(57)【要約】【課題】反射防止膜付きレンズその他の光学部材を製造する際に、膜厚誤差を低減して成膜精度を向上させる。【解決手段】１枚以上の基板が取り付けられたドラムをチャンバ内で回転させる。この状態で、ドラムの周囲に配設されたターゲットの電源を時間制御でオンして、スパッタによりターゲットの粒子を基板に付着させることにより、複数の薄膜を基板に積み重ねて層を形成する。このような成膜工程を所定の回数だけ繰り返すことにより、光学部材を製造する。このとき、ドラムの少なくとも１回転あたりの成膜厚さが、複数の層のうち特定の層において他の層より薄く設定されている。これにより、特定の層においてドラムの１回転あたりの成膜厚さが薄くなるため、カルーセル式のスパッタ装置１に特有の膜厚誤差が低減され、成膜精度が向上する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１枚以上の基板を保持することが可能な保持部材を回転させながら、前記保持部材の周囲にターゲットを配設した状態で、スパッタ法により前記基板に薄膜を成膜する成膜工程を含む光学部材の製造方法であって、
前記成膜工程では、所定の膜厚を成膜するための所定の成膜時間内に、前記保持部材が複数回回転することにより前記基板上に薄膜を成膜し、
特定の回転における１回転あたりの成膜厚さが、他の回転の成膜厚さより薄くなるように調整されていることを特徴とする光学部材の製造方法。
【請求項２】
単位時間あたりに形成される膜厚である成膜レートを増減させることにより、前記特定の回転における１回転あたりの成膜厚さを調整することを特徴とする請求項１に記載の光学部材の製造方法。
【請求項３】
前記ターゲットの電力、電圧、電流のいずれかを調整することにより、１回転あたりの成膜厚さを増減させることを特徴とする請求項２に記載の光学部材の製造方法。
【請求項４】
前記ターゲットの電力、電圧、電流と成膜レートとの関係を求めておき、この関係に基づき、所望の成膜レートが得られるように前記ターゲットの電力、電圧、電流のいずれかを設定することを特徴とする請求項３に記載の光学部材の製造方法。
【請求項５】
前記成膜レートに応じて前記成膜工程で導入するガスの分圧を増減させることを特徴とする請求項３または４に記載の光学部材の製造方法。
【請求項６】
前記ターゲットの前方に開閉自在に設けられたシャッターの開度を調整することにより、前記１回転あたりの成膜厚さを増減させることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の光学部材の製造方法。
【請求項７】
前記シャッターの開度と成膜レートとの関係を求めておき、この関係に基づき、所望の成膜レートが得られるように前記シャッターの開度を設定することを特徴とする請求項６に記載の光学部材の製造方法。
【請求項８】
前記保持部材の回転速度を増減させることにより、当該保持部材の１回転分の成膜厚さを調整することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の光学部材の製造方法。
【請求項９】
前記保持部材の回転速度と１回転分の成膜厚さとの関係を求めておき、この関係に基づき、所望の１回転分の成膜厚さが得られるように前記保持部材の回転速度を設定することを特徴とする請求項８に記載の光学部材の製造方法。
【請求項１０】
物理膜厚が光学特性に及ぼす影響の大小に基づき、前記保持部材の１回転分の成膜厚さを設定することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の光学部材の製造方法。
【請求項１１】
前記保持部材の１回転分の成膜厚さが薄く設定される層において、当該層を構成する複数の薄膜のうち特定の薄膜のみ成膜厚さが薄く設定されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の光学部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レンズその他の光学部材を製造する際に適用するに好適な薄膜を有する光学部材の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来の光学部材の製造方法におけるドラム上の反射防止膜の最外周近傍の成膜状態を模式的に例示する平面図である。
【０００３】
従来、この種の光学部材の製造方法としては、カルーセル式のスパッタ装置が提案されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このカルーセル式のスパッタ装置では、基板が取り付けられたドラムをチャンバ内で回転させた状態で、ドラムの周囲に配設されたターゲットの電源をオンして、スパッタによりターゲットの粒子を基板に付着させることにより、複数の薄膜を基板に積み重ねて層を形成する。そして、このような成膜工程を所定の回数だけ繰り返すことにより、薄膜を有する光学部材を製造している。
【０００５】
このとき、ドラムの回転速度および成膜レート（単位時間あたりに形成される膜厚）に基づき、膜厚が設定値になるようにターゲットの電源を時間制御でオン／オフしている。
【０００６】
例えば、ドラムの回転速度が１００ｒｐｍで、成膜レートが０．５ｎｍ／ｓである場合には、ドラムが１回転するたびに膜厚０．３ｎｍだけ基板に成膜されることになる。したがって、膜厚０．６ｎｍだけ成膜しようとすると、設定膜厚（０．６ｎｍ）がドラムの１回転あたりの成膜厚さ（０．３ｎｍ）の２倍となるため、ターゲットの電源がオンされてからドラムが２周だけ回転した時点でターゲットの電源がオフされて成膜作業が終了する。また、膜厚３ｎｍだけ成膜しようとすると、設定膜厚（３ｎｍ）がドラムの１回転あたりの成膜厚さ（０．３ｎｍ）の１０倍となるため、ターゲットの電源がオンされてからドラムが１０周だけ回転した時点でターゲットの電源がオフされて成膜作業が終了する。
【特許文献１】特開平８−１７６８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、こうしたカルーセル式のスパッタ装置では、ターゲットの電源が時間制御でオン／オフされるため、設定膜厚がドラムの１回転あたりの成膜厚さの整数倍（５０倍、１０１倍など）となる場合を除き、ドラム内においてドラムの１回転あたりの成膜に相当する膜厚誤差が生じてしまう。
【０００８】
例えば、ドラムの回転速度が１００ｒｐｍで、成膜レートが０．５ｎｍ／ｓである場合に、膜厚１５．１５ｎｍだけ成膜しようとすると、設定膜厚（１５．１５ｎｍ）がドラムの１回転あたりの成膜厚さ（０．３ｎｍ）の５０．５倍となるため、ターゲットの電源がオンされてからドラムが５０周半だけ回転した時点でターゲットの電源がオフされて成膜作業が終了する。その結果、図７に示すように、ドラム５上の成膜開始位置Ｐ１に対して成膜終了位置Ｐ２が１８０°ずれるため、膜厚１５．０ｎｍの基板と膜厚１５．３０ｎｍの基板とが半分ずつ形成され、両者間に０．３ｎｍの膜厚誤差、つまりドラム５の１回転あたりの成膜厚さＴ１に相当する膜厚誤差が生じる。なお、図７は、回転と成膜される層との関係を説明するのが主眼であるため、実際に成膜される基板や、この基板を保持するホルダについては、その図示を省略している。
【０００９】
この場合、特に、物理膜厚が光学特性（反射率など）に及ぼす影響が大きい層、すなわち敏感な層（膜厚が薄い層など）においては、この膜厚誤差を低減して成膜精度を向上させることが望まれる。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑み、カルーセル式のスパッタ装置に特有の膜厚誤差を低減して成膜精度を向上させることが可能な光学部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る第１の光学部材の製造方法は、１枚以上の基板（７）を保持することが可能な保持部材（５）を回転させながら、前記保持部材の周囲にターゲット（１１、１２）を配設した状態で、スパッタ法により前記基板に薄膜を成膜する成膜工程を含む光学部材の製造方法であって、前記成膜工程では、所定の膜厚を成膜するための所定の成膜時間内に、前記保持部材が複数回回転することにより前記基板上に薄膜を成膜し、特定の回転における１回転あたりの成膜厚さが、他の回転の成膜厚さより薄くなるように調整されている光学部材の製造方法としたことを特徴とする。
【００１２】
なお、本発明をわかりやすく説明するため、実施の形態を表す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施の形態に限定されるものでないことは言及するまでもない。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、特定の回転において保持部材の１回転あたりの成膜厚さが薄くなるため、カルーセル式のスパッタ装置に特有の膜厚誤差を低減して成膜精度を向上させることが可能な光学部材の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
［発明の実施の形態１］
【００１５】
図１および図２は、本発明の実施の形態１に係る図である。
【００１６】
まず、構成を説明する。
【００１７】
カルーセル式のスパッタ装置１は、図１に示すように、八角形筒状のチャンバ（真空槽）２を有しており、チャンバ２の内部には成膜室３が形成されている。成膜室３の中央部には所定の直径の円筒状のドラム（保持部材）５が、軸心ＣＴ１を中心として所定の回転速度（例えば、１００ｒｐｍ）で矢印Ｍ方向に回転駆動自在に支持されている。ドラム５の外周には、その全周にわたって所定個数のホルダ６がねじ止めで設置されており、各ホルダ６にはそれぞれ所定枚数（例えば、７枚）の基板７が着脱自在に取り付けられている。
【００１８】
また、チャンバ２の外周面には、図１に示すように、第１ターゲット１１および第２ターゲット１２が互いに１８０°の位置でドラム５を挟んで対向するように設置されている。ここで、第１ターゲット１１の材料としてはケイ素（Ｓｉ）が用いられており、第２ターゲット１２の材料としてはニオブ（Ｎｂ）が用いられている。また、チャンバ２の外周面には、酸化源（ラジカル源）１３が、第１ターゲット１１および第２ターゲット１２に対して９０°の位置に設置されている。さらに、チャンバ２の外周面には、第１真空排気装置１５が第１ターゲット１１と酸化源１３との中間に取り付けられているとともに、第２真空排気装置１６が第２ターゲット１２と酸化源１３との中間に取り付けられている。
【００１９】
また、チャンバ２には給気管（図示せず）が取り付けられており、この給気管を通じて成膜室３にアルゴンガス（Ａｒ）を供給することができる。
【００２０】
次に、作用について説明する。
【００２１】
スパッタ装置１は以上のような構成を有するので、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と五酸化二ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）からなる誘電体を基板７上に交互に成膜して５層構造の反射防止膜付きレンズを製造する際には、次の手順による。
【００２２】
まず、ドラム５にホルダ６を介して基板７を取り付ける。
【００２３】
次に、第１真空排気装置１５および第２真空排気装置１６を駆動してチャンバ２の内部のガスを排気することにより、成膜室３を所定の真空度（例えば、１×１０−５〜１×１０−３Ｐａ）の真空にする。
【００２４】
次いで、ドラム５を軸心ＣＴ１を中心として所定の回転速度（例えば、１００ｒｐｍ）で矢印Ｍ方向に回転させる。すると、ドラム５の回転に同期して基板７が軸心ＣＴ１を中心として同じ回転速度で公転する。
【００２５】
こうして基板７が所定の回転速度で公転している状態で、第１真空排気装置１５および第２真空排気装置１６を駆動したまま、以下に述べる手順により、二酸化ケイ素からなる１層目の成膜動作を行う。
【００２６】
すなわち、ドラム５上の各基板７の表面にケイ素（Ｓｉ）を付着させるべく、第２ターゲット１２の電源をオフしたまま、膜厚が設定値になるように第１ターゲット１１の電源を時間制御でオンする。このようにして、スパッタリングにより各基板７の表面にケイ素が成膜される。
【００２７】
次に、酸化源１３から酸素ガスを放出させる。すると、ドラム５上の各基板７に付着したケイ素が酸素ガスと化合して酸化され、二酸化ケイ素からなる誘電体（酸化物）が生成される。こうして生成された誘電体は、可視光に対して透明となる。
【００２８】
このとき、基板７が公転しているので、基板７上には誘電体が積み重なっていく。
【００２９】
そして、二酸化ケイ素からなる１層目の膜厚が設定値になる時間が経過した時点で、第１ターゲット１１の電源をオフする。
【００３０】
ここで、二酸化ケイ素からなる１層目の成膜動作が終了する。
【００３１】
こうして１層目（二酸化ケイ素）の成膜動作が終了したところで、基板７が所定の回転速度で公転している状態で、第１真空排気装置１５および第２真空排気装置１６を駆動したまま、以下に述べる手順により、五酸化二ニオブからなる２層目の成膜動作を行う。
【００３２】
すなわち、各基板７上の二酸化ケイ素の表面にニオブ（Ｎｂ）を付着させるべく、第１ターゲット１１の電源をオフしたまま、膜厚が設定値になるように第２ターゲット１２の電源を時間制御でオンする。このようにして、基板７の二酸化ケイ素の上にニオブが成膜される。
【００３３】
次に、酸化源１３から酸素ガスを放出させる。すると、各基板７上の二酸化ケイ素に付着したニオブが酸素ガスと化合して酸化され、五酸化二ニオブからなる誘電体（酸化物）が生成される。こうして生成された誘電体は、可視光に対して透明となる。
【００３４】
このとき、基板７が公転しているので、基板７上には誘電体が積み重なっていく。
【００３５】
そして、五酸化二ニオブからなる２層目の膜厚が設定値になる時間が経過した時点で、第２ターゲット１２の電源をオフする。
【００３６】
ここで、五酸化二ニオブからなる２層目の成膜動作が終了する。
【００３７】
こうして２層目（五酸化二ニオブ）の成膜動作が終了したところで、１層目の成膜動作と同様にして、３層目（二酸化ケイ素）の成膜動作を行う。
【００３８】
こうして３層目（二酸化ケイ素）の成膜動作が終了したところで、２層目の成膜動作と同様にして、４層目（五酸化二ニオブ）の成膜動作を行う。
【００３９】
こうして４層目（五酸化二ニオブ）の成膜動作が終了したところで、１層目の成膜動作と同様にして、５層目（二酸化ケイ素）の成膜動作を行う。
【００４０】
ただし、これら５層のうち敏感な層（例えば、３層目）の成膜動作においては、第１ターゲット１１（１層目、３層目、５層目の場合）または第２ターゲット１２（２層目、４層目の場合）の電力を下げる。すると、単位時間に第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の表面に当たるアルゴンイオンの数やエネルギーが減少するため、成膜レートが低下する。ここで、敏感な層とは、物理膜厚が光学特性（反射率など）に及ぼす影響が大きい層を指す。また、成膜レートとは、単位時間あたりに形成される膜厚を意味する。
【００４１】
なお、成膜レートは、概ね第１ターゲット１１、第２ターゲット１２の電力に比例すると考えられるが、この比例関係は必ずしも正確であるとは限らない。そこで、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２の電力と成膜レートとの関係を予め求めておき、この関係に基づき、所望の成膜レートが得られるように第１ターゲット１１、第２ターゲット１２の電力を適宜設定すれば、成膜レートを正確に定めることができる。
【００４２】
このように、敏感な層の成膜動作において成膜レートを下げると、カルーセル式のスパッタ装置１に特有の膜厚誤差を低減して成膜精度を向上させることができる。
【００４３】
例えば、ドラムの回転速度が１００ｒｐｍで、成膜レートが０．５ｎｍ／ｓである場合には、ドラム５が１回転するたびに膜厚０．３ｎｍだけ基板７に成膜される。これに対して、ドラムの回転速度が同じく１００ｒｐｍで、成膜レートが半分、つまり０．２５ｎｍ／ｓである場合には、ドラム５が１回転するたびに膜厚０．１５ｎｍだけ基板７に成膜されることになる。
【００４４】
ここで、膜厚１５．１５ｎｍだけ成膜しようとすると、設定膜厚（１５．１５ｎｍ）がドラムの１回転あたりの成膜厚さ（０．１５ｎｍ）の１０１倍となるため、第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の電源がオンされてからドラムが１０１周だけ回転した時点で第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の電源がオフされて成膜作業が終了する。その結果、図２（ａ）に示すように、ドラム５上の成膜開始位置Ｐ１と成膜終了位置Ｐ２とが重なるため、すべての基板７上に所望の膜厚（１５．１５ｎｍ）の層が形成される。なお、図２（ａ）は、回転と成膜される層との関係を説明するのが主眼であるため、実際に成膜される基板７や、この基板７を保持するホルダ６については、その図示を省略している。
【００４５】
また、膜厚１５．０５ｎｍだけ成膜しようとすると、設定膜厚（１５．０５ｎｍ）がドラムの１回転分の成膜厚さ（０．１５ｎｍ）の３０１／３（１００＋１／３）倍となるため、第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の電源がオンされてからドラムが１００周と１／３周だけ回転した時点で第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の電源がオフされて成膜作業が終了する。その結果、図２（ｂ）に示すように、ドラム５上の成膜開始位置Ｐ１に対して成膜終了位置Ｐ２が１２０°ずれ、膜厚１５ｎｍの基板７と膜厚１５．１５ｎｍの基板７とが２：１の比率で形成されるが、両者間の膜厚誤差は０．１５ｎｍに過ぎない。なお、図２（ｂ）は、回転と成膜される層との関係を説明するのが主眼であるため、実際に成膜される基板７や、この基板７を保持するホルダ６については、その図示を省略している。
【００４６】
ところで、成膜レートを低下させるべく第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の電力を下げると、第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の表面が酸素ガスで酸化されてしまい、成膜レートが著しく低下するという不具合が生じる場合がある。そこで、このような場合は、成膜レートに応じて、アルゴンガスの流量を増やすか、酸素ガスの流量を減らすことにより、成膜室３におけるアルゴンガスの分圧を大きくする。すると、第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の表面が酸素ガスで酸化されにくくなるため、第１ターゲット１１または第２ターゲット１２の電力低下に伴う成膜レートの著減を回避することができる。
【００４７】
また、この実施の形態１では、５層のうち敏感でない層（例えば、１層目、２層目、４層目、５層目）については、成膜レートを下げることなく通常の成膜レートで成膜動作が行われる。ここで、敏感でない層とは、物理膜厚が光学特性（反射率など）に及ぼす影響が大きくない層を指す。したがって、成膜レートが低下するのは敏感な層に限られるため、５層全体の成膜動作、ひいては光学部材の製造に要する時間が大幅に増加する不都合を回避することができる。
［発明の実施の形態２］
【００４８】
図３は、本発明の実施の形態２に係る図である。
【００４９】
上述した実施の形態１では、５層のうち敏感な層の成膜動作において、各薄膜の成膜レートを一律に低下させる場合について説明したが、敏感な層を構成する複数の薄膜のうち特定の薄膜、例えば、図３に示すように、最外周の薄膜のみ成膜レートを低下させることも可能である。なお、図３は、回転と成膜される層との関係を説明するのが主眼であるため、実際に成膜される基板７や、この基板７を保持するホルダ６については、その図示を省略している。
【００５０】
この場合、成膜レートが低下するのは敏感な層の最外周の薄膜に限られるため、光学部材の製造時間の増加は僅少なものとなる。
［発明のその他の実施の形態］
【００５１】
なお、上述した実施の形態１、２では、第１ターゲット１１や第２ターゲット１２の電力を下げる手法（以下、ターゲット電力低減手法という。）を採用することにより、成膜レートを低下させる場合について説明したが、成膜レートを低下させる手法として、ターゲット電力低減手法以外の方法を代用または併用することも可能である。
【００５２】
例えば、第１ターゲット１１や第２ターゲット１２の電力に代えて第１ターゲット１１や第２ターゲット１２の電圧または電流を下げるようにしても構わない。この場合も、第１ターゲット１１、第２ターゲット１２の電圧または電流と成膜レートとの関係を予め求めておき、この関係に基づき、所望の成膜レートが得られるように第１ターゲット１１、第２ターゲット１２の電圧または電流を適宜設定すれば、成膜レートを正確に定めることができる。
【００５３】
また、第１ターゲット１１や第２ターゲット１２の前方にシャッター（図示せず）を開閉自在に設置しておき、このシャッターの開度を減少させる手法（以下、シャッター開度減少手法という。）を採用することにより、成膜レートを低下させるようにしてもよい。この場合、成膜レートは、概ねシャッターの開度に比例すると考えられるが、この比例関係は必ずしも正確であるとは限らない。そこで、シャッターの開度と成膜レートとの関係を予め求めておき、この関係に基づき、所望の成膜レートが得られるようにシャッターの開度を適宜設定すれば、成膜レートを正確に定めることができる。
【００５４】
さらに、上述した実施の形態１、２では、成膜レートを低下させる手法（以下、成膜レート低下手法という。）を採用することにより、ドラム５の１回転あたりの成膜厚さを薄くする場合について説明したが、この成膜レート低下手法に代えて、或いは、この成膜レート低下手法に加えて、ドラム５の回転速度を増大させる（以下、ドラム回転速度増大手法という。）を採用することにより、ドラム５の１回転あたりの成膜厚さを薄くすることもできる。この場合、ドラム５の１回転あたりの成膜厚さは、概ねドラム５の回転速度に反比例すると考えられるが、この反比例関係は必ずしも正確であるとは限らない。そこで、ドラム５の回転速度と１回転あたりの成膜厚さとの関係を予め求めておき、この関係に基づき、所望の１回転あたりの成膜厚さが得られるようにドラム５の回転速度を適宜設定すれば、ドラム５の１回転あたりの成膜厚さを正確に定めることができる。
【００５５】
また、上述した実施の形態１では、５層構造の反射防止膜付きレンズを製造する場合について説明した。しかし、層の数は５層に限るわけではなく、また、反射防止膜付きレンズ以外の光学部材（例えば、バンドパスフィルター、ビームスプリッタ等）を製造する場合に本発明を適用することも勿論できる。
【００５６】
さらに、上述した実施の形態１では、敏感な１層について成膜レートを低下させる場合について説明したが、敏感な層が２つ以上あるときは、これらの敏感な層すべてについて成膜レートを低下させることも可能である。
【実施例１】
【００５７】
以下、本発明の実施例１について説明する。
【００５８】
図４乃至図６は、本発明の実施例１に係る図である。
【００５９】
基板としてＢＫ７、つまりホウケイ酸クラウン光学ガラス基板（屈折率：１．５２）を用い、第１ターゲット、第２ターゲットの材料としてそれぞれケイ素（Ｓｉ）、ニオブ（Ｎｂ）を用いた。
［設計品の調製］
【００６０】
ＢＫ７上に、二酸化ケイ素（屈折率：１．４７）からなる膜厚１８１．４１ｎｍの１層目を成膜し、この上に、五酸化二ニオブ（屈折率：２．３４）からなる膜厚１３．９７ｎｍの２層目を成膜し、この上に、二酸化ケイ素からなる膜厚３２．３９ｎｍの３層目を成膜し、この上に、五酸化二ニオブからなる膜厚６７．４３ｎｍの４層目を成膜し、この上に、二酸化ケイ素からなる膜厚６．２４ｎｍの５層目を成膜し、この上に、五酸化二ニオブからなる膜厚３６．２５ｎｍの６層目を成膜し、この上に、二酸化ケイ素からなる膜厚８８．９４ｎｍの７層目を成膜した。こうして調製された７層構造の反射防止膜付きレンズを設計品とした。
［比較例１のシミュレーション］
【００６１】
１層目の膜厚を１８１．７１ｎｍ（つまり、設計品の膜厚１８１．４１ｎｍ＋０．３ｎｍ）としたことを除き、設計品と同じ７層構造の反射防止膜付きレンズをシミュレーションし、これを比較例１とした。
［比較例２のシミュレーション］
【００６２】
２層目の膜厚を１４．２７ｎｍ（つまり、設計品の膜厚１３．９７ｎｍ＋０．３ｎｍ）としたことを除き、設計品と同じ７層構造の反射防止膜付きレンズをシミュレーションし、これを比較例２とした。
［実施例１のシミュレーション］
【００６３】
２層目の膜厚を１４．０７ｎｍ（つまり、設計品の膜厚１３．９７ｎｍ＋０．１ｎｍ）としたことを除き、設計品と同じ７層構造の反射防止膜付きレンズをシミュレーションし、これを実施例１とした。
［反射率の対比］
【００６４】
上記４種類の反射防止膜付きレンズ（設計品、比較例１、２、実施例１）について、その膜厚および屈折率に基づき、３５０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長領域の反射率を計算で求めた。その結果を図４から図６までに示す。
【００６５】
図４は、設計品（実線のグラフ）および比較例１（破線のグラフ）の反射率の波長依存性を示すグラフであり、縦軸は反射率（単位：％）を表し、横軸は波長（単位：ｎｍ）を表す。図４から明らかなように、比較例１は、すべての波長領域において、設計品とほとんど同じ反射率を示し、可視光線（波長が概ね４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内）の全域において、反射率０．４３％の規格線を下回る良好な分光特性を示した。
【００６６】
また、図５は、設計品（実線のグラフ）および比較例２（破線のグラフ）の反射率の波長依存性を示すグラフであり、縦軸は反射率（単位：％）を表し、横軸は波長（単位：ｎｍ）を表す。図５から明らかなように、比較例２は、可視光線のほぼ全域において、設計品と反射率が異なり、特に４３０ｎｍ前後の波長領域において、反射率０．４３％の規格線を超える分光特性を示した。
【００６７】
さらに、図６は、設計品（実線のグラフ）および実施例１（破線のグラフ）の反射率の波長依存性を示すグラフであり、縦軸は反射率（単位：％）を表し、横軸は波長（単位：ｎｍ）を表す。図６から明らかなように、実施例１は、可視光線のほぼ全域において、設計品と反射率が異なるものの、両者の反射率の差は、上述した比較例２の場合と比べて大幅に縮小されており、可視光線（波長が概ね４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内）の全域において、反射率０．４３％の規格線を下回る良好な分光特性を示した。
【００６８】
このように、１層目は、反射率に関して敏感でないので、規格を満たすためには０．３ｎｍの再現性でも十分である。これに対して、２層目は、反射率に関して敏感であるため、０．３ｎｍの再現性では規格を満たさず、０．１ｎｍの再現性で規格を満たす結果となった。
【００６９】
そこで、膜厚誤差範囲が０．１ｎｍ以下となることが要求される層を成膜する際には、１回転あたりに成膜される厚さが０．１ｎｍとなるように、成膜レートを下げて成膜する。具体的には、２層目以外の層は、ドラムの回転速度を１００ｒｐｍ、成膜レートを０．５ｎｍ／ｓとし、２層目のみは、ドラムの回転速度を１００ｒｐｍ、成膜レートを０．１５ｎｍ／ｓという条件とする。このような成膜レートにすることにより、膜厚に敏感な層の膜厚ばらつきに起因する反射率の増加を抑制しながら、他の層の成膜レートを落とさないことで、反射防止特性が良好な反射防止膜を効率よく（生産性よく）成膜することができるようになる。
【００７０】
なお、上述した実施例１では、７層のうちの１層（２層目）にのみ本発明を適用したが、他の層に適用することも可能である。多層膜の１層のみに限定するわけではない。光学特性が膜厚誤差に敏感な層を選択して適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、反射防止膜付きレンズ、反射ミラー、ハーフミラー、フィルタなど各種の光学部材に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光学部材の製造方法に使用されるスパッタ装置を模式的に示す平面図である。
【図２】同実施の形態１に係る光学部材の製造方法におけるドラム上の反射防止膜の最外周近傍の成膜状態を模式的に例示する平面図であって、（ａ）は第１例を示す図、（ｂ）は第２例を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る光学部材の製造方法におけるドラム上の反射防止膜の最外周近傍の成膜状態を模式的に例示する平面図である。
【図４】反射防止膜の分光特性（反射率の波長依存性）を示す第１のグラフである。
【図５】反射防止膜の分光特性（反射率の波長依存性）を示す第２のグラフである。
【図６】反射防止膜の分光特性（反射率の波長依存性）を示す第３のグラフである。
【図７】従来の光学部材の製造方法におけるドラム上の反射防止膜の最外周近傍の成膜状態を模式的に例示する平面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１……スパッタ装置
２……チャンバ
３……成膜室
５……ドラム（保持部材）
６……ホルダ
７……基板
１１……第１ターゲット（ターゲット）
１２……第２ターゲット（ターゲット）
１３……酸化源
１５……第１真空排気装置
１６……第２真空排気装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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