(57)【要約】【課題】水分の影響を効果的に防止し、かつ、製造コストを抑えることが出来る有機ＥＬ表示装置の固体封止方法を得る。【解決手段】マザー封止シート４００とマザー素子基板１００を目合わせマーク＋を用いて接着する。マザー封止シート４００に点線で示す長方形の部分が分離線４１である。分離線内に接着材が形成され、接着材はマザー素子基板１００に形成された表示領域１０１と接着する。長方形の分離線４１のコーナー部と短辺部には切り欠きが形成され、長辺部には切り欠きとブリッジが形成されているので、マザー封止シートの不要部を接着の信頼性を損なうことなく除去することが出来る。【選択図】図５
2009123645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と端子部を有する素子基板と、前記表示領域を覆って接着材が形成され、前記接着材に封止シートが接着している有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記封止シートが複数形成されるマザー封止シートと、前記素子基板が複数形成されるマザー素子基板とを目合わせして接着する工程と
前記マザー封止シートには前記接着材が形成されている部分を囲んで長方形の分離線が形成され、前記長方形の前記分離線のコーナー部には切り欠きが形成され、前記長方形の長辺と短辺にはミシン目が形成され、
前記分離線から前記有機ＥＬ表示装置に封止シートとして使用されない部分を除去することによってマザーパネルを形成する工程と、
前記マザーパネルから、個々の有機ＥＬ表示装置を分離する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記マザー封止シートは樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
表示領域と端子部を有する素子基板と、前記表示領域を覆って接着材が形成され、前記接着材に封止シートが接着している有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記封止シートが複数形成されるマザー封止シートと、前記素子基板が複数形成されるマザー素子基板とを目合わせして接着する工程と
前記マザー封止シートには前記接着材が形成されている部分を囲んで長方形状の分離線が形成され、前記長方形の前記分離線のコーナー部および短辺部全体には切り欠きが形成され、
前記分離線から前記有機ＥＬ表示装置に封止シートとして使用されない部分を除去することによってマザーパネルを形成する工程と、
前記マザーパネルから、個々の有機ＥＬ表示装置を分離する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記長方形の分離線の長辺にはミシン目が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記長方形の分離線の長辺には切り欠き部とブリッジ部が交互に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記長方形の分離線の長辺には切り欠き部とブリッジ部が交互に形成されており、前記切り欠き部と前記ブリッジの割合は、前記長方形のコーナー部に近い方で、前記切り欠き部の割合が大きいことを特長とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記ブリッジ部と前記切り欠き部は封止シートの他の部分よりも厚さが小さくなっていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
表示領域と端子部を有する長方形の素子基板と、前記表示領域を覆って接着材が形成され、前記接着材に長方形の封止シートが接着している有機ＥＬ表示装置であって、
前記封止シートはコーナー部においては、切断面となっており、前記短辺部および前記長辺部においては、破断面が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
表示領域と端子部を有する長方形の素子基板と、前記表示領域を覆って接着材が形成され、前記接着材に長方形の封止シートが接着している有機ＥＬ表示装置であって、
前記封止シートはコーナー部および短辺部全体においては、切断面となっており、長辺部においては、破断面と切断面が交互に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記封止シートの前記長辺部において、前記切断面と前記破断面の割合は、前記長方形のコーナー部に近い方で、前記長辺の中央部よりも、前記切断面の割合が前記破断面の割り合いよりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記封止シートの前記長辺部において、前記破断面と前記切断面における板厚は前記封止シートの他の部分の板厚よりも小さいことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、特に水分によるダークスポット等の発生を抑えた、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置では画素電極（下部電極）と上部電極との間に有機ＥＬ層を挟持し、上部電極に一定電圧を印加し、下部電極にデータ信号電圧を印加して有機ＥＬ層の発光を制御することによって画像を形成する。下部電極へのデータ信号電圧の供給は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して行われる。有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ層から発光した光を、有機ＥＬ層等が形成されたガラス基板方向に取り出すボトムエミッション型と、有機ＥＬ層等が形成されたガラス基板と逆の方向に取り出すトップエミッション型とがある。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置に使用される有機ＥＬ材料は水分が存在すると発光特性が劣化し、長時間動作をさせると、水分によって劣化した場所が発光しなくなる。これは表示領域のダークスポットとして現れる。このダークスポットは時間の経過とともに成長し、画像の欠陥となる。なお、画素の周辺で発光しない領域が増加するエッジグロースという現象も水分の影響によって生ずる。
【０００４】
ダークスポット等の発生、あるいは成長を防止するためには、有機ＥＬ表示装置内への水分の浸入の防止、あるいは、浸入した水分を除去する必要がある。このために、有機ＥＬ層が形成された素子基板を周囲に設置したシールを介して、封止基板によって封止し、外部から有機ＥＬ表示装置内への水分の浸入を防止する。封止された内部の空間にはＮ２等の不活性ガスを充填する。一方、有機ＥＬ表示装置内に進入した水分を除去するために、有機ＥＬ表示装置内に乾燥剤を設置する。これを中空封止型有機ＥＬ表示装置という。
【０００５】
中空封止型有機ＥＬ表示装置では、素子基板と封止基板のギャップ調整が難しい、封止内部の調整が難しい、封止剤によって封止するときの、封止剤から放出されたガスによる有機ＥＬ材料の汚染、スループットが低い等の問題がある。
【０００６】
中空封止の問題を対策するものとして、膜厚が決まっている樹脂シートを素子基板と封止基板の間に挟み、この樹脂シートによって有機ＥＬ材料を水分から保護する技術が存在する。これを固体封止と称する。
【０００７】
「特許文献１」には、固体封止の例が記載されており、図１８は「特許文献１」に記載されている構成である。図１８において、光透過性フィルム１１０上に形成した光硬化性樹脂１２０を、有機ＥＬ層２２を設けた素子基板１０の上に８０℃に加熱した圧着ローラ１０５を用いて貼り付ける。ついで、紫外線を照射して光硬化性樹脂１２０を硬化させ、光透過性フィルム１１０を剥がすことによって光硬化性樹脂で封止した有機ＥＬ表示装置を得る。また、必要に応じて有機ＥＬ素子を窒化シリコン膜で被覆する構成が記載されている。
【０００８】
「非特許文献１」には、有機ＥＬ表示装置の封止として図１９に示すように、次のような技術が記載されている。すなわち、封止基板４０の、有機ＥＬ素子２２に対応する場所に、樹脂フィルム１０７を貼り付け、ついでシール剤１０８を樹脂フィルム１０７の周辺に描画する。樹脂フィルム１０７とシール剤１０８を形成した封止基板４０と、有機ＥＬ素子１０３が形成されている素子基板１０と張り合わせる。ついで、封止基板４０から紫外線を照射し、８０℃〜１００℃の熱処理を行うことによってシール剤１０８の硬化を行い、同時に、流動性が出てきた樹脂フィルム１０７が封止基板４０、素子基板１０、および、シール剤１０８で形成される空間に広がって、この空間を埋める。最後に、個々の有機ＥＬ表示パネルに分断して完成する。
【０００９】
「特許文献２」には、分離領域が形成されたフレキシブルな封止部材に接着材を形成し、これを複数の有機ＥＬ素子が形成されたガラス基板と接着する構成が記載されている。フレキシブルな封止部材は、接着材が形成された部分のみを分離して有機ＥＬ表示パネルに残すために、分離部と除去部を区別するために、境界部にミシン目、あるいは、ハーフカット部を形成する構成が記載されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−１３９９７７号公報
【特許文献２】特開２００７−７３２２５４号公報
【非特許文献１】佐伯信也  日経エレクトロニクス２００７年９月１０日Ｎｏ．９６０  ＰＰ１０−１１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
「特許文献１」に記載の技術では、個々の有機ＥＬ表示装置に樹脂シートを貼り付けて有機ＥＬ層を保護する構成が記載してあるが、マザー基板に複数の有機ＥＬパネルを形成して分離するような場合に、樹脂シートで被覆した場合の問題点等については記載も示唆も無い。
【００１２】
「非特許特許文献１」に記載の技術では、樹脂フィルムとシール剤の高さのバランスをとることが必要であり、高さのバランスが崩れると有機ＥＬ表示装置の寿命が劣化してしまう。また、封止後の熱工程で樹脂フィルムが流動性を示して広がるが、それにより、有機ＥＬ表示装置内の圧力が高くなり、外部とのリークパスが形成され、有機ＥＬ表示装置の寿命が劣化してしまう危険がある。さらに、シール剤が硬化する時の脱ガスの樹脂シートに及ぼす影響により、封止能力を低下させる危険がある。
【００１３】
「特許文献２」に記載の技術では、大判のフレキシブルな封止基材のうち、接着材が形成された有機ＥＬ表示パネルに残す領域のみを分離するために、ミシン目あるいは、ハーフカット部による分離線が形成されている。しかし、このような分離線に沿って、どのように、封止部分のみを残すかについては記載が無い。実際、ミシン目あるいは、ハーフカットだけでは分離が容易では無く、残った封止部材の端部がめくれるというような問題が生ずる。
【００１４】
本発明の課題は、大判の封止シートに必要な部分のみに接着材を形成し、不要な部分を除去する有機ＥＬ表示装置の表示装置の製造方法において、大判の封止シートのうち、必要な部分と不要な部分を分離するための信頼性の高い、かつ、製造歩留りの高い分離手段を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は上記課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１６】
（１）表示領域と端子部を有する素子基板と、前記表示領域を覆って接着材が形成され、前記接着材に封止シートが接着している有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記封止シートが複数形成されるマザー封止シートと、前記素子基板が複数形成されるマザー素子基板とを目合わせして接着する工程と前記マザー封止シートには前記接着材が形成されている部分を囲んで長方形の分離線が形成され、前記長方形の前記分離線のコーナー部には切り欠きが形成され、前記長方形の長辺と短辺にはミシン目が形成され、前記分離線から前記有機ＥＬ表示装置に封止シートとして使用されない部分を除去することによってマザーパネルを形成する工程と、前記マザーパネルから、個々の有機ＥＬ表示装置を分離する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００１７】
（２）前記マザー封止シートは樹脂によって形成されていることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００１８】
（３）表示領域と端子部を有する素子基板と、前記表示領域を覆って接着材が形成され、前記接着材に封止シートが接着している有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記封止シートが複数形成されるマザー封止シートと、前記素子基板が複数形成されるマザー素子基板とを目合わせして接着する工程と前記マザー封止シートには前記接着材が形成されている部分を囲んで長方形状の分離線が形成され、前記長方形の前記分離線のコーナー部および短辺部全体には切り欠きが形成され、前記分離線から前記有機ＥＬ表示装置に封止シートとして使用されない部分を除去することによってマザーパネルを形成する工程と、前記マザーパネルから、個々の有機ＥＬ表示装置を分離する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００１９】
（４）前記長方形の分離線の長辺にはミシン目が形成されていることを特徴とする（３）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００２０】
（５）前記長方形の分離線の長辺には切り欠き部とブリッジ部が交互に形成されていることを特徴とする（３）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２１】
（６）前記長方形の分離線の長辺には切り欠き部とブリッジ部が交互に形成されており、前記切り欠き部と前記ブリッジの割合は、前記長方形のコーナー部に近い方で、前記切り欠き部の割合が大きいことを特長とする（３）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００２２】
（７）前記ブリッジ部と前記切り欠き部は封止シートの他の部分よりも厚さが小さくなっていることを特徴とする（３）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００２３】
（８）表示領域と端子部を有する長方形の素子基板と、前記表示領域を覆って接着材が形成され、前記接着材に長方形の封止シートが接着している有機ＥＬ表示装置であって、前記封止シートはコーナー部においては、切断面となっており、前記短辺部および前記長辺部においては、破断面が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００２４】
（９）表示領域と端子部を有する長方形の素子基板と、前記表示領域を覆って接着材が形成され、前記接着材に長方形の封止シートが接着している有機ＥＬ表示装置であって、前記封止シートはコーナー部および短辺部全体においては、切断面となっており、長辺部においては、破断面と切断面が交互に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００２５】
（１０）前記封止シートの前記長辺部において、前記切断面と前記破断面の割合は、前記長方形のコーナー部に近い方で、前記長辺の中央部よりも、前記切断面の割合が前記破断面の割り合いよりも大きいことを特徴とする（９）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２６】
（１１）前記封止シートの前記長辺部において、前記破断面と前記切断面における板厚は前記封止シートの他の部分の板厚よりも小さいことを特徴とする（１０）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００２７】
封止シートが複数形成されているマザー封止シートと、素子基板が複数形成されるマザー素子基板とを目合わせマークを用いて目合わせする工程を有するので、マザー封止シートに形成された接着材とマザー素子基板に形成された有機ＥＬ素子の表示部を正確に一致させることが出来る。この目合わせは、液晶表示装置の製造で用いられるＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の目合わせで実績のある技術を用いることが出来る。
【００２８】
マザー封止シートに接着材が形成されている部分を囲んで長方形の分離線が形成され、長方形の前記分離線において、マザー封止シートの不要な部分を除去する際に大きな応力が加わるコーナー部に切り欠きが形成されているので、マザー封止シートの不要な部分を除去するときの応力を緩和することが出来、有機ＥＬ素子の信頼性を増すことが出来る。
【００２９】
本発明の他の形態では、マザー封止シートに接着材が形成されている部分を囲んで長方形の分離線が形成され、長方形の前記分離線において、マザー封止シートの不要な部分を除去する際に大きな応力が加わるコーナー部および、短辺部全体に切り欠きが形成されているので、マザー封止シートの不要な部分を除去するときの応力を緩和することが出来、有機ＥＬ素子の信頼性を増すことが出来る。
【００３０】
本発明を用いることによって、マザー素子基板を用いて複数の固体封止方式の有機ＥＬ表示装置を同時に製造できるので、製造原価を低下させることが出来る。また、本発明を用いて製造された有機ＥＬ表示装置は信頼性が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の具体的な実施例を説明する前に、本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の構成について説明する。図１は本発明の有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示パネル３００の断面図である。図１において、素子基板１０には画像を表示するための有機ＥＬ層や駆動のための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成された表示領域１０１が形成されている。
【００３２】
表示領域１０１を覆って、封止の役割を兼ねる接着材３０が設置されている。接着剤はシール材の役割を兼ねる。この接着材によって封止シートが素子基板に接着している。封止シートは樹脂で形成される場合もあるし、薄いガラスで形成することも出来る。樹脂が使用される場合の材料としては、アクリルシート等が使用される。
【００３３】
封止シートが樹脂であると、樹脂を通して水分が有機ＥＬ層に浸透する可能性があるので、封止シートには、図２のごとく水分をブロックするための水分ブロック層５０を、封止シートと接着材との間に、Ｎｉ等の金属をスパッタリングあるいは蒸着によって形成する場合もある。ただし、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、封止シート側から光を取り出すので、光の透過の面からは金属は好ましくない。トップエミッション型の場合は、金属の代わりに、ＳｉＯｘ、あるいは、ＳｉＮｘ、または、ＳｉＮｘＰｙ等をスパッタリング等によって形成しても良い。あるいはガラスをスパッタリングすることも出来る。
【００３４】
接着材３０としては、熱硬化性のエポキシ樹脂が使用される。接着材の厚さは１０μｍ〜２０μｍである。なお、接着材３０としてはエポキシ樹脂に限らずアクリル樹脂あるいはシリコン樹脂でも良い。
【００３５】
素子基板１０の両側の端部には表示領域１０１に有機ＥＬ層への電力、映像信号等を供給するための端子部１０２が延在している。端子部１０２は接着材によって覆われていないが、配線は無機パッシベーション膜、あるいは、有機パッシベーション膜によって被覆されているので、端子部１０２の導電膜が腐食することは無い。また、導電膜は有機ＥＬ層ほど水分には影響を受けない。
【００３６】
図１はいわゆる固体封止であり、封止基板４０と素子基板１０の間に空間が形成されていない。したがって、中空封止の場合のように、封止基板４０が押された場合に素子基板１０に接触して黒点が生ずるというような問題は生じない。また、封止のときの、封止ガスの内部圧力による種々の問題点も生じない。
【００３７】
本発明は図１のような有機ＥＬ表示パネルをマザーパネルに複数形成する。すなわち、複数のマザー素子基板に形成された複数の表示領域を覆うように、接着材が設置されたマザー封止シートをマザー素子基板に接着させる。その後、有機ＥＬ表示パネルに残る封止シートの部分をのぞいて、封止シートを除去する。本発明は、この封止シートの不要な部分の除去方法に特徴がある。
【００３８】
図２は本発明を適用したトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。本実施例はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例にとって説明するが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置についても同様に本発明を適用することが出来る。トップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層の上にアノードが存在するトップアノード型と、有機ＥＬ層の上にカソードが存在するトップカソード型とが存在する。図１はトップアノード型の場合であるが、トップカソードの場合も本発明を同様に適用することが出来る。
【００３９】
図２において、素子基板１０の上にはＳｉＮからなる第１下地膜１１と、ＳｉＯ２からなる第２下地膜１２が形成されている。ガラス基板からの不純物が半導体層１３を汚染することを防止するためである。第２下地膜１２の上には半導体層１３が形成される。半導体層１３はＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜が形成されたあと、レーザ照射によってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換する。
【００４０】
半導体層１３を覆って、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜１４が形成される。ゲート絶縁膜１４を挟んで、半導体層１３と対向する部分にゲート電極１５が形成される。ゲート電極１５をマスクにして、半導体層１３にリンあるいはボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって打ち込み、導電性を付与して、半導体層１３にソース部あるいはドレイン部を形成する。
【００４１】
ゲート電極１５を覆って層間絶縁膜１６がＳｉＯ２によって形成される。ゲート配線とドレイン配線１７を絶縁するためである。層間絶縁膜１６の上にはドレイン配線１７が形成される。ドレイン配線１７は層間絶縁膜１６およびゲート絶縁膜１４にスルーホールを介して半導体層１３のドレインと接続する。
【００４２】
その後、以上のようにして製作された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を保護するために、ＳｉＮからなる無機パッシベーション膜１８が被着される。無機パッシベーション膜１８の上には、有機パッシベーション膜１９が形成される。有機パッシベーション膜１９は無機パッシベーション膜１８とともに、ＴＦＴをより完全に保護する役割を有するとともに、有機ＥＬ層２２が形成される面を平坦にする役割を有する。したがって、有機パッシベーション膜１９は１〜４μｍと、厚く形成される。
【００４３】
有機パッシベーション膜１９の上には反射電極２１がＡｌまたはＡｌ合金によって形成される。なお、図１においては、下部電極と反射電極は同一である。ＡｌまたはＡｌ合金は反射率が高いので、反射電極２１として好適である。反射電極２１は有機パッシベーション膜１９および無機パッシベーション膜１８に形成されたスルーホールを介してドレイン配線１７と接続する。
【００４４】
本実施例はトップアノード型の有機ＥＬ表示装置なので、有機ＥＬ層２２の下部電極２１はカソードとなる。したがって、反射電極２１として使用されるＡｌあるいはＡｌ合金が有機ＥＬ層２２の下部電極２１を兼用することが出来る。ＡｌあるいはＡｌ合金は仕事関数が比較的小さいので、カソードとして機能することが出来るからである。
【００４５】
下部電極２１の上には有機ＥＬ層２２が形成される。有機ＥＬ層２２は、下層から電子輸送層、発光層、ホール輸送層である。なお、電子輸送層と下部電極２１との間に電子注入層を設ける場合もある。また、ホール輸送層と上部電極２３の間にホール注入層を設ける場合もある。有機ＥＬ層２２の上にはアノードとなる上部電極２３が形成される。本実施例では上部電極２３としてはＩＺＯを用いている。ＩＺＯはマスクを用いず、表示領域全体に蒸着される。ＩＺＯの厚さは光の透過率を維持するために、３０ｎｍ程度に形成される。ＩＺＯの代わりにＩＴＯを用いることも出来る。
【００４６】
電子輸送層としては電子輸送性を示し、アルカリ金属と共蒸着することにより電荷移動錯体化しやすいものであれば特に限定は無く、例えばトリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル−８−キノリノラート）−４−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス[２-[２-ヒドロキシフェニル]ベンゾオキサゾラート]亜鉛などの金属錯体や２−（４−ビフェニリル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，３−ビス[５−(ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル]ベンゼン等を用いることができる。
【００４７】
発光層材料としては電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料に、それらの再結合により蛍光もしくはりん光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により発光層として形成できるものであれば特に限定は無く、例えば、ホストとしてはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ  −８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メタン］のような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、等であっても良い。
【００４８】
また、ドーパントとしてはホスト中で電子とホールを捉えて再結合させ発光するものであって、例えば赤ではピラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質やもしくはイリジウム錯体、ピリジナート誘導体などりん光を発する物質であっても良い。
【００４９】
ホール輸送層は、例えば、テトラアリールベンジシン化合物（トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等を用いることができる。
【００５０】
なお、有機ＥＬ層２２が端部において段切れによって破壊することを防止するために、画素と画素の間にバンク２０が形成される。バンク２０は有機材料で形成する場合もあるし、ＳｉＮのような無機材料で形成する場合もある。有機材料を使用する場合は、一般にはアクリル樹脂によって形成される。
【００５１】
バンク２０上の上部電極２３の上には導通を補助するために補助電極が用いられる場合もある。上部電極２３の抵抗が大きい場合は輝度むらが生ずる場合があるからである。本実施例では補助電極を使用していないが、補助電極を使用した有機ＥＬ表示装置においても、本発明を適用できることは言うまでも無い。
【００５２】
上部電極の上には接着材３０が形成されている。この接着材３０は熱硬化性のエポキシ樹脂で、素子基板１０、具体的には、上部電極と、アクリルシート等で形成された封止基板４０を接着している。接着材３０の厚さは１０μｍ〜２０μｍである。接着材３０には封止シート４０が接着されている。本実施例では、封止シートはアクリルシートで形成されている。アクリルは水分を透過するので、水分をブロックするために、封止シート４０の内側にＳｉＮがスパッタリングによって形成されている。封止シートがガラスで形成されている場合はこのような水分をブロックするための層は必要としない。以下の実施例では、図を複雑化しないために、封止シートにスパッタリングされているＳｉＮ等は省略する。
【００５３】
以下に、実施例を用いて、本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００５４】
図３は、複数の接着材３０が形成されたマザー封止シート４００の断面図である。マザー封止シート４００はアクリルシートで形成されている。アクリルシートに形成されるＳｉＮ膜は省略されている。アクリルシートの厚さは例えば、１００μｍ程度である。封止シート４０には有機ＥＬ表示装置の表示領域１０１をシールするための接着材３０が形成されている。
【００５５】
接着材３０は例えば、エポキシ樹脂で形成されており、厚さは１０μｍから２０μｍである。マザー封止シート４００の、接着材３０とほぼ同等かあるいはやや広めの部分に切り欠き等を有する分離線４１が形成されている。マザー封止シート４００とマザー素子基板１００を張り合わせ後、分離線４１に沿ってマザー封止シート４００の不要部分を除去する。
【００５６】
図４はマザー素子基板１００の断面図である。マザー素子基板１００は厚さ０．５ｍｍ程度のガラス板の上に、複数の表示領域１０１および端子部１０２のペアが形成されており、各々が後に分離されて、有機ＥＬ表示装置となる。表示領域１０１には光を発する有機ＥＬ層、有機ＥＬ層への映像信号等を制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されている。
【００５７】
図３に示すマザー封止シート４００と、図４に示すマザー素子基板１００を張り合わせてマザーパネル２００を形成する。この場合は、マザー封止シート４００に形成された接着材３０とマザー素子基板１００に形成された表示領域１０１とを正確に合わせるために、目合わせマークを用いる。図５はマザー封止シート４００とマザー素子基板１００を張り合わせるときの目合わせマークを用いて位置合わせをしている図である。図５において、＋マークは目合わせマークである。この目合わせは、液晶表示装置の製造において、ＴＦＴや画素が形成されたＴＦＴ基板とカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板の目合わせ工程で実績のあるシステムを使用することが出来る。因みに、図５において、目合わせマークをカメラ５００によって検出し、マザー封止シート４００とマザー素子基板１００を合わせている。
【００５８】
マザー封止シート４００は１００μｍ程度と薄いために、目合わせが困難な場合は、マザー封止シート４００を額縁状の枠によって支えて目合わせしてもよい。この張り合わせは気泡を巻き込まないようにするために、減圧下で行う。このようにして、マザー封止シート４００とマザー素子基板１００を張り合わせた後、所定の圧力を加えながら、１００℃、2時間、あるいは、１２０℃、30分程度加熱することによって接着材３０を硬化させる。これによって接着材３０によるシール効果が生ずる。
【００５９】
目合わせマークを用いてマザー封止シート４００とマザー素子基板１００を張り合わせて、マザーパネル２００を形成した状態が図６である。図６において、点線で囲まれた部分に接着材３０が形成されている。マザー素子基板１００に形成された表示領域１０１は、この接着材３０によって被覆されている。一方、端子部１０２は接着材３０によって覆われていない。
【００６０】
図７は、図６のＡ−Ａ断面図である。図７において、マザー素子基板１００の断面方向には2個の有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子の表示領域１０１の両側から端子部１０２が延在している。接着材３０は表示領域１０１を覆っている。一方、接着材３０は、端子部１０２を被覆していない。そして接着材３０はマザー封止シート４００と接着している。マザー封止シート４００と接着材３０によって、表示領域１０１内にマトリクス状に形成された有機ＥＬ層は水分から保護される。
【００６１】
図８は、図７に示す、マザー封止シート４００とマザー素子基板１００が接着された状態のマザーパネル２００からマザー封止シート４００の不要部分を除去している状態を示している。図８において、点線で示した長方形部分に接着材３０と封止シート４０が残っている。マザー封止シート４００はこの点線で示した長方形部分を窓状に残して剥離する。
【００６２】
点線で示す長方形部分には、有機ＥＬ表示パネルに残存する封止シート４０と除去される封止シートとは容易に分離するよう、図９に示すような、破断面が形成されている。図９において、封止フィルムは図９の矢印の方向に引き剥がされる。図９に示す破断面の特徴は、封止シート４０を引き剥がすときに、特に応力の大きい角部を切り欠いていることである。その他の部分にはミシン目４４が形成されている。
【００６３】
ミシン目４４だけでは、封止シート４０の引き剥がしは、再現性よく出来ず、特に封止シート４０の接着材３０端部において、接着材３０の剥離が生じ、信頼性上問題が生ずる。したがって、角部に切り欠き４２を設けることは非常に重要である。特に、図９のように、長方形の長辺方向に引き剥がす場合は、角部に切り欠き４２が形成されていることが重要である。マザー封止シート４００に図９のような切り欠き４２を形成することによって、マザー封止シート４００の不要部分を容易に除去することが出来、有機ＥＬ素子の信頼性を向上させることが出来る。
【００６４】
図１０は、マザー封止シート４００の不要部分を除去した後のマザーパネル２００の平面図である。図１０において、表示領域１０１と端子部１０２を有する有機ＥＬ素子が一枚のマザー素子基板１００に９個形成されている。各有機ＥＬ素子には両方の短辺に端子部１０２が形成されている。各有機ＥＬ素子の点線で示す部分には、封止シート４０と接着材３０が設置され、有機ＥＬ素子の表示領域１０１を保護している。一方、端子部１０２は接着材３０と封止シート４０には覆われていない。
【００６５】
このようにして、複数の有機ＥＬ素子が形成されたマザーパネル２００に対して、図１０に示す線ｘおよび線ｙに沿ってマザー素子基板１００側からスクライブを入れておく。なお、図１０において、線ｘおよび線ｙはマザー素子基板１００の端部には延在していないが、スクライビングはマザー素子基板１００の端部にまで延在させておく。その後、素子基板１０側からガラスに衝撃を加えると、線ｘまたは線ｙにそって、ガラスが破断し、マザーパネル２００は、個々の有機ＥＬ表示パネルに分離する。
【００６６】
図１０における点線の部分の封止シート４０には、マザー封止シート４００の不要部分を剥離、除去した際の、ミシン目４４が形成された部分の封止シート４０の破断面が残っている。一方、点線の部分の角部には破断面は残っていない。角部には切り欠き４２が形成されていたからである。
【００６７】
図１１はマザーパネル２００の他の例である。一枚のマザー素子基板１００に9個の有機ＥＬ素子が形成されていることは図１０と同様であるが、図１１の有機ＥＬ素子は長辺側の２辺に端子部１０２が形成されている点が図１０と異なる。図１１において、点線で囲まれた部分に有機ＥＬ素子の表示領域１０１が形成され、その上に接着剤、および封止シート４０が設置されている。その他の点は図１０で説明したのと同様である。
【実施例２】
【００６８】
実施例１で述べたように、本発明においては、マザー封止シート４００の不要部分を除去するときの、接着材３０が形成されて部分と除去部を分離する分離線４１の形状が非常に重要である。特に剥離方向と直角方向の破断面には大きな応力がかかる。実施例１では、最も応力がかかる角部には切り欠き４２が形成されているが、その他の短辺にはミシン目４４が形成されているのみであり、短辺における剥離応力が問題となる。
【００６９】
本実施例はこれを対策したものである。図１２は本実施例におけるマザー封止シート４００の分離線４１の形状を示す。図１２において、応力のかかる角部および短辺部には切り欠き４２が形成されている。したがって、この部分は図１２の矢印の方向にマザー封止シート４００を剥離する場合には応力は生じない。一方、長辺の部分には角部を除いてミシン目４４が形成されている。その他の製造工程は図１で説明したのと同様である。
【００７０】
このように、本実施例によれば、マザー封止シート４００の不要部分を剥離する際、応力の大きい、角部および短辺部には切り欠き４２が形成されているために、有機ＥＬ表示装置のシール材として働く接着材３０に対して、引き剥がしの応力は加わらない。したがって、水分に対するシール効果について信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
【実施例３】
【００７１】
図１３はマザー封止シート４００の接着材３０が形成された部分と剥離部とを分離する分離線４１のさらに他の例である。図１３において、角部および短辺部には切り欠き４２が形成されている。したがって、図１３における矢印の方向にマザー封止シート４００の不要部分を引き剥がす場合は角部および短辺部には応力は生じない。
【００７２】
本実施例では、図１３に示すように、長辺部にミシン目４４ではなく、切り欠き４２とブリッジ部４３を交互に形成している。切り欠き４２部を大きく、ブリッジ部４３を小さくすれば、剥離時の応力は小さくなることはいうまでも無い。本実施例では、さらに、長辺に形成した切り欠き４２はコーナーに近いほど長くなっている。
【００７３】
すなわち、マザー封止シート４００を引き剥がすときの応力は、長辺中央よりも、長辺コーナー部のほうが大きくなるので、コーナー部に近づくほど、切り欠き４２の量を大きくしている。言い換えれば、切り欠き４２とブリッジの割合は、コーナー部に近づくほど切り欠き４２の割合が大きくなっている。
【００７４】
このように、本実施例においては、マザー封止シート４００の不要部を除去する際、接着材３０のコーナー部と短辺部には応力がかからず、長辺においても、小さな応力で済むので、接着材３０による有機ＥＬ層の保護効果の信頼性をさらに向上させることが出来る。
【実施例４】
【００７５】
実施例２では、マザー封止シート４００を必要部分を残して引き剥がす際、角部および短辺部の応力はゼロにすることが出来るが、長辺部については、引き剥がし部に多少の応力が生ずる。実施例３では、長辺部の応力について、実施例２よりも小さくすることが出来る。しかし、マザー封止シート４００の不要部分を引き剥がすときの応力は、形状が保てる範囲で小さいほど良い。
【００７６】
本実施例は長辺における引き剥がし時の応力をさらに小さく改善する例である。図１４は本実施例におけるマザー封止シート４００の一部を示す図である。図１４（ａ）は平面図であり、図１4（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図とＢ−Ｂ断面図である。
【００７７】
図１４（ａ）において、コーナー部と短辺部には切り欠き４２が形成されていることは実施例２および実施例３と同様である。また、長辺には、切り欠き４２とブリッジ部４３が交互に形成されており、切り欠き４２の長さがコーナーに近づくにしたがって、長くなることも実施例３と同様である。
【００７８】
本実施例の特徴は、図１４（ｂ）に示すように、ブリッジ部４３と切り欠き部４２にハーフカット４５を形成していることである。図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図とＢ−Ｂ断面図である。図１４（ｂ）において、斜線部はブリッジ部４３と切り欠き部４２の断面図であり、封止シート４０の断面が見えている。このハーフカット４５は、マザー封止シート４００の厚さ方向の下側と上側に形成されている。このハーフカット４５によって、引き剥がし時の長辺における応力をさらに小さくすることが出来る。この応力はハーフカット４５の深さによって調整することが出来ることは言うまでも無い。
【００７９】
本実施例においては、マザー封止シート４００を引き剥がす時の長辺の応力を長辺に形成された切り欠き４２の長さとブリッジ部４３と切り欠き部４２に形成されたハーフカット４５の量によって調整することが出来、設計裕度を増すことが出来る。切り欠き４２とハーフカット４５とによる強度の調整は、引き剥がしの応力とマザー封止シート４００の形状維持の観点から決めれば良い。
【００８０】
本実施例の他の効果を図１５に示す。図１５は有機ＥＬ表示装置の封止シート４０端部の形状を示す断面図である。図１５において、有機ＥＬ表示装置の表示領域１０１を覆って、接着材３０が形成され、接着材３０は封止シート４０によって覆われている。接着材３０が設置されたマザー封止シート４００をマザー素子基板１００に接着する際、１００℃あるいは、１２０℃で加熱し、所定の圧力を加える。このとき、接着材３０が多少塑性変形して、図１５に示すように、封止シート４０の外側にはみ出す場合がある。
【００８１】
図１５に示すように、封止シート４０周辺のハーフカット４５部が存在することによって、接着材３０が塑性変形しても接着材３０が封止シート４０の外にはみ出すことを防止することが出来る。したがって、接着材３０は封止シート４０によって常に保護されることになり、有機ＥＬ表示装置のシールの信頼性をさらに増すことが出来る。
【００８２】
図１６は本実施例の他の形態を示す図である。図１６（ａ）は平面図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図とＢ−Ｂ断面図である。図１６（ａ）は図１４（ａ）と同様である。図１６（ｂ）に示すブリッジ部４３と切り欠き部４２の断面図が本実施例の実施形態１と異なる。
【００８３】
図１６（ｂ）において、ブリッジ部４３と切り欠き部４２にはハーフカット４５が形成されている。図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図とＢ−Ｂ断面図である。図１６（ｂ）において、斜線部はブリッジ部４３と切り欠き部４２の断面図であり、封止シート４０の断面が見えている。このハーフカット４５は封止シート４０の片面のみに形成されている。したがって、ハーフカット４５の形成は実施形態１の場合よりも容易である。ブリッジ部４３と切り欠き部４２の強さはハーフカット４５の深さによって調整できることは言うまでも無い。また、長辺部の引き剥がし応力は、長辺部に形成された切り欠き４２の長さおよび、ブリッジ部４３と切り欠き部４２のハーフカット４５の深さによって調整できることは本実施例の実施形態１と同様である。切り欠き４２とハーフカット４５とによる強度の調整は、引き剥がしの応力とマザー封止シート４００の形状維持の観点から決めれば良いことも本実施例の実施形態１と同様である。
【００８４】
本実施例の他の効果を図１７に示す。図１７に示す断面図は本実施例の実施形態１の図１５と、封止シート４０の端部のみが異なることを除いて、ほぼ同様である。すなわちハーフカット４５部において、封止シート４０を素子基板１０に接着した時の接着材３０が塑性変形した場合に、ハーフカット４５部において、接着材３０を保護するという、実施形態１と同様の効果を奏する。したがって、本実施例の実施形態１と同様に、有機ＥＬ表示装置のシールの信頼性を増すことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示パネルの表示領域の断面図である。
【図３】マザー封止シートの断面図である。
【図４】マザー素子基板の断面図である。
【図５】マザー封止シートとマザー素子基板の目合わせ工程図である。
【図６】マザー封止シートとマザー素子基板を接着した図である。
【図７】マザー封止シートとマザー素子基板を接着した断面図である。
【図８】マザー素子基板からマザー封止シートの不要部分を除去している図である。
【図９】実施例１の封止シートの分離線を示す図である。
【図１０】実施例１のマザーパネルの例を示す平面図である。
【図１１】実施例１のマザーパネルの他の例を示す平面図である。
【図１２】実施例２の封止シートの分離線を示す図である。
【図１３】実施例３の封止シートの分離線を示す図である。
【図１４】実施例４の第１の形態の封止シートの分離線を示す図である。
【図１５】実施例４の第１の形態の封止シートを用いた有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１６】実施例４の第２の形態の封止シートの分離線を示す図である。
【図１７】実施例４の第２の形態の封止シートを用いた有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１８】「特許文献１」に記載の技術である。
【図１９】「非特許文献１」に記載の技術である。
【符号の説明】
【００８６】
１０…素子基板、  １１…第１下地膜、  １２…第２下地膜、  １３…半導体層、  １４…ゲート絶縁膜、  １５…ゲート電極、  １６…層間絶縁膜、  １７…ドレイン配線、  １８…無機パッシベーション膜、  １９…有機パッシベーション膜、  ２０…バンク、  ２１…下部電極、  ２２…有機ＥＬ層、  ２３…上部電極、  ３０…接着材、  ４０…封止シート、  ４１…分離線、  ４２…切り欠き、  ４３…ブリッジ部、  ４４…ミシン目、  ４５…ハーフカット、  ５０…水分ブロック層、  １００…マザー素子基板、  １０１…表示領域、  １０２…端子部、  ２００…マザーパネル、  ３００…有機ＥＬ表示パネル、  ４００…マザー封止シート、  ５００…カメラ。
【図１】
2009123645.tif 000003
【図２】
2009123645.tif 000004
【図３】
2009123645.tif 000005
【図４】
2009123645.tif 000006
【図５】
2009123645.tif 000007
【図６】
2009123645.tif 000008
【図７】
2009123645.tif 000009
【図８】
2009123645.tif 000010
【図９】
2009123645.tif 000011
【図１０】
2009123645.tif 000012
【図１１】
2009123645.tif 000013
【図１２】
2009123645.tif 000014
【図１３】
2009123645.tif 000015
【図１４】
2009123645.tif 000016
【図１５】
2009123645.tif 000017
【図１６】
2009123645.tif 000018
【図１７】
2009123645.tif 000019
【図１８】
2009123645.tif 000020
【図１９】
2009123645.tif 000021