(57)【要約】【課題】多層構造の内層として低熱膨張材層を備えると共に、いわゆる嵩上げ層形成プロセスを別途設けることなく多層構造の層間を電気的に接続する端子部を製造することが可能な構成を備える磁気ヘッドおよび多層構造の内層として絶縁層を備えると共に、いわゆる嵩上げ層形成プロセスを別途設けることなく多層構造の層間を電気的に接続する端子部を製造することが可能な構成を備える多層回路を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドは、多層構造の内層として上部シールド層と下部シールド層の間に配置された磁気抵抗効果素子部と、磁極と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、絶縁性の第１の低熱膨張材層とを有する磁気ヘッドであって、前記端子部は、前記第１の低熱膨張材層と同一材料で形成される第２の低熱膨張材層及び複数の導電性材料の層から構成される多層構造である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造の内層として上部シールド層と下部シールド層の間に配置された磁気抵抗効果素子部と、磁極と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、絶縁性の第１の低熱膨張材層とを有する磁気ヘッドであって、
前記端子部は、前記第１の低熱膨張材層と同一材料で形成される第２の低熱膨張材層及び複数の導電性材料の層から構成される多層構造であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記端子部の前記第２の低熱膨張材層が、下層に配置された第１の導電性材料の層の一部を覆っており、上層に配置された第２の導電性材料の層が、前記第２の低熱膨張材層及び前記下層に配置された第１の導電性材料の層の一部を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記端子部の前記第２の低熱膨張材層が、下層に配置された第１の導電性材料の層よりも、層面内における面積が小さいことを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記端子部の前記第２の低熱膨張材層の上面端部がテーパー状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
多層構造の内層として上部シールド層と下部シールド層の間に配置された磁気抵抗効果素子部と、磁極と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、低熱膨張材層とを有する磁気ヘッドであって、
前記低熱膨張材層が導電性であり、
前記端子部は、前記低熱膨張材層と同一材料の層及び導電性材料の層から構成される多層構造であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項６】
多層構造の内層に配置された素子部と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、第１の絶縁材料の層とを有する多層回路であって、
前記端子部は、第１の前記絶縁材料の層と同一材料で形成される第２の絶縁材料の層及び複数の導電性材料の層から構成される多層構造であり、
前記端子部の第２の絶縁材料の層が、下層に配置された第１の導電性材料の層の一部を覆っており、上層に配置された第２の導電性材料の層が、前記第２の絶縁材料の層及び前記下層に配置された第１の導電性材料の層の一部を覆っていることを特徴とする多層回路。
【請求項７】
前記端子部の前記第２の絶縁材料の層が、下層に配置された第１の導電性材料の層よりも、層面内における面積が小さいことを特徴とする請求項６に記載の多層回路。
【請求項８】
前記端子部の前記第２の絶縁材料の層の上面端部がテーパー状であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の多層回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドおよび多層回路に関し、さらに詳細には、環境温度に起因する突出現象を防止するための低熱膨張材層または絶縁層を備える磁気ヘッドおよび絶縁層を備える多層回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の性能向上と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。現在、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子やＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子を用いたヘッド、さらには、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型の記録ヘッドが開発されている。磁気ディスク装置には、上記の再生ヘッドと記録ヘッドとを一体に形成した磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
ところで、磁気ディスク装置の記録密度向上のために、記録媒体上での磁気ヘッドの浮上量を少なくして再生ヘッド素子の再生信号におけるＳ／Ｎ比（信号対雑音比）をできる限り大きくすることが必要となってきている。しかし、記録媒体と磁気ヘッドの浮上面との浮上量が減少するに伴い、磁気ディスク装置を高温環境下で使用する場合に磁気ヘッドの浮上面が熱膨張のために突出する現象が問題となっている。この現象は、高温環境下で熱膨張係数の大きい磁気ヘッド中の金属部分およびレジスト等の有機物が熱膨張し、熱膨張係数の小さいＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等の基板よりも浮上面において突出することにより生ずるものである。このような突出現象が顕著な場合には、磁気ヘッドの先端が記録媒体に接触して、当該記録媒体あるいは磁気ヘッドを摩耗、損傷するという可能性がある。実際の装置では高温環境下で接触が生じないよう室温において浮上量を高く設定するために、室温あるいは低温環境下で記録再生特性が劣化し、記録密度を増加できないという問題を生ずる。したがって、磁気ディスク装置の高記録密度化を達成する上で、上記突出現象を防止することが課題となっている。
【０００４】
ここで、環境温度に起因する磁気ヘッド浮上面の突出現象を防止する従来技術の一例として、特許文献１記載の磁気ヘッドが提案されている（特許文献１参照）。それによれば、下部シールド層あるいは上部シールド層の少なくとも一方に熱膨張係数の小さな磁性材料を用い、また、下部シールド層あるいは上部シールド層の少なくとも一方に熱膨張係数の小さな磁性材料とＮｉＦｅ合金との積層膜を用いる構成を備えて、記録後ノイズが小さくなり、また、前記突出現象が低減されるというものである。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３３４９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、本願出願人が従来より実施を行っている、絶縁性の低熱膨張材層を備える磁気ヘッドの例を図１７に示す。当該磁気ヘッド１０１のように、通常、下部磁極(リターンヨーク)層１１９の平坦化においては、Ｗｆ面（ウェハー面）に露出させる箇所をほぼ同段差とする必要があるが、下層に低熱膨張材層１１８を設けた場合、層間を電気的に接続する端子部においては低熱膨張材層は形成されないため、そのままでは平坦化プロセスにおいて、Ｗｆ面（図中ではＷｆプロセス面１０７として図示）に露出しない層（図中１２９）が生じてしまう。そのような問題を解消するために、積層面に垂直な方向において低熱膨張材層１１８が設けられない箇所に層（いわゆる「嵩上げ層」）１２０を追加形成することによって段差を合わせるプロセスを行っているが、工程の追加となるためプロセス手番が増加してしまうという課題が生じていた。なお、嵩上げ層１２０は、導電性であり、多層構造で素子を形成した際に、多層構造の層間を電気的に接続して露出面に素子に接続された端子を引き出すための引き出し線である。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされ、多層構造の内層として低熱膨張材層を備えると共に、いわゆる嵩上げ層形成プロセスを別途設けることなく多層構造の層間を電気的に接続する端子部を製造することが可能な構成を備える磁気ヘッドおよび多層構造の内層として絶縁層を備えると共に、いわゆる嵩上げ層形成プロセスを別途設けることなく多層構造の層間を電気的に接続する端子部を製造することが可能な構成を備える多層回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。  
【０００９】
この磁気ヘッドは、多層構造の内層として上部シールド層と下部シールド層の間に配置された磁気抵抗効果素子部と、磁極と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、絶縁性の第１の低熱膨張材層とを有する磁気ヘッドであって、前記端子部は、前記第１の低熱膨張材層と同一材料で形成される第２の低熱膨張材層及び複数の導電性材料の層から構成される多層構造であることを要件とする。
【００１０】
また、前記端子部の前記第２の低熱膨張材層が、下層に配置された第１の導電性材料の層の一部を覆っており、上層に配置された第２の導電性材料の層が、前記第２の低熱膨張材層及び前記下層に配置された第１の導電性材料の層の一部を覆っていることを要件とする。
【００１１】
また、前記端子部の前記第２の低熱膨張材層が、下層に配置された第１の導電性材料の層よりも、層面内における面積が小さいことを要件とする。
【００１２】
また、前記端子部の前記第２の低熱膨張材層の上面端部がテーパー状であることを要件とする。
【００１３】
また、この磁気ヘッドは、多層構造の内層として上部シールド層と下部シールド層の間に配置された磁気抵抗効果素子部と、磁極と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、低熱膨張材層とを有する磁気ヘッドであって、前記低熱膨張材層が導電性であり、前記端子部は、前記低熱膨張材層と同一材料の層及び導電性材料の層から構成される多層構造であることを要件とする。
【００１４】
この多層回路は、多層構造の内層に配置された素子部と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、第１の絶縁材料の層とを有する多層回路であって、前記端子部は、第１の前記絶縁材料の層と同一材料で形成される第２の絶縁材料の層及び複数の導電性材料の層から構成される多層構造であり、前記端子部の第２の絶縁材料の層が、下層に配置された第１の導電性材料の層の一部を覆っており、上層に配置された第２の導電性材料の層が、前記第２の絶縁材料の層及び前記下層に配置された第１の導電性材料の層の一部を覆っていることを要件とする。
【００１５】
また、前記端子部の前記第２の絶縁材料の層が、下層に配置された第１の導電性材料の層よりも、層面内における面積が小さいことを要件とする。
【００１６】
また、前記端子部の前記第２の絶縁材料の層の上面端部がテーパー状であることを要件とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１、２、５、６によれば、突出現象を防止し得る低熱膨張材層を備える磁気ヘッドもしくは絶縁層を備える多層回路に、別途嵩上げ層形成プロセスを追加せずに多層構造の層間を電気的に接続する端子部を製造することが可能となる。
【００１８】
請求項３、７によれば、端子部において絶縁性材料からなる低熱膨張材層の上層と下層とを電気的に接続させる構成の実現が可能となる。
【００１９】
請求項４、８によれば、端子部において絶縁性材料からなる低熱膨張材層の上層となる導電性材料の層を安定して形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド１の例を示す概略図である。ここで、図１（ａ）は平面図の概略図（配設位置の明確化のため必要に応じて最上層以外も実線にて記載した）であり、図１（ｂ）は断面図の概略図である。なお、図１と同様に、図２〜図１７においても（ａ）を平面図として、（ｂ）を断面図として記載した。
図２は、図１の磁気ヘッド１の変形例を示す概略図である。図３は、図１の磁気ヘッド１の他の変形例を示す概略図である。図４は、本発明の第二の実施の形態に係る磁気ヘッド１の例を示す概略図である。図５〜図９は、絶縁性の低熱膨張材層（第１の低熱膨張材層）１８を備える磁気ヘッド１の他の実施の形態を示す概略図である。図１０〜図１６は、導電性の低熱膨張材層１７を備える磁気ヘッド１の他の実施の形態を示す概略図である。なお、図面の符号に関して、符号３は符号３ａ、３ｂの総称として用いる（他の符号について同様）。
【００２１】
本実施の形態に係る磁気ヘッド１について説明する（第一の実施の形態）。
磁気ヘッド１は、多層構造の内層として上部シールド層と下部シールド層の間に配置された磁気抵抗効果素子部と、磁極と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、絶縁性の第１の低熱膨張材層とを有する。より具体的には、図１に示すように、当該多層構造として、基板１１上に、アンダーコート膜１２、下部シールド層１３、磁気抵抗効果素子部１４、上部シールド層１５、磁性分離層１６、が絶縁性の低熱膨張材を用いて形成される層（以下「第１の低熱膨張材層」という）１８、下部磁極（リターンヨーク）１９が積層される構成を備える。
【００２２】
一例として、基板１１は、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣを用いて構成される。その上層のアンダーコート膜１２は、Ａｌ２Ｏ３を用いて構成される。ここで、図中の同一ハッチング部は同一材料を表す。なお、いずれも、それらの材料に限定されるものではない。
【００２３】
その上層として、下部シールド層１３と上部シールド層１５との間に磁気抵抗効果素子部１４が配置される構成を備える。当該磁気抵抗効果素子部１４は、再生用の素子として、例えば、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子もしくはＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子を用いて構成される。これらＴＭＲ素子およびＧＭＲ素子の膜構成としては、種々の構成を採用することができる。
なお、本実施の形態では、上記ＧＭＲ素子として、ＣＰＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子の場合を想定しているが、ＣＩＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子を用いても構わない。
【００２４】
なお、下部シールド層１３は、軟磁性材であるＮｉＦｅが用いられ、めっき法、スパッタリング法等で成膜される。また、上部シールド層１５も、下部シールド層１３と同様にＮｉＦｅ等の軟磁性材が用いられる。
【００２５】
ここで、下部シールド層１３および上部シールド層１５は、磁気抵抗効果素子部１４にＴＭＲ素子もしくはＣＰＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子が用いられる場合に、当該素子の電極を兼用する。
ただし、磁気抵抗効果素子部１４にＣＩＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子が用いられる場合は、素子の面内方向に電流を流す構造となるため、下部シールド層１３および上部シールド層１５は当該素子の電極を兼用しない。
【００２６】
その上層となる磁性分離層１６は、Ａｌ２Ｏ３を用いて構成されるが、これに限定されるものではない。
【００２７】
本実施の形態においては、磁性分離層１６の上層として、第１の低熱膨張材層１８が積層される。ただし、この位置に限定されるものではなく、後述のように、第１の低熱膨張材層１８の配設位置として様々な構成が考えられる（図２〜図１６参照）。
【００２８】
第１の低熱膨張材層１８は、絶縁性材料であって、Ａｌ２Ｏ３の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する素材から構成するのが好適である。例えば、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、Ａｌ３Ｓ４、Ｗ等を用いて構成することが考えられる。
この第１の低熱膨張材層１８を設けることにより、環境温度の上昇に起因して、磁気ヘッド（特に金属部分等）が記録媒体に向けて突出することの防止が可能となる。また、このことは、ＤＦＨヒータ（不図示）を用いる磁気ヘッドの意図的な突き出し量制御を行う際にも、当該突き出し量の基準位置が所定位置に維持されることとなるため、当該突き出し量制御を高い精度で実現することを可能とするものである。
【００２９】
本実施の形態において、第１の低熱膨張材層１８の上層となる磁極すなわち下部磁極（リターンヨーク）１９は、例えば、軟磁性材であるＮｉＦｅを用いて構成される。
【００３０】
一方、本実施の形態における端子部３とは、グラウンド端子３ａ、リード端子３ｂの双方を指す。なお、グラウンド端子３ａを通過する切断線による断面図（図１（ｂ）等参照）により構成を説明することとするが、リード端子３ｂに関しても基本的な構成は同様である。
【００３１】
端子部３は、第１の低熱膨張材層１８と同一材料で形成される第２の低熱膨張材層２８及び複数の導電性材料の層から構成される多層構造である。より詳しくは、グラウンド端子３ａは、図１（ｂ）に示すように、第２の低熱膨張材層２８が、下層に配置された第１の導電性材料の層２５の一部を覆っており、上層に配置された第２の導電性材料の層２９が、第２の低熱膨張材層２８及び下層に配置された第１の導電性材料の層２５の一部を覆って構成される。図中、符号３１は導電性材料の層であり、符号４１はグラウンド端子３ａ同士を接続する導電性材料の層である。
一方、リード端子３ｂについても、図示しないが、基本構成は同様である。グラウンド端子３ａとリード端子３ｂとは、それぞれの端子の作用が異なることからも当然に、第１の導電性材料の層２５の下層に設けられて電気的に接続される層が、それぞれの端子によって相違する。なお、図中、符号４２はリード端子３ｂからグラウンド端子３ａへ接続される抵抗体である。
【００３２】
上記の構成を備えることにより、第１の低熱膨張材層１８が設けられる磁気ヘッド１に関して、下部磁極(リターンヨーク)層の平坦化を行う際に、従来のように第１の低熱膨張材層１８が設けられない箇所に層を追加形成して、平坦化工程を行う前の段差を解消させるプロセスをあえて実施することなく、Ｗｆ面（図中ではＷｆプロセス面７として図示）に露出させる箇所をほぼ同段差に形成することが可能となる。
すなわち、図１７に示すような構造と比較して、いわゆる「嵩上げ層」形成プロセスを別途設ける必要がなくなり、プロセス手番の短縮が図れるため、製造時間・製造コストの削減が可能となる。
【００３３】
ここで、本実施の形態に係る磁気ヘッド１における特徴的な構成として、図１（ｂ）に示すように、端子部３の第２の低熱膨張材層２８が、下層に配置された第１の導電性材料の層２５よりも、層面内における面積が小さい構成を備える。
これにより、第２の低熱膨張材層２８の上層に配置された第２の導電性材料の層２９を、第２の低熱膨張材層２８の下層に配置された第１の導電性材料の層２５と電気的に接続させ、且つ下部磁極(リターンヨーク)層の平坦化工程後に平坦化面に配線パターンとして露出させることが可能となる。
【００３４】
その変形例を図２に示す。上層に配置された第２の導電性材料の層２９が、第２の低熱膨張材層２８を覆って第１の導電性材料の層２５に接続される構成において、図１（ｂ）では浮上面側および反浮上面側の２箇所において接続する構造に対し、図２（ｂ）では浮上面側または反浮上面側のいずれかの１箇所において接続する構造である。
この変形例の場合、端子部３の第２の低熱膨張材層２８が、下層に配置された第１の導電性材料の層２５よりも、層面内における面積が小さくない構成とすることも可能である。
【００３５】
さらに、端子部３の第２の低熱膨張材層２８が、下層に配置された第１の導電性材料の層２５よりも、層面内における面積が小さくない場合の他の例として、図３に示す変形例が考えられる。第１の低熱膨張材層１８と第２の低熱膨張材層２８とを別体として形成せずに、一体に形成する構成を備える。
【００３６】
また、本実施の形態に係る磁気ヘッド１における特徴的な構成として、端子部３の第２の低熱膨張材層２８の上面２８ａにおける端部、例えば、図１（ｂ）における２８ｂおよび２８ｃ、あるいは図２（ｂ）、図３（ｂ）における２８ｂがテーパー状に形成される。
これにより、第２の低熱膨張材層２８の上層となる第２の導電性材料の層２９を鍍金により形成する場合に、特に、当該端部２８ｂおよび２８ｃにおいて鍍金ベースとなる金属膜のカバレッジが向上するため、鍍金を安定して形成することが可能となる。
一方、第２の導電性材料の層２９をスパッタリングにより形成する場合であっても同様に、特に、当該端部２８ｂおよび２８ｃにおいて、第２の導電性材料の層２９を必要な膜厚を確保しつつ、安定して形成することが可能となる。
【００３７】
なお、変形例として、第１の低熱膨張材層１８および第２の低熱膨張材層２８に、いわゆる「低熱膨張材」ではない絶縁性材料を用いる構成が考えられる。
【００３８】
次に、本発明に係る磁気ヘッド１の第二の実施の形態について、図４を用いて説明する。本実施の形態に特徴的な構成として、導電性の低熱膨張材層１７を備える。より具体的には、多層構造の内層として上部シールド層１５と下部シールド層１３との間に配置された磁気抵抗効果素子部１４と、磁極１９と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部３と、導電性の低熱膨張材層１７とを備えて構成される。ここで、端子部３は、低熱膨張材層１７と同一材料の層２７及び導電性材料の層２５、２９を備えて構成される。
【００３９】
これによれば、前述の第一の実施の形態のように、第２の導電性材料の層２９を第１の導電性材料の層２５に直接接続させる構造を別途設けなくても、導電性の低熱膨張材層１７と同一材料の層２７を介して層間の電気的な接続が可能となる効果が生じる。そのため、製造工程がより一層簡素化されるという効果を奏する。
【００４０】
ここで、導電性の低熱膨張材料としては、例えば、ＳｉあるいはＣ等を主体として導電性物質を添加する構成が考えられる。
【００４１】
続いて、絶縁性の低熱膨張材層（第１の低熱膨張材層）１８を備える場合の他の例を、第三〜第七の実施の形態として、図５〜図９に示す。より詳しくは、図５は第１の低熱膨張材層１８が下部シールド層１３の直下に設けられる場合の例である。図６は第１の低熱膨張材層１８が第１のアンダーコート膜１２ａと第２のアンダーコート膜１２ｂとの間に設けられる場合の例である。図７は第１の低熱膨張材層１８がアンダーコート膜１２の直下に設けられる場合の例である。図８は第１の低熱膨張材層１８が上部シールド層１５の直下に設けられる場合の例である。図９は第１の低熱膨張材層１８が第１の磁性分離層１６ａと第２の磁性分離層１６ｂとの間に設けられる場合の例である。
【００４２】
一方、導電性の低熱膨張材層１７を備える場合の他の例を、第八〜第十四の実施の形態として、図１０〜図１６に示す。より詳しくは、図１０は導電性の低熱膨張材層１７が下部シールド層１３の直下に設けられる場合の例である。図１１は導電性の低熱膨張材層１７が第１のアンダーコート膜１２ａと第２のアンダーコート膜１２ｂとの間に設けられる場合の例である。図１２は導電性の低熱膨張材層１７がアンダーコート膜１２の直下に設けられる場合の例である。図１３は導電性の低熱膨張材層１７が上部シールド層１５の直下に設けられる場合の例である。図１４は導電性の低熱膨張材層１７が第１の磁性分離層１６ａと第２の磁性分離層１６ｂとの間に設けられる場合の例である。図１５は導電性の低熱膨張材層１７が下部磁極１９の直上に設けられる場合の例である。図１６は導電性の低熱膨張材層１７が主磁極層３４の直下に設けられる場合の例である。なお、図中の符号３５は、主磁極層３４の形成と同時に形成される導電性材料の層である。
【００４３】
上記、第一〜第十六の実施の形態の何れの場合においても、特に、低熱膨張材層１７もしくは１８の近傍部が浮上面方向に突出することを顕著に防止し得る効果を奏する。なお、図１、図４等に示す例のように、再生素子部と記録素子部との中間辺りに配設すれば、双方の素子部の突出防止に対してより有効である。
【００４４】
なお、上記のごとく、低熱膨張材層を備えた磁気ヘッドを例にとり説明をしたが、本発明の技術的思想を、低熱膨張材層に限られず絶縁層を備えた磁気ヘッド及び、同様の構成を備える多層回路に適用することが可能である。
【００４５】
すなわち、多層構造の内層に配置された素子部と、該多層構造の層間を電気的に接続する端子部と、第１の絶縁材料の層とを有する多層回路において、当該端子部が、第１の絶縁材料の層と同一材料で形成される第２の絶縁材料の層及び複数の導電性材料の層から構成される多層構造を備えることにより、製造工程において、いわゆる「嵩上げ層」形成プロセスを別途設ける必要がなくなり、プロセス手番の短縮が図れるという効果を奏する。
【００４６】
さらに、前記端子部の前記第２の絶縁材料の層が、下層に配置された第１の導電性材料の層よりも、層面内における面積が小さい構成、あるいは、端子部の前記第２の絶縁材料の層の上面端部がテーパー状である構成を採用することによって、前述の磁気ヘッドの場合と同様の効果を奏し得る。
【００４７】
以上、説明した通り、本実施の形態に係る磁気ヘッドおよび多層回路によれば、多層構造の内層として低熱膨張材層または絶縁層を備える構成であり、且つ、いわゆる嵩上げ層形成プロセスを別途設けることなく製造することが可能な構成を実現することが可能となる。それにより、製造工程の簡素化、製造コストの削減を図ることが可能となる。
【００４８】
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第一の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図２】図１の磁気ヘッドの変形例を示す概略図である。
【図３】図１の磁気ヘッドの他の変形例を示す概略図である。
【図４】本発明の第二の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図５】本発明の第三の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図６】本発明の第四の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図７】本発明の第五の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図８】本発明の第六の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図９】本発明の第七の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１０】本発明の第八の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１１】本発明の第九の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１２】本発明の第十の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１３】本発明の第十一の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１４】本発明の第十二の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１５】本発明の第十三の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１６】本発明の第十四の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１７】従来の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００５０】
１、１０１  磁気ヘッド
３、１０３  端子部
７、１０７  Ｗｆプロセス面
１１、１１１  基板
１２、１１２  アンダーコート膜
１３、１１３  下部シールド層
１４、１１４  磁気抵抗効果素子部
１５、１１５  上部シールド層
１６、１１６  磁性分離層
１７  導電性の低熱膨張材層
１８、１１８  絶縁性の低熱膨張材層（第１の低熱膨張材層）
１９、１１９  下部磁極（リターンヨーク）
２５、１２５  第１の導電性材料の層
２８  第２の低熱膨張材層
２９、１２９  第２の導電性材料の層
３０  コイル下絶縁膜
３１、１３１  導電性材料の層
３２  コイル上絶縁膜
３３  絶縁膜
３４  主磁極層
３６  コイル層
４１、１４１  導電性材料の層
４２、１４２  抵抗体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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