(57)【要約】【課題】回路基板上に光モジュールを実装後に発光部、光導波路等の不具合を検査することのできる光電子回路基板を提供する。【解決手段】光導波路１０Ｃのコア層１００には、ミラー１０Ｅが設けられている。ミラー１０Ｅに面して第２基板１０Ｂには開口部１０ｂが設けられており、この開口部１０ｂに検査光を入射可能にして検査用光源１４が設置される。検査用光源１４からの検査光がコア層１００を介して受信側の光モジュールに到達することで、この受信側の光モジュールの受光素子で受光した光の光強度に応じ、検査装置２０により検査することができる。【選択図】図２
2009014858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記実装面と反対側の面に設けられて光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられている光導波路と、
前記光導波路の前記第１の基板が設けられる面と反対側の面に設けられ、前記光導波路に検査用の前記光を入射する光入射部と前記光導波路を伝播した前記光の一部を前記第１の基板側と反対側に出射させる光出射部とを備えた第２の基板とを有する光電子回路基板。
【請求項２】
前記光出射部は、前記第２の基板の前記光入射部に位置するように設けられる検査用光源から前記光導波路に入射した検査用の前記光を出射させる開口部である請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項３】
前記光路変換面は、前記第１の基板側に設けられる前記発光素子から発せられる前記光を前記光導波路に入射させる第１の光路変換面と、
前記第２の基板側の前記光入射部に位置して設けられる検査用光源から発せられる検査用の前記光を前記光導波路に入射させる第２の光路変換面とを有する請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項４】
前記第１の光路変換面は、前記第２の光路変換面で光路変換されて前記光導波路に入射した前記光の一部を透過させる請求項３に記載の光電子回路基板。
【請求項５】
前記光路変換面は、前記光導波路を伝播した前記光を光路変換して前記光出射位置から前記第１の基板側に出射させる第３の光路変換面と、
前記第３の光路変換面を透過した一部の前記光を光路変換して前記光出射部から前記第２の基板側に出射させる第４の光路変換面とを有する請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項６】
発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第１の基板と、前記第１の基板の前記実装面と反対側の面に設けられて光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられている光導波路と、前記光導波路の前記第１の基板が設けられる面と反対側の面に設けられ、前記光導波路に検査用の前記光を入射する光入射部および前記光導波路を伝播した前記光を前記第１の基板側と反対側に出射させる光出射部を設けられた第２の基板とを有する光電子回路基板と、
前記第２の基板側から前記光回路基板の前記光導波路に検査用の光を入射する検査用光源と、
前記光導波路を伝播した前記光の一部を前記第２基板を介して受光する受光部と、
前記受光部から出力される前記光の検出信号を入力する検査部とを有する光電子回路基板の検査装置。
【請求項７】
前記受光部は、前記光出射部として前記第２の基板に設けられる開口部に位置するように設けられる請求項６に記載の光電子回路基板の検査装置。
【請求項８】
前記検査用光源は、前記光入射部として前記第２の基板に設けられる開口部に位置するように設けられる請求項６に記載の光電子回路基板の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子回路基板および光電子回路基板の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を情報の伝送媒体として利用した光通信技術が広く普及してきている。このような光通信技術においては、情報を示す信号により光を変調した光信号を伝送するため、従来、基板に光導波路を内蔵した光実装基板が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
この光実装基板は、両端に光路変換面を有する光導波路が内蔵されたプリント配線板を有し、サブマウントの下面に発光素子が実装され、上面にドライバが実装された発光側光デバイスを、発光素子が一方の光路変換面の直上に位置するように半田ボールによってプリント配線板上に電気的に接続し、サブマウントの下面に受光素子が実装され、上面にレシーバが実装された受光側光デバイスを、受光素子が他方の光路変換面の直上に位置するように半田ボールによってプリント配線板上に電気的に接続した構造を有する。
【非特許文献１】エレクトロニクス実装学会誌 Vol.8 No.1(2005)、p.29-32
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、回路基板上に光モジュールを実装後に発光部、光導波路等の不具合を検査することのできる光電子回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板を提供する。
【０００６】
（１）発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記実装面と反対側の面に設けられて光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられている光導波路と、
前記光導波路の前記第１の基板が設けられる面と反対側の面に設けられ、前記光導波路に検査用の前記光を入射する光入射部と前記光導波路を伝播した前記光の一部を前記第１の基板側と反対側に出射させる光出射部とを備えた第２の基板とを有する光電子回路基板。
【０００７】
（２）前記光出射部は、前記第２の基板の前記光入射部に位置するように設けられる検査用光源から前記光導波路に入射した検査用の前記光を出射させる開口部である（１）に記載の光電子回路基板。
【０００８】
（３）前記光路変換面は、前記第１の基板側に設けられる前記発光素子から発せられる前記光を前記光導波路に入射させる第１の光路変換面と、
前記第２の基板側の前記光入射部に位置して設けられる検査用光源から発せられる検査用の前記光を前記光導波路に入射させる第２の光路変換面とを有する（１）に記載の光電子回路基板。
【０００９】
（４）前記第１の光路変換面は、前記第２の光路変換面で光路変換されて前記光導波路に入射した前記光の一部を透過させる（３）に記載の光電子回路基板。
【００１０】
（５）前記光路変換面は、前記光導波路を伝播した前記光を光路変換して前記光出射位置から前記第１の基板側に出射させる第３の光路変換面と、
前記第３の光路変換面を透過した一部の前記光を光路変換して前記光出射部から前記第２の基板側に出射させる第４の光路変換面とを有する（１）に記載の光電子回路基板。
【００１１】
また、本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板の検査装置を提供する。
【００１２】
（６）発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第１の基板と、前記第１の基板の前記実装面と反対側の面に設けられて光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられている光導波路と、前記光導波路の前記第１の基板が設けられる面と反対側の面に設けられ、前記光導波路に検査用の前記光を入射する光入射部および前記光導波路を伝播した前記光を前記第１の基板側と反対側に出射させる光出射部を設けられた第２の基板とを有する光電子回路基板と、
前記第２の基板側から前記光回路基板の前記光導波路に検査用の光を入射する検査用光源と、
前記光導波路を伝播した前記光の一部を前記第２基板を介して受光する受光部と、
前記受光部から出力される前記光の検出信号を入力する検査部とを有する光電子回路基板の検査装置。
【００１３】
（７）前記受光部は、前記光出射部として前記第２の基板に設けられる開口部に位置するように設けられる（６）に記載の光電子回路基板の検査装置。
【００１４】
（８）前記検査用光源は、前記光入射部として前記第２の基板に設けられる開口部に位置するように設けられる（６）に記載の光電子回路基板の検査装置。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に記載の光電子回路基板によれば、回路基板上に光モジュールを実装後に発光部、光導波路等の不具合を検査することができる。
【００１６】
請求項２に記載の光電子回路基板によれば、回路基板上に光モジュールを実装した状態で光導波路を伝播した検査用の光を出射させることができる。
【００１７】
請求項３に記載の光電子回路基板によれば、回路基板上に光モジュールが実装された状態で光導波路に対して通信用の光と検査用の光とを入射させることができる。
【００１８】
請求項４に記載の光電子回路基板によれば、光導波路に起因する不具合か受光素子に起因する不具合かを検査することができる。
【００１９】
請求項５に記載の光電子回路基板によれば、発光素子に起因する不具合か光導波路に起因する不具合かを検査することができる。
【００２０】
請求項６に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、回路基板上に光モジュールを実装後に発光部、光導波路等の不具合を検査することができる。
【００２１】
請求項７に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、検査実行時に受光部を容易に設けることができる。
【００２２】
請求項８に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、検査実行時に検査用光源を容易に設けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
[第１の実施の形態]
（光電子回路基板の構成）
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成を示し、（ａ）は光電子回路基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における光電子回路基板中央部分の縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における光電子回路基板の横断面図である。
【００２５】
この光電子回路基板１は、図１（ａ）に示すように、第１の基板としての第１基板１０Ａと第２の基板としての第２基板１０Ｂとの間に光導波路１０Ｃを積層して構成される基板１０と、光導波路１０Ｃの一方の側（送信側）に位置して基板１０に実装される第１光モジュール１２Ａと、光導波路１０Ｃの他方の側（受信側）に位置して基板１０に実装される第２光モジュール１２Ｂとを有して構成されている。第１光モジュール１２Ａと第２光モジュール１２Ｂは、光導波路１０Ｃのコア層１００を介して光信号２を受送信する。
【００２６】
光電子回路基板１の第１基板１０Ａには、光モジュールの発光素子を後述する検査装置２０によって発光させるための検査用端子１Ａ，１Ｂ，１Ｄ，１Ｅおよび検査用グランド１Ｃが設けられている。
【００２７】
検査用端子１Ａは第１光モジュール１２Ａの発光素子駆動用であり、検査用端子１Ｂは第１光モジュール１２Ａの受光素子出力用であり、検査用グランド１Ｃは光電子回路基板１の検査用であり、検査用端子１Ｄは第２光モジュール１２Ｂの発光素子駆動用であり、検査用端子１Ｅは第２光モジュール１２Ｂの受光素子出力用である。
【００２８】
光導波路１０Ｃは、図１（ｂ）に示すように、コア層１００と、コア層１００より屈折率の小なるクラッド層１０１とで構成され、コア層１００がクラッド層１０１の間に挟まれた構造を有する。この光導波路１０Ｃは、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開２００４−２９５０７号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。
【００２９】
また、光電子回路基板１の第２基板１０Ｂには、光電子回路基板１の検査を行うための検査用光源１４が設けられている。
【００３０】
図２は、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第１光モジュール部分における部分断面図、図３は、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第２光モジュール部分における部分断面図である。
【００３１】
第１光モジュール１２Ａおよび第２光モジュール１２Ｂは、外部接続用として設けられる端子１２０と基板１０の第１基板１０Ａに設けられた端子１１０Ａとをハンダボール１２１を介して接続するボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型の光モジュールである。
【００３２】
第１光モジュール１２Ａは、図２に示すように、大規模集積回路（ＬＳＩ）等の電子部品を実装可能な支持基板１２２と、支持基板１２２のハンダボール１２１接合側である裏面側に固定され、ワイヤ１２３を介して端子１２４に電気的に接続される発光素子１２５と、発光素子１２５の固定された側とは反対の表面側に固定されるＬＳＩ等の制御部１２６と、支持基板１２２を貫通して裏面側のハンダボール１２１と電気的に接続され、制御部１２６とワイヤ１２３を介して電気的に接続される端子１２７と、支持基板１２２表面の制御部１２６、ワイヤ１２３、および端子１２７を封止する封止樹脂１２８とを有する。
【００３３】
また、第１光モジュール１２Ａは、後述する第２光モジュール１２Ｂから送信された光信号を受信する受光素子を支持基板１２２の裏面側に有している。
【００３４】
この第１光モジュール１２Ａは、基板１０の方向に光を発する発光素子１２５と基板１０内に設けられた光導波路１０Ｃのクラッド層１０１とが光結合可能となるように、第１基板１０Ａに設けられた開口部１０ａに発光素子１２５が位置するように固定されている。
【００３５】
また、基板１０の第２基板１０Ｂ側には、開口部１０ｂが設けられており、この開口部１０ｂの直下には検査光をコア層１００に導入するための検査用光源１４が設けられている。
【００３６】
検査用光源１４は、例えば、半導体レーザであり、検査装置２０に接続されている。この検査装置２０は、第１光モジュール１２Ａおよび基板１０の検査を行うためのオペレータによる入力操作を行う操作部２１と、検査用光源１４を駆動する駆動部２２と、検査装置２０の各部を制御する制御部２３と、検査の実行に基づく駆動電圧を発生する電源部２４と、電源部２４に電源線２５を介して接続される駆動電圧印加用の検電プローブ２６と、受光素子１２９の受光に基づく信号を処理する信号変換部２７と、受光素子１２９の受光結果に基づく画面表示を行うカラー液晶パネル等の表示器からなる表示部２８とを有しており、電源部２４には図示しない構成として、検査用グランド１Ｃとの間にグランド線が接続される。
【００３７】
上記した検査用光源１４、グランド線を含む電源線２５、および検電プローブ２６についても検査装置２０に含まれる構成としている。
【００３８】
第２光モジュール１２Ｂは、図３に示すように、光導波路１０Ｃから光信号２を受信可能な光路上に受光素子１２９が位置するように第１基板１０Ａに固定されている構成以外については、第１光モジュール１２Ａと同様の構成を有する。受光素子１２９は、第１基板１０Ａの光出射位置に設けられた開口部１０ａを介して光導波路１０Ｃのクラッド層１０１から光路変換面としてのミラー１０Ｇによって光路変換された光信号２を受信する。
【００３９】
第２光モジュール１２Ｂは、第１光モジュール１２Ａに対して光信号２を送信する発光素子を支持基板１２２の裏面側に有している。
【００４０】
（発光素子）
発光素子１２５は、面型発光ダイオードや面型レーザ等の発光素子（面型光素子）を用いることができる。本実施の形態では、発光素子１２５として、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）を用いており、その発光波長は８５０ｎｍである。
【００４１】
この面発光レーザは、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型下部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、ｐ側電極を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板の裏面にｎ側電極を形成したものであり、ｐ側電極は、活性層の発光領域の直上に開口を有する。
【００４２】
なお、本実施の形態では、発光素子は一つであるが、複数の発光素子をアレイ状に配列したものを用いることもできる。
【００４３】
（受光素子）
受光素子１２９は、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを用いる。
【００４４】
この受光素子１２９は、例えば、ＧａＡｓ基板上に、ＰＩＮ接合されたＰ層、Ｉ層およびＮ層と、Ｐ層に接続されたｐ側電極と、Ｎ層に形成されたｎ側電極とを備え、ｐ側電極は、開口を有し、開口の内側がレーザ光を受光する受光部となっている。
【００４５】
なお、本実施の形態では、受光素子はひとつであるが、送信側の複数の発光素子に対応した複数の受光素子をアレイ状に配列したものを用いることもできる。
【００４６】
（支持基板）
第１光モジュール１２Ａおよび第２光モジュール１２Ｂの支持基板１２２は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成され、外部回路への実装側となる裏面に銅等の導電性材料から形成された端子１２０を有する。また端子１２０の一部は、スルーホールを介して制御部１２６が固定される表面に銅等の導電性材料から形成された端子や配線パターンと接続されている。
【００４７】
発光素子１２５については、図２に示す端子１２０と同様の導電性材料によって支持基板１２２の裏面に形成されたグランドに導電性接着剤によりｎ側電極が接着される。発光素子１２５のｐ側電極と端子１２４とは金等からなるワイヤ１２３により接続される。
【００４８】
また、受光素子１２９については、図３に示す端子１２０と同様の導電性材料によって支持基板１２２の裏面に形成されたグランドに導電性接着剤によりｎ側電極が接着される。受光素子１２９のｐ側電極と端子１２４とは金等からなるワイヤ１２３により接続される。
【００４９】
なお、支持基板１２２は、他の回路基板上に実装できるように構成されていてもよい。例えば、支持基板１２２の表面に形成された端子，グランドからスルーホールを介して支持基板１２２の裏面に設けられたハンダボール１２１に接続し、このハンダボール１２１を介して支持基板１２２を他の回路基板に実装してもよい。
【００５０】
（制御部）
制御部１２６は、発光素子１２５を駆動する駆動回路と、受光素子１２９での受光に基づいて光電変換された電気信号を増幅する増幅回路とを有している。
【００５１】
（封止樹脂）
封止樹脂１２８は、エポキシ樹脂等の熱硬化性成形材料からなり、ワイヤ１２３、制御部１２６、および端子１２７を光・熱や湿度などの環境から保護する。なお、エポキシ樹脂を主成分とし、シリカ等の充填材を加えたものであってもよい。
【００５２】
（基板）
基板１０は、第１基板１０Ａと第２基板１０Ｂについて、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成されている。第１基板１０Ａは、表面に銅等の導電性材料から形成された端子１１０Ａを有する。
【００５３】
第１基板１０Ａは、図２に示すように、第１光モジュール１２Ａが設けられる位置に発光素子１２５と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア層１００とを光結合させるための開口部１０ａを有している。なお、開口部１０ａについては、光導波路１０Ｃのコア層１００との光結合が可能であれば、発光素子１２５から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。
【００５４】
また、第１基板１０Ａは、図３に示すように、第２光モジュール１２Ｂが設けられる位置に受光素子１２９と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア層１００とを光結合させるための開口部１０ａを有している。この開口部１０ａについても、光導波路１０Ｃのコア層１００との光結合が可能であれば、発光素子１２５および検査用光源１４から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。
【００５５】
第２基板１０Ｂは、図２に示すように、コア層１００に検査用光源１４からの検査光を導入するための開口部１０ｂを有している。なお、この開口部１０ｂも、検査光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。
【００５６】
（光導波路）
光導波路１０Ｃは、コア層１００と、コア層１００の周囲に形成されたクラッド層１０１とから構成されている。コア層１００は、第１基板１０Ａの２つの開口部１０ａに対応する位置に４５度に傾斜した第１の光路変換面としてのミラー１０Ｄと、第３の光路変換面としての１０Ｇが設けられ、第２基板１０Ｂの光入射部となる開口部１０ｂに対応する位置に４５度に傾斜した第２の光路変換面としてのミラー１０Ｆが設けられている。
【００５７】
ミラー１０Ｄ，１０Ｇは、発光素子１２５、コア層１００、および受光素子１２９の間の光路上に設けられ、ミラー１０Ｆはミラー１０Ｄより外側（図２に示す左側）に設けられている。ミラー１０Ｄ，１０Ｆ，１０Ｇの周囲には、クラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅが充填されている。
【００５８】
光導波路１０Ｃは、例えば、コア層１００とクラッド層１０１を含む層の厚さが１００〜２００μｍで形成される。
【００５９】
（光導波路の製造方法）
光導波路１０Ｃの作製は、まず、コア層１００に対応する凹部を有した鋳型を作製する。
【００６０】
次に、鋳型に、クラッド用フィルム基材を密着させ、鋳型の凹部に硬化性樹脂を充填する。
【００６１】
次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させてコア層１００とした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド層１０１となるクラッド用フィルム基材上にコア層１００が残される。
【００６２】
次に、クラッド用フィルム基材のコア層１００が形成された面側に、コア層１００を覆うようにクラッド層１０１を設ける。本実施の形態では、このようにして形成された光導波路１０Ｃのコア層１００にミラー１０Ｄ，１０Ｆ，１０Ｇを設ける。
【００６３】
（ミラーの製造工程）
図４Ａおよび図４Ｂは、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。
【００６４】
まず、図４Ａ（ａ）に示すように、前述したコア層１００およびクラッド層１０１からなる光導波路１０Ｃを用意する。
【００６５】
次に、図４Ａ（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃのミラー１０Ｄ，１０Ｆの設置位置に対し、コア層１００への光入射位置となる所定の位置にダイサーで切り込みを入れて４５度の傾斜面１０３Ａを有するように２つの溝１０３を形成する。溝１０３内にはコア層１００が露出する。
【００６６】
次に、図４Ａ（ｃ）に示すように、光導波路１０Ｃの溝１０３を形成した側にフォトレジスト１０４を形成する。
【００６７】
次に、図４Ａ（ｄ）に示すように、コア層１００に形成するミラーの形状に応じたマスクパターンを有するフォトマスクをフォトレジスト１０４形成面に重ねてフォトレジスト１０４を露光する。この後、エッチングによってフォトレジスト１０４を部分的に除去することにより、開口部１０５を形成する。
【００６８】
次に、図４Ｂ（ｅ）に示すように、溝１０３の傾斜面１０３Ａに露出したコア層１００の部分に蒸着等の薄膜形成法によって光反射膜としてのミラー１０Ｄ，１０Ｆを形成する。ミラー１０Ｄはハーフミラーとして機能するように、例えば、インコーネルや誘電体多層膜で構成される。また、ミラー１０Ｆは、例えばＡｕ、Ａｌ等の金属膜、ＴｉＮ等の金属光沢を有する膜を設けることができる。
【００６９】
次に、図４Ｂ（ｆ）に示すように、ミラー１０Ｄ，１０Ｆを形成した光導波路１０Ｃからフォトレジスト１０４を除去する。
【００７０】
次に、図４Ｂ（ｇ）に示すように、傾斜面１０３Ａにミラー１０Ｄ，１０Ｆが形成された溝１０３にクラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅを充填する。これによりコア層１００の形成方向に対して４５度の傾斜角を有する光路変換面としてのミラー１０Ｄ，１０Ｆを備え、ミラー１０Ｄ，１０Ｆ以外の部分では光路変換しない光導波路１０Ｃが得られる。
【００７１】
以上の説明は、ミラー１０Ｄ，１０Ｆについてであるが、同様にしてミラー１０Ｇも製作される。
【００７２】
（光導波路と第１，第２基板との一体化工程）
図５（ａ）および（ｂ）は、光導波路と第１基板および第２基板とを一体化する工程を示す図である。
【００７３】
まず、図５（ａ）に示すように、光導波路１０Ｃの下面に対して、コア層１００に形成されたミラー１０Ｆが開口部１０ｂの位置に配置されるように第２基板１０Ｂを位置決めする。次に、位置決めされた第２基板１０Ｂを熱硬化型接着剤等の接着剤によって開口部１０ｂがミラー１０Ｆを設けた部分に位置するように第２基板１０Ｂを接合する。
【００７４】
次に、図５（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃの上面に対して、コア層１００に形成されたミラー１０Ｄ（１０Ｇ）が開口部１０ａの位置に配置されるように第１基板１０Ａを位置決めする。次に、位置決めされた第１基板１０Ａを熱硬化型接着剤等の接着剤によって上面に接合して基板１０とする。
【００７５】
なお、上記工程とは逆に、光導波路１０Ｃに対して第１基板１０Ａを先に接合し、次に第２基板１０Ｂを接合するようにしてもよい。
【００７６】
（光電子回路基板の動作）
以下に、第１の実施の形態の光電子回路基板の動作について、図１から図３を参照しつつ説明する。
【００７７】
（光信号の送受信）
第１光モジュール１２Ａの制御部１２６は、一例として、画像信号の送信を第２光モジュール１２Ｂに対して行うとき、画像信号に基づいて駆動回路に制御信号を出力する。駆動回路は、制御信号に基づく発光素子１２５への通電制御を行う。発光素子１２５は、通電に基づいてｐ型電極とｎ型電極との間に電圧が印加されることにより、波長８５０ｎｍのレーザ光を出射する。
【００７８】
図２に示すように、発光素子１２５から発せられたレーザ光の光信号２は、開口部１０ａを介して光導波路１０Ｃに入射し、コア層１００に設けられたミラー１０Ｄで反射されて９０度光路変換することにより、コア層１００内を伝播する。光導波路１０Ｃは、コア層１００にミラー１０Ｄが設けられているので、開口部１０ａから入射した光信号２がクラッド層１０１には入射しない。このような構成によって、第２光モジュール１２Ｂでクラッド層１０１を伝播した光を受信することがなく、光信号２にノイズが含まれず、ビットエラーの発生を防ぐことができる。
【００７９】
図３に示すように、コア層１００を伝播した光信号２は、コア層１００の光出射位置側に設けられるミラー１０Ｇに入射する。ミラー１０Ｇは、コア層１００を伝播した光信号２を反射して９０度光路変換する。光路変換された光信号２は開口部１０ａより出射し、第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。
【００８０】
受光素子１２９は、入射した光信号２の光強度に応じてｐ側電極とｎ側電極の間に電圧が生じ、この電圧に基づく電流を制御部１２６に出力する。制御部１２６は、受光素子１２９から出力される電流を増幅回路で増幅した後に信号処理する。
【００８１】
第１光モジュール１２Ａと第２光モジュール１２Ｂは、上記したように基板１０に設けられた光導波路１０Ｃを介して光信号２の受送信を行う。このように光導波路１０Ｃが基板１０内に設けられる光電子回路基板１の構成では、光導波路１０Ｃに何らかの異常や損傷が生じても、外部からその異常について把握することが困難である。
【００８２】
更に、第１光モジュール１２Ａおよび第２光モジュール１２Ｂが基板１０に面実装されており、受発光部が露出していないので発光素子１２５や受光素子１２９を直接的に検査することが困難である。以下に、本実施の形態における光電子回路基板１の検査方法について説明する。
【００８３】
（光電子回路基板の検査）
図６は、第１の実施の形態における第１光モジュールの検査について示すフローチャートである。
【００８４】
まず、オペレータは、図２に示すように第２基板１０Ｂの開口部１０ｂの位置に検査用光源１４を配置する（Ｓ１）。
【００８５】
次に、オペレータは、検査装置２０の操作部２１を操作して初期設定を行い、電源部２４から駆動電圧を供給可能な待機状態とする（Ｓ２）。
【００８６】
次に、オペレータは、図１に示す検査用グランド１Ｃにグランド線を接続し、検電プローブ２６を検査用端子１Ａに接触させる。発光素子１２５に異常が無く、正常に動作する状況では、検電プローブ２６を接触させることにより検査用端子１Ａから第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５に駆動電圧が供給される（Ｓ３）。第１光モジュール１２Ａが正常であれば、発光素子１２５は駆動電圧に基づいて発光し、検査光としての光信号２を発する。
【００８７】
発光素子１２５からの光信号２は、開口部１０ａを介してミラー１０Ｄに入射し、ミラー１０Ｄで反射した後、コア層１００に入射し、第２光モジュール１２Ｂに向けて伝播する。
【００８８】
光導波路１０Ｃが正常であれば、光信号２は、図２及び図３に示すようにコア層１００を伝送してミラー１０Ｇに到達し、ミラー１０Ｇで反射して第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。
【００８９】
次に、オペレータは、第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９の出力が変化しているか否かを表示部２８の画面表示により確認する（Ｓ４）。受光素子１２９の出力が閾値以上の光強度であると確認された場合（Ｓ４：Ｙｅｓ）は、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５は正常に動作しているものと判断する（Ｓ５）。また、受光素子１２９の出力が閾値以下と確認された場合（Ｓ４：Ｎｏ）、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５の発光不良または光導波路１０Ｃに断線等の異常が生じているものと判断する（Ｓ６）。
【００９０】
そこで、オペレータは、検査用光源１４を用いて、発光不良か光導波路１０Ｃが不良かの検査を実施する。まず、オペレータは、操作部２１を操作して駆動部２２を動作させ、設定値に従って検査用光源１４を駆動させることにより、検査用光源１４から検査光が発せられる（Ｓ７）。検査用光源１４からの検査光は開口部１０ｂを介して光導波路１０Ｃのミラー１０Ｆに入射し、ミラー１０Ｆで反射した後、ミラー１０Ｄを透過してコア層１００に入射する。
【００９１】
コア層１００が正常である場合、検査用光源１４からの検査光は、コア層１００を伝播してミラー１０Ｇに到達すると、ミラー１０Ｇで反射されて第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。
【００９２】
光信号２による検査と同様に、オペレータは、第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９の出力が変化しているか否かを表示部２８の画面表示により確認する。受光素子１２９の出力が閾値以上の光強度であると確認された場合（Ｓ８：Ｙｅｓ）は、第１光モジュール１２Ａに異常があるものと判断する（Ｓ９）。また、受光素子１２９の出力が閾値以下と確認された場合（Ｓ８：Ｎｏ）、光導波路１０Ｃ又は第２光モジュール１２Ｂのいずれか、あるいは両方、つまりミラー１０Ｆより後段に異常が生じているものと判断する（Ｓ１０）。
【００９３】
[第２の実施の形態]
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の主要部及びその検査装置の構成図である。
【００９４】
本実施の形態は、第１の実施の形態において、第２光モジュール１２Ｂ側に検査用光源１４からの検査光を検出するミラー１０Ｈ及び受光器３０を設け、その出力信号を検査装置２０に取り込んで検査を行う構成にしたものであり、その他の構成は第１の実施の形態と同様である。なお、第２光モジュール１２Ｂ側の光導波路１０Ｃに設けられるミラー１０Ｇは、ハーフミラーとなるように構成されている。
【００９５】
ミラー１０Ｈは、ミラー１０Ｇの後段のコア層１００に４５度の角度を有して設けられており、その周囲は、第１の実施の形態で説明したミラー１０Ｄ等と同様に、クラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅが充填されている。
【００９６】
受光器３０は、例えば、フォトダイオード等の光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光器３０として、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを用いる。
【００９７】
図８は、第２の実施の形態に係る光電子回路基板の検査装置の動作を示すフローチャートである。図８及び図７を参照し、以下に第２の実施の形態の動作について説明する。
【００９８】
まず、オペレータは、図２に示すように第２基板１０Ｂの開口部１０ｂの位置に検査用光源１４を配置する（Ｓ１１）。
【００９９】
次に、オペレータは、検査装置２０の操作部２１を操作して初期設定を行い、電源部２４から駆動電圧を供給可能な待機状態にする（Ｓ１２）。
【０１００】
次に、オペレータは、図１に示す検査用グランド１Ｃにグランド線を接続し、検電プローブ２６を検査用端子１Ａに接触させる（Ｓ１３）。発光素子１２５に異常が無く、正常に動作する状況では、検電プローブ２６を接触させることにより検査用端子１Ａから第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５に駆動電圧が供給される。第１光モジュール１２Ａが正常であれば、発光素子１２５は駆動電圧に基づいて発光し、検査光としての光信号２を発する。
【０１０１】
発光素子１２５からの光信号２は、開口部１０ａを介してミラー１０Ｄに入射し、ミラー１０Ｄで反射した後、コア層１００に入射し、第２光モジュール１２Ｂに向けて伝播する。
【０１０２】
光導波路１０Ｃが正常であれば、光信号２は、図２及び図３に示すようにコア層１００を伝送してミラー１０Ｇに到達し、ミラー１０Ｇで反射して第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。
【０１０３】
次に、オペレータは、第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９の出力が変化しているか否かを信号変換部２７で処理し、表示部２８の表示内容から確認する。受光素子１２９の出力が閾値以上の光強度であると確認された場合（Ｓ１４：Ｙｅｓ）は、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５は正常に動作しているものと判断する（Ｓ１５）。また、受光素子１２９の出力が閾値以下と確認された場合（Ｓ１４：Ｎｏ）、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５の発光不良または光導波路１０Ｃに断線等の異常が生じているものと判断する（Ｓ１６）。
【０１０４】
そこで、オペレータは、図２で説明した検査用光源１４と本実施の形態の受光器３０とを用いて、発光不良、光導波路不良、あるいは受光不良についての検査を実施する。まず、オペレータは、図１に示す検査用端子１Ｅと検査装置２０の信号変換部２７との間に信号線２９を接続し、操作部２１を操作して駆動部２２を動作させ、設定値に従って検査用光源１４を駆動させることにより、検査用光源１４から検査光が発せられる（Ｓ１７）。検査用光源１４からの検査光はミラー１０Ｆに入射し、ミラー１０Ｆで反射した後、コア層１００に入射する。
【０１０５】
コア層１００が正常である場合、検査用光源１４からの検査光は、コア層１００を伝播してミラー１０Ｇに到達し、ミラー１０Ｇで反射されて第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。
【０１０６】
光信号２による検査と同様に、オペレータは、第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９の出力が変化しているか否かを信号線２９を介して信号変換部２７に取り込み、その結果を表示部２８の画面表示で確認する（Ｓ１８）。受光素子１２９の出力が閾値以上の光強度であると確認された場合（Ｓ１８：Ｙｅｓ）は、光導波路１０Ｃは正常であるものと判断する（Ｓ１９）。また、受光素子１２９の出力が閾値以下と確認された場合（Ｓ１８：Ｎｏ）、受光器３０の受光に基づく検出信号を信号変換部２７に取り込んで良否を確認する。
【０１０７】
受光器３０の受光出力が閾値以上の光強度であると確認された場合（Ｓ２０：Ｙｅｓ）、第２光モジュール１２Ｂが不良であると判断する（Ｓ２１）。また、受光器３０の受光出力が閾値以下の光強度であると確認された場合（Ｓ２０：Ｎｏ）、光導波路１０Ｃが不良であると判断する（Ｓ２２）。
【０１０８】
なお、第２の実施の形態において、ミラー１０Ｈをハーフミラーとせず、コア層１００のサイズよりも小なるサイズで設けてミラー後方にも光が一部伝播するようにし、コア層１００を伝播した光信号または検査光をミラー１０Ｇ，１０Ｈで光路変換させるようにしてもよい。
【０１０９】
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記した各実施の形態に限定されず、その発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形実施が可能である。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で各実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることが可能である。
【０１１０】
例えば、図４Ａおよび図４Ｂで説明した光導波路の傾斜面１０３Ａの角度は、４５度に限定されない。また、ミラー１０Ｄとして形成される光反射膜についても金属膜に限定されず、波長選択性を有する誘電体多層膜を形成してもよい。
【０１１１】
また、第１光モジュール１２Ａと第２光モジュール１２Ｂは、それぞれ発光素子１２５と受光素子１２９の両方を有する双方向型の光モジュールとして説明したが、発光素子１２５のみ、または受光素子１２９のみを有する一方向型の光モジュールとして、光導波路１０Ｃを介した光通信を行うものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】図１は、発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成を示し、（ａ）は光電子回路基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における光電子回路基板中央部分の縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における光電子回路基板の横断面図である。
【図２】図２は、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第１光モジュール部分における部分断面図である。
【図３】図３は、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第２光モジュール部分における部分断面図である。
【図４Ａ】図４Ａ（ａ）から（ｄ）は、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂ（ｅ）から（ｇ）は、図４Ａに続く工程を示す図である。
【図５】図５（ａ）および（ｂ）は、光導波路と第１基板および第２基板とを一体化する工程を示す図である。
【図６】図６は、第１の実施の形態における第１光モジュールの検査について示すフローチャートである。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の主要部及びその検査装置の構成図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の検査装置の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１３】
１…光電子回路基板、１Ａ，１Ｂ，１Ｄ，１Ｅ…検査用端子、１Ｃ…検査用グランド、１０ａ，１０ｂ…開口部、１０Ａ…第１基板、１０Ｂ…第２基板、１０Ｅ…光透過性樹脂、１０Ｃ…光導波路、１０Ｄ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ…ミラー、１２Ａ…第１光モジュール、１２Ｂ…第２光モジュール、１４…検査用光源、２０…検査装置、２１…操作部、２２…駆動部、２３…制御部、２４…電源部、２５…電源線、２６…検電プローブ、２７…信号変換部、２８…表示部、３０…受光器、１００…コア層、１０１…クラッド層、１０３…溝、１０３Ａ…傾斜面、１０４…フォトレジスト、１０５…開口部、１１０Ａ…端子、１２０…端子、１２１…ハンダボール、１２２…支持基板、１２３…ワイヤ、１２４…端子、１２５…発光素子、１２６…制御部、１２７…端子、１２８…封止樹脂、１２９…受光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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