(57)【要約】【課題】複数の半導体レーザの光量のばらつきによる受光素子の出力信号のタイミングズレを防止することが可能な光学走査装置及びこれを含む画像形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】複数の半導体レーザ２ａ、２ｂから出射されるビームを検出する受光手段１１と、前記複数の半導体レーザの光量に対応した遅延時間を生成する遅延手段４７、４９と、前記遅延手段に基づいて基準信号を生成する手段を有し、所定の半導体レーザの照射により前記受光手段から出力されるビーム検出信号４５、４６の立ち下り又は立ち上がりエッジが入力されると、前記遅延手段から前記半導体レーザの光量に対応した遅延時間により前記基準信号を生成する手段から基準信号を生成することを特徴とする光学走査装置。【選択図】図１
2009128484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザが所定光量となるよう駆動電流を出力するレーザ駆動手段と、像担持体上に潜像を形成するために前記複数の半導体レーザから発光されたビームで該像担持体上を走査する光学走査装置であって、
前記複数の半導体レーザから出射されるビームを検出する受光手段と、
前記複数の半導体レーザの光量に対応した遅延時間を生成する遅延手段と、
前記遅延手段に基づいて基準信号を生成する手段を有し、
前記複数の半導体レーザの内、所定の半導体レーザの照射により前記受光手段から出力されるビーム検出信号の立ち下りエッジ又は立ち上がりエッジが入力されると、前記遅延手段から前記半導体レーザの光量に対応した遅延時間により前記基準信号を生成する手段から基準信号を生成することを特徴とする光学走査装置。
【請求項２】
前記遅延手段で生成される遅延時間を格納する記憶手段を有し、
前記レーザ駆動手段と前記記憶手段を一体構成とすることを特徴とする請求項１記載の光学走査装置。
【請求項３】
前記複数の半導体レーザの光量が所定の光量である時に、前記受光手段から出力されるビーム検出信号の前記遅延手段により生成された遅延時間を基準として、前記複数の半導体レーザに対して各半導体レーザの光量変化量を演算することにより前記遅延手段の遅延時間を生成することを特徴とする請求項１記載の光学走査装置。
【請求項４】
前記遅延手段の遅延時間を格納する記憶手段を有し、
前記レーザ駆動手段と前記記憶手段を一体構成とし、前記複数の半導体レーザの光量が所定の光量である時に、前記受光手段から出力されるビーム検出信号の前記遅延手段の遅延時間を基準として、前記複数の半導体レーザに対して各半導体レーザの光量変化量を演算することにより前記遅延手段の遅延時間を生成した結果を前記記憶手段に格納することを特徴とする請求項３記載の光学走査装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか記載の光学走査装置を含む画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学走査装置及びこれを含む画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置が備える光学走査装置は、入力された画像データに応じて半導体レーザを駆動し、その画像データに応じた静電潜像を感光体上に形成している。このような光学走査装置においては、静電潜像を感光体の主走査方向の書き込み基準となる水平同期（ＢＤ）信号（出力信号）をビーム検出回路で検出する。このような装置において例えば特許文献１では、光ビーム強度が変化しても、この影響を最小限に阻止し、主走査方向の画像書き込みタイミングが変化しないように同期信号の発生タイミングを安定化させる方法が提案されている。
【特許文献１】特許第３２７０５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１では１走査で複数の光ビーム検出を実行した場合、応答速度が不足する。更に複数の光ビームの光量が著しく異なる場合、ビーム検出信号を生成するための閾値を精度よく生成することができないという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、複数の半導体レーザの光量のばらつきによる受光素子の出力信号のタイミングズレを防止することが可能な光学走査装置及びこれを含む画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するため以下に示す構成を備える。
【０００６】
複数の半導体レーザが所定光量となるよう駆動電流を出力するレーザ駆動手段と、像担持体上に潜像を形成するために前記複数の半導体レーザから発光されたビームで該像担持体上を走査する光学走査装置であって、前記複数の半導体レーザから出射されるビームを検出する受光手段と、前記複数の半導体レーザの光量に対応した遅延時間を生成する遅延手段と、前記遅延手段に基づいて基準信号を生成する手段を有し、前記複数の半導体レーザの内、所定の半導体レーザの照射により前記受光手段から出力されるビーム検出信号の立ち下りエッジ又は立ち上がりエッジが入力されると、前記遅延手段から前記半導体レーザの光量に対応した遅延時間により前記基準信号を生成する手段から基準信号を生成することを特徴とする光学走査装置。
【発明の効果】
【０００７】
複数の半導体レーザの光量ばらつきによる受光素子の出力信号のタイミングズレを防止することが可能な光学走査装置及びこれを含む画像形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、実施例により詳しく説明する。
【実施例】
【０００９】
図１は本実施形態における光学走査装置を含む画像形成装置の抜粋構成図である。１はレーザユニットで、光源である半導体レーザ２ａ及び２ｂで複数のビームを同時に出射可能な構成とし、同じくレーザユニット１内に配備されるレーザ駆動回路１３で半導体レーザ２ａ及び２ｂが所定光量となる駆動電流を出力する。
【００１０】
３は合成ユニットで台形形状のプリズムで、内部に偏光ビームスプリッタ（点線枠）とビーム出力面に偏光フィルタを貼り付けている。偏光ビームスプリッタは偏光波の位相によりビームを直進あるいは反射する特性を有する。
【００１１】
半導体レーザ２ｂから出射したレーザビームＬ１ｂは合成ユニット３の斜線部で偏向され、偏光ビームスプリッタで更に偏向され、偏光フィルタを通過し、合成ユニット３の外に出射する。一方、半導体レーザ２ａから出射したレーザビームＬ１ａは、レーザビームＬ１ｂと偏光方向を９０°異なるようレーザユニット１から出射させ、偏光ビームスプリッタ及び偏光フィルタを直進するように合成ユニット３から出射する。以上により、レーザビームＬ１ａ及びレーザビームＬ１ｂは主副走査方向に所定の間隔となるように配置される。
【００１２】
非画像領域において、半導体レーザ２ａから出射したレーザビームＬ１ａ及び半導体レーザ２ｂから出射したレーザビームＬ１ｂは、コリメートレンズ４及びシリンドリカルレンズ５を経て、回転多面鏡６に到達する。回転多面鏡６は、スキャナモータを含む回転多面鏡駆動回路７によって等角速度で回転している。回転多面鏡６に到達したレーザビームは回転多面鏡６によって偏向され、ｆ−θレンズ８によって感光ドラム１０の回転方向と直角方向に等速走査となるように変換され、ビーム検出（以下「ＢＤ」と略す）センサ１１に受光させる。
【００１３】
画像領域おいて、レーザビームＬ２ａ及びレーザビームＬ２ｂは、ｆ−θレンズ８を出射した後、反射ミラー９を経由して感光ドラム１０上（像担持体上）を照射することにより潜像形成を行う。感光ドラム１０に形成された潜像はトナー現像後、用紙に転写・定着することにより画像印字される。
【００１４】
図２はＢＤセンサ１１上でのＢＤセンサ１１とビームスポットの位置関係を説明する概略図である。以下の仕様を例として説明する。
【００１５】
主走査速度は回転多面鏡６によって主走査方向に走査する速度、ＢＤセンサ径はＢＤセンサ１１のセンサ形状（円形）である。
【００１６】
スポット径は、半導体レーザ２ａ及び２ｂから照射される、ＢＤセンサ１１上でのスポットの大きさである。ＢＤセンサ１１に照射されるレーザビームＬ１ａ及びＬ１ｂのスポット径は、ＢＤセンサ１１上面に不示図のレンズが配置されるため、感光ドラム１０に照射されるスポット径とは異なる。スポット間隔は、ＢＤセンサ１１上面での主走査方向の間隔である。
【００１７】
仕様
主走査解像度：６００［ｄｐｉ］
主走査速度：２，５００，０００［ｍｍ／ｓｅｃ］
画像クロック：６０［ＭＨｚ］
ＢＤセンサ径：Φ１．０［ｍｍ］
スポット径（ＢＤセンサ上）
主：０．５［ｍｍ］
副：０．２［ｍｍ］
スポット間隔：１．１７５［ｍｍ］
上記仕様から、ＢＤセンサ１１上での半導体レーザ２ａと半導体レーザ２ｂがＢＤセンサ１１に到達するまでの時間差、すなわちＢＤ位相差は以下のように求められる。
【００１８】
ＢＤ位相差＝（スポット間隔）÷（主走査速度）
＝１．１７５÷２，５００，０００
＝４７０［ｎｓ］
図３はＢＤセンサ１１の構成を示すブロック図である。
【００１９】
ＢＤセンサ１１はフォトセンサ２４とビーム検出（ＢＤ）信号３３出力のために電気回路から構成される。２１は電源端子、２２は接地（ＧＮＤ）端子及び２３はビーム検出（ＢＤ）出力端子である。電源端子２１は電源（Ｖｃｃ）に接地（ＧＮＤ）端子２２はＧＮＤに各々接続されている。２４はフォトセンサで、例えばシリコンで構成される。フォトセンサ２４のカソードは電源端子２１を介して電源に接続することにより、逆バイアスを印加し、アノードは電圧変換抵抗２５と接地（ＧＮＤ）端子２２を介してＧＮＤに接続される。
【００２０】
フォトセンサ２４に所定の波長の光を照射すると電圧変換抵抗２５に電流が出力される。電圧変換抵抗２５は、フォトセンサ２４から出力される電流を電圧に変換し、フォトセンサ出力信号２６とする。
【００２１】
フォトセンサ出力信号２６は、２７のゲインアンプａ及び２９のゲインアンプｂに入力される。フォトセンサ出力信号２６は、ゲインアンプａ２７で８倍のゲインに、ゲインアンプｂ２９で２倍のゲインに各々増幅される。ゲインアンプｂ２９は閾値を設定し、ゲインアンプｂ出力信号３０をホールドコンデンサ３１で保持する。
【００２２】
３２は比較器（コンパレータ）でゲインアンプａ出力信号２８とゲインアンプｂ出力信号３０を比較することによりビーム検出（ＢＤ）信号３３を得る。
【００２３】
図４はＢＤセンサ１１の入射光量とＢＤ位相誤差特性を示す特性グラフである。
【００２４】
半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂが感光ドラム１０上の所定の像高で予め設定した光量に調整された場合でも、光学部品の特性から半導体レーザ２ａと半導体レーザ２ｂがＢＤセンサ１１に照射する光量に差が発生する。
【００２５】
ＢＤセンサ１１のフォトセンサ２４は、受光する光量変化量により感度が変化し、出力電流が変動する。これによりフォトセンサ２４の入射開始からビーム検出（ＢＤ）信号３３の出力するまでの時間が変動する。ＢＤセンサ１１に入射する光量が半導体レーザ２ａと半導体レーザ２ｂで異なる場合、ＢＤ位相差が変動し、ＢＤ位相誤差となる。例えば、ＢＤセンサ１１に入射する半導体レーザ２ａ光量が１９１［μＷ］の場合、半導体レーザ２ｂの光量が１０［％］変動するとＢＤ位相差（＝４７０［ｎｓ］）に対し、ＢＤ位相誤差が±２．０［ｎｓ］となる。水平解像度が６００ｄｐｉ場合、感光ドラム１０上で、±１／８画素相当となる。
【００２６】
［ビーム検出（ＢＤ）信号３３の補正方法］
図５にビーム検出（ＢＤ）センサ上と感光ドラム上での光量差を説明するタイムチャートを示す。図１に示すように回転多面鏡６の各面の面積を微小化し、回転多面鏡６の面全体でレーザビームを照射する光学系においては、感光ドラム１０上の画像領域での光量のばらつきが発生する。これを最小限に抑えるために半導体レーザ２ａ及び２ｂの光量を感光ドラム１０上の任意の位置で所定の光量となるように調整する。この場合、半導体レーザ２ａ及び２ｂがＢＤセンサ１１上を照射する光量にばらつきが発生する（ΔＰｂｄ）。
【００２７】
図６〜図９は本発明のビーム検出（ＢＤ）信号３３の補正方法を説明するタイムチャートである。半導体レーザ２ａと半導体レーザ２ｂを１つのＢＤセンサ１１で受光してビーム検出（ＢＤ）信号３３を出力する場合を例に述べる。主走査方向のビーム配置は、図２に記載したように半導体レーザ２ａが半導体レーザ２ｂより先頭としている。
【００２８】
ＢＤセンサ１１に入射される半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂの光量条件の違いによるビーム検出（ＢＤ）信号３３のＢＤ位相誤差の補正方法を以下に述べる。
【００２９】
ＢＤセンサ１１入射光波形は、半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂが各制御モードに則って駆動した結果得られる、ＢＤセンサ１１上を照射するレーザ発光プロファイルデータである。
【００３０】
ビーム検出（ＢＤ）信号３３は、ＢＤセンサ１１上をＢＤセンサ１１入射光波形で表す光プロファイルで照射した結果、ＢＤセンサ１１から出力される。
【００３１】
レーザ２ａ水平同期信号（ＨＤａ）４８及びレーザ２ｂ水平同期信号（ＨＤｂ）５０はビーム検出（ＢＤ）信号３３補正信号で、前記図４に記すＢＤセンサ１１の入射光量変動による出力遅延時間の変動で生じるＢＤ位相誤差を補正した結果得られる。
【００３２】
基準補正値の設定は、レーザ２ａ、レーザ２ｂの光量がＢＤ基準光量に等しい時（図６）のビーム検出（ＢＤ）信号３３の立下りエッジから、レーザ２ａ水平同期信号（ＨＤａ）４８及びレーザ２ｂ水平同期信号（ＨＤｂ）５０の立下りエッジまでの時間とする。レーザ２ａ水平同期信号（ＨＤａ）４８及びレーザ２ｂ水平同期信号（ＨＤｂ）５０の出力タイミングは、図４を参考にすると半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂの想定される光量変動量から得られる位相誤差の最大値に設定すれば基準補正値を基に補正できる。具体例を挙げて以下に説明する。
【００３３】
（１）レーザ２ａ、レーザ２ｂの光量がＢＤ基準光量に等しくない場合（図７）
（ａ）レーザ２ａ，レーザ２ｂの光量がＢＤ基準光量より大きい場合
半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂの光量が共にＢＤ基準光量より大きい場合は、ビーム検出（ＢＤ）信号３３の立ち下がりエッジが、半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂ共に、基準補正値に対して先立って出力される。従って、ＢＤ基準光量時のビーム検出（ＢＤ）信号３３との位相差を基準補正値に加算した値がレーザ２ａ及びレーザ２ｂ位相設定値となる。
【００３４】
（ｂ）レーザ２ａ，レーザ２ｂの光量がＢＤ基準光量より小さい場合
半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂの光量が共にＢＤ基準光量より小さい場合は、ビーム検出（ＢＤ）信号３３の立ち下がりエッジが、半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂ共に、基準補正値に対して後から出力される。従って、基準補正値からＢＤ基準光量時のビーム検出（ＢＤ）信号３３との位相差を減算した値がレーザ２ａ及びレーザ２ｂ位相設定値となる。
【００３５】
（２）レーザ２ａの光量のみがＢＤ基準光量に等しくない場合（図８）
（ａ）レーザ２ａの光量がＢＤ基準光量より大きい場合
半導体レーザ２ａがＢＤ基準光量より大きい場合は、ビーム検出（ＢＤ）信号３３の立ち下がりエッジが、半導体レーザ２ａのみ、基準補正値に対して先立って出力される。従って、ＢＤ基準光量時のビーム検出（ＢＤ）信号３３との位相差を基準補正値に加算した値がレーザ２ａ位相設定値となる。一方、半導体レーザ２ｂはＢＤ基準光量であり、レーザｂ位相設定値は基準補正値となる。
【００３６】
（ｂ）レーザ２ａの光量がＢＤ基準光量より小さい場合
半導体レーザ２ａがＢＤ基準光量より小さい場合は、ビーム検出（ＢＤ）信号３３の立ち下がりエッジが、半導体レーザ２ａのみ、基準補正値に対して後から出力される。従って、基準補正値からＢＤ基準光量時のビーム検出（ＢＤ）信号３３との位相差を減算した値がレーザ２ａ位相設定値となる。一方、半導体レーザ２ｂはＢＤ基準光量であり、レーザｂ位相設定値は基準補正値となる。
【００３７】
（３）レーザ２ｂの光量のみがＢＤ基準光量に等しくない場合（図９）
（ａ）レーザ２ｂの光量がＢＤ基準光量より大きい場合
半導体レーザ２ｂがＢＤ基準光量より大きい場合は、ビーム検出（ＢＤ）信号３３の立ち下がりエッジが、半導体レーザ２ｂのみ、基準補正値に対して先立って出力される。従って、ＢＤ基準光量時のビーム検出（ＢＤ）信号３３との位相差を基準補正値に加算した値がレーザ２ｂ位相設定値となる。一方、半導体レーザ２ａはＢＤ基準光量であり、レーザａ位相設定値は基準補正値となる。
【００３８】
（ｂ）レーザ２ｂの光量がＢＤ基準光量より小さい場合
半導体レーザ２ｂがＢＤ基準光量より小さい場合は、ビーム検出（ＢＤ）信号３３の立ち下がりエッジが、半導体レーザ２ｂのみ、基準補正値に対して後から出力される。従って、基準補正値からＢＤ基準光量時のビーム検出（ＢＤ）信号３３との位相差を減算した値がレーザ２ｂ位相設定値となる。一方、半導体レーザ２ａはＢＤ基準光量であり、レーザａ位相設定値は基準補正値となる。
【００３９】
［ビーム検出（ＢＤ）信号３３／位相補正の調整方法］
図１０はレーザ２ａ／位相時間及びレーザ２ｂ／位相時間の測定装置の概略構成図を示す。図１における感光ドラム１０を除く１〜１１は、本発明の光学走査装置である。１２は試具センサでアバランシェフォトダイオードで構成され、半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂが感光ドラム１０の予め設定された像高に照射する位置に配備される。
【００４０】
図１１はビーム検出（ＢＤ）信号３３と試具センサ１２の出力信号の関係を示すタイムチャートである。レーザ２ａ／位相時間τｎａはＢＤセンサ１１に半導体レーザ２ａがある光量にて照射された時のビーム検出（ＢＤ）信号３３と試具センサ１２出力信号の時間間隔である。また、レーザ２ｂ／位相時間τｎｂはＢＤセンサ１１に半導体レーザ２ｂがある光量にて照射された時のビーム検出（ＢＤ）信号３３と試具センサ１２出力信号の時間間隔である。図５で説明したようにレーザ２ａ／位相時間τｎａ及びレーザ２ｂ／位相時間τｎｂは、半導体レーザ２ａあるいは半導体レーザ２ｂの照射光量の差によって変動する。
【００４１】
図１２はビーム検出（ＢＤ）信号３３／位相補正の調整フローチャートである。
【００４２】
（１）基準補正値／測定方法
半導体レーザ２ａと半導体レーザ２ｂの照射光量が共にＢＤ基準光量である時の各々の位相時間を測定し、補正基準値を求める。
【００４３】
最初に半導体レーザ２ａを点灯し（Ｓ１０１）、ＢＤセンサ１１上の光量（ＢＤ光量）Ｐｏａが基準光量となるように調整し（Ｓ１０２）、半導体レーザ２ａを消灯する（Ｓ１０３）。次に半導体レーザ２ｂを点灯し（Ｓ１０４）、ＢＤセンサ１１上の光量（ＢＤ光量）Ｐｏｂが基準光量となるように調整し（Ｓ１０５）、半導体レーザ２ｂを消灯する（Ｓ１０６）。
【００４４】
再度半導体レーザ２ａを点灯し（Ｓ１０７）、回転多面鏡６で偏向することにより走査し（Ｓ１０８）、ビーム検出（ＢＤ）信号３３と試具センサ１２出力信号の時間間隔を測定し、レーザ２ａ／補正基準値τ０ａとする。レーザ２ａ／補正基準値τ０ａの測定終了後（Ｓ１０９）、走査を終了し、半導体レーザ２ａを消灯する（Ｓ１１０）。同様に半導体レーザ２ｂを点灯し（Ｓ１１１）、回転多面鏡６で偏向することにより走査し（Ｓ１１３）、ビーム検出（ＢＤ）信号３３と試具センサ１２出力信号の時間間隔を測定し、レーザ２ｂ／補正基準値τ０ｂとする（Ｓ１１４）。レーザ２ｂ／補正基準値τ０ｂの測定終了後、走査を終了し、半導体レーザ２ｂを消灯する（Ｓ１１５）。最後に基準位相差（τ０ａ−τ０ｂ）を算出する（Ｓ１１６）。
【００４５】
（２）位相設定値／算出方法
半導体レーザ２ａと半導体レーザ２ｂの照射光量が感光ドラム１０基準光量である時の各々の位相時間を測定し位相設定値を求める。
【００４６】
最初に半導体レーザ２ａを点灯し（Ｓ２０１）、感光ドラム１０上の光量（ドラム面光量）Ｐ１ａが基準光量となるように調整し（Ｓ２０２）、半導体レーザ２ａを消灯する（Ｓ２０３）。次に半導体レーザ２ｂを点灯し（Ｓ２０４）、感光ドラム１０上の光量（ドラム面光量）Ｐ１ｂが基準光量となるように調整し（Ｓ２０５）、半導体レーザ２ｂを消灯する（Ｓ２０６）。
【００４７】
再度半導体レーザ２ａを点灯し（Ｓ２０７）、回転多面鏡６で偏向することにより走査し（Ｓ２０８）、ビーム検出（ＢＤ）信号３３と試具センサ１２出力信号の時間間隔を測定し、レーザ２ａ／位相誤差τ１ａとする（Ｓ２０９）。レーザ２ａ／位相誤差τ１ａの測定終了後、走査を終了し、半導体レーザ２ａを消灯する（Ｓ２１０）。同様に半導体レーザ２ｂを点灯し（Ｓ２１１）、回転多面鏡６で偏向することにより走査し（Ｓ２１２）、ビーム検出（ＢＤ）信号３３と試具センサ１２出力信号の時間間隔を測定し、レーザ２ｂ／位相誤差τ１ｂとする（Ｓ２１３）。レーザ２ｂ／位相誤差τ１ｂの測定終了後、走査を終了し、半導体レーザ２ｂを消灯する（Ｓ２１４）。
【００４８】
上記から求めたレーザ２ａ／位相誤差τ１ａと基準補正値を演算しレーザ２ａ位相設定値を（Ｓ２１５）、レーザ２ｂ／位相誤差τ１ｂと基準補正値（Ｓ２１６）を演算しレーザ２ｂ位相設定値を夫々求める。
【００４９】
［補正動作］
図１３は補正動作を説明するビーム検出（ＢＤ）制御部のブロック図、図１４は動作を説明するタイムチャート及び図１５は動作フローチャートである。
【００５０】
４１はビーム検出（ＢＤ）制御部でＢＤセンサ１１から出力されるビーム検出（ＢＤ）信号３３を低域通過フィルタ（ＬＰＦ）等で構成される波形整形回路４２を介してＢＤ分離回路４４に入力される。ＢＤ分離回路４４はビーム検出（ＢＤ）信号３３から半導体レーザ２ａで発光して得られるレーザ２ａビーム検出（ＢＤ）信号４５と半導体レーザ２ｂで発光して得られるレーザ２ｂビーム検出（ＢＤ）信号４６を分離出力する。
【００５１】
５５はレーザ発光制御回路で、ＢＤ分離回路４４から出力されるレーザ２ａビーム検出（ＢＤ）信号４５からレーザ発光制御信号５６を生成する。レーザユニット１に配備されたレーザ駆動回路１３はレーザ発光制御信号５６に基づいて半導体レーザ２ａ及び半導体レーザ２ｂを発光させる。なお、レーザユニット１は、レーザ駆動回路１３と記憶手段であるＥＥＰＲＯＭ１４とを一体構成としている。
【００５２】
ＥＥＰＲＯＭ１４には図７〜図９記載のレーザ２ａ位相設定値及びレーザ２ｂ位相設定値が格納されており、所定のタイミングにＣＰＵ５２に取り込み、レーザ２ａ位相遅延回路４７及びレーザ２ｂ位相遅延回路４９に入力する。レーザ２ａ位相遅延回路４７はＢＤ分離回路４４からレーザ２ａ光ビーム検出信号４５の立ち下がりエッジを検出すると、レーザ２ａ位相設定値に相当する時間を遅延させ、レーザ２ａ水平同期信号（ＨＤａ）４８（基準信号）を出力する。同様にレーザ２ｂ位相遅延回路４９はＢＤ分離回路４４からレーザ２ｂ光ビーム検出信号４６の立ち下がりエッジを検出すると、レーザ２ｂ位相設定値に対応する時間を遅延させ、レーザ２ｂ水平同期信号（ＨＤｂ）５０（基準信号）を出力する。
【００５３】
本実施例の光学走査装置は、上記したように複数の半導体レーザのビームの光量が変動したとしても、受光素子の出力信号のタイミングのズレを防止することが可能な機能を有することとなる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施例における光学走査装置の構成図
【図２】ＢＤセンサとビームスポットの位置関係を説明する概略図
【図３】ＢＤセンサの構成を示すブロック図
【図４】ＢＤセンサの入射光量とＢＤ位相誤差特性を示す特性グラフ
【図５】実施例におけるビーム検出センサ上と感光ドラム上での光量差を説明するタイムチャート
【図６】レーザ２ａ、レーザ２ｂの光量がＢＤ基準光量に等しい場合の補正方法を説明するタイムチャート
【図７】レーザ２ａ、レーザ２ｂの光量がＢＤ基準光量に等しくない場合の補正方法を説明するタイムチャート
【図８】レーザ２ａの光量のみがＢＤ基準光量に等しくない場合の補正方法を説明するタイムチャート
【図９】レーザ２ｂの光量のみがＢＤ基準光量に等しくない場合の補正方法を説明するタイムチャート
【図１０】レーザ２ａ／位相時間及びレーザ２ｂ／位相時間の測定装置の概略構成図
【図１１】ビーム検出信号と試具センサの出力信号の関係を示すタイムチャート
【図１２】ビーム検出信号／位相補正の調整フローチャート
【図１３】ビーム検出制御部のブロック図
【図１４】ビーム検出制御部の動作を説明するタイムチャート
【図１５】ビーム検出制御部の動作フローチャート
【符号の説明】
【００５５】
１    レーザユニット
２ａ、２ｂ    半導体レーザ
３    合成ユニット
４    コリメータレンズ
５    シリンドリカルレンズ
６    回転多面鏡
７    回転多面鏡駆動回路
８    ｆ−θレンズ
９    反射ミラー
１０  感光ドラム
１１  ビーム検出センサ（受光手段に対応）
１２  試具センサ
１３  レーザ駆動回路（レーザ駆動手段に対応）
１４  ＥＥＰＲＯＭ（記憶手段に対応）
２１  電源端子
２２  接地端子
２３  ビーム検出出力端子
２４  フォトセンサ
２５  電圧変換抵抗
２６  フォトセンサ出力信号
２７  ゲインアンプａ
２８  ゲインアンプａ出力信号
２９  ゲインアンプｂ
３０  ゲインアンプｂ出力信号
３１  ホールドコンデンサ
３２  比較器（コンパレータ）
３３  ビーム検出信号
４１  ビーム検出制御部
４２  波形整形回路
４３  波形整形回路出力信号
４４  ビーム検出信号分離回路
４５  レーザ２ａビーム検出信号
４６  レーザ２ｂビーム検出信号
４７  Ａレーザ位相遅延回路（駆動手段に対応）
４８  水平同期信号ａ
４９  Ｂレーザ位相遅延回路（駆動手段に対応）
５０  水平同期信号ｂ
５１  位相設定値
５２  ＣＰＵ
５３  レーザ２ａ位相遅延データ
５４  レーザ２ｂ位相遅延データ
５５  レーザ発光制御回路
５６  レーザ発光制御信号
５７  レーザ２ａ駆動信号
５８  レーザ２ｂ駆動信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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