(57)【要約】      （修正有）【課題】ＥＵＶ光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。【解決手段】基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）およびハフニウム（Ｈｆ）を含有し、前記吸収体層における、Ｈｆの含有率が２０〜６０ａｔ％であり、Ｔａの含有率が４０〜８０ａｔ％であり、酸素の含有率が２５ａｔ％未満であるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）およびハフニウム（Ｈｆ）を含有し、
前記吸収体層における、Ｈｆの含有率が２０〜６０ａｔ％であり、Ｔａの含有率が４０〜８０ａｔ％であり、酸素の含有率が２５ａｔ％未満であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記吸収体層は、窒素（Ｎ）の含有率が３５ａｔ％以下である請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記吸収体層において、ＴａとＨｆの組成比がＴａ：Ｈｆ＝７：３〜４：６であることを特徴とする請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記吸収体層は、Ｂ、ＳｉおよびＧｅの合計含有率が５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記吸収体層が、Ｚｒを０．１〜１．０ａｔ％含有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記吸収体層の結晶状態が、アモルファスであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記吸収体層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記吸収体層の膜厚が、５０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項９】
前記吸収体層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１０】
前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する前記保護層表面での反射光と、前記低反射層表面での反射光と、のコントラストが、３０％以上であることを特徴とする請求項９に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１１】
前記保護層が、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、ＳｉＯ2およびＣｒＮのいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１２】
前記吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する、前記低反射層表面の反射率が１５％以下であることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１３】
前記吸収体層が、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１４】
前記ＴａＨｆ化合物ターゲットの組成が、Ｔａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることを特徴とする請求項１３に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１５】
前記ＴａＨｆ化合物ターゲットが、Ｚｒを０．１〜５．０ａｔ％含有する請求項１３または１４に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項１６】
前記ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法が、酸素原子を含有するガスの合計分圧が１．０×１０-4Ｐａ以下で、水素を３％以下含む環境で実施される請求項１３ないし１５のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線をさし、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクは、フォトマスク製造用に用いられるパターニング前の積層体である。
ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。吸収体層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、ＣｒやＴａを主成分とする材料が用いられる。
【０００５】
特許文献１には、タンタルホウ素合金の窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルホウ素合金の酸化物（ＴａＢＯ）、及びタンタルホウ素合金の酸窒化物（ＴａＢＮＯ）が、ＥＵＶ光に対する吸収係数が高いことに加えて、パターン検査光の波長域（１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）の深紫外光の反射率が低いことから、吸収体層の材料として好ましいとされている。
また、特許文献１，２には、吸収体層表面を平滑性に優れた面にするためには、吸収体層の結晶状態がアモルファスであることが好ましいとされており、ＴａＢＮ膜、ＴａＢＯ膜およびＴａＢＮＯ膜の結晶状態をアモルファスとするためには、これらの膜におけるＢの含有率が５〜２５ａｔ％であることが好ましいとされている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−６７９８号公報
【特許文献２】特開２００４−６７９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、吸収体層をＴａＢＯ膜またはＴａＢＮＯ膜とした場合、膜のＯの含有率が増加すると、該吸収体層の絶縁性が増し、該吸収体層に電子線描画する際にチャージアップが起こるので好ましくない。
なお、ＥＵＶＬ用マスクの製造では、パターン幅約１２０ｎｍ以下の微細なマスクパターンを形成するため、プラズマエッチング、イオンビームエッチング、ガスクラスタイオンビームエッチングのようなドライエッチング法が通常は用いられる。
また、ＥＵＶＬ用マスクの製造時、吸収体層にパターン形成する際には、通常はドライエッチングプロセスが用いられ、エッチングガスとしては、塩素系ガス（あるいは塩素系ガスを含む混合ガス）ないしはフッ素ガス（あるいはフッ素系ガスを含む混合ガス）が通常用いられる。エッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止する目的で、反射層上に保護層としてＲｕまたはＲｕ化合物を含む膜が形成されている場合、保護層のダメージが少ないことから、エッチングガスとして主に塩素系ガスが使われる。
しかしながら、塩素系ガスを用いてドライエッチングプロセスを実施する場合に、吸収体層が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジストダメージが大きくなり好ましくない。
一方、吸収体層をＴａＢＮ膜とした場合、電子線描画時にチャージアップが発生するおそれはほとんどない。
【０００８】
吸収体層をＴａＢＮ膜とする場合、欠点が発生しにくい方法であるマグネトロンスパッタリング法などを用いて成膜することが多い。この際、例えば、ＴａターゲットおよびＢターゲットを使用し、窒素雰囲気中でこれらターゲットを同時に放電させることによってＴａＢＮ膜を形成することができる。また、ＴａＢの化合物ターゲットを用いて、該化合物ターゲットを窒素雰囲気中で放電させることによってもＴａＢＮ膜を形成することができる。
【０００９】
しかしながら、例えば、ＴａターゲットおよびＢターゲットを用いた手法の場合、Ｂターゲットは、抵抗値が高くかつ軽元素であるため、Ｔａターゲットと比較して成膜速度が１／１０以下であることが多い。そのため、特許文献１に記載されているように、膜の結晶状態をアモルファスにするのに必要なＢの含有率（５ａｔ％以上）を添加するためには、Ｔａターゲットの成膜速度を低下させる必要があるが、生産効率が著しく低下するため望ましくない。
一方、ＴａＢ化合物ターゲットを用いた手法において、例えばＢを２０ａｔ％、Ｔａを８０ａｔ％含む化合物ターゲットを使用した場合、実際に膜中に添加されるＢの最大含有率は６ａｔ％程度であり、膜のＢの含有率を５ａｔ％以上に制御するのは難しい。更に、Ｎを添加すると、膜のＢの含有率は４ａｔ％以下になり、膜の結晶状態をアモルファスにすることができない。
この問題を解決するため、ＴａＢ化合物ターゲット中のＢ含有量を更に増やすこと（例えばＢを５０ａｔ％、Ｔａを５０ａｔ％）によって、膜のＢの含有率の増加が期待されるが、ＴａＢターゲット中のＢの含有量が増すにつれて、ターゲットの密度が低くなることにより、加工性が悪くなる。さらに、ＴａＢターゲットの抵抗値が大きくなり、放電が不安定になるとともに、成膜速度が遅くなる。放電が不安定になることによって、膜の組成や膜厚にばらつきが生じたり、場合によっては成膜不能となるおそれがある。
【００１０】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、ＥＵＶマスクブランクとしての特性に優れ、特にＥＵＶ光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するＥＵＶマスクブランクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、吸収体層をＴａおよびＨｆを含有する膜（ＴａＨｆ膜）とすることにより、膜の結晶状態がアモルファスになり、光学特性に優れ、かつ膜中の酸素を低減することにより、エッチング特性に優れた、特にエッチングガスとして塩素系ガス（あるいは塩素系ガスを含む混合ガス）を使用した場合のエッチング特性に優れた吸収体層が得られることを見出した。さらに、このＴａＨｆ膜を吸収体層とした場合、成膜速度の低下を招かず、かつ安定的に製造できることを見出した。
【００１２】
本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）およびハフニウム（Ｈｆ）を含有し、
前記吸収体層における、Ｈｆの含有率が２０〜６０ａｔ％であり、Ｔａの含有率が４０〜８０ａｔ％であり、酸素の含有率が２５ａｔ％未満であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、「本発明のＥＵＶマスクブランク」という。）を提供する。
【００１３】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層は、窒素（Ｎ）の含有率が３５ａｔ％以下であることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層は、Ｂ、ＳｉおよびＧｅの合計含有率が５ａｔ％以下であることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層が、Ｚｒを０．１〜１．０ａｔ％含有してもよい。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層の結晶状態が、アモルファスであることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層の膜厚が、５０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００１４】
本発明のＥＵＶマスクブランクは、前記吸収体層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成されていてもよい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランクは、前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する前記保護層表面での反射光と、前記低反射層表面での反射光と、のコントラストが、３０％以上であることが好ましい。
【００１５】
反射層と吸収体層との間に保護層が形成されている場合、前記保護層が、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、ＳｉＯ2およびＣｒＮのいずれか１つで形成されることが好ましい。
【００１６】
吸収体層上に低反射層が形成されている場合、前記吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する、前記低反射層表面の反射率が１５％以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明のＥＵＶマスクブランクは、前記吸収体層が、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。
前記吸収体層は、酸素原子を含有するガス（例えば、Ｏ2、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等）が実質的に存在しない環境、具体的には、酸素原子を含有するガスの合計分圧が１．０×１０-4Ｐａ以下の環境で、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。
また、吸収体層中の酸素の含有率を低減させるため、スパッタリングガスとして水素（Ｈ2）を含むガスを使用してもよい。水素を含むガスを使用する場合、スパッタリングガスの水素濃度が３％以下であることが好ましい。
また、前記吸収体層は、窒素原子を含有するガス（例えば、Ｎ2、ＮＯ等）が実質的に存在しない環境、具体的には、窒素原子を含有するガスの合計分圧が１×１０-4Ｐａ以下の環境で、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。
ここで、前記ＴａＨｆ化合物ターゲットの組成が、Ｔａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが好ましい。
また、前記ＴａＨｆ化合物ターゲットが、Ｚｒを０．１〜５．０ａｔ％含有してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のＥＵＶマスクブランクは、吸収体層が電気抵抗率が低いＨｆを含有するため、吸収体層が電気抵抗率が高く、絶縁性のＢを含有する場合のように、吸収体層を成膜する際に成膜速度が低下したり、成膜時に放電が不安定になることがない。この結果、吸収体層を形成する際に膜組成や膜厚にばらつきが生じたり、さらには成膜不能になるといった問題が生じるおそれがない。
【００１９】
本発明のＥＵＶマスクブランクは、吸収体層の結晶状態がアモルファスであるため、吸収体表面が平滑性に優れている。この結果、吸収体層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなることがなく、パターンの寸法精度が悪化することがない。
また、吸収体層が、ＥＵＶ光の光線反射率、およびパターン検査光の波長域の光線反射率が低い等、ＥＵＶマスクブランクとして優れた特性を有している。
また、ＴａおよびＨｆを含有する吸収体層は、ＴａＢＮ膜に比べてエッチング速度が高いことから、エッチング時におけるレジストのダメージを低減する効果が期待される。
また、レジストのダメージ低減により、レジストの薄膜化が期待される。
しかも、本発明のＥＵＶマスクブランクでは、吸収体層の酸素含有率が２５ａｔ％未満ときわめて低いため、吸収体層が、エッチング特性、特にエッチングガスとして塩素系ガス（あるいは塩素系ガスを含む混合ガス）を使用した場合のエッチング特性に優れている。
【００２０】
さらに、吸収体層の窒素の含有率が３５ａｔ％以下であると、吸収体層の結晶状態がアモルファスとなりやすい、パターン検査光の波長域の光線反射率を低くできる、エッチング速度を高くできる、および電気抵抗率の増大を抑制できるという点でより優れている。
【００２１】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層上に低反射層を形成することにより、パターン検査光の波長域の光線反射率をさらに低くおさえることができ、該マスクブランクにパターン形成した後で実施されるパターン検査時のコントラストが良好である。さらに、前記低反射層の結晶構造がアモルファスであるため、吸収体表面が平滑性に優れている。この結果、吸収体層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなることがなく、パターンの寸法精度が悪化することがない。
【００２２】
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、スパッタリング法によって吸収体層および低反射層を形成する際、特定の組成を有するＴａＨｆ化合物ターゲットを用いることにより、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明のＥＵＶマスクブランクを説明する。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すマスクブランク１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４とがこの順に形成されている。反射層１２と吸収体層１４との間には、吸収体層１４へのパターン形成時に反射層１２を保護するための保護層１３が形成されている。吸収体層１４上には、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層１５が形成されている。但し、本発明のＥＵＶマスクブランク１において、図１に示す構成中、基板１１、反射層１２および吸収体層１４のみが必須であり、保護層１３および低反射層１５は任意の構成要素である。
以下、マスクブランク１の個々の構成要素について説明する。
【００２４】
基板１１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。そのため、基板１１は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０-7／℃であることが好ましく、特に好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。
基板１１は、表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１１の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
基板１１の反射層１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２５】
反射層１２は、ＥＵＶマスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層１２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を入射角６度で反射層１２表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。また、反射層１２の上に保護層１３や低反射層１５を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
【００２６】
反射層１２は、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が反射層１２として用いられる。反射層１２をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も用いることができる。
【００２７】
反射層１２をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択することができる。Ｍｏ／Ｓｉ反射膜を例にとると、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１２とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００２８】
なお、反射層１２をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を４０〜５０周期積層させることによりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜が成膜される。
【００２９】
反射層１２表面が酸化されるのを防止するため、反射層１２をなす多層反射膜の最上層は酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層１２のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示することができる。反射層１２をなす多層反射膜がＳｉ／Ｍｏ膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍであることが好ましい。
【００３０】
保護層１３は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収体層１４にパターン形成する際に、反射層１２がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層１２を保護することを目的として設けられる。したがって保護層１３の材質としては、吸収体層１４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層１４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ及びこれらの窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ＣｒＮおよびＳｉＯ2が好ましく、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）が特に好ましい。
保護層１３の厚さは１〜６０ｎｍであることが好ましい。
【００３１】
保護層１３は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜１０×１０-1Ｐａ）を使用して投入電力３０Ｗ〜５００Ｗ、成膜速度５〜５０ｎｍ／ｍｉｎで厚さ２〜５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
【００３２】
吸収体層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収体層１４表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランク１の吸収体層１４は、タンタル（Ｔａ）およびハフニウム（Ｈｆ）を以下に述べる特定の比率で含有することで上記の特性を達成する。
【００３３】
吸収体層１４のＨｆの含有率が２０〜６０ａｔ％である。吸収体層１４のＨｆの含有率が２０ａｔ％未満だと、吸収体層１４の結晶状態がアモルファスとなりにくい。吸収体層１４のＨｆの含有率が６０ａｔ％超だと、吸収体層のエッチング特性が悪化し、要求されるエッチング選択比を満足することが困難となる。
本発明のＥＵＶマスクブランクは、吸収体層１４のＨｆ含有率が上記範囲であることにより、吸収体層の結晶状態がアモルファスとなりやすく、吸収体表面が平滑性に優れている。また、吸収体層１４が、ＥＵＶ光の光線反射率、およびパターン検査光の波長域の光線反射率が低い等、ＥＵＶマスクブランクとして優れた特性を有している。
吸収体層１４のＨｆの含有率は、３０〜５０ａｔ％であることがより好ましく、３０〜４５ａｔ％であることがさらに好ましい。
【００３４】
なお、特許文献１には、極端紫外領域を含む短波長域の露光光の吸収体で構成する吸収体層を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体で構成する低反射層を上層とした二層構造の吸収体において、上層および下層に含まれる金属元素の一例としてＨｆが挙げられているが、ＴａおよびＨｆを含有する構成は全く記載されていない。また、特許文献１では、吸収体層をＴａＢＮ膜、ＴａＢＯ膜およびＴａＢＮＯ膜とした場合、結晶状態がアモルファスとなると記載されているが、Ｈｆを含む構成とした場合に結晶状態がアモルファスになるとは一切記載されていない。
なお、ＢやＳｉなどの元素を混合することで、金属結晶をアモルファス化できることは広く知られており、特許文献１ではそれを使用して吸収体層をアモルファス化することで表面を平滑化している。しかし、ＴａとＨｆという２つの金属元素を同時に含有する膜がアモルファス化することは知られておらず、特許文献１においても、ＴａおよびＨｆは吸収体層に含有可能な数多くの金属元素の一例として挙げられているにすぎない。
【００３５】
本発明によれば、ＢやＳｉなど、従来金属結晶のアモルファス化に寄与することが公知の元素を用いることなしに、吸収体層の結晶状態をアモルファス化できる。なお、従来金属結晶のアモルファス化に寄与することが公知の元素としては、Ｂ、Ｓｉ以外にＧｅが挙げられる。これらの元素は、金属結晶のアモルファス化に寄与するものであるが、吸収体層に含有させた場合に不可避な問題点も生じる。例えば、Ｂを含有させた場合、成膜に使用するターゲットの抵抗値が大きくなるため、放電が不安定になるとともに、成膜速度が遅くなる。放電が不安定になることによって、膜の組成や膜厚にばらつきが生じたり、場合によっては成膜不能となる等の問題が生じる。また、Ｓｉを含有させた場合、ＳｉのＥＵＶ吸収係数が小さいため、吸収体層のＥＵＶ光の吸収特性を低下させるという等の問題が生じる。
したがって、吸収体層１４は、これら元素を実質的に含有しないことが好ましく、これらの元素の合計含有率が５ａｔ％以下であることが好ましい。これらの元素の合計含有率は４ａｔ％以下であることがより好ましく、３ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
【００３６】
吸収体層１４において、Ｈｆを除いた残部はＴａであることが好ましい。したがって、吸収体層１４におけるＴａの含有率は、４０〜８０ａｔ％であることが好ましい。吸収体層１４におけるＴａの含有率は５０〜７０ａｔ％であることがより好ましく、５５〜７０ａｔ％であることがさらに好ましい。
【００３７】
なお、吸収体層１４は、必要に応じてＴａおよびＨｆ以外の元素を含んでいてもよい。この場合、吸収体層１４に含める元素は、ＥＵＶ光線の吸収特性等のマスクブランクとしての適性を満たす必要がある。
ただし、吸収体層１４中には、酸素（Ｏ）を含まないことが好ましい。具体的には、吸収体層１４中の酸素の含有率が２５ａｔ％未満である。吸収体層１４にパターン形成する際には、通常はドライエッチングプロセスが用いられ、エッチングガスとしては、塩素系ガス（あるいは塩素系ガスを含む混合ガス）ないしはフッ素ガス（あるいはフッ素系ガスを含む混合ガス）が通常に用いられる。エッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止する目的で、反射層上に保護層としてＲｕまたはＲｕ化合物を含む膜が形成されている場合、保護層のダメージが少ないことから、エッチングガスとして主に塩素系ガスが使われる。しかしながら、塩素系ガスを用いてドライエッチングプロセスを実施する場合に、吸収体層１４が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジストダメージが大きくなり好ましくない。吸収体層１４中の酸素の含有率は、１５ａｔ％以下であることが好ましく、特に１０ａｔ％以下であることがより好ましく、５ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
ただし、吸収体層１４中には、窒素（Ｎ）を含まないことが好ましい。具体的には、吸収体層１４中の窒素の含有率が３５ａｔ％以下であることが、吸収体層１４の結晶状態がアモルファスとなりやすい、パターン検査光の波長域の光線反射率を低くできる、エッチング速度を高くできる、および電気抵抗率の増大を抑制できるという点でより好ましい。吸収体層１４中の窒素の含有率が、１０ａｔ％以下であることがより好ましく、５ａｔ％以下であることがさらに好ましく、１ａｔ％以下であることがさらに好ましく、０．５ａｔ％以下であることがさらに好ましく、０．０５ａｔ％以下であることが特に好ましい。
【００３８】
ＴａおよびＨｆの合計含有率は、４５〜８０ａｔ％であることがより好ましく、４５〜７５ａｔ％であることがさらに好ましい。また、ＴａとＨｆの組成比は、７：３〜４：６であることがより好ましく、６．５：３．５〜４．５：５．５であることがさらに好ましく、６：４〜５：５であることがさらに好ましい。
【００３９】
吸収体層１４は、成膜時に使用するターゲットからのＺｒを０．１〜１．０ａｔ％含有してもよい。
【００４０】
吸収体層１４は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであることが好ましい。本明細書において、「結晶状態がアモルファスである」と言った場合、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。吸収体層１４が、アモルファス構造の膜または微結晶構造の膜であれば、吸収体層１４の表面が平滑性に優れている。
本発明のＥＵＶマスクブランク１では、吸収体層１４がアモルファス構造の膜または微結晶構造の膜であることにより、吸収体層１４表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であることが好ましい。ここで、吸収体層１４表面の表面粗さは原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて測定することができる。吸収体層１４表面の表面粗さが大きいと、吸収体層１４に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体層１４表面は平滑であることが要求される。
吸収体層１４表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、吸収体層１４表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収体層１４表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００４１】
なお、吸収体層１４の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。吸収体層１４の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
【００４２】
吸収体層１４は、上記の構成であることにより、エッチングガスとして塩素系ガス（あるいは塩素系ガスを含む混合ガス）を用いた通常のドライエッチングにおいてエッチング速度が速く、保護層１３とのエッチング選択比は１０以上を示す。本明細書において、エッチング選択比は、下記式を用いて計算できる。
エッチング選択比
＝（吸収体層１４のエッチング速度）／（保護層１３のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上であることがさらに好ましく、１２以上であることがさらに好ましい。
【００４３】
吸収体層１４は、上記の構成であることにより、電気抵抗率が低いため、電子線描画する際にチャージアップの問題が生じない。吸収体層１４の電気抵抗率は、０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、０．０１Ω・ｃｍ以下であることがさらに好ましく、０．００１Ω・ｃｍ以下であることがさらに好ましい。
【００４４】
吸収体層１４の厚さは、５０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００４５】
上記した構成の吸収体層１４は、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。
ここで、酸素原子を含有するガス（例えば、Ｏ2、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等）が実質的に存在しない環境、具体的には、酸素原子を含有するガスの合計分圧が１．０×１０-4Ｐａ以下の環境でスパッタリング法を実施することが好ましい。
また、窒素原子を含有するガス（例えば、Ｎ2、ＮＯ等）が実質的に存在しない環境、具体的には、窒素原子を含有するガスの合計分圧が１×１０-4Ｐａ以下の環境でスパッタリング法を実施することが好ましい。
これらを達成する環境として、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のような不活性ガス雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電することにより吸収体層１４を形成することが好ましい。
また、吸収体層中の酸素の含有率を低減させるため、スパッタリングガスとして水素（Ｈ2）を含むガスを使用してもよい。水素を含むガスを使用する場合、スパッタリングガスの水素濃度が３％以下であることが好ましい。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成の吸収体層を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。ＴａＨｆ化合物ターゲットは、Ｚｒを０．１〜５．０ａｔ％含有してもよい。
なお、電気抵抗率が低いＨｆを含有するＴａＨｆ化合物ターゲットを使用するため、電気抵抗率が高く絶縁性のＢを含有するＴａＢ化合物ターゲットを使用した場合と違い、成膜が非常に安定しており、膜組成や膜厚の制御を容易に行うことが可能である。
【００４６】
上記した方法で吸収体層１４を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ）
成膜前真空度：１×１０-4Ｐａ以下、好ましくは１×１０-5Ｐａ以下、より好ましくは１０-6Ｐａ以下
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
【００４７】
図１に示すように、本発明のＥＵＶマスクブランク１において、吸収体層１４上には低反射層１５が形成されていてもよい。低反射層１５を形成する場合、該低反射層１５はマスクパターンの検査に使用する検査光において、低反射となるような膜で構成される。ＥＵＶマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収体層１４がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収体層１４表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層１２表面または保護層１３表面であり、通常は保護層１３表面である。したがって、検査光の波長に対する保護層１３表面と吸収体層１４表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
【００４８】
上記した構成の吸収体層１４は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランク１の吸収体層として優れた特性を有しているが、検査光の波長について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長での吸収体層１４表面の反射率と保護層１３表面の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
【００４９】
本発明のＥＵＶマスクブランク１では、吸収体層１４上に検査光における低反射層１５を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる、別の言い方をすると、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなる。具体的には、検査光の波長領域の光線を低反射層１５表面に照射した際に、該検査光の波長の最大光線反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。
低反射層１５における検査光の波長の光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、保護層１３表面における検査光の波長の反射光と、低反射層１５表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、３０％以上となる。
【００５０】
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求めることができる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、検査光の波長におけるＲ2は保護層１３表面での反射率であり、Ｒ1は低反射層１５表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、図２に示すように、図１に示すＥＵＶマスクブランク１の吸収体層１４（および低反射層１５）にパターンを形成した状態で測定する。上記Ｒ2は、図２中、パターン形成によって吸収体層１４および低反射層１５が除去され、外部に露出した反射層１２表面または保護層１３表面で測定した値であり、Ｒ1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層１５表面で測定した値である。
本発明において、上記式で表されるコントラストが４５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
【００５１】
なお、本発明のＥＵＶマスクブランク１において、吸収体層１４上に低反射層１５を形成することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収体層１４上に低反射層１５層を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収体層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。
【００５２】
本発明のＥＵＶマスクブランク１は、反射層１２、保護層１３、吸収体層１４および低反射層１５以外に、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載されているものように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される高誘電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図１の基板１１において、反射層１２が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用することができる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍとすることができる。
高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
【実施例】
【００５３】
実施例１
本実施例では、吸収体層のエッチング特性を調べるために、Ｓｉチップ上に以下の条件でＴａＨｆ膜を成膜した。また、比較のためにＳｉチップ上にＲｕ膜も成膜した。いずれもマグネトロンスパッタ法を用いた。
吸収体層１４（ＴａＨｆ膜）の成膜条件
ターゲット：ＴａＨｆ化合物ターゲット（組成比：Ｔａ５５ａｔ％、Ｈｆ４５ａｔ％）
スパッタガス：Ａｒガス
投入電力：４００Ｗ
成膜速度：１．００ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：６０ｎｍ
成膜前真空度：４×１０-6Ｐａ
Ｒｕ膜の成膜条件
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：０．３Ｐａ）
出力：１５０Ｗ
成膜速度：０．２５ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．５ｎｍ
【００５４】
上記で成膜した吸収体層（ＴａＨｆ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＥＭＥＲ−ＰＨＩ社製：番号５５００）を用いて測定した。吸収体層（ＴａＨｆ膜）の組成比（ａｔ％）は、Ｔａ：Ｈｆ＝７５：２０（Ｔａの含有率が７５ａｔ％、Ｈｆの含有率が２０ａｔ％）である。吸収体層におけるＯの含有率は５ａｔ％以下である。また、吸収体層におけるＮの含有率は０．０５ａｔ％以下である。
【００５５】
エッチング特性については、以下の方法で評価した。
ＲＦプラズマエッチング装置の試料台（４インチ石英基板）上に、試料として上記に記載の方法でＴａＨｆ膜またはＲｕ膜が各々成膜されたＳｉチップ（１０ｍｍ×３０ｍｍ）を設置した。この状態で試料台に設置されたＳｉチップのＴａＨｆ膜またはＲｕ膜を以下の条件でプラズマＲＦエッチングした。
バイアスＲＦ：５０Ｗ
エッチング時間：１２０ｓｅｃ
トリガー圧力：３Ｐａ
エッチング圧力：１Ｐａ
エッチングガス：Ｃｌ2／Ａｒ
ガス流量（Ｃｌ2／Ａｒ）：２０／８０ｓｃｃｍ
電極基板間距離：５５ｍｍ
【００５６】
上記条件で成膜したＲｕ膜、およびＴａＨｆ膜についてエッチング速度を求め、下記式を用いてエッチング選択比を求め、吸収体層のエッチング特性を評価した。
エッチング選択比
＝（ＴａＨｆ膜のエッチング速度）／（Ｒｕ膜のエッチング速度）
ＴａＨｆ膜のエッチング選択比は以下の通りである。
ＴａＨｆ膜のエッチング速度：１９．８（ｎｍ／ｍｉｎ）
Ｒｕ膜のエッチング速度：１．４８（ｎｍ／ｍｉｎ）
Ｒｕ膜とのエッチング選択比：１３．３
保護層とのエッチング選択比は１０以上が望ましいが、ＴａＨｆ膜は十分なエッチング選択比を有していた。
【００５７】
比較例１
比較例１は、吸収体層が酸素を２５ａｔ％（含有率）以上含むこと以外は実施例１と同様の手順で実施した。
吸収体層は以下の条件で成膜した。
吸収体層（ＴａＨｆ膜）の成膜条件
ターゲット：ＴａＨｆ化合物ターゲット（組成比：Ｔａ５５ａｔ％、Ｈｆ４５ａｔ％）
スパッタガス：Ａｒガス
投入電力：４００Ｗ
成膜速度：１．５５ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：６０ｎｍ
成膜前真空度：４×１０-6Ｐａ
吸収体層の膜中の酸素は成膜中のガス圧を制御することにより調節した。
【００５８】
得られたＴａＨｆ膜の組成比（ａｔ％）を、実施例１と同様の方法で測定したところ、Ｔａ：Ｈａ：Ｏ＝５０：２５：２５であった。また、吸収体層におけるＮの含有率は０．０５ａｔ％以下である。
得られたＴａＨｆのエッチング特性を実施例１と同様の方法で評価したところ、
ＴａＨｆ膜のエッチング速度：２．０（ｎｍ／ｍｉｎ）
Ｒｕ膜とのエッチング選択比：１．３８
であった。酸素を２５ａｔ％以上含むＴａＨｆ膜は十分なエッチング選択比が得られなった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示すＥＵＶマスクブランク１の吸収体層１４（および低反射層１５）にパターン形成した状態を示している。
【符号の説明】
【００６０】
１：ＥＵＶマスクブランク
１１：基板
１２：反射層（多層反射膜）
１３：保護層
１４：吸収体層
１５：低反射層
【図１】
2009210802.tif 000003
【図２】
2009210802.tif 000004