(57)【要約】【課題】半導体製造装置の成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】成膜ガスを成膜ガス導入配管１５から成膜ガス排気配管２０に導くようにバルブ１４、１８、１９を設定して、成膜ガスを排気するガス排気ステップと、ガス排気ステップの期間に成膜室１１内部の圧力が所定値以下であることを確認する第１の確認ステップと、第１の確認ステップの後に、成膜ガスを成膜ガス導入配管１５から成膜室１１に導くようにバルブ１４、１８、１９を設定して、成膜ガスを成膜室１１に導入して、半導体基板２上に膜を形成する膜形成ステップとを有する。【選択図】図１
2009065078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜ガスを用いて半導体基板上に膜を形成する成膜室と、
前記成膜室に接続されて前記成膜室に前記成膜ガスを導入する成膜ガス導入配管と、
前記成膜ガス導入配管に接続されて前記成膜ガス導入配管から前記成膜ガスを排気する成膜ガス排気配管と、
前記成膜ガス導入配管に設けられて前記成膜ガスを前記成膜室または前記成膜ガス排気配管の一方に導くバルブと
を備えた半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記成膜ガスを前記成膜ガス導入配管から前記成膜ガス排気配管に導くように前記バルブを設定して、前記成膜ガスを排気するガス排気ステップと、
前記ガス排気ステップの期間に前記成膜室内部の圧力が所定値以下であることを確認する第１の確認ステップと、
前記第１の確認ステップの後に、前記成膜ガスを前記成膜ガス導入配管から前記成膜室に導くように前記バルブを設定して、前記成膜ガスを前記成膜室に導入して、前記半導体基板上に前記膜を形成する膜形成ステップと
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体製造装置は、更に、
前記成膜室に接続されて前記成膜室からガスを排気する排気配管と、
前記排気配管に設けられて前記成膜室内部の圧力を調整する圧力調整バルブと
を備え、
前記ガス排気ステップの前に、
前記成膜室からガスが排気されないように前記圧力調整バルブを設定し、前記成膜ガス導入配管から前記成膜室にガスを導入するガス導入ステップと、
前記ガス導入ステップの期間に前記成膜室内部の圧力が所定値以上であることを確認する第２の確認ステップと
を更に有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記成膜ガスは液体状態の原料を気化させたものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記成膜ガスは複数種類のガスを混合したものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記膜は不純物を含むものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、特に半導体基板上に液体状態の原料を気化させたガスを用いて膜を形成する工程、もしくは半導体基板上に不純物を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に酸化シリコン膜などの各種の膜を形成する工程は、半導体装置の製造方法において主要な工程のうちのひとつである。
【０００３】
図７は従来の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置の概略構成を示す図である。半導体製造装置１はＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；化学的気相成長法）により半導体基板２上にＢＰＳＧ膜（Ｂｏｒｏｎｐｈｏｓｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ膜）を形成する工程で用いる装置である。
【０００４】
半導体製造装置１は、半導体基板２上にＢＰＳＧ膜を形成する成膜室１１と、成膜ガスの供給源であるガス供給部１２と、真空ポンプ１３と、成膜室１１とガス供給部１２とを第１のバルブ１４（ノーマリーオープンバルブ）を介して接続して成膜室１１に成膜ガスを導入する成膜ガス導入配管１５と、成膜室１１と真空ポンプ１３とを圧力調整バルブ１６を介して接続して成膜室１１からガスを排気する排気配管１７と、成膜ガス導入配管１５のガス供給部１２と第１のバルブ１４との間及び排気配管１７の真空ポンプ１３と圧力調整バルブ１６との間を第２のバルブ１８（ノーマリークローズバルブ）及び第３のバルブ１９（ノーマリークローズバルブ）を介して接続して成膜ガスをガス供給部１２から真空ポンプ１３に直接排気する成膜ガス排気配管２０とを有している。成膜室１１は、半導体基板２をその被成膜面を上に向けて保持する基板ホルダ２１と、成膜ガス導入配管１５が接続されて半導体基板２の被成膜面と対向するシャワーヘッド部２２とを有している。
【０００５】
半導体製造装置１を用いて半導体基板２上にＢＰＳＧ膜を形成する手順は次の通りである。基板ホルダ２１に半導体基板２を載置した後に、第１のバルブ１４、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９をクローズ、圧力調整バルブ１６をオープンにして、真空ポンプ１３により排気配管１７を介して成膜室１１内をいったん排気する。半導体基板２を３００〜７００℃程度に加熱する。第１のバルブ１４をオープンにしてガス供給部１２からＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等のＳｉを含むガスと、ＴＥＢ（ホウ酸トリエチル）やＴＥＰＯ（トリエチルホスフェート）等のＢ、Ｐといった不純物を含むガスとを混合した成膜ガスを成膜ガス導入配管１５を介して成膜室１１内に導入する。成膜ガスの導入と同時に、別配管（図示せず）から酸素やオゾン等のＯを含む反応助剤ガスを成膜室１１内に導入する。このようにして成膜室内部の圧力を２００〜５００Ｔｏｒｒ程度に調整しながらＣＶＤ法により半導体基板２上にＢＰＳＧ膜を形成する。
【０００６】
ところで、半導体基板上にＢＰＳＧ膜を形成する工程では液体状態の原料を熱エネルギーと圧力降下とにより気化させたガスを混合して用いるが、熱エネルギーや圧力降下が不十分のために原料が十分に気化されずに液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスを成膜室１１内に導入するとさまざまな問題が生じることがある。
【０００７】
図８及び図９は従来の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【０００８】
図８（ａ）に示すように、液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスが成膜室１１内に導入されると、半導体基板８１上のＳｉＮ膜８２に液体状態の原料８３が付着する。図８（ｂ）に示すように、ＳｉＮ膜８２に液体状態の原料８３が付着したままＳｉＮ膜８２上にＢＰＳＧ膜８４が形成される。図８（ｃ）に示すように、ＢＰＳＧ膜８４が形成された後に、液体状態の原料８３が気化して、そこにＳｉＮ膜８２とＢＰＳＧ膜８４との剥離が起こり、ボイド８５が生じる。
【０００９】
また、図９（ａ）に示すように、ガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが成膜室１１内に導入されると、半導体基板８１上のＳｉＮ膜８２上にＢＰＳＧ膜８４が形成されたときに、ＢＰＳＧ膜８４の下部にＢまたはＰの少なくとも一方の濃度が所定値よりも高い偏析層８６が形成される。図９（ｂ）に示すように、ＢＰＳＧ膜８４表面から半導体基板８１表面に達するコンタクトホール８７を形成する。図９（ｃ）に示すように、コンタクトホール８７形成後にフッ酸（ＨＦ）を含む洗浄液により半導体基板８１表面を洗浄すると、偏析層８６のウェットエッチ速度が大きく、ＳｉＮ膜８２とＢＰＳＧ膜８４との間に偏析層８６が除去されたオーバーエッチング部８８が生じる。図９（ｄ）に示すように、オーバーエッチング部８８が大きくなると、コンタクトホール８７にコンタクト電極８９を形成したときに隣接するコンタクト電極８９同士が接触するリーク部９０が発生する。
【００１０】
上記の問題を回避するために従来の半導体装置の製造方法では、成膜ガス流量が設定値通りになるまでの所定時間は、図７に示した半導体製造装置１の第１のバルブ１４をクローズ、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９をオープンにして、成膜ガスをガス供給部１２から成膜ガス導入配管１５、成膜ガス排気配管２０、排気配管１７を介して真空ポンプ１３に直接排気している。所定時間後に、第１のバルブ１４をオープン、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９をクローズにして、成膜ガスを成膜室１１内に導入している。
【特許文献１】特開２００２−１３４４９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法では、第１のバルブ１４に不具合があったときに、第１のバルブ１４が完全にクローズできずに、液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスを成膜室１１内に導入してしまう。このために図８及び図９で説明したようなＳｉＮ膜８２とＢＰＳＧ膜８４との剥離やボイド８５または隣接するコンタクト電極８９同士が接触するリーク部９０が同様に生じるという課題があった。
【００１２】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、半導体基板上に膜を形成するときに、半導体製造装置の成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法の提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、成膜ガスを用いて半導体基板上に膜を形成する成膜室と、成膜室に接続されて成膜室に成膜ガスを導入する成膜ガス導入配管と、成膜ガス導入配管に接続されて成膜ガス導入配管から成膜ガスを排気する成膜ガス排気配管と、成膜ガス導入配管に設けられて成膜ガスを成膜室または成膜ガス排気配管の一方に導くバルブとを備えた半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、成膜ガスを成膜ガス導入配管から成膜ガス排気配管に導くようにバルブを設定して、成膜ガスを排気するガス排気ステップと、ガス排気ステップの期間に成膜室内部の圧力が所定値以下であることを確認する第１の確認ステップと、第１の確認ステップの後に、成膜ガスを成膜ガス導入配管から成膜室に導くようにバルブを設定して、成膜ガスを成膜室に導入して、半導体基板上に膜を形成する膜形成ステップとを有している。
【００１４】
この方法により、成膜ガスの供給を成膜室側でなく成膜ガス排出配管側にしてバルブが完全に切り替わっているかを成膜室内部の圧力を通じて検知することができ、成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができる。
【００１５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体製造装置は、更に、成膜室に接続されて成膜室からガスを排気する排気配管と、排気配管に設けられて成膜室内部の圧力を調整する圧力調整バルブとを備え、ガス排気ステップの前に、成膜室からガスが排気されないように圧力調整バルブを設定し、成膜ガス導入配管から成膜室にガスを導入するガス導入ステップと、ガス導入ステップの期間に成膜室内部の圧力が所定値以上であることを確認する第２の確認ステップとを更に有している。
【００１６】
この方法により、圧力調整バルブの不具合の有無を検知することができ、より正しくバルブが完全に切り替わっているかを検知することができる。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、成膜ガスは液体状態の原料を気化させたものである。
【００１８】
この方法により、成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができ、膜の剥離や膜下のボイドが生じるのを防ぐことができる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、成膜ガスは複数種類のガスを混合したものである。
【００２０】
この方法により、成膜室にガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができ、膜に偏析層が生じるのを防ぐことができる。
【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、膜は不純物を含むものである。
【００２２】
この方法により、膜に偏析層が生じるのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体製造装置の成膜室内で半導体基板上に膜を形成するときに、成膜室内に成膜ガスを導入する成膜ガス導入配管に設けられたバルブに不具合がないことをあらかじめ確認することで、成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスを導入することを防ぎ、半導体装置の信頼性や製造歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にＢＰＳＧ膜を形成する工程に係るものである。
【００２６】
図１及び図２は本実施の形態１の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置のバルブの設定を示す図である。
【００２７】
半導体製造装置１の概略構成は図７に示した従来のものと同様であり、半導体基板２上にＢＰＳＧ膜を形成する成膜室１１と、成膜ガスの供給源であるガス供給部１２と、真空ポンプ１３と、成膜室１１とガス供給部１２とを第１のバルブ１４（ノーマリーオープンバルブ）を介して接続して成膜室１１に成膜ガスを導入する成膜ガス導入配管１５と、成膜室１１と真空ポンプ１３とを圧力調整バルブ１６を介して接続して成膜室１１からガスを排気する排気配管１７と、成膜ガス導入配管１５のガス供給部１２と第１のバルブ１４との間及び排気配管１７の真空ポンプ１３と圧力調整バルブ１６との間を第２のバルブ１８（ノーマリークローズバルブ）及び第３のバルブ１９（ノーマリークローズバルブ）を介して接続して成膜ガスをガス供給部１２から真空ポンプ１３に直接排気する成膜ガス排気配管２０とを有している。成膜室１１は、半導体基板２をその被成膜面を上に向けて保持する基板ホルダ２１と、成膜ガス導入配管１５が接続されて半導体基板２の被成膜面と対向するシャワーヘッド部２２とを有している。
【００２８】
半導体基板２上にＢＰＳＧ膜を形成する手順は次の通りである。
【００２９】
まず、図１（ａ）のように、第１のバルブ１４、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９をクローズ、圧力調整バルブ１６をオープンにして、成膜室１１内へのガスの導入がない状態で成膜室１１内部の圧力を約５００ｍＴｏｒｒ以下にする。
【００３０】
次に、図１（ｂ）のように、圧力調整バルブ１６をクローズ、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９をオープンにしてガスを流さない状態で７秒間程度待機した後に、ガス供給部１２からＴＥＯＳ、ＴＥＢ、ＴＥＰＯのキャリアガスとして使われるＨｅガスを１００００ｓｃｃｍ程度と膜形成のときよりも大きな流量で１５秒間流す。このときに第１のバルブ１４に不具合がなく正常にクローズしていれば、Ｈｅガスは成膜ガス導入配管１５、成膜ガス排気配管２０及び排気配管１７を介して真空ポンプ１３へ排気され、成膜室１１内部の圧力にはほとんど上昇がみられない。しかし、第１のバルブ１４に不具合があり、オープンもしくは完全にクローズしないときは、成膜室１１内部の圧力に上昇がみられる。
【００３１】
第１のバルブ１４の不具合の有無の判断基準として、成膜室１１内部の圧力が所定値以下である、例えば２Ｔｏｒｒを超えないときに不具合がないものとする。成膜室１１内部の圧力が２Ｔｏｒｒを超えたときは第１のバルブ１４に不具合があるものと考えて膜形成動作を中断する。判断基準となる成膜室１１内部の圧力値やＨｅガスを流す時間の決め方は、真空ポンプ１３の排気速度や成膜室１１の大きさなどにより異なるためにあらかじめデータを取得して決定すればよい。
【００３２】
そして、図２のように、圧力調整バルブ１６及び第１のバルブ１４をオープン、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９をクローズにして、ガス供給部１２から成膜ガス導入配管１５を介して成膜室１１内への成膜ガスの導入を開始して、半導体基板２上にＢＰＳＧ膜を形成する。
【００３３】
図３は本実施の形態１の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置のＨｅガス流量と成膜室内部の圧力との関係を示す図である。
【００３４】
図３（ａ）に、図２に示すように圧力調整バルブ１６をクローズ、第１のバルブ１４をオープン、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９をクローズにして、ガス供給部１２よりＨｅガスを０、１０００、２０００、５０００ｓｃｃｍの流量でそれぞれ１５秒導入したときの成膜室１１の内部の圧力を示す。また、図３（ｂ）に、図３（ａ）のＨｅガス流量０〜８０ｓｃｃｍ近辺を拡大したものを示す。
【００３５】
図３（ｂ）によれば、成膜室１１内部の圧力が２ＴｏｒｒとなるときのＨｅガスの流量は約５６ｓｃｃｍである。第１のバルブの不具合の有無の判断基準である所定値を１５秒導入で２Ｔｏｒｒとすれば、膜形成のときの流量の約０．６％という極めて少ない流量のＨｅガスが成膜室１１に導入されたときでさえも第１のバルブ１４の不具合を検知することができる。
【００３６】
このように、本実施の形態１の半導体装置の製造方法により、第１のバルブ１４の不具合を検知することができ、ＢＰＳＧ膜を形成する前に混合した成膜ガスを排気するときに、液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが成膜室１１に導入されるのを防ぐことができる。
【００３７】
なお、本実施の形態１の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置は図１及び図２に示したものに限定されない。
【００３８】
図４は、本実施の形態１の半導体装置の製造方法に係る別の半導体製造装置の概略構成を示す図である。
【００３９】
半導体製造装置３は、半導体基板２上にＢＰＳＧ膜を形成する成膜室３１と、成膜ガスの供給源であるガス供給部３２と、真空ポンプ３３と、成膜室３１とガス供給部３２とを三方バルブ３４を介して接続して成膜室３１に成膜ガスを導入する成膜ガス導入配管３５と、成膜室３１と真空ポンプ３３とを圧力調整バルブ３６を介して接続して成膜室３１からガスを排気する排気配管３７と、成膜ガス導入配管３５の三方バルブ３４と排気配管３７の真空ポンプ３３と圧力調整バルブ３６との間とを接続して成膜ガスをガス供給部３２から真空ポンプ３３に直接排気する成膜ガス排気配管３８とを有している。成膜室３１は、半導体基板２をその被成膜面を上に向けて保持する基板ホルダ３９と、成膜ガス導入配管３５が接続されて半導体基板２の被成膜面と対向するシャワーヘッド部４０とを有している。
【００４０】
半導体製造装置３の三方バルブ３４は、図１及び図２に示した半導体製造装置１の第１のバルブ１４、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９の役割を果たすものであり、本実施の形態１の半導体装置の製造方法は、半導体製造装置３によっても実現することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態１の半導体装置の製造方法では、第１のバルブ１４または三方バルブ３４の不具合を、半導体基板２にＢＰＳＧ膜を形成する前に、半導体基板２毎に検知しても良いし、半導体基板２が複数枚で一単位となったロット毎に検知しても良い。
【００４２】
（実施の形態２）
本実施の形態２の半導体装置の製造方法も、半導体基板上にＢＰＳＧ膜を形成する工程に係るものである。実施の形態１の半導体装置の製造方法の前に更に工程を追加したものである。
【００４３】
図５は本実施の形態２の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置のバルブの設定を示す図である。半導体製造装置１の概略構成は図１及び図２に示した実施の形態１の半導体製造装置１のものと同様であり重複した説明は省略する。
【００４４】
半導体基板２上にＢＰＳＧ膜を形成する手順は次の通りである。
【００４５】
図５のように、圧力調整バルブ１６をクローズ、第１のバルブ１４をオープン、第２のバルブ１８及び第３のバルブ１９をクローズにし、ガス供給部１２から成膜ガス導入配管１５を介して成膜室１１にＨｅガスを３０００ｓｃｃｍ程度の流量で２０秒間導入して、圧力調整バルブ１６に不具合がないことを確認する。圧力調整バルブ１６が正常に動作していないと、実施の形態１の半導体装置の製造方法による第１のバルブ１４の不具合を検知できないことがある。
【００４６】
Ｈｅガスを２０秒間導入したときに、成膜室１１内部の圧力が所定値以上、例えば１００Ｔｏｒｒ以上であれば成膜室１１内部の圧力に上昇がみられるため、圧力調整バルブ１６が正常に動作していると考える。この後に実施の形態１の半導体装置の製造方法の第１のバルブ１４の不具合を検知する手順を行う。しかし、成膜室１１内部の圧力が１００Ｔｏｒｒを超えなければ、圧力調整バルブ１６に不具合があり、オープンしているかもしくは完全にクローズしておらず、この後の第１のバルブ１４の不具合を検知することができないと考えて、膜形成動作を中断する。判断基準となる成膜室１１内部の圧力値やＨｅガスを導入する時間の決め方は、真空ポンプ１３の排気速度や成膜室１１の大きさなどにより異なるためにあらかじめデータを取得して決定すればよい。
【００４７】
図６は本実施の形態２の半導体装置の製造方法に係る成膜室へのＨｅガスの導入時間と成膜室内部の圧力との関係を示す図である。圧力調整バルブ１６をクローズしたとき（●印）と、１０％オープンしたとき（▲印）とで、成膜室１１にＨｅガスを３０００ｓｃｃｍの流量で１５、２０、３０、４５、６０秒導入したときの成膜室１１内部の圧力を示す。
【００４８】
図６によれば、圧力調整バルブ１６が１０％オープンしたとき、すなわち圧力調整バルブ１６がクローズしていないときは、６０秒経過しても１００Ｔｏｒｒ以下である。圧力調整バルブ１６がクローズしたときは、２０秒以上で１００Ｔｏｒｒ以上である。圧力調整バルブ１６の不具合の有無の判断基準である所定値をＨｅガスが３０００ｓｃｃｍの流量で２０秒導入されたときに成膜室１１内部の圧力が１００Ｔｏｒｒ以上であるとすればよい。
【００４９】
このように、本実施の形態２の半導体装置の製造方法により、圧力調整バルブ１６の不具合を検知することができ、その後に第１のバルブ１４の不具合をより正しく検知することができる。
【００５０】
なお、実施の形態１及び実施の形態２では、第１のバルブ１４及び圧力調整バルブ１６の不具合を成膜室１１内部の圧力が所定値より小さいまたは所定値より大きいことで検知していたが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、成膜室１１内部の圧力変化量が所定値より小さいまたは所定値より大きいことで検知してもよい。
【００５１】
また、実施の形態１及び実施の形態２では半導体基板上にＢＰＳＧ膜の形成するときを例としてあげたが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、例えば、ＴＥＯＳを使用してＳｉＯ膜を形成するときであってもよい。また、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜などの少なくとも不純物を含む膜の形成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の半導体装置の製造方法は、成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスを導入することを防ぎ、半導体装置の信頼性や製造歩留まりを向上させるものであり、液体状態の原料を気化させて得られる成膜ガスや複数種類のガスを混合して得られる成膜ガスを用いる半導体装置の膜形成工程に適用して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置のバルブの設定を示す図
【図２】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置のバルブの設定を示す図
【図３】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置のＨｅガス流量と成膜室内部の圧力との関係を示す図
【図４】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法に係る別の半導体製造装置の概略構成を示す図
【図５】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置のバルブの設定を示す図
【図６】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法に係る成膜室へのＨｅガスの導入時間と成膜室内部の圧力との関係を示す図
【図７】従来の半導体装置の製造方法に係る半導体製造装置の概略構成を示す図
【図８】従来の半導体装置の製造方法を説明するための図
【図９】従来の半導体装置の製造方法を説明するための図
【符号の説明】
【００５４】
１，３    半導体製造装置
２    半導体基板
１１，３１    成膜室
１４    第１のバルブ
１５，３５    成膜ガス導入配管
１６，３６    圧力調整バルブ
１７，３７    排出配管
１８    第２のバルブ
１９    第３のバルブ
２０，３８    成膜ガス排出配管
３４    三方バルブ
【図１】
2009065078.tif 000003
【図２】
2009065078.tif 000004
【図３】
2009065078.tif 000005
【図４】
2009065078.tif 000006
【図５】
2009065078.tif 000007
【図６】
2009065078.tif 000008
【図７】
2009065078.tif 000009
【図８】
2009065078.tif 000010
【図９】
2009065078.tif 000011