(57)【要約】【課題】始動電圧を低下させるための付加的な装置を用いることなく、従来のラピッドスタート型の蛍光ランプよりも始動電圧を低く抑えることができるラピッドスタート型の蛍光ランプの製造方法を提供する。【解決手段】両端にステム部５を有し、かつ内部に水銀および希ガスを封入したバルブ２の内面に透明導電被膜３および蛍光膜４が積層して形成されたラピッドスタート型の蛍光ランプの製造方法において、蛍光膜４を形成する焼成工程における焼成炉の温度を７２０℃から８００℃の範囲内に設定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端に電極を有し、かつ内部に水銀および希ガスを封入したバルブの内面に透明導電被膜および蛍光膜が積層して形成されたラピッドスタート型の蛍光ランプの製造方法において、
前記蛍光膜を形成する焼成工程における焼成炉の温度を７２０℃から８００℃の範囲内に設定することを特徴とするラピッドスタート形蛍光ランプの製造方法。
【請求項２】
両端に電極を有し、かつ内部に水銀および希ガスを封入したバルブの内面に透明導電被膜および蛍光膜が積層して形成されたラピッドスタート型の蛍光ランプの製造方法において、
前記蛍光ランプの始動電圧が８８Ｖ以下となるように、前記蛍光膜を形成する焼成工程における焼成炉の温度範囲を設定することを特徴とするラピッドスタート形蛍光ランプの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラピッドスタート型の蛍光ランプの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ラピッドスタート型の蛍光ランプも一般的な蛍光ランプと同様に、以下の工程を経て製造される。まず、蛍光体を水溶性バインダー溶液に懸濁させ、これをガラス管の内面に塗布する。次に、これを乾燥させ、ベーキングして蛍光体層を形成する。次に、焼成工程において蛍光ランプを加熱して成形する。その後、電極の装着、排気等の工程を経て蛍光ランプを得る。なお、蛍光ランプの焼成温度としては、一般に約８００℃〜１０００℃の範囲が選択される。もっとも、焼成工程における蛍光ランプの温度を７００℃〜９００℃とするものもある（特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、蛍光ランプの始動電圧に関するＪＩＳ規格を満たすには、蛍光ランプは１００Ｖ系では、少なくとも９４〜１０６％の範囲で正常に始動及び点灯することが要求されている（もっとも、９４％以下、すなわち、１００Ｖ系では９４Ｖ以下の電圧で正常に始動及び点灯可能であればより好ましい）。
【０００４】
また、一般家庭には１００Ｖの電圧が供給されるが、地域によっては１００Ｖよりも低い電圧しか得られない場合がある。また、安定器の経年劣化や、安定器の特性によっては、１００Ｖが得られない場合がある。このような点を考慮して、蛍光ランプは、始動電圧を低下させることがひとつの課題となっていた。
【０００５】
特に、ラピッドスタート型の蛍光ランプは、従来から、始動電圧の高いことが問題となっており、始動特性の改善が望まれていた。例えば特許文献２においては、ラピッドスタート型の蛍光ランプの始動電圧を低下させるための安定器を使用している。
【特許文献１】特開２００４−２０７１００号公報
【特許文献２】特開昭４９−２３４７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来、焼成工程における焼成温度と、ラピッドスタート型の蛍光ランプの始動電圧との関係は明らかにされていなかった。
【０００７】
また、始動電圧を低下させるために特別な安定器を使用する方法では製造コストが高くなってしまう。
【０００８】
そこで、本発明者らは、始動電圧を低下させるための付加的な装置を用いることなく、従来のラピッドスタート型の蛍光ランプよりも始動電圧を低く抑えることができるラピッドスタート型の蛍光ランプの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のラピッドスタート型の蛍光ランプの製造方法は、両端に電極を有し、かつ内部に水銀および希ガスを封入したバルブの内面に透明導電被膜および蛍光膜が積層して形成されたラピッドスタート型の蛍光ランプの製造方法において、前記蛍光膜を形成する焼成工程における焼成炉の温度を７２０℃から８００℃の範囲内に設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、始動電圧を低下させるための付加的な装置を用いることなく、従来のラピッドスタート型の蛍光ランプよりも始動電圧を低く抑えることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１に、本発明の一実施形態のラピッドスタート型の蛍光ランプの部分断面図を示す。また、図２に、本発明のラピッドスタート型の蛍光ランプの製造工程を説明するためのフローチャートを示す。
【００１２】
本発明の一実施の形態の蛍光ランプ１では、ソーダガラスからなるバルブ２の内面には透明性導電膜３が形成されており、この透明性導電膜３上に蛍光膜４が順次形成されている。バルブ２の両端部には電極（図示せず）およびステム部５が設けられている。また、バルブ２の内部には水銀および希ガスが封入されている。
【００１３】
透明性導電膜３は、例えば酸化錫（ＳｎＯ）のような透明性を有する導電性酸化物などからなり、電気抵抗が例えば０．１〜０．９ｋΩ／ｃｍの範囲に設定されている。ラピッドスタート型の蛍光ランプ１は、このような透明性導電膜３により管壁抵抗を下げることによって、ランプの始動性（点灯性）を高めたものである。
【００１４】
蛍光膜４には、青色蛍光体であるストロンチウム系蛍光体、緑色蛍光体であるランタン系蛍光体、及び赤色蛍光体であるイットリウム系蛍光体を混合した３波長形の蛍光体を用いている。これら各蛍光体は、それぞれ４３０〜４６０ｎｍ付近の青色領域、５４０〜５５０ｎｍ付近の緑色領域および６１０〜６２０ｎｍ付近の赤色領域の各波長領域に主要な発光ピークを有する。
【００１５】
バルブ２の両端部には、電極封止部としてステム部５が封着されている。具体的には、バルブ２の両端部はそれぞれフレアステム６により気密に閉塞されている。フレアステム６には一対のリード線７が気密に貫通されており、これら一対のリード線７の間にはタングステンなどからなる熱陰極、すなわちフィラメント８が掛け渡されている。これらリード線７やフィラメント８は電極を構成している。なお、フィラメント８の表面には、例えば酸化バリウムのような電子放射物質が塗布されている。
【００１６】
本実施形態のラピッドスタート型の蛍光ランプは、以下の工程をその順で行うことで製造される。以下、各工程について説明する。
（１）塗布工程
まず、バルブ２の内面に透明性導電膜３をスプレー法あるいはＣＶＤ法により形成する（ステップＳ１）。
【００１７】
次に、バルブ２の下端部の開口を蛍光体を懸濁させた懸濁液に浸漬させる（ステップＳ２）。懸濁液としては、上述した蛍光体の他、バインダ、結着剤等が混合されたものが用いられる。バインダには例えばニトロセルロースを酢酸ブチルに溶解したものが用いられる。結着材としては、例えば、ホウ酸バリウムカルシウムやホウ酸ストロンチウム等に代表される低融点ガラス粉末が用いられる。
【００１８】
この状態で、バルブ２の上端開口部から内部の空気を吸引してバルブ２の内部を負圧にする。これにより、懸濁液をバルブ２の内部の所定位置にまで吸引する（ステップＳ３）。
【００１９】
所定位置まで懸濁液を吸引した後、吸引動作を停止する（ステップＳ４）。
【００２０】
次に、バルブ２を引上げてバルブ２の下端開口を懸濁液の液界面から露出させるとともにバルブ２の上端を大気開放することでバルブ２の内部の懸濁液を下端開口から排出させる（ステップＳ５）。
【００２１】
以上の工程により、バルブ２の内面に形成された透明性導電膜３上に懸濁液が塗布される。
（２）乾燥工程
次に、バルブ２の上端開口から空気を流入させてバルブ２の内部に塗布された懸濁液を乾燥させる。この際バルブ２の外周に温風を当てて、懸濁液の乾燥を促進させるものであってもよい（ステップＳ６）。
（３）焼成工程
乾燥工程終了後、バルブ２を焼成炉内へと搬入し、塗布された懸濁液を蛍光膜４とする。なお、焼成炉の温度は約７２０℃〜９００℃に設定する（ステップＳ７）。すなわち、本実施形態では、一般的な焼成炉の設定温度である８００℃〜１０００℃よりも焼成温度の設定値を１０％低下させている。
【００２２】
これは、本発明者らが、鋭意研究の結果、焼成炉温度と始動電圧との間には図３に示すように、焼成炉温度が低くすると始動電圧を低く抑えることができる、との関係が存在することを見いだしたことによるものである。
【００２３】
さらに、本発明者らが、鋭意研究の結果、始動電圧を８８Ｖ以下にまで抑えることができ、かつ、蛍光ランプとしての諸特性を満足させることができる焼成炉の温度範囲は、約７２０℃〜９００℃であることを見出したことによるものである。つまり、焼成炉の温度が７２０℃よりも低いと、蛍光体を溶解していたバインダが十分に蒸発せず、その結果、蒸発しきらなかったバインダが蛍光ランプ内部に残存し、不純ガスとなってしまう。不純ガスが蛍光ランプ内部に残存すると始動電圧を上昇させてしまう一因となる。一方、焼成炉の温度が９００℃よりも高くなると、透明性導電膜３の組成が破壊されてしまい、抵抗値を所望の範囲内とすることができない。
【００２４】
以上の結果に基づき、本実施形態では、焼成炉の温度は約７２０℃〜９００℃に設定した。
【００２５】
なお、蛍光ランプ１自体の温度は、焼成炉の設定温度よりは低くなる傾向にある。
（４）封着工程
次に、バルブ２の内部を排気し水銀と放電用の希ガスを封入した後（ステップＳ８）、電極封止部としてのステム部５をバルブ２の端部に封着する（ステップＳ９）。
【００２６】
ステム部５をバルブ２の両端部に挿入した後、加熱してステム部５とバルブ２とを融着させる。
【００２７】
以上、本実施形態の製造方法により製造されたラピッドスタート形の蛍光ランプは、焼成炉の温度範囲を約７２０℃〜９００℃に設定して焼成工程を実施したことにより、始動電圧を低下させるための付加的な装置を用いることなく、始動電圧を８８Ｖ以下とすることができた。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態のラピッドスタート型の蛍光ランプの部分断面図である。
【図２】本発明のラピッドスタート型の蛍光ランプの製造工程を説明するためのフローチャートである。
【図３】焼成炉温度と始動電圧との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２９】
１    蛍光ランプ
２    バルブ
３    透明性導電膜
４    蛍光膜
５    ステム部
６    フレアステム
７    リード線
８    フィラメント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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