(57)【要約】【課題】電子放出素子を用いてなる画像表示装置において、配線上に微粒子分散膜を配置した場合に生じる配線金属の微粒子への拡散を防止し、該拡散に起因する画像特性の低下を防止する。【解決手段】絶縁性基板１上に第１の配線４と、該第１の配線４とは絶縁層５を介して交差する第２の配線６を形成し、該第２の配線６上に導電性を有する隔絶層７を形成した後、微粒子分散膜からなる帯電防止膜を形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１の配線と、該第１の配線と絶縁層を介して交差する第２の配線と、該第１の配線と第２の配線とに各々接続された一対の素子電極を備えた電子放出素子と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置し、少なくとも、前記第２の配線よりも高電位に規定された電極と、上記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する画像形成部材と、を有する第２の基板と、
を有する画像表示装置であって、
上記第１の基板上に、前記第２の配線と電気的に接続する微粒子分散膜を更に有し、該第２の配線と微粒子分散膜との間には該第２の配線と微粒子分散膜とを隔絶する導電性の隔絶層を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記隔絶層が、少なくとも酸化インジウムを含有する請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記隔絶層が、少なくとも酸化アンチモンを含有する請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記隔絶層が、少なくともニッケルを含有する請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記隔絶層の厚さが１μｍ以上である請求項１乃至４のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記隔絶層が第２の配線の第２の基板に対向する表面の８０％以上を覆っている請求項１乃至５のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記微粒子分散膜が帯電防止膜である請求項１乃至６のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記微粒子分散膜がアンチモンをドープした酸化スズからなる請求項１乃至７のいずれかに記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子を電子源として用いた画像表示装置に関し、特にその配線に用いられた金属の拡散防止に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子放出素子としては熱電子源と冷陰極電子源の２種類が知られており、冷陰極電子源には電界放出型素子、金属／絶縁層／金属型素子、表面伝導型電子放出素子等がある。冷陰極電子源の表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置が知られている。
【０００３】
このような装置は、表面伝導型電子放出素子を多数配置した電子源を有するリアプレートと、可視光を発光させる蛍光体を有するフェースプレートを組み合わせることによって大画面の装置でも比較的容易に構成される。そして、電子放出素子から放出された電子を加速し、蛍光体等からなる画像形成部材に入射させて輝度を得る。画像表示装置においては、入力信号に応じて応答するため、各電子放出素子を電気的に分離する必要があるので、絶縁性の基板が通常用いられるが、電子放出部近傍に絶縁性基板表面が露出していると、その表面の電位が不安定となり、電子放出が不安定となる。
【０００４】
画像形成部材の蛍光体に高電圧をかけると、対向する電子放出素子の周りの絶縁性表面は真空と絶縁体の誘電率で決まる容量分割による電位が発生する。この電位は、絶縁性が良好であればあるほど時定数が長く、帯電したままである。さらに、この状態で電子放出素子から電子を放出すると、電子は帯電した絶縁性表面にも衝突する。この場合に、電子が加速されることより、絶縁性表面に電子、イオン等の荷電粒子が注入されると２次電子が発生する。特に高電界下では、異常放電に至るため、素子の電子放出特性が著しく低下し、最悪の場合、素子が破壊される。このような異常放電が発生した際の対策として、特許文献１には、電子放出素子の電子放出部を除く部分を絶縁層で覆い、電子放出素子に放電電流を流さないようにする技術が開示されている。
【０００５】
また、他の手段として、特許文献２には、導電性微粒子を有機溶媒に分散させた溶液をスプレー塗布して電子放出素子の周辺に帯電防止膜を設ける方法が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１２７７９４号公報（対応米国特許出願公開第２００６／００８７２１９号明細書）
【特許文献２】特開２００２−３５８８７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述した帯電防止膜は、帯電電荷を逃がすため、電源に接続される必要がある。一般的には配線等の電源に接続されている導電体と帯電防止膜を接触させることで両者の電気的接続を確保する構成が採用される。しかし帯電防止膜として、ＳｎＯx等を含有する微粒子分散膜を用いた場合、熱処理を行うことにより配線に用いられる金属等が帯電防止膜の微粒子に拡散し、さらに微粒子表面に金属結晶体が析出・成長することが考えられる。これが真空中で加熱され、さらに電圧が印加されると、前記金属結晶体から電子が放出し所望の画像特性を得られないという問題が発生してしまう恐れがあった。
【０００８】
本発明は、電子放出素子を用いてなる画像表示装置において、配線上に微粒子分散膜を配置した場合に生じる配線金属の微粒子への拡散を防止し、該拡散に起因する画像特性の低下を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の画像表示装置は、少なくとも、第１の配線と、該第１の配線と絶縁層を介して交差する第２の配線と、該第１の配線と第２の配線とに各々接続された一対の素子電極を備えた電子放出素子と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置し、少なくとも、前記第２の配線よりも高電位に規定された電極と、上記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する画像形成部材と、を有する第２の基板と、
を有する画像表示装置であって、
上記第１の基板上に、前記第２の配線と電気的に接続する微粒子分散膜を更に有し、該第２の配線と微粒子分散膜との間に該第２の配線と微粒子分散膜とを隔絶する導電性の隔絶層を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明においては、下記の構成を好ましい態様として含む。
前記隔絶層が、少なくとも酸化インジウムを含有する。
前記隔絶層が、少なくとも酸化アンチモンを含有する。
前記隔絶層が、少なくともニッケルを含有する。
前記隔絶層の厚さが１μｍ以上である。
前記隔絶層が第２の配線の第２の基板に対向する表面の８０％以上を覆っている。
前記微粒子分散膜が帯電防止膜である。
前記微粒子分散膜がアンチモンをドープした酸化スズからなる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、熱処理を行ったとしても帯電防止膜の微粒子に配線金属が拡散するのが防止される。よって、該拡散による画像特性の低下が防止され、信頼性の高い画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図２に、本発明に好ましく用いられる表面伝導型電子放出素子の構成例を、図１−ｇに図２の電子放出素子を用いた本発明の画像表示装置の第１の基板の構成例を示す。また、図１−ａ乃至図１−ｆは図１−ｇの第１の基板の製造工程を示す図である。図中、１は基板、２，３は素子電極、４は第１の配線、５は絶縁層、６は第２の配線、７は隔絶層、８は導電性膜、９は導電性膜８に形成された電子放出部、１０は帯電防止膜である。尚、図２（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ’断面であり、図２（ａ）においては説明の便宜上、帯電防止膜１０を省略した。また、図１−ｇにおいても、説明の便宜上、帯電防止膜１０の一部分を省略して図示している。
【００１３】
以下に、図１−ａから図１−ｈを用いて本発明に係る第１の基板の構成を説明する。
【００１４】
洗浄した基板１上の、後述する第１の配線４と第２の配線６との各交点に一対の素子電極２，３を金属材料で形成する（図１−ａ）。
【００１５】
基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少したガラス、青板ガラス、青板ガラスにスパッタ法等で形成したＳｉＯ2を積層したガラス基板、アルミナ等のセラミックス及びＳｉ基板等を用いることができる。
【００１６】
素子電極２，３の形成には、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等の真空系の成膜方法を用いて金属薄膜を成膜した後に、フォトリソグラフ法等によってパターニングしてエッチングする方法が挙げられる。また、有機金属を含有させたＭＯペーストをガラス凹版を用いてオフセット印刷する方法等も挙げられ、適宜選択することができる。
【００１７】
素子電極２，３は、例えば電極間隔Ｌ（図２参照）を数十〜数百μｍとし、膜厚ｄは数十〜数百ｎｍとする。そして、その材料としては導電性を有する材料であればよい。例えば、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属やそれらの合金、及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ2，Ｐｄ−Ａｇ等の金属やそれらの金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体が挙げられる。また、ポリシリコン等の半導体材料、及びＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2等の透明導電体なども挙げられる。
【００１８】
次にマトリクス配線をなす、第１の配線４を導電性ペーストを用いて形成する（図１−ｂ）。形成する方法としては、スクリーン印刷法やフォトリソグラフ法等を用いて形成することができる。この時、第１の配線４は素子電極３と接続するように形成する。この第１の配線４は電気抵抗を低減させるために膜厚を厚く形成し、導電性ペーストとしては、例えばＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｐｄ等又はこれらの合金を用いることが好ましい。
【００１９】
次にマトリクス配線において、第１の配線４と後に形成される第２の配線６とを電気的に絶縁させる、絶縁層５をガラスペーストを用いて形成する（図１−ｃ）。尚、絶縁層５は図１−ｃに示すように、第１の配線４上のみならず、第２の配線６が形成される部分にも形成するのが良く、これによって第２の配線６は、素子電極３とも確実に絶縁でき好ましい。絶縁層５を形成する方法としては、スクリーン印刷法又はフォトリソグラフ法等を選択することができる。絶縁層５に用いるガラスペーストとしては、酸化鉛又は酸化ビスマス等を主成分とするフリットガラス、セルロースなどの適当なポリマー及び有機溶剤等とビヒクルとを混合してなるもの等が挙げられる。
【００２０】
次に第１の配線４と交差してマトリクス配線をなす、第２の配線６を導電性ペーストを用いて絶縁層５上に形成する（図１−ｄ）。形成する方法としては、スクリーン印刷法又はフォトリソグラフ法等を選択することができる。導電性ペーストとしては、第１の配線と同様に電気抵抗を低減させるために、例えばＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｐｄ等又はこれらの合金を用いることが好ましい。
【００２１】
次に、第２の配線６上に、隔絶層７を形成する（図１−ｅ）。形成する方法としては、スクリーン印刷法、フォトリソグラフィ法、インクジェット法等を選択することができる。
【００２２】
この際、第２の配線６が露出しないように隔絶層７を形成することが必要であり、少なくとも第２の配線６の、後述する第２の基板に対向する表面の８０％以上を覆っていることが好ましい。
【００２３】
また、隔絶層７は、第２の配線６と後に形成される微粒子分散膜からなる帯電防止膜との電気的接続を確保するため、またスペーサーの電位規定を満足する必要があるため、導電性を有している。材料としては例えば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｄ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物を含有するガラスペースト又は微粒子膜等を選択することができる。特に、絶縁層５との密着性及び電位規定充足のために、Ｎｉを主成分とし微量のガラス紛を含有する金属微粒ペーストを選択することが好ましい。
【００２４】
隔絶層７の厚さは、焼成工程の段階において第２の配線６からの金属拡散を防止できればよく、特に制限はないが、パネル形成時における厚さ等の観点から、通常０．２μｍ乃至１０μｍ、好ましくは１μｍ以上であり、１μｍ乃至５μｍである。
【００２５】
次に、導電性膜８を、一対の素子電極２，３間に渡って形成する（図１−ｆ）。材料の具体例としては、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｄ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物が挙げられる。また、ＨｆＢ2、ＺｒＢ2、ＬａＢ6、ＣｅＢ6、ＹＢ4、ＧｄＢ4等のホウ化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物が挙げられる。さらにまた、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン、ＡｇＭｇ、ＮｉＣｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等が挙げられる。係る導電性膜８は微粒子膜からなる。尚、ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣接、或いは重なり合った状態（島状も含む）の膜を指す。導電性膜８を形成する手段としては、インクジェット方式が好ましく用いられる。これは原理・構成として非常に簡単であり、高速化、液滴の微小化が容易であるなどの多くの利点を持つ為である。実際には、前記導電性材料を含む有機金属化合物の溶液を所定の位置にのみ液滴として付与し乾燥させた後、加熱処理により有機金属化合物を熱分解することにより、金属或いは金属酸化物などの微粒子からなる導電性膜８が形成される。
【００２６】
次に、基板１表面の帯電を防止するための帯電防止膜１０を基板１上に（第１の基板上に）形成する。帯電防止膜１０は帯電によって生じる放電を防止するためには１０10Ω／□〜１０12Ω／□程度のシート抵抗値であるのが好ましい。また電子源を構成する場合には、第１の配線４と第２の配線６間のリーク電流の許容値から１０8Ω／□以上のシート抵抗値であることが要求される。帯電防止膜１０は導電性微粒子を分散させた有機溶媒をスプレー塗布し、該有機溶媒を乾燥除去して得られる微粒子分散膜である。導電性微粒子としては、炭素材料やＳｎＯx、酸化クロム等を主成分とする微粒子が好ましく用いられ、より好ましくは、アンチモン等をドープしたＳｎＯxである。有機溶媒としては、アルコール類が好ましく用いられ、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とエチルアルコールの混合液が好ましく用いられる。
【００２７】
次に、導電性膜８に通電処理を施し、電子放出部９を形成する（図１−ｇ）。尚、図１−ｇは、電子放出部９を説明するため、帯電防止膜１０の一部分を省略して図示している。
【００２８】
また、図１−ｇにおけるＢ−Ｂ’断面の部分拡大図を図１−ｈに示す。電子放出部９は、導電性膜８の一部に形成された高抵抗の亀裂により構成され（図２）、導電性膜８の膜厚、膜質、材料及び通電処理条件等に依存したものとなる。電子放出部９の亀裂内部には、数百ｐｍから数十ｎｍの範囲の粒径の導電性微粒子が存在する場合もある。この導電性微粒子は、導電性膜８を構成する材料の元素の一部、或いは全ての元素を含有するものとなる。また、亀裂を含む電子放出部９及びその近傍の導電性膜８には、炭素及び炭素化合物を有することもある。
【００２９】
このような複数の電子放出素子をマトリクス配置した電子源を用いて構成した本発明の画像表示装置について、図３を用いて説明する。図３は、本発明の画像表示装置の好ましい実施形態の表示パネルの一例を示す模式図である。図中、１１は電子放出素子、１２は支持枠、１３はフェースプレート（第２の基板）、１３ａは基板、１３ｂは蛍光膜（画像形成部材）、１３ｃはアノード電極（メタルバック）１４はリアプレート（第１の基板）である。
【００３０】
リアプレート１４は複数の電子放出素子１１をマトリクス配置した電子源基板である。フェースプレート１３は、基板１３ａの内面に蛍光体などの発光体からなる蛍光膜１３ｂとアノード電極としてのメタルバック１３ｃとが形成されてなる。メタルバック１３ｃはリアプレート１４の第２の配線６よりも高電位に規定され、電子放出素子１１から放出された電子が蛍光膜１３ｂに照射されることによって、蛍光膜１３ｂが発光する。１２は支持枠であり、リアプレート１４、フェースプレート１３がフリットガラス等を用いて封着されている。この封着に際しては、例えば画像表示装置内を真空にするために、真空中で焼成することによって封着される。一方、フェースプレート１３、リアプレート１４間に、スペーサーと呼ばれる支持体（不図示）を設置することにより、大気圧に対して十分な強度を持つように構成することもできる。
【００３１】
本発明の画像表示装置においては、リアプレート１４の表面にＳｎＯxを含む微粒子分散膜を帯電防止膜１０として設けた場合であっても、第２の配線６上の隔絶層７によって、上記微粒子に第２の配線６を構成する金属が拡散するのが防止される。よって、封着時の真空焼成過程を経ても帯電防止膜１０に金属粒状物・金属単結晶体の析出・成長が起こらず、電子放出時の電圧印加の際に異常放電を防ぐことができる。
【実施例】
【００３２】
（実施例１）
プラズマディスプレイで使用される高軟化点ガラス基板を用いて、膜厚２０ｎｍ程度のＰｔをフォトリソエッチング法によりパターニングして、図１−ａのように複数対の素子電極を形成した。
【００３３】
次に、Ａｇ系フォトペーストを用いてスクリーン印刷による全面成膜を行い、約１００℃で１５分程度乾燥させた。これをフォトリソグラフ法を用いてパターニングを行い、不要部分を除去した。さらに、約５００℃で１５分程度焼成し、図１−ｂのように膜厚約８μｍの第１の配線を形成した。
【００３４】
次に、Ｂｉ系の感光性ガラスペーストを用いてスクリーン印刷による全面成膜を行い、約１５０℃で１０分程度乾燥し、フォトリソグラフ法を用いてパターニングを行い、不要部分を除去した。さらに約５００℃で焼成し、図１−ｃのように絶縁層を形成した。本例においては、絶縁性の信頼性向上のために、同じ絶縁層を複数層積層させ、膜厚約３０μｍの絶縁層を形成した。
【００３５】
次に、Ａｇ系ペーストをスクリーン印刷により成膜し、約１００℃で１５分程度乾燥、さらに約４００℃で１５分程度焼成し、図１−ｄのように第２の配線を形成した。本例においては抵抗値を満足させるために、同じ配線層を複数層積層させ、膜厚約３０μｍの第２の配線を形成した。
【００３６】
上記第２の配線上に、導電材料として酸化インジウムを主成分とし、微量の酸化スズを含有するガラスペーストを、スクリーン印刷により成膜し、約１００℃で１５分程度乾燥、さらに約４００℃で１５分程度焼成し、図１−ｅのように膜厚約３μｍ程度の隔絶層を形成した。この際使用した酸化インジウムとガラス粉の割合は、酸化インジウム／ガラスペースト＝０．６７質量％であった。該隔絶層が第２の配線を覆っている割合は約８０％であった。
【００３７】
次に各素子電極対が連絡するように、インクジェット方式でＰｄ系の有機溶媒を吐出させて膜厚が約５ｎｍのパターンを形成し、図１−ｆのようにＰｄからなる導電性膜を形成した。
【００３８】
次に、酸化アンチモンからなる微粒子を、ＩＰＡとエチルアルコールの混合液に分散させた溶液を、基板上にスプレー塗布し、帯電防止膜を形成した。
【００３９】
上記導電性膜に通電処理を行い、図１−ｇのように電子放出部を形成して電子放出素子とした。
【００４０】
このように形成したリアプレートを、蛍光膜とメタルバックを備えたフェースプレートと対向配置させ、支持枠とでパネルを構成して真空封着を行い、異常放電の有無を確認した。その結果、第２の配線に用いられるＡｇの拡散・析出による異常放電は確認されなかった。サンプルのＡｇとガラスペーストの界面についてＥＰＭＡ分析を行ったところ、Ａｇ表面からガラスペーストの層１μｍより上にＡｇは拡散していなかった。尚、第１の配線、第２の配線をＣｕで形成した場合においても、同様にＣｕの拡散は確認されなかった。
【００４１】
（実施例２）
隔絶層を酸化アンチモン粒子と酸化スズを含有するガラスペーストを用い、第２の配線の約１００％を覆って形成する以外は実施例１と同様にしてリアプレートを作製した。
【００４２】
このように形成したリアプレートを用いて、実施例１と同様にフェースプレートと真空封着を行い、異常放電の有無を確認したところ、第２の配線に用いられるＡｇの拡散・析出による異常放電は確認されなかった。また、サンプルのＡｇとガラスペーストの界面についてＥＰＭＡ分析を行ったところ、Ａｇ表面からガラスペーストの層１μｍより上にＡｇは拡散していなかった。尚、同様に、第１の配線及び第２の配線をＣｕで形成した場合においても、Ｃｕの拡散は確認されなかった。
【００４３】
（実施例３）
隔絶層をニッケルを主成分とし、微量のガラス紛を含有する金属微粒子ペーストを用い、第２の配線の約８０％を覆って形成する以外は実施例１と同様にしてリアプレートを作製した。
【００４４】
このように形成したリアプレートを用いて、実施例１と同様にフェースプレートと真空封着を行い、異常放電の有無を確認したところ、第２の配線に用いられるＡｇの拡散・析出による異常放電は確認されなかった。また、サンプルのＡｇとガラスペーストの界面について断面ＴＥＭ観察及びＥＤＸ分析を行ったところ、Ａｇ表面から金属ニッケル層の１μｍより上にＡｇは拡散していなかった。尚、同様に、第１の配線及び第２の配線をＣｕで形成した場合においても、Ｃｕの拡散は確認されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１−ａ】本発明の画像表示装置の一実施形態の第１の基板の製造工程を順に説明する模式図である。
【図１−ｂ】本発明の画像表示装置の一実施形態の第１の基板の製造工程を順に説明する模式図である。
【図１−ｃ】本発明の画像表示装置の一実施形態の第１の基板の製造工程を順に説明する模式図である。
【図１−ｄ】本発明の画像表示装置の一実施形態の第１の基板の製造工程を順に説明する模式図である。
【図１−ｅ】本発明の画像表示装置の一実施形態の第１の基板の製造工程を順に説明する模式図である。
【図１−ｆ】本発明の画像表示装置の一実施形態の第１の基板の製造工程を順に説明する模式図である。
【図１−ｇ】本発明の画像表示装置の一実施形態の第１の基板の平面模式図である。
【図１−ｈ】図１−ｇのＢ−Ｂ’に沿った部分拡大断面図である。
【図２】図１の第１の基板に用いた電子放出素子の構成を示す模式図である。
【図３】図１の第１の基板を用いて構成した画像表示装置の表示パネルの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  基板
２，３  素子電極
４  第１の配線
５  絶縁層
６  第２の配線
７  隔絶層
８  導電性膜
９  電子放出部
１０  帯電防止膜
１１  電子放出素子
１２  支持枠
１３  フェースプレート
１３ａ  基板
１３ｂ  蛍光膜
１３ｃ  メタルバック
１４  リアプレート
【図１−ａ】
2009164111.tif 000003
【図１−ｂ】
2009164111.tif 000004
【図１−ｃ】
2009164111.tif 000005
【図１−ｄ】
2009164111.tif 000006
【図１−ｅ】
2009164111.tif 000007
【図１−ｆ】
2009164111.tif 000008
【図１−ｇ】
2009164111.tif 000009
【図１−ｈ】
2009164111.tif 000010
【図２】
2009164111.tif 000011
【図３】
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