(57)【要約】【課題】大型の冷却機構を必要とせず、小型化可能なパワーモジュールを提供する。【解決手段】第１の基板主面６１、及びその第１の基板主面６１と対向する第２の基板主面６２を有する基板６０と、ソース電極１０ｓが形成された第１の主面１１、及びその第１の主面１１に対向した、第１の基板主面６１に接するドレイン電極１０ｄが形成された第２の主面１２を有し、第１の基板主面６１に配置されたスイッチング素子１０と、スイッチング素子１０の配置された領域の残余の領域において、第１の基板主面６１に配置された熱伝達部４０と、熱伝達部４０上に配置された上部冷却部５０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板主面、及び該第１の基板主面と対向する第２の基板主面を有する基板と、
第１の主電極が形成された第１の主面、及び該第１の主面に対向した、前記第１の基板主面に接する第２の主電極が形成された第２の主面を有し、前記第１の基板主面に配置された半導体素子と、
前記半導体素子の配置された領域の残余の領域において、前記第１の基板主面に配置された熱伝達部と、
前記熱伝達部上に配置された上部冷却部
とを備えることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項２】
前記半導体素子が、前記第１の主電極をソース電極とし、前記第２の主電極をドレイン電極とするスイッチング素子であることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項３】
前記基板がヒートスプレッタを有し、前記熱伝達部が前記ヒートスプレッタに接していることを特徴とする請求項１又は２に記載のパワーモジュール。
【請求項４】
前記熱伝達部が、前記第１の基板主面の法線方向の熱伝導率が該法線方向と異なる方向の熱伝導率より大きい異方性の熱伝導特性を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項５】
前記熱伝達部が、絶縁性の接着剤であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項６】
前記半導体素子の前記第１の主面上に配置され、前記上部冷却部と接する上面接合材を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直流電流を交流電流に変換するパワーモジュールに係り、特に半導体素子が基板上に搭載されたパワーモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーモジュールは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等のスイッチング素子をスイッチングさせることによって、直流電源から供給される直流電流を交流電流に変換し、交流モータ等を駆動する。特に、スイッチング素子の制御回路が一体化されたパワーモジュールをインテリジェント・パワーモジュール（ＩＰＭ）という。
【０００３】
ＩＧＢＴ等は発熱量が大きいため、パワーモジュールでは素子の放熱が問題となる。そのため、発生した熱を放出する放熱板等の冷却機構を配置する等の、パワーモジュールを冷却する対策が採られている（例えば特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−１４２２２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、パワーモジュールを構成する素子の表面はゲル等で断熱されているため、素子の発生する熱を、基板に接する素子の裏面のみから放出している。そのため冷却効率が低く、基板に大型の冷却機構を設置して放熱する必要があった。その結果、パワーモジュールを小型化することが困難であるという問題があった。
【０００５】
上記問題点を鑑み、本発明は、大型の冷却機構を必要とせず、小型化可能なパワーモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、（イ）第１の基板主面、及びその第１の基板主面と対向する第２の基板主面を有する基板と、（ロ）第１の主電極が形成された第１の主面、及びその第１の主面に対向した、第１の基板主面に接する第２の主電極が形成された第２の主面を有し、第１の基板主面に配置された半導体素子と、（ハ）半導体素子の配置された領域の残余の領域において、第１の基板主面に配置された熱伝達部と、（ニ）熱伝達部上に配置された上部冷却部とを備えるパワーモジュールが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、大型の冷却機構を必要とせず、小型化可能なパワーモジュールを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に、図面を参照して、本発明の第１乃至第３の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各部品の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【０００９】
又、以下に示す第１乃至第３の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１０】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るパワーモジュールは、図１に示すように、  第１の基板主面６１、及びその第１の基板主面６１と対向する第２の基板主面６２を有する基板６０と、第１の基板主面６１に配置されたスイッチング素子１０及び転流ダイオード２０と、スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の配置された領域の残余の領域において、第１の基板主面６１に配置された熱伝達部４０と、熱伝達部４０上に配置された上部冷却部５０とを備える。
【００１１】
スイッチング素子１０は、第１の主電極（ソース電極１０ｓ）が形成された第１の主面１１、及びその第１の主面１１に対向した、第１の基板主面６１に接する第２の主電極（ドレイン電極１０ｄ）が形成された第２の主面１２を有する。転流ダイオード２０は、第１の主電極（アノード電極２０ａ）が形成された第１の主面２１、及びその第１の主面２１に対向し、第１の基板主面６１に接する第２の主電極（カソード電極２０ｋ）が形成された第２の主面２２を有する。
【００１２】
基板６０は、メタルパターン層６３、絶縁層６４及びヒートスプレッタ６５が積層された構造を有する。図１に示した例では、絶縁層６４に接する面と対向するメタルパターン層６３の面が第１の基板主面６１である。また、絶縁層６４に接する面と対向するヒートスプレッタ６５の面が第２の基板主面６２である。
【００１３】
図２に、図１に示したパワーモジュールの上面図を示す。図１は、図２のＩ−Ｉ方向に沿った断面図である。図２は、上部冷却部５０を透過して基板６０、スイッチング素子１０と転流ダイオード２０、及び熱伝達部４０を示している。なお、図２ではスイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の各電極、ケース７０は図示を省略している。
【００１４】
基板６０のメタルパターン層６３には、スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０を用いた所望の回路を実現するための回路パターンが、金属膜を用いて形成されている。メタルパターン層６３に使用する金属膜には、アルミニウム（Ａｌ）膜や銅（Ｃｕ）膜等が採用可能である。絶縁層６４には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等が採用可能である。ヒートスプレッタ６５には、熱伝導率の高い材料、例えば熱伝導率が２００Ｗ／ｍＫ程度以上の材料が採用可能である。具体的には、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍＫ程度のＡｌや３７０Ｗ／ｍＫ程度のＣｕ等が使用できる。つまり、メタルパターン層６３の金属膜にＡｌを採用したＤＢＡ（ダイレクト・ブレイズド・アルミニウム）基板、或いはメタルパターン層６３の金属膜にＣｕを採用したＤＢＣ（ダイレクト・ボンディング・カッパ）基板等の熱伝導性絶縁基板が、基板６０に採用可能である。
【００１５】
図１は、スイッチング素子１０が、ソース電極１０ｓ及びゲート電極１０ｇが第１の主面１１に形成され、ドレイン電極１０ｄが第２の主面１２に形成されたｎｐｎ型ＩＧＢＴである例を示している。ＩＧＢＴ以外にも、第１の主面１１に配置された第１の主電極と第２の主面１２に配置された第２の主電極間に流れる主電流を制御電極によって制御可能な素子、例えばＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）等が、スイッチング素子１０に採用可能である。
【００１６】
スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の材料には、シリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ＡｌＮ、ダイヤモンド等が採用可能である。スイッチング損失や電力損失を抑制するために、ＳｉＣやＧａＮが好ましい。また、ＳｉＣやＧａＮを採用すると３００℃程度まで動作可能であるため、出力を高くするために基板温度が２００℃程度まで上昇する場合等に好ましい。更に、ＧａＮを採用することにより、高周波での駆動が可能になる。また、Ａｌ／ＡｌＮ／Ａｌの積層構造を有するＤＢＡ基板等のＡｌＮを含む基板を基板６０として採用した場合には、基板６０上に配置する素子にＡｌＮを採用することによって素子と基板の熱膨張係数が同等となり、熱応力の発生による素子破壊の問題も回避できる。更に、ＡｌＮはＳｉＣやＧａＮに比べて絶縁破壊係数が大きいため、基板６０上に配置する素子にＡｌＮを採用することにより耐圧を向上することができる。ダイヤモンドは上記の材料の物性値をすべて超えており、ダイヤモンドを採用することによってパワーモジュールの小型化を実現し、電力損失やスイッチング損失を大幅に低減できる。
【００１７】
スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の各電極は、直接又はボンディングワイヤを介して、メタルパターン層６３に形成されたメタルパターンと電気的に接続され、パワーモジュールを構成する。具体的には、スイッチング素子１０のドレイン電極１０ｄ及び転流ダイオード２０のカソード電極２０ｋはメタルパターン層６３に半田付け等により直接に接続され、スイッチング素子１０のソース電極１０ｓとゲート電極１０ｇ及び転流ダイオード２０のアノード電極２０ａは、図示を省略するボンディングワイヤによってメタルパターン層６３に接続される。或いは、スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の各電極は、ボンディングワイヤ等によって、パワーモジュールが格納されるケース７０内の配線パターンと接続する。ケース７０は、例えば合成樹脂等からなる。
【００１８】
スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０で発生した熱を効率的に放出するために、熱伝達部４０はできるだけスイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の近傍に配置することが好ましい。また、図１、図２では熱伝達部４０が１つ配置された例を示しているが、複数の熱伝達部４０を第１の基板主面６１に配置してもよい。例えば、ドレイン電極１０ｄが接続するメタルパターンと同一領域に１つの熱伝達部４０配置し、カソード電極２０ｋが接続するメタルパターンと同一領域に他の１つの熱伝達部４０を配置してもよい。この場合、熱伝達部４０は熱伝導率の高い絶縁性の材料、例えばエポキシ系接着剤等が採用可能である。具体的には、絶縁性のセラミックを主成分とし、最高稼動温度が２６０℃程度、熱伝導率が４〜５Ｗ／ｍＫ程度のエポキシ接着剤（グリース）等が熱伝達部４０に採用可能である。
【００１９】
或いは、メタルパターン層６３のメタルパターンと接触する熱伝達部４０の端部のみを絶縁性の材料とし、他の部分をＡｌやＣｕ等の導電体材料としてもよい。また、メタルパターン層６３のメタルパターンの存在しない領域に熱伝達部４０を配置する場合には、熱伝達部４０に導電体材料を採用可能である。導電体材料からなる熱伝達部４０は、例えば半田等を用いてメタルパターン層６３に接続される。
【００２０】
熱伝達部４０は、異方性の熱伝導特性を有することがより好ましい。具体的には、第１の基板主面６１の法線方向（以下において、単に「法線方向」という。）の熱伝導率が、その法線方向と異なる他の方向の熱伝導率より大きいことが、スイッチング素子１０や転流ダイオード２０の放熱の点から好ましい。つまり、スイッチング素子１０の第２の主面１２や転流ダイオード２０の第２の主面２２から基板６０を介して熱伝達部４０に伝達された熱が、熱伝達部４０を主に法線方向に伝播し、上部冷却部５０に伝達される。その結果、スイッチング素子１０や転流ダイオード２０で発生した熱が、効率よく上部冷却部５０に伝播される。
【００２１】
異方性の熱伝導特性を有する材料は、例えば、熱伝導率が高い炭素繊維（ＣＦ）や特殊炭素繊維（ＶＧＣＦ）と高熱伝導率金属（例えばＡｌ等）を複合化させた複合材料（例えば、Ａｌ／ＣＦ、Ａｌ／ＣＦ／ＶＧＣＦ等）である。これらの複合材料は、炭素繊維の繊維方向の熱伝導率が７００Ｗ／ｍＫ程度であるのに対して、他の方向の熱伝導率は２０〜５０Ｗ／ｍＫ程度である。
【００２２】
上部冷却部５０は、ヒートスプレッタ６５と同様に、熱伝導率の高い材料、例えば熱伝導率が２００Ｗ／ｍＫ程度以上の材料が採用可能である。具体的には、Ａｌ或いはＣｕ等が使用可能である。
【００２３】
図１に示したパワーモジュールに含まれる素子（スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０）、及び熱伝達部４０が基板６０に搭載された状態で、基板６０はケース７０に実装される。このとき、ヒートスプレッタ６５の絶縁層６４と接する面に対向する裏面（第２の基板主面６２）が外部に露出するように、基板６０はケース７０に実装される。そして、ケース７０の配線パターン（図示略）と素子間との接続等の必要なワイヤボンディングを行った後、封止膜３０によって封止される。
【００２４】
封止膜３０は、物理的な衝撃や周囲の空気中の放電による破壊からパワーモジュールに搭載される素子を保護するために、スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の周囲を覆うように形成される。封止膜３０には、例えばシリコン樹脂或いはエポキシ樹脂からなるゲル状の材料等が採用可能である。
【００２５】
封止膜３０は、熱伝達部４０の上面が封止膜３０から露出するように形成される。そして、露出した熱伝達部４０の上面に接するように上部冷却部５０が配置される。その結果、スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０で発生した熱は、基板６０及び熱伝達部４０を介して上部冷却部５０に伝達される。上部冷却部５０から放熱するためには、自然冷却であってもよい。或いは、パワーモジュールを搭載したケース７０に冷却装置を取り付けて、ファンによる空冷或いは水冷等によって強制的に上部冷却部５０を冷却してもよい。
【００２６】
図１に示したパワーモジュールを使用する回路例を図３に示す。図３に示したパワーモジュールは３相ＰＷＭ（パルス幅変調）インバータよりなる電力変換回路であり、高圧直流電源線であるＰ電源線２０１と低圧直流電源線であるＮ電源線２０２を備え、Ｐ電源線２０１とＮ電源線２０２間にそれぞれ配置されたＵ相出力部１１０、Ｖ相出力部１２０及びＷ相出力部１３０を有する。Ｕ相出力部１１０、Ｖ相出力部１２０及びＷ相出力部１３０は、高圧側ユニット１０１と低圧側ユニット１０２をそれぞれ有する。
【００２７】
高圧側ユニット１０１と低圧側ユニット１０２は同一の構成であり、図１に示したスイッチング素子１０と転流ダイオード２０が並列接続された構成である。高圧側ユニット１０１に含まれるスイッチング素子１０のドレイン電極１０ｄと転流ダイオード２０のカソード電極２０ｋは、Ｐ電源線２０１に接続される。高圧側ユニット１０１に含まれるスイッチング素子１０のソース電極１０ｓと転流ダイオード２０のアノード電極２０ａは、低圧側ユニット１０２に含まれるスイッチング素子１０のドレイン電極１０ｄと転流ダイオード２０のカソード電極２０ｋとの接続点に接続される。低圧側ユニット１０２に含まれるスイッチング素子１０のソース電極１０ｓと転流ダイオード２０のアノード電極２０ａは、Ｎ電源線２０２に接続される。
【００２８】
また、高圧側ユニット１０１及び低圧側ユニット１０２に含まれるスイッチング素子１０のゲート電極１０ｇは、制御回路（ゲートドライブ回路）３００に接続される。制御回路３００によってスイッチング素子１０の動作（オン／オフ）が制御され、Ｐ電源線２０１及びＮ電源線２０２から供給される直流電流が交流電流に変換される。
【００２９】
スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の各電極は、直接又はボンディングワイヤを介して、メタルパターン層６３に形成されたメタルパターン或いはパワーモジュールが格納されるケース７０内の配線パターンと電気的に接続され、図３に示したパワーモジュールを構成する。なお、図３に示すように、Ｕ相出力部１１０、Ｖ相出力部１２０及びＷ相出力部１３０の高圧側ユニット１０１と低圧側ユニット１０２との各接続点から、Ｕ相交流出力ｕ、Ｖ相交流出力ｖ、及びＷ相交流出力ｗがそれぞれ出力される。Ｕ相交流出力ｕ、Ｖ相交流出力ｖ、及びＷ相交流出力ｗにより、例えばＵ相、Ｖ相及びＷ相の３つの相(コイル)を持ったモータの各相に位相の異なる交流電流を流すことによって、モータが回転する。
【００３０】
図１に示したパワーモジュールでは、スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０で発生した熱が、ヒートスプレッタ６５から放出されると同時に、基板６０、熱伝達部４０及び上部冷却部５０を伝播し、上部冷却部５０からパワーモジュールの外部に放出される。つまり、図１に示したパワーモジュールでは、パワーモジュールの表面（上部冷却部５０の上面５１）及び裏面（第２の基板主面６２）の両面から熱が放出される。そのため、基板６０の裏面からのみ放熱する場合よりも効率的に放熱できる。その結果、例えば熱によって封止膜３０にクラックが発生する等の問題を回避できる。
【００３１】
以上に説明したように、本発明の第１の実施の形態に係るパワーモジュールでは、パワーモジュールの上面と下面の両方から放熱できるため、冷却能力が向上する。その結果、図１に示したパワーモジュールによれば、大型の冷却機構を必要とせず、小型化が可能なパワーモジュールを提供することができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係るパワーモジュールは、図４に示すように、熱伝達部４０が基板６０のヒートスプレッタ６５に接していることが、図１に示したパワーモジュールと異なる点である。図５に、図４に示したパワーモジュールの上面図を示す。図４は、図５のＩＩ−ＩＩ方向に沿った断面図である。図５は、上部冷却部５０を透過して基板６０、スイッチング素子１０と転流ダイオード２０、及び熱伝達部４０を示している。図５ではスイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の各電極、ケース７０は図示を省略している。
【００３３】
図４及び図５に示すように、基板６０のメタルパターン層６３及び絶縁層６４に開口部が設けられ、この開口部において露出されて第１の基板主面６１となるヒートスプレッタ６５の表面に、熱伝達部４０の端部が接している。その他の構成については、図１に示す第１の実施の形態と同様である。
【００３４】
図４及び図５に示したパワーモジュールでは、パワーモジュールに含まれる半導体素子（スイッチング素子１０、転流ダイオード２０）で発生し、メタルパターン層６３及び絶縁層６４を介してヒートスプレッタ６５に伝播した熱が、ヒートスプレッタ６５から熱伝達部４０を介して上部冷却部５０にも伝達される。つまり、スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０で発生した熱が、ヒートスプレッタ６５の裏面（第２の基板主面６２）からだけでなく、上部冷却部５０の上面５１からも放熱される。
【００３５】
以上に説明したように、本発明の第２の実施の形態に係るパワーモジュールでは、パワーモジュールの上面と下面の両方から効率的に放熱できるため、冷却能力が向上する。その結果、図４に示しパワーモジュールによれば、大型の冷却機構を必要とせず、小型化が可能なパワーモジュールを提供することができる。他は、第１の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００３６】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係るパワーモジュールは、図６に示すように、スイッチング素子１０の第１の主面１１上に配置され、上部冷却部５０と接する上面接合材８１、及び転流ダイオード２０の第１の主面２１上に配置され、上部冷却部５０と接する上面接合材８２を更に備えることが、図１に示したパワーモジュールと異なる点である。その他の構成については、図１に示す第１の実施の形態と同様である。
【００３７】
図６に、図７に示したパワーモジュールの上面図を示す。図７は、上部冷却部５０を透過して基板６０、スイッチング素子１０と転流ダイオード２０、熱伝達部４０、及び上面接合材８１、８２を示している。図７に示すように、ソース電極１０ｓ及びゲート電極１０ｇの上面の一部が露出するように、上面接合材８１はスイッチング素子１０の第１の主面１１上に配置されている。同様に、アノード電極２０ａの上面の一部が露出するように、上面接合材８２は転流ダイオード２０の第１の主面２１上に配置されている。第１の主面１１の上面接合材８１に覆われていない領域や第１の主面２１の上面接合材８２に覆われていない領域にボンディングワイヤーを接続すること等により、ソース電極１０ｓ、ゲート電極１０ｇ及びアノード電極２０ａと、メタルパターン層６３に形成されたメタルパターン或いはケース７０内の配線パターンとを接続できる。
【００３８】
上面接合材８１、８２は、熱伝導率の高い絶縁性の接合材であり、例えばエポキシ系接着剤等が採用可能である。具体的には、絶縁性のセラミックを主成分とし、最高稼動温度が２６０℃程度、熱伝導率が４〜５Ｗ／ｍＫ程度のエポキシ接着剤（グリース）等が採用可能である。或いは、熱伝導率の高い絶縁性の部材と金属の部材を積層して上面接合材８１、８２を構成してもよい。上部冷却部５０がＡｌやＣｕ等の金属部材である場合には、上部冷却部５０及び上面接合材８１、８２を介してスイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の各電極がショートしないように、上面接合材８１、８２は絶縁部分を含む必要がある。
【００３９】
なお、図４に示したパワーモジュールと同様に、図６に示したパワーモジュールの熱伝達部４０が基板６０のヒートスプレッタ６５に接していてもよい。
【００４０】
本発明の第３の実施の形態に係るパワーモジュールでは、スイッチング素子１０及び転流ダイオード２０の上面から上部冷却部５０に熱が伝搬する。図６に示したように、パワーモジュールに含まれる素子（スイッチング素子１０、転流ダイオード２０）の上面（第１の主面１１、２１）は、下面（第２の主面１２、２２）と異なりメタルパターン層６３や絶縁層６４と接していない。そのため、素子の上面から放熱する方が、素子の下面から放熱するよりも効率的である。他は、第１の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００４１】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１乃至第３の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４２】
既に述べた第１乃至第３の実施の形態の説明においては、パワーモジュールが３相ＰＷＭインバータよりなる電力変換回路である例を示したが、２相或いは４相以上の交流電流を出力するパワーモジュールであってよい。また、パワーモジュールがスイッチング素子１０及び転流ダイオード２０を有する例を示したが、他の素子を含んでもよいことは勿論である。
【００４３】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るパワーモジュールの模式的な側面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るパワーモジュールの模式的な上面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るパワーモジュールを用いた回路構成例を示す回路図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係るパワーモジュールの模式的な側面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るパワーモジュールの模式的な上面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係るパワーモジュールの模式的な側面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係るパワーモジュールの模式的な上面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０…スイッチング素子
１０ｄ…ドレイン電極
１０ｇ…ゲート電極
１０ｓ…ソース電極
１１…第１の主面
１２…第２の主面
２０…転流ダイオード
２０ａ…アノード電極
２０ｋ…カソード電極
２１…第１の主面
２２…第２の主面
３０…封止膜
４０…熱伝達部
５０…上部冷却部
６０…基板
６１…第１の基板主面
６２…第２の基板主面
６３…メタルパターン層
６４…絶縁層
６５…ヒートスプレッタ
７０…ケース
８１、８２…上面接合材
１０１…高圧側ユニット
１０２…低圧側ユニット
１１０…Ｕ相出力部
１２０…Ｖ相出力部
１３０…Ｗ相出力部
２０１…Ｐ電源線
２０２…Ｎ電源線
３００…制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2009105389.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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