(57)【要約】【課題】エージング時間を短縮できるＰＤＰ製造方法を提供する。【解決手段】前面ガラス基板１１上に表示電極１２と誘電体層１３と保護膜１５を備えた前面板１０と、背面ガラス基板２１上にデータ電極２２と下地誘電体層２３と隔壁２４と蛍光体層２５とを備えた背面板２０とが、放電空間３０を介して対向配置されたＰＤＰの製造方法において、前面板１０上に形成した保護膜１５の表面を２０〜６０ｎｍの深さまで除去する表面処理工程を有し、かつ表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気中にて行なうことにより、ＰＤＰのエージング時間を大幅に短縮でき、高生産性で省電力なＰＤＰの製造を実現することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のガラス基板上に第一の電極と誘電体層と保護膜とを備えた第一の基板と、第二のガラス基板上に第二の電極と隔壁と蛍光体層と周縁部に封着のための封着剤を備えた第二の基板とを、放電空間を介して互いに対向させて位置合わせするアライメント工程、基板間の放電空間を封止する封着工程を有し、さらに、加熱状態で放電空間内から排気を行うベーキング工程、放電空間内への放電ガスの導入工程、放電空間内に放電を発生させるエージング工程を経てプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、
前記第一のガラス基板上への保護膜形成後、保護膜を該保護層の表面から５０ｎｍまでの深さの部分を、屈折率が波長６３３ｎｍに対して１．４９以上１．７２以下となるまで除去する表面処理工程を有し、前記表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気で行なうことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
第二の基板の表面を１０〜５０ｎｍの深さまで除去する表面処理工程を有し、前記表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気で行なうことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
保護膜表面を表面から５０ｎｍまでの屈折率が波長６３３ｎｍに対して１．５５以上１．７０以下になるまで除去する表面処理工程を有することを特徴とする請求項１および請求項２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
表面処理工程、アライメント工程、封着工程の雰囲気中の水分量が０ｐｐｍより大きく、６５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１、請求項２および請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
表面処理工程、アライメント工程、封着工程の雰囲気中の水分量が０ｐｐｍより大きく、１５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１、請求項２および請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
保護膜が、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、あるいはそれらの混合物であることを特徴とする請求項１、請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
第一のガラス基板上に第一の電極と誘電体層と保護膜とを備えた第一の基板と、第二のガラス基板上に第二の電極と隔壁と蛍光体層と周縁部に封着のための封着剤を備えた第二の基板とを、放電空間を介して互いに対向させて位置合わせするアライメント工程、基板間の放電空間を封止する封着工程を有し、さらに、加熱状態で放電空間内から排気を行うベーキング工程、放電空間内への放電ガスの導入工程、放電空間内に放電を発生させるエージング工程を経てプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第一のガラス基板上への保護膜形成後、保護膜の表面を２０〜６０ｎｍの深さまで除去する表面処理工程を有し、前記表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気で行なうことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
第二の基板の表面を１０〜５０ｎｍの深さまで除去する表面処理工程を有し、前記表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気で行なうことを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
保護膜表面を３０〜４５ｎｍの深さまで除去する表面処理工程を有することを特徴とする請求項６および請求項７記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
表面処理工程、アライメント工程、封着工程の雰囲気中の水分量が０ｐｐｍより大きく、６５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項６、請求項７および請求項８記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
表面処理工程、アライメント工程、封着工程の雰囲気中の水分量が０ｐｐｍより大きく、１５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項６、請求項７および請求項８記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
保護膜が、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、あるいはそれらの混合物であることを特徴とする請求項７、請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の一般的なＡＣ（交流）駆動方式の面放電型プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）の構成について、図面を参照して説明する。図７はＰＤＰのセル構造を示す断面図である。図示するように、ＰＤＰは、前面板８０と背面板８１を有し、前面板８０と背面板８１の間の放電空間８２に放電ガスが封入されている。前面板８０は、ガラス基板８３上に、複数の対になった平行な表示電極８４と、誘電体層８５と、保護膜８６が順に積層されている。背面板８１は、ガラス基板８７上に、複数の平行なデータ電極８８と、誘電体層８９と、隔壁９０と、蛍光体層９１が形成されている。
【０００３】
ＰＤＰが画像を表示する動作は以下のとおりである。まず背面板８１のデータ電極８８と前面板８０の表示電極８４との間で予備放電を発生させて放電させる放電セルが選択される。次に、選択された放電セルの対をなす表示電極８４の間に電圧が加えられる。その結果、放電セル内のＸｅとＮｅなどの混合ガスが電離してプラズマ放電が発生し、そのプラズマから発生した紫外線が蛍光体層９１を発光させて画像を表示する。
【０００４】
従来のＰＤＰ製造工程を図８に示す。この製造工程は、前面板作製工程（Ｓ１）と背面板作製工程（Ｓ２）を含む。前面板作製工程（Ｓ１）では、前面板８０の上に、フォトリソグラフィ法などにより表示電極８４が形成され（Ｓ１１）、スクリーン印刷法などにより誘電体層８５が形成され（Ｓ１２）、最後に、保護膜８６が成膜される（Ｓ１３）。
【０００５】
背面板作製工程（Ｓ２）では、背面板８１の上に、フォトリソグラフィ法などによりデータ電極８７が形成され（Ｓ２１）、スクリーン印刷法などにより誘電体層８９が形成され（Ｓ２２）、サンドブラスト法などにより隔壁９０の形成が形成され（Ｓ２３）、最後に、隔壁間に蛍光体ペーストが充填され焼成されて蛍光体層９１が成膜される（Ｓ２４）。そして、背面板８１の前面板８０に対向される側の面の周縁部に、封着剤（ガラスフリット）が塗布されて、約４００℃の温度で焼成して封着層が形成される（Ｓ２５）。
【０００６】
以上のようにして準備された前面板８０と背面板８１は、それぞれに形成された表示電極８４とデータ電極８７とが直交する向きになるように、互いに対向されて重ね合わされる（Ｓ３）。重ね合わせた前面板８０と背面板８１は、約４５０℃の温度で加熱される。これにより、背面板８１に形成された封着層が前面板８０に溶着し、背面板８１と前面板８０の間に形成される放電空間８２の周囲が封止される（Ｓ４）。
【０００７】
その後、温度約３５０℃の加熱状態で、例えば前面板８０に予め形成された排気孔及びそれに接続された排気管を通じて放電空間８２が排気（ベーキング）され（Ｓ５）、冷却後に放電空間８２内に放電ガスが所定の圧力（４００〜６００Ｔｏｒｒ）で導入される（Ｓ６）。放電ガスの導入が終了した後、排気および放電ガスの導入に使用された排気管が封止される。最後に、前面板８０の表示電極８４に駆動パルスが印加されて所定時間放電が行われ、前面板８０に形成された保護膜８６の活性化および放電の安定化を実現するエージングが行われ、ＰＤＰの初期パネル特性の安定化が行われる（Ｓ７）。
【０００８】
このように製造されるＰＤＰにおいて、保護層８６は、アドレス放電時に生じるイオン衝撃（スパッタリング）から誘電体層と電極を保護する役割と、その放電時に２次電子を放出し電荷を保持するいわゆるメモリ機能の役割を果たす。そのため保護層８６は、耐スパッタ性と２次電子放出性に優れた金属酸化膜が一般的に用いられている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００９】
保護層８６に用いられる金属酸化物は、化学的に非常に活性であることから、大気に暴露されるとその表面に水（Ｈ２Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ２）が吸着しやすく、また金属酸化物が金属水酸化物や金属炭酸化物に変質しやすくなる。その結果、放電開始電圧が上昇して放電が安定せず、放電開始電圧を安定化するためのエージング処理に長時間を要するという課題がある。
【００１０】
エージング時間の短縮という課題を解決するために、特許文献２に記載されているように、排気処理の一部の工程として、酸素、窒素などの清浄用ガスの充填および排気を繰り返す処理を行いことで、また特許文献３に記載されているように、酸素を含む清浄用ガスをパネル内に充填し、放電によって内部の清浄化を図り、エージング処理時間を短縮する方法が提案されている。しかしながら、特許文献１、２に示されているような清浄用ガスを用いる製造方法では、パネル内部の保護膜表面を十分にかつパネル面内を均一に清浄化できる可能性が低く、その結果、ＰＤＰのエージング時間を短縮させる効果は不十分である可能性が高いと考えられる。
【００１１】
また、特許文献４に記載されているように、保護層形成工程後からアライメント工程、封着工程までを真空雰囲気で行なうことで、保護層表面へのＨ２ＯやＣＯ２の吸着、もしくは金属酸化物の金属水酸化物や金属炭酸化物への変質を抑制することにより、エージング処理時間を短縮する方法が提案されている。
【非特許文献１】２００１  ＦＰＤテクノロジー大全、株式会社電子ジャーナル、２０００年１０月２５日、ｐ５９８−ｐ６００
【特許文献１】特開平３−２３０４４７号公報
【特許文献２】特開平５−１９００９６号公報
【特許文献３】特開２０００−１５６１６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、前記特許文献４に示されている保護層形成工程後からアライメント工程、封着工程までを真空雰囲気で行なうことで、エージング処理時間は多少短縮されるが、不十分である可能性が高いと考えられる。保護層表面へのＨ２ＯやＣＯ２の吸着、もしくは金属酸化物の金属水酸化物や金属炭酸化物への変質を抑制することにより、これらを清浄化するためのエージング処理時間は短縮されるが、保護膜表面を活性定常化するためのエージング処理時間への短縮の効果はないと考えられる。
【００１３】
また、今後のＰＤＰの高精細化および高輝度化を実現するためには、ＰＤＰ内でプラズマを発生させるガスのＸｅ分圧を８０〜１００％まで上げることが必要とされる。ところがＸｅ分圧が上がると、保護膜の活性定常化および放電の安定化のためのエージングが長時間（発明者らの実験によると、現状のエージング時間の５０〜１００倍）必要になる。他方、本発明者らは、エージング時間の短縮化を模索する検討の中で、保護層表面へのＨ２ＯやＣＯ２の吸着、もしくは金属酸化物の金属水酸化物や金属炭酸化物へ変質がエージング時間に及ぼす影響よりも、保護膜表面を活性定常化することがエージング時間に及ぼす影響のほうが大きいことを見出した。その意味から、現在の上述した製造方法ではエージング時間の短縮はますます不十分となり、ＰＤＰの生産性の低下とエージング工程での多大な電力の使用という課題が発生してきた。
【００１４】
本発明は、このような課題を解決するもので、現状のＸｅ分圧におけるエージング時間を短縮するとともに、またＸｅ分圧が８０〜１００％の場合に大幅に増大するエージング時間を大幅に短縮し、生産性の向上および投入電力の少ないＰＤＰの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、第一のガラス基板上に第一の電極と誘電体層と保護膜とを備えた第一の基板と、第二のガラス基板上に第二の電極と隔壁と蛍光体層と周縁部に封着のための封着剤を備えた第二の基板とを、放電空間を介して互いに対向させて位置合わせするアライメント工程、基板間の放電空間を封止する封着工程を有し、さらに、加熱状態で放電空間内から排気を行うベーキング工程、放電空間内への放電ガスの導入工程、放電空間内に放電を発生させるエージング工程を経てプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、前記第一のガラス基板上への保護膜形成後、保護膜を該保護層の表面から５０ｎｍまでの深さの部分を、屈折率が波長６３３ｎｍに対して１．４９以上１．７２以下となるまで除去する表面処理工程を有し、前記表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気で行なうことを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、保護層表面へのＨ２ＯやＣＯ２の吸着物、もしくは金属酸化物の金属水酸化物や金属炭酸化物への変質物を除去でき、かつ保護膜表面が活性定常化された状態でアライメント、封着ができるため、放電の安定化のためのエージング時間が大幅に短縮でき、生産性の向上および投入電力の少ないＰＤＰの製造方法を実現することができる。
【００１７】
また、本発明のＰＤＰの製造方法は、第一のガラス基板上に第一の電極と誘電体層と保護膜とを備えた第一の基板と、第二のガラス基板上に第二の電極と隔壁と蛍光体層と周縁部に封着のための封着剤を備えた第二の基板とを、放電空間を介して互いに対向させて位置合わせするアライメント工程、基板間の放電空間を封止する封着工程を有し、さらに、加熱状態で放電空間内から排気を行うベーキング工程、放電空間内への放電ガスの導入工程、放電空間内に放電を発生させるエージング工程を経てプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記第一のガラス基板上への保護膜形成後、保護膜の表面を２０〜６０ｎｍの深さまで除去する表面処理工程を有し、前記表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気で行なうことを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、保護層表面へのＨ２ＯやＣＯ２の吸着物、もしくは金属酸化物の金属水酸化物や金属炭酸化物への変質物を除去でき、かつ保護膜表面が活性定常化された状態でアライメント、封着ができるため、放電の安定化のためのエージング時間が大幅に短縮でき、生産性の向上および投入電力の少ないＰＤＰの製造方法を実現することができる。
【００１９】
また、第二の電極と隔壁と蛍光体層と周縁部に封着のための封着剤を備えた第二の基板の表面を１０〜５０ｎｍの深さまで除去する表面処理工程を有し、第一の基板の表面処理工程、第二の基板の表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気で行なうことを特徴としている。
【００２０】
このような構成によれば、第二の基板の表面に吸着もしくは反応した不純物もしくは反応生成物を除去でき、また第一の基板の保護層表面へのＨ２ＯやＣＯ２の吸着、もしくは金属酸化物の金属水酸化物や金属炭酸化物への変質を除去でき、かつ保護膜表面が活性定常化された状態でアライメント、封着ができるため、放電の安定化のためのエージング時間が大幅に短縮でき、生産性の向上および投入電力の少ないＰＤＰの製造方法を実現することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明のＰＤＰの製造方法によれば、現状のＸｅ分圧の場合のエージング時間を短縮するとともに、またＸｅ分圧が８０〜１００％の場合に大幅に増大するエージング時間を大幅に短縮し、生産性の向上および投入電力の少ないＰＤＰの製造を行うことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【実施の形態１】
【００２３】
図１は本発明の実施の形態で製造されたＰＤＰの一部を取り出した部分断面斜視図であり、図２は図１における矢印Ａ方向からみた放電セルの部分断面図である。図１および図２において、ＰＤＰ１００は、第一の基板である前面板１０と第二の基板である背面板２０とが放電空間３０を介して対向配置された構成となっている。前面板１０は、第一のガラス基板である前面ガラス基板１１上に対になった互いに平行な複数の第一の電極である表示電極１２と発光時のコントラストを高めるためのブラックストライプと呼ばれる複数の光吸収層１６が形成され、それらを覆うように第一の誘電体層である誘電体層１３と、ＭｇＯからなる保護膜１５が形成されている。後に詳細に説明するように、保護膜１５は、その表面の２０〜６０ｎｍ深さまでの部分が除去されている。
【００２４】
背面板２０は、第二のガラス基板である背面ガラス基板２１上に表示電極１２と直交する複数の第二の電極であるデータ電極２２が形成され、それを覆うように第二の誘電体層である下地誘電体層２３が形成され、下地誘電体層２３上にデータ電極２２と平行な複数の隔壁２４が形成され、さらに隔壁２４と下地誘電体層２３上には蛍光体層２５が形成されている。
【００２５】
画像を表示する動作時、表示電極１２とデータ電極２２の間に所定の電圧が印加される。これにより、表示電極１２とデータ電極２２の間に小さな書き込み放電が生じ、その後、対になった表示電極１２間で主放電が生じる。放電は放電セル内のＸｅとＮｅの混合ガスが電離したプラズマ放電であり、そのプラズマから発生した紫外線が蛍光体層２５に照射されて蛍光体層２５が発光することで画像を表示する。
【００２６】
実施の形態１に係るＰＤＰの製造プロセスを図３に示す。この製造プロセスによれば、前面板１０の作製工程（Ｓ１）において、前面ガラス基板１１上に、フォトリソグラフィ法などにより表示電極１２が形成され（Ｓ１１）、スクリーン印刷法などにより誘電体層１３が形成され（Ｓ１２）、その後、誘電体層１３の上に保護膜１５が成膜される（Ｓ１３）。保護膜１５の成膜は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などによって行われる。
【００２７】
次に、前面板１０に形成された保護膜１５に対して、その保護膜表面の２０〜６０ｎｍ深さまでの部分を、水分量６５０ｐｐｍに制御された雰囲気中でスパッタエッチング法によって除去する。具体的は、Ａｒガスを導入した雰囲気を圧力０．２〜１．０Ｐａに調圧し、ＲＦ電極に１３．５６ｋＨｚ、０．２〜１．０Ｗ／ｃｍ２の電力を投入し、５〜１０分スパッタエッチングを行なう。この条件は単なる一例であって、例えば投入電力を増加させることにより処理時間を短くすることも可能である。
【００２８】
背面板２０の作製工程では、背面ガラス基板２１上に、フォトリソグラフィ法などによりデータ電極２２を形成し（Ｓ２１）、スクリーン印刷法などにより誘電体層２３を形成し（Ｓ２２）、サンドブラスト法などにより隔壁２４を形成し（Ｓ２３）、その後、隔壁２４の間に蛍光体ペーストを充填して焼成することにより、蛍光体層２５を成膜する（Ｓ２４）。次に、背面板２０の前面板１０に対向される側の面の周縁部に、封着用の封着剤が塗布し、約４００℃の温度で焼成されることにより封着層が形成する（Ｓ２５）。
【００２９】
このようにして保護膜表面の２０〜６０ｎｍ深さまでの部分が除去された前面板１０は、背面板２０とともに、水分量６５０ｐｐｍに制御された雰囲気中に導入され、アライメント処理（Ｓ３）、封着処理（Ｓ４）が行なわれる。具体的には、前面板１０と背面板２０は、それぞれに形成された表示電極１２とデータ電極２２とが直交する向きになるように、互いに対向されて重ね合わされる。重ね合わされた前面板１０と背面板２０は、約４５０℃の温度で加熱される。これにより、背面板２０に形成された封着層が前面板１０に溶着し、背面板２０と前面板１０の間に形成された放電空間３０の周囲が封止される。
【００３０】
その後、温度約３５０℃の加熱状態で、例えば前面板８０に予め形成された排気孔及びそれに接続された排気管を通じて放電空間８２が排気（ベーキング）され（Ｓ５）、冷却後に放電空間８２内にＸｅ分圧が１００％の放電ガスが所定の圧力（２００〜６００Ｔｏｒｒ）で導入される（Ｓ６）。放電ガスの導入が終了した後、排気および放電ガスの導入に使用された排気管が封止される。最後に、前面板８０の表示電極８４に駆動パルスが印加されて所定時間放電が行われ、前面板８０に形成された保護膜８６の活性化および放電の安定化を実現するエージングが行われ、ＰＤＰの初期パネル特性の安定化が行われる（Ｓ７）。
【００３１】
放電ガスの導入が終了した後、排気および放電ガスの導入に使用された排気管が封止される。そして、前面板１０の表示電極１２に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、保護膜表面を２０〜６０ｎｍ深さまでの部分が除去された保護膜１５の活性定常化および放電の安定化を実現するエージングが行われ、ＰＤＰの初期パネル特性の安定化が行われる（Ｓ７）。
【００３２】
図４は、前面板１０に形成された保護膜１５の表面をスパッタエッチング法にて部分的に除去した除去膜厚と、この保護膜１５の一部を除去した前面板１０を使用したＰＤＰのエージング時間の関係を示している。なお、縦軸は、従来の製造方法で作製された、放電ガスのＸｅ分圧が１００％のＰＤＰのエージング時間（Ｔ０）に対する、保護膜５２を部分的に除去したＰＤＰのエージング時間（ｔ１）の割合（１００ｔ１／Ｔ）を表している。図４より、表面から保護膜表面を２０〜６０ｎｍ深さまでの部分を除去した保護膜１５を有するＰＤＰのエージング時間は、従来の製造方法で作製されたＰＤＰに対して、１／２０以下に短縮できるのがわかる。また、図４より、表面から保護膜表面を３０〜４５ｎｍ深さまでの部分を除去した保護膜を有するＰＤＰは、エージング時間をほとんど要しないことがわかる。
【００３３】
なお、保護膜１５を表面から２０から６０ｎｍ深さまでの部分を除去する方法としてスパッタエッチング法を挙げたが、その方法は限定的ではなく、例えば、ドライエッチング法、研磨法なども採用し得る。
【００３４】
次に、図５は、表面処理工程、アライメント工程、封着工程における雰囲気中の水分量と、ＰＤＰのエージング時間の関係を示している。ここで、縦軸は従来の製造方法で作製された、放電ガスのＸｅ分圧が１００％のＰＤＰのエージング時間（Ｔ０）に対する、保護膜５２を部分的に除去したＰＤＰのエージング時間（ｔ１）の割合（１００ｔ１／Ｔ）を表している。図５より、表面処理工程、アライメント工程、封着工程における雰囲気中の水分量を０ｐｐｍより大きく、１５０ｐｐｍ以下にすると、エージング時間がさらに短縮できることがわかる。
【実施の形態２】
【００３５】
保護膜１５の表面から５０ｎｍまでの深さの屈折率が波長６３３ｎｍの光に対して１．４９以上１．７２以下になるように、保護膜１５の表面を除去しても、実施の形態１と同様の効果が得られる。さらに、保護膜１５の表面から５０ｎｍまでの深さの屈折率が波長６３３ｎｍに対して１．５５以上１．７０以下になるようにすると、エージング時間をほとんど要しない。
【００３６】
図６に示すように、背面板２０に形成された隔壁２４と蛍光体層２５に対して、水分量６５０ｐｐｍに制御された雰囲気中で表面を１０〜５０ｎｍ深さまでの部分を除去し（表面処理工程Ｓ２６）、表面除去された背面板２０と、保護膜表面を２０〜６０ｎｍ深さまで除去された前面板１０とを、水分量６５０ｐｐｍに制御された雰囲気中に導入してアライメント処理（Ｓ３）及び封着処理（Ｓ４）を行なうと、背面板２０の表面に吸着又は反応した不純物若しくは反応生成物を除去でき、さらなるエージング時間の短縮ができる。
【００３７】
本発明において保護膜の材料は限定的ではなく、ＭｇＯに限らず、ＢｅＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、あるいはそれらの混合物も保護膜に利用できる。
【００３８】
放電ガスとしてＸｅ分圧が１００％である場合について述べたが、他のＸｅ分圧でも効果がある。ただし、Ｘｅ分圧が８０〜１００％の時に特に効果が大きい。
【００３９】
以上のように、上述したＰＤＰの製造方法によれば、前面板１０の作製工程において、保護膜１５の形成工程の後に、スパッタエッチング法等の方法により、保護膜１５を表面から保護膜表面を２０〜６０ｎｍ深さまでの部分を除去するとともに、表面処理工程、アライメント工程、封着工程を水分量が制御された雰囲気で行なうことにより、エージング時間の短縮ができる。特に、Ｘｅ分圧が８０〜１００％の時にエージング時間短縮の効果が大きい。そして、エージング時間を短縮できることにより、ＰＤＰの生産性を向上できるとともに、エージングに必要な多大な投入電力の削減でＰＤＰの製造コストをダウンさせることができるようになる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、エージング時間を短縮できることにより、ＰＤＰの生産性を向上できるとともに、エージングに必要な多大な投入電力の削減に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態１に係るＰＤＰの部分断面斜視図。
【図２】図１における矢印Ａ方向からみたＰＤＰセルの部分断面図。
【図３】本発明の実施の形態１に係るＰＤＰの製造方法を示す流れ図。
【図４】本発明の実施の形態１に係る保護膜表面からの除去膜厚とＰＤＰのエージング時間の関係を示すグラフ。
【図５】本発明の実施の形態１に係る雰囲気中の水分量とＰＤＰのエージング時間の関係を示すグラフ。
【図６】本発明の実施形態２に係るＰＤＰの製造方法を示す流れ図。
【図７】従来のＰＤＰのセル構造を示す断面図。
【図８】従来のＰＤＰの製造方法を示す流れ図。
【符号の説明】
【００４２】
１０    前面板
１１    前面ガラス基板
１２    表示電極
１３    誘電体層
１５    表面を２０〜６０ｎｍ深さまでの部分が除去された保護膜
１６    光吸収層
２０    背面板
２１    背面ガラス基板
２２    データ電極
２３    下地誘電体層
２４    隔壁
２５    蛍光体層
２６    隔壁および蛍光体層表面を１０〜５０ｎｍ深さまでの部分が除去された表面
３０    放電空間
８０    前面板
８１    背面板
８２    放電空間
８３    前面ガラス基板
８４    表示電極
８５    誘電体層
８６    保護膜
８７    背面ガラス基板
８８    データ電極
８９    下地誘電体層
９０    隔壁
９１    蛍光体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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