(57)【要約】      （修正有）【課題】高輝度使用時における耐久性が良好な発光素子を提供すること。【解決手段】一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、２つの６員環と２つの５員環から構成させる特定構造の非環状４座配位子を有する２価の金属イオン錯体を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。および重水素原子を少なくとも一つ有する材料を有機層の少なくともいずれかの層に含有する有機電界発光素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（１）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（１）
【化１】
2009266943.tif 000074
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ４は、それぞれ独立に窒素原子、炭素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及びＹ２、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｙ１とＹ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１が窒素原子で、Ｙ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｙ２が共に窒素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の組み合わせは、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の順に（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、燐原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、燐原子）である。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４とＭとの結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。Ｍは、２価の金属イオンを表す。
【請求項２】
前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
一般式（２）
【化２】
2009266943.tif 000075
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ４は、それぞれ独立に窒素原子、炭素原子、もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及びＹ２、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｙ１とＹ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１が窒素原子で、Ｙ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｙ２が共に窒素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の組み合わせは、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の順に（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、燐原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、燐原子）である。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【請求項３】
前記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
一般式（３）
【化３】
2009266943.tif 000076
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ３４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子、燐原子を表す。Ｚ３１、Ｚ３４の内、少なくとも一方は窒素原子または燐原子を表す。炭素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び炭素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ３４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【請求項４】
前記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
【化４】
2009266943.tif 000077
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ３４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子、燐原子を表す。Ｚ３１、Ｚ３４の内、少なくとも一方は窒素原子、もしくは燐原子を表す。窒素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び炭素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ３４とＭとの結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【請求項５】
前記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（５）で表される化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
一般式（５）
【化５】
2009266943.tif 000078
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子を表す。窒素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び窒素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。但し、Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の組み合わせは、Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の順に、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）である。Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３及びＺ５４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【請求項６】
前記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（６）で表される化合物ことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
一般式（６）
【化６】
2009266943.tif 000079
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ６１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ６４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子、燐原子を表す。炭素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び窒素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ６１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ６４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、配位結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【請求項７】
前記一般式で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層の少なくともいずれかの層に含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（以下、「素子」、「有機ＥＬ素子」ともいう）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから、近年活発な研究開発が行われている。一般に有機EL素子は、発光層を含む有機層及び該層を挟んだ一対の電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。
【０００３】
燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。燐光発光材料としてはイリジウム錯体や白金錯体などが知られている（特許文献１）。
【０００４】
４座配位子を有する白金錯体を用いることにより、有機EL素子の発光効率、耐久性の向上は既に報告されている（特許文献２）。それらの白金錯体の中でも、アリールアゾール骨格を有する錯体は、フェニルピリジン骨格を有する錯体に対して、発光波長の短波化が可能であり、特に水色〜青色発光材料として有望であるが、耐久性に優れた発光材料は報告されていない。
【０００５】
またアリールアゾール骨格を有する発光材料及びそれを用いた有機EL素子が報告されており（特許文献３、４）、特許文献３には発光素子用材料などに有用な、短波長発光特性を有する新規な白金錯体及び、該錯体を用いた発光素子について記載されている。また、特許文献４には発光特性（発光波長、輝度、量子収率、駆動電圧等）及び耐久性が良好な有機電界発光素子について記載されている。
【特許文献１】特開２００５−２２０１３６号公報
【特許文献２】国際公開第０４／１０８８５７号パンフレット
【特許文献３】特開２００７−９６２５５号公報
【特許文献４】特開２００８−３７８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、更に高効率と耐久性を両立する素子の開発が望まれている。また、有機ＥＬ素子のディスプレイ、照明機器への展開を考えた場合、特に高輝度使用時の耐久性に優れた発光材料の開発が望まれている。
本発明の目的は、非環状４座配位子の特定の構造を有する金属錯体を用いることによる高輝度使用時における耐久性に優れる有機電界発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、２つの６員環と２つの５員環から構成させる特定の4座配位子を有する金属錯体を用いることにより、公知の発光材料と比較して、有機ＥＬ素子において、特に高輝度使用時において、耐久性が向上し、更に有機層に重水素化材料を共に使用することにより更に向上することを見出した。
更に、有機層に重水素原子を少なくとも１つ有する材料を使用することにより、耐久性がより向上することを見出した。
すなわち、本発明は下記の手段により達成された。
【０００８】
〔１〕
一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（１）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（１）
【０００９】
【化１】
2009266943.tif 000002
【００１０】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ４は、それぞれ独立に窒素原子、炭素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及びＹ２、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｙ１とＹ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１が窒素原子で、Ｙ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｙ２が共に窒素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の組み合わせは、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の順に（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、燐原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、燐原子）である。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４とＭとの結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。Ｍは、２価の金属イオンを表す。
〔２〕
前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
一般式（２）
【００１１】
【化２】
2009266943.tif 000003
【００１２】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ４は、それぞれ独立に窒素原子、炭素原子、もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及びＹ２、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｙ１とＹ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１が窒素原子で、Ｙ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｙ２が共に窒素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の組み合わせは、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の順に（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、燐原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、燐原子）である。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
〔３〕
前記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。
一般式（３）
【００１３】
【化３】
2009266943.tif 000004
【００１４】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ３４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子、燐原子を表す。Ｚ３１、Ｚ３４の内、少なくとも一方は窒素原子または燐原子を表す。炭素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び炭素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ３４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
〔４〕
前記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。
【００１５】
【化４】
2009266943.tif 000005
【００１６】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ３４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子、燐原子を表す。Ｚ３１、Ｚ３４の内、少なくとも一方は窒素原子、もしくは燐原子を表す。窒素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び炭素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ３４とＭとの結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
〔５〕
前記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（５）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。
一般式（５）
【００１７】
【化５】
2009266943.tif 000006
【００１８】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子を表す。窒素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び窒素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。但し、Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の組み合わせは、Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の順に、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）である。Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３及びＺ５４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
〔６〕
前記一般式（２）で表される化合物が下記一般式（６）で表される化合物ことを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。
一般式（６）
【００１９】
【化６】
2009266943.tif 000007
【００２０】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ６１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ６４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子、燐原子を表す。炭素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び窒素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ６１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ６４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、配位結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
〔７〕
前記一般式で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
〔８〕
重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層の少なくともいずれかの層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
〔９〕
前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする〔８〕に記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００２１】
本発明により、一般式（１）で表される金属錯体を有機層に含有することにより、特に高輝度使用時において、耐久性の優れる有機電界発光素子が提供できる。
また、一般式（２）〜（６）で表される白金錯体を有機層の少なくともいずれかの層に含有することにより、特に高輝度使用時において、より耐久性の優れる有機電界発光素子が提供できる。
重水素原子を少なくとも１つ有する材料を有機層の少なくともいずれかの層に含有することにより、特に高輝度使用時において、更に耐久性の優れる有機電界発光素子が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明書において置換基群Ｂとは以下のように定義される。
【００２３】
（置換基群Ｂ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
【００２４】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、
【００２５】
スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、
【００２６】
スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環（ヘテロアリール）基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００２７】
本発明の素子について詳細に説明する。
【００２８】
〔有機電界発光素子〕
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（１）で表される化合物を前記有機層に含有する。
有機層が一層である場合には、有機層として発光層を有する。素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明もしくは半透明であることが好ましい。
【００２９】
本発明の素子は、有機層に特定の構造を有する４座配位子を有する錯体を含有することを特徴とする。有機層としては特に限定されないが、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層などを有していてもよい。またこれらの各層は、それぞれ他の機能を兼備していても良い。
【００３０】
本発明における有機層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【００３１】
前記特定構造を有する金属錯体は、その機能が限定されることはなく、有機層が複数の層からなる場合、いずれの層にも含有することができる。発光材料、ホスト材料、励起子ブロック材料、電荷ブロック材料あるいは電荷輸送材料として利用する場合が好ましく、発光材料、ホスト材料、電荷輸送材料として利用する場合がより好ましく、発光材料、ホスト材料として利用する場合が更に好ましく、発光材料として利用する場合が最も好ましい。
また、前記特定構造を有する金属錯体は、発光層に含有されることが好ましく、発光材料またはホスト材料として発光層に含有されることがより好ましく、発光材料として発光層に含有されることがさらに好ましく、少なくとも一種のホスト材料と共に発光層に含有されることが特に好ましい。
【００３２】
本発明に用いることのできる燐光発光材料（本発明の錯体及び／又は併用する燐光発光材料）の含有量は、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上６０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上５０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上４０質量％以下の範囲がさらに好ましく、０．５質量％以上３０質量％以下の範囲が最も好ましい。
本発明の錯体に他の燐光発光材料を併用する場合には、本発明の錯体の含有量は、燐光発光材料全体の質量に対して、０．１質量％以上６０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上５０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上４０質量％以下の範囲がさらに好ましく、０．５質量％以上３５質量％以下の範囲が最も好ましい。
【００３３】
本発明の一般式(１)で表される化合物は、発光層と陰極の間に位置する層、すなわち、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、正孔ブロック層に含まれていてもよい。電子輸送層、電子注入層に含まれる場合、後述の電子輸送性材料と共に用いることができ、当該層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜９９質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から５質量％〜７０質量％含有されることが好ましく、５質量％〜４５質量％含有されることがより好ましい。励起子ブロック層、正孔ブロック層として用いる場合にも、後述の電子輸送性材料と共に用いることができ、当該層を形成する全化合物質量に対して、３０質量％〜１００質量％含有されるが、外部量子効率の観点から５０質量％〜１００質量％含有されることが好ましく、７０質量％〜１００質量％含有されることがより好ましい。
【００３４】
本発明の一般式(１)で表される化合物は、発光層と陽極の間に位置する層、すなわち、正孔注入層、正孔輸送層、励起子ブロック層、電子ブロック層に含まれていてもよい。正孔注入層、正孔輸送層に含まれる場合、後述の正孔(正孔)輸送性材料と共に用いることができ、当該層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜９９質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から５質量％〜７０質量％含有されることが好ましく、５質量％〜４５質量％含有されることがより好ましい。励起子ブロック層、電子ブロック層として用いる場合にも、後述の正孔(正孔)輸送性材料と共に用いることができ、当該層を形成する全化合物質量に対して、３０質量％〜１００質量％含有されるが、外部量子効率の観点から５０質量％〜１００質量％含有されることが好ましく、７０質量％〜１００質量％含有されることがより好ましい。
【００３５】
以下、一般式（１）〜一般式（６）で表される化合物について説明する。
【００３６】
一般式（１）〜一般式（６）における水素原子は、同位体（重水素等）も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
また、前記一般式において、配位結合とは、中性の原子の非共有電子対が金属に配位して形成される結合であり、本明細書中、区別が必要な場合は、点線で表す。また共有結合とは、１価のアニオンが金属に配位して形成される結合であり、本明細書中、区別が必要な場合は、実線で表す。
【００３７】
一般式（１）で表される化合物について説明する。
一般式（１）
【００３８】
【化７】
2009266943.tif 000008
【００３９】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ４は、それぞれ独立に窒素原子、炭素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及びＹ２、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｙ１とＹ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１が窒素原子で、Ｙ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。Ｙ１、Ｙ２が共に窒素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の組み合わせは、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の順に（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、燐原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、燐原子）である。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４とＭとの結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。Ｍは、２価の金属イオンを表す。
【００４０】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４がさらに置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４が置換基を有している場合、その置換基としては、上記置換基群Ｂに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくはアルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成しても良い。
【００４１】
一般式（１）中、炭素原子、Ｘ４、Ｘ３、Ｘ２、Ｘ１、Ｚ１から形成される６員環及び、炭素原子、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ４から形成される６員環としては、ベンゼン環、ホスフィニン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環は挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。炭素原子、Ｘ４、Ｘ３、Ｘ２、Ｘ１、Ｚ１から形成される６員環及び、炭素原子、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ４から形成される６員環がベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環（特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環）である場合、金属錯体の熱安定性が向上する為好ましい。
【００４２】
一般式（１）中、炭素原子、Ｘ４、Ｘ３、Ｘ２、Ｘ１、Ｚ１から形成される６員環及び、炭素原子、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ４から形成される６員環上の置換基同士が連結して形成する縮環構造としては、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、チアナフテン環、ジベンゾチオフェン環、イソチアナフテン環、インドール環、カルバゾール環、イソインドール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環が挙げられる。そのなかでもナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環、カルバゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環が好ましく、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、カルバゾール環、ベンゾイソチアゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環がより好ましく、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、カルバゾール環が更に好ましい。炭素原子、Ｘ４、Ｘ３、Ｘ２、Ｘ１、Ｚ１から形成される６員環及び、炭素原子、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ４から形成される６員環上の置換基同士が連結して形成する縮環構造がナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、カルバゾール環である場合、化学的な安定性が向上する為、好ましい。
【００４３】
Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、無置換、または置換基を有していても良い炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表し、Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、無置換、または置換基を有していても良い炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、及びＸ１０のいずれかが置換基を有している場合、その置換基としては、上記置換基群Ｂに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、シアノ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成しても良い。
【００４４】
Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２及びＹ１により形成される５員環、及びＸ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３及びＹ２により形成される５員環における結合は単結合、二重結合のいかなる組み合わせでも良い。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２及びＹ１により形成される５員環、及びＸ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３及びＹ２から形成される５員環としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、フラン環、チオフェン環等が挙げられ、より好ましくは、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、チオフェンであり、更に好ましくはピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環である。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２及びＹ１により形成される５員環、及びＸ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３及びＹ２から形成される５員環がピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、チオフェンで（更に好ましくはピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環）である場合、化学的な安定性が向上する為好ましい。
【００４５】
Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２及びＹ１により形成される５員環、及びＸ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３及びＹ２により形成される５員環上の置換基は置換基同士が連結して、形成する縮環構造としては、インドール環、イソインドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環等が挙げられ、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環がより好ましく、インドール、ベンゾイミダゾールが更に好ましい。
【００４６】
Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立して、炭素原子、もしくは窒素原子を表す。
【００４７】
Ｚ１、Ｚ４は、それぞれ独立に窒素原子、炭素原子もしくは燐原子を表す。
【００４８】
Ｚ２、Ｚ３は、それぞれ独立に窒素原子、炭素原子もしくは燐原子を表す。
【００４９】
Ｙ１とＹ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。
【００５０】
Ｙ１が窒素原子で、Ｙ２が炭素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。
【００５１】
Ｙ１、Ｙ２が共に窒素原子の場合は、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の組み合わせは、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の順に炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、窒素原子）、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、炭素原子、燐原子、燐原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、燐原子、燐原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、燐原子）、（炭素原子、燐原子、炭素原子、燐原子）である。
【００５２】
形成される金属錯体の安定性を考えた場合、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の組み合わせで好ましいものとしては、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４の順に、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）であり、その中でも（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）がより好ましい。
【００５３】
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４とＭとの結合はそれぞれ配位結合又は、配位結合を表す。
【００５４】
Ｌは二価の連結基を表す。二価の連結基としては特に限定されないが、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子またはケイ素原子からなる連結基が好ましい。下記に二価の連結基の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されることはない。
【００５５】
【化８】
2009266943.tif 000009
【００５６】
【化９】
2009266943.tif 000010
【００５７】
上記Ｒｏは前記置換基群Ｂから選ばれる置換基を表す。Ｒｏとして好ましくはアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。ｍは１〜５の整数を表す。ｍは好ましくは２〜５であり、より好ましくは２〜３である。
【００５８】
Ｌとして好ましくはジアルキルメチレン基、ジアリールメチレン基、ジヘテロアリールメチレン基であり、より好ましくはジメチルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、ジフェニルメチレン基であり、更に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基である。
【００５９】
Ｍは、２価の金属イオンを表す。金属種としては、亜鉛イオン、銅イオン、ニッケルイオン、パラジウムイオン、白金イオンが挙げられ、より好ましくは銅イオン、パラジウムイオン、白金イオンであり、更に好ましくは銅イオン、白金イオンであり、特に好ましくは白金である。
【００６０】
一般式（１）で表される金属錯体は、好ましくは一般式（２）で表される。
【００６１】
一般式（２）について説明する。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＬは一般式（１）のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｙ１、Ｙ２、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００６２】
一般式（２）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（３）で表される。
【００６３】
一般式（３）
【化１０】
2009266943.tif 000011
【００６４】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ３４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子を表す。Ｚ３１、Ｚ３４の内、少なくとも一方は窒素原子、もしくは燐原子を表す。炭素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び炭素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ３４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【００６５】
一般式（３）について説明する。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ２、Ｚ３、及びＬは一般式（２）のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ２、Ｚ３、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００６６】
Ｚ３１、Ｚ３４は、それぞれ炭素原子もしくは窒素原子を表し、少なくとも一方は窒素原子を表す。
【００６７】
一般式（３）中、炭素原子、Ｘ４、Ｘ３、Ｘ２、Ｘ１、Ｚ３１から形成される６員環及び、炭素原子、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ３４から形成される６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環は挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。
【００６８】
炭素原子、Ｘ４、Ｘ３、Ｘ２、Ｘ１、Ｚ３１から形成される６員環及び、炭素原子、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ３４から形成される６員環上の置換基同士が連結して形成する縮環構造としては、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、チアナフテン環、ジベンゾチオフェン環、イソチアナフテン環、インドール環、カルバゾール環、イソインドール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環が挙げられる。そのなかでもナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環、カルバゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環が好ましく、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、カルバゾール環、ベンゾイソチアゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環がより好ましく、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、カルバゾール環が更に好ましい。
【００６９】
一般式（２）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（４）で表される。
一般式（４）：
【００７０】
【化１１】
2009266943.tif 000012
【００７１】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３、及びＺ３４は、それぞれ独立に窒素原子、炭素原子もしくは燐原子を表す。Ｚ３１、Ｚ３４の内、少なくとも一方は窒素原子もしくは燐原子を表す。窒素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び炭素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ３４とＭとの結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【００７２】
一般式（４）について説明する。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ３４、及びＬは一般式（３）のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ３１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ３４、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００７３】
一般式（２）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（５）で表される。
一般式（５）
【００７４】
【化１２】
2009266943.tif 000013
【００７５】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子を表す。窒素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び窒素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。但し、Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の組み合わせは、Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の順に、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）である。Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３及びＺ５４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、共有結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【００７６】
一般式（５）について説明する。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、及びＬは一般式（２）Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００７７】
Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子を表す。
【００７８】
Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、及びＺ５４と白金との結合は、それぞれ配位結合又は共有結合を表す。
【００７９】
Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の組み合わせは、Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の順に（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、窒素原子）である。
【００８０】
Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の組み合わせとしては、Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３、Ｚ５４の順に、（炭素原子、炭素原子、炭素原子、窒素原子）、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）が好ましく、（炭素原子、窒素原子、炭素原子、炭素原子）がより好ましい。
【００８１】
一般式（５）中、炭素原子、Ｘ４、Ｘ３、Ｘ２、Ｘ１、Ｚ５１から形成される６員環及び、炭素原子、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ５４から形成される６員環としては、ベンゼン環、ホスフィニン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環は挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。
【００８２】
Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ５２及び窒素原子により形成される５員環、及びＸ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ５３及び窒素原子により形成される５員環における結合は単結合、二重結合のいかなる組み合わせでも良い。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ５２及び窒素原子により形成される５員環、及びＸ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ５３及び窒素原子から形成される５員環としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、フラン環、チオフェン環等が挙げられ、より好ましくは、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、チオフェンである。
【００８３】
一般式（２）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（６）で表される。
一般式（６）
【００８４】
【化１３】
2009266943.tif 000014
【００８５】
式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、及びＸ１４は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子を表す。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ９及びＸ１０は、それぞれ独立に、炭素原子もしくは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、燐原子を表す。Ｘ７及びＸ８はそれぞれ独立に、炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ６１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ６４は、それぞれ独立に窒素原子、もしくは炭素原子を表す。炭素原子、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｚ２から形成される５員環、及び窒素原子、Ｘ１０、Ｘ９、Ｘ８、Ｚ３から形成される５員環における原子間の結合は、単結合又は二重結合を表す。Ｚ６１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ６４と白金との結合はそれぞれ配位結合又は、配位結合を表す。Ｌは２価の連結基を表す。
【００８６】
一般式（６）について説明する。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ２、Ｚ３、及びＬは一般式（２）Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ２、Ｚ３、及びＬと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００８７】
Ｚ６１、Ｚ６４はそれぞれ独立して炭素原子または窒素原子を表す。
【００８８】
一般式（６）中、炭素原子、Ｘ４、Ｘ３、Ｘ２、Ｘ１、Ｚ６１から形成される６員環及び、炭素原子、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ６４から形成される６員環としては、ベンゼン環、ホスフィニン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環は挙げられ、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。
【００８９】
Ｚ６１、Ｚ６４と白金との結合は、それぞれ配位結合又は共有結合を表す。
【００９０】
本発明の化合物（１）を下記一般式（７）で表したときに、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、及びＬに用いることのできる部分構造を以下に示す。部分構造Ｑ１〜Ｑ４中のＭ、Ｌはそれぞれ一般式（７）のＭ、Ｌに対応し、Ｑはそれぞれの部分構造がＱ１の場合はＱ２、Ｑ２の場合は、Ｑ１、Ｑ３の場合はＱ４、Ｑ４の場合はＱ３を表す。Ｍ、Ｌは前記一般式（１）と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００９１】
【化１４】
2009266943.tif 000015
【００９２】
以下に示す〔ＱＢ６０ＣＮ〕、〔ＱＢ６１ＣＣ〕、〔ＱＴ５０ＣＮ〕、〔ＱＴ５０ＮＣ〕、〔ＱＴ５０ＮＮ〕、〔ＱＴ５１ＣＣ〕、〔ＱＴ５１ＣＮ〕、〔ＱＴ５１ＮＣ〕は、部分構造の群を表し、本発明の化合物は、部分構造Ｑ１〜Ｑ４の組み合わせ（Ｑ１,Ｑ２,Ｑ３,Ｑ４）が、下記表１の組み合わせとなるように、各部分構造の群から選ばれた４つの部分構造と、以下に示す連結基〔Ｌ〕の群と、二価の金属イオンＭから、選ばれる任意の組み合わせによって、表すことが出来る。
【００９３】
Ｑ１及びＱ４に用いることのできる部分構造は〔ＱＢ６０ＣＮ〕又は〔ＱＢ６１ＣＣ〕、で表される部分構造群である。
Ｑ２及びＱ３に用いることのできる部分構造は〔ＱＴ５０ＣＮ〕、〔ＱＴ５０ＮＣ〕、〔ＱＴ５０ＮＮ〕、〔ＱＴ５１ＣＣ〕、〔ＱＴ５１ＣＮ〕又は〔ＱＴ５１ＮＣ〕で表される部分構造群である。
Ｌに用いることのできる部分構造は〔Ｌ〕で表される部分構造群である。
〔Ｌ〕の部分構造中の２個のＱは左側のＱがＱ２を、右側のＱがＱ３を表す。
【００９４】
下記〔ＱＴ５０ＣＮ〕、〔ＱＴ５０ＮＣ〕、〔ＱＴ５０ＮＮ〕、〔ＱＴ５１ＣＣ〕、〔ＱＴ５１ＣＮ〕又は〔ＱＴ５１ＮＣ〕で表される部分構造群中の化学構造式において、金属イオンと配位結合、もしくは共有結合を形成する６員環もしくは、５員環上の置換基は、その一例であり、これに限定されない。
【００９５】
部分構造の群〔ＱＢ６０ＣＮ〕を以下に示す。
【００９６】
【化１５】
2009266943.tif 000016
【００９７】
【化１６】
2009266943.tif 000017
【００９８】
部分構造の群〔ＱＢ６１ＣＣ〕を以下に示す。
【００９９】
【化１７】
2009266943.tif 000018
【０１００】
【化１８】
2009266943.tif 000019
【０１０１】
【化１９】
2009266943.tif 000020
【０１０２】
【化２０】
2009266943.tif 000021
【０１０３】
部分構造の群〔ＱＴ５０ＣＮ〕を以下に示す。
【０１０４】
【化２１】
2009266943.tif 000022
【０１０５】
【化２２】
2009266943.tif 000023
【０１０６】
【化２３】
2009266943.tif 000024
【０１０７】
部分構造の群〔ＱＴ５０ＮＣ〕を以下に示す。
【０１０８】
【化２４】
2009266943.tif 000025
【０１０９】
【化２５】
2009266943.tif 000026
【０１１０】
部分構造の群〔ＱＴ５０ＮＮ〕を以下に示す。
【０１１１】
【化２６】
2009266943.tif 000027
【０１１２】
【化２７】
2009266943.tif 000028
部分構造の群〔ＱＴ５１ＣＣ〕を以下に示す。
【０１１３】
【化２８】
2009266943.tif 000029
【０１１４】
【化２９】
2009266943.tif 000030
【０１１５】
【化３０】
2009266943.tif 000031
【０１１６】
部分構造の群〔ＱＴ５１ＣＮ〕を以下に示す。
【０１１７】
【化３１】
2009266943.tif 000032
【０１１８】
部分構造の群〔ＱＴ５１ＮＣ〕を以下に示す。
【０１１９】
【化３２】
2009266943.tif 000033
【０１２０】
【化３３】
2009266943.tif 000034
【０１２１】
Ｌに用いることのできる部分構造は、下記で表される部分構造群である。連結基Ｌで表される部分構造中の２個のＱは、左側のＱがＱ２を右側のＱがＱ３を表す。
【０１２２】
連結基Ｌの群を以下に示す。
【０１２３】
【化３４】
2009266943.tif 000035
【０１２４】
【化３５】
2009266943.tif 000036
【０１２５】
【化３６】
2009266943.tif 000037
【０１２６】
一般式（１）で表される化合物としては、下記表１に記載の化合物を例示することができる。
表１において、例えば、化合物1-1は下記一般式（７）におけるＱ１がQB60CN-1を表し、Ｑ２がQT50CN-37を表し、Ｑ３がQT51CC-62を表し、Ｑ４がQB61CC-1、ＭがPt、ＬがL-1を表すことを意味する。
【０１２７】
【化３７】
2009266943.tif 000038
【０１２８】
一般式（７）におけるＱ１〜Ｑ４、Ｍ及びＬの組み合わせとしては、表１の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【表１】
2009266943.tif 000039
【０１２９】
【表２】
2009266943.tif 000040
【０１３０】
【表３】
2009266943.tif 000041
【０１３１】
【表４】
2009266943.tif 000042
【表５】
2009266943.tif 000043
【０１３２】
【表６】
2009266943.tif 000044
【０１３３】
【表７】
2009266943.tif 000045
【０１３４】
【表８】
2009266943.tif 000046
【表９】
2009266943.tif 000047
【０１３５】
【表１０】
2009266943.tif 000048
【０１３６】
【表１１】
2009266943.tif 000049
【０１３７】
【表１２】
2009266943.tif 000050
【表１３】
2009266943.tif 000051
【０１３８】
【表１４】
2009266943.tif 000052
【０１３９】
【表１５】
2009266943.tif 000053
【０１４０】
【表１６】
2009266943.tif 000054
【表１７】
2009266943.tif 000055
【０１４１】
【表１８】
2009266943.tif 000056
【０１４２】
【表１９】
2009266943.tif 000057
【０１４３】
【表２０】
2009266943.tif 000058
【０１４４】
一般式（１）で表される金属錯体は低分子量化合物であっても良いし、残基がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜５００００００、より好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）もしくは、本発明の金属錯体の構造を主鎖に持つ高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜５００００００、より好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）であっても良い。高分子量化合物の場合はホモポリマーであっても良いし、他のポリマーとの共重合体であっても良く、共重合体である場合はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であっても良い。更に共重合体の場合、発光機能を有する化合物及び／または電荷輸送機能を有する化合物をポリマー内に有しても良い。
【０１４５】
下記に一般式（１）で表される化合物例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０１４６】
下記の例示化合物例において、Ｍは亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、または白金（Ｐｔ）の２価のイオンを表す。本明細書において、これらの化合物を表記する場合の番号は、「金属種−化合物例に記載の化合物番号を使用する。例えば下記化合物例で、化合物番号「１」且つ金属種が「Ｐｔ」の場合、「Ｐｔ−１」と表記する。
【０１４７】
【化３８】
2009266943.tif 000059
【０１４８】
【化３９】
2009266943.tif 000060
【０１４９】
【化４０】
2009266943.tif 000061
【０１５０】
【化４１】
2009266943.tif 000062
【０１５１】
【化４２】
2009266943.tif 000063
【０１５２】
【化４３】
2009266943.tif 000064
【０１５３】
【化４４】
2009266943.tif 000065
【０１５４】
【化４５】
2009266943.tif 000066
【０１５５】
【化４６】
2009266943.tif 000067
【０１５６】
【化４７】
2009266943.tif 000068
【０１５７】
次に、本発明の化合物（もしくは「錯体」、「金属錯体」ともいう）について、その製造方法を説明する。
【０１５８】
一般式（１）で表される金属錯体は、溶媒存在下、一般式（Ｃ−０）（以下、配位子とも呼ぶ）で表される化合物と金属塩とを反応させることにより得ることができる。
【０１５９】
【化４８】
2009266943.tif 000069
【０１６０】
一般式（Ｃ−０）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｌは、前記一般式（１）Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｌ、及びＭと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【０１６１】
一般式（Ｃ−０）で表される化合物は、パラジウム・イン・ヘテロサイクリック・ケミストリー（Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  ｉｎ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）、第２版、ジー・ジャック・リーら著（Ｊｉｅ  Ｊａｃｋ  Ｌｉｅ  ａｎｄ  Ｇｏｒｄｏｎ  Ｗ．Ｇｒｉｂｂｌｅ）、エルゼビア（ＥＬＳＥＶＩＥＲ）、（２００６）等に記載の鈴木−宮浦カップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング、根岸カップリング、園頭カップリングなどのパラジウム触媒を用いた炭素−炭素結合反応や銅触媒を用いた炭素−窒素結合生成反応や、塩基−アルキルハライドを用いたアルキル化反応、縮合反応、脱水反応、酸化反応、還元反応、脱離反応、求核置換反応、求電子置換反応、転位反応などの反応を組み合わせることにより、合成可能である。例えば特開２００５−３１０７３３号公報、特開２００７−９６２５５号公報に記載の方法等を利用して合成することができる。
【０１６２】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価の亜鉛を含むものとして、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンジアミン）亜鉛、酢酸亜鉛、銅アセチルアセトナート、臭化亜鉛、塩化亜鉛、フッ化亜鉛等が挙げられ、より好ましい銅塩としては、臭化亜鉛、塩化亜鉛等のハロゲン化亜鉛が挙げられる。
【０１６３】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価の銅を含むものとして、酢酸銅、銅アセチルアセトナート、臭化銅、塩化銅、フッ化銅、炭酸銅、シアン化銅、水酸化銅、酸化銅、硫酸銅、トリフルオロ酢酸銅等が挙げられ、より好ましい銅塩としては、臭化銅、塩化銅、フッ化銅等のハロゲン化銅が挙げられる。
【０１６４】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価のニッケルを含むものとしては、酢酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトナート、塩化ニッケル、臭化ニッケル、フッ化ニッケル、ヨウ化ニッケル、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル等が挙げられ、より好ましいニッケル塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケルが挙げられる。
【０１６５】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価のパラジウムを含むものとして、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナート、パラジウムトリフルオロアセテート、アリルパラジウムクロライド−ダイマー、（２，２’−ビピリジン）ジクロロパラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム、（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）ジクロロパラジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）パラジウム、ジクロロ（１，１０−フェナントロリン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィンパラジウム）、アンモニウムテトラクロロパラデート、ジアンミンジブロモパラジウム、ジアンミンジクロロパラジウム、ジアンミンジヨードパラジウム、ポタッシウムテトラブロモパラデート、ポタッシウムテトラクロロパラデート、ソジウムテトラクロロパラデート等、０価のパラジウムを含むものとしては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム等が挙げられる。
【０１６６】
より好ましいパラジウム塩としては、塩化パラジウム、臭化パラジウム等のハロゲン化パラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム等のニトリル錯体、（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）ジクロロパラジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム等のオレフィン錯体が挙げられ、この中でも塩化白金、臭化白金等のハロゲン化パラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム等のニトリル錯体が更に好ましい。
【０１６７】
金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に、用いられる白金塩としては、２価の白金を含むものとして、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金、プラチナアセチルアセトナート、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）プラチナ、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）プラチナ、ジクロロ（１，１０−フェナントロリン）プラチナ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）プラチナ、アンモニウムテトラクロロパラデート、ジアンミンジブロモパラジウム、ジアンミンジクロロプラチナ、ジアンミンジヨードプラチナ、ポタッシウムテトラブロモプラチナ−ト、ポタッシウムテトラクロロプラチナート、ソジウムテトラクロロプラチナート、ジメチルビス（ジメチルスルホキシド）白金、ジメチルビス（ジメチルスルフィド）白金、ジメチル（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）白金等が挙げられる。
【０１６８】
より好ましい白金塩としては、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金等のハロゲン化白金、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（ベンゾニトリル）、ジクロロプラチナビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ等のニトリル錯体、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）プラチナ等のオレフィン錯体、が挙げられ、この中でも塩化白金、臭化白金等のハロゲン化白金、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ等のニトリル錯体が更に好ましい。
【０１６９】
金属錯体の製造において使用する金属塩は、結晶水、結晶溶媒、配位溶媒を含んでいても良い。金属の価数は、特に問わないが、金属が、２価と０価が好ましく、より好ましくは２価である。
【０１７０】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に用いる金属塩の使用量は、該金属塩中に錯体を形成する金属原子が１つ含まれる場合は、通常、配位子１モルに対して０．１〜１０モル、好ましくは０．５〜５モル、更に好ましくは、１〜３モルである。なお、金属塩に錯体を形成する金属原子が、ｎ個含まれる場合は、その使用量は、１／ｎ倍で良い。
【０１７１】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に使用される溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、４塩化炭素、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類、水等が挙げられる。
【０１７２】
より好ましい溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類が挙げられ、この中でもアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類が更に好ましい。
【０１７３】
これらの溶媒は、単独で使用しても、２種類以上混合して使用しても構わない。
【０１７４】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に用いられる溶媒の量としては、反応が十分に進行できる量であれば特に制限されないが、通常は使用する配位子に対して、１〜２００倍体積量、好ましくは５〜１００倍体積量が好ましい。
【０１７５】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に、ハロゲン化水素等の酸性物質が生成する場合、塩基性物質の存在下で反応を行っても構わない。塩基性物質としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、１，８−ジメチルアミノナフタレン等の３級アミン類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等の金属アルコキシド類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基類が挙げられる。
【０１７６】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素、アルゴン等が挙げられる。
【０１７７】
金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時における反応温度、反応時間、反応圧力は、原料、溶媒などによって異なるが、通常、２０℃〜３００℃、好ましくは５０℃〜２５０℃、更に好ましくは８０℃〜２２０℃の範囲である。反応時間は、通常３０分〜２４時間であるが、好ましくは１〜１２時間、さらに好ましくは２〜１０時間であり、反応圧力に関しては、通常、常圧であるが、必要に応じて加圧下でも減圧下でも差し支えない。
【０１７８】
本発明の金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時の、加熱手段は特に限定されない。具体的には、オイルバス、マントルヒーターによる加熱や、マイクロ波照射による加熱を使用することができる。
【０１７９】
このようにして得られた本発明の金属錯体は、必要に応じて単離、精製を行うことができる。単離、精製の方法としては、カラムクロマトグラフィー、再結晶、再沈殿、昇華等が挙げられる。これらは単独で用いても併用しても構わない。
【０１８０】
なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、または該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、グリーン（Ｔ．  Ｗ．  Ｇｒｅｅｎｅ）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ  Ｉｎｃ．）（１９８１年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。
【０１８１】
本発明の錯体を発光層以外の層（例えば電荷輸送層等）に導入する場合には、該層中において１０質量％〜１００質量％含まれることが好ましく、より好ましくは３０質量％〜１００質量％含まれることが好ましい。
【０１８２】
前述したとおり、前記特定構造を有する金属錯体は、少なくとも一種のホスト材料と共に発光層に含有することが特に好ましい。
【０１８３】
ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。
【０１８４】
ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料と正孔輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
【０１８５】
発光層中のホスト材料の濃度は、特に限定されないが、発光層中において主成分（含有量が一番多い成分）であることが好ましく、５０質量％以上９９．９質量％以下がより好ましく、７０質量％以上９９．８質量％以下がさらに好ましく、８０質量％以上９９．７質量％以下が特に好ましく、９０質量％以上９９．５質量％以下が最も好ましい。
【０１８６】
前記ホスト材料のガラス転移点は、１００℃以上５００℃以下であることが好ましく、１１０℃以上３００℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上２５０℃以下であることがさらに好ましい。
【０１８７】
本発明において発光層に含まれるホスト材料の膜状態での蛍光波長は、４００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲であることがより好ましく、４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲であることがさらに好ましい。
【０１８８】
本発明に用いるホスト材料としては、特開２００２−１００４７６公報の段落０１１３〜０１６１に記載の化合物及び特開２００４−２１４１７９公報の段落００８７〜００９８に記載の化合物を好適に用いることができるが、これらに限定されることはない。
【０１８９】
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【０１９０】
重水素原子を少なくともひとつ有する材料とは、有機材料であっても、無機材料であっても、その両方であってもよいが、有機材料であることが好ましい。
【０１９１】
重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料とは、水素原子または重水素原子が結合し得る位置において、重水素原子と水素原子の比率(重水素原子の原子数：水素原子の原子数)が、１００：０から１：９９の範囲に含まれていることを意味する。ここで、水素原子または重水素原子が結合し得る位置は、１分子中、少なくとも特定の１箇所から全部の範囲の何れでもよい。言い換えれば、上記比率は水素原子または重水素原子が結合し得る位置の総和において、重水素原子が占める割合（重水素化率）が１〜１００％であることと同義である。
従って、上記比率の状態は、当該位置に重水素を含む化合物と重水素を含まない化合物を、適当な比率で同時に使用することによって実現できる。
【０１９２】
重水素原子と水素原子の組成の範囲として、好ましくは１００：０から５：９５であり、より好ましくは１００：０から５０：５０であり、特に好ましくは１００：０から８０：２０である。
【０１９３】
重水素原子を少なくともひとつ有する材料は、有機電界発光素子のいずれの層に含まれていても良いが、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、もしくは複数に含有されるのが好ましく、発光層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、もしくは複数に含有されるのがより好ましく、発光層に含有されるのがさらに好ましく、特に発光層中のホスト材料として含有されるのが好ましい。ホスト材料として用いる場合、重水素原子を少なくとも１つ有する材料の使用量は、前述のホスト材料で述べた使用量と同じである。
【０１９４】
重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料としては、例えば、国際公開第０２−４７４４０号に記載の化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【０１９５】
重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料として、特に好ましいものの例としては、窒素原子を含む材料が好ましく、なかでも、三級アミン骨格、カルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料が好ましく、カルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料がより好ましく、カルバゾール骨格を含む材料が特に好ましい。
【０１９６】
重水素原子を少なくともひとつ有するカルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。
【０１９７】
【化４９】
2009266943.tif 000070
【０１９８】
重水素原子を少なくとも１つ有する材料は、種々の公知の合成法にて合成することが可能である。例えば、特開２００４−１１４００及び特開２００４−４６０６６に記載の方法を用いることにより、対応する化合物の水素原子を重水素原子に変換することが出来る。また、重水素原子を含む原料を用いて、重水素原子を少なくとも１つ有する材料を合成することも出来る。重水素原子を含む原料として具体的には、重ブロモベンゼン-d5（CAS No. 4165-57-5）、重ヨウ化メチル-d3（CAS No. 865-50-9）や、J.Am.Chem.Soc. vol.126, No.40, 13033-03043項(2004年)に記載の方法で合成できるレゾルシノール-d6及び、そのスルホン酸エステル誘導体などが挙げられる。
【０１９９】
本発明の素子を構成する各要素について詳細に説明する。
【０２００】
＜基板＞
前記電極及び有機層は基板上に作製することができる。
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
【０２０１】
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【０２０２】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【０２０３】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【０２０４】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
【０２０５】
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【０２０６】
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
【０２０７】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【０２０８】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【０２０９】
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【０２１０】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０２１１】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【０２１２】
陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【０２１３】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【０２１４】
＜陰極＞
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０２１５】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【０２１６】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【０２１７】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【０２１８】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【０２１９】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０２２０】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【０２２１】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【０２２２】
＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。本発明の素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有しており、有機発光層以外の他の有機層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
【０２２３】
−有機層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０２２４】
−発光層−
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【０２２５】
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、発光材料は一種であっても二種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料と正孔輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。発光層としては、発光材料とホスト材料として本発明の錯体を用いたものが好ましい。
【０２２６】
また、発光層は一層であっても二層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【０２２７】
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の錯体やピロメテン誘導体の錯体に代表される各種錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０２２８】
本発明に使用できる燐光材料としては、本発明の化合物の他、例えば、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられ、中でも、更に好ましい発光材料としては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、及びＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｒｅ錯体が好ましく、４座配位子を有するＰｔ錯体が特に好ましい。
【０２２９】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０２３０】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するＩｒ錯体に代表される各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有するものであれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
【０２３１】
具体的には、無機化合物としては塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、及び三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。
【０２３２】
有機化合物としては、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開平１１−１１１４６３、特開平１１−２５１０６７、特開２０００−１９６１４０、特開２０００−２８６０５４、特開２０００−３１５５８０、特開２００１−１０２１７５、特開２００１−１６０４９３、特開２００２−２５２０８５、特開２００２−５６９８５、特開２００３−１５７９８１、特開２００３−２１７８６２、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４、特開２００５−７２０１２、特開２００５−１６６６３７、特開２００５−２０９６４３等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。
このうちヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、またはフラーレンＣ６０が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、または２，３，５，６−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。
【０２３３】
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。
【０２３４】
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２３５】
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０２３６】
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２３７】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体に代表される各種錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０２３８】
本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、及びＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることが出来る。
【０２３９】
これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
【０２４０】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２４１】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、Aluminum (III)bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylphenolate（ＢＡｌｑと略記する）等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する）等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２４２】
−電荷発生層−
本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けられた構成をとることができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
【０２４３】
前記電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば何でもよく、単一化合物で形成されていても、複数の化合物で形成されていてもよい。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平１１−３２９７４８や、特開２００３−２７２８６０や、特開２００４−３９６１７に記載の材料が挙げられる。
更に具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料、Ｃ60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金、Ｍｇ：Ｌｉ合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものを用いてもよい。
前記正孔伝導性材料は、例えば２−ＴＮＡＴＡ、ＮＰＤなどの正孔輸送有機材料にＦ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ３などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、Ｐ型導電性高分子、Ｐ型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物をドープしたものや、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型半導体が挙げられる。Ｎ型半導体としては、Ｎ型Ｓｉ、Ｎ型ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＳなどが挙げられ、Ｐ型半導体としては、Ｐ型Ｓｉ、Ｐ型ＣｄＴｅ、Ｐ型ＣｕＯなどが挙げられる。
また、前記電荷発生層として、Ｖ２Ｏ５などの電気絶縁性材料を用いることもできる。
【０２４４】
前記電荷発生層は、単層でも複数積層させたものでもよい。複数積層させた構造としては、透明伝導材料や金属材料などの導電性を有する材料と正孔伝導性材料、または、電子伝導性材料を積層させた構造、上記の正孔伝導性材料と電子伝導性材料を積層させた構造の層などが挙げられる。
【０２４５】
前記電荷発生層は、一般に、可視光の透過率が５０％以上になるよう、膜厚・材料を選択することが好ましい。また膜厚は、特に限定されるものではないが、０．５〜２００ｎｍが好ましく、１〜１００ｎｍがより好ましく、３〜５０ｎｍがさらに好ましく、５〜３０ｎｍが特に好ましい。
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機層の形成方法を用いることができる。
【０２４６】
電荷発生層は前記二層以上の発光層間に形成するが、電荷発生層の陽極側及び陰極側には、隣接する層に電荷を注入する機能を有する材料を含んでいても良い。陽極側に隣接する層への電子の注入性を上げるため、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＣａＦ２などの電子注入性化合物を電荷発生層の陽極側に積層させてもよい。
以上で挙げられた内容以外にも、特開２００３−４５６７６号公報、米国特許第６３３７４９２号、同第６１０７７３４号、同第６８７２４７２号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
【０２４７】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０２４８】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０２４９】
＜封止容器＞
本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。封止容器と素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０２５０】
＜駆動方法＞
本発明の素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
【０２５１】
本発明の素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０２５２】
本発明の素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
【実施例】
【０２５３】
以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない
【０２５４】
（比較例１、２、実施例１〜１２）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを10nm蒸着し、この上に、ＮＰＤ（（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を40nm蒸着した。この上に、表２１に記載のホスト材料と発光材料を97：3の比率（質量比）で40nm蒸着し、この上に、ＢＡｌｑを10nm、さらにこの上にＡｌｑを30nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、発光材料に由来する発光が得られた。更に360cd／m2（発光面積4mm2）とさらに高輝度条件である1000cd／m2（発光面積4mm2）で駆動した素子の輝度半減期を測定した。実施例１１、１２においては、Ａｌｑの代わりに、重水素化を行ったＡｌｑ（Ｄ−Ａｌｑ）を用いて、同様に素子を作製した。その結果を表２１に示す。
【０２５５】
【表２１】
2009266943.tif 000071
【０２５６】
（比較例３）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを10nm蒸着し、この上に、ＮＰＤ（（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を40nm蒸着した。この上に、表２２に記載のホスト材料とIr(ppy)3を97：3の比率（質量比）で40nm蒸着し、この上に、ＢＡｌｑを10nm、さらにこの上にＡｌｑを30nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、発光材料に由来する発光が得られた。更に360cd／m2（発光面積4mm2）とさらに高輝度条件である1000cd／m2（発光面積4mm2）で駆動した素子の輝度半減期を測定した。同様に素子を作製した。その結果を表２２に示す。
【０２５７】
（実施例１３、１４）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを10nm蒸着し、この上に、ＮＰＤ（（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を40nm蒸着した。この上に、表２２に記載のホスト材料とIr(ppy)3を97：3の比率（質量比）で40nm蒸着し、この上に、ＢＡｌｑを10nm、さらにこの上にＡｌｑと例示化合物を９０：１０の比率で、30nm蒸着した。この上に、フッ化リチウムを3nm蒸着した後、アルミニウム60nmを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、発光材料に由来する発光が得られた。更に360cd／m2（発光面積4mm2）とさらに高輝度条件である1000cd／m2（発光面積4mm2）で駆動した素子の輝度半減期を測定した。同様に素子を作製した。その結果を表２２に示す
【０２５８】
【表２２】
2009266943.tif 000072
【０２５９】
上記銅フタロシアニン、ＮＰＤ、化合物Ｉ（特開２００６−９６２５５号公報に記載の化合物１１４）、化合物ＩＩ（特開２００８−３７８４８号公報に記載の化合物１０−１）、実施例に使用したホスト材料、ＢＡｌｑの化学構造を以下に示す。
【０２６０】
【化５０】
2009266943.tif 000073
【０２６１】
本発明の他の金属錯体を用いても、上記同様、高輝度での耐久性に優れた有機電界発光素子が得られる。