(57)【要約】【課題】電子放出ユニットの構造改善、製造工程単純化、製造費用節減ができ、カソード電極とゲート電極の耐電圧特性を改善して駆動安全性を高め得る発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置を提供すること。【解決手段】  本発明は電子放出ユニットの構造と製造工程を単純化した発光装置及び、この発光装置を光源として使用する表示装置を提供する。発光装置１０１は第１基板１２と第２基板１４及び密封部材を含む真空パネルと、第１基板の一面から任意の深さを有するように形成される凹部２８と、凹部に形成されるカソード電極２４と、カソード電極上に配置される電子放出部２２と、電子放出部と距離をおいて第１基板の一面に固定されるゲート電極２６と、第２基板の一面に位置する発光ユニット２０を含む。ゲート電極は電子ビーム通過のための開口部が形成されたメッシュ部及びメッシュ部を囲む支持部３４を有する。【選択図】図１
2009164129.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される第１基板と第２基板及び、前記第１基板と前記第２基板との周縁に位置する密封部材を含む真空パネルと、
前記第１基板の一面から任意の深さを有するように形成される凹部と、
前記凹部に形成されるカソード電極と、
前記カソード電極上に配置される電子放出部と、
前記電子放出部と距離をおいて前記第１基板の一面に固定され、電子ビーム通過のための開口部が形成されたメッシュ部及び前記メッシュ部を囲む支持部を備えるゲート電極と、
前記第２基板の一面に位置する発光ユニットと、
を含む発光装置。
【請求項２】
前記凹部が前記カソード電極の幅より大きい幅で形成され、
前記カソード電極と前記電子放出部の厚さの合計より大きい深さで形成される、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ゲート電極が前記カソード電極より大きい厚さを有する金属板で形成される、
請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記ゲート電極の周縁が前記密封部材の外側に露出され、
前記ゲート電極が前記密封部材によって加圧されて前記第１基板に固定される、
請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記ゲート電極が複数の金属板で構成され、
複数のゲート電極が互いに距離をおいて前記カソード電極と交差する方向に沿って帯状パターンで配置される、
請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記メッシュ部が前記ゲート電極ごとに１つずつ備えられる、
請求項１〜５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記メッシュ部が前記カソード電極と前記ゲート電極の交差領域に対応して複数で備えられる、
請求項１〜５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１基板と前記第２基板が発光領域と非発光領域とを含み、
前記ゲート電極が単一金属板で構成され、
前記メッシュ部が前記発光領域全体に対応して形成される、
請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１基板の他の一面に付着されて前記ゲート電極を前記第１基板に固定させる磁石シートを含む、
請求項１〜８のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第１基板が突起を形成し、
前記ゲート電極の支持部が前記突起に対応する貫通孔を形成して前記突起に締結される、
請求項１〜９のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１１】
映像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルに光を提供する、請求項１〜請求項１０のうちのいずれか一項の発光装置と、
を含む表示装置。
【請求項１２】
前記表示パネルが第１画素を備え、
前記発光装置が前記第１画素より少ない個数の第２画素を備え、
それぞれの第２画素が自分と対応する前記第１画素の階調に対応して独立的に発光する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第２画素が自分と対応する前記第１画素の階調のうちの最高階調に対応して発光する、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記表示パネルが液晶表示パネルである、請求項１１〜１３のいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置に関し、特に発光装置の内部に設置されて蛍光層に向かって電子を放出する電子放出ユニットを含む発光装置及び発光装置を光源として使用する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
外部で見る時に光が出射することが認識できる全ての装置を発光装置と言うとすると、前面基板に蛍光層とアノード電極を備え、後面基板に電子放出部と駆動電極を有する発光装置が公知されている。
【０００３】
前面基板と後面基板は密封部材によって周縁が一体で接合された後、内部空間が排気されて密封部材と共に真空パネルを構成する。
【０００４】
駆動電極はカソード電極と絶縁層を介してカソード電極の上部に位置し、カソード電極と交差する方向に沿って形成されるゲート電極からなる。
【０００５】
そして、カソード電極とゲート電極の交差領域ごとにゲート電極と絶縁層に開口部が形成され、絶縁層開口部内側にカソード電極上に電子放出部が配置される。駆動電極と電子放出部が電子放出ユニットを構成する。
【０００６】
カソード電極とゲート電極に所定の駆動電圧を印加すると、２つの電極の電圧差によって電子放出部周囲に電界が形成されて電子放出部から電子が放出される。
【０００７】
放出された電子はアノード電極に印加された高電圧に引かれて蛍光層に衝突し、蛍光層を励起させて可視光を放出させる。
【０００８】
上述した構造の電子放出ユニットは複数回の薄膜工程と厚膜工程を繰り返して製作される。
【０００９】
公知された電子放出ユニットの製造方法は（ｉ）後面基板上にスパッタリングまたは真空蒸着のような薄膜工程で金属膜をコーティング及びパターニングしてカソード電極を形成し、（ｉｉ）絶縁物質のスクリーン印刷と乾燥及び焼成を２回以上繰り返して絶縁層を形成し、（ｉｉｉ）絶縁層上に再び薄膜工程で金属膜をコーティング及びパターニングしてゲート電極を形成し、（ｉｖ）ゲート電極と絶縁層の一部を湿式エッチングして開口部を形成し、（ｖ）電子放出物質を含むペースト状混合物を絶縁層開口部内側にスクリーン印刷し、乾燥と焼成及び表面活性化過程を経て電子放出部を形成する段階を含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上述した構造の電子放出ユニットは製造方法が複雑で、各製造段階ごとに以前に形成された部材と整列を合わせることが非常に重要であるためにこれを確認するための追加的な努力が要求され、製作に多くの時間と費用がかかるという問題があった。
【００１１】
また、上述した電子放出ユニットでは電子放出部で電子が放出される時に電子ビームの初期角度広がりが比較的に大きいために電子の一部が絶縁層開口部側壁にぶつかって電荷チャージングが発生する。
【００１２】
絶縁層の電荷チャージングは、カソード電極とゲート電極の耐電圧特性を低くして発光装置の駆動安定性を大きく低下させるという問題があった。
【００１３】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、本発明は電子放出ユニットの構造を改善して製造工程を単純化し、製造費用を節減することができ、カソード電極とゲート電極の耐電圧特性を改善して駆動安全性を高めることが可能な、新規かつ改良された発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、互いに対向配置される第１基板と第２基板及び、第１基板と第２基板との周縁に位置する密封部材を含む真空パネルと、第１基板の一面から任意の深さを有するように形成される凹部と、凹部に形成されるカソード電極と、カソード電極上に配置される電子放出部と、電子放出部と距離をおいて第１基板の一面に固定され、電子ビーム通過のための開口部が形成されたメッシュ部及びメッシュ部を囲む支持部を有するゲート電極と、第２基板の一面に位置する発光ユニットとを含む発光装置が提供される。
【００１５】
また、凹部は、カソード電極の幅より大きい幅で形成され、カソード電極と電子放出部の厚さの合計より大きい深さで形成されてもよい。
【００１６】
また、ゲート電極がカソード電極より大きい厚さを有する金属板で形成されてもよい。
【００１７】
また、ゲート電極の周縁が密封部材の外側に露出され、ゲート電極が密封部材によって加圧されて第１基板に固定されるものであってもよい。
【００１８】
また、ゲート電極が複数の金属板で構成され、複数のゲート電極が互いに距離をおいてカソード電極と交差する方向に沿って帯状パターンで配置されるものであってもよい。
【００１９】
また、メッシュ部がゲート電極ごとに１つずつ備えられるものであってもよい。
【００２０】
また、メッシュ部がカソード電極とゲート電極の交差領域に対応して複数で備えられるものであってもよい。
【００２１】
また、第１基板と第２基板が発光領域と非発光領域とを含み、ゲート電極が単一金属板で構成され、メッシュ部が発光領域全体に対応して形成されるものであってもよい。
【００２２】
また、第１基板の他の一面に付着されてゲート電極を第１基板に固定させる磁石シートを含むものであってもよい。
【００２３】
また、第１基板が突起を形成し、ゲート電極の支持部が突起に対応する貫通孔を形成して突起に締結されるものであってもよい。
【００２４】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、映像を表示する表示パネルと、表示パネルに光を提供する、請求項１〜請求項１０のうちのいずれか一項の発光装置とを含む表示装置が提供される。
【００２５】
また、表示パネルが第１画素を備え、発光装置が第１画素より少ない個数の第２画素を備え、それぞれの第２画素が自分と対応する第１画素の階調に対応して独立的に発光する、ものであってもよい。
【００２６】
また、第２画素が自分と対応する第１画素の階調のうちの最高階調に対応して発光するものであってもよい。
【００２７】
また、表示装置は表示パネルが液晶表示パネルであってもよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように本発明によれば、ゲート電極のメッシュ部が電子放出部の直上に存在するため、電子ビームの初期広がりを減少させて凹部側壁の電荷チャージングを抑制することができる。
【００２９】
したがって、カソード電極とゲート電極の耐電圧特性を高めて駆動を安定化し、アノード電圧を高めて高輝度を実現することができる。
【００３０】
また、絶縁層形成のための厚膜工程とゲート電極形成のための薄膜工程を省略することができるので、発光装置の製造工程を単純化し、製造費用を低くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３２】
（発光装置：第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態にかかる発光装置について説明する。
【００３３】
図１は本発明の第１実施形態にかかる発光装置の部分切開斜視図である。また、図２は本発明の第１実施形態にかかる発光装置の部分断面図である。
【００３４】
図１と図２とを参照すると、本実施形態にかかる発光装置１０１は互いに対向配置される第１基板１２と第２基板１４及び第１基板１２と第２基板１４の間に配置されてこの基板（１２、１４）を接合させる密封部材１６とで作る真空パネルを含む。
【００３５】
真空パネルの内部はほぼ１０−６Ｔｏｒｒの真空度を維持する。
【００３６】
第１基板１２と第２基板１４の中で密封部材１６の内側に位置する領域は実際に可視光を放出する発光領域と、発光領域を囲む非発光領域に区分される。
【００３７】
第１基板１２内面の発光領域には電子放出のための電子放出ユニット１８が位置し、第２基板１４内面の発光領域には可視光放出のための発光ユニット２０が位置する。
【００３８】
発光ユニット２０が位置する第２基板１４が発光装置１０１の前面基板になり得る。電子放出ユニット１８は電子放出部２２と、電子放出部２２の放出電流量を制御する駆動電極を含む。
【００３９】
駆動電極は第１基板１２の一方向（図１に表記されたｙ軸方向）に沿って帯状パターンで形成されるカソード電極２４と、カソード電極２４の上部でカソード電極２４と交差する方向（図１に表記されたｘ軸方向）に沿って帯状パターンで形成されるゲート電極２６とを含む。
【００４０】
本発明の第１の実施形態における第１基板１２は第２基板１４と対向する内面に所定深さの凹部２８を形成してカソード電極２４を凹部２８の底面に位置させる。
【００４１】
凹部２８はエッチングまたはサンドブラストなどの方法で第１基板１２の一部を除去したもので、カソード電極２４の長さ方向に沿って帯状パターンに形成される。
【００４２】
凹部２８はカソード電極２４の幅より広い幅に形成され、カソード電極２４の厚さ及び電子放出部２２の厚さを合わせた寸法より大きい深さで形成される。凹部２８は垂直側壁を有するか傾斜側壁を有してもよい。図１と図２では一例として凹部２８が傾斜側壁を有する場合を示した。
【００４３】
第１基板１２はほぼ１．８ｍｍの厚さに形成することができ、凹部２８はほぼ４０μｍの深さと３００〜６００μｍの最大幅を有するように形成されることができる。
【００４４】
このように凹部２８の底面に位置するカソード電極２４は第１基板１２の上面（凹部が形成される前の第１基板の内面）に対して所定の高低差をおいて低く位置し、凹部２８の間に位置する第１基板１２の部位が隣接するカソード電極２４を分離させる垣根として機能する。
【００４５】
電子放出部２２はカソード電極２４上でカソード電極２４と平行する帯状パターンに形成することができる。電子放出部２２は真空中で電界が加えられると電子を放出する物質など、たとえば炭素系物質またはナノメートルサイズ物質を含む。
【００４６】
電子放出部２２は一例として炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー及びこれらの組み合わせからなる群より選択された物質を含むことができる。
【００４７】
電子放出部２２は所定の厚さを有する電子放出層であって、スクリーン印刷のような厚膜工程で形成することができる。
【００４８】
つまり、電子放出部２２は（ｉ）電子放出物質を含むペースト状混合物をカソード電極２４上にスクリーン印刷し、（ｉｉ）印刷された混合物を乾燥及び焼成させ、（ｉｉｉ）電子放出物質が電子放出部２２の表面に露出するように電子放出部２２の表面を活性化させる過程を通じて形成することができる。
【００４９】
電子放出部２２の表面活性化過程は粘着テープ（図示せず）を第１基板１２上に付着させた後、これを取りはずす作業で行うことができる。表面活性化過程を通じて電子放出部２２の表面一部を除去しながら炭素ナノチューブのような電子放出物質を電子放出部２２の表面に対して実質的に垂直に立てることができる。
【００５０】
凹部２８の深さがカソード電極２４及び電子放出部２２の厚さを合わせた寸法より大きく形成されることによって、電子放出部２２もまた第１基板１２の上面に対して所定の高低差をおいて低く位置する。
【００５１】
ゲート電極２６はカソード電極２４より厚い金属板で製作される。ゲート電極２６は電子ビーム通過のための開口部３０を形成するメッシュ部３２と、メッシュ部３２を囲む支持部３４からなる。
【００５２】
例えば、ゲート電極２６は金属板を帯状形態に切断した後、エッチングなどの方法で金属板の一部を除去して開口部３０を形成する段階を経て製作できる。
【００５３】
ゲート電極２６はニッケル−鉄合金またはそれ以外の金属材料で形成することができ、ほぼ５０μｍの厚さと１０ｍｍの幅に形成することができる。
【００５４】
このようなゲート電極２６はカソード電極２４及び電子放出部２２と別途の工程で製作された後、カソード電極２４と交差する方向に沿って第１基板１２の上面に固定される。
【００５５】
この時、カソード電極２４と電子放出部２２が第１基板１２の凹部２８に位置することによって第１基板１２の上面にゲート電極２６を固定させる作業のみでカソード電極２４とゲート電極２６の絶縁を自動的に確保することができる。
【００５６】
また、ゲート電極２６のメッシュ部３２はカソード電極２４と重なる部位だけでなくカソード電極２４と重ならない部位すべてに形成されることができる。つまり、１つのゲート電極２６に対して１つのメッシュ部３２が提供されることができる。
【００５７】
この場合、ゲート電極２６を第１基板１２上に固定する時、カソード電極２４との位置合わせを考慮しなくてもよいという長所がある。
【００５８】
上述したゲート電極２６は別途の固定手段なく密封部材１６を利用して第１基板１２に固定されることができる。
【００５９】
図３は図１に示した第１の実施形態にかかる発光装置の中で第１基板とゲート電極及び密封部材の配置の第１の例を示した概略図である。
【００６０】
図４は図１に示した第１の実施形態にかかる発光装置の中で第１基板とゲート電極及び密封部材の配置の第２の例を示した概略図である。
【００６１】
図３を参照すると、ゲート電極２６は支持部３４の一端に電圧印加のための端子部３６を備え、端子部３６が第１基板１２の一側周縁に沿って整列するように配置される。
【００６２】
このように配置されたゲート電極２６上に密封部材１６が位置するが、密封部材１６は端子部３６とメッシュ部３２の間の支持部３４を横切りながら位置することができる。
【００６３】
したがって、ゲート電極２６は端子部３６と連結された支持部３４の一側終端を密封部材１６外側に露出させ、密封部材１６の接合力と圧縮力によって第１基板１２に固定されることができる。
【００６４】
図４を参照すると他の実施例として密封部材１６は端子部３６１とメッシュ部３２１の間の支持部３４１だけでなく、反対側終端の支持部３４１を横切りながら位置することができる。
【００６５】
このためにゲート電極２６１は端子部３６１が位置しない反対側終端で支持部３４１を延長形成して支持部３４１が密封部材１６の幅Ｗより大きい長さＬを有するようにする。
【００６６】
この場合、ゲート電極２６１は支持部３４１の両側端部を密封部材１６の外側に露出させ、密封部材１６の接合力と圧縮力によって第１基板１２に固定されることができる。
【００６７】
再び図１と図２を参照すると、上述した構造でカソード電極２４とゲート電極２６の交差領域１つが発光装置１０１の１つの画素領域に位置したり、２つ以上の交差領域が発光装置１０１の１つの画素領域に位置したりすることができる。
【００６８】
第２の場合、１つの画素領域に対応するカソード電極２４またはゲート電極２６は互いに電気的に連結されて同一な電圧の印加を受ける。
【００６９】
発光ユニット２０は第２基板１４の内面に形成されるアノード電極３８と、アノード電極３８の一面に位置する蛍光層４０と、蛍光層４０を覆う反射膜４２を含む。
【００７０】
アノード電極３８は蛍光層４０から放出される可視光を透過させるようにインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のような透明な導電物質で形成される。アノード電極３８は電子ビームを引く加速電極で、数千ボルト以上の量の直流電圧（アノード電圧）の印加を受けて蛍光層４０を高電位状態に維持させる。
【００７１】
蛍光層４０は赤色蛍光体と緑色蛍光体及び青色蛍光体が混合されて白色光を放出する混合蛍光体からなることができる。蛍光層４０は第２基板１４の発光領域全体に形成されたり、画素領域ごとに分離されて形成されたりすることができる。図１と図２では蛍光層４０が第２基板１４の発光領域全体に形成される場合を示した。
【００７２】
反射膜４２は数千オームストロング（Å）厚さのアルミニウム膜からなることができ、電子ビーム通過のための微細ホールを形成する。
【００７３】
反射膜４２は蛍光層４０で放出された可視光の中で第１基板１２に向かって放出された可視光を第２基板１４側に反射させて発光装置１０１の輝度を高める役割を果たす。
【００７４】
一方、上述したアノード電極３８が省略され、反射膜４２がアノード電圧の印加を受けてアノード電極として機能することができる。
【００７５】
そして、第１基板１２と第２基板１４の間には真空パネルに加えられる圧縮力を支持し、この基板（１２、１４）の間隔を一定に維持させるスペーサ（図示せず）が位置する。
【００７６】
上述した構造の発光装置１０１はカソード電極２４とゲート電極２６のうちの一方の電極に走査駆動電圧を印加し、他方の電極にデータ駆動電圧を印加し、アノード電極３８に数千ボルト以上のアノード電圧を印加して駆動する。
【００７７】
その結果、カソード電極２４とゲート電極２６の電圧差が臨界値以上である画素で電子放出部２２周囲に電界が形成されて、これから電子が放出される。放出された電子はアノード電極３８に印加されたアノード電圧に引かれて対応する蛍光層４０部位に衝突することでこれを発光させる。
【００７８】
画素別蛍光層４０の輝度は当該画素の電子ビーム放出量に対応する。上述した駆動過程でゲート電極２６のメッシュ部３２が電子放出部２２の直上に存在することによって、電子放出部２２で放出される電子はビーム広がりを最少化した状態でメッシュ部３２の開口部３０を通過した後、蛍光層４０に到達する。
【００７９】
したがって、本実施例の発光装置１０１は電子ビームの初期広がり角を減少させて凹部２８側壁の電荷チャージングを効果的に抑制することができる。
【００８０】
その結果、本実施例の発光装置１０１はカソード電極２４とゲート電極２６の耐電圧特性を高めて駆動を安定化し、アノード電極３８に１０ｋＶ以上、好ましくは１０〜１５ｋＶの高電圧を印加して高輝度を実現することができる。
【００８１】
また、本実施例の発光装置１０１では従来のように絶縁層形成のための厚膜工程とゲート電極形成のための薄膜工程を省略することができるので、製造工程を単純化することができる。
【００８２】
そして、上述のようにゲート電極２６を配置する時に位置合わせを大きく考慮しなくてもよいために製造を容易に行うことができる。
【００８３】
さらに、電子放出部２２を形成した後にゲート電極２６を配置するので、従来のように電子放出部２２を形成する過程で導電性電子放出物質によってカソード電極２４とゲート電極２６が短絡する問題を予防することができる。
【００８４】
（発光装置：第２の実施形態）
図５は本発明の第２の実施形態にかかる発光装置の部分切開斜視図である。
【００８５】
図５を参照すると、本実施例の発光装置１０２は電子放出部２２１がカソード電極２４とゲート電極２６２の交差領域に限って選択的に形成され、ゲート電極２６２のメッシュ部３２２もまたカソード電極２４とゲート電極２６２の交差領域に限って選択的に形成される構造を除いて、上述した第１の実施形態の発光装置と同一な構成からなる。
【００８６】
図５で引用符号１８１は電子放出ユニットを示し、第１実施例と同一部材に対しては同一引用符号を使用する。
【００８７】
このようにゲート電極２６２のメッシュ部３２２がゲート電極２６２の長さ方向に沿って互いに距離をおいて位置し、メッシュ部３２２の間に支持部３４２が位置する構造ではゲート電極２６２のライン抵抗を減らして発光装置１０２を駆動する時にゲート電極２６２の電圧降下を抑制することができる。
【００８８】
（表示装置：第１の実施形態）
図６は本発明の第１実施形態にかかる表示装置の分解斜視図であり、図７は図６に示した表示パネルの部分断面図である。
【００８９】
図６を参照すると、本実施例の表示装置２０１は発光装置１０１と、発光装置１０１の前方に位置する表示パネル４４を含む。発光装置１０１と表示パネル４４の間には発光装置１０１から出射された光を均等に拡散させる拡散板４６が位置することができる。拡散板４６と発光装置１０１は所定の距離をおいて離れて位置する。
【００９０】
表示装置２０１は上述した第１の実施形態または第２の実施形態にかかる発光装置（１０１、１０２）を光源として備え、図６では一例として第１実施例の発光装置１０１が適用される場合を示した。
【００９１】
表示パネル４４は液晶表示パネルまたは他の非−自発光型表示パネルからなる。以下、表示パネル４４が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００９２】
図７を参照すると、表示パネル４４は薄膜トランジスター（ＴＦＴ）４８と画素電極５０が形成された下部基板５２と、カラーフィルター層５４と共通電極５６が形成された上部基板５８と、上部基板５８と下部基板５２の間に注入された液晶層６０を含む。
【００９３】
上部基板５８の上面と下部基板５２の下面には偏光板（６２１、６２２）が付着されて表示パネル４４を通過する光を偏光させる。
【００９４】
画素電極５０は副画素ごとに１つずつ位置し、ＴＦＴ４８によって駆動が制御される。画素電極５０と共通電極５６は透明な導電物質で形成される。
【００９５】
カラーフィルター層５４は副画素別に１つずつ位置する赤色フィルター層５４Ｒと緑色フィルター層５４Ｇ及び青色フィルター層５４Ｂを含む。
【００９６】
特定副画素のＴＦＴ４８が導通すると画素電極５０と共通電極５６の間に電界が形成される。この電界によって液晶分子の配列角が変化し、変化された配列角に応じて光透過度が変化する。表示パネル４４はこのような過程を通じて画素別輝度と発光色を制御することができる。
【００９７】
再び図６を参照すると、引用符号６４は各ＴＦＴのゲート電極にゲート駆動信号を伝送するゲート回路ボードアセンブリーを示し、引用符号６６は各ＴＦＴのソース電極にデータ駆動信号を伝送するデータ回路ボードアセンブリーを示す。
【００９８】
発光装置１０１は表示パネル４４より少ない数の画素を形成して発光装置１０１の１つの画素を２つ以上の表示パネル４４画素に対応させる。
【００９９】
発光装置１０１の各画素はこれに対応する表示パネル４４画素の階調に対応して発光することができ、一例として表示パネル４４画素の階調の中で最も高い階調に対応して発光することができる。発光装置１０１の各画素は２〜８ビットの階調を表現することができる。
【０１００】
便宜上表示パネル４４の画素を第１画素と言い、発光装置１０１の画素を第２画素と言い、１つの第２画素に対応する第１画素を第１画素群と言う。
【０１０１】
発光装置１０１の駆動過程は（ｉ）表示パネル４４を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群を構成する第１画素の階調のうちの最も高い階調を検出し、（ｉｉ）検出された階調に応じて第２画素発光に必要な階調を算出し、これをデジタルデータに変換して（ｉｉｉ）デジタルデータを利用して発光装置１０１の駆動信号を生成し、（ｉｖ）生成された駆動信号を発光装置１０１の駆動電極に印加する段階を含むことができる。
【０１０２】
発光装置１０１の駆動信号は走査駆動信号とデータ駆動信号からなる。上述したカソード電極２４とゲート電極２６のうちの一方の電極（例えば、ゲート電極）が走査駆動信号の印加を受け、他方の電極（例えば、カソード電極）がデータ駆動信号の印加を受ける。
【０１０３】
発光装置１０１の駆動のための走査回路ボードアセンブリーとデータ回路ボードアセンブリーは発光装置１０１の裏面に位置することができる。
【０１０４】
図６で引用符号６８がカソード電極とデータ回路ボードアセンブリーを連結する第１コネクタを示し、引用符号７０がゲート電極と走査回路ボードアセンブリーを連結する第２コネクタを示す。そして、引用符号７２がアノード電極にアノード電圧を印加する第３コネクタを示す。
【０１０５】
このように発光装置１０１の第２画素は対応する第１画素群に映像が表示される時に第１画素群に同期されて所定の階調で発光する。
【０１０６】
つまり、発光装置１０１は表示パネル４４が実現する画面の中で明るい領域には高い輝度の光を提供し、暗い領域には低い輝度の光を提供する。したがって、本実施例の表示装置２０１は画面のコントラスト比を高め、より鮮明な画質を実現することができる。
【０１０７】
（発光装置：第３の実施形態）
図８は本発明の第３の実施形態にかかる発光装置の分解斜視図である。
【０１０８】
図８を参照すると、本実施例の発光装置１０３はゲート電極２６３が単一金属板で形成され、１つのメッシュ部３２３が発光領域全体に対応して形成される構成を除いて、上述した第１実施例の発光装置と同一な構造からなる。
【０１０９】
図８で引用符号１８２は電子放出ユニットを示し、第１実施例と同一部材に対しては同一な引用符号を使用する。
【０１１０】
本実施形態にかかる発光装置１０３はカソード電極２４に共通のカソード電圧を印加し、ゲート電極２６３にカソード電圧より数ボルトから数十ボルト高いゲート電圧を印加し、アノード電極３８に数千ボルト以上のアノード電圧を印加して駆動する。その結果、電子放出部２２で同時に電子が放出されて蛍光層４０を発光させる。
【０１１１】
発光装置１０３は蛍光層４０全体で単一輝度を実現し、蛍光層４０の輝度はカソード電圧とゲート電圧の差を調節したり、アノード電圧の大きさを調節して制御したりすることができる。
【０１１２】
上述したゲート電極２６３もまた別途の固定手段なく密封部材１６を利用して第１基板１２に固定されることができる。
【０１１３】
図９は図８に示した発光装置の中で第１基板とゲート電極及び密封部材を示した概略図の第１の例である。
【０１１４】
図１０は図８に示した発光装置の中で第１基板とゲート電極及び密封部材を示した概略図の第２の例である。
【０１１５】
図９を参照すると、ゲート電極２６３は支持部３４３のある１つの周縁に端子部３６３を形成し、密封部材１６が端子部３６３とメッシュ部３２３の間の支持部３４３を横切りながら位置する。
【０１１６】
したがって、ゲート電極２６３は端子部３６３と連結された支持部３４３の一側周縁を密封部材１６の外側に露出させ、密封部材１６の接合力と圧縮力によって第１基板１２に固定されることができる。
【０１１７】
図１０を参照すると、他の実施例として密封部材１６は端子部３６４とメッシュ部３２４の間の支持部３４４だけでなく反対側周縁の支持部３４４を横切りながら位置することができる。
【０１１８】
したがって、ゲート電極２６４は支持部３４４の２つの周縁を密封部材１６の外側に露出させ、密封部材１６の接合力と圧縮力によって第１基板１２に固定されることができる。
【０１１９】
（表示装置：第２の実施形態）
図１１は本発明の第２の実施形態にかかる表示装置の分解斜視図である。
【０１２０】
図１１を参照すると、本実施形態にかかる表示装置２０２は上述した第３の実施形態にかかる発光装置１０３を光源として使用する構成を除いて、上述した第１の実施形態にかかる表示装置と同一な構造からなる。第１の実施形態と同一部材に対しては同一な引用符号を使用する。
【０１２１】
図１１で引用符号６８１がカソード電極にカソード電圧を印加する第１コネクタを示し、引用符号７０１がゲート電極にゲート電圧を印加する第２コネクタを示す。
【０１２２】
（発光装置：第４の実施形態）
図１２は本発明の第４実施形態にかかる発光装置の部分拡大断面図である。
【０１２３】
図１２を参照すると、本実施例の発光装置１０４は第１基板１２の外面に磁石シート７３を付着して第１基板１２に対するゲート電極２６の付着力を高める構成を除いて、上述した第１の実施形態から第３の実施形態のうちの１つの実施形態にかかる発光装置と同一な構造からなる。便宜上ゲート電極の引用符号は第１の実施形態にかかる発光装置と同一のものを適用した。
【０１２４】
磁石シート７３は第１基板１２と同一な大きさで形成されることができ、電子ビーム軌跡に大きな影響を与えない程度の低い磁力を有する。このような磁石シート７３はゲート電極２６を引き寄せてこれを第１基板１２に堅固に固定させる機能を有する。
【０１２５】
（発光装置：第５の実施形態）
図１３は本発明の第５の実施形態にかかる発光装置の部分拡大断面図である。
【０１２６】
図１３を参照すると、本実施例の発光装置１０５は第１基板１２が第２基板に向かって突起７４を形成し、ゲート電極２６５の支持部３４５が突起７４に対応する貫通孔７６を形成する構成を除いて、上述した第１の実施形態から第３の実施形態にかかる発光装置のうちのいずれか１つの発光装置と同一な構造からなる。
【０１２７】
第１基板１２の突起７４は密封部材１６（図２参照）の内側に位置し、カソード電極２４と直交する方向（図面のｘ軸方向）に沿って一対で提供される。
【０１２８】
これによってゲート電極２６５は支持部３４５に揃えた貫通孔７６が突起７４に嵌合されて両端が第１基板１２に堅固に固定され、外部衝撃が伝達される場合にも位置変化と振動を防止することができる。
【０１２９】
（発光装置：第６の実施形態）
図１４は本発明の第６の実施形態にかかる発光装置の部分拡大断面図である。
【０１３０】
図１４を参照すると、本実施形態にかかる発光装置１０６は第１基板１２の外面に磁石シート７３が付着される構成を除いて、上述した第５実施例の発光装置と同一な構造からなる。
【０１３１】
磁石シート７３の構造と機能は上述した第４実施例の磁石シートと同一であるので詳しい説明は省略する。
【０１３２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の部分切開斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の部分断面図である。
【図３】図１に示す本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の第１基板とゲート電極及び密封部材の配置の第１の例を示す概略図である。
【図４】図１に示す本発明の第１の実施形態にかかる発光装置の第１基板とゲート電極及び密封部材の配置の第２の例を示す概略図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる発光装置の部分切開斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置の分解斜視図である。
【図７】図６に示す表示パネルの部分断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態にかかる発光装置の分解斜視図である。
【図９】図８に示す本発明の第３の実施形態にかかる発光装置の第１基板とゲート電極及び密封部材の配置の第１の例を示す概略図である。
【図１０】図８に示す本発明の第３の実施形態にかかる発光装置の第１基板とゲート電極及び密封部材の配置の第２の例を示す概略図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態にかかる表示装置の分解斜視図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態にかかる発光装置の部分拡大断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施形態にかかる発光装置の部分拡大断面図である。
【図１４】本発明の第６の実施形態にかかる発光装置の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１０１    発光装置
２０１    表示装置
１２      第１基板
１４      第２基板
１６      密封部材
１８      電子放出ユニット
２０      発光ユニット
２２      電子放出部
２４      カソード電極
２６      ゲート電極
２８      凹部
３０      開口部
３２      メッシュ部
３４      支持部
３６      端子部
３８      アノード電極
４０      蛍光層
４２      反射膜
４４      表示パネル
４６      拡散板
４８      薄膜トランジスター（ＴＦＴ）
５０      画素電極
５２      下部基板
５４      カラーフィルター層
５６      共通電極
５８      上部基板
６０      液晶層
６２１    偏光板
６４      ゲート回路ボードアセンブリー
６６      データ回路ボードアセンブリー
６８      第１コネクタ
７０      第２コネクタ
７３      第３コネクタ磁石シート
７４      突起
７６      貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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