(57)【要約】【課題】主磁極を多層膜の積層構造に形成する場合に、多層膜が平坦状に積層された形態に形成することができる垂直磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】ウエハ基板上に、主磁極の平面形状の凹部１０ａが形成されたレジストパターン１０を形成する工程と、主磁極における多層膜の積層構造にしたがって、前記凹部１０ａ内に多層膜を積層する工程とを備え、該凹部１０ａ内に多層膜を積層する工程においては、ａ）ウエハ基板に対し、スパッタ粒子を基板面に垂直に入射させるようにスパッタリングし、前記凹部１０ａ内にスパッタ膜１２が平坦状に積層される回数について成膜する工程、ｂ）前記成膜工程の際に前記レジストパターン１０の表面に被着したスパッタ膜１２を、研磨加工によって前記レジストパターンの表面から除去する工程、を前記主磁極の多層膜構造となるまで繰り返すことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ基板上に、主磁極の平面形状の凹部が形成されたレジストパターンを形成する工程と、
主磁極における多層膜の積層構造にしたがって、前記凹部内に多層膜を積層する工程と、
前記多層膜を積層した後、前記レジストパターンを除去する工程とを備え、
前記レジストパターンを形成する工程においては、前記凹部を内壁面が基板面に垂直に起立する形状となるように形成し、
前記凹部内に多層膜を積層する工程においては、
ａ）ウエハ基板に対し、スパッタ粒子を基板面に垂直に入射させるようにスパッタリングし、前記凹部内にスパッタ膜が平坦状に積層される回数について成膜する工程、
ｂ）前記成膜工程の際に前記レジストパターンの表面に被着したスパッタ膜を、研磨加工によって前記レジストパターンの表面から除去する工程
を、前記主磁極の多層膜構造となるまで繰り返すことを特徴とする垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記レジストパターンを除去する工程に続いて、
イオントリミングにより、主磁極の磁極端の近傍部分の断面形状を逆台形状に成形する工程を備えることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記ａ）工程においては、PCMスパッタリング装置を用いて成膜することを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記ｂ）工程においては、前記レジストパターンの表面が露出する位置を終点検知して研磨加工を施すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記レジストパターンを形成する工程に続いて、前記レジストパターンの表面にストッパー膜を成膜する工程を備え、
前記ｂ）工程においては、前記ストッパー膜をストッパー位置として研磨加工することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直磁気ヘッドの製造方法に関し、より詳細には、垂直磁気ヘッドの主磁極を複数層に積層された構造とする場合における垂直磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気ヘッドは、記録媒体の面記録密度を向上することができることから、高記録密度用として実用化が進められている。この垂直磁気ヘッドの記録ヘッドに用いられる主磁極は単磁極であることから、記録動作後における主磁極からの漏洩磁界が十分に小さくならず、記録媒体上の磁気記録情報を乱す現象（ポールイレーズ）が問題となる。垂直磁気ヘッドの主磁極には、高飽和磁束密度（Bs値）を有する磁性材料が使用される。高Bs値を有する磁性材料は一般に軟磁気特性が悪く、残留磁化成分が大きいこともポールイレーズの原因となる。
この垂直磁気ヘッドの主磁極によるポールイレーズを抑える方法として、主磁極を多層膜の積層構造とすることによって、高Bs値を維持しながら、軟磁気特性を改善する方法が考えられている。
【０００３】
主磁極を多層膜の積層構造に形成する方法に、イオントリミング（イオンミリング）を使用する方法と、ダマシン法がある。イオントリミングによる方法では、基板の全面に主磁極となる多層膜を積層して形成した後、多層膜をイオントリミングして所定のパターンに主磁極を形成する。ダマシン法では、基板上に形成したアルミナ等からなる絶縁層に主磁極の形状に合わせて凹溝を形成し、凹溝内に磁性層等を多層に積層して多層膜の積層構造の主磁極を形成する。
【特許文献１】特開平５−２９１７２号公報
【特許文献２】特開２００７−９５３０４号公報
【特許文献３】特開２００５−３４６９２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
面記録密度の増大にともない、記録ヘッドに用いられる主磁極はますます微小化しており、主磁極の加工精度にはより高精度が求められる。上述したイオントリミングによって主磁極を成形する方法は、基板の全面に形成された多層膜から主磁極を形成するため、基板の全域についてばらつきなく、高精度に主磁極を仕上げることは困難である。イオントリミング法では、イオントリミングした状態で最終的に主磁極の形状が決まるから、イオントリミングにおける加工ばらつきがそのまま製品精度としてあらわれる。
【０００５】
また、ダマシン法による場合は、凹溝の内底面から多層膜を積層するようにして主磁極を形成する。凹溝は主磁極の形状に合わせて、主磁極の浮上面位置においては、断面形状が幅寸法にくらべて深さ方向が深い長方形状となっている。したがって、スパッタリング法等によって単に、成膜を重ねていくと、凹溝の開口部がスパッタ膜によって塞がれるようになってしまい、凹溝内で湾曲した形状に成膜されたりして、多層膜が平坦状に積層された形態にならないという問題があった。このように、凹溝内に多層膜を平坦状に積層された形態に積層することができないという問題は、主磁極が微小化し、凹溝の開口寸法が狭くなるにしたがって顕著に表れる。
【０００６】
本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、垂直磁気ヘッドの主磁極が微小になった場合であっても、多層膜が平坦状に整然と積層された形態に主磁極を形成することができ、所要のライト特性を備える製品として提供することができる垂直磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を備える。
すなわち、本発明に係る垂直磁気ヘッドの製造方法は、ウエハ基板上に、主磁極の平面形状の凹部が形成されたレジストパターンを形成する工程と、主磁極における多層膜の積層構造にしたがって、前記凹部内に多層膜を積層する工程と、前記多層膜を積層した後、前記レジストパターンを除去する工程とを備え、前記レジストパターンを形成する工程においては、前記凹部を内壁面が基板面に垂直に起立する形状となるように形成し、前記凹部内に多層膜を積層する工程においては、ａ）ウエハ基板に対し、スパッタ粒子を基板面に垂直に入射させるようにスパッタリングし、前記凹部内にスパッタ膜が平坦状に積層される回数について成膜する工程、ｂ）前記成膜工程の際に前記レジストパターンの表面に被着したスパッタ膜を、研磨加工によって前記レジストパターンの表面から除去する工程
を、前記主磁極の多層膜構造となるまで繰り返すことを特徴とする。
なお、凹部内にスパッタ膜が平坦状に積層される回数とは、凹部内に成膜したスパッタ膜が湾曲したりせず、平坦状に整然と積層される回数について成膜するという意である。
【０００８】
また、前記レジストパターンを除去する工程に続いて、イオントリミングにより、主磁極の磁極端の近傍部分の断面形状を逆台形状に成形する工程を備えることを特徴とする。レジストパターンによって主磁極を所定の平面形状に形成した後、磁極端の近傍部分をイオントリミングすることによって、主磁極の磁極端の近傍部分を高精度に成形することができる。
【０００９】
また、前記ａ）工程においては、PCMスパッタリング装置を用いて成膜することによって、ウエハ基板の基板面に垂直にスパッタ粒子を入射させて成膜することができ、レジストパターンに形成した凹部内に平坦状にスパッタ膜を積層して形成することができる。
また、前記ｂ）工程においては、前記レジストパターンの表面が露出する位置を終点検知して研磨加工を施すことによって、レジストパターンの表面に付着したスパッタ膜を確実に除去することができる。
また、前記レジストパターンを形成する工程に続いて、前記レジストパターンの表面にストッパー膜を成膜する工程を備え、前記ｂ）工程においては、前記ストッパー膜をストッパー位置として研磨加工する方法によれば、研磨加工の際にストッパー膜によって研磨加工位置が規制されることによって、レジストパターンの表面に付着したスパッタ膜をより的確に除去することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る垂直磁気ヘッドの製造方法によれば、レジストパターンに形成した凹部内にスパッタ膜が平坦状に積層された形態に多層膜を形成することができ、多層膜の積層構造を備える主磁極を的確に形成することができる。これによって、ライト特性のすぐれた垂直磁気ヘッドとして提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（垂直磁気ヘッド）
図１は、垂直磁気ヘッドの構成を浮上面（Ａ−Ａ線位置）に垂直な断面方向から見た状態を示す。この垂直磁気ヘッドは、垂直記録方式による記録ヘッド３０と再生ヘッド４０とからなる。
記録ヘッド３０は、主磁極３１、第１リターンヨーク３２および第２リターンヨーク３３を備える。主磁極３１の浮上面側の前端部は狭幅のネック部３１ａに形成され、後端側はハイト方向に向かって徐々に広幅となるヨーク部３１ｂに形成されている。
【００１２】
第２リターンヨーク３３の前端部には主磁極３１に対向する配置にトレーリングシールド３４が設けられる。主磁極３１と第２リターンヨーク５３とはバックギャップ３５により連結され、コイル３６がヨーク部３１ｂを巻回する配置に設けられている。なお、本実施例では、主磁極３１と第２リターンヨーク５３のみがバックギャップ３５により連結されているが、主磁極３１と第２リターンヨーク５３に加え、第１リターンヨーク３２もバックギャップにおいて連結される構造であってもよく、本発明は、種々の垂直磁気ヘッドにおける主磁極に適用することができる。
再生ヘッド４０は、下部シールド層４１、上部シールド層４２およびリード素子４３からなる。なお、図１において、各層間はアルミナ等の非磁性絶縁体によって充填されている。
【００１３】
（垂直磁気ヘッドの製造方法）
本発明は、垂直磁気ヘッドの製造工程のうち、記録ヘッドの主磁極を形成する工程を特徴とする。以下では、この主磁極を形成する工程について説明する。
図１に示すように、垂直磁気ヘッドの主磁極３１は、浮上面に面する前端部が細幅のネック部３１ａに形成されている。このネック部３１ａは、記録媒体に情報を記録する際の面記録密度の増大とともに、きわめて微小な端面形状に形成される。
【００１４】
図２は、ウエハ基板上に垂直磁気ヘッドの主磁極を形成する工程を示す。
図２（ａ）は、主磁極の平面形状にしたがって基板上にレジストパターン１０を形成した状態を示す。実際の工程では、ウエハ基板の全面にアルミナ等の絶縁材をスパッタリングして絶縁層を形成し、CMP(Chemical Mechanical Polishing)加工によって絶縁層の表面を平坦化した後、レジストパターン１０を形成する。CMP加工によって絶縁層の表面を平坦化してからレジストパターン１０を形成するのは、主磁極を形成するパターンを高精度にパターニングできるようにするためである。
【００１５】
レジストパターン１０は、ウエハ基板の表面にレジストを塗布し、露光および現像により、主磁極が形成される部位（領域）が凹部（凹溝）となるように形成する。図２は、説明上、ウエハ基板に形成したレジストパターン１０の一つの主磁極について示している。  図２（ａ）は、レジストパターン１０に形成した凹部１０ａのうち、主磁極の浮上面位置における断面形状を示す。
【００１６】
図３に、レジストパターン１０の平面図を示す。前述したように、主磁極は浮上面の近傍部分では細幅に形成され、磁極端から後方（ハイト方向）側では徐々に広幅になる。したがって、レジストパターン１０に形成する凹部１０ａは、磁極端（浮上面位置）の近傍部分では細幅に、磁極端部分から後方側では徐々に広幅となり、所定幅となったところから同一幅で後方に延びる形態となる。ウエハ基板上には、このような凹部１０ａが磁気ヘッドを形成する位置ごとに形成される。図のＡ−Ａ線は、最終的に浮上面となる位置を示す。
【００１７】
図２（ｂ）は、レジストパターン１０を形成したウエハ基板に対して、ターゲットを変えながら複数回のスパッタリングを施し、凹部１０ａの内底面からスパッタ膜１２を複数層に積層して成膜した状態を示す（１回目の成膜工程）。
多層膜構造となる主磁極においては、各々の積層膜に使用する材料および膜厚があらかじめ設計されている。図２（ｂ）においては、この積層膜の設計にしたがってターゲットを選択し、膜厚を制御する。主磁極を多層膜構造とする場合の積層膜の構造は、製品によってまちまちである。主磁極の多層膜構造の例としては、CoあるいはCrを含む磁性膜や非磁性膜を数nm〜数十nmの厚さで、２〜８層程度積層する例がある。
【００１８】
ウエハ基板にスパッタリングを施してスパッタ膜を成膜する場合に、本実施形態においては、凹部１０ａの内底面から平坦状に整然とスパッタ膜が積層されるように、凹部１０ａの内壁面にスパッタ膜１２ができるだけ付着しない条件を設定して成膜する。
すなわち、本実施形態においては、レジストパターン１０に形成する凹部１０ａの断面形状を内壁面がウエハ基板の基板面に垂直に起立する形態とし、かつスパッタリングの際に、スパッタ粒子がウエハ基板の基板面に対して垂直に入射するように設定して成膜する。
レジストパターン１０に形成する凹部１０ａの内壁面を、ウエハ基板の基板面に対して垂直に起立するようにするには、レジストパターン１０をパターン形成した後、加熱キュアする際の条件を調節することによって行うことができる。
【００１９】
スパッタリングによって成膜する際に、スパッタ粒子がウエハ基板の基板面に垂直に入射するようにする方法としては以下のような方法がある。（１）ウエハ基板とターゲットとの間隔を広くして、スパッタ粒子の直進性を高めて成膜する方法。（２）成膜時のガス圧を下げ、飛散中に、スパッタ粒子が散乱されないようにして成膜する方法。（３）ウエハ基板のバイアス電圧を高くしてスパッタ粒子をウエハ基板に直線的に引き寄せるようにして成膜する方法。（４）コリメータを使用してウエハ基板に向けて直進するスパッタ粒子を選択して成膜する方法、（５）垂直スパッタリングによる成膜が可能なPCM(Point-Cusp Magnetic field)装置を使用して成膜する方法。
【００２０】
上述したように、ウエハ基板の基板面に垂直にスパッタ粒子を入射させれば、原理的にはレジストパターン１０に形成した凹部１０ａの内壁面にはスパッタ膜は付着しない筈である。しかしながら、スパッタ膜１２は凹部１０ａの内底面上に積層される一方、レジストパターン１０の表面にも積層される。図では、３層にスパッタ膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃを積層した状態を示す。
レジストパターン１０の表面に積層されるスパッタ膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、凹部１０ａの開口縁に沿って積み上がるように付着し、凹部１０ａの開口部を塞ぐようになる。また、凹部１０ａの内壁面にもわずかにスパッタ膜１２が付着する。
【００２１】
本発明においては、ウエハ基板に対してスパッタリングを施す際に、スパッタリング操作を多数回繰り返すことを避け、凹部１０ａ内における積層膜の積層構造が崩れない前に、次のCMP加工（研磨加工）に移行させるようにする。
すなわち、ウエハ基板に対してスパッタリングを繰り返していくと、図２（ｂ）に示すように、凹部１０ａの開口部がスパッタ膜１２によって徐々に塞がれるようになる。このようになると、凹部１０ａの内底面から積層して形成されるスパッタ膜が湾曲形状となったりして、平坦状に積層される状態から外れてくる。
本発明においては、スパッタリングを繰り返して行う際に、凹部１０ａ内での積層膜の積層構造が崩れない前にスパッタリング操作を停止させ、次のCMP加工に 移ることによって、凹部１０ａ内において積層膜が平坦状に整然と積層されるようにするものである。
【００２２】
図２（ｂ）に示す例はスパッタリングを続けて３回行った例であるが、スパッタリング回数は製品に応じて適宜設定することができる。凹部１０ａ内における積層膜の積層状態は、凹部１０ａの幅および深さや、各々の積層膜の材質、膜厚によって変化する。したがって、続けて行うスパッタリング回数は製品によって適宜設定すればよい。たとえば、主磁極を２層の積層構造とする場合で、下層の膜厚が厚い場合には、下層膜をスパッタリングした後に、CMP加工に移るようにしてももちろんかまわない。
実際には、実際の積層膜の構造について、スパッタリングを繰り返し行い、凹部１０ａ内における積層膜の積層状態を観察して、スパッタ膜の積層構造が崩れないスパッタリング回数をあらかじめ調べておき、そのスパッタリング操作を終えたところで、次のCMP加工に移るようにすればよい。
【００２３】
図２（ｃ）は、CMP加工によって、レジストパターン１０の表面に被着するスパッタ膜１２を除去した状態を示す。このCMP加工では、レジストパターン１０の表面が露出した点を終点検知してCMP加工を制御する。このCMP加工によって、レジストパターン１０の凹部１０ａ内にスパッタ膜１２が平坦状に積層された状態に残る。
【００２４】
図２（ｄ）は、図２（ｂ）に示したと同様のスパッタリング方法により、前工程において積層したスパッタ膜１２に続けて、主磁極を構成する次層以降のスパッタ膜１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇを成膜した状態を示す（２回目の成膜工程）。このスパッタリング工程においても、主磁極における多層膜の積層構造にしたがって所定の材料を所定の膜厚に成膜する。
【００２５】
スパッタ膜１２ｄ〜１２ｇは、凹部１０ａ内ではスパッタ膜１２上に積層して成膜される一方、レジストパターン１０の表面に、これらのスパッタ膜１２ｄ〜１２ｇが付着する。このスパッタリング工程においても、ウエハ基板の基板面に垂直にスパッタ粒子が入射するように設定してスパッタリングし、レジストパターン１０の凹部１０ａ内においてスパッタ膜の積層構造が崩れないようにして成膜する。
【００２６】
図２（ｅ）は、CMP加工によって、レジストパターン１０の表面に付着しているスパッタ膜１２ｄ〜１２ｇを除去した状態を示す。このCMP加工においても、レジストパターン１０の表面が露出した状態を終点検知してCMP加工を制御する。
これによってレジストパターン１０に形成した凹部１０ａ内に、スパッタ膜１２が所定の多層膜の積層構造に形成され、凹部１０ａがスパッタ膜１２によって充填された状態になる。
【００２７】
なお、本実施形態においては、２回目のスパッタリング工程によってレジストパターン１０の凹部１０ａがスパッタ膜によって完全に充填された状態になるものとした。主磁極の形状、寸法によっては、２回目のスパッタリング工程によっても凹部１０ａが完全に積層膜によって充填されず、CMP加工を行った後、さらにスパッタリング工程を行って、主磁極全体を多層膜による積層構造とする場合もあり得る。
すなわち、凹部１０ａ内にスパッタ膜１２を積層して凹部１０ａ内を多層膜の積層構造とする工程は、スパッタリング工程とCMP工程を、所定回数繰り返し行う工程である。
なお、より後工程におけるスパッタリング工程においては、凹部１０ａ内にスパッタ膜１２が積層された状態で行うから、凹部１０ａの深さが、前工程におけるよりも実質的に浅くなり、凹部１０ａ内における積層膜の湾曲等が徐々に抑えられるようになる。
【００２８】
また、CMP加工の際に、レジストパターン１０の表面が露出した位置を終点検知して加工を停止させるようにしているのは、レジストパターン１０の表面位置を主磁極の最上層の表面位置として設定しているからである。
凹部１０ａに積層して形成する多層膜の膜厚を高精度に制御できる場合には、レジストパターン１０の厚さを主磁極の厚さよりも若干厚く設定しておき、CMP加工によってレジストパターン１０の表面に付着するスパッタ膜を単に除去するようにしてもよい。この場合は、レジストパターン１０の表面が露出した位置を検知することによって、レジストパターン１０の表面からスパッタ膜１２が除去されたことを検知することになる。
【００２９】
図２（ｆ）は、次工程において、基板表面からレジストパターン１０を除去した状態を示す。
図２（ｇ）は、イオントリミングによって主磁極の磁極端の近傍部分を逆台形状とした状態を示す。このイオントリミングにおいては、主磁極の磁極端部分で磁極の側面が５度〜１０度程度のテーパ角となるように設定する。図２（ｇ）は、最終的に成形された主磁極１４の浮上面位置での断面形状である。
【００３０】
（主磁極形成方法の他の実施の形態）
図４は、主磁極の形成方法についての他の実施の形態を示す。本実施形態においては、レジストパターン１０を形成した後、レジストパターン１０の表面にストッパー膜１１を成膜することを特徴とする。ストッパー膜１１はCMP加工によってレジストパターン１０の表面からスパッタ膜１２を除去する際に、研磨位置を規定するストッパーとして使用するためのものでる。ストッパー膜１１は、たとえばTaをスパッタリングして形成することができる。
【００３１】
図４（ｂ）は、スパッタリングによってウエハ基板にスパッタ膜１２を成膜する１回目のスパッタリング工程を示す。凹部１０ａの内底面に被着形成されたストッパー膜１１上にスパッタ膜１２が積層される一方、レジストパターン１０の表面のストッパー膜１１上にスパッタ膜１２ａ〜１２ｃが成膜される。
図４（ｃ）は、CMP加工によってレジストパターン１０の表面に付着したスパッタ膜１２を除去した状態を示す。本実施形態ではレジストパターン１０の表面をストッパー膜１１によって被覆しているから、CMP加工の際にストッパー膜１１の高さ位置で研磨の終点位置が規定され研磨の停止位置精度が向上する。
【００３２】
図４（ｄ）は、２回目のスパッタリング工程を示す。図４（ｅ）はCMP加工によってレジストパターン１０の表面に付着したスパッタ膜１２ｄ〜１２ｇを除去した状態である。このCMP加工の際も、ストッパー膜１１によってCMP加工の研磨停止位置が正確に規定される。
図４（ｅ）は、CMP加工を行った後、レジストパターン１０の表面に付着するストッパー膜１１を除去した状態を示す。ストッパー膜１１は、RIE(反応性イオンエッチング）法等によって除去することができる。
【００３３】
次に、レジストパターン１０を除去し（図４（ｆ））、イオントリミングによって主磁極の浮上面の近傍部分の断面形状を逆台形状とする（図４（ｇ））。図４（ｇ）に示すように、主磁極１４の下面にストッパー膜１１が残るが、ストッパー膜１１は主磁極の特性に影響を与えるものではない。
なお、主磁極１４の浮上面近傍の断面形状を逆台形状に形成する必要がなく、レジストパターン１０によって形成した凹部１０ａの形状によって主磁極１４の断面形状を規定したままで製品とする場合には、イオントリミングの工程は省略される。
【００３４】
主磁極を多層膜の積層構造とする場合は、主磁極を形成する多層膜の膜厚を正確に制御する必要がある。とくに主磁極の最上層は、情報の書き込みに最も大きく寄与する部分であり、最上層の膜厚を正確に制御することは、垂直磁気ヘッドの特性のばらつきを抑える上で重要である。ストッパー膜１１を設けて、CMP加工の研磨加工位置を正確に制御する方法は、主磁極の最上層の膜厚を正確に制御できる点で有用である。
また、レジストパターン１０の厚さを主磁極の厚さよりも厚く設定した場合は、レジストパターン１０の表面にストッパー膜１１を設けることによって、レジストパターン１０を削り過ぎることがなく、主磁極部分の多層膜を削るおそれがないという利点もある。
【００３５】
上述したように、本発明に係る垂直磁気ヘッドの製造方法によれば、多層膜が平坦状に積層された形態に主磁極を形成することができ、所定の特性を備えた磁気ヘッドとして提供することができる。とくに、本発明方法においては、スパッタリング工程を複数回に分け、各スパッタリング工程においては、レジストパターンに形成した凹部内で平坦状に積層膜を積層する条件によって成膜するから、主磁極が微小化しても、確実に主磁極を多層膜の積層構造とすることができる。
【００３６】
また、レジストパターンによって主磁極の平面形状に合わせて多層膜を形成した後、主磁極の磁極端部分にイオントリミングを施して、主磁極の磁極端の形状を成形するから、基板表面の全面に形成した多層膜をイオントリミングして主磁極を形成する方法と比較して、はるかに正確に主磁極を成形することができる。これによって、主磁極がより微細化した場合であっても、高精度に主磁極を成形することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】垂直磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図２】垂直磁気ヘッドの主磁極を形成する工程を示す説明図である。
【図３】レジストパターンに形成した一つの凹部の平面図である。
【図４】垂直磁気ヘッドの主磁極を形成する工程を示す断面図である。
【００３８】
１０  レジストパターン
１０ａ  凹部
１１  ストッパー膜
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ  スパッタ膜
１４  主磁極
３０  記録ヘッド
３１  主磁極
３１ａ  ネック部
４０  再生ヘッド
４３  リード素子
【図１】
2009266340.tif 000003
【図２】
2009266340.tif 000004
【図３】
2009266340.tif 000005
【図４】
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