(57)【要約】【課題】  不揮発性メモリへのデータの書き込み履歴を一目瞭然にすることができる表示装置を提供する。【解決手段】  不揮発性メモリ２４に書き込まれているデータに基づいて動作する表示装置において、溶断部が視認可能に構成された不可逆性ヒューズ２６と、前記不揮発性メモリ２４にデータを書き込む際に、前記不可逆性ヒューズ２６を溶断させる制御部２５とを備える。不可逆性ヒューズ２６の溶断状態に基づいて不揮発性メモリ２４へのデータの書き込み履歴を容易に判断できる。【選択図】      図１
2009151052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリに書き込まれているデータに基づいて動作する表示装置において、
溶断部が視認可能な不可逆性ヒューズと、
前記不揮発性メモリにデータを書き込む際に、前記不可逆性ヒューズを溶断させる制御部と、を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
対向配置された２枚の基板からなる液晶パネルを備え、
前記不可逆性ヒューズは、前記液晶パネルの一方の基板上に形成されるとともに、他方の基板によって覆われていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリに書き込まれているデータに基づいて動作する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置やＥＬ等の表示装置が実用化されている。例えば、液晶表示装置においては、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置が開発されている。
【０００３】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、表示パネルに複数の走査ライン（ゲートライン）及び信号ライン（ソースライン）がそれぞれ直交して配設され、各交点近傍に表示画素が形成されている。各表示画素は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を介して信号ライン及び走査ラインに接続された画素電極と共通電極との間に液晶が充填された画素容量（液晶容量）を有している。
【０００４】
そして、走査ドライバ（ゲートドライバ）によって各走査ラインに走査信号（ゲートパルス信号）が順次印加されて選択状態（高電位状態）となると、対応する表示画素のＴＦＴがオン動作する。そして、信号ドライバ（ソースドライバ）によって各信号ラインに印加された表示信号電圧がＴＦＴを介して画素電極に印加されることにより、この表示信号電圧と共通電極に印加されているコモン電圧Ｖｃｏｍとの差電圧が対応する液晶容量に印加、充電され、液晶分子の配向状態が制御されることで、所望の画像が表示パネルに表示される。
【０００５】
ところで、上述したような表示装置では、例えば使用する液晶の種類や駆動方式によってガンマ特性や駆動電圧、動作クロックの周波数など仕様が異なっているとともに製造ばらつきによる特性の変動があるため、当該表示装置に対応する固有のパラメータ等の情報を不揮発性メモリに記憶させ、当該記憶させた情報に基づいて映像処理を行うように構成されている（特許文献１）。なお、ここでいう映像処理とは、表示パネルに入力するディジタル映像信号を適切なアルゴニズムにより処理することであって、例えば液晶の実効的な応答速度や色空間の改善などを行なう処理である。
【０００６】
不揮発性メモリの一つであるＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）は、情報が書き込まれていない「白地」の状態で製造されるＰＲＯＭの一種であり、情報の書き込み時には高電圧が必要であるが、昇圧回路を内蔵し、外部からは読み出しと同じ電圧で書き換えできるものが一般的である。書き込み情報の消去には紫外線等を必要とせず、液晶表示装置に組み込んだ状態で電気的に書き換えが行える。
【０００７】
ＥＥＰＲＯＭへの情報の書き込みは、表示パネルの周辺に接続される回路基板上にＥＥＰＲＯＭを実装し、液晶表示装置の信号入力コネクタに書き込み用信号端子を割り当て、ケーブルあるいはフレキシブル配線板等を介してＥＥＰＲＯＭ書き込み用システム装置と接続することにより行われる。
【特許文献１】特開２００６−３３０５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながらＥＥＰＲＯＭのような不揮発性メモリにおいても、情報を書き込んだ後に何らかの原因で書き込んだ情報が消失してしまう場合がある。このようなときには、ＥＥＰＲＯＭに一旦書き込んだ情報が何らかの原因によって消失したのか、それとも、そもそも情報を書き込んでいなかったのかを検証することができず、仮に何らかの原因によってＥＥＰＲＯＭに書き込んだ情報が消失した場合に、その対応に遅れるという問題があった。
【０００９】
本発明は、かかる従来の課題に鑑みてなされたものであり、不揮発性メモリへのデータの書き込み履歴を一目瞭然にすることができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するため、請求項１に記載の発明にかかる表示装置は、不揮発性メモリに書き込まれているデータに基づいて動作する表示装置において、溶断部が視認可能な不可逆性ヒューズと、前記不揮発性メモリにデータを書き込む際に、前記不可逆性ヒューズを溶断させる制御部と、を備えたことを特徴とする。
また、請求項２に記載の発明にかかる表示装置は、請求項１に記載の表示装置において、対向配置された２枚の基板からなる液晶パネルを備え、前記不可逆性ヒューズは、前記液晶パネルの一方の基板上に形成されるとともに、他方の基板によって覆われていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、不揮発性メモリへのデータの書き込み履歴を一目瞭然にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の表示装置の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
本発明に係る表示装置１の概略全体構成は、図１に示すように、不揮発性メモリ２４を内蔵したコントロールドライバ２と、コントロールドライバ２により駆動されるアクティブマトリクス型の液晶パネル３とから構成されている。
【００１４】
液晶パネル３は、図２に示すように、マトリクス基板１３と対向基板１４とが所定の間隔を隔てて互いに平行となるようにシール材１５により接着されるとともに、マトリクス基板１３と対向基板１４との間に液晶ＬＣが充填されている。
【００１５】
マトリクス基板１３には、図３（ａ）に示すように、対向基板１４との対向面側の表示領域Ｄａに、互いに平行な複数の信号ラインＳ（ｉ）と、互いに平行でかつ信号ラインＳ（ｉ）に交差する複数の走査ラインＧ（ｊ）とが設けられている。そして、隣接する２本の走査ラインと隣接する２本の信号ラインとで囲まれた各部分には、画素電極Ｐ（ｉ，ｊ）とスイッチング素子としてのＴＦＴ（ｉ，ｊ）が設けられている。なお、ＴＦＴ（ｉ，ｊ）は、そのゲート電極が走査ラインＧ（ｊ）に、ドレイン電極が信号ラインＳ（ｉ）に、ソース電極が画素電極Ｐ（ｉ，ｊ）に接続されている。なお、ｉ＝１，２，・・・，ｍ、ｊ＝１，２，・・・，ｎ。
【００１６】
また、対向基板１４には、図３（ｂ）に示すように、マトリクス基板１３との対向面側の表示領域Ｄａに、共通電極２０が設けられている。そして、対向基板１４は、共通電極２０が少なくとも各画素電極Ｐ（ｉ，ｊ）に対向するように、マトリクス基板１３に対して対向配置されている。
【００１７】
各画素Ｐ（ｉ，ｊ）の具体的な構造例を図４及び図５に示す。マトリクス基板１３にはゲート電極５１を含む走査ラインＧ（ｊ）が設けられている。この走査ラインＧ（ｊ）と同一層に補助容量ライン４８が設けられている。つまり、走査ラインＧ（ｊ）と補助容量ライン４８とは一括形成される。そして、その上面全体にはゲート絶縁膜５２が設けられている。ゲート絶縁膜５２の上面には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜５３が設けられている。半導体薄膜５３の上面ほぼ中央部にはチャネル保護膜５４が設けられている。チャネル保護膜５４の上面両側およびその両側における半導体薄膜５３の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるコンタクト層５５、５６が設けられている。
【００１８】
一方のコンタクト層５５の上面にはソース電極５７が設けられている。他方のコンタクト層５６の上面およびゲート絶縁膜５２の上面にはドレイン電極５８を含むデータ信号ラインＳ（ｉ）が設けられている。ソース電極５７及びデータ信号ラインＳ（ｉ）は、Ａｌ等の金属により構成されている。
【００１９】
そして、ゲート電極５１、ゲート絶縁膜５２、半導体薄膜５３、チャネル保護膜５４、コンタクト層５５、５６、ソース電極５７およびドレイン電極５８により、ＴＦＴが構成されている。
【００２０】
ＴＦＴ等を含むゲート絶縁膜５２の上面全体には平坦化膜５９が設けられている。平坦化膜５９のソース電極５７の所定の箇所に対応する部分にはコンタクトホール６０が設けられている。平坦化膜５９の上面の所定の個所にはＩＴＯからなる画素電極ｐｉｘが設けられている。画素電極ｐｉｘはコンタクトホール６０を介してソース電極５７に接続されている。
【００２１】
ここで、補助容量ライン４８のうちの画素電極ｐｉｘと重ね合わされた部分は補助容量電極となっている。そして、この重ね合わされた部分によって補助容量Ｃｃｓが形成されている。なお、各画素Ｐ（ｉ，ｊ）における補助容量Ｃｃｓの大きさは、それぞれ等しくなるように構成されている。また、補助容量ライン４８は、共通電極２０と電気的に接続されている（同電位となっている）。
【００２２】
そして、各画素Ｐ（ｉ，ｊ）では、画素電極ｐｉｘと共通電極２０との間に配されることとなる液晶の配向状態を、画素電極ｐｉｘと共通電極２０との間の電位差に基づいて変化させることによって、その表示状態の制御が可能となるように構成されている。
【００２３】
また、マトリクス基板１３における表示領域Ｄａの外側にはヒューズ２６が形成されている。ヒューズ２６は、所定の抵抗値を持つ導電性部材を用いて形成することができ、例えば、ＴＦＴを構成している半導体薄膜５３や、データ信号ラインＳ（ｉ）を構成しているＡｌ、画素電極を構成しているＩＴＯなどにより形成すれば、ヒューズ２６を形成するためだけの製造工程を追加することなくヒューズ２６を形成でき好ましい。
【００２４】
また、ヒューズ２６には、図６に示すように、ライン幅が細められた溶断部２６１が形成され、当該ヒューズ２６に対応する第１端子２６２と第２端子２６３との間に所定の大きさの電圧が供給された際に溶断部２６１が溶断するように構成されている。つまり、ヒューズ２６は不可逆性のヒューズとして溶断部２６１が視認可能なように構成されている。なお、ヒューズ２６を対向基板１４によって覆う構造とすれば、ヒューズ２６を外力から保護することができ好ましい。
【００２５】
コントロールドライバ２は、液晶パネル３の各信号ラインＳ（ｉ）を画像信号に応じて駆動する信号ライン駆動回路２０と、液晶パネル３の各走査ラインＧ（ｊ）を順次走査駆動する走査ライン回路２１と、液晶パネル３の共通電極２０にコモン電圧Ｖｃｏｍを印加する共通電極駆動回路２２と、各種駆動電圧を発生させる電源回路２３と、ガンマ特性や駆動電圧、動作クロックの周波数等のパラメータ情報を記憶する不揮発性メモリ２４と、不揮発性メモリ２４に記憶されているパラメータ情報に基づいて映像処理を行う制御部２５とを備えて構成されている。なお、コントロールドライバ２には、電源電圧Ｖｃｃが印加される外部端子２００と接地電位ＧＮＤ印加される外部端子２０１を有し、当該外部端子から入力される電源電圧Ｖｃｃに基づいて電源回路２３が各種駆動電圧Ｖｓｓ、Ｖｇｌ、Ｖｇｈ、Ｖｃｏｍ、Ｖｙを生成する。
【００２６】
信号ライン駆動回路２０は、液晶パネル３に設けられた各信号ラインＳ（ｉ）に対して、各信号ラインＳ（ｉ）に対応するデータ電位（データ信号）を所定のタイミングで出力するためのものであり、制御部２５から入力される水平同期信号ＨＳ、垂直同期信号ＶＳ、映像データＤＡＴＡ、及びクロック信号ＣＬＫに基づいて各信号ラインＳ（ｉ）にデータ電位（データ信号）を出力する。
【００２７】
走査ライン駆動回路２１は、液晶パネル３に設けられた各走査ラインＧ（ｊ）に対して、走査信号としてのハイレベルＶｇｈまたはローレベルＶｇｌの電圧を所定のタイミングで切り換えて出力するためのものであり、制御部２５から入力されるゲートスタートパルス信号ＧＳＰ及びゲートクロック信号ＧＣＫに基づいて各走査ラインＧ（ｊ）に走査信号を出力する。
【００２８】
不揮発性メモリ２４は、当該不揮発性メモリ２４に上述したようなパラメータ情報を外部から書き込むために必要なＶｃｃよりも高い書き込み電圧Ｖｐｐが印加される外部端子２４１や、外部からパラメータ情報Ｄａを入力するためのデータ端子２４２などからなるコネクタ２４３が接続されている。なお、不揮発性メモリ２４は、外部からパラメータ情報が書き込まれるものに限定するものではなく、予め内蔵されているＲＯＭに記憶されているデータから所定のデータが選択されて書き込まれるものであってもよい。また、不揮発性メモリ２４は、例えばＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）とすることができる。
【００２９】
以下、不揮発性メモリ２４にパラメータ情報などのデータを書き込む際の制御部２５の動作について図７のフローチャートに基づいて説明する。制御部２５は、コネクタ２４３を介して不揮発性メモリ２４に書き込み電圧Ｖｐｐが印加されるとともにパラメータ情報が入力され、不揮発性メモリ２４に記憶されている情報が更新または追加されると（ＳＡ１）、第１端子２６２と第２端子２６３との間の電圧が、ヒューズ２６の溶断部２６１を溶断可能な溶断電圧Ｖｙとなるように、前記電源回路２３に溶断電流Ｉｙを発生させヒューズ２６に供給する（ＳＡ２）。
【００３０】
そして、制御部２５は、電源回路２３が出力する溶断電流Ｉｙが所定の電流値Ｉｔｈ以下になると（ＳＡ３）、ヒューズ２６の溶断部２６１が溶断したと判断し、出力電流Ｉｙの供給を停止させる（ＳＡ４）。
【００３１】
このように、表示装置１は、不揮発性メモリ２４に情報を書き込む際に不可逆性のヒューズ２６を溶断させるため、情報を書き込んだ後に何らかの原因で書き込んだ情報が消失してしまったような場合であっても、一旦書き込んだ情報が何らかの原因によって消失したのか、それとも、そもそも情報を書き込んでいなかったのかを視覚的に容易に検証することができる。
【００３２】
なお、制御部２５は、不揮発性メモリ２４にパラメータ情報が書き込まれると、この書き込まれたパラメータ情報に基づいて信号ライン駆動回路２０や走査ライン駆動回路２１を制御して液晶パネル３を駆動する。
【００３３】
上述の実施の形態では、表示装置に対して１つのヒューズを備えた構成について説明したが、複数のヒューズを備え、不揮発性メモリに新たな情報を書き込む毎に異なるヒューズを予め定められた順で順次溶断していく構成としてもよい。ユーザは、溶断されているヒューズの数や位置に基づいて不揮発性メモリの情報を更新した回数を容易に判断することができるようになる。
【００３４】
また、上述の実施の形態では、電源回路２３が溶断電流Ｉｙを発生させてヒューズ２６に供給する構成について説明したが、情報の更新時に不揮発性メモリに供給される書き込み電圧Ｖｐｐに基づいた電流をヒューズ２６に供給する構成としてもよい。
【００３５】
また、上述の実施の形態では、表示装置を液晶表示装置に適用した場合について説明したが、ＥＬ等の他の表示装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】表示装置の概略構成図
【図２】液晶パネルの概略断面構成図
【図３】表示領域の説明図であり、（ａ）はマトリクス基板の平面図、（ｂ）は対向基板の平面図
【図４】画素の平面図
【図５】画素の断面図
【図６】ヒューズの説明図
【図７】制御部の動作を説明するためのフローチャート
【符号の説明】
【００３７】
１：表示装置
２：コントロールドライバ
３：液晶パネル
２３：電源回路
２４：不揮発性メモリ
２５：制御部
２６：ヒューズ
２６１：溶断部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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