(57)【要約】【課題】クロストーク及び熱揺らぎの影響を低減することができる磁気記録媒体及び磁気記録再生装置の提供。【解決手段】本発明の磁気記録媒体は、円板状の基板と、該基板上に形成された複数の記録ビットとを備える磁気記録媒体であって、前記記録ビットの底面が前記基板側に設けられ、前記記録ビットの上面が前記底面と対向するように設けられ、前記底面の半径方向の幅Ｔｗｂが、前記上面の半径方向の幅Ｔｗｔよりも大きいことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の基板と、該基板上に形成された複数の記録ビットとを備える磁気記録媒体であって、前記記録ビットの底面が前記基板側に設けられ、前記記録ビットの上面が前記底面と対向するように設けられ、前記底面の半径方向の幅Ｔｗｂが、前記上面の半径方向の幅Ｔｗｔよりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記底面は、長方形、円形、及び楕円形のいずれかである請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記記録ビットは、硬質磁性材料で形成されている請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記硬質磁性材料は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｂ、Ｔｉ及びＴａのいずれかを少なくとも含む合金である請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記記録ビットは、単層構造である請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記記録ビットは、多層構造である請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記基板は、ガラス基板、アルミ基板、シリコン基板及びセラミック基板のいずれかである請求項１から６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記基板上に形成された軟磁性層と、前記軟磁性層上に形成された中間層とをさらに備える請求項１から７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に記録された情報を読み込むリード素子とを備える磁気記録再生装置であって、前記リード素子が、前記磁気記録媒体に形成された２個以上の記録ビットと対向する場合に、前記２個以上の記録ビットのうちの１個の記録ビットに対しては、前記１個の記録ビットの上面及び側面と対向し、前記１個の記録ビット以外の他の記録ビットに対しては、前記他の記録ビットの側面のみと対向することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関し、ハードディスクなどの高い記録密度を達成する磁気記録媒体及び該磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体の大容量化が急速に進んでいる。磁気記録媒体の記録密度を飛躍的に大きくする技術としてビットパターンドメディアが挙げられる。
【０００３】
ビットパターンドメディアにおいて、記録密度を大きくするためにトラックピッチを短くすることがなされていたが、トラックピッチを短くしていくと、リード素子が隣のトラックの情報を読み込んでしまい、クロストークが大きくなり、誤り率が高くなってしまうという問題が発生していた。この問題に対し、図８に示すように記録ビット幅を狭くして、クロストークの低減を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１）。しかしながら、この技術では、ビット幅を狭くすることによって、記録ビットの体積が小さくなってしまい、もって、熱揺らぎにより記録が不安定になってしまうという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開平３−２２２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ちクロストーク及び熱揺らぎの影響を低減することができる磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための手段としては、後述する付記に列挙した通りである。
即ち、本発明の磁気記録媒体は、円板状の基板と、該基板上に形成された複数の記録ビットとを備える磁気記録媒体であって、前記記録ビットの底面が前記基板側に設けられ、前記記録ビットの上面が前記底面と対向するように設けられ、前記底面の半径方向の幅Ｔｗｂが、前記上面の半径方向の幅Ｔｗｔよりも大きいことを特徴とする。
該磁気記録媒体においては、前記底面の半径方向の幅Ｔｗｂが、前記上面の半径方向の幅Ｔｗｔよりも大きいので、隣接する記録ビットに対する磁気の影響を低減してクロストークを低減することができると共に、記録ビットの体積を維持して熱揺らぎの影響を低減することができる。
【０００７】
本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に記録された情報を読み込むリード素子とを備える磁気記録再生装置であって、前記リード素子が、前記磁気記録媒体に形成された２個以上の記録ビットと対向する場合に、前記２個以上の記録ビットのうちの１個の記録ビットに対しては、前記１個の記録ビットの上面及び側面と対向し、前記１個の記録ビット以外の他の記録ビットに対しては、前記他の記録ビットの側面のみと対向することを特徴とする。
該磁気記録再生装置においては、前記リード素子が、前記１個の記録ビット以外の他の記録ビットに対しては、前記他の記録ビットの側面のみと対向するので、リード素子が隣接トラックの情報を読み込んでしまうことを防止することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、クロストーク及び熱揺らぎの影響を低減することができる磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（磁気記録媒体）
本発明の磁気記録媒体は、基板と、複数の記録ビットとを有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の層を有してなる。
【００１０】
−基板−
前記基板としては、円板状（ディスク状）である限り、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記材質としては、ガラス、アルミニウム、シリコン、石英などが挙げられる。
前記基板の具体例としては、例えば、磁気ディスク基板としてのガラス基板、アルミ基板、シリコン基板、セラミック基板などが好適に挙げられる。前記基板は、適宜製造したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
【００１１】
−記録ビット−
前記記録ビットは、前記基板上に形成されたものであって、前記記録ビットの底面が前記基板側に設けられ、前記記録ビットの上面が前記底面と対向するように設けられ、前記底面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｂが、前記上面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｔよりも大きいものである限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記底面が、長方形、円形、及び楕円形のいずれかであることが好ましい。例えば、図１に示すように、前記記録ビットは、四角錐台形状（底面が長方形）であり、底面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｂが、上面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｔよりも大きい。
【００１２】
また、前記記録ビットは、例えば、図２に示すように、クロストラック方向及びダウントラック方向に規則的に配列され、記録ビット列を一定間隔で形成しているのが好ましい。また、前記記録ビット列が、同心円状及び螺旋状の少なくともいずれかに位置しているのが好ましく、特に、ハードディスク用途の場合には、アクセスの容易性の観点から同心円状が好適であり、ビデオディスク用途の場合には、連続再生の容易性の観点から螺旋状が好適である。
【００１３】
前記記録ビットの材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、硬質磁性材料であることが好ましい。前記硬質磁性材料としては、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｂ、Ｔｉ及びＴａのいずれかを少なくとも含む合金などが挙げられる。
【００１４】
前記記録ビットの構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、単層構造及び多層構造のいずれであってもよい。
【００１５】
−−記録ビットの形成方法−−
前記記録ビットの形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＵＶナノインプリント法などが挙げられる。前記ＵＶナノインプリント法を、図３Ａ〜図３Ｅを用いて、以下説明する。
【００１６】
まず、基板上に形成された硬質磁性材料からなる硬磁性層３１上に光硬化樹脂層３２を形成し、この光硬化樹脂層３２に、複数の凸部が形成されたモールド構造体３３を押し付け（図３Ａ）、モールド構造体３３側から紫外線を照射し（図３Ｂ）、光硬化樹脂層３２からモールド構造体３３を剥離する（図３Ｃ）。これにより、光硬化樹脂層３２に、モールド構造体３３に形成された凹凸パターンが転写されて、光硬化樹脂パターン３２ａが形成される。
なお、前記光硬化樹脂としては、光により硬化する樹脂であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＵＶナノインプリント用光硬化樹脂ＰＡＫ−０１（東洋合成（株）製）等が挙げられる（光硬化に関して特開２００８−１９２９２など参照）。
【００１７】
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥエッチング）により、光硬化樹脂パターン３２ａの残膜を除去し（図３Ｄ）、残膜が除去された光硬化樹脂パターン３２ａをマスクとして、ドライエッチングを行い（図３Ｅ）、硬磁性層３１に複数の凸部３１ａからなるビットパターンを形成する。
【００１８】
さらに、複数の凸部３１ａからなるビットパターン上に、転写パターン（マスク）４０を形成し（図４Ａ及び図５Ａ）、ドライエッチングを行い（図４Ｂ及び図５Ｂ）、四角錐台形状の記録ビット５０を形成する（図４Ｃ及び図５Ｃ）。
【００１９】
−その他の層−
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、中間層、軟磁性層、保護層、などが挙げられる。
【００２０】
−−中間層−−
前記磁気記録媒体においては、前記基板と前記記録ビットとの間に、非磁性体からなる中間層を有していてもよい。前記中間層の材料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ及びＴｉから選択される少なくとも１種、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２１】
前記中間層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記中間層の形成は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができるが、例えば、スパッタ法等により行うことができる。
【００２２】
−−軟磁性層−−
前記磁気記録媒体においては、前記基板と前記記録ビットとの間に、軟磁性下地層を有していてもよい。
前記軟磁性層の材料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、ＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＣ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ及びＣｏＺｒＮｂから選択される少なくとも１種、などが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
前記軟磁性層の形成は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができるが、例えば、スパッタ法や無電界メッキ等により行うことができる。
【００２４】
−−保護層−−
前記保護層は、前記記録ビットを保護する機能を有する層であり、前記記録ビットの表面乃至上方に設けられる。該保護層は、１層のみ設けられていてもよいし、２層以上設けられていてもよく、また、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
前記保護層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、などが挙げられる。
【００２５】
前記保護層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記保護層の形成は、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法に従って行うことができるが、例えば、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、などにより行うことができる。
【００２６】
本発明の磁気記録媒体は、磁気ヘッドを用いた各種の磁気記録に使用することができるが、単磁極ヘッドによる磁気記録に好適に使用することができる。
本発明の磁気記録媒体は、高密度記録・高速記録が可能で大容量であり、高品質である。このため、該磁気記録媒体は、各種の磁気記録媒体として設計し使用することができ、例えば、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置、などに設計し使用することができ、ハードディスク等の磁気ディスクに特に好適に設計し使用することができる。
【００２７】
（磁気記録再生装置）
本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体と、リード素子とを有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の部材を有してなる。例えば、磁気記録再生装置は、ハードディスクと、リード素子と、記録素子とを備える。
【００２８】
−リード素子−
前記リード素子は、前記磁気記録媒体に記録された情報を読み込むものである限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２９】
−−リード素子と記録ビットとの位置関係−−
前記リード素子と記録ビットとの位置関係としては、前記リード素子が、前記磁気記録媒体に形成された２個以上の記録ビットと対向する場合に、前記２以上の記録ビットのうちの１個の記録ビットに対しては、前記１個の記録ビットの上面及び側面と対向し、前記１個の記録ビット以外の他の記録ビットに対しては、前記他の記録ビットの側面のみと対向する。例えば、図６に示すように、リード素子の中心と記録ビットの中心が一致するように対向し、Ｒｗ≧２Ｔｐ−Ｔｗｂである場合、Ｔｗｂ−Ｔｗｔ＞Ｒｗ−（２Ｔｐ−Ｔｗｂ）を満たす。ここで、Ｒｗは、リード素子のクロストラック方向の幅（リードコア幅）を示し、Ｔｐは、記録ビット５０のトラックピッチ（記録ビットの底面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｂと記録ビット間隔Ｔｇとの合計）を示す。このように、リード素子のエッジ部ＲＥが、隣接記録ビット５０ａの上面５０ｔに対向しないで、隣接記録ビット５０ａの側面５０ｓのみと対向しているので、リード素子が隣接記録ビットに記録された情報を誤って読み込んでしまうことを防止することができる。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００３１】
（実施例１）
アルミニウム基板上にスパッタリング法でＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を厚さ５０ｎｍで成膜し、成膜された軟磁性裏打ち層上にＲｕからなる非磁性中間層を厚さ１０ｎｍで成膜し、成膜された非磁性中間層上にＣｏＣｒＰｔ合金からなる硬磁性層を厚さ１５ｎｍで成膜した。
次に、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる硬磁性層上に光硬化樹脂層を厚さ１５ｎｍで形成し、形成された光硬化樹脂層に、複数の凸部（（半径方向（クロストラック方向）の幅８０ｎｍ、円周方向（ダウントラック方向）の長さ６０ｎｍ））が形成されたモールド構造体を押し付け、モールド構造体側から紫外線（波長３００〜４００ｎｍ、強度１７０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光硬化樹脂層からモールド構造体を剥離して、光硬化樹脂層に、モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写して、光硬化樹脂パターンを形成した。
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥエッチング）を行い、光硬化樹脂パターンの残膜を除去し、残膜が除去された光硬化樹脂パターンをマスクとして、ドライエッチングを行い、ビット幅（半径方向（クロストラック方向）の幅）８０ｎｍ、ビット長（円周方向（ダウントラック方向）の長さ）６０ｎｍ、トラックピッチ（ビット幅とビット間隔との合計）１００ｎｍの直方体形状の凸部で形成されるビットパターンを形成した（図４Ａ）。
さらに、ビットパターン上にレジストからなる転写パターン（マスク）を形成した。その際、転写パターン（マスク）は、ビット幅８０ｎｍより狭い線幅６０ｎｍであった。その後、ドライエッチングを行い、底面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｂが８０ｎｍ、上面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチ（記録ビットの底面の半径方向（クロストラック方向）の幅と記録ビット間隔との合計）１００ｎｍの四角錐台形状の記録ビットを形成した。形成された記録ビットの表面にカーボン保護膜層をＣＶＤ法により厚さ３ｎｍで成膜し、さらに潤滑剤を塗布して、厚さ１．５ｎｍの潤滑剤層を形成した。
このように作製した実施例１の磁気ディスクのクロストークを、ディスク単板試験機を用いて測定した。測定結果を図７に示す。
【００３２】
（実施例２）
トラックピッチ１２０ｎｍの直方体形状の凸部で形成されるビットパターンを形成し、トラックピッチ１２０ｎｍの四角錐台形状の記録ビットを形成した以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製し、作製した磁気ディスクのクロストークを測定した。測定結果を図７に示す。
【００３３】
（実施例３）
トラックピッチ１４０ｎｍの直方体形状の凸部で形成されるビットパターンを形成し、トラックピッチ１４０ｎｍの四角錐台形状の記録ビットを形成した以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製し、作製した磁気ディスクのクロストークを測定した。測定結果を図７に示す。
【００３４】
（実施例４）
トラックピッチ１６０ｎｍの直方体形状の凸部で形成されるビットパターンを形成し、トラックピッチ１６０ｎｍの四角錐台形状の記録ビットを形成した以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製し、作製した磁気ディスクのクロストークを測定した。測定結果を図７に示す。
【００３５】
（実施例５）
アルミニウム基板上にスパッタリング法でＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を厚さ５０ｎｍで成膜し、成膜された軟磁性裏打ち層上にＲｕからなる非磁性中間層を厚さ１０ｎｍで成膜し、成膜された非磁性中間層上にＣｏＣｒＰｔ合金からなる硬磁性層を厚さ１５ｎｍで成膜した。
次に、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる硬磁性層上に光硬化樹脂層を厚さ１５ｎｍで形成し、形成された光硬化樹脂層に、複数の半径方向に延びた線状部（円周方向（ダウントラック方向）の長さ６０ｎｍ）が形成されたモールド構造体を押し付け、モールド構造体側から紫外線（波長３００〜４００ｎｍ、強度１７０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光硬化樹脂層からモールド構造体を剥離して、光硬化樹脂層に、モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写して、光硬化樹脂パターンを形成した。
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥエッチング）を行い、光硬化樹脂パターンの残膜を除去し、残膜が除去された光硬化樹脂パターンをマスクとして、ドライエッチングを行い、長さ（円周方向（ダウントラック方向）の長さ）６０ｎｍの半径方向（クロストラック方向）に延びる線状凸部で形成されるパターンを形成した（図５Ａ）。
さらに、半径方向（クロストラック方向）に対し直角に交わる円周方向（ダウントラック方向）に延び、レジストからなる線状転写パターン（マスク）を形成した。その際、転写パターン（マスク）は、線幅６０ｎｍであった。その後、ドライエッチングを行い、底面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｂが８０ｎｍ、上面の半径方向（クロストラック方向）の幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチ（記録ビットの底面の半径方向（クロストラック方向）の幅と記録ビット間隔との合計）１００ｎｍの四角錐台形状の記録ビットを形成した。形成された記録ビットの表面にカーボン保護膜層をＣＶＤ法により厚さ３ｎｍで成膜し、さらに潤滑剤を塗布して、厚さ１．５ｎｍの潤滑剤層を形成した。
【００３６】
（比較例１）
アルミニウム基板上にスパッタリング法でＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を厚さ５０ｎｍで成膜し、成膜された軟磁性裏打ち層上にＲｕからなる非磁性中間層を厚さ１０ｎｍで成膜し、成膜された非磁性中間層上にＣｏＣｒＰｔ合金からなる硬磁性層を厚さ１５ｎｍで成膜した。
次に、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる硬磁性層上に光硬化樹脂層を厚さ１５ｎｍで形成し、形成された光硬化樹脂層に、複数の凸部（（半径方向（クロストラック方向）の幅６０ｎｍ、円周方向（ダウントラック方向）の長さ６０ｎｍ））が形成されたモールド構造体を押し付け、モールド構造体側から紫外線（波長３００〜４００ｎｍ、強度１７０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光硬化樹脂層からモールド構造体を剥離して、光硬化樹脂層に、モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写して、光硬化樹脂パターンを形成した。
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥエッチング）を行い、光硬化樹脂パターンの残膜を除去し、残膜が除去された光硬化樹脂パターンをマスクとして、ドライエッチングを行い、ビット幅（半径方向（クロストラック方向）の幅）６０ｎｍ、ビット長（円周方向（ダウントラック方向）の長さ）６０ｎｍ、トラックピッチ１００ｎｍの直方体形状の記録ビットで形成されるビットパターンを形成した。
このように作製した比較例１の磁気ディスクのクロストークを、ディスク単板試験機を用いて測定した。測定結果を図７に示す。
【００３７】
（比較例２）
トラックピッチ１２０ｎｍの直方体形状の記録ビットを形成した以外は、比較例１と同様にして、磁気ディスクを作製し、作製した磁気ディスクのクロストークを測定した。測定結果を図７に示す。
【００３８】
（比較例３）
トラックピッチ１４０ｎｍの直方体形状の記録ビットを形成した以外は、比較例１と同様にして、磁気ディスクを作製し、作製した磁気ディスクのクロストークを測定した。測定結果を図７に示す。
【００３９】
（比較例４）
トラックピッチ１６０ｎｍの直方体形状の記録ビットを形成した以外は、比較例１と同様にして、磁気ディスクを作製し、作製した磁気ディスクのクロストークを測定した。測定結果を図７に示す。
【００４０】
図７より、実施例１で作製された磁気ディスク（幅Ｔｗｂが８０ｎｍ、幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチが１００ｎｍの記録ビット）は、比較例１で作製された磁気ディスク（幅Ｔｗｂが６０ｎｍ、幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチが１００ｎｍの記録ビット）よりもクロストークが低減していることが判った。
【００４１】
また、図７より、実施例２で作製された磁気ディスク（幅Ｔｗｂが８０ｎｍ、幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチが１２０ｎｍの記録ビット）は、比較例２で作製された磁気ディスク（幅Ｔｗｂが６０ｎｍ、幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチが１２０ｎｍの記録ビット）よりもクロストークが低減していることが判った。
【００４２】
また、図７より、実施例３で作製された磁気ディスク（幅Ｔｗｂが８０ｎｍ、幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチが１４０ｎｍの記録ビット）は、比較例３で作製された磁気ディスク（幅Ｔｗｂが６０ｎｍ、幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチが１４０ｎｍの記録ビット）よりもクロストークが低減していることが判った。
【００４３】
また、図７より、実施例４で作製された磁気ディスク（幅Ｔｗｂが８０ｎｍ、幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチが１６０ｎｍの記録ビット）は、比較例４で作製された磁気ディスク（幅Ｔｗｂが６０ｎｍ、幅Ｔｗｔが６０ｎｍ、トラックピッチが１６０ｎｍの記録ビット）よりもクロストークが低減していることが判った。
【００４４】
熱揺らぎは、ＫｕＶ／ｋＢＴ（Ｋｕ：異方性定数（８．２×１０６ｅｒｇ／ｃｃ）、Ｖ：記録ビット体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：温度）という指標を用いて表され、このＫｕＶ／ｋＢＴの値が大きいほど、熱揺らぎの影響を受けにくいことを示す。
実施例１〜５で作製された磁気ディスクにおける１個の記録ビットの体積６３，０００ｎｍ３は、比較例１で作製された磁気ディスクにおける１個の記録ビットの体積５４，０００ｎｍ３の１．１６倍となる。よって、同温度条件であれば、実施例１〜５で作製された磁気ディスクのＫｕＶ／ｋＢＴは、比較例１〜４で作製された磁気ディスクのＫｕＶ／ｋＢＴの１．１６倍となる。
【００４５】
以上より、実施例１〜５で作製された磁気ディスクは、比較例１〜４で作製された磁気ディスクと比較して、クロストーク及び熱揺らぎの影響を低減することができることが判った。
【００４６】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  円板状の基板と、該基板上に形成された複数の記録ビットとを備える磁気記録媒体であって、前記記録ビットの底面が前記基板側に設けられ、前記記録ビットの上面が前記底面と対向するように設けられ、前記底面の半径方向の幅Ｔｗｂが、前記上面の半径方向の幅Ｔｗｔよりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２）  前記底面は、長方形、円形、及び楕円形のいずれかである付記１に記載の磁気記録媒体。
（付記３）  前記記録ビットは、硬質磁性材料で形成されている付記１または２に記載の磁気記録媒体。
（付記４）  前記硬質磁性材料は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｂ、Ｔｉ及びＴａのいずれかを少なくとも含む合金である付記３に記載の磁気記録媒体。
（付記５）  前記記録ビットは、単層構造である付記１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（付記６）  前記記録ビットは、多層構造である付記１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（付記７）  前記基板は、ガラス基板、アルミ基板、シリコン基板及びセラミック基板のいずれかである付記１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（付記８）  前記基板上に形成された軟磁性層と、前記軟磁性層上に形成された中間層とをさらに備える付記１から７のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（付記９）  付記１から８のいずれかに記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に記録された情報を読み込むリード素子とを備える磁気記録再生装置であって、前記リード素子が、前記磁気記録媒体に形成された２個以上の記録ビットと対向する場合に、前記２個以上の記録ビットのうちの１個の記録ビットに対しては、前記１個の記録ビットの上面及び側面と対向し、前記１個の記録ビット以外の他の記録ビットに対しては、前記他の記録ビットの側面のみと対向することを特徴とする磁気記録再生装置。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの構造を示す概略説明図である。
【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの配列を示す概略説明図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その１）。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その２）。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その３）。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その４）。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その５）。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その６）。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その７）。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その８）。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その９）。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その１０）。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の磁気記録媒体における記録ビットの形成方法の工程図である（その１１）。
【図６】図６は、リード素子と記録ビットとの位置関係を説明するための図である。
【図７】図７は、クロストークと記録ビットのトラックピッチとの関係を示す図である。
【図８】図８は、従来の磁気記録媒体における記録ビットの構造を示す概略説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
３１      硬磁性層
３１ａ    凸部
３２      光硬化樹脂層
３２ａ    光硬化樹脂パターン
３３      モールド構造体
４０      転写パターン（マスク）
５０      記録ビット
【図１】
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【図２】
2009252319.tif 000004
【図３Ａ】
2009252319.tif 000005
【図３Ｂ】
2009252319.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
2009252319.tif 000008
【図３Ｅ】
2009252319.tif 000009
【図４Ａ】
2009252319.tif 000010
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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