(57)【要約】【課題】高周波特性に影響しない構造を有して絶縁体と強固に接合可能な導体層を有する導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】導体基板であるプリント基板１００は、基材１０１の一方の面上に導体層１１０が形成され、導体層１１０の端部に起伏部１１１が形成されている。この起伏部１１１は、導体層１１０を電気めっき法で形成するときに、めっき条件を変えることで形成することができる。導体層１１０の端部に起伏部１１１を設けることで、特定の場所に応力が集中するのを防止している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
線膨張係数の異なる絶縁体と接合可能な導体基板であって、
平板状の基材と、
前記基材の一方の面側に電気めっきで形成された導体層と、を備え、
前記導体層が、所定の位置に起伏部を有して前記絶縁体との接合面を形成している
ことを特徴とする導体基板。
【請求項２】
前記起伏部は、所定の傾斜角で所定の高さまで突出したくさび状に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の導体基板。
【請求項３】
前記基材と前記導体層との間にさらに下地導体層を備え、
前記起伏部は、前記所定の位置における前記下地導体層の厚さを変化させることで形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の導体基板。
【請求項４】
前記起伏部は、前記基材の一方の面上に設けられた凹凸によって形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の導体基板。
【請求項５】
前記起伏部は、少なくとも前記導体層の端部近傍または屈曲部近傍に形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導体基板。
【請求項６】
前記起伏部の高さは、前記導体層厚さの５％以上である
ことを特徴とする請求項２に記載の導体基板。
【請求項７】
前記起伏部の傾斜角は、５度以上３５度以下である
ことを特徴とする請求項２または６に記載の導体基板。
【請求項８】
線膨張係数の異なる絶縁体と接合可能な導体基板の製造方法であって、
平板状の基材の一方の面側に電気めっきで導体層を形成する導体層作製工程を有し、
前記導体層作製工程では、前記電気めっきを行うときのめっき条件を調整することによって前記導体層に起伏部を形成する
ことを特徴とする導体基板の製造方法。
【請求項９】
線膨張係数の異なる絶縁体と接合可能な導体基板の製造方法であって、
平板状の基材の一方の面上に下地導体層を形成する下地層作製工程と、
前記下地導体層の上に電気めっきで導体層を形成する導体層作製工程と、を有し、
前記下地層作製工程では、所定の位置における前記下地導体層の厚さを変化させている
ことを特徴とする導体基板の製造方法。
【請求項１０】
線膨張係数の異なる絶縁体と接合可能な導体基板の製造方法であって、
平板状の基材の一方の面側に電気めっきで導体層を形成する導体層作製工程を有し、
前記基材の一方の面上には所定の位置に凹凸が設けられている
ことを特徴とする導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体層を備えて線膨張係数の異なる絶縁体と強固に接合可能な導体基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、線膨張係数の異なる異種材料の絶縁体に接合させる導体層を備える導体基板が広く用いられている。一例として、絶縁性の接着材を挟んで半導体チップとプリント基板とを接合させた半導体パッケージでは、プリント基板の導体層と線膨張係数の異なる接着材とを接合させており、プリント基板が異種材料と接合させる導体基板となっている。プリント基板上の導体層は、所定の基材の上に電気めっき法で形成されるのが一般的である。
【０００３】
導体基板の導体層を異種材料の絶縁体に接合させたとき、導体層と絶縁体との線膨張係数が異なることに起因して、両材料間に応力が発生することが従来より知られている。導体基板の導体層を所定の絶縁体に接合して製品化する過程、および製品化後の供用中における熱履歴により、導体層と絶縁体との接合部には繰り返し応力が発生する。このような繰返し応力は、接合部の特定の限られた位置に集中しやすく、応力が集中する位置で界面剥離が発生しやすいといった問題があった。また、応力が集中する位置の周辺にも応力が伝播し、周辺の部品を破壊するといった問題もあった。
【０００４】
このような問題を解決するために、異種材料界面の密着性を高める技術開発が従来より行われている。特許文献１−３では、導体層の表面に微細な凹凸を形成して接合面を粗くすることで、接合面における異種材料間の密着性を高めている。一例を図１０に示す。同図では、樹脂で形成された基材９０１の上に、銅めっきを行って導体層９０２を形成したプリント基板９０３が図示されている。
【０００５】
プリント基板９０３は、導体層９０２側に異種材料の絶縁性樹脂９０４を挟むことで半導体チップ９０５と接合される。絶縁性樹脂９０４は、導体層９０２とは異種材料の樹脂からなる接着材である。絶縁性樹脂９０４との密着性を高めるために、導体層９０２の表面にはプラズマ処理法等で形成された微細な凹凸９０６が設けられている。
【特許文献１】特開平０５−２５９６１１号公報
【特許文献２】特開平０７−２２６５７５号公報
【特許文献３】特開平１０−２２４０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、導体基板の導体層に微細な凹凸を設けることで、半導体チップとの接合に用いられる絶縁体（絶縁性樹脂）と強固に接合させることができるが、微細な凹凸を有する導体層を高い周波数で使用すると、凹凸の影響で高周波特性が劣化してしまうといった問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、高周波特性に影響しない構造を有して絶縁体と強固に接合可能な導体層を有する導体基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の導体基板の第１の態様は、線膨張係数の異なる絶縁体と接合可能な導体基板であって、平板状の基材と、前記基材の一方の面側に電気めっきで層状に形成された導体層と、を備え、前記導体層が、所定の位置に起伏部を有して前記絶縁体との接合面を形成していることを特徴とする。
【０００９】
本発明の導体基板の他の態様は、前記起伏部は、所定の傾斜角で所定の高さまで突出したくさび状に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の導体基板の他の態様は、前記基材と前記導体層との間にさらに下地導体層を備え、前記起伏部は、前記所定の位置における前記下地導体層の厚さを変化させることで形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の導体基板の他の態様は、前記起伏部は、前記基材の一方の面上に設けられた凹凸によって形成されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の導体基板の他の態様は、前記起伏部は、少なくとも前記導体層の端部近傍または屈曲部近傍に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の導体基板の他の態様は、前記起伏部の高さは、前記導体層厚さの５％以上であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の導体基板の他の態様は、前記起伏部の傾斜角は、５度以上３５度以下であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の導体基板の製造方法の第１の態様は、線膨張係数の異なる絶縁体と接合可能な導体基板の製造方法であって、平板状の基材の一方の面側に電気めっきで導体層を形成する導体層作製工程を有し、前記導体層作製工程では、前記電気めっきを行うときのめっき条件を調整することによって前記導体層に起伏部を形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明の導体基板の製造方法の第２の態様は、線膨張係数の異なる絶縁体と接合可能な導体基板の製造方法であって、平板状の基材の一方の面上に下地導体層を形成する下地層作製工程と、前記下地導体層の上に電気めっきで導体層を形成する導体層作製工程と、を有し、前記下地層作製工程では、所定の位置における前記下地導体層の厚さを変化させていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の導体基板の製造方法の第３の態様は、線膨張係数の異なる絶縁体と接合可能な導体基板の製造方法であって、平板状の基材の一方の面側に電気めっきで導体層を形成する導体層作製工程を有し、前記基材の一方の面上には所定の位置に凹凸が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、高周波特性に影響しない構造を有して絶縁体と強固に接合可能な導体層を有する導体基板およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態における導体基板およびその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、同一機能を有する各構成部については、図示及び説明簡略化のため、同一符号を付して示す。
【００２０】
本発明の導体基板は、少なくとも一方の面に導体層を有し、この導体層が線膨張係数の異なる異種材料の絶縁体と強固に接合可能に形成されている。このような導体基板として、たとえば半導体チップを絶縁体の接着材を介して搭載するプリント基板がある。以下では、本発明の導体基板およびその製造方法について、導体基板の一例としてプリント基板を用いて説明する。このようなプリント基板は、たとえばインターポーザとして用いられる。
【００２１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施の形態に係る導体基板を、図１に示す断面図を用いて説明する。同図は、本実施形態の導体基板の一実施例であるプリント基板１００を示す断面図である。同図では、プリント基板１００の一方の面に異種材料の絶縁性樹脂（絶縁体）２０を挟んで半導体チップ１０を搭載しており、プリント基板１００の他方の面には、はんだボール３０を介して基板４０が電気的に接続されている。半導体チップ１０は、一方の面に金パンプ１１と保護層１２とを備えており、この面を絶縁性樹脂２０に接合させる。
【００２２】
プリント基板１００は、基材１０１の一方の面上に導体層１１０が形成され、導体層１１０の所定の位置にバンプ１１２が形成されている。バンプ１１２は、半導体チップ１０と電気的に接続するための金パンプ１１と接合するものである。導体層１１０は、電気めっき法で形成することができる。
【００２３】
本実施形態のプリント基板１００では、導体層１１０の端部に起伏部１１１（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）が形成されている。この起伏部１１１は、導体層１１０を電気めっき法で形成するときに、めっき条件を変えることで形成することができる。メッキ条件として、たとえば電流密度や添加剤、あるいは遮蔽板等があり、これらを調整することで導体層１１０の形状を変えることができる。
さらにいうと、添加剤消費の少ない電流密度で行うことによって、起伏部１１１を形成しやすくなる。
【００２４】
上記のように構成されたプリント基板１００では、半導体チップ１０を搭載するために導体層１１０と絶縁性樹脂２０とが接合される。導体層１１０と絶縁性樹脂２０は、それぞれの線膨張係数が異なるため、温度が変化すると両者の接合面１１３と略平行な方向に応力が発生する。そのため、導体層１１０と絶縁性樹脂２０との接合が強固に行われていないと、界面剥離等が発生するおそれがある。
【００２５】
図１のプリント基板１００では、導体層１１０が起伏部１１１ｂと１１１ｃとの間で分離された構造となっている。起伏部１１１を有しない従来のプリント基板では、導体層と絶縁性樹脂との接合面に加わる応力は接合面のいずれの場所にも伝播することができ、応力の集中しやすい特定の場所に伝播して集中することになる。これにより、応力が集中しやすい場所で剥離等が発生することがある。従来のプリント基板では、図１のプリント基板１００のように導体層が分離されていても、応力が伝播して特定の場所に集中しやすくなるといった問題があった。
【００２６】
これに対し本実施形態のプリント基板１００では、導体層１１０の端部に起伏部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄを設けることで、特定の場所に応力が集中するのを防止している。また、アンカー効果により、異種材料の線膨張係数が異なることによる接合面１１３の剥離を抑制できる。接合面１１３と交わる方向の応力は剪断応力となり、接合面１１３の剥離への寄与が小さくなる。このような効果により、導体層１１０と絶縁性樹脂２０との接合面１１３に加わる応力を低減して界面剥離を防止することが可能となっている。
【００２７】
一例として、起伏部１１１ａを拡大した断面図を図２に示す。同図は、図１で破線で囲んだ領域Ａを拡大して表示したものである。本実施例では、導体層１１０の厚さをｘとし、起伏部１１１ａの形状を、導体部１１０の端部に向かって傾斜角θで頂点の高さがΔｘとなるくさび状としている。同図において、アンカー効果により剥離の原因となる接合面１１３に平行な方向の応力が小さくなる。
【００２８】
また、起伏部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄを設けることにより、それより先に応力が伝播しにくくなる。たとえば、起伏部１１１ａと１１１ｂとの間の接合面１１３に加えられる応力は、起伏部１１１ｂ、１１１ｃによって起伏部１１１ｃと１１１ｄとの間の接合面１１３まで伝搬するのを防止している。このように、起伏部１１１で応力が伝播するのを防止することで、接合部１１３の特定の位置に応力が集中するのを防止することができ、接合面１１３に加わる最大応力を低減することができる。
【００２９】
起伏部１１１を設けることによる剥離防止の効果は、起伏部１１１の形状によって異なってくる。導体層１１０に絶縁性樹脂２０を接合した状態で信頼性試験を行った結果の一例を図３に示す。ここでは、図２に示した起伏部１１１の傾斜角θおよび高さΔｘを変えて試験を行っており、それぞれの試験で得られた所定のサンプル数の試験データを平均した結果を示している。
【００３０】
図３に結果を示した信頼性試験は、プリント基板１００の温度を−６５℃から１５０℃まで繰り返し変化させて導体層１１０および絶縁性樹脂２０を熱膨張／熱収縮させるものであり、これにより接合面１１３に繰り返し応力を加える試験である。このような応力サイクルを接合面１１３に加えることで、剥離等が発生するまでのサイクル数を測定している。図３に示した結果は、剥離等が発生するまでのサイクル数を示している。剥離等が発生するまでのサイクル数に対する要求基準は一般的に１０００サイクルとなっており、これ以上となるときの起伏部１１１の形状が好適な形状となる。
【００３１】
図３（ａ）は、起伏部１１１の傾斜角θを略一定（θ＝１４〜１９°）とし、高さΔｘを変化させた結果を示している。ただし、図３（ａ）の横軸は、Δｘ／ｘとしている。同図より、高さΔｘを大きくするほど剥離等が発生するまでのサイクル数が増加し、これが１０００以上となるのは高さΔｘが導体層１１０の厚さの略５％以上のときであり、特にΔｘ／ｘを２０％以上とするのがより好ましい。
【００３２】
また図３（ｂ）は、起伏部１１１の高さΔｘを略一定（Δｘ／ｘ＝９から１６％）とし、傾斜角θを変化させた結果を示している。同図より、傾斜角θを大きくすると剥離等が発生するまでのサイクル数が増加するが、傾斜角θが略２０°を超えるとサイクル数が逆に減少していく。剥離等が発生するまでのサイクル数が１０００以上となるのは、傾斜角θが略５°以上３５°以下の範囲のときである。
【００３３】
本実施形態のプリント基板１００は、導体層１１０の端部のみに起伏部１１１を設けていることから、高い周波数で用いられても高周波特性に悪い影響を与えるおそれはない。このような起伏部１１１を設けることで、導体層１１０を異種材料の絶縁性樹脂２０と強固に接合させることが可能となっている。
【００３４】
図１に示した実施例では、起伏部１１１を導体層１１０の端部のみに形成していたが、別の実施例として、図４に示すような導体層１１０の屈曲部１１４、１１５に起伏部１１１ｅ、１１１ｆを設けても同様の効果が得られる。ここでは、導体層１１０の端部と屈曲部１１４、１１５の両方に起伏部１１１を設けているが、屈曲部１１４、１１５のみに起伏部１１１を設けてもよい。好ましくは、接合面１１３上に適切な間隔で起伏部１１１を設けるのがよい。
【００３５】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施の形態に係る導体基板を、図５に示す断面図を用いて説明する。同図は、本実施形態の導体基板の一実施例であるプリント基板２００を示す断面図である。同図においても、プリント基板２００の一方の面に異種材料の絶縁性樹脂（絶縁体）２０を挟んで半導体チップ１０が搭載されており、プリント基板２００の他方の面には、はんだボール３０で基板４０が電気的に接続されている。
【００３６】
本実施形態のプリント基板２００では、基材１０１の一方の面上に下地導体層２２０を形成し、下地導体層２２０の上に導体層２１０が形成されている。本実施形態の下地導体層２２０は、第１の下地導体層２２２と第２の下地導体層２２３の２層からなる構成としている。下地導体層２２０は、２層に限られず、１層のみであってもよく、あるいは３層以上であってもよい。このような下地導体層２２０は、たとえばスパッタリング法を用いて形成することができる。
【００３７】
本実施形態では、下地導体層２２０の端部に下地起伏部２２１（２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ、２２１ｄ）を形成しており、その上に導体層２１０を形成している。導体層２１０は、下地導体層２２０の上面に略一定の厚さで形成されているが、下地導体層２２０の端部に下地起伏部２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ、２２１ｄが形成されていることにより、導体層２１０が突出した形状となっている。
【００３８】
本実施形態のプリント基板２００でも、第１の実施形態のプリント基板１００と同様に、導体層２１０の端部のみに下地起伏部２２１が形成されていることから、高い周波数で用いられても高周波特性に悪い影響を与えるおそれはない。このような下地起伏部２２１を設けることで、導体層２１０を異種材料の絶縁性樹脂２０と強固に接合させることが可能となっている。
【００３９】
なお本実施形態では、下地導体層２２０に下地起伏部２２１を形成し、導体層２１０は略一定の厚さで形成しているが、これに限られず、たとえば第１の実施形態と同様に、導体層２１０の厚さも変えるようにしてもよい。また、起伏部２１１を形成する位置は、導体層２１０の端部に限られず、たとえば導体層２１０の屈曲部に形成してもよい。
【００４０】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施の形態に係る導体基板を、図６に示す断面図を用いて説明する。同図は、本実施形態の導体基板の一実施例であるプリント基板３００を示す断面図である。同図においても、プリント基板３００の一方の面に異種材料の絶縁性樹脂（絶縁体）２０を挟んで半導体チップ１０が搭載されており、プリント基板３００の他方の面には、はんだボール３０で基板４０が電気的に接続されている。
【００４１】
本実施形態のプリント基板３００でも、基材３０１の一方の面上に下地導体層３２０が形成され、下地導体層３２０の上に導体層３１０が形成されている。本実施形態では、基材３０１の所定の位置に基材起伏部３０２（３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄ）が形成されており、その上に下地導体層３２０と導体層３１０が略一定の厚さで形成されている。これにより、導体層３１０が突出した形状となっている。
【００４２】
本実施形態のプリント基板３００でも、上記の実施形態と同様に、導体層３１０の端部のみに基材起伏部３０２が形成されていることから、高い周波数で用いられても高周波特性に悪い影響を与えるおそれはない。このような基材起伏部３０２を設けることで、導体層３１０を異種材料の絶縁性樹脂２０と強固に接合させることが可能となっている。
【００４３】
なお本実施形態では、基材３０１の所定の位置に基材起伏部３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄを形成し、下地導体層３２０および導体層３１０は略一定の厚さで形成されているが、これに限られず、たとえば下地導体層３２０あるいは導体層３１０の厚さも変えるようにしてもよい。また、基材起伏部３０２を形成する位置は、導体層３１０の端部に限られず、たとえば導体層３１０の屈曲部に形成してもよい。
【００４４】
本発明の導体基板の製造方法に係る実施形態を、図８、９に示す実施例を用いて以下に説明する。ここでは、第１の実施形態と同様に導体層の端部に起伏部を有し、第２の実施形態と同様の下地導体層を備えたプリント基板４００を例に、その製造方法を説明する。プリント基板４００の断面図を図７に示す。図８、９は、プリント基板４００を製造する工程を示す断面図である。図８は下地導体層４２０を形成するまでの工程を示し、図９は導体層４１０を形成するまでの工程を示している。
【００４５】
図８に示す下地導体層４２０を形成するまでの工程では、まずステップＳ１１において樹脂層５１とピーラブル銅箔５２からなる基台５０を用意する。ピーラブル銅箔５２として、たとえば５０μｍｔのものを用いることができる。つぎのステップＳ１２では、基台５０をローラに係止するための穴開け５４をパンチングにより行う。本実施例では、ロール・ツー・ロール方式を用いてプリント基板４００を作製する。
【００４６】
つぎのステップＳ１３において、樹脂層５１の上面に感光性カバーレイ５３をラミネートする。感光性カバーレイ５３として、たとえば５０μｍ厚のものを用いることができる。つぎのステップＳ１４では、感光性カバーレイ５３を露光、現像し、さらにＵＶキュア、加熱キュアの処理を行う。これにより、プリント基板４００の基材１０１を形成する。基材１０１には、はんだボール３０を接続するための電極を形成する貫通孔１０１ａが形成される。
【００４７】
ステップＳ１５では、電極を形成する貫通孔１０１ａの底部にＮｉめっき６１を施す。
次のステップＳ１６からステップＳ１８では、下地導体層４２０を形成する。まずステップＳ１６でＮｉＣｒをスパッタリングして第１の下地導体層４２２を形成し、ステップＳ１７でＣｕをスパッタリングして第２の下地導体層４２３を形成している。ステップＳ１７のＣｕスパッタリングだけでは十分な厚さの第２の下地導体層４２３が形成されない場合には、つぎのステップＳ１８においてさらにＣＵをめっきする。ステップＳ１７のＣｕスパッタリングで十分な厚さの第２の下地導体層４２３が形成される場合には、ステップＳ１８を行う必要がない。
【００４８】
上記のステップＳ１１からステップＳ１７またはＳ１８までの処理を行うことにより、基材１０１とその上に形成された下地導体層４２０が作製される。
つぎに、図９を用いて導体層４１０を形成するまでの工程を以下に説明する。
【００４９】
図９に示す導体層４１０を形成するまでの工程では、まずステップＳ２１において、下地導体層４２０が形成されている一方の面と、ピーラブル銅箔５２の他方の面の両方の面に、それぞれドライフィルム（ＤＦ）７１、７２をラミネートする。ＤＦ７１は導体層４１０に所定の回路パターンを形成するのに用いるものであり、ＤＦ７２はピーラブル銅箔５２を保護するためにラミネートされたものである。
【００５０】
つぎのステップＳ２２では、ＤＦ７１が露光、現像されて所定のパターンを形成する。すなわち、つぎに形成される導体層４１０による回路パターンにおいて、Ｃｕが配置されない部分にＤＦ７１が残るようなパターンのマスクを用いてＤＦ７１を露光する。図９（ｂ）では、除去されずに残ったＤＦ７１’が示されている。
【００５１】
図９（ｃ）に示すステップＳ２３では、電気めっき法を用いて下地導体層４２０の上にＣｕの導体層４１０を形成する。下地導体層４２０の上には、ステップＳ２２においてＤＦ７１’が配置されていることから、ステップＳ２３ではＤＦ７１’を除く位置にＣｕがめっきされる。これにより、所定の回路パターンが形成された導体層４１０が下地導体層４２０の上に作製される。
【００５２】
つぎのステップＳ２４では、下地導体層４２０の上に形成されたＤＦ７１’を除去し、ステップＳ２５においてＤ７１’が除去された位置にある第２の下地導体層４２３を除去する。さらにステップＳ２６において、ＮｉＣｒからなる第１の下地導体層４２２を除去する。これにより、導体層４１０のＣｕが配置されない領域からは下地導体層４２０も除去され、導体層４１０で形成された所定の回路パターンが作製される。
【００５３】
上記のステップＳ２１からステップＳ２６までの処理を行うことにより、基材１０１の上に回路パターンが形成された導体層４２０が作製される。これにより、プリント基板４００が作製される。
【００５４】
上記実施例の導体基板の製造方法によれば、ロール・ツー・ロール方式を用いて効率的にプリント基板を作製することができる。
本発明は、導体層が電気めっきで形成され、この導体層を線膨張係数の異なる絶縁体に接合して用いられる導体基板およびその製造方法に広く適用することができる。
【００５５】
なお、本実施の形態における記述は、本発明に係る導体基板およびその製造方法の一例を示すものであり、これに限定されるものではない。本実施の形態における導体基板およびその製造方法の細部構成及び詳細な動作等に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る導体基板の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る導体基板の拡大断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る導体基板の信頼性試験の結果を示す図である。
【図４】第１の実施形態に係る導体基板の別の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る導体基板の断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る導体基板の断面図である。
【図７】本発明の導体基板の製造方法の説明に用いる実施例の断面図である。
【図８】下地導体層を形成するまでの工程を示す図である。
【図９】導体層を形成するまでの工程を示す図である。
【図１０】従来の導体基板の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０、９０５      半導体チップ
２０、９０４      絶縁性樹脂
５０              基台
５１              樹脂層
５２              ピーラブル銅箔
５３              感光性カバーレイ
６１              Ｎｉめっき
７１、７２  ドライフィルム（ＤＦ）
１００、２００、３００、４００、９０３    プリント基板
１０１、３０１、９０１    基材
１１０、２１０、３１０、４１０、９０２    導体層
１１１、２１１、３１１、４１１    起伏部
１１２    バンプ
１１３    接合面
１１４、１１５    屈曲部
２２０、３２０、４２０    下地導体層
２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ、２２１ｄ    下地起伏部
２２２、４２２    第１の下地導体層
２２３、４２３    第２の下地導体層
３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄ    基材起伏部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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