(57)【要約】【課題】製造時の歩留まりを低下させることなく、より良好な表示性能を発揮し得る表示装置を提供する。【解決手段】この表示装置は、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４が埋設された基体の上に、分割発光領域を各々有する複数の有機発光素子を備える。隣り合う駆動トランジスタＤＲ１，ＤＲ２では、ドレイン電極としての金属層２２６Ｄ１，２２６Ｄ２が互いに等電位であり、ソース電極としての金属層２２６Ｓ１，２２６Ｓ２が互いに等電位である。さらに、信号線１２０Ａの延在方向に沿って、金属層２２６Ｓ１，２２６Ｓ１と、金属層２２６Ｓ２，２２６Ｓ２とが対称に配置される。また、金属層２２６Ｄ１と金属層２２６Ｓ１との間隔、および金属層２２６Ｄ２と金属層２２６Ｓ２との間隔は、金属層２２６Ｓ１と金属層２２６Ｓ２との間隔よりも大きい。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持容量とそれぞれ接続された複数のサブ素子からなる表示素子と、
前記複数のサブ素子に対応して設けられ、前記保持容量に映像信号を書き込む複数の書込トランジスタと、
前記書込トランジスタによって書き込まれた前記映像信号に基づいて前記サブ素子を各々駆動する複数の駆動トランジスタと
を備え、
前記複数の書込トランジスタおよび複数の駆動トランジスタのうちの少なくとも一方の複数のトランジスタは、それぞれのドレイン電極およびソース電極の並び方向に沿って配列され、
前記複数のトランジスタのうちの隣り合う一組は、互いのドレイン電極同士またはソース電極同士が隣り合うように配置されたものである
表示装置。
【請求項２】
隣り合う一組のトランジスタは、互いのドレイン電極同士およびソース電極同士がそれぞれ等しい電位を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
隣り合う一組のトランジスタにおけるドレイン電極同士およびソース電極同士のいずれか一方の間隔が、
隣り合う一組のトランジスタの各々におけるソース電極とドレイン電極との間隔よりも狭い
請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数のトランジスタにおけるソース電極およびドレイン電極は、全て同一階層に設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の書込トランジスタのゲート電極は、互いに電気的に接続されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
隣り合う一組のトランジスタにおけるドレイン電極同士およびソース電極同士は、線対称な位置関係となっている
請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のサブ素子を有する表示素子を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。
【０００３】
これまで有機発光素子については、共振器構造を導入し、発光色の色純度を向上させたり発光効率を高めたりするなど発光層で発生する光を制御することにより、表示性能を向上させる試みがなされている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
こうした有機ＥＬディスプレイは、映像信号に基づいて有機発光素子を駆動する薄膜トランジスタなどの駆動素子を備えている。このような有機ＥＬディスプレイでは、例えば製造工程中における異物混入などにより、駆動素子のソース電極とドレイン電極との間で短絡が生じ、それに対応した有機発光素子が輝点欠陥となる場合がある。当然ながら、このような輝点欠陥となった有機発光素子が増えると、輝度むらが顕著になるうえ高精細な映像表示が困難となる。
【０００５】
そこで、複数のサブ素子によって１つの有機発光素子を構成し、各サブ素子に設けた発光階調を補正する回路により、欠陥が生じたサブ素子以外の（残りの）サブ素子の階調を補正するようにしたデバイスが提案されている（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第０１／３９５５４号パンフレット
【特許文献２】特開２００７−４１５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献２では、サブ素子の階調を十分に補正できないケースがあるうえ、回路構成が複雑であり、デバイス全体のコンパクト化の妨げにもなる。さらに、最近では、画像や映像のさらなる高精細化を図るため、１画素あたりの占有面積が縮小されつつある。それに伴い、隣り合う駆動素子同士の間において、異物などに起因する電極間での短絡が増加する傾向にある。そのため、より高精細な映像表示に好適でありながら、製造段階における欠陥の生じにくい有機ＥＬディスプレイが望まれている。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、製造時の歩留まりを低下させることなく、より良好な表示性能を発揮し得る表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の表示装置は、保持容量とそれぞれ接続された複数のサブ素子からなる表示素子と、複数のサブ素子に対応して設けられ、保持容量に映像信号を書き込む複数の書込トランジスタと、その書込トランジスタによって書き込まれた映像信号に基づいてサブ素子を各々駆動する複数の駆動トランジスタとを備える。ここで、複数の書込トランジスタおよび複数の駆動トランジスタのうちの少なくとも一方の複数のトランジスタは、それぞれのドレイン電極およびソース電極の並び方向に沿って配列されており、複数のトランジスタのうちの隣り合う一組は、互いのドレイン電極同士またはソース電極同士が隣り合うように配置されたものである。
【００１０】
本発明の表示装置では、複数のトランジスタがそれぞれのドレイン電極およびソース電極の並び方向に沿って配列されており、そのうちの隣り合う一組のトランジスタは、互いのドレイン電極同士またはソース電極同士が隣り合うように配置されたものであるので、製造中における導電性の異物の混入などに起因する隣り合う書込トランジスタ間または駆動トランジスタ間での短絡による半滅点欠陥または輝点欠陥が生じにくくなる。具体的には、異種の電極同士が比較的離れた位置に配置されるので、導電性の異物を介して短絡する可能性が低下する。特に、同種の電極同士を等電位とすれば、同種の電極間に導電性の異物が混入したとしても書込トランジスタや駆動トランジスタは動作上、異常を来すことはない。そのため、高集積化した場合であっても歩留まりの向上が期待される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の表示装置によれば、表示素子が複数のサブ素子を含み、それらのサブ素子の各々に対応した複数の書込トランジスタおよび駆動トランジスタを備えるようにしたので、一部のサブ素子に欠陥が生じた場合でもそれ以外の正常なサブ素子を活かすように修正することで全体が滅点となるのを防ぐことができる。さらに、隣り合う書込トランジスタ同士および隣り合う駆動トランジスタ同士において、同種の電極を異種の電極よりも近接して配置するようにしたので、半滅点欠陥または輝点欠陥などの発生を抑制することができる。したがって、製造時の歩留まりを低下させることなく、より良好な表示性能を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の全体構成を表す概略図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図４】図１に示した表示領域の要部構成を表す断面図である。
【図５】図１に示した表示領域の要部構成を表す他の断面図である。
【図６】図３に示した有機発光素子の構成を表す拡大平面図である。
【図７】図４，図５に示した有機層を拡大して表す断面図である。
【図８】図４，図５に示した画素駆動回路形成層の構成を表す平面図である。
【図９】図１に示した表示装置の製造方法における一工程を表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明における一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。この表示装置は、基板１１１の上に表示領域１１０が形成されたものである。基板１１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が形成されている。
【００１５】
表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１〜１２０Ａｍ）が配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１〜１３０Ａｎ）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１〜１４０Ａｎ）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【００１６】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。
【００１７】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。
【００１８】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００１９】
図２は、画素駆動回路１５０の一例を表したものである。この画素駆動回路１５０は、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４と、それぞれの間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓ１〜Ｃｓ４とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）は、それぞれ複数の分割発光領域１０１〜１０４を含んで構成されている。それらの各分割発光領域１０１〜１０４は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４とそれぞれ直列に接続されている。駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。なお、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４は、それぞれ、容量等のパラメータが同一のものであることが望ましい。
【００２０】
書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４は、例えば各ドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４の各ゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４のソース電極は、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４のゲート電極とそれぞれ接続されている。
【００２１】
駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４のソース電極は、分割発光領域１０１，１０２，１０３，１０４の一端とそれぞれ接続されている。なお、本実施の形態では、一の有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）が４つの分割発光領域１０１〜１０４を有する場合について説明するが、その数は４つに限定されるものではなく２以上であれば任意に選択可能である。
【００２２】
保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ４は、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４のゲート電極（書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４のソース電極）と、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４のソース電極との間に形成されるものである。
【００２３】
図３に、表示領域１１０の平面構成の一例を表す。表示領域１１０には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが順に、全体としてマトリックス状に形成されている。具体的には、金属層１７が格子状に設けられており、それによって区画された領域に各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの分割発光領域１０１〜１０４が順に配置されている。有機発光素子１０Ｒの分割発光領域１０１〜１０４は赤色光を発生し、有機発光素子１０Ｇの分割発光領域１０１〜１０４は緑色光を発生し、有機発光素子１０Ｂの分割発光領域１０１〜１０４は青色光を発生する。なお、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。また、図３に破線で示した環状の領域ＡＲ１および島状の領域ＡＲ２は、それぞれ、金属層１７および第２電極層１６（後出）と電気的に接続された領域であり、金属層１７よりも下層に金属層２５（後出）および金属層２６（後出）がそれぞれ設けられている。また、図３では、２行×５列の計１０個の有機発光素子１０Ｒ（１０Ｇ，１０Ｂ）を示したが、その数はこれに限定されるものではない。
【００２４】
次に、図４〜図７を参照して、基体１１の上に設けられた有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの詳細な構成について説明する。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、互いに有機層１５（後出）の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成である。したがって、以下では、共通の部分については有機発光素子１０Ｒを代表して説明する。
【００２５】
図４および図５は、いずれも、図３に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）および画素駆動回路１５０の要部断面構成を表すものである。より詳細には、図４は図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図であり、図５は図３に示したＶ−Ｖ線に沿った断面図である。また、図６は、図３に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）のうちの、第１電極層１３（後出）を含む階層における平面構成を表すものである。
【００２６】
有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）では、基体１１の上に分割発光領域１０１〜１０４が設けられている。分割発光領域１０１〜１０４は発光が生じる部分であり、それぞれ、基体１１の側から絶縁層１２、アノード電極としての第１電極層１３、後述する発光層１５Ｃを含む有機層１５、およびカソード電極としての第２電極層１６がこの順に積層されたものである。これらのうち、第１電極層１３および有機層１５は、分割発光領域１０１〜１０４ごとに分離して設けられており、第２電極層１６は、分割発光領域１０１〜１０４に共通に設けられている。分割発光領域１０１〜１０４の上には、保護膜１８と封止基板１９とが順に設けられている。これらの分割発光領域１０１〜１０４では、第１電極層１３は反射層としての機能を発揮する一方、第２電極層１６が半透過性反射層としての機能を発揮する。これら第１電極層１３および第２電極層１６により、発光層１５Ｃにおいて発生した光を多重反射させるようになっている。
【００２７】
すなわち、分割発光領域１０１〜１０４は、第１電極層１３の発光層１５Ｃ側の端面を第１端面Ｐ１とし、第２電極層１６の発光層１５Ｃ側の端面を第２端面Ｐ２とし、有機層１５を共振部として、発光層１５Ｃで発生した光を共振させて第２端面Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このような共振器構造を有することで、発光層１５Ｃで発生した光が多重反射を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することによって、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し色純度を高めることができる。また、封止基板１９の側から入射した外光についても多重反射により減衰させることができ、さらに位相差板や偏光板（図示せず）との組み合わせにより分割発光領域１０１〜１０４における外光の反射率を極めて小さくすることができる。
【００２８】
絶縁層１２は、その表面が極めて高い平坦性を有するものであることが望ましい。また、絶縁層１２には、分割発光領域１０１〜１０４に対応する領域の一部に微細な接続孔１２４が設けられている（図４，図６参照）。さらに、絶縁層１２には、領域ＡＲ１に対応した位置に接続孔１２５が設けられており、領域ＡＲ２に対応した位置に接続孔１２６が設けられている（図４，図５参照）。絶縁層１２は、微細な接続孔１２４などが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。具体的には、例えばポリイミド等の有機材料が好適である。
【００２９】
第１電極層１３は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有する材料によって構成することが発光効率を高める上で望ましい。第１電極層１３は、例えば厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ），ネオジウム（Ｎｄ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体またはそれらの合金により構成されている。第１電極層１３は、絶縁層１２のうち分割発光領域１０１〜１０４に対応する領域を覆うと共に接続孔１２４を充填するように形成されている。これにより、第１電極層１３は、接続孔１２４を介して駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４（のうちの金属層２１６Ｓ１〜２１６Ｓ４）と導通された状態となる。
【００３０】
各第１電極層１３同士の隙間には、その隙間を埋めると共に第１電極層１３の端面および周縁部の上面を覆うように、例えばポリイミド等の有機材料からなる開口規定絶縁層２４が設けられている。開口規定絶縁層２４は、第１電極層１３と第２電極層１６との絶縁性を確保すると共に、分割発光領域１０１〜１０４の各発光領域を正確に所望の形状とするためのものである。開口規定絶縁層２４は、各分割発光領域１０１〜１０４に対応して４つの開口２４Ｋを有している。すなわち、この開口２４Ｋから発光が生じる。
【００３１】
有機層１５は、第１電極層１３の上面のうち、開口２４Ｋによって区切られた領域を隙間無く覆うように設けられている。有機層１５は、例えば図７に示したように、第１電極層１３の側から正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂ、発光層１５Ｃ、電子輸送層１５Ｄが順に積層された構成を有する。但し、発光層１５Ｃ以外の層は、必要に応じて設ければよい。なお、図７は、図４および図５に示した有機層１５の一部を拡大して表す断面図である。
【００３２】
正孔注入層１５Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１５Ｂは、発光層１５Ａへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１５Ｂと第２電極層１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。
【００３３】
また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっている。有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３４】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３５】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３６】
第２電極層１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。第２電極層１６は、例えば全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられており、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極層１３と対向配置されている。さらに第２電極層１６は、有機層１５を覆うばかりでなく、開口規定絶縁層２４をも覆うように形成されている。
【００３７】
金属層１７は、分割発光領域１０１〜１０４を取り囲むように形成されており、主たる電極としての第２電極層１６における電圧降下を補う補助電極層として機能するものである。金属層１７を構成する材料としては、例えば第１電極層１３と同種の高導電性の金属材料が好ましい。また、金属層１７は、開口率向上の観点においては、可能な限り幅を狭く（占有面積を小さく）することが望ましい。さらに、金属層１７は、領域ＡＲ１の接続孔１２５および領域ＡＲ２の接続孔１２６の、少なくとも内壁面を覆うように形成されている。領域ＡＲ１，ＡＲ２においては、金属層１７は、第２電極層１６によって覆われている。したがって、第２電極層１６は金属層１７と電気的に接続された状態となっている。
【００３８】
この金属層１７が存在しない場合、電源（図示せず）から個々の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまでの距離に応じた電圧降下により、共通電源供給線ＧＮＤ（図２参照）と接続された第２電極層１６の電位が各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間で一定とならず、顕著なばらつきを生じ易い。このような第２電極層１６の電位のばらつきは、表示領域１１０における輝度むらの原因となるので好ましくない。金属層１７は、表示装置が大画面化した場合であっても電源から第２電極層１６に至るまでの電圧降下を最小限度に抑え、このような輝度むらの発生を抑制するように機能する。
【００３９】
有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）は、図４および図５に示したように、さらに、第２電極層１６を覆うように設けられた窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１８と、その保護膜１８上に設けられた封止基板１９とを有している。封止基板１９は、保護膜１８や接着層（図示せず）などと共に分割発光領域１０１〜１０４を封止するものであり、分割発光領域１０１〜１０４で発生した光を透過する透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００４０】
次に、図４および図５に加え図８を参照して、基体１１の詳細な構成を説明する。基体１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１１に、画素駆動回路１５０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。なお、図８は、画素駆動回路形成層１１２に設けられた画素駆動回路１５０の平面構成を表す概略図であり、図６に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の平面図に対応している。なお、図８に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面が図４に相当し、図８に示したＶ−Ｖ線に沿った断面が図５に相当する。
【００４１】
次に、画素駆動回路１５０の詳細な構成を説明する。画素駆動回路形成層１１２には、互いに平行に延在する走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａと、それらと直交する方向に延在する信号線１２０Ａとが設けられている。さらに、画素駆動回路形成層１１２には、信号線１２０Ａの延在方向に沿って書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４および駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４が並走するように設けられている。書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４および駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４における各々のドレイン電極およびソース電極は、信号線１２０Ａの延在方向に沿って並んでいる。
【００４２】
基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４のゲート電極である金属層２１１Ｇ１〜２１１Ｇ４と、書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４のゲート電極である金属層２２１Ｇ１〜２２１Ｇ４（図８）と、信号線１２０Ａ（図８）とがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ１〜２１１Ｇ４，２２１Ｇ１〜２２１Ｇ４、および信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。また、金属層２２１Ｇ１〜２２１Ｇ４は互いに接続されており、一体化された金属膜を構成している。
【００４３】
駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４においては、ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ１〜２１１Ｇ４に対応する領域にアモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３が設けられている。チャネル層２１３上には、その中心領域であるチャネル領域を占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体からなるｎ型半導体層２１５Ｄ１〜２１５Ｄ４およびｎ型半導体層２１５Ｓ１〜２１５Ｓ４が設けられている。これらｎ型半導体層２１５Ｄ１〜２１５Ｄ４およびｎ型半導体層２１５Ｓ１〜２１５Ｓ４は、チャネル保護膜２１４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域を挟んで互いに離間している。さらに、ｎ型半導体層２１５Ｄ１〜２１５Ｄ４およびｎ型半導体層２１５Ｓ１〜２１５Ｓ４をそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン電極としての金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４およびソース電極としての金属層２１６Ｓ１〜２１６Ｓ４が設けられている。金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４は互いに等しい電位であり、金属層２１６Ｓ１〜２１６Ｓ４も互いに全て等しい電位となっている。
【００４４】
一方、書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４においても同様に、ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２２１Ｇ１〜２２１Ｇ４に対応する領域にアモルファスシリコンや微結晶シリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層（図示せず）が設けられている。そのチャネル層上には、その中心領域であるチャネル領域を占めるように絶縁性のチャネル保護膜（図示せず）が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体からなる一組のｎ型半導体層（図示せず）がそれぞれ設けられている。これら一組のｎ型半導体層は、チャネル保護膜によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域を挟んで互いに離間している。さらに、一組のｎ型半導体層をそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン電極としての金属層２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４およびソース電極としての金属層２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４が設けられている。金属層２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４は互いに等しい電位であり、金属層２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４も互いに全て等しい電位となっている。
【００４５】
第２階層の金属層である金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４，２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４および金属層２１６Ｓ１〜２１６Ｓ４，２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４は、例えばチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記のほか、金属層２５，２６、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａ（図８）が設けられている。金属層２５は平面形状が環状であり、金属層２６は平面形状が島状であり、いずれも他の第２階層の金属層とは電気的に絶縁されている。さらに、全体が窒化ケイ素などからなるパッシベーション膜２１７によって覆われている。なお、ここでは、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）の駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４について説明したが、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）のものであってもよい。また、信号線１２０Ａについては、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａとの交差点以外の領域では第２階層に設けるようにしてもよい。
【００４６】
また、書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４のうちの隣り合う一組および駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４のうちの隣り合う一組は、互いのドレイン電極同士またはソース電極同士が隣り合うように配置されている。ここでは、特に、互いのドレイン電極およびソース電極が各々の並び方向（すなわち信号線１２０Ａの延在方向）と直交する同一軸を中心として対称に配置されるように構成されている。例えば、書込トランジスタＷＲ１の金属層２２６Ｄ１および金属層２２６Ｓ１は、走査線１３０Ａに沿った軸ＣＸ１を中心として、書込トランジスタＷＲ２の金属層２２６Ｄ２および金属層２２６Ｓ２と対称な位置関係にある。また、書込トランジスタＷＲ２の金属層２２６Ｄ２および金属層２２６Ｓ２は、走査線１３０Ａに沿った軸ＣＸ２を中心として、書込トランジスタＷＲ３の金属層２２６Ｄ３および金属層２２６Ｓ３と対称な位置関係にある。さらに、書込トランジスタＷＲ３の金属層２２６Ｄ３および金属層２２６Ｓ３は、走査線１３０Ａに沿った軸ＣＸ３を中心として、書込トランジスタＷＲ４の金属層２２６Ｄ４および金属層２２６Ｓ４と対称な位置関係にある。このような構成とすることで、書込トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４の各々において、金属層２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４と、金属層２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４との間の異物混入などに起因する短絡の発生確率が低下する。書込トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４の相互間においても、異物混入などに起因する短絡の発生確率が低下する。特に、互いに最近接の位置関係にある書込トランジスタＷＲ１および書込トランジスタＷＲ２においては、金属層２２６Ｄ１と金属層２２６Ｓ１との距離、および金属層２２６Ｄ２と金属層２２６Ｓ２との距離が、金属層２２６Ｓ１と金属層２２６Ｓ２との距離よりも大きくなるように構成されている。同様に、最近接の位置関係にある書込トランジスタＷＲ３および書込トランジスタＷＲ４においては、金属層２２６Ｄ３と金属層２２６Ｓ３との距離、および金属層２２６Ｄ４と金属層２２６Ｓ４との距離が、金属層２２６Ｓ３と金属層２２６Ｓ４との距離よりも大きくなるように構成されている。こうすることで、異物混入などに起因する短絡の発生を抑制しつつ、書込トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４の占有面積を低減することができる。駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４同士の位置関係についても、上記した書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４同士の位置関係と同様である。また、そのような構成によって得られる作用効果（異物混入などに起因する短絡の発生確率の低下）についても同様である。
【００４７】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。以下、図４、図５および図８と共に図９〜図１１を参照して、本実施の形態の表示装置の製造方法について説明する。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの製造方法についても併せて以下に説明する。図９〜図１１は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものであり、図４および図５の断面図に対応している。
【００４８】
まず、上述した材料よりなる基板１１１の上に、画素駆動回路１５０を含む画素駆動回路形成層１１２形成する。具体的には、まず、基板１１１上に例えばスパッタリングにより金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、図８，図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示したように、基板１１１上に第１階層の金属層としての金属層２１１Ｇ１〜２１１Ｇ４，２２１Ｇ１〜２２１Ｇ４および信号線１２０Ａ（図８参照）を形成する。次いで、全面をゲート絶縁膜２１２によって覆う。さらに、ゲート絶縁膜２１２の上に、チャネル層、チャネル保護膜、ｎ型半導体層、ならびに、第２階層の金属層としての金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４，２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４および金属層２１６Ｓ４〜２１６Ｓ４，２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４を順に所定形状に形成することで駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４を得る。
【００４９】
なお、微結晶シリコンからなるチャネル層を形成する場合には、アモルファスシリコンからなる半導体薄膜を成膜したのち、それにレーザ光を照射することでナノメートルオーダーの結晶粒に結晶化させるようにするとよい。その場合、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４の配列方向と直交する方向（すなわち、走査線１３０Ａの延在方向）に沿ってレーザ光を走査させながら照射するとよい。駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４の相互間および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４の相互間における結晶化度の不均衡が生じにくくなり、結果として表示特性の劣化が生じにくくなるからである。これに対し、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４および書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４の配列方向（すなわち、信号線１２０Ａの延在方向）に沿ってレーザ光を走査させた場合には、以下のような不都合が生じる。具体的には、ドレイン電極（金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４，２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４）の側からレーザ光が走査される場合と、ソース電極（金属層２１６Ｓ４〜２１６Ｓ４，２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４）側からレーザ光が走査される場合とで、得られる微結晶シリコンにおける結晶化度の不均衡が生じ易くなってしまうのである。よって、上述したように、レーザ光の走査方向は、ドレイン電極およびソース電極の配列方向と直交する方向とすることが望ましい。
【００５０】
また、金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４，２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４および金属層２１６Ｓ４〜２１６Ｓ４，２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４の形成と併せて、金属層２５，２６、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａを形成する。すなわち、金属層２５，２６、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａも第２階層の金属層である。その際、金属層２２１Ｇ１〜２２１Ｇ４と走査線１３０Ａとを接続し、金属層２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４と信号線１２０Ａとを接続し、金属層２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４と金属層２１１Ｇ１〜２２１Ｇ４とを接続する。そののち、全体をパッシベーション膜２１７で覆うことにより、画素駆動回路１５０を完成させる。
【００５１】
画素駆動回路１５０を形成したのち、図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示したように絶縁層１２を形成する。具体的には、絶縁層１２の表面を平坦化するため、例えばポリイミドを主成分とする感光性樹脂を全面に亘って塗布し、露光および現像を行う。その際、金属層２１６Ｓ１〜２１６Ｓ４の上面に達する接続孔１２４と、金属層２５の上面に達する接続孔１２５と、金属層２６の上面に達する接続孔１２６とをそれぞれ所定位置に形成する。そののち、絶縁層１２を必要に応じて焼成する。
【００５２】
絶縁層１２に接続孔１２４，１２６および接続孔１２５を形成したのち、図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示したように、上述した材料よりなる第１電極層１３および金属層１７を形成する。具体的には、例えばスパッタリングによって第１電極層１３および金属層１７の構成材料からなる金属膜を全面成膜したのち、所定のマスクを用いてその金属膜を選択的に覆うレジストパターン（図示せず）の形成を行う。そののち、そのレジストパターンをマスクとして金属膜の露出した領域をエッチング処理することにより第１電極層１３および金属層１７を得る。その際、第１電極層１３については、接続孔１２４を充填すると共に絶縁層１２の表面のうち、分割発光領域１０１〜１０４に対応する領域を選択的に覆うように形成する。この際、絶縁層１２の表面が平坦化されているので、第１電極層１３の上面も平坦性に優れたものとなる。
【００５３】
さらに、金属層１７については、接続孔１２６および接続孔１２５の内壁面を少なくとも覆うように形成する。金属層１７は、第１電極層１３と同種の材料によって同時に形成することが望ましい。
【００５４】
次いで、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示したように、第１電極層１３および金属層１７の間を埋めると共に、第１電極層１３の端面および周縁部の上面を覆うように開口規定絶縁層２４を形成する。さらに、開口規定絶縁層２４に覆われていない第１電極層１３を覆うように、例えば蒸着法によって上述した所定の材料および厚みの正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂ、発光層１５Ｃ、電子輸送層１５Ｄを順次積層することで有機層１５を形成する。さらに、有機層１５を挟んで第１電極層１３と対向し、かつ、金属層１７を覆うように全面に亘って第２電極層１６を形成することで分割発光領域１０１〜１０４を完成させる。このように形成した分割発光領域１０１〜１０４では、絶縁層１２の表面が極めて高い平坦性を有していることから、第１電極層１３の発光層１５Ｃ側の端面Ｐ１および第２電極層１６の発光層１５Ｃ側の端面Ｐ２が平坦になるうえ、有機層１５の厚みのばらつきも極めて小さなものとなる。
【００５５】
こののち、分割発光領域１０１〜１０４を覆うように、上述した材料よりなる保護膜１８を形成する。最後に、保護膜１８の上に、接着層を形成し、この接着層を間にして封止基板１９を貼り合わせる。以上により、表示装置が完成する。
【００５６】
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４のゲート電極（金属層２２１Ｇ１〜２２１Ｇ４）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４を介して保持容量Ｃｓ１〜Ｃｓ４に保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４の導通状態が選択され、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極層１３と第２電極層１６との間で多重反射し、第２電極層１６、保護膜１８および封止基板１９を透過して取り出される。
【００５７】
以上、説明したように、本実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々において分割発光領域１０１〜１０４が設けられ、それら分割発光領域１０１〜１０４の各々に対応した書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４および駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４を備えるようにしたので、分割発光領域１０１〜１０４の一部に欠陥が生じた場合でもそれ以外の正常な分割発光領域１０１〜１０４を活かすように修正することで全体が滅点となるのを防ぐことができる。
【００５８】
さらに、書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４における金属層２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４および金属層２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４をそれぞれ等電位とし、金属層２２６Ｓ１と金属層２２６Ｓ２との距離を、金属層２２６Ｓ１と金属層２２６Ｄ１との距離および金属層２２６Ｓ２と金属層２２６Ｄ２との距離よりも近づけるようにしたので、あるいは、金属層２２６Ｓ３と金属層２２６Ｓ４との距離を、金属層２２６Ｓ３と金属層２２６Ｄ３との距離および金属層２２６Ｓ４と金属層２２６Ｄ４との距離よりも近づけるようにしたので、半滅点欠陥の発生を抑制することができる。特に、書込トランジスタＷＲ１〜ＷＲ４における金属層２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４および金属層２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４を、信号線１２０Ａの延在方向と直交する同一軸を中心として対称配置するようにしたので、高集積化を実現している。
【００５９】
同様に、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４における金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４および金属層２１６Ｓ１〜２１６Ｓ４をそれぞれ等電位とし、金属層２１６Ｓ１と金属層２１６Ｓ２との距離を、金属層２１６Ｓ１と金属層２１６Ｄ１との距離および金属層２１６Ｓ２と金属層２１６Ｄ２との距離よりも近づけるようにしたので、あるいは、金属層２１６Ｓ３と金属層２１６Ｓ４との距離を、金属層２１６Ｓ３と金属層２１６Ｄ３との距離および金属層２１６Ｓ４と金属層２１６Ｄ４との距離よりも近づけるようにしたので、輝点欠陥の発生を抑制することができる。特に、駆動トランジスタＤＲ１〜ＤＲ４における金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４および金属層２１６Ｓ１〜２１６Ｓ４を、信号線１２０Ａの延在方向と直交する同一軸を中心として対称配置するようにしたので、高集積化を実現している。
【００６０】
さらに、金属層２２６Ｄ１〜２２６Ｄ４、金属層２２６Ｓ１〜２２６Ｓ４、金属層２１６Ｄ１〜２１６Ｄ４および金属層２１６Ｓ１〜２１６Ｓ４の全てを同一階層に設けるようにしたので、より簡便に製造できるうえ、よりコンパクトな構成とすることができる。
【００６１】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、絶縁層１２の構成材料として、感光性樹脂などの有機材料を例示し、それを用いた製造方法について説明するようにしたが、それに限定されるものではない。例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）や窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などの無機材料を用いて絶縁層１２の構成するようにしてもよい。その場合、例えば蒸着法などにより基体１１上に絶縁膜を形成したのち、所定のマスクを用いてフッ素ガスエッチングやイオンビームエッチングなどのドライエッチング処理によって接続孔１２４などを形成すればよい。
【００６２】
また、上記実施の形態では、基体１１の上に、第１電極層１３、有機層１５および第２電極層１６を順に積層し、第２電極層１６の側から光を取り出すようにしたが、基体１１の側から第２電極層１６，有機層１５および第１電極層１３を順に積層し、基体１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【００６３】
加えてまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極層１３をアノード電極、第２電極層１６をカソード電極とする場合について説明したが、第１電極層１３をカソード電極、第２電極層１６をアノード電極としてもよい。さらに、その場合においても、基体１１の上に、第２電極層１６，有機層１５および第１電極層１３を基体１１の側から順に積層し、基体１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【００６４】
さらにまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層をさらに備えていてもよい。例えば、第１電極層１３と有機層１５との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【００６５】
加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。さらにまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０、あるいは電源供給線駆動回路１４０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００６６】
さらに、上記実施の形態では、書込トランジスタおよび駆動トランジスタの双方が一の方向に沿って配列された場合について説明したが、本発明では、いずれか一方のみが一の方向に沿って対称に配置されたものであってもよい。但し、有機発光素子の場合、高い発光効率を得るにはある一定以上の大きさの電流を各分割発光領域に供給する必要があることから、電気抵抗を下げるため、駆動トランジスタのドレイン電極およびソース電極の占有面積をある程度確保せざるを得ない。さらに、各分割発光領域の占有面積を拡大し、開口率を向上させるには、必然的に駆動トランジスタのドレイン電極およびソース電極の占有面積も拡大されることとなる。その一方で、書込トランジスタは、駆動トランジスタほどの大電流は不要であり、そのドレイン電極およびソース電極の占有面積を縮小化しても、発光効率や開口率の向上の妨げにはなりにくい。このような事情から、書込トランジスタの占有面積を縮小し、発光効率や開口率の向上を図ることが望ましい。しかしながら、書込トランジスタの占有面積を縮小化することで、異物混入等による電極間の短絡発生のリスクが高まる。そこで、有機発光素子の場合には、少なくとも駆動トランジスタを一の方向に沿って配列すると共に、隣り合う駆動トランジスタのドレイン電極およびソース電極が互いに一の方向に沿って対称な配置となるようにすることが望ましい。
【００６７】
さらに、上記実施の形態では、表示素子として有機発光素子を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、例えば液晶表示素子などの他の表示素子も適用可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）…有機発光素子、１０１〜１０４…分割発光領域、１１…基体、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１２…絶縁層、１２４…接続孔、１３…第１電極層、１５…有機層、１５Ａ…正孔注入層、１５Ｂ…正孔輸送層、１５Ｃ…発光層、１５Ｄ…電子輸送層、１６…第２電極層、１７…金属層、１８…保護膜、１９…封止基板、２４…開口規定絶縁層、２５…金属層、２６…金属層、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ…走査線、１４０…電源供給線駆動回路、１４０Ａ…電源供給線、１５０…画素駆動回路、Ｃｓ…キャパシタ（保持容量）、Ｐ１…第１端面、Ｐ２…第２端面、ＤＲ１〜ＤＲ４…駆動トランジスタ、ＷＲ１〜ＷＲ４…書込トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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