(57)【要約】【課題】基板不良が発生するのを未然に回避する。【解決手段】基板処理装置１００は、反応容器２０３、ガス供給管韓３１２、排気管２３１、圧力計器４２０，５２０、排気装置２４６、コントローラ２４０を備える。コントローラ２４０は、ウエハ２００の処理に先立ち、反応容器２０３内を排気させ、反応容器２０３内の圧力を所定の設定圧力値とした際に計測される第１の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第１の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第２の圧力範囲とを予め設定する。コントローラ２４０は、ウエハ２００の処理後に、再度反応容器２０３内を排気させ、反応容器２０３内の圧力を前記設定圧力値とした際に測定される第２の圧力値が前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する。【選択図】図１
2009123946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室を有する反応容器と、
前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、
前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、
前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、
前記排気ラインに接続される排気装置と、
前記反応容器内での基板の処理に先立ち、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第１の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第１の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第２の圧力範囲とを予め設定し、前記反応容器内での基板の処理後に、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第２の圧力値が前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室を有する反応容器と、
前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、
前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、
前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、
前記排気ラインに接続される排気装置と、
を備える基板処理装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
基板の処理に先立ち、前記排気装置により前記反応容器内を排気し、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第１の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第１の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第２の圧力範囲とを予め設定する工程と、
基板を前記反応容器内に搬入する工程と、
前記反応容器内の処理室で基板を処理する工程と、
前記反応容器から基板を搬出する工程と、
前記反応容器内で基板を処理した後、前記排気装置により前記反応容器内を排気し、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際に、前記圧力計器により圧力値を測定し、その測定した圧力値が、前記第１の圧力範囲内もしくは前記第２の圧力範囲内に収まっているか否かを判断し、前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に基板を処理する処理室の真の圧力を把握するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一定の圧力下でガスにより基板を処理する基板処理装置では、通常、処理室に対しガス供給ラインと排気ラインとが接続されており、排気ラインに圧力計器を設けて処理室内の圧力を測定している。この場合に、例えば、圧力計器としてダイアフラム式圧力計器を用いたときは、始めに処理室の圧力が安定したところで圧力計器の出力電圧をゼロ点として、そのゼロ点に対応する圧力値を基準値とする。その後定期的に又は複数回の基板処理を経た後に、再度処理室の圧力が安定するところで圧力計器の出力電圧を測定して圧力値を算出し、その圧力値と上記基準値とのプラス側のみの変化量を観測することで圧力計器の交換時期を判別している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記のような運用では、基板処理中に以下の現象が発生して基板不良を発生させる可能性がある。
【０００４】
すなわち、ダイアフラム式圧力計器の構造上、圧力計器本体やそれに連通する配管等に対して基板処理に伴う副生成物が徐々に付着・堆積し、その副生成物からアウトガスが発生等した場合には、圧力計器で測定された圧力値が真の圧力値よりプラス側にシフトする。この場合、ガス供給ラインによる基板処理用のガスの供給が自動的に停止され、基板処理が中断し、基板不良が発生する。また逆に、副生成物が付着部位から剥離等した場合には、圧力計器中のダイアフラムにピンホールが形成され、圧力計器で測定された圧力値が真の圧力値よりマイナス側にシフトする。この場合、処理室が所望の圧力より高い圧力とされた状態で基板処理が実施され、基板が過大に処理され、基板不良が発生する。
【０００５】
したがって、本発明の主な目的は、基板不良が発生するのを未然に回避することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室を有する反応容器と、
前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、
前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、
前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、
前記排気ラインに接続される排気装置と、
前記反応容器内での基板の処理に先立ち、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第１の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第１の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第２の圧力範囲とを予め設定し、前記反応容器内での基板の処理後に、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第２の圧力値が前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する制御部と、
を備える基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室を有する反応容器と、
前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、
前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、
前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、
前記排気ラインに接続される排気装置と、
を備える基板処理装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
基板の処理に先立ち、前記排気装置により前記反応容器内を排気し、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第１の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第１の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第２の圧力範囲とを予め設定する工程と、
基板を前記反応容器内に搬入する工程と、
前記反応容器内の処理室で基板を処理する工程と、
前記反応容器から基板を搬出する工程と、
前記反応容器内で基板を処理した後、前記排気装置により前記反応容器内を排気し、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際に、前記圧力計器により圧力値を測定し、その測定した圧力値が、前記第１の圧力範囲内もしくは前記第２の圧力範囲内に収まっているか否かを判断し、前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第２の圧力値が第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と第２の圧力範囲より高い圧力値となった場合とで異なる是正処理を実行するから、その場合に応じた適切な処理を実行することができる。
例えば、第２の圧力値が第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合（真の圧力値よりマイナス側にシフトした場合）には圧力計器の交換を促すような処理を実行し、圧力計器の交換がなされれば、処理室が所望の圧力より高い圧力とされた状態で基板処理が実施され基板が過大に処理されるといった事態を未然に回避することができる。逆に第２の圧力値が第２の圧力範囲より高い圧力値となった場合（真の圧力値よりプラス側にシフトした場合）には基板処理に伴う副生成物を除去するような処理を実行し、副生成物を除去すれば、副生成物からのアウトガスの発生等を未然に防止又は抑制して、ガス供給ラインによる基板処理用のガスの供給が自動的に停止され基板処理が中断するといった事態を回避することができる。
以上から、第２の圧力値がマイナス側にシフトした場合やプラス側にシフトした場合のいずれの場合にも適切に対応することができ、基板不良を未然に回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施例について説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１に示す通り、本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置は処理炉２０２を有している。処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有している。ヒータ２０６は円筒形状を呈しており、ヒータベース２５１に支持された状態で垂直に据え付けられている。
【００１１】
ヒータ２０６の内側にはプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３はヒータ２０６に対し同心円状に配置されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状を呈している。
【００１２】
インナーチューブ２０４の内部には処理室２０１が形成されている。インナーチューブ２０４の内部には、基板の一例としてのウエハ２００が後述のボート２１７に支持された状態で収容されており、インナーチューブ２０４の内部ではウエハ２００が水平姿勢を保持しながら垂直方向に沿って多段に整列している。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状を呈している。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に配置されている。
【００１３】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状を呈している。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５とに係合しており、これらを支持するように設けられている。マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはＯリング２２０ａが設けられており、これら部材間が気密になっている。インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５とがマニホールド２０９により支持され、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。処理炉２０２では、少なくともプロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成されている。
【００１４】
マニホールド２０９にはガス導入部としてのノズル３１０，３２０が接続されている。ノズル３１０，３２０の先端部は処理室２０１内に連通している。ノズル３１０，３２０には処理ガス供給管３１２，クリーニングガス供給管３２２が接続されている。
【００１５】
処理ガス供給管３１２のノズル３１０との接続側と反対側である上流側には、バルブ３１３及びガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）３１４を介して処理ガス供給源３１６が接続されている。クリーニングガス供給管３２２のノズル３２０との接続側と反対側である上流側にも、バルブ３２３及びガス流量制御器としてのＭＦＣ３２４を介してクリーニングガス供給源３２６が接続されている。
【００１６】
本実施例では、ウエハ２００を処理するための処理ガスの一例としてクロル系シランガス（例えばＳｉＨ２Ｃｌ２），ＮＨ３ガス等が使用され、これら処理ガスが処理ガス供給源３１６から供給される。処理室２０１内をクリーニングするためのクリーニングガスの一例としてＣｌＦ３ガス，Ｆ２ガス，ＨＦガス，ＮＦ３ガス等が使用され、これらクリーニングガスの１種がクリーニングガス供給源３２６から供給される。
【００１７】
バルブ３１３，３２３、ＭＦＣ３１４，３２４にはガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、基板処理用の処理ガス，クリーニングガスの供給流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１８】
処理ガス供給管３１２には不活性ガス供給管３３０が合流するように接続されている。不活性ガス供給管３３０にはバルブ３３３及びＭＦＣ３３４を介して不活性ガス供給源３３６が接続されている。クリーニングガス供給管３２２にも不活性ガス供給管３４０が合流するように接続されている。不活性ガス供給管３４０にはバルブ３４３及びＭＦＣ３４４を介して不活性ガス供給源３４６が接続されている。
【００１９】
本実施例では、処理室２０１内をパージするための不活性ガスの一例としてＮ２ガス，Ａｒガス等が使用される。バルブ３３３，３４３、ＭＦＣ３３４，３４４にはガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、不活性ガスの供給流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２０】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気管２３１が設けられている。ガス排気管２３１の端部は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。
【００２１】
排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には、圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。
【００２２】
排気管２３１の圧力調整装置２４２より上流側には２本の連結管４００，５００が連結されている。連結管４００にはバルブ４１０を介して圧力計器４２０が接続されており、連結管５００には圧力計器５２０が接続されている。圧力計器４２０，５２０はともに処理室２０１内の圧力を測定する機器である。特に圧力計器４２０は０〜１０Ｔｏｒｒ程度の狭い範囲で、圧力計器５２０は０〜１０００Ｔｏｒｒ程度の広い範囲で圧力を測定可能であり、圧力計器４２０と圧力計器５２０とでは測定可能な圧力範囲が異なっている。処理室２０１内を大気圧から真空圧にする場合には、始めにバルブ４１０を閉めた状態で圧力計器５２０により圧力を測定し、その測定値が１０Ｔｏｒｒ未満を示した後にバルブ４１０を開いて圧力計器４２０により圧力を測定するようになっている。
【００２３】
圧力計器４２０は公知のダイアフラム真空計であり、気体分子が薄い金属性の壁を押す力を計測することによって圧力を測定するタイプの真空計である。図２に示す通り、圧力計器４２０の内部にはダイアフラム（隔壁）４２２が設けられており、圧力計器４２０の内部空間はダイアフラム４２２により基準室４２４と真空計測部４２６とに仕切られている。ダイアフラム４２２は非常に薄い金属でありわずかな圧力でも変形する。基準室４２４には固定電極４２８が設けられており、真空計測部４２６は連結管４００に通じている。
【００２４】
圧力計器４２０では、ダイアフラム４２２の変形を静電容量の変化として電気的に計測して圧力に換算し、これにより圧力を測定できるようになっている。詳しくは、基準室４２４の圧力よりも真空計測部４２６の圧力が大きい場合、ダイアフラム４２２が基準室４２４側にたわみ、ダイアフラム４２２と電極４２８との距離が小さくなる。その結果、静電容量の検出量が上昇し、圧力値は大きな値を示す。逆に、真空計測部４２６の圧力よりも基準室４２４の圧力が大きい場合は、ダイアフラム４２２が真空計測部４２６側にたわみ、ダイアフラム４２２と電極４２８との距離が大きくなる。その結果、静電容量の検出量が低下し、圧力値は小さな値を示す。
【００２５】
以上の圧力計器４２０では下記のような現象が起こる可能性がある。
連結管４００に副生成物等の反応生成物が付着した場合、反応生成物からのアウトガスにより、真空計測部４２６側の圧力が上昇してダイアフラム４２２が基準室４２４側にたわみ、ダイアフラム４２２と固定電極４２８との距離が小さくなる。その結果、静電容量の検出量が上昇し、圧力計器４２０で測定された圧力値が実際の処理室２０１の圧力値より大きい値（プラス側）にシフトしてしまう。
【００２６】
他方、ダイアフラム４２２にピンホールが開いた場合、基準室４２４の圧力が上昇し（例えば真空計測部４２６の圧力と同じぐらいになり）、ダイアフラム４２２が真空計測部４２６側にたわみ、ダイアフラム４２２と固定電極４２８との距離が大きくなる。その結果、静電容量の検出量が低下し、圧力計器４２０で測定された圧力値が処理室２０１の圧力値より小さい値（マイナス側）にシフトしてしまう。また、他の原因として、腐蝕性の高いガスがピンホールを介して真空計測部４２６から基準室４２４に流入し、固定電極４２８を腐蝕等させ、圧力計器４２０が誤動作してその測定値がマイナス側にシフトしてしまうこともある。
【００２７】
圧力計器５２０も圧力計器４２０と同様の構成を有しており、本実施例では圧力計器４２０と同様の部材には図２中の括弧にその部材の番号を記載し、その詳細な説明を省略する。
【００２８】
圧力調整装置２４２、バルブ４１０、圧力計器４２０，５２０には圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６はバルブ４１０の開閉も含めて圧力計器４２０，５２０により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。またこれに対応して、ガス流量制御部２３５は圧力計器５２０の測定値が所定の圧力値（例えば１０Ｔｏｒｒ）以上であるときには処理ガス用のバルブ３１３を閉じておき（インターロック）、その測定値が所定の圧力値（例えば１０Ｔｏｒｒ）未満に達したときにバルブ３１３を開く（インターロックを解除）ようにバルブ３１３を制御している。
【００２９】
マニホールド２０９の下部には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９とマニホールド２０９との間にはＯリング２２０ｂが設けられており、これら部材間が気密になっている。本実施例では、少なくともプロセスチューブ２０３、マニホールド２０９、シールキャップ２１９により処理室２０１が形成されている。
【００３０】
シールキャップ２１９の下方には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２５４が作動して回転軸２５５が回転すると、ボート２１７が回転してウエハ２００も回転するように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入・搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００３１】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００３２】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００３３】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
【００３４】
また本実施例では、コントローラ２４０には警報部６００，警告表示部６１０が設けられており、警報部６００，警告表示部６１０が主制御部２３９に接続されている。主制御部２３９が警報部６００，警告表示部６１０に制御信号を送信すると、警報部６００が警報を鳴らし、警告表示部６１０が作業者に対し警告を促すような表示をすることができるようになっている。警報部６００による警報や警告表示部６１０による警告表示は、基本的には作業者によるコントローラ２４０への操作により解除される。
【００３５】
次に、図３を参照しながら、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイス（半導体装置）の製造工程の一工程として、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。
【００３６】
基板処理装置を構成する各部の動作は基本的にコントローラ２４０（主には主制御部２３９）により制御される。図３はコントローラ２４０が実行する処理を経時的に示す概略的なフローチャートである。
【００３７】
ウエハ２００に薄膜を形成する前に、コントローラ２４０は処理室２０１内の圧力が安定するまで処理室２０１内を真空引きする処理を実行する（ステップＳ１）。その結果、真空排気装置２４６が作動して処理室２０１内を真空引きする。この場合、圧力計器５２０が圧力値を測定し、圧力計器５２０の測定値が１０Ｔｏｒｒ未満に達したら、バルブ４１０が開いて圧力計器４２０も圧力値の測定を開始する。そして、圧力計器４２０，５２０の測定値が所定の設定値（例えばデフォルト値）又は限界値に達するまで続ける。
【００３８】
ステップＳ１の処理後、コントローラ２４０はそのときの処理室２０１内の圧力値を測定する処理を実行する（ステップＳ２）。その結果、圧力計器４２０がそのときの出力電圧値から「圧力値Ｘ１」を算出してその算出値をコントローラ２４０に送信し、圧力計器５２０もそのときの出力電圧値から「圧力値Ｙ１」を算出してその算出値をコントローラ２４０に送信する。コントローラ２４０は圧力計器４２０，５２０の送信を受けて、圧力計器４２０で測定された処理室２０１内の圧力値を圧力値Ｘ１と、圧力計器５２０で測定された処理室２０１内の圧力値を圧力値Ｙ１と認識する。
【００３９】
ステップＳ２の処理後、コントローラ２４０は、圧力値Ｘ１，Ｙ１に基づき基準値（Ｘ，Ｙ）と許容可能な圧力範囲としてその許容範囲（Ｘ＋，Ｘ−，Ｙ＋，Ｙ−）とを設定する処理を実行する（ステップＳ３）。
【００４０】
詳しくは、コントローラ２４０は圧力計器４２０が圧力値Ｘ１を得た際の出力電圧値をゼロ点として認識し、そのゼロ点に対応する圧力値Ｘ１を「基準値Ｘ」と認識してこれを記憶する。なお、圧力計器４２０の出力電圧値（ゼロ点）は、ダイアフラム４２２に影響のない不活性ガスでも使用頻度や経年変化等にて微少にシフトする場合もあるから、基準値Ｘはその場合のシフトを無視できる程度の大きさ（スケール）を有する値とする。
【００４１】
更に、コントローラ２４０は、基準値Ｘに対し許容可能な圧力幅として付与したい圧力範囲を設定する。この場合、コントローラ２４０はまず、付与したい圧力範囲に応じて、圧力値Ｘ１を得た際の圧力計器４２０の出力電圧値（ゼロ点）に対しプラス側とマイナス側とにそれぞれ一定の電圧幅を付与し、それら電圧幅を圧力幅に変換してこれを基準値Ｘに付与する。これにより、コントローラ２４０は、基準値Ｘにおけるプラス側の「許容範囲Ｘ＋」とマイナス側の「許容範囲Ｘ−」とを認識してこれを記憶する。
【００４２】
ここでは、圧力計器４２０のゼロ点はマイナス側のみに限らずプラス側にもシフトする場合もあるから、基準値Ｘに対しては当該基準値Ｘと同等に扱える値として一定の範囲を持たせ、上記の通りにプラス側とマイナス側とにそれぞれ許容範囲Ｘ＋，Ｘ−を設定している。またこの処理と併せて、コントローラ２４０は、許容範囲Ｘ＋の上限値であって基準値Ｘから所定の値だけ大きい「最大許容値Ｘｍａｘ」と、許容範囲Ｘ−の下限値であって基準値Ｘから所定の値だけ小さい「最小許容値Ｘｍｉｎ」とを認識してこれを記憶する。
【００４３】
一方、コントローラ２４０は圧力計器５２０の圧力値Ｙ１に対しても、圧力値Ｘ１にしたのと同様の処理を実行し、基準値Ｙ，許容範囲Ｙ＋，許容範囲Ｙ−，最大許容値Ｙｍａｘ，最小許容値Ｙｍｉｎをそれぞれ認識してこれらを記憶する。
【００４４】
以上のステップＳ３の処理を概略的に説明すると、例えば、ステップＳ１の工程で処理室２０１内の圧力が安定したときの圧力計器４２０，５２０の出力電圧値が０．１Ｖである場合には、コントローラ２４０はまず圧力計器４２０，５２０の出力電圧値０．１Ｖをゼロ点として認識する。この場合、図４に示す通り、圧力計器４２０のゼロ点に対応する圧力値が０．１Ｔｏｒｒである場合には、コントローラ２４０はそのゼロ点に対応する圧力値０．１Ｔｏｒｒを基準値Ｘと認識してこれを記憶する。他方、図５に示す通り、圧力計器５２０のゼロ点に対応する圧力値が１０Ｔｏｒｒである場合には、コントローラ２４０はそのゼロ点に対応する圧力値１０Ｔｏｒｒを基準値Ｙと認識してこれを記憶する。
【００４５】
更に、基準値Ｘに対し±６．６６Ｔｏｒｒの圧力幅を付与しようとする場合には、コントローラ２４０は、始めにゼロ点（＝０．１Ｖ）に対しプラス側に＋０．０５Ｖの電圧幅を、マイナス側に−０．０５Ｖの電圧幅を付与し、その後にそれら±０．０５Ｖの電圧幅を圧力幅に変換してこれを基準値Ｘに付与する。その結果、プラス側の許容範囲Ｘ＋は０〜＋６．６６Ｐａと、マイナス側の許容範囲Ｘ−は−６．６６〜０Ｐａと、最大許容値Ｘｍａｘは＋６．６６Ｐａと、最小許容値Ｘｍｉｎは−６．６６Ｐａとなり、コントローラ２４０はこれらを認識して記憶する。
【００４６】
他方、処理ガスの流通を許容・禁止するように開閉するバルブ３１３のインターロックが発生する圧力値が１０Ｔｏｒｒであり、基準値Ｙに対しその圧力値の１／２の圧力幅を付与しようとするときは、コントローラ２４０は、始めにゼロ点（＝０．１Ｖ）に対しプラス側に＋０．０５Ｖの電圧幅を、マイナス側に−０．０５Ｖの電圧幅を付与し、その後にそれら±０．０５Ｖの電圧幅を圧力幅に変換してこれを基準値Ｙに付与する。その結果、プラス側の許容範囲Ｙ＋は０〜＋５Ｔｏｒｒと、マイナス側の許容範囲Ｙ−は−５〜０Ｔｏｒｒと、最大許容値ＹｍａＸは＋５Ｔｏｒｒと、最小許容値Ｙｍｉｎは−５Ｔｏｒｒとなり、コントローラ２４０はこれらを認識して記憶する。
【００４７】
なお、基準値Ｘ，Ｙに対し付与しようとする±６．６６Ｐａ，±５Ｔｏｒｒといった圧力幅は単なる例示であり、運用上可能であればより細かい圧力幅を基準値Ｘ，Ｙに対し付与してもよい。また基準値Ｘ，Ｙに対し付与する圧力幅を、上記ではプラス側とマイナス側とにそれぞれ１幅ずつ設けるものとしているが、プラス側とマイナス側とに２幅ずつ（計４幅にわたって）設けるものとしてもよい。この場合、圧力計器４２０，５２０を用いた制御態様において誤差の少ないより精密な制御を行うことができる。
【００４８】
ステップＳ３の処理後、コントローラ２４０は処理室２０１内を大気圧に戻す処理を実行する（ステップＳ４）。その結果、バルブ３３３が開き、不活性ガスがＭＦＣ３３４で流量調整されながら不活性ガス供給源３３６から不活性ガス供給管３３０，処理ガス供給管３１２，ノズル３１０を経て処理室２０１に供給され、処理室２０１内が大気圧に復帰する。
【００４９】
ステップＳ４の処理後、コントローラ２４０はウエハ２００を処理室２０１に搬入する処理を実行する（ステップＳ５）。その結果、複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）され、それら複数枚のウエハ２００がボート２１７に保持された状態でボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９がＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００５０】
ステップＳ５の処理後、コントローラ２４０はウエハ２００に薄膜を形成する処理を実行する（ステップＳ６）。その結果、真空排気装置２４６が作動して処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力が圧力計器４２０，５２０で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置２４２がフィードバック制御される。
【００５１】
また、ヒータ２０６が作動して処理室２０１内が所望の温度となるように加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４が作動してボート２１７が回転し、ウエハ２００が回転する。
【００５２】
次いで、バルブ３１３が開き、処理ガスが、ＭＦＣ３１４で流量調整されながら処理ガス供給源３１６から処理ガス供給管３１２，ノズル３１０を経て処理室２０１内に導入される。
【００５３】
導入された処理ガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。処理ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００５４】
ステップＳ６の処理後、コントローラ２４０は処理室２０１内を大気圧に戻す処理を実行する（ステップＳ７）。その結果、バルブ３３３が開き、不活性ガスがＭＦＣ３３４で流量調整されながら不活性ガス供給源３３６から不活性ガス供給管３３０，処理ガス供給管３１２，ノズル３１０を経て処理室２０１に供給され、処理室２０１内がパージされるとともに大気圧に復帰する。
【００５５】
ステップＳ７の処理後、コントローラ２４０はウエハ２００を処理室２０１から搬出する処理を実行する（ステップＳ８）。その結果、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降し、マニホールド２０９の下端が開口するとともに、処理済のウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出される（ウエハディスチャージ）。
【００５６】
なお、コントローラ２４０は、ステップＳ５からステップＳ８までの処理を、１回実行したらすぐにその後のステップＳ９の処理に移行してもよいし、複数回繰り返し実行してからその後のステップＳ９の処理に移行してもよい。
【００５７】
ステップＳ８の処理後、コントローラ２４０はステップＳ１と同様の処理であって、処理室２０１内の圧力が安定するまで処理室２０１内を真空引きする処理を再度実行する（ステップＳ９）。
【００５８】
ステップＳ９の処理が終了したら、コントローラ２４０はステップＳ２と同様の処理であって、そのときの処理室２０１内の圧力値を測定する処理を再度実行する（ステップＳ１０）。その結果、圧力計器４２０がそのときの出力電圧値から「圧力値Ｘ２」を算出してその算出値をコントローラ２４０に送信し、圧力計器５２０もそのときの出力電圧値から「圧力値Ｙ２」を算出してその算出値をコントローラ２４０に送信する。コントローラ２４０は圧力計器４２０，５２０の送信を受けて、圧力計器４２０で測定された処理室２０１内の圧力値を圧力値Ｘ２と、圧力計器５２０で測定された処理室２０１内の圧力値を圧力値Ｙ２と認識する。
【００５９】
ステップＳ１０の処理後、コントローラ２４０は圧力値Ｘ２が許容範囲Ｘ＋内に収まっているか否かと、圧力値Ｙ２が許容範囲Ｙ＋内に収まっているか否かとを判断する（ステップＳ１１）。すなわち、圧力値Ｘ２が最大許容値Ｘｍａｘ以下であるか否かと、圧力値Ｙ２が最大許容値Ｙｍａｘ以下であるか否かとを判断する。
【００６０】
ステップＳ１１の処理の結果、圧力値Ｘ２，Ｙ２の両方がそれぞれ許容範囲Ｘ＋，Ｙ＋内に収まっており、圧力値Ｘ２，Ｙ２の両方がそれぞれ最大許容値Ｘｍａｘ，Ｙｍａｘ以下であると判断したら、コントローラ２４０は次のステップＳ１３の処理に移行する。
【００６１】
他方、ステップＳ１１の処理の結果、圧力値Ｘ２，Ｙ２の両方又は片方がそれぞれ許容範囲Ｘ＋，Ｙ＋内に収まっておらず、圧力値Ｘ２，Ｙ２の両方又は片方がそれぞれ最大許容値Ｘｍａｘ，Ｙｍａｘを上回っていると判断したら、コントローラ２４０は、圧力値Ｘ２，Ｙ２がプラス側にシフトしていると認識し、是正処理として警報を鳴らして警告表示をする旨の処理を実行する（ステップＳ１２）。その結果、警報部６００が警報を鳴らすとともに、警告表示部６１０が圧力計器４２０，５２０の測定値がプラス側にシフトしており圧力計器４２０，５２０に異常がある旨とゼロ点がプラス側にシフトした旨の表示を行う。
【００６２】
ステップＳ１１，Ｓ１２の処理後、コントローラ２４０は圧力値Ｘ２が許容範囲Ｘ−内に収まっているか否かと、圧力値Ｙ２が許容範囲Ｙ−内に収まっているか否かとを判断する（ステップＳ１３）。すなわち、圧力値Ｘ２が最小許容値Ｘｍｉｎ以上であるか否かと、圧力値Ｙ２が最小許容値Ｙｍｉｎ以上であるか否かとを判断する。
【００６３】
ステップＳ１３の処理の結果、圧力値Ｘ２，Ｙ２の両方がそれぞれ許容範囲Ｘ−，Ｙ−内に収まっており、圧力値Ｘ２，Ｙ２の両方がそれぞれ最小許容値Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎ以上であると判断したら、コントローラ２４０は次のステップＳ１５の処理を実行する。
【００６４】
他方、ステップＳ１３の処理の結果、圧力値Ｘ２，Ｙ２の両方又は片方がそれぞれ許容範囲Ｘ−，Ｙ−内に収まっておらず、圧力値Ｘ２，Ｙ２の両方又は片方がそれぞれ最小許容値Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎを下回っていると判断したら、コントローラ２４０は、圧力値Ｘ２，Ｙ２がマイナス側にシフトしていると認識し、是正処理としてプラス側にシフトした際に鳴らす警報音とは異なる警報音で警報を鳴らして警告表示をする旨の処理を実行する（ステップＳ１４）。その結果、警報部６００が警報を鳴らすとともに、警告表示部６１０が圧力計器４２０，５２０の測定値がマイナス側にシフトしており圧力計器４２０，５２０に異常がある旨とゼロ点がマイナス側にシフトした旨の表示を行う。なお、ステップＳ１２，Ｓ１４では、警報を鳴らすか警告の旨を表示するかのいずれか一方の処理だけを実行してもよい。
【００６５】
ステップＳ１３，Ｓ１４の処理後、コントローラ２４０は処理室２０１内を大気圧に戻す処理を実行する（ステップＳ１５）。その結果、バルブ３３３が開き、不活性ガスがＭＦＣ３３４で流量調整されながら不活性ガス供給源３３６から不活性ガス供給管３３０，処理ガス供給管３１２，ノズル３１０を経て処理室２０１に供給され、処理室２０１内が大気圧に復帰する。
【００６６】
ステップＳ１５の処理後、コントローラ２４０は、ステップＳ１２，Ｓ１４の処理において警報・警告表示処理を実行したか否かを判断し（ステップＳ１６）、その判断の結果、警報・警告表示処理を実行したと判断したら、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入するのを禁止する処理を実行して（ステップＳ１７）、ボートエレベータ１１５等の作動が禁止される。そして、コントローラ２４０はステップＳ１からステップＳ１７に至る薄膜を形成するための処理を終了する。
【００６７】
他方、ステップＳ１６の処理の結果、警報・警告表示処理を実行していないと判断したら、コントローラ２４０は、未処理のウエハ２００に薄膜を形成する旨の指示が存するか否かを判断する（ステップＳ１８）。
【００６８】
ステップＳ１８の処理の結果、コントローラ２４０は、当該指示が存すると判断したら、ステップＳ５の処理に戻りステップＳ５からステップＳ１８までの処理を再度繰り返し実行し、当該指示が存しないと判断したら、ステップＳ１からステップ１８に至る薄膜を形成するための処理を終了する。
【００６９】
以上の本実施例では、ウエハ２００の薄膜形成に伴い、圧力計器４２０，５２０や連結管４００，５００等に副生成物が徐々に付着・堆積し、副生成物が連結管４００，５００を閉塞したり、副生成物からアウトガスが発生したり、副生成物が付着・堆積部位から剥離したりすると、圧力計器４２０，５２０で測定される圧力値Ｘ２，Ｙ２がプラス側にシフトする場合がある。
【００７０】
例えば、本実施例では、処理室２０１内のプロセスの圧力制御用（０〜１０Ｔｏｒｒ）の圧力計器４２０と、大気圧から真空まで（０〜１０００Ｔｏｒｒ）を測定する圧力計器５２０とを組み合わせて使用しているが、圧力計器５２０で測定される圧力が１０Ｔｏｒｒ未満になった際に、圧力計器４２０のバルブ４１０を開くことができ、かつ、処理ガス用のバルブ３１３を開くことができる（インターロック解除）という条件を設けたとする。
【００７１】
このような状態のとき、圧力計器４２０にて１．５Ｔｏｒｒ（２００Ｐａ）で圧力制御しながら薄膜の形成処理を行っている際に、副生成物に起因して、圧力計器５２０の測定出力電圧値がプラス側にゼロ点シフトし、見かけ上の圧力計器５２０の電圧出力値としては１０Ｔｏｒｒ以上となることがある。このようなときには、処理ガス用のバルブ３１３でインターロックが発生してバルブ３１３が自動的に閉まり、ウエハ２００への薄膜の形成処理が中断してしまう。この場合、１ロット分のウエハ２００を損なうことになってしまう。
【００７２】
これに対し、本実施例では、ステップＳ１１の処理で圧力値Ｘ２，Ｙ２が許容範囲Ｘ＋，Ｙ＋内に収まっているか否かを判断し、圧力値Ｘ２，Ｙ２が許容範囲Ｘ＋，Ｙ＋を超えている場合にはステップＳ１２の処理で警報を鳴らしたり警告表示したりするようになっているから、作業者は圧力計器４２０，５２０が副生成物に起因して誤測定している可能性があることを容易に判別することができる。そのため、当該副生成物を除去すれば、ウエハ２００への薄膜形成中にバルブ３１３が自動的に閉まりその薄膜形成処理が中断するのを未然に防止又は抑制することができ、ウエハ２００の不良を未然に回避することができる。
【００７３】
また、副生成物や腐食ガスにより圧力計器４２０，５２０のダイアフラム４２２，５２２にピンホールが発生し、圧力計器４２０，５２０で測定される圧力値Ｘ２，Ｙ２がマイナス側にシフトする場合もある。例えば、圧力計器４２０にて１．５Ｔｏｒｒ（２００Ｐａ）で圧力制御中に、ダイアフラム４２２にピンホールが発生し、圧力計器４２０の測定した圧力値がマイナス側に１０Ｐａ程シフト（実際の圧力２１０Ｐａ）したとする。この状態でプロセス制御した場合、所望の圧力条件より処理室２０１内の圧力が高くなってしまい、薄膜が厚膜となり、その後の検査工程でウエハ２００が不良として検出される。その間でもプロセス処理は継続するため、検査工程で不良と判断されるまでの間、複数ロット分のウエハ２００の不良を発生させる。
【００７４】
これに対し、本実施例では、ステップＳ１３の処理で圧力値Ｘ２，Ｙ２が許容範囲Ｘ−，Ｙ−内に収まっているか否かを判断し、圧力値Ｘ２，Ｙ２が許容範囲Ｘ−，Ｙ−を下回っている場合にはステップＳ１４の処理でプラス側にシフトした際に鳴らす警報音とは異なる警報音で警報を鳴らしたり警告表示したりするようになっているから、作業者は圧力計器４２０，５２０自体に故障が発生している可能性があることを容易に判別することができる。そのため、処理室２０１が所望の圧力より高い圧力とされた状態でウエハ２００に薄膜が形成されその薄膜が厚膜になるといった事態を未然に回避することができ、ひいてはウエハ２００の不良を未然に回避することができる。
【００７５】
以上から、本実施例では、圧力値Ｘ２，Ｙ２がマイナス側にシフトした場合やプラス側にシフトした場合のいずれの場合にも適切に対応することができ、ウエハ２００の不良を未然に回避することができる。また、圧力値Ｘ２，Ｙ２が、マイナス側の許容範囲Ｘ−，Ｙ−を下回っている場合には圧力計器４２０，５２０を交換し、プラス側の許容範囲Ｘ＋，Ｙ＋を上回っている場合には圧力計器４２０，５２０を交換せずともクリーニングすることにより、再利用することができるため、圧力計器４２０，５２０の交換頻度が少なくて済む。
【００７６】
なお、本実施例の比較例として下記のような構成を想定することができる。一の比較例として、図６に示す通り、圧力計器５２０の出力電圧のゼロ点シフトをプラス側でのみ測定する。この場合、圧力計器５２０の出力電圧がマイナス側にシフトした場合でも圧力値を測定することはできるものの、上位の圧力計器４２０には通常マイナス側が圧力値として測定される範囲に設定されておらず、圧力計器４２０ではマイナス側のシフトをみることができない。
【００７７】
これを是正すべく、他の比較例として、圧力計器５２０の出力電圧（ゼロ点）をゼロボルトより若干上の値に設定し、圧力計器５２０の出力電圧がマイナス側に少しシフトした場合でも、これを圧力値として測定する。しかしながら、この場合、圧力計器５２０で測定可能な上限が例えば１０Ｔｏｒｒ→９Ｔｏｒｒとなってしまい、圧力コントロール範囲が狭くなってしまう。特にゼロ点のシフト範囲をプラス側と同等範囲だけマイナス側に設けるようにすると、コントロール範囲が顕著に狭くなってしまい、プラス側／マイナス側のシフトを同等範囲で設定することができない。
【実施例２】
【００７８】
本実施例２は下記の点で実施例１と異なっており、それ以外は実施例１と同様となっている。
【００７９】
実施例２では、実施例１で説明した図３中ステップＳ１からステップＳ１８までの処理において、コントローラ２４０がステップＳ１７の処理後に更なる別の処理（図３中Ａ，図７参照）を実行する。
【００８０】
ステップＳ１７の処理後、図７に示す通り、コントローラ２４０は、圧力値Ｘ２，Ｙ２がプラス側にシフトしていると認識したか又はマイナス側にシフトしていると認識したかを判断する（ステップＳ２０）。
【００８１】
ステップＳ２０の処理の結果、圧力値Ｘ２，Ｙ２がプラス側にシフトしていると認識したと判断したら、コントローラ２４０は、ステップＳ１，Ｓ９と同様の処理であって、処理室２０１内の圧力が安定するまで処理室２０１内を真空引きする処理を再度実行する（ステップＳ２１）。
【００８２】
ステップＳ２１の処理後、コントローラ２４０は、処理室２０１，排気管２３１，連結管４００，５００，圧力計器４２０，５２０等をクリーニングする旨の処理を実行する（ステップＳ２２）。その結果、バルブ３２３が開き、クリーニングガスが、ＭＦＣ３２４で流量調整されながらクリーニングガス供給源３２６からクリーニングガス供給管３２２，ノズル３２０を経て処理室２０１内に導入される。導入されたクリーニングガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。
【００８３】
圧力値Ｘ２，Ｙ２がプラス側にシフトしていると認識した場合に、ステップＳ２２のクリーニング処理を実行するのは次の理由による。圧力値Ｘ２，Ｙ２が許容範囲Ｘ＋，Ｙ＋を超えて最大許容値Ｘｍａｘ，Ｙｍａｘを上回った場合には、薄膜の形成時に生成された副生成物であって排気管２３１や連結管４００，５００、圧力計器４２０，５２０等に付着した付着物からアウトガスが発生し、圧力計器４２０，５２０の出力電圧値がプラス側にシフトしたと考えられる。そのため、副生成物をクリーニングにより除去し、アウトガスの発生を防止又は抑制するようにしている。
【００８４】
例えば、処理ガスとしてＳｉＨ２Ｃｌ２，ＮＨ３ガスを用いてウエハ２００にＳｉＮ４膜を形成した場合には、その副生成物としてＮＨ４Ｃｌ等が生成されるので、クリーニングガスとしてＣｌＦ３ガスやＦ２ガス、Ｆ２ガスとＨＦガスとの混合ガス等を用いてこれを排気管２３１や連結管４００，５００、圧力計器４２０，５２０等に供給すれば、これら部材に付着しているＮＨ４Ｃｌ等の除去が可能であり、アウトガスの発生を防止又は抑制することができる。
【００８５】
ステップＳ２２の処理後、コントローラ２４０は、クリーニングガスをパージする処理を実行する（ステップＳ２３）。その結果、バルブ３２３が閉じてバルブ３４３が開き、クリーニングガスの供給が停止されるとともに、不活性ガスが不活性ガス供給源３４６から不活性ガス供給管３４０，クリーニングガス供給管３２２，ノズル３２０を経て処理室２０１に供給され、処理室２０１から排気管２３１や連結管４００，５００、圧力計器４２０，５２０等を流通し、排気管２３１や連結管４００，５００、圧力計器４２０，５２０等がパージされる。
【００８６】
ステップＳ２３の処理後、ステップＳ１，Ｓ９，Ｓ２１と同様の処理であって、処理室２０１内の圧力が安定するまで処理室２０１内を真空引きする処理を再度実行する（ステップＳ２４）。
【００８７】
ステップＳ２４の処理後、コントローラ２４０はそのときの処理室２０１内の圧力値を測定する処理を実行する（ステップＳ２５）。その結果、圧力計器４２０がそのときの出力電圧値から「圧力値Ｘ３」を算出してその算出値をコントローラ２４０に送信し、圧力計器５２０もそのときの出力電圧値から「圧力値Ｙ３」を算出してその算出値をコントローラ２４０に送信する。コントローラ２４０は圧力計器４２０，５２０の送信を受けて、圧力計器４２０で測定された処理室２０１内の圧力値を圧力値Ｘ３と、圧力計器５２０で測定された処理室２０１内の圧力値を圧力値Ｙ３と認識する。
【００８８】
ステップＳ２５の処理後、コントローラ２４０は圧力値Ｘ３が許容範囲Ｘ＋内に収まっているか否かと、圧力値Ｙ３が許容範囲Ｙ＋内に収まっているか否かとを判断する（ステップＳ２６）。すなわち、圧力値Ｘ３が最大許容値Ｘｍａｘ以下であるか否かと、圧力値Ｙ３が最大許容値Ｙｍａｘ以下であるか否かとを判断する。
【００８９】
ステップＳ２６の処理の結果、圧力値Ｘ３，Ｙ３の両方がそれぞれ許容範囲Ｘ＋，Ｙ＋内に収まっており、圧力値Ｘ３，Ｙ３の両方がそれぞれ最大許容値Ｘｍａｘ，Ｙｍａｘ以下であると判断したら、コントローラ２４０は、圧力計器４２０，５２０が正常に作動する（処理室２０１内の圧力を正確に測定可能である。）と認識し、処理室２０１内を大気圧に戻す処理を実行する（ステップＳ２７）。その結果、バルブ３４３が開き、不活性ガスがＭＦＣ３４４で流量調整されながら不活性ガス供給源３４６から不活性ガス供給管３４０，クリーニングガス供給管３２２，ノズル３２０を経て処理室２０１に供給され、処理室２０１内が大気圧に復帰する。
【００９０】
ステップＳ２７の処理後は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入するのを禁止する処理を解除して（ステップＳ２８）、ボートエレベータ１１５等の作動が許容される。そして、コントローラ２４０はステップＳ１８以降の処理を実行する（図７Ｂ，図３Ｂ参照）。
【００９１】
他方、ステップＳ２６の処理の結果、圧力値Ｘ３，Ｙ３の両方又は片方がそれぞれ許容範囲Ｘ＋，Ｙ＋内に収まっておらず、圧力値Ｘ３，Ｙ３の両方又は片方がそれぞれ最大許容値Ｘｍａｘ，Ｙｍａｘを上回っていると判断したら、コントローラ２４０は、圧力値Ｘ３，Ｙ３の両方が圧力値Ｘ２，Ｙ２以上であるか否かを判断する（ステップＳ２９）。
【００９２】
ステップＳ２９の処理の結果、圧力値Ｘ３，Ｙ３の両方が圧力値Ｘ２，Ｙ２以上であると判断したら、コントローラ２４０は、圧力計器４２０，５２０が誤作動する（処理室２０１内の圧力を正確に測定できない。）と判断し、警報を鳴らして警告表示をする旨の処理を実行する（ステップＳ３０）。その結果、警報部６００が警報を鳴らすとともに、警告表示部６１０が圧力計器４２０，５２０に異常があり交換が必要である旨の表示を行う。
【００９３】
ステップＳ３０の処理後、コントローラ２４０は処理室２０１内を大気圧に戻す処理を実行する（ステップＳ３１）。その結果、バルブ３４３が開き、不活性ガスがＭＦＣ３４４で流量調整されながら不活性ガス供給源３４６から不活性ガス供給管３４０，クリーニングガス供給管３２２，ノズル３２０を経て処理室２０１に供給され、処理室２０１内が大気圧に復帰する。
【００９４】
ステップＳ３１の処理後、コントローラ２４０は、ステップＳ１からステップＳ３１に至る薄膜を形成するための処理を終了する。
【００９５】
他方、ステップＳ２９の処理の結果、圧力値Ｘ３，Ｙ３の両方が圧力値Ｘ２，Ｙ２を下回っていると判断したら、コントローラ２４０は、ステップＳ２２の処理で副生成物が除去しきれていないと判断し、ステップＳ２２以降の処理を繰り返し実行する。
【００９６】
また、ステップＳ２０の処理の結果、圧力値Ｘ２，Ｙ２がマイナス側にシフトしていると認識したと判断したら、コントローラ２４０は、警報を鳴らして警告表示をする旨の処理を実行する（ステップＳ３２）。その結果、警報部６００が警報を鳴らすとともに、警告表示部６１０が圧力計器４２０，５２０に異常があり交換が必要である旨の表示を行う。
【００９７】
圧力値Ｘ２，Ｙ２がマイナス側にシフトしていると認識した場合に、ステップＳ２２のようなクリーニング処理を実行しないのは次の理由による。圧力値Ｘ２，Ｙ２が許容範囲Ｘ−，Ｙ−を超えて最小許容値Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎを下回った場合には、圧力計器４２０，５２０のダイアフラム４２２，５２２にピンホールが形成され、圧力計器４２０，５２０の出力電圧値がマイナス側にシフトしたと考えられる。この場合、圧力計器４２０，５２０そのものやダイアフラム４２２，５２２、固定電極４２８，５２８等を交換する必要があると考えられ、仮にクリーニング処理を行ってもそのクリーニング処理は無駄であると考えられる。
【００９８】
なお、ステップＳ３０，Ｓ３２では、警報を鳴らすか警告の旨を表示するかのいずれか一方の処理だけを実行してもよい。
【００９９】
ステップＳ３２の処理後、コントローラ２４０は、ステップＳ１からステップＳ３２に至る薄膜を形成するための処理を終了する。
【０１００】
以上の本実施例によれば、ステップＳ２０で圧力値Ｘ２，Ｙ２がプラス側にシフトしている場合とマイナス側にシフトしている場合とで異なる是正処理を実行し、その場合に応じた適切な処理を実行している。
【０１０１】
すなわち、圧力値Ｘ２，Ｙ２がプラス側にシフトしている場合には、ステップＳ２２でクリーニングガスにより副生成物を除去するような処理を実行し、副生成物からのアウトガスの発生等を未然に防止又は抑制している。この場合、処理ガス用のバルブ３１３が自動的に閉まり処理ガスの供給が自動停止され、ウエハ２００への薄膜形成処理が中断するといった事態を回避することができる。
【０１０２】
逆に、圧力値Ｘ２，Ｙ２がマイナス側にシフトしている場合には、ステップＳ２２のようなクリーニングは行わず、ステップＳ３２で圧力計器４２０，５２０の交換を促すような処理を実行している。この場合、圧力計器４２０，５２０の交換がなされれば、処理室２０１が所望の圧力より高い圧力とされた状態でウエハ２００に過大に薄膜が形成されその膜厚が厚くなるといった事態を未然に回避することができる。
【０１０３】
以上から、圧力値Ｘ２，Ｙ２がプラス側にシフトした場合やマイナス側にシフトした場合のいずれの場合にも適切に対応することができ、ウエハ２００の不良を未然に回避することができる。
なお、実施例１，２では２つの圧力計器４２０，５２０を使用する場合を例示したが、実施例１，２は圧力計器４２０，５２０のいずれか１つを使用した場合にも適用可能である。
【０１０４】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明の好ましい実施の形態によれば、
基板を処理する処理室を有する反応容器と、
前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、
前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、
前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、
前記排気ラインに接続される排気装置と、
前記反応容器内での基板の処理に先立ち、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第１の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第１の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第２の圧力範囲とを予め設定し、前記反応容器内での基板の処理後に、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第２の圧力値が前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する制御部と、
を備える第１の基板処理装置が提供される。
【０１０５】
好ましくは、第１の基板処理装置において、
警報を鳴らす警報部と、
警告の旨を表示する警告表示部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記是正処理として、前記第２の圧力値が前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合には、前記警告部又は前記警告表示部の少なくとも一方に警報を鳴らさせるか又は警告の旨を表示させる第２の基板処理装置が提供される。
【０１０６】
好ましくは、第１の基板処理装置において、
前記反応容器内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部をさらに備え、
前記制御部は、前記是正処理として、前記第２の圧力値が前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合には、前記クリーニングガス供給部から前記反応室内にクリーニングガスを供給させる第３の基板処理装置が提供される。
【０１０７】
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、
基板を処理する処理室を有する反応容器と、
前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、
前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、
前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、
前記排気ラインに接続される排気装置と、
を備える基板処理装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
基板の処理に先立ち、前記排気装置により前記反応容器内を排気し、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第１の圧力値を基準値として設定する工程と、
基板を反応容器内に搬入する工程と、
前記反応容器内の処理室で基板を処理する工程と、
前記反応容器から基板を搬出する工程と、
前記反応容器内で基板を処理した後、前記排気装置により前記反応容器内を排気し、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際に、前記圧力計器により圧力値を測定し、その測定した圧力値と前記基準値とを比較し、その測定した圧力値が前記基準値より所定以上低い圧力値となった場合と前記基準値より所定以上高い圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０８】
この半導体装置の製造方法によれば、基板処理後に測定した圧力値が基準値より所定以上低い圧力値となった場合と所定以上高い圧力値となった場合とで異なる是正処理を実行するから、その場合に応じた適切な処理を実行することができる。
例えば、基板処理後に測定した圧力値が基準値より所定以上低い圧力値となった場合（真の圧力値よりマイナス側にシフトした場合）には圧力計器の交換を促すような処理を実行し、圧力計器の交換がなされれば、処理室が所望の圧力より高い圧力とされた状態で基板処理が実施され基板が過大に処理されるといった事態を未然に回避することができる。逆に、基板処理後に測定した圧力値が基準値より高い圧力値となった場合（真の圧力値よりプラス側にシフトした場合）には基板処理に伴う副生成物を除去するような処理を実行し、副生成物を除去すれば、副生成物からのアウトガスの発生等を未然に防止又は抑制して、ガス供給ラインによる基板処理用のガスの供給が自動的に停止され基板処理が中断するといった事態を回避することができる。
以上から、基板処理後に測定した圧力値がマイナス側にシフトした場合やプラス側にシフトした場合のいずれの場合にも適切に対応することができ、基板不良を未然に回避することができる。
【０１０９】
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、
基板を処理する処理室を有する反応容器と、
前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、
前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、
前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、
前記排気ラインに接続される排気装置と、
前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される圧力値を第１の圧力値とし、再度、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される圧力値を第２の圧力値とし、前記第２の圧力値が前記第１の圧力値より所定以上低い圧力値となった場合と前記第１の圧力値より所定以上高い圧力値となった場合とで、互いに異なる処理を実行する制御部と、
を備える第４の基板処理装置が提供される。
【０１１０】
第４の基板処理装置によれば、第２の圧力値が第１の圧力値より所定以上低い圧力値となった場合と第１の圧力値より所定以上高い圧力値となった場合とで異なる是正処理を実行するから、その場合に応じた適切な処理を実行することができる。
例えば、第２の圧力値が第１の圧力値より所定以上低い圧力値となった場合（真の圧力値よりマイナス側にシフトした場合）には圧力計器の交換を促すような処理を実行し、圧力計器の交換がなされれば、処理室が所望の圧力より高い圧力とされた状態で基板処理が実施され基板が過大に処理されるといった事態を未然に回避することができる。逆に、第２の圧力値が第１の圧力値より所定以上高い圧力値となった場合（真の圧力値よりプラス側にシフトした場合）には基板処理に伴う副生成物を除去するような処理を実行し、副生成物を除去すれば、副生成物からのアウトガスの発生等を未然に防止又は抑制して、ガス供給ラインによる基板処理用のガスの供給が自動的に停止され基板処理が中断するといった事態を回避することができる。
以上から、第２の圧力値がマイナス側にシフトした場合やプラス側にシフトした場合のいずれの場合にも適切に対応することができ、基板不良を未然に回避することができる。
【０１１１】
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、
基板を処理する処理室を有する反応容器と、
前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、
前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、
前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、
前記排気ラインに接続される排気装置と、
前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される圧力値を第１の圧力値と、前記第１の圧力値より低い所定の範囲を第１の圧力範囲と、前記第１の圧力値より高い所定の範囲を第２の圧力範囲とし、
再度、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際に前記圧力計器により測定される圧力値を第２の圧力値とし、前記第２の圧力値が前記第１の圧力範囲を下回った場合と前記第２の圧力範囲を上回った場合とで、互いに異なる処理を実行する制御部と、
を備える第５の基板処理装置が提供される。
【０１１２】
第５の基板処理装置によれば、第２の圧力値が第１の圧力範囲を下回った場合と第２の圧力範囲を上回った場合とで異なる是正処理を実行するから、その場合に応じた適切な処理を実行することができる。
例えば、第２の圧力値が第１の圧力範囲を下回った場合（真の圧力値よりマイナス側にシフトした場合）には圧力計器の交換を促すような処理を実行し、圧力計器の交換がなされれば、処理室が所望の圧力より高い圧力とされた状態で基板処理が実施され基板が過大に処理されるといった事態を未然に回避することができる。逆に、第２の圧力値が第２の圧力範囲を上回った場合（真の圧力値よりプラス側にシフトした場合）には基板処理に伴う副生成物を除去するような処理を実行し、副生成物を除去すれば、副生成物からのアウトガスの発生等を未然に防止又は抑制して、ガス供給ラインによる基板処理用のガスの供給が自動的に停止され基板処理が中断するといった事態を回避することができる。
以上から、第２の圧力値がマイナス側にシフトした場合やプラス側にシフトした場合のいずれの場合にも適切に対応することができ、基板不良を未然に回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の好ましい実施例で使用される基板処理装置の処理炉とそれに付随する部材の概略構成図であり、特に処理炉部分を縦断面図として示す図面である。
【図２】本発明の好ましい実施例で使用される圧力計器の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例（実施例１）で使用されるコントローラが実行する処理を経時的に示す概略的なフローチャートである。
【図４】本発明の好ましい実施例で使用される圧力計器における出力電力値と圧力値との関係を概略的に示す図面である。
【図５】本発明の好ましい実施例で使用される圧力計器における出力電力値と圧力値との関係を概略的に示す図面である。
【図６】本発明の好ましい実施例に対する比較例で使用される圧力計器における出力電力値と圧力値との関係を概略的に示す図面である。
【図７】本発明の好ましい実施例（実施例２）で使用されるコントローラが図３の後続処理として実行する処理を経時的に示す概略的なフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１４】
１１５  ボートエレベータ
２００  ウエハ
２０１  処理室
２０２  処理炉
２０３  プロセスチューブ
２０４  インナーチューブ
２０５  アウターチューブ
２０６  ヒータ
２０９  マニホールド
２１６  断熱板
２１９  シールキャップ
２２０ａ，２２０ｂ  Ｏリング
２３１  ガス排気管
２３５  ガス流量制御部
２３６  圧力制御部
２３７  駆動制御部
２３８  温度制御部
２３９  主制御部２３９
２４０  コントローラ
２４２  圧力調整装置
２４６  真空排気装置
２５０  筒状空間
２５１  ヒータベース
２５４  回転機構
２５５  回転軸
２６３  温度センサ
３１０，３２０  ノズル
３１２  処理ガス供給管
３１４  ＭＦＣ
３１６  処理ガス供給源
３２２  クリーニングガス供給管
３２４  ＭＦＣ
３２６  クリーニングガス供給源
３３０，３４０  不活性ガス供給管
３３４，３４４  ＭＦＣ
３３６，３４６  不活性ガス供給源
４００，５００  連結管
４１０  バルブ
４２０，５２０  圧力計器
４２２，５２２  ダイアフラム
４２４，５２４  基準室
４２６，５２６  真空計側部
４２８，５２８  固定電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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