(57)【要約】【課題】本発明は、有機ＥＬ素子９の封止性を向上させることが可能な有機ＥＬパネル２の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】中央領域に有機ＥＬ素子９が設けられた素子基板４と、素子基板４に対向させた封止基板８と、素子基板４と封止基板８との間であって有機ＥＬ素子９の端部に隙間Ｇを設けるとともに、素子基板４及び封止基板８を貼り合わせる接着材６と、を備えた基体を準備する工程と、素子基板４と封止基板８との間の隙間Ｇに、減圧雰囲気中にて封止材７を充填する工程と、封止材７を硬化させて、有機ＥＬ素子９を素子基板４、封止基板８及び封止材７にて封止する工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬパネル２の製造方法。【選択図】図５
2009266590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央領域に有機ＥＬ素子が設けられた素子基板と、前記素子基板に対向させた封止基板と、前記素子基板と前記封止基板との間であって前記有機ＥＬ素子の端部に隙間を設けるとともに、前記素子基板及び前記封止基板を貼り合わせる接着材と、を備えた基体を準備する工程と、
前記素子基板と前記封止基板との間の前記隙間に、減圧雰囲気中にて封止材を充填する工程と、
前記封止材を硬化させて、前記有機ＥＬ素子を前記素子基板、前記封止基板及び前記封止材にて封止する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記隙間に前記封止材を充填する工程では、前記封止材を前記封止基板の端面に塗布し、減圧雰囲気中に前記基体を設けることで、前記封止材が前記封止基板の端面から前記接着材の端面にまで進入して、前記隙間に前記封止材が充填されることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記素子基板と前記封止基板との間の前記隙間は、前記有機ＥＬ素子を被覆する前記接着材を取り囲むように設けられており、
前記隙間に前記封止材を充填する工程では、前記封止基板の一端に塗布された前記封止材が、減圧雰囲気中にて前記接着材の外周に沿って進入し、前記接着材の外周を取り囲むことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記封止材を硬化させる工程では、前記封止材に紫外線を照射することで前記封止材が硬化することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記封止材を硬化させる工程では、前記封止材が前記接着材よりも硬化収縮することで、前記素子基板と前記封止基板を接着させることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記接着材は、エポキシ樹脂から成り、前記封止材は、ハンダから成ることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を備えた有機ＥＬパネルの開発が行われている。有機ＥＬパネルは、有機ＥＬ素子を一対の基板の間に設けたものである（特許文献１参照）。
【０００３】
有機ＥＬパネルは、一対の基板を接着材を介して貼り合わせて作製される。
【０００４】
なお、接着材は、基板の全面又は基板の周囲に被着させて、基板同士を貼り合わせる技術が提案されている（特許文献２、３参照）。
【特許文献１】特開平５−８９９５９号公報
【特許文献２】特開２００７−２００７４３号公報
【特許文献３】特許第３９０３２０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、量産時においては、一対のマザー基板を複数個に分割して、有機ＥＬパネルを作製するため、マザー基板の切断時に切断箇所に接着材が設けられていると、マザー基板をスムーズに複数個に分割することができず、ひいては有機ＥＬ素子の封止性にも影響を与えることがある。
【０００６】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、有機ＥＬ素子の封止性を向上させることが可能な有機ＥＬパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、中央領域に有機ＥＬ素子が設けられた素子基板と、前記素子基板に対向させた封止基板と、前記素子基板と前記封止基板との間であって前記有機ＥＬ素子の端部に隙間を設けるとともに、前記素子基板及び前記封止基板を貼り合わせる接着材と、を備えた基体を準備する工程と、前記素子基板と前記封止基板との間の前記隙間に、減圧雰囲気中にて封止材を充填する工程と、前記封止材を硬化させて、前記有機ＥＬ素子を前記素子基板、前記封止基板及び前記封止材にて封止する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、前記隙間に前記封止材を充填する工程では、前記封止材を前記封止基板の端面に塗布し、減圧雰囲気中に前記基体を設けることで、前記封止材が前記封止基板の端面から前記接着材の端面にまで進入して、前記隙間に前記封止材が充填されることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、前記素子基板と前記封止基板との間の前記隙間は、前記有機ＥＬ素子を被覆する前記接着材を取り囲むように設けられており、前記隙間に前記封止材を充填する工程では、前記封止基板の一端に塗布された前記封止材が、減圧雰囲気中にて前記接着材の外周に沿って進入し、前記接着材の外周を取り囲むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、前記封止材を硬化させる工程では、前記封止材に紫外線を照射することで前記封止材が硬化することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、前記封止材を硬化させる工程では、前記封止材が前記接着材よりも硬化収縮することで、前記素子基板と前記封止基板を接着させることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、前記接着材は、エポキシ樹脂から成り、前記封止材は、ハンダから成ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、封止性を改善することができる有機ＥＬパネルの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルを含む有機ＥＬディスプレイについて、図面を参照しつつ説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの平面図である。また、図２は、複数の有機ＥＬパネルに分割する前のマザー基板の平面図である。図３は、有機ＥＬパネルに含まれる多数の画素をマトリックス状に配列した状態を示す平面図である。図４（Ａ）は、画素の断面図であって、図４（Ｂ）は、画素に含まれる有機ＥＬ素子の簡略化した断面図である。図５は、駆動ＩＣが実装される側であって、素子基板と封止基板の端部を示す断面図である。
【００１５】
有機ＥＬディスプレイ１は、図１に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、有機ＥＬパネル２と、有機ＥＬパネル２に実装する駆動ＩＣ３とを含んだものである。かかる有機ＥＬパネル２は、平板状の素子基板４と、素子基板４上に形成される複数の画素５と、画素５を封止するように接着材６と封止材７とを介して素子基板４上に形成される封止基板８とを含んでいる。
【００１６】
素子基板４は、例えばガラス又はプラスチックから成り、素子基板４の中央に位置する中央領域としての表示領域Ｄ１には、マトリックス状に配列された複数の画素５が形成されている。また、素子基板４の端部であって、表示領域Ｄ１の一端に位置する非表示領域Ｄ２には、駆動ＩＣ３が実装されている。
【００１７】
かかる画素５は、図４（Ａ）に示すように、発光領域Ｒ１とコンタクト領域Ｒ２とを含んで構成されており、発光領域Ｒ１に発光可能な有機ＥＬ素子９が設けられている。なお、各画素５は、隔壁１０によって仕切られている。また、画素５は、有機ＥＬ素子９を構成する有機材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。
【００１８】
また、素子基板４上には、素子基板４に対して対向するように配置された封止基板８が形成されている。封止基板８は透明の基板から成り、例えばガラス又はプラスチックを用いることができる。
【００１９】
次に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、素子基板４と封止基板８との間に形成される各種層について説明する。
【００２０】
素子基板４上には、ＴＦＴ又は電気配線が形成されている回路層１１と、回路層１１上に回路層１１を外部と電気的に絶縁するための窒化珪素等から成る絶縁層１２が形成されている。かかる回路層１１の一部と、後述するコンタクト電極層１３とが電気的に接続されている。また、絶縁層１２上には、回路層１１や絶縁層１２の凹凸を低減するための平坦化膜１４が形成されている。回路層１１は、パターニングされた構造物であるため、その表面が凹凸に形成され、回路層１１上を平坦にしないと、回路層１１上に有機ＥＬ素子９を平らに設けることが困難となる。その結果、有機ＥＬ素子９を構成する各層の厚みを制御することが難しく、有機ＥＬ素子９が所望の色の光を発することができなくなる。これは、有機ＥＬ素子９が発する光の色が、有機ＥＬ素子９を構成する各層の厚みに依存するためである。そのため、回路層１１上に、平坦化膜１４を形成することで、回路層１１上に形成する有機ＥＬ素子９の厚みを制御しやすくしている。かかる平坦化膜１４は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１４の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。
【００２１】
また、平坦化膜１４には、平坦化膜１４を貫通するコンタクトホールＳが形成されている。かかるコンタクトホールＳは、上部よりも下部が幅狭に形成されている。さらにコンタクトホールＳの内周面から平坦化膜１４の上面にかけて、例えばアルミニウム、銀、銅、金、ロジウム又はネオジム等の金属、あるいはこれらの合金から成るコンタクト電極層１３が形成されている。
【００２２】
さらに、平坦化膜１４上には、有機ＥＬ素子９が形成されている。有機ＥＬ素子９は、第１電極層１５と、有機ＥＬ層１６と、第２電極層１７とを含んで構成されている。
【００２３】
また、発光領域Ｒ１及びコンタクト領域Ｒ２を取り囲むように、絶縁物１８が形成されている。絶縁物１８の一部は、第１電極層１５とコンタクト電極層１３との間に形成されている。そして、絶縁物１８は、第１電極層１５と第２電極層１７とが短絡するのを防止している。なお、絶縁物１８は、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料、あるいは窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。
【００２４】
また、有機ＥＬ素子９を被覆するように、表示領域Ｄ１上には保護層１９が形成されている。保護層１９は、有機ＥＬ素子９を封止し、有機ＥＬ素子を水分又は外気から保護するものであって、光透過性の機能を有し、例えば窒化珪素、酸化珪素又は窒化炭化珪素等の無機材料から成る。なお、保護層１９の厚みは、例えば１００ｎｍ以上５μｍ以下に設定されている。
【００２５】
次に、有機ＥＬ素子９を構成する各層について説明する。
【００２６】
第１電極層１５は、平坦化膜１４上に形成されるとともに、コンタクト電極層１３と間を空けて併設されている。第１電極層１５は、例えばアルミニウム、銀、銅、金、ロジウム又はネオジム等の金属、あるいはこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第１電極層１５を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機ＥＬ素子９においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第１電極層１５の厚みは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。
【００２７】
有機ＥＬ層１６は、第１電極層１５上に形成される。有機ＥＬ層１６は、図４（Ｂ）に示すように、複数の層から成り、下層から正孔注入層１６ａ、正孔輸送層１６ｂ、有機発光層１６ｃ、電子輸送層１６ｄ及び電子注入層１６ｅを含んで構成されている。
【００２８】
正孔注入層１６ａは、例えばα‐ＮＰＤ、ＴＰＤ、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はＣｕＰｃ等から成る。正孔注入層１６ａの厚みは、例えば５ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。
【００２９】
また、正孔輸送層１６ｂは、例えばＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、および４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族又は芳香族アミン化合物を用いることができる。また、正孔輸送層１６ｂは、１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン又はそれにシアノ基などが結合した誘導体等の複素環化合物を用いることができる。正孔輸送層１６ｂの厚みは、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されている。
【００３０】
また、有機発光層１６ｃは、赤色の光を発する場合、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体又はペリレン誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。また、緑色の光を発する場合、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にスチリルアミン、ペルリン、ベンゼン環を有するシロール誘導体、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ペリレン誘導体又はアゾメチン亜鉛錯体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。また、青色の光を発する場合、例えばＣＢＰ又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にスチリルアミン、ペルリン、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジェン、トリフェニルアミン構造とビニル基が結合した化合物、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はベンゼン環を有するシロール誘導体等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。なお、有機発光層１６ｃの厚みは、例えば２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定されている。
【００３１】
また、電子輸送層１６ｄは、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、又は４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、又は４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族やアミン化合物を用いることができる。電子輸送層１６ｄの厚みは、例えば２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下に設定されている。
【００３２】
また、電子注入層１６ｅは、例えばフッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化炭素等を用いることができる。電子注入層１６ｅの厚みは、例えば０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下に設定されている。
【００３３】
第２電極層１７は、有機ＥＬ層１６上から絶縁酸化膜１６上にかけて形成される。第２電極層１７は、有機ＥＬ層１６から放出される光が透過することができる材料から構成され、例えばインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）又は錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、第２電極層１７は、例えばマグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料を用いることができ、その厚みを３０ｎｍ以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。その結果、有機ＥＬ層１６から放出された光が、第２電極層１７を透過して、有機ＥＬ素子９から外部に出射される。
【００３４】
また、絶縁物１８上には、画素５を取り囲むように隔壁１０が形成されている。隔壁１０は、上部よりも下部が幅狭であって、例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。なお、隔壁１０の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。
【００３５】
次に、素子基板４と封止基板８とを接着する接着材６について説明する。接着材６は、素子基板４の表示領域Ｄ１全面を被覆するとともに、各画素５上に形成されている。また、接着材６は、素子基板４と封止基板８の間であって、最外周に配置された画素の端部まで形成されている。ただし、素子基板４及び封止基板８の端面から表示領域Ｄ１に向かって接着材６が形成されない領域が存在する。
【００３６】
接着材６は、有機ＥＬ素子９の発する光が外部に取り出されるように、光透過性の優れた材料から構成されており、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。なぜならば、接着剤は有機ＥＬ素子直上に配されるため、低酸素濃度・低水分環境において塗布・接着する必要があるため、塗布装置などのメンテナンスの頻度をあげることは難しく、ポットライフの短い熱硬化型に比べ非常に生産性が改善することができるからである。但し、コントラストを重視するアプリケーションに対しては、発光エリアの画素間にブラックマトリックスを配するため、ブラックマトリックス下でＵＶ光の照射が不十分であっても十分硬化するために、紫外線及び熱併用硬化型樹脂を使用することがより好ましい。
【００３７】
図５は、素子基板４及び封止基板８の端部であって、駆動ＩＣ３を実装する側の有機ＥＬパネルの断面図である。なお、駆動ＩＣ３は、実装部２０に実装される。
【００３８】
封止材７は、図５に示すように、封止基板８の端面から素子基板４と封止基板８の間に形成された接着材６の表面にまで形成されている。すなわち、素子基板４と封止基板８の間であって接着材６が形成されない領域に、封止材７が充填されている。
【００３９】
封止材７は、大気中の酸素又は水分が接着材６にて被覆された画素５内に浸入し、有機ＥＬ素子９を劣化させるのを抑制する封止機能に優れた材料から構成されており、例えばエポキシ接着剤等の熱硬化型樹脂、低融点ガラス、低融点ハンダ等を用いることができる。そして、有機ＥＬ素子９は、素子基板４、封止基板８、接着材６及び封止材７によって大気から封止されている。
【００４０】
上述したように本実施形態に係る有機ＥＬパネルによれば、有機ＥＬ素子９の発する光を光透過性の優れた接着材６にて外部に効率良く取り出すとともに、封止性の優れた封止材７にて大気中から酸素又は水分が画素内に浸入するのを有効的に抑制することができる。
【００４１】
以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネル２を含む有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について、図６（Ａ）から図１１を用いて詳細に説明する。なお、製造方法の説明について、図６（Ａ）から図９（Ａ）までは、一つの画素の断面を用いて説明するが、いずれの説明も素子基板４及び封止基板８は、有機ＥＬパネル２毎に切断される前の状態である。
【００４２】
図６（Ａ）に示すように、回路層１１、絶縁層１２及び平坦化膜１４を上面に積層した素子基板４を準備する。なお、回路層１１及び絶縁層１２は、従来周知のＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術、エッチング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。また、平坦化膜１４は、例えば従来周知のスピンコート法を用いて、絶縁層１２上に形成する。
【００４３】
次に、平坦化膜１４上に露光マスクを用いて平坦化膜１４を露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図６（Ｂ）に示すように、回路層１１の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＳを有する平坦化膜１４を形成する。さらに、コンタクトホールＳを形成した平坦化膜１４上に、例えばアルミニウムから成る金属膜を形成する。そして、図６（Ｃ）に示すように、金属膜をパターニングして、第１電極層１５及びコンタクト電極層１３を形成する。
【００４４】
次に、例えばスピンコート法を用いて、第１電極層１５、コンタクト電極層１３及び一部露出した平坦化膜１４上に、例えばアクリル樹脂から成る有機絶縁材料層を形成する。そして、有機絶縁材料層に対してフォトリソグラフィー法を用いて、有機絶縁材料層をパターニングして、図７（Ａ）に示すように、絶縁物１８を形成する。
【００４５】
次に、図７（Ｂ）に示すように、絶縁物１８上に、従来周知のフォトリソグラフィー法を用いて、上部よりも下部が幅狭な隔壁１０を形成する。かかる隔壁１０は、各画素５を取り囲むように形成される。そして、蒸着法を用いて図７（Ｃ）に示すように、発光領域Ｒ１に有機ＥＬ層１６を形成する。なお、各画素の発する色は、有機ＥＬ層１６を構成する材料を選択することで決定することができる。
【００４６】
さらに、図８（Ａ）に示すように、有機ＥＬ層１６上からコンタクト電極層１３上にかけて、従来周知の蒸着法を用いて、第２電極層１７を形成する。したがって、上面が露出しているコンタクト電極層１３と第２電極層１７とを直接接続することができる。このようにして、有機ＥＬ素子９を形成することができる。
【００４７】
そして、図８（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子９を被覆するように、表示領域Ｄ１全面に、従来周知の薄膜形成技術を用いて、保護層１９を形成する。
【００４８】
次に、図９（Ａ）に示すように、有機ＥＬ素子９が形成された素子基板４に対して、封止基板８を対向配置し、両基板を接着材６を介して接着する。なお、接着材６は、素子基板４に封止基板８を対向配置したときに、各有機ＥＬパネル２の表示領域Ｄ１に対応する箇所に、スクリーン印刷法等により被着されている。スクリーン印刷法の形成精度は数十ｕｍ程度であり、表示領域Ｄ１から１００ｕｍ以内に制御することが可能であり、後述するように、切断箇所への接着剤被着を防止することが可能である。なお、接着材６としては、ＵＶ硬化型接着剤を用いている。
【００４９】
ここで、図９（Ｂ）について説明する。素子基板４及び封止基板８を有機ＥＬパネル２毎に切断するが、図９（Ｂ）は、その切断する予定箇所の断面図である。
【００５０】
図９（Ｂ）に示すように、有機ＥＬパネル２毎に切断する箇所においては、素子基板４及び封止基板８を貼り合わせる前から、接着材６が被着しないように接着材６の量が調整されている。
【００５１】
そして、図１０（Ａ）に示すように、素子基板４及び封止基板８を接着材６にて貼り合わせて、接着材６にＵＶ光を照射させて硬化させる。なお、Ｐ１，Ｐ２は、両基板の切断する箇所を示している。
【００５２】
さらに、接着材６を硬化させて、両基板を固着させた後に、ガラススクライバ又は分断器等によって、切断箇所Ｐ１，Ｐ２を切断し、マザー基板を有機ＥＬパネル２毎に分断する。両基板をガラス分断器にて切断するときは、切断箇所Ｐ１，Ｐ２の直上及び直下に接着材６が形成されておらず、接着材６が切断箇所に存在する場合に比べて、切断箇所の剛性が小さく、ガラス分断器による押圧により、封止基板及び素子基板が十分にたわむことで、ガラススクライブ部からの亀裂がスムーズに両基板内にて成長し両基板を切断しやすい。また、接着材６に封止機能を持たせた場合には基板切断部への被着が無い領域へ接着材を配する設計となるが、その際には、部分的に切断部への被着が起き、被着の有無によるガラス応力の不規則性から、切断不良を誘発するが、本実施例ではその例を皆無にすることが可能になる。
【００５３】
そして、図１０（Ｂ）に示すように、切断箇所Ｐ１，Ｐ２を切断して、有機ＥＬパネル２を切り出す。なお、図１０（Ｂ）は、駆動ＩＣ３を実装する実装部２０が形成されている有機ＥＬパネルの一端を示す断面図である。
【００５４】
次に、有機ＥＬパネル２毎に切断したのち、駆動ＩＣ３を実装する実装部２０上の封止基板８の一部を取り除くために、封止基板８の切断箇所Ｐ３を切断し、図１１（Ａ）に示すように、中央領域に有機ＥＬ素子９が設けられた素子基板４と、素子基板４に対向させた封止基板８と、素子基板４と封止基板８との間であって有機ＥＬ素子９の端部に隙間Ｇを設け、有機ＥＬ素子９を被覆するとともに素子基板４及び封止基板８を貼り合わせる接着材６と、を備えた基体を準備することができる。なお、隙間Ｇは、有機ＥＬ素子９を被覆する接着材６を取り囲むように設けられている。また、隙間Ｇは、素子基板４と封止基板８との間の距離が２μｍ以上２０μｍ以下の大きさのものである。
【００５５】
そして、素子基板４と封止基板８との間の隙間Ｇに、減圧雰囲気中にてハンダからなる封止材７を充填する。ここで、減圧雰囲気とは、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中、高真空中であって、１００００Ｐａ以下の気圧をいう。まず、準備した基体の端面に封止材７を被着させ、減圧室に投入する。減圧室の気圧を調整し、減圧室内を減圧雰囲気中にすることで隙間Ｇにて空気を除去し、封止材７が毛細管現象により封止基板８の端面から接着材６の端面にまで進入して、隙間Ｇに封止材７が充填される。また、封止材７は、少なくとも基体の一端にのみ塗布されているのであれば、その塗布された箇所から封止材７が、減圧雰囲気中にて接着材６の外周に沿って進入し、接着材６の外周を取り囲むことができる。なお、封止基板８を封止材７によって、素子基板４に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板４と封止基板８との間に酸素又は水分が含まれるのを抑制することができる。
【００５６】
次に、封止材７を硬化させて、有機ＥＬ素子９を含む表示領域Ｄ１を素子基板４、封止基板８及び封止材７にて封止する。なお、未硬化の状態の封止材７は、加熱されることによって硬化する。封止材７を硬化させる工程では、封止材７が接着材よりも硬化収縮することで、素子基板４と封止基板８を接着させることができ、接着材６の接着強度にとらわれず、接着材６の材料選択の自由度を確保することができる。また、封止材７の強化収縮により基板間が狭まることにより、素子基板４と封止基板８との間の距離を短くし、大気中から酸素又は水分が画素５内に浸入するのを抑制することができる。
【００５７】
このようにして、有機ＥＬパネル２を作製することができる。そして、有機ＥＬパネル２の非表示領域Ｄ２上に駆動ＩＣ３を実装することで、有機ＥＬディスプレイ１を作製することができる。
【００５８】
加えて、本件では駆動ＩＣの実装を先に行うことも可能である。従来のように駆動ＩＣの実装を最後に行う場合、封止材が駆動ＩＣ実装部へ延伸しないように配慮する必要があり、その塗布量の制御に厳しい制限が生じていた。本実施例においては、減圧下での封止材塗布はＩＣ実装後に行うことも可であり、その際に、ＩＣが実装された部分に封止材が延伸したとしても性能上問題は生じない。また、ＩＣ実装部はその実装強度を補強するため、一般にその実装部分上部から樹脂を塗布するが、本実施例の封止材がそれを兼ねることも可能である。
【００５９】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルを含む有機ＥＬディスプレイの平面図である。
【図２】有機ＥＬパネルに分割する前の状態を示すマザー基板の平面図である。
【図３】マトリックス状に配列された画素の平面図である。
【図４】図４（Ａ）は一つの画素の断面図であって、図４（Ｂ）は有機ＥＬ素子の簡略化した断面図である。
【図５】駆動ＩＣが実装される側であって、素子基板と封止基板の端部を示す断面図である。
【図６】図６（Ａ），図６（Ｂ），図６（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルを含む有機ディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。
【図７】図７（Ａ），図７（Ｂ），図７（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルを含む有機ディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。
【図８】図８（Ａ），図８（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルを含む有機ディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。
【図９】図９（Ａ）は素子基板と封止基板とを貼り合わせる前の状態を示す素子基板と封止基板の断面図であって、図９（Ｂ）は素子基板と封止基板の切断箇所における両基板を貼り合わせる前の状態を示す素子基板と封止基板の断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は素子基板と封止基板の切断箇所を示す両基板の断面図であって、図１０（Ｂ）は素子基板と封止基板を切断した後の状態を示す両基板の端部の断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は封止基板の一端を切断した後の状態を示す素子基板と封止基板の端部の断面図であって、図１１（Ｂ）は封止基板の端部に封止材を塗布した状態を示す素子基板と封止基板の端部の断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１    有機ＥＬディスプレイ
２    有機ＥＬパネル
３    駆動ＩＣ
４    素子基板
５    画素
６    接着材
７    封止材
８    封止基板
９    有機ＥＬ素子
１０    隔壁
１１    回路層
１２    絶縁層
１３    コンタクト電極層
１４    平坦化膜
１５    第１電極層
１６    有機ＥＬ層
１７    第２電極層
１８    絶縁物
１９    保護層
２０    実装部
Ｄ１  表示領域
Ｄ２  非表示領域
Ｒ１  発光領域
Ｒ２  コンタクト領域
Ｓ    コンタクトホール
Ｍ    マザー基板
【図１】
2009266590.tif 000003
【図２】
2009266590.tif 000004
【図３】
2009266590.tif 000005
【図４】
2009266590.tif 000006
【図５】
2009266590.tif 000007
【図６】
2009266590.tif 000008
【図７】
2009266590.tif 000009
【図８】
2009266590.tif 000010
【図９】
2009266590.tif 000011
【図１０】
2009266590.tif 000012
【図１１】
2009266590.tif 000013