(57)【要約】【課題】  裏面ガスの均一な分布と、気相熱伝達と、固体接触熱伝達とのバランスを効果的に取る表面エンボスパターンを有する静電チャックを提供する。【解決手段】  静電チャックは、熱伝達ガスが供給される傾斜管路又は傾斜したレーザードリル形成通路を含む。傾斜管路及び／又は傾斜したレーザードリル形成通路の一区間は、基板をチャックに保持するために生成される電界軸とは異なる軸に沿って延びており、それによってプラズマアークの発生及び裏面ガスのイオン化が最小限に抑えられる。前記管路には、それ自体の第１の外部溝の一区間が前記電界軸とは異なる軸に沿って延びる第１のプラグを挿入することができる。誘電部材と電極のうちの少なくとも一方を貫通するセラミックスリーブに第１及び第２のプラグを挿入することができる。最後に、前記誘電部材の表面は、熱伝達及びガス分布を改善することができるように、前記誘電部材の中心からある径方向距離の位置に配置されるエンボスを含むことができる。【選択図】  図６
2009105386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックであって、
基板を支持するように構成された上面を有する円形誘電部材を備え、前記上面は、ｎ個のサブセットから構成される複数のメサを備え、各サブセット内のメサは、それぞれ半径が大きくなる複数の同心ボルト円のうちの１つに沿って分布し、前記同心ボルト円はすべて、前記円形誘電部材の中心を中心とする、
静電チャック。
【請求項２】
前記同心ボルト円のそれぞれの半径は、前記同心ボルト円の最小半径の倍数となる、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
半径Ｒｎの円に配置されたサブセット内の前記各メサと、径方向距離Ｒｎ＋１の位置に配置されたサブセット内の最も近接したメサとの間の距離は、一定距離ｌと等しい、請求項２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記複数のメサはそれぞれ円形であり、等しい直径ｄを有する、請求項３に記載の静電チャック。
【請求項５】
最小ボルト円の径方向距離Ｒ１は、ｄ＋ｌと等しい、請求項４に記載の静電チャック。
【請求項６】
メサの各サブセットの径方向距離Ｒｎは、ｎ×Ｒ１と等しい、請求項５に記載の静電チャック。
【請求項７】
同心円ｎに沿うサブセット内のメサの総数ｍは、ｎ×６と等しい、請求項６に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記上面の中心に単一のメサを更に備える請求項１に記載の静電チャック。
【請求項９】
各サブセット内の前記複数のメサは、前記各メサと、同一のサブセット内の最も近接したメサとの間の距離が定数値ｓと等しくなるように配置される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記誘電部材を貫通し、前記誘電部材の前記上面の周囲に対称的に配置される流体管路を更に備える請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記管路の少なくとも一区間は、前記誘電部材の前記上面に対してある傾斜角度に沿って配置される、請求項１０に記載の静電チャック。
【請求項１２】
ある傾斜角度に沿って配置される前記管路の前記一区間は、レーザードリル形成通路を含む、請求項１１に記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記管路と流体連通するレーザードリル形成通路を更に備える請求項１１に記載の静電チャック。
【請求項１４】
前記誘電部材を貫通する少なくとも１つの流体管路と、前記管路の内側に設置されるプラグとを更に備え、前記プラグは、それ自体の軸が前記上面に対してある傾斜角度を成す細長い複数の流体通路を有する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１５】
前記誘電部材を貫通する少なくとも１つの流体管路と、
前記管路の一区間の内側に設置され、それ自体の軸が前記上面に対して第１の傾斜角度を成す細長い複数の流体通路を有する第１のプラグと、
前記管路の一区間の内側に設置され、それ自体の軸が前記上面に対して前記第１の角度とは異なる第２の傾斜角度を成す細長い複数の流体通路を有する第２のプラグと
を更に備える請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１６】
前記誘電部材を貫通する少なくとも１つの流体管路と、前記管路の一区間の内側に偏心設置される複数のプラグとを更に備え、前記各プラグは、それぞれに近接したプラグと互い違いに配置され、それによって流体が前記プラグの周囲を通過することが可能となる、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１７】
静電チャックを製造する方法であって、
平坦な上面を有する円形誘電部材を製造するステップと、
半径が大きくなる複数の同心ボルト円に沿って配置される複数のメサを前記上面上にエンボス加工するステップとを含み、
前記同心ボルト円はすべて、前記円形誘電部材の中心を中心とする、
方法。
【請求項１８】
前記同心ボルト円のそれぞれの半径は、前記同心ボルト円の最小半径の倍数となる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
同心円ｎに沿って設けられるメサの総数ｍは、ｎ×６と等しく、ｎは、最も内側の円から外側に向かって数えた円の数である、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に係る装置及び方法は一般に、基板保持用静電チャック装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
チャックは、半導体基板等の様々な物体を処理中に安定させ保持するのに使用することが可能なデバイスである。チャックには、機械チャック、真空チャック、静電チャック等いくつかの異なるタイプが存在する。
【０００３】
静電チャックは、例えば逆帯電した表面間のクーロン力のような引力を利用して物体を安定させ保持することにより、それ自体に物体を固定する。静電チャックを使用することにより、化学蒸着装置及び／又は物理蒸着装置ならびにエッチング装置の処理チャンバ内でのシリコンウェーハの保持等、様々な機能を発揮させることができる。
【０００４】
静電チャックは、機械チャック及び真空チャックよりも優れた多くの利点を有する。例えば、静電チャックでは一般に、機械チャック又は真空チャックよりも均一な力が加えられる。また、静電チャックは、機械チャックで利用されるクランプによる応力亀裂の発生を減少させ、より大きい基板部分の処理を可能にする。静電チャックは、低圧処理で使用することもできる。
【０００５】
例えば、図１Ａ及び図１Ｂは、基板３０を保持するのに使用される典型的な静電チャック１０の断面を示している。チャック１０は、誘電体１７に埋め込まれた電極１５と、平坦な受面２０と、冷却台２５とを備える。電極１５が帯電したときは、反対の静電荷が基板３０内に蓄積され、その結果得られる静電力によって基板３０が受面２０上で保持される。基板３０が受面２０上でしっかりと保持されると、プラズマを使用して基板３０を処理することができるようになる。
【０００６】
一般に、半導体基板の処理が行われている間、基板は様々な処理工程を経ながら繰り返し加熱され冷却される。処理工程の中でも特にプラズマ処理は、真空チャンバ内で行われる場合が多い。しかしながら、真空では熱伝導又は熱対流が得られないので、真空環境では基板の熱除去が制限される。
【０００７】
典型的には、処理が行われている間は基板の温度を制御することが重要となる。しかしながら、一般に、基板とチャックとの間の熱接触だけでは基板上のプラズマによって生じる熱負荷に対処するには不十分である。処理される基板と隣接する表面との間の熱伝達を改善する何らかの仕組みがなければ、基板の温度が許容限界を超える恐れがある。したがって、基板とチャックとの間の熱接触及び熱伝達を改善するために、それらの間には、典型的にはヘリウム等のガスである熱伝達媒体が導入される。しかしながら、従来の静電チャックでは、熱伝達媒体を導入することによっていくつかの問題が発生する。
【０００８】
従来の静電チャックに伴う第１の問題は、基板とチャックとの間の領域に熱伝達ガスを導入する必要があることから、必然的に何らかの断絶がチャック表面に生じることである。例えば、図１に示されるように、典型的には静電チャック１０の表面を貫通して静電チャック１０の表面の裏側のガス流路まで延びる、何らかのタイプの管路（ｃｏｎｄｕｉｔ）５が形成される。しかしながら、このような管路を導入する１つの欠点は、基板裏面から金属製の冷却台２５にかけてプラズマアークが形成される可能性があることである。このようなプラズマアークは、基板及び静電チャックを損傷させる恐れがあるので望ましくない。
【０００９】
従来の静電チャックに伴う第２の問題は、基板からチャックへと伝導する空間的に均一な熱伝達を実現するには、導入される熱伝達媒体をチャックと対向する基板表面に沿って均一に分布させなければならないことである。
【００１０】
上述のプラズマアークの発生に関する第１の問題を解決するために、プラズマアークが発生する可能性を低下させる従来の方法は、管路の直径を小さくすること、又は誘電部材の厚さを増加させることを含む。また、プラズマアークの発生は、管路の中心から大きく離れた位置に電極を移動させることによって減少させることもできる。一方、管路が２つの金属表面を接続している場合には、それらの金属表面から放出される自由電子により、そのような構成ではプラズマアークが発生する可能性が事実上高くなる。これにより、基板に供給され得るＲＦ電力量が制限される。このような電力制限は、エッチングレートを制限し、したがってツールのスループットを制限することになる。
【００１１】
より具体的に言えば、静電チャックの機能のうちの１つは、ＤＣ電力とＲＦ電力の両方を基板及びチャンバ内のプラズマに供給することである。このような電力供給により、静電チャックの構造の大部分を構成する誘電体及び管路を透過する電界が発生する。これらの電界は、管路内の自由電子にエネルギーを供給することができ、それらの自由電子は、裏面熱伝達ガス（ｂａｃｋｓｉｄｅ  ｈｅａｔ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｇａｓ）にエネルギーを伝えることができる。このようなプロセスによって、（１）裏面熱伝達ガスを望ましくない形で加熱する、あるいは（２）管路内に破壊的な又は致命的なアーク（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  ｏｒ  ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ  ａｒｃ）を発生させる可能性がある裏面熱伝達ガスをイオン化することができる。
【００１２】
図２は、静電チャック内の管路及び誘電体と共に存在する電界のシミュレーションを示している。具体的には、図２は、ＲＦピーク間電圧が４０００Ｖであって、チャック電圧が５００Ｖであって、冷却台が接地されている場合の電界を示している。その結果得られる電界は時間にわたってある程度変化するので、図２にはゼロの基板電位（ＤＣ及びＲＦ）と等価なＲＦサイクル内の一地点が示されている。
【００１３】
裏面熱伝達ガスの途絶（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）は、様々な理由で発生する可能性がある。このような途絶が発生し得る主な理由としては、自由電子が管路を透過する電界から十分なエネルギーを獲得することが挙げられる。その後、このように付勢された電子によって裏面熱伝達ガスがイオン化され得る。
【００１４】
裏面熱伝達ガスをイオン化するのに十分なエネルギーを電子が獲得する可能性を最小限に抑えるために、いくつかの可能な選択肢が存在する。即ち、（１）電子が非電子放出面（ｎｏｎ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ）と衝突する頻度を高めること、（２）管路を透過する電界を減少させること、（３）裏面ガス分子と電子との衝突を減少させる（圧力を減少させる）こと、（４）裏面ガス分子との衝突頻度を高める（圧力を増加させる）こと、又は（５）電界方向において電子が受ける実際の電圧降下を最小限に抑えること、である。
【００１５】
しかしながら、裏面ガス圧は処理条件に応じて設定されるので、管路内における裏面ガスとの衝突頻度を増減することによって電子エネルギーを制御する選択肢には問題がある。当業者には理解されるように、ガス圧及び電極間隔の関数として、ガス中に浸漬される２つの並行板電極の直流耐圧に関する理論的関係は、「パッシェン曲線」と呼ばれている。図３に示されるように、例えばヘリウムの典型的なパッシェン曲線では、４０Ｔｏｒｒ  ｍｍ（約５３２０Ｐａ）のｐｄ地点で約１５０Ｖの最小電圧が示される。
【００１６】
処理条件によって、ツール動作はパッシェン曲線の最下部付近で発生することが規定されている。その結果、上記の選択肢のうち、（３）裏面ガス分子と電子との衝突を減少させる（圧力を減少させる）こと、又は（４）裏面ガス分子との衝突頻度を高める（圧力を増加させる）ことは実際的でない。したがって、裏面熱伝達ガスをイオン化するのに十分なエネルギーを電子が獲得する可能性を最小限に抑えるための実際的な選択肢は、（１）電子が非電子放出面と衝突する頻度を高めること、（２）管路を透過する電界を減少させること、及び（５）電界方向において電子が受ける実際の電圧降下を最小限に抑えることだけとなる。
【００１７】
管路を透過する電界を減少させる、即ち選択肢（２）を実現する１つの可能性としては、管路の長さを増加させることが挙げられる。というのも、典型的には管路の長さを増加させることにより、カソードに対する基板の幾何条件が固定されるため、管路を透過する電界が最小限に抑えられるからである。即ち、基板と冷却台との間に所与の電圧が加えられた場合に、単に管路の長さを増加させるだけで（即ち、基板と冷却台との間の誘電体の厚さを増加させるだけで）、管路を透過する電界を減少させることが可能となる。
【００１８】
一方、管路の長さを増加させることで電界が事実上減少しない場合には、表１に示すように、単に管路の長さを増加させても様々なガスのｐｄ積が増加することになるので、実際には裏面ガスがイオン化される可能性が高まる可能性がある。
【００１９】
【表１】
2009105386.tif 000003
【００２０】
また、電極を除去した場合の管路の直径は、管路内の実際の最大電界を示し得る。
【００２１】
したがって、管路の長さを増加させる（即ち、管路を収容する誘電材料の厚さを増加させる）ことに関しては、ＲＦ配信、誘電材料のコスト、及び製造上の物理的制約に基づく多くの制約が存在する。更に、電極の除去に関してもチャック要件に基づく制約が存在する。即ち、電極を除去した場合の直径を、チャック力が失われるほど大きくすることはできない。
【００２２】
したがって、電界を低減することが実際的でない場合には、裏面熱伝達ガスをイオン化するのに十分なエネルギーを電子が獲得する可能性を最小限に抑える残りの選択肢は、（１）電子と非電子放出面との衝突を増加させること、及び（５）電界方向において電子が受ける実際の電圧降下を最小限に抑えること、となる。具体的には、電界を実際に低減させることができない場合は、電子の移動距離を短縮することによってイオン化のための十分なエネルギーを電子が獲得する可能性を最小限に抑えることができる。
【００２３】
電子のエネルギー利得を最小限に抑える１つの手法は、管路の直径を最小化し、それによって電子が管路の壁と衝突する可能性を高める（その結果エネルギー利得を最小化する）ことである。この技法は裏面ガスのイオン化を最小限に抑えるのに役立つが、それ自体の効果は、管路のアスペクト比（アスペクト比＝長さ／直径）に基づく製造上の制約によって制限される。更に、例えばレーザードリル形成技法を利用して小径の管路を作成することもできるが、このようなレーザードリル形成技法には非常に多くのコストが掛かる。
【００２４】
したがって、これらの製造上の制約を考えると、プラズマアークが発生する可能性及び裏面熱伝達ガスがイオン化される可能性を最小限に抑える基板保持用静電チャックが必要とされている。具体的には、電子が管路の壁と衝突する可能性を高め、それによって電子のエネルギー利得を最小限に抑える静電チャックが必要とされている。また、電界方向において電子が受ける実際の電圧降下を最小限に抑える静電チャックも必要とされている。
【００２５】
次に、上述の第２の問題、即ち、チャックと対向する基板表面に沿って均一に分布する熱伝達媒体を導入することによって基板からチャックへと伝導する空間的に均一な熱伝達を実現する問題に目を移すが、この問題は特に複雑である。基板と静電チャックとの間の境界面全体の熱抵抗は、絶対基板温度と基板温度の均一性の両方を制御する。プラズマエッチングプロセス中はエッチングレートや選択性等の特性が基板温度の影響を受けるので、温度均一性を実現することが特に望ましい。更に、熱伝達が均一でない場合は、基板上の局所的な温度不均衡が生じる可能性があり、それによって歩留まりが低下する恐れもある。
【００２６】
このように、熱伝達ガスの均一な分布と、静電チャックの表面形態とは、いずれも非常に重要な要素となる。均一な熱伝達は、次の３つの熱伝達メカニズム、即ち（１）均一な裏面ガス圧分布（気体コンダクタンス＝ｈ）と、（２）均一な固体接点（接触コンダクタンス＝ｋ）と、（３）放熱（ｒａｄｉａｔｉｏｎ）とのバランスを取ることによって達成することができる。
【００２７】
それ故、静電チャックの表面上のエンボスパターン設計は、裏面ガスの均一な分布にとって非常に重要であり、気相熱伝達と固体接触熱伝達との間の関係のバランスを取る上でも重要である。また、大きな設計変更を伴うことなく裏面ガス分布に対してメサ（ｍｅｓａ）の接触面積を調整することができる能力により、新しい静電チャック設計を迅速にテストする能力も向上する。
【００２８】
しかしながら、図４及び図５を参照して以下で説明するように、従来のエンボス分布は、変化する可能性がある。例えば図４に示されるように、六角形のエンボスパターンを利用した従来の静電チャックは、基板の端部に向けてエンボス分布が不均一となる場合が多い。図４に示されるように、実際には、従来の六角形エンボスパターンは、整列した一連の行及び列を形成するため、円形境界ではエンボス分布が均一にならない（例えばシールバンド（ｓｅａｌｉｎｇ  ｂａｎｄ）やリフトピン穴等）。更に、例えば図５に示されるように、線形エンボスパターンを利用した従来の静電チャックでも不均一なエンボス分布が表れる。そのため、図４や図５に示されるような従来の静電チャックの欠点は、不均一なエンボス分布によって基板上の温度分布が不均一となり得ることである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
したがって、裏面ガスの均一な分布と、気相熱伝達と、固体接触熱伝達とのバランスを効果的に取る表面エンボスパターンを有する静電チャックが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
以下の概要は、本発明のいくつかの態様及び特徴の基本的な理解を与えるために提示される。以下の概要は本発明の要素を網羅的に示したものではなく、したがって、本発明の重要な要素あるいは不可欠な要素を具体的に示すものでも本発明の範囲を規定するものでもない。以下の概要の主な目的は、後で示すより詳細な説明の序文として本発明のいくつかの概念を簡略化した形で提示することにある。
【００３１】
本発明の例示的な諸実施形態は、上述の課題の多くを解決し、上記で明示されていない他の必要に対処する基板保持用静電チャックに関するものである。また、本発明は、必ずしも上述の欠点を克服するものではなく、本発明の例示的な一実施形態では上述の課題のいずれかが克服されないこともある。
【００３２】
本発明の第１の態様によれば、基板保持用静電チャックであって、基板を支持するように構成された上面を有する円形誘電部材を備え、前記上面は、ｎ個のサブセットから構成される複数のメサを備え、各サブセット内のメサは、それぞれ半径が大きくなる複数の同心ボルト円のうちの１つに沿って分布し、前記同心ボルト円はすべて、前記円形誘電部材の中心を中心とする、静電チャックが提供される。前記同心ボルト円のそれぞれの半径は、前記同心ボルト円の最小半径の倍数とすることができる。半径Ｒｎの円に配置されたサブセット内の前記各メサと、径方向距離Ｒｎ＋１の位置に配置されたサブセット内の最も近接したメサとの間の距離は、一定距離ｌと等しくすることができる。前記複数のメサはそれぞれ円形とすることができ、等しい直径ｄを有することができる。最小ボルト円の径方向距離Ｒ１は、ｄ＋ｌと等しくすることができる。メサの各サブセットの径方向距離Ｒｎは、ｎ×Ｒ１と等しくすることができる。同心円ｎに沿うサブセット内のメサの総数ｍは、ｎ×６と等しくすることができる。前記静電チャックは、前記上面の中心に単一のメサを更に備えることができる。各サブセット内の前記複数のメサは、前記各メサと、同一のサブセット内の最も近接したメサとの間の距離が定数値ｓと等しくなるように配置することができる。前記静電チャックは、前記誘電部材を貫通し、前記誘電部材の前記上面の周囲に対称的に配置される流体管路を更に備えることができる。前記管路の少なくとも一区間は、前記誘電部材の前記上面に対してある傾斜角度に沿って配置することができる。ある傾斜角度に沿って配置される前記管路の一区間は、レーザードリル形成通路を含むことができる。前記静電チャックは、前記管路と流体連通するレーザードリル形成通路を更に備えることができる。前記静電チャックは、前記誘電部材を貫通する少なくとも１つの流体管路と、前記管路の内側に設置されるプラグとを更に備えることができ、前記プラグは、それ自体の軸が前記上面に対してある傾斜角度を成す細長い複数の流体通路を有することができる。前記静電チャックは、前記誘電部材を貫通する少なくとも１つの流体管路と、前記管路の一区間の内側に設置され、それ自体の軸が前記上面に対して第１の傾斜角度を成す細長い複数の流体通路を有する第１のプラグと、前記管路の一区間の内側に設置され、それ自体の軸が前記上面に対して前記第１の角度とは異なる第２の傾斜角度を成す細長い複数の流体通路を有する第２のプラグとを更に備えることができる。前記静電チャックは、前記誘電部材を貫通する少なくとも１つの流体管路と、前記管路の一区間の内側に偏心設置される複数のプラグとを更に備えることができ、前記各プラグは、それぞれに近接したプラグと互い違いに配置され、それによって流体が前記プラグの周囲を通過することが可能となる。
【００３３】
本発明の他の態様によれば、静電チャックを製造する方法であって、平坦な上面を有する円形誘電部材を製造するステップと、半径が大きくなる複数の同心ボルト円に沿って配置される複数のメサを前記上面上にエンボス加工するステップとを含み、前記同心ボルト円はすべて、前記円形誘電部材の中心を中心とする方法が提供される。前記同心ボルト円のそれぞれの半径は、前記同心ボルト円の最小半径の倍数とすることができる。同心円ｎに沿って設けられるメサの総数ｍは、ｎ×６と等しくすることができ、ｎは、最も内側の円から外側に向かって数えた円の数とすることができる。
【００３４】
本明細書に組み込まれ本明細書の一部を構成する添付の図面は、以下の説明と併せて本発明の諸実施形態を例示するものであり、以下ではこれらの図面を利用して本発明の諸原理を説明する。添付の図面は、例示的な諸実施形態の主要な特徴を図示するものである。これらの図面は、必ずしも実際の実施形態のすべての特徴を示すものではなく、図示の各要素の相対的な縮尺を示すものでもない。図示の各要素は、必ずしも縮尺どおりに描かれているわけではない。
【００３５】
本発明の諸態様は、それらの例示的な実施形態に関する以下の詳細な説明を添付の図面と併せて読めば、より明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
ここで、添付の図面に示される本発明の例示的な諸実施形態について詳細に説明する。添付の図面の全体をとおして同様の参照番号は同様の要素を指す。以下で説明する例示的な諸実施形態は、単なる例示的なものにすぎず、本発明の範囲及び趣旨は、添付の特許請求の範囲で定義されるものとする。
【００３７】
図６に示されるように、本発明に係る例示的な静電チャック装置１１０は、処理チャンバ（図示せず）内に設けられている。図６に示されるように、静電チャック装置１１０は、半導体ウェーハ等の基板１３０を受ける受面１２０を備える。静電チャック装置１１０を使用して、様々な処理工程中に基板１３０をしっかりと保持することができる。静電チャック装置１１０は更に、誘電部材１１７の内側に配置されたＤＣ／ＲＦ電極１１５も備える。更に、誘電部材１１７の下方には冷却台１２５及び任意選択で有孔パイル１２７も配置されている。
【００３８】
静電チャック装置１１０を作動させるために、所望の電圧が電極１１５に印加され、それによって基板１３０が受面１２０に静電保持される。一般には、図６に示されるように、電極１１５から得られる電界軸１４７は、受面１２０とほぼ垂直となる。というのも、電極１１５は、基板１３０が受面１２０に静電保持される方向に働く静電力を生成するからである。
【００３９】
また、処理チャンバ（図示せず）は、それ自体とＲＦエネルギーとを結合させることによってプラズマを形成するように付勢される処理ガスを含む。ＲＦエネルギーがプラズマに印加されると、プラズマが付勢され、静電力によって受面１２０上に保持された基板１３０に向かって荷電粒子が加速され、それによって基板１３０が処理される。
【００４０】
基板１３０と静電チャック装置１１０との間の熱伝達率を向上させるために、ヘリウム等の熱伝達ガスが供給される。例えば、図６に示されるように、誘電部材１１７内にはレーザードリル形成通路（ｌａｓｅｒ  ｄｒｉｌｌｅｄ  ｐａｓｓａｇｅ）１５０が設けられている。レーザードリル形成通路１５０は、電界１４７の軸とは異なる軸に沿って延びる傾斜管路（ａｎｇｌｅｄ  ｃｏｎｄｕｉｔ）１６０と接続されている。換言すれば、傾斜管路１６０は、受面１２０に対して法線とならない傾斜角度、即ち非垂直角度で延びる。熱伝達ガスは、冷却台１２５から傾斜管路１６０を介しレーザードリル形成通路１５０を経て、受面１２０と基板１３０との間の境界面へと供給される。本発明の文脈では、「傾斜した（ｏｂｌｉｑｕｅ）」という用語は、それ自体の通常の意味及び広く受け入れられた意味で使用され、例えば所与の線又は表面に対して垂直でも並行でもないという意味で使用される。
【００４１】
図６に示される例示的な実施形態によれば、任意選択の有孔パイル１２７は、誘電部材１１７と冷却台１２５との間に配置される。有孔パイル１２７を構成する有孔材料は、裏面ガスを供給する金属製の冷却台１２５に傾斜管路１６０を露出させることなく、裏面ガスが傾斜管路１６０内に流入することを可能にする。有孔パイル１２７を使用しない場合は、裏面ガスが直接管路１６０に供給される。
【００４２】
重要なことに、図６に示されるように、傾斜管路１６０は、電界軸１４７から外れた軸に沿って傾斜している。換言すれば、傾斜管路１６０は、電界軸１４７とは異なる軸に沿って延びている。傾斜管路１６０のこのような傾斜により、付勢されたプラズマに由来する自由電子が非電子放出面と衝突する可能性が高まる。また、このような傾斜管路１６０の傾斜構成により、電界によって加速される自由電子の移動距離が短縮される。したがって、傾斜管路１６０を電界軸１４７から外して傾斜させることは、裏面熱伝達ガスをイオン化するのに十分なエネルギーを自由電子が獲得する可能性を低下させ、それによってプラズマアークの発生及び裏面ガスのイオン化を最小限に抑えるのに役立つ。
【００４３】
本発明に係る別の例示的な実施形態によれば、図７に示されるように、静電チャック２１０は、基板２３０を受ける受面２２０と、誘電部材２１７内に配置された電極２１５と、冷却台２２５と、任意選択の有孔パイル２２７とを備える。更に、図７に示されるように、誘電部材２１７内に設けられた傾斜したレーザードリル形成通路（ａｎｇｌｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｄｒｉｌｌｅｄ  ｐａｓｓａｇｅ）２５０は、電界軸２４７から外れた軸に沿って傾斜しているが、管路２６０はそのように傾斜していない。即ち、図７に示されるように、傾斜したレーザードリル形成通路２５０は、電界軸２４７とは異なる傾斜軸に沿って延びている。
【００４４】
誘電部材２１７をレーザードリル形成することにより、他の技法で形成される通路よりも直径が小さい傾斜したレーザードリル形成通路２５０が作成される。傾斜したレーザードリル形成通路２５０の直径をこのように小さくすることは、裏面ガスがイオン化される可能性を低下させるのに役立つ。また、上述の傾斜管路１６０と同様に、傾斜したレーザードリル形成通路２５０も電界軸２４７から外れた軸に沿って傾斜しているので、付勢されたプラズマに由来する自由電子が非電子放出面と衝突する可能性が高くなり、そのような自由電子の移動距離が短縮される。したがって、傾斜したレーザードリル形成通路２５０を電界軸２４７から外れた軸に沿って傾斜させることにより、裏面熱伝達ガスをイオン化するのに十分なエネルギーを自由電子が獲得する可能性が低下し、プラズマアークが発生する可能性及び裏面ガスがイオン化される可能性が低下する。
【００４５】
上記の例示的な実施形態で説明されるように、管路又は管路に接続されたレーザードリル形成通路を電界軸から外れた軸に沿って傾斜させることにより、プラズマアークの発生及び裏面ガスのイオン化を最小限に抑えるのに役立てることができる。しかしながら、本発明は、これらの２つの例示的な構成に限定されるものではない。対照的に、本発明によれば、管路とレーザードリル形成通路の両方の構成要素を電界軸から外れた軸に沿って傾斜させることにより、プラズマアークの発生及び裏面ガスのイオン化を最小限に抑えるのに役立てることができる。
【００４６】
例えば、本発明の例示的な一実施形態によれば、図８に示されるように、静電チャック２１１は、基板２３１を受ける受面２２１と、誘電部材２１８内に配置された電極２１６と、冷却台２３６と、任意選択の有孔パイル２２８とを備える。図８に示されるように、誘電部材２１８内に設けられた傾斜したレーザードリル形成通路２５１は、電界軸２４８から外れた軸に沿って傾斜している。また、誘電部材２１８内に設けられた傾斜管路２６１も、電界軸２４８から外れた軸に沿って傾斜している。したがって、図８に示されるように、傾斜したレーザードリル形成通路２５１及び傾斜管路２６１はいずれも、電界軸２４８とは異なる軸に沿って延びている。
【００４７】
本発明に係る静電チャック３１０の別の例示的な実施形態によれば、図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、静電チャック３１０は、基板３３０を受ける受面３２０と、誘電部材３１７内に配置された電極３１５と、冷却台３２５とを備える。更に、図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、レーザードリル形成通路３５０に接続された管路３６０にプラグ３０３を挿入することができる。レーザードリル形成通路３５０は、図９Ａの実施形態では電界軸３４７から外れた軸に沿って傾斜しているが、図９Ｂの実施形態では電界軸３４７と平行となっている。
【００４８】
図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、プラグ３０３は、プラグ３０３の外面に沿って延びる複数の外部溝（ｅｘｔｅｒｉｏｒ  ｃｈａｎｎｅｌ）３０７を備える。図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、外部溝３０７は、プラグ３０３の上面３０８からプラグ３０３の底面３０９まで延びている。更に、外部溝３０７はそれぞれ、各溝３０７の上部と各溝３０７の底部が整列しないように配置されている。換言すれば、各外部溝３０７は、電界軸３４７から外れた軸に沿って傾斜している。外部溝３０７は、当技術分野で知られる様々な方法を用いてプラグ３０３の表面内に形成することができることが当業者には理解されるであろう。
【００４９】
図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、プラグ３０３は、ほぼ円筒形であるが、本発明は、この具体的な実施形態に限定されるものではなく、プラグ３０３は、これ以外の様々な形状を含むことができる。プラグ３０３の形状は、管路３６０の形状とほぼ同一とすることも、プラグ３０３の外面３７２が管路３６０の表面に当接するように管路３６０の形状に対応させることもできる。
【００５０】
図１０は、本発明の例示的な一実施形態に係るプラグ３０３の上面３０８を示している。図１０に示されるように、上面３０８上には複数の上部溝３１３が配置されている。より具体的には、複数の上部溝３１３は、上面３０８の中心３９０から上面３０８の外周へと径方向に延びている。
【００５１】
図１１は、プラグ３０３の上面３０８、底面３０９、及び外面３７２の斜視図である。図１１に示されるように、各上部溝３１３は、それぞれ外部溝３０７と連通している。同様に、底面３０９上には複数の底部溝３１４が配置されており、これらの底部溝３１４は、底面３０９の中心３９５から底面３０９の外周へと径方向に延びている。図１１に示されるように、各底部溝３１４は、それぞれ外部溝３０７と連通している。
【００５２】
したがって、図８〜図１０に示される例示的なプラグ３０３によれば、熱伝達ガスは、冷却台３２５から底部溝３１４に供給され、底部溝３１４内を通過して外部溝３０７へと移動する。その後、熱伝達ガスは、外部溝３０７内を通過して上部溝３１３へと移動する。熱伝達ガスは、上部溝３１３内を通過して中心３９０へと移動し、その後レーザードリル形成通路３５０内を通過して受面３２０と基板３３０との間の境界面へと移動する。
【００５３】
この例示的な実施形態によれば、熱伝達ガスの総流量は、外部溝３０７、上部溝３１３、及び底部溝３１４のサイズ及び数を変更することによって調整することができる。更に、図８〜図１０に示される例示的な実施形態では、プラグ３０３が特定の数の外部溝３０７及び上部溝３１３を有するように示されているが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明によれば、図示のものとは数もサイズも異なる溝を有する様々なサイズ及び形状の多種多様なプラグを使用することが可能である。
【００５４】
更に、本発明によれば、外部溝３０７の直径を最小化することにより、電子が外部溝３０７の壁と衝突する可能性を高めることができる。その結果、そのような電子のエネルギー利得が最小限に抑えられ、裏面ガスがイオン化される可能性も低下する。
【００５５】
図１２は、本発明の他の例示的な実施形態を示している。図１２に示されるように、静電チャック４１０は、基板４３０を受ける受面４２０と、誘電部材４１７内に配置された電極４１５と、冷却台４２５とを備える。図１２に示される例示的な実施形態によれば、管路４３０に複数のプラグ４００が挿入され、各プラグ４００は、プラグスタックを形成するように互いの上面に積み上げられる。各プラグ４００は更に、熱伝達ガスが供給される複数の外部溝４０７も備える。図１２に示されるように、最上部のプラグにおける各外部溝４０７の底部は、直下のプラグにおける各外部溝４０７の上部と整列するように配置され、その結果、スタック内の最下部のプラグにおける各外部溝４０７からスタック内の最上部のプラグにおける外部溝４０７まで熱伝達ガスを供給することができるようになっている。
【００５６】
図１３は、図１２に示される複数のプラグ４００のうち、最上部のプラグ４０１の上面４０８を示している。図１３に示されるように、上面４０８は、複数の上部溝４１３を備える。より具体的には、複数の上部溝４１３は、上面４０８の中心４９０から上面４０８の外周へと径方向に延びている。
【００５７】
図１４は、図１２に示される複数のプラグ４００のうち、最下部のプラグ４０３の底面４０９を示している。図１４に示されるように、底面４０９上には複数の底部溝４１４が配置されており、これらの底部溝４１４は、底面４０９の中心４９５から底面４０９の外周へと径方向に延びている。各底部溝４１４は、それぞれ最下部のプラグ４０３における外部溝４０７と連通している。
【００５８】
したがって、図１１〜図１３に示される例示的な実施形態によれば、熱伝達ガスは、冷却台４２５から底部溝４１４へと供給され、底部溝４１４内を通過して複数のプラグ４００の外部溝４０７へと移動する。その後、熱伝達ガスは、最下部のプラグ４０３の外部溝４０７を始点として複数のプラグ４００の外部溝４０７内を通過し、最終的に最上部のプラグ４０１の外部溝４０７を経て、上部溝４１３へと移動する。熱伝達ガスは、上部溝４１３内を通過して中心４９０へと移動し、その後傾斜したレーザードリル形成通路４５０内を通過して受面４２０と基板４３０との間の境界面へと移動する。
【００５９】
図１２では、プラグ４００の形状がほぼ円形となるように示されているが、本発明によれば、これとは異なる形状の多種多様なプラグ４００を利用することが可能である更に、図１２に示されるように、レーザードリル形成通路４５０は、裏面ガスがイオン化される可能性が低下するように電界軸４４７から外れた軸に沿って傾斜している。図１２に示される例示的な実施形態は、様々な利点の中でもとりわけ長い経路長を実現し、レーザードリル形成におけるアスペクト比の制約に対処するものである。
【００６０】
図１５Ａ及び図１５Ｂは、本発明の別の例示的な実施形態に係る静電チャック装置５１０を示している。図１５Ａ及び図１５Ｂに示されるように、静電チャック５１０は、基板５３０を受ける受面５２０と、誘電部材１７内に配置された電極５１５と、冷却台５２５とを備える。更に、図１５Ａに示されるように、傾斜したレーザードリル形成通路５５０は、電界軸５４７から外れた軸に沿って傾斜している。
【００６１】
図１５Ａに示されるように、セラミックスリーブ５６５に複数の偏心プラグ５００が挿入されている。最上部の偏心プラグ５０１は、裏面ガスを流すための環状通路を提供するように中心に配置されている。更に、この通路を最小化することにより、電子が非電子放出面と衝突する可能性を高めることができる。最上部の偏心プラグ５０１の上部には、流体が流体通路５５０に流入するのを可能にするスペーサ５０３を設けることができる。図１５Ａ及び図１５Ｂに示される例示的な静電チャック装置５１０の設計は、偏心プラグによって自由電子の移動距離を最小限に抑え、それによって裏面ガスの途絶リスクを低減させることにより、裏面ガスを冷却台５２５から基板５３０の裏側に途切れなく流すことが可能となる。
【００６２】
図１６は、本発明の別の例示的な実施形態に係る静電チャック６１０の受面６２０を示している。図１６に示されるように、受面６２０の中心部分は、複数のエンボス又はメサ６００を含む。図１８は、複数のエンボス又はメサ６００を含む受面６２０の端部を示している。更に、図１９は、図１６に示される受面６２０上の中心部分と、図１８に示される受面６２０上の端部との相対位置を示している。
【００６３】
図１６に示されるように、複数のエンボス又はメサ６００は、複数のボルト円ＢＣ１、ＢＣ２、ＢＣ３、．．．ＢＣｎを形成するように、受面６２０の中心Ｃを取り巻く同心円から構成される対称的な幾何配置で配置されている。より具体的には、図１６に示される中心部分の拡大図である図１７に示されるように、複数のメサ６００の第１のサブセットは、第１のボルト円ＢＣ１を形成するように、受面６２０の中心Ｃから径方向距離Ｒ１の位置に配置されている。同様に、複数のメサ６００の第２のサブセットは、第２のボルト円ＢＣ２を形成するように、受面６２０の中心Ｃから径方向距離Ｒ２の位置に配置されている。したがって、第１のボルト円ＢＣ１と第２のボルト円ＢＣ２はいずれも中心Ｃを取り巻くように形成される同心円である。ここで、第１のボルト円ＢＣ１の半径はＲ１、第２のボルト円ＢＣ２の半径はＲ２とする。
【００６４】
図１６〜図１８に示される例示的な実施形態によれば、各エンボス６００は、同一の直径ｄを有する。エンボスの総面積と静電チャック６１０の接触面積との間には相互関係が存在することから、エンボスの直径ｄを調整することにより、静電チャック装置６１０の接触面積を増減させることができる。
【００６５】
更に、第１のボルト円ＢＣ１を含む各エンボスと、第２のボルト円ＢＣ２を含むエンボスのうち、それぞれと最も近接したエンボスとの間の距離は、距離ｌと等しい。図１７に示されるように、第１のボルト円ＢＣ１の径方向距離Ｒ１が各エンボスの直径ｄに距離ｌを足した値と等しくなるようなエンボスが配置されている。一方、第２のボルト円ＢＣ２の径方向距離Ｒ２が径方向距離Ｒ１に２を乗じた値と等しくなるようなエンボスも配置されている。
【００６６】
上記の説明では、２つのボルト円ＢＣ１及びＢＣ２を含む例示的な一実施形態が示されているが、本発明によれば、エンボスは、任意の数の追加的なボルト円を含むように配置することもできる。例えば、図１７に示されるように、第３のボルト円ＢＣ３の径方向距離Ｒ３が径方向距離Ｒ１に３を乗じた値と等しくなるようなエンボスを配置することもできる。即ち、本発明の様々な例示的な実施形態によれば、各ボルト円ＢＣｎの径方向距離Ｒｎが径方向距離Ｒ１にｎを乗じた値と等しくなるようなエンボスを受面６２０上に配置することが可能となる。
【００６７】
本発明の例示的な一実施形態によれば、受面６２０上のエンボスの総数ｍがｎ×６と等しくなるようなエンボスを受面６２０上に配置することができる。更に、図１７に示されるように、各ボルト円内のエンボスは、互いに等距離に配置することもできる。例えば、第１のボルト円ＢＣ１を含む各エンボスは、第１のボルト円ＢＣ１内の各エンボスと、第１のボルト円ＢＣ１内のエンボスのうち、それぞれに最も近接したエンボスとの間の距離が距離ｆとなるように配置することができる。更に、第２のボルト円ＢＣ２を含む各エンボスは、第２のボルト円ＢＣ２内の各エンボスと、第２のボルト円ＢＣ２内のエンボスのうち、それぞれに最も近接したエンボスとの間の距離が距離ｓとなるように配置することができる。また、本発明の例示的な一実施形態によれば、距離ｆが距離ｓと等しくなるようなエンボスを配置することもできる。
【００６８】
上述の様々なエンボス配置は、図１９に具体的に示されるような均一な幾何配置を実現する。即ち、図１９に示されるように、エンボス６００の分布が均一となる。したがって、最大限の接触が望まれる場合には、本発明は、「最密充填（ｃｌｏｓｅ  ｐａｃｋｉｎｇ）」、即ち可能な限り密度を高めたメサ配置を実現する。一方、より少ない接触が望まれる場合には、本発明は、メサの中心位置を変更しない。
【００６９】
上述の対称的なエンボス配置の利点に加えて、上記の概念は、管路が受面６２０を基準にして配置される場合にも適用することができる。即ち、図２０に示されるように、受面６２０上の管路６６０は、受面６２０上の熱伝達ガス源が各エンボス６００の対称性を損なわずに均一なパターンを提供するように配置することができる。例えば、管路６６０は、受面６２０上の各地点が他のどの地点よりも熱伝達ガス源から離れないように配置することができる。
【００７０】
図２０に示されるように、受面６２０は更に、例えば受面６２０上で基板６３０を昇降させることができるように空気圧昇降機構によって昇降されるリフトピン（図示せず）を受けるリフトピン穴６２３も備える。図２０に示されるように、受面６２０は、シールバンド６２４も備える。
【００７１】
図２１は、本発明の一実施形態に係る処理チャンバ２００を示している。処理チャンバ２００は、マイクロチップ製造のための半導体ウェーハ処理に利用することができる。この文脈では、チャンバ２００は、例えば半導体ウェーハをエッチングするプラズマチャンバであってよい。チャンバ２００は、静電チャック２１１が配置される基部２２５を含む。静電チャック２１１は、電源Ｖからバイアスが掛けられる電極２１５を含む。ソースＨからの裏面冷却ガスが冷却流体管路２６０に供給される。流体管路２６０は、本発明に係る上述のいずれかの管路に従って設けることができる。チャック２１１の上面２２０は、上述の実施形態のいずれかに従って配置されるメサを含むことができる。ただし、本発明に係る流体管路の使用と本発明に係るメサ配置とは、互いに独立したものであることを理解されたい。即ち、チャック２１１は、従来のエンボスを有しながら本発明に係る流体管路を含むことができる。一方、チャック２１１は、本発明に係るエンボスを利用しながら従来の流体管路を含むこともできる。言うまでもなく、チャック２１１は、本発明に係る流体管路とエンボスの両方を含むこともできる。
【００７２】
上述のエンボスパターンを利用する本発明の例示的な諸実施形態は、複数のエンボスが円形幾何形状に適合するように変形させるメカニズムを提供する。このような構成により、静電チャックの表面上の円形特性部分の周囲にもたらされる不均一性が低減する。最適な裏面ガスの均一性がもたらされるように、メサトポロジに加えて溝の長さ及び間隔を調節することにより、熱伝達を改善することができる。また、溝、管路、及びメサの全体的な対称性がもたらされる対称構成に従って溝を設けることもできる。
【００７３】
また、上述のエンボスパターンを利用する例示的な諸実施形態では、静電チャックの表面全体に最小限の裏面管路を均一に配置することにより、基板冷却用のガスを均一に分布させることが可能となるので、裏面ガス用の穴数が減少し、それによってコストが最小限に抑えられる。
【００７４】
以上、本発明について具体例を挙げて説明してきたが、これらの具体例は、限定的なものではなく単なる例示にすぎない。本明細書に開示される本発明の説明内容を検討し実施することにより、本発明の他の様々な実施形態が当業者には明らかとなるであろう。本明細書の記載及び実施例は単なる例示的なものにすぎず、本発明の真の範囲及び趣旨は、添付の特許請求の範囲によって定められるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１Ａ】従来技術の静電チャック内に形成される垂直管路を示す図である。
【図１Ｂ】従来技術の静電チャック内に形成される垂直管路を示す図である。
【図２】静電チャックを透過する電界のシミュレーション図である。
【図３】ヘリウム内の異なる電極材料のパッシェン曲線を示す図である。
【図４】六角形エンボスパターンを利用した従来技術の静電チャック表面を示す図である。
【図５】線形エンボスパターンを利用した従来技術の静電チャック表面を示す図である。
【図６】本発明の例示的な一実施形態に係る傾斜管路を備える静電チャック装置を示す図である。
【図７】本発明の例示的な一実施形態に係る傾斜したレーザードリル形成通路を備える静電チャック装置を示す図である。
【図８】本発明の例示的な一実施形態に係る傾斜したレーザードリル形成通路及び傾斜管路を備える静電チャック装置を示す図である。
【図９Ａ】本発明の例示的な一実施形態に係る管路に挿入されたプラグを備える静電チャック装置を示す図である。
【図９Ｂ】レーザードリル形成穴が傾斜していない点を除き図９Ａと同様の一実施形態を示す図である。
【図１０】本発明の例示的な一実施形態に係る静電チャック装置の管路に挿入されたプラグの上面図である。
【図１１】本発明の例示的な一実施形態に係る静電チャック装置の管路に挿入されたプラグの上面、底面、及び外面を示す斜視図である。
【図１２】本発明の例示的な一実施形態に係る管路に挿入された複数のプラグを備える静電チャック装置を示す図である。
【図１３】図１２に示される本発明の例示的な一実施形態に係る複数のプラグのうち、最上部のプラグの上面図である。
【図１４】図１２に示される本発明の例示的な一実施形態に係る複数のプラグのうち、最下部のプラグの底面図である。
【図１５Ａ】本発明の例示的な一実施形態に係る管路に挿入された複数の偏心プラグを備える静電チャック装置を示す図である。
【図１５Ｂ】本発明の例示的な一実施形態に係る最上部の偏心プラグの斜視図である。
【図１６】本発明の例示的な一実施形態に係る複数のエンボス又はメサを備える静電チャックの受面の中心部分を示す図である。
【図１７】本発明の例示的な一実施形態に係る複数のエンボス又はメサを備える静電チャックの受面を示す図１６の中心部分の拡大図である。
【図１８】本発明の例示的な一実施形態に係る複数のエンボスを備える静電チャックの受面の端部を示す図である。
【図１９】本発明の例示的な一実施形態に係る複数のエンボスを備える静電チャックの受面を示すとともに、図１６に示される中心部分と、図１８に示される端部との相対位置を示す図である。
【図２０】管路、リフトピン穴、及び裏面ガス溝の例示的な配置を含む、本発明の例示的な一実施形態に係る複数のエンボスを備える静電チャックの受面を示す図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る処理チャンバを示す図である。
【符号の説明】
【００７６】
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０  静電チャック装置
１１５、２１５、２１６、３１５、４１５、５１５  電極
１７、１１７、２１７、２１８、３１７、４１７  誘電部材
１２０、２２０、２２１、３２０、４２０、５２０、６２０  受面
１２５、２２５、２２６、３２５、４２５、５２５  冷却台
１２７、２２７、２２８  有孔パイル
１３０、２３０、２１１、３３０、４３０、５３０  基板
１４７、２４７、２４８、３４７、４４７、５４７  電界軸
１５０、２５０、２５１、３５０、４５０、５５０  レーザードリル形成通路
１６０、２６０、２６１、３６０、４６０、６６０  管路
２００  処理チャンバ
３０３、４０３、４００  プラグ
３０７、４０７  外部溝
３０８、４０８  上面
３０９、４０９  底面
３１３、４１３  上部溝
３１４、４１４  底部溝
３７２  外面
３９０、３９５、４９０、４９５  中心
４０１  最上部のプラグ
５００  偏心プラグ
５０１  最上部の偏心プラグ
５６５  セラミックスリーブ
６００  エンボス又はメサ
６２３  リフトピン穴
【図１Ａ】
2009105386.tif 000004
【図１Ｂ】
2009105386.tif 000005
【図２】
2009105386.tif 000006
【図３】
2009105386.tif 000007
【図４】
2009105386.tif 000008
【図５】
2009105386.tif 000009
【図６】
2009105386.tif 000010
【図７】
2009105386.tif 000011
【図８】
2009105386.tif 000012
【図９Ａ】
2009105386.tif 000013
【図９Ｂ】
2009105386.tif 000014
【図１０】
2009105386.tif 000015
【図１１】
2009105386.tif 000016
【図１２】
2009105386.tif 000017
【図１３】
2009105386.tif 000018
【図１４】
2009105386.tif 000019
【図１５Ａ】
2009105386.tif 000020
【図１５Ｂ】
2009105386.tif 000021
【図１６】
2009105386.tif 000022
【図１７】
2009105386.tif 000023
【図１８】
2009105386.tif 000024
【図１９】
2009105386.tif 000025
【図２０】
2009105386.tif 000026
【図２１】
2009105386.tif 000027
【外国語明細書】
2009105386000001.pdf