(57)【要約】【課題】欠陥画素の補正が、温度特性の有無にかかわらず、いずれの画素についても正しく行えるようにする。【解決手段】イメージセンサの欠陥画素として、温度によりレベルが変動する温度特性ありの欠陥画素と、温度に依存しない温度特性なしの欠陥画素とを区別して、それぞれの欠陥画素の位置情報をメモリ３０に記憶する。そして、イメージセンサが出力する映像信号が、メモリ３０に記憶された温度特性ありの欠陥画素の信号である場合に、イメージセンサの近傍の温度に対応して設定したゲインの補正信号を映像信号から減算器３２で減算する。また、イメージセンサが出力する映像信号が、メモリ３０に記憶された温度特性なしの欠陥画素の信号である場合に、一定のゲインの補正信号を映像信号から減算器３２で減算する。【選択図】図７
2009105582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサが出力する映像信号に含まれる欠陥画素のノイズを検出して補正を行うノイズ補正回路において、
前記イメージセンサの欠陥画素として、温度によりレベルが変動する温度特性ありの欠陥画素と、温度に依存しない温度特性なしの欠陥画素とを区別して、それぞれの欠陥画素の位置情報を記憶する記憶部と、
前記イメージセンサが出力する映像信号が、前記記憶部に記憶された温度特性ありの欠陥画素の信号である場合に、前記イメージセンサの近傍の温度に対応して設定したゲインの補正信号を前記映像信号から減算し、前記記憶部に記憶された温度特性なしの欠陥画素の信号である場合に、一定のゲインの補正信号を前記映像信号から減算する補正部とを備えることを特徴とする
ノイズ補正回路。
【請求項２】
請求項１記載のノイズ補正回路において、
前記記憶部は、
前記欠陥画素の位置情報とともに、その欠陥画素の欠陥のレベルの情報を記憶し、
前記補正部は、温度特性ありの欠陥画素の場合に、前記記憶部に記憶された欠陥のレベルの信号に、前記イメージセンサの近傍の温度に対応してゲインを設定した補正信号とし、温度特性なしの欠陥画素の場合に、前記記憶部に記憶された欠陥のレベルの信号に、前記一定のゲインを設定した補正信号としたことを特徴とする
ノイズ補正回路。
【請求項３】
請求の範囲第２項記載のノイズ補正回路において、
検出した画素レベルを欠陥のレベルとして判断して、前記記憶部に記憶させることを特徴とする
ノイズ補正回路。
【請求項４】
イメージセンサ部を備えた撮像装置において、
前記イメージセンサの欠陥画素として、温度によりレベルが変動する温度特性ありの欠陥画素と、温度に依存しない温度特性なしの欠陥画素とを区別して、それぞれの欠陥画素の位置情報を記憶する記憶部と、
前記イメージセンサが出力する映像信号が、前記記憶部に記憶された温度特性ありの欠陥画素の信号である場合に、前記イメージセンサの近傍の温度に対応して設定したゲインの補正信号を前記映像信号から減算し、前記記憶部に記憶された温度特性なしの欠陥画素の信号である場合に、一定のゲインの補正信号を前記映像信号から減算する補正部とを備えることを特徴とする
撮像装置。
【請求項５】
請求項４記載の撮像装置において、
前記記憶部は、
前記欠陥画素の位置情報とともに、その欠陥画素の欠陥のレベルの情報を記憶し、
前記補正部は、温度特性ありの欠陥画素の場合に、前記記憶部に記憶された欠陥のレベルの信号に、前記イメージセンサの近傍の温度に対応してゲインを設定した補正信号とし、温度特性なしの欠陥画素の場合に、前記記憶部に記憶された欠陥のレベルの信号に、前記一定のゲインを設定した補正信号としたことを特徴とする
撮像装置。
【請求項６】
請求の範囲第５項記載の撮像装置において、
検出した画素レベルを欠陥のレベルとして判断して、前記記憶部に記憶させることを特徴とする
撮像装置。
【請求項７】
イメージセンサが出力する映像信号に含まれる欠陥画素のノイズを検出して補正を行うノイズ補正方法において、
前記イメージセンサの欠陥画素として、温度によりレベルが変動する温度特性ありの欠陥画素と、温度に依存しない温度特性なしの欠陥画素とを区別して、それぞれの欠陥画素の位置情報を記憶し、
前記イメージセンサが出力する映像信号が、前記記憶された温度特性ありの欠陥画素の信号である場合に、前記イメージセンサの近傍の温度に対応して設定したゲインの補正信号を前記映像信号から減算し、前記記憶された温度特性なしの欠陥画素の信号である場合に、一定のゲインの補正信号を前記映像信号から減算することを特徴とする
ノイズ補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサが出力する映像信号に含まれる欠陥画素によるノイズを除去するノイズ補正回路、及びそのノイズ補正回路を備えた撮像装置、並びに撮像装置に適用されるノイズ補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体撮像装置として、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサやＣＣＤ（charge coupled device）イメージセンサなどのセンサを使用したものが、各種開発され実用化されている。
これらの固体撮像装置の場合には、時間によらず同じ画素位置に存在する固定パターンノイズが存在する。固定パターンノイズの１つとして、イメージセンサ上の画素欠陥よるものがある。
【０００３】
画素欠陥によるノイズは、常時、輝度の高い画素となる欠陥画素によるノイズ（いわゆる白点のノイズ）と、常時、輝度の低い画素となる欠陥画素となるノイズ（いわゆる黒点のノイズ）とがある。
これらの欠陥画素の画素信号には、補正信号を加算して、正しい値の画素信号に補正する処理を行うようにしてある。
特許文献１には、この画素欠陥の補正手法の例の記載がある。
【特許文献１】特開平５−２６８５２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、イメージセンサ上の欠陥画素には、温度による依存性がない欠陥画素（以下温度特性なしの欠陥画素と称する）と、温度による依存性がある欠陥画素の２種類が存在している。なお、以下の説明では、温度による依存性がない欠陥画素を、温度特性なしの欠陥画素と称し、温度による依存性がある欠陥画素を、温度特性ありの欠陥画素と称する。
しかしながら、従来は、基本的には温度による依存性を考慮した補正か、あるいは、温度による依存性を考慮しない補正の、いずれか一方だけを行うようにしてあった。
温度特性なしの欠陥画素と、温度特性ありの欠陥画素とでは、欠陥の位置が異なる。即ち、温度特性なしの欠陥画素の場合には、画素を構成する受光素子そのものの欠陥であり、温度特性ありの欠陥画素の場合には、画素に蓄積した信号を読み出すためのフローティングディフュージョン部（ＦＤ部）の欠陥であることが判明した。
【０００５】
従来の欠陥画素補正では、このような温度特性の有無は考慮せずに、一律の特性で温度特性あり又は温度特性なしとして補正するようにしてある。
従って、例えば、温度特性のない欠陥画素に対して、温度特性ありの欠陥画素に適した補正を行った場合には、誤った補正状態となってしまう可能性がある。同様に、温度特性のある欠陥画素に対して、温度特性なしの欠陥画素に適した補正を行った場合にも、誤った補正状態となってしまう可能性がある。
このように、補正状態が正しくないと、欠陥補正処理により逆に画素レベルが正しくなくなって、画質を劣化させてしまう可能性がある。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、欠陥画素の補正が、いずれの画素についても正しく行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、イメージセンサが出力する映像信号に含まれる欠陥画素によるノイズを検出して補正を行うものである。
その処理としては、イメージセンサの欠陥画素として、温度によりレベルが変動する温度特性ありの欠陥画素と、温度に依存しない温度特性なしの欠陥画素とを区別して、それぞれの欠陥画素の位置情報を記憶する。そして、イメージセンサが出力する映像信号が、記憶された温度特性ありの欠陥画素の信号である場合に、イメージセンサの近傍の温度に対応して設定したゲインの補正信号を映像信号から減算する。また、イメージセンサが出力する映像信号が、記憶された温度特性なしの欠陥画素の信号である場合に、一定のゲインの補正信号を映像信号から減算する。
【０００８】
このようにしたことで、温度特性ありの欠陥画素と、温度特性なしの欠陥画素とが、それぞれの欠陥状態に適した適正な補正信号で補正されるようになる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、温度特性ありの欠陥画素と、温度特性なしの欠陥画素とを区別して記憶して、それぞれの欠陥状態に適した補正が行われるので、温度特性ありの欠陥画素と温度特性なしの欠陥画素が同一イメージセンサ上に混在して存在する場合でも、適正に欠陥補正をした映像信号を出力することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施の形態の例を、図１〜図９を参照して説明する。
図１は、本実施の形態の例が適用される撮像装置１００の全体構成を示した図である。撮像装置１００は、イメージセンサを原色ごとに個別に備えた３板式のカラー撮像装置である。この撮像１００は、イメージセンサ１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂを備える。イメージセンサ１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂは、それぞれ赤、緑、青用の各画像を撮像するイメージセンサである。本実施の形態においては、イメージセンサとして、ＣＭＯＳイメージセンサを使用する。イメージセンサ１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂが配置された箇所の近傍には、温度センサ１９０が配置してあり、イメージセンサ１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂの配置箇所の温度を測定する構成としてある。
各イメージセンサ１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂが撮像して出力する映像信号（撮像信号）は、ビデオアンプ１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂで適正なレベルに増幅した後、アナログ／デジタル変換器１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂで各色のデジタルデータＲ，Ｇ，Ｂに変換する。変換されたデータは、ビデオ処理部１０９で映像信号処理を行う。
【００１１】
ビデオ処理部１０９としては、映像信号の補正を行う補正回路１０４と、ホワイトバランス調整などのゲイン調整を行うゲイン調整回路１０５と、輝度調整を行う輝度調整回路１０６と、ガンマ補正を行うガンマ補正回路１０７と、出力フォーマットの映像信号とする出力信号生成回路１０８とを備える。補正回路１０４での補正処理としては、イメージャの欠陥画素補正処理などがある。補正回路１０４でのイメージャの欠陥画素補正処理については後述する。出力信号生成回路１０８では、例えば輝度データＹと色差データＣｒ，Ｃｂとして出力する。
【００１２】
この撮像装置１００の動作を簡単に説明すると、図示しない光学系により得られる被写体からの像光は、原色ごとにそれぞれ別のイメージセンサ１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂの撮像面に入射され、それぞれの撮像面に赤、緑、青の各原色画像が結像される。その原色画像が、イメージセンサの撮像面にマトリクス状に配置された画素を構成する受光素子で画素信号として読み出され、各センサで得た画素信号を順に読み出すことで、１フレーム単位の映像信号が出力される。
イメージセンサ１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂから出力された映像信号は、アナログ／デジタル変換器１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂでデジタルデータ化された後、ビデオ処理部１０９内の各回路で上述した映像処理が行われる。
【００１３】
次に、図２を参照して、ＣＭＯＳイメージセンサの画素部の回路構成について説明する。図２は、１つの画素部の構成を示したものであり、画素部は、撮像面に配置された受光素子である、フォトダイオード（ＰＤ）１１を備え、フォトダイオード１１の受光量に応じて得た信号（電荷）を、各トランジスタ１２〜１５の制御で読み出す。
フォトダイオード１１で得られた信号は、読み出しトランジスタ１２、増幅トランジスタ１４、行選択トランジスタ１５と順に接続してある。行選択トランジスタ１５は、行選択信号が供給されるラインと、列選択信号が供給されるラインとの交点に配置してある。
さらに、読み出しトランジスタ１２と増幅トランジスタ１４との間には、リセットトランジスタ１３が接続してある。
【００１４】
読み出しトランジスタ１２は、読み出し信号により制御される。リセットトランジスタ１３は、リセット信号により制御される。増幅トランジスタ１４は、電源ＶＤＤの供給で増幅動作を行う。行選択トランジスタ１５は、行選択信号により制御されて、フォトダイオード１１で得られた電荷が、電圧信号として列信号線から読み出される。
フォトダイオード１１での受光により得た電荷は、増幅トランジスタ１４のベース部の近傍に構成されるフローティングディフュージョン部（以下ＦＤ部と称する）に蓄積する。
【００１５】
ここで、図５を参照して、通常の撮像時に各画素から信号を読み出す処理状態について説明する。図５は、１つの画素に蓄積した信号を読み出す処理を示したものであり、図５（ａ）は読み出しトランジスタ１２を制御する読み出し信号を示す。読み出し信号として、ハイレベル“Ｈ”に立ち上がるパルスＰ１，Ｐ２が得られる期間に、フォトダイオード１１で受光してＦＤ部に蓄積した電荷が読み出される。最初のパルスＰ１で読み出される信号が、Ｐ相の信号であり、次のパルスＰ２で読み出される信号が、Ｄ相の信号である。
【００１６】
図５（ｂ）は、行選択信号を示し、この行選択信号がハイレベル“Ｈ”であるとき、該当する行の画素から読み出すことが選択されたことを示す。図５（ｃ）は、リセット信号を示し、受光期間の最初と最後にリセットパルスが立ち上がってリセット処理が行われる。
【００１７】
図５（ｄ）は、ＦＤ部の電位を示したものである。リセット信号の立ち上がりに連動して蓄積期間が開始されると、そのときの受光量に応じた電位の信号Ｖ１１が得られる。図５の例では、撮像装置１００のアイリスを閉じた状態として、イメージセンサを遮光した状態での撮像時の状態を示してある。この遮光時には、各画素のＦＤ部に欠陥がない限りは、信号Ｖ１１の電位が一定で変化しない。これに対して、ＦＤ部に欠陥がある場合の信号Ｖ１２は、遮光された状態でも、リーク電流が生じて、時間の経過と共に出力電位が低下する。
【００１８】
読み出し信号のパルスＰ１が立ち上がった後の期間は、Ｄ相になるが、このＤ相の期間でも、Ｄ部に欠陥がない限りは、信号Ｖ１１の電位が一定で変化しない。これに対して、ＦＤ部に欠陥がある場合の信号Ｖ１２は、遮光された状態でも、リーク電流が生じて、時間の経過と共に出力電位が低下する。
【００１９】
そして、図５（ｅ）に示すように、ＦＤ部の電位に対応した信号が、列信号として読み出されて、その信号がサンプリングされて、出力される。通常の撮像時には、Ｐ相で読み出した信号と、Ｄ相で読み出した信号とを使用して、イメージセンサの出力回路で、イメージセンサ出力用の映像信号（撮像信号）を生成させる。
【００２０】
次に、本例のイメージセンサから読み出した信号に基づいて、イメージセンサ上の画素の欠陥を検出する構成を、図３に示す。この図３に示す構成は、例えば図１に示した撮像装置１００の補正回路１０４及びその周辺回路で構成される。
図３の構成について説明すると、イメージセンサで撮像して得た映像信号が、入力端子２１から入力されて、サンプリング部２２でサンプリングされる。サンプリング部２２については、イメージセンサの出力回路（図示せず）側が備える。サンプリング部２２では、Ｐ相の信号とＤ相の信号とが得られるタイミングでサンプリングされる。
【００２１】
サンプリング部２２でサンプリングされた信号は、直接メモリコントロール部２６に供給されると共に、信号の高域成分を通過させるハイパスフィルタ（ＨＰＦ）２３を介して比較器２４に供給し、閾値入力端子２５に得られる閾値と比較される。その比較の結果がメモリコントロール部２６に供給される。
メモリコントロール部２６は、欠陥画素の検出動作を制御する制御手段として機能し、検出された欠陥画素情報を、メモリ３０に記憶させる。
この場合、メモリコントロール部２６には、同期信号入力端子２７に得られる映像信号の同期信号をアドレスカウンタ２８でカウントしたカウント値が供給される。このカウント値が供給されることで、メモリコントロール部２６では、サンプリング部２２及び比較器２４から供給される信号が、どの画素の信号であるのか判断する。
同期信号入力端子２７に得られる同期信号は、読み出し信号制御部２９にも供給し、図２に示した各画素の読み出し信号を同期信号に同期して生成させる。
なお、図３に示した欠陥検出構成は一例を示したものであり、その他の構成で同様の検出が行えるようにしてよい。例えば、ハイパスフィルタ２３を設けない構成としてもよい。或いは、比較器２４での閾値の比較ではなく、直接信号レベルの判断から欠陥判定を行う構成としてもよい。
【００２２】
図４は、図３に示した検出回路を使用して、欠陥画素を検出する処理例を示したフローチャートである。図４は、温度特性なしの欠陥画素検出処理例である。温度特性なしの欠陥画素検出処理と、温度特性ありの欠陥画素検出処理は、それぞれ個別の処理として行われる。温度特性ありの欠陥画素検出処理については、ここでは説明を省略する。
【００２３】
図４に従って温度特性なしの欠陥画素検出処理例を説明すると、まず、撮像装置１００のアイリスを閉じた状態として、イメージセンサを遮光した状態とする。その上で、Ｐ相でのＰＤ部からの読み出しを停止させる（ステップＳ１１）。このＰ相でのＰＤ部からの読み出し停止は、図５（ａ）に示したパルスＰ１の供給停止で実行される。
このようにして撮像動作を実行させて、Ｐ相でＦＤ部の電位を読み出し、さらに、Ｄ相でＦＤ部の電位を読み出す（ステップＳ１２）。そして、Ｐ相の電位と、Ｄ相の電位を検出し（ステップＳ１３）、両電位の差を閾値と比較して、閾値を越えた値であるか否か、メモリコントロール部２６で判断する（ステップＳ１４）。
【００２４】
ここで、閾値を越えた場合には、該当する画素の信号が、温度特性なしの欠陥画素の信号であると判断する（ステップＳ１５）。この判断に基づいて、メモリ３０に、該当する画素のアドレスと、温度特性なしを示すフラグと、欠陥のレベルの情報とを記憶させる（ステップＳ１６）。欠陥のレベルは、例えば読み出した信号の電位差から判断する。なお、ステップＳ１５で、温度特性なしの欠陥画素と判断するということは、該当する画像のＦＤ部が欠陥であると判断したことに相当する。
【００２５】
そして、欠陥判断をしていない別の画素があるか否か判断し（ステップＳ１７）、全ての画素の判断が終了するまで、ステップＳ１１からの処理を繰り返し、全ての画素の判断が終了すると、欠陥画素判断処理を終了する。
【００２６】
図６は、この図４のフローチャートで説明した温度特性なしの欠陥画素検出時の、画素駆動例を示したものである。
図６（ａ）〜（ｅ）に示した各信号は、図５（ａ）〜（ｅ）に示した信号に対応する。図６（ａ）に示すように、温度特性のない欠陥判断時には、図５（ａ）で示したパルスＰ１の供給を停止して、Ｐ相での処理を行わず、Ｄ相の期間になっても、そのままＦＤ部に電荷を蓄積させる。このように蓄積させることで、ＦＤ部に欠陥がない場合には、遮光処理がしてあるため、図６（ｄ）に示すように、ＦＤ部の電位Ｖ３１は、黒レベルに相当する一定電位から変化しない。これに対して、ＦＤ部に欠陥がある場合には、リーク電流の影響で、電位が時間の経過とともに徐々に低下した電位Ｖ３２となる。
そして、図６（ｅ）に示すように、列信号として読み出されたＦＤ部の電位についても、欠陥がない場合の電位Ｖ４１は黒レベルに相当する一定電位のままであり、ＦＤ部に欠陥がある場合の電位Ｖ４２については、電位が時間の経過とともに徐々に低下した電位となる。なお、図６では示していないが、フォトダイオード１１に欠陥がある場合には、その欠陥状態に応じて、読み出し期間の全てで、異常な一定レベルの信号が検出される。
【００２７】
このようにして、欠陥画素の情報が、温度特性ありの画素の情報と、温度特性なしの画素の情報とに区別されて、メモリ３０に記憶される。記憶された情報は、更新処理が行われるまで、メモリ３０に保持される。
【００２８】
ここで、本例の欠陥画素の検出処理状態を、式を用いて説明する。
まず、各条件について説明すると、
リセット時からＰ相までの蓄積時間をｔp、
Ｐ相読み出し時からＤ相までの蓄積時間をｔd、
Ｐ相での列信号出力の電圧をＶp、
Ｄ相での列信号出力の電圧をＶc、
ＦＤ部の欠陥により単位時間当たりに増加する電圧をＶfd
とする。
【００２９】
そして、通常使用時、通常の欠陥検出時（即ち温度特性ありの欠陥検出時）の条件は、次式で示される。
Ｐ相出力電圧Ｖp＝リセット電圧＋（Ｖｆｄ×ｔp）
Ｄ相出力電圧Ｖd＝リセット電圧＋（Ｖｆｄ×ｔｐ）＋ＰＤ部の電圧＋（Ｖfd×ｔd）
両相の出力電圧差Ｖd−Ｖp＝Δ１＝ＰＤ部の電圧＋（Ｖfd×ｔd）
【００３０】
これに対して、温度特性なしの欠陥検出時の条件は、次式で示される。
Ｐ相出力電圧Ｖp＝リセット電圧＋（Ｖfd×ｔp）
Ｄ相出力電圧Ｖp＝リセット電圧＋（Ｖfd×ｔp）＋（Ｖfd×ｔd）
両相の出力電圧差Ｖd−Ｖp＝Δ２＝Ｖfd×ｔd
【００３１】
このΔ２を温特無し欠陥の欠陥レベルとして、今回の欠陥検出処理によって検出し、補正時はこれを映像信号Δ１より、減算します。これにより真の映像信号である「ＰＤ部の電圧」だけが求まります。
このように検出することで、温度特性がある「ＰＤ部の電圧（ＰＤ部の欠陥レベル）」と、温度特性がない「Ｖfd×ｔp」のレベルとが求まり、温度特性ありの欠陥と、温度特性なしの欠陥との分離が可能になり、補正精度が向上する。
【００３２】
次に、このようにしてメモリ３０に記憶された欠陥画素の情報に基づいて、撮像時に撮像して得た映像信号を補正する処理について説明する。
図７は、本実施の形態による欠陥画素の信号の補正部の構成例を示したものである。この補正部は、例えば図１に示した補正回路１０４内に構成される。
メモリコントロール部２６には、端子２７に得られる同期信号をアドレスカウンタ２８でカウントしたカウント値が供給されて、どの画素から読み出した映像信号が、供給されるのかが判断される。
【００３３】
この判断で、メモリ３０に欠陥画素として記憶された画素であると判断した場合に、その画素についての記憶情報を読み出し、温度特性の有無や欠陥レベルなどを判断する。そして、欠陥画素であると判断した場合に、メモリコントロール部２６から乗算器３４に、欠陥レベルに対応した信号を供給し、乗算器３４で端子３５に得られるマスタゲインと乗算する。
乗算器３４で乗算された信号は、セレクタ３６の一方の入力端に供給すると共に、乗算器３７を介してセレクタ３６の他方の入力端に供給する。乗算器３７は、端子３８に得られる温度に応じて変化するゲイン信号を乗算する乗算器である。端子３８に得られる温度に応じて変化するゲイン信号は、例えば図１に示した温度センサ１９０が検出した温度に応じて変化する信号である。
【００３４】
セレクタ３６での選択は、メモリコントロール部２６により制御される。即ち、現在の画素信号が、温度特性のない欠陥画素であると判断した場合には、一方の入力端を選択して、乗算器３４の出力を直接選択する。また、現在の画素信号が、温度特性のある欠陥画素であると判断した場合には、他方の入力端を選択して、乗算器３７の出力を直接選択する。
このようにしてセレクタ３６で選択された信号は、減算器３２に供給して、入力端子３１に得られる映像信号から減算して、該当する画素の区間の信号の補正を行い、補正された映像信号を、出力端子３３から後段の回路に供給する。
【００３５】
図８のフローチャートは、メモリコントロール部２６での制御に基づいて、図７の回路で実行される補正処理例を示したものである。
以下、図８のフローチャートに従って説明すると、アドレスカウンタ２７でのカウント値をメモリコントロール部２６で判断して（ステップＳ２１）、アドレス位置が欠陥画素か否か判断する（ステップＳ２２）。この判断で欠陥画素でない場合には、ステップＳ２１に戻って、次のアドレスの判断を行う。
ステップＳ２２で、欠陥画素と判断した場合には、メモリ３０に記憶されたフラグから、その欠陥画素が温度特性のある欠陥か、温度特性のない欠陥か判断する（ステップＳ２３）。この判断で、温度特性のある欠陥であると判断した場合には、現在の温度に応じたゲインを乗算器３７での乗算で設定した補正信号を、セレクタ３６で選択する（ステップＳ２４）。また、温度特性のない欠陥であると判断した場合には、一定のゲインを乗算器３４での乗算で設定した補正信号を、セレクタ３６で選択する（ステップＳ２５）。そして、選択された信号を、減算器３２に供給して補正させ（ステップＳ２６）、ステップＳ２１に戻る。
【００３６】
このようにして補正処理を行うことで、温度特性のある欠陥画素については、温度特性がある補正信号で正しく補正処理が行われ、温度特性がない欠陥画素については、温度で変化しない補正信号で正しく補正処理が行われ、いずれの欠陥画素についても正しく補正処理が行われる。従って、欠陥画素補正された映像信号に、補正よる画質の劣化がなく、良好な撮像が行える。
【００３７】
なお、図７に示した補正処理構成では、セレクタ３６では、温度特性のある補正信号と、温度特性のない補正信号との２種類を選択して、そのいずれかの信号で補正する構成としたが、温度特性のある画素を補正する際に、温度特性のある補正信号と温度特性のない補正信号とを混合した補正信号で補正するようにしてもよい。
即ち、例えば図９に示すように、乗算器３７で温度に応じたゲインの値を乗算した補正信号を、さらに加算器３９に供給して、乗算器３４が出力した補正信号と加算する。この加算器３９での加算時には、両信号の加算比率を予め設定した割合とする。そして、加算器３９で加算された補正信号を、セレクタ３６の他方の入力端に供給する。
図９において、その他の部分は、図７の構成と同様に構成する。
【００３８】
この図９に示すように構成した場合にも、温度特性の有無に応じて、補正信号の特性を変化させることができ、それぞれの欠陥状態に応じた適正な補正が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施の形態の例による撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施の形態の例による画素部の回路構成例を示す回路図である。
【図３】本発明の一実施の形態の例による欠陥画素検出構成例を示すブロック図である。
【図４】本発明の一実施の形態による欠陥画素検出処理例を示すフローチャートである。
【図５】本発明の一実施の形態による撮像時の処理例を示すタイミングチャートである。
【図６】本発明の一実施の形態による欠陥検出時の処理例を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明の一実施の形態による補正部の例を示すブロック図である。
【図８】本発明の一実施の形態による補正処理例を示すフローチャートである。
【図９】本発明の他の実施の形態による補正処理例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４０】
１１…フォトダイオード（ＰＤ）、１２…読み出しトランジスタ、１３…リセットトランジスタ、１４…増幅トランジスタ、１５…行選択トランジスタ、２１…入力端子、２２…サンプリング部、２３…ハイパスフィルタ、２４…比較器、２５…閾値入力端子、２６…メモリコントロール部、２７…同期信号入力端子、２８…アドレスカウンタ、２９…読み出し信号制御部、３０…メモリ、３１…映像信号入力端子、３２…減算器、３３…補正済信号出力端子、３４…乗算器、３５…マスタゲイン入力端子、３６…セレクタ、３７…乗算器、３８…温度特性ゲイン入力端子、３９…加算器
【図１】
2009105582.tif 000003
【図２】
2009105582.tif 000004
【図３】
2009105582.tif 000005
【図４】
2009105582.tif 000006
【図５】
2009105582.tif 000007
【図６】
2009105582.tif 000008
【図７】
2009105582.tif 000009
【図８】
2009105582.tif 000010
【図９】
2009105582.tif 000011