(57)【要約】【課題】液晶表示パネルの信頼性および歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】この液晶パネル（液晶表示装置）１００ａの製造方法は、複数の液晶パネル１００ａに対応した部分を有する対向基板１またはＴＦＴ基板２のうちの一方にメインシール３を塗布するメインシール塗布工程Ｓ１３と、対向基板１またはＴＦＴ基板２のうち、少なくともメインシール３が塗布された一方を減圧処理するメインシール減圧処理工程Ｓ１４と、メインシール減圧処理工程Ｓ１４が行われた後に、対向基板１およびＴＦＴ基板２を貼り合わせることにより貼り合わせ基板１００を形成する真空貼り合わせ工程Ｓ１９とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の液晶パネルに対応した部分を有する第１基板および第２基板のうちの前記第１基板に第１シール剤を塗布する工程と、
前記第１基板および前記第２基板のうち、少なくとも前記第１基板を減圧処理する工程と、
前記減圧処理する工程が行われた後に、前記第１基板および前記第２基板を貼り合わせることにより貼り合わせ基板を形成する工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１シール剤を塗布する工程が行われた後に、前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも前記第１基板を予備加熱処理する工程をさらに備える、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記減圧処理する工程は、前記第１シール剤を塗布する工程が行われた後に、前記予備加熱処理する工程と同時に行われる、請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記予備加熱処理する工程は、前記減圧処理する工程の後で、かつ、前記貼り合わせ基板を形成する工程の前に行われる、請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２基板に導通剤を塗布する工程と、
前記第２基板を減圧処理する工程と、
前記第２基板を予備加熱処理する工程とをさらに備え、
前記第２基板を減圧処理する工程は、前記第１基板を減圧処理する工程と同時に行われ、
前記第２基板を予備加熱処理する工程は、前記第１基板を予備加熱処理する工程と同時に行われる、請求項２〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記予備加熱処理する工程は、前記第１基板および前記第２基板のうち、少なくとも前記第１基板を３０℃以上２００℃以下の温度および３０分以下の時間の条件下で予備加熱処理する工程を含む、請求項２〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記減圧処理する工程の後で、かつ、前記貼り合わせ基板を形成する工程の前に、液晶を滴下する工程をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１シール剤を塗布する工程は、前記減圧処理する工程に先立って、前記第１基板における前記複数の液晶パネルの各々に対応した部分に、光開始剤を含まない前記第１シール剤を塗布する工程を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１シール剤を塗布する工程は、前記減圧処理する工程に先立って、前記第１基板における前記複数の液晶パネルの各々に対応した部分に、光開始剤を含まない前記第１シール剤を塗布する工程を含み、
前記予備加熱処理する工程が行われた後に、前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一方に、前記第１シール剤を取り囲むように第２シール剤を塗布する工程をさらに備える、請求項２〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１シール剤は、前記第２シール剤とは成分の異なるシール剤からなる、請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２シール剤は、光開始剤を含むシール剤からなる、請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記減圧処理する工程は、１０３Ｐａ以下の圧力下で減圧処理する工程を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記貼り合わせ基板を形成する工程が行われた後に、前記第１シール剤を硬化させる工程と、その後、前記貼り合わせ基板を前記第１シール剤を含む複数の液晶パネルに対応した部分に分断する工程とをさらに備える、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、複数の液晶パネルに対応した部分を有する第１基板または第２基板のうちの少なくともいずれか一方にシール剤を塗布する工程を備える液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の液晶パネルに対応した部分を有する第１基板または第２基板のうちのいずれか一方にシール剤を塗布する工程を備える液晶表示装置の製造方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１に記載の液晶表示パネルの製造方法では、液晶パネルに対応した部分を有する第１基板または第２基板のうちのいずれか一方の表面に熱硬化性樹脂からなる本シールを塗布し、その後、本シールを囲むようにして光（紫外線）硬化性樹脂からなる補助シールを塗布している。この後、第１基板または第２基板のうちのいずれか一方に塗布された本シールの内側に液晶を滴下し、第１基板および第２基板を真空雰囲気中で貼り合わせることによって貼り合わせ基板を形成している。その後、貼り合わせ基板に紫外線を照射することにより補助シールが硬化される。そして、大気圧下で貼り合わせ基板を一定時間放置した後、貼り合わせ基板を加熱することにより本シールが硬化される。なお、上記のように、液晶を滴下した後に、基板を真空下で貼り合わせる方法は、ＯＤＦ（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌl(液晶滴下貼り合わせ方式)）と呼ばれている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１７４８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示パネルの製造方法では、本シール内側に液晶を滴下した後に透明基板を真空雰囲気内で貼り合わせが終わるまでは、本シールおよび補助シールの硬化処理が行われないため、透明基板の貼り合わせ時における本シールのシール性を確保するためには、本シールの粘度を１０００Ｎ・ｓ／ｍ２〜１００００Ｎ・ｓ／ｍ２の高粘度に設定する必要があり、本シールの透明基板への塗布が困難であり、特に携帯電話機等に使用する小型の液晶表示パネルでは、シール幅が狭くなるため、本シールの塗布がより困難になるという未解決の課題がある。また、本シール内に液晶を滴下してから透明基板を貼り合わせて貼り合わせ基板を形成した後に、まず、紫外線照射によって補助シールを硬化させ、その後に一定時間放置後本シールを焼成して硬化させるので、本シールが硬化する前に液晶の拡散によって液晶が本シール内に差し込んで、本シールのシール強度の低下、耐湿性の低下、プロセス中での液晶の汚染、液晶漏れなどの悪影響を及ぼすとともに、信頼性および歩留まりの低下が生じるという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、液晶表示パネルの信頼性および歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
この発明の一の局面による液晶表示装置の製造方法は、複数の液晶パネルに対応した部分を有する第１基板および第２基板のうちの第１基板に第１シール剤を塗布する工程と、第１基板および第２基板のうち、少なくとも第１基板を減圧処理する工程と、減圧処理する工程が行われた後に、第１基板および第２基板を貼り合わせることにより貼り合わせ基板を形成する工程とを備える。
【０００８】
この一の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、第１基板および第２基板のうち、少なくとも第１基板を減圧処理する工程を備えることによって、第１シール剤の脱泡と第１シール剤に揮発性成分が含まれている場合には、第１シール剤に含まれている揮発性成分が揮発されるので、第１シール剤の粘度を高くすることができる。これにより、第１シール剤の熱硬化を行う前に貼り合わせ基板内の液晶が第１シール剤に拡散するのが抑制されるので、第１シール剤への液晶の差し込みが生じるのを抑制することができる。さらに、貼り合わせ基板内の液晶に第１シール剤の成分が溶出することに起因する液晶の汚染を抑制することができるので、液晶表示パネルの信頼性および歩留まりの低下を抑制することができる。
【０００９】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、シール剤を塗布する工程が行われた後に、第１基板および第２基板のうちの少なくとも第１基板を予備加熱処理する工程をさらに備える。このように構成すれば、第１シール剤の粘度をより向上させることができるので、第１シール剤への液晶の差し込みが生じるのをより抑制することができ、貼り合わせ基板内の液晶に第１シール剤の成分が溶出することに起因する液晶の汚染を抑制することができる。
【００１０】
この場合において、好ましくは、減圧処理する工程は、第１シール剤を塗布する工程が行われた後に、予備加熱処理する工程と同時に行われる。このように構成すれば、減圧処理する工程と、予備加熱処理する工程とを別工程で行う場合に比べて、減圧処理および予備加熱処理に要する合計の時間を短縮することができる。
【００１１】
上記予備加熱処理する工程を備える液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、予備加熱処理する工程は、減圧処理する工程の後で、かつ、貼り合わせ基板を形成する工程の前に行われる。このように構成すれば、減圧処理する工程により第１シール剤を脱泡するとともに、揮発性成分を揮発して第１シール剤の粘度を向上させた後に、予備加熱処理する工程により第１シール剤の粘度をさらに向上させることができるので、第１シール剤への液晶の差し込みが生じるのをより抑制することができ、貼り合わせ基板内の液晶に第１シール剤の成分が溶出することに起因する液晶の汚染を抑制することができる。さらに、減圧処理工程において加熱処理をしていないため、減圧処理工程においてシール剤の粘度が高くなりすぎることがなく、十分に脱泡することができる。
【００１２】
上記予備加熱処理する工程を備える液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第２基板に導通剤を塗布する工程と、第２基板を減圧処理する工程と、第２基板を予備加熱処理する工程とをさらに備え、第２基板を減圧処理する工程は、第１基板を減圧処理する工程と同時に行われる。このように構成すれば、シール剤と導通剤とを別々の基板に塗布し、第１基板と第２基板とを同一の装置内で同時に減圧処理することができるので、第１基板と第２基板とを別々に減圧処理する場合と異なり、製造工程を簡略化することができる。また、第２基板を予備加熱処理する工程は、第１基板を予備加熱処理する工程と同時に行われる。このように構成すれば、第１基板と第２基板とを同一の装置内で同時に予備加熱処理することができるので、第１基板と第２基板とを別々に予備加熱処理する場合と異なり、製造工程を簡略化することができる。
【００１３】
上記予備加熱処理する工程を備える液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、予備加熱処理する工程は、第１基板および第２基板のうち、少なくとも第１基板を３０℃以上２００℃以下の温度および３０分以下の時間予備加熱処理する工程を含む。このように構成すれば、第１基板および第２基板のうち、少なくとも第１基板に塗布された第１シール剤の粘度を所望の粘度にすることができる。
【００１４】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、減圧処理する工程の後で、かつ、貼り合わせ基板を形成する工程の前に、液晶を滴下する工程をさらに備える。このように構成すれば、液晶を滴下する前に減圧処理することによって第１シール剤の脱泡と第１シール剤に揮発性成分が含まれている場合には、第１シール剤に含まれている揮発性成分の揮発を行うことができるので、液晶を滴下した際に液晶が揮発性成分によって汚染されるのを抑制することができる。かつ、第１シール剤への液晶の差し込みが生じるのをより抑制することができる。
【００１５】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１シール剤を塗布する工程は、減圧処理する工程に先立って、第１基板における複数の液晶パネルの各々に対応した部分に、光開始剤を含まない第１シール剤を塗布する工程を含む。このように構成すれば、貼り合わせ基板にある複数の液晶パネルに対して、光（紫外線）を照射する必要がなく、複数の液晶パネルに光（紫外線）を照射することで発生する液晶パネルの素子の劣化や液晶の劣化がなく、第１シール剤を熱により硬化させることができる。
【００１６】
上記予備加熱処理する工程を備える液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１シール剤を塗布する工程は、減圧処理する工程に先立って、第１基板における複数の液晶パネルの各々に対応した部分に、光開始剤を含まない第１シール剤を塗布する工程を含み、予備加熱処理する工程が行われた後に、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方に、第１シール剤を取り囲むように第２シール剤を塗布する工程をさらに備える。このように構成すれば、塗布された第２シール剤を予備加熱処理しないため、第２シール剤が硬化しすぎて第１基板と第２基板とを貼り合わせた貼り合わせ基板の第２シール剤より内側を十分な真空状態にすることができなくなるようなことがなく、十分な真空状態に保持することができるので、貼り合わせ基板にある液晶表示パネルの品質の低下を抑制することができる。
【００１７】
上記第２シール剤を塗布する工程を備える液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１シール剤は、第２シール剤とは成分の異なるシール剤からなる。このように構成すれば、第１シール剤と第２シール剤との成分の違いにより、第１シール剤と第２シール剤との硬化するタイミングを異ならせることができる。
【００１８】
上記第２シール剤を塗布する工程を備える液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第２シール剤は、少なくとも光開始剤を含むシール剤からなる。このように構成すれば、光開始剤を含まない第１シール剤を加熱により硬化させることができ、光開始剤を含む第２シール剤を光照射により硬化させることができる。これにより、容易に、第１シール剤と第２シール剤との硬化するタイミングを異ならせることができる。
【００１９】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、減圧処理する工程は、１０３Ｐａ以下の圧力下で減圧処理する工程を含む。このように構成すれば、シール剤の揮発性成分の揮発および脱泡を容易に行うことができるので、シール剤の粘度を所望の粘度にすることができる。
【００２０】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、貼り合わせ基板を形成する工程が行われた後に、少なくとも第１シール剤を硬化させる工程と、その後、貼り合わせ基板を第１シール剤を含む複数の液晶パネルに対応した部分に分断する工程とをさらに備える。このように構成すれば、第１シール剤が硬化された状態で貼り合わせ基板の分断を行うことができるので、分断時に貼り合わせ基板の基板間から液晶が漏れるのを有効に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
（第１実施形態）
図１〜図３は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の全体構成を示す図である。まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による液晶パネル１００ａについて説明する。なお、液晶パネル１００ａは、本発明の「液晶表示装置」の一例である。
【００２３】
第１実施形態による液晶パネル１００ａは、図１〜図３に示すように、対向基板１ａとＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（薄膜トランジスタ））が形成されるＴＦＴ基板２ａとが互いに所定の間隔を隔てて対向するように配置されている。なお、対向基板１ａは、本発明の「第１基板」の一例であり、ＴＦＴ基板２ａは、本発明の「第２基板」の一例である。また、図３に示すように、メインシール３により、対向基板１ａは、ＴＦＴ基板２ａと所定の間隔を隔てて対向した状態で貼り合わされている。なお、メインシール３は、本発明の「第１シール剤」の一例である。このメインシール３は、光開始剤を含まないシール剤からなるとともに、図２に示すように、液晶パネル１００ａの外周近傍に枠状に塗布されている。また、液晶パネル１００ａの角部の少なくとも１箇所には、対向基板１ａとＴＦＴ基板２ａとの間を電気的に導通させるための導通剤４が塗布されている。第１実施形態では、導通剤４は、４箇所の角部に塗布されている。また、図３に示すように、対向基板１ａとＴＦＴ基板２ａとの間には、液晶５が充填されている。この液晶５は、対向基板１ａとＴＦＴ基板２ａとの間に塗布されたメインシール３の内側に封入されている。
【００２４】
図４は、本発明の第１実施形態による液晶パネルの製造プロセスを説明するためのフロー図である。図５は、メインシール塗布工程を説明するための図である。図６は、液晶滴下工程を説明するための図である。図７〜図９は、対向基板とＴＦＴ基板とを貼り合わせる真空貼り合わせ工程を説明するための図である。次に、図４〜図９を参照して、本発明の第１実施形態による液晶パネル１００ａの製造プロセスについて説明する。この第１実施形態では、ＯＤＦプロセスに本発明を適用した例について説明する。
【００２５】
まず、本発明の第１実施形態による液晶パネル１００ａの製造プロセスは、図４に示すように、ラビング後洗浄工程Ｓ１１において、対向基板１（図６参照）およびＴＦＴ基板２（図６参照）の洗浄を行う。なお、対向基板１は、本発明の「第１基板」の一例であり、ＴＦＴ基板２は、本発明の「第２基板」の一例である。このラビング後洗浄工程Ｓ１１により、ラビング処理時に対向基板１およびＴＦＴ基板２に付着したゴミなどの洗浄を行う。
【００２６】
次に、脱気（デガス（加熱））工程Ｓ１２により、対向基板１およびＴＦＴ基板２の基板表面の有機性の揮発性成分を含むガス（気体）や水分を加熱により除去する。なお、脱気（デガス（加熱））工程Ｓ１２は、必要に応じて省略可能である。
【００２７】
次に、第１実施形態では、メインシール塗布工程Ｓ１３により、図５に示すように、対向基板１側の表面上の複数の液晶パネル１００ａ（図１参照）となる部分毎にメインシール３の塗布を行う。このメインシール３は、対向基板１側の表面上に、平面的に見てマトリクス状（行列状）に塗布する。また、メインシール塗布工程Ｓ１３では、たとえば、スクリーン印刷技術やディスペンサ描画技術を用いて、対向基板１にメインシール３の塗布を行う。
【００２８】
次に、第１実施形態では、シール減圧処理工程Ｓ１４により、メインシール３を塗布した対向基板１の減圧処理を行う。具体的には、メインシール３を塗布した対向基板１を１０３Ｐａ以下の圧力（真空度）に保った装置内に配置して減圧処理を行う。これにより、メインシール３に含まれている気泡の脱泡および揮発性成分の揮発が行われる。また、このシール減圧処理工程Ｓ１４は、約１２０分間行う。
【００２９】
次に、シールプリベーク工程Ｓ１５により、メインシール３を塗布した対向基板１の予備加熱処理を行う。具体的には、メインシール３を塗布した対向基板１を３０℃以上２００℃以下の温度および３０分以下の時間予備加熱処理する。これにより、メインシール３に含まれている気泡の脱泡および揮発性成分の揮発がさらに促進される。
【００３０】
次に、第１実施形態では、ダミーシール外周シール塗布工程Ｓ１６により、図５に示すように、対向基板１の表面上にダミーシール６および外周シール７の塗布を行う。なお、ダミーシール６および外周シール７は、本発明の「第２シール剤」の一例である。このダミーシール６および外周シール７は、メインシール３とは成分の異なる光開始剤を含むシール剤からなる。また、対向基板１上に塗布したメインシール３を取り囲むようにダミーシール６および外周シール７を塗布する。なお、ダミーシール６は、基板上の液晶パネル１００ａに対応した部分の周囲に塗布するシール剤である。このダミーシール６は、ダミーシール部６１およびダミーシール部６２からなる。なお、ダミーシール部６１およびダミーシール部６２は、本発明の「第２シール剤」の一例である。ダミーシール部６１は、メインシール３を塗布した部分を取り囲むようにＵ字状またはＬ字状に塗布する。ダミーシール部６２は、対向基板１上に塗布したダミーシール部６１上を横切るように枠状に塗布する。外周シール７は、対向基板１およびＴＦＴ基板２の基板面内の真空度を保持するためのシール剤である。この外周シール７は、ダミーシール６を塗布した部分を取り囲むように対向基板１の外周近傍部分に枠状に塗布される。
【００３１】
次に、導通剤塗布工程Ｓ１７により、図６〜図８に示すように、ＴＦＴ基板２に導通剤４を塗布する。なお、この導通剤４を液晶パネル１００ａに対応する部分の４箇所の角部に塗布する。これにより、ＴＦＴ基板２は、対向基板１との電気的な導通が可能になる。また、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式またはＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置のように、対向基板１とＴＦＴ基板２とを電気的に導通させる必要がない場合には、導通剤塗布工程Ｓ１７を省略してもよい。
【００３２】
次に、第１実施形態では、ＯＤＦプロセスにより貼り合わせ基板１００が形成される。
【００３３】
具体的には、まず、液晶滴下工程Ｓ１８により、図６に示すように、対向基板１上に塗布したメインシール３の内側に液晶５の滴下を行う。
【００３４】
次に、第１実施形態では、真空貼り合わせ工程Ｓ１９により、図７〜図９に示すように、複数の液晶パネル１００ａに対応した部分を有する対向基板１とＴＦＴ基板２とを真空中で貼り合わせることにより、貼り合わせ基板１００を形成する。この後、貼り合わせ基板１００を大気開放する。これにより、貼り合わせ基板１００は、真空が保持されている外周シール７の内側と、外側の大気圧との差圧により加圧される。
【００３５】
次に、光照射（光硬化）工程Ｓ２０により、貼り合わせ基板１００に対して、ＵＶ（紫外線）を照射する。ＵＶ（紫外線）を照射することにより、貼り合わせ基板１００に塗布されている光開始剤を含む光硬化性のシール剤からなるダミーシール部６１および６２と外周シール７とが硬化される。このダミーシール部６１および６２と外周シール７とを硬化させることによって対向基板１とＴＦＴ基板２との接着を強固にする。
【００３６】
次に、第１実施形態では、加熱（熱硬化・液晶等方性処理）工程Ｓ２１により、貼り合わせ基板１００の加熱処理を行う。これにより、上述したシールプリベーク工程Ｓ１５により予備加熱したメインシール３をさらに硬化させることができるので、対向基板１とＴＦＴ基板２との接着がより強固になる。これと同時に、対向基板１とＴＦＴ基板２との間に充填されている液晶５の等方性処理（配向処理）が行われ、液晶５が所定の方向に配向されることにより、ＯＤＦが終了する。
【００３７】
次に、第１実施形態では、スクライブブレイク工程Ｓ２２により、貼り合わせ基板１００をメインシール３を含む複数の液晶パネル１００ａに分断する。これにより、所定の大きさの複数の液晶パネル１００ａ（図１参照）が形成される。
【００３８】
最後に、セル洗浄工程Ｓ２３により、液晶パネル１００ａのセル洗浄を行う。このセル洗浄工程Ｓ２３では、上述した工程により液晶パネル１００ａの表面などに付着したガラスの切りくずやゴミなどを除くために洗浄が行われる。その後、パネル検査などにより、液晶パネル１００ａが正常に製造されたか否かを検査し、正常に製造されていると判断された場合は、図１〜図３に示した液晶パネル１００ａが完成される。
【００３９】
第１実施形態では、上記のように、メインシール３を塗布した対向基板１を減圧処理するシール減圧処理工程Ｓ１４を備えることによって、メインシール３の脱泡とメインシール３に揮発性成分が含まれている場合には、メインシール３に含まれている揮発性成分が揮発されるので、メインシール３の粘度を高くすることができる。これにより、メインシール３の熱硬化を行う前に貼り合わせ基板１００内の液晶５がメインシール３に拡散するのが抑制されるので、メインシール３への液晶５の差し込みが生じるのを抑制することができる。さらに、貼り合わせ基板１００内の液晶５にメインシール３の成分が溶出することに起因する液晶５の汚染を抑制することができるので、液晶表示パネルの信頼性および歩留まりの低下を抑制することができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、上記のように、メインシール３を塗布するメインシール塗布工程Ｓ１３を行った後に、メインシール３を塗布した対向基板１を予備加熱処理するシールプリベーク工程Ｓ１５をさらに備えることによって、メインシール３の粘度をより高くすることができるので、メインシール３への液晶５の差し込みが生じるのを抑制することができ、貼り合わせ基板１００内の液晶５にメインシール３の成分が溶出することに起因する液晶５の汚染を抑制することができる。
【００４１】
また、第１実施形態では、上記のように、予備加熱処理するシールプリベーク工程Ｓ１５を、減圧処理するシール減圧処理工程Ｓ１４の後で、かつ、貼り合わせ基板１００を形成する真空貼り合わせ工程Ｓ１９の前に行うことによって、シール減圧処理工程Ｓ１４により粘度が高くなったメインシール３の粘度をシールプリベーク工程Ｓ１５によりさらに高くすることができるとともに、減圧処理工程Ｓ１４では加熱されないのでシール剤の粘度が高くなりすぎない状態で脱泡するため十分に脱泡することができる。
【００４２】
また、第１実施形態では、上記のように、予備加熱処理するシールプリベーク工程Ｓ１５は、メインシール３を塗布した対向基板１を３０℃以上２００℃以下の温度および３０分以下の時間予備加熱処理するシールプリベーク工程Ｓ１５を含むことによって、対向基板１に塗布したメインシール３の粘度を所望の粘度にすることができる。
【００４３】
また、第１実施形態では、上記のように、減圧処理するシール減圧処理工程Ｓ１４の後で、かつ、貼り合わせ基板１００を形成する真空貼り合わせ工程Ｓ１９の前に、液晶５を滴下する液晶滴下工程Ｓ１８をさらに備えることによって、液晶５を滴下する前にシール減圧処理工程Ｓ１４を行うことによってメインシール３の脱泡とメインシール３に揮発性成分が含まれている場合には、メインシール３に含まれている揮発性成分の揮発を行うことができるので、液晶５を滴下した際に液晶５が揮発性成分によって汚染されるのを抑制することができる、かつ、メインシール３への液晶５の差し込みが生じるのをより抑制することができる。
【００４４】
また、第１実施形態では、上記のように、メインシール３を塗布するメインシール塗布工程Ｓ１３は、減圧処理するシール減圧処理工程Ｓ１４に先立って、対向基板１における複数の液晶パネル１００ａの各々に対応した部分に、光開始剤を含まないメインシール３を塗布するメインシール塗布工程Ｓ１３を含むことによって、貼り合わせ基板１００の液晶パネル１００ａ部分に光（紫外線）を当てることなくメインシール３を熱により硬化させることができる。
【００４５】
また、第１実施形態では、上記のように、予備加熱処理するシールプリベーク工程Ｓ１５を行った後に、対向基板１に、メインシール３を取り囲むようにダミーシール６（ダミーシール部６１および６２）および外周シール７を塗布するダミーシール外周シール塗布工程Ｓ１６をさらに備えることによって、対向基板１の基板面内に塗布したメインシール３の周りの真空状態をダミーシール６（ダミーシール部６１および６２）および外周シール７により保持することができるので、基板面内の液晶５の品質が低下するのを抑制することができる。
【００４６】
また、第１実施形態では、上記のように、メインシール３を、ダミーシール６および外周シール７とは成分の異なるシール剤にすることによって、メインシール３とダミーシール６および外周シール７との成分の違いにより、硬化するタイミングを異ならせることができる。
【００４７】
また、第１実施形態では、上記のように、ダミーシール６および外周シール７を、光開始剤を含むシール剤にすることによって、光開始剤を含まないメインシール３を加熱により硬化させることができ、光開始剤を含むダミーシール６および外周シール７を光照射により硬化させることができる。これにより、容易に、メインシール３とダミーシール６および外周シール７の硬化するタイミングを異ならせることができる。
【００４８】
また、第１実施形態では、上記のように、減圧処理するシール減圧処理工程Ｓ１４は、１０３Ｐａ以下の圧力下で減圧処理する工程を含むことによって、メインシール３の揮発性成分の揮発および脱泡を容易に行うことができるとともに、メインシール３の粘度を所望の粘度にすることができる。
【００４９】
また、第１実施形態では、上記のように、貼り合わせ基板１００を形成する真空貼り合わせ工程Ｓ１９を行った後に、メインシール３を硬化させる加熱（熱硬化・液晶等方性処理）工程Ｓ２１と、その後、貼り合わせ基板１００をメインシール３を含む複数の液晶パネル１００ａに対応した部分に分断するスクライブブレイク工程Ｓ２２とをさらに備えることによって、メインシール３が硬化された状態で貼り合わせ基板１００の分断を行うことができるので、分断時に貼り合わせ基板１００の基板間から液晶５が漏れるのを有効に抑制することができる。
【００５０】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による液晶パネルの製造プロセスを示すフロー図である。図１１は、シール塗布工程を説明するための図である。図１２は、貼り合わせ工程を説明するための図である。図１３は、液晶注入工程を説明するための図である。図１０〜図１３を参照して、この第２実施形態では、上記したＯＤＦプロセスに本発明を適用した第１実施形態と異なり、真空注入プロセスに本発明を適用した例について説明する。
【００５１】
この第２実施形態による液晶パネル１０１ａ（図１３参照）の製造プロセスでは、図１０に示すように、対向基板１側のラビング後洗浄工程Ｓ１１を行った後に、シール塗布工程Ｓ１３ａを行う。このシール塗布工程Ｓ１３ａでは、図１１に示すように、対向基板１側の表面上の複数の液晶パネル１０１ａ（図１３参照）となる部分毎に、液晶注入用の液晶注入口３ａを有するように、光開始剤を含まないメインシール３を塗布する。このメインシール３を塗布するのと同時に、各々の液晶パネル１０１ａとなる部分の周囲に光開始剤を含まないダミーシール６３を塗布する。なお、ダミーシール６３は、本発明の「第１シール剤」の一例である。このシール塗布工程Ｓ１３ａでは、たとえば、スクリーン印刷技術やディスペンサ描画技術を用いて対向基板１にメインシール３およびダミーシール６３の塗布が行われる。その後、対向基板１側では、上述した第１実施形態のシール減圧処理工程Ｓ１４およびシールプリベーク工程Ｓ１５を行う。
【００５２】
次に、ＴＦＴ基板２側の導通剤塗布工程Ｓ１７を行った後に、導通剤減圧処理工程Ｓ２４を行う。この導通剤減圧処理工程Ｓ２４は、１０３Ｐａ以下の圧力（真空度）に保った装置内に導通剤（図示せず）を塗布したＴＦＴ基板２を配置して減圧処理する工程である。また、導通剤減圧処理工程Ｓ２４は、上述したシール減圧処理工程Ｓ１４と同時に行うことができる。これにより、ＴＦＴ基板２は、対向基板１と同一の装置内で減圧処理することが可能である。なお、導通剤減圧処理工程Ｓ２４は、必要に応じて省略可能である。
【００５３】
次に、導通剤減圧処理工程Ｓ２４を行った後に、導通剤プリベーク工程Ｓ２５を行う。この導通剤プリベーク工程Ｓ２５は、導通剤を塗布したＴＦＴ基板２の予備加熱処理を行う工程である。具体的には、導通剤を塗布したＴＦＴ基板２を３０℃以上２００℃以下の温度および３０分以下の時間予備加熱を行う。また、導通剤プリベーク工程Ｓ２５は、上述したシールプリベーク工程Ｓ１５と同時に行うことができる。これにより、ＴＦＴ基板２は、対向基板１と同一の装置内でプリベークすることが可能である。なお、導通剤プリベーク工程Ｓ２５は、必要に応じて省略可能である。
【００５４】
次に、貼り合わせ工程Ｓ１９ａにより、対向基板１とＴＦＴ基板２とを貼り合わせて貼り合わせ基板１０１（図１２参照）を形成する。この貼り合わせ工程Ｓ１９ａでは、対向基板１とＴＦＴ基板２とを各々の液晶パネル１０１ａとなる部分に対応するように重ね合わせて位置合わせを行う。
【００５５】
次に、プレス工程Ｓ２６により、貼り合わせ基板１０１（図１２参照）を加圧板によって押圧し、対向基板１とＴＦＴ基板２との間の隙間を所望の値に調整する。また、対向基板１とＴＦＴ基板２との間の隙間を所望の値に調整するために、対向基板１とＴＦＴ基板２との間にスペーサなどを設けてもよい。
【００５６】
次に、本硬化工程Ｓ２１ａにより、貼り合わせ基板１０１を加熱する。これにより、貼り合わせ基板１０１内に塗布した光開始剤を含まないメインシール３およびダミーシール６３が本硬化（熱硬化）される。これにより、対向基板１とＴＦＴ基板２との接着をより強固にする。なお、本硬化工程Ｓ２１ａは、必要に応じて省略可能である。
【００５７】
次に、スクライブブレイク工程Ｓ２２ａにより、貼り合わせ基板１０１をメインシール３を含む複数の液晶パネル１０１ａに対応した部分に分断する。これにより、図１３に示すように、所定の大きさの複数の液晶パネル１０１ａが形成される。
【００５８】
次に、注入前ベーク工程Ｓ２７により、各々の液晶パネル１０１ａ内に液晶５を注入する前の加熱処理を行う。この加熱処理により、液晶パネル１０１ａ内の基板表面の有機性の揮発性成分を含むガス（気体）や水分を除去する。
【００５９】
次に、真空注入法（真空注入プロセス）により液晶５が液晶パネル１０１ａに注入される。真空注入法では、まず、液晶注入工程Ｓ２８により、各々の液晶パネル１０１ａ内に液晶５を注入する。
【００６０】
次に、封止工程Ｓ２９により、液晶パネル１０１ａの液晶注入口３ａを封口材８（図１３参照）により封止する。この封止工程Ｓ２９では、たとえば、熱硬化性の樹脂などからなる封口材８を液晶パネル１０１ａの液晶注入口３ａに配置し、封口材８を加熱することにより硬化させる。これにより、液晶パネル１０１ａの液晶注入口３ａが封止される。その後、上述した第１実施形態のセル洗浄工程Ｓ２３を行う。
【００６１】
最後に、再配向アニール工程Ｓ３０により、液晶５を注入した液晶パネル１０１ａの加熱処理を行う。これにより、液晶パネル１０１ａに注入した液晶５の配向方向が所定の方向に配向されることにより、真空注入法を終了する。
【００６２】
なお、第２実施形態の製造プロセスのその他のプロセスは、上記第１実施形態と同様である。
【００６３】
第２実施形態では、上記のように、ＴＦＴ基板２を減圧処理する導通剤減圧処理工程Ｓ２４を、対向基板１を減圧処理するシール減圧処理工程Ｓ１４と同時に行うことによって、ＴＦＴ基板２と、対向基板１とを同一の装置内で同時に処理することができるので、導通剤減圧処理工程Ｓ２４とシール減圧処理工程Ｓ１４とを別々に行う場合と異なり、工程数を少なくすることができる。また、ＴＦＴ基板２を予備加熱処理する導通剤プリベーク工程Ｓ２５を、対向基板１を予備加熱処理するシールプリベーク工程Ｓ１５と同時に行うことによって、ＴＦＴ基板２と、対向基板１とを同一の装置内で同時に処理することができるので、導通剤プリベーク工程Ｓ２５とシールプリベーク工程Ｓ１５とを別々に行う場合と異なり、工程数を少なくすることができる。
【００６４】
さらに、シール減圧処理工程Ｓ１４を行うことによって、塗布されたシール剤が脱泡され、揮発性成分が揮発されるという効果は、上記第１実施形態と同様である。これにより、硬化されたシール剤の中に気泡が残ることを防止することができるので、基板とシール剤との接着力を十分に保持することができる。
【００６５】
（第３実施形態）
図１４は、本発明の第３実施形態による液晶パネルの製造プロセスを示すフロー図である。次に、図１４を参照して、この第３実施形態では、上記した第１実施形態と異なり、ＯＤＦプロセスにおいて、導通剤塗布工程Ｓ１７を行った後に、導通剤減圧処理工程Ｓ２４ｂおよび導通剤プリベーク工程Ｓ２５ｂを行う場合について説明する。
【００６６】
この第３実施形態による液晶パネル１００ａの製造プロセス（ＯＤＦプロセス）では、ＴＦＴ基板２側で導通剤塗布工程Ｓ１７を行った後に、導通剤を塗布したＴＦＴ基板２を減圧処理する導通剤減圧処理工程Ｓ２４ｂを行う。この導通剤減圧処理工程Ｓ２４ｂでは、上述した第２実施形態の導通剤減圧処理工程Ｓ２４ａと同様の処理を行う。
【００６７】
次に、導通剤プリベーク工程Ｓ２５ｂにより、ＴＦＴ基板２のプリベーク処理を行う。この導通剤プリベーク工程Ｓ２５ｂでは、上述した第２実施形態の導通剤プリベーク工程Ｓ２５ａと同様の処理を行う。
【００６８】
なお、第３実施形態の製造プロセスのその他のＯＤＦプロセスは、上記第１実施形態のＯＤＦプロセスと同様である。
【００６９】
第３実施形態では、上記のように、ＴＦＴ基板２を減圧処理する導通剤減圧処理工程Ｓ２４ｂを、対向基板１を減圧処理するシール減圧処理工程Ｓ１４と同時に行うことによって、ＴＦＴ基板２と、対向基板１とを同一の装置内で同時に処理することができるので、導通剤減圧処理工程Ｓ２４ｂとシール減圧処理工程Ｓ１４とを別々に行う場合と異なり、工程数を少なくすることができる。また、ＴＦＴ基板２を予備加熱処理する導通剤プリベーク工程Ｓ２５ｂを、対向基板１を予備加熱処理するシールプリベーク工程Ｓ１５と同時に行うことによって、ＴＦＴ基板２と、対向基板１とを同一の装置内で同時に処理することができるので、導通剤プリベーク工程Ｓ２５ｂとシールプリベーク工程Ｓ１５とを別々に行う場合と異なり、工程数を少なくすることができる。
【００７０】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７１】
（第４実施形態）
図１５は、本発明の第４実施形態による液晶パネルの製造プロセスを示すフロー図である。次に、図１５を参照して、この第４実施形態では、上記した第１実施形態と異なりＯＤＦプロセスにおいて、メインシールの減圧処理およびプリベーク（予備加熱）を同時に行う場合について説明する。
【００７２】
この第４実施形態による液晶パネル１００ａの製造プロセスでは、対向基板１側のメインシール塗布工程Ｓ１３を行った後に、シール減圧プリベーク工程Ｓ３１を行う。なお、シール減圧プリベーク工程Ｓ３１は、上記第１実施形態におけるメインシール３を塗布した対向基板１に対して、シール減圧処理工程Ｓ１４およびシールプリベーク工程Ｓ１５を同時に行うことに相当する工程である。このシール減圧プリベーク工程Ｓ３１に要する処理時間は、約１２０分である。この処理時間のうち、たとえば、前半の約９０分で１０３Ｐａ以下の減圧下でのシール減圧処理を行い、その後、後半の約３０分で同じ減圧下で３０℃以上２００℃以下の温度でのシールプリベーク処理を行うように時間配分してもよい。また、シール減圧処理とシールプリベーク処理とを処理時間の前半と後半とに分けて処理せずに、１０３Ｐａ以下の減圧下でのシール減圧処理と３０℃以上２００℃以下の温度でのシールプリベーク処理とを同時に開始するとともに１２０分以内の時間後に同時に終了するようにしてもよい。
【００７３】
また、ＴＦＴ基板２側では、ＴＦＴ基板２の導通剤塗布工程Ｓ１７を行った後に、導通剤減圧プリベーク工程Ｓ３２を行う。なお、導通剤減圧プリベーク工程Ｓ３２は、上記第１実施形態における導通剤４を塗布したＴＦＴ基板２に対して、導通剤減圧処理工程Ｓ２４および導通剤プリベーク工程Ｓ２５を同時に行うことに相当する工程である。また、導通剤減圧プリベーク工程Ｓ３２に要する処理時間は、上述したシール減圧プリベーク工程Ｓ３１と同様に約１２０分である。この処理時間のうち、たとえば、前半の約９０分で１０３Ｐａ以下の減圧下での導通剤減圧処理を行い、その後、後半の約３０分で同じ減圧下で３０℃以上２００℃以下の温度での導通剤プリベーク処理を行うように時間配分してもよい。また、導通剤減圧処理と導通剤プリベーク処理とを処理時間の前半と後半とに分けて処理せずに、１０３Ｐａ以下の減圧下での導通剤減圧処理と３０℃以上２００℃以下の温度での導通剤プリベーク処理とを同時に開始するとともに１２０分以内の時間後に同時に終了するようにしてもよい。
【００７４】
なお、第４実施形態の製造プロセスのその他のプロセスは、上記第１実施形態と同様である。
【００７５】
第４実施形態では、上記のように、メインシール３を塗布するメインシール塗布工程Ｓ１３が行われた後に、シール減圧処理工程Ｓ１４を予備加熱処理としてのシールプリベーク工程Ｓ１５と同時に行うことによって、シール減圧処理工程Ｓ１４と、予備加熱処理するシールプリベーク工程Ｓ１５とを別工程で行う場合に比べて、減圧処理および予備加熱処理に要する合計の時間を短縮することができる。
【００７６】
なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７７】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００７８】
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、シール剤を塗布する工程の一例として、メインシールを対向基板に塗布する例を示したが、本発明はこれに限らず、メインシールをＴＦＴ基板に塗布してもよい。
【００７９】
また、上記第１〜第４実施形態では、減圧処理する工程の一例として、メインシールを対向基板に塗布した後に対向基板を減圧処理する例を示したが、本発明はこれに限らず、メインシールをＴＦＴ基板に塗布した後にＴＦＴ基板を減圧処理してもよい。
【００８０】
また、上記第１〜第４実施形態では、シールプリベーク処理する工程の一例として、メインシールを塗布した対向基板を減圧処理した後に対向基板に対してシールプリベーク処理する例を示したが、本発明はこれに限らず、メインシールを塗布したＴＦＴ基板を減圧処理した後にＴＦＴ基板に対してシールプリベーク処理してもよい。
【００８１】
また、上記第１、第３および第４実施形態では、ＯＤＦプロセスにおける液晶滴下する工程の一例としてメインシールを塗布した対向基板を減圧処理した後に液晶滴下する例を示したが、本発明はこれに限らず、メインシールを塗布したＴＦＴ基板を減圧処理した後にＴＦＴ基板側に液晶滴下してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶パネルの全体構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶パネルの全体構成を示す平面図である。
【図３】図２の２００−２００線に沿った断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶パネルの製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図５】本発明の第１実施形態によるメインシール塗布工程を説明するための図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶滴下工程を説明するための図である。
【図７】本発明の第１実施形態による真空貼り合わせ工程を説明するための斜視図である。
【図８】本発明の第１実施形態による真空貼り合わせ工程を説明するための平面図である。
【図９】図８の３００−３００線に沿った断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による液晶パネルの製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図１１】本発明の第２実施形態によるシール塗布工程を説明するための図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による貼り合わせ工程を説明するための図である。
【図１３】本発明の第２実施形態による液晶注入工程を説明するための図である。
【図１４】本発明の第３実施形態による液晶パネルの製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図１５】本発明の第４実施形態による液晶パネルの製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【符号の説明】
【００８３】
１        対向基板（第１基板）
１ａ      対向基板（第１基板）
２        ＴＦＴ基板（第２基板）
２ａ      ＴＦＴ基板（第２基板）
３        メインシール（第１シール剤）
４        導通剤
５        液晶
６        ダミーシール（第２シール剤）
７        外周シール（第２シール剤）
６１      ダミーシール部（第２シール剤）
６２      ダミーシール部（第２シール剤）
６３      ダミーシール（第１シール剤）
１００    貼り合わせ基板
１０１    貼り合わせ基板
１００ａ  液晶パネル（液晶表示装置）
１０１ａ  液晶パネル（液晶表示装置）
【図１】
2009288364.tif 000003
【図２】
2009288364.tif 000004
【図３】
2009288364.tif 000005
【図４】
2009288364.tif 000006
【図５】
2009288364.tif 000007
【図６】
2009288364.tif 000008
【図７】
2009288364.tif 000009
【図８】
2009288364.tif 000010
【図９】
2009288364.tif 000011
【図１０】
2009288364.tif 000012
【図１１】
2009288364.tif 000013
【図１２】
2009288364.tif 000014
【図１３】
2009288364.tif 000015
【図１４】
2009288364.tif 000016
【図１５】
2009288364.tif 000017