(57)【要約】【課題】電界記録再生ヘッド、それを採用した電界記録再生装置及び電界記録再生ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】電界効果により強誘電性の記録媒体に／から情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドであって、半導体基板と、半導体基板の前記記録媒体と対向する上面から引き込まれて形成されるリセス部と、そのリセス部内に設けられた記録再生部と、を備える電界記録再生ヘッドである。【選択図】図２
2009134853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果により強誘電性の記録媒体に／から情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の前記記録媒体と対向する上面から引き込まれて形成されたリセス部と、
前記リセス部内に設けられた記録再生部と、を備えることを特徴とする電界記録再生ヘッド。
【請求項２】
前記半導体基板の上面には、空気軸受パターンが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項３】
前記記録再生部は、前記記録媒体の記録面に向かって突出し、少なくとも前記空気軸受パターンより突出していないプローブ形態であることを特徴とする請求項２に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項４】
前記記録再生部は、低濃度ドーピング領域である抵抗領域と、前記抵抗領域により互いに区分され、高濃度ドーピング領域であるソース領域及びドレイン領域と、を備えることを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれか一項に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項５】
前記抵抗領域は、前記記録面に向かって突出したプローブ形態であることを特徴とする請求項４に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項６】
前記記録再生ヘッドは、前記ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ電気的に接触させた第１及び第２コンタクトパッドをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項７】
前記第１及び第２コンタクトパッドは、前記半導体基板の下面から前記ソース領域及びドレイン領域を電気的に接触させることを特徴とする請求項６に記載の電界記録再生ヘッド。
【請求項８】
強誘電性の記録媒体と、
前記記録媒体上で浮き上がって、電界効果により前記記録媒体に／から情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドと、を備え、
前記電界記録再生ヘッドは、
半導体基板と、
前記半導体基板の前記記録媒体と対向する上面から引き込まれて形成されたリセス部と、
前記リセス部内に設けられた記録再生部と、を備えることを特徴とする電界記録再生装置。
【請求項９】
前記半導体基板の上面には、空気軸受パターンが形成されたことを特徴とする請求項８に記載の電界記録再生装置。
【請求項１０】
前記記録再生部は、前記記録媒体の記録面に向かって突出し、少なくとも空気軸受パターンよりは突出していないプローブ形態であることを特徴とする請求項９に記載の電界記録再生装置。
【請求項１１】
前記記録再生部は、低濃度ドーピング領域である抵抗領域と、前記抵抗領域により互いに区分され、高濃度ドーピング領域であるソース領域及びドレイン領域と、を備えることを特徴とする請求項８ないし１０のうちいずれか一項に記載の電界記録再生装置。
【請求項１２】
前記抵抗領域は、前記記録面に向かって突出したプローブ形態であることを特徴とする請求項１１に記載の電界記録再生装置。
【請求項１３】
前記記録再生ヘッドは、前記ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ電気的に接触させた第１及び第２コンタクトパッドをさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の電界記録再生装置。
【請求項１４】
前記第１及び第２コンタクトパッドは、前記半導体基板の下面から前記ソース領域及びドレイン領域を電気的に接触させることを特徴とする請求項１３に記載の電界記録再生装置。
【請求項１５】
半導体基板上にマスクをパターニングして、前記半導体基板の上面が露出された第１及び第２領域と、前記第１領域と第２領域との間に位置し、前記マスクにより覆われた第３領域とを定義する工程と、
前記第１及び第２領域に不純物を注入して拡散させて、前記第１及び第２領域に低抵抗の半導体領域を、前記第３領域に高抵抗の半導体領域を形成する工程と、
前記第３領域を覆った前記マスクのうち一部を除去する工程と、
前記第１、第２領域及び前記第３領域の露出された部分を異方性エッチング工程によりエッチングして、前記半導体基板の上面から引き込ませる工程と、
前記マスクを除去する工程と、を含むことを特徴とする電界記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記第１及び第２領域を電気的に接触させる第１及び第２コンタクトパッドを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
第１及び第２コンタクトパッドを形成する工程は、
前記半導体基板の一部をその下面からエッチングして、前記第１及び第２領域を露出させる第１及び第２コンタクトホールを形成する工程と、
前記第１及び第２コンタクトホールに金属物質を堆積させる工程と、を含むことを特徴とする請求項１６に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記半導体基板の上面に空気軸受パターンを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１５ないし１７のうちいずれか一項に記載の電界記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
基板と、
前記基板の上面に位置する第１部材と、
前記第１部材の端部に設けられた開口と、
前記開口に設けられた記録再生ユニットと、を備えることを特徴とする記録再生装置。
【請求項２０】
前記開口に該当する位置に前記基板の上面から下方に引き込んで形成されたリセス部をさらに備え、前記記録再生ユニットは、前記リセス部に形成されたことを特徴とする請求項１９に記載の記録再生装置。
【請求項２１】
前記第１部材は、空気軸受面であることを特徴とする請求項１９または２０に記載の記録再生装置。
【請求項２２】
前記開口は、空気軸受面により覆われていることを特徴とする請求項２１に記載の記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録再生ヘッド、それを採用した記録再生装置及び記録再生ヘッドの製造方法に係り、特に電界記録再生ヘッド、それを採用した電界記録再生装置及び電界記録再生ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの主保存装置として主に使われるＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）は、記録媒体を回転させつつ磁気記録再生ヘッドを利用して情報を記録再生する装置である。すなわち、磁場を利用して磁性記録媒体に第１方向及びその逆方向（以下、第２方向という）に磁化された複数の磁気ドメインを形成し、第１方向に磁化された磁気ドメインをデータ‘０’に、第２方向に磁化された磁気ドメインをデータ‘１’に対応させる。
【０００３】
かかる磁気記録方式が使われるＨＤＤの記録密度は、最近数十年間急増して、水平磁気記録方式のＨＤＤの場合、約１００Ｇｂ／ｉｎ２の記録密度が得られ、垂直磁気記録方式のＨＤＤの場合、最大約５００Ｇｂ／ｉｎ２の記録密度が得られると予想される。しかし、磁気記録再生ヘッドでは強い局部磁場を生成しがたいため、記録密度を高めるのに限界がある。
【０００４】
最近、磁場でない電界によりデータが記録される強誘電性の記録媒体及びその記録再生のための電場センサーについての研究が行われつつある。電界記録方式は、電界を利用して強誘電体の表面に第１方向及びその逆方向（以下、第２方向という）に分極された電気ドメインを形成し、第１及び第２方向に分極された電気ドメインをデータ‘０’及び‘１’にそれぞれ対応させる方式である。電気ドメインの分極方向によってその上に位置する電場センサーの抵抗が変わるので、電場センサーのソース電極とドレイン電極との間に流れる電流量が変わる。この電流量の変化を検出することによって、電気ドメインに書き込まされた情報を判別できる。電界記録再生方式によれば、１Ｔｂ／ｉｎ２以上の高い記録密度が得られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、電界効果により強誘電性の記録媒体に／から情報を記録／再生できる電界記録再生ヘッド、その製造方法及びそれを採用した電界記録再生装置を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明による電界記録再生ヘッドは、電界効果により強誘電性の記録媒体に／から情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドであって、半導体基板と、前記半導体基板の前記記録媒体と対向する上面から引き込まれて形成されたリセス部と、前記リセス部内に設けられた記録再生部と、を備える。
【０００７】
本発明による電界記録再生装置は、強誘電性の記録媒体と、前記記録媒体上で浮き上がって、電界効果により前記記録媒体に／から情報を記録／再生する電界記録再生ヘッドと、を備え、前記電界記録再生ヘッドは、半導体基板と、前記半導体基板の前記記録媒体と対向する上面から引き込まれて形成されたリセス部と、前記リセス部内に設けられた記録再生部と、を備える。
【０００８】
一実施形態として、前記半導体基板の上面には、空気軸受パターンが形成される。
【０００９】
一実施形態として、前記記録再生部は、前記記録媒体の記録面に向かって突出し、少なくとも前記空気軸受パターンよりは突出していないプローブ形態でありうる。
【００１０】
一実施形態として、前記記録再生部は、低濃度ドーピング領域である抵抗領域と、前記抵抗領域により互いに区分され、高濃度ドーピング領域であるソース領域及びドレイン領域と、を備える。前記抵抗領域は、前記記録面に向かって突出したプローブ形態でありうる。前記記録再生ヘッドは、前記ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ電気的に接触させた第１及び第２コンタクトパッドをさらに備える。前記第１及び第２コンタクトパッドは、前記半導体基板の下面から前記ソース領域及びドレイン領域を電気的に接触させる。
【００１１】
本発明による記録再生装置は、基板と、前記基板の上面に位置する第１部材と、前記第１部材の端部に設けられた開口と、前記開口に設けられた記録再生ユニットと、を備える。
【００１２】
一実施形態として、前記記録再生装置は、前記開口に該当する位置に前記基板の上面から下方に引き込んで形成されたリセス部をさらに備え、前記記録再生ユニットは、前記リセス部に形成される。
【００１３】
一実施形態として、前記第１部材は、空気軸受面でありうる。
【００１４】
一実施形態として、前記開口は、空気軸受面により覆われている。
【００１５】
本発明の電界記録再生ヘッドの製造方法は、半導体基板上にマスクをパターニングして、前記半導体基板の上面が露出された第１及び第２領域と、前記第１領域と第２領域との間に位置し、前記マスクにより覆われた第３領域とを定義する工程と、前記第１及び第２領域に不純物を注入して拡散させて、前記第１及び第２領域に低抵抗の半導体領域を、前記第３領域に高抵抗の半導体領域を形成する工程と、前記第３領域を覆った前記マスクのうち一部を除去する工程と、前記第１、第２領域及び前記第３領域の露出された部分を異方性エッチング工程によりエッチングして前記半導体基板の上面から引き込ませる工程と、前記マスクを除去する工程と、を含む。
【００１６】
一実施形態として、前記製造方法は、前記第１及び第２領域を電気的に接触させる第１及び第２コンタクトパッドを形成する工程をさらに含む。一実施形態として、前記第１及び第２コンタクトパッドを形成する工程は、前記半導体基板の一部をその下面からエッチングして、前記第１及び第２領域を露出させる第１及び第２コンタクトホールを形成する工程と、前記第１及び第２コンタクトホールに金属物質を堆積させる工程と、を含む。
【００１７】
一実施形態として、前記製造方法は、前記半導体基板の上面に空気軸受パターンを形成する工程をさらに含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付された図面を参照して、本発明による電界記録再生ヘッド、それを採用した電界記録再生装置、及び電界記録再生ヘッドの製造方法の実施形態を説明する。添付された図面に示した層や領域の幅及び厚さは、明細書の明確性のために誇張されて示したものである。そして、添付された図面で、同じ参照符号は同じ構成要素を指す。
【００１９】
図１は、本発明による電界記録再生装置の一実施形態の構成図である。本実施形態の電界記録再生装置は、回転するディスクタイプの記録媒体５００を備えるＨＤＤタイプの保存装置である。記録媒体５００は、強誘電性の記録媒体である。図示していないが、記録媒体５００は、基板上に下部電極及び強誘電体層が順次に形成された形態である。基板は、Ｓｉ、ガラスなどで形成される。下部電極は、半導体メモリ素子に使われる電極物質を使用でき、Ｐｔ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの金属またはＳｒＲｕＯ３，（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｏＯなどの金属酸化物などで形成される。下部電極は接地される。強誘電体層は、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３），ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３，ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ），ＫＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＬｉＮｂＯ３などの強誘電物質で形成できる。強誘電体層上には、保護層がさらに設けられる。保護層は、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）と通常的なハードディスクの表面に使用する潤滑剤とを共に使用して形成でき、また、ＤＬＣ及び潤滑剤のうちいずれか一つで形成できる。
【００２０】
スイングアーム３００の端部に設けられたサスペンションアーム２００には、電界記録再生ヘッド１００が装着される。スイングアーム３００は、ボイスコイルモータ４００により回動する。これにより、記録媒体５００が回転すれば、電界記録再生ヘッド１００は、空気軸受効果により記録媒体５００の表面から浮き上がる。図１に示した本発明の情報記録再生装置の駆動システムは、従来のＨＤＤの駆動システムと同一である。ただし、本発明の情報記録再生装置では、従来のＨＤＤでの磁性記録媒体が強誘電性の記録媒体に代替され、また、磁気記録再生ヘッドが電界記録再生ヘッドに代替される。
【００２１】
図２は、本発明による電界記録再生ヘッドの一実施形態の斜視図である。図３は、図２のＡ部の詳細図である。図４は、図３のＢ−Ｂ’の断面図である。図２及び図３に示すように、ボディ１０の上面１１には、空気軸受パターン２０が形成されている。ボディ１０の上面１１は、記録媒体５００の記録面５０１と対向する面である。空気軸受パターン２０は、記録媒体５００の表面から電界記録再生ヘッド１００が浮き上がるように空気の流れを誘導するパターンである。空気軸受パターン２０がボディ１０の上面１１の一部を除去することによって形成される場合に、ボディ１０の上面１１は、空気軸受面（第１部材）（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ：ＡＢＳ）となる。空気軸受パターンは、磁気記録再生方式を採用したＨＤＤに適用された公知の技術であるので、それ以上の詳細な説明は省略する。ボディ１０の上面１１には、リセス部１３が設けられる。リセス部１３内に、電界記録及び再生を担当する記録再生部３０が位置する。ボディ１０の全部または一部は、半導体基板でありうる。ボディ１０の一部が半導体基板である場合に、ボディ１０の少なくともリセス部１３及び記録再生部３０が形成される部分は、半導体基板でなければならない。半導体基板としては、例えば、シリコン単結晶の半導体基板が使われる。以下、ボディ１０の全体が半導体基板である場合について説明し、ボディ１０は、半導体基板１０と通称する。
【００２２】
図３及び図４に示すように、記録再生部３０は、抵抗領域Ｒ、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを備える。ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄは、高濃度の不純物領域である。抵抗領域Ｒは、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとの間に位置し、低濃度の不純物領域である。例えば、半導体基板１０がｐ型半導体基板である場合に、抵抗領域Ｒはｎ−型不純物領域であり、ソース及びドレイン領域Ｓ、Ｄはｎ＋型不純物領域である。逆に、半導体基板１０がｎ型半導体基板である場合には、抵抗領域Ｒはｐ−型不純物領域であり、ソース及びドレイン領域Ｓ、Ｄはｐ＋型不純物領域である。ｎ型不純物としては、例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）などが使われ、ｐ型不純物としては、ホウ素（Ｂ）が使われる。
【００２３】
記録再生部３０は、全体的にリセス部１３の底面から上方に突出したプローブ形態である。すなわち、図４に示したように、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄは、リセス部１３の底面を形成し、抵抗領域Ｒは、リセス部１３の底面から上方に尖って突出した形態である。第１及び第２コンタクトパッド４１，４２は、半導体基板１０を下面（図２の１２）から貫通してそれぞれソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄと電気的に接続される。
【００２４】
図５は、記録再生動作を説明するための模式的回路図である。再生動作のために、スイッチＳＷは、点線で示したようにグラウンドＧＮＤに連結される。図５に示した回路図において、抵抗領域Ｒは、その半導体的性質によりソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに流れる電流量を制御するゲートとして作用する。抵抗領域Ｒに作用する電場の極性よって、抵抗領域Ｒ内には、電子の蓄積または空乏が発生する。これにより、抵抗領域Ｒの抵抗は減少または増加する。
【００２５】
さらに詳細に説明すれば、図６Ａに示したように、抵抗領域Ｒがｎ−領域である場合、抵抗領域Ｒと対向する記録媒体５００の電気ドメインが第１分極方向に分極され、その表面電荷が負（−）であれば、抵抗領域Ｒの電子密度が減少して抵抗領域Ｒの抵抗値は大きくなる。これにより、抵抗領域Ｒを横切って流れる電流量は減少する。逆に、図６Ｂに示したように、抵抗領域Ｒと対向する記録媒体５００の電気ドメインが第２分極方向に分極されてその表面電荷が正（＋）であれば、抵抗領域Ｒの電子密度が増加して抵抗領域Ｒの抵抗値は小さくなる。これにより、抵抗領域Ｒを横切って流れる電流量は増加する。かかる電流量の変化に基づいて、記録媒体５００の表面に記録された情報を読み取ることができる。抵抗領域Ｒがｐ−領域である場合には、前述したことと逆に動作することを当業者ならば理解できるであろう。
【００２６】
記録動作は、記録媒体５００に分極を誘発させて情報を記録する動作をいう。このために、図５に実線で示したように、スイッチＳＷは、電源ＰＳと連結される。電源ＰＳは、その絶対値が記録媒体５００に分極を誘発する臨界電圧の絶対値より大きい電圧を印加する。これにより、記録媒体５００の電気ドメインを第１分極方向または第２分極方向に分極させることによって、記録媒体５００に情報を記録できる。
【００２７】
前記したような構造の電界記録再生ヘッド１００を採用した場合には、抵抗領域Ｒの先端のサイズを非常に小さくすることができる。これは、記録密度を非常に高めることを意味する。抵抗領域Ｒを形成するとき、リソグラフィ法を採用するが、数マイクロメートル単位の解像度を有するリソグラフィ装備を利用しても、抵抗領域Ｒの先端のサイズを数ないし数十ナノメートルのサイズに製造でき、これによれば、約５０ナノメートルの記録トラック幅を達成できる。
【００２８】
また、半導体基板１０の上面１１に空気軸受パターン２０を形成できるため、空気軸受パターン２０を形成する過程で記録再生部３０が損傷される恐れが非常に少ない。
【００２９】
以下、電界記録再生ヘッド３０の製造方法を説明する。以下、半導体基板１０がシリコンをベース物質とするｐ型半導体基板である場合について説明する。
【００３０】
図７Ａに示したように、まず、半導体基板１０の上面１１にマスクＰＲをパターニングして第１、第２及び第３領域７１，７２，７３を定義する。第１及び第２領域７１，７２は、半導体基板１０の上面１１が露出された領域である。第３領域７３は、第１領域７１と第２領域７２との間に位置する。第３領域７３の半導体基板１０の上面１１は、マスクＰＲにより覆われている。この工程は、通常のリソグラフィ法により行われる。マスクＰＲは、例えばフォトレジストである。
【００３１】
次いで、図７Ｂに示したように、マスクＰＲをイオン注入マスクとして利用して、第１及び第２領域７１，７２に対応する半導体基板１０の上面１１に不純物を注入する。ここで、不純物は、半導体基板１０がｐ型半導体基板であるので、ｎ型不純物である。
【００３２】
次いで、不純物をアニーリングにより拡散させる。これにより、図７Ｃに示したように、不純物が第３領域７３に拡散する。かかる不純物注入及び拡散工程により、第１及び第２領域７１，７２は、不純物が高濃度でドーピングされた低抵抗の半導体領域となり、第３領域７３は、不純物が低濃度でドーピングされた高抵抗の半導体領域となる。
【００３３】
次いで、図７Ｄに示したように、第３領域７３を覆ったマスクＰＲの一部ＰＲ１を除去する。すなわち、抵抗領域Ｒの先端が位置する領域にのみマスクＰＲ２を残す。
【００３４】
次いで、マスクＰＲ及びマスクＰＲ２をエッチングマスクとして利用して、第１、第２及び第３領域７１，７２，７３の露出された半導体基板１０をエッチングする。この時には、異方性エッチング工程を利用することが望ましい。これにより、図７Ｅに示したように、マスクＰＲ，ＰＲ２の下方までオーバーエッチングされて、第３領域７３は、上方に尖った形態または上方に突出した形態となる。
【００３５】
次いで、マスクＰＲ，ＰＲ２を除去する。これにより、図７Ｆに示したように、上方に尖った先端を有する抵抗領域Ｒと、その両側に位置するソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄと、を備える記録再生部３０が完了する。また、記録再生部３０は、半導体基板１０の上面１１から引き込まれたリセス部１３内に位置する。
【００３６】
次いで、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに電気的に接触される第１及び第２コンタクトパッド４１，４２を形成する過程を説明する。本実施形態の場合に、半導体基板１０の上面１１が記録媒体５００と対向するので、半導体基板１０の上面１１側に第１及び第２コンタクトパッド４１，４２を形成することは望ましくない。したがって、図７Ｇに示したように、半導体基板１０を下面１２からエッチングして、第１及び第２領域７１，７２、望ましくは、高抵抗の半導体領域を露出させる第１及び第２コンタクトホール８１，８２を形成する。次いで、第１及び第２コンタクトホール８１，８２に金属物質を満たす。これにより、図７Ｈに示したように、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄと電気的に接触される第１及び第２コンタクトパッド４１，４２が完成される。
【００３７】
次いで、半導体基板１０の上面１１を一部エッチングして、図２に示したような空気軸受パターン２０を形成する。前記製造工程により、図８に示したように、一つの半導体基板１０上に複数の電界記録再生ヘッド１００が製造される。次いで、切断線に沿ってカットすることによって、図２に示したような電界記録再生ヘッド１００が完成される。
【００３８】
図９に示したように、半導体基板１０の上面１１に積層方式により記録再生部３０ａを形成する場合には、半導体基板１０をカットして電界記録再生ヘッド１００ａを分離した後、切断面に空気軸受パターン２０を形成せねばならない。この場合には、機械的及び／または化学的研磨工程が伴う。したがって、空気軸受パターン２０を形成する過程で記録再生部３０ａが損傷される恐れがある。しかし、本発明による電界記録再生ヘッド１００は、空気軸受パターン２０を半導体基板１０の上面１１にエッチング工程により形成できるため、記録再生部３０が損傷される恐れが非常に少ない。また、空気軸受パターン２０を形成する工程が記録再生部３０を形成する工程と連続した工程で行われるため、工程効率も向上する。
【００３９】
前記した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するというより、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態により決まるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、記録再生装置関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明による電界記録再生装置の一実施形態の構成図である。
【図２】本発明による電界記録再生ヘッドの一実施形態の斜視図である。
【図３】図２のＡ部の詳細図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’の断面図である。
【図５】電界記録再生ヘッドによる記録再生原理を説明するための回路図である。
【図６Ａ】電界記録再生ヘッドによる再生原理を説明するための図面である。
【図６Ｂ】電界記録再生ヘッドによる再生原理を説明するための図面である。
【図７Ａ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を示す図面である。
【図７Ｂ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を示す図面である。
【図７Ｃ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を示す図面である。
【図７Ｄ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を示す図面である。
【図７Ｅ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を示す図面である。
【図７Ｆ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を示す図面である。
【図７Ｇ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を示す図面である。
【図７Ｈ】本発明による電界記録再生ヘッドの製造工程を示す図面である。
【図８】図７Ａないし図７Ｈに示した製造工程により半導体基板に複数の電界記録再生ヘッドが製造された状態を示す図面である。
【図９】積層方式により製造された電界記録再生ヘッドの一例を示す図面である。
【符号の説明】
【００４２】
１０    ボディ
１３    リセス部
２０    空気軸受パターン
３０    記録再生部
【図１】
2009134853.tif 000003
【図２】
2009134853.tif 000004
【図３】
2009134853.tif 000005
【図４】
2009134853.tif 000006
【図５】
2009134853.tif 000007
【図６Ａ】
2009134853.tif 000008
【図６Ｂ】
2009134853.tif 000009
【図７Ａ】
2009134853.tif 000010
【図７Ｂ】
2009134853.tif 000011
【図７Ｃ】
2009134853.tif 000012
【図７Ｄ】
2009134853.tif 000013
【図７Ｅ】
2009134853.tif 000014
【図７Ｆ】
2009134853.tif 000015
【図７Ｇ】
2009134853.tif 000016
【図７Ｈ】
2009134853.tif 000017
【図８】
2009134853.tif 000018
【図９】
2009134853.tif 000019