(57)【要約】【課題】現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりを回避する。【解決手段】情報記録媒体の非記録領域で構成される平面視四角形形状の第２の単位情報領域に対応して基材上の凹凸パターン形成層に規定された平面視四角形形状の単位凹部形成領域Ａｂ２に基材を回転させつつ描画用ビームを照射して凹部形成用パターンを描画する際に、角部だけが互いに近接している２つの領域Ａｂ２のうちの例えば左上の領域Ａｂ２にビームを照射するときに、その領域Ａｂ２における半径方向の両端部領域Ａｄのうちの近接している角部を含む右側の領域Ａｄに対する第１のビーム照射終了位置Ｅ２０が、その領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する各第２のビーム照射終了位置Ｅ１２〜Ｅ１９を結んだ線の仮想延長線（破線Ｌｖ１３）よりも、第１のビーム照射開始位置Ｓ２０に対して基材の回転方向において近くなるように照射する。【選択図】図８
2009266288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも中央部が記録領域で構成される平面視四角形形状の第１の単位情報領域、および少なくとも中央部が非記録領域で構成される平面視四角形形状の第２の単位情報領域を有する情報記録媒体における当該第１の単位情報領域および当該第２の単位情報領域のいずれか一方の領域に対応して基材の上の凹凸パターン形成層に規定された平面視四角形形状の単位凹部形成領域に当該基材を回転させつつ描画用ビームを照射して当該凹凸パターン形成層に凹部形成用パターンを描画するパターン描画方法であって、
角部だけが互いに近接している２つの前記単位凹部形成領域のうちの少なくとも一方の領域に前記描画用ビームを照射するときに、当該一方の単位凹部形成領域における前記基材の半径方向の両端部領域のうちの当該近接している角部を含む端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置が、当該一方の単位凹部形成領域における当該半径方向の中央部領域に対する複数回の当該描画用ビームの照射時における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該第１のビーム照射開始位置および当該第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部から遠い位置に対して当該基材の回転方向において近くなるように当該描画用ビームを照射するパターン描画方法。
【請求項２】
前記近接している角部が鈍角の前記２つの単位凹部形成領域の一方における前記第１のビーム照射開始位置および前記第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置と、前記近接している角部が鈍角の前記２つの単位凹部形成領域の他方における前記第１のビーム照射開始位置および前記第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置との間の第１の距離が、前記近接している角部が鋭角の前記２つの単位凹部形成領域の一方における前記第１のビーム照射開始位置および前記第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置と、前記近接している角部が鋭角の前記２つの単位凹部形成領域の他方における前記第１のビーム照射開始位置および前記第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置との間の第２の距離以上となるように当該描画用ビームを照射する請求項１記載のパターン描画方法。
【請求項３】
各々の角部が一点において近接している３つの前記単位凹部形成領域に前記描画用ビームを照射するときに、当該３つの単位凹部形成領域のうちの少なくとも１つにおいて、当該少なくとも１つの単位凹部形成領域における前記半径方向の両端部領域のうちの当該近接している角部を含む端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置が、当該少なくとも１つの単位凹部形成領域における前記各第２のビーム照射開始位置および前記各第２のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該第３のビーム照射開始位置および当該第３のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部から遠い位置に対して前記回転方向において近くなるように当該描画用ビームを照射する請求項１または２記載のパターン描画方法。
【請求項４】
前記各単位凹部形成領域に前記描画用ビームを照射するときに、当該単位凹部形成領域における前記両端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における両第４のビーム照射開始位置が、当該単位凹部形成領域における前記各第２のビーム照射開始位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該両端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における両第４のビーム照射終了位置に対して前記回転方向において近くなり、かつ、当該両第４のビーム照射終了位置が、当該各第２のビーム照射終了位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該両第４のビーム照射開始位置に対して当該回転方向において近くなるように当該描画用ビームを照射する請求項１から３のいずれかに記載のパターン描画方法。
【請求項５】
前記半径方向に沿って連続する複数の前記単位凹部形成領域によって構成される第１の凹部形成領域に対する前記描画用ビームの照射に際して当該半径方向で隣接する２つの当該単位凹部形成領域に当該描画用ビームを照射するときに、当該２つの単位凹部形成領域の前記回転方向における各々の前記第２のビーム照射開始位置側に他の前記単位凹部形成領域が隣接していないときには、当該２つの単位凹部形成領域における当該半径方向の各々の両端部領域のうちの当該半径方向で隣接する２つの端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における両第５のビーム照射開始位置が、当該２つの単位凹部形成領域における当該各第２のビーム照射開始位置を結んだ線の仮想延長線上に位置すると共に、当該２つの単位凹部形成領域の当該回転方向における各々の前記第２のビーム照射終了位置側に他の前記単位凹部形成領域が隣接していないときには、当該２つの単位凹部形成領域における前記半径方向で隣接する２つの端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における両第５のビーム照射終了位置が、当該２つの単位凹部形成領域における当該各第２のビーム照射終了位置を結んだ線の仮想延長線上に位置するように当該描画用ビームを照射する請求項１から３のいずれかに記載のパターン描画方法。
【請求項６】
前記回転方向に沿って連続する複数の前記単位凹部形成領域によって構成される第２の凹部形成領域に対する前記描画用ビームの照射に際して当該回転方向で隣接する２つの当該単位凹部形成領域に当該描画用ビームを照射するときに、当該２つの単位凹部形成領域における当該半径方向の各々の両端部領域のうちの、当該回転方向で隣接し、かつ、当該半径方向において他の前記単位凹部形成領域に隣接していない２つの当該端部領域の一方に対する当該描画用ビームの照射時における第６のビーム照射開始位置および第６のビーム照射終了位置のうちの当該２つの端部領域の他方に近い位置が、当該２つの端部領域の一方を含む当該単位凹部形成領域における前記各第２のビーム照射開始位置および前記各第２のビーム照射終了位置のうちの当該２つの端部領域の他方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上に位置すると共に、当該２つの端部領域の他方に対する当該描画用ビームの照射時における第６のビーム照射開始位置および第６のビーム照射終了位置のうちの当該２つの端部領域の一方に近い位置が、当該２つの端部領域の他方を含む当該単位凹部形成領域における前記各第２のビーム照射開始位置および前記各第２のビーム照射終了位置のうちの当該２つの端部領域の一方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上に位置するように当該描画用ビームを照射する請求項１から３のいずれかに記載のパターン描画方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のパターン描画方法に従って前記凹凸パターン形成層に前記凹部形成用パターンを描画し、その後に現像処理して前記描画用ビームの照射部位に凹部を形成することによって前記基材の上に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法。
【請求項８】
請求項７記載の凹凸パターン形成方法に従って前記凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターン、および当該凹凸パターンを用いて形成した凹凸パターンのいずれかを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造するスタンパー製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のスタンパー製造方法に従って製造した前記スタンパーを用いてインプリント処理を実行して情報記録媒体製造用の中間体の上のマスク形成層にマスク用凹凸パターンを形成し、当該マスク用凹凸パターンを形成した当該マスク形成層をマスクとして用いて前記中間体をエッチング処理して情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法。
【請求項１０】
少なくとも中央部が記録領域で構成される平面視四角形形状の第１の単位情報領域、および少なくとも中央部が非記録領域で構成される平面視四角形形状の第２の単位情報領域を有する情報記録媒体における当該第１の単位情報領域および当該第２の単位情報領域のいずれか一方の領域に対応して基材の上の凹凸パターン形成層に規定された平面視四角形形状の単位凹部形成領域に描画用ビームを照射するビーム照射部と、当該基材を回転させる回転機構と、当該回転機構を制御して前記基材を回転させつつ前記ビーム照射部を制御して前記凹凸パターン形成層に凹部形成用パターンを描画させる制御部とを備えたパターン描画装置であって、
前記制御部は、角部だけが互いに近接している２つの前記単位凹部形成領域のうちの少なくとも一方の領域に前記描画用ビームを照射させるときに、当該一方の単位凹部形成領域における前記基材の半径方向の両端部領域のうちの当該近接している角部を含む端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置が、当該一方の単位凹部形成領域における当該半径方向の中央部領域に対する複数回の当該描画用ビームの照射時における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該第１のビーム照射開始位置および当該第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部から遠い位置に対して当該基材の回転方向において近くなるように当該描画用ビームを照射させるパターン描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク等の情報記録媒体を製造するためのパターン描画方法、凹凸パターン形成方法、スタンパー製造方法、情報記録媒体製造方法およびパターン描画装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ディスクリートトラック型の磁気ディスクの製造方法として、インプリント処理によって凹凸パターンを形成したレジスト層をマスクとして用いて磁気ディスク製造用の中間体をエッチング処理する方法が知られている。例えば、特開２００６−４０３５４号公報には、パターン描画処理、現像処理および電鋳処理等をこの順で実行してスタンパーを製作し、そのスタンパーを用いたインプリント処理によってエッチング処理用のマスクを形成して磁気ディスク（ディスク媒体）を製造する方法が開示されている。具体的には、まず、レジストが塗布された原盤（スタンパー製作用の基板）を回転露光型の電子線露光装置にセットして、原盤を回転させる。次いで、磁気ディスクにおける非磁性化部位に対応する領域（磁気ディスクの磁性層に形成する凹凸パターンにおける凹部に対応する領域）に対して、例えば原盤の内周側から外周側に向かって複数回に分けて電子ビームを順次照射する。これにより、図３２に示すように、原盤上のレジスト層１３ｘに凹部形成用パターンＰｘが描画される。
【０００３】
なお、同図および後に参照する図３３〜３５では、従来のパターン描画方法および従来の磁気ディスク製造方法に関する要素について符号の末尾に「ｘ」を付して説明する。また、図３２〜３４では、原盤の回転方向を矢印Ｒａ２ｘで示すと共に原盤の半径方向を矢印Ｒｂ２ｘで示し、かつ、後述する現像処理時に原盤上から除去される程度に十分な量の電子ビームが照射された領域を灰色で塗り潰して図示している。この場合、図３５に示すように、ディスクリートトラック型の磁気ディスク１００ｘでは、そのサーボパターン領域Ａｓｘ内等に、少なくとも中央部が磁性材料（磁性層に形成された凹凸パターン１１０ｘの凸部１１０ａｘ）で構成された平面視四角形形状の複数の単位情報領域Ａａ１ｘと、少なくとも中央部が非磁性材料（凹凸パターン１１０ｘの凹部１１０ｂｘ）で構成された平面視四角形形状の複数の単位情報領域Ａｂ１ｘとが、回転方向（矢印Ｒａ１ｘの向き）や半径方向（矢印Ｒｂ１ｘの向き）で並んで設けられている。
【０００４】
また、この磁気ディスク１００ｘを製造するためのスタンパー（図示せず）では、一例として、磁気ディスク１００ｘにおける凹凸パターン１１０ｘの凹部１１０ｂｘ（単位情報領域Ａｂ１ｘ）に対応する部位が凸部となるように凹凸パターンが形成されている。さらに、従来の磁気ディスクの製造方法では、スタンパーの製作時におけるパターン描画処理時において、スタンパーの凸部を形成すべき領域（すなわち、磁気ディスク１００ｘの各単位情報領域Ａｂ１ｘに対応する領域：図３２における各単位凹部形成領域Ａｂ２ｘ）に対して、原盤を回転させつつ、複数回に分けて電子ビームを照射する方法が採用されている。
【０００５】
具体的には、図３２において矢印Ｚ１ｘ，Ｚ２ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘについては、図３３に示すように、矢印Ｒａ２ｘの向きに原盤を回転させつつ、原盤のＮ回転目（Ｎは、所定の自然数）において、照射開始位置Ｓ１１ｘから電子ビームの照射を開始して照射終了位置Ｅ１１ｘにおいて電子ビームの照射を停止する。また、（Ｎ＋１）回転目においては、照射開始位置Ｓ１２ｘから照射終了位置Ｅ１２ｘまで電子ビームを照射し、（Ｎ＋２）回転目以降においては、Ｎ回転目や（Ｎ＋１）回転目と同様にして照射開始位置Ｓ１３ｘ，Ｓ１４ｘ・・から照射終了位置Ｅ１３ｘ，Ｅ１４ｘ・・まで電子ビームを照射し、（Ｎ＋９）回転目においては、照射開始位置Ｓ２０ｘから照射終了位置Ｅ２０ｘまで電子ビームを照射する。これにより、同図に示すように、矢印Ｚ１ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対する電子ビームの照射が完了する。次いで、原盤の（Ｎ＋１０）回転目においては、照射開始位置Ｓ２１ｘから照射終了位置Ｅ２１ｘまで電子ビームを照射し、（Ｎ＋１１）回転目以降においては、照射開始位置Ｓ２２ｘ，Ｓ２３ｘ・・から照射終了位置Ｅ２２ｘ，Ｅ２３ｘ・・まで電子ビームを照射し、（Ｎ＋１９）回転目においては、照射開始位置Ｓ３０ｘから照射終了位置Ｅ３０ｘまで電子ビームを照射する。これにより、同図に示すように、矢印Ｚ２ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対する電子ビームの照射が完了する。
【０００６】
一方、図３２において矢印Ｚ３ｘ〜Ｚ５ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘについては、図３４に示すように、原盤のＭ回転目（Ｍは、所定の自然数）において照射開始位置Ｓ３１ｘから電子ビームの照射を開始して照射終了位置Ｅ３１ｘにおいて電子ビームの照射を停止する。また、（Ｍ＋１）回転目においては、照射開始位置Ｓ３２ｘから照射終了位置Ｅ３２ｘまで電子ビームを照射し、（Ｍ＋２）回転目以降においては、Ｍ回転目や（Ｍ＋１）回転目と同様にして照射開始位置Ｓ３３ｘ，Ｓ３４ｘ・・から照射終了位置Ｅ３３ｘ，Ｅ３４ｘ・・まで電子ビームを照射し、（Ｍ＋９）回転目においては、照射開始位置Ｓ４０ｘから照射終了位置Ｅ４０ｘまで電子ビームを照射する。これにより、同図に示すように、矢印Ｚ３ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対する電子ビームの照射が完了する。また、矢印Ｚ４ｘ，Ｚ５ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘのように複数の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘが原盤の回転方向（矢印Ｒａ２ｘの向き）に沿って連続しているときには、各単位凹部形成領域Ａｂ２ｘ間で電子ビームの照射を停止することなく照射状態を維持する。
【０００７】
具体的には、原盤の（Ｍ＋１０）回転目においては、照射開始位置Ｓ４１ｘから照射終了位置Ｅ４１ｘまで電子ビームを照射し、そのまま電子ビームの照射を停止することなく、照射開始位置Ｓ５１ｘから照射終了位置Ｅ５１ｘまで電子ビームを照射する（照射終了位置Ｅ４１ｘおよび照射開始位置Ｓ５１ｘが同一位置であって、結果として照射開始位置Ｓ４１ｘから照射終了位置Ｅ５１ｘまで電子ビームの照射状態が維持される例）。また、（Ｍ＋１１）回転目以降においては、（Ｍ＋１０）回転目と同様にして、照射開始位置Ｓ４２ｘ，Ｓ４３ｘ・・から照射終了位置Ｅ５２ｘ，Ｅ５３ｘ・・まで電子ビームを照射し、（Ｍ＋１９）回転目においては、照射開始位置Ｓ５０ｘから照射終了位置Ｅ６０ｘまで電子ビームを照射する。これにより、同図に示すように、矢印Ｚ４ｘ，Ｚ５ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対する電子ビームの照射が完了する。このように、例えば原盤の内周側から外周側に向かって各単位凹部形成領域Ａｂ２ｘ内に複数回に分けて電子ビームを順次照射することにより、図３２に示すように、凹部形成用パターンＰｘの描画が完了する。
【０００８】
次いで、レジスト層１３ｘに対する凹部形成用パターンＰｘの描画が完了した原盤を現像処理して電子ビームの照射部位（図３２〜３４において灰色で塗り潰した領域）のレジスト層１３ｘを原盤上から除去する。これにより、除去された部位が凹部となって、レジスト層１３ｘに凹凸パターンが形成される。続いて、形成した凹凸パターンをマスクとして用いたエッチング処理によって原盤に凹凸パターンを形成する。次いで、凹凸パターンの形成が完了した原盤を導電化処理した後に電鋳処理することにより、原盤の凹凸パターンを電鋳材料（ニッケル）に転写する。この後、原盤からニッケルの層を剥離して所定形状に打ち抜く（切断する）ことにより、ディスク状のニッケルスタンパーが完成する。
【０００９】
次いで、磁気ディスク製造用の中間体、および製作したスタンパーをインプリント装置にセットして、磁気ディスク製造用の中間体上に形成されたレジスト層にスタンパーの凹凸パターンを転写する。続いて、凹凸パターンを転写したレジストをマスク（ガード層）として中間体における磁性層をイオンミリング処理する。この際には、マスクとしてのレジストの層から露出している部位（凹凸パターンにおける凹部の底面）において磁性層が除去されて、所望の凹凸パターンが磁性層に形成される。次いで、マスクとしてのレジストを除去した後に、非磁性材料をスパッタする。次いで、この非磁性材料の層から磁性層の表面が露出するまで非磁性材料の層を逆スパッタする。これにより、磁気ディスクの表面が平坦化される。この後、ＤＬＣ保護層の形成処理、および潤滑用ルブの塗布処理を順次実行することにより、磁気ディスクが完成する。
【特許文献１】特開２００６−４０３５４号公報（第４−１０頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、従来の磁気ディスクの製造方法には、以下の問題点がある。すなわち、従来の磁気ディスクの製造方法では、インプリント処理時に使用するスタンパーの製作に際して、回転露光型の電子線露光装置によって凹部形成用パターンＰｘを描画するパターン描画方法を採用している。この場合、従来の製造方法では、図３３，３４に示すように、パターン描画処理時に各単位凹部形成領域Ａｂ２ｘ内に電子ビームを照射する際の照射開始位置Ｓ１１ｘ〜Ｓ２０ｘが破線Ｌｖ１２ｘ上に位置し、照射開始位置Ｓ２１ｘ〜Ｓ３０ｘが破線Ｌｖ１３ｘ上に位置し、照射開始位置Ｓ３１ｘ〜Ｓ４０ｘが破線Ｌｖ１１ｘ上に位置し、照射開始位置Ｓ４１ｘ〜Ｓ５０ｘが破線Ｌｖ１１ｘ上に位置し、照射開始位置Ｓ５１ｘ〜Ｓ６０ｘが破線Ｌｖ１２ｘ上に位置すると共に、照射終了位置Ｅ１１ｘ〜Ｅ２０ｘが破線Ｌｖ１３ｘ上に位置し、照射終了位置Ｅ２１ｘ〜Ｅ３０ｘが破線Ｌｖ１４ｘ上に位置し、照射終了位置Ｅ３１ｘ〜Ｅ４０ｘが破線Ｌｖ１２ｘ上に位置し、照射終了位置Ｅ４１ｘ〜Ｅ５０ｘが破線Ｌｖ１２ｘ上に位置し、照射終了位置Ｅ５１ｘ〜Ｅ６０ｘが破線Ｌｖ１３ｘ上に位置するように、電子ビームの照射タイミングを規定して凹部形成用パターンＰｘを描画している。なお、上記の各破線Ｌｖ１１ｘ〜破線Ｌｖ１４ｘは、従来の製造方法に従って製造した磁気ディスク１００ｘの最内周から最外周までの間において磁気ヘッドをシーク動作させたときにおける磁気ヘッドの円弧状の軌跡と一致する仮想線を示している。
【００１１】
また、凹部形成用パターンＰｘの描画に際してレジスト層１３ｘに照射している電子ビームは、図３６，３７に示すように、その強度（すなわち、ドーズ量）がビーム中心をピークとするガウシアン分布となっている。なお、両図では、現像処理によって除去されるレベルの照射量となっている領域（以下、「消失領域」ともいう）を灰色で塗り潰すと共に、現像処理時に除去されるレベルには達していないものの、ある程度の量の電子ビームが照射された領域を実線で囲んで図示している。したがって、図３６に示すように、電子ビームを照射する照射開始位置Ｓａ，Ｓｂがある程度離間しているとき（照射終了位置Ｅａ，Ｅｂがある程度離間しているとき）には、照射開始位置Ｓａから照射終了位置Ｅａまで電子ビームを照射することで矢印Ｘａで示す灰色の塗り潰し領域に対する電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルになると共に、照射開始位置Ｓｂから照射終了位置Ｅｂまで電子ビームを照射することで矢印Ｘｂで示す灰色の塗り潰し領域に対する電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる。しかしながら、この例では、両ビーム照射領域の間（矢印Ｘａｂで示す部位）は、電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルとなることはない。
【００１２】
これに対して、図３７に示すように、電子ビームを照射する照射開始位置Ｓｃ，Ｓｄがある程度接近しているとき（照射終了位置Ｅｃ，Ｅｄがある程度接近しているとき）には、照射開始位置Ｓｃから照射終了位置Ｅｃまで電子ビームを照射することで矢印Ｘｃで示す灰色の塗り潰し領域に対する電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルになると共に、照射開始位置Ｓｄから照射終了位置Ｅｄまで電子ビームを照射することで矢印Ｘｄで示す灰色の塗り潰し領域に対する電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルに達する。さらに、この例では、両ビーム照射領域の間（矢印Ｘｃｄで示す部位）につていも、電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる。このため、図３３に示すように、例えば、２つの単位凹部形成領域Ａｂ２ｘの角部が互いに近接している場合（角部だけが近接している場合）には、凹部形成用パターンＰｘの描画に際してレジスト層１３ｘに電子ビームを照射したときに、両単位凹部形成領域Ａｂ２ｘの近接部位において、消失領域（各図における灰色の塗り潰し領域）の過剰な拡がりが生じることとなる。
【００１３】
具体的には、図３３における左上の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対して照射開始位置Ｓ２０ｘから照射終了位置Ｅ２０ｘまで電子ビームを照射した後に、右下の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対して照射開始位置Ｓ２１ｘから照射終了位置Ｅ２１ｘまで電子ビームを照射したときに、照射終了位置Ｅ２０ｘと照射開始位置Ｓ２１ｘとが近いことに起因して、照射終了位置Ｅ２０ｘの近傍において照射した電子ビームと、照射開始位置Ｓ２１ｘの近傍において照射した電子ビームとが相俟って、矢印Ｘ１ｘの部位において電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる。このため、この部位において、現像処理時に原盤上から消失する消失領域（灰色の塗り潰し領域）の過剰な拡がりが生じる。したがって、凹部形成用パターンＰｘの描画処理の完了後に現像処理を実行したときに、２つの凹部（この例では、左上の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対応する四角形形状の凹部、および右下の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対応する四角形形状の凹部）が矢印Ｘ１ｘの部位において繋がるようにして凹部に拡がりが生じる。このため、その凹凸パターンを使用して製作されるスタンパーでは、両凹部に対応する２つの凸部が繋がるようにして凸部の過剰な拡がりが生じることとなる。
【００１４】
一方、図３４に示すように、例えば、３つの単位凹部形成領域Ａｂ２ｘの角部が一点において近接している場合には、凹部形成用パターンＰｘの描画に際してこの部位に電子ビームを照射したときに、各単位凹部形成領域Ａｂ２ｘの角部が近接している上記の一点において、消失領域（各図における灰色の塗り潰し領域）の過剰な拡がりが生じることとなる。具体的には、上記の３つの単位凹部形成領域Ａｂ２ｘのうちの１つ（例えば、同図における左上の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘ）に対して照射開始位置Ｓ４０ｘから照射終了位置Ｅ４０ｘまで電子ビームを照射した後に、他の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２ｘ（この例では、同図における右上の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘおよび右下の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘ）に対して照射開始位置Ｓ４１ｘから照射終了位置Ｅ５１ｘまで電子ビームを照射したときに、照射終了位置Ｅ４０ｘと照射終了位置Ｅ４１ｘおよび照射開始位置Ｓ５１ｘとが近いことに起因して、照射終了位置Ｅ４０ｘの近傍において照射した電子ビームと、照射終了位置Ｅ４１ｘおよび照射開始位置Ｓ５１ｘの近傍において照射した電子ビームとが相俟って、矢印Ｘ２ｘの部位において電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる。このため、この部位において、現像処理時に原盤上から消失する消失領域（灰色の塗り潰し領域）の過剰な拡がりが生じる。
【００１５】
したがって、凹部形成用パターンＰｘの描画処理の完了後に現像処理を実行したときに、３つの凹部（この例では、左上の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対応する四角形形状の凹部、右上の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対応する四角形形状の凹部、および右下の単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対応する四角形形状の凹部）の各角部が近接している上記の一点（矢印Ｘ２ｘの部位）において凹部に拡がりが生じる。このため、その凹凸パターンを使用して製作されるスタンパーでは、この凹部に対応する凸部が上記の矢印Ｘ２ｘに対応する部位において凸部の過剰な拡がりが生じることとなる。
【００１６】
このように、従来の製造方法では、凹部形成用パターンＰｘの描画処理時において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じることに起因して、スタンパーの凸部が過剰に拡がる結果、このスタンパーを用いたインプリント処理によって形成されるマスクパターン（レジスト層に転写された凹凸パターン）において、スタンパーの凸部が転写されて形成された凹部の過剰な拡がりが生じることとなる。したがって、凹部の拡がりが生じたマスクパターンを用いたエッチング処理によって製造される凹凸パターン１１０ｘでは、図３５に示すように、上記の凹部形成用パターンＰｘにおける矢印Ｘ１ｘ，Ｘ２ｘで示す部位に対応する部位（矢印Ｘ３ｘ，Ｘ４ｘで示す部位）において、凹部の過剰な拡がりが生じる。この結果、従来の製造方法に従って製造した磁気ディスク１００ｘでは、上記のような凹部の過剰な拡がりに起因して、磁気的信号の正確な読み出しが困難となるおそれがある。
【００１７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりを回避し得るパターン描画方法およびパターン描画装置、スタンパー製作用の凹凸パターンにおける凹部の過剰な拡がりを回避し得る凹凸パターン形成方法、インプリント処理用の凹凸パターンにおける凸部の過剰な拡がりを回避し得るスタンパー製造方法、並びに磁気的信号の正確な読み出しが可能な情報記録媒体を製造し得る情報記録媒体製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成すべく、本発明に係るパターン描画方法は、少なくとも中央部が記録領域で構成される平面視四角形形状の第１の単位情報領域、および少なくとも中央部が非記録領域で構成される平面視四角形形状の第２の単位情報領域を有する情報記録媒体における当該第１の単位情報領域および当該第２の単位情報領域のいずれか一方の領域に対応して基材の上の凹凸パターン形成層に規定された平面視四角形形状の単位凹部形成領域に当該基材を回転させつつ描画用ビームを照射して当該凹凸パターン形成層に凹部形成用パターンを描画するパターン描画方法であって、角部だけが互いに近接している２つの前記単位凹部形成領域のうちの少なくとも一方の領域に前記描画用ビームを照射するときに、当該一方の単位凹部形成領域における前記基材の半径方向の両端部領域のうちの当該近接している角部を含む端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置が、当該一方の単位凹部形成領域における当該半径方向の中央部領域に対する複数回の当該描画用ビームの照射時における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該第１のビーム照射開始位置および当該第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部から遠い位置に対して当該基材の回転方向において近くなるように当該描画用ビームを照射する。
【００１９】
この場合、本明細書における「記録領域」とは、「記録された磁気的信号を読み出し可能に保持するように構成された領域（つまり磁気的信号を読み出し可能に保持する能力を有するように構成された領域）」を意味する。また、本明細書における「非記録領域」とは、「磁気的信号を読み出し可能に保持する上記の能力が記録領域の能力よりも低くなるように構成された領域、または、その能力を実質的に有しないように構成された領域」を意味する。具体的には、本明細書における「非記録領域」とは、「磁気的信号を記録した状態において、その領域から発生する磁界が上記の記録領域よりも小さい領域、または、その領域から発生する磁界が実質的には存在しない領域」を意味する。また、本明細書における「第１の単位情報領域」とは、その領域上を磁気ヘッドが通過した際に磁気ヘッドから出力される信号に基づいて記録再生装置の制御部に「１つの記録領域有り」と認識させる領域を意味する。さらに、本明細書における「第２の単位情報領域」とは、その領域上を磁気ヘッドが通過した際に磁気ヘッドから出力される信号に基づいて記録再生装置の制御部に「１つの非記録領域有り」と認識させる領域を意味する。
【００２０】
具体的には、サーボパターン領域におけるアドレスパターン領域内の「第１の単位情報領域」および「第２の単位情報領域」は、例えば、「１ビットの記録領域」および「１ビットの非記録領域」に相当する領域であって、その回転方向に沿った長さがサーボパターン領域におけるプリアンブルパターンによって特定される所定のピッチに対応して規定されると共に、その半径方向に沿った長さがサーボパターン領域におけるバーストパターンによって特定される所定のピッチに対応して規定されている。また、サーボパターン領域におけるバーストパターン領域内の「第１の単位情報領域」または「第２の単位情報領域」は、バーストパターンにおける単位バースト領域（バーストパターンにおける平面視四角形形状の最小の記録領域、または、平面視四角形形状の最小の非記録領域）に相当する。この場合、上記の「第１の単位情報領域」に対応する記録領域や、「第２の単位情報領域」に対応する非記録領域は、その回転方向に沿った長さや半径方向に沿った長さが「第１の単位情報領域」や「第２の単位情報領域」の回転方向に沿った長さや半径方向に沿った長さと一致しない状態（各単位情報領域よりも記録領域や非記録領域が広い状態や、各単位情報領域よりも記録領域や非記録領域が狭い状態）となることがある。また、本明細書における「角部だけが近接している」との状態には、「角部だけでなく、凹部形成領域全体が周方向または径方向のいずれかで近接している」との状態が含まれないものとする。
【００２１】
また、本発明に係るパターン描画方法は、前記近接している角部が鈍角の前記２つの単位凹部形成領域の一方における前記第１のビーム照射開始位置および前記第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置と、前記近接している角部が鈍角の前記２つの単位凹部形成領域の他方における前記第１のビーム照射開始位置および前記第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置との間の第１の距離が、前記近接している角部が鋭角の前記２つの単位凹部形成領域の一方における前記第１のビーム照射開始位置および前記第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置と、前記近接している角部が鋭角の前記２つの単位凹部形成領域の他方における前記第１のビーム照射開始位置および前記第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置との間の第２の距離以上となるように当該描画用ビームを照射する。
【００２２】
さらに、本発明に係るパターン描画方法は、各々の角部が一点において近接している３つの前記単位凹部形成領域に前記描画用ビームを照射するときに、当該３つの単位凹部形成領域のうちの少なくとも１つにおいて、当該少なくとも１つの単位凹部形成領域における前記半径方向の両端部領域のうちの当該近接している角部を含む端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置が、当該少なくとも１つの単位凹部形成領域における前記各第２のビーム照射開始位置および前記各第２のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該第３のビーム照射開始位置および当該第３のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部から遠い位置に対して前記回転方向において近くなるように当該描画用ビームを照射する。
【００２３】
また、本発明に係るパターン描画方法は、前記各単位凹部形成領域に前記描画用ビームを照射するときに、当該単位凹部形成領域における前記両端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における両第４のビーム照射開始位置が、当該単位凹部形成領域における前記各第２のビーム照射開始位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該両端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における両第４のビーム照射終了位置に対して前記回転方向において近くなり、かつ、当該両第４のビーム照射終了位置が、当該各第２のビーム照射終了位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該両第４のビーム照射開始位置に対して当該回転方向において近くなるように当該描画用ビームを照射する。
【００２４】
さらに、本発明に係るパターン描画方法は、前記半径方向に沿って連続する複数の前記単位凹部形成領域によって構成される第１の凹部形成領域に対する前記描画用ビームの照射に際して当該半径方向で隣接する２つの当該単位凹部形成領域に当該描画用ビームを照射するときに、当該２つの単位凹部形成領域の前記回転方向における各々の前記第２のビーム照射開始位置側に他の前記単位凹部形成領域が隣接していないときには、当該２つの単位凹部形成領域における当該半径方向の各々の両端部領域のうちの当該半径方向で隣接する２つの端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における両第５のビーム照射開始位置が、当該２つの単位凹部形成領域における当該各第２のビーム照射開始位置を結んだ線の仮想延長線上に位置すると共に、当該２つの単位凹部形成領域の当該回転方向における各々の前記第２のビーム照射終了位置側に他の前記単位凹部形成領域が隣接していないときには、当該２つの単位凹部形成領域における前記半径方向で隣接する２つの端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における両第５のビーム照射終了位置が、当該２つの単位凹部形成領域における当該各第２のビーム照射終了位置を結んだ線の仮想延長線上に位置するように当該描画用ビームを照射する。
【００２５】
また、本発明に係るパターン描画方法は、前記回転方向に沿って連続する複数の前記単位凹部形成領域によって構成される第２の凹部形成領域に対する前記描画用ビームの照射に際して当該回転方向で隣接する２つの当該単位凹部形成領域に当該描画用ビームを照射するときに、当該２つの単位凹部形成領域における当該半径方向の各々の両端部領域のうちの、当該回転方向で隣接し、かつ、当該半径方向において他の前記単位凹部形成領域に隣接していない２つの当該端部領域の一方に対する当該描画用ビームの照射時における第６のビーム照射開始位置および第６のビーム照射終了位置のうちの当該２つの端部領域の他方に近い位置が、当該２つの端部領域の一方を含む当該単位凹部形成領域における前記各第２のビーム照射開始位置および前記各第２のビーム照射終了位置のうちの当該２つの端部領域の他方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上に位置すると共に、当該２つの端部領域の他方に対する当該描画用ビームの照射時における第６のビーム照射開始位置および第６のビーム照射終了位置のうちの当該２つの端部領域の一方に近い位置が、当該２つの端部領域の他方を含む当該単位凹部形成領域における前記各第２のビーム照射開始位置および前記各第２のビーム照射終了位置のうちの当該２つの端部領域の一方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上に位置するように当該描画用ビームを照射する。具体的には、一例として、前記回転方向に沿って連続する複数の前記単位凹部形成領域によって構成される第２の凹部形成領域に対する前記描画用ビームの照射に際して当該回転方向で隣接する２つの当該単位凹部形成領域に当該描画用ビームを照射するときに、当該２つの単位凹部形成領域における前記半径方向の各々の両端部領域のうちの、当該回転方向で隣接し、かつ、当該半径方向において他の前記単位凹部形成領域に隣接していない２つの当該端部領域について、当該２つの端部領域の一方から他方にかけて当該描画用ビームを当該回転方向において連続して照射する。
【００２６】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、上記のいずれかのパターン描画方法に従って前記凹凸パターン形成層に前記凹部形成用パターンを描画し、その後に現像処理して前記描画用ビームの照射部位に凹部を形成することによって前記基材の上に凹凸パターンを形成する。
【００２７】
また、本発明に係るスタンパー製造方法は、上記の凹凸パターン形成方法に従って前記凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターン、および当該凹凸パターンを用いて形成した凹凸パターンのいずれかを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造する。
【００２８】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法は、上記のスタンパー製造方法に従って製造した前記スタンパーを用いてインプリント処理を実行して情報記録媒体製造用の中間体の上のマスク形成層にマスク用凹凸パターンを形成し、当該マスク用凹凸パターンを形成した当該マスク形成層をマスクとして用いて前記中間体をエッチング処理して情報記録媒体を製造する。
【００２９】
また、本発明に係るパターン描画装置は、少なくとも中央部が記録領域で構成される平面視四角形形状の第１の単位情報領域、および少なくとも中央部が非記録領域で構成される平面視四角形形状の第２の単位情報領域を有する情報記録媒体における当該第１の単位情報領域および当該第２の単位情報領域のいずれか一方の領域に対応して基材の上の凹凸パターン形成層に規定された平面視四角形形状の単位凹部形成領域に描画用ビームを照射するビーム照射部と、当該基材を回転させる回転機構と、当該回転機構を制御して前記基材を回転させつつ前記ビーム照射部を制御して前記凹凸パターン形成層に凹部形成用パターンを描画させる制御部とを備えたパターン描画装置であって、前記制御部が、角部だけが互いに近接している２つの前記単位凹部形成領域のうちの少なくとも一方の領域に前記描画用ビームを照射させるときに、当該一方の単位凹部形成領域における前記基材の半径方向の両端部領域のうちの当該近接している角部を含む端部領域に対する当該描画用ビームの照射時における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い位置が、当該一方の単位凹部形成領域における当該半径方向の中央部領域に対する複数回の当該描画用ビームの照射時における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、当該第１のビーム照射開始位置および当該第１のビーム照射終了位置のうちの当該近接している角部から遠い位置に対して当該基材の回転方向において近くなるように当該描画用ビームを照射させる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係るパターン描画方法では、角部だけが互いに近接している２つの単位凹部形成領域のうちの少なくとも一方の領域に描画用ビームを照射するときに、その単位凹部形成領域における半径方向の両端部領域のうちの近接している角部を含む端部領域に対する描画用ビームの照射時における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い位置が、その単位凹部形成領域における半径方向の中央部領域に対する複数回の描画用ビームの照射時における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置に対して回転方向において近くなるように描画用ビームを照射して凹部形成用パターンを描画する。
【００３１】
また、本発明に係るパターン描画装置では、制御部が、角部だけが互いに近接している２つの単位凹部形成領域のうちの少なくとも一方の領域に描画用ビームを照射させるときに、その単位凹部形成領域における半径方向の両端部領域のうちの近接している角部を含む端部領域に対する描画用ビームの照射時における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い位置が、その単位凹部形成領域における半径方向の中央部領域に対する複数回の描画用ビームの照射時における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置に対して回転方向において近くなるように描画用ビームを照射させて凹部形成用パターンを描画する。
【００３２】
したがって、本発明に係るパターン描画方法およびパターン描画装置によれば、角部だけが互いに近接する単位凹部形成領域を有する凹部形成用パターンを描画する際に、両角部が近接する部位において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、このパターン描画方法およびパターン描画装置によれば、パターン描画処理後に現像処理したときに、形成される凹部に意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【００３３】
また、本発明に係るパターン描画方法では、近接している角部が鈍角の２つの単位凹部形成領域の一方における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い位置と、近接している角部が鈍角の２つの単位凹部形成領域の他方における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い位置との間の第１の距離が、近接している角部が鋭角の２つの単位凹部形成領域の一方における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い位置と、近接している角部が鋭角の２つの単位凹部形成領域の他方における第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い位置との間の第２の距離以上となるように描画用ビームを照射する。したがって、このパターン描画方法によれば、鈍角の角部が互いに近接する単位凹部形成領域を有する凹部形成用パターンを描画する際に、鈍角の両角部が近接する部位において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、このパターン描画方法によれば、パターン描画処理後に現像処理したときに、形成される凹部に意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【００３４】
さらに、本発明に係るパターン描画方法では、各々の角部が一点において近接している３つの単位凹部形成領域に描画用ビームを照射するときに、３つの単位凹部形成領域のうちの少なくとも１つにおいて、その単位凹部形成領域における半径方向の両端部領域のうちの近接している角部を含む端部領域に対する描画用ビームの照射時における第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い位置が、その単位凹部形成領域における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置に対して回転方向において近くなるように描画用ビームを照射する。したがって、本発明に係るパターン描画方法によれば、各々の角部が一点において近接している３つの単位凹部形成領域を有する凹部形成用パターンを描画する際に、各角部が近接する部位において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、このパターン描画方法によれば、パターン描画処理後に現像処理したときに、形成される凹部に意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【００３５】
また、本発明に係るパターン描画方法では、各単位凹部形成領域に描画用ビームを照射するときに、単位凹部形成領域における両端部領域に対する描画用ビームの照射時における両第４のビーム照射開始位置が、単位凹部形成領域における各第２のビーム照射開始位置を結んだ線の仮想延長線よりも、両端部領域に対する描画用ビームの照射時における両第４のビーム照射終了位置に対して回転方向において近くなり、かつ、両第４のビーム照射終了位置が、各第２のビーム照射終了位置を結んだ線の仮想延長線よりも、両第４のビーム照射開始位置に対して回転方向において近くなるように描画用ビームを照射する。したがって、本発明に係るパターン描画方法によれば、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を回避することができるだけでなく、その角部が他の単位凹部形成領域の角部に近接しているか否かを問わず、すべての単位凹部形成領域において、第２のビーム照射開始位置、第２のビーム照射終了位置、第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置の各位置を１つの規則に従って規定することができる結果、描画用ビームの照射制御を十分に容易とすることができる。
【００３６】
さらに、本発明に係るパターン描画方法では、半径方向に沿って連続する複数の単位凹部形成領域によって構成される第１の凹部形成領域に対する描画用ビームの照射に際して半径方向で隣接する２つの単位凹部形成領域に描画用ビームを照射するときに、その２つの単位凹部形成領域の回転方向における各々の第２のビーム照射開始位置側に他の単位凹部形成領域が隣接していないときには、その２つの単位凹部形成領域における半径方向の各々の両端部領域のうちの半径方向で隣接する２つの端部領域に対する描画用ビームの照射時における両第５のビーム照射開始位置が、その２つの単位凹部形成領域における各第２のビーム照射開始位置を結んだ線の仮想延長線上に位置すると共に、２つの単位凹部形成領域の回転方向における各々の第２のビーム照射終了位置側に他の単位凹部形成領域が隣接していないときには、その２つの単位凹部形成領域における半径方向の各々の両端部領域のうちの半径方向で隣接する２つの端部領域に対する描画用ビームの照射時における両第５のビーム照射終了位置が、その２つの単位凹部形成領域における各第２のビーム照射終了位置を結んだ線の仮想延長線上に位置するように描画用ビームを照射する。したがって、本発明に係るパターン描画方法によれば、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができるだけでなく、単位凹部形成領域が半径方向で連続している部位において、凹部形成用パターンの半径方向に沿った辺のＬＥＲ（Line Edge Roughness ）が悪化する事態を回避することができる。これにより、このパターンの描画方法によれば、凹部形成用パターンを現像処理したときに、形成される凹部における半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に向上させることができる。
【００３７】
また、本発明に係るパターン描画方法では、回転方向に沿って連続する複数の単位凹部形成領域によって構成される第２の凹部形成領域に対する描画用ビームの照射に際して回転方向で隣接する２つの単位凹部形成領域に描画用ビームを照射するときに、その２つの単位凹部形成領域における半径方向の各々の両端部領域のうちの、回転方向で隣接し、かつ、半径方向において他の単位凹部形成領域に隣接していない２つの端部領域の一方に対する描画用ビームの照射時における第６のビーム照射開始位置および第６のビーム照射終了位置のうちの２つの端部領域の他方に近い位置が、その２つの端部領域の一方を含む単位凹部形成領域における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの２つの端部領域の他方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上に位置すると共に、その２つの端部領域の他方に対する描画用ビームの照射時における第６のビーム照射開始位置および第６のビーム照射終了位置のうちの２つの端部領域の一方に近い位置が、その２つの端部領域の他方を含む単位凹部形成領域における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの２つの端部領域の一方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上に位置するように描画用ビームを照射する。したがって、本発明に係るパターン描画方法によれば、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができるだけでなく、単位凹部形成領域が回転方向で連続している部位において、凹部形成用パターンの回転方向に沿った辺のＬＥＲ（Line Edge Roughness ）が悪化する事態を回避することができる。これにより、このパターンの描画方法によれば、凹部形成用パターンを現像処理したときに、形成される凹部における回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に向上させることができる。
【００３８】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、上記のいずれかのパターン描画方法に従って凹凸パターン形成層に凹部形成用パターンを描画し、その後に現像処理して描画用ビームの照射部位に凹部を形成することによって基材の上に凹凸パターンを形成することにより、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態が回避された凹部形成用パターンを描画することで、凹部に意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、この凹凸パターンの形成方法によれば、形成した凹凸パターンをマスクとして用いて下層をエッチングしたときには、下層に形成される凹部の過剰な拡がりが生じる事態を回避することができると共に、形成した凹凸パターンをスタンパー形成用材料に転写したときには、スタンパーにおける凸部の過剰な拡がりを十分に回避することができる。
【００３９】
また、本発明に係るスタンパー製造方法によれば、上記の凹凸パターン形成方法に従って凹凸パターンを形成し、その凹凸パターン、およびその凹凸パターンを用いて形成した凹凸パターンのいずれかを所定の手順に従ってスタンパー形成用部材に転写してスタンパーを製造することにより、凹部の過剰な拡がりが生じる事態が回避された凹凸パターンをスタンパー形成材料に転写してスタンパーを製造したときには、スタンパーにおける凸部に意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、このスタンパーの製造方法によれば、例えば、形成した凹凸パターンをインプリント法によって転写して凹凸パターンを形成することで、その凹凸パターンを用いて製造した情報記録媒体における非記録領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。また、上記のスタンパーの凸部をスタンパー形成材料に転写して他のスタンパーを製造したときには、そのスタンパーにおける凹部に意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、このスタンパーの製造方法によれば、例えば、形成した凹凸パターンをインプリント法によって転写して凹凸パターンを形成することで、その凹凸パターンを用いて製造した情報記録媒体における記録領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【００４０】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法によれば、上記のスタンパー製造方法に従って製造したスタンパーを用いてインプリント処理を実行して情報記録媒体製造用の中間体の上のマスク形成層にマスク用凹凸パターンを形成し、マスク用凹凸パターンを形成したマスク形成層をマスクとして用いて中間体をエッチング処理して情報記録媒体を製造することにより、インプリント法によって形成されたマスク用の凹部（または、マスク用の凸部）の過剰な拡がりが生じる事態が回避された凹凸パターンを用いることで、情報記録媒体における非記録領域（または、記録領域）に意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、磁気的信号の正確な読み出しが可能な磁気ディスク１００を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るパターン描画方法、凹凸パターン形成方法、スタンパー製造方法、情報記録媒体製造方法およびパターン描画装置の最良の形態について説明する。
【００４２】
最初に、本発明に係るパターン描画方法に従ってパターンを描画する電子ビーム描画装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００４３】
図１に示す電子ビーム描画装置（以下、「描画装置」ともいう）１は、本発明におけるパターン描画装置に相当し、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向部７、制御部８および記憶部９を備えて、ビーム発生部４から電子ビームＥＢ（本発明における描画用ビームの一例）を出力することで、情報記録媒体製造用の凹部形成用パターンＰａ（図６参照）を、原盤１０上のＢ１マスク形成層１３（本発明における凹凸パターン形成層）に描画可能に構成されている。なお、図６および後に参照する図８，９，２７，２９では、凹部形成用パターンＰａの描画時に電子ビーム描画装置１によって照射された電子ビームＥＢの照射量が後述する現像処理時に消失するレベルに達した領域（以下、「消失領域」ともいう）を灰色で塗り潰すと共に、電子ビームＥＢの照射量が現像処理時に消失するレベルに達していない領域を白色で図示している。
【００４４】
この場合、原盤１０は、スタンパー２０（図２０参照）を製造するための凹凸パターン１７（図１７参照）を形成する形成用板材であって、本発明における基材に相当し、図５に示すように、円板状のシリコン基板１１の上にＡ１マスク形成層１２が形成されると共に、このＡ１マスク形成層１２の上に凹凸パターン形成層としてのＢ１マスク形成層１３が形成されて構成されている。この場合、Ａ１マスク形成層１２は、シリコン基板１１の一面（同図における上面）を覆うようにしてニッケル等の金属材料をスパッタリングして形成されている。また、Ｂ１マスク形成層１３は、一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布することで形成したレジスト層で構成されている。
【００４５】
また、原盤１０を用いて製造されるスタンパー２０は、図２に示す磁気ディスク１００を製造する際にインプリント処理を実行するためのスタンパー４０（図２３参照）を製作するためのマスタースタンパーであって、後述するように、シリコン基板１１に形成される凹凸パターン１７（図１７参照）をスタンパー形成用材料（一例として、ニッケル）に転写することにより、図１９に示すように、凹凸パターン１７における各凹部１７ｂに対応する複数の凸部２５ａと、凹凸パターン１７における各凸部１７ａに対応する複数の凹部２５ｂとを有する凹凸パターン２５が形成されている。さらに、磁気ディスク１００を製造するための上記のスタンパー４０は、後述するようにして、上記のスタンパー２０の凹凸パターン２５をスタンパー形成用材料に転写するパターン転写処理を所定回数（一例として２回）実行することで形成されている。具体的には、スタンパー４０は、スタンパー２０の凹凸パターン２５をスタンパー形成用材料に転写したスタンパー３０（図２１参照）を用いた射出成形処理によって光透過性を有する樹脂材料（一例として、ポリカーボネート）で円板状に形成されている。
【００４６】
この場合、図２１に示すように、上記のスタンパー３０は、スタンパー２０における凹凸パターン２５の各凹部２５ｂに対応する複数の凸部３５ａと、凹凸パターン２５における各凸部２５ａに対応する複数の凹部３５ｂとを有する凹凸パターン３５が形成されている。また、図２２に示すように、スタンパー４０は、スタンパー３０における凹凸パターン３５の各凹部３５ｂに対応する複数の凸部４５ａと、凹凸パターン３５における各凸部３５ａに対応する複数の凹部４５ｂとを有する凹凸パターン４５が形成されている。したがって、スタンパー４０における凹凸パターン４５は、各凸部４５ａが原盤１０におけるシリコン基板１１に形成される上記の凹凸パターン１７における各凹部１７ｂに対応し、各凹部４５ｂが上記の凹凸パターン１７における各凸部１７ａに対応している。
【００４７】
さらに、スタンパー４０を使用して製造される磁気ディスク１００は、本発明における情報記録媒体の一例であるディスクリートトラック型のパターンド媒体であって、記録再生ヘッドやモータなどと共に筐体内（図示せず）に収容されて、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）を構成する。この磁気ディスク１００は、図３に示すように、データトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓが回転方向（矢印Ｒａ１の向き）で交互に並んで設けられて、全体として円板状に形成されている。また、図２に示すように、磁気ディスク１００は、軟磁性層１０２、中間層１０３および磁性層１０４がガラス基板１０１の上にこの順で形成されて、磁性層１０４に形成された各凸部１１０ａおよび各凹部１１０ｂによってデータトラックパターンおよびサーボパターン等の凹凸パターン１１０が形成されて垂直記録方式による記録データの記録が可能に構成されている。
【００４８】
この場合、この磁気ディスク１００では、上記のスタンパー４０の凹凸パターン４５における各凹部４５ｂに対応して複数の凸部１１０ａが形成されると共に、スタンパー４０の凹凸パターン４５における各凸部４５ａに対応して複数の凹部１１０ｂが形成されている。また、図４に示すように、磁気ディスク１００のサーボパターン領域Ａｓ（一例として、アドレスパターン領域）には、凸部１１０ａ（本発明における記録領域）で構成された平面視四角形形状の単位情報領域Ａａ１（本発明における第１の単位情報領域）と、凹部１１０ｂ（本発明における非記録領域）で構成された平面視四角形形状の単位情報領域Ａｂ１（本発明における第２の単位情報領域）とがその回転方向（矢印Ｒａ１の向き）や半径方向（矢印Ｒｂ１の向き）で並んで設けられている。この場合、磁気ディスク１００では、単位情報領域Ａａ１のほぼ全域が凸部１１０ａ（記録領域）で構成されると共に、単位情報領域Ａｂ１のほぼ全域が凹部１１０ｂ（非記録領域）で構成されている。なお、図４および後述する図１０では、各単位情報領域Ａａ１および各単位情報領域Ａｂ１の境界を破線で図示している。
【００４９】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３によって回転させられる原盤１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させる。ターンテーブル３は、本発明に係る回転機構に相当し、原盤１０を載置可能に構成されて制御部８の制御下で原盤１０を回転させる。ビーム発生部４は、ブランキング制御部５と相俟って本発明におけるビーム照射部を構成して、原盤１０におけるＢ１マスク形成層１３に凹部形成用パターンＰａを描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、制御部８の制御に従ってビーム発生部４による電子ビームＥＢの出力をオン／オフ制御する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ビーム発生部４によって出力された電子ビームＥＢを成形（細径化）する。
【００５０】
ビーム偏向部７は、ビーム成形部６によって成形された電子ビームＥＢを制御部８の制御に従って偏向することにより、Ｂ１マスク形成層１３に対する電子ビームＥＢの照射位置（電子ビームＥＢの中心位置を相対的に通過させる位置）を変化させる。制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に原盤１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して原盤１０を回転させる。また、制御部８は、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている原盤１０のＢ１マスク形成層１３における所定位置に電子ビームＥＢを照射させる。記憶部９は、原盤１０に描画する凹部形成用パターンＰａの描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶する。この場合、描画手順データＤＰには、ブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるタイミング、電子ビームＥＢの照射を停止させるタイミング、およびビーム偏向部７に対して電子ビームＥＢを偏向させる量（後述する照射領域のピッチ）などを特定可能なデータを含んで構成されている。
【００５１】
次いで、上記のスタンパー４０を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００５２】
まず、一例として、シリコン基板１１の一面にニッケルをスパッタリングすることにより、厚み７ｎｍのＡ１マスク形成層１２を形成して原盤１０を製作する（図５参照）。次いで、ベーク処理後の厚みが６０ｎｍ程度となるように電子線描画用レジスト（ポジ型レジスト）をスピンコートすることによってＡ１マスク形成層１２の上（原盤１０の上）にＢ１マスク形成層（樹脂層：レジスト層）１３を形成する。続いて、塗布したＢ１マスク形成層１３に対してベーク処理を実行する。次いで、Ｂ１マスク形成層１３の形成面を上向きにして原盤１０を描画装置１のターンテーブル３上に載置すると共に、スタンパー２０の凹凸パターン２５における各凸部２５ａの平面パターン（図６に示す凹部形成用パターンＰａ：磁気ディスク１００におけるデータトラックパターンの凹部１１０ｂや、サーボパターンにおける各凹部１１０ｂ（単位情報領域Ａｂ１）に対応するパターン）をＢ１マスク形成層１３に描画する。
【００５３】
具体的には、描画開始が指示された際に、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を移動させて、例えば凹部形成用パターンＰａを描画すべき円環状の領域における最内周部位をビーム発生部４の下方に位置させる。次いで、制御部８は、ターンテーブル３を制御して、一例として、電子ビームＥＢとの相対速度が線速度一定となる条件で原盤１０を回転させると共に、記憶部９に記憶されている描画手順データＤＰに従い、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７を制御してターンテーブル３上の原盤１０（Ｂ１マスク形成層１３）に向けて電子ビームＥＢを照射させる。この際に、原盤１０が回転している状態において、その照射方向を変化させるこなく一定に維持して電子ビームＥＢを照射することにより、Ｂ１マスク形成層１３に照射される電子ビームＥＢの中心位置が原盤１０に対してその回転方向（図６〜９などにおいて矢印Ｒａ２で示す向き）に沿って直線的かつ相対的に移動する。
【００５４】
また、制御部８は、ビーム偏向部７を制御して、原盤１０が１回転する都度、電子ビームＥＢを原盤１０の半径方向（図６〜９などにおいて矢印Ｒｂ２で示す向き）に所定のピッチで偏向させることにより、１つの単位凹部形成領域Ａｂ２（図６参照）に対して複数回に分けて電子ビームＥＢを順次照射して凹部形成用パターンＰａを描画する。さらに、制御部８は、例えば、ビーム偏向部７による偏向可能範囲を超える電子ビームＥＢの偏向が必要となったときに、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御して、ターンテーブル３（原盤１０）をその半径方向に沿って移動させた後に、ビーム偏向部７を制御して、原盤１０が１回転する都度、電子ビームＥＢを原盤１０の半径方向に所定のピッチで偏向させて電子ビームＥＢを照射させる。
【００５５】
この場合、制御部８は、図７に示すように、凹部形成用パターンＰａを構成する各単位凹部形成領域Ａｂ２（磁気ディスク１００における各単位情報領域Ａｂ１に対応する平面視四角形形状の領域）に対して、原盤１０の半径方向（矢印Ｒｂ２の向き）において１０回に分けて電子ビームＥＢを順次照射する（本発明における「端部領域に対する描画用ビームの照射」が各１回で、「中央部領域に対する複数回の描画用ビームの照射」が８回の例）。なお、図６，７および後に参照する図８，９，１１〜１３，２７〜３１では、各単位凹部形成領域Ａｂ２の境界を破線で図示している。また、制御部８は、単位凹部形成領域Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときに、描画手順データＤＰに基づいて電子ビームＥＢの照射タイミングを調整することにより、各単位凹部形成領域Ａｂ２の４つの角部における電子ビームＥＢの照射量（ドーズ量）が、例えば単位凹部形成領域Ａｂ２の中心部における電子ビームＥＢの照射量（ドーズ量）よりも十分に少なくなるように、電子ビーム描画装置１の各部を制御する。
【００５６】
具体的には、制御部８は、単位凹部形成領域Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときに、描画手順データＤＰに基づき、単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向（矢印Ｒｂ２の向き）の両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両第４のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ１，Ｓ１０の両位置）が、単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射開始位置を結んだ線の仮想延長線（この例は、照射開始位置Ｓ２〜Ｓ９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ１）よりも、両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両第４のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ１，Ｅ１０の両位置）に対して回転方向（矢印Ｒａ２の向き）において近くなるように各照射開始位置Ｓ１〜Ｓ１０を規定してＢ１マスク形成層１３に電子ビームＥＢを照射する。
【００５７】
また、制御部８は、単位凹部形成領域Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときに、描画手順データＤＰに基づき、両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両第４のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ１，Ｅ１０の両位置）が、中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射終了位置を結んだ線の仮想延長線（この例は、照射終了位置Ｅ２〜Ｅ９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ２）よりも、両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両第４のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ１，Ｓ１０の両位置）に対して回転方向（矢印Ｒａ２の向き）において近くなるように各照射終了位置Ｅ１〜Ｅ１０を規定してＢ１マスク形成層１３に電子ビームＥＢを照射する。なお、以下の説明において、照射開始位置Ｓ１，Ｓ２・・を区別しないときには「照射開始位置Ｓ」ともいう。また、照射終了位置Ｅ１，Ｅ２・・を区別しないときには「照射終了位置Ｅ」ともいう。
【００５８】
したがって、この例では、単位凹部形成領域Ａｂ２の半径方向の両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における照射開始位置Ｓ１，Ｓ１０の両位置が、半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における照射開始位置Ｓ２〜Ｓ９を結んだ線の仮想延長線（破線Ｌｖ１）よりも距離Ｌｓだけ各照射終了位置Ｅ１，Ｅ１０に対して近くなり、半径方向の両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における照射終了位置Ｅ１，Ｅ１０の両位置が、半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における照射終了位置Ｅ２〜Ｅ９を結んだ線の仮想延長線（破線Ｌｖ２）よりも距離Ｌｅだけ各照射開始位置Ｓ１，Ｓ１０に対して近くなる。この場合、この電子ビーム描画装置１では、単位凹部形成領域Ａｂ２が単独で存在するとき、および半径方向および回転方向のいずれかに沿って複数並んで存在するときのいずれにおいても（すべての単位凹部形成領域Ａｂ２において）、端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時に上記の距離Ｌｓ，Ｌｅが生じるように照射開始位置Ｓや照射終了位置Ｅを規定して凹部形成用パターンＰａを描画する。
【００５９】
なお、上記の距離Ｌｓ，Ｌｅについては、単位凹部形成領域Ａｂ２の回転方向に沿った距離Ｌａに対する１／１０以上の距離とすることにより、後述する本願発明の効果を十分に奏することができる。また、単位凹部形成領域Ａｂ２の回転方向に沿った距離Ｌａに対する１／２を超える距離としたときには、後述するようにして形成される凹部１７ｂが過剰に狭くなることに起因して、磁気ディスク１００に所望の大きさの凹部１１０ｂを形成するのが困難となるおそれがある。したがって、距離Ｌｓ，Ｌｅについては、単位凹部形成領域Ａｂ２の回転方向に沿った距離Ｌａに対する１／１０以上１／２以下の範囲内とするのが好ましい。
【００６０】
この場合、制御部８は、図６において矢印Ｚ１，Ｚ２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２（本発明における「角部だけが互いに近接している２つの単位凹部形成領域」の一例）については、図８に示すように、矢印Ｒａ２の向きに原盤１０を回転させつつ、原盤１０のＮ回転目（Ｎは、所定の自然数）において、照射開始位置Ｓ１１から電子ビームＥＢの照射を開始して照射終了位置Ｅ１１において電子ビームＥＢの照射を停止する。また、（Ｎ＋１）回転目においては、照射開始位置Ｓ１２から照射終了位置Ｅ１２まで電子ビームＥＢを照射し、（Ｎ＋２）回転目以降においては、Ｎ回転目や（Ｎ＋１）回転目と同様にして照射開始位置Ｓ１３，Ｓ１４・・から照射終了位置Ｅ１３，Ｅ１４・・まで電子ビームＥＢを照射し、（Ｎ＋９）回転目においては、照射開始位置Ｓ２０から照射終了位置Ｅ２０まで電子ビームＥＢを照射する。これにより、同図に示すように、矢印Ｚ１で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射が完了する。
【００６１】
次いで、原盤１０の（Ｎ＋１０）回転目においては、照射開始位置Ｓ２１から照射終了位置Ｅ２１まで電子ビームＥＢを照射し、（Ｎ＋１１）回転目以降においては、照射開始位置Ｓ２２，Ｓ２３・・から照射終了位置Ｅ２２，Ｅ２３・・まで電子ビームＥＢを照射し、（Ｎ＋１９）回転目においては、照射開始位置Ｓ３０から照射終了位置Ｅ３０まで電子ビームＥＢを照射する。これにより、同図に示すように、矢印Ｚ２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射が完了する。なお、同図に示す例では、矢印Ｚ１で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射時における照射終了位置Ｅ１２〜Ｅ１９と、矢印Ｚ２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射時における照射開始位置Ｓ２２〜Ｓ２９とが１本の破線Ｌｖ１３上に位置するように各照射開始位置Ｓおよび照射終了位置Ｅが規定されているが（各照射開始位置Ｓおよび各照射終了位置Ｅを単位凹部形成領域における回転方向の端部と一致させた描画方法の例）、本発明はこれに限定されない。例えば、矢印Ｚ１で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射時における照射終了位置Ｅ１２〜Ｅ１９を、同図に示す位置よりも僅かに照射開始位置Ｓ１２〜Ｓ１９寄りとなるように各照射終了位置Ｅを規定したり、矢印Ｚ２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射時における照射開始位置Ｓ２２〜Ｓ２９を、同図に示す位置よりも僅かに照射終了位置Ｅ２２〜Ｅ２９寄りとなるように各照射終了位置Ｅを規定したりすることもできる（各照射開始位置Ｓおよび各照射終了位置Ｅを単位凹部形成領域における回転方向の端部とは一致させない描画方法の例）。
【００６２】
この場合、描画手順データＤＰに基づくこの描画方法では、同図に示すように、矢印Ｚ１で示す単位凹部形成領域Ａｂ２における原盤１０の半径方向（矢印Ｒｂ２）の両端部領域Ａｄのうちの近接している角部を含む端部領域Ａｄ（この例では、同図における右側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時における第１のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ２０）および第１のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ２０）のうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射終了位置Ｅ２０）が、矢印Ｚ１で示す単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ１２〜Ｓ１９の各位置）および各第２のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ１２〜Ｅ１９の各位置）のうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線（この例では、右下の角部に近い照射終了位置Ｅ１２〜Ｅ１９を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ１３）よりも、原盤１０の第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置（この例では、照射開始位置Ｓ２０）に対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢが照射される。
【００６３】
また、矢印Ｚ２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２における原盤１０の半径方向（矢印Ｒｂ２）の両端部領域Ａｄのうちの近接している角部を含む端部領域Ａｄ（この例では、同図における左側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時における第１のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ２１）および第１のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ２１）のうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射開始位置Ｓ２１）が、矢印Ｚ２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ２２〜Ｓ２９の各位置）および各第２のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ２２〜Ｅ２９の各位置）のうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線（この例では、左上の角部に近い照射開始位置Ｓ２２〜Ｓ２９を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ１３）よりも、原盤１０の第１のビーム照射開始位置および第１のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置（この例では、照射終了位置Ｅ２１）に対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢが照射される。
【００６４】
したがって、この例では、照射終了位置Ｅ２０および照射開始位置Ｓ２１が十分に離間する結果、図８における左上の単位凹部形成領域Ａｂ２に対して照射開始位置Ｓ２０から照射終了位置Ｅ２０まで電子ビームＥＢを照射した後に、右下の単位凹部形成領域Ａｂ２に対して照射開始位置Ｓ２１から照射終了位置Ｅ２１まで電子ビームＥＢを照射したときに、照射終了位置Ｅ２０の近傍において照射した電子ビームＥＢと、照射開始位置Ｓ２１の近傍において照射した電子ビームＥＢとが相俟って矢印Ｘ１の部位において電子ビームＥＢの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる事態が回避される。これにより、両単位凹部形成領域Ａｂ２の互いに近接している角部に対する電子ビームＥＢの照射量が過剰に多くなる事態が回避されて、この部位における消失領域の過剰な拡がりが生じる事態が回避される。
【００６５】
一方、図６において矢印Ｚ３〜Ｚ５で示す単位凹部形成領域Ａｂ２（本発明における「各々の角部が一点において近接している３つの単位凹部形成領域」の一例）については、図９に示すように、原盤１０のＭ回転目（Ｍは、所定の自然数）において照射開始位置Ｓ３１から電子ビームＥＢの照射を開始して照射終了位置Ｅ３１において電子ビームＥＢの照射を停止する。また、（Ｍ＋１）回転目においては、照射開始位置Ｓ３２から照射終了位置Ｅ３２まで電子ビームＥＢを照射し、（Ｍ＋２）回転目以降においては、Ｍ回転目や（Ｍ＋１）回転目と同様にして照射開始位置Ｓ３３，Ｓ３４・・から照射終了位置Ｅ３３，Ｅ３４・・まで電子ビームＥＢを照射し、（Ｍ＋９）回転目においては、照射開始位置Ｓ４０から照射終了位置Ｅ４０まで電子ビームＥＢを照射する。これにより、同図に示すように、矢印Ｚ３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射が完了する。
【００６６】
また、矢印Ｚ４，Ｚ５で示す単位凹部形成領域Ａｂ２のように複数の単位凹部形成領域Ａｂ２が原盤１０の回転方向（矢印Ｒａ２の向き）に沿って連続しているときには、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時には、各単位凹部形成領域Ａｂ２間で電子ビームＥＢの照射を停止することなく照射状態を維持するのに対し、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時には、上記の矢印Ｚ１〜Ｚ３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射時と同様にして、各単位凹部形成領域Ａｂ２間で電子ビームＥＢの照射を停止する。具体的には、原盤１０の（Ｍ＋１０）回転目においては、照射開始位置Ｓ４１から電子ビームＥＢの照射を開始して照射終了位置Ｅ４１において電子ビームＥＢの照射を一旦停止し、次いで、照射開始位置Ｓ５１から電子ビームＥＢの照射を再開して照射終了位置Ｅ５１において電子ビームＥＢの照射を停止する。
【００６７】
また、原盤１０の（Ｍ＋１１）回転目においては、照射開始位置Ｓ４２から照射終了位置Ｅ４２まで電子ビームＥＢを照射し、そのまま電子ビームＥＢの照射を停止することなく、照射開始位置Ｓ５２から照射終了位置Ｅ５２まで電子ビームＥＢを照射する（照射終了位置Ｅ４２および照射開始位置Ｓ５２が同一位置であって、結果として照射開始位置Ｓ４２から照射終了位置Ｅ５２まで電子ビームＥＢの照射状態が維持される例）。また、（Ｍ＋１２）回転目以降においては、（Ｍ＋１１）回転目と同様にして、照射開始位置Ｓ４３，Ｓ４４・・から照射終了位置Ｅ５３，Ｅ５４・・まで電子ビームＥＢを照射し、（Ｍ＋１９）回転目においては、（Ｍ＋１０）回転目と同様にして、照射開始位置Ｓ５０から電子ビームＥＢの照射を開始して照射終了位置Ｅ５０において電子ビームＥＢの照射を一旦停止し、次いで、照射開始位置Ｓ６０から電子ビームＥＢの照射を再開して照射終了位置Ｅ６０において電子ビームＥＢの照射を停止する。これにより、同図に示すように、矢印Ｚ４，Ｚ５で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射が完了する。
【００６８】
この場合、描画手順データＤＰに基づくこの描画方法では、同図に示すように、各々の角部が一点において近接している３つの単位凹部形成領域Ａｂ２に描画用ビームを照射するときに、矢印Ｚ３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２においては、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の両端部領域Ａｄのうちの近接している角部を含む端部領域Ａｄ（この例では、同図における右下の角部を含む右側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時における第３のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ４０）および第３のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ４０）のうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射終了位置Ｅ４０）が、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ３２〜Ｓ３９の各位置）および各第２のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ３２〜Ｅ３９の各位置）のうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線（この例では、右下の角部に近い照射終了位置Ｅ３２〜Ｅ３９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ１２）よりも、第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置（この例では、照射開始位置Ｓ４０）に対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢが照射される。
【００６９】
また、矢印Ｚ４で示す単位凹部形成領域Ａｂ２においては、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の両端部領域Ａｄのうちの近接している角部を含む端部領域Ａｄ（この例では、同図における左下の角部を含む左側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時における第３のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ４１）および第３のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ４１）のうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射終了位置Ｅ４１）が、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ４２〜Ｓ４９の各位置）および各第２のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ４２〜Ｅ４９の各位置）のうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線（この例では、左下の角部に近い照射終了位置Ｅ４２〜Ｅ４９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ１２）よりも、第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置（この例では、照射開始位置Ｓ４１）に対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢが照射される。
【００７０】
さらに、矢印Ｚ５で示す単位凹部形成領域Ａｂ２においては、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の両端部領域Ａｄのうちの近接している角部を含む端部領域Ａｄ（この例では、同図における左上の角部を含む左側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時における第３のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ５１）および第３のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ５１）のうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射開始位置Ｓ５１）が、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射開始位置（この例では、照射開始位置Ｓ５２〜Ｓ５９の各位置）および各第２のビーム照射終了位置（この例では、照射終了位置Ｅ５２〜Ｅ５９の各位置）のうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線（この例では、左上の角部に近い照射開始位置Ｓ５２〜Ｓ５９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ１２）よりも、第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置（この例では、照射終了位置Ｅ５１）に対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢが照射される。
【００７１】
したがって、この例では、照射終了位置Ｅ４０と、照射終了位置Ｅ４１および照射開始位置Ｓ５１とが十分に離間する結果、図９における左上の単位凹部形成領域Ａｂ２に対して照射開始位置Ｓ４０から照射終了位置Ｅ４０まで電子ビームＥＢを照射した後に、右上の単位凹部形成領域Ａｂ２に対して照射開始位置Ｓ４１から照射終了位置Ｅ４１まで電子ビームＥＢを照射し、続いて、右下の単位凹部形成領域Ａｂ２に対して照射開始位置Ｓ５１から照射終了位置Ｅ５１まで電子ビームＥＢを照射したときに、照射終了位置Ｅ４０の近傍において照射した電子ビームＥＢと、照射終了位置Ｅ４１および照射開始位置Ｓ５１の近傍において照射した電子ビームＥＢとが相俟って矢印Ｘ２の部位において電子ビームＥＢの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる事態が回避される。これにより、各単位凹部形成領域Ａｂ２の各角部が近接する一点の周囲に対する電子ビームＥＢの照射量が過剰に多くなる事態が回避されて、この部位における消失領域の過剰な拡がりが生じる事態が回避される。
【００７２】
一方、この種の製作方法に従って製作したスタンパーを用いて製造する磁気ディスク１００では、その最内周から最外周までの間において磁気ヘッドをシーク動作させたときにおける磁気ヘッドの円弧状の軌跡（図３に示す矢印Ｒｃ１）に応じて、図１０に示すように、その内周側や外周側において、各パターンにスキュー角θが付与されている。このため、同図に示すように、例えば、複数の単位情報領域Ａｂ１における角部だけが互いに近接しているパターンにおいては、上記のスキュー角θの付与に起因して、単位情報領域Ａｂ１における鋭角の角部同士が近接している部位（同図における円Ｃ１の部位）と、単位情報領域Ａｂ１における鈍角の角部同士が近接している部位（同図における円Ｃ２の部位）とが生じることとなる。
【００７３】
この場合、単位情報領域Ａｂ１における鈍角の角部同士が近接している部位では、単位情報領域Ａｂ１における鋭角の角部同士が近接している部位よりも、単位面積当りに占める単位情報領域Ａｂ１の割合が大きくなっている。具体的には、同図に示す円Ｃ１，Ｃ２が互いに等しい直径（すなわち、互いに等しい面積）であるときに、円Ｃ１内に含まれる単位情報領域Ａｂ１（単位情報領域Ａｂ１における鋭角の角部）の面積よりも円Ｃ２内に含まれる単位情報領域Ａｂ１（単位情報領域Ａｂ１における鈍角の角部）の面積の方が大きくなっている。したがって、このような単位情報領域Ａｂ１に対応して凹部形成用パターンＰａを描画したときには、上記の円Ｃ１に対応する領域内に含まれる単位凹部形成領域Ａｂ２（単位凹部形成領域Ａｂ２における鋭角の角部）の面積よりも、上記の円Ｃ２に対応する領域内に含まれる単位凹部形成領域Ａｂ２（単位凹部形成領域Ａｂ２における鈍角の角部）の面積の方が大きくなる。なお、本明細書において参照する各図における矢印Ｒｃ２は、上記した磁気ヘッドの円弧状の軌跡を示す矢印Ｒｃ１（図３，１０参照）の方向に対応する方向を示している。このため、単位凹部形成領域Ａｂ２における鈍角の角部同士が近接している部位においては、単位凹部形成領域Ａｂ２における鋭角の角部同士が近接している部位よりも、電子ビームＥＢの照射量が多くなる傾向があり、これに起因して、消失領域の過剰な拡がりが生じ易くなっている。
【００７４】
具体的には、図１１に示すように、２つの単位凹部形成領域Ａｂ２における鋭角の角部同士が近接している部位（矢印Ｘ５で示す部位）、および２つの単位凹部形成領域Ａｂ２における鈍角の角部同士が近接している部位（矢印Ｘ６で示す部位）の双方において、前述した距離Ｌｓが互いに等しく、かつ距離Ｌｅが互いに等しくなるように電子ビームＥＢの照射タイミングを規定して凹部形成用パターンＰａを描画したとき（照射開始位置Ｓ１，Ｓ１０の両位置が照射開始位置Ｓ２〜Ｓ９を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ２１よりも同じ距離Ｌｓだけ照射終了位置Ｅ１または照射終了位置Ｅ１０に対して回転方向において近くなり、照射終了位置Ｅ１，Ｅ１０の両位置が照射終了位置Ｅ２〜Ｅ９を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ２２よりも同じ距離Ｌｅだけ照射開始位置Ｓ１または照射開始位置Ｓ１０に対して回転方向において近くなるように電子ビームＥＢの照射タイミングを規定して凹部形成用パターンＰａを描画したとき）には、矢印Ｘ５で示す部位における照射開始位置Ｓ１０および照射終了位置Ｅ１間の距離Ｌ２ａ（本発明における第２の距離の一例）よりも、矢印Ｘ６で示す部位における照射終了位置Ｅ１０および照射開始位置Ｓ１間の距離Ｌ１ａ（本発明における第１の距離の一例）の方が短くなる。したがって、鋭角の角部同士が近接している部位（矢印Ｘ５で示す部位）における消失領域の拡がりよりも、鈍角の角部同士が近接している部位（矢印Ｘ６で示す部位）における消失領域の拡がりの方が大きくなる。
【００７５】
このため、この電子ビーム描画装置１によるパターン描画方法では、図１２に示すように、近接している角部が鈍角の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２の一方（例えば、同図における中央部の単位凹部形成領域Ａｂ２）における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射終了位置Ｅ１０）と、近接している角部が鈍角の２つの単位凹部形成領域の他方（この例では、同図における右下の単位凹部形成領域Ａｂ２）における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射開始位置Ｓ１）との間の第１の距離Ｌ１ｂが、近接している角部が鋭角の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２の一方（例えば、同図における中央部の単位凹部形成領域Ａｂ２）における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射終了位置Ｅ１）と、近接している角部が鋭角の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２の他方（この例では、同図における右下の単位凹部形成領域Ａｂ２）における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置（この例では、照射開始位置Ｓ１０）との間の第２の距離Ｌ２ｂ以上となるように（この例では、距離Ｌ１ｂ＝距離Ｌ２ｂとなるように）電子ビームＥＢを照射して凹部形成用パターンＰａを描画する方法が採用されている。
【００７６】
言い換えれば、この電子ビーム描画装置１では、単位凹部形成領域Ａｂ２における鋭角の角部同士が近接している部位（矢印Ｘ５で示す部位）における距離Ｌｓｂや距離Ｌｅｂよりも、単位凹部形成領域Ａｂ２における鈍角の角部同士が近接している部位（矢印Ｘ６で示す部位）における距離Ｌｓａや距離Ｌｅａの方が長くなるように電子ビームＥＢの照射タイミングを規定して凹部形成用パターンＰａを描画する方法が採用されている。この場合、この電子ビーム描画装置１では、図１２，１３に示すように、上記の距離Ｌｓａや距離Ｌｅａについて、上記のスキュー角θが大きい部位ほど（近接している鈍角の角部の角度が大きい部位ほど）距離Ｌｓａや距離Ｌｅａが長くなるように、電子ビームＥＢの照射タイミングが変化させられる。また、この電子ビーム描画装置１では、上記の距離Ｌｓｂや距離Ｌｅｂについては、上記のスキュー角θが小さい部位ほど（近接している鋭角の角部の角度が大きい部位ほど）距離Ｌｓａや距離Ｌｅａが長くなるように、電子ビームＥＢの照射タイミングが変化させられる。これにより、現像処理時に消失する消失領域の拡がりが生じ易い大きな角度の角部同士が近接している部位において、消失領域の過剰な拡がりが生じる事態が回避される。この後、他の単位凹部形成領域Ａｂ２についても、上記の単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順と同様にして原盤１０の内周側から外周側に向かって複数回に分けて電子ビームＥＢを順次照射することにより、図１４に示すように、凹部形成用パターンＰａの描画が完了する。
【００７７】
次いで、凹部形成用パターンＰａの描画が完了したＢ１マスク形成層１３に対する現像処理を実行する。これにより、電子ビーム描画装置１による凹部形成用パターンＰａの描画処理時に電子ビームＥＢの照射量が消失レベルに達した消失領域においてＡ１マスク形成層１２上からＢ１マスク形成層１３が除去されて、図１５に示すように、上記の消失領域に凹部１５ｂが形成されてＡ１マスク形成層１２の上に凹凸パターン１５が形成される。この場合、前述した描画装置１による凹部形成用パターンＰａの描画処理時には、単位凹部形成領域Ａｂ２の両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両照射開始位置Ｓが、その単位凹部形成領域Ａｂ２の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各照射開始位置Ｓを結んだ線の仮想延長線よりも、両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両照射終了位置Ｅに対して近くなり、かつ、単位凹部形成領域Ａｂ２の両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両照射終了位置Ｅが、その単位凹部形成領域Ａｂ２の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時における各照射終了位置Ｅを結んだ線の仮想延長線よりも、両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両照射開始位置Ｓに対して近くなるように、電子ビームＥＢの照射タイミングを規定して電子ビームＥＢを照射している。したがって、上記したように、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態が回避されているため、現像処理時には、形成される凹部１５ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避される。この結果、所望の広さの凹部１５ｂがＢ１マスク形成層１３に形成される。
【００７８】
次いで、現像処理が完了した原盤１０に対してリンス処理を実行した後にスピン乾燥処理を実行する。続いて、乾燥処理が完了したＢ１マスク形成層１３（凹凸パターン１５の各凸部１５ａ）をマスクとして用いてエッチング処理を実行することにより、各凹部１５ｂの底面においてＢ１マスク形成層１３から露出しているＡ１マスク形成層１２をシリコン基板１１上から除去する。これにより、図１６に示すように、Ａ１マスク形成層１２に凹部１６ｂが形成されてシリコン基板１１上に凹凸パターン１６が形成される。この場合、上記したように、凹部１５ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避されている凹凸パターン１５をマスクとして用いたことで、凹凸パターン１６についても凹凸パターン１５と同様にして凹部１６ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避される。
【００７９】
次いで、Ａ１マスク形成層１２（凹凸パターン１６の各凸部１６ａ）をマスクとして用いてエッチング処理を実行することにより、各凹部１６ｂの底面においてＡ１マスク形成層１２から露出しているシリコン基板１１のＡ１マスク形成層１２側の一部を除去する。これにより、図１７に示すように、シリコン基板１１に凹部１７ｂが形成されて、シリコン基板１１に凹凸パターン１７が形成される。なお、同図では、エッチング処理の完了後にシリコン基板１１（凹凸パターン１７の各凸部１７ａ）上に残存していたＡ１マスク形成層１２を除去した状態を図示している。この場合、上記したように、凹部１６ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避されている凹凸パターン１６をマスクとして用いたことで、凹凸パターン１７についても凹凸パターン１６と同様にして凹部１７ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避される。
【００８０】
続いて、図１８に示すように、凹凸パターン１７の表面に例えば蒸着処理によってニッケル層（導電層）２１を形成した後に、このニッケル層２１を電極として用いて電解メッキ処理（電鋳処理）を実行する。この際には、図１９に示すように、シリコン基板１１に形成された凹凸パターン１７（「本発明に係る凹凸パターン形成方法に従って形成した凹凸パターンをエッチング処理用のマスクとしてエッチング処理を実行して形成した凹凸パターン」の一例）が金属材料（本発明におけるスタンパー形成用部材：この例では、ニッケル）に転写されて、上記の凹部形成用パターンＰａにおける電子ビームＥＢの照射領域（単位凹部形成領域Ａｂ２に対応する平面視四角形形状の領域）に対応する複数の凸部２５ａが形成される（本発明における所定の手順の一例）。
【００８１】
次いで、シリコン基板１１からニッケル層２１，２２の積層体を剥離することにより、図２０に示すように、マスタースタンパーとしてのスタンパー２０が完成する。この場合、上記したように、凹部１７ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避されている凹凸パターン１７をニッケル層２１，２２に転写したことで、凹凸パターン２５の凸部２５ａについても凹凸パターン１７の凹部１７ｂと同様にして過剰な拡がりが生じる事態が回避される。なお、このスタンパー２０を用いたインプリント処理によって磁気ディスク１００を製造することもできるが、高価なスタンパー２０を使用することで磁気ディスク１００の製造コストが高騰するおそれがある。したがって、以下に説明する手順に従ってスタンパー２０の凹凸パターン２５を他のスタンパー形成部材に転写することで、１枚のスタンパー２０から複数枚のスタンパーを製作する。
【００８２】
具体的には、一例として、スタンパー２０を電極として用いて電解メッキ処理（電鋳処理）を実行してニッケル層３１（図２１参照）を形成する。この際には、スタンパー２０の凹凸パターン２５が金属材料（本発明におけるスタンパー形成用部材：この例では、ニッケル）に転写されて、凹凸パターン２５における各凹部２５ｂに対応する複数の凸部３５ａと、凹凸パターン２５における各凸部２５ａに対応する複数の凹部３５ｂとａが形成される。次いで、スタンパー２０からニッケル層３１を剥離することにより、図２１に示すように、マザースタンパーとしてのスタンパー３０が完成する。この場合、上記したように、凸部２５ａの過剰な拡がりが生じる事態が回避されている凹凸パターン２５をニッケル層３１に転写したことで、凹凸パターン３５の凹部３５ｂについても凹凸パターン２５の凸部２５ａと同様にして過剰な拡がりが生じる事態が回避される。
【００８３】
次いで、スタンパー３０を用いた射出成形処理を実行する。この際には、スタンパー３０の凹凸パターン３５が樹脂材料４１（本発明におけるスタンパー形成用部材：図２２参照）に転写されて、凹凸パターン３５における各凹部３５ｂに対応する複数の凸部４５ａと、凹凸パターン３５における各凸部３５ａに対応する複数の凹部４５ｂとが形成される。次いで、スタンパー３０から樹脂材料４１を剥離することにより、図２２に示すように、チャイルドスタンパーとしてのスタンパー４０が完成する。なお、製造されたスタンパー４０では、その凹凸パターン４５における各凸部４５ａがマスタースタンパーとしての上記のスタンパー２０における凹凸パターン２５の各凸部２５ａに対応し、凹凸パターン４５における各凹部４５ｂが凹凸パターン２５の各凹部２５ｂに対応している。この場合、上記したように、凹部３５ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避されている凹凸パターン３５を樹脂材料４１に転写したことで、凹凸パターン４５の凸部４５ａについても凹凸パターン３５の凹部３５ｂと同様にして過剰な拡がりが生じる事態が回避される。また、１枚のスタンパー３０から複数枚のスタンパー４０を製作することにより、このスタンパー４０を用いて製造する磁気ディスク１００の製造コストを十分に低減することができる。
【００８４】
一方、上記の製造方法に従って製造したスタンパー４０を用いて磁気ディスク１００を製造する際には、一例として、まず、磁気ディスク１００を製造するための中間体１２０（図２３参照）と、スタンパー４０とをインプリント装置にセットする。この場合、図２３に示すように、中間体１２０は、一例として、軟磁性層１０２、中間層１０３および磁性層１０４がガラス基板１０１の上にこの順で形成されると共に、磁性層１０４を覆うようにしてＡ２マスク形成層１２１（一例として、金属マスク層）およびＢ２マスク形成層１２２（一例として、樹脂マスク層）がこの順で形成されている。次いで、中間体１２０のＢ２マスク形成層１２２にスタンパー４０の凹凸パターン４５を押し付けることによってＢ２マスク形成層１２２に凹凸パターン４５を転写した後に（インプリント法の実行）、図２４に示すように、中間体１２０からスタンパー４０を剥離する。
【００８５】
この際には、スタンパー４０の凹凸パターン４５における各凸部４５ａに対応して中間体１２０のＢ２マスク形成層１２２に複数の凹部１２５ｂが形成されると共に、凹凸パターン４５における各凹部４５ｂに対応してＢ２マスク形成層１２２に複数の凸部１２５ａが形成されてＡ２マスク形成層１２１の上に樹脂マスクパターンとしての凹凸パターン１２５が形成される。この場合、インプリント処理時に使用したスタンパー４０では、その凹凸パターン４５の凸部４５ａの過剰な拡がりが生じる事態が回避されている。したがって、その凹凸パターン４５を転写した凹凸パターン１２５では、凹凸パターン４５における凸部４５ａと同様にして凹部１２５ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避される。
【００８６】
次いで、Ｂ２マスク形成層１２２に転写された凹凸パターン１２５における各凹部１２５ｂの底面に残存している樹脂材料をエッチング処理によって除去する。この場合、この凹凸パターン１２５の形成に使用したスタンパー４０を製作する際には、マスタースタンパーとしてのスタンパー２０の製作時における凹部形成用パターンＰａの描画時において、図８に矢印Ｘ１で示す部位のように、本来的には角部同士が点的に接しているべき平面視四角形形状の電子ビームＥＢの照射領域（灰色で塗り潰した領域）が互いに離間した状態となっている。このため、この凹凸パターン１２５の形成に使用したスタンパー４０では、本来的には角部同士が点的に接しているべき平面視四角形形状の凸部４５ａが互いに離間した状態となっている。したがって、このスタンパー４０を用いたインプリント処理を実行した直後の凹凸パターン１２５では、本来的には角部同士が点的に接しているべき平面視四角形形状の凹部１２５ｂが互いに離間した状態となっている。しかしながら、上記したように、各凹部１２５ｂの底面に残存している樹脂材料をエッチング処理によって除去する際に、各凹部１２５ｂの外縁部が全周に亘って拡大するようにして各凹部１２５ｂが僅かに拡がる。これにより、本来的には角部同士が点的に接しているべき平面視四角形形状の凹部１２５ｂの角部が点的に接した状態、または、両角部が十分に接近した状態となる。したがって、各凸部１２５ａおよび各凹部１２５ｂのそれぞれの位置関係（広さ関係）がサーボパターンとしての理想的な位置関係（広さ関係）、または、理想的な位置関係（広さ関係）と非常に近い関係となる。
【００８７】
次いで、凹凸パターン１２５をマスクとして用いてＡ２マスク形成層１２１に対するエッチング処理を実行する。これにより、図２５に示すように、Ｂ２マスク形成層１２２に転写した凹凸パターン１２５における各凸部１２５ａに対応する複数の凸部１２６ａと、凹凸パターン１２５における各凹部１２５ｂに対応する複数の凹部１２６ｂとを有する凹凸パターン１２６がＡ２マスク形成層１２１に形成される。この場合、上記したように、凹部１２５ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避されている凹凸パターン１２５（Ｂ２マスク形成層１２２）をマスクとして用いてエッチング処理を実行したことで、凹凸パターン１２６の凹部１２６ｂについても凹凸パターン１２５の凹部１２５ｂと同様にして過剰な拡がりが生じる事態が回避される。
【００８８】
続いて、凹凸パターン１２６をマスクとして用いて磁性層１０４に対するエッチング処理を実行する。これにより、図２６に示すように、Ａ２マスク形成層１２１に形成した凹凸パターン１２６における各凸部１２６ａに対応する複数の凸部１１０ａと、凹凸パターン１２６における各凹部１２６ｂに対応する複数の凹部１１０ｂとを有する凹凸パターン１１０が磁性層１０４に形成される。なお、同図では、エッチング処理の完了後に磁性層１０４（凹凸パターン１１０の各凸部１１０ａ）上に残存していたＡ２マスク形成層１２１を除去した状態を図示している。この場合、上記したように、凹部１２６ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避されている凹凸パターン１２６（Ａ２マスク形成層１２１）をマスクとして用いてエッチング処理を実行したことで、凹凸パターン１１０の凹部１１０ｂについても凹凸パターン１２６の凹部１２６ｂと同様にして過剰な拡がりが生じる事態が回避される。
【００８９】
この後、凹凸パターン１１０を覆うようにして十分な厚みの非磁性材料１０５を形成した後に、非磁性材料１０５の層に対するエッチング処理を実行することによって非磁性材料１０５の層から各凸部１１０ａの突端面を露出させる（図示せず）。これにより、中間体１２０の表面が平坦化される。次いで、各凸部１１０ａの突端面、および各凹部１１０ｂに埋め込まれた非磁性材料１０５の表面を覆うようにして保護層１０６を形成した後に、保護層１０６の表面に潤滑剤を塗布する。これにより、図２に示すように、磁気ディスク１００が完成する。
【００９０】
このように、この描画装置１によるパターンの描画方法では、制御部８が、角部だけが互いに近接している２つの単位凹部形成領域Ａｂ２のうちの少なくとも一方の領域に電子ビームＥＢを照射させるときに、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の両端部領域Ａｄのうちの近接している角部を含む端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置が、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域Ａｃに対する複数回の電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射開始位置Ｓおよび各第２のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部から遠い位置に対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢを照射させて凹部形成用パターンＰａを描画する。
【００９１】
したがって、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、角部だけが互いに近接する単位凹部形成領域Ａｂ２を有する凹部形成用パターンＰａを描画する際に、両角部が近接する部位において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、パターン描画処理後に現像処理したときに、形成される凹部１５ｂに意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【００９２】
また、この描画装置１によるパターンの描画方法では、近接している角部が鈍角の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２の一方における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置と、近接している角部が鈍角の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２の他方における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置との間の第１の距離Ｌ１ｂが、近接している角部が鋭角の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２の一方における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置と、近接している角部が鋭角の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２の他方における第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置との間の第２の距離Ｌ２ｂ以上（この例では、距離Ｌ１ｂ＝距離Ｌ２ｂ）となるように、電子ビームＥＢを照射する。
【００９３】
したがって、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、鈍角の角部が互いに近接する単位凹部形成領域Ａｂ２を有する凹部形成用パターンＰａを描画する際に、鈍角の両角部が近接する部位において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、パターン描画処理後に現像処理したときに、形成される凹部１５ｂに意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【００９４】
さらに、この描画装置１によるパターンの描画方法では、各々の角部が一点において近接している３つの単位凹部形成領域Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときに、３つの単位凹部形成領域Ａｂ２のうちの少なくとも１つにおいて、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の両端部領域Ａｄのうちの近接している角部を含む端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における第３のビーム照射開始位置Ｓおよび第３のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い位置が、その単位凹部形成領域Ａｂ２における各第２のビーム照射開始位置Ｓおよび各第２のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部に近い各位置を結んだ線の仮想延長線よりも、第３のビーム照射開始位置Ｓおよび第３のビーム照射終了位置Ｅのうちの近接している角部から遠い位置に対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢを照射する。
【００９５】
したがって、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、各々の角部が一点において近接している３つの単位凹部形成領域Ａｂ２を有する凹部形成用パターンＰａを描画する際に、各角部が近接する部位において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、パターン描画処理後に現像処理したときに、形成される凹部１５ｂに意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【００９６】
また、この描画装置１によるパターンの描画方法では、各単位凹部形成領域Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときに、単位凹部形成領域Ａｂ２における両端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両第４のビーム照射開始位置Ｓが、単位凹部形成領域Ａｂ２における各第２のビーム照射開始位置Ｓを結んだ線の仮想延長線よりも、両第４のビーム照射終了位置Ｅに対して回転方向において近くなり、かつ、両第４のビーム照射終了位置Ｅが、各第２のビーム照射終了位置Ｅを結んだ線の仮想延長線よりも、両第４のビーム照射開始位置Ｓに対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢを照射する。
【００９７】
したがって、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を回避することができるだけでなく、その角部が他の単位凹部形成領域Ａｂ２の角部に近接しているか否かを問わず、すべての単位凹部形成領域Ａｂ２において、第２のビーム照射開始位置Ｓ、第２のビーム照射終了位置Ｅ、第１のビーム照射開始位置Ｓおよび第１のビーム照射終了位置Ｅの各位置を１つの規則に従って規定することができる結果、電子ビームＥＢの照射制御を十分に容易とすることができる。
【００９８】
また、上記の凹凸パターンの形成方法によれば、上記のパターン描画方法に従ってＢ１マスク形成層１３（樹脂層）に凹部形成用パターンＰａを描画し、その後に現像処理して電子ビームＥＢの照射部位に凹部１５ｂを形成することによって原盤１０（基材）の上に凹凸パターン１５を形成することにより、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態が回避された凹部形成用パターンＰａを描画することで、凹部１５ｂに意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、この凹凸パターンの形成方法によれば、形成した凹凸パターン１５をマスクとして用いて下層（この例では、Ａ１マスク形成層１２）をエッチングすることで、形成される凹部１６ｂの過剰な拡がりが生じる事態を回避することができると共に、その凹部１６ｂを有する凹凸パターン１６を用いて形成した凹凸パターン１７をスタンパー形成用材料（ニッケル層２１，２２）に転写することで、スタンパー２０における凸部２５ａの過剰な拡がりを十分に回避することができる。
【００９９】
また、上記のスタンパー製造方法によれば、上記の凹凸パターン形成方法に従って凹凸パターン１５を形成し、その凹凸パターン１５を用いて形成した凹凸パターン１７を所定の手順に従ってニッケル層２１，２２，３１および樹脂材料４１等（スタンパー形成用部材）に転写してスタンパー２０，３０，４０を製造することにより、凹部１５ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避された凹凸パターン１５を用いることで、凸部２５ａ，４５ａや凹部３５ｂに意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、このスタンパーの製造方法によれば、例えば、形成した凹凸パターン４５をインプリント法によって転写して凹凸パターン１２５を形成することで、その凹凸パターン１２５を用いて製造した磁気ディスク１００における凹部１１０ｂの過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【０１００】
また、上記の情報記録媒体製造方法によれば、上記のスタンパー製造方法に従って製造したスタンパー４０を用いてインプリント処理を実行して磁気ディスク１００を製造するための中間体１２０の上のＢ２マスク形成層１２２に凹凸パターン１２５（マスク用凹凸パターン）を形成し、凹凸パターン１２５を形成したＢ２マスク形成層１２２をマスクとして用いて中間体１２０をエッチング処理して磁気ディスク１００を製造することにより、凹部１２５ｂの過剰な拡がりが生じる事態が回避された凹凸パターン１２５を用いることで、凹部１１０ｂに意図しない過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。これにより、磁気的信号の正確な読み出しが可能な磁気ディスク１００を製造することができる。
【０１０１】
なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、単位凹部形成領域Ａｂ２が単独で存在するか、半径方向および回転方向のいずれかに沿って複数並んで存在するかを問わず、すべての単位凹部形成領域Ａｂ２に対して、端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時に上記の距離Ｌｓ，Ｌｅが生じるように照射開始位置Ｓや照射終了位置Ｅを規定して凹部形成用パターンＰａを描画する例について説明したが、本発明に係るパターン描画方法はこれに限定されない。
【０１０２】
具体的には、半径方向に沿って連続する複数の単位凹部形成領域Ａｂ２だけで構成される凹部形成領域Ａｂ３ａ（本発明における第１の凹部形成領域の一例：図２７参照）を有する凹部形成用パターンＰｂ（本発明における凹部形成用パターンの他の一例）の描画時における電子ビームＥＢの照射に際して半径方向で隣接する２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときに、以下のパターン描画方法を採用することができる。このパターン描画方法では、上記の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２の回転方向における各々の第２のビーム照射開始位置Ｓ側に他の単位凹部形成領域Ａｂ２が隣接していないときには、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の各々の両端部領域のうちの半径方向で隣接する２つの端部領域に対する電子ビームＥＢの照射時における両第５のビーム照射開始位置Ｓが、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における各第２のビーム照射開始位置Ｓを結んだ線の仮想延長線上に位置するように各照射開始位置Ｓを規定する。また、このパターン描画方法では、上記の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２の回転方向における各々の第２のビーム照射終了位置Ｅ側に他の単位凹部形成領域Ａｂ２が隣接していないときには、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の各々の両端部領域のうちの半径方向で隣接する２つの端部領域に対する電子ビームＥＢの照射時における両第５のビーム照射終了位置が、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における各第２のビーム照射終了位置Ｅを結んだ線の仮想延長線上に位置するように各照射終了位置Ｅを規定する。
【０１０３】
より具体的には、一例として、図２７における矢印Ｚ６，Ｚ７で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２で構成された凹部形成領域Ａｂ３ａ（半径方向に沿って連続する２つの単位凹部形成領域Ａｂ２によって構成された凹部形成領域Ａｂ３ａの例）に対する電子ビームＥＢの照射について説明する。なお、矢印Ｚ６，Ｚ７で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２は、実際には、磁気ディスクの内周および外周間を磁気ヘッドが移動する際に描く円弧状の軌跡（図３に矢印Ｒｃ１で示す円弧状の線分）に対応する矢印Ｒｃ２に沿って連続している（本発明における「半径方向に沿って連続する」との状態の一例）。この場合、矢印Ｚ６，Ｚ７で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２は、各々の第２のビーム照射開始位置Ｓ側（同図における上側）、および各々の第２のビーム照射終了位置Ｅ側（同図における下側）のいずれにも回転方向において他の単位凹部形成領域Ａｂ２が隣接していない。
【０１０４】
したがって、この２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときには、図２８に示すように、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における半径方向の両端部領域Ａｄのうちの半径方向で隣接する端部領域Ａｄ（この例では、矢印Ｚ６で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の両端部領域Ａｄのうちの矢印Ｚ７で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接している右側の端部領域Ａｄと、矢印Ｚ７で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の両端部領域Ａｄのうちの矢印Ｚ６で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接している左側の端部領域Ａｄとの２つ）に対する電子ビームＥＢの照射時における両第５のビーム照射開始位置Ｓ（この例では、照射開始位置Ｓ７０，Ｓ７１）が、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における各第２のビーム照射開始位置Ｓを結んだ線の仮想延長線上（この例では、照射開始位置Ｓ６２〜Ｓ６９，Ｓ７２〜Ｓ７９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ３１上）に位置するように、電子ビームＥＢを照射する。また、上記の２つの端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時における両第５のビーム照射終了位置Ｅ（この例では、照射終了位置Ｅ７０，Ｅ７１）が、上記の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における各第２のビーム照射終了位置Ｅを結んだ線の仮想延長線上（この例では、照射終了位置Ｅ６２〜Ｅ６９，Ｅ７２〜Ｅ７９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ３２上）に位置するように、電子ビームＥＢを照射する。
【０１０５】
このパターンの描画方法によれば、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができるだけでなく、単位凹部形成領域Ａｂ２が半径方向で連続している部位において、凹部形成用パターンＰｂの半径方向に沿った辺のＬＥＲ（Line Edge Roughness ）が悪化する事態を回避することができる。これにより、このパターンの描画方法によれば、凹部形成用パターンＰｂを現像処理したときに、形成される凹部１５ｂにおける半径方向に沿った辺のＬＥＲを十分に向上させることができる。
【０１０６】
さらに、図２７に示す凹部形成用パターンＰｂの描画方法の例では、矢印Ｚ６，Ｚ７の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射時における照射開始位置Ｓ６１，Ｓ８０の２つの位置が、上記の破線Ｌｖ３１よりも照射終了位置Ｅ６１または照射終了位置Ｅ８０に対して距離Ｌｓだけ近づくように電子ビームＥＢの照射タイミングが規定されている。また、この例では、矢印Ｚ６，Ｚ７の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射時における照射終了位置Ｅ６１，Ｅ８０の２つの位置が、上記の破線Ｌｖ３２よりも照射開始位置Ｓ６１または照射開始位置Ｓ８０に対して距離Ｌｅだけ近づくように、電子ビームＥＢの照射タイミングが規定されている。
【０１０７】
したがって、この例では、矢印Ｚ６，Ｚ７で示す両単位凹部形成領域Ａｂ２における凹部形成領域Ａｂ３ａの角部を含む端部領域Ａｄ（すなわち、凹部形成領域Ａｂ３ａの両端部領域Ａｆ）に対する電子ビームＥＢの照射時における照射開始位置Ｓ６１，Ｓ８０が、両単位凹部形成領域Ａｂ２の中央部領域Ａｃや両単位凹部形成領域Ａｂ２における凹部形成領域Ａｂ３ａの角部を含まない２つの端部領域Ａｄ（すなわち、凹部形成領域Ａｂ３ａの半径方向の中央部領域Ａｅ）に対する電子ビームＥＢの照射時における照射開始位置Ｓ６２〜Ｓ７９を結んだ線の仮想延長線（破線Ｌｖ３１）よりも、両照射終了位置Ｅ６１，Ｅ８０に対して距離Ｌｓだけ近くなり、かつ、両単位凹部形成領域Ａｂ２における凹部形成領域Ａｂ３ａの角部を含む端部領域Ａｄ（すなわち、凹部形成領域Ａｂ３ａの両端部領域Ａｆ）に対する電子ビームＥＢの照射時における照射終了位置Ｅ６１，Ｅ８０が、両単位凹部形成領域Ａｂ２の中央部領域Ａｃや両単位凹部形成領域Ａｂ２における凹部形成領域Ａｂ３ａの角部を含まない２つの端部領域Ａｄ（すなわち、凹部形成領域Ａｂ３ａの半径方向の中央部領域Ａｅ）に対する電子ビームＥＢの照射時における照射終了位置Ｅ６２〜Ｅ７９を結んだ線の仮想延長線（破線Ｌｖ３２）よりも、両照射開始位置Ｓ６１，Ｓ８０に対して距離Ｌｅだけ近くなっている。
【０１０８】
これにより、前述した凹部形成用パターンＰａの描画方法と同様にして、図２７において矢印Ｚ６，Ｚ７で示す凹部形成領域Ａｂ３ａの角部と、矢印Ｚ８で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の角部とが互いに近接している部位（矢印Ｘ１で示す部位）や、矢印Ｚ６，Ｚ７で示す凹部形成領域Ａｂ３ａの角部と、矢印Ｚ１１で示す単位凹部形成領域Ａｂ２を有する凹部形成領域Ａｂ３ａの角部とが互いに近接している部位において、電子ビームＥＢの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる事態が回避される。したがって、この部位において現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を回避することができる。
【０１０９】
また、この例では、上記したように、照射開始位置Ｓ７０，Ｓ７１の２つの位置が、照射開始位置Ｓ６２〜Ｓ６９の各位置を結んだ線の仮想延長線、および照射開始位置Ｓ７２〜Ｓ７９の各位置を結んだ線の仮想延長線の２本の仮想延長線を示す破線Ｌｖ３１上に位置すると共に、照射終了位置Ｅ７０，Ｅ７１の２つの位置が、照射終了位置Ｅ６２〜Ｅ６９の各位置を結んだ線の仮想延長線、および照射終了位置Ｅ７２〜Ｅ７９の各位置を結んだ線の仮想延長線の２本の仮想延長線を示す破線Ｌｖ３２上に位置している。したがって、この例では、矢印Ｚ６，Ｚ７で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２が半径方向で隣接している部位（半径方向で隣接している２つの端部領域Ａｄ：すなわち、凹部形成領域Ａｂ３ａの中央部領域Ａｅの半径方向における中央部）に対する電子ビームＥＢの照射量が、各単位凹部形成領域Ａｂ２の中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射量と同程度となる。
【０１１０】
また、図２７に示すように、２つの凹部形成領域Ａｂ３ａが回転方向において隣接し、これにより、矢印Ｚ９〜Ｚ１１で示す３つの単位凹部形成領域Ａｂ２の角部が一点において近接している場合には、一例として、矢印Ｚ１１で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射に際して、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の両端部領域のうちの上記の近接している角部を含む端部領域に対する電子ビームＥＢの照射時における第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの近接している角部に近い位置（この例では、第３のビーム照射開始位置）が、その単位凹部形成領域Ａｂ２における半径方向の中央部領域に対する電子ビームＥＢの照射時における各第２のビーム照射開始位置および各第２のビーム照射終了位置のうちの上記の近接している角部に近い各位置（この例では、各第２のビーム照射開始位置）を結んだ線の仮想延長線よりも、第３のビーム照射開始位置および第３のビーム照射終了位置のうちの近接している角部から遠い位置（この例では、第３のビーム照射終了位置）に対して回転方向において近くなるように、電子ビームＥＢを照射する。
【０１１１】
これにより、前述した凹部形成用パターンＰａの描画方法と同様にして、各々の角部が一点において近接している３つの単位凹部形成領域Ａｂ２（この例では、矢Ｚ９〜Ｚ１１で示す単位凹部形成領域Ａｂ２）に電子ビームＥＢを照射するときに、各角部が近接している部位（矢印Ｘ２で示す部位）において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を回避することができる。したがって、このパターン描画方法に従って凹部形成用パターンＰｂを描画した原盤１０（Ｂ１マスク形成層１３）を現像したときには、前述したように凹部形成用パターンＰａを描画した原盤１０（Ｂ１マスク形成層１３）を描画したときと同様にして、Ｂ１マスク形成層１３に形成される凹部１５ｂが過剰に拡がる事態が回避される。したがって、スタンパー２０の製作に際して凹部形成用パターンＰａを描画した上記の例と同様にして、磁気ディスク１００を製造するためのスタンパー４０における凹凸パターン４５において凸部４５ａの過剰な拡がりが生じる事態を回避することができる。
【０１１２】
また、回転方向に沿って連続する複数の単位凹部形成領域Ａｂ２だけで構成される凹部形成領域Ａｂ３ｂ（本発明における第２の凹部形成領域の一例：図２９参照）を有する凹部形成用パターンＰｃ（本発明における凹部形成用パターンのさらに他の一例）の描画時における電子ビームＥＢの照射に際して回転方向で隣接する２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときに、以下のパターン描画方法を採用することができる。このパターン描画方法では、上記の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射に際して、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における半径方向の各々の両端部領域のうちの、回転方向で隣接し、かつ、半径方向において他の単位凹部形成領域に隣接していない２つの端部領域の一方に対する電子ビームＥＢの照射時における第６のビーム照射開始位置Ｓおよび第６のビーム照射終了位置Ｅのうちの上記の２つの端部領域の他方に近い位置が、上記の２つの端部領域の一方を含む単位凹部形成領域Ａｂ２における各第２のビーム照射開始位置Ｓおよび各第２のビーム照射終了位置Ｅのうちの上記の２つの端部領域の他方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上に位置すると共に、上記の２つの端部領域の他方に対する電子ビームＥＢの照射時における第６のビーム照射開始位置Ｓおよび第６のビーム照射終了位置Ｅのうちの上記の２つの端部領域の一方に近い位置が、上記の２つの端部領域の他方を含む単位凹部形成領域Ａｂ２における各第２のビーム照射開始位置Ｓおよび各第２のビーム照射終了位置Ｅのうちの上記の２つの端部領域の一方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上に位置するように各照射回転位置Ｓおよび各照射終了位置Ｅを規定する。
【０１１３】
一例として、図２９における矢印Ｚ１２，Ｚ１３で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２で構成された凹部形成領域Ａｂ３ｂ（回転方向に沿って連続する２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２によって構成された凹部形成領域Ａｂ３ｂの例）に対する電子ビームＥＢの照射について説明する。この場合、矢印Ｚ１２，Ｚ１３で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２は、各々の端部領域Ａｄのうちの左側の端部領域Ａｄが半径方向において他の単位凹部形成領域Ａｂ２とは隣接していない。これに対して、上記の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２は、各々の端部領域Ａｄのうちの右側の端部領域Ａｄ（この例では、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の右側の端部領域Ａｄ）が他の単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接している。したがって、この２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射時には、回転方向で隣接している（回転方向で連続している）左側の２つの端部領域Ａｄにおいて本発明に係るパターン描画方法を実行することとなるが、この例では、回転方向で隣接している（回転方向で連続している）右側の２つの端部領域Ａｄ（回転方向で隣接する２つの端部領域のうちのいずれか一方が他の単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接している例）においても本発明に係るパターン描画方法と同様の電子ビームＥＢの照射処理を実行する。
【０１１４】
具体的には、矢印Ｚ１２，Ｚ１３で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときには、図３０に示すように、各照射開始位置Ｓおよび各照射終了位置Ｅを規定して電子ビームＥＢを照射する。より具体的には、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における半径方向の各々の両端部領域Ａｄのうちの、回転方向で隣接し、かつ、半径方向において他の単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接していない２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの一方（一例として、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の左側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時における第６のビーム照射開始位置Ｓおよび第６のビーム照射終了位置Ｅ（この例では、照射開始位置Ｓ８１および照射終了位置Ｅ８１）のうちの２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの他方に近い位置（この例では、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の左側の端部領域Ａｄに近い照射終了位置Ｅ８１）が、その２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの上記の一方を含む単位凹部形成領域Ａｂ２（この例では、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２）における各第２のビーム照射開始位置Ｓおよび各第２のビーム照射終了位置Ｅのうちの２つの端部領域の上記の他方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上（この例では、照射終了位置Ｅ８２〜Ｅ８９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ４２上）に位置するように各照射終了位置Ｅを規定する。
【０１１５】
また、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における半径方向の各々の両端部領域Ａｄのうちの、回転方向で隣接し、かつ、半径方向において他の単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接していない２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの上記の他方（この例では、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の左側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時における第６のビーム照射開始位置Ｓおよび第６のビーム照射終了位置Ｅ（この例では、照射開始位置Ｓ９１および照射終了位置Ｅ９１）のうちの２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの上記の一方に近い位置（この例では、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の左側の端部領域Ａｄに近い照射開始位置Ｓ９１）が、その２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの上記の他方を含む単位凹部形成領域Ａｂ２（この例では、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２）における各第２のビーム照射開始位置Ｓおよび各第２のビーム照射終了位置Ｅのうちの２つの端部領域の上記の一方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上（この例では、照射開始位置Ｓ９２〜Ｓ９９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ４２上）に位置するように各照射終了位置Ｓを規定する。
【０１１６】
さらに、この例では、上記の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における半径方向の各々の両端部領域Ａｄのうちの、回転方向で隣接し、かつ、半径方向において他の単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接している２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの一方（一例として、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の右側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時におけるビーム照射開始位置Ｓおよびビーム照射終了位置Ｅ（この例では、照射開始位置Ｓ９０および照射終了位置Ｅ９０）のうちの２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの他方に近い位置（この例では、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の右側の端部領域Ａｄに近い照射終了位置Ｅ９０）が、その２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの上記の一方を含む単位凹部形成領域Ａｂ２（この例では、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２）における各第２のビーム照射開始位置Ｓおよび各第２のビーム照射終了位置Ｅのうちの２つの端部領域の上記の他方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上（この例では、照射終了位置Ｅ８２〜Ｅ８９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ４２上）に位置するように各照射終了位置Ｅを規定する。
【０１１７】
また、この例では、上記の２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２における半径方向の各々の両端部領域Ａｄのうちの、回転方向で隣接し、かつ、半径方向において他の単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接している２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの上記の他方（この例では、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の右側の端部領域Ａｄ）に対する電子ビームＥＢの照射時におけるビーム照射開始位置Ｓおよびビーム照射終了位置Ｅ（この例では、照射開始位置Ｓ１００および照射終了位置Ｅ１００）のうちの２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの上記の一方に近い位置（この例では、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２の右側の端部領域Ａｄに近い照射開始位置Ｓ１００）が、その２つの端部領域Ａｄ，Ａｄの上記の他方を含む単位凹部形成領域Ａｂ２（この例では、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２）における各第２のビーム照射開始位置Ｓおよび各第２のビーム照射終了位置Ｅのうちの２つの端部領域の上記の一方に近い各位置を結んだ線の仮想延長線上（この例では、照射開始位置Ｓ９２〜Ｓ９９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ４２上）に位置するように各照射終了位置Ｓを規定する。
【０１１８】
したがって、この凹部形成領域Ａｂ３ｂに対する電子ビームＥＢの照射時には、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する照射開始位置Ｓ８１から電子ビームＥＢの照射を開始して、照射終了位置Ｅ８１で電子ビームＥＢの照射を停止することなく、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する照射開始位置Ｓ９１から照射終了位置Ｅ９１まで電子ビームＥＢが回転方向において連続して照射される。また、この凹部形成領域Ａｂ３ｂに対する電子ビームＥＢの照射時には、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する照射開始位置Ｓ８２〜Ｓ８９からそれぞれ電子ビームＥＢの照射を開始して、照射終了位置Ｅ８２〜Ｅ８９で電子ビームＥＢの照射を停止することなく、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する照射開始位置Ｓ９２〜Ｓ９９から照射終了位置Ｅ９２〜Ｅ９９まで電子ビームＥＢがそれぞれ照射される。さらに、この凹部形成領域Ａｂ３ｂに対する電子ビームＥＢの照射時には、矢印Ｚ１２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する照射開始位置Ｓ９０から電子ビームＥＢの照射を開始して、照射終了位置Ｅ９０で電子ビームＥＢの照射を停止することなく、矢印Ｚ１３で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する照射開始位置Ｓ１００から照射終了位置Ｅ１００まで電子ビームＥＢが回転方向において連続して照射される。これにより、回転方向で隣接する２つの単位凹部形成領域Ａｂ２で構成された凹部形成領域Ａｂ３ｂに対する電子ビームＥＢの照射が完了する。
【０１１９】
この例では、上記したように、矢印Ｚ１２，Ｚ１３で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２，Ａｂ２の両端部領域Ａｄのうちの、回転方向で隣接し、かつ、半径方向において他の単位凹部形成領域Ａｂ２に隣接していない２つの端部領域Ａｄ，Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時において、照射終了位置Ｅ８１が、照射終了位置Ｅ８２〜Ｅ８９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ４２上に位置すると共に、照射開始位置Ｓ９１が、照射開始位置Ｓ９２〜Ｓ９９の各位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ４２上に位置している。したがって、この例では、矢印Ｚ１２，Ｚ１３で示す２つの単位凹部形成領域Ａｂ２が隣接し、かつ他の単位凹部形成領域Ａｂ２が半径方向で隣接していない部位に対する電子ビームＥＢの照射量が、両単位凹部形成領域Ａｂ２の回転方向の各々の中央部に対する電子ビームＥＢの照射量と同程度となる。
【０１２０】
このパターンの描画方法によれば、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができるだけでなく、単位凹部形成領域Ａｂ２が回転方向で連続している部位において、凹部形成用パターンＰｃの回転方向に沿った辺のＬＥＲ（Line Edge Roughness ）が悪化する事態を回避することができる。これにより、このパターンの描画方法によれば、凹部形成用パターンＰｃを現像処理したときに、形成される凹部１５ｂにおける回転方向に沿った辺のＬＥＲを十分に向上させることができる。
【０１２１】
この場合、描画すべき凹部形成用パターンによっては、上記の凹部形成用パターンＰｂ，Ｐｃを適宜組み合わせて描画する方法を採用することもできる。具体的には、半径方向で隣接する単位凹部形成領域Ａｂ２が多い部位においては、上記の凹部形成用パターンＰｂの描画方法を採用し、回転方向で隣接する単位凹部形成領域Ａｂ２が多い部位においては、上記の凹部形成用パターンＰｃの描画方法を採用すればよい。また、角部だけが近接している２つの単位凹部形成領域Ａｂ２に対して電子ビームＥＢを照射するときに、その２つの単位凹部形成領域Ａｂ２における一方だけでなく、両単位凹部形成領域Ａｂ２において、近接する角部を含む端部領域Ａｄにおいて距離Ｌｓや距離Ｌｅが生じるように照射開始位置Ｓや照射終了位置Ｅを規定して電子ビームＥＢを照射する例について説明したが、本発明に係るパターン描画方法はこれに限定されない。例えば、角部だけが近接している２つの単位凹部形成領域Ａｂ２に対して電子ビームＥＢを照射するときに、両単位凹部形成領域Ａｂ２におけるいずれか一方に対しては、近接する角部を含む端部領域Ａｄにおいて距離Ｌｓや距離Ｌｅが生じるように照射開始位置Ｓや照射終了位置Ｅを規定して電子ビームＥＢを照射し、両単位凹部形成領域Ａｂ２の他方に対しては、近接する角部を含む端部領域Ａｄについても中央部領域Ａｃに対する電子ビームＥＢの照射時と同様にして照射開始位置Ｓや照射終了位置Ｅを規定して電子ビームＥＢを照射する方法を採用することもできる。このようなパターン描画方法においても、上記のパターン描画方法と同様にして、角部だけが互いに近接する単位凹部形成領域Ａｂ２を有する凹部形成用パターンを描画する際に、両角部が近接する部位において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる。
【０１２２】
さらに、各々の角部が一点において近接している３つの単位凹部形成領域Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射するときに、その３つの単位凹部形成領域Ａｂ２のすべてにおいて、近接する角部を含む端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時に距離Ｌｓまたは距離Ｌｅが生じるように電子ビームＥＢの照射タイミングを制御する例（例えば、凹部形成用パターンＰａの描画時）、およびその３つの単位凹部形成領域Ａｂ２のうちの１つにおいて、近接する角部を含む端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時に距離Ｌｓまたは距離Ｌｅが生じるように電子ビームＥＢの照射タイミングを制御する例（例えば、凹部形成用パターンＰｂの描画時）について説明したが、本発明はこれに限定されず、３つの単位凹部形成領域Ａｂ２のうちの任意の２つにおいて、近接する角部を含む端部領域Ａｄに対する電子ビームＥＢの照射時に距離Ｌｓまたは距離Ｌｅが生じるように電子ビームＥＢの照射タイミングを制御するようにして凹部形成用パターンを描画する方法を採用することもできる。
【０１２３】
また、電子ビームＥＢの照射時に、その単位凹部形成領域Ａｂ２の角部が他の単位凹部形成領域Ａｂ２の角部に近接しているか否かを問わず、４つの角部のすべてについて距離Ｌｓまたは距離Ｌｅが生じるように電子ビームＥＢの照射タイミングを制御する例（凹部形成用パターンＰａの描画時）、および凹部形成領域Ａｂ３ａの角部が他の凹部形成領域Ａｂ３ａの角部に近接しているか否かを問わず、各角部のすべてについて距離Ｌｓまたは距離Ｌｅが生じるように電子ビームＥＢの照射タイミングを制御する例（凹部形成用パターンＰｂの描画時）について説明したが、本発明はこれに限定されず、単位凹部形成領域Ａｂ２（または、凹部形成領域Ａｂ３ａ）の互いに近接している角部だけにおいて、距離Ｌｓまたは距離Ｌｅが生じるように電子ビームＥＢの照射タイミングを制御する（互いに近接している角部だけにおいて、電子ビームＥＢの照射量が過剰に多くならないように照射開始位置Ｓや照射終了位置Ｅを規定する）方法を採用することもできる。
【０１２４】
さらに、上記の描画装置１では、１つの単位凹部形成領域Ａｂ２に対してその半径方向において１０回に分けて電子ビームＥＢを照射して凹部形成用パターンＰａを描画する方法を採用しているが、本発明におけるパターン描画方法はこれに限定されない。例えば、製造すべき磁気ディスク１００のトラックピッチや、使用する電子ビーム描画装置１における電子ビームＥＢの有効ビーム径および電子ビームＥＢの照射パワーなどに応じて、１つの単位凹部形成領域Ａｂ２に対して、４回以上の任意の複数回（両端部領域Ａｄに対する各１回の電子ビームＥＢの照射、および中央部領域Ａｃに対する少なくとも２回以上の電子ビームＥＢの照射）に分けて電子ビームＥＢを照射する方法を採用することができる。具体的には、図３１に示すように、一例として、１つの単位凹部形成領域Ａｂ２に対して、照射開始位置Ｓ１０１から照射終了位置Ｅ１０１まで、照射開始位置Ｓ１０２から照射終了位置Ｅ１０２まで、照射開始位置Ｓ１０３から照射終了位置Ｅ１０３まで、照射開始位置Ｓ１０４から照射終了位置Ｅ１０４まで、照射開始位置Ｓ１０５から照射終了位置Ｅ１０５まで、および照射開始位置Ｓ１０６から照射終了位置Ｅ１０６までの６回に分けて電子ビームＥＢを照射する方法を採用することができる。
【０１２５】
また、本発明における「半径方向における端部領域」についても、前述した例のように１回の電子ビームＥＢの照射によって描画する方法に限定されない。例えば、上記の凹部形成用パターンＰａ〜Ｐｃの描画の例における「照射開始位置Ｓに対する距離Ｌｓ」や「照射終了位置Ｅに対する距離Ｌｅ」を設ける電子ビームＥＢの照射回数を半径方向における内周側または外周側の任意のＫ回（Ｋは２以上の自然数）として、結果として、Ｋ回の電子ビームＥＢの照射によって単位凹部形成領域Ａｂ２における端部領域を描画する方法を採用することができる。具体的には、図３１に示す例では、照射開始位置Ｓ１０１から照射終了位置Ｅ１０１まで、および照射開始位置Ｓ１０２から照射終了位置Ｅ１０２までの２回に分けて１つの単位凹部形成領域Ａｂ２の左側の端部領域Ａｄに電子ビームＥＢを照射し、照射開始位置Ｓ１０５から照射終了位置Ｅ１０５まで、および照射開始位置Ｓ１０６から照射終了位置Ｅ１０６までの２回に分けて１つの単位凹部形成領域Ａｂ２の右側の端部領域Ａｄに電子ビームＥＢを照射する。
【０１２６】
この場合、両端部領域Ａｄに対する複数回の電子ビームＥＢの照射時に、「照射開始位置Ｓに対する距離Ｌｓ」や「照射終了位置Ｅに対する距離Ｌｅ」を相違させることもできる。具体的には、図３１に示す例では、照射開始位置Ｓ１０１から照射終了位置Ｅ１０１まで電子ビームＥＢを照射する際の距離Ｌｓ１，Ｌｅ１が、照射開始位置Ｓ１０２から照射終了位置Ｅ１０２まで電子ビームＥＢを照射する際の距離Ｌｓ２，Ｌｅ２よりも長くなり、照射開始位置Ｓ１０６から照射終了位置Ｅ１０６まで電子ビームＥＢを照射する際の距離Ｌｓ１，Ｌｅ１が、照射開始位置Ｓ１０５から照射終了位置Ｅ１０５まで電子ビームＥＢを照射する際の距離Ｌｓ２，Ｌｅ２よりも長くなるように各照射開始位置Ｓおよび照射終了位置Ｅを規定している（端部側ほど距離Ｌｓ，Ｌｅを長くした例）。なお、同図に示す例では、照射開始位置Ｓ１０３から照射終了位置Ｅ１０３まで、および照射開始位置Ｓ１０４から照射終了位置Ｅ１０４までの２回に分けて１つの単位凹部形成領域Ａｂ２の中央部領域Ａｃに電子ビームＥＢを照射している（本発明における「中央部領域に対する複数回の描画用ビームの照射」が２回の例）。したがって、この例では、照射開始位置Ｓ１０３，Ｓ１０４の２つの位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ５１、および照射終了位置Ｅ１０３，Ｅ１０４の２つの位置を結んだ線の仮想延長線を示す破線Ｌｖ５２がそれぞれ本発明における仮想延長線に相当する。
【０１２７】
また、上記の例では、Ｂ１マスク形成層１３に描画した凹部形成用パターンＰａ〜Ｐｃを現像してスタンパー２０を製作するための凹凸パターン１５を形成しているが、本発明におけるパターン描画方法および本発明における凹凸パターン形成方法は、スタンパーを製作するためのパターン描画方法および凹凸パターン形成方法に限定されず、例えば、上記の例における原盤１０に代えて、磁気ディスク１００を製造するための中間体１２０の上のＢ２マスク形成層１２２に凹部形成用パターンＰａ〜Ｐｃを直接描画して、凹部形成用パターンＰａ〜Ｐｃの描画が完了したＢ２マスク形成層１２２を現像処理することで、上記の凹凸パターン１２５と同様のマスク用の凹凸パターンをＢ２マスク形成層１２２に形成して磁気ディスク１００を製造することもできる。このような方法においても、凹部形成用パターンＰａ〜Ｐｃの描画時において、現像処理時に消失する消失領域の過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができるため、凹部１１０ｂの過剰な拡がりが生じる事態を十分に回避することができる結果、磁気的信号の正確な読み出しが可能な磁気ディスク１００を製造することができる。
【０１２８】
さらに、上記の例では、製造する磁気ディスク１００における凹凸パターン１１０の単位情報領域Ａｂ１（凹部１１０ｂで構成された単位情報領域）に対応する単位凹部形成領域Ａｂ２に電子ビームＥＢを照射して凹部形成用パターンＰａを描画しているが、本発明はこれに限定されず、製造する磁気ディスク１００における凹凸パターン１１０の単位情報領域Ａａ１（凸部１１０ａで構成された単位情報領域）に対応する単位凹部形成領域を規定して電子ビームＥＢを照射することで凹部形成用パターン（図示せず）を描画することもできる。この方法を採用して凹部形成用パターンを描画した場合に、上記の例と同様の手順でスタンパー２０を製作したときには、上記の例におけるスタンパー４０に代えて、そのスタンパー２０をスタンパー形成用材料に転写したスタンパー３０、または、そのスタンパー３０に対して偶数回の転写処理を実行して製作したスタンパーを用いてインプリント処理を実行することで、例えば、上記の磁気ディスク１００とはサーボパターン領域Ａｓにおける凸部１１０ａおよび凹部１１０ｂの位置関係が反転した磁気ディスク（図示せず）を製造することができる。
【０１２９】
また、上記の例では、各単位凹部形成領域Ａｂ２内に電子ビームＥＢを照射する際に、照射開始位置Ｓから照射終了位置Ｅまで電子ビームＥＢを原盤１０の回転方向に沿って直線的に照射しているが、本発明に係るパターン描画方法はこれに限定されず、上記の例における照射開始位置Ｓから照射終了位置Ｅまでの間において、電子ビームＥＢを例えば原盤１０の半径方向に蛇行させるようにして照射する方法を採用することができる。このような方法を採用することで、上記の例よりも少ない回転数で電子ビームＥＢを十分に照射することができる。また、本発明における描画用ビームは、前述した電子ビームＥＢに限定されず、イオンビーム等の各種の荷電粒子ビームを用いることができる。この際には、使用する描画用ビームに対して感光性を有する樹脂材料で凹凸パターン形成層を形成すればよい。さらに、本発明に係るパターン描画方法に従って描画したパターンを用いて製造する情報記録媒体は、磁気ディスク１００のような垂直記録方式の磁気ディスクだけではなく、面内記録方式の磁気ディスクも含まれる。加えて、磁気ディスクだけではなく、光ディスク（光記録媒体）の製造時にも本発明に係るパターン描画方法を好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】電子ビーム描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】磁気ディスク１００の断面図である。
【図３】磁気ディスク１００の平面図である。
【図４】磁気ディスク１００におけるサーボパターン領域Ａｓの一部を示す平面図である。
【図５】原盤１０の断面図である。
【図６】本発明に係るパターン描画方法に従って描画する凹部形成用パターンＰａの一例を示すパターン図である。
【図７】単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図８】図６において矢印Ｚ１，Ｚ２で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図９】図６において矢印Ｚ３〜Ｚ５で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図１０】磁気ディスク１００におけるサーボパターン領域Ａｓの他の一部を示す平面図である。
【図１１】単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための他の説明図である。
【図１２】単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するためのさらに他の説明図である。
【図１３】単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するためのさらに他の説明図である。
【図１４】Ｂ１マスク形成層１３に対する凹部形成用パターンＰａの描画が完了した状態の原盤１０の断面図である。
【図１５】凹部形成用パターンＰａ（Ｐｂ，Ｐｃ）の描画処理を完了したＢ１マスク形成層１３を現像処理した原盤１０の断面図である。
【図１６】Ｂ１マスク形成層１３をマスクとして用いてＡ１マスク形成層１２をエッチング処理した状態の原盤１０の断面図である。
【図１７】Ａ１マスク形成層１２をマスクとして用いてシリコン基板１１をエッチング処理した状態の原盤１０の断面図である。
【図１８】凹凸パターン１７を覆うようにしてニッケル層２１を形成した状態のシリコン基板１１の断面図である。
【図１９】ニッケル層２１を電極として用いた電鋳処理によってニッケル層２２を形成した状態のシリコン基板１１の断面図である。
【図２０】スタンパー２０の断面図である。
【図２１】スタンパー２０の凹凸パターン２５をスタンパー形成用材料に転写して剥離することでスタンパー３０を製作した状態の両スタンパー２０，３０の断面図である。
【図２２】スタンパー３０を用いた射出成形処理によってスタンパー４０を製作した状態の両スタンパー３０，４０の断面図である。
【図２３】磁気ディスク１００製造用の中間体１２０およびスタンパー４０の断面図である。
【図２４】インプリント処理の完了後に中間体１２０のＢ２マスク形成層１２２からスタンパー４０を剥離した状態の断面図である。
【図２５】インプリント処理によって形成したＢ２マスク形成層１２２をマスクとして用いてＡ２マスク形成層１２１をエッチング処理した状態の断面図である。
【図２６】凹凸パターン１２６が形成されたＡ２マスク形成層１２１をマスクとして用いて磁性層１０４をエッチング処理した状態の断面図である。
【図２７】本発明に係るパターン描画方法に従って描画する凹部形成用パターンＰｂの一例を示すパターン図である。
【図２８】図２７の矢印Ｚ６，Ｚ７で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図２９】本発明に係るパターン描画方法に従って描画する凹部形成用パターンＰｃの一例を示すパターン図である。
【図３０】図２９の矢印Ｚ１４，Ｚ１５で示す単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図３１】単位凹部形成領域Ａｂ２に対する電子ビームＥＢの他の照射手順について説明するための説明図である。
【図３２】従来のパターン描画方法に従って描画する凹部形成用パターンＰｘの一例を示すパターン図である。
【図３３】図３２の矢印Ｚ１ｘ，Ｚ２ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対する電子ビームの照射手順について説明するための説明図である。
【図３４】図３２の矢印Ｚ３ｘ〜Ｚ５ｘで示す単位凹部形成領域Ａｂ２ｘに対する電子ビームの照射手順について説明するための説明図である。
【図３５】従来の磁気ディスク１００ｘの平面図である。
【図３６】電子ビームの照射時における照射開始位置Ｓａ，Ｓｂおよび照射終了位置Ｅａ，Ｅｂと、電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる領域（消失領域）との関係について説明するための説明図である。
【図３７】電子ビームの照射時における照射開始位置Ｓｃ，Ｓｄおよび照射終了位置Ｅｃ，Ｅｄと、電子ビームの照射量が現像処理時に消失するレベルとなる領域（消失領域）との関係について説明するための説明図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１  電子ビーム描画装置
２  Ｘ−Ｙ移動機構
３  ターンテーブル
４  ビーム発生部
５  ブランキング制御部
６  ビーム成形部
７  ビーム偏向部
８  制御部
９  記憶部
１０  原盤
１１  シリコン基板
１２  Ａ１マスク形成層
１３  Ｂ１マスク形成層
１５〜１７，２５，３５，４５，１１０，１２５，１２６  凹凸パターン
１５ａ〜１７ａ，２５ａ，３５ａ，４５ａ，１１０ａ，１２５ａ，１２６ａ  凸部
１５ｂ〜１７ｂ，２５ｂ，３５ｂ，４５ｂ，１１０ｂ，１２５ｂ，１２６ｂ  凹部
２０，３０，４０  スタンパー
２１，２２，３１  ニッケル層
４１  樹脂材料
１００  磁気ディスク
１０１  ガラス基板
１０２  軟磁性層
１０３  中間層
１０４  磁性層
１０５  非磁性材料
１０６  保護層
１２０  中間体
１２１  Ａ２マスク形成層
１２２  Ｂ２マスク形成層
Ａａ１，Ａｂ１  単位情報領域
Ａｂ２  単位凹部形成領域
Ａｂ３ａ，Ａｂ３ｂ  凹部形成領域
Ａｃ，Ａｅ  中央部領域
Ａｄ，Ａｆ  端部領域
ＤＰ  描画手順データ
Ｅ１〜Ｅ１０６  照射終了位置
ＥＢ  電子ビーム
Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌａ，Ｌｅ，Ｌｅａ，Ｌｅｂ，Ｌｓ，Ｌｓａ，Ｌｓｂ  距離
Ｌｖ１，Ｌｖ２，Ｌｖ１１〜ＬＶ１４，Ｌｖ２１，Ｌｖ２２，Ｌｖ３１，Ｌｖ３２，Ｌｖ４１〜Ｌｖ４３，Ｌｖ５１，Ｌｖ５２  破線
Ｐａ〜Ｐｃ  凹部形成用パターン
Ｓ１〜Ｓ１０６  照射開始位置
θ  スキュー角
【図１】
2009266288.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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