(57)【要約】【課題】半導体チップ同士の位置精度を確保することで、高精度の加工が可能な半導体チップの加工方法を実現する。【解決手段】本発明の半導体チップの加工方法では、粘着テープ２上に配置された複数の半導体チップ１上に接合用樹脂４を形成し、接合用樹脂４を半導体チップ１間に入り込ませて、半導体チップ１間に入り込んだ部分以外の不要な接合用樹脂４を除去する。これにより、半導体チップ１の相対位置は固定されるため、位置ズレが生じることなく、半導体チップ１に対して高精度の加工が可能となる。【選択図】図４
2009158869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着テープ上にダイシングされた複数の半導体チップを配置するチップ配置工程と、
前記複数の半導体チップを接合用樹脂で覆う樹脂形成工程と、
前記接合用樹脂を変形させて、前記複数の半導体チップ同士の間に前記接合用樹脂を入り込ませる樹脂変形工程と、
前記接合用樹脂のうち、前記複数の半導体チップ同士の間に入り込んだ接合用樹脂以外の少なくとも一部を除去して、少なくとも前記半導体チップの加工対象部分を露出させる樹脂除去工程と、
前記樹脂除去工程において加工対象部分が露出した前記半導体チップに対し所定の加工を施す加工工程と、
を有することを特徴とする半導体チップの加工方法。
【請求項２】
上記接合用樹脂は、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項３】
前記樹脂形成工程において、前記接合用樹脂は液状であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項４】
前記樹脂形成工程において、前記接合用樹脂はフィルム状であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項５】
前記樹脂変形工程では、前記接合用樹脂に対し熱を加えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項６】
前記樹脂変形工程では、前記接合用樹脂に対し圧力を加えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項７】
前記接合用樹脂は、紫外線感光性樹脂であり、
前記樹脂除去工程は、前記接合用樹脂を除去する前に、前記接合用樹脂の除去対象部分に紫外線を照射する工程を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項８】
前記接合用樹脂は、アクリル樹脂であり、
前記樹脂除去工程は、前記接合用樹脂を除去する前に、前記接合用樹脂の除去対象部分にプラズマを照射する工程を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項９】
前記樹脂除去工程では、前記除去対象部分をエッチング液により除去することを特徴とする請求項７または８に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１０】
前記加工工程では、前記半導体チップの加工前に、前記接合用樹脂のうち少なくとも前記半導体チップ間に入り込んだ部分に対し熱処理を行うことにより、当該熱処理を行った部分の強度を上げることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１１】
前記加工工程では、前記半導体チップの加工前に、前記接合用樹脂のうち少なくとも前記半導体チップ間に入り込んだ部分に対し紫外線処理を行うことにより、当該紫外線処理を行った部分の強度を上げることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１２】
前記加工工程では、前記半導体チップの加工前に、前記接合用樹脂のうち少なくとも前記半導体チップ間に入り込んだ部分に対しプラズマ処理を行うことにより、当該プラズマ処理を行った部分の強度を上げることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１３】
前記粘着テープは、ダイシングテープであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１４】
前記樹脂除去工程と前記加工工程との間に、
前記複数の半導体チップの結合体を前記粘着テープから剥離する剥離工程と、
前記粘着テープから剥離された前記結合体を他の粘着テープ上に配置する結合体配置工程と、
を有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１５】
前記他の粘着テープは、ダイシングテープであることを特徴とする請求項１４に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１６】
前記粘着テープは、紫外線発泡型であり、
前記剥離工程は、前記結合体を前記粘着テープから剥離する前に、前記粘着テープに紫外線を照射する工程を有することを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１７】
前記粘着テープは、熱発泡型であり、
前記剥離工程は、前記結合体を前記粘着テープから剥離する前に、前記粘着テープに熱を加える工程を有することを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１８】
前記樹脂変形工程では、前記接合用樹脂は、前記粘着テープに接触しないことを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の半導体チップの加工方法の各工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記加工工程の後に、前記半導体チップ間に入り込んだ接合用樹脂を切断して、前記複数の半導体チップの結合体を、単体の半導体チップに分割する分割工程を含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、チップ状態の半導体素子に対する加工技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、直径２００ｍｍウェハから３００ｍｍウェハへの移行が最先端デバイスを中心に急速に進んでいる。しかしながら、ウェハサイズの移行により、新たに設備を購入する場合、設備投資の負担が大きい。そこで、現在の設備を有効活用するため、３００ｍｍウェハをダイシングして良品の半導体チップを抽出し、２００ｍｍウェハサイズのダイボンドテープに当該半導体チップを再配置して加工する事などが行われている。
【０００３】
このように、ダイシングされたチップ状態の半導体素子に対して突起を作りこむ等の加工を行う場合、半導体チップをトレイに収納するか、粘着テープ上に貼って保持した状態で加工する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の構成では、高精度の加工が困難であるという問題がある。
【０００５】
具体的には、半導体チップをトレイに収納して加工を行う場合、半導体チップの固定が不確実であるため加工が困難である。また、半導体チップを粘着テープ上に保持して加工する場合、加工時に加えられる温度変化・水分・酸・アルカリ・外力等により、粘着テープの膨張、収縮および厚みの変化が生じることにより、半導体チップが剥がれたりして、位置ズレが発生する。このため、チップ状態の半導体素子に対して加工を行う場合、トレイへの収納や粘着テープに貼っての保持は、高精度の加工には不適切な方法となる。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体チップ同士の位置精度を確保することで、高精度の加工が可能な半導体チップの加工方法および半導体装置の製造方法を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体チップの加工方法は、上記課題を解決するために、粘着テープ上にダイシングされた複数の半導体チップを配置するチップ配置工程と、前記複数の半導体チップを接合用樹脂で覆う樹脂形成工程と、前記接合用樹脂を変形させて、前記複数の半導体チップ同士の間に前記接合用樹脂を入り込ませる樹脂変形工程と、前記接合用樹脂のうち、前記複数の半導体チップ同士の間に入り込んだ接合用樹脂以外の少なくとも一部を除去して、少なくとも前記半導体チップの加工対象部分を露出させる樹脂除去工程と、前記樹脂除去工程において加工対象部分が露出した前記半導体チップに対し所定の加工を施す加工工程と、を有することを特徴としている。
【０００８】
上記の構成によれば、チップ配置工程において、複数の半導体チップを粘着テープ上に配置し、樹脂形成工程において、配置された半導体チップ全体を接合用樹脂で覆い、その後、樹脂変形工程において、接合用樹脂を半導体チップ同士の間に入り込ませる。さらに、樹脂除去工程において、半導体チップの加工対象部分を露出させて、加工工程において半導体チップを加工する。ここで、樹脂変形工程において、半導体チップ間が接合用樹脂によって結合しているので、半導体チップ間の相対位置が固定される。このため、加工工程において、半導体チップの位置ズレは生じない。したがって、半導体チップ同士の位置精度を確保することで、高精度の加工が可能な半導体チップの加工方法を実現できるという効果を奏する。
【０００９】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、上記接合用樹脂は、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂であることが好ましい。
【００１０】
上記の構成によれば、アクリル樹脂やエポキシ樹脂は、熱膨張や熱収縮のない樹脂であるので、半導体チップ間に入り込んだ接合用樹脂が膨張収縮することによる半導体チップの位置ズレは発生しない。
【００１１】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記樹脂形成工程において、前記接合用樹脂は液状であってもよい。
【００１２】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記樹脂形成工程において、前記接合用樹脂はフィルム状であってもよい。
【００１３】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記樹脂変形工程では、前記接合用樹脂に対し熱を加えることが好ましい。
【００１４】
上記の構成によれば、接合用樹脂は、加熱により流動性をもつので、樹脂変形工程において、容易に複数の半導体チップ同士の間に入り込む。
【００１５】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記樹脂変形工程では、前記接合用樹脂に対し圧力を加えてもよい。
【００１６】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記接合用樹脂は、紫外線感光性樹脂であり、前記樹脂除去工程は、前記接合用樹脂を除去する前に、前記接合用樹脂の除去対象部分に紫外線を照射する工程を含むことが好ましい。
【００１７】
上記の構成によれば、接合用樹脂が紫外線感光性であるので、あらかじめ除去対象部分に紫外線を照射することで、樹脂除去工程において、容易に接合用樹脂を除去することができる。
【００１８】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記接合用樹脂は、アクリル樹脂であり、前記樹脂除去工程は、前記接合用樹脂を除去する前に、前記接合用樹脂の除去対象部分にプラズマを照射する工程を含むことが好ましい。
【００１９】
上記の構成によれば、除去対象部分をあからじめプラズマ処理することにより、樹脂除去工程において、容易に接合用樹脂を除去することができる。
【００２０】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記樹脂除去工程では、前記除去対象部分をエッチング液により除去してもよい。
【００２１】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記加工工程では、前記半導体チップの加工前に、前記接合用樹脂のうち少なくとも前記半導体チップ間に入り込んだ部分に対し熱処理を行うことにより、当該熱処理を行った部分の強度を上げることが好ましい。
【００２２】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記加工工程では、前記半導体チップの加工前に、前記接合用樹脂のうち少なくとも前記半導体チップ間に入り込んだ部分に対し紫外線処理を行うことにより、当該紫外線処理を行った部分の強度を上げることが好ましい。
【００２３】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記加工工程では、前記半導体チップの加工前に、前記接合用樹脂のうち少なくとも前記半導体チップ間に入り込んだ部分に対しプラズマ処理を行うことにより、当該プラズマ処理を行った部分の強度を上げることが好ましい。
【００２４】
上記の構成によれば、熱処理、紫外線処理またはプラズマ処理によって、半導体チップ間を結合する接合用樹脂の強度が上がるので、さらに半導体チップ間の位置精度を向上させることができる。
【００２５】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記粘着テープは、ダイシングテープであってもよい。
【００２６】
上記の構成によれば、加工工程の後、複数の半導体チップの結合体を別の場所に移動させることなく、そのままダイシング工程と同様に半導体チップ間の接合用樹脂を分断できる。
【００２７】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記樹脂除去工程と前記加工工程との間に、前記複数の半導体チップの結合体を前記粘着テープから剥離する剥離工程と、前記粘着テープから剥離された前記結合体を他の粘着テープ上に配置する結合体配置工程と、を有することが好ましい。
【００２８】
上記の構成によれば、樹脂除去工程の後、複数の半導体チップの結合体を粘着テープから剥離して、他の粘着テープ上に配置する。これにより、加工工程は別の粘着テープ上で行われる。したがって、樹脂変形工程において、もとの粘着テープの粘着力が低下していたり、半導体チップが沈みこんでいた場合に生じるアライメントずれ等の不都合を回避できる。
【００２９】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記他の粘着テープは、ダイシングテープであることが好ましい。
【００３０】
上記の構成によれば、加工工程の後、複数の半導体チップの結合体を別の場所に移動させることなく、そのままダイシング工程と同様に半導体チップ間の接合用樹脂を分断できる。
【００３１】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記粘着テープは、紫外線発泡型であり、前記剥離工程は、前記結合体を前記粘着テープから剥離する前に、前記粘着テープに紫外線を照射する工程を有することが好ましい。
【００３２】
上記の構成によれば、粘着テープに紫外線を照射することで粘着テープの粘着力が弱まるので、剥離工程において、複数の半導体チップの結合体に大きな負荷をかけることなく当該結合体を容易に剥離することができる。
【００３３】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記粘着テープは、熱発泡型であり、前記剥離工程は、前記結合体を前記粘着テープから剥離する前に、前記粘着テープに熱を加える工程を有することが好ましい。
【００３４】
上記の構成によれば、粘着テープに熱を加えることで粘着テープの粘着力が弱まるので、剥離工程において、複数の半導体チップの結合体に大きな負荷をかけることなく当該結合体を容易に剥離することができる。
【００３５】
本発明に係る半導体チップの加工方法では、前記樹脂変形工程では、前記接合用樹脂は、前記粘着テープに接触しないことが好ましい。
【００３６】
樹脂変形工程において、接合用樹脂が粘着テープに接触していた場合、接合用樹脂と粘着テープとの間の接着力により、剥離工程において、半導体チップの結合体を剥離しにくくなる。そこで、上記の構成によれば、接合用樹脂と粘着テープとが接触していないので、剥離工程において、半導体チップの結合体を容易に剥離することができる。
【００３７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記課題を解決するために、上記半導体チップの加工方法の各工程を含むことを特徴としている。
【００３８】
上記の構成によれば、半導体チップに対し高精度の加工が可能な半導体装置の製造方法を実現できる。
【００３９】
本発明に係る半導体装置の製造方法では、前記加工工程の後に、前記半導体チップ間に入り込んだ接合用樹脂を切断して、前記複数の半導体チップの結合体を、単体の半導体チップに分割する分割工程を含んでもよい。
【発明の効果】
【００４０】
本発明に係る半導体チップの加工方法は、以上のように、粘着テープ上にダイシングされた複数の半導体チップを配置するチップ配置工程と、前記複数の半導体チップを接合用樹脂で覆う樹脂形成工程と、前記接合用樹脂を変形させて、前記複数の半導体チップ同士の間に前記接合用樹脂を入り込ませる樹脂変形工程と、前記接合用樹脂のうち、前記複数の半導体チップ同士の間に入り込んだ接合用樹脂以外の少なくとも一部を除去して、少なくとも前記半導体チップの加工対象部分を露出させる樹脂除去工程と、前記樹脂除去工程において加工対象部分が露出した前記半導体チップに対し所定の加工を施す加工工程と、を有する。また、本発明に係る半導体チップの加工方法は、上記半導体チップの加工方法の各工程を含んでいる。したがって、半導体チップ同士の位置精度を確保することで、高精度の加工が可能な半導体チップの加工方法および半導体装置の製造方法を実現できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
本発明の一実施形態について図１ないし図７に基づいて説明すると以下の通りである。
【００４２】
図１は、本実施形態に係る半導体チップの加工方法を示しており、（ａ）は、半導体チップ１が粘着テープ２上に配置された状態を示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。半導体チップ１は、半導体ウエハーからダイシングされた良品の半導体素子である。粘着テープ２は、両面テープであり、サポート３上に設けられている。サポート３として、直径５インチφ〜８インチφ／厚さ５００μｍ〜７５０μｍのシリコンウエハー又は直径５インチφ〜８インチφ／厚さ５００μｍのホウケイ酸ガラスウエハー若しくは石英ガラスを使用する。なお、図１は簡略化されており、実際にはより多くの半導体チップ１が配置される。半導体チップ１の個数は、チップサイズ・チップ間の距離・サポート３のサイズなどで決まる。
【００４３】
粘着テープ２上に配置される複数の半導体チップ１同士の位置精度は、接合後も変化がないため、半導体チップ１を加工する際に要求される位置精度（例えば±１０μｍ）で配置する必要がある。粘着テープ２上に±１０μｍの精度で半導体チップ１を配置するには、一例としてフリップチップボンダーという設備を使用すれば機械精度上可能である。
【００４４】
続いて、複数の半導体チップ１同士の接合方法について説明する。
【００４５】
図２は、半導体チップ１全体を接合用樹脂４で覆った状態を示す断面図である。本実施形態では、接合用樹脂４として、液状の高粘度アクリル樹脂（粘度２０．０ｍＰａ・ｓ以上３０．０ｍＰａ・ｓ以下）、高粘度のフォトレジスト（粘度２０．０ｍＰａ・ｓ以上３０．０ｍＰａ・ｓ以下）、またはフィルム状のエポキシ樹脂を主成分とする感光性樹脂を使用する。
【００４６】
液状の高粘度アクリル樹脂や高粘度のフォトレジストを使用する場合、スピン滴下によって半導体チップ１全体を覆う。スピン滴下の際には、エッジリンスやバックリンスを使用して、不要な部分にまで樹脂やフォトレジストが塗布されないようにコントロールする。エッジリンスやバックリンスでは対応できない場合は、エッジ露光を用いる。また、フィルム状のエポキシ樹脂を使用する場合は、半導体チップ１全体に貼り付ける。
【００４７】
図２に示す状態では、接合しようとする半導体チップ１同士の間に接合用樹脂４は入り込んでいないため、続いて、接合用樹脂４に熱を加える。
【００４８】
図３（ａ）は、半導体チップ１全体を覆う接合用樹脂４を加熱した後の状態を示す断面図であり、（ｂ）は、接合用樹脂４と粘着テープ２との間の部分（（ａ）の円内）を示す拡大断面図である。接合用樹脂４は、加熱により流動性をもつため、適正な温度（６０℃〜１２０℃）を加えることにより、複数の半導体チップ１同士の間に入り込む。
【００４９】
ただし、接合用樹脂４が粘着テープ２の上面まで到達すると、半導体チップ１同士が接合されてできた基板（図５参照）を粘着テープ２から剥す際や、基板状態から再度チップ状態へ切り離す際の支障となる。一方、接合用樹脂４が半導体チップ１間に入り込む量が少なすぎると、基板状になった際の平坦度や強度が不足してしまう。そのため、接合用樹脂４の下端と粘着テープ２の上面との間に空間ができるように、接合用樹脂４が半導体チップ１間に入り込む量を十分にコントロールする必要がある。
【００５０】
本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、接合用樹脂４の下端と粘着テープ２の上面との距離Ａを１μｍ以上確保する。距離Ａの上限値は、半導体チップ１の厚み、および半導体チップ１間の接合強度を考慮して設定され、例えば、半導体チップ１の厚みから１μｍ引いた値に設定される。
【００５１】
また、接合用樹脂４に加える温度は、半導体チップ１が粘着テープ２から剥がれる温度より高いと、接合用樹脂４を加熱した場合、半導体チップ１の位置がずれてしまうおそれがある。そのため、接合用樹脂４に加える温度は、半導体チップ１が粘着テープ２から剥がれる温度より低い必要がある。
【００５２】
さらに、半導体チップ１間に入り込んだ接合用樹脂４が、加熱により膨張や収縮などの性質を持っていると、半導体チップ１同士が接合されてできた基板が反ったり、半導体チップ１が位置ズレを起こす可能性があるため、接合用樹脂の材料選定には注意する必要がある。本実施形態で使用する接合用樹脂４は、半導体製造工程において一般的に使用され熱膨張や熱収縮がないことが確認されているアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはフォトレジストであるため、上記基板の反りや半導体チップの位置ズレは発生しない。
【００５３】
なお、接合用樹脂４の上面に圧力を加えることにより、接合用樹脂４を半導体チップ１間に入り込ませてもよい。この場合、接合用樹脂４の性質と圧力（時間や温度も含む）とのマッチング、圧力をかけることによる半導体チップ１の位置精度の確保、半導体チップ１と粘着テープ２との密着力、およびサポート３と粘着テープ２との密着力、等を考慮して、圧力のかけ方をコントロールする。
【００５４】
続いて、図４に示すように、アルカリ性のエッチング液（現像液）など、使用する接合用樹脂４の性質に適した方法／材料で接合用樹脂４の不要な部分を除去する。図４（ａ）は、接合用樹脂４の不要な部分を除去した状態を示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。図４では、接合用樹脂４のうち、半導体チップ１間に入り込んだ接合用樹脂４を以外の全てを除去しているが、半導体チップ１の加工対象部分が上面の一部の場合、当該加工対象部分のみが露出するように、接合用樹脂４を除去してもよい。
【００５５】
なお、接合用樹脂４の除去に先立ち、接合用樹脂４の性質により、接合用樹脂４の不要部分を除去するために前処理が必要な場合、当該処理を行う。例えば、接合用樹脂４が感光性の性質をもつ場合、ＵＶ照射（６００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２）などの露光処理を行い、接合用樹脂４がアクリルなどの場合はプラズマ処理などを行う。
【００５６】
また、接合用樹脂４の不要部分を除去した後、接合用樹脂４の性質や、必要とされる接合の強度等の各種条件によって、必要により接合用樹脂４に対して追加の熱処理等を行う。例えば、接合用樹脂４に熱処理、紫外線処理またはプラズマ処理を行うことにより、接合用樹脂４の強度を上げる。以上により、複数の半導体チップ１同士は接合されて所定の強度を持つ基板形状となる。この状態でも、半導体チップ１に対して加工を行なってもよい。
【００５７】
ただし、接合用樹脂４を半導体チップ１間に入り込ませるの際の熱により、粘着テープ２の粘着力が低下していた場合、半導体チップ１の全面剥離または一部剥離が発生し、アライメントずれや基板の破損が発生するおそれがある。また、加圧により接合用樹脂４を半導体チップ１間に入り込ませた場合、半導体チップ１が粘着テープ２に沈みこんだ状態となっていると、加工に支障をきたすおそれがある。
【００５８】
このため、基板状態の半導体チップ１の結合体を粘着テープ２から剥がし、ダイシングテープ等の別の場所に移して半導体チップ１の加工を行うことが望ましい。
【００５９】
図５は、基板状態の半導体チップ１の結合体を粘着テープ２から剥がした状態を示す断面図である。このように、接合用樹脂４は、複数の半導体チップ１間に入り込んで、複数の半導体チップ１同士を接着すると同時に、半導体チップ１と同様の強度をもった基板の一部となる。
【００６０】
ここで、サポート３がガラスの場合、粘着テープ２として、ＵＶ照射により粘着力が低下する性質のＵＶ発泡タイプの粘着テープを使用し、サポート３の粘着テープ２が貼られている面と反対側（裏側）よりＵＶ照射（例えば６００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２）を行う。また、サポート３がシリコンウエハーの場合は、粘着テープ２として、熱により粘着力が低下する熱発泡タイプの粘着テープを使用し、粘着テープ２を加熱する。これにより、粘着テープ２と半導体チップ１との間の粘着力が失われ、半導体チップ１が粘着テープ２から剥がれる。
【００６１】
図６（ａ）は、基板状態の半導体チップ１の結合体を、ダイシングリング６に貼られたダイシングテープ５上に配置した状態を示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。ダイシングテープ５は、片面テープであり、ダイシングリング６は、例えば外形２８０ｍｍφ／厚さ５ｍｍのステンレス製のリングである。前述のように、基板状態の半導体チップ１の結合体は、半導体チップ１と同様の強度を持っているので、半導体チップ１の位置ズレは発生せず、半導体チップ１に対して高精度の加工が可能となる。例えば、複数の半導体チップ１上に５０μｍ以上の高さを持つ直方体突起をつくりこむため、複数の半導体チップ１に対してフォトリソ工程を行い、その後垂直に圧力を加えて加工するのに適している。
【００６２】
半導体チップ１の加工後、通常の半導体ウエハーのダイシング工程と同様に、半導体チップ１間の接合用樹脂４を分断し、半導体チップ１の結合体を単体の半導体チップ１に分割する。分割後の半導体チップ１には、側面部に接合用樹脂４が付着しているので、半導体チップ１に接合用樹脂４が付着しているか否かで、本発明の加工方法を使用したか否かが判別できる。
【００６３】
なお、接合用樹脂４の性質／特性を選択することにより、半導体チップ１の結合体をフィルムのような柔軟な性質を持った基板とすることも可能である。
【００６４】
以上のように、図１〜図６に示す工程では、サポート３上で基板状態の半導体チップ１の結合体を形成し、その後ダイシングテープ上に移動して、個々の半導体チップ１に分割した。これに対し、図７に示すように、あらかじめダイシングリング６に貼られたダイシングテープ５上に半導体チップ１を配置し、半導体チップ１全体を接合用樹脂４で覆ってもよい。その後、図３および図４に示す工程により基板状態の半導体チップ１および接合用樹脂４を形成し、そのまま半導体チップ１に加工を行った後、個々の半導体チップ１に分割する。この場合、図５に示す、基板状態の半導体チップ１の結合体を粘着テープ２から剥がす工程は不要であり、半導体チップ１に垂直に圧力を加えない加工に適している。また、接合用樹脂４を加熱または加圧により半導体チップ１間に入り込ませる工程では、接合用樹脂４と粘着テープ２とが接触していてもよい。
【００６５】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、チップ状態の複数の素子を加工する用途に好適に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体チップの加工方法を示しており、（ａ）は、半導体チップが粘着テープ上に配置された状態を示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。
【図２】上記半導体チップ全体を接合用樹脂で覆った状態を示す断面図である。
【図３】（ａ）は、接合用樹脂が半導体チップ間に入り込んだ状態を示す断面図であり、（ｂ）は、接合用樹脂と粘着テープとの間の部分を示す拡大断面図である。
【図４】（ａ）は、接合用樹脂の不要な部分を除去した状態を示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。
【図５】基板状態の半導体チップの結合体を粘着テープから剥がした状態を示す断面図である。
【図６】（ａ）は、基板状態の半導体チップの結合体を、ダイシングリングに貼られたダイシングテープ上に配置した状態を示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る半導体チップの加工方法の変形例を示しており、（ａ）は、半導体チップがダイシングテープ上に配置された状態を示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１    半導体チップ
２    粘着テープ
４    接合用樹脂
５    ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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