(57)【要約】      （修正有）【課題】空冷式ヒートシンクシステムを有するメモリモジュールにおいて、ヒートシンクを使用してメモリモジュールの放熱特性を改善し、小型ＰＣ筺体でも高速メモリを安定に使用できるようにする手段を提供する。【解決手段】モジュール基板１０１に、ＤＲＡＭ素子１０２が装着されたメモリモジュール１００を両面より挟持したヒートシンク部２０１、２０１’と、ヒートシンク部２０１、２０１’の上部にエア導入路を備え、エア導入路からエアを下方に向けて送風することにより、メモリモジュール１００を冷却する。これによりヒートシンク部２０１、２０１’の上部のエア導入路からエアが下方に向けて送風される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュール基板に、ＤＲＡＭ素子が装着されたメモリモジュールを両面より挟持したヒートシンク部と、前記ヒートシンク部の上部にエア導入路を備え、前記エア導入路からエアを下方に向けて送風することにより、前記メモリモジュールを冷却することを特徴としたメモリモジュール冷却装置
【請求項２】
前記メモリモジュールを両面より挟持したとは、前記メモリモジュールをヒートシンク部に接着した請求項１記載のメモリモジュール冷却装置
【請求項３】
前記エア導入路は、前記メモリモジュールの横方向に沿って複数設けた請求項１記載のメモリモジュール冷却装置
【請求項４】
前記ヒートシンク部を更に上から挟持するエアータンクを設けた請求項１記載のメモリモジュール冷却装置
【請求項５】
前記エアータンクにエア通路よりエアを導入し、エア通路には、エア昇圧用ファンからエアが送風される請求項４記載のメモリモジュール冷却装置
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品（メモリモジュール）の冷却技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来半導体製品を数多く搭載しているＰＣやサーバーなどでは、ＣＰＵやグラフィック半導体などの発熱については、空冷の方法による冷却は一般的であったが、メモリモジュールに代表される半導体メモリは、特に空冷装置などを使用する例は無かった。しかしながら、昨今のＤＲＡＭも高速化（DDR1→DDR2→DDR3→・・・）に伴い、高負荷動作時の事故発熱の為に、そのメモリモジュール上のメモリのケース温度が保証値を上回るケースもでてきており、ヒートシンクの装着がメモリ装置でも採用されるようになってきている。
他方、一般のＰＣ等の装置ではＣＰＵやＶＧＡなどのチップがヒートシンクと強力なファンを持つことで、周囲に強烈に放熱をしており、筺体内は常に相当の温度になっているのが現状であり、メモリモジュール装置が単にヒートシンクだけでの放熱だけでは充分ではなかった。
そして、ＤＲＡＭの特徴であるリフレッシュ動作は温度に敏感であり、高温でのメモリビット不良の発生が顕著になる。特に、使用温度が９０度以上になるような場合には、メモリビットの保持特性の不安定性が極端に悪化するＶＲＴｒ(Variable Retention Time)不具合モード等が知られようになってきた。このような現状及びメモリ装置の更なる高速化に伴って、メモリ装置独自の空冷装置を持つことが必要となり、種々の冷却方法が提案されている。
【０００３】
従来メモリモジュールに対する空冷装置として、図８（ａ）に示されるような、複数のメモリモジュール８０２上に専用の空冷ファン８０１を設置する方式がある。この方式は、メモリモジュール周辺の筺体内の空気を撹拌することで、メモリモジュールの放熱を促進する従来のＣＰＵなどと同じ空冷ファン方式である。従って、ＣＰＵやＶＧＡなどのファンを持つ発熱体がすでに設置されている筺体では、それらの専用ファンにより大量の熱が放熱されており、すでに高温になった筺体内空気を更に撹拌するだけ効果がない。この方式では、メモリモジュールへの冷却効果がかなり限定されるので、ＰＣサーバーなどの小さな筺体に格納されて冷却空気の流れ方に制限を受ける装置では、該方式による冷却効果はあまり期待できない。
【０００４】
また他の公知事例として、図８（ｂ）のようにメモリモジュール８１４上に８１０の冷却フィンをつけたり、ヒートシンク部に８１２の凹凸のある溝を設けたりして放熱特性を改善する試みもあるが、いずれにしろ内部の空気の流れが制御できなければ、その冷却効果には限界がある。つまり、ヒートシンク自体は、ＤＲＡＭ単体の発熱によるモジュール上の個々のＤＲＡＭ単体ごとに発生する温度ばらつきを抑えるには効果があるものの、空気の流れが停滞すると全体を放熱する効果はほとんど発揮できないからである。
【０００５】
次に特許文献１では、冷却空気の取り入れ口付近に設けられたファンと空気ガイドで、空気を直接メモリ部に導入する方法が提案されている。この方式では前述した筺体内の高温排気の影響はかなり軽減されるが、このメモリ冷却装置を実際の筺体に設置するとなると、その冷却空気の流入口と高温空気の排気口の設定位置を特別に設ける必要があり、装置設計に当たり問題が多い。また放熱板の外から放熱を促進させているが、モジュール自体の冷却はなされていない。更に冷却空気の流入口から冷却空気が横方向に流れて排気口に向かうので、直列に配置されている多数のＤＲＡＭチップによりその内部の空気抵抗が大きくなりすぎてしまう（直列効果）。ＤＲＡＭ自体が発熱体なので、その冷却効果は空気排出口付近のＤＲＡＭにとっては、冷却むらが生じて、良好な冷却状態が保持できないことになる。
又特許文献１の例では、ヒートシンクの外部に主な空気通路を作らなければうまく冷却できないわけで、このような冷却効果の偏りをヒートシンクの平均冷却効果により補正しているのであり十分な冷却効果は得ることは出来なかった。
更に特許文献１の方法では、筺体内での給排気を行うのであり、結局は筺体内の排熱の還流がおき、その冷却効果は期待できない。
【０００６】
特許文献２は、筺体内のメモリモジュール周辺の空気の流れを整流化する工夫が提案されているが、そこで指摘されているように空気の流れを乱すのを防ぐには筺体の大きさが必要で、適用が自ずと限界がある。また空気の流れの変更を目的としているため、筺体内の高温化には対応できない。通常筺体内では、メモリ装置では常に複数（２枚乃至４枚）のモジュールが最密条件により搭載されているので、１個のメモリモジュール周囲に整流する為の十分な空間が得られないのが現状であり、筺体内の気流設計を工夫しても、内側に配置されたメモリモジュールにとっては、全体が高温化した状態では、この発明のように空気の流れを整流化するだけでは期待した冷却効果が得られない。
【０００７】
特許文献３では、メモリモジュール装置自体にマイクロファンを取り付けた空冷方式が提案されてはいるが、マイクロファン自体が高価なものであり、また、廉価な大型ファンではメモリ装置自体が大型化してしまい、廉価なＰＣサーバーなどの小さな筺体での採用出来ない。また、送風により空気がメモリモジュールの収納された収納容器を循環するため、個々のメモリモジュールの高熱化により他のメモリモジュールの冷却は所定の効果を期待できない。
【０００８】
このように、従来の個別的な冷却方法には限界があるが、この点の技術的背景について更に説明すると、従来のボード上実施例である図９は、筺体内のＰＣボードの各ファンの一般的配置図であるが、この様にＣＰＵやＶＧＡ等の発熱体の放熱ファンの近くにメモリモジュールが配置されているので、ヒートシンクのみで冷却する従来技術による方法では、強力なＣＰＵやＶＧＡの廃熱をヒートシンクが集熱し、逆にメモリモジュールの特性を悪化させることがあった。
即ち、６０２の給気ファンにより外気を取り込み、６０１の排気ファンで強制排気するのが基本構成であり、筺体内に前から後ろへの←６５０に示す気流の流れをつくる。そして、６０１の排気ファンの近くにはＣＰＵとＶＧＡのチップセットが配置されており、６０３および６０４のそれぞれ専用のファンにより強烈に放熱しています。一方、６０６のメモリスロットは筺体内右端に偏在している為、そこでの気流の流れは停滞気味になる。しかも、６０３のＣＰＵファンからの熱風が直撃される位置にあり、近くのメモリモジュールはかえって加熱されることになり、加えて、６０６のメモリスロットにはモジュールがぎっしりと並べられており、気流の流れはより滞留しやすい。しかも、メモリモジュールが最小間隔でメモリスロットに並べられていると更に悪化し、ヒートシンクをつけた場合にはさらに狭くなるので、ヒートシンクの効果が限定されてしまう。それゆえ、メモリスロット間隙に余裕のある場合や、風量十分取れる筺体設計ができる大型機種などの特殊用途にはヒートシンクが使われているが、小型装置では使われておらず、さまざまな従来技術の提案も限定的なものであった。
【０００９】
そこで、これらを改善する為に、ＣＰＵ等のようにヒートシンクを水冷にする方法も考えられるが、基板上の水漏れ対策などが難しく、そのシーリングの確実を追求するとコスト的に高価なものになり、廉価版のＰＣ等ではなかなか実用化が難しい。また、個別のマイクロファン（６２２）をメモリモジュール毎に設けたのが図１０であり、メモリモジュール全体に冷却ファンを設けたのが図１１であるが、これらは、メモリモジュール近辺の気流の改善にはなり、筺体内の温度が低い場合には効果的であるが、前述したように筺体内の温度が高い場合には何ら改善されない。特に、個別ファンの取り付けは、費用やスケールデメリットが大きく、実用化は難しい。
このように、従来技術の冷却方法は、基本的にヒートシンクを外側から強制冷却することでメモリ装置を間接的に放熱することを主たる冷却手段としているので、その放熱効果は筺体の熱設計の巧拙に強く依存していたのである。
【特許文献１】実用新案登録第３１２９８１０号
【特許文献２】特開２００４−３２００２７号公報
【特許文献３】特開２００４−１４９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、空冷式ヒートシンクシステムを有するメモリモジュールにおいて、ヒートシンクを使用してメモリモジュールの放熱特性を改善し、小型筺体でも高速メモリを安定に使用できるようにする手段を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明の構成は、モジュール基板に、ＤＲＡＭ素子が装着されたメモリモジュールを両面より挟持したヒートシンク部と、前記ヒートシンク部の上部にエア導入路を備え、前記エア導入路からエアを下方に向けて送風することにより、前記メモリモジュールを冷却するものである。
メモリモジュールを両面より挟持する場合、メモリモジュールをヒートシンク部に接着すると良い。又エア導入路は、メモリモジュールの横方向に沿って複数設けると、メモリモジュールを効率的に冷却できる。
ヒートシンク部を更に上から挟持するエアータンクを設け、エアータンクにエア通路よりエアを導入し、エア通路には、エア昇圧用ファンからエアが送風されると良い。
【発明の効果】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の構成は、モジュール基板に、ＤＲＡＭ素子が装着されたメモリモジュールを両面より挟持したヒートシンク部と、ヒートシンク部の上部にエア導入路を備え、エア導入路からエアを下方に向けて送風することにより、メモリモジュールを冷却するものであり、この構成により、ヒートシンク部の上部のエア導入路からエアを下方に向けて送風されるので、ヒートシンク部自体が形成する空気通路を通じてＤＲＡＭの周辺、及び半田ボールの間を通過し、このとき、ＤＲＡＭチップはこの多数の半田ボールを通じて効果的に放熱することができ（いわゆる並列効果）、更に、ヒートシンク部自体、およびモジュール基板もその表面の電気的配線部からも放熱させて冷却される。
メモリモジュールを両面より挟持する場合、メモリモジュールをヒートシンク部に接着すると、エアが確実にヒートシンク部自体が形成する空気通路を通じてＤＲＡＭの周辺、及び半田ボールの間を通過し、冷却の効果が確保できる。
又エア導入路は、メモリモジュールの横方向に沿って複数設けると、メモリモジュールをむら無く効率的に冷却できる。
ヒートシンク部を更に上から挟持するエアータンクを設け、エアータンクにエア通路よりエアを導入し、エア通路には、エア昇圧用ファンからエアが送風されると、強制的な冷却が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の構成について、図面により説明すると、図１（ａ）で、メモリモジュール１００は、モジュール基板１０１に、ＤＲＡＭ素子１０２が装着されており、１０３は、リード端子部である。１０４は、ＤＲＡＭのボール端子であり、１０５は、モジュール基板の内の正面視左半分の部分を示す。
【００１４】
図２は、図１のメモリモジュールを外側に接合するように設けるヒートシンク板２００を図示したものであり、図２（ｂ）に示すように、ヒートシンク板２００は、外板部２０１とその上方の内側に延設した接続板部２０２と２０２の更に上方に水平に延設した折込部２０３から形成されている。折込部２０３は、接続板部２０２の上端部に点在しているが、図２（ｃ）のものは、右端部の折込部２０３が、他の部分より横広に設けられている。このヒートシンク板２００と同様の構成のものであるヒートシンク板２００'をヒートシンク板２００の位置から１８０度回転させて、ヒートシンク板２００とヒートシンク板２００'を接合させた状態を示したものが、図２（ｄ）である。
なお以上のようにヒートシンク板２００はヒートシンク板２００'と接合するため、折込部２０３は、ヒートシンク板２００とヒートシンク板２００'とが接合時に干渉しないように設ける必要がある。図２（ｃ）において、左端に折込部２０３を設けていないのはヒートシンク板２００'の右端に幅広の折込部２０３'が設けられることによる（図２（ｄ））。
図２（ｅ）は折込部２０３及びその間に形成されるエア導入路２０４の変形実施例である。
又、ヒートシンク板２００はヒートシンク板２００'と接合したものをヒートシンク部という。
【００１５】
このヒートシンク板２００とヒートシンク板２００'を接合する際に、前述したメモリモジュール１００を挟み込んだ（挟持した）状態を示したのが図４（ｂ）の下の部分に図示されており、メモリモジュール上のＤＲＡＭは図５（ａ）に図示された導熱性のある両面接着テープ４０４でヒートシンクの裏側に接着されている。
【００１６】
図３は、エアータンク３００を図示したものであり、エアータンク３００は、前述したヒートシンク板２００及びヒートシンク板２００'が接合したものの上から、エアータンク３００の長辺方向に沿ってヒートシンク板２００、２００'を挟み込むように設ける（挟持して設ける）。なおエアータンク３００は、ヒートシンク板２００、２００'と同じ素材で作られている。図３（ａ）は、エアータンク３００の正面図であり、エアータンク部本体３０１は、長手方向に天板３０１Ｕ及び両側板３０１Ｓ、３０１Ｓ'の短手の垂直断面で下向きのコの字状の形成してある。エアータンク３００のヒートシンク板２００、２００'に挿入する際の位置決めように設けられた突起部３０３はエアータンク部本体３０１の長手方向に延設されたものである。なお、エアータンク部本体３０１の天板３０１Ｕ及び両側板３０１Ｓ、３０１Ｓ'の長手方向終端部は終端板３０１Ｅで密封されている。
３０２は、エア導入口である。
【００１７】
図４に示すように、ヒートシンク板２００とヒートシンク板２００'を接合して、前述したメモリモジュール１００を挟み込み、更にこの両ヒートタンク部の上に、エアータンク３００の長辺方向に沿ってヒートシンク板２００、２００'を挟み込むように設けるものである（挟持している）。
そして、図４（ｃ）に示されるように空気通路であるエアータンク３００がヒートシンク板２００、２００'上に設けられるが、ここで、空気通路に接するヒートシンク板２００、２００'の上部には整流作用のあるエア導入路２０４が複数形成されている（図２（ｄ）参照）。その整流作用を効果的にするには、そのエア導入口２０４の数と大きさを適正化する必要がある。
又、この３００のエアータンクには、３０２のエア導入口が備えられており、ヒートシンク板２００、２００'の底部は２００のヒートシンクを挟むようにして（挟持して）下部に開放されてエア排出口２０５が形成されており、エア導入路２０４からヒートシンク板２００、２００'の内側までの部分と共にエア通路を構成している。なおエアータンク３００はエアータンク本体３０１、エア導入路３０２、突起部３０３からなっている。
【００１８】
図４では、１個のエア導入口３０２を例示してあるが、必要に応じて複数個を設けても良い。また、エアータンク３００はヒートシンク板２００、２００'を挟むように設置され、その剛性を利用して一対のヒートシンク板２００、２００'をモジュール上に固定する役割もあわせ持っている。もちろん、これらを一体として形成することもまた可能である。
【００１９】
そして、エア導入口３０２にはエア通路５０２に接続されている（図５（ｂ）参照）。エア導入口３０２から流入したエアＷａは、エアータンク３００内に図示したエアＷｂで示すように移動し、ヒートシンク板２００、２００'の間を通過して、エア排出口２０５からエアＷｃで示すように排出される。（図５（ｃ）参照）
【００２０】
エア通路５０２は図６（a）に示すように、管路５１０に繋がっており、それらの管路の一部には外部エア昇圧用ファン５１２が設けられている。そして、給気ガイド５２０は筺体外に設定されている。
【００２１】
本発明の装置全体の動作を図６（ａ）と図５（ａ）（ｂ）に基づき説明する。給気ガイド５２０により外気を外部エア昇圧用ファン５１２で取り込み、これを管路５１０を通してエア通路５０２へ送気する。
なお、この外気導入部分は筺体に開口部を設ければ良いが、既存の筺体を使用する場合、一般に用意されているＰＣＩの空きスロット口を利用することが考えられる。ただし、このＰＣＩスロットでは開口幅狭く、通路の大きさが制限されることが多々あり、設計に当り開口幅を取ることが必要である。また、動作時の他の機器へ影響を与えるので、これらのエア通路は絶縁材で構成されるほうが望ましい。
【００２２】
管路５１０を通してエア通路５０２へ送気されたエアは、個々のメモリモジュール部に配分される。従ってエア通路５０２は、各エアータンク３００のエア導入口３０２に、エアを分配する機能がある。
図５（ａ）（ｂ）に示されるように、メモリモジュールに達したエアはエア導入口３０２から、Ｗａ気流で示すように、まずエアータンク３００に流入する。そして、エアは一時的にそこに滞留し、その後、エアータンク３００の下部より、ヒートシンク板２００、２００'の内側に誘導される。その後、エアはメモリモジュール１００によって自ずと分割され、メモリモジュール１００とヒートシンク板２００、２００'の隙間に流れ込んで行き、更にヒートシンク板２００、２００'とモジュール基板１０１間、ＤＲＡＭであるメモリモジュール１０２と基板１０１との隙間にもながれ、そこにあるＤＲＡＭの半田ボール１０４を直接冷却する事になる。そして、この半田ボール１０４は内部のシリコンチップと電気的に繋がっているので、チップの熱はここから容易に放熱される。チップの熱は電子により最も効果的に伝達されるのであるからである。
【００２３】
つぎに、暖められたエアはヒートシンク部の下部のエア排出口２０５より、Ｗｃで示すように、筺体内に順次排出される。この時、これらの排出部の間隙は非常に狭く、空気抵抗が強いので、流れる空気（エア）量を確保する為には相応の空気（エア）圧力が必要となる。このエア圧力は、エアータンク３００により保持される。
なお外部エア昇圧ファン５１２の能力が不足の場合は、この空気（エア）の一部がこのエアータンクの外に漏れたりするのは極力防ぐ必要がある。
【００２４】
このように、本発明はこのＤＲＡＭチップに直接接触しているリード端子部１０３そして半田ボール１０４を効率よく冷却する事で、従来例に比べ効率的なＤＲＡＭモジュールの冷却手段を提供できる。加えて、エアータンク３００の効果によりエア導入口２０４の開口を適切に設けることにより、ヒートシンク板２００、２００'の隙間に流れ込む気流を平均化でき、ヒートシンク板２００、２００'とモジュール基板１０１の向かい合う隙間に適切な空気（エア）を導入できるのである。又これらの冷気分布の偏りによる熱分布の偏りは、ヒートシンク２００によっても平均化されるのである。もちろん、これらの最適化には外部エア昇圧用ファン５１２の能力にも依存することになる。
そして、冷却に使われた空気（エア）はメモリモジュールの下側の左右のエア排出口２０５から暖気として筺体内に放出されるが、筺体内の温度がヒートシンク板２００、２００'の温度よりも高い場合には、更にこの排出空気により冷却できるので、従来に攪拌方式の筺体内排気ファン方式に比べ効率がいいシステムである。
【００２５】
本発明を適用した筺体内の実施例は、図６（ａ）（ｂ）に図示した。即ち、空気（エア）は給気ガイド５２０から、外部メモリ専用ファン５１２にて外部冷気を吸引し、６０６のメモリモジュール部（メモリモジュール１００の集合体）まで一気に送る管路５１０がある。そして、エア通路５０２によりエアは分配され、配分される冷気を一時的に分配・貯気する各スロットのメモリモジュールのエアタンク３００に導入される。（図５（ｂ）参照）
そしてヒートシンク板２００、２００'は、それ自身で空気（エア）通路を形成しており、その下部のエア排出口２０５より廃熱される。
【００２６】
６０６のメモリモジュール部の周りに排出された熱は、排気ファン６０１により、筺体外に排出される。このとき、外部への排出口である排気ファン６０１と給気ガイド５２０の位置とは近接させないことが重要である。即ち、同室内で給排気を行う場合、システムの動作中に室内への高温排気が給気ガイド５２０に還流して冷却効果が損なわれるからである。できれば、給気ガイド５２０は排気ファン６０１から離して設置するか、低温な別室に設けるか、あるいは冷気を取り入れるためには室外に設けるのが望ましい。
【００２７】
また、外部メモリ専用ファン５１２そのものをＰＣ筺体から分離することで、給気ガイド５２０の密閉度を考慮せずに冷気を取り入れることができるのでより望ましい。
また、筺体内部に昇圧ファンを設けるとそのファンの入り口付近はどうしても陰圧になるので、その付近で筺体内の空気（エア）通路の密閉度が悪いと筺体内の熱の還流が起きる恐れがある。これを防止する為に、昇圧ファンを直列２段構成にして、空気入口付近と供給口付近の２箇所に直列配置することで陰圧になる事を防止するのが望ましく、加えて1段目は筺体外に設置するとなお一層効果的である。図６（ｂ）は、筺体外に外部メモリ専用ファン５１２の他に筺体内に内部メモリ専用ファン５１４を設けて、二段の昇圧ファンにしたものである。そして、このようにして昇圧されたエアは、管路５１０より、エア通路５０２によって、各エアータンク３００に分配される。
又、空気（エア）通路全体を筺体内の空気圧より高くすることで、空気（エア）通路への高温雰囲気の還流を防ぐことができる。また、本発明の場合、空気取入口には防塵フィルターを取り付けるのが望ましい。
【００２８】
（比較実験例）
図７は、前述した従来技術のうちの図８（ａ）に示された方法による例について、筺体内温度とＤＲＡＭのケース温度を比較したものであり、９０１の直線で示したものが、図８（ａ）による方法である。これによると、筺体内温度が低いときには冷却効果があるが、筺体内温度が高いとその効果がなくなることが分かる。ＰＣ筐体内に還流させる従来の冷却技術では、ＰＣ筐体内がＣＰＵやＶＧＡなどが発熱して４２〜４３℃に達しているので、いくらファンの排気量を増やしても、メモリモジュールはこの温度以下には下げられない。即ち、従来技術の冷却効果は筺体内温度に強く依存しているのがわかる。
他方、本発明の図６に記載した方法によれば、図７の９０２の直線が示すように筺体内温度の影響は少なく、とくに高温領域でその冷却効果が発揮されているのが示されている。
なお、筺体内温度があまりに高い場合はヒートシンクには逆に筺体内から集熱されるので冷却効果が損なわれる場合がある。この場合には、ヒートシンクの外側を絶縁性のある断熱材で被服することでメモリモジュールの冷却効果を高められるのも本発明で開示するところである。又、本発明では、外部空気を冷却機を通して供給することも可能であり、室温以下の冷却もできる。以上の点が従来例に比べ本発明の優れているところである。又、冷却温度が０℃近くになる場合は、空気中の水分の析出する場合があるので、特に注意が必要である。この場合は、乾燥空気を用いるか、冷却機に乾燥機能を付加することが必要となる。
【００２９】
本発明は以上の実施例に限定されることは無い。要は、メモリモジュールを上方から下方に並列的に冷却出来れば良い。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）は、本発明のメモリモジュールの正面図であり、（ｂ）は（ａ）の側面図であり、（ｃ）は（ａ）の部分平面図である。
【図２】（ａ）は、本発明のヒートシンク板の正面図であり、（ｂ）は（ａ）の側面図であり、（ｃ）は（ａ）の平面図である。（ｄ）は、ヒートシンク部の平面図、（ｅ）は、ヒートポンプ部の別の実施例を示した平面図である。
【図３】（ａ）は、本発明のエアータンクの正面図であり、（ｂ）は（ａ）の側面図であり、（ｃ）は（ａ）の平面図である。
【図４】本発明のメモリモジュールをヒートシンク部により挟持し、ヒートシンク部をエアータンクが挟持した状態を表したものであり、（ａ）がその正面図、（ｂ）は（ａ）の側面図であり、（ｃ）は（ａ）の平面図である。
【図５】図４に更にエア導入口３０２とエア通路を連結した状態を説明的に示した図面であり、（ａ）はエア導入口３０２までの側面説明図、（ｂ）は（ａ）のエア導入口３０２にエア通路を連結した側面説明図、（ｃ）は（ｂ）の正面説明図である。
【図６】（ａ）はＰＣ筺体内について、メモリ専用ファン５１２にて外部冷気を吸引した状態を説明した平面説明図、（ｂ）はメモリ専用ファンを外部と内部に二段に設けた状態を説明した平面説明図である。
【図７】従来技術のうちの図８（ａ）に示された方法による例について、ＰＣ筺体内温度とＤＲＡＭのケース温度を測定し、本発明の図６に記載した方法について同じく測定した状態のグラフを示す。
【図８】（ａ）（ｂ）共に従来のメモリモジュール冷却方法に付いて説明した説明図
【図９】従来のＰＣ筺体内について説明した説明図である。
【図１０】従来のＰＣ筺体内について説明したものであり個々のメモリモジュールを冷却した状態を示す説明図である。
【図１１】従来のＰＣ筺体内について説明したものでありメモリモジュール全体を冷却した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３１】
１００  メモリモジュール
１０１  モジュール基板
１０２  ＤＲＡＭ素子
１０３  リード端子部
１０４  ボール端子
２００、２００'  ヒートシンク板
２０３    折込部
２０４    エア導入路
２０５    エア排出口
３００    エアータンク
３０１    エアータンク部本体
３０２    エア導入口
５０２    エア通路
５０４    基板
５０６    メモリスロット
Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ    エア
５１０    管路
５１２    外部エア昇圧用ファン
５１４    内部メモリ専用ファン
５２０    給気ガイド
６０６    メモリモジュール部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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