(57)【要約】【課題】本発明は、フレキシブルプリント回路基板の製造方法及びその検査方法を提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、光学検査工程で回路パターンの良否及びオープン又はショート不良を検出して、製造工程を減らすことができ、後続工程での収率を向上させることができる。本発明の検査方法は、画素単位で映像データを獲得し、回路パターン又は空間成分の幅を測定する方向と垂直方向に測定して、測定された幅が基準幅より大きな場合の不良であると、ショートと検出する。また、本発明の検査方法は、測定された幅が画素の大きさより大きな不良が検出されないと、回路パターン又は空間成分の明るさレベルを垂直方向により細かく分析して、オープン、ショート又は残留銅箔に応じる不良を検出する。本発明によれば、製造工程を簡素化し、検査工程での信頼性を高めて生産原価を減らすことができ、後続工程での未検出を最小化して、製造会社の競争力を向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的検査を利用して回路パターンのオープン又はショートを検出するフレキシブルプリント回路基板の検査方法であって、
画素単位で前記フレキシブルプリント回路基板の映像データを獲得し、
前記映像データで各単位画素別に前記回路パターンが形成された方向と垂直な第１方向に回路パターン及び前記回路パターン間の空間成分の幅を測定し、
前記測定幅が基準幅より大きなものが検出されると、ショートと判定し、
前記測定幅が基準幅より大きなものが検出されないと、前記第１方向と垂直な第２方向に明るさレベルを測定し、測定された明るさレベルが周辺の明るさレベルと異なる部分が存在すると、不良と判定することを特徴とするフレキシブルプリント回路基板の検査方法。
【請求項２】
前記測定幅が基準幅より大きなものが検出されないと、前記第２方向に前記空間成分に対する明るさレベルを測定して、測定された明るさレベルが周辺の明るさレベルより小さな部分が存在すると、ショートと判定することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント回路基板の検査方法。
【請求項３】
前記ショートと判定することは、
前記空間成分の中央画素を基準に前記第２方向に明るさレベルを測定し、
測定された明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さな画素が存在すると、前記明るさレベルが小さな画素の隣接画素に対する明るさレベルをさらに測定して、前記隣接画素の明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さいか否かを判別し、
判別結果、前記隣接画素の明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さいと、ショートと判定し、
前記隣接画素の明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さくないと、残留銅箔と判定することを特徴とする請求項２に記載のフレキシブルプリント回路基板の検査方法。
【請求項４】
前記検査方法は、
前記映像データで前記第２方向に前記回路パターンの明るさレベルを測定し、
測定された明るさレベルが周辺の明るさレベルより大きな部位があるか否かを判別し、
判別結果、測定された明るさレベルが周辺の明るさレベルより大きな画素があると、オープンと判定することをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちの何れか１項に記載のフレキシブルプリント回路基板の検査方法。
【請求項５】
ベース基板に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層の一方に銅箔を設けるステップと、
前記銅箔上にフォトレジストを塗布するステップと、
前記基板に順次露光、現像、エッチング及び剥離を行って、回路パターンを形成するステップと、
前記回路パターンのオープン又はショート状態を光学的検査するステップと、
前記光学的検査において良品と判定された基板をメッキし、ソルダレジストを塗布するステップと、を含むプリント回路基板の製造方法であって、
前記ソルダレジストを塗布するステップ以後に、前記回路パターンのオープン又はショート状態を電気的に検査する工程が省略されたことを特徴とするフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記光学的検査は、
前記回路パターンの中で単位画素より小さな大きさのオープン又はショート状態を検出することができることを特徴とする請求項５に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記光学的検査は、
画素単位で前記フレキシブルプリント回路基板に対する映像データを獲得し、
前記映像データで各単位画素別に前記回路パターンの幅を前記回路パターンが形成された方向と垂直な第１方向に測定して、
前記回路パターンの単位画素別測定幅が基準幅より大きな場合が存在すると、ショートと判定することを特徴とする請求項５に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記光学的検査は、
前記回路パターンの単位画素別測定幅が基準幅より大きな場合が存在しないと、
前記第１方向と垂直な第２方向に前記回路パターン間の空間成分の画素の明るさレベルを測定して、測定された明るさレベルの中で他の明るさレベルより小さな部分が存在すると、ショートと判定することを特徴とする請求項７に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記光学的検査は、
前記第２方向に前記回路パターンの画素別明るさレベルを測定し、測定された明るさレベルが他の明るさレベルより大きな部分が存在すると、オープンと判定することを特徴とする請求項５乃至８のうちの何れか１項に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程に関し、さらに詳細には、極微細回路パターンを有するフレキシブルプリント回路基板の製造方法及びその極微細回路パターンのオープン又はショート検出のための検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置の小型化、軽量化及び高機能化などにつれて、半導体素子を実装するプリント回路基板は、次第に小型化及び軽量化されているのが現状である。このために、電子装置は、ＴＡＢ、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）などのように、テープ又はフィルム形態のフレキシブルプリント回路基板を利用する。
【０００３】
最近、ディスプレイ装置は、駆動集積回路（Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｒｉｖｅｒ  ＩＣ：ＤＤＩＣ）を実装するために、ＣＯＦタイプのフレキシブルプリント回路基板を使用するが、このようなフレキシブルプリント回路基板は、原価低減及び高解像度のディスプレイ装置を実現するために、回路パターンの線幅が極微細化されている。したがって、製造工程から発生する欠陥を検出するために、フレキシブルプリント回路基板は、一般に光学を利用して回路パターンの良否を判別するか、又は電気的な検査を利用して回路パターンのオープン／ショート（Ｏｐｅｎ／Ｓｈｏｒｔ）状態を検出する。また、最終的に外観検査を実施して、良否を判別する。
【０００４】
通常のフレキシブルプリント回路基板の製造方法は、まず、ベース基板に絶縁層を形成し、絶縁層の一方に銅箔を設け、銅箔上にフォトレジスタ（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）を塗布する。次に、露光及び現像工程を行ってパターニングし、このパターニングされた層をマスクとして利用して銅箔をエッチングすることにより、回路パターンを形成する。次に、剥離工程を行った後に、回路パターンの良否を判別する光学検査（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ：ＡＯＩ）を行い、良品と判定されたプリント回路基板をメッキした後、ソルダレジスト（ｓｏｌｄｅｒ  ｒｅｓｉｓｔ）を塗布した後、電気的にオープン／ショート状態を検査する。この後、最終的に外観検査を行って良品を出荷する。
【０００５】
かかる製造方法は、極微細回路パターンのオープン／ショートを検出するために、今までは製造工程中に回路パターンを１次的に光学検査した後、２次的に光学検査から未検出したオープン／ショート不良を電気的に検査して検出する。
【０００６】
例えば、光学検査方法は、最小単位である画素単位で映像データを獲得し、各々のパターン成分及び空間成分の幅を測定して基準値と比較して良否を判定する。しかしながら、極微細回路パターンの製造が増えつつ一つの画素より小さな幅のオープン又はショートが画素と画素との間に存在するようになり、このような不良は、従来の光学検査方法では検出が不可能である。したがって、このような極微細回路パターンの不良を検出するために、後続工程としてオープン／ショートを検出するための電気的検査工程を行う。
【０００７】
上述したとおり、ディスプレイ装置の駆動集積回路用フレキシブルプリント回路基板は、最近極微細回路パターンを形成するので、その回路パターンのオープン／ショート幅が例えば、約２μｍ以下の極微細不良として存在して、電気的な検査の信頼性が低下している。特に、回路パターンのオープン／ショート幅が極微細化して、従来のオープン／ショートを電気的に検査する工程では、実際には良品であるが不良と判別される過検出現象と、又は実際には不良であるが良品と判別される未検出現象とが幾何級数的に増加して、生産原価の増加及び安定した検査品質を得ることができない。そのため製造会社の競争力を低下させる要因となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、パターン成分のオープン又はショートを検出するために、光学検査を利用する極微細回路パターンを有するフレキシブルプリント回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、パターン成分のオープン又はショートを検出するために、光学検査を利用する極微細回路パターンを有するフレキシブルプリント回路基板の検査方法を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、電気的な検査工程なしにパターン成分のオープン又はショートを検出して、工程の簡素化及び製品の生産性を向上させる極微細回路パターンを有するフレキシブルプリント回路基板の製造方法及びその検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成すべく、本発明のフレキシブルプリント回路基板の検査方法は、光学的検査を利用して回路パターンのオープン又はショートを検出するものであって、画素単位で前記フレキシブルプリント回路基板の映像データを獲得し、前記映像データで各単位画素別に前記回路パターンが形成された方向と垂直な第１方向に回路パターン及び前記回路パターン間の空間成分の幅を測定し、前記測定幅が基準幅より大きなものが検出されると、ショートと判定し、前記測定幅が基準幅より大きなものが検出されないと、前記第１方向と垂直な第２方向に明るさレベルを測定して、測定された明るさレベルが周辺の明るさレベルと異なる部分が存在すると、不良と判定する。
【００１２】
ここで、前記測定幅が基準幅より大きなものが検出されないと、前記第２方向に前記空間成分に対する明るさレベルを測定して、測定された明るさレベルが周辺の明るさレベルより小さな部分が存在すると、ショートと判定することができる。
【００１３】
また、前記ショートと判定することは、前記空間成分の中央画素を基準に前記第２方向に明るさレベルを測定し、測定された明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さな画素が存在すると、前記明るさレベルが小さな画素の隣接画素に対する明るさレベルをさらに測定して、前記隣接画素の明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さいか否かを判別し、判別結果、前記隣接画素の明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さいと、ショートと判定し、前記隣接画素の明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さくないと、残留銅箔と判定することができる。
【００１４】
なお、前記検査方法は、前記映像データで前記第２方向に前記回路パターンの明るさレベルを測定し、測定された明るさレベルが周辺の明るさレベルより大きな部位があるか否かを判別し、判別結果、測定された明るさレベルが周辺の明るさレベルより大きな画素があると、オープンと判定することをさらに含むことができる。
【００１５】
また、本発明によるフレキシブルプリント回路基板の製造方法は、ベース基板に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層の一方に銅箔を設けるステップと、前記銅箔上にフォトレジストを塗布するステップと、前記基板に順次露光、現像、エッチング及び剥離を行って、回路パターンを形成するステップと、前記回路パターンのオープン又はショート状態を光学的検査するステップと、前記光学的検査において良品と判定された基板をメッキし、ソルダレジストを塗布するステップと、を含むものであって、前記ソルダレジストを塗布するステップ以後に前記回路パターンのオープン又はショート状態を電気的に検査する工程が省略される。
【００１６】
ここで、前記光学的検査は、前記回路パターンの中で単位画素より小さな大きさのオープン又はショート状態を検出することができる。
【００１７】
なお、前記光学的検査は、画素単位で前記フレキシブルプリント回路基板に対する映像データを獲得し、前記映像データで各単位画素別に前記回路パターンの幅を前記回路パターンが形成された方向と垂直な第１方向に測定して、前記回路パターンの単位画素別測定幅が基準幅より大きな場合が存在すると、ショートと判定することができる。
【００１８】
なお、前記光学的検査は、前記回路パターンの単位画素別測定幅が基準幅より大きな場合が存在しないと、前記第１方向と垂直な第２方向に前記回路パターン間の空間成分の画素の明るさレベルを測定して、測定された明るさレベルの中で他の明るさレベルより小さな部分が存在すると、ショートと判定することができる。
【００１９】
なお、前記光学的検査は、前記第２方向に前記回路パターンの画素別明るさレベルを測定し、測定された明るさレベルが他の明るさレベルより大きな部分が存在すると、オープンと判定することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の極微細回路パターンを有するフレキシブルプリント回路基板の製造及び検査方法によれば、光学検査を利用してパターン成分のオープン又はショートを検出することによって、電気的な検査工程なしで製造工程を簡素化して、製造原価を低減するという効果を得ることができる。
【００２１】
また、剥離工程後にパターン光学検査及びオープン又はショート光学検査を実施して、後続工程での収率向上及び検査性能を向上させることによって、製造会社の競争力が向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態は、多様な形態に変形され、本発明の範囲が後述する実施の形態に限定されると解釈されねばならない。本実施の形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などは、さらに明確な説明を強調するために誇張された。
【００２３】
以下、添付した図１〜図１０を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明による極微細回路パターンを備えるディスプレイ駆動チップ用フレキシブルプリント回路基板の製造手順を示すフローチャートである。
【００２５】
図１に示すように、本発明によるフレキシブルプリント回路基板の製造手順は、ステップＳ１００にて銅箔の設けられたベース基板にフォトレジストを塗布し、ステップＳ１０２及びステップＳ１０４にてマスクを利用して露光及び現像してフォトレジストに回路パターンを形成する。ステップＳ１０６にて回路パターン部位に残存するフォトレジストを除いた部位をエッチング処理して、不必要な導体層を除去する。次に、ステップＳ１０８にて回路パターンに対応して残存するフォトレジストを剥離して、絶縁層上に回路パターンに形成された導体層を得る。
【００２６】
ステップＳ１１０にて極微細回路パターンに対する映像データを画素単位で獲得して、各々の回路パターンと空間成分を判別し、各々の幅を測定して回路パターンの良否を検出する光学検査を行う。同時に、回路パターンのオープン又はショートを検出するために、水平方向に画素単位に回路パターン又は空間成分の幅を測定し、測定された回路パターンの幅が基準幅より大きいと、不良と判定する。このとき、測定された回路パターンの幅が基準幅より大きなものが検出されない場合には、垂直方向に各画素の明るさレベルを分析して、ショート又は残留銅箔の不良を検出する。また、パターン成分の垂直方向に明るさレベルを分析して、オープン不良を検出する。具体的な検出過程は、図３及び図８にて詳細に説明する。
【００２７】
ステップＳ１１２にて良品と判定されたプリント回路基板にメッキし、ステップＳ１１４にてソルダレジストを塗布した後、ステップＳ１１６にて最終的な外観検査を行う。
【００２８】
よって、本発明による極微細回路パターンを備えるフレキシブルプリント回路基板の製造方法は、既存の光学検査方式で検出されなかった部分を改善させて、光学検査で極微細回路パターンのオープン又はショート不良を検出することによって、後続工程のオープン又はショート検出のための電気的な検査工程を省略することができる。したがって、製造及び検査工程を減らすことによって、生産原価を低減することができ、不良発生を減らすことによって、後続工程での収率を向上させ、かつ製造会社の競争力を向上させうる。
【００２９】
また、この実施の形態は、極微細パターンを形成するためにエッチング工法を利用する製造方法について述べたが、パターン厚さだけメッキを堆積させてパターンを形成するメッキ工法を利用する製造方法でも、回路パターンと空間成分が形成された後に回路パターンのオープン又はショート検出のための光学検査を行うことができることは明らかである。
【００３０】
図２は、本発明によるフレキシブルプリント回路基板に対する映像データの一部構成を示す図である。
【００３１】
図２に示すように、映像データ２００は、画素２０２単位で獲得された極微細回路パターンの第１及び第２回路パターン２１０、２３０と、第１及び第２回路パターン２１０、２３０間に形成された空間成分２２０を含む。この実施の形態において映像データ２００は、第１及び第２回路パターン２１０、２３０と空間成分２２０とが垂直方向に配置される。
【００３２】
ここで、空間成分２２０に形成された微細パターン２４０、２５０は、第１及び第２回路パターン２１０、２３０が接続したショート（Ｓｈｏｒｔ、短絡）を示し、第１回路パターン２１０のＮ列とＮ＋１列との間に形成された部分２６０は、オープン（Ｏｐｅｎ、開放）を示す。
【００３３】
このとき、本発明の光学検査方法は、極微細回路パターンのショートを検出するために、回路パターン２１０、２３０の幅を、画素２０２を単位として、水平方向に測定する。測定された回路パターン２１０、２３０の不良が単位画素の大きさより大きな場合２１６には、例えば、第１回路パターン２１０の測定幅が空間成分２２０又は／及び第２回路パターン２３０にかけて存在する場合には、光学的に検出が可能なショート不良である。第１回路パターン２１０の幅を基準幅と比較することによって、正常か、ショートが存在するかを判定する。例えば、図２の第Ｎ列又は第Ｎ＋１列におけるように、測定された幅（例えば２１２、２１４）が、基準幅と比較された結果、基準幅以下であれば、正常とみなす。基準幅との比較の結果、基準幅より大きい場合（例えば２１６）は、ショート（例えば２４０）が存在すると判定する。
【００３４】
しかしながら、パターン成分が極微細であるから、測定された幅が単位画素の大きさより小さな場合２５０には、画素と画素との間に形成されたショートを通常の光学的検査では検出できない。例えば、第１回路パターン２１０と第２回路パターン２３０との間に形成されたショート２５０は、単位画素の大きさより小さく、画素と画素との間に形成されたショートであるから、通常の光学的検査では検出されない。よって、本発明は、このような不良を検出するために、第１及び第２回路パターン２１０、２３０間に存在する画素のうち、第１及び第２回路パターン２１０、２３０の幅測定方向と垂直になる垂直方向に画素の明るさレベルを分析して、他の部位より低い明るさレベルを有した画素部位をショートと判定する。
【００３５】
また、本発明の光学検査方法は、極微細回路パターンのオープンを検出するために、回路パターン２１０、２３０の方向である垂直方向に画素の明るさレベルを測定して、それぞれの画素の明るさレベルを比較し、他の画素の明るさレベルより大きな画素２６０が存在する場合にオープンとして検出する。
【００３６】
具体的に図３〜図６を利用して、本発明による極微細回路パターンのショート及び残留銅箔を検出するための光学検査方法を説明する。
【００３７】
図３は、本発明の一実施の形態による極微細回路パターンのショート検出のための光学検査手順を示すフローチャートである。また、図４及び図５は、図２に示す極微細回路パターン間のパターンショートを示す図で、図６は、図５に示す垂直方向に測定された明るさプロファイルを示す波形図であり、図７は、本発明の他の実施の形態による極微細回路パターン間に残存する銅箔を示す図である。
【００３８】
図３に示すように、ステップＳ１２０にて画素（図２の２０２）単位で映像データ２００を獲得し、ステップＳ１２２にて映像データ２００を水平方向に回路パターン２１０、２３０又は空間成分２２０の幅を測定して、回路パターン２１０、２３０の良否を検出する。
【００３９】
このとき、ステップＳ１２４にて極微細回路パターンのショートを検出するために、測定された回路パターンの幅が基準幅より大きな不良であるか否かを判別する。判別結果、測定された幅が基準幅より大きな不良であれば、この手順は、ステップＳ１２６に進んでパターンショート（図２の２４０）と判定する。すなわち、第１回路パターン２１０にて測定した幅が、空間成分２２０上に存在するショート２４０を介して第２回路パターン２３０までつながるようになって、ショートと検出される。
【００４０】
しかしながら、測定された幅が図４に示すように、画素の大きさより小さく、かつ画素と画素との間にまたがった不良のショート２５０であると、ステップＳ１２４にて検出されないので、この手順は、ステップＳ１２８に進んで、垂直方向に空間成分２２０に対した明るさレベルを分析し、他の画素より明るさレベルが小さな部位があるか否かを判別する。すなわち、図５に示すように、空間成分２２０の垂直方向の中央である２行の画素２２６の明るさレベルを測定し、測定された画素の明るさレベルのうち、他の画素の明るさレベルより小さな部位があるか否かを判別する。すなわち、空間成分２２０より明るさレベルが小さな部位があれば、ショート２５０があることを判別することができるためである。
【００４１】
判別結果、他の画素の明るさレベルより小さな部位がなければ、空間成分２２０と類似の明るさレベルであるから、この手順は、ステップＳ１３０に進んでパターン成分の良好を判定する。反対に、図６に示すように、他の画素の明るさレベルより小さな部位３０２があると、ステップＳ１３２に進んで明るさレベルが小さな部位３０２の隣接画素に対する明るさレベルを分析する。すなわち、隣接画素の明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さいか否かを判別する。これは、より正確な光学検査のためのものであって、主にショートに対するデータが存在する画素を基準に隣接する行を他の画素の明るさレベルと比較し、明るさレベルの差を確認することである。このように、垂直方向（図７の２７４、２７６）で明るさレベルを順次確認すると、第１回路パターン２１０と第２回路パターン２３０との間にショートが接続又は分離されているかが分かり、完全なショート２５０であるか、又は図７に示す残留銅箔２７０であるかを判定することができる。本発明では、残留銅箔２７０が回路パターン２１０と回路パターン２３０との間にショートを起こすおそれがあるので、不良と判定する。
【００４２】
すなわち、判別結果、隣接画素２７４、２７６の明るさレベルが他の画素の明るさレベルより小さいと、この手順は、ステップＳ１３６に進んでパターンショート２５０と判定し、隣接画素２７４、２７６の明るさレベルが空間成分２２０の明るさレベルと似ていると、ステップＳ１３４に進んで残留銅箔２７０と判定する。
【００４３】
次に、図８〜図１０を利用して、本発明による極微細回路パターンのオープンを検出するための光学検査方法を説明する。
【００４４】
すなわち、図８は、本発明の一実施の形態による極微細回路パターンのオープン検出のための光学検査手順を示すフローチャートで、図９は、図２に示す極微細回路パターン間のパターンオープンを示す図、図１０は、図５に示す垂直方向に測定された明るさプロファイルを示す波形図である。
【００４５】
図８に示すように、本発明によるオープン検査方法は、ステップＳ１５０にて垂直方向に回路パターン２１０の明るさレベルを測定する。例えば、図９に示すように、第１回路パターン２１０上で画素間に存在するオープンを検出するために、第１回路パターン２１０の列別にパターン幅を測定する測定方向と垂直な行方向、例えば第１回路パターン２１０の行方向の中央行、すなわち、３行に垂直に隣接して並ぶ画素２１８のそれぞれの明るさレベルを測定する。
【００４６】
ステップＳ１５２にて測定された明るさレベルが他の画素の明るさレベルより大きな部位があるか否かを判別する。例えば、第１回路パターン２１０上で画素間に存在するオープンを検出するために、第１回路パターン２１０の垂直に隣接して並ぶ画素のそれぞれの明るさレベルの偏差を測定する。ショートと同様にオープンされれば、パターン成分上では、約５０レベル程度の偏差が発生するので、偏差が発生した部分はオープンされていることが分かる。
【００４７】
すなわち、判別結果、図１０に示すように、他の画素の明るさレベルより大きな部位３１２があると、この手順は、ステップＳ１５４に進んで画素間に存在するオープンにより明るくなった部分であるから、パターンオープン２６０と判定する。そして、基準明るさレベルより大きな部位がなければ、すなわち、画素間に回路パターンと類似の明るさレベルを有する部位３１４であるから、ステップＳ１５６に進んでパターン良好と判定する。
【００４８】
以上、本発明による極微細回路パターンを有するフレキシブルプリント回路基板の製造方法並びにその検査方法の構成及び作用を詳細な説明と図面にて示したが、これは、実施の形態を例に挙げて説明したものに過ぎず、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な変化及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明による極微細回路パターンを備えるディスプレイ駆動チップ用プリント回路基板の製造手順を示すフローチャートである。
【図２】本発明による画素単位で獲得された映像データの構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態による極微細回路パターンのショート検出のための光学検査手順を示すフローチャートである。
【図４】図２に示す極微細回路パターン間のパターンショートを示す図である。
【図５】図４に示す極微細回路パターン間のショート検出を説明するための図である。
【図６】図５に示す垂直方向に測定された明るさプロファイルを示す波形図である。
【図７】本発明の他の実施の形態による極微細回路パターン間に残存する銅箔を示す図である。
【図８】本発明の一実施の形態による極微細回路パターンのオープン検出のための光学検査手順を示すフローチャートである。
【図９】図２に示す極微細回路パターン間のパターンオープンを示す図である。
【図１０】図５に示す垂直方向に測定された明るさプロファイルを示す波形図である。
【符号の説明】
【００５０】
２００    映像データ
２０２    画素
２１０    第１回路パターン
２２０    空間成分
２３０    第２回路パターン
２４０、２５０    ショート
２６０    オープン
２７０    残留銅箔
３００、３１０    明るさプロファイル
【図１】
2009105400.tif 000003
【図２】
2009105400.tif 000004
【図３】
2009105400.tif 000005
【図４】
2009105400.tif 000006
【図５】
2009105400.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009105400.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009105400.tif 000011
【図１０】
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