(57)【要約】      （修正有）【課題】水銀の安定保有、特定条件下での活性化、放出の容易性を同時に達成させる。【解決手段】Ti0.05〜5重量%またはTa0.05〜5重量%中の一つ以上を含んで、Ti55+xHgxの原子%で構成されるTiとHgの化合物をAとし、Zr30+yAlyの原子%で構成されるZrとAlの合金をBであるとする場合、A:BがZ:10-Zの重量割合で混合された混合物が残部を構成するゲッター組成物１１を容器に充填させて構成し、容器は充填されたゲッター組成物をくるむ形態の金属構造物として、金属構造物が上記ゲッター組成物を完全にくるまないで長さ方向に溝１４を持った形状で構成される。Ti-Hg、Zr-Alで構成されたゲッター組成物にTiを0.05〜5重量%で添加することにより、ゲッター吸着効率を高め、強い耐腐食性によってゲッター組成物の酸化を防止する。【選択図】図１
2009123672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ti0.05〜5重量%またはTa0.05〜5重量%中の一つ以上を含んで、Ti55+xHgx(xは15〜30範囲)の原子%で構成されるTiとHgの化合物をAとし、Zr30+yAly(yは20〜40範囲)の原子%で構成されるZrとAlの合金をBであるとすると、A:BがZ:10-Z(Zは5〜9範囲)の重量割合で混合された混合物が残部を構成するゲッター組成物を容器に充填させて構成するが、 
前記容器は充填されたゲッター組成物をくるむ形態の金属構造物として、金属構造物が上記ゲッター組成物を完全にくるまないで長さ方向に溝を持った形状で構成されることを特徴とする水銀導入装置。 
【請求項２】
第１項において、 
前記ゲッター組成物はFe0.05〜5重量%をさらに含むことを特徴とする水銀導入装置。 
【請求項３】
Taを0.05〜5重量%を含んで、Ti55+xHgx(xは15〜30範囲)の原子%で構成されるTiとHg化合物が残部を構成するゲッター組成物を容器に充填させて構成するが、 
前記容器は充填されたゲッター組成物をくるむ形態の金属構造物として、金属構造物が上記ゲッター組成物を完全にくるまないで長さ方向に溝を持った形状で構成されることを特徴とする水銀導入装置。 
【請求項４】
第３項において、 
前記ゲッター組成物はFe0.05〜5重量%をさらに含むことを特徴とする水銀導入装置。
【請求項５】
第１項乃至第４項中いずれか一の項において、 
前記水銀導入装置は多様な長さで切断して使用可能であり、その切断面は等しい断面形状及び断面積を持つことを特徴とする水銀導入装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、LCD TV、モニターなどのBLU(Back Light Unit)で使用されるEEFL(External Electrode Fluorescent Lamp)又はCCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)に水銀を導入させるためのゲッター組成物に関し、さらに詳しくは水銀導入装置に関する。 
【背景技術】
【０００２】
通常ゲッターは除去しようとする残留気体の成分と使用される条件とによって様々な金属成分が混合製造されて使用され、除去しようとする気体を化学的に吸收することができる特性を有するように構成する。 
【０００３】
ゲッター組成物は、多くの金属形態で混合製造されることができ、様々な形態の構造物または化合物だけの状態にて形成されることができるが、究極的な目的は水銀を安定的に保有しながら、ランプ内で特定温度条件によって活性化が容易となり、水銀放出を容易とし、ランプ内の不純ガスを容易に吸收することができることである。なお、ランプが完成されれば、水銀放出後のゲッター組成物が容易に除去されなければならない。 
【０００４】
ランプはランプ内の真空度が高いほど(一部不活性ガスで満たすランプは空気がないほど)性能が良く寿命が長くなる。ランプ製造工程において発光用として注入される水銀の量は、性能に問題がない限り、少ない量(数mg;ランプの種類と大きさによって少しずつ異なる)を注入して製造されたランプが選択される。これは技術の発展と共に水銀のような有害物質の産業上の使用に対して国際的に制約がより厳格になった結果である。 
【０００５】
今まで多様な方法を適用してランプ内に水銀を取り入れようとする試みがあったが、あまり効率的ではなかった。例えば、ランプに純粋成分の液滴状態で水銀を投入する方式は、別途工程の必要なしに直接投入する形式であるので、材料節減及び工程時間短縮に一番優れた方式であるが、まだ適用不可能である。 
【０００６】
また極めて少量が要求される水銀を定量投入する方法はいまだに見つけることができないし、ランプで直接液体水銀を取り入れると言っても高い蒸気圧力のため作業環境の汚染問題を発生するおそれがある。 
【０００７】
他の方法では、小さな硝子カプセルを活用して、純粋の水銀液体をランプに投入しようとする多くの試みがあったが、要求される微量の水銀を定量投入するには限界があった。また、硝子カプセルという制約により破壊が容易となり、作業環境の汚染問題を発生させる。
【０００８】
その他、丸薬形態、球形態など多様な形状で水銀を安定的に維持させ、ランプに投入しようとする方法が検討されているが、作業環境を汚染させる水銀蒸気問題を解決することができず、要求されるほどの水銀投入が困難となっている。
【０００９】
従来の水銀放出用ゲッターは、水銀を活性化させるために高温で化合物を加熱して放出させるので、ランプの製造工程に適当な低温放出用ゲッターがなかった。現在知られている水銀放出用ゲッターの最適活性化温度は550〜650℃位であるが、現在まで大部分のゲッター活性化温度は約700〜750℃位であって、最適温度より高温で活性化される。活性化温度が非常に高ければ電極酸化を誘発させてランプの性能を正確に発揮することができず、一般硝子を使ってランプを製造する工程に適用する場合には、製造過程で硝子が耐えることができずに損傷を受けるという問題点がある。そして前記温度で問題がない石英材質と似ているHard Glassを使う場合には、原資材費用が高くなるのはもちろん、高温で水銀を放出させるための高価な高周波装備を別に取り備えなければならないのでランプ製造の困難があった。 
【００１０】
このような高温で水銀を放出するゲッターは、活性化段階で放出された水銀がすべての水銀の約30〜40%にしかならない問題点がある。したがって、ランプが稼動するのに必要な量より約2〜3倍多い水銀量をランプに導入しなければならない。過度の量の水銀はランプの寿命が終わるまでランプ内に残留するので、これは結果的に廃ランプの処理問題をもたらす。 
【００１１】
反面、500℃以下で水銀が活性化されて放出されると、ランプの製造工程中に水銀が放出されるので、ゲッター内に残存する水銀がほとんどなくなり、このような場合ランプ内に水銀を投入する量がランプの稼動に必要な量より不足し、目的とする効果を果たすことができなくなる。 
【００１２】
これにより、水銀の投入量を正確にするために最適の温度で低温活性化が可能で、水銀放出効率が高く、水銀を安定的に保有することができるゲッター組成物及び水銀導入装置が要求されていたのである。 
【００１３】
一方、水銀導入装置の一定長さの溝は、ゲッター組成物に含まれた水銀を蒸気形態でランプ内に放出させる役割をし、ランプ内部の残留ガスを吸着、除去する機能を有する。既存のゲッター組成物が充填された水銀導入装置の形状は円筒状、球状、または棒状であり、水銀を放出するための溝がない、あるいは、あってもその幅が非常に狭いので水銀放出効果が高くなかった。 
【００１４】
金属構造物にゲッター組成物を圧入した後板材を重ねることによって生成されたスリットを有するゲッターの場合、製造過程での粉塵発生がひどく、ゲッター組成物使用の時にも組成物がこなごなになるおそれがある。 
【００１５】
水銀放出効果が低いゲッターの場合、ランプ製造時に所要の単位ゲッターの大きさを一層大としならなければならないので製造原価が増大し、またランプ製造時の水銀放出率を一定に維持することができずランプ間の品質偏差が大きくなるので、水銀放出効果の高い水銀導入装置が要求される。このため、ゲッター組成物を適切に保有することだけではなく、水銀放出効果を高めるためにも、適切な幅の溝が形成された水銀導入装置が要求される。 
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上記背景に鑑み、LCD TV、モニターなどのBLU(Back Light Unit)で使用されるEEFL(External Electrode Fluorescent Lamp)又はCCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)に水銀を導入させるためのゲッター組成物に関し、さらに詳しくは、水銀の安定保有、特定条件下での活性化、放出の容易性等の併立しがたい目的を同時に達成することができる特定ゲッター組成物を特定容器に充填させた水銀導入装置を供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的達成のため、本願発明による水銀導入装置は、Ti0.05〜5重量%またはTa0.05〜5重量%中の一つ以上を含んで、Ti55+xHgx(xは15〜30範囲)の原子%で構成されるTiとHgの化合物をAとし、Zr30+yAly(yは20〜40範囲)の原子%で構成されるZrとAlの合金をBであるとすると、A:BがZ:10-Z(Zは5〜9範囲)の重量割合で混合された混合物が残部を構成するゲッター組成物を容器に充填させて構成するが、前記容器は充填されたゲッター組成物をくるむ形態の金属構造物として、金属構造物が上記ゲッター組成物を完全にくるまないで長さ方向に溝を持った形状で構成されることを特徴とする。 
また、第1項において、前記ゲッター組成物はFe0.05〜5重量%をさらに含むことを特徴とする。 
また本願発明による水銀導入装置は、Taを0.05〜5重量%を含んで、Ti55+xHgx(xは15〜30範囲)の原子%で構成されるTiとHg化合物が残部を構成するゲッター組成物を容器に充填させて構成するが、前記容器は充填されたゲッター組成物をくるむ形態の金属構造物として、金属構造物が上記ゲッター組成物を完全にくるまないで長さ方向に溝を持った形状で構成されることを特徴とする。 
また、第3項において、前記ゲッター組成物はFe0.05〜5重量%をさらに含むことを特徴とする。
また、第1項乃至第4項中いずれか一の項において、前記水銀導入装置は多様な長さで切断して使用可能であり、その切断面は等しい断面形状及び断面積を持つことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、Ti-Hg、Zr-Alで構成されたゲッター組成物にTiを0.05〜5重量%で添加することにより、ゲッター吸着効率を高め、強い耐腐食性によってゲッター組成物の酸化を防止する。また、Taを0.05〜5重量%で添加することにより水銀放出効果を増大させ、活性化温度を100℃下降させて約550〜650℃で低温活性化が可能になるので、高価な高周波装備なしにランプ製造工程で使用している一般炉やガス花火などを利用して製造することができ、 電極損傷を最小化する。 
【００１９】
前記の組成にFeを0.05〜5重量%で添加することにより水銀放出効果を増大させるだけでなく、原材料費用を節減させることができ、さらにゲッター活性化工程時の活性効率を高めることができる媒介体の役割を増大させる。 
【００２０】
他の元素を排除して、Ti-HgにTaを含むか、またはTaとFeを同時に一定量含むことでゲッター組成物の原価を節減することができる。 
【００２１】
前記ゲッター組成物をくるむ金属構造物の溝の断面は長手方向に等しい断面形状及び断面積を有するから、ランプ内部への安定的な水銀導入が可能となり、水銀放出効率を極大化する。 
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
通常ゲッターは使用される条件によって様々な金属成分が合金、金属間化合物、化合物の状態に製造されることができるので、水銀放出のためのゲッター組成物はTi-Hgの化合物に多くの金属を混合して使用可能である。本発明ではZr-Al合金、Ti、Ta、Feをそれぞれまたは2個以上混合して製造する。つまり、本発明にかかるゲッター組成物はTi-Hg、Zr-Al、Fe、Ti、Taの中で一つ以上を含む化合物で構成される。
【００２３】
以下本発明の構成に対して具体的に検討する。 
本発明は、Ti0.05〜5重量%またはTa0.05〜5重量%中の一つ以上を含んで、 Ti55+xHgx(xは15〜30範囲)の原子%で構成されるTiとHgの化合物をAとし、Zr30+yAly(yは20〜40範囲)の原子%で構成されるZrとAlの合金をBであるとする場合、A:BがZ:10-Z(Zは5〜9範囲)の重量割合で混合された混合物が残部を構成するゲッター組成物を提供する。また、前記ゲッター組成物の組成にFe0.05〜5重量%を追加的に含むゲッター組成物を提供する。 
【００２４】
前記のゲッター組成物の元素の中でZrは最も普遍的に使われているゲッターの構成成分であり、耐腐食性が強く、不純ガス吸着能が優れた元素である。Zrは空気中で化学式１のような発熱反応により不純ガスを化学的に除去する役割を有する。 
[化 1] 
Zr + O2 → ZrO2 
Zr + 1/2N2 → ZrN 
【００２５】
本発明にかかるゲッター組成物で使用している元素中の一つであるAlは高い電気伝導度及び熱伝導度を有し、加工性及び耐蝕性が優秀な特徴を有する。 
【００２６】
Taは腐食防止に効果があり、ゲッター組成物を安定化させることができる元素である。
【００２７】
本発明にかかるゲッター組成物にTiを添加することで、ゲッター吸着効率を一層高めることができ、水銀放出率を増加させて、強い耐腐食性によってゲッター組成物の酸化を防止する効果がある。Tiは0.05〜5重量%で添加するのが望ましい。0.05重量%未満の場合には耐腐食性の効果を得ることができないし、5重量%超過すれば費用対効果が劣って経済性がない。 
【００２８】
一方、後述する実施例を通じて立証されるように、本発明はTaを添加することで水銀放出効果を高めることに特徴がある。Taは活性化温度を100℃下降させて低温活性化効果を高めることができる。Taは0.05〜5重量%で添加するのが望ましい。0.05重量%未満の場合には低温活性化効果を得ることができないし、5重量%超過すればTaは高価なので費用対効果が劣って経済性がないからである。 
【００２９】
現在大部分のゲッター活性化温度は700〜750℃位であり、最適の活性化温度は 550〜650℃位であることが知られている。500℃以下の低温で水銀が活性化され放出される場合ランプ製造工程の中に残存水銀がほとんどなくなるので、一定量の水銀を取り入れようとする目的を果たすことができない。また、活性化温度が700℃以上の高温の場合、電極酸化を誘発させてランプの性能を低下させる問題点がある。 
【００３０】
このような問題点を解決するため、本発明ではTaを0.05〜5重量%で添加することにより、550〜650℃の理想的な活性化温度で水銀放出をすることが可能になる。よって、電極損傷を最小化させることができ、高価な高周波装備なしにランプ製造工程で使っている一般炉やガス花火などを利用して製造することができる。また、低温活性化を通じて水銀放出効果を高めることにより、水銀の量を正確に入れ込むことができ、高品質のランプを製造することができる。さらに作業環境の汚染問題を最小化することができるだけでなく、寿命が終わった廃ランプにも残存する水銀量がほとんどないので環境問題を解消することができる。 
【００３１】
本発明にかかるゲッター組成物の構成元素中の一つであるFeは、熱と電気の良導体としてゲッター活性化工程時、活性効率を高めることができる媒介体の役割をする。本発明にかかるゲッター組成物をくるむ金属構造物は、任意の多くの元素で構成されることができるが、費用、実用性、高温での低いガス放出などを考慮して、鋼鉄、ニッケルまたはニッケル処理された鉄を使用するのが普通である。したがって、外部の金属構造物とほとんど類似の電気及び熱伝導度を有するFeを少量添加することにより、ゲッター活性化工程の時、熱及び電気投入の時、一層円滑な熱伝導効果を得ることができる。しかしゲッター組成物にFeを多量含有する場合には、ゲッター組成物の酸化を誘発してむしろ性能低下を起こすことになる。なお、Feは最も安価に求めることができる鉱物として、少量添加して原材料費用を節減させることができる。 
【００３２】
Feは0.05〜5重量%で添加するのが望ましい。0.05重量%未満の場合には媒介体の役割の増大効果を得ることができず、5重量%を超過すればゲッター組成物の酸化を誘発して性能低下を起こすことになるからである。 
【００３３】
また、本発明はTaを0.05〜5重量%を含んで、Ti55+xHgx(xは15〜30範囲)の原子%で構成されるTiとHg化合物が残部を構成するゲッター組成物を提供する。このゲッター組成物はFe0.05〜5重量%をさらに含むゲッター組成物を提供する。 
【００３４】
Zr、Alを添加しないことで相対的な原価低減効果を得ることができる。これはZr、Alが添加された組成に比べて水銀放出率においてほとんど同等な効果を現わす後述の実施例により判明する。 
【００３５】
ゲッター組成物は一般的に150μｍより小さな粒子の大きさを有する粉末の形態で使うのがよい。粉末粒度が小さいほど粉末の比表面積が大きくなって、ゲッター組成物の不純ガス吸着効率と水銀放出効果を高めることができる。150μｍ以上の粒子の大きさになると、相対的にゲッター吸着効率が劣って、水銀放出効率も急激に劣るようになる。
【００３６】
一方、粒子の大きさが小さすぎれば、管理上難しさが生じ、酸化が容易となるおそれがある。ゲッター組成物が酸化されると、ランプに投入されても水銀放出及び不純ガス吸入という固有の役割を確実に遂行することができなくなる。 
【００３７】
本発明による水銀導入装置は、前記組成比で構成されたゲッター組成物を容器に充填させて構成する。前記容器は充填されたゲッター組成物をくるむ形態の金属構造物であって、該金属構造物が組成物を完全にくるまないで長さ方向に溝を持った形状で構成される。
【００３８】
本発明による水銀導入装置の溝はゲッター組成物に含まれた水銀を蒸気形態でランプ内に放出させる役割をし、ランプ内部の残留ガスを吸着、除去する機能を有する。 
【００３９】
本発明にかかる金属構造物において、溝の幅は0.1mm〜0.6mm、深さは0.1mm〜0.6mmが望ましい。溝の幅が狭い場合水銀放出が容易でなく、溝の幅が広くなるほど水銀放出効果が増加する。ただし、0.6mm以上の幅の溝となると金属構造物内のゲッター組成物を抱えることができなくなり、組成物がパウダー状にこなごなになって成形性が崩れるのでランプに取り入れて使用しにくくなる。 
【００４０】
溝の深さは深くなるほど水銀放出効果が増加する。溝の深さが0.6mmを超えるとゲッター組成物の形状を金属構造物内に維持させることができなくなり、ゲッター特性を正確に発揮することができない。溝がない場合あるいは溝が狭く形成された水銀導入装置と比べると本発明による溝の形状が水銀放出効果が顕著に増大することを後述する実施例を通じて確認することができる。 
【００４１】
ゲッター組成物を含む金属構造物は任意の多くの元素形態から成立し、主に鋼鉄、ニッケルまたはニッケル処理された鉄が使用される。この金属構造物はゲッター組成物を安定的に抱えて保有することができ、水銀蒸気の放出が円滑になるように、ワイヤの如き一定の溝形態の開口部を有する多様な断面の連続的な線状形態または単位棒形態とすることができる。具体的には溝の断面は長手方向に等しい断面形状及び断面積を有する。
【００４２】
以下図面を参照して本発明にかかる水銀導入装置を具体的に説明する。 
水銀導入装置10は金属構造物１２を略五角形の断面で連続成形した容器からなる。該容器は上面が長手方向に沿って線状に開口されている。該容器に、水銀化合物を含むゲッター組成物11が連続的に充填され、開口部の幅の狭い2個の端部(13、13')の直下に浅い溝14を形成するようにゲッター組成物１１が供給される。 
【００４３】
このとき溝１４は一定の幅を維持し、水銀が最も容易に放出されることができる形態を取るようになる。つまり、ゲッター組成物１１が充填される際、容器が連続的にローリングされ、このローリングによる圧力がゲッター組成物１１に加えられることにより、上部にゲッター組成物１１が押し堅められる結果となるのである。これにより粉末を装置の内部に保有することがさらに効果的となる。 
【００４４】
形状製造以後ゲッター組成物１１を充填することにより、製造過程でゲッター組成物１１に対する溝１４が形成され、ゲッター組成物１１が同時に容器に充填される。連続的なローリングを通じてゲッター組成物を固める効果があり、これによって粉塵発生がほとんどなく、使用時にもこなごなに対するおそれがほとんどない。 
【００４５】
したがって、ゲッター組成物１１の製造過程及び使用時にゲッター組成物１１に含まれた水銀の粉末形態である砒酸が作業環境を汚染させる問題点を解消することができる。 
【００４６】
製造が完了した線状形態の水銀導入装置１０はコイル形態で巻かれ、また目的とする長さだけ多様な切断方法で切って適当な大きさで使用されることもできる。このような製造工程は成形ロ−ルをパスしながら、連続的な作業が可能である。 
【００４７】
図2乃至図7は多様な断面形状を有する水銀導入装置の形状を例示する。製造方法は図1に表示された形状の装置の製造方法と等しい。投入しようとするランプの形状及び大きさによって本発明による水銀導入装置の形状は選択的に活用することができ、また多様な形状で変形させて活用することができる。本発明による水銀導入装置は多様な長さで切断して使用することが可能であり、その切断面は等しい断面形状及び断面積を有するので実用性が高く、最終製品の品質を一定に維持することができる。最終ランプの製造の時このゲッター組成物はランプに残留することがなく容易に除去が可能である。 
【００４８】
上記実施形態において、Tiを添加することで、ゲッター吸着効率をさらに高めて、強い耐腐食性によってゲッター組成物の酸化を防止する。また、Taをゲッター組成物に0.05〜5重量%で添加することにより水銀放出効果が増大され、活性化温度を100℃下降させて低温活性化が可能になる。よって高価の高周波装備なしにランプ製造工程で使っている一般炉やガス花火などを利用して製造することができ、また低温活性化を通じて水銀放出効果を高めることにより水銀の量を正確に入れ込むことができる。 
【００４９】
さらに、追加的にFeを0.05〜5重量%で添加することにより、水銀放出効果を増大させるだけでなく、原材料費用を節減させることができ、またゲッター活性化工程時の活性効率を高めることができる媒介体の役割を増大させることができる。 
【００５０】
他の元素を排除して、Ti-Hgで構成されたゲッター組成物にTaのみを含み、またはTaとFeを同時にそれぞれ0.05〜5重量%で含むことにより、ゲッター組成物の原価を節減しながら水銀放出率において以前のゲッターと同等な効果を現わすゲッター組成物を提供することができる。 
【００５１】
前記ゲッター組成物をくるむ金属構造物の溝を効率的に形成して多様な形状とすることにより、ランプ内部への安定的な水銀投入が可能であり、水銀放出効率を極大化する。本発明による水銀導入装置の形状は選択的に活用することができ、多様な長さで切断して使用可能であり、その切断面は等しい断面形状及び断面積を有するので実用性が高く最終製品の品質を一定に維持することができる。 
【００５２】
このように本発明にかかる水銀導入装置によれば、水銀放出率を高めることにより水銀の量を正確に入れ込むことができて高品質の製品を製造することができ、また作業環境の汚染問題を最小化することができる。さらに寿命が終わった廃ランプを処理する時も環境問題を解消することができる。 
【実施例】
【００５３】
１．本発明にかかるゲッター組成物と従来のゲッター組成物の水銀放出効果の比較実験
本発明による水銀導入装置１０の8個のサンプルを、水銀化合物を含むゲッター組成物１１により図1に示されたような五角形様断面を有する線状形態で製造し、一定の形態で切断した。この切片は側面が1.13×0.9mmであり4.5mmの長さを有する。水銀含量は1.02mg/mmの量で統一した。水銀放出テストは真空チャンバ内で10秒間900℃に上昇させて、20秒間900℃に誘導加熱することによって、水銀分析測定器でサンプル内の残余水銀を測定する方法で進行した。それぞれのサンプル内の放出された水銀量は%単位で比べ表1に示す。
【００５４】
ここで、本願発明にかかるゲッター組成物の原子％と重量％との関係で「残部」について説明する。
【００５５】
本願発明にかかるゲッター組成物はTi0.05〜5重量%又はTa0.05〜5重量%の中、一つ以上を必ず含まなければならない。例えば、Ti5重量%及びTa5重量%を含む場合は、TiとTaの重量%の合計である10重量%を除いた残り90重量%がこの場合の“残部”になる。この90重量%の残部は化合物Aと合金BがA:B=Z:10-Z(Zは5〜9重量)の重量割合で混合された混合物であるから、例えば、Zが「9」の場合はA:B=9:1になる。よって、90重量%の残部中に化合物Aと合金Bが9:1で存在することになる。即ち、上記例では1)Ti 5重量%、2)Ta 5重量%、3)AとBが9:1の割合で混合された残部90重量%のゲッター組成物である。
【００５６】
次に、化合物Ａと合金Ｂについて説明する。化合物ＡはTi55+xHgx(xは15〜30範囲)の原子%で構成されるTiとHgの化合物である。ここで“原子%”というのは、Ti原子の数とHg原子の数の割合%を指称する。例えばxが「３０」の場合はTiとHgの原子が85:30に混合されているから、化合物Aに115個の原子があるとすれば、その中にTi原子が85個、Hgが30個あるということになる。よってこの場合の化合物ＡはTiとHgが85:30の割合の原子％からなると定義するのである。
【００５７】
合金Ｂについても同様にして定義することができる。
【００５８】
[表 1] 
┏━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┳━━━┓
┃        ┃                    化学成分（重量％）                    ┃ 水銀 ┃
┃  区分  ┣━━━━┳━━━━┳━━━━┳━━━━┳━━━━┳━━━━┫      ┃
┃        ┃  Ｔｉ  ┃  Ｈｇ  ┃  Ｚｒ  ┃  Ａｌ  ┃  Ｔａ  ┃  Ｆｅ  ┃放出率┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃比較例１┃  残り  ┃  ４７  ┃  １７  ┃   ３   ┃   −   ┃   −   ┃９２％┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃実施例１┃  残り  ┃  ４７  ┃  １７  ┃   ３   ┃   ２   ┃   −   ┃９６％┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃実施例２┃  残り  ┃  ４７  ┃１５．５┃ ２．５ ┃        ┃        ┃９３％┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃実施例３┃  残り  ┃  ４７  ┃１５．５┃ ２．５ ┃   ２   ┃        ┃９７％┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃実施例４┃  残り  ┃  ４７  ┃  １７  ┃   ３   ┃   −   ┃   １   ┃９４％┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃実施例５┃  残り  ┃  ４７  ┃  １７  ┃   ３   ┃   ２   ┃   １   ┃９８％┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃実施例６┃  残り  ┃  ４７  ┃  １７  ┃   ３   ┃   ２   ┃ １．５ ┃９９％┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃比較例２┃  残り  ┃  ４７  ┃   −   ┃   −   ┃   −   ┃   −   ┃８０％┃
┣━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━┫
┃実施例７┃  残り  ┃  ４７  ┃   −   ┃   −   ┃   ２   ┃   −   ┃８７％┃
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┃実施例８┃  残り  ┃  ４７  ┃   −   ┃   −   ┃   ２   ┃   １   ┃８９％┃
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【００５９】
表1において、比較例1はTi-Hg化合物ＡとZr-A1合金Ｂだけで構成されたゲッター組成物からなり、実施例1は比較例1の組成に、Taを2重量%添加したゲッター組成物からなる。両者の水銀放出率をみると、実施例1では比較例1に比し水銀放出率が4%増加することを確認することができる。 
【００６０】
実施例2は比較例1の組成で、ZrとAl含量を減らし、Tiをさらに2重量%追加して添加した実施例である。Tiをさらに添加することによって、水銀放出率が比較例1より1%増加することを確認することができる。 
【００６１】
実施例3は実施例2の組成にTaをさらに2重量%追加して添加した例示である。実施例3は、比較例1に比べて水銀放出効率が5%増加したことを確認することができた。 
【００６２】
実施例1と実施例3を比べると、ともにTaを2重量%含んでいる組成であるが、実施例３はZrとAl含量を減少させて、Tiを2重量%追加して添加することによって、水銀放出効率が増加することを確認することができる。なお、実施例3は実施例2に比べると水銀放出効率が4%増加している。
【００６３】
実施例4は比較例1の組成に、Feを1重量%添加した。実施例4は比較例1に比べて水銀放出率が2%増加することを確認することができる。 
【００６４】
実施例5と6は比較例1の組成に、それぞれTaを2重量%ずつ添加し、Feを同時に少量添加してゲッター組成物を製造した。この場合水銀放出率が比較例1に比べて6〜7%さらに高くなることが分かる。 
【００６５】
比較例2はTiとHgだけでゲッター組成物を製造した。実施例7は比較例2の組成に、Taのみを2重量%添加した。実施例7は比較例2に比べて水銀放出量が7%増加されたことが分かる。 
【００６６】
実施例8は比較例2の組成に、TaとFeが少量添加されたもので、比較例2に比べて水銀放出率が9%増加されたことが分かる。なお、実施例7のTaだけ添加した場合より実施例8のようにTaとFeを同時に添加した場合、水銀放出率が高いことを確認することができる。 
【００６７】
実施例7乃至8はZr、Alを添加しないで、TiとHgにTaまたはTaとFeを同時に添加して相対的な原価低減効果を得ようとしたものである。この場合、比較例1と比べた時水銀放出率にはあまり差がないことを確認した。 
【００６８】
２．本発明による水銀導入装置の形状と従来の水銀導入装置の形状の水銀放出効果の比較実験 
本発明によるゲッター組成物を、溝がない球状(81)、溝がない円筒状(82)、溝が非常に細い棒型(83)の容器及び図1に示された本発明による溝の形状(84)を有した容器に充填し、4個のサンプルを製造して水銀放出効果を比べた。測定方法は前記の方法と同一である。図８にこれらの水銀導入装置による水銀放出効率を示す。 
【００６９】
図8によると、球状(81)及び円筒状(82)の容器に比べ、溝を有する棒型(83)及び本発明による溝の形状(84)の容器は水銀放出効率が高いことを確認することができる。また溝が非常に細く形成された棒型の容器(83)に比べて、溝の幅が0.1mm〜0.6mmである本発明による溝の形状(84)の容器の方が高い水銀放出効率を有することが分かる。 
【００７０】
上述したように本発明による望ましい実施例を説明したが、本発明は前記した実施例に限定されず、特許請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱することがなく、該発明が属する分野で通常の知識を有している者であれば多様な変更実施が可能である。 
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、例えばLCD TV、モニターなどのBLU(Back Light Unit)で使用されるEEFL(External Electrode Fluorescent Lamp)又はCCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)に水銀を導入させるために活用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明による水銀導入装置の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明による水銀導入装置の他の例を示す斜視図である。
【図３】本発明による水銀導入装置の他の例を示す斜視図である。
【図４】本発明による水銀導入装置の他の例を示す斜視図である。
【図５】本発明による水銀導入装置の他の例を示す斜視図である。
【図６】本発明による水銀導入装置の他の例を示す斜視図である。
【図７】本発明による水銀導入装置の他の例を示す斜視図である。
【図８】水銀導入装置の形状による水銀放出効率を比較したグラフである。
【符号の説明】
【００７３】
10  水銀導入装置 
11  ゲッター組成物 
12  金属構造物 
13  金属構造物の端部
13' 金属構造物の端部 
14  溝 
81  球状水銀導入装置 
82  円筒状水銀導入装置 
83  溝が非常に細い棒型水銀導入装置
84  本発明による水銀導入装置 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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