(57)【要約】【課題】枠状のシール材から接着剤が漏れ出てしまうのを防止し、さらに、ギャップ材によって無機封止層がダメージを受けてしまうことによる不都合も防止した、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。【解決手段】素子基板２０と素子基板２０に対向配置される封止基板３０とのうちの一方あるいは両方に、表示領域４あるいはこれに対応する領域を囲むシール層を、ギャップ材を含有しない有機材料で形成し、シール層を硬化させてシール部３５を形成する工程と、素子基板２０の内面又は封止基板３０の内面の、シール部３５又はこれに対応する部位に囲まれた領域に、液状の接着剤を配置する工程と、素子基板２０の内面と封止基板３０の内面とを対向させ、接着剤を介して素子基板２０と封止基板３０とを貼り合わせる接着工程と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上の表示領域に発光素子を形成する工程と、
前記素子基板と該素子基板に対向配置される封止基板とのうちの一方あるいは両方に、前記表示領域あるいはこれに対応する領域を囲むシール層を、ギャップ材を含有しない有機材料で形成し、さらに、前記シール層を硬化させてシール部を形成する工程と、
前記素子基板の内面又は前記封止基板の内面の、前記シール部又はこれに対応する部位に囲まれた領域に、液状の接着剤を配置する工程と、
前記素子基板の内面と前記封止基板の内面とを対向させ、前記接着剤を介して前記素子基板と前記封止基板とを貼り合わせる接着工程と、を備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記シール部を形成する工程は、前記素子基板上にギャップ材を含有しない有機材料で前記表示領域を囲む第１シール層を形成し、その後該第１シール層を硬化させて第１シール部を形成する処理と、前記封止基板上にギャップ材を含有しない有機材料で前記表示領域に対応する領域を囲む第２シール層を形成し、その後該第２シール層を硬化させて第２シール部を形成する処理と、を含み、
前記第１シール部を形成する処理は、ギャップ材を含有しない有機材料で前記複数の発光素子を被覆する有機封止層を形成する処理と共に行い、
前記第２シール部を形成する処理は、前記封止基板上にオーバーコート層を形成する工程において、前記表示領域に対応する領域を囲む部分の膜厚を厚くし、該厚膜部を第２シール層とすることで行うことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１シール層を形成する処理と前記有機封止層を形成する処理とを、共に同じスクリーン印刷法で行うことを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記シール層を形成する処理は、前記封止基板の前記表示領域に対応する領域を囲って、ギャップ材を含有しない有機材料でシール層を形成することにより、行うことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
前記シール層の形成を、ディスペンス法で行うことを特徴とする請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
発光素子と該発光素子を被覆する有機封止層とを有する素子基板と、
前記素子基板に対向配置され、該素子基板と対向する面にオーバーコート層を形成した封止基板と、
前記素子基板と前記封止基板とを接着してこれら素子基板と封止基板とを貼り合わせる接着層と、を備え
前記素子基板には、前記有機封止層と同じ工程で形成された、ギャップ材を含有しない有機材料からなる第１シール部が、前記表示領域を囲んで形成され、
前記オーバーコート層には、前記表示領域に対応する領域を囲む部分に形成され、かつ前記第１シール部に当接して該第１シール部と共にシール部を構成する第２シール部が、該オーバーコート層が厚膜に形成されてなる厚膜部によって形成され、
前記接着層は、前記第１シール部と第２シール部とからなるシール部に囲まれた領域に配設されてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の電極間に有機発光層を挟持した複数の発光素子を備える有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と記す）が知られている。有機ＥＬ装置は、複数の発光素子（有機ＥＬ素子）を覆う封止層を備えた素子基板と、前記素子基板に対向して配置され、接着層を介して素子基板に接着された封止基板と、各基板の周辺部を接着する枠状のシール層と、を備えて構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１７３８６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような従来の有機ＥＬ装置は、通常、図９に示すように未硬化のシール材５０を素子基板６０上に枠状に配置し、その内側に液状の接着剤６２を配置した後、シール材５０を配置した素子基板６０に封止基板６４を対向配置させ、これらを貼り合わせ接着することで形成する。
ところが、接着剤６２を介して両基板６０、６４を貼り合わせると、接着剤６２が両基板６０、６４間で圧縮されて両基板６０、６４の外側に押し出され、未硬化の枠状のシール材５０を過度に押圧し、これによって接着剤６２がシール材５０の一部を突き破って外側に漏れ出てしまうおそれがある。このようにして接着剤６２が外側に漏れ出てしまうと、得られる有機ＥＬ装置は製造不良となってしまい、生産性が低下してしまうことになる。
【０００４】
また、両基板６０、６４を貼り合わせる際、これら両基板６０、６４の間隔を予め設定した所定間隔にするため、シール材５０には予め樹脂ボールなどのギャップ材（図示せず）を含有させている。そして、このギャップ材を含有したシール材５０を素子基板６０上に配置することにより、このシール材５０を介して両基板６０、６４を所定の間隔に保持する。その後、この状態で該シール材５０及び接着剤６２を硬化させることにより、これらシール材５０及び接着剤６２で両基板６０、６４を接着（貼着）し、固定するようにしている。
【０００５】
ところで、一般に有機ＥＬ素子（発光素子）は水分によって劣化し易いため、この劣化を防止するべく、素子基板６０には有機ＥＬ素子（図示せず）を覆って封止層６６が形成されている。この封止層６６としては、有機材料からなる有機封止層６７と、無機材料からなる無機封止層６８、６９とが積層されて形成されている。しかしながら、前記したようにギャップ材を含有したシール材５０を介して両基板を貼り合わせると、この貼り合わせ時の圧によって無機封止層６８、６９がギャップ材に押圧され、ダメージを受けてクラックなどを生じてしまうことがある。すると、無機封止層６８、６９としての機能が損なわれ、有機ＥＬ素子の水分による劣化が起こり易くなってしまう。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、枠状のシール材から接着剤が漏れ出てしまうのを防止し、さらに、ギャップ材によって無機封止層がダメージを受けてしまうことによる不都合も防止した、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、素子基板上の表示領域に発光素子を形成する工程と、前記素子基板と該素子基板に対向配置される封止基板とのうちの一方あるいは両方に、前記表示領域あるいはこれに対応する領域を囲むシール層を、ギャップ材を含有しない有機材料で形成し、さらに、前記シール層を硬化させてシール部を形成する工程と、前記素子基板の内面又は前記封止基板の内面の、前記シール部又はこれに対応する部位に囲まれた領域に、液状の接着剤を配置する工程と、前記素子基板の内面と前記封止基板の内面とを対向させ、前記接着剤を介して前記素子基板と前記封止基板とを貼り合わせる接着工程と、を備えたことを特徴としている。
【０００８】
この有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、表示領域あるいはこれに対応する領域を囲んでシール層を形成し、さらに、このシール層を硬化させてシール部を形成した後、シール部又はこれに対応する部位に囲まれた領域に液状の接着剤を配置し、該接着剤を介して前記素子基板と前記封止基板とを貼り合わせるので、貼り合わせ時に接着剤が圧縮されて両基板の外側に押し出されても、これを囲むシール部を予め硬化させているので、接着剤によってその一部が突き破られるといった不都合を防止することができる。したがって、得られる有機ＥＬ装置の製造不良を防止し、生産性の向上を図ることができる。
また、ギャップ材を含有しない有機材料でシール層を形成し、このシール層を硬化させることでシール部を形成しているので、両基板の貼り合わせ時に、その貼り合わせ圧によって例えば無機封止層がギャップ材に押圧され、ダメージを受けるといったことも防止することができる。また、シール部を硬化しているので、このシール部の高さを予め設定した所定高さに形成しておくことにより、両基板を貼り合わせた際、該シール部によって両基板の間隔を予め設定した所定間隔に保持し固定することができる。したがって、両基板の間隔を所定間隔に固定すると同時に、無機封止層がダメージを受けてしまうことによる不都合を防止することができる。
【０００９】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記シール部を形成する工程は、前記素子基板上にギャップ材を含有しない有機材料で前記表示領域を囲む第１シール層を形成し、その後該第１シール層を硬化させて第１シール部を形成する処理と、前記封止基板上にギャップ材を含有しない有機材料で前記表示領域に対応する領域を囲む第２シール層を形成し、その後該第２シール層を硬化させて第２シール部を形成する処理と、を含み、
前記第１シール部を形成する処理は、ギャップ材を含有しない有機材料で前記複数の発光素子を被覆する有機封止層を形成する処理と共に行い、
前記第２シール部を形成する処理は、前記封止基板上にオーバーコート層を形成する工程において、前記表示領域に対応する領域を囲む部分の膜厚を厚くし、該厚膜部を第２シール層とすることで行ってもよい。
このようにすれば、第１シール部については、新たに工程を増やすことなく、既存の工程における処理を兼ねることで形成することができる。また、第２シール部の形成については、オーバーコート層の形成工程を一部変えることで、容易に行うことができる。
【００１０】
なお、この製造方法においては、前記第１シール層を形成する処理と前記有機封止層を形成する処理とを、共に同じスクリーン印刷法で行うのが好ましい。
このようにすれば、既存の有機封止層の形成を兼ねて第１シール層を形成することができ、したがって生産性やコストの点で有利になる。
【００１１】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記シール層を形成する処理は、前記封止基板の前記表示領域に対応する領域を囲って、ギャップ材を含有しない有機材料でシール層を形成することにより、行ってもよい。
このように封止基板側にシール層を形成すれば、封止基板には発光素子を形成せず、したがって素子基板に比べて工程上待機時間が長くなるので、この待機時間にシール層を形成することにより、装置全体の生産効率の向上を図ることができる。
【００１２】
なお、この製造方法においては、前記シール層の形成を、ディスペンス法で行うのが好ましい。
このようにすれば、所望の位置に選択的に有機材料を配することができ、したがって材料のロスをなくし、かつ、所望の幅でシール層を形成することができる。
【００１３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、発光素子と該発光素子を被覆する有機封止層とを有する素子基板と、前記素子基板に対向配置され、該素子基板と対向する面にオーバーコート層を形成した封止基板と、前記素子基板と前記封止基板とを接着してこれら素子基板と封止基板とを貼り合わせる接着層と、を備え
前記素子基板には、前記有機封止層と同じ工程で形成された、ギャップ材を含有しない有機材料からなる第１シール部が、前記表示領域を囲んで形成され、
前記オーバーコート層には、前記表示領域に対応する領域を囲む部分に形成され、かつ前記第１シール部に当接して該第１シール部と共にシール部を構成する第２シール部が、該オーバーコート層が厚膜に形成されてなる厚膜部によって形成され、
前記接着層は、前記第１シール部と第２シール部とからなるシール部に囲まれた領域に配設されてなることを特徴としている。
【００１４】
この有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、第１シール部と第２シール部とからなるシール部に囲まれた領域に接着層が配設されているので、素子基板と封止基板との貼り合わせに先だってシール部を硬化させておくことにより、両基板の貼り合わせ時に接着層となる接着剤が圧縮されて両基板の外側に押し出されても、該接着剤によってこれを囲むシール部の一部が突き破られることが防止されたものとなる。
また、素子基板に、ギャップ材を含有しない有機材料によって第１シール部が形成されているので、両基板の貼り合わせ時に、その貼り合わせ圧によって例えば無機封止層がギャップ材に押圧され、ダメージを受けるといったことも防止されたものとなる。
また、第１シール部は、新たな工程でなく、既存の工程における処理を兼ねることで形成されたものとなる。さらに、第２シール部は、オーバーコート層の形成工程を一部変えることで容易に形成されたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
【００１６】
図１は、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）の配線構造を示す模式図である。この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有し、走査線１０１と信号線１０２との各交点付近にサブ画素Ｘを形成したものである。
【００１７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１８】
さらに、サブ画素Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、この保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極（画素電極）１０と、この陽極１０と陰極（共通電極）１１との間に挟み込まれた発光層（有機発光層）１２が設けられている。
【００１９】
この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、この保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から陽極１０に電流が流れ、さらに有機発光層を含む機能層１２を介して陰極１１に電流が流れる。機能層１２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２０】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２〜図４を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図、図３は有機ＥＬ装置１を模式的に示す断面図、図４は図３の要部（Ａ部）を示す図である。
【００２１】
図２に示すように有機ＥＬ装置１は、素子基板本体２１上に形成された前述の各種配線、ＴＦＴ、及び各種回路により有機発光層を発光させるＴＦＴ素子基板（以下、素子基板と記す）２０を備えている。また、図２では図示を省略するが、素子基板２０に対向して封止基板３０が配置されている。
素子基板２０及び封止基板３０は、後述する複数の発光素子及び着色層が形成された領域に対応する表示領域４（中央部分に二点鎖線で示す枠内の領域）と、表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線と二点鎖線との間の領域）とを備えている。
【００２２】
表示領域４内には、複数の画素領域Ｒ，Ｇ，Ｂがマトリクス状に配置されている。画素領域Ｒ，Ｇ，Ｂは、それぞれ、図１のサブ画素Ｘが備える陽極１０と、有機発光層を含む機能層１２と、陰極１１とからなる発光素子（有機ＥＬ素子）を備えて構成されている。そして、発光素子から射出された光を各画素領域Ｒ，Ｇ，Ｂの着色層に透過させることにより、各画素領域Ｒ，Ｇ，Ｂから、それぞれＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の光を取り出すことができるようになっている。
【００２３】
また、画素領域Ｒ，Ｇ，Ｂの各々は、紙面縦方向において同一色で配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。そして、画素領域Ｒ，Ｇ，Ｂが一つのまとまりとなって、表示単位画素が構成されており、表示単位画素はＲ，Ｇ，Ｂの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
【００２４】
素子基板２０上の表示領域４の図２中両側であって、ダミー領域５の下層側には、走査線駆動回路８０が配置されている。また、素子基板２０上の表示領域４の図２中上方側であってダミー領域５の下層側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬ装置１の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２５】
図３に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機ＥＬ装置である。トップエミッション構造は、光を素子基板２０側ではなく封止基板３０側から取り出すため、素子基板２０に配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保できる効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、発光素子２２の寿命を長く維持することができる。
【００２６】
この有機ＥＬ装置１は、素子基板２０と、素子基板２０に対向して配置され、接着層３４及びシール部３５を介して素子基板２０に接着された封止基板３０とを備えている。
素子基板２０上には、陽極１０と陰極１１との間に、有機発光層（図示せず）を含む機能層１２を挟持した複数の発光素子２２が形成されている。そして、これら複数の発光素子２２を覆うように封止層２３が形成されている。
【００２７】
素子基板２０は、素子基板本体２１と、素子基板本体２１の封止基板３０側の面（内面）を覆う無機絶縁層１４とを備えている。素子基板本体２１は、例えばガラスやシリコン等によって形成され、無機絶縁層１４は、窒化珪素等によって形成されている。素子基板本体２１上には、駆動用ＴＦＴ１２３や、その他、図１に示す各種配線等（図３では図示省略）が形成され、無機絶縁層１４はこれらを覆って形成されている。
【００２８】
無機絶縁層１４上には、アルミ合金等からなる金属反射板１５が内装された平坦化層１６が形成されている。平坦化層１６は、絶縁性の樹脂材料、例えば、感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂等により形成されている。
平坦化層１６上の金属反射板１５に平面的に重なる領域には、発光素子２２の陽極１０が形成されている。陽極１０は、例えば仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入層の高いＩＴＯ（Indium Thin Oxide:インジウム錫酸化物）等の金属酸化物により形成されている。陽極１０は、平坦化層１６及び無機絶縁層１４を貫通するコンタクトホールを介して、素子基板本体２１上の駆動用ＴＦＴ１２３に接続されている。
【００２９】
また、平坦化層１６上には、発光素子２２を区画する絶縁性の画素隔壁１３が形成されている。画素隔壁１３は、陽極１０の上部を露出させる複数の開口部を備えている。
この開口部と画素隔壁１３による凹凸形状に沿って、画素隔壁１３及び陽極１０の上面を覆って機能層１２が形成されている。機能層１２は、有機発光層（図示せず）を有して構成されたもので、この有機発光層としては、例えば、スリチルアミン系発光層にアントラセン系のドーパントをドーピングした層（青色）と、スリチルアミン系発光層にルブレン系のドーパントをドーピングした層（黄色）と、を同時に発光させて白色発光を実現している発光材料を用いることができる。
【００３０】
なお、本実施形態では、機能層１２を構成する機能膜として、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子注入バッファー層などを有している。すなわち、陽極１０と前記有機発光層との間に、トリアリールアミン多量体（ＡＴＰ）層（正孔注入層）、トリフェニルジアミン系誘導体（ＴＰＤ）層（正孔輸送層）をこの準に形成し、有機発光層と陰極１１との間に、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ３）層（電子注入層）、ＬｉＦ（電子注入バッファー層）がそれぞれ成膜され、形成されている。このような構成のもとに、機能層１２は、各電極からの電子および正孔の注入を容易にさせ、これら電子と正孔とを有機発光層で良好に再結合させるようになっている。
【００３１】
機能層１２上には、機能層１２の表面形状に沿って、該機能層１２を覆って陰極１１が形成されている。陰極１１は、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置１においては光透過性を有する材料により形成する必要がある。したがって、陰極１１の材料としては、例えば、ＩＴＯ、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス導電膜（Indium Zinc Oxide）等を用いることができる。
【００３２】
また、陰極１１は、電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナートカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極としての性能が低いため、発光部分を避けるようにアルミニウムや金、銀、銅などの金属層をパターン形成したり、ＩＴＯや酸化錫などの透光性を有する金属酸化物導電層と組み合わせて用いたりしてもよい。
本実施形態では、陰極１１の材料としてフッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ＩＴＯの積層体を、透光性が得られる膜厚に調整して用いている。
【００３３】
また、素子基板２０上には、無機絶縁層１４、平坦化層１６、及び発光素子２２の陰極１１を覆って、電極保護層１７が形成されている。電極保護層１７は、例えば、珪素酸窒化物等の珪素化合物により形成されたもので、無機封止層として機能するものである。
電極保護層（無機封止層）１７上には、これを覆って有機緩衝層１８が形成されている。この有機緩衝層１８は、画素隔壁１３とその開口部による凹凸形状を埋めるように形成されて、素子基板２０上を平坦化するもので、有機封止層として機能するものである。
【００３４】
有機緩衝層１８は、光透過性を有する材料によって形成されたもので、原料主成分としては、減圧雰囲気下にてスクリーン印刷法で形成されるため、流動性に優れ、かつ溶媒や揮発成分の無い、全てが高分子骨格の原料となる有機化合物材料である必要がある。このような材料としては、好ましくはエポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる（モノマーの定義：分子量１０００以下、オリゴマーの定義：分子量１０００〜３０００）。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、３，４-エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性３，４-エポキシシクロヘキシルメチル３'，４'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。
【００３５】
また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性や接着性に優れ、かつ硬度が高く強靭で耐熱性に優れる硬化被膜を形成するものがよく、透光性に優れ、かつ硬化のばらつきの少ない付加重合型がよい。例えば、３−メチル−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などの酸無水物系硬化剤が好ましい。さらに、酸無水物の反応（開環）を促進する反応促進剤として、１，６−ヘキサンジオールなど分子量が大きく揮発しにくいアルコール類や、アミノフェノールなどのアミン化合物を微量添加することで、低温硬化しやすくなる。これらの硬化は、６０〜１００℃の範囲の加熱で行われ、その硬化被膜はエステル結合を持つ高分子となる。
また、硬化時間を短縮するためによく用いられる、カチオン放出タイプの重合開始剤を用いてもよいが、硬化収縮が急激に進まないように反応の遅いものが好ましい。また、塗布後の加熱による粘度低下で平坦化を進めるように、最終的には熱硬化を用いて硬化物を形成するものが好ましい。
【００３６】
有機緩衝層（有機封止層）１８上には、有機緩衝層１８を覆うガスバリア層１９が形成されている。ガスバリア層１９は、透光性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、例えば、窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物等によって形成されたもので、無機封止層として機能するものである。なお、本実施形態では、このガスバリア層１９の材質や膜厚を適宜調整することにより、可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上にしている。
このような構成のもとに、本実施形態では、このガスバリア層（無機封止層）１９と、前記電極保護層（無機封止層）１７及び有機緩衝層（有機封止層）１８とにより、発光素子２２を覆う封止層２３が構成されている。
【００３７】
素子基板２０のガスバリア層１９が形成された面には、封止基板３０が対向して配置されている。封止基板３０は、接着層３４及びシール部３５を介して素子基板２０上のガスバリア層１９に接着されている。封止基板３０は、ガラスまたは透明プラスチック（ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネ―ト、ポリオレフィン等）等の光透過性を有する材料で構成された封止基板本体３１を備えている。
【００３８】
封止基板本体３１の素子基板２０と対向する面には、着色層３７として、赤色着色層３７Ｒ、緑色着色層３７Ｇ、青色着色層３７Ｂがマトリクス状に配列形成されている。また、各着色層３７の周囲には、各着色層３７を区画するブラックマトリクス層（遮光層）３２が形成されている。着色層３７及びブラックマトリクス層３２は、封止基板３０を素子基板２０に位置合わせして接着するときに、図２に示す表示領域４に配置されるようになっている。また、着色層３７の膜厚は、例えば約０．１〜１．５μｍ程度に調整されており、着色層３７の幅は、約１０〜１５μｍ程度に形成されている。
【００３９】
着色層３７は、それぞれ、陽極１０上に形成された白色発光をなす機能層１２に対向して、平面的に重なるように配置されている。これにより、機能層（有機発光層）１２から射出された光が、着色層３７の各々を透過し、赤色光、緑色光、青色光の各色光として観察者側に射出されるようになっている。
【００４０】
また、封止基板本体３１上には、表示領域４に形成された着色層３７及びブラックマトリクス層３２の上に、これらを覆ってオーバーコート層（被覆層）３３が形成されている。このオーバーコート層３３は、表示領域４の内側から表示領域４の外側にまで形成されている。また、このオーバーコート層３３は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料によって形成されたもので、約２〜４μｍ程度の膜厚に形成されたものである。
【００４１】
前記シール部３５は、本実施形態では図４に示すように、素子基板２０側に形成されてなる第１シール部３５ａと、封止基板３０側に形成された第２シール部３５ｂとからなっている。第１シール部３５ａは、後述するように、前記有機緩衝層（有機封止層）１８の形成処理と同じ処理で形成されたものであり、したがって有機緩衝層１８と同じ有機材料で形成されたものである。すなわち、この第１シール部３５ａは、前述したように主にエポキシ樹脂（エポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマー）によって形成されたもので、樹脂ボール等のギャップ材を含有しない材料によって形成されたものである。
【００４２】
この第１シール部３５ａは、前記機能層１２を形成してなる表示領域４を囲んで環状に形成されたもので、該機能層１２を覆う有機緩衝層１８のさらに外側に形成されたものである。なお、この第１シール部３５ａは有機緩衝層１８と同じ処理で形成されることから、有機緩衝層１８上に形成されるガスバリア層１９は、本実施形態では第１シール部３５ａを覆うことなく、有機緩衝層１８上にのみ選択的に形成されている。
ここで、この第１シール部３５ａは、有機緩衝層１８と同じ処理で形成されることから、この有機緩衝層１８と同じ厚さに形成されることになる。ところが、図３に示したように素子基板２０と封止基板３０との間隔は、有機緩衝層１８の厚さに画素隔壁１３の厚さや接着層３４の厚さなどを加えた厚さに等しくなることから、当然第１シール部３５ａの高さだけでは素子基板２０と封止基板３０との間をシールする機能を発揮できなくなる。
【００４３】
そこで、前記シール部３５は、前記第１シール部３５ａに加えて第２シール部３５ｂを有し、これら第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとにより、シール部としての機能を発揮するようになっている。第２シール部３５ｂは、前記オーバーコート層３３上、すなわちその内面（表面）側において、前記表示領域４に対応する領域を囲む部分に形成された環状のもので、本実施形態ではオーバーコート層３３が部分的に厚膜に形成されてなる、厚膜部によって形成されている。したがって、この第２シール部３５ｂは、オーバーコート層３３と同様に、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等よって形成されている。
【００４４】
また、この第２シール部３５ｂの高さは、前記第１シール部３５ａの高さとの和が、素子基板２０と封止基板３０との間隙にほぼ一致するように形成されている。正確には、図３、図４に示したように第１シール部３５ａは電極保護層（無機封止層）１７上に形成されており、また、第２シール部３５ｂはオーバーコート層３３上に形成されていることから、第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとからなるシール部３５の高さは、素子基板２０と封止基板３０との間隙から電極保護層１７の厚さオーバーコート層３３の厚さとを差し引いた高さとなっている。なお、このような第２シール部３５ｂの高さは、設計された素子基板２０と封止基板３０との間隙寸法に基づいて、予め決定され、形成されている。
【００４５】
接着層３４は、硬化前の原料主成分としては、流動性に優れ、かつ溶媒のような揮発成分を持たない有機化合物材料である必要があり、有機緩衝層１８及び第１シール部３５ａと同様の材料が用いられる。また、接着層３４のエポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤についても、有機緩衝層１８と同様の材料が用いられる。
【００４６】
なお、シール部３５の形成位置は、有機ＥＬ装置１の周辺部であって、額縁部（非発光部分）内となっている。額縁部は、有機ＥＬ装置１の非発光部分であり、例えば、素子基板２０上の最端部に設けられた画素隔壁１３から素子基板２０の端部までの範囲である。また、シール部３５の幅については、特に第１シール部３５ａの幅ｄが約１ｍｍに形成されている。
【００４７】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法について図５〜図７を用いて説明する。なお、図５（ａ）〜（ｄ）は素子基板２０側の製造工程を示す工程図、図６（ａ）〜（ｃ）は封止基板３０側の製造工程を示す工程図、図７（ａ）、（ｂ）は素子基板２０と封止基板３０との接着工程を示す工程図である。
【００４８】
まず、図５（ａ）に示すように、公知の製造方法により、素子基板本体２１上に各種配線、ＴＦＴ、各種回路、無機絶縁層１４、平坦化層１６、金属反射板１５、発光素子２２及び画素隔壁１３を形成し、これらを覆うように電極保護層（無機封止層）１７を形成する。
この電極保護層１７としては、例えば窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などを、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法によって成膜し、形成する。
【００４９】
次に、図５（ｂ）に示すように、前記のギャップ材を含有しない有機材料で電極保護層１７上に有機緩衝層（有機封止層）１８を形成すると同時に、第１シール部３５ａを形成する。すなわち、第１シール部３５ａを形成する処理を、有機緩衝層１８を形成する処理と共に行う。
具体的には、減圧雰囲気下にてスクリーン印刷を行い、有機緩衝層１８の形成領域に樹脂を配するとともに、第１シール部３５ａの形成領域に樹脂を配して第１シール層（図示せず）を形成する。その後、これら樹脂を６０〜１００℃の範囲で加熱して硬化させることで、有機緩衝層１８と第１シール部３５ａとを同時に形成する。
【００５０】
このとき、有機緩衝層１８の形成材料が電極保護層１７や陰極１１を透過してＡｌｑ３などの機能層１２に浸透し、ダークスポットが発生することを防止するために、ある程度硬化が進むまでは低温で放置し、その後ある程度高粘度化した時点で温度を上げ、完全硬化を行う。
【００５１】
次に、図５（ｃ）に示すように、有機緩衝層１８上にガスバリア層１９を形成する。
具体的には、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法で形成する。また、形成前には、酸素プラズマ処理によって密着性を向上させると信頼性が向上する。なお、このガスバリア層１９については、例えばマスクを用いることにより、前述したように第１シール部３５ａの内側にのみ選択的に成膜し、形成する。すなわち、第１シール部３５ａの表面にはガスバリア層１９が形成されないようにして、成膜を行う。ただし、ガスバリア層１９の材料を第１シール部３５ａ上にも成膜し、その後第１シール部３５ａ上から除去することで、第１シール部３５ａの内側に選択的にガスバリア層１９を形成してもよい。
【００５２】
次に、図５（ｄ）に示すように、ガスバリア層１９上、すなわち第１シール部３５ａに囲まれた領域内に、液状の接着剤３４ａを配置する。具体的には、ディスペンス法によって前述した熱硬化性樹脂材料を配し塗布する。なお、この接着剤３４ａの配置については、後述する封止基板３０側に行うようにしてもよい。
以上の工程により、複数の発光素子２２を備え、それらが電極保護層１７、有機緩衝層１８、及びガスバリア層１９からなる封止層２３により被覆されてなり、さらに、有機緩衝層１８の外側に、この有機緩衝層１８と同じ処理で形成された環状の第１シール部３５ａを形成してなる、素子基板２０が製造される。
【００５３】
一方、図６（ａ）に示すように、封止基板本体３１上に、着色層３７及びブラックマトリクス層３２を形成する。着色層３７として、赤色着色層３７Ｒ、緑色着色層３７Ｇ、青色着色層３７Ｂを、表示領域４に対応してマトリクス状に形成するとともに、各着色層３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂの周囲に、各着色層３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂを区画するブラックマトリクス層３２を形成する。
【００５４】
具体的には、各着色層３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂを、陽極１０上に形成された白色の機能層１２に対向するように形成する。着色層３７の膜厚は光透過率を考慮して極力薄い方がよく、赤色着色層３７Ｒ、緑色着色層３７Ｇ、青色着色層３７Ｂを、前記した０．１〜１．５μｍ程度でそれぞれ形成する。
ブラックマトリクス層３２は、着色層３７と同様かそれ以上の膜厚で形成する。
具体的には、フォトリソグラフィ法やインクジェット法などの印刷法でパターン形成し、使用する材料に応じて塗布量を調整しながら膜厚を適宜調整する。
【００５５】
次に、図６（ｂ）に示すように、着色層３７及びブラックマトリクス層３２を覆い、表示領域４の内側から外側まで延設するようにオーバーコート層３３を形成する。
具体的には、前記した樹脂材料を原料成分または有機溶媒等で希釈して、フレキソ印刷法やグラビア印刷法やスリットコート法やスクリーン印刷法などを用いてパターン塗布し、熱オーブン等で蒸発及び硬化を行う。
【００５６】
また、本実施形態では、このオーバーコート層３３を形成する工程において、前記表示領域４に対応する領域を囲む部分の膜厚を厚く形成して厚膜部を形成し、この厚膜部を第２シール層とする。具体的には、図６（ｂ）に示したようにオーバーコート層３３を形成した後、この処理に連続して、例えばスリットコート法で前記表示領域４に対応する領域を囲む第２シール層（厚膜部）を形成する。その後、該第２シール層（厚膜部）を熱オーブン等で加熱し硬化させ、図６（ｃ）に示すように第２シール部３５ｂを形成する。
【００５７】
このとき、形成する第２シール部３５ｂの高さについては、この第２シール部３５ｂと前記第１シール部３５ａとの高さの和が、予め設定した素子基板２０と封止基板３０との間隙にほぼ一致するように形成する。なお、第２シール部３５ｂの形成については、例えばオーバーコート層３３を厚く形成しておき、その後、前記表示領域４に対応する領域を所定の深さ分除去して凹部を形成することにより、前記表示領域４に対応する領域を囲む部分の膜厚を厚く形成し、この厚膜部を第２シール部３５ｂとすることもできる。
このようにして第２シール部３５ｂを形成することにより、封止基板本体３１上に着色層３７及びブラックマトリクス層３２を形成し、さらにこれらを覆うオーバーコート層３３と第２シール部３５ｂとを備えた、封止基板３０が製造される。
【００５８】
次に、図７（ａ）に示すように、素子基板２０上に封止基板３０を対向させ、かつ、素子基板２０上の第１シール部３５ａと封止基板３０上の第２シール部３５ｂとを対向させる。
続いて、接着剤３４ａを介して素子基板２０と封止基板３０とを貼り合わせる。このとき、貼り合わせた素子基板２０と封止基板３０とのアライメント位置の微調整を行い、第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとが互いに当接するようにしつつ、素子基板２０と封止基板３０の双方を接近させていく。
【００５９】
具体的には、素子基板２０と封止基板３０とを面方向（平行方向）に相対移動させ、発光素子２２と着色層３７との対向位置を調整する。例えば、発光素子２２と着色層３７との位置ずれが２μｍ以下となるように調整する。このようにして、最終的な位置合わせ（補正）を行う。すると、第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとは互いに突き合わされ、当接させられることにより、シール部３５を構成するようになる。
【００６０】
次いで、アライメント位置精度を調整しつつ、例えば真空度１Ｐａの真空雰囲気下にて加圧６００Ｎで２００秒間保持し、素子基板２０と封止基板３０とを接着剤３４ａを介して圧着する。
すると、封止基板３０と素子基板２０との間で圧縮されて、封止基板３０の外周側に押し出された接着剤３４ａは、図７（ｂ）に示すように、第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとからなるシール部３５によってせき止められる。すなわち、これら第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとは、いずれも既に硬化させられているので、接着剤３４ａの流れに抗してこれをせき止め、シール部３５の一部が突き破られてしまうことがない。
【００６１】
次いで、圧着して貼り合わせた素子基板２０と封止基板３０とを大気雰囲気中で加熱する。具体的には、素子基板２０と封止基板３０とを貼り合わせた状態で、大気中において６０〜１００℃程度で加熱することにより、接着剤３４ａを熱硬化させ、接着層３４を形成する。この接着層３４は、ガスバリア層１９を保護する役割もあり、液状のままであると高温となる場所に放置された場合に、装置内で液状の接着層３４（接着剤３４ａ）が対流してガスバリア層１９を損傷するおそれがあるため、接着層３４は必ず硬化させておく。
以上により、図３に示した本実施形態の有機ＥＬ装置１を製造することができる。
【００６２】
このような有機ＥＬ装置１の製造方法によれば、素子基板２０と封止基板３０との貼り合わせ時に接着剤３４ａが圧縮されて外側に押し出されても、これを囲むシール部３５を予め硬化させているので、接着剤３４ａによってその一部が突き破られるといった不都合を防止することができる。
また、ギャップ材を含有しない有機材料で第１シール層、第２シール層を形成し、これらシール層を硬化させることで第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとからなるシール部３５を形成しているので、両基板の貼り合わせ時に、その貼り合わせ圧によって例えば電極保護層（無機封止層）１７がギャップ材に押圧され、ダメージを受けるといったことも防止することができる。したがって、この製造方法にあっては、得られる有機ＥＬ装置１の製造不良を防止し、生産性の向上を図ることができる。
【００６３】
また、第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとからなるシール部３５の高さを予め設定した所定高さに形成しておくことにより、両基板を貼り合わせた際、該シール部３５によって両基板の間隔を予め設定した所定間隔に保持し固定することができる。したがって、両基板の間隔を所定間隔に固定すると同時に、前記したように電極保護層（無機封止層）１７がダメージを受けてしまうことによる不都合を防止することができる。
さらに、第１シール部３５ａを形成する処理を、有機緩衝層（有機封止層）１７を形成する処理と共に行うので、この第１シール部３５ａについて、新たに工程を増やすことなく、既存の工程における処理を兼ねることで容易に形成することができる。また、第２シール部３５ｂを形成する処理を、オーバーコート層３３を形成する工程において、前記表示領域４に対応する領域を囲む部分の膜厚を厚くすることで行っているので、オーバーコート層３３の形成工程を一部変えることで、容易に行うことができる。
【００６４】
また、特に第２シール部３５ｂを、オーバーコート層３３と同じアクリル樹脂やポリイミド樹脂等によって形成しているので、これら樹脂が例えばエポキシ樹脂に比べて弾性が高く、弾性変形し易くなる。したがって、両基板を貼り合わせて第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとを突き合わせた際、これらにかかる圧を第２シール部３５ｂが吸収し、電極保護層１７などにダメージを与えてしまうことが防止される。
【００６５】
また、このようにして得られた有機ＥＬ装置１によれば、両基板の貼り合わせ時に接着層３４となる接着剤３４ａが圧縮されて両基板の外側に押し出されても、該接着剤３４ａによってこれを囲むシール部３５の一部が突き破られることが防止されたものとなる。
また、素子基板２０に、ギャップ材を含有しない有機材料によって第１シール部３５ａが形成されているので、両基板の貼り合わせ時に、その貼り合わせ圧によって電極保護層（無機封止層）１７がギャップ材に押圧され、ダメージを受けるといったことも防止されたものとなる。
また、第１シール部３５ａは、新たな工程でなく、既存の工程における処理を兼ねることで形成されたものとなる。さらに、第２シール部３５ｂは、オーバーコート層３３の形成工程を一部変えることで容易に形成されたものとなる。
【００６６】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、前記実施形態では第１シール部３５ａと第２シール部３５ｂとを突き合わせることでシール部３５としたが、素子基板２０側にはシール部を形成することなく、封止基板３０側にのみシール部を形成するようにしてもよい。
【００６７】
すなわち、封止基板３０には、図６（ｂ）に示したようにオーバーコート層３３を形成した後、前述したように第２シール部３５ｂを形成するのに代えて、ギャップ材を含有しない有機材料、例えばオーバーコート層３３と同じアクリル樹脂やポリイミド樹脂、あるいはエポキシ樹脂などを用い、図８（ａ）に示すようにシール層３８ａを形成する。その際、このシール層３８ａの形成法としてはディスペンス法が好適に用いられる。ディスペンス法を用いることにより、所望の位置に選択的に有機材料を配することができ、したがって材料のロスをなくし、かつ、所望の幅でシール層３８ａを形成することができるからである。そして、このようにしてシール層３８ａを形成したら、素子基板２０と封止基板３０とを貼り合わせる前に、これを例えば加熱処理することで硬化させ、シール部３８を形成する。
【００６８】
ここで、ディスペンス法で形成する場合、形成するシール層３８ａの厚さがある程度厚くなり、設定された素子基板２０と封止基板３０との間隙より高いシール部３８が形成されてしまうことがある。そこで、形成するシール部３８の高さに応じて、例えば図８（ｂ）に示すように予めオーバーコート層３３を一回り小さく形成して、図８（ａ）に示した状態に比べその外周部をなくしておき、シール部３８を封止基板３０の表面（内面）に直接形成するようにしてもよい。さらには、図８（ｃ）に示すように、封止基板本体３１における前記シール部３８の形成領域を、予めエッチング等によって掘り込んで凹溝３９を形成しておき、ここにシール部３８を形成するようにしてもよい。
【００６９】
このようにしてシール部３８を形成しても、素子基板２０と封止基板３０とを貼り合わせた際、シール部３８を予め硬化しているので、接着剤３４ａによってその一部が突き破られるといった不都合を防止することができる。したがって、得られる有機ＥＬ装置の製造不良を防止し、生産性の向上を図ることができる。
また、ギャップ材を含有しない有機材料でシール層３８ａを形成し、このシール層３８ａを硬化させることでシール部３８を形成するので、両基板の貼り合わせ時に、その貼り合わせ圧によって例えばガスバリア層（無機封止層）１９や電極保護層（無機封止層）１７がギャップ材に押圧され、ダメージを受けるといったことも防止することができる。特に、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の弾性が比較的高く、弾性変形し易い有機材料を用いてシール部３８を形成すれば、シール部３８に押圧されることによってガスバリア層（無機封止層）１９や電極保護層（無機封止層）１７にダメージが与えられるのも防止される。
【００７０】
また、前記実施形態では、本発明をトップエミッション型の有機ＥＬ装置に適用した場合について述べたが、本発明をボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に適用してもよいのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ装置の概略構成を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ装置の概略構成を模式的に示す側断面図である。
【図４】図３におけるＡ部の拡大断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す工程図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）本発明に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法に係る要部側断面図である。
【図９】従来の有機ＥＬ装置の概略構成を模式的に示す側断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１…有機ＥＬ装置、４…表示領域、１０…陽極、１１…陰極、１２…機能層、１７…電極保護層（無機封止層）、１８…有機緩衝層（有機封止層）、１９…ガスバリア層（無機封止層）、２０…素子基板、２１…素子基板本体、２２…発光素子、２３…封止層、３０…封止基板、３３…オーバーコート層、３４…接着層、３４ａ…接着剤、３５、３８…シール部、３５ａ…第１シール部、３５ｂ…第２シール部、３８ａ…シール層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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