(57)【要約】【課題】レーザ加工により高精度かつ良好な歩留りで化合物半導体結晶基材を製造することが可能となる、化合物半導体結晶基材の製造方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣ基板等の下地基板の主面上にＡｌＮ単結晶等の化合物半導体結晶を成長させる。この化合物半導体結晶と下地基板との一方から他方に達するようにレーザ１ａを照射することで、下地基板とともに化合物半導体結晶を切断加工する。化合物半導体結晶と下地基板との界面に平行な方向にレーザを照射することで化合物半導体結晶を切断加工してもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地基板の主面上に化合物半導体結晶を成長させる工程と、
前記化合物半導体結晶と前記下地基板との一方から他方に達するようにレーザを照射することで、前記下地基板とともに前記化合物半導体結晶を切断加工する工程と、
を備えた化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項２】
前記化合物半導体結晶は窒化アルミニウム結晶であり、
前記下地基板を、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のいずれかで構成した、請求項１に記載の化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項３】
前記化合物半導体結晶の厚みは１μｍ以上２０ｍｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項４】
レーザを前記化合物半導体結晶の主面側から入射させ、前記化合物半導体結晶と前記下地基板とを切断加工する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項５】
レーザを前記下地基板の裏面側から入射させ、前記下地基板と前記化合物半導体結晶とを切断加工する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項６】
下地基板の主面上に化合物半導体結晶を成長させる工程と、
前記化合物半導体結晶と前記下地基板との界面に平行な方向にレーザを照射することで前記化合物半導体結晶を切断加工する工程と、
を備えた化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項７】
前記化合物半導体結晶の（０００１）面、（１１−２０）面、（１−１００）面、（１−１０２）面のいずれかに平行な結晶面で前記化合物半導体結晶を切断加工する、請求項６に記載の化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項８】
前記化合物半導体結晶の（０００１）面、（１１−２０）面、（１−１００）面、（１−１０２）面のいずれかに平行な結晶面に対して０．１°から５°傾いた面で前記化合物半導体結晶を切断加工する、請求項６に記載の化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項９】
前記レーザとして固体Ｎｄ:ＹＡＧレーザを使用し、前記レーザを、波長が１０６４ｎｍ、出力が１３Ｗ以上１５Ｗ以下、加工周波数が３ｋＨｚ以上５ｋＨｚ以下、パルスエネルギーが３．０ｍＪ以上４．３ｍＪ以下、最大ピーク出力が３５ｋＷ以上６０ｋＷ以下、電磁場モードがＴＥＭ００モードで照射する、請求項１から請求項８のいずれかに記載の化合物半導体結晶基材の製造方法。
【請求項１０】
前記化合物半導体結晶への前記レーザの照射軌道を変化させながら前記化合物半導体結晶を切断加工する、請求項１から請求項９のいずれかに記載の化合物半導体結晶基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザを用いた窒化アルミニウム結晶基材等の化合物半導体結晶基材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体単結晶の加工方法としては、ダイシング加工、ワイヤソー加工、レーザ加工等が利用されている。また、半導体単結晶以外の加工にも上記加工方法は利用されている。
【０００３】
ダイシング加工は、ダイヤモンド砥粒を付着させたブレードで半導体単結晶を切断するものであり、ワイヤソー加工は、ダイヤモンド砥粒を付着させたワイヤで半導体単結晶を切断する機械加工である。
【０００４】
半導体単結晶をレーザで加工する手法としては、例えば特開平１１―２２４８６５号公報に記載された手法があるが、この文献に記載の手法ではＣＯ２レーザを用いて酸化物単結晶等を切断している。より詳しくは、被加工体である酸化物単結晶に対してレーザにより溝入れ加工を行ない、溝下部に蓄熱された熱応力により酸化物単結晶を割断している。同様に、特開２００６―８２２３２号公報においても、レーザを用いて、熱応力により結晶のへき開面で単結晶基板を割断する手法が記載されている。
【０００５】
他方、特開２００５―３８４５９号公報に記載の手法では、ＹＡＧレーザを用いて厚さ０．４ｍｍから１ｍｍの単結晶シリコンを切断しており、特開２００２―９３７５１号公報や特開２００４―３９９３１号公報では、半導体単結晶基板上にデバイスを形成した後に、レーザによって溝入れ加工を施し、割断にはブレーキング加工を用いている。
【特許文献１】特開平１１―２２４８６５号公報
【特許文献２】特開２００６―８２２３２号公報
【特許文献３】特開２００５―３８４５９号公報
【特許文献４】特開２００２―９３７５１号公報
【特許文献５】特開２００４―３９９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来のレーザ加工法では、被加工体である結晶に溝入れ加工を行った後に熱応力による割断や、ブレーキング加工といった機械加工を行っている。そのため、結晶のへき開面（すべり面）の影響により予定割断位置にばらつきが生じるという問題がある。
【０００７】
また、ダイシング加工やワイヤソー加工といった機械加工の場合には、加工体（ブレードやワイヤー）と被加工体である結晶とが物理的に接触することで、被加工体に機械的な応力が生じる。このため、やはり予定割断位置がばらつき、割れ、亀裂、欠けが生じるという問題がある。
【０００８】
以上のことから、従来の手法では、設計通りの結晶の切断加工を行なうことが困難であり、また割れ、亀裂、欠け等も生じ易く、歩留まりや加工精度が悪いという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、レーザ加工により高精度かつ良好な歩留りで化合物半導体結晶基材を製造することが可能となる、化合物半導体結晶基材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る化合物半導体結晶基材の製造方法は、１つの局面では、下記の各工程を備える。下地基板の主面上に化合物半導体結晶を成長させる。化合物半導体結晶と下地基板との一方から他方に達するようにレーザを照射することで、下地基板とともに化合物半導体結晶を切断加工する。
【００１１】
上記化合物半導体結晶の一例としては、たとえば窒化アルミニウム結晶を挙げることができる。この場合、下地基板を、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のいずれかで構成すればよい。上記化合物半導体結晶の厚みは、たとえば１μｍ以上２０ｍｍ以下程度であればよい。レーザは、化合物半導体結晶の主面側から入射させてもよく、下地基板の裏面側から入射させてもよい。
【００１２】
本発明に係る化合物半導体結晶基材の製造方法は、他の局面では、下記の各工程を備える。下地基板の主面上に化合物半導体結晶を成長させる。化合物半導体結晶と下地基板との界面に平行な方向にレーザを照射することで化合物半導体結晶を切断加工する。
【００１３】
上記化合物半導体結晶の（０００１）面、（１１−２０）面、（１−１００）面、（１−１０２）面のいずれかに平行な結晶面で化合物半導体結晶を切断加工してもよい。また、化合物半導体結晶の（０００１）面、（１１−２０）面、（１−１００）面、（１−１０２）面のいずれかに平行な結晶面に対して０．１°から５°傾いた面で化合物半導体結晶を切断加工してもよい。
【００１４】
上記レーザとして固体Ｎｄ:ＹＡＧレーザを使用し、該レーザを、波長が１０６４ｎｍ、出力が１３Ｗ以上１５Ｗ以下、加工周波数が３ｋＨｚ以上５ｋＨｚ以下、パルスエネルギーが３．０ｍＪ以上４．３ｍＪ以下、最大ピーク出力が３５ｋＷ以上６０ｋＷ以下、電磁場モードがＴＥＭ００モードで照射してもよい。
【００１５】
上記化合物半導体結晶へのレーザの照射軌道を変化させながら化合物半導体結晶を切断加工することが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、機械加工を施すことなくレーザを用いて化合物半導体結晶を切断加工することができるので、機械的加工による歪みの発生等の不具合を回避することができ、高精度かつ良好な歩留りで化合物半導体結晶基材を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の１つの実施の形態における化合物半導体結晶基材の製造方法について説明する。
【００１８】
本実施の形態では、機械加工を行わずにレーザ加工のみで窒化アルミニウム（以下、「ＡｌＮ」と称する）結晶のような化合物半導体結晶を切断し、多種多様な形状に切断加工する。このように機械加工を行わずにレーザ加工のみで化合物半導体結晶を切断することにより、機械的加工による歪みの発生等の不具合を回避することができ、また化合物半導体結晶の割れ、亀裂、欠け等をも抑制することができる。その結果、高精度かつ良好な歩留りで化合物半導体結晶基材を製造することができる。
【００１９】
化合物半導体結晶としては、たとえばＡｌＮ単結晶やＡｌＮ多結晶等の様々な化合物半導体結晶を挙げることができる。化合物半導体結晶は、たとえば昇華法や気相成長法により下地基板上に成長させることができる。ＡｌＮ単結晶の場合、下地基板として炭化珪素（以下、「ＳｉＣ」と称する）基板やＡｌＮ単結晶基板を使用することができ、ＡｌＮ多結晶の場合、下地基板として窒化ホウ素（以下、「ＢＮ」と称する）基板を使用することができる。
【００２０】
上記のような手法で、下地基板上にＡｌＮ単結晶のような化合物半導体結晶を成長させた後、レーザを用いて、下地基板上に成長した化合物半導体結晶を、たとえばウェハプロセスに適用する等のために円形や四角形といった様々な形状に切断加工する。
【００２１】
このとき、下地基板上に形成した化合物半導体結晶を、下地基板とともに切断加工してもよく、下地基板と化合物半導体結晶との界面に沿って化合物半導体結晶を切断するスライス加工を行なってもよい。
【００２２】
このようにレーザを用いることにより、化合物半導体結晶を円形や多角形等の様々な形状に容易かつ高精度に加工することができる。より具合的には、化合物半導体結晶を、合成炉のサセプターに合わせた形状等に容易に加工することができ、またフォトリソグラフィーなどのウェハープロセスに適用可能な形状にも容易に加工することができる。
【００２３】
レーザ加工する際には、まずレーザ加工機のＸＹステージ上にＡｌＮ単結晶のような化合物半導体結晶を下地基板とともに載置する。そして、たとえば化合物半導体結晶の主面（下地基板と接する表面と反対側の表面）側よりレーザを化合物半導体結晶に照射する。
【００２４】
このとき、化合物半導体結晶を載置したＸＹステージを移動させることで、所望の形状に化合物半導体結晶を切断加工することができる。たとえば、化合物半導体結晶を円形に切断加工する場合には、化合物半導体結晶を載置したＸＹステージを、円軌道を数回に渡って描くように移動させればよい。ここで、化合物半導体結晶へのレーザの照射軌道が少しずつ変化するようにＸＹステージを駆動する。具体的には、円軌道に沿ってレーザを照射して切断加工を行なう場合、直径が異なる複数の円軌道に沿ってレーザを化合物半導体結晶に照射して切断加工を行なえばよい。それにより、化合物半導体結晶の厚みが厚い場合でも、レーザのみで効率的に化合物半導体結晶を所望の形状に加工することができる。
【００２５】
化合物半導体結晶に入射したレーザは、化合物半導体結晶を切断し、最終的には下地基板に達する。ここで、下地基板をも切断するようにレーザを照射してもよいが、下地基板内で止まるようにレーザを調節してもよい。下地基板をも切断するようにレーザを照射することにより、化合物半導体結晶と下地基板との両方を円形等の所望の形状に加工することができる。
【００２６】
ＡｌＮ結晶等の化合物半導体結晶の厚さは、１μｍ以上２０ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは５ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。化合物半導体結晶の厚さが１μｍ以上の場合には、化合物半導体結晶自体の厚さが薄いので、下地基板も含めて化合物半導体結晶の切断が容易となる。また、化合物半導体結晶の厚さが２０ｍｍ以下の場合は、化合物半導体結晶自体が厚いので割れの発生可能性を低減することができる。さらに化合物半導体結晶の厚さが５ｍｍ以上の場合には、１μｍ程度の厚さの場合と比較して割れや亀裂の発生を抑制でき、化合物半導体結晶の厚さを１０ｍｍ以下とした場合には、厚さが２０ｍｍの場合と比較して加工時間の短縮に加え、割れや亀裂を防ぐこともできる。
【００２７】
化合物半導体結晶のレーザ加工は、下地基板の裏面側からレーザを照射することによっても行なうことができる。この場合、たとえば下地基板を上側にしてレーザ加工機のＸＹステージ上に化合物半導体結晶を載置し、この状態で下地基板の裏面側にレーザを照射すればよい。
【００２８】
このとき、下地基板と化合物半導体結晶との双方を貫通するように下地基板側からレーザを照射することで、下地基板と化合物半導体結晶との両方を切断することができる。
【００２９】
また、下地基板と化合物半導体結晶の材料が異なる場合、たとえばＡｌＮ単結晶を下地基板上で成長させる場合に下地基板としてＳｉＣのようなＡｌＮ単結晶とは異なる材料を使用した場合には、下地基板と化合物半導体結晶との界面付近に、格子不整合や物性値の相違から応力が生じる。このような場合に、上記のように下地基板の裏面部からレーザを入射させることで、これらの応力を開放することができ、化合物半導体結晶に割れ、亀裂、欠けを発生させずに切断することが可能となる。
【００３０】
次に、下地基板と化合物半導体結晶との界面に沿って化合物半導体結晶を切断するスライス加工を行なう場合について説明する。
【００３１】
下地基板と化合物半導体結晶との材料が異なる場合、上記のような応力が発生し、割れや亀裂発生の原因になっている。そこで、レーザを用いて下地基板と化合物半導体結晶との界面に沿って化合物半導体結晶を切断加工する。
【００３２】
かかる化合物半導体結晶のスライス加工を行うことにより、下地基板の存在に起因する応力から化合物半導体結晶を開放することができ、割れや亀裂の極めて少ない化合物半導体結晶を取り出すことが可能となる。また、機械加工による加工応力も無いため、機械加工に起因する割れや亀裂といったダメージをも低減することができる。
【００３３】
上記のようなレーザスライス加工により化合物半導体結晶を多数枚取りする場合には、下地基板として異種材料の基板を使用せずに同種材料の基板を使用してもよい。
【００３４】
ＡｌＮ単結晶のような化合物半導体結晶は、Ｃ面（面方位（０００１）に垂直な面）、Ａ面（面方位（１１−２０）に垂直な面）、Ｍ面（面方位（１−１００)に垂直な面）、Ｒ面（面方位（１−１０２）に垂直な面）等に平行な面でスライス加工できる。これにより、極性面、非極性面、半極性面を持つ結晶基板を作製することができる。
【００３５】
また、意図的に上記４つの平面に対してオフ角０．１°から５°をもつオフ角面に平行な面でスライス加工も可能であり、全面方位に対するスライス加工も可能である。
【００３６】
上記レーザとしては、たとえば固体Ｎｄ:ＹＡＧレーザを使用することができる。該レーザを使用する場合、波長を１０６４ｎｍ、出力を１３Ｗ以上１５Ｗ以下、加工周波数を３ｋＨｚ以上５ｋＨｚ以下、パルスエネルギーを３．０ｍＪ以上４．３ｍＪ以下、最大ピーク出力を３５ｋＷ以上６０ｋＷ以下、電磁場モードをＴＥＭ００モードとすればよい。
【００３７】
次に、本発明の実施例について図１〜図６を用いて説明する。
【実施例１】
【００３８】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、下地基板として、主面の面方位が（０００１）、オフ角３°、厚さ４００μｍ、直径３０ｍｍサイズのＳｉＣ基板３を準備した。このＳｉＣ基板３の主面部上に、昇華法を用いて厚さ２０ｍｍのＡｌＮ単結晶２を成長させた。
【００３９】
上記ＡｌＮ単結晶２をレーザ加工機のステージに固定し、図１（ａ）および（ｂ）に示す円形の軌道１に沿ってＡｌＮ単結晶２の主面側からレーザ１ａを照射し、直径２５ｍｍのＡｌＮ単結晶２の切断加工を行った。レーザ１ａとしては、固体Ｎｄ:ＹＡＧレーザを使用した。レーザ１ａの波長は１０６４ｎｍ、出力は１３Ｗ以上１５Ｗ以下、加工周波数は３ｋＨｚ以上５ｋＨｚ以下、パルスエネルギーは３．０ｍＪ以上４．３ｍＪ以下、最大ピーク出力は３５ｋＷ以上６０ｋＷ以下、電磁場モードはＴＥＭ００モードとした。
【００４０】
本実施例１では、図１（ｃ）に示すように、レーザ１ａの照射軌道を徐々に変化させながらＡｌＮ単結晶２の切断加工を行った。たとえば、ＡｌＮ単結晶２の径方向（円形の軌道１の径方向）にレーザ１ａを徐々に移動させながら複数回異なる径の円軌道を描くようにレーザ１ａをＡｌＮ単結晶２に照射して切断加工を行なえばよい。以下の各実施例の場合も同様の手法で切断加工を行った。
【００４１】
上記のようにレーザ１ａをＡｌＮ単結晶２に照射することにより、厚さ２０ｍｍのＡｌＮ単結晶２を切断し、さらに下地基板であるＳｉＣ基板３も切断することができた。このときの切断加工時間は約４時間であった。
【００４２】
切断加工後に、ＡｌＮ単結晶２の状態を、光学顕微鏡、目視、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて確認したところ、亀裂や割れが発生していないことを確認した。
【００４３】
また、本願の発明者等は、ＡｌＮ単結晶２の厚さを変えたときのレーザ加工と研削加工による亀裂および割れの発生の有無を比較したので、その結果を下記の表１に示す。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
表１に示すように、ＡｌＮ単結晶２の厚さが１μｍ以上２０ｍｍ以下の場合には、研削加工よりもレーザ加工の方が割れや亀裂の発生を抑制することができることがわかる。また、ＡｌＮ単結晶以外の化合物半導体結晶の場合も、同様に上記のような厚み範囲の場合に、レーザ加工で切断することで割れや亀裂の発生を抑制することができる。
【実施例２】
【００４６】
本実施例２では、下地基板としてＡｌＮ単結晶基板４を使用した。ＡｌＮ単結晶基板４としては、面方位（０００１）、オフ角０．５°、厚さ１ｍｍ、直径５０ｍｍサイズのものを準備した。図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ＡｌＮ単結晶基板４の主面部上に、昇華法を用いて厚さ１０ｍｍのＡｌＮ単結晶２２を成長させた。
【００４７】
上記のＡｌＮ単結晶基板４とともにＡｌＮ単結晶２２をレーザー加工機のステージに固定し、図２（ｂ）に示すように、ＡｌＮ単結晶基板４の裏面側から矩形の軌道２１に沿ってレーザ１ａを照射した。ＡｌＮ単結晶基板４の裏面側からレーザ１ａを照射するためには、たとえばＡｌＮ単結晶基板４の裏面を上側にしてレーザー加工機のステージ上に載置し、上方からレーザ１ａを照射すればよい。
【００４８】
上記のようにレーザ１ａを照射し、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、１辺が１０ｍｍの正方形の形状となるようにＡｌＮ単結晶２２の切断加工を行った。レーザー照射条件は実施例１と同じである。その結果、約６時間の加工時間でＡｌＮ単結晶基板４とＡｌＮ単結晶２２とを切断することができた。切断面は加工変質層の発生により白膜化したが、有機溶剤及びアルコール洗浄により表面の白膜を除去することができた。
【００４９】
上記切断加工後に、光学顕微鏡、目視、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、ＡｌＮ単結晶２２の状態を観察したところ、亀裂や割れが発生していないことを確認することができた。
【実施例３】
【００５０】
本実施例３では、下地基板として、厚さ２ｍｍ、直径５５ｍｍサイズの窒化ホウ素（ＢＮ）基板５を準備した。このＢＮ基板５の主面部上に、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、昇華法を用いて厚さ２０ｍｍのＡｌＮ多結晶２３を成長させた。
【００５１】
上記ＡｌＮ多結晶２３をレーザー加工機のステージに固定し、ＢＮ基板５の裏面部から円形の軌道２１に沿ってレーザ１ａを照射し、図３（ａ）に示すように直径２５ｍｍのＡｌＮ多結晶２３の切断加工を行った。レーザー照射条件は実施例１と同じである。本実施例の場合も、下地基板であるＢＮ基板５も含めて切断加工したところ、加工時間は約５時間であった。
【００５２】
上記切断加工後に、光学顕微鏡、目視、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、ＡｌＮ多結晶２３の状態を観察したところ、亀裂や割れが発生していないことを確認した。
【実施例４】
【００５３】
本実施例４では、下地基板として、面方位（０００１）、オフ角３°、厚さ４００μｍ、直径２０ｍｍのサイズのＳｉＣ基板３を準備した。このＳｉＣ基板３主面部上に、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、昇華法を用いて厚さ１０ｍｍのＡｌＮ単結晶２を成長させた。
【００５４】
上記ＡｌＮ単結晶２をレーザー加工機のステージに固定し、このＡｌＮ単結晶２の側面部にレーザ１ａ、１ｂを照射した。本実施例４では、図４（ｂ）に示すように、ＡｌＮ単結晶２の両側から、直線状の軌道２１に沿うように、交互にレーザ１ａ、１ｂを照射し、直径２０ｍｍ、厚さ９．７ｍｍのＡｌＮ単結晶２のスライス加工を行った。レーザー照射条件は実施例１と同じである。加工時間は約１０時間、切断代は３００μｍであった。本実施例４では、下地基板であるＳｉＣ基板３を除去するためにも、上記スライス加工を使用した。
【００５５】
上記切断加工後に、光学顕微鏡、目視、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、ＡｌＮ多結晶２３の状態を観察したところ、亀裂や割れが発生していないことを確認した。
【実施例５】
【００５６】
本実施例５では、下地基板として、面方位（０００１）、オフ角３°、厚さ４００μｍ、直径１５ｍｍサイズのＳｉＣ基板を準備した。このＳｉＣ基板の主面部上に昇華法を用いて厚さ２０ｍｍのＡｌＮ単結晶２（図５（ａ）参照）を成長させた。
【００５７】
図５（ｂ）に示すように、面方位（０００１）５に垂直な面６（Ｃ面）に平行な方向にレーザ１ａ、１ｂをＡｌＮ単結晶２に照射した。本実施例５でも、ＡｌＮ単結晶２の両側から交互にレーザ１ａ、１ｂを照射してＡｌＮ単結晶２を加工し、自立基板７をスライス加工により切り出した。具体的には、厚さ１ｍｍ、直径約１６ｍｍの基板を５枚切り出した。
【００５８】
切り出された上記自立基板７を、光学顕微鏡、目視、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、自立基板７には亀裂や割れが発生していないことを確認した。
【実施例６】
【００５９】
本実施例６では、下地基板として、面方位（０００１）、オフ角３°、厚さ４００μｍ、直径１５ｍｍのサイズのＳｉＣ基板を準備した。このＳｉＣ基板の主面部上に昇華法を用いて厚さ２０ｍｍのＡｌＮ単結晶２（図６（ａ）参照）を成長させた。
【００６０】
図６（ｂ）に示すように、面方位（０００１）５に平行な面６１（Ｍ面）に平行な方向にレーザ１ａ、１ｂをＡｌＮ単結晶２に照射した。本実施例６においても、ＡｌＮ単結晶２の両側から交互にレーザ１ａ、１ｂを照射してＡｌＮ単結晶２を加工し、自立基板７をスライス加工により切り出した。具体的には、厚さ４００μｍ、一辺が約１５ｍｍの正方形の基板を５枚切り出した。
【００６１】
切り出された上記自立基板７を、光学顕微鏡、目視、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、自立基板７には亀裂や割れが発生していないことを確認した。
【００６２】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上記の実施の形態や実施例の構成を適宜組合せることも可能である。また、今回開示した実施の形態および実施例はすべての点での例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】（ａ）は、本発明の実施例１における切断加工前のＡｌＮ単結晶を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡｌＮ単結晶の側面図であり、（ｃ）はレーザ加工法を説明するための断面模式図である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施例２における切断加工前のＡｌＮ単結晶を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡｌＮ単結晶の側面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の実施例３における切断加工前のＡｌＮ多結晶を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡｌＮ多結晶の側面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の実施例４における切断加工前のＡｌＮ単結晶を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡｌＮ単結晶の側面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の実施例５における切断加工前のＡｌＮ単結晶を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡｌＮ単結晶の側面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の実施例６における切断加工前のＡｌＮ単結晶を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡｌＮ単結晶の側面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１，２１  軌道、１ａ，１ｂ  レーザ、２，２２  ＡｌＮ単結晶、３  ＳｉＣ基板、４  ＢＮ基板、５  面方位（０００１）、６  （０００１）面、７  自立基板、２３  ＡｌＮ多結晶。
【図１】
2009266892.tif 000004
【図２】
2009266892.tif 000005
【図３】
2009266892.tif 000006
【図４】
2009266892.tif 000007
【図５】
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【図６】
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