(57)【要約】【課題】有機平坦化層から発生するガスによる表示品質の低下を防止することができる有機ＥＬ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】無機隔壁１２，１２Ａには、無機隔壁１２，１２Ａを貫通して有機平坦化層１０に到達する無機隔壁貫通孔１２ｂが形成されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成され、前記第一電極を区画しかつその上部を露出させる開口部が形成された隔壁と、前記隔壁の開口部内に設けられた機能層と、前記機能層を覆って設けられた第二電極と、を備え、
前記隔壁は、少なくとも無機隔壁を備え、
前記無機隔壁には、前記無機隔壁を貫通して前記有機平坦化層に到達する無機隔壁貫通孔が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記隔壁は、親液性を有する前記無機隔壁と、撥液性を有する有機隔壁とを備え、
前記有機隔壁は、前記無機隔壁上に形成され、前記有機隔壁の端部は前記無機隔壁の端部よりも前記無機隔壁に形成された前記無機隔壁貫通孔側に形成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記無機隔壁は、前記有機平坦化層側に形成された第一無機隔壁と、前記有機隔壁側に形成された第二無機隔壁とを備え、
前記第二無機隔壁の端部は、前記第一無機隔壁の端部よりも前記無機隔壁に形成された前記無機隔壁貫通孔側に形成されていることを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記有機隔壁には、前記有機隔壁を貫通して前記無機隔壁貫通孔に連通するか、または、前記無機隔壁貫通孔を通って前記有機平坦化層に到達する有機隔壁貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記無機隔壁貫通孔は、その開口が前記開口部の周囲に点在しているか、または、前記開口部の周囲に溝状に連続して形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
基板上に形成された第一電極と第二電極との間に機能層を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上に、有機平坦化層を形成する工程と、
前記有機平坦化層上に、前記第一電極を形成する工程と、
前記第一電極上に、無機材料層を形成する工程と、
前記無機材料層に、前記第一電極を区画しかつその上部を露出させる開口部を形成して無機隔壁を形成し、前記無機隔壁を貫通して前記有機平坦化層に到達する無機隔壁貫通孔を形成する工程と、
前記開口部内に機能層を形成する工程と、
前記機能層を覆って第二電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機ＥＬ装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板上に多数の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えた有機ＥＬ装置が知られている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や配線等を覆う平坦化層と、その平坦化層上に形成された電極（陽極）と、その電極を区画する開口部を有する隔壁と、その隔壁の開口部内に形成された機能層と、その機能層を覆って形成された電極（陰極）とを備えている。特に、有機発光層などの機能層を液相材料により形成する場合には、隔壁の開口部内に機能層の液相材料を配した後、乾燥させて形成する。
【０００３】
このような有機ＥＬ装置として、特性の異なる薄膜を同一基板上にパターニング成膜する場合、薄膜材料液体がバンクを超えて流れ出るという事態を防止し、平坦且つ均一厚みの色むらなどの無い安定した特性の薄膜層を確実に高精度に比較的簡単に歩留まり良く形成でき、高精細な微細パターンニングを可能とするものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を小さくすることによって均一な発光を実現するとともに、ＴＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光透過率を低下させることがないものが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特許第３３２８２９７号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の有機ＥＬ素子は、製造工程において、有機材料により形成された有機平坦化層が、フォトリソグラフィ法に用いられるレジスト剥離液等の処理液にさらされる。また、有機平坦化層は、内部に残留した溶媒等、ガスを発生させる不純物を多く含んでいる。そのため、処理液に含まれる物質が有機平坦化層中の不純物に作用してガスを発生させる。このようなガスは、有機平坦化層上に気密性の高い層、例えば、無機材料等により形成された陽極や無機隔壁等を形成した後においても発生する。そのため、発生したガスが有機ＥＬ装置の外部に排出されずに蓄積されて、ダークスポットを発生させる原因となり、表示品質を低下させるという課題がある。
このようなダークスポットは、有機ＥＬ装置の製造後も時間とともに成長し、複数の画素を含む領域が非発光領域となってしまう。
【０００５】
そこで、この発明は、有機平坦化層から発生するガスによる表示品質の低下を防止することができる有機ＥＬ装置およびその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成され、前記第一電極を区画しかつその上部を露出させる開口部が形成された隔壁と、前記隔壁の開口部内に設けられた機能層と、前記機能層を覆って設けられた第二電極と、を備え、前記隔壁は、少なくとも無機隔壁を備え、前記無機隔壁には、前記無機隔壁を貫通して前記有機平坦化層に到達する無機隔壁貫通孔が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
このように構成することで、無機隔壁の形成時には、有機平坦化層においてガスが発生しても、無機隔壁貫通孔を通して有機平坦化層の外部に排出される。また、無機隔壁を形成した後の製造工程においては、基板が加熱されて、有機平坦化層の温度が上昇することで、無機隔壁貫通孔からの不純物の排出が促進される。これにより、有機平坦化層中の不純物が減少してガスの発生が防止される。
したがって、有機平坦化層からガスが発生することを防止できるだけでなく、発生したガスを外部に排出することができ、ガスの蓄積による有機ＥＬ装置の表示品質の低下を防止することができる。
【０００８】
また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記隔壁は、親液性を有する前記無機隔壁と、撥液性を有する有機隔壁とを備え、前記有機隔壁は、前記無機隔壁上に形成され、前記有機隔壁の端部は前記無機隔壁の端部よりも前記無機隔壁に形成された前記無機隔壁貫通孔側に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
このように構成することで、隔壁の開口部内に液相材料を配し、乾燥させて機能層を形成する際に、有機隔壁により開口部外部への液相材料の流出が防止される。また、開口部内の有機隔壁と無機隔壁との境界に無機隔壁が段差状に露出されるので、開口部の有機隔壁と無機隔壁との境界付近における濡れ性が向上する。そのため、液相材料が乾燥して体積が減少し、液面が有機隔壁と無機隔壁との境界に近づくと、無機隔壁により液相材料の厚さが均一化され、機能層を平坦に形成することができる。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記無機隔壁は、前記有機平坦化層側に形成された第一無機隔壁と、前記有機隔壁側に形成された第二無機隔壁とを備え、前記第二無機隔壁の端部は、前記第一無機隔壁の端部よりも前記無機隔壁に形成された前記無機隔壁貫通孔側に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
このように構成することで、開口部における無機隔壁の表面積がより拡大し、機能層の液相材料に対する濡れ性がより向上する。したがって、機能層をより平坦に形成することができる。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記有機隔壁には、前記有機隔壁を貫通して前記無機隔壁貫通孔に連通するか、または、前記無機隔壁貫通孔を通って前記有機平坦化層に到達する有機隔壁貫通孔が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
このように構成することで、有機平坦化層中のガスを発生させる不純物を、有機隔壁貫通孔を通して、有機隔壁の外部へ排出することができる。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ装置は、前記無機隔壁貫通孔は、その開口が前記開口部の周囲に点在しているか、または、前記開口部の周囲に溝状に連続して形成されていることを特徴とする。
【００１５】
このように構成することで、無機隔壁貫通孔の開口面積を増加させ、より効果的に有機平坦化層の不純物を排出させ、機能層の近傍にガスが蓄積することを防止することができる。
【００１６】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に形成された第一電極と第二電極との間に機能層を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基板上に、有機平坦化層を形成する工程と、前記有機平坦化層上に、前記第一電極を形成する工程と、前記第一電極上に、無機材料層を形成する工程と、前記無機材料層に、前記第一電極を区画しかつその上部を露出させる開口部を形成して無機隔壁を形成し、前記無機隔壁を貫通して前記有機平坦化層に到達する無機隔壁貫通孔を形成する工程と、前記開口部内に機能層を形成する工程と、前記機能層を覆って第二電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
このように製造することで、無機隔壁の形成時には、有機平坦化層に含まれるガスを発生させる不純物が無機隔壁貫通孔を通して有機平坦化層の外部（基板の反対側）に排出される。また、無機隔壁を形成した後の製造工程においては、基板が加熱されて、有機平坦化層の温度が上昇することで、無機隔壁貫通孔からの不純物の排出が促進される。これにより、有機平坦化層中の不純物が減少してガスの発生が防止される。また、有機平坦化層においてガスが発生した場合であっても、無機隔壁貫通孔を通してガスを有機平坦化層の外部へ排出することができる。
したがって、有機平坦化層からガスが発生することを防止できるだけでなく、発生したガスを外部に排出することができ、ガスの蓄積による有機ＥＬ装置の表示品質の低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜第一実施形態＞
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
【００１９】
（有機ＥＬ装置）
図１は本実施形態の有機ＥＬ装置１の概略構成を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２上に形成された多数の有機ＥＬ素子３０の機能層１５から射出された光を、有機ＥＬ素子３０が形成された基板２とは反対側の封止基板２０から取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置である。
【００２０】
基板２は、例えば、Ｓｉ（シリコン）等により形成され、基板２上には、例えば、ＳｉＯ２（シリコン酸化物）等により絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３上には、個々の有機ＥＬ素子３０に対応して駆動用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４が設けられている。駆動用ＴＦＴ４は、絶縁膜３上に形成された半導体層５と、半導体層５のチャネル領域にゲート絶縁膜（図示略）を介して対向配置されたゲート電極６と、を備えている。そして、ゲート絶縁膜及びゲート電極６を覆って、層間絶縁膜７が形成されている。層間絶縁膜７上にはソース電極８及びドレイン電極９が形成され、それぞれ、コンタクトホール７ａ，７ｂを介して半導体層５のソース領域及びドレイン領域に接続されている。ソース電極８は、層間絶縁膜７上に形成された電源線１０３に接続されている。
【００２１】
これら駆動用ＴＦＴ４及び電源線１０３を覆って、基板２上を平坦化する平坦化層（有機平坦化層）１０が形成されている。平坦化層１０は、例えば、アクリル系やポリイミド系等の耐熱性及び絶縁性を有する有機材料により形成されている。平坦化層１０上には、有機ＥＬ素子３０の陽極である画素電極（第一電極）１１が形成されている。画素電極１１は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の反射性を有する導電性材料により形成されている。画素電極１１は、平坦化層１０を貫通してドレイン電極９に到達するコンタクトホール１０ａを介してドレイン電極９に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ４のゲート電極６は、後述するスイッチング用ＴＦＴ１１２に接続されて画素信号を保持する保持容量ｃａｐと電気的に接続されている。
【００２２】
画素電極１１上には、無機隔壁１２と、無機隔壁１２上に形成された有機隔壁１３とからなる隔壁１４が形成されている。隔壁１４には、画素電極１１を有機ＥＬ素子３０ごとに区画し、かつ画素電極１１の上部（基板２と反対側の面）を露出させる開口部１４ａが形成されている。また、有機隔壁１３の端部（開口部１４ａを規定する部分）は無機隔壁１２の端部（開口部１４ａを規定する部分）よりも隔壁１４に形成された開口部１２ｂ側に形成され、開口部１４ａ内に露出された無機隔壁１２の一部により、開口部１４ａ内の有機隔壁１３と無機隔壁１２との境界に階段状の段差が形成されている。
【００２３】
無機隔壁１２は、例えば、ＳｉＯ２等の絶縁性の無機材料により形成されている。そして、表面には親液化処理が施され、濡れ性が向上されて親液性を有している。有機隔壁１３は、例えば、平坦化層１０と同様の有機材料により形成されている。そして、表面には撥液化処理が施されて撥液性を有している。
【００２４】
ここで、本実施形態では、無機隔壁１２には、無機隔壁１２を貫通して平坦化層１０に到達する貫通孔（無機隔壁貫通孔）１２ｂが形成されている。有機隔壁１３は貫通孔１２ｂを介して有機平坦化層１０と接している。また、貫通孔１２ｂは、図２（ａ）に示すように、平面視でその開口が開口部１４ａの周囲に点在しているか、または、図２（ｂ）に示すように、開口部１４ａの周囲に溝状に連続して形成されている。また、図２（ｃ）に示すように、開口部１４ａの周囲に溝状の貫通孔１２ｂを連続して格子状に形成しても良い。
【００２５】
開口部１４ａの内部には、図１に示すように機能層１５が設けられている。機能層１５は、画素電極１１側に形成された正孔注入・輸送層１６と、その上に積層されて形成された発光層１７と、を備えている。正孔注入・輸送層１６は、例えば、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）の分散液、すなわち、ポリスチレンスルフォン酸を分散媒として、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液等の液相材料を乾燥させることにより形成されている。また、発光層１７は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料により形成されている。特にフルカラー表示を行う場合には、赤色、緑色、青色の各波長域に対応する光を発光する材料が用いられる。
【００２６】
ここで、発光層１７の形成材料としては、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。さらに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの燐光材料を用いることもできる。
【００２７】
機能層１５上には、機能層１５及び隔壁１４を覆って、有機ＥＬ素子３０の陰極である共通電極（第二電極）１８が設けられている。共通電極１８は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の光透過性を有する導電性材料により形成されている。
共通電極１８上には、光透過性を有する接着層１９を介して、例えば、ガラスや石英等の透明な材料により形成された封止基板２０が貼着されている。
【００２８】
図３は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の配線構造を示す模式図である。図３に示すように、有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａを形成したものである。
【００２９】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極６（図１参照）に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極６に供給される駆動用ＴＦＴ４と、この駆動用ＴＦＴ４を介して電源線１０３に電気的に接続したときに、電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１と、この画素電極１１と共通電極１８との間に挟み込まれた機能層１５とが設けられている。
なお、画素電極１１と共通電極１８と機能層１５とにより、有機ＥＬ素子３０が構成されている。
【００３０】
このような構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ４のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ４のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１に電流が流れ、さらに機能層１５を介して共通電極１８に電流が流れる。すると、機能層１５はこれを流れる電流量に応じて発光する。
【００３１】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、有機ＥＬ装置１の製造方法を説明し、本実施形態の作用について説明する。
まず、基板２上に絶縁膜３を形成し、絶縁膜３上に駆動用ＴＦＴ４、スイッチング用ＴＦＴ１１２及び上述の配線や回路等を形成する。図４（ａ）に示すように、絶縁膜３上に半導体層５と、半導体層５を覆うゲート絶縁膜（図示略）を形成し、その上にゲート電極６を形成する。そして、半導体層５に不純物をドープしてソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を形成する。そして、これらを覆うように層間絶縁膜７を形成し、フォトリソグラフィ法により、層間絶縁膜７を貫通し、半導体層５のソース領域及びドレイン領域に到達するコンタクトホール７ａ，７ｂを形成する。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜７上に電源線１０３を形成する。次いで、層間絶縁膜７上にソース電極８およびドレイン電極９を形成する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、これらを覆うように平坦化層１０を形成する。次いでフォトリソグラフィ法により、平坦化層１０を貫通し、ドレイン電極９に到達するコンタクトホール１０ａを形成する。
【００３３】
次に、図５（ａ）に示すように、平坦化層１０上に画素電極１１を形成し、コンタクトホール１０ａを介してドレイン電極９に接続する。
次いで、図５（ｂ）に示すように、画素電極１１及び平坦化層１０を覆うようにベタ状の無機材料層１２０を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、無機材料層１２０に画素電極１１を区画するとともに画素電極１１の上部を露出させる開口部１２ａと、無機材料層１２０を貫通して平坦化層１０に到達する貫通孔１２ｂを形成して、無機隔壁１２を形成する。このとき、平坦化層１０の内部には、ガスを発生させる不純物が残留した状態となっている。また、平坦化層１０は、フォトリソグラフィ法において用いられるレジスト剥離液にさらされる。
【００３４】
次に、図５（ｃ）に示すように、平坦化層１０、画素電極１１、及び無機隔壁１２を覆って有機材料層１３０を形成し、フォトリソグラフィ法により有機材料層１３０に開口部１３ａを形成して有機隔壁１３を形成する。このとき、有機隔壁１３の開口部１３ａは、無機隔壁１２の開口部１２ａよりも一回り大きく形成する。これにより、無機隔壁１２と有機隔壁１３とを備え、無機隔壁１２の開口部１２ａと有機隔壁１３の開口部１３ａからなる開口部１４ａが形成された隔壁１４が形成される。
【００３５】
次に、画素電極１１の表面を洗浄処理し、続いて、画素電極１１と無機隔壁１２と有機隔壁１３とを形成した側の面酸素プラズマ処理を行う。これにより、表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板２を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。
【００３６】
次いで、撥液化処理を行うことにより、特に有機隔壁１３の上面及び側面の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基板２を室温まで冷却することで、有機隔壁１３の上面及び側面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極１１の露出面および無機隔壁１２についても多少の影響を受けるが、画素電極１１の材料であるＩＴＯおよび無機隔壁１２の構成材料であるＳｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、酸素プラズマ処理で濡れ性が向上した面は濡れ性がそのままに保持される。
次に、基板２を、例えば、２００℃程度の温度に加熱してアニール処理を行う。
【００３７】
次いで、図１に示すように、隔壁１４に囲まれた開口部１４ａ内に正孔注入・輸送層１６を形成する。この正孔注入・輸送層１６の形成工程では、スピンコート法や液滴吐出法が採用されるが、本実施形態では、開口部１４ａ内に正孔注入・輸送層１６の形成材料を選択的に配する必要上、特に液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。このインクジェット法により、正孔注入・輸送層１６の形成材料であるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの分散液を画素電極１１の露出面上に配し、その後、熱処理（乾燥・焼成処理）を、例えば、２００℃で１０分間程度行うことにより、厚さ２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の正孔注入・輸送層１６を形成する。なお、この正孔注入・輸送層１６の形成方法については、特に無機隔壁１２や有機隔壁１３によって画素領域Ａを区画しない場合、前記したようにスピンコート法を採用することもできる。
【００３８】
次いで、この正孔注入・輸送層１６上に、発光層１７を形成する。この発光層１７の形成工程でも、上記の正孔注入・輸送層１６の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層１７の形成材料を正孔注入・輸送層１６上に吐出し、その後、窒素雰囲気中にて１３０℃で３０分間程度熱処理を行い、隔壁１４に形成された開口部１４ａ内、すなわち画素領域Ａ上に厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の発光層１７を形成する。なお、発光層１７の形成材料中に用いる溶媒としては、正孔注入・輸送層１６を再溶解させないもの、例えば、キシレンなどが好適に用いられる。また、この発光層１７の形成方法については、特に無機隔壁１２や有機隔壁１３によって画素領域Ａを区画しない場合、正孔注入・輸送層１６の形成の場合と同様に、スピンコート法を採用することもできる。
【００３９】
次いで、発光層１７及び有機隔壁１３を覆ってＩＴＯにより共通電極１８を形成する。この共通電極１８の形成では、正孔注入・輸送層１６や発光層１７の形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うことにより、画素領域Ａにのみ選択的に形成するのでなく、基板２のほぼ全面に共通電極１８を形成する。
その後、共通電極１８上に接着剤（吸着剤）を用いて接着層１９を形成し、さらにこの接着層１９によって封止基板２０を接着し、封止を行う。
【００４０】
本実施形態の有機ＥＬ装置１では、上述のように、無機隔壁１２に平坦化層１０に到達する貫通孔１２ｂが形成されている。そのため、無機隔壁１２の形成時に平坦化層１０がレジスト剥離液にさらされて、レジスト剥離液に含まれる化学物質が平坦化層１０中の不純物に作用してガスが発生したとしても、発生したガスは貫通孔１２ｂを通して平坦化層１０の外部へと排出される。したがって、平坦化層１０の内部や、平坦化層１０と画素電極１１及び無機隔壁１２との間にガスが蓄積されることが防止できる。
【００４１】
また、隔壁１４の開口部１４ａ内に液相材料を配し、乾燥させて機能層１５を形成する際に、隔壁１４により開口部１４ａ外部への液相材料の流出が防止される。また、開口部１４ａ内の有機隔壁１３と無機隔壁１２との境界に無機隔壁１２が段差状に露出されるので、その境界付近における無機隔壁１２の表面積が拡大して濡れ性が向上する。そのため、液相材料が乾燥して体積が減少し、液面が有機隔壁１３と無機隔壁１２との境界に近づくと、無機隔壁１２の濡れ性により液相材料の厚さが均一化され、機能層１５を平坦に形成することができる。
【００４２】
また、貫通孔１２ｂを有する無機隔壁１２を形成した後に、プラズマ処理やアニール処理等により基板２を加熱することで、平坦化層１０の温度が上昇して、貫通孔１２ｂからの不純物の排出が促進される。これにより、平坦化層１０中の不純物が減少する。したがって、有機ＥＬ素子３０を封止基板２０により封止した後、平坦化層１０からのガスの発生が防止され、有機ＥＬ装置１の内部にガスが蓄積することが防止される。
【００４３】
また、貫通孔１２ｂは、その開口が開口部１４ａの周囲に点在しているか、または、開口部１４ａの周囲に溝状に連続して形成されている。そのため、貫通孔１２ｂの開口面積を増加させて、より効果的に平坦化層１０の不純物やガスを排出させることができ、機能層１５の近傍にガスが蓄積することを確実に防止することができる。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１及びその製造方法によれば、平坦化層１０からガスが発生することを防止できるだけでなく、製造工程において平坦化層１０から発生したガスを外部に排出することができ、ガスの蓄積による有機ＥＬ装置１の表示品質の低下を防止することができる。
【００４５】
＜第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について、図１〜図５を援用し、図６（ａ）及び図６（ｂ）を用いて説明する。図６（ｂ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａでは、図６（ａ）に示す第一実施形態で説明した有機ＥＬ装置１の、無機隔壁１２が第一無機隔壁１２１及び第二無機隔壁１２２の二層構造からなる無機隔壁１２Ａとされている点で異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４６】
図６（ａ）は、図１に示す有機ＥＬ装置１を簡略化して表した断面図であり、図６（ｂ）は本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａを図６（ａ）に示す有機ＥＬ装置１と同様に簡略化して表した断面図である。図６（ａ）及び図６（ｂ）では、基板２、駆動ＴＦＴ４、電源線１０３、機能層１５、共通電極１８、接着層１９、封止基板２０等の図示を省略し、隔壁１４及び平坦化層１０を中心に表している。
【００４７】
図６（ｂ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａでは、無機隔壁１２Ａが平坦化層１０側に形成された第一無機隔壁１２１と、有機隔壁１３側に形成された第二無機隔壁１２２とにより構成されている。第一無機隔壁１２１は、例えば、第一実施形態と同様にＳｉＯ２等により形成され、第二無機隔壁１２２は、例えば、ＳｉＮ（シリコン窒化物）等により形成されている。第二無機隔壁１２２の端部（開口部１２１ｂを規定する部分）は、第一無機隔壁１２１の端部（開口部１２１ａを規定する部分）よりも隔壁１４Ａに形成された貫通孔１２ｂ側に形成され、開口部１４ａ内に第一無機隔壁１２１の一部が階段状に露出している。
【００４８】
本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、無機隔壁が第一無機隔壁１２１と第二無機隔壁１２２の二層によって構成され、第二無機隔壁１２２の端部は第一無機隔壁１２１の端部よりも隔壁１４Ａに形成された貫通孔１２ｂ側に形成され、開口部１４ａ内に第一無機隔壁１２１の一部が階段状に露出しているので、開口部１４ａ内の無機隔壁１２Ａの表面積が拡大する。そのため、上述の第一実施形態と同様に機能層１５を液相材料で形成する際に、機能層１５の液相材料に対する濡れ性がより向上する。したがって、機能層１５をより平坦に形成することができる。
また、上述の第一実施形態と同様に、無機隔壁１２Ａに貫通孔１２ｂが形成されているので、第一実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
＜第三実施形態＞
次に、本発明の第三実施形態について、図１〜図６を援用し、図７を用いて説明する。本実施形態では上述の第一、第二実施形態で説明した有機ＥＬ装置１，１Ａと、有機隔壁１３に貫通孔１３ｂが形成されている点で異なっている。その他の点は第一、第二実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５０】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂ，１Ｃを図６（ａ）及び図６（ｂ）と同様に簡略化して表した断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂ，１Ｃは、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、有機隔壁１３に、有機隔壁１３を貫通し、無機隔壁１２に形成された貫通孔１２ｂを通って平坦化層１０に到達する貫通孔（有機隔壁貫通孔）１３ｂが形成されている。貫通孔１３ｂは、アニール工程の前に、例えば、フォトリソグラフィ法等により形成する。
【００５１】
本実施形態では、製造工程において有機隔壁１３が形成された後も、平坦化層１０中のガスを発生させる不純物を、貫通孔１３ｂを通して有機隔壁１３の外部へ排出することができる。すなわち、平坦化層１０中の不純物や平坦化層１０において発生したガスを、有機隔壁１３を通すことなく、直接、平坦化層１０の外部に排出することができる。
したがって、第一、第二実施形態の有機ＥＬ装置１,１Ａと同様の効果が得られるだけでなく、さらに、ガスの発生をより確実に防止でき、製造工程において平坦化層１０から発生したガスを外部により確実に排出することができ、ガスの蓄積による有機ＥＬ装置１Ｂ，１Ｃの表示品質の低下をより確実に防止することができる。
【００５２】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、光透過性を有する共通電極の材料としては、ＩＴＯの他にも、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては、透明性を確保するうえで、７５ｎｍ程度とするのが好ましく、さらにこの膜厚より薄くするのがより好ましい。
【００５３】
また、上述の実施形態ではトップエミッション方式の有機ＥＬ装置について説明したが、本発明を上述の実施形態とは反対側から光を取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ装置に適用できることは言うまでもない。
また、ＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
【００５４】
また、上述の第二実施形態において、第一無機隔壁と第二無機隔壁にフォトリソグラフィ法により一括して貫通孔と開口部を設けても良い。これにより、製造工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。
【００５５】
また、上述の第三実施形態において、有機隔壁に形成された貫通孔（有機隔壁貫通孔）と無機隔壁に形成された貫通孔（無機隔壁貫通孔）とを略同じ径として、互いに連通するように形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る貫通孔の開口の配置を示す模式平面図である。
【図３】本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明する断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明する断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を簡略化して表した断面図であり、（ｂ）本発明の第二実施形態に係る有機ＥＬ装置の同断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第三実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を簡略化して表した断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  有機ＥＬ装置、２  基板、１０  平坦化層（有機平坦化層）、１１  画素電極（第一電極）、１２，１２Ａ  無機隔壁、１２ａ  開口部、１２ｂ  貫通孔（無機隔壁貫通孔）、１２１  第一無機隔壁、１２２  第二無機隔壁、１３  有機隔壁、１３ｂ  貫通孔（有機隔壁貫通孔）、１４，１４Ａ  隔壁、１４ａ  開口部、１５  機能層、１８  共通電極（第二電極）、１２０  無機材料層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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