(57)【要約】【課題】表示パネルのリペア、とりわけ有機ＥＬパネルのリペアにおいて、リペア可能な地点を高い精度で絞り込んで設定できるリペア制御方法およびリペア制御装置を提供する。【解決手段】測定装置にて表示パネルの各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する第１受信ステップＳ１０と、撮影装置にてリーク発光を起こす条件下で前記表示パネルを撮影して得た画像データを受信する第２受信ステップＳ２０と、前記電流値データによって示されるリーク電流値が所定の不良判定下限値以上である不良画素の位置と、前記画像データによって示される輝度値が所定の不良判定下限値以上であるリーク発光地点の位置とから、リペア処理として前記表示パネルにレーザ光を照射するためのリペア地点を設定する設定ステップＳ３０と、前記設定したリペア地点を示す指示データをリペア装置へ送信する送信ステップＳ７０とを含む。【選択図】図４
2009266686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定装置にて表示パネルの各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する第１受信ステップと、
撮影装置にてリーク発光を起こす条件下で前記表示パネルを撮影して得た画像データを受信する第２受信ステップと、
前記電流値データによって示されるリーク電流値が所定の不良判定下限値以上である不良画素の位置と、前記画像データによって示される輝度値が所定の不良判定下限値以上であるリーク発光地点の位置とから、リペア処理として前記表示パネルにレーザ光を照射するためのリペア地点を設定する設定ステップと、
前記設定したリペア地点を示す指示データをリペア装置へ送信する送信ステップと
を含むことを特徴とする表示パネルのリペア制御方法。
【請求項２】
さらに、
前記画像データによって示される輝度値が前記不良判定下限値以上である１つ以上のリーク発光地点がつながった領域をリーク発光領域として抽出する抽出ステップを含み、
前記設定ステップで、前記抽出されたリーク発光領域と重なる画素のうち、前記電流値データによって示されるリーク電流値が前記不良判定下限値以上である不良画素内に、前記リペア地点を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載のリペア制御方法。
【請求項３】
前記設定ステップで、
前記不良画素内でかつ前記リーク発光領域の内部または境界上に、前記リペア地点を設定する
ことを特徴とする請求項２に記載のリペア制御方法。
【請求項４】
前記設定ステップで、
前記リーク発光領域の内部で最大の輝度を持つ地点を前記リペア地点とする
ことを特徴とする請求項３に記載のリペア制御方法。
【請求項５】
前記設定ステップで、
前記不良画素と前記リーク発光領域を含む複数のリーク発光領域とが重なる場合、前記不良画素内の前記複数のリーク発光領域の中心地点を前記リペア地点とする
ことを特徴とする請求項２に記載のリペア制御方法。
【請求項６】
前記設定ステップで、
前記リペア地点を設定するときに、前記電流値データによって示される前記リペア地点が属する画素のリーク電流値と、前記画像データによって示される前記リペア地点の輝度値との組み合わせから、前記リペア地点についてリペア処理の優先度を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載のリペア制御方法。
【請求項７】
前記設定ステップは、
リーク電流値と、輝度値との複数の組み合わせに対応して、リペア処理の要否およびリペア処理の優先度を示す値を記録しているテーブルから、前記画像データに含まれる地点について、前記地点が属する画素のリーク電流値と前記地点の輝度値とに対応する値を参照する参照サブステップを含み、
前記参照された値によりリペア処理が必要であると示される場合、前記地点をリペア地点として設定し、前記リペア地点について前記参照された値で示される優先度を設定する
ことを特徴とする請求項６に記載のリペア制御方法。
【請求項８】
さらに、
前記画像データから、１つ以上の前記リーク発光地点がつながった領域をリーク発光領域として抽出する抽出ステップを含み、
前記設定ステップで、
前記リペア地点を設定するときに、前記リペア地点が属する画素と重なるリーク発光領域が所定のリペア許容上限数以上抽出されている場合、前記リペア地点はレーザ光の照射によるリペア処理に対して不適であると判定する
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のリペア制御方法。
【請求項９】
測定装置にて表示パネルの各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する第１受信部と、
撮影装置にてリーク発光を起こす条件下で前記表示パネルを撮影して得た画像データを受信する第２受信部と、
前記電流値データによって示されるリーク電流値が所定の不良判定下限値以上である不良画素の位置と、前記画像データによって示される輝度値が所定の不良判定下限値以上であるリーク発光地点の位置とから、リペア処理として前記表示パネルにレーザ光を照射するためのリペア地点を設定する設定部と、
前記設定したリペア地点を示す指示データをリペア装置へ送信する送信部と
を備えることを特徴とする表示パネルのリペア制御装置。
【請求項１０】
さらに、
前記画像データによって示される輝度値が前記不良判定下限値以上である１つ以上のリーク発光地点がつながった領域をリーク発光領域として抽出する抽出部を含み、
前記設定部は、前記抽出されたリーク発光領域と重なる画素のうち、前記電流値データによって示されるリーク電流値が前記不良判定下限値以上である不良画素内に、前記リペア地点を設定する
ことを特徴とする請求項９に記載のリペア制御装置。
【請求項１１】
前記設定部は、前記リペア地点を設定するときに、前記電流値データによって示される前記リペア地点が属する画素のリーク電流値と、前記画像データによって示される前記リペア地点の輝度値との組み合わせから、前記リペア地点についてリペア処理の優先度を設定する
ことを特徴とする請求項１０に記載のリペア制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示パネルのリペア制御方法に関し、特に有機ＥＬパネルをリペアする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬパネルなどの表示パネルの製造において、有機ＥＬ素子の不良箇所を特定し、特定された不良箇所をリペアする作業が行われる。
【０００３】
この作業では、まず、有機ＥＬパネルの各画素に所定の電圧を印加しながら有機ＥＬパネルを撮影し、得られた画像から有機ＥＬパネルのリーク発光箇所を特定する。撮影は、例えば、エミッション顕微鏡を用いて行われる。リーク発光は、有機ＥＬ素子に、正常ならば発光を生じないしきい値未満の順方向電圧および逆方向電圧を印加したときに、有機ＥＬ素子の発光機能領域（ｐｎ接合部）に短絡欠陥があることで生じる微弱な発光であり、画素の潜在的な不良箇所を表す。
【０００４】
次に、有機ＥＬパネルのリーク発光が認められた箇所をレーザ光照射にて局所的に除去する（高抵抗化する）ことによって、画素および表示パネルを利用可能な状態にリペア（救済）することを試みる（例えば、特許文献１を参照）。
【０００５】
なお、レーザ光を照射された箇所は、発光機能を失うため、１つの有機ＥＬ素子について除去可能な短絡欠陥箇所の面積は、有機ＥＬ素子の発光機能領域の面積に対する所定の割合までに限られる。
【０００６】
図１０は、特許文献１に開示される有機ＥＬ素子のリペア制御方法を示すフローチャートである。
【０００７】
このリペア制御方法では、しきい値未満の検査電圧印加により有機ＥＬ素子を撮影して得た画像にリーク発光が認められた場合（Ｓ９０１、Ｓ９０２でＹＥＳ）、例えば、オペレータがマウス操作によってリーク発光位置を教示し、教示操作から取得される位置情報によって示される位置に局所的にレーザ光を照射する（Ｓ９０３、Ｓ９０４）。
【０００８】
これにより、有機ＥＬ素子の発光機能領域の中で短絡欠陥が存在する箇所のみを局所的に除去できるため、短絡欠陥箇所が有機ＥＬ素子の発光機能領域に対して比較的小さい場合、有機ＥＬ素子は発光機能を致命的に失うことなく利用可能な状態にリペアされる。
【特許文献１】特開２００７−４２４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の有機ＥＬパネルのリペア制御方法によれば、リペア作業の効率および品質が最適化されないという問題がある。
【００１０】
この問題は、リペアすべき箇所を画像だけを用いて設定するために生じる。例えば、近隣画素における短絡欠陥箇所からのリーク電流の回り込みによりリーク発光を起こしている地点にレーザ光を照射してもリペアの効果は得られない。つまり、レーザ光を照射することで真にリペアの効果が得られる箇所は、画像だけでは正しく判断できない。
【００１１】
リペア漏れの回避を重視して、全てのリーク発光箇所にレーザ光を照射したとすると、リペア工数が無駄に増えるだけでなく、有機ＥＬパネルの発光機能に与えるダメージが増えてしまう。そうかといって、オペレータの判断によりレーザ光を照射する箇所を取捨選択したのでは、リペア作業に属人性（再現性のばらつきなど）が生じ、リペア後の有機ＥＬパネルの品質のコントロールが困難になる。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、表示パネルのリペア、とりわけ有機ＥＬパネルのリペアにおいて、リペア作業の効率および品質を最適化できるリペア制御方法およびリペア制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本発明の表示パネルのリペア制御方法は、測定装置にて表示パネルの各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する第１受信ステップと、撮影装置にてリーク発光を起こす条件下で前記表示パネルを撮影して得た画像データを受信する第２受信ステップと、前記電流値データによって示されるリーク電流値が所定の不良判定下限値以上である不良画素の位置と、前記画像データによって示される輝度値が所定の不良判定下限値以上であるリーク発光地点の位置とから、リペア処理として前記表示パネルにレーザ光を照射するためのリペア地点を設定する設定ステップと、前記設定したリペア地点を示す指示データをリペア装置へ送信する送信ステップとを含む。
【００１４】
この構成によれば、不良画素の位置とリーク発光地点の位置とからリペア地点を設定するので、リーク発光地点の位置のみからリペア地点を設定する場合と比べて、真にリペアの効果が得られる地点を正確に絞り込んで設定することができる。
【００１５】
例えば、リーク電流値が不良判定下限値未満である画素内に認められるリーク発光は近隣画素における短絡欠陥に起因していると考えて、リーク電流値に関して良好な画素内のリーク発光地点をリペア地点から除外することが可能となる。
【００１６】
その結果、リペアコストが削減され、かつ表示パネルがレーザ光の照射によって受けるダメージも減るので、製造コストの軽減に役立つ。
【００１７】
また、前記リペア制御方法は、さらに、前記画像データによって示される輝度値が前記不良判定下限値以上である１つ以上のリーク発光地点がつながった領域をリーク発光領域として抽出する抽出ステップを含み、前記設定ステップで、前記抽出されたリーク発光領域と重なる画素のうち、前記電流値データによって示されるリーク電流値が前記不良判定下限値以上である不良画素内に、前記リペア地点を設定してもよい。
【００１８】
この構成によれば、リーク発光領域についてリペア地点を設定するので、複数のリーク発光地点を一度にリペアするためのリペア地点が設定でき、リペア地点の個数を減らすことができる。
【００１９】
その結果、リペアコストが削減され、かつ表示パネルがレーザ光の照射によって受けるダメージも減るので、製造コストの軽減に役立つ。
【００２０】
また、前記設定ステップで、前記リペア地点を設定するときに、前記電流値データによって示される前記リペア地点が属する画素のリーク電流値と、前記画像データによって示される前記リペア地点の輝度値との組み合わせから、前記リペア地点についてリペア処理の優先度を設定してもよい。
【００２１】
この構成によれば、設定される優先度に応じてリペア地点をさらに絞り込むことができるので、製造コストのさらなる軽減が可能となる。
【００２２】
また、本発明は、このようなリペア制御方法として実現できるだけでなく、リペア制御方法を実行するリペア制御装置としても実現できる。
【発明の効果】
【００２３】
前記説明したように、本発明の表示パネルのリペア制御方法によれば、不良画素の位置とリーク発光地点の位置とからリペア地点を設定するので、リーク発光地点の位置のみからリペア地点を設定する場合と比べて、真にリペアの効果が得られる地点をより正確に絞り込んで設定することができる。
【００２４】
その結果、リペアコストが削減され、かつ表示パネルがレーザ光の照射によって受けるダメージも減るので、製造コストの軽減に役立つ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る表示パネルのリペア制御装置およびリペア制御方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図１は、第１の実施の形態に係る表示パネルのリペア制御装置１０１の機能的な構成の一例を示すブロック図である。以下では、有機ＥＬパネル２００を、リペアされる表示パネルの一例として説明する。
【００２７】
リペア制御装置は、リーク電流値が所定のしきい値以上である不良画素の位置とリーク発光が認められたリーク発光地点の位置とから有機ＥＬパネル２００に対してリペア地点を設定し、設定したリペア地点へのリペア実施を指示する装置であり、有機ＥＬパネル２００の各画素のリーク電流を測定する測定装置４１０、有機ＥＬパネル２００のリーク発光画像を撮影する撮影装置４２０、有機ＥＬパネル２００をリペアするリペア装置４３０、およびリペア制御状況を表示するモニタ装置４４０と共に用いられる。
【００２８】
なお、本明細書では、画素という用語を表示パネルの発光単位の意味で用いる。カラー表示パネルの場合は、例えば表示パネルの３つの画素（発光単位）で、表示画像の１つの画素が構成されることに注意する。
【００２９】
測定装置４１０、撮影装置４２０、リペア装置４３０、およびモニタ装置４４０のいずれか１つ以上と、リペア制御装置１０１とからなるリペアシステムを本発明に含めてもよい。
【００３０】
測定装置４１０、撮影装置４２０、リペア装置４３０、およびモニタ装置４４０は、個別には本発明の特徴部分ではなく、従来知られている装置が用いられる。
【００３１】
これらの装置について、簡単に説明する。なお、装置の内部構成の図示は省略する。
測定装置４１０は、有機ＥＬパネル２００の各画素の有機ＥＬ素子に流れる異常電流（例えば、ｐｎ接合部のしきい値電圧未満の順方向電圧および逆方向電圧を印加したときに流れる電流）をリーク電流として測定し、画素ごとのリーク電流値を表す電流値データをリペア制御装置１０１へ送信する装置であり、例えば、電圧印加部、リーク電流を測定するための測定部、およびリペア制御装置１０１と通信可能な通信インタフェースを有している。
【００３２】
撮影装置４２０は、有機ＥＬパネル２００の各画素の有機ＥＬ素子にリーク発光を起こす電圧（前述したしきい値未満の順方向電圧および逆方向電圧）を順次印加しながら有機ＥＬパネル２００を撮影することにより、有機ＥＬパネル２００のリーク発光像を取得し、取得したリーク発光像を表す画像データをリペア制御装置１０１へ送信する装置であり、例えば、電圧印加部、リーク発光像を取得するためのエミッション顕微鏡部、およびリペア制御装置１０１と通信可能な通信インタフェースを有している。
【００３３】
撮影装置４２０は、有機ＥＬパネル２００のリーク発光像を、有機ＥＬパネル２００の画素密度よりも高い解像度で撮影する。撮影によって得られた画像データから、有機ＥＬパネル２００のリーク発光が生じている地点の各画素内での位置を知ることができる。
【００３４】
リペア装置４３０は、有機ＥＬパネル２００の、リペア制御装置１０１から指示される位置にレーザ光を照射し、リーク発光を起こす箇所を除去する（高抵抗化する）ことによって、有機ＥＬパネル２００をリペアする装置であり、例えば、有機ＥＬパネル２００をレーザ照射位置に移動させるための位置決め部、レーザ発振部、リペア制御装置１０１からリペア指示を受け付けるための通信インタフェースを有している。
【００３５】
モニタ装置４４０は、リペア制御装置１０１によるリペア制御状況を表示する装置であり、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイなどの表示装置が利用できる。
【００３６】
有機ＥＬパネル２００は、リーク電流の測定、リーク発光像の撮影、およびリペアを受けるために、測定装置４１０、撮影装置４２０、およびリペア装置４３０の間を、人手または図示しない搬送装置により移送される。
【００３７】
測定装置４１０、撮影装置４２０、およびリペア装置４３０のうちの複数は同じ筐体に設けられ、有機ＥＬパネル２００は、リーク電流の測定、リーク発光像の撮影、およびリペアのうちの複数を、移送されることなく受けられるとしてもよい。
【００３８】
次に、本発明の特徴部分であるリペア制御装置１０１について説明する。
リペア制御装置１０１は、測定装置４１０から受信された電流値データによって示されるリーク電流値が所定のしきい値以上である不良画素の位置と、撮影装置４２０から受信された画像データによって示される輝度値が所定のしきい値以上であるリーク発光地点の位置とから、有機ＥＬパネル２００のリペア地点を設定し、設定されたリペア地点へのレーザ光の照射をリペア装置４３０に指示する。
【００３９】
リペア制御装置１０１は、第１受信部１１０、第２受信部１２０、抽出部１３１、テーブル部１４０、設定部１５１、表示部１６０、および送信部１７０から構成される。
【００４０】
リペア制御装置１０１は、例えば、図示しないプロセッサ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、通信装置などからなるコンピュータシステム上に実装される。通信装置は、周知のＧＰＩＢ（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐｕｒｐｏｓｅ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｂｕｓ）などを用いて、リペア制御装置１０１と、測定装置４１０、撮影装置４２０、およびリペア装置４３０とを、通信可能に結合する。リペア制御装置１０１の各部は、プロセッサがＲＯＭに記録されているプログラムを実行することによって実現されるソフトウェア機能を表している。
【００４１】
第１受信部１１０は、通信装置を制御することによって、測定装置４１０にて有機ＥＬパネル２００の各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する。
【００４２】
第２受信部１２０は、通信装置を制御することによって、撮影装置４２０にて有機ＥＬパネル２００のリーク発光像を撮影して得た画像データを受信する。
【００４３】
図２（Ａ）は、測定装置４１０から受信される電流値データの一例を模式的に示す図である。
【００４４】
受信データは、有機ＥＬパネル２００にマトリクス状に配置された各画素ＰXYについて、測定されたリーク電流値ＬXYを示す。
【００４５】
図２（Ｂ）は、撮影装置４２０から受信される画像データの一例を模式的に示す図である。
【００４６】
画像データは、一例として画素密度に対して縦横それぞれ４倍の解像度で有機ＥＬパネル２００を撮影して得られたリーク発光像の、各地点Ｑxyにおける輝度値Ｉxyを示す。ここで、地点Ｑxyはリーク発光像の画素に対応するが、有機ＥＬパネル２００の画素との混同を避けるため、地点と言う。
【００４７】
理解のため、図２（Ｂ）では、各地点の輝度値を所定のしきい値に従って４段階に区分し、最小の段階を除く３つの段階のいずれか１つに属する輝度値を持つ地点に、段階に応じたハッチングを付している。
【００４８】
最小の段階を除く３つの段階のいずれか１つに属する輝度値を持つ地点を、リーク発光地点と呼ぶ。また、リーク発光地点がつながった領域をリーク発光領域と呼ぶ。図２（Ｂ）には、３つのリーク発光領域Ａ0、Ａ1、およびＡ2が見られる。
【００４９】
抽出部１３１は、テーブル部１４０のしきい値テーブル１４３に保持されているしきい値を用いて、図２（Ｂ）に示されるように、第２受信部１２０にて受信された画像データの各地点の輝度値を複数の段階に区分し、リーク発光領域を抽出する。そして、抽出結果をテーブル部１４０のリーク発光領域テーブル１４４に記録する。
【００５０】
テーブル部１４０は、しきい値テーブル１４３およびリーク発光領域テーブル１４４を含む。
【００５１】
しきい値テーブル１４３は、輝度値を複数の段階に区分する１つ以上のしきい値を１次元の配列に保持し、また、リーク電流値の不良判定下限としてのしきい値を保持している。
【００５２】
図３（Ａ）は、しきい値テーブル１４３の内容の一例を示す図である。この例では、リーク電流の不良判定下限である１つのしきい値ＬＬと、輝度値を、図２（Ｂ）に示されるような４つの段階に区分する３つのしきい値Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３（Ｉ１＜Ｉ２＜Ｉ３）とが保持されている。しきい値Ｉ１は、輝度値の不良判定下限である。
【００５３】
リーク発光領域テーブル１４４は、抽出部１３１でのリーク発光領域の抽出結果として、リーク発光領域の領域名、リーク発光領域が重なる画素、および画素内のリーク発光地点と輝度の段階とを保持する。
【００５４】
図３（Ｂ）は、リーク発光領域テーブル１４４の内容の一例を示す図であり、図２（Ｂ）に示される画像データから抽出部１３１によってリーク発光領域が抽出された結果を表している。この例では、例えば、リーク発光領域Ａ0が、画素Ｐ00およびＰ01と重なっていて、画素Ｐ00内には段階２のリーク発光地点Ｑ13があり、画素Ｐ01内には段階３のリーク発光地点Ｑ15、段階２のリーク発光地点Ｑ14、Ｑ16、および段階１のリーク発光地点Ｑ02、Ｑ24、Ｑ25があることが示される。
【００５５】
このようなリーク発光領域の抽出は、例えば、１つの地点Ｑxyの輝度値Ｉxyをしきい値Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３と比較することにより、小さい順に段階０、段階１、段階２、および段階３のいずれかに区分し、区分された段階が、段階１、段階２、または段階３であれば、地点Ｑxyをリーク発光領域テーブル１４４に記録するとともに、地点Ｑxyの上下左右の地点について、同様処理を再帰的に繰り返すといった、周知のアルゴリズムに従って行うことができる。
【００５６】
設定部１５１は、抽出されたリーク発光領域と重なる画素のうち、リーク電流値が不良判定下限としてのしきい値ＬＬ以上である不良画素内にリペア地点を設定する。
【００５７】
設定部１５１は、例えば、次のようにリペア地点を設定してもよい。
（１）不良画素内でかつリーク発光領域の内部または境界上にリペア地点を設定する。
（２）不良画素内でかつ最大の輝度値を持つリーク発光地点をリペア地点とする。
（３）不良画素と複数のリーク発光領域とが重なる場合、不良画素内の複数のリーク発光領域の中心地点をリペア地点とする。
【００５８】
ここで、不良画素内の複数のリーク発光領域の中心地点は、一般的に、複数のリーク発光領域の不良画素と重なる部分を包含する最小の矩形または最小の円の中心として求められる。また、複数のリーク発光領域を構成する不良画素内の各リーク発光地点を輝度値で重み付けをして求めた重心を中心地点としてもよい。
【００５９】
表示部１６０は、リペア制御装置１０１によるリペア制御状況を、モニタ装置４４０へ適時表示する。
【００６０】
例えば、表示部１６０は、第１受信部１１０にて測定装置４１０から電流値データが受信されたとき、および第２受信部１２０にて撮影装置４２０から画像データが受信されたときに、それぞれ図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すようなマップの形式で、各画素のリーク電流値および各地点の輝度値をモニタ装置４４０に表示してもよい。
【００６１】
また、このとき、各画素のリーク電流値と画素内の各部分の輝度値とを組み合わせて表す描画オブジェクトをマップの形式でモニタ装置４４０に表示してもよい。
【００６２】
また、表示部１６０は、設定部１５１にてリペア地点が設定されたとき、設定されたリペア地点の位置を、図２（Ｂ）に示すようなマップに重ねて表示してもよい。
【００６３】
送信部１７０は、設定部１５１にて設定されたリペア地点の位置を示すリペア指示データをリペア装置４３０へ送信する。
【００６４】
このように構成されたリペア制御装置１０１によって行われるリペア制御方法について説明する。
【００６５】
図４は、リペア制御方法の一例を示すフローチャートである。
図４において、ステップＳ１０で、第１受信部１１０は、測定装置４１０にて有機ＥＬパネル２００の各画素のリーク電流値を測定して得た電流値データを受信する。
【００６６】
ステップＳ２０で、第２受信部１２０は、撮影装置４２０にて有機ＥＬパネル２００のリーク発光像を撮影して得た画像データを受信する。
【００６７】
ステップＳ３０で、抽出部１３１および設定部１５１は、不良画素の位置とリーク発光地点の位置とから、有機ＥＬパネル２００のリペア地点を設定する。この設定方法の詳細について、後述する。
【００６８】
ステップＳ６０で、設定部１５１は、不良画素およびリーク発光地点が存在するためにリペア地点が１つでも設定された場合に、パネルはリペア対象であると判定する。
【００６９】
パネルがリペア対象であると判定された場合、ステップＳ７０で、送信部１７０は、設定されたリペア地点の位置を示すリペア指示データをリペア装置４３０へ送信する。
【００７０】
リペア装置４３０にて有機ＥＬパネル２００のリペアを行った後、ステップＳ１０から処理を繰り返すことで、リペアの効果を確認することができる。
【００７１】
次に、ステップＳ３０で行われるリペア地点の設定方法について、詳細に説明する。
図５は、リペア地点の設定方法の一例を示すフローチャートである。
【００７２】
ステップＳ４０で、抽出部１３１は、画像データからリーク発光領域を抽出し、抽出結果をリーク発光領域テーブル１４４に記録する。
【００７３】
ステップＳ４１およびステップＳ４６のループ制御処理によって、設定部１５１は、有機ＥＬパネル２００の各画素に対して、ステップＳ４２からステップＳ４５を実行する。
【００７４】
ステップＳ４２で、電流値データによって示される画素のリーク電流値をしきい値テーブル１４３に保持されているリーク電流値のしきい値ＬＬと比較する。
【００７５】
リーク電流値がしきい値ＬＬ以上であれば、画素は不良画素と判定される。その場合、ステップＳ４３で、リーク発光領域テーブル１４４を参照して、画素と重なるリーク発光領域の個数を計数する。
【００７６】
計数されたリーク発光領域の個数が１であれば、ステップＳ４４で、リーク発光領域テーブル１４４を参照して、画素内で輝度値が最大のリーク発光地点をリペア地点とする。
【００７７】
例えば画素Ｐ01について、画素Ｐ01にはリーク発光領域Ａ0のみが重なるため、リーク発光領域Ａ0の画素Ｐ01と重なる部分で段階３に属する輝度値を持つ地点Ｑ15がリペア地点として設定される。
【００７８】
計数されたリーク発光領域の個数が２以上であれば、ステップＳ４５で、リーク発光領域テーブル１４４を参照して、画素に重なる全てのリーク発光領域の中心地点をリペア地点とする。
【００７９】
例えば画素Ｐ10について、画素Ｐ10にはリーク発光領域Ａ1、Ａ2が重なるため、リーク発光領域Ａ1、Ａ2の画素Ｐ10と重なる部分を包含する最小の矩形の中心地点である地点Ｑ62がリペア地点として設定される。
【００８０】
地点Ｑ62の輝度値は小さく、地点Ｑ62そのものはリーク発光地点ではない。しかしながら、地点Ｑ62へのレーザ光の照射により、リーク発光領域Ａ1、Ａ2の原因となっている短絡欠陥が一度に除去されることが期待される。
【００８１】
電流値データによって示される画素のリーク電流値がしきい値未満である場合、および画素と重なるリーク発光領域がリーク発光領域テーブル１４４に記録されていない場合は、いずれも画素内にリペア地点を設定せず、次の画素の処理へ進む。
【００８２】
例えば画素Ｐ00について、画素Ｐ00のリーク電流値Ｌ00が不良判定下限としてのしきい値未満であれば、画素Ｐ00と重なるリーク発光領域Ａ0の地点Ｑ13はリペア地点として設定されない。
【００８３】
画像データで表される有機ＥＬパネル２００のリーク発光画像を見る限り、地点Ｑ13へのレーザ光の照射によるリペアは必要と考えられる。しかしながら、地点Ｑ13が属する画素のリーク電流値Ｌ00が不良判定下限としてのしきい値未満であることを考慮することによって、地点Ｑ13はリペア地点から除外される。地点Ｑ13に見られるリーク発光が、近隣画素における短絡欠陥によって生じている可能性が高いためである。
【００８４】
地点Ｑ13に見られるリーク発光は、近隣画素内に設定されるリペア地点（例えば、地点Ｑ15）へのレーザ光の照射によって解消できると期待される。地点Ｑ13をリペア地点に設定しないことで、リペアの工数が削減できる上に、有機ＥＬパネル２００がレーザ光の照射によって受けるダメージを減らすことができる。
【００８５】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る表示パネルのリペア制御装置およびリペア制御方法について、図面を参照しながら説明する。
【００８６】
図６は、第２の実施の形態に係る表示パネルのリペア制御装置１０２の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【００８７】
リペア制御装置１０２は、第１の実施の形態で説明したリペア制御装置１０１と比べて、不良画素の位置とリーク発光地点の位置とから有機ＥＬパネル２００に対してリペア地点を設定する点で共通するが、リペア地点の設定方法の細部、およびリペア地点がリペア処理に対して不適であるか判定する点で異なる。
【００８８】
リペア制御装置１０２は、リペア制御装置１０１と比べて、設定部１５１が設定部１５２に変更される。また、テーブル部１４０において、しきい値テーブル１４３がしきい値テーブル１４５に変更され、優先度テーブル１４６およびリペア地点テーブル１４７が追加される。図６において、図１で示した構成要素と同一の構成要素は同一の符号で示される。
【００８９】
以下、リペア制御装置１０２の特徴事項を主として説明し、リペア制御装置１０１と共通する事項については適宜説明を省略する。
【００９０】
テーブル部１４０において、第１の実施の形態から変更および追加されるテーブルについて説明する。
【００９１】
しきい値テーブル１４５は、リーク電流値を複数の段階に区分する１つ以上のしきい値と、輝度値を複数の段階に区分する１つ以上のしきい値とを、それぞれ１次元の配列に保持している。
【００９２】
図７（Ａ）は、しきい値テーブル１４５の内容の一例を示す図である。この例では、リーク電流の２つのしきい値ＬＬ、ＬＨ（ＬＬ＜ＬＨ）と、輝度値の２つのしきい値Ｉ１、Ｉ２（Ｉ１＜Ｉ２）とが保持されている。
【００９３】
リーク電流値について、しきい値ＬＬは不良判定下限であり、しきい値ＬＨは不良の程度を区分する。また、輝度値について、しきい値Ｉ１は不良判定下限であり、しきい値Ｉ２、Ｉ３は不良の程度を区分する。
【００９４】
優先度テーブル１４６は、リーク電流値が区分される段階と、輝度値が区分される段階との組み合わせに対応して、リペア処理の要否およびリペア処理の優先度を示す値を、２次元の配列（マトリクス）に保持している。
【００９５】
図７（Ｂ）は、優先度テーブル１４６の内容の一例を示す図である。この例では、しきい値ＬＬ、ＬＨにより区分されるリーク電流値の３つの段階、およびしきい値Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３により区分される輝度値の４つの段階の組み合わせに対応して、リペア処理の要否およびリペア処理の優先度を示す値が保持されている。
【００９６】
ここで、１から６までの優先度は、値が大きいほど高い優先度でリペア処理が必要であることを表し、優先度０はリペア処理が不要であることを表す。なお、優先度０には、リペア処理が不要である理由を付記している。
【００９７】
リペア地点テーブル１４７は、設定部１５２でのリペア地点の設定結果として、リペア地点に対するリペア処理の優先度か、またはリペア地点がリペア処理に対して不適であることを示す情報を保持する。
【００９８】
図８は、リペア地点テーブル１４７の内容の一例を示す図である。この例では、優先度６のリペア地点Ｑ15が設定され、優先度１のリペア地点Ｑ51、Ｑ73が設定され、リペア処理に対して不適と判定されたリペア地点はないことを示す情報が保持されている。
【００９９】
設定部１５２は、画像データの各地点について、優先度テーブル１４６から優先度を決定し、０よりも大きい優先度が決定された地点をリペア地点として設定する。また、設定したリペア地点がリペア処理に対して不適であるか否かを、リペア地点が属する画素と重なるリーク発光領域の個数に応じて判定する。
【０１００】
設定部１５２は、設定したリペア地点を、優先度と対応付けるか、またはリペア不適としてリペア地点テーブル１４７に記録する。
【０１０１】
このように構成されたリペア制御装置１０２によって行われるリペア制御方法について説明する。
【０１０２】
このリペア制御方法は、大まかには第１の実施の形態で説明したリペア制御方法（図４を参照）と同様であるが、ステップＳ３０で行われるリペア地点の設定方法が細部で異なる。
【０１０３】
以下、第２の実施の形態のステップＳ３０で行われるリペア地点の設定方法について、詳細に説明する。
【０１０４】
図９は、第２の実施の形態に係るリペア地点の設定方法の一例を示すフローチャートである。
【０１０５】
ステップＳ４０で、抽出部１３１は、画像データからリーク発光領域を抽出し、抽出結果をリーク発光領域テーブル１４４に記録する。
【０１０６】
ステップＳ５１およびステップＳ５７のループ制御処理によって、設定部１５２は、画像データの各地点に対して、ステップＳ５２からステップＳ５６を実行する。
【０１０７】
ステップＳ５２で、地点が属する画素のリーク電流値の段階、および地点の輝度値の段階を、しきい値テーブル１４５に保持されているしきい値との比較によって特定し、特定されたリーク電流値の段階と輝度値の段階とに対応して優先度テーブル１４６に保持されている優先度を参照する。
【０１０８】
ステップＳ５３で、参照された優先度が０よりも大きいか判断する。
参照された優先度が０よりも大きい場合は、ステップＳ５４で、地点が属する画素と重なるリーク発光領域の個数を計数し、計数された個数を所定のしきい値と比較する。
【０１０９】
計数された個数が所定のしきい値未満なら、ステップＳ５５で、地点を参照された優先度に対応付けてリペア地点テーブル１４７に記録する。
【０１１０】
計数されたリーク発光領域の個数が所定のしきい値以上なら、ステップＳ５６で、地点はリペア不適であるとしてリペア地点テーブル１４７に記録する。１つの画素内にある多数のリーク発光領域にリペアのためのレーザ光照射を行った場合、画素の発光機能に致命的なダメージを与えると考えられるからである。
【０１１１】
このような処理の結果として、例えば、図８に示されるようなリペア地点テーブル１４７の内容が得られる。
【０１１２】
図４のステップＳ６０は、第２の実施の形態では次のように変更される。すなわち、設定部１５２は、リペア地点が１つでも設定された場合で、かつリペア不適と判定されたリペア地点が１つもない場合に、パネルはリペア対象であると判定する。
【０１１３】
パネルがリペア対象であると判定された場合、ステップＳ７０で、送信部１７０は、設定されたリペア地点の位置を示すリペア指示データをリペア装置４３０へ送信する。このとき、第２の実施の形態では、優先度に応じてリペアを指示するリペア地点を絞り込むことができる。例えば、優先度が２以上のリペア地点についてリペアを指示することで、リペアコスト削減による廉価品の作製が可能である。
【０１１４】
リペア装置４３０は、有機ＥＬパネル２００の、リペア制御装置１０２から与えられたリペア指示データで示される位置にレーザ光を照射することにより、有機ＥＬパネル２００をリペアする。
【０１１５】
以上、本発明のリペア制御装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものも本発明の範囲内に含まれる。
【０１１６】
例えば、第２の実施の形態において、所定のしきい値よりも多数のリーク発光領域が重なる画素内に設定されたリペア地点を、レーザ光の照射によるリペア処理に対して不適と判定することを説明した。
【０１１７】
さらに、不良画素内にリペア地点が１つも設定されなかった場合、つまり、画素のリーク電流値が不良判定下限以上であるにもかかわらず、その画素内に不良判定下限以上の輝度値を持つ地点が１つもない場合、その画素をリペア処理に対して不適と判定してもよい。
【０１１８】
そのような画素は、有機ＥＬ素子の発光機能領域以外の箇所、例えば有機ＥＬ素子とＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路との境界での、隣接画素の陽極層間などの短絡欠陥が疑われるため、レーザ光の照射によるリペアはできないと考えられるためである。
【０１１９】
そのような画素が存在した場合、パネルそのものをリペア対象から除外することで、無益なリペア処理を行わずに済ませることができる。
【０１２０】
また、しきい値テーブル１４３、しきい値テーブル１４５、および優先度テーブル１４６は、それぞれの内容を変更可能に保持するとともに、それぞれの内容を変更する変更部をリペア制御装置１０１およびリペア制御装置１０２に設けることが望ましい。そうすれば、しきい値テーブル１４３、しきい値テーブル１４５、および優先度テーブル１４６の内容を、例えば、リペアの対象となる表示パネルの品種の変更に追従して変更し、また、リペア後の表示パネルに生じる故障率をフィードバックするように変更することにより、好適な基準でリペア地点を設定しリペアを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明は、表示パネルのリペア制御装置に利用でき、とりわけ有機ＥＬパネルのリペア制御装置に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】第１の実施の形態に係る表示パネルのリペア制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図
【図２】（Ａ）測定装置から受信される電流値データの一例を模式的に示す図、（Ｂ）撮影装置から受信される画像データの一例を模式的に示す図
【図３】（Ａ）しきい値テーブルの内容の一例を示す図、（Ｂ）リーク発光領域テーブルの内容の一例を示す図
【図４】リペア制御方法の一例を示すフローチャート
【図５】第１の実施の形態に係るリペア地点の設定方法の一例を示すフローチャート
【図６】第２の実施の形態に係る表示パネルのリペア制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図
【図７】（Ａ）しきい値テーブルの内容の一例を示す図、（Ｂ）優先度テーブルの内容の一例を示す図
【図８】リペア地点テーブルの内容の一例を示す図
【図９】第２の実施の形態に係るリペア地点の設定方法の一例を示すフローチャート
【図１０】従来の有機ＥＬ素子のリペア制御方法を示すフローチャート
【符号の説明】
【０１２３】
１０１、１０２  リペア制御装置
１１０    第１受信部
１２０    第２受信部
１３１    抽出部
１４０    テーブル部
１４３    しきい値テーブル
１４４    リーク発光領域テーブル
１４５    しきい値テーブル
１４６    優先度テーブル
１４７    リペア地点テーブル
１５１、１５２  設定部
１６０    表示部
１７０    送信部
２００    有機ＥＬパネル
４１０    測定装置
４２０    撮影装置
４３０    リペア装置
４４０    モニタ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2009266686.tif 000011
【図１０】
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