(57)【要約】【課題】無機配向膜の粗密度合いを密にして、信頼性を向上させる。【解決手段】  一対の基板間に液晶が介在されて構成され、前記一対の基板の対向する面に夫々形成された無機配向膜によって前記液晶が配向規制される液晶装置であって、前記一対の基板の対向する面に夫々形成された無機配向膜の少なくとも一方は、前記基板表面側に設けられる最下層６２ａ及び前記液晶層に接して形成される配向層６２ｂを含む複数の蒸着層を有し、前記複数の蒸着層のうち前記最下層は、９０度の蒸着角度で形成されていることを特徴とする。【選択図】図３
2009210766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶が介在されて構成され、前記一対の基板の対向する面に夫々形成された無機配向膜によって前記液晶が配向規制される液晶装置であって、
前記一対の基板の対向する面に夫々形成された無機配向膜の少なくとも一方は、前記液晶層に接して形成される配向層を含む複数の蒸着層を有し、
前記複数の蒸着層のうち最下層の蒸着層は、９０度の蒸着角度で形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記無機配向膜は、前記最下層の蒸着層と前記配向層との間に、前記配向層とは方位角及び蒸着角度が異なる１層以上の蒸着層を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
一対の基板間に液晶が介在されて構成され、前記一対の基板の対向する面に夫々形成された無機配向膜によって前記液晶が配向規制される液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の前記基板上に、９０度の蒸着角度で最下層の蒸着層を形成する工程と、
前記最下層の蒸着層よりも鋭角な蒸着角度で最上層の配向層を形成する工程と、
を具備したことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記最下層を形成する工程と前記最上層を形成する工程との間に、前記配向層とは方位角及び蒸着角度が異なる１層以上の蒸着層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項３に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜の信頼性を向上させるようにした液晶装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示パネル等の液晶装置において液晶分子を配向規制するための配向膜として、ＳｉＯ等の無機材料を基板表面に対し所定の角度をもって蒸着することにより形成する、斜方配向蒸着膜が知られている。
【０００３】
しかしながら、斜方配向蒸着を行うと、基板上に形成される配向膜の粗密度合いは比較的粗くなってしまう。そうすると、液晶が配向膜の隙間に入り込んで下地のＩＴＯ層と接触する虞がある。このような状態で通電を行うと、液晶に悪影響があり、信頼性が低下するという欠点がある。
【０００４】
この問題を解決する方法として、特許文献１においては、方位角が相互に１８０度異なる２方向から斜方蒸着を実施することで、粗密度合いを密にして信頼性を向上させる手法が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１８１７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の手法では、粗密度合いを十分に密にすることはできず、十分な信頼性を得ることはできないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、配向膜を十分に密に構成して信頼性を向上させることができる液晶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶装置の製造装置は、一対の基板間に液晶が介在されて構成され、前記一対の基板の対向する面に夫々形成された無機配向膜によって前記液晶が配向規制される液晶装置であって、前記一対の基板の対向する面に夫々形成された無機配向膜の少なくとも一方は、前記液晶層に接して形成される配向層を含む複数の蒸着層を有し、前記複数の蒸着層のうち最下層の蒸着層は、９０度の蒸着角度で形成されていることを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、基板表面側に設けられる無機配向膜の最下層は、９０度の蒸着角度で形成される。これにより、最下層の粗密度合いは十分に密である。この最下層上に配向層が形成される。従って、少なくとも最下層及び配向層を有する無機配向膜は、粗密度合いが十分に密であり、信頼性を向上させることができる。
【０００９】
また、前記無機配向膜は、前記最下層の蒸着層と前記配向層との間に、前記配向層とは方位角及び蒸着角度が異なる１層以上の蒸着層を有することを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、最下層と前記配向層との間に、配向層とは方位角及び蒸着角度が異なる１層以上の蒸着層を有するので、更に一層粗密度合いを密にすることができ、信頼性を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶が介在されて構成され、前記一対の基板の対向する面に夫々形成された無機配向膜によって前記液晶が配向規制される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方の前記基板上に、９０度の蒸着角度で最下層の蒸着層を形成する工程と、前記最下層の蒸着層よりも鋭角な蒸着角度で最上層の配向層を形成する工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、基板表面側に９０度の蒸着角度で無機配向膜の最下層が形成される。これにより、最下層の粗密度合いは十分に密となる。この最下層上に配向層を形成する。従って、少なくとも最下層及び配向層を有する無機配向膜は、粗密度合いが十分に密であり、信頼性を向上させることができる。
【００１３】
また、前記最下層を形成する工程と前記最上層を形成する工程との間に、前記配向層とは方位角及び蒸着角度が異なる１層以上の蒸着層を形成する工程を具備することを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、最下層と前記配向層との間に、配向層とは方位角及び蒸着角度が異なる１層以上の蒸着層を形成するので、更に一層粗密度合いを密にすることができ、信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を示しており、素子基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図である。図２は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１６】
まず、本実施形態の液晶装置１００の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。なお、図１及び図２は、液晶装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。
【００１７】
図１及び図２において、液晶装置１００は、ガラス又は石英等からなるＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を挟持してなり、液晶５０の配向状態を変化させることにより、画像表示領域１０ａに対向基板２０側から入射する光を変調しＴＦＴ基板１０側から出射することで、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示するものである。
【００１８】
液晶装置１００は、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されており、シール材５２によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。また、シール材５２中には、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするための図示しないグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が配設されている。
【００１９】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２０】
画像表示領域１０ａの周辺は非表示領域となっている。非表示領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。図示しないが、ＴＦＴ基板１０の表面に露出して設けられた実装端子１０２にフレキシブルプリント基板等を接続することにより、液晶装置１００と例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続が行われる。
【００２１】
走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われるように設けられている。また、ＴＦＴ基板１０の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の一辺に対向する辺に沿って、額縁遮光膜５３に覆われるように複数の配線１０５が設けられる。この複数の配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに電気的に接続されている。
【００２２】
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００２３】
図２において、ＴＦＴ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、無機配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、更に最上層部分に無機配向膜２２が形成されている。ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０のそれぞれ液晶５０と接する面に形成された無機配向膜１６及び２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成された薄膜である。
【００２４】
これらの無機材料による薄膜は、蒸着法によって形成されるものである。液晶５０は、例えば一種又は数種類の液晶を混合したものであり、一対の無機配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。
【００２５】
また、対向基板２０の入射光が入射する側及びＴＦＴ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード、ＶＡ（垂直配向）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００２６】
このように、液晶装置１００においては、液晶分子を配向規制するための配向膜を、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料にて構成される薄膜である無機配向膜により形成している。無機材料によって構成される無機配向膜は、例えばポリイミド等の有機材料によって構成される配向膜に対して耐光性や耐熱性に優れるため、経年劣化がなく表示品位が低下することのない液晶装置を実現できる。
【００２７】
図３は図１中の無機配向膜１６，２２の構成を具体的に示す説明図である。
【００２８】
本実施形態においては、無機配向膜１６，２２は多層構造を有する。ＩＴＯ（導電性材料）によって構成された電極９ａ，２１（以下、総称してＩＴＯ膜６１という）上には、多層構造の無機配向膜１６，２２（以下、総称して無機配向膜６２ともいう）が構成されている。無機配向膜６２は、ＩＴＯ膜６１上に形成された第１層６２ａと、第１層６２ａ上に形成された配向層６２ｂとの２層の蒸着層を有する構造である。第１層６２ａは、蒸着角度が９０度の蒸着法により、所定の膜厚でＩＴＯ膜６１上に形成される。この第１層６２ａ上に、蒸着角度がθ度の斜方蒸着法により、配向層６２ｂが形成される。
【００２９】
次に、液晶装置１００の組立て工程について説明する。図４は液晶装置の組立工程のフローチャートである。
【００３０】
液晶装置１００は、まず複数の液晶装置１００が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、液晶装置１００は、いわゆる大判基板であるマザー基板から多面取りを行う方法により形成される。図５はマザー基板上にＴＦＴ基板１０が複数の構成されたＴＦＴアレイ基板３５を示す平面図である。
【００３１】
図５に示すように、円板形状を有するＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂ上には、液晶装置１００を構成するための複数のＴＦＴ基板１０となるパターンが、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で配列されて形成されている。
【００３２】
液晶装置１００の組立工程においては、まず、ＴＦＴアレイ基板３５上に複数のＴＦＴ基板１０となるパターンを形成する。例えばＣＶＤ法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、熱処理などによって、データ線や走査線、ＴＦＴ等を形成し、さらにその最上層に、ＩＴＯからなる画素電極９ａを形成する（ステップＳ１１）。
【００３３】
次に、無機配向膜形成工程によって、ＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂ上に、詳しくは後述する蒸着装置を用いて蒸着を行い、画素電極９ａ上にＳｉＯ２からなる無機配向膜１６を形成する（ステップＳ１２）。無機配向膜１６は、本実施形態ではＳｉＯ２等の柱状構造物６３（図３参照）が所定の密度で多数形成されて構成されている。この柱状構造は、カラム構造とも称されるものであり、所定の条件下で蒸着法によりＳｉＯ２の分子を堆積させることで形成されるナノメートルオーダの構造である。
【００３４】
本実施形態では、無機配向膜１６の柱状構造物６３は、第１層６２ａにおいて蒸着材料が基板表面に対して９０度の角度で堆積することによって形成され、配向層６２ｂにおいて蒸着材料が仰角θを有して堆積されることで形成されている。
【００３５】
次に、洗浄工程において、ＴＦＴアレイ基板３５上に形成された無機配向膜１６の表面上に洗浄液を供給し、無機配向膜１６の表面を洗浄する（ステップＳ１３）。
【００３６】
一方、対向基板２０に、例えばＣＶＤ法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング等によって、遮光膜２３及び対向電極２１を形成する（ステップＳ２１）。
【００３７】
次に、対向基板２０に対して、上述したステップＳ１２からステップＳ１３の工程を実施する。すなわち、対向電極２１上に、蒸着法によりＳｉＯ２からなる無機配向膜２２を形成する（ステップＳ２２）。これにより、無機配向膜１６と同様の構造を有する無機配向膜２２が形成される。次に無機配向膜２２の表面上に洗浄液を供給し、無機配向膜２２の表面を洗浄する（ステップＳ２３）。
【００３８】
そして、ＴＦＴアレイ基板３５（ＴＦＴ基板１０）及び対向基板２０の前工程が終了した後、貼り合せ工程において、ＴＦＴアレイ基板３５と対向基板２０とをシール材５２を介し、所定にアライメントを調整した状態で貼り合わせる（ステップＳ３１）。
【００３９】
次に、液晶注入工程において、シール材５２を介して貼り合わされたＴＦＴアレイ基板３５と対向基板２０とで形成された領域に液晶５０を注入し封止する（ステップＳ３２）。なお、本実施形態では、セル注入方式により液晶を注入しているが、液晶滴下方式の場合は、ＴＦＴアレイ基板３５と対向基板２０を貼り合わせる前に、一方の基板（一般的にはＴＦＴアレイ基板３５）に液晶５０を滴下し、シール材５２を介してＴＦＴアレイ基板３５と対向基板２０を貼り合わせることで液晶を保持させるようにするので、ステップＳ３１（貼り合わせ工程）とステップＳ３２（液晶注入工程）とが逆になる。
【００４０】
そして、分断工程において、対向基板２０が貼り合わされた状態のＴＦＴアレイ基板３５を、個片に切断し切り離すことによって、液晶装置１００が完成する（ステップＳ３３）。
【００４１】
上述のように、本実施形態においては、複数のＴＦＴ基板１０が個々に切り出される前の状態であるＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂ上に、無機配向膜１６が形成される。ＴＦＴアレイ基板３５上の無機配向膜１６は、以下に説明する蒸着装置３００により形成される。
【００４２】
次に、蒸着方法について、図６及び図７を参照して説明する。液晶装置１００の製造装置としての蒸着装置３００は、ＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂ上に、蒸着材料である例えばＳｉＯ２からなる無機配向膜１６を蒸着法により形成するものである。図６及び図７は、蒸着装置３００の構成を模式的に示す図である。なお、以下の説明において、図６及び図７の紙面に正対して上方が、蒸着装置３００の上方とする。
【００４３】
蒸着装置３００は、図６に示すように、演算装置、記憶装置等からなる制御部３１０と、内部を気密に保つ真空室３０１とを有し、該真空室３０１内に、蒸着材料３０２を有する蒸着源３１１と、移動手段である基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６と、マスク部材であるマスク２００と、遮蔽手段であるシャッタ３０７とが配設されている。
【００４４】
なお、図７は図６の基板ホルダ３０５、直動ステージ３０６及びマスク２００を回動させた状態を示している。これらの部材は、図示しない支持部材に回動自在に支持されて、鉛直方向に対する仰角θを変更可能である。
【００４５】
また、蒸着装置３００は、真空室３０１の内部に連結された真空ポンプ３０８を有し、後述する蒸着工程中は、該真空ポンプ３０８により真空室３０１内の空気を排出することにより、真空室３０１内が真空（減圧状態）に保たれる。
【００４６】
蒸着源３１１は、蒸着材料３０２を収容するるつぼ３０３と、蒸着材料３０２を加熱するための電子銃３０４を有する。蒸着源３１１は、真空中において電子銃３０４が発生する電子ビームを蒸着材料３０２に照射することにより、蒸着材料３０２を加熱し、蒸発させることで蒸着材料３０２の蒸気を生成する。
【００４７】
蒸着材料３０２は、図６及び図７の紙面に正対して奥行き方向を長手方向とする線状の形状を有し、蒸着材料３０２の長手方向の幅は、ＴＦＴアレイ基板３５の直径と略同一か、ＴＦＴアレイ基板３５の直径よりも大きい。
【００４８】
一方、蒸着材料３０２の鉛直上方には、ＴＦＴアレイ基板３５を支持するための基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６が配設されている。ＴＦＴアレイ基板３５は、基板ホルダ３０５によって、蒸着が行われる側である基板表面３５ｂを蒸着材料３０２に対向させて支持される。基板ホルダ３０５は、直線的に移動可能な１軸のリニアモータ等の直動機構を有する直動ステージ３０６により、１方向に進退可能に支持されている。直動ステージ３０６は、制御部３１０に電気的に接続されており、制御部３１０により直動ステージ３０６の駆動の制御がなされ、基板ホルダ３０５及び基板ホルダ３０５に支持されたＴＦＴアレイ基板３５が位置決めされる。
【００４９】
直動ステージ３０６の移動軸Ｍは、図６においては水平、即ち、鉛直軸に対してθ度だけ傾斜している。なお、図７においては、直動ステージ３０６の移動軸Ｍが鉛直軸に対してθ度＝９０度傾斜した状態を示している。
【００５０】
基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６は、蒸着材料３０２の重心位置を通る鉛直軸と、ＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂとがなす角度（蒸着角度）が、１回の蒸着中は、常にθ度となるように、ＴＦＴアレイ基板３５を移動可能に支持している。このため、基板ホルダ３０５に支持されたＴＦＴアレイ基板３５は、直動ステージ３０６によって、基板表面３５ｂが基板表面３５ｂを含む平面上において移動するように、真空室３０１内で、移動軸Ｍに沿って平行移動され位置決めされる。なお、図５は図６及び図７のＡ矢視におけるＴＦＴアレイ基板３５を示し、図５の矢印Ｍは、図６及び図７の移動軸Ｍの方向を示している。
【００５１】
図６の状態においては、ＴＦＴアレイ基板３５は、ｙ軸が、直動ステージ３０６の移動軸Ｍと平行となるように基板ホルダ３０５に支持され、ｙ軸方向に平行移動されるのである。本実施形態においては、基板ホルダ３０５は、ＴＦＴアレイ基板３５を適宜の向きに配置可能である。例えば、図５に示すように、移動軸Ｍを紙面の上下方向とした場合に、紙面の下側にオリフラが位置するように、ＴＦＴアレイ基板３５を配置することもでき、逆に、紙面上側にオリフラが位置するように配置してもよく、更に任意の向きにＴＦＴアレイ基板３５を配置して固定することができる。即ち、本実施形態では、蒸着時の方位角を任意に設定することができる。
【００５２】
また、ＴＦＴアレイ基板３５と蒸着材料３０２との間には、マスク２００と、シャッタ３０７とが配設されている。  
マスク２００は、図６及び図７に示すように、矩形状平板に開口部であるスリット孔２１０が形成された部材である。マスク２００は、スリット孔２１０が蒸着材料３０２の鉛直上方に位置し、かつマスク２００の表面が、ＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂと平行となるように、真空室３０１内に固定されている。つまり、マスク２００の表面と、蒸着材料３０２の重心位置を通る鉛直軸とがなす角度は、θ度（図７ではθ＝９０度）となる。
【００５３】
言い換えれば、開口部であるスリット孔２１０を有する平板状のマスク２００が、真空室３０１内に蒸着材料３０２に対する相対的な位置を固定されて配設されている。ＴＦＴアレイ基板３５は、このマスク２００の蒸着材料３０２とは反対となる側において、基板表面３５ｂをマスク２００側（蒸着材料３０２側）に対向し、かつ基板表面３５ｂがマスク２００の表面と平行となるように、移動手段である直動ステージ３０６及び基板ホルダ３０５により支持されている。そして、ＴＦＴアレイ基板３５は、マスク２００の蒸着材料３０２とは反対となる側において、直動ステージ３０６の駆動により、基板表面３５ｂを含む平面上で移動軸Ｍと平行に移動されるのである。
【００５４】
マスク２００に形成されている開口部であるスリット孔２１０は、ＴＦＴアレイ基板３５の被蒸着領域を、蒸着材料３０２側に露出する形状を有し、ＴＦＴアレイ基板３５の移動方向である移動軸Ｍに直交する方向を長手方向とした、細長のスリット形状を有する。スリット孔２１０は、ＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂ上に行列状に配列された複数の画像表示領域１０ａのうち、行方向（ｘ方向）に配列された１行全てを蒸着材料３０２側に露出し、かつ実装端子１０２上を覆う形状を有している。
【００５５】
一方、遮蔽手段であるシャッタ３０７は、蒸着材料３０２とマスク２００との間に配設され、蒸着材料３０２からマスク２００及びＴＦＴアレイ基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａを遮蔽もしくは開放する装置である。シャッタ３０７の図示しない駆動部は、制御部３１０に電気的に接続されており、制御部３１０からの信号によってシャッタ３０７を駆動することにより、シャッタ３０７によって通路３０７ａを遮蔽状態とするか、開放状態とするかが選択される。
【００５６】
また、マスク２００の蒸着材料３０２側には、膜厚計測手段である膜厚センサ３０９が配設されている。膜厚センサ３０９は、水晶振動子を用いた公知の形態の膜厚計であり、水晶振動子に堆積された蒸着材料の膜厚に起因する水晶振動子の固有振動数の変化から、水晶振動子に堆積された膜厚を算出する装置である。膜厚センサ３０９は、マスク２００のスリット孔２１０近傍に配設されており、スリット孔２１０を介してＴＦＴアレイ基板３５上に堆積される蒸着材料の膜圧を計測することができる。膜厚センサ３０９は、制御部３１０に電気的に接続されており、堆積される膜厚の測定結果を制御部３１０に送信する。
【００５７】
このような蒸着装置３００によれば、図６の状態では、蒸着角度（仰角）θで、且つ図５の矢印Ｍに示す方位角で、蒸着材料の蒸着が可能であり、図７の状態では、蒸着角９０度にて蒸着材料の蒸着可能である。
【００５８】
上記の構成を有する蒸着装置３００を用いて、ＴＦＴアレイ基板３５表面に無機配向膜１６（無機配向膜６２）を蒸着する工程について、以下に説明する。図８はＴＦＴアレイ基板３５表面に無機配向膜６２を蒸着する工程のフローチャートである。
【００５９】
なお、以下に説明する工程は、蒸着装置３００の真空室３０１内が、真空ポンプ３０８により真空に保たれた状態であり、かつ、蒸着源３１１の蒸着材料３０２が加熱され、蒸着材料３０２の蒸気が発生している状態において行われる。
【００６０】
まず、ＴＦＴアレイ基板３５は、図示しない搬送装置により真空室３０１内に搬入する（ステップＳ１）。次に、ステップＳ２において、ＴＦＴアレイ基板３５を基板ホルダ３０５に固定する。この場合には、移動軸Ｍに対する方位角を、適宜の角度となるように、ＴＦＴアレイ基板３５を支持固定する。
【００６１】
次に、ステップＳ３において、基板ホルダ３０５、直動ステージ３０６及びマスク２００を回動させて、蒸着角度（仰角）θを設定する。
【００６２】
本実施形態においては、無機配向膜６２は多層構造の膜に形成するようになっており、最下層の第１層は、蒸着角度を９０度に設定するようになっている。即ち、第１層６２ａの成膜時には、図７の状態において蒸着が行われる。
【００６３】
次に、制御部３１０は、直動ステージ３０６を駆動し、ＴＦＴアレイ基板３５を初期位置に位置決めする。ここで、初期位置とは、ＴＦＴアレイ基板３５の、ｙが正方向に最も外側である被蒸着領域が、マスク２００の蒸着材料３０２側に、スリット孔２１０を介して露出する位置である（ステップＳ４）。
【００６４】
次に、制御部３１０は、シャッタ３０７を開放位置に移動させる。これにより、蒸着材料３０２からマスク２００及びＴＦＴアレイ基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａが開放される（ステップＳ５）。蒸着材料３０２の蒸気はマスク２００のスリット孔２１０を介してＴＦＴアレイ基板３５の被蒸着領域上に付着し、堆積し始める。
【００６５】
次に、制御部３１０は、膜厚センサ３０９により、スリット孔２１０を介してＴＦＴアレイ基板３５の被蒸着領域上に堆積される膜厚を計測する（ステップＳ６）。蒸着材料３０２は、ＴＦＴアレイ基板３５の被蒸着領域上に、第１層６２ａ形成時には、蒸着角度９０度の方向から付着し堆積される。
【００６６】
次に、制御部３１０は、被蒸着領域上に堆積された蒸着材料３０２の膜厚が所定の値となった時点で、シャッタ３０７を遮蔽位置に移動させ、蒸気の通路３０７ａを遮蔽する（ステップＳ７）。これにより、複数の被蒸着領域のうち、スリット孔２１０を介して蒸着材料３０２側に露出している被蒸着領域への、第１層６２ａの成膜が完了する。
【００６７】
第１層６２ａは、蒸着角度が９０度に設定されていることから、柱状構造物６３同士が比較的密に形成され、粗密度合いを密に構成することができる。
【００６８】
次に、制御部３１０は、ＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂ上の予め記憶されている複数の被蒸着領域の全てに蒸着膜が成膜されたかどうかを判断する（ステップＳ８）。完了していればステップＳ１０へ進み、全ての層の成膜が完了しているか否かを判定する。
【００６９】
一方、全ての被蒸着領域について蒸着膜の成膜が完了していなければ、ステップＳ９に進み、制御部３１０は、直動ステージ３０６を駆動し、ＴＦＴアレイ基板３５をｙ方向（移動軸Ｍ方向）に所定の距離間隔であるだけ移動させる。これにより、ＴＦＴアレイ基板３５の基板表面３５ｂ上に、蒸着膜が成膜されていない被蒸着領域が、新たにスリット孔２１０を介して蒸着材料３０２側に露出される。この後、ステップＳ５に戻り、新しい被蒸着領域上に、蒸着膜の成膜を開始する。
【００７０】
こうして、図３の第１層６２ａが形成されると、次にステップＳ１０から処理をステップＳ２に戻して、配向層６２ｂの成膜を行う。即ち、この場合には、ステップＳ２において、方位角を設定し、ステップＳ３において蒸着角度を設定する。例えば、方位角を図５に示すように移動軸Ｍに一致させ、蒸着角度をθに設定する。例えば、図６の状態にて蒸着を行う。なお、無機配向膜６２の最上層は、液晶の配向方向に寄与するので、成膜時の方位角及び蒸着角度は規定の値に設定する必要がある。
【００７１】
以後、ステップＳ４〜Ｓ９の処理を繰返して、配向層６２ｂを形成する。こうして、方位角及び蒸着角度が規定された配向層６２ｂが得られる。全ての層の成膜が完了すると、ＴＦＴアレイ基板３５を搬送装置により真空室３０１内から搬出し、蒸着工程を終了する（ステップＳ１１）。
【００７２】
無機配向膜６２の最下層の第１層６２ａは、粗密度が密に形成されることから、無機配向膜６２の粗密度を密にすることができ、液晶装置の信頼性を向上させることができる。
【００７３】
このように、本実施形態では、配向膜を構成する蒸着膜を多層構造で構成すると共に、最下層の第１層を蒸着角度９０度で形成する。これにより、無機配向膜の粗密度合いを密にして、信頼性を向上させることができる。
【００７４】
図９は本発明の第２の実施形態を説明するための説明図である。
【００７５】
上記第１の実施形態においては、無機配向膜を２層構造で構成したが、無機配向膜を３層以上の多層構造としてもよい。この場合でも、最下層の第１層については、蒸着角度を９０度として蒸着膜を成膜し、最上層については、方位角及び蒸着角度を液晶の配向方向に応じた規定の値とする。最下層及び最上層以外の層については、方位角及び蒸着角度を自由に設定可能である。
【００７６】
例えば、図９は、第１層及び４つの方位角Ｍ１〜Ｍ４にて４層の無機配向膜を蒸着する５層構造の無機配向膜を形成する例を示している。図９の例は、方位角Ｍ４を基準として、方位角Ｍ１は９０度、方位角Ｍ２は２７０度、方位角Ｍ３は１８０度で、蒸着を行うことを示している。
【００７７】
このように第２の実施形態においては、種々の方位角及び蒸着角度の蒸着層を形成することで、一層粗密度合いが密な無機配向膜を形成することができる。
【００７８】
なお、上記実施形態において、最上層の方位角及び蒸着角度が規定の値であればよく、第２層，第３層の方位角及び蒸着角度は適宜設定可能であることは明らかである。
【００７９】
なお、上記各実施形態においては、ＴＦＴ基板１０の無機配向膜１６及び対向基板２０の無機配向膜２２の両方に、図３に示す多層構造を適用したが、いずれか一方の無機配向膜のみに適用してもよい。また、層の数、方位角及び蒸着角度の設定等を、無機配向膜１６と無機配向膜２２とで異なる設定にしてもよい。
【００８０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の製造装置、液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を示しており、素子基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図２】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図３】図１中の無機配向膜１６，２２の構成を具体的に示す説明図。
【図４】液晶装置の組立工程のフローチャート。
【図５】本実施形態の液晶装置用基板であるＴＦＴアレイ基板３５の平面図。
【図６】蒸着装置３００の構成を模式的に示す図。
【図７】蒸着装置３００の構成を模式的に示す図。
【図８】ＴＦＴアレイ基板３５表面に無機配向膜６２を蒸着する工程のフローチャート。
【図９】本発明の第２の実施形態を説明するための説明図。
【符号の説明】
【００８２】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１６，２２，６２…無機配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、６１…ＩＴＯ膜、６２ａ…第１層、６２ｂ…配向層。
【図１】
2009210766.tif 000003
【図２】
2009210766.tif 000004
【図３】
2009210766.tif 000005
【図４】
2009210766.tif 000006
【図５】
2009210766.tif 000007
【図６】
2009210766.tif 000008
【図７】
2009210766.tif 000009
【図８】
2009210766.tif 000010
【図９】
2009210766.tif 000011