(57)【要約】【課題】第１の溝に交差する第２の溝をレーザ光線照射によって形成する場合に、交点直前の部分に生じる過熱を抑え、健全な製品を得る。【解決手段】はじめに第１の分割予定ラインＡに沿ってレーザ光線を照射して第１の溝Ｇ１を形成する際（第１次溝形成工程）には、第２の分割予定ラインＢとの交点Ｃを除いてレーザ光線を照射し、交点Ｃの部分は溝を形成せず不連続な溝とする。続いて第２の分割予定ラインＢにはレーザ光線を連続的に照射し、交点Ｃにも溝を形成して第１の溝Ｇ１と第２の溝Ｇ２とが交差した状態とする。第２の分割予定ラインＢに沿ってレーザ光線を照射する第２次溝形成工程において、第１の溝Ｇ１との交点Ｃの直前部分の熱を、交点Ｃを通過させて前方に放散させ、過熱を抑える。【選択図】図４
2009184002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延びる第１の分割予定ラインＡと、該第１の分割予定ラインＡと交差する方向に延びる第２の分割予定ラインＢとが形成されたワークを保持手段で保持し、
該保持手段と、前記ワークにレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段とを相対移動させる加工送りを行いながら、該レーザ光線照射手段から照射されるレーザ光線を、前記第１の分割予定ラインＡおよび前記第２の分割予定ラインＢに沿って照射して、該第１の分割予定ラインＡに第１の溝Ｇ１を、また、該第２の分割予定ラインＢに第２の溝Ｇ２をそれぞれ形成するレーザ加工方法であって、
前記第１の分割予定ラインＡに沿って前記加工送りを行いながら、前記レーザ光線照射手段から該第１の分割予定ラインＡにレーザ光線を照射して該第１の分割予定ラインＡに前記第１の溝Ｇ１を形成する第１次溝形成工程を行うにあたり、該第１の分割予定ラインＡにおける前記第２の分割予定ラインＢと交差する交点を除いた部分にレーザ光線を照射する第１次溝形成工程と、
前記第２の分割予定ラインＢに沿って前記加工送りを行いながら、前記レーザ光線照射手段からレーザ光線を照射して該第２の分割予定ラインＢに前記第２の溝Ｇ２を形成する第２次溝形成工程と
を含むことを特徴とするレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェーハ等の薄板材料にレーザ光線を照射して直線状の溝を形成するレーザ加工方法に係り、特に、形成する溝が交差する場合に好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスのチップ製造工程においては、略円盤状の半導体ウェーハの表面に、格子状に配列された分割予定ラインによって多数の矩形状のチップ領域を区画し、これらチップ領域にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成した後、ウェーハに対して裏面研削など必要な処理を行ってから、ウェーハを分割予定ラインに沿って切断して分割する、すなわちダイシングして、各チップ領域を半導体チップとして得ている。このようにして得られた半導体チップは、樹脂封止によりパッケージングされて、携帯電話やＰＣ（パーソナル・コンピュータ）等の各種電気・電子機器に広く用いられている。
【０００３】
ウェーハを半導体チップに個片化するダイシングの手段としては、高速回転させた薄い円盤状のブレードをウェーハに切り込ませるブレードダイシングが、従来より一般的である。ブレードダイシングは、平坦かつシャープな切断面が得られるなどの利点があるとされている。
【０００４】
一方、近年では、透過性のレーザ光線を分割予定ラインに沿って照射することによりウェーハをダイシングするレーザダイシングも採用されてきている。特許文献１には、ウェーハの表面側から分割予定ラインにレーザ光線を照射して溝を形成し、次いで、形成した溝に沿ってウェーハを劈開することで、チップを得る技術が提案されている。ウェーハの分割予定ラインの表面側が除去されて溝が形成されるのは、ウェーハの成分がレーザ光線照射によって加熱され、アブレーションと呼ばれる熱蒸散現象が発生することによる。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ウェーハのダイシングは、通常、一方向に延びる全ての分割予定ライン（第１の分割予定ライン）に対して例えば上記特許文献１のように溝（第１の溝）を形成し、次いで、第１の分割予定ラインに直交する第２の分割予定ラインに第２の溝を形成していく。したがって、レーザダイシングでは、第１の分割予定ラインに形成した第１の溝に対して、第２の分割予定ラインに沿って照射しているレーザ光線を直角に交差させる状況がある。ここで、ダイシングされたチップの、第２の分割予定ラインに沿って照射するレーザ光線が第１の溝に到達する直前の部分に、他の大部分と比較して異なる過熱の影響が発生していることがあった。
【０００７】
この過熱の影響とは、例えば、図７に示すように、第２の溝Ｇ２が第１の溝Ｇ１に到達する直前の部分の幅が拡大して、第２の溝Ｇ２の両側のチップ３の角部が直角に形成されないといった変形が挙げられる。図７で矢印は第２の分割予定ラインに照射するレーザ光線の進行方向を示している。また、直角に形成されなかった角部が脆弱化して抗折強度が低下し、割れや破損が生じる場合もある。また、ダイシング完了後に各チップ３をピックアップする際のピックアップのし易さにも影響がある。
【０００８】
ピックアップのし易さについて説明すると、ウェーハをダイシングする際には、搬送しにくいウェーハをハンドリングするために、ダイシングテープにウェーハを貼着し、ダイシングテープに貼着したダイシングフレームをハンドリングすることが行われている。この場合、ダイシング完了後はダイシングテープからチップを剥離してピックアップすることになるが、その際には剥離性が高い方が剥離しやすくて好ましい。そこで、ダイシングテープの粘着剤にＵＶ（紫外線）硬化型を用い、チップをピックアップする際にダイシングテープに紫外線を照射して粘着剤の粘着性を低下させ、これによってピックアップをし易くしている。
【０００９】
ところが、上記のようにダイシングの際に第２の分割予定ラインに沿って照射するレーザ光線が第１の溝に到達する直前の部分が過熱されると、その部分のＵＶ硬化型の粘着剤に変質が生じ、紫外線を照射しても粘着性が低下しないといったことが起こる。こうなると、ピックアップの際に、過熱されて粘着性が残っている部分がチップに付着し、ピックアップしにくいといった不具合が発生するのである。この不具合は、レーザ光線照射による加工が溝形成であっても、厚さをフルカットした場合であっても発生するものであった。ちなみに上記の変形や抗折強度の低下は、フルカットでは発生しやすく、溝形成では発生の頻度は少ない。
【００１０】
よって本発明は、第１の溝に交差する第２の溝をレーザ光線照射によって形成する場合に、交点直前の部分に生じる過熱を抑え、その過熱によって生じていた不具合を防止することができ、健全な製品を得ることができるレーザ加工方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のレーザ加工方法は、第１の方向に延びる第１の分割予定ラインＡと、該第１の分割予定ラインＡと交差する方向に延びる第２の分割予定ラインＢとが形成されたワークを保持手段で保持し、該保持手段と、ワークにレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段とを相対移動させる加工送りを行いながら、該レーザ光線照射手段から照射されるレーザ光線を、第１の分割予定ラインＡおよび第２の分割予定ラインＢに沿って照射して、該第１の分割予定ラインＡに第１の溝Ｇ１を、また、該第２の分割予定ラインＢに第２の溝Ｇ２をそれぞれ形成するレーザ加工方法であって、第１の分割予定ラインＡに沿って加工送りを行いながら、レーザ光線照射手段から該第１の分割予定ラインＡにレーザ光線を照射して該第１の分割予定ラインＡに第１の溝Ｇ１を形成する第１次溝形成工程を行うにあたり、該第１の分割予定ラインＡにおける第２の分割予定ラインＢと交差する交点を除いた部分にレーザ光線を照射する第１次溝形成工程と、第２の分割予定ラインＢに沿って加工送りを行いながら、レーザ光線照射手段からレーザ光線を照射して該第２の分割予定ラインＢに第２の溝Ｇ２を形成する第２次溝形成工程とを含むことを特徴としている。
【００１２】
本発明で言うワークに形成する“溝”とは、ワークの厚さが裏側まで貫通しない空所である通常の溝を前提としているが、この他に、ワークの厚さをフルカットした切断空間であるスリットを含む。すなわち本発明の溝とは、溝またはスリットのことである。また、ワークは特に限定はされないが、例えば上記半導体ウェーハ等のウェーハや、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、あるいは半導体製品のパッケージ、ガラス系あるいはシリコン系の基板、さらには、ミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。
【００１３】
本発明では、第１次溝形成工程で形成される第１の溝Ｇ１は、第２の分割予定ラインＢとの交点を除いた部分に間欠的に形成される。そして、第２次溝形成工程で第２の分割予定ラインＢに沿ってレーザ光線を連続的に照射することにより、第１の溝Ｇ１が形成されていなかった交点にもレーザ光線が照射されて溝が形成される。すなわち、第２の分割予定ラインＢに沿って照射するレーザ光線が交点を通過すると、交点を挟んで不連続であった第１の溝Ｇ１が連続し、かつ、第１の溝Ｇ１と第２の溝Ｇ２が交差する状態となる。
【００１４】
第２の分割予定ラインＢにおける第１の溝Ｇ１との交点の直前区間は、レーザ光線の焦点から第１の溝Ｇ１までの距離が短くなる。そして、従来はこの直前区間の前方には第１の溝Ｇ１が形成されているので熱が放散しにくく、過熱状態になりやすかった。本発明では、交点に第１の溝Ｇ１が形成されていないため、交点の直前区間の周辺で発生する熱が交点を通過して放散していく。したがって交点の直前区間で過熱しにくくなり、その結果、過熱によって発生していた不具合を防止することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、第１の溝に交差する第２の溝をレーザ光線照射によって形成する場合に、交点直前の部分に生じる過熱が抑えられため、その過熱によって生じていた異常加工や抗折強度の低下、さらにはピックアップ性の低下などの不具合の発生を防止することができ、もって健全な製品を得ることができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明に係る一実施形態を説明する。
［１］ワーク（半導体ウェーハ）
図１は、本実施形態での加工対象である薄板状のワークを示している。このワークはシリコン等を材料とする円盤状の半導体ウェーハ（以下、ウェーハと略称）である。このウェーハ１は、例えば、厚さが２００μｍ程度、直径が２００ｍｍ程度のものである。ウェーハ１の外周部の一部には、結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラット２が形成されている。
【００１７】
ウェーハ１の表面には、第１の方向（図１で左右方向）に延びる複数の第１の分割予定ラインＡと、第１の分割予定ラインＡに直交する方向（図１で上下方向）に延びる複数の第２の分割予定ラインＢとが形成されている。各分割予定ラインＡ，Ｂは、それぞれが互いに平行、かつ等間隔であり、格子状に配列されている。
【００１８】
格子状に配列された各分割予定ラインＡ，Ｂにより、ウェーハ１の表面には複数の矩形状のチップ３が区画されている。これらチップ３の表面には、図示せぬＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。各チップ３は、ウェーハ１に対して裏面研削による薄化などの必要に応じた処理がなされた後、全ての分割予定ラインＡ，Ｂが切断されてウェーハ１がダイシングされることにより、１つ１つが個片化したものとして得られる。分割予定ラインＡ，Ｂの切断は、レーザ光線照射によって溝を形成した後にブレードでフルカットしたり、レーザ光線照射のみでフルカットしたりすることによって行うことができる。本実施形態は、図３に示すレーザ加工装置１０により、ウェーハ１の分割予定ラインＡ，Ｂに沿ってレーザ光線を照射して溝を形成する方法である。
【００１９】
レーザ加工装置１０では、ウェーハ１は、円盤状のチャックテーブル（保持手段）４１上に表面を上に向けて水平にセットされ、レーザ光線照射手段５０のレーザヘッド５２から分割予定ラインＡ，Ｂに沿ってレーザ光線が照射されるようになっている。ウェーハ１をチャックテーブル４１にセットする際には、図２に示すように、ウェーハ１はダイシングテープ４を介してダイシングフレーム５に保持された状態とされる。
【００２０】
ダイシングテープ４は、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ５μｍ程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布された円形状の粘着テープである。ダイシングフレーム５は、ウェーハ１の直径よりも大きな内径を有する環状の薄板部材であって、金属等の剛性を有する材料からなるものであり、ダイシングテープ４の粘着面（図２で上面）の外周部分に貼着される。ウェーハ１は、ダイシングテープ４の粘着面の中央部分に裏面が貼着され、ダイシングテープ４を介してダイシングフレーム５に保持される。このようにしてダイシングテープ４およびダイシングフレーム５で保持されたウェーハ１は、ダイシングフレーム５をハンドリングすることにより搬送されてレーザ加工装置１０にセットされる。以下に、レーザ加工装置１０を説明する。
【００２１】
［２］レーザ加工装置
レーザ加工装置１０は基台１１を有しており、この基台１１上には、ＸＹ移動テーブル１２が、水平なＸ軸方向およびＹ軸方向に移動自在に設けられている。このＸＹ移動テーブル１２の上に上記チャックテーブル４１が設置されており、ＸＹ移動テーブル１２がＸ軸方向やＹ軸方向に移動することにより、レーザヘッド５２からウェーハ１の分割予定ラインＡ，Ｂに沿ってレーザ光線が照射されるようになっている。
【００２２】
ＸＹ移動テーブル１２は、基台１１上にＸ軸方向に移動自在に設けられたＸ軸ベース２０と、このＸ軸ベース２０上にＹ軸方向に移動自在に設けられたＹ軸ベース３０との組み合わせで構成されている。Ｘ軸ベース２０は、基台１１上に固定されたＸ軸方向に延びる一対の平行なガイドレール２１に摺動自在に取り付けられており、モータ２２でボールねじ２３を作動させるＸ軸駆動機構２４によってＸ軸方向に移動させられる。一方、Ｙ軸ベース３０は、Ｘ軸ベース２０上に固定されたＹ軸方向に延びる一対の平行なガイドレール３１に摺動自在に取り付けられており、モータ３２でボールねじ３３を作動させるＹ軸駆動機構３４によってＹ軸方向に移動させられる。
【００２３】
Ｙ軸ベース３０の上面には、円筒状のチャックベース４０が固定されており、このチャックベース４０の上に、チャックテーブル４１がＺ軸方向（上下方向）を回転軸として回転自在に支持されている。チャックテーブル４１は、ウェーハ１を真空吸引作用により吸着して保持する一般周知の真空チャック式のものであって、チャックベース４０内に収容された図示せぬ回転駆動機構によって一方向または両方向に回転させられる。チャックテーブル４１の周囲には、ダイシングフレーム５を着脱自在に保持する一対のクランプ４２が、互いに１８０°離れた位置に配設されている。これらクランプ４２は、チャックベース４０に取り付けられている。
【００２４】
この場合のＸＹ移動テーブル１２においては、Ｘ軸ベース２０がＸ軸方向に移動する状態が、レーザ光線照射を分割予定ラインＡまたはＢに沿って照射する加工送りとされる。そして、Ｙ軸ベース３０がＹ軸方向に移動する状態が、レーザ光線を照射する対象の分割予定ラインＡ（Ｂ）を切り替える割り出し方向とされる。なお、加工送り方向と割り出し方向は、この逆、つまり、Ｙ軸方向が加工方向、Ｘ軸方向が割り出し方向に設定されてもよく、限定はされない。
【００２５】
次に、レーザ光線照射手段５０を説明する。レーザ光線照射手段５０は、チャックテーブル４１の上方に向かってＹ軸方向に延びる直方体状のケーシング５１を有しており、このケーシング５１の先端に、上記レーザヘッド５２が設けられている。ケーシング５１は、基台１１の上面に立設されたコラム１３に、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って上下動自在に設けられており、コラム１３内に収容された図示せぬ上下駆動機構によって上下動させられる。
【００２６】
ケーシング５１内には、レーザ光線照射手段５０の構成要素として、ＹＡＧレーザ発振器、あるいはＹＶＯ４レーザ発振器からなるパルスレーザ光線発振器が収容されている（図示略）。また、ケーシング５１内には、パルスレーザ光線発振器が発振したレーザ光線の出力（パルスエネルギー）を調整する出力調整器や繰り返し周波数器等の付帯機器も収容されている。また、レーザヘッド５２内には、レーザ光線発振器から水平に照射されたパルスレーザ光線を下方に方向転換するミラーや、このミラーによって方向変換されたレーザ光線を集光するレンズ等が収容されている。レーザ光線照射手段５０によるレーザ光線の照射の制御（照射のＯＮ／ＯＦＦや出力の調整など）は、制御手段７０によって制御される。
【００２７】
図３に示すように、ケーシング５１の先端であってレーザヘッド５２の隣には、撮像手段６０が配設されている。この撮像手段６０は、レーザヘッド５２から照射されるレーザ光線の照射領域を撮像して検出するものであり、チャックテーブル４１にセットされたワーク（ここではウェーハ）を照明する照明手段や光学系、光学系で捕らえられた象を撮像するＣＣＤ等からなる撮像素子等を備えている。この撮像手段６０で撮像された画像情報は、制御手段７０に供給されるようになっている。
【００２８】
上記制御手段７０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムにしたがって演算処理するＣＰＵ（中央処理装置）７１と、制御プログラム等を格納するＲＯＭ（リード・オンリー・メモリ）７２と、ウェーハの種類や演算結果等を格納する読み書き可能なＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）７３と、カウンタ７４と、入力インターフェイス７５と、出力インターフェイス７６とを備えている。
【００２９】
制御手段７０のＣＰＵ７１には、入力インターフェイス７５を介して、Ｘ軸ベース２０の位置情報に基づく加工送り量の情報Ｘ１と、Ｙ軸ベース３０の位置情報に基づく割り出し送り量の情報Ｙ１と、チャックテーブル４１の回転角度情報Ｃ１と、レーザ光線照射手段５０のレーザ光線照射情報Ｌ１と、撮像手段６０からの画像情報Ｍ１等が供給される。そして、ＣＰＵ７１からは、出力インターフェイス７６を介して、Ｘ軸ベース２０を移動させるモータ２２と、Ｙ軸ベース３０を移動させるモータ３２と、チャックテーブル４１の回転駆動機構が備えるモータ等の駆動源と、レーザ光線照射手段５０と、撮像手段６０等に、制御信号Ｘ２，Ｙ２，Ｃ２，Ｌ２，Ｍ２，等が、それぞれ供給される。
【００３０】
［３］レーザ加工装置の動作ならびに溝形成方法
次に、本発明のレーザ加工方法に基づく溝形成方法を上記レーザ加工装置１０によって実施する例を説明する。溝形成に係る動作は、制御手段７０によって制御される。
【００３１】
図２に示したようにダイシングテープ４を介してダイシングフレーム５に保持されたウェーハ１は、真空運転されているチャックテーブル４１上に、チップ３が形成されている表面を上に向けて同心状に載置され、真空吸引作用により吸着、保持される。また、ダイシングフレーム５が、クランプ４２によって保持される。
【００３２】
次いで、ＸＹ移動テーブル１２を適宜にＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させてウェーハ１を撮像手段６０の直下に移動させ、ウェーハ１の表面全体が撮像手段６０の撮像範囲内に入る位置に、ウェーハ１を位置付ける。ウェーハ１の表面が撮像手段６０で撮像され、制御手段７０は、撮像された表面の分割予定ラインＡ，Ｂからパターンマッチング等の画像処理を行いながら、チャックテーブル４１を回転させ、はじめに溝を形成する側の分割予定ライン（ここでは第１の分割予定ラインＡとする）を、加工送り方向（Ｘ軸方向）と平行に設定するアライメント作業を行う。また、このアライメント作業とともに、制御手段７０は、制御手段７０自身が保有する座標上における各分割予定ラインＡ，Ｂの座標位置を認識し、加工のために必要な動作データを作成し、記憶する。次いで、以下のように、ウェーハ１に対して第１次溝形成工程と第２次溝形成工程とが施される。
【００３３】
［３−１］第１次溝形成工程（第１の分割予定ラインＡへの溝形成）
Ｘ軸ベース２０をＸ軸方向に移動させて、ウェーハ１をレーザヘッド５２から照射されるレーザ光線の焦点からＸ軸方向に外れた位置に位置付ける。また、Ｙ軸ベース３０を割り出し方向（Ｙ軸方向）に移動させて、１本の第１の分割予定ラインＡのＹ軸方向位置をレーザ光線の焦点に合致させる、すなわち割り出しを行う。さらに、ケーシング５１の上下位置を調整して、レーザヘッド５２から照射されるレーザ光線の焦点を第１の分割予定ラインＡに所定深さの溝が形成される位置に定める。
【００３４】
続いて、ウェーハ１がレーザヘッド５２に向かう方向にＸ軸ベース２０を移動させる加工送りを行う。加工送りの間に１本の第１の分割予定ラインＡがレーザ光線の焦点を通過し、この間に、レーザヘッド５２からレーザ光線を一定出力で照射することにより、第１の分割予定ラインＡに所定深さの第１の溝Ｇが形成される。
【００３５】
ここで本実施形態では、第１の分割予定ラインＡの全長にわたり連続してレーザ光線を照射するのではなく、第１の分割予定ラインＡにおける第２の分割予定ラインＢと交差する交点Ｃを除いた部分にレーザ光線を照射する。したがって、図４および図５に示すように、第１の分割予定ラインＡに形成される第１の溝Ｇ１は、交点Ｃを除いて間欠的に形成される。図５は、交点Ｃの間にレーザ光線Ｌａを照射して第１の溝Ｇ１を形成している状態を示している。このように第１の溝Ｇ１を間欠的に形成するには、加工送りの最中において、交点Ｃがレーザ光線の焦点を通過するときには、レーザ光線の照射を中断し、交点Ｃを通過したらレーザ光線の照射を再開するといったように、レーザ光線を断続的に照射する。
【００３６】
１本の第１の分割予定ラインＡに、上記のように第１の溝Ｇ１を間欠的に形成したら、次に、Ｙ軸ベース３０を割り出し方向に移動させて、先に第１の溝Ｇ１を形成した第１の分割予定ラインＡに隣接する第１の分割予定ラインＡのＹ軸方向位置をレーザ光線の焦点に合致させる割り出しを行う。続いてウェーハ１を加工送りしながら、次の第１の分割予定ラインＡに対し上記と同様にレーザ光線を断続的に照射し、第１の溝Ｇ１を間欠的に形成する。このように、往復の加工送りの間に割り出しを挟んだ動作を繰り返し行ってウェーハ１をジグザグに移動させ、その過程で、第１の分割予定ラインＡに、交点Ｃを除いてレーザ光線を照射する。これによって全ての第１の分割予定ラインＡにレーザ光線を断続的に照射して、複数の交点Ｃで不連続となっている複数の第１の溝Ｇ１を形成する。なお、交点Ｃを間に挟んだ第１の溝Ｇ１の不連続部分の距離は、第１の溝Ｇ１の幅に相当するか、第１の溝Ｇ１の幅よりも狭いものとするが、不連続部分の距離が長いほど熱の放散性は向上する。
【００３７】
［３−２］第２次溝形成工程（第２の分割予定ラインＢへの溝形成）
全ての第１の分割予定ラインＡに不連続な第１の溝Ｇ１を形成し終えたら、チャックテーブル４１を９０°回転させて第２の分割予定ラインＢをＸ軸方向と平行に設定するアライメント作業を行う。続いて、上記第１次溝形成工程と同様に、往復の加工送りの間に割り出しを挟んだ動作を繰り返し行ってウェーハをジグザグに移動させ、その過程で、第２の分割予定ラインＢにレーザ光線を照射する。第２の分割予定ラインＢへのレーザ光線照射は交点Ｃが通過する際にも中断することなく、連続して行う。これによって、全ての第２の分割予定ラインＢに第２の溝Ｇ２が形成され、第１の溝Ｇ１が形成されていなかった交点Ｃにもレーザ光線が照射されることにより溝が形成される。第２の溝Ｇ２の幅は第１の溝Ｇ１の幅と同一とされる。したがって、第２の分割予定ラインＢに沿って照射するレーザ光線が交点Ｃを通過すると、交点Ｃを挟んで不連続であった第１の溝Ｇ１が連続し、かつ、第１の溝Ｇ１と第２の溝Ｇ２が交差する状態となる。
【００３８】
ここで、溝形成のために照射するレーザ光線の条件の一例を挙げておく。
・光源…ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４
・波長…３５５ｎｍ
・繰り返し周波数…５０ｋＨｚ
・出力（パルスエネルギー）…平均８Ｗ
・集光スポット径…φ１５μｍ
・加工送り速度…２００ｍｍ／秒
また、チップ３は一辺が約５ｍｍの正方形状で、溝Ｇ１，Ｇ２の幅は２５μｍ程度である。また、溝Ｇ１，Ｇ２の深さは２０μｍ程度であり、交点Ｃの不連続部分の幅は２０μｍ程度である。
【００３９】
［４］ダイシング工程
全ての第２の分割予定ラインＢにレーザ光線を照射して第２次溝形成工程を終えたら、ウェーハ１に対する溝形成は完了する。この後は、各第１の溝Ｇ１と各第２の溝Ｇ２を、例えばブレードダイシングして各分割予定ラインＡ，Ｂを完全に切断し、各チップ３に個片化する。ブレードダイシングする場合には、ウェーハ１をチャックテーブル４１からダイシングフレーム５ごと取り外し、ブレードダイシング装置にセットして行う。そして、ウェーハ１のダイシングが完了したら、ピックアップ装置によって各チップ３がダイシングテープ４から剥離されてピックアップされ、複数のチップ３が得られる。
【００４０】
［５］実施形態の作用効果
従来のように第１の分割予定ラインＡが連続したものであった場合、第２の分割予定ラインＢに沿ってレーザ光線を照射する際の第１の溝Ｇ１との交点Ｃの直前区間の周辺は、レーザ光線の焦点から第１の溝Ｇ１までの距離が短くなるため、熱が放散しにくく過熱状態になりやすかった。ところが本実施形態では、第１の分割予定ラインＡにレーザ光線を照射する際、第２の分割予定ラインＢとの交点Ｃにはレーザ光線を照射せず第１の溝Ｇ１を形成しない。このため、第２の分割予定ラインＢに沿ってレーザ光線を照射した際の、交点Ｃの直前区間の周辺で発生する熱は、交点Ｃを通過してレーザ光線の焦点よりもさらに前方に放散していく。したがって交点Ｃの直前区間での過熱が起こりにくくなる。
【００４１】
図６は、１つのチップ３の一辺を形成する第２の溝Ｇ２の先端部分の温度を測定しながらレーザ光線を照射した際の温度変化を示す図である。加工送りに伴うレーザ光線の進行方向は図６で右から左であって、第１の溝Ｇ１（第１の分割予定ラインＡ）を通過した直後の始点から、次の第１の溝Ｇ１に到達する直前の終点までの温度を測定している。図中Ｔ１は第１の溝Ｇ１を連続させた場合の温度、Ｔ２は交点Ｃにはレーザ光線を照射せず第２の溝Ｇ２を不連続とした場合の温度を示している。図６で明らかなように、第１の溝Ｇ１を連続させた場合では、第１の溝の直前区間で温度が急激に上昇し（Ｔ１）、過熱状態が発生している。一方、交点Ｃにはレーザ光線を照射せず第１の溝Ｇ１を不連続とした場合には、交点Ｃの直前区間での大幅な温度上昇が抑えられ（Ｔ２）、過熱の発生が抑えられている。
【００４２】
このように、第２の分割予定ラインＢに沿ってレーザ光線を照射する際、第１の溝Ｇ１との交点Ｃの直前区間の過熱が抑えられることから、過熱によって発生していた不具合を防止することができる。ちなみにこの不具合とは、前述したように、交点Ｃの直前区間での第２の溝Ｇ２の幅の拡大によるチップの変形や、抗折強度の低下による割れや破損の招来である。なお、チップ３の変形や抗折強度の低下は、溝形成の場合よりもフルカットした際に顕著に起きており、したがってフルカットする場合に出力の調整は特に有効と言える。
【００４３】
また、使用したダイシングテープ４が、ＵＶ硬化型の粘着剤を用いたものであった場合には、チップ３のピックアップ時には紫外線をその粘着剤に照射することによって粘着力を低下させ、チップ３をダイシングテープ４から剥離しやすくすることが行われる。ＵＶ硬化型の粘着剤は、過熱されると変質し、紫外線が照射されても粘着性の低下が生じないという不具合が生じる。しかしながら、本実施形態では従来過熱が起こっていた交点Ｃの直前周辺の過熱が抑えられるので粘着剤の変質は起こらない。このため、チップ３はダイシングテープ４から円滑に剥離され、ＵＶ硬化型の粘着剤を使用することによるピックアップのし易さを確保することができる。
【００４４】
以上が本発明の実施形態であるが、本発明でのレーザ光線照射による溝形成は、厚さを貫通しない通常の溝の他に、厚さを貫通して切断するフルカットも含まれる。また、上記実施形態は、半導体ウェーハ１がワークであるが、本発明のワークは半導体ウェーハに限定されず、例えば、チップ実装用として半導体ウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、ガラス系あるいはシリコン系の基板、さらには、ミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料等、様々なものを対象としている。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係る方法で加工が施される半導体ウェーハの平面図である。
【図２】図１に示す半導体ウェーハを、ダイシングテープを介してダイシングフレームに保持した状態を示す斜視図である。
【図３】一実施形態の方法を実施するに好適なレーザ加工装置を示す斜視図である。
【図４】第１の分割予定ラインにレーザ光線を照射した状態（第１次溝形成工程）のウェーハを示す平面図である。
【図５】第１の分割予定ラインにレーザ光線を照射した状態を示す断面図である。
【図６】レーザ光線照射により形成される第２の溝の先端部分の温度変化測定値であって、Ｔ１は交点に第１の溝が形成されている場合（従来方法）、Ｔ２は交点に第１の溝が形成されていない場合（本発明方法）を示す。
【図７】従来方法（第１の溝を連続的に形成した方法）で形成された第１の溝と第２の溝の交点付近のチップの様子を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…半導体ウェーハ（ワーク）
４１…チャックテーブル（保持手段）
５０…レーザ光線照射手段
Ａ…第１の分割予定ライン
Ｂ…第２の分割予定ライン
Ｃ…交点
Ｇ１…第１の溝
Ｇ２…第２の溝
Ｌａ…レーザ光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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