(57)【要約】【課題】液滴を用いて形成したパターンの加工精度を向上させたセラミック多層基板の製造装置を提供する。【解決手段】ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、複数のグリーンシートＧＳを順に搬送ステージ２２の上に積層する積層部２８と、グリーンシートＧＳが積層されるたびに最上層に関連付けられたビットマップデータに基づいて最上層に液滴Ｄを吐出して最上層にパターンＰを描画する描画部２５とを有する。また、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、グリーンシートＧＳが積層されるたびに最上層のパターンＰを乾燥して最上層にパターンＰを形成する乾燥部２６と、グリーンシートＧＳが積層されるたびにパターンＰを最上層へ押圧する押圧部２７とを有する。【選択図】図２
2009105318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック多層基板の製造装置であって、
複数のグリーンシートを順にステージの上に積層する積層部と、
前記グリーンシートごとに関連付けられた描画データを記憶する記憶部と、
前記グリーンシートが積層されるたびに最上層に関連付けられた前記描画データに基づいて前記最上層に液滴を吐出することにより前記最上層にパターンを描画する描画部と、
前記グリーンシートが積層されるたびに最上層の前記パターンを乾燥して前記最上層に乾燥パターンを形成する乾燥部と、
前記グリーンシートが積層されるたびに前記乾燥パターンを前記最上層へ押圧する押圧部とを有すること、
を特徴とするセラミック多層基板の製造装置。
【請求項２】
セラミック多層基板の製造装置であって、
複数のグリーンシートを順にステージの上に積層する積層部と、
前記グリーンシートごとに関連付けられた描画データを記憶する記憶部と、
前記グリーンシートが積層されるたびに最上層に関連付けられた前記描画データに基づいて前記最上層に液滴を吐出することにより前記最上層にパターンを描画する描画部と、
前記グリーンシートが積層されるたびに最上層の前記パターンを加熱して前記最上層に乾燥パターンを形成する乾燥部と、
前記乾燥パターンが形成されるたびに前記乾燥パターンの上に積層するグリーンシートを下側へ押圧する押圧部とを有すること、
を特徴とするセラミック多層基板の製造装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のセラミック多層基板の製造装置であって、
前記描画部は、
前記グリーンシートが積層されるたびに前記ステージと液滴吐出ヘッドとを相対移動させて前記最上層と前記液滴吐出ヘッドとの間の距離を所定距離に維持することを特徴とするセラミック多層基板の製造装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のセラミック多層基板の製造装置であって、
前記押圧部は、
前記グリーンシートが積層されるたびに前記ステージと押圧ローラとを相対移動させて前記最上層へ加える押圧力を所定値に維持することを特徴とするセラミック多層基板の製造装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のセラミック多層基板の製造装置であって、
前記ステージは、
前記グリーンシートを加熱するためのヒータを有し、前記グリーンシートに前記液滴を吐出するときに前記ヒータを駆動して前記最上層を加熱することを特徴とするセラミック多層基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック多層基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）技術は、グリーンシートと金属との一括焼成を可能にすることから、セラミックの層間に各種の受動素子を組み込んだ素子内蔵基板を具現できる。システム・オン・パッケージ（ＳＯＰ）の実装技術においては、電子部品の複合化や表面実装部品に発生する寄生効果の最小化を図るため、この素子内蔵基板（以下単に、ＬＴＣＣ多層基板という。）に関わる製造方法が鋭意開発されている。
【０００３】
ＬＴＣＣ多層基板の製造方法では、複数のグリーンシートの各々に受動素子や配線等のパターンを描画する描画工程と、該パターンを有する複数のグリーンシートを積層して圧着する圧着工程と、圧着体を一括焼成する焼成工程とが順に実施されている。
【０００４】
描画工程には、各種パターンの高密度化を図るため、導電性インクを微小な液滴にして吐出する、いわゆるインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１）。インクジェット法は、数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴を用い、液滴の吐出位置の変更によってパターンの微細化や狭ピッチ化を可能にする。
【０００５】
圧着工程には、各グリーンシートの積層状態の安定化を図るため、該積層体に静水圧を加える、いわゆる静水圧成型法が提案されている（例えば、特許文献２〜４）。静水圧成型法は、積層体を減圧包装し、加熱した液体中に該積層体を静置して液体の静圧を上昇させる。これによって、積層体への等方的な加圧を可能にする。
【特許文献１】特開２００５−５７１３９号公報
【特許文献２】特開平５−３１５１８４号公報
【特許文献３】特開平６−７７６５８号公報
【特許文献４】特開２００７−２０１２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図６（ａ）は描画工程におけるパターンの平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ａ）は圧着工程におけるパターンの平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【０００７】
インクジェット法に利用される導電性インクは導電性微粒子の分散系であり、導電性粒子の粒径としては、一般的に数ｎｍ〜数十ｎｍが用いられる。図６（ａ）、（ｂ）に示すように、描画工程を経て形成されたパターン１０１は、導電性微粒子１０２の集合体であり、焼成工程によって焼成されるまで、その状態を維持し続ける。
【０００８】
上記圧着工程においては、上記パターン１０１を有する複数のグリーンシート１０３が一括して積層され、大気圧によって押圧された後に静水圧で圧着される。圧着工程において加圧される各グリーンシート１０３は、互いに圧着して１つの連続体となることにより、その層間にも等方的な圧力を加えられる。
【０００９】
一方、各グリーンシート１０３が圧着されるまで、すなわちグリーンシート１０３の層間が連続的になるまで、層間のパターン１０１には等方的な圧力を加え難い。しかも、複
数のグリーンシート１０３が一括して積層されることから、層間のパターン１０１には、グリーンシート１０３の層数の分だけ、積層する方向へ大きな押圧力が加わり、またその押圧力にもパターン１０１ごとに大きなバラツキを来たす。
【００１０】
焼成前の導電性微粒子は、グリーンシート１０３との密着性や粒子間の結合力が弱いため、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、圧着工程時の異方的な圧力によって容易に押し潰されてしまう。この結果、上記圧着工程では、パターン１０１がグリーンシート１０３の主面に沿って延びるように変形し、所望のパターン領域１０４（図６及び図７における二点鎖線）から食み出してしまう。
【００１１】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴を用いて形成したパターンの加工精度を向上させたセラミック多層基板の製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のセラミック多層基板の製造装置は、複数のグリーンシートを順にステージの上に積層する積層部と、前記グリーンシートごとに関連付けられた描画データを記憶する記憶部と、前記グリーンシートが積層されるたびに最上層に関連付けられた前記描画データに基づいて前記最上層に液滴を吐出することにより前記最上層にパターンを描画する描画部と、前記グリーンシートが積層されるたびに最上層の前記パターンを乾燥して前記最上層に乾燥パターンを形成する乾燥部と、前記グリーンシートが積層されるたびに前記乾燥パターンを前記最上層へ押圧する押圧部とを有する。
【００１３】
本発明のセラミック多層基板の製造装置は、乾燥パターンの上に他のグリーンシートを積層する前に、該乾燥パターンを最上層のグリーンシートへ押圧して埋没させる。したがって、本製造装置は、乾燥パターンを埋没させる分だけ、乾燥パターンと、その上層のグリーンシートとの間の局所的な当接を軽減させられることから、乾燥パターンへ加える押圧力に関して均一化を図ることができる。また、本製造装置は、グリーンシートを積層するたびに乾燥パターンを押圧することから、複数のグリーンシートを一括して積層する場合に比べ、乾燥パターンの形状に応じた押圧力を加えられる。そのため、乾燥パターンごとに加えられる押圧力に関して均一化を図ることができ、また該押圧力に関して乾燥パターン間の均一化を図ることができる。
【００１４】
この結果、本製造装置によれば、グリーンシートに形成した乾燥パターンの形状を維持できることから、液滴からなるパターンの加工精度を向上できる。
本発明のセラミック多層基板の製造装置は、複数のグリーンシートを順にステージの上に積層する積層部と、前記グリーンシートごとに関連付けられた描画データを記憶する記憶部と、前記グリーンシートが積層されるたびに最上層に関連付けられた前記描画データに基づいて前記最上層に液滴を吐出することにより前記最上層にパターンを描画する描画部と、前記グリーンシートが積層されるたびに最上層の前記パターンを加熱して前記最上層に乾燥パターンを形成する乾燥部と、前記乾燥パターンが形成されるたびに前記乾燥パターンの上に積層するグリーンシートを下側へ押圧する押圧部とを有する。
【００１５】
本発明のセラミック多層基板の製造装置は、乾燥パターンの直上にグリーンシートを積層するたびに、該グリーンシートを介して該乾燥パターンを押圧する。したがって、本製造装置は、グリーンシートを積層するたびに乾燥パターンを押圧することから、複数のグリーンシートを一括して積層する場合に比べ、乾燥パターンの形状に応じた押圧力を加えられる。そのため、乾燥パターンごとに加えられる押圧力に関して均一化を図ることができ、また該押圧力に関して乾燥パターン間の均一化を図ることができる。
【００１６】
この結果、本製造装置によれば、グリーンシートに形成した乾燥パターンの形状を維持できることから、液滴からなるパターンの加工精度を向上できる。
このセラミック多層基板の製造装置において、前記描画部は、前記グリーンシートが積層されるたびに前記ステージと液滴吐出ヘッドとを相対移動させて前記最上層と前記液滴吐出ヘッドとの間の距離を所定距離に維持する構成が好ましい。
【００１７】
このセラミック多層基板の製造装置は、グリーンシートの層数に関わらず、液滴の飛行距離を一定の距離に維持できるため、安定した吐出精度の下でパターンを形成できる。
このセラミック多層基板の製造装置において、前記押圧部は、前記グリーンシートが積層されるたびに前記ステージと押圧ローラとを相対移動させて前記最上層へ加える押圧力を所定値に維持する構成が好ましい。
【００１８】
このセラミック多層基板の製造装置は、グリーンシートの積層数に関わらず、各最上層の乾燥パターンに共通する押圧力を加えることから、乾燥パターンに加えられる押圧力に関してさらにパターン間の均一化を図ることができる。
【００１９】
このセラミック多層基板の製造装置において、前記ステージは、前記グリーンシートを加熱するためのヒータを有し、前記グリーンシートに前記液滴を吐出するときに前記ヒータを駆動して前記最上層を加熱する構成が好ましい。
【００２０】
このセラミック多層基板の製造装置は、グリーンシートに着弾した液滴の濡れ広がりを抑えられることから、液滴からなるパターンの加工精度をさらに向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図６に従って説明する。図１は、本発明のセラミック多層基板の製造装置を用いて製造したセラミック多層基板を有する回路モジュールの断面図である。
【００２２】
図１において、回路モジュール１０は、セラミック多層基板としての低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）多層基板１１と、ＬＴＣＣ多層基板１１に接続された半導体チップ１２とを有する。
【００２３】
ＬＴＣＣ多層基板１１は、複数のＬＴＣＣ基板１３からなる積層体である。各ＬＴＣＣ基板１３は、それぞれグリーンシートの焼結体であって、厚みが数十μ〜数百μｍで形成されている。各ＬＴＣＣ基板１３の層間には、それぞれ抵抗素子、容量素子、コイル素子等の各種の内部素子１４と、各内部素子１４に電気的に接続された内部配線１５とが内蔵され、各ＬＴＣＣ基板１３の層内には、それぞれスタックビア構造やサーマルビア構造を成すビア配線１６が形成されている。
【００２４】
次に、セラミック多層基板の製造装置としてのＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０を図２〜図６に従って説明する。図２はＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０を模式的に示す図である。
【００２５】
図２において、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、一つの方向に延びる基台２１と、基台２１の上に搭載される搬送ステージ２２とを有する。搬送ステージ２２は、基台２１に設けられた図示しない直動機構に連結され、該直動機構の駆動力を受けることによって基台２１の長手方向に沿って往復移動する。搬送ステージ２２は、図示しない吸引機構に接続され、該吸引機構の吸引力によって単層あるいは積層されたグリーンシートＧＳを上面に位置決めする。なお、図２の搬送ステージ２２は、層間と最上層にそれぞれパターンＰを有した２層のグリーンシートＧＳを位置決めしている。
【００２６】
搬送ステージ２２は、その上面を加熱するためのステージヒータ２３を有し、ステージヒータ２３を駆動することによってグリーンシートＧＳを所望のタイミングで加熱する。搬送ステージ２２は、直動機構が駆動するとき、位置決めしたグリーンシートＧＳを基台２１の長手方向に沿って搬送する。本実施形態では、基台２１の長手方向を走査方向という。
【００２７】
グリーンシートＧＳは、ガラスセラミック粉末やバインダ等を含むガラスセラミック組成物からなるシートである。グリーンシートＧＳの膜厚は、内部素子１４としてコンデンサ素子を形成する場合に数十μｍで形成され、他の層においては１００μｍ〜２００μｍで形成される。ガラスセラミック粉末は、０．１μｍ〜５μｍの平均粒径を有する粉末であり、例えばアルミナやフォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合したガラス複合セラミックを用いることができる。また、ガラスセラミック粉末としては、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラスセラミック、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミック粉末やＡｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３系セラミック粉末等を用いた非ガラス系セラミックを用いても良い。
【００２８】
バインダは、ガラスセラミック粉末の結合剤としての機能を有し、焼成工程で分解して容易に除去できる有機高分子である。バインダとしては、例えばブチラール系、アクリル系、セルロース系等のバインダ樹脂を用いることができる。また、バインダは、例えばアジピン酸エステル系可塑剤、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）フタル酸エステル系可塑剤、グリコールエステル系可塑剤等の可塑剤を含有しても良い。
【００２９】
基台２１の上方には、導電性インクＩｋからなるパターンＰを描画する描画部２５と、導電性インクＩｋからなるパターンＰを乾燥するための乾燥部２６と、乾燥したパターンＰをグリーンシートＧＳへ押圧するための押圧部２７と、該グリーンシートＧＳの上に新たにグリーンシートＧＳを積層するための積層部２８とが順に配設されている。
【００３０】
描画部２５は、グリーンシートＧＳの高さ位置を検出するための位置センサ３１と、導電性インクＩｋを貯留するインクタンク３２と、インクタンク３２からの導電性インクＩｋをグリーンシートＧＳへ吐出する液滴吐出ヘッド３３と、液滴吐出ヘッド３３の高さ位置を調整する昇降機構３４とを有する。
【００３１】
位置センサ３１は、例えば自身の直下にあるグリーンシートＧＳに向けて光を投光し、グリーンシートＧＳからの反射光を受光することによってグリーンシートＧＳの高さ位置を検出する。搬送ステージ２２がグリーンシートＧＳを積層した状態で位置センサ３１の直下に位置するとき、位置センサ３１は、最上層の高さ位置を検出し、その検出結果を検出信号ＳＨ（図３参照）として出力する。本実施形態では、最上層にあるグリーンシートＧＳの高さ位置をシート高さＨ１という。
【００３２】
インクタンク３２は、導電性微粒子の分散系からなる導電性インクＩｋを貯留し、貯留する導電性インクＩｋを液滴吐出ヘッド３３に所定圧力で供給する。導電性微粒子は、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒径を有する微粒子であり、例えば金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム等の金属、あるいはこれらの合金を用いることができる。分散媒は、導電性微粒子を均一に分散させるものであれば良く、例えば水や水を主成分とする水溶液系、あるいはテトラデカン等の有機溶剤を主成分とする有機系を用いることができる。
【００３３】
液滴吐出ヘッド３３は、インクタンク３２に連通する複数のキャビティ３５と、各キャビティ３５に連通する複数のノズルＮと、各キャビティ３５に連結される複数の圧力発生素子３６とを有する。各キャビティ３５は、それぞれインクタンク３２からの導電性インクＩｋを受け、該キャビティ３５と連通するノズルＮに導電性インクＩｋを供給する。各ノズルＮは、それぞれ数十μｍの開口を有するノズルであり、インクタンク３２からの導電性インクＩｋを収容して気液界面（メニスカス）を形成する。各圧力発生素子３６は、それぞれ自身と連結するキャビティ３５の容積を変更する圧電素子や静電容量素子、あるいはキャビティ３５の温度を変更する抵抗加熱素子である。各圧力発生素子３６は、それぞれ所定の駆動信号ＣＯＭ（図３参照）を受けるとき、キャビティ３５の内部を加圧し、ノズルＮのメニスカスを振動させることよって、導電性インクＩｋを数ピコリットル〜数十ピコリットルの液滴Ｄにして吐出する。
【００３４】
なお、複数のキャビティ３５、ノズルＮ、及び圧力発生素子３６は、それぞれ走査方向と直交する方向であって、図２において紙面に対して垂直な方向（以下単に、副走査方向という。）に沿ってグリーンシートＧＳの略全幅にわたり配列されている。
【００３５】
液滴吐出ヘッド３３は、昇降機構３４に連結され、昇降機構３４からの駆動力を受けることによって昇降する。昇降機構３４は、液滴吐出ヘッド３３を昇降させ、搬送ステージ２２がノズルＮの直下にあるときに、最上層のグリーンシートＧＳの表面とノズルＮとの間の距離を変更する。本実施形態では、最上層のグリーンシートＧＳの表面とノズルＮとの間の距離をプラテンギャップＨ２という。
【００３６】
乾燥部２６は、描画部２５の走査方向に配設され、走査方向に沿って配列された複数のランプヒータ３７を有する。各ランプヒータ３７は、それぞれ導電性インクＩｋの分散媒を蒸発させるための光Ｌを下方に照射する光源であり、搬送ステージ２２が各ランプヒータ３７の直下にあるとき、最上層のグリーンシートＧＳへ光Ｌを照射してパターンＰの乾燥を促進させる。
【００３７】
押圧部２７は、乾燥部２６の走査方向に配設され、副走査方向に延びる回転軸を有した押圧ローラとしてのローラ３８Ａと、ローラ３８Ａの押圧力を調整する押圧力調整部３８Ｂとを有する。ローラ３８Ａの周面（押圧面３８Ｓ）は、グリーンシートＧＳの副走査方向の略全幅にわたって広がる曲面であり、乾燥したパターンＰの硬度よりも低い硬度を有する弾性材料で形成されている。ローラ３８Ａは、所定の付勢力で下方に付勢され、搬送ステージ２２がローラ３８Ａの直下にあるとき、押圧面３８Ｓを最上層のグリーンシートＧＳに押し当て、乾燥したパターンＰの全体を一定の押圧力で均一に押圧する。押圧力調整部３８Ｂは、ローラ３８Ａと搬送ステージ２２との間の距離を変更し、グリーンシートＧＳが積層されるたびに、各最上層に対して共通する所定の押圧力を加える。ローラ３８Ａの押圧面３８Ｓは、乾燥したパターンＰの硬度が自身の硬度よりも高いことから、パターンＰの表面形状に応じて変形し、パターンＰの表面全体をグリーンシートＧＳの上で等方的に押圧する。
【００３８】
積層部２８は、押圧部２７の走査方向に配設され、処理前のグリーンシートＧＳを搬送ステージ２２の上に移載する移載機構３９を有する。移載機構３９は、搬送ステージ２２が移載機構３９の直下に位置するたびに、押圧したパターンＰの上に処理前のグリーンシートＧＳを積層させる。
【００３９】
次に、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０の電気的構成について以下に説明する。図３は、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０の電気的構成を示す電気ブロック回路図である。
図３において、制御装置４０は、各種の演算処理を実行する制御部と、ＬＴＣＣ多層基板１１を製造するための各種データや各種制御プログラムを格納する記憶部と、搬送ステ
ージ２２の上に積層されたグリーンシートＧＳの層数をカウントするカウンターとを有する。制御装置４０は、記憶部に格納された各種データや各種制御プログラムを読み出し、カウンターのカウントしたグリーンシートＧＳの層数に従って、搬送ステージ２２の搬送処理、描画部２５を用いた吐出処理、乾燥部２６を用いた乾燥処理、押圧部２７を用いた押圧処理、積層部２８を用いた積層処理を実行する。
【００４０】
制御装置４０には、各種操作スイッチを有した入力装置４１が接続されている。入力装置４１は、ＬＴＣＣ多層基板１１を製造するための各種処理条件を制御装置４０に入力する。制御装置４０は、入力装置４１からの各種処理条件に基づいてＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０に各種処理を実行させる。入力装置４１は、例えば制御装置４０に液滴Ｄの吐出処理を実行させるための描画データとしてのビットマップデータを入力する。
【００４１】
ビットマップデータは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて圧力発生素子３６のオンあるいはオフを規定するデータであり、各ノズルＮの直下にあるグリーンシートＧＳの各位置に液滴Ｄを吐出するか否かを規定するデータである。ビットマップデータは、グリーンシートＧＳごとに規定される吐出領域、すなわち内部素子１４や内部配線１５の形成領域に液滴Ｄを吐出させるためのデータであり、各グリーンシートＧＳの層数に関連付けられたデータである。本実施形態では、１層目、第２層目、・・・、第ｎ層目のグリーンシートＧＳに関連付けられるビットマップデータを、それぞれ第１ビットマップデータＢＤ１、第２ビットマップデータＢＤ２、・・・、第ｎビットマップデータＢＤｎという。
【００４２】
制御装置４０には、搬送ステージ駆動回路４２が接続されている。制御装置４０は、搬送ステージ駆動回路４２に対応する制御信号を搬送ステージ駆動回路４２に入力する。搬送ステージ駆動回路４２は、制御装置４０からの制御信号に応答して直動機構を駆動し、搬送ステージ２２の走査処理を実行する。搬送ステージ駆動回路４２は、直動機構に設けられたエンコーダからの検出信号を受け、搬送ステージ２２の搬送方向や位置に関する信号を制御装置４０へ出力する。
【００４３】
制御装置４０には、ステージヒータ駆動回路４３が接続されている。制御装置４０は、ステージヒータ駆動回路４３に対応する制御信号をステージヒータ駆動回路４３に入力する。ステージヒータ駆動回路４３は、制御装置４０からの制御信号に応答してステージヒータ２３を駆動させ、搬送ステージ２２の上に積層されたグリーンシートＧＳを加熱して所定温度に昇温する。
【００４４】
制御装置４０には、描画部駆動回路４４が接続されている。制御装置４０は、描画部駆動回路４４に対応する制御信号を描画部駆動回路４４に入力する。描画部駆動回路４４は、位置センサ３１からの出力信号を受け、制御装置４０からの制御信号に応答して昇降機構３４を駆動する。すなわち、描画部駆動回路４４は、シート高さＨ１に関わる検出信号ＳＨを位置センサ３１から受け、該検出信号ＳＨに基づいて、プラテンギャップＨ２を所定の目標距離にするための昇降制御信号ＳＣ１を生成する。そして、描画部駆動回路４４は、昇降機構３４に該昇降制御信号ＳＣ１を入力して液滴吐出ヘッド３３を昇降させ、プラテンギャップＨ２を所定の目標距離に調整する。
【００４５】
制御装置４０は、液滴Ｄの吐出周波数に同期した同期信号ＬＴと、同吐出周波数に同期した駆動信号ＣＯＭをそれぞれ描画部駆動回路４４に入力する。また、制御装置４０は、選択したビットマップデータを用いて吐出制御信号ＳＩを生成し、該吐出制御信号ＳＩを所定の転送クロックで描画部駆動回路４４にシリアル転送する。
【００４６】
描画部駆動回路４４は、制御装置４０からの同期信号ＬＴを受けるたびに、制御装置４０からの吐出制御信号ＳＩをシリアル／パラレル変換し、複数の圧力発生素子３６の各々
に関連付けられた各ビットの値（０あるいは１）からなるパラレル信号（以下単に、開閉信号という。）を生成する。そして、描画部駆動回路４４は、同期信号ＬＴを受けるたびに、開閉信号によって選択される圧力発生素子３６にそれぞれ駆動信号ＣＯＭを供給し、選択されるノズルＮからそれぞれ液滴Ｄを吐出させる。すなわち、描画部駆動回路４４は、各層のグリーンシートＧＳに、それぞれ層数に応じたビットマップデータに基づくパターンＰを描画する。
【００４７】
制御装置４０には、乾燥部駆動回路４５が接続されている。制御装置４０は、乾燥部駆動回路４５に対応する制御信号を乾燥部駆動回路４５へ出力する。乾燥部駆動回路４５は、制御装置４０からの制御信号に応答して各ランプヒータ３７を駆動させ、各ランプヒータ３７の直下にあるパターンＰを加熱する。
【００４８】
制御装置４０には、押圧部駆動回路４６が接続されている。制御装置４０は、押圧部駆動回路４６に対応する制御信号を乾燥部駆動回路４５に入力する。押圧部駆動回路４６は、制御装置４０からの制御信号に応答してローラ３８Ａを駆動する。押圧部駆動回路４６は、シート高さＨ１に関わる検出信号ＳＨを位置センサ３１から受け、該検出信号ＳＨに基づいて押圧制御信号ＳＣ２を生成する。そして、押圧部駆動回路４６は、押圧力調整部３８Ｂに該押圧制御信号ＳＣ２を入力してローラ３８Ａを昇降させ、最上層のグリーンシートＧＳへ加える押圧力を一定の押圧力に調整する。
【００４９】
制御装置４０には、積層部駆動回路４７が接続されている。制御装置４０は、積層部駆動回路４７に対応する制御信号を積層部駆動回路４７へ出力する。積層部駆動回路４７は、制御装置４０からの制御信号に応答して移載機構３９を駆動させ、搬送ステージ２２が移載機構３９の直下に位置するたびに、押圧したパターンＰの上に処理前のグリーンシートＧＳを積層させる。
【００５０】
次に、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０を利用したＬＴＣＣ多層基板１１の製造方法について説明する。図４はＬＴＣＣ多層基板１１の製造工程を示すフローチャートであり、図５は各製造工程におけるグリーンシートＧＳの温度を示すタイムチャートである。
【００５１】
まず、搬送ステージ２２の上に１層目のグリーンシートＧＳが載置される。制御装置４０は、搬送ステージ駆動回路４２を介して搬送ステージ２２を位置センサ３１の直下に搬送し、ステージヒータ駆動回路４３を介してグリーンシートＧＳの温度を所定温度、例えば６０℃に維持する。
【００５２】
次いで、制御装置４０は、描画部駆動回路４４を介して昇降機構３４を駆動し、プラテンギャップＨ２を目標距離にセットする。制御装置４０は、プラテンギャップＨ２をセットすると、搬送ステージ駆動回路４２を介して搬送ステージ２２を液滴吐出ヘッド３３の直下で走査し、描画部駆動回路４４を介して１層目のグリーンシートＧＳに液滴Ｄの吐出処理を施す（描画工程：ステップＳ１１）。すなわち、制御装置４０は、１層目のグリーンシートＧＳに関連付けられた第１ビットマップデータＢＤ１を用いて吐出制御信号ＳＩを生成し、描画部駆動回路４４を介して該吐出制御信号ＳＩに基づく吐出処理を実行する。これによって、制御装置４０は、１層目のグリーンシートＧＳに第１ビットマップデータＢＤ１に基づくパターンＰを形成する。
【００５３】
この間、制御装置４０は、グリーンシートＧＳを加熱する分だけ、パターンＰの濡れ広がりを抑えることができ、またプラテンギャップＨ２を目標距離にセットする分だけ、液滴Ｄの着弾精度を安定させることができる。
【００５４】
制御装置４０は、パターンＰを形成すると、搬送ステージ駆動回路４２を介して搬送ス
テージ２２を乾燥部２６の直下に搬送する。また、制御装置４０は、乾燥部駆動回路４５を介して各ランプヒータ３７を駆動し、各ランプヒータ３７の直下にあるパターンＰを所定温度、例えば８０℃に加熱する（乾燥工程：ステップＳ１２）。これによって、制御装置４０は、パターンＰに含まれる分散媒等を蒸発させ、１層目のグリーンシートＧＳにパターンＰを定着させる（乾燥パターンを形成する）。
【００５５】
制御装置４０は、パターンＰを乾燥すると、搬送ステージ駆動回路４２を介して搬送ステージ２２を押圧部２７の直下に搬送し、押圧部駆動回路４６を介してパターンＰに押圧処理を施す（押圧工程：ステップＳ１３）。すなわち、押圧部駆動回路４６を介して押圧力調整部３８Ｂを駆動し、１層目のグリーンシートＧＳへ加える押圧力を所定の目標値にセットする。これによって、制御装置４０は、１層目のグリーンシートＧＳに形成されたパターンＰを１層目のグリーンシートＧＳへ埋没させる。
【００５６】
この間、制御装置４０は、グリーンシートＧＳを加熱する分だけ、１層目のグリーンシートＧＳを軟化させることができ、パターンＰを押圧するに際してパターンＰの変形を抑制できる。また、制御装置４０は、グリーンシートＧＳへ加える押圧力を目標値にセットする分だけ、パターンＰやグリーンシートＧＳへの過剰な押圧を抑制できる。
【００５７】
制御装置４０は、パターンＰを押圧すると、搬送ステージ駆動回路４２を介して搬送ステージ２２を積層部２８の直下に搬送し、積層部駆動回路４７を介してパターンＰの上に２層目のグリーンシートＧＳを積層する（積層工程：ステップＳ１４）。この際、制御装置４０は、パターンＰが１層目のグリーンシートＧＳへ埋没している分だけ、２層目のグリーンシートＧＳによって加えるパターンＰへの押圧力を均一にさせることができ、パターンＰの変形を抑制できる。
【００５８】
続いて、制御装置４０は、カウンターのカウントしたグリーンシートＧＳの層数（実層数Ｎａ）が目標層数Ｎｐであるか否を判断し、実層数Ｎａが目標層数Ｎｐになるまで、上記描画工程、乾燥工程、押圧工程、積層工程を順に繰り返す。
【００５９】
この間、制御装置４０は、グリーンシートＧＳを加熱する分だけ、パターンＰの濡れ広がりを抑えることができ、またプラテンギャップＨ２を目標距離にセットする分だけ、液滴Ｄの着弾精度を安定させることができる。
【００６０】
また、制御装置４０は、グリーンシートＧＳを加熱して該グリーンシートＧＳを軟化させることから、パターンＰを押圧するに際して該パターンＰの変形を抑制できる。しかも、複数のグリーンシートＧＳを一括して積層する場合、層間にあるパターンＰには、各グリーンシートＧＳや各パターンＰを介した押圧力が加わるため、パターンＰの表面の全体にわたり均一な押圧力を加え難い。一方、制御装置４０は、最上層にパターンＰを形成するたびに、該パターンＰを乾燥させて、乾燥した該パターンＰに一定の押圧力を等方的に加える。そのため、制御装置４０は、複数のグリーンシートＧＳを一括して積層する場合に比べ、パターンＰに対してその形状に応じた押圧力を加えることができ、またパターンＰへの過剰な押圧を抑制できる。
【００６１】
制御装置４０は、実層数Ｎａが目標層数Ｎｐになると、実層数ＮａのグリーンシートＧＳからなる積層体を外部へ搬出する。複数のグリーンシートＧＳからなる積層体は、真空包装袋に収容され、シーラ等を用いた吸引によって真空包装袋に真空封入される。真空封入された積層体は、静水圧プレス装置に搬入され、加熱下で静水圧を加えられることによって各グリーンシートＧＳを圧着させる（圧着工程：ステップＳ１６）。
【００６２】
そして、圧着された各グリーンシートＧＳは、所定の焼成炉に搬入され、所定の焼成温
度（例えば、８００℃〜１０００℃）の下で焼成されることによって、ＬＴＣＣ多層基板１１を形成する（焼成工程：ステップＳ１７）。
【００６３】
次に、上記のように構成した第一実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態において、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、乾燥したパターンＰの上に他のグリーンシートＧＳを積層する前に、パターンＰを最上層のグリーンシートＧＳへ押圧して埋没させる。したがって、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、パターンＰを埋没させる分だけ、パターンＰと、その上層のグリーンシートＧＳとの間の局所的な当接を軽減させられることから、パターンＰに加えられる押圧力に関して均一化を図ることができる。
【００６４】
（２）また、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、グリーンシートＧＳを積層するたびに乾燥したパターンＰを押圧することから、複数のグリーンシートＧＳを一括して積層する場合に比べ、パターンＰの形状に応じた押圧力を該パターンＰに加えられる。したがって、パターンＰに加えられる押圧力に関して均一化を図ることができ、また該押圧力に関してパターンＰ間の均一化を図ることができる。
【００６５】
（３）上記実施形態において、描画部２５は、グリーンシートＧＳが積層されるたびに、搬送ステージ２２と液滴吐出ヘッド３３との間の距離を変更し、各最上層に関わるプラテンギャップＨ２を共通する目標距離に維持する。したがって、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、グリーンシートＧＳの積層数に関わらず、液滴Ｄの飛行距離を一定の距離に維持できるため、安定した吐出精度の下でパターンＰを形成できる。
【００６６】
（４）上記実施形態において、押圧部２７は、グリーンシートＧＳが積層されるたびに、搬送ステージ２２とローラ３８Ａとの間の距離を変更して最上層へ加える押圧力を所定値に維持する。したがって、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、グリーンシートＧＳの積層数に関わらず、パターンＰに加える押圧力に関してさらにパターンＰ間の均一化を図ることができる。
【００６７】
（５）上記実施形態において、搬送ステージ２２は、グリーンシートＧＳを加熱するためのステージヒータ２３を有し、グリーンシートＧＳへ液滴Ｄを吐出するときに該ステージヒータ２３を駆動して最上層を加熱する。したがって、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、グリーンシートＧＳに着弾した液滴Ｄの濡れ広がりを抑えられることから、液滴Ｄからなるパターンの加工精度をさらに向上できる。
【００６８】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態において、制御装置４０は、搬送ステージ２２を乾燥部２６、押圧部２７、積層部２８の順に走査する。これに限らず、例えば制御装置４０は、搬送ステージ２２を乾燥部２６、積層部２８、押圧部２７の順に走査しても良い。すなわち、制御装置４０は、パターンＰを乾燥するたびに、乾燥したパターンの上に積層する１枚のグリーンシートを介して該パターンを押圧する構成であっても良い。
【００６９】
この構成においても、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、グリーンシートＧＳを積層するたびに乾燥したパターンＰを押圧することから、複数のグリーンシートＧＳを一括して積層する場合に比べ、パターンＰの形状に応じた押圧力を該パターンＰに加えられる。そのため、パターンＰに加えられる押圧力に関して均一化を図ることができ、また該押圧力に関してパターンＰ間の均一化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】回路モジュールを示す断面図。
【図２】セラミック多層基板の製造装置を示す図。
【図３】セラミック多層基板の製造装置の電気的構成を示す図。
【図４】セラミック多層基板の製造方法を示すフローチャート。
【図５】セラミック多層基板の各製造工程におけるグリーンシートの温度を示す図。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来例のセラミック多層基板の製造方法を示す図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来例のセラミック多層基板の製造方法を示す図。
【符号の説明】
【００７１】
Ｄ…液滴、Ｉｋ…導電性インク、ＧＳ…グリーンシート、Ｐ…パターン、１１…セラミック多層基板としてのＬＴＣＣ多層基板、２０…セラミック多層基板の製造装置としてのＬＴＣＣ多層基板の製造装置、２５…描画部、２６…乾燥部、２７…押圧部、２８…積層部、３３…液滴吐出ヘッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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