(57)【要約】【課題】振動子への電力供給を安定化し、反応容器内の液体を適切に攪拌可能とした音波発生部材、反応容器および分析装置を提供すること。【解決手段】本発明においては、音波発生部材において、複数の櫛歯状電極中央位置から出射される最も強度が強い超音波が再度櫛歯状電極に入射しないように、両端の櫛歯状電極間の長さＬ２が、複数の櫛歯状電極中央位置から圧電基板の他方の面に向かって出射し該他方の面で反射した超音波が一方の面に到達する到達位置と、複数の櫛歯状電極中央位置との間の距離の２倍よりも短くする。【選択図】        図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の一方の面上に複数の櫛歯状電極からなる振動子が形成された音波発生部材において、
両端の前記櫛歯状電極間の長さが、前記複数の櫛歯状電極中央位置から前記圧電基板の他方の面に向かって出射し該他方の面で反射した超音波が前記一方の面に到達する到達位置と、前記複数の櫛歯状電極中央位置との間の距離の２倍よりも短いことを特徴とする音波発生部材。
【請求項２】
前記両端の櫛歯状電極間の長さＬは、前記圧電基板厚さ（Ｄ）、前記超音波の出射角度（θ１）、および、出射角度（θ１）で出射した音波の反射角度（θ２）との間で、
Ｌ＜２Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）
の関係を有することを特徴とする請求項１に記載の音波発生部材。
【請求項３】
前記両端の櫛歯状電極間の長さが、端部の前記櫛歯状電極位置から前記圧電基板の他方の面に向かって出射し該他方の面で反射した超音波が前記一方の面に到達する到達位置と、前記端部の櫛歯状電極位置との間の距離よりも短いことを特徴とする請求項１または２に記載の音波発生部材。
【請求項４】
前記両端の櫛歯状電極間の長さＬは、前記圧電基板厚さ（Ｄ）、前記出射角度（θ１）、および、前記反射角度（θ２）との間で、
Ｌ＜Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）
の関係を有することを特徴とする請求項３に記載の音波発生部材。
【請求項５】
前記圧電基板は、前記出射角度θ１および前記反射角度θ２が等しい等方体材料で形成されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の音波発生部材。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の音波発生部材を備え、前記音波発生部材が発生した音波によって保持する液体を攪拌することを特徴とする容器。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の音波発生部材を有する容器を使用し、前記音波発生部材に交流電力を供給して超音波を発生させ前記容器内の液体を攪拌する分析装置において、
供給側のインピーダンスと前記音波発生部材側のインピーダンスとを整合する整合手段を備えたことを特徴とする分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板の一方の面上に複数の櫛歯状電極からなる振動子が形成された音波発生部材、この音波発生部材が発生した超音波によって液体を攪拌する容器、および、この容器を使用する分析装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、分析装置は、検体と試薬を含む液体試料を攪拌して反応させ、反応液の光学的特性を測定することにより、検体中の成分濃度等を分析している。ここで、従来の分析装置は、検体と試薬を含む液体試料に音波発生部材が発生した超音波を発することによって非接触で攪拌する反応容器を使用し、いわゆるキャリーオーバーを回避している（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に開示された攪拌装置で使用する音波発生部材は、圧電基板上に櫛歯状電極（ＩＤＴ）からなる振動子が形成されており、反応容器の壁面に取り付けられる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−９０７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、超音波変換効率が高い場合にはＩＤＴからの反射信号が小さくなるため、高周波交流電源は、ＩＤＴからの反射信号が最小となる周波数近傍の交流電力を供給するように設定されている。さらに、ＩＤＴ側において得られる電力が最大となるように、ＩＤＴと高周波交流電源との間に、ＩＤＴの特性インピーダンスと高周波交流電源側の特性インピーダンスとを整合するマッチング回路が設けられる場合があった。このマッチング回路は、ＩＤＴからの反射信号のうち最小となる周波数近傍の交流電力を整合するように設計されている。そして、マッチング回路は、一般的に、複数のピークが急峻に現れる反射信号よりも、単数のピークがなだらかに現れる反射信号に対する場合の方が、広い周波数帯域で安定した整合処理を行なうことができる。
【０００５】
しかしながら、従来の反応容器においては、ＩＤＴから発せられた超音波の一部は、反応容器内に入射せず、反応容器との境界面でＩＤＴ方向に反射し、再度ＩＤＴに入射してしまう場合があった。この再度ＩＤＴに入射した超音波の反射成分は、音波発生部材における反射信号と干渉してしまい、急峻な複数のピークとして反射信号に現れてしまっていた。マッチング回路は、このような急峻なピークが複数現れるピークに対して安定した整合処理を行なうことができないため、超音波の反射成分が再度ＩＤＴに入射した場合には、ＩＤＴ側において十分な電力が得られなくなり、適切に超音波が発生せず、反応容器内の液体が十分攪拌されないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、振動子への電力供給を安定化し、反応容器内の液体を適切に攪拌可能とした音波発生部材、反応容器および分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、この発明にかかる音波発生部材は、圧電基板の一方の面上に複数の櫛歯状電極からなる振動子が形成された音波発生部材において、両端の前記櫛歯状電極間の長さが、前記複数の櫛歯状電極中央位置から前記圧電基板の他方の面に向かって出射し該他方の面で反射した超音波が前記一方の面に到達する到達位置と、前記複数の櫛歯状電極中央位置との間の距離の２倍よりも短いことを特徴とする。
【０００８】
また、この発明にかかる音波発生部材は、前記両端の櫛歯状電極間の長さＬは、前記圧電基板厚さ（Ｄ）、前記超音波の出射角度（θ１）、および、出射角度（θ１）で出射した音波の反射角度（θ２）との間で、Ｌ＜２Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）の関係を有することを特徴とする。
【０００９】
また、この発明にかかる音波発生部材は、前記両端の櫛歯状電極間の長さが、端部の前記櫛歯状電極位置から前記圧電基板の他方の面に向かって出射し該他方の面で反射した超音波が前記一方の面に到達する到達位置と、前記端部の櫛歯状電極位置との間の距離よりも短いことを特徴とする。
【００１０】
また、この発明にかかる音波発生部材は、前記両端の櫛歯状電極間の長さＬは、前記圧電基板厚さ（Ｄ）、前記出射角度（θ１）、および、前記反射角度（θ２）との間で、Ｌ＜Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）の関係を有することを特徴とする。
【００１１】
また、この発明にかかる音波発生部材は、前記圧電基板は、前記出射角度θ１および前記反射角度θ２が等しい等方体材料で形成されることを特徴とする。
【００１２】
また、この発明にかかる容器は、上記記載のいずれか一つの音波発生部材を備え、前記音波発生部材が発生した音波によって保持する液体を攪拌することを特徴とする。
【００１３】
また、この発明にかかる分析装置は、上記記載の音波発生部材を有する容器を使用し、前記音波発生部材に交流電力を供給して超音波を発生させ前記容器内の液体を攪拌する分析装置において、供給側のインピーダンスと前記音波発生部材側のインピーダンスとを整合する整合手段を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、音波発生部材において、複数の櫛歯状電極中央位置から出射される最も強度が強い超音波が再度櫛歯状電極に入射しないように、両端の櫛歯状電極間の長さが、複数の櫛歯状電極中央位置から圧電基板の他方の面に向かって出射し該他方の面で反射した超音波が一方の面に到達する到達位置と、複数の櫛歯状電極中央位置との間の距離の２倍よりも短くすることによって、最も強度が強い超音波の反射成分の櫛歯状電極への再度入射を防止し、振動子への電力供給を安定化し、容器内の液体を適切に攪拌することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態である分析装置について、反応容器内に分析対象の液体を分注して所定の試薬と反応させる分析装置を例に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付している。
【００１６】
図１は、本発明の反応容器を使用する実施の形態１の分析装置を示す概略構成図である。図２は、実施の形態１にかかる分析装置の構成を示すブロック図である。図３は、実施の形態１の分析装置で使用され、音波発生部材が一体に設けられた反応容器の斜視図である。
【００１７】
分析装置１は、図１および図２に示すように、試薬テーブル２，３、反応テーブル４、試薬分注機構６，７、検体容器移送機構８、検体分注機構１１、分析光学系１２、洗浄機構１３、制御部１５、入力部１６、表示部１７、マッチング部１８、電力供給部１９および攪拌装置２０を備える。
【００１８】
試薬テーブル２，３は、図１に示すように、それぞれ周方向に配置される複数の試薬容器２ａ，３ａを保持し、駆動手段に回転されて試薬容器２ａ，３ａを周方向に搬送する。反応テーブル４は、図１に示すように、複数の反応容器５が周方向に沿って配列され、試薬テーブル２，３の駆動手段とは異なる駆動手段によって正転或いは逆転されて反応容器５を搬送する。反応テーブル４は、一周期で時計方向に（１周−１反応容器）／４周回転し、四周期で（１周−１反応容器）周回転する。
【００１９】
反応容器５は、容量が数ｎＬ〜数十μＬと微量な容器であり、分析光学系１２の発光部１２ａから出射された分析光（３４０〜８００ｎｍ）に含まれる光の８０％以上を透過する透明素材、例えば、耐熱ガラスを含むガラス，環状オレフィンやポリスチレン等の合成樹脂が使用される。反応容器５は、側壁と底壁とによって液体を保持する水平断面が四角形の液体保持部が形成され、液体保持部の上部に開口を有する四角筒形状の反応容器である。また、反応容器５は、図３に示すように、音波発生素子２３が底壁５ｄに接着剤などで取り付けられた状態で反応テーブル４にセットされる。反応容器５の底壁５ｄに取り付けられる音波発生素子２３とともに攪拌装置２０を構成しており、液体保持部の内面には検体や試薬等の液体に対する親和性処理などが施されている。反応容器５は、反応テーブル４の近傍に設けられた試薬分注機構６，７によって試薬テーブル２，３の試薬容器２ａ，３ａから試薬が分注される。
【００２０】
ここで、試薬分注機構６，７は、それぞれ水平面内を矢印方向に回動するアーム６ａ，７ａに試薬を分注するプローブ６ｂ，７ｂが設けられ、洗浄水によってプローブ６ｂ，７ｂを洗浄する洗浄手段を有している。
【００２１】
検体容器移送機構８は、図１に示すように、フィーダ９に配列した複数のラック１０を矢印方向に沿って１つずつ移送する移送手段であり、ラック１０を歩進させながら移送する。ラック１０は、検体を収容した複数の検体容器１０ａを保持している。ここで、検体容器１０ａは、検体容器移送機構８によって移送されるラック１０の歩進が停止するごとに、水平方向に回動する駆動アーム１１ａとプローブ１１ｂとを有する検体分注機構１１によって検体が各反応容器５へ分注される。このため、検体分注機構１１は、洗浄水によってプローブ１１ｂを洗浄する洗浄手段を有している。
【００２２】
分析光学系１２は、試薬と検体とが反応した反応容器５内の液体を分析するための分析光（３４０〜８００ｎｍ）を出射するもので、図１に示すように、発光部１２ａ，分光部１２ｂおよび受光部１２ｃを有している。発光部１２ａから出射された分析光は、反応容器５内の液体を透過し、分光部１２ｂと対向する位置に設けた受光部１２ｃによって受光される。受光部１２ｃは、制御部１５と接続され、受光した分析光の光量信号を制御部１５へ出力する。
【００２３】
洗浄機構１３は、ノズル１３ａによって反応容器５内の液体を吸引して排出した後、ノズル１３ａから洗剤や洗浄水等の洗浄液を注入し、吸引する動作を複数回繰り返すことにより、分析光学系１２による測光が終了した反応容器５内を洗浄する。
【００２４】
制御部１５は、例えば、マイクロコンピュータ等が使用され、図１および図２に示すように、分析装置１の各構成部と接続されてこれらの作動を制御するとともに、発光部１２ａの出射光量と受光部１２ｃが受光した光量に基づく反応容器５内の液体の吸光度に基づいて検体の成分濃度等を分析する。制御部１５は、キーボード等の入力部１６から入力される分析指令に基づいて分析装置１の各構成部の作動を制御しながら分析動作を実行させるとともに、分析結果や警告情報の他、入力部１６から入力される表示指令に基づく各種情報等をディスプレイパネル等の表示部１７に表示する。
【００２５】
電力供給部１９は、制御部１５の制御のもと、分析装置１の各構成部位である試薬テーブル２，３、反応テーブル４、試薬分注機構６，７、検体容器移送機構８、検体分注機構１１、分析光学系１２、洗浄機構１３、制御部１５、入力部１６、表示部１７および攪拌装置２０に駆動電力を供給する。電力供給部１９は、マッチング部１８および送電体２１を介して、攪拌装置２０に数ＭＨｚ〜数百ＭＨｚ程度の高周波交流電力を供給する。
【００２６】
マッチング部１８は、音波発生素子２３側において得られる高周波交流電力が最大となるように、電力供給部１９側の特性インピーダンスと、音波発生素子２３の特性インピーダンスを整合する。
【００２７】
攪拌装置２０は、電力を供給されることによって音波発生素子２３を駆動して、音波発生素子２３が発生した超音波によって反応容器５に保持された液体を攪拌するもので、反応容器５の他に、図１および図２に示すように、送電体２１と、反応容器５の底壁５ｄに取り付けられた音波発生素子２３とを有している。
【００２８】
図１、図３に示すように、送電体２１は、反応テーブル４に配置される反応容器５の底壁５ｄに対向するように反応テーブル４下に配置される。そして、送電体２１は、マッチング部１８によって音波発生素子２３側の特性インピーダンスに整合された数ＭＨｚ〜数百ＭＨｚ程度の高周波交流電力を、音波発生素子２３に送電する。送電体２１は、駆動回路とコントローラとを備えており、図３に示すように、音波発生素子２３の電気端子２３ｄに当接するブラシ状の接触子２１ａを有している。このとき、送電体２１は、図１に示すように、配置決定部材２２に支持されており、反応テーブル４の回転が停止したときに接触子２１ａから電気端子２３ｄに電力を送電する。
【００２９】
配置決定部材２２は、送電体２１から電気端子２３ｄに電力を送電する送電時に、送電体２１を移動させて送電体２１と電気端子２３ｄとの相対配置を調整するもので、たとえば２軸ステージが使用される。具体的には、配置決定部材２２は、反応テーブル４が回転し、送電体２１から電気端子２３ｄに電力を送電していない非送電時は作動を停止し、送電体２１と電気端子２３ｄとの間を一定の距離に保持している。
【００３０】
そして、反応テーブル４が回転を停止すると、配置決定部材２２は、制御部１５の制御の下に送電体２１を移動させ、送電体２１と電気端子２３ｄとが対向するように送電体２１の位置を調整するとともに、相対配置を決定する。これにより、反応テーブル４が回転を停止すると、送電体２１は、接触子２１ａが電気端子２３ｄに接触し、接触子２１ａから電気端子２３ｄに電力を送電する。音波発生素子２３は、電気端子２３ｄを介して送電体２１から高周波交流電力を供給されることによって、超音波を発生する。音波発生素子２３が発生した超音波によって反応容器５に保持される液体が攪拌される。
【００３１】
以上のように構成される分析装置１は、制御部１５の制御の下に作動し、回転する反応テーブル４によって周方向に沿って搬送されてくる複数の反応容器５に試薬分注機構６，７が試薬容器２ａ，３ａから試薬を順次分注する。試薬が分注された反応容器５は、検体分注機構１１によってラック１０に保持された複数の検体容器１０ａから検体が順次分注される。
【００３２】
そして、試薬と検体が分注された反応容器５は、反応テーブル４が停止する都度、攪拌装置２０によって順次攪拌されて試薬と検体とが反応し、反応テーブル４が再び回転したときに分析光学系１２を通過する。このとき、反応容器５内の反応液は、受光部１２ｃで側光され、制御部１５によって成分濃度等が分析される。そして、反応液の測光が終了した反応容器５は、洗浄機構１３によって洗浄された後、再度検体の分析に使用される。
【００３３】
つぎに、反応容器２３に取り付けられる音波発生素子２３について説明する。音波発生素子２３は、図４に示すように、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等からなる圧電基板２３ａの一方の面に、Ａｕなどによって形成される複数の対の電極からなる櫛歯状電極（ＩＤＴ）２３ｂからなる振動子と、Ａｕなどの金属材料で形成され各ＩＤＴ２３ｂと接続する電気端子２３ｄとが設けられた音波発生部材である。音波発生素子２３は、各ＩＤＴ２３ｂからなる振動子および電気端子２３ｄを外側に向け、エポキシ樹脂や紫外線硬化樹脂等の接着剤を介して反応容器５の底壁５ｄに取り付けられる。この音波発生素子２３は、振動子として櫛歯状電極（ＩＤＴ）を使用するので、構造が簡単で小型な構成とすることができる。
【００３４】
複数の櫛歯状電極（ＩＤＴ）２３ｂからなる振動子は、電気端子２３ｄを介して送電体２１から高周波交流電力を送電されることによって超音波を発生する。図５および図６に示すように、反応容器５の底壁５ｄに取り付けられた音波発生素子２３から発生した超音波によって、音響流Ｃｕが発生し、この音響流Ｃｕによって液体を攪拌させることができる。なお、図５は、ＩＤＴの各電極指の延伸方向から見た反応容器液体内の音響流を示す図であり、図６は、ＩＤＴの各電極指の延伸方向と平行する方向から見た反応容器内の音響流を示す図である。
【００３５】
つぎに、図７を参照し、音波発生素子２３において超音波を発生させるための条件について説明する。図７は、図４に示す超音波振動素子２３および反応容器５の底壁５ｄを、圧電基板２３ａ上から見て各櫛歯状電極２３ｂに直交する方向で切断した断面図である。
【００３６】
図７に示すように、音波発生素子２３においては、ＩＤＴ２３ｂから圧電基板２３ａ内に向かうバルク超音波を発生するために、ＩＤＴ２３ｂの周期Ｔは圧電基板２３ａ内を伝播する超音波の高周波交流電力の周波数に対応する波長λより長くなるように設計される必要がある。ここで、音波発生素子２３における超音波の波長λは、超音波の速度ｃおよび供給される高周波交流電力の周波数νとの間で、以下の（１）式の関係を有する。
ν＝ｃ／λ                                                          ・・・（１）
超音波の速度ｃは、圧電基板２３ａの材料に応じて固定された値であり、供給される高周波交流電力の周波数νは、分析装置１の規格などによって所定の周波数に定められている。このため、音波発生素子２３における超音波の波長λの値も、ｃ値およびν値を（１）式に当てはめることによって決定される。したがって、ＩＤＴ２３ｂの周期Ｔは、（１）式を用いて決定されたλよりも長くなるように設計される。
【００３７】
そして、音波発生素子２３における超音波は、圧電基板２３ａ面の垂線に対し、角度φの位相速度方向で圧電基板２３ａの底壁５ｄ側へ向かって出射する。図７に示すように、角度φと、音波発生素子２３における超音波の波長λと、ＩＤＴ２３ｂの周期Ｔとは、以下の（２）式に示す関係を有する。
λ／Ｔ＝ｓｉｎφ                                                  ・・・（２）
上述したように、（１）式によって超音波の波長λが決定し、決定した波長λの長さよりも長くなるようにＩＤＴ２３ｂの周期Ｔが設計されるため、この波長λおよび周期Ｔを（２）式に当てはめることによって、音波発生素子２３における超音波の位相速度方向の角度φが求められる。
【００３８】
つぎに、音波発生素子２３における両端のＩＤＴ２３ｂ間の長さについて、等方性を有する等方体材料で圧電基板２３ａが形成された場合を例に説明する。図８は、図７と同様に、図４に示す超音波振動素子２３および反応容器５の底壁５ｄを、圧電基板２３ａ上から見て各櫛歯状電極２３ｂに直交する方向で切断した断面図である。
【００３９】
ここで、音波発生素子２３における超音波は、供給される高周波交流電力の周波数νおよびＩＤＴの電極の対の数に応じて狭いローブ状の放射パターンで出射する。この放射パターンの最大値に対応する角度がバルク超音波の出射角度θとされる。また、音波発生素子２３において使用される圧電基板２３ａが等方体材料である場合には、この圧電基板２３ａ内に出射する超音波の出射角度θは、前述した超音波の位相速度方向の角度φとほぼ同等の値であると考えてよい。さらに、圧電基板２３ａが等方体材料で反射に単一の音波モードが関与する場合には、圧電基板２３ａの一方の面から圧電基板２３ａの他方の面に向かって出射した超音波は、出射角度θと同じ角度θで反射する。すなわち、圧電基板２３ａが等方体材料である場合には、出射角度と反射角度が等しい。
【００４０】
この出射角度θおよび反射角度θを用いて、音波発生素子２３における両端のＩＤＴ２３ｂ間の長さについて図８を参照して詳細に説明する。なお、図８以降においては、ＩＤＴから出射されて容器５の底壁５ｄに入射する超音波を超音波Ｗａとして表している。
【００４１】
図８に示すように、音波発生素子２３においては、一方の端部のＩＤＴ位置から出射した超音波のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波が、他方の端部のＩＤＴに入射しないように、両端のＩＤＴ外端間の長さ（以下、「両端のＩＤＴ間の長さ」とする。）、すなわち、圧電基板２３ａを上から見た場合におけるＩＤＴ２３ｂ形成領域の各ＩＤＴとの直交方向の長さが設定されている。言い換えると、両端のＩＤＴ間の長さＬ１は、圧電基板２３ａの一方の面上に形成された複数のＩＤＴ２３ｂのうち端部のＩＤＴ位置から圧電基板２３ａの他方の面に向かって出射し該他方の面で反射した超音波が一方の面に到達する到達位置と、超音波が出射した端部のＩＤＴ位置との間の距離よりも短い。
【００４２】
具体的には、音波発生素子２３においては、左端のＩＤＴ２３ｂｌ位置から厚さＤの圧電基板２３ａにおける底壁５ｄとの境界面に向かって出射角度θで出射した超音波Ｗｃ１が、境界面に到達するまでの距離に対応する長さＤｔａｎθと、超音波Ｗｃ１のうち境界面において反射角度θで反射した超音波Ｗｒ１が圧電基板２３ａにおけるＩＤＴ２３ｂが形成された形成面に到達するまでの距離に対応する長さＤｔａｎθとの和よりも、両端のＩＤＴ間の長さＬ１が短い。すなわち、両端のＩＤＴ間の長さＬ１は、超音波Ｗｃ１，Ｗｒ１に対応する長さの和２Ｄｔａｎθよりも短いため、両端のＩＤＴ間の長さＬ１は、圧電基板２３ａの厚さＤと、超音波の出射角度θと、反射角度θとの間で、以下（３）式に示す関係を有している。
Ｌ１＜２Ｄ（ｔａｎθ）                                            ・・・（３）
【００４３】
音波発生素子２３においては、左端部のＩＤＴ２３ｂｌ位置から出射した超音波のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波が、右端部のＩＤＴ２３ｂｒに入射しないように両端のＩＤＴ間の長さＬ１が（３）式に示す関係を満たすように設定されるため、左端部のＩＤＴ２３ｂｌ位置から出射した超音波のうち、境界面で反射して形成面に戻ってきた超音波が、右端部のＩＤＴ２３ｂｒに再度入射することはない。もちろん、音波発生素子２３においては、左端部のＩＤＴ２３ｂｌ位置から出射した超音波の反射成分が右端部のＩＤＴ２３ｂｒに再度入射しないため、他のＩＤＴ位置から出射した超音波の反射成分も、他のＩＤＴ２３ｂに再度入射することはない。
【００４４】
したがって、音波発生素子２３においては、各ＩＤＴ２３ｂから発せられた超音波の一部が、反応容器５における底壁５ｄ内に入射せず、底壁５ｄとの境界面でＩＤＴ２３ｂ方向に反射した場合であっても、再度ＩＤＴ２３ｂに入射することがほとんどない。
【００４５】
ここで、従来においては、強度の強い超音波を発生させるため、図９における厚さＤ０の圧電基板１２３ａを用いた音波発生素子１２３に示すように、両端のＩＤＴ間の距離Ｌ０は、左端のＩＤＴ１２３ｂｌ位置から出射角度θ０で出射した超音波Ｗｃ０が底壁５ｄとの境界面に到達するまでの距離に対応する長さＤ０ｔａｎθ０と、超音波Ｗｃ０のうち境界面において反射角度θ０で反射した超音波Ｗｒ０が圧電基板１２３ａのＩＤＴ形成面に到達するまでの距離に対応する長さＤ０ｔａｎθ０との和である２Ｄ０ｔａｎθ０よりも長く設定されていることがほとんどであった。このため、左端部のＩＤＴ１２３ｂｌ位置から出射した超音波のうち、境界面で反射して形成面に戻ってきた超音波が、右端部のＩＤＴ１２３ｂｒなどに再度入射してしまう。
【００４６】
この再度ＩＤＴ１２３ｂｒなどに入射した超音波の反射成分は、音波発生素子１２３における反射信号と干渉してしまう。このため、従来の音波発生素子１２３においては、図１０の反射信号の周波数依存図に例示するように、８０ＭＨｚ近傍の領域Ｃ０において、急峻な複数のピークが反射信号に現れてしまっていた。なお、図１０は、圧電基板１２３ａとして、ＬｉＮｂＯ３のＹＺウェハを用いて、オリエンテーションフラットの方向に対応するＺ軸向きにＩＤＴ軸が重なるようにＩＤＴを形成するとともに、ＩＤＴ周期Ｔを４１μｍに、両端のＩＤＴ間の長さＬ１を１．９５ｍｍに設定した場合における反射信号を示す図であり、実際には、後述する異方体における条件（６）を満たさない例であるが、等方体で条件（３）を満たさない場合もこのような現象が現れるものである。
【００４７】
通常、マッチング回路はこのような急峻なピークが複数現れるピークに対して安定した整合処理を行なうことができない。このため、従来の音波発生素子１２３においては、マッチング回路における整合処理が適切に行なわれないため、十分な電力を得ることができず、適切に超音波を発生できない場合があった。この結果、従来においては、反応容器内の液体が十分攪拌されないという問題があった。
【００４８】
これに対し、本実施の形態における音波発生素子２３においては、各ＩＤＴ２３ｂから発せられた超音波の一部が、反応容器５における底壁５ｄ内に入射せず、底壁５ｄとの境界面でＩＤＴ２３ｂ方向に反射した場合であっても、再度ＩＤＴ２３ｂに入射することがないように、（３）式を満たすように両端のＩＤＴ間の長さＬ１が設定されている。このため、本実施の形態における音波発生素子２３においては、再度ＩＤＴ２３ｂに入射した超音波の反射成分に起因する音波発生素子２３における反射信号の干渉がほとんど発生しない。図２１は図１０で示したものと同じ異方体のウェハであり、両端のＩＤＴを条件（６）を満たすように作成した場合における反射信号（Ｓ１１）であり、図１０に比べて形が滑らかになっている。この図２１は異方体のＩＤＴではあるが、等方体で条件（３）を満たすＩＤＴでも定性的にはこのような改善がされる。この結果、音波発生素子２３における反射信号として、なだらかにピークが現れたものが得られる。
【００４９】
したがって、音波発生素子２３においては、ほぼ単数のピークがなだらかに現れる反射信号を得られるため、図１１に例示するように、コイルＬおよびコンデンサＣによって形成されるマッチング部１８であって、ＩＤＴからの反射信号のうち最小となる交流電力を整合するように設計されたマッチング部１８は、広い周波数帯域で安定した整合処理を行なうことができる。
【００５０】
このため、本実施の形態における音波発生素子２３においては、マッチング部１８の安定した整合処理によって十分な電力を得ることができ、適切に超音波を発生することができる。したがって、本実施の形態における音波発生素子２３を反応容器５に取り付けることによって、反応容器５内の液体が十分攪拌され、反応容器５内の反応を適切に進行させることができる。
【００５１】
この結果、音波発生素子２３を有する反応容器５を使用することによって、分析装置１においては、反応容器５内の検体と試薬とを十分に攪拌して、検体と試薬との反応が適切に進行した反応液の光学特性を測定できるため、要求される分析精度を保持することができる。
【００５２】
さらに、音波発生素子２３は、ほぼ単数のピークがなだらかに現れる反射信号を安定して示し、各音波発生素子２３の反射信号は、ほぼ同等の周波数依存性を示す。このため、本実施の形態においては、音波発生素子ごとにマッチング回路をそれぞれ設ける必要がなく、図２に示すように、音波発生素子２３の反射信号の周波数依存性に合わせて回路設計されたマッチング部１８を分析装置１側に設ければ足りるため、音波発生素子２３、反応容器５および分析装置１の構成を、音波発生素子ごとにマッチング回路をそれぞれ設けた場合と比較して格段に簡略化することができる。
【００５３】
なお、図１１においては、マッチング部１８として、コイルＬに対してＩＤＴ２３ｂ側にコンデンサＣを配置した回路構成について示したが、コイルＬに対して電力供給側にコンデンサＣを配置した回路構成であっても図１１における回路構成である場合と同等の整合処理を行なうことが可能である。
【００５４】
そして、ＩＤＴの各位置から出射される超音波のうち、ＩＤＴの中心からθ方向に延長した音軸上の超音波が最も強度が強い。反応容器の底壁との境界面で反射する各超音波のうち、最も強度が強い超音波が反射したものが最も強度が強く、ＩＤＴの反射信号に強く干渉してしまう。このため、実施の形態における音波発生素子においては、この櫛歯状電極中央位置から出射される最も強度が強い超音波による反射成分が再度ＩＤＴに入射しないようにして、従来よりもＩＤＴの反射信号の干渉を低減させてもよい。
【００５５】
言い換えると、図１２の音波発生素子２２３に示すように、両端のＩＤＴ間の長さが、複数のＩＤＴ中央位置から圧電基板２２３ａの境界面に向かって出射し該境界面で反射した超音波がＩＤＴ形成面に到達する到達位置と、複数のＩＤＴ中央位置との間の距離の２倍よりも短くなるように設定されている。具体的には、音波発生素子２２３においては、ＩＤＴ２２３ｂ中央に位置するＩＤＴ２２３ｂｃ位置から右方向に底壁５ｄとの境界面に向かって出射角度θで出射した超音波Ｗｃ２が、圧電基板２２３ａと底壁５ｄとの境界面に到達するまでの距離に対応する長さＤｔａｎθと、超音波Ｗｃ２のうち境界面において反射角度θで反射した超音波Ｗｒ２が圧電基板２２３ａにおけるＩＤＴ形成面に到達するまでの距離に対応する長さＤｔａｎθとの和よりも、両端のＩＤＴ間の長さＬ２の１／２の方が短い。すなわち、両端のＩＤＴ間の長さＬ２の１／２の長さは、超音波Ｗｃ２，Ｗｒ２に対応する長さの和２Ｄｔａｎθよりも短いため、言い換えると、両端のＩＤＴ間の長さＬ２の長さは、超音波Ｗｃ２，Ｗｒ２に対応する長さの和２Ｄｔａｎθの２倍よりも短いため、両端のＩＤＴ間の長さＬ２は、圧電基板２２３ａの厚さＤと、超音波の出射角度θと、反射角度θとの間で、以下（４）式に示す関係を有している。
Ｌ２＜４Ｄ（ｔａｎθ）                                            ・・・（４）
【００５６】
音波発生素子２２３においては、中央のＩＤＴ２２３ｂｃ位置から右方向に出射した超音波のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波が、右端部のＩＤＴ２２３ｂｒに入射しないように両端のＩＤＴ間の長さＬ２が（４）式に示す関係を満たすように設定される。このため、音波発生素子２２３においては、最も強度の強い中央のＩＤＴ２２３ｂｃ位置から右方向に出射した超音波のうち、境界面で反射して形成面に戻ってきた超音波が、右端部のＩＤＴ２２３ｂｒに再度入射しない。もちろん、音波発生素子２２３においては、最も強度の強い中央のＩＤＴ２２３ｂｃ位置から左方向に出射した超音波のうち、境界面で反射して形成面に戻ってきた超音波も、左端部のＩＤＴ２２３に再度入射しない。
【００５７】
従来においては、図１３の音波発生素子３２３に示すように、強度の強い超音波を発生させるため、中央のＩＤＴ３２３ｂｃと右端部のＩＤＴ３２３ｂｒとの間の距離Ｌ３／２は、中央のＩＤＴ３２３ｂｃ位置から出射角度θ０で出射した超音波Ｗｃ３が底壁５ｄとの境界面に到達するまでの距離に対応する長さＤ０ｔａｎθ０と、超音波Ｗｃ３のうち境界面において反射角度θ０で反射した超音波Ｗｒ３が圧電基板３２３ａのＩＤＴ形成面に到達するまでの距離に対応する長さＤ０ｔａｎθ０との和である２Ｄ０ｔａｎθ０よりも長く設定されている。このため、中央のＩＤＴ３２３ｂｃ位置から出射した最も強度の強い超音波の反射成分が、右端部のＩＤＴ３２３ｂｒなどに再度入射してしまっていた。
【００５８】
このため、従来の音波発生素子３２３においては、最も強度の強い超音波の反射成分が音波発生素子３２３における反射信号に強く干渉し、マッチング回路における整合処理を安定して行なうことができず、十分な電力を得ることができなかったため、適切に超音波を発生できない場合があった。
【００５９】
これに対し、図１２に示す音波発生素子２２３においては、ＩＤＴ２２３ｂの中央位置から出射される最も強度が強い超音波による反射成分が再度ＩＤＴに入射しないように、（４）式を満たすように両端のＩＤＴ間の長さＬ２が設定されている。このため、音波発生素子２２３によれば、マッチング部１８による整合処理が所望の安定度で行なえる程度にＩＤＴの反射信号の干渉を従来よりも低減させることができ、電力を十分に取得して適切に超音波を発生することが可能になる。
【００６０】
また、本実施の形態における音波発生素子として、出射角度と反射角度とが等しい等方体材料で形成された圧電基板２３ａ，２２３ａを用いた音波発生素子２３，２２３について説明したが、水晶、ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３、ＬＢＯなどの出射角度と反射角度が異なる異方体材料で形成された圧電基板を用いた音波発生素子に対しても、音波発生素子２３，２２３と同様に、両端のＩＤＴ間の長さＬを、圧電基板の厚さ、超音波の出射角度、超音波の反射角度に応じて設定すればよい。
【００６１】
まず、異方体材料で形成された圧電基板を用いた音波発生素子について、図１４を参照して、上述した音波発生素子２３と同様に、端部のＩＤＴ位置から出射した超音波のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波が、他方の端部に入射しないように、両端のＩＤＴ間の長さＬ４を設定する場合を説明する。
【００６２】
図１４に示すように、異方体材料で形成された厚さＤの圧電基板４２３ａ上にＩＤＴ４２３ｂを形成した場合、各ＩＤＴ位置から出射角度θ１で右方向に出射された超音波Ｗｃ４は、圧電基板４２３ａと反応容器５の底壁５ｄとの境界面において反射角度θ２で圧電基板４２３ａのＩＤＴ形成面に反射する。なお、各ＩＤＴ位置からは、図１４に示す左方向にも超音波が出射されており、この場合には、各ＩＤＴ位置から出射角度θ２で左方向に超音波が出射され、この出射角度θ２で出射された超音波は境界面において反射角度θ１で圧電基板４２３ａのＩＤＴ形成面に反射する。
【００６３】
そして、音波発生素子４２３においては、ＩＤＴ４２３ｂにおける両端のＩＤＴ間の長さＬ４は、左端部のＩＤＴ４２３ｂｌ位置から出射した超音波のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波が、右端部のＩＤＴ４２３ｂｒに入射しないように設定されている。具体的には、音波発生素子４２３においては、左端部のＩＤＴ４２３ｂｌ位置から出射角度θ１で出射した超音波Ｗｃ４が境界面に到達するまでの距離に対応する長さＤｔａｎθ１と、超音波Ｗｃ４のうち境界面において反射角度θ２で反射した超音波Ｗｒ４がＩＤＴ形成面に到達するまでの距離に対応する長さＤｔａｎθ２との和よりも、ＩＤＴ４２３ｂにおける両端のＩＤＴ間の長さＬ４の方が短い。すなわち、両端のＩＤＴ間の長さＬ４は、超音波Ｗｃ４，Ｗｒ４に対応する長さの和Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）よりも短いため、両端のＩＤＴ間の長さＬ４は、圧電基板４２３ａの厚さＤと、超音波の出射角度θ１と、反射角度θ２との間で、以下（５）式に示す関係を有している。
Ｌ４＜Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）                                ・・・（５）
【００６４】
異方体材料で形成された圧電基板を用いた音波発生素子においても、端部のＩＤＴ位置から出射した超音波のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波が他方の端部のＩＤＴに入射しないように両端のＩＤＴ間の長さが（５）式に示す関係を満たすように設定することによって、音波発生素子２３と同様の効果を奏することが可能になる。
【００６５】
なお、出射角度θ１および反射角度θ２は、圧電基板４２３ａの材料、ＩＤＴ４２３ｂにおける周期Ｔおよび音波発生素子に供給する高周波交流電力の周波数によって決定される。
【００６６】
図１５〜図１９に、圧電基板４２３ａとしてＬｉＮｂＯ３のＹＺウェハを用い、オリエンテーションフラットの方向に対応するＺ軸向きにＩＤＴ軸が重なるように１１対のＩＤＴを形成するとともに、ＩＤＴ周期Ｔを１００μｍに設定した場合における超音波の出射状態を示す図である。図１５には、高周波交流電力の周波数が３６ＭＨｚである場合について示し、図１６には、高周波交流電力の周波数が３８ＭＨｚである場合について示し、図１７には、高周波交流電力の周波数が４５ＭＨｚである場合について示し、図１８には、高周波交流電力の周波数が６０ＭＨｚである場合について示し、図１９には、高周波交流電力の周波数が７５ＭＨｚである場合について示す。図１５〜図１９に示すように、高周波交流電力の周波数によって、右方向への出射角度θ１と、左方向への出射角度θ２とは異なる値を示し、周波数が高くなるほど、右方向への出射角度θ１と左方向への出射角度θ２との差が広がっていく。
【００６７】
また、異方体材料で形成された圧電基板を用いた音波発生素子について、図２０を参照して、上述した音波発生素子２２３と同様に、最も強度が強いＩＤＴ中央位置から出射した超音波による反射成分が再度ＩＤＴ側に入射しないように、両端のＩＤＴ間の長さＬ５を設定する場合を説明する。
【００６８】
図２０の音波発生素子５２３に示すように、異方体材料で形成された厚さＤの圧電基板５２３ａ上にＩＤＴ５２３ｂを形成した場合、各ＩＤＴ位置から出射角度θ１で右方向に出射された超音波は、圧電基板５２３ａと底壁５ｄとの境界面において反射角度θ２で圧電基板５２３ａのＩＤＴ形成面に反射する。そして、各ＩＤＴ位置から出射角度θ２で左方向に出射された超音波は、境界面において反射角度θ１で圧電基板５２３ａのＩＤＴ形成面に反射する。
【００６９】
そして、音波発生素子５２３においては、ＩＤＴ５２３ｂにおける両端のＩＤＴ間の長さＬ５は、複数のＩＤＴ中央のＩＤＴ５２３ｂｃ位置から右方向に出射した超音波Ｗｃ５１のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波Ｗｒ５１が、右端部のＩＤＴ５２３ｂｒに入射しないように設定されている。同様に、ＩＤＴ５２３ｂにおける両端のＩＤＴ間の長さＬ５は、複数のＩＤＴ中央のＩＤＴ５２３ｂｃ位置から左方向に出射した超音波Ｗｃ５２のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波Ｗｒ５２が、左端部のＩＤＴ５２３ｂｌに入射しないように設定されている。
【００７０】
具体的には、音波発生素子５２３においては、中央のＩＤＴ５２３ｂｃ位置から出射角度θ１で出射した超音波Ｗｃ５１が境界面に到達するまでの距離に対応する長さＤｔａｎθ１と、超音波Ｗｃ５１のうち境界面において反射角度θ２で反射した超音波Ｗｒ５２がＩＤＴ形成面に到達するまでの距離に対応する長さＤｔａｎθ２との和よりも、ＩＤＴ５２３ｂにおける両端のＩＤＴ間の長さＬ５の１／２の長さの方が短い。すなわち、両端のＩＤＴ間の長さＬ５の１／２の長さは、超音波Ｗｃ５１，Ｗｒ５２に対応する長さの和Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）よりも短いため、両端のＩＤＴ間の長さＬ５は、圧電基板５２３ａの厚さＤと、超音波の出射角度θ１と、反射角度θとの間で、以下（６）式に示す関係を有している。なお、超音波Ｗｃ５２，Ｗｒ５２に対応する長さの和も、超音波Ｗｃ５１，Ｗｒ５２と同様に、Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）となる。
Ｌ５＜２Ｄ（ｔａｎθ１＋ｔａｎθ２）                              ・・・（６）
【００７１】
異方体材料で形成された圧電基板を用いた音波発生素子においても、ＩＤＴ中央位置から出射した超音波のうち、反射してＩＤＴ側に戻ってきた超音波が端部のＩＤＴに入射しないように両端のＩＤＴ間の長さが（６）式に示す関係を満たすように設定することによって、たとえば図２１の反射信号の周波数依存図に示すように、８０ＭＨｚ±１０％の領域Ｃ１に、なだらかにピークが現れたものが得られるため、音波発生素子２２３と同様の効果を奏することが可能になる。
【００７２】
たとえば、０．５ｍｍの厚さを有するＬｉＮｂＯ３のＹＺウェハを圧電基板４２３ａとして用い、オリエンテーションフラットの方向に対応するＺ軸向きに概ねＩＤＴ軸が重なるようにＩＤＴを形成しＩＤＴ周期Ｔを１０９μｍに設定した音波発生素子において、６０ＭＨｚの高周波交流電力を供給する場合、図１８と同様の計算から求めた出射角度４０．６°および出射角度３０．７°と、圧電基板５２３ａの厚さ０．５ｍｍを（６）式に適用し、（６）式満たすように、両端のＩＤＴ間の長さＬ５を１ｍｍ未満に設定すればよい。この場合、高周波交流電力の周波数を最適条件の６０ＭＨｚから上下に１０％変動してしまった場合であっても、（６）式の条件を満たす。このため、この場合には、音波発生素子に供給する高周波交流電力の周波数が最適条件の６０ＭＨｚから上下に１０％変動してしまった場合であっても、ＩＤＴ中央位置から出射された反射成分のＩＤＴへの再度入射が防止され、適切な音響流の発生が見込める。
【００７３】
また、実施の形態においては、音波発生素子２３，２２３，４２３，５２３を反応容器５の底壁５ｄに取り付けた場合を例に説明したが、もちろんこれに限らず、たとえば図２２に示すように、反応容器５の側壁５ｃに音波発生素子を取り付けてもよい。側壁５ｃに音波発生素子２３，２２３，４２３，５２３を取り付けた場合も、超音波の反射成分による反射信号の干渉を低減でき、反応容器５の保持部５ａ内に保持された液体を適切に攪拌することが可能になる。なお、側壁５ｃにおける音波発生素子２３の取付部分の下部側の点線によって囲まれた部分が分析光を透過させる測光用の窓５ｂとして利用される。このため、含めて音波発生素子２３は、分析光学系１２による測光を妨げないように、図２２に示すように、測光用の窓５ｂを避けて側壁５ｃに取り付けることが望ましい。
【００７４】
また、実施の形態においては、ＬｉＮｂＯ３を圧電基板として用いた場合を例に説明したがもちろんこれに限らず、ＬｉＮｂＯ３と同様に超音波変換機能を有する水晶、ＬｉＴａＯ３、ＬＢＯなどを圧電基板として用いてもよい。この場合、各材料に対応する出射角度θ，θ１，θ２および圧電基板の厚さＤなどをもとに、上述した（３）〜（６）式を満たすように両端のＩＤＴ間の長さを設定すればよい。
【００７５】
また、本発明の分析装置は、２つの試薬テーブル２，３を有するものについて説明したが、試薬テーブルは１つであってよい。更に、本発明の分析装置は、１つの分析装置をユニットとして複数ユニット備えたものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】実施の形態にかかる分析装置を示す概略構成図である。
【図２】実施の形態にかかる分析装置の構成を示すブロック図である。
【図３】音波発生素子が取り付けられ、実施の形態の分析装置で使用される反応容器を送電体とともに示す斜視図である。
【図４】実施の形態の分析装置で使用される攪拌装置の音波発生素子と、音波発生素子を取り付けた反応容器とを示す斜視図である。
【図５】図４に示す反応容器内において発生する音響流を説明する図である。
【図６】図４に示す反応容器内において発生する音響流を説明する図である。
【図７】図４に示す超音波振動素子および反応容器の底壁を、圧電基板上から見て各櫛歯状電極に直交する方向で切断した断面図である。
【図８】図４に示す超音波振動素子および反応容器の底壁を、圧電基板上から見て各櫛歯状電極に直交する方向で切断した断面図である。
【図９】従来技術における超音波振動素子および反応容器の底壁を、圧電基板上から見て各櫛歯状電極に直交する方向で切断した断面図である。
【図１０】従来技術における超音波振動素子の反射信号の周波数依存を示す図である。
【図１１】図２に示すマッチング部の回路構成の概略を説明する図である。
【図１２】図４に示す超音波振動素子および反応容器の底壁を、圧電基板上から見て各櫛歯状電極に直交する方向で切断した他の例を示す断面図である。
【図１３】従来技術における超音波振動素子および反応容器の底壁を、圧電基板上から見て各櫛歯状電極に直交する方向で切断した他の例を示す断面図である。
【図１４】図４に示す超音波振動素子および反応容器の底壁を、圧電基板上から見て各櫛歯状電極に直交する方向で切断した他の例を示す断面図である。
【図１５】周波数３６ＭＨｚの交流電力を供給した圧電基板における超音波の出射状態を示す図である。
【図１６】周波数３８ＭＨｚの交流電力を供給した圧電基板における超音波の出射状態を示す図である。
【図１７】周波数４５ＭＨｚの交流電力を供給した圧電基板における超音波の出射状態を示す図である。
【図１８】周波数６０ＭＨｚの交流電力を供給した圧電基板における超音波の出射状態を示す図である。
【図１９】周波数７６ＭＨｚの交流電力を供給した圧電基板における超音波の出射状態を示す図である。
【図２０】図４に示す超音波振動素子および反応容器の底壁を、圧電基板上から見て各櫛歯状電極に直交する方向で切断した他の例を示す断面図である。
【図２１】図２０に示す超音波振動素子の反射信号の周波数依存を示す図である。
【図２２】実施の形態の分析装置で使用される攪拌装置の音波発生素子と、音波発生素子を取り付けた反応容器との他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７７】
１  分析装置
２，３  試薬テーブル
４  反応テーブル
５  反応容器
５ｃ  側壁
５ｄ  底壁
６，７  試薬分注機構
８  検体容器移送機構
９  フィーダ
１０  ラック
１１  検体分注機構
１２  分析光学系
１３  洗浄機構
１５  制御部
１６  入力部
１７  表示部
２０  攪拌装置
２１  送電体
２２  配置決定部材
２３，１２３，２２３，３２３，４２３,５２３  音波発生素子
２３ａ，１２３ａ，２２３ａ，３２３ａ，４２３ａ，５２３ａ  圧電基板
２３ｂ、１２３ｂ、２２３ｂ，３２３ｂ，４２３ｂ，５２３ｂ  ＩＤＴ
２３ｄ  電気端子
【図１】
2009014412.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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