(57)【要約】【課題】処理工程数を多くすることなく、低コストで、試験検体である電子部品のバーンイン基板における実装数の向上を図ることができる当該電子部品の試験装置用部品用部品及び試験方法を提供する。【解決手段】電子部品の試験装置用部品は、主面に電極２６が形成された基板１１と、前記基板１１に実装される電子部品１７を押圧するための押圧部材１５と、を備え、前記押圧部材１５により電子部品１７が押圧されると、前記電子部品１７のリード部２５が弾性変形し、前記電極２６の端部と前記電子部品１７のリード部２５とが接触して、当該接触状態が維持されることを特徴とする。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験基板と、
前記試験基板の主面に設けられた突起電極と、
前記試験基板の主面に設けられ、電子部品を位置決めする位置決め部と、
前記位置決め部により位置決めされた電子部品を押圧して、前記電子部品のリード部を前記突起電極に当接させることにより、前記リード部を弾性変形させつつ前記突起電極に接触させる押圧子と、
を備えることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記突起電極は、前記試験基板上に設けられたコンタクト基板に形成されていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
【請求項３】
請求項２記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記突起電極は、前記コンタクト基板の基材の外周面に設けられていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
【請求項４】
請求項１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記突起電極は、前記試験基板上に設けられたチップ部品に形成されていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
【請求項５】
請求項１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記試験基板に搭載された前記電子部品の本体の下方にスペーサが設けられ、
前記スペーサの上面と前記電子部品の本体の下面との間にはクリアランスが形成され、
前記クリアランスは、前記電子部品の押圧により前記電子部品の本体の下面が前記スペーサの上面に接触した状態でも、前記リード部の変形が弾性変形となる範囲に設定されていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
【請求項６】
試験基板に複数の電子部品が接続されたリードフレームを搭載する工程と、
前記リードフレームに接続された前記電子部品を押圧して、前記電子部品のリード部を前記基板に設けられた突起電極に当接させることにより、前記リード部を弾性変形させつつ前記突起電極に接触させる工程と、
前記突起電極を通して、前記電子部品の電気的試験を実行する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の試験方法。
【請求項７】
請求項６記載の電子部品の試験方法であって、
前記リード部は、前記突起電極に対して傾斜した姿勢で接触することを特徴とする電子部品の試験方法。
【請求項８】
請求項７記載の電子部品の試験方法であって、
前記複数の電子部品は、サポートバーによって前記リードフレームに接続されていることを特徴とする電子部品の試験方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかに記載の電子部品の試験方法であって、
前記試験基板に前記リードフレームを搭載する前に、前記リードフレームから前記リード部の端部を切断する工程を備えることを特徴とする電子部品の試験方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか記載の電子部品の試験方法であって、
前記電子部品を押圧したときに、前記電子部品の本体の下方に配置されたスペーサに、前記電子部品の本体を当接させることにより、前記リード部の変形を弾性変形の範囲内に制限することを特徴とする電子部品の試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の試験装置用部品及び試験方法に関し、より具体的には、リードを有する半導体集積回路等の電子部品の特性を試験する試験装置用部品及び試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信機器等の電子機器に対する小型化、薄型化、及び高性能化等が要求されており、電子機器の内部に搭載される半導体装置に対しても小型化、薄型化、及び高性能化等が要求されている。そのため、例えば、半導体素子の寸法と同等又はこれよりも僅かに大きな寸法を有するパッケージであるＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置が提案されている。
【０００３】
しかしながら、例えば車載用の半導体装置にあっては、過酷な環境下で動作されることがある。そこで、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置又はＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置等のリードピンを用いた表面実装型の半導体装置が多く使われている。
【０００４】
そして、近年の自動車の電子制御の多様化及びハイブリッド化、及び自動車部品の共通化に伴い、半導体装置の生産及び試験工程においても高いスループット性が必要とされる。特に、初期不良を除くため、半導体装置に温度及び電圧ストレスを印加する加速試験が行われるバーンイン処理においては、約８乃至４８時間以上の時間が必要とされる。従って、当該試験の効率を向上させるためには、試験１回当たりの検体（半導体装置）の数を向上させることが要求されている。
【０００５】
図１に、バーンイン処理において用いられる従来のバーンイン基板１を示す。
【０００６】
図１に示すバーンイン基板１の一方の端部には、図示を省略するバーンイン装置に接続されるエッジ端子部２が設けられている。また、バーンイン基板１の主面において、エッジ端子部２以外の箇所には、半導体パッケージ４（図２参照）が搭載されるソケット３が多数搭載されている。
【０００７】
図２に、図１に示すソケット３と、当該ソケット３に搭載される半導体パッケージ４を示す。また、図３に、半導体パッケージ４が搭載され、カバー５が上部に設けられ、バーンイン基板１に実装されたソケット３を示す。
【０００８】
ソケット３の略中央には半導体パッケージ搭載部３ａが設けられている。そして、半導体パッケージ搭載部３ａの外側には、バネ性を有する複数の接触子３ｂが設けられている。接触子３ｂの一方の端部は、バーンイン基板１に形成されたスルーホール６に挿入されており、バーンイン基板１に半田付けされている。カバー５の内側部分に延在形成された接触部５ａが接触子３ｂに接触すると、接触子３ｂの他方の端部が半導体パッケージ搭載部３ａに搭載される半導体パッケージ４のリード４ａに接触する。
【０００９】
半導体パッケージ４のリード４ａは、半導体素子を樹脂封止して成る樹脂部４ｂの互いに対向する二つの側面に設けられており、例えば銅（Ｃｕ）合金又は鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金からなる。
【００１０】
ソケット３の接触子３ｂの端部は、半導体パッケージ４のリード４ａに対応して位置しているため、図２に矢印で示すように、リードフレーム（図示を省略）から分離され出荷形態と同じ形状を備えた半導体パッケージ４をソケット３に搭載すると、ソケット３により、半導体パッケージ４が位置決めされ、接触子３ｂと半導体パッケージ４との電気的接触を行うことができる。
【００１１】
また、ＩＣのリードを押圧する押圧子が設けられた蓋部と、リードを支持するコンタクト棒が設けられたバーンインボードとにより、ＩＣのリードを挟みこむ構造が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第２９２０８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、図１に示すバーンイン基板１に多数搭載されたソケット３に半導体パッケージ４を搭載及び取り除くためには、ソケット３毎に半導体パッケージ４を出し入れする必要がある。例えば１枚のバーンイン基板１にソケット３が１００個搭載されている場合には、半導体パッケージ４を１００回出し入れする必要がある。
【００１３】
そのため、自動機を使用してソケット３に半導体パッケージ４を搭載及び取り除く場合であっても、個々のソケット３に対して上記作業を行う必要があり、多くの時間を要する。
【００１４】
また、バーンイン基板１におけるソケット３の搭載数を増やすと、図示を省略するバーンイン装置に１回で投入される半導体パッケージ４の数が増え、作業効率が上昇する。しかしながら、図１乃至図３に示すソケット３は、その構造上、バーンイン基板１において搭載密度を上げることは困難である。
【００１５】
即ち、バーンイン基板１には、半導体パッケージ４等の電子部品をバーンインするための電気回路をバーンイン基板１上に形成する必要があることから、半導体パッケージ４のリード処理のために抵抗等の素子が実装されることが多い。バーンイン基板１に形成されたスルーホール６に接触子３ｂを挿入して、バーンイン基板１にソケット３を搭載する態様では、バーンイン基板１における前記素子の実装領域は、ソケット３の搭載箇所よりも外側となり、スルーホール６を介して実装されるソケット３では素子の実装エリアはＩＣソケットの外周になってしまうため、実装数向上の妨げとなる。よって、バーンイン基板１におけるソケット３の搭載密度を上げることは困難である。
【００１６】
かかる問題に対応すべく、個片化された半導体パッケージ４ではなく、個片化される前の複数の半導体パッケージ４が接続されたリードフレーム単位で、バーンイン基板１に接続させる態様が考えられる。かかる態様によれば、１つのリードフレームに接続されている半導体パッケージ４の個数は複数あるため、これら半導体パッケージ４を一括して扱うことにより、工程数の削減を図ることができる。
【００１７】
しかしながら、かかる態様では、リードフレームに接続された個々の半導体パッケージ４のピッチは狭いため、ソケット３に設けられたバネ性を有する接触子３ｂを狭い領域に配設することは困難である。また、小型のソケットの開発には高精度の加工条件が要求され、コストが高くなってしまうおそれがある。
【００１８】
また、半導体パッケージ４に狭ピッチで設けられたリード４ａへの電気的接続方法として、バネ性を有する接触子３ｂの代わりにプローブピンを用いる態様が考えられる。しかしながら、プローブピンは、１本当たりの価格が接触子３ｂに比し高く、組立て工数も多い。よって、プローブピンを用いた半導体パッケージ４のリード４ａへの電気的接続では、製造コストの上昇を招くおそれがある。
【００１９】
更に、蓋部の押圧子でＩＣのリードを押圧する特許文献１に記載の態様にあっては、リードが押圧子により面で押圧される構成となっている。従って、電気的接続を図るべくリードに形成された酸化膜を剥がすためには、大きな力を要し、リードの塑性変形を引き起こすおそれがある。
【００２０】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、処理工程数を多くすることなく、低コストで、試験検体である電子部品のバーンイン基板における実装数の向上を図ることができる当該電子部品の試験装置用部品用部品及び試験方法を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の実施の形態の一観点によれば、主面に電極が形成された基板と、前記基板に実装される電子部品を押圧するための押圧部材と、を備え、前記押圧部材により電子部品が押圧されると、前記電子部品のリード部が弾性変形し、前記電極の端部と前記電子部品のリード部とが接触して、前記電子部品と前記基板とが導通することを特徴とする電子部品の試験装置用部品が提供される。
【００２２】
本発明の実施の形態の別の観点によれば、電子部品の試験方法であって、主面に電極が形成された基板に、複数の電子部品が接続されたリードフレームを搭載する工程と、前記リードフレームに接続された前記電子部品を押圧して、前記電子部品のリード部を弾性変形させ、前記電極の端部と前記電子部品のリード部とを接触させて維持する工程と、を有することを特徴とする電子部品の試験方法が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、処理工程数を多くすることなく、低コストで、試験検体である電子部品のバーンイン基板における実装数の向上を図ることができる当該電子部品の試験装置用部品用部品及び試験方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
［第１の実施の形態］
図４に、本発明の実施の形態に係る試験装置用部品であるバーンイン基板１１を示す。バーンイン基板１１は、初期不良を除くために半導体素子に温度及び電圧ストレスを印加する加速試験が行われるバーンイン処理において用いられる。
【００２５】
図４に示すバーンイン基板１１の一方の端部には、図示を省略するバーンイン装置に接続されるエッジ端子部１２が設けられている。また、バーンイン基板１１の主面において、エッジ端子部１２以外の箇所には、電子部品である半導体パッケージが搭載されるコンタクタ１３が多数（図４に示す例では２４個）搭載されている。
【００２６】
また、バーンイン基板１１の主面には、略９０度回動可能に加圧板１４が複数（図４に示す例では６個）取り付けられている。１つの加圧板１４をバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると、加圧板１４の一方の主面に複数（図４に示す例では４個）設けられた加圧ブロック（押圧部材）１５がコンタクタ１３に搭載された電子部品たる半導体パッケージ１７（図５参照）の上面に接触する。
【００２７】
コンタクタ１３は、エッジ端子部１２と配線パターン１６（図１では図を見やすくするために一部を省略している）により電気的に接続され、配線パターン１６の途中に図示を省略する抵抗等の電子部品を含む回路が形成されている。図示を省略するバーンイン装置からエッジ端子部１２に信号及び電源が供給されると、前記回路、前記電子部品、及びコンタクタ１３に搭載された半導体パッケージ１７に信号及び電源を供給することができる。
【００２８】
図４に示すバーンイン基板１１の部分拡大図を図５に示す。なお、図５では、図面を見やすくするために、配線パターン１６の図示を省略している。
【００２９】
図５に示すように、４個の半導体パッケージ１７が接続された１つのリードフレーム１８が、４つのコンタクタ１３に半導体パッケージ１７がそれぞれ搭載されるように、バーンイン基板１１に取り付けられる。具体的には、リードフレーム１８をバーンイン基板１１の上方から下げて、リードフレーム１８の四隅近傍に設けられたガイド穴１９に、バーンイン基板１１に設けられた４個のガイドピン２０が挿入することにより、リードフレーム１８をバーンイン基板１１に取り付けることができる。なお、図５において、一点鎖線で示す領域が、バーンイン基板１１におけるリードフレーム１８の取付領域である。
【００３０】
ここで、図６も参照する。図６は、１つのコンタクタ１３と、当該コンタクタ１３に設けられる半導体パッケージ１７の斜視図である。コンタクタ１３は、コンタクト基板２１と、ガイド部２２とを含む。
【００３１】
ガイド部２２は、互いに対向して設けられたガイドブロック２２ａと、２つのガイドブロック２２ａを接続するガイドブロック接続部２２ｂとから大略構成される。半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８がバーンイン基板１１に取り付けられると、ガイドブロック２２ａ及びガイドブロック接続部２２ｂにより囲まれた領域内に、半導体パッケージ１７において半導体素子を樹脂封止して成る樹脂部（本体）１７ａが収容される。ガイドブロック２２ａ及びガイドブロック接続部２２ｂにより囲まれた領域は、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａよりも僅かに大きく設定されており、ガイド部２２は、半導体パッケージ１７の位置決め部として機能する。
【００３２】
２つのコンタクト基板２１は、ガイドブロック接続部２２ｂの長手方向に沿って、且つ、互いに対向するように設けられている。
【００３３】
コンタクト基板２１の高さは、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８がバーンイン基板１１に取り付けられると、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの互いに対向する二つの側面に設けられているリード部２５が、コンタクト基板２１の上面に接触するように設定されている。
【００３４】
コンタクト基板２１は、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ系：Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃ）又はガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料２１ａを基材として構成されている。コンタクト基板２１のうち、リード部２５が接触する部分の外周面（図６に示すコンタクト基板２１において斜線を付した箇所）には、例えば銅（Ｃｕ）箔及び金（Ａｕ）めっき又は銅（Ｃｕ）箔及びニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきからなるパッド（電極）２６が形成されている。
【００３５】
図７は、図６の線Ａ−Ａにおける断面図である。なお、図面を見やすくするために、図７において、ガイド部２２の図示を省略している。図７に示すように、コンタクト基板２１は、バーンイン基板１１上の配線パターン１６に設けられたランド２７上に、半田付け等により接続されている。
【００３６】
図５を再度参照するに、バーンイン基板１１の主面には、加圧板１４に接続された回転軸部２８が取り付けられており、加圧板１４は、回転軸部２８を介して略９０度回動することができる。加圧板１４の端部であって、回転軸部２８と反対側の端部には、ラッチ部２９が設けられている。そして、バーンイン基板１１の主面であって、加圧板１４をバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけたときにラッチ部２９と対向する箇所には、ラッチ部２９と接合可能なブロック３０部が設けられている。加圧板１４の一方の主面には、樹脂から成る複数（図４に示す例では４個）の加圧ブロック１５が設けられている。
【００３７】
半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８をバーンイン基板１１に取り付けた後に、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると、加圧ブロック１５はコンタクタ１３に搭載された半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの上面に接触する。そして、ラッチ部２９とブロック部３０とを接合すると、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは加圧され、その状態が維持される。
【００３８】
次に、このような構造を有するバーンイン基板１１に搭載されたコンタクタ１３への半導体パッケージ１７の接続構造について、図８乃至図１１を参照して説明する。なお、図８及び図９においては、図面を見やすくするために、加圧板１４にあっては、加圧ブロック１５のみ図示している。
【００３９】
半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８をバーンイン基板１１に取り付け、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると、図８に示すように、加圧ブロック１５はコンタクタ１３に搭載された半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの上面に接触する。このとき、半導体パッケージ１７のリード部２５の先端部分は、コンタクト基板２１の上面に乗り上げた状態にある。
【００４０】
そして、この状態で加圧板１４のラッチ部２９とブロック部３０とを接合すると、加圧板１４の加圧ブロック１５により、図９に矢印で示すように、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは押し下げられて加圧され（押圧され）、その状態が維持される。すると、図９及び図１０に示すように、半導体パッケージ１７のリード部２５は、当該リード部２５と半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａとの接続点Ｘ（図９参照）を支点として弾性変形し撓み、パッド２６の角部のみがリード部２５の下面に接触する（図１０参照）。そして、当該リード部２５の弾性力により、リード部２５とパッド２６の角部との接触が維持される。
【００４１】
図１１に、リード部２５とコンタクト基板２１に形成されたパッド２６との接触状態を示す。図１１（ａ）は、図１０において点線Ｃで囲んだ部分の図８における状態を拡大して示す図であり、図１１（ｂ）は、図１０において点線Ｃで囲んだ部分を拡大して示す図である。
【００４２】
図１１（ａ）に示すように、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８をバーンイン基板１１に取り付けて、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると（図８に示す状態）、半導体パッケージ１７のリード部２５の先端部分は、コンタクト基板２１の上面に乗り上げる。
【００４３】
そして、ラッチ部２９とブロック部３０とを接合させて、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは押し下げると（図１０に示す状態）、図１１（ｂ）に示すように、半導体パッケージ１７のリード部２５は、弾性変形し撓み、当該リード部２５の弾性力により、パッド２６の角部はリード部２５の下面に食い込む。
【００４４】
そして、図１１（ｂ）において矢印Ｄで示すように、弾性変形する前の状態に復元しようとして、僅かに斜め下に向けて移動する。そうすると、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、パッド２６の角部により剥ぎ取られる。図１１（ｂ）において、黒色で示す箇所Ｅはリード部２５の移動により当該酸化膜が剥ぎ取られた状態を示している。酸化膜は導通を妨げるものであるが、このようにしてリード部２５の酸化膜が部分的に剥ぎ取られることにより、半導体パッケージ１７のリード部２５とコンタクト基板２１のパッド２６との電気的導通を図ることができる。
【００４５】
このように、本発明の実施の形態に係るバーンイン基板１１では、試験検体である半導体パッケージ１７との電気的接触を、バーンイン基板１１に実装されたコンタクト基板２２を介して行っている。
【００４６】
コンタクト基板２２はその幅を容易に小さくすることができるため、バーンイン基板１１におけるコンタクト基板２２の実装領域を小さくすることができ、また、図３に示す接触子３ｂを設ける構造に比し、簡易である。よって、コンタクト基板２２を高密度に実装することができ、コンタクト基板２２の電気的接続対象であり試験検体である半導体パッケージ１７の実装数を向上させることができる。
【００４７】
更に、図２に示すソケット３にあっては、自動機を用いる場合、バーンイン基板１に１乃至数個単位でしか半導体パッケージ４を実装することができないのに対し、本例のコンタクト基板２２にあっては、リードフレーム単位で、即ち、約３０個単位で半導体パッケージ１７を実装することができ、効率的且つ低コストで実装作業を行うことができる。
【００４８】
また、本実施の形態の構造によれば、半導体パッケージ１７が複数接続されたリードフレーム１８をバーンイン基板１１に取り付けることができるため、処理工程数を増加することなく、試験検体である半導体パッケージ１７の実装数を向上させることができる。
【００４９】
更に、本実施の形態の構造によれば、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、パッド２６の角部により剥ぎ取られ、半導体パッケージ１７のリード部２５とコンタクト基板２１のパッド２６との電気的導通を図っている。従って、特許文献１に記載のリードが押圧子により面で押圧される構成に比し、大きな力を要することはなく、リード部２５の塑性変形を引き起こすこともない。
【００５０】
ところで、上述の例では、ガイドブロック２２ａ及びガイドブロック接続部２２ｂ（図６参照）により囲まれた領域は、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａよりも僅かに大きく設定されており、当該領域内に、半導体パッケージ１７において半導体素子を樹脂封止して成る樹脂部１７ａが収容される。しかしながら、本発明はかかる例に限定されない。
【００５１】
図１２に示す、本発明の第１の実施の形態の第１の変形例では、略矩形状の形状を有する開口面の面積が半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａよりも僅かに大きく設定された凹部３０が、バーンイン基板２１に形成されている。そして、凹部３０の開口面の互いに対向する辺に沿って、配線パターン１６に接続されたコンタクトパッド（電極）３１が、設けられている。
【００５２】
コンタクトパッド３１は、例えば銅（Ｃｕ）箔及び金（Ａｕ）めっき又は銅（Ｃｕ）箔及びニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきからなる。コンタクトパッド３１は、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａが凹部３０に位置すると、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの互いに対向する二つの側面に設けられているリード部２５が、位置する箇所に設けられている。
【００５３】
凹部３０の深さは、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａが凹部３０に位置すると、リード部２５が、コンタクトパッド３１に接触するように設定されている。即ち、凹部３０は、ガイド部として機能する。
【００５４】
このような構造において、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８（図５参照）をバーンイン基板１１に取り付けた後に、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると、加圧板１４の加圧ブロック１５はコンタクタ１３に搭載された半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの上面に接触する。このとき、半導体パッケージ１７のリード部２５の先端部分は、コンタクトパッド３１の上面に乗り上げた状態になる。
【００５５】
そして、ラッチ部２９とブロック部３０（図５参照）とを接合させて、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは押し下げると、半導体パッケージ１７のリード部２５は、弾性変形し撓む。そして、当該リード部２５の弾性力により、凹部３０の開口面の周縁とコンタクトパッド３１との角状の接点が、リード部２５の下面に食い込み、更に、弾性変形する前の状態に復元しようとして、僅かに移動する。
【００５６】
そうすると、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、コンタクトパッド３１の角部により剥ぎ取られる。その結果、半導体パッケージ１７のリード部２５とコンタクトパッド３１との電気的導通を図ることができる。
【００５７】
なお、図６に示す態様において、ガイド部２２の代わりに、図１２に示す凹部３０を用いてもよい。
【００５８】
ところで、本発明は、図１３に示す態様に対しても適用することができる。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示す半導体パッケージ１４のリード部２５をコンタクト基板３５に設けた状態の、矢印Ｆで示す方向から見た図である。
【００５９】
図１３に示す、本発明の第１の実施の形態の第２の変形例では、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ系：Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃ）又はガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料を基材として構成されている２つのコンタクト基板３５が、所定長さ離間して、互いに対向するように設けられている。
【００６０】
コンタクト基板３５の長手方向において所定長さの間隔をもって、段差部３６が複数（図１３に示す例では４つ）形成され、当該段差部３６の底面に、例えば銅（Ｃｕ）箔及び金（Ａｕ）めっき又は銅（Ｃｕ）箔及びニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきからなるパッド（電極）３７が形成されている。
【００６１】
段差部３６は、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａが互いに対向して設けられたコンタクト基板３５の間に位置すると、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの互いに対向する二つの側面に設けられているリード部２５が位置する箇所に、設けられている。
【００６２】
段差部３６の深さは、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８がバーンイン基板１１に取り付けられると、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの互いに対向する二つの側面に設けられているリード部２５が、段差部３６の底面に接触するように設定されている。また、段差部３６の幅は、半導体パッケージ１７のリード部２５より僅かに大きな幅に設定されている。即ち、コンタクト基板３５に形成された段差部３６は、ガイド部として機能する。
【００６３】
このような構造において、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８（図５参照）をバーンイン基板１１に取り付け、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると、加圧ブロック１５はコンタクタ１３に搭載された半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの上面に接触する。このとき、半導体パッケージ１７のリード部２５の先端部分は、段差部３６の底面に形成されたパッド３７の上面に乗り上げた状態になる。
【００６４】
そして、ラッチ部２９とブロック部３０（図５参照）とを接合させて、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａを押し下げると、半導体パッケージ１７のリード部２５は、弾性変形し撓む。そして、当該リード部２５の弾性力により、パッド３７の周縁部が、リード部２５の下面に食い込み、更に、弾性変形する前の状態に復元しようとして、僅かに移動する。
【００６５】
そうすると、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、パッド３７の周縁部により剥ぎ取られる。その結果、半導体パッケージ１７のリード部２５とパッド３７との電気的導通を図ることができる。
【００６６】
また、本発明は、図１４に示す態様に対しても適用することができる。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す半導体パッケージ１４のリード部２５を、コンタクト基板４０に設けた状態の図である。図１４（ｃ）は、図１４（ｂ）の状態から更に半導体パッケージ１４の樹脂部１４ａを押し下げた状態におけるリード部２５とコンタクト基板４０との接触状態を示した部分拡大図である。
【００６７】
図１４に示す、本発明の第１の実施の形態の第３の変形例では、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ系：Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃ）又はガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料を基材として構成されている２つのコンタクト基板４０が、所定長さ離間して、互いに対向するように設けられている。
【００６８】
コンタクト基板４０の長手方向に所定長さの間隔で並んで、複数の凹部４１が鉛直方向に形成されている。コンタクト基板４０の上面であって、当該凹部４１が形成されている箇所には、例えば銅（Ｃｕ）箔及び金（Ａｕ）めっき又は銅（Ｃｕ）箔及びニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきからなるパッド（電極）４２が形成されている。
【００６９】
凹部４１は、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａが互いに対向して設けられたコンタクト基板４０の間に位置すると、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの互いに対向する二つの側面に設けられているリード部２５が、位置する箇所に設けられている。
【００７０】
凹部４１の幅は、半導体パッケージ１７のリード部２５より僅かに大きな幅に設定されている。即ち、コンタクト基板４０に形成された凹部４１は、ガイド部として機能する。
【００７１】
このような構造において、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８（図５参照）をバーンイン基板１１に取り付け、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると、加圧ブロック１５はコンタクタ１３に搭載された半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの上面に接触する。このとき、半導体パッケージ１７のリード部２５の先端部分は、図１４（ｂ）に示すように、パッド４２の上面に乗り上げた状態になる。
【００７２】
そして、ラッチ部２９とブロック部３０（図５参照）とを接合させて、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは押し下げると、半導体パッケージ１７のリード部２５は、弾性変形し撓み、当該リード部２５の弾性力により、パッド４２の凹部４１側の縁部が、リード部２５の下面に食い込み、更に、弾性変形する前の状態に復元しようとして、僅かに移動する。そして、リード部２５が、パッド４２の凹部４１に嵌り込み、半導体パッケージ４１が位置決めされる。
【００７３】
そうすると、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、パッド４２の凹部４１側の縁部により剥ぎ取られる。その結果、半導体パッケージ１７のリード部２５とパッド４２との電気的導通を図ることができる。
【００７４】
なお、リード部２５が、パッド４２の凹部４１に嵌り込みやすくするために、パッド４２と凹部４１との間にテーパーを設けてもよい。
【００７５】
また、本発明は、図１５に示す態様に対しても適用することができる。
【００７６】
図１５に示す、本発明の第１の実施の形態の第４の変形例では、コンタクト基板の代わりにチップ部品５０が、一方の側に複数（図１５に示す例では４個）列状に設けられており、他方の側にも複数（図１５に示す例では４個）列状に設けられている。
【００７７】
チップ部品５０は、抵抗素子又はコンデンサ素子等の素子部５０ａと、素子部５０ａの両端に設けられ直方体形状を有するパッド（電極）部５０ｂ及び５０ｃとを含む。パッド部５０ｂは、例えば銅（Ｃｕ）箔及び金（Ａｕ）めっき又は銅（Ｃｕ）箔及びニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきからなる。
【００７８】
チップ部品５０のパッド部５０ｂ及び５０ｃのうち、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａ側に位置しているパッド部５０ｃは、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａが互いに対向して設けられたパッド部５０ｃ列の間に位置すると、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの互いに対向する二つの側面に設けられているリード部２５が位置する箇所に、設けられている。
【００７９】
このような構造において、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８（図５参照）をバーンイン基板１１に取り付けた後に、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると、加圧ブロック１５はコンタクタ１３に搭載された半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの上面に接触する。このとき、半導体パッケージ１７のリード部２５の先端部分は、図１５に示すように、チップ部品５０のパッド部５０ｃの上面に乗り上げた状態になる。
【００８０】
そして、ラッチ部２９とブロック部３０（図５参照）とを接合させて、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは押し下げると、半導体パッケージ１７のリード部２５は、弾性変形し撓む。当該リード部２５の弾性力により、チップ部品５０のパッド部５０ｃの縁部が、リード部２５の下面に食い込み、更に、弾性変形する前の状態に復元しようとして、僅かに移動する。
【００８１】
そうすると、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、パッド部５０ｃの縁部により剥ぎ取られる。その結果、半導体パッケージ１７のリード部２５とパッド部５０ｃとの電気的導通を図ることができる。
【００８２】
なお、図１５に示す例では、各チップ部品５０は別個に配設されているが、例えば、チップ部品５０と絶縁体とを交互に重ね合わせて、複数のチップ部品５０を纏めて１つのモジュールとして設けてもよい。かかる構造により、回路形成に必要なスペースを削減でき、半導体パッケージ１７の実装数をより向上させることができる。
【００８３】
ところで、図７に示す例では、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ系：Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃ）又はガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料２１ａを基材として構成されているコンタクト基板２１のうち、リード部２５が接触する部分の外周面（図６に示すコンタクト基板２１において斜線を付した箇所）に、例えば銅（Ｃｕ）箔及び金（Ａｕ）めっき又は銅（Ｃｕ）箔及びニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきからなるパッド２６が形成されている（図１６（ａ）参照）。
【００８４】
しかしながら、本発明はかかる例に限定されず、図１６（ｂ）及び図１６（ｃ）に示す態様であってもよい。
【００８５】
図１６（ｂ）に示す、本発明の第１の実施の形態の第５の変形例では、図１６（ａ）に示す例におけるパッド２６の材料である、銅（Ｃｕ）箔及び金（Ａｕ）めっき又は銅（Ｃｕ）箔及びニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきからなる第１の層６０が、コンタクト基板２１のうち、リード部２５が接触する部分の外周面に形成され、更に、コンタクト基板２１の上面における第１の層６０上に、導電性材料からなる第２の層６１が形成されている。具体的には、第２の層６１は、例えばシリコン系の導電ゴム等の導電性且つ弾性を有する材料又はパラジウム（Ｐｄ）又はロジウム（Ｒｈ）等の導電性且つ高硬度を有する材料からなる。
【００８６】
図１６（ｂ）に示す例においても、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８（図５参照）をバーンイン基板１１に取り付けた後に、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけ、ラッチ部２９とブロック部３０（図５参照）とを接合させて、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは押し下げると、半導体パッケージ１７のリード部２５は、弾性変形し撓む。当該リード部２５の弾性力により、コンタクト基板２１の第２の層６１の縁部が、リード部２５の下面に食い込み、更に、弾性変形する前の状態に復元しようとして、僅かに移動する。
【００８７】
そうすると、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、コンタクト基板２１の第２の層６１の縁部により剥ぎ取られる。その結果、半導体パッケージ１７のリード部２５とコンタクト基板２１の第２の層６１との電気的導通を図ることができる。
【００８８】
図１６（ｃ）に示す、本発明の第１の実施の形態の第６の変形例では、図１６（ａ）に示す例におけるパッド２６の材料である、銅（Ｃｕ）箔及び金（Ａｕ）めっき又は銅（Ｃｕ）箔及びニッケル−金（Ｎｉ−Ａｕ）めっきからなるパッド２６が、コンタクト基板２１のうち、リード部２５が接触する箇所の外周面に形成され、コンタクト基板２１の上面におけるパッド２６上の外縁部近傍に凸状電極６２が設けられている。
【００８９】
凸状電極６２は導電性を有する金属等から成る。但し、凸状電極６２の材料は導電性を有する限り、パッド２６を構成する材料と同一であるか否かを問わず、また、図１６（ｂ）に示す第２の層６１を構成する、例えばシリコン系の導電ゴム等の導電性且つ弾性を有する材料又はパラジウム（Ｐｄ）又はロジウム（Ｒｈ）等の導電性且つ高硬度を有する材料であってもよい。
【００９０】
図１６（ｃ）に示す例においても、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８（図５参照）をバーンイン基板１１に取り付けた後に、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけ、ラッチ部２９とブロック部３０（図５参照）とを接合させて、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは押し下げると、半導体パッケージ１７のリード部２５は、弾性変形し撓み、当該リード部２５の弾性力により、コンタクト基板２１上に形成された凸状電極６２が、リード部２５の下面に突き刺さって食い込み、更に、弾性変形する前の状態に復元しようとして、僅かに移動する。
【００９１】
そうすると、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、コンタクト基板２１上に形成された凸状電極６２により剥ぎ取られる。その結果、半導体パッケージ１７のリード部２５とコンタクト基板２１上に形成された凸状電極６２との電気的導通を図ることができる。
【００９２】
ところで、図１２に示す、本発明の第１の実施の形態の第１の変形例では、略矩形状の形状を有する開口面の面積が半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａよりも僅かに大きく設定された凹部３０が、バーンイン基板２１に形成されているが、バーンイン基板に貫通孔を形成し、当該貫通孔にスペーサを介して半導体パッケージの樹脂部を配設してもよい。これを本発明の第１の実施の形態の第７の変形例として、図１７を参照して説明する。
【００９３】
図１７に示す、本発明の第１の実施の形態の第７の変形例では、ベースプレート７０上に設けられたバーンイン基板１１に、貫通孔７１が形成されている。貫通孔７１は、略矩形状の形状を有する開口面の面積が半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａよりも僅かに大きく設定されている。
【００９４】
貫通孔７１には、帯電防止樹脂からなるスペーサ７２が設けられている。スペーサ７２の高さは、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８（図５参照）がバーンイン基板１１に取り付けられると、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの互いに対向する二つの側面に設けられているリード部２５が、コンタクト基板２１の上面に接触する一方、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの下面とスペーサ７２の上面との間に所定の長さのクリアランスＣＬ（図１７（ａ）参照）が形成されるように設定されている。クリアランスＣＬの長さは、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａが押し下げられて、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの下面とスペーサ７２の上面とが接触し、リード部２５が変形しても（撓んでも）リード部２５が塑性変形しない長さに設定されている。なお、図１７に示す例では、スペーサ７２は、ベースプレート７０と別個に設けられているが、ベースプレート７０と一体的に設けられてもよい。
【００９５】
このような構造において、半導体パッケージ１７が接続されたリードフレーム１８（図５参照）をバーンイン基板１１に取り付けた後に、加圧板１４を略９０度回動してバーンイン基板１１の主面と略平行に位置づけると、加圧ブロック１５はコンタクタ１３に搭載された半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの上面に接触する。このとき、半導体パッケージ１７のリード部２５の先端部分は、図１７（ａ）に示すように、コンタクト基板２１のパッド２６の上面に乗り上げた状態になる。また、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの下面とスペーサ７２の上面との間に所定のクリアランスＣＬが形成される。
【００９６】
そして、ラッチ部２９とブロック部３０（図５参照）とを接合させて、加圧板１４の加圧ブロック１５により、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａは押し下げると、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの下面はスペーサ７２の上面に接触する。また、半導体パッケージ１７のリード部２５は、弾性変形し撓み、当該リード部２５の弾性力により、コンタクト基板２１のパッド２６の縁部が、リード部２５の下面に食い込み、更に、弾性変形する前の状態に復元しようとして、僅かに移動する。
【００９７】
そうすると、リード部２５に形成された酸化膜のうち、リード部２５の下面に形成された酸化膜は、パッド２６の縁部により剥ぎ取られ、半導体パッケージ１７のリード部２５とパッド２６との電気的導通を図ることができる。一方、クリアランスＣＬの長さは、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａが押し下げられて、半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの下面とスペーサ７２の上面とが接触し、リード部２５が変形しても（撓んでも）リード部２５が塑性変形しない長さに設定されているため、リード部２５は弾性変形したままの状態が維持される。即ち、本例では、スペーサ７２は、半導体パッケージ１７のリード部２５が塑性変形を起こさないようにするためのストッパーとして機能する。
【００９８】
なお、上述の例では、ベースプレート７０上に設けられたバーンイン基板１１に、貫通孔７１が形成されており、当該貫通孔７１内に、スペーサ７２が設けられている。しかしながら、本発明はかかる例に限定されず、必ずしも、バーンイン基板１１に貫通孔７１を形成せずに、バーンイン基板１１上に半導体パッケージ１７を実装したときに半導体パッケージ１７の樹脂部１７ａの位置の下方に位置する前記バーンイン基板１１上の箇所にスペーサ７２を設けてもよい。
【００９９】
［第２の実施の形態］
ところで、本発明の第１の実施の形態では、本発明の実施の形態に係る試験装置用部品としてバーンイン基板１１を例に挙げているが、図１８に示すように、バーンイン基板以外の種類の基板であるベース基板８０の主面に、図４に示す複数（図１８に示す例では４個）のコンタクタ１３を搭載し、加圧板１４を設けてもよい。
【０１００】
図１８に示す本発明の第２の実施の形態では、ベース基板８０の表面の対向する端部にコンタクタ８１が多数設けられ、ベース基板８０の裏面であって、コンタクタ８１の配設箇所に対応する箇所にケーブル８２が接続された端子部８３が接続されている。コンタクタ８１とケーブル８２とは端子部８３を介して接続されている。
【０１０１】
そして、ベース基板８０の表面に、図４に示す複数（図１８に示す例では４個）のコンタクタ１３が搭載され、加圧板１４が設けられている。
【０１０２】
即ち、本発明の第２の実施の形態では、半導体パッケージ１７の信頼性評価試験等を行うために用いられるベース基板８０に対して本発明が適用されている。
【０１０３】
このように、本発明の第２の実施の形態に係るベース基板８０においても、試験検体である半導体パッケージ１７との電気的接触を、ベース基板８０に実装されたコンタクト基板２２を介して行っている。従って、本発明の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【０１０４】
なお、図１２乃至図１７に示す構造を図１８に示すベース基板８０に形成してもよい。
【０１０５】
［第３の実施の形態］
本発明は、半導体パッケージの最終試験を行うための試験基板に対しても適用することができる。
【０１０６】
図１９に示す本発明の第３の実施の形態では、ケーブル８５を介して図示を省略するテスターに接続されたテストヘッド８６上に固定された試験基板９０の表面に図４に示す複数（図１９に示す例では４個）のコンタクタ１３が搭載され、加圧板１４が設けられている。
【０１０７】
即ち、本発明の第３の実施の形態では、半導体パッケージ１７の最終試験等を行うために用いられる試験基板９０に対して本発明が適用されている。
【０１０８】
なお、図１２乃至図１７に示す構造を図１８に示すベース基板８０に形成してもよい。また、半導体パッケージ１７の試験は、図示を省略するテスター及び当該テスターに接続されたテストヘッド８６上に固定された試験基板９０のみで行ってもよく、また、ハンドラー等のハンドリング装置と組み合せて行うことができる。
【０１０９】
このように、本発明の第３の実施の形態においても、試験検体である半導体パッケージ１７と試験基板９０との電気的接触は、コンタクト基板２２を介してなされている。従って、本発明の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【０１１０】
なお、図１２乃至図１７に示す構造を図１８に示す試験基板９０に形成してもよい。
【０１１１】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０１１２】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）  試験基板と、
前記試験基板の主面に設けられた突起電極と、
前記試験基板の主面に設けられ、電子部品を位置決めする位置決め部と、
前記位置決め部により位置決めされた電子部品を押圧して、前記電子部品のリード部を前記突起電極に当接させることにより、前記リード部を弾性変形させつつ前記突起電極に接触させる押圧子と、
を備えることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記２）  付記１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記突起電極は、前記試験基板上に設けられたコンタクト基板に形成されていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記３）  付記２記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記突起電極は、前記コンタクト基板の基材の外周面に設けられていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記４）  付記１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記突起電極は、前記試験基板上に設けられたチップ部品に形成されていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記５）  付記１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記試験基板に搭載された前記電子部品の本体の下方にスペーサが設けられ、
前記スペーサの上面と前記電子部品の本体の下面との間にはクリアランスが形成され、
前記クリアランスは、前記電子部品の押圧により前記電子部品の本体の下面が前記スペーサの上面に接触した状態でも、前記リード部の変形が弾性変形となる範囲に設定されていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記６）  付記１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記位置決め部は、前記試験基板に設けられ、ブロック体を有することを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記７）  付記１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記位置決め部は、前記試験基板に形成された凹部であることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記８）  付記１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記突起電極は、前記試験基板に設けられたコンタクト基板に形成された段差部の底面に形成され、
前記位置決め部は、前記段差部であることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記９）  付記１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記突起電極に、前記位置決め部として機能する凹部が形成されていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記１０）  付記３記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記コンタクト基板の基材の外周面に第１の導電層が形成され、
前記第１の導電層上に第２の導電層が形成され、
前記突起電極は、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを含むことを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記１１）  付記３記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記コンタクト基板の基材の外周面に第１の導電層が形成され、
前記第１の導電層上に凸状電極が形成されていることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記１２）  付記１乃至１１記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記試験基板は、前記電子部品の電気的特性を試験するために用いられることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記１３）  付記１２記載の電子部品の試験装置用部品であって、
前記試験基板は、バーンイン基板であることを特徴とする電子部品の試験装置用部品。
（付記１４）  試験基板に複数の電子部品が接続されたリードフレームを搭載する工程と、
前記リードフレームに接続された前記電子部品を押圧して、前記電子部品のリード部を前記基板に設けられた突起電極に当接させることにより、前記リード部を弾性変形させつつ前記突起電極に接触させる工程と、
前記突起電極を通して、前記電子部品の電気的試験を実行する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の試験方法。
（付記１５）  付記１４記載の電子部品の試験方法であって、
前記リード部は、前記突起電極に対して傾斜した姿勢で接触することを特徴とする電子部品の試験方法。
（付記１６）  付記１５記載の電子部品の試験方法であって、
前記複数の電子部品は、サポートバーによって前記リードフレームに接続されていることを特徴とする電子部品の試験方法。
（付記１７）  付記１４乃至１６に記載の電子部品の試験方法であって、
前記試験基板に前記リードフレームを搭載する前に、前記リードフレームから前記リード部の端部を切断する工程を備えることを特徴とする電子部品の試験方法。
（付記１８）  付記１４乃至１７のいずれか記載の電子部品の試験方法であって、
前記電子部品を押圧したときに、前記電子部品の本体の下方に配置されたスペーサに、前記電子部品の本体を当接させることにより、前記リード部の変形を弾性変形の範囲内に制限することを特徴とする電子部品の試験方法。
（付記１９）  付記１４記載の電子部品の試験方法であって、
前記リードフレームを前記試験基板に搭載する工程は、前記電子部品の本体を位置決めしながら行われることを特徴とする電子部品の試験方法。
（付記２０）  付記１４記載の電子部品の試験方法であって、
前記リードフレームを前記試験基板に搭載する工程は、前記電子部品の前記リード部を位置決めしながら行われることを特徴とする電子部品の試験方法。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】ＩＣソケットが搭載された従来のバーンイン基板の斜視図である。
【図２】図１に示すＩＣソケットと、当該ＩＣソケットに搭載される半導体パッケージを示す斜視図である。
【図３】図１に示すＩＣソケット及び半導体パッケージの断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るバーンイン基板の斜視図である。
【図５】図４に示すバーンイン基板の部分拡大図である。
【図６】図５に示すコンタクタ及び半導体パッケージの斜視図である。
【図７】図６の線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図８】図６に示すコンタクタに半導体パッケージを設けた状態を示す断面図である。
【図９】図８に示す半導体パッケージの樹脂部を押し下げた状態を示す断面図である。
【図１０】図９において点線Ｂで囲んだ部分の拡大図である。
【図１１】図１０において点線Ｃで囲んだ部分についての拡大図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態の第１の変形例を説明するための図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の第２の変形例を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態の第３の変形例を説明するための図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の第４の変形例を説明するための図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態の第５及び第６の変形例を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態の第７の変形例を説明するための図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係るベース基板の斜視図である。
【図１９】テストヘッドに固定された本発明の第３の実施の形態に係る試験基板の斜視図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１１      バーンイン基板
１７      半導体パッケージ
１５      加圧ブロック
１７ａ    樹脂部
２１、３５、４０    コンタクト基板
２５      リード部
２６、３１、３７、４２、５０ｂ、５０ｃ      パッド
３０      凹部
３６      段差部
４０      チップ部品
６０      第１の導電層
６１      第２の導電層
６２      凸状電極
７２      スペーサ
ＣＬ      クリアランス
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１９】
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【図１】
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【図４】
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【図１８】
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