(57)【要約】【課題】半田ボールを正確かつ容易に位置決めすることができ、半田ボールの欠落や半田ボール同士の短絡を発生させることがなく、さらに半田ボールとの接続信頼性に優れた半田接続パッドを備えた配線基板およびその製造方法を提供することである。【解決手段】絶縁基板１と、該絶縁基板１の表面に被着された半田接続パッド４とを備えて成り、半田接続パッド４は該半田接続パッド４の外周部を形成するリング状の外周電極４ａと、該外周電極４ａから半田接続パッド４の中央部ｃに向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部４ｂとから成る配線基板およびその製造方法である。半田接続パッド４は、その中央部ｃに、複数の突出部４ｂの先端が接続された中心電極４ｃを有するのが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、該絶縁基板の表面に被着された半田接続パッドとを備えて成る配線基板であって、前記半田接続パッドは、該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成ることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記半田接続パッドは、その中央部に、前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有する請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記半田接続パッド上には、該半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増す半田が溶着されている請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁基板の表面に半田接続パッドを設ける工程と、前記半田接続パッド上に半田を溶着する工程とを含み、
前記半田接続パッドは、該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成り、
この半田接続パッド上に、前記半田を、前記半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増すように溶着することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記半田接続パッドは、その中央部に、前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有する請求項４記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するために用いられる配線基板として、図５に示すようなものがある。図５は、従来の配線基板と、半田ボールとを示す断面図である。同図に示すように、この配線基板１００は、例えばガラス−エポキシ板等やエポキシ樹脂等から成る絶縁層が複数積層された絶縁基板１０１の内部および表面に、銅箔や銅めっき膜等の銅から成る配線導体１０２が配設されて成る。
【０００３】
絶縁基板１０１の上面中央部には、半導体素子の電極が半田バンプ１０６を介して電気的に接続される半導体素子接続用の半田接続パッド１０３が複数形成されている。絶縁基板１０１の下面には、外部電気回路基板の配線導体に半田ボール１０８を介して電気的に接続される外部接続用の半田接続パッド１０４が複数形成されている。
【０００４】
絶縁基板１０１の上下面には、各半田接続パッド１０３，１０４の中央部を露出させる開口部１０５ａ，１０５ｂを有するソルダーレジスト層１０５が、各半田接続パッド１０３，１０４の外周部を覆うようにして被着されている。
【０００５】
ソルダーレジスト層１０５から露出する半田接続パッド１０３，１０４のうち、半田接続パッド１０３には、ソルダーレジスト層１０５より高い半田バンプ１０６が、半田接続パッド１０４には、ソルダーレジスト層１０５より低い半田層１０７がそれぞれ溶着されている。
【０００６】
半田接続パッド１０３，１０４上に予め溶着された半田バンプ１０６，半田層１０７は、いわゆる予備半田と呼ばれるものであり、半田接続パッド１０３への半導体素子の接続作業性、半田接続パッド１０４への半田ボール１０８の接合作業性を良好にするためのものである。
【０００７】
すなわち、半導体素子の電極を半田接続パッド１０３に溶着させた半田バンプ１０６上に当接させると共に、その半田バンプ１０６を加熱溶融させることによって半導体素子が配線基板１００上に実装される。
【０００８】
また、半田接続パッド１０４上に溶着させた半田層１０７上に半田ボール１０８を載置すると共に、その半田層１０７および半田ボール１０８を加熱溶融させることによって、半田接続パッド１０４上に半田ボール１０８が接合され、この半田ボール１０８を外部電気回路基板の配線導体上に接触させた状態で加熱溶融させることによって、配線基板１００が半田ボール１０８を介して外部電気回路基板上に実装される。
【０００９】
このような配線基板１００は、一般に以下のようにして製作される。すなわち、まず、内部および表面に銅から成る配線導体１０２が配設された絶縁基板１０１の上下面に、銅から成る半田接続パッド１０３，１０４を形成する。ついで、その絶縁基板１０１の上下面に各半田接続パッド１０３，１０４の中央部を露出させるようにしてソルダーレジスト層１０５を被着する。このソルダーレジスト層１０５から露出する半田接続パッド１０３，１０４の表面に半田を供給する。ついで、その半田を加熱溶融させることによって、半田接続パッド１０３，１０４上に半田バンプ１０６，半田層１０７をそれぞれ溶着させ、配線基板１００を得る。
【００１０】
しかしながら、半田接続パッド１０４上に溶着させた半田層１０７は、その表面張力の作用によってその中央部が盛り上がった形状になり、その表面は曲面になる（図６（ａ），（ｂ）参照）。このような半田層１０７上に半田ボール１０８を載置すると、半田ボール１０８が半田層１０７上を転がり易く、正確な位置決めが困難となり、半田ボール１０８の欠落や、半田ボール１０８同士の接触による短絡が発生するという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−２５８１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、半田ボールを正確かつ容易に位置決めすることができ、半田ボールの欠落や半田ボール同士の短絡を発生させることがなく、さらに半田ボールとの接続信頼性に優れた半田接続パッドを備えた配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
（１）絶縁基板と、該絶縁基板の表面に被着された半田接続パッドとを備えて成る配線基板であって、前記半田接続パッドは、該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成ることを特徴とする配線基板。
（２）前記半田接続パッドは、その中央部に、前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有する前記（１）記載の配線基板。
（３）前記半田接続パッド上には、該半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増す半田が溶着されている前記（１）または（２）記載の配線基板。
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁基板の表面に半田接続パッドを設ける工程と、前記半田接続パッド上に半田を溶着する工程とを含み、前記半田接続パッドは、該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成り、この半田接続パッド上に、前記半田を、前記半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増すように溶着することを特徴とする。
前記半田接続パッドは、その中央部に、前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半田接続パッドが該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成る。これにより、この接続パッド上に半田を供給して該半田を加熱溶融させた際には、その表面張力の作用によって、半田接続パッド上に前記（３）のような半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増す半田（予備半田）を溶着させることができる。このような形状を有する半田上に半田ボールを載置すると、半田ボールが半田上を転がり難く、半田接続パッドから転がり出るのを抑制でき、正確な位置決めが可能となる。その結果、半田ボールの欠落や、半田ボール同士の接触による短絡の発生を抑制することができる。
【００１５】
さらに、本発明にかかる半田接続パッドを絶縁基板の表面に被着すると、半田接続パッドの外周電極および突出部によって囲まれた領域内から絶縁基板の表面の一部が露出する。このため、半田接続パッド上に溶着させた半田上に半田ボールを載置すると、載置された半田ボール下部と、前記領域内に露出する絶縁基板の表面との間に間隙が形成される。この状態で半田および半田ボールを加熱溶融させて、半田接続パッド上に半田ボールを接合すると、前記領域内に露出する絶縁基板と形成された半田との間に空洞が形成される。これにより、半田と半田接続パッドとの熱膨張率の差に起因して発生する応力を前記空洞へ逃がすことによって該応力を低減することができるので、半田にクラック等が発生するのを抑制することができ、半田接続パッドと半田ボールとの接続信頼性を優れたものにすることができる。
【００１６】
特に、前記（２）のように、半田接続パッドの中央部に前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有すると、該中心電極に電気テスト用のプローブの先端を押し当てて簡単に電気テストを行うことができる。また、該中心電極を介して外周電極と複数の突出部とが連続した形状になるので、半田接続パッド上に半田を溶着させる際には、溶融した半田がパッド上を均一に流れて、前記（３）のような形状を有する半田が溶着されやすくなる。さらに、中心電極を有すると、半田ボールが半田接続パッドの中央部に固定されやすくなり、これにより半田ボール溶融後に半田接続パッド内に均一な厚みを有する半田による接続部を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明にかかる配線基板およびその製造方法の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施形態にかかる配線基板と、半田ボールとを示す断面図である。図２（ａ）は、図１に示した配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩ−Ｉ線の破断面を示す図であり、図２（ｃ）は、図２（ａ）のII−II線の破断面を示す図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態にかかる配線基板１５は、絶縁層１ａの上下面に絶縁層１ｂを複数積層して絶縁基板１を形成しており、最表層の絶縁層１ｂ上にソルダーレジスト層５が積層されている。絶縁基板１の上面中央部には、半導体素子の電極が半田バンプ６を介して電気的に接続される半導体素子接続用の半田接続パッド３が複数形成されている。絶縁基板１の下面には、外部電気回路基板に半田ボール８を介して電気的に接続される外部接続用の半田接続パッド４が複数形成されている。絶縁基板１の上面から下面にかけて、対応する半田接続パッド３と半田接続パッド４とを互いに電気的に接続する配線導体２が配設されている。そして、半田接続パッド３には半田バンプ６が、半田接続パッド４には半田層７がそれぞれ被着されている。
【００１９】
絶縁層１ａは、配線基板１５の芯体となる部材であり、例えばガラス繊維束を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る。絶縁層１ａの厚みとしては、例えば０．３〜１．５ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直径が０．１〜１ｍｍ程度の複数の貫通孔９を有している。絶縁層１ａの上下面および各貫通孔９の内面には、配線導体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２が貫通孔９を介して電気的に接続されている。
【００２０】
このような絶縁層１ａは、例えばガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁シートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことにより製作される。絶縁層１ａ上下面の配線導体２は、絶縁層１ａ用の絶縁シートの上下全面に厚みが３〜５０μｍ程度の銅箔を張着しておくと共に、この銅箔をシート硬化後にエッチング加工することにより所定のパターンに形成される。また、貫通孔９内面の配線導体２は、絶縁層１ａに貫通孔９を設けた後に、この貫通孔９内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが３〜５０μｍ程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。
【００２１】
貫通孔９の内部には、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂１０が充填されている。孔埋め樹脂１０は、貫通孔９を塞ぐことにより、該貫通孔９の直上および直下に配線導体２および各絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、例えば未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔９内にスクリーン印刷法により充填し、それを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。この孔埋め樹脂１０を含む絶縁層１ａの上下面に、絶縁層１ｂが複数積層されている。
【００２２】
絶縁層１ａの上下面に積層された各絶縁層１ｂは、それぞれの厚みが２０〜６０μｍ程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が３０〜１００μｍ程度の複数の貫通孔１１を有している。各絶縁層１ｂは、配線導体２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものである。そして、上層の配線導体２と下層の配線導体２とを貫通孔１１を介して電気的に接続することにより高密度配線が立体的に形成可能となっている。
【００２３】
このような各絶縁層１ｂは、例えば厚みが２０〜６０μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂から成る絶縁フィルムを絶縁層１ａの上下面に張着し、これを熱硬化させると共に、レーザ加工により貫通孔１１を穿孔し、さらにその上に同様にして次の絶縁層１ｂを順次積み重ねることによって形成される。各絶縁層１ｂの表面および貫通孔１１内に被着された配線導体２は、各絶縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通孔１１内に５〜５０μｍ程度の厚みを有する銅めっき膜を公知のセミアディティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
【００２４】
絶縁基板１の上面に形成された半導体素子接続用の半田接続パッド３、絶縁基板１の下面に形成された外部接続用の半田接続パッド４は、厚みが３〜５０μｍ程度の銅めっき膜から成り、それぞれ配線導体２に電気的に接続されている。半田接続パッド３は半導体素子を接続するための端子として、半田接続パッド４は外部電気回路に接続するための端子としてそれぞれ機能する。このような半田接続パッド３，４は、例えば絶縁層１ｂの表面に公知のセミアディティブ法により銅めっき膜を所定のパターンに被着させることにより形成される。
【００２５】
半田接続パッド３の表面に被着された半田バンプ６は、例えば鉛−錫合金等の鉛含有半田から成り、半田接続パッド３と半導体素子とを接続するための接続部材として機能する。そして、半導体素子の電極を半田バンプ６に接触させた状態で半田バンプ６を溶融させることにより、半田接続パッド３と半導体素子の電極とが半田バンプ６を介して電気的に接続される。半田バンプ６を半田接続パッド３に予め被着させておくと、半田接続パッド３への半導体素子の接続の作業性が極めて良好なものとなる。
【００２６】
半田バンプ６は、例えば半田接続パッド３上に鉛−錫合金等から成る鉛入り半田粉末を含有する半田ペーストをスクリーン印刷法により印刷塗布すると共に、半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより半田接続パッド３上に被着される。
【００２７】
半田接続パッド４に被着された半田層７は、例えば錫−銀−銅合金等の鉛フリー半田から成り、半田接続パッド４の酸化を防止すると共に、この半田接続パッド４に半田ボール８を接合させる際にその接合を容易かつ強固とするための下地金属として機能する。そして、半田ボール８を半田層７に接触させた状態で半田層７を加熱溶融させることにより、半田ボール８が半田接続パッド４に接合される。
【００２８】
半田層７は、例えば半田接続パッド４上に錫−銀−銅合金等から成る鉛フリー半田粉末を含有する半田ペーストをスクリーン印刷法により印刷塗布すると共に、半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより半田接続パッド４上に被着される。
【００２９】
ここで、半田接続パッド４は、図２（ａ）に示すように、その外周部を形成するリング状の外周電極４ａと、該外周電極４ａから半田接続パッド４の中央部ｃに向かってその幅が狭くなるように突出する４つの突出部４ｂ，４ｂ，４ｂ，４ｂとから成る。これにより、半田接続パッド４上に印刷塗布された前記半田ペースト中の半田を加熱溶融させた際には、その表面張力の作用によって、図２（ｂ）に示すように、半田接続パッド４の中央部ｃから外周電極４ａ方向に向かって厚みが増すように半田層７を溶着させることができる。この半田層７上に半田ボール８を載置すると、半田ボール８が半田層７上を転がり難く、半田接続パッド４から転がり出るのを抑制でき、正確な位置決めが可能となる。
【００３０】
さらに、半田層７上に半田ボール８を載置すると、図２（ｃ）に示すように、載置された半田ボール８下部と、外周電極４ａ，突出部４ｂ，４ｂ，・・・，下記で説明する中心電極４ｃによって囲まれた領域内に露出する絶縁層１ｂの表面との間に間隙ｄが形成される。この状態で半田層７，半田ボール８を加熱溶融させて、半田接続パッド４上に半田ボール８を接合すると、絶縁層１ｂと形成される半田との間に空洞が形成される。これにより、半田と半田接続パッド４との熱膨張率の差に起因して発生する応力を前記空洞に逃がして低減することができ、半田にクラック等が発生するのを抑制することができる。またこのとき、接合された半田ボール８は、外周電極４ａの内側側面および突出部４ｂの側面とも接合するので、半田接続パッド４と半田ボール８との接合面が立体的となり、それによっても半田ボール８が強固にかつ信頼性高く接合される。
【００３１】
半田接続パッド４は、その中央部ｃに、突出部４ｂ，４ｂ，・・・の先端が接続された中心電極４ｃを有している。これにより、この中心電極４ｃに電気テスト用のプローブの先端を押し当てて簡単に電気テストを行うことができる。また、中心電極４ｃを有すると、該中心電極４ｃを介して外周電極４ａと突出部４ｂ，４ｂ，・・・とが連続した形状になるので、溶融した半田をパッド上に均一に流すことができ、半田層７が図２（ｂ）に示すような形状に形成されやすくなる。さらに、中心電極４ｃを有すると、半田ボール８が半田接続パッド４の中央部に固定されやすくなり、これにより半田ボール８溶融後に半田接続パッド４内に均一な厚みを有する半田による接続部を形成することができる。
【００３２】
一方、最表層の絶縁層１ｂの上に積層されたソルダーレジスト層５は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等のフィラーを含有させて成る。上面側のソルダーレジスト層５は、半田接続パッド３の中央部を露出させる開口部５ａを有しており、半田バンプ６の高さよりも薄い厚みで形成されている。下面側のソルダーレジスト層５は、半田接続パッド４の中央部を露出させる開口部５ｂを有しており、半田層７の高さよりも大きい厚みで形成されている。
【００３３】
これらのソルダーレジスト層５は、隣接する半田接続パッド３同士または半田接続パッド４同士の電気的な絶縁信頼性を高めると共に、半田接続パッド３，４の絶縁層１ｂへの接合強度を大きなものとする作用をなす。
【００３４】
また、ソルダーレジスト層５の厚みが半田バンプ６の高さよりも薄いことにより、半導体素子を半田接続パッド３に半田バンプ６を介して電気的に接続する際には、半導体素子の電極と半田バンプ６とを良好に接触させることができるので、半田バンプ６を介した半導体素子と半田接続パッド３との電気的な接続が容易となる。
【００３５】
また、ソルダーレジスト層５の厚みが半田層７の高さよりも大きいことにより、半田層７上にソルダーレジスト層５の開口部５ｂによる窪みが形成されるので、半田接続パッド４上に半田ボール８を接合させる際には、半田ボール８がソルダーレジスト層５の開口部５ｂ内の窪みに良好に位置決めされて、半田ボール８と半田接続パッド４との接合が容易となる。
【００３６】
このようなソルダーレジスト層５は、その厚みが１０〜５０μｍ程度であり、例えば感光性を有するソルダーレジスト層５用の未硬化樹脂ペーストをロールコーター法やスクリーン印刷法を採用して最表層の絶縁層１ｂ上に塗布し、これを乾燥させた後、露光および現像処理を行なって半田接続パッド３，４の中央部を露出させる開口部５ａ，５ｂを形成した後、これを熱硬化させることによって形成される。あるいは、ソルダーレジスト層５用の未硬化の樹脂フィルムを最表層の絶縁層１ｂ上に張着した後、これを熱硬化させ、しかる後、半田接続パッド３，４の中央部に対応する位置にレーザ光を照射し、硬化した樹脂フィルムを部分的に除去することによって半田接続パッド３，４の中央部を露出させる開口部５ａ，５ｂを有するように形成される。
【００３７】
次に、本発明にかかる配線基板の他の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図３（ａ）は、本実施形態の配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のIII−III線の破断面を示す図である。なお、図３（ａ），（ｂ）においては、前述した図１，図２と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３８】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態にかかる外部接続用の半田接続パッド２０は、リング状の外周電極２０ａと、該外周電極２０ａから半田接続パッド２０の中央部ｃに向かってその幅が狭くなるように突出する４つの突出部２０ｂ，２０ｂ，・・・とから成る。外部接続用の半田接続パッドをこのように構成しても、前記した一実施形態にかかる半田接続パッド４と同様の効果を奏することができる。なお、電気テストを行う際には、先端が平坦加工された電気テスト用のプローブを用いればよい。その他の構成は、前記した一実施形態にかかる半田接続パッド４と同様である。
【００３９】
以上、本発明にかかるいくつかの実施形態について説明したが、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において種々の改善や変更が可能である。例えば前記した実施形態では、半導体素子接続用の半田接続パッドおよび外部接続用の半田接続パッドのうち、外部接続用の半田接続パッドを本発明にかかる形状で構成した場合について説明したが、半導体素子接続用の半田接続パッドについても同様に本発明にかかる形状で構成してもよい。
【００４０】
突出部の数が４つである半田接続パッド４，２０について説明したが、本発明にかかる突出部の数はこれに限定されるものではなく、３〜７つ程度の範囲から任意に選定すればよい。したがって、突出部の数を例えば図４に示すような３つにしてもよい。すなわち、図４に示す半田接続パッド２５は、リング状の外周電極２５ａと、該外周電極２５ａから半田接続パッド２５の中央部ｃに向かってその幅が狭くなるように突出する３つの突出部２５ｂ，２５ｂ，２５ｂとから成る。その他の構成は、前記した実施形態にかかる半田接続パッド４，２０と同様である。
【００４１】
半田接続パッド４に被着された半田層７は、鉛フリー半田から成る場合について説明したが、該鉛フリー半田に代えて、半田バンプ６で例示した鉛含有半田等を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる配線基板と、半田ボールとを示す断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示した配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ線の破断面を示す図であり、（ｃ）は、（ａ）のII−II線の破断面を示す図である。
【図３】（ａ）は、本発明の他の実施形態にかかる配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のIII−III線の破断面を示す図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態にかかる配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図である。
【図５】従来の配線基板と、半田ボールとを示す断面図である。
【図６】（ａ）は、図５に示した配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のIV−IV線の破断面を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  絶縁基板
１ａ，１ｂ  絶縁層
２  配線導体
３  半導体素子接続用の半田接続パッド
４，２０，２５  外部接続用の半田接続パッド
４ａ，２０ａ，２５ａ  外周電極
４ｂ，２０ｂ，２５ｂ  突出部
４ｃ  中心電極
５  ソルダーレジスト層
５ａ，５ｂ  開口部
６  半田バンプ
７  半田層
８  半田ボール
９  貫通孔
１０  孔埋め樹脂
１１  貫通孔
１５  配線基板
【図１】
2009123757.tif 000003
【図２】
2009123757.tif 000004
【図３】
2009123757.tif 000005
【図４】
2009123757.tif 000006
【図５】
2009123757.tif 000007
【図６】
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