(57)【要約】      （修正有）【課題】近赤外線を遮蔽し、可視光を透過し、耐光性等のよい電子ディスプレイ装置用フィルター等に使用されるインモニウム化合物等を提供すること。【解決手段】一般式（Ｉ）2009280639.tif 000017で表されるインモニウム化合物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
2009280639.tif 000016
（式中、ｍ、ｎおよびｐは、同一または異なって、０〜４の整数を表し、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同一または異なって、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、
ｍが２以上のときには、それぞれのＲ１は、同一または異なってよく、
ｎが２以上のときには、それぞれのＲ２は、同一または異なってよく、
ｐが２以上のときには、それぞれのＲ３は、同一または異なってよく、
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９は、少なくとも一つが置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、その他は同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、Ｒ４とＲ５、Ｒ６とＲ７、およびＲ８とＲ９はそれぞれ隣接する窒素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環基を形成してもよく、
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、またはＲ９が置換基を有するアリール基であるとき、該置換基はヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基、およびニトロ基の中から選ばれる基であり、
Ｒ１０およびＲ１１は、同一または異なって、置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基または置換基を有していてもよいアリールスルホニル基を表し、Ｒ１０とＲ１１は隣接するＮ−と一緒になって置換基を有していてもよい環状のスルホンイミドからイミドのＮ上のＨ＋を除去して得られる一価の陰イオンを形成してもよい）で表されるインモニウム化合物。
【請求項２】
Ｒ４およびＲ５の少なくともいずれか一つが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ６およびＲ７の少なくともいずれか一つが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ８およびＲ９の少なくともいずれか一つが置換基を有していてもよいアリール基である請求項１記載のインモニウム化合物。
【請求項３】
Ｒ４およびＲ５のうち、一方が置換基を有していてもよいアリール基であり、他方が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、または置換基を有していてもよい複素環基であって、
Ｒ６およびＲ７のうち、一方が置換基を有していてもよいアリール基であり、他方が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、または置換基を有していてもよい複素環基であって、
Ｒ８およびＲ９のうち、一方が置換基を有していてもよいアリール基であり、他方が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、または置換基を有していてもよい複素環基である請求項１記載のインモニウム化合物。
【請求項４】
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９が、同一または異なって、置換基を有していてもよいアリール基である請求項１記載のインモニウム化合物。
【請求項５】
置換基を有してもよいアリール基が、置換基を有していてもよいフェニル基である請求項１〜４のいずれかに記載のインモニウム化合物。
【請求項６】
Ｒ１０およびＲ１１が、同一または異なって、置換基を有するアルキルスルホニル基または置換基を有するアリールスルホニル基であるか、あるいは、Ｒ１０とＲ１１が隣接するＮ−と一緒になって置換基を有する環状のスルホンイミドからイミドのＮ上のＨ＋を除去して得られる一価の陰イオンを形成し、該アルキルスルホニル基、該アリールスルホニル基または該環状のスルホンイミドからイミドのＮ上のＨ＋を除去して得られる一価の陰イオンの置換基がハロゲン原子である請求項１〜５のいずれかに記載のインモニウム化合物。
【請求項７】
Ｒ１０およびＲ１１が、同一または異なって、置換基を有するアルキルスルホニル基であって、該アルキルスルホニル基の置換基がハロゲン原子である請求項１〜５のいずれかに記載のインモニウム化合物。
【請求項８】
ハロゲン原子がフッ素原子である請求項６または７に記載のインモニウム化合物。
【請求項９】
ｍ、ｎおよびｐが同一で、０である請求項１〜８のいずれかに記載のインモニウム化合物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のインモニウム化合物を含有する電子ディスプレイ装置用フィルター。
【請求項１１】
電子ディスプレイ装置がプラズマディスプレイである請求項１１記載の電子ディスプレイ装置用フィルター。
【請求項１２】
吸収極大波長が８００〜１２００ｎｍの領域に存在する請求項１０または１１に記載の電子ディスプレイ装置用フィルター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ディスプレイ装置用フィルター等に使用されるインモニウム化合物等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近赤外線領域の光を吸収する化合物は、赤外線吸収フィルター、断熱フィルム、サングラス、光記録媒体等の用途が広く考案されている。例えば、前記の化合物は、近赤外線吸収フィルターの電子ディスプレイ装置として、使用されている。
近赤外線吸収フィルターとしては、インモニウム窒素上にジ置換アミノフェニル基を必須とするインモニウム化合物を用いる近赤外線吸収フィルター（例えば、特開２００３−９６０４０号公報等）が知られており、インモニウム窒素上にジ置換アミノフェニル基を有さないインモニウム化合物（特許文献１）を用いる近赤外線吸収フィルターが知られているが、これらは、実用上、耐久性の点において、満足できるものではない。
【特許文献１】米国特許第５６８６６３９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、近赤外線を遮蔽し、可視光を透過し、耐光性等のよい電子ディスプレイ装置用フィルター等に使用されるインモニウム化合物等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、以下の［１］〜［１２］に関する。
［１］一般式（Ｉ）
【０００５】
【化２】
2009280639.tif 000002
【０００６】
（式中、ｍ、ｎおよびｐは、同一または異なって、０〜４の整数を表し、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同一または異なって、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、
ｍが２以上のときには、それぞれのＲ１は、同一または異なってよく、
ｎが２以上のときには、それぞれのＲ２は、同一または異なってよく、
ｐが２以上のときには、それぞれのＲ３は、同一または異なってよく、
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９は、少なくとも一つが置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、その他は同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい複素環基を表し、Ｒ４とＲ５、Ｒ６とＲ７、およびＲ８とＲ９はそれぞれ隣接する窒素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環基を形成してもよく、
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、またはＲ９が置換基を有するアリール基であるとき、該置換基はヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基、およびニトロ基の中から選ばれる基であり、
Ｒ１０およびＲ１１は、同一または異なって、置換基を有していてもよいアルキルスルホニル基または置換基を有していてもよいアリールスルホニル基を表し、Ｒ１０とＲ１１は隣接するＮ−と一緒になって置換基を有していてもよい環状のスルホンイミドからイミドのＮ上のＨ＋を除去して得られる一価の陰イオンを形成してもよい）で表されるインモニウム化合物。
［２］Ｒ４およびＲ５の少なくともいずれか一つが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ６およびＲ７の少なくともいずれか一つが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ８およびＲ９の少なくともいずれか一つが置換基を有していてもよいアリール基である［１］記載のインモニウム化合物。
［３］Ｒ４およびＲ５のうち、一方が置換基を有していてもよいアリール基であり、他方が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、または置換基を有していてもよい複素環基であって、
Ｒ６およびＲ７のうち、一方が置換基を有していてもよいアリール基であり、他方が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、または置換基を有していてもよい複素環基であって、
Ｒ８およびＲ９のうち、一方が置換基を有していてもよいアリール基であり、他方が水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、または置換基を有していてもよい複素環基である［１］記載のインモニウム化合物。
［４］Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９が、同一または異なって、置換基を有していてもよいアリール基である［１］記載のインモニウム化合物。
［５］置換基を有していてもよいアリール基が、置換基を有していてもよいフェニル基である［１］〜［４］のいずれかに記載のインモニウム化合物。
［６］Ｒ１０およびＲ１１が、同一または異なって、置換基を有するアルキルスルホニル基または置換基を有するアリールスルホニル基であるか、あるいは、Ｒ１０とＲ１１が隣接するＮ−と一緒になって置換基を有する環状のスルホンイミドからイミドのＮ上のＨ＋を除去して得られる一価の陰イオンを形成し、該アルキルスルホニル基、該アリールスルホニル基または該環状のスルホンイミドからイミドのＮ上のＨ＋を除去して得られる一価の陰イオンの置換基がハロゲン原子である［１］〜［５］のいずれかに記載のインモニウム化合物。
［７］Ｒ１０およびＲ１１が、同一または異なって、置換基を有するアルキルスルホニル基であって、該アルキルスルホニル基の置換基がハロゲン原子である［１］〜［５］のいずれかに記載のインモニウム化合物。
［８］ハロゲン原子がフッ素原子である［６］または［７］に記載のインモニウム化合物。
［９］ｍ、ｎおよびｐが同一で、０である［１］〜［８］のいずれかに記載のインモニウム化合物。
［１０］［１］〜［９］のいずれかに記載のインモニウム化合物を含有する電子ディスプレイ装置用フィルター。
［１１］電子ディスプレイ装置がプラズマディスプレイである［１０］記載の電子ディスプレイ装置用フィルター。
［１２］吸収極大波長が８００〜１２００ｎｍの領域に存在する［１０］または［１１］に記載の電子ディスプレイ装置用フィルター。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、近赤外線を遮蔽し、可視光を透過し、耐光性等のよい電子ディスプレイ装置用フィルター等に使用されるインモニウム化合物等を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、一般式（I）で表される化合物を化合物（I）という。他の式番号を付した化合物についても同様に表現することもある。
一般式の各基の定義において、アルキル基、ならびにアルコキシル基およびアルキルスルホニル基のアルキル部分としては、例えば、直鎖または分岐状の炭素数１〜６のアルキル基および炭素数３〜８の環状アルキル基があげられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等があげられる。
【０００９】
アラルキル基としては、例えば、炭素数７〜１５のアラルキル基があげられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等があげられる。
アリール基およびアリールスルホニル基のアリール部分としては、例えば、例えば、炭素数６〜１４のアリール基があげられ、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等があげられる。
【００１０】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子があげられる。
複素環基における複素環としては、芳香族複素環および脂環式複素環があげられる。
芳香族複素環としては、例えば窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員または６員の単環性芳香族複素環、３〜８員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性芳香族複素環等があげられ、より具体的にはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チオフェン環、フラン環、チアゾール環、オキサゾール環、インドール環、イソインドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、プリン環、カルバゾール環等があげられる。
【００１１】
脂環式複素環としては、例えば窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員または６員の単環性脂環式複素環、３〜８員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性脂環式複素環等があげられ、より具体的にはピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ホモピペリジン環、ホモピペラジン環、テトラヒドロピリジン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジヒドロベンゾフラン環、テトラヒドロカルバゾール環等があげられる。
【００１２】
Ｒ４とＲ５、Ｒ６とＲ７、およびＲ８とＲ９がそれぞれ隣接する窒素原子と一緒になって形成される複素環基における複素環としては、例えば、少なくとも１個の窒素原子を含む５員または６員の単環性複素環（該単環性複素環は、他の窒素原子、酸素原子または硫黄原子を含んでいてもよい）、３〜８員の環が縮合した二環または三環性で少なくとも１個の窒素原子を含む縮環性複素環（該縮環性複素環は、他の窒素原子、酸素原子または硫黄原子を含んでいてもよい）等があげられ、その具体例としては、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ホモピペリジン環、ホモピペラジン環、テトラヒドロピリジン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、インドール環、インドリン環、イソインドール環等があげられる。
【００１３】
Ｒ１０とＲ１１が隣接するＮ−と一緒になって形成される環状のスルホンイミドからイミドのＮ上のＨ＋を除去して得られる一価の陰イオンにおける環状のスルホンイミドとしては、例えば、エタン−１，２−ジスルホンイミド、プロパン−１，３−ジスルホンイミド、ブタン−１，４−ジスルホンイミド等があげられる。
アルキル基およびアルコキシル基の置換基としては、例えば、同一または異なって１〜３個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシル基、アルコキシアルコキシル基等があげられる。ハロゲン原子およびアルコキシル基は、それぞれ前記と同義である。アルコキシアルコキシル基の２つのアルコキシ部分は、前記アルコキシル基と同義である。
【００１４】
アラルキル基、アリールスルホニル基、複素環基、Ｒ１、Ｒ２、またはＲ３が置換基を有するアリール基であるときのアリール基、ならびにＲ４とＲ５、Ｒ６とＲ７、およびＲ８とＲ９がそれぞれ隣接する窒素原子と一緒になってそれぞれ形成される複素環基の置換基としては、例えば、同一または異なって１〜５個の置換基、具体的には、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基、ニトロ基等があげられる。ハロゲン原子、アルキル基およびアルコキシル基は、それぞれ前記と同義である。
【００１５】
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、またはＲ９が置換基を有するアリール基であるとき、該置換基はヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基、およびニトロ基の中から選ばれる基であり、該置換基の数は１〜５個である。該置換基の数が２以上の場合は、それぞれの該置換基は、同一または異なってよい。ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基は、それぞれ前記と同義である。
【００１６】
アルキルスルホニル基、およびＲ１０とＲ１１が隣接するＮ−と一緒になって形成される環状のスルホンイミドからイミドのＮ上のＨ＋を除去して得られる一価の陰イオンの置換基としては、例えば、アルキル基およびアルコキシル基の置換基として前記に例示した官能基と同じものがあげられる。但し、該置換基がハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。フッ素原子で置換されたアルキルスルホニル基の具体例としては、フルオロメチルスルホニル基、ジフルオロメチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、トリフルオロエチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ヘプタフルオロプロピルスルホニル基、トリフルオロブチルスルホニル基、ノナフルオロブチルスルホニル基等があげられ、中でも、トリフルオロメチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ヘプタフルオロプロピルスルホニル基、またはノナフルオロブチルスルホニル基が好ましい。フッ素原子で置換された該環状のスルホンイミドの一価の陰イオンの具体例としては、１，１，２，２−テトラフルオロエタン−１，２−ジスルホンイミド、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホンイミド、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブタン−１，４−ジスルホンイミド等の一価の陰イオンがあげられる。
【００１７】
次に、化合物（Ｉ）の製造法について説明する。
例えば、反応式（１−ａ）〜（１−ｄ）に従って，化合物(Ｉ)を製造することが出来る。
【００１８】
【化３】
2009280639.tif 000003
【００１９】
【化４】
2009280639.tif 000004
【００２０】
【化５】
2009280639.tif 000005
【００２１】
【化６】
2009280639.tif 000006
【００２２】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、ｍ、ｎおよびｐは、それぞれ前記と同義であり、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は、同一または異なって、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等を表す）
化合物（II）は、公知の方法（Chem. Commun. 2006, 281等）に準じて製造することができる。
反応式（１−ａ）
化合物（ＩＶ）は、公知の方法（Angew. Chem. Int .Ed. 1998, 37, 2046等）に準じて製造することができる。
化合物（ＩＩ）と１〜３倍モルの化合物（ＩＩＩ）とを、金属触媒および塩基の存在下、溶媒中、２０〜１５０℃の温度で、０．２〜１５時間反応させることにより化合物(IV)を製造することができる。必要に応じて，１価配位子または２価配位子等の配位子を反応前に添加しても良い。
【００２３】
金属触媒の金属部分としては，例えば、ニッケル、パラジウム、銅等があげられる。金属触媒としては、前記金属、前記金属の塩(ハロゲン化物、酢酸塩等)、前記金属の錯体(アセチルアセトナート錯体、ジベンジリデンアセトン錯体等)、前記金属の担持物(パラジウムカーボン等)があげられる。
１価配位子としては、トリフェニルホスフィン、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’, ４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジイソプロポキシビフェニル等があげられる。
【００２４】
２価配位子としては、１’，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等があげられる．
塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム等があげられる。
溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒等があげられる。
【００２５】
反応後、必要に応じて、有機合成化学で通常用いられる方法（各種カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、溶媒による洗浄等）で化合物（IV）を精製してもよい。
反応式（１−ｂ）
化合物（II）の代わりに化合物（IV）を使用し、化合物（III）の代わりに化合物（V）を使用する以外は、反応式（１−ａ）の場合と同様の条件で反応させて、化合物（VI）を製造することができる。
反応式（１−c）
化合物（II）の代わりに化合物（VI）を使用し、化合物（III）の代わりに化合物（VII）を使用する以外は、反応式（１−ａ）の場合と同様の条件で反応させて、化合物（VIII）を製造することができる。
反応式（１−ｄ）
公知の方法（特開２００７−３９３４３号公報等）に準じて化合物（I）を製造することができる。
【００２６】
化合物（VIII）と２〜６倍モルのＲ１０Ｒ１１ＮＡｇとを溶媒中、０〜１２０℃の温度で、０．２〜１５時間反応させることにより、化合物（I）を製造することができる。ここで、Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ前記と同義である。
Ｒ１０Ｒ１１ＮＡｇの具体例としては、例えば、（ＣＦ３ＳＯ２）２ＮＡｇ、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２ＮＡｇ、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）２ＮＡｇ、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホンイミドの銀塩等があげられる。
【００２７】
溶媒としては、例えば、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、オクタノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒等が用いられる。
反応後、必要に応じて、有機合成化学で通常用いられる方法（各種カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、溶媒による洗浄等）で化合物（I）を精製してもよい。
【００２８】
Ｒ１０Ｒ１１ＮＡｇの代わりに硝酸銀、過塩素酸銀、塩化銅、塩化鉄等の酸化剤を用いる以外は反応式（１−ｄ）の場合と同様の条件で反応させた後、Ｒ１０Ｒ１１ＮＬｉ、Ｒ１０Ｒ１１ＮＮａ、Ｒ１０Ｒ１１ＮＫ等を加えて塩交換することにより、化合物（I）を製造することもできる。ここで、Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ前記と同義である。
Ｒ４とＲ５の組み合わせ、Ｒ６とＲ７の組み合わせ、およびＲ８とＲ９の組み合わせが、全て同一の組み合わせである化合物（I）を、工程１と工程２に従って製造することができる。
工程１
Ｘ１、Ｘ２およびＸ３が同一であってもよい化合物（II）を使用し、該化合物（II）に対して３〜９倍モルの化合物（III）を使用する以外は反応（１−ａ）の場合と同様の条件で反応させて、Ｒ４とＲ５の組み合わせ、Ｒ６とＲ７の組み合わせ、およびＲ８とＲ９の組み合わせが、全て同一の組み合わせである化合物（VIII）を製造することができる。
【００２９】
工程２
工程１により製造した化合物（VIII）を反応（１−ｄ）の場合と同様の条件で反応させて、Ｒ４とＲ５の組み合わせ、Ｒ６とＲ７の組み合わせ、およびＲ８とＲ９の組み合わせが、全て同一の組み合わせである化合物（I）を製造することができる。
以下に、化合物（I）の好ましい具体例を例示する。
【００３０】
【化７】
2009280639.tif 000007
【００３１】
【化８】
2009280639.tif 000008
【００３２】
【化９】
2009280639.tif 000009
【００３３】
【化１０】
2009280639.tif 000010
【００３４】
【化１１】
2009280639.tif 000011
【００３５】
本発明の化合物（I）は、電子ディスプレイ装置フィルター用の近赤外線吸収剤、断熱フィルム用の近赤外線吸収剤、サングラス用の近赤外線吸収剤、光記録材料等として使用することができ、中でも、電子ディスプレイ装置フィルター用の近赤外線吸収剤として適している。
また、化合物（I）は有機溶媒に対する溶解性が高く、後述の塗工液を使用した電子ディスプレイ装置用フィルターの製造に適している。
【００３６】
次に、本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターについて説明する。
電子ディスプレイ装置としては、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等があげられ、中でも、プラズマディスプレイが好ましい。
本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターに使用される化合物（I）の吸収極大波長は、クロロホルム溶液中で、８００〜１３００ｎｍの領域に存在するのが好ましく、８００〜１２００ｎｍの領域に存在するのがより好ましい。また、本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターに使用される化合物（I）のモル吸光係数の対数値は、４．０以上であるのが好ましい。
【００３７】
本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターの吸収極大波長は、近赤外線を遮蔽するためには、８００〜１３００ｎｍの領域に存在するのが好ましく、８００〜１２００ｎｍの領域に存在するのがより好ましい。
本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターの可視領域での透過率は、高いほど好ましい。該フィルターの８００〜１３００ｎｍの吸収極大波長での透過率が１０から４０％の範囲であるとき、該フィルターの７５０ｎｍでの透過率が６０％以上であるのが好ましく、７０％以上であるのがより好ましい。
【００３８】
本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターとしては、例えば、化合物（I）を含む塗工液を透明基板に塗布して、乾燥することにより得られる積層体、該積層体の片側または両側に他の透明基板を張り合わせたもの等があげられる。
塗工液は、例えば、化合物（I）とバインダーとを有機溶媒に溶解させて調製することができる。
【００３９】
有機溶媒としては、例えば、ジメトキシエタン、メトキシエトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類等があげられ、これらを単独または混合して使用してもよい。有機溶媒は、化合物（I）に対して１〜３０００倍量（重量）使用されるのが好ましい。
【００４０】
バインダーとしては、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリカーボナート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂等があげられ、これらは、化合物（I）に対して２〜５００倍量（重量）使用されるのが好ましい。
透明基板としては、透明で、吸収、散乱が少ない樹脂またはガラスであれば特には限定されないが、例えば、該樹脂としては、ポリエステル系樹脂、ポリカーボナート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂等があげられる。
【００４１】
化合物（I）を含む塗工液を透明基板に塗布する手法としては、バーコート法、スプレー法、ロールコート法、ディッピング法等の公知の塗布法が利用できる（米国特許２６８１２９４号等）。
また、前記の透明基板を構成する樹脂を熱や可塑剤等により軟化させた後、該樹脂中に化合物（I）を溶解または分散させて樹脂組成物とし、該樹脂組成物を成形して得られる成型品（フィルム、板等）、および該成型品の片側または両側に他の透明基板を張り合わせたもの等も、本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターとしてあげられる。
【００４２】
本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターは、例えば、ブラウン管、蛍光表示管、電界発光パネル、発光ダイオード、プラズマディスプレイパネル、発熱電球、レーザーディスプレイ、液晶ディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、またはフィールドエミッションディスプレイ等に使用することができる。
以下に、実施例、試験例により、本発明をさらに具体的に説明する。
【実施例１】
【００４３】
（化合物２の製造）
トリス（４−ブロモフェニル）アミン１．２０ｇ、Ｎ−２，４−ジメチルフェニル−Ｎ−フェニルアミン１．７２ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム５０ｍｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジイソプロポキシビフェニル１２５ｍｇ、およびｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム１．００ｇをトルエン１０ｍｌに入れ、１００℃で１時間反応させた。その後、反応溶液にイソプロピルアルコール２０ｍｌおよび水４ｍｌを添加し、２０〜３０℃まで冷却した。析出した固体を濾取後、その固体をアセトン２５ｍｌに懸濁した後、（ＣＦ３ＳＯ２）２ＮＡｇ１．９３ｇを添加した。室温下、１時間反応させた後、濾過し、母液にイソプロピルアルコール１５ｍｌおよび水２５ｍｌを加え、室温下、３０分間撹拌した。析出した固体を濾取することにより化合物２（２．９２ｇ）を得た。
ＭＳ：ＦＡＢ＋  ８３０（［Ｃ６０Ｈ５４Ｎ４］＋）、ＦＡＢ−  ２８０([Ｃ２Ｆ６ＮＯ４Ｓ２]−)
【実施例２】
【００４４】
（化合物３の製造）
トリス（４−ブロモフェニル）アミン１．２０ｇ、Ｎ−フェニルベンジルアミン１．６０ｇ、塩化パラジウム１１ｍｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’, ４’，６’−トリイソプロピルビフェニル３４ｍｇ、およびｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム０．９１ｇをキシレン２０ｍｌに入れ、１００℃で２時間反応させた。その後、反応溶液にイソプロピルアルコール２０ｍｌおよび水４ｍｌを添加し、２０〜３０℃まで冷却した。析出した固体を濾取後、その固体をアセトン１２ｍｌに懸濁した後、（ＣＦ３ＳＯ２）２ＮＡｇ１．９３ｇを添加した。室温下、１時間反応させた後、濾過し、母液にイソプロピルアルコール１０ｍｌおよび水２０ｍｌを加え、室温下、３０分間撹拌した。析出した固体を濾取することにより化合物３（２．８４g）を得た。
ＭＳ：ＦＡＢ＋  ７８８（［Ｃ５７Ｈ４８Ｎ４］＋）、ＦＡＢ−  ２８０([Ｃ２Ｆ６ＮＯ４Ｓ２]−)
【実施例３】
【００４５】
（化合物４の製造）
トリス（４−ブロモフェニル）アミン１．７０ｇ、Ｎ−４-メトキシ-２-メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミン２．３３ｇ、酢酸パラジウム７．９ｍｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’, ４’，６’−トリイソプロピルビフェニル３３．６ｍｇ、およびｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム１．４０ｇをキシレン２０ｍｌに入れ、１００℃で３時間反応させた。その後、反応溶液にイソプロピルアルコール２０ｍｌおよび水４ｍｌを添加し、２０〜３０℃まで冷却した。析出した固体を濾取後、その固体をアセトン２５ｍｌに懸濁した後、（ＣＦ３ＳＯ２）２ＮＡｇ２．７４ｇを添加した。室温下、１時間反応させた後、濾過し、母液にイソプロピルアルコール１５ｍｌおよび水３０ｍｌを加え、室温下、３０分間撹拌した。析出した固体を濾取することにより化合物４（４．４３g）を得た。
【実施例４】
【００４６】
（化合物５の製造）
トリス（４−ブロモフェニル）アミン１．２０ｇ、４,４’-ビス(α，α-ジメチルベンジル)ジフェニルアミン３．５３ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム５０ｍｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジイソプロポキシビフェニル１２５ｍｇ、およびｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム１．００ｇをトルエン１０ｍｌに入れ、１００℃で1時間反応させた。その後、反応溶液にイソプロピルアルコール２０ｍｌおよび水４ｍｌを添加し、２０〜３０℃まで冷却した。析出した固体を濾取後、その固体をアセトン２５ｍｌに懸濁した後、（ＣＦ３ＳＯ２）２ＮＡｇ１．９３ｇを添加した。室温下、１時間反応させた後、濾過し、母液に水４０ｍｌを加え、室温下、３０分間撹拌した。析出した固体を濾取することにより化合物５（４．５７g）を得た。
［試験例１］
Ｕ-４０００型自記分光光度計［(株)日立製作所製］を使用し、化合物２、３、４、５および比較化合物のクロロホルム溶液中での吸収極大波長とモル吸光係数の対数値（logε）を測定（１５００〜３００ｎｍ）した。その結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】
2009280639.tif 000012
【００４８】
［試験例２］
化合物２、３、４、５および比較化合物の２．２重量％テトラヒドロフラン溶液のそれぞれとアクリル系樹脂［ダイヤナールＢＲ−８０［三菱レーヨン（株）社製］］の２０重量％ジメトキシエタン溶液とを７：２の割合で混合し、ガラス基板上にスピンコーター(１２００rpm、５秒間)で塗工後、８０℃のセーフベンドライヤーで１５分間乾燥し、フィルターを作製した。Ｕ−４０００型自記分光光度計［(株)日立製作所製］を使用し、これらのフィルターにおける吸収極大波長、吸収極大波長での透過率、および７５０ｎｍの透過率を測定（１５００〜３００ｎｍ）した。その結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
2009280639.tif 000013
【００５０】
表２より、本発明の電子ディスプレイ装置用フィルターは近赤外線を遮蔽し、可視光を透過することがわかる。
［試験例３］
試験例２と同様にして作製した化合物２、３、４、５および比較化合物のフィルターの耐光性試験，耐湿熱性試験および耐熱性試験を行った。その結果を表３に示す。耐光性試験には、デューパネル光コントロールウェザーメーター(ＤＰＷＬ−５Ｒ型)を用いた。Ｕ−４０００型自記分光光度計［(株)日立製作所製］を使用して、試験前および試験後においてフィルターの吸収極大波長の吸光度を測定し、インモニウム化合物の残存率を求めた。
【００５１】
【表３】
2009280639.tif 000014
【００５２】
【化１２】
2009280639.tif 000015
【００５３】
表３より、本願の実施例で得られた電子ディスプレイ装置用フィルターは耐光性および耐湿熱性に優れることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明により、近赤外線を遮蔽し、可視光を透過し、耐光性等のよい電子ディスプレイ装置用フィルター用等に使用されるインモニウム化合物等を提供することができる。