(57)【要約】【課題】コレットの吸着面を効果的に冷却する半導体チップの実装装置を提供する。【解決手段】コレット２によって半導体チップ１をピックアップするピックアップポジションの周囲に、冷却媒体を噴射する冷却媒体噴射手段３を配設した。前記半導体チップ１にコレット２を接近させる際に、前記コレット２の吸着面５と半導体チップ１との間に形成した所定間隔Ｄの隙間Ｓに、前記冷却媒体噴射手段３によって冷却媒体を吹き付けて当該隙間Ｓに冷却流体層を形成する。前記隙間Ｓに吹き付けられた冷却媒体を前記コレット２の吸引口４から吸引するように構成した。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップし当該半導体チップを加熱された基材にボンディングするコレットを備えた半導体チップの実装装置において、
前記半導体チップを前記コレットによってピックアップするピックアップポジションの周囲に、冷却媒体を噴射する冷却媒体噴射手段を配設し、
前記半導体チップにコレットを接近させる際に、前記コレットの吸着面と半導体チップとの間に形成した所定間隔の隙間に、前記冷却媒体噴射手段によって冷却媒体を吹き付けて当該隙間に冷却流体層を形成すると共に、前記隙間に吹き付けられた冷却媒体を前記コレットの吸引口から吸引するように構成したことを特徴とする半導体チップの実装装置。
【請求項２】
前記冷却媒体噴射手段を、前記ピックアップポジションの周囲に複数配設した請求項１に記載の半導体チップの実装装置。
【請求項３】
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記吸引口から流体を吹き出して前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成するように構成した請求項１又は２に記載の半導体チップの実装装置。
【請求項４】
前記吸引口を、前記吸着面に複数形成すると共に、各吸引口を前記吸着面の中心に対して互いに対称に配設した請求項３に記載の半導体チップの実装装置。
【請求項５】
コレットの吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップすると共に、前記コレットで前記半導体チップを加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装方法において、
前記半導体チップにコレットを接近させる際に、前記コレットの半導体チップへの接近を一旦停止あるいは減速して、前記コレットの吸着面と半導体チップとの間に所定間隔の隙間を形成する工程と、
前記隙間に冷却媒体噴射手段によって冷却媒体を所定時間吹き付けて当該隙間に冷却流体層を形成すると共に、前記隙間に吹き付けられた冷却媒体を前記コレットの吸引口から吸引する工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。
【請求項６】
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで半導体チップを前記基材に押し付ける工程と、
前記吸引口から流体を吹き出して、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成する工程と、
前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有する請求項５に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項７】
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで吸着した半導体チップを前記基材に接近させる工程と、
前記吸引口から流体を吹き出して、前記半導体チップを前記基材上に落下させると共に、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成する工程と、
前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有する請求項５に記載の半導体チップの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップをピックアップして加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装装置、及びその実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２を参照して、回路基材等の基材に半導体チップを実装する方法について説明する。図１２の（Ａ）に示すように、ウェーハシート１０２の上には、一枚の半導体ウェーハ１００が、フィルム状の接合材１０１を介して粘着してある。この半導体ウェーハ１００と接合材１０１を、ダイサ（ダイヤモンドホイール）２００によって格子状に切断し、個々の半導体チップ１０３に分割する。
【０００３】
次に、図１２の（Ｂ）に示すように、エキスパンド装置（図示省略）によって、ウェーハシート１０２を放射状に引き伸ばして、半導体チップ１０３同士の間隔を拡大させる。そして、同図の（Ｃ）に示すように、突き上げ部材３００によって、１つの半導体チップ１０３をウェーハシート１０２の下方から突き上げて、接合材１０１の縁をウェーハシート１０２から剥離させる。突き上げた状態の半導体チップ１０３を、接合材１０１と一緒にコレット４００で吸着してピックアップする。
【０００４】
半導体チップ１０３をピックアップした後、図１２の（Ｄ）に示すように、予めヒータ５００で加熱した基材６００の上に、半導体チップ１０３を搬送し、コレット４００で半導体チップ１０３を基材６００へ押し付ける。加熱された基材６００の熱によって接合材１０１が軟化されて、半導体チップ１０３が基材６００に接着される。このように、コレットで半導体チップを１個ずつピックアップし、基材上にボンディングする工程を繰り返し行う。
【０００５】
しかし、上記のように半導体チップのボンディング工程を繰り返すと、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝わり、コレットに蓄熱される。そして、コレットがある温度（例えば、４０℃）以上に加熱されると、コレットで半導体チップをピックアップする際に、コレットの熱が半導体チップの裏の接合材に伝導して、半導体チップがウェーハシートに貼り付く。この接合材の貼り付きによって、半導体チップをウェーハシートから安定してピックアップすることができなくなる不具合が生じる。
【０００６】
上記不具合を解消するために、例えば特許文献１に示す半導体チップの実装装置が提案されている。この実装装置は、冷却媒体を噴射可能な冷却ブローノズルを備える。そして、その冷却ブローノズルからコレットの側面に冷却媒体を吹き付けることにより、コレットを冷却し、コレットがボンディング時に加熱するのを抑制している。
【０００７】
また、半導体チップ自体を冷却ブローにより冷却する方法もあるが、コレットに蓄えられた熱エネルギーは大きく、コレットを冷却するには不十分である。
【特許文献１】特開２００６−１２０６５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ピックアップ時にコレットに蓄熱された熱が伝達されることによって生じる接合材の貼り付きを防止するには、コレットの吸着面を冷却するのが効果的である。しかし、上記特許文献１に記載したコレットの冷却方法は、コレットの側面に冷却媒体を吹き付けるので、コレットの吸着面を効果的に冷却することができないものであった。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みて、コレットの吸着面を効果的に冷却する半導体チップの実装装置、及びその実装方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明は、吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップし当該半導体チップを加熱された基材にボンディングするコレットを備えた半導体チップの実装装置において、前記半導体チップを前記コレットによってピックアップするピックアップポジションの周囲に、冷却媒体を噴射する冷却媒体噴射手段を配設し、前記半導体チップにコレットを接近させる際に、前記コレットの吸着面と半導体チップとの間に形成した所定間隔の隙間に、前記冷却媒体噴射手段によって冷却媒体を吹き付けて当該隙間に冷却流体層を形成すると共に、前記隙間に吹き付けられた冷却媒体を前記コレットの吸引口から吸引するように構成したものである。
【００１１】
半導体チップにコレットを接近させる際に、コレットの吸着面と半導体チップとの隙間に、冷却媒体噴射手段から冷却媒体を所定時間に吹き付けつつコレットで吸引すると、吸い込まれる冷却媒体が隙間を速く流れることによって冷却流体層が形成される。これにより、コレットを特に吸着面側から冷却することができる。また、同時に半導体チップの表面も冷却することが可能である。さらに、コレットが吹き付けられた冷却媒体を吸引することによって、コレットをその内側から冷却することもできる。このように、コレット及び半導体チップを冷却することによって、ピックアップ時における接合材のウェーハシートへの貼り付きを確実に防止することができる。
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体チップの実装装置において、前記冷却媒体噴射手段を、前記ピックアップポジションの周囲に複数配設したものである。
【００１３】
これにより、コレットを２方向以上から確実に冷却することができる。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項１又は２に記載の半導体チップの実装装置において、前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記吸引口から流体を吹き出して前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成するように構成したものである。
【００１５】
ボンディングする際に、コレットの吸引口から吹き出した流体が、コレットの吸着面と半導体チップとの間に流れることにより、加圧流体層が形成される。この加圧流体層によって、半導体チップは基材へ押し付けられ接合される。すなわち、コレットと半導体チップは、加圧流体層が介在することにより非接触状態となるので、この間、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝導することを防止することができる。さらに、吸引口から吹き出す流体によって、コレットの冷却も行える。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項３に記載の半導体チップの実装装置において、前記吸引口を、前記吸着面に複数形成すると共に、各吸引口を前記吸着面の中心に対して互いに対称に配設したものである。
【００１７】
各各吸引口を、吸着面の中心に対して互いに対称に配設しているため、各吸引口から吹き出す流体圧は、半導体チップの表面に均一に作用する。これにより、半導体チップのボンディング精度を向上させることができる。
【００１８】
請求項５の発明は、コレットの吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップすると共に、前記コレットで前記半導体チップを加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装方法において、前記半導体チップにコレットを接近させる際に、前記コレットの半導体チップへの接近を一旦停止あるいは減速して、前記コレットの吸着面と半導体チップとの間に所定間隔の隙間を形成する工程と、前記隙間に冷却媒体噴射手段によって冷却媒体を所定時間吹き付けて当該隙間に冷却流体層を形成すると共に、前記隙間に吹き付けられた冷却媒体を前記コレットの吸引口から吸引する工程とを有する実装方法である。
【００１９】
これにより、半導体チップをピックアップする前に、コレット及び半導体チップを冷却することができ、ピックアップ時における接合材のウェーハシートへの貼り付きを防止することができる。
【００２０】
請求項６の発明は、請求項５に記載の半導体チップの実装方法において、前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで半導体チップを前記基材に押し付ける工程と、前記吸引口から流体を吹き出して、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成する工程と、前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有する実装方法である。
【００２１】
コレットと半導体チップは、加圧流体層が介在することにより非接触状態となるので、この間、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝導することを防止することができる。さらに、吸引口から吹き出す流体によって、コレットの冷却も行える。
【００２２】
請求項７の発明は、請求項５に記載の半導体チップの実装方法において、前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで吸着した半導体チップを前記基材に接近させる工程と、前記吸引口から流体を吹き出して、前記半導体チップを前記基材上に落下させると共に、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成する工程と、前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有する実装方法である。
【００２３】
この方法によれば、コレットは基材の上に落下させた半導体チップに全く接触せずにボンディングすることができる。従って、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝導することがなく、コレットの加熱が防止される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、半導体チップをピックアップする際に、コレットの吸着面と半導体チップとの隙間に、冷却媒体を吹き付けつつコレットで吸引することによって、コレットを特に吸着面側から冷却することができる。また、同時に半導体チップの表面も冷却することが可能である。さらに、コレットが吹き付けられた冷却媒体を吸引することによって、コレットをその内側から冷却することもできる。このように、コレット及び半導体チップを冷却することによって、半導体チップのピックアップ時における接合材のウェーハシートへの貼り付きを確実に防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を添付の図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る半導体チップの実装装置の実施の一形態を示す概略構成図である。図１に示すように、半導体チップの実装装置は、吸引口４を形成した吸着面５を有するコレット２と、コレット２を保持するコレットホルダ６と、コレット２の吸引口４から吸気させるための真空発生装置８と、冷却媒体を噴射する冷却媒体噴射手段３を備える。コレット２は、図示しない水平移動機構によって、半導体チップをピックアップするピックアップポジションと、その半導体チップを基材にボンディングするボンディングポジションとの間を往復移動可能に構成されている。また、ピックアップポジションとボンディングポジションにおいて、コレット２を昇降させる昇降機構も備えている（図示省略）。
【００２６】
また、複数の半導体チップ１が接合材２０を介して粘着してあるウェーハシート７は、図示しない移動機構によってＸ−Ｙ方向及びθ方向に移動可能に構成されている。そして、ウェーハシート７を移動させて、半導体チップ１をピックアップポジションＰに配置するようにしている。一方、コレット２は、半導体チップ１をピックアップする際、毎回同じ位置（ピックアップポジションＰ）に配置される。つまり、ピックアップポジションＰは、３次元空間の所定の位置に配設されている。
【００２７】
図２は、前記ピックアップポジションＰを上方から見た平面図である。図２に示すように、上記冷却媒体噴射手段３は、ピックアップポジションＰの周囲に等間隔（９０°ピッチ）に４つ配設されている。また、各冷却媒体噴射手段３の冷却媒体を噴射する噴射口は、ピックアップポジションＰ側（内側）を臨むように配置されている。
【００２８】
図３に、本発明の実装装置の他の実施形態を示す。この実装装置は、コレット２及びコレットホルダ６と、真空発生装置８と、空気又は不活性ガスあるいは冷却媒体等の流体を供給する流体供給装置９と、前記真空発生装置８及び流体供給装置９を択一的にコレット２の吸引口４に連通させる切換弁１０と、切換弁１０を制御する制御部１１とを備える。なお、この実施形態も、図１に示す実施形態と同様に、ピックアップポジションに冷却媒体噴射手段を配設している。
【００２９】
上記真空発生装置８と流体供給装置９は、それぞれ例えば真空ポンプとエアコンプレッサ等で構成されている。また、切換弁１０は３ポートタイプの電磁式切換弁である。切換弁１０の２つのポートは、真空発生装置８及び流体供給装置９のそれぞれに管路１２，１３を介して接続されており、切換弁１０の残りの１ポートは、コレット２の吸引口４に連通連結した共通管路１４に接続されている。この切換弁１０を制御部１１で切り換えることによって、真空発生装置８及び流体供給装置９に接続した各流路１２，１３を、共通管路１４に択一的に連通させることができる。
【００３０】
図３は、コレット２の吸引口４に真空発生装置８を連通させた状態を示している。また、図４は、コレット２の吸引口４に流体供給装置９を連通させた状態を示す。この図４に示す状態では、吸引口４は流体供給装置９から供給される流体を噴出する噴射口として機能する。
【００３１】
図５は、コレット２の吸着面５を示す。図５に示すように、吸着面５には吸引口４が５つ開設されている。具体的には、四角形に形成された吸着面５の中心と四隅にそれぞれ吸引口４が形成されている。各吸引口４は、吸着面５の中心に対して互いに対称に配設されている。なお、コレット２の吸着面５の形状、及び吸引口４の個数や大きさ又は位置などは、図５に示す実施形態に限らない。
【００３２】
図６に本発明のさらに別の実施形態を示す。この実施形態は、上記図３の実施形態と同様に、真空発生装置８と流体供給装置９を備えている。しかし、真空発生装置８及び流体供給装置９は、上記共通管路１４を介さずに、それぞれ個別にコレット２に接続されている。すなわち、図６に示すコレット２は、その吸着面５に、空気を吸引するための吸引口１５と、流体を吹き出すための噴射口１６を個別に有している。
【００３３】
以下、上記実装装置の動作について説明する。
上記図１２の（Ａ）及び（Ｂ）で説明した従来の方法と同様に、半導体ウェーハをダイサで切断して複数の半導体チップに分割する切断工程と、ウェーハシートを放射状に引き伸ばして、半導体チップ同士の間隔を拡大させるエキスパンド工程とを行う。
【００３４】
図７に示すように、ピックアップポジションに対応して配設された半導体チップ１を、突き上げ部材１７によって、ウェーハシート７の下方から突き上げて、半導体チップ１の下面に付着した接合材２０の縁をウェーハシート７から剥離させる。突き上げられた状態の半導体チップ１に、コレット２を降下させて接近させる。そして、コレット２の吸着面５と半導体チップ１の表面（図の上面）との間隔が所定間隔Ｄとなったとき、コレット２の半導体チップ１への接近を一旦停止あるいは減速する。このように、コレット２の吸着面５と半導体チップ１の表面との間に、所定間隔Ｄの隙間Ｓを形成する。
【００３５】
図８に示すように、上記所定間隔Ｄの隙間Ｓには、冷却媒体噴射手段３によって冷却媒体を吹き付けられと共に、この吹き付けられた冷却媒体をコレット２の吸引口４から吸引する。
【００３６】
前記冷却媒体噴射手段３によって冷却媒体を隙間Ｓに所定時間（約０．５〜１．０秒）に吹き付けている間、コレット２の吸引による相乗効果により、この隙間Ｓには、冷却媒体が速く流れることによって冷却流体層が形成される。これにより、コレット２は、特に冷却流体層に接する吸着面５側から冷却される。また、同時に、半導体チップ１の表面も冷却される。さらに、コレット２が冷却媒体を吸引することによって、コレット２はその内側からも冷却される。
【００３７】
本発明は、上記隙間Ｓの間隔Ｄをある程度狭くすることによって、隙間Ｓに冷却媒体の速い流れを生じさせ、コレット２と半導体チップ１の冷却効果を増大させている。隙間Ｓが例えば０．５ｍｍを超えるような広い場合は、吸着面５と半導体チップ１の表面との間に冷却媒体の速い流れが生じにくくなり、冷却効果が低減する。また、隙間Ｓが例えば０．１ｍｍ未満となるような狭い場合は、コレット２の吸引力によって吸着面５に半導体チップ１が吸着され、吸着面５と半導体チップ１の表面との間に冷却媒体の流れを生じさせることができなくなる。
【００３８】
なお、１つの冷却媒体噴射手段３によって、一方向から冷却媒体を吹き付けても、コレット２及び半導体チップ１を冷却することは可能である。しかし、図２に示すように、４つの冷却媒体噴射手段３によって、四方向から冷却媒体を吹き付けることにより、コレット２の吸着面５全体、及び半導体チップ１の表面全体を確実に冷却することができる。また、冷却媒体噴射手段３は、ピックアップポジションＰの周囲に２つ又は３つ、あるいは５つ以上配設してもよい。
【００３９】
また、図９に示すように、コレット２の半導体チップ１への接近を所定間隔Ｄ１で一旦停止あるいは減速した後、コレット２をゆっくりと半導体チップ１へ接近させながら、冷却媒体噴射手段３によって隙間Ｓに冷却媒体を吹き付けるようにしてもよい。具体的には、コレット２を半導体チップ１に接近させ、コレット２と半導体チップ１との間隔が所定値となったときに、コレット２を一旦停止あるいは減速させる。そして、コレット２を半導体チップ１との間隔を半導体チップ１が吸着されるまでゆっくりと半導体チップ１へ接近させる間に、冷却媒体噴射手段３によって冷却媒体を隙間Ｓに吹き付ける。なお、この場合も上記と同様に、吹き付けられた冷却媒体は、コレット２の吸引口４から吸引している。
【００４０】
上記図８又は図９で説明したように、コレット２及び半導体チップ１を冷却した後、コレット２を降下させて吸着面５に半導体チップ１を吸着する。このとき、コレット２の吸着面５は冷却されているので、半導体チップ１の下面の接合材２０がウェーハシート７に貼り付くことがない。また、半導体チップ１の表面も冷却されているので、接合材２０のウェーハシート７への貼り付きをより確実に防止することができる。
【００４１】
次に、上記図３に示す実装装置によって、半導体チップをボンディングする方法について説明する。
図１０の（Ａ）に示すように、半導体チップ１をピックアップしたコレット２を、ボンディングポジションに移動し、ヒータ１８で加熱された基材１７の上に半導体チップ１を所定時間押し付ける。
【００４２】
そして、切換弁１０を、コレット２が半導体チップ１を吸着可能な図３に示す状態から、図４に示す状態に切り換える。このように切換弁１０を切り換えることによって、コレット２に流体供給装置９が接続される。そして、図１０の（Ｂ）に示すように、吸引口４から空気を所定時間吹き出して、コレット２の吸着面５と半導体チップ１との間に均一な加圧流体層を形成する。このとき、コレット２は加圧流体層によって若干上方に浮き上がり、コレット２と半導体チップ１とが非接触状態となる。半導体チップ１は、吸引口４から吹き出した空気圧（加圧流体層）によって基材３０に押し付けられる。これにより、半導体チップ１の下面の接合材２０に基材３０の熱が伝達し、半導体チップ１が基材３０に接合される。
【００４３】
このように、コレット２の吸引口４から吹き出す空気圧（加圧流体層）によって半導体チップ１を基材３０へ押圧することができる。すなわち、所定時間の間、コレット２と半導体チップ１とを非接触状態にして、半導体チップ１をボンディングすることができる。これにより、ボンディング時におけるコレット２と半導体チップ１との接触時間が短くなり、コレット１の加熱を抑制することが可能である。
【００４４】
また、吸引口４から吹き出した空気が、コレット２の吸着面５に沿って流れることにより、コレット２の吸着面５を冷却することができる。また、空気の代わりに冷却ガスを吸引口４から噴射することによって、コレット２の冷却をより確実に行うことができる。
【００４５】
このように、ボンディング工程におけるコレット１の加熱を抑制することによって、その後のピックアップ工程における接合材のウェーハシートへの貼り付きを防止することが可能となる。
【００４６】
また、各吸引口４は、吸着面５の中心に対して互いに対称に配設されているため、各吸引口４から吹き出す空気圧は、半導体チップ１の表面に均一に作用する。これにより、半導体チップ１の基材３０への接合精度を向上させることができる。
【００４７】
以下、図１１の（Ａ）（Ｂ）に基づいて、本発明の他のボンディング方法を説明する。図１１の（Ａ）に示すように、半導体チップ１を吸着したコレット２をヒータ１８で加熱された基材３０に接近させ、半導体チップ１を基材３０の上方に僅かに離した状態で停止させる。
【００４８】
切換弁１０を図４に示す状態に切り換えて、図１１の（Ｂ）に示すように、吸引口４から空気を所定時間吹き出す。吸引口４から吹き出した空気によって、半導体チップ１がコレット２から基材３０の上に落下すると共に、基材３０の上に落下した半導体チップ１とコレット２（の吸着面５）との間に加圧流体層が形成される。この加圧流体層によって、半導体チップ１が基材３０に押し付けられ、半導体チップ１が基材３０に接合される。
【００４９】
図１１で説明したボンディング方法によれば、コレット２は基材３０の上に落下させた半導体チップ１に全く接触せずにボンディングすることができる。従って、基材３０の熱が半導体チップ１を通じてコレット２に伝導することがなく、コレット２の加熱が防止される。また、この実施形態の場合、半導体チップ１をコレット２から基材３０上に落下させる際に、半導体チップ１を基材３０上の所定の位置に配置する位置決め機構を設けてもよい（図示省略）。
【００５０】
この加圧流体層によって半導体チップのボンディングを行った後、半導体チップのピックアップ時（半導体チップにコレットを接近させる際）に冷却媒体噴射手段によってコレット等の冷却を行えば、接合材のウェーハシートへの貼り付きをより確実に防止することが可能である。また、上記ピックアップ時の冷却媒体噴射手段によるコレット等の冷却を行うことによって、接合材のウェーハシートへの貼り付きを十分に防止できれば、加圧流体層による半導体チップのボンディング方法を採用しなくてもよい。
【００５１】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更を加え得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る半導体チップの実装装置の実施の一形態を示す概略構成図である。
【図２】冷却媒体噴射手段の配置状態を示す平面図である。
【図３】前記実装装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図４】前記実装装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図５】コレットの吸着面を示す要部拡大図である。
【図６】前記実装装置のさらに別の実施形態を示す概略構成図である。
【図７】本発明のピックアップ方法を説明するための図である。
【図８】本発明のピックアップ方法を説明するための図である。
【図９】本発明の他のピックアップ方法を説明するための図である。
【図１０】本発明のボンディング方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の他のボンディング方法を説明するための図である。
【図１２】従来の半導体チップの実装方法を説明するための図であって、（Ａ）は半導体ウェーハの切断工程を示す図、（Ｂ）はエキスパンド工程を示す図、（Ｃ）はピックアップ工程を示す図、（Ｄ）はボンディング工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    半導体チップ
２    コレット
３    冷却媒体噴射手段
４    吸引口
５    吸着面
３０  基材
Ｄ    間隔
Ｐ    ピックアップポジション
Ｓ    隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009158718.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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