(57)【要約】【課題】凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与える。【解決手段】配向処理方法は、基板（１０、２０）上に形成された配向膜（１３）に対して、基板の面に対して第１の角度（θ１）を形成する仰角方向から入射するようにビーム（Ｌ）を照射する第１照射工程と、基板上に形成された配向膜に対して、基板の面に対して第１の角度より小さい第２の角度（θ２）を形成する仰角方向から入射するようにビームを照射する第２照射工程とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された配向膜に対して、前記基板の面に対して第１の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向規制力を与えるためのビームを照射する第１照射工程と、
前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して前記第１の角度より小さい第２の角度を形成する仰角方向から入射するように前記ビームを照射する第２照射工程と
を備えることを特徴とする配向膜の配向処理方法。
【請求項２】
前記第１の角度は、４０度以上且つ９０度未満であり、
前記第２の角度は、０°より大きく且つ５０度以下であることを特徴とする請求項１に記載の配向処理方法。
【請求項３】
前記第１の角度は、６０度以上且つ９０度未満であり、
前記第２の角度は、０°より大きく且つ２０度以下であることを特徴とする請求項１に記載の配向処理方法。
【請求項４】
前記第１照射工程において照射される前記ビームの照射量は、前記第２照射工程において照射される前記ビームの照射量以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の配向処理方法。
【請求項５】
夫々に配向膜が形成される一対の基板と、前記一対の基板の夫々の前記配向膜が形成される側の面で挟持される液晶とを備える液晶装置を製造する製造方法であって、
前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して第１の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向規制力を与えるためのビームを照射する第１照射工程と、
前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して前記第１の角度より小さい第２の角度を形成する仰角方向から入射するように前記ビームを照射する第２照射工程と
を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置が備える配向膜の配向処理方法及び液晶装置を製造する製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の基板間に電気光学物質として液晶を挟持してなる液晶装置がある。このような液晶装置では、例えば一対の基板間において液晶を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶に所定の電圧を印加することにより、液晶における配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。また、液晶装置では、液晶の配向制御を、特定の表面形状をもつと共に、一対の基板の少なくともいずれか一方上に塗布される配向膜により行う。このような配向膜として、ポリイミド等の有機材料により形成される有機膜に対して配向処理を施すことにより得られる有機配向膜や、配向処理を施すことにより得られる無機配向膜等が用いられる。
【０００３】
このような配向処理を行う配向処理方法として、例えば特許文献１に開示されているラビング法が広く用いられている。ラビング法では、配向膜の表面をバフ（布）材で擦ることで配向処理を行っている。このため、配向規制力（或いは、異方性ないしは配向性）は、バフ材の押し込み圧や移動速度や回転速度等により制御される。しかしながら、ラビング法は、配向膜をバフ材で擦ることに起因して、発塵が発生してしまうという技術的な問題点を有している。更には、バフ材の押し込み圧や移動速度や回転速度等の制御を適切に行なわなければ、配向膜の剥がれやラビングキズ等が発生してしまうという技術的な問題点を有している。更には、液晶の厚さを均一に維持するためのスペーサを基板上に設けた場合には、上述したラビング法は、以下のような技術的な問題点を有している。具体的には、スペーサの影になる部分にバフ材のあたりが不十分となる部分ができてしまうことに起因して、光漏れが発生してしまいかねない。その一方で、過度にバフ材を押し込むことでスペーサが倒れてしまい、その結果スジ・ムラが発生してしまいかねない。
【０００４】
このため、ラビング法に代えて、非接触の配向処理方法として、特許文献１に開示されているように、配向膜に光を照射する光配向法やイオンビームを照射するイオンビーム配向法の開発が進められている。イオンビーム配向法では、配向膜を構成する分子の結合を光ないしはイオンビームの照射によって選択的に断ち切ることで、配向膜に対して配向規制力を与えている。これにより、上述したラビング法が有している技術的な問題点を引き起こすことなく、好適に配向処理を行うことができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２９６５２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、配向膜が形成される下地である基板の表面は、段差を有している場合が殆どである。より具体的には、例えばＴＦＴアレイ基板上には、データ線、走査線及び画素電極等が基板上に積層構造をなしており、その厚みが凹凸を発生させている。ＴＦＴアレイ基板に対向する対向基板上では、遮光膜、カラーフィルタ等の存在により、同様に段差が生じている。配向膜は、このような凹凸を有している基板上に形成されるため、薄膜である配向膜の表面も凹凸を有することになる。従って、基板の表面に段差が存在した状態で光ないしはイオンビーム照射した場合、特に光ないしはイオンビームを照射する側から見て凹凸の反対側の領域（言い換えれば、凹凸によって光ないしはイオンビームが照射されない影領域）の配向規制力が低くなってしまうという技術的な問題点が発生する。このため、液晶の配向不良が生じてしまい、その結果液晶装置の表示品位が低下してしまうという技術的な問題点が発生しかねない。
【０００７】
本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えることができる配向膜の配向処理方法及び液晶装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（液晶装置）
上記課題を解決するために、本発明の配向膜の配向処理方法は、基板上に形成された配向膜に対して、前記基板の面に対して第１の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向規制力を与えるためのビームを照射する第１照射工程と、前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して前記第１の角度より小さい第２の角度を形成する仰角方向から入射するように前記ビームを照射する第２照射工程とを備える。
【０００９】
本発明の配向膜の配向処理方法によれば、光ないしはイオンビーム等のビームを照射することで、配向膜に対して配向処理を行うことができる。つまり、配向膜に配向規制力を与えることができる。
【００１０】
本発明の配向膜の配向処理方法では特に、配向膜に対するビームの照射を２回に分けて行っている。具体的には、まず、１回目のビームの照射を行う第１照射工程において、基板に対して第１の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向膜が形成された基板に対してビームが照射される。つまり、基板に対して第１の角度で入射する（言い換えれば、基板の法線に対して「９０度−第１の角度」で入射する）ように、配向膜が形成された基板に対してビームが照射される。第１照射工程に続いて、２回目のビームの照射を行う第２照射工程において、基板に対して第２の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向膜が形成された基板に対してビームの照射が行われる。つまり、基板に対して第２の角度で入射する（言い換えれば、基板の法線に対して「９０度−第２の角度」で入射する）ように、配向膜が形成された基板に対してビームが照射される。
【００１１】
ここで、第１の角度は、第２の角度よりも大きい。つまり、本発明の配向膜の配向処理方法では、相対的に大きい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われた後に、相対的に小さい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われる。
【００１２】
このため、相対的に大きい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われる第１照射工程により、基板上に形成される各種構造物（例えば、各種電極や、各種配線や、各種回路等）の厚みにより生ずる凹凸によって影になる領域（影領域）の大きさを相対的に減らすことができる。言い換えれば、ビームを照射する側から見て凹凸の反対側に位置することに起因してビームが照射されない影領域の大きさを相対的に減らすことができる。更に言い換えれば、相対的に小さい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われる第２照射工程と比較して、基板上に形成される各種構造物の厚みにより生ずる凹凸によって影になる領域（影領域）の大きさを減らすことができる。従って、第１照射工程により、ビームの照射がされないことで配向規制力が弱くなってしまう領域を相対的には減らすことができる。つまり、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る配向膜の一部の領域に対しても配向規制力を相応に与えることができる。その一方で、相対的に小さい仰角方向から入射するようにビームの照射が行われる第２照射工程により、例えば液晶分子のプレチルト角が所望の角度となるように配向制御するための配向規制力を配向膜に対して与えることができる。従って、第１照射工程及び第２照射工程を備える本発明の配向膜の配向処理方法によれば、単に第１照射工程のみを行う又は第２照射工程のみを行う配向処理方法と比較して、特に凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ（特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ）、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。
【００１３】
特に、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式或いはＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用した液晶装置では、液晶分子のプレチルト角が小さくなっている。このため、目標とするプレチルト角に合わせて相対的に小さい仰角方向から入射するようにビームが照射される第２照射工程のみを行えば、影領域が相対的に大きくなってしまう。このため、影領域の配向規制力が弱くなってしまい、その結果、表示品位が低下してしまいかねない。しかるに、本発明によれば、第２照射工程のみでは影領域となってしまう領域に対しても、第１照射工程によりビームを照射することができる。従って、プレチルト角に応じた配向処理だけでは影領域が相対的に大きくなってしまう横電界駆動方式を採用した液晶装置においても、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ（特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ）、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。
【００１４】
もちろん、ＴＮ（ツイスト・ネマティック）方式や、ＥＣＢ（複屈折電界効果）方式や、ＶＡ（垂直配向）方式等の縦電界駆動方式を採用する液晶装置においても、本発明によれば、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ（特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ）、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。
【００１５】
本発明の配向膜の配向処理方法の一の態様では、前記第１の角度は、４０度以上且つ９０度未満であり、前記第２の角度は、０°より大きく且つ５０度以下である。
【００１６】
この態様によれば、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ（特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ）、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。
【００１７】
本発明の配向膜の配向処理方法の他の態様では、前記第１の角度は、６０度以上且つ９０度未満であり、前記第２の角度は、０°より大きく且つ２０度以下である。
【００１８】
この態様によれば、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与えつつ（特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与えつつ）、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。
【００１９】
本発明の配向膜の配向処理方法の他の態様では、前記第１照射工程において照射される前記ビームの照射量は、前記第２照射工程において照射される前記ビームの照射量以下である。
【００２０】
この態様によれば、配向膜に与えられる配向規制力に対しては、第１照射工程よりも第２照射工程が大きな影響を有することになる。従って、第２照射工程により、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができる配向規制力を与えつつ、第１照射工程により、凹凸のある基板上に形成される配向膜に対して配向規制力を好適に与える（特に、相対的に小さい仰角方向から入射するビームに対して影領域となり得る部分の配向膜に対しても配向規制力を相応に与える）ことができる。
【００２１】
尚、本発明における「照射量」としては、例えば単位面積あたりのビームの照射量が一例としてあげられる。
【００２２】
（液晶装置の製造方法）
本発明の液晶装置の製造方法は、夫々に配向膜が形成される一対の基板と、前記一対の基板の夫々の前記配向膜が形成される側の面で挟持される液晶とを備える液晶装置を製造する製造方法であって、前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して第１の角度を形成する仰角方向から入射するように、配向規制力を与えるためのビームを照射する第１照射工程と、前記基板上に形成された前記配向膜に対して、前記基板の面に対して前記第１の角度より小さい第２の角度を形成する仰角方向から入射するように前記ビームを照射する第２照射工程とを備える。
【００２３】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、上述した本発明の配向膜の配向処理方法が享受する各種効果を享受しつつ、液晶装置を好適に製造することができる。従って、本発明の液晶装置の製造方法により製造された液晶装置では、配向膜によって、液晶分子が好適に配向制御される。このため、単に第１照射工程のみを行う又は第２照射工程のみを行う配向処理方法を用いた液晶装置の製造方法と比較して、表示品位が相対的に高い液晶装置を製造することができる。
【００２４】
尚、上述した本発明の配向膜の配向処理方法における各種態様に対応して、本発明の液晶装置の製造方法も各種態様をとることができる。
【００２５】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。
【００２７】
（１）液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００２８】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と本発明における「基板」の一例としての対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。
【００２９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のスペーサが散布されている。
【００３０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。但し、データ線駆動回路１０１は、シール領域よりも内側に、データ線駆動回路１０１が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられていてもよい。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。具体的には、画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に共通電極１１、絶縁層１２及び画素電極９ａがこの順に形成されている。つまり、本実施形態に係る液晶装置１００は、画素電極９ａと共通電極１１との間に生ずる電界によって液晶層５０の配向状態を制御する横電界駆動方式（特に、ＦＦＳ方式）を採用している。ここで、画素電極９ａは、画像表示領域１０ａを構成する各画素を形成するようにマトリクス状に設けられている。一方で、共通電極１１は、画素電極９ａと同じようにマトリクス状に設けられてもよいし、複数の画素電極９ａ毎に共通に設けられてもよい。画素電極９ａ上（言い換えれば、画素電極９ａ等の構成要素が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上）には、配向膜１３が積層されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に配向膜１３が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３２】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００３３】
（２）配向膜の配向処理方法
続いて、図３及び図４を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００が備えるＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の夫々に形成される配向膜１３の配向処理方法について説明する。ここに、図３は、配向膜１３の配向処理方法を概念的に示すＴＦＴアレイ基板１０の断面図であり、図４は、配向膜１３の配向処理方法を概念的に示すＴＦＴアレイ基板１０の断面の一部を拡大した拡大断面図である。尚、図３及び図４では、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される配向膜１３の配向処理方法について説明するが、対向基板２０上に形成される配向膜１３に対しても同様の配向処理方法を用いてもよいことは言うまでもない。
【００３４】
尚、以下の説明では、ＴＦＴ基板１０上に、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や、走査線、データ線等の配線が形成され、且つその上に配向膜１３が形成された後に行われる配向処理方法について説明する。このため、配向処理方法が行われるまでの各種工程は、適宜既存の工程を用いてもよい。また、配向処理方法が行われた後も、既存の各種工程を用いて液晶装置１００を完成させてもよい。
【００３５】
また、配向膜１３が形成される下地であるＴＦＴアレイ基板１０の表面は、段差を有している場合が殆どである。より具体的には、例えばＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線や走査線等の各種配線及び画素電極９ａ等の構造物が積層構造を構成している。これらの構造物の厚みにより、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の表面は段差を有している。配向膜１３は、このような段差を有しているＴＦＴアレイ基板１０上に形成されるため、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、薄膜である配向膜１３の表面も段差を有することになる。従って、本実施形態に係る配向処理方法は、特に段差を有するＴＦＴ基板アレイ基板１０上に形成される配向膜１３に対して配向処理を行う。もちろん、平坦化処理を施すことで段差を有していないＴＦＴ基板アレイ基板１０上に形成される配向膜１３に対して配向処理を行うために、本実施形態に係る配向処理方法を用いてもよいことは言うまでもない。
【００３６】
本実施形態では、配向処理方法として、配向膜１３に対してイオンビームＬを照射するイオンビーム配向処理方法を用いる。特に、本実施形態では、配向膜１３に対するイオンビームＬの照射を２回に分けて行う。
【００３７】
具体的には、図３（ａ）に示すように、まず、第１段階のイオンビームＬの照射として、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に対する仰角がθ１となるような入射方向から、イオンビームＬが照射される。言い換えれば、ＴＦＴアレイ基板１０の法線に対して「９０度−θ１」だけ傾いた入射方向から、イオンビームＬが照射される。ここで、θ１は、４０°≦θ１＜９０°であることが好ましい。或いは、θ１は、６０°≦θ１＜９０°であることがより好ましい。
【００３８】
続いて、図３（ｂ）に示すように、第２段階のイオンビームＬの照射として、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に対する仰角がθ２となるような入射方向から、イオンビームＬが照射される。言い換えれば、ＴＦＴアレイ基板１０の法線に対して「９０度−θ２」だけ傾いた入射方向から、イオンビームＬが照射される。ここで、θ２は、θ２＜θ１である。また、θ２は、０°＜θ２≦５０°であることが好ましい。或いは、本実施形態に係る配向処理方法が、液晶分子のプレチルト角が相対的に小さい横電界駆動方式の液晶装置１００を製造する際に用いられることを考慮すれば、θ２は、０°＜θ２≦２０°であることがより好ましい。
【００３９】
つまり、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０に対する仰角が相対的に大きくなるような入射方向から入射するようにイオンビームＬの照射が行われた後に、ＴＦＴアレイ基板１０に対する仰角が相対的に小さくなるような入射方向から入射するようにイオンビームＬの照射が行われる。
【００４０】
また、相対的に大きい仰角（つまり、θ１）にて規定される入射方向から入射するように照射されるイオンビームＬの照射量（例えば、単位面積あたりの照射量）は、相対的に小さい仰角（つまり、θ２）にて規定される入射方向から入射するように照射されるイオンビームＬの照射量（例えば、単位面積あたりの照射量）以下であることが好ましい。第２段階のイオンビームLは後から照射されるとともに、照射量が第１段階のイオンビームＬの照射量と同等以上であるため、第２段階のイオンビームＬの照射が、配向膜１３の配向規制力（特に、プレチルト角）に対して大きな影響を与えることになる。従って、第２段階のイオンビームＬの入射方向のＴＦＴアレイ基板１０に対する仰角（つまり、θ２）は、上述した条件に応じて設定されることに加えて又は代えて、配向膜１３の配向規制力（特に、プレチルト角）に応じた角度に設定されることが好ましい。しかしながら、第２段階のイオンビームＬの入射方向のＴＦＴアレイ基板１０に対する仰角は一般的には相対的に小さくなる。これは特に、液晶分子のプレチルト角が相対的に小さい横電界駆動方式を採用する液晶装置１００において顕著になる。このため、図３（ｂ）における画素電極９ａにより構成される１つの段差を拡大した図４（ｂ）に示すように、画素電極９ａ等により構成される段差によってイオンビームＬが照射されない配向膜１３の領域部分（つまり、影領域）が相対的に大きくなってしまう。
【００４１】
これに対して本実施形態では、第２段階のイオンビームＬの照射に先立って、第１段階のイオンビームＬの照射を行っている。第１段階のイオンビームＬの入射方向のＴＦＴアレイ基板１０に対する仰角（つまり、θ１）は、第２段階のイオンビームＬの入射方向のＴＦＴアレイ基板１０に対する仰角（つまり、θ２）よりも大きい。このため、第１段階のイオンビームＬの照射時には、図３（ａ）における画素電極９ａにより構成される１つの段差を拡大した図４（ａ）に示すように、図４（ｂ）に示す状態と比較して、影領域が少なくなっている。このため、第２段階のイオンビームＬの照射によって配向規制力が好適に与えられない配向膜１３の領域部分（或いは、その少なくとも一部）に対しても、第１段階のイオンビームＬの照射によって配向規制力を相応に与えることができる。従って、第１段階のイオンビームＬの入射方向のＴＦＴアレイ基板１０に対する仰角（つまり、θ１）は、上述した条件に応じて設定されることに加えて又は代えて、第２段階のイオンビームＬの照射によって影領域となってしまう領域部分又は該領域部分の一部に対してイオンビームＬ１を照射することができる角度に設定されることが好ましい。
【００４２】
このように、本実施形態に係る配向処理方法によれば、ＴＦＴアレイ基板１０に対して単一の角度を規定する入射方向からイオンビームＬを照射する配向処理方法と比較して、以下の利点を有している。具体的には、段差のあるＴＦＴアレイ基板１０上に形成される配向膜１３に対して配向規制力を好適に与えつつ、液晶分子のプレチルト角を好適に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。特に、段差のあるＴＦＴアレイ基板１０上に形成される配向膜１３のうち相対的に小さい仰角（つまり、θ２）にて規定される入射方向から照射されるイオンビームＬに対して影領域となり得る領域部分に対しても、液晶分子を相応に配向制御することができるように配向処理を行うことができる。このような効果は、イオンビームＬの入射方向のＴＦＴアレイ基板１０に対する仰角が小さくなればなるほど影領域が大きくなることを考慮すれば、液晶分子のプレチルト角が相対的に小さい横電界駆動方式を採用する液晶装置１００における配向膜１３の配向処理を行う際に特に有効となる。
【００４３】
尚、上述の説明では、画素電極９ａと共通電極１１とが異なる層に設けられると共に、画素電極９ａと共通電極１１とが絶縁層１２を間に挟持し、液晶層５０側の画素電極9ａに開口部を有するＦＦＳ方式を採用する液晶装置１００について説明を進めているが、液晶層５０側を開口部を有する共通電極１１としてもよい。また、画素電極９ａと共通電極１１とが同じ層に設けられるＩＰＳ方式を採用する液晶装置においても、上述した構成を採用することで、上述した各種効果を享受することができることは言うまでもない。また、横電界駆動方式を採用する液晶装置のみならず、例えばＴＮ（ツイスト・ネマティック）方式や、ＥＣＢ（複屈折電界効果）方式や、ＶＡ（垂直配向）方式等の縦電界駆動方式を採用する液晶装置においても、上述した構成を採用することで、上述した各種効果を相応に享受することができる。
【００４４】
（３）電子機器
続いて、図５及び図６を参照しながら、上述の液晶装置１００を具備してなる電子機器の例を説明する。
【００４５】
図５は、上述した液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図５において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置１００を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶装置１００の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００４６】
次に、上述した液晶装置１００を携帯電話に適用した例について説明する。図６は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図６において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置１００と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。
【００４７】
これらの電子機器においても、上述した液晶装置１００を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００４８】
尚、図５及び図６を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置や、液晶プロジェクタ等の投射型の表示装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００４９】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう配向膜の配向処理方法及び液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】配向膜の配向処理方法を概念的に示すＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【図４】配向膜の配向処理方法を概念的に示すＴＦＴアレイ基板の断面の一部を拡大した拡大断面図である。
【図５】液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図６】液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…共通電極、１３…配向膜、２０…対向基板、５０…液晶層、１００…液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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