(57)【要約】【課題】  ライトヘッド評価用磁気遮蔽体、その製造方法、及び、ライトヘッド評価システムに関し、簡単なシステム構成により、ライトヘッドの磁気特性を短時間で精度良く測定する。【解決手段】  少なくともライトヘッド１を備えた磁気ディスクヘッド、ライトヘッド１へ通電し磁界を発生させる電気回路７、及び、磁界センサ３とからライトヘッド評価システムを構成し、ライトヘッド１と磁界センサ３の間隙にライトヘッド評価用磁気遮蔽体４を配設し、ライトヘッド評価用磁気遮蔽体４に設けた少なくともスリット状の磁気漏出部６がライトヘッド１と磁気センサ３の間を通過するように面内方向に移動させた際に磁界センサ３の検知する信号変化より、ライトヘッド１の発生磁界分布を計測する。【選択図】          図１
2009103600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体薄膜からなる磁気遮蔽部と、前記磁気遮蔽部に設けた少なくともスリット状の磁気漏出部とからなるライトヘッド評価用磁気遮蔽体。
【請求項２】
保持媒体上に５〜２０ｎｍの太さを有する細線部材を載置したのち、前記細線部材と同程度の厚さの磁気遮蔽部となる磁性体薄膜を堆積し、次いで、前記細線部材を除去することによりスリット状の磁気漏出部を形成することを特徴とするライトヘッド評価用磁気遮蔽体の製造方法。
【請求項３】
保持媒体上に５〜３０ｎｍの厚さの磁気遮蔽部となる磁性体薄膜を堆積したのち、酸化雰囲気中で先端部の幅が１〜１０ｎｍの針状電極を走引して前記磁性体薄膜をスリット状に酸化することにより磁性を消失させてスリット状の磁気漏出部を形成することを特徴とするライトヘッド評価用磁気遮蔽体の製造方法。
【請求項４】
少なくともライトヘッドを備えた磁気ディスクヘッド、前記ライトヘッドへ通電し磁界を発生させる電気回路、及び、磁界センサとから構成されるライトヘッド評価システムにおいて、前記ライトヘッドと磁界センサの間隙に請求項１記載のライトヘッド評価用磁気遮蔽体を配設し、前記ライトヘッド評価用磁気遮蔽体に設けた少なくともスリット状の磁気漏出部が前記ライトヘッドと前記磁気センサの間を通過するように面内方向に移動させた際に前記磁界センサの検知する信号変化より、前記ライトヘッドの発生磁界分布を計測することを特徴とするライトヘッド評価システム。
【請求項５】
前記ライトヘッド評価用磁気遮蔽体の移動機構或いはライトヘッドの少なくとも一方が、前記ライトヘッド評価用磁気遮蔽体の面内方向において９０°回転可能であり、前記ライトヘッドの発生磁界分布を互いに９０°異なる２方向の検知信号変化を用いて計測することを特徴とする請求項４記載のライトヘッド評価システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はライトヘッド評価用磁気遮蔽体、その製造方法、及び、ライトヘッド評価システムに関するものであり、特に、磁気ディスクヘッドに備わったライトヘッドの発生磁界を精度良く計測し、製造された磁気ディスクヘッドの良否を判定するための構成に特徴のあるライトヘッド評価用磁気遮蔽体、その製造方法、及び、ライトヘッド評価システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の情報処理機器における記憶手段として、ハードディスクドライブ装置が用いられているが、このようなハードディスクドライブ装置における磁気ヘッドを構成するライトヘッドとして単磁極コアを用いた垂直磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
このような磁気ヘッドを再現性良く製造するためには、製造されたライトヘッドの単磁極コアの磁気特性を測定して、製造プロセスにフィードバックする必要がある。
このようなライトヘッドの発生磁界分布を観測する手法としては、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）をベースとした技術が知られている（例えば、特許文献１或いは非特許文献１参照）。
【０００４】
また、発生磁界を磁性体に転写し、その転写により磁性体に発生する磁区の分布を磁気光学効果を用いて観測する技術も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２４０８０８号公報
【特許文献２】特開平０８−０５４４５２号公報
【非特許文献１】Ｒ．Ｐｒｏｋｓｃｈ，他，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．７４，ｐ．１３０８，１９９９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、近年の磁気ディスク装置の高密度化に伴って、磁気ディスクヘッドの寸法が微細化しており、上述の従来技術を用いた場合に磁気ディスクヘッドに対して、プローブ、もしくは計測光を位置決めするために時間がかかるという問題があり、量産工程での検査に適用することが困難になるという問題がある。
【０００６】
また、上述のＭＦＭを用いる方法の場合も、磁気光学効果を用いる場合も、磁性体薄膜の特性を測定することになるため、磁性体薄膜の成膜状態によりバルクの磁性体の特性と異なるため、発生磁界強度を精度良く定量化することが困難であるという問題がある。
【０００７】
また、磁気光学効果を用いる場合は反射光の偏光状態により磁気特性を測定するものであるが、一度にｘ方向成分、ｙ方向成分、及び、ｚ方向成分の内の一方向成分しか測定することができないため、測定に多大の時間を要するという問題がある。
【０００８】
したがって、本発明は、簡単なシステム構成により、ライトヘッドの磁気特性を短時間で精度良く測定することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号２は、単磁極コアからなるライトポールである。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、ライトヘッド評価用磁気遮蔽体４において、磁性体薄膜５からなる磁気遮蔽部と、磁気遮蔽部に設けた少なくともスリット状の磁気漏出部６とからなることを特徴とする。
【００１０】
このように、少なくともスリット状の磁気漏出部６を有する磁気遮蔽体４を用いることによって、ライトヘッド１に対して十分広い検出面積を有する磁界センサ３を用いても、スリット状の磁気漏出部６を通過する漏れ磁界のみを検出することによって、磁界センサ３の一方向の空間分解能を高くすることができるとともに、ライトヘッド１と磁気センサ３の位置合わせが容易になるので、短時間に発生磁界分布の計測を実現することができる。
なお、「少なくともスリット状」とは、スリットの間隙が無限大の半平面も含むものである。
【００１１】
この場合、磁性体薄膜５は軟磁性体からなることが望ましく、測定作業が簡単になる。
例えば、硬磁性体を用いても測定は可能であるが、硬磁性体が磁化した成分がオフセットとして検出信号に重畳するので、オフセット分を除去する作業が必要になる。        
【００１２】
このような磁気遮蔽体４を製造するためには、保持媒体８上に５〜２０ｎｍの太さを有する細線部材を載置したのち、細線部材と同程度以下の厚さの磁気遮蔽部となる磁性体薄膜５を堆積し、次いで、細線部材を除去することによりスリット状の磁気漏出部６を形成すれば良い。
【００１３】
あるいは、保持媒体８上に５〜３０ｎｍの厚さの磁気遮蔽部となる磁性体薄膜５を堆積したのち、先端部の幅が１〜１０ｎｍのカンチレバープローブを用いて罫書くことによってスリット状の磁気漏出部６を形成しても良い。
【００１４】
さらには、保持媒体８上に５〜２０ｎｍの厚さの磁気遮蔽部となる磁性体薄膜５を堆積したのち、酸化雰囲気中で先端部の幅が１〜１０ｎｍの針状電極を走引して磁性体薄膜５をスリット状に酸化することにより磁性を消失させてスリット状の磁気漏出部６を形成しても良い。
【００１５】
これら場合、保持基材を、スリット状の磁気漏出部６を形成したのちに溶解除去しても良い。
【００１６】
また、少なくともライトヘッド１を備えた磁気ディスクヘッド、ライトヘッド１へ通電し磁界を発生させる電気回路７、及び、磁界センサ３とから構成されるライトヘッド評価システムとしては、ライトヘッド１と磁界センサ３の間隙に付記１記載のライトヘッド評価用磁気遮蔽体４を配設し、ライトヘッド評価用磁気遮蔽体４に設けた少なくともスリット状の磁気漏出部６がライトヘッド１と磁気センサ３の間を通過するように面内方向に移動させた際に磁界センサ３の検知する信号変化より、ライトヘッド１の発生磁界分布を計測すれば良い。
【００１７】
この場合の少なくともスリット状の磁気漏出部６は、間隙が５〜２０ｎｍのスリットであることが望ましく、それによって、一方向の空間分解能の高い発生磁界分布の計測が可能になる。
【００１８】
あるいは、少なくともスリット状の磁気漏出部６が、間隙が０．１μｍのスリット状の磁気漏出部６でもよく、両方向に移動させて計測した磁界を重ね合わせることによって一方向の空間分解能の高い発生磁界分布の形成が可能になる。
【００１９】
これらの場合、ライトヘッド評価用磁気遮蔽体４の移動機構或いはライトヘッド１の少なくとも一方が、ライトヘッド評価用磁気遮蔽体４の面内方向において９０°回転可能であり、ライトヘッド１の発生磁界分布を互いに９０°異なる２方向の検知信号変化を用いて計測することが望ましく、それによって、二次元的な空間分解能の高い発生磁界分布の形成が可能になる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、磁気ディスクヘッドが間隙の長手方向のどこにあっても計測が可能であるため、間隙と磁気ディスクヘッドの配置は従来例に対して容易であり、計測時間も短縮できるため、量産工程での検査に適用可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明は、磁気ディスクヘッドを構成するライトヘッドのコア寸法に対して、磁性体薄膜面に形成された細く、かつ長い間隙を通過した磁界のみを汎用のＧＭＲ素子或いはＴＭＲ素子等の磁界センサを用いて、間隙に対して垂直な方向に磁性体薄膜を走査することによって、ライトヘッドの発生磁界分布に相応して変化する磁界信号が検出するものである。
【００２２】
この検出に際しては、ライトコア幅方向に走査したのち、ライトヘッドを磁性体薄膜の面内において９０°回転させて、ライトコア幅方向に直交する方向に走査したのち、両方の測定データを重ね合わせることによって、ライトヘッドの発生磁界分布を二次元的に高い空間分解能で測定することができる。
【実施例１】
【００２３】
次に、図２乃至図６を参照して、本発明の実施例１のライトヘッド評価システムを説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施例１のライトヘッド評価システムのシステム構成図であり、評価対象となる垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッド１０、垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッド１０の主磁極２１の先端部からの発生磁界を漏出する主磁極２１の寸法に対して細く且つ長い間隙からなるスリット部３４を備えた磁気遮蔽体３０、スリット部３４を漏出した磁界を検出する磁界センサ４０からなる。
【００２４】
この垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッド１０のライトコイル２４の両端には電気回路２９が接続され、電気回路２９から印加される電気信号に応じた磁界を発生させる。
また、磁界センサ４０は、例えば、ＧＭＲ素子から構成され、主磁極２１に対向するように配置され、主磁極２１の先端部と摺動して移動する磁気遮蔽体３０に設けたスリット部３４を漏れ出てきた磁界を検出する。
【００２５】
この場合の検出磁界は、主磁極２１の発生磁界分布に相応して変化する磁界信号として検出される。
但し、発生磁界の一部は磁気遮蔽体３０を構成する磁性体が存在することにより、吸収、偏向されるため、発生磁界分布と検出された信号分布は直接一致するものではない。
【００２６】
また、スリット部３４の長手方向の磁界は分解できないため、ある種積分された形で検出されるので、例えば、主磁極２１のコア幅方向の磁界強度分布を測定したのち、スリット部３４の方向を９０°回転させて再度走査し、コア幅方向と直交する方向の磁界強度分布を検出することにより、直交する２方向の信号強度分布を取得し、これらを合わせることによって主磁極２１からの二次元的な発生磁界分布を推測することが可能となる。
【００２７】
図３参照  
図３は、評価対象となる垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッド１０の構成説明図であり、まず、スライダーの母体となる、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上にＡｌ2 Ｏ3 膜（いずれも図示を省略）を介して下部磁気シールド層１１、ＴＭＲ膜１２、磁区制御膜１３、Ａｌ2 Ｏ3 膜１４、及び、上部磁気シールド層１５を設ける。
【００２８】
次いで、上部磁気シールド層１５上にＡｌ2 Ｏ3 膜１６を全面に設けたのち、選択電解メッキ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 膜１６上に厚さが１〜３μｍ、例えば、１．０μｍのＮｉＦｅからなる主磁極補助層１７を設ける。
なお、電解メッキ工程におけるメッキベース層については説明を省略する。
【００２９】
次いで、スパッタリング法を用いて全面にＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させたのち、ＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いて平坦化することによって、ヘッド媒体対向面側の凹部をＡｌ2 Ｏ3 埋込層１８で埋め込み、次いで、選択電解メッキ法を用いて全面に厚さが０．１５〜０．３０μｍ、例えば、０．２５μｍのＣｏＮｉＦｅ層１９を形成する。
【００３０】
次いで、スパッタリング法を用いて全面に厚さが３０〜１００ｎｍ、例えば、６０ｎｍで、非磁性体、例えば、Ｒｕからなるギャップ層２０を設ける。
この場合のギャップ層２０の膜厚は、最終的な磁気ヘッド構造において、ヘッド媒体対向面から垂直記録媒体の裏打ち層表面までの距離の１〜２倍程度となるように設定する。
【００３１】
次いで、選択電解メッキ法を用いてヘッド媒体対向面側に厚さが０．３〜０．５μｍ、例えば、０．５μｍのＣｏＮｉＦｅ層を堆積させたのち、レジストパターン（図示を省略）をマスクとして傾斜方向からＡｒイオンを用いたイオンミリングを施すことによってＣｏＮｉＦｅ層乃至Ａｌ2 Ｏ3 埋込層１８の先端部を選択的に除去して主磁極２１及び突出部２２を形成する。
【００３２】
次いで、再び、スパッタリング法を用いて全面にＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させたのち、ＣＭＰ法を用いて平坦化することによって、Ａｌ2 Ｏ3 埋込層２３を形成したのち、再び、選択電解メッキ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 埋込層２３上にＣｕを選択的に成膜して平面スパイラル状のライトコイル２４を形成する。
【００３３】
次いで、ライトコイル２４を覆うようにフォトレジストを設け、このフォトレジストを被覆絶縁膜２５としたのち、再び、選択電解メッキ法を用いてＮｉＦｅ層を堆積させ、被覆絶縁膜２５上に堆積したＮｉＦｅ層をリターンヨーク２６とし、被覆絶縁膜２５のヘッド媒体対向面側の側面に堆積したＮｉＦｅ層をシールド層２７とする。
なお、ライトコイル２４は主磁極２１とリターンヨーク２６とを磁気的に接続するリターンヨーク２６と一体に形成された接続部２８を中心として巻回した構造となっている。  最後に、ヘッド媒体対向面側を切断し、素子高さを調整するようにＡＢＳ面を研磨することによって、垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの基本構成が得られる。
【００３４】
次に、図４を参照して、本発明の実施例１のライトヘッド評価システムで使用する磁気遮蔽体の製造方法を説明する。
図４参照  
まず、磁性体薄膜保持用の基材、例えば、非磁性であるシリコン基板３１上に直径が５〜２０ｎｍ、例えば、１０ｎｍで、長さが０．５〜２μｍ、例えば、１μｍのマルチウォールのカーボンナノチューブ３２を載置し、ＰＶＤ（物理的堆積）法を用いて、Ｆｅ、Ｎｉ、或いは、ＮｉＦｅ等の軟磁性体、例えば、ＮｉＦｅ膜３３をカーボンナノチューブ３２の直径と同程度以下の膜厚、例えば、５ｎｍの厚さに堆積する。
【００３５】
次いで、カーボンナノチューブ３２を除去することによって、カーボンナノチューブ３２の除去後に幅が約１０ｎｍのスリット部３４が形成され、残ったＮｉＦｅ膜３３が磁気遮蔽部３５を構成する。
【００３６】
次に、図５を参照して、本発明の実施例１のライトヘッド評価システムで使用する磁気遮蔽体の他の製造方法を説明する。
図５参照  
まず、磁性体薄膜保持用の基材、例えば、導電性を有する導電性シリコン基板５１上に酸化物が非磁性となる軟磁性体、例えば、Ｎｉ膜５２を５〜３０ｎｍ、例えば、５ｎｍの厚さに堆積させる。
【００３７】
次いで、カンチレバープローブ５３を用いてＯ2 含有雰囲気、例えば、大気中で導電性シリコン基板５１との間で放電を起こしながら一方向に走査することによって放電箇所に線状酸化物領域５４を形成する。
【００３８】
この線状酸化物領域５４の幅は、カンチレバープローブ５３の先端部のサイズに応じて例えば、１０ｎｍ程度になり、この線状酸化物領域５４を構成するＮｉ酸化物は非磁性であるため磁界を漏出させるのでスリット部５５を構成することになる。
【００３９】
次に、図６を参照して、本発明の実施例１のライトヘッド評価システムで使用する磁気遮蔽体のさらに他の製造方法を説明する。
図６参照  
まず、磁性体薄膜保持用の基材、例えば、非磁性のＰＥＴフィルム６１上にＦｅ、Ｎｉ、或いは、ＮｉＦｅ等の軟磁性体、例えば、ＮｉＦｅ膜６２を５〜３０ｎｍ、例えば、５ｎｍの厚さに堆積させる。
【００４０】
次いで、カンチレバープローブ６３をＮｉＦｅ膜６２に当接させた状態で一方向に走査することによってＮｉＦｅ膜６２を除去して罫書部６４を形成する。
【００４１】
この罫書部６４の幅は、カンチレバープローブ６３の先端部のサイズに応じて例えば、カンチレバープローブ６３の先端部のサイズが１０ｎｍであれば罫書部６４の幅も１０ｎｍ程度になり、この罫書部６４が磁界を漏出させるためのスリット部６５となる。
【００４２】
このように、本発明の実施例１においては、スリット部を有する磁気遮蔽体及び大型の磁界センサを用いてライトヘッドの発生磁界分布を測定しているので、ライトヘッドと磁界センサの位置合わせを精度良く行う必要はなく、計測時間も短縮できるため、量産工程での検査に適用可能となる。
【００４３】
また、磁気遮蔽体を形成する際にも、シャープな形状のスリット部が得られるように工夫しているので、フォトリソグラフィー工程を用いてエッチングにより形成したスリットよりも精度の高いシャープな間隙が得られるので、より精度の高い測定が可能になる。
【実施例２】
【００４４】
次に、図７及び図８を参照して、本発明の実施例２のライトヘッド評価システムを説明する。
図７参照  
図７は、本発明の実施例２のライトヘッド評価システムのシステム構成図であり、評価対象となる垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッド１０、半平面の磁性体薄膜からなる磁気遮蔽部７５を備えた磁気遮蔽体７０、磁気遮蔽体７０から漏出した磁界を検出する磁界センサ４０からなる。
【００４５】
この場合の検出磁界は、主磁極２１の発生磁界分布を磁気遮蔽部７５が形成されたナイフエッジにより切断し、残留分のみを磁界センサ４０により検出する。
この場合、磁気遮蔽体７０を図において左右の二方向に走査し、得られた発生磁界分布を重ね合わせることによって、実際の分布に対応した発生磁界分布をえることができる。
【００４６】
この場合も、ナイフエッジの長手方向の磁界は分解できないため、例えば、主磁極２１のコア幅方向の磁界強度分布を測定したのち、ナイフエッジの方向を９０°回転させて再度走査し、コア幅方向と直交する方向の磁界強度分布を検出することにより、直交する２方向の信号強度分布を取得し、これらを合わせることによって主磁極２１からの発生磁界分布を推測することが可能となる。
【００４７】
次に、図８を参照して、本発明の実施例２のライトヘッド評価システムで使用する磁気遮蔽体７０の製造方法を説明する。
図８参照  
まず、磁性体薄膜保持用の基材、例えば、ＰＥＴフィルム７１上に、劈開面７３を形成した単結晶７２を載置し、Ｆｅ、Ｎｉ、或いは、ＮｉＦｅ等の軟磁性体、例えば、ＮｉＦｅ膜７４を５〜３０ｎｍ、例えば、５ｎｍの厚さに堆積させる。
なお、この場合、劈開面７３はＰＥＴフィルム７１に垂直になるようにする。
【００４８】
次いで、単結晶７２を除去することによって、残存するＮｉＦｅ膜７４が磁気遮蔽部７５となり、その端部にナイフエッジが形成される。
この場合のナイフエッジは、劈開面７３を利用しているので、フォトリソグラフィー工程を利用してエッチングで形成した場合よりもシャープな端面となるので精度の高い測定が可能になる。
【００４９】
このように、本発明の実施例２においては、ナイフエッジを有する磁気遮蔽体と大型の磁界センサを用いてライトヘッドの発生磁界分布を測定しているので、磁気遮蔽体のライトヘッドと磁界センサの位置合わせを精度良く行う必要はなく、計測時間も短縮できるため、量産工程での検査に適用可能となる。
【００５０】
また、ナイフエッジを有する磁気遮蔽体の製造工程は、微細なスリット部を形成する必要のある上述の実施例１の磁気遮蔽体に比べて容易になる。
【００５１】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の各実施例においては、保持基板としてシリコン基板或いはＰＥＴフィルムを用いているが、シリコン基板或いはＰＥＴフィルムに限られるものではなく、非磁性であれば良い。
【００５２】
また、上記の各実施例２においては、互いに直交する２方向から測定しているが、磁界分布をより正確に計測するために、磁気遮蔽体をより細かく回転させて、多数のデータを取得し、トモグラフィーの技術を用いて磁界分布を再構築するようにしても良い。
【００５３】
また、量産工程のように短時間での計測が要請される場合には、予め校正された磁界分布を有する磁気ディスクヘッドを用いて標準的な検出信号の分布を取得し、その分布と被測定ヘッドを用いて取得された信号分布を比較して、ヘッドの良否を判定するようにしても良い。
【００５４】
また、上記の実施例２においては、一方向の発生磁界強度分布を取得するために左右二方向から走査しているが、測定は一回の走査だけでも良く、一回の走査で得られた発生磁界強度分布を反転させて重ね合わせるようにしても良い。
【００５５】
また、上記の実施例２においては、磁気遮蔽体を半平面で構成しているが、半平面である必要はなく、例えば、ライトヘッドの主磁極の先端部のサイズより広い間隙であれば良く、例えば、ミクロンオーダーのスリット部としても良いものである。
即ち、半平面によるナイフエッジは間隙の間隔が無限大のスリット部に相当する。
【００５６】
なお、上記の各実施例においては言及していないものの、主磁極の先端部と磁気遮蔽部とは摺動するので、摩耗による磁気漏洩を防止するために、磁気遮蔽部の表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜等の保護膜を設けても良く、さらには、保護膜の表面にパーフルオロカーボン系の潤滑剤を塗布しても良いものである。
【００５７】
ここで、再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  磁性体薄膜５からなる磁気遮蔽部と、前記磁気遮蔽部に設けた少なくともスリット状の磁気漏出部６とからなることを特徴とするライトヘッド評価用磁気遮蔽体４。
（付記２）  前記磁性体薄膜５が、軟磁性体からなることを特徴とする付記１記載のライトヘッド評価用磁気遮蔽体４。
（付記３）  保持媒体８上に５〜２０ｎｍの太さを有する細線部材を載置したのち、前記細線部材と同程度の厚さの磁気遮蔽部となる磁性体薄膜５を堆積し、次いで、前記細線部材を除去することによりスリット状の磁気漏出部６を形成することを特徴とするライトヘッド評価用磁気遮蔽体４の製造方法。
（付記４）  保持媒体８上に５〜３０ｎｍの厚さの磁気遮蔽部となる磁性体薄膜５を堆積したのち、先端部の幅が１〜１０ｎｍのカンチレバープローブを用いて罫書くことによってスリット状の磁気漏出部６を形成することを特徴とするライトヘッド評価用磁気遮蔽体の製造方法。
（付記５）  保持媒体８上に５〜３０ｎｍの厚さの磁気遮蔽部となる磁性体薄膜５を堆積したのち、酸化雰囲気中で先端部の幅が１〜１０ｎｍの針状電極を走引して前記磁性体薄膜５をスリット状に酸化することにより磁性を消失させてスリット状の磁気漏出部６を形成することを特徴とするライトヘッド評価用磁気遮蔽体の製造方法。
（付記６）  前記保持基材を、スリット状の磁気漏出部６を形成したのちに溶解除去することを特徴とする付記３乃至５のいずれか１に記載のライトヘッド評価用磁気遮蔽体の製造方法。
（付記７）  少なくともライトヘッド１を備えた磁気ディスクヘッド、前記ライトヘッド１へ通電し磁界を発生させる電気回路７、及び、磁界センサ３とから構成されるライトヘッド評価システムにおいて、前記ライトヘッド１と磁界センサ３の間隙に付記１記載のライトヘッド評価用磁気遮蔽体４を配設し、前記ライトヘッド評価用磁気遮蔽体４に設けた少なくともスリット状の磁気漏出部６が前記ライトヘッド１と前記磁気センサ３の間を通過するように面内方向に移動させた際に前記磁界センサ３の検知する信号変化より、前記ライトヘッド１の発生磁界分布を計測することを特徴とするライトヘッド評価システム。
（付記８）  前記少なくともスリット状の磁気漏出部６が、間隙が５〜２０ｎｍのスリットであることを特徴とする付記７記載のライトヘッド評価システム。
（付記９）  前記少なくともスリット状の磁気漏出部６が、間隙が０．１μｍ〜無限大のスリット状の磁気漏出部６であることを特徴とする付記７記載のライトヘッド評価システム。
（付記１０）  前記ライトヘッド評価用磁気遮蔽体４の移動機構或いはライトヘッド１の少なくとも一方が、前記ライトヘッド評価用磁気遮蔽体４の面内方向において９０°回転可能であり、前記ライトヘッド１の発生磁界分布を互いに９０°異なる２方向の検知信号変化を用いて計測することを特徴とする付記７乃至９のいずれか１に記載のライトヘッド評価システム。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の活用例としては、磁気ディスクヘッドを構成するライトヘッドの評価が典型的なものであるが、評価対象はライトヘッドに限られるものではなく、磁界を発生させる微小磁極であれば用途を問わずに適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のライトヘッド評価システムのシステム構成図である。
【図３】評価対象となる垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図である。
【図４】本発明の実施例１のライトヘッド評価システムで使用する磁気遮蔽体の製造方法の説明図である。
【図５】本発明の実施例１のライトヘッド評価システムで使用する他の磁気遮蔽体の製造方法の説明図である。
【図６】本発明の実施例１のライトヘッド評価システムで使用するさらに他の磁気遮蔽体の製造方法の説明図である。
【図７】本発明の実施例２のライトヘッド評価システムのシステム構成図である。
【図８】本発明の実施例２のライトヘッド評価システムで使用する磁気遮蔽体の製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  ライトヘッド
２  ライトポール
３  磁界センサ
４  磁気遮蔽体
５  磁性体薄膜
６  磁気漏出部
７  電気回路
８  保持媒体
１０  垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッド
１１  下部磁気シールド層
１２  ＴＭＲ膜
１３  磁区制御膜
１４  Ａｌ2 Ｏ3 膜
１５  上部磁気シールド層
１６  Ａｌ2 Ｏ3 膜
１７  主磁極補助層
１８  Ａｌ2 Ｏ3 埋込層
１９  ＣｏＮｉＦｅ層
２０  ギャップ層
２１  主磁極
２２  突出部
２３  Ａｌ2 Ｏ3 埋込層
２４  ライトコイル
２５  被覆絶縁膜
２６  リターンヨーク
２７  シールド層
２８  接続部
２９  電気回路
３０  磁気遮蔽体
３１  シリコン基板
３２  カーボンナノチューブ
３３  ＮｉＦｅ膜
３４  スリット部
３５  磁気遮蔽部
４０  磁界センサ
５１  導電性シリコン基板
５２  Ｎｉ膜
５３  カンチレバープローブ
５４  線状酸化物領域
５５  スリット部
５６  磁気遮蔽部
６１  ＰＥＴフィルム
６２  ＮｉＦｅ膜
６３  カンチレバープローブ
６４  罫書部
６５  スリット部
６６  磁気遮蔽部
７０  磁気遮蔽体
７１  ＰＥＴフィルム
７２  単結晶
７３  劈開面
７４  ＮｉＦｅ膜
７５  磁気遮蔽部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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