(57)【要約】【課題】ＲＧＢの色を確実に識別でき、さらに製造ライン上で複数の画素領域を検査できるエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置を提供する。【解決手段】  エレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置は、インプリントで形成された基板の隔壁と隔壁との間の画素領域に発光性液滴を塗布する液滴塗布部（２０Ｒｅ）と、発光性液滴による発光層に５００ｎｍ以下の波長の光を照射する照射部（ＵＶ）と、画素領域より細分化された検出範囲を観察でき、可視光を通過させる光学フィルターを介して発光層からの蛍光光を観察する観察手段（ＣＣＤ）と、観察ステップの結果に基づいて発光層の欠陥箇所を特定する欠陥箇所特定部（９６）と、を備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴塗布部により発光性液滴を基板の画素領域に塗布し、その発光性液滴による発光層の欠陥を検査するエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法において、
前記発光層に５００ｎｍ以下の波長の光を照射する照射ステップと、
可視光を通過させる光学フィルターを介して、前記画素領域より細分化された検出範囲を観察できる観察手段で前記発光層からの蛍光光を観察する観察ステップと、
前記観察ステップの結果に基づいて、前記発光性液滴の塗布量を判定する塗布量判定ステップと、
を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法。
【請求項２】
液滴塗布部により第１色及び第２色の発光性液滴を基板の画素領域に塗布し、その発光性液滴による発光層の欠陥を検査するエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法において、
前記発光層に５００ｎｍ以下の波長の光を照射する照射ステップと、
可視光を通過させる光学フィルターを介して、前記画素領域より細分化された検出範囲を観察できる観察手段で前記発光層からの蛍光光を観察する観察ステップと、
前記観察ステップの結果に基づいて、前記発光層からの第１色及び第２色の発光色を判定する発光色判定ステップと、
を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法。
【請求項３】
さらに、前記観察ステップの結果に基づいて、前記発光層の形成された位置を判定する位置判定ステップを備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法。
【請求項４】
前記観察ステップにおいて、前記観察手段と前記発光層との間に可視光域波長のみを通過させる光学的フィルターを配置していることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法。
【請求項５】
前記観察手段は列方向に伸びる一次元センサであり、前記基板は行方向に所定速度で送られる可撓性の基板であり、
前記観察ステップでは、前記画素領域の列方向が前記一次元センサで観察されるとともに、前記可撓性の基板が送られる所定速度に応じて前記一次元センサの出力を逐次更新することで、行列に区分けされた蛍光光を観察することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法。
【請求項６】
前記観察手段はフレーム蓄積型メモリーを接続した二次元センサであり、前記基板は行方向に所定速度で送られる可撓性の基板であり、
前記観察ステップでは、前記画素領域の列方向が前記二次元センサで観察されるとともに、前記可撓性の基板が送られる所定速度に応じて前記二次元センサの蓄積箇所をずらしていくことで、行列に区分けされた蛍光光を観察することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法。
【請求項７】
前記塗布量判定ステップによる判定により、前記液滴塗布部による発光性液滴の塗布量を調節することを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法。
【請求項８】
前記塗布量判定ステップによる判定により、前記発光層を修理するか又は前記液滴塗布部を含む製造ラインを停止することを特徴とする請求項１又は請求項７に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法。
【請求項９】
エレクトロルミネッセンス素子の発光層の欠陥を検査する欠陥検査装置において、
インプリントで形成された基板の隔壁と隔壁との間の画素領域に発光性液滴を塗布する液滴塗布部と、
前記発光性液滴による発光層に５００ｎｍ以下の波長の光を照射する照射部と、
前記画素領域より細分化された検出範囲を観察でき、可視光を通過させる光学フィルターを介して前記発光層からの蛍光光を観察する観察手段と、
前記観察ステップの結果に基づいて、前記前記発光層の欠陥箇所を特定する欠陥箇所特定部と、
を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置。
【請求項１０】
前記欠陥箇所特定部は、前記発光性液滴の塗布量が適切か否かを判定することを特徴とする請求項９に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置。
【請求項１１】
前記欠陥箇所特定部は、前記発光層の発光色が適切か否かを判定することを特徴とする請求項９に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置。
【請求項１２】
前記観察手段は列方向に伸びる一次元センサであり、前記インプリントで形成された基板は行方向に所定速度で送られる可撓性の基板であり、
前記観察手段は、前記画素領域の列方向が前記一次元センサで観察されるとともに、前記可撓性の基板が送られる所定速度に応じて前記一次元センサの出力を逐次更新することで、行列に区分けされた蛍光光を観察することを特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置。
【請求項１３】
前記観察手段はフレーム蓄積型メモリーを接続した二次元センサであり、前記インプリントで形成された基板は行方向に所定速度で送られる可撓性の基板であり、
前記観察手段は、前記画素領域の列方向が前記二次元センサで観察されるとともに、前記可撓性の基板が送られる所定速度に応じて前記二次元センサの蓄積箇所をずらしていくことで、行列に区分けされた蛍光光を観察することを特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置。
【請求項１４】
前記照射部はＹＡＧレーザーの第３高調波又は第４高調波を照射することを特徴とする請求項９ないし請求項１３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関し、このＥＬ素子の欠陥検査方法及び欠陥検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイに変わる表示装置として、有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）の有効性が言われている。有機ＥＬ素子は、自発光式であるため液晶ディスプレイのようなバックライトが不要である。そのために、液晶ディスプレイと比較して消費電力が抑えられ、視野角が広く、応答性も速いために次世代の表示素子として研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
フルカラー有機ＥＬ素子を造るためにはＲＧＢの画素をそれぞれ異なる色の発光層で塗り分ける必要がある。特許文献１はこのＲＧＢの発光層を形成する際にインクジェット方式で有機ＥＬ材料を塗布し、その後蛍光カメラで紫外線を有機ＥＬ層に照射してその有機ＥＬ層からの蛍光を撮像する有機ＥＬ層形成装置を開示している。
【特許文献１】特開２００４−２２８００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の有機ＥＬ層形成装置は蛍光カメラがＣＣＤ素子で構成されることを開示する程度で具体的な構成について開示していない。また、１画素に対してインクジェットのノズルと蛍光カメラとがそれぞれ１つ配置される構成を開示しているため量産性に乏しく、実際に特許文献１に開示される有機ＥＬ層形成装置では製造ラインで使用できるものではない。
【０００５】
そこで本発明は、ＲＧＢの色を確実に識別でき、さらに製造ライン上で複数の画素領域を検査できるエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法は、液滴塗布部により発光性液滴を基板の画素領域に塗布し、その発光性液滴による発光層の欠陥を検査する。そしてエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法は、発光層に５００ｎｍ以下の波長の光を照射する照射ステップと、可視光を通過させる光学フィルターを介して、画素領域より細分化された検出範囲を観察できる観察手段で発光層からの蛍光光を観察する観察ステップと、観察ステップの結果に基づいて、発光性液滴の塗布量を判定する塗布量判定ステップと、を備える。
この構成により、細分化された検出範囲で画素領域からの蛍光光を観察するため、発光性液滴の塗布量がどれだけであるかを正確に確認することができる。
【０００７】
第２の観点のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法は、液滴塗布部により第１色及び第２色の発光性液滴を基板の画素領域に塗布し、その発光性液滴による発光層の欠陥を検査する。そしてエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査方法は、発光層に５００ｎｍ以下の波長の光を照射する照射ステップと、可視光を通過させる光学フィルターを介して、画素領域より細分化された検出範囲を観察できる観察手段で発光層からの蛍光光を観察する観察ステップと、観察ステップの結果に基づいて、発光層からの第１色及び第２色の発光色を判定する発光色判定ステップと、を備える。
この構成により、細分化された検出範囲で画素領域からの蛍光光を観察するため、画素領域内での部分的な混色なども正確に確認することができる。また可視光を通過させる光学フィルターを備えているので、照射される５００ｎｍ以下の波長の光の影響が小さい。
【０００８】
第３の観点のエレクトロルミネッセンス素子の欠陥検査装置は発光層を検査するものである。この欠陥検査装置は、インプリントで形成された基板の隔壁と隔壁との間の画素領域に発光性液滴を塗布する液滴塗布部と、発光性液滴による発光層に５００ｎｍ以下の波長の光を照射する照射部と、画素領域より細分化された検出範囲を観察でき、可視光を通過させる光学フィルターを介して発光層からの蛍光光を観察する観察手段と、観察ステップの結果に基づいて発光層の欠陥箇所を特定する欠陥箇所特定部と、を備える。
この構成により、可視光を通過させる光学フィルターにより照射される５００ｎｍ以下の波長の光の影響が小さく且つ細分化された検出範囲で画素領域からの蛍光光を観察するため、画素領域内での発光層の欠陥箇所を正確に確認することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、製造ライン上でエレクトロルミネッセンス素子の発光層の欠陥を画素領域内を細分化した範囲で正確に観察することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
＜＜有機ＥＬ素子の製造装置＞＞
有機ＥＬ素子の製造においては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、画素電極が形成された基板を形成する必要がある。その基板上の画素電極上に発光層を含む１以上の有機化合物層（発光素子層）を精度良く形成するために、画素電極の境界領域に隔壁ＢＡ（バンク層）を容易に精度良く形成する必要がある。
【００１１】
図１は、可撓性の基板に、画素電極及び発光層など有する有機ＥＬ素子５０を製造する製造装置１００の構成を示した概略図である。
【００１２】
有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、ロール状に巻かれた帯状可撓性シート基板ＦＢを送り出すための供給ロールＲＬを備えている。例えばシート基板ＦＢの長さは例えば２００ｍ以上にもなる。供給ロールＲＬが所定速度の回転を行うことで、シート基板ＦＢが搬送方向であるＸ軸方向（長手方向（行方向））に送られる。また、有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、複数個所にローラＲＲを備えており、これらローラＲＲが回転することによっても、シート基板ＦＢがＸ軸方向に送られる。ローラＲＲはシート基板ＦＢを両面から挟み込むゴムローラであってもよいし、シート基板ＦＢがパーフォレーションを有するものであればラチェット付きのローラＲＲであってもよい。
【００１３】
有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、その最終工程で、シート基板ＦＢをロール状に巻き取る巻取ロールＲＥを備えている。また、欠陥箇所の修理工程で処理するために、巻取ロールＲＥは、供給ロールＲＬ及びローラＲＲと同期するように所定速度でシート基板ＦＢを巻き取る。
【００１４】
＜隔壁形成工程＞
供給ロールＲＬから送り出されたシート基板ＦＢは、最初にシート基板ＦＢに隔壁ＢＡを形成する隔壁形成工程に入る。隔壁形成工程では、インプリントローラ１０でシート基板ＦＢを押圧するとともに、押圧した隔壁ＢＡが形状を保つように熱転写ローラ１５でシート基板ＦＢをガラス転移点以上に熱する。このため、インプリントローラ１０のローラ表面に形成された型形状がシート基板ＦＢに転写される。
【００１５】
インプリントローラ１０のローラ表面は鏡面仕上げされており、そのローラ表面にＳｉＣ、Ｔａなどの材料で構成された微細インプリント用モールド１１が取り付けられている。微細インプリント用モールド１１は、薄膜トランジスタの配線用のスタンパー及び表示画素用のスタンパーを有している。また、帯状可撓性シート基板ＦＢの幅方向の両側に第１マークＡＭ及び第２マークＢＭ（図４参照）を形成するため、微細インプリント用モールド１１は、第１マークＡＭ及び第２マークＢＭ用のスタンパーを有している。
【００１６】
薄膜トランジスタの配線用及び表示画素用の隔壁ＢＡが形成されると同時に第１マークＡＭ及び第２マークＢＭが形成されるため、隔壁ＢＡと第１マークＡＭ及び第２マークＢＭとの位置精度は、微細インプリント用モールド１１と同じ位置精度となる。つまり、微細インプリント用モールド１１は、第１マークＡＭ及び第２マークＢＭと薄膜トランジスタのゲートバスラインＧＢＬ及びソースバスラインＳＢＬ（図２）との位置関係を規定している。
【００１７】
インプリントローラ１０のＸ軸方向下流には第１観察装置ＣＨ１が配置されている。第１観察装置ＣＨ１は、薄膜トランジスタの配線用及び表示画素用の隔壁ＢＡが正確に形成されているか否かを観察する。この第１観察装置ＣＨ１は一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラ又はレーザー測長器などで構成される。第１観察装置ＣＨ１の下流には第１アライメントセンサＣＡ１が配置されている。
【００１８】
＜電極形成工程＞
シート基板ＦＢは、第１アライメントセンサＣＡ１で第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを検出された後、さらにＸ軸方向に進むと電極形成工程に入る。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としては、無機半導体系のものでも有機半導体を用いたものでも良い。この有機半導体を用いて薄膜トランジスタを構成すれば、印刷技術や液滴塗布技術を活用して薄膜トランジスタを形成できる。
【００１９】
有機半導体を用いた薄膜トランジスタの内、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）が特に好ましい。図１の電極形成工程では、ＦＥＴのボトムゲート型の有機ＥＬ素子５０で説明する。シート基板ＦＢ上にゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐを形成した後、有機半導体層ＯＳを形成する。
【００２０】
電極形成工程では、第１アライメントセンサＣＡ１から位置情報を受けて液滴をシート基板ＦＢに塗布する液滴塗布装置２０を使用する。液滴塗布装置２０は、インクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。インクジェット方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。液滴塗布法は、材料の使用に無駄が少なくしかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できる。以下にゲート電極Ｇ用の液滴塗布装置２０は、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇと末尾にＧなどを付けて区別する。他の液滴塗布装置２０も同様である。なお、液滴塗布法により塗布されるメタルインクＭＩの一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００２１】
ゲート用液滴塗布装置２０Ｇは、メタルインクＭＩを、ゲートバスラインＧＢＬの隔壁ＢＡ内に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などによりメタルインクＭＩを乾燥又は焼成（ベーキング）させる。これらの処理で、ゲート電極Ｇが形成される。メタルインクＭＩは、粒子径が約５ｎｍほどの導電体が室温の溶媒中で安定して分散をする液体であり、導電体として、カーボン、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）などが使われる。
【００２２】
ゲート用液滴塗布装置２０Ｇの下流には第２観察装置ＣＨ２が配置されている。第２観察装置ＣＨ２は、ゲートバスラインＧＢＬにメタルインクＭＩが塗布され導線として機能しているか否かを観察する。この第２観察装置ＣＨ２は一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第２観察装置ＣＨ２の下流には第２アライメントセンサＣＡ２が配置されている。
【００２３】
次に、絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉは、第２アライメントセンサＣＡ２から位置情報を受けてポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクをスイッチング部に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより電気絶縁性インクを乾燥し硬化させる。これらの処理で、ゲート絶縁層Ｉが形成される。
【００２４】
絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉの下流には第３観察装置ＣＨ３が配置されている。第３観察装置ＣＨ３は、電気絶縁性インクが正確な位置に塗布されているか否かを観察する。この第３観察装置ＣＨ３も一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第３観察装置ＣＨ３の下流には第３アライメントセンサＣＡ３が配置されている。
【００２５】
次に、ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置２０ＳＤは、第３アライメントセンサＣＡ３から位置情報を受けてメタルインクＭＩを、ソースバスラインＳＢＬの隔壁ＢＡ内及び画素電極Ｐの隔壁ＢＡ内に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫでメタルインクＭＩを乾燥又は焼成（ベーキング）させる。これらの処理で、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐが接続された状態の電極が形成される。
【００２６】
ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置２０ＳＤの下流には第４観察装置ＣＨ４が配置されている。第４観察装置ＣＨ４は、メタルインクＭＩが正確な位置に塗布されているか否かを観察する。この第４観察装置ＣＨ４も一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第４観察装置ＣＨ４の下流には第４アライメントセンサＣＡ４が配置されている。
【００２７】
次に、互いにつながったソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを、第４アライメントセンサＣＡ４から位置情報を受けて切断装置３０で切断する。切断装置３０としてはフェムト秒レーザーが好ましい。チタンサファイアレーザーを使ったフェムト秒レーザー照射部は、７６０ｎｍ波長のレーザー光ＬＬを１０ＫＨｚから４０ＫＨｚのパルスで左右前後に振りながら照射する。
【００２８】
切断装置３０は、フェムト秒レーザーを使用するため、サブミクロンオーダの加工が可能であり、電界効果型トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔を正確に切断する。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔は、２０μｍから３０μｍ程度である。この切断処理により、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとが分離された電極が形成される。フェムト秒レーザー以外に、炭酸ガスレーザー又はグリーンレーザーなどを使用することも可能である。また、レーザー以外にもダイシングソーなどで機械的に切断してもよい。
【００２９】
切断装置３０の下流には第５観察装置ＣＨ５が配置されている。第５観察装置ＣＨ５は、正確にソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとに間隔が形成されているか否かを観察する。この第５観察装置ＣＨ５も一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第５観察装置ＣＨ５の下流には第５アライメントセンサＣＡ５が配置されている。
【００３０】
次に、有機半導体液滴塗布装置２０ＯＳは、第５アライメントセンサＣＡ５から位置情報を受けてソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間のスイッチング部に有機半導体インクを塗布する。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより有機半導体インクを乾燥又は焼成させる。これらの処理で、有機半導体層ＯＳが形成される。
【００３１】
なお、有機半導体インクを形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよい。特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶又はπ共役系高分子が挙げられる。
【００３２】
有機半導体液滴塗布装置２０ＯＳの下流には第６観察装置ＣＨ６が配置されている。第６観察装置ＣＨ６は、有機半導体インクが正確な位置に塗布されているか否かを観察する。この第６観察装置ＣＨ６も一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第６観察装置ＣＨ６の下流には第６アライメントセンサＣＡ６が配置されている。
【００３３】
＜発光層形成工程＞
有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、画素電極Ｐ上に有機ＥＬ素子の発光層ＩＲの形成工程を引き続き行う。
発光層形成工程では、液滴塗布装置２０を使用する。上述したようにインクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。また本実施形態では詳述しないが印刷ローラで発光層ＩＲを形成することもできる。
【００３４】
発光層ＩＲは、ホスト化合物とリン光性化合物（リン光発光性化合物ともいう）とが含有される。ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物である。リン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温においてリン光発光する。
【００３５】
赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅは、第６アライメントセンサＣＡ６から位置情報を受けてＲ溶液を画素電極Ｐ上に塗布し、乾燥後の厚み１００ｎｍになるように成膜を行う。Ｒ溶液は、ホスト材のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に赤ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。
続いて、緑色発光層用の液滴塗布装置２０Ｇｒは、第６アライメントセンサＣＡ６から位置情報を受けてＧ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｇ溶液は、ホスト材ＰＶＫに緑ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。
【００３６】
さらに、青色発光層用の液滴塗布装置２０ＢＬは、第６アライメントセンサＣＡ６から位置情報を受けてＢ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｂ溶液は、ホスト材ＰＶＫに青ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。
その後、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより発光層溶液を乾燥し硬化させる。
【００３７】
発光層形成工程の下流には第７観察装置ＣＨ７が配置されている。第７観察装置ＣＨ７は、適切に発光層が形成されているか否かを観察する。第７観察装置ＣＨ７の下流には第７アライメントセンサＣＡ７が配置されている。
【００３８】
次に、絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉは第７アライメントセンサＣＡ７から位置情報を受けて、ポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクを、後述する透明電極ＩＴＯとショートしないように、ゲートバスラインＧＢＬ又はソースバスラインＳＢＬの一部に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより電気絶縁性インクを乾燥し硬化させる。
【００３９】
絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉの下流には第８観察装置ＣＨ８が配置されている。第８観察装置ＣＨ８は、電気絶縁性インクが塗布されているか否かを観察する。第８観察装置ＣＨ８の下流には第８アライメントセンサＣＡ８が配置されている。
【００４０】
その後、ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置２０ＩＴは、第８アライメントセンサＣＡ８から位置情報を受けて赤色、緑色及び青色発光層の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide インジウムスズ酸化物）インクを塗布する。ＩＴＯインクは、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に数％の酸化スズ（ＳｎＯ２）を添加した化合物であり、その電極は透明である。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。透明導電膜は、透過率が９０％以上であることが好ましい。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などによりＩＴＯインクを乾燥し硬化させる。
【００４１】
ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置２０ＩＴの下流には第９観察装置ＣＨ９が配置されている。第９観察装置ＣＨ９は、電気絶縁性インクが塗布されているか否かを観察する。
なお、有機ＥＬ素子５０は、正孔輸送層及び電子輸送層を設ける場合があるが、これらの層も印刷技術や液滴塗布法技術を活用すればよい。
【００４２】
有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、主制御部９０を有している。第１観察装置ＣＨ１ないし第９観察装置ＣＨ９で観察した信号及び第１アライメントセンサＣＡ１ないし第８アライメントセンサＣＡ８でのアライメント信号は、主制御部９０に送られる。また主制御部９０は、供給ロールＲＬ及びローラＲＲの速度制御を行う。
【００４３】
＜＜有機ＥＬ素子５０の構造＞＞
図２は、有機ＥＬ素子用の製造装置１００で製造された有機ＥＬ素子５０の概念図である。図２においては発光層ＩＲが形成されているがＩＴＯ電極が形成される前の状態である。図２に示すように、シート基板ＦＢの中央に有機ＥＬ素子５０が配置され、その外周部分には信号線駆動回路５１及び走査駆動回路５３が設けられている。信号線駆動回路５１にはソースバスラインＳＢＬが接続されており、そのソースバスラインＳＢＬは個々の有機ＥＬ素子５０に配線されている。また走査駆動回路５３にはゲートバスラインＧＢＬが接続されており、そのゲートバスラインＧＢＬは個々の有機ＥＬ素子５０に配線されている。また、図示しない共通電極なども有機ＥＬ素子５０には配線されている。
【００４４】
有機ＥＬ素子５０全体のシート基板ＦＢの周辺部は有機ＥＬ素子５０と比べて比較的線幅が大きくてもよい。このため、信号線駆動回路５１及び走査駆動回路５３には特に隔壁ＢＡを設けなくても液滴塗布装置２０でメタルインクＭＩを塗布するだけでも支障はない。
【００４５】
図３（ａ）は、図２の有機ＥＬ素子５０の一部を拡大したもので、発光層ＩＲ及びＩＴＯ電極が形成されたボトムコンタクト型の有機ＥＬ素子の状態を示した図である。図３（ｂ）及び（ｃ）は、（ａ）のｂ−ｂ断面図及びｃ−ｃ断面図である。有機ＥＬ素子５０は、シート基板ＦＢにゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、及び画素電極Ｐが形成され、さらに有機半導体層ＯＳ、発光層ＩＲ及びＩＴＯ電極が形成されている。
【００４６】
図３において、シート基板ＦＢは耐熱性の樹脂フィルムで構成されている。具体的には、シート基板ＦＢとして、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂などが使用される。
【００４７】
上述したように、シート基板ＦＢは、隔壁形成工程で熱転写の熱処理を受け、各種インクは熱処理装置ＢＫで乾燥又は焼成（ベーキング）しなければならいため、２００度Ｃ前後に加熱されることになる。シート基板ＦＢは、熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。
【００４８】
図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、隔壁ＢＡが存在することにより、正確で均一な電極又は発光層などを形成することができる。シート基板ＦＢがローラＲＲにより高速にＸ軸方向（長手方向）に送られるため、液滴塗布装置２０が正確に液滴を塗布できない可能性がある場合でも、正確で均一な電極又は発光層などを形成することができる。
なお、製造装置１００は図３に示した電界効果型トランジスタ以外にもいろいろな電界効果トランジスタを製造することができる。例えばトップゲート型の電界効果型トランジスタであっても、シート基板ＦＢ上に塗布するインクの順番を入れ替えるなどして形成することができる。
【００４９】
＜発光層形成工程の詳細＞
図４を使って、有機ＥＬ素子用の製造装置１００の発光層形成工程の詳細を説明する。
図４（ａ）において、シート基板ＦＢは、シート基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向に並ぶ薄膜トランジスタの配線用の隔壁ＢＡ及び画素用の隔壁ＢＡに対して、シート基板ＦＢの両側にそれぞれ少なくとも１つの第１マークＡＭを有している。また、例えば５０個の第１マークＡＭに対して１つの第２マークＢＭが第１マークＡＭの隣に形成されている。シート基板ＦＢは例えば２００ｍと長いため、第２マークＢＭはどこの行の薄膜トランジスタの配線用の隔壁ＢＡ及び画素用の隔壁ＢＡかを一定間隔ごとに確認し易くするために設けられている。一対の第６アライメントセンサＣＡ６は、この第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを検出し、その検出結果を主制御部９０に送る。
【００５０】
主制御部９０は、一対の第１マークＡＭを検出することで、Ｘ軸方向のずれ、Ｙ軸方向のずれ及びθ回転も検出される。また、シート基板ＦＢ両側だけでなく中央領域に第１マークＡＭを設けても良い。
【００５１】
第６アライメントセンサＣＡ６は、Ｘ軸方向に送られるシート基板ＦＢを常時観察し、その第１マークＡＭの画像を主制御部９０に送っている。主制御部９０は位置計数部９５を内部に備えており、位置計数部９５はシート基板ＦＢの形成された有機ＥＬ素子５０のうち、Ｙ軸方向に並ぶ有機ＥＬ素子５０の何番目の行であるかをカウントする。主制御部９０ではローラＲＲの回転を制御しているため、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇの位置に何番目の行の有機ＥＬ素子５０が送られているか、また第７観察装置ＣＨ７の位置に何番目の行の有機ＥＬ素子５０が送られているかを把握することができる。
【００５２】
位置計数部９５は第６アライメントセンサＣＡ６から送られた第２マークＢＭの画像に基づいて、第１マークＡＭによる行数の数え間違いがないかを確認する。例えば、微細インプリント用モールド１１の第１マークＡＭの箇所に不良があり、行数を正確に把握できないことを防止している。
【００５３】
赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅ、緑色発光層用の液滴塗布装置２０Ｇｒ及び青色発光層用の液滴塗布装置２０ＢＬは、Ｙ軸方向（列方向）に配置されており、複数列のノズル２２をＹ軸方向に配置し、またＸ軸方向（行方向）も複数行のノズル２２が配置している。図４では緑色発光層用の液滴塗布装置２０Ｇｒ及び青色発光層用の液滴塗布装置２０ＢＬを省き、赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅを代表して描いている。また以下の説明でも赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅを代表して説明する。
【００５４】
赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅは、第６アライメントセンサＣＡ６に基づく主制御部９０からの位置信号に応じて、ノズル２２からＲ溶液を塗布するタイミング、Ｒ溶液を塗布するノズル２２を切り換える。
【００５５】
赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅの下流には熱処理装置ＢＫが配置されており、熱処理装置ＢＫは赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅで塗布されたＲ溶液を乾燥させる。その熱処理装置ＢＫの下流には第７観察装置ＣＨ７が配置される。
【００５６】
第７観察装置ＣＨ７は観察した画像信号を主制御部９０に送り、主制御部９０では赤色発光層用の液滴塗布装置２０ＲｅがＲ溶液を塗布しなければならない領域と観察した画像信号とを比較することで、Ｒ溶液の塗布の欠陥箇所を特定する。この欠陥箇所は、Ｙ軸方向に関しては画像処理によって何列目の有機ＥＬ素子５０のどの位置にあったか、又は第１マークＡＭから何μｍ離れた位置にあったかが特定される。Ｘ軸方向の欠陥箇所は、位置計数部９５に基づいて何番目の行の有機ＥＬ素子５０にあったかが特定され、その行の有機ＥＬ素子５０のどの位置にあったかが特定される。
【００５７】
第１マークＡＭと第２マークＢＭは回折格子ＧＴで構成されている。第１マークＡＭは、図４（ｂ）の上段に示すようなＸ軸方向及びＹ軸方向に配置されるドット状の回折格子ＧＴである。ドット状の回折格子ＧＴの断面は図４（ｂ）の下段に示す形状である。なお、第２マークＢＭについて図示しないが第２マークＢＭも第１マークＡＭと同様なドット状の回折格子ＧＴである。
【００５８】
図４（ｃ）に第１マークＡＭ又は第２マークＢＭを検出するアライメントセンサＣＡを示す。第１マークＡＭ又は第２マークＢＭを検出するためには、これら第１マークＡＭ又は第２マークＢＭに対して、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（λ＝０．６３２８μｍ）などのコヒーレント光を照射する。そして、レンズＬＥＮを介してドット状の回折格子ＧＴからの±ｎ次像（ｎ＝  １，  ２，．．．）を検出する。
【００５９】
このドット状の回折格子ＧＴの間隔すなわち格子定数をＬとし、コヒーレント光の波長をλとし、コヒーレント光の照射角とアライメントセンサＣＡのは一方向との角度をθとすると、Ｌｓｉｎθ  ＝  ｎλ（ｎ＝  ±１，  ±２，．．．）の関係が成り立つ。
【００６０】
図４（ｃ）に示すグラフに示すように、アライメントセンサＣＡはドット状の回折格子ＧＴが存在する箇所では波形状の信号を検出し、回折格子がない箇所では信号が検出されない。このため、位置計数部９５は、検出された信号をデジタル化して、シート基板ＦＢの形成された有機ＥＬ素子５０のうち、Ｙ軸方向に並ぶ有機ＥＬ素子５０の何番目の行であるかをカウントする。従って、高速にかつ正確に有機ＥＬ素子５０の位置を把握することができる。また第１マークＡＭ又は第２マークＢＭが回折格子であるため、汚れなどの影響を受けにくい。
【００６１】
＜発光層ＩＲの第７観察装置ＣＨ７＞
図５は、第６アライメントセンサＣＡ６から第７観察装置ＣＨ７までの斜視図である。修理箇所の特定は他の工程でも基本的に同様である。なお、図５でも緑色発光層用の液滴塗布装置２０Ｇｒ及び青色発光層用の液滴塗布装置２０ＢＬを省き、赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅを代表して描いている。
【００６２】
主制御部９０は、その内部にＸ軸方向の位置をカウントする位置計数部９５、欠陥箇所つまり修理しなければならない修理箇所として特定する修理箇所特定部９６及び有機ＥＬ素子５０の設計寸法、修理箇所などを記憶する記憶部９７を有している。修理箇所特定部９６は、塗布量判定部９６１、発光色判定部９６２、及び塗布位置判定部９６３を備えている。
【００６３】
第６アライメントセンサＣＡ６は主制御部９０に接続されており、第６アライメントセンサＣＡ６は第１マークＡＭの画像信号を主制御部９０に送る。主制御部９０は、画像信号に基づいてシート基板ＦＢのＹ軸方向の位置及び傾きを測定し、また、シート基板ＦＢの両側の第１マークＡＭを測定することによりシート基板ＦＢのＹ軸方向の伸びも測定する。
【００６４】
主制御部９０はローラＲＲの回転も制御しているためシート基板ＦＢのＸ軸方向の移動速度も把握できており、第１マークＡＭに基づき赤色発光層用の液滴塗布装置２０ＲｅにＲ溶液を塗布するように信号を出力する。液滴塗布装置２０Ｒｅは各有機ＥＬ素子５０の画素電極ＰにＲ溶液を塗布する。その後、熱処理装置ＢＫは塗布されたＲ溶液を乾燥させる。
【００６５】
第７観察装置ＣＨ７は、その内部に短波長光源ＵＶ、レンズＬＥＮ及び一次元ＣＣＤなどを備えており、その一次元ＣＣＤの画像信号が主制御部９０に送られる。短波長光源ＵＶは波長５００ｎｍの青色光又は紫外光を照射する。これらの短波長光が発光層ＩＲに照射されると発光層ＩＲが励起されて蛍光光又はリン光（以下、リン光も含めて蛍光光という）を発光する。一次元ＣＣＤはこの蛍光光を画像信号として出力する。
【００６６】
塗布量判定部９６１は、蛍光光が発光している部分領域（ｋ行ｈ列分の行列ＭＡＴのデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ）））に基づいて、液滴塗布装置２０Ｒｅによって塗布されたＲ溶液の塗布量を把握する。塗布位置判定部９６３は、蛍光光が発光している部分領域に基づいて、液滴塗布装置２０Ｒｅによって塗布されたＲ溶液の塗布位置を把握する。修理箇所特定部９６は、記憶部９７に記憶されている設計値、つまり画素電極Ｐの面積又は位置と実際に液滴塗布装置２０Ｒｅで塗布されたＲ溶液の面積又は位置とを比較し、異なる箇所を欠陥箇所として特定する。なお、部分領域（ｋ行ｈ列分の行列ＭＡＴのデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ）））については後述する。
【００６７】
また、一次元ＣＣＤからの画像信号がカラーであれば、発光色判定部９６２は蛍光光が発光している部分領域に基づいて、画素電極Ｐに正しい発光色が塗布されているかを把握することができる。短波長光源ＵＶからの短波長光を発光層ＩＲに照射しない状態では発光層ＩＲは単色であり、青色、緑色又は赤色を区別することができない。修理箇所特定部９６は、記憶部９７に記憶されている設計値である発光色と実際に液滴塗布装置２０Ｒｅで塗布された色とを比較し、異なる箇所を欠陥箇所として特定する。
【００６８】
また、修理箇所特定部９６は、塗布量、塗布位置又は発光色の欠陥箇所が第１マークＡＭに対してＸ軸方向及びＹ軸方向にどれぐらいの距離（μｍ）であるかを特定できるとともに、位置制御部９５のカウントにより何行目の有機ＥＬ素子５０であるかをも特定する。特定した修理箇所は記憶部９７に記憶され、修理工程でこの修理箇所のデータが使用される。
【００６９】
図６（ａ）は、第７観察装置ＣＨ７で観察される有機ＥＬ素子５０とそれに重ねて表示した行列ＭＡＴを示している。
第７観察装置ＣＨ７の一次元ＣＣＤは、Ｙ軸方向の画素ピッチごとに画像データを出力することが可能であり、またシート基板ＦＢがＸ軸方向に一定速度で移動するためサンプリングタイムを調整することで、シート基板ＦＢのＸ軸方向の画像データを所定ピッチごとに出力することが可能である。すなわち、有機ＥＬ素子５０に対して細分化した部分領域の画像データを得ることができる。この画像データは行列ＭＡＴとして記憶部９７に記憶される。
【００７０】
図６（ａ）に示すように、第１マークＡＭがシート基板ＦＢに形成されているため、細分化された部分領域の画像データはＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報と関連付けられる。なお、図５に示した第７観察装置ＣＨ７の一次元ＣＣＤの画素ピッチ及びレンズＬＥＮの倍率などを変更することで、細分化される部分領域の大きさを変更することが可能である。
【００７１】
図６（ｂ）は、記憶部９７に行列ＭＡＴとして記憶される細分化された部分領域を示した図である。細分化された部分領域は、領域の位置情報とともにｋ行ｈ列分の行列ＭＡＴのデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ））として記憶部９７に記憶される。但し、一次元ＣＣＤの画素ピッチなどに合わせてｋ行ｈ列分の行列ＭＡＸを規定する必要はない。第７観察装置ＣＨ７は、画素電極Ｐの発光層ＩＲを観察するのが主目的であるから、有機ＥＬ素子５０の画素ごとに１つの行列を構成して記憶部９７に記憶してもよい。
【００７２】
＜第７観察装置ＣＨ７の構成＞
図７Ａは第７観察装置ＣＨ７の第１例であり、図７Ｂは第７観察装置ＣＨ７の第２例である。両図とも同じ構成には同じ符号を付している。
【００７３】
図７Ａは第７観察装置ＣＨ７の第１例を示しており、具体的には短波長光を照射して発光層ＩＲからの蛍光光を得るフォトルミネッセンスを利用した観察装置の模式図である。短波長光源ＵＶから照射される短波長光は紫外光域フィルターＦ１を介してビームスプリッタＢＳに入射する。短波長光源ＵＶはＵＶ−ＬＥＤ、水銀ランプ、ＹＡＧレーザーなどを使用することができる。紫外光域フィルターＦＩを用いることで短波長光源ＵＶから発生する可視光域の波長を除外することができる。短波長光はビームスプリッタＢＳで反射され、レンズＬＥＮを通過して有機ＥＬ素子５０の発光層ＩＲに向かう。レンズＬＥＮは短波長光を発光層ＩＲに集光させる。
【００７４】
特に、短波長光源ＵＶはＹＡＧレーザーの高周波を使用することが好ましい。ＹＡＧレーザーの基本波は１０６４ｎｍであり、その第３高調波（ＴＨＧ）である３５５ｎｍ、第４高調波（ＦＨＧ）である２６６ｎｍを発光層ＩＲに照射する。ＹＡＧレーザーの基本波の第３高調波又は第４高調波は、水銀ランプなどの光源と比べて単位面積当たりの輝度が高い。このため、ＹＡＧレーザーの基本波の第３高調波又は第４高調波が発光層ＩＲに照射されると、より明るい蛍光光を観察することができる。
【００７５】
短波長光が発光層ＩＲに照射されることで励起された蛍光光の一部は、レンズＬＥＮを通過してビームスプリッタＢＳに向かう。蛍光光はビームスプリッタＢＳを通過して可視光域フィルターＦ２を介して一次元ＣＣＤに入射する。可視光域フィルターＦ２を用いて短波長光による影響を少なくしている。一次元ＣＣＤはカラーセンサであり、図６に示したＹ軸方向（列方向）のｈ列分の部分領域を観察することができる。
【００７６】
シート基板ＦＢの移動速度が速いため又は蛍光光が少ないために行列ＭＡＴの列方向のデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ））の画像信号にノイズが多くなることがある。この場合にはシート基盤ＦＢが移動する速度に合わせてＣＣＤの蓄積箇所をずらしていくフレーム蓄積型メモリーを接続した二次元ＣＣＤを用意すればよい。この方式はＴＤＩ（Time Delayed Integration）方式と一般に呼ばれているＣＣＤの読み出し方式の一種である。
【００７７】
図７Ｂは第７観察装置ＣＨ７の第２例を示している。第１例と異なる構成のみを説明する。
短波長光が発光層ＩＲに照射されることで励起された蛍光光の一部は、レンズＬＥＮを通過してビームスプリッタＢＳに向かう。蛍光光はビームスプリッタＢＳを通過して第１ダイクロイックミラーＤＭ１で赤色の可視光のみが反射されて赤色用一次元ＣＣＤ−Ｒｅに向かう。第１ダイクロイックミラーＤＭ１を通過した可視光は第２ダイクロイックミラーＤＭ２で緑色の可視光のみが反射される、その緑色の可視光は緑色用一次元ＣＣＤ−Ｇｒに入射する。第２ダイクロイックミラーＤＭ２を通過した青色の可視光は青色用一次元ＣＣＤ−ＢＬに入射する。なお、ビームスプリッタＢＳと第１ダイクロイックミラーＤＭ１との間に可視光域フィルターＦ２を配置してもよい。
【００７８】
図８は、図５の発光層ＩＲの形成工程及びその修理箇所を記憶する工程でのフローチャートである。
ステップＰ１１において、アライメントセンサＣＡ５が第１マークＡＭを撮影し、主制御部９０に画像信号を送る。
ステップＰ１２において、主制御部９０は、第１マークＡＭの位置を算出するとともに、位置計数部９５が有機ＥＬ素子５０の行数をカウントする。第１マークＡＭは切断装置３０がソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの位置決めに使用されるとともに、有機ＥＬ素子５０の行数を特定することにも使用される。なお、図４で説明した第２マークＢＭを第６アライメントセンサＣＡ６が撮影することにより、有機ＥＬ素子５０の行数を特定してもよい。
【００７９】
ステップＰ１３では、第１マークＡＭの位置及び記憶部９７に記憶されている画素電極Ｐの位置に基づいて、発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅ，２０Ｇｒ，２０ＢＬで塗布からＲＢＧ溶液をシート基板ＦＢの画素電極Ｐに塗布する。その後、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより発光層用のＲＢＧ溶液を乾燥し硬化させる。
【００８０】
ステップＰ１４では、第７観察装置ＣＨ７は短波長光を発光層ＩＲに照射することで、発光層ＩＲからの蛍光光の画像信号を修理箇所特定部９６に送る。
【００８１】
次に、ステップＰ１５では、塗布量判定部９６１は、記憶部９７に記憶されている画素面積と実際の塗布されている面積の画像信号とを比較して、欠陥箇所を特定する。図６に示したｋ行ｈ列分の行列ＭＡＴのデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ））を用いれば、塗布面積は把握できる。
ステップＰ１６では、発光色判定部９６２は、記憶部９７に記憶されている発光色と実際の色信号とを比較して、欠陥箇所を特定する。
【００８２】
次に、ステップＰ１７では、塗布位置判定部９６３は、記憶部９７に記憶されている塗布位置と実際の塗布位置の画像信号とを比較して、欠陥箇所を特定する。なお、ｋ行ｈ列分の行列ＭＡＴのデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ））を用いれば位置も把握できるため、塗布量判定部９６１で塗布位置判定部９６３の機能を兼用しても良い。
ステップＰ１８では、欠陥箇所は修理されるべき修理箇所として、行数及び第１マークＡＭの位置からの距離として記憶部９７に記憶される。
【００８３】
図９は、行列ＭＡＸのデータＤｎ（ｍ，ｎ）に基づいて欠陥領域を特定し、その欠陥が修理で対応できるものか又は図１の製造装置１００の製造ラインを停止して保守が必要かを判定していく欠陥判定フローチャートである。
【００８４】
ステップＰ３１において、ｋ行ｈ列分の行列ＭＡＴのデータＤｎ（ｍ，ｎ）設定する。このフローチャートでは、有機ＥＬ素子５０の発光層に対して、図６（ａ）に示したようなデータＤｎ（ｍ，ｎ）が割り振られているものとする。
ステップＰ３２において、第７観察装置ＣＨ７は短波長光源ＵＶを照射して有機ＥＬ素子５０の発光層ＩＲを観測する。これによって行列ＭＡＴのデータＤｎ（ｍ，ｎ）が修理箇所特定部９６に送られる。
【００８５】
ステップＰ３３において、修理箇所特定部９６内の塗布量判定部９６１（図５参照）は、予め記憶部９７に記憶されている設計データに基づいてＤｎ（ｍ，ｎ）の部分領域がＲＧＢ溶液の塗布されている部分領域であるか否かを判断する。ＲＧＢ溶液が塗布されるべき部分領域であるにもかかわらず塗布されていなければ、欠陥箇所と判断してステップＰ３６に進む。
【００８６】
ステップＰ３４では、発光色判定部９６２がデータＤｎ（ｍ，ｎ）は予め記憶部９７に記憶されている設計データに基づいてＤｎ（ｍ，ｎ）の部分領域が赤色、緑色又は青色であるか否かを判定する。本来青色であるべき部分領域が赤色であったりすれば各県箇所として判定されればステップＰ３６に進む。
【００８７】
ステップＰ３５では、画素電極Ｐ上の発光層ＩＲに欠陥箇所がなかったと判定する。
ステップＰ３６では、その欠陥領域の数をカウントし、（ｍ−ｒ，ｎ−ｒ）と（ｍ＋ｒ，ｎ＋ｒ）に挟まれた正方領域内の欠陥箇所の数、すなわち欠陥密度を計算する。なお、正方領域内でなく長方形領域であってもよい。
ステップＰ３７では、正方領域内の欠陥箇所の数すなわち欠陥密度が閾値以上であるか否かを判定する。欠陥密度が閾値より高ければ欠陥箇所が一箇所に集まりすぎているため修理で対応できないとしてステップＰ３９に進み製造装置１００のラインを停止する。そして図１に示す製造装置１００の保守を行う。欠陥密度が閾値より低ければ修理ラインで修理するようにステップＰ３８に進む。
【００８８】
ステップＰ３８では不図示の修理ラインなどで欠陥領域を修理する。欠陥密度が閾値より低いということは欠陥領域が分散していることを意味する。従って修理しても修理領域が目立たない。なお、記憶部９７に位置情報とともに記憶されたデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ））が修理ラインに送られる。
ステップＰ３９では製造装置１００のラインを停止し、これ以上欠陥箇所が発生しないように保守作業がなされる。
【００８９】
以上の実施形態では、Ｒ、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ素子５０を形成する三色法にもとづき説明したが白色ＥＬとカラーフィルターを組み合わせる白色法や青色ＥＬや紫外ＥＬと色変換材料を組み合わせるＣＣＭ法にも有効である。
白色法では、白色ＥＬに紫外光を照射して、発生する複数の蛍光を光学フィルターで分離して観察することで、色のバランスを観察する。また、カラーフィルターを形成した後に同様の方法で蛍光を観察してもよい。ＣＣＭ法では、ＥＬ層からの蛍光を観察する方法の他、色変換素子を形成した後で同様な観察を行えば色のバランスを観察することが可能になる。また、紫外光による蛍光色が材料の性質により色度図で示されるＲＧＢがずれている場合、その波長に合わせて光学フィルターの透過率特性を合わせておくことが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
また、実施形態の製造装置１００には熱処理装置ＢＫを設けたが、発光層溶液などの改良によって熱処理が必要でないインク又は溶液が提案されている。このため、本実施例においても熱処理装置ＢＫを必ず設ける必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】可撓性の基板ＦＢに有機ＥＬ素子を製造する製造装置１００の構成を示した概略図である。
【図２】有機ＥＬ素子用の製造装置１００で製造された有機ＥＬ素子５０の概念図である。
【図３】図２の有機ＥＬ素子５０の一部を拡大したもので、発光層ＩＲ及びＩＴＯ電極が形成されたボトムコンタクト型の有機ＥＬ素子の状態を示した図である。
【図４】有機ＥＬ素子用の製造装置１００の電極形成工程で回折格子の第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを観察する概念図である。
【図５】第６アライメントセンサＣＡ６から第７観察装置ＣＨ７までの斜視図である。
【図６】第７観察装置ＣＨ７で観察される有機ＥＬ素子５０と、第７観察装置ＣＨ７で得られる行列ＭＡＴを示している。
【図７Ａ】第７観察装置ＣＨ７の第１例であり、短波長光を照射して発光層ＩＲからの蛍光光を得るフォトルミネッセンスを利用した観察装置の模式図である。
【図７Ｂ】第７観察装置ＣＨ７の第２例であり、短波長光を照射して発光層ＩＲからの蛍光光を得るフォトルミネッセンスを利用した観察装置の模式図である。
【図８】図５の発光層ＩＲの形成工程及びその修理箇所を記憶する工程でのフローチャートである。
【図９】欠陥箇所が修理できる箇所か製造ラインを保守する必要があるがあるかを判定するフローチャートである。
【符号の説明】
【００９２】
１０      インプリントローラ
１１      微細インプリント用モールド
１５      熱転写ローラ
２０      液滴塗布装置（２０ＢＬ  …青色発光層用の液滴塗布装置、２０Ｇ  …ゲート用液滴塗布装置、２０Ｇｒ  …緑色発光層用の液滴塗布装置、２０Ｉ  …絶縁層用の液滴塗布装置、２０Ｒｅ  …赤色発光層用の液滴塗布装置、２０ＩＴ  …ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置、２０ＯＳ  …有機半導体液滴塗布装置、２０ＳＤ  …ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置）
２２      ノズル
３０      切断装置
５０      有機ＥＬ素子
９０      主制御部
９５      位置計数部
９６      修理箇所特定部  （９６１…塗布量判定部、９６２…発光色判定部、９６３…塗布位置判定部）
９７      記憶部
１９０    修理用主制御部
１００    有機ＥＬ素子の製造装置
ＡＭ      第１マーク（アライメントマーク）
ＢＡ      隔壁
ＢＫ      熱処理装置
ＢＳ      ビームスプリッタ
ＣＡ      アライメントセンサ
ＣＣＤ    チャージカップルドデバイス
Ｄ        ドレイン電極
Ｆ１，Ｆ２  紫外光域フィルター、可視光域フィルター
ＦＢ      シート基板
Ｇ        ゲート電極
ＧＢＬ    ゲートバスライン
Ｉ        ゲート絶縁層
ＩＲ      発光層
ＩＴＯ    透明電極
ＬＡＭ    照明光源
ＬＥＮ    レンズ
ＬＬ      レーザー光
ＯＳ      有機半導体層
Ｐ        画素電極
ＲＬ      供給ロール
ＲＲ      ローラ
Ｓ        ソース電極
ＳＢＬ    ソースバスライン
ＵＶ      短波長光源
【図１】
2009093848.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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