(57)【要約】【課題】ダイシングブレードを用いた切断工程に起因して半導体装置の角部及び側面に生じるバリの大きさを抑制できる半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体装置用基板を提供する。【解決手段】半導体装置１は、半導体装置１の角部に対応する領域に所定のブレード幅より広い幅を有する複数の開口１０ａが設けられ、配線パターンを有するフレキシブル基板を準備するフレキシブル基板準備工程と、配線パターンと電気的に接続する半導体素子４０をフレキシブル基板に搭載する素子搭載工程と、半導体素子４０を封止樹脂５０で封止すると共に、複数の開口１０ａを封止樹脂５０で充填する封止工程と、半導体素子４０の外形に沿って封止樹脂５０で充填された複数の開口１０ａ間を所定のダイシングブレード６０で切断することにより、封止樹脂５０からなる角部を有する半導体装置４０を切り出す切断工程とを備える。【選択図】図２
2009252915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の角部に対応する領域に所定のダイシングブレードのブレード幅より広い幅を有する複数の開口が設けられ、配線パターンを有するフレキシブル基板を準備するフレキシブル基板準備工程と、
前記配線パターンと電気的に接続する半導体素子を前記フレキシブル基板に搭載する素子搭載工程と、
前記半導体素子を封止樹脂で封止すると共に、前記複数の開口を前記封止樹脂で充填する封止工程と、
前記半導体素子の外形に沿って前記封止樹脂で充填された前記複数の開口間を前記所定のダイシングブレードで切断することにより、前記封止樹脂からなる前記角部を有する前記半導体装置を切り出す切断工程と
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記素子搭載工程は、前記フレキシブル基板と前記半導体素子との間に弾性体を介して前記半導体素子を搭載し、
前記切断工程は、前記封止樹脂と前記フレキシブル基板と共に前記弾性体を切断する
請求項１に記載の半得導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記フレキシブル基板準備工程は、前記複数の開口の位置に位置合わせパターンを有する前記フレキシブル基板を準備する
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
配線パターンを有するフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板の上に搭載され、前記配線パターンと電気的に接続する半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
前記フレキシブル基板の角に設けられる切り欠きと、
前記切り欠きの端面をそれぞれ覆い、前記封止樹脂からなる角部と
を備える半導体装置。
【請求項５】
半導体素子を搭載する複数の素子領域と、
前記複数の素子領域内にそれぞれ設けられる複数の配線パターンと、
前記複数の素子領域の角の近傍にそれぞれ設けられ、所定のダイシングブレードのブレード幅より広い幅の複数の開口と
を備える半導体装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体装置用基板に関する。特に、本発明は、ダイシングブレードを用いた切断工程を経て形成される半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体装置用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置として、ポリイミド樹脂から形成されるフレキシブル基板と、フレキシブル基板上に設けられる配線パターンと、配線パターン上に搭載される半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂とを備える半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に係る半導体装置の製造方法においては、フレキシブル基板上に配線パターンを介して半導体素子を搭載した後に半導体素子を封止樹脂で封止して、所定のダイシングブレードを用いて封止樹脂と共にフレキシブル基板を切断することにより、個々の半導体装置を製造する。
【０００３】
特許文献１に記載された半導体装置は、フレキシブル基板上に搭載する半導体素子間のスペースを、ダイシングブレードのブレード幅に相当する幅に設計することができるので、フレキシブル基板の単位面積当たりにおける半導体装置の取得数を向上させることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１２７１９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に係る半導体装置の製造方法においては、ダイシングブレードによってフレキシブル基板を複数の半導体装置に切り離すと、切り離されて形成された半導体装置の角部及び側面にフレキシブル基板のバリが生じやすい。特に、半導体装置に用いる絶縁基板の弾性率の低下に応じて生じるバリの大きさが増大するので、半導体装置の平面寸法を所定の規格に対応させることに手間がかかるという不都合がある。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、ダイシングブレードを用いた切断工程に起因して半導体装置の角部及び側面に生じるバリの大きさを抑制することのできる半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体装置用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため、半導体装置の角部に対応する領域に所定のダイシングブレードのブレード幅より広い幅を有する複数の開口が設けられ、配線パターンを有するフレキシブル基板を準備するフレキシブル基板準備工程と、配線パターンと電気的に接続する半導体素子をフレキシブル基板に搭載する素子搭載工程と、半導体素子を封止樹脂で封止すると共に、複数の開口を封止樹脂で充填する封止工程と、半導体素子の外形に沿って封止樹脂で充填された複数の開口間を所定のダイシングブレードで切断することにより、封止樹脂からなる角部を有する半導体装置を切り出す切断工程とを備える半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
また、上記半導体装置の製造方法は、素子搭載工程は、フレキシブル基板と半導体素子との間に弾性体を介して半導体素子を搭載し、切断工程は、封止樹脂とフレキシブル基板と共に弾性体を切断することもできる。また、フレキシブル基板準備工程は、複数の開口の位置に位置合わせパターンを有するフレキシブル基板を準備することもできる。
【０００９】
また、本発明は、上記目的を達成するため、配線パターンを有するフレキシブル基板と、フレキシブル基板の上に搭載され、配線パターンと電気的に接続する半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、フレキシブル基板の角に設けられる切り欠きと、切り欠きの端面をそれぞれ覆い、封止樹脂からなる角部とを備える半導体装置が提供される。
【００１０】
また、本発明は、上記目的を達成するため、半導体素子を搭載する複数の素子領域と、複数の素子領域内にそれぞれ設けられる複数の配線パターンと、複数の素子領域の角の近傍にそれぞれ設けられ、所定のダイシングブレードのブレード幅より広い幅の複数の開口とを備える半導体装置用基板が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ダイシングブレードを用いた切断工程に起因して半導体装置の角部及び側面に生じるバリの大きさが抑制された半導体装置を提供することができ、また、当該半導体装置の製造に適した半導体装置用基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［第１の実施の形態］
（半導体装置１の製造方法）
図１Ａから図１Ｅは、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造の流れの概要の一例を示す。
【００１３】
（フレキシブル基板準備工程）
まず、所定の半導体素子４０を搭載する領域としての複数の素子領域４０ａ内のそれぞれに所定のパターン形状を有して設けられる配線パターン（図示しない）と、複数の素子領域４０ａの角又は複数の素子領域４０ａの隅の近傍にそれぞれ設けられる複数の開口１０ａとを備えるフレキシブル基板としての配線基板１０を準備する。ここで、図１Ａは、第１の実施の形態に係る配線基板１０の裏面を示しており、素子領域４０ａ及び配線パターンは配線基板１０の表面に設けられる。
【００１４】
第１の実施の形態に係る配線基板１０は、絶縁性を有する材料からフィルム状に形成される絶縁基板である。絶縁基板としての配線基板１０は、一例として、ポリイミド樹脂から形成されるフレキシブル基板としてのフレキシブルフィルムである。フレキシブルフィルムは、低い弾性及び高い平坦性等の機能を有する限り、ポリイミド樹脂以外の樹脂から形成することもできる。
【００１５】
また、配線パターン（図示しない）は、半導体素子４０が有する電極（電気的な接続端子）と電気的に接続する。配線パターンは、半導体素子４０が有する電極と接続することのできる形状を有して、配線基板１０の表面の素子領域４０ａ内にそれぞれ形成される。配線パターンは、一例として、電解銅箔又は圧延銅箔等の金属薄膜から形成される。配線パターンは、例えば、配線基板１０上に金属薄膜等の所定の導体薄膜を形成した後、所定の形状を有するマスクを介して導体薄膜をエッチングすることにより形成できる。
【００１６】
複数の素子領域４０ａはそれぞれ、半導体素子４０の外形に対応する領域であり、配線基板１０の表面に規則的に整列している領域である。例えば、半導体素子４０が矩形又は正方形の外形を有する場合、複数の素子領域４０ａはそれぞれ矩形又は正方形の領域となる。複数の素子領域４０ａは、各素子領域４０ａ間の距離、すなわち、一の素子領域４０ａと一の素子領域４０ａに隣接する他の素子領域４０ａとの間隔を、所定のダイシングブレードのブレード幅に対応させて設計される。例えば、当該間隔は、ブレード幅と同程度、又はブレード幅に開口１０ａの辺の長さに応じて決定される所定のマージンを付加した距離を有して設計される。
【００１７】
複数の開口１０ａは、素子領域４０ａの角の近傍に配線基板１０を貫通して設けられる。具体的に、複数の開口１０ａはそれぞれ、互いに所定の間隔をおいて配線基板１０に形成されると共に、素子領域４０ａの角から所定の距離だけ離れた位置を貫通して設けられる。より具体的に、複数の開口１０ａは、製造されるべき半導体装置１の角部に対応する配線基板１０の領域にそれぞれ形成される。例えば、４つの素子領域４０ａに包囲される位置に設けられる開口１０ａは、後述する切断工程を経て４つの素子領域４０ａのそれぞれを有して形成される４つの半導体装置１のそれぞれの角部に対応することとなる。
【００１８】
また、複数の開口１０ａはそれぞれ、所定のダイシングブレードのブレード幅より広い幅を有して形成される。また、一例として、複数の開口１０ａはそれぞれ略正方形を有して形成される。この場合、複数の開口１０ａのそれぞれを形成する各辺の長さＬが、ブレード幅より広い幅を有して形成される。これにより、半導体装置用基板としての配線基板１０が形成される。
【００１９】
なお、複数の開口１０ａはそれぞれ、各辺の長さがブレード幅より広く形成される限り、矩形に形成することもできる。更に、複数の開口１０ａはそれぞれ、後述する切断工程において切断される部分に対応する辺の長さがブレード幅より広く形成される限り多角形に形成することもでき、又は、切断される部分を除く部分に円弧を有して形成することもできる。
【００２０】
（素子搭載工程）
次に、図１Ｂに示すように、配線基板１０の表面に複数の半導体素子４０を搭載する。具体的に、図１Ｂは、図１ＡにおけるＡ−Ａ線における断面図を示す（以下、図１Ｃから図１Ｅにおいても同様である）。例えば、素子領域４０ａ内の配線パターンと半導体素子４０の電極とを金ワイヤ等で電気的に接続することにより、複数の半導体素子４０を配線基板１０に搭載する。また、複数の半導体素子４０はそれぞれ、所定の半田又は所定の共晶材料を用いて配線パターンに接続することもできる。なお、配線パターンの所定の領域に、半田保護膜及び端子めっき等を形成することもできる。
【００２１】
この場合に、複数の半導体素子４０のそれぞれと配線基板１０との間に弾性体３０を介して複数の半導体素子４０を配線基板１０上に搭載することができる。弾性体３０は、所定の熱膨張係数と所定の弾性率とを有する材料から形成される。そして、弾性体３０の両面には、所定の接着剤層が形成されている。したがって、弾性体３０を用いる場合、弾性体３０の一の面の接着剤層と配線基板１０とを接着剤層により接着すると共に、弾性体３０の一の面の反対側の他の面の接着剤層と半導体素子４０の所定の領域とを接着することにより、複数の半導体素子４０は配線基板１０上に搭載されることとなる。
【００２２】
（封止工程）
次に、図１Ｃに示すように、配線基板１０に搭載した複数の半導体素子４０のそれぞれをモールド樹脂としての封止樹脂５０により封止する。封止樹脂５０は、半導体素子４０と、半導体素子４０と配線基板１０の配線パターンとが電気的に接続する部分（接続部分）とをそれぞれ封止する。更に、封止樹脂５０は、複数の開口１０ａのそれぞれに充填され、複数の埋め込み部５０ａが形成される。すなわち、複数の開口１０ａのそれぞれが封止樹脂５０により埋め込まれることにより、複数の埋め込み部５０ａのそれぞれが形成される。埋め込み部５０ａの上面視における各辺の長さは、複数の開口１０ａの各辺の長さに対応して略Ｌと等しい長さとなる。
【００２３】
封止部としての封止樹脂５０は、配線基板１０の弾性率と異なる弾性率を有する材料から主として形成される。封止樹脂５０は、一例として、配線基板１０の弾性率よりも大きな弾性率を有する熱硬化性樹脂等の樹脂材料を用いる。更に、封止樹脂５０には、絶縁材料からなるフィラーを所定の比率、エポキシ樹脂等の樹脂材料に配合した樹脂材料を用いることができる。一例として、最大径が７０μｍのシリカ（二酸化ケイ素）フィラーを７０％以上の配合比で、樹脂材料に配合することにより調整した樹脂材料を、第１の実施の形態に係る封止樹脂５０として用いることができる。封止樹脂５０で半導体素子４０のそれぞれが封止されることにより、半導体素子４０のそれぞれが外部から物理的に保護されると共に、電気的に保護される。
【００２４】
（半田ボール形成工程）
次に、図１Ｄに示すように、配線基板１０の裏面の所定の位置、すなわち、配線基板１０の半導体素子４０が搭載されている面の反対側の面の所定の位置に、複数の半田ボール２０を形成する。複数の半田ボール２０の少なくとも一部と、配線基板１０の表面に形成されている配線パターン又は半導体素子４０の電極とは、配線基板１０に形成されているビアホール（図示しない）を介して電気的に接続される。ここで、配線パターン又は半導体素子４０の電極と半田ボール２０とは、Ｎｉ、Ａｕ等から形成される金属薄膜を介して電気的に接続させることができる。
【００２５】
（切断工程）
次に、図１Ｅに示すように、半導体素子４０の外形に沿って封止樹脂５０及び配線基板１０をダイシングブレード６０により切削することにより、複数の素子領域４０ａのそれぞれを切り離して、Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ（ＢＧＡ）型の複数の半導体装置１を切り出す。これにより、第１の実施の形態に係る半導体装置１が形成される。この場合において、ダイシングブレード６０は、埋め込み部５０ａの幅、すなわち埋め込み部５０ａの上面視における各辺の長さＬより狭い幅ｄのブレード幅を有する。なお、ダイシングブレード６０は、所定粒径のダイヤモンド粒子を含む。
【００２６】
具体的に、半導体素子４０の外形から所定の距離に位置する仮想的な線、すなわち、半導体素子４０の外形に沿って複数の開口１０ａのそれぞれを結んだ所定の仮想的な線をダイシングブレード６０で切断する。これにより、ブレード幅ｄに相当する部分が取り除かれて、複数の半導体装置１が切り出される。ここで、一の開口１０ａを封止樹脂５０で充填することにより形成された一の埋め込み部５０ａの略中央部分と、一の開口１０ａに隣接する他の開口１０ａを封止樹脂５０で充填することにより形成された他の埋め込み部５０ａの略中央部分とを結んだ所定の仮想的な線が、ダイシングブレード６０によって切断されることになる。
【００２７】
なお、第１の実施の形態に係る半導体装置１の製造に用いるダイシングブレード６０のブレード幅は、一例として、０．２ｍｍであり、切断時におけるブレード回転速度は、一例として、３００００ｒｐｍであり、ダイシングブレード６０の送り速度は、一例として、１００ｍｍ／ｓ程度に設定することができる。
【００２８】
これにより、ダイシングブレード６０によって各々切り離された半導体装置１は、埋め込み部５０ａが切断されて形成され、封止樹脂５０からなる複数の角部を外部に露出させて形成されることとなる。例えば、半導体装置１が上面視にて矩形上である場合、半導体装置１の複数のコーナー部としての四隅のそれぞれに封止樹脂５０からなる角部が形成される。
【００２９】
（半導体装置１の構造）
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を裏面から見た図の概要を示しており、図２（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の側面の概要を示す。
【００３０】
第１の実施の形態に係る半導体装置１は、ポリイミド樹脂等の樹脂材料から主として形成される絶縁基板としての配線基板１０と、配線基板１０上に所定のパターンを有して設けられる配線パターン（図示しない）と、配線パターンと電気的に接続すると共に配線基板１０の上に弾性体３０を介して搭載される半導体素子４０と、半導体素子４０を封止する封止樹脂５０と、配線基板１０の半導体素子４０が搭載される面の反対側の面の所定の位置に設けられ、配線基板１０を貫通するビアホール（図示しない）により配線パターンの所定の位置と電気的に接続する半田ボール３０と、配線基板１０の角のそれぞれに設けられ、所定のダイシングブレードのブレード幅の１／２より広い幅を有する複数の切り欠きと、複数の切り欠きの端面をそれぞれ覆い、配線基板１０の弾性率よりも弾性率が大きな材料から形成される複数の角部５０ｃとを備える。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、複数の角部５０ｃはそれぞれ、半導体装置１のコーナー部分に該当する個所に形成される。複数の角部５０ｃはそれぞれ、図１Ａから図１Ｅにおいて説明したように、半導体装置１を切り離す前の配線基板１０に設けられた開口１０ａに封止樹脂５０が充填されて形成された埋め込み部５０ａが、ダイシングブレード６０によって切り離されて形成された個所である。すなわち、第１の実施の形態に係る開口１０ａは、ダイシングブレード６０のブレード幅ｄよりも広い幅を有して形成されるので、半導体装置１を切り離した後、封止樹脂５０からなる角部５０ｃのそれぞれが残存することとなる。
【００３２】
図２（ｂ）に示すように第１の実施の形態においては、半導体装置１の側面に、配線基板１０の端面１０ｂと、角部５０ｃの端面５０ｂとが露出する。端面１０ｂと端面５０ｂとはそれぞれ、ダイシングブレード６０によって切断されて外部に露出した面である。
【００３３】
（第１の実施の形態の効果）
第１の実施の形態に係る半導体装置１の製造方法によれば、封止樹脂５０からなる埋め込み部５０ａに沿ってダイシングブレード６０を移動させて配線基板１０及び封止樹脂５０を切断するので、半導体装置１の切断により外部に露出した角部及び端面に実質的に問題となるようなバリが発生することを抑制できる。
【００３４】
例えば、０．２ｍｍのブレード幅を有するダイシングブレード６０を用いて、ブレード回転速度を３００００ｒｐｍ、ダイシングブレード６０の送り速度を１００ｍｍ／ｓに設定して配線基板１０及び封止樹脂５０を切断した場合、切断により形成された半導体装置１０の配線基板１０の端面１０ｂ及び埋め込み部５０ａの端面５０ｂのバリを、５０μｍ未満にすることができる。
【００３５】
すなわち、第１の実施の形態に係る半導体装置１の製造方法によれば、絶縁基板としてのフレキシブル基板を用いることにより、フレキシブル基板を形成する材料が有する低い弾性及び高い平坦性等の利点を十分に利用することができると共に、本実施の形態に係る埋め込み部５０ａがない場合において切断工程において実用上問題となるようなバリが発生することによって生産性が低下するという欠点を克服することができる。これにより、第１の実施の形態に係る半導体装置１の製造方法によれば、ガラス繊維等を配合した絶縁基板を用いた場合と同等な生産性とすることができる。
【００３６】
ここで、本実施の形態においてバリが生じない理由の詳細は以下のとおりである。まず、埋め込み部５０ａは、エポキシ樹脂等の樹脂材料にシリカフィラー等のフィラーが分散した樹脂材料から形成される。このようなフィラーを含む樹脂材料は、ダイシングブレード６０で切断すると、ダイシングブレード６０の回転によってエポキシ樹脂が引き伸ばされてバリが生じる前に、フィラーの部分で切断される。すなわち、ダイシングブレード６０でフィラーを含む樹脂材料を切削・切断すると、エポキシ樹脂が引き伸ばされる前にフィラーが存在する部分において切削・切断されるので、当該樹脂材料の切削面・切断面には実質的に問題となるバリが生じない。このような知見は、本発明者が実験によって得た知見である。
【００３７】
そして、本実施の形態においては、上記知見に鑑み、製造されるべき半導体装置１の角の領域に対応する配線基板１０に埋め込み部５０ａを配置したので、回転しているダイシングブレード６０が封止樹脂５０及び配線基板１０から離れる時に半導体装置１の各角の部分にバリが生じることを抑制することができる。なお、半導体装置１の各角を除く辺の部分のうちフレキシブル基板の部分は、ダイシングブレード６０の回転によって引き伸ばされるものの、ダイシングブレード６０に含まれるダイヤモンド粒子によって分断される。したがって、半導体装置１の辺においても実質的に問題となるバリの発生は抑制される。
【００３８】
［第２の実施の形態］
（配線基板１２の構造）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の裏面の一例を示す。
【００３９】
第２の実施の形態に係る配線基板１２は、第１の実施の形態に係る配線基板１０とは、裏面に電気めっき用配線７０と配線７２と接続配線形成領域８０とが更に設けられている点を除き、第１の実施の形態に係る配線基板１０と略同様の構成を備える。したがって、相違点を除き、詳細な説明は省略する。
【００４０】
第２の実施の形態に係る配線基板１２は、半導体装置１ａが形成されるべき領域の角の領域にそれぞれ形成される開口１０ａと、半導体装置１ａが形成されるべき領域を包囲して形成される電気めっき用配線７０と、半田ボール２０が形成されるべき領域に連結して形成される配線７２と、半導体装置１ａが形成されるべき領域の略中央部分に設けられる接続配線形成領域８０とを備える。
【００４１】
（半導体装置１ａの構造）
図４（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を裏面から見た図の概要を示しており、図４（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の側面の概要を示す。
【００４２】
第２の実施の形態に係る半導体装置１ａは、配線基板１２と、配線基板１２上に設けられる配線パターン（図示しない）と、配線パターンと電気的に接続すると共に配線基板１２の上に弾性体３０を介して搭載される半導体素子４０と、半導体素子４０を封止する封止樹脂５０と、配線基板１２の半導体素子４０が搭載される面の反対側の面の所定の位置に設けられ、配線基板１２を貫通するビアホールにより配線パターンの所定の位置と電気的に接続する半田ボール３０と、半田ボール３０のそれぞれと電気的に接続すると共に配線基板１２の裏面の所定の位置に設けられる図４（ａ）に示すような配線７２と、半導体素子４０と配線７２とを電気的に接続する接続配線８２と、配線基板１２の角のそれぞれに設けられ、所定のダイシングブレードのブレード幅の１／２より広い幅を有する複数の切り欠きと、複数の切り欠きの端面をそれぞれ覆い、配線基板１０の弾性率よりも弾性率が大きな材料から形成される複数の角部５０ｃとを備える。
【００４３】
第２の実施の形態に係る半導体装置１ａの製造工程においては、その切断工程において、配線基板１０と封止樹脂５０と弾性体３０とがそれぞれダイシングブレード６０により切断される。したがって、半導体装置１ａにおいては、図４（ｂ）に示すように、半導体素子４０と配線基板１２との間に設けられる弾性体３０の端面３０ａが、半導体装置１ａの外部に露出する。弾性体３０としては、例えば、所定の熱膨張係数と所定の弾性率とを有する熱硬化性樹脂等の弾性体材料から形成される多孔質フィルムを用いることができる。この場合、弾性体３０の端面３０ａを半導体装置１の外部に露出させることにより、リフロー性を向上させることができる。
【００４４】
［第３の実施の形態］
図５（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る配線基板の開口の領域を含む部分を拡大した図を示しており、図５（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の角部を拡大した図を示す。
【００４５】
第３の実施の形態に係る半導体装置は、開口１０ａに該当する領域に位置合わせパターン７０ａを更に備える点を除き、第２の実施の形態に係る半導体装置１ａと略同一の構成を有する。したがって、第２の実施の形態に係る半導体装置１ａとの相違点を除き、詳細な説明は省略する。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、第３の実施の形態に係る配線基板１２は、電気めっき用配線７０の一部に、所定の形状を有する位置合わせパターン７０ａを更に備える。位置合わせパターン７０ａは、開口１０ａに対応する領域、すなわち、開口１０ａと重なる領域に形成される。ダイシングブレード６０を用いて配線基板１２を切断することにより、開口１０ａに封止樹脂５０が充填されて形成された埋め込み部５０ａと重なる領域の位置合わせパターン７０ａは、図５（ｂ）に示すように、半導体装置１ａの切断分離と共に除去される。
【００４７】
本実施の形態に係る位置合わせパターン７０ａは、半導体素子４０の電気的接続端子としての電極を配線基板１２に向き合わせて半導体素子４０と配線基板１２とを接続する場合において、半導体素子４０と配線基板１２との位置合わせ精度を高めることを目的とするものである。半導体素子４０の近傍に対応する配線基板１２の所定の位置に位置合わせ用のパターンを設けるに際して、本実施の形態に係る位置合わせパターン７０ａは、信号線等としての機能を有する配線７２と電気的に接続していない電気めっき用配線７０の一部として形成されるので、製造された半導体装置において信号ノイズが生じることを抑制できる。したがって、本実施の形態に係る半導体装置は、高速信号伝送用途に容易に対応させることができる。
【実施例】
【００４８】
本発明の実施例に係る半導体装置は、第２の実施の形態に係る半導体装置１ａと同一の構成を備え、配線基板１２の材料として、弾性率が約５ＧＰａから１０ＧＰａのポリイミド樹脂を用いた。また、切断工程は、０．２ｍｍのブレード幅を有するダイシングブレード６０を用いて、ブレード回転速度を３００００ｒｐｍに設定すると共に、ダイシングブレード６０の送り速度を１００ｍｍ／ｓに設定して実施した。
【００４９】
その結果、半導体装置１ａの角部５０ｃ及び半導体装置１ａの切断された側面におけるバリの大きさは、いずれも５０μｍ未満であった。
（比較例）
【００５０】
比較例として、開口１０ａを設けていない配線基板を用い、第１の実施の形態と同様にして半導体装置を形成した。すなわち、比較例に係る半導体装置は、そのコーナー部としての角部に封止樹脂からなる角部が形成されておらず、配線基板が角部に露出したものである。したがって、比較例に係る半導体装置の製造方法中における切断工程においては、ダイシングブレード６０を、配線基板１２の端部に直接接して移動させることにより、配線基板１２と封止樹脂５０とを切断した。
【００５１】
また、比較例に係る半導体装置の製造方法においては、ダイシングブレード６０の送り速度を以下の表１のように調整して切断工程を実施した。なお、比較例においては、各条件下において、それぞれ所定の送り速度で９個の半導体装置を製造した。そして、製造した比較例に係る半導体装置の各角部のそれぞれを観察した。表１においては、観察したバリのうち、最大の大きさのバリを示した。
【００５２】
【表１】
2009252915.tif 000003
【００５３】
表１は、比較例に係る半導体装置の製造方法において、切削条件とバリの大きさとの関係を示す。ここで、表１において、条件１は、所定の速度（発生するバリの大きさを極力小さくすることを目的として、所定の速度まで低減させた速度）で切削して半導体装置を切り出した場合であり、条件２は、所定の速度でフルカットした後、同一速度で同一箇所を再度切削して半導体装置を切り出した場合を示す。条件２に係る方法は、一度フルカットした後に、同一箇所に再びダイシングブレードを通過させることにより、飛び出したバリを取り除く方法である。なお、切断工程においては、本発明の実施例と同様に、０．２ｍｍのブレード幅を有するダイシングブレード６０を用いて、ブレード回転速度を３００００ｒｐｍに設定した。
【００５４】
表１を参照すると分かるように、条件１において、送り速度を１０ｍｍ／ｓとした場合であっても、半導体装置の端面に生じたバリの大きさの最大値は１４０μｍであった。また、条件２においては、バリの大きさの最大値が５０μｍから６５μｍ程度の半導体装置が得られるのは、ブレードの送り速度が、１０ｍｍ／ｓ又は２０ｍｍ／ｓの場合であった。この比較例におけるブレードの送り速度は、ガラス繊維を有して形成される絶縁基板を用いた半導体装置をダイシングブレードによって切り離す場合の数分の一程度の速度であり、生産性に劣ることが示された。
【００５５】
ダイシングブレード６０による切断工程においては、一般的に、切削する量の増加に応じて、切断面にバリが生じやすくなる傾向がある。表１に記載の「条件２  送り速度２０ｍｍ／ｓ」において、１２回の切り離しを繰り返して、半導体装置の端面を観察したところ、端面に生じたバリの大きさの平均値は約２０％大きくなり、最大値は１０２μｍであった。比較例に係る半導体装置の端面に生じたバリの大きさは、例えば、半導体装置の外形サイズの規格が、所定の寸法±１００μｍの範囲で規定されている場合、実用上問題があることが分かった。
【００５６】
すなわち、比較例においては、バリの小さな良好な品質の半導体装置を形成するには、少なくともブレードの送り速度を低減させることを要するので、半導体装置の生産性が大幅に犠牲にされることが示された。一方、本発明の実施例においては、比較例の２．５倍から１０倍のブレードの送り速度を採用して半導体装置の生産性を大幅に向上させることができ、かつ、実施例に係る半導体装置の端面に生じるバリの大きさが実用上問題となる大きさで生じないこと、すなわち、高品質の半導体装置を提供できることが示された。
【００５７】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１Ａ】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造の流れを示す図である。
【図１Ｂ】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造の流れを示す図である。
【図１Ｃ】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造の流れを示す図である。
【図１Ｄ】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造の流れを示す図である。
【図１Ｅ】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造の流れを示す図である。
【図２】（ａ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置を裏面から見た図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置の側面図である。
【図３】第２の実施の形態に係る配線基板の裏面の図である。
【図４】（ａ）は、第２の実施の形態に係る半導体装置を裏面から見た図であり、（ｂ）は、第２の実施の形態に係る半導体装置の側面図である。
【図５】（ａ）は、第３の実施の形態に係る配線基板の開口の領域を含む部分の拡大図であり、（ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置の角部の拡大図である。
【符号の説明】
【００５９】
１、１ａ  半導体装置
１０、１２  配線基板
１０ａ  開口
１０ｂ  端面
２０  半田ボール
３０  弾性体
３０ａ  端面
４０  半導体素子
４０ａ  素子領域
５０  封止部
５０ａ  埋め込み部
５０ｂ  端面
５０ｃ  角部
６０  ダイシングブレード
７０  電気めっき用配線
７０ａ  位置合わせパターン
７２  配線
８０  接続配線形成領域
８２  接続配線
９０  ダイシングストリート
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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