。
【００８６】
また、金属鍍金を施した導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂの最表面に、金（Ａｕ）を主たる成分とする鍍金膜を形成させてもよい。
また、図示はしないが、上述した導電性シートに於いては、支持台１１と半導体素子２０の下面（コレクタ電極）との間に挟み、導電性シート側をコレクタ電極に接触させた状態で、素子試験を実施してもよい。
【００８７】
尚、導電性シート３２ｓｂに於いては、半円筒状の溝部３２ｄに代えて、断面形状が三角形状となる溝部を形成させてよい。
以上説明した第３の実施の形態の素子試験装置１は、半導体素子２０を支持する支持台１１と、半導体素子２０に配置された主電極（エミッタ電極２０ｅ）に接触させる、複数の凸部３２ｂｍｐを有する導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂと、主電極に接触させた導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂに荷重を与える加圧機構３０ｐと、導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂと加圧機構３０ｐとの間に介在する弾性体層３０ｅと、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触させる、少なくとも一つの接触子（コンタクトピン３０ｇ）と、を有することを特徴としている。
【００８８】
＜第４の実施の形態＞
次に、上述したコンタクトブロック３０の形態を変形させた更に別の例について説明する。
【００８９】
図８は第４の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面図模式図である。この図では、上述したコンタクトピン３０ｇは図示されていない。
図示するように、コンタクトブロック３３では、図６に例示した導電性シート３２ｓａを最下層に備えている。これにより、導電性シート３２ｓａに形成した複数の凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）とが接触することになる。
【００９０】
また、半導体素子２０と接触しない側の導電性シート３２ｓａ上には、弾性体層３３ｅａを、所謂裏打させた状態で配置している。
即ち、コンタクトブロック３３では、導電性シート３２ｓａの凸部３２ｂｍｐの裏側の内部にまで、弾性体層３３ｅａが埋入した構造をなしている。
【００９１】
このような弾性体層３３ｅａは、後述する２層目の弾性体層３３ｅｂより高硬度の弾性体であり、例えば、微小粒径のガラスビーズ、シリカビーズ、金属製ビーズの何れかの少なくとも一種のビーズをシリコンゴムに混在させた弾性体を用いている。この場合、金属製ビーズは、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン青銅（Ｓｎ−Ｐ−Ｃｕ）の何れかの金属、または、これらの金属の少なくとも２つを組み合わせた合金により構成されている。
【００９２】
コンタクトブロック３３に於いては、弾性体層３３ｅａ上に、弾性体層３３ｅｂを配置している。弾性体層３３ｅｂは、例えば、ゴム（例えば、シリコンゴム）等を主たる成分としている。そして、弾性体層３３ｅｂは、接着部材３３ａｄによって、加圧機構３０ｐに固着されている。
【００９３】
このように、コンタクトブロック３３は、弾性体層３３ｅａ及び弾性体層３３ｅｂを備え、導電性シート３２ｓａを弾性体層３３ｅａに固着させた構造をなしている。更に、弾性体層３３ｅａが凸部３２ｂｍｐの裏側の内部に埋設した構造をなしている。尚、弾性体層３３ｅａと弾性体層３３ｅｂの間には、薄い接着部材（図示しない）が介在している。
【００９４】
そして、当該加圧機構３０ｐが、その下方への加重することにより、導電性シート３２ｓａが荷重を与えられながら、半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）に接触する。
【００９５】
ここで、加圧機構３０ｐの下には、上述した如く、弾性体層３３ｅａ及び弾性体層３３ｅｂが設けられている。
このような弾性体層３３ｅｂを加圧機構３０ｐと導電性シート３２ｓａとの間に介在させることにより、加圧機構３０ｐの半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）に対する加重の隔たりが緩和される。
【００９６】
例えば、加圧機構３０ｐと半導体素子２０の上面との間に僅かな平行度のずれ（所謂、片当たり）が存在しても、その間に介在する弾性体層３３ｅｂの変形により当該ずれが修正される。
【００９７】
これにより、全ての凸部３２ｂｍｐに、加圧機構３０ｐによる均等な荷重を行き渡らせることができる。その結果、導電性シート３２ｓａの全ての凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面とが隙間なく接触することになる。
【００９８】
特に、コンタクトブロック３３に於いては、導電性シート３２ｓａの凸部３２ｂｍｐの裏側にまで、弾性体層３３ｅａを形成させていることから、当該凸部３２ｂｍｐのばね性がより向上している。
【００９９】
従って、上述した接触の際には、導電性シート３２ｓａの凸部３２ｂｍｐが半導体素子２０の上面に抗するように押し付けられ、当該凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面とがより確実に密着性よく接触する。
【０１００】
また、導電性シート３２ｓａと半導体素子２０の主面とを離反させたときは、凸部３２ｂｍｐの弾性により、凸部３２ｂｍｐは、もとの半球状の形状をより確実に復元する。
尚、コンタクトブロック３３に於いては、上述した導電性シート３２ｓａに代えて、図７に例示した導電性シート３２ｓｂを用いてもよい。
【０１０１】
以上説明した第４の実施の形態の素子試験装置１は、半導体素子２０を支持する支持台１１と、半導体素子２０に配置された主電極（エミッタ電極２０ｅ）に接触させる、複数の凸部３２ｂｍｐを有する導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂと、凸部３２ｂｍｐの裏側に埋入するように、導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂの主面上に配置された第１の弾性体層３３ｅａと、主電極に接触させた導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂに荷重を与える加圧機構３０ｐと、第１の弾性体層３３ｅａと加圧機構３０ｐとの間に介在する第２の弾性体層３３ｅｂと、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触させる、少なくとも一つの接触子（コンタクトピン３０ｇ）と、を有することを特徴としている。
【０１０２】
＜第５の実施の形態＞
次に、上述したコンタクトブロック３０の形態を変形させた更に別の例について説明する。
【０１０３】
図９は第５の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面図模式図である。この図では、上述したコンタクトピン３０ｇは図示されていない。
図示するように、コンタクトブロック３４では、図６に例示した導電性シート３２ｓａを最下層に備えている。これにより、導電性シート３２ｓａに形成した複数の凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）とが接触することになる。
【０１０４】
また、半導体素子２０と接触しない側の導電性シート３２ｓａ上には、上述した弾性体層３３ｅａより厚みの薄い樹脂層３４ｅを、所謂裏打させた状態で配置している。
即ち、コンタクトブロック３４では、導電性シート３２ｓａの凸部３２ｂｍｐの裏側の内部にまで、樹脂層３４ｅが埋入した構造をなしている。
【０１０５】
このような樹脂層３４ｅは、例えば、エポキシ樹脂を主たる成分としている。
コンタクトブロック３４に於いては、樹脂層３４ｅ上に、弾性体層３３ｅｂを配置している。弾性体層３３ｅｂは、例えば、ゴム（例えば、シリコンゴム）等を主たる成分としている。そして、弾性体層３３ｅｂは、接着部材３３ａｄによって、加圧機構３０ｐに固着されている。尚、樹脂層３４ｅと弾性体層３３ｅｂの間には、薄い接着部材（図示しない）が介在している。
【０１０６】
このように、コンタクトブロック３４は、樹脂層３４ｅ及び弾性体層３３ｅｂを備え、導電性シート３２ｓａを樹脂層３４ｅに固着させた構造をなしている。更に、樹脂層３４ｅが凸部３２ｂｍｐの裏側の内部に埋設した構造をなしている。
【０１０７】
そして、当該加圧機構３０ｐが、その下方への加重することにより、導電性シート３２ｓａが荷重を与えられながら、半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）に接触する。
【０１０８】
ここで、加圧機構３０ｐの下には、上述した如く、樹脂層３４ｅ及び弾性体層３３ｅｂが設けられている。
このような弾性体層３３ｅｂを加圧機構３０ｐと導電性シート３２ｓａとの間に介在させることにより、加圧機構３０ｐの半導体素子２０の上面（エミッタ電極２０ｅ）に対する加重の隔たりが緩和される。
【０１０９】
例えば、加圧機構３０ｐと半導体素子２０の上面との間に僅かな平行度のずれ（所謂、片当たり）が存在しても、その間に介在する弾性体層３３ｅｂの変形により当該ずれが修正される。
【０１１０】
これにより、全ての凸部３２ｂｍｐに、加圧機構３０ｐによる均等な荷重を行き渡らせることができる。その結果、導電性シート３２ｓａの全ての凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面とが隙間なく接触することになる。
【０１１１】
特に、コンタクトブロック３４に於いては、導電性シート３２ｓａの凸部３２ｂｍｐの裏側にまで、樹脂層３４ｅを形成させ、樹脂層３４ｅにより導電性シート３２ｓａを支持する構成としている。これにより、導電性シート３２ｓａ自体のゆがみ、反り等が確実に抑制される。
【０１１２】
従って、上述した接触の際には、導電性シート３２ｓａの凸部３２ｂｍｐが半導体素子２０の上面に抗するように押し付けられ、当該凸部３２ｂｍｐと半導体素子２０の上面とがより確実に密着性よく接触する。
【０１１３】
また、コンタクトブロック３４に於いては、樹脂層３４ｅと導電性シート３２ｓａとが一体となっていることから、これら一体となった部材を、簡便に、弾性体層３３ｅｂの主面に脱着することができる。
【０１１４】
尚、コンタクトブロック３４に於いては、上述した導電性シート３２ｓａに代えて、図７に例示した導電性シート３２ｓｂを用いてもよい。
以上説明した第５の実施の形態の素子試験装置１は、半導体素子２０を支持する支持台１１と、半導体素子２０に配置された主電極（エミッタ電極２０ｅ）に接触させる、複数の凸部３２ｂｍｐを有する導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂと、凸部３２ｂｍｐの裏側に埋入するように、導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂの主面上に配置された樹脂層３４ｅと、主電極に接触させた導電性シート３２ｓａ，３２ｓｂに荷重を与える加圧機構３０ｐと、樹脂層３４ｅと加圧機構３０ｐとの間に介在する弾性体層３３ｅｂと、半導体素子２０のゲート電極２０ｇに接触させる、少なくとも一つの接触子（コンタクトピン３０ｇ）と、を有することを特徴としている。
【０１１５】
＜第６の実施の形態＞
最後に、上述した素子試験装置１を用いた素子試験方法について説明する。ここでは、その一例として、コンタクトブロック３０を用いた素子試験方法を例示する。
【０１１６】
図１０は素子試験方法を説明するための斜視図である。
先ず、図示するように、支持台１１の主面と半導体素子２０の主電極（コレクタ電極）の主面とが接触するように、半導体素子２０を支持台１１上に載置する（ステップＳ１）。そして、コンタクトブロック３０を半導体素子２０の頭上に位置させる。
【０１１７】
次に、コンタクトブロック３０を、半導体素子２０に配置された別の主電極（エミッタ電極２０ｅ）と導電性シート３０ｓとが面接触し、半導体素子２０のゲート電極２０ｇとコンタクトピン３０ｇとが接触するように、上記主面とは反対側の主面にコンタクトブロック３０を載置する（ステップＳ２）。
【０１１８】
このコンタクトブロック３０には、上述した如く、導電性シート３０ｓ、加圧機構３０ｐ、導電性シート３０ｓと加圧機構３０ｐとの間に介在する弾性体層３０ｅ、少なくとも一つのコンタクトピン３０ｇを含む構成としている。
【０１１９】
次に、導電性シート３０ｓに加圧機構３０ｐにより荷重を与える（ステップＳ３）。
そして、図示しないテスタにより、支持台１１と導電性シート３０ｓとの間に数キロＶ以下の電圧を印加する。例えば、テスタから延出された評価用の接触子を、支持台１１並びに金属板ｐｌに接触させ、金属板ｐｌを介して導電性シート３０ｓと支持台１１との間に数キロＶ以下の電圧を印加する。更に、図示しないテスタにより、コンタクトピン３０ｇと導電性シート３０ｓ間に、数１０Ｖ以下の電圧を印加する（ステップＳ４）。
【０１２０】
このような方法にて、素子試験が遂行される。
尚、加圧機構３０ｐによる加重は、プレス機構を備えた加圧機構３０ｐをコンタクトブロック３０に設置し、当該プレス機構によってもよく、加圧機構３０ｐ自体の重力によってもよい。
【０１２１】
また、測定した半導体素子２０が仮に不良品であり、素子破壊により、微小な破壊片が半導体素子２０から発生した場合は、当該微小な破壊片は、導電性シート３０ｓに付着してこれを汚染するに止まる。従って、導電性シート３０ｓを新たな導電性シートに交換することにより、再び、上記素子試験を実施させることができる。
【０１２２】
このように、第１乃至６の実施の形態は、次に示す有利な効果を得る。
先ず、素子試験装置１に於いては、半導体素子２０の主電極に接触させるための導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎ，３２ｓａ，３２ｓｂを設け、これらのシートに周期的または非周期的な交差部分３０ｓｃ若しくは凸部３２ｂｍｐを形成させている。そして、これらの導電性シートの裏面側に少なくとも一つの弾性体層を設けている。
【０１２３】
更に、当該弾性体層を介して、加圧機構３０ｐにより、導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎ，３２ｓａ，３２ｓｂを半導体素子２０の主電極へ押し付ける機構としている。
【０１２４】
これにより、半導体素子２０の主面と、加圧機構３０ｐの平行度のずれを、上記弾性体層、交差部分３０ｓｃまたは凸部３２ｂｍｐの変形・撓みよって修正して、半導体素子２０の主面と、加圧機構３０ｐとの片当りを大きく減少させている。
【０１２５】
その結果、半導体素子２０の主電極の特定領域に電流集中が生じることがなくなる。即ち、半導体素子２０の各セルに、均等に電流を通電させることが可能になる。従って、従来の素子試験装置で発生した特定領域の電流集中を回避でき、半導体素子２０の破損を充分に防止することができる。
【０１２６】
尚、上述した特許文献１に於いて、半導体素子の主電極（エミッタ電極またはコレクタ電極）に、金属製不繊布で構成される接触子を接触させる方法が開示されている。
しかし、当該金属製不繊布で構成される接触子は、ランダムに配向する糸状の繊維をブロック体とするものである。このため、金属製不繊布の特定の繊維においては、半導体素子の主電極に充分に接触したり、或いは、充分に接触しなかったりする可能性がある。従って、当該構成では、半導体素子の特定のセルへの電流集中を招来する可能性がある。
【０１２７】
また、特許文献１には、加圧機構３０ｐと半導体素子２０の主面との平行度のずれを修正する具体的手段が開示されていない。
然るに、第１乃至６の実施の形態では、多数の交差部分３０ｓｃ或いは凸部３２ｂｍｐを有した導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎ，３２ｓａ，３２ｓｂを配置し、これらの導電性シートと加圧機構３０ｐとの間に、少なくとも一つの弾性体層を介在させている。これにより、加圧機構３０ｐと半導体素子２０の主面との平行度のずれを修正し、且つ、加圧機構３０ｐによって与えられる荷重を均等に、交差部分３０ｓｃ或いは凸部３２ｂｍｐに行き渡らすことができる。
【０１２８】
また、素子試験装置１に於いては、コンタクトブロック３０，３１，３２，３３によって、半導体素子２０の主面を覆いながら試験を遂行する。従って、半導体素子２０が破損し、微小な破壊片を発生しても、当該微小な破壊片を、導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎ，３２ｓａ，３２ｓｂまたは金属板３０ｍにより封じることができる。即ち、当該破損の影響を、導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎ，３２ｓａ，３２ｓｂまたは金属板３０ｍ以外の部材に及ぼさない。
【０１２９】
また、コンタクトブロック３０，３１，３２，３３に備えた、導電性シート３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎ，３２ｓａ，３２ｓｂ、金属板３０ｍは、低価格であり、簡便に交換可能な構造であるため、これらの部材を交換するだけで、素子試験装置１を長時間に渡り使用し続けることができる。
【０１３０】
また、半導体素子に接触する部分の汚染を除去する無駄な作業工程がなくなる。
これにより、半導体装置の高生産かつ低コスト化を図ることのできる素子試験装置及び素子試験方法が実現する。
【０１３１】
尚、上述した第１乃至５の実施の形態は、夫々が独立した実施の形態とは限らない。これらの実施の形態の中、２つ以上の実施の形態を複合させた実施の形態としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】第１の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部斜視図である。
【図２】コンタクトブロックの要部断面図模式図である。
【図３】金属板に密着する導電性シートの要部図である。
【図４】第２の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面図模式図である。
【図５】第３の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面図模式図である。
【図６】導電性シートの要部図である。
【図７】導電性シートの変形例を説明するための要部図である。
【図８】第４の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面図模式図である。
【図９】第５の実施の形態の素子試験装置を説明するための要部断面図模式図である。
【図１０】素子試験方法を説明するための斜視図である。
【図１１】ＩＧＢＴ素子の要部図である。
【図１２】素子試験装置の要部斜視図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１  素子試験装置
１０  基体
１１  支持台
２０  半導体素子
２０ｅ  エミッタ電極
２０ｇ  ゲート電極
３０，３１，３２，３３，３４  コンタクトブロック
３０ａｄ，３３ａｄ  接着部材
３０ｃ，３０ｍ，３０ｐｌ  金属板
３０ｄ，３２ｄ  溝部
３０ｅ，３３ｅａ，３３ｅｂ  弾性体層
３０ｇ  コンタクトピン
３０ｐ  加圧機構
３０ｓ，３０ｓｕｐ，３０ｓｄｎ，３２ｓａ，３２ｓｂ  導電性シート
３０ｓａ，３０ｓｂ  金属線
３０ｓｃ  交差部分
３０ｓｃｒ  ネジ
３２ｂｍｐ  凸部
３４ｅ  樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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