(57)【要約】      （修正有）【課題】陰極配線抵抗を低減せしめた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。【解決手段】支持基板２上に、ストライプ状に形成された第一電極６と、有機ＥＬ層１０と、有機ＥＬ層１０上に第一電極６と交叉するようにストライプ状に配置された第二電極１２と、第一電極６および有機ＥＬ層１０上の面のうち、第一電極６と第二電極１２とが交叉する部分以外を被覆した画素分離膜８と、第二電極間を分離するために画素分離膜８上に第二電極１２と平行に配設され、該第二電極１２の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっている、少なくとも構造の一部が導電性の第二電極分離隔壁２２とを備えた有機ＥＬディスプレイであって、各第二電極１２と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁２２との間に形成された２つの間隙の一方少なくとも２箇所以上に金属２６が堆積され、第二電極と第二電極分離隔壁とが点接触されている有機ＥＬディスプレイ。【選択図】図４
2009266803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、第一電極、有機発光素子、第二電極が順次積層されていて、画素分離膜と第二電極分離隔壁を有する有機ＥＬディスプレイにおいて、第二電極分離隔壁が逆テーパー形状を含む金属であって、かつ第二電極形成後、第二電極長辺側一片に、少なくとも２箇所以上、有機金属ガスを導入した金属の堆積により、第二電極と第二電極分離隔壁が点接触し、補助電極を形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】
支持基板上に、ストライプ状に形成された第一電極と、
前記第一電極および支持基板上の面に積層された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に前記第一電極と交叉するようにストライプ状に配置された第二電極と、
前記第一電極および前記有機ＥＬ層上の面のうち、前記第一電極と第二電極とが交叉する部分以外を被覆した画素分離膜と、
前記第二電極間を分離するために前記画素分離膜上に該第二電極と平行に配設され、長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっている、少なくとも一部構造が導電性の第二電極分離隔壁とを備えた有機ＥＬディスプレイであって、
各第二電極と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁との間に形成された２つの間隙の一方少なくとも２箇所以上に金属が堆積され、第二電極と第二電極分離隔壁とが点接触している請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】
前記第二電極分離隔壁が、前記断面逆テーパーの構造体と前記画素分離膜との間に、逆テーパーでない導電性構造体を含むものであることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項４】
前記第二電極の厚さが、１０ｎｍ〜５００ｎｍである請求項１ないし３のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項５】
支持基板上に第一電極をストライプ状に形成する工程と、
前記第一電極および前記支持基板上の面のうち、前記第一電極と後にストライプ状に形成する第二電極とが交叉する部分以外に画素分離膜を形成する工程と、
前記画素分離膜上に、後に形成する第二電極と平行に、かつ長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなるように第二電極分離隔壁を形成する工程と、
有機ＥＬ層材料および第二電極材料を全面に順次積層することで前記第二電極分離隔壁間に有機ＥＬ層および第二電極を形成する工程と、
各第二電極と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁との間に形成された２つの間隙の一方、少なくとも２箇所以上に、有機金属ガスを導入した金属を堆積することにより前記第二電極分離隔壁と前記第二電極とを接続する工程とを含む有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項６】
前記第二電極分離隔壁を形成する工程が、
前記画素分離膜上に長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーでない金属を含む構造体を積層する段階と、前記逆テーパーでない構造体上に逆テーパー形状の構造体を積層する段階とを含むことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項７】
前記有機金属ガスを導入した金属の堆積が、イオンビームまたはレーザー光を用いて特定の領域を選択的に走査させて行われることを特徴とする請求項５または６に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項８】
前記有機金属ガスを導入した金属の堆積が、予備加熱を行った金属配管を用いて行われることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子の製造方法、特に、表示装置として用いられる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９８７年にイーストマンコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇにより２層積層構成のデバイスで高い効率の有機ＥＬ素子が発表されて以来（非特許文献１）、現在にいたる間に様々な有機ＥＬ素子が開発されて携帯端末などに一部実用化し始めている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いた表示装置にはパッシブマトリックス表示装置とアクティブマトリックス表示装置がある。前者は複数の陽極ラインと複数の陰極ラインが交差した画素位置に発光層が形成されており、各画素は１フレーム期間中選択された時間だけ点灯する。構造が単純であり製造コストは安価であり、画面サイズが小さい場合は主にこちらが用いられる。
カラー化の方法には、３色塗分け法、色変換法（以下ＣＣＭ法）、カラーフィルタ法などがある。この方式の中で、ＣＣＭ法、カラーフィルタ法は、成膜時にメタルマスクを用いる必要が無く、色変換層やカラーフィルタはフォトプロセスで基板上に作製すればよいため大面積、高精細化に関して有利である。
【０００４】
パッシブマトリクス型有機ＥＬ素子は透明な支持基板、例えばガラス基板表面に透明導電膜として知られるＩＴＯを第一電極としてストライプ状に所定間隔で配置されるように形成する。次いで有機発光層を含む有機層を形成した後、前記第一電極に直交するように第二電極を配置する。第二電極は電子を注入する陰極側の電極として蒸着で成膜した純Ａｌ（アルミニウム）などが用いられる。これらの交差する電極間に電圧を印加することにより、交差領域が発光する。これらの発光部を画素といい、この画素が複数個配列することにより表示部分が形成される。第一電極および第二電極の縁部は、電極形状が急激に変化するので電界集中が発生しやすい部位であり、有機発光層が絶縁破壊し、この結果起こる第一電極と第二電極の短絡により、第一電極上あるいは第二電極上に並列する全ての画素が常時発光する等の表示欠陥が発生する。第一電極と第二電極間の短絡を防ぐ方法として、画素分離膜が知られている。
【０００５】
例えば特許文献１に開示されるように、第一電極および第二電極の縁部に絶縁膜を形成する方法や、特許文献２に示されるように、絶縁膜材料としてポリイミド、酸化珪素、窒化珪素を用いる方法が示されている。第二電極をストライプ状に配置するためには、隣接するライン間で電気的絶縁性を確保するための隔壁が必要である。この第二電極分離隔壁としては、上部がオーバーハング部を有する、逆テーパーの断面構造を有するものが知られている。例えば特許文献３に示されるようにレジストによる逆テーパー断面の隔壁がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−５１４９４号公報
【特許文献２】特開平９−３３０７９２号公報
【特許文献３】特開平８−３１５９８１号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ，Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このパッシブ駆動の問題点のひとつに、高い駆動電圧がある。コラム側（データ電極、陽極）の各配線には１サブピクセル当たりの駆動電流に比べて、ロー側（スキャン電極、陰極）の配線には各サブピクセルを駆動するために注入した電流が流れ込むため、ロー側（陰極、第二電極）の配線には多くの電流が流れる。そのため大きな電圧降下をもたらし、駆動電圧上昇の原因の一つになっている。
【０００９】
これを解決するには第二電極（陰極）の配線抵抗を下げる必要がある。配線抵抗を下げるには前記第二電極の膜厚を厚くすることが必要となる。
しかしながら第二電極（陰極）の膜厚を厚くすると、有機発光素子部にパーティクルなど様々な膜欠陥により上下電極間で発生し輝点や暗線の原因になる微小なリークを上下電極間にバイアスをかけて絶縁破壊を誘引し除去する際、リーク点が除去しきれず短絡してしまう。
そこで第二電極（陰極）の膜厚を厚くすることなく第二電極の配線抵抗を下げることが必要となる。
【００１０】
また第二電極の抵抗を下げる別の方法のひとつとして、第二電極両側から配線を引き出し、両側に電流を分散させ実質的に第二電極の抵抗を下げる方法がある。しかしながらディスプレイに占めるコストの中で大きな要因の一つである駆動用ＩＣを減らし、たとえば１個のＩＣでディスプレイの駆動表示を行う場合、携帯電話に代表されるような小型携帯機器においては、持ち運び易さや見栄えより外影や額縁幅に制約がある。また携帯機器の持ち運び易さや重量の軽減から厚さにも制約がある。このため、分割して流すことで下げた抵抗を上げることなく支持基板外周に配線を引き回すことや、フレキシブル配線を引き回すことが難しい。
【００１１】
前記２項を解決する方法として、封止ガラスに配線を行い、コンタクト部と封止ガラス側のブリッジ配線を接続する方法もあるが、金属ボールなどによる第二電極と封止ガラス側の配線との接続工程において、第二電極分離隔壁をつぶしてしまい第二電極間で短絡を起こしてしまう問題がある。
【００１２】
また、補助配線として、金属を含み、逆テーパー形状を有する第二電極分離隔壁を利用した場合、逆テーパー形状にて有機ＥＬ層および第二電極を分離し、かつ逆テーパー形状の一片側で第二電極と第二電極分離隔壁を構成する金属との接続が必要となる。この場合、第二電極形成時もしくは第二電極形成後の補助配線との接続電極２６として、基板もしくは金属蒸発源をずらし、逆テーパー形状の一片の壁面のみ斜め方向に蒸着する方法が考えられるが、大面積で蒸着金属の進入方向を一様に制御することが難しく、付加価値の高い高精細パネルの製造においては高い歩留まりで第二電極と補助配線を接続することが難しい。
【００１３】
本発明の目的は、上記現状に鑑み、陰極の厚さを増やすことなく陰極配線抵抗を低減せしめた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、補助配線機能と第二電極分離機能を兼ねる逆テーパー形状の第二電極分離隔壁が金属もしくは金属を含む構造体で作製され、かつ第二電極形成後、有機金属ガスを導入し、Ｇａなどのイオンビームやレーザー光などを用い特定の領域に選択的に走査させ、第二電極長辺側一片に、少なくとも２箇所以上金属を堆積させ、第二電極と補助配線とを任意の場所で接続する。
本発明にかかる有機ＥＬディスプレイは、支持基板上に、ストライプ状に形成された第一電極と、前記第一電極および支持基板上の面に積層された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に前記第一電極と交叉するようにストライプ状に配置された第二電極と、前記第一電極および前記有機ＥＬ層上の面のうち、前記第一電極と第二電極とが交叉する部分以外を被覆した画素分離膜と、前記第二電極間を分離するために前記画素分離膜上に該第二電極と平行に配設され、長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっている、少なくとも一部構造が導電性の第二電極分離隔壁とを備えた有機ＥＬディスプレイであって、各第二電極と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁との間に形成された２つの間隙の一方少なくとも２箇所以上に金属が堆積され、第二電極と第二電極分離隔壁とが電気的に接続されているものである。
本発明にかかる有機ＥＬディスプレイは、前記第二電極分離隔壁が、前記断面逆テーパー形状の構造体と前記画素分離膜との間に、逆テーパー形状でない導電性構造体を含むものであることが好ましい。
本発明にかかる有機ＥＬディスプレイは、前記第二電極の厚さが、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。
本発明にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法は、支持基板上に第一電極をストライプ状に形成する工程と、前記第一電極および前記支持基板上の面のうち、前記第一電極と後に形成する第二電極とが交叉する部分以外に画素分離膜を形成する工程と、前記画素分離膜上に、後に形成する第二電極と平行に、かつ長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなるように第二電極分離隔壁を形成する工程と、有機ＥＬ層材料および第二電極材料を全面に順次積層することで前記第二電極分離隔壁間に有機ＥＬ層および第二電極を形成する工程と、各第二電極と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁との間に形成された２つの間隙の一方、少なくとも２箇所以上に、有機金属ガスを導入した金属を堆積することにより前記第二電極分離隔壁と前記第二電極とを接続する工程とを含んでなる。
本発明にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記第二電極分離隔壁を形成する工程が、前記画素分離膜上に金属を含み逆テーパーでない構造体を積層する段階と、前記逆テーパー形状でない構造体上に断面逆テーパーの構造体を積層する段階とを含むことが好ましい。
本発明にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記有機金属ガスを導入した金属の堆積が、イオンビームまたはレーザー光を用いて特定の領域を選択的に走査させて行われることが好ましい。
本発明にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記有機金属ガスを導入した金属の堆積が、予備加熱を行った金属配管を用いて行われることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明にかかる有機ＥＬディスプレイは、上記の構成及び方法を採ることによって、第二電極の膜厚を厚くすることなく、有機発光素子部に発生するパーティクルなど様々な膜欠陥による上下電極間の微小なリークを上下電極間にバイアスをかけて絶縁破壊を誘引し、リーク箇所を除去すること可能で、なおかつパネル外形を大きくすることなく配線抵抗を低減し、消費電力を低減した、陰極方向に輝度ムラのない有機ＥＬディスプレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例１の補助配線兼陰極分離壁および接続電極の形成過程を示す第一電極に沿った断面図である。
【図２】実施例１の補助配線兼陰極分離壁および接続電極の形成過程を示す第一電極長手方向に沿った断面図である。
【図３】実施例１の補助配線兼陰極分離壁および接続電極の形成過程を示す第一電極長手方向に沿った断面図である。
【図４】実施例１の補助配線兼陰極分離壁および接続電極の態様を示す第一電極長手方向に沿った断面図である。
【図５】実施例２の補助配線兼陰極分離壁および接続電極の態様を示す第一電極長手方向に沿った断面図である。
【図６】パッシブ駆動ＥＬパネルの陰極配線を含む面における概略断面図である。
【図７】比較例の陰極分離壁の態様を示す第一電極長手方向に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の有機ＥＬ素子は、色変換層、カラーフィルタを含むフルカラーパネルであり、第一電極を陽極、第二電極を陰極とするパッシブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイである。まず、透明基板の上にカラーフィルタ、色変換層を積層する。前記カラーフィルタ及び色変調層は、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法などを用いて各層の材料を塗布し、続いてフォトリソグラフ法などを用いてパターニングすることによって形成することができる。色変換層は、色変換色素とマトリクス樹脂からなる層である。色変換色素は、入射光の波長分布変換を行って、異なる波長域の光を放射する色素であり、好ましくは有機発光層からの近紫外光または青色〜青緑色の光の波長分布変換を行って、所望の波長域の光（たとえば、青色、緑色または赤色）を放射する色素である。色変換色素としては、赤色光を放射するローダミン系色素、シアニン系色素など；緑色光を放射するクマリン系色素、ナフタルイミド系色素など；青色光を放射するクマリン系色素など、当該技術で知られている任意のものを用いることができる。
【００１８】
前記の基板上には必要に応じて、カラーフィルタや色変換層の段差を緩和し、防湿層の密着性を確保するために有機樹脂層で被覆してもよい。有機樹脂層には、アクリル材料等の可視光の透過率の高い材料が用いられる。有機樹脂層は、通常１μｍ以上、好ましくは２μｍ〜１０μｍの範囲内の厚さを有することが望ましい。色変調部の上部には防湿層が形成される。防湿層は被覆するカラーフィルタ及び色変換層及び平坦化層から放出される水分が発光層側に伝播することを防止する防湿層として機能する。材料としてＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡＩＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘなどの絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物などを用いて形成することができる。通常の場合、防湿層は１００ｎｍ〜１μｍの膜厚を有して形成される。前記防湿層はプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法を用いて形成される。
【００１９】
配線電極４は複数の金属電極から構成され、スパッタ法を用いてＭｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕやそれらを含む合金をまたはそれらの金属や合金、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌなどの導電性金属酸化物との積層体として堆積させることによって形成される。配線電極は、通常５０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ〜２μｍ、より好ましくは１００〜４００ｎｍの範囲内の厚さを有することが望ましい。
【００２０】
第一電極は複数の透明電極を支持基板上にストライプ状に配置することで構成され、スパッタ法を用いてＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌなどの導電性金属酸化物を堆積させることによって形成される。第一電極は、波長４００〜８００ｎｍの光に対して好ましくは５０％以上、より好ましくは８５％以上の透過率を有することが好ましい。第一電極は、通常５０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１００〜３００ｎｍの範囲内の厚さを有することが望ましい。
【００２１】
次いで画素分離膜材料を積層する。画素分離膜は電気絶縁性が要求されるためアクリル樹脂、ノボラック樹脂などの高分子材料や無機材料が該当する。しかしながら、樹脂は通常、ウェットプロセスを経て積層されるものであるので、水分の含有があり、素子劣化を招きやすい。そのため無機であり、ドライエッチングが可能な材料が好ましく、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜が望ましい。前記画素分離膜材料の積層はスパッタ法、ＣＶＤ法により行われ、得られる膜厚は１００ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
【００２２】
次いで画素分離膜８のパターニングをフォトリソグラフィで行う。レジスト剤（「ＯＦＲＰ−８００」（商品名、東京応化製）などを塗布し、露光、現像により所定のパターンを形成する。このとき配線電極の第二電極とのコンタクト部および駆動ＩＣなどを含むフレキ接続部の上部絶縁材料が取り除けるようパターニングを行う。次いでＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３などのフッ素系ガスを用いてドライエッチングにより画素分離膜を所定のパターンに加工する。その際、画素分離膜の上部に配置される第二電極の導通が確保されやすいようにパターンの端は１０度〜３０度のテーパーをつけることが望ましい。
結果として画素分離膜は、前記第一電極および前記支持基板上の面のうち、前記第一電極と該第一電極に交叉して後にストライプ状に形成する第二電極とが交叉する部分以外に形成される。
【００２３】
ついで上記画素分離膜８上に、後に形成する第二電極と平行に、かつ該第二電極の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなるように第二電極分離隔壁２２を形成する。第二電極分離隔壁２２は少なくとも一部構造が導電性であり、少なくとも前記第二電極に面した隔壁壁面の一部が導電性である。第二電極分離隔壁２２における導電性部分は、壁面のみであってもよいし、隔壁の内部構造を含めて導電性材料で形成したものであってもよい。該導電性部分は例えば、金属もしくは金属を含む構造体で形成することができる。
第二電極分離隔壁２２の形状としては、第二電極の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっていれば特に限定されず、例えば、断面逆テーパーの構造体と前記画素分離膜との間に、逆テーパーでない導電性構造体を含むものであってもよい。「逆テーパーでない」断面形状には、テーパー（台形断面）、正方形断面、長方形断面が含まれる。
【００２４】
第二電極分離隔壁を形成する実施態様の一例を以下に示す。まず図１に示すように、第二電極分離隔壁形成予定部の両脇に１００〜２００ｍＰａ・ｓに増粘させたノボラック系樹脂を用いて１〜１０μｍ好ましくは３〜８μｍの土台形成用レジスト２０を塗布、形成する。このとき画素分離膜８の一部は土台形成用レジスト２０の裾によって覆われている。つぎに図２に示すように、スパッタ法を用いＭｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕやそれらを含む合金をまたはそれらの金属や合金２１を３〜１０μｍ、好ましくは４〜８μｍ堆積させる。次いでレジスト剤（「ＯＦＲＰ−８００」（商品名、東京応化製）などを塗布し、露光、現像、エッチングによりノボラック系樹脂で作製した所定の壁の内側（くぼみ）にパターンを形成する。次いで剥離液（「剥離液１０４」商品名、東京応化製）などを用いて金属パターン上部にあるレジストと下部壁（土台）にあるレジストの除去を行う。
このとき、引き続く工程で第二電極をストライプ状に配置するためには隣接するライン間で電気的絶縁性の隔壁が必要であるので、第二電極分離隔壁２２は上部がオーバーハング部を有する、逆テーパー形状の断面構造を有する必要がある。上記パターニングで金属を逆テーパー形状に形成しない場合、その金属体の上部に、クレゾール樹脂を用いてフォトリソグラフィでパターニングを行い、オーバーハング部を有する、逆テーパー形状の断面構造体を積層する。
以上の工程において図３に示すように画素分離膜８と第二電極分離隔壁２２とを有する基板が作製される。
【００２５】
次いで図４に示すように前記画素分離膜８と第二電極分離隔壁２２ａ，２２ｂとを有する基板に対して、有機ＥＬ層材料、第二電極材料を全面に順次積層することで第二電極分離隔壁２２ａ，２２ｂの間に有機ＥＬ層１０および第二電極１２を形成する。
有機ＥＬ層１０は、有機発光層を少なくとも含み、必要に応じて正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および／または電子注入層を含む。これらの各層は、それぞれにおいて所望される特性を実現するのに充分な膜厚を有して形成される。たとえば、下記のような層構成からなるものが採用される。
（１）有機発光層
（２）正孔注入層／有機発光層
（３）有機発光層／電子注入層
（４）正孔注入層／有機発光層／電子注入層
（５）正孔輸送層／有機発光層／電子注入層
（６）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層
（７）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層（上記の構成において、陽極として機能する電極が左側に接続され、陰極として機能する電極が右側に接続される）
【００２６】
有機発光層の材料としては、任意の公知の材料を用いることができる。たとえば、青色から青緑色の発光を得るためには、例えば縮合芳香環化合物、環集合化合物、金属錯体（Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体など）、スチリルベンゼン系化合物（４，４−ビス（ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）など）、ポルフィリン系化合物、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、芳香族ジメチリディン系化合物などの材料が好ましく使用される。あるいはまた、ホスト化合物にドーパントを添加することによって、種々の波長域の光を発する有機発光層を形成してもよい。ホスト化合物としては、ジスチリルアリーレン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジトリル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルビフェニルアミン（ＴＰＤ）、アルミニウムトリス（８−キノリノラート）（Ａｌｑ３）等を用いることができる。ドーパントとしては、ペリレン（青紫色）、クマリン６（青色）、キナクリドン系化合物（青緑色〜緑色）、ルブレン（黄色）、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、赤色）、白金オクタエチルポルフィリン錯体（ＰｔＯＥＰ、赤色）などを用いることができる。
【００２７】
正孔注入層の材料としては、Ｐｃ類（ＣｕＰｃなどを含む）またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。正孔輸送層は、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料を用いて形成することができる。用いることができる材料は、好ましくは、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ＭＴＤＡＰＢ（ｏ−，ｍ−，ｐ−）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡなどを含む。
【００２８】
電子輸送層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体；ＰＢＤ、ＴＰＯＢのようなオキサジアゾール誘導体；ＴＡＺのようなトリアゾール誘導体；以下に示す構造を有するもののようなトリアジン誘導体；フェニルキノキサリン類；ＢＭＢ−２Ｔのようなチオフェン誘導体などを用いることができる。電子注入層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムのキノリノール錯体などを用いることができる。また、任意選択的に、有機ＥＬ層と陰極として用いる電極との界面に、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはそれらを含む合金、アルカリ金属フッ化物などの電子注入性材料の薄膜（膜厚１０ｎｍ以下）で形成されるバッファ層を設けて、電子注入効率を高めてもよい。有機ＥＬ層を構成するそれぞれの層および任意選択的には、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。
【００２９】
第二電極１２は、複数の電極群からなり、高反射率の金属、アモルファス合金、微結晶性合金を用いて形成されることが好ましい。高反射率の金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなどを含む。高反射率のアモルファス合金は、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰおよびＣｒＢなどを含む。高反射率の微結晶性合金は、ＮｉＡｌなどを含む。第二電極を陰極として用いる場合には、第二電極と有機ＥＬ層との界面に、前述のバッファ層を設けて有機ＥＬ層に対する電子注入の効率を向上させてもよい。第二電極は、前記有機層の劣化防止のため、前述の有機層を形成した後、真空を破ることなく連続で形成することが好ましい。成膜には、蒸着法（抵抗加熱または電子ビーム加熱）、スパッタ法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。しかしながら、第二電極分離隔壁により電気的にストライプ状に分離される必要があることから、直進性が高く、回り込みが少ない蒸着法が望ましい。
第二電極１２の厚さとしては、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは、２００ｎｍ以下、さらに好ましくは、１５０ｎｍ以下であっても後述の第二電極分離隔壁との接続により、抵抗を充分小さくすることができる。また上記第二電極１２の厚さは、反射電極としての観点から好ましい下限を５０ｎｍとすることができる。
【００３０】
次に、図４に示すように第二電極分離隔壁２２ａとして作製した導電性構造体を補助配線として、該補助配線を第二電極１２と接続する。本工程も前記有機ＥＬ層１０の劣化防止のため、前述の有機ＥＬ層１０および第二電極１２を形成した後、真空を破ることなく連続で形成することが好ましい。
接続方法としては、第二電極１２を形成した後、各第二電極１２と各第二電極１２を両側から挟む第二電極分離隔壁２２ａ，２２ｂとの間に形成された２つの隙間の一方に有機金属ガスを導入し、少なくとも２箇所以上に金属２６を堆積させ、第二電極１２と補助配線とを任意の場所で接続する。好ましくは第二電極の両端を含む等間隔な箇所に堆積させる。少なくとも２箇所以上に堆積させるのは、第二電極１２と補助配線とが並列な配線構成になり、第二電極１２の抵抗によって発生する電圧降下による表示ムラを防止し、かつ表示にかかる消費電力を低減することができる。堆積箇所の数の好ましい上限は、
工程数、コスト等の観点から、１１箇所である。
【００３１】
上記堆積の方法としては、Ｇａなどのイオンビームやレーザー光などを用い第二電極と電極分離隔壁とを接続させたい領域を選択的に走査させて行うことが製造のし易さの観点から好ましい。
走査の条件としては、イオンビームを用いる場合、その電流量としては通常
０．５ｎＡ〜５ｎＡで行われ、段階的に電流量を変化させてもよい。ビームの入射角は、第二電極分離壁に形成される逆テーパー辺と、支持基板のなす角より小さく、第二電極分離壁の裾と、ビームの入射側で隣接する第二電極分離壁の上面端とからなす角度より大きくなる。
第二電極と補助配線との接触点の大きさとしては、１０μｍ２〜２００μｍ２であることが好ましい。１０μｍ２未満であると、接触として機能しない場合があり、２００μｍ２を超えると、生産性やコストの面で不利となる場合がある。
第二電極は複数本平行に配置されており、その各々について前記第二電極分離隔壁との間に２つの溝を有しているが、電気的絶縁性を確保するため、当然ながら、１つの第二電極分離隔壁の両側の第二電極と接続することはない。
このとき有機金属ガスは材料利用効率を高めるため、予備加熱を行った金属配管を用いて加熱蒸発させた有機金属ガスを堆積させたい領域にのみ吹き付け堆積させることが望ましい。予備加熱の温度としては、３０℃〜１００℃であることが有機金属をガス化させたまま保持する観点から好ましい。有機金属ガスは（ＣＨ３）３（ＣＨ３Ｃ５Ｈ４）Ｐｔやこれに類似した金属錯体であり、錯体金属としては、Ｐｔ、Ｗ、Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒであることが望ましい。次いでグローブボックス内乾燥窒素雰囲気下（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）に移動させ、図６に示すように吸湿剤１６を貼付した封止ガラス１８によって形成した素子全体を覆い、エポキシ系紫外線硬化接着剤１４を用いて密封を行う。
【実施例】
【００３２】
（実施例１）
本実施例は、本発明の実施態様の表示部３”モノクロ有機ＥＬディスプレイパネルを作成する例である。
（１）洗浄した２００ｍｍ□のガラス基板上に第一電極を形成する。ＤＣスパッタ法（ターゲットＩｎ−Ｚｎ酸化物、スパッタガス：Ｏ２およびＡｒ）を用い、室温において２００ｎｍのＩＺＯを全面に堆積させた。ついで、シュウ酸水溶液をエッチング液として用いるフォトリソグラフィ法によってパターニングして、幅０．１ｍｍ、ピッチ０．１５ｍｍの複数のストライプからなる第一電極を形成した。
【００３３】
（２）配線電極金属膜としてＡｌをスパッタリングにて成膜した。その際の条件は、ＤＣスパッタ法（ターゲット純アルミニウム、スパッタガス：Ａｒ、ガス圧０．５Ｐａ）を用い、室温において４００ｎｍを全面に堆積させた。フォトリソグラフィ法によってパターニングして、基板外周一辺に幅０．３ｍｍ、ピッチ０．４５ｍｍ、テーパー角３０度の複数本のストライプからなる配線電極を形成した。
【００３４】
（３）スパッタリング装置を用い、画素分離膜としてＳｉＯ２膜を３００ｎｍ成膜した。その際の条件は、単結晶シリコンをターゲットとし、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の分圧比を１対１とするスパッタガスを用いてパワー２、５ｋＷ、ガス圧０．５Ｐａで行った。次にポジ型レジスト（東京応化工業株式会社製：ＴＦＲ−１２５０）を塗布し、所定のパターンのマスクを用いて露光、現像を行い、レジストパターンを形成した。
【００３５】
（４）ＩＣＰプラズマ型ドライエッチング装置を用い、雰囲気をＳＦ６ガス１００ＳＣＣＭ、ＣＨＦ３ガス１００ＳＣＣＭ、Ａｒガスを２５０ＳＣＣＭ流して、ガス圧２０Ｐａ、印加電力１５００Ｗとし、エッチングを行った。その後前記装置でＯ２ガス５００ＳＣＣＭ、４０Ｐａ、印加電力２ｋＷでアッシングを行い、レジストを除去した。
【００３６】
（５）第二電極分離隔壁土台として１００ｍＰａ・ｓに増粘させたポジ型レジスト（東京応化工業株式会社製：ＴＦＲ−１２５０）を塗布し、フォトリソグラフィ法によって厚さ６μｍパターニングした。
【００３７】
（６）補助配線金属膜としての機能を備えた第二電極分離隔壁を形成するため、上記第二電極分離隔壁土台および画素分離膜を覆うようにＡｌをスパッタリングにて成膜した。ＤＣスパッタ法（ターゲット純アルミニウム、スパッタガス：Ａｒ、ガス圧０、５Ｐａ）を用い、室温において５μｍを全面に堆積させた。ついでポジ型レジスト（東京応化工業株式会社製：ＴＦＲ−１２５０）を塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして、幅０．０１５ｍｍ、ピッチ０．４５ｍｍ、の複数のストライプからなる補助配線を形成した。このとき補助配線下部は土台のレジストによって逆テーパー形状を有する。ついで剥離液（「剥離液１０４」商品名、東京応化製）を用いて金属パターン上部にあるレジストと下部壁（土台）にあるレジストの除去を行った。
【００３８】
（７）画素分離膜以下の構造を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して、真空槽内圧を１×１０−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層として、膜厚１００ｎｍの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を、正孔輸送層として、膜厚２０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を、有機発光層として、膜厚３０ｎｍの４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を、そして電子注入層として、膜厚２０ｎｍのＡｌｑ３を積層した。次に、真空を破ることなしに、膜厚２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（質量比１０／１）を第二電極（陰極）として堆積させた。
【００３９】
（８）前述の有機層をおよび第二電極を形成した後、有機層の劣化防止のため、真空を破ることなく連続で第二電極と補助配線とを点接触した。有機金属ガスとして４０℃で加熱した（ＣＨ３）３（ＣＨ３Ｃ５Ｈ４）Ｐｔを５０℃に予備加熱したノズルで導入し、Ｇａイオンビームを１箇所あたり２０μｍ×５μｍの領域にイオンビーム電流量１ｎＡで膜厚１０ｎｍ、３ｎＡで膜厚９０ｎｍの計膜厚１００ｎｍ、一つの第二電極配線あたり第二電極の長手方向に沿って両端および中央に計３箇所ずつ、第二電極配線ごとにＰｔを堆積させた。
【００４０】
こうして得られた有機ＥＬ素子を、酸素５ｐｐｍ，水分５ｐｐｍ以下の貼り合せ装置内に移動させ、アセトン洗浄と２００℃，５分間の真空加熱乾燥が終了した２００×２００ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの深さ０．３ｍｍザグリ（表示部裏面に対向する位置）付き無アルカリガラスをセットし、ザグリ部に乾燥剤を貼り付けておき、このザグリ外周接着部にディスペンサーでエポキシ系紫外線硬化接着剤を塗布した後、約９０ｋＰａ程度まで減圧して貼り合せを実施した。その後、加熱炉に入れて８０℃で１時間加熱後、炉内で３０分間自然冷却して取り出した。最後に、自動ガラススクライブ装置と自動ブレイク装置によって個々のパネルに分割した。
【００４１】
実施例２
図５に示すように第二電極分離隔壁２２として、画素分離膜８上に第二電極の長手方向に対して垂直な断面が長方形で、テーパーを有さない直方体の構造体（材料：Ａｌ）を補助配線２３としてスパッタ法とフォトリソグラフィを用いて形成し、次いで、該直方体の構造体を覆うようにネガ型レジスト（日本ゼオン製：ＺＰＮ１１６８）を塗布し、所定のパターンのマスクを用いて露光、現像を行い、補助配線上にレジストパターンを形成し、クリーンオーブンにて２２０℃で１時間加熱硬化を行い第二電極の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパー状の構造体２４を得たこと以外は実施例１と同様の方法で作製した。
【００４２】
比較例１
前記実施例１の補助配線を有さず、第二電極分離隔壁２２としてはネガ型レジスト（日本ゼオン製：ＺＰＮ１１６８）を塗布し、所定のパターンのマスクを用いて露光、現像を行い、レジストパターンのみを形成し、クリーンオーブンにて２２０℃で１時間加熱硬化を行い、図７に示すような有機ＥＬディスプレイ１００を得たこと以外は実施例１と同様の方法で作製した。
【００４３】
（評価）
配線抵抗の低減の効果を評価するため、Ｄｕｔｙ１／６０で、面輝度１５０ｃｄ／ｍ２となる駆動電圧で実施例１、２および比較例の見栄えを評価した。実施例においては面輝度１５０ｃｄ／ｍ２が得られたが、比較例１においては第二電極方向に輝度ムラが発生し、中心部の面輝度も１２０ｃｄ／ｍ２と輝度の低下が見られた。
【符号の説明】
【００４４】
１、１００  有機ＥＬディスプレイ
２、１０２  支持基板
４  配線電極
６、１０６  第一電極（陽極）
８、１０８  画素分離膜（絶縁膜）
１０  有機ＥＬ層（有機発光層）
１２、１１２  第二電極（陰極）
１４  封止接着剤
１６  吸湿剤
１８  封止ガラス
２０  土台形成用レジスト
２１  金属または合金
２２、２２ａ、２２ｂ、１２２  第二電極分離隔壁
２３  補助配線となる直方体の構造体
２４  断面逆テーパーの構造体
２６  接続電極（堆積された金属）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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