(57)【要約】【課題】２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供する。【解決手段】チャンバークリーニングの前半はＣｌ2 を用いたＣｌ2 クリーニングであり、後半はＯ2 を用いたＯ2 クリーニングであり、該Ｃｌ2 クリーニングと該Ｏ2 クリーニングとの間に真空引きを行うこと。前記Ｃｌ2 クリーニングの処理時間内に、複数回の真空引きを行うこと。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法であって、チャンバークリーニングの前半はＣｌ2 を用いたＣｌ2 クリーニングであり、後半はＯ2 を用いたＯ2 クリーニングであり、該Ｃｌ2 クリーニングと該Ｏ2 クリーニングとの間に真空引きを行うことを特徴とするドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法。
【請求項２】
前記Ｃｌ2 クリーニングの処理時間内に、複数回の真空引きを行うことを特徴とする請求項１記載のドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法に関するものであり、特に、２．０μｍ以上のパーティクル（異物）が発生した場合、或いは、エッチャー起因の欠陥が多く発生した場合に、パーティクルの発生を停止させることのできる異常時クリーニングとしてのクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、フォトマスク製作におけるドライエッチング装置の一例の概略を示したものである。図１に示すように、ドライエッチング装置は、エッチングチャンバー（エッチング処理室）（１０）、ロードロック室（前室）（２０）、高真空ポンプ（３０）で構成され、仕切りバルブ（Ｂ１、Ｂ２）、圧力調整バルブ（Ｂ３）が設けられている。
マスク基板は、ロードロック室（前室）（２０）を経由して、ロボットにより自動的にエッチングチャンバー（エッチング処理室）（１０）にセットされ、マスク基板にエッチング処理が施される。マスク基板の遮光膜がＣｒ膜の際には、ガスの成分としてＣｌ2 、ＭｏＳｉ膜の際には、ガスの成分としてＳＦ6 、ＣＦ4 などが用いられる。
【０００３】
実際のフォトマスク製作においては、マスク基板をエッチングする前には、Ｏ2 クリーニングと称する、エッチングチャンバー（エッチング処理室）の処理前クリーニングが行われ、また、エッチングした後には、エッチングチャンバー（エッチング処理室）の処理後クリーニングが行われる。
このドライエッチング装置のチャンバークリーニングは、エッチング中のパーティクル（異物）の発生をなくし、パーティクル（異物）に起因する欠陥を減少させるために行われるものである。
【０００４】
表１は、Ｏ2 クリーニングのクリーニング条件の一例を示したものである。表１に示すように、処理前クリーニング及び処理後クリーニングは、各々、圧力３０ｍＴ、パワー５００Ｗ、Ｏ2 流量１００ｓｃｃｍ、処理時間２００ｓｅｃ程度のものである。
尚、図１中、符号（４０）は、ガラス基板を表しており、クリーニング中はカソード表面を保護するために載置される。
【０００５】
【表１】
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エッチング中に発生したパーティクル（異物）が、マスク基板上に落下し、移動せずに付着していると、エッチング残りとなる。パーティクルが、例えば、０．５μｍ以下である際には、後の修正工程で修正できる場合が多い。しかし、パーティクルが、例えば、２．０μｍ以上で、パターンに付着した際には、後の修正工程で修正できない場合が多く、このマスク基板は不良品となってしまう。
従って、モニター基板を用い、このような２．０μｍ以上のパーティクルの発生を監視するといった監視作業が日常的に行われている。
【０００６】
このモニター基板を用いた監視作業において、２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合、或いは、実際のマスク基板において、エッチャー起因の欠陥が多く発生した場合には、マスク基板のエッチング作業を中断し、前記処理前クリーニング及び処理後クリーニングとは別に、異常時クリーニングと称する、エッチングチャンバー（エッチング処理室）のクリーニングが施される。
【０００７】
表２は、異常時クリーニングのクリーニング条件の一例を示したものである。
表２に示すように、異常時クリーニングは、圧力３０ｍＴ、パワー５００Ｗ、Ｏ2 流量１
００ｓｃｃｍであり、処理時間は２００ｓｅｃ×６０回（１２０００ｓｅｃ）程度のものである。
【０００８】
【表２】
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この異常時クリーニングでは、クリーニングの途上で、クリーニングを一時中断してチャンバー内のガラス基板を取り出し、新たなガラス基板と交換するといった作業を複数回行っている。これにより、ガラス基板上に落下したパーティクルをチャンバー内から持ち出すことをしている。
また、このクリーニングの途上では、モニター基板の温度の上昇を回避するために複数回の冷却時間を設けている。
【０００９】
この異常時クリーニングの処理時間の２００ｓｅｃ×６０回は、２００ｓｅｃ×６０回にわたる処理を施すことによって、パーティクル（異物）は発生しなくなることが、予め確認されたものを基にして定めたものである。
【００１０】
しかしながら、前記、日常的に行われているモニター基板を用いた監視作業において、２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合、或いは、実際のマスク基板において、エッチャー起因の欠陥が多く発生した場合に、この異常時クリーニングを施してもパーティクルの発生は止まらずに発生し続けることがある。
【特許文献１】特開平１１−３２６１００号公報
【特許文献２】特開２００３−２５７８７８号公報
【特許文献３】特開平５−２８９７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、モニター基板を用いた監視作業において、２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合、或いは、実際のマスク基板において、エッチャー起因の欠陥が多く発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるエッチングチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、ドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法であって、チャンバークリーニングの前半はＣｌ2 を用いたＣｌ2 クリーニングであり、後半はＯ2 を用いたＯ2 クリーニングであり、該Ｃｌ2 クリーニングと該Ｏ2 クリーニングとの間に真空引きを行うことを特徴とするドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法である。
【００１３】
また、本発明は、上記発明によるドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法において、前記Ｃｌ2 クリーニングの処理時間内に、複数回の真空引きを行うことを特徴とするドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、チャンバークリーニングの前半はＣｌ2 を用いたＣｌ2 クリーニングであり、後半はＯ2 を用いたＯ2 クリーニングであり、該Ｃｌ2 クリーニングと該Ｏ2 クリーニングとの間に真空引きを行うので、ガラス基板を用いた監視作業において、２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合、或いは、実際のマスク基板において、エッチャー起因の欠陥が多く発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできる、
ドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法となる。
【００１５】
また、本発明は、上記チャンバークリーニング方法において、前記Ｃｌ2 クリーニングの処理時間内に、複数回の真空引きを行うので、より効果的なドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明者は、従来の異常時クリーニングに代わるクリーニングとして、様々なクリーニング方法を試みた結果、チャンバークリーニングの前半にはＣｌ2 を用いたＣｌ2 クリーニングを行い、後半にはＯ2 を用いたＯ2 クリーニングを行い、このＣｌ2 クリーニングとＯ2 クリーニングとの間に真空引きを行うことにより、良好な結果が得られることを見出し、本発明をするに至った。
【００１７】
表３は、従来の異常時クリーニングに代わるクリーニングとしての、本発明によるクリーニング条件の一例を示したものである。
表３に示すように、本発明によるクリーニングは、Ｃｌ2 クリーニングとＯ2 クリーニングとで構成される。先ず、Ｃｌ2 クリーニングとして、圧力１０ｍＴ、パワー５００Ｗ、Ｃｌ2 流量１００ｓｃｃｍ、処理時間２００ｓｅｃ×３回のＣｌ2 クリーニングを行う。
【００１８】
【表３】
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次ぎに、約６０ｓｅｃの真空引きを行いＣｌ2 を排出し、Ｏ2 へのクリーニング条件の変更に備える。
続いて、Ｏ2 クリーニングを行う。このＯ2 クリーニングとしては、前記従来のＯ2 クリーニングを行う。表３下段に示すように、例えば、圧力３０ｍＴ、パワー５００Ｗ、Ｏ2 流量１００ｓｃｃｍであり、処理時間は２００ｓｅｃ×６０回（１２０００ｓｅｃ）程度のものである。
【００１９】
このＯ2 クリーニングでは、クリーニングの途上で、クリーニングを一時中断してチャンバー内のモニター基板を取り出し、新たなモニター基板と交換するといった作業を複数回行っている。これにより、モニター基板上に落下したパーティクルをチャンバー内から持ち出すことをしている。
また、このクリーニングの途上では、ガラス基板の温度の上昇を回避するために複数回の冷却時間を設けている。
【００２０】
上記Ｃｌ2 クリーニングにおいては、処理時間２００ｓｅｃの経過後に、約６０ｓｅｃの真空引きを行うことが好ましい。上記事例でのＣｌ2 クリーニングは、２００ｓｅｃ×３回であるので、１回目の２００ｓｅｃ後と、２回目の２００ｓｅｃ後に各々約６０ｓｅｃの真空引きを行うことが好ましい。この真空引きによって、チャンバー内にて発生したパーティクル（異物）が外部へ排出されることになる。
【００２１】
パーティクル（異物）の成分といては、Ａｌ2 Ｏ3 が主なものとなっている。
チャンバーの材料としてはアルミ材を用いることが多く、チャンバー内面はアルマイト処理が施されているので、パーティクルの発生にはチャンバー内面が関与しているものと推量されるが、クリーニングに用いるガス成分との関係は明らかではない。
【００２２】
図２及び図３は、従来の異常時クリーニングによる効果を示す説明図である。
図２及び図３の縦軸は、モニター基板上に落下したパーティクルの個数を表している。また、横軸の１目盛は、略２日間に１回の割合で行われている日常的な監視の回数を示している。図２は２．０μｍ以上のパーティクル、図３は０．３〜２．０μｍのパーティクル
である。
【００２３】
図４及び図５は、本発明によるチャンバークリーニング方法の効果を示し説明図である。図４は２．０μｍ以上のパーティクル、図５は０．３〜２．０μｍのパーティクルである。図２と図４を比較して明らかなように、従来においては、２．０μｍ以上のパーティクル発生数が０個である回数は、監視回数当たり略３０％である。一方、本発明によるクリーニングにおいては、２．０μｍ以上のパーティクル発生数が０個である回数は、監視回数当たり略８８％である。つまり、大幅に改善されたものとなっている。
また、図２と図４を比較して明らかなように、０．３〜２．０μｍのパーティクルにおいても大幅に改善されたものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】フォトマスク製作におけるドライエッチング装置の一例の概略を示したものである。
【図２】従来の異常時クリーニングによる効果を示し説明図である。
【図３】従来の異常時クリーニングによる効果を示し説明図である。
【図４】本発明によるチャンバークリーニング方法の効果を示し説明図である。
【図５】本発明によるチャンバークリーニング方法の効果を示し説明図である。
【符号の説明】
【００２５】
１０・・・エッチングチャンバー（エッチング処理室）
２０・・・ロードロック室（前室）
３０・・・高真空ポンプ
４０・・・ガラス基板
Ｂ１、Ｂ２・・・仕切りバルブ
Ｂ３・・・圧力調整バルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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