(57)【要約】【課題】搭載する回路基板に対する半田接合の接合強度が強く、且つ接合強度の強化が比較的大きいサイズから小型サイズまで幅広く対応可能であり、しかも低コストで製造することができるサイドビュータイプＬＥＤランプを提供することにある。【解決手段】サイドビュータイプＬＥＤランプ１のＬＥＤ素子実装用基板２において、絶縁基板６の両端部に設けられた電極４及び電極５の夫々から互いに対向する方向に向かって絶縁基板６中に延びる電極部４ｄ及び電極部５ｄを設けた。サイドビュータイプＬＥＤランプ１を回路基板７に搭載する際に電極部４ｄの端面４ｅ及び電極部５ｄの端面５ｅが半田接合の接合強度の強化に寄与する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記導体層のうち少なくとも複数は前記端面側に位置する前記導体層から前記絶縁基板中に延長された導体層を有すると共に前記絶縁基板中に延長された導体層の前記絶縁基板から露出した面に半田濡れ性を向上させるための導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記絶縁基板中に延長された導体層は、該導体層が繋がった、前記絶縁基板の両面に位置する導体層の中間位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記絶縁基板は該絶縁基板の前記導体層が設けられた一方の面側から他方の面側に至る貫通溝が形成され、前記貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項４】
半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記絶縁基板は該絶縁基板の前記導体層が設けられた一方の面側から他方の面側に至る貫通溝が形成され、前記貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられると共に前記貫通溝内に導電性部材が充填されて溝埋めが施され、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板が前記溝埋め部材を介して半田接合されることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記絶縁基板は該絶縁基板の前記導体層が設けられた一方の面側から他方の面側の途中に至る非貫通溝が形成され、前記非貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項６】
半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記絶縁基板は該絶縁基板の前記導体層が設けられた一方の面側から他方の面側の途中に至る非貫通溝が形成され、前記非貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられると共に前記非貫通溝内に導電性部材が充填されて溝埋めが施され、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板が前記溝埋め部材を介して半田接合されることを特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光装置に関するものであり、詳しくは、回路基板搭載状態において光照射方向が該基板面に対して略平行となるような半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板実装状態において光照射方向が該基板面に対して略平行となるような半導体発光装置（以下、サイドビュータイプＬＥＤランプと呼称する）として、図８〜図１０に示すような構造のものがある。図８は１個のＬＥＤ素子が実装されたサイドビュータイプＬＥＤランプ（以下、ＬＥＤランプと略称する）を該ＬＥＤ素子側且つ回路基板搭載側から見た図、図９は図８のＬＥＤランプをＬＥＤ素子と反対側且つ回路基板搭載側から見た図、図１０は２個のＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤランプを該ＬＥＤ素子と反対側且つ回路基板搭載側から見た図である。
【０００３】
ＬＥＤランプ５０は図８及び図９に示すように、主にＬＥＤ素子実装用基板５１、ＬＥＤ素子５２、及び封止樹脂５３で構成され、ＬＥＤ素子実装用基板５１上に実装されたＬＥＤ素子５２を透光性を有する封止樹脂５３で樹脂封止したものである。
【０００４】
具体的には、ＬＥＤ素子実装用基板５１は絶縁基板５４の一方の面に一対の電極部５５ａ、５６ａが形成され、他方の面に一対の電極部５５ｂ、５６ｂが形成され、絶縁基板５４を挟んで対向する電極部５５ａ、５５ｂ及び電極部５６ａ、５６ｂ同士が夫々、絶縁基板５４の対向する端面に形成された電極部５５ｃ、５６ｃを介して接続されている。
【０００５】
そして、電極部５６ａ上にＬＥＤ素子５２が導電部材（図示せず）を介して載置されてＬＥＤ素子５２の下部電極と電極部５６ａの電気的導通が図られると共に、ＬＥＤ素子５２の上部電極と電極部５５ａがボンディングワイヤ５７で接続されて電気的導通が図られ、ＬＥＤ素子５２及びボンディングワイヤ５７が透光性を有する封止樹脂５３によって樹脂封止されたものである。
【０００６】
このとき、ＬＥＤ素子実装用基板５１の、前記電極部５５ｃ、５６ｃが形成された端面とは異なる端面５８ａ、５８ｂは、ＬＥＤ素子５２の実装及び封止樹脂５３による樹脂封止が完了した多数個取り基板から個々のＬＥＤランプに個片化するときの切断面である。
【０００７】
そのため、電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃで構成された電極５５の端面５５ｄ、５５ｅ及び電極部５６ａ、５６ｂ、５６ｃで構成された電極５６の端面５６ｄ、５６ｅは夫々電極５５及び電極５６の切断面がそのまま露出しており、半田接合時に半田の濡れ性が良くない。そこで、回路基板に上記サイドビュータイプＬＥＤランプを半田接合する場合、以下のような問題が生じる。
【０００８】
回路基板に対するＬＥＤランプ５０の半田接合は、回路基板の電極パッドと、回路基板に略垂直な、ＬＥＤランプ５０のＬＥＤ素子実装用基板５１の電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃの３面からなる電極５５及び電極部５６ａ、５６ｂ、５６ｃの３面からなる電極５６を半田フィレットのみで接合される。そのため、接合強度が弱いという欠点がある。
【０００９】
また、２個のＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤランプ５０の場合は、図１０のように、電極５５と電極５６の間に１面からなる別の電極５９を設ける必要がある。すると、回路基板に対するＬＥＤランプ５０の半田接合において、電極５９の半田接合面積が電極５５、５６に比べて小さいため接合強度も電極５５、５６よりもさらに弱くなる。
【００１０】
そして、実装されるＬＥＤ素子の数が増えるにつれて電極数も増加して電極１個当たりの面積が減少し、半田接合強度がますます弱くなる。
【００１１】
また、上記したように、ＬＥＤ素子実装用基板５１の電極５５の端面５５ｄ、５５ｅ及び電極５６の端面５６ｄ、５６ｅは半田の濡れ性が良くないために半田接合の接合強度の安定性が悪く、面積も小さいために接合強度の向上には大きく寄与するものではない。
【００１２】
更に、ＬＥＤランプ５０の小型化によりますます電極の小面積化が進み、半田塗布量の小量化も伴って更に接合強度が弱くなる傾向にある。
【００１３】
そこで、電極５５、５６と共に、電極５５の端面５５ｄ、５５ｅ及び電極５６の端面５６ｄ、５６ｅにも電極５５、５６と同様に銅メッキ層／ニッケルメッキ層／金メッキ層の３層構造を設けることによって半田接合の接合強度の向上を図る提案がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平８−２４２０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところで、上記提案された、電極５５の端面５５ｄ、５５ｅ及び電極５６の端面５６ｄ、５６ｅに金メッキ層を設ける方法は、回路基板に対するＬＥＤランプ５０の搭載にあたってはその金メッキ層の部分の大半は半田付けが施されないのが実情であり、接合強度の向上効果はほとんど望めない。
【００１５】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、回路基板に対する半田接合の接合強度が強く、且つ接合強度の強化が比較的大きいサイズから小型サイズまで幅広いサイズのＬＥＤランプに対して可能であり、しかも低コストで製造することができるサイドビュータイプＬＥＤランプを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記導体層のうち少なくとも複数は前記端面側に位置する前記導体層から前記絶縁基板中に延長された導体層を有すると共に前記絶縁基板中に延長された導体層の前記絶縁基板から露出した面に半田濡れ性を向上させるための導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記絶縁基板中に延長された導体層は、該導体層が繋がった、前記絶縁基板の両面に位置する導体層の中間位置に形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記絶縁基板は該絶縁基板の前記導体層が設けられた一方の面側から他方の面側に至る貫通溝が形成され、前記貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の請求項４に記載された発明は、半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記絶縁基板は該絶縁基板の前記導体層が設けられた一方の面側から他方の面側に至る貫通溝が形成され、前記貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられると共に前記貫通溝内に導電性部材が充填されて溝埋めが施され、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板が前記溝埋め部材を介して半田接合されることを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の請求項５に記載された発明は、半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記絶縁基板は該絶縁基板の前記導体層が設けられた一方の面側から他方の面側の途中に至る非貫通溝が形成され、前記非貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とするものである。
【００２１】
また、本発明の請求項６に記載された発明は、半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層が形成され、前記絶縁基板は該絶縁基板の前記導体層が設けられた一方の面側から他方の面側の途中に至る非貫通溝が形成され、前記非貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられると共に前記非貫通溝内に導電性部材が充填されて溝埋めが施され、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板が前記溝埋め部材を介して半田接合されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体発光装置は、絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層を形成すると共に導体層の端面側から絶縁基板中に延びる導体層を設け、絶縁基板中に延長された導体層の絶縁基板から露出した面に導電部材からなるメッキ層を設けた。
【００２３】
あるいは、絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる複数の導体層を形成すると共に絶縁基板の導体層が設けられた一方の面側から他方の面側に至る貫通溝又は一方の面側から他方の面側の途中に至る非貫通溝を形成し、溝の内周面に導電部材からなるメッキ層を設けた。
【００２４】
そして、半導体発光装置を回路基板に搭載する際に、半導体発光装置のメッキ層と回路基板の間で半田接合が行われるようにした。
【００２５】
その結果、回路基板に対する半田接合の接合強度が強く、且つ接合強度の強化が比較的大きいサイズから小型サイズまで幅広いサイズの半導体発光装置に対して可能であり、しかも低コストで製造することができるサイドビュータイプの半導体発光装置を実現することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、この発明の好適な実施形態を図１〜図７を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
【実施例１】
【００２７】
図１は本発明に係る実施例１の斜視図であり、ＬＥＤ素子を実装した側と反対側且つ回路基板搭載側から見た図である。本実施例のサイドビュータイプＬＥＤランプ（以下、ＬＥＤランプと略称する）１は主にＬＥＤ素子実装用基板２、ＬＥＤ素子（図示せず）、及び封止樹脂３で構成され、ＬＥＤ素子実装用基板２に実装されたＬＥＤ素子を透光性を有する封止樹脂３で樹脂封止したものである。なお、本実施例は１個のＬＥＤ素子が実装されたものである。
【００２８】
そして、図示していないが、ＬＥＤ素子実装用基板２上に位置する一対の電極４、５の一方の電極５上にＬＥＤ素子が導電部材を介して載置されてＬＥＤ素子の下部電極と電極５の電気的導通が図られると共に、ＬＥＤ素子の上部電極と電極４がボンディングワイヤで接続されて電気的導通が図られ、ＬＥＤ素子及びボンディングワイヤが封止樹脂３によって樹脂封止されている。
【００２９】
本発明のＬＥＤランプ１は、該ＬＥＤランプ１を半田接合によって回路基板に搭載する際に高い接合強度が得られるように、ＬＥＤランプ１を構成するＬＥＤ素子実装用基板２の構造に工夫を施したものである。以下、ＬＥＤ素子実装用基板２について詳細に説明する。
【００３０】
ＬＥＤ素子実装用基板２は絶縁基板６の一方の面に一対の電極部４ａ、５ａが形成され、他方の面に一対の電極部４ｂ、５ｂが形成され、絶縁基板６を挟んで対向する電極部４ａ、４ｂ及び電極部５ａ、５ｂ同士が夫々、絶縁基板６の対向する端面に形成された電極部４ｃ、５ｃを介して接続されている。
【００３１】
そして、電極部４ｃ及び電極部５ｃの夫々から互いに対向する方向に向かって電極部４ｄ及び電極部５ｄが絶縁基板６中に延びている。このとき、電極部４ｄは電極部４ａと４ｂの中間位置にあり、電極部５ｄは電極部５ａと電極部５ｂの中間位置にある。
【００３２】
以上より、電極部４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは互いに繋がって電極４を構成し、電極部５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄは互いに繋がって電極５を構成している。電極５はＬＥＤ素子の下部電極と電気的に接続され、電極４はＬＥＤ素子の上部電極と電気的に接続されている。
【００３３】
このとき、電極４の一対の端面４ｅ、４ｆ及び電極５の一対の端面５ｅ、５ｆはいずれもＬＥＤ素子の実装及び封止樹脂３による樹脂封止が完了した多数個取り基板から個々のＬＥＤランプ１に個片化するときの切断面である。そのため、電極４の端面４ｅ、４ｆ及び電極５の端面５ｅ、５ｆは端面処理を施さないと夫々電極４及び電極５の切断面がそのまま露出した状態となる。
【００３４】
ところで、電極４及び電極５はいずれも導電性を有する金属薄膜で構成され、通常銅箔を用いることが多い。銅箔は膜厚１０μｍ以上のものを使用するのが一般的であり、絶縁基板となるプリプレグ材や接着シートと最大同程度の厚みまでとされる。膜厚が厚くなるとボイドが発生する可能性が大きくなる。
【００３５】
電極４及び電極５を構成する銅箔自体は半田の濡れ性が良くないために半田接合の接合強度が弱い。そこで、銅箔上にニッケルメッキ層が形成され、更にその上に金メッキ層又は銀メッキ層が形成されている。それと同様に、電極４の端面４ｅ、４ｆ及び電極５の端面５ｅ、５ｆにも銅メッキ層／ニッケルメッキ層／金メッキ層又は銀メッキ層が形成されている。
【００３６】
これにより、電極４及び電極５の、絶縁基板６から露出した部分の全面に亘って最上層が金メッキ層又は銀メッキ層となっており、半田の濡れ性が良好な状態が確保されている。
【００３７】
上記構造のＬＥＤランプ１を半田接合によって回路基板に搭載した状態を図２（図１のＡ−Ａ断面を使用）に示している。ＬＥＤランプ１を搭載する回路基板７は、ＬＥＤランプ１が搭載される側の面の、ＬＥＤランプ１を搭載したときに該ＬＥＤランプ１のＬＥＤ素子実装用基板２に設けられた電極４及び電極５の夫々に対応する位置に電極パッド７ａ、７ｂが設けられている。
【００３８】
そして、ＬＥＤランプ１が回路基板７上に該ＬＥＤランプ１の光照射方向が回路基板７に対して略平行となるように載置されている。このとき、回路基板７の電極パット７ａ上にＬＥＤ素子実装用基板２の電極４が位置し、回路基板７の電極パット７ｂ上にＬＥＤ素子実装用基板２の電極５が位置している。
【００３９】
電極４と電極パッド７ａ、電極５と電極パッド７ｂは夫々半田接合され、ＬＥＤ素子の下部電極が電極５を介して電極パッド７ｂに電気的に接続されていると共に、ＬＥＤ素子の上部電極が電極４を介して電極パッド７ａに電気的に接続されている。
【００４０】
電極４の、電極パッド７ａに対して半田接合が施される部分は、電極パッド７ａに垂直な電極部４ａ、４ｂ、４ｃ及び電極パッド７ａに水平な端面４ｅであり、そのうち電極部４ａ、４ｂ、４ｃに対しては半田フィレット８ａで接合され、端面４ｅに対しては電極パッド７ａとの間に位置する半田８ｂによって接合されている。
【００４１】
同様に、電極５の、電極パッド７ｂに対して半田接合が施される部分は、電極パッド７ｂに垂直な電極部５ａ、５ｂ、５ｃ及び電極パッド７ｂに水平な端面５ｅであり、そのうち電極部５ａ、５ｂ、５ｃに対しては半田フィレット８ａで接合され、端面５ｅに対しては電極パッド７ｂとの間に位置する半田８ｂによって接合されている。
【００４２】
従来の半田接続においては、電極４の、電極パッド７ａに対して半田接合が施される部分は電極パッド７ａに垂直な電極部４ａ、４ｂ、４ｃのみの半田フィレットによる接合であり、電極５の電極パッド７ｂに対して半田接合が施される部分は電極パッド７ｂに垂直な電極部５ａ、５ｂ、５ｃのみの半田フィレットによる接合であった。
【００４３】
それに対し、本発明のＬＥＤランプでは、上記半田接合部に加えて電極４、５の夫々の端面４ｅ、５ｅも半田接合に寄与している。特に、電極４を構成する電極部４ｄ及び電極５を構成する電極部５ｄは従来のＬＥＤランプで設けられていない電極部であり、これら新規に設けられた電極部４ｄ、５ｄの端面４ｅ、５ｅが半田接合に係ることにより回路基板７に対して従来のＬＥＤランプよりもより強力な接合強度を得ることができる。
【００４４】
また、電極部４ｄ、５ｄの端面４ｅ、５ｅは夫々回路基板７の電極パッド７ａ、７ｂの中央部に位置するため、電極部４ｄと電極パッド７ａの半田接合及び電極部５ｄと電極パッド７ｂの半田接合の強化に大いに貢献するものである。
【００４５】
電極４、５を形成する銅箔は膜厚が厚い方が半田接合の接合強度を高くすることができるが、電極部４ｄ、５ｄの端面４ｅ、５ｅが夫々回路基板７の電極パッド７ａ、７ｂの中央部に位置することにより、膜厚が薄くても高い半田接合の接合強度を得ることが可能である。
【実施例２】
【００４６】
図３は本発明に係る実施例２の斜視図であり、ＬＥＤ素子を実装した側と反対側且つ回路基板搭載側から見た図である。本実施例は２個のＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤランプである。
【００４７】
本実施例は上記実施例１に対して、ＬＥＤランプ１のＬＥＤ素子実装用基板２に形成された電極４の電極部４ｃと電極５の電極部５ｃの間、及び電極４の電極部４ｄと電極５の電極部５ｄの間に夫々電極部９ｂ及び電極部９ｄが位置している。なお、電極部９ｂ及び電極部９ｄは絶縁基板６内で繋がって電極９を構成している。
【００４８】
一般に、電極９は銅箔層／ニッケルメッキ層／金メッキ層の３層構造で構成され、電極９の電極部９ｂの端面９ｅ、９ｆ及び電極部９ｄの端面９ｅ、９ｆはいずれも銅メッキ層／ニッケルメッキ層／金メッキ層の３層構造で構成される。
【００４９】
本実施例のＬＥＤランプ１を回路基板７に搭載した状態を図４（図３のＢ−Ｂ断面を使用）に示している。予め、回路基板７のＬＥＤランプ１が搭載される側の面の、ＬＥＤランプ１を搭載したときに該ＬＥＤランプ１のＬＥＤ素子実装用基板２に設けられた電極４及び電極５の夫々に対応する位置に電極パッド７ａ、７ｂが設けられると共に、電極９に対応する位置にも電極パッド７ｃが設けられる。
【００５０】
すると、ＬＥＤランプ１を回路基板７に搭載するときに、電極４と電極パッド７ａ及び電極５と電極パッド７ｂ、と同様に電極９と電極パッド７ｃが半田接合される。具体的には、電極９の、電極パッド７ｃに垂直な電極部９ｂは電極パッド７ｃに対して半田フィレット８ａ（図示せず）で接合され、電極パッド７ｃに平行な端面９ｅに対しては電極パッド７ａとの間に位置する半田８ｂによって接合される。
【００５１】
その結果、回路基板７に対するＬＥＤランプ１の半田接合の接合強度が、上記実施例１よりも更に強力なものとる。なお、本実施例のＬＥＤランプの電極構造が３層からなることは実施例１と同様である。
【実施例３】
【００５２】
図５は本発明に係る実施例３の斜視図であり、ＬＥＤ素子を実装した側と反対側且つ回路基板搭載側から見た図である。
【００５３】
本実施例は上記実施例１に対して、ＬＥＤランプ１のＬＥＤ素子実装用基板２に形成された電極４の電極部４ｃ近傍の端面４ｅ側に、電極部４ａと電極部４ｂを貫く断面円弧状又は楕円状の溝部１０が形成されている。
【００５４】
同様に、ＬＥＤランプ１のＬＥＤ素子実装用基板２に形成された電極５の電極部５ｃ近傍の端面５ｅ側に、電極部５ａと電極部５ｂを貫く断面円弧状又は楕円状の溝部１１が形成されている。
【００５５】
溝部１０及び溝部１１はいずれもその内周面が導体でコーティングされており、コーティングは一般に銅メッキ層／ニッケルメッキ層／金メッキ層の３層構造で構成される。溝部１０及び溝部１１の夫々の端部１０ｅ、１１ｅも一般に銅メッキ層／ニッケルメッキ層／金メッキ層の３層構造で構成される。
【００５６】
本実施例のＬＥＤランプ１を回路基板７に搭載した状態を図６（図５のＣ−Ｃ断面を使用）に示している。溝部１０の、３層構造のメッキ層が形成された内周面１０ｇ及び端面１０ｅはＬＥＤランプ１を回路基板７に搭載するときに回路基板７の電極パッド７ａと半田接合され、溝部１１の内周面１１ｇ及び端面１１ｅはＬＥＤランプ１を回路基板７に搭載するときに回路基板７の電極パッド７ｂと半田接合される。
【００５７】
その結果、ＬＥＤ素子実装用基板２に形成された溝部１０及び溝部１１は、ＬＥＤランプ１の、回路基板７に対する搭載の際に半田接合の接合強度の強化に寄与するものである。
【００５８】
なお、溝部１０と溝部１１は、半田接合の接合強度のバランスが均衡するように断面同一形状同一寸法で形成される。更に、溝部１０と溝部１１は回路基板７搭載上の観点から少なくとも絶縁基板６の同一面側に形成される。
【００５９】
溝部１０、１１は加工方法が簡単なためにＬＥＤ素子実装用基板２のコストを大きく上昇させることがなく、溝径を大きくしたり溝の数を増やして半田接合面の面積を増加させることにより半田接合の接合強度を強化することができる。
【００６０】
それと共に、封止樹脂３を溝部１０、１１を避けて設けなければならないため、比較的大きいサイズのＬＥＤランプに対応可能な構造となっている。
【実施例４】
【００６１】
図７は本発明に係る実施例４の斜視図であり、ＬＥＤ素子を実装した側と反対側且つ回路基板搭載側から見た図である。本実施例は上記実施例３に対して、ＬＥＤランプ１のＬＥＤ素子実装用基板２に形成された溝部１０、１１の、封止樹脂３が設けられ側が塞がれた構造となっている点が異なる。それ以外は実施例３と同様であるので説明は省略する。
【００６２】
本実施例においては、溝部１０、１１はレーザ加工あるいは貫通溝を銅箔または絶縁部材で塞ぐことで容易に形成できる。そのため、ＬＥＤ素子実装用基板２のコストを大きく上昇させることがない。
【００６３】
それと共に、封止樹脂３を溝部１０、１１の塞がれた部分に設けることができるためＬＥＤランプの小型化が可能となり、中サイズから小さいサイズのＬＥＤランプに対応可能な構造となっている。ＬＥＤランプの小型化により多数個取りの取り数が多くなり、ＬＥＤランプ１個当たりの製造コストが低減する利点もある。
【００６４】
なお、実施例３及び実施例４に関しては、溝部１０内及び溝部１１内に導電性部材を充填することも可能である。また、複数のＬＥＤ素子を実装するＬＥＤランプにも対応可能である。更に、実施例１及び実施例２の構造と組み合わせた構造とすることも可能である。
【００６５】
以上詳細に説明したように、本発明により、従来の同タイプのＬＥＤランプと比べて難しい製造工程を有することのない、且つ、搭載する回路基板に対する半田接合の接合面積を増加させた構造のサイドビュータイプＬＥＤランプを実現できた。
【００６６】
その結果、回路基板に対するＬＥＤランプの半田接合の接合強度が強く、且つ接合強度の強化が比較的大きいサイズから小型サイズまで幅広く対応可能であり、しかも低コストで製造できるサイドビュータイプＬＥＤランプを実現することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施例１をＬＥＤ素子実装方向と反対方向から見た概略図である。
【図２】本発明の実施例１を回路基板に搭載した状態を示す概略図である。
【図３】本発明の実施例２をＬＥＤ素子実装方向と反対方向から見た概略図である。
【図４】本発明の実施例２を回路基板に搭載した状態を示す概略図である。
【図５】本発明の実施例３をＬＥＤ素子実装方向と反対方向から見た概略図である。
【図６】本発明の実施例３を回路基板に搭載した状態を示す概略図である。
【図７】本発明の実施例４をＬＥＤ素子実装方向と反対方向から見た概略図である。
【図８】従来例をＬＥＤ素子実装方向から見た概略図である。
【図９】従来例をＬＥＤ素子実装方向と反対方向から見た概略図である。
【図１０】他の従来例をＬＥＤ素子実装方向と反対方向から見た概略図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  サイドビュータイプＬＥＤランプ
２  ＬＥＤ素子実装用基板
３  封止樹脂
４  電極
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ  電極部
４ｅ、４ｆ  端面
５  電極
５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ  電極部
５ｅ、５ｂ  端面
６  絶縁基板
７  回路基板
７ａ、７ｂ、７ｃ  電極パッド
８ａ  半田フィレット
８ｂ  半田
９  電極
９ｂ、９ｅ  電極部
１０  溝部
１０ｅ  端面
１０ｇ  内周面
１１  溝部
１１ｅ  端面
１１ｇ  内周面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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