(57)【要約】【課題】少ない工程数で歩留まり良く各画素に光共振器構造を構成することができる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置を提供することにある。【解決手段】電気光学装置１００では、赤色光を出射するための第１画素１１Ｒ、緑色光出射するための第２画素１１Ｇと、および青色光を出射するための第３画素１１Ｂの各々に光共振器構造を備えている。かかる光共振器構造を構成するにあたって、透光性絶縁膜７３を形成するための透光膜の上層に、膜厚が以下の関係    第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11Bを満たすようにレジストマスクを形成した後、レジストマスクを表面側から除去するとともに、透光膜においてレジストマスクから露出した部分を表面側から除去して透光膜を各画素１１で異なる膜厚の光学距離調整層として残す。【選択図】図３
2009134067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１波長の光を出射するための第１画素と、前記第１波長より短い第２波長の光を出射するための第２画素と、前記第１波長および前記第２波長より短い第３波長の光を出射するための第３画素とを有するとともに、
前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素は各々、膜厚が以下の関係
前記第１画素＞前記第２画素＞前記第３画素
を満たす光学距離調整層を具備する光共振器構造を備えた電気光学装置の製造方法において、
前記光学距離調整層を形成するにあたっては、
前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素に対して、前記光学距離調整層を構成するための透光膜を形成する透光膜形成工程と、
前記透光膜の上層に、膜厚が以下の関係
前記第１画素＞前記第２画素＞前記第３画素
を満たすようにマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを表面側から除去するとともに、前記透光膜において前記マスクから露出した部分を表面側から除去して当該透光膜を前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素で異なる膜厚の前記光学距離調整層として残す除去工程と
を行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記マスク形成工程では、前記透光膜の上層に感光性レジスト層を形成した後、当該感光性レジスト層に対して領域毎に異なる露光量で露光する諧調露光を行ない、しかる後に、現像を行なって前記マスクとしてのレジストマスクを形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記透光膜形成工程では、前記光学距離調整層の非形成領域にも前記透光膜を形成し、
前記マスク形成工程では、前記透光膜の上層に、膜厚が以下の関係
前記第３画素＞前記非形成領域
を満たすように前記マスクし、
前記除去工程では、前記非形成領域上の前記透光膜を完全に除去することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記除去工程では、前記マスクを表面側から除去して当該マスクにおいて最も厚さの薄い部分を除去することにより前記透光膜の表面の一部を露出させるアッシング工程と、前記透光膜において前記マスクから露出している部分を表面側から除去するエッチング工程とを交互に少なくとも２回ずつ行なうことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記除去工程では、前記マスクおよび前記透光膜の双方をエッチング可能な条件でドライエッチングを行なうことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素の各々では、基板上に、少なくとも光反射層、第１電極層、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層、および第２電極層が順に積層され、
前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素は各々、前記光反射層と前記第２電極層との間に前記光共振器構造を有していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記光学距離調整層は、前記光反射層を形成した後、前記第１電極層を形成する前に、前記透光膜として形成された透光性絶縁膜からなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記光学距離調整層は、前記透光膜としての透光性導電膜からなる前記第１電極層であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の製造方法により得られたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬ（Electro Luminescent）という）装置などの電気光学装置の製造方法、および電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
代表的な電気光学装置である有機ＥＬ装置は、第１電極層と第２電極層との間に発光層を介在させた有機ＥＬ素子が用いられており、かかる有機ＥＬ素子から出射される光は、スペクトルのピーク幅が広くその強度も低い。このため、有機ＥＬ装置をカラー用の表示装置として用いた場合、充分な色再現性の確保が困難であるという問題点がある。
【０００３】
そこで、赤色光（第１波長の光）を出射するための第１画素、緑色光（第２波長の光）を出射するための第２画素、および青色光（第３波長の光）を出射するための第３画素の各々に、第１電極層に対して第２電極層とは反対側に光反射層を形成するとともに、光反射層と第２電極層との光学的距離を以下の関係
第１画素＞第２画素＞第３画素
を満たすように、光反射層と第２電極層との間に介在する層の種類や数を画素毎に変えて光共振器構造を構成することが提案されている。かかる構成によれば、発光層から出射された光は、この発光層を挟んで相互に対向する光反射層と第２電極層との間で往復する間に、光反射層と第２電極層との光学的距離に応じた共振波長の光が選択的に増幅されるので、スペクトルのピーク幅が狭く、強度も高い光を各画素から出射することができる（例えば、特許文献１、２参照）。
【特許文献１】国際公開第０１／０３９５５４号パンフレット
【特許文献２】特開２００７−２６９７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献に開示の構成のように、光反射層と第２電極層との間に介在する層の種類や数を画素毎に変えて光共振器構造を構成した場合、製造工程では、パターニング回数が増えることになり、生産性が低下するなどの問題点がある。例えば、図１１に示すように、赤色光（第１波長の光）を出射するための第１画素１１Ｒ、緑色光（第２波長の光）を出射するための第２画素１１Ｇ、および青色光（第３波長の光）を出射するための第３画素１１Ｂの各々において、光反射層４ａ、透光性絶縁膜７３、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）からなる第１電極層９ａ（画素電極）、正孔注入層８１、発光層８２、および第２電極層８５が順に積層されている場合において、光反射層４ａと第２電極層８５との間に光共振器構造を構成するにあたって、第１画素１１Ｒでは３層のＩＴＯ膜によって第１電極層９ａを形成し、第２画素１１Ｇでは２層のＩＴＯ膜によって第１電極層９ａを形成し、第３画素１１Ｂでは１層のＩＴＯ膜によって第１電極層９ａを形成した場合、ＩＴＯ膜の成膜工程、およびフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング工程を３回ずつ行なう必要があり、生産性が低い。また、ＩＴＯ膜を積層すると、その層間が反射界面と作用するおそれがある。さらに、ＩＴＯ膜を積層する場合には、加工誤差を吸収できるようにアライメントに余裕をもたせる必要があり、その結果、第１電極層９ａの形状精度が低下してしまう。さらにまた、３回もパターニング工程を行なうと、透光性絶縁膜７３に発生したピンホールや、透光性絶縁膜７３に付着した異物を起点として、パターニング不良が発生するおそれもある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、少ない工程数で歩留まり良く、各画素に適正な光共振器構造を構成することができる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、少なくとも、第１波長の光を出射するための第１画素と、前記第１波長より短い第２波長の光を出射するための第２画素と、および前記第１波長および前記第２波長より短い第３波長の光を出射するための第３画素とを有するとともに、前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素は各々、膜厚が以下の関係
前記第１画素＞前記第２画素＞前記第３画素
を満たす光学距離調整層を具備する光共振器構造を備えた電気光学装置の製造方法において、
前記光学距離調整層を形成するにあたっては、
前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素に対して、前記光学距離調整層を構成するための透光膜を形成する透光膜形成工程と、
前記透光膜の上層に、膜厚が以下の関係
前記第１画素＞前記第２画素＞前記第３画素
を満たすようにマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを表面側から除去するとともに、前記透光膜において前記マスクから露出した部分を表面側から除去して当該透光膜を前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素で異なる膜厚の前記光学距離調整層として残す除去工程と、
を行なうことを特徴とする。
【０００７】
本発明において、「電気光学装置」とは、有機ＥＬ装置、プラズマ表示装置、液晶装置、センサなど、電気を光に変換する装置、あるいは光を電気に変換する装置のことを意味する。
【０００８】
本発明では、光学距離調整層を構成するための透光膜を形成する透光膜形成工程と、画素毎に膜厚が相違するマスクを形成するマスク形成工程と、マスクおよび透光膜を表面側から除去する除去工程とを行なうだけで、各画素に厚さの異なる光学距離調整層を形成することができ、少ない工程数で各画素に光共振器構造を構成することができる。それ故、電気光学装置の生産性を向上することができる。また、光学的距離調整層を１層の透光膜で形成することができるので、光学的距離調整層を複数の層で形成した場合と違って、光学的距離調整層内で不要な反射が発生することがない。また、光学的距離調整層を形成する際、成膜工程およびパターニング工程を繰り返す必要がないので、複数回のパターニング工程を行なう場合に発生する不具合の発生を回避することができ、歩留まりを向上することができる。
【０００９】
本発明において、前記マスク形成工程では、前記透光膜の上層にレジスト層を形成した後、当該レジスト層に対して領域毎に異なる露光量で露光する諧調露光を行ない、しかる後に、現像を行なって前記マスクとしてのレジストマスクを形成することが好ましい。かかる構成によれば、１回の露光工程で、画素毎に厚さが異なるマスクを形成することができる。
【００１０】
本発明において、前記透光膜形成工程では、前記光学距離調整層の非形成領域にも前記透光膜を形成し、前記マスク形成工程では、前記透光膜の上層に、膜厚が以下の関係
前記第３画素＞前記非形成領域
を満たすように前記マスクし、前記除去工程では、前記非形成領域上の前記透光膜を完全に除去することが好ましい。かかる構成によれば、画素毎に厚さが異なる光学距離調整層を形成する際、光学距離調整層がない領域（光学距離調整層の非形成領）を同時に形成することができる。
【００１１】
本発明において、前記除去工程では、前記マスクを表面側から除去して当該マスクにおいて最も厚さの薄い部分を除去することにより前記透光膜の表面の一部を露出させるアッシング工程と、前記透光膜において前記マスクから露出している部分を表面側から除去するエッチング工程とを交互に少なくとも２回ずつ行なう構成を採用することができる。
【００１２】
本発明において、前記除去工程では、前記マスクおよび前記透光膜の双方をエッチング可能な条件でドライエッチングを行なう構成を採用してもよい。
【００１３】
本発明において、前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素の各々では、基板上に、少なくとも光反射層、第１電極層、有機ＥＬ素子の発光層、および第２電極層が順に積層され、前記第１画素、前記第２画素、および前記第３画素は各々、前記光反射層と前記第２電極層との間に前記光共振器構造を有している構成を採用することができる。
【００１４】
本発明において、前記光学距離調整層は、前記光反射層を形成した後、前記第１電極層を形成する前に前記透光膜として形成された透光性絶縁膜からなる構成を採用することができる。
【００１５】
本発明において、前記光学距離調整層は、前記透光膜としての透光性導電膜からなる前記第１電極層である構成を採用してもよい。
【００１６】
本発明に係る製造方法により得られた電気光学装置は、各種光源の他、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、薄膜トランジスタでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。また、以下の説明では、図１１を参照して説明した構成との対応が分りやすいように、共通する機能を担う部分には同一の符号を付して説明する。
【００１８】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００１９】
図１に示す電気光学装置１００は、有機ＥＬ装置であり、素子基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応する位置に形成された画素１１とを有しており、複数の画素１１がマトリクス状に配列されている領域によって画素領域１０ｂが構成されている。また、素子基板１０上では、データ線６ａに並列して複数の電源線６ｇが延在し、走査線３ａに並列して複数の容量線３ｅが延在している。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。複数の画素１１の各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃと、この薄膜トランジスタ３０ｃを介して電源線６ｇに電気的に接続したときに電源線６ｇから駆動電流が流れ込む第１電極層９ａ（画素電極／陽極層）と、この第１電極層９ａと、第２電極層８５（陰極）との間に有機機能層が挟まれた有機ＥＬ素子８０とが構成されている。なお、図１に示す構成では、電源線６ｇおよび容量線３ｅが各々、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４から延在しているが、定電位が印加されるため、電源線６ｇおよび容量線３ｅが直接、端子１０２から延在している構成などを採用してもよい。また、図１に示す構成では、走査線３ａと並列に容量線３ｅを形成したが、容量線３ｅを形成せずに、電源線６ｇと薄膜トランジスタ３０ｂのドレインとの間に保持容量７０を形成することもできる。
【００２０】
かかる電気光学装置１００では、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線６ｇから第１電極層９ａに電流が流れ、さらに有機機能層を介して第２電極層８５に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２１】
図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０と封止基板９０とがシール材１０７によって貼り合わされており、素子基板１０と封止基板９０との間には、透光性のエポキシ樹脂などの充填層９１が介在している。素子基板１０において、シール材１０７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、およびＩＴＯ膜からなる端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０３が設けられている。詳しくは後述するが、素子基板１０には、第１電極層、有機機能層および第２電極層がこの順に積層された有機ＥＬ素子８０がマトリクス状に形成されている。なお、封止基板９０を用いずに、素子基板１０を封止樹脂で覆った構造を採用することもある。
【００２２】
（画素の詳細な構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。なお、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ′線における断面図であり、図３（ａ）では、第１電極層９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
【００２３】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な第１電極層９ａ（長い点線で囲まれた領域）が画素１１毎に形成され、第１電極層９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、電源線６ｇ（一点鎖線で示す領域）、走査線３ａ（実線で示す領域）および容量線３ｅ（実線で示す領域）が形成されている。
【００２４】
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０では、その基体たる支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、第１電極層９ａに対応する領域に薄膜トランジスタ３０ｃが形成されている。薄膜トランジスタ３０ｃは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側にはゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極３ｆが形成されている。かかるゲート電極３ｆは、薄膜トランジスタ３０ｂのドレインに電気的に接続されている。なお、薄膜トランジスタ３０ｂの基本的な構成は、薄膜トランジスタ３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００２５】
薄膜トランジスタ３０ｃの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７１、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる層間絶縁膜７２（平坦化膜）、シリコン窒化膜などからなる透光性絶縁膜７３が形成されている。層間絶縁膜７１の表面（層間絶縁膜７１、７２の層間）には、データ線６ａ（図３（ｂ）には図示せず）、電源線６ｇおよびドレイン電極６ｈが形成され、電源線６ｇは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｇを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｈは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｈを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。本形態において、データ線６ａ、電源線６ｇ、ドレイン電極６ｈは、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。
【００２６】
透光性絶縁膜７３の表面にはＩＴＯ膜からなる第１電極層９ａが形成されており、第１電極層９ａは、層間絶縁膜７２、７３に形成されたコンタクトホール７２ｇ、７３ｇを介してドレイン電極６ｈに電気的に接続している。
【００２７】
第１電極層９ａの上層には、発光領域を規定するための開口部を備えた感光性樹脂などからなる厚い隔壁層５ｂが形成されている。隔壁層５ｂで囲まれた領域内において、第１電極層９ａの上層には、３、４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などからなる正孔注入層８１、および発光層８２からなる有機機能層が形成され、発光層８２の上層には第２電極層８５が形成されている。このようにして、第１電極層９ａ、正孔注入層８１、発光層８２および第２電極層８５によって、有機ＥＬ素子８０が構成されている。発光層８２は、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９、１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料から構成される。また、発光層８２としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる組成物も使用可能である。本形態において、有機機能層は、インクジェット法などの塗布法により形成される。なお、塗布法としては、フレキソ印刷法、スピンコート法、スリットコート法、ダイコート法などが採用される場合もある。また、有機機能層が低分子材料からなる場合、有機機能層は、蒸着法などにより形成される場合もある。さらに、発光層８２と第２電極層８５との層間には電子注入層が形成されることもある。
【００２８】
本形態の電気光学装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、矢印Ｌ１で示すように、支持基板１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、第２電極層８５は、薄いアルミニウム膜や、マグネシウムやリチウムなどの薄い膜をつけて仕事関数を調整したＩＴＯ膜などといった透光性電極として形成され、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板の他、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどの金属板に表面酸化などの絶縁処理を施したもの、樹脂基板などが挙げられる。なお、電気光学装置１００がボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である場合、支持基板１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。
【００２９】
（光共振器構造の構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の第１画素、第２画素、および第３画素に光共振器構造を形成した様子を模式的に示す説明図である。
【００３０】
本形態の電気光学装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、有機ＥＬ素子８０から出射された光のうち、支持基板１０ｄの側に向かう光については第２電極層８５の側に導く必要がある。このため、電気光学装置１００では、層間絶縁膜７２と透光性絶縁膜７３との層間において第１電極層９ａと重なる領域には、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などの金属膜からなる光反射層４ａが形成されている。
【００３１】
また、本形態の電気光学装置１００では、複数の画素１１は各々、図１に示すように、赤色光（第１波長の光）を出射するための第１画素１１Ｒ、緑色光（第２波長の光）を出射するための第２画素１１Ｇ、および青色光（第３波長の光）を出射するための第３画素１１Ｂとなっており、本形態では、同一の色に対応する画素１１がデータ線６ａの延在方向に直線的に並ぶストライプ配列が採用されている。
【００３２】
このため、走査線３ａに沿っては第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂがこの順に並んでおり、かかる様子を図４に模式的に表してある。なお、図４には、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂのうち、第３画素１１Ｂについては、第１電極層９ａとドレイン電極６ｈとを接続するためのコンタクトホール７２ｇ、７３ｇも表してある。
【００３３】
このように構成した電気光学装置１００では、有機ＥＬ素子８０から出射される光は、スペクトルのピーク幅が広くその強度も低いため、電気光学装置１００をカラー用の表示装置として用いた場合、充分な色再現性の確保が困難である。そこで、本形態では、光反射層４ａと第２電極層８５との間に位置する層のうちの１層を光学的距離調整層として利用し、かかる光学的距離調整層の膜厚を以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たすように設定して、光反射層４ａと第２電極層８５との間の光学的距離（各層の屈折率×膜厚の総和）を適正化し、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂの各々に最適な光共振器構造を構成してある。すなわち、共振器構造における共振波長λは、以下の式
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
で表現されるように、光反射層４ａと第２電極層８５との光学的距離Ｌに応じて決定される。上式における「Φ（rad）」は、共振器構造の両端部で発生する位相シフトであり、より具体的には、光反射層４ａで反射するときに生じる位相シフトΦ1（rad）と第２電極層８５で反射するときに生じる位相シフトΦ2と（rad）の和（Φ＝Φ1＋Φ2）である。また、「ｍ」は光学的距離Ｌが正となる整数である。従って、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂから出射されるべき所望の光の共振波長λを上式に代入することによって、共振波長λで光共振を実現するための光学的距離Ｌが決定される。そこで、本形態では、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂでの透光性絶縁膜７３の厚さを各々、例えば、１００ｎｍ、７０ｎｍ、３０ｎｍに設定し、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂでの光学的距離Ｌを最適化してある。
【００３４】
このため、有機ＥＬ素子８０の発光層８２から出射された光は、この発光層８２を挟んで相互に対向する光反射層４ａと第２電極層８５との間で往復する間に、光反射層４ａと第２電極層８５との光学的距離に応じた共振波長の光が選択的に増幅されるので、スペクトルのピーク幅が狭く、強度も高い光を各画素１１から出射することができる。
【００３５】
かかる光共振器構造を構成するにあたっては、本形態では、光反射層４ａと第２電極層８５との間に位置する層のうち、透光性絶縁膜７３を光学的距離調整層として、膜厚を以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たすように設定してある。ここで、透光性絶縁膜７３は、図６および図７を参照して以下に説明するように、一層のシリコン窒化膜の厚さを第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂで変えた構成になっており、多層構造になっていない。
【００３６】
(製造方法)
図５および図６は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図であり、図５は、透光性絶縁膜を構成するためのシリコン窒化膜を成膜した後、コンタクトホール７３ｇの形成領域にエッチングを行うまでのす工程断面図であり、図６は、レジストマスクに最初のアッシング工程を行なった後、第１電極層９ａを形成するまでの工程断面図である。
【００３７】
本形態では、図５（ａ）に示すように、光反射層４ａを形成した後、透光膜形成工程において、ＣＶＤ法などにより、素子基板１０の略全面に透光性絶縁膜７３を構成するためのシリコン窒化膜からなる透光膜７３ｘを略一定の膜厚で形成する。
【００３８】
次に、図５（ｂ）に示すマスク形成工程においては、スピンコート法などにより透光膜７３ｘの上層に感光性レジスト層１５ｘを形成した後、多階調の露光マスクを用いて感光性レジスト層１５ｘに対して領域毎に異なる露光量で露光する諧調露光を行なう。ここで、感光性レジスト層１５ｘに対する露光量は、図５（ｃ）を参照して後述するレジストマスク１５の領域毎の厚さに対応しており、感光性レジスト層１５ｘがポジタイプであれば、露光量は、
第１画素11R＜第２画素11G＜第３画素11B＜コンタクトホール73gの形成領域
であり、感光性レジスト層１５ｘがネガタイプであれば、露光量は、
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B＞コンタクトホール73gの形成領域
である。従って、露光後、感光性レジスト層１５ｘを現像すると、透光膜７３ｘの上層にはレジストマスク１５が形成され、かかるレジストマスク１５の厚さは以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B＞コンタクトホール73gの形成領域
を満たしている。ここで、コンタクトホール７３ｇの形成領域は、透光性絶縁膜７３の非形成領域に相当し、コンタクトホール７３ｇの形成領域でのレジストマスク１５の厚さは、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂより薄ければよく、本形態において、コンタクトホール７３ｇの形成領域ではレジストマスク１５が形成されていない。
【００３９】
かかる諧調露光に用いる多階調の露光マスクとしては、グレイトーンマスクやハーフトーンマスクがあり、グレイトーンマスクでは、露光機の解像度以下のスリットが形成されており、そのスリット部が光の一部を遮り、中間露光を実現する。これに対して、ハーフトーンマスクは半透過の膜を利用し、中間露光を行なう。いずれも、１回の露光で「露光部分」「１乃至複数の中間露光部分」「未露光部分」の露光レベルを実現することができる。
【００４０】
次に、図５（ｄ）〜図６（ｅ）に示す除去工程を行ない、レジストマスク１５を表面側から除去するとともに、透光膜７３ｘにおいてレジストマスク１５から露出した部分を表面側から除去して透光膜７３ｘを第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂで異なる膜厚の光学距離調整層として残す。
【００４１】
より具体的には、まず、図５（ｄ）に示すエッチング工程では、コンタクトホール７３ｇの形成領域にレジストマスク１５が形成されていないので、この状態のまま、透光膜７３ｘにおいてレジストマスク１５から露出している部分をエッチングする。本形態では、透光膜７３ｘをエッチングする際、レジストマスク１５をエッチングせず、透光膜７３ｘのみをエッチングする。そのため、本形態では、塩素系のエッチングガス、あるいはＳＦ6などのフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングを行なう。その結果、コンタクトホール７３ｇの形成領域のみで透光膜７３ｘが選択的にエッチングされ、コンタクトホール７３ｇの形成領域では、透光膜７３ｘの膜厚が薄くなる。
【００４２】
次に、図６（ａ）に示すアッシング工程では、酸素プラズマなどを用いてレジストマスクを表面側からアッシングし、レジストマスク１５において最も薄い部分（第３画素１１Ｂに形成されている部分）のみを除去する。その結果、第３画素１１Ｂでは、透光膜７３ｘの表面が露出する。但し、レジストマスク１５において第１画素１１Ｒおよび第２画素１１Ｇに形成されていた部分は厚いため、レジストマスク１５が残るので、第１画素１１Ｒおよび第２画素１１Ｇでは、透光膜７３ｘの表面がレジストマスク１５で覆われた状態にある。
【００４３】
次に、図６（ｂ）に示すエッチング工程では、塩素系のエッチングガス、あるいはＳＦ6などのフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングにより、透光膜７３ｘにおいてレジストマスク１５から露出している部分をエッチングする。その結果、第１画素１１Ｒおよびコンタクトホール７３ｇの形成領域のみで透光膜７３ｘが選択的にエッチングされ、第１画素１１Ｒおよびコンタクトホール７３ｇの形成領域では、透光膜７３ｘの膜厚が薄くなる。
【００４４】
次に、図６（ｃ）に示すアッシング工程では、酸素プラズマなどを用いてレジストマスクを表面側からアッシングし、レジストマスク１５において最も薄い部分（第２画素１１Ｇに形成されている部分）のみを除去する。その結果、第２画素１１Ｇでは、透光膜７３ｘの表面が露出する。但し、レジストマスク１５において第１画素１１Ｒに形成されていた部分は厚いため、レジストマスク１５が残るので、第１画素１１Ｒでは、透光膜７３ｘの表面がレジストマスク１５で覆われた状態にある。
【００４５】
次に、図６（ｄ）に示すエッチング工程では、塩素系のエッチングガス、あるいはＳＦ6などのフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングにより、透光膜７３ｘにおいて、レジストマスク１５から露出している部分をエッチングする。その結果、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、およびコンタクトホール７３ｇの形成領域で透光膜７３ｘが選択的にエッチングされ、第１画素１１Ｒおよび第２画素１１Ｇでは、透光膜７３ｘの膜厚が薄くなる。また、コンタクトホール７３ｇの形成領域には、貫通穴からなるコンタクトホール７３ｇが形成される。
【００４６】
次に、図６（ｅ）に示すアッシング工程では、残ったレジストマスク１５を、酸素プラズマなどを用いたアッシングにより除去する。その結果、素子基板１０上には透光膜７３ｘが透光性絶縁膜７３（光学的距離調整層）として残るとともに、その膜厚は以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たすことになる。すなわち、最初に形成した透光膜７３ｘの厚さをｔ0とし、図６（ｂ）に示すエッチング工程でのエッチング深さをＤ2とし、図６（ｄ）に示すエッチング工程でのエッチング深さをＤ3とすると、各画素１１における透光性絶縁膜７３の厚さは、以下の値
第１画素１１Ｒにおける透光性絶縁膜７３の厚さ＝ｔ0
第２画素１１Ｇにおける透光性絶縁膜７３の厚さ＝ｔ0−Ｄ3
第３画素１１Ｂにおける透光性絶縁膜７３の厚さ＝ｔ0−Ｄ2−Ｄ3
となる。また、図５（ｄ）に示すエッチング工程でのエッチング深さをＤ1とすると、以下の関係
透光膜７３ｘを形成した厚さｔ0＝Ｄ1＋Ｄ2＋Ｄ3＝コンタクトホール７３ｇの深さ
となる。
【００４７】
それ以降は、透光性絶縁膜７３の表面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてＩＴＯ膜をパターニングし、複数の画素１１の各々に第１電極層９ａを形成する。しかる後には、図４に示すように、正孔注入層８１、発光層８２および第２電極層８５を順次形成していく。その結果、光反射層４ａと第２電極層８５との間の光学的距離が以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たすように設定され、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂに最適な光共振器構造が構成される。
【００４８】
このような製造方法を採用した際、コンタクトホール７３ｇの形成領域では、透光膜７３ｘが完全に除去され、コンタクトホール７３ｇの底部では、ドレイン電極６ｈが露出する。その際、ドレイン電極６ｈの表面がエッチングガスに曝されることになるので、ドレイン電極６ｈと第１電極層９ａとの電気的な接続を確実に行なうという観点からすると、エッチング工程では、透光膜７３ｘとドレイン電極６ｈとの間に高いエッチング選択比をもつように透光膜７３ｘおよびドレイン電極６ｈの材料やエッチング条件を設定することが好ましい。そこで、本形態では、ドレイン電極６ｈについては、チタンの単層膜、あるいは表面がチタン層の積層膜から構成し、エッチングガスとしては、例えば、１００sccmのＳＦ6ガスと１００sccmのＯ2ガスとの混合ガスを用い、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching／反応性イオンエッチング）モードを実現している。また、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂでの透光性絶縁膜７３の各厚さを各々、１００ｎｍ、７０ｎｍ、３０ｎｍとし、ドレイン電極６ｈにおけるチタン部分の厚さを１００ｎｍ以上に設定してある。このため、透光膜７３ｘをエッチングし終えた際、コンタクトホール７３ｇの底部にドレイン電極６ｈが確実に残るので、第１電極層９ａとドレイン電極６ｈとを確実に接続することができる。
【００４９】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂに最適な光共振器構造を構成するにあたって、光学距離調整層を構成するための透光膜７３ｘを形成する透光膜形成工程と、画素１１毎に膜厚が相違するレジストマスク１５を形成するマスク形成工程と、レジストマスク１５および透光膜７３ｘを表面側から除去する除去工程とを行なうだけでよい。それ故、電気光学装置１００の生産性を向上することができる。
【００５０】
また、光学的距離調整層を１層の透光膜７３ｘで形成することができるので、光学的距離調整層を複数の層で形成した場合と違って、光学的距離調整層内で不要な反射が発生することがない。さらに、光学的距離調整層を形成する際、成膜工程、およびフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング工程を繰り返す必要がないので、複数回のパターニング工程を行なう場合に発生する不具合の発生を回避することができる。
【００５１】
さらに、本形態において、マスク形成工程では、諧調露光によりレジストマスク１５を形成したので、１回の露光工程で、画素毎に厚さが異なるマスクを形成することができ、電気光学装置１００の生産性を向上することができる。
【００５２】
さらにまた、本形態において、透光膜形成工程では、透光性絶縁膜７３（光学距離調整層）の非形成領域（コンタクトホール７３ｇの形成領域）にも透光膜７３ｘを形成し、画素１１毎に厚さの異なる透光性絶縁膜７３を形成する際、非形成領域上の透光膜７３ｘを完全に除去する。それ故、コンタクトホール７３ｇを別工程で形成する必要がないので、この点でも、電気光学装置１００の生産性を向上することができる。
【００５３】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂに光共振器構造を形成した様子を模式的に示す説明図である。図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の製造工程のうち、第１電極層９ａを構成するためのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜の厚さを第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂで変えるまでの工程を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００５４】
実施の形態１では、赤色光（第１波長の光）を出射するための第１画素１１Ｒ、緑色光（第２波長の光）を出射するための第２画素１１Ｇ、および青色光（第３波長の光）を出射するための第３画素１１Ｂに最適な光共振器構造を構成するにあたって、透光性絶縁膜７３を光学的距離調整層として用いたが、本形態では、図８に示すように、ＩＴＯ膜からなる第１電極層９ａを光学的距離調整層として利用し、かかる第１電極層９ａの膜厚を以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たすように設定してある。ここで、第１電極層９ａは、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂの１層のＩＴＯ膜の膜厚を変えた構成になっており、多層構造になっていない。なお、透光性絶縁膜７３は、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂで同一の膜厚である。
【００５５】
かかる構造の電気光学装置１００を製造するにあたって、本形態では、図８（ａ）に示すように、透光性絶縁膜７２を形成した後、透光膜形成工程において、スパッタ法などにより、素子基板１０の略全面に第１電極層９ａを構成するためのＩＴＯ膜からなる透光膜９を略一定の膜厚に形成する。
【００５６】
次に、マスク形成工程を行なう。それには、スピンコート法などにより透光膜９の上層に感光性レジスト層１５ｘを形成した後、感光性レジスト層１５ｘに対して領域毎に異なる露光量で露光する諧調露光、および現像を行ない、図８（ｂ）に示すレジストマスク１５を形成する。かかるレジストマスク１５の厚さは以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B＜第１電極層9aの間
を満たしている。ここで、第１電極層９ａの間の領域でのレジストマスク１５の厚さは、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂより薄ければよく、本形態において、第１電極層９ａの間の領域にはレジストマスク１５が形成されていない。
【００５７】
次に、図８（ｃ）〜（ｆ）に示すように、レジストマスク１５を表面側から除去するとともに、透光膜９においてレジストマスク１５から露出した部分を表面側から除去して透光膜９を第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂで異なる膜厚の第１電極層９ａ（光学距離調整層）として残す除去工程を行なう。
【００５８】
かかる除去工程は、実施の形態１と同様であるため、詳細な説明は省略するが、まず、図８（ｃ）にエッチング工程において、透光膜９においてレジストマスク１５から露出している部分をエッチングして第１電極層９ａの間に相当する部分の透光膜９の膜厚を薄くする。
【００５９】
次に、図８（ｄ）に示すように、アッシング工程において、レジストマスク１５を表面側からアッシングして、レジストマスク１５の最も薄い部分（第３画素１１Ｂに形成されている部分）を除去し、第３画素１１Ｂで透光膜９の表面を露出させた後、エッチング工程において、レジストマスク１５から露出している透光膜９の表面をエッチングする。
【００６０】
次に、図８（ｅ）に示すように、アッシング工程において、レジストマスク１５を表面側からアッシングして、レジストマスク１５の最も薄い部分（第２画素１１Ｇに形成されている部分）を除去し、第２画素１１Ｇで透光膜９の表面を露出させた後、エッチング工程において、レジストマスク１５から露出している透光膜９の表面をエッチングする。
【００６１】
次に、図８（ｆ）に示すように、残ったレジストマスク１５をアッシングにより除去する。その結果、素子基板１０上には透光膜９が第１電極層９ａ（光学的距離調整層）として残るとともに、その膜厚は以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たしている。
【００６２】
それ以降は、図７に示すように、正孔注入層８１、発光層８２および第２電極層８５を順次形成していく。その結果、光反射層４ａと第２電極層８５との間の光学的距離が以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たすように設定され、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂに最適な光共振器構造が構成される。
【００６３】
このように本形態でも、実施の形態１と同様、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂに最適な光共振器構造を構成するにあたって、光学距離調整層を構成するための透光膜９を形成する透光膜形成工程と、画素１１毎に膜厚が相違するレジストマスク１５を形成するマスク形成工程と、レジストマスク１５および透光膜９を表面側から除去する除去工程とを行なうだけでよい。それ故、電気光学装置１００の生産性を向上することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６４】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造工程のうち、第１電極層９ａを構成するためのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜の厚さを第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂで変えるまでの工程を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００６５】
実施の形態１、２では、除去工程として、レジストマスクに対するアッシング工程と、透光膜に対するエッチング工程とを交互に行なったが、本形態では、以下に説明するように、レジストマスクおよび透光膜の双方をエッチング可能な条件でドライエッチングを行なう。
【００６６】
具体的には、実施の形態１と同様、まず、図９（ａ）に示すように、透光性絶縁膜７２を形成した後、透光膜形成工程において、スパッタ法などにより、素子基板１０の略全面に第１電極層９ａを構成するためのＩＴＯ膜からなる透光膜９を略一定の膜厚に形成する。
【００６７】
次に、マスク形成工程を行なう。それには、スピンコート法などにより透光膜９の上層に感光性レジスト層１５ｘを形成した後、感光性レジスト層１５ｘに対して領域毎に異なる露光量で露光する諧調露光、および現像を行ない、図９（ｂ）に示すレジストマスク１５を形成する。かかるレジストマスク１５の厚さは以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B＞第１電極層9aの間の領域
を満たしている。ここで、第１電極層９ａの間の領域でのレジストマスク１５の厚さは、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂより薄ければよく、本形態において、第１電極層９ａの間の領域ではレジストマスク１５が形成されていない。
【００６８】
次に、図９（ｃ）〜（ｅ）に示すように、レジストマスクおよび透光膜の双方をエッチング可能な条件でドライエッチングを行ない、レジストマスク１５を表面側から除去するとともに、透光膜９においてレジストマスク１５から露出した部分を表面側から除去して透光膜９を第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇ、および第３画素１１Ｂで異なる膜厚の第１電極層９ａ（光学距離調整層）として残す除去工程を行なう。
【００６９】
より具体的には、ハロゲン系ガスを主成分とするエッチングガス用いたドライエッチングにより、レジストマスク１５および透光膜９を表面側から同時にエッチングする。その結果、図９（ｃ）に示すように、第１電極層９ａの間の領域でレジストマスク１５から露出している部分の透光膜９の表面がエッチングされるとともに、レジストマスク１５も表面がエッチングされるので、第３画素１１Ｂではレジストマスク１５が除去され、第３画素１１Ｂでは透光膜９の表面が露出する。
【００７０】
続いて、図９（ｄ）に示すように、第３画素１１Ｂ、および第１電極層９ａの間の領域で透光膜９が表面からエッチングされるとともに、レジストマスク１５も表面がエッチングされるので、第２画素１１Ｇではレジストマスク１５が除去され、第２画素１１Ｇでは透光膜９の表面が露出する。続いて、図９（ｅ）に示すように、第２画素１１Ｇ、第３画素１１Ｂ、および第１電極層９ａの間の領域で透光膜９が表面からエッチングされるとともに、レジストマスク１５も表面がエッチングされるので、第１画素１１Ｒではレジストマスク１５が除去される。
【００７１】
その結果、素子基板１０上には透光膜９が第１電極層９ａ（光学的距離調整層）として残るとともに、その膜厚は以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たしている。
【００７２】
それ以降は、図７に示すように、正孔注入層８１、発光層８２および第２電極層８５を順次形成していく。その結果、光反射層４ａと第２電極層８５との間の光学的距離が以下の関係
第１画素11R＞第２画素11G＞第３画素11B
を満たすように設定され、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂに最適な光共振器構造が構成される。
【００７３】
このように本形態でも、実施の形態１と同様、第１画素１１Ｒ、第２画素１１Ｇおよび第３画素１１Ｂに最適な光共振器構造を構成するにあたって、光学距離調整層を構成するための透光膜９を形成する透光膜形成工程と、画素１１毎に膜厚が相違するレジストマスク１５を形成するマスク形成工程と、レジストマスク１５および透光膜９を表面側から除去する除去工程とを行なうだけでよい。それ故、電気光学装置１００の生産性を向上することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７４】
また、本形態では、図９（ａ）〜（ｅ）に示す除去工程では、レジストマスク１５および透光膜９の双方をエッチング可能な条件でドライエッチングを行なったので、レジストマスク１５の除去、第１電極層９ａの間での透光膜９の除去、および各画素１１での第１電極層９ａの厚さ調整を連続して行なうことができ、生産性を向上することができる。
【００７５】
なお、本形態に係る構成は、図４などを参照して説明した図実施の形態１にも適用でき、この場合、レジストマスク１５および透光膜７３ｘの双方をエッチング可能な条件でドライエッチングを行ない、レジストマスク１５の除去、コンタクトホール７３ｇの形成、および各画素１１での透光性絶縁膜７３のａの厚さ調整を連続して行なう。
【００７６】
［別の実施の形態］
上記実施の形態では、本発明を適用した電気光学装置１００としてトップエミッション型の有機ＥＬ装置を説明したが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、本発明を適用した電気光学装置として、赤色光（第１波長の光）を出射するための第１画素、緑色光（第２波長の光）を出射するための第２画素、および青色光（第３波長の光）を出射するための第３画素を例にして説明したが、発光色、発光色数はこれらに限らず、少なくとも３発光色を有する電気光学装置であれば良い。また、本発明は、有機ＥＬ装置に限らず、液晶装置、各種センサ、半導体回路、それらの複合体からなる電気光学装置に光共振器構造を形成する場合に適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１０（ａ）に、電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１０（ｂ）に、電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１０（ｃ）に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【００７８】
なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１０に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の第１画素、第２画素、および第３画素に光共振器構造を形成した様子を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造工程のうち、透光性絶縁膜を構成するためのシリコン窒化膜を成膜した後、コンタクトホールの形成領域にエッチングを行うまでの工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造工程のうち、レジストマスクに最初のアッシング工程を行なった後、第１電極を形成するまでの工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の第１画素、第２画素、および第３画素に光共振器構造を形成した様子を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造工程のうち、第１電極を構成するためのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜の厚さを第１画素、第２画素、および第３画素で変えるまでの工程を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造工程のうち、第１電極を構成するためのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜の厚さを第１画素、第２画素、および第３画素で変えるまでの工程を示す工程断面図である。
【図１０】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【図１１】従来の電気光学装置の第１画素、第２画素、および第３画素に光共振器構造を形成した様子を模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
【００８０】
３ａ・・走査線、６ａ・・データ線、９、７３ｘ・・透光膜、９ａ・・第１電極、１０・・素子基板、１１・・画素、１１Ｒ・・第１画素、１１Ｇ・・第２画素、１１Ｂ・・第３画素、１５・・エジストマスク、３０ｂ、３０ｃ・・薄膜トランジスタ（画素トランジスタ）、７３・・透光性絶縁膜、８０・・有機ＥＬ素子、１００・・電気光学装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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