(57)【要約】【課題】電子部品の容量電極における抵抗値を低減させる。【解決手段】第１の導電体１２と容量電極１４との対向面積が第２の導電体１３と容量電極１４との対向面積よりも大きく、容量電極１４における第１の導電体１２との対向部１４Ａと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｄにおける幅が第２の導電体１３との対向部１４Ｂと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｅにおける幅よりも大きく、容量電極１４における第２の導電体１３との対向部１４Ｂと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｅにおける幅が第２の導電体１３との対向部１４Ｂにおける幅よりも細い構成としたものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された第１及び第２の導電体と、
前記第１及び第２の導電体に対向し、容量結合するよう配置された容量電極とを備え、
前記第１の導電体と前記容量電極との対向面積が前記第２の導電体と前記容量電極との対向面積よりも大きく、
前記容量電極における前記第１の導電体との対向部と非対向部との境界線における幅が前記第２の導電体との対向部と非対向部との境界線における幅よりも大きく、
前記容量電極における前記第２の導電体との対向部と非対向部との境界線における幅が前記第２の導電体との対向部における幅よりも細いことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等に用いられる電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の電子部品は、図１４に示すごとく、基板１と、基板１上に配置された第１及び第２の導電体２、３と、第１及び第２の導電体２、３に対向し、容量結合するよう配置された容量電極４とを備え、容量電極４における第１及び第２の導電体２、３との対向部４Ａ、４Ｂと非対向部４Ｃとの境界線４Ｄ、４Ｅにおける幅が、第１及び第２の導電体２、３との対向部４Ａ、４Ｂにおける幅よりも細い構成とすることにより、容量電極４の積層ずれに起因する、第１の導電体２と第２の導電体３との間の容量値の変化を抑制する構成を実現していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１４２９０４号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来の電子部品では、容量電極４における抵抗値の高さが問題となっていた。すなわち、上記従来の構成おいては、第１の導電体２と第２の導電体３との間の容量値の変化を抑制するために、容量電極４における第１及び第２の導電体２、３との対向部４Ａ、４Ｂと非対向部４Ｃとの境界線４Ｄ、４Ｅにおける幅を、第１及び第２の導電体２、３との対向部４Ａ、４Ｂにおける幅よりも細くしていたため、その分抵抗値が高くなってしまっていた。
【０００６】
そこで本発明は、電子部品の容量電極における抵抗値を低減させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、第１の導電体と容量電極との対向面積が第２の導電体と容量電極との対向面積よりも大きく、容量電極における第１の導電体との対向部と非対向部との境界線における幅が第２の導電体との対向部と非対向部との境界線における幅よりも大きく、容量電極における第２の導電体との対向部と非対向部との境界線における幅が第２の導電体との対向部における幅よりも細い構成としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この構成により、容量電極の積層ずれに起因する容量値の変化に対して、比較的影響の少ない第１の導電体との対向部と非対向部との境界線における幅を、比較的影響の大きい第２の導電体との対向部と非対向部との境界線における幅よりも大きくすることができ、その結果として、第１及び第２の導電体間における容量値の変化を抑制し、かつ容量電極における抵抗値を低減させた構成を実現することができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施の形態１）
以下、本発明に係る実施の形態１における電子部品について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
本実施の形態に示す電子部品は、図１に示すごとく、セラミック積層体１００の内層において、基板１１と、基板１１の裏面に設けられた下面グランド電極２１、入出力電極２２と、基板１１上に配置された第１及び第２の導電体としての共振器１２、１３と、共振器１２、１３に対向し、容量結合するように配置された容量電極１４とを備えて構成される。ここで、共振器１２と容量電極１４との対向面積が、共振器１３と容量電極１４との対向面積よりも大きくなるよう配置するとともに、図２に示すごとく、容量電極１４における共振器１２との対向部１４Ａと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｄにおける幅ｌ１０が、共振器１３との対向部１４Ｂと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｅにおける幅ｌ２０よりも大きく、容量電極１４における共振器１３との対向部１４Ｂと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｄにおける幅ｌ２０が、共振器１３との対向部１４Ｂにおける幅ｌ３０よりも細い構成としている。
【００１１】
図３はその電気的等価回路を示している。共振器２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃは、結合容量２７及び飛び越し結合容量２８により電界結合されると共に、付加的に磁界結合されている。
【００１２】
図４は、前記高周波フィルタの伝達特性（Ｓ１２）と反射特性（Ｓ１１）のシミュレーション値と実測値を示している。高周波フィルタの伝達特性において、帯域幅と減衰極周波数は、結合容量値の影響を強く受ける。
【００１３】
ここで、従来の構成を示す図５及び図６は、共振器２、共振器３と容量電極４の上面から見た位置関係を示している。図６において、Ｘは共振器２、３と容量電極４の横方向への積層ずれ量を表している。
【００１４】
結合容量値は、容量電極４が共振器２と対向して得られる容量Ｃ１と、共振器３と対向して得られる容量Ｃ２の直列接続になる。したがって、積層ずれによって、容量値はΔＣ１とΔＣ２だけ変化することになる。このとき、ΔＣ１とΔＣ２の符号は正負逆になる。
【００１５】
ここで、容量Ｃ１とＣ２の値が異なるとして、積層ずれ量と容量の相対変化量をプロットしたのが、図７である。ΔＸが±２０ミクロンメートルでおよそ３％、容量値が変わっている。
【００１６】
このような従来の構成においては、容量成分の変化を低減することを目的として、容量電極４にくびれ４Ａを設ける必要があるため、その分抵抗値が高くなってしまう。
【００１７】
これに対し、図２に示すような本実施の形態に示す構造では、容量電極１４の積層ずれに起因する容量値の変化に対して、比較的影響の少ない第１の導電体としての共振器１２との対向部１４Ａと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｄにおける幅ｌ１０を、比較的影響の大きい第２の導電体としての共振器１３との対向部１４Ｂと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｅにおける幅ｌ２０よりも大きくすることができ、その結果として、第１及び第２の導電体、即ち共振器１２、１３間における容量値の変化を抑制し、かつ容量電極１４における抵抗値を低減させた構成を実現することができるのである。
【００１８】
ここで、共振器１２との対向部１４Ａと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｄにおける幅ｌ１０と共振器１３との対向部１４Ａと非対向部１４Ｃとの境界線１４Ｅにおける幅ｌ２０との設定方法としては、まず、積層ずれに伴う容量値の変化を１次近似し、さらに高次の誤差は零になるように設定する。そうすると、ｌ１０とｌ２０の比をＣ１とＣ２の比の２乗に等しくすれば、本条件を満たすことが導出される。よって、図８に示すように、Ｃ１とＣ２の値に応じて、ｌ１０とｌ２０を設定することが好ましいことがわかる。図８は、このようにｌ１０とｌ２０を設定したときの、積層ずれ量ΔＸと容量の相対変化量を示している。結果として、ｌ１０及びｌ２０を上記のような関係に設定することによって、ΔＸがプラスマイナス２０ミクロンメートルでおよそ０．１％以下になり、画期的な変化量の低減を実現している。
【００１９】
この時、特筆すべきは、容量電極１４の幅を狭くする（ｌ２０にする）領域は、対向部１４Ｂと非対向部１４Ｃとの境界線の近傍のみで良いということである。ｌ１０は十分広いと見なせる。よって、抵抗値をそれほど大きくすることなく、積層ずれに伴う容量変化を小さくでき、特性の向上が図れることとなる。
【００２０】
（実施の形態２）
以下、本発明に係る実施の形態２における電子部品について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
図８乃至図１２は、容量電極３４Ａ、３４Ｂが共振器の縁と重なる周辺にスロープ３５、３６、３７、３８を付けた構成を示すものである。原理は、基本的に実施の形態１と同じであるが、さらに１次の項まで補正を行なったものである。図８は、Ｘ＝０に対して片側のみ（シングル・リニア）、図１２はＸ＝０の両側（ダブル・リニア）で補正を行なったものである。
【００２２】
図９及び図１０は、積層ずれ量Ｘ１、Ｘ２に対して、容量電極３４Ａ、３４Ｂの幅ｌ１、ｌ２をどのように変化させれば良いか、本実施の形態の場合で示したものである。このように、さらにスロープを付けることにより、図１１で示されるように、容量変化は画期的に小さくすることができ、また、幅をそれほど小さくしなければないこともなく、抵抗値も低く抑えられる。
【００２３】
なお、実施の形態においては、高周波フィルタを例にとり説明を行なったが、２つの平行平板コンデンサを１層の容量電極で直列接続して使うような電子部品では、本願発明の概念が適用でき、積層ずれによる容量変化を最小化できると共に、抵抗値を低く抑えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明の電子部品は、第１及び第２の導電体間における容量値の変化を抑制し、かつ容量電極における抵抗値を低減させることができるという効果を有し、携帯電話等の各種電子機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る実施の形態１における電子部品の斜視図である。
【図２】本発明に係る実施の形態１における電子部品の一部を示す上面図である。
【図３】本発明に係る実施の形態１における電子部品の等価回路図である。
【図４】本発明に係る実施の形態１における電子部品のフィルタ特性図である。
【図５】従来の電子部品の一部を示す上面図である。
【図６】図５のＡ部拡大図である。
【図７】従来の電子部品の積層ずれ量と容量の相対変化を示す図である。
【図８】本発明に係る実施の形態１における電子部品の積層ずれ量と容量の相対変化を示す図である。
【図９】本発明に係る実施の形態２における電子部品の容量電極の上面図である。
【図１０】本発明に係る実施の形態２における電子部品の積層ずれ量と容量電極の幅との関係図である。
【図１１】本発明に係る実施の形態２における電子部品の積層ずれ量と容量電極の幅との関係図である。
【図１２】本発明に係る実施の形態２における電子部品の積層ずれ量と容量の相対変化を示す図である。
【図１３】本発明に係る実施の形態２における電子部品の容量電極の他の実施例を示す上面図である。
【図１４】従来の電子部品の上面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１２…第１の導電体（共振器）、
１３…第２の導電体（共振器）、
１４…容量電極、
１４Ａ…対向部、
１４Ｂ…対向部、
１４Ｃ…非対向部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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