(57)【要約】      （修正有）【課題】スリットの長さを最小限に設定することにより、小型化された半導体チップを安定した強度で実装可能なストラップ、タグインレット及びＲＦＩＤタグを提供する。【解決手段】半導体チップ８が搭載されたストラップであって、第１の配線回路パターンＰ１１及び第２の配線回路パターンＰ１２上に半導体チップ８が実装されており、半導体チップ８の実装時の位置ずれをαとすると、スリットＳＬ１の長さａは、ｂ≦ａ≦ｂ＋αを満たすように形成される。【選択図】図３
2009258943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載されたストラップであって、
第１の配線回路パターンと、
第２の配線回路パターンと、
第１の配線回路パターンと第２の配線回路パターンとの間に形成されたスリットと、を有し、
半導体チップは、
その底面の四方に形成された４つのバンプを有し、一対の縦辺と一対の横辺とから方形状に形成されているとともに、一対の横辺がスリットを跨ぐように第１の配線回路パターン及び第２の配線回路パターン上に実装されており、
上記スリットの長さをａ、上記縦辺の長さをｂ、半導体チップの実装時の位置ずれをαとすると、スリットの長さは、以下の式
ｂ≦ａ≦ｂ＋α  
を満たしていること
を特徴とするストラップ。
【請求項２】
半導体チップが搭載されたストラップであって、
第１の配線回路パターンと、
第２の配線回路パターンと、
第１の配線回路パターンと第２の配線回路パターンとの間に形成されたスリットと、を有し、
半導体チップは、
その底面の四方に形成された４つのバンプを有し、一対の縦辺と一対の横辺とから方形状に形成されているとともに、一対の横辺がスリットを跨ぐように第１の配線回路パターン及び第２の配線回路パターン上に実装されており、
上記スリットの長さをａ、上記縦辺の長さをｂ、半導体チップの実装時の位置ずれをα、この位置ずれを補完するためのあそび値をβとすると、スリットの長さは、以下の式
ｂ≦ａ≦ｂ＋α＋β  
を満たしていること
を特徴とするストラップ。
【請求項３】
第１の配線回路パターン及び第２の配線回路パターンの表面がその全面に亘って熱可塑性樹脂皮膜により覆われていることを特徴とする請求項１あるいは２に記載のストラップ。
【請求項４】
スリットの幅方向であって、半導体チップの縁部と各バンプとの間には、半導体チップの底面を保持する補強部を有することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載のストラップ。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項に記載のストラップと、
該ストラップに接続されたアンテナコイルと、を有すること
を特徴とするタグインレット。
【請求項６】
請求項５に記載のタグインレットに樹脂加工が施されていることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載したストラップ、タグインレット及びＲＦＩＤタグに関する。
【背景技術】
【０００２】
カード型電子機器、物流管理用タグ、携帯電話等の携帯用電子機器、あるいは画像機器等の発展に伴い、半導体チップを実装したストラップの低コスト化、薄型化に対する要求が近年急速に高まっている。
【０００３】
近年のこうした薄型化への要求に対して、半導体チップの新規実装方法が提案されている。例えば、このようなものとして、特許文献１に記載の半導体チップの実装方法がある。この半導体チップの実装方法は以下のような方法である。以下カッコ［  ］内の符号は特許文献１に記載の符号である。すなわち、まず、ＰＥＴフィルム［２］上にアルミ箔［３］を積層し、アルミ箔［３］の表面に所要配線回路パターン形状のエッチングレジストパターン［４］を形成する。次いで、エッチングレジストパターン［４］から露出するアルミ箔部分［５］をエッチング処理で除去することにより、アルミ箔［３］からなる配線回路パターン［６］を形成する。その後、半導体ベアチップ［８］から突出したバンプ［９］を超音波を付与しながら、配線基板［７］に押し当てて熱可塑性樹脂皮膜［４ａ］を除去し、バンプ［９］と電極領域［１０］とを接触させ、この接触した状態において超音波を継続的に付与することにより、バンプ［９］と電極領域［１０］とを超音波接合させるという方法である。
【０００４】
この方法により、半導体チップを配線回路パターン上に実装した状態を図６（ａ）に示す。ここでは、縦辺Ｂ、横辺Ｃとする方形状の半導体チップ８が、配線回路パターンＰ２１、Ｐ２２、Ｐ２３上に、スリットＳＬ２を跨ぐようにして、バンプ９、９、９、９を介して実装されており、スリットＳＬ２の幅はＥ、長さはＡに設定されている。実装された半導体チップ８は、従来の大きさのものである。
【０００５】
一方、同図（ｂ）は、小型化された半導体チップを実装する場合を示しており、半導体チップが上記（ａ）よりも小型化された以外は構成、実装方法などは上記（ａ）と同様である。この図（ｂ）を参照すれば明らかなように、従来の回路配線パターンＰ２１、Ｐ２２、Ｐ２３上に小型化された半導体チップ８を実装すると、スリットＳＬ２の幅Ｅが広すぎて、バンプ９、９、９、９がスリットＳＬ２にかかってしまう可能性が高くなり、安定した実装ができなくなる。その結果、仮に実装できたとしても、実装強度のばらつきが大きくなってしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、小型化された半導体チップを実装するためには、安定した実装を図るべく、スリットＳＬ２の幅Ｅを狭く設定する必要がある。しかしながら、従来のような構成では、配線回路パターンＰ２１、Ｐ２２間を短絡することなく、エッチングによりスリットＳＬ２を形成しようとすると、スリットＳＬ２の長さＡが長すぎ、スリットＳＬ２の幅を狭く設定することが困難であるという問題があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１５６１１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、スリットの長さを最小限に設定することにより、小型化された半導体チップを安定した強度で実装可能なストラップ、タグインレット及びＲＦＩＤタグを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体チップが搭載されたストラップであって、第１の配線回路パターンと、第２の配線回路パターンと、第１の配線回路パターンと第２の配線回路パターンとの間に形成されたスリットと、を有し、半導体チップは、その底面の四方に形成された４つのバンプを有し、一対の縦辺と一対の横辺とから方形状に形成されているとともに、一対の横辺がスリットを跨ぐように第１の配線回路パターン及び第２の配線回路パターン上に実装されており、上記スリットの長さをａ、上記縦辺の長さをｂ、半導体チップの実装時の位置ずれをαとすると、スリットの長さは、以下の式ｂ≦ａ≦ｂ＋αを満たしていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、半導体チップが搭載されたストラップであって、第１の配線回路パターンと、第２の配線回路パターンと、第１の配線回路パターンと第２の配線回路パターンとの間に形成されたスリットと、を有し、半導体チップは、その底面の四方に形成された４つのバンプを有し、一対の縦辺と一対の横辺とから方形状に形成されているとともに、一対の横辺がスリットを跨ぐように第１の配線回路パターン及び第２の配線回路パターン上に実装されており、上記スリットの長さをａ、上記縦辺の長さをｂ、半導体チップの実装時の位置ずれをα、この位置ずれを補完するためのあそび値をβとすると、スリットの長さは、以下の式ｂ≦ａ≦ｂ＋α＋βを満たしていることを特徴とする。
【００１１】
本発明においては、要するに、スリットの長さを最小限にする構成を採用している。これにより、スリットの幅を狭く設定でき、搭載する半導体チップの小型化が図れる。その理由は以下の通りである。
【００１２】
すなわち、配線回路パターンは、例えば、上記先行技術文献に記載のように、エッチングにより形成される。そして、半導体チップが搭載される箇所に設けられるスリットもこのエッチングにより形成される。半導体チップはスリットを跨いで配線回路パターン（第１の配線回路パターン及び第２の配線回路パターン）上に搭載されることから、小型化された半導体チップを搭載するには、当然、スリットの幅を狭くする必要がある。一方、エッチングが十分に行われないと、本来であればスリットを介して分離されていなければならない配線回路パターン間において、短絡が発生する恐れがある。よって、エッチングは十分に行われる必要がある。一方、エッチング量を増やすと、十分に溶け短絡状態を解消できるが、狭いスリット幅を形成することが困難となる。
【００１３】
そこで、本発明においては、エッチング量を減らすべく、スリットの長さを最小限にする構成を採用した。具体的には、スリットの幅を狭く設定する必要がある箇所は、半導体チップのバンプ間のみであることから、スリットの長さは、最低限半導体チップの一辺（縦辺）以上である必要がある。また、半導体チップを配線回路パターン上に実装する際には、多少の位置ずれが生じ得ることから、確実に接着させるためには、いわゆる「あそび」を設ける必要がある。以上２点のことを考慮して、本発明においては、スリットの長さを以下のように設定した。すなわち、半導体チップの一辺（縦辺）の長さをｂ、半導体チップの実装時の位置ずれをαとすると、スリットの長さａは、式  ｂ≦ａ≦ｂ＋αを満たすように設定する。この位置ずれαは過去の経験により適宜設定すればよく、例えば、３０〜５０（μｍ）である。
【００１４】
また、スリットの長さａの上限は、位置ずれαだけではなく、この位置ずれを補完するためのあそび値βを加算した値とするとよい。すなわち、スリットの長さは、以下の式ｂ≦ａ≦ｂ＋α＋βを満たすようにしてもよい。位置ずれαは、スリットの長さａを短く設定するためには、小さい方がよく、位置ずれ量の統計をとって平均値を算出したり、また使用者の過去の経験から適宜設定される。一方、位置ずれの中には、平均値や経験値を越えたものが存在することがあり、このような場合にも確実に半導体チップを基板に接着させるためには、スリットの長さａの上限をｂ＋αとしたのでは足りない。そこで、このような場合にも、確実に半導体チップを基板に接着させるためには、位置ずれαを補完するための「あそび値β」を位置ずれαに加算し、スリットの長さａの上限をｂ＋α＋βに設定するとよい。この「あそび値β」も適宜使用者において設定すればよく、例えば、２０〜３０（μｍ）である。
【００１５】
第１の配線回路パターン及び第２の配線回路パターンの表面がその全面に亘って熱可塑性樹脂皮膜により覆われていてもよい。ここで言う『熱可塑性樹脂皮膜』は、接着剤としての良好な特性を有するものであることが好ましい。
【００１６】
スリットの幅方向であって、半導体チップの縁部と各バンプとの間には、半導体チップの底面を保持する補強部を有するように構成してもよい。本発明においては、スリットの長さを最小限に設定することにより、スリットの幅を狭く設定することが可能である。これにより、上記説明した通り、実装する半導体チップの小型化が図れるばかりでなく、半導体チップにおけるバンプ間の距離も狭く設定できる。これにより、半導体チップの底面において、その縁の部分からバンプまでの間に余裕ができる。この余裕ができた部分が熱可塑性樹脂皮膜により接着可能となり接着面積が広くなる。そして、更に、この部分が半導体チップを保持する機能を有する補強部となる。
【００１７】
本発明のタグインレットは、上記いずれかに記載のストラップと、該ストラップに接続されたアンテナコイルと、を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明のＲＦＩＤタグは、上記記載のタグインレットに樹脂加工が施されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように本発明によれば、半導体チップの一辺（縦辺）の長さｂ、半導体チップの実装時の位置ずれをαとしたとき、スリットの長さａを式ｂ≦ａ≦ｂ＋αを満たすように設定する。これにより、小型化された半導体チップを安定した強度で実装可能なストラップ、タグインレット及びＲＦＩＤタグを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明に係るストラップ、タグインレット及びＲＦＩＤタグの最良の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
図１は、本発明のストラップにおける半導体チップの実装方法を説明する工程図、図２は超音波実装工程の詳細を示す説明図である。
【００２２】
まず、本発明のストラップにおける半導体チップの実装方法について、図１及び図２を参照して説明する。この実装方法を含む一連の工程の概略が図１の工程図に示されている。この一連の工程には、金属箔積層材製造工程、エッチングマスク印刷工程、配線回路パターン形成のためのエッチング工程、超音波実装工程と、接着工程とが含まれている。以下、それらの工程の詳細を順に説明する。
【００２３】
［金属箔積層材製造工程］
図１（ａ）に示すように、この工程では、フィルム状配線基板の原材をなすＡｌ−ＰＥＴ積層材１を製造する。このＡｌ−ＰＥＴ積層材１は、例えば、２５μｍ厚のＰＥＴフィルム２の片面（図では上面）に、ウレタン系接着剤を介して３５μｍ厚の硬質アルミ箔３を重ね、これを１５０℃、圧力５ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱ラミネートを経て積層接着させる工程を経て製造される。
【００２４】
［エッチングマスク印刷工程］
図１（ｂ）に示すように、この工程では、Ａｌ−ＰＥＴ積層材１の硬質アルミ箔３の表面に所要配線回路パターン形状のエッチングレジストパターン４を形成する。このレジストパターン４の形成は、例えば、１５０℃程度の温度で溶融するポリオレフィン系の熱可塑性樹脂製接着剤を、グラビア印刷等の方法によって硬質アルミ箔３の表面に厚さ４〜６μｍ程度塗布することによって行われる。この塗布厚は、搭載される半導体チップ８のバンプ９のサイズ乃至形状に応じて調整することが好ましい。
【００２５】
［エッチング工程］
図１（ｃ）に示すように、この工程では、エッチングレジストパターン４から露出するアルミ箔部分５を従来公知のエッチング処理で除去することにより、硬質アルミ箔３からなる配線回路パターン６を形成する。この配線回路パターン６の形成は、エッチングレジストパターン４から露出するアルミ箔部分５を、例えば、エッチング液であるＮａＯＨ（１２０ｇ／ｌ）に温度５０℃の条件にて晒すことによって行われる。このエッチング工程で得られた配線基板７の表面には、硬質アルミ箔３からなる配線回路パターン６が出現される。また、この配線回路パターン６の表面は、その全面に亘ってエッチングレジストパターン（エッチングマスク）４として使用したポリオレフィン系の熱可塑性樹脂製接着剤により覆われている。換言すれば、この配線回路パターン６の少なくとも電極領域（後述する半導体チップのバンプとの接続予定領域）の表面は熱可塑性樹脂被膜４ａにより覆われている。
【００２６】
［超音波実装工程］
図１（ｄ）に示すように、この工程では、超音波を付与しつつ、半導体チップ８を配線基板７上に実装する。この工程は、配線回路パターン６上の電極領域ＡＲを覆う熱可塑性樹脂被膜４ａを加熱溶融させた状態において、その溶融状態にある熱可塑性樹脂被膜４ａの上に半導体チップ８のバンプ９を超音波を付与しつつ押し付けることにより、溶融した熱可塑性樹脂被膜４ａを押し退けてバンプ９と電極領域ＡＲとを接触させる工程（第１工程）と、バンプ９と電極領域ＡＲとが接触した状態において、超音波を継続的に付与することにより、バンプ９と電極領域ＡＲとを超音波接合させる工程（第２工程）と、を含んでいる。
【００２７】
すなわち、半導体チップ８は厚さ１５０μｍであって、その底面から接続用の金属端子であるバンプ９を突出させた、いわゆる表面実装型部品として構成されている。第１の工程では、このバンプ（例えば金より成る）９は、超音波振動を付加した状態で、１５０℃の加熱により溶融した熱可塑性樹脂被膜４ａに押し当てられる。すると、溶融した熱可塑性樹脂被膜４ａは、バンプ９の超音波振動によりバンプ９の先端位置より押し退けられて除去され、さらにアルミ箔配線回路パターン６表面上の酸化物層等も振動により機械的に除去される。その結果、バンプ９と電極領域ＡＲとが接触させられる。第２の工程では、その後、さらに振動による摩擦熱によりバンプ９と配線回路パターン６の電極領域ＡＲとが加熱され、金原子がアルミ箔内に拡散した金属融着部が形成されて両者の超音波接合が完了する。
【００２８】
以上の第１並びに第２の工程は、半導体チップ８を所定位置に配置した後、例えば、負荷圧力０．２ｋｇ／ｍｍ２下で、振動数６３ＫＨｚの超音波振動を数秒程度加えることにより完了される。
【００２９】
この超音波実装工程のより詳細が図２の工程図に示されている。同図（ａ）に示される位置決め工程では、それぞれ真空吸着機能を有する超音波ホーン１１とヒータテーブル兼用アンビル１２とを上下に対向配置した状態において、超音波ホーン１１には矢印１１ａに示されるようにベアチップ８を吸着保持させ、またヒータテーブル兼用アンビル１２には矢印１２ａに示されるように配線基板７を吸着保持させる。この状態において、超音波ホーン１１とヒータテーブル兼用アンビル１２とを水平方向へと相対移動させつつ、半導体チップ８側のバンプ９と配線基板７側の配線回路パターン６の電極領域ＡＲとの位置決めを行ない、同時にヒータテーブル兼用アンビル１２によって配線基板７を１５０℃に加熱する。
【００３０】
同図（ｂ）に示される熱可塑性樹脂接着剤の除去工程では、超音波ホーン１１とヒータテーブル兼用アンビル１２とによって、矢印ｖに示されるように、超音波振動（６３．５ＫＨｚ、２Ｗ）を付与しつつ、矢印Ｐに示されるように、負荷圧力（０．１〜０．３Ｋｇｆ）により、ベアチップ８のバンプ９を加熱溶融状態にある熱可塑性樹脂接着剤（熱可塑性樹脂被膜）４ａに押し当てることにより、溶融した熱可塑性樹脂被膜４ａを押し退けてバンプ９と電極領域ＡＲとを接触させる。
【００３１】
同図（ｃ）に示される超音波接合工程では、さらに超音波振動ｖを継続的に付与することにより、金属間の拡散接合を進行させて、バンプ９と電極領域ＡＲとを超音波接合させる。
【００３２】
再び、図１に戻って、説明を続ける。
【００３３】
［接着工程］
図１（ｅ）に示すように、この工程では、配線基板に付与された１５０℃の加熱を除去することにより、溶融した熱可塑性樹脂被膜４ａを自然冷却又は強制冷却により再硬化させて、半導体チップ８本体と配線回路パターン６との間を接着させる。すなわち、半導体チップ８の底面と配線基板７との間に満たされた溶融状態にある熱可塑性樹脂被膜４ａが冷却固化されて、半導体チップ８と配線基板７とが強固に接着固定されるのである。
【００３４】
以上の工程を経ることにより本発明のストラップにおいては次のような作用効果が得られる。すなわち、（１）バンプ９と電極領域ＡＲとの接合は超音波による拡散接合であるため、確実な電気的導通が図れること、（２）バンプ９と電極領域ＡＲとの接合部が樹脂封止されるため、耐湿性が良好となること、（３）半導体チップ８と配線基板７とが熱可塑性樹脂被膜４ａの硬化の際に接着されるため、引っ張り等に対する機械的な実装強度が高いこと、（４）電気的導通と機械的結合とを短時間で同時になし得ること、（５）特別な封止乃至接着工程、並びに、接着材料が不要なため製造コストが格段に低いこと、（６）基板表面が露出している部分については熱可塑性樹脂被膜が存在しないから、加熱時に基板表面が必要以上にべた付くことがないこと、等の作用効果が得られる。
【００３５】
本発明のストラップは上記工程を経ることにより製造されるが、その特徴は、従来に比べてスリットの長さを短く形成している点である。以下本発明の特徴部分について、図３及び図４を参照して説明する。
【００３６】
図３（ａ）は、本発明のストラップにおけるスリットの長さと半導体チップの辺の長さとの関係を示す部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ部の拡大図、図４は、図３に示す平面図を断面図としたものであり、（ａ）はＸ−Ｘ断面図、（ｂ）はＹ―Ｙ断面図である。なお、以下においては、配線回路パターン６が第１の配線回路パターンＰ１１と第２の配線回路パターンＰ１２で形成されているものとして説明する。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、半導体チップ８は、スリットＳＬ１を跨ぐようにして、第１の配線回路パターンＰ１１及び第２の配線回路パターンＰ１２上に搭載されている。この図３（ａ）における半導体チップ８は、図６（ｂ）に示した小型化された半導体チップと同一のものである。これら図を見比べれば明確なように、本発明においては、スリットＳＬ１の長さは従来のスリットＳＬ２に比べて短く形成されている。
【００３８】
この点について、図３（ａ）のＦ部の拡大図である図３（ｂ）、この図３（ｂ）のＸ−Ｘ断面図である図４（ａ）及びＹ−Ｙ断面図である図４（ｂ）を参照して更に詳しく説明する。
【００３９】
図３（ｂ）に示すように、搭載される半導体チップ８は、縦辺ｂ、横辺ｃの方形状をしている。通常は正方形であるがこれに限定されるものではなく、本明細書においては縦辺と横辺とを区別するため別の符号を用いている。また、半導体チップ８の底面８１の四方には、第１の配線回路パターンＰ１１及び第２の配線回路パターンＰ１２に向けて突出した４つのバンプ９、９、９、９が設けられる。半導体チップ８の具体的な実装方法については、上記したので、ここでは省略する。
【００４０】
一方、第１の配線回路パターンＰ１１と第２の配線回路パターンＰ１２との間には、長さａ、幅ｅのスリットＳＬ１がエッチングにより形成されている。スリットＳＬ１の長さａは半導体チップ８の縦辺ｂより長めに形成されているが、図６（ｂ）に示すスリットＳＬ２と対比すると、半導体チップ８を搭載するのに必要な箇所のみにスリットＳＬ１を形成しているので、スリットＳＬ２の長さＡとスリットＳＬ１の長さａとを対比すると、長さａの方が長さＡよりはるかに短く形成されている。本発明において、このようにスリットＳＬ１の長さａを短く形成したのは、搭載する半導体チップ８の小型化の要請に応えるために、スリットＳＬ１の幅ｅを狭く形成する必要があるからである。スリットＳＬ１の幅ｅを狭く形成することが出来れば、搭載する半導体チップ８のバンプ９間の距離ｄも短く設定することが可能となる。なお、図３（ｂ）においては、半導体チップ８は正方形であり、各バンプ９、９、９、９間の距離（対角線上の距離は除く）は同一であり、よって、幅方向のバンプ９、９間の距離もｄであるが、ここでは幅方向の符号は省略している。
【００４１】
ここで、スリットＳＬ１は、隣接する第１の配線回路パターンＰ１１と第２の配線回路パターンＰ１２とが短絡しないように、十分にエッチングを行い形成される必要があるが、その一方において、エッチング量を増やすと、スリットＳＬ１の幅ｅを狭く形成できないという不具合も生じ得る。そこで、本発明においては、エッチング量を減らすべく、スリットＳＬ１の長さａを最小限にする構成を採用した。
【００４２】
具体的には、スリットＳＬ１の長さａは、半導体チップ８の搭載時における位置ずれをα、半導体チップ８の長さをｂとすると、［式］  ｂ≦ａ≦ｂ＋α（単位：μｍ）を満たすように設定される。スリットＳＬ１の長さａを最小限にするのであれば、この長さａの最低長は半導体チップ８の長さｂである。しかしながら、半導体チップを第１の配線回路パターンＰ１１、第２の配線回路パターンＰ１２上に実装する際には、多少の位置ずれαが生じ得ることから、確実に接着させるためには、いわゆる「あそび」を設けるように構成している。
【００４３】
例えば、半導体チップ８を超小型の半導体チップ（一辺ｂは０．５ｍｍ以下かつバンプ９、９間距離ｄは０．３ｍｍ以下）とした場合、スリットＳＬ１の幅ｅは２００μｍであり、位置ずれαは過去の経験値により適宜設定すればよく、例えば、３０〜５０（μｍ）である。
【００４４】
また、スリットＳＬ１の長さａの上限は、位置ずれαだけではなく、更なる「あそび」を設けるべく上記式に「あそび値β」を加算した式  ｂ≦ａ≦ｂ＋α＋β（単位：μｍ）としてもよい。この「あそび値β」を設けることにより、経験値以上の大きな誤差が生じた場合にも確実に接着させることができる。この「あそび値β」も適宜使用者において設定すればよく、例えば、２０〜３０（μｍ）である。
【００４５】
また、本発明においては、スリットＳＬ１の長さを短く形成したことから、バンプ９、９間距離も短く設定できる。これにより、半導体チップ８の底面８１の縁部８２（底面８１側の４つの辺からなる縁）と、各バンプ９、９、９、９、との間に余裕が生まれる。この余裕が補強部８３となり、この補強部８３により、半導体チップ８の底面８１の外縁が接着される。すなわち、半導体チップ８を第１の配線回路パターンＰ１１、第２の配線回路パターンＰ１２に搭載する際に、第１の配線回路パターンＰ１１、第２の配線回路パターンＰ１２の表面に積層された熱可塑性樹脂被膜４ａと補強部８３とが当接する。熱可塑性樹脂被膜４ａは接着性を有していることから、補強部８３と第１の配線回路パターンＰ１１、第２の配線回路パターンＰ１２とが熱可塑性樹脂被膜４ａを介して接着される。これにより、半導体チップ８の実装はより強固になる。
【００４６】
以上のように、本発明のストラップ１０においては、スリットＳＬ１の長さａを、［式］  ｂ≦ａ≦ｂ＋α（単位：μｍ）を満たすように設定した（α：半導体チップ８の搭載時における位置ずれ、ｂ：半導体チップ８の長さ）。これにより、以下のような効果を奏する。すなわち、＜１＞スリット幅の狭いストラップの安定した生産が可能となる。＜２＞スリット幅の狭いストラップを安価で作成可能。＜３＞超小型の半導体チップに対しても安定した強度で実装可能。以上のような効果を奏することが可能となる。
【００４７】
以上が本発明のストラップの一実施形態であるが、これにアンテナコイルを接続すればタグインレットを製造可能であり、また、このタグインレットに樹脂加工を施せばＲＦＩＤタグを製造することも可能である。なお、本発明の特徴は、上記したようにスリットの長さを最低限の長さに設定したことであるので、以下におけるタグインレット及びＲＦＩＤタグの実施の形態の説明は製造の仕方の一例を示すに留めておき、各構成の詳細な説明は省略する。
【００４８】
図５は、本発明のタグインレットの実施形態の一例が示されている。同図に示されるように、このタグインレット１００は、２５μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製基体１０１の片面に、１０μｍ厚の銅箔製渦巻き状導体パターン（アンテナコイルに相当）１０２を保持させてなるタグインレット本体１００ａと、７０μｍ厚のガラスエポキシ製小片１０Ａに半導体チップ８を図では下面側に実装してなるストラップ１０とを有する。そして、ストラップ１０は、その小片１０Ａが、渦巻状導体パターン（アンテナコイル）１０２を構成する周回導体束１０２ａを跨ぐ（換言すれば交差する）ようにしてタグインレット本体１００ａ上に搭載され、かつ渦巻状導体パターン１０２との電気的接続は、渦巻状導体パターン１０２の内周側端子パッド１０３と外周側端子パッド１０４とにおいて行われる。
【００４９】
このようにして構成されたタグインレット１００を樹脂で封入したり、ラミネート加工したり等樹脂加工されたものが本発明のＲＦＩＤタグである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明のストラップにおける半導体チップの実装方法を説明する工程図である。
【図２】超音波実装工程の詳細を示す説明図である。
【図３】（ａ）は、本発明のストラップにおけるスリットの長さと半導体チップの辺の長さとの関係を示す部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ部の拡大図である。
【図４】図３に示す平面図を断面図としたものであり、（ａ）はＸ−Ｘ断面図、（ｂ）はＹ―Ｙ断面図である。
【図５】本発明のタグインレットを示す平面図である。
【図６】従来のストラップにおけるスリットの長さと半導体チップの辺の長さとの関係を示す部分平面図であり、（ａ）は従来の半導体チップを実装する場合、（ｂ）は小型化された半導体チップを実装する場合をそれぞれ示す。
【符号の説明】
【００５１】
１    Ａｌ−ＰＥＴ樹脂基材
２    ＰＥＴフィルム
３    アルミ箔
４    熱可塑性樹脂製のエッチングレジストパターン
５    レジストパターンの存在しない部分
６    アルミ箔配線回路パターン
７    配線基板
８    半導体チップ
８１  底面
８２  縁部
８３  補強部
９    バンプ
ＳＬ１  スリット
ａ    スリットの長さ
ｂ    半導体チップの辺の長さ
ｃ    半導体チップの辺の長さ
ｄ    バンプ間の長さ
ｅ    スリットの幅
α    半導体チップの実装時の位置ずれ
β    あそび値
Ｐ１１  第１の配線回路パターン
Ｐ１２  第２の配線回路パターン
【図１】
2009258943.tif 000003
【図２】
2009258943.tif 000004
【図３】
2009258943.tif 000005
【図４】
2009258943.tif 000006
【図５】
2009258943.tif 000007
【図６】
2009258943.tif 000008