(57)【要約】【課題】  対物レンズの汚れ等が生じた場合でも継続して、良好な情報の記録又は再生を行うことができる光ディスク装置を提供する。【解決手段】フォトディテクタ１３により、光ディスクＤからの戻り光を検出し、このフォトディテクタ１３で光電変換されたＲＦ信号の信号レベルを信号レベル検波回路３で検出し、このＲＦ信号の信号レベルと対物レンズ１１の汚れのないときのフォトディテクタ１３で検出された光ディスクＤからの戻り光に対応するＲＦ信号の信号レベルの初期値データとの比較を行い、信号レベルが初期値データよりも小さい場合にのみ、ＡＰＣ回路６から半導体レーザ素子９に供給する目標電流値を上げる補正信号を出力する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を対物レンズを介して光ディスクの情報面に照射して、前記光ディスクの情報の再生を行う光ディスク装置において、
前記半導体レーザ素子へ目標値に応じた電流を供給するレーザドライバ回路と、
前記光ディスクからの戻り光を検出し、光電変換してＲＦ信号を生成する光検出器と、
前記光検出器で光電変換されたＲＦ信号の信号レベルを検出する信号レベル検波回路と、
出荷時における前記光ディスクの種類毎のロット間バラツキを考慮した前記ＲＦ信号の信号レベルのバラツキ幅を初期値とする初期値データが格納され、この初期値データと前記レベル検波回路で検出された前記ＲＦ信号の信号レベルとの比較を行い、前記ＲＦ信号の信号レベルが前記初期値データよりも小さい場合にのみ、前記半導体レーザ素子に供給する電流の目標値を上げる指示信号を出力するレベル比較器と、
前記指示信号に基づいて、前記半導体レーザ素子に供給する補正電流の目標値を上げるための補正信号を前記レーザドライバ回路に出力するＡＰＣ回路と、
前記補正信号に基づいて、前記レーザドライバ回路から、前記半導体レーザ素子に供給する補正電流を、直前に前記半導体レーザ素子に供給されている目標値に応じた電流に加算した合計電流値に制限値を設ける判定回路と
からなることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記レベル比較器から前記指示信号が出力された場合には、異常の表示を表示部に行わせる表示制御回路を備えたことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップの対物レンズの汚れや対物レンズの経年変化がある場合でも、継続して良好な情報の再生ができる光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置は、光ディスクにレーザ光を照射して反射した戻り光を光検出器で検出してＲＦ（Radio  Frequency）信号を生成し、このＲＦ信号に基づいた情報の再生及びサーボ処理を行っている。しかし、この光ディスク装置で用いられる光ピックアップ内の対物レンズの表面が汚れた場合や対物レンズの経年変化を生じた場合には、情報の再生を良好に行うことができなくなってしまう。この対策が特許文献１に記載されている。
【０００３】
即ち、特許文献１には、光ピックアップによって再生されたＲＦ信号に対するゲイン調整値の平均値を求めてゲイン平均値をメモリに格納し、このゲイン平均値に基づいて光ピックアップの不良状態を検出すると共に、光ディスクを再生したときに得られるゲイン調整値に基づいて、この光ディスクの不良状態を検出することにより、情報の読み取りエラーが生じる前に、不良状態をユーザに通知することが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２０６７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、対物レンズの表面は、徐々に汚れていくので、対物レンズの汚れが発見されるまでわからないことが多く、特許文献１では、情報の読み取りエラーが生じる前に不良状態をユーザに通知してその対策を求めているので、光ピックアップ不良や光ディスク不良に対応する必要があるため、ユーザにとって煩わしかった。
また、対物レンズの経年変化が生じた場合も同様であった。
【０００６】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解消するものであり、対物レンズの汚れや対物レンズの経年変化が生じた場合でも継続して、良好な情報の再生を行うことができる光ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の発明は、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を対物レンズを介して光ディスクの情報面に照射して、前記光ディスクの情報の再生を行う光ディスク装置において、
前記半導体レーザ素子へ目標値に応じた電流を供給するレーザドライバ回路と、
前記光ディスクからの戻り光を検出し、光電変換してＲＦ信号を生成する光検出器と、
前記光検出器で光電変換されたＲＦ信号の信号レベルを検出する信号レベル検波回路と、
出荷時における前記光ディスクの種類毎のロット間バラツキを考慮した前記ＲＦ信号の信号レベルのバラツキ幅を初期値とする初期値データが格納され、この初期値データと前記レベル検波回路で検出された前記ＲＦ信号の信号レベルとの比較を行い、前記ＲＦ信号の信号レベルが前記初期値データよりも小さい場合にのみ、前記半導体レーザ素子に供給する電流の目標値を上げる指示信号を出力するレベル比較器と、
前記指示信号に基づいて、前記半導体レーザ素子に供給する補正電流の目標値を上げるための補正信号を前記レーザドライバ回路に出力するＡＰＣ回路と、
前記補正信号に基づいて、前記レーザドライバ回路から、前記半導体レーザ素子に供給する補正電流を、直前に前記半導体レーザ素子に供給されている目標値に応じた電流に加算した合計電流値に制限値を設ける判定回路と
からなることを特徴とする光ディスク装置を提供する。
第２の発明は、前記レベル比較器から前記指示信号が出力された場合には、異常の表示を表示部に行わせる表示制御回路を備えたことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の構成によれば、出荷時における光ディスクの種類毎のロット間バラツキを考慮したＲＦ信号の信号レベルのバラツキを初期値とする初期値データが格納され、この初期値データとレベル検波回路で検出されたＲＦ信号の信号レベルとの比較を行い、ＲＦ信号の信号レベルが初期値データよりも小さい場合にのみ、半導体レーザ素子に供給する電流の目標値を上げる指示信号を出力し、この指示信号に基づいて、ＡＰＣ回路から補正信号をレーザドライバ回路に出力して、半導体レーザ素子に供給する合計電流値に制限値を設けているので、対物レンズの汚れや対物レンズの経年変化が生じた場合でも、継続して、良好な情報の再生を行うことができる。
また、半導体レーザ素子が熱により劣化することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明の各実施の形態に係る光ディスク装置について添付図面を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光ディスク装置を示す概略図、図２は、図１の光ディスク装置を動作させるためのフローチャートを示す図である。
【００１０】
図１に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る光ディスク装置１は、光ディスクＤからの戻り光を検出してＲＦ信号を生成する光ピックアップ２と、この光ピックアップ２から出力されたＲＦ信号の信号レベルを検出する信号レベル検波回路３と、この信号レベル検波回路３で検出されたＲＦ信号の信号レベルを波形整形するＲＦアンプ回路４とから構成されている。
【００１１】
更に、光ディスク装置１は、光ディスクＤの種類に応じたＲＦ信号の信号レベルの出荷時の初期値データをデジタル信号処理ブロック１５のメモリ１５Ａに格納し、この初期値データと信号レベル検波回路３で検出されたＲＦ信号の信号レベルとの比較を行い、信号レベルが初期値データよりも小さい場合に対物レンズ１１に汚れ或いは対物レンズ１１の経年変化ありと判定し、光ピックアップ２内の半導体レーザ素子９に補正電流を供給するＡＰＣ（Ａutomatic  Ｐower  Ｃontrol）の目標値を上げる指示信号を出力するレベル比較器５と、レベル比較器５から指示信号が出力された場合にのみ、半導体レーザ素子９に供給する補正電流の目標値を１ステップ上げる補正信号を出力するＡＰＣ回路６と、この補正信号に基づいて半導体レーザ素子９に電流を出力するレーザドライバ回路７と、このレーザドライバ回路７内に設けられ、この補正信号に対応した１ステップ高い目標値の補正電流を直前に半導体レーザ素子９に供給されている目標電流値（目標値に応じた電流）に加算したときの合計電流値が、前述した初期値データを得るために半導体レーザ素子９に供給した目標電流値の３倍を超えているか否かの判定を行う判定回路８とから構成されている。
【００１２】
更にまた、光ディスク装置１は、光ピックアップ２から出力されたＲＦ信号に基づいて、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号といったサーボ信号を生成するサーボ信号処理ブロック１４と、ＲＦアンプ回路４で波形整形された信号レベル及びサーボ信号処理ブロック１４で生成されたサーボ信号をデジタル信号処理するデジタル信号処理ブロック１５とから構成されている。
そして、光ピックアップ２は、半導体レーザ素子９から出射するレーザ光のうちの一部を透過し、その他を一方に反射すると共に、光ディスクＤからの戻り光を他方に反射する偏光分離面１０Ａを有する偏光ビームスプリッタ１０とから構成されている。
【００１３】
光ピックアップ２は、偏光ビームスプリッタ１０を透過したレーザ光を光ディスクＤの情報面に集光する対物レンズ１１と、偏光ビームスプリッタ１０の偏光分離膜１０Ａで反射された半導体レーザ素子９から出射されたレーザ光を検出して光電変換するフロントモニターダイオード１２と、偏光ビームスプリッタ１０の偏光分離膜１０Ａで反射された光ディスクＤからの戻り光を検出して光電変換して上述したＲＦ信号を生成するフォトディテクタ１３とから構成されている。
【００１４】
ここで、上述した出荷時の初期値データとは、出荷時に決められた基準光ディスクのＲＦ信号の値を基準として±２０％の幅を有した値をいう。
言い換えると、出荷時の初期値データとは、出荷時に決められた基準光ディスクのＲＦ信号の値に対してバラツキが±２０％の範囲を有する値を初期値データとするものである。この初期値データは、ＤＶＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＷといった光ディスクの種類によって、任意に決めれば良い。
例えば、初期値データは、ＤＶＤ−ＲＯＭの場合には、±２０％、ＤＶＤ−ＲＷの場合には、±２５％といったように決めることができる。
【００１５】
次に、その動作について説明する。
図２に示すように、レーザドライバ回路７から出力された電流に基づいたパワーのレーザ光を半導体レーザ素子９から出射する（ステップＳ１）。次に、このレーザ光を偏光ビームスプリッタ１０の偏光分離面１０Ａを透過させ、対物レンズ１１により光ディスクＤの情報面に集光させる（ステップＳ２）。
【００１６】
次に、光ディスクＤの情報面からの戻り光を対物レンズ１１を介して偏光ビームスプリッタ１０の偏光分離面１０Ａで反射させて、フォトディテクタ１３で検出する（ステップＳ３）。
次に、フォトディテクタ１３で光電変換して生成されるＲＦ信号の信号レベルを信号レベル検波回路３で検出する（ステップＳ４）。
ここで、上述した出荷時の初期値データは、光ディスクＤの種類毎に基準光ディスクを決め、その基準光ディスクについて、（ステップＳ１）〜（ステップＳ４）まで行って、ＲＦ信号の信号レベルを検出して得られた値を基準値とし、この基準値に対して±２０％とするように求められる。この初期値データは、デジタル処理信号ブロック１５のメモリ１５Ａに格納されているものである。
【００１７】
次に、信号レベル検波回路３から出力されたＲＦ信号の信号レベルが、レベル比較器５で光ディスクＤの種類毎に対応した対物レンズ１１の汚れ付着なし、汚れ無し或いは対物レンズ１１の経年変化無しのときの初期値データよりも大きいか否かの判定を行う（ステップＳ５）。
ＲＦ信号の信号レベルが初期値データよりも大きいか等しい場合には、対物レンズ１１の汚れが付着なし、汚れが無し或いは対物レンズ１１の経年変化無しと判定して、そのまま再生を継続する（ステップＳ６）。
【００１８】
ＲＦ信号の信号レベルが初期値データよりも小さい場合には、対物レンズ１１の汚れ付着有り、汚れ有り或いは対物レンズ１１の経年変化有りと判定して、レベル比較器５からＡＰＣ回路６に指示信号を出力して、ＡＰＣ回路６から半導体レーザ素子９に供給する補正電流の目標値を１ステップ上げる補正信号をレーザドライバ回路１０に出力する（ステップＳ７）。
次に、この補正信号に対応して、レーザドライバ回路７から半導体レーザ素子９に供給する補正電流を直前に半導体レーザ素子９に供給されている目標電流値に加算した合計電流値が初期値データを得るために半導体レーザ素子９に供給する目標電流値の３倍を越えているか否かの判定を行う（ステップＳ８）。
【００１９】
合計電流値が初期値データを得るために半導体レーザ素子９に供給する目標電流値の３倍を越えている場合には、再生はしない（ステップＳ９）。
合計電流値が初期値データを得るために半導体レーザ素子９に供給する目標電流値の３倍未満である場合には、（ステップＳ５）に戻って、ＲＦ信号の信号レベルが初期値データよりも大きいか等しいかの判定を行って、上記したと同様の操作を行う。
【００２０】
以上のように、本発明の第１の実施の形態によれば、ＲＦ信号の信号レベルが光ディスクＤの種類に対応した対物レンズ１１の汚れ付着なし、汚れ無し或いは対物レンズ１１の経年変化無しのときの初期値データよりも小さい場合にのみ、ＡＰＣ回路６から半導体レーザ素子９に供給する補正電流の目標値を１ステップ上げる補正信号を出力するレーザドライバ回路７と、この補正信号に基づいて、レーザドライバ回路７から、半導体レーザ素子９に供給する補正電流に、直前に半導体レーザ素子９に供給されている目標電流値に加算した合計電流値に制限値を設ける判定回路とを備えているので、そのまま継続して、良好な情報の再生を行うことができる。
また、（ステップＳ５）でＲＦ信号の信号レベルが初期値データよりも小さいと判定されても、（ステップＳ８）で、初期値データを得るために半導体レーザ素子９に供給する電流値の３倍を越えている場合には、半導体レーザ素子９に供給する合計電流値に制限を設けているので、半導体レーザ素子９に過剰な電流を供給して、熱による半導体レーザ素子９の劣化を防止できる。
【００２１】
更に、本発明の第１の実施の形態によれば、ＲＦ信号の信号レベルが初期値データよりも大きいか否か及び合計電流値が初期値データを得るために半導体レーザ素子９に供給する目標電流値の３倍を越えているか否かを判定することによって、光ディスクＤの再生を行うことができるので、上述した対物レンズ１１の汚れ付着なし、汚れ無し或いは対物レンズ１１の経年変化無しの場合に限られず、広く応用が可能である。
【００２２】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
本発明の第２の実施の形態における光ディスク装置は、図３に示すように、第１の実施の形態における光ディスク装置１のデジタル信号処理ブロック１５内に上述した指示信号に基づいて、異常であることをユーザに知らせる表示や対物レンズ１１の清掃作業が必要などの表示を表示部１７に行わせる表示制御回路１６を設けたものであり、それ以外は同様である。
第２の実施の形態によれば、表示部１７に異常であることが表示されるので情報を再生した際には、事前にエラーが発生することを防止できる。
なお、各実施の形態で説明した（ステップＳ８）で合計電流値が初期値データを得るために半導体レーザ素子９に供給する目標電流値の３倍と等しいと判定された場合には、そのまま再生を継続する。
また、（ステップＳ８）では、初期値データを得るために半導体レーザ素子９に供給する目標電流値の３倍に対する合計電流値の大小比較を行ったが、３倍に限らず、半導体レーザ素子９の最大定格電流以下であれば、任意に設定が可能である。なお、判定回路８は、レーザドライバ回路７の外部に設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光ディスク装置を示す概略図である。
【図２】図１中の光ディスク装置の動作を説明するためのフローチャートを示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る光ディスク装置を示す概略図である。
【符号の説明】
【００２４】
１…光ディスク装置、２…光ピックアップ、３…信号レベル検波回路、４…ＲＦアンプ回路、５…レベル比較器、６…ＡＰＣ回路、７…レーザドライバ回路、８…判定回路、９…半導体レーザ素子、１０…偏光ビームスプリッタ、１１…対物レンズ、１２…フロントモニターダイオード、１３…フォトディテクタ、１４…サーボ信号処理ブロック、１５…デジタル信号処理ブロック、１５Ａ…メモリ、１６…表示制御回路、１７…表示部。
【図１】
2009151880.tif 000003
【図２】
2009151880.tif 000004
【図３】
2009151880.tif 000005