(57)【要約】【課題】成膜速度の調整を、容易・確実・安価に行うことの可能な成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置１は、基板を設置する基板設置テーブルと、基板に蒸着するための物質を収納可能な空間をもつ蒸着源２と、前記物質を溶融・蒸発させるための熱を与える加熱手段と、前記空間を覆うように配置され、互いに異なる開口面積をもつ複数の第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２をもつ蓋２Ｆと、これら第１及び第２領域（Ｒ１，Ｒ２）のうち、一方の領域を前記基板に対して開くとき、他方の領域を閉じるシャッタ３と、を備える。【選択図】図４
2009280851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を設置する基板設置台と、
前記基板に蒸着するための物質を収納可能な空間をもつ収納体と、
前記物質を溶融・蒸発させるための熱を与える加熱手段と、
前記空間を覆うように配置され、互いに異なる開口面積をもつ複数の開口領域をもつ覆蓋と、
前記複数の開口領域のうち、一の開口領域を前記基板に対して開くとき、他の開口領域を閉じるシャッタと、
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記収納体は複数存在し、かつ、
これら複数の収納体の各々は、前記物質として互いに異なる物質を前記空間に収納し、
前記覆蓋及び前記シャッタは、
前記複数の収納体の少なくとも一つに対応して備えられている、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記複数の開口領域の各々は、一又は二以上の孔を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記孔はすべて同じ面積をもち、
前記複数の開口領域の各々に対応する前記開口面積は、
前記孔の数の相違に応じて、互いに異なっている、
ことを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記複数の開口領域の各々に対応する前記開口面積の各々は、
前記基板に形成されるべき前記物質による薄膜の組成比に応じて、定められている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記シャッタとは別に、
前記複数の開口領域の全部を前記基板に対して閉じる全領域閉鎖用シャッタを更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
基板に蒸着するための物質を収納可能な空間をもつ収納体、及び、前記空間を覆うように配置され、互いに異なる開口面積をもつＮ個の開口領域（Ｎは正の整数）をもつ覆蓋、を利用した成膜方法であって、
シャッタが、前記Ｎ個の開口領域のうち、第ｐ番目の開口領域（ｐはＮ以下の正の整数）を前記基板に対して開き、他の開口領域を閉じる第１シャッタ動作工程と、
前記物質を溶融・蒸発させるために当該物質に熱を与える第１成膜工程と、
前記シャッタが、前記Ｎ個の開口領域のうち、第ｑ番目の開口領域（ｐはＮ以下の正の整数であって、ｑ≠ｐ）に対して開き、他の開口領域を閉じる第２シャッタ動作工程と、
前記物質を溶融・蒸発させるために当該物質に熱を与える第２成膜工程と、
を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
前記第１及び第２成膜工程の少なくとも一方とともに、
前記収納体とは別の収納体に収納された物質を溶融・蒸発させるために当該物質に熱を与える並行的成膜工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記シャッタとは別の全領域閉鎖用シャッタが、前記Ｎ個の開口領域の全部を前記基板に対して閉じる工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の成膜方法。
【請求項１０】
基板上に構築される第１及び第２電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含む発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
前記第１及び第２電極層の少なくとも一方は、
請求項７乃至９のいずれか一項に記載の成膜方法によって製造される、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び成膜方法、並びに、有機ＥＬ（Electro Luminescent）装置等の発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加熱により溶融・蒸発させた物質を基板上に堆積させて薄膜を形成する技術が広く行われている。物質は、真空雰囲気内を飛散ないし飛行することによって、基板上に効率的に到達する。
このような蒸着技術は、各種の電子機器、あるいはこれを構成する各種の回路素子基板等を製造するために殆ど必要不可欠の技術となっている。より具体的には例えば、液晶表示装置、あるいは有機ＥＬ装置等を構成する各種の基板、更に具体的には、当該基板上に形成されるＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の各種の回路素子、あるいは各種の電極（陽極や陰極）、配線、等々は、この蒸着技術を適宜利用しながら製造される。
【０００３】
かかる蒸着技術では、各種のパラメータがその成膜プロセスの適否に関与する。例えば、前記物質として何を使うか（即ち、どのような材料を使ってどのような薄膜を製造するか）に始まり、当該物質を収納するハースライナーないし坩堝等の蒸発源の材料、当該物質の加熱温度、真空度、蒸発源と基板との間の距離、基板の予熱温度、蒸着時間、等々である。また、これら基礎的条件に従って、成膜速度、薄膜の厚さ（膜厚）、薄膜の組成や結晶構造等の構造、等々が規定され、最終的には、当該薄膜の性能等を左右する。
【０００４】
このような蒸着技術を利用するための成膜装置としては、例えば以下の特許文献１及び２に開示されているようなものが知られている。
【特許文献１】特開２０００−２９７３６０
【特許文献２】特開２００４−４３８４０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したように、前記蒸着技術では、様々なパラメータが成膜プロセスの適否に関与することになるが、中でも、成膜速度の影響は特に無視し得ない。成膜速度の大きさの如何は、成膜プロセスの時間の長短を直接的に決定するため、薄膜の生産性に大きく影響するからである。とはいえ、成膜速度に係る問題は、それが大きければ大きいほどよい、といった単純な問題ではない。成膜速度の如何は、薄膜の電気抵抗値や平坦性等にも影響を及ぼすからである。
このように成膜速度の設定には、一般に複雑な配慮が必要である。より一般的な観点から言えば、適切な成膜速度の設定こそが必要だといえるが、もう少し具体的に言えば、各種の状況に、あるいは時宜に応じた、成膜速度の適切な変更あるいは調整が必要となる場合も考えられるのである。このようなことが特に必要となるのは、成膜すべき薄膜が、複数の物質を用いた、合金あるいは化合物からなる薄膜であるような場合、等々が考えられる。
【０００６】
前記の特許文献１及び２は、いま述べたような成膜速度に関わる技術を開示する。すなわち、特許文献１は、基板上に島状に成膜されたゲート電極間の間隙にコーン形状のエミッタを形成するにあたって、従来は、蒸着材料を斜め方向から入射させていたが、それでは成膜速度が落ち、生産時間が長くなるという問題意識を持っている（特許文献１の〔０００４〕や〔００１１〕等参照）。また、特許文献２は、「蒸着材料の量により、成膜速度が変動し、成膜速度が一定になり難い」（特許文献２の〔０００４〕）という問題意識を持つ。
【０００７】
しかしながら、これらの文献においては、片や、成膜速度の“向上”を至上の目的とし（特許文献１）、片や、成膜速度の“一定”を至上の目的とする（特許文献２）。つまり、これらの文献においては、上述したような成膜速度の“調整”という観点は全く見られない。
【０００８】
また、特許文献１は、２個の「成膜源」を基板からの距離が異なるように配置しながら、そのうちの一方の成膜源を発した蒸着材料が基板に斜めに入射するようにするため「揺動可能に構成された基板ホルダー」（特許文献１の〔請求項１〕）を設ける、という比較的複雑な構成を採用する。特許文献２もまた、「蒸着材料を加熱する成膜用蒸発源加熱機構」、残材料を消費するための「蒸発源強制加熱機構」、更には「隔離室」、「局所排気機構」（特許文献２の〔請求項１〕〔請求項２〕）等々の設置を要求しており、結果的に比較的複雑な構成となってしまっている（特許文献２の〔図３〕〔図４〕等参照）。
このように、これらの文献が開示する技術は、各自の目的を首尾よく成就するにしても、比較的複雑な装置構成を結果として擁するものとなってしまっている結果、成膜装置自体の、したがってまた、最終的に製造される薄膜自体のコストを上昇させてしまうという問題もある。
【０００９】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な成膜装置及び成膜方法、並びに、発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の成膜装置、成膜方法、あるいは発光装置の製造方法において生起する課題を解決可能な成膜装置及び成膜方法を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る成膜装置は、上述した課題を解決するため、基板を設置する基板設置台と、前記基板に蒸着するための物質を収納可能な空間をもつ収納体と、前記物質を溶融・蒸発させるための熱を与える加熱手段と、前記空間を覆うように配置され、互いに異なる開口面積をもつ複数の開口領域をもつ覆蓋と、前記複数の開口領域のうち、一の開口領域を前記基板に対して開くとき、他の開口領域を閉じるシャッタと、を備える。
【００１１】
本発明によれば、成膜速度の調整が容易・確実・安価に行われる。
より具体的には例えば、本発明において、覆蓋が２個の開口領域を持つとすると、それら２個の開口領域の開口面積は相互に異なるので、第１の成膜工程では、そのうちの一方の開口領域を開いて成膜工程を実施し、第２の成膜工程では、他方の開口領域を開いて成膜工程を実施するようにすれば、両工程における成膜速度は異なることになる。より開口面積の大きい方が成膜速度は大きく、より開口面積の小さい方が成膜速度は小さくなるからである。そして、この切り替えは、「シャッタ」の動作のみに係っている。このようなことから、本発明によれば、成膜速度の調整が容易・確実・安価に行われるのである。
【００１２】
この発明の成膜装置では、前記収納体は複数存在し、かつ、これら複数の収納体の各々は、前記物質として互いに異なる物質を前記空間に収納し、前記覆蓋及び前記シャッタは、前記複数の収納体の少なくとも一つに対応して備えられている、ように構成してもよい。
この態様によれば、複数の物質が所定の組成比で混合した薄膜を好適に形成することができる。例えば以下のようである。
すなわち、仮に、収納体が２つ存在する（この段落番号及び次の段落番号では特に、「Ａ収納体」及び「Ｂ収納体」と名付ける。）とした場合、そのうちの一方であるＡ収納体は特に変哲なき開口部及びシャッタ等を備え、他方であるＢ収納体は、上で既に例示したような覆蓋（即ち、２つの開口領域をもつ覆蓋）及びシャッタ等を備えるということになり得る。この場合、第１段の工程では、Ａ収納体及びＢ収納体の第１の開口領域を利用して成膜工程を行い、第２段の工程では、Ｂ収納体のみ、かつ、その第２の開口領域を利用して成膜工程を行う、などといったことが可能になる。これによれば、前記第１段の工程によって、Ａ収納体由来の物質とＢ収納体由来の物質とが所定の組成比で混合した合金あるいは化合物からなる層が成膜され、第２段の工程によって、Ｂ収納体由来の物質のみからなる層が成膜されることになる。
【００１３】
なお、このような場合、第２段の工程で利用される第２の開口領域の開口面積が、第１段の工程で利用されるそれよりも大きいことが好ましい。これは以下の事情による。
すなわち、仮に、本発明にいう「複数の開口領域」が存在しない場合を想定すると、前記Ｂ収納体は単一の開口領域しか持たないということになる。しかし、この場合の開口領域の開口面積は、前記の合金等からなる層の組成比をどのようにしなければならないか等に大きく制約を受ける。つまり、当該開口面積は、一定の必然性をもってその上限値が定められてしまうのである。その結果、かかる状態で、前述の第２段の工程は実行するとなると非効率となる。
しかるに、上述した条件が満たされるなら、このような不具合はこうむらない。なぜなら、上に述べた意味におけるような、開口面積の制約を受けるのは、第１の開口領域についてのみであって、第２の開口領域の開口面積は、基本的に自由に定められ得るからである。
以上のことから、かかる態様では、第１層として、所定の組成比をもつ合金等の薄膜を好適に製造しながら、第２層として、単物質からなる薄膜を速やかに製造することができる、などといった利点が得られるのである。
このようなところにも、本発明にいう「複数の開口領域」の意義が見出される。
【００１４】
また、本発明の成膜装置では、前記複数の開口領域の各々は、一又は二以上の孔を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、１個１個の開口領域が、１つ又は２つ以上の孔を含んでいる。例えば、前述した２つの開口領域の例を使えば、第１の開口領域は２個の孔をもち、第２の開口領域は１０個の孔をもつというようである。あるいは例えば、第１及び第２の開口領域のいずれも５個の孔をもつが、前者の孔の１つ１つの面積は、後者のそれよりも大きい、などという場合も、本態様に含まれる。
いずれにせよ、このような本態様によれば、「互いに異なる開口面積」をもつ開口領域を、より容易に、あるいは好適に構成することが可能になる。
なお、一般に、Ｋｎｕｄｓｅｎ型蒸発源において、前記空間内の物質に係る蒸発面の面積に比べて、本態様で言うような「孔」の面積が十分に小さければ、当該孔から噴出してくる単位時間当たりの当該物質の蒸発分子数は、その孔の面積に比例する（以下、「面積比例法則」ということがある。）、ことが知られている。
【００１５】
この態様では、前記孔はすべて同じ面積をもち、前記複数の開口領域の各々に対応する前記開口面積は、前記孔の数の相違に応じて、互いに異なっている、ように構成してもよい。
この態様によれば、ある開口領域の開口面積は、当該の開口領域に含まれる（孔の数）×（１個の孔の面積）として求められることになるが、ここでいう（１個の孔の面積）は本態様において全孔について一定であるから、結局、当該開口面積は孔の数に比例し、したがって、前記の面積比例法則を援用すれば、単位時間当たりの蒸発分子数もまた孔の数に比例するということになる。
これによると、成膜速度の調整は、孔の数にさえ留意しておけばよいことになり、当該の調整は極めて容易になる。また、これにより当然、前述した組成比の調整等もまた、極めて容易になる。
【００１６】
また、本発明の成膜装置では、前記複数の開口領域の各々に対応する前記開口面積の各々は、前記基板に形成されるべき前記物質による薄膜の組成比に応じて、定められている、ように構成してもよい。
この態様によれば、既に述べたところ（前述の「Ａ収納体」及び「Ｂ収納体」という用語を利用した説明、参照）からも明らかなように、所定の組成比をもつ合金、あるいは化合物からなる層を好適に形成することができる。
【００１７】
また、本発明の成膜装置では、前記シャッタとは別に、前記複数の開口領域の全部を前記基板に対して閉じる全領域閉鎖用シャッタを更に備える、ように構成してもよい。
この態様によれば、例えば、前述までの「シャッタ」を、複数の開口領域間についての開閉専用に利用することが可能となり、本態様にいう「全領域閉作用シャッタ」を、これら複数の開口領域の全部についての開閉専用に利用することができる。これにより、「シャッタ」についても、「全領域閉作用シャッタ」についても、そのとりうる姿勢の数を減らすことができる。このことは、例えば、前記「シャッタ」が、複数の開口領域の全部を閉じるためにも利用されなければならない態様を想定すればわかりやすい。
そして、一般に、成膜装置におけるシャッタの動作は真空中で行われること等もあって、その動作は単純であればある程好ましいことを考慮するなら、本態様は、そのような意味で好適な構成を提供するものといえる。すなわち、本態様によれば、当該成膜装置の動作の信頼性はより高まるし、また、シャッタ動作に関し高度の制御等が必要とならないので、当該成膜装置のコスト低廉化を達成することもできる。
【００１８】
一方、本発明に係る成膜方法は、上記課題を解決するため、基板に蒸着するための物質を収納可能な空間をもつ収納体、及び、前記空間を覆うように配置され、互いに異なる開口面積をもつＮ個の開口領域（Ｎは正の整数）をもつ覆蓋、を利用した成膜方法であって、シャッタが、前記Ｎ個の開口領域のうち、第ｐ番目の開口領域（ｐはＮ以下の正の整数）を前記基板に対して開き、他の開口領域を閉じる第１シャッタ動作工程と、前記物質を溶融・蒸発させるために当該物質に熱を与える第１成膜工程と、前記シャッタが、前記Ｎ個の開口領域のうち、第ｑ番目の開口領域（ｐはＮ以下の正の整数であって、ｑ≠ｐ）に対して開き、他の開口領域を閉じる第２シャッタ動作工程と、前記物質を溶融・蒸発させるために当該物質に熱を与える第２成膜工程と、を含む。
【００１９】
本発明によれば、成膜速度の調整が容易・確実・安価に行われる。このことは、前述の本発明に係る成膜装置についての説明から明らかである。
なお、本発明においては、開口領域の数はＮ個であるので、場合によっては、第３以降のシャッタ動作工程や成膜工程があってもよい。同様のことは、「複数の開口領域」をその要素とする、前述の本発明に係る「成膜装置」についても当然いえる。
【００２０】
この発明の成膜方法では、前記第１及び第２成膜工程の少なくとも一方とともに、前記収納体とは別の収納体に収納された物質を溶融・蒸発させるために当該物質に熱を与える並行的成膜工程を更に含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、複数の物質が所定の組成比で混合した薄膜を好適に形成することができる。このことも、前述の本発明に係る成膜装置についての説明（前述の「Ａ収納体」及び「Ｂ収納体」という用語を利用した説明、参照）から明らかである。
なお、本発明にいう「別の収納体」は、前述した「覆蓋」を持っていてもよいし、持っていなくてもよい。同様のことは、「複数の収納体」をその要素とする、前述の本発明の一態様に係る「成膜装置」についても当然いえる。
【００２１】
また、本発明の成膜方法では、前記シャッタとは別の全領域閉鎖用シャッタが、前記Ｎ個の開口領域の全部を前記基板に対して閉じる工程を更に含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述までの「シャッタ」及び本態様にいう「全領域閉鎖用シャッタ」の動作を単純化することが可能となるので、本発明に係る方法の信頼性はより高まるし、また、シャッタ動作に関し高度の制御等が必要とならないので、コスト低廉化を達成することもできる。
【００２２】
さらに、本発明の発光装置の製造方法は、上述した課題を解決するため、基板上に構築される第１及び第２電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含む発光素子を備える発光装置の製造方法であって、前記第１及び第２電極層の少なくとも一方は、上述した各種の成膜方法のいずれか１つによって製造される。
【００２３】
本発明によれば、上述した各種の成膜方法を利用しながら、有機ＥＬ素子等の発光素子を構成する少なくとも一方の電極が製造されるので、各種の利点が得られる。この点についての、より具体的な例に基づく説明は、後述する実施形態の説明（特に、図９及び図１０を参照しながら行われる説明）を参照されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図６を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１乃至図６に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。
【００２５】
本実施形態に係る成膜装置１は、図１に示すように、蒸着ボート２、シャッタ３、基板設置テーブル４、及び真空チャンバ９等を備える。
このうち真空チャンバ９は、図示するように、実際の成膜に関わる蒸着ボート２、基板設置テーブル４等の要素を、その内部に収める。真空チャンバ９は排気口９１をもち、この排気口９１は図示しない真空ポンプに接続されている。真空チャンバ９内の空気は、この真空ポンプによってその外部へと排出される。これにより、真空チャンバ９は、その内部をもって、基板ＳＫ上の成膜にとって適切な真空雰囲気を提供する。
【００２６】
基板設置テーブル４は、その面上（図では“下”）に基板ＳＫを設置可能である。基板ＳＫとしては、例えばガラス、単結晶シリコン等々が該当する。図１の基板設置テーブル４は、その中心が回転軸４１に接続されており、当該中心を軸として回転可能である（図中矢印参照）。基板設置テーブル４は、このような回転動作に代えて又は加えて、所定の方向に沿って並進動作することが可能であるように構成されていてもよい。
【００２７】
蒸着ボート（収納体）２は、図１に示すように、基板設置テーブル４、あるいはそれに設置された基板ＳＫに対向するように配置される。図１では、蒸着ボート２として、第１蒸着ボート２１及び第２蒸着ボート２２が備えられている（本明細書では、符号“２”は、これら第１及び第２蒸着ボート２１及び２２を代表する符号として使用する。）。
【００２８】
より詳細に、この蒸着ボート２は、図２及び図３に示すように、収納部２Ｐ及び蓋２Ｆからなる。
収納部２Ｐは、図３に示すように、略直方体形状をもち、その内部の空間に所定の物質を収納可能である。ここで所定の物質とは、蒸発させられる物質、あるいは、基板ＳＫ上に形成される薄膜の原材料たる物質であって、もう少し具体的に言えば、種々の金属ないし合金材料、セラミックス材料、等々が含まれる。以下では、このような「物質」を、「蒸着材料」と呼ぶことにする。
なお、本実施形態では、前述のように、蒸着ボート２として、第１蒸着ボート２１及び第２蒸着ボート２２が備えられているので、それぞれ異なる蒸着材料がこれらの蒸着ボート（２１，２２）に収納可能であり、成膜に利用され得る。
【００２９】
収納部２Ｐの外周面には、図１に示すように、電熱線５が巻きつけられている。この電熱線５は、真空チャンバ９の内部で加熱装置８１に接続されている。電熱線５は、加熱装置８１から供給を受けた電流の大きさに応じて発熱する。これにより、収納部２Ｐ内の前記蒸着材料には熱が与えられ、溶融・蒸発する。
【００３０】
蓋２Ｆは、図２及び図３に示すように、平面視して略長方形状をもつ。この蓋２Ｆは、その中央部分が前記収納部２Ｐの空間を覆うように、また、その両端部のそれぞれが平面視した場合の前記収納部２Ｐの両端部のそれぞれからはみ出すように、配置される。この蓋２Ｆの両端部は、例えば、前記電熱線５に電流を供給するための電極（不図示）等を設置するために利用可能である。
【００３１】
他方、蓋２Ｆの前記中央部分には、図２及び図３に示すように、複数の孔２Ｈが形成される。本実施形態においては特に、この孔２Ｈの形成態様ないし配列態様につき以下のような特徴がある。
すなわち、まず、前記中央部分が、図２に示すように、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２（いずれも、本発明にいう「開口領域」の一具体例に該当する。）という２つの領域に区分けされる。これら第１及び第２領域Ｒ１及びＲ２の全体の広さは、前記収納部２Ｐを平面視した場合の面積にほぼ対応している。また、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２間の境界線は、その収納部２Ｐに係る当該面積を凡そ２分するように定められている。したがって、第１領域Ｒ１自体の面積と、第２領域Ｒ２自体の面積（後述する「開口面積」とは異なるので注意されたい。）とはほぼ等しい。
そして、前述の孔２Ｈは、前記第１領域Ｒ１については１個、前記第２領域Ｒ２については１０個、それぞれ形成されている。これらの孔２Ｈ自体の面積は全部同じである。したがって、孔２Ｈの面積をＳｈで表すとすれば、第１領域Ｒ１に関する“開口面積”はＳｈ、第２領域Ｒ２に関する“開口面積”は１０・Ｓｈということになる。なお、第２領域Ｒ２の孔２Ｈは、図２に示すように、一直線に並ぶ４個の孔２Ｈの列を中心にして、その両側から、それぞれ一直線に並ぶ３個の孔２Ｈの列が挟み込むような態様で並べられている。
このようにして、本実施形態に係る蓋２Ｆは、互いに異なる開口面積をもつ２つの領域（Ｒ１及びＲ２）をもつのである。
【００３２】
なお、本実施形態において、いま述べたような、第１及び第２領域Ｒ１及びＲ２の区分けに応じた、異なる数の孔２Ｈをもつ蓋２Ｆを備えるのは、図１に示す第２蒸着ボート“２２”についてのみである。もう一方の第１蒸着ボート２１については、例えば、図２でいうと、第２領域Ｒ２に含まれる１０個の孔２Ｈだけが、その中央部分の真ん中の領域に形成された蓋をもつ。すなわち、第１蒸着ボート２１は、図６に示すように、１つの領域ＲＳに１０個の孔２Ｈが形成された蓋２Ｆをもつのである。
【００３３】
以上の蒸着ボート２（その中でも、とりわけ、蒸着材料を収納する収納部２Ｐ）は、例えばタングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属等で作られて好適である。
【００３４】
シャッタ３は、図１に示すように、蒸着ボート２に対応して配置される。図１では、シャッタ３として、第１シャッタ３１及び第２シャッタ３２が備えられている（本明細書では、符号“３”は、これら第１及び第２シャッタ３１及び３２を代表する符号として使用する。）。第１シャッタ３１は、第１蒸着ボート２１に対応し、第２シャッタ３２は第２蒸着ボート２２に対応している。
【００３５】
より詳細に、このシャッタ３は、図１、図４、あるいは図５に示すように、シャッタ本体３Ｓ及び回転軸３Ａからなる。
シャッタ本体３Ｓは、図４、あるいは図５に示すように、平面視して略半円形状をもつ板状の部材である。回転軸３Ａは、シャッタ本体３Ｓの面を貫くように、かつ、その径の部分の中心に接続されている。回転軸３Ａは、シャッタ回転装置８２に接続されている（図１参照）。
シャッタ本体３Ｓは、回転軸３Ａの軸中心周りの回転動作とともに回転可能である。回転軸３Ａは、シャッタ回転装置８２の指令に基づいて回転する。
【００３６】
このシャッタ３の回転動作と、前述の第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２との間には、本実施形態においては特に次のような関係がある。
まず、本実施形態に係るシャッタ３は、図４に示すように、図中右半面を前記基板ＳＫに対して遮蔽する状態と、図５に示すように、図中左半面を前記基板ＳＫに対して遮蔽する状態との、２つの状態ないしは姿勢をとる。シャッタ３が前者の姿勢をとるとき、図４に示すように、第２領域Ｒ２が基板ＳＫに対して閉じられ、第１領域Ｒ１が開かれる。他方、後者の姿勢をとるときは、この逆である。すなわち、図５に示すように、第２領域Ｒ２が基板ＳＫに対して開かれ、第１領域Ｒ１が閉じられる。
そして、これらの場合、前述した、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２それぞれに含まれる前記孔２Ｈの形成態様から当然、前者の場合は、１個の孔２Ｈのみが基板ＳＫと対向し、後者の場合は、１０個の孔２Ｈが基板ＳＫと対向する、という状況が作り出されることになる。
他方、図示されないが、シャッタ３は、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の全領域を基板ＳＫに対して遮蔽する状態ないし姿勢をもとる（例えば、電熱線５による加熱温度が十分でない成膜準備段階等に対応するため、かかる姿勢をとることの必要性が生じる。）。
結局、本実施形態に係るシャッタ３は、図４、図５、及び全領域閉鎖の３つの状態ないしは姿勢をとることになる。
【００３７】
なお、本実施形態において、先に述べたような、第１及び第２領域Ｒ１及びＲ２の区分けに応じた、シャッタ動作が行われるのは、図１に示す第２蒸着ボート“２２”についてのみである。もう一方の第１蒸着ボート２１については、前述のように、“１つの領域ＲＳに１０個の孔２Ｈが形成された蓋２Ｆ”をもつのみであるので、シャッタ３１は、これを基板ＳＫに対して開くか閉じるかの２つの状態ないし姿勢をとるための動作を行う（図６参照。この図において、シャッタ本外３Ｓは、領域ＲＳないし１０個の孔２Ｈを開いた状態にある。）。
【００３８】
以上の構成に加え、本実施形態に係る成膜装置１は、図１に示すように、膜厚モニタ７を備える。膜厚モニタ７は、光学式、水晶振動子を利用する方式等々、どのような原理に基づいて動作するものであってもよい。膜厚モニタ７は膜厚測定装置８３に接続されており、膜厚測定装置８３は、膜厚モニタ７によって測定された膜厚値を計測する。
【００３９】
以下では、上に述べた本実施形態に係る成膜装置１の作用、即ち薄膜形成作業のより実際的な形態の一例について、既に参照した図１乃至図６に加えて、図７及び図８を参照しながら説明する。
なお、ここで述べる例では、基板ＳＫ上に、第１層として、組成比１０：１のＭｇＡｇ膜Ｆ１を形成し、第２層として、Ａｇ単層のＡｇ膜Ｆ２を形成する例について説明する（図８参照）。この場合、第１蒸着ボート２１の収納部２ＰはＭｇを、第２蒸着ボート２２のそれはＡｇを収納する。
ちなみに、このような薄膜は、例えば有機ＥＬ素子（発光素子）を構成する、有機ＥＬ物質を含む発光機能層を挟む２つの電極のうちの一方（あるいは、双方。更には、場合によっては、当該有機ＥＬ装置を構成するその他の構成要素）として好適に利用可能である（この点については、後に改めて述べる。）。
【００４０】
まず、図７に示すように、第１段の工程として、第１蒸着ボート２１及び第２蒸着ボート２２の双方を利用した蒸着が実施される。
すなわち、この場合、シャッタ３１が、第１蒸着ボート２１を基板ＳＫに対して開き、シャッタ３２もまた、第２蒸着ボート２２を基板ＳＫに対して開く。ここで「開く」とは、前述の孔２Ｈが基板ＳＫに対して直接的に対向することを意味する。また、後者の、“シャッタ３２が第２蒸着ボート２２を開く”という場合、この第１段の工程では、当該第２蒸着ボート２２の第１領域Ｒ１が開かれ、第２領域Ｒ２が閉じられる、ことを意味する（図４参照）。したがって、第２蒸着ボート２２に関しては、孔２Ｈが１個のみ、基板ＳＫと対向することになる。
なお、第１蒸着ボート２１は、前述のように、１つの領域ＲＳに１０個の孔２Ｈが形成された蓋２Ｆをもち、かつ、シャッタ３１はこれを開くか閉じるかの動作を行うだけであるので、前述の、“シャッタ３１が第１蒸着ボート２１を開く”ということの意義は自ずと定まる（すなわち、シャッタ３１は、図６に示す状態をとる。）。
また、電熱線５による加熱温度が十分でない成膜準備段階等においては、シャッタ３は、前述のように、蒸着ボート２の全部の孔２Ｈを閉鎖する姿勢をとる。このことは、第１蒸着ボート２１及び第２蒸着ボート２２の相違に関わらない。また、このことは、後述する第２段の工程においても同様にあてはまる。
【００４１】
上述のような状況において、第１蒸着ボート２１及び第２蒸着ボート２２の双方の収納部２Ｐが、加熱装置８１及び電熱線５によって加熱されると、その内部の空間に収められた蒸着材料が溶融・蒸発する。そして、蒸発した蒸着材料は基板ＳＫ上で堆積し、図７に示すように、ＭｇＡｇ膜Ｆ１を形作っていく。この成膜は、膜厚モニタ７によって、所定の膜厚に至るまで続行される。
この際、図７において破線矢印の太さによって視覚的に表現されているように、第１蒸着ボート２１における蒸着量の方が、第２蒸着ボート２２の方のそれよりも大きい。なぜなら、上述のように、前者は１０個の孔２Ｈが基板ＳＫに対向するのに対して、後者は１個の孔２Ｈだけが基板ＳＫに対向するからである。そして、このことにより、ＭｇＡｇ膜Ｆ１は、ＭｇとＡｇとの組成比が１０：１の薄膜となる。
【００４２】
続いて、図８に示すように、第２段の工程として、第２蒸着ボート２２のみを利用した蒸着が実施される。
すなわち、この場合、シャッタ３１が、第１蒸着ボート２１を基板ＳＫに対して閉じる一方、シャッタ３２が、第２蒸着ボート２２を基板ＳＫに対して開く。ここで「開く」とは、当該第２蒸着ボート２２の第２領域Ｒ２が開かれ、第１領域Ｒ１が閉じられる、ことを意味する（図５参照）。したがって、第２蒸着ボート２２に関しては、１０個の孔２Ｈが基板ＳＫと対向することになる。
なお、前述の、“シャッタ３１が第１蒸着ボート２１を閉じる”ということの意義は、前述したところからも明らかなように、自ずと定まる（すなわち、シャッタ３１は、図６に示す状態から、１８０度回転した状態をとる。）。
【００４３】
このような状況において、第２蒸着ボート２２の収納部２Ｐが、加熱装置８１及び電熱線５によって加熱されると、その内部の空間に収められた蒸着材料が溶融・蒸発する。そして、蒸発した蒸着材料は前記ＭｇＡｇ膜Ｆ１上で堆積し、図８に示すように、Ａｇ膜Ｆ２を形作っていく。この成膜も、膜厚モニタ７によって、所定の膜厚に至るまで続行される。
この際、図８及び図７間を対比参照するとわかるように、第２蒸着ボート２２からの蒸着量は、図８の場合の方が、図７の場合に比べて多い。なぜなら、上述のように、前者は第２領域Ｒ２に形成された１０個の孔２Ｈが基板ＳＫに対して対向するのに対して、後者は第１領域Ｒ１に形成された１個のみの孔２Ｈが基板ＳＫに対向するからである。そして、このことにより、Ａｇ膜Ｆ２は、図７の場合に比べて、より迅速に形成されることになる。換言すれば、図８は、図７に対して、成膜速度が速められるのである。
【００４４】
以上述べたような成膜装置１の構成及び作用によって、次のような効果が奏される。
（１）  まず、本実施形態に係る成膜装置１によれば、上述の図７から図８への遷移に現れているように、第２蒸着ボート２２に関する成膜速度の調整が容易・確実・安価に行われる。これは、当該の調整が、シャッタ３２の回転動作のみによっていることによる。
しかも、本実施形態では、シャッタ３２は、成膜速度の切り換えに関する限り、図４及び図５を参照して説明した２つの状態ないし姿勢だけとればよいので、その制御が極めて容易であり、したがってまた、成膜装置１の動作の信頼性はより高まる（さらに、これにより当然、前述の成膜速度の調整に係る、容易性・確実性・安価性は更に高められる。）。一般に、成膜装置におけるシャッタの動作は真空中で行われること等もあって、その動作は単純であればある程好ましいことを考慮するなら、本実施形態は、そのような意味でも好適な構成を提供するものといえる。
【００４５】
また、同じ理由から、本実施形態では、調整された結果の成膜速度は、成膜中、殆ど常に一定値を維持することが可能である。成膜速度を調整するためには、例えば蒸着材料の加熱温度の調整を通じてこれを実現する方法もあるが、かかる方法を含むその他の方法には一般に不安定要因が多く、したがって成膜速度の調整、更には調整後の速度の一定性を維持することが完全にはなしえない場合があり得るが、本実施形態においては、シャッタ３の開閉動作だけによって成膜速度の調整が行われていることから、そのような懸念が生じる余地は極めて少ないのである。
【００４６】
（２）  また、本実施形態に係る成膜装置１によれば、前記図７及び図８の説明からも明らかなように、複数の蒸着材料が所定の組成比で混合した合金、あるいは化合物からなる薄膜が好適に形成される。
しかも、本実施形態では、第２蒸着ボート２２について、前記（１）のような成膜速度の調整が行われることから、次のような効果も奏される。
すなわち、仮に、前記第２蒸着ボート２２が、上記実施形態にいう第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２といった複数の開口領域をもたない場合を想定すると、この第２蒸着ボート２２は、第１蒸着ボート２１における領域ＲＳ（図６参照）のような、単一の開口領域しか持たないということになる。しかし、この場合の開口領域における孔２Ｈの数は、ＭｇＡｇ膜Ｆ１の組成比をどのようにするか等に大きく制約を受ける。本実施形態において、第１蒸着ボート２１がもつ孔２Ｈの数が１０個であるのに（図６参照）、第２蒸着ボート２２上の第１領域Ｒ１の孔２Ｈの数が１個とされているのは、かかる制約の一つの現れである（換言すると、本実施形態に係る第１及び第２蒸着ボート２１及び２２における孔２Ｈの数は、形成しようとする薄膜の組成比に応じて定められているといもいえる。）。しかしながら、このような状態で、前述した第２段の工程を実行するとなると、極めて非効率となる。所定の膜厚となるまで、１個の孔２Ｈだけでもって、Ａｇ膜Ｆ２を形成しなければならないからである。
本実施形態では、このような不具合はこうむらない。なぜなら、既述のように、第２蒸着ボート２２は、図２に示したような第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２をもち、かつ、シャッタ３１の回転動作によるそれらの間の切り替えが行われるようになっているからである。これにより、ＡｇのみからなるＡｇ膜Ｆ２は、１０個もの孔２Ｈを利用した蒸着によって速やかに成膜されるのである。
【００４７】
（３）  なお、ＭｇＡｇ膜Ｆ１の上に、Ａｇ膜Ｆ２が存在するという多層薄膜は、既述のように、有機ＥＬ素子を構成する電極として利用されて好適であるが、このことと、上述の（１）及び（２）に記載したＡｇ膜Ｆ２成膜時の成膜速度の相対的な上昇、という２つの事柄の関係から、本実施形態においては特に、次のような効果も奏される。
【００４８】
まず、図８に示されるような多層薄膜が前記電極として好適であるのは、以下の事情による。
有機ＥＬ装置を構成する有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図９に示すように、発行機能層１８と、この層を両側から挟持する２つの電極層１３及び５０とからなるが、このうちの２つの電極層１３及び５０のそれぞれは正孔及び電子の供給主体となる。発光機能層１８では、前記正孔及び電子の再結合により励起子が生じ、これが基底状態に遷移するときに発光現象が生じる。他方、発光機能層１８を発した光Ｌは、当該発光機能層１８をも含む光共振器構造によって増幅されることがある。図９では、そこに描かれている光Ｌの反射の様子からも明らかなように、前記２つの電極層１３及び５０のうちの一方の電極層５０、及び、反射層１２が、それぞれ２つの反射鏡を構成するかの如き光共振器が構成されていることが示されている（なお、図９において、反射層１２及び電極層１３間、あるいは、反射層１２及び基板ＳＫ間には適当な材料からなる層間絶縁膜等が形成される。）。
このような背景に鑑みるに、例えば、前記電極層５０として“好適”であるとは、具体的には、電子を供給しやすい材料であること（つまり、仕事関数が大きくないこと）、また、当該電極層５０が図９に示すように光共振器構造の一方の反射鏡を兼ねる場合には光反射率が高いこと、更には、“電極”としての本来的機能を十分に発揮するために電気抵抗値が低いこと、等々の各種の要請を満足することであると考えることができる。
【００４９】
図８に示すＭｇＡｇ膜Ｆ１及びＡｇ膜Ｆ２からなる多層薄膜は、いま述べたような各種の要請によく応えるのである。特に、当該多層薄膜を、前記光Ｌの出射側（即ち、発光機能層１８から発した光Ｌを外部へと取り出す方の側）の電極層５０に適用する場合（図９参照）、ＭｇＡｇ膜Ｆ１は、光透過を可能とするために極めて薄く形成（例えば、２０ｎｍ以下で形成）される必要があり、従ってその電気抵抗値は非常に大きくなってしまうおそれがあるが、Ａｇ膜Ｆ２の存在は、そのような電気抵抗値の増大を抑制する。ＭｇＡｇ膜Ｆ１及びＡｇ膜Ｆ２からなる多層薄膜は、そのような意味でも、前記電極層５０として好適に利用される。
以上のような事情により、図８に示される多層薄膜は、有機ＥＬ素子８を構成する電極層５０（あるいは、場合により電極層１３）として好適に利用可能なのである。
【００５０】
そして、このようなことと、上述の（１）及び（２）におけるＡｇ膜Ｆ２成膜時の成膜速度の相対的上昇とは、次のような好適な相関をもつ。
図１０は、Ａｇ膜Ｆ２の成膜速度と、そのＡｇ膜Ｆ２及びＭｇＡｇ膜Ｆ１全体のシート抵抗値との関係を表すグラフである。この図に示すように、成膜速度が大きければ大きいほど、シート抵抗値は次第に小さくなる。つまり、前述の図７から図８への成膜速度の切り換えは、電極層５０の電気抵抗値の更なる減少という効果を得るために、極めて有意義なのである。
加えて、成膜速度が上昇すると、当該Ａｇ膜Ｆ１の平坦性が向上する。これは、成膜速度が大きいと、ＭｇＡｇ膜Ｆ１の面上において、結晶成長の起点となる核の成長が十分に進行しないまま、飛散してくる蒸着材料が堆積していくためと考えられる（成膜速度が小さいと、前記核の成長が相当程度進行してしまうので、蒸着材料は、そのような所々に存在する比較的大きな核の上に堆積していくことになり、その結果、平坦性が落ちる。）。このことから、図７から図８への成膜速度の切り換えは、電極層５０の平坦性の向上、更にはその反面としての、光反射率の上昇をもたらす、という意義をも持つ。そして、これにより、前述の光共振器の機能が、十全に発揮されるという効果もまた得られるのである。
【００５１】
（４）  最後に、本実施形態に係る成膜装置１によれば、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２それぞれに形成されている孔２Ｈに関し、次のような効果も得られる。
まず、一般に、図２に示すような、Ｋｎｕｄｓｅｎ型蒸発源においては、収納部２Ｐの前記空間内の蒸着材料に係る蒸発面の面積に比べて、孔２Ｈの面積が十分に小さければ、当該孔２Ｈから噴出してくる単位時間当たりの当該蒸着材料の蒸発分子数は、その孔２Ｈの面積に比例することが知られている。ここで、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２それぞれの開口面積は、図２等及びそれに関する記述の説明からも明らかな通り、孔２Ｈの数に比例するから、いま述べた面積比例法則を援用すれば、単位時間当たりの蒸発分子数もまた、孔２Ｈの数に比例するということになる。つまり、本実施形態においては、基板ＳＫに到達すべき蒸着材料の量は、孔２Ｈの「数」に留意するだけで、容易に調整可能となっているのである。
このように、本実施形態によれば、成膜速度の調整という観点からみて、極めて有利な構造が採用されているということができるのである。
【００５２】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る成膜装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１）  上記実施形態では、第１蒸着ボート２１に対して第１シャッタ３１が、第２蒸着ボート２２に対して第２シャッタ３２が、それぞれ備えられるというように、１個の蒸着ボート２に対して１個のシャッタ３が対応するように備えられているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１１乃至図１４に示すように、１個の蒸着ボート２に対して、２つのシャッタ３３及び３４が備えられてもよい。これらの図において、シャッタ３３及び３４のいずれも、シャッタ本体３３Ｓ及び３４Ｓ、並びに、回転軸３３Ａ及び３４Ａからなるのは、上記の実施形態と同様である。特に、シャッタ３４については、上記実施形態におけるシャッタ３と実質的に何らの変更もない。
ただ、シャッタ３３については、例えば図１２に示すように、そのシャッタ本体３３Ｓは、平面視して四分円形状（あるいは、扇型形状）をもつ板状の部材である。回転軸３３Ａは、このシャッタ本体３３Ｓの扇の要の位置を貫く。また、このようなシャッタ３３と、残るシャッタ３４とは、図１１等に示すように、蒸着ボート２の両側面のそれぞれに対応するように立設されており、シャッタ本体３３Ｓ及び３４Ｓはそれぞれ、図１１に示すように、図中上下方向に沿って、いわば段違いに配置される。これにより、シャッタ本体３３Ｓは、例えば図１２でいえば、図中上方から蒸着ボート２を覆い、シャッタ本体３４Ｓは同下方から覆う。
【００５３】
このような形態によれば、次のような作用効果が奏される。
すなわち、かかる形態によれば、シャッタ３３は、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２についての開閉専用に利用することが可能となり、シャッタ３４（全領域閉作用シャッタ）は、これら２つの領域Ｒ１及びＲ２の全部についての開閉専用に利用することができる。これにより、シャッタ３３についても、シャッタ３４についても、そのとりうる姿勢の数を減らすことができる。
例えば、図１３及び図１４に示すように、シャッタ３３が、第１領域Ｒ１を基板ＳＫに対して開き、第２領域Ｒ２を閉じる状態から、その逆の状態へと遷移するためには、シャッタ本体３３Ｓが回転軸３３Ａを中心に、９０度だけ回転すればよい（図１３から図１４へ）。いま述べたのと逆の方向の遷移をする場合も同様である（図１４から図１３へ）。シャッタ３３については、この２つの状態ないし姿勢がとられるだけである。
他方、シャッタ３４は、図１２に示すように、回転軸３４Ａを中心とした、１８０度の回転を行うことにより、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の全領域を基板ＳＫに対して閉じ（図１２の破線参照）、あるいは、開く（図１３又は図１４参照）。シャッタ３４については、この２つの状態ないし姿勢がとられるだけである。
【００５４】
これらの点に関し、上記の実施形態におけるシャッタ３は、成膜速度の調整に関する限りは、図４及び図５に示す２つの姿勢だけをとればよかったが、成膜準備段階等においては、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の全領域を閉鎖するための姿勢をとらなければならかった（結局、都合３つの姿勢をとらなければならかった）のと比べて、シャッタ３３及び３４の動作に係る単純化は、更に徹底されているということができる。
【００５５】
このように、図１１乃至図１４に示す形態においては、シャッタ３３及び３４はともに、極めて単純な動作を行えばよいのであり、したがって、当該成膜装置の動作の信頼性はより高まり、また、シャッタ動作に関する高度の制御等は、上記実施形態に比べても一層必要とならないので、当該成膜装置のコスト低廉化が達成される。
【００５６】
なお、以上のような効果を享受するためには、上記態様以外の態様も考えられる。例えば、図１１乃至図１４と同様に、蒸着ボート２の両側面に対応する２つのシャッタを備え、かつ、これらそれぞれは第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の開閉専用のために使用される、という態様も、本発明の範囲内にある。この場合でも、一方のシャッタは、第１領域Ｒ１を開くか閉じるかの２つの状態をとるだけであり、他方のシャッタは、第２領域Ｒ２を開くか閉じるかの２つの状態をとるだけである。なお、この場合、第１及び第２領域Ｒ１及びＲ２の全部を閉鎖するためには、双方のシャッタを閉状態におけばよい。この“全閉鎖”の効果をよりよく享受するためには、２つのシャッタがともに閉状態にあるとき、それぞれのシャッタ本体を平面視すると、それらの一部が相互に重なり合うように、当該シャッタ本体の形状が定められていると尚よい（例えば、中心角が鈍角の扇型等が考えられる。）。
【００５７】
（２）  上記実施形態では、蒸着ボート２として、第１及び第２蒸着ボート２１及び２２の２つが備えられる態様について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１５に示すように、蒸着ボート２は、３つ備えられてもよく、あるいは、図示はしないが４つ以上又は１つだけ備えられてもよい。ちなみに、図１５では、第２層の薄膜Ｆ２０が、第２蒸着ボート２２と、第３蒸着ボート２３とに収納された蒸着材料によって成膜される例が示されており、これによれば、上記実施形態においてＭｇＡｇ膜Ｆ１が合金ないし化合物からなる薄膜であったのと同様、第２層の薄膜Ｆ２０も合金ないし化合物からなる薄膜として製造され得ることになる。
このように、複数の蒸着ボート２が存在する場合、図２等に示した「複数の開口領域」を有する蓋２Ｆをもつ蒸着ボート２は、それら複数の蒸着ボート２の中の少なくとも１つについて備えられていればよい。また、かかる場合、各蒸着ボート２が備えるべき孔２Ｈの数（即ち、開口面積）も、どのような組成比をもつ薄膜を製造するか等に応じて、適宜定められてよいことはいうまでもない。例えば、第１層を蒸着材料Ｘ及びＹで成膜し、その組成比をα：β（α＞β）と定め、第２層を蒸着材料Ｙ及びＺで成膜し、その組成比をγ：δ（γ＞δ）と定めるという場合、第１層の成膜に関しては、上記実施形態と同様の考え方に基づく孔２Ｈを、第１蒸着ボート２１及び第２蒸着ボート２２のそれぞれについて形成すればよく（具体的個数はともかく、後者の第１領域Ｒ１における孔２Ｈの数が前者の孔２Ｈの数よりも少ない。）、第２層の成膜に関しては、第２蒸着ボート２２の第２領域Ｒ２の孔２Ｈの数に比べて、より少ない数の孔２Ｈを、第３蒸着ボート２３について形成すればよい。
【００５８】
（３）  上記実施形態では、孔２Ｈが、第１領域Ｒ１について１個、第２領域Ｒ２について１０個設けられる蓋２Ｆについて説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されないことは言うまでもなく、更に言えば、１つの開口領域に形成される孔２Ｈの配列態様についても、本発明は上記実施形態に限定されない。
例えば、図１６及び図１７それぞれに示すような配列態様をもつ蓋２Ｆも、本発明の範囲内である。図１６では、８個の孔２Ｈが、中央部分を除き、その周囲を巡るように環状に配列されており、図１７では、５個の孔２Ｈが、図１６とは逆に、中央部分に凝集するかのように配列されている。
このような配列態様の相違は、基板ＳＫ面内に到達する蒸着材料量の分布を異ならせる可能性がある。したがって、適当な配列態様等の選択が行われれば、当該基板ＳＫの全面に関しより均一な膜厚をもつ薄膜を製造することが可能になる。
なお、このような効果をより確実に享受するためには、前述した、薄膜モニタ７の存在や、基板設置テーブル４の回転動作、あるいは併進動作の可能性等が、貢献する可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態に係る成膜装置を示す概要図である。
【図２】図１の成膜装置を構成する蒸着ボート（２２）の平面図である。
【図３】図２の蒸着ボート（２２）の側面図である。
【図４】図２の蒸着ボート（２２）に対応するシャッタ（３２）の平面図である。
【図５】図４のシャッタ（３２）が、同図とは異なる状態をとる場合を示す平面図である。
【図６】図１の成膜装置を構成する蒸着ボート（２１）と、それに対応するシャッタ（３１）の平面図である。
【図７】図１の成膜装置を用いた成膜工程（第１段工程；ＭｇＡｇ膜Ｆ１の成膜工程）を示す図である。
【図８】図１の成膜装置を用いた成膜工程（第２段工程；Ａｇ膜Ｆ２の成膜工程）を示す図である。
【図９】図８に示されるＭｇＡｇ膜（Ｆ１）及びＡｇ膜（Ｆ２）を一電極（５０）として備える有機ＥＬ素子の構成を示す概略断面図である。
【図１０】図８中のＡｇ膜（Ｆ２）の成膜速度と、そのＡｇ膜（Ｆ２）及びＭｇＡｇ膜（Ｆ１）全体のシート抵抗値との関係を表すグラフである。
【図１１】本発明の別の実施の形態に係る成膜装置を構成するシャッタ（３３，３４）の側面図である。
【図１２】図１１のシャッタ（３３，３４）の平面図である。
【図１３】図１１のシャッタ（３３，３４）のうち特に、シャッタ（３３）の動作を説明するための平面図である。
【図１４】図１３のシャッタ（３３）が、同図とは異なる状態をとる場合を示す平面図である。
【図１５】本発明の別の実施の形態に係る成膜装置を構成する蒸着ボート（２１，２２，２３）の側面図である。
【図１６】図２及び図６に示すのとは異なる孔（２Ｈ）の配列態様をもつ蒸着ボートの一部平面図である。
【図１７】図２、図６及び図１６に示すのとは異なる孔（２Ｈ）の配列態様をもつ蒸着ボートの一部平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１……成膜装置、２……蒸着ボート（蒸着源）、２Ｐ……収納部、２Ｆ……蓋、２Ｈ……孔、２１，２２，２３……第１，第２，第３蒸着ボート、Ｒ１……第１領域、Ｒ２……第２領域、３……シャッタ、３Ａ……回転軸、３Ｓ……シャッタ本体、３１，３２……第１，第２シャッタ、３３，３４……シャッタ、４……基板設置テーブル、５……電熱線、７……膜厚モニタ、９……真空チャンバ、９１……排気口、８１……加熱装置、８２……シャッタ回転装置、ＳＫ……基板、Ｆ１……ＭｇＡｇ膜、Ｆ２……Ａｇ膜、８……有機ＥＬ素子、１３，５０……電極層、１８……発光機能層、１２……反射層、Ｌ……光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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