(57)【要約】  【課題】バンプ付き回路配線板を形成するに際して、めっきのはみ出しによるバンプ同士の接触を防止することにより、回路配線パターン間隙を狭小に設計可能として回路配線パターン配置の高密度化を図るとともに、回路配線パターン幅の全幅に亘るバンプを形成して、回路配線パターンの微細化に伴うバンプ先端面積の低下を抑える。  【解決手段】絶縁ベース材１１の一方の面にシード層１２を有する片面積層板１０を用意し、前記シード層１２の表面の回路形成部１３を除く部分に第１のめっきレジスト層１４を設け、露出したシード層１２の表面にめっき処理にて回路配線パターン１５を形成し、この回路配線パターン１５上であって回路配線パターン１５の全幅に亘るバンプ形成予定部分１６ａを除く部分に第２のめっきレジスト層１７を設け、露出した部分に電解めっき処理にてバンプ１６を形成し、前記第１および第２のめっきレジスト層１４，１８を除去した後に、露出したシード層１２をエッチング処理にて除去する。【選択図】図５
2009123971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ベース材の一方の面にシード層を有する片面積層板を用意し、前記シード層の表面の回路形成部を除く部分に第１のめっきレジスト層を設け、露出したシード層の表面にめっき処理にて回路配線パターンを形成し、この回路配線パターン上であって回路配線パターンの全幅に亘るバンプ形成予定部分を除く部分に第２のめっきレジスト層を設け、露出した部分に電解めっき処理にてバンプを形成し、前記第１および第２のめっきレジスト層を除去した後に、露出したシード層をエッチング処理にて除去することを特徴とするバンプ付き回路配線板の製造方法。
【請求項２】
上記第２のめっきレジスト層はインクジェット手段にて形成することを特徴とする請求項１記載のバンプ付き回路配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバンプ付き回路配線板の製造方法に関するものであり、特に、セミアディティブ法によって形成される回路配線パターンの端子部にバンプを設けた回路配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
端子部にバンプを設けた回路配線板としては、テープキャリアが知られている。例えば、絶縁フィルム上に任意のパターン構造で導体層を被着し、この導体層のバンプを設けようとする部分以外にレジスト層を形成して被覆し、導体層の露出した部分にめっき処理にて所定の高さとなるように突起を設け、その後レジスト層を除去して所望のバンプを形成する構成が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】実開昭５１−１６１０７３号公報（第５頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１記載のテープキャリアは、絶縁フィルム上に任意のパターン構造で導体層を被着しておき、めっき処理にて導体層の厚みを増してバンプを形成する方法が開示されている。この場合、図８に示すように、絶縁フィルム５０の上に、予めパターン構造に形成された導体層５１が設けられており、例えば二点鎖線で示す部分にバンプ５２を形成しようとすれば、バンプ５２以外の部分に斜線で示すレジスト層５３を被覆し、露出した導体層５１にめっき処理にて突起を設けてバンプ５２を形成する。
【０００４】
しかし、実際には、図９に示すように、バンプを形成しようとする部分からめっきがはみ出して、バンプ５２が予定の領域よりも拡がってしまう。したがって、隣接する導体層５１が接近していると、導体層５１からはみ出したバンプ５２同士が接触するおそれが生じるために、回路配線パターン間隙を広げた設計をしなければならず、回路配線パターン配置の高密度化に対応することが困難となる。
【０００５】
また、このような問題を解決するために、回路配線パターンの幅よりも狭い開口を有するめっきレジスト層を回路配線パターン上に形成し、めっき処理にてバンプを形成する方法が考えられるが、この方法では、めっきのはみ出しが無くなる反面、回路配線パターンの微細化に伴い、バンプ先端部面積が少なくなり、バンプ先端と他の基板や回路部品を異方性導電膜で接続する際には、接続に必要な面積が確保できなくなるという問題がある。
【０００６】
そこで、バンプ付き回路配線板を形成するに際して、めっきのはみ出しによるバンプ同士の接触を防止することにより、回路配線パターン間隙を狭小に設計可能として回路配線パターン配置の高密度化を図るとともに、回路配線パターン幅の全幅に亘るバンプを形成して、回路配線パターンの微細化に伴うバンプ先端面積の低下を抑え、電子部品や他の基板などとの接続面積を確保することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１記載の発明は、絶縁ベース材の一方の面にシード層を有する片面積層板を用意し、前記シード層の表面の回路形成部を除く部分に第１のめっきレジスト層を設け、露出したシード層の表面にめっき処理にて回路配線パターンを形成し、この回路配線パターン上であって回路配線パターンの全幅に亘るバンプ形成予定部分を除く部分に第２のめっきレジスト層を設け、露出した部分に電解めっき処理にてバンプを形成し、前記第１および第２のめっきレジスト層を除去した後に、露出したシード層をエッチング処理にて除去することを特徴とするバンプ付き回路配線板の製造方法を提供する。
【０００８】
この構成によれば、片面積層板のシード層の回路形成部を除く部分に第１のめっきレジスト層を設け、めっき処理にて回路配線パターンを形成する。その後、回路配線パターンの全幅に亘るバンプ形成予定部分を除く部分に第２のめっきレジスト層を設けて被蔽し、このバンプ形成予定部分に電解めっき処理にて所望高さのバンプを形成するとき、バンプ形成部分の側面（周縁部）は第１のめっきレジスト層で囲繞されているため、めっきが付着しない。さらに、第１および第２のめっきレジスト層を除去した後に、露出したシード層をエッチング除去すれば、回路配線パターンが電気的に独立して、回路配線パターン幅の全幅に亘るとともに、回路配線パターン間隙にめっきがはみ出ることの無いバンプが形成された、バンプ付き回路配線板が形成される。
【０００９】
請求項２記載の発明は、上記第２のめっきレジスト層はインクジェット手段にて形成することを特徴とする請求項１記載のバンプ付き回路配線板の製造方法を提供する。
【００１０】
この構成によれば、ノズルから液状のレジストインクを噴射させて回路配線パターンの全幅に亘るバンプ形成予定部分を除く部分にめっきレジスト層を設ける。インクジェット手段にてめっきレジスト層を形成するため、めっきレジストの塗布またはラミネート、フォトマスクを用いた露光、現像を含む一連の工程が不要となる。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１記載の発明は、セミアディティブ法によって形成される回路の端子部にバンプを設ける際、バンプ形成部分の側面（周縁部）に、めっきがはみ出して付着することがない。したがって、回路配線パターン間隙を狭小に設計可能として回路配線パターン配置の高密度化を図ることできる。
【００１２】
また、回路配線パターン幅の全幅に亘るバンプが形成できるので、回路配線パターンの微細化に伴うバンプ先端面積の低下を抑え、電子部品や他の基板などとの接続面積を確保することが可能となり、各種電気・電子機器の安定性や信頼性を高めることが可能となる。
【００１３】
請求項２記載の発明は、インクジェット手段にて第２のめっきレジスト層を形成するので、めっきレジストの塗布またはラミネート、フォトマスクを用いた露光、現像を含む一連の工程が不要となり、工数が削減されてコストダウンに寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造方法について、好適な実施例をあげて説明する。バンプ付き回路配線板を形成するに際して、めっきのはみ出しによるバンプ同士の接触を防止することにより、回路配線パターン間隙を狭小に設計可能として回路配線パターン配置の高密度化を達成するとともに、回路配線パターンの微細化に伴うバンプ先端面積の低下を抑え、電子部品や他の基板などとの接続面積を確保するために、本発明は絶縁ベース材の一方の面にシード層を有する片面積層板を用意し、前記シード層の表面の回路形成部を除く部分に第１のめっきレジスト層を設け、露出したシード層の表面にめっき処理にて回路配線パターンを形成し、この回路配線パターン上であって回路配線パターンの全幅に亘るバンプ形成予定部分を除く部分に第２のめっきレジスト層を設け、露出した部分に電解めっき処理にてバンプを形成し、前記第１および第２のめっきレジスト層を除去した後に、露出したシード層をエッチング処理にて除去することにより実現した。
【実施例１】
【００１５】
図１〜図７は本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図であり、各図（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【００１６】
図１は回路配線板の素材となる片面積層板１０を示し、該片面積層板１０は絶縁ベース材１１の一方の面に、回路配線パターンを形成する際の給電層となる薄膜金属層いわゆるシード層１２を有している。
【００１７】
このシード層１２は、絶縁ベース材１１との密着やマイグレーションを抑制するための下地層である、いわゆるアンカー層をスパッタリング手法や蒸着手法などの薄膜形成手法によって形成し、続いて導電層となる銅層を同様の薄膜形成手法やめっき手法で形成したものである。あるいは、広く採用されている無接着剤型の銅張積層板の銅層にエッチング処理を施して薄くし、それをシード層としてもよい。また、これらの手法や形態に限られず、セミアディティブ法で採用できる種々のシード層が使用可能である。
【００１８】
次に、図２に示すように、前記シード層１２の表面の回路形成部１３を除く部分に、第１のめっきレジスト層１４を設ける。この第１のめっきレジスト層１４は、めっきレジストの塗布またはラミネート、フォトマスクを用いた露光、現像を含む一連の手法によって形成される。
【００１９】
続いて、図３に示すように、回路形成部１３として露出しているシード層１２の表面に、該シード層１２を給電層として電解銅めっき処理を施し、回路配線パターン１５を形成する。この回路配線パターン１５のめっき厚みは、回路配線板の完成時の回路配線パターンと同じ厚みに設けられる。
【００２０】
次に、図４に示すように、回路配線パターン１５上のバンプ形成予定部分１６ａを除く部分に第２のめっきレジスト層１７を設ける。本発明においては、この第２のめっきレジスト層１７をインクジェット手段にて形成する。すなわち、ノズルから液状のレジストインクを噴射して、バンプ形成予定部分１６ａを除く部分にレジストインクを塗布し、紫外線もしくは熱によるキュア（硬化）を行う。インクジェット手段にて第２のめっきレジスト層１７を形成するので、めっきレジストの塗布またはラミネート、フォトマスクを用いた露光、現像を含む一連の工程が不要となり、工数が削減されてコストダウンに寄与できる。
【００２１】
続いて、図５に示すように、第２のめっきレジスト層１７が形成されずに露出したバンプ形成予定部分１６ａに、電解めっき処理にて所望高さのバンプ１６を形成する。このとき、バンプ１６が形成される部分の側面（周縁部）は第１のめっきレジスト層１４で囲繞されているため、前記側面にめっきがはみ出して付着することはない。したがって、めっきのはみ出しによるバンプ同士の接触を防止することができる。
【００２２】
次に、図６に示すように、前記第１のめっきレジスト層１４および第２のめっきレジスト層１７を除去すると、シード層１２が露出する。
【００２３】
さらに、図７に示すように、不要となったシード層１２の露出部分をエッチング処理にて除去すれば、絶縁ベース材１１の表面が露出して、回路配線パターン１５およびバンプ１６が電気的に独立して、バンプ付き回路配線板２０が形成される。
【００２４】
このように、セミアディティブ法によって形成される回路の端子部にバンプを設ける際、バンプ１６を形成する部分の側面（周縁部）に、めっきがはみ出して付着することがなく、めっきのはみ出しによる隣接のバンプ同士の接触を防止することができ、回路配線パターン間隙を狭小に設計可能として回路配線パターン配置の高密度化を図ることできる。
【００２５】
また、回路配線パターン幅の全幅に亘るバンプが形成できるので、回路配線パターンの微細化に伴うバンプ先端面積の低下を抑え、電子部品や他の基板などとの接続面積を確保することが可能となり、各種電気・電子機器の安定性や信頼性を高めることが可能となる。
【００２６】
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図２】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図３】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図４】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図５】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図６】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図７】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図８】従来の製造過程を示す説明図。
【図９】従来の製造過程を示す説明図。
【符号の説明】
【００２８】
１０    片面積層板
１１    絶縁ベース材
１２    シード層
１３    回路形成部
１４    第１のめっきレジスト層
１５    回路配線パターン
１６    バンプ
１６ａ  バンプ形成予定部分
１７    第２のめっきレジスト層
２０    バンプ付き回路配線板 
【図１】
2009123971.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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