(57)【要約】【課題】低抵抗な導電膜を低コストで形成する。【解決手段】本発明の導電膜の形成方法は、銅、ニッケル、又は銅、ニッケルを主成分とする合金のいずれかの導電材料からなる導電性微粒子を含有した分散液を基板１０Ａの上方に塗布する塗布工程と、塗布工程で塗布した分散液Ｌを蟻酸を含有した雰囲気で加熱し、導電性微粒子を焼成して互いに融着させ、導電性微粒子からなる導電膜５０を形成する焼成工程と、を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、ニッケル、又は銅、ニッケルを主成分とする合金のいずれかの導電材料からなる複数の導電性微粒子を含有した分散液を基板の上方に塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で塗布した前記分散液を蟻酸を含有した雰囲気で加熱し、前記複数の導電性微粒子を焼成して互いに融着させ、該複数の導電性微粒子からなる導電膜を形成する焼成工程と、を有していることを特徴とする導電膜の形成方法。
【請求項２】
前記塗布工程と前記焼成工程との間に、前記塗布工程で塗布した前記分散液を酸化雰囲気で熱処理する酸化工程を有していることを特徴とする請求項１に記載の導電膜の形成方法。
【請求項３】
前記塗布工程では、印刷法を用いて前記基板の上方に選択的に前記分散液を塗布することを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜の形成方法。
【請求項４】
前記基板に多結晶シリコンからなる半導体層が設けられており、前記焼成工程では２５０℃以下の基板温度で前記複数の導電性微粒子を焼成し、前記半導体層と電気的に接続される導電膜を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電膜の形成方法。
【請求項５】
前記基板として、有機材料からなる有機基板を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から電子機器の分野においては、低抵抗な導電膜（例えば、電極や配線等）を低コストで、しかも低温プロセスで形成可能な技術が期待されている。低コスト化を図る上で液相法を用いることは有利であり、例えば導電膜の形成材料として導電性微粒子を用い、これを分散させた分散液を塗布し加熱する方法が提案されている。導電性微粒子は、その粒径が小さくなるほど互いに融着する温度が低下する。そのため、分散液を加熱すると、分散媒が揮発するとともに導電性微粒子が融点よりも低い温度で互いに融着し、導電性微粒子からなる導電膜を形成することができる。
【０００３】
低抵抗化を図る手法としては、導電性が高い材質を選択することや、導電膜を厚膜化すること、導電膜の酸化を防止すること等が有効であると考えられる。例えば、金等の貴金属からなる導電性微粒子を用いれば、金は導電性が極めて高くしかも酸化しにくいので、低抵抗な導電膜を形成可能であると考えられる。
【０００４】
一方、低コスト化を図るとともにエレクトロマイグレーションを低減する観点から銅やニッケル等からなる導電性微粒子を用いる方法も提案されている。銅やニッケルは卑金属であるので、導電性微粒子の表面が焼成前に酸化されてしまう。すると、導電性微粒子の間に高抵抗な部分が介在することになり、導電膜が高抵抗化してしまう。特に、導電性微粒子の融着温度を低くするためにその粒径を小さくすると、高抵抗化が顕著になってしまう。そこで、導電性微粒子を還元しつつ焼成することによって低抵抗な導電膜を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１、２）。
【０００５】
特許文献１では、銅微粒子を含んだ分散液を塗布した後、アルコール等を含んだ雰囲気において加熱処理している。これにより、導電性微粒子は、アルコールが熱分解して生成されるアルデヒドによって表面の酸化銅が還元されるとともに、互いに融着する。
特許文献２では、銅微粒子を含んだ分散媒を塗布した後、これを加熱処理するとともに還元性気体に由来するプラズマに曝露している。プラズマ励起の活性な反応種によって、表面の酸化銅が還元されるとともに、銅微粒子が融着する。
【特許文献１】国際公開第０４／１０３０４３号パンフレット
【特許文献２】特開２００４−１１９６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１、２の技術を用いれば、導電性微粒子の酸化による導電膜の高抵抗化を防止することができると考えられるが、プロセスのさらなる低温化を図る上で改善点もある。
【０００７】
特許文献１では、銅微粒子表面の酸化銅を３５０℃以下の温度で十分に還元可能であるとされている。しかしながら、アルコールを分解してアルデヒドを生成するためやアルデヒドの還元能を発現させるためには、ある程度の加熱が必要であり、これがプロセスの低温化の妨げとなってしまう。例えば、２５０℃以下の温度では十分に還元能が発現しないことがあり、導電膜が高抵抗化するおそれがある。３００℃程度に加熱すれば低抵抗が可能であるが、トランジスタ等に悪影響を及ぼすことや基板の材質等が限定されること等の不都合を生じるおそれがある。
【０００８】
特許文献２の技術を用いれば、２５０℃以下の温度で銅微粒子表面の酸化銅を還元することができると考えられる。しかしながら、プラズマに曝露される部分は表面から１００ｎｍ程度であるので還元されて低抵抗となり部分の厚みも同程度となり、実質的に導電膜として機能する部分を厚くすることが難しい。
【０００９】
本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、良好に低抵抗化が可能な導電膜の形成方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の導電膜の形成方法は、銅、ニッケル、又は銅、ニッケルを主成分とする合金のいずれかの導電材料からなる複数の導電性微粒子を含有した分散液を基板の上方に塗布する塗布工程と、前記塗布工程で塗布した前記分散液を蟻酸を含有した雰囲気で加熱し、前記複数の導電性微粒子を焼成して互いに融着させ、該複数の導電性微粒子からなる導電膜を形成する焼成工程と、を有していることを特徴とする。
【００１１】
銅、ニッケル、及び銅、ニッケルを主成分とする合金はいずれも卑金属であるので、これら導電材料からなる導電性微粒子は、分散媒に分散させた状態でその表面が酸化していると考えられる。また、その表面に分散剤を付着させておくことにより、導電性微粒子が良好に分散することが知られている。
【００１２】
前記の形成方法によれば、焼成工程で加熱された蟻酸が複数のパターンで分解し、それぞれのパターンにおける分解物質が導電性粒子の表面の酸化物を還元する。蟻酸が分解するパターンとしては、４種類が考えられる。１つ目のパターンでは、一酸化炭素（ＣＯ）と水（Ｈ２Ｏ）とに分解し、一酸化炭素が酸化物を還元するとともに水が分散剤を溶出して除去する。２つ目のパターンでは、水素（Ｈ２）と二酸化炭素とに分解し、水素が酸化物を還元する。３つ目のパターンでは、酸化物が蟻酸の分解触媒として機能し、水素イオン（Ｈ＋）とＨＣＯＯ−とに分解する。これらは酸化物の表面に吸着し、Ｈ＋が酸化物を還元するとともに、ＨＣＯＯ−がＣＯとＯＨ−とに分解しこのＣＯが酸化物を還元する。また、４つ目のパターンでは、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）と酸素（Ｏ２）とに分解し、ホルムアルデヒドが酸化物を還元する。
【００１３】
これら４種類のパターンは、加熱温度に応じた比率で生じると考えられ、４種類のパターンが複合して酸化物を還元する。このように、効率的に酸化物を還元することができるので、後に［実験例］で説明するがプロセスの低温化が図られ、１６０〜３００℃程度のプロセス温度でめっきと同程度の抵抗値の導電膜を形成することができる。
【００１４】
また、前記塗布工程と前記焼成工程との間に、前記塗布工程で塗布した前記分散液を酸化雰囲気で熱処理する酸化工程を有していることが好ましい。
前記のように導電性微粒子の沈殿や凝集を防止するために、導電性微粒子の表面に導電性微粒子の間に反発力を作用させる分散剤を付着させている。一方、分散剤は、導電性微粒子の表面を保護してしまい、ここに還元剤を作用させる妨げとなってしまう。前記のように、前記塗布工程と前記焼成工程との間に酸化工程を有していれば、分散剤が酸化工程で化学反応（燃焼）して除去される。これにより、導電性微粒子の表面が露出し、ここに蟻酸の分解物質を良好に作用させることが可能になる。
【００１５】
また、前記塗布工程では、印刷法を用いて前記基板の上方に選択的に前記分散液を塗布することが好ましい。
液滴吐出法やスクリーン印刷法等の印刷法によれば、基板の上方に分散液を選択的に塗布することができ、導電膜パターンを形成することができる。これにより、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いたパターニング技術等を用いることなく、導電膜パターンを形成することができ、プロセスを簡略化することや形成材料のムダを減らすことができる。このように、導電膜パターンを低コストで形成することが可能になる。
【００１６】
また、前記基板に多結晶シリコンからなる半導体層が設けられており、前記焼成工程では２５０℃以下の基板温度で前記複数の導電性微粒子を焼成し、前記半導体層と電気的に接続される導電膜を形成することもできる。
多結晶シリコンからなる半導体層は、低温プロセスで形成可能であることが知られている。これにより、安価な基板に半導体装置を形成することが可能となり、デバイスを低コストで製造することが可能になる。一般に、多結晶シリコンからなる半導体層は、チャネルとなる部分やゲート絶縁膜と当接する部分等に欠陥準位を生じないように、欠陥準位を防止する水素を含有して形成されている。半導体層の温度が２５０℃以上になると、この水素が脱離して半導体層の特性を劣化させてしまう。
前記のように本発明によれば、導電膜の形成プロセスの低温化が図られるので、多結晶シリコンからなる半導体層において水素の脱離を生じることが防止され、半導体層に特性劣化を生じることなくデバイスを製造することが可能になる。
【００１７】
また、前記基板として、有機材料からなる有機基板を用いることもできる。
このようにすれば、一般に有機基板は安価でありフレキシブル性を有しているので、壊れにくいデバイスを低コストで製造することが可能になる。一般に有機基板は、ガラス基板等よりも耐熱性が低くなっているが、本発明によれば導電膜の形成プロセスの低温化が図られるので、熱による有機基板の変形や変質、損傷等が防止され、良好なデバイスを良好な歩留りで製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。本実施形態では、多結晶シリコンからなる半導体層が形成された基板に、液滴吐出法を用いて半導体層と電気的に接続された配線パターンを形成する。なお、配線パターン（導電膜パターン）の形成に、本発明の導電膜の形成方法が適用されている。
【００１９】
図１（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態の配線パターンの形成方法を示す工程図である。
まず、図１（ａ）に示すように、薄膜トランジスタが形成された基体１０を用意する。基体１０は、例えば基板１０Ａ上に設けられた下地絶縁膜１１と、下地絶縁膜１１上に選択的に設けられた半導体層１２と、下地絶縁膜１１及び半導体層１２を覆って設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に選択的に設けられ半導体層１２に重ね合わされて配置されたゲート電極１４と、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４を覆って設けられた層間絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１５を貫通して設けられ半導体層１２のソース／ドレイン領域と接触導通するソース／ドレイン電極１６ａ、１６ｂとを備えている。
【００２０】
基板１０Ａとしては、としては、シリコンウエハ、石英ガラス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板等の電子機器の分野で通常用いられているものを用いることができ、ここではガラス基板を採用している。下地絶縁膜１１、ゲート絶縁膜１３、層間絶縁膜１５は、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の絶縁材料からなるものである。半導体層１２は、例えばＰＥＣＶＤ法で非晶質シリコンを成膜した後、これにエキシマレーザーを照射してこの膜を結晶化させて形成されている。また、半導体層１２は、欠陥準位を防止するために水素を含有して形成されている。ゲート電極１４、ソース電極１６ａ、ドレイン電極１６ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等、半導体分野で通常用いられる導電材料からなっている。
【００２１】
また、多数の導電性微粒子を含有した分散液を調製しておくとともに、分散液が基体１０の表面に対して所定の接触角をなすように基体１０に表面処理を施しておく。本実施形態では、導電性微粒子として銅微粒子を用いる。銅微粒子としては、ＣｕからなるものやＣｕ２Ｏからなるもの、内側がＣｕからなり外側がＣｕ２Ｏからなるコアシェルのいずれを用いてもよい。
【００２２】
ここでは、銅微粒子の分散性を向上させるために、その表面に分散剤を付着させる。分散剤としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。分散剤を付着銅微粒子における分散剤の割合は、１０ｗｔ％（重量％）以下であることが好ましい。また、粒径が５ｎｍ以上の銅微粒子を用いれば、銅微粒子に対して分散剤の体積が過多となることが防止され、形成された配線パターンにおける分散剤の残留を減らすことができる。
【００２３】
また、粒径が１００ｎｍ以下の銅微粒子を用いれば、液気吐出装置のノズルに目詰りを生じることが防止されるとともに、銅微粒子の融着温度を低くすることができる。なお、一般に粒径が小さくなるほど、導電性微粒子が互いに融着する温度が低くなる。ここでは、低温（例えば３００℃以下）で融着させる観点から粒径が７０ｎｍ以下のものを選択する。分散液における銅微粒子の割合は、１ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下の範囲内で所望の導電膜の膜厚に応じて調整すればよい。８０ｗｔ％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくくなる。
【００２４】
このような銅微粒子を分散させる分散媒としては、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物、あるいはこれらのうち２種以上の混合物等が挙げられる。また、分散媒の組成や添加物等を調整することにより、分散液を塗布に適した物性に調整してもよい。例えば、液滴吐出法で塗布する場合には、分散液の表面張力を０．０２Ｎ／ｍ以上にすれば飛行曲がりを低減することができ、０．０７Ｎ／ｍ以下にすれば吐出量や吐出タイミングの制御が高精度化される。また、粘度を１ｍＰａ・ｓ以上にすれば液切れがよくなり、ノズル周辺部が分散液の流出により汚染されなくなる。粘度を５０ｍＰａ・ｓよりも小さくすれば、ノズル孔の目詰まりが生じにくくなる。また、分散媒の飽和蒸気圧を０．００１ｍｍＨｇ以上にすれば乾燥速度を確保することができ導電膜中に分散媒が残留しにくくなる。５０ｍｍＨｇ以下にすれば、ノズル孔の内側で分散媒が乾燥することによる目詰まりが生じにくくなる。
【００２５】
次いで、図１（ｂ）に示すように、調製した分散液の液滴Ｄを液滴吐出ヘッド２０によって吐出し、基体１０のソース／ドレイン電極１６ａ、１６ｂ上と連続する配線パターンの形成領域に分散液を塗布する。前記のように分散液の物性を調整することにより、液滴吐出ヘッド２０に安定した吐出動作を行わせることができ、分散液の吐出量や塗布位置を高精度に制御することができる。ここでは、塗布した分散液Ｌを適宜乾燥させてその流動性を低くする。これにより、分散液Ｌが塗布された位置からずれることが防止される。
【００２６】
次いで、本実施形態では、銅微粒子の表面に付着した分散剤を酸化工程によって除去する。詳しくは、図１（ｃ）に示すように、雰囲気を制御可能なチャンバ３０内にホットプレート等の加熱装置４０を設置しておき、その上に分散液Ｌが塗布された基体１０を載置する。そして、チャンバ内を例えば酸素を５ｐｐｍ以上含有した雰囲気とし、５０〜３００℃程度の基板温度で１〜９０分間程度、基体１０を加熱する。チャンバ内の雰囲気は、Ｎ２やＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを含有していてもよいし、空気、あるいは高濃度の酸素を含有していてもよい。ここでは、チャンバ内に空気を供給し、基板温度２５０℃で、１０分間加熱する。
【００２７】
これにより、分散液Ｌの分散媒が蒸発するとともに、分散剤が酸素と化学反応して二酸化炭素や水蒸気となる。このようにして、図１（ｄ）に示すように、分散液Ｌから分散媒を除去して銅微粒子の集合体５０を形成するとともに、銅微粒子の表面から分散剤を除去して銅微粒子の表面を露出させる。なお、分散剤や分散媒が揮発性のものである場合には、これらを焼成工程で除去してもよい。
【００２８】
酸化処理の後、基体１０を加熱装置４０に載置したままにしておき、引き続き焼成工程を行う。銅微粒子は、酸化されていないものを準備していても、分散液に含まれる水分や酸素、酸化処理における酸素雰囲気等によってその表面が酸化する。そこで、焼成工程では、銅微粒子の表面の酸化銅を還元しつつ、銅微粒子を融着させる。具体的には、チャンバ３０内に蟻酸（ＨＣＯＯＨ）の蒸気と不活性ガスとからなる混合ガスを、例えば毎分３リットルの流量で供給し、１４０〜３００℃程度の基板温度で１〜９０分間程度、基体１０を加熱する。ここでは、半導体層が多結晶シリコンからなっているので、基板温度が２５０℃以下となるように加熱する。半導体層が２５０℃よりも高温になると欠陥準位を防止するための水素が脱離するようになり、３００℃よりも高温になると水素の脱離が顕著になる。３００℃以下の基板温度にすれば水素の脱離が低減され、本実施形態のように２５０℃以下にすれば水素の脱離が防止され、半導体層の特性低下が防止される。
【００２９】
このように蟻酸を含有した雰囲気で加熱を行うと、蟻酸は、以下の式（１）〜（４）に示す化学反応によって分解すると考えられる。
【００３０】
ＨＣＯＯＨ  →  ＣＯ  ＋  Ｈ２Ｏ ・・・（１）
【００３１】
ＨＣＯＯＨ  →  Ｈ２  ＋  ＣＯ２ ・・・（２）
【００３２】
ＨＣＯＯＨ  →  Ｈ＋  ＋  ＨＣＯＯ−  ・・・（３）
【００３３】
２ＨＣＯＯＨ  →  ２ＨＣＨＯ  ＋  Ｏ２  ・・・（４）
【００３４】
式（１）に示した化学反応では、ＣＯ（一酸化炭素）とＨ２Ｏ（水）とが生成され、ＣＯが酸化銅を還元するとともにＨ２Ｏが分散剤の残渣を溶出して除去する。式（２）に示した化学反応では、Ｈ２（水素）とＣＯ２（二酸化炭素）とが生成され、Ｈ２が酸化銅を還元する。式（３）に示した化学反応では、酸化銅が蟻酸の分解触媒として機能し、蟻酸がＨ＋（水素イオン）とＨＣＯＯ−とに分解するとともに、これらが酸化銅の表面に吸着する。吸着していることにより、Ｈ＋が酸化物に効果的に作用しこれを還元するとともに、ＨＣＯＯ−がＣＯとＯＨ−とに分解し、このＣＯも酸化銅を還元する。また、式（４）に示した化学反応では、ＨＣＨＯ（ホルムアルデヒド）とＯ２（酸素）とに分解し、ＨＣＨＯが酸化物を還元する。
【００３５】
蟻酸の分解反応のうち、式（１）〜（４）に示した化学反応の各々が占める割合は、雰囲気中の蟻酸の濃度や基板温度等によって、変化すると考えられるが、式（１）〜（４）に示した化学反応のいずれも酸化銅の還元に寄与するので、効果的に酸化銅を還元することができる。また、酸化工程で分散剤を除去し銅微粒子の表面を露出させているので、ここに蟻酸の分解物質が良好に作用し、効果的に酸化銅を還元することができる。表面の酸化銅が還元された銅微粒子は、近接する銅微粒子と互いに融着し融着部分で金属結合する。このように銅微粒子の集合体５０において銅微粒子が融着し一体となることにより、集合体５０からなる配線パターンが得られる。
【００３６】
［実験例］
次に、本発明の導電膜の形成方法により得られる導電膜の抵抗値について、いくつかの実験例に基づいて説明する。
【００３７】
図２（ａ）〜（ｃ）は、焼成工程で蟻酸を用いないで形成した比較例と、本発明によって形成した実験例とで、導電膜の比抵抗の対比を示す表である。
図２（ａ）の［表１］に示した比較例１、２、実験例１〜４は、いずれもＣｕ２Ｏを主成分とする銅微粒子を用いたものである。比較例１は、窒素雰囲気、基板温度１６０℃で６０分間加熱したものであり、その比抵抗は極めて高くほぼ絶縁性であった。また、比較例２は、窒素雰囲気、基板温度３００℃で６０分間加熱したものであり、その比抵抗は１０．９Ω・ｃｍであった。一方、本発明により得られる実験例１は、昇温レート２０℃／分で基板温度１６０℃まで昇温させた後、蟻酸含有雰囲気で９０分間加熱したものである。その比抵抗は、２０．０μΩ・ｃｍとなっており、比較例１よりも格段に低抵抗になっていることが分かる。
【００３８】
また、実験例２〜４は、昇温レート２０℃／分で所定の基板温度まで昇温し、この基板温度を２０分間保持し蟻酸含有の雰囲気で加熱したものである。その比抵抗は、実験例２（基板温度１９５℃）で１５．２μΩ・ｃｍ、実験例３（基板温度２３５℃）で２．５７μΩ・ｃｍ、実験例４（基板温度２８５℃）で２．５２μΩ・ｃｍとなっている。このように基板温度を高くするほど比抵抗は小さくなるが、実験例３と実験例４との差が小さいことから、加熱の程度としては基板温度２３５℃程度で十分であると考えられる。
なお、実験例１〜４の導電膜は、いずれも厚みを５００ｎｍ程度としており、これを５μｍ程度まで厚膜化することは可能である。したがって、基板温度を１６０℃以上にすれば、配線パターンや導電膜として機能させることが可能であると考えられる。また、基板温度２３５℃とした比抵抗（２．５７μΩ・ｃｍ）がバルクの銅の比抵抗（１．７μΩ・ｃｍ）と同程度であることから、基板温度を２３５℃以上にすれば格段に低抵抗化され、配線パターンや導電膜として良好に機能させることができると考えられる。
【００３９】
図２（ｂ）の［表２］に示した比較例３、実験例５は、いずれもＣｕを主成分とする銅微粒子を用いたものである。比較例３は、基板温度２５０℃で６０分間加熱したものであり、その比抵抗は６０００Ω・ｃｍ以上であった。また、実験例５は、昇温レート２０℃／分で基板温度２５０℃まで昇温した後、空気雰囲気で１０分間加熱して酸化処理を行い、次いで蟻酸含有雰囲気で１０分間加熱したものである。実験例５の比抵抗は１２．２μΩ・ｃｍとなっており、比較例３よりも格段に抵抗になっており、配線パターンや導電膜として良好に機能させることができると考えられる。
【００４０】
図２（ｃ）の［表３］に示した比較例４、５、実験例６は、いずれもニッケル（Ｎｉ）を主成分とするニッケル微粒子を用いたものである。比較例４は、窒素雰囲気、基板温度３００℃で６０分間加熱したものであり、その比抵抗は１０．０μΩ・ｃｍであった。比較例５は、窒素雰囲気、基板温度１９５℃で６０分間加熱したものであり、その比抵抗は３〜５Ω・ｃｍ程度であった。このように、蟻酸を用いない場合には、基板温度を下げると、比抵抗が急激に大きくなり、これを導電膜として用いることはできない。
【００４１】
一方、本発明により得られる実験例６は、昇温レート２０℃／分で１９５℃まで昇温し、この基板温度を２０分間保持し蟻酸含有雰囲気で加熱したものである。その比抵抗は１５．０μΩ・ｃｍであり、比較例５よりも基板温度を大幅に低下させ処理時間も短縮しているにも関らず、比較例５と同程度である。このように、ニッケル微粒子を用いる場合でも、本発明によればプロセスの低温化や時間短縮が図られる
【００４２】
以上のように、本発明の導電膜の形成方法にあっては、蟻酸含有雰囲気で導電性微粒子を還元しつつ焼成するので、導電性微粒子を効果的に還元することができる。したがって、［実験例］で説明したように、低抵抗な導電膜を形成することができるとともに、焼成工程の低温化が図られる。よって、例えば有機基板等の耐熱性が低い基板や、多結晶シリコンからなる半導体層や有機材料からなる半導体層等を備えた耐熱性が低い素子が形成された基板等に、良好に導電膜を形成することができ、この導電膜を電極膜や配線パターン等として機能させることができる。
【００４３】
一般に、耐熱性が低い基板は安価であり、これに導電膜を形成してデバイスを構成すれば、デバイスを低コストとすることができる。また、フレキシブル性を有する有機基板に導電膜を形成してデバイスを構成すれば、破損しにくいデバイスを構成することができる。また、多結晶シリコンからなる半導体層を有する薄膜トランジスタは低コストで製造可能であり、これを備えた基板に導電膜を形成してデバイスを構成すれば、デバイスを低コストとすることができる。以上のように、本発明によれば、安価な基板や低コストで形成された素子を有する基板に、良好に導電膜を形成することができ、良好なデバイスを低コストで製造することが可能になる。
【００４４】
また、本実施形態のように液滴吐出法等の印刷法で分散液を塗布すれば、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いたパターニング技術を用いる場合よりも、プロセスの簡略化が図られる。また、材料のムダを減らすことができるとともに廃液等の処理費用が低減され、導電膜を低コストで形成することが可能になる。
【００４５】
なお、前記実施形態では、導電膜の一例として配線パターンを形成しているが、この他にも電極として機能する膜や静電対策用の膜等、様々な用途の導電膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の導電膜の形成方法の一例を示す工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、比較例と実験例との比抵抗の対比を示す表である。
【符号の説明】
【００４７】
１０・・・基体、１０Ａ・・・基板、１１・・・下地絶縁膜、１２・・・半導体層、１３・・・ゲート絶縁膜、１４・・・ゲート電極、１５・・・層間絶縁膜、２０・・・液滴吐出ヘッド、３０・・・チャンバ、４０・・・加熱装置、５０・・・銅微粒子（導電微粒子）の集合体、Ｄ・・・液滴、Ｌ・・・塗布された分散液
【図１】
2009252685.tif 000003
【図２】
2009252685.tif 000004