(57)【要約】【課題】簡易な構成によって、自己バイアス電圧を制御する。【解決手段】マイクロ波の電界と磁界とによってプラズマを生成し、プラズマによるプラズマポテンシャルによって基板に正イオンを入射させるプラズマ処理において、プラズマ内において基板を電気的にフローティングした状態で支持する基板支持機構を通して基板からアースに向かってリーク電流を流し、このリーク電流による電圧降下によってプラズマポテンシャルで生じる基板の自己バイアス電圧を抑制する。電圧降下による自己バイアス電圧の制御は、基板支持機構とアースとの間に抵抗を設定することで行う。抵抗の設定は、基板の自己バイアス電圧を検出し、得られた電圧値をフィードバックして自己バイアス電圧が所定値となるように抵抗の大きさを増減させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波の電界と磁界とによってプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマポテンシャルによって基板に正イオンを入射させるプラズマ処理において、
前記プラズマ内において基板を電気的にフローティングした状態で支持する基板支持機構を通して基板からアースに向かってリーク電流を流し、このリーク電流による電圧降下によって前記プラズマポテンシャルで生じる基板の自己バイアス電圧を抑制することを特徴とする、基板自己バイアス電圧の制御方法。
【請求項２】
前記電圧降下による自己バイアス電圧の制御は、前記基板支持機構とアースとの間に抵抗を設定することで行うことを特徴とする、請求項１に記載の基板自己バイアス電圧の制御方法。
【請求項３】
前記抵抗の設定は、
前記基板の自己バイアス電圧を検出し、当該検出で得られた電圧値をフィードバックして当該自己バイアス電圧が所定値となるように前記抵抗の大きさを増減させることを特徴とする、請求項２に記載の基板自己バイアス電圧の制御方法。
【請求項４】
前記請求項１から請求項３の何れか１つに記載の基板自己バイアス電圧の制御方法において、前記プラズマ処理をＥＣＲスパッタ装置の反応性スパッタ成膜工程において行うことを特徴とする基板自己バイアス電圧の制御方法。
【請求項５】
マイクロ波を発振する高周波電源と、
前記マイクロ波を導入し、当該マイクロ波の電界と磁界とによってプラズマを生成するプラズマ室、
前記生成したプラズマによって基板にプラズマ処理を施す反応室内と、
前記反応室内において基板を電気的にフローティングした状態で支持する基板支持機構と、
前記基板の自己バイアス電圧を制御する自己バイアス制御部とを備え、
前記自己バイアス制御部は、プラズマポテンシャルによって基板に蓄積した電荷が前記基板支持機構を通してアースに向かって流れるリーク電流で生じる電圧降下によって、前記プラズマポテンシャルによる基板の自己バイアス電圧を抑制することを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項６】
前記自己バイアス制御部は、
前記基板支持機構とアースとの間に接続する固定抵抗素子を備え、当該固定抵抗素子の抵抗値によって前記電圧降下を定め、基板の自己バイアス電圧を定めることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記自己バイアス制御部は、
前記基板支持機構とアースとの間に接続する可変抵抗素子と、
前記自己バイアス電圧を検出する自己バイアス電圧検出部と、
前記可変抵抗素子の抵抗値を設定する可変抵抗設定部とを備え、
前記可変抵抗設定部は、自己バイアス電圧検出部で検出した自己バイアス電圧を用いて前記可変抵抗素子の抵抗値を設定し、前記自己バイアス電圧値を所定電圧値に制御することを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波の印加により生成したプラズマによって基板表面を酸化もしくは窒化処理するプラズマ処理装置に関し、特に自己バイアスに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置は、マイクロ波電界と磁界の相互作用を利用して電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）励起によりプラズマを発生させ。このプラズマを基板上に照射することによって基板上に薄膜形成等のプラズマ処理を行う。このプラズマ処理装置は、イオンの指向性や均一性が優れていることから、薄膜形成装置や半導体素子製造装置に適用されている。
【０００３】
図４は、従来のプラズマ処理装置の一構成例を示す概略図である。図４において、プラズマ処理装置１０１は、プラズマ生成室１０２と反応室１０３とを備える。プラズマ生成室１０２の壁部にはマイクロ波導入孔１０４が設けられる。高周波電源１０８で発生されたマイクロ波は、発信機およびＥＨチューナー１０９でインピーダンス整合された後、マイクロ波導波管１１０を通して導かれ、マイクロ波導入孔１０４のマイクロ波導入窓（図示していない）を通してプラズマ生成室１０２内に導入される。プラズマ生成室１０２の外周には磁場コイル１０５が設けられる。
【０００４】
反応室１０３は、プラズマ引き出し用の開口部を通してプラズマ生成室１０２と連通している。反応室１０３には、排気口１０６とガス導入口１０７とが形成される。排気口１０６は真空排気装置１１３に接続され、反応室１０３の内部を真空排気する。ガス導入口１０７は他端をガス供給源に接続し、反応室１０３内に成膜ガス等を導入する。
【０００５】
プラズマ処理は、真空排気装置１１３によって反応室１０３およびプラズマ生成室１０２内を所定圧力に減圧し、磁場コイル１０５に直流電流を供給し、ガス導入口１０７から反応室１０３およびプラズマ生成室１０２内に成膜ガスを導入し、高周波電源１０８で発振させ発信機およびＥＨチューナー１０９でインピーダンス整合させた２．４５ＧＨｚのマイクロ波をプラズマ生成室１０２内に導入する。成膜ガスは、マイクロ波の電界と磁場コイル１０５の磁場を８７５ガウスとすることによって電子サイクロトロン共鳴による高密度プラズマが生成され、正イオンと電子に分離する。
【０００６】
プラズマ内において、電子は軽量であるため高速で運動し、短時間でプラズマから抜け出して壁部に衝突して消滅する。一方、正イオンは電子に比べて質量が大きく低速であるため、プラズマ中に長く存在する。これにより、プラズマは全体として正の電荷となり、イオンシースを形成する。基板１１２を支持する基板支持機構１１１は、このイオンシースの正電荷に誘引されて負電荷が蓄積され、負の自己バイアス電圧が発生する。プラズマ中の正イオンは、磁場コイル１０５の発散磁界によって反応室に輸送された後、この負の自己バイアス電圧によって加速されて基板１１２に衝突し、基板１１２上に蓄積して膜を形成する。
【０００７】
上記したマイクロ波の導入によってプラズマを生成する構成の他に、基板を支持する電極（高周波投入電極）に高周波電源を接続することによってプラズマを生成する構成が知られている（特許文献１）。この構成によるプラズマ処理装置において、プラズマ密度を高めることによって、成膜ガスの分解が促進されて成膜特性が向上することが示されている。このとき、プラズマ密度の高まりに伴って負の自己バイアス電圧が増大する。この自己バイアスの増大は、基板への正イオンの入射エネルギーを高めるため、基板温度の上昇や、基板上の成膜内での膜応力を大きくし、基板の反りや膜剥離の原因となることが指摘されている。
【０００８】
上記した特許文献１では、高周波投入電極にカップリングコンデンサを介して高周波電源を接続すると共に、高周波投入電極とカップリングコンデンサの間と接地との間にローパスフィルタを接続することによって自己バイアスを低減させること、また、このローパスフィルタに可変抵抗素子を直列接続することで自己バイアスを制御することが示されている。
【０００９】
基板に発生する自己バイアスを制御するために、基板の支持機構をアース電位とする構成、基板にＲＦ電源を接続してバイアス電位を直流電圧で与える構成、基板にパルス変調したＤＣ電源を接続し、バイアス電位を与える等の方法が提案されている。
【００１０】
例えば、特許文献２には、アース電極を設け、アース電極の面積を変化させることによって試料電極に誘起される負の自己バイアス電圧を制御する構成や、反応室の内壁面に近接して設置したインナーベルジャーを接地する構成が示されている。
【００１１】
また、特許文献３には、高周波のＲＦバイアス電圧又はパルス状ＲＦバイアス電圧を印加することで自己バイアスを生起させ、このＲＦバイアス電圧や、パルス状ＲＦバイアス電圧とパルス周期と可変とすることが開示されている。
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−９６０５１号
【特許文献２】特開平１０−１７７９９６号
【特許文献３】特開２００１−１９２８２５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記した自己バイアスを低減させるための方法において、特許文献１に記載される、基板の高周波投入電極に接続する電源のインピーダンスを調整することによって自己バイアスを制御する構成を、マイクロ波導入によってプラズマを生成する構成に適用することは、高周波投入電極やその電極に接続する電源を有していないため、その構成上から出来ないという問題がある。
【００１４】
また、基板を支持する部分をアース電位とすることによって自己バイアスを低減する構成では、自己バイアスが“０”となって基板のバイアス電位が“０”となり、正イオンの基板への入射効果が無くなり、成膜効率が低下するという問題がある。
【００１５】
また、基板にＲＦ電源を接続してバイアス電位を直流電圧Ｖdcとしたり、パルス変調したＤＣ電源を接続してバイアス電位を与えることによって自己バイアスを低減する構成では、プラズマポテンシャルによって発生した自己バイアスに更に自己バイアスが加わることになるため、自己バイアス電圧の抑制が困難となるという問題がある。
【００１６】
近年、電子デバイスの高度化によって半導体基板等の表面性状が性能に大きく影響する傾向が高まっている。そのような状況から、成膜処理やエッチング処理等のクリーニングを行うプロセスにおいて基板表面へのダメージを抑制への要求が高まっている。
【００１７】
したがって、プラズマ処理において、基板にダメージを与えない程度で、かつ、基板へのイオン入射が促進されるように、イオンにエネルギーを与えることが求められている。このような要求を満たすエネルギーをイオンに与えるように、自己バイアス電圧を簡易に制御することが求められている。
【００１８】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、簡易な構成によって、自己バイアス電圧を制御することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、基板を支持する基板支持機構を所定電位に設定することによって、基板へのイオン入射の促進と、基板へのダメージの低減の両方を実現するものであり、基板支持機構を所定電位に設定するために、基板からアースに流れるリーク電流によって生じる電圧降下を利用するものである。これによって、簡易に自己バイアスを制御することができる。
【００２０】
本発明は、制御方法の態様と、この制御方法を適用したプラズマ処理装置の態様とすることができる。
【００２１】
本発明の制御方法に態様は基板自己バイアス電圧の制御方法であり、マイクロ波の電界と磁界とによってプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマポテンシャルによって基板に正イオンを入射させるプラズマ処理において、プラズマ内において基板を電気的にフローティングした状態で支持する基板支持機構を通して基板からアースに向かってリーク電流を流し、このリーク電流による電圧降下によってプラズマポテンシャルで生じる基板の自己バイアス電圧を抑制する。
【００２２】
リーク電流を流さない場合には、リーク電流による電圧降下が生じないため、基板の自己バイアス電圧はプラズマポテンシャルで生じた自己バイアス電圧のままであり、自己バイアス電圧の抑制は行われない。一方、リーク電流を流した場合には、リーク電流によって電圧降下が生じ、この電圧降下分の電圧が基板の自己バイアス電圧として設定され、プラズマポテンシャルで生じた自己バイアス電圧よりも低い電圧に抑制される。
【００２３】
このリーク電流による電圧降下を制御することで、自己バイアス電圧の抑制の程度を制御することができる。例えば、この電圧降下分を大きく設定した場合には、自己バイアス電圧の抑制分は小さくなるため、プラズマポテンシャルで生じた自己バイアス電圧からの低下分は小さく設定される。また、この電圧降下分を小さく設定した場合には、自己バイアス電圧の抑制分は大きくなるため、プラズマポテンシャルで生じた自己バイアス電圧からの低下分を大きく設定することができる。
【００２４】
電圧降下による自己バイアス電圧の制御は、基板支持機構とアースとの間の抵抗を設定することで行うことができる。基板からアースに向かってリーク電流が流れると、この抵抗では電圧降下が生じ、この電圧降下に相当する電圧の自己バイアス電圧が基板支持機構に設定される。この電圧降下は、リーク電流と抵抗値の積で表されるため、抵抗の大きさを定めることで自己バイアス電圧を制御することができる。
【００２５】
この抵抗は抵抗素子を接続することで実現することができる。抵抗素子は、抵抗値が定められている固定抵抗素子、あるいは抵抗値が可変である可変抵抗素子を用いることができる。固定抵抗素子を用いた場合には、自己バイアス電圧の電圧値はその抵抗値に応じて設定される。一方、可変抵抗素子を用いた場合には、自己バイアス電圧の電圧値はその抵抗値の変更に応じて変えることができる。
【００２６】
この可変抵抗素子を用いた場合には、抵抗値の設定は、基板の自己バイアス電圧を検出し、この検出で得られた電圧値をフィードバックして自己バイアス電圧が所定値となるように抵抗値を増減させることで、自己バイアス電圧を自動で所定の電圧値に設定することができる。
【００２７】
上記した基板自己バイアス電圧の制御方法は、ＥＣＲスパッタ装置の反応性スパッタ成膜工程で行うプラズマ処理に適用することができる。
【００２８】
また、本発明のプラズマ処理装置の態様では、マイクロ波を発振する高周波電源と、このマイクロ波を導入し、マイクロ波の電界と磁界とによってプラズマを生成するプラズマ室、生成したプラズマによって基板にプラズマ処理を施す反応室内と、反応室内において基板を電気的にフローティングした状態で支持する基板支持機構と、基板の自己バイアス電圧を制御する自己バイアス制御部とを備える。
【００２９】
本発明の自己バイアス制御部は、プラズマポテンシャルによって基板に蓄積した電荷が基板支持機構を通してアースに向かって流れるリーク電流で生じる電圧降下によって、プラズマポテンシャルによる基板の自己バイアス電圧を抑制する。
【００３０】
自己バイアス制御部は、リーク電流による電圧降下を制御するものである。電圧降下は、抵抗素子を流れる電流値とその抵抗素子の抵抗値との積で定まるため、基板支持機構とアース（接地点）との間を抵抗素子を介して接続してリーク電流の回路を形成し、この抵抗素子の抵抗値を定めることで電圧降下を制御し、これによって自己バイアス電圧を制御する。
【００３１】
プラズマ処理装置の一形態では、自己バイアス制御部は、基板支持機構とアースとの間に固定抵抗素子を接続し、この固定抵抗素子の抵抗値によって電圧降下を定め、基板の自己バイアス電圧を定める。
【００３２】
プラズマ処理装置の他の形態では、自己バイアス制御部は、基板支持機構とアースとの間に可変抵抗素子を接続すると共に、自己バイアス電圧を検出する自己バイアス電圧検出部と、可変抵抗素子の抵抗値を設定する可変抵抗設定部とを備える。可変抵抗設定部は、自己バイアス電圧検出部で検出した自己バイアス電圧を用いて可変抵抗素子の抵抗値を設定し、これによって、自己バイアス電圧値を所定電圧値に制御する。
【００３３】
本発明の基板自己バイアス電圧の制御方法の態様、およびこの基板自己バイアス電圧の制御方法を適用したプラズマ処理装置の態様によれば、基板の自己バイアス電圧の制御を、基板に蓄積される電荷をリーク電流によって流すことで簡易に行うことができ、このリーク電流による電圧降下を、基板支持機構とアースとの間に抵抗を設けるという簡易な構成で設けることで実現することができ、その電圧降下の大きさも抵抗の大きさを定めることで容易に制御することができる。
【００３４】
さらに、抵抗素子を可変抵抗素子とし、この可変抵抗素子の抵抗値を可変抵抗設定部によって検出した自己バイアス電圧値をフィードバックすることで自動的に設定することができる。
【００３５】
また、本発明の態様によれば、自己バイアス電圧を抑制することによって、基板へのダメージを抑制することができる。
【００３６】
また、本発明の態様によれば、自己バイアス電圧を抑制する自己バイアス制御部を大気側に設置し、真空中に有る基板の自己バイアスを大気側で制御することができる。
【００３７】
また、本発明の態様によれば、簡便な構成によって自己バイアス電圧を抑制することができ、コストを低減させることができる。
【００３８】
また、本発明の態様によれば、ＥＣＲスパッタに限らず、様々なプラズマプロセスに適用することができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、簡易な構成によって自己バイアス電圧を制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００４１】
図１、２は、本発明のプラズマ処理装置の構成例を説明するための概略図である。
【００４２】
図１、２において、プラズマ処理装置１は、自己バイアス制御部２０（図１に示す２０Ａ、図２に示す２０Ｂ）の構成を除く部分は前記した図４で示した構成とほぼ同様である。図１は抵抗素子として固定抵抗素子を用いた構成例を示し、図２は抵抗素子として可変抵抗素子を用いた構成例を示している。
【００４３】
図１，２において、本発明のプラズマ処理装置１は、プラズマ生成室２と反応室３とを備える。プラズマ生成室２の壁部にはマイクロ波導入孔４が設けられる。高周波電源８で発生されたマイクロ波は、発振器およびＥＨチューナー９でインピーダンス整合された後、マイクロ波導波管１０を通して導かれ、マイクロ波導入孔４のマイクロ波導入窓（図示していない）を通してプラズマ生成室２内に導入される。プラズマ生成室２の外周には磁場コイル５が設けられる。
【００４４】
反応室３は、プラズマ引き出し用の開口部を通してプラズマ生成室２と連通している。反応室３には、排気口６とガス導入口７とが形成される。排気口６は真空排気装置１３に接続され、反応室３の内部を真空排気する。ガス導入口７は他端をガス供給源に接続し、反応室３内に成膜ガス等を導入する。
【００４５】
プラズマ処理は、真空排気装置１３によって反応室３およびプラズマ生成室２内を所定圧力に減圧し、磁場コイル５に直流電流を供給し、ガス導入口７から反応室３およびプラズマ生成室２内に成膜ガスを導入し、高周波電源８で発振させ発振器およびＥＨチューナー９でインピーダンス整合させた２．４５ＧＨｚのマイクロ波をプラズマ生成室２内に導入する。成膜ガスは、マイクロ波の電界と磁場コイル５の磁場を８７５ガウスとすることによって電子サイクロトロン共鳴による高密度プラズマが生成され、正イオンと電子に分離する。
【００４６】
プラズマ内において、電子は軽量であるため高速で運動し、短時間でプラズマから抜け出して壁部に衝突して消滅する。一方、正イオンは電子に比べて質量が大きく低速であるため、プラズマ中に長く存在する。これにより、プラズマは全体として正の電荷となり、イオンシースを形成する。基板１２を支持する基板支持機構１１は、このイオンシースの正電荷に誘引されて負電荷が蓄積され、負の自己バイアス電圧が発生する。プラズマ中の正イオンは、磁場コイル５の発散磁界によって反応室に輸送された後、この負の自己バイアス電圧によって加速されて基板１２に衝突し、基板１２上に蓄積して膜を形成する。
【００４７】
本発明のプラズマ処理装置１は、基板支持機構１１とアース（接地）との間に自己バイアス制御部２０を備える。この自己バイアス制御部２０は、基板支持機構１１とアース（接地）との間でリーク電流を流す回路を形成し、このリーク電流によって生じる電圧降下によって基板１２の自己バイアス電圧を制御するものである。
【００４８】
図１に示す自己バイアス制御部２０Ａは、基板支持機構１１とアース（接地）との間に固定抵抗素子２１を接続する構成である。ここで、リーク電流をＩleakで表し、固定抵抗素子２１の抵抗値をＲfixで表すと、固定抵抗素子２１で生じる電圧降下は“Ｒfix・Ｉleak”で表すことができる。この電圧降下によって、基板支持機構１１の電位はアースに対して“Ｒfix・Ｉleak”となる。基板１２の自己バイアス電圧は、基板支持機構１１のアースに対する電位“Ｒfix・Ｉleak”で表すことができる。したがって、基板１２の自己バイアス電圧は、固定抵抗素子２１の抵抗値Ｒfixを定めることによって設定することができる。
【００４９】
自己バイアス制御部２０の抵抗素子を固定抵抗素子で構成した場合には、基板１２の自己バイアス電圧は、固定抵抗素子２１の抵抗値Ｒfixの他に、リーク電流Ｉleakにも依存するため、リーク電流Ｉleakが変動した場合には自己バイアス電圧も変動することになる。
【００５０】
そこで、この自己バイアス制御部２０の抵抗素子の抵抗値を可変とすることで、自己バイアス電圧の変動を抑制することができる。図２に示す自己バイアス制御部２０Ｂは、基板支持機構１１とアース（接地）との間に可変抵抗素子２２を接続する構成である。自己バイアス制御部２０Ｂは、基板支持機構１１とアース（接地）との間を接続する可変抵抗素子２２と、基板支持機構１１の電圧を検出して自己バイアス電圧を検出する自己バイアス電圧検出部２３と、自己バイアス電圧検出部２３で検出した自己バイアス電圧値に基づいて可変抵抗素子２２の抵抗値を設定する可変抵抗設定部２４とを備える。自己バイアス制御部２０Ｂは、自己バイアス電圧検出部２３で検出した自己バイアス電圧値を可変抵抗設定部２４を介して可変抵抗素子２２にフィードバックすることで、基板１２の自己バイアス電圧を所定電圧に維持する。
【００５１】
ここで、リーク電流をＩleak、可変抵抗素子２２の抵抗値をＲvariable、自己バイアス電圧検出部２３で検出する自己バイアス電圧をＶbias、目標とする自己バイアス電圧をＶpresetで表したとき、可変抵抗素子２２で生じる電圧降下は“Ｒvariable・Ｉleak”で表すことができ、電圧検出部２３はこの電圧を自己バイアス電圧Ｖbiasとして検出する。
【００５２】
可変抵抗設定部２４は、を検出して得られた自己バイアス電圧Ｖbias（＝電圧降下“Ｒvariable・Ｉleak”）と目標自己バイアス電圧をＶpresetとを比較し、この差分が減少するように可変抵抗素子２２の抵抗値Ｒvariableを変更する。
【００５３】
このフィードバック制御によって、自己バイアス電圧Ｖbiasは目標自己バイアス電圧に設定される。したがって、基板１２の自己バイアス電圧は、可変抵抗素子２２の抵抗値Ｒvariableを定めることによって設定することができる。
【００５４】
図３はＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ処理時における自己バイアスの抑制効果を説明する図であり、抵抗値（ｋΩ）と自己バイアス電圧（−Ｖ）との関係を示している。図３では、マイクロ波電力が５００Ｗ、スパッタリングで用いるＮ２（窒素）ガスの流量を２０sccmとし、圧力がそれぞれ０．２Ｐa（図３中の菱形記号）、０．３Ｐa（図３中の矩形記号）、０．４Ｐa（図３中の三角記号）の例を示している。
【００５５】
基板が自己バイアス制御部２０によってアース接続されずに、フローティング状態にある場合には、各自己バイアス電圧は−９．５Ｖ（圧力０．２Ｐa），−５．５Ｖ（圧力０．３Ｐa）−４．４Ｖ（圧力０．４Ｐa）である。
【００５６】
自己バイアス制御部２０による自己バイアス電圧の抑制効果を図３の結果から検討すると、例えば、圧力が０．２Ｐaであるとき、基板がフローティング状態にある場合には−９．５Ｖであるのに対して、抵抗素子の抵抗値を１０ｋΩとした場合には−７．５Ｖ程度であり、自己バイアス電圧を約２Ｖ抑制する効果が確認される。また、圧力が０．３Ｐa，０．４Ｐaであるときには、自己バイアス電圧はそれぞれ約−４．４Ｖ、−３．３Ｖに抑制する効果が確認される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明のＥＣＲスパッタに限らず、様々なプラズマプロセスに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の構成例を説明するための概略図である。
【図２】本発明のプラズマ処理装置の構成例を説明するための概略図である
【図３】ＥＣＲプラズマ処理時における自己バイアスの抑制効果を説明するための図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置の一構成例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００５９】
１…プラズマ処理装置、２…プラズマ室、３…反応室、４…マイクロ波導入孔、５…磁場コイル、６…排気口、７…ガス導入口、８…高周波電源、９…発信器及びＥＨチューナー、１０…導波管、１１…基板支持機構、１２…基板、１３…真空排気装置、２０，２０Ａ，２０Ｂ…自己バイアス制御部、２１…固定抵抗、２２…可変抵抗、２３…電圧検出部、２４…可変抵抗設定部、１０１…プラズマ処理装置、１０２…プラズマ生成室、１０３…反応室、１０４…マイクロ波導入孔、１０５…磁場コイル、１０６…排気口、１０７…ガス導入口、１０８…高周波電源、１０９…発信器及びＥＨチューナー、１１０…導波管、１１１…基板支持機構、１１２…基板、１１３…真空排気装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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