(57)【要約】【課題】製造歩留まりの低下を防止しつつ、表示品質の良好な液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】アレイ基板ＡＲは、絶縁基板２０と、絶縁基板上に配置されたコモン配線ＣＯＭと、コモン配線を覆う絶縁膜２２と、絶縁膜上において各画素ＰＸに第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂを備えた共通電極ＥＴと、第１共通電極及び第２共通電極と層間絶縁膜ＩＬを介して対向するように配置された画素電極ＥＰと、画素電極と同一層に形成された第１ブリッジＢＲａを含み、第１共通電極とコモン配線とを電気的に接続している第１接続部材ＣＮａと、画素電極と同一層に形成された第２ブリッジＢＲｂを含み、第２共通電極とコモン配線とを電気的に接続している第２接続部材ＣＮｂと、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図５
2009288665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
前記第１基板は、
前記絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置されたコモン配線と、
前記コモン配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上において各画素に第１共通電極及び第２共通電極を備えた共通電極と、
前記第１共通電極及び前記第２共通電極と層間絶縁膜を介して対向するように配置された画素電極と、
前記画素電極と同一層に形成された第１ブリッジを含み、第１共通電極と前記コモン配線とを電気的に接続している第１接続部材と、
前記画素電極と同一層に形成された第２ブリッジを含み、第２共通電極と前記コモン配線とを電気的に接続している第２接続部材と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１ブリッジ及び前記第２ブリッジは、前記画素電極と同一材料によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１接続部材は、さらに、前記第１共通電極と同一層に形成された第１リレー電極を含み、前記第１ブリッジによって前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記第１リレー電極と前記第１共通電極とを電気的に接続し、
前記第２接続部材は、さらに、前記第２共通電極と同一層に形成された第２リレー電極を含み、前記第２ブリッジによって前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記第２リレー電極と前記第２共通電極とを電気的に接続していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１リレー電極及び前記第２リレー電極のそれぞれは、前記共通電極と同一材料によって形成されたセグメントを含むことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２基板は、前記第１共通電極と前記第２共通電極との間を遮光する遮光層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極及び前記共通電極は、光透過性を有する導電材料によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
前記第１基板は、
前記絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置されたコモン配線と、
前記コモン配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上において各画素に第１共通電極及び第２共通電極を備えた共通電極と、
前記第１共通電極及び前記第２共通電極と層間絶縁膜を介して対向するように配置された画素電極と、を備え、
前記第１共通電極と前記コモン配線とは電気的に接続されているとともに前記第２共通電極と前記コモン配線とは電気的に切り離されている画素を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
絶縁基板上に、各画素に少なくとも２つの共通電極を形成する工程と、
前記共通電極と層間絶縁膜を介して対向するように配置された画素電極を形成する工程と、
前記画素電極と同一層のブリッジを含み、前記共通電極とコモン配線とを電気的に接続する接続部材を形成する工程と、
前記共通電極と前記画素電極とのショートの有無を検査する検査工程と、
前記画素電極とのショートが検出された前記共通電極を前記コモン配線と接続するための前記接続部材に含まれる前記ブリッジにレーザを照射し、前記ブリッジを切断する切断工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記画素電極とブリッジとを同一工程で形成することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記検査工程においてショートが検出されなかった場合には前記検査工程の後、ショートが検出された場合には前記切断工程の後に、前記画素電極を覆う配向膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示パネルを構成する一方の基板に画素電極及び共通電極を備えた構造の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
主として縦電界を利用した液晶表示装置を製造する工程において、導電性の異物が液晶層に混入すると、画素電極と共通電極とのショートを引き起こすことがある。これにより、画素の欠陥が発生し、表示不良の原因となり得る。
【０００３】
このような欠陥を修復する方法として、異物へ直接レーザを照射することで異物を紛砕する方法や、異物の頂上部分を研磨する方法、異物の周辺の画素電極にレーザを照射し、切り離すことで電気的に絶縁する方法などがある。さらに、欠陥のある画素の配向膜にレーザを照射し、配向膜を変質させることによって、液晶分子の配向を阻害して、欠陥画素の修正を実現する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１３３８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやＦＦＳ（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの液晶表示装置は、アレイ基板上に形成された画素電極と共通電極とを備え、これらの間に形成されるアレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。
【０００５】
このような液晶表示装置を製造する工程において、導電性の異物が共通電極と画素電極との間に混入し、画素電極と共通電極とのショートを引き起こすことがある。上述したような方法で修復すると、異物の周辺の画素電極や共通電極を破壊するため、電界方法が変わり液晶分子の配向が乱れ、表示不良の原因となり得る。
【０００６】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造歩留まりの低下を防止しつつ、表示品質の良好な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の態様による液晶表示装置は、
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
前記第１基板は、
前記絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置されたコモン配線と、
前記コモン配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上において各画素に第１共通電極及び第２共通電極を備えた共通電極と、
前記第１共通電極及び前記第２共通電極と層間絶縁膜を介して対向するように配置された画素電極と、
前記画素電極と同一層に形成された第１ブリッジを含み、第１共通電極と前記コモン配線とを電気的に接続している第１接続部材と、
前記画素電極と同一層に形成された第２ブリッジを含み、第２共通電極と前記コモン配線とを電気的に接続している第２接続部材と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
この発明の態様による液晶表示装置の製造方法は、
絶縁基板上に、各画素に少なくとも２つの共通電極を形成する工程と、
前記共通電極と層間絶縁膜を介して対向するように配置された画素電極を形成する工程と、
前記画素電極と同一層のブリッジを含み、前記共通電極とコモン配線とを電気的に接続する接続部材を形成する工程と、
前記共通電極と前記画素電極とのショートの有無を検査する検査工程と、
前記画素電極とのショートが検出された前記共通電極を前記コモン配線と接続するための前記接続部材に含まれる前記ブリッジにレーザを照射し、前記ブリッジを切断する切断工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、製造歩留まりの低下を防止しつつ、表示品質の良好な液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。
【００１１】
ここでは、一方の基板に画素電極及び共通電極を備え、これらの間に形成される横電界（基板の主面にほぼ平行な電界）を主に利用して液晶分子をスイッチングする液晶モードとして、ＦＦＳモードの液晶表示装置を例に説明する。
【００１２】
図１乃至図４に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲと互いに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。このような液晶表示装置は、画像を表示する表示領域ＤＳＰを備えている。この表示領域ＤＳＰは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１３】
アレイ基板ＡＲは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板２０を用いて形成されている。すなわち、このアレイ基板ＡＲは、表示領域ＤＳＰにおいて、画素ＰＸ毎に配置されたｍ×ｎ個の画素電極ＥＰ、各画素ＰＸの行方向Ｈにそれぞれ延在したｎ本の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、各画素ＰＸの列方向Ｖにそれぞれ延在したｍ本の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各画素ＰＸにおいて走査線Ｙと信号線Ｘとの交差部を含む領域に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子Ｗ、画素電極ＥＰと層間絶縁膜ＩＬを介して対向するように配置された共通電極ＥＴなどを備えている。
【００１４】
アレイ基板ＡＲは、さらに、表示領域ＤＳＰの周辺の駆動回路領域ＤＣＴにおいて、ｎ本の走査線Ｙに接続された走査線ドライバＹＤを構成する少なくとも一部や、ｍ本の信号線Ｘに接続された信号線ドライバＸＤを構成する少なくとも一部などを備えている。走査線ドライバＹＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいてｎ本の走査線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。また、信号線ドライバＸＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいて各行のスイッチング素子Ｗが走査信号によってオンするタイミングでｍ本の信号線Ｘに映像信号（駆動信号）を供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰは、対応するスイッチング素子Ｗを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００１５】
各スイッチング素子Ｗは、例えば、薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子Ｗの半導体層ＳＣは、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能である。
【００１６】
スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、走査線Ｙに接続されている（あるいは走査線Ｙと一体的に形成されている）。スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳは、信号線Ｘに接続されている（あるいは信号線Ｘと一体に形成されている）。スイッチング素子Ｗのドレイン電極ＷＤは、画素電極ＥＰに接続されている（あるいは画素電極ＥＰと一体に形成されている）。
【００１７】
ゲート電極ＷＧは、走査線Ｙなどとともに絶縁基板２０の上に配置されている。このゲート電極ＷＧは、絶縁膜２２であるゲート絶縁膜２２ａによって覆われている。このゲート絶縁膜２２ａは、例えば、窒化シリコンなどによって形成されている。
【００１８】
スイッチング素子Ｗの半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜２２ａの上に配置されている。この半導体層ＳＣには、スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤがコンタクトしている。これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、絶縁膜２２であるパッシベーション膜２２ｂによって覆われている。このパッシベーション膜２２ｂは、例えば、窒化シリコンなどによって形成されている。パッシベーション膜２２ｂは、平坦化する絶縁膜２２である有機絶縁膜２２ｃによって覆われている。
【００１９】
共通電極ＥＴは、有機絶縁膜２２ｃの上において各画素ＰＸに対応して配置されている。この共通電極ＥＴは、層間絶縁膜ＩＬによって覆われている。層間絶縁膜ＩＬは、有機材料によって形成されている。画素電極ＥＰは、層間絶縁膜ＩＬの上において各画素ＰＸに対応して配置されている。この画素電極ＥＰは、層間絶縁膜ＩＬ、パッシベーション膜２２ｂ及び有機絶縁膜２２ｃを貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子Ｗのドレイン電極ＷＤと電気的に接続されている。
【００２０】
共通電極ＥＴは、各画素ＰＸに少なくとも２つ形成され、ここでは、第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂを有している。第２共通電極ＥＴｂは、第１共通電極ＥＴａと間隔をおいて配置されている。図３に示した例では、列方向Ｖに延びた縦長の各画素ＰＸにおいて、第２共通電極ＥＴｂは、第１共通電極ＥＴａと列方向Ｖに間隔をおいて配置されている。また、これらの第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂは、それぞれ各画素ＰＸの約半分の領域に配置されている。
【００２１】
第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂは、それぞれコモン電位を供給するコモン配線ＣＯＭに後述する第１接続部材及び第２接続部材によって接続されている。つまり、第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂは、同電位に設定されている。
【００２２】
第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００２３】
画素電極ＥＰは、第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂと層間絶縁膜ＩＬを介して対向するように配置されている。図３に示した例では、画素電極ＥＰには、複数のスリットＳＬが設けられている。このスリットＳＬは、その長軸Ｌが列方向Ｖと略平行となるように形成されている。複数のスリットＳＬは、行方向Ｈに並んでいる。画素電極ＥＰは、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００２４】
アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱに接する面は、配向膜３６ａによって覆われている。
【００２５】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。特に、カラー表示タイプの液晶表示装置においては、図４に示したように、対向基板ＣＴは、絶縁基板３０の内面（すなわち液晶層ＬＱに対向する面）に、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３２、ブラックマトリクス３２によって囲まれた各画素ＰＸに配置されたカラーフィルタ層３４などを備えている。また、対向基板ＣＴは、カラーフィルタ層３４の表面の凹凸を平坦化するように比較的厚い膜厚で配置されたオーバーコート層などを備えて構成してもよい。
【００２６】
カラーフィルタ層３４は、絶縁基板３０上に配置され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤画素、青画素及び緑画素に対応して配置されている。
【００２７】
対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面は、配向膜３６ｂによって覆われている。配向膜３６ａ及び配向膜３６ｂは、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の配向を規制するようにラビング処理されている。
【００２８】
このような対向基板ＣＴと上述したようなアレイ基板ＡＲとは、それぞれの配向膜３６ａ及び配向膜３６ｂが対向するように配置され、両者の間に配置された図示しないスペーサにより、所定のギャップが形成される。液晶層ＬＱは、これらのアレイ基板ＡＲの配向膜３６ａと対向基板ＣＴの配向膜３６ｂとの間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子を含む液晶材料で構成されている。この液晶層ＬＱは、液晶分子を含み、液晶分子は、配向膜３６ａ及び配向膜３６ｂの規制力によりアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間でホモジニアス配向している。
【００２９】
また、この液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面（すなわちアレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱと接する面とは反対の面）に設けられた光学素子ＯＤ１を備え、また、液晶表示パネルＬＰＮの他方の外面（すなわち対向基板ＣＴの液晶層ＬＱと接する面とは反対の面）に設けられた光学素子ＯＤ２を備えている。これらの光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、それぞれ偏光板を含み、例えば、無電界時において、液晶表示パネルＬＰＮの透過率が最低となる（つまり黒色画面を表示する）ノーマリーブラックモードを実現している。
【００３０】
さらに、液晶表示装置は、透過型の液晶表示パネルＬＰＮに対してアレイ基板ＡＲ側に配置されたバックライトユニットＢＬを有している。
【００３１】
このような液晶表示装置において、共通電極ＥＴと画素電極ＥＰとの間に電位差が形成された場合（つまり、画素電極ＥＰにコモン電位とは異なる電位の電圧が印加された電圧印加時）には、共通電極ＥＴと画素電極ＥＰとの間に電界Ｅが形成される。すなわち、第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂと画素電極ＥＰとの間に電界Ｅが形成される。
【００３２】
このとき、例えば、誘電率異方性が正の液晶材料を適用した場合、液晶分子は、その長軸がラビング方向から電界Ｅと平行な方位に配向するように駆動される。このように、液晶分子の長軸の方位がラビング方向から変化すると、液晶層ＬＱを透過する光に対する変調率が変化する。このため、バックライトユニットＢＬから液晶表示パネルＬＰＮを透過したバックライト光の一部は、第２光学素子ＯＤ２を透過し、白色画面を表示する。横電界を利用した液晶モードでは、このようにして選択的にバックライト光を透過し、画像を表示する。
【００３３】
ところで、本実施の形態において、図５及び図６に示すように、アレイ基板ＡＲは、第１接続部材ＣＮａ及び第２接続部材ＣＮｂを備えている。第１接続部材ＣＮａは、第１共通電極ＥＴａとコモン配線ＣＯＭとを電気的に接続している。第１接続部材ＣＮａは、第１ブリッジＢＲａ及び第１リレー電極ＲＬａによって構成されている。第２接続部材ＣＮｂは、第２共通電極ＥＴｂとコモン配線ＣＯＭとを電気的に接続している。第２接続部材ＣＮｂは、第２ブリッジＢＲｂ及び第２リレー電極ＲＬｂによって構成されている。
【００３４】
第１ブリッジＢＲａ及び第２ブリッジＢＲｂは、画素電極ＥＰと同一層に形成されている。第１ブリッジＢＲａ及び第２ブリッジＢＲｂは、画素電極ＥＰと同一材料によって形成可能であり、光透過性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯによって形成されている。このため、ブリッジＢＲを形成するための別途の工程が不要である。
【００３５】
第１リレー電極ＲＬａ及び第２リレー電極ＲＬｂは、共通電極ＥＴと同一層に形成されている。第１リレー電極ＲＬａ及び第２リレー電極ＲＬｂは、共通電極ＥＴと同一材料によって形成可能であり、光透過性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯによって形成されている。このため、リレー電極ＲＬを形成するための別途の工程が不要である。
【００３６】
第１ブリッジＢＲａは、層間絶縁膜ＩＬを貫通するコンタクトホールを介して第１リレー電極ＲＬａと第１共通電極ＥＴａとを電気的に接続している。第１リレー電極ＲＬａは、絶縁膜２２（すなわち、有機絶縁膜２２ｃ、パッシベーション膜２２ｂ及びゲート絶縁膜２２ａ）を貫通したコンタクトホールを介してコモン配線ＣＯＭに電気的に接続されている。このようにして、第１接続部材ＣＮａは、第１共通電極ＥＴａとコモン配線ＣＯＭとを電気的に接続している。
【００３７】
第２ブリッジＢＲｂは、層間絶縁膜ＩＬを貫通するコンタクトホールを介して第２リレー電極ＲＬｂと第２共通電極ＥＴｂとを電気的に接続している。第２リレー電極ＲＬｂは、同様に、絶縁膜２２を貫通したコンタクトホールを介してコモン配線ＣＯＭと電気的に接続されている。このようにして、第２接続部材ＣＮｂは、第２共通電極ＥＴｂとコモン配線ＣＯＭとを電気的に接続している。
【００３８】
なお、第１リレー電極ＲＬａ及び第２リレー電極ＲＬｂは、画素電極ＥＰと同一材料によって形成した第１セグメント、ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤなどと同一材料によって形成した第２セグメント及び半導体層ＳＣなどと同一材料によって形成した第３セグメントを組み合わせて構成しても良い。
【００３９】
図５に示した例では、一行分の画素ＰＸに対して、コモン配線ＣＯＭは、１本配置されている。つまり、コモン配線ＣＯＭと走査線Ｙは、交互に配置されている。第１接続部材ＣＮａは、第１共通電極ＥＴａとコモン配線ＣＯＭを接続している。第２接続部材ＣＮｂは、第２共通電極ＥＴａと隣接する行の画素ＰＸに配置されたコモン配線ＣＯＭを接続している。つまり、各コモン配線ＣＯＭには、第１接続部材ＣＮａと、隣接する行の画素ＰＸに配置された第２接続部材ＣＮｂとが接続されている。このように配置することによって、一行分の画素ＰＸに対して、コモン配線ＣＯＭを２本配置することなく、第１接続部材ＣＮａ及び第２接続部材ＣＮｂを介してそれぞれ第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂとコモン配線ＣＯＭとを接続することが可能である。
【００４０】
さらに、対向基板ＣＴは、第１共通電極ＥＴａと第２共通電極ＥＴｂとの間を遮光する遮光層ＳＨを備えている。図５に示した例では、遮光層ＳＨは、行方向Ｈに沿って延在している。この遮光層ＳＨは、ブラックマトリクス３２と同一材料によって形成可能である。また、遮光層ＳＨは、ブラックマトリクス３２と一体的に形成されても良い。
【００４１】
ここで、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例について、主要な工程を図７を参照しながら説明する。
【００４２】
まず、アレイ基板ＡＲ用の絶縁基板２０と、対向基板ＣＴ用の絶縁基板３０を用意する。アレイ基板ＡＲ用の絶縁基板２０に、信号線Ｘ、走査線Ｙ及びコモン配線ＣＯＭ、スイッチング素子Ｗなどを形成する。その後、パッシベーション膜２２ｂの上に有機絶縁膜２２ｃを形成する。そして、有機絶縁膜２２ｃの上において、各画素ＰＸに第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂを形成する。この時、第１リレー電極ＲＬａ及び第２リレー電極ＲＬｂも同時に形成する。
【００４３】
その後、共通電極ＥＴ及びリレー電極ＲＬを覆うように層間絶縁膜ＩＬを形成する。そして、この層間絶縁膜ＩＬを介して第１共通電極ＥＴａ及び第２共通電極ＥＴｂと対向するように画素電極ＥＰを形成する。この時、第１ブリッジＢＲａ及び第２ブリッジＢＲｂも同時に形成する。
【００４４】
そして、全ての画素ＰＸにおいて、共通電極ＥＴと画素電極ＥＰとのショートの有無を検査する。この検査工程において、ショートが検出された場合には、レーザリペアを行う。例えば、図８に示すように、第２共通電極ＥＴｂと画素電極ＥＰとのショートが検出された画素ＰＸにおいては、第２ブリッジＢＲｂにレーザ光を照射し、第２ブリッジＢＲｂを切断する。このレーザリペア工程では、波長が例えば３００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の光を出射するレーザを使用する。これにより、図９に示すように、第２ブリッジＢＲｂを介して接続されていた第２共通電極ＥＴｂと第２リレー電極ＲＬｂとが電気的に切り離される。
【００４５】
そして、図１０に示すように、画素電極ＥＰ及びブリッジＢＲの上に、配向膜３６ａを形成する。これをアレイ基板ＡＲとする。なお、検査工程において、ショートが検出されなかった場合には、レーザリペアを行うことなく、画素電極ＥＰ及びブリッジＢＲの上に配向膜３６ａを形成する。
【００４６】
対向基板ＣＴ用の絶縁基板３０に、ブラックマトリクス３２、遮光層ＳＨ、カラーフィルタ層３４などを形成し、その上に、配向膜３６ｂを形成する。これを対向基板ＣＴとする。
【００４７】
これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合わせ、液晶材料を注入する。
【００４８】
このような工程により、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した液晶表示装置が形成される。
【００４９】
上述したように、第２ブリッジＢＲｂを切断することにより、第２共通電極ＥＴｂとコモン配線ＣＯＭは、電気的に切り離される。つまり、第２共通電極ＥＴｂにコモン電位が供給されなくなる。この結果、第１共通電極ＥＴｂには、コモン配線ＣＯＭからコモン電位が供給され、画素電極ＥＰとの間に液晶分子を駆動するのに必要な電界Ｅが形成可能となる。つまり、画素ＰＸの半分を良点化することができ、表示に寄与できるようになる。一方で、画素ＰＸの残りの半分の領域については、第２共通電極ＥＴｂは、コモン配線ＣＯＭとは切り離されているため、常に画素電極ＥＰと略同電位となり、第２共通電極ＥＴｂと画素電極ＥＰとの間に電界Ｅが形成されず、滅点状態となる。
【００５０】
以上説明したように、液晶表示装置の製造工程において、異物が混入することにより、画素電極ＥＰと共通電極ＥＴとがショートし、画素ＰＸに欠陥が生じていても、第１ブリッジＢＲａ又は第２ブリッジＢＲｂを切断することによって画素ＰＸの半分のみが滅点状態となり、残りの画素ＰＸ半分は、正常に表示に寄与する。このようにして、画素ＰＸの欠陥を修復することが可能である。
【００５１】
また、第１ブリッジＢＲａあるいは第２ブリッジＢＲｂのみを切断することによって、画素ＰＸの欠陥を修復することが可能であり、異物の周辺の画素電極ＥＰや共通電極ＥＴを破壊することがなく、液晶分子の配向不良を抑制できる。このため、表示品質の劣化を招くことなく、画素ＰＸの欠陥の修復が可能となる。
【００５２】
また、第１ブリッジＢＲａ及び第２ブリッジＢＲｂは、検査工程を行う段階で一番上の層に形成されているため、これらを切断する際に他の層にダメージを与えることがない。このため、液晶分子の配向不良を生じさせることなく、画素ＰＸの欠陥を修復することが可能である。
【００５３】
また、第１ブリッジＢＲａ及び第２ブリッジＢＲｂの切断は、配向膜３６ａの形成前に行うため、配向膜３６ａにダメージを与えることがない。このため、液晶分子の配向不良を生じさせることなく、画素ＰＸの欠陥を修復することが可能である。
【００５４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、製造歩留まりの低下を防止しつつ、表示品質の良好な液晶表示装置及びその製造方法を提供することが可能となる。
【００５５】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の液晶パネルの構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルにおけるスイッチング素子の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した液晶表示パネルにおける画素電極及び対向電極の構成を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示した画素をＡ−Ａ’線で切断した液晶表示パネルの構造を示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示した液晶表示パネルにおける画素の構成を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示した画素をＢ−Ｂ’線で切断したアレイ基板の構造を示す断面図である。
【図７】図７は、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の液晶パネルの製造方法を概略的に説明した図である。
【図８】図８は、第２共通電極と画素電極とがショートした状態を示す図である。
【図９】図９は、切断工程（レーザリペア工程）によって第２共通電極と第２リレー電極とが電気的に切り離された状態を示す図である。
【図１０】図１０は、切断工程の後に、配向膜を形成した状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
ＬＰＮ…液晶表示パネル
ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板
ＬＱ…液晶層  ＤＳＰ…表示領域
ＰＸ…画素
ＥＰ…画素電極  ＥＴ…共通電極
ＥＴａ…第１共通電極  ＥＴｂ…第２共通電極
ＣＯＭ…コモン配線
ＩＬ…層間絶縁膜  ２２…絶縁膜
ＣＮａ…第１接続部材  ＣＮｂ…第２接続部材
ＢＲａ…第１ブリッジ  ＢＲｂ…第２ブリッジ
ＲＬａ…第１リレー電極  ＲＬｂ…第２リレー電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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