(57)【要約】【課題】ＦＥＤにおいてスパークが生じた場合にスパーク電流によって電子源が破壊されることを防止する。【解決手段】アノード基板２の内側にはストライプ状のメタルバックユニット２３１が多数形成されている。アノード端子２４から供給される高電圧はメタルバック周辺部２３３を通り、抵抗体２３２を介してストライプ状のメタルバックユニット２３１に供給される。ストライプ状のメタルバックユニット２３１間は抵抗の非常に高い酸化バナジウムを主成分としたガラス材料によるＢＭ２２で形成されている。したがって、スパークが生じても、流れる電流は主としてストライプ状のメタルバックユニット２３１にチャージした電荷になるので、スパーク電流を小さくすることが出来る。その結果、スパークによる電子源の破壊を防止することが出来る。【選択図】図７
2009134929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されて有効画面を形成したアノード基板を備えた表示装置であって、
前記蛍光体は横方向ピッチと縦方向ピッチを有し、前記蛍光体の間はブラックマトリクスが形成され、前記蛍光体および前記ブラックマトリクスを覆ってアノード電圧が印加される画面横方向に長い複数のストライプ状のメタルバックが形成され、前記複数のストライプ状のメタルバックは前記ブラックマトリクス上において、互いに離間しており、
前記ストライプ状のメタルバックの周辺には前記メタルバックにアノード電圧を供給するための周辺部がメタルバックと同じ材料で形成されており、前記ストライプ状のメタルバックと前記周辺部とは抵抗体によって接続されており、
前記ブラックマトリクスは抵抗率が１０８Ωｃｍ以上の酸化バナジウムを主成分としたガラス材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ストライプ状のメタルバックの幅は前記蛍光体の縦ピッチよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ストライプ状のメタルバックの幅は前記蛍光体の縦ピッチの５倍よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記酸化バナジウムを主成分としたガラス材料の抵抗率は１０８Ωｃｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ブラックマトリクスは酸化バナジウムを３０％〜４０％含むガラス材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記周辺部は前記有効画面を囲む環状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記抵抗体は画面の左右に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記抵抗体はグラファイトで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されて有効画面を形成したアノード基板を備えた表示装置であって、
前記蛍光体は横方向ピッチと縦方向ピッチを有し、前記蛍光体の間はブラックマトリクスが形成され、前記蛍光体および前記ブラックマトリクスを覆ってアノード電圧が印加される画面横方向に長い複数のストライプ状のメタルバックが形成され、前記複数のストライプ状のメタルバックは前記ブラックマトリクス上において、互いに離間しており、
前記ストライプ状のメタルバックの周辺には前記メタルバックにアノード電圧を供給するための周辺部がメタルバックと同じ材料で形成されており、前記ストライプ状のメタルバックと前記周辺部とは抵抗体によって接続されており、
前記ブラックマトリクスは抵抗率が１０１０Ωｃｍ以上のダイヤモンドライクカーボンで形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記ストライプ状のメタルバックの幅は前記蛍光体の縦ピッチよりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記ストライプ状のメタルバックの幅は前記蛍光体の縦ピッチの５倍よりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ダイヤモンドライクカーボンの抵抗率は１０１０Ωｃｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記周辺部は前記有効画面を囲む環状であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記抵抗体は画面の左右に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記抵抗体はグラファイトで形成されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１６】
電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されて有効画面を形成したアノード基板を備えた表示装置であって、
前記蛍光体は横方向ピッチと縦方向ピッチを有し、前記蛍光体の間はブラックマトリクスが形成され、前記蛍光体および前記ブラックマトリクスを覆ってアノード電圧が印加される画面横方向に長い複数のストライプ状のメタルバックが形成され、前記複数のストライプ状のメタルバックは前記ブラックマトリクス上において、互いに離間しており、
前記ストライプ状のメタルバックの周辺には前記メタルバックにアノード電圧を供給するための周辺部がメタルバックと同じ材料で形成されており、
前記複数のストライプ状のメタルバックは異なるマスクを使用した、複数のマスク蒸着又は、マスクスパッタリングによって形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
前記複数のストライプ状のメタルバックは第１のマスクを使用した、第１のマスク蒸着又は、マスクスパッタリング、および第２のマスクを使用した、第２のマスク蒸着又は、マスクスパッタリングによって形成されており、
前記第１のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチと、前記第２のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチは、前記ストライプ状のメタルバックのピッチの２倍であることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記複数のストライプ状のメタルバックは第１のマスクを使用した、第１のマスク蒸着又は、マスクスパッタリング、第２のマスクを使用した、第２のマスク蒸着又は、マスクスパッタリング、および第３のマスクを使用した、第３のマスク蒸着又は、マスクスパッタリングによって形成されており、
前記第１のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチと、前記第２のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチと、前記第３のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチは、前記ストライプ状のメタルバックのピッチの３倍であることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記周辺部は、複数のマスク蒸着またはマスクスパッタリングによって、前記複数のストライプ状のメタルバックを周回するように形成されており、
前記複数のマスク蒸着またはマスクスパッタリングによって形成された膜は、互いに重なりを有していることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部を真空にし、背面基板に電子放出源をマトリクス状に配置し、前面基板に対応する蛍光体を配置したフラット型表示装置に係り、この表示装置のスパークに対する信頼性の技術に関連する。
【背景技術】
【０００２】
フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）は２枚のガラス基板に挟まれた内部を真空にして、一方の基板上に電子放出源をマトリクス状に配置し、対向基板に蛍光体を配置した表示装置である。ＦＥＤは電子放出源からの電子が蛍光体に射突して発光することによって画像を形成するもので、明るさ、コントラスト、動画特性等でブラウン管並の優れた性能を得ることが出来るので、将来のＴＶ用ディスプレイとして期待されている。
【０００３】
しかし、ＦＥＤは陽極に約１０ＫＶ程度の高電圧を印加することによって、電子を加速して蛍光体を光らせる必要がある。蛍光面が形成されるアノード基板と電子源が形成されるカソード基板との間に約１０ＫＶ程度の高電圧が印加されるため、表示装置の内部にはかなりの高電界が形成される。したがって、アノード基板とカソード基板との間でスパークが生じ易い。
【０００４】
カソード基板には多数の電子源がマトリクス状に形成されている。スパークはアノード基板とカソード基板の間で多く生ずるが、カソード基板に形成された電子源にスパーク電流が流れると電子源を破壊する。ＦＥＤの電子源としては、ＭＩＭ型、ＳＥＤ型、Ｓｐｉｎｄｔ型、カーボンナノチューブ型等種々なものが開発されているが、スパークによって破壊されることはどの電子源についても共通である。
【０００５】
ＦＥＤ内でスパークを生じないような構造とすることがベストであるが、ＦＥＤ内は高電界が形成されているために、スパークをゼロにすることは困難である。したがって、スパークが生じても、スパーク電流が電子源を破壊しない程度にまで小さく抑えることが出来れば、ＦＥＤが破壊されることは免れる。
【０００６】
スパーク電流は、アノード基板に形成された高電圧が印加されたメタルバックからカソード基板に流れ込むことが多い。「特許文献１」では、高電圧の給電線とメタルバックとの間に高抵抗を設置することによってスパーク電流を抑制する技術が記載されている。「特許文献１」にはまた、メタルバックをユニットに分割し、スパークが生じたときに、カソード基板側に流れる電流を各ユニットにチャージした電荷の放電のみに抑えることによって、スパーク電流を抑える技術も記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２７３３７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
「特許文献１」に記載の技術はメタルバックをユニットに分割してスパークが生じた場合にスパーク電流を各ユニットからの放電電流のみに抑える技術である。この場合、隣り合ったユニット間の電気的な絶縁が十分でなければ、スパークの放電電流を抑制することは困難である。「特許文献１」では蛍光体と蛍光体の間には隔壁が形成されている。隔壁とガラス基板であるアノード基板との間にブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されている。「特許文献１」は隔壁の材料については記載が無い。
【０００９】
また、メタルバックをユニットに分割する場合、分割数を多くして各ユニットの面積を小さくしたほうが、放電電流を小さくすることが出来るが、「特許文献１」にはメタルバックを細かく分割する技術については記載が無い。したがって、「特許文献１」に記載の技術のみでは、スパーク電流を現実的に小さくすることは困難である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたもので、蛍光体と蛍光体の間に形成されるＢＭの材料を絶縁体または非常に大きな抵抗とすることによって、メタルバックの分割によるスパーク電流を実質的に小さくすることである。また、本発明は、メタルバックの蒸着を複数回に分割することによってメタルバックを多数のユニットに分割することを可能とし、スパーク電流を低減するものである。具体的な構成は次のとおりである。
【００１１】
（１）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されて有効画面を形成したアノード基板を備えた表示装置であって、前記蛍光体は横方向ピッチと縦方向ピッチを有し、前記蛍光体の間はブラックマトリクスが形成され、前記蛍光体および前記ブラックマトリクスを覆ってアノード電圧が印加される画面横方向に長い複数のストライプ状のメタルバックが形成され、前記複数のストライプ状のメタルバックは前記ブラックマトリクス上において、互いに離間しており、前記ストライプ状のメタルバックの周辺には前記メタルバックにアノード電圧を供給するための周辺部がメタルバックと同じ材料で形成されており、前記ストライプ状のメタルバックと前記周辺部とは抵抗体によって接続されており、前記ブラックマトリクスは酸化バナジウムを主成分としたガラス材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【００１２】
（２）前記ストライプ状のメタルバックの幅は前記蛍光体の縦ピッチよりも小さいことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１３】
（３）前記ストライプ状のメタルバックの幅は前記蛍光体の縦ピッチの５倍よりも小さいことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１４】
（４）前記酸化バナジウムを主成分としたガラス材料の抵抗率は１０８Ωｃｍ以上であることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１５】
（５）前記ブラックマトリクスは酸化バナジウムを３０％〜４０％含むガラス材料であることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１６】
（６）前記周辺部は前記有効画面を囲む環状であることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１７】
（７）前記抵抗体は画面の左右に形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１８】
（８）前記抵抗体はグラファイトで形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１９】
（９）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されて有効画面を形成したアノード基板を備えた表示装置であって、前記蛍光体は横方向ピッチと縦方向ピッチを有し、前記蛍光体の間はブラックマトリクスが形成され、前記蛍光体および前記ブラックマトリクスを覆ってアノード電圧が印加される画面横方向に長い複数のストライプ状のメタルバックが形成され、前記複数のストライプ状のメタルバックは前記ブラックマトリクス上において、互いに離間しており、前記ストライプ状のメタルバックの周辺には前記メタルバックにアノード電圧を供給するための周辺部がメタルバックと同じ材料で形成されており、前記ストライプ状のメタルバックと前記周辺部とは抵抗体によって接続されており、前記ブラックマトリクスはダイヤモンドライクカーボンで形成されていることを特徴とする表示装置。
【００２０】
（１０）前記ストライプ状のメタルバックの幅は前記蛍光体の縦ピッチよりも小さいことを特徴とする（９）に記載の表示装置。
【００２１】
（１１）前記ストライプ状のメタルバックの幅は前記蛍光体の縦ピッチの５倍よりも小さいことを特徴とする（９）に記載の表示装置。
【００２２】
（１２）前記ダイヤモンドライクカーボンの抵抗率は１０１０Ωｃｍ以上であることを特徴とする（９）に記載の表示装置。
【００２３】
（１３）前記周辺部は前記有効画面を囲む環状であることを特徴とする（９）に記載の表示装置。
【００２４】
（１４）前記抵抗体は画面の左右に形成されていることを特徴とする（９）に記載の表示装置。
【００２５】
（１５）前記抵抗体はグラファイトで形成されていることを特徴とする（９）に記載の表示装置。
【００２６】
（１６）電子源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、前記電子源と対応する場所に蛍光体が形成されて有効画面を形成したアノード基板を備えた表示装置であって、前記蛍光体は横方向ピッチと縦方向ピッチを有し、前記蛍光体の間はブラックマトリクスが形成され、前記蛍光体および前記ブラックマトリクスを覆ってアノード電圧が印加される画面横方向に長い複数のストライプ状のメタルバックが形成され、前記複数のストライプ状のメタルバックは前記ブラックマトリクス上において、互いに離間しており、前記ストライプ状のメタルバックの周辺には前記メタルバックにアノード電圧を供給するための周辺部がメタルバックと同じ材料で形成されており、前記複数のストライプ状のメタルバックは異なるマスクを使用した、複数のマスク蒸着又は、マスクスパッタリングによって形成されていることを特徴とする表示装置。
【００２７】
（１７）前記複数のストライプ状のメタルバックは第１のマスクを使用した、第１のマスク蒸着又は、マスクスパッタリングおよび第２のマスクを使用した、第２のマスク蒸着又は、マスクスパッタリングによって形成されており、前記第１のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチと前記第２のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチは、前記ストライプ状のメタルバックのピッチの２倍であることを特徴とする（１６）に記載の表示装置。
【００２８】
（１８）前記複数のストライプ状のメタルバックは第１のマスクを使用した、第１のマスク蒸着又は、マスクスパッタリング、第２のマスクを使用した、第２のマスク蒸着又は、マスクスパッタリング、および、第３のマスクを使用した、第３のマスク蒸着又は、マスクスパッタリングによって形成されており、前記第１のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチと、前記第２のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチと、前記第３のマスクに形成された前記ストライプ状のメタルバックを形成するためのスリットのピッチは、前記ストライプ状のメタルバックのピッチの３倍であることを特徴とする（１６）に記載の表示装置。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、メタルバックを細いストライプ状のユニットに細かく分割し、かつ、ブラックマトリクスを１０８Ωｃｍ以上の高い抵抗率を有する酸化バナジウムを主成分としたガラス材料、または、１０１０Ωｃｍ以上の抵抗率を持つダイヤモンドライクカーボンで構成したので、隣接ユニット同士のスパークを抑制できる。そのため、スパークでカソードに流れ込む電荷量をスパークした１ユニット分の電荷量にとどめることが出来る。これによって、スパーク時の電流を実質的に小さくすることが出来る。
【００３０】
また、本発明によれば、異なるマスクを用いて、複数回のマスク蒸着あるいはマスクスパッタリングによって、メタルバックを形成するので、非常に細いストライプ状のメタルバックユニットをアノード基板の有効面全面に形成することが出来、効果的にスパーク電流を低減することが出来る。
【００３１】
さらに、本発明によれば、多数のストライプ状のメタルバックユニットとその周辺を囲む同じ材料の周辺部をグラファイト等の抵抗体で電気的に接続するので、信頼性の高い接続をすることが出来る。また、ストライプ状のメタルバックユニットと周辺部を２箇所で接続するので、各ユニットは、アノード給電部と並列に接続され、カソード電流によるアノードの電圧降下を抑えることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００３３】
図１は本発明の第１の実施例を示す平面図である。図１において、カソード基板１の上には封着部３を介してアノード基板２が設置されている。カソード基板１上には横方向には走査線が、縦方向にはデータ信号が延在している。走査線、データ信号線には端子５を介して外部から信号が供給される。走査線と信号線の交差部付近には電子放出源が配置されている。したがって、多数の電子放出源がマトリクス状に配列されている。電子放出源としては、いわゆるＭＩＭ方式、ＳＥＤ方式、Ｓｐｉｎｄｔ方式、カーボンナノチューブ等種々のものが開発されているが、いずれの電子放出源の場合も本発明を適用可能である。
【００３４】
カソード基板１とアノード基板２と周辺を囲む封着部３の内部は真空に保たれる。したがって、大気圧によってアノード基板２、カソード基板１が撓み、カソード基板１とアノード基板２の間隔が確保できなくなる。あるいは、カソード基板１あるいはアノード基板２が破壊してしまう。これを避けるために、カソード基板１とアノード基板２との間にスペーサ４が設置される。このスペーサ４はセラミックまたはガラスで形成され、画像形成の妨げにならないように一般的には走査線上に設置される。
【００３５】
スペーサ４はこの有効画面領域の走査線上に設置される。アノード基板２上には電子ビームの射突によって光を発する赤、緑、青の蛍光体２１が電子放出源に対応して形成されている。蛍光体２１の周囲にはブラックマトリクス（ＢＭ２２）が形成されており、画像のコントラスを向上させる。ブラックマトリクスを覆ってＡｌによるメタルバック２３が形成されている。メタルバック２３には高電圧が印加され、カソードから出射する電子ビームを加速して蛍光体２１に射突させる。
【００３６】
電子ビームによって蛍光体２１から光を発生させるためには電子ビームはある程度のエネルギーをもっていなければならないので、アノード基板２のメタルバック２３には８ＫＶから１０ＫＶの高電圧が印加される。本実施例では外部から高電圧を供給する高電圧導入端子６０はカソード基板１側に設けられ、コンタクトスプリングを介してアノード基板２に高電圧が供給される。表示装置の内部は真空に保たなければならないので、図１における表示装置の裏側に排気孔８１および排気管８が設けられている。
【００３７】
図２は図１をＤ方向から見た側面図である。図２において、カソード基板１とアノード基板２は封着部３を介して所定の距離を持って対向している。カソード基板１のほうが端子５等が設置される分大きく形成されている。カソード基板１の下には、排気管８及び高電圧導入端子等を取り付けるための排気基板６が取り付けられている。排気基板６は排気基板封着部を介してカソード基板１に取り付けられている。図２では排気基板６には表示装置の内部を真空にするための排気管８がチップオフされた状態で描かれている。
【００３８】
図３は図１のＡ−Ａ断面図である。図３において、データ信号線１２が紙面と垂直方向に延在している。本実施例ではこのデータ信号線１２の上に電子放出源１４が形成されている。絶縁膜１３を介して走査線１１がデータ信号線１２と直角方向に形成されている。図３において、走査線１１は封着部３の外部に延在している。走査線１１の上にはカソード基板１とアノード基板２との距離を保つためのスペーサ４が設置されている。スペーサ４はアノード基板２側ではフリットガラス４１によってメタルバック２３に、カソード基板１側ではフリットガラス４１によって走査線上に固着されている。このスペーサ４には１０７から１０１１Ω・ｃｍ、好ましくは１０８から１０９Ω・ｃｍ程度の導電性が与えられ、カソード基板１側の走査線とアノード基板２側のメタルバック２３との間にわずかに電流を流すことによってスペーサ４の帯電を防止している。
【００３９】
表示装置の内部を真空に保つために、アノード基板２と封止枠３１がフリットガラス３２によって、また、カソード基板１と封止枠３１がフリットガラス３３によって封止されている。フリットガラス３２の接着温度がフリットガラス３３の接着温度よりも高い。
【００４０】
アノード基板２側では、電子放出源１４に対応する場所には、赤、緑、青等の蛍光体２１が配置され、この蛍光体２１は電子ビームに射突されることによって発光し、画像が形成される。蛍光体２１の間はＢＭ２２で充填され、画像のコントラストの向上に寄与する。ＢＭ２２は例えば、クロムおよび酸化クロムの２層構造になっている。蛍光体２１およびＢＭ２２を覆ってＡｌによるメタルバック２３が形成されている。メタルバック２３には約８ＫＶから１０ＫＶ程度の高電圧が印加され、電子ビームを加速する。加速された電子ビームはメタルバック２３を突き抜けて蛍光体２１に射突し、蛍光体２１を発光させる。
【００４１】
図３において、アノード基板２とカソード基板１が封止枠３１とフリットガラスを介してシールされた後、排気管を通してＦＥＤ内部が真空に排気される。カソード基板１の厚さおよびアノード基板２の厚さは３ｍｍ程度である。また、カソード基板１とアノード基板２との距離は約２．８ｍｍ程度である。この狭い間隔に８ＫＶから１０ＫＶの高電圧を印加するために、表示装置の内部には高電界が形成されており、スパークの危険が存在する。スパークを防止するために、スペーサ４およびスペーサ４を固着するフリットガラスには導電性が与えられ、スペーサ４が帯電することを防止している。
【００４２】
図４は図１のＣ−Ｃ断面を示す模式図である。図４において、カソード基板１上には横方向にデータ信号線１２が延在している。データ信号線１２と直角に走査線１１が紙面の法線方向に延在している。走査線と走査線の間のデータ信号線１２の上には電子源１４が配置されている。電子源１４はデータ信号線１２が下部電極となり、トンネル絶縁膜を介して走査線１１と電気的に接続する上部電極によって構成される。本実施例では電子源１４としてＭＩＭ電子源を使用しているが、本発明はＭＩＭ電子源に限らず、他の電子源についても適用できる。
【００４３】
アノード基板２には蛍光体２１が形成され、蛍光体と蛍光体の間はＢＭ２２によって覆われている。蛍光体２１およびＢＭ２２を覆ってＡｌをスパッタリングすることによって、メタルバック２３が形成される。メタルバック２３には約８ＫＶから１０ＫＶの高電圧であるアノード電圧が印加されている。このアノード電圧によって電子源１４から放出された電子ビームは加速される。電子源１４から放出された電子ビームはメタルバック２３を突き抜けて蛍光体２１に射突することによって蛍光体２１を光らせ、カラー画像が形成される。電子ビームは電子源１４から放出されると広がるが、蛍光面上では、各蛍光体よりも若干大きくなるように設計されている。
【００４４】
アノード基板２とカソード基板１の距離を保つために、図３で説明したように、スペーサ４が設置される。スペーサ４はカソード基板１上の走査線１１とアノード基板２上のメタルバック２３の間に設置される。この位置であれば、スペーサ４が画像形成の妨げにならない。
【００４５】
図５は図１のＢ‐Ｂ断面図である。図５において、カソード基板１には通孔１０が形成されており、この通孔１０を通して表示装置の排気あるいは高電圧の供給が行なわれる。カソード基板１の通孔１０を覆って排気基板６が排気基板用封着部７を介して設置され、表示装置の内部を真空に保つ。排気基板用封着部７はカソード基板１とアノード基板２の封着部３と基本的な構成は同じである。すなわち、排気基板用枠体７１がフリットガラス３２を介して封着され、排気基板用枠体７１はフリットガラス３３を介してカソード基板１と封着されている。本実施例においては、フリットガラス３２のほうが、フリットガラス３３よりも接着温度が高い。本実施例ではアノード基板２とカソード基板１を封着する枠体３１とカソード基板１と排気基板６を封着する枠体とは同じ厚さとしているが、必要に応じて枠体の厚さは自由に設定可能である。
【００４６】
高電圧導入端子６０が外部との気密を保ちながら排気基板６を貫通している。高電圧導入端子６０はフリットガラス３２によって排気基板６と封着される。
高電圧導入端子６０にはＦｅ−Ｎｉ合金が使用されるが、ＦｅとＮｉの比率は排気基板６の熱膨張を考慮して決める。本実施例ではＮｉが４８％である。排気基板６には排気孔８１が形成され、この排気孔８１には排気管８がフリットガラス３２を介して封着されている。排気管８を通して表示装置の内部が真空排気され、その後、排気管８はチップオフされて表示装置の内部は真空に保持される。図５は排気管８がチップオフされた状態を示している。
【００４７】
フリットガラス３２はフリットガラス３３よりも接着温度が高く、その分、排気管および高電圧導入端子の封着の信頼性を上げている。すなわち、排気管および高電圧導入端子の封着は、電子源が形成されたカソード端子のベーキングとは関係なく行われるので、接着温度の高いフリットガラスを使用することによって封着の信頼性を上げている。
【００４８】
アノード基板２にはコンタクトスプリング５０と接触するためのアノード端子２４が形成されている。アノード端子２４には比較的大きな電流が流れるために、信頼性が重要である。本実施例ではアノード端子２４付近の構造は次のようになっている。アノード基板２上にはＢＭ２２が形成され、これを覆ってＡｌによるメタルバック２３が形成されている。これは画面の有効画面と同じ構成である。本実施例ではメタルバック２３の上に、アノード端子２４としての導電膜が厚さ１０μｍ程度で形成される。
【００４９】
本実施例ではアノード端子２４は銀ペーストを印刷によって塗布し、その後、焼成することによって形成される。このアノード端子２４の焼成は特別なプロセスを設ける必要は無く、例えば、スペーサ４を固着するときの焼成プロセスと同時に行なえばよい。
【００５０】
銀ペーストは直径1ミクロンから数μｍの銀粒子を粘度の高い有機溶媒に分散させたものである。焼成後、銀粒子同士がつながることによって導電性を持つことになる。導電膜はある程度の抵抗を持ったほうが良い場合もある。このような場合は通常の銀ペーストにさらにフリットガラス用のペーストを混合して抵抗を調整することができる。なお、導電膜の材料としては、銀ペーストに限る必要は無く、Ｎｉ粒子を分散させたＮｉペースト、Ａｌ粒子を分散させたＡｌペースト等を用いることもできる。また、バインダによって結合した黒鉛膜を用いることも出来る。この場合の黒鉛はグラファイトが好適である。黒鉛膜の抵抗は、例えば、黒鉛にベンガラ（酸化鉄）を混合することによって調整することができる。
【００５１】
図６は従来例によるアノード基板２の内側の平面図である。図６において、アノード基板２の周辺には封着部３が形成されている。蛍光体が形成されている表示領域を覆ってメタルバックが形成されている。メタルバックとＢＭ２２の外形は同一である。図６におけるメタルバックの右上部コーナー部にはアノード端子のための給電部２３５が形成されている。この給電部２３５の上にはアノード端子２４が形成されている。このアノード端子にカソード基板１側からのコンタクトスプリングが接触して高電圧が供給される。
【００５２】
図７は本発明の第１の実施例を示すアノード基板２の内側平面図である。図７において、アノード基板２周辺には封着部３が形成されている。メタルバックは多数のストライプ状メタルバックユニット２３１に分割されている。ストライプ状メタルバックユニット２３１とストライプ状メタルバックユニット２３１の間にはＢＭ２２が存在している。図７においては、ストライプ状メタルバックユニット２３１の幅はわかり易くするために太く描いているが、実際は蛍光体の縦ピッチよりも僅かに小さい程度の細いものである。多数のストライプ状メタルバックユニット２３１を囲んで、Ａｌのメタルバック周辺部２３３が形成されている。短辺側２箇所でメタルバック周辺部２３３と各ストライプ状メタルバックユニット２３１が抵抗体２３２によって接続されている。この抵抗体２３２はグラファイト系の材料で形成され、抵抗値は高く設定される。スパーク電流を抑制するためである。図７においてはメタルバック周辺部２３３は環状になっているが、環状に限らず、ストライプ状メタルバックユニット２３１に画面両側から高電圧を供給できる形状であれば良い。
【００５３】
各ストライプ状メタルバックユニット２３１は抵抗体２３２以外では互いに絶縁されている。また、メタルバック周辺部２３３と各ストライプ状メタルバックユニット２３１も抵抗体２３２以外では絶縁されている。給電部２３５から高電圧が供給されると、メタルバック周辺部２３３は高電圧がそのまま供給され、ストライプ状メタルバックユニット２３１には抵抗体２３２を介して高電圧が供給される。
【００５４】
このようなアノード側の電極の形成方法は、詳しくは実施例２において説明するが、簡単に説明すると、次のとおりである。すなわち、まず、Ａｌをマスク蒸着することによってＡｌによるストライプ状メタルバックユニット２３１部とメタルバック周辺部２３３を形成する。その後、グラファイトによる抵抗体２３２を両側に印刷によって塗付する。印刷によって形成された抵抗体２３２の膜厚は５０μｍ程度である。
【００５５】
図７のようなアノード基板２の構成によれば、アノード基板２とカソード基板１の間でスパークが生じても、スパーク部分に対応するストライプ状メタルバックユニット２３１以外からの電流は抵抗体２３２によって抑えられる。そして、スパーク電流は、各ストライプ状メタルバックユニット２３１に蓄積された電荷が主として流れるので、スパーク電流は大きくはならない。したがって、電子源の破壊を防止することが出来る。
図８は図７の表示領域における蛍光体、ＢＭ２２、およびストライプ状メタルバックユニット２３１の平面方向の配置を示す拡大平面図である。図８において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）蛍光体２１が横方向に配列している。各蛍光体がサブピクセルを構成し、Ｒ、Ｇ、Ｂの３蛍光体でピクセルを形成している。各サブピクセルの横方向のピッチは０．１７３ｍｍであり、ピクセルの横方向のピッチは０、５１９ｍｍである。画面縦方向には同色の蛍光体が配列しており、縦方向の蛍光体のピッチは０．５１９ｍｍである。したがって、ピクセル単位では正方形である。
【００５６】
蛍光体の横方向の配列（行）毎にストライプ状メタルバックユニット２３１によって覆われている。したがって各ストライプ状メタルバックユニット２３１は横方向に長いストライプ状となっている。そして、各ストライプは画面両側方向に形成された抵抗体部分を除いては互いに絶縁されている。蛍光体の縦方向寸法は０．２ｍｍ程度であり、ストライプ状メタルバックユニット２３１は蛍光体を完全に覆う必要があるので、ストライプ状メタルバックユニット２３１の幅は０．３ｍｍ程度とする必要がある。そうするとストライプ状メタルバックユニット２３１とストライプ状メタルバックユニット２３１の間隔は０．２１９ｍｍ程度確保することが出来る。
【００５７】
図９は従来構成のＢＭ２２を用いた場合の図８のＡ−Ａ断面である。図９において、蛍光体が０．５１９ｍｍの縦ピッチで配列している。蛍光体と蛍光体の間にはＢＭ２２が形成されている。ＢＭ２２は２層構造となっており、アノード基板２側には２０ｎｍの厚さのＣｒ２Ｏ３が被着され、その上に、厚さ２００ｎｍのＣｒが積層されている。屈折率の異なる物質を積層することによってＢＭ２２部分の反射を効果的に防止している。
【００５８】
蛍光体およびＢＭ２２の一部を覆ってストライプ状メタルバックユニット２３１が被着されている。ストライプ状メタルバックユニット２３１は蒸着によって形成される。図９に示すように、各ストライプ状メタルバックユニット２３１は互いに離隔している。しかし、各ストライプ状メタルバックユニット２３１は離隔はしているものの、Ｃｒの上に積層されている。Ｃｒは導電性であるから、各ストライプ状メタルバックユニット２３１間の絶縁はできず、したがって、従来例のＢＭ２２では、メタルバックをストライプ状メタルバックユニット２３１に分割しても、所定の効果を上げることは出来ない。
【００５９】
図１０は本発明の構成による図８のＡ−Ａ断面である。従来例である図９と異なるところは、ＢＭ２２を酸化バナジウムを主成分としたガラス材料で構成したことである。酸化バナジウムを主成分としたガラス材料は抵抗率が１０８Ωｃｍ以上と、非常に高い。したがって、スパークが生じた場合、隣のストライプ状メタルバックユニット２３１にチャージしている電荷が流れ込むことを阻止するには十分な抵抗を形成する。絶縁性の酸化バナジウムを主成分としたガラス材料の成分としては例えば、Ｖ２Ｏ５：３０％〜４０％、ＺｎＯ：５％、ＢａＯ：１５％、ＷＯ３：５％、ＴｅＯ２：２５％から３５％＋ｂａｌａｎｃｅである。このうち、Ｖ２Ｏ５の成分が増すと導電性が増す傾向にある。一方、酸化バナジウムを主成分としたガラス材料は黒色であり、ＢＭ２２として作用させるための十分な光吸収率を有する。
【００６０】
酸化バナジウムを主成分としたガラス材料は印刷によってアノード基板２上に形成することが出来る。印刷によれば、蛍光体のためのホールを形成しつつＢＭ２２を形成することが出来る。この他に、例えば、酸化バナジウムを主成分としたガラス材料をアノード基板２全面に塗布、焼結したあと、サンドブラストをかけることによって蛍光体が形成されるべき部分にホールを形成することも出来る。
【００６１】
本発明でＢＭ２２として使用可能な他の材料はダイヤモンドライクカーボンである。ダイヤモンドライクカーボンはグラファイトとダイヤモンドとの中間的な分子構造を持ち、比抵抗は１０１０Ωｃｍ以上と高い。また、黒色であり、光吸収率も非常に高い。ダイヤモンドライクカーボンはＣＶＤ法によってアノード基板２上に被着することが出来る。アノード基板２に被着されたダイヤモンドライクカーボン膜に対してフォトリソグラフィーによって、蛍光体のためのホールを形成する。
【００６２】
図１１は図８のＣ−Ｃ断面図である。図１１において、Ｒ、Ｇ、Ｂの各蛍光体はＢＭ２２を挟んで並列している。ＢＭ２２は図１０と同様、酸化バナジウムを主成分としたガラス材料かダイヤモンドライクカーボンである。蛍光体およびＢＭ２２を覆ってストライプ状メタルバックユニット２３１が被着されている。図１１においては、ストライプ状メタルバックユニット２３１は連続した膜となっている。
【００６３】
以上はストライプ状メタルバックユニット２３１が蛍光体一行分を覆う場合である。ストライプ状メタルバックユニット２３１を形成するストライプ幅が小さいほどスパークした時の電流の値を小さくすることが出来る。しかし、本発明はストライプ状メタルバックユニット２３１のストライプの幅が複数の行の蛍光体を覆う場合にも適用することが出来る。図１２は２行の蛍光体をストライプ状メタルバックユニット２３１が覆う場合の実施形態である。この場合のストライプ状メタルバックユニット２３１間の間隔はストライプ状メタルバックユニット２３１が１行の蛍光体を覆う場合と同様の０．２ｍｍ程度である。
【００６４】
図１３は図１２のＡ−Ａ断面図である。図１３において、同色の蛍光体がＢＭ２２を挟んで並列して配置されている。ＢＭ２２は酸化バナジウムを主成分としたガラス材料またはダイヤモンドライクカーボンで形成されている。蛍光体及びＢＭ２２を覆ってストライプ状メタルバックユニット２３１が形成されている。この場合のストライプ状メタルバックユニット２３１は蛍光体２個分、すなわち、２行分を覆っている。各ストライプ状メタルバックユニット２３１はＢＭ２２上で互いに分離している。
【００６５】
本実施形態においても、抵抗率が１０８Ω以上のＢＭ２２は酸化バナジウムを主成分としたガラス材料またはダイヤモンドライクカーボンで形成されているので、ストライプ状メタルバックユニット２３１間の電気的絶縁は保つことが出来、スパークが生じたときの電流を抑制することが出来る。
【００６６】
以上のように、本発明はストライプ状メタルバックユニット２３１が複数の蛍光体の行を覆う場合にも適用することが出来る。しかし、あまり多くの蛍光体の行をストライプ状メタルバックユニット２３１が覆うと発明の目的である、スパーク電流の低減の効果が薄れる。一方、ストライプ状メタルバックユニット２３１間を分離する幅はストライプ状メタルバックユニット２３１が覆う蛍光体の行数に関係なく一定である。したがって、好ましくは、ユニトが覆う蛍光体の行の数は５行分程度に抑えておくのがよい。
【実施例２】
【００６７】
本発明を実施するには、非常に細かいＡｌのパターンをマスク蒸着あるいはマスクスパッタリング（以後マスク蒸着と称する）によって、形成する必要がある。本実施例は実施例１において開示した構成を可能とするメタルバックの形成方法を開示するものである。図１４は、本発明により、マスク蒸着によってＡｌパターンが形成された状態を示す模式図である。すなわち、図１４は抵抗体２３２が塗布される前の、Ａｌパターンのみの状態を示している。
【００６８】
図１４において、表示領域を囲むようにしてＡｌによるメタルバック周辺部２３３が枠状に形成されている。表示領域には細いストライプ状のＡｌのパターンが多数形成されている。右上コーナー部にはコンタクトスプリングから高電圧を供給するための給電部２３５が形成されている。メタルバック周辺部２３３が枠状に形成されているために、このようなＡｌのパターンは１個のマスクのみで形成することは出来ない。
【００６９】
図１５は蒸着方法の第１の実施形態である。本実施形態では２回の蒸着またはスパッタリング（以後蒸着で代表する）でメタルバックを形成する例である。図１５（ａ）は、第１のマスクＭＫの形状である。図１５（ａ）に示す２３１Ｍはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１に対応するスリット状の孔であり、２３３Ｍはアノード基板２に形成されるメタルバック周辺部２３３に対応する孔である。
【００７０】
図１５（ａ）のマクスにはスリット２３１Ｍが多数形成されているが、このピッチはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１の２倍のピッチである。図１５（ａ）には、アノード基板２のメタルバック周辺部２３３の一部が蒸着されるように、孔２３３Ｍが形成されている。全周に２３３Ｍが形成されるとマスクＭＫの製作が出来ない。但し、アノード基板２に形成されるメタルバック周辺部２３３を環状に形成しなければ、マスクＭＫの製作は可能である。
【００７１】
図１５（ｂ）はメタルバックを形成するための第２のマスクＭＫである。図１５（ｂ）のマスクＭＫにもアノード基板２のストライプ状メタルバックユニット２３１に対応するスリット２３１Ｍが多数形成されている。このピッチはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１の２倍のピッチである。但し、図１５（ｂ）におけるマスクＭＫのスリット状の孔２３１Ｍの位置は、図１５（ａ）と互い違いの位置に形成されており、図１５（ａ）のマスクＭＫと図１５（ｂ）のマスクＭＫの両方のマスクＭＫを用いて蒸着した後に、蛍光体の縦ピッチに対応したストライプ状メタルバックユニット２３１が形成される。
【００７２】
図１５（ｂ）のマスクＭＫにはアノード基板２のメタルバック周辺部２３３を形成するための一部の孔２３３Ｍが形成されている。図１５（ａ）のマスクＭＫの孔２３３Ｍと図１５（ｂ）のマスクＭＫの孔２３３Ｍとでアノード基板２のメタルバック周辺部２３３が出来上がる。図１５（ａ）のマスクＭＫと図１５（ｂ）のマスクＭＫに形成された２３３１Ｍは蒸着されたＡｌがオーバーラップする部分である。
【００７３】
このようにして形成されたアノード基板２のメタルバックの形状が図１５（ｃ）である。図１５（ｃ）において、ストライプ状メタルバックユニット２３１の縦方向のピッチは図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すマスクＭＫの２３３Ｍのピッチの１/２となっている。マスクＭＫのスリットのピッチが大きい分マスクＭＫの強度が大きく、マスクＭＫの取り扱いは容易である。図１５（ｃ）のメタルバック周辺部２３３に部分的に存在する２３３１はＡｌが２重に蒸着されている部分である。
【００７４】
図１６は本発明を実施するメタルバックを形成する第２の実施形態である。本実施形態では図１６（ａ）、図１６（ｂ）、図１６（ｃ）に示すように、第１のマスクＭＫ、第２のマスクＭＫ、第３のマスクＭＫを使用して蒸着する。図１６（ａ）に示す第１のマスクＭＫにはストライプ状メタルバックユニット２３１を形成するストライプ状のスリット２３１Ｍが多数形成されている。スリット２３１Ｍのピッチはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１の３倍のピッチである。ピッチが大きい分マスク強度が増し、マスクＭＫの取り扱いが容易となる。図１６（ａ）に示す第１のマスクＭＫの右下と左下にはアノード基板２の周縁部の一部を形成するための孔が形成されている。
【００７５】
図１６（ｂ）に示す第２のマスクＭＫにはストライプ状メタルバックユニット２３１を形成するストライプ状のスリットが多数形成されている。スリットのピッチはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１のピッチの３倍である。但し、スリットの位置は第１のマスクＭＫのスリットの位置とは異なる。また、第２のマスクＭＫには、アノード基板２のメタルバック周辺部２３３の辺部を形成するための孔が上下左右４箇所に形成されている。
【００７６】
図１６（ｃ）に示す第３のマスクＭＫにはストライプ状メタルバックユニット２３１を形成するストライプ状のスリットが多数形成されている。スリットのピッチはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１のピッチの３倍である。但し、スリットの位置は第１のマスクＭＫおよび第２のマスクＭＫのスリットの位置とは異なる。第３のマスクＭＫの右上と左上にはアノード基板２の周縁部一部を形成するための孔が形成されている。第１のマスクＭＫ、第２のマスクＭＫ、第３のマスクＭＫを用いて蒸着するとアノード基板２には環状のメタルバック周辺部２３３が形成される。
【００７７】
第１、第２、第３のマスクを用いてＡｌが蒸着された状態が図１６（ｄ）である。図１６（ｄ）において、ストライプ状メタルバックユニット２３１の縦ピッチは蛍光体の縦ピッチと同じであり、第１、第２、第３のマスクのスリットのピッチの１／３となっている。メタルバック周辺部２３３は環状となっており、メタルバック周辺部２３３の一部はＡｌのオーバーラップ部２３３１が形成されている。
【００７８】
このように、本実施形態では３枚のマスクを用いて蒸着するために、各マスクの強度が強く、その分正確な蒸着が可能になる。
【００７９】
図１７は本発明を実施するメタルバックを形成する第３の実施形態である。本実施形態では図１７（ａ）、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）、に示すように、第１のマスクＭＫ、第２のマスクＭＫ、第３のマスクＭＫを使用して蒸着する。図１７（ａ）に示す第１のマスクＭＫにはストライプ状メタルバックユニット２３１を形成するストライプ状のスリット２３１Ｍが多数形成されている。スリット２３１Ｍのピッチはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１の３倍のピッチである。ピッチが大きい分マスク強度が増し、マスクＭＫの取り扱いが容易となる。図１７（ａ）に示す第１のマスクＭＫの右側と左側にはアノード基板２の周縁部の短辺を形成するための孔が形成されている。
【００８０】
図１７（ｂ）に示す第２のマスクＭＫにはストライプ状メタルバックユニット２３１を形成するストライプ状のスリットが多数形成されている。スリットのピッチはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１のピッチの３倍である。但し、スリットの位置は第１のマスクＭＫのスリットの位置とは異なる。また、第２のマスクＭＫには、アノード基板２のメタルバック周辺部２３３の上辺と下辺を形成するための長孔が上下に形成されている。
【００８１】
図１７（ｃ）に示す第３のマスクＭＫにはストライプ状メタルバックユニット２３１を形成するストライプ状のスリットが多数形成されている。スリットのピッチはアノード基板２に形成されるストライプ状メタルバックユニット２３１のピッチの３倍である。但し、スリットの位置は第１のマスクＭＫおよび第２のマスクＭＫのスリットの位置とは異なる。第３のマスクＭＫにはアノード基板２の周縁部を形成するための孔は形成されていない。
【００８２】
第１、第２、第３のマスクを用いてＡｌが蒸着された状態が図１７（ｄ）である。図１７（ｄ）において、ストライプ状メタルバックユニット２３１の縦ピッチは蛍光体の縦ピッチと同じであり、第１、第２、第３のマスクのスリットのピッチの１／３となっている。メタルバック周辺部２３３は環状となっており、メタルバック周辺部２３３のコーナー部はＡｌのオーバーラップ部２３３１が形成されている。本実施形態の特徴はマスク強度が問題となるメタルバック有効面では３枚のマスクを用いてパターンを形成している点である。
このように、本実施形態でも３枚のマスクを用いて蒸着するために、各マスクの強度が強く、その分正確な蒸着が可能になる。
【００８３】
以上のようにしてアノード基板２にＡｌを形成した後、図１８に示すようなマスクＳＭＫを用いてスクリーン印刷によって抵抗体２３２を形成し、図７に示すようなメタルバックが完成する。抵抗体２３２にはグラファイトを用いる。グラファイトは印刷後、焼成する。焼成後の膜厚は５μｍ程度である。焼成後のグラファイトの体積低効率は数Ωｃｍであるが、メタルバック周辺部２３３とストライプ状メタルバックユニット２３１間の抵抗は数キロオームから数十キロオームとなる。導通に寄与する部分はグラファイト膜の下部のみだからである。
【００８４】
以上はストライプ状メタルバックユニット２３１の幅が蛍光体の一行分を覆う場合として説明した。ストライプ状メタルバックユニット２３１の幅が蛍光体の２行分を覆う場合は、各マスクのスリットの幅をほぼ倍とすればよい。この場合、マスクに形成されるストライプ状のスリットのピッチも倍となる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明のＦＥＤの平面図である。
【図２】図１の側面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】従来例のアノード基板の内側平面図である。
【図７】本発明のアノード基板の内側平面図である。
【図８】アノード基板の蛍光体部分の拡大平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ断面図である。
【図１０】本発明における図８のＡ−Ａ断面図である。
【図１１】本発明における図８のＢ−Ｂ断面図である。
【図１２】アノード基板の蛍光体部分の拡大平面図の他の例である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ断面図である。
【図１４】本発明のメタルバックの形状である。
【図１５】本発明のメタルバックを形成するマスクの例である。
【図１６】本発明のメタルバックを形成するマスクの他の例である。
【図１７】本発明のメタルバックを形成するマスクのさらに他の例である。
【図１８】抵抗体を形成するスクリーン印刷用マスクの例である。
【符号の説明】
【００８６】
１・・・カソード基板、２・・・アノード基板、３・・・封着部、４・・・スペーサ、５・・・端子、６・・・排気基板、８・・・排気管、１０・・・通孔、１１・・・走査線、１２・・・データ信号線、１３・・・絶縁膜、１４・・・電子源、２１・・・蛍光体、２２・・・ブラックマトリクス、２３・・・メタルバック、２４・・・アノード端子、３１・・・封止枠、３２、３３、４１・・・フリットガラス、５０・・・コンタクトスプリング、２３１・・・ストライプ状メタルバックユニット、２３２・・・抵抗体、２３３・・・メタルバック周辺部、２３５・・・給電部、ＭＫ・・・マスク、ＳＭＫ・・・スクリーン印刷用マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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