(57)【要約】【課題】有機分子を劣化させることなく、かつ転写残りがなく効率的に生産でき、高精細で所定の膜厚を有し、良好なパターニングが可能な、色変換基板の製造方法を提供すること。【解決手段】所定波長のレーザー光を透過する支持基板（１１）上に光熱変換層（１２）を形成する工程（１）と、該光熱変換層（１２）が形成された支持基板（１１）上に色変換機能を有する材料を含む色変換層（１３）を形成して転写ドナー基板（１０）とする工程（２）と、前記転写ドナー基板（１０）の色変換層（１３）側に、前記転写ドナー基板（１０）と平行に、かつ離間させて透明支持体（２０）を配置する工程（３）と、前記転写ドナー基板（１０）の前記支持基板（１１）側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記透明支持体（２０）の所定位置に転写させて色変換層（１３Ａ）のパターンを形成する工程（４）とを備えてなる。【選択図】図１
2009288476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定波長のレーザー光を透過する支持基板上に光熱変換層を形成する工程（１）と、
該光熱変換層が形成された支持基板上に色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成して転写ドナー基板とする工程（２）と、
前記転写ドナー基板の色変換層側に、前記転写ドナー基板と平行に、かつ離間させて透明支持体を配置する工程（３）と、
前記転写ドナー基板の前記支持基板側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記透明支持体の所定位置に転写させて色変換層のパターンを形成する工程（４）とを備えてなる、色変換基板の製造方法。
【請求項２】
前記工程（４）は、前記透明支持体の前記所定位置を変更せずに、前記転写ドナー基板を移動させて転写を複数回行い、１００ｎｍ〜１０μｍの膜厚を有する色変換層のパターンを形成する、請求項１に記載の色変換基板の製造方法。
【請求項３】
所定波長のレーザー光を透過する支持基板上に光熱変換層を形成する工程（１）と、
該光熱変換層が形成された支持基板上に色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成して転写ドナー基板とする工程（２）と、
前記色変換層が形成された転写ドナー基板と、基板上にカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板とを、前記カラーフィルタ層と前記色変換層とが対向するように平行に、かつ離間させて配置する工程（３）と、
前記転写ドナー基板の前記支持基板側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記カラーフィルタ基板の所定位置に転写させて色変換層のパターンを形成する工程（４）とを備えてなる、色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記レーザー光として、８００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長のレーザー光を用いる、請求項３に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記工程（４）は、前記カラーフィルタ基板の前記所定位置を変更せずに、前記転写ドナー基板を移動させて転写を複数回行い、１００ｎｍ〜１０μｍの膜厚を有する色変換層のパターンを形成する、請求項３に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記カラーフィルタ基板に形成されたカラーフィルタ層は、色の異なる複数のカラーフィルタ部を有するものであり、
前記工程（１）〜工程（４）を異なる種類の色変換機能を有する材料を用いて繰り返し行うことにより、前記カラーフィルタ基板の所定の前記カラーフィルタ部上に異なる種類の色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成する、請求項３に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記カラーフィルタ基板のカラーフィルタ層が、赤色カラーフィルタ部、緑色カラーフィルタ部、および青色カラーフィルタ部の三色から構成され、赤色カラーフィルタ部には赤色に変換される色変換層を形成し、緑色カラーフィルタ部には緑色に変換される色変換層を形成し、青色カラーフィルタ部には色変換層を形成しない、請求項３に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項８】
前記カラーフィルタ層のカラーフィルタ部は、それぞれのカラーフィルタ部がブラックマトリックスで区切られており、
前記工程（３）における転写ドナー基板とカラーフィルタ基板の離間配置のための支持台として前記ブラックマトリックスの隔壁を用いる、請求項３に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記ブラックマトリックスの隔壁の高さが、前記色変換層と前記カラーフィルタ層の合計厚さより大きい、請求項８に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記転写ドナー基板および前記カラーフィルタ基板には、位置調整のためのアライメントマークが形成されている、請求項３に記載の色変換カラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ブラックマトリックスの隔壁がテーパー形状である、請求項８に記載の色変換カラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項１２】
一対の電極間に有機層が狭持された有機電界発光素子基板に、前記請求項３〜１１のいずれかに記載された方法で製造された色変換フィルタ基板を貼り合わせることよりなる、有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、色変換基板の製造方法、色変換フィルタ基板の製造方法及び有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量で高効率のフラットパネルディスプレイが、例えばコンピュータやテレビジョンの画面表示用として盛んに研究、開発されている。また、軽量で高効率のフラットパネルディスプレイとして、アクティブマトリックス駆動などの液晶ディスプレイが商品化されている。しかしながら、液晶ディスプレイは視野角が狭く、また、自発光でないため周囲が暗い環境下ではバックライトの消費電力が大きいことや、今後実用化が期待されている高精細度の高速ビデオ信号に対して充分な応答性能を有しない等の問題点がある。さらに、液晶ディスプレイは大画面サイズのディスプレイを製造することは困難であることや、そのコストが高い等の問題もある。
【０００３】
そこで、これらの諸問題を解決する可能性のあるフラットパネルディスプレイとして、最近、有機発光材料を用いた有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）が注目されている。即ち、発光材料として有機化合物を用いることにより、自発光で、応答速度が高速であり、視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイの実現が期待されている。
【０００４】
有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイをマルチカラー化又はフルカラー化する方法は、発光層をＲＧＢで形成する方法や、カラーフィルタを用いて行う方法がある。さらに近年においては、色変換を用いた色変換方式が新たに提案されている。この色変換方式の原理は、発光源からの光を吸収し、可視光領域の光を発光する材料から光を再放出することによって色を変換する方式であり、このような機能を有する層は色変換層として知られている（例えば、特許文献１及び２）。
【０００５】
この方法では、例えば有機ＥＬ素子においては、光源として最もエネルギーの高い青色発光を用い、緑、及び赤については、その青色発光を夫々の色へと変換させることによってＲＧＢのフルカラー化が可能となる。この場合、有機ＥＬは青色のみの構成であれば良いので、製造プロセスを簡略化できると共に、大型パネルの製造にも適している。
【０００６】
色変換層のパターニングの方法としては、幾つかの方法が知られている。例えば蛍光色素を液状のレジスト（光反応性ポリマー）中に分散させ、これをスピンコート法などで成膜した後、フォトリソグラフィ法でパターニングする方法がある（例えば、特許文献２及び３）。また、塩基性のバインダーに蛍光色素又は蛍光顔料を分散させ、これを酸性水溶液でエッチングする方法（例えば、特許文献４）などもある。
【０００７】
しかし、上記のようないわゆるウエット法による成形は、その製造工程において溶媒等を用いるため、溶剤による劣化等の問題が生じていた。特に有機ＥＬ素子のような溶剤に弱い素子やパネルの製造には、素子の劣化を招くのみならず、溶剤対策のために保護層を設けるなどの多くの複雑な工程が必要であり、他の方法による成形が望まれていた。
【０００８】
このため、ドライプロセスとして色変換層を形成する方法として、メタルマスクを用いる蒸着法（例えば、特許文献５）が開示されている。しかしながら、メタルマスクを用いる蒸着法では、メタルマスクの位置あわせ（アライメント）は高精細になればなるほど困難となり、特に基板が大型の場合には、メタルマスクの位置あわせの制御は困難である。
【０００９】
そこで大型基板の製造方法として、レーザーを用いた有機層の転写方法が開示されている。レーザーを用いた有機層の転写方法としては、カラー調節層の接触転写法（例えば特許文献６，７，８及び９）や、レーザーを用いた材料、特に有機層を形成する為の材料の蒸着方法（例えば、特許文献１０及び１１）が開示されている。しかしながら、何れも有機電界発光素子を形成した後に積層転写させるものであり、プロセスの肥大化を招く恐れがある。
【００１０】
このため、色変換層を有する基板を貼り合わせる色変換層基板の製造方法がプロセスの肥大化を招くことのない方法として提案されている。この色変換層基板の製造方法では、色変換層基板の形成で透明支持体を用い、その上に積層した有機層の吸収波長に相当するレーザー波長を用いて転写する方法がある（例えば、特許文献１２）。
【００１１】
【特許文献１】特開平３−１５２８９７号公報
【特許文献２】特開平５−２５８８６０号公報
【特許文献３】特開平５−１９８９２１号公報
【特許文献４】特開平９−２０８９４４号公報
【特許文献５】特開２００２−７５６４３号公報
【特許文献６】特開２００５−１００９３９号公報
【特許文献７】特開２００２−７５６３６号公報
【特許文献８】特開２００６−２４４７２９号公報
【特許文献９】特表２００７−５１１８９０号公報
【特許文献１０】特開２００５−５１９２号公報
【特許文献１１】特開２００６−３０９９９５号公報
【特許文献１２】特開２００８−１６２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、透明支持体、例えばガラス基板を用いた転写法では、レーザー光がガラス基板を透過するものの、転写させたい有機層において光吸収が優勢に生じてしまう。このため、上記転写法では昇華させるためのエネルギーが不足し、転写基板側の透明支持体上に有機層の転写残りが多く発生してしまうと言う問題があった。また上記転写法では、エネルギー強度の強いレーザー光が直接有機分子に吸収されるために、製造環境によっては有機分子のダメージは非常に大きく、そのレーザーによる分解が発生し、色変換機能が失われてしまうと言う問題があった。
【００１３】
本発明は、前記のような問題点を解決するために為されたものであって、有機分子を劣化させることなく、かつ転写残りがなく効率的に生産でき、高精細で所定の膜厚を有し、良好なパターニングが可能な色変換層を備えた色変換基板の製造方法を提供することを目的とする。
また本発明は、有機分子を劣化させることなく、かつ転写残りがなく効率的に生産でき、高精細で所定の膜厚を有し、良好なパターニングが可能な色変換層を有する色変換フィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。
さらに本発明は、上記色変換フィルタ基板を用いた有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の色変換基板の製造方法は、所定波長のレーザー光を透過する支持基板上に光熱変換層を形成する工程（１）と、該光熱変換層が形成された支持基板上に色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成して転写ドナー基板とする工程（２）と、前記転写ドナー基板の色変換層側に、前記転写ドナー基板と平行に、かつ離間させて透明支持体を配置する工程（３）と、前記転写ドナー基板の前記支持基板側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記透明支持体の所定位置に転写させて色変換層のパターンを形成する工程（４）とを備えてなる。
【００１５】
また本発明の色変換フィルタ基板の製造方法は、所定波長のレーザー光を透過する支持基板上に光熱変換層を形成する工程（１）と、該光熱変換層が形成された支持基板上に色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成して転写ドナー基板とする工程（２）と、前記色変換層が形成された転写ドナー基板と、基板上にカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板とを、前記カラーフィルタ層と前記色変換層とが対向するように平行に、かつ離間させて配置する工程（３）と、前記転写ドナー基板の前記支持基板側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記カラーフィルタ基板の所定位置に転写させて色変換層のパターンを形成する工程（４）とを備えてなる。
【００１６】
さらに本発明の有機電界発光素子の製造方法は、一対の電極間に有機層が狭持された有機電界発光素子基板に上記の方法で製造された色変換フィルタ基板を貼り合わせることよりなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の色変換基板の製造方法によれば、色変換機能を劣化させることなく、高精細で均一な膜厚の色変換層を備えた色変換基板を製造できる。
また本発明の色変換フィルタ基板の製造方法によれば、色変換機能を劣化させることなく、高精細で均一な膜厚の色変換層を備えた色変換フィルタ基板を製造できる。
さらに本発明の有機電界発光素子の製造方法によれば、上記色変換フィルタ基板を用いた有機電界発光素子を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明に係る色変換基板の製造方法、色変換フィルタ基板の製造方法及び有機電界発光素子の製造方法について、図面に基づいて具体的に説明する。
【００１９】
〔色変換基板の製造方法：第１の実施の形態〕
本発明の色変換基板の製造方法は、所定波長のレーザー光を透過する支持基板（１１）上に光熱変換層（１２）を形成する工程（１）と、該光熱変換層（１２）が形成された支持基板（１１）上に色変換機能を有する材料を含む色変換層（１３）を形成して転写ドナー基板（１０）とする工程（２）と、前記転写ドナー基板（１０）の色変換層（１３）側に、前記転写ドナー基板（１０）と平行に、かつ離間させて透明支持体（２０）を配置する工程（３）と、前記転写ドナー基板（１０）の前記支持基板（１１）側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記透明支持体（２０）の所定位置に転写させて色変換層（１３Ａ）のパターンを形成する工程（４）とを備えてなる。
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態である色変換基板の製造方法の概略工程図である。本発明の第１の実施の形態である色変換基板の製造方法は、下記において詳述する工程（１）乃至（４）を備えるものである。以下、各工程について各層の構成と共に説明する。
【００２１】
（工程１）
まず、工程（１）では、図１（１）に示すように、所定波長のレーザー光を透過する支持基板１１上に、光熱変換層１２を形成する。
【００２２】
《支持基板》
支持基板１１は、後述する転写ドナー基板１０を用いて行う転写において照射される所定波長のレーザー光ｈｒを透過する材料からなる。例えば、このレーザー光ｈｒとして、固体レーザー光源からの波長８００ｎｍ程度のレーザー光を用いる場合には、ガラス基板を支持基板１１として用いて良い。このとき、支持基板１１の構成は、レーザー光ｈｒを充分に透過し、また、当該支持基板１１上に積層される層を支持可能な構成であれば良い。支持基板１１としては、ガラス基板の他に、石英板、アクリル板等が挙げられる。
【００２３】
《光熱変換層》
光熱変換層１２は、上記レーザー光ｈｒを熱に変換する光熱変換効率が高く、かつ融点が高い材料を用いて構成される。例えば、レーザー光ｈｒとして、先に示した波長８００ｎｍ程度のレーザー光を用いる場合には、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）等の低反射率で高融点の金属からなる光熱変換層１２が好ましく用いられる。またこの光熱変換層１２は、必要充分な光熱変換効率が得られるような膜厚に調整されていることが好ましく、通常５０〜１０００ｎｍとする。ここで、例えばモリブデン（Ｍｏ）膜を光熱変換層１２とする場合、膜厚２００ｎｍ程度の均一な構成であることが好ましい。このような光熱変換層１２は、例えばスパッタ成膜法によって形成されるが、本発明はこれに限定されるものではなく、公知の膜形成方法であれば良い。尚、光熱変換層１２としては、上述した金属材料に限定されることはなく、光吸収材料として、金属フタロシアニン等の顔料を含有する膜や、フラーレン、カーボンナノチューブ等のカーボンからなる膜であっても良い。また、金属としてはクロムやモリブデンの他に、タングステン、タンタル等が挙げられる。光熱変換層１２を設けることにより、工程（４）における色変換層１３の転写を、転写残りを生じさせることなく、また色変換機能を損なうことなく、良好に行うことが可能となる。
【００２４】
（工程２）
次に、図１（２）に示すように、工程（１）で作製された、光熱変換層１２が設けられた支持基板１１上に、さらに色変換機能を有する材料を含む色変換層１３を光熱変換層１２側に形成して転写ドナー基板１０とする。
【００２５】
《色変換層》
色変換層１３は、転写ドナー基板１０を用いた熱転写の際に、パターン化されて転写されるものであり、色変換機能を有する材料を含む有機材料層である。この色変換層１３は、公知の方法で形成することができ、例えば、光熱変換層１２上に色変換機能を有する材料を蒸着する方法が挙げられる。
色変換層１３の膜厚は、好ましくは５０ｎｍ〜５μｍ、より好ましくは１００ｎｍ〜２μｍである。膜厚が５０ｎｍ未満であると光を吸収できないため好ましくない。また膜厚が５μｍより大きいとレーザー転写が困難となるため好ましくない。
【００２６】
また、色変換層１３は、例えば各色の発光性ゲスト材料とホスト材料とで構成されている。このうち発光性ゲスト材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。またホスト材料は、正孔輸送性のホスト材料、電子輸送性のホスト材料、および両電荷輸送性のホスト材料のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
【００２７】
色変換層１３におけるホスト材料の濃度は、全体の７０重量％以上、好ましくは、８０〜９９．９９重量％の量で存在することが望ましい。このような濃度範囲で存在することによって、色変換層１３の入射光を充分に吸収して、吸収した光エネルギーを発光性のゲスト材料へとエネルギー移動することが可能となる。発光性のゲスト材料は、ホスト材料から移動されるエネルギーを受容し、光を放射させる色素である。
【００２８】
色変換層１３における発光性のゲスト材料の濃度は、充分な変換光強度が得られることを条件として、目的とする用途に依存して変化し得る。一般的な用途の範囲においては、発光性のゲスト材料の濃度は、全体の０．０１〜３０重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜２０重量％、さらに好ましくは０．１〜１０重量％である。発光性のゲスト材料の濃度が、全体の０．０１重量％未満の場合や３０重量％より高い場合であると、充分な変換光強度が得られない。
【００２９】
また本発明の色変換層１３は、発光性ゲスト材料とホスト材料との混合層の構成に限られるものではなく、発光性ゲスト材料を含む層とホスト材料を含む層との積層構成であっても良い。
ホスト材料は、色変換層１３への入射光、好ましくは有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子とも称する）基板の発する青色〜青緑色の光を吸収し、吸収したエネルギーをゲスト材料に移動させる色素である。従って、ホスト材料の吸収スペクトルが有機ＥＬ素子基板の発光スペクトルと重なっていることが望ましく、ホスト材料の吸収極大と有機ＥＬ素子基板の発光スペクトルの極大とが重なっている（一致している）ことがより望ましい。また、ホスト材料の発光スペクトルがゲスト材料の吸収スペクトルと重なっていることが望ましく、ホスト材料の発光スペクトルの極大とゲスト材料の吸収極大とが重なっている（一致している）ことがより望ましい。従って、ゲスト材料が放射する光は、ホスト材料が吸収する光よりも長波長である。
【００３０】
ホスト材料として好適に用いることができる色素は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウムなどのアルミニウム錯体、ガリウム錯体、亜鉛錯体、インジウム錯体が挙げられる。また、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核もしくはペリレン核から構成される芳香族炭化水素化合物もホスト材料として好適に用いることができ、具体的には９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ジ（1−ナフチル）アントラセン、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、１，６−ジフェニルピレン、１，６−ジ（１−ナフチル）ピレン、１，６−ジ（２−ナフチル）、１，８−ジフェニルピレン、１，８−ジ（１−ナフチル）ピレン、１，８−ジ（２−ナフチル）ピレン、ルブレン、６，１２−ジフェニルクリセン、６，１２−ジ（１−ナフチル）クリセン、６，１２−ジ（２−ナフチル）クリセン等がある。さらに、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２−ベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、クマリン１３５などのクマリン系色素もホスト材料として好適に用いることができる。あるいは、ソルベントイエロー４３、ソルベントイエロー４４のようなナフタルイミド系色素を、ホスト材料として用いても良い。
【００３１】
ここで、例えばこの転写ドナー基板１０が、青色の発光層を形成するための転写ドナー基板１０ｂである場合、色変換層１３として青色の発光材料を含む青色変換層１３ｂが設けられている。この青色変換層１３ｂは、例えば電子輸送性のホスト材料であるＡＤＮ（anthracene dinaphtyl）に、青色発光性のゲスト材料である４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％で混合した材料によって構成され、３００ｎｍ程度の膜厚で蒸着成膜されている。
【００３２】
また、この転写ドナー基板１０が、緑色の発光層を形成するための転写ドナー基板１０ｇである場合、色変換層１３として緑色の発光材料を含む緑色変換層１３ｇが設けられている。この緑色変換層１３ｇは、例えば上記ＡＤＮに、緑色発光性のゲスト材料である３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）を５重量％で混合した材料によって構成され、３００ｎｍ程度の膜厚で蒸着成膜されている。
【００３３】
同様に、この転写ドナー基板１０が、赤色の発光層を形成するための転写ドナー基板１０ｒである場合、色変換層１３として赤色の発光材料を含む赤色変換層１３ｒが設けられている。この赤色変換層１３ｒは、例えば上記ＡＤＮに、赤色発光性のゲスト材料である２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％で混合した材料によって構成され、３００ｎｍ程度の膜厚で蒸着成膜されている。
【００３４】
また、赤色発光性のゲスト材料としては、ＢＳＮのほかには、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ−１、（Ｉ））、ＤＣＭ−２（II）、およびＤＣＪＴＢ（III）などのシアニン色素；４，４−ジフルオロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセン（IV）、ルモゲンＦレッド、ナイルレッド（Ｖ）などを用いても良い。あるいは、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇなどのキサンテン系色素、またはピリジン１などのピリジン系色素を用いても良い。
【００３５】
《拡散防止層》
工程２においては、色変換層１３を形成する前に、図２に示すような拡散防止層１４を光熱変換層１２に積層形成し、しかる後に色変換層１３を形成しても良い。拡散防止層１４を形成することで、光熱変換層１２を構成する材料の拡散を防ぐことができると言う利点がある。
【００３６】
図２は、本発明に係る色変換基板の製造方法の第１の実施の形態における転写ドナー基板の構成の変形例であって、拡散防止層１４を備えた転写ドナー基板１０の構成を説明するための断面概略図である。
拡散防止層１４は、公知の形成方法で形成することができ、例えばプラズマＣＶＤ法やスパッタ法によって形成される。膜厚は５０ｎｍ〜５μｍであることが好ましい。
【００３７】
拡散防止層１４は、光熱変換層１２を構成する材料の拡散を防止するための層として設けられている。このような拡散防止層１４は、熱伝導性に優れ、光や熱に対して安定な材料で構成することが好ましい。例えばシリコンの窒化物、またはシリコンの酸化物で構成される。具体的には、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮｘ）などが挙げられる。特に、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）は、緻密な膜構成での成膜が可能であると共に、この拡散防止層１４の影響による色変換層１３や光熱変換層１２の酸化も防止できるため好ましい。また拡散防止層１４は、窒化チタン（ＴｉＮ）や酸窒化チタン（ＴｉＯＮ）などの金属の酸化膜または窒化膜で構成されていても良く、さらには有機材料で構成されていても良い。有機材料を用いる場合には、例えば十分に架橋が進んだポリイミドなど、耐熱性の良好な材料が用いられることが好ましい。また拡散防止層１４は、上記した材料膜の積層体であっても良い。
【００３８】
（工程３）
さらに、図１（３）に示すように、工程（２）で作製された転写ドナー基板１０の色変換層１３側に、転写ドナー基板１０と平行に、かつ離間させて透明支持体２０を配置する。
色変換層１３を積層した転写ドナー基板１０は、当該色変換層１３側において、透明支持体２０に対して１００ｎｍ〜５μｍ離間して配置されることが好ましい。
【００３９】
（工程４）
前記工程（３）の後、図１（４）に示すように、転写ドナー基板１０の支持基板１１側からレーザー光ｈｒを照射し、色変換機能を有する材料を透明支持体２０の所定位置に転写させてパターン化された色変換層１３Ａを形成することで色変換基板を作製する。
ここで、所定の位置とは透明支持体２０上に所望のパターン化された色変換層１３Ａを形成するに際し、このパターン化された色変換層１３Ａを形成すべき透明支持体２０上の位置を指す。
【００４０】
《透明支持体》
透明支持体２０は、後述する色変換層１３が転写形成されてなるパターン化された色変換層１３Ａを支持するものである。透明支持体２０の構成は、パターン化された色変換層１３Ａから入射する光を充分に透過し、また、当該透明支持体２０上に積層される層を支持可能な構成であれば良い。通常、ガラス板、石英板、アクリル板等からなる板状のものが透明支持体２０として用いられ、その厚さは０．１〜１０ｍｍである。
【００４１】
本発明のレーザー光ｈｒの波長は、好ましくは８００〜１０００ｎｍである。また、レーザー光ｈｒの強度は、例えばエネルギー密度は、０．１Ｅ-3ｍＪ／μｍ２〜１０Ｅ-3ｍＪ／μｍ２であり、照射時間は例えば１μｓ〜１０ｓである。レーザー光ｈｒの強度および照射時間は、良好な転写形成をするものであれば良く、色変換層１３に用いられる色変換機能を有する材料、支持基板１１の材質等に応じて決定される。
【００４２】
工程（４）において形成されるパターン化された色変換層１３Ａの膜厚は、１００ｎｍ〜１０μｍであることが好ましい。
本発明は、１回の転写でパターン化された色変換層１３Ａを形成しても良く、複数回の転写でパターン化された色変換層１３Ａを形成しても良い。
１回の転写を行うだけでは所望の膜厚のパターン化された色変換層１３Ａが得られない場合は、前記工程（４）の転写を複数回行いパターン化された色変換層１３Ａを形成することが好ましい。
【００４３】
工程（４）を繰り返して転写を複数回の行う際には、透明支持体２０の位置を変更せずに、転写ドナー基板１０を移動させて転写を複数回行い、パターン化された色変換層１３Ａを形成する。このとき、初回（各色における初回）の転写時においてアライメントを行うことが好ましい。このアライメントは、転写ドナー基板１０及び透明支持体２０に位置調整のために形成されているアライメントマーク（不図示）を用いて行うことが好ましい。
【００４４】
本発明の色変換基板の製造方法では、異なる種類の色変換機能を有する材料を用いて前記工程（１）乃至（４）（工程（４）が複数回行われる場合も含む）を繰り返し行うことで、色の異なる複数のパターン化された色変換層１３Ａを転写形成できる。特に、緑色転写ドナー基板１０ｇ、及び赤色転写ドナー基板１０ｒの夫々について前記工程（１）乃至（４）を繰り返し行い、１の透明支持体２０上に２色のパターン化された色変換層１３Ａを転写形成することが好ましい。または、これに加えてさらに青色転写ドナー基板１０ｂについて前記工程（１）乃至（４）を行い、１の透明支持体２０上に３色のパターン化された色変換層１３Ａを転写形成することが好ましい。即ち、緑色転写ドナー基板１０ｂを用いることでパターン化された緑色変換層１３Ａｇが、及び赤色転写ドナー基板１０ｂを用いることでパターン化された赤色変換層１３Ａｒが、透明支持体２０上に夫々転写形成される。または、これに加えてさらに青色転写ドナー基板１０ｂを用いることでパターン化された青色変換層１３Ａｂが、透明支持体２０上に転写形成される。
【００４５】
得られた色変換基板は、そのまま用いても良いし、後述するような保護層を積層したものとして用いても良い。
【００４６】
〔色変換フィルタ基板の製造方法：第２の実施の形態〕
本発明の色変換フィルタ基板の製造方法は、所定波長のレーザー光を透過する支持基板（１１）上に光熱変換層（１２）を形成する工程（１）と、該光熱変換層（１２）が形成された支持基板（１１）上に色変換機能を有する材料を含む色変換層（１３）を形成して転写ドナー基板（１０）とする工程（２）と、前記色変換層（１３）が形成された転写ドナー基板（１０）と、基板上にカラーフィルタ層（２１）とを形成したカラーフィルタ基板（２２）を、前記カラーフィルタ層（２１）と前記色変換層（１３）とが対向するように平行に、かつ離間させて配置する工程（３）と、前記転写ドナー基板（１０）の前記支持基板（１１）側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記カラーフィルタ基板（２２）の所定位置に転写させて色変換層（１３Ａ）のパターンを形成する工程（４）とを備えてなる。
【００４７】
図３は、本発明の第２の実施の形態である色変換フィルタ基板２５の製造方法の概略工程図である。
また本実施の形態では、上述した第１の実施の形態と重複する説明については省略する。即ち、本実施の形態における工程（１）及び（２）と、第１の実施の形態における工程（１）及び（２）とは同一であるので、本実施の形態において上述した第１の実施の形態と相違する工程（３）及び（４）について、各層の構成と共に以下に説明する。また、図１（１）及び（２）と、図３（１）及び（２）との関係についても、同様に同一であるので、説明を省略する。
【００４８】
（工程３）
図３（３）に示すように、説明を省略した工程（２）の後、この工程（２）で作製された転写ドナー基板１０の色変換層１３側に、転写ドナー基板１０と平行に、かつ離間させて、基板上にカラーフィルタ層２１を形成したカラーフィルタ基板２２を、前記カラーフィルタ層２１と前記色変換層１３とが対向するように配置する。
転写ドナー基板１０は、カラーフィルタ層２１に対して１００ｎｍ〜５μｍ離間して配置されることが好ましい。
【００４９】
《カラーフィルタ基板》
本発明のカラーフィルタ基板２２は、その上に後述するカラーフィルタ層２１が形成されてなる。カラーフィルタ基板２２の構成は、有機電界発光素子基板等から出射される光を充分に透過し、また、当該カラーフィルタ基板２２上にカラーフィルタ層２１を支持可能な構成であれば良い。通常、ガラス板、石英板、アクリル板等からなる板状のものがカラーフィルタ基板２２として用いられる。
【００５０】
《カラーフィルタ層》
本発明ではカラーフィルタ基板２２上にカラーフィルタ層２１が形成されている。カラーフィルタ層２１は、色の異なる複数のカラーフィルタ部を有するカラーフィルタ層２１が形成されていることが好ましい。特に、カラーフィルタ基板２２上に緑色カラーフィルタ部２１ｇ、赤色カラーフィルタ部２１ｒ、及び青色カラーフィルタ部２１ｂの三色からなるカラーフィルタ層２１が形成されていることが好ましい。緑色、赤色、および青色のカラーフィルタ部２１ｇ，ｒ，ｂが形成されたカラーフィルタ層２１を有するカラーフィルタ基板２２とすることで、フルカラー表示が可能な構成となる。
【００５１】
本発明のカラーフィルタ層２１は、層厚が０．１〜５μｍであることが好ましい。
【００５２】
また本発明のカラーフィルタ層２１には、フラットパネルディスプレイ用材料として市販されている任意の材料を用いることができる。さらに本発明のカラーフィルタ層２１は、これらの材料に対応した既知の方法によって塗布及びパターン化を行うことによって形成することができる。
【００５３】
（工程４）
前記工程（３）の後、図３（４）に示すように、転写ドナー基板１０の支持基板１１側からレーザー光ｈｒを照射し、色変換機能を有する材料をカラーフィルタ基板２２の所定位置に転写させてパターン化された色変換層１３Ａを形成することで色変換フィルタ基板を作製する。
ここで、所定の位置とはカラーフィルタ基板２２上に所望のパターン化された色変換層１３Ａを形成するに際し、パターン化された色変換層１３Ａを形成すべきカラーフィルタ基板２２上の位置を指す。
【００５４】
ここで、本発明のレーザー光ｈｒの波長は、好ましくは８００〜１０００ｎｍである。また、レーザー光ｈｒの強度は、例えばエネルギー密度は、０．１Ｅ-3ｍＪ／μｍ２〜１０Ｅ-3ｍＪ／μｍ２であり、照射時間は例えば１μｓ〜１０ｓである。レーザー光ｈｒの強度および照射時間は、良好な転写形成をするものであれば良く、色変換層１３に用いられる色変換機能を有する材料、支持基板１１の材質等に応じて決定される。
【００５５】
工程（４）において形成されるパターン化された色変換層１３Ａの膜厚は、１００ｎｍ〜１０μｍであることが好ましい。
本発明は、１回の転写でパターン化された色変換層１３Ａを形成しても良く、複数回の転写でパターン化された色変換層１３Ａを形成しても良い。
１回の転写を行うだけでは所望の膜厚のパターン化された色変換層１３Ａが得られない場合は、前記工程（４）の転写を複数回行いパターン化された色変換層１３Ａを形成することが好ましい。
【００５６】
工程（４）を繰り返して転写を複数回の行う際には、カラーフィルタ基板２２の所定位置を変更せずに、転写ドナー基板１０を移動させて転写を複数回行い、パターン化された色変換層１３Ａを形成する。このとき、初回（各色における初回）の転写時においてアライメントを行うことが好ましい。このアライメントは、転写ドナー基板１０及びカラーフィルタ基板２２に位置調整のために形成されているアライメントマーク（不図示）を用いて行うことが好ましい。
【００５７】
本発明の色変換フィルタ基板の製造方法では、異なる種類の色変換機能を有する材料を用いて前記工程（１）乃至（４）（工程（４）が複数回行われる場合も含む）を繰り返し行うことで、色の異なる複数のパターン化された色変換層１３Ａを転写形成できる。特に、緑色転写ドナー基板１０ｇ、及び赤色転写ドナー基板１０ｒの夫々について前記工程（１）乃至（４）を繰り返し行い、１のカラーフィルタ基板２２上に２色のパターン化された色変換層１３Ａを転写形成することが好ましい。または、これに加えてさらに青色転写ドナー基板１０ｂついて前記工程（１）乃至（４）を行い、１のカラーフィルタ基板２２上に３色のパターン化された色変換層１３Ａを転写形成することが好ましい。即ち、緑色転写ドナー基板１０ｂを用いることでパターン化された緑色変換層１３Ａｇが、及び赤色転写ドナー基板１０ｂを用いることでパターン化された赤色変換層１３Ａｒが、カラーフィルタ層２１上に夫々転写形成される。または、これに加えてさらに青色転写ドナー基板１０ｂを用いることでパターン化された青色変換層１３Ａｂが、カラーフィルタ層２１上に転写形成される。尚、各色の何れにおいても、パターン化された色変換層１３Ａは、当該パターン化された色変換層１３Ａと同色のカラーフィルタ部（所定のカラーフィルタ部）上に形成される。
【００５８】
また本発明では、緑色カラーフィルタ部２１ｇには緑色に変換されるパターン化された緑色変換層１３Ａｇを形成し、赤色カラーフィルタ部２１ｒには赤色に変換されるパターン化された赤色変換層１３Ａｒを形成し、青色カラーフィルタ部２１ｂには色変換層を形成しない構成が好ましい。青色発光源を用いることで、青色カラーフィルタ部２１ｂを透過して出射された光が青色光となるため、色変換機能は不要となり、青色カラーフィルタ部２１ｂ上に色変換層を形成しなくても青色光を得ることができる。即ち、かかる構成とすることで、青色変換層を有しない安価で簡易な構成であっても青色カラーフィルタ部２１ｂから青色光を出射することができる。
【００５９】
《その他の構成》
尚、本発明の色変換フィルタ基板の製造方法では、本発明の効果を損なわない範囲で、上記カラーフィルタ層２１以外の層を備えた構成の色変換フィルタ基板２５としても良い。
例えば、本発明の色変換フィルタ基板２５は、色変換層１３側全面に、可視域における透明性と、電気絶縁性と、水分、酸素及び低分子成分に対するバリア性とを有するポリマー材料からなる保護層２４（図５参照）をさらに積層してプロテクトする構成としても良い。この保護層２４は、色変換フィルタ基板２５における上面（カラーフィルタ基板２２の反対面）を平坦化する作用もある。
保護層２４を形成するポリマー材料としては熱硬化型エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
保護層２４は、膜厚１〜１００μｍであることが好ましい。
【００６０】
〔色変換フィルタ基板の製造方法：第３の実施の形態〕
図４は、本発明の第３の実施の形態である色変換フィルタ基板２５の製造方法の概略工程図である。
本実施の形態の色変換フィルタ基板２５の製造方法は、第２の実施の形態の色変換フィルタ基板２５の製造方法において、カラーフィルタ層２１のカラーフィルタ部２１ｒ，ｇ，ｂは、それぞれのカラーフィルタ部２１ｒ，ｇ，ｂがブラックマトリックス２３で区切られている。さらに本実施の形態では、このブラックマトリックス２３の隔壁を、前記工程（３）における転写ドナー基板１０とカラーフィルタ基板２２との離間配置のための支持台として用いる。
【００６１】
図４は、本発明の第３の実施の形態である色変換フィルタ基板２５の製造方法の概略工程図である。
また本実施の形態では、上述した第２の実施の形態と重複する説明については省略する。即ち、本実施の形態における工程（１）、（２）及び（４）と、第２の実施の形態における工程（１）、（２）及び（４）とは同一であるので、本実施の形態において上述した第１の実施の形態と相違する工程（３）について以下に説明する。また、図３（１）及び（２）と、図４（１）及び（２）との関係についても、同様に同一であるので、説明を省略する。
【００６２】
（工程３）
図４（３）に示すように、説明を省略した工程（２）の後、この工程（２）で作製された転写ドナー基板１０の色変換層１３側に、転写ドナー基板１０と、基板上にカラーフィルタ層２１を形成したカラーフィルタ基板２２とを、カラーフィルタ層２１と色変換層１３とが対向するように平行に、かつ離間させて配置する。
【００６３】
このとき、カラーフィルタ層２１のカラーフィルタ部２１ｒ，２１ｇ，２１ｂは、それぞれのカラーフィルタ部２１ｒ，２１ｇ，２１ｂがブラックマトリックス２３で区切られている構成である。かかる構成とすることで、ブラックマトリックス２３がカラーフィルタ部２１ｒ，２１ｇ，２１ｂの隔壁として機能するため、混色の問題等が生じない。さらに、かかる構成とすることでこのブラックマトリックス２３は、転写ドナー基板１０とカラーフィルタ基板２２とを平行に離間配置する際に、転写ドナー基板１０とカラーフィルタ基板２２とを離間した状態で支持するための支持台としても機能する。従って、転写ドナー基板１０とカラーフィルタ基板２２とを離間した状態で支持するために新たな部材を設けることなく、安定した状態で後述する工程（４）を行うことができる。
【００６４】
以上で説明した工程（３）における操作並びに構成以外は、上述した第２の実施の形態における工程（３）と同一であるため、説明を省略する。
【００６５】
《ブラックマトリックス》
ブラックマトリックス２３の隔壁の高さは、色変換層１３とカラーフィルタ層２１の合計厚さより大きいことが好ましい。ブラックマトリックス２３の隔壁の高さが、色変換層１３とカラーフィルタ層２１の合計厚さより大きいと、転写ドナー基板１０とカラーフィルタ基板２２とを離間した状態で支持する支持台としての機能を発揮する。
具体的には、ブラックマトリックス２３の高さは、０．２μｍ〜１０μｍであることが好ましく、０．４μｍ〜４μｍであることがより好ましい。
また、ブラックマトリックス２３の隔壁がテーパー形状であることが好ましい。テーパー形状であることで、基板との密着性が高まるためである。
【００６６】
さらに、ブラックマトリックス２３は、カラーフィルタ基板２２上において、長方形状若しくは正方形状の開口部を有するマトリクス状に配列されていることが好ましい。開口部の長辺方向長さは５０μｍ〜５００μｍ、開口部の短辺方向長さは５０μｍ〜３００μｍであることが好ましい。また、ブラックマトリックス２３(隣り合う各色カラーフィルタ部２１ｒ，２１ｇ，２１ｂ)は長辺方向に５０μｍ〜５００μｍピッチ、短辺方向に５０μｍ〜５００μｍピッチで配列されていることが好ましい。
【００６７】
尚、ブラックマトリックス２３は、各画素毎に発光する区域を区画すると共に、発光する区域同士の境界における外光の反射を防止し、画像、映像のコントラストを高める効果を奏する。
【００６８】
本発明に用いられるブラックマトリックス２３は、絶縁性を有するものであっても、絶縁性を有しないものであっても良いが、中でも絶縁性を有していることが好ましい。ブラックマトリックス２３が絶縁性を有するものであれば、カラーフィルタ基板２２を用いて有機電界発光表示装置とした際に、ブラックマトリックス２３と透明電極層とが接触する場合であっても、ブラックマトリックス２３と透明電極層とが導通するのを回避することができるからである。
【００６９】
絶縁性を有するブラックマトリックス２３の形成材料としては、例えばカーボンブラック等の黒色着色剤を含有する樹脂組成物等が挙げられる。この樹脂組成物に用いられる樹脂としては、例えばアクリレート系、メタクリレート系、ポリ桂皮酸ビニル系、および環化ゴム系等の反応性ビニル基を有する電離放射線硬化性樹脂が挙げられ、特に電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂を好適に使用することができる。また、例えばポリメチルメタクリレート樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、ヒドロキシエチルセルロース樹脂、カルボキシメチルセルロース樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等も例示することができる。
【００７０】
また、絶縁性を有しないブラックマトリックス２３の形成材料としては、例えばクロム等の金属、及びこれらの金属酸化物が挙げられる。この際、絶縁性を有しないブラックマトリックス２３は、ＣｒＯｘ膜（ｘは任意の数）及びＣｒ膜の２層積層されたものであっても良く、また、より反射率を低減させたＣｒＯｘ膜（ｘは任意の数）、ＣｒＮｙ膜（ｙは任意の数）及びＣｒ膜の３層積層されたものであっても良い。
【００７１】
絶縁性を有するブラックマトリックス２３の形成方法としては、例えば、上記の樹脂組成物を基材上に塗布して、フォトリソグラフィ法によりパターニングする方法を用いることができる。その他、印刷法等の公知の方法を用いることもできる。
【００７２】
また、絶縁性を有しないブラックマトリック２３の形成方法としては、例えば、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等により薄膜を形成し、フォトリソグラフィ法を利用してパターニングする方法を用いることができる。その他、無電界メッキ法等の公知の方法を用いることもできる。
【００７３】
（工程４）
前記工程（３）の後、図４（４）に示すように、転写ドナー基板１０の支持基板１１側からレーザー光ｈｒを照射し、色変換機能を有する材料をカラーフィルタ基板２２の所定位置に転写させてパターン化された色変換層１３Ａを形成することで色変換フィルタ基板２５を作製する。
ここで、所定の位置とはカラーフィルタ基板２２上に所望のパターン化された色変換層１３Ａを形成するに際し、パターン化された色変換層１３Ａを形成すべきカラーフィルタ基板２２上の位置を指す。
【００７４】
本実施の形態では、ブラックマトリックス２３を備える点で上述した第２の実施の形態における工程（４）と相違しているが、これ以外の構成並びに操作は、上述した第３の実施の形態における工程（４）と同一であるため、説明を省略する。
【００７５】
〔有機電界発光素子の製造方法：第４の実施の形態〕
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、一対の電極間（１０３，１０５）に有機層１０４が狭持された有機電界発光素子基板１０１に、本発明の色変換フィルタ基板の製造方法で製造された色変換フィルタ基板２５を貼り合わせることよりなる。
【００７６】
図５は、本発明の第４の実施の形態である有機電界発光素子１００の製造方法を示す概略工程図である。図５に示すように、本実施の形態の有機電界発光素子１００では、有機電界発光素子基板１０１に上述した第２の実施の形態または第３の実施の形態で得られた色変換フィルタ基板２５を積層して設けてなる。
また図６は、本発明の第４の実施の形態に適用される有機電界発光素子基板１０１の構成を模式的に示す構成断面図である。図６に示す有機電界発光素子基板１０１は、基板１０２上に、陽極１０３、有機層１０４、および陰極１０５をこの順に積層してなる。このうち有機層１０４は、陽極１０３側から順に、例えば正孔注入層１０４ａ、正孔輸送層１０４ｂ、発光層１０４ｃ、および電子輸送層１０４ｄを積層してなるものである。
【００７７】
本実施の形態の有機電界発光素子１００の製造方法は、先ず、図５（１）に示すように、第２または第３の実施の形態で作製した、パターン化された色変換層１３Ａを積層した色変換フィルタ基板２５上に、保護層２４をさらに積層して設けてプロテクトする。次いで、得られた積層物（色変換フィルタ基板２５に相当する）を、図５（２）に示すように、有機電界発光素子基板１０１上に、保護層２４が有機電界発光素子基板１０１に接するように貼り合わせて有機電界発光素子１００を得る。
尚、本発明の有機電界発光素子は、トップエミッション方式のアクティブ型有機電界発光素子に限定されるものではない。例えば、上述した第２または第３の実施の形態で得られた色変換フィルタ基板２５と、ボトム型の有機電界発光素子基板１０１とを貼り合わせることによってもカラー有機電界発光素子１００を製造することができる。
【００７８】
次に、本実施の形態の有機電界発光素子基板１０１を構成する各部の詳細な構成を、基板１０２側から順に説明する。
【００７９】
《有機電界発光素子基板：基板》
基板１０２は、その一主面側に有機電界発光素子基板１０１（基板１０２を除く）が配列形成される支持体であって、公知のものであって良く、例えば、石英、ガラス、金属箔、樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。この中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、ポリカーボネート樹脂などが挙げられるが、透水性や透ガス性を抑える積層構造としたものや、表面処理を行ったものであっても良い。
【００８０】
《有機電界発光素子基板：陽極》
陽極１０３には、効率良く正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいものが用いられる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）の金属又はその合金、若しくはこれらの金属又は合金の酸化物等、酸化スズ（ＳｎＯ2）とアンチモン（Ｓｂ）との合金、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金、さらにはこれらの金属又は合金の酸化物等から選ばれる１種が、または２種以上を混在させた状態のものが用いられる。
【００８１】
また、陽極１０３は、光反射性に優れた第１層と、この上部に設けられた光透過性を有すると共に仕事関数の大きい第２層との積層構造であっても良い。
第１層は、アルミニウムを主成分とする合金からなる。その副成分は、主成分であるアルミニウムよりも相対的に仕事関数が小さい元素を少なくとも一つ含むものでも良い。このような副成分としては、ランタノイド系列元素が好ましい。ランタノイド系列元素の仕事関数は、大きくないが、これらの元素を含むことで陽極の安定性が向上し、かつ陽極のホール注入性も満足する。また副成分として、ランタノイド系列元素の他に、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）などの元素を含んでも良い。
【００８２】
第１層を構成するアルミニウム合金層における副成分の含有量は、例えば、アルミニウムを安定化させるＮｄやＮｉ、Ｔｉ等であれば、合計で約１０重量％以下であることが好ましい。これにより、アルミニウム合金層においての反射率を維持しつつ、有機電界発光素子基板１０１の製造プロセスにおいてアルミニウム合金層を安定的に保ち、さらに加工精度および化学的安定性も得ることができる。また、陽極１０３の導電性および基板１０２との密着性も改善することが出来る。
【００８３】
また第２層は、アルミニウム合金の酸化物、モリブデンの酸化物、ジルコニウムの酸化物、クロムの酸化物、およびタンタルの酸化物の中の少なくとも一つからなる層を例示できる。ここで、例えば、第２層が副成分としてランタノイド系元素を含むアルミニウム合金の酸化物層（自然酸化膜を含む）である場合、ランタノイド系元素の酸化物の透過率が高いため、これを含む第２層の透過率が良好となる。このため、第１層の表面において、高反射率を維持することが可能である。さらに、第２層は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電層であっても良い。これらの導電層は、陽極１３の電子注入特性を改善することができる。
【００８４】
また陽極１０３は、基板１０１と接する側に、陽極１０３と基板１０２との間の密着性を向上させるための導電層を設けて良い。このような導電層としては、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電層が挙げられる。
【００８５】
そして、この有機電界発光素子基板１０１を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合には、陽極１０３は画素毎にパターニングされ、基板１０２に設けられた駆動用の薄膜トランジスタに接続された状態で設けられている。またこの場合、陽極１０３の上には、ここでの図示を省略したが絶縁膜が設けられ、この絶縁膜の開口部から各画素の陽極１０３の表面が露出されるように構成されていることとする。
【００８６】
《有機電界発光素子基板：正孔注入層／正孔輸送層》
正孔注入層１０４ａおよび正孔輸送層１０４ｂは、それぞれ発光層１０４ｃへの正孔注入効率を高めるためのものである。このような正孔注入層１０４ａもしくは正孔輸送層１０４ｂの材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
【００８７】
また、上記正孔注入層１０４ａもしくは正孔輸送層１０４ｂのさらに具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、７，７，８，８−-テトラシアノ−２，３，５，６-テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、テトラシアノ４、４、４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ（２、２’−チエニルピロール）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８８】
《有機電界発光素子基板：発光層》
発光層１０４ｃは、陽極１０３と陰極１０５による電圧印加時に、陽極１０３と陰極１０５のそれぞれから正孔および電子が注入され、さらにこれらが再結合する領域であり、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機発光材料を用いて構成されている。
【００８９】
発光層材料としては、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核もしくはペリレン核から構成される芳香族炭化水素化合物であり、具体的には９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ジ（1−ナフチル）アントラセン、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、１，６−ジフェニルピレン、１，６−ジ（１−ナフチル）ピレン、１，６−ジ（２−ナフチル）、１，８−ジフェニルピレン、１，８−ジ（１−ナフチル）ピレン、１，８−ジ（２−ナフチル）ピレン、ルブレン、６，１２−ジフェニルクリセン、６，１２−ジ（１−ナフチル）クリセン、６，１２−ジ（２−ナフチル）クリセン等を好適に用いることができる。
【００９０】
また、この発光層１０４ｃには、発光層１０４ｃでの発光スペクトルの制御を目的として、他のゲスト材料を微量添加しても良い。このような他のゲスト材料としては、ナフタレン誘導体、アミン化合物、ピレン誘導体、ナフタセン誘導体、ベリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素等の有機物質が用いられ、なかでもこれらの芳香族第三級アミン化合物が好適に用いられる。
【００９１】
尚、本発明のアミン化合物は正孔輸送性材料であるものの、置換基の選択によっては良好な発光色素となりうる。本発明で規定するアミン化合物を用いて発光層１０４ｃを構成する場合、該アミン化合物の単体からなる発光層１０４ｃを構成しても良い。また本発明で規定するアミン化合物をゲスト材料として用いても良い。この場合、ホスト材料には、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核もしくはペリレン核から構成される芳香族炭化水素化合物を用いることが好ましい。
また本発明で規定するアミン化合物をホスト材料として用いても良い。この場合、ゲスト材料としては、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機発光材料を用いて構成されている。
【００９２】
本発明で規定するアミン化合物をホスト材料に用いた場合における発光性のゲスト材料としては、例えばアントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、あるいはこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルを用いることができる。
【００９３】
《有機電界発光素子基板：電子輸送層》
電子輸送層１０４ｄは、陰極１０５から注入される電子を発光層１０４ｃに輸送するためのものである。電子輸送層１０４ｄの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、及びこれらの誘導体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ３）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、及びこれらの誘導体が挙げられる。
【００９４】
以上、有機層１０４を構成する上記の各層１０４ａ〜１０４ｄは、例えば真空蒸着法や、スピンコート法などの方法によって形成することができる。ただし、特に、発光層１０４ｃに対して、発光層１０４ｃでの発光スペクトルの制御を目的として、本発明で規定するアミン化合物の他に微量のゲスト材料を添加する場合には、発光層１０４ｃの形成において他のゲスト材料の共蒸着を行う。
【００９５】
尚、有機層１０４は、このような層構造に限定されることはなく、少なくとも発光層１０４ｃと共に、陽極１０３と発光層１０４ｃとの間に、正孔輸送層１０４ａまたは正孔注入層１０４ｂを有する構成であれば良い。また発光層１０４ｃが、正孔輸送性の発光層、電子輸送性の発光層、あるいは両電荷輸送性の発光層として有機電界発光素子基板１０１に設けられている構成であっても良い。
【００９６】
さらに、以上の有機層１０４を構成する各層、例えば正孔注入層１０４ａ、正孔輸送層１０４ｂ、発光層１０４ｃ、および電子輸送層１０４ｄは、それぞれが複数層からなる積層構造であっても良い。
【００９７】
《有機電界発光素子基板：陰極》
陰極１０５は、例えば、有機層１０４側から順に第１層１０５ａ、第２層１０５ｂを積層させた２層構造で構成されている。
第１層１０５ａは、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の酸化物である酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、さらにはこれらの酸化物の混合物を用いることができる。また、第１層１５ａは、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。
【００９８】
第２層１０５ｂは、例えば、ＭｇＡｇなどの光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この第２層１５ｂは、さらに、アルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。この場合には、さらに第３層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。
【００９９】
以上の陰極１０５を構成する各層は、真空蒸着法、スパッタリング法、更にはプラズマＣＶＤ法などの手法によって形成することができる。また、この有機電界発光素子１００を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陰極１０５は、有機層１０４とここでの図示を省略した上述の絶縁膜とによって、陽極１０３と絶縁された状態で基板１０２上にベタ膜状に形成され、各画素の共通電極として用いられる。
【０１００】
尚、陰極１０５は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取れば良いことは言うまでもない。例えば、上記実施形態の陰極１０５の構成は、電極各層の機能分離、すなわち有機層１０４への電子注入を促進させる無機層（第１層１０５ａ）と、電極を司る無機層（第２層１０５ｂ）とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層１０４への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねても良く、これらの層を単層構造として構成しても良い。また、この単層構造上にＩＴＯなどの透明電極を形成した積層構造としても良い。
【０１０１】
そして上記した構成の有機電界発光素子１００に印加する電流は、通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても良い。電流値、電圧値は、素子が破壊されない範囲内であれば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。
【０１０２】
また、この有機電界発光素子１００が、キャビティ構造となっている場合、有機層１０４と、透明材料あるいは半透明材料からなる電極層（本実施の形態では陰極１０５）との合計膜厚は、発光波長によって規定され、多重干渉の計算から導かれた値に設定されることになる。そして、この有機電界発光素子１００を用いた表示装置が、ＴＦＴが形成された基板上に上面発光型の有機電界発光素子１００を設けた、いわゆるＴＡＣ（Top Emitting Adoptive Current drive）構造である場合、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。
【０１０３】
また、本発明の有機電界発光素子は、上面発光型、これを用いたＴＡＣ構造への適用に限定されるものではなく、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなる構成に広く適用可能である。従って、基板側から順に、陰極、有機層、陽極を順次積層した構成のものや、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、いわゆる下面発光型の有機電界発光素子にも適用可能である。下面発光型の有機電界発光素子とは、基板側に位置する電極（陰極または陽極としての下部電極）を透明材料で構成し、基板と反対側に位置する電極（陰極または陽極としての上部電極）を反射材料で構成することによって、下部電極側からのみ光を取り出す構成である。
【０１０４】
さらに、本発明の有機電界発光素子とは、一対の電極（陽極１０３と陰極１０５）、およびその電極間に有機層１０４が挟持されることによって形成される素子であれば良い。このため、本発明は一対の電極（陽極１０３と陰極１０５）および有機層１０４のみで構成されたものに限定されることはなく、本発明の効果を損なわない範囲で他の構成要素（例えば、無機化合物層や無機成分）が共存することを排除するものではない。
【０１０５】
また以上説明した本発明に係る有機電界発光素子は、様々な電子機器に適用可能である。例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、電子機器内で生成した映像信号を画像及び／または映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置等に適用可能である。
【実施例】
【０１０６】
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
＜実施例１＞
次のようにして、透明支持体２０上にパターン化された色変換層１３Ａを形成するための転写ドナー基板１０を作製した。
先ず、ガラスの透明支持体２０の上に、膜厚２００ｎｍのモリブデンからなる光熱変換層１２を通常のスパッタリング法により成膜した。次いで、光熱変換層１２上に、膜厚１００ｎｍの窒化シリコンＳｉＮｘからなる酸化保護機能を備える拡散防止層１４をＣＶＤ法によって成膜した。
そして拡散防止層１４上に、膜厚３００ｎｍの色変換層１３を蒸着成膜した。ここで、色変換層１３は東洋インキ製ＴＹＲ−３０１Ｈを９５重量％、ＴＹＲ−３０３Ｄを５重量％とした。
【０１０７】
次に、透明支持体（ガラス基板）２０と色変換層１３とが向き合う状態で、転写装置に転写ドナー基板１０を対向配置させ、真空中で密着させた。透明支持体２０と転写ドナー基板１０とは、転写用の装置のリブによって、平行な状態で約２μｍの小さな間隙が維持されていた。この状態で、透明支持体２０の画素領域に相対する配置において、転写ドナー基板１０の裏側（支持基板１１側）から波長８００ｎｍのレーザー光線を照射した。転写ドナー基板１０上の色変換層１３は、照射により昇華してガラスの透明支持体２０に転写され、赤色のパターン化された赤色変換層１３Ａｒを形成し色変換基板を得た。
レーザー光線のスポットサイズは、３００μｍ×１０μｍとした。レーザー光線は、該光線の長手寸法に対して直交する方向において走査した。エネルギー密度は、２．６Ｅ-3ｍＪ／μｍ２、照射時間を１００ｍｓとした。
【０１０８】
パターン化された赤色変換層１３Ａｒの膜厚は２９８ｎｍであった。また、この色変換基板に蛍光分光計で青色発光に相当する４５０ｎｍの励起光を入射させたところＴＹＲ−３０３Ｄに由来する赤色の蛍光が観測されたことから色変換が確認された。
【０１０９】
＜実施例２＞
実施例１において転写ドナー基板１０をスライドさせ、膜厚を３００ｎｍの東洋インキ製ＴＹＲ−３０１Ｈを９５重量％、ＴＹＲ−３０３Ｄを５重量％からなる混合層を５回転写した。その結果、膜厚１４９２ｎｍのパターン化された赤色変換層１３Ａｒを得た。その他は実施例１と同様の評価を行った。その結果、ＴＹＲ−３０３Ｄに由来する赤色の蛍光が観測されたことから色変換が確認された。
【０１１０】
＜実施例３＞
４６０ｎｍに発光ピーク波長を有する窒化ガリウムからなる無機型青色発光ダイオードの前面に実施例１で作製した色変換基板を設置した。無機発光ダイオードを点灯したところ、色変換基板を通じた光はピンク色の光が確認された。分光輝度計を用いて測定したところ、波長４６０ｎｍである色変換されたＴＹＲ−３０３Ｄの赤色発光ピークが観測された。
【０１１１】
＜実施例４＞
先ず、３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス板からなる基板１０２上に、陽極１０３として、膜厚が１９０ｎｍのＡｇ合金（反射層）上に１２．５ｎｍのＩＴＯ透明電極を積層した上面発光用の有機電界発光素子基板１０１用のセルを作製した。
次に、正孔注入層１０４ａとして、下記構造式（１０１）で示されるｍ−ＭＴＤＡＴＡよりなる膜を１５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で蒸着成膜した。
【０１１２】
【化１】
2009288476.tif 000003
【０１１３】
次いで、正孔輸送層１０４ｂとして、下記構造式（１０２）に示されるα−ＮＰＤよりなる膜を１２ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。ただし、α−ＮＰＤは、Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル[１、１’-ビフェニル]−４、４’―ジアミンである。
【０１１４】
【化２】
2009288476.tif 000004
【０１１５】
このようにして形成された正孔輸送層１０４ｂ上に、発光層１０４ｃを形成した。ホスト材料としては下記構造式（１０３）に示される９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）を蒸着し、膜厚２５ｎｍの膜を形成した。その際、ＡＤＮには青色ドーパントであるＢＤ−０５２（出光興産社製）を相対膜厚比で５％ドーピングして、発光層１０４ｃとした。
【０１１６】
【化３】
2009288476.tif 000005
【０１１７】
次いで、電子輸送層１０４ｄとして、下記構造式（１０４）に示されるＡｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）を２０ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。
【０１１８】
【化４】
2009288476.tif 000006
【０１１９】
以上の後、陰極１０５の第１層１０５ａとして、Ｌｉ２Ｏよりなる膜を約０．３ｎｍ（蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で蒸着成膜した。最後に、陰極１５の第２層１５ｂとして、ＩＴＯからなる膜をスパッタ法により約１０ｎｍの膜厚で成膜した。この素子を点灯したところ、ＢＤ−５２由来の青色発光が観測された。
【０１２０】
ここに実施例１で作製された赤色変換基板を張り合わせたところ、赤色変換基板を通じた光はピンク色の光が確認された。分光輝度計を用いて測定したところ、波長４６０ｎｍの色変換されたＴＹＲ−３０３Ｄの赤色発光ピークが観測された。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の第１の実施の形態である色変換基板の製造方法の概略工程図である。
【図２】本発明に係る色変換基板の製造方法の第１の実施の形態における転写ドナー基板の構成の変形例を説明するための断面概略図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態である色変換フィルタ基板の製造方法の概略工程図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態である色変換フィルタ基板の製造方法の概略図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態である有機電界発光素子の製造方法を示す概略図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態である有機電界発光素子を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１０    転写ドナー基板
１１    支持基板
１２    光熱変換層
１３    色変換層
１３Ａ  パターン化された色変換層
１４    拡散防止層
２０    透明支持体
２１    カラーフィルタ層
２２    カラーフィルタ基板
２３    ブラックマトリックス
２４    保護層
２５    色変換フィルタ基板
１００    有機電界発光素子
１０１    有機電界発光素子基板
１０２    基板
１０３    陽極
１０４    有機層
１０４ａ  正孔注入層
１０４ｂ  正孔輸送層
１０４ｃ  発光層
１０４ｄ  電子輸送層
１０５    陰極
１０５ａ  第１層（陰極）
１０５ｂ  第２層（陰極）
【図１】
2009288476.tif 000007
【図２】
2009288476.tif 000008
【図３】
2009288476.tif 000009
【図４】
2009288476.tif 000010
【図５】
2009288476.tif 000011
【図６】
2009288476.tif 000012