(57)【要約】【課題】機械的強度の高いウェハレベルパッケージを用いた電子部品を提供する。【解決手段】電子部品は、基板（３００）と、この基板上に形成された機能素子（１００）と、この機能素子を包含する中空部を形成するように、ドーム状に基板（３００）上に設けられ、かつドームに複数の開口部（３０４）を有する第１のキャップ層（３０３）と、この第１のキャップ層の内部において、複数の開口部（３０４）が設けられた部分以外のドームと基板（３００）の間に挿入された補強柱（３０５）と、第１のキャップ層（３０３）上に設けられ、複数の開口部（３０４）を封止する第２のキャップ層（３０６）とを具備する。【選択図】図１
2009262268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された機能素子と、
前記機能素子を包含する中空部を形成するように、ドーム状に前記基板上に設けられ、かつ前記ドームに複数の開口部を有する第１のキャップ層と、
前記第１のキャップ層の内部において、前記複数の開口部が設けられた部分以外の前記ドームと前記半導体基板の間に挿入された補強柱と、
前記第１のキャップ層上に設けられ、前記複数の開口部を封止する第２のキャップ層と、
を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された機能素子と、
前記機能素子を包含する環状中空部を形成するように、環状ドーム状に前記基板上に設けられ、かつ前記環状ドームに複数の開口部を有する第１のキャップ層と、
前記第１のキャップ層上に設けられ、前記複数の開口部を封止する第２のキャップ層と、
を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項３】
前記補強柱形成部以外の前記ドーム内、若しくは環状ドーム内の前記基板上に形成された、可動部分を有する電気機械素子をさらに具備することを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
基板上に形成された機能素子上に犠牲膜を形成する工程と、
前記犠牲膜を覆う第１のキャップ層を形成する工程と、
前記第１のキャップ層に複数の開口部を形成する工程と、
前記複数の開口部より、前記犠牲膜を選択的に除去し、一部の前記犠牲膜を残存させ、前記第１のキャップ層内に、複数の補強柱を形成する工程と、
前記第１のキャップ層の前記複数の開口部を封止するように、前記第１のキャップ層の上に第２のキャップ層を形成する工程と、
を具備する電子部品の製造方法。
【請求項５】
基板上に機能素子を形成する工程と、
前記基板上に複数の補強柱を形成する工程と、
前記複数の補強柱の間に、犠牲膜を形成する工程と、
前記犠牲膜を覆う第１のキャップ層を形成する工程と、
前記第１のキャップ層に複数の開口部を形成する工程と、
前記複数の開口部より、前記犠牲膜を除去し、前記第１のキャップ層内に、前記複数の補強柱が残存した中空部を形成する工程と、
前記第１のキャップ層の前記複数の開口部を封止するように、前記第１のキャップ層の上に第２のキャップ層を形成する工程と、
を具備する電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（超小型電気機械素子：所謂ＭＥＭＳ）の研究開発が盛んになってきている。ＭＥＭＳの特徴は、通常の半導体デバイスと異なり機械的可動部分を有するデバイスであるという点である。つまり、ＭＥＭＳデバイスを実装する際には、機械的可動部分を活かすため中空構造を有する実装技術・パッケージが必要不可欠である。
【０００３】
加えて、微細化及びコスト削減のため、個別実装では無く、ウェハ状態で中空構造を形成できる実装技術が、近年必要となりつつある。これをウェハレベルパッケージ（Wafer Level Package: WLP）、あるいは、クリーンルーム内で作製できるのでインラインＷＬＰ（in-line WLP）、あるいは、薄膜キャップ構造と呼んだりする。
【０００４】
従来からのＷＬＰ形成構造／方法としては、パターニングした犠牲膜上に、微小孔が幾つか開口した第１キャップ層を形成し、この開口部分から犠牲膜を除去した後、化学的気相成長（ＣＶＤ）法などによる第２キャップ層でこれら開口部を封止した構造、及び、その方法が一般的である（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００５】
上記の既知の技術では、薄膜キャップの大きさが大きくなるにつれ、自重や機械的強度不足からパッケージの天井の撓みが問題となってくる。内部のＭＥＭＳ素子と薄膜キャップの天井とが触れたりすると、信頼性を低下させることになり、大きな問題となる。
【特許文献１】米国特許第５５８９０８２号明細書
【特許文献２】米国特許第６９３６４９４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来の技術よりも製作が容易で、かつ、機械的強度が強いウェハレベルパッケージの構造を有する電子部品、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に形成された機能素子と、前記機能素子を包含する中空部を形成するように、ドーム状に前記基板上に設けられ、かつ前記ドームに複数の開口部を有する第１のキャップ層と、前記第１のキャップ層の内部において、前記複数の開口部が設けられた部分以外の前記ドームと前記基板の間に挿入された補強柱と、前記第１のキャップ層上に設けられ、前記複数の開口部を封止する第２のキャップ層とを具備する電子部品が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、基板と、前記基板上に形成された機能素子と、前記機能素子を包含する環状中空部を形成するように、環状ドーム状に前記基板上に設けられ、かつ前記環状ドームに複数の開口部を有する第１のキャップ層と、前記第１のキャップ層上に設けられ、前記複数の開口部を封止する第２のキャップ層とを具備する電子部品が提供される。
【０００９】
また、本発明の他の一態様によれば、基板上に形成された機能素子上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜を覆う第１のキャップ層を形成する工程と、前記第１のキャップ層に複数の開口部を形成する工程と、前記複数の開口部より、前記犠牲膜を選択的に除去し、一部の前記犠牲膜を残存させ、前記第１のキャップ層内に、複数の補強柱を形成する工程と、前記第１のキャップ層の前記複数の開口部を封止するように、前記第１のキャップ層の上に第２のキャップ層を形成する工程とを具備する電子部品の製造方法が提供される。
【００１０】
また、本発明の他の一態様によれば、基板上に機能素子を形成する工程と、前記基板上に複数の補強柱を形成する工程と、前記複数の補強柱の間に、犠牲膜を形成する工程と、
前記犠牲膜を覆う第１のキャップ層を形成する工程と、前記第１のキャップ層に複数の開口部を形成する工程と、前記複数の開口部より、前記犠牲膜を除去し、前記第１のキャップ層内に、前記複数の補強柱が残存した中空部を形成する工程と、前記第１のキャップ層の前記複数の開口部を封止するように、前記第１のキャップ層の上に第２のキャップ層を形成する工程とを具備する電子部品の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、従来の技術よりも製作が容易で、かつ、機械的強度が強いウェハレベルパッケージの構造を有する電子部品、およびその製造方法を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものと異なる。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることに注意が必要である。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態のウェハレベルパッケージ（パッケージ内に実装される素子を含めた場合には超小型電気機械装置、電子部品）の断面図である。例えばＳｉからなる半導体基板（ウェハ）３００上には、電気的・機械的な可動部分を有する超小型構造（ＭＥＭＳ素子、機能素子）１００や、その駆動回路を構成する半導体素子２００等が形成されている。
【００１４】
半導体基板３００上には、さらにＳｉＮやＳｉＯ2 からなるパッシベーション膜３０１が形成され、その上に同じくＳｉＮ，ＳｉＯ2 からなる中空の第１のキャップ層３０３がドーム状に形成されている。第１のキャップ層３０３の天井部分とパッシベーション膜３０１の間には、複数の補強柱（若しくは補強壁）３０５が形成されている。また、第１のキャップ層３０３の天井部分には、複数の開口部３０４が形成されている。
【００１５】
第１のキャップ層３０３の上には、ＡｌＮ等のセラミック材料、あるいはＳｉＮやＳｉＯ2 からなる絶縁材料からなる第２のキャップ層３０６が形成され、第１のキャップ層３０１に設けられた複数の開口部３０４を封止している。
【００１６】
第１の実施形態のウェハレベルパッケージは、第１及び第２のキャップ層の天井部分が、複数の補強柱３０５により支えられているので、天井が撓み難く、機械的強度が高い構造を提供している。
【００１７】
図１（ｂ）は、第２のキャップ層３０６を取り除いた状態での、図１（ａ）の半導体装置の上面図である。図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ´線に沿った断面に第２のキャップ層３０６を被せたものに相当する。開口部４の上面図は、四角で表わしているが、形状はこれに限るものでは無く丸型、星型等にしてもよい。
【００１８】
図１（ｃ）は、図１（ｂ）から第１のキャップ層３０３を取り除いた上面図である。この例では、補強柱３０５は図１（ａ）の奥行き方向に連続的接続された壁を形成しており、隣接する壁に挟まれた空間に、ＭＥＭＳ素子１００が形成されている。なお、補強柱３０５は、必ずしも連結されて壁を形成する必要はなく、間隔を空けて形成してもよい。間隔を空けた場合の柱の上面図は、例えば星型となる。壁を形成した場合には、ＭＥＭＳ等の実装空間が狭くなるが、柱の場合より強度が高くなるという利点が生じる。
【００１９】
次に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法を図２〜図３を参照して説明する。各図において、（ａ−１）、（ａ−２）、（ａ−３）、（ａ−４）は断面図、（ｂ−１）、（ｂ−２）、（ｂ−３）、（ｂ−４）は上面図である。先ず、図２（ａ−１）、（ｂ−１）に示すように、半導体素子２００等（不図示）が予め形成されているＳｉ等からなる半導体基板３００を準備する。但し、半導体素子が予め形成されていることは、必ずしも必須ではない。半導体基板３００の表面にＳｉＮやＳｉＯ2などのパッシベーション膜３０１を形成する。このパッシベーション膜３０１は省略することもできる。パッシベーション膜３０１を形成すると、後のパッケージング工程に起因する半導体基板内部へのダメージを軽減することができる。このパッシベーション膜３０１の所定の箇所に、ＭＥＭＳ等の可動部分を有する素子を形成する（不図示）。
【００２０】
次に、図２（ａ−２），（ｂ−２）に示すように、ポリイミド、フォトレジスト等からなる犠牲膜３０２を、ＭＥＭＳ等を埋め込むように、数百ｎｍ〜１０μｍの厚さで塗布する。本実施形態では感光性ポリイミドを１０μｍの厚さで形成するものとする。続いて、図２（ａ−３），（ｂ−３）に示すように犠牲膜３０２を選択的に除去して、パターニングを行う。図示はしていないが、感光性ポリイミド、あるいはフォトレジストのパターニングの場合には、露光／現像／熱処理工程によって行うことができる。非感光性ポリイミドを使用した場合には、既存技術のフォトリソグラフィと反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いてパターニングを行うことができる。
【００２１】
次に、図２（ａ−４），（ｂ−４）に示すように、第１キャップ層３０３として、ＳｉＮ、ＳｉＯ2といった絶縁層を犠牲膜上に数百ｎｍ〜数μｍの厚さで化学的気相成長（ＣＶＤ）法やスパッタリング法により成膜する。本実施形態では、ＳｉＮ膜をＣＶＤ法で５μｍ形成するものとする。
【００２２】
次いで、図３（ａ−１）、（ｂ−１）に示すように、犠牲膜３０２を除去する為の開孔部３０４が形成される様に、第１キャップ層３０３を所望のパターンに加工する。開口部のピッチは、例えば５００μｍ、開口部の寸法は５μｍ×５μｍの正方形とする。開口部のピッチ、寸法等は、ターゲットのデバイスに応じて適宜選定することができるが、先に搭載したＭＥＭＳ等が、後に形成される補強柱（補強壁）の間に位置するように設定される。第１キャップ層３０３のパターン形成は、フォトリソグラフィとＲＩＥ法といった既存技術を用いて行う（図示せず）。
【００２３】
続いて、図３（ａ−２）、（ｂ−２）に示すように、第１キャップ層３０３の開口部３０４を通じて犠牲膜３０２を除去する。犠牲膜３０２の除去は、例えばＯ2＋ＣＨ4 の反応性ガスを用いたドライ・エッチング法を用いる。薬液を用いたウエット・エッチング法を用いてもよい。このとき、第１キャップ層３０３に形成された開口部３０４は、犠牲膜３０２が除去された後に、犠牲膜補強柱（あるいは補強壁）３０５が残る様に配置されている。犠牲膜３０２は、開口部３０４より全方向的にエッチングされていくので、犠牲膜残部により形成された補強柱（壁）３０５は、上部に比べて底部が広い、縦断面が錐状の形となり、つぶれ難い構造とすることができる。また、補強柱３０５は、基板との接触部分である底部が広いので、基板との間で剥がれ難い。
【００２４】
また、図４の断面図中、あるいは図５の斜視図の切り欠き部（図４のＢ−Ｂ´線に沿った断面）に示す様に、第１のキャップ層の角など鋭角状になった部分に犠牲膜残部３０７を意図的に残すことにより、角部分の応力を分散し、クラックの発生、膜剥がれ等を抑制することも可能となる。なお、図５では、開口部３０４を長方形、補強柱３０５の上面を星状とした場合を例示している。
【００２５】
次に、図３（ａ−３），（ｂ−３）の様に、第２のキャップ層３０５を数μｍ〜数１０μｍ厚で成膜し、第１のキャップ層３０３の開孔部３０４を埋める。この封止工程により、ＭＥＭＳの可動部分は水分やダストといった外界の影響を受けなくなる為に信頼性が向上する。
【００２６】
封止の際には、第１のキャップ層の内部を真空にしたり、不活性ガスを充填したりすることが望ましい。これは、このパッケージを真空雰囲気中、あるいは、不活性ガス雰囲気中にて封止工程を行なうことにより達成することができる。
【００２７】
また、第２のキャップ層３０６の成膜方法としてインク・ジェット法、ＣＶＤ法などを用いることにより、ＡｌＮ等のセラミック材料、または、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の絶縁材料を成膜することができる。このとき、第２のキャップ層３０６が第１のキャップ層３０３内に入り込まないように、条件を設定する必要がある。
【００２８】
最後に、図３（ａ−４），（ｂ−４）の如く第２のキャップ層３０６をパターニングする。この第２のキャップ層３０６のパターニングは、図示しないが、通常のフォトリソグラフィとＲＩＥ法を用いて行う。尚、図２、図３では、ＭＥＭＳ素子の図示を省略している。
【００２９】
以上、第１の実施形態によれば、犠牲膜３０２の一部分を第１のキャップ層３０３内に柱状（あるいは壁状）に残すことにより、第１のキャップ層３０３の天井が撓み難く、且つ、機械的強度の強いウェハレベルパッケージを提供することができる。
【００３０】
また、第１の実施形態によれば、第１のキャップ層を形成する際の犠牲膜の一部を用いて補強柱としているので、従来のキャップ層の製造方法と比べて余分な工程を経ることなく、補強柱を形成できる。
【００３１】
また、第１の実施形態によれば、補強柱は開口部から離れた位置に形成されるので（第１のキャップ層の撓みが大きい開口部近辺から離間した位置で支えるので）、第１のキャップ層を効果的に支えることができる。
【００３２】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品を示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。理解を容易にするために、第１の実施形態と同一部分には同一番号を付して、重複する説明を省略する。第２の実施形態は、犠牲膜を残して補強柱とし、薄膜キャップ天井の機械的強度を上げる構造とは異なっているが、同様に薄膜キャップ天井の撓みを小さくし、強度を上げる構造及びその製造方法に関わる。
【００３３】
第２の実施形態においては、犠牲膜の中央部に円錐乃至は円柱状の凹部を設け、この凹部上に第１のキャップ層を形成することにより、この凹部に形成された第１のキャップ層の部分４０５は第１のキャップ層３０３天井の補強柱となる。第１のキャップ層は、補強柱４０５を中心とした環状ドーム型になり、第１の実施形態と同様に、機械的強度の強いパッケージ構造を提供することができる。また、図６（ａ），（ｂ）に示すように、１つのパッケージの中に、複数のＭＥＭＳ素子等の機能素子を備えるパッケージ構造を提供することができる。
【００３４】
次に、第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。まず、図７（ａ−１）、（ｂ−１）のように、半導体素子等（不図示）が形成された半導体基板３００を準備する。第１の実施形態と同様に、半導体基板の表面にＳｉＮやＳｉＯ2などのパッシベーション膜３０１を形成する。パッシベーション膜３０１の所定の位置に、ＭＥＭＳ等の可動部分を有する素子を形成する。
【００３５】
次に、図７（ａ−２）、（ｂ−２）に示すように、ポリイミド、フォトレジスト等を用いた犠牲膜３０２を、ＭＥＭＳ等を埋め込むように、数百ｎｍ〜１０μｍ厚で塗布した後、図７（ａ−３）、（ｂ−３）に示すように、中央部に円錐乃至円柱状の凹部を形成するようにパターニングを行う。このとき、埋め込まれたＭＥＭＳ等が凹部と犠牲膜の最外壁（側壁）との間に位置するように、凹部を形成する。
【００３６】
次に、図７（ａ−４）、（ｂ−４）の様に、第1のキャップ層３０３としてＳｉＮ、ＳｉＯ2等からなる絶縁層を犠牲膜３０２上に数百ｎｍ〜数μｍ厚でＣＶＤ法やスパッタリング法により成膜する。このとき、前記凹部に沿って形成された絶縁膜の部分４０５は第１のキャップ層３０３の天井の補強柱となり、機械的強度の強いパッケージ構造を提供することができる。
【００３７】
次いで、図８（ａ−１）、（ｂ−１）に示すように、犠牲膜３０２を除去する為の複数の開孔部３０４が形成される様に、第1のキャップ層３０３を所望のパターンに加工する。第1のキャップ層３０３のパターン形成は、フォトリソグラフィとＲＩＥ法といった既存技術を用いて行う（図示せず）。
【００３８】
続いて、図８（ａ−２）、（ｂ−２）に示すように、第1のキャップ層３０３の開孔部３０４を通して犠牲膜３０２を除去する。犠牲膜３０２の除去は、Ｏ2やＣＦ系等の反応性ガスを用いたドライ・エッチング法や、薬液を用いたウエット・エッチング法を用いて行う。このとき、第１のキャップ層３０３は、補強柱４０５を有する構造となることにより、第１のキャップ層３０３の天井が撓み難く、且つ、機械的強度の強い構造を提供することができる。
【００３９】
次に、図８（ａ−３）、（ｂ−３）に示す様に、第２のキャップ層３０６を数μｍ〜１０μｍ厚で成膜し、同時に第１のキャップ層３０３の複数の開孔部３０４を封止する。この工程により、ＭＥＭＳの可動部分は、水分やダストといった外界の影響を受けなくなる為に信頼性が向上する。封止の際には、第１のキャップ層の内部を真空にしたり、不活性ガスを充填したりすることが望ましい。また、第２のキャップ層３０６は、インク・ジェット法、ＣＶＤ法などを用いて、ＡｌＮ等のセラミック材料、または、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の絶縁材料を成膜して形成することができる。
【００４０】
最後に、図８（ａ−４）、（ｂ−４）に示すように、第２のキャップ層３０６をパターニングする。この第２のキャップ層３０６のパターニングは、図示されていない既存のフォトリソグラフィとＲＩＥ法を用いて行う。尚、図７乃び図８では、ＭＥＭＳ素子等の図示を省略している。
【００４１】
以上、第２の実施形態によっても、第１の実施形態に、キャップ層の天井が撓み難く、且つ、機械的強度の強いウェハレベルパッケージ（電子部品）を提供することができる。
【００４２】
（第３の実施形態）
図９（ａ）は、第３の実施形態に係るウェハレベルパッケージ（電子部品）の断面図である。第１の実施形態の図１（ａ）と類似しているので、同一箇所には同一番号を付して、重複する説明を省略する。図１（ａ）との相異は、錐状の補強柱３０５が柱状の補強柱５０５となったことである。
【００４３】
第３の実施形態における補強柱５０５は、第１の実施形態のように犠牲膜から作製したものとは異なり、予め絶縁材料で作製した柱である。図９（ｂ）は、第２のキャップ層３０６を取り除いた上面図で、図１（ｂ）と同じである。図９（ｃ）は、第１のキャップ層３０５を取り除いた上面図で、補強柱５０５は予め作られた、例えば断面が菱形、あるいは星型の柱であり、壁ではない。従って、ＭＥＭＳ等の可動素子１００を形成するスペースを充分にとることができる。
【００４４】
次に、第３の実施形態のウェハレベルパッケージ（電子部品）の製造方法を、図１０乃至１２を参照して説明する。先ず、図１０（ａ−１）、（ｂ−１）のように、半導体素子（不図示）などが予め形成された半導体基板３００を準備する。半導体基板３００の表面にＳｉＮやＳｉＯ2などのパッシベーション膜３０１を形成する。続いて、図１０（ａ−２）、（ｂ−２）の様に、絶縁層５０２を成膜した後、図１０（ａ−３）、（ｂ−３）に示す様に、通常のフォトリソグラフィとＲＩＥ法を用いて絶縁層５０２から補強柱５０５をを形成する。なお、ＭＥＭＳ等の素子は、補強柱５０５を形成する前に作製しても良いし、後でも良い。前に作製する場合には、絶縁膜５０２とのエッチング選択比や、ＭＥＭＳ素子のマスキング等の手段も考慮する。
【００４５】
次に、図１０（ａ−４）、（ｂ−４）に示すように、ポリイミドやフォトレジストからなる犠牲膜３０２を数百ｎｍ〜１０μｍの厚さに塗布して、ＭＥＭＳ等を埋め込む。この際、犠牲膜３０２の上面と、補強柱５０５の上面が一致していることが好ましいが、補強柱５０５が突出していてもよい。
【００４６】
次いで、図１１（ａ−１）、（ｂ−１）に示すように、犠牲膜３０２のパターニングを行い、さらに図１１（ａ−２）、（ｂ−２）に示すように、第1のキャップ層３０３として、ＳｉＮ，ＳｉＯ2等の絶縁層３０３を、犠牲膜３０２上に数百ｎｍ〜数μmに厚さにＣＶＤ法やスパッタリング法により成膜する。
【００４７】
次いで、図１１（ａ−３）、（ｂ−３）に示すように、犠牲膜３０２を除去する為の開口部３０４が形成される様に、第1のキャップ層３０３を所望のパターンに加工する。第１のキャップ層３０３のパターン形成は、フォトリソグラフィとＲＩＥ法といった既知の技術を用いて行う（図示せず）。
【００４８】
続いて、図１１（ａ−４）、（ｂ−４）に示すように、第1のキャップ層３０３の開口部３０４を通して犠牲膜３０２を除去する。犠牲膜３０２の除去は、Ｏ2やＣＦ系等の反応性ガスを用いたドライ・エッチング法や、薬液を用いたウエット・エッチング法を用いて行う。このとき、第1のキャップ層３０３に形成された開口部３０４は、絶縁層の補強柱５０５を残して、犠牲層３０２が殆ど除去される様に配置されている。この様に第１のキャップ層３０３内部に補強柱５０５を形成することによって、第１のキャップ層３０３の天井が撓み難く、且つ、機械的強度の強い構造となる。
【００４９】
なお、第１の実施形態の図５の切り欠き部（図４のＢ−Ｂ´線に沿った断面）に示したように、第１のキャップ層３０３の角など鋭角状になった部分に犠牲膜残部３０７を意図的に残すことにより、角部分の応力を分散し、クラックの発生、膜剥がれ等を抑制することも可能である。
【００５０】
次に、図１２（ａ−１）、（ｂ−１）に示す様に、第２のキャップ層３０６を数μｍ〜１０μｍの厚さで成膜し、第１のキャップ層３０３の開口部３０４を封止する。この封止工程により、ＭＥＭＳ素子（不図示）の可動部分は水分やダストといった外界の影響を受けなくなる為、信頼性が向上する。
【００５１】
封止の際には第１のキャップ層の内部を真空にしたり、不活性ガスを充填したりすることが望ましい。また、第２のキャップ層３０６は、インク・ジェット法、ＣＶＤ法などを用いて、ＡｌＮ等のセラミック材料、または、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の絶縁材料を成膜することにより形成できる。
【００５２】
最後に、図１２（ａ−２）、（ｂ−２）に示すように、第２のキャップ層３０６をパターニングする。この第２のキャップ層３０６のパターニングは、既知のフォトリソグラフィとＲＩＥ法を用いて行う。尚、図１０乃至１２では、ＭＥＭＳ素子の図示は省略している。
【００５３】
第３の実施形態においては、ＭＥＭＳ素子等の機能素子を形成後に補強柱５０５を形成してもよいし、図１０（ａ−３）、（ｂ−３）に示す工程の後にＭＥＭＳ素子等の機能素子を形成してもよい。
【００５４】
以上、第３の実施形態によれば、絶縁物からなる補強柱を予め形成しておくので、キャップ層３０３の天井が撓み難く、第１の実施形態と同様な効果を奏することができとともに、ＭＥＭＳ等の形成スペースを十分に確保されたウェハレベルパッケージ（電子部品）を提供することができる。
【００５５】
以上、本発明について実施形態を通じて説明したが、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々な発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施形態に係るウェハレベルパッケージ（電子部品）を示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は第２のキャップ層を外した状態でのパッケージの上面図、（ｃ）は第１のキャップ層を外した状態でのパッケージの上面図。
【図２】第１の実施形態のパッケージの製造方法を段階的に説明する為の図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図。
【図３】図２に続く工程を段階的に説明する図。
【図４】第１の実施形態における補強柱を説明する為の図。
【図５】第１の実施形態のパッケージの斜視図で、一部切り欠き部を含む。
【図６】第２の実施形態に係るウェハレベルパッケージ（電子部品）を示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図。
【図７】第２の実施形態のパッケージの製造方法を説明する為の図で（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図。
【図８】図７に続く工程を説明する図。
【図９】第３の実施形態に係るウェハレベルパッケージ（電子部品）の図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は第２のキャップ層を外した状態でのパッケージの上面図、（ｃ）は第１のキャップ層を外した状態でのパッケージの上面図。
【図１０】第３の実施形態のパッケージの製造方法を説明する為の図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図。
【図１１】図１０に続く工程を説明する図。
【図１２】図１１に続く工程を説明する図。
【符号の説明】
【００５７】
１００…ＭＥＭＳ、２００…半導体素子、３００…半導体基板、３０１…パッシベーション膜、３０２…犠牲層、３０３…第１のキャップ層、３０４…開口部、３０５…補強柱（壁）、３０６…第２のキャップ層、３０７…補強部、４０５、５０５…補強柱、５０２…絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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