(57)【要約】      （修正有）【課題】積層型半導体パッケージを構成する下層側の半導体装置を対象とし、強度の向上、ショートの防止、実装性の向上、および変形の抑制を達成し得る半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、樹脂モールドの上部中央域に樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をボンディングワイヤのループ高さより大きく形成したワイヤー部１３ｓを有し、かつワイヤー部１３ｓの周囲に樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をワイヤー部１３ｓの厚さ寸法より小さく形成した接続端子部１３ｔを有するとともに、接続端子部１３ｔの周縁に樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をワイヤー部１３ｓの厚さ寸法と同一とした補強周壁部１３ｗを形成している。【選択図】図２
2009164149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層型半導体パッケージを構成する下層側の半導体装置であって、
樹脂モールドの上部中央域に、前記樹脂モールドの底面からの厚さ寸法を、ボンディングワイヤのループ高さより大きく形成したワイヤー部を有し、
かつ前記ワイヤー部の周囲に、前記樹脂モールドの底面からの厚さ寸法を、前記ワイヤー部の厚さ寸法より小さく形成した接続端子部を有するとともに、
前記接続端子部の周縁に、前記樹脂モールドの底面からの厚さ寸法を、前記ワイヤー部の厚さ寸法と同一とした補強周壁部を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
積層型半導体パッケージを構成する下層側の半導体装置であって、樹脂モールドの上部中央域に前記樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をボンディングワイヤのループ高さより大きく形成したワイヤー部を有し、かつ前記ワイヤー部の周囲に前記樹脂モールドの底面からの厚さ寸法を前記ワイヤー部の厚さ寸法より小さく形成した接続端子部を有するとともに、前記接続端子部の周縁に前記樹脂モールドの底面からの厚さ寸法を前記ワイヤー部の厚さ寸法と同一とした補強周壁部を形成して成る半導体装置の製造方法において、
平面上に複数の前記半導体装置を縦横に配置して一体形成するとともに、前記補強周壁部を含み前記ワイヤー部と同一の厚さ寸法に形成されたリブを、各々の前記半導体装置の周囲かつ隣合う前記半導体装置の境界部に設けて成るパッケージバルクを用意する工程と、
前記パッケージバルクの上面を下に向け、個々の前記半導体装置における前記ワイヤー部の上面と前記リブの上面とを、固定部材に固定保持させる工程と、
前記固定部材に固定保持させた前記パッケージバルクを、所定のカットラインにおいて前記リブを切断することで、複数の前記半導体装置を１個ずつに個片化する工程と、
を含んで成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型半導体パッケージを構成する下層側の半導体装置、および該半導体装置を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、小型電子機器の内部電子部品の高集積化、および高密度実装化の実現を目的とした積層型半導体パッケージ(ＰｏＰ：Package on Package)は、パッケージ内の同一平面上に複数個のＬＳＩチップを搭載したＭＣＰ(Multi Chip Package)とは異なり、独立した複数個の半導体装置を高さ方向に積層することで、個々の半導体装置の歩留まりを向上させつつ実装エリアの縮小を達成している。
【０００３】
図７に示す積層型半導体パッケージＡは、上下に積層された下層側の半導体装置Ｌと上層側の半導体装置Ｕとを備え、これら半導体装置Ｌと半導体装置Ｕとは、ハンダボールＨ，Ｈ…を挟んで電気的に接続されている。
【０００４】
下層側の半導体装置Ｌは、ＬＳＩチップｃおよびボンディングワイヤｂ等を封止した樹脂モールド(パッケージ)ｍの下面と上面とに、それぞれ基板実装用の端子ｌおよぴ上層半導体装置接続用の端子ｕを有しており、上記端子ｌと上記端子ｕとは互いに電気的に接続されている。
【０００５】
因みに、上記下層側の半導体装置Ｌは、異なる形状のリードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃを重ねて接合し、これらリードフレームＬＦａ〜ＬＦｃの厚みを利用して樹脂モールド(パッケージ)ｍを形成するとともに、該樹脂モールド(パッケージ)ｍの下面および上面に、上述した端子ｌおよび端子ｕを設置して成る、いわゆる「積層リードフレーム」方式により構築されている。
【０００６】
ここで、上述した積層型半導体パッケージＡでは、下層側の半導体装置Ｌと上層側の半導体装置Ｕとを、ハンダボールＨ，Ｈ…を挟んで接続しているため、上記半導体装置Ｌと半導体装置Ｕとの間には、ハンダボールＨの大きさに相当する隙間が生じ、これによって半導体装置Ｌの下面から半導体装置Ｕの上面までのトータル高さが増大する不都合があった。
【０００７】
さらに、下層側の半導体装置Ｌにおける樹脂モールド(パッケージ)ｍの厚さ寸法は、ボンディングワイヤｂが覆い隠されるよう、該ボンディングワイヤｂのループ高さ以上に設定する必要があり、Ｉ／Ｏピン数の多ピン化、およびピン配列の複雑化に対応した「多段ループ」の場合、ボンディングワイヤのループ高さが上昇することで、樹脂モールド(パッケージ)の厚さ寸法が増大するために、半導体装置におけるトータル高さの更なる増大を招く問題があった。
【０００８】
そこで、上述した問題点を解消するために、上層側の半導体装置との接続に使用されるハンダボールのスタンドオフを利用して、下層側の半導体装置の樹脂モールド(パッケージ)を、後述する如き段付き形状とすることで、積層実装後の積層型半導体パッケージのトータル高さを低減する構成が提供されている(特許文献１、特許文献２参照）。
【０００９】
すなわち、図８および図９に示す積層型半導体パッケージＢでは、下層側の半導体装置において、ＬＳＩチップｃおよびボンディングワイヤｂ等を封止した樹脂モールド(パッケージ)ｍの上部中央域に、厚さ寸法をボンディングワイヤｂのループ高さより大きく形成したワイヤー部ｗを形成するとともに、上記ワイヤー部ｗの周囲に、該ワイヤー部ｗよりも厚さ寸法を小さく設定した接続端子部ｔを形成し、この接続端子部ｔの下面および上面に、互いに電気的に接続された基板実装用の端子ｌおよぴ上層半導体装置接続用の端子ｕを設けている。
【００１０】
上記構成によれば、下層側の半導体装置Ｌと上層側の半導体装置Ｕとを、ハンダボールＨ，Ｈ…を挟んで接続した状態では、半導体装置Ｌにおけるワイヤー部ｗと接続端子部ｔとの段部にハンダボールＨが設置されるため、上記半導体装置Ｌと半導体装置Ｕとを可及的に近接させて接続することができ、もって半導体装置Ｌの下面から半導体装置Ｕの上面までのトータル高さを削減することが可能となる。
【００１１】
また、樹脂モールド(パッケージ)ｍを段付き形状とし、周囲の接続端子部ｔを肉薄に形成したことで、積層するリードフレーム(ＬＦａ、ＬＦｂ)の枚数を削減でき、もって材料コストの低減、延いては半導体装置Ｌにおける製造コストの低減を達成することができる。
【特許文献１】特開２００４−３１１６６８号
【特許文献２】特開２００７−１２３７０５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、図８に示した積層型半導体パッケージＢによれば、「実装エリアの縮小」および「トータル高さの低減」を達成し得るものの、下層側の半導体装置Ｌにおいては、その樹脂モールド(パッケージ)ｍを段付き形状、すなわち上部中央域における肉厚のワイヤー部ｗと、該ワイヤー部ｗの周囲における肉薄の接続端子部ｔとから成る特異な形状としたため、全体的な機械的強度が十分であるとは言い難い。
【００１３】
また、機械的強度が不十分であることと併わせ、樹脂モールド(パッケージ)ｍの下面側のみにリードフレームが設けられているため、樹脂モールドｍと金属材料から成るリードフレームとの膨張率の相違により、温度変化に伴って樹脂モールドｍに反り等の変形を生じ、回路基板に対する実装性の低下を招く等の虞れがあった。
【００１４】
さらに、上述した積層型半導体パッケージＢによれば、半導体装置Ｌの樹脂モールド(パッケージ)ｍを段付き形状としたことで、半導体装置Ｌと半導体装置Ｕとを接続するハンダボールＨ、および上下の接続端子が外方に露出することとなり、外部から容易に侵入し得るゴミ等が付着することで、ショート等の不具合を招いてしまう問題を生じていた。
【００１５】
上述した如き実状に鑑みて、本発明は積層型半導体パッケージを構成する下層側の半導体装置を対象とし、機械的強度の向上、変形の抑制、実装性の向上、およびショート等の防止を達成し得る「半導体装置」の提供を目的とするものである。
【００１６】
一方、図８および図９に示した、積層型半導体パッケージＢを構成する下層側の半導体装置Ｌを製造するには、図１０に示す如く、同一平面上に複数の半導体装置Ｌ、Ｌ…を縦横に配置して一体成型したパッケージバルクＸを、所定のカットラインｃｌ、ｃｌ…において切断し、個々の半導体装置Ｌを個片化することによって製造される。
【００１７】
詳しくは、図１１に示す如く、パッケージバルクＸの上面側を下に向け、各半導体装置Ｌ、Ｌ…におけるワイヤー部ｗの上面を、バキュームベースＤに固定テープＴを介して貼着し、かつバキュームベースＤの吸引力によって固定設置したのち、上記パッケージバルクＸの下面側から、所定のカットラインｃｌ、ｃｌ…をブレードカッタＣ、Ｃによって切断している。
【００１８】
ところで、上述した半導体装置Ｌの製造方法においては、半導体装置１０の樹脂モールド(パッケージ)ｍが段付き形状であるため、バキュームベースＤにパッケージバルクＸをセットした際、固定テープＴには各ワイヤー部ｗ、ｗ…の上面が貼着されるのみなので、バキュームベースＤに対するパッケージバルクＸの固定強度が十分とは言えない状況にある。
【００１９】
このため、ブレードカッタＣ、Ｃによる切断時の振動に起因して、パッケージバルクＸが変形したりセット位置からズレたりすることで、カットラインが凹凸状となってしまい、半導体装置Ｌにおける寸法精度の低下を招く不都合や、切断の最終段階において半導体装置Ｌ同士を切り離す際、樹脂モールド(パッケージ)ｍの一部が欠けたり、半導体装置Ｌ自体が弾き飛ばされてしまう等の問題があった。
【００２０】
また、バキュームベースＤにパッケージバルクＸをセットした際、各半導体装置Ｌ、Ｌ…における接続端子部ｔ、ｔ…は、固定テープＴから浮いた状態となるため、ブレードカッタＣ、Ｃによる切断時に生じた切粉が、上記接続端子部ｔに露呈している(上層半導体装置接続用の)端子ｕの周囲に付着することとなる。
【００２１】
ここで、上記切粉にはモールド樹脂のみならず、リードフレーム(ＬＦａ、ＬＦｂ)を構成する金属成分も含まれるため、切粉が端子ｕの周辺に付着することでショート等の不都合を招き、動作信頼性を大きく損なってしまう虞れがあり、上記不都合を回避するには、上記切粉を除去するために別途の洗浄工程を必要とし、もって生産性の低下を招いてしまう不都合があった。
【００２２】
上述した如き実状に鑑みて、本発明は積層型半導体パッケージを構成する下層側の半導体装置を製造する方法を対象とし、半導体装置における寸法精度および信頼性の向上、さらには生産性の向上を達成し得る「半導体装置の製造方法」を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明に関わる半導体装置は、積層型半導体パッケージを構成する下層側の半導体装置であって、樹脂モールドの上部中央域に、樹脂モールドの底面からの厚さ寸法を、ボンディングワイヤのループ高さより大きく形成したワイヤー部を有し、かつ該ワイヤー部の周囲に、樹脂モールドの底面からの厚さ寸法を、ワイヤー部の厚さ寸法より小さく形成した接続端子部を有するとともに、該接続端子部の周縁に、樹脂モールドの底面からの厚さ寸法を、ワイヤー部の厚さ寸法と同一とした補強周壁部を形成したことを特徴としている。
【００２４】
また、本発明に関わる半導体装置の製造方法は、積層型半導体パッケージを構成する下層側の半導体装置であって、樹脂モールドの上部中央域に樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をボンディングワイヤのループ高さより大きく形成したワイヤー部を有し、かつ該ワイヤー部の周囲に樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をワイヤー部の厚さ寸法より小さく形成した接続端子部を有するとともに、該接続端子部の周縁に樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をワイヤー部の厚さ寸法と同一とした補強周壁部を形成して成る半導体装置の製造方法において、
平面上に複数の半導体装置を縦横に配置して一体形成するとともに、補強周壁部を含みワイヤー部と同一の厚さ寸法に形成されたリブを、各々の前記半導体装置の周囲かつ隣合う前記半導体装置の境界部に設けて成るパッケージバルクを用意する工程と、
パッケージバルクの上面を下に向け、個々の半導体装置におけるワイヤー部の上面とリブの上面とを、固定部材に固定保持させる工程と、
固定部材に固定保持させたパッケージバルクを、下面側から所定のカットラインにおいてリブを切断することで、複数の半導体装置を１個ずつに個片化する工程とを含んで成ることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に関わる半導体装置によれば、接続端子部の周縁に樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をワイヤー部の厚さ寸法と同一とした補強周壁部を形成したことで、樹脂モールド全体の剛性が大幅に向上することとなる。
【００２６】
これにより、半導体装置における機械的強度が格段に増大するとともに、樹脂モールドとリードフレームとの膨張率の相違に基づく、温度変化に伴う樹脂モールド(パッケージ)の反り変形等を可及的に抑えることができ、もって回路基板に対する実装性の低下等を未然に防止することが可能となる。
【００２７】
さらに、接続端子部の周縁に樹脂モールドの底面からの厚さ寸法をワイヤー部の厚さ寸法と同一とした補強周壁部を形成したことで、下層側の半導体装置と上層側の半導体装置とを接続した状態において、上下の半導体装置を接続するハンダボールの側方は、下層側の半導体装置における補強周壁部で覆われるため、端子の周辺に外部からゴミが侵入することを抑えられ、もってゴミの付着等に起因するショート等を未然に防止することが可能となる。
【００２８】
一方、本発明に関わる半導体装置の製造方法によれば、パッケージバルクにおける各々の半導体装置の周囲かつ隣合う前記半導体装置の境界部に、補強周壁部を含むとともにワイヤー部と同一の厚さ寸法のリブを形成したことで、上記パッケージバルクの上面を下に向け、固定部材に固定保持させる際、個々の半導体装置におけるワイヤー部の上面とリブの上面とが、共に固定部材に固定されるために、固定面積の増加によりパッケージバルクが強固に固定保持されることとなる。
【００２９】
この結果、パッケージバルクを切断して個片化する際、ブレードカッタの振動によってパッケージバルクが変形したり、セット位置からズレたりすることが防止され、もってカットラインが凹凸状となる不都合や、切断の最終段階において樹脂モールド(パッケージ)の一部を欠損したり、半導体装置自体が弾き飛ばされる等の不都合を未然に防止することができる。
【００３０】
また、本発明に関わる半導体装置の製造方法によれば、補強周壁部を含んだリブをカットラインにおいて切断することで、それぞれに補強周壁部を備えた半導体装置を個片化しているため、ブレードカッタによってパッケージバルクを切断している際、上記リブ(補強周壁部)が隔壁の役目を果たすことによって、切粉が各半導体装置における端子の周囲に侵入することがなく、もって切粉の付着によるショート等の不具合を未然に防止でき、信頼性の高い半導体装置を製造し得るとともに、付着した切粉を除去するための洗浄工程も必要としないため、生産性の向上をも達成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、実施例を示す図面に基づいて、本発明を詳細に説明する。  
先ず、図１に示す積層型半導体パッケージ１は、上下に積層された下層側の半導体装置１０と、上層側の半導体装置２０とを備え、これら半導体装置１０と半導体装置２０とは、ハンダボールＨ，Ｈ…を挟んで電気的に接続されている。
【００３２】
図１および図２に示す如く、上記下層側の半導体装置１０は、リードフレームを用いて製造された半導体装置であり、パッド１４に搭載したＬＳＩチップ１１と内側端子１５、１５…とを、ボンディングワイヤ１２、１２…を介して互いに接続するとともに、これらＬＳＩチップ１１とボンディングワイヤ１２、１２…とを、樹脂モールド(パッケージ)１３によって樹脂封止することで構成されている。
【００３３】
また、半導体装置１０の樹脂モールド(パッケージ)１３は、その平面形が矩形状を呈しており、下面の中央にはパッド１４が露呈しているとともに、該パッド１４の周囲にはエリアアレイ状に配置された内側端子１５、１５…が露呈し、これら内側端子１５、１５…の外周にはエリアアレイ状に配置された外側端子１６、１６…が露呈しており、これら外側端子１６、１６…と電気的に接続されて直上に位置する上面端子１７、１７…は、後述する接続端子部１３ｔの上面に露呈している。
【００３４】
なお、上記半導体装置１０は、異なる形状のリードフレームＬＦａ、ＬＦｂ重ねて接合するとともに、樹脂モールド(パッケージ)１３の下面に、パッド１４、内側端子１５および外側端子１６を設置するとともに、樹脂モールド(パッケージ)１３の上面に上面端子１７を設置して成る、いわゆる「積層リードフレーム」方式によって構築されている。
【００３５】
また、上記パッド１４、内側端子１５および外側端子１６の表面および裏面には、それぞれ銀(Ag)、金(Au)、錫(Sn)から選択された、少なくとも一種類の金属メッキ層が下地メッキ層を介して形成されており、実施の形態においては、例えばニッケル(Ni)の下地メッキ層を介して前記貴金属メッキを形成しているが、銀メッキ、金メッキ、錫メッキ、またはパラジウム(Pd)メッキの何れか１つを選択して、各端子に下地メッキ層を形成することなく、直接に前記貴金属メッキを形成することも可能である。
【００３６】
図１および図２に示す如く、上述した下層側の半導体装置１０において、ＬＳＩチップ１１およびボンディングワイヤ１２、１２…を封止した樹脂モールド(パッケージ)１３の上部中央域には、該樹脂モールド(パッケージ)１３における下面からの厚さ寸法を、ボンディングワイヤ１２、１２…のループ高さより大きく設定したワイヤー部１３ｓが形成されている。
【００３７】
上記ワイヤー部１３ｓの側面断面形状は、上方に向かって漸減する台形を呈しているとともに、平面形状は樹脂モールド(パッケージ)１３よりも一回り小さい矩形状を呈している。
【００３８】
また、半導体装置１０の樹脂モールド(パッケージ)１３における、上記ワイヤー部１３ｓの周囲には、該樹脂モールド(パッケージ)１３における下面からの厚さ寸法を、上記ワイヤー部１３ｓの厚さ寸法よりも小さく設定した接続端子部１３ｔが形成されている。
【００３９】
上記接続端子部１３ｔは、矩形状を呈するワイヤー部１３ｓの４辺を囲う態様で形成されており、その下面には外側端子１６、１６…が配設されている一方、その上面には、それぞれ外側端子１６、１６…と接続された上面端子１７、１７…が配設されている。
【００４０】
さらに、半導体装置１０の樹脂モールド(パッケージ)１３における、上記接続端子部１３ｔの周縁には、樹脂モールド(パッケージ)１３における下面からの厚さ寸法を、上記ワイヤー部１３ｓの厚さ寸法と同一に設定した補強周壁部１３ｗが形成されている。
【００４１】
上記補強周壁部１３ｗは、矩形状を呈する接続端子部１３ｔの４辺を巡って形成され、四角い筒状を呈することにより、ワイヤー部１３ｓおよび接続端子部１３ｔを囲う態様で立設されている。
【００４２】
上記構成によれば、下層側の半導体装置１０と上層側の半導体装置２０とを、ハンダボールＨ，Ｈ…を挟んで接続した状態では、半導体装置１０におけるワイヤー部１３ｓと接続端子部１３ｔとの段部にハンダボールＨ，Ｈ…が設置されるため、上記半導体装置１０と半導体装置２０とを可及的に近接させて接続することができ、もって半導体装置１０の下面から半導体装置２０の上面までの、積層型半導体パッケージ１のトータル高さを可及的に低く抑えることができる。
【００４３】
また、上述した構成の半導体装置１０によれば、樹脂モールド１３における接続端子部１３ｔの周縁に、上記樹脂モールド１３の底面からの厚さ寸法を、ワイヤー部１３ｓの厚さ寸法と同一とした補強周壁部１３ｗを形成したことで、樹脂モールド１３における全体の剛性が大幅に向上することとなる。
【００４４】
これにより、半導体装置１０における機械的強度が格段に増大するとともに、樹脂モールド１３とリードフレームＬＦａ、ＬＦｂとの膨張率の相違に基づく、温度変化に伴う樹脂モールド(パッケージ)１３の反り変形等を可及的に抑えることができ、もって回路基板(図示せず)に対する実装性の低下等を未然に防止することが可能となる。
【００４５】
さらに、樹脂モールド１３における接続端子部１３ｔの周縁に、樹脂モールド１３の底面からの厚さ寸法を、ワイヤー部１３ｓの厚さ寸法と同一とした補強周壁部１３ｗを形成したことで、下層側の半導体装置１０と上層側の半導体装置２０とを接続した状態において、上下の半導体装置１０、２０を接続するハンダボールＨ、Ｈ…の側方は、下層側の半導体装置１０における補強周壁部１３ｗで覆われるため、端子１７の周辺に外部からゴミが侵入することを抑えられ、もってゴミの付着等に起因するショート等を未然に防止することが可能となる。
【００４６】
なお、上述した「半導体装置」に関わる実施例では、半導体装置１０を「積層リードフレーム方式」により構築しているが、本発明に関わる半導体装置を具現化する製造方式は、上記実施例に限定されるものではなく、既存の様々な製造方式を用いても十分に構築し得ることは言うまでもなく、その場合にも前記実施例と同様の効果が奏される。
【００４７】
以下では、上述した半導体装置１０を製造する方法を、図３〜図６を参照しつつ詳細に説明する。  
先ず、図３に示す如く、所期の構造を備えた複数個の半導体装置１０、１０…を含むパッケージバルク１００、言い換えれば、複数の前記半導体装置１０、１０…を平面上に配置し、互いに一体形成して成るパッケージバルク１００を用意する。
【００４８】
実施例におけるパッケージバルク１００は、所期の構造を備えた４個の半導体装置１０、１０…を、田の字状に配置して一体形成したものであり、個々の半導体装置１０、１０…の周囲、かつ隣合う半導体装置１０、１０の境界部には、それぞれリブ１０１、１０１…が形成されている。なお、パッケージバルク１００の外周部には、リードフレーム(サイドレール)ＬＦが露呈している。
【００４９】
ここで、上記パッケージバルク１００のリブ１０１、１０１…は、各半導体装置１０の樹脂モールド(パッケージ)１３における補強周壁部１３ｗを内包するもので、上記樹脂モールド(パッケージ)１３のワイヤー部１３ｓと同一の厚さ寸法に形成されている。
【００５０】
従って、図４に示す如く、リブ１０１、１０１…上に延びるカットラインｃｌ、ｃｌ…に沿って、上記パッケージバルク１００を切断することによって、樹脂モールド(パッケージ)１３の周囲に補強周壁部１３ｗを備えて成る半導体装置１０、１０…が個片化されることとなる。
【００５１】
上述した如き構成のパッケージバルク１００を用意した後、図５に示す如く、上記パッケージバルク１００の上面を下に向け、個々の半導体装置１０、１０…におけるワイヤー部１３ｓ、１３ｓ…の上面と、上記リブ１０１、１０１…の上面とを、固定部材、例えばバキュームベースＤに固定テープ(紫外線硬化型テープ)Ｔを介して貼着するとともに、バキュームベースＤの吸引力によってパッケージバルク１００を固定保持する。
【００５２】
上述の如く、パッケージバルク１００をバキュームベースＤに固定保持したのち、図５および図６に示す如くブレードカッタＣ、Ｃ…を用いて、上記パッケージバルク１００の下面側から、所定のカットラインｃｌ、ｃｌ…に沿って切断することで、パッケージバルク１００から個々の半導体装置１０、１０…が個片化され、バキュームベースＤから取り外すことで半導体装置１の完成となる。
【００５３】
上述した如き半導体装置の製造方法によれば、パッケージバルク１００における各々の半導体装置１０、１０…の周囲、かつ隣合う半導体装置１０、１０の会合部に、補強周壁部１３ｗを含むとともにワイヤー部１３ｓと同一の厚さ寸法のリブ１０１、１０１…を形成したことで、上記パッケージバルク１００の上面を下に向け、固定テープＴを介してバキュームベースＤに固定保持させる際、個々の半導体装置１０、１０…におけるワイヤー部１３ｓの上面とリブ１０１の上面とが、共に固定テープＴに貼着されるために、貼着面積の増加によってパッケージバルク１００が強固に固定保持されることとなる。
【００５４】
この結果、パッケージバルク１００を切断して半導体装置１０、１０…を個片化する際、ブレードカッタの振動によってパッケージバルク１００が変形したり、セット位置からズレたりすることが防止され、もって半導体装置１０のカットラインが凹凸状となる不都合や、切断の最終段階において樹脂モールド(パッケージ)１３の一部を欠損したり、半導体装置自体１０が弾き飛ばされる等の不都合を未然に防止することができる。
【００５５】
また、本発明に関わる半導体装置の製造方法によれば、下面側からカットラインｃｌに沿って切断されるパッケージバルク１００のリブ１０１は、上述した如く固定テープＴに隙間なく貼着されているため、ブレードカッタによってリブ１０１を切断する際、上記固定テープに破れを生じることなくスムーズな切断ができ、カットラインｃｌに対する位置精度が安定かつ向上したものとなり、もって寸法精度の極めて良好な半導体装置１０を製造することが可能となる。
【００５６】
さらに、本発明に関わる半導体装置の製造方法によれば、パッケージバルク１００の下面側から、補強周壁部１３ｗを含んだリブ１０１をカットラインｃｌにおいて切断することで、それぞれに補強周壁部１３ｗを備えた半導体装置１０を個片化しているため、ブレードカッタによってパッケージバルク１００を切断している際、上記リブ１０１(補強周壁部１３ｗ)が隔壁の役目を果たすことによって、切粉が各半導体装置１０における端子１７の周囲に侵入することがなく、もって金属成分を含む切粉の付着によるショート等の不具合を未然に防止でき、信頼性の高い半導体装置１０を製造し得るとともに、付着した切粉を除去するための洗浄工程も必要としないため、生産性の向上をも達成することが可能となる。
【００５７】
なお、上述した「半導体装置の製造方法」に関わる実施例では、４個の半導体装置１０、１０…を田の字状にレイアウトしたパッケージバルク１００を例示したが、パッケージバルクの形態は上記実施例に限定されるものではなく、所望する半導体装置の製造個数に合わせて適宜にレイアウトし得ることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に関わる半導体装置を下層パッケージとする積層半導体モジュールを示す側面断面図。
【図２】(ａ)および(ｂ)は、本発明に関わる半導体装置を示す平面図および側面断面図。
【図３】図２に示した半導体装置の製造途中におけるパッケージバルクの平面図。
【図４】図２に示した半導体装置の製造途中におけるパッケージバルクの平面図。
【図５】図４のパッケージバルクを個片化する工程を示す概念的な側面断面図。
【図６】図５の要部を拡大して示す詳細な断面図。
【図７】従来の積層半導体モジュールを示す側面断面図。
【図８】従来の他の積層半導体モジュールを示す側面断面図。
【図９】(ａ)および(ｂ)は、図８に示した積層半導体モジュールを構成する半導体装置を示す平面図および側面断面図。
【図１０】図９に示した半導体装置の製造途中におけるパッケージバルクの平面図。
【図１１】図１０のパッケージバルクを個片化する工程を示す概念的な側面断面図。
【符号の説明】
【００５９】
１…積層半導体パッケージ。
１０…下層側の半導体装置、
１１…ＬＳＩチップ、
１２…ボンディングワイヤ、
１３…樹脂モールド、
１３ｓ…ワイヤー部、
１３ｔ…接続端子部、
１３ｗ…補強周壁部、
１４…パッド、
１５…内側端子、
１６…外側端子、
１７…上面端子、
ＬＦａ、ＬＦｂ…リードフレーム、
１００…パッケージバルク、
１０１…リブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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