(57)【要約】【課題】水素アニール時の水素原子の移動経路を確保すると共に反射防止膜による絶縁性を維持する。【解決手段】半導体基板の受光領域に配列形成された複数の光電変換素子１１と、光電変換素子１１の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜２７と、光電変換素子１１の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタ３１であって個々の光電変換素子１１の上部に前記複数色のうちの１色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタ３１と、該複数色のカラーフィルタのうちの特定色（Ｒ）のカラーフィルタに対応する光電変換素子１１の光入射面を覆う反射防止膜２７に設けられた窓２７ａとを備える。【選択図】図２
2009158689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の受光領域に配列形成された複数の光電変換素子と、該光電変換素子の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜と、前記光電変換素子の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタであって個々の前記光電変換素子の上部に前記複数色のうちの１色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタと、該複数色のカラーフィルタのうちの特定色のカラーフィルタに対応する前記光電変換素子の前記光入射面を覆う前記反射防止膜に設けられた窓とを備えることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記複数色のカラーフィルタがレッド，グリーン，ブルーのカラーフィルタであり、前記特定色のカラーフィルタがレッドのカラーフィルタであることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記特定色のカラーフィルタが積層される前記光電変換素子として高感度撮像用と低感度撮像用の２種類が用意される場合には該低感度撮像用の光電変換素子に前記窓が設けられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記２種類が用意される光電変換素子は、ホワイトのカラーフィルタが積層された輝度検出用の光電変換素子であることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
半導体基板の受光領域に配列形成された高感度撮像用の複数の光電変換素子及び低感度撮像用の複数の光電変換素子と、該光電変換素子の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜と、前記光電変換素子の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタであって個々の前記光電変換素子の上部に前記複数色のうちの１色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタと、前記低感度撮像用の前記光電変換素子の前記光入射面を覆う前記反射防止膜に設けられた窓とを備えることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】
前記半導体基板に配列形成された光電変換素子の素子数に対して、前記窓を設ける光電変換素子の素子数が１／２〜１／１００であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記半導体基板に配列形成される複数の光電変換素子は二次元状に配列形成されること特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記半導体基板に配列形成される複数の光電変換素子は一次元状に配列形成されること特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像素子に係り、特に、光電変換素子の光入射面に反射防止膜が形成された固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に二次元アレイ状に配列形成された複数の光電変換素子（フォトダイオード）を備える固体撮像素子では、シリコン窒化膜等の反射防止膜を各光電変換素子の光入射面に形成し、各光電変換素子への入射光率を高めている。
【０００３】
また、固体撮像素子は、その特性を改善するために、製造工程終盤において水素雰囲気中でアニールを行うのが一般的である。しかし、緻密な原子構造を持つ反射防止膜は水素原子の透過を阻害するため、反射防止膜の所々に窓を開けて水素アニールを行う様になっている。
【０００４】
例えば下記の特許文献１，２に記載の固体撮像素子では、ＣＣＤ型固体撮像素子の例であるが、光電変換素子以外の垂直電荷転送路上で反射防止膜に窓を開けておき、水素アニールを行っている。この窓を通して半導体基板内に浸入した水素原子は、光電変換素子の所まで拡散するため、光電変換素子の特性を改善することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００―１２８１７号公報
【特許文献２】特開平４―１５２６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光電変換素子以外の場所で反射防止膜に窓を開けても、この窓を通して半導体基板内に浸入した水素原子は半導体基板内で拡散するため、水素アニール効果を得ることができる。しかし、反射防止膜は反射防止機能の他に絶縁膜としての機能も有するため、光電変換素子以外の場所では絶縁膜として使用しているのが普通である。従って、水素原子の移動パスとして窓を設けた場合、この窓の箇所での絶縁性が低下してしまうという問題が生じる。
【０００７】
本発明の目的は、水素アニール効果を得ることが可能で、しかも、反射防止膜を絶縁膜として用いた箇所の絶縁性も確保可能な固体撮像素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の固体撮像素子は、半導体基板の受光領域に配列形成された複数の光電変換素子と、該光電変換素子の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜と、前記光電変換素子の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタであって個々の前記光電変換素子の上部に前記複数色のうちの１色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタと、該複数色のカラーフィルタのうちの特定色のカラーフィルタに対応する前記光電変換素子の前記光入射面を覆う前記反射防止膜に設けられた窓とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の固体撮像素子は、前記複数色のカラーフィルタがレッド，グリーン，ブルーのカラーフィルタであり、前記特定色のカラーフィルタがレッドのカラーフィルタであることを特徴とする。
【００１０】
本発明の固体撮像素子は、前記特定色のカラーフィルタが積層される前記光電変換素子として高感度撮像用と低感度撮像用の２種類が用意される場合には該低感度撮像用の光電変換素子に前記窓が設けられることを特徴とする。
【００１１】
本発明の固体撮像素子の前記２種類が用意される光電変換素子は、ホワイトのカラーフィルタが積層された輝度検出用の光電変換素子であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の固体撮像素子は、半導体基板の受光領域に配列形成された高感度撮像用の複数の光電変換素子及び低感度撮像用の複数の光電変換素子と、該光電変換素子の光入射面を覆うように前記受光領域全面に亘って積層された反射防止膜と、前記光電変換素子の光入射方向上部に積層される複数色のカラーフィルタであって個々の前記光電変換素子の上部に前記複数色のうちの１色のカラーフィルタが周期的に配列された複数色のカラーフィルタと、前記低感度撮像用の前記光電変換素子の前記光入射面を覆う前記反射防止膜に設けられた窓とを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明の固体撮像素子は、前記半導体基板に配列形成された光電変換素子の素子数に対して、前記窓を設ける光電変換素子の素子数が１／２〜１／１００であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の固体撮像素子は、前記半導体基板に配列形成される複数の光電変換素子が二次元状に配列形成されること特徴とする。
【００１５】
本発明の固体撮像素子は、前記半導体基板に配列形成される複数の光電変換素子が一次元状に配列形成されること特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、水素アニール時に水素原子の通路となる窓が光電変換素子の光入射面に設けられるため、反射防止膜の絶縁性が阻害されることがなく、また、平坦面上に窓が形成されるためパターニングも容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第１実施形態に係る固体撮像素子１０の平面模式図である。図示する固体撮像素子１０では、半導体基板の受光領域上に多数のフォトダイオード（光電変換素子：以下、画素ともいう。）１１が二次元アレイ状すなわち面状に配列形成され、奇数行のフォトダイオード１１に対して偶数行のフォトダイオード１１が１／２ピッチづつずらして配置（所謂、ハニカム画素配列）されている。
【００１９】
各フォトダイオード１１上に図示した「Ｒ」「Ｇ」「Ｂ」は各フォトダイオード上に積層されたカラーフィルタの色（赤＝Ｒ，緑＝Ｇ，青＝Ｂ）を表しており、各フォトダイオード１１は、３原色のうちの１色の受光量に応じた信号電荷を蓄積する。図示する例では、奇数行（奇数列）の画素にはＧフィルタが積層され、偶数行（偶数列）の画素にはＲフィルタとＢフィルタとが交互に積層されている。
【００２０】
半導体基板表面の水平方向には、各フォトダイオード１１を避けるように蛇行して垂直転送電極Ｖ１，Ｖ２，…Ｖ８が敷設されている。半導体基板には垂直方向に並ぶフォトダイオード列の側部に図示しない埋め込みチャネルが、フォトダイオード１１を避けるように垂直方向に蛇行して形成されている。
【００２１】
この埋め込みチャネルと、この上に設けられ垂直方向に蛇行して配置される垂直転送電極とで、垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）１２が形成され、図示しない撮像素子駆動部から出力される垂直転送パルスφＶ１〜φＶ８によって転送駆動される。
【００２２】
半導体基板の下辺部には、水平電荷転送路（ＨＣＣＤ）１３が設けられている。この水平電荷転送路１３も、埋め込みチャネルとその上に設けられた水平転送電極とで構成され、この水平電荷転送路１３は、上記の撮像素子駆動部から出力される水平転送パルスφＨ１，φＨ２によって２相駆動される。
【００２３】
水平電荷転送路１３の出力端部には、出力アンプ１４が設けられる。出力アンプ１４は、水平電荷転送路１３の端部まで転送されてきた信号電荷の電荷量に応じた電圧値信号を画像信号として出力する。
【００２４】
尚、「垂直」「水平」という用語を使用して説明したが、これは、半導体基板表面に沿う「１方向」「この１方向に対して略直角の方向」という意味である。
【００２５】
図２は図１に示す固体撮像素子１０のうち２画素（フォトダイオード）分の断面模式図であり、Ｒフィルタを搭載したフォトダイオード１１と、これに水平方向に隣接するＢフィルタを搭載したフォトダイオード１１の断面模式図である。
【００２６】
ｎ型半導体基板２０の表面部にはｐウェル層２１が形成され、このｐウェル層２１の表面部に、ｎ型不純物領域１１が形成されることで、フォトダイオード１１が形成される。各フォトダイオード１１の光入射面側の表面には、暗電流抑制用のｐ型表面層２２が形成される。
【００２７】
各水平方向に隣接するフォトダイオード１１間には、垂直電荷転送路１２を形成するｎ型埋め込みチャネル１２ａが形成され、各埋め込みチャネル１２ａに対して、図示する例では右側のフォトダイオード１１との間に高濃度ｐ領域でなる素子分離帯２３が設けられている。
【００２８】
この半導体基板２０の最表面にはゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜２４が形成されている。フォトダイオード１１が形成された部分の上部以外では、シリコン酸化膜２４の上に薄いシリコン窒化膜，薄いシリコン酸化膜が更に積層された３層（ＯＮＯ膜（酸化膜―窒化膜―酸化膜）構造２５となっている。
【００２９】
埋め込みチャネル１２ａ上のＯＮＯ膜２５の上には、垂直電荷転送路１２を構成する垂直転送電極膜がポリシリコンにより形成されている。垂直転送電極膜は、図示する例では２層構造となっており、１層目のポリシリコン膜１２ｂと２層目のポリシリコン膜１２ｃとが絶縁膜２６を介して積層されている。
【００３０】
フォトダイオード１１の上のシリコン酸化膜２４の上や、垂直転送電極膜１２ｂ，１２ｃの上の、図１に示す固体撮像素子１０の受光領域全面には、シリコン窒化膜２７が積層されている。このシリコン窒化膜２７は、フォトダイオード１１上では反射防止膜として機能し、それ以外の場所では絶縁膜，保護膜として機能する。
【００３１】
そして、シリコン窒化膜２７の上には、全面に亘って透明な酸化膜（絶縁膜）２８が積層され、更にその上に、タングステンやアルミニウムなどの金属膜でなる遮光膜２９が積層されている。この遮光膜２９は、フォトダイオード１１上で開口２９ａが形成されており、この開口２９を介して入射光がフォトダイオードの光入射面に入射する様になっている。
【００３２】
遮光膜２９の上には透明な平坦化膜３０が形成され、その上に、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ層３１が積層され、更にその上に、透明な平坦化膜３２，マイクロレンズ３３等が積層される。
【００３３】
本実施形態の固体撮像素子１０では、Ｒカラーフィルタが積層されたフォトダイオード１１の上部に積層された反射防止膜２７のうち、遮光膜開口２９ａの下の部分の光入射領域となる部分が削成されて窓２７ａが形成されており、この窓２７ａの内側はその上の透明な絶縁膜２８で埋められている。ＧカラーフィルタやＢカラーフィルタが積層されたフォトダイオード１１の上部の反射防止膜２７には窓２７ａは設けられず、特定画素だけ本実施形態ではＲ画素（Ｒカラーフィルタが積層された画素）だけに窓２７ａが設けられる。
【００３４】
斯かる構成でなる固体撮像素子１０は、製造工程終盤で水素アニール処理が行われるが、このとき水素原子が各窓２７ａを通して半導体基板内に浸入して特性改善が行われ、撮像画像上に暗電流ノイズが白キズとして発生する不具合が改善される。
【００３５】
図１に示す総画素のうち、等方的周期的な位置にある１／２〜１／１００の画素にだけ水素原子の浸入パスがあれば、浸入した水素原子は半導体基板内で拡散するため、白キズ低減効果は全画素に及ぶ。従って、全画素のうちの１／４を占めるＲ画素だけに水素原子の浸入パスを設ければ、十分な効果を得ることが可能となる。
【００３６】
更に、本実施形態でＲ画素に水素原子の移動通路となる窓２７ａを設けた理由は以下の通りである。３原色のカラーフィルタを持つ固体撮像素子では、Ｒフィルタが赤色光を透過し、Ｇフィルタが緑色光を透過し、Ｂフィルタが青色光を透過して、各フォトダイオードが受光量に応じた信号電荷を蓄積することになる。
【００３７】
この３色Ｒ，Ｇ，Ｂ光のうち、最も光量が多いのは赤外光を含む赤色光であり、赤色光が少しくらい減光しても、撮像画像への影響は小さい。むしろ、赤色光を減光しＲ画素の感度をＧ画素やＢ画素に較べて低下させた方が３色の画素の平均化（例えばホワイトバランス）を図ることができ好適である。
【００３８】
反射防止膜は光入射面における反射を防止する機能を有し、反射防止膜が有る場合に対して反射防止膜が無い場合には、反射が生じて入射光は約２０％程度の減光となる。各画素への光入射領域は、遮光膜開口２９ａと、マイクロレンズによって決まる錯乱円とが重なった領域となるが、この領域内の反射防止膜２７を削除し窓２７ａを形成することで、Ｒ画素への入射光はフォトダイオード１１の光入射面（主としてｐ型表面層２２の表面）で約２０％が反射され、減光されることで感度低下が起きる。
【００３９】
Ｇ画素，Ｂ画素においては、窓２７ａが無く、反射防止膜２７が存在するため、その入射光の入射光率は高く、固体撮像素子１０の高感度化を図るのに好適である。
【００４０】
本実施形態のように、Ｒ画素の光入射面に窓２７ａを設けて反射防止膜２７を削除する構成とすることで、更に次の様な効果を得ることができる。
【００４１】
近年の固体撮像素子は、数百万画素以上を搭載する関係で各画素の微細化が進み、製造するためのパターニング精度が非常に厳しくなっている。このため、上記実施形態とは逆に、Ｇ画素，Ｂ画素の光入射面だけに反射防止膜を形成する構成にすると、製造が困難になってしまい、反射防止膜が各光入射面から少しでもずれると、感度低下や感度ムラが生じてしまう。
【００４２】
これに対し、全画素に対して１／２〜１／１００の特定画素にのみ、上記実施形態では１／４の特定画素にのみ反射防止膜を削除した窓２７ａを設ける構成のため、パターニングが容易となり、製造歩留まりが向上する。
【００４３】
また、従来技術の様に、水素原子の移動通路となる窓を転送電極上に設ける場合、窓の下に転送電極や酸化膜等の平坦面でない構造物があるため、確実な窓を形成するのが困難で、その絶縁性が低下し印加電圧に対する耐圧が低下する虞がある。しかし、本実施形態の様に、光入射面という、電圧を印加しない平坦面に窓を設ける構成とすることで、水素原子の移動通路を確実に確保することが可能になる共にパターニングが容易となって窓の位置ズレ等に起因する感度ムラが回避でき、更に耐圧の問題も生じない。
【００４４】
以上述べた様に、入射光を受光する全画素のうち感度低下を図る１／２〜１／１００の特定画素、本実施形態ではＲ画素の光入射面に設ける反射防止膜を削除して水素原子の移動通路を確保したため、水素アニール効果の向上が図れると共に高品質な画像を得ることが可能となる。
【００４５】
図３は、本発明の第２実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。図示する固体撮像素子４０は、各画素がハニカム画素配列（市松配列）になっている。
【００４６】
ハニカム画素配列は、正方格子状に配列された第１の画素配列と、正方格子状に配列された第２の画素配列とが重なるように、且つ、第２の画素配列の各画素が第１の画素配列の各画素間の中間に来るように配列される構造になっている。
【００４７】
図３に示すカラーフィルタ配列は、第１の画素配列に対してＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタをベイヤー配列し、第２の画素配列に対しては全てホワイト（白：Ｗ，ｗで標記）のカラーフィルタを積層した配列となっている。
【００４８】
ホワイトのカラーフィルタは透明な平坦化膜で形成される。ホワイトのカラーフィルタを搭載したＷ画素は輝度を直接検出する画素であり、入射光の全てを利用して光電変換するので非常に高感度である。このため、他のＲ画素，Ｇ画素，Ｂ画素に較べて直ぐに飽和してしまう虞が高い。
【００４９】
そこで、Ｗ画素については、低感度なＷ画素（図３では、小文字のｗを用いている。）を用意するのが好適であり、図３に示す実施形態では、垂直方向，水平方向共に、Ｗフィルタとｗフィルタとを交互に設ける構成としている。
【００５０】
ｗフィルタとしては、Ｗフィルタが透明フィルタであるのに対し、ＮＤフィルタの様に光の透過率を落としたフィルタを用いる。
【００５１】
この様に、Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素，Ｗ画素，ｗ画素を有する固体撮像素子４０において、本実施形態では、低感度のホワイト画素すなわちｗ画素の光入射面における反射防止膜２７に、図２のＲ画素と同様の窓２７ａを設ける。窓２７ａを設けることで、反射率が高まるため感度が低下するが、もともと感度低下を狙った画素であるため問題はなく、これにより、水素アニール処理における水素原子の移動通路の確保が可能となる。
【００５２】
図４は、本発明の第３実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。この固体撮像素子５０も所謂ハニカム画素配列になっており、図３で説明した様に、正方格子状に配列された第１の画素配列と、正方格子状に配列された第２の画素配列とが重なるように、且つ、第２の画素配列の各画素が第１の画素配列の各画素間の中間に来るように配列される構造になっている。
【００５３】
本実施形態では、第１の画素配列を構成する各画素は、Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素，Ｗ画素で構成され、第２の画素配列を構成する各画素は、ｒ画素，ｇ画素，ｂ画素，ｗ画素で構成される。
【００５４】
アルファベット大文字で記載した画素は高感度画素であり、小文字で記載した画素は低感度画素であり、撮像画像の広ダイナミックレンジ化を図ることができる構成となっている。高感度画素に対して低感度画素をどの様な手法で低感度にするかは任意である。例えばフォトダイオードの受光面積を変えても良く、また、マイクロレンズの大きさを変えても良い。また、カラーフィルタの透過率を変えて実現しても良い。あるいは、低感度画素とする画素に対する露光蓄積時間を短くすることで実現することでも良い。
【００５５】
図示する例の固体撮像素子５０では、高感度画素配列では垂直方向，水平方向共に、ＷＢＷＲＷＢＷＲ…と並ぶ行（列）とＧＷＧＷＧＷＧＷ…と並ぶ行（列）とが交互に設けられ、低感度画素配列においても、垂直方向，水平方向共に、ｗｂｗｒｗｂｗｒ…と並ぶ行（列）とｇｗｇｗｇｗｇｗ…と並ぶ行（列）とが交互に設けられる。そして、ペアとなる同色２画素（Ｒｒ）（Ｇｇ）（Ｂｂ）（Ｗｗ）が斜め方向に隣接する様に配列される。
【００５６】
斯かる固体撮像素子５０においては、低感度画素ｒ，ｇ，ｂ，ｗの光入射面に設けられる反射防止膜に、図２のＲ画素と同様の窓２７ａを設け、水素原子の移動経路を確保する。低感度画素に反射防止膜の窓を設けることで、低感度画素の更なる低感度化を図ることも可能となり、撮像画像の一層の広ダイナミックレンジ化が可能となる。
【００５７】
尚、全ての低感度画素に窓２７ａを設けるのではなく、ｗ画素についてのみ窓２７ａを設けても良く、あるいは、第１実施形態で説明したように赤色光の光量が多いため、ｒ画素とｗ画素についてのみ窓２７ａを設ける構成としても良い。
【００５８】
図５は、本発明の第４実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。本実施形態の固体撮像素子６０は、各画素１１が正方格子配列されており、３原色のカラーフィルタＲ，Ｇ，Ｂはベイヤー配列になっている。
【００５９】
本実施形態でも、図１，図２に示す実施形態と同様に、Ｒ画素に反射防止膜２７の窓２７ａを設けることで、水素アニール時の水素原子の移動パスを確保し、特性改善を図ることが可能になる。
【００６０】
尚、図５に示す例はＷ画素を設けていないが、図３の実施形態と同様に、高感度のＷ画素及び低感度のｗ画素を設け、低感度のｗ画素に窓２７ａを設ける構成や、低感度のｗ画素とＲ画素とに窓２７ａを設ける構成とすることも可能である。
【００６１】
また、図４の実施形態と同様に、高感度のＲ画素，Ｇ画素，Ｂ画素（更にＷ画素を設けても良い。）と低感度のｒ画素，ｇ画素，ｂ画素（ｗ画素）を設け、低感度画素に窓２７ａを設ける構成としても良い。
【００６２】
図６は、本発明の第５実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。本実施形態の固体撮像素子はカラーラインセンサであり、光量を検出する画素が一次元状すなわち線状に配列形成されている。
【００６３】
図６（ａ）のカラーラインセンサ６１では、３行の画素行が、赤色（Ｒ）フィルタを搭載したＲ画素行、緑色（Ｇ）フィルタを搭載したＧ画素行、青色（Ｂ）フィルタを搭載したＢ画素行で構成されている。
【００６４】
図６（ｂ）に示すカラーラインセンサ６２は、２行の画素行が１／２画素ピッチずらして配置され、一方の画素行にＲフィルタとＢフィルタとが交互に積層され、他方の画素行にＧフィルタが積層されて構成されている。
【００６５】
図６（ｃ）に示すカラーラインセンサ６３は、１行の画素行で構成され、Ｒフィルタ，Ｇフィルタ，Ｂフィルタが巡回的に積層されて構成されている。
【００６６】
図６（ｄ）に示すカラーラインセンサ６４は、２行の画素行で構成され、一方の画素行にはＲフィルタ，Ｇフィルタ，Ｂフィルタが巡回的に積層され、他方の画素行には、高感度のＷ画素と低感度のｗ画素とが交互に設けられている。
【００６７】
この様なカラーラインセンサにおいても、図１，図２に示す実施形態と同様に、Ｒ画素に窓２７ａを設けることで、あるいはＲ画素とｗ画素とに窓２７ａを設けることで、水素アニール時の水素原子の移動パスが確保可能となる。
【００６８】
尚、ラインセンサにおいても、高感度のＲ画素，Ｇ画素，Ｂ画素と低感度のｒ画素，ｇ画素，ｂ画素を設け、低感度画素側に窓２７ａを設ける構成も可能である。
【００６９】
以上述べた様に、本発明の各実施形態では、固体撮像素子の受光領域全面に亘って反射防止膜を形成し、全画素のうち特定画素の光入射面についてのみその画素の光入射領域を覆う窓を反射防止膜に開けるため、水素アニール時に水素原子の移動通路が確保され、白キズ改善等の特性向上を図ることが可能となる。
【００７０】
ここで特定画素とは、全画素中で感度低下を図る画素であり、カラーフィルタ配列に対応し特定カラーフィルタを積層した画素とする。あるいは、低感度画素と高感度画素とが設けられる場合には、低感度画素を特定画素とする。これにより、全受光領域において等方的周期的な位置に水素原子の移動通路が確保され、固体撮像素子の受光領域全面における均質な特性改善を図ることが可能となる。
【００７１】
尚、ＣＣＤ型固体撮像素子について述べたが、ＣＭＯＳイメージセンサの様な他の形式の固体撮像素子にも同様に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明に係る固体撮像素子は、水素アニール時の水素原子の半導体基板内への移動通路が確保されるため、白キズが低減された撮像画像を得ることができ、デジタルカメラ等に搭載する固体撮像素子として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図である。
【図２】図１に示す固体撮像素子のＲ画素とそれに隣接するＢ画素の断面模式図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０，４０，５０，６０，６１，６２，６３，６４  固体撮像素子
１１  画素（光電変換素子）
２０  半導体基板
２２  高濃度表面ｐ層
２４  ゲート酸化膜
２７  反射防止膜
２７ａ  窓（貫通孔）
２９  遮光膜
２９ａ  開口
３１  カラーフィルタ
Ｒ  赤色フィルタを搭載した高感度画素
ｒ  赤色フィルタを搭載した低感度画素
Ｇ  緑色フィルタを搭載した高感度画素
ｇ  緑色フィルタを搭載した低感度画素
Ｂ  青色フィルタを搭載した高感度画素
ｂ  青色フィルタを搭載した低感度画素
Ｗ  白色フィルタ（透明フィルタ）を搭載した高感度画素
ｗ  ＮＤフィルタを搭載した低感度画素
【図１】
2009158689.tif 000003
【図２】
2009158689.tif 000004
【図３】
2009158689.tif 000005
【図４】
2009158689.tif 000006
【図５】
2009158689.tif 000007
【図６】
2009158689.tif 000008