(57)【要約】【課題】パルス電流による選別段階で半導体レーザの良否を効率よく判定して歩留まりの向上を図る。【解決手段】単一横モードのレーザ光を発振する半導体レーザに熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流を複数順次注入するパルス電流注入工程（Ｓ２、Ｓ３、Ｓ５）と、前記パルス電流注入工程で注入したパルス電流により前記半導体レーザが出力する光出力を前記複数のパルス電流ごとに測定する測定工程（Ｓ４）と、前記パルス電流注入工程で注入したパルス電流の電流値と前記測定工程で測定された光出力との関係に基づいて前記半導体レーザの良否を判定する判定工程（Ｓ６、Ｓ１０、Ｓ１１）と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一横モードのレーザ光を発振する半導体レーザに熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流を複数順次注入するパルス電流注入工程と、
前記パルス電流注入工程で注入したパルス電流により前記半導体レーザが出力する光出力を前記複数のパルス電流ごとに測定する測定工程と、
前記パルス電流注入工程で注入したパルス電流の電流値と前記測定工程で測定された光出力との関係に基づいて前記半導体レーザの良否を判定する判定工程と、を備えたことを特徴とする半導体レーザの良否選別方法。
【請求項２】
前記パルス電流のパルス幅が１０マイクロ秒以上５０マイクロ秒以下である請求項１に記載の半導体レーザの良否選別方法。
【請求項３】
前記判定工程が、前記パルス電流の電流値を独立変数、前記光出力を従属変数とする前記半導体レーザの電流値対光出力の変曲点が存在するときに、前記半導体レーザが不良であると判定する請求項１または２に記載の半導体レーザの良否選別方法。
【請求項４】
被検査対象である前記半導体レーザが、ＩｎＰからなる半導体基板の上方に、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層と、活性層と、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層とが形成されてなる半導体レーザであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体レーザの良否選別方法。
【請求項５】
単一横モードのレーザ光を発振する半導体レーザに熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流を複数順次注入するパルス電流注入手段と、
前記パルス電流注入手段で注入したパルス電流により前記半導体レーザが出力する光出力を前記複数のパルス電流ごとに測定する測定手段と、
前記パルス電流注入手段で注入したパルス電流の電流値と前記測定手段で測定された光出力との関係に基づいて前記半導体レーザの良否を判定する判定手段と、を備えたことを特徴とする半導体レーザの良否選別装置。
【請求項６】
前記パルス電流のパルス幅が１０マイクロ秒以上５０マイクロ秒以下である請求項４に記載の半導体レーザの良否選別装置。
【請求項７】
前記判定手段が、前記パルス電流の電流値を独立変数、前記光出力を従属変数とする前記半導体レーザの電流値対光出力の変曲点が存在するときに、前記半導体レーザが不良であると判定する請求項４または５に記載の半導体レーザの良否選別装置。
【請求項８】
被検査対象である前記半導体レーザが、ＩｎＰからなる半導体基板の上方に、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層と、活性層と、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層とが形成されてなる半導体レーザであることを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の半導体レーザの良否選別装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの良否選別方法およびその良否選別装置に関し、特に、連続電流で駆動させ、横基本モードでレーザ発振する半導体レーザの良否選別方法およびその良否選別装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に連続電流（以下、ＣＷ電流と称する）で駆動する半導体レーザは、半導体レーザチップ自体が発する熱を放熱させるため、サブマウントやキャリア等の放熱部材に半田固定されて使用されている。この放熱部材に半田固定した後に半導体レーザの良品または不良品の判定をすると歩留まりに大きく影響するので、半田固定する前（この状態の半導体レーザをベアの半導体レーザと呼ぶ）にあらかじめ不良品の半導体レーザチップを取り除くチップ選別が行われている。
【０００３】
しかし、チップ選別の際に半導体レーザチップにＣＷ電流を流すと、半導体レーザチップ自体の発熱により半導体レーザの特性が劣化したり半導体レーザが破損したりする。このためチップ選別にはパルス電流を用いることが一般的であり、このパルス電流のパルス幅は、従来、発熱の影響を抑えるため数マイクロ秒程度に設定されていた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２９４４４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、高出力の半導体レーザの需要が増加してきたことにより、半導体レーザに大電流を流して高出力を得る必要が生じてきた。加えて、高出力を得るために半導体レーザの活性層の幅を広くして光の量を増す必要も生じてきた。このため、レーザ光の発振が単一横モードから多重の横モードへの変化が生じやすくなり、これに伴うキンクも生じやすくなってきている。
【０００５】
しかしながら、従来のパルス電流による選別方法では、Ｌ−Ｉ（Ｌｉｇｈｔ  ｏｕｔｐｕｔ−Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｃｕｒｒｅｎｔ）特性におけるレーザ発振が生じる閾値やスロープ効率等による良否の判定は可能であったが、Ｌ−Ｉ特性におけるキンクの有無の判定はできず、放熱部材に半導体レーザチップを半田固定した後のＣＷ電流による検査で不良品を発見していたため、歩留まりが低下するといった課題があった。
【０００６】
本発明は、上述のような従来技術の課題に鑑みてなされたもので、パルス電流による選別段階でベアの半導体レーザの良否を効率よく判定して歩留まりの向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、単一横モードのレーザ光を発振する半導体レーザに熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流を複数順次注入するパルス電流注入工程と、前記パルス電流注入工程で注入されたパルス電流により前記半導体レーザが出力する光出力を前記複数のパルス電流ごとに測定する測定工程と、前記パルス電流注入工程で注入したパルス電流の電流値と前記測定工程で測定された光出力との関係に基づいて前記半導体レーザの良否を判定する判定工程と、を備えたことを特徴とする半導体レーザの良否選別方法である。ここで熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流とは、ベアの半導体レーザが発熱するのに十分なパルス幅を有するパルス電流である。
【０００８】
これにより、パルス電流による選別工程でベアの半導体レーザの良否を、半導体レーザ自体の発熱の影響による特性を考慮して判定し、歩留まりの向上を図ることができる。
【０００９】
また本発明は、前記パルス電流のパルス幅が１０マイクロ秒以上５０マイクロ秒以下であるとする半導体レーザの良否選別方法である。
【００１０】
この場合は、熱によるベアの半導体レーザの劣化や破損を防止しながら、上記のベアの半導体レーザの良否の選別ができる。
【００１１】
また本発明は、前記判定工程が、前記パルス電流の電流値を独立変数、前記光出力を従属変数とする前記半導体レーザの電流値対光出力の変曲点が存在するときに、前記半導体レーザが不良であると判定することを特徴とする半導体レーザの良否選別方法である。
【００１２】
この場合は、ベアの半導体レーザに対する熱負荷により発生するキンクをとらえることで、より確実に半導体レーザの良否が判定できる。
【００１３】
また本発明は、被検査対象である前記半導体レーザが、ＩｎＰからなる半導体基板の上方に、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層と、活性層と、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層とが形成されてなる半導体レーザであることを特徴とする半導体レーザの良否選別方法であってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半導体レーザに熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流を複数順次注入し、この注入したパルス電流の電流値と光出力との関係に基づき半導体レーザの良否を判定することにより、パルス電流による選別段階で半導体レーザの良否を効率よく判定して歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る実施の形態について図面に基づいて説明する。
図１は本発明の実施の形態に係る半導体レーザを利用した検査システムを示すブロック図である。
【００１６】
本発明の実施の形態に係る半導体レーザの検査システム１は、単一横モードのレーザ光を発振するベアの半導体レーザである半導体レーザチップを半導体ウエハから取り出すチップ取出装置１０と、取り出された半導体レーザチップに熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流により良否を選別するパルス電流良否選別装置２０と、良品と判定された半導体レーザチップをサブマウント等の放熱部材に半田固定するボンディング装置４０と、放熱部材にボンディングされた半導体レーザチップにＣＷ電流を流して良否を選別する連続電流良否選別装置５０とを備え、ＣＷ電流により単一横モードのレーザ光を発振する半導体レーザの良否選別ができるようになっている。
【００１７】
チップ取出装置１０は、導電性の吸着ノズル（図示せず）を有し、半導体レーザチップの所定の位置に吸着し、パルス電流良否選別装置２０まで搬送するようになっている。
【００１８】
図２に示すように、パルス電流良否選別装置２０は、半導体レーザチップに熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流を複数順次注入するパルス電流注入手段２１と、パルス電流注入手段２１で注入されたパルス電流により半導体レーザチップが出力する光出力を複数のパルス電流ごとに測定する測定手段２２と、前記パルス電流注入手段２１で注入したパルス電流の電流値と前記測定手段で測定された光出力との関係に基づいて半導体レーザチップの良否を判定する判定手段２３とを備えている。
【００１９】
パルス電流注入手段２１は、半導体レーザチップに流すパルス電流を発生させるパルス発生部３１と、チップ取出装置１０により取り出された半導体レーザチップをパルス電流によって検査する検査部３２とを有している。
【００２０】
測定手段２２は、検査部３２に設置された半導体レーザチップが発したレーザの光を受光する受光部３３と、検査部３２でパルス電流値に対応した電圧を測定する部分とを有している。
【００２１】
判定手段２３は、検査部３２および受光部３３を制御する制御部３４と、検査結果等を表示する表示部３５とを有している。
【００２２】
パルス発生部３１は、ＣＷ電流による良否判定に近い擬似的なＣＷ電流動作状態を作り出せるような、かつ半導体レーザチップ自体の発熱による劣化や破損を引き起こしにくいようなパルス幅のパルス電流を発生させる。従来、発熱による影響を抑えるため、パルス幅をできるだけ短くしていたが、本発明では、ベアの半導体レーザチップに熱負荷を与えるエネルギーを有するパルス電流を実現するようになっている。
【００２３】
そしてパルス発生部３１では、一定のパルス幅のもと所定の周期でパルス電流の電流値が徐々に増やされ、パルス電流を複数順次注入するようになっている。なお検査対象である半導体レーザの特性により、パルス幅は異なってくる。
【００２４】
検査部３２は、チップ取出装置１０の吸着ノズルに吸着され搬送されてきた半導体レーザチップにプローブ（図示せず）を接続し、パルス発生部３１からのパルス電流を半導体レーザチップに注入してレーザ光を発生させ、受光部３３に向けて光が発せられるようになっている。
【００２５】
受光部３３は、受光素子としてフォトダイオードを有し、パルス電流が注入された半導体レーザチップから発せられた光を受光して光出力を測定するようになっている。
【００２６】
制御部３４は、コンピュータを有し、パルス発生部３１でのパルス電流のパルス幅、パルス電流値、パルス周期等を制御し、検査部３２での電圧値や受光部３３での光出力をパルス電流ごとに記録して半導体レーザチップのＬ−Ｉ特性やＶ−Ｉ特性を求めるようになっている。すなわちパルス電流の電流値（Ｉ：Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を独立変数、光出力（Ｌ：Ｌｉｇｈｔ  ｏｕｔｐｕｔ）を従属変数とする半導体レーザチップの電流値対光出力であるＬ−Ｉ特性の値として、レーザ発振が生じる閾値やスロープ効率や光出力の飽和特性であるロールオーバーの程度の他に、後述するキンクの有無を判定できるようになっている。
【００２７】
また制御部３４は、チップ取出装置１０における半導体レーザチップの取り出しやパルス電流良否選別装置２０までの搬送を制御するようになっている。
表示部３５は、Ｌ−Ｉ特性やＶ−Ｉ特性等を表示するようになっている。
【００２８】
ここで、検査対象である半導体レーザの一例について説明する。［発明が解決しようとする課題］の項でも述べたように、近年、高出力の半導体レーザの需要が増加してきたことにより、半導体レーザに大電流を流して高出力を得る必要が生じてきた。加えて、高出力を得るために半導体レーザの活性層の幅を広くして光の量を増す必要も生じてきた。このような需要に対し、本出願人は図６に示すような高出力の半導体レーザを製造、販売している。
【００２９】
図６は半導体レーザの全体の構成を示している。ｎ型ＩｎＰからなる半導体基板６１の上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層６２、ＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ層６３、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層６４、ＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ層６５が順番に積層されている。なお、ｎ型クラッド層６２、ＳＣＨ層６３、活性層６４、ＳＣＨ層６５はメサ型に形成されており、このメサ型の両側にｐ型ＩｎＰからなる下部埋込層６６およびｎ型ＩｎＰからなる上部埋込層６７が形成されている。
【００３０】
また、ＳＣＨ層６５の上側および上部埋込層６７の上面には、ｐ型ＩｎＰからなるｐ型クラッド層６８が形成され、このｐ型クラッド層６８の上面には、ｐ型コンタクト層６９が形成され、さらにこのｐ型コンタクト層６９の上面には、ｐ電極７０が設けられている。また、半導体基板６１の下面にはｎ電極７１が設けられている。
【００３１】
活性層６４として、４層の井戸層とこの各井戸層の両側に位置する５層の障壁層とを積層した４層のＭＱＷ（Multi Quantum Well  多重量子井戸）構造が採用されている。この４層のＭＱＷ構造を有した活性層６４の下側に位置するＳＣＨ層６３を複数の層からなる多層構造とし、同様に、活性層６４の上側に位置するＳＣＨ層６５を複数の層からなる多層構造としている。
【００３２】
ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層６２の屈折率ｎaは、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層６８の屈折率ｎbより高いので、図７に示しているように、光の分布が、両クラッド層を同一屈折率にしたときの対称な特性Ａ’に対して、特性Ａのようにｎ型クラッド層６２側に偏って分布する。
【００３３】
このため、活性層６４およびＳＣＨ層６３、６５における光閉じ込め係数を低くしたことによるｐ型クラッド層６８における価電子帯間光吸収による光損失の増加を抑制することができ、高出力なレーザ光を得ることができる。
【００３４】
また、活性層６４とｎ型クラッド層６２との屈折率差が従来のものより小さくなるので、横高次モードを抑圧できる最大の活性層幅も拡大することができ、レーザの高出力化にさらに有利となる。
【００３５】
ここで、上記した図６の構成の半導体レーザの具体的な数値例を述べる。共振器長は１．５〜３．０マイクロメートル、活性層幅は４〜６マイクロメートルで構成している。そして、光出力値は、３００ミリワット〜１２００ミリワットの範囲となっている。
【００３６】
次に、本実施の形態に係る良否選別方法の処理手順を図３に基づいて説明する。
まずステップＳ１で、チップ取出装置１０により半導体ウエハから取り出された半導体レーザチップをパルス電流良否選別装置２０の検査部３２にセットする。すなわちチップ取出装置１０の吸着ノズルに吸着され搬送されてきた半導体レーザチップにプローブを接続する。
【００３７】
次にステップＳ２で、パルス発生部３１で生成されるパルス電流のパルス幅を設定する。例えばパルス幅を１０マイクロ秒以上５０マイクロ秒以下のうち５０マイクロ秒とし、デューティ比を１％に設定する。
【００３８】
パルス幅を設定したら、ステップＳ３で、パルス発生部３１で発生させるパルス電流の電流値を設定する。
【００３９】
ステップＳ４では、検査部３２にセットされた半導体レーザチップにパルス電流を注入して、検査部３２により電圧を検出し、受光部３３により光出力を検出する。検出された光出力等のデータは制御部３４に集められて記憶される。
【００４０】
次にステップＳ５で、パルス電流の電流値があらかじめ設定された測定最大電流値であるか否かを判定する。ここでは、この測定最大電流値は２アンペアに設定されている。電流値が測定最大電流値に達しない場合は、ステップＳ３に戻り電流値を増分させる。例えば電流値の増分は２ミリアンペアとする。
【００４１】
なおステップＳ２、Ｓ３、Ｓ５が、ベアの半導体レーザにパルス電流を注入するパルス工程で、ステップＳ４が半導体レーザチップからの光出力等を測定する測定工程である。
【００４２】
電流値が測定最大電流値に達した場合にはステップＳ６で、制御部３４により良品か否かを判定する。すなわち検査部３２で注入した電流値と、検査部３２により検出された電圧および受光部３３により検出された光出力とを制御部３４にパルス電流ごとに取り込み、電流値と電圧および光出力の関係を求める。そして半導体レーザチップのＬ−Ｉ特性やＶ−Ｉ特性等が許容範囲にあるか否か等を判定する。なおステップＳ６が、パルス電流注入工程で注入したパルス電流の電流値と測定工程で測定された光出力との関係に基づいてベアの半導体レーザの良否を判定する判定工程に対応している。この判定工程については後で説明する。
【００４３】
判定の結果、半導体レーザチップの特性が許容範囲にない場合は、半導体レーザチップを除去してチップ取出装置１０の工程に戻り、一方、許容範囲にある場合は、半導体レーザチップをボンディング装置４０まで搬送してサブマウントに半田固定し、連続電流良否選別装置５０で、最終検査が行われる。
【００４４】
次に、パルス電流の電流値と光出力との関係であるＬ−Ｉ特性の実験結果について図４に基づき説明する。
【００４５】
図４（ａ）は、パルス電流良否選別装置２０より測定された半導体レーザチップのパルス特性の一例を示すＬ−Ｉ特性のグラフである。なお、検査対象の半導体レーザは、図６に示した半導体レーザである。横軸が独立変数である注入したパルス電流の電流値で、縦軸が従属変数である光出力である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の測定最大電流値付近における拡大図である。
【００４６】
測定温度が２５℃の条件の下、パルス幅が１０マイクロ秒、２０マイクロ秒および５０マイクロ秒である場合に対して測定を行い、比較のため従来のパルス幅である５マイクロ秒およびＣＷ電流の場合に対しても測定を行った。ただしＣＷ電流の場合は、半導体レーザチップをサブマウントに半田固定した状態とし、またパルス電流の場合は、パルスのデューティ比は１％とした。
【００４７】
ここで、電流値は２ミリアンペアの増分で増加させ、測定最大電流値まで測定を行って測定データを取得した。
【００４８】
実験の結果、測定に用いた試料の半導体レーザに対して、図４（ｂ）に示すようにＣＷ電流では１．８アンペア近傍で一時的に急激に光出力が低下するキンクが発生していることがわかる。図４（ｂ）中のＫCW、Ｋ50、Ｋ20、Ｋ10における電流値が、キンク発生電流を示している。一方、従来のパルス幅の５マイクロ秒ではこのようなキンクは観測できなかった。
【００４９】
これらに対して、本発明に係るパルス電流のパルス幅が１０マイクロ秒以上５０マイクロ秒以下において、ＣＷ電流でキンクが発生する近傍でＬ−Ｉ特性の曲線がロールオーバーしながらキンクが発生している。
【００５０】
例えば、パルス幅が１０マイクロ秒の場合は、ＣＷ電流でキンクが発生している電流値ＫCWより多少高い電流値Ｋ10でキンクが発生している。次に、パルス幅が２０マイクロ秒の場合は、１０マイクロ秒の場合に比べ、低い電流値でキンクが発生し、その電流値Ｋ20は電流値ＫCWとほぼ同等となっている。さらにパルス幅が５０マイクロ秒の場合は、電流値ＫCWよりも低く、さらには、電流値Ｋ20よりも低い電流値Ｋ50でキンクが発生している。
【００５１】
このようにパルス幅によってキンク発生電流が異なることがわかる。上記の場合においては、パルス幅の範囲としては１０〜５０マイクロ秒が好適で、特に２０マイクロ秒がさらに好適であると考えられる。
【００５２】
前述したステップＳ６における判定工程では、一般的な閾値や光出力強度等を判定するのに加え、測定最大電流値まで測定を行った際に、キンクが存在するチップを不良と判定する工程を含んでいる。
【００５３】
次に、判定工程としてステップＳ６で行う、半導体レーザの良否を判定するためのキンクの判定方法について説明する。ここでは、半導体レーザチップの電流値対光出力の曲線で変曲点（Ｋ50、Ｋ20、Ｋ10）が存在するときに、ベアの半導体レーザが不良であると判定する。
【００５４】
例えば図５に示すように、ステップＳ１０で、ステップＳ５までに測定された電流値対光出力の曲線の電流値に対する１次微分を求める。このように電流値対光出力の曲線の１次微分を求めると、電流値対光出力の曲線の傾きが下がり再び戻るときに、光出力が下がる向きにディップが現れる。変曲点が現れると、このようなディップが現れる。
【００５５】
次に、半導体レーザが発振し始めた電流値付近を基準に、ディップの深さが、所定のあらかじめ設定された判定基準を超えるところがあるか否かを判定する（ステップＳ１１）。検査対象の半導体レーザチップで判定基準を超えたとき、変曲点があるとしてキンクの発生とみなし、ステップＳ１２で、不良品である半導体レーザチップを取り除く。例えば吸着ノズルの陰圧により吸着されている半導体レーザチップを不良品として廃棄する場所に搬送して除去する。不良品の半導体レーザチップを取り除いた後は、チップ取出装置１０の工程に戻る。一方、判定基準を超えなかったときは、半導体レーザチップはボンディング装置４０に搬送される。
【００５６】
以上の構成により、パルス電流良否選別装置２０の段階で半導体レーザチップの良否を効率よく判定することができる。また、この判定は、パルス電流による選別段階というサブマウントに半田固定する前の段階であるので、連続電流良否選別装置５０における歩留まりの向上を図ることができる。特に、図６に示したような高出力の半導体レーザの良否選別に有効であるが、もちろんこれに限られるものではない。また、１０マイクロ秒以上のパルス幅で十分で、高周波用の高価な測定機器は不要であり、装置全体のコストを下げることが可能である。
【００５７】
なお、ベアの半導体レーザとして、半導体レーザチップの代わりに、バー状態の半導体レーザでもよい。この場合は、パルス電流による良否選別後に、劈開して半導体レーザチップにしてから、ボンディング装置に搬送する。
【００５８】
また、本発明は、ベアの半導体レーザチップに対してＣＷ電流に近い特性を得ることができるので、ＣＷ電流による半導体レーザの良否選別の工程を省略してもよい。この場合は、ＣＷ電流による選別装置が不要で、ＣＷ電流による選別の工程が省けるので、早く良否の選別ができ、コスト削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの検査システムを示すブロック図である。
【図２】前記半導体レーザの検査システムのパルス電流良否選別装置を示すブロック図である。
【図３】前記パルス電流良否選別装置における良否選別方法の処理手順を示すフローチャートである。
【図４】前記パルス電流良否選別装置より測定された半導体レーザのＬ−Ｉ特性のデータを示すグラフである。
【図５】前記パルス電流選別装置における変曲点による良品判定を示すフローチャートである。
【図６】半導体レーザの全体の構成を示す斜視図である。
【図７】光の分布特性を示す特性図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…検査システム
１０…チップ取出装置
２０…パルス電流良否選別装置
２１…パルス電流注入手段
２２…測定手段
２３…判定手段
３１…パルス発生部
３２…検査部
３３…受光部
３４…制御部
３５…表示部
４０…ボンディング装置
５０…連続電流良否選別装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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