(57)【要約】【課題】本発明の目的は、均一なエッチングによりトラック方向の磁気的干渉を低減し、記録密度の向上が可能な、磁気記録媒体の製造方法、および当該製造方法により得られた磁気記録媒体を提供することにある。【解決手段】少なくとも基板および磁性層を含む被加工体の記録面に凹凸形状を有する、ドーナツ状の磁気記録媒体を製造するにあたり、上記被加工体を形成する工程、上記被加工体の中心部円孔を絶縁体からなるフィルムで封止するとともに、上記被加工体の記録面を成形レジストで覆う工程、上記被加工体の記録面にエッチング処理を施すとともに、上記中心部円孔の外周に位置するフィルムをエッチングにより除去してフィルム分離領域を形成する工程、および上記フィルム分離領域の内周側に位置するフィルムを除去する工程を含む。【選択図】図１
2009093741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板および磁性層を含む被加工体の記録面に凹凸形状を有する、ドーナツ状の磁気記録媒体の製造方法であって、
前記被加工体を形成する工程、
前記被加工体の中心部円孔を絶縁体からなるフィルムで封止するとともに、前記被加工体の記録面を成形レジストで覆う工程、
前記被加工体の記録面にエッチング処理を施すとともに、前記中心部円孔の外周に位置するフィルムをエッチングにより除去してフィルム分離領域を形成する工程、および
前記フィルム分離領域の内周側に位置するフィルムを除去する工程
を含むことを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記被加工体の中心部円孔を絶縁体からなるフィルムで封止する前に、前記中心部円孔にスペーサを挿入する工程をさらに含み、前記フィルム分離領域の内周側に位置するフィルムを除去する際に、前記スペーサを同時に除去することを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記フィルムと前記成形レジストとを同一材料とすることを特徴とする、請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法により得られたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。より詳しくは、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、記録面におけるエッチングを均一なものとし、トラック方向の磁気的干渉を低減して記録密度を向上させることができる、磁気記録媒体の製造方法に関する。本発明は、このような製造方法により得られた磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の記録密度を向上させる様々な試みがなされている。例えば、記録面のトラック方向に沿って凹凸構造を形成し、トラック間の磁気的干渉を低減させることで、トラック密度を高め、ひいては記録密度を向上させる磁気記録媒体に関する技術が多数提案されている。
【０００３】
特許文献１には、基板両面に連続記録層が形成された被加工体を加工し、多数の分割記録要素で構成された分割記録層を上記基板両面に形成し、上記被加工体の両面を同時に加工する加工工程を含む、磁気記録媒体の製造方法が開示されている。
【０００４】
特許文献１の磁気記録媒体は、レジストにより凹凸パターンを形成し、その後、エッチング等によりレジスト形状を利用して磁性層のトラック方向の分離を行い、必要な場合には、保護層成膜、凹部の埋め込み処理を実施して得られる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−５６５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図３は、従来技術によって磁気記録媒体を製造する場合の概略図であり、（ａ）はその全体を示し、（ｂ）は図３（ａ）の中心部付近を示す模式図である。なお、同図において、符号１００は成形レジスト１０２および磁気記録媒体１０４からなる被加工体、１０６はイオンビーム、１０８は被加工体の中心部円孔、および１１０は再堆積物をそれぞれ示す。
【０００７】
図３（ａ）に示すように、従来、被加工体１００の両面に同時にイオンビーム１０６を照射することが工業的に行なわれている。このような照射態様の下では、図３（ｂ）に示すように、エッチングプロセスにおいて、被加工体の中心部円孔１０８でプラズマの干渉が生し、被加工体の中心部円孔１０８付近では、エッチングされた物質が再堆積物１１０となるおそれがある。このような状況下では、エッチングが不均一となり、ひいては磁気特性の低下および／またはヘッド飛行傷害を招来する可能性が高い。
【０００８】
上述のように、種々の磁気記録媒体の製造方法に関する技術が開示されているが、上記のようなプラズマの干渉および／または物質の再堆積を回避し、均一なエッチングによりトラック方向の磁気的干渉を低減して、記録密度の向上させる技術に対する要求が存在する。
【０００９】
従って、本発明の目的は、均一なエッチングによりトラック方向の磁気的干渉を低減し、記録密度の向上が可能な、磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、当該製造方法により得られた磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、少なくとも基板および磁性層を含む被加工体の記録面に凹凸形状を有する、ドーナツ状の磁気記録媒体を製造するにあたり、上記被加工体を形成する工程、上記被加工体の中心部円孔を絶縁体からなるフィルムで封止するとともに、上記被加工体の記録面を成形レジストで覆う工程、上記被加工体の記録面にエッチング処理を施すとともに、上記中心部円孔の外周に位置するフィルムをエッチングにより除去してフィルム分離領域を形成する工程、および上記フィルム分離領域の内周側に位置するフィルムを除去する工程を含む、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【００１１】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、優れた記録密度を有する磁気記録媒体を得るために使用される。このような磁気記録媒体の製造方法においては、上記被加工体の中心部円孔を絶縁体からなるフィルムで封止する前に、上記中心部円孔にスペーサを挿入する工程をさらに含み、上記フィルム分離領域の内周側に位置するフィルムを除去する際に、上記スペーサを同時に除去することができる。このような場合には、上記フィルムと上記成形レジストとを同一材料とすることが望ましい。
【００１２】
本発明は、このような方法により得られた磁気記録媒体を包含する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、特に、被加工体の中心部円孔を絶縁体材料からなるフィルムで一旦封止し、次いで被加工体の記録面に対して所定の凹凸形状を形成した後に、当該フィルムを除去する方法である。このため、フィルムによる封止を行なわない従来技術において問題となっていたような、エッチングプロセスでの円孔を通したプラズマの干渉および／またはエッチングされた物質の再堆積を防止できる。よって、本発明の製造方法によれば、記録面でのエッチングを均一なものとすることができ、トラック方向の磁気的干渉を低減して、記録密度の向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、図面を参照して本発明の磁気記録媒体の製造方法に関する好適な実施形態を説明する。なお、以下に示す例は、単なる例示であって、当業者の通常の創作能力の範囲で適宜設計変更することができる。
【００１５】
＜第１工程＞
第１工程は、被加工体の形成工程である。被加工体は、少なくとも基板と磁性層とを含む。以下に、図１（ａ）に示すような、基板１２、軟磁性裏打ち層１４、非磁性結晶配向制御層１６、下地層１８、および磁性層２０を順次積層した被加工体について、その形成手順を説明する。
【００１６】
（基板の洗浄）
基板としては、例えば、ガラス基板を用いることができる。ガラス基板の材料としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、結晶化ガラスを用いることができる。特に、高記憶密度記録が可能な垂直磁気ディスクに適用するガラス基板には、表面の高平坦性の観点から、アモルファス系のガラスを用いることが好ましい。
【００１７】
ガラス基板を洗浄する。当該洗浄としては、自然酸化膜を取り除く方法として効果の高い所定の薬品、例えば、酸、もしくはアルカリによる溶液洗浄の他、各種プラズマまたはイオンを用いたドライ洗浄を使用することができる。特に、設計寸法の高精度化、使用薬品から生じる廃液処理、洗浄の自動化等の観点からは、上記ドライ洗浄を用いることが好ましい。
【００１８】
（軟磁性裏打ち層の形成）
軟磁性裏打ち層は、情報の記録時にヘッドから発生する磁束の広がりを抑制し、垂直方向の磁界を十分に確保する役割を担う、任意選択的に用いる層である。軟磁性裏打ち層の材料としては、Ｎｉ合金、Ｆｅ合金、Ｃｏ合金、Ｔａ合金、およびＺｒ合金を用いることができる。例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒおよびＣｏＴａＺｒＮｂなどの非晶質Ｃｏ−Ｚｒ系合金、またはＣｏＦｅＮｂ、ＣｏＦｅＺｒＮｂおよびＣｏＦｅＴａＺｒＮｂなどの非晶質Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いることにより、良好な電磁変換特性を得ることができる。また、これらの他にも、Ｆｅ−Ｂ系合金およびフェライト組織のＦｅ系合金などの各種軟磁性材料を用いることができる。
【００１９】
洗浄したガラス基板をスパッタ装置に導入した後、軟磁性裏打ち層を所定のターゲットを用いて、各種スパッタ法により形成する。例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることができる。ここで、スパッタ装置内の雰囲気はアルゴン雰囲気とし、装置内圧力は０．７〜１．５Ｐａとし、装置内温度は加熱なしとし、成膜レートは２〜１０ｎｍ／秒とし、ターゲットと基板との距離は５〜１５ｎｍとすることが好ましい。
【００２０】
軟磁性裏打ち層の膜厚は、記録の際に使用する磁気ヘッドの構造を考慮するとともに生産性を考慮して、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲とすることが好ましい。当該膜厚を１０ｎｍ以上とすることで、磁束の広がりを抑える効果を有することができる。また、当該膜厚を１００ｎｍ以下とすることで、優れた生産性を実現することができる。
【００２１】
（非磁性結晶配向制御層の形成）
非磁性結晶配向制御層は、この上層として形成する下地層、ひいては磁性層の配向性および粒径を制御する役割を担う、任意選択的に用いる層であり、例えばＡｕ、Ａｇ、およびＰｔなどの貴金属元素を含む材料を用いることが好ましい。また、非磁性結晶配向制御層に酸化し易い材料を用いる場合には、下地層の形成前に高真空状態を維持して表面への酸素の付着を防止し、非磁性結晶配向制御層の酸化されていない表面状態を得ることができる。
【００２２】
軟磁性裏打ち層上に、非磁性結晶配向制御層を所定のターゲットを用いて、各種スパッタ法により形成する。例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることができる。ここで、スパッタ装置内の雰囲気はアルゴン雰囲気とし、装置内圧力は０．７〜２Ｐａとし、装置内温度は加熱なしとし、成膜レートは２〜１０ｎｍ／秒とし、ターゲットと基板との距離は５〜１５ｎｍとすることが好ましい。
【００２３】
非磁性結晶配向制御層の膜厚は、最終的に磁性層の磁気特性および電磁変換特性が所望の値になるように適宜調製され、２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲とすることが好ましい。当該膜厚を２ｎｍ以上とすることで、下地層ひいては磁性層の配向性の劣化が抑制される。また、当該膜厚を２０ｎｍ以下とすることで、非磁性結晶配向制御層の粒径を過度に大きくせず、これにより下地層を介して磁性層の粒径の微細化を実現することができ、電磁変換特性の劣化を抑制することができる。
【００２４】
（下地層の形成）
下地層は、それ自身の配向性の向上および粒径の微細化によって、この上層として形成する磁性層の配向性の向上および粒径の微細化を実現し、磁気特性という点で不所望な磁性層の初期層の発生を抑制する非磁性層である。下地層は、Ｃｒ等から形成することができる。
【００２５】
非磁性結晶配向制御層上に下地層を形成する。この際、下地層の形成方法としては、下地層に芳香族化合物を用いることができ、この場合には、その分子構造を破壊しない、蒸着法を用いることが好ましい。
【００２６】
蒸着法としては、非磁性結晶配向制御層上に、下地層を所定のターゲットを用いて、各種スパッタ法により形成する。例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることができる。ここで、スパッタ法を用いる場合には、スパッタ装置内の雰囲気はアルゴン雰囲気とし、装置内圧力は２．５〜１２Ｐａとし、装置内温度は加熱なしとし、成膜レートは２〜１０ｎｍ／秒とし、ターゲットと基板との距離は５〜１５ｎｍとすることが好ましい。
【００２７】
磁性層の初期層の形成を抑制するためには、下地層の良好な結晶性を得ることが肝要であり、下地層の膜厚を１ｎｍ以上の範囲とすることが好ましい。これにより、下地層の良好な結晶性に起因する配向性の劣化を抑制でき、これに伴い磁性層の優れた配向性および結晶粒の分離性も達成でき、さらに磁性層の初期成長層形成が抑制される。また、下地層の膜厚を２０ｎｍ以下とすることにより、下地層の粒径が肥大化せず、これに伴い磁性層の粒径の肥大化も抑制することができる。このような、下地層の膜厚の制御により、さらにノイズの低減を図ることができる。
【００２８】
（磁性層の形成）
磁性層は、情報を記録および再生するための層である。磁性層を垂直磁気記録媒体の一部として用いるためには、磁化容易軸を基板面に対して垂直方向に配向させる必要がある。磁性層は、Ｃｏを含む合金を含む材料から構成する。Ｃｏを含む合金としては、Ｃｏ−Ｐｔ系合金およびＣｏ−Ｃｒ系合金を用いることができる。
【００２９】
下地層上に、磁性層を所定のターゲットを用いて、各種スパッタ法により形成する。例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることができる。ここで、スパッタ装置内の雰囲気はアルゴン雰囲気とし、装置内圧力は０．７〜４Ｐａとし、装置内温度は加熱なしとし、成膜レートは２〜１０ｎｍ／秒とし、ターゲットと基板との距離は５〜１５ｎｍとすることが好ましい。
【００３０】
磁性層の膜厚は、８ｎｍ〜２０ｎｍの範囲とすることが好ましい。８ｎｍ以上とすることにより、熱安定性の劣化を抑制できる。また、２０ｎｍ以下とすることにより、ヘッド磁界を磁性膜全体に届かせ、良好な書込み特性が得られる。
【００３１】
以上のようにして、図１（ａ）に示すような、基板１２、軟磁性裏打ち層１４、非磁性結晶配向制御層１６、下地層１８、および磁性層２０を順次積層した被加工体が得られる。
【００３２】
（その他の層）
なお、このような磁性層２０上には、図示しない保護層および潤滑層を形成することができる。保護層は、磁性層の腐食防止と、磁気ヘッドの媒体接触時における磁性層の損傷の防止とを目的として形成される層である。保護層には、通常使用される材料、例えば、Ｃ、ＳｉＯ2、およびＺｒＯ2のいずれかを主体とする層を用いることができる。保護層の厚さは、通常の磁気記録媒体で用いる膜厚の範囲、例えば、２ｎｍ〜５ｎｍの範囲とすることが好ましい。保護層は、磁性層上に、ＣＶＤ法により形成することができる。保護層の他の形成方法としては、カーボンターゲットを用いたスパッタ法、およびイオンビーム法等が挙げられ、これらの方法は公知の態様を採用することができる。特に、ＣＶＤ法またはイオンビーム法を用いた場合には、保護層を薄くすることができ、高記録密度をより高いレベルで実現できる。
【００３３】
次に、潤滑層は、磁気ヘッドと媒体との間の潤滑特性を確保する目的で形成される層である。潤滑層は、通常使用される材料、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、およびフッ素化カルボン酸の潤滑剤を用いることができる。潤滑層の厚さは、通常磁気記録媒体で用いられる膜厚の範囲、例えば、０．５ｎｍ〜２ｎｍの範囲とすることができる。潤滑層は、保護層が形成された積層体を、真空装置から取り出し、保護層上に、潤滑層を、ディップ法により形成できる。
【００３４】
＜第２工程＞
第２工程は、図１（ｂ）に示すように、被加工体１０の中心部円孔１０ａを絶縁体からなるフィルム２２で封止するとともに、被加工体１０の記録面を成形レジスト２４で覆う工程である。
【００３５】
（フィルムによる封止）
フィルム２２は、インプリントにより形成することができる。この場合には、当該形成後にフィルムを硬化させてその形状を維持することが肝要である。このため、使用可能フィルム材料としては、このような硬化条件に合致するものであることが必要である。これらの諸条件を満たすものとして、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑樹脂などを用いることができる。
【００３６】
フィルム２２による封止時には、図１（ｂ）に示すように、フィルム２２と被加工体１０との間に、気泡、パーティクルなどが入らないように、フィルム２２を被加工体１０に接触させる必要がある。このため、フィルム２２による封止は、真空中で行なうことが好ましい。
【００３７】
次いで、フィルム２２を被加工体１０に接触させた後、石英からなるインプリントモールドを、機械的にフィルム２２に圧着させる。その結果、フィルム２２が被加工体１０に対して圧着され、両者が密着することとなる。
【００３８】
（成形レジストによる被覆）
フィルム２２と成形レジスト２４は異なる材料を用いて別体として形成することができる。この場合には、成形レジスト２４を、硬化タイプ樹脂を材料とし、スピンコート法を用いて形成することができる。
【００３９】
これに対し、上記のように、フィルム２２をインプリントにより形成する場合には、フィルム２２と成形レジスト２４とを同材料とし、しかも、これらを一体物として形成することが、製造効率の観点から望ましい。このようなフィルム２２と成形レジスト２４との一体形成の場合には、フィルム２２および成形レジスト２４の材料としては、以下に示すものを用いることができる。
【００４０】
即ち、例えば、熱ナノインプリントにおいては、ポリメタルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの熱可塑性樹脂、エポキシなどの熱硬化性樹脂を用いることができる。一方、ＵＶナノプリントにおいては、アクリル樹脂などのＵＶ硬化性の樹脂を用いることができる。
【００４１】
インプリントによる一体形成の場合の、フィルム２２および成形レジスト２４の膜厚は、所定の残膜厚さを有していれば問題ない。具体的には、その後のインプリントモールドによる機械的な圧着による成形レジスト２４への凹凸形状の形成において、所望の凹凸を形成できる厚みを有していればよい。より具体的には、１μｍ以下であることが、適切なアスペクト比に設定する観点から好ましく、０．５μｍ以下であることが、パーティクル発生防止の観点からより好ましい。なお、フィルム２２の半径に関するサイズは、磁気記録媒体以上であれば特に制限はない。
【００４２】
次いで、フィルム２２および成形レジスト２４を被加工体１０に接触させた後、同心円状にトラック幅に対応した３０〜２００ｎｍピッチの凹凸が形成された石英からなるインプリントモールドを、機械的にフィルム２２および成形レジスト２４に圧着させる。これにより、成形レジスト２４に凹凸形状が形成され、フィルム２２およびが被加工体１０に対して圧着され、これらが被加工体１０に密着することとなる。
【００４３】
＜第３工程＞
第３工程は、図１（ｃ）および（ｄ）に示すように、被加工体１０の記録面にエッチング処理を施すとともに、中心部円孔１０ａの外周に位置するフィルムをエッチングにより除去してフィルム分離領域３２を形成する工程である。なお、以下に示す例では、エッチングとして、イオンビーム３４の照射によりエッチングを行なう例を示す。
【００４４】
（エッチング処理）
図１（ｃ）および（ｄ）に示すエッチングは、通常のエッチング装置（例えば、イオンミリング装置）を用いて、真空雰囲気下で行なうことができる。エッチング条件は、使用するエッチング装置により異なるが、基本的には、被加工体１０の最外部に位置する磁性層が目標の形状、即ち目標の線幅および側壁傾斜角に形成きればよい。また、エッチングの過程で成形レジスト２４が変質または変形せずにエッチングされる条件であることが要求される。このような条件を満たすには、具体的には、エッチングの条件を、加速電圧２００〜４００Ｖ、およびイオンビーム電流１５０〜１０００ｍＡとすることが好ましい。
【００４５】
図１（ｃ）において、成形レジスト２４は、トラックを分離するライン状凹凸領域、サーボパタン領域などからなる。成形レジストの凹部は理想的には膜厚ゼロが望ましいが、インプリントの原理上、残膜が残存する。この残膜と凸部の膜厚差を利用してエッチングにより磁性層に凹凸を形成する。ライン状凹凸領域の仕様は記録容量により異なるが、一般的に１００ｎｍ以下の幅が目標値である。
【００４６】
また、成形レジスト２４の膜厚の仕様は、エッチングされる被加工体１０の層構成に対応して異なり、凹部のエッチングが進行し、凹部の磁性層を除去した時点で、凸部のレジストが残存していることが肝要である。また、プロセスにより成形レジスト２４の下に金属薄膜のハードマスクを設けることもできる。この場合は、凹部の磁性層を除去した時点で凸部のハードマスク膜中でエッチングが終了することが肝要である。
【００４７】
（フィルム分離領域の形成）
後述するフィルム２２の除去を行なう前に、フィルム分離領域３２を形成する。フィルム２２に当該分離領域が存在しない場合には、記録領域に形成された凹凸パターンに影響を与えずに中心部円孔１０ａに沿ってフィルム２２の除去を行なうことが困難である。このため、何らかの方法で中心部円孔１０ａに沿った切り欠きを施した後、機械的にフィルム２２を除去するか、円孔１０ａ全体を何らかの方法で除去することが必要である。例えば、切り欠きの形成方法としては、刃物による切削加工が挙げられる。円孔１０ａ全体の除去については、レーザー光線による熱的加工などが挙げられる。しかしながら、いずれの除去方法においても、加工時に発生するパーティクルが記録面に付着することは回避困難である。最終的には付着したパーティクルはヘッド浮上性を悪化させる。また、何らかの加工プロセスの追加が必要であり、生産性が低下する。
【００４８】
切削加工した場合には、フィルム２２の加工端部にバリが発生する。このバリがエッチングにより切り離されてパーティクルとなる。また、レーザーによる加工では、加工端部が炭化し、パーティクルを発生する。
【００４９】
このため、本発明では、図１（ｄ）に示すように、フィルム２２の除去前に、フィルム分離領域３２を形成する。フィルム分離領域３２の形成は、インプリントにより形成された凹部をエッチングすることで行なう。フィルム分離領域３２の具体的な形成位置は中心部円孔１０ａの外周であって、その形状は環状溝である。このようにすれば、フィルム分離領域３２の存在により、フィルム２２上にバリ等が発生することなく、後述する除去工程において、分離に伴うパーティクルの発生を防止して、フィルム２２を好適に分離することができる。
【００５０】
フィルム分離領域３２の幅は、基本的には制限されるものではないが、その後のフィルム２２の除去作業を容易に行なう観点から、１μｍ以上とすることが好ましい。また、当該幅は、中心部円孔１０ａ上に位置するフィルム２２が他の部分から分離されていればよいが、エッチングにおいてイオンビームが分離領域底面に到達するする必要がある。このため、凹部と同等かそれ以上のエッチング溝深さを必要とするから、フィルム分離領域３２の幅は当該溝深さと同じ程度以上の幅であることが好ましい。さらに、フィルム分離領域３２を利用してフィルム２２を除去する場合には、フィルム２２の機械的ずれ、およびフィルム２２の変形を考慮する必要がある。よって、フィルム分離領域３２の幅は、１００μｍ以上とすることが好ましい。
【００５１】
フィルム分離領域３２の膜厚は、エッチング処理時間においてフィルム２２が消失する膜厚以下である必要がある。また、当該膜厚は、フィルム分離領域３２の機能上、磁性層までエッチングする必要がないことから、凹部の膜厚と磁性層とを分離するエッチング時間を合わせた膜厚範囲であればよい。このため、分離領域の膜厚は０ｎｍとすることが最も適当である。また、図１（ｄ）に示す例では、被加工体の最外層は磁性層であるが、当該磁性層上にカーボン製の保護層を形成した場合には、当該保護層を１ｎｍエッチングする範囲とすることができる。これらの場合のエッチング処理時間は、１００〜３００秒とすることが好ましい。
【００５２】
＜第４工程＞
第４工程は、図１（ｅ）に示すように、フィルム分離領域３２の内周側に位置するフィルム２２を除去する工程である。
【００５３】
フィルム２２を除去する方法として、図１（ｅ）に示す中心部円孔１０ａを封止したフィルム２２を機械的に除去する方法が挙げられる。例えば、図示しないが、両側から吸引タイプのパイプ先端をフィルム２２に接触させて吸引しながら、フィルム２２と被加工体１０分離する方法を採用することができる。また、より簡易な方法として、中心部円孔１０ａより細い棒状の物体により、一方側からフィルム２２を押すことで除去する方法を採用することもできる。いずれの方法も、フィルム２２を何らかの部材により機械的に分離する工程と分離したフィルム２２を当該部材から取り去る工程とからなり、必要であれば、事後的に被加工体１０をクリーニングする工程を追加することもできる。
【００５４】
以上は、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例であるが、上記例に対しては、種々の変更を行なうことができる。
図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す他の例である。なお、図２（ａ）〜（ｅ）において、符号をしていない構成部材については、図１の対応部材と同じである。図２に示す例は、フィルム２２および成形レジスト２４を同一材料とし、かつ一体物として形成することを前提に、これらをスピンコートにより形成する例である。
【００５５】
この場合には、図２（ａ）に示すような被加工体の形成の後、被加工体１０に対してフィルム２２および成形レジスト２４を形成する前に、図２（ｂ）に示すように、中心部円孔１０ａにスペーサをはめ込む。スペーサ２６としては、中心部円孔１０ａを確実に装填し、その外表面が被加工体１０の外表面と一致するものであれば特に制限はない。例えば、樹脂、金属、セラミックを使用することができ、生産性、経済性の観点からは、特に樹脂を使用することが好ましい。また、上記はめ込み態様としては、例えば、圧入方式を採用することができる。
【００５６】
このような材料からなるスペーサ２６および被加工体１０上への、フィルム２２および成形レジスト２４のスピンコートは、スペーサ２６および被加工体１０上で連続膜になる条件下で行なうことが好ましい。中でも、除去時の生産性の観点からは、特にスペーサ２６および被加工体１０上で同一膜厚になるスピンコートの条件下で行なうことが好ましい。
【００５７】
次いで、図２（ｃ），（ｄ）に示すような所定のエッチング処理およびフィルム分離領域３２の形成を行った後、図２（ｅ）に示すように、フィルム分離領域３２の内周側に位置するフィルム２２を除去する。この際には、例えば、図２（ｅ）に示すように、スペーサ２６はフィルム２２の一方側とともに除去することができる。
【００５８】
このようなスペーサ２６の具体的な除去態様としては、封止フィルムに限定した除去の条件下で、除去時に発生するパーティクルに留意することが肝要である。中でも、ヘッド浮上の観点からは、特にヘッド浮上試験に適合する条件下で行なうことが好ましい。
【００５９】
以上に示す、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、被加工体の中心部円孔のフィルムでの事前封止を含む。このため、フィルムによる封止を行なわない従来技術において問題となっていたような、エッチングプロセスでの円孔を通したプラズマの干渉等を確実に防止し、トラック方向の磁気的干渉を低減して、記録密度の向上させることができる。
【実施例】
【００６０】
＜磁気記録媒体の製造＞
（実施例）
図１に示すような態様で、本発明の範囲の製造方法により磁気記録媒体を得た。
即ち、まず、基板として、直径６５ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍの化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用意した。これを超音波法にて洗浄し、スパッタ装置内に導入後、Ｃｏ−８Ｚｒ−５Ｎｂ（数字は引き続く元素のａｔ％を表し、Ｚｒが８ａｔ％、Ｎｂが５ａｔ％、残部がＣｏであることを表す。以下同様。）ターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を１００ｎｍの膜厚で形成した。次いで、Ｎｉ−１２Ｆｅ−８Ｂターゲットを用いて、非磁性結晶配向制御層を５ｎｍの膜厚で形成した。さらに、Ｚｎ−３３Ｔａ−８Ｃｒターゲットを用いて下地層をＡｒガス圧５．０Ｐａ下で１０ｎｍの膜厚で形成した。続いて、磁性層を、９０モル％（Ｃｏ−８Ｃｒ−１６Ｐｔ）−１０モル％ＳｉＯ2ターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下で膜厚１５ｎｍで形成した。最後に、磁性層上に保護層をカーボンターゲットを用いたスパッタ法により膜厚５ｎｍで形成し、図１（ａ）に示す被加工体１０を得た。
【００６１】
次いて、図１（ｂ）に示すように、被加工体１０に対して、フィルム２２および成形レジスト２４を同一材料の一体物として、ＵＶ硬化タイプのアクリル樹脂をインプリントにより０．５μｍ形成した。さらに、同心円状にトラック幅に対応した８０ｎｍピッチの凹凸が形成された石英からなるインプリントモールドを、機械的にフィルム２２および成形レジスト２４に圧着させた。これにより、成形レジスト２４に凹凸形状が形成され、フィルム２２およびが被加工体１０に対して圧着され、これらが被加工体１０に密着した。
【００６２】
続いて、図１（ｃ）および（ｄ）に示すように、所定のエッチングを行い、成形レジスト２４に所定の形状を付与するとともに、中心部円孔１０ａの外周に位置するフィルム２２をエッチングにより除去してフィルム分離領域３２を形成した。即ち、アルゴンガスを用いて、真空雰囲気下でエッチングを行った。この際、エッチング条件は、加速電圧５００Ｖ、およびイオンビーム電流２００ｍＡ、エッチング時間を３００秒とし、ライン状凹凸領域の仕様は、１００ｎｍ以下の幅とした。また、図１（ｄ）に示すフィルム分離領域３２の幅は、１００μｍとした。
【００６３】
最後に、図１（ｅ）に示すように、中心部円孔１０ａを封止したフィルム２２を機械的に除去する方法を用いてフィルム２２を除去した。具体的には、両側から吸引タイプのパイプ先端をフィルム２２に接触させて吸引しながら、フィルム２２と被加工体１０分離した。以上のようにして、実施例の磁気記録媒体を得た。
【００６４】
（比較例）
図３に示すような態様で、本発明の範囲から逸脱した方法により磁気記録媒体を得た。
即ち、図１に示す態様において、図１（ｂ）のフィルム２２を用いないこと、および図１（ｅ）の除去工程を用いないこと以外は、実施例と同様にして比較例の磁気記録媒体を得た。
【００６５】
＜評価項目＞
上記のようにして得られた実施例および比較例の各磁気記録媒体に対し、走査型原子間力顕微鏡を用いた記録面でのエッチングの均一性に関する評価を行なった。
【００６６】
（実施例）
実施例の磁気記録媒体については、記録面でのエッチングが均一なものであることが確認された。よって、実施例の磁気記録媒体については、トラック方向の磁気的干渉を低減して、記録密度を向上させることができ、またヘッド飛行に支障をきたすこともない。これは、特に、被加工体の中心部円孔を絶縁体材料からなるフィルムで一旦封止し、次いで被加工体の記録面に対して所定の凹凸形状を形成した後に、当該フィルムを除去する方法を採用したことから、フィルムによる封止を行なわない従来技術において問題となっていたような、エッチングプロセスでの円孔を通したプラズマの干渉および／またはエッチングされた物質の再堆積が確実に防止されたからであると考えられる。
【００６７】
（比較例）
比較例の磁気記録媒体については、記録面でのエッチングが不均一なものであることが確認された。即ち、比較例の磁気記録媒体においては、目標としていた成形レジストの凹凸形状を得ることができなかった。また、中心部円孔を通してエッチングされた物質が進入し、図３（ｂ）に示すように、再堆積物１１０として生じていた。よって、比較例の場合は、エッチング後も再堆積の形状が残り、最終的にはヘッド浮上性を悪化させる。また、エッチングの不均一により、トラック方向の磁気的干渉が十分に低減されず、記録密度を確実に向上させることができない。
【００６８】
これは、フィルムを用いない場合は、中心部円孔の存在状況下で、エッチングプロセスが行なわれるため、円孔を通したプラズマの干渉および／またはエッチングされた物質の再堆積が発生し、エッチングが不均一になるからであると考えられる。具体的には、中心部円孔を通過したイオンビームが反対面に進入し、イオンビームの直進性を阻害して、イオンビームを散乱させ、側壁の急峻性を悪化させるからであると考えられる。
【００６９】
観察の結果、図３（ｂ）に示す再堆積物１１０は、凹凸パターンの凸部端部にカマボコ型に堆積することが判明した。再堆積物１１０が生じると、凹凸パターンの凸部上面の形状が平坦でなくなり、エッチング後の形状も平坦でなくなるため、ヘッド飛行に支障をきたすと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明によれば、被加工体の中心部円孔を絶縁体材料からなるフィルムで一旦封止し、所定のエッチング処理を経た後に、当該フィルムを除去するため、中心部円孔でのエッチングプロセスに起因する弊害を有利に防止できる。このため、本発明によれば、記録面でのエッチングを均一なものとすることができ、トラック方向の磁気的干渉を低減して、記録密度の向上させることができる。よって、本発明は、今後益々高記録密度化が要求される、コンピュータ等に組み込まれる磁気ディスクを安定して製造できる点で有望である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明によって磁気記録媒体を製造する場合の一例の概略図である。
【図２】本発明によって磁気記録媒体を製造する場合の一例の概略図である。
【図３】従来技術によって磁気記録媒体を製造する場合の概略図であり、（ａ）はその全体を示し、（ｂ）はその中心部付近を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０    被加工体
１０ａ  中心部円孔
１２    基板
１４    軟磁性裏打ち層
１６    非磁性結晶配向制御層
１８    下地層
２０    磁性層
２２    フィルム
２４    成形レジスト
２６    スペーサ
３２    フィルム分離領域
３４    イオンビーム
１００  被加工体
１０２  成形レジスト
１０４  磁気記録媒体
１０６  イオンビーム
１０８  中心部円孔
１１０  再堆積物
【図１】
2009093741.tif 000003
【図２】
2009093741.tif 000004
【図３】
2009093741.tif 000005