(57)【要約】      （修正有）【課題】大型の単結晶の育成を容易にする単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。【解決手段】中空状の単結晶原料２１と種結晶２２との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯３１を形成し、単結晶を育成する単結晶育成装置であって、種結晶２２を保持することができる種結晶保持部１９と、エネルギー伝送路となる中空部を有する単結晶原料を種結晶２２に対して接触可能に保持することができる原料保持部１１，１８と、ハロゲンランプ１７及び楕円鏡１６より構成され、溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより溶融帯を加熱する第１加熱部と、レーザー光源４１から光ファイバー４２を介し、単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて溶融帯へ第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギー（レーザー）を照射することにより溶融帯３１を加熱する第２加熱部とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶原料と種結晶との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯を形成し、単結晶を育成する単結晶育成装置であって、
前記種結晶を保持することができる種結晶保持部と、
エネルギー伝送路を有する単結晶原料を前記種結晶に対して接触可能に保持することができる原料保持部と、
前記溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより前記溶融帯を加熱する第１加熱部と、
前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて前記溶融帯へ前記第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギーを照射することにより前記溶融帯を加熱する第２加熱部と、
を備える単結晶育成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の単結晶育成装置において、
前記単結晶原料は、中空状であり、
前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路は、前記単結晶原料における中空部である単結晶育成装置。
【請求項３】
請求項２に記載の単結晶育成装置において、
前記単結晶原料は、両端が開いた管である単結晶育成装置。
【請求項４】
請求項２に記載の単結晶育成装置において、
前記単結晶原料は、一端が閉じ他端が開口である管であり、
前記第２の加熱用エネルギーは、前記開口から前記単結晶原料内へ入射する単結晶育成装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の単結晶育成装置において、
前記エネルギー伝送路は、光の伝送路であり、
前記第２の加熱用エネルギーは、レーザー光である単結晶育成装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の単結晶育成装置において、
前記原料保持部は、エネルギー伝送路を有し、
前記第２加熱部は、前記原料保持部におけるエネルギー伝送路及び前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて前記溶融帯へ前記第２の加熱用エネルギーを照射する単結晶育成装置。
【請求項７】
請求項６に記載の単結晶育成装置において、
前記原料保持部におけるエネルギー伝送路は、光ファイバーである単結晶育成装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の単結晶育成装置において、
前記種結晶保持部及び前記原料保持部は、共通の回転軸を中心として回転することができる単結晶育成装置。
【請求項９】
請求項８に記載の単結晶育成装置において、
前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路は、前記回転軸上に設けられる単結晶育成装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の単結晶育成装置において、
前記原料保持部におけるエネルギー伝送路は、前記回転軸上に設けられる単結晶育成装置。
【請求項１１】
単結晶原料と種結晶との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯を形成し、単結晶を育成する単結晶育成方法であって、
前記種結晶を保持すると共に、エネルギー伝送路を有する単結晶原料を前記種結晶に対して接触可能に保持し、
前記溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより前記溶融帯を加熱すると共に、前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて前記溶融帯へ前記第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギーを照射することにより前記溶融帯を加熱する
単結晶育成方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の単結晶育成方法において、
前記単結晶原料は、中空状であり、
前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路は、前記単結晶原料における中空部である単結晶育成方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の単結晶育成方法において、
前記単結晶原料は、両端が開いた管である単結晶育成方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の単結晶育成方法において、
前記単結晶原料は、一端が閉じ他端が開口である管であり、
前記第２の加熱用エネルギーは、前記開口から前記単結晶原料内へ入射する単結晶育成方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれかに記載の単結晶育成方法において、
前記エネルギー伝送路は、光の伝送路であり、
前記第２の加熱用エネルギーは、レーザー光である単結晶育成方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載の単結晶育成方法において、
前記単結晶原料を保持する原料保持部は、エネルギー伝送路を有し、
前記原料保持部におけるエネルギー伝送路及び前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて前記溶融帯へ前記第２の加熱用エネルギーを照射する単結晶育成方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の単結晶育成方法において、
前記原料保持部におけるエネルギー伝送路は、光ファイバーである単結晶育成方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７に記載の単結晶育成方法において、
前記種結晶及び前記単結晶原料を、共通の回転軸を中心として回転させる単結晶育成方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の単結晶育成方法において、
前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路は、前記回転軸上に設けられる単結晶育成方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の単結晶育成方法において、
前記原料保持部におけるエネルギー伝送路は、前記回転軸上に設けられる単結晶育成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶原料と種結晶との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯を形成し、単結晶を育成する単結晶育成装置、単結晶育成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
バルク単結晶の育成方法として、チョクラルスキー法に代表される引き上げ法のほか、光加熱を用いる浮遊帯域（ＦＺ：Floating Zone）溶融法、ブリッジマン法、フラックス法などがある。
【０００３】
引き上げ法においては、１２インチ規模のＳｉのインゴットの育成が工業的に実用化されている。しかし、高温で溶融する酸化物結晶の場合、坩堝の耐酸化性などにより、使用可能な坩堝材が限定される。また、坩堝からの不純物の混入が問題を引き起こすこともある。
【０００４】
浮遊帯域溶融法は、加熱方式として高周波や電子線を利用するものの他、酸化物結晶などの育成に広く利用されている集光加熱方式がある。この方式は、ハロゲンランプやクセノンランプを光源及び熱源とし、回転楕円面の反射鏡（１個または２個または４個）によりランプの光を焦点位置に集光し、焦点位置に設置された原料を高温にして溶融させる。
【０００５】
浮遊帯域溶融法は、坩堝材が不要であり、意図しない不純物の混入を生じにくく、均一に不純物を添加することができ、雰囲気制御も簡単に行うことができるという利点を有する。
【０００６】
なお、本発明の関連ある従来技術として、浮遊帯域溶融法において、溶融した原料棒の先端部は、表面張力により保持されており、垂れ落ちないように制御する必要がある。このために、遮光板を設けることにより溶融帯の長さを抑え、溶融帯の体積を減らす方式がある（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。また、反射鏡を移動させることにより、温度分布を均一にする方式がある（例えば、特許文献４参照）。また、平板形状のフィラメントを使用することにより、温度分布を均一にする方式がある（例えば、特許文献５、特許文献６参照）。
【０００７】
また、浮遊帯域溶融法において、ハロゲンランプの代わりにレーザーを光源とする方式がある（例えば、特許文献７参照）。また、赤外線加熱の補助として、溶融帯にレーザーを照射する方式がある（例えば、特許文献８参照）。また、高純度で大径の単結晶を得るためのＩＩＩ族酸化物系単結晶の製造方法がある（例えば、特許文献９参照）。
【特許文献１】特許２９８２６４２号公報
【特許文献２】特開平８−１１７１６号公報
【特許文献３】特許２５５０３４４号公報
【特許文献４】特開平８−２０８３６８号公報
【特許文献５】特開平５−１７８６８５号公報
【特許文献６】特開平９−２３５１７１号公報
【特許文献７】特開２００１−２６１４７８号公報
【特許文献８】特開平７−３１５９７９号公報
【特許文献９】特開２００６−２７３６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の光加熱方式の浮遊帯域溶融法により大型の単結晶を育成することは困難であった。従って、従来の浮遊帯域溶融法の用途は、直径数ミリの単結晶を育成して物性測定に利用するなど、研究用途に限定されていた。また、商業的には、直径１インチのＴｉＯ2単結晶（ルチル）が最大であった。
【０００９】
また、上述した加熱方法は、水平方向から光を導入して集光加熱するため、中心部へ向かう光は、溶融帯中を通過する間に吸収され、中心部に届かなくなる。従って、原料棒の中心部は溶けにくく、結晶の中心部は外周部より先に凝固することになる。このような、原料棒の未溶融の部分、及び結晶の中心部の凝固した部分は、芯と呼ばれている。
【００１０】
図４は、従来の単結晶育成装置における芯の一例を示す断面図である。この図は、従来の単結晶育成装置における原料棒１２１、溶融帯１３１、単結晶１３２を示す。また、この図は、原料棒１２１及び単結晶１３２の回転軸を含む断面を示す。また、溶融帯１３１内部において、原料棒１２１の下に接した破線の三角形（円錐形の断面）は、原料棒１２１側の芯を示す。同様に、溶融帯１３１内部において、単結晶１３２の上に接した破線の三角形（円錐形の断面）は、単結晶１３２側の芯を示す。上下の芯が接触すると、原料棒１２１及び溶融帯１３１が不安定になるため、上下の芯の接触は、防ぐ必要がある。
【００１１】
上下の芯の接触を防ぎ、芯を溶融させるために、加熱源の出力を増加させると、溶融帯の表面部分は、融点を超えても更に加熱され、蒸気圧の高い物質（例えば酸化ガリウムなど）は、蒸発が激しくなる。これにより、石英管が曇り、集光加熱ができなくなってしまう。
【００１２】
また、溶融帯の外周部が融点よりも高温になると、表面張力の低下を招く。この状態で加熱源の出力が増加すると、溶融状態にある原料が増えて溶融帯が大きくなり、表面張力で支えられなくなる。
【００１３】
以上のように、浮遊帯域溶融法により大型の単結晶を育成しようとすると、溶融帯が不安定になっていた。
【００１４】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、大型の単結晶の育成を容易にする単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述した課題を解決するため、本発明の一態様は、単結晶原料と種結晶との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯を形成し、単結晶を育成する単結晶育成装置であって、前記種結晶を保持することができる種結晶保持部と、エネルギー伝送路を有する単結晶原料を前記種結晶に対して接触可能に保持することができる原料保持部と、前記溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより前記溶融帯を加熱する第１加熱部と、前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて前記溶融帯へ前記第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギーを照射することにより前記溶融帯を加熱する第２加熱部とを備える。
【００１６】
また、本発明の一態様は、単結晶原料と種結晶との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯を形成し、単結晶を育成する単結晶育成方法であって、前記種結晶を保持すると共に、エネルギー伝送路を有する単結晶原料を前記種結晶に対して接触可能に保持し、前記溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより前記溶融帯を加熱すると共に、前記単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて前記溶融帯へ前記第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギーを照射することにより前記溶融帯を加熱する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、大型の単結晶の育成を容易にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１９】
本実施の形態においては、浮遊帯域溶融法を用いて単結晶の育成を行う単結晶育成装置について説明する。
【００２０】
まず、本実施の形態に係る単結晶育成装置の構成について説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係る単結晶育成装置の構成の一例を示す断面図である。この単結晶育成装置は、上軸シャフト１１、下軸シャフト１２、石英管１３、雰囲気ガス流入口１４、雰囲気ガス流出口１５、楕円鏡１６、ハロゲンランプ１７、高融点金属線１８、種結晶ホルダー１９、レーザー光源４１、光ファイバー４２、窓材４３、上軸シャフト駆動部４５、下軸シャフト駆動部４６、制御部４７を備える。また、この図は、上軸シャフト１１及び下軸シャフト１２の回転軸を含む断面を示す。
【００２２】
更に、単結晶育成時において、単結晶育成装置には、原料棒２１、種結晶２２が設置され、原料棒２１と種結晶２２の間に、溶融帯３１及び単結晶３２が形成される。
【００２３】
本実施の形態に係る原料棒２１は、中空状である。ここで、原料棒２１の製造方法についてβ−Ｇａ2Ｏ3単結晶育成用の原料棒製作の一例を示し、説明する。
【００２４】
まず、緻密質のアルミナ製セラミックス（ＳＳＡ−Ｓなど）でできたタンマン管（内径Ｘ、長さＹ）に、空気を押し出しながら原料のβ−Ｇａ2Ｏ3粉末を詰めると共に、Ｘより小さいＺを外径とする保護管をタンマン管の中心に挿入する。ここで、例えば、Ｘは１７ｍｍ、Ｙは１００ｍｍ、Ｚは６ｍｍである。次に、タンマン管から保護管を引き抜くことにより、タンマン管内に管状となった原料が残る。次に、電気炉において原料を焼結することにより、管状の原料棒２１が製造される。
【００２５】
なお、原料棒２１は、上端が開いていて下端が閉じている形状であっても良い。例えば、上述した管状の原料棒２１の下端を、浮遊帯域溶融法により溶融して閉じても良い。また、タンマン管や保護管でなく専用の型を製作し、プレスにより型をとったものを原料棒２１として用いても良い。また、複数の原料棒を束ね、その束の中心に空間を有するものを、原料棒２１として用いても良い。
【００２６】
種結晶２２は、＜１００＞または＜０１０＞または＜００１＞方向に結晶成長するように種結晶ホルダー１９に取り付けるのが良い。特に、（１００）面は、劈開面であり、＜０１０＞、＜００１＞方向に結晶成長を行うと、結晶表面に（１００）面の平坦面が現れ、結晶の断面が扁平になる。＜１００＞方向に結晶成長させると扁平率が他の方位に比べ最も小さくなるので、溶融帯を均一に加熱して大型単結晶を得るためには＜１００＞方向が最も好ましい。
【００２７】
制御部４７は、上軸シャフト駆動部４５、下軸シャフト駆動部４６、レーザー光源４１、ハロゲンランプ１７を制御する。制御部４７は、ユーザによる操作に従って各部の制御を行っても良いし、予め設定されたスケジュールに従って各部の制御を行っても良い。上軸シャフト駆動部４５は、制御部４７からの指示に従って、上軸シャフト１１を回転させたり、上軸シャフト１１を上下に移動させたりする。同様に、下軸シャフト駆動部４６は、制御部４７からの指示に従って、下軸シャフト１２を回転させたり、下軸シャフト１２を上下に移動させたりする。
【００２８】
上軸シャフト１１の下端には、原料棒２１が懸垂するための高融点金属線１８が設けられている。高融点金属線１８は、例えばＰｔで構成される。下軸シャフト１２の上端には、種結晶２２を保持するための種結晶ホルダー１９が設けられている。上軸シャフト１１、原料棒２１、種結晶２２、下軸シャフト１２は、共通の軸を中心として回転することができる。
【００２９】
また、上軸シャフト１１の軸上には、光ファイバー４２が設けられている。また、光ファイバー４２の下端には、窓材４３が設けられている。窓材４３は、石英ガラスやサファイアガラスなどであり、光ファイバー４２からのレーザー光を透過させると共に上軸シャフト１１と石英菅１３を隔てるものである。従って、レーザー光源４１により発生されたレーザー光は、上軸シャフト１１の軸上の光ファイバー４２、窓材４３を通って原料棒２１内へ導かれる。更に、このレーザー光は、図１中の原料棒２１内の破線の矢印に示されるように原料棒２１の軸上の空間を通り、遮蔽されること無く溶融帯３１へ導かれる。なお、上軸シャフト１１内にレーザー光源４１が備えられ、光ファイバー４２を用いずにレーザー光を下方へ照射しても良いし、光ファイバー４２の代わりにミラーを用いてレーザー光を原料棒２１内へ導入し溶融帯３１に照射しても良い。また、窓材４３にレンズを組み合わせ、このレンズが、溶融帯３１におけるレーザー光の光束を原料棒２１の中空部の径と同程度に広げるようにするとなお良い。
【００３０】
本実施の形態において、ハロゲンランプ１７と楕円鏡１６は、２組設けられる。楕円鏡１６は、回転楕円面を有する反射鏡である。楕円鏡１６の一方の焦点はハロゲンランプ１７の位置であり、もう一方の焦点は溶融帯３１の位置である。ハロゲンランプ１７は、楕円鏡１６の一方の焦点に設置される。図１中のハロゲンランプ１７から出ている破線の矢印に示されるように、ハロゲンランプ１７により発生されたハロゲンランプ光は、楕円鏡１６により反射され、溶融帯３１に集められる。ハロゲンランプ１７の位置は、溶融帯３１の形状に基づいて調整されても良い。
【００３１】
雰囲気ガスは、雰囲気ガス流入口１４から石英管１３内へ流入し、雰囲気ガス流出口１５から石英管１３外へ流出する。雰囲気ガスは、例えば加圧した乾燥空気である。
【００３２】
単結晶育成時、原料棒２１は、高融点金属線１８により上軸シャフト１１から吊り下げられる。種結晶２２は、種結晶ホルダー１９により下軸シャフト１２に固定される。
【００３３】
次に、本実施の形態に係る単結晶育成装置の動作について説明する。
【００３４】
図２は、本実施の形態に係る単結晶育成装置の動作の一例を示すフローチャートである。まず、制御部４７は、上軸シャフト１１及び下軸シャフト１２を上または下へ移動させ、原料棒２１の下端及び種結晶２２の上端を楕円鏡１６の焦点付近へ移動させる（Ｓ１１）。次に、制御部４７は、上軸シャフト１１及び下軸シャフト１２を互いに逆方向へ回転させ、ハロゲンランプ１７光を集光加熱し、徐々にハロゲンランプ１７の出力を増加させる（Ｓ１２）。この処理により、楕円鏡１６の焦点付近が昇温される。
【００３５】
次に、原料棒２１と種結晶２２が溶融した後、制御部４７は、上軸シャフト１１及び下軸シャフト１２を上または下へ移動させ、原料棒２１と種結晶２２とを接触させる（Ｓ１３）。次に、溶融帯３１が安定した後、制御部４７は、上軸シャフト１１及び下軸シャフト１２を下降させる（Ｓ１４）。この処理により、結晶成長が開始される。
【００３６】
次に、制御部４７は、必要に応じてネッキングを行う（Ｓ１５）。ネッキングとは、一旦結晶を細くすることにより、結晶方位を揃え、その後育成される結晶の品質を向上させる処理である。次に、ハロゲンランプ１７の出力を適切に増加させつつ、上軸シャフト１１の下降速度を適切に制御し、徐々に単結晶３２の径を大きくする（Ｓ１６）。
【００３７】
次に、制御部４７は、溶融帯３１の垂れが発生する前、且つ単結晶３２の中心の凝固部が原料棒２１に接触する前に、レーザー光源４１の出力を増加させ、レーザー光を溶融帯３１へ入射させる（Ｓ２１）。この処理により、単結晶を大型化することができる。
【００３８】
図３は、本実施の形態に係る単結晶育成装置における芯の一例を示す断面図である。この図は、図１における原料棒２１、溶融帯３１、単結晶３２の部分を示す。また、溶融帯３１内部において、原料棒２１の下に接した２つの破線の三角形は、原料棒２１側の芯を示す。同様に、溶融帯３１内部において、単結晶３２の上に接した破線の三角形は、単結晶３２側の芯を示す。
【００３９】
従来のように、側面からのハロゲンランプ光だけで溶融帯３１を加熱する場合、表面からの距離が遠い中心軸（回転軸）付近の加熱は困難であったが、本実施の形態によれば、処理Ｓ２１により、原料棒３１の下部において中心軸付近が加熱されるため、芯を溶融しやすい。従って、図４における原料棒１２１側の芯と比較すると、原料棒２１側の芯の高さが低くなる。
【００４０】
次に、原料棒２１が残り少なくなると、制御部４７は、上軸シャフト１１の下降速度を減少させる（Ｓ２２）。この処理により、溶融帯３１の体積を減少させ、単結晶３２の上部の径を小さくする。次に、制御部４７は、レーザー光源４１及びハロゲンランプ１７の出力を減少させる（Ｓ２３）。次に、制御部４７は、原料棒２１と単結晶３２を切り離し（Ｓ２４）、このフローは終了する。
【００４１】
従来、芯の接触を防ぐために溶融帯の高さを大きくすると、溶融帯を表面張力で支えられなくなり溶融帯が垂れ落ちていたが、本実施の形態によれば、レーザー光で原料棒の下端を加熱することにより、原料棒側の芯を小さくすることができ、これにより溶融帯の高さを狭めることができる。また、溶融帯の量が抑えられることにより、単結晶を大型化しても溶融帯が垂れ落ちにくくなる。
【００４２】
また、従来、芯の接触を防ぐためにハロゲンランプ出力を増加させ、その結果、溶融帯表面が過加熱となって蒸発が激しくなり石英管が曇る現象があったが、本実施の形態によれば、レーザー光による加熱で芯を小さくすることにより、ハロゲンランプ光を抑えて溶融帯表面の過加熱を防ぐことができる。また、石英管の曇りが抑制されるため、ハロゲンランプ光のエネルギー投入効率を向上させることができる。また、本実施の形態によれば、原料棒が中空であることから溶融帯と接触する原料棒の面積が小さくなり、溶融帯から原料棒への熱伝導による熱の損失が抑えられる。
【００４３】
また、従来、原料が気化・分解することで溶融帯中にバブルが発生し、徐々に大きくなったバブルが弾ける時など、溶融帯３１を不安定にし、結晶成長を困難にしていた。本実施の形態によれば、溶融帯３１で発生するガスが原料棒内の空間へ抜けることにより、溶融帯３１の不安定化を抑制することができる。
【００４４】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他の様々な形で実施することができる。そのため、前述の実施の形態は、あらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、何ら拘束されない。更に、特許請求の範囲の均等範囲に属する全ての変形、様々な改良、代替および改質は、全て本発明の範囲内のものである。
【００４５】
なお、単結晶原料は、実施の形態における原料棒に対応する。また、原料保持部は、実施の形態における上軸シャフト、高融点金属線に対応する。また、原料保持部におけるエネルギー伝送路は、実施の形態における光ファイバー、窓材に対応する。また、種結晶保持部は、実施の形態における下軸シャフト及び種結晶ホルダーに対応する。また、第１加熱部は、実施の形態におけるハロゲンランプ及び楕円鏡に対応する。また、第２加熱部は、実施の形態におけるレーザー光源に対応する。また、第１の加熱用エネルギーは、実施の形態におけるハロゲンランプ光に対応する。また、第２の加熱用エネルギーは、実施の形態におけるレーザー光に対応する。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本実施の形態に係る単結晶育成装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２】本実施の形態に係る単結晶育成装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】本実施の形態に係る単結晶育成装置における芯の一例を示す断面図である。
【図４】従来の単結晶育成装置における芯の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１１  上軸シャフト、１２  下軸シャフト、１３  石英管、１４  雰囲気ガス流入口、１５  雰囲気ガス流出口、１６  楕円鏡、１７  ハロゲンランプ、１８  高融点金属線、１９  種結晶ホルダー、２１  原料棒、２２  種結晶、３１  溶融帯、３２  単結晶、４１  レーザー光源、４２  光ファイバー、４３  窓材、４５  上軸シャフト駆動部、４６  下軸シャフト駆動部、４７  制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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