(57)【要約】【課題】テープバーニッシュ工程により新たな異物が発生することを適切に防ぐ。また、テープバーニッシュ工程によりスクラッチが発生することを適切に防ぐ。【解決手段】磁気記録媒体の製造方法であって、基板を準備する準備工程Ｓ１０２と、基板上に磁気記録層を成膜する記録層成膜工程、及び磁気記録層を保護する保護層を成膜する保護層成膜工程を含む成膜工程Ｓ１０４と、保護層までが成膜された基板に対し、保護層の主表面上に液体が供給されるウェット処理によりテープバーニッシュを行うテープバーニッシュ工程Ｓ１０６と、テープバーニッシュ工程Ｓ１０６の後に、保護層上に潤滑層を成膜する潤滑層成膜工程Ｓ１１２とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体の製造方法であって、
基板を準備する準備工程と、
前記基板上に磁気記録層を成膜する記録層成膜工程と、
前記磁気記録層を保護する保護層を成膜する保護層成膜工程と、
前記保護層までが成膜された前記基板に対し、前記保護層の主表面上に液体が供給されるウェット処理によりテープバーニッシュを行うテープバーニッシュ工程と、
前記テープバーニッシュ工程の後に、前記保護層上に潤滑層を成膜する潤滑層成膜工程と
を備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記保護層までが成膜された前記基板に対して液体を用いるウェット洗浄を行うウェット洗浄工程であって、前記テープバーニッシュ工程の後に前記基板をウェット洗浄するウェット洗浄工程を更に備え、
前記潤滑層成膜工程は、前記ウェット洗浄工程の後に、前記潤滑層を成膜することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記ウェット洗浄工程は、前記保護層までが成膜された前記基板に対する超音波洗浄を行うことを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記磁気記録媒体は、磁気ヘッドの浮上量が８ｎｍ以下のＨＤＤ用の磁気記録媒体であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報処理機器の記録媒体として使用される磁気ディスク等の磁気記録媒体は、例えば、磁気記録層、保護層、及び潤滑層等を備える。従来、磁気ディスクの製造工程において、潤滑剤の塗布工程後に加工テープを用いたテープバーニッシュ工程を導入する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。テープバーニッシュ工程を行うことにより、例えば、先の工程で付着した異物や異常突起を除去し、磁気ヘッドの安定浮上を確保できる。
【特許文献１】特開２００６−４８８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年の記録密度の高密度化に伴い、ＨＤＤ等において、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間隙がより狭くなり、磁気ヘッドの浮上量も低フライングハイト化が進んでいる。例えば、近年、磁気ヘッドの浮上量として、８ｎｍ以下というような低フライングハイトが要求されてきている。
【０００４】
このように浮上量が小さくなると、磁気ディスクの主表面上において許容される異物や異常突起の粒径もより小さくなる。そして、より小さな異物が問題になる状況においては、テープバーニッシュによって削られた異常突起やテープバーニッシュに用いるテープから剥離した粒子等が問題となる異物となって磁気記録媒体上に残り、磁気ヘッドの浮上量の低減の妨げとなるおそれがある。
【０００５】
また、従来、基板上に異物が存在する状態でテープバーニッシュ工程を行うと、保護層の主表面に傷が付くスクラッチが発生する場合があった。このようなスクラッチが発生すると、例えば微小なスクラッチであっても、磁気記録媒体に対する情報の読み書き時にエラーの原因となり、信頼性が低下するおそれがある。また、歩留まりの低下の原因にもなる。更には、従来のテープバーニッシュ工程においては、保護層とテープとの接触により生じる発熱量が大きく、問題になるおそれもあった。摩擦による発熱量が多いと、例えば、磁気記録層の磁気特性に影響が生じるおそれもある。
【０００６】
そのため、従来、これらの問題が生じない方法でテープバーニッシュを行うことが求められていた。本発明は、この課題を解決できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
テープバーニッシュによって削られた異常突起等が磁気記録媒体上に残ることを防ぐためには、例えば、テープバーニッシュ工程の後に、ウェット洗浄又はドライ洗浄により磁気記録媒体を洗浄することが考えられる。
【０００８】
しかし、近年においては、問題となる異物のサイズが非常に小さくなっている。そのため、このような洗浄により異物を十分に除去することは困難である。また、洗浄工程の追加により、工程増によるコストの増大を招くおそれがある。特に、テープバーニッシュ工程の後にウェット洗浄を行おうとすると、磁気記録媒体を乾燥させる工程等も新たに必要となり、工程増の影響が大きい。また、この方法では、例えば、保護層とテープとの接触により生じる発熱の問題は解決できない。
【０００９】
そこで、本願発明者は、まず、ウェット処理によりテープバーニッシュを行うことを検討した。ウェット処理によりテープバーニッシュを行えば、削られた異常突起等が磁気記録媒体上に残ることを適切に防ぐことができる。また、テープバーニッシュを行う前に基板上に異物が付着している場合であっても、例えばウェット処理により異物を洗い流すことで、テープバーニッシュによるスクラッチの発生を防ぐことができる。更には、テープと保護層との間に液体を介在させることにより、保護層とテープとの接触により生じる発熱を防ぐこともできる。
【００１０】
しかし、例えば単に従来のテープバーニッシュ工程をウェット処理により行った場合、テープバーニッシュ時に供給される液体により潤滑層に影響が生じるおそれがある。また、テープバーニッシュ工程の後に磁気記録媒体を乾燥させる工程等が必要になり、工程増によるコストの増大を招くおそれがある。そのため、従来のテープバーニッシュ工程をそのままウェット処置で行うことは好ましくない。
【００１１】
そこで、本願発明者は、更に鋭意研究を行い、保護層の成膜後、潤滑層の成膜前にウェット処理によりテープバーニッシュを行うことにより、上記の問題点を解決し得ることを見出した。本発明は、以下の構成を有する。
【００１２】
（構成１）磁気記録媒体の製造方法であって、基板を準備する準備工程と、基板上に磁気記録層を成膜する記録層成膜工程と、磁気記録層を保護する保護層を成膜する保護層成膜工程と、保護層までが成膜された基板に対し、保護層の主表面上に液体が供給されるウェット処理によりテープバーニッシュを行うテープバーニッシュ工程と、テープバーニッシュ工程の後に、保護層上に潤滑層を成膜する潤滑層成膜工程とを備える。この磁気記録媒体は、例えば、垂直磁気記録方式のＨＤＤに搭載される垂直磁気記録媒体である。
【００１３】
このようにした場合、潤滑層の成膜前にテープバーニッシュ工程を行うため、ウェット処理のテープバーニッシュの影響が潤滑層に生じることはない。そのため、このようにすれば、例えば、ウェット処理のテープバーニッシュを適切に行うことができる。また、これにより、例えば、テープバーニッシュにより削られた異常突起等が磁気記録媒体上に残ることを適切に防ぐことができる。
【００１４】
また、例えばテープバーニッシュを行う前に基板上に異物が付着している場合であっても、ウェット処理により異物を洗い流すことにより、テープバーニッシュによるスクラッチの発生を適切に防ぐことができる。また、これにより、磁気記録媒体の信頼性を向上させることができる。また、磁気記録媒体の製造時の歩留まりを向上させることができる。更には、テープと保護層との間に液体を介在させることにより、保護層とテープとの接触により生じる発熱を防ぐこともできる。
【００１５】
尚、磁気記録媒体において基板上に成膜される各層のうち、テープバーニッシュで除去すべき異物の発生源となるのは、保護層までである。潤滑層は、硬質の保護層までと異なり、一般に、異物の発生源にはならない。そのため、構成１のようにすれば、異物の発生源となる最後の層である保護層の成膜後にテープバーニッシュを行うことにより、テープバーニッシュによる異物の除去を適切に行うことができる。
【００１６】
（構成２）保護層までが成膜された基板に対して液体を用いるウェット洗浄を行うウェット洗浄工程であって、テープバーニッシュ工程の後に基板をウェット洗浄するウェット洗浄工程を更に備え、潤滑層成膜工程は、ウェット洗浄工程の後に、潤滑層を成膜する。このようにすれば、例えば、テープバーニッシュによって削られた異常突起等が磁気記録媒体上に残ることをより適切に防ぐことができる。
【００１７】
尚、潤滑層の成膜前のウェット洗浄は、例えば潤滑層の密着性を高める目的で、従来においても行われている。そのため、構成２のようにした場合も、例えば、工程数を増加させることなく、ウェット洗浄工程を適切に行うことができる。
【００１８】
（構成３）ウェット洗浄工程は、保護層までが成膜された基板に対する超音波洗浄を行う。このようにすれば、例えば、テープバーニッシュによって削られた異常突起等が磁気記録媒体上に残ることをより適切に防ぐことができる。また、この場合も、構成２の場合と同様に、工程数を増加させることなく、ウェット洗浄工程を適切に行うことができる。
【００１９】
（構成４）磁気記録媒体は、磁気ヘッドの浮上量が８ｎｍ以下のＨＤＤ用の磁気記録媒体である。磁気ヘッドの浮上量がこのように小さい場合、問題となる異物のサイズが特に小さくなる。そのため、テープバーニッシュ工程で異物を発生させないこと等がより重要になる。これに対し、構成４のようにすれば、適切にテープバーニッシュ工程を行うことができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、例えば、テープバーニッシュ工程により新たな異物が発生することを適切に防ぐことができる。また、例えば、テープバーニッシュ工程によりスクラッチが発生することを適切に防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体１００の構成の一例を示す。磁気記録媒体１００は、垂直磁気記録方式のＨＤＤに用いられる磁気ディスクであり、例えば、磁気ヘッドの浮上量が８ｎｍ以下のＨＤＤに用いられる。また、本例において、磁気記録媒体１００は、基板１１０、軟磁性層１１２、磁気記録層１１４、保護層１１６、及び潤滑層１１８を、この順番で備える。
【００２２】
基板１１０は、磁気記録媒体１００の基体（ディスク基体）である。基板１１０は、例えばアモルファスのアルミノシリケートガラス等で形成されたガラスディスクであることが好ましい。アルミノシリケートガラスは、平滑かつ高剛性が得られるので、磁気的スペーシング、特に、磁気ヘッドの浮上量をより安定して低減できる。また、アルミノシリケートガラスは化学強化により、高い剛性強度を得ることができる。
【００２３】
軟磁性層１１２及び磁気記録層１１４は、基板１１０上に、例えば、真空引きを行った成膜装置を用い、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて順次成膜される。軟磁性層１１２は、磁気ヘッドとの間に磁気回路を構成する層であり、例えばアモルファスの軟磁性材料で形成される。アモルファスの軟磁性材料としては、例えばＦｅＣｏＴａＺｒを用いることができる。磁気記録層１１４は、ＣｏＣｒＰｔ等の硬磁性の磁性粒子を含む層である。磁気記録層１１４は、ＴｉＯ２等の酸化物のマトリクス中に磁性粒子が分散するグラニュラ構造の層であることが好ましい。
【００２４】
保護層１１６は、磁気ヘッドの衝撃から磁気記録層１１４を防護する層である。保護層１１６は、例えば、軟磁性層１１２及び磁気記録層１１４等の成膜後に真空を保ったまま、ＣＶＤ法によりカーボン膜を成膜して形成する。一般に、ＣＶＤ法によって成膜されたカーボンは、スパッタリング法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上する。そのため、このようにすれば、磁気ヘッドからの衝撃に対して、より有効に磁気記録層１１４を防護できる。
【００２５】
尚、保護層１１６を構成するカーボン膜は、例えば炭化水素（水素化カーボン）の膜である。水素化カーボンを用いることにより、膜強度を適切に向上させることができる。また、これにより、磁気ヘッドからの衝撃に対して、磁気記録層１１４をより適切に防護できる。
【００２６】
潤滑層１１８は、磁気ヘッドに対して磁気記録媒体１００の表面の潤滑性を高める層である。潤滑層１１８は、例えばＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いて、ディップコート法により成膜する。ＰＦＰＥは、直鎖構造を備えており、磁気ディスクに必要な適度な潤滑性能を発揮する。また、末端基に水酸基（ＯＨ）を備えることで、カーボン膜である保護層１１６に対して高い密着性能を発揮する。潤滑層１１８の膜厚は、例えば約１ｎｍ（例えば０．５ｎｍ〜２ｎｍ）とすることが好ましい。
【００２７】
尚、上記では説明を簡単にするために省略したが、磁気記録媒体１００は、更に他の層を備えてもよい。例えば、磁気記録媒体１００は、基板１１０と軟磁性層１１２との間に、基板１１０に対する軟磁性層１１２の付着層を高める付着層を更に備えてもよい。また、軟磁性層１１２と磁気記録層１１４との間に、磁気記録層１１４の結晶配向等を制御する中間層を更に備えてもよい。また、磁気記録層１１４と保護層１１６との間に、面方向に磁性が連続している磁性層である連続層を更に備えてもよい。連続層を設けることにより、磁気記録層１１４の熱安定性を高めることができる。
【００２８】
図２は、磁気記録媒体１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。本フローチャートでは、最初に、磁気記録媒体１００の各層が成膜される基板１１０を準備する（準備工程Ｓ１０２）。そして、例えば公知の方法により、基板１１０上に、保護層１１６までの各層を順次成膜する（成膜工程Ｓ１０４）。本例において、成膜工程Ｓ１０４は、例えば、基板１１０上に軟磁性層１１２を成膜する軟磁性層成膜工程、軟磁性層１１２上に磁気記録層１１４を成膜する記録層成膜工程、及び磁気記録層１１４上に保護層１１６を成膜する保護層成膜工程を含む工程である。
【００２９】
続いて、保護層１１６までが成膜された基板１１０に対し、テープバーニッシュを行う（テープバーニッシュ工程Ｓ１０６）。本例において、テープバーニッシュ工程Ｓ１０６は、保護層１１６の主表面上に液体が供給されるウェット処理により、テープバーニッシュを行う。また、この液体として、例えば超純水を供給する。
【００３０】
そして、テープバーニッシュ工程Ｓ１０６の後に、超音波洗浄を含むウェット洗浄を行う（ウェット洗浄工程Ｓ１０８）。ウェット洗浄工程Ｓ１０８は、保護層１１６までが成膜された基板１１０を液体を用いて洗浄する工程であり、例えば、超純水による超音波洗浄と、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）による超音波洗浄とをこの順番で行う。また、、ウェット洗浄工程Ｓ１０８に続いて、基板１１０を乾燥させる（乾燥工程Ｓ１１０）。乾燥工程Ｓ１１０は、例えば、ＩＰＡの蒸気乾燥を行う。
【００３１】
そして、ウェット洗浄工程Ｓ１０８及び乾燥工程Ｓ１１０の後に、潤滑層１１８の成膜を行う（潤滑層成膜工程Ｓ１１２）。潤滑層成膜工程Ｓ１１２は、例えば、ディップコート法により保護層１１６上にＰＦＰＥを塗布し、更にベーク処理をすることにより、潤滑層１１８を成膜する。続いて、例えば磁気記録媒体１００に対する検査を行って（検査工程Ｓ１１４）、フローチャートを終了する。尚、潤滑層１１８の成膜後に更にドライ処理によるテープバーニッシュを行ってもよい。
【００３２】
本例によれば、潤滑層１１８の成膜前にテープバーニッシュ工程を行うため、ウェット処理のテープバーニッシュの影響が潤滑層１１８に生じることはない。そのため、ウェット処理のテープバーニッシュを適切に行うことができる。
【００３３】
また、これにより、例えば、テープバーニッシュにより削られた異常突起等が磁気記録媒体１００上に残ることを適切に防ぐことができる。また、テープバーニッシュを行う前に基板１１０上に異物が付着している場合であっても、例えばウェット処理により異物を洗い流すことで、テープバーニッシュによるスクラッチの発生を防ぐことができる。更には、テープと保護層１１６との間に液体を介在させることにより、保護層１１６とテープとの接触により生じる発熱を防ぐこともできる。
【００３４】
ここで、テープバーニッシュ工程Ｓ１０６について更に詳しく説明する。図３は、テープバーニッシュ工程Ｓ１０６で用いるテープバーニッシュ装置２００の構成の一例を示す。本例において、テープバーニッシュ装置２００は、支持部２０２、スピンドル２０４、複数のローラ２０６、複数のテープリール２０８、複数のテープ２１０、及び超純水吹き出し口２１２を備える。テープバーニッシュ装置２００は、ローラ２０６に代えて、例えばパッドを備えてもよい。
【００３５】
支持部２０２は、保護層１１６までが成膜された基板１１０を支持する軸部材であり、基板１１０の中心を通る軸に対して基板１１０を回転させる。スピンドル２０４は、支持部２０２との間に基板１１０を挟むことにより、支持部２０２に基板１１０を支持させる。複数のローラ２０６のそれぞれは、基板１１０の両主表面の一方及び他方側にそれぞれ設けられ、基板１１０との間にテープ２１０を挟んで基板１１０に押し当てられる。複数のテープリール２０８は、それぞれのテープ２１０の両端に設けられ、テープ２１０の一端及び他端をそれぞれ巻き取る。テープ２１０は、テープバーニッシュ用の加工テープである。超純水吹き出し口２１２は、保護層１１６上に供給される液体の一例である超純水３００の吹き出し口である。本例において、テープバーニッシュを行う間、超純水吹き出し口２１２は、保護層１１６上に超純水３００を常に供給する。
【００３６】
テープバーニッシュ工程Ｓ１０６において、基板１１０の回転数は、例えば５００〜４０００ｒｐｍ、望ましくは１０００〜３０００ｒｐｍとする。また、ローラ２０６を基板１１０に押し当てる加重は、例えば１０〜１５０ｇとする。ローラ２０６の加重は、１００ｇ以下、例えば３０〜１００ｇとすることが望ましい。加重が大きすぎると、スクラッチが発生しやすくなるおそれがある。また、ローラ２０６又はパッドの硬度（ショアＡ硬度）は、例えば２０〜６０°、望ましくは２５〜４０°とする。ローラ２０６又はパッドが硬すぎると、スクラッチが発生しやすくなるおそれがある。
【００３７】
また、テープ２１０の粒度は、例えば０．１〜１μｍ、望ましくは０．１〜１μｍとする。ローラ２０６によるテープ２１０の送り速度（シーク速度）は、例えば５０〜２００ｍｍ／Ｍｉｎ、望ましくは５０〜１００ｍｍ／Ｍｉｎとする。このようにすれば、ウェット処理のテープバーニッシュを適切に行うことができる。尚、テープ２１０の送りを行わずにテープバーニッシュを行うこともできる。
【００３８】
以下、実施例及び比較例により、本発明について更に詳しく説明する。
（実施例１）
実施例１に係る磁気記録媒体１００として、基板１１０上に、付着層、軟磁性層１１２、中間層、磁気記録層１１４、連続層、保護層１１６、及び潤滑層１１８をこの順で備える磁気記録媒体１００を作成した。最初に、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。そして、このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ディスク基体である基板１１０を得た。基板１１０の直径は、６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、ディスク厚は０．６３５ｍｍの２．５インチ型磁気ディスク用基板である。得られた基板１１０の表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察したところ、Ｒｍａｘが２．１８ｎｍ、Ｒａが０．１８ｎｍの平滑な表面であることを確認した。尚、Ｒｍａｘ及びＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ）に従う。
【００３９】
次に、基板１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングで順次、付着層から連続層までの各層を成膜した。まず、付着層として、１０ｎｍのＣｒＴｉ層を成膜した。次に、軟磁性層１１２として、非磁性層を挟んで反強磁性交換結合する２層の軟磁性材料の層の積層膜を成膜した。軟磁性層１１２の成膜においては、最初に、１層目の軟磁性材料の層として、２５ｎｍのアモルファスＦｅＣｏＴａＺｒ層を成膜した。次に、非磁性層として、２ｎｍのＲｕ層を成膜した。そして、２層目の軟磁性材料の層として、１層目の軟磁性材料の層と同様にして、２５ｎｍのアモルファスＦｅＣｏＴａＺｒ層を成膜した。
【００４０】
続いて、中間層として、最初に、１０ｎｍのＮｉＷ層を成膜した。そして、その上に、それぞれの膜厚が１０ｎｍである２層のＲｕ層を成膜した。尚、下層側のＲｕ層の成膜時におけるスパッタリングガスのガス圧は、上層側のＲｕ層の成膜時におけるスパッタリングガスのガス圧よりも小さくした。そして、Ｒｕ層の上に、１．０ｎｍのＣｏＣｒ−ＳｉＯ２層、及びＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３層を更に成膜した。
【００４１】
また、中間層上に、磁気記録層１１４として、ｈｃｐ構造のＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２からなる硬磁性体のターゲットを用いて、８ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２層を成膜した。次に、連続層として、７．５ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ膜を成膜した。そして、連続層の成膜に続いて、ＣＶＤ法により、炭化水素（水素化カーボン）からなる保護層１１６を成膜した。保護層１１６の膜厚は、５ｎｍとした。
【００４２】
続いて、保護層１１６までが成膜された基板１１０に対し、図３を用いて説明した方法により、テープバーニッシュ工程を行った。テープバーニッシュ工程において、基板１１０の回転数は、２０００ｒｐｍとした。ローラ２０６の加重は、５０ｇとした。ローラ２０６の硬度は、３０°とした。また、テープ２１０の粒度は、０．５μｍとした。テープ２１０のシーク速度は、８０ｍｍ／Ｍｉｎとした。また、テープバーニッシュ工程に続いて、ウェット洗浄工程として、超純水による超音波洗浄と、ＩＰＡによる超音波洗浄を行った。そして、乾燥工程として、ＩＰＡの蒸気乾燥を行った。
【００４３】
そして、この後、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）からなる潤滑層１１８を、ディップコート法により形成した。潤滑層１１８の膜厚は１ｎｍとした。以上のようにして、実施例１に係る磁気記録媒体１００を作成した。また、磁気記録媒体１００の作成後、検査工程として、スクラッチの有無の検査と、所定サイズ以上の異物の検出とを行った。異物の検出においては、磁気ヘッドの浮上量が８ｎｍ以下のＨＤＤ用の磁気記録媒体において問題となるサイズの異物の検出を行った。
【００４４】
（比較例１）
テープバーニッシュ工程を潤滑層の成膜後に行った。また、液体の供給を行わず、ドライ条件でのテープバーニッシュを行った。これら以外は実施例１と同様にして、比較例１に係る磁気記録媒体を作成した。
【００４５】
（評価）
実施例１に係る磁気記録媒体１００、及び比較例１に係る磁気記録媒体をそれぞれ１００枚作成し、検査工程の結果による評価を行った。実施例１において、スクラッチの発生はなかった。これは、ウェット条件でのテープバーニッシュを行うことにより、スクラッチの発生が抑えられたためであると考えられる。また、問題となる異物の数は、８ｎｍ以下のＨＤＤ用の磁気記録媒体において満たすべき基準値以下であった。これは、テープバーニッシュ時の液体の供給によって異物が十分に除去されたためであると考えられる。
【００４６】
一方、比較例１においては、１００枚中７枚の磁気記録媒体にスクラッチが発生した。これは、保護層上に残った異物が原因でテープバーニッシュ時に発生したと考えられる。また、１００枚中９枚の磁気記録媒体において、基準値を超える数の異物が検出された。これは、ドライ条件のテープバーニッシュでは、異物を十分に除去できなかったためであると考えられる。
【００４７】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、例えば、磁気記録媒体に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体１００の構成の一例を示す図である。
【図２】磁気記録媒体１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図３】テープバーニッシュ装置２００の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１００・・・磁気記録媒体、１１０・・・基板、１１２・・・軟磁性層、１１４・・・磁気記録層、１１６・・・保護層、１１８・・・潤滑層、２００・・・テープバーニッシュ装置、２０２・・・支持部、２０４・・・スピンドル、２０６・・・ローラ、２０８・・・テープリール、２１０・・・テープ、２１２・・・超純水吹き出し口、３００・・・超純水
【図１】
2009087456.tif 000003
【図２】
2009087456.tif 000004
【図３】
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