(57)【要約】      （修正有）【課題】放射線画像データのＥＭＩ起源のアーティファクト及び雑音を解消する。【解決手段】ＥＭＩによって影響されたＸ線画像データがオフセット・データと共に従来の態様で収集され、ＥＭＩ特性表現データがこの後に直ちに、ディジタル検出器の横列をディスエーブルにすることにより収集される。すると、ＥＭＩ特性表現データは、画像データの存在による影響を受けなくなり、このＥＭＩ特性表現データを用いてＥＭＩの振幅及び周波数を特性決定することができる。ＥＭＩ特性表現データの収集は画像データ及びオフセット・データの収集の直後に同じ取得系列において行なわれるため、ＥＭＩ特性表現データは、収集された画像データ及びオフセット・データと位相が揃っていることが確実となる。このようにして、ＥＭＩの存在によるアーティファクトが補正済みデータに基づいて再構成画像から解消される。【選択図】図１
2009279408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線画像データ（７６）及び電磁干渉により生ずるデータ（７８）を含む第一のデータを、ディジタル検出器（２２）を介して取得するステップ（９６）と、
電磁干渉により生ずるデータ（７８）を含むがＸ線画像データは含まない第二のデータを、前記ディジタル検出器（２２）を介して取得するステップ（９８）と、
少なくとも前記第二のデータに基づいて前記電磁干渉を推定するステップ（８０）と、
前記特性決定された電磁干渉に基づいて前記第一のデータを補正するステップ（８４）と
を備えたＸ線画像データを処理するコンピュータ利用型方法。
【請求項２】
前記第一のデータに対する前記電磁干渉の影響が前記第二のデータに対する前記電磁干渉の影響と位相が揃う（１１０）ように前記第二のデータの取得を前記第一のデータの取得のタイミングと合わせる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第二のデータの取得（９８）は前記第一のデータの取得（９６）に続いて直ちに行なわれる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第一のデータは読み出し用の検出器横列（５６）をイネーブルにして取得され、前記第二のデータは読み出し用の前記検出器横列（５６）をディスエーブルにして取得される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
オフセット画像データ及び電磁干渉により生ずるデータを含む第三のデータを取得するステップ（１００）と、電磁干渉により生ずるデータを含むがオフセット・データは含まない第四のデータを取得するステップ（１０２）と、前記電磁干渉の特性決定に基づいてオフセット・データを補正するステップとを含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第一のデータに対する前記電磁干渉の影響が前記第二のデータに対する前記電磁干渉の影響と位相が揃うように前記第三のデータの取得（１００）を前記第一のデータの取得（９６）のタイミングと合わせる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記電磁干渉を推定するステップ（８０）は、前記電磁干渉の大きさ及び周波数を推定することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記検出器（２２）の複数の関心領域に対する前記電磁干渉の複数の推定値を局所化するステップを含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記検出器（２２）の一つの縦列群（５８）について前記第二のデータを平均するステップと、各々の群について前記電磁干渉を推定するステップとを含んでいる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記それぞれの関心領域（１４４）に対応する第一のデータの部分が、前記電磁干渉の前記それぞれの局所化された推定値に基づいて補正される、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディジタルＸ線イメージング・システムに関し、具体的には、かかるシステムによって取得される画像データにおいて電磁干渉（ＥＭＩ）の影響を補正する手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な設計の多数の放射線イメージング・システムが公知であり、現に利用されている。かかるシステムは一般的には、着目した被検体に向けて照射されるＸ線の発生に基づく。Ｘ線は被検体を横断してフィルム又はディジタル検出器に入射する。かかるＸ線システムが、被検体の介在構造による減弱、散乱又は吸収を受けたＸ線を検出するためにディジタル・サーキットリを用いる場合が次第に多くなっている。例えば医療診断の状況では、かかるシステムを用いて体内組織を視覚化して患者の病気を診断することができる。他の状況では、部品、手荷物、小荷物及び他の被検体を画像化して、内容物を検査したり他の目的に供したりすることができる。
【０００３】
基本的なＸ線システムは、専ら投影画像を形成するように設計され得る。かかる投影画像は周知の反転画像として提示されてもよいが、画像データ自体は様々な提示法を施される。投影型Ｘ線システムに加えて、当技術分野は現在、同様のＸ線放射線発生及び検出に基づくフルオロスコピィ・システム、計算機式断層写真法システム、及びトモシンセシス・システムを提供している。例えば計算機式断層写真法システム及びトモシンセシス・システムでは、画像は多数の収集画像に適用される様々な再構成手法に基づいて被検体のスライスとして算出される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の形式のシステムの任意のものにおいて収集される放射線システム・データには、様々なアーティファクトが存在し得る。幾つかの形式のアーティファクトは周知であり、様々な公知の方法において扱われ、解消され又は補正され得る。しかしながら、少なくとも公知の手法では容易に補正又は回避され得ないアーティファクトが依然として存在する。例えば、ディジタル検出器を備えたＸ線システムは、電磁干渉（ＥＭＩ）の存在によるアーティファクトを蒙る。ＥＭＩの原因としては例えば、幾つかのみ挙げると無線周波数アブレータ及び磁気型カテーテル・ナビゲーション・システム等のようにＸ線イメージング・システムの近くで用いられ得る様々な電気部品及び電子部品等がある。かかるＥＭＩの位相、周波数及び振幅に依存して、再構成画像のアーティファクトは一般的には、基本画像に重ね合わせられた明暗のある平行な横縞の形態を取り得る。かかるアーティファクトは紛らわしいばかりでなく、医療の状況での診断の場合等に画像の実用性を損なう場合がある。具体的には、かかるアーティファクトは、画像において可視であった筈の微小な又はさらに詳細な特徴の検出及び識別を困難にする場合がある。かかるアーティファクトはまた、医療診断の状況、並びに部品及び手荷物検査の状況において益々普及しつつあるコンピュータ支援式検出及び診断アルゴリズム、並びにセグメント分割アルゴリズム等のようなコンピュータ支援式手法の実用性を妨げる場合がある。
【０００５】
従って、放射線画像データのアーティファクト及び雑音の解消に対する改良型アプローチが必要とされている。また、Ｘ線画像におけるＥＭＩ起源の雑音に対処し得る手法が特に必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、かかる必要性に応えるべく設計されたシステム及び方法を提供する。本発明の第一の観点によれば、Ｘ線画像データを処理するコンピュータ利用型方法が、Ｘ線画像データ及び電磁干渉によって生ずるデータを含む第一のデータを、ディジタル検出器を介して取得するステップを含んでいる。また、電磁干渉によって生ずるデータを含むがＸ線画像データは含まない第二のデータを、ディジタル検出器を介して取得する。電磁干渉が少なくとも第二のデータに基づいて推定される。第一のデータが、特性決定された電磁干渉に基づいて補正される。
【０００７】
本発明のもう一つの観点によれば、Ｘ線画像データを処理するコンピュータ利用型方法が、ディジタル検出器にＸ線放射線を曝射するステップと、検出器の横列をイネーブルにするステップと、Ｘ線画像データ及び電磁干渉によって生ずるデータを含む第一のデータを検出器から読み出すステップと、検出器の横列をディスエーブルにするステップと、電磁干渉によって生ずるデータを含むがＸ線画像データは含まない第二のデータを検出器から取得するステップとを含んでいる。電磁干渉が少なくとも第二のデータに基づいて推定され、第一のデータが、特性決定された電磁干渉に基づいて補正される。
【０００８】
本発明のもう一つの観点によれば、Ｘ線画像データを処理するコンピュータ利用型方法が、ディジタル検出器を介して取得される第一及び第二のデータであって、Ｘ線画像データ及び電磁干渉によって生ずるデータを含む第一のデータと、電磁干渉によって生ずるデータを含むがＸ線画像データは含まない第二のデータとに基づいて電磁干渉を推定するステップと、特性決定された電磁干渉に基づいて第一のデータを補正するステップとを含んでいる。
【０００９】
本発明はまた、以上に述べた形式の機能を具現化するように設計されたシステムを提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明のこれらの特徴、観点及び利点、並びに他の特徴、観点及び利点は、添付図面を参照して以下の詳細な説明を精読することにより、さらに十分に理解されよう。尚、図面全体にわたり、類似の参照符号は類似の部材を表わす。
【図１】本発明の手法を利用することができるディジタルＸ線イメージング・システムの全体図である。
【図２】再構成される画像データを生成する図１のシステムの検出器における機能的サーキットリの図である。
【図３】Ｘ線画像データからＥＭＩ起源のアーティファクトを解消する現状で思量されるシステムの全体図である。
【図４】画像データ、オフセット・データ及びＥＭＩ特性表現データの全者をＥＭＩデータのアーティファクトの補正のために取得するときの取得系列の一部の図である。
【図５】画像データ、オフセット・データ及びＥＭＩ特性表現データを得るときの図４の取得系列の一部の図である。
【図６】ＥＭＩ起源のアーティファクトのグラフ図であって、画像データの取得とＥＭＩアーティファクトを特性決定するのに用いられるデータの取得との間の連続性を示す図である。
【図７】図６に示すアーティファクトの一部のさらに詳細な図である。
【図８】画像データ、オフセット・データ及びＥＭＩ特性表現データを処理して補正済み画像に到達する場合の現状で思量される態様の図である。
【図９】本発明の手法の諸観点による局所化されたＥＭＩアーティファクト補正のために複数の縦列群に分割されたＸ線画像データの図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、離散的なピクセル画像データを取得して処理するイメージング・システム１０を線図で示している。図示の実施形態では、システム１０は、本発明の手法に従って原画像データを取得すること及び画像データを表示用に処理することの両方を行なうように設計されているディジタルＸ線システムである。図１に示す実施形態では、イメージング・システム１０は、コリメータ１４に隣接して配置されているＸ線放射線の線源１２を含んでいる。コリメータ１４は、患者１８のような被検体が配置されている領域に放射線流１６を通過させる。放射線の一部２０は被検体を透過し又は被検体の周りを通過して、参照番号２２に全体的に示すディジタルＸ線検出器に入射する。後に詳述するように、検出器２２は表面で受光したＸ線フォトンをより低エネルギのフォトンへ変換し、続いて電気信号へ変換し、これらの電気信号が取得され処理されて、被検体の体内の特徴の画像を再構成する。
【００１２】
線源１２は、検査系列のための電力信号及び制御信号の両方を供給する電源／制御回路２４によって制御される。さらに、検出器２２は、検出器において発生される信号の取得を指令する検出器制御器２６に結合されている。検出器制御器２６はまた、ダイナミック・レンジの初期調節及びディジタル画像データのインタリーブ等のような様々な信号処理作用及びフィルタ処理作用を実行することができる。電源／制御回路２４及び検出器制御器２６の両方がシステム制御器２８からの信号に応答する。一般的には、システム制御器２８は、イメージング・システムの動作を指令して、検査プロトコルを実行すると共に取得した画像データを処理する。本例では、システム制御器２８はまた、汎用ディジタル・コンピュータ又は特定応用向けディジタル・コンピュータを典型的に基本構成要素とした信号処理サーキットリと、コンピュータによって実行されるプログラム及びルーチン、並びに構成パラメータ及び画像データを記憶する付設のメモリ・サーキットリと、インタフェイス回路等とを含んでいる。
【００１３】
図１に示す実施形態では、システム制御器２８は参照番号３０に示す表示器又はプリンタのような少なくとも１台の出力装置に結合されている。出力装置は標準的な又は特殊目的のコンピュータ・モニタ及び付設の処理サーキットリを含んでいてよい。システム・パラメータを出力し、検査を依頼し、画像を視覚化する等のために、システムに１台又は複数の操作者ワークステーション３２がさらに結合されていてもよい。一般的には、表示器、プリンタ、ワークステーション、及びシステムの内部に供給されている同様の装置は、データ取得構成要素に対してローカルに位置していてもよいし、これらの構成要素から遠隔に位置していてもよく、施設若しくは病院内の他の場所に位置していてもよいし、全く異なる場所等に位置して、インターネット及び仮想私設網等のような１又は複数の構成自在型網を介して画像取得システムに結合されていてもよい。
【００１４】
本発明の手法によれば、システム１０によって取得されるデータは、システムが用いられている状況、及びシステムの周囲に位置し得る装置又はシステムと共に用いられ得る装置に依存して、ＥＭＩ（図示されていない）の様々な原因による摂動を受ける場合がある。ＥＭＩは様々な周波数及び振幅での干渉であって、取得されるデータと位相が揃っている場合もあれば揃っていない場合もあり、取得データが収集されるときに取得データに重ね合わされて影響を及ぼし得る。システムは、かかる干渉の特性決定及び補正を可能にし、従って他の場合であれば画像データに存在してデータに基づく再構成画像において可視となったであろうアーティファクトの低減を可能にする。特性決定及び補正自体は、検出器サーキットリ、検出器制御器又はシステム制御器を含め上述のサーキットリのいずれにおいて実行されてもよい。また、所望がある場合には、干渉は、イメージング・システム自体から部分的に又は完全に遠隔に位置し得る後処理ステップにおいて特性決定され補正されてもよい。
【００１５】
図２は、ディジタル検出器２２の機能構成要素の線図である。図２はまた、典型的には検出器制御器２６の内部で構成される撮像検出器制御器すなわちＩＤＣ３４を示している。ＩＤＣ３４は、ＣＰＵ又はディジタル信号プロセッサと、検出器からの検知信号の取得を指令するメモリ回路とを含んでいる。ＩＤＣ３４は、双方向光ファイバ導体を介して検出器２２内の検出器制御サーキットリ３６に結合されている。現状で思量される幾つかの実施形態では、イーサネット通信プロトコル（「イーサネット」は商標）並びに無線通信装置及びプロトコルのような他の通信システム及び技術を用いてもよい。これにより、ＩＤＣ３４は動作時に検出器内で画像データに関する命令信号を授受する。
【００１６】
検出器制御サーキットリ３６は、参照番号３８に全体的に示す電源からＤＣ電力を受ける。検出器制御サーキットリ３６は、システムのデータ取得動作段階時に画像データを取得するのに用いられる横列（row）電子回路及び縦列（column）電子回路のためのタイミング指令及び制御指令を発するように構成されている。従って、サーキットリ３６は、参照／調節器サーキットリ４０へ電力信号及び制御信号を送信すると共に、サーキットリ４０からディジタル画像ピクセル・データを受信する。
【００１７】
本実施形態では、検出器２２は、検査時に検出器表面で受光したＸ線フォトンをより低エネルギの（光）フォトンへ変換するシンチレータから成っている。次いで、光検出器のアレイが光フォトンを電気信号へ変換して、これらの電気信号が検出器表面の個々のピクセル領域に入射したフォトンの数又は放射線の強度を表わす。現状で思量される実施形態では、Ｘ線フォトンは電気信号へ直接変換され得る。読み出し電子回路は、得られたアナログ信号をディジタル値へ変換し、これらのディジタル値を処理し、記憶させ、また画像の再構成の後に表示器３０又はワークステーション３２等に表示することができる。本形態では、光検出器のアレイはアモルファス・シリコンで形成されている。アレイ素子は横列及び縦列を成して構成されており、各々の素子がフォトダイオードと薄膜トランジスタとから成っている。各々のダイオードのカソードはトランジスタのソースに接続され、全てのダイオードのアノードが負のバイアス電圧に接続されている。各々の横列のトランジスタのゲートは共に接続されており、横列電極は後述する走査用電子回路に接続されている。縦列１列のトランジスタのドレインは共に接続されており、各々の縦列の電極は読み出し電子回路の個々のチャネルに接続されている。
【００１８】
図２に示す特定的な実施形態では、例として述べると、横列バス４２が、検出器の様々な縦列からの読み出しをイネーブルにすると共に、所望に応じて横列をディスエーブルにし、また選択された横列に電荷補償電圧を印加する複数の導体を含んでいる。また、縦列バス４４が、横列が相次いでイネーブルにされている間に縦列からの読み出しを指令する追加の導体を含んでいる。横列バス４２は一連の横列ドライバ４６に結合されており、横列ドライバ４６の各々が、検出器の一連の横列のイネーブルを指令する。同様に、読み出し電子回路４８が縦列バス４４に結合されており、検出器の全ての縦列の読み出しを指令する。
【００１９】
図示の実施形態では、横列ドライバ４６及び読み出し電子回路４８は検出器パネル５０に結合されており、パネル５０は複数の区画５２に分割されていてよい。各々の区画５２が横列ドライバ４６の一つ一つに結合されており、また一定数の横列を含んでいる。同様に、各々の縦列ドライバ４８は一連の縦列に結合されている。これにより、上述のフォトダイオード及び薄膜トランジスタ構成は、横列５６及び縦列５８を成して配列されている一連のピクセル又は不連続な画素５４を画定する。これらの横列及び縦列は、高さ６２及び幅６４を有する画像マトリクス６０を画定している。
【００２０】
やはり図２に示すように、各々のピクセル５４は一般的には、縦列電極６８が横列電極７０に交差する横列と縦列との交差部に画定されている。上述のように、各々のピクセルについての各々の交差位置に薄膜トランジスタ７２が設けられており、同様にフォトダイオード７４も設けられている。各々の横列が横列ドライバ４６によってイネーブルにされると、読み出し電子回路４８を介して各々のフォトダイオードからの信号を入手することができ、これらの信号を後続の処理及び画像再構成のためにディジタル信号へ変換することができる。このように、アレイ内の一横列に位置するピクセルの全トランジスタのゲートに取り付けられた走査線が起動されると、この横列全体のピクセルが同時に制御される。結果的に、この特定の横列のピクセルの各々が、フォトダイオード７４に電荷を復元するために読み出し電子回路によって用いられるデータ線にスイッチを介して接続される。
【００２１】
システムによっては、電荷が付設の専用読み出しチャネルの各々によって同時に一横列の全ピクセルに復元されている間に、読み出し電子回路は前段の横列からの測定値をアナログ電圧からディジタル値へ変換することを特記しておく。さらに、読み出し電子回路は、前段の横列からのディジタル値を、診断画像のモニタへの表示又はフィルムへの書き込みに先立って幾つかの処理を実行する取得サブシステムへ転送してもよい。
【００２２】
横列をイネーブルにするのに用いられるサーキットリは、ここでの状況ではかかるイネーブル化（横列駆動）のために電界効果トランジスタを用いることに基づいて横列イネーブル用サーキットリ又は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）サーキットリと呼ぶことができる。上述の横列イネーブル用サーキットリに付設されているＦＥＴは、横列をイネーブルにするためには「入」状態又は導通状態に置かれ、読み出し用の横列をイネーブルにしないときには「切」にされ又は非導通状態に置かれる。尚、このように述べたが、横列ドライバ及び縦列読み出し電子回路に用いられる特定の回路構成要素は様々であってよく、本発明はＦＥＴ又は如何なる特定の回路構成要素の利用にも限定されていないことを特記しておく。
【００２３】
後にあらためて詳述するように、一般に、画像データに存在し得るＥＭＩ起源のアーティファクトは、画像データ（所望の画像データ及びＥＭＩ雑音の両方を含む）を取得し、このデータをＥＭＩ雑音を特性決定するように処理することにより特性決定することができ、次いで、これらのアーティファクトを除去すれば補正済み画像を得ることができるものと決定されている。以下で述べる現状で思量される実施形態では、画像データはオフセット・データと共に読み出されて、これらの読み出し動作の両方が、横列をイネーブル（すなわち「ＦＥＴ入」）にしてデータを読み出すことと、横列をディスエーブル（すなわち「ＦＥＴ切」）にしてデータを読み出すこととを含んでいる。かかる補正の全体的な図式を図３に線図で示す。
【００２４】
図３に示すように、工程の第一段階として、参照番号７６によって示すようにＸ線画像データを取得する。このことは、上述の形式のディジタル検出器を用いて従来の態様で行なわれ得る。また、画像データは、被検体によるＸ線の減弱、散乱又は吸収によって生ずる検出器のフォトダイオードの電荷の消尽を読み出すために横列をイネーブルにして取得される。この読み出しに伴って、参照番号７８によって全体的に示すようにＥＭＩ特性表現データを読み出す。この読み出しは、ＥＭＩ起源の雑音（及びデータ処理に用いられるあらゆるオフセット）のみについての情報を得るために、横列をディスエーブルにして実行される。次いで、後者のデータセットを参照番号８０によって示すＥＭＩ推定工程において用い、このときＥＭＩデータが干渉を周波数、位相及び振幅について特性表現する。現状で思量される実施形態では、ＥＭＩ特性表現データの取得は取得系列において画像データ取得の直後に行なわれるため、ＥＭＩ特性表現データの位相は画像データの位相と同じになることが確実になる。次に、特性決定されたＥＭＩ成分を、加算器８２によって示すように原画像データ（本工程によらなければＥＭＩ成分及びこれらの成分が生じ得るアーティファクトを含んでいたであろうもの）から減算して、補正済み画像データ８４に到達する。この手法は、データにおけるＥＭＩ起源のアーティファクトの極めて正確な特性決定、これらのアーティファクトの除去、及び補正済みデータから再構成される大幅に画質向上した補正済み画像の提示を可能にすることが判明した。
【００２５】
以下、あらゆるＥＭＩ起源のアーティファクトを解消するためにＥＭＩを特性決定すると共に画像データを補正するのに用いられるデータを収集することに対する特定的なアプローチについてさらに詳細に説明する。但し、以下の議論を通じて特性決定の目的でのＥＭＩの解析に対するアプローチが提示される。本発明によれば、一旦画像データ及びＥＭＩ特性表現データが取得されて記憶されたら、次いで、このアプローチをＥＭＩの特性決定に用いる。このことについて以下で詳述する。
【００２６】
ＥＭＩは、時間領域におけるシヌソイド型信号として記述することができる。画像の各々の横列に位置する全ピクセルについてのデータが同時に取得されるので、これらのデータは、同じ位相のＥＭＩによる影響を受ける。殆どの臨床画像に見られるようにＥＭＩの強度が検出器全体にわたって同じである場合には、摂動の程度は画像の横列１列に位置する全ピクセルについて同じである。
【００２７】
このように、ＥＭＩによるアーティファクトは、画像の各々の横列に位置するピクセル値を平均することにより得られ、測定システムによって導入される無作為型の加算的雑音を低減することができる。ＥＭＩ強度が検出器にわたって区々である場合には、平均演算を横列全体にわたって実行することができない。この場合には、画像を複数のＲＯＩ（関心領域）に分割し、次いでこれらのＲＯＩの各々について平均を施すものとする。後述するように、現状で思量されるアプローチは、２０４８×２０４８ピクセルの画像を２４区画のＲＯＩに分解するが、それでもこのアプローチは各々のＲＯＩについて局所的にＥＭＩの影響を特性決定して補正する。
【００２８】
ＥＭＩアーティファクトは一般的にはシヌソイド型信号であるので、画像におけるアーティファクトのコントラストはシヌソイドの振幅によって決定される。アーティファクトのコントラストを推定する問題は、シヌソイドの振幅の推定となる。ｆＥＭＩ及びａＥＭＩをそれぞれそれぞれシヌソイドの周波数及び振幅とすると、次式によってアーティファクトを記述することができる。
【００２９】
【数１】
2009279408.tif 000003
式中、ｅ（ｎ）は平均の後の測定システム雑音である。注目している問題は、Ｎを走査線の本数であるとして測定データ列｛ｙ（０），ｙ（１），…，ｙ（Ｎ−１）｝からａＥＭＩを推定することである。
【００３０】
また、多数の走査線についてのアーティファクトを、
【００３１】
【数２】
2009279408.tif 000004
となるような変数Ｙ、及び
【００３２】
【数３】
2009279408.tif 000005
によって表わすことができる。式中、（・）Ｔは転置行列を表わす。
【００３３】
【数４】
2009279408.tif 000006
及び｛ａＥＭＩ，ｆＥＭＩ｝の値の推定値は、以下の非線形最小自乗（ＮＬＳ）規準を最小化することにより得ることができる。
【００３４】
【数５】
2009279408.tif 000007
式中、■・■はユークリッド・ノルムを表わす。雑音ｅ（ｎ）がゼロ平均ホワイト・ガウス確率過程である場合には、ＮＬＳの推定値は最尤（ＭＬ）推定値と一致する。しかしながら、雑音が有色である場合には、ＮＬＳの推定値は最早ＭＬ推定値とはならないが、依然として優れた統計学的性能を有し得る。
【００３５】
式（４）のコスト関数Ｃ１をａＥＭＩに関して最小化すると、ａＥＭＩの推定値が得られる。
【００３６】
【数６】
2009279408.tif 000008
式中、（・）Ｈは複素共役転置行列を表わす。
【００３７】
式（５）を式（４）に代入することにより、
【００３８】
【数７】
2009279408.tif 000009
が得られ、この式は、
【００３９】
【数８】
2009279408.tif 000010
を最大化することにより最小化される。
【００４０】
ゆえに、ｆＥＭＩを、
【００４１】
【数９】
2009279408.tif 000011
によって決定することができる。
【００４２】
一旦、
【００４３】
【数１０】
2009279408.tif 000012
が得られたら、振幅ａＥＭＩは直ちに式（５）から得られる。
【００４４】
【数１１】
2009279408.tif 000013
式（８）及び式（９）の項
【００４５】
【数１２】
2009279408.tif 000014
はデータ列［ｙ（０），ｙ（１），…，ｙ（Ｎ−１）］の離散的フーリエ変換であって、ＦＦＴによって計算し得ることが分かる。ゆえに、シヌソイドの振幅はＦＦＴの振幅の最高ピークをＮで除算することにより算出され得る。
【００４６】
尚、上述のＦＦＴからの周波数推定値の分解能は、横列の列数Ｎによって制限され得ることを特記しておく。幾つかの例では、このことがアーティファクトを補正するのに十分に正確であるとは考えられない場合がある。この場合には、ＦＦＴを実行する前のデータ列にゼロを充填する［ｙ（０），ｙ（１），…，ｙ（Ｎ−１），０，…，０］ことにより分解能を高めてもよいし、又はＦＦＴから得られる初期周波数推定値の周囲で精密化探索を行なってもよい。次いで、精密化された周波数推定値によって式（９）からさらに正確な振幅推定値を更新する。
【００４７】
ＥＭＩが多数の周波数から成っている場合には同様にして振幅を計算し得ることを示すことができる。ピークが周波数領域において十分に分離されている場合には、各々のピークの高さが周波数の各々の振幅を与える。二つの周波数が周波数領域において接近し過ぎていて分離することができない場合には、これらの周波数の振幅は、得られるシヌソイドをデータ列［ｙ（０），ｙ（１），…，ｙ（Ｎ−１）］から除去することにより繰り返し式で得ることができる。
【００４８】
上述のアプローチでは、シヌソイド振幅の最善の推定値を得ることができる。このアプローチは、検出器のパネル温度によるもののような変化し得る電子雑音には敏感でない。
【００４９】
以上に述べた推定工程を、ＥＭＩの振幅及び周波数について用いることができる。後述するように、現状で思量されるアプローチにおいてはＥＭＩの位相は重大ではない、というのは、ＥＭＩを特性決定するのに用いられるデータは本質的に、Ｘ線画像について収集されたデータと位相が揃っているからである。すなわち、以下で図４、図５、図６及び図７を参照して議論するように、ＥＭＩ特性表現データは同じデータ取得系列又はプロトコルで取得されるが、この場合に横列をイネーブルにするＦＥＴを単純に切状態に切り換えておく。このように、ＥＭＩの特性決定をするときには、移相を考慮したり実行したりする必要なく単純にＥＭＩを画像データから減算することができる。
【００５０】
尚、このＥＭＩ推定アプローチは、本書に記載した特性決定及び画像データ補正の具現化形態以外でも応用され得ることを特記しておく。例えば、シヌソイドの周波数及び振幅を画像取得時に実時間で計算し、ＥＭＩが存在する場合に警報信号を操作者へ送信するＥＭＩ監視システムがある。異なる観察者は異なる周波数のアーティファクトに対して異なる視覚感度を有するので、警報閾値も周波数依存性となる。さらに他の応用としては、Ｘ線画像のアーティファクトを低減する又は解消するようなｋＶｐ、ｍＡ、ｍＡｓ、及びフィルタ処理等を含めた曝射手法についての干渉の周波数及び振幅に応じた調節等がある。さらにもう一つの応用としては、一旦、アーティファクトが閾値を上回ったら、検出器に遮蔽外殻のような遮蔽設備を設置するように操作者に警報を与えるもの等がある。
【００５１】
空間の所与の点について、電磁干渉（ＥＭＩ）を時間領域におけるＫ個のシヌソイドの和として記述することができる。
【００５２】
【数１３】
2009279408.tif 000015
式中、ｆ（ｋ）は第ｋのシヌソイドの周波数であり、
【００５３】
【数１４】
2009279408.tif 000016
は振幅｜ａ（ｋ）｜及び位相φ（ｋ）を表わす複素数である。一つの位置から他の位置までシヌソイドの周波数は同じままであるが、振幅及び位相は配向及び線源と観測点との間の距離に依存して変化し得る。
【００５４】
干渉は、上述の検出器パネル及び読み出し回路を介してＸ線画像データに加算され、又はさらに一般的には影響を与える。具体的には、前述のように、パネルのピクセルは二次元マトリクスとして構成されており、１列の縦列がデータ線を介して特定の読み出し回路によって読み出される。ピクセル読み出しの順序及び時間的瞬間は走査線によって制御される。パネルの横列に位置するピクセルは、各々の横列が同時に読み出されるように１本の走査線によって接続されている。結果として、加算的な干渉が、画像の横列方向の線又は帯として見える横列相関雑音形式のアーティファクトとして現われる。
【００５５】
横列ｍ及び縦列ｎに位置するピクセルの加算値は次式によって表わすことができ、
【００５６】
【数１５】
2009279408.tif 000017
式中、
【００５７】
【数１６】
2009279408.tif 000018
は縦列方向のアーティファクトの周波数であり、
【００５８】
【数１７】
2009279408.tif 000019
は画像の縦列ｎにおける第ｋのシヌソイドの振幅
【００５９】
【数１８】
2009279408.tif 000020
及び位相
【００６０】
【数１９】
2009279408.tif 000021
を表わす。画像アーティファクトの周波数
【００６１】
【数２０】
2009279408.tif 000022
は、ＥＭＩ周波数と検出器線走査周波数との間の関係に依存してＥＭＩ周波数ｆ（ｋ）とは異なる場合があることを特記しておく。例えば、可搬型検出器の線時間が０．１２２４９６ｍｓである場合には、この線時間は線走査周波数１／０．１２２４９６ｍｓ＝８．１６４ｋＨｚに対応する。信号サンプリング定理によれば、ｆ（ｋ）が線走査周波数の２分の１すなわち８．１６４／２＝４．０８２ｋＨｚよりも小さい場合には二つの周波数は等しい。この例においてｆ（ｋ）が、本分野で通例見受けられるように４．０８２ｋＨｚよりも高い場合には、二つの周波数は異なる。
【００６２】
【数２１】
2009279408.tif 000023
によって表わされる振幅及び位相は、各縦列の物理的な位置の差によって縦列ｎの関数となる。
【００６３】
【数２２】
2009279408.tif 000024
とａ（ｋ）との間の関係は、ＥＭＩに対する検出器ケースの減弱ばかりでなく、干渉ピックアップ機構のインピーダンスにも依存する。
【００６４】
ここで関心のある問題は、画像アーティファクト
【００６５】
【数２３】
2009279408.tif 000025
を再構成するようにシヌソイド
【００６６】
【数２４】
2009279408.tif 000026
の各パラメータを推定し、次いで、アーティファクトを画像から除去する
【００６７】
【数２５】
2009279408.tif 000027
ことである。式中、Ｍ及びＮは画像の寸法を表わし、ｐｍ，ｎはＥＭＩ混入画像の横列ｍ及び縦列ｎに位置するピクセルであり、
【００６８】
【数２６】
2009279408.tif 000028
は式（１３）によって定義される対応する加算ピクセル値であり、
【００６９】
【数２７】
2009279408.tif 000029
はＥＭＩ補正後のピクセル値である。
【００７０】
シヌソイド
【００７１】
【数２８】
2009279408.tif 000030
のパラメータは、画像が含有する構造のためＥＭＩ含有画像データから推定することは困難である。しかしながら、このアーティファクトはＦＥＴ状態に独立であることが判明した。すなわち、検出器によって拾い上げられる加算型雑音は、ＦＥＴ状態（すなわち入であるか切であるか）を問わず変化しない。従って、通常の画像が取得された後にさらにＦＥＴ切の画像データを取得することによりＥＭＩ情報を得ることができる。本発明の手法は、この取得及び上述の特性決定するアプローチを用いて、ＥＭＩ含有画像データを補正する。
【００７２】
ＦＥＴ入及びＦＥＴ切の検出器からデータを取得することにより、画像の「拡張」横列（すなわち画像データの横列及びＥＭＩ特性表現データの横列）からのＫ個のシヌソイドの加算によって記述されるアーティファクトのパラメータの推定が可能になる。以下で記載する本発明の手法によればデータの一部はＦＥＴ切で取得されるので、ＥＭＩが存在しない場合に同じ手法で得られるＥＭＩ不含オフセットから構造を容易に取り出すことができる。
【００７３】
このように、｛ｄ０，ｄ１，…，ｄＭ−１｝が通常の画像に対応し、｛ｄＭ，…，ｄＭ＋Ｌ−１｝がＦＥＴ入及びＦＥＴ切の横列のデータであるとして、｛ｄ０，ｄ１，…，ｄＭ−１，ｄＭ，…，ｄＭ＋Ｌ−１｝が横列拡張画像から得られるベクトルである場合には、このベクトルは画像の１列の縦列又は幾列かの縦列の平均であり得る（但し現状で思量される実施形態では、それでも検出器の一部に局所化される）。新たなベクトルが、順序の反転した｛ｄＭ，…，ｄＭ＋Ｌ−１｝を用いることにより、
ｅ（ｌ）＝ｄＭ＋Ｌ−１−ｌ，ｌ＝０，１，…，Ｌ−１            （１６）
のように定義される場合には、｛ｄＭ−１，…，ｄ１，ｄ０｝に含まれるシヌソイドは、ベクトル
【００７４】
【数２９】
2009279408.tif 000031
のシヌソイドの続きとなる。従って、｛ｄＭ−１，…，ｄ１，ｄ０｝におけるアーティファクトは、
【００７５】
【数３０】
2009279408.tif 000032
からのシヌソイドのパラメータを推定することにより再構成され得る。このようにして、ＥＭＩによる画像アーティファクトを除去することができる。
【００７６】
この手法を具現化するためには、周波数推定値が正確であることが望ましい。例えば、Ｍ＝Ｌ＝２０４８とすると、画像の第一の横列のアーティファクトを補正するためには、
【００７７】
【数３１】
2009279408.tif 000033
との値が算出される。このように、周波数推定値の誤差が著しく増幅され得る。周波数推定値の初期値はＦＦＴによって得ることができるが、さらに正確な推定値に到達するためには精密化探索が望ましい。ここでの目的のために、多くの公知の手法の任意のものを用いてシヌソイドのパラメータを推定することができるものと想定される。
【００７８】
上述のように、この補正アルゴリズムは、検出器において具現化することができる。また、検出器制御サーキットリ又はシステム制御サーキットリにおいて具現化することもできるし、遠隔コンピュータの後処理によって具現化することもできる。後者の場合には、画像データ及びＥＭＩ特性決定データを有する横列全体を処理サーキットリへ転送してもよいし、幾列かの縦列を平均した後に画像の未使用領域にベクトルを保存することにより、これらの合計横列の寸法を小さくしてもよい。例えば、画像の所定数の線（例えば画像境界の各々に位置する１２本の線）を用いて、平均後の縦列ベクトルを記憶させることができる。この場合には、画像寸法は以前と同じになる。代替的には、画像の寸法を拡大してもよい。
【００７９】
また、全てのオフセット画像及びＸ線画像について画像アーティファクトを補正してもよい。ＥＭＩが存在しない場合には、シヌソイド型推定値の振幅は等しくなるか又はゼロに近くなる。このように、ＥＭＩが存在しない場合には、通常の画像取得及び処理を行なうことができる。ＥＭＩが検出されたときに、横列データ及びＥＭＩ特性表現データを伴う「拡張」画像を取得してＥＭＩ補正を施すことができる。さらにまた、横列データ及びＥＭＩ特性表現データについてのベクトルを画像の未使用領域に記憶させて、観察者（医療の状況では医師）が画像にアーティファクトを観察したときにＥＭＩ補正を実行してもよい。
【００８０】
また、検出器品質検査又は検出器較正を介して定期的にＥＭＩ不含参照ＦＥＴ切画像を得ることができる。また、ＥＭＩが検出されていないときに横列データ及びＥＭＩ特性表現データを含む画像からＥＭＩ不含参照ＦＥＴ切画像を得ることもできる。最新で得られたＥＭＩ不含ＦＥＴ切画像を用いてもよいし、最新の数枚の画像を平均してもよい。平均画像を用いる場合には、単純平均又は加重平均を用いることができ、加重平均の場合には最新の画像に最大加重を与える。
【００８１】
図４は、以上の原理に従ってＥＭＩの特性決定及び画像データの補正を可能にするように設計された画像データ取得プロトコルの時間線を表わす。参照番号８６によって全体的に示す時間線は、検出器スクラブ８８、Ｘ線受光９０、並びにデータ読み出し９２及び９４の各期間を含み得る。当業者には認められるように、検出器のフォトダイオードの電荷の不可避的損失に対処するために、電荷参照番号８８によって示すスクラブ動作によってフォトダイオードを定期的に再充電すると有用であり得る。本質的に、かかる動作はダイオード電荷を刷新するが、電荷データを読み出すことはない。次いで、データ取得プロトコルの何らかの点において、受光期間９０時に検出器にＸ線放射線が入射するようにＸ線源が起動される。Ｘ線放射線は各々のピクセル位置において、シンチレータの該当位置において受光されたＸ線放射線の量に対応する光検出器の電荷の消尽を生ずる。Ｘ線受光期間に続いて、参照番号９２によって示すようなデータ読み出しが行なわれる。後述するように、この読み出し９２は、本発明の手法によれば、ＥＭＩがシステムに存在するときには、有用な画像を再構成するのに用いられるデータばかりでなくＥＭＩによる影響を受けた画像データの読み出しを含む。二次的な読み出し期間９４では、かかるＥＭＩが存在するときには同様にＥＭＩによる影響を受けたオフセット・データが読み出される。
【００８２】
図５は、これらの読み出し期間を幾分詳細に示している。上述のように、検出器の各横列はドライバ・サーキットリによって、典型的にはドライバ・サーキットリにおいて用いられる１又は複数のＦＥＴの状態を変化させることによりイネーブルにされる。次いで、横列からデータを読み出すために、ＦＥＴサーキットリを入にしてかかる読み出しをイネーブルにする。本発明の手法によれば、期間９２のデータ読み出しでは、第一の相９６の間に各横列をイネーブルにすると、存在するあらゆるＥＭＩによる影響を受ける画像データが読み出される。この同じ読み出し期間に、各横列をディスエーブル（すなわちＦＥＴ切）にして、参照番号９８に示すようにデータを取得する。このデータは、システムに存在するＥＭＩの影響を受けているが、各横列をディスエーブルにしているため画像データは含まない。同様に、オフセット・データ読み出し期間９４では、ＦＥＴを入にして参照番号１００に示すようにオフセット・データを読み出し、オフセット・データ及び対応するＥＭＩ特性表現データを収集する。続いて直ちに、横列ドライバ・サーキットリは横列をディスエーブル（すなわちＦＥＴ切）にして読み出しを続行し、存在するＥＭＩによる影響を受けた情報のみを収集する。
【００８３】
収集されたデータを用いて、前述のように画像データから減算することができるようにＥＭＩを特性決定する。画像データ、オフセット・データ及びＥＭＩ特性表現データを読み出す期間の持続時間は様々であってよく、これらの期間は互いに等しいか又は典型的にはＥＭＩ特性表現データ読み出しが短い。但し、所望に応じてこの期間が長くなってもよい。一般的には、読み出しが行なわれる持続時間は、検出器の横列の列数によって既知である。次いで、読み出し期間９６は、Ｘ線信号、オフセット信号（線入）及びＥＭＩ信号に関連するデータを取得する。一方、期間９８に取得される画像データは、オフセット（線切）及びＥＭＩに関連するデータを含む。同様に、期間１００に取得されるデータは、オフセット・データ（線入）及びＥＭＩデータを含み、データ取得期間１０２はオフセット・データ（線切）及びＥＭＩデータを含む。
【００８４】
上述のように、現状で思量される実施形態では、ＥＭＩ特性表現データの取得は前段の読み出し系列に続いて直ちに行なわれる。これにより、ＥＭＩ特性表現データの位相が直前に読み出された画像データ又はオフセット・データの位相と確実に揃う。図６及び図７は、この点を示すＥＭＩアーティファクト・トレースを示す。時間線に沿って、アーティファクト・トレースは、再構成画像に線として重ね合わされる明暗のある区画として現われる。アーティファクト・トレース１０４をＦＥＴ切の切り換え窓１０６において拡大することができ、図７では図６に比較して拡大されている。画像取得時には、時刻１０８にドライバ・サーキットリＦＥＴを切に切り換えることにより各横列を単純にディスエーブルにする。図６及び図７に示す実施形態では、例えば、２０４８×２０４８ピクセル検出器の読み出しは線２０４８の読み出しの後にＦＥＴを切に切り換える。すると、ＦＥＴ切の切り換えによって、トレースがＦＥＴ入時間１１０及びＦＥＴ切時間１１２に分割される。しかしながら、図７に最も分かり易く示すように、アーティファクト・トレース１０４はこの切り換えを通じて連続しており、ＦＥＴの切り換えの前及び後の両方で位相が揃ったままになることを示している。
【００８５】
このように、以上に述べた手法は、図５の期間９６及び１００に取得されたデータ（ＥＭＩによる影響を受けたＸ線画像データ単独の決定を可能にする）、並びに期間９８及び１０２に収集されたデータからのＥＭＩ（位相の連続性によるオフセットの相殺による）に基づいて、ＥＭＩの周波数及び振幅の特性決定を可能にする。次いで、ＥＭＩによる影響を受けたＸ線画像と特性決定されたＥＭＩとの間の差によって補正済みＸ線画像データをレンダリングする。オフセット単独の除去では位相差のためＥＭＩ成分を除去することはできないことを特記しておく。実際に、位相差はアーティファクトの影響を現実には強化してしまう場合がある。
【００８６】
上述のように、本書に記載したＥＭＩ特性決定及び画像補正アプローチを具現化するために様々なデータ処理アプローチが思量される。図８は、具現化形態の一例を示しており、ここでは特性表現データが、処理時に画像の空き横列に一時的に配置されている。図８に示す実施形態では、参照番号１１６は検出器ファームウェアに存在するものとしての画像データを示し、参照番号１１８は検出器ソフトウェアに存在するものとしての画像データを示し、参照番号１２０はＩＤＣソフトウェアに存在するものとしての画像データを示し、参照番号１２２は後処理のために存在する補正済み画像データを表わしている。検出器では、上述のように、Ｘ線画像データ１２４は第一の読み出し期間に収集され、ＦＥＴ切データ１２６がこの直後に収集される。データは、ＥＭＩを特性決定するために検出器の全ての領域について収集されてもよいが、図８に示す実施形態では、群を成す縦列（例えば８５列の縦列）を平均して単一の縦列とすると、ＥＭＩ特性表現データ１２６において２４列のデータの縦列が得られる。同様に、オフセット画像データ１２８はオフセット・データ収集期間に収集されて、直後にＦＥＴ切データ１３０の収集が行なわれる。ここでもやはり、ＥＭＩ特性表現データをまとめて２４列の縦列にする。尚、データを複数の縦列にまとめても、検出器にわたるＥＭＩの影響は局所化されることを特記しておく。実用では、さらに多数の縦列又はさらに少数の縦列をまとめて、これらの影響のさらに十分な局所化又はさらに少ない局所化を提供することができる。
【００８７】
図８の参照番号１１８によって示すように、検出器ソフトウェアでは、ＦＥＴ切データはＸ線画像データ１３２の最上部及び最下部の領域１３４に簡便に記憶され、ＦＥＴ切は同様に、オフセット画像データ１３６の周りの空き領域１３８に記憶される。このデータは最終的には、ＩＤＣソフトウェアの未処理データセット１４０として記憶されて、ＥＭＩの特性決定及びその影響の補正に続いて補正済み画像１４２が形成される。他の画像処理の方式及びアプローチは言うまでもなく当業者には明らかであろう。最終的には、補正済み画像データはイメージング・システム自体のメモリ・サーキットリ等に記憶され、これらのデータを用いて有用な画像を再構成する。かかる画像は、上述の形式のモニタにおいて観察されてもよいし、フィルム等に印刷、転送されてもよい。また、取得されたデータの任意のものを後の処理又は参照のために記憶させてもよい。補正済み画像の実時間又は近実時間での観察が必要でない場合には、ＥＭＩ特性決定及び補正工程の全体を後に実行してもよいし、さらにはイメージング・システムから遠隔で実行してもよい。
【００８８】
図９は、上述のように検出器を複数の領域に分割することによる検出器にわたるＥＭＩの影響の局所化を表わしている。図９に示すように、検出器６０は縦列５８及び横列５６を成すピクセル５４を含んでおり、参照番号１４４によって示すようにまとめられた一連の縦列に分割され得る。ＥＭＩ特性表現データは、この縦列の群について記憶され得る。この場合にも、さらに局所化されたＥＭＩの特性決定が望ましい場合には、これらの群をさらに小さくすればよい。次いで、前述のようにこれらの局所化された群についてＥＭＩ特性決定及び補正が実行される。
【００８９】
本発明の技術的効果としては、ＥＭＩを推定して特性決定する能力、及びこの情報を用いてラジオグラフィ・システムを介して取得された画像データを補正する能力等がある。これらの効果は、後処理ばかりでなく近実時間（画像データが取得されている最中又はその短時間後）でかかるタスクを実行する能力にも拡張される。このようにして、改善された再構成画像が、画像データに対するＥＭＩの影響の低減によって入手可能となる。
【００９０】
本書では発明の幾つかの特徴のみを図示して説明したが、当業者には多くの改変及び変形が想到されよう。従って、特許請求の範囲は、本発明の要旨に含まれるような全ての改変及び変形を網羅するものと理解されたい。
【符号の説明】
【００９１】
１０  イメージング・システム
１２  Ｘ線放射線
１４  コリメータ
１６  放射線
１８  被検体
２０  放射線
２２  検出器
２４  電源／制御回路
２６  検出器制御器
２８  システム制御器
３０  表示器／プリンタ
３２  操作者ワークステーション
３４  ＩＤＣ
３６  検出器制御回路
３８  電源
４０  参照／調節器回路
４２  横列バス
４４  縦列バス
４６  横列ドライバ
４８  読み出し電子回路
５０  検出器パネル
５２  区画
５４  ピクセル
５６  横列
５８  縦列
６０  画像マトリクス
６２  高さ
６４  幅
６８  縦列電極
７０  横列電極
７２  薄膜トランジスタ
７４  フォトダイオード
７６  Ｘ線画像データ
７８  ＥＭＩ特性決定データ
８０  ＥＭＩ推定工程
８２  加算器
８４  補正済み画像データ
８６  画像プロトコル時間線
８８  スクラブ期間
９０  Ｘ線受光
９２  データ読み出し
９４  オフセット・データ読み出し
９６  横列イネーブル時画像データ読み出し
９８  横列ディスエーブル時読み出し
１００  横列イネーブル時読み出し
１０２  横列ディスエーブル時読み出し
１０４  アーティファクト・トレース
１０６  ＦＥＴ切の切り換え窓
１０８  ＦＥＴ切への切り換え
１１０  信号の連続性
１１２  ＦＥＴ入
１１４  ＦＥＴ切
１１６  検出器ファームウェアの画像データ
１１８  検出器ソフトウェアの画像データ
１２０  ＩＤＣソフトウェアの画像データ
１２２  後処理用の補正済み画像データ
１２４  第一の読み出し期間に収集されたＸ線画像データ
１２６  ＦＥＴ切データ
１２８  オフセット画像データ
１３０  ＦＥＴ切データ
１３２  Ｘ線画像データ
１３４  空き領域
１３６  オフセット画像データ
１３８  空き領域
１４０  未処理データ集合
１４２  補正済み画像
１４４  まとめた縦列
【図１】
2009279408.tif 000034
【図２】
2009279408.tif 000035
【図３】
2009279408.tif 000036
【図４】
2009279408.tif 000037
【図５】
2009279408.tif 000038
【図６】
2009279408.tif 000039
【図７】
2009279408.tif 000040
【図８】
2009279408.tif 000041
【図９】
2009279408.tif 000042