(57)【要約】【課題】処理液の液密空間内に滞留する気体を除去し、これにより、基板の一方面および他方面の全域に処理液を用いた処理を均一に施す基板処理装置を提供する。【解決手段】ウエハＷが下プレート部４に保持された状態では、下プレート部４の基板下対向面９が、ウエハの下面と対向する。このウエハＷに対して、上プレート２を対向配置する。ウエハＷの上面と上プレート２の基板上対向面１９とで挟まれた上処理空間４１に処理液が供給されて、上処理空間４１が処理液により液密状態にされる。ウエハＷの下面と下プレート部４の基板下対向面９とで挟まれた下処理空間４２に処理液が供給されて、下処理空間４２が処理液により液密状態にされる。上プレート２および下プレート部４は、親水性である石英によって形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面に間隔を隔てて対向配置される第１のプレートと、
基板の一方面と前記第１のプレートとの間に処理液を供給して、基板の一方面と前記第１のプレートとの間の空間を処理液により液密状態にする第１の処理液供給手段と、
基板の他方面に間隔を隔てて対向配置される第２のプレートと、
基板の他方面と前記第２のプレートとの間に処理液を供給して、基板の他方面と前記第２のプレートとの間の空間を処理液により液密状態にする第２の処理液供給手段とを含み、
前記第１のプレートのうち少なくとも基板の一方面と対向する領域、および前記第２のプレートのうち少なくとも基板の他方面と対向する領域が石英で形成されている、基板処理装置。
【請求項２】
基板の表面に対してほぼ垂直な所定の回転軸線を中心に、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを基板とともに回転させる回転手段をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ（Filed Emission Display）用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板などの基板に対して処理液を用いた処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この枚葉式の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持する基板保持部材と、基板保持部材に保持する基板の表面に所定の微小間隔を隔てて対向配置されるプレートと、基板と対向するプレートの対向面に形成されて、処理液を吐出する吐出口とを備えている。吐出口から吐出された処理液は、基板の表面とプレートとの間の空間に供給されて、当該空間を液密状態にする。基板の表面とプレートとの間の空間が処理液により液密状態にされるために、基板の表面の全域に処理液が接液される。これにより、処理液による処理が基板の表面に施される。
【特許文献１】特開２００１−６８４４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、基板の表面とプレートとの間の空間への処理液の供給の際に、当該空間に元から存在していた空気が完全に取り除かれず、その一部が当該空間に残留することがある。その結果、液密状態の当該空間に空気の気泡が滞留するおそれがある。
空気の気泡が滞留する領域では、基板の表面に処理液を良好に接液させることができず、処理液による処理が適切に進行しないおそれがある。このため、処理液による処理が基板の面内で不均一となるおそれがある。
【０００４】
かかる課題は、基板の一方面（表面）だけを処理する場合に限らず、基板の一方面および他方面を処理する場合にも共通して存在している。
そこで、この発明の目的は、処理液の液密空間に滞留する気体を除去し、これにより、基板の一方面および他方面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の一方面に間隔を隔てて対向配置される第１のプレート（２）と、基板の一方面と前記第１のプレートとの間に処理液を供給して、基板の一方面と前記第１のプレートとの間の空間（４１）を処理液により液密状態にする第１の処理液供給手段（２７，２８，３３，３４）と、基板の他方面に間隔を隔てて対向配置される第２のプレート（４）と、基板の他方面と前記第２のプレートとの間に処理液を供給して、基板の他方面と前記第２のプレートとの間の空間（４２）を処理液により液密状態にする第２の処理液供給手段（１６，１７，２３，２４）とを含み、前記第１のプレートのうち少なくとも基板の一方面と対向する領域、および前記第２のプレートのうち少なくとも基板の他方面と対向する領域が石英で形成されている、基板処理装置である。
【０００６】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板の一方面と第１プレートとの間の空間、および基板の他方面と第２プレートとの間の空間が処理液により液密状態にされることにより、基板の一方面および他方面の全域に処理液が接液される。これにより、基板の一方面および他方面に処理液による処理が施される。
【０００７】
そして、処理液に接液している第１のプレートおよび第２プレートの少なくとも基板の一方面および他方面と対向する領域が、親水性の材料である石英で形成されている。そのため、液密状態の前記空間に滞留する気体は、第１のプレートまたは第２のプレートになじんで比較的小さい気泡を形成し、当該空間の外部へと促される。したがって、各空間から気体を除去することができ、これにより、処理液を、基板の一方面および他方面の全域にむらなく接液させることができる。ゆえに、基板の一方面および他方面の全域に、均一に処理を施すことができる。
【０００８】
請求項２記載の発明は、基板の表面に対してほぼ垂直な所定の回転軸線（１０の中心軸線）を中心に、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを基板とともに回転させる回転手段（１５）をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の一方面と第１プレートとの間の空間、および基板の他方面と第２プレートとの間の空間が液密状態に保たれつつ、第１のプレート、第２のプレート、および基板がともに回転されると、回転状態にあるプレートと基板との間の空間に滞留する気体は、第１および第２プレートと基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁部に向かって移動し、基板の周縁部から当該空間の外方に排出される。これにより、基板と第１および第２プレートとの間の空間に滞留する気体を、より確実に除去することができる。そして、基板の一方面や他方面が疎水性を示す場合であっても、基板と第１および第２プレートとの間の空間に滞留する気体を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗの表面および裏面の双方に対して処理液による処理を施すための枚葉型の装置であり、ウエハＷを保持する有底略円筒形状の基板下保持部材１と、基板下保持部材１の上方で、基板下保持部材１と対向する円板状の上プレート２とを備えている。ウエハＷの表面および裏面に処理を施すための処理液として、薬液およびＤＩＷ（脱イオン化された純水）が用いられる。
【００１０】
薬液として、フッ酸、バファードフッ酸（Buffered  HF：フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）およびポリマ除去液などを例示することができる。薬液として、たとえばフッ酸が用いられる場合には、基板処理装置によって、ウエハＷの表面に対し、酸化膜を除去するための酸化膜エッチング処理を施すことができる。
【００１１】
図２Ａは、基板下保持部材１の斜視図であり、図２Ｂは、基板下保持部材１の構成を図解的に示す平面図である。図２Ａには、基板下保持部材１上にウエハＷを保持させた状態を示している。
図１、図２Ａおよび図２Ｂを参照して、基板下保持部材１は、ウエハＷよりもやや大径の円板状に形成された下プレート部４と、下プレート部４と隣接し、下プレート部４の周囲を取り囲む略円筒形に形成された内側環状部５と、内側環状部５を取り囲む略円筒形に形成された外側環状部６と、内側環状部５の下部と外側環状部６の下部とを接続する円環状の連結部７とを備えている。
【００１２】
下プレート部４は、この下プレート部４に保持されたウエハＷの下面と対向する基板対向面９を上方に向けて配置されている。基板対向面９は、略平坦な水平面である。基板下対向面９の周縁部には、ウエハＷを挟持するための複数（たとえば、３つ）の支持ピン８がほぼ等間隔で配置されている。基板対向面９は、複数の支持ピン８で支持されたウエハＷの下面と所定の間隔Ｐ１（たとえば、２．０ｍｍ〜０．３ｍｍ）を隔てて対向するようになっている。下プレート部４は、石英によって形成されている。
【００１３】
内側環状部５は、後述する回転軸１０の中心軸線を中心とする略円筒状に形成されており、その上面が、下プレート部４に保持された状態のウエハＷとほぼ同じ高さにされている。
外側環状部６は、後述する回転軸１０の中心軸線を中心とする略円筒状に形成されており、その内周面の上端部には、上プレート２の周縁を受け止めるための環状段部１１が、内外の環状部５，６間に形成されている。すなわち、上プレート２と環状段部１１とが嵌り合うことで、上プレート２が後述する処理位置に位置決めされる。環状段部１１の下面は、内側環状部５の上面よりも高くされている。
【００１４】
連結部７の上方には、薬液およびＤＩＷを廃液するための廃液溝１４が形成されている。廃液溝１４は、内側環状部５の外周面、外側環状部６の内周面および連結部７の上面により区画されており、ウエハＷの回転軸線（後述する回転軸１０の中心軸線）を中心とする円環状の溝である。連結部７には、その上下面を貫通する複数（たとえば、６つ）の廃液孔１２が、回転軸１０の中心軸線を中心とする円周上にほぼ等間隔で配置されている。各廃液孔１２には、図外の廃液処理設備へと導くための廃液路１３が接続されている。内側環状部５、外側環状部６および連結部７は、たとえばポリ塩化ビニル（poly-vinyl chloride）により一体に形成されている。
【００１５】
下プレート部４の下面には、ウエハＷの表面にほぼ垂直で鉛直方向に延びる回転軸１０が結合されている。この回転軸１０には、モータ１５から回転力が入力されるようになっている。
また、回転軸１０は中空軸となっていて、回転軸１０の内部には、下面処理流体供給管１６が挿通されている。下面処理流体供給管１６は、下プレート部４の基板下対向面９まで延びており、基板下対向面９の中央部に開口された下側吐出口１７と連通している。下面処理流体供給管１６は、回転軸１０の回転に伴って回転されるようになっている。下面処理流体供給管１６には、図示しないロータリージョイントを介して、静止状態にある下供給管４４が接続されている。下供給管４４には、薬液下供給管２０、ＤＩＷ下供給管２１およびＩＰＡ蒸気下供給管２２が接続されている。
【００１６】
薬液下供給管２０には薬液供給源からの薬液が供給されるようになっている。薬液下供給管２０の途中部には、薬液の供給／停止を切り換えるための薬液下バルブ２３が介装されている。
ＤＩＷ下供給管２１には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。ＤＩＷ下供給管２１の途中部には、ＤＩＷの供給／停止を切り換えるためのＤＩＷ下バルブ２４が介装されている。
【００１７】
ＩＰＡ蒸気下供給管２２には、ＩＰＡ蒸気供給源からのＩＰＡ蒸気が供給されるようになっている。ＩＰＡ蒸気下供給管２２の途中部には、ＩＰＡ蒸気の供給／停止を切り換えるためのＩＰＡ蒸気下バルブ２５が介装されている。
ＤＩＷ下バルブ２４およびＩＰＡ蒸気下バルブ２５が閉じられた状態で、薬液下バルブ２３が開かれると、薬液供給源からの薬液が、薬液下供給管２０、下供給管４４および下面処理流体供給管１６を通じて下側吐出口１７に供給される。また、薬液下バルブ２３およびＩＰＡ蒸気下バルブ２５が閉じられた状態で、ＤＩＷ下バルブ２４が開かれると、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが、ＤＩＷ下供給管２１、下供給管４４および下面処理流体供給管１６を通じて下側吐出口１７に供給される。さらに、薬液下バルブ２３およびＤＩＷ下バルブ２４が閉じられた状態でＩＰＡ蒸気下バルブ２５が開かれると、ＩＰＡ蒸気供給源からのＩＰＡ蒸気が、ＩＰＡ蒸気下供給管２２、下供給管４４および下面処理流体供給管１６を通じて下側吐出口１７に供給される。
【００１８】
上プレート２は、ウエハＷよりも大径の円板状のものであり、石英によって形成されている。この上プレート２は、下プレート部４に保持されるウエハＷに対向する基板上対向面１９を下方に向けて配置されている。基板上対向面１９は、平坦な水平面である。
上プレート２の上面には、回転軸１０と共通の軸線に沿う回転軸２６が固定されている。この回転軸２６は中空に形成されていて、その内部には、上面処理流体供給管２７が挿通されている。上面処理流体供給管２７は、上プレート２の基板上対向面１９まで延びており、基板上対向面１９の中央部に開口された上側吐出口２８と連通している。
【００１９】
上面処理流体供給管２７は、回転軸２６の回転に伴って回転されるようになっている。上面処理流体供給管２７には、図示しないロータリージョイントを介して、静止状態にある上供給管４３が接続されている。上供給管４３には、薬液上供給管３０、ＤＩＷ上供給管３１およびＩＰＡ蒸気上供給管３２が接続されている。
薬液上供給管３０には、薬液供給源からの薬液が供給される。薬液上供給管３０の途中部には、薬液の供給／停止を切り換えるための薬液上バルブ３３が介装されている。
【００２０】
ＤＩＷ上供給管３１には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給される。ＤＩＷ上供給管３１の途中部には、ＤＩＷの供給／停止を切り換えるためのＤＩＷ上バルブ３４が介装されている。
ＩＰＡ蒸気上供給管３１には、図示しないＩＰＡ蒸気供給源からのＩＰＡ蒸気が供給される。ＩＰＡ蒸気上供給管３１の途中部には、ＩＰＡ蒸気の供給／停止を切り換えるためのＩＰＡ蒸気上バルブ３５が介装されている。
【００２１】
ＤＩＷ上バルブ３４およびＩＰＡ蒸気上バルブ３５が閉じられた状態で、薬液上バルブ３３が開かれると、薬液供給源からの薬液が、薬液上供給管３０、上供給管４３および上面処理流体供給管２７を通じて上側吐出口２８に供給される。また、薬液上バルブ３３およびＩＰＡ蒸気上バルブ３５が閉じられた状態で、ＤＩＷ上バルブ３４が開かれると、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが、ＤＩＷ上供給管３１、上供給管４３および上面処理流体供給管２７を通じて上側吐出口２８に供給される。さらに、薬液上バルブ３３およびＤＩＷ上バルブ３４が閉じられた状態で、ＩＰＡ蒸気上バルブ３５が開かれると、ＩＰＡ蒸気供給源からのＩＰＡ蒸気が、ＩＰＡ蒸気供給管３２、上供給管４３および上面処理流体供給管２７を通じて上側吐出口２８に供給される。
【００２２】
回転軸２６は、昇降可能な昇降部材３６によって上方から支持されている。回転軸２６の外周面には、その上端部に径方向外方に向けて突出する円環状のフランジ部３７が形成されている。昇降部材３６は、フランジ部３７よりも下方において回転軸２６の外周面を取り囲む円環状の支持板３８を備えている。支持板３８の内周縁は、フランジ部３７の外周縁よりも小径とされている。支持板３８の上面とフランジ部３７の下面とが係合することにより、回転軸２６が昇降部材３６に支持される。
【００２３】
昇降部材３６には、昇降部材３６を昇降させるための昇降駆動機構４０が結合されている。昇降駆動機構４０が駆動されることにより、回転軸２６に固定された上プレート２が、下プレート部４に保持されたウエハＷの上面に近接する処理位置（図１に実線にて図示。）と下プレート部４の上方に大きく退避した退避位置（図１に二点鎖線にて図示。）との間で昇降されるようになっている。
【００２４】
上プレート２を処理位置まで下降させて、ウエハＷに処理液を用いた処理が施される。処理位置において、上プレート２は、下プレート部４に保持されたウエハＷの上面と、所定の間隔Ｐ２（たとえば、２．０ｍｍ〜０．３ｍｍ）を隔てて対向する。
昇降駆動機構４０が駆動されて、上プレート２が退避位置から処理位置まで下降されると、上プレート２の周縁部が、外側環状部６の環状段部１１に受け止められる。そして、昇降部材３６がさらに下降されると、支持部材３８とフランジ部３７との係合が解除されて、回転軸２６および上プレート２は、昇降部材３６から離脱して、基板下保持部材１に支持される。そのため、処理位置においては、上プレート２が、基板下保持部材１と一体的に回転されるようになっている。したがって、ウエハＷを下プレート部４に保持した状態で回転軸２６にモータ１５から回転駆動力を入力することにより、上プレート２、下プレート部４およびウエハＷを、鉛直軸線周りに回転させることができる。
【００２５】
図３は、基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５０を備えている。
この制御装置５０には、モータ１５、昇降駆動機構４０、薬液上バルブ３３、ＤＩＷ上バルブ３４、ＩＰＡ蒸気上バルブ３５、薬液下バルブ２３、ＤＩＷ下バルブ２４およびＩＰＡ蒸気下バルブ２５などが制御対象として接続されている。
【００２６】
図４は、基板処理装置で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。図５は、基板処理装置で行われる処理例を説明するための図である。以下、表面にＬｏｗ−ｋ膜などの疎水性膜が形成されたウエハＷを洗浄する場合を例にとって説明する。
処理対象のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって基板処理装置内に搬入されて、その表面を上方に向けた状態で基板下保持部材１の下プレート部４に保持される。なお、このウエハＷの搬入時においては、上プレート２は退避位置にある。
【００２７】
下プレート部４にウエハＷが保持されると、制御装置５０は昇降駆動機構４０を駆動して、上プレート２を処理位置まで下降させて、その基板上対向面１９を、ウエハＷの上面に対向配置させる（ステップＳ２）。
上プレート２が処理位置まで下降すると、制御装置５０はＤＩＷ上バルブ３４を開き、上側吐出口２８からＤＩＷを吐出する。上側吐出口２８からのＤＩＷは、ウエハＷの上面と上プレート２の基板上対向面１９とで挟まれた上処理空間４１を、上側吐出口２８を中心として放射状に拡がる。また、制御装置５０はＤＩＷ下バルブ２４を開き、下側吐出口１７からＤＩＷを吐出する。下側吐出口１７からのＤＩＷは、ウエハＷの下面と下プレート部４の基板下対向面９とで挟まれた下処理空間４２を、下側吐出口１７を中心として放射状に拡がる。さらに、制御装置５０は、モータ１５を制御して、基板下保持部材１の回転を開始させる。基板下保持部材１の回転に伴って、ウエハＷおよび上プレート２が回転する（ステップＳ３）。基板下保持部材１、ウエハＷおよび上プレート２は、予め定められる回転速度（たとえば、２００ｒｐｍ程度。）で回転される（図５（ａ）参照）。
【００２８】
上側吐出口２８および下側吐出口１７からのＤＩＷの吐出が続行されて、上プレート２と下プレート部４とで挟まれた空間にＤＩＷが充填される。これにより、上処理空間４１および下処理空間４２がＤＩＷにより液密状態にされる（図５（ｂ）参照）。上処理空間４１または下処理空間４２から溢れるＤＩＷは、上プレート２の基板上対向面１９と内側環状部５の上面との間、廃液溝１４、廃液孔１２および廃液路１３を流通し、図外の廃液処理設備へ導かれる。
【００２９】
上処理空間４１へのＤＩＷの供給の際に、上処理空間４１に元から存在していた空気が完全に取り除かれず、その一部が上処理空間４１に残留することがある。上処理空間４１に残留する空気は、親水性の石英で形成された上プレート２になじみ、比較的小さな気泡を形成して上処理空間４１に滞留する。その空気の気泡は、上プレート２の回転による遠心力を受けて、上プレート２の周縁部に向けて促される。
【００３０】
また、下処理空間４２へのＤＩＷの供給の際に、下処理空間４２に元から存在していた空気が完全に取り除かれず、その一部が下処理空間４２に残留することがある。下処理空間４２に残留する空気は、親水性の石英で形成された下プレート部４になじみ、比較的小さな気泡を形成して下処理空間４２に滞留する。その空気の気泡は、基板下保持部材１およびウエハＷの回転による遠心力を受けて、下プレート部４の周縁部に向けて促される。
【００３１】
上処理空間４１および下処理空間４２がＤＩＷにより液密状態にされてから予め定める時間（たとえば、１０秒間）が経過した後、制御装置５０は、モータ１５を制御して基板下保持部材１を回転停止させるとともに、ＤＩＷ上バルブ３４およびＤＩＷ下バルブ２４を閉じて、上側吐出口２８および下側吐出口１７からのＤＩＷの供給を停止する（ステップＳ５）。
【００３２】
次に、制御装置５０は、薬液上バルブ３３および薬液下バルブ２３を開き、上側吐出口２８および下側吐出口１７から薬液を吐出する（ステップＳ６、図５（ｃ）参照）。これにより、上処理空間４１および下処理空間４２に液密状態が保たれたまま、上処理空間４１および下処理空間４２のＤＩＷが薬液に順次に置換されていき、やがて、上処理空間４１および下処理空間４２が薬液により液密状態にされる。
【００３３】
その後、上側吐出口２８および下側吐出口１７からの薬液の吐出が続行されて、処理空間４１および下処理空間４２は、薬液により液密状態に保たれる。これにより、ウエハＷの上面および下面に薬液を接液させることができ、ウエハＷの上面および下面を薬液により洗浄することができる（図５（ｄ）参照）。なお、上処理空間４１および下処理空間４２から溢れる薬液は、上プレート２の基板上対向面１９と内側環状部５の上面との間、廃液溝１４、廃液孔１２および廃液路１３を順に通って図外の廃液処理設備へと導かれる。
【００３４】
また、上処理空間４１および下処理空間４２は比較的狭くされているために、その上処理空間４１および下処理空間４２を、少量の薬液で液密状態にすることができる。これにより、薬液の消費量を低減させることができる。
予め定める薬液処理時間（たとえば、３０秒間）が経過すると（ステップＳ７でＹＥＳ）、制御装置５０は薬液上バルブ３３および薬液下バルブ２３を閉じて、上側吐出口２８および下側吐出口１７からの薬液の吐出を停止する（ステップＳ８）。
【００３５】
次に、制御装置５０は、ＤＩＷ上バルブ３４およびＤＩＷ下バルブ２４を開き、上側吐出口２８および下側吐出口１７からＤＩＷを吐出する（ステップＳ９）。これにより、上処理空間４１および下処理空間４２に液密状態が保たれたまま、上処理空間４１および下処理空間４２の薬液がＤＩＷに順次に置換されていき、やがて、上処理空間４１および下処理空間４２がＤＩＷにより液密状態にされる。
【００３６】
その後、上側吐出口２８および下側吐出口１７からのＤＩＷの吐出が続行されて、処理空間４１および下処理空間４２は、ＤＩＷにより液密状態に保たれる。これにより、ウエハＷの上面および下面にＤＩＷを接液させることができ、ウエハＷの上面および下面に付着している薬液をＤＩＷによって洗い流すことができる。なお、上処理空間４１および下処理空間４２から溢れるＤＩＷは、上プレート２の基板上対向面１９と内側環状部５の上面との間、廃液溝１４、廃液孔１２および廃液路１３を順に通って図外の廃液処理設備へと導かれる。
【００３７】
予め定めるリンス処理時間（たとえば、１８０秒間）が経過すると（ステップＳ１０でＹＥＳ）、制御装置５０はＤＩＷ上バルブ３４およびＤＩＷ下バルブ２４を閉じて、上側吐出口２８および下側吐出口１７からのＤＩＷの供給を停止する（ステップＳ１１）。
次に、制御装置５０は、ＩＰＡ蒸気上バルブ３５およびＩＰＡ蒸気下バルブ２５を開き、上側吐出口２８および下側吐出口１７からＩＰＡ蒸気を吐出させる（ステップＳ１２）。また、制御装置５０は、モータ１５を制御して、ウエハＷを予め定める乾燥速度（たとえば、２００ｒｐｍ）で回転開始させる（ステップＳ１２）。これにより、ウエハＷの上面および下面に付着しているＤＩＷが遠心力によって振り切られてウエハＷが乾燥処理される。
【００３８】
この乾燥処理では、上プレート２の基板上対向面１９および下プレート部４の基板下対向面９が、それぞれウエハＷの上面および下面に近接して対向されているために、ウエハＷの上面および下面が外部雰囲気から遮断されている。そして、上処理空間４１および下処理空間４２にＩＰＡ蒸気が供給されることにより、ウエハＷの上面および下面に付着しているＤＩＷがＩＰＡに置換され、ＩＰＡ蒸気の揮発性によってウエハＷの上面および下面が乾燥されていく。このため、乾燥の過程でウエハＷの下面にＤＩＷの跡などを残すことなく、ウエハＷの上面および下面を速やかに乾燥させることができる。
【００３９】
所定の乾燥時間（たとえば、６０秒間）が経過すると（ステップＳ１３でＹＥＳ）、制御装置５０は、モータ１５を制御して基板下保持部材１を回転停止させるとともに、ＩＰＡ蒸気上バルブ３５およびＩＰＡ蒸気下バルブ２５を閉じて、上側吐出口２８および下側吐出口１７からのＩＰＡ蒸気の供給を停止する（ステップＳ１４）。
基板下保持部材１の停止後、制御装置５０は昇降駆動機構４０を駆動して、上プレート２を退避位置に向けて上昇させる（ステップＳ１５）その後、図示しない搬送ロボットによってウエハＷが搬出される（ステップＳ１６）。
【００４０】
以上のように、この実施形態によれば、上処理空間４１および下処理空間４２が処理液により液密状態にされることにより、ウエハＷの上面および下面の全域に処理液が接液される。これにより、ウエハＷの上面および下面に処理液による処理が施される。
そして、処理液に接液している上プレート２および下プレート部４が、それぞれ、親水性の材料である石英で形成されている。そのため、液密状態にある上処理空間４１および下処理空間４２に滞留する空気の気泡は、上プレート２または下プレート部４になじんで比較的小さい気泡を形成し、当該処理空間４１，４２の外部へと促される。したがって、各処理空間４１，４２から空気の気泡を除去することができ、これにより、処理液を、ウエハＷの上面および下面の全域にむらなく接液させることができる。ゆえに、ウエハＷの上面および下面の全域に、均一に処理を施すことができる。
【００４１】
また、上プレート２および下プレート部４が回転されると、液密状態にされた処理空間４１および下処理空間４２に滞在する比較的小さな空気の気泡は、上プレート２および下プレート部４およびウエハＷの回転による遠心力を受けて、上プレート２および下プレート部４の周縁部に向かって移動し、周縁部から当該処理空間４１，４２の外方に排出される。これにより、処理空間４１および下処理空間４２に滞留する空気の気泡を、より確実に除去することができる。
【００４２】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、上プレート２および下プレート部４は、ウエハＷの上面および下面と対向する部分だけが石英で形成されており、それ以外の部分はその他の材質（たとえば、ポリ塩化ビニル）により形成されていてもよい。
【００４３】
また、前記の実施形態では、上処理空間４１および下処理空間４２から空気の気泡を除去する際だけ上プレート２および下プレート部４を回転させる構成としたが、それ以外のたとえば薬液処理時やリンス処理時に、上プレート２および下プレート部４を回転させてもよい。
また、上プレート２および下プレート部４を互いに同期して回転させる構成に限られず、上プレート２および下プレート部４を互いに異なる速度で回転させてもよいし、上プレート２および下プレート部４の一方だけを回転させてもよい。
【００４４】
一方、ウエハＷの表面に疎水性膜ではなく親水性膜が形成されている場合には、上処理空間４１および下処理空間４２から空気の気泡を除去するための上プレート２および下プレート部４の回転を省略することができる。かかる場合、上プレート２および下プレート部４を回転させなくても、上処理空間４１および下処理空間４２から空気の気泡を除去することができる。
【００４５】
また、前記の実施形態では、下プレート部４を含む基板下保持部材１から、外側環状部６が立ち上がる構成について説明したが、この外側環状部６が上プレート２の周縁部から垂れ下がって形成された構成であってもよいし、この外側環状部６を省略する構成であってもよい。これらの場合、上プレート２を回転させるための回転駆動機構を別途設ける必要がある。
【００４６】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図２Ａ】基板下保持部材の斜視図である。
【図２Ｂ】基板下保持部材の構成を図解的に示す平面図である。
【図３】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】基板処理装置で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。
【図５】基板処理装置で行われる処理例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  基板下保持部材
２  上プレート（第１のプレート）
４  下プレート部（第２のプレート）
９  基板下対向面
１５  モータ（回転手段）
１７  下側吐出口
１９  基板上対向面
２２  ＩＰＡ蒸気下供給管
２３  薬液下バルブ
２４  ＤＩＷ下バルブ
２８  上側吐出口
３３  薬液上バルブ
３４  ＤＩＷ上バルブ
４１  上処理空間
４２  下処理空間
Ｐ１  間隔
Ｐ２  間隔
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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