(57)【要約】【課題】主磁極に特性が良好な磁性材料の使用を可能としつつ、該主磁極の腐食障害を防止して、工程不良を回避することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に所定薄膜を順次積層して形成される記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、記録ヘッド部の基体上に記録用の磁極となる磁性層を形成する工程と、磁極の上にストッパ層を形成する工程と、ストッパ層の上に絶縁層を形成する工程と、ＣＭＰプロセスによりストッパ層の上面が表出するまで絶縁層を研磨する工程と、反応性ガス使用のドライエッチングにより磁極の上面が表出するまでストッパ層を除去する工程と、不活性ガス使用のドライエッチングにより所定深さまで磁極の上面を除去する工程と、ＣＭＰプロセスにより磁極の上面が平坦化されるまで研磨する工程とを備える。【選択図】図１
2009266331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜を順次積層して記録用の磁極を形成する工程と、
前記磁極の上に、ストッパ層を形成する工程と、
前記ストッパ層の上に、絶縁層を形成する工程と、
ＣＭＰプロセスによって、前記ストッパ層の上面が表出するまで前記絶縁層を研磨する工程と、
反応性ガスを用いるドライエッチングによって、前記磁極の上面が表出するまで前記ストッパ層を除去する工程と、
不活性ガスを用いるドライエッチングによって、所定深さまで前記磁極の上面を除去する工程と、
ＣＭＰプロセスによって、前記磁極の上面が平坦化されるまで研磨する工程と、を備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記磁極は、コバルトを含む合金からなる単層構造、もしくは最上層がコバルトを含む合金からなる層で構成される多層構造を有すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記反応性ガスとして、フッ素系反応性ガス、もしくはフッ素系反応性ガスとアルゴンとの混合ガスが用いられること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記不活性ガスとして、アルゴン、もしくはアルゴンと他の不活性ガスとの混合ガスが用いられること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記薄膜磁気ヘッドの層間を電気的に接続する端子部が、前記磁極と同一工程で同時に形成されること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
基板上に薄膜を順次積層して、少なくとも最上層にコバルトを含む合金を用いて記録用の磁極を形成する工程と、
前記磁極の上に、タンタルを用いてストッパ層を形成する工程と、
前記ストッパ層の上に、絶縁層を形成する工程と、
ＣＭＰプロセスによって、前記ストッパ層の上面が表出するまで前記絶縁層を研磨する工程と、
リアクティブイオンエッチング装置内において、フッ素系反応性ガスとアルゴンとの混合ガスを用いるドライエッチングによって、前記磁極の上面が表出するまで前記ストッパ層を除去し、次いでアルゴンを用いるドライエッチングによって、所定深さまで該磁極の上面を除去する工程と、
ＣＭＰプロセスによって、前記磁極の上面が平坦化されるまで研磨する工程と、を備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、さらに詳細には、基板上に所定の薄膜を順次積層して形成される記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の性能向上と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型再生素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
【０００３】
記録ヘッドについてみれば、近年の磁気ディスク装置において、記録密度の向上と共に記録用媒体により保磁力の大きな材料が使用されるようになってきたことを受けて、より狭いトラックに情報を書き込めるようにするため、大きな磁場を発生させることが求められている。このような背景の下、垂直記録型薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド、特に当該記録ヘッドの主磁極に高飽和磁束密度（高Ｂｓ）を有する磁性材料が用いられている。
しかしながら、高Ｂｓ材料は、一般に軟磁気特性が悪く、残留磁化成分が大きいために、記録用のコイル層に電流が流れていない場合でも主磁極 から発生する磁場によって、記録用媒体に記録した情報を消去してしまうという、いわゆるポールイレーズ等の問題が生じ得る。
【０００４】
ここで、主磁極の残留磁化成分によって生じるポールイレーズの問題を解消し、主磁極に高飽和磁束密度を有する磁性材料を使用することを可能として、高密度の記録を可能とする技術の例として、特許文献１記載の薄膜磁気ヘッドが提案されている（図８参照）。それによれば、主磁極１２０が、厚さ方向に磁性層を２層に積層して形成され、前記磁性層のうち、上層の磁性層１２１が第一の飽和磁束密度を有する高Ｂｓ磁性層として形成され、下層の磁性層１２２が前記第一の飽和磁束密度よりも低い第二の飽和磁束密度を有する低Ｂｓ磁性層として形成される構成を備える。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３１１０１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特性向上の観点から、前記特許文献１で提案されている薄膜磁気ヘッドのように、主磁極が、厚さ方向に磁性層を２層（もしくは複数層）に積層して形成され、上層（もしくは最上層）の磁性層が高Ｂｓ磁性層として形成され、下層の磁性層が低Ｂｓ磁性層として形成される構成が好適である。例えば、当該上層の磁性層に用いる高Ｂｓの材料としては、ＦｅＣｏ（鉄コバルト）が好適であり、また下層の磁性層に用いる低Ｂｓの材料としては、ＮｉＦｅが挙げられる。
しかし、最上層がＣｏ（コバルト）を含む合金からなる層で構成される多層構造（Ｃｏを含む合金からなる単層構造も含む）を有する薄膜磁気ヘッドは、その製造過程（詳細は後述）において、第１のＣＭＰプロセス後に、反応性ガスを用いるドライエッチング（ＲＩＥ等）によって、当該ＣＭＰプロセスのストッパ層（Ｔａ層）の除去を行うと、その次工程である第２のＣＭＰプロセス後に、主磁極上層の上面に腐食が発生することが明らかになった。これは、多層構造の上層もしくは単層構造としてＮｉＦｅを用いていた従来の主磁極においては生じなかった新たな課題である。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、主磁極に特性が良好な磁性材料の使用を可能としつつ、該主磁極の腐食障害を防止して、工程不良を回避することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。  
【０００９】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に薄膜を順次積層して記録用の磁極を形成する工程と、前記磁極の上に、ストッパ層を形成する工程と、前記ストッパ層の上に、絶縁層を形成する工程と、ＣＭＰプロセスによって、前記ストッパ層の上面が表出するまで前記絶縁層を研磨する工程と、反応性ガスを用いるドライエッチングによって、前記磁極の上面が表出するまで前記ストッパ層を除去する工程と、不活性ガスを用いるドライエッチングによって、所定深さまで前記磁極の上面を除去する工程と、ＣＭＰプロセスによって、前記磁極の上面が平坦化されるまで研磨する工程と、を備えることを要件とする。
【００１０】
また、前記磁極は、コバルトを含む合金からなる単層構造、もしくは最上層がコバルトを含む合金からなる層で構成される多層構造を有することを要件とする。
【００１１】
また、前記反応性ガスとして、フッ素系反応性ガス、もしくはフッ素系反応性ガスとアルゴンとの混合ガスが用いられることを要件とする。
【００１２】
また、前記不活性ガスとして、アルゴン、もしくはアルゴンと他の不活性ガスとの混合ガスが用いられることを要件とする。
【００１３】
また、前記薄膜磁気ヘッドの層間を電気的に接続する端子部が、前記磁極と同一工程で同時に形成されることを要件とする。
【００１４】
なお、前記ストッパ層にはタンタルを用いることが好適である。また、前記反応性ガスを用いるドライエッチング工程と、前記不活性ガスを用いるドライエッチング工程とをリアクティブイオンエッチング装置内において実施することが好適である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける主磁極の上層の磁性層を、高Ｂｓ材料を用いて形成する構成を実現しつつ、当該磁性層で課題となっていた腐食障害の発生を防止することが可能となる。これによって、製造される薄膜磁気ヘッドの特性向上と共に、製造工程におけるプロセス障害および製品における不良品発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド１の構成例を示す概略図（ヘッドハイト方向の断面図）である。図２〜図４は、その薄膜磁気ヘッド１の製造方法を説明するための説明図である。図５は、従来の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。図６は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の途中工程における薄膜磁気ヘッド１の上面図（概略図）である。図７は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における不活性ガス（Ａｒ）によるドライエッチング時間と素子（薄膜磁気ヘッド）の良品率との関係を示すグラフである。図８は、従来から提案されている薄膜磁気ヘッドの主磁極の構成例（浮上面側端部形状）を示す概略図である。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１の主磁極３０も一例として同様の構成を備える。
【００１７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド１は、ハードディスクなどの磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッド部３を有する薄膜磁気ヘッドである。
記録ヘッド部３が積層され、その積層面に直交する面に浮上面５が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面５によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
以下、薄膜磁気ヘッド１の構成について、垂直記録型の薄膜磁気ヘッドを例にとり説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
【００１８】
薄膜磁気ヘッド１は、一つの実施形態として、図１に示すように、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備える複合型薄膜磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型薄膜磁気ヘッドに限定するものではない。
ここで、図中の符合５は浮上面を表すが、本来、浮上面は、下記の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、以下に説明する途中工程においては、厳密には浮上面形成予定位置と考えるべきものである。
【００１９】
先ず、再生ヘッド部２の構成に関して、より具体的には、当該多層構造として、基板１１上に、下部シールド層１３、磁気抵抗効果型再生素子１４、上部シールド層１５が積層される。例えば、基板１１は、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等の絶縁材料を用いて構成される。
【００２０】
ここで、磁気抵抗効果型再生素子１４は、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子を用いて構成される。これらＴＭＲ素子およびＧＭＲ素子の膜構成としては、種々の構成を採用することができる。
【００２１】
下部シールド層１３は、磁性材料（軟磁性材）であるＮｉＦｅ等を用いて構成される。また、上部シールド層１５も、下部シールド層１３と同様にＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。
【００２２】
本実施の形態においては、上部シールド層１５の上層には、絶縁材料からなる磁性分離層１６が設けられて、その上に記録ヘッド部３が設けられる。
【００２３】
次に、記録ヘッド部３の構成に関して、より具体的には、ＮｉＦｅ等の磁性材料からなる下部リターンヨーク１８が設けられる。また、下部リターンヨーク１８上には、コイル下部絶縁層２０が設けられる。コイル下部絶縁層２０は、一例として、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。また、符号１９は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される絶縁層である。
なお、例えばコイル下部絶縁層２０中に、記録ヘッド部３の浮上面方向への意図的な突き出し量制御を行うためのＤＦＨヒータ（不図示）を設ける構成としてもよい。
【００２４】
コイル下絶縁層２０上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に下部コイル層２２が形成される。
また、下部コイル層２２の層間および層上に下部コイル絶縁層２４が設けられる。下部コイル絶縁層２４は、一例として、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。
【００２５】
下部コイル層２２、下部コイル絶縁層２４の上には、一部に絶縁層２６を介しつつ、補助磁極２８が設けられる。なお、一例として、補助磁極２８はＮｉＦｅ等の磁性材料により構成され、絶縁層２６はＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。また、符号２７は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される絶縁層である。
【００２６】
本実施の形態においては、基板１１から、絶縁層２７、補助磁極２８で構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という（図中、符号６）。
なお、基体６については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
【００２７】
基体６の上には、鍍金ベース５０を介して主磁極３０が設けられる。一例として、主磁極３０は、図８に示す構造と同様に、厚さ方向に磁性層を２層に積層して形成され、前記磁性層のうち、上層の磁性層が第一の飽和磁束密度を有する高Ｂｓ磁性層として形成され、下層の磁性層が前記第一の飽和磁束密度よりも低い第二の飽和磁束密度を有する低Ｂｓ磁性層として形成される。本実施の形態においては、上層の磁性層を高Ｂｓ材料のＦｅＣｏ（例えば６９．５％ＦｅＣｏ）を用いて形成し、下層の磁性層を低いＢｓ材料のＮｉＦｅ（例えば９０％ＮｉＦｅ）を用いて形成する。このような構成によって、主磁極の残留磁化成分によって生じるポールイレーズの問題を解消し、より高密度の記録が可能となる。
なお、主磁極３０の積層構造は上記２層構造には限定されず、高Ｂｓ磁性層を最上層に設ける多層構造であっても同様の効果を生じさせることが可能である。また、高Ｂｓ磁性層のみからなる単層構造等も考えられる。
一方、鍍金ベース５０は、一例として、下層から順にＴａ（タンタル）層５１、Ｒｕ（ルテニウム）層５２、ＮｉＦｅ層５３の３層構造である。
【００２８】
また、主磁極３０の上には、トレーリングギャップ３２および接続部３６が設けられ、トレーリングギャップ３２の一部の上に、トレーリングシールド３４が設けられる。一例として、トレーリングギャップ３２はＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成され、トレーリングシールド３４および接続部３６はＮｉＦｅ等の磁性材料により構成される。
なお、トレーリングシールド３４および接続部３６の周囲は、Ａｌ２Ｏ３等を用いた絶縁層３８が積層される。本実施の形態においては、この段階で、トレーリングシールド３４、接続部３６、絶縁層３８の上面が同一平面に平坦化されて構成される。
【００２９】
さらに、その上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に上部コイル層４２が形成される。
また、上部コイル層４２の巻線間および巻線上に上部コイル絶縁層４４が設けられる。上部コイル絶縁層４４は、一例として、レジスト等の絶縁材料により構成される。
【００３０】
上部コイル絶縁層４４の上には、上部リターンヨーク４７が設けられる。一例として、上部リターンヨーク４７はＮｉＦｅ等の磁性材料により構成される。
また、上部リターンヨーク４７の上には、Ａｌ２Ｏ３等を用いた絶縁層４８が積層される。
【００３１】
続いて、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１の製造方法について説明する。
当該製造方法の概要として、再生ヘッド部２を形成した後、磁性分離層１６を設けて、その上に前記構成を備える記録ヘッド部３を形成することとなるが、本実施の形態に特徴的な工程から説明を行う。
【００３２】
先ず、前記絶縁層２７、補助磁極２８で構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体６を形成した後、一例としてそれらの上面が連続する同一平面となるようにラッピングによって平坦化し、当該基体６上に鍍金ベース５０を介して主磁極３０を形成する。主磁極３０の浮上面側端部の形状（断面図）を図２（ａ）に示す（基体６等は不図示）。
なお、主磁極３０を形成する際は、レジスト材によりマスク（不図示）を形成したうえで、電解鍍金によって形成を行う。ここで、鍍金ベース５０は、下層から順にＴａ層５１、Ｒｕ層５２、ＮｉＦｅ層５３を積層して形成する。
【００３３】
次いで、後の工程で実施されるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨）プロセス（第１のＣＭＰプロセス）におけるストッパ層となるＴａ層３１をスパッタリングによって、主磁極３０および鍍金ベース５０上に形成する（図２（ｂ）参照）。
【００３４】
次いで、次工程で実施されるドライエッチングにおける保護層となるレジスト層５５を主磁極３０の周囲等、保護すべき箇所に形成する（図２（ｃ）参照）。
【００３５】
次いで、図２（ｄ）に示すように、ドライエッチング（例えばイオンミリング）によって、不要な箇所の鍍金ベース５０の除去を行う。
【００３６】
次いで、図３（ａ）に示すように、レジスト層５５の除去を行う。
【００３７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される絶縁層５６を、ストッパ層３１を覆うように形成する。
【００３８】
次いで、図３（ｃ）に示すように、ＣＭＰプロセス（第１のＣＭＰプロセス）により、ストッパ層３１の上面が表出するまで絶縁層５６を研磨する。このとき、ストッパ層３１を構成するＴａは当該ＣＭＰプロセスではほとんど膜減りしない。
【００３９】
次いで、図３（ｄ）に示すように、反応性ガスを用いるドライエッチング（例えばＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって、主磁極３０の上面が表出するまでストッパ層３１を除去する。なお、他の例として、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）によりドライエッチングを行ってもよい。
【００４０】
このとき、反応性ガスとして、フッ素系反応性ガス、もしくはフッ素系反応性ガスとＡｒ（アルゴン）との混合ガスを用いる。ここで、フッ素系反応性ガスの例として、ＣＦ４が挙げられ、その他にＣ２Ｆ６あるいはＳＦ６等の使用も考えられる。
本実施の形態においては、ＣＦ４とＡｒとの混合ガスを用いる。それによって、ＣＦ４のみを用いる場合には、ストッパ層（Ｔａ層）３１のエッチングレートが速くなってしまいプロセス制御が困難となり得るが、前記混合ガスを用いることで制御性を向上させることが可能となる。また、当該エッチングレートが高い状態では、主磁極３０の両脇においてサイドシールドギャップとなるＴａ層３１にもダメージを与える可能性があり、後に形状異常の原因となり得るため、当該混合ガスを用いて低いエッチングレートでドライエッチングを行うことが好適である。
【００４１】
ここで、従来の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、この後の工程として、図５に示すように、ＣＭＰプロセス（第２のＣＭＰプロセス）により、主磁極の上面が平坦化されるまで研磨する工程を実施していた。
しかしながら、そのような従来方法では、その後において最上層の磁性層（ＦｅＣｏ層）の表層に腐食障害が発生する課題が生じていた。その原因については、前工程のドライエッチングの際に、エッチングガス成分であるＦ（フッ素）が最上層の磁性層（ＦｅＣｏ層）の表層に侵入し、そのような状態の表層が当該ＣＭＰプロセスによる研磨時にスラリーおよび水に触れることで腐食を生じさせているものと考えられている。なお、最上層の磁性層にＮｉＦｅを用いていた従来の構成ではそのような腐食は生じていなかった。
【００４２】
これに対して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１の製造方法に特徴的な構成として、前記図３（ｄ）で示される工程（反応性ガスを用いるドライエッチングによって、主磁極３０の上面が表出するまでストッパ層３１を除去する工程）の後に続く工程として、図４（ａ）に示すように、不活性ガスを用いるドライエッチングによって、所定深さまで主磁極３０を構成する上層磁性層（ＦｅＣｏ層）の上面（表層部分）を除去する工程を実施する。なお、当該深さは、前工程であるドライエッチングの反応性ガス成分であるＦ（フッ素）が侵入している深さまでであって、当該ドライエッチングの条件により異なるが、一例として１５ｎｍ程度である。
また、本実施形態では、当該不活性ガスとしてＡｒを用いるが、Ａｒと他の不活性ガスとの混合ガスを用いることも考えられる。
【００４３】
この工程によって、腐食障害の原因と考えられるドライエッチングの反応性ガス成分であるＦ（フッ素）が侵入した主磁極３０の上層磁性層（ＦｅＣｏ層）の表層を除去することが可能となる。
その結果、主磁極３０の上層の腐食を防止することができ、また当該腐食に起因するプロセス障害および不良品発生を防止することが可能となる。
【００４４】
また前述のように、図３（ｄ）で示される反応性ガスを用いるドライエッチング工程においてフッ素系ガスとＡｒとの混合ガスを用い、図４（ａ）で示される不活性ガスを用いるドライエッチング工程においてＡｒを用いることによって、二つの工程を同一の装置つまりＲＩＥ装置内で実施することが容易に可能となる。これは、Ａｒが共通であるため、フッ素系反応性ガスの供給・停止のみで二つの工程を使い分けることができるからである。
その結果、それぞれの工程を別装置で実施する場合に比べて、手順が大幅に簡素化され、装置間を移動させる工程を省略でき、製造時間の短縮を図ることができる。
もちろん、図３（ｄ）で示される反応性ガスを用いるドライエッチングをＲＩＥ装置内で実施し、図４（ａ）で示される不活性ガスを用いるドライエッチングをイオンミル装置内で実施しても構わない。
【００４５】
図４（ａ）に示される工程の実施後は、図４（ｂ）に示すように、ＣＭＰプロセス（第２のＣＭＰプロセス）により、主磁極３０の上面が平坦化されるまで研磨する工程を実施する。
【００４６】
その後、公知の所定層を上層に積層する工程（不図示）を実施して、最終的に図１に示す薄膜磁気ヘッド１に形成される。
【００４７】
また、本実施の形態に特徴的な構成として、薄膜磁気ヘッド１の層間を電気的に接続する端子部と、主磁極３０とを、同一工程で同時に形成する。
ここで、端子部の例として、図６に示されるＤＦＨヒータ用の端子部６０等が挙げられる。なお、図６は、本実施の形態に係る製造方法の途中工程（図４（ｂ）の工程が終了した段階）における、薄膜磁気ヘッド１の上面図（概略図）である。
【００４８】
これによれば、前記腐食障害は、特に、主磁極と同一工程で形成される端子部に多く発生する傾向があったため、それを解決し、プロセス障害および不良品発生を防止することが可能となる。
【００４９】
最後に、前記図４（ａ）で示される不活性ガスを用いるドライエッチング工程に関して、当該ドライエッチングの時間と、製造される素子（薄膜磁気ヘッド）の良品率との関係を図７に示す。これによって、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の有効性を証明する。
図７に示す通り、不活性ガス（ここではＡｒ）を用いるドライエッチングを行わない場合には、製造される素子（薄膜磁気ヘッド）の良品率が１．５３％、すなわちほとんどが不良状態である（腐食が発生している）ことが判明した。これに対して、当該ドライエッチングを１２０秒実施した場合の素子良品率は５７．３％で、さらに、当該ドライエッチングを２４０秒実施した場合の素子良品率は９２．６％であった。
このように、不活性ガスを用いるドライエッチング工程が、腐食障害の発生を防止し、これに起因するプロセス障害および不良品発生に対して非常に有効であることは明らかである。なお、一例として本実施形態の構成の場合には、良品率１００％を得るために、Ａｒを用いたドライエッチングの時間を２５０秒以上とすることが好適である。
【００５０】
以上説明した通り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、主磁極の上層の磁性層を、Ｃｏ合金からなる高Ｂｓ材料を用いて形成する構成によって、ポールイレーズの問題を解消し、より高密度の記録が可能な薄膜磁気ヘッドが提供される。その一方で、主磁極の上層にＣｏ合金層を用いることによって生じる腐食障害の発生を防止し、該腐食障害に起因する製造工程におけるプロセス障害および製品である薄膜磁気ヘッドにおける不良品発生を防止することが可能となる。
【００５１】
なお、垂直記録型薄膜磁気ヘッドを例にとり説明を行ったが、これに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの構成例を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図５】従来の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の途中工程における薄膜磁気ヘッドの上面図（概略図）である。
【図７】不活性ガス（Ａｒ）によるドライエッチング時間と素子（薄膜磁気ヘッド）の良品率との関係を示すグラフである。
【図８】従来から提案されている薄膜磁気ヘッドの主磁極の構成例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  薄膜磁気ヘッド
２  再生ヘッド部
３  記録ヘッド部
５  浮上面
６  基体
１１  基板
１３  下部シールド層
１４  磁気抵抗効果型再生素子
１５  上部シールド層
１６  磁性分離層
１８  下部リターンヨーク
２０  コイル下部絶縁層
２２  下部コイル層
２４  下部コイル絶縁層
２６、２７、３８、４８  絶縁層
２８  補助磁極
３０  主磁極
３２  トレーリングギャップ
３４  トレーリングシールド
３６  接続部
４２  上部コイル層
４４  上部コイル絶縁層
４７  上部リターンヨーク
５０  鍍金ベース
６０、６１、６２  端子部
６５  抵抗体
６６、６７  導電性材料の層
【図１】
2009266331.tif 000003
【図２】
2009266331.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図７】
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