(57)【要約】【課題】隣接した半導体レーザ素子間の電気的干渉又は熱的干渉を低減した信頼性の高い半導体レーザアレイ素子を提供する。【解決手段】少なくとも、ｎ型半導体基板１上に形成されたｎ型クラッド層２と、前記ｎ型クラッド層２の上に量子井戸構造からなる活性層３と、前記活性層３の上にリッジ部１６と当該リッジ部１６の両側にストライプ溝部１５とを有するｐ型クラッド層４ａ、４ｂとを積層して構成された半導体レーザアレイ素子であって、前記ストライプ溝部１５より下方に存在する前記ｐ型クラッド層４ａ内にｎ型半導体領域７を有し、前記ｎ型半導体領域７の積層方向の厚さは、前記ストライプ溝部１５より下方に存在する前記ｐ型クラッド層４ａの積層方向の厚さの５０％以上であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１導電型半導体基板上に形成された第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の上に量子井戸構造からなる活性層と、前記活性層の上にリッジ部と当該リッジ部の両側にストライプ溝部とを有する第２導電型半導体層とを積層して構成された半導体レーザアレイ素子であって、
前記ストライプ溝部より下方に存在する前記第２導電型半導体層内に第1導電型半導体で形成される第1導電型半導体領域を有し、
前記第1導電型半導体領域の積層方向の厚さは、前記ストライプ溝部より下方に存在する前記第２導電型半導体層の積層方向の厚さの５０％以上である
ことを特徴とする半導体レーザアレイ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザアレイ素子において、
前記第1導電型半導体領域は、前記活性層より上方に存在する
ことを特徴とする半導体レーザアレイ素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体レーザアレイ素子において、
前記第1導電型半導体領域は、前記ストライプ溝部から不純物を注入することにより形成され、
前記第２導電型半導体層へ注入する前記不純物の量は３×１０１９ｃｍ−３以下であり、かつ、前記活性層中に拡散した前記不純物の量は１×１０１６ｃｍ−３以下である
ことを特徴とする半導体レーザアレイ素子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の半導体レーザアレイ素子において、
前記不純物は熱拡散法により注入される
ことを特徴とする半導体レーザアレイ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信、光情報処理などの技術分野において光源として用いられる半導体レーザアレイ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、AlGaInP材料系の赤色半導体レーザ素子が、レーザプリンタ光源、高密度光ディスクピックアップ、ＰＯＦ(Plastic Optical Fiber)通信等の光源として非常に注目されている。なかでも、半導体レーザアレイ（半導体モノリシックレーザアレイ）素子は、複数のビームが出射可能で、高密度化が可能という優れた特徴を有しているため、高速レーザプリンタ、光ディスクピックアップ及び光ファイバ通信等の光源として用いられている。
【０００３】
半導体レーザアレイから出射される複数のビームは、半導体レーザアレイの構成が簡単で、位置精度が高いことから、同一のレンズを通して集光されるように、半導体レーザアレイの各素子はできるだけ高密度に配置されている必要がある。
【０００４】
そこで、近年、レーザ発振部の間隔が十数μm程度の半導体レーザアレイ素子の開発が急がれている。しかし、各素子の間隔が小さくなるに従って、高密度に配置された半導体レーザアレイでは、電気的又は熱的な干渉が生じ易く、素子特性が隣接素子の動作状況によって影響を受けるという問題がある。この問題を解決して半導体レーザアレイの各素子が独立して駆動できるようにするために、隣接した素子との間で、ｎ−クラッド層の一部にまで到達する高抵抗領域や逆導電型半導体領域が形成された半導体レーザアレイ素子が開発されている。
【０００５】
例えば、特許文献１では、隣接する素子との間に量子井戸構造を含む無秩序化領域を生じさせることにより、隣接素子間の干渉を減少させている。図３は、特許文献１に記載の半導体レーザアレイ素子の斜視図を示したものである。n-GaAs基板５０１上にMOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)法によりエピタキシャル成長させたn-AlGaAsクラッド層５０２、AlGaAs/GaAsからなる量子井戸構造の活性領域５０３、p-AlGaAsクラッド層５０４、p-GaAsキャップ層５０６が形成され、更に、p-AlGaAsクラッド層５０４を途中までエッチングしてストライプ状リッジが形成され、更に、絶縁層５０８、ｐ側電極５０９及び基板５０１の裏面のｎ側電極が形成されている。これにより、GaAs基板上に、複数の半導体レーザアレイが構成される。更に、２個以上の発光部を形成するために、エッチング領域に「不純物拡散による半導体多層膜の無秩序化」技術を用いて量子井戸構造を含む無秩序化領域５０７が形成されている。無秩序化された領域５０７は禁則帯幅が増加し屈折率が減少するので、電流狭窄構造と光閉じ込め構造を形成する。これにより、素子の発振閾値電流及び発熱を低減させることが可能になり、隣接素子間の干渉を減少させている。
【０００６】
また、特許文献２では、イオン注入技術により隣接する半導体レーザ素子間に高抵抗領域を形成することにより、隣接した素子間の熱干渉を低減させている。図４は、特許文献２に記載の半導体レーザアレイを示す図である。n-GaAs基板６０１上に、GaAsP格子不整解消層６１1とｎ-GaAsPバッファー層６１２を介して、n-AlGaInPクラッド層６０２、GaInP活性層６０３、p-AlGaInP第一クラッド層６０４a、p-GaAsPエッチングストップ層６０５、ｐ-AlGaInP第二クラッド層６０４b、p-GaInPヘテロスパイク緩衝層６１３及びｐ-GaAsPコンタクト層６０６が結晶成長により形成されている。更に、コンタクト層６０６上に、所定間隔のストライプ状レジストパターンを形成して、ｐ-GaAsPエッチングストップ層６０５までの各層をエッチング加工することで、図４に示すように、同一の基板上に複数のリッジストライプ構造が形成されている。そして、SiO２絶縁膜が形成され、p-GaAsPコンタクト層６０６上にｐ側電極６０９、基板1の裏面にはｎ側電極６１０が各々形成されている。そして、各リッジストライプ構造間には、イオン注入技術を用いることにより、ｐ-AlGaInP第一クラッド層６０４aからn-AlGaInPクラッド層６０２の一部まで、高抵抗領域６０７が形成されている。これにより、活性領域からクラッド層へのキャリアの溢れ出しを抑制し、隣接した素子部間の熱干渉を低減することの可能な半導体レーザアレイ素子が実現させている。
【０００７】
また、特許文献３では、図５に示すように、ｎ型GaAs基板１０１上に、n型AlGaAsクラッド層１０２と、活性層１０３と、p型AlGaAsクラッド層１０４と、p型GaAsコンタクト層１０５とを積層させ、クラッド層１０４を、エッチングにより、中央のリッジ部１０４ａと平面部１０４ｂとからなるリッジストライプ形状に形成した半導体レーザ１００において、注入された電流の広がりを抑えるために、p型クラッド層１０４ａ、１０４ｂの一部にｎ型ドーパントの拡散領域１０４ｃを設けることにより、p型GaAsコンタクト層１０５からp型AlGaAsクラッド層１０４ｂに沿った方向への電流Ｉの広がりを抑えて、高いキンクレベルの半導体レーザを実現している。
【０００８】
このように、従来技術では、隣接するリッジストライプ間に、表面から活性層を含む領域の中に不純物を拡散又は注入することにより、高抵抗又は逆導電型半導体領域を形成し、電流の横方向の拡散を抑える共に、発光に寄与しない無効電流の低減を図っている。また、半導体多層膜を無秩序化する技術により、不純物を拡散又は注入した活性領域の禁則帯幅を広げ、実屈折率の差異を利用することにより、横方向に光を閉じ込め、発振閾値電流を低減し、隣接した半導体レーザ素子間の熱的な影響の減少を図っている。
【０００９】
【特許文献１】特開平６−９７５８９号公報
【特許文献２】特開２００２−２３７６５７号公報
【特許文献３】特開２００５−２５１８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、不純物を熱拡散法によってｎ型クラッド層の一部にまでｎ型半導体領域を形成しているため、駆動電流の一部がバイアス電流としてｎ型半導体領域なる無秩序化領域５０７にも流れ込み、非発光再結合による熱が生じた。これは、特に、AlGaInP系材料では、クラッド層と活性層の禁則帯幅の差が十分ではないにもかかわらず、無秩序化領域５０７の不純物濃度が高くなることにより、電気抵抗率が大幅に減少してバイアス電流が大きくなるからである。
【００１１】
さらに、特許文献２に記載の技術では、隣接するリッジストライプ間に、高抵抗領域６０７を形成するため、プロトン注入によってｐｎ接合部分を破壊するという手間のかかるプロセスを行う必要があった。また、非晶質化部分は結晶構造を回復するための長時間熱処理が必要であり、プロトンを注入しない活性層においても熱変化が生じて、素子の信頼性に著しい問題があった。
【００１２】
さらに、特許文献３に記載の技術では、ｎ型拡散領域１０４ｃでの光の吸収損失を避けるために、「ｎ型ドーパント量の上限を５×１０１８ｃｍ-３」という記載や、一般的なAlGaInP系材料を用いた半導体レーザのｐ型クラッド層のキャリア濃度が５×１０１７ｃｍ-３以上であること、及び一般的な活性層のキャリア濃度から、熱拡散方程式を解くことにより、クラッド層の中に形成されるｐｎ接合界面と活性層との間の距離は形成されるｎ型領域の厚さの１．４倍以上であることが分かる。このような距離では、狭ピッチレーザ素子アレイにおいて、隣接するレーザ素子間の電気的影響の抑制が不十分になる。
【００１３】
上記問題点に鑑み、本発明は、隣接した半導体レーザ素子間の電気的干渉又は熱的干渉を低減した信頼性の高い半導体レーザアレイ素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明は、少なくとも、第１導電型半導体基板上に形成された第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の上に量子井戸構造からなる活性層と、前記活性層の上にリッジ部と当該リッジ部の両側にストライプ溝部とを有する第２導電型半導体層とを積層して構成された半導体レーザアレイ素子であって、前記ストライプ溝部より下方に存在する前記第２導電型半導体層内に第1導電型半導体で形成される第1導電型半導体領域を有し、前記第1導電型半導体領域の積層方向の厚さは、前記ストライプ溝部より下方に存在する第２導電型半導体層の積層方向の厚さの５０％以上であることに一つの特徴を有する。
【００１５】
本発明の他の特徴は、前記第1導電型半導体領域が前記活性層より上方に存在することにある。
【００１６】
本発明の他の特徴は、前記第1導電型半導体領域が、前記ストライプ溝部から不純物を注入することにより形成され、前記第２導電型半導体層へ注入する前記不純物の量は３×１０１９ｃｍ−３以下であり、かつ、前記活性層中に拡散した前記不純物の量は１×１０１６ｃｍ−３以下であることにある。
【００１７】
本発明の他の特徴は、前記不純物が熱拡散法により注入されることにある。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、上部クラッド層内に逆導電型の半導体領域を形成して、当該半導体領域の厚さと不純物の量を定量的に規定することにより、隣接した半導体レーザ素子間の電気的干渉又は熱的干渉を低減した信頼性の高い半導体レーザアレイ素子を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態になる半導体レーザアレイ素子の斜視図である。
【００２１】
図１に示す半導体レーザアレイ素子は、半導体基板１上にクラッド層２、４ａ、４ｂとよばれる比較的禁制帯幅が広い部材の層を設け、このクラッド層２、４ａ、４ｂの間に活性層３とよばれるクラッド層２、４ａ、４ｂよりも禁制帯幅が狭い活性層を設けて構成されたものであり、同一半導体基板１上に複数のリッジ部１６がストライプ状に形成されて構成されたものである。以下、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型として説明する。クラッド層２、４ａ、４ｂには、正孔よりも電子が多く存在するｎ型クラッド層２と、電子よりも正孔が多く存在するｐ型のクラッド層４ａ、４ｂがある。ｎ型のクラッド層２からは活性層３に電子が注入され、ｐ型のクラッド層４ａ、４ｂからは活性層３へ正孔が注入される。電子と正孔とは、活性層３において再結合し、再結合に応じたエネルギーの光を発生する。
【００２２】
半導体基板１の裏面（図中の下面）にはｎ側電極１０を備え、基板１の表面には下から順に、下部クラッド層２、活性層３、上部クラッド層４ａ、エッチングストップ層５、上部クラッド層４ｂ、コンタクト層６が順次結晶成長され、そして、コンタクト層６上に、所定間隔のストライプ状レジストパターンを形成して、エッチングストップ層５までの各層をエッチング加工することにより、同一基板上に複数のリッジストライプ構造が形成される。そして、コンタクト層６上には、ｐ側電極９が形成され、隣接する半導体レーザアレイ素子間の上部クラッド層４ａ内には、ストライプ溝部１５よりｎ型不純物が導入されてｎ型半導体領域７が形成されている。なお、符号８は、絶縁膜（ＳｉＯ２）である。
【００２３】
同一基板上に複数の発振領域を備える半導体レーザアレイ素子では、隣接する素子との間で、電気的及び熱的な干渉が生じ易く、素子特性が隣接素子の動作状況によって影響を受けるという問題があるが、本実施形態では、隣接する半導体レーザアレイ素子間のｐ型半導体からなる上部クラッド層４ａ内にｎ型半導体領域７を形成するために、導入する不純物の量やｐ型クラッド層４ａにおけるｎ型半導体領域７の厚さを定量的に規定することにより、従来の半導体レーザアレイ素子における隣接した素子との間で、ｎ型クラッド層の一部にまで到達する高抵抗領域や逆導電型半導体領域が形成された半導体レーザアレイ素子との効果の差異を明確にしている。以下、実施例により詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図２は、本発明の一実施例になる半導体レーザアレイ素子の断面図である。
【００２５】
半導体基板１は、例えば、ｎ型のGaAs基板である。まず、図２に示すように、ｎ-GaAs基板１上に、n-AlGaInP クラッド層２（ｎ＝３×１０１７ｃｍ−３、厚さ：２μm）、活性層３を結晶成長させる。活性層３は、アンドープＭＱＷ（Multiple Quantum Well：多重量子井戸構造）層３ｂを、アンドープAlGaInP下ガイド層３ａとアンドープAlGaInP上ガイド層３ｃとにより挟み込んだ構成にしている。
【００２６】
なお、実施例１の半導体レーザアレイ素子では、ＭＯＶＰＥ(Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)法による結晶成長が用いられる。
【００２７】
実施例１では、アンドープＭＱＷ層３ｂは、ウェル層（井戸層）をGaInP層で形成し、バリア層をAlGaInP層で形成したＭＱＷ構造になっている。例えば、ウェル層は、膜厚を５ｎｍ、層数を３とし、格子不整合率が＋０．７％の圧縮歪みを有し、バリア層は、膜厚を４ｎｍ、層数を４とし、ウェル層にバリア層を交互に積層した構造になっている。
【００２８】
また、アンドープAlGaInP下ガイド層３ａとアンドープAlGaInP上ガイド層３ｃは光ガイド層ともよばれ、この光ガイド層により、垂直方向にレーザ光を閉じ込めることができ、光ガイド層の組成や厚さによって垂直広がり角度を制御できる。
【００２９】
次に、図２に示すように、活性層３上に、ｐ-AlGaInP第１クラッド層４a（ｐ＝１〜５．０×１０１７ｃｍ−３、厚さ：０．１５〜０．４５μm）、p-GaInPエッチングストップ層５（厚さ：１０ｎｍ）、p-AlGaInP第２クラッド層４ｂ（ｐ＝５×１０１７ｃｍ−３、厚さ：１．０〜１．５μm）及びｐ-GaAsコンタクト層６（ｐ＝０．２〜１×１０１９ｃｍ−３、厚さ：０．２〜０．７μm）を順次に結晶成長させる。
【００３０】
そして、ｐ-GaAsコンタクト層６上に、所定間隔Ｘ（本実施例において、間隔Ｘは約１０〜５０μmである）のストライプ状レジストパターンを形成して、エッチングストップ層５までの各層をエッチング加工する。このようにして、図２に示す半導体レーザアレイ素子のリッジストライプ構造が形成される。このとき、半導体レーザアレイ素子のリッジ部１６の幅Ｌは約２〜３μmである。
【００３１】
次に、エッチングしたストライプのストライプ溝部１５からp-AlGaInP第１クラッド層４aにｎ型不純物シリコン（Ｓｉ）を３００〜８００℃で２〜１２０分間の熱拡散法により注入し、ｎ型半導体領域７とｐ-AlGaInP第１クラッド層４aとの境界面からｐ-AlGaInP第１クラッド層４aと活性層３との境界面までの積層方向の距離Ｍを２０ｎｍとするｎ型半導体領域７を形成する。熱拡散法は、プロセスが簡単であることに加え、拡散の深さを高精度に制御できるため、本実施例のような浅い接合を形成することができる。よって、本実施例では、熱拡散法を好適に用いている。
【００３２】
ここで、注入するｎ型不純物量は、不純物の拡散温度や深さによって変わり、ｐ-AlGaInP第１クラッド層４aの結晶を劣化させるまでドーピングできるが、上限は３×１０１９ｃｍ−３程度になると考えられる。注入する不純物はＳｉ以外にイオウ、セレン、スズ等を使用することが可能である。
【００３３】
ここで、ｎ型不純物Ｓｉの拡散によって活性層３の機能を低下させないようにするために、活性層中に拡散した不純物の量の上限は、１×１０１６ｃｍ−３程度になると考えられる。更に、ｎ型導電半導体領域７と活性層３との境界面は、活性層３の近傍であり、活性層３に達しないようにする必要がある。例えば、上記距離Ｍは１００ｎｍ以下が好ましい。更に、本実施例では、上記距離Ｍは５〜６０ｎｍであることが好ましい。本実施例では、上述したように上記距離Ｍ２０ｎｍであり、p-AlGaInP第１クラッド層４aの厚さＹが０．１５〜０．４５μｍであるため、積層方向におけるｎ型半導体領域７の厚さＺは上記Ｙの５０％以上を確保している。
【００３４】
従来技術である特許文献３に記載の技術では、p型クラッド層１０４ｂとｎ型ドーパントの拡散領域１０４ｃとのｐｎ接合界面からp型クラッド層１０４ｂと活性層１０３との境界面までの距離が、積層方向でｐ型クラッド層１０４ｂ内に形成されるｎ型領域１０４ｃの厚さの１．４倍以上であるため、最大でもｎ型領域１０４ｃの厚さはｐ型クラッド層１０４ｂの厚さの４２％程度しか確保されておらず、横方向への電流の広がりを抑制するには不十分である。
【００３５】
以下に、理想的なｐｎ接合を有するダイオードとして階段接合モデルを用いて空乏層の幅を計算した例を示す。階段接合の場合、ｐ型領域の空乏層の積層方向の厚さＷは、以下の式を用いて算出することができる。
【００３６】
【数１】
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ここで、ε０：真空の誘電率（８．８５４１８×１０−１４Ｆ／ｃｍ）、ε：AlGaInPクラッド層の比誘電率、ｅ：電子の電荷量（１．６×１０−１９Ｃ）、Ｎａ：ｐ型キャリア濃度、Ｎｄ：ｎ型キャリア濃度、Ｖｂｉ：内部接合電位差である。
【００３７】
上記式に、本実施例に係る数値として、ε＝１１．６、Ｎｄ＝５×１０１７ｃｍ−３、Ｎａ＝５×１０１７ｃｍ−３、Ｖｂｉ＝１．９Ｖをそれぞれ代入すると、Ｗは約５０ｎｍになる。
【００３８】
本実施例において、上記p-AlGaInP第１クラッド層４aの厚さＹを２００ｎｍとし、ｎ型半導体領域７の厚さＺを下限の上記Ｙの５０％とすると、厚さＺは１００ｎｍになる。そうすると、空乏層の厚さＷを考慮したときに、上記p-AlGaInP第１クラッド層４aのうちの有効なｐ型領域の積層方向の厚さは、２００ｎｍ−１００ｎｍ−５０ｎｍ＝５０ｎｍとなる。よって、横方向の電気抵抗は、上記ｎ型半導体領域７が存在しない場合の４倍以上になり、横方向の電流を十分に止めることができる。
【００３９】
一方、特許文献３におけるｐ型クラッド層１０４ｂの厚さを２００ｎｍ、上述したようにドーピングした量の上限を５×１０１８ｃｍ−３としたとき、ｎ型領域１０４ｃの厚さは２００／（１＋１．４）＝８３ｎｍ以下になり、残った有効なｐ型クラッド層１０４ｂの厚さは、２００ｎｍ−８３ｎｍ−５０ｎｍ＝６７ｎｍになるため、横方向の電気抵抗は、上記ｎ型領域が存在しない場合の３倍以下となる。さらに、ドーピングした量を２×１０１８ｃｍ−３とすると、熱拡散方程式を解くことにより、クラッド層の中に形成されるｐｎ接合界面と活性層との間の距離は形成されるｎ型領域の厚さの２．５倍以上であることが分かる。よって、ｎ型領域の幅は２００／（１＋２．５）＝５７ｎｍになり、残った有効なｐ型領域の幅は、２００ｎｍ−５７ｎｍ−５０ｎｍ＝９３ｎｍになるため、横方向の電気抵抗は２倍程度にしかならない。よって、本実施例と比較して、十分な効果を期待することができない。
【００４０】
このようにｎ型半導体領域７を形成することにより、当該半導体レーザ素子の発振時に、ｐ-AlGaInP型第１クラッド層４ａとｎ型半導体領域７とによるｐｎ接合に逆バイアスを印加することになり、空乏層の広がりにより、横方向へ電流の広がりを完全に抑制できる。  
また、活性層３の中に拡散したｎ型不純物Ｓｉの量の上限は、１×１０１６ｃｍ−３、より好ましくは５×１０１５ｃｍ−３程度にする必要がある。これは、不純物を拡散したときは、不純物は連続的に分布するため、活性層３中にも不純物が分布することにもなる。よって、活性層３におけるＳｉの量の上限を規定することにより、活性層３の機能の低下を防止している。
【００４１】
次に、絶縁膜８をＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法で堆積した後、コンタクト層６上にはp側電極９が形成され、基板１の裏面は、機械的研磨および化学エッチングにより厚さ約１００μｍまで研削した後、n側電極１０が形成されている。このようにして、実施例１による半導体レーザアレイ素子ができ上がる。
【００４２】
以上により、ｐ側電極９から電流が注入された場合、ｎ型半導体領域７とｐ型クラッド層４ａとにより形成されたｐｎ接合に逆バイアスが印加された状態になるため、ｐｎ接合の空乏層の広がりにより、横方向の拡散電流を抑制して隣接素子間の電気的干渉の問題を避けることができる。また、ｎ型半導体領域７を設けることにより、p側電極９から活性層３までに至る電流を狭窄して発光に寄与しない無効電流を減少することができ、発振閾値電流が小さい、素子発熱が低減された熱干渉の少ない半導体レーザアレイを得ることができる。
【００４３】
以上、実施例１ではAlGaInP系半導体レーザアレイ素子について示したが、AlGaAs系やInGaAsP系などIII-V族系化合物材料よりなる半導体レーザアレイ素子についても適用でき、同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態になる半導体レーザアレイ素子の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例になる半導体レーザアレイ素子の断面図である。
【図３】従来の半導体レーザアレイ素子の例を示す図である。
【図４】従来の半導体レーザアレイ素子の他の例を示す図である。
【図５】従来の半導体レーザアレイ素子の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…ｎ-GaAs基板、２…ｎ-AlGaInPクラッド層、３…活性層、３a…アンドープ
AlGaInP下ガイド層、３ｂ…アンドープMQW層、３ｃ…アンドープAlGaInP上ガイド層、４ａ…ｐ型AlGaInP第1クラッド層、４ｂ…ｐ型AlGaInP第２クラッド層、５…ｐ型GaInPエッチングストップ層、６…ｐ型GaAsコンタクト層、７…ｎ型半導体領域、８…絶縁膜、９…ｐ側電極、１０…ｎ側電極、１５…ストライプ溝部、１６…リッジ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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