(57)【要約】【課題】  動作の信頼性を向上させることが可能なＴＡＢテープの製造方法、及びＴＡＢテープを提供する。【解決手段】絶縁性テープと、絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢテープの製造方法であって、絶縁性テープ上における回路パターンの形成予定領域のみにスパッタ薄膜を形成する工程と、絶縁性テープ上に形成されたスパッタ薄膜上に電気めっき層を形成して回路パターンを形成する工程と、を有する。【選択図】  図２
2009004530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性テープと、前記絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢテープの製造方法であって、
前記絶縁性テープ上における前記回路パターンの形成予定領域のみにスパッタ薄膜を形成する工程と、
前記絶縁性テープ上に形成された前記スパッタ薄膜上に電気めっき層を形成して前記回路パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。
【請求項２】
前記スパッタ薄膜を形成する工程が、
前記絶縁性テープ上における前記回路パターンの非形成予定領域にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに覆われていない前記絶縁性テープの露出面上にスパッタ薄膜を形成する工程と、
前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に形成されたスパッタ薄膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載のＴＡＢテープの製造方法。
【請求項３】
前記レジストパターンを形成する工程が、
前記絶縁性テープ上に光反応レジストを塗布する工程と、
前記回路パターンの形成予定領域あるいは非形成予定領域をマスクして前記光反応レジストを露光する工程と、
前記露光された光反応レジストを現像して前記回路パターンの非形成予定領域にレジストパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項２に記載のＴＡＢテープの製造方法。
【請求項４】
前記スパッタ薄膜を形成する工程が、０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さのスパッタ薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のＴＡＢテープの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁性テープの厚さが３０μｍ以上４０μｍ以下であり、前記回路パターンを形成する工程が略２０μｍの厚さの電気めっき層を形成する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のＴＡＢテープの製造方法。
【請求項６】
前記電気めっき層が電気銅めっき層であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のＴＡＢテープの製造方法。
【請求項７】
絶縁性テープと、前記絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢテープであって、
前記回路パターンが、前記絶縁性テープ上の前記回路パターンの形成予定領域のみに形成されたスパッタ薄膜と、前記スパッタ薄膜上に形成された電気めっき層と、を有する
ことを特徴とするＴＡＢテープ。
【請求項８】
前記スパッタ薄膜の厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項７に記載のＴＡＢテープ。
【請求項９】
前記回路パターンの断面形である台形の高さをＨμｍ、下底の幅をＸμｍ、上底の幅をＹμｍとしたときに、Ｈ／（Ｙ−Ｘ）／２が５を超える
ことを特徴とする請求項７又は８に記載のＴＡＢテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性テープと、絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープの製造方法、及びＴＡＢテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁性テープと、前記絶縁性テープ上に形成された回路パターンとを有するＴＡＢテープの製造は、以下のように行われていた。
【０００３】
まず、スパッタ装置を用いて、絶縁性テープ上にスパッタ薄膜（スパッタリングによる薄膜）を形成する。次いで、電気めっき装置を用いて、形成したスパッタ薄膜上に電気銅めっき層を形成する。次いで、形成した電気銅めっき層の表面上に光反応レジストを塗布した後、回路パターンを形成する領域（以下、形成予定領域と呼ぶ）、あるいは回路パターンを形成しない領域（以下、非形成予定領域と呼ぶ）をマスクして光反応レジストを露光する。次いで、露光後の光反応レジストを現像して回路パターンの非形成予定領域を覆うレジストパターンを形成する。次いで、レジストパターンに覆われていない電気銅めっき層及びスパッタ薄膜をエッチング等により除去して回路パターンを形成する。最後に、レジストパターンを除去してＴＡＢテープを得る。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１４６７２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の従来方法で製造したＴＡＢテープにおいては、回路の短絡や誤動作が発生し、高い動作信頼性を得られない場合があった。
【０００６】
本発明は、動作の信頼性を向上させることが可能なＴＡＢテープの製造方法、及びＴＡＢテープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様は、絶縁性テープと、前記絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢテープの製造方法であって、前記絶縁性テープ上における前記回路パターンの形成予定領域のみにスパッタ薄膜を形成する工程と、前記絶縁性テープ上に形成された前記スパッタ薄膜上に電気めっき層を形成して前記回路パターンを形成する工程と、を有するＴＡＢテープの製造方法である。
【０００８】
本発明の第２の態様は、前記スパッタ薄膜を形成する工程が、前記絶縁性テープ上における前記回路パターンの非形成予定領域にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに覆われていない前記絶縁性テープの露出面上にスパッタ薄膜を形成する工程と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に形成されたスパッタ薄膜を除去する工程と、を有する第２の態様に記載のＴＡＢテープの製造方法である。
【０００９】
本発明の第３の態様は、前記レジストパターンを形成する工程が、前記絶縁性テープ上に光反応レジストを塗布する工程と、前記回路パターンの形成予定領域あるいは非形成予定領域をマスクして前記光反応レジストを露光する工程と、前記露光された光反応レジストを現像して前記回路パターンの非形成予定領域にレジストパターンを形成する工程と、を有する第３の態様に記載のＴＡＢテープの製造方法である。
【００１０】
本発明の第４の態様は、前記スパッタ薄膜を形成する工程が、０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さのスパッタ薄膜を形成する第１から３のいずれかの態様に記載のＴＡＢテープの製造方法である。
【００１１】
本発明の第５の態様は、前記絶縁性テープの厚さが３０μｍ以上４０μｍ以下であり、前記回路パターンを形成する工程が略２０μｍの厚さの電気めっき層を形成する第１から４のいずれかの態様に記載のＴＡＢテープの製造方法である。
【００１２】
本発明の第６の態様は、前記電気めっき層が電気銅めっき層である第１から５のいずれかの態様に記載のＴＡＢテープの製造方法である。
【００１３】
本発明の第７の態様は、絶縁性テープと、前記絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢテープであって、前記回路パターンが、前記絶縁性テープ上の前記回路パターンの形成予定領域のみに形成されたスパッタ薄膜と、前記スパッタ薄膜上に形成された電気めっき層と、を有するＴＡＢテープである。
【００１４】
本発明の第８の態様は、前記スパッタ薄膜の厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下である第７の態様に記載のＴＡＢテープである。
【００１５】
本発明の第９の態様は、前記回路パターンの断面形である台形の高さをＨμｍ、下底の幅をＸμｍ、上底の幅をＹμｍとしたときに、Ｈ／（Ｙ−Ｘ）／２が５を超える第７又は８に記載のＴＡＢテープである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明にかかるＴＡＢテープの製造方法及びＴＡＢテープによれば、動作の信頼性を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（１）従来のＴＡＢテープの製造方法
まず、本発明の一実施形態にかかるＴＡＢテープの製造方法の説明に先立ち、従来のＴＡＢテープの製造方法について、図１を参照しながら説明する。図１は、従来のＴＡＢテープの製造工程を示す断面概略図である。
【００１８】
まず、図１（ａ）に示すように、例えばポリイミド等の絶縁性材料からなる絶縁性テープ１を用意する。絶縁性テープ１の厚さは例えば３０μｍ〜４０μｍである。
【００１９】
そして、図１（ｂ）に示すように、図示しないスパッタ装置を用いて、絶縁性テープ１上にスパッタ薄膜２を形成する。ここで、スパッタ薄膜２は、絶縁性テープ１上の全面に（すなわち回路パターンの形成予定領域７だけでなく非形成予定領域８にも）形成する。
【００２０】
続いて、図１（ｃ）に示すように、図示しない電気めっき装置を用いて、スパッタ薄膜２上に電気銅めっき層１０を形成する。電気銅めっき層１０の厚さは例えば２０μｍ程度とする。
【００２１】
続いて、図１（ｄ）に示すように、電気銅めっき層１０上に光反応レジスト（フォトレジスト）４を層状に塗布する。光反応レジスト４としては、ポジ型、ネガ型のいずれのレジストも使用可能である。
【００２２】
次いで、図１（ｅ）に示すように、フォトマスク６を用いて回路パターンの形成予定領
域７あるいは非形成予定領域８をマスクしつつ、フォトマスク６を透過した図示しない露光装置からの露光光５を光反応レジスト４に照射して、光反応レジスト４を露光する。なお、光反応レジスト４としてポジ型レジストを用いる場合には回路パターンの形成予定領域７をマスクし、光反応レジスト４としてネガ型レジストを用いる場合には、回路パターンの非形成予定領域８をマスクする。
【００２３】
そして、図１（ｆ）に示すように、露光後の光反応レジスト４を、現像液としてのアルカリ溶液や有機溶剤等により洗浄して現像する。その結果、回路パターンの非形成予定領域８を覆う光反応レジスト４のみが除去され、回路パターンの形成予定領域７を覆うレジストパターン４ａが形成される。
【００２４】
最後に、図１（ｇ）に示すように、レジストパターン４ａに覆われていない電気銅めっき層１０及びスパッタ薄膜２を、エッチング等の手法を用いて除去して、回路パターン１１を形成する。そして、回路パターン１１上のレジストパターン４ａを、例えばアルカリ溶液や有機溶剤等を用いて溶解させて除去する。以上の工程を経て、所望の回路パターン１１を有するＴＡＢテープ９を得ることが出来る。
【００２５】
（２）本実施形態にかかるＴＡＢテープの製造方法
しかしながら、上述した従来の方法により製造されたＴＡＢテープ９においては、回路の短絡や誤動作が発生する等、動作の信頼性が得られ難い場合があった。
【００２６】
発明者等は、かかる問題の原因について鋭意研究を行った。その結果、従来方法により製造されたＴＡＢテープ９においては、回路パターンの非形成予定領域８に金属イオンが残留してしまっており、これが回路の短絡や誤動作を発生させ、ＴＡＢテープの動作の信頼性を低下させる一要因であることを突き止めた。
【００２７】
上述したとおり、従来の方法では、図１（ｂ）に示す工程において、回路パターンの形成予定領域７だけでなく非形成予定領域８にも一律にスパッタ薄膜２を形成した後、図１（ｇ）に示す工程において、非形成予定領域８に形成したスパッタ薄膜２及び電気銅めっき層１０をエッチング等により除去している。しかしながら、絶縁性テープ１上に一旦形成されたスパッタ薄膜２をエッチング等によって完全に除去することは困難であり、回路パターンの非形成予定領域８には金属イオン等が残留してしまっていたのである。なお、金属イオン等の残留による問題は、微細な回路パターン１１を形成した場合において特に顕著に現れる。
【００２８】
また、発明者等は、回路パターンの非形成予定領域８からのスパッタ薄膜２の除去を容易にするため、図１（ｂ）に示す工程にて形成するスパッタ薄膜２の厚さを薄くする方法の有効性についても鋭意研究を行った。スパッタ薄膜２の厚さを例えば０．１μｍ未満とすれば、その除去は比較的容易になるからである。しかしながら、スパッタ薄膜２の厚さを例えば０．１μｍ未満とすると、回路パターンの形成予定領域７の一部においてスパッタ薄膜２が形成されない場合があり、その場合にはかかる領域には電気銅めっき層１０を形成することが出来ず、回路パターン１１の断線を招いてしまうことを発明者等は突き止めた。
【００２９】
そして、発明者等は、上述の研究成果に基づいて更に検討を行った結果、問題の解決には、回路パターンの形成予定領域７のみにスパッタ薄膜２を形成することが有効であるとの知見を得るに至った。さらには、スパッタ薄膜２を形成する前に、回路パターンの非形成予定領域８のみを覆うレジストパターンを形成することにより、金属イオン等の残留の問題を解決できるとともに、回路パターンの形成予定領域７にスパッタ薄膜２を厚く形成することが可能となり、回路パターン１１の断線を回避することも可能になるとの知見を
得るに至った。本発明は、発明者等が得たこれらの知見に基づいてなされたものである。
【００３０】
以下に、本発明の一実施形態にかかるＴＡＢテープの製造方法について、図２を参照しながら説明する。図２は、本実施形態にかかるＴＡＢテープの製造工程を示す断面概略図である。
【００３１】
まず、図２（ａ）に示すように、例えばポリイミド、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステルフィルム等の絶縁性材料からなる絶縁性テープ１を用意する。絶縁性テープ１の厚さは例えば３０μｍ〜４０μｍが例示されるが、本発明の実施形態は必ずしもかかる厚さに限定されない。
【００３２】
そして、図２（ｂ）に示すように、絶縁性テープ１上に光反応レジスト４を層状に塗布する。光反応レジスト４としては、ポジ型、ネガ型のいずれのレジストも使用可能である。
【００３３】
次いで、図２（ｃ）に示すように、回路パターンの形成予定領域７あるいは非形成予定領域８をマスクして光反応レジスト４を露光する。すなわち、フォトマスク６を用いて回路パターンの形成予定領域あるいは非形成予定領域をマスクしつつ、フォトマスク６を透過した図示しない露光装置からの露光光５を光反応レジスト４に照射して、光反応レジスト４を露光する。なお、光反応レジスト４としてポジ型レジストを用いる場合には、回路パターンの非形成予定領域８をマスクし、光反応レジストとしてネガ型レジストを用いる場合には、回路パターンの形成予定領域７をマスクする。
【００３４】
そして、図２（ｄ）に示すように、露光後の光反応レジスト４を、現像液としてのアルカリ溶液や有機溶剤等により洗浄して現像する。その結果、回路パターンの形成予定領域７を覆う光反応レジスト４のみが除去され、回路パターンの非形成予定領域８のみを覆うレジストパターン４ｂが形成される。
【００３５】
続いて、図２（ｅ）に示すように、図示しないスパッタ装置を用い、レジストパターン４ｂに覆われていない絶縁性テープ１の露出面上（すなわち回路パターンの形成予定領域７上）にスパッタ薄膜２を形成する。スパッタ薄膜２を形成する際のスパッタリングターゲットとしては、Ｃｒ、Ｔｉ、その他合金を含む金属材料を用いることが可能である。
【００３６】
なお、この際、レジストパターン４ｂ上にもスパッタ薄膜２が余分に形成される。ただし、レジストパターン４ｂ上に形成されたスパッタ薄膜２は、後述するレジストパターン４ｂの剥離工程において剥離（リフトオフ）することによって容易に除去することが可能である。したがって、図２（ｅ）に示す工程では、スパッタ薄膜２の厚さを、０．１μｍを超える厚さ、例えば０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さとすることが可能である。スパッタ薄膜２をこのような厚さで形成することにより、回路パターンの形成予定領域７をスパッタ薄膜で漏れなく（欠陥なく）覆うことが可能となる。
【００３７】
続いて、図２（ｆ）に示すように、レジストパターン４ｂを除去（剥離）するとともに、レジストパターン４ｂ上に余分に形成されたスパッタ薄膜２を除去（リフトオフによる除去）する。なお、レジストパターン４ｂの除去は、例えば、レジストパターン４ｂをアルカリ溶液や有機溶剤等を用いて溶解させることによって行う。その結果、絶縁性テープ１の表面上には、回路パターンの形成予定領域７にのみスパッタ薄膜２が形成され、非形成予定領域８にはスパッタ薄膜２が形成されず、かつ、非形成予定領域８には金属イオンが残留していない状態となる。
【００３８】
最後に、図２（ｇ）に示すように、図示しない電気めっき装置を用いて、絶縁性テープ
１上に形成されたスパッタ薄膜２（すなわち、回路パターンの形成予定領域７にのみ形成されたスパッタ薄膜２）上に、電気めっき層としての電気銅めっき層１０を形成して、回路パターン１１を形成する。なお、回路パターンの非形成予定領域８には、導電性薄膜であるスパッタ薄膜２が形成されていないため、電気銅めっき層１０は形成されない。すなわち、電気銅めっき層１０やスパッタ薄膜２をエッチングすることなく回路パターン１１を形成することが可能である。なお、形成する電気銅めっき層１０の厚さは、例えば２０μｍ程度とする。以上の工程を経て、所望の回路パターン１１を有するＴＡＢテープ９が得られる。
【００３９】
（３）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下の（ａ）から（ｃ）の効果を奏する。
【００４０】
（ａ）本実施形態によれば、回路パターンの形成予定領域７にスパッタ薄膜２を形成する前に、回路パターンの非形成予定領域８のみを覆うレジストパターン４ｂを形成している。すなわち、回路パターンの非形成予定領域８における絶縁性テープ１上にはスパッタ薄膜２が直接には形成されない。そのため、レジストパターン４ｂを除去した後の回路パターンの非形成予定領域８には金属イオンが残留し得ない。その結果、回路の短絡や誤動作等の発生を抑制させることが可能となり、動作の信頼性を向上させることが可能となる。
【００４１】
（ｂ）また、本実施形態によれば、レジストパターン４ｂ上に余分に形成されたスパッタ薄膜２は、スパッタ薄膜２の厚さにかかわらずレジストパターン４ｂの剥離と同時に容易に剥離（リフトオフ）することが出来る。そのため、形成するスパッタ薄膜２の厚さを０．１μｍ未満に限定する必要がなく、例えば０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さとすることが可能となる。その結果、回路パターンの形成予定領域７の全域にスパッタ薄膜２を漏れなく（欠陥なく）形成させることが可能となる。そして、電気銅めっき層１０を漏れなく（欠陥なく）形成させて、回路パターン１１の断線の発生を抑制させることが可能となる。
【００４２】
（ｃ）また、本実施形態によれば、回路パターンの形成予定領域７にのみ形成されたスパッタ薄膜２上に、電気銅めっき層１０を形成して回路パターン１１を形成している。すなわち、本実施形態においては、回路パターン１１を形成する際に、電気銅めっき層１０やスパッタ薄膜２をエッチングする必要がない。そのため、回路パターン１１の断面（形成予定領域７と非形成予定領域８とにおける境界面）を、より垂直に近い傾斜で保つことが可能となる。その結果、配線間距離をより短くすることが可能となり、回路パターン１１の高密度化が実現できる。
【００４３】
なお、上述の（ｃ）の効果について、図３を参照しながら補足する。図３は、ＴＡＢテープの断面構造を示す概略図であり、（ａ）は従来のＴＡＢテープの断面構造を示し、（ｂ）は本発明の一実施形態にかかるＴＡＢテープの断面構造を示している。図３によれば、従来、及び本実施形態にかかるＴＡＢテープのいずれにおいても、回路パターン１１の断面形は裾野が広がった台形となっている。ただし、電気銅めっき層１０やスパッタ薄膜２をエッチングすることで形成される従来の回路パターン１１の方が、エッチングすることなく形成される本実施形態の回路パターン１１と比較して、台形の裾野の広がりが大きい（すなわち、形成予定領域７と非形成予定領域８との境界面が絶縁性テープ１の主面に対してより傾斜している）ことが分かる。
【００４４】
より具体的には、回路パターン１１の断面形である台形の積層方向の高さをＨμｍ、絶縁性テープ１と接触する下底の幅をＸμｍ、上底の幅をＹμｍとしたときに、図３（ａ）に示す従来の回路パターン１１では、Ｅ率＝Ｈ／（Ｙ−Ｘ）／２が５以下となるのに対し、図３（ｂ）に示す本実施形態の回路パターン１１では、Ｅ率＝Ｈ／（Ｙ−Ｘ）／２が１
０〜２０にまで達する。その結果、隣接する回路パターン１１間の間隔（配線間距離）Ｔをより短く（近く）することが可能となり、回路パターン１１の高密度実装が実現できる。
【００４５】
＜本発明の他の実施形態＞
上述の実施形態では、スパッタ薄膜２上に、電気めっき層として電気銅めっき層１０を形成する場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されない。すなわち、スパッタ薄膜２上に、電気めっき層としてニッケル、クロム、亜鉛、錫、鉛、金、銀、白金、合金などの各電気めっき層を形成する場合にも好適に適用可能である。また、スパッタ薄膜２を形成する際のスパッタリングターゲットとしては、Ｃｒ、Ｔｉ、その他合金を含む金属材料を用いることが可能である。
【００４６】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の形態に限定されず、当業者にとって自明な範囲で適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】従来のＴＡＢテープの製造工程を示す断面概略図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかるＴＡＢテープの製造工程を示す断面概略図である。
【図３】ＴＡＢテープの断面構造を示す概略図であり、（ａ）は従来のＴＡＢテープの断面構造を示し、（ｂ）は本発明の一実施形態にかかるＴＡＢテープの断面構造を示している。
【符号の説明】
【００４８】
１      絶縁性テープ
２      スパッタ薄膜
４      光反応レジスト
４ａ    レジストパターン
４ｂ    レジストパターン
５      露光光
６      フォトマスク
７      回路パターンの形成予定領域
８      回路パターンの非形成予定領域
９      ＴＡＢテープ
１０    電気銅めっき層（電気めっき層）
１１    回路パターン
【図１】
2009004530.tif 000003
【図２】
2009004530.tif 000004
【図３】
2009004530.tif 000005