(57)【要約】【課題】  表面側にＢＧテープなどの保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工するために半導体ウェハを保持する際に、半導体ウェハをしっかりと保持することが可能な技術を提供する。【解決手段】  本発明は、表面側に保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工するために半導体ウェハを保持する方法として具現化される。その方法は、導電性の針を備える支持部材に、その針が保護部材を貫通して半導体ウェハの表面に接触する位置関係となるように半導体ウェハを取り付ける工程と、内部電極を備えるステージに裏面側を上向きにして半導体ウェハを載置する工程と、ステージの内部電極と支持部材の針の間に電圧を印加する工程を備えている。【選択図】  図７
2009065079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工するために半導体ウェハを保持する方法であって、
導電性の針を備える支持部材に、針が保護部材を貫通して半導体ウェハの表面に接触する位置関係となるように、半導体ウェハを取り付ける工程と、
内部電極を備えるステージに裏面側を上向きにして半導体ウェハを載置する工程と、
ステージの内部電極と支持部材の針の間に電圧を印加する工程を備える方法。
【請求項２】
半導体ウェハの表面側に形成されたダイシングラインでのみ、支持部材の針が半導体ウェハの表面に接触する位置関係となるように、半導体ウェハを支持部材に取り付ける、請求項１の方法。
【請求項３】
表面側に保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工する際に、半導体ウェハを保持するために用いられる支持部材であって、
保護部材を貫通して半導体ウェハの表面に接触する導電性の針を備える支持部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハを保持する技術に関する。詳細には、表面側に保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工するために半導体ウェアを保持する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造過程はおおむね次のようなものである。まず、前工程として、半導体ウェハの表面側に、成膜処理、リソグラフィ処理、不純物添加処理といった種々の加工を施して、表面側に半導体構造と配線類を形成する。その後、半導体ウェハが所望の厚みとなるよう裏面側から研磨（バックグラインド）し、研磨によって損傷した裏面側の表層部分をエッチングによって除去する。必要であれば、さらに裏面側に、成膜処理、リソグラフィ処理、不純物添加処理等の加工を施す。その後、後工程として、半導体ウェハを個々の半導体チップにダイシングして、パッケージに封入する。
【０００３】
半導体ウェハの裏面側を研磨する際には、すでに加工が施されている半導体ウェハの表面側を保護するために、バックグラインドテープ（ＢＧテープ）が貼り付けられる。ＢＧテープは、裏面側の研磨の際に加わる衝撃を吸収して表面側の損傷を防ぎ、裏面側のエッチングの際に使用されるガスから表面側を保護する役割を果たす。また、ＢＧテープは、薄く研磨された半導体ウェハの剛性を確保する役割も備えている。近年の半導体装置の高性能化および小型化に伴い、半導体ウェハはバックグラインド処理で極めて薄く研磨される。また、生産効率の向上を目的として、半導体ウェハそのものの大口径化も進んでいる。このため、バックグラインド後の半導体ウェハは薄くて大口径の円盤形状となっており、剛性が極めて低く、そのままでは取り扱いが困難である。表面側にＢＧテープを貼り付けた状態であれば、半導体ウェハの剛性が確保されて、その後の加工においても取り扱いが容易となる。
【０００４】
特許文献１には、半導体ウェハの裏面側をプラズマエッチングする際に、表面側にＢＧテープを貼り付けた状態で半導体ウェハを保持する技術が開示されている。半導体ウェハの裏面側をプラズマエッチングする際には、半導体ウェハの表面側を静電チャックによって吸着することで、半導体ウェハを保持する。この際に、静電チャックと半導体ウェハの間にＢＧテープが介在することによって、静電チャックの吸着力が弱まってしまう。半導体ウェアをしっかりと保持するためには静電チャックの静電気力を強くする必要があるが、強力な静電気力を印加するとＢＧテープに捩れが生じてしまうことがある。特許文献１の技術では、静電チャックの静電気力を緩やかに上昇させることによって、ＢＧテープに捩れが生じることを防止する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−５５７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術では、ＢＧテープが介在することによる吸着力の低下を、より強い静電気力によってカバーし、静電気力を強くすることによる不具合を静電気力を段階的に上昇させることで防止している。このような構成では、半導体ウェハを保持するために大きな静電気力を必要とし、消費する電力量が大きいという問題がある。
【０００７】
また、半導体ウェハの裏面側をプラズマエッチングする際には、半導体ウェハを真空環境下で保持する必要がある。ＢＧテープを貼り付けた半導体ウェハを真空環境下で保持すると、半導体ウェハの表面とＢＧテープの接着剤の間に残存した空気や、ＢＧテープの接着剤にもともと含まれているガスなどが膨張して、半導体ウェハを局所的に押し上げてしまう。プラズマエッチングの処理対象である半導体ウェハの裏面が局所的に盛り上がり、プラズマエッチングの加工精度に影響を及ぼしてしまう。
【０００８】
本発明は上記の課題を解決する。本発明は、表面側にＢＧテープなどの保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工するために半導体ウェハを保持する際に、半導体ウェハをしっかりと保持することが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、表面側に保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工するために半導体ウェハを保持する方法として具現化される。その方法は、導電性の針を備える支持部材に、その針が保護部材を貫通して半導体ウェハの表面に接触する位置関係となるように半導体ウェハを取り付ける工程と、内部電極を備えるステージに裏面側を上向きにして半導体ウェハを載置する工程と、ステージの内部電極と支持部材の針の間に電圧を印加する工程を備えている。
【００１０】
この方法では、まずＢＧテープなどの保護部材が表面側に貼り付けられた半導体ウェハに、支持部材を取り付ける。この支持部材は導電性の針を備えており、支持部材を取り付ける際にこの針が保護部材を貫通して半導体ウェハの表面に接触する。その後、静電吸着用のステージに半導体ウェハを載置し、ステージの内部電極と支持部材の針の間に電圧を印加する。これによって、半導体ウェハがステージに静電吸着する。
【００１１】
この方法によれば、ステージと支持部材の間に保護部材が介在しないため、小さな電力であっても強い吸着力を得ることができる。また、支持部材と半導体ウェハは導電性の針によって導通しているため、強い吸着力を得ることができる。
【００１２】
さらにこの方法によれば、針の貫通によって保護部材に貫通孔が形成されるので、保護部材と半導体ウェハの間に空気が残存していても、真空環境下におくことによって、その空気を除去することができる。半導体ウェハの裏面側をプラズマエッチングする際に、半導体ウェハの裏面が局所的に盛り上がってしまうことがない。
【００１３】
上記の方法においては、半導体ウェハの表面側に形成されたダイシングラインでのみ、支持部材の針が半導体ウェハの表面に接触する位置関係となるように、半導体ウェハを支持部材に取り付けることが好ましい。
【００１４】
半導体ウェハの表面において支持部材の針が接触する部位に、針が接触することでわずかに傷がつく場合がある。しかしながら、上記のように半導体ウェハの表面側に形成されたダイシングラインでのみ支持部材の針が接触するようにすることで、半導体ウェハの表面側に形成された半導体構造や配線類に傷がつくことがない。
【００１５】
本発明は表面側に保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工する際に、半導体ウェハを保持するために用いられる支持部材に具現化することもできる。その支持部材は、保護部材を貫通して半導体ウェハの表面に接触する導電性の針を備えている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、表面側にＢＧテープなどの保護部材が貼り付けられた半導体ウェハの裏面側を加工するために半導体ウェハを保持する際に、半導体ウェハをしっかりと保持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。
（形態１）本発明では、裏面側から研磨処理が施された半導体ウェハを、表面側に保護部材が貼り付けられた状態のままでプラズマエッチング処理のために保持する。
【実施例】
【００１８】
（第１実施例）
図１〜図７を参照しながら、第１実施例に係る半導体ウェハの加工方法について説明する。
図１に示す半導体ウェハＷは、その表面側に、成膜処理、リソグラフィ処理、不純物添加処理等の加工が既に施されており、表面側に複数の回路Ｃが形成されている。ここでいう回路Ｃは、半導体ウェハＷの基板内に作り込まれている半導体構造や、半導体ウェハＷの表面に形成されている導電性の膜や、絶縁性の膜から構成されている。半導体ウェハＷの表面側に形成されている回路Ｃは、ダイシングラインＤによって区画されており、裏面側の処理を施した後にダイシングラインＤで分離することで個々の半導体チップが得られる。ダイシングラインＤは、半導体ウェハＷの表面に格子状に形成されている。本実施例では、図１の半導体ウェハＷを、所望の厚みが得られるまで裏面側から研磨して、研磨によって損傷した裏面側の表層部分をプラズマエッチングによって除去する処理について説明する。
【００１９】
まず図２に示すように、半導体ウェハＷを表面側が上向きとなるようにテーブル１０上に載置して、半導体ウェハＷの表面側にバックグラインドテープ（ＢＧテープ）１２を貼り付ける。ＢＧテープ１２は半導体ウェハＷの表面に貼り付けられ、裏面側の研磨処理（バックグラインド処理）とそれに続くプラズマエッチング処理の間、半導体ウェハＷの表面を保護する。また、ＢＧテープ１２は、バックグラインド処理によって薄板化した半導体ウェハＷの剛性を確保し、その後のハンドリングを容易とする役割も果たす。ＢＧテープ１２は、基材１４と接着剤１６から構成されており、接着剤１６を半導体ウェハＷの表面に粘着させることで、半導体ウェハＷの表面に貼り付けられる。接着剤１６は紫外線の照射によって粘着力が急激に低下する特性を有しており、ＢＧテープ１２は、半導体ウェハＷの裏面側の加工が終了した後に紫外線を照射することによって容易に取り除くことができる。半導体ウェハＷの表面には、特にダイシングラインＤの近傍において、凹凸が存在しているため、ＢＧテープ１２を貼り付ける際に接着剤１６が半導体ウェハＷに完全に密着せずに、わずかに空気が残留することがある。本実施例では、半導体ウェハＷの表面とＢＧテープ１２の接着剤１６の間に残留した空気を、後の工程において除去することができる。
【００２０】
半導体ウェハＷにＢＧテープ１２を貼り付けた後、半導体ウェハＷのバックグラインド処理を行う。図３に示すように、裏面側が上向きとなるように半導体ウェハＷをチャックテーブル２０に載置して、グラインダ２２で裏面側から研磨する。チャックテーブル２０は、半導体ウェハＷを載置する面に開口する真空排気孔２４を有している。半導体ウェハＷは、ＢＧテープ１２が下側となるようにチャックテーブル２０に載置されている。真空排気孔２４の空気を吸引することで、チャックテーブル２０はＢＧテープ１２を介して半導体ウェハＷを真空吸着して保持する。グラインダ２２による研磨が終了した後、半導体ウェハＷの裏面側には、表層部分に多数の微細なクラックが形成されている。このような微細クラックの存在は、半導体チップの抗折強度の低下を招く原因となる。そこで、バックグラインド処理がなされた半導体ウェハＷの裏面側の表層部分を、プラズマエッチングによって除去する必要がある。
【００２１】
半導体ウェハＷのバックグラインド処理を終了した後、図４に示すように、半導体ウェハＷに支持板３０を取り付ける。支持板３０は、半導体ウェハＷと同程度の口径の円盤形状をしており、一方の面に多数の導通針３２を備えている。支持板３０は、導通針３２を含む全体が導電性の材料で一体的に形成されている。半導体ウェハＷは表面側（すなわち、ＢＧテープ１２が貼り付けられている側）を上向きにしてステージ３４に載置され、真空吸着によってステージ３４に保持されている。支持板３０は、導通針３２を備えている面を下向きにして、搬送用パッド３６に真空吸着によって保持されている。搬送用パッド３６を移動させて、支持板３０を半導体ウェハＷに対して位置合わせした後、支持板３０の導通針３２がＢＧテープ１２を貫通して半導体ウェハＷの表面と接するまで支持板３０を上方から下方に向けて押し付け、半導体ウェハＷに支持板３０を取り付ける。支持板３０は半導体ウェハＷに対して、ＢＧテープ１２を貫通する導通針３２が半導体ウェハＷのダイシングラインＤと接触する相対的位置に位置合わせされた状態で、取り付けられる。多数の導通針３２がＢＧテープ１２に刺し込まれることで、支持板３０はＢＧテープ１２を介して半導体ウェハＷに固定される。本実施例では、支持板３０の導通針３２は半導体ウェハＷのダイシングラインＤと接触しており、半導体ウェハＷの表面側に形成された複数の回路Ｃと接触することがない。従って、導通針３２の先端が接触することで半導体ウェハＷの表面に傷がついても、ダイシング後の個々の半導体チップには影響を及ぼすことがない。
なお、この工程で行っていることは、半導体ウェハＷに支持板３０を取り付けるということもできるし、支持板３０に半導体ウェハＷを取り付けるということもできる。
【００２２】
半導体ウェハＷに支持板３０を取り付けた後、支持板３０と半導体ウェハＷの間に微弱電流を流して両者の間の電位差を計測し、支持板３０が半導体ウェハＷと適切に導通したか否かを確認する。支持板３０と半導体ウェハＷの導通が不良の場合には、導通針３２と半導体ウェハＷの表面との接触が不十分と考えられるので、支持板３０を半導体ウェハＷに強く押込んで、再度導通を確認する。
【００２３】
支持板３０と半導体ウェハＷとの導通が確認されると、図５に示すように、半導体ウェハＷをロードロック室４０内に搬入する。ロードロック室４０は半導体ウェハＷのプラズマエッチング処理を行う処理室４４とゲートバルブ４６を介して仕切られており、ゲートバルブ４６を閉じた状態であれば、処理室４４を高真空に維持しつつ、ロードロック室４０を単独で大気に開放することもできるし、処理室４４と同程度の高真空状態とすることもできる。本実施例では、ゲートバルブ４６を閉じた状態で、大気開放バルブ４８を開いて、ロードロック室４０内に半導体ウェハＷを搬入し、ステージ４２に載置する。半導体ウェハＷをステージ４２に載置した後、ロードロック室４０内を真空排気する。半導体ウェハＷが真空環境下に置かれることによって、半導体ウェハＷの表面とＢＧテープ１２の接着剤１６との間に残留しているわずかな空気や、接着剤１６にもともと含まれているガスなどが、導通針３２の貫通によってＢＧテープ１２に形成された貫通孔を通じて除去される。導通針３２は半導体ウェハＷのダイシングラインＤと接するようにＢＧテープ１２を貫通しており、半導体ウェハＷの表面のダイシングラインＤの近傍に残留していた空気が効果的に排出される。これによって、半導体ウェハＷとＢＧテープ１２との間の密着性が向上する。また、半導体ウェハＷの裏面側にプラズマエッチング処理を施す際に、半導体ウェハＷの一部が盛り上がってしまうことがない。
【００２４】
真空排気によってロードロック室４０が所定の真空度に到達すると、図６に示すように、ゲートバルブ４６を開いて半導体ウェハＷをロードロック室４０から処理室４４に搬送する。半導体ウェハＷは、プラズマエッチング処理を行う裏面側を上向きにして、支持棒５２の上に載置される。支持棒５２は静電吸着用ステージ５０に設けられた複数の貫通孔５８を貫通するように伸びており、静電吸着用ステージ５０と接触することなく相対的に上下動が可能である。支持棒５２は接地電位に維持されており、半導体ウェハＷを支持板３０が支持棒５２と接するように支持棒５２上に載置することで、支持板３０と半導体ウェハＷも接地電位に維持される。
【００２５】
半導体ウェハＷを支持棒５２の上に載置した後、図７に示すように、支持棒５２を静電吸着用ステージ５０に対して降下させて、静電吸着用ステージ５０に半導体ウェハＷを載置する。静電吸着用ステージ５０は内部電極５４を備えており、内部電極５４に所定の電圧を印加することで、接地電位に維持された支持板３０と半導体ウェハＷを静電吸着する。その後、ゲートバルブ４６を閉じて、処理室４４内にプラズマエッチング処理のためのガスを導入して、上部電極５６に高周波電圧を印加して、接地電位に維持された半導体ウェハＷの裏面側をプラズマエッチングする。上部電極５６の内部には図示しないガス流路が形成されており、処理室４４内へのガスの導入は、上部電極５６を介して行われる。このプラズマエッチング処理によって、バックグラインド処理で損傷した半導体ウェハＷの裏面側の表層部分が除去される。
【００２６】
プラズマエッチング処理が終了した後、静電吸着用ステージ５０の内部電極５４への電圧印加を終了して、静電吸着用ステージ５０による静電吸着を解除する。ゲートバルブ４６を開けて、半導体ウェハＷを処理室４４からロードロック室４０に搬出する。ゲートバルブ４６を閉じて、大気開放バルブ４８を開けて半導体ウェハＷをロードロック室４０から搬出する。その後、紫外線照射によってＢＧテープ１２と支持板３０を半導体ウェハＷから取外し、半導体ウェハＷを個々のチップにダイシングして、パッケージに封入する。
【００２７】
本実施例では、バックグラインド処理された半導体ウェハＷをプラズマエッチング処理する際に、ＢＧテープ１２の外側から導電性の支持板３０を半導体ウェハＷに取り付けておいてから、処理室４４内の静電吸着用ステージ５０で静電吸着して保持する。半導体ウェハＷの表面側にＢＧテープ１２が貼り付けられた状態のままであっても、静電吸着用ステージ５０による吸着力が低下することがない。小さな静電気力で半導体ウェハＷをしっかりと保持することができる。
【００２８】
また本実施例では、支持板３０の導通針３２がＢＧテープ１２を刺貫いて半導体ウェハＷの表面と接するように、支持板３０が半導体ウェハＷに取り付けられる。ロードロック室４０内で半導体ウェハＷを真空環境下に置くことで、半導体ウェハＷの表面とＢＧテープ１２の接着剤１６の間に残留した空気や、接着剤１６にもともと含まれているガスなどが、導通針３２の貫通によって形成された貫通穴を通じて除去される。処理室４４でのプラズマエッチング処理の際に半導体ウェハＷの一部が局所的に盛り上がってしまうことによる加工精度の低下を抑止することができる。
【００２９】
（第２実施例）
以下では第２実施例に係る半導体ウェハＷの加工について説明する。図１に示すように表面側の処理が施された半導体ウェハＷに、図２に示すようにＢＧテープ１２を貼り付け、図３に示すようにバックグラインド処理を施すまでは、第１実施例と同様である。
【００３０】
本実施例では、半導体ウェハＷにバックグラインド処理を施した後、図８に示すように、半導体ウェハＷをロードロック室４０内に搬入し、可搬型ステージ１４２に載置する。可搬型ステージ１４２には、後述する静電吸着用電極１３０の導通針１３２が貫通する貫通孔１３４が形成されており、半導体ウェハＷは可搬型ステージ１４２の貫通孔１３４に対して位置合わせされた状態で可搬型ステージ１４２に載置される。半導体ウェハＷは、表面側（すなわち、ＢＧテープ１２が貼り付けられている側）を下向きにして可搬型ステージ１４２に載置され、真空吸着によって可搬型ステージ１４２に保持されている。可搬型ステージ１４２の下方には静電吸着用電極１３０が備えられている。静電吸着用電極１３０は、一方の面に多数の導通針１３２を備えており、導通針１３２を含む全体が導電性の材料で一体的に形成されている。可搬型ステージ１４２が半導体ウェハＷを真空吸着した状態で、静電吸着用電極１３０を上方に押し上げると、静電吸着用電極１３０の導通針１３２は、可搬型ステージ１４２の貫通孔１３４を通過してＢＧテープ１２に接触する。さらに静電吸着用電極１３０を押し上げることで、静電吸着用電極１３０の導通針１３２がＢＧテープ１２を貫通して半導体ウェハＷの表面に接触する。半導体ウェハＷは、可搬型ステージ１４２に対して、ＢＧテープ１２を貫通する導通針１３２が半導体ウェハＷのダイシングラインＤと接触するように位置合わせされた状態で載置されている。多数の導通針１３２がＢＧテープ１２に刺し込まれることで、静電吸着用電極１３０は、可搬型ステージ１４２を挟み込んだ状態で、ＢＧテープ１２を介して半導体ウェハＷに固定される。
本実施例でも、静電吸着用電極１３０の導通針１３２は半導体ウェハＷのダイシングラインＤと接触しており、半導体ウェハＷの表面側に形成された複数の回路Ｃと接触することがない。従って、導通針１３２の先端が接触することで半導体ウェハＷの表面に傷がついても、ダイシング後の個々の半導体チップには影響を及ぼすことがない。
【００３１】
半導体ウェハＷに静電吸着用電極１３０を取り付けた後、静電吸着用電極１３０と半導体ウェハＷの間に微弱電流を流して両者の間の電位差を計測し、静電吸着用電極１３０が半導体ウェハＷと適切に導通したか否かを確認する。静電吸着用電極１３０と半導体ウェハＷの導通が不良の場合には、導通針１３２と半導体ウェハＷの表面との接触が不十分と考えられるので、静電吸着用電極１３０を半導体ウェハＷに強く押込んで、再度導通を確認する。
【００３２】
静電吸着用電極１３０と半導体ウェハＷとの導通が確認されると、図９に示すように、可搬型ステージ１４２の内部電極１４６と静電吸着用電極１３０との間に所定の電圧を印加して、可搬型ステージ１４２に、半導体ウェハＷと静電吸着用電極１３０を静電吸着する。その後、大気開放バルブ４８を閉じて、ロードロック室４０内を真空排気する。これによって、半導体ウェハＷの表面とＢＧテープ１２の接着剤１６との間に残留しているわずかな空気や、接着剤１６にもともと含まれているガスなどが、導通針１３２の貫通によって形成された貫通孔を通じて除去される。導通針１３２は半導体ウェハＷのダイシングラインＤと接するようにＢＧテープ１２を貫通するため、半導体ウェハＷの表面のダイシングラインＤの近傍に残留していた空気が効果的に排出される。これによって、半導体ウェハＷとＢＧテープ１２との間の密着性が向上する。また、半導体ウェハＷの裏面側にプラズマエッチング処理を施す際に、半導体ウェハＷの一部が盛り上がってしまうことがない。
【００３３】
真空排気によってロードロック室４０が所定の真空度に到達すると、図１０に示すように、ゲートバルブ４６を開いて、半導体ウェハＷを可搬型ステージ１４２および静電吸着用電極１３０ごと、ロードロック室４０から処理室４４に搬送する。静電吸着用電極１３０が処理室４４内のマウント１４４に位置合わせして載置される。マウント１４４は接地電位に維持されており、静電吸着用電極１３０をマウント１４４に載置することで、静電吸着用電極１３０と半導体ウェハＷも接地電位に維持される。
【００３４】
その後、ゲートバルブ４６を閉じて、処理室４４内にプラズマエッチング処理のためのガスを導入して、上部電極５６に高周波電圧を印加して、接地電位に維持された半導体ウェハＷの裏面側をプラズマエッチングする。このプラズマエッチング処理によって、バックグラインド処理で損傷した半導体ウェハＷの裏面側の表層部分が除去される。このプラズマエッチング処理の際にも、可搬型ステージ１４２の内部電極１４６と静電吸着用電極１３０の間には電圧が印加され続けており、半導体ウェハＷと静電吸着用電極１３０は可搬型ステージ１４２に静電吸着している。
【００３５】
プラズマエッチング処理が終了した後、ゲートバルブ４６を開けて、半導体ウェハＷを可搬型ステージ１４２および静電吸着用電極１３０ごと処理室４４からロードロック室４０に搬出する。ゲートバルブ４６を閉じて、可搬型ステージ１４２と静電吸着用電極１３０の間の電圧印加を終了して、大気開放バルブ４８を開けて半導体ウェハＷのみをロードロック室４０から搬出する。その後、紫外線照射によってＢＧテープ１２を半導体ウェハＷから取外し、半導体ウェハＷを個々のチップにダイシングして、パッケージに封入する。
【００３６】
本実施例では、バックグラインド処理された半導体ウェハＷをプラズマエッチング処理する際に、ＢＧテープ１２を貫通する導通針１３２を介して、半導体ウェハＷを接地電位に維持する。これによって、半導体ウェハＷの表面側にＢＧテープ１２が貼り付けられた状態のままであっても、半導体ウェハＷは強い吸着力で可搬型ステージ１４２に保持される。小さな静電気力で半導体ウェハＷをしっかりと保持することができる。
【００３７】
また本実施例では、静電吸着用電極１３０の導通針１３２がＢＧテープ１２を刺貫いて半導体ウェハＷの表面と接するように、静電吸着用電極１３０が半導体ウェハＷに取り付けられる。ロードロック室４０内で半導体ウェハＷを真空環境下に置くことで、半導体ウェハＷの表面とＢＧテープ１２の接着剤１６の間に残留した空気や、接着剤１６にもともと含まれているガスなどが、導通針１３２の貫通によって形成された貫通穴を通じて除去される。処理室４４でのプラズマエッチング処理の際に半導体ウェハＷの一部が局所的に盛り上がってしまうことによる加工精度の低下を抑止することができる。
【００３８】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】表面側の加工が施された半導体ウェハＷを例示する図である。
【図２】ＢＧテープ１２が貼り付けられた半導体ウェハＷを示す図である。
【図３】半導体ウェハＷのバックグラインド処理の様子を示す図である。
【図４】半導体ウェハＷに支持板３０を取り付ける様子を示す図である（第１実施例）。
【図５】半導体ウェハＷを収容したロードロック室４０を真空排気する様子を示す図である（第１実施例）。
【図６】半導体ウェハＷをロードロック室４０から処理室４４に搬送する様子を示す図である（第１実施例）。
【図７】半導体ウェハＷのプラズマエッチング処理の様子を示す図である（第１実施例）。
【図８】半導体ウェハＷをロードロック室４０に搬入する様子を示す図である（第２実施例）。
【図９】半導体ウェハＷに静電吸着用電極１３０を取り付ける様子を示す図である（第２実施例）。
【図１０】半導体ウェハＷのプラズマエッチング処理の様子を示す図である（第２実施例）。
【符号の説明】
【００４０】
１０：テーブル
１２：ＢＧテープ
１４：基材
１６：接着剤
２０：チャックテーブル
２２：グラインダ
２４：真空排気孔
３０：支持板
３２：導通針
３４：ステージ
３６：搬送用パッド
４０：ロードロック室
４２：ステージ
４４：処理室
４６：ゲートバルブ
４８：大気開放バルブ
５０：静電吸着用ステージ
５２：支持棒
５４：内部電極
５６：上部電極
５８：貫通孔
１３０：静電吸着用電極
１３２：導通針
１３４：貫通孔
１４２：可搬型ステージ
１４４：マウント
１４６：内部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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