(57)【要約】    【課題】パッケージ基板との間で電気接続性、信頼性を確保し得る組み合せ基板を提供する。    【解決手段】  上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間にアンダーフィル６２が充填されているため、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとに熱が加わり、反り、剥離が生じる方向に応力が生じても、アンダーフィル６２によって上基板１２Ｕ、下基板１２Ｌの反り、剥離が抑えられ、応力を緩和させることが可能となる。また、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間に充填された樹脂充填材（アンダーフィル）６２により、信頼性条件下において、導体回路や外部からの湿分の侵入による劣化速度が遅くなり、信頼性を確保しやすくなる。【選択図】  図５
2009164592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する下基板と、
前記下基板の第１主面に形成されている接続用パッドと、
前記下基板の第２主面に形成されていて、プリント配線板と接続するための実装用パッドと、
第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する上基板と、
前記上基板の第１主面に形成されていて、パッケージ基板を搭載するための実装用パッドと、
前記上基板の第２主面または前記下基板の第１主面に形成され電子部品を搭載するための部品搭載用パッドと、
前記上基板の第２主面に形成されていて、前記下基板の接続用パッドと電気的に接続するための接続用パッド、とからなる組み合わせ基板において、
前記下基板の第１主面と前記上基板の第２主面は向かい合っていて、前記下基板と前記上基板との間に、樹脂が充填されている組み合せ基板。
【請求項２】
前記樹脂は熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなる請求項１の組み合せ基板。
【請求項３】
前記樹脂はアンダーフィル剤である請求項１の組み合せ基板。
【請求項４】
前記上基板の実装用パッドは、前記上基板のほぼ全面に形成されている請求項１の組み合せ基板。
【請求項５】
前記上基板の実装用パッド間の距離は、一定であって規則的に配置されている請求項１の組み合せ基板。
【請求項６】
前記上基板の実装用パッドは、マトリクス状又は千鳥状に配置されている請求項１の組み合せ基板。
【請求項７】
前記上基板の実装用パッドは、ランダムに配置されている請求項１の組み合せ基板。
【請求項８】
前記上基板の実装用パッドは、２個以上のパッケージ基板を実装するためのパッドである請求項１の組み合せ基板。
【請求項９】
前記上基板の実装用パッドは、円形状である請求項１の組み合せ基板。
【請求項１０】
前記上基板の前記第１主面上に受動部品を実装するためのパッドが形成されている請求項１の組み合せ基板。
【請求項１１】
前記下基板の接続用パッドと、前記上基板の接続用パッドとは金属部材を介して接続されている請求項１の組み合せ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を実装したパッケージ基板を実装するための組み合せ基板に関するものである。特に、少なくとも２枚の基板で構成されるＰＯＰ（Ｐackage  Ｏn  Ｐackage）において、パッケージ基板と基板の間で電気接続される組み合せ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の実装密度を高めることが要求されている。その要求されている背景は、機能の追加や機能の集約により、限られた基板面積における実装スペースの確保するためである。例えば、携帯電話において、２つのＩＣチップが実装されたパッケージ基板が必要であった部品を、２つのＩＣチップを積層し、そのＩＣチップの端子と基板とをワイヤーボンディング等により接続させたパッケージ基板や、パッケージの上にパッケージを形成する、いわゆるパッケージオンパッケージで積層した多段パッケージにすることで対応している。
特開２００１−２３０５１５号公報、特開２００１−８５６０３号公報、特開２００１−２１０９５４号公報には、係る多段パッケージが開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２３０５１５号公報
【特許文献２】特開２００１−８５６０３号公報
【特許文献３】特開２００１−２１０９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
パッケージ基板の上にパッケージ基板を積層した多段パッケージ基板では、上基板と下基板との間の電気接続性や接続信頼性が確保されにくいことがある。その原因としては、ＩＣチップの発熱が起因となる応力等による基板の反りや、温度変化による基板の伸縮等による、上基板と下基板との接続箇所の破断等があげられる。
【０００４】
また、高温高湿、ＰＣＴ等の条件下で信頼性試験を実施すると、充分な信頼性が確保されなかった。その原因としては、外部からの湿分が基板内部へ進入し、その湿分により配線や絶縁層への腐食・劣化等を引き起こすためである。
【０００５】
本発明の目的は、パッケージ基板との間で電気接続性、信頼性を確保し得る組み合せ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本願発明は、第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する下基板と、
前記下基板の第１主面に形成されている接続用パッドと、
前記下基板の第２主面に形成されていて、プリント配線板と接続するための実装用パッドと、
第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する上基板と、
前記上基板の第１主面に形成されていて、パッケージ基板を搭載するための実装用パッドと、
前記上基板の第２主面または前記下基板の第１主面に形成され電子部品を搭載するための部品搭載用パッドと、
前記上基板の第２主面に形成されていて、前記下基板の接続用パッドと電気的に接続するための接続用パッド、とからなる組み合せ基板において、
前記下基板の第１主面と前記上基板の第２主面は向かい合っていて、前記下基板と前記上基板との間に、樹脂が充填されていることを技術的特徴とする。
【０００７】
上記構成により、電気接続性を確保されやすくなる。上基板と下基板との間に樹脂が充填されているため、上基板と下基板とに熱が加わり、反り、剥離が生じる方向に応力が生じても、樹脂によって上基板、下基板の反り、剥離が抑えられ、応力を緩和させることが可能となる。言い換えると、応力が緩衝される。そのために、基板の絶縁材、基板上の導体層などでクラック等の不具合が起き難くなり、電気接続性が確保されやすくなると推定される。
【０００８】
また、高温高湿、ＰＣＴ（２ａｔｍ１２１℃  ＲＨ１００％などの条件）等の条件下での信頼性試験を行う。特に、加速試験、短時間に信頼性の得やすい試験条件での信頼性試験での推定である。この結果、本願の上基板と下基板からなる組み合せ基板は、信頼性が確保され易い。信頼性条件下において、熱などの要因により材料の膨張や収縮に伴い、応力が発生される。その応力による発生した力の影響が小さくされ、材料の劣化を緩やかにすることが可能となる。その結果、導体回路や外部からの湿分の侵入による劣化速度が遅くなり、信頼性を確保しやすくなると推定される。
【０００９】
更に、前記樹脂は熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなることができる。
前記樹脂はアンダーフィル剤とすることができる。
上基板の実装用パッドは、上基板のほぼ全面に形成することができる。
前記上基板の実装用パッド間の距離は、一定であって規則的に配置することができる。
前記上基板の実装用パッドは、マトリクス状又は千鳥状に配置することができる。
前記上基板の実装用パッドは、ランダムに配置することができる。
前記上基板の実装用パッドは、２個以上のパッケージ基板を実装するためのパッドとすることができる。
前記上基板の実装用パッドは、円形状であることができる。
前記上基板の前記第１主面上に受動部品を実装するためのパッドを形成することができる。
前記下基板の接続用パッドと、前記上基板の接続用パッドとは金属部材を介して接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
[実施例１]
ポストによる接続部形成
図４（Ａ）に実施例１の組み合せ基板１０の断面図を示す。組み合せ基板１０は、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとから成る。上基板１２Ｕには、図４（Ａ）のａ矢視図に相当する図６（Ａ）の平面図に示すように、パッケージ基板接続用のパッド４２Ｐのパッド群が、上基板１２Ｕの中央部に配置されている。下基板１２Ｌには同様に他のプリント配線板などに接続するためのパッド４２ＤのＢＧＡなどの外部接続用パッド群が形成されている。下基板１２Ｌの上面にはＩＣチップ５０が実装されている。下基板１２Ｌには、ビア４４を介して下面側の導体回路４２ｂと上面側の導体回路４２ａとが接続され、ＩＣチップ５０と上面側の導体回路４２ａとは半田バンプ５２を介して接続されている。この場合、ＩＣチップ５０は、その他の実装形態（例えば、ワイヤーボンディング実装）で実装されていてもよい。複数のＩＣチップが実装されてもよい。下基板１２Ｌの上面側の導体回路４２ａのソルダーレジスト４８の開口部４８ａに、上基板接続用のパッド４２Ｇのパッド群が形成されている。下面側の導体回路４２のソルダーレジスト４８の開口部４８ａに、プリント配線板接続用のパッド４２Ｄとなるパッド群が形成されている。
【００１１】
同様に、上基板１２Ｕには、ビア４４を介して下面側の導体回路４２ａと上面側の導体回路４２ｂとが接続されている。上基板１２Ｕの下面側の導体回路４２ａのソルダーレジスト４８の開口部４８ａに、下基板接続用のパッド４２Ｆのパッド群が形成され、上面側の導体回路４２ｂのソルダーレジスト４８の開口部４８ａに、パッケージ基板接続用のパッド４２Ｐのパッド群が形成されている。下基板１２ＬとＩＣチップ５０との間には、エポキシ樹脂などのアンダーフィル６０などの絶縁樹脂が充填され、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間には、樹脂充填剤（アンダーフィル）６２である絶縁樹脂が充填されている。
アンダーフィル６０、樹脂充填剤６２は、好ましく熱硬化性樹脂と無機フィラーとから成る。上基板１２Ｕの下面側のパッド４２Ｆと、下基板１２Ｌの上面側のパッド４２Ｇとは、円柱状の金属ポスト４６，４６を介して、電気接続されている。
【００１２】
組み合せ基板１０の下面側のパッド４２Ｄには、ＢＧＡ、半田バンプなどの外部接続端子６４Ｌが設けられ、図５（Ｂ）に示すように他のプリント配線板７４のパッド７６に接続されることで、該組み合せ基板１０がプリント配線板７４に搭載される。
【００１３】
実施例１の組み合せ基板１０では、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間にアンダーフィル６２が充填されているため、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとに熱が加わり、反り、剥離が生じる方向に応力が生じても、アンダーフィル６２によって上基板１２Ｕ、下基板１２Ｌの反り、剥離が抑えられ、応力を緩和させることが可能となる。また、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間に充填された樹脂充填材（アンダーフィル）６２により、信頼性条件下において、導体回路や外部からの湿分の侵入による劣化速度が遅くなり、信頼性を確保しやすくなると推定される。
【００１４】
引き続き、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照した実施例１の組み合せ基板の製造工程について図１〜図６を参照して説明する。
Ａ．上基板の作成
１．基材の準備
両面に銅箔３２ａ、３２ｂの積層された両面銅張積層板３０Ａを用意する。絶縁材料３０には、主として樹脂材料を用いたものを用いことが望ましい（図１（Ａ））。
その一例として、ガラエポ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ＢＴ樹脂などが挙げられる。また、セラミック系材料や金属基板などを適用することが可能である。絶縁材料の厚みは、６０〜３００μｍの間であることが望ましい。また、銅箔の厚みは、５〜３０μｍの間であることが望ましい。上下の銅箔３２ａ、３２ｂの厚みを同じにしてもよいし、厚みが異なってもよい。厚めの銅箔を用意しておき、エッチングなどの薄膜化工程を経て、適時銅箔の厚みを調整してもよい。
【００１５】
２．レーザ穴明け
両面銅張積層板３０Ａ内で電気的な接続を取るために、レーザにより、穴明け加工を行い、開口３４を形成する（図１（Ｂ））。上面側銅箔３２ａにダイレクトにレーザを照射するダイレクト加工により穴明けを行う。レーザにはＣＯ2レーザなどを用いることができる。照射条件としては、パルスエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ｍｓ以上、周波数２０００〜３０００Ｈｚ、ショット数が１〜１０の範囲内であることが望ましい。それにより、レーザを受ける下面側の銅箔３２ｂまで到達する開口３４を有する銅張積層板３０Ａとなる。
【００１６】
３．メッキ膜形成
開ロ３４を有する鍋張積層板３０Ａの表裏に導通を得るために、めっきにより、膜を形成させる。めっきは、先ず、無電解めっき膜３６を形成し（図１（Ｃ））、電解めっきを形成させる。この場合、無電解めっきだけで形成してもよいし、電解めっきだけで形成してもよい。あるいはそれらの複数層による膜を形成させてもよい。必要に応じて、めっき膜３８の充填させるフィールド形状にしてもよい（図１（Ｄ））。これにより、銅張り基板３０Ａの表裏の導体層と電気的な接続を確保するのである。
【００１７】
４．配線パターン形成
めっき膜を形成後の導体層上に、レジスト層を施す。記線パターン等が描画されたマスクをレジスト層上に載置し、集光・現像を経て、導体層３８、銅箔３２ｂ上に、レジスト層形成部４０とレジスト層非形成部とを形成する（図２（Ａ））。その後、塩化第二鉄等のエッチング液によるエッチング処理工程を経ることで、レジスト層非形成部に該当する導体層が削除される。その後、アルカリ溶液等で、レジスト層を剥離することにより、基板上に配線パターン４２ａ、４２ｂ、及び、ビア４４を有する両面回路基板３０ができる（図２（Ｂ））。
【００１８】
５．金属ポスト形成
配線パターン４２ａ上に、金属ポスト４６を形成させる（図２（Ｃ））。金属ポスト４６の形状は、円柱であることが望ましい。その他の形状として、四角柱、五角形以上の多角形柱などを用いることができる。ポストに用いられる金属層は、銅、ニッケル、金、銀などの導電性を有する金属を用いることができる。電気特性や信頼性という点で、主成分が銅であることが望ましい。金属ポスト４６の高さは、５〜５０μｍであることが望ましい。これで上基板１２Ｕが形成される。
【００１９】
ポストの接続には、導電性接着剤、半田などを用いることができる。場合によっては、同一金属接合により行なってもよい。それにより、上基板１２Ｕが金属ポスト４６を有するものとなる。また、金属ポスト４６は、例えば、開口を有する絶縁層を形成し、開口内を電解めっきで充填した後、絶縁層を除去することでも形成できる。上基板１２Ｕには、導体回路４２を保護するために、ソルダーレジスト層４８を必要に応じて形成してもよい（図２（Ｄ））。このとき、上基板１２Ｕにおいて、下基板側の面（図中上側）に、ソルダーレジスト層４８の開口４８ａによって下基板との接続用のパッド４２Ｆのパッド群を有する。下基板の反対側（図中下側）の面では、ソルダーレジスト層４８の開口４８ａによってパッケージ基板に接続するためのパッド４２Ｐのパッド群が形成される。
【００２０】
Ｂ．下基板の作成
上基板の１〜５工程までと同じである。
６．金属ポスト４６に半田層４９を形成する（図３（Ａ））。
半田層４９の形成には、半田メッキ、印刷、転写法などで行うことができる。半田には、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕなどが主成分となる金属を用いることができる。半田層の形成の一例として、無電解半田めっきが挙げられる。ポスト以外は、レジストなどにより被覆され、半田層が形成されないようにした後、ポスト上に、Ｐｄなどの触媒を付与する。その後、Ｓｎ／Ｐｂが９：１であり、その中に還元剤、錯体が含まれためっき液中に浸漬させる。それにより、ポスト４６を被覆するように、半田層４９が形成される。半田層の厚みは、５〜１５μｍであることが望ましい。金属ポスト上に必要量が載置させることが必要である。このとき、上基板と接続する下基板の回路は、下基板と同位置になるように配置されている。この後、接合工程において接合し、回路間で電気接続を行えるようになる。
【００２１】
７．ＩＣチップ実装
下基板１２ＬのＩＣチップと接続用パッド４２Ｅ上に半田バンプ用の半田層６１を形成する（図３（Ｂ））。半田層６１は、印刷等により形成させることが望ましい。その半田バンプ５２とｌＣチップ上に形成された金属バンプとにより、リフローを経てＩＣチップ５０のフリップチップ実装を行なう（図３（Ｃ））。この後、ＩＣチップ５０と下基板１２Ｌの隙間にはアンダーフィル６０を充填させる（図３（Ｄ））。これにより、ＩＣチップ５０が実装された実装基板（下基板１２Ｌ）を作成する。アンダーフィル６０には、熱硬化性樹脂、感光性樹脂のいずれかを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを１種類以上からなる樹脂を用いることができる。それらの樹脂には、無機などの粒子が含有させてもよい。
また、フリップチップ実装の代わりに、ワイヤーボンディング実装し、封止させたものでもよい、また、２以上のＩＣチップを実装させてもよいし、コンデンサなどの受動部品を混載させてもよい。
【００２２】
Ｃ．下基板と上基板の接合基板の作成
１．下基板と上基板との位置合わせ
下基板１２Ｌの回路（パッド）４２Ｇと上基板１２Ｕの回路（パッド）４２Ｆとを位置合わせを行う。このとき、下基板１２Ｌの半田４９が形成されたポスト４６に、上基板１２Ｕのポスト４６を押し付けるように接合させる（図３（Ｅ））。この後、リフローにより、下基板１２Ｌの導体回路（パッド）４２Ｇと上基板１２Ｕの導体回路（パッド）４２Ｆが、ポスト４６、４６を介して接続をされる。このとき、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとは端面が直線状となっている。ポスト４６、４６を介して接続された導体回路の接続部（パッド）４２Ｇ、４２Ｆは、組み合せ基板の端面から、５０μｍよりも内側にあることが望ましい。５０μｍよりも内側にあることにより、結果として、接続部の電気接続性と接続信頼性が確保されるのである。接続部の中間部分を軸に上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとを見ると、接続部の回路部分が鏡面構造（上下対称構造）となっているのである。
【００２３】
２．基板間の樹脂充填
上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間には、充填樹脂（アンダーフィル）６２が充填される（図４（Ａ））。その場合の充填樹脂（アンダーフィル）６２の端面も基板に対して、直線状となっていることが望ましい。基板間に充填される樹脂には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂のいずれかを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを１種類以上からなる樹脂を用いることができる。それらの樹脂には、無機などの粒子が含有させてもよい。また、アンダーフィル６０と同一の樹脂であってもよいし、異なる樹脂あってもよい。
【００２４】
必要に応じて、下基板１２Ｌのパッド４２Ｄに半田バンプ６４Ｌを形成できる（図４（Ｂ））。上基板１２Ｕの上部のパッド４２Ｐのパッド群上には、ＩＣチップ７１を内蔵又は実装されたパッケージ基板７０を実装させてもよい（図５（Ａ））。それにより、２以上のＩＣチップ５０、７１を有する積層したパッケージ基板の構造体となる。ここでは、外部端子として半田バンプもしくはＢＧＡを用いたが、接続ピン（ＰＧＡ）を用いることもできる。そして、下基板１２Ｌのパッド４２Ｄのパッド群に形成した半田バンプ６４ＬあるいはＢＧＡを介して、プリント配線板７４のパッド７６に接続し、該組み合せ基板１０をプリント配線板７４に接続できる（図５（Ｂ））。
【００２５】
図６（Ａ）を参照して上述した例で、パッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、円形に形成され、上基板１２Ｕの中央部又は外周部に配置されてもよい。これにより、中央部、又は、外周部だけに、ＢＧＡ等の外部端子が配置されたパッケージ基板を載置させることが可能となる。
【００２６】
図６（Ｂ）、図６（Ｃ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、上基板１２Ｕのほぼ全面に配置できる。これにより、ＢＧＡ等の外部端子がフルグリッド状に配置されたパッケージ基板を載置させることが可能となる。
【００２７】
図６（Ｂ）、図６（Ｃ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、互いにほぼ一定距離に規則的に配置できる。
【００２８】
図６（Ｂ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群をマトリクス状に配置できる。
【００２９】
図６（Ｃ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、千鳥状に配置できる。
【００３０】
図６（Ｄ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、ランダムに配置できる。
【００３１】
また更に、パッケージ基板実装用のパッドのパッド郡は、２個以上のパッケージ基板を実装するための２種類のパッド４２Ｐ、４２Ｐ２を設けてもよい。これにより、２個以上のパッケージ基板を搭載できる。
【００３２】
更に、図６（Ｆ）に示すように、上基板１２Ｕには、パッド４２Ｐと共に電子部品実装用のパッド４３を備えることもできる。上基板上には、ＩＣチップが実装されているパッケージ基板とコンデンサなどの受動部品とを混載させることが可能となる。
【００３３】
図７は、実施例１の改変例１に係る組み合せ基板を示している。実施例１では、図５（Ｂ）に示すように下基板１２Ｌの上面にＩＣチップ５０を実装した。この代わりに、図７に示すように、上基板１２Ｕの下面にＩＣチップ５０を実装することもできる。
【００３４】
図８は、実施例１の改変例２に係る組み合せ基板を示している。実施例１では、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとを鏡面構造にした。この代わりに、図８に示すよう下基板１２Ｌのビア６６及び回路４２ｂを外側に広がるように（ファンアウト）配置することもできる。
【００３５】
[実施例２]
インターポーザを有する積層体
図１２（Ａ）に実施例２の組み合せ基板１０の断面図を示す。組み合せ基板１０は、上基板１２Ｕと中間体であるインターポーザ１２Ｍと下基板１２Ｌとから成る。上基板１２Ｕには、図１２（Ａ）のａ矢視図に相当する図１４（Ａ）の平面図に示すように、パッケージ基板接続用のパッド４２Ｐのパッド群が、上基板１２Ｕの中央部に配置されている。下基板１２Ｌには同様にプリント配線板に接続するためのパッド４２Ｄのパッド群が形成されている。下基板１２Ｌの上面にはＩＣチップ５０が実装されている。下基板１２Ｌには、ビア４４を介して下面側の導体回路４２ｂと上面側の導体回路４２ａとが接続され、ＩＣチップ５０と上面側の導体回路４２ｂとは半田バンプ５２を介して接続されている。下基板１２Ｌの上面側の導体回路４２ａのソルダーレジスト４８の開口部４８ａに、上基板接続用のパッド４２Ｇが形成され、下面側の導体回路４２ｂのソルダーレジスト４８の開口部４８ａに、プリント配線板接続用のパッド４２Ｄのパッド群が形成されている。
【００３６】
同様に、上基板１２Ｕには、ビア４４を介して下面側の導体回路４２ａと上面側の導体回路４２ｂとが接続されている。上基板１２Ｕの下面側の導体回路４２ａのソルダーレジスト４８の開口部４８ａに、下基板接続用のパッド４２Ｆが形成され、上面側の導体回路４２ｂのソルダーレジスト４８の開口部４８ａに、パッケージ基板接続用のパッド４２Ｐが形成されている。下基板１２ＬとＩＣチップ５０との間には、絶縁樹脂であるアンダーフィル６０が充填され、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間には、樹脂充填剤（アンダーフィル）６２が充填されている。上基板１２Ｕの下面側のパッド４２Ｆと、下基板１２Ｌの上面側のパッド４２Ｇとは、インターポーザ１２Ｍの円柱状の金属ポスト８６により電気接続されている。
【００３７】
図１３（Ｂ）に示すように、組み合せ基板１０の下面側のパッド４２Ｄに半田バンプ６４ＬもしくはＢＧＡが設けられ、プリント配線板７４のパッド７６のパッド群に接続されることで、該組み合せ基板１０がプリント配線板７４に搭載される。
【００３８】
実施例２の組み合せ基板１０では、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間にアンダーフィル６２が充填されているため、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとに熱が加わり、反り、剥離が生じる方向に応力が生じても、アンダーフィル６２によって上基板１２Ｕ、下基板１２Ｌの反り、剥離が抑えられ、応力を緩和させることが可能となる。また、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間に充填された樹脂充填材（アンダーフィル）６２により、信頼性条件下において、導体回路や外部からの湿分の侵入による劣化速度が遅くなり、信頼性を確保しやすくなると推定される。
【００３９】
Ａ．上基板の作成
実施例１における１〜４工程まで同様にして上基板１２Ｕを形成する（図９）。
【００４０】
Ｂ．下基板の作成
実施例１における１〜４エ程まで同じである（図１０（Ａ））。その後、ＩＣチップ５０の実装工程を行うことにより、ＩＣチップ５０が実装された下基板１２Ｌを得ることができる（図１０（Ｂ）、図１０（Ｃ））。
【００４１】
Ｃ．インターポーザの作成
絶縁材料８０を用意する（図１１（Ａ））。絶縁材料８０を貫通する開口８２を形成し（図１１（Ｂ））、該開口８２に導体層８４を形成する（図１１（Ｃ））。導体層８４は、スルーホール、ビア、インプラントなどのポストにより形成させるのである。導体層は、Ｃｕ、Ｎｉ、貴金属などの金属を用いることができる。
【００４２】
その一例として、インプラントによるポストを充填させる方式がある。
両面に銅箔、めっきなどで形成した導体層を有する絶縁基板を用意する。絶縁基板に貫通用の開口をドリルもしくはレーザなどにより設ける。この後、導体層の全面にレジスト層を設け、配線パターンが描画されたマスクを載置する。その後、露光・現像を経て、エッチング処理を経ることにより、インターボーザ用のパターン形成がされる。この後、必要の応じて、ソルダーレジスト層を形成や外形加工（インターポーザの個片加工）を行なってもよい。これにより、インプラント用の開口を有する絶縁基板が準備されることとなる。
【００４３】
インプラント用のポストになるインプラント材を用意する。その厚み（高さ）は、絶縁基板よりも厚いものが望ましい。予めインプラント材の下部に、インプラント工程用の下治具を配置する。このとき、インプラント材の上部には、突起状を有し、打ち抜き用の上治具を配置する。上治具をインプラント材の途中まで打ち抜く。
【００４４】
この打ち抜かれたインプラント材を先ほど準備した絶縁基板８０の開口８２内に挿入し、打つ込みことにより、絶縁基板を貫通する導体層（ポスト）８６が形成される（図１１（Ｄ））。この後、インプラント材から切り離して、絶縁基板８０からの突出している複数のポスト８６の高さを揃える。これにより、インターポーザ１２Ｍである絶縁基板８０は、表裏の電気接続を行なうことを可能にし、絶縁基板８０から突出している高さがほぼ同一となっている導体層（ポスト）８６を有する。このとき、必要に応じて、導体層であるポスト８６を固定するために接着剤８８を塗るなどをしてもよい（図１１（Ｅ））。また、導体層の先端部分に、酸化防止や基板の導体層との接続を改良する（粗面形成、鏡面処理など）工程を経てもよい。更に、ＩＣチップとの干渉を避ける通孔８０ａを形成することができる（図１１（Ｆ））。これにより、上基板と下基板とに介在させるインターポーザ１２Ｍを用意することができる。
【００４５】
Ｃ．積層基板の作成
１．下基板と上基板の位置合わせ
下基板１２Ｌの回路（パッド）４２Ｇとインターポーザ１２Ｍのポスト８６と上基板１２Ｕの回路（パッド）４２Ｆとを位置合わせする（図１２（Ａ））。このとき、下基板１２Ｌの回路部分４２Ｇとインターポーザ１２Ｍの導体層８６と接触させる。上基板１２Ｕの回路部分４２Ｆとインターポーザ１２Ｍの導体層８６と接触させる。それにより、インターポーザ１２Ｍを介して、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌが電気接続される。インターポーザの導体層８６と各基板の導体層４２Ｇ、４２Ｆとは導電性接着剤８８として、半田などを用いて接続させてもよい。このとき、インターポーザの中心部分を軸に上基板と下基板を見ると、接続部の回路部分が鏡面構造（上下対称構造）となっている。
【００４６】
２．基板間の樹脂充填
上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間に充填樹脂（アンダーフィル）６２を充填する（図１２（Ｂ））。その場合の充填樹脂（アンダーフィル）６２の端面も基板に対して、直線状となっていることが望ましい。基板間に充填される樹脂には、熱硬化性樹脂、感光性樹脂のいずれかを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを１種類以上からなる樹脂を用いることができる。それらの樹脂には、無機などの粒子が含有させてもよい。また、アンダーフィル６０と同一の樹脂であってもよいし、異なる樹脂あってもよい。
なお、樹脂充填の代わりに、図１１（Ｇ）に示すようにインターポーザ１２Ｍの両面に樹脂９０を塗布し、該樹脂９０により上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとの間を封止することも可能である。
【００４７】
必要に応じて、下基板１２Ｌのパッド４２Ｄに半田バンプ６４Ｌを形成することができる（図１２（Ｃ））。上基板１２Ｕの上部のパッド４２Ｐのパッド群には、ＩＣチップ７１を内蔵又は実装されたパッケージ基板７０を実装させてもよい（図１３（Ａ））。それにより、２以上のＩＣチップ５０、７１を有する積層したパッケージ基板の構造体となる。ここでは、外部端子として半田バンプもしくはＢＧＡを用いたが、接続ピン（ＰＧＡ）を用いることもできる。そして、下基板１２Ｌのパッド４２Ｌのパッド群に形成した半田バンプ６４ＬあるいはＢＧＡを介して、プリント配線板７４のパッド７６に接続し、該組み合せ基板１０をプリント配線板７４に接続できる（図１３（Ｂ））。
【００４８】
図１４（Ａ）を参照して上述した例で、パッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、円形に形成され、上基板１２Ｕの中央部又は外周部に配置させてもよい。これにより、中央部又は外周部だけに、ＢＧＡ等の外部端子が配置されたパッケージ基板を載置させることが可能となる。
【００４９】
図１４（Ｂ）、図１４（Ｃ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、上基板１２Ｕのほぼ全面に配置できる。これにより、ＢＧＡ等の外部端子がフルグリッド状に配置されたパッケージ基板を載置させることが可能となる。
【００５０】
図１４（Ｂ）、図１４（Ｃ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、互いに一定距離に規則的に配置できる。
【００５１】
図１４（Ｂ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２のパッド群Ｐは、マトリクス状に配置できる。
【００５２】
図１４（Ｃ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐのパッド群は、千鳥状に配置できる。
【００５３】
図１４（Ｄ）に示すようにパッケージ基板実装用のパッド４２Ｐは、ランダムに配置できる。また更に、パッケージ基板実装用のパッドは、２個以上のパッケージ基板を実装するための２種類のパッド４２Ｐ、４２Ｐ２であることができる。更に、図１４（Ｆ）に示すように、上基板１２Ｕには、パッド４２Ｐと共に電子部品実装用のパッド４３を備えることもできる。
【００５４】
図１５は、実施例２の改変例１に係る組み合せ基板を示している。実施例２では、図１３（Ａ）に示すように下基板１２Ｌの上面にＩＣチップ５０を実装した。この代わりに、図１５に示すように、上基板１２Ｕの下面にＩＣチップ５０を実装することもできる。
【００５５】
図１６は、実施例１の改変例２に係る組み合せ基板を示している。実施例１では、上基板１２Ｕと下基板１２Ｌとを鏡面構造にした。この代わりに、図１６に示すよう下基板１２Ｌのビア６６及び回路４２ｂを外側に広がるように（ファンアウト）配置することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施例１の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図２】実施例１の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】実施例１の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図４】実施例１の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図５】実施例１の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図６】実施例１の組み合せ基板のパッケージ基板実装用のパッド配置を示す平面図である。
【図７】実施例１の改変例１に係る組み合せ基板の断面を示す断面図である。
【図８】実施例１の改変例２に係る組み合せ基板の断面を示す断面図である。
【図９】実施例２の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１０】実施例２の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１１】実施例２の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１２】実施例２の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１３】実施例２の組み合せ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１４】実施例２の組み合せ基板のパッケージ基板実装用のパッド配置を示す平面図である。
【図１５】実施例２の改変例１に係る組み合せ基板の断面を示す断面図である。
【図１６】実施例２の改変例２に係る組み合せ基板の断面を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  組み合せ基板
５０  ＩＣチップ
６０  アンダーフィル
７０  パッケージ基板
８０  絶縁基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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