(57)【要約】【課題】データの記録の確実性が高いメモリセルを提供する。【解決手段】メモリシステム１は、複数のメモリセルを有し、１つのメモリセルに１ビット又は２ビット以上のデータを記録することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２と、入力データを所定の閾値レベルと、所定の閾値レベルとは異なる別の閾値レベルとに割り当てることにより二重化する二重化変換回路２１とを有する。また、メモリシステム１は、二重化変換回路２１により二重化されたデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録する制御を行うコントローラ１１を有する。【選択図】図１
2009294869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２ｍ（ｍは正の整数）通りの閾値レベルのいずれか１つに制御されることでｍビットのデータを保持可能なメモリセルを複数有する不揮発性メモリと、
１つの前記メモリセルに保持される対象となるｍビットのデータが、互いに異なる２つの閾値レベルに割り当てられるように、入力データの符号化を行う二重化変換部と、
前記二重化変換部により二重化されたそれぞれの前記入力データを、前記不揮発性メモリの互いに異なる記憶領域に書き込むコントローラと、
を有することを特徴とするメモリシステム。
【請求項２】
前記二重化変換部は、１つの前記メモリセルに保持される対象となるｍビットのデータが、互いに循環的にシフトした２つの異なる閾値レベルに割り当てられるように、入力データの符号化を行うことを特徴とする請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記メモリセルは、閾値電圧の順に、第１の閾値レベル、第２の閾値レベル、第３の閾値レベル、及び第４の閾値レベルのいずれか１つに制御され、前記コントローラは、各々の閾値レベルに対して第１のデータ、第２のデータ、第３のデータ、及び第４のデータのいずれか１つを対応付けることが可能であり、
前記二重化変換部は、前記第１のデータが前記第１の閾値レベルに、前記第２のデータが前記第２の閾値レベルに、前記第３のデータが前記第３の閾値レベルに、前記第４のデータが前記第４の閾値レベルに割り当てられるように入力データの変換を行う第１系列符号化回路と、前記第１のデータが前記第２の閾値レベルに、前記第２のデータが前記第３の閾値レベルに、前記第３のデータが前記第４の閾値レベルに、前記第４のデータが前記第１の閾値レベルに割り当てられるように入力のデータの変換を行う第２系列符号化回路とを有することを特徴とする請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記二重化変換部は、１つの前記メモリセルに保持される対象となるｍビットのデータが、高電圧印加側と低電圧印加側とを互いに入れ替えた２つの異なる閾値レベルに割り当てられるように、前記入力データの符号化を行うことを特徴とする請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記メモリセルは、閾値電圧の順に、第１の閾値レベル、第２の閾値レベル、第３の閾値レベル、第４の閾値レベルからなる４通りのデータ状態に制御され、前記コントローラは、各々の閾値レベルに対して第１のデータ、第２のデータ、第３のデータ、及び第４のデータのいずれか１つを対応付けることが可能であり、
前記二重化変換部は、前記第１のデータが前記第１の閾値レベルに、前記第２のデータが前記第２の閾値レベルに、前記第３のデータが前記第３の閾値レベルに、前記第４のデータが前記第４の閾値レベルに割り当てられるように入力データを変換する第１系列号化回路と、前記第１のデータが前記第４の閾値レベルに、前記第２のデータが前記第３の閾値レベルに、前記第３のデータが前記第２の閾値レベルに、前記第４のデータが前記第１の閾値レベルに割り当てられるように入力データの変換を行う第２系列符号化回路とを有することを特徴とする請求項４に記載のメモリシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリシステムに係り、例えば、不揮発性メモリを備えたメモリシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、大量のユーザデータを記録するストレージメモリとして、不揮発性メモリの１つであるＮＡＮＤ型フラッシュメモリが使用されている。このＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、電気的にデータの書き換えが可能であり、例えば、ドライブレコーダ装置による映像の記録、デジタルカメラによる画像の記録等に用いられている。
【０００３】
このようなＮＡＮＤ型フラッシュメモリを有するメモリシステムは数多く提案されており、例えば、読み出し不可能な不揮発性メモリセルからデータを回復して、メモリセルの信頼性および寿命を向上させる技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特表２００６−５１０１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、データの記録の確実性が高いメモリシステムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、２ｍ（ｍは正の整数）通りの閾値レベルのいずれか１つに制御されることで、ｍビットのデータを保持可能なメモリセルを複数有する不揮発性メモリと、１つの前記メモリセルに保持される対象となるｍビットのデータが、互いに異なる２つの閾値レベルに割り当てられるように、入力データの二重化を行う二重化変換部と、前記二重化変換部により二重化されたそれぞれの前記入力データを、前記不揮発性メモリの互いに異なる記憶領域に書き込むコントローラと、を有することを特徴とするメモリシステムを提供することができる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、データの記録の確実性が高いメモリシステムを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを有するメモリシステムにおいて、記録するニーズによって、確実に記録が行われているべきデータと、確実ではなくとも、ともかく記録が行われていれば良いデータとが混在する場合がある。
【０００８】
例えば、車両等に設置されるドライブレコーダ装置では、事故の瞬間の前後数秒分のデータは極めて重要であり、このデータは、確実に記録されていることが求められる。これに対して、事故が起こっていない場合、即ち、通常の運転中においても記録がされていることは、自己の車両以外の動きの記録を行うと、他の車両の事故を目撃することもあるため、有用なデータと成り得る。そのため、通常の運転中のデータも、できれば記録されていることが望ましい。
【０００９】
しかしながら、このように通常の運転中に記録を終始行っていると、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記録素子へのデータの書き換えが頻繁に生じる。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、データの書き換え回数が増大することにより、記録素子のデータリテンション特性が低下することが知られている。即ち、事故が発生し、いざ、確実な記録を行おうとした場合に、既に記録素子が疲弊（Wear Out）していて、データの確実な記録ができない可能性がある。
【００１０】
このような場合、データを確実に記録する方法として、入力データを二重化してＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記録する（同一の入力データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの異なる記憶素子領域に別個に記録する）方法の利用が想定される。
【００１１】
しかし、記録素子の疲弊特性を考慮せずに、入力データを同じ記録パターンにより二重化すると、一方のデータが読み出せない場合、他方のデータも読み出せないという問題が発生し得る。即ち、確実なデータ記録を行うために二重化してデータを記録しても、必ずしも効果的ではない場合がある。
【００１２】
本願発明者が見出した上記知見に基づき、以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
（第１の実施の形態）  
まず、図１に基づいて、本発明の第１の実施の形態に係るメモリシステムを有するドライブレコーダ装置の構成について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係るメモリシステムを有するドライブレコーダ装置の構成を示すブロック図である。図１に示すように、ドライブレコーダ装置１００は、メモリシステム１と、撮像装置１０１と、動画圧縮部１０２と、ＤＲＡＭ１０３と、ショックセンサ１０４とを有して構成されている。
【００１４】
また、本実施の形態のメモリシステム１は、コントローラ１１と、コントローラ１１の制御下で、データの読み出し及び書き込みが可能な不揮発性メモリであるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２とを有して構成されている。
【００１５】
本実施の形態のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２は、複数のメモリセルにより構成されており、１つのメモリセルに２ビットのデータを記録することができる４値ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。なお、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２は、４値ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとして説明するが、１つのメモリセルに１ビット、又は３ビット以上のデータを記録することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリであっても良い。また、１ビットのデータを記憶することができるメモリセルと、２ビット以上のデータを記憶することができるメモリセルがＮＡＮＤ型フラッシュメモリ内部に混在していても良い。
【００１６】
また、本実施の形態では、不揮発性メモリとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを用いて説明するが、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに限定されることなく、例えば、ＮＯＲ型フラッシュメモリ等であっても良い。また、各々のメモリセルは、浮遊ゲート電極に注入された電子の多寡によるトランジスタの閾値電圧の変化を利用してデータを保持するフローティングゲート構造であっても良いし、電荷蓄積層としての窒化膜界面にトラップされた電子或いはホールの多寡によるトランジスタの閾値電圧の変化を利用してデータを保持するＭＯＮＯＳ構造であっても良い。
【００１７】
コントローラ１１は、二重化変換回路２１と、誤り訂正符号（以下、ＥＣＣ：Error Correcting Codeという）回路２２を有して構成されている。コントローラ１１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に対して各種制御信号（例えば、ライトイネーブル／ＷＥ、リードイネーブル／ＲＥ、コマンドラッチイネーブルＣＬＥ、アドレスラッチイネーブルＡＬＥ等）を入力してその状態制御を行う。
【００１８】
また、コントローラ１１は、入出力端子（Ｉ／Ｏ端子）を介して、コマンド、アドレス、データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に入力する。コントローラ１１は、例えば、書き込みコマンド、読み出しコマンド、消去コマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に入力可能な構成とされている。
【００１９】
撮像装置１０１は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラ等であり、撮影した画像データを動画圧縮部１０２に供給する。撮像装置は必ずしも１個のみである必要は無く、例えば、車外前方、車外後方の映像を記録するために、２個設置しても良い。また、３個以上の撮像装置を設置しても良い。
【００２０】
動画圧縮部１０２は、撮像装置１０１から供給された画像データを任意の方式で圧縮し、圧縮した画像データをＤＲＡＭ１０３に出力する。
【００２１】
ＤＲＡＭ１０３は、例えば、２０秒分の画像データを一時的に保持可能な記憶容量を有する揮発性メモリであり、動画圧縮部１０２から供給される画像データを２０秒分保持し、順次、メモリシステム１のコントローラ１１に転送する。ＤＲＡＭ１０３からコントローラ１１へのデータ転送制御は、例えば、図示しない外部システムが行う。
【００２２】
ショックセンサ１０４は、事故、急なブレーキ操作又は急なハンドル操作等の衝撃を検知すると、二重化記録用のトリガである制御信号をメモリシステム１のコントローラ１１に出力する。すなわち、通常運転時はショックセンサからの制御信号はコントローラ１１に入力されない構成とされている。
【００２３】
コントローラ１１は、ＤＲＡＭ１０３から転送される画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に書き込む、言い換えると、記録する制御を行う。特に、コントローラ１１は、ショックセンサ１０４から制御信号が入力されていない場合、ＤＲＡＭ１０３から転送される画像データを一重化してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録する（二重化すること無く、通常の書き込みを行う）。
【００２４】
また、コントローラ１１は、ショックセンサ１０４から制御信号が入力されている場合、ＤＲＡＭ１０３から転送される画像データを二重化してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録する。画像データを二重化してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録することで、データの確実性を高めることを可能としている。コントローラ１１は、後述する論物変換処理により、このようなデータの記録の二重化を行う。
【００２５】
なお、コントローラ１１は、ショックセンサ１０４から制御信号が入力されている場合、データを二重化してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録するが、三重化あるいは四重化等してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録しても良い。多重化度を増加させる程、記憶されるデータの確実性を向上させることができる。
【００２６】
二重化変換回路２１は、Ａ系列符号化回路２３と、Ｂ系列符号化回路２４とを有して構成されている。Ａ系列符号化回路２３は、ショックセンサ１０４から制御信号が入力されない場合、入力される場合のいずれについても動作する。Ａ系列符号化回路２３は、ＤＲＡＭ２３から転送されるデータを、第１の規則に基づき所定の符号に変換し、変換後のデータをＥＣＣ回路２２に出力する。
【００２７】
Ｂ系列符号化回路２４は、ショックセンサ１０４から制御信号が入力される場合のみ動作し、データの二重化記録を行う場合に活性化される。Ｂ系列符号化回路２４は、ショックセンサ１０４から入力される制御信号に基づいて、ＤＲＡＭ２３から転送されるデータを第２の規則に基づき、Ａ系列符号化回路２３とは異なる符号に変換し、変換後のデータをＥＣＣ回路２２に出力する。
【００２８】
ここで、「異なる符合に変換する」とは、ＤＲＡＭ１０３から転送される入力データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２の各メモリセルが取り得る４通りのデータ状態（後述する４つの閾値レベル）に割り当てる（アサインする）際に、多値圧縮ペアとなる２ビットの入力データが互いに異なる閾値レベルに割り当てられるように、Ａ系列符号化回路２３とＢ系列符号化回路２４とによりデータ変換を行うことを意味する。
【００２９】
ＥＣＣ回路２２は、制御信号がコントローラ１１に入力されていない場合、Ａ系列符号化回路２３から入力されるデータに基づきＥＣＣ符号を生成し、ＥＣＣ符号を付加したデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に出力する。また、ＥＣＣ回路２２は、制御信号がコントローラ１１に入力されている場合、Ａ系列符号化回路２３及びＢ系列符号化回路２４から入力されるそれぞれのデータに基づきＥＣＣ符号を生成し、ＥＣＣ符号を付加したそれぞれのデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に出力する。
【００３０】
また、ＥＣＣ回路２２は、コントローラ１１によりＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２から読み出されたデータに対して、ＥＣＣエラー訂正処理を施す。ＥＣＣエラー訂正処理が施されたデータは、Ａ系列符号化回路２３で符号化されたデータを読み出した場合であれば、第１の規則に基づき原情報（元々の入力データ）に復号化され、Ｂ系列符号化回路２４で符号化されたデータであれば、第２の規則に基づき原情報（元々の入力データ）に復号化される。
【００３１】
エラー訂正および復号化の終了したデータは、例えば、図示しない映像処理部により映像信号に変換され、表示部などに表示される。表示部に表示された映像を確認することにより、通常運転時に起きた他の車両の事故解析、又は事故の際における自己車両の状況等を判断することが可能となる。
【００３２】
次に、本実施の形態の動作について説明する。  
図２は、コントローラ１１の論物変換処理の例について説明するための説明図である。図２に示すように、コントローラ１１は、ＤＲＡＭ１０３から転送されるデータの論理アドレスを、Ａ系列物理アドレスとＢ系列物理アドレスとに変換することが可能である。
【００３３】
コントローラ１１は、ショックセンサ１０４から二重化記録用の制御信号が入力されると、Ａ系列物理アドレスとＢ系列物理アドレスとに基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に二重化されたデータの記録を行う。
【００３４】
具体的には、コントローラ１１は、二重化記録用の制御信号がショックセンサ１０４から入力されていない場合、論理アドレスと物理アドレスとのアドレス管理を、１対１により行う。すなわち、コントローラ１１は、入力されたデータの論理アドレスに対して、Ａ系列物理アドレスを対応付け、また、入力されたデータをＡ系列符号化回路２３で変換する。
【００３５】
一方、コントローラ１１は、二重化記録用の制御信号がショックセンサ１０４から入力されている場合、論理アドレスと物理アドレスとのアドレス管理を、１対２により行う。すなわち、コントローラ１１は、入力された論理アドレスに対して、Ａ系列物理アドレスとＢ系列物理アドレスとの両方を対応付ける。Ａ系列符号化回路２３で変換したデータに対してはＡ系列物理アドレスを対応させ、Ｂ系列符号化回路２４で変換したデータに対してはＢ系列物理アドレスを対応させる。
【００３６】
この結果、二重化記録を行ったデータについて、コントローラ１１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録された一方のデータを読み出しできない場合、即ち、ＥＣＣエラー訂正できない場合、他方のデータを読み出すことができる。例えば、コントローラ１１は、Ａ系列物理アドレスに基づいてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録されたデータを読み出しできない場合、Ｂ系列物理アドレスに基づいてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録されたデータを読み出す。
【００３７】
図３は、メモリセルの閾値分布の例を示す図である。図３において、縦軸は頻度を示し、横軸は閾値電圧を示す。本実施の形態において、各々のメモリセルは２ビットのデータを保持可能であり、低電圧側から、Ｅレベル（第１の閾値レベル）、Ａレベル（第２の閾値レベル）、Ｂレベル（第３の閾値レベル）、Ｃレベル（第４の閾値レベル）の４状態（４値）のいずれか１つの状態に閾値が制御される。
【００３８】
また、図３において、上段の閾値分布は、Ａ系列符号化回路２３により符号化された場合のデータ割り当て状態を示し、下段の閾値分布は、Ｂ系列符号化回路２４により符号化された場合のデータ割り当て状態を示している。
【００３９】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２内部では、入力データ中の所定の２ビットを選択して多値データとして圧縮する。多値データとして圧縮されるデータ対（多値圧縮ペア）の組み合わせ（“１１”、“０１”、“１０”、“００”）に応じて、どの閾値レベルに割り当てるかは予め定められている。従って、コントローラ１１は、二重化したそれぞれのデータがＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２内部で互いに異なる閾値レベルに割り当てられるように、第１の規則、第２の規則を定めれば良い。
【００４０】
Ａ系列符号化回路２３による符号化では、Ｅレベルにデータａ（第１のデータ）が割り当てられ、Ａレベルにデータｂ（第２のデータ）が割り当てられ、Ｂレベルにデータｃ（第３のデータ）が割り当てられ、Ｃレベルにデータｄ（第４のデータ）が割り当てられている。ここで、データａは、例えば、“１１”であり、データｂは、例えば、“０１”であり、データｃは、例えば、“１０”であり、データｄは、例えば、“００”である。
【００４１】
Ｂ系列符号化回路２４では、Ａ系列符号化回路２３による符号化とは異なる符号化が行われる。本実施の形態では、Ｂ系列符号化回路２４は、Ａ系列符号化回路２３により各閾値レベルに割り当てられたデータを、循環的にシフトした符号化を行う。即ち、Ｂ系列符号化回路２４による符号化では、Ｅレベルにデータｄが割り当てられ、Ａレベルにデータａが割り当てられ、Ｂレベルにデータｂが割り当てられ、Ｃレベルにデータｃが割り当てられている。
【００４２】
二重化変換回路２１に入力されたデータは、Ａ系列符号化回路２３及びＢ系列符号化回路２４において、各閾値レベルに対するデータの割り当てが、互いに循環的にシフトした二重化が行われ、変換後のそれぞれのデータがＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録される。
【００４３】
これにより、二重化されたデータはそれぞれ異なる閾値レベルに対応付けられることとなる。例えば、データａはＥレベルおよびＡレベルに保持され、データｂはＡレベルおよびＢレベルに保持され、データｃはＢレベルおよびＣレベルに保持され、データｄはＣレベルおよびＥレベルに保持される。
【００４４】
なお、上述したように、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１２に二重化され記録された一方のデータが読み出せない場合、他方のデータが読み出されるが、双方のデータを読み出し、読み出した双方のデータを比較するようにしても良い。このように双方のデータを比較することにより、エラー位置を特定できるようになる。エラー位置を特定することで、エラー訂正可能なビット数が増加するという効果を有する。
【００４５】
また、事故等により二重化して記録する場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリへのデータの書き込みを早く行いたい場合が考えられる。この場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを２チップ有する構成にし、２チップに同時に書き込みを行うようにしても良い。即ち、Ａ系列符号化回路２３により符号化されたデータを一方のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに書き込み、この書き込みと並列して、Ｂ系列符号化回路２４により符号化されたデータを他方のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに書き込むようにする。この結果、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリへの書き込みを早く行うことができる。
【００４６】
以上のように、メモリシステム１は、同一の閾値レベルに対して、割り当てるデータをシフトした二重化記録を行うので、疲弊したＮＡＮＤ型フラッシュメモリが高電圧印加側と低電圧印加側とでエラー特性が異なる場合に有効となる。即ち、同じレベルの閾値分布に同一のデータを格納する単純な二重化方式は、同じ閾値レベルが同じエラー特性を示す場合、二重化したデータの双方においてエラーが発生する可能性が高かった。
【００４７】
本実施の形態では、同一のレベルに割り当てるデータをシフトして二重化することにより、単純に二重化する方式と比べて、確実に記録するべきデータが有効に記録されている可能性が高くなる。
【００４８】
よって、本実施の形態のメモリシステムによれば、たとえ常時データの記録を行い続けることによって疲弊した記録素子（メモリセル）にデータを記録する場合でも、疲弊特性を無効にさせる二重化の記録を行い、データの記録の確実性を高めることができる。
【００４９】
また、コントローラ１１は、ショックセンサ１０４から制御信号が入力されていない場合、ＤＲＡＭ１０３から転送される画像データの記録を行わず、制御信号が入力された場合だけ、ＤＲＡＭ１０３から転送される画像データを二重化してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録するようにしても良い。この場合でも、単純に二重化する方式と比べて、確実に記録するべきデータが有効に記録されている可能性が高くなる。
【００５０】
また、コントローラ１１は、ショックセンサ１０４から制御信号が入力されているか否かに関わらず、ＤＲＡＭ１０３から転送される画像データを常に二重化してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録するようにしても良い。この場合でも、単純に二重化する方式と比べて、確実に記録するべきデータが有効に記録されている可能性が高くなる。
【００５１】
また、本実施の形態に係るメモリシステムでは、個々のメモリセルが保持可能なビット数は２ビットであるとして説明したが、これに限定されない。即ち、個々のメモリセルはｍ（ｍは正の整数）ビットのデータを保持可能な構成とすることができ、２ｍ通りのデータ状態の各々に対して、又は少なくとも１組のデータ状態に対して、異なるデータが割り当てられるように二重化を行えば良い。
【００５２】
（第２の実施の形態）  
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４は、本発明の第２の実施の形態に係るメモリシステムを有するドライブレコーダ装置の構成を示すブロック図である。図４に示すように、ドライブレコーダ装置１００ａは、図１のメモリシステム１に代わりメモリシステム１ａを用いて構成されている。また、本実施の形態のメモリシステム１ａは、図１の二重化変換回路２１に代わり二重化変換回路２１ａを用いて構成されている。
【００５３】
二重化変換回路２１ａは、各閾値レベルに割り当てるデータを高電圧印加側と低電圧印加側とで互いに入れ換え、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に二重化記録を行う。その他の構成は、第１の実施の形態と同様のため説明を省略する。
【００５４】
次に、本実施の形態の動作について説明する。  
図５は、メモリセルの閾値分布の例を示す図である。図５において、図３と同一の動作については説明を省略する。
【００５５】
Ｂ系列符号化回路２４では、Ａ系列符号化回路２３による符号化とは異なる符号化が行われる。本実施の形態では、Ｂ系列符号化回路２４は、各閾値レベルに割り当てるデータを高電圧印加側と低電圧印加側とで互いに入れ換えた符号化を行う。即ち、Ｂ系列符号化回路２４による符号化では、Ｅレベルにデータｄが割り当てられ、Ａレベルにデータｃが割り当てられ、Ｂレベルにデータｂが割り当てられ、Ｃレベルにデータａが割り当てられている。
【００５６】
二重化変換回路２１ａに入力されたデータは、Ａ系列符号化回路２３及びＢ系列符号化回路２４において、各閾値レベルに割り当てるデータを高電圧印加側と低電圧印加側とで互いに入れ換えた二重化が行われ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記録される。
【００５７】
これにより、二重化されたデータはそれぞれ異なる閾値レベルに対応付けられることとなる。すなわち、データａはＥレベルおよびＣレベルに保持され、データｂはＡレベルおよびＢレベルに保持され、データｃはＢレベルおよびＡレベルに保持され、データｄはＣレベルおよびＥレベルに保持される。
【００５８】
以上のように、メモリシステム１ａは、各閾値レベルに割り当てるデータを高電圧印加側と低電圧印加側とで互いに入れ換えた二重化記録を行うので、疲弊したフラッシュメモリデバイスが高電圧印加状態と低電圧印加状態とでエラー特性が同一傾向を示す場合に有効となる。
【００５９】
本実施の形態では、同一のデータ（同一の多値圧縮ペア）に対して割り当てられる閾値レベルを高電圧印加側と低電圧印加側とお互いに入れ換えて二重化することにより、単純に二重化した方式と比べて、確実に記録するべきデータが有効に記録されている可能性が高くなる。
【００６０】
よって、本実施の形態のメモリシステムは、第１の実施の形態と同様に、疲弊した記録素子にデータを記録する場合でも、疲弊特性を無効にさせる二重化の記録を行い、データの記録の確実性を高めることができる。
【００６１】
なお、異なる符号化として、第１の実施の形態では同一データをシフトした場合、第２の実施の形態では同一データを高電圧印加側と低電圧印加側とで互いに入れ換えた場合について説明したが、各閾値レベルに対するデータの割り当て方法はこの２つの場合に限定されるものではない。
【００６２】
例えば、フローティングゲート型のメモリセルでは、高電圧側にチャージされた電荷が抜けやすい。即ち、高電圧側に格納されたデータがエラーになる可能性が高い。そのため、少なくともＣレベルに格納されたデータを他の閾値レベルに格納し二重化するようにすると良い。この結果、二重化された両方のデータが共にエラーになり、データを読み出すことができないという事態を防ぐことができる。
【００６３】
以上のように、第１及び第２の実施の形態において説明したメモリシステムをドライブレコーダ装置に適用することで、ドライブレコーダ装置は、事故が発生した場合でも、確実な記録を行うことができる。
【００６４】
また、本実施の形態に係るメモリシステムでは、Ａ系列符号化回路２３とＢ系列符号化回路２４との２つの符号化回路を有する場合について説明したが、符号化回路の個数はこれに限定されるものではない。
【００６５】
例えば、コントローラ１１は１つの符号化回路のみを有する構成としても良い。この場合、ショックセンサ１０４から制御信号が入力されない場合は、特に符号化を行うことなくコントローラ１１に入力されたデータを直接ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に書き込む。ショックセンサ１０４から制御信号が入力される場合は、コントローラ１１に入力されたデータを直接ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に書き込む経路と、符号化回路により変換されたデータを書き込む経路とによりデータの二重化を行えば良い。
【００６６】
また、例えば、コントローラ１１は３つの符号化回路を有する構成としても良い。この場合、第１の実施の形態の符号化方法と第２の実施の形態の符号化方法とを組み合わせることで、それぞれデータの割り当て方法が異なる三重化したデータ記録を行う事としても良い。
【００６７】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１の実施の形態に係るメモリシステムを有するドライブレコーダ装置の構成を示すブロック図である。
【図２】コントローラの論物変換処理の例について説明するための説明図である。
【図３】メモリセルの閾値分布の例を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係るメモリシステムを有するドライブレコーダ装置の構成を示すブロック図である。
【図５】メモリセルの閾値分布の例を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１…メモリシステム、１１…コントローラ、１２…ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、２１…二重化変換回路、２２…ＥＣＣ回路、２３…Ａ系、２４…Ｂ系、１００…ドライブレコーダ装置、１０１…撮像装置、１０２…動画圧縮部、１０３…ＤＲＡＭ、１０４…ショックセンサ
【図１】
2009294869.tif 000003
【図２】
2009294869.tif 000004
【図３】
2009294869.tif 000005
【図４】
2009294869.tif 000006
【図５】
2009294869.tif 000007