(57)【要約】【課題】フレームにダイシングテープの粘着剤が残存するおそれを排除し、生産性の向上を図ることのできるダイシングフレームを提供する。【解決手段】中空のフレーム１の裏面に、基材１１上の粘着層１２に半導体ウェーハＷを粘着保持するダイシングテープ１０を着脱自在に粘着するダイシングフレームで、フレーム１の裏面をダイシングテープ１０用の粘着領域２０と切断領域２１とに二分割し、粘着領域２０を平滑に形成してフレーム１の裏面内周側に位置させ、切断領域２１を粗く形成してフレーム１の裏面外周側に位置させる。フレーム１の非粘着の切断領域２１にダイシングテープ１０の余剰部を重ねるので、フレーム１にダイシングテープ１０の粘着剤が残存してしまうことがない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空のフレームの裏面に、基材上の粘着層に半導体ウェーハを粘着保持するダイシングテープを着脱自在に粘着するダイシングフレームであって、
フレームの裏面をダイシングテープ用の粘着領域と切断領域とに分割し、粘着領域を平滑に形成してフレームの裏面内周側に位置させ、切断領域を粗く形成してフレームの裏面外周側に位置させるようにしたことを特徴とするダイシングフレーム。
【請求項２】
粘着領域の表面粗さを中心線平均粗さＲａ０．５μｍ以下、最大高さＲｍａｘ１０μｍ以下とした請求項１記載のダイシングフレーム。
【請求項３】
切断領域の表面粗さを最大高さＲｍａｘ１０μｍ以上とした請求項１又は２記載のダイシングフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の製造工程で使用されるダイシングフレームに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のダイシングフレームは、図示しない半導体ウェーハを収容する中空のフレームを備え、このフレームの裏面に、半導体ウェーハを粘着保持するダイシングテープがウェーハマウンタにより着脱自在に粘着されており、専用のロボットでハンドリングされたり、半導体の加工装置にセットされる（特許文献１、２参照）。フレームにダイシングテープを粘着する方法としては、（１）ダイシングテープをフレームの形に沿ってプレカットし、その後、フレームの裏面にダイシングテープを粘着する方法、（２）フレームの裏面にダイシングテープを粘着してそのフレーム外周側の余剰部をカッタ刃で除去する方法のいずれかが採用される。
【０００３】
フレームは、樹脂を含む成形材料やステンレスを使用して平面略リング形に形成される。このフレームは、例えば口径３００ｍｍ（１２インチ）の半導体ウェーハを収容する場合には、成形材料製のタイプが２．５ｍｍ、３．５ｍｍ、３．７ｍｍの厚さに形成され、ステンレス製のタイプが１．２ｍｍや１．５ｍｍの厚さとされる。
【０００４】
ダイシングテープは、基材上に粘着層が積層され、この粘着層上に半導体ウェーハが粘着保持される。この粘着層を形成する粘着剤には、（１）通常の感圧タイプ、（２）紫外線の照射により粘着力を弱めるタイプ（特開２００３−２０６４５７号公報参照）、（３）紫外線や熱の照射により微小球を膨張させて粘着力を弱めるタイプ（特開２００３−６４３２９号公報参照）、（４）紫外線等の照射により窒素ガス等を発生させ、粘着力を弱めるタイプ（特開２００５−１９１５１３号公報参照）がある。
【０００５】
ところで、ダイシングフレームは、以上のようにフレームにダイシングテープを粘着してそのフレーム外周側の余剰部を除去する方法が採用される場合があるが、このダイシングテープの余剰部を除去するときには、紫外線や熱を加えることができない。したがって、フレームの周辺に強固に粘着したダイシングテープの余剰部を除去する際には、粘着剤の凝集力が弱いので、フレームにダイシングテープの粘着剤が残存してしまうことがある。
【特許文献１】特開２００７−２６６３６４号公報
【特許文献２】特開２００７−９６２２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来におけるダイシングフレームは、フレームにダイシングテープの粘着剤が残存してしまうことがあるので、これをこのまま放置すると、複数のフレームの保管時や再使用時にフレーム同士が粘着し、ロボットや加工装置を停止させ、半導体の生産性の低下を招くという問題がある。
【０００７】
本発明は上記に鑑みなされたもので、フレームにダイシングテープの粘着剤が残存するおそれを排除し、生産性の向上を図ることのできるダイシングフレームを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明においては上記課題を解決するため、中空のフレームの裏面に、基材上の粘着層に半導体ウェーハを粘着保持するダイシングテープを着脱自在に粘着するものであって、
フレームの裏面をダイシングテープ用の粘着領域と切断領域とに分割し、粘着領域を平滑に形成してフレームの裏面内周側に位置させ、切断領域を粗く形成してフレームの裏面外周側に位置させるようにしたことを特徴としている。
【０００９】
なお、フレームの裏面にダイシングテープを粘着してその余剰部を除去することが好ましい。
また、粘着領域の表面粗さを中心線平均粗さＲａ０．５μｍ以下、最大高さＲｍａｘ１０μｍ以下とすることが好ましい。
また、切断領域の表面粗さを最大高さＲｍａｘ１０μｍ以上とすることが好ましい。
【００１０】
ここで、特許請求の範囲におけるフレームは、樹脂を含む成形材料やステンレス等を使用して形成される。半導体ウェーハは、口径２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ等のタイプを特に問うものではない。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フレームにダイシングテープの粘着剤が残存するおそれを抑制し、これを通じて半導体の生産性の向上を図ることができるという効果がある。
また、粘着領域の表面粗さを中心線平均粗さＲａ０．５μｍ以下、最大高さＲｍａｘ１０μｍ以下とすれば、例えばダイボンダでのエキスパンド時やフレームカセットでの保管中にフレームからダイシングテープが剥がれるおそれが少ない。
さらに、切断領域の表面粗さを最大高さＲｍａｘ１０μｍ以上とすれば、ダイシングテープからフレームに粘着層の粘着剤が移行するのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明に係るダイシングフレームの好ましい実施形態を説明すると、本実施形態におけるダイシングフレームは、図１や図２に示すように、中空のフレーム１の裏面に、半導体ウェーハＷを粘着保持するダイシングテープ１０を着脱自在に粘着するフレームで、フレーム１の裏面をダイシングテープ１０用の粘着領域２０と切断領域２１とに二分割するようにしている。
【００１３】
フレーム１は、樹脂を含む成形材料やステンレスを使用して平面略リング形に形成され、中空部に口径３００ｍｍの半導体ウェーハＷを収容するよう機能する。このフレーム１は、その前部両側に位置決め用の切り欠き２がそれぞれ形成され、後部表面には図示しない凹み穴が形成されており、この凹み穴内にＲＦＩＤシステムのＲＦタグが選択的に貼着される。
【００１４】
ダイシングテープ１０は、例えば基材１１上にアクリル系、シリコーン系、フッ素系等の粘着層１２が積層され、この粘着層１２上に半導体ウェーハＷが着脱自在に粘着保持される。このようなダイシングテープ１０は、フレーム１の裏面に粘着されてそのフレーム１外周側の余剰部がカッタ刃により除去される。
【００１５】
粘着領域２０は、平滑に形成されてフレーム１の裏面内周側に平面リング形に位置し、ダイシングテープ１０の粘着層１２に粘着する。この粘着領域２０は、ダイシングテープ１０との十分な粘着を確保する観点から表面粗さが中心線平均粗さＲａ０．５μｍ以下、最大高さＲｍａｘ１０μｍ以下とされる。これは、この範囲から外れる場合には、粘着層１２の材質によっては、ダイボンダでのエキスパンド時やフレームカセットでの保管中にフレーム１の裏面からダイシングテープ１０の剥離するおそれがあるからである。
【００１６】
切断領域２１は、ダイシングテープ１０が粘着しにくいよう、粗く接触面積が小さくなるよう形成されてフレーム１の裏面外周側に平面リング形に位置し、粘着領域２０を包囲しており、ダイシングテープ１０の余剰部に積層される。この切断領域２１の形成方法としては、（１）粘着層１２の粘着剤が粘着しないようフレーム１の裏面外周側を表面処理加工する方法、（２）粘着剤が粘着しないフィルムや板体をフレーム１の裏面外周側に積層したり、コーティングする方法、（３）フレーム１の成形時に粘着剤が粘着しない非粘着面をフレーム１の裏面外周側に転写する方法、（４）成形したフレーム１の裏面外周側に凹凸をサンドブラストにより形成する方法等があげられる。
【００１７】
切断領域２１は、ダイシングテープ１０の粘着剤の残存防止を図る観点から表面粗さが最大高さＲｍａｘ１０μｍ以上、好ましくはＲｍａｘ４０μｍ以上とされる。その他の部分については、従来例と同様である。
【００１８】
上記構成によれば、フレーム１の裏面を粘着領域２０と切断領域２１とに二分割して非粘着の切断領域２１にダイシングテープ１０の余剰部を重ねるので、フレーム１の裏面の切断領域２１にダイシングテープ１０の粘着剤が残存してしまうことがない。したがって、複数のフレーム１の保管時や再使用時にフレーム１同士が粘着することがなく、ロボットや加工装置を停止させ、半導体の生産性の低下を招くこともない。さらに、フレーム１にダイシングテープ１０の粘着剤が残存することがないので、粘着剤を除去するためにフレーム１を洗浄する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係るダイシングフレームの実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図２】本発明に係るダイシングフレームの実施形態を模式的に示す裏面斜視説明図である。
【符号の説明】
【００２０】
１        フレーム
１０      ダイシングテープ
１１      基材
１２      粘着層
２０      粘着領域
２１      切断領域
Ｗ        半導体ウェーハ
【図１】
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【図２】
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