(57)【要約】      （修正有）【課題】太陽電池に用いられる基板の表面にセル形成用のフィンガー電極用の凹溝をより細い溝幅にて直接且つ均一に形成するプラズマ加工方法とその装置を提供する。【解決手段】大気圧より大なる作動ガス含有雰囲気ガス中において、被加工物載置用放電電極１上に被加工物１０を設置し、前記被加工物載置用放電電極１に対向して配置された対向放電電極２の被加工物１０側の面に設けられ、背後電極３ｂが内蔵された固体誘電体３を被加工物１０に接触させて配置し、前記電極１、２間に高電圧を印加して固体誘電体３の側面に沿面放電プラズマＰを発生させ、該沿面放電プラズマＰにより固体誘電体３の被加工物１０との接触縁に沿って被加工物１０の表面に表面加工線状部１０ａを形成することを特徴とする。【選択図】図２
2009252800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧より大なる作動ガス含有雰囲気ガス中において、被加工物載置用放電電極上に被加工物を設置し、
前記被加工物載置用放電電極に対向して配置された対向放電電極の被加工物側の面に設けられ、背後電極が内蔵された固体誘電体を被加工物に接触させて配置し、
前記電極間に高電圧を印加して固体誘電体の側面に沿面放電プラズマを発生させ、該沿面放電プラズマにより固体誘電体の被加工物との接触縁に沿って被加工物の表面に表面加工線状部を形成することを特徴とするプラズマ加工方法。
【請求項２】
（Ａ）物載置用放電電極と、
（Ｂ）物載置用放電電極に対向して配置された対向放電電極と、
（Ｃ）対向放電電極の被加工物載置用放電電極側の面に設けられ、放電時には被加工物載置用放電電極上に載置された被加工物に接触させて使用され、該被加工物に対する接触部分に、内部に背後電極が内蔵された放電用凸部が形成されている固体誘電体と、
（Ｄ）固体誘電体の放電用凸部と被加工物載置用放電電極とで構成される空間に大気圧よりも大なる作動ガス含有雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給配管とで構成されたことを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項３】
被加工物がシリコン基板又はガラス基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ加工方法又はプラズマ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体誘電体からの放電によりプラズマを発生させ、被加工物、特に、半導体のシリコンウェハーや太陽電池基板に形成される極細幅線状のデポジットや極細幅溝状のエッチングなどの表面加工をダイレクトに行うプラズマ加工方法とその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は入射した光エネルギを電気エネルギに変換するもので、使用材料により結晶系、アモルファス系、化合物系などに分類されるが、現在市場で流通しているのは変換効率が高い結晶系シリコン太陽電池であり、その受光面には太いバスバー電極とこれに直角に伸びるように一定間隔で形成された多数本のフィンガー電極が形成され、裏面には裏面電極が形成されている。この結晶系シリコン太陽電池はさらに単結晶型、多結晶型に分類される。この太陽電池は１枚の絶縁性基板或いはモジュール内に多数のセル(110)をカスケード接続して高い電圧を取り出せるようにしている。図１０は前記方法で製造された電力用モジュールの断面図である。
【０００３】
図８〜９は、１枚のガラス基板(100)上に形成された各セル(110)は適当なパターニングによって透明電極(109)および裏面電極(111)を通じて隣接するセル(110)とそれぞれ直列に接続され、高い電圧が得られるようになっていることを図示している。パターニングは、同図に示すように樹脂印刷→エッチング→樹脂剥離→太陽電池素子層形成のためのマスク合わせ→裏面電極形成のマスク合わせによりパターニングを行うメタルマスク方式又はフォトリソグラフィ方式あるいは透明電極被着層のレーザーによるパターニング→太陽電池素子層のレーザーを用いてのパターニング→裏面電極被着層のレーザーによるパターニング方式などがある(非特許文献１)。
【０００４】
現在、太陽電池は研究レベルから量産レベルに移行しており、且つ、近年の地球環境保護の面から世界的に注目されており、需要が大幅に増してきているのが現状であり、高い変換効率に対する要求と同じくして低コスト化がより求められるようになった。このような太陽電池に於いて、前述のパターニング方法はいずれも生産効率が悪く多大のコストがかかっているのが現状である。
【０００５】
そこで、このような問題点を解決するために本発明者による特開２００６−１７９７２０に記載された発明(プラズマに依る電極溝形成方法)が提案された。この方法により半導体基板、特に半導体装置(とりわけダイオード)や太陽電池に用いられる基板の表面にパターニングにて形成される埋め込み型(バスバー型)電極用の凹溝やセル形成用(フィンガー電極用)の凹溝或いは逆にデポジットをプラズマ加工で高効率且つ均一に形成することができるようになった。しかしながら最近では、更なる発電効率の向上を求められており、それには特に受光面積に影響するセル形成用フィンガー電極の電極溝幅の更なる細幅化が求められるようになっている。
【非特許文献１】太陽電池とその応用［改訂版］  発行者：株式会社パワー  著者：桑野幸徳、中野昭一、岸  靖雄、大西三千年  初版発行年：1994年4月25日
【特許文献１】特開２００６−１７９７２０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような更なる要求に対応することが出来るプラズマ加工方法とその装置を提供することを発明の課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を達成するために、請求項１に係るプラズマ加工方法は、「大気圧より大なる作動ガス含有雰囲気ガス中において、被加工物載置用放電電極(1)上に被加工物(10)を設置し、
前記被加工物載置用放電電極(1)に対向して配置された対向放電電極(2)の被加工物(10)側の面に設けられ、背後電極(3b)が内蔵された固体誘電体(3)を被加工物(10)に接触させて配置し、
前記電極(1)(2)間に高電圧を印加して固体誘電体(3)の側面に沿面放電プラズマ(P)を発生させ、該沿面放電プラズマ(P)により固体誘電体(3)の被加工物(10)との接触縁に沿って被加工物(10)の表面に表面加工線状部(10a)を形成する」ことを特徴とする。
【０００８】
請求項２は前記方法を実施するためのプラズマ加工装置に係り、
（Ａ）物載置用放電電極(1)と、
（Ｂ）物載置用放電電極(1)に対向して配置された対向放電電極(2)と、
（Ｃ）対向放電電極(2)の被加工物載置用放電電極(1)側の面に設けられ、放電時には被加工物載置用放電電極(1)上に載置された被加工物(10)に接触させて使用され、該被加工物(10)に対する接触部分(3a)に、内部に背後電極(3b)が内蔵された放電用凸部(8)が形成されている固体誘電体(3)と、
（Ｄ）固体誘電体(3)の放電用凸部(8)と被加工物載置用放電電極(1)とで構成される空間(4)に大気圧よりも大なる作動ガス含有雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給配管(5a)とで構成されたことを特徴とし、被加工物(10)はシリコン基板又はガラス基板であることを特徴とする。
【０００９】
本加工装置にあっては、図１１に示すように電極(1)(2)に対する同一印加電圧(Discharge  Voltage[ｋＶ]＝放電維持電圧Ｖｄ)では、作動ガス含有雰囲気ガス圧が大気圧よりも大になるに従い、線幅が細くなっていることから分かるように、大気圧より大なる気圧の作動ガス含有雰囲気ガス下において、被加工物(10)に対して接触して配置された固体誘電体(3)の被加工物(10)に対する接触部分(3a)の内部に背後電極(3b)を内蔵された放電用凸部(8)が形成されているので、両電極(1)(2)間に高周波高電圧を印加した場合、放電用凸部(8)の側面に沿って沿面放電による複数本のプラズマ(P)［ストリーマ］が発生し、作動ガスがエッチングガスの場合には、放電用凸部(8)の被加工物(10)に対する接触縁に沿って極く細い表面加工線状部(10a)であるエッチング溝が直接形成され、デポジットガスの場合には極く細い表面加工線状部(10a)であるデポジション線(積層線)が直接形成される。なお、被加工物(10)は例えばシリコン基板やガラスなどである。極細の表面加工線状部(10a)であるエッチング溝の形成メカニズムに付いては後述する。また、作動ガスがデポジションガスの場合には、同様に極細デポジション線が形成される。
【００１０】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明装置の原理図で、円板又は角板状の被加工物載置用放電電極(1)と、前記被加工物載置用放電電極(1)の直上に該放電電極(1)に対向して配置された対向放電電極(2)と、対向放電電極(2)の被加工物載置用放電電極(1)に対する対向面に取り付けられる固体誘電体(3)と、固体誘電体(3)の被加工物(10)に対する接触部分(3a)に複数設けられ、背後電極(3b)が内蔵された放電用凸部(8)(8)間と被加工物(10)とで構成される空間(4)に作動ガス含有雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給機構(5)と、ＣＣＤセンサ(22)とで大略構成されており、密閉チャンバ(11)内に収納されている。
【００１１】
図１において、被加工物載置用放電電極(1)は密閉チャンバ(11)の底部に設置された移動台(12)に載置されており、縦横回転および上下方向(Ｘ-Ｙ-θ-Ｚ方向)に駆動装置(13)により駆動されるようになっている。前記駆動装置(13)は、公知機構で、例えば、ステッピングモータ駆動機構を用いたＸ−Ｙステージ、その上に設置されたステッピングモータ駆動を用いた分割回転機構、更にその上に設けられたシリンダのような昇降機構とで構成されている。被加工物載置用放電電極(1)は、その上に設置された被加工物(10)を例えば、真空吸着あるいは静電吸着固定できるようになっている。
【００１２】
前記駆動装置(13)は、ドライバー(14)およびコントローラ(15)により縦・横・回転および上下方向の位置制御又は位置制御及び速度制御がなされるようになっている。また、密閉チャンバ(11)の底部と移動台(12)とは移動台(12)の移動に合わせて伸縮する密閉用蛇腹(16)によって接続されている。また、被加工物載置用放電電極(1)は電流センサ(17)を介して接地されている。
【００１３】
一方、対向放電電極(2)は密閉チャンバ(11)の天井部分から垂設され、電極交換時に用いられる昇降機構(18)に取り付けられており、対向放電電極(2)の下面(2a)(被加工物載置用放電電極(1)に対する対向面)に対向放電電極(2)より大きい固体誘電体(3)が対向放電電極(2)の下面(2a)全面を覆うように脱着可能に設置されている。
【００１４】
固体誘電体(3)の被加工物(10)との接触部分(3a)には放電用凸部(8)が一体的に突設するように形成されており、その内部に背後電極(3b)が内蔵されている。前記背後電極(3b)は対向放電電極(2)との接続の方法としては、一体的に形成されていてもよいし、或はいずれかの方法で電気的に接続されていてもよい。例えば、固体誘電体(3)から導出した導体を対向放電電極(2)に端子で接続しても良いし、固体誘電体(3)から背後電極(3b)の一部を突出させ、対向放電電極(2)に直接接触させてもよい。背後電極(3b)は放電用凸部(8)内でその高さ(H)は自由に選定する事が出来るが、高さ(H)が高いほど生成される沿面放電によるプラズマ(P)は長くなる。プラズマ(P)の長さが長くなるほど表面加工線状部(10a)の溝幅は広くなり、短くなるほど狭くなる。また、放電維持電圧Ｖｄが高くなるほど表面加工線状部(10a)の溝幅は広くなる。
【００１５】
印加電圧は高周波電圧で、例えば３０ｋＨｚである。沿面放電を維持する放電維持電圧Ｖｄは３.４〜５.２ｋＶの間で適宜変更して使用される。密閉チャンバ(11)内の圧力は１気圧以上で、例えば加工に適用された気圧は１３２ｋＰａ、１５２ｋＰａである。
【００１６】
放電用凸部(8)の幅(W1)、隣接する放電用凸部(8)の溝間隔(W2)は要求される表面加工線状部(10a)の間隔によって適宜の寸法が選定される。通常、放電用凸部(8)の側面に沿って発生する沿面放電プラズマ(P)によって形成される表面加工線状部(10a)が等間隔になるように幅(W1)、溝間隔(W2)が選定される。また、放電用凸部(8)の溝高さ(H)は２〜４ｍｍである。このような数値が選ばれる理由は、放電用凸部(8)間の放電用凹部である空間(4)内を雰囲気ガス(エッチングガス或いはデポジットガス)が円滑に流れるようにするためである。
【００１７】
また、対向放電電極(2)には対向放電電極(2)を冷却するための水冷用配管(21)と、前記固体誘電体(3)を通して被加工物載置用放電電極(1)上の被加工物(10)の合わせマークを見て位置決めするＣＣＤセンサ(22)と、高電圧電源装置(23)が設置されており、前記ＣＣＤセンサ(22)にはＣＣＤセンサ用のアンプ(24)およびＣＲＴ(25)が接続されている。昇降機構(18)は例えばシリンダ機構のようなもので上下方向に移動可能となっている。
【００１８】
上記放電電極(1)(2)としては、例えば、銅、アルミニウ等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、シリコン導体材料等が用いられ、それらの構造は、同図に示すような平行平板型に限らず、円筒対向平板型、球対向平板型、双曲面対向平板型、同軸円筒型、円筒対向円筒型の各構造を用いることが可能である。図２の実施例では放電電極(2)には背後電極(3b)が一体的に櫛歯状に形成されている。
【００１９】
そして、印加時には前記被加工物載置用放電電極(1)（平板電極）に載置された被加工物(10)に前記放電用凸部(8)が接触するように配置されており、これら被加工物載置用放電電極(1)上の被加工物(10)と固体誘電体(3)の放電用凸部(8)との間には沿面放電によるプラズマ(P)発生用(或いはデポジション用)の空間(4)が形成される。
【００２０】
固体誘電体(3)は例えば、石英ガラスのような誘電率の高いもの(一般的には、酸化物)で構成されており、対向放電電極(2)に取り付けられたとき、その下面(被加工物載置用放電電極(1)に対する対向面)に図２又は図３に示すような前述の放電用凸部(8)が一定間隔で形成されている。該放電用凸部(8)については前述の通りで、その内部には背後電極(3b)が内蔵されており、放電用凸部(8)同士の間隔は被加工物(10)の必要な加工部位に合わせて形成されている。太陽電池の場合ではセルを構成するバスバー電極溝又はフィンガー電極用溝(本発明の場合はフィンガー電極用溝が特に対象となる。)に合わせて形成される。放電用凸部(8)の断面形状は矩形であるが、勿論、これに限られず、被加工物(10)に形成されるパターニング形状に最適の断面形状が採用される。また、放電用凸部(8)は直線又は曲線の突畝状でもよいし、単なる円柱状のものでもよい。要するに被加工物(10)に形成されるパターニング形状に最適の断面形状が採用される。
【００２１】
なお、固体誘電体(3)は、同図に示すような対向放電電極(2)に設置するものに限られず、図示していないが、被加工物(10)に接触する面は櫛歯状に形成されていて、両放電電極(1)(2)の対向面の双方に設置するようにしてもよい。ただし、前述の放電用凸部(8)は対向放電電極(2)に取り付けられる固体誘電体(3)に限られる。固体誘電体(3)は放電電極(2)に真空吸着或は機械的に密着するように設置され、対向する放電電極(1)に対して放電電極(2)の対向面を覆うようにして、露出部分へのプラズマ(図示せず)の移動を防止している。
【００２２】
雰囲気ガス供給機構(5)は昇降機構(18)に取り付けられ、対向放電電極(2)と共に昇降するようになっている。雰囲気ガス給排機構(5)の構成は固体誘電体(3)の放電用凸部(8)と被加工物載置用放電電極(1)との間のプラズマ発生空間(4)に開口した雰囲気ガス供給配管(5a)と、雰囲気ガス排気配管(5b)、及び両者(5a)(5b)の間のプラズマ発生空間(4)を前後に囲む隔壁(5c)とで構成されており、両者(5a)(5b)の上下両面にはシール部材(6)が設けられ、固体誘電体(3)の下面と被加工物載置用放電電極(1)の上面に密着するようになっている。
【００２３】
従って、両者(5a)(5b)と前後の隔壁(5c)(5c)とで囲まれた上下両面が開口していることになる。この下面開口(5d)内に被加工物(10)が入り込み、上面開口(5e)に固体誘電体(3)が入り込むことになり、前記シール(6)にて雰囲気ガス供給・排気配管(5a)(5b)の上下がそれぞれ固体誘電体(3)と被加工物載置用放電電極(1)に密着してプラズマ発生用のスペースを形成することになる。なお、(5a1)は雰囲気ガス供給配管(5a)の給気口、(5a2)は雰囲気ガス供給配管(5a)の給気バッファ、(5b1)は雰囲気ガス排気配管(5b)の排気口、(5b2)は雰囲気ガス排気配管(5b)の排気バッファで、給気や排気の圧力変化(換言すれば圧力のハンチング)を軽減するものである。
【００２４】
本実施例の被加工物(10)である太陽電池基板は単結晶もしくは多結晶の円形或いは矩形のシリコン基板又はガラス基板である。シリコン基板の場合はｐ型、ｎ型いずれでもよい。また、作動ガス含有雰囲気ガスは、雰囲気ガスとしてＡｒガスが使用され、エッチングガスとしては例えばＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6，ＮＦ3，ＣＨＦ3，Ｃ3Ｆ8、デポジットガスとしては例えばシランガス、ＴＥＯＳのようなものが使用され、適宜割合のＡｒガス混合ガスとして使用される。
【００２５】
密閉チャンバ(11)は本発明装置を収納するもので、不活性ガス供給配管(28a)、不活性ガス排気配管(28b)及び被加工物(10)の出し入れを行う開閉扉(29)が設けられている。
【００２６】
しかして、ロボットハンドのような搬送手段(図示せず)により開閉扉(29)のところから被加工物載置用放電電極(1)上に被加工物(10)を載置し、続いて密閉チャンバ(11)内を真空にした後、不活性ガス供給配管(28a)のバルブ(31)を開き、不活性ガスが充填され、密閉チャンバ(11)内を所定圧(通常は常圧)の不活性雰囲気とする。通常、Ｈｅが不活性雰囲気として使用される。
【００２７】
続いて、ＣＣＤセンサ(22)を作動させ、被加工物載置用放電電極(1)上の被加工物(10)の位置合わせマークを基準として固体誘電体(3)に対して被加工物載置用放電電極(1)上の被加工物(10)が所定の位置に来るように駆動装置(13)により移動台(12)を移動させる。被加工物(10)の位置が定まったところで移動台(12)を上昇させ、被加工物(10)の表面に固体誘電体(3)の放電用凸部(8)を接触させ、この状態で雰囲気ガス供給配管(5a)から作動ガス含有雰囲気ガスをプラズマ発生空間(4)に供給し、同時に雰囲気ガスを雰囲気ガス排気配管(5b)から排出してプラズマ発生空間(4)全体(より正確には、隣接する放電用凸部(8)(8)間と被加工物(10)との間に形成される空間(4))を通流する作動ガス含有雰囲気ガスで覆う。この作動ガス含有雰囲気ガスは前述のように大気圧よりも大である。
【００２８】
この状態で、高電圧電源装置(23)を作動させて図４に示すような高電圧パルス([a]は一方向の高圧パルスの印加で、[b]は双方向の高圧パルスの印加の場合である。後者にあっては放電中に対向放電電極(2)に溜まったマイナス電荷を逆極性のパルスで中和し、放電用凸部(8)の側面に安定的に沿面放電によるプラズマ(P)を生成させることができる。)を両放電電極(1)(2)間に印加し、固体誘電体(3)の放電用凸部(8)の側面に安定な沿面放電によるプラズマ(P)を多数本発生させ、作動ガス含有雰囲気ガスにより被加工物(10)の放電用凸部(8)と被加工物(10)との接触部分の放電用突部(8)の接触縁に沿って表面加工線状部(10a)［エッチング溝(10a)或いは線状デポジット］を直接形成する。
【００２９】
この場合、装置内圧力が大気圧よりも高いので、放電開始電圧(Ｖｓ)が高くなり沿面ストリーマ［沿面放電によるプラズマ(P)］が大気圧放電と比べて伸展しない。即ち、沿面放電プラズマ(P)の進展が抑制され、エッチング或はデポジションなどの表面加工線状部(10a)に寄与するラジカル生成量の盛んな放電領域が小さくなり、生成されるラジカルが減少し、ラジカルの拡散が抑えられるため溝幅の変化が小さくなる。しかしながらエッチング時間が長くなれば当然それだけ溝幅・溝深さは大きくなる。
【００３０】
本発明に於ける沿面放電プラズマの発生を原理的にいえば、処理装置内の圧力を大気圧よりも高い高気圧（例えば約１.３〜１.５気圧）に設定して沿面放電プラズマ(P)を発生させると、沿面放電プラズマ(P)自体が局在化されると共に平均自由工程(粒子間衝突距離)が短くなり、ラジカルの拡散長も短くなる。加えて、沿面放電プラズマ(P)によって形成される電極溝(10b)「又は、デポジション線」の幅方向への広がりも抑制することができ、より狭い電極溝(10b)「又は、デポジション線」を作成することができるのである。勿論、約１.３〜１.５気圧に限られず、上記理由により大気圧以上であれば足り、１.３気圧(放電維持電圧＝４.６ｋＶ)で電極溝(10b)「又は、デポジション線」の溝(線)幅は大気圧の場合に比べて急激に細くなる。
【００３１】
最近の太陽電池のフィンガー電極の場合は１００μｍ以下の溝幅が要求されているが、前記方法では太陽電池のフィンガー電極の場合は１００μｍ〜７５μｍ以下程度(現段階では５０μｍが最小)である。
【００３２】
所定量の表面処理(エッチングやデポジット)が終了すると前記混合ガスの供給と放電電極(1)(2)間の通電を停止し、密閉チャンバ(11)内を窒素などのパージガスでパージした後、開閉扉(29)を開き、表面加工処理の終了した被加工物(10)をロボットアームのような搬送手段により取り出す。本発明において処理に用いるガスとしては、電界を印加することによって沿面放電プラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、処理目的に応じて種々のガスを使用できる。
【００３３】
…実験例…
・試料；表面に膜厚約１５７ｎｍ程度のＳｉＮ膜が反射防止膜として形成されている太陽電池用の単結晶シリコン基板
・エッチングガス；Ａｒ、ＣＦ4混合ガス
・装置内圧；１０１ｋＰａ、１３２ｋＰａ、１５２ｋＰａ
・電圧供給源；３０ｋＨｚの擬似正弦波(パルス幅  約１０μｍ)
・背後電極の長さＨが１ｍｍ
・エッチング時間ｔe＝１０秒
・放電維持電圧Ｖｄをそれぞれの圧力下で放電開始電圧（Ｖｓ）〜５ｋＶまで変化させた。
１０１ｋＰａの放電開始電圧（Ｖｓ）は、３.６ｋＶ、
１３２ｋＰａの放電開始電圧（Ｖｓ）は、４.６ｋＶ、
１５２ｋＰａの放電開始電圧（Ｖｓ）は、４.８ｋＶであった(従って、ガス圧が高くなるほど、放電開始電圧は高くなる。)。
・以上の条件で電極溝幅のガス圧力依存性について調べた。
【００３４】
…実験結果（図１１）…
図１１に各ガス圧力下における電極溝の放電維持電圧（Ｖｄ）依存性を示す。同じ放電維持電圧（Ｖｄ＝５.０ｋＶ、５.２Ｖ）では各ガス圧力(装置内圧；１０１ｋＰａ、１３２ｋＰａ、１５２ｋＰａ)下においてガス圧力が高い程、より細い幅の電極溝が作製可能なことが明らかとなった。即ち、ガス圧力を大気圧以上の高気圧にすることにより、より細い幅の電極溝を作製可能なことが明らかになった。特に４.６ｋＶでは、１気圧(１０１ｋＰａ)と比較して１.３気圧(１３２ｋＰａ)の線幅が急激に細く８０μｍ程度に達している。そして、１.５気圧(１５２ｋＰａ)の場合、放電開始電圧Ｖｓが高くなるため、ガス圧に依る線幅現象作用が若干減殺され１００μｍとなっている。ただ、放電維持電圧Ｖｄが低いと溝加工(デポジション[積層]処理)が長くなり且つ線幅や溝深さ(積層高さ)にムラが生じ易く、実用的な範囲としては１.２気圧〜１.５気圧程度が好ましく、放電維持電圧Ｖｄは４.２ｋＶ〜５.０ｋＶで線幅がほぼ１００μｍを実現できる範囲(１.３気圧では４.６２ｋＶ以下、１.５気圧では５.０ｋＶ)であることが好ましい。
【００３５】
なお、前記電極溝の放電維持電圧（Ｖｄ）依存性は、ガス圧力を高く設定した場合、大気圧下に比べてプラズマ自体が局在化すること、放電開始電圧（Ｖｓ）（或いは放電維持電圧Ｖｄ）が高くなり、ストリーマの伸展が抑制され、ラジカルの生成量が盛んな領域が小さくなることに起因すると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の概略構造説明図
【図２】本発明で使用される固体誘電体の第１実施例の断面図
【図３】本発明で使用される固体誘電体の第２実施例の断面図
【図４】本発明の被加工物載置用放電電極周りの概略構造図
【図５】本発明の雰囲気ガス給排機構の概略斜視図
【図６】太陽電池のセル部分の原理図
【図７】同上の背面斜視図
【図８】従来のパターニングのフロー図
【図９】他の従来のパターニングのフロー図
【図１０】一般的な電力用モジュールの断面図
【図１１】本発明における溝幅の圧力依存性を示すグラフ
【符号の説明】
【００３７】
(1)  被加工物載置用放電電極
(2)  対向放電電極
(3)  固体誘電体
(4)  プラズマ発生空間
(5a)  雰囲気ガス供給管
(7)  放電用凸部
(8)  放電用凹部
【図１】
2009252800.tif 000003
【図２】
2009252800.tif 000004
【図３】
2009252800.tif 000005
【図４】
2009252800.tif 000006
【図５】
2009252800.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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