(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの封着および排気工程での保護膜と不純物ガスとの反応を抑制して、放電特性の優れた保護膜を有するパネルの製造方法を提供する。【解決手段】前面基板２１と背面基板３１とを、間に空間を形成するように隔壁を挟んで対向配置し、その後、画像表示領域外部に形成した封着材料４１によって貼り合わせる封着工程を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前面基板２１は、酸化マグネシウムを含むとともに、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムの少なくとも１つを含む保護膜を有し、封着工程のあいだ中、空間に乾燥ガスを供給し続ける。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板と背面基板とを、間に空間を形成するように隔壁を挟んで対向配置し、その後、画像表示領域外部に形成した封着材料によって貼り合わせる封着工程を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記前面基板は、酸化マグネシウムを含むとともに、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムの少なくとも１つを含む保護膜を有し、
前記封着工程のあいだ中、
前記空間に乾燥ガスを供給し続ける
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記封着工程において、
前記封着材料の軟化点未満では、重ね合わせた前記前面基板と前記背面基板との間から乾燥ガスが漏れ出る程度に、前記空間が揚圧となるように前記乾燥ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記封着工程において、
前記封着材料の軟化点以上、封着温度未満では、前記空間が僅かに揚圧となるように乾燥ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記封着工程において、
封着温度以上では、前記空間が僅かに陰圧となるように乾燥ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記封着材料は、酸化ビスマスを主成分としたガラス成分を含むフリットであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記封着材料は、酸化バナジウムを主成分としたガラス成分を含むフリットであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記封着材料は、背面基板の画像表示領域外部に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記乾燥ガスは、露点が−４５℃以下の、炭酸ガスを含まないガスであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、パネルと略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面基板と背面基板との間に多数の放電セルが形成されている。
【０００３】
前面基板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対がガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護膜が形成されている。
【０００４】
ここで保護膜は、例えば酸化マグネシウム（以下、「ＭｇＯ」と略記する）の薄膜であり、誘電体層をイオンスパッタから保護するとともに放電開始電圧等の放電特性を安定させるために設けられている。
【０００５】
背面基板は、ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。
【０００６】
そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面基板と背面基板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。
【０００７】
このような構成のパネルの各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色、緑色および青色の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００８】
パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般的である。
【０００９】
サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では各放電セルで初期化放電を発生させて、それに続く書込み放電に必要な壁電荷を形成する。書込み期間では、表示を行うべき放電セルで選択的に書込み放電を発生させて、それに続く維持放電に必要な壁電荷を形成する。そして維持期間では、走査電極および維持電極に交互に維持パルスを印加して、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【００１０】
近年、消費電力削減や輝度向上の要望に応えるために、パネルの構造やパネル材料等に対する検討が活発になされている。例えば、パネルに封入されている放電ガスのキセノン分圧を増加させることによりパネルの発光効率が向上することが一般に知られている。
【００１１】
しかしながら、単純にキセノン分圧を増加させると放電開始電圧が上昇する、放電遅れが大きくなる等、放電特性が不安定になるという課題があった。
【００１２】
そこで、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化バリウム（以下、それぞれ「ＳｒＯ」、「ＣａＯ」、「ＢａＯ」と略記する）等を主成分とする複合酸化膜を保護膜として用いることにより、パネルの放電開始電圧を低下させ、放電遅れを小さくして放電を安定させる検討が行われている（例えば、特許文献１参照）。
【００１３】
しかしながらこれらの材料は、水、炭酸ガス等の不純物ガスとの反応性が高く、特に水、二酸化炭素と反応して放電特性が劣化するという課題を有する。
【００１４】
このような課題を解決するために、例えば特許文献２には、ＳｒＯとＣａＯとを主成分とする保護膜を真空蒸着により作成する際に、真空処理槽内に酸素ガスを供給してその分圧が所定の範囲となるように制御するとともに、真空処理槽内の残留不純物ガスの分圧を所定の値以下となるように制御する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平５−２１１０３１号公報
【特許文献２】特開２００７−１１９８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、特許文献２に記載の方法によれば、パネルの封着および排気工程を真空処理槽内で一貫して行う必要がある。そしてそのためには大掛かりな設備が必要となり、またその設備のランニングコストも膨大となる。加えて、真空中では平均自由行程（ｍｅａｎ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｈ）が大きく、不純ガスが高速で飛来することとなるためその反応性は高くなり、僅かに存在する不純ガスであっても保護膜と反応し、放電特性を劣化させるという課題がある。
【００１６】
本発明は、これらの課題に鑑みなされたものであり、パネルの製造工程中での保護膜と不純物ガスとの反応を抑制することで、放電特性の優れた保護膜を有するパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を実現するために本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板と背面基板とを、間に空間を形成するように隔壁を挟んで対向配置し、その後、画像表示領域外部に形成した封着材料によって貼り合わせる封着工程を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記前面基板は、酸化マグネシウムを含むとともに、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムの少なくとも１つを含む保護膜を有し、前記封着工程のあいだ中、前記空間に乾燥ガスを供給し続けることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、パネルの製造工程中での保護膜と不純物ガスとの反応が抑制された、放電特性の優れた保護膜を有するパネルを製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のいくつかの実施の形態によるパネルの製造方法について、図面を用いて説明する。
【００２０】
以下、本発明の一実施の形態について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施の形態により製造されるパネルの概略構造を示す部分断面斜視図である。
【００２２】
パネル１０は、ガラス製の前面基板２１と背面基板３１とを貼り合わせて構成されている。
【００２３】
前面基板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして表示電極対２４を覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護膜２６が形成されている。
【００２４】
背面基板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。
【００２５】
そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色、緑色および青色の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２６】
なお、背面基板３１の画像表示領域外には、排気およびガス供給のための貫通孔（図示せず）が設けられている。本実施の形態においては２つの貫通孔が設けられ、それらは背面基板３１の対角に位置している。
【００２７】
前面基板２１と背面基板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材料によって貼り合わせて封着されている。
【００２８】
そして放電空間には、例えばキセノン等を含む放電ガスが封入されている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２９】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えば誘電体層３３を省略してもよく、また隔壁３４の形状がストライプ状であってもよい。
【００３０】
次に、パネル１０の材料について説明する。
【００３１】
走査電極２２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性金属酸化物からなる幅の広い透明電極２２ａの上に、導電性を高めるために銀等の金属を含む幅の狭いバス電極２２ｂを積層して形成されている。
【００３２】
維持電極２３も同様に、幅の広い透明電極２３ａの上に幅の狭いバス電極２３ｂを積層して形成されている。
【００３３】
誘電体層２５は、酸化ビスマス系低融点ガラスまたは酸化亜鉛系低融点ガラスで形成されている。
【００３４】
保護膜２６は、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのうち少なくとも１つと、ＭｇＯとからなる薄膜層である。
【００３５】
データ電極３２は、銀等の金属を含む導電性の高い材料で形成されている。
【００３６】
誘電体層３３は、誘電体層２５と同様の材料であってもよいが、可視光反射層としての働きも兼ねるように酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子を混合した材料であってもよい。
【００３７】
隔壁３４は、例えば低融点ガラス材料を用いて形成されている。
【００３８】
蛍光体層３５は、青色蛍光体材料としてＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを、緑色蛍光体材料としてＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎを、赤色蛍光体材料として（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕをそれぞれ用いることができるが、もちろん上記蛍光体に限定されるものではない。
【００３９】
なお、誘電体層２５の膜厚は、例えば４０μｍ、保護膜２６の膜厚は、例えば０．８μｍである。また、隔壁３４の高さは、例えば０．１〜０．１５ｍｍ、蛍光体層３５の膜厚は、例えば５〜５０μｍである。放電ガスは、例えばネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）の混合ガスであり、放電ガスのガス圧は、例えば１×１０４〜９×１０４Ｐａであり、Ｘｅの含有量は、例えば５体積％以上である。
【００４０】
次に、パネルの製造方法について説明する。図２は、本発明の実施の形態１におけるパネルの製造方法を示すフローチャートである。以下、このフローチャートに沿って詳細に説明する。
【００４１】
（前面基板作製工程）
前面基板作製工程は、前面基板２１上に表示電極対２４を形成し、その上に誘電体層２５を形成し、さらにその上に保護膜２６を形成する工程である。
【００４２】
まず前面基板２１上に、例えばＩＴＯの薄膜を真空蒸着等により形成し、その後エッチングして透明電極２２ａ、２３ａを形成する。
【００４３】
そしてその上にバス電極２２ｂ、２３ｂ用のペーストをスクリーン印刷等により印刷し、その後焼成して走査電極２２および維持電極２３を形成する。
【００４４】
次に、例えば、Ｂｉ２Ｏ３：６０重量％、Ｂ２Ｏ３：１５重量％、ＳｉＯ２：１０重量％、ＺｎＯ：１５重量％の組成を持つ酸化ビスマス系のガラス材料を含むペーストをダイコート等により塗布し、その後焼成して誘電体層２５を形成する。
【００４５】
次に、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのうち少なくとも１つと、ＭｇＯとからなるペレットを誘電体層２５の表面に蒸着またはスパッタして保護膜２６を形成する。
【００４６】
（背面基板作製工程）
背面基板作製工程は、背面基板３１上に、データ電極３２を形成し、その上に誘電体層３３を形成し、その上に隔壁３４を形成し、誘電体層３３および隔壁３４の側面に蛍光体層３５を形成する工程である。
【００４７】
まず背面基板３１上に銀電極用のペーストをスクリーン印刷し、その後焼成してデータ電極３２を形成する。
【００４８】
次にＴｉＯ２粒子と誘電体ガラス粒子とを含むペーストをスクリーン印刷等により塗布し、その後焼成して誘電体層３３を形成する。
【００４９】
次に酸化ビスマス系のガラス粒子とフィラーと感光性樹脂とを含むペーストをスクリーン印刷等により塗布し乾燥した後、露光、現像し、焼成して隔壁３４を形成する。
【００５０】
次に赤色、緑色、青色の各色蛍光体ペーストを隔壁３４の間隙にラインジェット印刷等により印刷し、その後焼成して各色の蛍光体層３５を形成する。
【００５１】
（フリット塗布工程）
フリット塗布工程は、前面基板、背面基板の少なくとも一方の画像表示領域外部に、封着材料を塗布し、その後、封着材料の樹脂成分等を除去するために３５０℃程度の温度で仮焼成する工程である。
【００５２】
ここで、保護膜２６に含まれる、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムのうちの少なくとも１つの材料が、封着材料の仮焼成で劣化してしまうということを避けるために、封着材料の塗布・形成は、保護膜２６を備える前面基板２１側にではなく、背面基板３１側に行うことが好ましい。また、ここで用いる封着材料およびガラス管固着フリットとしては、後述する理由により、酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分としたフリットが望ましい。
【００５３】
なお、酸化ビスマスを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−ＭＯ系（ここでＲは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのいずれかであり、Ｍは、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｆｅのいずれかである。）のガラス材料に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。
【００５４】
また、酸化バナジウムを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｖ２Ｏ５−ＢａＯ−ＴｅＯ−ＷＯ系のガラス材料に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。
【００５５】
（封着工程）
封着工程は、前面基板作製工程で作成した前面基板２１とフリット塗布工程で作成した背面基板３１とを貼り付けて封着する工程である。
【００５６】
まず封着工程で用いる封着・排気用加熱炉について説明する。
【００５７】
図３は、本発明の実施の形態におけるパネルおよびそれを製造する封着・排気用加熱炉１００の概要を示す模式図である。
【００５８】
封着・排気用加熱炉１００は、内部にヒータ５１を有する加熱炉５２を備えている。
【００５９】
図３の加熱炉５２の内部には、前面基板２１の上に、仮焼成された封着フリット４１およびガラス管４３、４４を有する背面基板３１が重ね合わされている様子を示している。
【００６０】
また背面基板３１に設けられた貫通孔のそれぞれには、ガラス管固着フリット（図示せず）が置かれ、その上にガラス管４３、４４が置かれている。
【００６１】
以上の状況においては、前面基板２１と背面基板３１、および背面基板３１とガラス管４３、４４とはそれぞれ、例えばクリップなどの固定手段（図示せず）によって固定された状態となっている。
【００６２】
また、ガラス管４３には配管５３が接続され、配管５３は、加熱炉５２の外部に設けられた乾燥ガス供給装置７１にバルブ６１を介して接続されている。乾燥ガス供給装置７１とバルブ６１との間にはガス逃がし弁６２が設けられている。ガラス管４４には配管５４が接続され、配管５４は、加熱炉５２の外部に設けられた排気装置７２にバルブ６３を介して接続されている。また、配管５４は、加熱炉５２の外部に設けられた放電ガス供給装置７３にバルブ６４を介して接続されている。さらに配管５４は、バルブ６５を介して乾燥ガス供給装置７１にも接続されている。加えて配管５４には圧力計６６が設けられている。
【００６３】
図４は、本発明の実施の形態に用いる封着・排気用加熱炉１００の温度プロファイルの一例を示す図である。
【００６４】
封着工程およびそれに続く排気工程、放電ガス供給工程のプロファイルの詳細は、順を追って以下に説明するが、説明の便宜上、封着工程と、それに続く排気工程、放電ガス供給工程とを、温度の観点から次の５つの期間に分割する。
【００６５】
すなわち、室温から軟化点まで上昇させる期間（期間１）、軟化点から封着温度まで上昇させる期間（期間２）、封着温度以上の温度で一定時間保持した後軟化点まで低下させる期間（期間３）（以上、封着工程）、軟化点温度付近またはそれよりやや低い温度で一定時間保持した後室温まで低下させる期間（期間４：排気工程）、および、室温まで低下した後の期間（期間５：放電ガス供給工程）である。
【００６６】
ここで、軟化点とは、フリットが軟化する温度を指し、本実施の形態におけるフリットの軟化点温度は、例えば４３０℃程度である。
【００６７】
また封着温度とは、前面基板２１と背面基板３１とが封着フリット４１により、また、背面基板３１とガラス管４３、４４とがガラス管固着フリット（図示せず）により、密閉される状態となる温度を指すものである。本実施の形態における封着温度は、例えば４９０℃程度である。なお、上記の封着温度は以下のようにしてあらかじめ確認することができる。
【００６８】
すなわち、前面基板２１と背面基板３１とを重ね合わせ、バルブ６１、６４、６５を閉じ、バルブ６３のみを開いて、排気装置７２によってガラス管４４からパネルの内部を排気しながら、ヒータ５１をオンにして加熱炉５２内部の温度を上昇させる。すると、ある温度で圧力計６６で確認されるパネル内部の圧力がステップ状に減少し、かつバルブ６３を閉じてもパネル内部の圧力が大きく上昇しなくなる。このときの温度がパネルが密封される封着温度である。
【００６９】
図５は、本発明の実施の形態におけるパネルの製造方法を模式的に示す図であり、図５（ａ）〜図５（ｅ）はそれぞれ上述の期間１〜期間５におけるパネル内部のガスおよびその流れを示す図である。
【００７０】
ここで、図５を用いて封着工程の詳細について説明する。
【００７１】
まず、表示電極対２４とデータ電極３２とが直交して対向するように前面基板２１と背面基板３１とを位置決めして重ね合わせる。
【００７２】
そして、前面基板２１と背面基板３１とを重ね合わせた後、図５（ａ）に示すように、バルブ６１とバルブ６４とを開いて、乾燥ガスをガラス管４３およびガラス管４４の両方からパネルの内部に吹き込みながら、ヒータ５１をオンにして加熱炉５２内部の温度を封着用フリットの軟化点温度まで上昇させる。
【００７３】
この時、パネルの内部に吹き込まれた乾燥ガスは、符号２００にて示すように、前面基板２１と背面基板３１上に形成された封着材料４１との隙間からパネルの外部へ漏れ出る状態となる。
【００７４】
なお本実施の形態においては乾燥ガスとして、露点が−４５℃以下の乾燥窒素ガスを用い、その流量は５Ｌ／ｍｉｎである（期間１）。
【００７５】
次に、加熱炉５２内部の温度が封着用フリットの軟化点温度以上になると、図５（ｂ）に示すように、バルブ６４を閉じるとともにバルブ６１を調節して乾燥窒素ガスの流量を期間１の半分以下、本実施の形態においては２Ｌ／ｍｉｎにする。
【００７６】
そしてガス逃がし弁６２を開いて、パネル内部の圧力が、封排用加熱炉５２内部の圧力よりも僅かに揚圧となるようにする。そして加熱炉５２内部の温度を封着温度まで上昇させる（期間２）。
【００７７】
次に、加熱炉５２内部の温度が封着温度以上の温度に到達し、封着材料およびガラス管固着フリットが溶融し、前面基板２１と背面基板３１との封着、および背面基板３１とガラス管４３、４４との接合が行われると、図５（ｃ）に示すように、排気装置７２を動作させバルブ６３を調整して、パネル内部の圧力を僅かに陰圧、例えば８．０×１０４Ｐａにする。
【００７８】
このようにしてガラス管４３からは乾燥窒素ガスを供給するとともにガラス管４４から乾燥窒素ガスを排気することによって、パネル内部の圧力を僅かに陰圧に保ちつつパネル１０内部に乾燥窒素ガスを流し続ける。
【００７９】
そしてヒータ５１を制御して加熱炉５２内部の温度を封着温度以上の温度に約３０分保持する。この間に溶融した封着材料およびガラス管固着フリットが僅かに流動し、パネル内部の圧力が僅かに陰圧に保たれていることから、前面基板２１と背面基板３１との封着、および背面基板３１とガラス管４３、４４とが精度良く接合される。
【００８０】
その後、ヒータ５１をオフにして加熱炉５２の温度を軟化点以下の温度まで下げる（期間３）。
【００８１】
ここで、期間２および期間３において、パネル内の圧力を上述のように設定する理由について説明する。
【００８２】
まず、期間２および期間３においては封着材料は軟化もしくは溶融しているため、期間１での状態のような、前面基板２１と背面基板３１上に形成された封着材料４１との隙間からパネルの外部へ乾燥ガスが漏れ出すような圧力状態であると、封着材料の形状が漏れ出る乾燥ガスにより影響を受けてしまい、封着の信頼性に悪影響を与えてしまう場合がある。そこで、期間２および期間３においては、パネル内外での圧力差は、極力、小さく設定することが好ましい。
【００８３】
その上で、期間２においては、封着材料は軟化はしているが溶融にまでは至っておらず、封着の過程が進行することはないので、パネル内への不純ガスの混入を防ぐということを第１の目的として、僅かに揚圧としている。
【００８４】
これに対し期間３では、封着材料は溶融しており、この期間で前面基板と背面基板との封着の過程が進行する。ここで、この期間３においても期間２と同様、若干の揚圧と設定すると、前面基板と背面基板とは若干、膨らんだ状態、すなわち、前面基板と背面基板上に形成された隔壁とは隙間を持った状態で封着されてしまい、パネルの画像表示への品質に悪影響を与えてしまう場合がある。
【００８５】
そこで、このようなパネルの封着状態を避けつつ、パネル内への不純ガスの混入を防ぐという目的を達成するために、期間３においては、僅かに陰圧となるように設定している。
【００８６】
（排気工程）
排気工程は、パネル内部のガスを排気する工程である。加熱炉５２内部の温度が軟化点温度以下になると、図５（ｄ）に示すように、バルブ６１を閉じバルブ６３を開いて、パネルの内部を排気する。そしてヒータ５１を制御して加熱炉５２内部の温度を所定の時間保持しながら、排気を継続して行う。その後、ヒータ５１をオフにして加熱炉５２内部の温度を室温まで低下させる。この間も排気を継続して行う（期間４）。
【００８７】
（放電ガス供給工程）
放電ガス供給工程は、真空排気されたパネル内部にＮｅおよびＸｅを主成分とする放電ガスを供給する工程である。加熱炉５２内部の温度が室温まで低下した後、図５（ｅ）に示すように、バルブ６３を閉じバルブ６４を開いて放電ガスを所定の圧力となるように供給する。
【００８８】
本実施の形態においては、放電ガスは、例えば、Ｘｅ：１０％、Ｎｅ：９０％の混合ガスであり、所定の気圧は６×１０４Ｐａである。しかし、放電ガスはこれに限定されるものではなく、例えば、Ｘｅ：１００％のガスであってもよい。
【００８９】
その後、ガラス管４３、４４を加熱封止する（期間５）。
【００９０】
以上のようにして、前面基板と背面基板とを貼り合わせ、その間に放電ガスを充填したパネルが完成する。
【００９１】
本実施の形態におけるパネルの保護膜２６は、ＭｇＯを主成分とし、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのうちの少なくとも１つを含む、放電特性に優れた保護膜である。
【００９２】
しかしながらＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは、水、炭酸ガス等の不純物ガスとの反応性が高く、従来の製造方法では優れた放電特性を発揮することができなかった。
【００９３】
しかしながら本実施の形態によれば、高温の環境下で不純ガスが発生する封着工程において、前面基板と背面基板との間の空間に乾燥ガスを供給し続けることにより、保護膜２６に含まれる、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのうちの少なくとも１つの材料と不純ガスとの反応を抑えることができ、もって優れた放電特性を持つパネルを製造することができる。
【００９４】
また、パネルの封着の信頼性も高めることができるという有利な効果を得ることもできる。
【００９５】
なお、上述した本発明の一実施の形態においては、封着材料として、酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分としたガラス成分をもつフリットを用いることが好ましい。これは以下の理由によるものである。
【００９６】
すなわち、上述した本発明の一実施の形態においては、封着工程において前面基板と背面基板との間の空間に乾燥ガスを供給する。したがって封着用フリットは酸素や水が遮断された状態で長時間高温に曝されることになる。このような還元雰囲気中で、仮に酸化鉛を主成分とするフリットを用いたと仮定すると、酸化鉛の一部が還元されて、導電性の金属鉛が封着フリット表面に析出し、走査電極２２と維持電極２３との間、あるいはデータ電極３２間で絶縁不良を生じさせてしまう可能性がある。そこで、還元されにくい酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分とするフリットを用いることにより、電極間で絶縁不良を生じる恐れを無くすことが可能となる。
【００９７】
また、前面基板と背面基板との間の空間に供給する乾燥ガスとしては、露点が−４５℃以下の、二酸化炭素などの炭酸ガスを含まないものであれば、窒素ガスに限定するものではなく、また、露点についても−５０℃以下であればさらに望ましい。
【００９８】
また、以上の説明においては、背面基板が貫通孔を２箇所備え、それぞれに配置したガラス管を通じて外部の装置に接続し、乾燥ガスを供給、排気する形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限るものではなく、例えば、背面基板が貫通孔を３箇所以上備えるという形態であっても、同様の効果を得ることができる。
【００９９】
また、本実施の形態において用いた具体的な数値等は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネルの仕様やパネル材料の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
以上のように本発明は、放電特性の優れたプラズマディスプレイ装置を提供する上で有用な発明である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の一実施の形態により製造されるパネルの概略構造を示す部分断面斜視図
【図２】同パネルの製造方法を示すフローチャート
【図３】同パネルおよびそれを製造する封着・排気用加熱炉の概要を示す模式図
【図４】同封着・排気用加熱炉の温度プロファイルの一例を示す図
【図５】本発明の実施の形態におけるパネルの製造方法を模式的に示す図
【符号の説明】
【０１０２】
１０    パネル
２１    前面基板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５    誘電体層
２６    保護膜
３１    背面基板
３２    データ電極
３３    誘電体層
３４    隔壁
４１    封着フリット（封着材料）
４３，４４    ガラス管
５１    ヒータ
５２    加熱炉
５３，５４    配管
６１，６３，６４，６５    バルブ
６２    ガス逃がし弁
６６    圧力計
７１    乾燥ガス供給装置
７２    排気装置
７３    放電ガス供給装置
１００    封着・排気用加熱炉
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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