(57)【要約】      （修正有）【課題】低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供する。【解決手段】式（１）で表されるアニオン性界面活性剤を含有する電子材料用洗浄剤で、０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験による起泡力が５０ｍｍ以下で、泡の安定度が５ｍｍ以下である電子材料用洗浄剤。2009263508.tif 000012［Ｒ1及びＲ2は炭素数１〜６のアルキル基で、Ｒ1とＲ2の炭素数の合計は２〜７；Ｒ3は炭素数１〜３のアルキレン基；Ｒ4は炭素数２〜４のアルキレン基；Ｘ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3-、−ＳＯ3-又は−ＯＰＯ2（ＯＲ5）-であって、Ｒ5は水素原子又はＲ1（Ｃ＝Ｏ）a−Ｎ（Ｒ2）−Ｒ3−（ＯＲ4）b−で表される基；Ｍ+はカチオン；ａは０又は１；ｂは平均値であって０〜１０を表す。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるアニオン性界面活性剤（Ａ）を含有する電子材料用洗浄剤であって、（Ａ）の０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験により測定される起泡力が５０ｍｍ以下であり、泡の安定度が５ｍｍ以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
【化１】
2009263508.tif 000011
［式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基であって、Ｒ1とＲ2の炭素数の合計は２〜７；Ｒ3は炭素数１〜３のアルキレン基；Ｒ4は炭素数２〜４のアルキレン基；Ｘ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3-、−ＳＯ3-又は−ＯＰＯ2（ＯＲ5）-であって、Ｒ5は水素原子又はＲ1（Ｃ＝Ｏ）a−Ｎ（Ｒ2）−Ｒ3−（ＯＲ4）b−で表される基；Ｍ+はカチオン；ａは０又は１；ｂは平均値であって０〜１０を表す。］
【請求項２】
一般式（１）におけるＭ+が、アルカリ金属カチオン及び／又はアミンカチオンである請求項１記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項３】
一般式（１）におけるＲ1及びＲ2がそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基であって、Ｒ1とＲ2の炭素数の合計が３〜６であり、Ｘ-が−ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3-又は−ＳＯ3-である請求項１又は２記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項４】
更に、有機溶剤（Ｂ）を含有する請求項１〜３のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項５】
前記有機溶剤（Ｂ）が、炭素数１〜８の１価のアルコール系溶剤（Ｂ−１）、炭素数２〜９のグリコール系溶剤（Ｂ−２）、炭素数３〜６０のグリコールエーテル系溶剤（Ｂ−３）、炭素数６〜１２の飽和炭化水素系溶剤（Ｂ−４）及び炭素数６〜１８の不飽和脂肪族炭化水素系溶剤（Ｂ−５）からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤である請求項４記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項６】
更に、アルカリ成分（Ｃ）及び／又はキレート剤（Ｄ）を含有する請求項１〜５のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項７】
前記アルカリ成分（Ｃ）が、アンモニア（Ｃ−１）、第４級アンモニウム塩（Ｃ−２）、炭素数１〜３６の脂肪族アミン（Ｃ−３）、無機アルカリ（Ｃ−４）及び炭素数１〜２３のアルカノールアミン（Ｃ−５）からなる群から選ばれる１種以上である請求項６記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項８】
更に、高分子型分散剤（Ｅ）及び／又は還元剤（Ｆ）を含有する請求項１〜７のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項９】
洗浄液として使用される場合の有効成分濃度が０．１〜９０重量％である請求項１〜８のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか記載の電子材料用洗浄剤を用いる電子材料の洗浄方法。
【請求項１１】
超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる１種以上の洗浄方法を用いて行われる請求項１０記載の電子材料の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子材料用洗浄剤及び洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子材料の洗浄技術において、製造時における基板上に残存する微量の有機物汚れやガラスカレット及び砥粒等の不純物が電子材料の性能や歩留まりに大きく影響するため、その管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象となる不純物がより微粒子（パーティクル）化してきており、従来以上に更に界面へ付着し、残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。このため、これらのパーティクルによる汚染を防止することを目的として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献−１参照）。
【０００３】
しかし、フラットパネルディスプレイ用、ハードディスク用及び半導体用のガラス又はシリコン基板製造工程において、マザーガラスから適切な大きさにガラス基板を切断する際に発生するガラスの切粉（通称ガラスカレット）や、クリーンルーム内に飛散している粉塵や加工油等の有機物汚れ、基板表面を鏡面仕上げする工程及びテクスチャリングする工程の際に使用する研磨剤や研磨屑等が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。
特許文献−１で提案されている洗浄剤は、アルキルグルコシド、グリセリルエーテル及び炭化水素を溶存した洗浄液であり、パーティクル除去の性能を向上させるためノニオン性界面活性剤を含有しているが、界面活性剤中の成分が電子材料表面に残りやすいためリンス性が悪く、歩留まり率が低下するという問題がある。更に、特許文献−１において、浸透力の向上によりパーティクル除去の性能を改善するものとして、平均炭素数１０〜２０のスルホコハク酸型アニオン性界面活性剤等を提案しているが、パーティクルの除去性には改善が見られるものの、起泡性が非常に高く、また泡切れ性に乏しいため、ハンドリング性に問題がある。
【特許文献−１】特開２００４−２６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定の洗浄剤が上記の課題を解決しうることを見出し、本発明に至った。即ち本発明は、一般式（１）で表されるアニオン性界面活性剤（Ａ）を含有する電子材料用洗浄剤であって、（Ａ）の０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験により測定される起泡力が５０ｍｍ以下であり、泡の安定度が５ｍｍ以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤及び該電子材料用洗浄剤を用いる電子材料の洗浄方法である。
【化２】
2009263508.tif 000002
［式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基であって、Ｒ1とＲ2の炭素数の合計は２〜７；Ｒ3は炭素数１〜３のアルキレン基；Ｒ4は炭素数２〜４のアルキレン基；Ｘ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3-、−ＳＯ3-又は−ＯＰＯ2（ＯＲ5）-であって、Ｒ5は水素原子又はＲ1（Ｃ＝Ｏ）a−Ｎ（Ｒ2）−Ｒ3−（ＯＲ4）b−で表される基；Ｍ+はカチオン；ａは０又は１；ｂは平均値であって０〜１０を表す。］
【発明の効果】
【０００６】
本発明の電子材料用洗浄剤は、電子材料製造工程、特にフラットパネルディスプレイ用、ハードディスク用及び半導体用のガラス又はシリコン基板製造工程において、以下の効果を奏する。
（１）優れたパーティクルの除去性及びリンス性を有する。
（２）低起泡性、かつ泡切れ性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明におけるアニオン性界面活性剤（Ａ）［以下において、単に（Ａ）と表記する場合がある］を表す一般式（１）において、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基を表し、かつＲ1とＲ2の炭素数の合計は２〜７である。パーティクル除去性及び低起泡性の観点から、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基でかつＲ1とＲ2の炭素数の合計が３〜６であることが好ましい。
【０００８】
Ｒ1及びＲ2としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１，１−ジメチル−２−メチルプロピル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基及び１−エチル−２−メチルプロピル基が挙げられる。
【０００９】
Ｒ3は炭素数１〜３のアルキレン基であり、例えばメチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基及び１，３−プロピレン基が挙げられる。
【００１０】
Ｒ4は炭素数２〜４のアルキレン基であって、具体的にはエチレン基、１，２−又は１，３−プロピレン基及び１，２、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレン基が挙げられる。これらのうち低泡性の観点から好ましいのはエチレン基及び１，２−プロピレン基であり、Ｒ4は１種のアルキレン基の単独使用又は２種以上のアルキレン基の併用であってもよい。Ｒ4は、後述の通り、アルキレンオキサイドのアルキレン基がＲ4であるものの付加反応により形成されるため、これらの付加物における付加モル数は分布を有している。従ってbは平均値で表され、通常０〜１０であり、低起泡性の観点から好ましくは０〜５である。尚、Ｒ4の形成に当たり、２種以上のアルキレンオキサイドを併用する場合は、ブロック付加（チップ型、バランス型及び活性セカンダリー型等）でもランダム付加でも両者の混合系［ランダム付加後にチップしたもの：分子中に任意に分布されたオキシエチレン鎖を０〜５０％（好ましくは５〜４０％）有し、０〜３０％（好ましくは５〜２５％）のオキシエチレン鎖が分子末端にチップされたもの］でもよい。上記及び以下において特に規定しない限り、％は重量％を表す。
【００１１】
Ｘ-は、−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3-、−ＳＯ3-又は−ＯＰＯ2（ＯＲ5）-［Ｒ5は水素原子又はＲ1（Ｃ＝Ｏ）a−Ｎ（Ｒ2）−Ｒ3−（ＯＲ4）b−で表される基］であり、洗浄後の水の接触角の観点から、−ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3-、−ＳＯ3-及び−ＯＰＯ2（ＯＲ3）-が好ましく、更に好ましいのは−ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3-及び−ＳＯ3-である。尚、Ｘ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3-の場合は、ｂは０である。
【００１２】
Ｍ+はカチオンであり、カチオンとしてはアルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アミンカチオン、アンモニウムカチオン（ＮＨ4+）及び第４アンモニウムカチオンが挙げられる。
【００１３】
アルカリ金属カチオンとしては、ナトリウムカチオン、カリウムカチオン及びリチウムカチオンが挙げられる。アルカリ土類金属カチオンとしては、カルシウムカチオン及びマグネシウムカチオン等が挙げられる。アミンカチオンとしては、炭素数１〜１５のアミンにプロトンが付加したもの等が挙げられ、炭素数１〜１５のアミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、イソプロピルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエタノールアミン、２−ピリジンアミン、ｃｉｓ−３−メチルシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン並びに１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、２−メチルイミダゾール、２−ブチルベンゾイミダゾール及び２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等のアミジン等の１価アミンのカチオン、並びにエチレンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサエチレンヘプタミン、ポリエチレンイミン、パラフェニレンジアミン、トリアミノナフタレン及びトリアミノアントラセン等の２〜７価のアミンのカチオンが挙げられる。
【００１４】
第４アンモニウムカチオンとしては、炭素数１〜２５の炭化水素基を有する第４アンモニウムカチオン［テトラメチルアンモニウム、トリメチルビニルアンモニウム、トリメチルフェニルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、トリメチルテトラデシルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、エチルヘキサデシルジメチルアンモニウム及びオクタデシルトリメチルアンモニウム等］が挙げられる。
【００１５】
カチオンのうち、パーティクル除去性の観点から好ましいのはアルカリ金属カチオン、アミンカチオン及びこれらの併用であり、更に好ましいのはカリウムカチオン、トリメチルアミンカチオン、ジエタノールアミンカチオン、ＤＢＵカチオン及びＤＢＮカチオンであり、特に好ましいのはカリウムカチオン、ジエタノールアミンカチオン及びＤＢＵカチオンである。
【００１６】
アニオン界面活性剤（Ａ）の製造方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
（１）Ｘ−が−ＯＳＯ3-又は−ＯＰＯ2（ＯＲ５）-のものの製造；
ジアルキルアミンのアルキレンオキサイド付加物又はジアルキルアミノアルコールを硫酸エステル化又はリン酸エステル化し、アルカリで中和する。
（２）Ｘ−が−ＳＯ3-のものの製造；
モノアルキルタウリンとカルボン酸ハロゲン化物を反応させてモノアルキルモノアシル化タウリンとし、アルカリで中和する。
（３）Ｘ−が−ＣＯＯ-のものの製造；
アミノ酸とカルボン酸ハロゲン化物を反応させてアシル化アミノ酸を形成し、アルカリで中和する。
（４）Ｘ−が−ＯＣＨ2ＣＯＯ-のものの製造；
ジアルキルアミノアルコール又はジアルキルアミンのアルキレンオキサイド付加物を、モノハロゲン化酢酸アルカリ金属塩とアルカリ（水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等）の存在下でカルボキシメチル化する。
【００１７】
アルキレンオキサイド付加物の製造は、通常の方法で行われ、ジアルキルアミン、ジアルキルアミノアルコール、アシルアルキルアミン又はアシルアルキルアミノアルコールを加圧反応容器に仕込み、無触媒で又は触媒の存在下にアルキレンオキサイドを吹き込み、常圧又は加圧下に１段階又は多段階で反応を行なう。触媒としては、アルカリ触媒［例えばアルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム及びセシウム等）の水酸化物、酸［過ハロゲン酸（過塩素酸、過臭素酸及び過ヨウ素酸等）、硫酸、燐酸及び硝酸等（好ましくは過塩素酸）］並びにこれらの塩［好ましくは ２価又は３価の金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＡｌ等）の塩］が挙げられる。反応温度は通常５０〜１５０℃、反応時間は通常２〜２０時間である。アルキレンオキサイドの付加反応終了後は、必要により触媒を中和し吸着剤で処理して触媒を除去・精製することができる。
【００１８】
硫酸エステル化の方法としては、例えば（イ）クロロスルホン酸を用いる方法、（ロ）サルファンを用いる方法、（ハ）スルファミン酸を用いる方法及び（ニ）硫酸を用いる方法等が挙げられる。反応温度は、（イ）及び（ロ）の場合は、通常−１０〜７０℃、好ましくは−５〜４０℃である。（ハ）及び（ニ）の場合は、通常５０〜１５０℃、好ましくは６０〜１３０℃である。硫酸エステル化反応の終点は、５６１００／（エステル化合物の分子量）で表される酸価（ＡＶ）が、理論値の７０〜１１０％となる点であり、好ましくは８０〜１０５％となる点である。リン酸エステル化の方法としては、リン酸を用いて、反応温度５０〜１５０℃で反応させる方法が挙げられる。
【００１９】
アニオン性界面活性剤（Ａ）の具体例としては、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物硫酸エステルカリウム塩、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物硫酸エステルＤＢＵ塩、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物硫酸エステルジエタノールアミン塩、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物リン酸エステルカリウム塩、Ｎ−バレリルサルコシンカリウム塩、Ｎ−メチル−Ｎ−バレリルタウリンカリウム塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−１−プロパノール硫酸エステルカリウム塩、Ｎ−プロピル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物硫酸エステルカリウム塩、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１１モル付加物硫酸エステルカリウム塩、及びＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル／１，２−プロピレンオキサイド５モルブロック付加物硫酸エステルカリウム塩等が挙げられる。
【００２０】
本発明におけるロス・マイルス試験による２０℃での起泡力は、ＪＩＳ  Ｋ３３６２（１９９８）に準じて測定することができ、本ＪＩＳで定める装置及び試験液としてイオン交換水を用いて調整した界面活性剤の０．２％水溶液を用いた試験により、全ての試験液が流出した直後の泡の高さを目視にて測定した値である。
【００２１】
また、本発明における泡の安定度とは、上記ロス・マイルス試験において、全ての試験液が流出してから１分後の泡の高さをいい、１分後の泡の高さが低いほど泡の安定度が低く、即ち、泡切れ性が良好であり、本発明の洗浄剤にとって好ましい。
【００２２】
具体的には、例えば、以下のように起泡力及び泡の安定度を求めることができる。
（１）ＪＩＳ  Ｋ３３６２（１９９８）に規定されるロス・マイルス試験用起泡力測定装置の内筒を垂直に立て、所定の水をポンプによって外筒に循環させて一定温度（２０℃）に保つ。
（２）試験液（界面活性剤の０．２％水溶液）を同温度（２０℃）に保ちながら、その５０ｍｌを内筒の管壁に沿って静かに側面全体を潤すように流し込む。
（３）ピペットに試験液２００ｍｌを取り、ロス・マイルス試験用起泡力測定装置の上部にセットして、上端のコックを開き、試験液が約３０秒間で流出するようにし、かつ、液滴が内筒液面の中心に落ちるようにして流下させる。
（４）全ての試験液が流出した後、直ちに、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（起泡力）を測定する。
（５）更に、１分後に、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（泡の安定度）を測定する。
（６）この操作を２回行い、それぞれの測定値の平均を整数位まで求めて、起泡力と泡の安定度とする。
【００２３】
本発明のアニオン性界面活性剤（Ａ）の０．２％水溶液の起泡力は、使用中の泡立ちを抑えるという観点から、通常５０mm以下、好ましくは４０ｍｍ以下、更に好ましくは３０ｍｍ以下、特に好ましくは２０ｍｍ以下、最も好ましくは１０ｍｍ以下である。尚、上記の起泡力の下限値は０ｍｍである。
【００２４】
また、本発明のアニオン性界面活性剤（Ａ）の０．２％水溶液の泡の安定度は、使用中の泡立ちを抑えるという観点から、通常５mm以下、好ましくは４ｍｍ以下、更に好ましくは３ｍｍ以下、特に好ましくは２ｍｍ以下、最も好ましくは１ｍｍ以下である。尚、上記泡の安定度の下限値は０ｍｍである。
【００２５】
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下の有機溶剤（Ｂ）［以下において、単に（Ｂ）と表記する場合がある］を含有することができる。（Ｂ）を含有することにより、有機物汚れの除去性、低起泡性及び泡切れ性が更に向上する。（Ｂ）としては、以下のものが挙げられる。
【００２６】
炭素数１〜８の１価のアルコール系溶剤（Ｂ−１）：
メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノール、イソプロパノ−ル、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ジアセトンアルコール、１−オクタノール及び２−エチルヘキサノール等；
【００２７】
炭素数２〜９のグリコール系溶剤（Ｂ−２）：
エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール及び１，３−ブチレングリコール等；
【００２８】
炭素数３〜６０のグリコールエーテル系溶剤（Ｂ−３）：
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルアルコールエチレンオキサイド（１０モル）付加物及びアリルアルコールエチレンオキサイド（５モル）プロピレンオキサイド（１５モル）ブロック付加物等；
【００２９】
炭素数６〜１２の飽和炭化水素系溶剤（Ｂ−４）：
ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン及びｎ−ドデカン等；
炭素数６〜１８の不飽和脂肪族炭化水素系溶剤（Ｂ−５）：
１−ヘキセン、１−若しくは２−ヘプテン、１−若しくは３−オクテン、１−若しくは４−ノネン、１−デセン、５−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、ブチレンダイマー、ブチレントリマー、ブチレンテトラマー、イソブチレントリマー、プロピレンダイマー、プロピレントリマー、プロピレンテトラマー及びプロピレンペンタマー等；
【００３０】
炭素数４〜１０のエーテル系溶剤（Ｂ−６）：
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等；
炭素数３〜１０のケトン系溶剤（Ｂ−７）：
アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン及びベンジルエチルケトン等；
【００３１】
炭素数３〜６のアミド系溶剤（Ｂ−８）：
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン及びＮ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン等；
炭素数２〜６のエステル系溶剤（Ｂ−９）：
β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−バレロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート等；
【００３２】
炭素数２〜１０の硫黄含有溶剤（Ｂ−１０）：
ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジ−ｎ−ブチルスルホン、ジイソブチルスルホン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルスルホン、ブチルフェニルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、スルホラン、３−メチルスルホラン及び２，４−ジメチルスルホラン等；
炭素数３〜４のオキサゾリジノン系溶剤（Ｂ−１１）：
Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン及び３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン等；
炭素数２〜７のニトリル系溶剤（Ｂ−１２）：
アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びベンゾニトリル等；
【００３３】
（Ｂ）の内で有機物汚れの除去性、低起泡性及び泡切れ性の観点から好ましいものは、（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）、更に好ましいものは（Ｂ−２）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）、特に好ましいものは（Ｂ−３）、（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）、とりわけ好ましいものはエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、ブチレンダイマー、ブチレントリマー、ブチレンテトラマー、イソブチレントリマー、プロピレンダイマー、プロピレントリマー、プロピレンテトラマー及びプロピレンペンタマー、最も好ましいものはジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、ブチレンダイマー、ブチレントリマー、ブチレンテトラマー、イソブチレントリマー、プロピレンダイマー、プロピレントリマー、プロピレンテトラマー及びプロピレンペンタマーである。（Ｂ）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下のアルカリ成分（Ｃ）［以下において、単に（Ｃ）と表記する場合がある］を含有することができる。（Ｃ）を含有することにより、パーティクル除去性が更に向上する。
【００３５】
（Ｃ）としては、アンモニア（Ｃ−１）、第４級アンモニウム塩（Ｃ−２）、炭素数１〜３６の脂肪族アミン（Ｃ−３）、無機アルカリ（Ｃ−４）、炭素数１〜２３のアルカノールアミン（Ｃ−５）及びこれらの混合物が挙げられる。
【００３６】
（Ｃ−２）としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド、ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリヒドロキシエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド等が挙げられる。
【００３７】
（Ｃ−３）としては、炭素数１〜１２のアルキルアミン、炭素数２〜６のアルキレンジアミン、炭素数４〜６の環状アミン、炭素数５〜１０のアミジン化合物及びポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜７）アミン等が挙げられる。
【００３８】
炭素数１〜１２のアルキルアミンとしては、炭素数１〜６のモノアルキルアミン［メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等］並びに炭素数２〜１２のジアルキルアミン［ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン及びジヘキシルアミン等］等が挙げられる。
【００３９】
炭素数２〜６のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。
【００４０】
炭素数４〜６の環状アミンとしては、ピペリジン、ピペラジン、キヌクリジン及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等が挙げられる。
【００４１】
炭素数５〜１０のアミジン化合物としては、ＤＢＵ及びＤＢＮ等が挙げられる。
【００４２】
ポリ（ｎ＝２〜５）アルキレンポリ（ｎ＝３〜７）アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン及びペンタエチレンヘキサミン等が挙げられる。
【００４３】
（Ｃ−４）としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム及び水酸化マグネシウム等が挙げられる。
【００４４】
（Ｃ−５）としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、エチレンジアミンのエチレンオキサイド付加物（付加モル数１０）及びヒドロキシルアミン等が挙げられる。
【００４５】
（Ｃ）のうち、エッチング性及び洗浄後の水の接触角（リンス性）の観点から、（Ｃ−３）、（Ｃ−４）、（Ｃ−５）及びこれらの混合物が好ましく、更に好ましくは水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、ＤＢＵ、Ｎ−メチルジエタノールアミン及びこれらの混合物である。
【００４６】
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下のキレート剤（Ｄ）［以下において、単に（Ｄ）と表記する場合がある］を含有することができる。（Ｄ）を含有することにより、パーティクルの分散安定性が更に向上する。
【００４７】
（Ｄ）としては、アミノカルボン酸（塩）（Ｄ−１）［例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（以下、ＥＤＴＡと略記）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（以下、ＤＴＰＡと略記）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸（以下、ＤＨＥＤＤＡと略記）（塩）、ニトリロ酸酢酸（塩）、Ｎ−２−ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）］；
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｄ−２）［例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）及びグルコン酸（塩）］；
シクロカルボン酸（塩）（Ｄ−３）［例えば、ピロメリット酸（塩）等のベンゼンポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）］；
エーテルカルボン酸（塩）（Ｄ−４）［例えば、２−オキサプロパン−１，１，３−トリカルボン酸、（カルボキシメトキシ）コハク酸、２，２’−オキシビスコハク酸、２−（１，２−ジカルボキシエトキシ）−３−ヒドロキシブタン二酸及び２，３−ビス（１，２−ジカルボキシエトキシ）ブタン二酸等］；
その他のカルボン酸（塩）（Ｄ−５）［例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）］；
ホスホン酸（塩）（Ｄ−６）［例えば、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリス（２−アミノエチル）アミン、ヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）］；
縮合リン酸（塩）（Ｄ−７）［例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）］；
等が挙げられる。
【００４８】
（Ｄ）が塩を形成する場合の対イオンとしては特に限定は無いが、例えば上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられ、これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、（Ｄ）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４９】
（Ｄ）の内でパーティクルの分散安定性及び基板のエッチング性コントロールの観点から好ましいのは、（Ｄ−１）、（Ｄ−２）、（Ｄ−５）、（Ｄ−６）及び（Ｄ−７）であり、更に好ましいのは（Ｄ−１）、（Ｄ−２）、（Ｄ−６）及び（Ｄ−７）、特に好ましいのはＥＤＴＡ（塩）、ＤＴＰＡ（塩）、ＤＨＥＤＤＡ（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、クエン酸（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）、最も好ましいのはＥＤＴＡ（塩）、クエン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。
【００５０】
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下の分散剤（Ｅ）［以下において、単に（Ｅ）と表記する場合がある］を含有することができる。（Ｅ）を含有することにより、パーティクルの分散性及び再汚染防止性が更に向上する。
【００５１】
（Ｅ）としては、スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−１）、硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−２）、リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−３）、ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−４）、カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−５）並びに水酸基を３個以上有する化合物（Ｅ−６）等が挙げられる。（Ｅ）の具体例としては以下のものが挙げられる。
【００５２】
スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−１）：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ［２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸］、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
【００５３】
硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−２）：
ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］の硫酸エステル化物、ポリ［（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル］、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩；
【００５４】
リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−３）：
ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］のリン酸エステル化物、ポリ［（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル］、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物及びリン酸モノアルキルジ（ポリオキシエチレン）エステル等並びにこれらの塩；
【００５５】
ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−４）：
ポリ［（メタ）アクリロイルオキシエタンホスホン酸］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエタンホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
【００５６】
カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｅ−５）：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
【００５７】
水酸基を３個以上有する化合物（Ｅ−６）：
トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリン、グリセリンアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド付加物（付加モル数１〜３０）、ソルビトール、ソルビトールアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド付加物（付加モル数１〜６０）、単糖類（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース、リブロース、グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース、タガトース及びセドヘプツロース等）、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等）及び三糖類（ラフィノース及びマルトトリオース等）、四糖以上の多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等）並びにポバール等。
【００５８】
尚、（Ｅ）が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられ、これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。また（Ｅ）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５９】
（Ｅ）の内、パーティクルの分散性の観点から（Ｅ−５）が好ましく、更に好ましくはポリ（メタ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体並びにこれらの塩である。
【００６０】
（Ｅ−１）〜（Ｅ−５）における高分子型とは、重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記）が３００〜８００，０００であることを意味する。（Ｅ−１）〜（Ｅ−５）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低起泡性の観点等から、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される［例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）］。
【００６１】
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下の還元剤（Ｆ）［以下において、単に（Ｆ）と表記する場合がある］を含有することができる。（Ｆ）を含有することにより、基板表面の平坦性が更に向上する。
【００６２】
（Ｆ）としては、有機還元剤（Ｆ−１）及び無機還元剤（Ｆ−２）が挙げられる。有機還元剤（Ｆ−１）としては、脂肪族有機還元剤、芳香族有機還元剤及びその他の有機還元剤が挙げられる。
【００６３】
脂肪族有機還元剤としては、炭素数６〜１２のアスコルビン酸（塩）及びその誘導体［Ｌ−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、５，６−アルキリデン−Ｌ−アスコルビン酸｛５，６−Ｏ−イソプロピリデン−Ｌ−アスコルビン酸、５，６−Ｏ−（ブタン−２−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸及び５，６−Ｏ−（ペンタン−３−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸等｝、アスコルビン酸硫酸エステル、アスコルビン酸リン酸エステル、アスコルビン酸グルコシド及びこれらの塩］等が挙げられる。
【００６４】
芳香族有機還元剤としては、炭素数６〜９の芳香族アミン（ｐ−フェニレンジアミン及びｐ−ヒドロキシアニリン等）及び炭素数６〜３０のフェノール化合物（３−ヒドロキシフラボン、α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等）等が挙げられる。
【００６５】
その他の有機還元剤としては、リン系還元剤 （トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）、アルデヒド（ホルムアルデヒド及びアセトアルデヒド等）、ボラン系錯体（ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等）、チオール系還元剤（システイン及びアミノエタンチオール等）、ヒドロキシルアミン系還元剤（ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等）等が挙げられる。
【００６６】
無機還元剤（Ｆ−２）としては、亜硫酸（塩）、チオ硫酸（塩）、亜リン酸（塩）、次亜リン酸（塩）、硫酸第１鉄、塩化第２スズ、水素化シアノホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。
【００６７】
これらの還元剤（Ｆ）が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられ、これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。また（Ｆ）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６８】
（Ｆ）のうち、洗浄剤のエッチング性コントロール及び洗浄剤中のイオンによる基板の再汚染の観点から、（Ｆ−１）が好ましく、更に好ましくは脂肪族有機還元剤及びその他の有機還元剤の内のチオール系還元剤、特に好ましくはアスコルビン酸（塩）及びシステインである。
【００６９】
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下のノニオン性界面活性剤（Ｇ）［以下において、単に（Ｇ）と表記する場合がある］を含有することができる。（Ｇ）を含有することにより、洗浄液への（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）の溶解性が更に向上する。
【００７０】
（Ｇ）としては、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜６０）、ポリプロピレングリコール（Ｍｗ２００〜４０００）エチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜１００）、ポリオキシエチレン（繰り返し単位数３〜６０）アルキル（炭素数６〜２０）アリルエーテル、多価（２〜８価またはそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜６０）［ソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜６０）及びソルビタンモノオレートエチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜６０）等］、アルキル（炭素数８〜２４）アミンエチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜１００）、多価（２〜８価またはそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル［グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート及びソルビタンモノオレート等］並びに脂肪酸（炭素数８〜２４）アルカノール（炭素数２〜６）アミド［ラウリン酸モノエタノールアミド、ラウリン酸ジエタノールアミド及びラウリン酸−１−ｔｅｒｔ−ブチルエタノールアミド］等が挙げられる。（Ｇ）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７１】
本発明の電子材料用洗浄剤は、洗浄剤の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤（Ｈ）［以下において、単に（Ｈ）と表記する場合がある］を含有することができる。（Ｈ）としては、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。
【００７２】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、硫黄系化合物並びにリン系酸化防止剤等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７３】
防錆剤としては、含窒素有機防錆剤、アルキル又はアルケニルコハク酸並びに多価アルコール部分エステル等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７４】
ｐＨ調整剤としては、無機酸（塩酸、硫酸、硝酸及びスルファミン酸等）、有機酸（クエン酸、シュウ酸及び乳酸等）、第４級アンモニウム塩、アンモニア、炭素数１〜１０の脂肪族アミン並びに無機アルカリ（水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等）等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７５】
緩衝剤としては、緩衝作用を有する炭素数１〜１０の有機酸（酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸及びマンデル酸等）、無機酸（リン酸及びホウ酸等）並びにこれらの塩が挙げられる。尚、緩衝剤が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられ、これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。また緩衝剤は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７６】
消泡剤としては、シリコーン消泡剤［ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン及びポリエーテルシリコーン等を構成成分とする消泡剤等］等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７７】
防腐剤としては、トリアジン誘導体、イソチアゾリン誘導体、ピリジン及びピリジン誘導体、モルホリン誘導体並びにベンズイミダゾール誘導体等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７８】
ハイドロトロープ剤としては、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）並びにクメンスルホン酸（塩）等が挙げられる。尚、塩を形成する場合の対イオンとしては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したものと同様のカチオンが挙げられ、これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。またハイドロトロープ剤は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７９】
本発明の電子材料用洗浄剤は、更に水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）を含有してもよい。
【００８０】
本発明における電子材料用洗浄剤を用いて洗浄したガラスに対する水の接触角は、２０°以下であり、好ましくは１５°以下である。本発明において接触角はガラスに対して接触角計により測定される［装置本体：ＰＤ−Ｗ（協和界面化学社製）、ガラス板：ガラス板＃１７３７（コーニング社製）、検出条件：自動検出、測定条件：着滴から１０秒後の接触角を測定］。
【００８１】
（Ａ）の含有量は、パーティクル除去性及び低泡性の観点から、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常１〜１００％、好ましくは２〜９８％、更に好ましくは３〜９５％、特に好ましくは４〜９０％である。本発明において有効成分とは水以外の成分を言う。
【００８２】
（Ｂ）の含有量は、有機物汚れの除去性、低起泡性及び泡切れ性の観点から、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜９９％、好ましくは１〜９０％、更に好ましくは２〜８０％、特に好ましくは５〜７０％である。
【００８３】
（Ｃ）の含有量は、パーティクル除去性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、０〜５５％、好ましくは０．０１〜５０％、更に好ましくは０．０５〜４５％、特に好ましくは０．１〜４０％である。
【００８４】
（Ｄ）の含有量は、パーティクルの分散安定性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜１０％、好ましくは０．０１〜７％、更に好ましくは０．０５〜５％、特に好ましくは０．１〜３％である。
【００８５】
（Ｅ）の含有量は、パーティクルの分散性及び再汚染防止性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜２５％、好ましくは０．１〜２０％、更に好ましくは０．５〜１５％、特に好ましくは１〜１０％である。
【００８６】
（Ｆ）の含有量は、基板表面の平坦性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜２０％、好ましくは０．１〜１５％、更に好ましくは０．５〜１０％、特に好ましくは１〜５％である。
【００８７】
（Ｇ）の含有量は、洗浄液への（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）の溶解性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜３０％、好ましくは０．５〜２５％、更に好ましくは１〜２０％、特に好ましくは１．５〜１５％である。
【００８８】
（Ｈ）におけるそれぞれの添加剤の含有量は、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、防腐剤、ハイドロトロープ剤が、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて通常０〜２０％、好ましくは０〜１５％、更に好ましくは０〜１０％、特に好ましくは０〜５％である。また消泡剤の含有量は、通常０〜２％、好ましくは０〜１．５％、更に好ましくは０〜１％、特に好ましくは０〜０．５％である。
【００８９】
（Ｈ）の合計の含有量は、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜２５％、好ましくは０〜２０％、更に好ましくは０〜１５％、特に好ましくは０〜１０％である。
尚、上記の任意成分（Ｃ）〜（Ｈ）の間で、組成が同一で重複する場合の含有量は、それぞれの任意成分の含有量を単純に合計したものではなく、それぞれ他の任意成分としての効果も同時に奏することを考慮して、使用目的に応じて調整する。
【００９０】
本発明の電子材料用洗浄剤の有効成分濃度は、通常１〜１００％、使用時の作業性や運搬効率の観点から、好ましくは２〜９９％、更に好ましくは５〜９８％、特に好ましくは１０〜９５％である。
【００９１】
本発明の電子材料用洗浄剤は、例えばアニオン性界面活性剤（Ａ）並びに必要により任意成分（Ｂ）〜（Ｈ）及び水を１０〜４０℃で３０〜３００分混合溶解させることにより製造できる。
【００９２】
混合溶解用の装置は、特に限定されないが、例えば櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置が使用できる。
【００９３】
電子材料用洗浄剤を洗浄液として使用する場合は、通常は水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈する。洗浄液における電子材料用洗浄剤の有効成分濃度は、作業性及びコストの観点から、好ましくは０．１〜９０％、更に好ましくは０．５〜８０％、特に好ましくは１〜７０％である。
【００９４】
洗浄液のガラスに対する接触角は、基板への濡れ広がり性の観点から１０°以下が好ましく、更に好ましくは８°以下である。
【００９５】
電子材料用洗浄剤を水で希釈する方法は、特に限定されないが、例えば櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置等を用いて、電子材料用洗浄剤と水とを１０〜４０℃で３０〜３００分間混合溶解する方法が挙げられる。
【００９６】
本発明の電子材料の洗浄方法は、上記の電子材料用洗浄剤を用いて、超音波洗浄（洗浄液中への超音波放射によるキャビテーション効果と核粒の破壊効果による洗浄方法）、シャワー洗浄（洗浄液を膜状のシャワーとして連続的に基板表面に流下等させる洗浄方法）、スプレー洗浄（洗浄液を基板表面に向けて高圧で噴射する洗浄方法）、ブラシ洗浄（回転するディスクブラシ等を基板表面に押し付ける洗浄方法）、浸漬洗浄（通常バッチ式で基板を洗浄液中に浸漬させる、主に溶解力による洗浄方法）、浸漬揺動洗浄（浸漬させた基板を上下又は左右或いは回転させることで、浸漬洗浄に比べて攪拌による洗浄効果を上げた洗浄方法）及び枚葉式洗浄（基板を１枚ずつ把持、回転させて基板表面に洗浄剤を散布等する洗浄方法）からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方法によって洗浄する方法である。洗浄温度は、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、更に好ましくは１５〜６０℃、特に好ましくは２０〜５０℃である。
【００９７】
＜実施例＞
以下、実施例及び製造例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。尚、以下においてイオン交換水は導電率が０．２μＳ／ｃｍ以下のものを、超純水は電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
【００９８】
[製造例１] 
撹拌機及び温度調節機能を備えたステンレス製オートクレーブにＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミン６６．５部を仕込み、攪拌下に室温（２０℃）で系内の気相部を窒素で置換し、減圧下（ゲージ圧：−０．０５ＭＰａ）に反応温度９０℃でエチレンオキサイド３３．５部の吹き込みを開始し、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａになるように制御しながら、系内の圧力変化が無くなるまで反応させてＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物１００部を得た。引き続き、攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置にＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物１００部を仕込み、攪拌下で０℃まで冷却し、系内温度を０℃に保ちながらクロロスルホン酸８８．８部を３時間かけて滴下して硫酸エステルを得た。更に４８％水酸化カリウム水溶液８８．９部及びイオン交換水２２４．９部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−１）４７４．８部を得た。（Ａ−１）はＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物硫酸エステルカリウム塩である。
【００９９】
[製造例２] 
４８％水酸化カリウム水溶液８８．９部をＤＢＵ１１５．９部に、イオン交換水の部数を４１５．２部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−２）６９２．１部を得た。（Ａ−２）はＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物硫酸エステルＤＢＵ塩である。
【０１００】
[製造例３] 
４８％水酸化カリウム水溶液８８．９部をジエタノールアミン８０．０部に、イオン交換水の部数を３６１．５部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−３）６０２．５部を得た。（Ａ−３）はＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物硫酸エステルジエタノールアミン塩である。
【０１０１】
[製造例４]
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置にＮ−メチル−Ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物１００部を仕込み、攪拌下で７０℃に温調し、系内温度を７０℃に保ちながらリン酸３７．３部を２時間かけて滴下後、更に７０℃で４時間攪拌を継続してリン酸エステルを得た。更に、系内を３０℃まで冷却し、４８％水酸化カリウム水溶液４４．５部及びイオン交換水１６３．５部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−４）３４５．３部を得た。（Ａ−４）はＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物リン酸エステルカリウム塩である。
【０１０２】
[製造例５] 
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置にサルコシン８９．０部及びイオン交換水１１７．３部を仕込み、更に４８％水酸化カリウム水溶液１１６．７部を徐々に仕込み、攪拌下で２５℃に温調し、系内温度を２５℃に保ちながらバレリルクロライド１２０．６部及び４８％水酸化カリウム水溶液１１６．７部を５時間かけて滴下後、更に５０℃で２時間攪拌を継続した後、更にイオン交換水１５３．６部を仕込み、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−５）７１３．８部を得た。（Ａ−５）はＮ−バレリルサルコシンカリウム塩である。
【０１０３】
[製造例６]
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置にメチルタウリン１３９．２部及びイオン交換水２１７．７部を仕込み、更に４８％水酸化カリウム水溶液１１６．７部を徐々に仕込み、攪拌下で２５℃に温調し、系内温度を２５℃に保ちながらバレリルクロライド１２０．６部及び４８％水酸化カリウム水溶液１１６．７部を５時間かけて滴下後、更に５０℃で２時間攪拌を継続した後、更にイオン交換水１２８．６部を仕込み、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−６）８３９．５部を得た。（Ａ−６）はＮ−メチル−Ｎ−バレリルタウリンカリウム塩である。
【０１０４】
[製造例７] 
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置に３−ジメチルアミノ−１−プロパノール１００．０部を仕込み、攪拌下で０℃まで冷却し、系内温度を０℃に保ちながらクロロスルホン酸９９．４部を３時間かけて滴下して硫酸エステルを得た。更に４８％水酸化カリウム水溶液９９．５部及びイオン交換水２３３．９部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−７）５０１．７部を得た。（Ａ−７）はＮ，Ｎ−ジメチルアミノ−１−プロパノール硫酸エステルカリウム塩である。
【０１０５】
[製造例８] 
Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミン６６．５部をＮ−ｎ−プロピル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチルアミン７２．４部に、エチレンオキサイド３３．５部を２７．６部に、クロロスルホン酸８８．８部を７３．２部に、４８％水酸化カリウム水溶液８８．９部を７３．３部に、イオン交換水２２４．９部を２１１．８部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−８）４３５．３部を得た。（Ａ−８）はＮ−ｎ−プロピル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物硫酸エステルカリウム塩である。
【０１０６】
[製造例９] 
Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミン６６．５部を１５．３部に、エチレンオキサイド３３．５部を８４．７部に、クロロスルホン酸８８．８部を２０．４部に、４８％水酸化カリウム水溶液８８．９部を２０．４部に、イオン交換水２２４．９部を１６７．２部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−９）３０１．６部を得た。（Ａ−９）はＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１１モル付加物硫酸エステルカリウム塩である。
【０１０７】
[製造例１０] 
撹拌機及び温度調節機能を備えたステンレス製オートクレーブにＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミン２０．７部を仕込み、攪拌下に室温（２０℃）で系内の気相部を窒素で置換し、減圧下（ゲージ圧：−０．０５ＭＰａ）に反応温度９０℃でエチレンオキサイド１０．４部の吹き込みを開始し、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａになるように制御しながら、系内の圧力変化が無くなるまで反応させた後、３０℃まで冷却し、更に水酸化カリウム０．３部を仕込み、再度攪拌下に室温（２０℃）で系内の気相部を窒素で置換し、減圧下（ゲージ圧：−０．０５ＭＰａ）に反応温度１１０℃で１，２−プロピレンオキサイド６８．９部の吹き込みを開始し、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａになるように制御しながら、系内の圧力変化が無くなるまで反応させ、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル／１，２−プロピレンオキサイド５モル付加物１００部を得た。引き続き、攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置にＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル／１，２−プロピレンオキサイド５モル付加物１００部を仕込み、攪拌下で０℃まで冷却し、系内温度を０℃に保ちながらクロロスルホン酸２７．７部を３時間かけて滴下して硫酸エステルを得た。更に４８％水酸化カリウム水溶液８８．９部及びイオン交換水１７３．３部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−１０）３２０．０部を得た。（Ａ−１０）はＮ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル／１，２−プロピレンオキサイド５モルブロック付加物硫酸エステルカリウム塩である。
【０１０８】
[比較製造例１] 
Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミンのエチレンオキサイド１モル付加物を２−（ジブチルアミノ）エタノールに、クロロスルホン酸８８．８部を６７．２部に、４８％水酸化カリウム水溶液８８．９部を６７．３部に、及びイオン交換水２２４．９部を２０６．７部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−１１）４２０．２部を得た。（Ａ−１１）は２−（ｎ−ジブチルアミノ）エタノール硫酸エステルカリウム塩である。
【０１０９】
[実施例１〜３８]及び[比較例１〜５] 
表１〜４に記載の各成分を、表１〜４に記載の配合部数（但し、表１〜４に記載の部数は有効成分の部数）で、ビーカーを用いて２０℃で均一混合して実施例１〜３８及び比較例１〜５の洗浄剤を作製した。表１〜４中の略号の成分は下記の通りである。
・ＣＭＴＮａ：Ｎ−ココイル−Ｎ−メチルタウリンＮａ塩［日油（株）製、ダイヤポンＫ−ＳＦ］（比較用のアニオン界面活性剤）
・Ｄ２ｅＨＮａ：スルホコハク酸ジ−２−エチルヘキシルＮａ塩［東京化成工業（株）製］（比較用のアニオン界面活性剤）
・ＳＤＳ：ラウリル硫酸Ｎａ塩［ナカライテスク株式会社製］（比較用のアニオン界面活性剤）
・ＰＥＬＳＮａ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸Ｎａ塩[三洋化成工業(株)製、サンデットＥＮ]（比較用のアニオン界面活性剤）
・ＤＥ−Ｂｕ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル
・ＨＥＤＰ：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸［キレスト（株）製、キレストＰＨ−２１０（６０％水溶液）］
・ＰＡＮＨ３：ポリアクリル酸アンモニウム塩［サンノプコ(株)製、ＳＮティスパーサント５４６８（４０％水溶液）］
・Ｃｙｓ：Ｌ−システイン
【０１１０】
実施例１〜３８及び比較例１〜５の洗浄剤の起泡力及び泡の安定度の測定結果を表５〜８に示す。また、実施例１〜３８及び比較例１〜５の洗浄剤をそのままの濃度で洗浄液として用いて、洗浄性−１、洗浄性−２、洗浄性−３、洗浄性−４、洗浄性−５、洗浄液のｐＨ、洗浄後の水の接触角、洗浄液の接触角及び表面粗さを評価又は測定した結果を表５〜８に示す。
【０１１１】
尚、起泡力、泡の安定度、洗浄性−１、洗浄性−２、洗浄性−３、洗浄性−４、洗浄性−５、洗浄液のｐＨ、洗浄後の水の接触角、洗浄液の接触角及び表面粗さの測定又は評価は以下の方法で行った。
【０１１２】
＜起泡力及び泡の安定度＞
（１）ＪＩＳ  Ｋ３３６２（１９９８）に規定されるロス・マイルス試験用起泡力測定装置の内筒を垂直に立て、所定の水をポンプによって外筒に循環させて一定温度（２０℃）に保った。
（２）試験液（界面活性剤の０．２％水溶液）を同温度（２０℃）に保ちながら、その５０ｍｌを内筒の管壁に沿って静かに側面全体を潤すように流し込んだ。
（３）ピペットに試験液２００ｍｌを取り、ロス・マイルス試験用起泡力測定装置の上部にセットして、上端のコックを開き、試験液が約３０秒間で流出するようにし、かつ、液滴が内筒液面の中心に落ちるようにして流下させた。
（４）全ての試験液が流出した後、直ちに、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（起泡力）を測定した。
（５）更に、１分後に、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（泡の安定度）を測定した。
（６）この操作を２回行い、それぞれの測定値の平均を整数位まで求めて、起泡力と泡の安定度とした。
【０１１３】
＜洗浄性−１＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ０．１ｃｍ）にモデル汚染物質としてｎ−トリアコンタン（東京化成工業社製）１０ｍｇを７０℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１分間融着させることにより、汚染基板を作製した。洗浄液１００ｇを２００ｍｌのガラス製ビーカーに採り、作成した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間の洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価点に従い、基板表面の洗浄性を微分干渉顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製、ＯＰＴＩＰＨＯＴ−２、倍率４００倍）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
◎：完全に除去できている。
○：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。
【０１１４】
＜洗浄性−２＞
モデル汚染物質としてジオクチルフタレート（東京化成工業社製）１０ｍｇを塗布した以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１１５】
＜洗浄性−３＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ０．１ｃｍ）上にガラス板を切断（破断）した際のガラス粉５ｍｇを散布し、１０５℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１時間加熱して、汚染基板を作製した以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１１６】
＜洗浄性−４＞
研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー（ＫＥＭＩＲＡ社製、ＶＩ−８０）及び研磨布を用いて、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ０．１ｃｍ）を研磨した後、超純水で表面をリンスして窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１１７】
＜洗浄性−５＞
研磨剤として市販の酸化セリウムスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）及び研磨布を用いて、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ０．１ｃｍ）を研磨した後、超純水で表面をリンスして窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１１８】
＜洗浄液のｐＨの測定＞
ｐＨメーター（堀場製作所社製、Ｍ−１２）を用いて測定温度２５℃で測定した。
【０１１９】
＜洗浄後の水の接触角＞
上記洗浄性−１を評価した直後の基板を全自動接触角計［協和界面科学（株）製、ＤＭ−７００］を用いて、水に対する接触角（２５℃、１０秒後）を測定した。
【０１２０】
＜洗浄液の接触角＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ０．１ｃｍ）を超純水で十分にリンスした後、２５℃で、窒素でブローして乾燥した直後の基板を全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて、洗浄液に対する接触角（２５℃、１０秒後）を測定した。
【０１２１】
＜表面粗さ＞
２０ｍｌのガラス製容器に洗浄液を１０ｇ採り、５０℃に温調した後、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ０．１ｃｍ）を２ｃｍ×２ｃｍ×厚さ０．１ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、５０℃で５時間浸漬・静置後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄液を除去した後、２５℃で、窒素でブローして基板を乾燥した基板表面の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定した。Ｒａが小さいほど表面平坦性に優れる。
【０１２２】
【表１】
2009263508.tif 000003
【０１２３】
【表２】
2009263508.tif 000004
【０１２４】
【表３】
2009263508.tif 000005
【０１２５】
【表４】
2009263508.tif 000006
【０１２６】
【表５】
2009263508.tif 000007
【０１２７】
【表６】
2009263508.tif 000008
【０１２８】
【表７】
2009263508.tif 000009
【０１２９】
【表８】
2009263508.tif 000010
【０１３０】
表５〜８から、本発明の電子材料用洗浄剤は低起泡性で優れた泡切れ性を有し、有機物汚れ、ガラスカレット及び研磨剤等のパーティクルの除去性、再汚染防止性並びにガラス基板表面の平坦性に優れることがわかる。このような優れた効果を奏する本発明の電子材料用洗浄剤は、製品の歩留まり率の向上が図れるという効果、及び工程時間の短縮が可能となるという効果をも奏する。
【産業上の利用可能性】
【０１３１】
本発明の電子材料用洗浄剤は、油分、人体からの汚れ（指紋等）、樹脂、可塑剤（ジオクチルフタレート等）及び有機パーティクル等の有機物並びに無機パーティクル（ガラス粉、砥粒、セラミック粉及び金属粉等）等の無機物に対する洗浄性に優れており、各種の電子材料［例えばフラットパネルディスプレイ用基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板及び有機ＥＬ用基板等）、ハードディスク用基板（サブストレート基板、磁気ディスク及び磁気ヘッド等）、半導体用基板（半導体素子及びシリコンウェハ等）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤ及びフォトマスク］の製造工程における洗浄工程において好適に使用することができる。本発明の電子材料の洗浄方法は、特に電子材料が、フラットパネルディスプレイ用基板、ハードディスク用基板、半導体用基板又は光学レンズである場合に好適である。