(57)【要約】【課題】光損失が低くピークパルスレーザ出力が改善されたファイバレーザ装置、これを用いたレーザ加工方法及び電子デバイスを提供する。【解決手段】第１のファイバグレーティングと、反射率が可変とされた第２のファイバグレーティングと、励起光により希土類元素が励起されて増幅利得帯域を生じる光ファイバと、前記光ファイバと、前記第２のファイバグレーティングと、の間に介挿された第１の長周期ファイバグレーティングと、を備え、前記第１のファイバグレーティングは、第１の波長光の一部分を反射し、前記第１の長周期ファイバグレーティングは、前記第１の波長光を透過し、前記第２のファイバグレーティングの反射率が高くされた状態においては、パルスレーザ光が前記第１のファイバグレーティングを介して外部に出射され、低くされた状態においては、前記パルスレーザ光は外部に出射されないことを特徴とするファイバレーザ装置が提供される。【選択図】図１
2009187970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のファイバグレーティングと、
反射率が可変とされた第２のファイバグレーティングと、
前記第１及び第２のファイバグレーティングの間に接続され、励起光によりコアに添加された希土類元素が励起されて増幅利得帯域を生じる光ファイバと、
前記光ファイバと、前記第２のファイバグレーティングと、の間に介挿された第１の長周期ファイバグレーティングと、
を備え、
前記第１のファイバグレーティングは、前記増幅利得帯域の第１の波長光の一部分を反射し、前記第１の波長光の残りの部分及び前記第１の波長光以外の光を透過し、
前記第１の長周期ファイバグレーティングは、前記第１の波長光を透過し、前記増幅利得帯域における前記第１の波長光以外の光を実質的に透過せず、
前記第２のファイバグレーティングの反射率が前記第１の波長光に対して高くされた状態においては、前記第１及び第２のファイバグレーティングが光共振器を構成し、前記励起光に基づいた誘導放出によるパルスレーザ光が前記第１のファイバグレーティングを介して外部に出射され、
前記第２のファイバグレーティングの反射率が前記第１の波長光に対して低くされた状態においては、前記パルスレーザ光は前記第１のファイバグレーティングを介して外部に出射されないことを特徴とするファイバレーザ装置。
【請求項２】
前記第２のファイバグレーティングは、圧電素子に付設され、
前記圧電素子への印加電圧を変化することにより前記第１の波長光に対する前記第２のファイバグレーティングの反射率を制御可能としたことを特徴とする請求項１記載のファイバレーザ装置。
【請求項３】
前記光ファイバと、前記第１のファイバグレーティングと、の間に介挿された第２の長周期ファイバグレーティングをさらに備え、
前記第２の長周期ファイバグレーティングは前記第１の波長光を透過し、前記増幅利得帯域における前記第１の波長光以外の光を実質的に透過しないことを特徴とする請求項１または２に記載のファイバレーザ装置。
【請求項４】
励起光によりコアに添加された希土類元素が励起され、増幅利得帯域を生じる光ファイバと、
第１の長周期ファイバグレーティングと、
透過率が可変とされた第２の長周期ファイバグレーティングと、
光カプラと、
光アイソレータと、
を備え、
前記光ファイバ、前記第１の長周期ファイバグレーティング、前記第２の長周期ファイバグレーティング、前記光カプラ及び前記光アイソレータは、リング光ファイバ回路を構成し、
前記第１の長周期ファイバグレーティングは、前記増幅利得帯域の第１の波長光を透過し、前記第１の波長光以外の光を実質的に透過せず、
前記第２の長周期ファイバグレーティングの透過率が前記第１の波長光に対して高くされた状態においては、前記光アイソレータの光通過方向に向かって前記第１の波長光が前記リング光ファイバ回路を周回し、前記励起光に基づいた誘導放出によるパルスレーザ光が前記光カプラを介して外部に出射され、
前記第２の長周期ファイバグレーティングの透過率が前記第１の波長光に対して低くされた状態においては、前記パルスレーザ光は前記カプラを介して外部に出射されないことを特徴とするファイバレーザ装置。
【請求項５】
前記第２の長周期ファイバグレーティングは、圧電素子に付設され、
前記圧電素子への印加電圧を変化することにより前記第１の波長光に対する前記第２の長周期ファイバグレーティングの透過率を制御可能としたことを特徴とする請求項４記載のファイバレーザ装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のファイバレーザ装置から出射される前記パルスレーザ光を被加工体に照射することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項７】
前記パルスレーザ光を、ビーム整形光学部により整形し、スキャンすることを特徴とする請求項６記載のレーザ加工方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載のレーザ加工方法を用いて形成されたことを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ファイバレーザ装置、レーザ加工方法及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ファイバレーザを用いて高ピークパルスを得るには、ファイバレーザ出力をＱスイッチでオン、またはオフとする方式がある。Ｑスイッチに、例えばＡＯ（Acousto-Optic：音響光学）素子を用いることができる。この方式ではレーザ光を一度空中に取り出しＡＯ素子を通過させた後、再度光ファイバに集光する必要があり構成が複雑となる。このようなファイバピッグテイル型のＱスイッチではレンズなどの光学系における結合光損失は、通常１〜２ｄＢと高い。
【０００３】
他方、２つのＦＢＧ（Fiber  Bragg  Grating) を用いてＱスイッチを構成し、反射波長が同一となる期間のみパルスレーザ光を外部に出射する方式がある。この方式では光損失を低減できるが、光共振器を構成するＦＢＧの間でレーザ光のダブルパスを生じ、希土類元素添加光ファイバに蓄積されるべきエネルギーがＡＳＥ（Amplified  Spontaneous  Emission)光などに消費され、高ピークパルスレーザ光を得ることが困難である。
【０００４】
複数のコアを有する希土類元素添加ファイバと、その両端部近傍に設けられたＱスイッチ素子と、を備えた技術開示例がある（特許文献１）。しかし、ビームを合成するための構造が複雑となり、ビーム品質が十分ではない問題がある。
【特許文献１】特開２００５−１７５１７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光損失が低くピークパルスレーザ出力が改善されたファイバレーザ装置、これを用いたレーザ加工方法及び電子デバイスを提供する。  
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、第１のファイバグレーティングと、反射率が可変とされた第２のファイバグレーティングと、前記第１及び第２のファイバグレーティングの間に接続され、励起光によりコアに添加された希土類元素が励起されて増幅利得帯域を生じる光ファイバと、前記光ファイバと、前記第２のファイバグレーティングと、の間に介挿された第１の長周期ファイバグレーティングと、を備え、前記第１のファイバグレーティングは、前記増幅利得帯域の第１の波長光の一部分を反射し、前記第１の波長光の残りの部分及び前記第１の波長光以外の光を透過し、前記第１の長周期ファイバグレーティングは、前記第１の波長光を透過し、前記増幅利得帯域における前記第１の波長光以外の光を実質的に透過せず、前記第２のファイバグレーティングの反射率が前記第１の波長光に対して高くされた状態においては、前記第１及び第２のファイバグレーティングが光共振器を構成し、前記励起光に基づいた誘導放出によるパルスレーザ光が前記第１のファイバグレーティングを介して外部に出射され、前記第２のファイバグレーティングの反射率が前記第１の波長光に対して低くされた状態においては、前記パルスレーザ光は前記第１のファイバグレーティングを介して外部に出射されないことを特徴とするファイバレーザ装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の一態様によれば、励起光によりコアに添加された希土類元素が励起され、増幅利得帯域を生じる光ファイバと、第１の長周期ファイバグレーティングと、透過率が可変とされた第２の長周期ファイバグレーティングと、光カプラと、光アイソレータと、を備え、前記光ファイバ、前記第１の長周期ファイバグレーティング、前記第２の長周期ファイバグレーティング、前記光カプラ及び前記光アイソレータは、リング光ファイバ回路を構成し、前記第１の長周期ファイバグレーティングは、前記増幅利得帯域の第１の波長光を透過し、前記第１の波長光以外の光を実質的に透過せず、前記第２の長周期ファイバグレーティングの透過率が前記第１の波長光に対して高くされた状態においては、前記光アイソレータの光通過方向に向かって前記第１の波長光が前記リング光ファイバ回路を周回し、前記励起光に基づいた誘導放出によるパルスレーザ光が前記光カプラを介して外部に出射され、前記第２の長周期ファイバグレーティングの透過率が前記第１の波長光に対して低くされた状態においては、前記パルスレーザ光は前記カプラを介して外部に出射されないことを特徴とするファイバレーザ装置が提供される。
【０００８】
本発明のさらに他の一態様によれば、上記のファイバレーザ装置からのパルスレーザ光を被加工体に照射することを特徴とするレーザ加工方法が提供される。
【０００９】
本発明のさらに他の一態様によれば、上記のレーザ加工方法を用いて形成されたことを特徴とする電子デバイスが提供される。
【発明の効果】
【００１０】
光損失が低くピークパルスレーザ出力が改善されたファイバレーザ装置、これを用いたレーザ加工方法及び電子デバイスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態にかかるファイバレーザ装置の構成図である。すなわち、図１（ａ）は所望とする第１の波長であるλ１を有するパルスレーザ光Ｇが出射されている状態を表す図、図１（ｂ）はパルスレーザ光Ｇが出射されていない状態を表す図である。図１において希土類元素がコアに添加された光ファイバ１０の端部１０ａにはＬＰＧ（Long  Period  Grating)１２が接続され、さらにＦＢＧ１４が接続されている。ＦＢＧ１４はＰＺＴ(piezoelectric  transducer:圧電素子）１６に付設されている。ＰＺＴ１６はパルス電圧源１７に接続されている。光ファイバ１０の他方の端部１０ｂには、ＦＢＧ１８が接続されており第１の波長光のパルスレーザ光Ｇが出射端２０から出射される。
【００１２】
光ファイバ１０のコアにはイッテルビウム（Ｙｂ）、ツリウム（Ｔｍ）のような希土類元素が添加されている。なお、図示しないが、希土類元素を励起するために励起光源から励起光が光ファイバ１０へ入射される。より高いエネルギーのパルスレーザ光を得るには光ファイバの端部１０ａ、１０ｂから励起光をそれぞれ入射するとよい。なお、それぞれの光ファイバは接続点Ｐ１、Ｐ２、並びにＰ３において、融着されており低損失接続がなされている。光ファイバ１０の端部１０ａは融着されてＰ１となり、端部１０ｂは融着されて端部Ｐ２となる。なお、ＡＯ素子を用いたＱスイッチでは必要な光軸調整が、本実施形態では不要であるのでファイバレーザ装置の実装工程が容易である。
【００１３】
図２は、ＦＢＧ及びＬＰＧを説明する図であり、図２（ａ）はＦＢＧを表す図、図２（ｂ）はＦＢＧがＰＺＴに付設された図、図２（ｃ）はＬＰＧを表す図、図２（ｄ
）は動作を説明する図である。ＦＢＧ１４、１８にはコア４２の屈折率が光ファイバの光軸方向に沿って周期的に変化したブラッグ回折格子が形成されている。図２（ａ）に表すように、ＦＢＧ１４は反射波長λＢに相当する第１の波長光を殆ど反射し、それ以外の波長光を透過する。すなわち、ＦＢＧ１４に入射した光はλ＝λＢ近傍において反射光の光強度が最大となり、λ1λＢにおいて透過する。また、ＦＢＧ１８はλＢ近傍の波長光の一部分を反射するとともに、λＢ近傍の波長光の残りの部分を透過し出射端２０から外部に出射し、第１の波長光以外を透過する。ブラッグ回折格子の周期をΛで表すと、反射光の波長λＢは、λＢ＝２ｎｅｆｆΛ（ｎｅｆｆは実効屈折率）と表すことができる。ブラッグ回折格子の周期Λは、例えば０．５μｍとすることができる。
【００１４】
ＦＢＧ１４が付設されたＰＺＴ１６に電圧が印加されるとＦＢＧに応力を与える。図２（ｂ）において、電圧が印加されたＰＺＴ１６が矢印で表す方向へ伸長し、光ファイバ内でＦＢＧ１４が形成されているコア領域近傍もこれに伴い伸長する。このため、回折格子周期Λが大きくなり反射波長λＢが長波長側にシフトする。ＰＺＴ１６へ矩形波などのパルス電圧を印加する場合、一定電圧となるまでの時間を短縮する程、スイッチング時間を短縮できるのでより好ましい。なお、ＰＺＴ１６としては、例えば円筒状の圧電セラミックを用いることができる。ＦＢＧの反射波長は、温度や機械的応力によっても変化させることができる。また、光ファイバの光軸に沿って、ＦＢＧとＰＺＴとを隣接して配置すると、ＰＺＴへの電圧印加とともに回折格子周期Λが小さくなり、反射波長λＢを短波長側にシフトすることもできる。
【００１５】
他方、ＬＰＧ１２は、例えばＦＢＧの回折格子周期の数百〜数千倍のように長い回折格子周期を有している。このために、コア伝播モードとクラッド伝播モードとが結合しやすくなり、透過波長λＬＰＢに相当する特定の波長光を透過する。図２（ｃ）に表すようにＬＰＧに入射した光はλＬＰＢ近傍において減衰量が最小となり低挿入損失で透過する。また、入射光はλＬＰＢ以外においてクラッドに回折され減衰量が増大し透過が困難となる。すなわち、ＬＰＧ１２は低反射の帯域通過波長フィルタとして機能する。
【００１６】
なお、コアの屈折率は、例えばエキシマレーザなどから放射される紫外光ビームを２光束干渉法などを用いて、例えばＧｅなどが添加されたコアに照射することにより変化させることができる。このようにして、ＦＢＧ及びＬＰＧの回折格子を書き込むことができる。また、ブラッグ波長は回折格子周期及びファイバのコアへの添加量により決定される。
【００１７】
図２（ｄ）に表すように、ＦＢＧ１８の反射波長λＢ及びＬＰＧ１２の透過波長λＬＰＢを所望である第１の波長λ１と略同一とする。λ１は光ファイバ１０の発光スペクトルにおいて増幅利得帯域内に選択する。また、ＰＺＴ１６への印加電圧を変化することにより、ＦＢＧ１４の反射波長λＢをλ１とは異なるλ２（λ２＞λ１）に制御することができる。
【００１８】
図１（ａ）に表す状態はＦＢＧ１４とＦＢＧ１８との反射波長が共にλ１である期間であり、ＦＢＧ１４、１８がミラーとして作用するファブリー・ペロー共振器のような光共振器が形成され、励起された希土類元素からの誘導放出により高ピークパルスレーザ光Ｇが出射端２０から外部に出射される。この場合、共振器が形成されているので光は光ファイバ１０を往復しダブルパス（double-pass)増幅を生じ、より高い光出力を得ることが容易になる。
【００１９】
他方、図１（ｂ）に表す状態はＦＢＧ１２の反射波長がλ１とは異なるλ２である期間であり、光共振器は形成されない。すなわち、λ１の波長光成分はＬＰＧ１２を透過するが、ＦＢＧ１４では反射されない。また、λ２の波長光成分はＬＰＧ１２のクラッドへ回折されコアから抜ける。いずれにおいても光ファイバ１０に光は戻らずダブルパス増幅が行われないので、光ファイバ１０に蓄積されたエネルギーがＡＳＥ光の増大のために消費されることが抑制でき、励起エネルギーが蓄積される。なお、光共振器が形成されている状態において、反射率が高いＦＢＧ１４側の反射光は光強度がより高いので、この側にＬＰＧ１２を挿入するとＡＳＥ光をより抑制できる。  
【００２０】
図３は、比較例にかかるファイバレーザ装置の構成を表す図である。光ファイバ１１０とＦＢＧ１１４との間にＬＰＧを設けない。光共振器が構成されない期間において、λ１とは異なる波長であるλ２近傍の波長光成分は光ファイバ１１０を１回通過し、ＦＢＧ１１４により反射され、再び光ファイバ１１０に戻る。この反射光は光共振器から放射されるレーザ光よりもスペクトル幅が広く、位相も均一ではない。光ファイバ１１０内を２回目に通過する場合、１回目よりも光強度は高くなっており、励起エネルギーを消費してＡＳＥ光強度がより高められる。すなわち、２回目の通過により励起エネルギーの蓄積は減少する。
【００２１】
また、λ１近傍の波長光成分は光ファイバ１０を１回通過し他方の端部１１０ｂから出射し、ＦＢＧ１１８で反射し端部１１０ｂから再び入射し光ファイバ１１０内を２回目の通過を行う間に蓄積された励起エネルギーを消費してＡＳＥ光を増大させＦＢＧ１１４から外部に出射する。
【００２２】
他方、ＰＺＴ１１６によりＦＢＧ１１４の反射波長がλ１に転じ光共振器が形成された場合、λ１の波長光が増幅されるが光ファイバ１１０に蓄積された励起エネルギーが減少しており、出射端１２０から取り出せるパルスレーザ光Ｇ１００のピーク出力は低下する。
【００２３】
光ファイバの増幅利得帯域は広いので蓄積したい励起エネルギーがＡＳＥ光などに無駄に消費されやすい。  
図４は、光ファイバの増幅利得の波長依存性を表し、図４（ａ）はＹｂが添加された場合、図４（ｂ）はＴｍが添加された場合である。縦軸は相対スペクトル相対、横軸は波長（ｎｍ）を、それぞれ表す。図４（ａ）において、Ｙｂの相対発光スペクトルを実線、相対吸収スペクトルを破線で表す。相対吸収スペクトルは、略９７５ｎｍ近傍に極大を有するので、励起光の波長をこの近傍に選択する。また、相対発光スペクトルは略９９０ｎｍから増大し始め略１０３５ｎｍで極大となるが、増幅利得はこのように広帯域である。
【００２４】
ＦＢＧは狭線幅であるのに対して、光ファイバ１０の発光スペクトル幅は図２のように広い。波長がシフトしたＦＢＧからの反射光近傍においても光ファイバは増幅利得を有しておりＡＳＥ光の増大が避けられない。本実施形態ではＬＰＧ１２を設けることにより、ＦＢＧ１４からの反射光が光ファイバ１０へ２回目の入射をすることを抑制しＡＳＥ光による励起エネルギー消費を低減する。このようにして本実施形態では励起エネルギーを十分に蓄積できるため、光ファイバ１０から高いパルスレーザ光Ｇを取り出すことが容易となる。
【００２５】
また、発光スペクトルは９７５ｎｍ近傍及び１０３５ｎｍ近傍に極大を有する。９７５ｎｍ近傍の発光スペクトルの強度は１０３５ｎｍ近傍の発光強度よりも高いが、スペクトル幅は１０３５ｎｍ近傍において広い。本実施形態では、例えば９７５ｎｍ近傍の波長の励起光を用いて励起を行い、１０３５ｎｍ近傍のパルスシード光を入射させ誘導放出を生じさせる。この様にして、１０３５ｎｍ近傍の波長を有し、高いパルス出力を有する増幅光を得ることができる。
【００２６】
図４（ｂ）では、Ｔｍがコアに添加されており、破線で表す相対吸収スペクトルは、６８０、７８０、１２１０、並びに１６３０ｎｍ近傍にそれぞれ極大を有する。また、実線で表す相対発光スペクトルは１８５０ｎｍ近傍に極大を有する。このため、例えば７８０ｎｍの波長を有する励起光により励起を行い、１８５０ｎｍ近傍のシード光により誘導放出を生じさせると、高いパルス出力を有する増幅光を得ることができる。Ｙｂと比較して、Ｔｍは２００ｎｍ以上の長波長増幅光を得ることが容易である。なお、希土類元素としてエルビウム（Ｅｒ）を用いることもできる。
【００２７】
図４に表す相対吸収スペクトルの極大値近傍の波長を有する励起光源には、半導体レーザを用いることが好ましい。例えば数十個の半導体レーザ出力をコンバイナを用いて合成すると、励起光強度を高めることができる。
【００２８】
図４に表すようにファイバレーザの増幅利得は広い帯域を有するので、用途に応じて増幅光の波長を広い波長範囲内で選択することが容易となる。また、ミラーやＦＢＧなどにより光共振器を形成すると、波長可変の発振器が可能となる。
【００２９】
図５は、第２の実施形態にかかるファイバレーザ装置の構成図である。  
光ファイバ１０と第２のＦＢＧ１８との間にもＬＰＧ２２が介挿されている。ＬＰＧ１２、２２、の透過波長、及びＦＢＧ１８の反射波長はいずれも所望である第１の波長であるλ１である。ＰＺＴ１６への印加電圧変化によりＦＢＧ１４の反射波長がλ１とは異なるλ２と制御すると、光共振器が構成されない。この期間に、ＦＢＧ１８による反射光はＬＰＧ２２においてコアから抜けるため、光ファイバ１０へ再び入射しＡＳＥ増大を生じることを抑制でき、光ファイバ１０に励起エネルギーをより蓄積することができる。ＰＺＴ１６への印加電圧変化によりＦＢＧ１４の波長をλ１と略同一とする期間に、蓄積された励起エネルギーのために高いパルスレーザ光Ｇが出射端２０から出射される。
【００３０】
図６は、第３の実施形態にかかるファイバレーザ装置の構成図である。  
本実施形態は光共振器を構成しない方式である。すなわち、光ファイバ１０、ＬＰＧ３０、ＬＰＧ３４、光カプラ３６、並びに光アイソレータ３８は、光ファイバの閉じたコアを含むリング光ファイバ回路を構成する。ＬＰＧ３０はＰＺＴ３２に付設されており、ＰＺＴ３２への印加電圧変化により透過波長を制御する。また、ＬＰＧ３４の透過波長を第１の波長λ３とする。
【００３１】
ＰＺＴ３２への印加電圧変化により、ＬＰＧ３０の透過波長を、λ３とは異なるλ４と制御する期間、第１の波長であるλ３の波長成分は第１のＬＰＧ３０のコアから抜けてリング光回路を周回できず、励起エネルギーが前記光ファイバ１０に蓄積される。
【００３２】
また、ＰＺＴ３２への印加電圧変化により、ＬＰＧ３０の透過波長をＬＰＧ３４の透過波長と略同一のλ３と制御する期間に、ＹＡＧ(Yttrium  Aluminum  Garnet)などからなる光アイソレータ３８の光通過方向に向かって光がリング光ファイバ回路を周回し、光ファイバ１０に蓄積されていた励起エネルギーに基づき誘導放出を生じ、より増幅された光となり、その一部分が光カプラ３６を介して出射端２０から外部に出射されパルスレーザ光Ｇとなる。このようなリングレーザは、ＦＢＧを用いずに構成することができるので簡素な構造となり、小型化が容易となる。また、ＡＯ素子を用いたＱスイッチによるリングレーザよりも結合光損失を低減することが容易である。
【００３３】
以上の実施形態にかかるファイバレーザ装置を用いると、ＡＯ素子を用いたＱスイッチよりも光学系の結合光損失を低減することが容易である。また、光ファイバに蓄積される励起エネルギーを無駄に消費することが抑制でき、ピークパルスレーザ出力を改善することができる。このため、例えば数ｋＷのパルスレーザ光を得ることは容易であり、ビーム整形光学部を用いて集光及び整形を行えば数ＭＷｃｍ−２以上のビーム光出力密度を得ることが容易である。このために、低消費電力かつ小型であるレーザ加工装置ができる。
【００３４】
また、高い時間分解能を必要とするセンシング、測距、並びに飛翔体の検知などに用いる場合において、使用するパルスレーザ光の波長を広い増幅利得帯域内から所望の波長に選択することができる。なお、非線形結晶であるＯＰＯ（Optical  Parametric  Oscillator）素子などを用いて波長変換を行えば、２〜４μｍ帯の波長を得ることができる。
【００３５】
図７は、ファイバレーザ装置を用いたレーザ加工方法を説明する模式図である。第１乃至第３の実施形態にかかるファイバレーザ装置５からパルスレーザ光Ｇが出射される。光ファイバからの出射光は広がるので、ビーム整形光学部５０を用いて平行ビームとすると、加工点までの距離を広い範囲で設定できるのでレーザ加工装置の構成が容易となる。また、平行光をレンズなどを用いて集光すると、被加工体５４上の加工点においてより高出力のパルスレーザ光Ｇを得ることが容易になる。
【００３６】
また、ステージ５２上に載置された被加工体５４上でビームをスキャンすると、薄膜加工工程、電子デバイスなどのパッケージ表面へのマーキング工程、並びにＬＣＤ表示装置のリペア工程など、電子デバイス製造プロセスの生産性を向上させることができる。さらに、高いパルスレーザ出力であるため、マルチステーションを備えたレーザ加工装置が容易に実現できる。
【００３７】
以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかしながら本発明はこれら実施形態に限定されない。ファイバレーザ装置を構成する光ファイバ、ＦＢＧ、ＬＰＧ、ＰＺＴ、光カプラ、光アイソレータなどの材質、形状、サイズ、配置に関して当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１の実施形態にかかるファイバレーザ装置の構成図
【図２】ＦＢＧ及びＬＰＧを説明する図
【図３】比較例にかかるファイバレーザ装置の構成図
【図４】光ファイバの増幅利得の波長依存性を表すグラフ図
【図５】第２の実施形態にかかるファイバレーザ装置の構成図
【図６】第３の実施形態にかかるファイバレーザ装置の構成図
【図７】レーザ加工方法を説明する模式図
【符号の説明】
【００３９】
５  ファイバレーザ装置、１０、１０ａ、１０ｂ  光ファイバ、１２、２２  ＬＰＧ、１４、１８  ＦＢＧ、１６  ＰＺＴ、３０、３４  ＬＰＧ、３２  ＰＺＴ、３６  光カプラ、３８  光アイソレータ、５０  ビーム整形光学部、５４  被加工体、λ１  所望の波長、Ｇ  パルスレーザ光
【図１】
2009187970.tif 000003
【図２】
2009187970.tif 000004
【図３】
2009187970.tif 000005
【図４】
2009187970.tif 000006
【図５】
2009187970.tif 000007
【図６】
2009187970.tif 000008
【図７】
2009187970.tif 000009