(57)【要約】【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。【解決手段】  ＳＡＷデバイスは、圧電基板１２の主面にＩＤＴ１３及び反射器１４，１５を有しかつその裏面にヒータ電極１６を有するＳＡＷ素子１１を、ＳＡＷ伝搬方向の一方の端部１２ａで接着剤１７により片持ちに支持する。ヒータ電極１６は、ＳＡＷ素子の平面においてＩＤＴの位置よりもＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａ側に配置される。ＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａ側の反射器１５を、接着剤で浮かせたＳＡＷ素子の部分に配置することにより、ＩＤＴからより離すようにヒータ電極を配置することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形板状の圧電基板の主面に、弾性表面波（ＳＡＷ）を励振するＩＤＴと前記ＩＤＴの両側に配置した反射器とを有し、かつ前記圧電基板の裏面にヒータ電極を有するＳＡＷ素子を、そのＳＡＷ伝搬方向の一方の端部で固定手段により支持部に、前記ＳＡＷ素子の他の部分を浮かせた状態で片持ちに支持する弾性表面波デバイスにおいて、前記ヒータ電極が、前記圧電基板の平面において前記ＩＤＴよりも前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側に配置されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記圧電基板の平面において、前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側の前記反射器が前記固定手段と重なるように配置され、かつ前記ヒータ電極が前記ＳＡＷ素子の浮かせた前記他の部分と重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記圧電基板の平面において、前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側の前記反射器及び前記ヒータ電極が、前記ＳＡＷ素子の浮かせた前記他の部分と重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記圧電基板の平面において、前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側の前記反射器が前記ＳＡＷ素子の浮かせた前記他の部分に、前記固定手段からＳＡＷ伝搬方向に離隔して配置され、かつ前記ヒータ電極が前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側の前記反射器よりも前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記固定手段が接着剤であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記固定手段がバンプであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記ヒータ電極が前記バンプを介して電源に接続されることを特徴とする請求項６に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
前記圧電基板が水晶基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板上に弾性表面波（ＳＡＷ）を励振するＩＤＴ（すだれ状トランスデューサ）とその両側に配置した反射器とを形成した弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＳＡＷデバイスは、携帯電話等の情報通信機器、その他様々な電子機器に広く使用されている。特に通信機器の分野では、優れた周波数特性を発揮するＳＡＷデバイスが要求されている。ところが、ＳＡＷデバイスの周波数温度特性が負の２次曲線や３次曲線となるような場合、周波数は中心温度付近では安定しているが、中心温度から離れるほど大きく変化する特徴がある。
【０００３】
そこで、環境温度の変化による周波数の変動を抑制するために、圧電基板の主面に励振電極とヒータ用の抵抗体とを形成し、該抵抗体への印加電流を調整して圧電基板の温度を調整可能にしたＳＡＷ素子が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。ヒータ用の抵抗体は、圧電基板の裏面に形成することができ、それによりＳＡＷ素子の小型化が図られる（例えば、特許文献２，３を参照）。ヒータ用の抵抗体は、電極パターンと同様に、圧電基板上に成膜した電極材料の薄膜をエッチングすることにより形成される。
【０００４】
また、圧電基板の裏面に熱電素子としてペルチェ素子を接合し、表面上のＳＡＷに影響を与えることなく、圧電基板の表面温度を適切に制御するＳＡＷ共振器等のＳＡＷ装置が知られている（例えば、特許文献４を参照）。特許文献４によれば、圧電基板をその裏面の一部のみで支持することにより、圧電基板の周囲から受ける応力を低減させることができる。更に特許文献３によれば、圧電基板の裏面に複数の熱電素子を分散配置することにより、熱電素子間の応力伝達を分断して圧電基板への更に低減できるとされている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２１８７９４号公報
【特許文献２】特開平１−２６１０１３号公報
【特許文献３】実開平４−１３２７３８号公報
【特許文献４】特開平８−７９００２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このようなヒータ付きのＳＡＷデバイスは実用化されていないのが現状である。その理由は、圧電基板を該基板上に設けた抵抗体からなるヒータ電極で直接加熱したとき、基板内部にヒータ電極付近から離れる向きに温度勾配が生じ、その不均一な温度分布による熱応力が基板を変形させ、その内部応力が周波数を変動させるためと考えられる。この結果、ヒータの熱により圧電基板の温度を調節して周波数を安定させるという本来の目的を達成することができない。
【０００７】
ＳＡＷデバイスをヒータ電極で加熱しない場合の周波数温度特性を、図７に示すように例えば６５°の使用温度を頂点温度とする２次曲線と仮定する。この場合、圧電基板の温度を６５°±１０°に制御すれば、ＳＡＷデバイスの周波数は数ｐｐｍ程度の変動範囲に安定させることができる。しかしながら、ＳＡＷデバイスの周波数変動量は、図８に示すように、圧電基板の温度を環境温度よりも上昇させたとき、温度上昇幅Δｔに関して直線状に変化することを本願出願人は見出した。これは、温度上昇により圧電基板内部に生じた熱応力の影響であると考えられる。
【０００８】
このため、例えば環境温度が２５℃の状態で圧電基板の温度を６５℃まで上昇させたとき、ＳＡＷデバイスの周波数温度特性は、図９に実線で示すようになる。即ち、図７の２次曲線Ａから図８の変動量Ｂを２５℃の位置で交差させて差し引いた２次曲線Ｃとなる。その結果、温度変化に対する周波数変動量が大きくなり、周波数を安定させることが困難になるという問題が生じる。
【０００９】
また、上記特許文献４に記載のＳＡＷ装置は、圧電基板をその裏面の一部のみで支持したとき、熱電素子から発生した熱の一部が支持部から直接支持台に逃げるため、圧電基板の裏面全体に熱電素子を接合しても、その温度分布は不均一になり易い。仮に圧電基板の裏面に分散配置した複数の熱電素子が個別に制御可能であるとしても、圧電基板の温度分布を均一にすることは比較的困難である。
【００１０】
本願発明者は、上記特許文献２，３に記載されるように圧電基板の裏面にヒータ電極を設けたＳＡＷ素子をＳＡＷ伝搬方向の一端で片持ちに支持し、圧電基板の主面に発生する温度分布及び熱応力による内部応力を解析した。この解析には、図１０（Ａ）（Ｂ）に示すＳＡＷ素子１を備えるＳＡＷデバイスを考えた。ＳＡＷ素子１は、水晶からなる圧電基板２の主面にＩＤＴ３が略中央に、その両側に反射器４，５が配置されている。圧電基板２の裏面には、細幅の配線からなるヒータ電極６が略中央に形成されている。ＳＡＷ素子１は、図１０（Ｃ）に示すように、ＳＡＷ伝搬方向の一方の端部２ａを接着剤７で支持部８に固定して片持ちに支持されている。
【００１１】
このＳＡＷデバイスを約２５℃の室温に置いて、ヒータ電極６により圧電基板２を約６５℃の使用温度まで昇温するように加熱した。その結果、圧電基板２の主面には、図１１（Ａ）（Ｂ）に示す温度分布及び応力が発生した。圧電基板２全体の温度を６５°±１０°程度に制御できれば、ＳＡＷデバイスの周波数は数ｐｐｍ程度の変動範囲に安定させることができる。ところが、図１１（Ａ）に示す圧電基板２表面の温度は、端部２ａから反対側の端部に向けて約６５℃から約１２５℃以上まで不均一に分布している。図１１（Ｂ）において、圧電基板２表面の内部応力は正値が引張応力を、負値が圧縮応力を示し、特にＩＤＴ３を設けた中央領域に圧縮応力と引張応力とが、−２ＭＰａから＋２ＭＰａ以上の広い範囲で作用している。この内部応力のため、ＳＡＷ素子１は周波数が変動し易く、ヒータ電極６による周波数の安定化を実現することが困難である。
【００１２】
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧電基板上にその温度を調整するためのヒータ電極を設けたＳＡＷデバイスにおいて、ヒータ電極の発熱による熱応力の影響を解消して、使用する環境温度の高低や昇温幅の大小によらず、常に圧電基板の温度分布を均一にし、周波数の安定化を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願発明者は、圧電基板上にＩＤＴを形成したＳＡＷ素子片を長手方向又は幅方向の一方の端部で片持ちに支持したＳＡＷデバイスにおいて、圧電基板の裏面にヒータ電極を設けてその温度を調整したときに圧電基板に生じる温度分布や内部応力を解析した。本発明は、この解析結果に基づいてなされたものである。
【００１４】
本発明によれば、上記目的を達成するために、例えば水晶からなる矩形板状の圧電基板の主面に、ＳＡＷを励振するＩＤＴと該ＩＤＴの両側に配置した反射器とを有し、かつ圧電基板の裏面にヒータ電極を有するＳＡＷ素子を、そのＳＡＷ伝搬方向の一方の端部で固定手段により支持部に、ＳＡＷ素子の他の部分を浮かせた状態で片持ちに支持し、ヒータ電極が、圧電基板の平面においてＩＤＴよりも前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側に配置されたＳＡＷデバイスが提供される。
【００１５】
このようにヒータ電極及びＩＤＴを配置することにより、ＳＡＷ素子をヒータ電極で加熱したときに、その開始温度即ち環境温度の高低やそれから所望の使用温度までの昇温幅の大小によらず、圧電基板主面のＩＤＴを形成した部分の温度分布を概ね均一化し、その熱応力による圧電基板の内部応力を小さくすることができる。その結果、熱応力によるＳＡＷデバイスの周波数の変動を解消又は抑制して、周波数の安定化を実現できる。
【００１６】
或る実施例では、圧電基板の平面において、前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側の反射器が固定手段と重なるように配置され、かつヒータ電極がＳＡＷ素子の浮かせた部分と重なるように配置されることにより、圧電基板の平面寸法を最小にして、ＳＡＷデバイスの小型化を図ることができる。
【００１７】
別の実施例では、圧電基板の平面において、前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側の反射器及びヒータ電極が、ＳＡＷ素子の浮かせた部分と重なるように配置されることにより、ヒータ電極をＩＤＴからより離すことができるので、圧電基板主面の、特にＩＤＴを設けた中央領域の温度分布をより均一にし、熱応力による内部応力をより小さくして、周波数をより安定化させることができる。
【００１８】
また別の実施例では、圧電基板の平面において、前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側の反射器がＳＡＷ素子の浮かせた部分に、固定手段からＳＡＷ伝搬方向に離隔して配置され、かつヒータ電極が一方のＳＡＷ伝搬方向端部側の反射器よりも前記一方のＳＡＷ伝搬方向端部側に配置されることにより、ヒータ電極をＩＤＴから更に離すことができるので、圧電基板主面の、特にＩＤＴを設けた中央領域の温度分布をより一層均一にし、熱応力による内部応力を更に小さくして、周波数をより一層安定化させることができる。
【００１９】
或る実施例では、前記固定手段として、例えば接着剤やバンプを用いることができる。バンプを用いた場合には、ＳＡＷ素子を機械的に固定すると共に、それを介してヒータ電極を電源に接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、添付図面を参照しつつ、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明を適用したＳＡＷデバイスの第１実施例を示している。本実施例のＳＡＷデバイスは、共振子として使用されるＳＡＷ素子１１を備える。ＳＡＷ素子１１は、図１（Ａ）に示すように、水晶からなる矩形平板の圧電基板１２を有する。圧電基板１２の主面には、その略中央に交差指電極対からなるＳＡＷ励振用のＩＤＴ１３が形成されている。ＩＤＴ１３のＳＡＷ伝搬方向の両側には、それぞれ各１個の反射器１４，１５が配置されている。圧電基板１２の裏面には、図１（Ｂ）に示すように、ヒータ電極１６が形成されている。
【００２１】
ＳＡＷ素子１１は、図１（Ｃ）に示すように、ＳＡＷ伝搬方向の一方の端部１２ａの裏面で接着剤１７により前記ＳＡＷデバイスの支持部１８上に固定され、片持ちに支持されている。接着剤１７には、前記ＳＡＷ素子の固定手段として公知の様々な接着剤を使用することができ、例えばシリコーン系の接着剤は断熱性が高いので、好都合である。
【００２２】
ヒータ電極１６は、ＳＡＷ素子１１の平面において、図中想像線１９で示す圧電基板１２主面のＩＤＴ１３の位置よりも、接着剤１７で支持部１８に固定される端部１２ａ側に配置されている。ヒータ電極１６を接着剤１７と重ならないように配置すると、その発熱による接着剤の劣化を防止できるので、好ましい。ヒータ電極１６は、圧電基板１２をより均一に加熱するように、圧電基板１２のＳＡＷ伝搬方向に直交する交差長方向即ち幅方向の略全長に亘って、ＩＤＴ１３の交差長よりも長くかつその全範囲を含むように配置することが好ましい。前記ヒータ電極は比較的細幅の配線パターンからなり、前記ＩＤＴ及び反射器のパターニングと同様に、前記圧電基板裏面に成膜した電極膜をフォトエッチングすることにより形成される。
【００２３】
ＳＡＷ伝搬方向端部１２ａ側の反射器１５は、ＳＡＷ素子１１の平面において、前記接着剤を塗布した領域と重なるように配置されている。これにより、圧電基板１２のＳＡＷ伝搬方向の寸法をできる限り小さくして、ＳＡＷ素子１１の小型化を図ることができる。更に本実施例では、反射器１５が部分的に接着剤１７の領域に重なることにより、ヒータ電極１６を前記接着剤の領域に重ならないように設けるためのスペースを確保できる。他方、ＩＤＴ１３及び他方の反射器１４は、前記接着剤で浮かせたＳＡＷ素子１１の部分に配置されている。
【００２４】
図１のＳＡＷデバイスについて、ヒータ電極１６に電流を印加して圧電基板１２の温度を調整し、該圧電基板の主面の温度分布及び内部応力を解析した。本実施例では、ＩＤＴ１３を形成した圧電基板１２の中央領域を、室温（２５℃）から所定の使用温度である約６５℃まで昇温させるように加熱した。その解析結果を図２（Ａ）の温度分布図及び図２（Ｂ）の応力分布図に示す。
【００２５】
図２（Ａ）に示すように、圧電基板２の浮かせた部分は、ヒータ電極１６により直接加熱されて７５℃以上の高温となった接着剤１７近傍の狭い領域を除いて、概ね全体が約６５〜７５℃の均一な温度分布を示している。これに対し、接着剤１７で固定した圧電基板の端部１２ａは、ＳＡＷ伝搬方向の端縁に向けて約６５℃から３５℃以下まで急激に低下する不均一な温度分布を示している。これは、圧電基板１２の浮かせた部分は熱の閉じ込め効果が高いのに対し、端部１２ａは熱が接着剤１７を介して支持部１８に逃げるためである。
【００２６】
図２（Ｂ）において、正値は引張応力を、負値は圧縮応力を示す。圧電基板１２の浮かせた部分は、図２（Ａ）の温度分布に対応して、ヒータ電極１６を配置した前記接着剤近傍の狭い領域を除いて、内部応力が全体的に約−２ＭＰａ〜約＋２ＭＰａの比較的小さい値で概ね一様に分布している。
【００２７】
このように本実施例によれば、ヒータ電極１６により圧電基板１２の温度を調節したとき、その開始温度即ち環境温度の高低やそれから所望の使用温度までの昇温幅の大小によらず、端部１２ａを除く圧電基板１２主面の大部分を略均一な温度分布にすることができる。従って、圧電基板１２主面の特にＩＤＴ１３を形成した中央領域において、熱応力による内部応力を小さくし、それが周波数に及ぼす影響を解消又は緩和して、周波数の安定化を実現することができる。
【００２８】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明によるＳＡＷデバイスの第２実施例を示している。本実施例のＳＡＷデバイスは、第１実施例と同様に、共振子として使用されるＳＡＷ素子２１が水晶からなる矩形平板の圧電基板２２を有する。圧電基板２２には、図３（Ａ）に示すように、その主面の略中央に交差指電極対からなるＩＤＴ２３が、該ＩＤＴのＳＡＷ伝搬方向の両側に各１個の反射器２４，２５がそれぞれ形成されている。図３（Ｂ）に示すように、圧電基板２２の裏面にヒータ電極２６が形成されている。ＳＡＷ素子２１は、図３（Ｃ）に示すように、ＳＡＷ伝搬方向の一方の端部２２ａの裏面で公知の適当な接着剤２７により支持部２８上に固定され、片持ちに支持されている。
【００２９】
本実施例では、ＳＡＷ素子２１の平面において、ＳＡＷ伝搬方向端部２２ａ側の反射器２５が、接着剤２７を塗布した領域に隣接するがそれと重ならないように、前記接着剤で浮かせたＳＡＷ素子２１の部分に配置されている。ヒータ電極２６は、図中想像線２９で示すＩＤＴ２３の位置よりも端部２２ａ側に、第１実施例の場合よりも前記ＩＤＴから離して前記接着剤を塗布した領域に隣接して配置されている。これにより、圧電基板２２主面の、特にＩＤＴ２３を設けた中央領域の温度分布をより均一にし、熱応力による内部応力をより小さくして、周波数をより安定化させることができる。
【００３０】
また、本実施例では、ＩＤＴ２３の位置と接着剤２７を塗布した領域との間に第１実施例の場合よりも広いスペースを確保することができる。その結果、ヒータ電極２６の設計の自由度が増し、接着剤２７と重ならないように配置し、また配線をより長くして発熱量をより高くすることができる。尚、本実施例の他の構成は、第１実施例と実質的に同一であるので、説明を省略する。
【００３１】
図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明によるＳＡＷデバイスの第３実施例を示している。本実施例のＳＡＷデバイスは、上記各実施例と同様に、共振子として使用されるＳＡＷ素子３１が水晶からなる矩形平板の圧電基板３２を有する。圧電基板２２には、図４（Ａ）に示すように、その主面の略中央に交差指電極対からなるＩＤＴ３３が、該ＩＤＴのＳＡＷ伝搬方向の両側に各１個の反射器３４，３５がそれぞれ形成されている。図４（Ｂ）に示すように、圧電基板３２の裏面にヒータ電極３６が形成されている。ＳＡＷ素子３１は、図４（Ｃ）に示すように、ＳＡＷ伝搬方向の一方の端部３２ａの裏面で公知の適当な接着剤３７により支持部３８上に固定され、片持ちに支持されている。
【００３２】
本実施例では、ＳＡＷ素子３１の平面において、ＳＡＷ伝搬方向端部３２ａ側の反射器３５が、接着剤３７を塗布した領域から或る程度の距離離して、前記接着剤で浮かせたＳＡＷ素子３１の部分に配置されている。ヒータ電極３６は、図中想像線３９で示すＩＤＴ３３の位置から更に離して、想像線４０で示す反射器３５の位置よりも端部３２ａ側に、前記接着剤を塗布した領域に隣接して配置されている。これにより、第２実施例の場合よりも、圧電基板３２主面の、特にＩＤＴ２３を設けた中央領域の温度分布を均一にし、熱応力による内部応力を小さくして、周波数をより一層安定化させることができる。
【００３３】
また、本実施例では、ＩＤＴ３３の位置と接着剤３７を塗布した領域との間に第２実施例の場合よりも広いスペースを確保することができる。その結果、ヒータ電極３６の設計の自由度をより高めることができる。尚、本実施例の他の構成は、上記各実施例と実質的に同一であるので、説明を省略する。
【００３４】
次に、図５及び図６を用いて、前記圧電基板の裏面に形成したヒータ電極を電源に接続するための好適な構成を説明する。図５（Ａ）に示すように、圧電基板１２のＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａの裏面は、その両側辺に沿って入出力電極１６ａ，１６ｂが形成されている。入出力電極１６ａ，１６ｂは、その幅をヒータ電極１６よりも十分に太くして、前記入出力電極からの発熱量を小さくする。前記ＳＡＷデバイスの支持部１８には、前記入出力電極に対応する位置に、外部の電源に接続されるリード４１ａ，４１ｂが配線されている。
【００３５】
図５（Ｂ）（Ｃ）に示すように、接着剤１７を端部１２ａ裏面の入出力電極１６ａ，１６ｂ間の領域に塗布して、ＳＡＷ素子１１を支持部１８に固定する。入出力電極１６ａ，１６ｂとリード４１ａ，４１ｂとは、それぞれ導電性接着剤４２ａ，４２ｂにより電気的に接続する。
【００３６】
図６（Ａ）〜（Ｃ）に示す実施例は、接着剤１７を省略し、かつ入出力電極１６ａ，１６ｂとリード４１ａ，４１ｂとをバンプ４２ａ，４２ｂで電気的にかつ機械的に接続した点において、図５の実施例と異なる。別の実施例では、ＳＡＷ素子１１を支持部１８に機械的に固定するために、バンプ４２ａ，４２ｂ以外の固定手段として、例えば導電性接着剤を用いることができる。
【００３７】
本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、その技術的範囲内で様々な変形又は変更を加えて実施することができる。例えば、圧電基板は、水晶以外に、リチウムタンタレート、リチウムナイオベート、四硼酸リチウムなどの様々な公知の圧電材料で形成することができ、その場合にも本発明を同様に適用することができる。また、本発明は、上記各実施例の共振器以外のＳＡＷデバイスについて、同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（Ａ）図は本発明によるＳＡＷデバイスの第１実施例の平面図、（Ｂ）図はＳＡＷ素子の底面図、（Ｃ）図はＳＡＷデバイスの側面図。
【図２】（Ａ）図及び（Ｂ）図は、ヒータ電極で加熱した図１のＳＡＷデバイスにおける圧電基板表面の温度分布図及び応力分布図。
【図３】（Ａ）図は本発明によるＳＡＷデバイスの第２実施例の平面図、（Ｂ）図はＳＡＷ素子の底面図、（Ｃ）図はＳＡＷデバイスの側面図。
【図４】（Ａ）図は本発明によるＳＡＷデバイスの第３実施例の平面図、（Ｂ）図はＳＡＷ素子の底面図、（Ｃ）図はＳＡＷデバイスの側面図。
【図５】（Ａ）図はヒータ電極の接続電極を示すＳＡＷ素子の部分底面図、（Ｂ）図はマウントしたＳＡＷ素子の部分平面図、（Ｃ）図はその端面図。
【図６】（Ａ）図はヒータ電極の接続電極を示すＳＡＷ素子の部分底面図、（Ｂ）図は別の方法でマウントしたＳＡＷ素子の部分平面図、（Ｃ）図はその端面図。
【図７】ヒータ電極で加熱しないＳＡＷデバイスの周波数温度特性を示す線図。
【図８】ヒータ電極で加熱したＳＡＷデバイスの温度上昇に対する周波数変動量を示す線図。
【図９】ヒータ電極で加熱したＳＡＷデバイスの周波数温度特性を示す線図。
【図１０】（Ａ）図は従来のＳＡＷ素子を片持ちに支持したＳＡＷデバイスの平面図、（Ｂ）図はＳＡＷ素子の底面図、（Ｃ）図はＳＡＷデバイスの側面図。
【図１１】（Ａ）図及び（Ｂ）図は、ヒータ電極で加熱した図１０のＳＡＷデバイスにおける圧電基板表面の温度分布図及び応力分布図。
【符号の説明】
【００３９】
１，１１，２１，３１…ＳＡＷ素子、２，１２，２２，３２…圧電基板、２ａ，１２ａ，２２ａ，３２ａ…端部、３，１３，２３，３３…ＩＤＴ、４，５，１４，１５，２４，２５，３４，３５…反射器、６，１６，２６，３６…ヒータ電極、７，１７，２７，３７…接着剤、８，１８，２８，３８…支持部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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