(57)【要約】【課題】短時間かつ高精度にラマンスペクトル測定を行う。【解決手段】ステージ１１６により光電場増強基板１１０を１ＫＨｚで振動させ、光Ｌ１を光電場増強基板１１０に載置された試料１１１へ照射する。試料１１１から発せられるラマン散乱光および光電場増強基板１１０から発せられるバックグランド光からなる光Ｌ２を回折格子１５５により分光して、フォトダイオード１５７によりスペクトル強度信号を測定し、ロックインアンプ１６０により、このスペクトル強度信号から、１ｋＨｚに同期した信号を検出する。この信号は、光Ｌ１の照射位置と光電場増強基板１１０との相対位置が変化しても、光強度の変化が少ないバックグランド光の信号成分が抑圧され、相対位置の周期的変化と同期して光強度が変動する試料１１１から発せられるラマン散乱光の信号成分が多く含まれる。この信号に基づいて、ラマンスペクトルを取得する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電場増強基板に載置された試料へ光を照射し、前記試料から発せられ、かつ前記光電場増強基板により増強されたラマン散乱光のスペクトルを測定する表面増強ラマン分光装置において、
前記光を前記光電場増強基板に載置された試料へ照射する光照射手段と、
前記光の照射位置と前記光電場増強基板との相対位置を周期的に移動させる移動手段と、
前記光の照射により、前記試料から発せられるラマン散乱光および前記光電場増強基板から発せられるバックグランド光を分光しスペクトル強度信号を測定するスペクトル強度信号測定手段と、
前記スペクトル強度信号から、前記相対位置の移動周期に同期した信号を検出する同期検出手段とを備えることを特徴とする表面増強ラマン分光装置。
【請求項２】
前記移動手段が、前記光の照射位置と前記光電場増強基板との相対位置を振動させるものであることを特徴とする請求項１記載の表面増強ラマン分光装置。
【請求項３】
前記移動手段が、前記光の光軸と垂直な面内で前記光電場増強基板を振動させるものであることを特徴とする請求項２記載の表面増強ラマン分光装置。
【請求項４】
前記光照射手段が、前記光を前記試料上へ集光する対物レンズを備えるものであり、
前記移動手段が、前記光の光軸と垂直な面内で、前記対物レンズを振動させるものであることを特徴とする請求項２記載の表面増強ラマン分光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光の照射を受けて光電場を増強する光電場増強基板を備えた表面増強ラマン分光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ラマン測定方法は、物質に単波長光を照射して得られる散乱光を分光して、ラマン散乱光のスペクトル（ラマンスペクトル）を得る方法であり、試料に含まれる物質の同定等に使用されている。ラマン散乱光は微弱な光であることから、表面においてラマン散乱光が増強される光電場増強基板が開発されている。光電場増強基板としては、例えば、特許文献１に示すような局在プラズモン共鳴を利用した基板が知られている。
【０００３】
局在プラズモン共鳴を利用した基板は、金属体、特に表面にナノオーダの凹凸を有する金属体に試料を載置した状態で光を照射すると、局在プラズモン共鳴による電場増強が生じ、金属体表面に接触せしめられた試料のラマン散乱光強度が増強されるというものである。一方、このような光電場増強基板を用いてラマン測定を行う場合、この光電場増強基板自体から発せられるラマン散乱光や蛍光も基板により増強され、バックグランド光として測定光に重畳してしまい、測定精度が低下するという問題がある。特許文献２には、まず試料が載置されていない状態で、ラマン測定を行って、基板から発せられるバックグランド光のみを測定し、その後、試料を載置してラマン測定を行い、測定スペクトルからバックグランド光のスペクトルを差し引くことによりラマンスペクトルの測定精度を向上させる測定装置が開示されている。  
【特許文献１】特開２００５−１７２５６９号公報
【特許文献２】ＵＳ６８８８６２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献２に記載のラマン測定装置では、試料を光電場増強基板に載置する前に、基板から発せられるバックグランド光のスペクトルを測定する必要があり、測定に必要な手間および時間が増大するという問題がある。
【０００５】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、短時間でかつ高精度にラマンスペクトル測定を行うことのできる表面増強ラマン分光装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表面増強ラマン分光装置は、光電場増強基板に載置された試料へ光を照射し、前記試料から発せられ、かつ前記光電場増強基板により増強されたラマン散乱光のスペクトルを測定する表面増強ラマン分光装置において、
前記光を前記光電場増強基板に載置された試料へ照射する光照射手段と、
前記光の照射位置と前記光電場増強基板との相対位置を周期的に移動させる移動手段と、
前記光の照射により、前記試料から発せられるラマン散乱光および前記光電場増強基板から発せられるバックグランド光を分光しスペクトル強度信号を測定するスペクトル強度信号測定手段と、
前記スペクトル強度信号から、前記相対位置の移動周期に同期した信号を検出する同期検出手段とを備えることを特徴とするものである。
【０００７】
なお、ここで「光電場増強基板に載置された試料」とは、具体的には光電場増強基板表面に接触あるいは隣接している試料や、基板表面に近接して存在する試料等である。
【０００８】
前記移動手段は、前記光の照射位置と前記光電場増強基板との相対位置を振動させるものであってよい。
【０００９】
また、前記移動手段は、前記光の光軸と垂直な面内で前記光電場増強基板を振動させるものであってもよい。
【００１０】
前記光照射手段が、前記光を前記試料上へ集光する対物レンズを備えるものであれば、前記移動手段は、前記光の光軸と垂直な面内で、前記対物レンズを振動させるものであってもよい。
【００１１】
また、前記移動手段は、前記光の光軸と垂直な面内で前記光電場増強基板を回転させるもの。あるいは平行移動させるものであってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
通常、光電場増強基板はその表面の構造が規則的に配列するように形成されているため、基板に光が照射された場合に、光電場増強基板から発せられるバックグランド光の光強度は、光の照射位置が変化しても大きく変動することはない。一方、試料は光電場増強基板上に均一には分布していないため、試料１１１から発せられるラマン散乱光の光強度は、光の照射位置が変化した場合には大きく変動する。
【００１３】
本発明の表面増強ラマン分光装置は、光電場増強基板に載置された試料へ光を照射し、この試料から発せられ、かつ光電場増強基板により増強されたラマン散乱光のスペクトルを測定する表面増強ラマン分光装置において、光を光電場増強基板に載置された試料へ照射する際に、この光の照射位置と光電場増強基板との相対位置を周期的に移動させ、この光の照射により、試料から発せられるラマン散乱光および光電場増強基板から発せられるバックグランド光を分光してスペクトル強度信号を測定し、このスペクトル強度信号から、光の照射位置と光電場増強基板との相対位置の移動周期に同期した信号を検出したため、相対位置が変化しても、光強度の変化が少ないバックグランド光の信号成分が抑圧され、相対位置の周期的変化と同期して光強度が変動する試料から発せられるラマン散乱光の信号成分が多く含まれる信号を検出することができるので、従来必要であった事前のバックグランド光のスペクトル測定が不要になり、短時間でかつ高精度にラマンスペクトルを測定することができる。
【００１４】
光の照射位置と前記光電場増強基板との相対位置を振動させるものであれば、相対位置を移動させるためのスペースをほとんど確保する必要がない。また、光の光軸と垂直な面内で光電場増強基板を振動させるものであれば、ステージなどの簡易な構成により相対位置を移動させことができる。
【００１５】
光を前記試料上へ集光する対物レンズを備え、この対物レンズを、光の光軸と垂直な面内で振動させるものであれば、相対位置を移動させるためのスペースを確保する必要がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明に係る第１の実施形態である表面増強ラマン分光装置について、説明する。図１は表面増強ラマン分光装置１００の概略構成図である。
【００１７】
図１に示すように、表面増強ラマン分光装置１００は、試料１１１が載置された光電場増強基板１１０と、この光電場増強基板１１０が載置され、この光電場増強基板１１０をＸＹ方向へ移動させるステージ１１６および該ステージ１１６の動作を制御するステージ制御部１１７とからなるステージ部１１５と、該ステージ制御部１１７および後述するロックインアンプ１６０へ１ｋＨｚの正弦波信号を出力する正弦波発生部１３９と、光Ｌ１を光電場増強基板１１０へ集光して照射する光照射部１４０と、試料１１１から発せられるラマン散乱光と、光電場増強基板１１０から発せられるラマン散乱光や蛍光からなるバックグランド光とを含む光Ｌ２を分光してスペクトル強度を測定するスペクトル強度測定部１５０と、スペクトル強度信号と、１ｋＨｚの正弦波信号を入力し、スペクトル強度信号から入力された１ｋＨｚの正弦波信号と同期した信号であるＢ信号を検出するロックインアンプ１６０と、このロックインアンプ１６０の出力信号から試料のラマンスペクトルを生成するスペクトル生成部１７１を含み各部位へ接続されて、装置全体の動作を制御する制御部１７０と、この制御部１７０と接続されている表示部１８０とを備えている。
【００１８】
光照射部１４０は、３０ｍＷで波長７８０ｎｍの光Ｌ1を射出する半導体レーザ１４１、該半導体レーザ１４１から射出された光Ｌ1を平行光とするレンズ１４２、７８０ｎｍの光を直角方向へ反射し、他の波長の光は透過するノッチフィルタ１４３およびノッチフィルタ１４３で反射された光Ｌ1を光電場増強基板１１０の試料１１１上へ集光する対物レンズ１４４とを有してしる。ステージ１１６は、ＸＹ方向へ移動する移動機能に加え、ピエゾによる振動機能を備えている。ステージ制御部１１７の制御により、ステージ１１６は、図1に示す左右方向へ、幅５μｍで、高速振動する。
【００１９】
スペクトル強度測定部１５０は、ノイズ光を除去するためのピンホール１５１を備えたピンホール板１５２と、試料１１１または光電場増強基板１１０から発せられ、レンズ１４４およびノッチフィルタ１４３を透過した光Ｌ２を、ピンホール１５１へ集光するためのレンズ１５３と、ピンホール１５１を通った光Ｌ２を平行光化するレンズ１５４と、光Ｌ２を分散する回折格子１５５と、分散された光Ｌ２の中の所定波長の光を集光する対物レンズ１５６と、集光された所定波長の光の光強度を測定するフォトダイオード１５７とを有している。回折格子１５５には、該回折格子１５５を回転させる回転部１５８が取り付けられている。この回転部１５８は制御部１７０へ接続され、制御部１７０の制御により回折格子１５５を回転させ、順次光Ｌ２の中の異なる波長の光をフォトダイオード１５７へ入射させる。フォトダイオード１５７は、検出した光強度を順次ロックインアンプ１６０へ出力する。
【００２０】
光電場増強基板１１０は、Ａｌ等の被陽極酸化金属体の一部を陽極酸化して金属酸化物体（Ａｌ２Ｏ３等）とし、陽極酸化の過程で形成される金属酸化物体の多数の微細孔内に各々金属をメッキ等により成長させて得られたデバイスである。
【００２１】
以下、図２を用いて、光電場増強基板１１０の作製方法について簡単に説明する。光電場増強基板１１０は種々の方法によって作製できるものであるが、ここでは、その一例としてアルミニウムの基体を用いた作製方法を示す。（ａ）〜（ｃ）は、光増強基板１１０の作製過程における基板断面の形状を概略的に示すものである。
【００２２】
まず（ａ）は、光電場増強基板１１０の作製プロセスに入る前の基体１２１を表している。本実施形態では、基体１２１として圧延により薄膜化されたアルミニウム層を用いている。陽極酸化装置を用いてアルミニウム層１２２の表面に陽極酸化処理を施すと、（ｂ）に示すように、基板表面１２２に開口している多数の微細孔１２３を有するアルミナ層１２４が形成される。微細孔１２３は、基体表面１２２のほぼ全面にわたって規則的に配置される。微細孔１２３の孔径、深さおよび間隔は、陽極酸化の条件（例えば陽極酸化に用いる電解液の濃度や温度、電圧の印加方法、電圧値、時間など）によって変化する。
【００２３】
次に、陽極酸化処理により自然形成された微細孔１２３に、電気メッキにより金（Ａｕ）を充填する。なお電気メッキを行う場合には、金が基体表面１２２と同位置まで充填された後もメッキ処理を継続する。このため、（ｃ）に示すように、頭部が基体表面１２２よりも上に突出し、且つ、その頭部の径が微細孔１２３の孔径よりも大きい（いわばマッシュルーム型の）金微粒子１２５が形成される。金属粒子１２５の径は、任意の値に設計可能であるが、ラマン散乱光の増強効果が大きくなるように、光Ｌ１の波長よりも小さくなるように設計されている。
【００２４】
図３は、光電場増強基板１１０の一部を表す斜視図である。この図に示すように、金微粒子１２５は光電場増強基板１１０の表面１２２全体に亘って周期６３ｎｍで配列される。このように、デバイス表面１２２に光Ｌ１の波長よりも小さい凹凸構造を有する金属体が形成されることにより、デバイス表面１２２に光Ｌ１が照射されると、局在プラズモンが誘起される。このため、光Ｌ１の照射により、試料１１１で発せられたラマン散乱光が増強される。
【００２５】
なお、光電場増強基板としては、上記の構成に限定されるものではなく、例えば図４および図５に示すようなデバイスも用いることができる。なお、図４は断面図、図５は斜視図および上面図である。
【００２６】
図４（ａ）に示す光電場増強基板１１０ａは、図２（ａ），（ｂ）に示すように陽極酸化を実施し、陽極酸化により形成された金属酸化物体１２４を除去して、被陽極酸化金属体の非陽極酸化部分１２１のみを残したデバイスである（特開2006-250924号公報を参照）。かかるデバイスは、デバイス表面に複数のディンプル状の凹部１２６を有する非陽極酸化部分１２１により構成される。
【００２７】
図４（ｂ）に示す光電場増強基板１１０ｂは、上記光電場増強基板１１０ａの表面に、その凹凸形状に沿って金属層１２７を成膜したものである（特開2006-250924号公報を参照）。
【００２８】
図４（ｃ）に示す光電場増強基板１１０ｃは、上記光電場増強基板１１０ｂの金属層１２７をアニール処理により粒子化して、被陽極酸化金属体の非陽極酸化部分１２１上に金属粒子１２８を形成したものである（特願2006-198009号（本件特許出願時において未公開）を参照）。
【００２９】
図５（ａ）に示す光電場増強基板１１０ｅは、導電体１３０および平坦な誘電体１３１の上に、複数の金属粒子１３２がアレイ状に固着されたデバイスである。金属粒子１３２の配列パターンは適宜設計でき、略規則的であることが好ましい。かかる構成では、金属粒子１３２の平均的な径及びピッチが光Ｌ１の波長よりも小さく設計される。
【００３０】
図５（ｂ）に示す光電場増強基板１１０ｆは、導電体１３０および平坦な誘電体１３１の上に、金属細線１３３が格子状にパターン形成された金属パターン層１３４が形成されたデバイスである。金属パターン層１３４のパターンは適宜設計でき、略規則的であることが好ましい。かかる構成では、金属細線１３３の平均的な線幅及びピッチが光Ｌ１の波長よりも小さく設計される。
【００３１】
図５（ｃ）に示す光電場増強デバイス１１０ｇは、プレート１３５上に配置された複数の金属ナノロッド１３６から構成されている（特開2007-139612号公報を参照）。金属ナノロッドのサイズは、短軸長さが３ｎｍ〜５０ｎｍ程度、長軸長さが２５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であり、長軸長さを励起光の波長よりも小さいサイズとする。
【００３２】
また光電場増強基板の表面は、表面が粗面化された金属層により構成してもよい。粗面化方法としては、酸化還元等を利用した電気化学的な方法等が挙げられる。その他光電場増強基板としては、表面電場増強効果を有する公知のデバイスを用いることができる。
【００３３】
なお、これらの光電場増強基板の表面には、特に光電場の増強度が多きくなるホットスポットが分布している。
【００３４】
次に、上述の表面増強ラマン分光装置１００を用いて、試料１１１のラマンスペクトルを測定するラマン分光方法について、説明する。まず、測定に先立って、試料１１１が載置されている光電場増強基板１１０がステージ１１６上へ置かれる。
【００３５】
以下制御部１７０の制御により、試料１１１のラマンスペクトルの測定が行われる。まず、ステージ１１６が移動し、試料１１１上へ光Ｌ１が照射可能となる位置へ光電場増強基板１１０が移動する。
【００３６】
光照射部１４０の半導体レーザ１４１から出力３０ｍＷ、波長７８０ｎｍの光Ｌ１が射出され、レンズ１４２により平行光化される。光Ｌ1は、ノッチフィルタ１４３で反射され、対物レンズ１４４で集光されて、光電場増強基板１１０上の試料１１１へ、径１μｍのスポットとして照射される。光Ｌ１の照射により、試料１１１からはラマン散乱光が発せられ、また光電場増強基板１１０からはラマン散乱光や蛍光が発せられる。
【００３７】
試料１１１から発せられるラマン散乱光と光電場増強基板１１０から発せられるラマン散乱光や蛍光からなるバックグランド光を含む光Ｌ２は、その波長が７８０ｎｍからずれているため、ノッチフィルタ１４３を透過し、レンズ１５３で集光され、ピンホール１５１を通り、再度レンズ１５４により平行光化され、回折格子１５５へ入射する。なお、レーリー散乱光などは、その波長が光Ｌ１と同じ７８０ｎｍであるため、ノッチフィルタ１４３で反射されるため、回折格子１５５へ入射することはない。光Ｌ２は、回折格子１５５により分散され、フォトダイオード１５７の方向へ分散された所定波長の光がレンズ１５６により集光されて、フォトダイオード１５７へ入射する。フォトダイオード１５７の出力は、ロックインアンプ１６０へ出力されている。
【００３８】
フォトダイオード１５７の出力が、ロックインアンプ１６０へ出力されている状態で、制御部１７０は、正弦波発生部１３９から出される１ｋＨｚの正弦波をステージ制御部１１７へ入力させる。ステージ制御部１１７は、ステージ１１６を図６に示すように位置ａから位置ｃの間で、高速振動させる。なお、図６に示すホットスポット１１２は、光電場増強度が特に高くなる点である。
【００３９】
光Ｌ２は、試料１１１から発せられるラマン散乱光と、光電場増強基板１１０から発せられるラマン散乱光や蛍光からなるバックグランド光とを含むものである。光Ｌ２は対物レンズ１４４により、光電場増強基板１１０上に集光され、その集光スポットの直径は約１μｍである。
【００４０】
光電場増強基板１１０の表面には多数の金属微粒子１２５が高密度かつ規則的に配列されているため、集光スポットの位置が移動しても、光電場増強基板１１０から発せられるバックグランド光の光強度は大きく変化することはない。一方、試料１１１は光電場増強基板１１０上に均一には分布していないため、試料１１１から発せられるラマン散乱光の光強度は、集光スポットの位置が変化した場合には大きく変動する。特に、図６に示すように、光電場増強基板１１０の表面に、増強度が大きいホットスポット１１２が分布している場合、試料１１１がホットスポット上に存在するか否かにより、試料１１１から発せられるラマン散乱光の増強度が変化するため、集光スポットの位置が変化した場合の光強度の変動がとくに大きくなる。
【００４１】
例えば、バックグランド光のスペクトルが図７に示すようなものであった場合に、光Ｌ１の照射位置がａ〜ｃへ移動すると、光Ｌ２のスペクトルは図８（ａ）〜図８（ｃ）のように変化することとなる。
【００４２】
一方、フォトダイオード１５７から出力される光強度信号は、ひとつの波長の光強度信号であり、バックグランド光の信号成分や試料１１１から発せられるラマン散乱光の信号成分を含むものである。このため、フォトダイオード１５７から出力される光強度信号をロックインアンプ１６０へ入力し、参照信号として入力されている１ｋＨｚと同期した信号を検出することにより、集光スポット位置が変化しても、光強度の変化が少ないバックグランド光の信号成分が抑圧され、集光スポット位置の変化と同期して光強度が変動する試料１１１から発せられるラマン散乱光の信号成分が多く含まれる信号を検出することができる。
【００４３】
ロックインアンプ１６０の出力は、制御部１７０へ入力され、スペクトル生成部１７１へ記憶される。所定波長における信号検出が終了すると、回転部１５８が回折格子１５５を回転させる。フォトダイオード１５７の方向へ分散される光の波長が変化し、次の波長の光がフォトダイオード１５７へ入射する。回折格子１５５を順次回転させることにより、光Ｌ２の中の波長の異なる光が順次フォトダイオード１５７へ入射し、フォトダイオード１５７の出力がロックインアンプ１６０へ入力され、ロックインアンプ１６０で検出された信号がスペクトル生成部１７１へ出力されて、記憶される。スペクトル生成部１７１では、ロックインアンプ１６０で検出された信号を時間経過に沿って記憶することにより図９に示すような、バックグランド光のスペクトルが抑圧され、試料１１１から発せられるラマン散乱光のスペクトルが多く含まれるスペクトルを取得し、表示部１８０へ出力する。
【００４４】
以上の説明で明らかなように、本実施の形態による表面増強ラマン分光装置では、光電場増強基板１１０を周波数１ｋＨｚで振動させながら、光Ｌ１を試料に照射し、試料１１１から発せられるラマン散乱光と光電場増強基板１１０から発せられるラマン散乱光や蛍光からなるバックグランド光を含む光Ｌ２のスペクトル強度信号を検出し、ロックインアンプ１６０を用いて、このスペクトル強度信号から、光電場増強基板１１０の振動周期である１ｋＨｚに同期した信号を検出したため、光Ｌ１の照射位置が変化しても、光強度の変化が少ないバックグランド光の信号成分は抑圧され、光Ｌ１の照射位置の周期的変化と同期して光強度が変動する試料１１１から発せられるラマン散乱光の信号成分が多く含まれる信号を検出することができるので、従来必要であった事前のバックグランド光のスペクトル測定が不要になり、短時間でかつ高精度にラマンスペクトルを測定することができる。
【００４５】
なお、図１０に実施の形態の変形例である表面増強ラマン分光装置２００を示す。この表面増強ラマン分光装置２００では、対物レンズ１４４を光Ｌ１の光軸方向と垂直な平面内において１ｋＨｚで振動させる対物レンズ振動部２１０を設け、対物レンズ１４４を振動させることにより、光Ｌ１の照射位置と光電場増強基板１１０との相対位置を周期的に移動させている。この場合には、正弦波発生部１３９から出される１ｋＨｚの正弦波は、この対物レンズ振動部２１０に入力される。また、ステージ部２２０は、光電場増強基板１１０をＸＹ方向へ移動させるステージ２２１と該ステージ２２１の動作を制御するステージ制御部２２２とから構成されている。
【００４６】
なお、表面増強ラマン分光装置１００においても表面増強ラマン分光装置２００においても、光電場増強基板１１０上における光Ｌ１の振動幅は、光Ｌ１の集光スポットの直径以上の幅であることが好ましい。
【００４７】
また、光電場増強基板１１０としては、周期的な構造を有し、光増強度が周期的に変化するものが用いられることがある。このような場合には、集光スポットの直径がこの周期構造の1周期幅より大きいことが好ましい。また相対位置の位置振動幅は、集光スポットの直径より大きいことが好ましい。
【００４８】
なお、本実施の形態においては、光Ｌ１の照射位置と光電場増強基板１１０との相対位置を振動させているが、これに限定されるものではない。例えば光電場増強基板１１０を回転ステージの上に配置し、回転させてもよいし、あるいは光電場増強基板１１０を平行移動させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態の表面増強ラマン分光装置
【図２】（ａ）〜（ｃ）は光電場増強基板の製造プロセス図
【図３】光電場増強基板の表面の斜視図
【図４】光電場増強基板の変形例の断面図
【図５】光電場増強基板の変形例の斜視図および上面図
【図６】光Ｌ１の照射位置の説明図
【図７】バックグランド光のスペクトルの説明図
【図８】各照射位置における光Ｌ２のスペクトルの説明図
【図９】ラマン散乱光のスペクトルの説明図
【図１０】表面増強ラマン分光装置の変形例
【符号の説明】
【００５０】
１００、２００  表面増強ラマン分光装置
１１０    光電場増強基板
１１１    試料
１１５    ステージ部
１１６    ステージ
１１７    ステージ制御部
１３９    正弦波発生部    
１４０    光照射部
１４１    光源
１４３    ノッチフィルタ
１５０    スペクトル強度測定部
１５１    ピンホール
１５２    ピンホール板
１５５    回折格子
１５７    フォトダイオード
１５８    回転部
１６０    ロックインアンプ
１７０    制御部
１７１    スペクトル生成部
２１０    対物レンズ振動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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