(57)【要約】【課題】封止剤としてダイアモンドライクカーボンを適切に使用することにより、プロセス適応性に優れ、優れた気密性を有する静電アクチュエータおよび小型化が可能な液滴吐出ヘッド、それらの製造方法並びに液滴吐出装置を提供する。【解決手段】固定電極（個別電極５）が形成された第１の基板（電極基板１）と、この第１の基板に接合され、固定電極に対して所定のギャップ９を介して対向配置される可動電極（振動板６）が形成された第２の基板（キャビティ基板２）と、固定電極と可動電極との間に静電気力を発生させて可動電極に変位を生じさせる駆動手段４０と、固定電極と可動電極との間に形成されるギャップの外部連通口部分９ａを封止剤として無機材料を用いて気密に封止する封止部１５とを備えた静電アクチュエータにおいて、封止部１５がダイアモンドライクカーボン膜で形成されている構成とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極が形成された第１の基板と、この第１の基板に接合され、前記固定電極に対して所定のギャップを介して対向配置される可動電極が形成された第２の基板と、前記固定電極と前記可動電極との間に静電気力を発生させて該可動電極に変位を生じさせる駆動手段と、前記固定電極と前記可動電極との間に形成される前記ギャップの外部連通口部分を封止剤として無機材料を用いて気密に封止する封止部とを備えた静電アクチュエータにおいて、
前記封止部がダイアモンドライクカーボン膜で形成されていることを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項２】
前記固定電極がＳｉＯ2からなる電極保護膜を有する場合には、前記封止部が水素を含むダイアモンドライクカーボン膜で形成されていることを特徴とする請求項１記載の静電アクチュエータ。
【請求項３】
前記固定電極が電極保護膜を有しない場合には、前記封止部が水素を含まないダイアモンドライクカーボン膜で形成されていることを特徴とする請求項１記載の静電アクチュエータ。
【請求項４】
固定電極が形成された第１の基板と、この第１の基板に接合され、前記固定電極に対して所定のギャップを介して対向配置される可動電極が形成された第２の基板と、前記固定電極と前記可動電極との間に静電気力を発生させて該可動電極に変位を生じさせる駆動手段と、前記固定電極と前記可動電極との間に形成される前記ギャップの外部連通口部分を封止剤として無機材料を用いて気密に封止する封止部とを備えた静電アクチュエータの製造方法において、
前記固定電極がＳｉＯ2からなる電極保護膜を有する場合には、マスク部材を介して、ＣＶＤ法により前記ギャップの外部連通口部分に水素を含むダイアモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、
封止剤の回り込みにより前記第２の基板および前記固定電極の電極取り出し部上に形成された前記ダイアモンドライクカーボン膜の不要な薄膜片をＯ2アッシングにより除去する工程と、
を有することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。
【請求項５】
前記電極取り出し部における前記電極保護膜をマスク部材を介してドライエッチングにより除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項４記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項６】
固定電極が形成された第１の基板と、この第１の基板に接合され、前記固定電極に対して所定のギャップを介して対向配置される可動電極が形成された第２の基板と、前記固定電極と前記可動電極との間に静電気力を発生させて該可動電極に変位を生じさせる駆動手段と、前記固定電極と前記可動電極との間に形成される前記ギャップの外部連通口部分を封止剤として無機材料を用いて気密に封止する封止部とを備えた静電アクチュエータの製造方法において、
前記固定電極が電極保護膜を有しない場合には、マスク部材を介して、スパッタ法により前記ギャップの外部連通口部分に水素を含まないダイアモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、
封止剤の回り込みにより前記第２の基板および前記固定電極の電極取り出し部上に形成された前記ダイアモンドライクカーボン膜の不要な薄膜片をＯ2アッシングにより除去する工程と、
を有することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれかに記載の静電アクチュエータの製造方法を適用して液滴吐出ヘッドを製造することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれかに記載の静電アクチュエータを搭載したことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項９】
請求項８記載の液滴吐出ヘッドを搭載したことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電駆動方式のインクジェットヘッド等に用いられる静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びそれらの製造方法並びに液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載される静電駆動方式のインクジェットヘッドが知られている。静電駆動方式のインクジェットヘッドは、一般に、ガラス基板上に形成された個別電極（固定電極）と、この個別電極に所定のギャップを介して平行に対向配置されたシリコン製の振動板（可動電極）とから構成される静電アクチュエータ部を備えている。そして、インク滴を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズル基板と、このノズル基板に接合されノズル基板との間で上記ノズル孔に連通する吐出室、リザーバ等のインク流路が形成されたキャビティ基板とを備え、上記静電アクチュエータ部に静電気力を発生させることにより吐出室に圧力を加えて、選択されたノズル孔よりインク滴を吐出するようになっている。
【０００３】
このような静電駆動方式のインクジェットヘッドにおいて、静電アクチュエータを構成する振動板と個別電極との間に形成されるギャップが外部と連通する外部連通口部分は、湿気や異物等がギャップ内に侵入しないように樹脂等を塗布することにより気密に封止されている。
このような従来の封止技術に対して、例えば、特許文献１にはガラス基板に封止用の穴を開け、キャビティ基板の裏面に封止材が流れる溝を設け、ガラス基板の裏面から樹脂材料を注入する封止機構が開示されている。しかし、この方法は樹脂材料の毛細管現象を利用した封止方法であるため、無機材料を用いた封止は行うことができない。また、従来のようにガラス基板の表面側から封止する方法よりは、封止代を小さくすることができるが、封止材が毛細管現象により伸びていく長さまでは小さくすることができない。
【０００４】
そこで、封止長さを短くしても必要な気密性を確保するために、酸化膜を用いた封止方法が特許文献２や特許文献３に開示されている。
特許文献２の封止方法は、封止材料として、無機酸化膜（特にＳｉＯ2膜）を用いるものである。無機材料を用いることによって、熱硬化の必要がなくなるとともに、材料からのアウトガスの発生を防ぐことが可能になり、インクジェットヘッドの信頼性を向上させている。
一方、特許文献３の封止方法は、シリコンマスクを用いてドライエッチング法により封止部のシリコン薄膜を除去して開口した後、その開口部に封止材料としてＳｉＯ2膜を堆積させるものである。しかし、シリコンマスクの密着性が悪いと、ドライエッチング時にエッチングガスが回り込み、封止部に近い振動板等の薄膜部までもがエッチングされてしまい、封止不良を引き起こすことがあった。これは封止材料としてＳｉＯ2膜を使用しているからである。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１７９９７４号公報
【特許文献２】特開２００２−２４８７５７号公報
【特許文献３】特開２００７−１１１９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、水蒸気透過性は材料の水蒸気バリア性と封止剤長さの積で決まるため、封止剤長さを長くすることで目的のデバイス信頼性を確保することは可能であるが、上記特許文献２や特許文献３では水分透過性のより低い酸化膜、特にＳｉＯ2膜を封止材料として用いることで、封止性能の向上を図っている。しかし、更なるデバイスの小型化、低コスト化のためには、封止性能のより優れた材料を使用することが必要である。
また、有機ＥＬ素子等では緻密な膜であるＳｉ3Ｎ4を封止材料として用いているものもあるが、Ｓｉ3Ｎ4の場合、エッチングはＣＦ4を用いたＲＩＥによるドライエッチングを行わなければならず、ＳｉＯ2に対するエッチングレートの関係からデバイスへのダメージが発生してしまうという課題がある。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑み、封止剤としてダイアモンドライクカーボンを適切に使用することにより、プロセス適応性に優れ、優れた気密性を有する静電アクチュエータおよび小型化が可能な液滴吐出ヘッド、それらの製造方法並びに液滴吐出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る静電アクチュエータは、固定電極が形成された第１の基板と、この第１の基板に接合され、固定電極に対して所定のギャップを介して対向配置される可動電極が形成された第２の基板と、固定電極と可動電極との間に静電気力を発生させて可動電極に変位を生じさせる駆動手段と、固定電極と可動電極との間に形成されるギャップの外部連通口部分を封止剤として無機材料を用いて気密に封止する封止部とを備えた静電アクチュエータにおいて、封止部がダイアモンドライクカーボン膜で形成されているものである。
【０００９】
本発明の静電アクチュエータは、封止部をダイアモンドライクカーボン膜で形成したものであるので、封止長さを短くしても水分透過性が低く、必要な気密性を十分に保持することができる。
【００１０】
また、固定電極がＳｉＯ2からなる電極保護膜を有する場合には、封止部が水素を含むダイアモンドライクカーボン膜、すなわち水素化アモルファスカーボン膜で形成されているものである。
これは、水素化アモルファスカーボン膜（ａ−Ｃ：Ｈ膜と称する）は、ＩＴＯからなる固定電極に対してアタック性があり、一方、ＳｉＯ2膜に対してはアタック性が低いため、固定電極がＳｉＯ2からなる電極保護膜を有する場合には、水素を含むダイアモンドライクカーボン膜（ａ−Ｃ膜と称する）よりも低応力のａ−Ｃ：Ｈ膜の方が有利だからである。
【００１１】
したがって、固定電極が電極保護膜を有しない場合には、封止部を水素を含まないダイアモンドライクカーボン膜、すなわちａ−Ｃ膜で形成する。但し、ａ−Ｃ膜はａ−Ｃ：Ｈ膜に比べて膜応力が高いので、成膜時にはバイアスを印加せずに低応力化したａ−Ｃ膜を用いることが望ましい。
【００１２】
本発明に係る静電アクチュエータの製造方法は、固定電極が形成された第１の基板と、この第１の基板に接合され、固定電極に対して所定のギャップを介して対向配置される可動電極が形成された第２の基板と、固定電極と可動電極との間に静電気力を発生させて可動電極に変位を生じさせる駆動手段と、固定電極と可動電極との間に形成されるギャップの外部連通口部分を封止剤として無機材料を用いて気密に封止する封止部とを備えた静電アクチュエータの製造方法において、
固定電極がＳｉＯ2からなる電極保護膜を有する場合には、マスク部材を介して、ＣＶＤ法によりギャップの外部連通口部分に水素を含むダイアモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、
封止剤の回り込みにより第２の基板および固定電極の電極取り出し部上に形成されたダイアモンドライクカーボン膜の不要な薄膜片をＯ2アッシングにより除去する工程とを有するものである。
【００１３】
この製造方法により、水分透過性の低いａ−Ｃ：Ｈ膜を用いて、気密性の高い静電アクチュエータを製造することができる。また、マスク部材を用いた成膜時に、マスク部材との隙間から蒸着ガスが回り込み、不要なａ−Ｃ：Ｈ膜の薄膜片が第２の基板および固定電極の電極取り出し部上に形成されることがあるので、当該薄膜片をＯ2アッシングにより除去することにしている。シリコン製の第２の基板はＯ2アッシングに対して安定であるのでダメージを受けることはない。
【００１４】
また、電極取り出し部における電極保護膜をマスク部材を介してドライエッチングにより除去する工程をさらに有するものである。
これによって、電極取り出し部の配線接続が可能となる。
【００１５】
本発明に係る静電アクチュエータの製造方法は、固定電極が形成された第１の基板と、この第１の基板に接合され、固定電極に対して所定のギャップを介して対向配置される可動電極が形成された第２の基板と、固定電極と可動電極との間に静電気力を発生させて可動電極に変位を生じさせる駆動手段と、固定電極と可動電極との間に形成されるギャップの外部連通口部分を封止剤として無機材料を用いて気密に封止する封止部とを備えた静電アクチュエータの製造方法において、
固定電極が電極保護膜を有しない場合には、マスク部材を介して、スパッタ法によりギャップの外部連通口部分に水素を含まないダイアモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、
封止剤の回り込みにより第２の基板および固定電極の電極取り出し部上に形成されたダイアモンドライクカーボン膜の不要な薄膜片をＯ2アッシングにより除去する工程とを有するものである。
この場合は、前述のように、ａ−Ｃ膜はａ−Ｃ：Ｈ膜に比べて膜応力が高いので、成膜時にはバイアスを印加せずに低応力化したａ−Ｃ膜を用いることが望ましい。
【００１６】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記のいずれかの静電アクチュエータの製造方法を適用して液滴吐出ヘッドを製造するものである。
したがって、小型の、信頼性の高い、静電アクチュエータを備えた液滴吐出ヘッドを低コストで製造することができる。
【００１７】
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、上記のいずれかの静電アクチュエータを搭載したものである。
したがって、小型の、信頼性の高い、静電アクチュエータを備えた安価な液滴吐出ヘッドを提供することができる。
【００１８】
本発明に係る液滴吐出装置は、上記の液滴吐出ヘッドを搭載したものである。
したがって、小型の、信頼性の高い、安価な液滴吐出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を適用した静電アクチュエータを備える液滴吐出ヘッドの実施の形態について図面を参照して説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、ノズル基板の表面に設けられたノズル孔からインク滴を吐出するフェイス吐出型の静電駆動方式のインクジェットヘッドについて図１から図４を参照して説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造、形状に限定されるものではなく、吐出室とリザーバ部が別々の基板に設けられた４枚の基板を積層した４層構造のものや、基板の端部に設けられたノズル孔からインク滴を吐出するエッジ吐出型の液滴吐出ヘッドにも同様に適用することができるものである。
【００２０】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係るインクジェットヘッドの概略構成を分解して示す分解斜視図であり、一部を断面で表してある。図２は組立状態における図１の略右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図、図３は図２のインクジェットヘッドの上面図、図４は封止前の状態を示す図２のＡ−Ａ拡大断面図である。なお、図１および図２では、通常使用される状態とは上下逆に示されている。
【００２１】
本実施の形態１に係るインクジェットヘッド１０は、図１から図４に示すように、第１の基板として、個別電極（固定電極）５が溝１１の底面に形成されたガラス製の電極基板１と、第２の基板として、底壁を振動板（可動電極）６とする吐出室２１となる複数の吐出室凹部２２が形成されたシリコン製のキャビティ基板２と、第３の基板として、個々の吐出室２１に連通するノズル孔３１が形成されたシリコン製のノズル基板３とを備え、電極基板１、キャビティ基板２およびノズル基板３がこの順に貼り合わされている。
【００２２】
個別電極５は、ガラス基板に形成された溝１１内にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）により形成されており、さらに個別電極５上には、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）が接続される電極取り出し部（以下、ＦＰＣ実装部という）１２を除き、電極保護膜７としてＳｉＯ2膜がＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン）を原料ガスとして用いたＲＦ−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されている。
この個別電極５に所定のギャップ（空隙）９を介して対向配置される振動板６は、シリコン基板に高濃度のボロン（Ｂ）を拡散することにより、振動板６と同じだけの厚みを有するボロン拡散層により形成されている。これは、ＫＯＨ水溶液による異方性ウェットエッチングにより、吐出室２１を形成する際に、ボロン拡散層が露出した時点でエッチングレートが極端に小さくなるため、いわゆるエッチングストップ技術により振動板６を所望の厚みに精度よく形成することができるからである。
また、振動板６の個別電極５と対向する側の下面、すなわちキャビティ基板２の電極基板１との接合面には、絶縁膜８としてシリコンの熱酸化による熱酸化膜（ＳｉＯ2膜）が全面に形成されている。
【００２３】
そして、電極基板１とキャビティ基板２とを陽極接合することによって、電極保護膜７を有する個別電極５と、絶縁膜８を有する振動板６とが所定のギャップ９を隔てて対向した静電アクチュエータ部４が形成される。この静電アクチュエータ部４のギャップ９が外部に連通する外部連通口部分９ａを全て同時に、無機材料の封止剤を用いて気密に封止するために封止部１５が設けられている。
本実施の形態１の場合、全ての静電アクチュエータ部４のギャップ９に連通するようにキャビティ基板２の幅方向（全ギャップ９を横断する方向）に溝穴からなる封止用開口部２５が設けられ、この封止用開口部２５に、封止剤として水素を含むダイアモンドライクカーボン、すなわち水素化アモルファスカーボン（以下、ａ−Ｃ：Ｈという）を用いて、ＲＦ−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜する構成としている。
【００２４】
また、キャビティ基板２には、各吐出室２１に共通に連通するリザーバ（共通インク室）２３となるリザーバ凹部２４が形成されている。リザーバ凹部２４の底部には、電極基板１に設けられたインク供給孔１３が貫通しており、インク供給孔１３を通じてインクタンク（図示せず）よりインクが供給されるようになっている。
【００２５】
ノズル基板３には、インク滴を吐出するための複数のノズル孔３１が形成されるほか、リザーバ凹部２４と吐出室凹部２２とを個々に連通する細溝状のオリフィス３２と、リザーバ２３の圧力緩衝のためのダイヤフラム部３３とが形成されている。このノズル基板３は、キャビティ基板２に接着接合されることによって、各ノズル孔３１に独立に連通するインク流路（リザーバ２３、オリフィス３２及び吐出室２１から構成される）が形成される。
【００２６】
そして、静電アクチュエータ部４を駆動するためのドライバＩＣなどの駆動制御回路（駆動手段）４０を搭載したＦＰＣ（図示せず）が、ＦＰＣ実装部１２において、個別電極５の端子部５ａとキャビティ基板２に設けられた共通電極２６とに導電性接着剤等を用いて配線接続される。
以上により、インクジェットヘッド１０が完成する。
【００２７】
次に、上記のように構成されるインクジェットヘッド１０の動作を説明する。
駆動制御回路４０により個別電極５とキャビティ基板２の共通電極２６の間にパルス電圧を印加すると、振動板６は静電引力により個別電極５側に引き寄せられて吸着し、吐出室２１内に負圧を発生させて、リザーバ２３内のインクを吸引し、インクの振動（メニスカス振動）を発生させる。このインクの振動が略最大となった時点で、電圧を解除すると、振動板６は離脱して、振動板６の復元力によりインクをノズル孔３１から押出し、インク滴を吐出する。
【００２８】
本実施の形態１によれば、前述したように、電極保護膜７を有する個別電極５と、絶縁膜８を有する振動板６とで形成される全ての静電アクチュエータ部４のギャップ９の外部連通口部分９ａを、封止剤としてａ−Ｃ：Ｈを用いて封止用開口部２５を通じて成膜する構成であるので、静電アクチュエータの気密性が高い。また、封止剤として水分透過性の低いａ−Ｃ：Ｈを用いているため、封止剤がギャップ９内に進入する封止長さが短く、かつほぼ一定の長さにすることができ、そのため、インクジェットヘッド１０を小型化することができる。
【００２９】
次に、本実施の形態１に係るインクジェットヘッド１０の製造方法について図５を用いて説明する。ここでは、主に静電アクチュエータの製造方法について説明する。図５は静電アクチュエータの製造工程の概略断面図である。
（ａ）まず、図５（ａ）に示すように、封止前の状態のインクジェットヘッド１００を作製する。すなわち、それぞれウェハからなる、個別電極５等が形成された電極基板３と、振動板６等が形成されたキャビティ基板２と、ノズル孔３１等が形成されたノズル基板３とを相互に接合して封止前のインクジェットヘッド１００を作製する。この封止前のインクジェットヘッド１００のノズル基板３上に、封止用開口部２５に対応するマスク開口部２０１を設けたシリコン製のマスク部材２００を被せて、ＲＦ−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、封止剤のａ−Ｃ：Ｈ膜（水素化アモルファスカーボン膜）を封止用開口部２５を通じてギャップ９の外部連通口部分９ａに成膜する。このときの成膜条件は、例えば、ＲＦパワー：９００Ｗ、原料ガス：トルエン、流量：２０ｓｃｃｍである。膜厚はギャップ９の距離にもよるが、１〜３μｍ程度である。
また、封止剤としてａ−Ｃ：Ｈ膜を用いるのは、ａ−Ｃ：Ｈ膜は、ＩＴＯからなる個別電極５に対してアタック性があり、一方、電極保護膜７のＳｉＯ2に対してはＩＴＯに比べ、アタック性が低いからである。そのため、電極保護膜７を個別電極５上に設けた場合は、水素を含まないダイアモンドライクカーボン膜（ａ−Ｃ膜という）より低応力のａ−Ｃ：Ｈ膜を用いて封止することにより、加熱工程におけるクラック等を防止することができる。
【００３０】
（ｂ）このとき、図５（ｂ）に示すように、封止剤１５ａのａ−Ｃ：Ｈ膜の成膜によってギャップ９の外部連通口部分９ａは封止され、封止部１５が形成される。その一方で、マスク部材２００とノズル基板３およびキャビティ基板２との隙間に封止剤が回り込み、またギャップ９の外部連通口部分９ａからＦＰＣ実装部１２の方へ封止剤が回り込み、ａ−Ｃ：Ｈ膜の薄膜片１５ｂが形成されることがある。このように封止剤が回り込んで形成されたａ−Ｃ：Ｈ膜の薄膜片１５ｂは余分なものであり、薄膜片１５ｂが付いたままでは、ノズル基板３の平坦度が損なわれたり、キャビティ基板２の電気抵抗が上昇したり、またＦＰＣ実装部１２ではＦＰＣとの電導性が悪くなるなどの問題が生じる。
【００３１】
（ｃ）そこで、図５（ｃ）に示すように、不要な薄膜片１５ｂをＯ2アッシングにより除去する。シリコンからなるノズル基板３やキャビティ基板２は、Ｏ2アッシングに対して安定であるのでダメージを受けることはない。また、薄膜片１５ｂは封止部１５の厚みに比べてきわめて薄い膜であるため、短時間で除去することができ、封止部１５の厚みが若干減少するものの気密性に影響を与えることはない。したがって、マスク部材は使用しなくてもよいが、より大きな開口部を持つマスク部材を使用してもよい。
【００３２】
（ｄ）このようにしてａ−Ｃ：Ｈ膜の不要な薄膜片１５ｂを除去したのち、図５（ｄ）に示すように、ＦＰＣ実装部１２に対応する部分が開口した別のシリコン製マスク部材２０２を介して、ＣＨＦ3によるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）ドライエッチングをすることにより、ＦＰＣ実装部１２における個別電極５上の電極保護膜（ＳｉＯ2膜）７をエッチング除去する。
その後、共通電極２６（図１、図２参照）をスパッタ法によりキャビティ基板２上に形成したのち、ダイシングによりチップに切断する。
【００３３】
以上のように、水蒸気バリア性に優れたａ−Ｃ：Ｈ膜を成膜することで封止部１５を形成するので、気密性の高い封止構造を有する静電アクチュエータを製造することができるとともに、小型のインクジェットヘッド１０を低コストで製造することができる。また、インクジェットヘッド１０を小型化することで１枚のウェハからの取り個数を増加させることができるので、製造コストの低減化が可能となる。また、マスク部材２００、２０２を用いた製造方法であるので、製造工程を簡略化でき、製造コストを低減化できる。
【００３４】
実施の形態２．
本実施の形態２は、実施の形態１のようにキャビティ基板２に封止用開口部２５を設けずにＦＰＣ実装部（電極取り出し部）１２を上から見てコ字状に開口したものであり、その他は実施の形態１と同様の構成であるため、静電アクチュエータの製造方法を中心に図６により説明する。
本実施の形態２の場合も、個別電極５上には電極保護膜（ＳｉＯ2膜）７が形成されているので、封止剤１５ａとしてａ−Ｃ：Ｈを用い、シリコン製のマスク部材２００を介してＲＦ−ＣＶＤ法によりａ−Ｃ：Ｈ膜をギャップ９の外部連通口部分９ａに成膜することにより封止する（図６（ａ）、（ｂ））。このとき、マスク部材２００との隙間から封止剤が回り込んでキャビティ基板２およびＦＰＣ実装部１２上にａ−Ｃ：Ｈ膜の不要な薄膜片１５ｂが形成されるので、Ｏ2アッシングにより薄膜片１５ｂを除去する（図６（ｃ））。
その後、別のシリコン製マスク部材２０２を介して、ＣＨＦ3によるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）ドライエッチングをすることにより、ＦＰＣ実装部１２における個別電極５上の電極保護膜（ＳｉＯ2膜）７をエッチング除去する（図６（ｄ））。
本実施の形態２は、実施の形態１と同様に、気密性に優れた静電アクチュエータを備える小型のインクジェットヘッド１０を製造することができる。
【００３５】
実施の形態３．
本実施の形態３は、実施の形態２において個別電極５上に電極保護膜７を設けていない場合であり、その他は実施の形態２と同様の構成である。図７に実施の形態３の静電アクチュエータの製造方法を示す。
本実施の形態３の場合、個別電極５上に電極保護膜７を設けていないので、前述のようにａ−Ｃ：Ｈ膜を使用すると、ＩＴＯ製の個別電極５に対しアタック性があるため、ＩＴＯ製の個別電極５上に直接封止する場合は、ａ−Ｃ膜を用いて封止する。しかし、ａ−Ｃ膜は膜応力が高いため、成膜時にバイアスを印加せずに低応力化したａ−Ｃ膜を用いるのが望ましい。
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン製マスク部材２００を介してＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）スパッタ法によりａ−Ｃ膜をギャップ９の外部連通口部分９ａに成膜することにより封止する。この成膜時にもマスク部材２００との隙間から封止剤が回り込んでキャビティ基板２およびＦＰＣ実装部１２上にａ−Ｃ膜の薄膜片１５ｂが形成されるので、Ｏ2アッシングにより薄膜片１５ｂを除去する（図７（ｃ））。
本実施の形態３は、実施の形態１、２と同様の効果が得られるほか、電極保護膜７を有しないので、ＦＰＣ実装部１２上の電極保護膜７除去工程がない分だけ工程を簡略できる。
【００３６】
なお、以上の実施の形態１〜３において、図示は省略するが、ノズル基板３は最後に接合してもよく、この場合はキャビティ基板２と電極基板１とを接合したものに対して、それぞれ図５、図６、図７のように実施することができる。
【００３７】
以上の実施形態では、静電アクチュエータおよびインクジェットヘッド、ならびにこれらの製造方法について述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものでなく、本発明の思想の範囲内で種々変更することができる。例えば、本発明の静電アクチュエータは、光スイッチやミラーデバイス、マイクロポンプ、レーザプリンタのレーザ操作ミラーの駆動部などにも利用することができる。また、ノズル孔より吐出される液状材料を変更することにより、例えば図８に示すようなインクジェットプリンタ４００のほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態１に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】組立状態における図１の略右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図。
【図３】図２のインクジェットヘッドの上面図。
【図４】封止前の状態を示す図２のＡ−Ａ拡大断面図。
【図５】本発明の実施の形態１に係るインクジェットヘッドの製造工程の概略断面図。
【図６】本発明の実施の形態２に係るインクジェットヘッドの製造工程の概略断面図。
【図７】本発明の実施の形態３に係るインクジェットヘッドの製造工程の概略断面図。
【図８】本発明のインクジェットヘッドを適用したインクジェットプリンタの一例を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００３９】
１  電極基板（第１の基板）、２  キャビティ基板（第２の基板）、３  ノズル基板（第３の基板）、４  静電アクチュエータ部、５  個別電極（固定電極）、５ａ  端子部、６  振動板（可動電極）、７  電極保護膜、８  絶縁膜、９  ギャップ、９ａ  外部連通口部分、１０  インクジェットヘッド、１１  溝、１２  ＦＰＣ実装部（電極取り出し部）、１３  インク供給孔、１５  封止部、１５ａ  封止剤、１５ｂ  薄膜片、２１  吐出室、２２  吐出室凹部、２３  リザーバ、２４  リザーバ凹部、２５  封止用開口部、２６  共通電極、３１  ノズル孔、３２  オリフィス、３３  ダイヤフラム部、１００  封止前のインクジェットヘッド、２００  マスク部材、２０１  マスク開口部、２０２  マスク部材、４００  インクジェットプリンタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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