(57)【要約】【課題】  本発明は発光ユニット部の光源として有機ＥＬ素子（electro luminescence element）を使用した印刷装置に関し、特にＥＬ素子からの露光スポットが一様になるように制御し、主走査方向での１ラインの幅の広がりやラインのバラツキを無くす印刷装置を提供するものである。【解決手段】  多数の有機ＥＬ素子を１６個の有機ＥＬ素子群として配設し、各ＥＬ素子群毎に選択信号（Vselect）、及び電源電圧（Vsource）の出力を制御し、選択信号（Vselect）によって選択した有機ＥＬ素子群の発光を非選択期間において、予め測定した最適な光量に調整すべく電源電圧（Vsource）の供給を設定したタイミングで停止し、ヘッドユニット毎に配設された有機ＥＬ素子間での光量のバラツキを無くすものである。【選択図】  図１
2009051152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＥＬ素子を主走査方向にアレイ状に配設されて成るＥＬアレイから感光面に光照射を行い、感光面に形成された潜像を現像して記録媒体に印刷を行う印刷装置において、
前記ＥＬアレイに選択信号を供給する選択信号供給手段と、
該選択信号の出力後、前記ＥＬアレイ内のＥＬ素子に発光電源を供給する、発光電源供給手段と、
前記ＥＬアレイを内蔵するヘッドユニット毎に設けられた記憶手段内に予め設定された前記ＥＬアレイの駆動期間の情報に基づいて前記発光電源の供給を停止する制御手段と、
を有することを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記ＥＬアレイの駆動期間の情報は、予めＥＬヘッドユニット毎に測定した結果に基づいて設定されることを特徴とする請求項１記載の印刷装置。
【請求項３】
前記選択信号の出力によって、駆動回路に形成された容量手段に電荷をチャージし、該チャージされた電荷によって切換手段を切り換え、前記発光電源を前記ＥＬアレイに流して各ＥＬアレイの発光を行うことを特徴とする請求項１、又は２記載の印刷装置。
【請求項４】
前記ＥＬ素子は有機ＥＬ素子であり、前記ＥＬアレイには有機ＥＬ素子群が複数配設されていることを特徴とする請求項１、２、又は３記載の印刷装置。
【請求項５】
複数のＥＬ素子が形成されたＥＬアレイ毎に該ＥＬアレイに選択信号を供給する選択信号供給手段と、
該選択信号の出力後、前記ＥＬアレイ内のＥＬ素子に発光電源を供給する、発光電源供給手段と、
前記ＥＬアレイを内蔵するヘッドユニット毎に設けられた記憶手段内に予め設定された前記ＥＬヘッドユニット毎のＥＬ素子の駆動期間の情報に基づいて前記発光電源の供給を停止する制御手段と、
を有することを特徴とするＥＬヘッドユニットの駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真方式の印刷プロセス（以下、電子写真プロセスで示す）を使用した印刷装置に係り、特に発光ユニットの光源としてＥＬ素子（electro luminescence element）を使用した印刷装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真プロセスを使用した印刷装置は、一様な電荷が帯電された感光面に対して、発光ユニットから印刷データに従った発光を行い、感光面に光強度に応じた潜像を形成し、トナーによる現像、転写、定着の一連のプロセスを経て、記録媒体に印刷を行うものである。そして、上記発光ユニットの光源としては、一般にレーザやＬＥＤ（light emitting diode）が使用されるが、ディスプレイ等の発光画素用途として研究されている有機ＥＬ素子を光源とする場合、特にアクティブマトリックス駆動方式による方法では、駆動スイッチ回路をパネル上に内蔵し、低消費電力で駆動できる利点があり有効である。また、アクティブマトリックス方式を採用することによって、駆動ＩＣを削減でき、更に各ＬＥＤ素子に接続しているワイヤーボンディングの本数を削減することもできる。
【０００３】
特許文献１は上記有機ＥＬ素子を使用した駆動回路の発明を開示している。この駆動回路の基本的構成は、図５５に示す通りであり、有機ＥＬ素子Ｅ、３個のトランジスタＴ１〜Ｔ３、及びコンデンサＣで構成されている。また、図５６はこの回路に供給される信号、及びこの回路に流れる電流の駆動を示すタイムチャートであり、図５５の端子Ａから入力する選択信号（Vselect）、同図の端子Ｂから入力する電源電圧（Vsource）、電流源Ｆに流し込む電流（Idata）、トランジスタＴ３に流れる電流（IT3）、及び有機ＥＬ素子Ｅに流れる電流（IE）を説明するタイムチャートである。
【０００４】
先ず、図５６の選択期間（Tse）において、上記選択信号（Vselect）を図５５に示す回路に供給し、電源電圧（Vsource）の供給を停止する。この処理によって、トランジスタＴ１、Ｔ２がオンし、更にトランジスタＴ１のオンによって、トランジスタＴ３のゲートＧ及びコンデンサＣに電圧が印加され、トランジスタＴ３がオンする。この時、発光量に従った電流（Idata、（電流（IT））が電流源Ｆに流れ込み、コンデンサＣに電荷がチャージされる。
【０００５】
この電荷は、次の非選択期間（Tnse）において、トランジスタＴ３に同じ電流（Idata）を流すことが可能な電荷量であり、選択信号（Vselect）の供給を停止し、電源電圧（Vsource）の供給を開始した際（非選択期間）、トランジスタＴ２がオフ状態になると、有機ＥＬ素子Ｅには電流（IE）が流れる。この電流（IE）によって有機ＥＬ素子Ｅが発光する。
【特許文献１】特開２００３−１９５８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記ＥＬ素子の駆動回路を電子写真プロセスの印刷装置に使用した場合、非選択期間において、電流（IE）が流れ続けることになり、感光面上で露光する１ドットの露光サイズが副走査方向に伸びてしまう。図５７（ａ）は理想的なビームスポットであるが、上記従来の処理では同図（ｂ）に示すように副走査方向にビームスポットが移動し、露光ドットが副走査方向に広がる。また、ＥＬ素子自体の発光光量にもバラツキがあるため、主走査方向での１ラインの幅が広くなり、またラインの濃度も一様ではなくなる。
【０００７】
そこで、本発明はＥＬ素子からの露光スポットが一様になるように制御し、主走査方向での１ラインの幅の広がりやラインのバラツキを無くした印刷装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は第１の発明によれば、複数のＥＬ素子が主走査方向にアレイ状に配設されて成る有機ＥＬヘッドから感光面に光照射を行い、感光面に形成された像を現像して記録媒体に印刷を行う印刷装置において、前記ＥＬユニット毎に該ＥＬユニットに選択信号を供給する選択信号供給手段と、該選択信号の出力後、前記ＥＬヘッドユニット内のＥＬ素子に発光電源を供給する、発光電源供給手段と、予め設定された前記ＥＬヘッドユニット毎のＥＬ素子の駆動期間の情報に基づいて前記発光電源の供給を停止する制御手段とを有する印刷装置を提供することによって達成できる。
【０００９】
上記課題は第２の発明によれば、前記ヘッドユニット毎のＥＬアレイの駆動期間の情報は、予めヘッドユニット毎に測定した結果に基づいて設定される印刷装置を提供することによって達成できる。
【００１０】
上記課題は第３の発明によれば、前記選択信号の出力によって、駆動回路に形成された容量手段に電荷をチャージし、該チャージされた電荷によって切換手段を切り換え、前記発光電源を前記ＥＬアレイに流して各有機ＥＬアレイの発光を行う印刷装置を提供することによって達成できる。
【００１１】
上記課題は第４の発明によれば、前記ＥＬ素子は有機ＥＬ素子であり、前記ＥＬアレイには有機ＥＬ素子群が複数配設されている印刷装置を提供することによって達成できる。
上記課題は第５の発明によれば、複数のＥＬ素子が形成されたＥＬアレイ毎に該ＥＬアレイに選択信号を供給する選択信号供給手段と、該選択信号の出力後、前記ＥＬアレイ内のＥＬ素子に発光電源を供給する、発光電源供給手段と、前記ＥＬアレイを内蔵するヘッドユニット毎に設けられた記憶手段内に予め設定された前記ＥＬヘッドユニット毎のＥＬ素子の駆動期間の情報に基づいて前記発光電源の供給を停止する制御手段とを有するＥＬユニットの駆動装置を提供することによって達成できる。
【発明の効果】
【００１２】
上記課題の解決手段によれば、非選択期間において電流がＥＬ素子に流れ続けることがなく、各ヘッドユニットの特性に合わせて非選択期間の長さを調整でき、ヘッドユニット間の発光光量のバラツキを調整することができる。
【００１３】
したがって、主走査方向での１ラインの幅の広がりやラインのバラツキを無くし、印字品質の優れた印刷装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
（実施形態１）
図２は、本発明の実施形態を説明する印刷装置の要部を説明する図であり、感光体ドラム１の周面近傍には帯電ローラ２、有機ＥＬヘッド３、現像器４、転写ローラ５、クリーニング部６、及びイレーサ７が配設されている。イレーサ７によって電荷が除去された感光体ドラム１の感光面には、帯電ローラ２によって一様な電荷が付与される。感光体ドラム１は矢印方向に回転し、一様な電荷が付与された感光面には有機ＥＬヘッド３から印刷データに従った露光が行われ、静電潜像が形成される。このようにして感光面に形成された静電潜像は、現像器４によってトナー像となり、転写ローラ５において用紙（記録媒体）８に転写される。さらに、用紙８は不図示の搬送機構によって矢印方向に搬送され、用紙８に転写されたトナー像は、定着ローラ９によって熱定着され、機外に排出される。
【００１５】
上記構成において、図３は感光体ドラム１と有機ＥＬヘッド３の配設構成を示す図である。有機ＥＬヘッド３は有機ＥＬアレイ１０とＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１で構成され、有機ＥＬアレイ１０には主走査方向に多数の有機ＥＬ素子がアレイ状に配設されている。
【００１６】
図１は、上記構成の有機ＥＬアレイ１０の回路構成を示す図である。同図において、有機ＥＬアレイ１０は、主走査方向に多数の有機ＥＬ素子を配設し、例えば1200dpi、40ppm、用紙間距離50mm、Ａ４横サイズの有機ＥＬアレイ１０を使用すると、必要な画素数は、Ａ４横=297mm以上として例えば320mm、１dataDrvの出力数=960とすると、（320mm／（25.4mm／1200dpi））／960＝15.75／mmである。また、主走査方向の１ラインの形成に許容される時間１LineTimeは、（（25.4mm／1200dpi）／（210mmX40枚＋50mmX40枚））／60≒122μsecである。
【００１７】
選択期間（Tse）は、電流ドライバ１dataDrv１へのデータ転送を含んでおり、転送終了と共に各画素への電流供給となるが、選択期間をこの１LineTimeに何回入れられるかによって、必要とされる１dastaDrv１の数量が決定される。上記算出結果の15.75より、１LineTimeに１６回選択期間を設定できれば、１dataDrvの必要数は１個である。
【００１８】
すなわち、122μsec／16＝7.625μsec以内にデータ転送とコンデンサＣへの電荷チャージが完了できれば、図１に示すような構成が可能となる。本例では、１個の１dataDrv１の出力が960出力おきに１６分配され、画素への配線が行われている。
【００１９】
ここで、１６分配された有機ＥＬを群形式で示すと、有機ＥＬ群「１」〜「１６」が有機ＥＬアレイ１０を構成し、有機ＥＬ群「１」〜「１６」が列状に配設されている。また、各有機ＥＬ群「１」〜「１６」には、前述のように９６０個の有機ＥＬ素子が形成され、各有機ＥＬ素子は図４に示す駆動回路によって駆動される。
【００２０】
すなわち、トランジスタＴ１１、Ｔ１２のゲート（Ｇ）には端子Ａを介して選択信号（Vselect）が供給され、この選択信号（Vselect）は、図１に示す選択信号ドライバ２０から各駆動回路の端子Ａに供給される。また、電源電圧（Vsource）は端子Ｂを介してトランジスタＴ１３のドレイン（Ｄ）に供給され、この電源電圧（Vsource）は、図１に示す電源電圧ドライバ２１から各駆動回路の端子Ｂに供給される。また、電流源Ｆを有するドライバ２２は、各駆動回路に接続され、各駆動回路から出力される電流（Idata）は、ドライバ２２に入力する。
【００２１】
また、トランジスタＴ１１のソース（Ｓ）は、トランジスタＴ１３のゲート（Ｇ）に接続され、トランジスタＴ１１をオンすることによって、トランジスタＴ１３を駆動し（オンし）、電流（IT13）を流す。また、トランジスタＴ１３のゲート（Ｇ）とソース（Ｓ）間にはコンデンサＣ１が接続され、電流源Ｆに電流（Idata）を流し込み、電荷をチャージする。尚、電流（IE1）は有機ＥＬ素子Ｅ１に流れる電流であり、有機ＥＬ素子Ｅ１を発光し、前述の感光体ドラム１の感光面に静電潜像を形成する。
【００２２】
有機ＥＬ素子Ｅ１の場合、平面状のベース基材にパターンニングにより画素サイズの発光素子を形成して製造されるので同じヘッドユニット内での各素子間のバラツキは、例えばＬＥＤ素子を用いたヘッドと比較して非常に小さい。したがって、有機ＥＬヘッド３に有機ＥＬ素子を使用した場合、均一な光量特性を得るためには、各素子間バラツキを補正するより、有機ＥＬヘッドユニット毎に発生するバラツキを補正することが望ましい。以下、具体的に説明する。
【００２３】
図５は本例の処理を説明するタイムチャートである。前述のように、１lineTime=122μsecであるが、これはある任意の960画素単位の選択期間から次の選択期間までの時間となる。有機ＥＬ素子は960画素単位で16個、有機ＥＬ群「１」〜「１６」として配設されており、960画素単位（１群単位）の選択期間に選択信号（Vselect１）をハイレベルに制御し、電源電圧（Vsource）をローレベルに制御して、各画素に対する必要電流値に従った電荷のチャージを行う（図５に示すタイミングａ）。その後、選択信号（Vselect１）をローレベルに制御し、電源電圧（Vsource１）をハイレベルに制御して、非選択期間へと移行する（図５に示すタイミングｂ）。
【００２４】
この時、同時に当該群「１」の隣の960画素（群２）に供給する選択信号（Vselect２）をハイレベルに制御し、電源電圧（Vsource２）をローレベルに制御して、当該群「２」内のコンデンサＣに電荷チャージを行う（図５に示すタイミングｃ）。以下、同様に、有機ＥＬ群「１」〜「１６」全てについて順次処理を行う。
【００２５】
この場合、非選択期間において電源電圧（Vsource）がハイレベルとなるが、本例ではこの非選択期間を制御して任意の時間でローレベルに制御することで、有機ＥＬ素子Ｅ１への電流供給を止め、有機ＥＬ素子群毎の光量制御を行う。
【００２６】
そこで、先ずヘッドユニット全体での光量測定を予め行い、一定の値を基準にして全ての電源電圧（Vsource）の供給期間を同じ長さで制御する。すなわち、感光面で受ける露光面積によって光量エネルギーを制御し、ヘッドユニット全体での発光を一様に変化させる。
【００２７】
先ず、１LineTimeでの発光デューティをある任意値で１ライン幅が必要以上広くならないよう、例えば50%に設定し、有機ＥＬ素子Ｅ１を発光させて光量を測定する。そして、この測定値を基準値として、補正すべきヘッドユニットを基準デューティ値で発光して光量を測定し、基準値との差を検出し、基準値に一致するように各ヘッドユニットでの発光時間を決定する。この時間を対応するヘッドユニットの非選択期間として設定し、対応するヘッドユニットの各固有値として、メモリに記憶させる。
【００２８】
図６は上記固定値を記憶する非選択期間メモリ３１、当該ヘッドユニットの選択期間を計数するカウンタ３２、及びシフトレジスタ３３である。また、図７は上記構成の回路動作を説明するタイムチャートである。
【００２９】
水平同期信号（HSYNC）は１ラインの書き込み指示を行う信号であり、水平同期信号（HSYNC）が出力され（図７に示すタイミングａ）、選択信号（Vselect１）が出力され、先ず有機ＥＬ群「１」が選択期間となる。その後、有機ＥＬ群「１」への選択信号（Vselect１）の出力が停止され、電源電圧（Vsource１）が有機ＥＬ群「１」の各有機ＥＬ素子Ｅ１に供給される（図７に示すタイミングｂ）。
【００３０】
次に、カウンタ３２は上記非選択期間メモリ３１から予め記憶された固定値を読み出し、クロック信号（CLK）の入力に同期して計数処理を行う。この計数処理は同図に示す固定値に対応するＮまで行われる。この間、次の有機ＥＬ群「２」に選択信号（Vselect２）が供給され、有機ＥＬ群「２」が選択された後、電源電圧（Vsource２）が供給され非選択期間となり、有機ＥＬ群「２」に配設された有機ＥＬ素子Ｅ１を印刷データに従って発光する（図７に示すタイミングｃ）。この場合にも、カウンタ３２は上記非選択期間メモリ３１から予め記憶された対応する固定値を読み出し、クロック信号（CLK）の入力に同期して計数処理を行う。この計数処理も固定値に対応する不図示のＭまで行われる。
【００３１】
以下、同様にして有機ＥＬ群「３」→「４」→「５」→・・・→「１６」まで実行され、当該ヘッドユニットの固定値に従った発光が非選択期間において行われる。したがって、上記のように各ヘッドユニットの特性に合わせて非選択期間の長さを調整し、ヘッドユニット間の発光光量のバラツキを抑えることができる。
【００３２】
以上から、本実施形態によれば、各ヘッドユニットにおける発光期間である、非選択期間を調整することができ、ヘッドユニット間のバラツキを抑え、主走査方向での１ラインの幅の広がりを無くし、一様なライン濃度の印刷処理を行うことができる。
【００３３】
尚、本実施形態の説明では、１６個の有機ＥＬ群で構成された有機ＥＬヘッド３の例で説明したが本例に限定されるものではない。また、各有機ＥＬ群に配設する有機ＥＬ素子の数も９６０個に限定されるものではない。
【００３４】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について説明する。
前述の実施形態では、有機ＥＬヘッド３からＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１を介して感光体ドラム１の感光面に静電潜像を形成する際、有機ＥＬ素子の発光に大きなエネルギーが必要になるが、本実施形態は上記問題が発生することのない印刷装置を提供するものである。以下、具体的に説明する。
【００３５】
前述の図２に示すように、感光体ドラム１の近傍には有機ＥＬヘッド３が配設され、図３に示すように有機ＥＬヘッド３を構成する有機ＥＬアレイ１０からＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１を介して感光面に光照射が行われている。
【００３６】
この構成において、有機ＥＬアレイ１０（有機ＥＬ素子）の構造は図８に示す構成である。すなわち、ガラス基板４１上にアノード電極（陽極）４２、正孔注入層（ＨＴＬ）４３、発光層（ＥＬ）４４、電子注入層（ＥＴＬ）４５、及びカソード電極（陰極）４６を順次形成して構成されている。そして、アノード電極（陽極）４２とカソード電極（陰極）４６間に電圧を印加することにより、発光層（ＥＬ）４４から発せられる発光をガラス基板４１方向に完全拡散放射する。
【００３７】
ここで、有機ＥＬヘッド３が前述の１２００dpiの場合、各有機ＥＬ素子の間隔が約２１μｍとなり、ガラス基板４１内で完全拡散すると、お互いの光が干渉しあってガラス表面で結像しない。この点、本実施形態では、ガラス基板４１内に個々の有機ＥＬ素子毎にファイバー機能を持たせ、ガラス基板４１表面に擬似発光体を形成する。このファイバー機能は公知の技術であり、例えばコア部に当たる部分以外に空気孔を結晶のように整然と並べることで、同一の材質でありながら、中心部と周辺部の屈折率を変える方法や、ガラス基板４１内部にファイバーを直接形成する方法などを使用する。
【００３８】
例えば、図９に示すように、面状に発光する面発光部アレイパネル４７と、面発光部アレイパネル４７の光出射部である面発光部４８にそれぞれ対向した導光部４９を備え、面発光部４８からの光が導光部４９にて反射集光され、単位面積あたりの強度を強めて照射することができる露光ヘッドが考えられる。
【００３９】
この露光ヘッドはファイバー形状、或いは導波路形状であるため、ある程度の指向性を有しているが、ミリオーダの距離を隔てた感光面に小径の光スポットを形成し、各ドット同士を解像することができる光ビーム（例えば、１２００dpiの場合、約２１μｍピッチ）を作ることは困難である。
【００４０】
そこで、本例では前述の図２に示す感光体ドラム１とＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１を組み合わせることにより、上記光スポットを実現する。具体的には、ＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１は、中心から周辺にかけて放物線状の屈折率分布を有するセルフォックレンズを１列乃至２列に規則正しく精密に配列し、２枚のフレーム板にはさみこんだ構造になっている。また、ＳＬＡの品種は各光学パラメータ（作動距離Ｉo、入射角θo、共役長ＴＣ等）により各種存在するが、通常のＳＬＡはレンズ径０、５〜１ｍｍ、入射角約２０°、作動距離２〜５ｍｍ程度である。ここで、代表的光学パラメータである上記値のＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１を使用し、シミュレーションを行った。
【００４１】
この場合、ＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１が取り込める光は、図１０及び図１１に示すように、約３．５個のセルフォックレンズで集光することになる。すなわち、発光体が円形の指向性（縦横方向同じ指向性）を持つ場合、レンズ列に対してＹ方向（副走査方向）にレンズ入射角の範囲外となるエリアが発生する。従って、上記有効エリアを効率良く利用するには、発光体の指向性をＸ方向（主走査方向）の楕円とすれば、ＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１にとって光取り込み効率が向上し、結果として発光体の負荷を低減することができる。
【００４２】
以下、発光体がＸ方向楕円形の指向性を有するための露光装置の構造を示す。すなわち、本例の有機ＥＬヘッドに図１２に示すリフレクタ５０を照射面に付加することにより、図１３の端面照射型ＥＬ素子となり、Ｘ方向楕円形の指向性を持たせることができる。ここで、シミュレーションソフトにより、有機ＥＬ素子の出射端面を１０×１０μｍとし、リフレクタ無しの場合と有りの場合の受光面プロファイルと指向性を示す。
【００４３】
図１４はこの例であり、受光面プロファイルは、リフレクタの先端より、２５００μｍ隔てた受光面（レンズ面）に光を照射し、光強度分布及びピーク点のＸＹ断面をグラフ化したものである。リフレクタなしの場合、ほぼＸＹ比の等しい分布を示す。
【００４４】
一方、リフレクタ５０を先端に付加すると、Ｙ方向の光強度分布が狭められ、狭指向性となることが解る。このときのＳＬＡ３．５個相当の面（１８００×９００μｍ）に照射される光量は、相対値でリフレクタ有りがリフレクタ無しに比べて約２倍となる。
【００４５】
ここで、リフレクタ５０のＸ方向形状も先喘拡張型とした方が狭指向性となるが、感光体面のＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を確保するため、Ｘ方向開口幅は解像ピッチの５０％程度にする必要がある。このように、リフレクタはＹ方向拡張にし、Ｘ方向はほぼ直角にすることで、ＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１を介して照射される光が、感光面での解像度、ＭＴＦを損なわず、照射効率を上げることができる。
【００４６】
以上のように本例によれば、完全拡散又は広い指向性をもつ有機ＥＬ光源をリフレクタ５０により、主走査方向に楕円指向性を与えて集光させることによって、ＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）１１を介した感光面への光量伝達率が高くなり、有機ＥＬ素子に供給する電流を少なくでき、有機ＥＬヘッド３の寿命を長くすることができる。
【００４７】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３について説明する。
本実施形態もＥＬ素子の劣化を防止し、有機ＥＬ素子を長寿命化する印刷装置の発明である。以下、具体的に説明する。
【００４８】
図１５は本例で使用する印刷装置の全体構成図である。感光体ベルト５２の近傍には帯電ローラ５１、有機ＥＬヘッド５３、現像器５４、転写ローラ５５、クリーニング部５６、及びイレーサ光源５７が配設されている。イレーサ光源５７によって電荷が除去された感光体ベルト５２の感光面には、帯電ローラ５１によって一様な電荷が付与される。そして、感光体ベルト５２は矢印方向に回転し、一様な電荷が付与された感光面には有機ＥＬヘッド５３から印刷データに従った発光が照射され、静電潜像が形成される。このようにして感光面に形成された静電潜像は、現像器５４によってトナー像となり、転写ローラ５５において用紙（記録媒体）５８に転写される。さらに、用紙５８は搬送機構５９によって矢印方向に搬送され、用紙８に転写されたトナー像は、不図示の定着ローラによって熱定着され、機外に排出される。
【００４９】
尚、上記感光体ベルト５２は、シームレストベルト状透光性基体と、透光性導電層、電荷発生層、電荷移動層、及び表面保護層とから成る感光体である。
また、図１６は有機ＥＬアレイ１０（有機ＥＬ素子Ｅ１）の構造を示す図であり、前述の図８と同様、ガラス基板４１上にアノード電極（陽極）４２、正孔注入層（ＨＴＬ）４３、発光層（ＥＬ）４４、電子注入層（ＥＴＬ）４５、及びカソード電極（陰極）４６を順次形成して構成されている。
【００５０】
また、図１７は感光体ベルト５２と有機ＥＬヘッド５３の配設構成を示す図である。感光体ベルト５２は有機ＥＬヘッド５３の発光部に対して一定距離に配置されており、温度等により感光体ベルト５２が伸びた状態でも、ベルトテンションローラ６０によって、有機ＥＬヘッド５３を上方向に移動させることにより、有機ＥＬヘッド５３と感光体ベルト５２の位置関係は一定に保たれている。
【００５１】
本例は、図１８に示すパラボラ型リフレクタ６１を有機ＥＬ発光端面に形成する（図１９参照）。パラボラ型リフレクタ６１は公知のように、点光源よりパラボラ口径の平行光を放射する機能を有しており、理想的な点光源であれば反射ロスや減衰を無視すれば、出射口径の光ビームが照射方向においてどの距離でも同じとなる。しかし、現実には点光源は不可能であり、マイクロオーダであっても面発光となる。
【００５２】
図２０はシミュレーションソフト（光線追跡）により、有機ＥＬ素子の出射端面を３×３μｍとし、パラボラ型リフレクタ６１を介して、６００dpiピッチの１ドット間隔点灯で、リフレクタ先端より１００μｍ隔てた受光面（感光面相当）に光スポットを照射し、受光プロファイル及びピーク点のＸＹ断面をグラフ化したものである。このとき、グラフから得られた値より計算すると、受光面におけるＭＴＦは約７０％となり、良好な解像度が得られた。
【００５３】
しかしながら、受光面距離を１５０μｍとすると、ＭＴＦは約６０％に低下する。それに対して、図２１に示すようにリフレクタの中心部に凸型反射板を追加することにより、ピーク光量は減少するものの、ＭＴＦを改善することができる。
【００５４】
前述したパラボラ型リフレクタ６１のシミュレーションと同様の条件で、この反射板を追加した場合の図を図２２に示す。この場合、ＭＴＦは受光面距離１００μｍ、及び１５０μｍにおいて、それぞれ約８０％、及び７０％となり、反射板を追加することにより改善されたことが解る。
【００５５】
ここで、パラボラ型リフレクタ６１、反射板付きパラボラ型リフレクタの形状による出射光の特徴を下記に示す（図２３参照）。尚、光源面積が小さい程（光量密度が高い）出射ピーク光量は大となり、距離によるビーム径は安定し、形状は円形が理想だが縦横比が同程度なら同等性能である。          ’
・光源位置：パラボラ型リフレクタ６１の焦点位置、若しくは両端方向が望ましい。
・リフレクタ径：アレイピッチに準じて、所望照射経に設定する。
・リフレクタ長：基本的には長い程、配光分布は狭域化する。
・凸型反射板径：径が小さい程、ピーク光景は大となるが、ビーム径は大きくなる。
・凸型反射板曲率：曲率半径は小さい方が出射光量は高い。
【００５６】
凸型反射板位置：曲率端面がリフレクタ端の内側に位置する。
ここで、リフレクタ６１に付加した凸型反射板の効果としては、図２３に示すように面光源よりの角度で発せられた光Ｉは、受光面の希望照射範囲外に到達する。これに対し、反射板があると、反射した光ＩＩは再度リフレクタ６１を経由して照射範囲内に照射される。
【００５７】
以上のように、本例によれば、完全拡散光である有機ＥＬ光源をパラボラ型リフレクタにより集光させることにより、感光面への光量伝達率が高くなり、有機ＥＬ素子の電流供給を少なくできるため、有機ＥＬ素子の寿命を長くすることができる。
【００５８】
また、パラボラ型リフレクタを反射板で光を再度リフレクタに反射させることにより、集光効率を向上させることができる。
尚、図２４は感光体ベルト５２の構造を示し、シームレストベルト状透光性基体上５２ａ上に順次、透光性導電層５２ｂ、電荷発生層（ＣＧＬ）５２ｃ、電荷移動層（ＣＴＬ）５２ｄ、及び表面保護層（ＯＣＬ）５２ｅをこの順に形成して構成されている。そして、本例においてベルト状の感光体を採用した理由は、表面がガラス基板で形成されている有機ＥＬヘッドに接触させるためであり、つなぎ目のないシームレストベルトの感光体ベルト５２を採用する。
【００５９】
また、感光体ベルト５２はポリカーボネイト、ポリエチレン・テレフタレート、ポリイミド等の透光樹脂の基材に、透光導電性材料である酸化インジウム・スズ膜（ＩＴＯ）、デッピング法で何れも結着剤樹脂を含有するＣＧＬ、ＣＴＬ、ＯＣＬを順次塗布して形成構成されている。このＣＴＬはヒドラゾン（ＣＴＭ）とポリカーボネート樹脂から成り、ＣＧＬはトリスアゾ顔料とポリビニルプチラール樹脂、そしてＯＣＬはポリステル樹脂で構成され、導電層および感光層を形成したベルトである。
（実施形態４）
次に、本発明の実施形態４について説明する。
【００６０】
図２５、図２６は本実施形態における導波路型トップエミッション有機ＥＬアレイ露光ヘッド（以下、単に有機ＥＬアレイ露光ヘッドで示す）の全体構成図であり、図２５はその上面図を示し、図２６はその側面国を示す。
【００６１】
この有機ＥＬアレイ露光ヘッド６５は、大きく分けて以下の３つのパートにより構成されている。すなわち、発光体を形成している発光体透明基板部６６、導波路形成基板部６７、レンズ透明基板部６８で構成されている。
【００６２】
発光体透明基板部６６は、有機ＥＬ発光体の点灯制御を実施するための点灯制御回路及び有機ＥＬ発光体の各層を主走査方向にアレイ状に形成している。また、本例の場合、有機ＥＬ発光体の下部電極は、光反射板としての機能も兼用しており、同図に示すように有機ＥＬ発光体形成部以外にもパターニングされている。
【００６３】
また、発光体透明基板部６６には光反射集光部７０も形成されている。光反射集光部７０は、発光体透明基板６６の厚さ方向に光が透過できるように反射加工を除去し、又は反射加工を施していない部分である。
【００６４】
導波路形成基板部６７には、同図に示すような楔形構造をした導波路６７ａが形成されている。この楔形の構造のため有機ＥＬ発光層６３より発生した光は、導波路壁面を反射するごとに光の進行方向を楔形の広がり方向に進行する。導波路６７ａの壁面は、Ａg（銀）やＡｌ（アルミニュウム）等の金属箔膜を蒸着することにより、高い反射率を形成した壁面を有する構造を有している。尚、導波路６７ａの内部は空気層でもよい。
【００６５】
正立等倍結像を実現するレンズ透明基板６８は、レンズ透明基板６８の対向する両面に平板レンズを同一光軸上に構成している２枚レンズによる正立等倍結像のレンズ光学系をレンズ透明基板６８の両面に少なくとも１次元アレイ状に複数個配置している構造を有している。
【００６６】
平板レンズは、ガラス基板等にイオン交換技術により屈折率分布型のレンズを形成したものである。ガラス基板上に蒸着された金属膜（イオンの拡散を妨げる金属マスク）に、フォトリソグラフィー技術によって開口を形成し、本例の場合、両面にマスク開口を形成して、これを拡散すべきイオンを含む溶融塩に浸して、溶融塩中のイオンをマスク開口部分に拡散させ、略半球状の屈折率分布領域を作成したものである。
【００６７】
したがって、レンズ透明基板６８の厚さ、開口サイズ、溶融塩浸漬時間により、レンズパラメータを調整できる正立等倍結像機能を有している。本レンズ基板における正立等倍結像の発光体側の作動距離は発光体透明基板６６の厚さに合わせてあり、光反射集光部７０でフォーカスする構成としている。
【００６８】
上記、３つのパートである発光体透明基板部６６、導波路形成基板部６７、レンズ透明基板部６８を同図に示す通り積層することにより、発光体透明基板部６６の発光体より発生した光は導波路６７ａ内を反射伝搬して方向変換ミラー部７１で反射することにより、光反射集光部７０に集まり発光体透明基板６６の厚み方向に伝搬していく。
【００６９】
このとき正立等倍結像機能を有するレンズ透明基板６８により光反射集光部７０の像を像担持体側に正立等倍に結像することにより、電子写真方式における潜像を形成することが可能となる。
【００７０】
上記両面屈折率分布型レンズ６４による正立等倍結像のクロストークを改善するため、レンズ透明基板６８の有効レンズ領或以外に光吸収層６９を配置している。光遮蔽機能を有する光吸収層６９は、外部からの不要な光を遮断し、また基材の内部での余計な光の反射を阻止するためのものであり、金属の蒸着膜に酸化物の簿膜を重ねて反射率を数％程度に抑えた無反射コーティング、または黒色塗料の塗布又は印刷などによって形成されている。
【００７１】
上記発光体透明基板６６に導波路形成基板６７とレンズ透明基板６８を積層することにより、点灯制御された発光体の発光を集光して感光面に露光結像することができる。
次に、本実施形態の変形例を説明する。図２７、図２８は本実施形態の変形例を説明する有機ＥＬアレイ露光ヘッドの全体構成例を示す図であり、図２７はその上面図を示し、図２８はその側面国を示す。
【００７２】
この有機ＥＬアレイ露光ヘッド７５は、大きく分けて以下の３つのパートにより構成されている。すなわち、導波路及び発光体を形成している発光体／導波路形成透明基板部７６、カバーガラス７７、レンズ透明基板部７８で構成されている。発光体／導波路形成透明基板７６には、同図に示すような楔形構造をした導波路７６ａが形成されている。この楔形構造のため有機ＥＬ発光層７９より発生した光は、導波路壁面を反射するごとに光の進行方向を楔形の広がり方向に進行する。導波路７６ａの壁面は、前述のように、Ａg（銀）やＡｌ（アルミニュウム）等の金属箔膜を蒸着することにより、高い反射率を形成した壁面を有する構造を有している。尚、導波路の内部は空気層でもよい。
【００７３】
導波路７６ａを形成した発光体／導波路形成透明基板７６は、絶縁層により平坦化処理を施した後、有機ＥＬ制御回路及び導波路上部にボトムエミッション型有機ＥＬ発光層を形成させる。尚、有機ＥＬ発光体の点灯制御を実施する定めの点灯制御回路及び有機ＥＬ発光体の各層は、主走査方向にアレイ状に形成している。尚、本例の場合、有機ＥＬ発光体の下部電極は、光の反射板としての機能も兼用しており、同図に示すように有機ＥＬ発光体形成部以外にもパターンニングされている。
【００７４】
また、発光体／導波路形成透明基板部７６には光反射集光部も形成されている。この光反射集光部には、導波路内を伝搬した光が方向変換ミラー８０で反射され、カバーガラス７７の厚さ方向に光が透過できるように反射加工を除去し、又は反射加工を施していない部分である。
【００７５】
カバーガラス７７は、発光体を形成した上部を完全に封止すると共に、導波路７６ａを伝搬して方向変換ミラー８０により反射され、集光された光をカバーガラス７７の厚さ方向に透過させてレンズ透明基板部７８に入射させる伝搬媒質でもある。
【００７６】
正立等倍結像を実現するレンズ透明基板７８は、該レンズ透明基板７８の対向する両面に平板レンズを同一光紬上に構成している２枚レンズによる正立等倍結像のレンズ光学系をレンズ透明基板７８の両面に少なくとも１次元アレイ状に複数個配置している構造を有して。本平板レンズはガラス基板等にイオン交換技術により屈折率分布型のレンズを形成したものである。
【００７７】
このように構成することによっても、発光体透明基板に導波路形成基板とレンズ透明基板を積層することにより、点灯制御された発光体の光を集光して感光面に集光結像できる構造を有する有機ＥＬアレイ露光ヘッドを実現できる。
【００７８】
以上のように、本実施形態によれば、導波路反射方式を利用することにより発光面積を大きくとることができ、発光輝度及び寿命を延ばすことができる。
（実施形態５）
次に、本発明の実施形態５について説明する。
【００７９】
図２９は本実施形態の有機ＥＬヘッドの構成例を示す図である。本例の有機ＥＬヘッドは発光体透明基板８１に有機ＥＬ発光体アレイ８２を少なくとも１列形成してあり、発光体透明基板８１側へ光を照射するボトムエミッション発光構造であり、発光体８７からの出射光を集光し、感光面に結像を結ぶために屈折率分布型レンズをレンズ透明基板８３の両面に同一光軸上に設け、正立等倍結像機能を持つレンズ透明基板８３を発光体透明基板８１の下方に積層した構造である。
【００８０】
図３０は、本例の有機ＥＬ素子１つの側面断面図である。本例は、発光体透明基板８１上にボトムエミッション型のシングルヘテロ構造の高分子有機ＥＬ発光体を形成した例を示す。具体的には、発光体透明基板８１上にＩＴＯ等の透明電極により陽極８４をパターンニングし、陰極（例えば、Ｃａ，Ｂａ，Ａｇ等）８５との間に、正孔輸送層８６と積層発光層８７ａの２層を形成し、積層発光層８７ａの上部は封止材８８により密閉されている。
【００８１】
上記発光体８７周辺の光吸収層８９は、外部からの不要な光を遮断し、また基材の内部での反射を防止するための構成であり、金属の蒸着膜に酸化物の薄膜を重ねて反射率を数％程度に抑えた無反射コーティング、又は黒色塗料の塗布又は印刷などによって形成されている。
【００８２】
前述の図２９で示した正立等倍結像を実現するレンズ透明基板８３は、レンズ透明基板８３の対向する両面に平板レンズを同一光軸上に構成している２枚レンズによる正立等倍結像のレンズ光学系をレンズ透明基板８３の両面に少なくとも１次元アレイ状に複数個配置している構造を有している。
【００８３】
この平板レンズは、ガラス基板等にイオン交換技術により屈折率分布型レンズ８３ａを形成したものである。ガラス基板上に蒸着された金属膜（イオンの拡散を妨げる金属マスク）に、フォトリソグラフィー技術によって開口を形成し、本例の場合、両面にマスク開口を形成して、これを拡散すベきイオンを含む溶融塩に浸して、溶融塩中のイオンをマスク開口部から拡散させ、略半球状の屈折率分布領域を形成したものである。したがって、レンズ透明基板８３の厚さ、開口サイズ、溶融塩浸漬時間により、レンズパラメータを調整することができ、正立等倍結像の機能を有する。
【００８４】
尚、図３１は変形例を説明する図であり、変形例の有機ＥＬヘッドの構成を示す。この有機ＥＬヘッドは発光体透明基板９１に有機ＥＬ発光体アレイを少なくとも１列形成してあり、発光体情報の封止材９３側へ光を照射するトップエミッション発光構造であり、その発光部９０からの出射光を集光して感光面に結像を結ぶために屈折率分布型レンズ９４をレンズ透明基板９５の両面の同一光紬上に設けた構造である。
【００８５】
図３２は、上記変形例の有機ＥＬ素子１つの側面断面図である。本例では、発光体透明基板９１上に、トップエミッション型のシングルヘテロ構造の高分子有機ＥＬ発光体を形成した例を示す。発光体透明基板９１上に陰極（Ｃａ、Ｂａ等）９６をパターンニングし、光吸収層９８を形成し、陰極９６と陽極９７間に正孔輸送層９９と積層発光体９０ａの２層を積層した構造を有しており、積層発光体９０ａの上部は封止材９３により密閉されている。
【００８６】
このように構成することにより、レンズ透明基板９５の厚さ、開口サイズ、溶融塩浸漬時間によりレンズパラメータを調整することができ、正立等倍結像の機能を実現することができる。
（実施形態６）
次に、本発明の実施形態６について説明する。
【００８７】
本例は前述の実施形態１及び２等で使用した電子写真プロセス方式の印刷装置に関するものであり、図３３にその基本構成を示す。
感光体ドラム１の周面近傍には帯電ローラ２、有機ＥＬヘッド３、現像器４、転写ローラ５、クリーニング部６、及びイレーサ７が配設されている。イレーサ７によって電荷が除去された感光体ドラム１の感光面には、帯電ローラ２によって一様な電荷が付与される。感光体ドラム１は矢印方向に回転し、一様な電荷が付与された感光面には有機ＥＬヘッド３から印刷データに従った発光が照射され、静電潜像が形成される。このようにして感光面に形成された静電潜像は、現像器４によってトナー像となり、転写ローラ５において用紙（記録媒体）８に転写される。さらに、用紙８は不図示の搬送機構によって矢印方向に搬送され、用紙８に転写されたトナー像は、定着ローラ９によって熱定着され、機外に排出される。
【００８８】
図３４は本実施形態に係わる有機ＥＬヘッドの回路ブロック図である。また、図３５及び図３６は上記図３４のシステムコントローラを具体的に説明する図である。また、図３７は本例の処理を説明するタイムチャートである。
【００８９】
図３４に示す有機ＥＬヘッドにおいて、通常の画像データに合わせた露光工程は、先ずシステムコントローラ１０１が、不図示のラスターイメージプロセッサ部より印刷データと用紙サイズの情報と搬送速度に合わせた水平同期信号（HSYNC）及び垂直同期信号（VSYNC）を受信し、それら制御信号に合わせて各画素のオン、オフ、及び階調に基づきデータドライバ１０２やスキャンドライバ１０３を駆動する。
【００９０】
水平同期信号（HSYNC）及び垂直同期信号（VSYNC）は、主走査方向の同期信号であり、アクティブ〜アクティブ期間が１ラインに許されるドット形成処理時間を設定する。データドライバ１０２は、一例として１本のVdataで８個の画素を駆動する。
【００９１】
尚、本例では有機ＥＬパネル１０４への供給ラインは、階調信号電圧Vdataｌ〜Vdata６としているが、この限りではない。同様にスキャンドライバ１０３から有機ＥＬパネル１０４への供給走査ラインもVscan１〜Vscan８とし、Vdataｌ〜Vdata６に接続される画素群ａ〜ｈに共通に接続されている。したがって、有機ＥＬパネル１０４は水平方向に各画素が一列に、６×８＝４８（個）の画素形成が行われている。
【００９２】
データドライバ１０２は、図３７、図３８に示すように、水平同期信号（HSYNC）がアクティブである期間、各画素のデータラインに対応する階調信号電圧Vdataを生成して印加する。このとき図示しないが、電源線に電源が供給されるよう制御を行う。次いで、Vdataを供給すると同時に、Vdataｌ〜Vscan８をＨ（ハイ）レベルとし、順次処理を行い、図３８に示す各画素の選択トランジスタ１０５を動作させることにより、発光駆動トランジスタ１０６のゲート（Ｇ）に各データラインに印加された階調電圧（階調信号）Vdataに基づくゲート電圧が印加され、当該ゲート電圧に応じた導通状態でオン動作を行う。
【００９３】
この処理により、電源線を介して画素群ａ〜ｈの中のVscanが供給されている画素群の発光駆動トランジスタ１０６及び有機ＥＬ素子Ｅ１に、Vdataに基づく電流値を有する発光駆動電流を流し、有機ＥＬ素子Ｅ１が所定の発光輝度で発光する。
【００９４】
この時、Vdataは選択トランジスタ１０５を介して、保持キャパシタ１０７に供給される。このため、各保持キャパシタ１０７は、Vdataのレベルに応じた値の電荷量に充電される。次に、上述の選択期間を経過して走査信号VscanはＬ（ロー）レベルとなり、選択トランジスタ１０５がオフしても、保持キャパシタ１０７にはVdataに応じた電荷量が保持される。
【００９５】
すなわち、Vdataに応じた電荷量が保持されると、発光駆動トランジスタ１０６はその電荷量に応じた導通状態となり、発光動作を縦続する（非選択期間）。以下、ライン数分のアクティブ期間、発光を行う。
【００９６】
次に、Vdataを有機ＥＬパネル１０４の劣化状態に応じて調整する処理について説明する。図３５は前述のように、図３４のシステムコントローラ１０１の詳細ブロック図であり、図３６は図３５のパネル出力比較器１０８の詳細ブロック図である。
【００９７】
図３９、図４０は、本例の有機ＥＬパネル１０４の断面構造を説明する図であり、図３９はボトムエミッション形式であり、図４０はトップエミッション形式であり、共にガラスを使用する基板部に焦電性をもつ基板を使用する。図３９に示すボトムエミッション形式では焦電基板１１０及び基板透明電極１１１、１１２は透明である必要があり、例えば分極処理を施したニオブ酸リチウムなどが適している。また、図４０に示すトップエミッション形式では透明である必要は無く、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、メタニオブ酸鉛などが適している。また、有機ＥＬ素子の製造工程での加熱処理が必要な場合、いずれも焦電材のキューリ点に注意し、これを超えることの無いようにする必要がある。
【００９８】
尚、図３９に示す発光部１００はＴＦＴ１０１ａ上に、透明電極１０１ｂ及び絶縁層１０１ｃを形成し、透明電極１０１ｂ上に発光層１０１ｄを形成し、発光層１０１ｄ上に陰極１０１ｅが形成され、発光層１０１ｄからの発光を下方に導いている。一方、図４０に示す発光部１００はＴＦＴ１０１ｆ上に、透明陰極１０１ｇ及び絶縁層１０１ｈを形成し、絶縁層１０１ｈ上に陽極１０１ｊを形成し、陽極１０１ｊ上に発光層１０１ｋを形成し、発光層１０１ｋからの発光を上方に導いている。
【００９９】
先ず、印刷装置の電源を入れた際、任意の有機ＥＬ素子を一定値のVdata値で発光させる。例えば、図３７に示すタイムチャートにおいて、VscanｌとVdataｌである。図４１は、その時の焦電基板１１０、１１３の自発分極変化を示す。この焦電基板１１０、１１３の自発分極により、焦電基板表面には電荷が現れているが、定常状態ではこの電荷は反対符号のイオンや電子と結合して電気的な中和を保っている。しかし、有機ＥＬパネル１０４の任意素子の発光に伴う発熱の熱エネルギーを吸収して、図４１に示すように内部の自発分極が大きく変化する。その変化量に比例して表面に電荷が励起され、この電荷を基板透明電極１１１及１１２と、基板電極１１４及び１１５間に接続された負荷Ｒを通して出力電圧として取り出す。
【０１００】
図３５に示すように、システムコントローラ１０１には、この温度変化量に対する焦電基板１１０、１１３の出力電圧を入力するパネル出力比較器１０８、Vdata値を補正するための補正値テーブル１１７、Vdata信号を制御するVdata信号制御部１１８、Vscan信号制御部１１９、及びこれらの制御部１２０が設けられている。補正値テーブル１１７は、経時劣化によって輝度が下がる分、Vdata値を上昇させるよう、発光による基板部温度変化量による出力電圧値のシステム初期値と経時後の値の差分とそれに対応するVdata補正値が予め格納されている。
【０１０１】
図４２は、この処理を説明するフローチャートである。先ず、電源をオンし（ステップ（以下、Ｓで示す）１）、初めてのシステム起動時における発光に伴う温度変化による出力電圧を初期値ａとし（Ｓ２がＹ（イエス）、Ｓ３）、この初期値ａをアナログデジタル変換し、初期値メモリ１２０に記録する（Ｓ４）。尚、初期値メモリ１２０は、不揮発性メモリであり、通常印刷を行い、電源をオフした後もこの状態を保持している（Ｓ５、Ｓ６）。
【０１０２】
次に、電源投入時において、システムを起動するたびに、実際の印刷を行う前に、上述と同様にして、焦電基板１１０、１１３による出力電圧を計測し（例えば、測定値ｂ）（Ｓ７）、アナログデジタル変換後、計測した測定値ｂと前述の初期値ａを比較器１２１によって比較する（Ｓ８）。この結果、例えばｂ＝ａであれば発熱量の変化は無く、経時劣化による輝度低下はないとしてVdataの補正は行わない（Ｓ８がＹ、Ｓ９、Ｓ１０）。
【０１０３】
一方、ｂ＝ａで無い場合（Ｓ８がＮ（ノー））、ｂ−ａの値を算出し、印刷時には補正値テーブル１１７よりｂ−ａ値に相当するVdata補正量を読み出し（Ｓ１１）、Vdata信号制御部１１８へと送り、データドライバ１０２から有機ＥＬパネル１０４へのVdataに補正を加える（Ｓ１２、Ｓ１３）。
【０１０４】
以上のように、本例によれば、初期値ａとシステム起動毎の計測値ｂの値が異なったときのみ、補正値を印刷時に適用させる。このように構成することにより、電源起動時、印刷処理とは別に発光させることによって、有機ＥＬ素子の温度変化量を捉えて有機ＥＬ素子の構成材料である焦電基板１１０、１１３による発電を行い、補正制御を行うことによって、輝度低下を低減させることができる。
（実施形態７）
次に、本発明の実施形態７について説明する。
【０１０５】
本例は有機ＥＬヘッドとして端面発光型の有機ＥＬアレイ発光装置を使用する印刷装置の発明である。以下、具体的に説明する。
図４３は有機ＥＬアレイ発光装置１３０の構成を説明する図であり、同図（ａ）は有機ＥＬアレイ発光装置１３０の上面図であり、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図であり、同図（ｃ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【０１０６】
有機ＥＬアレイ発光装置１３０は、有機ＥＬ発光体形成層１３１と導波路形成層１３２を積層した構造であり、有機ＥＬ発光体形成層１３１は発光体基板１３３、下部電極１３４、クラッド層の役割を兼ねた絶縁層１３５、有機発光層１３６、及び透明な導電材料で形成された上部透明電極１３７を順に積層して構成されている。
【０１０７】
有機ＥＬ発光部１３８は、同図（ａ）に示すように、長尺形状の発光部をアレイ状に複数形成している。この有機ＥＬ発光部１３８を個別点灯制御するため、下部電極１３４もフォトレジストにより長尺形状にパターンニング形成され、絶縁層１３５に開口をパターニングすることにより、有機ＥＬ発光部１３８を長尺に形成している。
【０１０８】
下部電極１３４は、有機発光層１３６から発光した光を導波路側へ戻すため、高い光反射率を有する金属膜で形成されている。
一方、導波路形成層１３２は、クラッド層の役割と導波路を形成するための導波路基板１３９と、コア層１４０により形成されている。光が伝搬されるコア層１４０は、互いに屈折率の異なる第１の層１４０ａと第２の層１４０ｂからなり、第１のコア層１４０ａと第２のコア層１４０ｂとの境界領域に回折格子１４１と光アイソレートフォトニツク結晶１４２を形成成している。
【０１０９】
コア層１４０に形成される回折格子１４１と光アイソレートフォトニック結晶１４２は、同図（ｂ）に示すように配設されている。すなわち、長尺な有機ＥＬ発光部１３８において発生した光を端面に向けて伝搬する方向には位相が一致して帰還するブラッグ条件の回析格子を有する光導波回折格子１４３を有機ＥＬ発光部１３８の直上部に発光体とペアになるような位置に配置している。
【０１１０】
フォトニツク結晶は、隣り合う有機ＥＬ発光部１３８間のスペース直上に光アイソレートフォトニツク結晶１４２を配置している。光アイソレートフォトニツク結晶１４２は、２次元三格子構造で形成されており、各格子は円柱状に形成され、各格子間ピッチは波長より短く、λ／２程度である。
【０１１１】
光導波回折格子１４３は、分布帰還型の回折格子であり、ブラッグ条件の分布帰還型の回折格子を形成することにより、光を光導波路内で共振させ、波長選択性および指向性に優れ、発光スペクトル幅の狭い光を得ることができる。さらに、光導波回折格子１４３は、不図示のλ／４位相シフト構造、又は利得結合型構造を有している。
【０１１２】
このようにλ／４位相シフト構造、又は利得結合型構造を有することにより、出射光をより単一モード化することができる。導波路形成層１３２の回折格子構造は、コア層１４０の第１の層１４０ａを形成するための薄層樹脂、例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、その他光学特性の優れた樹脂材料を、例えばガラス材料の導波路基板１３９に薄層コーティングした基材に対して、熱式ナノインプリント法により、前述の回折格子形状、及びフォトニツク結晶を転写形成することで作成することができる。
【０１１３】
このように、第１の層１４０ａに形成された回折格子形状とフォトニツク結晶形状の上に屈折率の異なる第２の層１４０ｂを塗布し、平坦化することにより導波路形成層１３２を生成することができる。
【０１１４】
上記導波路形成層１３２は、ガラス基板にコーティングした薄膜樹脂層に対して形状を形成するため、樹脂部の熱収縮等による歪や寸法変動を低く抑えることができる。
有機ＥＬ発光体形成層１３１の発光体基板１３３も導波路基板１３９と同様な材料を選定することによって寸法精度、熱膨張が同レベルとなり、接合が容易となり、特に詳細ピッチのアレイを形成する場合の歩留が向上する。
【０１１５】
また、有機ＥＬ発光体形成層１３１の有機発光層１３６は、一般に水分等の吸湿により著しく寿命を低下させるため、有機ＥＬ発光部１３８は基板端面に対してガスバリア可能な十分な内側位置に配置することが可能であり、ガラス材料の導波路基板１３９の導波路形成層１３２を積層させることにより有機ＥＬを封止でき、光を光導波回折格子１４３により、基板端面に導くことができる。
【０１１６】
このように構成することにより、発光波長のスペクトル幅が従来の有機ＥＬ発光素子に比べて格投に狭く、波長選択性に優れ、かつ指向性を持って光を出射できる構造をアレイ状に形成できることを特徴としており、印刷装置や表示体だけでなく、光通信等にも適用可能である。
【０１１７】
次に、本実施形態の変形例について説明する。
図４４は有機ＥＬアレイ発光装置１３０の変形例の構成を説明する図であり、同図（ａ）は有機ＥＬアレイ発光装置１３０の上面図であり、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図であり、同図（ｃ）はそのＢ−Ｂ断面図である。また、有機ＥＬアレイ発光装置１３０は、有機ＥＬ発光体形成層１３１と導波路形成層１３２を積層した構造であり、有機ＥＬ発光体形成層１３１は発光体基板１３３、下部電極１３４、クラッド層の役割を兼ねた絶縁層１３５、有機発光層１３６、及び透明な導電材料で形成された上部透明電極１３７を順に積層して構成されている。
【０１１８】
この変形例と上記実施形態との相違は、導波路形成層１３２を構成しているクラッド層の役割と導波路を形成するための導波路基板１３９と、コア層１４０の間に反射ミラー１４５を形成していることである。この反射ミラー１４５は、例えばＡｌ（アルミニュウム）、又は銀（Ａｇ）等を蒸着によって導波路基板１３７上に成膜して光反射率の反射面を形成している。
【０１１９】
このように構成することにより、下部電極１３４と反射ミラー１４５により有機ＥＬ発光部１３８より発した光の閉じ込め率を向上させることができる。したがって、光閉じ込め率を向上することにより、より効率の高い有機ＥＬアレイ発光装置を提供することができる。
（実施形態８）
次に、本発明の実施形態８について説明する。
【０１２０】
本実施形態は、有機ＥＬヘッドのベース基材とガラス基板の中に、光導波路を形成し、感光面への集光効果を向上させるものである。このため、本実施形態では光導波路を形成するため、光誘起屈折率変化現象を利用する。以下、具体的に説明する。
【０１２１】
図４５は本実施形態の光導波路形成の概念図を示す。同図に示すように、フェムト秒レーザ光１５０をガラス基材１５１の内部に集中照射することにより、集光部分１５２の屈折率が永久的に増加する。このことによって、連続走査によって任意の位置に、任意の形状の光導波路を形成することができる。
【０１２２】
具体的には、ピーク強度１０５ｗ／ｃｍ以上、繰返し周波数１０ｋＨｚ以上のパルスレーザ光をガラス基材１５１に連続的に集中照射し、ガラス基材１５１の内部に光導波路を形成するものである。
【０１２３】
図４６は本例の構造の概略図を示すものであるし、同図（ａ）はその斜視図を示し、同図（ｂ）はその断面図を示す。すなわち、バックエミッション構造のＥＬヘッドアレイのべースとなるガラス基材１５１の中に光導波路１５３を形成する。この時、光導波路１５３の側面をテーパ型にした集光部１５４と放物面又は楕円体面とした放射部１５５を設ける。これは、レーザの強度を走査に合わせて制御することにより実現可能である。
【０１２４】
上記処理によって、有機ＥＬからの光を集光部１５２において１点に集光し、この１点から放射部に光を入射させる。すなわち、回転放物面の焦点に置いた点光源より光を放射することにより、外部に平行光、回転楕円体面の焦点に置いた点光源より光を放射することができ、外部に集束光を得ることができる。
【０１２５】
本例では、放射部１５５への光の入射は、焦点位置ではないため、光の平行化や集束化の効果は若干低下するものの、有機ＥＬからの広がりを持つ光を点光源化しない場合に比べると効果は大きい。図４７に方物面若しくは楕円面などの凹面形状反射鏡の点光源位置と前面照射面への光照射強度の関係を示す。
【０１２６】
このように構成することにより、面積を持つ有機ＥＬより発せられた光を点光源にすることができ、発光を平行化、集束化することができる。
（実施形態９）
次に、本発明の実施形態９について説明する。
【０１２７】
本例は有機ＥＬヘッドとして、トップエミツション構造の有機ＥＬヘッドを使用する印刷装置の発明である。以下、具体的に説明する。
図４８は本例の有機ＥＬヘッドの構成を説明する図であり、同図（ａ）はその平面図を示し、同図（ｂ）はその断面図を示す。同図（ａ）、（ｂ）に示すように、有機ＥＬヘッド１６０は、長尺な基板１６１上に主走査方向に１列に配列されたトップエミツション構造の有機ＥＬ素子面状発光体１６２をアレイ状に形成し、面状発光体１６２の上方には発光体毎に面状発光体１６２に対向して導波路１６３が形成され、この導波路１６３は発光素子から照射された光線を反射しながら導波路端面の出射面１６５へ伝搬する構造である。
【０１２８】
上記有機ＥＬ面状発光体１６２は、発光体下部電極１６６、正孔輸送層１６７、及び発光層１６８を面状発光体毎に絶縁膜１６９により分離形成されている。導波路端面１６５の出射面近傍の基板上には導波路内を伝搬した光を検出する光センサ部１７０が配設されて、導波路内を伝搬した光の強度を出射面近傍にて検出する構成である。
【０１２９】
また、導波路１６３の出射面近傍に光センサ１７０が配置されているため、有機ＥＬ発光体１６２の駆動、発光体及び発光体を含む導波路バラツキによる光バラツキを含めた結果としての光強度を測定することが可能であり、導波路出射面１６５より出射される光強度に近い値を測定することができる。
【０１３０】
尚、上記実施形態では、導波路群全体を長尺な一つの光センサで検出する構造で説明しているが、一つの導波路につき１つの光センサで検出する構造や、いくつかの導波路単位で光センサを形成してもよい。但し、光センサを共通化して光センサの数が少ないことは光センサヘの同路配線、制御ロジックを簡素化することができることを示している。
【０１３１】
図４９は上記光センサ１７０の基本構造であり、光を受けることにより発電する機能を説明する図である。尚、本構造は発光体の基本構造と同一である。
また、図５０は本例の有機ＥＬ発光体１６２の駆動制御を行う回路ブロック図を示す。本例の場合、複数の発光体に対して１つの光センサを配置する構造であるため、発光体一つずつを点灯させながら光センサのフィードバック信号を取得する方式である。すなわち、ヘッド制御回路１７２からの出力信号により、発光走査制御回路１７３を動作させ、任意の発光体を基準又は補正値電流で点灯する。
【０１３２】
発生した光は導波路１６３内を伝播し、出射面へ進行し、出射面近傍の光センサ１７０に入射することにより、光センサの端子電圧が発生し、発生した電圧は必要に応じてオペアンプ等で増幅され、ヘッド制御回路１７２のＡ／Ｄ変換部１７４によリデジタル信号に変換され、光センサ読取値として取得される。
【０１３３】
例えば、有機ＥＬ露光ユニットとして、結像光学系を通り、最終的な結像位置に光ビームの輝度を外部のセンサ装置で測定し、その値が均一になるように各発光体の駆動流を決定する。この値を初期電流補正値Ａとする。この電流補正値Ａは有機ＥＬ露光ユニット初期における有機ＥＬ、導波路、結像光学系、場合によってはＴＦＴ回路等の全ての輝度バラツキ要因に対して輝度を均一にすることができる値である。
【０１３４】
また、この初期電流補正値Ａで各発光体を駆動した時のユニット内の光センサ読取値を初期輝度データＢとすると、この初期輝度データＢは最終的な結像点における均一輝度との相関値となる。したがって、この初期輝度データＢと光センサからの読取値に差が発生した時に駆動電流にフィードバックをかけて光センサ読取値を初期輝度データＢになるように制御することにより、最終的な結像位置での輝度均一性と不変性を維持することができる。
【０１３５】
また、初期は初期電流補正値Ａと同じ値を格納している電流補正値Ｃを設け、輝度に差が発生した時にフィードバック制御により更新された駆動電流を電流補正値Ｃに格納すうように制御することにより寿命の推定が可能となる。
【０１３６】
例えば、図５０に示したＩの経路は、ヘッド制御回路１７２内に前述のフィードバック制御機能を盛り込んだ構成のルートである。検出した光センサ読取値と予め設定されている初期所望の輝度の参照値（初期輝度データＢ）とを比較し、差が発生した場合、駆動電流を変化させて光センサ読取値を初期輝度データＢと一致するような駆動電流を見つけ、当該値を電流補正データＣとして更新する。
【０１３７】
また、経路ＩＩでは、印刷装置側のコントローラ等、上位のコントローラのコマンド指定等によりフィードバックデータを提供する構成である。前述のフィードバック制御を上位コントローラで実施することにより、ヘッド制御回路１７２の補正制御構造を単純化、又は省略することもでき、装置のコストダウンを図ることができる。
【０１３８】
図５１は、有機ＥＬ発光体１６２を定電圧駆動、定電流駆動、定輝度駆動した場合の寿命特性を示す図である。尚、同図（ａ）は定電圧駆動の場合であり、同図（ｂ）は定電流駆動の場合であり、同図（ｃ）は定輝度駆動の場合である。
【０１３９】
同図（ａ）〜（ｃ）に示すように、定電圧駆動／定電流駆動／定輝度駆動の順で寿命を伸ばすことが可能であり、定輝度駆動場合、素子が破壊するか、駆動系の電流／電圧の限界まで輝度均一で使用することができる。よって、有機ＥＬ素子における大きな課題である寿命の問題が大きく改善される。
【０１４０】
また、印刷装置を長期間使用することにより発生する各発光体の使用頻度差の発生による輝度低下、輝度ムラを防止することが可能となり、寿命に至るまで印字品質を高品位に保つことができる。
【０１４１】
次に、本実施形態の変形例について説明する。
図５２は本実施形態の変形例を説明する図であり、同図（ａ）はその平面図を示し、同図（ｂ）はその断面図を示す。また、前述の実施形態と同様、有機ＥＬヘッド１６０は、長尺な基板１６１上に主走査方向に１列に配列されたトップエミッション構造の有機ＥＬ素子面状発光体１６２をアレイ状に形成し、面状発光体１６２の上方には発光体毎に面状発光体１６２に対向して導波路１６３が形成されている。
【０１４２】
この変形例が上記実施形態と異なる構成は、光センサ部１７０の配置を導波路１６３の出射面側１７７の端面とは反対側の端面近傍に配置していることである。このように構成することにより、発生する光の伝搬に与える影響を最小限に抑えることができる。したがって、導波路出射面より放射する光強度、光プロファイルを理想的なものにすることができる。
（実施形態１０）
次に、本発明の実施形態１０について説明する。
【０１４３】
本例も前述の実施形態９と同様、トップエミッション構造の有機ＥＬヘッドを使用する印刷装置の発明である。図５３は本例の有機ＥＬヘッドの構成を説明する図であり、同図（ａ）はその平面図を示し、同図（ｂ）はその断面図を示す。尚、同図（ａ）、（ｂ）は基本的に前述の図４８と同じ構成であり、図４８と相違する構成についてのみ説明する。
【０１４４】
本例の場合、長尺な基板１６１上に、主走査方向に１列に配列されたＴＦＴ駆動アクティフマトリクス型トップエミッション構造の有機ＥＬ素子面状発光体１８０をアレイ状に形成し、面状発光体上方には発光体ごとに面状発光体に対向して導波路１８１を形成し、本導波路は発光素子分ら照射された光線を反射しながら導波路端面の出射面１６５に伝搬する構成である。
【０１４５】
ＴＦＴ回路１９０は、アモルファスシリコン等の半導体で面状発光体毎に点灯回路を形成しており、面状発光体の下部に配置され、平坦化膜１８４により平坦化処理されている。有機ＥＬ面状発光体１８０は上記平坦化膜１８４の上部に形成されており、発光体下部電極１８６、正孔輸送層１８７、及び発光層１８８を面状発光体毎に絶縁膜１８８により分離形成している。
【０１４６】
また、導波路側面の出射面近傍の基板上に導波路内を伝搬してきた光を検出できる光センサ部１８９を配置しており、導波路内を伝搬した光の強度を出射面近傍にて検出する構成である。
【０１４７】
したがって、本実施形態によれば有機ＥＬ発光体１８０毎に駆動制御でき、ＴＦＴ形成プロセスと同時に同一プロセスによって光センサを形成できるため、光センサを形成するための新規なプロセスを必要としない。
【０１４８】
次に、本実施形態の変形例について説明する。
図５４は変形例を説明する感光体ベルトの構成図であり、同図（ａ）はその平面図を示し、同図（ｂ）はその断面図を示す。この変形例は前述の図５２と同様であり、光センサ部１８９の配置を導波路の出射面側１７７の端面とは反対側の端面近傍に配置していることである。このように構成することにより、発生する光の伝搬に与える影響を最小限に抑えることができる。したがって、導波路出射面より放射する光強度、光プロファイルを理想的なものにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】実施形態１の有機ＥＬヘッドの回路構成を示す図である。
【図２】実施形態１の印刷装置の要部を説明する図である。
【図３】感光体ドラムと有機ＥＬヘッドの配設構成を示す図である。
【図４】各有機ＥＬ素子の駆動回路の構成を示す図である。
【図５】実施形態１の処理を説明するタイムチャートである。
【図６】固定値を記憶する非選択期間メモリ、カウンタ、シフトレジスタで構成される制御回路を説明する回路図である。
【図７】制御回路の動作を説明するタイムチャートである。
【図８】実施形態２の有機ＥＬアレイの構造を説明する図である。
【図９】実施形態２の原理を説明する面発光部アレイパネルの外観図である。
【図１０】セルフォックレンズの集光を説明する図である。
【図１１】セルフォックレンズの集光を説明する図である。
【図１２】リフレクタの斜視図を示す図である。
【図１３】端面照射型ＥＬ素子＆リフレクタの構成を示す図である。
【図１４】リフレクタ有りの場合と、リフレクタ無しの場合の受光面プロファイル、及び指向性を示す図である。
【図１５】実施形態３において使用する印刷装置の全体構成を示す図である。
【図１６】有機ＥＬアレイの構造を示す図である。
【図１７】感光体ベルトと有機ＥＬヘッドの配設構成を示す図である。
【図１８】パラボラ型リフレクタを有機ＥＬ発光端面に形成する例を示す図である。
【図１９】パラボラ型リフレクタを有機ＥＬ発光端面に形成する例を示す図である。
【図２０】（ａ）、（ｂ）は受光面距離に対応したパラボラ型リフレクタの受光面プロファイルを説明する図である。
【図２１】リフレクタの中心部に凸型反射板を追加する例を示す図である。
【図２２】（ａ）、（ｂ）は受光面距離に対応したパラボラ型リフレクタの受光面プロファイルを説明する図である。
【図２３】反射板付きパラボラ型リフレクタの形状による出射光の特徴を説明する図である。
【図２４】感光体ベルト及び有機ＥＬヘッドの構成を説明する図である。
【図２５】実施形態４の有機ＥＬヘッドの上面図を示す図である。
【図２６】実施形態４の有機ＥＬヘッドの側面図を示す図である。
【図２７】実施形態４の変形例の有機ＥＬヘッドの上面図を示す図である。
【図２８】実施形態４の変形例の有機ＥＬヘッドの側面図を示す図である。
【図２９】実施形態５の有機ＥＬヘッドの上面図を示す図である。
【図３０】実施形態５の有機ＥＬヘッドの側面断面図である。
【図３１】実施形態５の変形例の説明する有機ＥＬヘッドの上面図を示す図である。
【図３２】実施形態５の変形例の説明する有機ＥＬヘッドの側面断面図を示す図である。
【図３３】実施形態６において使用する印刷装置の全体構成を示す図である。
【図３４】実施形態６に使用する有機ＥＬヘッドの回路構成を示す図である。
【図３５】システムコントローラを具体的に説明する図である。
【図３６】パネル出力比較器の構成を具体的に説明する図である。
【図３７】実施形態６の処理を説明するタイムチャートである。
【図３８】データドライバの構成を説明する図である。
【図３９】有機ＥＬパネルの断面構造を説明する図である。
【図４０】有機ＥＬパネルの断面構造を説明する図である。
【図４１】焦電基板の自発分極変化を説明する図である。
【図４２】実施形態６の処理を説明するフローチャートである。
【図４３】実施形態７において使用する有機ＥＬアレイ発光装置の構成を説明する図であり、（ａ）は有機ＥＬアレイ発光装置の上面図であり、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図であり、（ｃ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【図４４】変形例を示す有機ＥＬアレイ発光装置の構成を説明する図であり、（ａ）は有機ＥＬアレイ発光装置の上面図であり、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図であり、（ｃ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【図４５】光導波路形成の概念図を示す図である。
【図４６】（ａ）は、光導波路形成の斜視図を示し、（ｂ）は、光導波路形成の断面図を示す。
【図４７】方物面若しくは楕円面などの凹面形状反射鏡の点光源位置と前面照射面への光照射強度の関係を示す図である。
【図４８】実施形態９の有機ＥＬヘッドの構成を説明する図であり、（ａ）はその平面図を示し、（ｂ）はその断面図を示す。
【図４９】光センサの基本構造を説明する図である。
【図５０】有機ＥＬ発光体の駆動制御を行う回路ブロック図である。
【図５１】有機ＥＬ発光体を定電圧駆動、定電流駆動、定輝度駆動した場合の寿命特性を示す図であり、（ａ）は定電圧駆動の場合であり、（ｂ）は定電流駆動の場合であり、（ｃ）は定輝度駆動の場合である。
【図５２】変形例の有機ＥＬヘッドの構成を説明する図であり、（ａ）はその平面図を示し、（ｂ）はその断面図を示す。
【図５３】実施形態１０の有機ＥＬヘッドの構成を説明する図であり、（ａ）はその平面図を示し、（ｂ）はその断面図を示す。
【図５４】変形例の有機ＥＬヘッドの構成を説明する図であり、（ａ）はその平面図を示し、（ｂ）はその断面図を示す。
【図５５】有機ＥＬ素子の駆動回路を説明する図である。
【図５６】従来例の有機ＥＬ素子の駆動処理を説明するタイムチャートである。
【図５７】（ａ）は、理想的なビームスポットの例を示す図であり、（ｂ）は、副走査方向にビームスポットが移動し、露光ドットが副走査方向に広がった状態を示す図である。
【符号の説明】
【０１５０】
１・・・感光体ドラム
２・・・帯電ローラ
３・・・有機ＥＬヘッド
４・・・現像器
５・・・転写ローラ
６・・・クリーニング部
７・・・イレーサ
８・・・用紙
９・・・定着ローラ
１０・・有機ＥＬアレイ
１１・・ＳＬＡ（セルフォックレンズアレイ）
２０・・選択信号ドライバ
２１・・電源電圧ドライバ
２２・・ドライバ
３１・・非選択期間メモリ
３２・・カウンタ
４１・・ガラス基板
４２・・アノード電極（陽極）
４３・・正孔注入層（ＨＴＬ）
４４・・発光層（ＥＬ）
４５・・電子注入層（ＥＴＬ）
４６・・カソード電極（陰極）
４７・・面発光部アレイパネル
４８・・面発光部
４９・・導光部
５０・・リフレクタ
５１・・帯電ローラ
５２・・感光体ベルト
５２ａ・・シームレストベルト状透光性基体
５２ｂ・・透光性導電層
５２ｃ・・電荷発生層（ＣＧＬ）
５２ｄ・・電荷移動層（ＣＴＬ）
５２ｅ・・表面保護層（ＯＣＬ）
５３・・有機ＥＬヘッド
５４・・現像器
５５・・転写ローラ
５６・・クリーニング部
５７・・イレーサ光源
５８・・用紙
５９・・搬送機構
６０・・ベルトテンションローラ
６１・・パラボラ型リフレクタ
６５・・有機ＥＬアレイ露光ヘッド
６６・・発光体透明基板部
６７・・導波路形成基板部
６８・・レンズ透明基板部
７５・・有機ＥＬアレイ露光ヘッド
７６・・発光体／導波路形成透明基板部
７７・・カバーガラス
７８・・レンズ透明基板部
８０・・方向変換ミラー
８１・・発光体透明基板
８２・・有機ＥＬ発光体アレイ
８３・・レンズ透明基板
８４・・陽極
８５・・陰極
８６・・正孔輸送層
８７・・積層発光層
８８・・封止材
８９・・光吸収層
９０・・有機ＥＬアレイ露光ヘッド
９１・・発光体透明基板
９３・・封止材
９４・・屈折率分布型レンズ
９５・・レンズ透明基板
９６・・陰極
１００・・発光部
１０１・・システムコントローラ
１０２・・データドライバ
１０３・・スキャンドライバ
１０４・・有機ＥＬパネル
１０５・・選択トランジスタ
１０６・・発光駆動トランジスタ
１０７・・保持キャパシタ
１０８・・出力比較器
１１０、１１３・・焦電基板
１１１、１１２・・基板透明電極
１１７・・補正値テーブル
１１８・・Vdata信号制御部
１１９・・Vscan信号制御部
１２０・・初期値メモリ
１２１・・比較器
１２３・・制御部
１３０・・有機ＥＬアレイ発光装置
１３１・・有機ＥＬ発光体形成層
１３３・・発光体基板
１３４・・下部電極
１３５・・絶縁層
１３６・・有機発光層
１３７・・上部透明電極
１３８・・有機ＥＬ発光部
１４０・・コア層
１４０ａ・・第１の層
１４０ｂ・・第２の層
１４１・・回折格子
１４２・・光アイソレートフォトニツク結晶
１４３・・有機ＥＬ発光部
１５０・・フェムト秒レーザ光
１５１・・ガラス基材
１５２・・集光部分
１５３・・光導波路
１５４・・集光部
１５５・・放射部
１６０・・有機ＥＬヘッド
１６１・・基板
１６２・・有機ＥＬ素子面状発光体
１６３・・導波路
１６５・・出射面
１６６・・発光体下部電極
１６７・・正孔輸送層
１６８・・発光層
１６９・・絶縁膜
１７０・・光センサ部
１７２・・ヘッド制御回路
１７３・・発光走査制御回路
１７４・・Ａ／Ｄ変換部
１８０・・有機ＥＬ素子面状発光体
１８１・・導波路
１８４・・平坦化膜
１８６・・発光体下部電極
１８７・・正孔輸送層
１８８・・発光層
１８９・・光センサ部
１９０・・ＴＦＴ回路
【図１】
2009051152.tif 000003
【図２】
2009051152.tif 000004
【図３】
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【図４】
2009051152.tif 000006
【図５】
2009051152.tif 000007
【図６】
2009051152.tif 000008
【図７】
2009051152.tif 000009
【図１０】
2009051152.tif 000010
【図１５】
2009051152.tif 000011
【図１７】
2009051152.tif 000012
【図２３】
2009051152.tif 000013
【図３３】
2009051152.tif 000014
【図３４】
2009051152.tif 000015
【図３５】
2009051152.tif 000016
【図３６】
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【図３７】
2009051152.tif 000018
【図３８】
2009051152.tif 000019
【図４１】
2009051152.tif 000020
【図４２】
2009051152.tif 000021
【図５０】
2009051152.tif 000022
【図５１】
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【図５５】
2009051152.tif 000024
【図５６】
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【図５７】
2009051152.tif 000026
【図８】
2009051152.tif 000027
【図９】
2009051152.tif 000028
【図１１】
2009051152.tif 000029
【図１２】
2009051152.tif 000030
【図１３】
2009051152.tif 000031
【図１４】
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【図１６】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2009051152.tif 000036
【図２１】
2009051152.tif 000037
【図２２】
2009051152.tif 000038
【図２４】
2009051152.tif 000039
【図２５】
2009051152.tif 000040
【図２６】
2009051152.tif 000041
【図２７】
2009051152.tif 000042
【図２８】
2009051152.tif 000043
【図２９】
2009051152.tif 000044
【図３０】
2009051152.tif 000045
【図３１】
2009051152.tif 000046
【図３２】
2009051152.tif 000047
【図３９】
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【図４０】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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