(57)【要約】【課題】ＰＤＰにおいて、厚膜化してもクラックが生じにくい低誘電率の誘電体層および保護膜を、簡易迅速に一貫して形成する。【解決手段】ハース２０５の内部が、ＳｉＯ2粒子を収納するための凹部２０５ｂと、ＭｇＯ粒子を収納するための凹部２０５ｃとに分割され、複数種類の材料が充填できる構造になっている。ＳｉＯ2粒子が収納された凹部２０５ｂにプラズマビーム２１３が照射されるよう位置決めされた初期位置と、ＭｇＯ粒子が収納された凹部２０５ｃにプラズマビーム２１３が照射されるよう位置決めされた初期位置とに切り替え可能な回転機構２０５ｄを備えている。回転機構２０５ｄは、成膜材料を切り替えるだけではなく、プラズマビーム２１３が照射される間、所定の角度ｄだけ往復運動をする回転機構を備えている。【選択図】図３
2009280866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマが生成された環境下で、材料供給部から成膜材料を基板の表面に供給して堆積させる成膜装置であって、
前記材料供給部は、複数の箇所に分割され、
その各々に、互いに異なる種類の成膜材料が充填された成膜装置。
【請求項２】
前記材料供給部は、前記異なる種類の成膜材料にプラズマを選択的に照射するための切替機構を具備した請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記切替機構は、前記材料供給部が所定の角度で回転する回転機構である請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記成膜装置は、イオンプレーティング法を用いて基板に成膜物質を堆積させる請求項１から３のいずれかに記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関し、特にプラズマディスプレイパネルの保護膜を形成する成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）は、高速表示が可能で、大画面化が容易であることから、テレビ映像や広告の表示装置として広く実用化されている。
ＰＤＰは、近年、大画面化、高精細化が急速に進み、これに伴い、その消費電力が増大している。この対策として、ＰＤＰを構成する誘電体層の誘電率を低減する技術が特許文献１及び２に開示されている。
【０００３】
特許文献１には、ＰＤＰの誘電体層として、比誘電率の大きい低融点ガラスの代わりに比誘電率の小さいシリコン酸化物（ＳｉＯ2）を用いたＰＤＰが開示されている。
また、特許文献２には、さらに誘電率を小さくするため、ＰＤＰの誘電体層として、低原子密度（＜６．１×１０22  atoms／cm3）のシリコン酸化物（ＳｉＯ2）を用いたＰＤＰが開示されている。
【０００４】
これにより、放電開始電圧を低くすることができ、ＰＤＰにおける電力消費量の低減化を図ることができる。
一方、シリコン酸化物を成膜する方法としては、蒸着法、ＣＶＤ、イオンプレーティング法等があるが、特許文献３には、イオンプレーティング法で誘電体膜（ＭｇＯ）を形成する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１５５６４７号公報
【特許文献２】特願２００３−５９４１２号公報
【特許文献３】特開２００３−３０６７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の方法では、誘電体層を形成した後、保護層を形成する際、いったん基板を成膜装置のチャンバー内から取り出して、再度、異なる成膜装置に投入する必要があるため、製造時間に多大な時間を要していた。あるいは、成膜装置に別のチャンバー等を設ける必要があるため、成膜装置が大がかりで高価になるという課題があった。
本発明は、上記課題に鑑み、誘電体層と保護層を簡易迅速に一貫して形成することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成する為、本発明の成膜装置は、その内部空間においてプラズマを生成し、プラズマが生成された環境下で、材料供給部から成膜材料を基板の表面に供給して堆積させる成膜装置であって、当該成膜装置が備える材料供給部は、複数の箇所に分割され、その各々に、互いに異なる種類の成膜材料が充填された構成を採る。
また、材料供給部は、前記複数の異なる種類の材料に前記プラズマを選択的に照射するための切替機構を具備した構成を採る。
【０００７】
また、切替機構は、前記材料供給部が所定の角度で回転する回転機構である構成を採る。
また、上記成膜装置において、イオンプレーティング法を用いて基板に成膜物質を堆積させる構成（イオンプレーティング装置）を採る。
【発明の効果】
【０００８】
上記本発明の成膜装置によれば、材料供給部が複数の箇所に分割され、その各々に、互いに異なる種類の成膜材料が充填されているので、プラズマが生成された環境下で複数種類の材料からなる成膜材料を基板の表面に順次堆積して絶縁層を形成することができる。具体的には、材料供給部の各箇所に充填された成膜材料にプラズマを順次選択的に照射することによって、異なる種類の成膜材料を基板の表面に順次堆積させることができる。この際、成膜材料の材料が変わる度に基板を大気に曝されることなく、連続して複数種類の成膜材料を順次堆積することができるので、成膜に要する時間を大幅に短縮することができる。また、複数の真空チャンバーを備えた大がかりな設備を必要としない。
【０００９】
各成膜材料にプラズマを選択的に照射するための切替機構として、材料供給部を所定の角度で回転する回転機構を設ければ、切替機構を簡単な構成で実現することができる。
本発明の成膜装置を用いれば、ＰＤＰを製造する上で、前面板基板に形成する誘電体層及び保護層を短時間に形成することができる。
また本発明の成膜装置を用いて、比誘電率εが１〜５の範囲にあるシリコン酸化物等からなる低誘電率の誘電体層を５〜４０μｍと厚く形成すれば、誘電体層の比誘電率εと誘電体層の膜厚ｄとの比ε／ｄを０．０５以上０．２５以下にして、低容量にすることができるので、発光効率の高いＰＤＰを得ることができる。
【００１０】
また、ガラス材料からなる、印刷等で焼成して形成する従来の誘電体層に比べ、緻密な膜を形成することができるので、放電維持電圧を低くすることができる。その分、Ｘｅ（キセノン）の含有量を、２０体積％以上１００体積％以下と高く設定することができるので、発光効率の高いＰＤＰを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態）
＜構成＞
図１は、実施の形態にかかるＰＤＰ１の主要部の構成を示す断面斜視図である。ＰＤＰ１は、前面板２と背面板１０とが対向配置されて構成される。
（前面板２）
前面板２は、図１に示すように、前面ガラス基板３と、前面ガラス基板３における、背面板１０と対向する側の表面上に形成された表示電極６及びブラックストライプ７と、当該表面と表示電極６及びブラックストライプ７を覆う誘電体層８と、誘電体層８を覆う保護層９とから構成される。
【００１２】
（前面ガラス基板３）
前面ガラス基板３の材料として、例えば、ホウ珪酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、高ひずみ点（例えば、５７０℃）ガラス等を用いることができる。
（表示電極６）
表示電極６は、外部の駆動回路（不図示）と接続され、駆動回路から印加される電圧によって、後述する放電空間１６において、放電を発生させる。
【００１３】
図２は、前面板２の断面を模式的に表した図を示す。表示電極６は、図２に示すように、１対の透明電極４ａ、５ａと、１対のバス電極４ｂ、５ｂとから構成され、透明電極４ａ上には、バス電極４ｂが、透明電極５ａ上には、バス電極５ｂがそれぞれ積層されている。
透明電極４ａ、５ａの材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性金属酸化物を用いることができる。
【００１４】
バス電極４ｂ、５ｂの材料としては、例えば、銀単体や銀、銅、アルミニウム、クロムの内、２種以上の複合体を用いることができる。
（ブラックストライプ７）
ブラックストライプ７は、隣接する放電空間１６からの光を遮光するために設けられ、黒色に着色されている。
【００１５】
ブラックストライプ７の材料としては、例えば、樹脂に、ホウ珪酸鉛系ガラスの粉末やビスマス・リン酸混合物のような固形分と、Ｃｒ−Ｍｎ−Ｃｕ系顔料やＦｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系顔料といった黒色の顔料を混合したものを用いることができる。
また、樹脂としては、例えばエチルセルロースを溶剤に溶解させたものを用いることができる。
【００１６】
（誘電体層８）
誘電体層８は、表示電極６を保護するための層であり、図２に示すように、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜が積層された構造である。
誘電体層８の膜厚（ｄ）は、誘電体層８の比誘電率（ε）との比ε／ｄが０．０５〜０．２５の範囲内になるように設定されている。
【００１７】
ここで、誘電体を構成する材質は、多孔質であってもよいし、比誘電率が小さい（５以下）ものであれば、他の材料を用いてもよい。例えば、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを用いることができる。
これにより、ＰＤＰ１における電力消費量の低減化を実現するとともに、発光効率を高めることができる。
【００１８】
（保護層９）
保護層９は、放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層８を保護する。保護層９の材料としては、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）を用いることができる。
（背面板１０）
背面板１０は、図１に示すように、背面ガラス基板１１と、背面ガラス基板１１における、前面板１０と対向する側の表面上に形成されたアドレス電極１２と、当該表面とアドレス電極１２を覆う誘電体層１３と、誘電体層１３における、前面板２と対向する側の表面上に配設された複数の隔壁１４と、隣接する隔壁１４間にある誘電体層１３の表面を覆う蛍光体層１５とから構成され、各隔壁１４によって仕切られた放電空間１６が存在する。
【００１９】
（背面ガラス基板１１）
背面ガラス基板１１の材料として、例えば、ホウ珪酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、高ひずみ点（例えば、５７０℃）ガラス等を用いることができる。
（アドレス電極１２）
アドレス電極１２は、アドレス期間に、表示電極６との間で、表示データに基づき書き込み放電を行う。
【００２０】
（誘電体層１３）
誘電体層１３は、アドレス電極１２を保護するとともに、蛍光体層１５に含まれる蛍光体が放電により励起されて生ずる可視光を、前面板２側に反射させる。
誘電体層１３の材料としては、酸化鉛（ＰｂＯ）系や酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）系の低融点ガラスを用いることができる。
【００２１】
また、可視光を反射させるために、上記低融点ガラスには、酸化チタン（ＴｉＯ2）や酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の白色顔料が添加されている。
（隔壁１４）
隔壁１４は、放電空間１６を仕切ることにより、Ｙ方向への誤放電やクロストークの発生を防止する。
【００２２】
隔壁１４の材料としては、例えば、ホウ珪酸鉛や酸化亜鉛、酸化ビスマスを含有した酸化ガラス等の低融点ガラスを用いることができる。また、誘電体層１３と同様に、可視光を反射させるために、上記低融点ガラスには、酸化チタン（ＴｉＯ2）や酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、二酸化珪素（ＳｉＯ2）等の白色顔料が添加されている。
隔壁１４間のピッチ（Ｙ方向の１セルピッチ）は、９０μｍ〜２００μｍである。
【００２３】
（蛍光体層１５）
蛍光体層１５は、赤色、緑色、青色の３種類の蛍光体層から構成され、各色の蛍光体層が、順番に、誘電体層１３における、隣接する隔壁１４に挟まれた各領域に別々に配設され、表示電極６とアドレス電極１２との間に発生する放電によって発生する紫外線によって、蛍光体が励起されて対応する色の可視光を発生する。
【００２４】
赤色蛍光体層の材料としては、例えば、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ、緑色蛍光体層の材料としては、例えば、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青色蛍光体層としては、例えば、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕを用いることができる。
（放電空間１６）
放電空間１６は、前面板２と背面板１０とが、封着材（不図示）によって封着されることにより密閉状態になる空間であり、放電空間１６には、ヘリウム、キセノン及びネオンの中から選択される少なくとも１種の不活性ガス成分からなる放電ガスが、２９．９ｋＰａ〜８０．０ｋＰａ（２２５Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒ）程度の圧力で封入されている。
【００２５】
ＰＤＰにおける発光効率を高めるためには、上記放電ガスにおけるキセノン含有量を高めることが望ましく、キセノンの含有量としては、２０％以上１００％以下であることが望ましく、封入圧力は２９．９Ｐａ〜８０．０ｋＰａとするのが望ましい。
＜製造方法＞
（前面板２の作製工程）
（前面ガラス基板３の形成工程）
フロート法を用いて、熱膨張係数が７９×１０-7／℃のホウ珪酸アルカリガラスを前面ガラス基板３として形成する。
【００２６】
（透明電極４ａ、５ａの形成工程）
形成した前面ガラス基板３上に、スパッタ法で所定の厚さ（例えば、０．１０μｍ程度）のＩＴＯ膜を均一に形成し、フォトリソグラフ法又はレーザ加工法により、ストライプ状にパターニングし、１対の透明電極４ａ、５ａを形成する。
（バス電極４ｂ、５ｂの形成工程）
次に、感光性の銀ペーストを、透明電極４ａ、５ａ形成後の前面ガラス基板３の全表面に形成し、フォトリソグラフ法でストライプ状にパターニングし、さらに５５０℃まで加熱して銀ペーストを焼成し、形成した透明電極４ａ、５ａ上に１対のバス電極４ｂ、５ｂを形成する。
【００２７】
（ブラックストライプ７の形成工程）
背面板１０側の隔壁１４と対向する位置に、透明電極４ａ、５ａおよびバス電極４ｂ、５ｂと並行する方向に走る帯状のブラックストライプ７を形成する。ブラックストライプ７の厚さは、せいぜい数μｍでよい。隔壁ほどの高さは必要なく、その形成には、フォトリソグラフィ法やスクリーン印刷法といった、比較的薄い層に対する従来公知のパターン形成技術が利用できる。
【００２８】
フォトリソグラフィ法を利用する場合、次のようにして形成する。ブラックストライプ の材料を含む感光性ペーストを、上述の透明電極４ａ、５ａ及びバス電極４ｂ、５ｂ形成済みの前面ガラス基板３の全面に印刷する。そして、マスクを用いて露光し、現像してブラックストライプのパターンを形成した後、これを焼成することによってブラックストライプ７を得る。
【００２９】
一方、スクリーン印刷法を用いる場合、ブラックストライプ の材料を含むスクリーン印刷用ペーストを用いる。このペーストは、感光性でなくてよい。そして、スクリーン印刷により、上記ペーストからなるブラックストライプ のパターンを形成した後、焼成してブラックストライプ７を得る。
どちらの方法にもそれぞれ得失があるが、一般に、フォトリソグラフィ法の方が工程は長くなるが、高精細なパターンを形成できる。
【００３０】
また、どちらのブラックストライプ形成方法でも、ペースト状材料には、樹脂に、例えばホウケイ酸鉛系ガラスの粉末やビスマス・リン酸混合物のような固形分と、例えばＣｒ−Ｍｎ−Ｃｕ系顔料やＦｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系顔料といった黒色の顔料を混合して得られるものを用いることができるが、樹脂についてはそれぞれの方法で異なり、フォトリソグラフィ法であれば、ポリマーとモノマーと重合開始剤とを溶剤に混合して感光性を持たせたものを用いる。また、スクリーン印刷法であれば、例えばエチルセルロースを溶剤に溶解させたものを用いる。
【００３１】
（誘電体層８の形成工程）
形成した前面ガラス基板３の主平面上にイオンプレーティング法により、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜を減圧雰囲気下で成膜する。以下、具体的に説明する。
図３は、誘電体層８及び保護膜９の形成に用いるイオンプレーティング装置の具体例を示す断面図である。
【００３２】
このイオンプレーティング装置は、基板搬送部２０１、プラズマガン２０２、プラズマガイド用コイル２０３、ハース２０５、磁力発生部２０６、成膜室２０７、排気装置２０８、ガス供給部２０９、第一中間電極２１１、第二中間電極２１２から構成される。
基板搬送部２０１は、例えば、機械的な直動機構やエアーシリンダー、油圧シリンダーを有し、前面ガラス基板３を一定速度で直線的に搬送し、所定時間間隔毎に搬送方向を、直前の搬送方向と逆方向に切り替えて、前面ガラス基板３に成膜室２０７内を往復運動させる。
【００３３】
また、基板搬送部２０１を、ベルトコンベアや複数のローラからなるローラコンベアで構成し、所定時間間隔毎に搬送方向を切り替えながら、前面ガラス基板３に成膜室２０７内を直線的に往復運動させてもよい。
プラズマガン２０２には、圧力勾配型のものが用いられる。プラズマガン２０２とハース２０５との間には、直流電源２１０が接続され、プラズマガン２０２の内部にキャリアガス（例えばアルゴンガス）を導入し、プラズマガン２０２の陰極２０２ａと、陽極を構成するハース２０５との間でプラズマ放電を生じさせ、プラズマビーム２１３を形成する。
【００３４】
プラズマガン２０２の周囲には、プラズマビーム２１３を収束させるために、第一中間電極２１１、第二中間電極２１２、プラズマガイド用コイル２０３が設けられている。
ハース２０５には、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜の原料２０４（ＳｉＯ2粒子）を収納するための凹部２０５ｂが設けられ、またその内部には、プラズマビーム２１３を凹部２０５ｂに導くための磁石２０５ａが設けられている。
【００３５】
ここで、本願発明が従来例と大きく異なる点は、ハース２０５の内部がＳｉＯ2粒子を収納するための凹部２０５ｂと、ＭｇＯ粒子を収納するための凹部２０５ｃとに分割され、複数種類の材料が充填できる構造になっている点である。
図４はハース２０５の平面図、すなわち、プラズマビーム２１３の照射面から見た図である。ハース２０５は、ＳｉＯ2粒子が収納された凹部２０５ｂにプラズマビーム２１３が照射されるよう位置決めされた初期位置と、ＭｇＯ粒子が収納された凹部２０５ｃにプラズマビーム２１３が照射されるよう位置決めされた初期位置とに切り替え可能な回転機構２０５ｄを備えている。
【００３６】
まず、誘電体層としてのシリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜の形成方法について、以下に述べる。ハース２０５は、ＳｉＯ2粒子が収納された凹部２０５ｂにプラズマビーム２１３が照射されるよう位置決めがされている。
ここで、回転機構２０５ｄは、成膜材料の切り替え機構だけではなく、プラズマビーム２１３が照射される間、所定の角度ｄだけ往復運動をする回転機構を備えている。
【００３７】
図５（ａ）は、プラズマビーム２１３とハース２０５の初期の位置関係を示す平面図である。図５（ｂ）に示すように、回転角ｄは、ハース２０５が回転してもプラズマビーム２１３が凹部２０５ｂをはみ出さないような角度に設計されている。
凹部２０５ｂに収納されたＳｉＯ2粒子は、減圧雰囲気下で、凹部２０５ｂ内に導かれたプラズマビーム２１３によって加熱されて蒸発し、蒸発したＳｉＯ2粒子とガス供給部２０９から供給された酸素ガスとが、成膜室２０７内に形成されたプラズマ雰囲気中で反応し、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）が生成され、生成されたシリコン酸化物（ＳｉＯ2）が前面ガラス基板３の下表面に堆積されて、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜が形成される。
【００３８】
また、ハース２０５の先端部の周囲には、プラズマビーム２１３の入射方向を制御するための環状の磁力発生部２０６が設けられている。
磁力発生部２０６は、環状永久磁石から構成され、当該環状永久磁石を所定の回転軸の回りに回転させることにより、プラズマビーム２１３のハース凹部２０５ｂへの入射方向を変化させる。そしてビーム入射方向を変化させることによって、凹部２０５ｂに収納されたＳｉＯ2粒子が蒸発して放射される放射角度θを、前面ガラス基板３の主平面に対する法線方向に対して所定範囲になるように制御し、前面ガラス基板３へのシリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜の堆積する方向を制御する。
【００３９】
これにより、前面ガラス基板３の主平面に対してシリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜が堆積する方向が制御される。
ここで、放射角度θが大きいと、多層膜構造を形成するシリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜の生成効率が悪くなり、成膜原料であるＳｉＯ2粒子の損失が大きくなり、さらに、多層膜の形成速度が遅くなるという問題がある。一方、放射角度θが０°付近になると、異方性の多層膜が形成されにくくなり、良好な多層膜構造を形成しにくくなるという問題があるので、多層膜の形成速度を速め、異方性の良好な多層膜構造を形成させるため、θの範囲は、１０°〜４５°の範囲内であることが望ましい。
【００４０】
なお、上記堆積方向の制御方法の詳細については、特許文献（特開平７−３１６７９３号公報）に開示されているので、詳しい説明を省略する。
このように、上記イオンプレーティング法では、搬送部２０１により、搬送方向を順次切り替えながら、前面ガラス基板３に成膜室２０７内を往復運動させ、成膜物質の堆積する方向を所定時間間隔毎に変更することにより、前面ガラス基板３上に膜厚５〜４０μｍの多層膜構造のシリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜を形成することができる。
【００４１】
（保護層９の形成工程）
形成した誘電体層８上に、同じくイオンプレーティング法を用いて、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層９を形成することによって、前面板２を完成する。
以下に、保護層としてのＭｇＯ膜の形成方法について述べる。
ハース２０５は、ＭｇＯ膜の原料（ＭｇＯ粒子）を収納するための凹部２０５ｃが設けられている。シリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜からなる誘電体層８を形成した後、回転機構２０５ｄによって、ＭｇＯ粒子が収納された凹部２０５ｃにプラズマビーム２１３が照射されるよう位置決めされた初期位置に切り替える。
【００４２】
以降のＭｇＯ膜の形成方法は、前述したシリコン酸化物（ＳｉＯ2）膜の形成方法と同様であり、基板の搬送時間及び搬送回数を調整することにより、前面ガラス基板３上に膜厚０．５〜１μｍのＭｇＯ膜を形成させることができる。
（背面板１０の作製工程）
（背面ガラス基板１１の形成工程）
フロート法を用いて、熱膨張係数が７９×１０-7／℃のホウ珪酸アルカリガラスを背面ガラス基板１１として形成する。
【００４３】
（アドレス電極１２の形成工程）
銀ペーストをスクリーン印刷法により、形成した背面ガラス基板１１上に一定間隔でストライプ状に塗布した後、焼成してアドレス電極１２を形成する。
（誘電体層１３の形成工程）
比誘電率が６〜１２の酸化亜鉛や酸化ビスマスを含有した酸化ガラス粉末に、可視光の反射率を増大させるための白色顔料（ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2等）を１〜２０重量％加えて調製した誘電体ガラスペーストを、アドレス電極１２を形成した側の背面ガラス基板１１の表面上にスクリーン印刷法で塗布し、乾燥後、焼成することにより、誘電体層１３を形成する。
【００４４】
（隔壁１４の形成工程）
比誘電率が６〜１２の酸化亜鉛や酸化ビスマスを含有した酸化ガラス粉末に、可視光の反射率を増大させるための白色顔料（ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2等）を１〜２０重量％加えて調製した隔壁用ガラスペーストを、背面ガラス基板１１の表面上に形成された誘電体層１３の上に均一の厚さに塗工し、乾燥した後、フォトレジストを、塗工した隔壁用ガラスペーストの前面に塗布し、隔壁形成用マスクパターンを用いて露光を行い、現像後、サンドブラスト法により、隔壁パターンを形成した後、焼成することによって、誘電体層１３上に隔壁１４を形成する。
【００４５】
隔壁用ガラスペーストを、背面ガラス基板１１の表面上に形成された誘電体層１３の上に塗工する方法としては、例えば、スクリーン法、バーコータ法、ロールコータ法、ダイコータ法、及びドクターブレード法を用いることができる。
（蛍光体層１５の形成工程）
形成した隔壁１４同士の間に挟まれた誘電体層１３の各領域に、赤色蛍光体層材料（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ）、緑色蛍光体層材料（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）、青色蛍光体層材料（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）のいずれか１つを順番に塗布し、焼成して蛍光体層１５を形成する。
（パネルの封着工程）
上記の通り作製した前面板２と背面板１０の外周部の少なくとも一方に、封着部材を塗布し、外周部に封着部材層を形成し、両者を重ね合わせて加熱することによって封着する。
【００４６】
封着部材としては、例えば、低融点ガラスやシリコーンを用いることができる。
（放電ガス封入工程）
封着されたパネルの内部を高真空（１．１×１０-3Ｐａ程度）に脱気し、これに所定の圧力で放電ガス（ヘリウム、キセノン及びネオンの中から選択される少なくとも１種の希ガス成分）を２９．９ｋＰａ〜８０．０ｋＰａ程度の圧力で封入する。
（駆動回路実装工程）
放電ガスを封入したパネルに駆動回路を実装して、ＰＤＰ１を作製する。
【実施例】
【００４７】
１．従来法によって作製されたＰＤＰとの生産効率の比較
上記誘電体層８及び保護層９の形成工程に従って、イオンプレーティング法により、誘電体層８及び保護膜９を形成した。
具体的には、前面ガラス基板３を２００℃で加熱しながら１０-4Ｐａまで真空引きした後、搬送速度６００ｍｍ／ｍｉｎ、成膜速度０．３μｍ／ｍｉｎの条件で、誘電体層８を形成した。その後、搬送速度３８０ｍｍ／ｍｉｎ、成膜速度０．１５μｍ／ｍｉｎの条件で、保護層９を形成した。
【００４８】
この誘電体層８及び保護層９を１枚の基板に形成するのに実際に要した時間は、基板加熱及び真空引きに約３時間、誘電体層８の形成に約５０分、保護膜９の形成に約５分、トータルで約４時間である。
一方、誘電体層８及び保護層９を別々の装置で形成した場合は以下のようである。誘電体層８を形成した後、さらに前面ガラス基板３を別の成膜装置にセッティングし１０-4Ｐａまで真空引きするのに約１時間を要した。誘電体層８の形成の際に要した基板加熱及び真空引きの所要時間及び成膜時間は同じであるので、結局、トータル約５時間を要した。
【００４９】
したがって、本実施形態の製造方法によって、誘電体層８及び保護層９を形成するのに要する時間は、基板１枚あたり２０％低減されたことになる。
また、異なる材料からなる誘電体層と保護層を形成するのに、従来法では、２台の成膜装置、あるいは１台の成膜装置に２つの成膜室が必要だったのに対して、本実施形態では１台の成膜装置でハースの部分だけを改造するだけで形成できた。
【００５０】
前面ガラス基板３上には、明確な層境界を有する複数のシリコン酸化物（ＳｉＯ2）の多層膜が形成されている。形成された誘電体層８の膜厚は１５μｍであり、形成された多層膜の各膜の膜厚は約０．５μｍであり、誘電体層８の上には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層９が形成されている。
（補足）
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上記の実施の形態に限定されないのは勿論である。
（１）例えば、保護層に使用する材料としてＭｇＯを例として説明したが、Ｓｒ、Ｃａ等の酸化物であってもかまわない。
（２）本実施の形態においては、イオンプレーティング法により、誘電体層８及び保護膜を形成することとしたが、基板に対し、所定の角度で成膜物質を堆積させることができる方法であれば、他の方法を用いても同様に、本実施の形態で説明した誘電体層８の形成方法を実現することができる。例えば、通常の蒸着法を用いても同様に誘電体層を形成できる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、成膜装置及びプラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特にプラズマディスプレイパネルの誘電体層及び保護膜を形成するのに要する時間を大幅に短縮し、また、プラズマディスプレイパネルの消費電力を低減し発光輝度を向上し、発光効率を高める技術として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施の形態におけるＰＤＰ１の主要部の構成を示す断面斜視図である。
【図２】前面板２の断面を模式的に表した図である。
【図３】誘電体層８及び保護膜９の形成に用いるイオンプレーティング装置の具体例を示す断面図である。
【図４】ハース２０５の平面図である。
【図５】プラズマビーム２１３とハース２０５の初期の位置関係およびハース２０５を回転角ｄだけ回転する様子を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１              ＰＤＰ
２              前面板
３              前面ガラス基板
４ａ，５ａ      透明電極
４ｂ，５ｂ      バス電極
６              表示電極
７              ブラックストライプ
８，１３        誘電体層
９              保護層
１０            背面板
１１            背面ガラス板
１２            アドレス電極
１４            隔壁
１５            蛍光体層
１６            放電空間
２０１          基板搬送部
２０２          プラズマガン
２０３          プラズマガイド用コイル
２０５          ハース
２０６          磁力発生部
２０７          成膜室
２０８          排気装置
２０９          ガス供給部
２１０          直流電源
２１１          第一中間電極
２１２          第二中間電極
２１３          プラズマビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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