(57)【要約】【課題】高強度、高寸法精度で、かつ、ヒートサイクルにより基板割れ等が発生することがない電子部品検査治具用多層セラミック基板を得る。【解決手段】第１の焼成済み基板１１と、この第１の焼成済み基板１１の一主面に一体に積層された、第１の焼成済み基板１１より焼成温度の低い材料からなる第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄとを備え、第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄの破壊靭性Ｋ１Ｃが、２．３ＭＰａ・ｍ１／２以上である電子部品検査治具用多層セラミック基板である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の焼成済み基板と、この第１の焼成済み基板の一主面に一体に積層された、前記第１の焼成済み基板より焼成温度の低い材料からなる第２の焼成済み基板とを備えた多層セラミック基板であって、
前記第２の焼成済み基板の破壊靭性Ｋ１Ｃが、２．３ＭＰａ・ｍ１／２以上であることを特徴とする電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項２】
前記第２の焼成済み基板は、該第２の焼成済み基板を形成するグリーンシートを前記第１の焼成済み基板に積層後、焼成したものであることを特徴とする請求項１記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項３】
前記第１の焼成済み基板の平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）をα１（℃−１）、前記第２の焼成済み基板の平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）をα２（℃−１）としたとき、｜α１−α２｜≦０．２×１０−６（℃−１）であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項４】
前記第２の焼成済み基板のヤング率が、１５０ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項５】
前記第１の焼成済み基板の焼成温度が１３５０℃以上であり、前記第２の焼成済み基板の焼成温度が８００〜１０００℃であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項６】
前記第１の焼成済み基板は、アルミナおよび／またはムライトを７０体積％以上含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項７】
前記第１の焼成済み基板は、体積抵抗率が２〜１０μΩ・ｃｍの導体からなるビアを備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項８】
前記ビアは、前記第１の焼成済み基板にビアホールを形成し、このビアホールに導電ペーストを充填した後、焼成することにより形成されたものであることを特徴とする請求項７記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項９】
前記第２の焼成済み基板は、体積抵抗率が２〜１０μΩ・ｃｍの導体からなる配線を備えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【請求項１０】
前記第２の焼成済み基板の前記第１の焼成済み基板積層面の他側の面に、前記第１の焼成済み基板とほぼ同じ物性を有する第３の焼成済み基板が一体に積層されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の電子部品検査治具用多層セラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ等の電子部品を検査する治具に用いられる多層セラミック基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣ（Integrated Circuit）の導通や機能等を検査するために、ＩＣの各端子にプローブを接触させて検査を行うＩＣ検査用治具が用いられている。この種のＩＣ検査用治具としては、多層セラミック基板の一方の面にプローブ用電極を設け、他方の面にビアを介してプローブ用電極に電気的に接続される電極を設けたものが知られている。前記多層セラミック基板においては、ＩＣ端子の繰り返し接触に耐え得る高い強度とＩＣ端子とブローブとを確実に接触させ得る高い寸法精度が要求される。
【０００３】
近時、ＩＣの微細化に伴いＩＣ端子のサイズや間隔が縮小化する傾向がある一方、シリコンウエハの大型化が進み、最近では１２インチ（約３００ｍｍ）サイズのウエハが出現してきている。そして、ＩＣ検査は、このように大型化したシリコンウエハ単位で行う要求が高まっている。さらに、従来、チップ化した後に行われていたＩＣの信頼性試験（ヒートサイクル試験：例えば−６０℃〜１７５℃のヒートサイクルを数百乃至数千サイクル）を、ウエハ段階で行う要求も高まっている。このため、多層セラミック基板に要求される特性はますます厳しくなってきており、ＩＣの微細化およびウエハの大型化に十分対応可能な高い寸法精度と高い強度を有し、かつ、耐ヒートサイクル性に優れる多層セラミック基板が求められてきている。
【０００４】
一方、寸法精度の良い多層セラミック基板を作製する方法として、焼成したセラミック基板に未焼成のセラミックグリーンシートを積層した後、一体に焼成する、いわゆる無収縮焼成技術と称する方法が提案されてきている（例えば、特許文献１参照。）。焼成したセラミック基板でセラミックグリーンシートのＸＹ方向（平面方向）への収縮を抑制することにより、基板全体の寸法精度を高めようとするものである。
【０００５】
しかしながら、このような方法で製造される多層セラミック基板においては、前述した信頼性試験のような加熱冷却が繰り返されると、予め焼成したセラミック基板と、後に積層され焼成されたセラミック基板（セラミックグリーンシートの焼成層）の接合部分に応力が発生し、その結果、後に焼成されたセラミック基板内部にクラックが入り、基板割れを生ずることがあった。そして、この基板割れは、予め焼成したセラミック基板と、後に焼成されるセラミック基板（セラミックグリーンシートの焼成層）で、熱膨張率などの物性値が相違する場合に、より頻繁に発生する傾向が見られた。
【特許文献１】特開２００５−２８６３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記従来技術の課題に対処してなされたものであり、高強度、高寸法精度で、かつ、ヒートサイクルにより基板割れ等が発生することがない電子部品検査治具用多層セラミック基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）請求項１の発明（電子部品検査治具用多層セラミック基板）は、第１の焼成済み基板と、この第１の焼成済み基板の一主面に一体に積層された、前記第１の焼成済み基板より焼成温度の低い材料からなる第２の焼成済み基板とを備えた多層セラミック基板であって、前記第２の焼成済み基板の破壊靭性Ｋ１Ｃが、２．３ＭＰａ・ｍ１／２以上であることを特徴とする。
【０００８】
本発明では、第２の焼成済み基板の破壊靭性Ｋ１Ｃが、２．３ＭＰａ・ｍ１／２以上であるので、ヒートサイクルにより第２の焼成済み基板内部にクラックが入ることがあっても、その進展が抑えられるため、基板割れの発生を防止することができる。
【０００９】
（２）請求項２の発明は、前記第２の焼成済み基板は、該第２の焼成済み基板を形成するグリーンシートを前記第１の焼成済み基板に積層後、焼成したものであることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、第２の焼成済み基板が、これを形成するグリーンシートを第１の焼成済み基板に積層後、焼成したものであるので、ヒートサイクルによる基板割れをより効果的に防止することができる。すなわち、第２の焼成済み基板が、これを形成するグリーンシートを第１の焼成済み基板に積層後、焼成したものであると、第２の焼成済み基板の平面方向の収縮が抑制されて第１の焼成済み基板と接合されるため、基板全体として高い寸法精度が得られる反面、ヒートサイクルを受けた際に第２の焼成済み基板内部にクラックが入り、基板割れが生じやすくなる。本発明では、このような多層セラミック基板であっても、基板割れを防止することができる。
【００１１】
（３）請求項３の発明は、前記第１の焼成済み基板の平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）をα１（℃−１）、前記第２の焼成済み基板の平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）をα２（℃−１）としたとき、｜α１−α２｜≦０．２×１０−６（℃−１）であることを特徴とする。
【００１２】
本発明では、第１の焼成済み基板と第２の焼成済み基板の平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）の差｜α１−α２｜が０．２×１０−６（℃−１）以下であるので、ヒートサイクルにより第１の焼成済み基板と第２の焼成済み基板の接合部に発生する応力を低減することができる。したがって、ヒートサイクルによる基板割れの発生をより確実に防止することが可能となる。
【００１３】
（４）請求項４の発明は、前記第２の焼成済み基板のヤング率が、１５０ＧＰａ以下であることを特徴とする。
【００１４】
本発明では、第２の焼成済み基板のヤング率が、１５０ＧＰａ以下であるので、ヒートサイクルを受けた場合の第２の焼成済み基板にかかる応力を緩和することができる。したがって、ヒートサイクルによる基板割れの発生をより確実に防止することが可能となる。
【００１５】
（５）請求項５の発明は、前記第１の焼成済み基板の焼成温度が１３５０℃以上であり、前記第２の焼成済み基板の焼成温度が８００〜１０００℃であることを特徴とする
【００１６】
本発明では、第１の焼成済み基板の焼成温度が１３５０℃以上であり、前記第２の焼成済み基板の焼成温度が８００〜１０００℃であるので、高強度、高寸法精度を得ることが容易となる。
【００１７】
（６）請求項６の発明は、前記第１の焼成済み基板は、アルミナおよび／またはムライトを７０体積％以上含有することを特徴とする。
【００１８】
本発明では、第１の焼成済み基板は、アルミナおよび／またはムライトを７０体積％以上含有するので、高強度を得ることが容易となる。
【００１９】
（７）請求項７の発明は、前記第１の焼成済み基板は、体積抵抗率が２〜 １０μΩ・ｃｍの導体からなるビアを備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明では、第１の焼成済み基板は、体積抵抗率が２〜 １０μΩ・ｃｍの導体からなるビアを備えているので、電子部品に対する検査精度の向上、消費電力の低減を図ることができる。
【００２１】
（８）請求項８の発明は、前記ビアは、前記第１の焼成済み基板にビアホールを形成し、このビアホールに導電ペーストを充填した後、焼成することにより形成されたものであることを特徴とする。
【００２２】
本発明では、ビアが、第１の焼成済み基板にビアホールを形成し、このビアホールに導電ペーストを充填した後、焼成することにより形成されているので、位置精度の高いビアを具備することができる。また、低抵抗導体からなるビアを形成することが可能となる。
【００２３】
（９）請求項９の発明は、前記第２の焼成済み基板は、体積抵抗率が２〜１０μΩ・ｃｍの導体からなる配線を備えることを特徴とする。
【００２４】
本発明では、第１の焼成済み基板は、体積抵抗率が２〜 １０μΩ・ｃｍの導体からなる配線を備えているので、電子部品に対する検査精度の向上、消費電力の低減を図ることができる。
【００２５】
（１０）請求項１０の発明は、前記第２の焼成済み基板の前記第１の焼成済み基板積層面の他側の面に、前記第１の焼成済み基板とほぼ同じ物性を有する第３の焼成済み基板が一体に積層されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明では、第２の焼成済み基板の第１の焼成済み基板積層面の他側の面に、前記第１の焼成済み基板とほぼ同じ物性を有する第３の焼成済み基板が一体に積層されているので、ヒートサイクルによる基板割れをより効果的に防止することができる。すなわち、第２の焼成済み基板の第１の焼成済み基板積層面の他側の面に、第１の焼成済み基板とほぼ同じ物性を有する第３の焼成済み基板が一体に積層されていると、ヒートサイクルの際に第２の焼成済み基板にかかる応力がより大きくなって、基板割れがより生じやすくなるおそれがある。本発明では、このような多層セラミック基板であっても、基板割れを防止することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、高強度、高寸法精度で、かつ、ヒートサイクルにより基板割れ等が発生することがない電子部品検査治具用多層セラミック基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、説明は図面に基づいて行うが、それらの図面は単に図解のために提供されるものであって、本発明はそれらの図面により何ら限定されるものではない。
【００２９】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係るＩＣ検査治具用多層セラミック基板を概略的に示す断面図である。なお、本実施形態および以下に示す実施形態においては、本発明をＩＣ検査治具用多層セラミック基板に適用した場合を例に説明するが、ＩＣ以外の電子部品あるいはその集合体の検査用治具に用いる多層セラミック基板にも広く適用できることはいうまでもない。ＩＣ以外の電子部品としては、コンデンサ、インダクタ等のチップ型の電子部品等が挙げられる。
【００３０】
図１に示すように、本実施形態のＩＣ検査治具用多層セラミック基板１０は、第１の焼成済み基板１１の一方の主面に、１枚乃至複数枚（図面の例では４枚）の第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄと、第３の焼成済み基板１３とを順に積層した構造を有する。これらの各焼成済み基板１１，１２Ａ〜１２Ｄ，１３間と、第１および第３の焼成済み基板１１，１３の各外側主面（非積層面）には、それぞれ配線層１４および電極１５が設けられており、また、各焼成済み基板１１，１２Ａ〜１２Ｄ，１３内部には、異なる層に形成された配線層１４および電極１５同士を接続するビア１６が形成されている。
【００３１】
第１の焼成済み基板１１および第３の焼成済み基板１３としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４等からなるセラミックグリーンシートを、１３５０℃以上、好ましくは１３５０〜１６００℃の温度で焼成したものが使用される。特に、高強度を得る観点からは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）およびムライト（Ａｌ６Ｏ１３Ｓｉ２）の少なくとも１種を７０重量％以上含むものが好ましく、９５重量％以上含むものがより好ましい。
【００３２】
なお、第１の焼成済み基板１１および第３の焼成済み基板１３は、同じ材料、同じ方法で焼成されたものであることが好ましい。また、第１および第３の焼成済み基板１１、１３の厚みは、０．１〜０．５ｍｍであることが好ましく、０.１５〜０.３ｍｍであることがより好ましい。厚みが、０．１ｍｍ未満では、強度が不十分となるおそれがあり、また、厚みが０．５ｍｍを超えると、ビアホールの形成が困難になる場合が生じる。
【００３３】
第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄは、第１および第３の焼成済み基板１１，１３より焼成温度の低い材料からなり、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ガラス等からなるセラミックグリーンシートを、８００〜１０００℃の温度で焼成したものが使用される。
【００３４】
本発明において、この第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄは、その破壊靭性Ｋ１Ｃが、２．３ＭＰａ・ｍ１／２以上であり、好ましくは２.５ＭＰａ・ｍ１／２以上である。第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄの破壊靭性Ｋ１Ｃが、２．３ＭＰａ・ｍ１／２に満たないと、ヒートサイクル試験を行った際に基板割れが発生するようになる。
【００３５】
第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄにおける破壊靭性Ｋ１Ｃは、例えば、基板内にアノーサイト（ＣａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８）の結晶を析出させるか、または含有させることにより調整することができる。アノーサイト結晶を析出させる場合、その析出量は基板の焼成条件を変えることで調節することができる。ここで、アノーサイト結晶の析出量は、焼成体をＸ線回折法に解析した際の、コランダム／アルミナ（１，０，４）面からの回折ピーク強度を１００としたときの、アノーサイト（０，０，４）面からの回折ピークの相対強度から評価したものである。なお、アノーサイト結晶以外にも、例えばムライトや窒化珪素等の柱状結晶を析出乃至含有させることによっても、破壊靭性Ｋ１Ｃを調整することができる。
【００３６】
ヒートサイクル試験を行った際の多層セラミック基板１０の基板割れの発生を防止するためには、第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄが、上記の（ａ）破壊靭性Ｋ１Ｃが、２．３ＭＰａ・ｍ１／２以上であることに加え、さらに、次の（ｂ）および（ｃ）のいずれかの条件を満たしていることが好ましく、（ａ）〜(ｃ）のすべての条件を満たしていることがより好ましい。
【００３７】
（ｂ）第１の焼成済み基板の平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）をα１（℃−１）、第２の焼成済み基板の平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）をα２（℃−１）、第３の焼成済み基板の平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）をα３（℃−１）としたとき、｜α１−α２｜≦０．２×１０−６（℃−１）であり、かつ、｜α３−α２｜≦０．２×１０−６（℃−１）である。好ましくは、｜α１−α２｜≦０.１×１０−６（℃−１）であり、かつ、｜α３−α２｜≦０.１×１０−６（℃−１）である。
（ｃ）第２の焼成済み基板のヤング率が、１５０ＧＰａ以下である。好ましくは９０〜１２０ＧＰａである。
【００３８】
なお、上記破壊靭性Ｋ１Ｃ、平均熱膨張係数およびヤング率は、例えば下記に示す方法で測定することができる。
【００３９】
すなわち、破壊靭性Ｋ１Ｃは、ＪＩＳ  Ｒ  １６０７に準拠して測定される。また、平均熱膨張係数は、ＪＩＳ  Ｒ  １６１８に準拠して測定される。さらに、ヤング率は、超音波法により常温にて測定される。
【００４０】
配線層１４およびビア１６は、例えばＡｇ系、Ａｇ／Ｐｄ系、Ａｇ／Ｐｔ系，Ｃｕ系、Ｃｕ／Ｗ系等の導電ペーストを焼成した導体から形成され、また、電極１６は、スパッタリング、真空蒸着、電解メッキ、無電解メッキ等によって形成された、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等の金属の薄膜により構成される。検査精度の向上、消費電力の低減等を図る観点からは、配線層１４およびビア１６を形成する導体は、体積抵抗率が２〜１０μΩ・ｃｍであることが好ましく、２〜５μΩ・ｃｍであることがより好ましい。
【００４１】
次に、本実施形態のＩＣ検査治具用多層セラミック基板１０の製造方法を、図２を用いて説明する。
【００４２】
まず、図２（ａ）に示すように、第１および第３の焼成済み基板１１，１３を製造するため、第１および第３のセラミックグリーンシート２１、２３を作製する。具体的には、例えばアルミナ粉末に、アクリル樹脂（バインダ）、トルエン等の溶剤、およびＤＯＰ（ジオクチルフタレート）等の可塑剤を加え、十分に混合してセラミックスラリーとした後、このスラリーにドクターブレード法を適用して２枚のセラミックグリーンシートを得、第１および第３のセラミックグリーンシート２１，２３とする。
【００４３】
次に、図２（ｂ）に示すように、これらの第１および第３のセラミックグリーンシート２１，２３を、例えば１４００℃で焼成して第１および第３の焼成済み基板１１、１３を得る。
【００４４】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１および第３の第１の焼成済み基板１１，１３に、レーザを照射して貫通孔であるビアホール２４を形成する。レーザによるビアホール２４の形成には、ＣＯ２レーザやエキシマレーザ等の気体レーザ、ＹＡＧレーザやＹＶＯ４レーザ等の固体レーザを用いることができるが、特にこれらに限定されるものではない。また、レーザ加工によらず、ブラスト加工やドリル加工等も適用可能である。しかしながら、ブラスト加工では、微細なビアホール２４の形成が困難であり、一方、ドリル加工では多額の加工費用がかかり非経済的である。このような観点からレーザ加工が好ましい。
【００４５】
次に、図２（ｄ）に示すように、ビアホール２４に、例えばＡｇ系導電ペースト等の導電ペースト２５を充填した後、図２（ｅ）に示すように、この導電ペースト２５を充填した第１および第３の焼成済み基板１１，１３を、例えば８００〜９００℃に加熱し、導電ペースト２５を焼成してビア１６を形成する。
【００４６】
次に、図２（ｆ）に示すように、第１および第３の焼成済み基板１１、１３の間に、焼成により第２の焼成済み基板となる第２のセラミックグリーンシート２２Ａ〜２２Ｄを積層する。
【００４７】
具体的には、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末（両成分の重量比１：１）に、アクリル樹脂（バインダ）、トルエン等の溶剤、およびＤＯＰ（ジオクチルフタレート）等の可塑剤を加え、十分に混合してセラミックスラリーとした後、このスラリーにドクターブレード法を適用して第２のセラミックグリーンシート２２Ａ〜２２Ｄを得る。そして、これらの第２のセラミックグリーンシート２２Ａ〜２２Ｄに、パンチングによりビアホール２４を形成し、このビアホール２４に導電ペースト２５を充填する。また、各第２のセラミックグリーンシート２２Ａ〜２２Ｄの表面に、導電ペースト２５と同様な導電ペーストを用いて、焼成により配線層１４となる配線パターン２６を印刷する。その後、各第２のセラミックグリーンシート２２Ａ〜２２Ｄを、第１の焼成済み基板１１（または第３の焼成済み基板１３）の一方の主面に順次積層し、さらに、その上に第３の焼成済み基板１３（または第１の焼成済み基板１１）を積層し、複合積層体を得る。第２のセラミックグリーンシート２２Ａ〜２２Ｄを予め積層して積層体とし、これを第１の焼成済み基板１１（または第３の焼成済み基板１３）の一方の面に積層するようにしてもよい。
【００４８】
次に、図２（ｇ）に示すように、上記複合積層体を，例えば８６０℃で０．５時間焼成する。この際、加圧しながら焼成してもよい。この焼成により第２のセラミックグリーンシート２２Ａ〜２２Ｄは、内部にビア１６が形成され、かつ、表面に配線層１４が形成された第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄとなる。なお、第１の焼成済み基板１２に充填した導電ペースト２５は、予め焼成せず、この工程で焼成するようにしてもよい。
【００４９】
次に、図２（ｈ）に示すように、焼成した複合積層体の両面または第１の焼成済み基板１１の外側主面、つまり非積層面に、電極１５を形成する。具体的には、例えばスパッタリングにより、Ｔｉ層およびＣｕ層を形成し、次いで、電解メッキによりＣｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層を形成する。これにより、図１に示すＩＣ検査治具用多層セラミック基板１０が完成する。
【００５０】
次に、本実施形態により得られたＩＣ検査治具用多層セラミック基板１０の使用方法を図３を用いて説明する。
【００５１】
図３に模式的に示すように、上記多層セラミック基板１０は、ＩＣ３１の検査に用いられるＩＣ検査用治具３２の基板として用いられ、その一方の表面に形成された電極１５に検査用端子（プローブ）３３が設けられる。
【００５２】
ＩＣ３１の検査を行う場合、それらの端子３３をＩＣ３１の端子３４に接触させ、多層セラミック基板１０の他方の表面の電極１５に、ＩＣ電気特性検査装置３５を接続し、ＩＣ３１の検査を行う。
【００５３】
本実施形態のＩＣ検査治具用多層セラミック基板１０においては、第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄの破壊靭性Ｋ１Ｃが、２．３ＭＰａ・ｍ１／２以上であるので、ＩＣのヒートサイクル試験を行っても基板割れ等が生ずることがなく、信頼性の高いＩＣ検査を行うことができる。
【００５４】
また、ＩＣの検査用端子が設けられる第１の焼成済み基板１１（または第３の焼成済み基板１３）の形成に、強度の高い材料を用いることができるため、基板全体として高い強度を備えることができる。
【００５５】
さらに、第１および第３の焼成済み基板１１，１３にビアホール２４を形成するため、これらの第１および第３の焼成済み基板１１，１３自体（特に、ビア１６の位置や形状）が高寸法精度となる。さらに、この高寸法精度の第１および第３の焼成済み基板１１，１３に、第２の焼成済み基板１２用の第２のセラミックグリーンシート２２Ａ〜２２Ｄを積層して焼成するため、得られる多層セラミック基板１０は寸法精度の非常に高いものとなる。この結果、第１の焼成済み基板１１または第３の焼成済み基板１３の一方の表面に形成された電極１５に、図３に示すように検査用端子３３を介してＩＣ３１の端子３４を接触させて検査する場合に、電極１５とＩＣ３１の端子３４と確実に電気的に接続させることができる。
【００５６】
（その他の実施形態）
上記第１の実施形態では、第２の焼成済み基板１２Ａ〜１２Ｄの両側に、これより焼成温度の高い材料からなる２枚の焼成済み基板、すなわち、第１の焼成済み基板１１および第３の焼成済み基板１３をそれぞれ配置しているが、例えば図４の断面図に示すＩＣ検査治具用多層セラミック基板２０のように、一方の側にのみ配置する構成であってもよい。第１の実施形態の場合と同様、ヒートサイクルによる基板割れの発生を防止することができるとともに、高強度、高寸法精度のＩＣ検査治具用多層セラミック基板が得られる。
【００５７】
なお、本発明は以上説明した実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【実施例】
【００５８】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００５９】
実施例１
アルミナ粉末（平均粒径３μｍ、比表面積１．０ｍ２／ｇ）１ｋｇおよびアクリル樹脂（バインダ）１２０ｇをアルミナ製ポットに入れ、さらに適当量のＭＥＫ（メチルエチルケトン）およびＤＯＰ（可塑剤）を加え、５時間混合してセラミックスラリーを得た。得られたセラミックスラリーを用いてドクターブレード法により厚み０．３０ｍｍのセラミックグリーンシート（第１／第３のセラミックグリーンシート）を得た。
【００６０】
次いで、上記第１／第３のセラミックグリーンシート２枚を１４００℃で１０時間加熱し焼成して、平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）α１／３が８．５×１０−６℃−１の第１／第３の焼成済み基板を得た。これらの第１／第３の焼成済み基板に対し、ＣＯ２レーザを用いて８５μｍ径のビアホールを所要数形成した後、それらのビアホールにＡｇ系導電ペーストを充填し、９００℃で１時間加熱して導電ペーストを焼成した。
【００６１】
また、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末（平均粒径３μｍ、比表面積１．０ｍ２／ｇ）と、アルミナ粉末（平均粒径３μｍ、比表面積１．０ｍ２／ｇ）とを、重量比で１：１、総量で１ｋｇとなるように秤量してアルミナ製ポットに入れ、さらに適当量のＭＥＫ（メチルエチルケトン）およびＤＯＰ（可塑剤）を加え、５時間混合してセラミックスラリーを得た。得られたセラミックスラリーを用いてドクターブレード法により厚み０．１５ｍｍのセラミックグリーンシート（第２のセラミックグリーンシート）を得た。
【００６２】
上記第２のセラミックグリーンシート２０枚にそれぞれパンチングにより所要数のビアホールを形成し、このビアホールにＡｇ系導電ペーストを充填するとともに、同種の導電ペーストを用いて常法により配線パターンを形成した。
【００６３】
これらの２０枚の第２のセラミックグリーンシートを積層し、さらにその両面にそれぞれ、導電ペーストを充填し焼成した第１および第３の焼成済み基板を積層して複合積層体とした後、８６０℃で０.５時間加熱焼成した。
【００６４】
焼成後の複合積層体の両面を研磨した後、スパッタリングと電解メッキにより電極（縦２ｍｍ×横２ｍｍ×厚み０.０１ｍｍ）を形成し、ＩＣ検査治具用多層セラミック基板を製造した。
【００６５】
得られたＩＣ検査治具用多層セラミック基板について、−４０℃の液槽に５分間浸漬した後に１５０℃の液槽に５分間浸漬する工程（−４０℃の液槽から１５０℃の液槽へ移動させる時間、１５０℃の液槽から−４０℃の液槽に再び移動させる時間は、いずれも約１分間）を１００回繰り返すヒートサイクル試験を行い、基板割れの発生の有無を調べた。結果を、第１／第３の焼成済み基板および第２の焼成済み基板について測定した物性とともに表１に示す。
【００６６】
なお、各基板の物性は、上記ＩＣ検査治具用多層セラミック基板の製造とは別に同様の材料、条件で作製した基板について、下記に示す方法で測定したものである。
［平均熱膨張係数（２５℃〜４００℃）］
ＪＩＳ  Ｒ  １６１８に基づき、０℃〜５００℃の範囲で熱機械分析により２ｍｍ×２ｍｍ×２０ｍｍのサンプルの変位を測定した。
［破壊靱性］
ＪＩＳ  Ｒ  １６０７に基づき、２５℃において、基板上にビッカーズ硬度計を荷重９８０Ｎで１５秒間保持して発生させた圧痕およびクラックのサイズ、長さから算出した。
［ヤング率］
超音波法により、直径１６ｍｍ×厚み１０ｍｍのサンプルについて、２５℃において測定した。
【００６７】
実施例２〜６、比較例１〜３
第１／第３の焼成済み基板の製造に用いる原料粉末の種類、第２の焼成済み基板の製造に用いる原料粉末の種類および焼成条件を適宜変更して、表１に示すような物性が得られるようにした以外は、実施例１の場合と同様にしてＩＣ検査治具用多層セラミック基板を製造し、さらに、得られたＩＣ検査治具用多層セラミック基板について、実施例と同様のヒートサイクル試験を行い、基板割れの発生状況を調べた。これら結果を、結果を表１に併せ示す。
【００６８】
なお、各実施例および各比較例において、各基板の形成に用いた原料粉末の組成および焼成条件は表２に示した通りである。
【００６９】
【表１】
2009158576.tif 000003
【００７０】
【表２】
2009158576.tif 000004
【００７１】
表１から明らかなように、本発明に係る実施例のなかでも、第２の焼成済み基板の破壊靱性が２．３ＭＰａ・ｍ１／２以上、ヤング率が１５０ＧＰａ以下で、第１／第３の焼成済み基板と第２の焼成済み基板の平均熱膨張係数差が０．２×１０−６（℃−１）以下である実施例では、基板割れが全く発生しておらず、特に良好な耐ヒートサイクル性を有していた。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＩＣ検査治具用多層セラミック基板の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】第１の実施形態のＩＣ検査治具用多層セラミック基板の製造方法の工程を示す断面図である。
【図３】多層セラミック基板を用いたＩＣ検査用治具の使用方法を模式的に示す図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係るＩＣ検査治具用多層セラミック基板の構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０，２０…ＩＣ検査治具用多層セラミック基板、１１…第１の焼成済み基板、１２Ａ〜１２Ｄ…第２の焼成済み基板、１３…第３の焼成済み基板、１４…配線層、１５…電極、１６…ビア、２１…第１のセラミックグリーンシート、２２Ａ〜２２Ｄ…第２のセラミックグリーンシート、２３…第３のセラミックグリーンシート。
【図１】
2009158576.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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