(57)【要約】【課題】端面が曲面に研磨された基板に対しても、簡単にＩＤマークを設置し読み取る事のできる技術を提供することにある。【解決手段】光電変換ユニットの形成された基板と、前記基板の端面に貼り付けられたＩＤマークと、を具備し、前記基板の端面は、曲面であり、前記ＩＤマークは、前記基板の端面に貼り付けられたシートを備え、前記シート上には、基板を識別するための識別情報が描かれていること。【選択図】図２
2009065030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換ユニットの形成された基板と、
前記基板の端面に貼り付けられたＩＤマークと、
を具備し、
前記基板の端面は、曲面であり、
前記ＩＤマークは、前記基板の端面に貼り付けられたシートを備え、
前記シート上には、前記基板を識別するための識別情報が描かれていることを特徴とする
光電変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載された光電変換装置であって、
前記シートは、セラミックスまたはガラスを成分として含み、加熱により前記基板に固定することができ、
前記識別情報は、耐熱インクにより描かれ、前記シート及び前記耐熱インクは５００℃以上の耐熱性があることを特徴とする
光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された光電変換装置であって、
前記光電変換ユニットは、前記基板の主面上に設けられており、
前記ＩＤマークは、前記基板の端面において、前記主面とは反対側寄りに貼り付けられていることを特徴とする
光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載された光電変換装置であって、
前記基板は、矩形状であり、
前記ＩＤマークは、前記基板のいずれかの辺の中央部に配置されていることを特徴とする
光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載された光電変換装置であって、
前記識別情報は、バーコードもしくは２次元コードを含んでいることを特徴とする
光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載された光電変換装置であって、
前記識別情報は、数字列、文字列、及び記号列のうちの少なくとも１種類の情報を含んでいることを特徴とする
光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載された光電変換装置であって、
更に、
前記基板の端部を覆うガスケットと、
前記ガスケットの外側から前記基板の端部を支持するフレームと、
を具備し、
前記ガスケット及び前記フレームには、ＩＤマーク識別用の開口が設けられており、
前記開口は、外部から前記ＩＤマークが識別できる様に、前記ＩＤマークに対応する位置に設けられていることを特徴とする
光電変換装置。
【請求項８】
基板の端面を、曲面となる様に研磨する研磨ステップと、
前記研磨ステップの後に、前記基板を識別する為のＩＤマークを、前記基板の端面に配置するＩＤマーク形成ステップと、
前記基板上に、光電変換ユニットを形成する光電変換ユニット形成ステップと、
を具備し、
前記ＩＤマークは、前記基板に貼り付けられるシートと、前記シート上に描かれた識別情報とを備えていることを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記シートは、セラミックスまたはガラスを成分として含むシートであり、
前記ＩＤマーク形成ステップは、
識別情報の描かれたシートを前記基板の端面に貼り付けるステップと、
前記基板に貼り付けられた前記シートを加熱により焼成して、前記シートを前記基板の端面に固定する焼成ステップと、を備えることを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記光電変換ユニット形成ステップは、前記基板上に熱ＣＶＤ法により透明電極膜を製膜する透明電極膜形成ステップを備え、
前記焼成ステップは、前記透明電極膜形成ステップと同一工程で実施されることを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれかに記載された光電変換装置の製造方法であって、
更に、
前記光電変換ユニットの形成条件または前記光電変換装置の使用条件に基いて前記シートの色を決定するステップ
を具備し、
前記ＩＤマーク形成ステップにおいて、決定された色の前記シートを使用することを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれかに記載された光電変換装置の製造方法であって、
前記光電変換ユニットは、前記基板の主面上に設けられており、前記ＩＤマーク形成ステップにおいて、前記ＩＤマークは、前記基板の端面において、前記主面とは反対寄りに配置されることを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれかに記載された光電変換装置の製造方法であって、
更に、
前記ＩＤマーク形成ステップの後に実施され、前記識別情報が示す情報を読み取るステップと、
前記読み取った情報に基いて、製造工程の管理を行う管理ステップと、
を具備することを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置に関し、特に、太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池に例示される光電変換装置は、多数の工程を経て製造される。光電変換装置を量産する場合には、製造工程の途中において、個々の光電変換装置を識別できるようにトレーサビリティを確保して、製造工程の管理を行うことや、製造後において製造日や製造条件や検査性能を確認できることが望まれる。光電変換装置を識別する為に、識別用のＩＤ番号を記載したマーク（以下、ＩＤマーク）が用いられる。
【０００３】
基板上に光電変換ユニットの形成された光電変換装置の場合、基板にＩＤマークを設ける技術が知られている。そのような技術を開示した文献として、特許文献１〜４が挙げられる。
【０００４】
特許文献１には、基板に対して識別用のマークを付す事が記載されている。そのマークとして、後工程に対する耐性を持たせる為、クロムや銀などの金属膜を、レーザーにより転写したり、レーザーにより蒸着することによって印刷し、識別用のマークとする事が記載されている。
【０００５】
また、特許文献２には、太陽電池膜の形成される面とは反対側の面にマークを付す事が記載されている。また、基板の周縁領域や、基板の側面にマークを付す事も記載されている。こうした位置にマークを付せば、太陽電池膜の形成工程においてレーザースクライブの影響がなく、マークが損傷しない。また、基板の側面にマークを付せば、基板を重ねた状態でも容易に読み取る事ができる。
【０００６】
同様に、基板の側面にマークを付す技術が、特許文献３に記載されている。すなわち、特許文献３には、基板の側面に切りこみを設け、識別情報とすることが記載されている。
【０００７】
また、特許文献４には、基板のセンターライン近傍にマーカを配置することが記載されている（図１参照）。太陽電池膜は、高温条件下での処理工程を経て製造される事がある。基板が高温となると、熱膨張により、マーカの位置がずれてしまい、搬送時にマーカを読み取る事が困難となる。センターライン近傍にマーカを配置しておけば、基板が熱膨張したとしてもマーカの位置は基板のセンターライン近傍であり続けるので、安定してマーカを読み取る事ができる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１１１０７１号  公報
【特許文献２】特開２００１−１０２６０４号  公報
【特許文献３】特開平５−３０９５５２号  公報
【特許文献４】特開２００５−２３５９２０号  公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、光電変換装置用の基板としては、例えば透光性ガラス基板を使用したものがあり、厚板（例えば、３ｍｍ以上）で大型（例えば、１ｍ角以上）のものにおいては、端面からのガラス基板の破損防止のために、端面を研磨によって曲面に加工される事がある（特開２００４−２０７５７５号  公報参照）。通常の砥石研磨によって曲面とされた後の基板端面は、表面粗さが粗くμｍレベルの凹凸が存在する。この表面粗さの粗い面に対しては、既述の特許文献１のように、金属膜を蒸着させたり転写させても剥離しやすく安定してＩＤマークを直接に配置する事が難しい。また、このような面にＩＤマークを直接に配置できたとしても、ＩＤマーク部分の表面状態も粗くなる。そのため、読み取り時に、ＩＤマーク部分で光が乱反射してしまい、識別エラーを生じやすい。このため、どうしても基板端面にＩＤマークを設けるには、端面の曲面研磨の後に更に細かい砥石で磨くことで端面表面を滑らかにした後に金属膜を蒸着させたり転写する必要があり、コストアップとなるために実質対応できない状況にあった。
【００１０】
そのため、端面が曲面に加工された基板に対して、特許文献２に記載された様に基板の端面にＩＤマークを付す事は困難であった。また特許文献３にあるような基板側面切り込みは簡単な手法であるが、基板強度を低下する要因となるために使用できなかった。したがって耐熱性のある金属膜の蒸着や転写によるＩＤマークは、基板の表または裏面に設けられる必要があり、基板を重ねて保管した場合等には一度基板を引き出してから読み取りを行うという、煩雑な作業が強いられていた。
【００１１】
従って、本発明の目的は、端面が曲面に研磨された基板に対しても、簡単にＩＤマークを設置して読み取る技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号・符号を用いて、［課題を解決するための手段］を説明する。これらの番号・符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１３】
本発明の光電変換装置は、光電変換ユニット（２）の形成された基板（２０）と、基板（２０）の端面に貼り付けられた、基板を識別する為のＩＤマーク（５）と、を具備する。基板（２０）の端面は、曲面である。ＩＤマーク（５）は、基板（２０）の端面に貼り付けられたシートを備える。そのシート上には、基板を識別するための識別情報が描かれている。また、シート裏面側には基板端面に仮固定が可能な弱い粘着力を持たせてあることが好ましい。
【００１４】
上述のように、ＩＤマーク（５）として、シート上に識別情報を用いたものを用いれば、基板端面にシートを貼り付けることでＩＤマーク（５）を配置することができる。ここで、基板の端面が曲面に加工されているとき、端面の表面粗さは曲面研磨によってμｍレベルで粗い状態になっている。そのため、ＩＤマーク（５）のシートを固定するにあたり、接着物質とのアンカー効果により、強固にシートを基板端面に貼り付けて固定することに適している。また、識別情報の下地は、表面粗さの粗い基板端面ではなくて、シートとその上に記載されたマークとすることができるので、読み取り時の光の乱反射を防止でき、読み取りエラーを生じることなく簡単にＩＤマーク（５）を読み取ることができる。また、ＩＤマーク（５）が曲面に配置されていれば、斜めの方向からでもＩＤマーク（５）を読み取る事ができる。その結果、ＩＤマーク（５）読み取り用の装置をレイアウトする際の制約が少なくなり、製造ラインを省スペース化することができる。また、基板端面を曲面とすることにより、基板の破損確率が低下して実質として強度が上がり、基板の取扱や処理装置間の搬送時や処理装置内部で破損しづらくなり、生産性が向上する。
【００１５】
既述の特許文献１のように金属膜を蒸着させたり転写させる手法とは異なり、上述の発明ではシートを用いているので、表面の粗い曲面に対しても安定してＩＤマーク（５）を配置することができる。また、既述の特許文献２では、曲面に加工された端面にＩＤマーク（５）を付すことは記載されていないが、上述の発明によれば、破損防止のために端面を曲面に加工した上で、その端面にＩＤマーク（５）を付すことができる。また、既述の特許文献３では、端面に切り込みを入れているために基板の強度低下の可能性があるが、上述の発明に依れば、基板自体に対する加工は行われないので、基板の強度を下げることなくＩＤマーク（５）を付すことができる。また、既述の特許文献４には、端面にＩＤマーク（５）を付すことは記載されておらず、基板を重ねたときには読み取りを行うことが困難となるが、上述の発明によれば端面にＩＤマーク（５）が設けられるので、基板を重ねた状態でも読み取りを行うことができる。
【００１６】
ここで、そのシートは、セラミックスまたはガラスを成分として含み、加熱により基板に固定することができ、その識別情報は、耐熱インクにより描かれていて、シート及び耐熱インクは５００℃以上の耐熱性があることが好ましい。
【００１７】
セラミックスまたはガラスを成分として含むシートと耐熱インクによってＩＤマーク（５）を設ければ、光電変換ユニット（２）の製造工程で高温下に曝されることがあっても、ＩＤマーク（５）が消失してしまう事もない。また、ＩＤマーク（５）として直接基板上に金属膜を形成して設ける場合と比較して、同等以下の安価なＩＤマーク（５）を形成することができる。
【００１８】
また、光電変換ユニット（２）が基板（２０）の主面上に設けられているとすると、ＩＤマーク（５）は、基板（２０）の端面において、主面とは反対側寄りに配置されていることが好ましい。
【００１９】
基板の主面に光電変換ユニット（２）を形成する場合、製膜処理装置において、主面のみならず、端面にも光電変換ユニットを構成する一部の膜が付着してしまう事がある。その結果、端面に配置されたＩＤマーク（５）が付着した膜により隠れてしまい、読み取りができなくなる可能性がある。基板の主面側ほど、端面に膜が付着しやすい。上述のように、主面の反対側寄りにＩＤマーク（５）を配置しておく事によって、端面に付着した膜により、ＩＤマーク（５）が隠れてしまう事を防止できる。
【００２０】
また、ＩＤマーク（５）は、基板（２０）のいずれかの辺の中央部に配置されていることが好ましい。
【００２１】
光電変換ユニットの形成工程によっては、光電変換ユニット（２）が設けられる基板（２０）の主面を上側にするものと下側にするものがあり、基板（２０）の主面が上側と下側のいずれの場合においてもＩＤマーク（５）の読み取りが実施される事がある。また基板処理工程においては基板温度が高い状態で搬出されて、基板が熱膨張でサイズが変化している事があるので、基板は通常、基板センターを基準として基板の搬送や位置決めを扱うことが多い。基板（２０）の主面が上側と下側のいずれの場合がある場合や、基板が温度変化で熱膨張した場合、ＩＤマーク（５）の位置によっては、基板センターからＩＤマーク（５）までの距離がずれてしまうことがある。上述のように、辺の中央部にＩＤマーク（５）を配置しておけば、ＩＤマーク（５）の位置は辺の略中心部でありつづける。従って、各種の製造工程の途中においても、基板センターからＩＤマーク（５）までの距離にほとんど変化はない。その結果、ＩＤマーク（５）を安定して読み取ることが可能となる。
【００２２】
また、識別情報としては、一の観点から、バーコードもしくは２次元コードを含んでいることが好ましい。他の一観点からは、数字列、文字列、及び記号列のうちの少なくとも１種類の情報を含んでいることが好ましい。
【００２３】
バーコードもしくは２次元コードにより多くの桁のＩＤ番号を含めた情報を記載することが出来る。また数字列、文字列、及び記号列を使用することで、特別な読み取り装置を用いずに目視でＩＤ番号を確認することができる。
【００２４】
また、この光電変換装置は、更に、基板（２０）の端部を覆うガスケット（１１）と、ガスケット（１１）の外側から基板（２０）の端部を支持するフレーム枠（１２）と、を具備する。この際、ガスケット（１１）及びフレーム枠（１２）には、ＩＤマーク識別用の開口（１１−１、１２−１）が設けられている。開口（１１−１、１２−１）は、外部からＩＤマーク（５）が識別できる様に、ＩＤマーク（５）に対応する位置に設けられている。
【００２５】
光電変換装置を屋外などに設置する場合には、基板（２０）の周囲に設置したフレーム枠（１２）によって基板（２０）の端部が支持される事がある。その際、フレームと基板との間には、ガスケットを介装して、基板（２０）に局部荷重を与えないような緩衝材となる。基板の端部がガスケット（１１）とフレーム枠（１２）によって覆われると、基板（２０）の端面に設けたＩＤマーク（５）は隠れて読み取ることは出来なくなってしまう。上述のように、ガスケットとフレームに、ＩＤマーク（５）識別用の開口（１１−１、１２−１）を設けておけば、ガスケットとフレームを取りつけた後にも、ＩＤマーク（５）を読み取る事が可能になる。また、光電変換装置を屋外に設置した場合、フレーム枠（１２）やガスケット（１１）の内側に水が貯まって、光電変換装置の内部へ水分が浸入し長期劣化への要因となる可能性がある。ＩＤマーク（５）識別用の開口を設けておくことで、このような水を容易に排出する効果も奏する。
【００２６】
本発明の光電変換装置の製造方法は、基板（２０）の端面を、曲面となる様に研磨する研磨ステップ（ステップＳ１０）と、研磨ステップ（Ｓ１０）の後に、基板（２０）を識別する為のＩＤマーク（５）を、基板（２０）の端面に配置するＩＤマーク形成ステップ（ステップＳ２０、３０−１）と、基板（２０）上に光電変換ユニット（２）を形成する光電変換ユニット形成ステップ（ステップＳ３０−２〜Ｓ５０）と、を具備する。ここで、ＩＤマーク（５）は、基板（２０）の端面に貼り付けられるシートと、シート上に描かれた識別情報とを備えている。
【００２７】
ここで、そのシートは、耐熱性の観点からセラミックスまたはガラスを成分として含むシートである事が好ましく、ＩＤマーク（５）形成ステップは、識別情報の描かれたシートを基板（２０）の端面に貼り付けるステップ（ステップＳ２０）と、基板（２０）に貼り付けられたシートを加熱により焼成して、シートを固定する焼成ステップ（ステップＳ３０−１）と、を備えることが好ましい。
【００２８】
また、光電変換ユニット形成ステップが、基板（２０）上に熱ＣＶＤ法により透明電極膜を製膜する透明電極膜形成ステップ（ステップＳ３０−２）を備える場合、加熱による焼成ステップ（Ｓ３０−１）は、透明電極膜形成ステップ（Ｓ３０−２）と同一工程で実施されることが好ましい。
【００２９】
熱ＣＶＤ法による透明電極膜の製膜工程は、約５００℃の高温工程で行われることがある。このような場合には、シートの焼成と透明電極膜の製膜とを同一工程で行う事ができる。すなわち、ＩＤマーク（５）を設けるためにシートを焼成する工程を新たに追加する必要がない。
【００３０】
この光電変換装置の製造方法は、更に、光電変換ユニットの製造条件または光電変換装置の使用条件に基いてシートの色を決定するステップを具備することが好ましい。この場合、ＩＤマーク（５）形成ステップ（Ｓ２０、Ｓ３０−１）において、決定された色のシートが使用される。
【００３１】
このように、製造条件や使用条件に応じてシートの色を決定すれば、目視で簡単に基板の識別を行う事ができるので、製造工程における基板の移動や、仕分け作業を間違えることなく簡単に確認することができる。
【００３２】
また、光電変換ユニット（２）は、基板の主面上に設けられており、ＩＤマーク（５）形成ステップ（Ｓ２０）において、ＩＤマーク（５）は、基板（２０）の端面に、主面とは反対寄りに配置されることが好ましい。
【００３３】
また、この光電変換装置の製造方法は、更に、ＩＤマーク（５）形成ステップ（ステップＳ３０−１）の後に実施され、識別情報が示す情報を読み取るステップと、読み取った情報に基いて、製造工程の管理を行う管理ステップと、を具備する。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、端面が曲面に研磨された基板に対しても、簡単にＩＤマーク（５）を設置して安定して読み取る技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書中では、光電変換装置として、太陽電池を例として説明する。また、基板上に光電変換ユニットとして太陽電池膜が形成され発電が可能となったものを太陽電池モジュールとする。そして、太陽電池モジュールにバックシートや端子箱が取り付けられて屋外などでの使用を可能としたものを、太陽電池パネルとする。
【００３６】
（第１の実施形態）
図２は、本実施形態の太陽電池モジュール１の斜視図である。太陽電池モジュール１は、矩形状の基板２０と、基板２０の主面上に設けられた光電変換ユニット２と、基板２０の端面３に貼り付けられたＩＤマーク５とを備えている。
【００３７】
基板２０としては、例えばガラス基板などの透光性基板が用いられる。基板２０の光電変換ユニット２を主面上に形成し、また基板の主面における周辺領域には、光電変換ユニット２が設けられていない。これは、太陽電池モジュール１にバックシートを取りつける際に、バックシートの接着・シール面を確保するためである。
【００３８】
基板２０の端面３は、曲面である。図３は、基板２０の端面３の形状を説明するための概略断面図である。基板２０の端面３は、Ｒ面取りを行う研磨加工により、曲面となっている。この曲面は、必ずしも基板の板厚を直径とする曲面である必要はなく、擬似Ｒとして曲率の違うものを組合せた曲面でもよい。また基板面と端面の境界はＲ面取りによるコーナカットを行い、基板端面の板厚方向の中心付近は曲率のない略フラットな面になっていてもよい。基板２０は、端面がＲ面取り加工によって曲面となっていることで、基板周囲部からの破損確率が低下するので、実質強度が向上している。Ｒ面取り加工によって、基板２０の強度が向上することは、例えば特開２００４−２０７５７５に記載されている。また、基板の端面３の表面粗さは、Ｒ面取り加工時における研磨加工により、基板の主面よりも粗くなっていて、μｍレベルの凹凸が存在する。
【００３９】
ＩＤマーク５は、基板を識別するためのものであり、基板２０の端面３に貼り付けられている。従って、ＩＤマーク５は、曲面に沿って貼り付けられていることになる。これにより、読み取り装置６が基板２０に対して斜めの方向に位置していても、ＩＤマーク５を読み取る事ができる。
【００４０】
また、ＩＤマーク５は、基板２０のいずれかの辺における中央部近傍に設けられている（図２参照）。ＩＤマーク５は、必要に応じて基板２０の２辺以上に設置してもよいが、通常はいずれかの１辺に全基板にわたり統一した位置に設置する。
【００４１】
ＩＤマーク５としては、耐熱性の観点からセラミックスやガラスを成分に含むシート（シート）上に耐熱インクでバーコード（識別情報）が印刷されたものが用いられる。基板２０の端面３は、曲面研磨によってμｍレベルで表面粗さが粗いので、そのシートは、加熱により固定するにあたり、仮固定した粘着材が消失し、シートに含まれる接着物質（ガラスフリットなど）が溶融して端面３に固着する際に、アンカー効果によって、端面３に強固に貼り付けられている。
【００４２】
そのバーコードには、例えば、ＩＤ番号と生産時の基板情報（製造日／各装置のレシピコード／納入先番号など）が含まれている。
【００４３】
耐熱インクとしては、太陽電池モジュールの製造工程における、真空下や高温下での処理（熱ＣＶＤ、Ｐ−ＣＶＤ、スパッタリングなど）に耐性のあるものが用いられる。
【００４４】
このように、耐熱のあるシート上に耐熱インクでバーコードの描かれたＩＤマーク５は、金属膜をレーザーなどにより基板に直接転写させる場合などと比較して、同等以下で安価である。金属膜を基板に直接転写させる場合、高価な転写プレートが必要となるためであり、高いランニングコストが生じる要因になっている。本実施形態のように、耐熱のあるシート上に耐熱インクで識別情報（バーコード）が描かれたものを用いれば、ランニング経費を低減させることができる。
【００４５】
尚、ＩＤマーク５に描かれる識別情報としては、バーコードを使用する代わりに２次元コードでもよい。また、数字列、文字列、記号列を使用してもよい。２次元コードを用いた場合、情報量が増加するとともにコードの一部が欠落しても情報読み取りが可能である。また、文字列、記号を使用すると人目による読み取りが可能となり、視認性が高くなる。バーコードや２次元コード、数字列や文字列や記号などを組合わせて使用すれば、読取装置と目視の両方による読み取りが可能となり、ＩＤマーク５の一部が欠落した際にも読み取りが行えるようになる。その結果、読み取りの信頼性が向上し製造工程の稼働率向上に寄与する。
【００４６】
また、シートの色は、基板の生産条件に応じて選択される事が好ましい。例えば、シートとして、白色、黄色、赤色などに着色させた物を用意しておく。そして、通常生産品に白色、特注仕様品に黄色、試験評価品に赤色のセラミックシートを用いることで、目視によっても簡単に基板の種類が判別できるようになり、製造工程における基板の移動や、仕分け作業を間違えることなく簡単に確認することができ、生産の信頼性が向上する。
【００４７】
上述のＩＤマーク５は、バーコード読み取り装置６によって読み取られる。その際、ＩＤマーク５部分に対して単波長のレーザー光などを用いた照明光が照射される。図３に示されるように、バーコード読み取り装置６は、照明光の反射光である読取光によって、ＩＤマーク５を読み取る。ここで、基板の端面３の表面が平滑であった場合には、下地部分（ＩＤマーク５以外の部分）においても不要な照明光が反射してしまい、バーコード読み取り装置６に入射しやすくなる。その結果、バーコード読み取り装置６が読み取りエラーを発生しやすくなる。読み取りエラーを防止するために、下地の種類などに応じて照明の波長や照射向きを工夫しなければならない。これに対して、本実施形態では、曲面となるよう研磨によって端面３の表面状態が粗くなっているので、ＩＤマーク５の周囲では、照明光が乱反射しやすい。よって、ＩＤマーク５の周囲で反射した不要な光は、バーコード読み取り装置６に入射し難い。その結果、ＩＤマーク５部分における反射光が選択的にバーコード読み取り装置６に入射し易くなり、読み取りエラーを起こし難くなる。
【００４８】
また、シートを設けずに、基板の端面に直接に金属膜等を配置した場合には、ＩＤマーク５部分にも下地の凹凸が転写してしまう。その場合、ＩＤマーク５部分で照明光が乱反射し易くなり、必要な情報の反射光を受光できずに、読み取りエラーが発生し易くなる。これに対して、本実施形態では、セラミックやガラスを成分を含むシートが用いられているので、ＩＤマーク５部分における凹凸は少なく、さらには耐熱インクを含浸させるために表面にはμｍレベルより細かい微小の凹凸があり、シート表面が強い反射特性を示すことはない。そのため、ＩＤマーク５部分では、光の乱反射が少なくなる。この観点からも、バーコード読み取り装置６が読み取りエラーを起こし難くなる。
【００４９】
また、本実施形態では、ＩＤマーク５を曲面になっている基板端面に設けてあるので、基板面に対して斜めの方向からでも読み取る事ができるので、バーコード読み取り装置６の設置位置に対する制約を少なくすることができる。図４は、上述したＩＤマーク５を、基板搬送中のインラインで読み取る場合の様子を示す説明図である。太陽電池モジュールの製造時には、基板２０が複数の搬送ローラー７を有する搬送ラインによって搬送される。図４においては、基板２０は、ＩＤマーク５の設けられた辺を搬送方向側として、水平状態で搬送されるいる。ＩＤマーク５は、バーコード読み取り装置６によって読み取られる。バーコード読み取り装置６は、複数の搬送ローラー７の下側に配置されている。バーコード読み取り装置６は、搬送されてくる基板２０の端面３を向くように、基板２０面に対して傾けられて設置されている。このように、バーコード読み取り装置６を搬送されてくる基板２０に対して斜めを向くように取り付けることができるので、バーコード読み取り装置６を他の装置の邪魔にならない位置に配置し易くなり、搬送ラインを省スペース化することができる。
【００５０】
また、本実施形態では、基板２０の辺の中央部（基板のセンター振り分け位置）付近にＩＤマーク５が貼り付けられていることで、より確実に読み取りを行うことができる。図４で示したように、搬送ラインで基板２０を搬送する場合には、センター振り分け位置を基準に、基板２０の位置が決められる。基板２０は、例えば、センター振り分け位置（基板の中心線）を、搬送ラインの中心線に一致させながら、搬送される。ＩＤマーク５がセンター振り分け位置から離れた位置に設けられている場合、光電変換ユニット２が設けられる基板２０の主面が上側向きで搬送するか下側向きで搬送するかの基板設置状態や、基板の温度上昇による熱膨張時などによって、センター振り分け位置からＩＤマーク５までの距離がずれてしまうことがある。バーコード読み取り装置６が搬送ラインに対して固定されている場合、ＩＤマーク５のセンター振り分け位置からの距離が大きくずれてしまうと、読み取りを行うことができなくなる。これに対して、上述のように、センター振り分け位置の近傍にＩＤマーク５を配置しておけば、基板の主面が上側向きや下側向きでの搬送状態や、温度上昇で熱膨張したとしても、センター振り分け位置からＩＤマーク５までの距離はさほど変わらない。従って、基板の状態に係わらず、正確にＩＤマーク５を読み取ることができる。
【００５１】
続いて、太陽電池モジュールの保管時におけるＩＤマーク５の読み取りについて説明する。図５は、基板カセット１０に収納された基板２０を識別する場合の様子を示す説明図である。太陽電池モジュールの製造工程では、処理装置間のタクト差を吸収するときの一次的な保管の目的などから、基板２０を基板カセット１０に収納することがある。その際、省スペース化のために、複数の基板２０が面方向に重ねて収納される。基板の表または裏面にＩＤマーク５を配置した場合、複数の基板を重ねて収納すると、読み取りが行えなくなる。基板を読み取るためには、一旦、基板を基板カセット１０から引き出さなければならず、ラインの基板管理に要する作業が煩雑となる。これに対して、本実施形態では、端面３にＩＤマーク５が取りつけられているので、基板２０を引き出さなくても読み取りを行う事ができる。また、基板２０を基板カセット１０に収納する際に、基板主面が上側向きや下側向きの基板設置状態に関わらず、基板２０の辺の中央部（基板のセンター振り分け位置）付近にＩＤマーク５が貼り付けられているので、ＩＤマーク５は基板の位置は変わらない。従って、基板２０の主面の向く方が上側向きと下側向きと逆であったとしても、搬送ラインに対して固定されたバーコード読み取り装置６によって読み取りを行うことができる。
【００５２】
続いて、本実施形態の太陽電池モジュール１の製造方法について説明する。図６は、太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。また、図７は、太陽電池モジュール１の製造装置を示す概略ブロック図である。図７に示されるように、太陽電池モジュール１の製造装置は、基板搬入装置２１、基板洗浄器２２、ＩＤマーク貼付装置２３、透明電極膜製膜装置２４、基板洗浄器２５、基板搬送器２６、及び透明電極膜レーザーエッチング装置２７を備えている。尚、透明電極膜レーザーエッチング装置２７の下流側には、更に、光電変換層の製膜装置等が配置されているが、この図での図示は省略されている。この太陽電池モジュールの製造装置には、既述のように、バーコード読み取り装置６（図７では示されていない）が、所定の必要位置に搬送ラインに対して固定されて配置され、基板ＩＤに対して製造状況を管理することができる。管理が必要な製造工程や中間検査工程においては、基板に付設した各ＩＤ番号に対して、処理日時時間や、中間検査結果などの必要情報を工程管理用コンピュータへ送信して、製造状況を監視、管理、保管することができ、トレーザビリティのある信頼性の高い生産を実施することがで可能となる。
【００５３】
ステップＳ１０；基板端面の研磨
まず、基板２０の端面が、研磨され、曲面に加工される。端面の加工は、例えば、円弧状の凹所を外周部に有する円盤状研磨治具を、基板２０の端面に当接させて研磨することで行う。端面が曲面に加工された基板２０は、基板搬入装置２１から太陽電池モジュールの製造装置内に搬入される。そして、基板洗浄器２２により洗浄され、ＩＤマーク貼付装置２３へと受け渡される。
【００５４】
ステップＳ２０；識別子の貼付
次に、ＩＤマーク貼付装置２３によって、耐熱のあるシート上にバーコードの描かれたＩＤマーク５が、基板２０の端面に貼付される。この際、既述のように、シートの裏面側には弱い粘着力を持たせてあり、基板２０の辺の中央部（センター振り分け位置）に、ＩＤマーク５が貼付され仮固定される。
【００５５】
ステップＳ３０−１、２；焼成、透明電極膜の製膜
ＩＤマーク５の貼付された基板２０は、次に、透明電極膜製膜装置２４に送られる。透明電極膜製膜装置２４は、例えば、約５００℃で製膜する常圧型熱ＣＶＤ装置である。透明電極膜製膜装置２４によって、基板２０の主面上に、透明電極膜が製膜される。この際、約５００℃の高温雰囲気下で製膜が行われるので、ＩＤマーク５は焼成されて、仮固定した粘着材が消失し、シートに含まれる接着物質（ガラスフリットなど）が溶融して、基板２０の端面に固着される。このように、ＩＤマーク５の焼成と、透明電極膜の製膜とが同一工程で行われるので、ＩＤマーク５を基板２０の端面に固定させる工程を新たに追加する必要がない。また、基板の端面の表面粗さはμｍレベルに粗い状態なので、アンカー効果によってＩＤマーク５がより強固に固着される。
【００５６】
透明電極製膜装置２４によって製膜の終了した基板２０は、基板洗浄器２５によって洗浄され、基板搬送器２６によって透明電極膜レーザーエッチング装置２７に搬送される。透明電極膜レーザーエッチング装置２７によって、製膜された透明電極膜が、太陽電池セルに対応して短冊状に分割される様に、レーザーエッチングされる。
【００５７】
ステップＳ４０〜６０；
その後、光電変換層が透明電極膜上に形成される（ステップＳ４０）。更に、裏面電極膜が光電変換層上に形成される（ステップＳ５０）。一連のレーザーエッチング工程の後に更に、基板２０の主面の外周部に製膜された膜が、研磨除去され、周辺領域が形成される（ステップＳ６０）。
【００５８】
以上のステップＳ１０〜６０の工程を経て、太陽電池モジュール１が製造される。ここで、ステップＳ２０でＩＤマーク５が貼付された後には、必要に応じてバーコード読み取り装置によってＩＤマーク５の読み取りが行われ、読み取った情報に基いて基板の管理が行われる。また、各工程間では、既述のように基板カセット１０に基板２０が一次的に収納される事もある。
【００５９】
以上説明した様に、本実施形態によれば、バーコードの描かれたシートを用いることで、基板の端面が曲面に加工されている場合に、その端面に強固にＩＤマーク５を貼り付けることができる。これにより、基板を重ねて保管した場合などでも、容易にＩＤマーク５の読み取りを行う事ができる。
【００６０】
また、ＩＤマーク５が曲面に貼り付けられるので、斜め方向からもＩＤマーク５の読み取りを行う事ができる。このため、バーコード読み取り装置の設置位置の自由度が増し、製造ラインを省スペース化することができる。
【００６１】
また、シートの焼成・固定と、透明電極膜の製膜とを同一工程で行うようにすれば、ＩＤマーク５を設けるにあたっての工程追加が必要無くなり、製造工程を単純にすることができる。
【００６２】
次に、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態について説明する。ここでは、基板２０としてのガラス基板上に太陽電池光電変換層１４として単層アモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いた例について説明する。図８Ａ〜Ｄは、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
【００６３】
（１）図８Ａ（ａ）：
基板２０としてソーダフロートガラス基板（１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：４ｍｍ）を使用する。既述したように、基板の端面は破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工により、曲面とされている。既述のように、基板２０の指定した辺の中央部（基板のセンター振り分け位置）付近の曲面に加工された端面に、ＩＤマーク５を貼付し仮固定する。ＩＤマーク５は、アルミナによるセラミックス成分を含み白色を呈したシートに、クロム金属などを含む黒色の耐熱インクでバーコードが印刷されており、そのサイズは約幅３．５ｍｍ×長：４０ｍｍ×厚：０．２ｍｍである。
（２）図８Ａ（ｂ）：
透明電極層１３として酸化錫膜（ＳｎＯ２）を主成分とする透明電極膜を約５００ｎｍ〜８００ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明電極層１３として、透明電極膜に加えて、基板１と透明電極膜との間にアルカリバリア膜（図示されず）を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。この際、既述のように、ＩＤマーク５のシートが焼成され、基板２０の端面に固着される。
（３）図８Ａ（ｃ）：
その後、基板２０をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から入射する。加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を太陽電池セル１９の直列接続方向に対して垂直な方向へ、基板２０とレーザー光を相対移動して、溝１６を形成するように幅約６ｍｍ〜１５ｍｍの短冊状にレーザーエッチングする。
（４）図８Ａ（ｄ）：
プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０〜１０００Ｐａ、基板温度：約２００℃にて光電変換層１４としてのアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層膜／ｉ層膜／ｎ層膜を順次製膜する。光電変換層１４は、ＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとを主原料に、透明電極層１３の上に製膜される。太陽光の入射する側からｐ層、ｉ層、ｎ層がこの順で積層される。光電変換層１４は本実施形態では、ｐ層：ＢドープしたアモルファスＳｉＣを主とし膜厚１０ｎｍ〜３０ｎｍ、ｉ層：アモルファスＳｉを主とし膜厚２００ｎｍ〜３５０ｎｍ、ｎ層：ｐドープした微結晶Ｓｉを主とし膜厚３０ｎｍ〜５０ｎｍである。またｐ層膜とｉ層膜の間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
【００６４】
（５）図８Ａ（ｅ）：
基板２０をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、光電変換層１４の膜面側から入射する。パルス発振：１０〜２０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層１３のレーザーエッチングラインの約１００〜１５０μｍの横側を、溝１７を形成するようにレーザーエッチングする。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め交差を考慮して選定する。
【００６５】
（６）図８Ｂ（ａ）：
裏面電極層１５としてＡｇ膜／Ｔｉ膜をスパッタリング装置により減圧雰囲気、約１５０℃にて順次製膜する。裏面電極層１５は本実施形態では、Ａｇ膜：２００〜５００ｎｍ、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０〜２０ｎｍをこの順に積層する。ｎ層と裏面電極層４との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層１４と裏面電極層１５との間にＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）膜を膜厚：５０〜１００ｎｍ、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。
（７）図８Ｂ（ｂ）：
基板２０をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、基板２０側から入射する。レーザー光が光電変換層１４で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層１５が爆裂して除去される。パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層１３のレーザーエッチングラインの約２５０〜４００μｍの横側を、溝１８を形成するようにレーザーエッチングする。
（８）図８Ｂ（ｃ）と図８Ｃ（ａ）：
発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。基板２０をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、基板２０側から入射する。レーザー光が透明電極層１３と光電変換層１４で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層１５が爆裂して、裏面電極層１５／光電変換層１４／透明電極層１３が除去される。パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板２０の端部から５〜２０ｍｍの位置を、図８Ｃ（ａ）に示すように、Ｘ方向絶縁溝３１を形成するようにレーザーエッチングする。このとき、Ｙ方向絶縁溝は後工程で基板２０周囲領域の膜面研磨除去処理を行うので、設ける必要がない。図８Ｂ（ｃ）は、レーザー照射位置を示すために便宜上、Ｘ方向断面とＹ方向断面を混在して記載している。
絶縁溝３１は基板２０の端より５〜１０ｍｍの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部からの太陽電池モジュール６内部への外部湿分浸入の抑制に、有効な効果を呈するので好ましい。
尚、以上までの工程におけるレーザー光はＹＡＧレーザーとしているが、ＹＶＯ４レーザーやファイバーレーザーなどが同様に使用できるものがある。
【００６６】
（９）図８Ｃ（ａ：太陽電池膜面側から見た図、ｂ：受光面の基板側から見た図）：
後工程のＥＶＡ等を介したバックシート３３との健在な接着・シール面を確保するために、基板２０周辺（周囲領域４）の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去する。基板２０の端から５〜２０ｍｍで基板１の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、Ｘ方向は前述の図８Ｂ（ｃ）工程で設けた絶縁溝３１よりも基板端側において、Ｙ方向は基板端側部付近の溝１６よりも基板端側において、裏面電極層１５／光電変換層１４／透明電極層１３を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。
研磨屑や砥粒は基板２０を洗浄処理して除去した。
（１０）図８Ｄ（ａ）：
端子箱取付け部分はバックシート３３に開口貫通窓を設けて集電板６７を取出す。この開口貫通窓部分には絶縁材を複数層を設置して外部からの湿分などの浸入を抑制する。
直列に並んだ一方端の太陽電池セル１９と、他方端部の太陽電池セル１９とから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュールの全体を覆い、基板２０からはみ出さないようにＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等による接着充填材シートを配置する。
ＥＶＡの上に、防水効果の高いバックシート３３を設置する。バックシート３３は本実施形態では防水防湿効果が高いようにＰＥＴシート／ＡＬ箔／ＰＥＴシートの３層構造よりなる。
バックシート３３までを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約１５０〜１６０℃でプレスしながら、ＥＶＡを架橋させて密着させる。
【００６７】
（１１）図８Ｄ（ｂ）：
太陽電池モジュールの裏側に端子箱を接着剤で取りつける。銅箔と端子箱の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱を封止剤（ポッティング剤）で充填して密閉する。これで太陽電池パネル４０が完成する。
（１２）図８Ｄ（ｃ）：
図８Ｄ（ｂ）までの工程で形成された太陽電池パネル４０について発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、ＡＭ１．５、全天日射基準太陽光（１０００Ｗ／ｍ２）のソーラシミュレータを用いて行う。
（１３）図８Ｄ（ｄ）：
発電検査（図８Ｄ（ｃ））に前後して、外観検査を始め所定の性能検査を行う。
【００６８】
上記実施の形態では太陽電池として、単層アモルファスシリコン太陽電池を用いたものについて説明したが、本発明は、この例に限定されるものではない。
例えば、太陽電池として微結晶シリコンをはじめとする結晶質シリコン太陽電池や、シリコンゲルマニウム太陽電池、また、アモルファスシリコン太陽電池と結晶質シリコン太陽電池やシリコンゲルマニウム太陽電池とを各１〜複数層に積層させた多接合型（タンデム型）太陽電池のような他の種類の薄膜太陽電池や、シリコン系太陽電池以外の基板上に光電変換層を形成する化合物半導体系太陽電池などの他の種類の薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。
更に本発明は、金属基板などのような非透光性基板上に製造された、基板とは反対の側から光が入射するタイプの太陽電池にも、ＩＤマーク５の貼付位置を確保できれば、同様に適用可能である。
【００６９】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態と比較して、ＩＤマーク５の貼付される位置が更に工夫されている。これ以外の点については、第１の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００７０】
図９は、本実施形態におけるＩＤマーク５の貼付位置を説明するための説明図である。図９に示されるように、ＩＤマーク５は、基板端面において、主面８とは反対側の面（符号９）寄りに貼り付けられている。ここで、主面８とは、光電変換ユニットが形成される側の面である。ＩＤマーク５の一部は、反対面９上の一部にまで延びている。
【００７１】
光電変換ユニット２を形成する際には、プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング等によって製膜が行われる。この際、製膜装置の基板支持状態や製膜条件によっては、主面８上のみならず、基板の端面にも膜が回りこんで付着してしまうことがある。薄膜系太陽電池の場合には、光電変換層のＳｉ膜や、裏面電極層の金属膜（Ａｇ膜やＴｉ膜）などが基板端面に付着し、ＩＤマーク５の読み取りエラーを発生させる可能性がある。
基板端面における膜の付着は、主面８側ほど多くなる。従って、上述のように、主面８の反対側寄りにＩＤマーク５を配置することによって、基板端面に回りこんで付着した膜の影響による読み取りエラーを無くすことができる。これにより、安定してＩＤマーク５を読み取ることが可能となる。
【００７２】
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態について説明する。本実施形態では、既述の実施形態に対して、太陽電池パネルの構造がさらに工夫されている。その他の点については、既述の実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００７３】
図１０は、本実施形態に係る太陽電池パネルの構成を示す概略構成図である。図１０に示されるように、太陽電池モジュール１には、端部にガスケット１１を介してフレーム枠１２が取りつけられ、パネル化される。
【００７４】
フレーム枠１２は、例えばアルミ合金などの金属製の枠体である。フレーム枠１２は、太陽電池モジュール１の端部を支持し、太陽電池モジュール１を固定するためのものである。
【００７５】
ガスケット１１は緩衝性があり、太陽電池モジュール１の周囲端部を保護する目的などから取りつけられる。ガスケット１１としては、例えばゴム製の枠などが用いられる。
【００７６】
本実施形態では、ガスケット１１及びフレーム枠１２に、それぞれ、開口１１−１、開口１２−１が設けられている。これらの開口１１−１、１２−１は、外部からＩＤマーク５を読み取るためのものである。従って、開口１１−１、１２−１は、ＩＤマーク５の貼付された位置に対応するように、設けられている。
【００７７】
基板端面にＩＤマーク５を設けた場合、ガスケット１１やフレーム枠１２を取り付けた後には、ＩＤマーク５が隠れてしまう。従って、太陽電池モジュール１の裏面側などに、別途に識別用のマークを貼り付ける場合があった。これに対して、本実施形態によれば、フレーム枠１２を取りつけた後にもＩＤマーク５を読み取る事ができ、別途に識別用のマークなどを貼り付ける必要は無い。
【００７８】
また、太陽電池パネルは、主に屋外で用いられ、雨や雪に曝されることが想定される。この場合、ガスケット１１の内側に水分が貯まってしまうことがある。ガスケット１１の内側１１の内側に貯まった水分は、太陽電池モジュール１の内部へ水分が浸入する要因の一つになることがあり、長期に渡る発電特性を悪化させる事がある。ガスケット１１に開口１１−１を設けることによって、ガスケット１１の内側に貯まった水分を開口１１−１を介して排水し易くなる。太陽電池パネルを設置時に、ガスケット１１及びフレーム枠１２に、それぞれ設けた、開口１１−１、開口１２−１が下向き側になると、内側に貯まった水分を排出しやすくなり、更に好適である。
【００７９】
以上、第１〜３の実施形態について説明した。但し、これらの実施形態は、それぞれ独立したものではなく、必要に応じて矛盾の無い範囲内で組み合わせて用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】従来のＩＤマークの位置を示す説明図である。
【図２】第１の実施形態のＩＤマークの位置を示す説明図である。
【図３】第１の実施形態のＩＤマークの位置を示す概略断面図である。
【図４】インラインでＩＤマークを読み取る際の様子を示す説明図である。
【図５】基板カセットに収納された基板のＩＤマークを読み取る際の様子を示す説明図である。
【図６】太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図７】太陽電池モジュールの製造装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図８Ａ】太陽電池パネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図８Ｂ】太陽電池パネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図８Ｃ】太陽電池パネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図８Ｄ】太陽電池パネルの製造方法を示す工程断面図である。
【図９】第２の実施形態におけるＩＤマークの貼付位置を示す図である。
【図１０】第３の実施形態の太陽電池パネルの構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８１】
１  太陽電池モジュール
２  光電変換ユニット（発電領域）
３  側面
４  周囲領域
５  バーコード
６  バーコード読み取り装置
７  ローラー
８  主面
９  裏面
１０  基板カセット
１１  ガスケット
１１−１  開口
１２  フレーム枠
１２−１  開口
１３  透明電極層
１４  光電変換層
１５  裏面電極層
１６  溝
１７  溝
１８  溝
１９  太陽電池セル
２０  基板
２１  基板搬入装置
２２  基板洗浄器
２３  ＩＤマーク貼付装置
２４  透明電極膜製膜装置
２５  基板洗浄器
２６  基板搬送器
２７  透明電極膜レーザーエッチング装置
３０  光電変換ユニット形成装置
３１  絶縁溝
３２  集電板
３３  バックシート
３４  端子箱
３５  ケーブル
４０  太陽電池パネル
【図１】
2009065030.tif 000003
【図２】
2009065030.tif 000004
【図３】
2009065030.tif 000005
【図４】
2009065030.tif 000006
【図５】
2009065030.tif 000007
【図６】
2009065030.tif 000008
【図７】
2009065030.tif 000009
【図８Ａ】
2009065030.tif 000010
【図８Ｂ】
2009065030.tif 000011
【図８Ｃ】
2009065030.tif 000012
【図８Ｄ】
2009065030.tif 000013
【図９】
2009065030.tif 000014
【図１０】
2009065030.tif 000015