(57)【要約】【課題】下部電極形成においての下部電極や表面荒れや剥がれが防止可能であり、これにより発光特性の向上および歩留まりの向上を図ることが可能な有機電界発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板１上に導電性膜３を成膜し、導電性膜３上に形成したレジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを形成する。下部電極３ａおよびレジストパターン５ａの積層体を覆う絶縁膜７を基板上に成膜する。絶縁膜７およびレジストパターン５ａの積層部に、下部電極３ａを露出する画素開口７ａを形成する。画素開口７ａ底部の下部電極３ａ上に有機発光機能層９を介して上部電極１１を形成し、有機電界発光素子ＥＬを得る。【選択図】図２
2009187816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電性膜を成膜し、当該導電性膜上に形成したレジストパターンをマスクに用いたエッチングによって当該導電性膜をパターニングしてなる下部電極を形成する工程と、
前記下部電極およびレジストパターンの積層体を覆う状態で、前記基板上に絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜および前記レジストパターンの積層部に前記下部電極を露出する画素開口を形成する工程と、
前記画素開口の底部の下部電極上に有機発光機能層を介して上部電極を形成する工程とを行う
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法において、
前記絶縁膜はレジスト材料からなる
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の有機電界発光素子の製造方法において、
前記画素開口を形成する工程では、リソグラフィーによってレジスト材料からなる前記絶縁膜と前記レジストパターンとに当該画素開口を形成する
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法において、
前記レジストパターンと前記絶縁膜とは、同一材料からなる
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法において、
前記基板の表面層は、有機材料からなる
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の有機電界発光素子の製造方法において、
前記レジストパターンと前記絶縁膜と前記基板の表面層とは、同一材料からなる
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】
基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に積層形成されたレジストパターンと、
前記下部電極およびレジストパターンの積層体を覆う状態で前記基板上に成膜された絶縁膜と、
前記下部電極を露出する状態で前記絶縁膜および前記レジストパターンの積層部に設けられた画素開口と、
前記画素開口の底部の下部電極上に設けられた有機発光機能層と、
前記有機発光機能層を介して前記下部電極上に設けられた上部電極とを備えた
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項８】
請求項７記載の有機電界発光素子において、
前記レジストパターンと前記絶縁膜とは、同一材料からなる
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項７記載の有機電界発光素子において、
前記レジストパターンと前記絶縁膜と前記基板の表面層とは、同一材料からなる
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子に関し、特には下部電極上にウインドウ絶縁膜が備えられた有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイの一つとして、有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）を用いた表示装置（いわゆる有機ＥＬ表示装置）が注目されている。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）現象を利用した自発光型の素子であり、２枚の電極間に発光層を含む有機発光機能層を狭持してなる。これを用いた表示装置は、視野角が広く、消費電力が小さく、かつ軽量である点において優れている。
【０００３】
このような構成の有機ＥＬ素子の製造は、次のように行う。先ず図７（１）に示すように、基板１０１上に成膜した導電性膜１０２を、レジストパターン１０３をマスクに用いたエッチングによってパターニングして下部電極１０２ａを形成する。次に図７（２）に示すように、レジストパターン１０３を除去して下部電極１０２ａを露出させる。次いで図７（３）に示すように、下部電極１０２ａの周縁を覆って中央部を露出する画素開口を備えたウインドウ絶縁膜１０４を形成する。そして図７（４）に示すように、ウインドウ絶縁膜１０４の画素開口内に露出する下部電極１０２ａ上に有機発光機能層１０５を形成し、さらに有機発光機能層１０５上に上部電極１０６を形成する。これにより、下部電極１０２ａと上部電極１０６との間に有機発光機能層１０５を挟持してなる有機電界発光素子ＥＬを形成する。
【０００４】
以上のようにして得られる有機電界発光素子ＥＬは、下部電極１０２ａの表面に突起があると、突起の部分だけ局所的に有機発光機能層１０５の膜厚が薄くなる。このため、この有機発光機能層１０５を挟んで設けられる下部電極１０２ａと上部電極１０６との間の距離が局所的に短くなり、この部分に電界が集中して漏れ電流が発生し、下部電極１０２ａと上部電極１０６とが短絡して非発光点（いわゆる滅点）を生じる要因となる。
【０００５】
これを防止するために、導電性膜１０２を形成する際に、金属材料層上に金属材料の酸化物層を設けた積層構造として形成することにより、金属材料層の表面粗さを酸化物によって緩和する構成が提案されている（例えば下記特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２１６９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが以上のような製造方法であっても、図７（１）に示したように導電性膜をパターニングして下部電極１０２ａを形成した後に、レジストパターン１０３を除去する工程においては、下部電極１０２ａに対してダメージが加わる。すなわち、例えばレジストパターン１０３をウェット処理にて除去する場合には、下部電極１０２ａがレジスト剥離液に晒されることにより、下部電極１０２ａの表面が粗くなったり、下部電極１０２ａが下地から剥がれるなどの問題が発生する。
【０００８】
これは、下部電極１０２ａの形成にリフトオフ法を適用した場合も同様である。すなわちリフトオフ法であっても、基板１０１上に予め形成されたレジストパターンと共にレジストパターン上の導電性膜部分を同時に除去する際、基板上に下部電極として残される導電性膜部分がレジスト剥離液に晒される。このため、上述したと同様に下部電極１０２ａの表面が粗くなったり、下部電極１０２ａが下地から剥がれるなどの問題が発生する。
【０００９】
そこで本発明は、下部電極形成においての下部電極や表面荒れや剥がれを防止することが可能で、これにより発光特性の向上および歩留まりの向上を図ることが可能な有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するための本発明の有機電界発光素子の製造方法は、次の手順で行うことを特徴としている。先ず、基板上に導電性膜を成膜し、当該導電性膜上に形成したレジストパターンをマスクに用いたエッチングによって当該導電性膜をパターニングしてなる下部電極を形成する。次に下部電極およびレジストパターンの積層体を覆う絶縁膜を、基板上に成膜する。その後、絶縁膜およびレジストパターンの積層部に、下部電極を露出する画素開口を形成する。次に画素開口の底部の下部電極上に、有機発光機能層を介して上部電極を形成する。
【００１１】
このような構成によれば、下部電極のパターニングの際にマスクとして用いたレジストパターンを除去せずにそのまま下部電極上に残すため、このレジストパターンを除去する際のダメージが下部電極や下地の基板表面層に加わることがない。したがって、下部電極の表面荒れや、下部電極の下地にダメージが加わることによる下部電極の剥がれが防止される。
【００１２】
また本発明は以上の製造方法によって得られる構成の有機電界発光素子でもあり、基板上に形成された下部電極と、この上部に積層形成されたレジストパターンと、下部電極およびレジストパターンの積層体を覆う状態で基板上に成膜された絶縁膜とを備えている。またさらに、下部電極を露出する状態で、絶縁膜およびレジストパターンの積層部に設けられた画素開口と、画素開口の底部の下部電極上に設けられた有機発光機能層と、有機発光機能層を介して下部電極上に設けられた上部電極とを備えている。
【００１３】
このような構成の有機電界発光素子は、上述した手順によってのみ作製されるものであり、下部電極や基板表面層のダメージが抑えられたものとなる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように本発明によれば、下部電極の表面荒れや剥がれを防止できるため、有機電界発光素子における発光特性の向上および歩留まりの向上を図ることが可能になる。またこの有機電界発光素子を用いた表示装置における表示特性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
＜第１実施形態＞
図１，２は、本発明を適用した第１実施形態の有機電界発光素子の製造方法を示す断面工程図であり、先ずこれらの図面に従って、第１実施形態の製造方法を説明する。
【００１７】
先ず、図１（１）に示すように、表面が絶縁性に保たれた基板１を用意する。この基板１は、例えばガラスやブラスチック材料などの絶縁材料よりなる基板、半導体基板の表面を絶縁性材料膜で覆ってなる基板、さらには薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板を絶縁性材料で覆ってなる基板であることとする。
【００１８】
次に、この基板１上に導電性膜３を成膜する。この導電性膜３は、例えばアノード電極（またはカソード電極）として用いられるものである。
【００１９】
このような導電性膜３として用いられる導電性材料は、銅（Ｃｕ）,アルミニウム（Ａｌ）の他に白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ネオジム（Ｎｄ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）等の金属、これらの金属元素を含む合金、これらの金属からなる導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子が用いられる。またこの他にも、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物が用いられる。さらにＰＥＤＯＴ（ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ＰＳＳポリ(4-スチレンスルホナート)や不純物をドーピングしたポリアニリンといった有機材料が用いられる。
【００２０】
尚、導電性膜３は、上述した導電性材料の中から、アノード電極（またはカソード電極）として適する材料を用いて構成されることとする。
【００２１】
このような導電性膜３の成膜は、特に限定されることはなく、抵抗加熱蒸着法の他に、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などにより成膜しても良い。
【００２２】
ここでは一例として、抵抗加熱蒸着法により、銅（Ｃｕ）薄膜を膜厚１５０ｎｍで成膜し、続いてアルミニウム（Ａｌ）薄膜を膜厚１００ｎｍで成膜してなる積層構造の導電性膜３を形成することとする。
【００２３】
次に、図１（２）に示すように、Ａｌ／Ｃｕ薄膜からなる導電性膜３上に、レジスト材料膜５を塗布成膜する。レジスト材料膜としては、例えばポジ型のレジスト材料を用いることとし、一例としてＴＥＬＲ−Ｐ００３ＰＭ（東京応化工業製商品名）を用いる。
【００２４】
次に、図１（３）に示すように、リソグラフィー処理によって、レジスト材料膜５をパターニングしてなるレジストパターン５ａを導電性膜３上に形成する。この際、先ずホットプレート上での加熱によってレジスト材料膜５を乾燥させた後、レジスト材料膜５に対してパターン露光および現像処理を行う。これにより、ポジ型レジストからなる露光部のみを現像液に溶解させて除去してレジストパターン５ａを得る。
【００２５】
その後、図１（４）に示すように、レジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって、導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを、アノード電極（またはカソード電極）として形成する。この際、リン酸をエッチング液に用いたウェットエッチングによって下部電極３の上層を構成するＡｌ薄膜をエッチングする。次いで、混酸Cu-01（関東化学製商品名）をエッチング液に用いたウェットエッチングによって下部電極３ａの下層を構成するＣｕ薄膜をエッチングする。
【００２６】
尚、導電性膜３のエッチングは、導電性膜３を構成する材料に応じたエッチング液を用いれば良く、またウェットエッチングに限定されることなくリアクティブイオンエッチング法などのドライエッチング法を適用しても良い。
【００２７】
次に、図２（１）に示すように、パターニングされた下部電極３ａとレジストパター５ａとの積層体を覆う絶縁膜７を基板１上に成膜する。
【００２８】
ここで、絶縁膜７は、特に材料が限定されることはないが、工程を簡略化する上では、レジスト材料からなるものであることが好ましい。また、レジストパターン５ａがポジ型レジストからなる場合には、この絶縁膜７もポジ型レジストとすることにより、以降に説明する絶縁膜７とレジストパターン５ａとのパターニング工程を簡略化できるため、さらに好ましい。さらに、絶縁膜７は、レジストパターン５ａとエッチング特性が同様であるものが好ましく、これにより以降に説明する絶縁膜７とレジストパターン５ａとのパターニング工程において、絶縁膜７とレジストパターン５ａとのパターニング側壁を連続的なものとすることができる。
【００２９】
そこでここでは、レジストパターン５ａと同様のポジ型のレジスト材料膜を絶縁膜７として塗布成膜する。これにより、レジストパターン５ａの構成材料が絶縁膜７の塗布溶液に溶解する。これにより、絶縁膜７とレジストパターン５ａとの間の界面が消失し、絶縁膜７とレジストパターン５ａとが一体化した状態となる。
【００３０】
尚、以上のように絶縁膜７とレジストパターン５ａとを一体化させる場合には、絶縁膜７を塗布成膜するための溶液を構成する溶媒として、レジストパターン５ａの構成材料を溶解するものを用いれば良い。
【００３１】
以上の後、図２（２）に示すように、リソグラフィー処理によって、絶縁膜７およびレジストパターン５ａをパターニングして画素開口７ａを形成する。ここでは、先ず、ホットプレート上での加熱によってレジスト材料膜として成膜された絶縁膜７を乾燥させる。その後、絶縁膜（レジスト材料膜）７およびレジストパターン５ａに対してパターン露光および現像処理を行う。これにより、ポジ型レジストからなる露光部のみを現像液に溶解させて除去し、絶縁膜（レジスト材料膜）７およびレジストパターン５ａに画素開口７ａを形成する。画素開口７ａの底部には、下部電極３ａが露出した状態となる。そして、絶縁膜７およびレジストパターン５ａからなるウインドウ絶縁膜が形成される。
【００３２】
尚、絶縁膜７がレジスト材料膜以外からなる場合には、リソグラフィー処理によって形成したレジストパターンをマスクにして絶縁膜７をエッチングすることにより、絶縁膜７に画素開口７ａを形成する。その後、連続してレジストパターン５ａをエッチングすることにより、絶縁膜７とレジストパターン５ａとに連続した画素開口７ａを形成し、下部電極３ａを露出させる。
【００３３】
以上の後には、図２（３）に示すように、下部電極３ａの露出面を完全に覆う状態で、少なくとも発光層を含む有機発光機能層９を成膜する。この有機発光機能層９は、アノード電極（ここでは一例として下部電極３ａ）側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を必要に応じて積層してなる。これらの各層は、蒸着法、印刷法、または転写法などによって成膜される。
【００３４】
その後は、有機発光機能層９の上方に、上部電極１１を積層形成する。上部電極１１は、下部電極３ａがアノード電極として用いられる場合にはカソード電極として用いられ、下部電極３ａがカソード電極として用いられる場合にはアノード電極として用いられるものであり、導電性材料の中から適宜選択した材料を用いて構成される。また、有機発光機能層９で生じた光を上部電極１１側から取り出す場合には、この上部電極１１を光透過性材料で構成することが重要である。
【００３５】
以上により、画素開口７ａ内において、下部電極３ａと上部電極１１との間に有機発光機能層７を狭持してなる有機電界発光素子ＥＬが得られる。
【００３６】
図３は、上記有機電界発光素子ＥＬを用いて構成される表示装置（有機ＥＬ表示装置）の一構成例を示す概略の回路構成図である。
【００３７】
この図に示すように、有機ＥＬ表示装置３０において有機電界発光素子ＥＬが配置される基板１側には、表示領域１ａとその周辺領域１ｂとが設定されている。表示領域１ａには、複数の走査線２１と複数の信号線２３とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素が設けられた画素アレイ部として構成されている。また周辺領域１ｂには、走査線２３を走査駆動する走査線駆動回路２５と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線２３に供給する信号線駆動回路２７とが配置されている。
【００３８】
走査線２１と信号線２３との各交差部に設けられる画素回路は、例えばスイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２、保持容量Ｃｓ、および有機電界発光素子ＥＬで構成されている。そして、走査線駆動回路２５による駆動により、スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１を介して信号線２３から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２から有機電界発光素子ＥＬに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子ＥＬが発光する。尚、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２と保持容量Ｃｓとは、共通の電源供給線（Ｖｃｃ）２９に接続されている。
【００３９】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域１ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【００４０】
図４は、上記有機ＥＬ表示装置３０の表示領域における主要部の断面構成の第１の例を示す要部断面図である。
【００４１】
この図に示すように、有機電界発光素子ＥＬが設けられる基板１は薄膜トランジスタＴｒが形成されたＴＦＴ基板として構成されている。尚、図示した薄膜トランジスタＴｒは、図３の駆動トランジスタＴｒ２に相当する。
【００４２】
すなわち、ガラス基板などの基材３１上には、上記走査線から延設されたゲート電極３３が設けられ、これを覆う状態でゲート絶縁膜３５が設けられている。ゲート絶縁膜３５上にはゲート電極３３を挟む位置にソース／ドレイン３７ｓｄが形成され、この上部には隔壁層３９がパターン形成されている。そして隔壁層３９上からの成膜された半導体層４１が、隔壁層３９の段差によって隔壁層３９の上部と底部とで分断した状態でパターニングされている。このうち、隔壁層３９底部において、ソース／ドレイン３７ｓｄ間のゲート電極３３上に設けられた半導体層４１が、薄膜トランジスタＴｒのチャネル部半導体層４１ｃｈとして設けられている。
【００４３】
以上のような半導体層４１および隔壁層３９を覆う状態で、基材３１上には層間絶縁膜４３が設けられている。この層間絶縁膜４３と半導体層４１とには、ソース／ドレインｓｄに達する接続孔４３ａが設けられている。
【００４４】
そして、以上のように層間絶縁膜４３で表面が覆われた基板１上に、先に図１，２を用いて説明した製造手順によって有機電界発光素子ＥＬが設けられている。この有機電界発光素子ＥＬは、下部電極３ａが、接続孔４３を介してソース／ドレイン３７ｓｄに接続されている。また下部電極３ａは、画素毎にパターニングされた画素電極として構成されており、この下部電極３ａを画素毎に分離するように、画素開口７ａを備えた絶縁膜７およびレジストパターン５ａが設けられている。一方、上部電極１１は、各画素に共通の電極として、有機発光機能層９および絶縁膜７上に設けられている。
【００４５】
以上の第１実施形態によれば、図１，２を用いて説明したように、下部電極３ａのパターニングの際にマスクとして用いたレジストパターン５ａを除去せずにそのまま下部電極３ａ上に残し、これを絶縁膜７で覆って画素開口７ａを形成する構成であるため、このレジストパターン５ａを除去する際のダメージが下部電極３ａや下地の基板１表面層に加わることがない。
【００４６】
したがって、下部電極３ａの表面荒れや、下部電極３ａの下地にダメージが加わることによる下部電極３ａの剥がれを防止することができる。特に、下部電極３ａの下地が有機材料で構成される場合、下部電極３ａをパターニングした後にレジストパターンをウェットエッチングで除去しようとすると、下地のエッチングも同時に進んで下部電極３ａの剥がれが発生し易くなるが、このような剥がれを完全に防止することができる。
【００４７】
この結果、発光特性の良好な有機電界発光素子ＥＬを得ることが可能であり、また有機電界発光素子ＥＬの製造における歩留まりの向上を図ることが可能になる。そして、以上のように発光特性の良好な有機電界発光素子ＥＬを用いた有機ＥＬ表示装置３０における表示特性の向上を図ることも可能である。
【００４８】
また、レジストパターン５ａと絶縁膜７とをポジ型レジストで構成することにより、レジストパターン５ａを下部電極３ａ上に残すことによる製造工程数が増加することもなく、レジストパターン５ａの除去工程が無くなる分だけ製造工程数を減らすことが可能である。
【００４９】
＜第２実施形態＞
図５，６は、本発明を適用した第２実施形態の有機電界発光素子の製造方法を示す断面工程図である。これらの図に示す第２実施形態が、第１実施形態と異なるところは、基板１の表面層が特定されているところにある。尚、第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５０】
すなわち、先ず図５（１）に示すように、表面が絶縁性に保たれた基板１を用意する際、基材１ａの表面層に、有機材料からなる下地絶縁膜１ｂが設けられた基板１を用意する。この下地絶縁膜１ｂは、有機材料のうち、以降において絶縁膜（７）を塗布成膜するための溶液を構成する溶媒に対して溶解する有機材料を用いて構成されることとする。また、このような有機材料の中でも、絶縁膜（７）と同様の材料からなるものが最も好ましい。このため、ここでは一例として、ポジ型のレジスト材料膜を下地絶縁膜１ｂとして塗布成膜する。
【００５１】
以下、第１実施形態と同様の手順を行う。すなわち先ず、この下地絶縁膜１ｂで覆われた基板１上に導電性膜３を成膜する。
【００５２】
次に図５（２）に示すように、導電性膜３上にポジ型のレジスト材料膜絶縁膜５を塗布成膜する。その後、図５（３）に示すようにリソグラフィー処理によって、レジスト材料膜５をパターニングしてなるレジストパターン５ａを導電性膜３上に形成する。次に、図５（４）に示すように、レジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって、導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを、アノード電極（またはカソード電極）として形成する。
【００５３】
以上の後、図６（１）に示すように、パターニングされた下部電極３ａとレジストパター５ａとの積層体を覆う絶縁膜７を基板１上に成膜する。この絶縁膜７は、第１実施形態と同様の材料からなるものであって良く、ここでは一例としてレジストパターン５ａと同様のポジ型のレジスト材料膜を絶縁膜７として塗布成膜する。尚、この絶縁膜７は、下地絶縁膜１ｂと同様の材料ともなる。
【００５４】
この工程では、レジストパターン５ａおよび下地絶縁膜１ｂの構成材料が絶縁膜７の塗布溶液に溶解する。これにより、絶縁膜７とレジストパターン５ａとの間の界面が消失し、さらに絶縁膜７と下地絶縁膜１ｂとの境界が消失し、絶縁膜７とレジストパターン５ａと下地絶縁膜１ｂとが一体化した状態となる。
【００５５】
以上の後、図６（２）に示すように、リソグラフィー処理によって、絶縁膜７およびレジストパターン５ａをパターニングして画素開口７ａを形成し、画素開口７ａの底部に下部電極３ａを露出させる。
【００５６】
以上の後には、図６（３）に示すように、下部電極３ａの露出面を完全に覆う状態で有機発光機能層９を成膜し、この上部に上部電極１１を積層形成する。
【００５７】
以上により、画素開口７ａ内において、下部電極３ａと上部電極１１との間に有機発光機能層７を狭持してなる有機電界発光素子ＥＬが得られる。
【００５８】
上記有機電界発光素子ＥＬを用いて構成される表示装置（有機ＥＬ表示装置）の回路構成は、第１実施形態において図３を用いて説明したと同様である。
【００５９】
また、この有機電界発光素子ＥＬを用いた有機ＥＬ表示装置の表示領域における主要部の断面構成は、第１実施形態において図４を用いて説明したと同様であり、図４中の層間絶縁膜４３を、第２実施形態で説明した下地絶縁膜１ｂとして形成すれば良い。この場合、レジスト材料からなる下地絶縁膜１ｂ（層間絶縁膜４３）に対して、リソグラフィーのみで直接、下地絶縁膜１ｂ（層間絶縁膜４３）に形成することが可能である。
【００６０】
以上説明した第２実施形態においても、図５，６を用いて説明したように、下部電極３ａのパターニングの際にマスクとして用いたレジストパターン５ａを除去せずにそのまま下部電極３ａ上に残し、これを絶縁膜７で覆って画素開口７ａを形成する構成である。こおため、第１実施形態と同様に、下部電極３ａの下地にダメージが加わることによる下部電極３ａの剥がれを防止することができ、発光特性の良好な有機電界発光素子ＥＬを得ることが可能であり、また有機電界発光素子ＥＬの製造における歩留まりの向上を図ることが可能になる。そして、以上のように発光特性の良好な有機電界発光素子ＥＬを用いた有機ＥＬ表示装置３０における表示特性の向上を図ることも可能である。
【００６１】
また、第１実施形態と同様に、レジストパターン５ａと絶縁膜７とをポジ型レジストで構成することにより製造工程数を減らすことが可能である。
【００６２】
また以上のような効果に加えて、下地絶縁膜１ｂ、下部電極３ａ、およびレジストパターン５ａが、材料選択によって一体化されるため構成であるため、これらの界面での剥がれを防止できる。したがって、フレキシブルに屈曲する有機ＥＬ表示装置３０に適用した場合であっても、これらの界面での剥がれを防止できると言った優れた効果が発揮される。
【００６３】
さらに、下地絶縁膜１ｂ、下部電極３ａ、およびレジストパターン５ａを同一材料とすれば、これらの部材の膨張係数の差によって下部電極３ａに応力が印加されることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１実施形態を説明するための断面工程図（その１）である。
【図２】第１実施形態を説明するための断面工程図（その２）である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の一構成例を説明するための概略の回路構成図である。
【図４】有機ＥＬ表示装置の表示領域における主要部の断面構成の第１の例を示す要部断面図である。
【図５】第２実施形態を説明するための断面工程図（その１）である。
【図６】第２実施形態を説明するための断面工程図（その２）である。
【図７】従来の製造方法を説明するための断面工程図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…基板、１ｂ…下地絶縁膜（基板の表面層）、３…導電性膜、３ａ…下部電極３ａ…レジストパターン、７…絶縁膜、７ａ…画素開口、９…有機発光機能層、１１…上部電極、ＥＬ…有機電界発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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