(57)【要約】【課題】本発明は、ハックルの発生を抑制することができる割断装置、割断方法、およびフラットパネルディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】被加工物に初期亀裂を形成する初期亀裂形成手段と、前記被加工物を局部的に加熱する第１の加熱手段と、前記第１の加熱手段により局部的に加熱された前記被加工物の領域に冷却媒体を噴射して局部的に冷却することで前記初期亀裂から延在し裏面に貫通しない亀裂を形成する冷却手段と、前記被加工物の前記亀裂が形成された領域を局部的に加熱する第２の加熱手段と、前記被加工物を支持する支持手段と、前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させる移動手段と、を備え、前記支持手段は、前記被加工物の前記亀裂が形成される面と対向する側の面に引張応力が発生するように前記被加工物を支持し、前記支持手段により前記被加工物を支持しつつ前記第２の加熱手段により加熱することによって前記亀裂を裏面まで貫通させること、を特徴とする割断装置が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面と、を有する被加工物に初期亀裂を形成する初期亀裂形成手段と、
前記被加工物を前記第１の主面の側から局部的に加熱する第１の加熱手段と、
前記第１の加熱手段により局部的に加熱された前記被加工物の領域に冷却媒体を噴射して局部的に冷却することで前記初期亀裂から延在し前記第２の主面には貫通しない亀裂を前記第１の主面の側に形成する冷却手段と、
前記被加工物の前記亀裂が形成された領域を局部的に加熱する第２の加熱手段と、
前記被加工物を支持する支持手段と、
前記第１の加熱手段によって加熱される領域と、前記冷却手段によって冷却される領域と、前記第２の加熱手段によって加熱される領域と、を前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させる第１の移動手段と、
を備え、
前記支持手段は、前記被加工物の前記亀裂が形成される面と対向する側の面に引張応力が発生するように前記被加工物を支持し、
前記支持手段により前記被加工物を支持しつつ前記第２の加熱手段により加熱することによって前記亀裂を前記第２の主面まで貫通させること、を特徴とする割断装置。
【請求項２】
前記支持手段は、前記亀裂が形成される面に圧縮応力が発生するように前記被加工物を支持すること、を特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項３】
前記支持手段は、前記割断予定領域を中心とした前記被加工物の折り曲げ角度が０．０１°以上、０．１°以下となるように前記被加工物を支持すること、を特徴とする請求項１または２に記載の割断装置。
【請求項４】
第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面と、を有する被加工物に初期亀裂を形成する初期亀裂形成手段と、
前記被加工物を前記第１の主面の側から局部的に加熱する第１の加熱手段と、
前記第１の加熱手段により局部的に加熱された前記被加工物の領域に冷却媒体を噴射して局部的に冷却することで前記初期亀裂から延在し前記第２の主面には貫通しない亀裂を前記第１の主面の側に形成する冷却手段と、
前記被加工物の前記亀裂が形成された領域を局部的に加熱する第２の加熱手段と、
前記被加工物の前記第２の加熱手段により加熱される領域と対向する側の領域を加熱する第３の加熱手段と、
前記第１の加熱手段によって加熱される領域と、前記冷却手段によって冷却される領域と、前記第２の加熱手段によって加熱される領域と、前記第３の加熱手段によって加熱される領域と、を前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させる第１の移動手段と、
を備え、
前記第２の加熱手段と前記第３の加熱手段とにより前記被加工物を加熱することによって前記亀裂を前記第２の主面まで貫通させること、を特徴とする割断装置。
【請求項５】
前記第３の加熱手段は、前記第２の加熱手段によって加熱される領域の温度に対して、これに対向する側の温度が超えないように、前記被加工物の加熱を行うこと、を特徴とする請求項４記載の割断装置。
【請求項６】
前記亀裂に対して略直交する方向に、前記第２の加熱手段によって加熱される領域を移動する第２の移動手段と、をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の割断装置。
【請求項７】
第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面と、を有する前記被加工物の前記第２の主面の側に引張応力が発生するように、前記被加工物を前記割断予定領域を中心に折り曲げ、
被加工物に初期亀裂を形成し、
前記被加工物を前記第１の主面の側から第１の加熱手段により局部的に加熱し、
前記第１の加熱手段により局部的に加熱された領域を冷却手段により局部的に冷却して前記初期亀裂から延在し前記第２の主面には貫通しない亀裂を前記第１の主面の側に形成し、
前記亀裂が形成された領域を第２の加熱手段により局部的に加熱して前記亀裂を前記第２の主面に貫通させ、
前記第１の加熱手段によって加熱される領域と、前記冷却手段によって冷却される領域と、前記第２の加熱手段によって加熱される領域と、を前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させて前記被加工物を割断すること、を特徴とする割断方法。
【請求項８】
第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面と、を有する被加工物に初期亀裂を形成し、
前記被加工物を前記第１の主面の側から第１の加熱手段により局部的に加熱し、
前記第１の加熱手段により局部的に加熱された領域を冷却手段により局部的に冷却して前記初期亀裂から延在し前記第２の主面には貫通しない亀裂を前記第１の主面の側に形成し、
前記亀裂を第２の加熱手段により局部的に加熱するとともに、前記被加工物の前記第２の加熱手段によって加熱される領域と対向する側の領域を第３の加熱手段により加熱することで、前記亀裂を前記第２の主面まで貫通させ、
前記第１の加熱手段によって加熱される領域と、前記冷却手段によって冷却される領域と、前記第２の加熱手段によって加熱される領域と、前記第３の加熱手段によって加熱される領域と、を前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させて前記被加工物を割断すること、を特徴とする割断方法。
【請求項９】
前記亀裂に対して略直交する方向に、前記第２の加熱手段によって加熱される領域を移動させること、を特徴とする請求項７または８に記載の割断方法。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の割断装置を用いて被加工物を割断する工程を備えたことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜９のいずれか１つに記載の割断方法を用いて被加工物を割断する工程を備えたことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、割断装置、割断方法、およびフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス、アルミナセラミックス、石英、半導体材料などの脆性材料を切断する方法として、レーザ光の照射による熱応力を利用して割断を行う、いわゆるレーザ割断法が提案されている。この方法は、脆性材料よりも硬いダイヤモンドの刃やレーザ光を用いて脆性材料に初期亀裂を発生させ、次に、レーザ光を割断の予定線（予定領域）に向けて照射し、この初期亀裂を割断の予定線に沿って誘導するようにして脆性材料を割断する方法である。
【０００３】
このようなレーザ割断には、いわゆるハーフカットとフルカットとがある。フルカットにおいては、被加工物のレーザ光照射面と反対側の面まで亀裂を進行させるため、加工後は自然に被加工物が分断される（特許文献１を参照）。これに対し、ハーフカットは、被加工物の厚さ方向の途中まで亀裂を進行させるもの（いわゆるスクライブ加工）であり、このままでは被加工物が分断されない。そのため、被加工物を分断するために、いわゆるブレーク加工を行う必要がある。
【０００４】
このように、ハーフカットにおいてはブレーク加工を行う必要があるが、フルカットより加工精度が高いという利点がある。そのため、フラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板のように、高い加工精度が要求される分野においては、ハーフカットが行われている。また、特許文献１に開示がされている技術のように被加工物の表裏にレーザ光を照射してフルカットを行うようにすれば、表裏における照射位置を正確に合わせる必要がある。また、割断装置が大型化するおそれもある。
一方、ハーフカットを行った後（いわゆるスクライブ加工を行った後）、亀裂が形成された面に引張応力が発生する方向に被加工物を曲げることによりブレーク加工を行う技術が提案されている（特許文献２を参照）。また、第１のレーザ光を照射してハーフカットを行った後（いわゆるスクライブ加工を行った後）、第２のレーザ光を照射してブレーク加工を行う技術が提案されている（特許文献３を参照）。      
しかしながら、特許文献１〜３に開示がされている技術においては割断面に発生するハックルに関する考慮がされておらず割断面の平坦度が損なわれるおそれがある。また、ハックルの発生にともない割断屑が発生するおそれもある。
【特許文献１】特開２００４−３５３１５号公報
【特許文献２】特開２００７−７６９３７号公報
【特許文献３】特開２００７−９９５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ハックルの発生を抑制することができる割断装置、割断方法、およびフラットパネルディスプレイの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面と、を有する被加工物に初期亀裂を形成する初期亀裂形成手段と、前記被加工物を前記第１の主面の側から局部的に加熱する第１の加熱手段と、前記第１の加熱手段により局部的に加熱された前記被加工物の領域に冷却媒体を噴射して局部的に冷却することで前記初期亀裂から延在し前記第２の主面には貫通しない亀裂を前記第１の主面の側に形成する冷却手段と、前記被加工物の前記亀裂が形成された領域を局部的に加熱する第２の加熱手段と、前記被加工物を支持する支持手段と、前記第１の加熱手段によって加熱される領域と、前記冷却手段によって冷却される領域と、前記第２の加熱手段によって加熱される領域と、を前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させる第１の移動手段と、を備え、前記支持手段は、前記被加工物の前記亀裂が形成される面と対向する側の面に引張応力が発生するように前記被加工物を支持し、前記支持手段により前記被加工物を支持しつつ前記第２の加熱手段により加熱することによって前記亀裂を前記第２の主面まで貫通させること、を特徴とする割断装置が提供される。
【０００７】
また、本発明の他の一態様によれば、第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面と、を有する被加工物に初期亀裂を形成する初期亀裂形成手段と、前記被加工物を前記第１の主面の側から局部的に加熱する第１の加熱手段と、前記第１の加熱手段により局部的に加熱された前記被加工物の領域に冷却媒体を噴射して局部的に冷却することで前記初期亀裂から延在し前記第２の主面には貫通しない亀裂を前記第１の主面の側に形成する冷却手段と、前記被加工物の前記亀裂が形成された領域を局部的に加熱する第２の加熱手段と、前記被加工物の前記第２の加熱手段により加熱される領域と対向する側の領域を加熱する第３の加熱手段と、前記第１の加熱手段によって加熱される領域と、前記冷却手段によって冷却される領域と、前記第２の加熱手段によって加熱される領域と、前記第３の加熱手段によって加熱される領域と、を前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させる第１の移動手段と、を備え、前記第２の加熱手段と前記第３の加熱手段とにより前記被加工物を加熱することによって前記亀裂を前記第２の主面まで貫通させること、を特徴とする割断装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面と、を有する前記被加工物の前記第２の主面の側に引張応力が発生するように、前記被加工物を前記割断予定領域を中心に折り曲げ、被加工物に初期亀裂を形成し、前記被加工物を前記第１の主面の側から第１の加熱手段により局部的に加熱し、前記第１の加熱手段により局部的に加熱された領域を冷却手段により局部的に冷却して前記初期亀裂から延在し前記第２の主面には貫通しない亀裂を前記第１の主面の側に形成し、前記亀裂が形成された領域を第２の加熱手段により局部的に加熱して前記亀裂を前記第２の主面に貫通させ、前記第１の加熱手段によって加熱される領域と、前記冷却手段によって冷却される領域と、前記第２の加熱手段によって加熱される領域と、を前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させて前記被加工物を割断すること、を特徴とする割断方法が提供される。
【０００９】
また、本発明の他の一態様によれば、第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面と、を有する被加工物に初期亀裂を形成し、前記被加工物を前記第１の主面の側から第１の加熱手段により局部的に加熱し、前記第１の加熱手段により局部的に加熱された領域を冷却手段により局部的に冷却して前記初期亀裂から延在し前記第２の主面には貫通しない亀裂を前記第１の主面の側に形成し、前記亀裂を第２の加熱手段により局部的に加熱するとともに、前記被加工物の前記第２の加熱手段によって加熱される領域と対向する側の領域を第３の加熱手段により加熱することで、前記亀裂を前記第２の主面まで貫通させ、前記第１の加熱手段によって加熱される領域と、前記冷却手段によって冷却される領域と、前記第２の加熱手段によって加熱される領域と、前記第３の加熱手段によって加熱される領域と、を前記被加工物の割断予定領域に沿って移動させて前記被加工物を割断すること、を特徴とする割断方法が提供される。
【００１０】
また、本発明の他の一態様によれば、上記の割断装置を用いて被加工物を割断する工程を備えたことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法が提供される。
【００１１】
また、本発明の他の一態様によれば、上記の割断方法を用いて被加工物を割断する工程を備えたことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ハックルの発生を抑制することができる割断装置、割断方法、およびフラットパネルディスプレイの製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。    
図１は、本発明の第１の実施形態に係る割断装置を例示するための模式斜視図である。  尚、図中の矢印は被加工物Ｇの移動方向を表している。    
図２は、レーザ光照射手段を例示するための模式斜視図である。    
図３は、冷却手段を例示するための模式斜視図である。    
図１に示すように、割断装置１にはスクライブ加工を行うためのスクライブ加工部２と、スクライブ加工により形成された亀裂を局部的に加熱する加熱手段としてのレーザ光照射手段３ｂと、被加工物Ｇを割断予定線Ｌ（割断予定領域）に沿って移動させる移動手段としてのステージ１５と、被加工物を支持する支持手段５と、被加工物に初期亀裂を形成するための初期亀裂形成手段６と、が設けられている。また、スクライブ加工部２には被加工物Ｇを局部的に加熱する加熱手段としてのレーザ光照射手段３ａと、加熱手段により局部的に加熱が行われた領域を局部的に冷却する冷却手段としての冷却手段４と、が設けられている。
【００１４】
図２（ａ）はレーザ光照射手段３ａを例示するための模式斜視図である。図２（ａ）に示すように、レーザ光照射手段３ａに備えられるレーザ発振器７は、例えば、最大出力１ｋＷ程度のＣＯ２レーザ発振器とすることができる。この場合、被加工物Ｇに対して吸収率が高い波長のレーザ光７ａを出射することができるものが好ましい。例えば、被加工物Ｇがガラスの場合においては、波長が１０．６μｍのレーザ光７ａを出射するものを例示することができる。このレーザ光７ａの断面は、例えば、直径５ｍｍ程度の円形形状とすることができる。
【００１５】
レーザ光７ａは、固定ミラーであるベンダーミラー８により全反射されて、シリンドリカルレンズ９に向けて出射する。出射したレーザ光７ａは、シリンドリカルレンズ９により、線状断面のレーザ光７ｂに変換される。そして、レーザ光７ｂは集光レンズ１０により集光される。
【００１６】
集光されたレーザ光７ｂは、固定ミラーであるベンダーミラー１１により全反射され、被加工物Ｇの面上に線状断面のレーザ光７ｃを集光させる。この際、集光したレーザ光７ｃの長手方向が被加工物Ｇの移動方向と略平行となるように調整されている。ここで、被加工物Ｇの面上に同じ照射面積を有する円形断面のレーザ光を集光させるものとすれば、加熱範囲が無意味に大きくなるだけではなく、被加工物Ｇにダメージを与え、また、深い亀裂も入れられないという不都合を生じる。そのため、線状のレーザ光７ｃを集光させて、被加工物Ｇに与えるダメージを軽減しつつ、深い亀裂を入れられるようにしている。尚、図示しない位置決め手段を、ベンダーミラー８、シリンドリカルレンズ９、集光レンズ１０、ベンダーミラー１１に設けて、レーザ光の光軸の位置決めや被加工物Ｇの面上おける集光位置の調整などを行うようにすることもできる。
【００１７】
図２（ｂ）はレーザ光照射手段３ｂを例示するための模式斜視図である。尚、図２（ａ）と同様の要素には同じ符号を付し、その説明は省略する。図２（ｂ）に示すようにレーザ光照射手段３ｂにおいては被加工物Ｇの面上に円形断面のレーザ光７ｄを集光させるようにしている。すなわち、レーザ発振器７から出射したレーザ光７ａは、固定ミラーであるベンダーミラー８により全反射されて、集光レンズ１０に向けて出射する。そして、集光レンズ１０により集光され、固定ミラーであるベンダーミラー１１により全反射されて被加工物Ｇの面上に円形断面のレーザ光７ｄを集光させるようになっている。尚、図示しない位置決め手段を、ベンダーミラー８、集光レンズ１０、ベンダーミラー１１に設けて、レーザ光の光軸の位置決めや被加工物Ｇの面上おける集光位置の調整などを行うようにすることもできる。
【００１８】
冷却手段４は、レーザ光７ｃを照射することにより局部的に加熱された被加工物Ｇの面上に冷却媒体となる冷却剤Ｃを噴射して、被加工物Ｇを局部的に冷却することで亀裂を形成させるためのものである。図３に示すように、冷却手段４には、冷却剤Ｃを被加工物Ｇの面上に噴射するためのノズル１３と、冷却剤Ｃを収納するタンク１２とが設けられている。ノズル１３には配管部材１４ａの一端が接続され、配管部材１４ａの他端はタンク１２内に挿通されて、その端面が冷却剤Ｃの液面下に位置するようになっている。また、タンク１２には配管部材１４ｂの一端が接続され、配管部材１４ｂの他端は加圧手段Ｐに接続されている。加圧手段Ｐは、例えば、加圧された窒素ガスなどが収納された圧力タンク、加圧空気を送出可能な加圧ポンプなどとすることができる。また、図示しない圧力や流量を調整する手段を適宜設けるようにすることもできる。
【００１９】
冷却剤Ｃとしては、例えば、大気や窒素などの気体、水やアルコールなどの液体などを例示することができる。また、水やアルコールなどの液体を霧状にして噴射することもできる。その場合は、ノズル１３に図示しない霧化手段を設けるようにすればよい。
【００２０】
後述する割断の原理からも分かるように、冷却手段４のノズル１３はレーザ光照射手段３ａにより加熱された領域を冷却可能な位置に設けられる。ただし、レーザ光照射手段３ａによる加熱領域と冷却手段４による冷却領域とを余り離間させると、放熱により温度が下がり、冷却による引張り応力の発生に影響が生じる。そのため、レーザ光照射手段３ａによる加熱領域と冷却手段４による冷却領域との間の距離は、加熱温度、必要な亀裂の深さ、被加工物Ｇの材質などの加工条件や被加工物Ｇの移動速度などを考慮して決めるようにすることが好ましい。
【００２１】
初期亀裂形成手段６は、被加工物Ｇの端面の所定位置に初期亀裂を形成するためのものである。スクライブ加工における亀裂は、この初期亀裂を起点として起こり、後述するように、レーザ光７ｃ照射位置の移動にともない割断予定線Ｌに沿って進む。初期亀裂形成手段６には、ブレード６ａが揺動可能に設けられている。ブレード６ａは、例えば、断面が菱形形状を呈しており、その稜線にはダイヤモンドからなる刃が設けられているものとすることができる。そのため、例えば、ブレード６ａを自重により揺動させてその刃を被加工物Ｇに衝突させ、この衝突により初期クラックを形成させるようにすることができる。また、エアシリンダのような図示しない駆動手段によりブレード６ａを揺動させることで、被加工物Ｇから離間させることができるようになっている。尚、初期亀裂形成手段６は機械的に初期亀裂を形成させるものに限定されるわけではなく、例えば、レーザ光照射により初期亀裂を形成させるものとすることもできる。
【００２２】
ここで、割断の原理を説明する。      
図４は、スクライブ加工を例示するための模式図である。尚、図４（ａ）はスクライブ加工の様子を例示するための模式図、図４（ｂ）はスクライブ加工における亀裂の形成（いわゆるハーフカット）の様子を例示するための模式図である。      
図５は、ブレーク加工を例示するための模式図である。尚、図５（ａ）はブレーク加工の様子を例示するための模式図、図５（ｂ）はブレーク加工における割断（いわゆるフルカット）の様子を例示するための模式図である。
【００２３】
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、脆性材料からなる被加工物Ｇ（例えば、ガラス）の表面（第１の主面）にクラックが発生しない程度にエネルギー密度が調整されたレーザ光７ｃを照射すると、被加工物Ｇは溶融もクラックの発生もなく加熱される。この時、被加工物Ｇは熱膨張しようとするが、局所加熱のため膨張が妨げられ、照射位置を中心としてその周辺に圧縮応力が発生する。そして、このような加熱の後に、冷却剤Ｃを噴射することにより冷却を行うと、今度は逆に引張り応力が発生し、この引張り応力の作用で亀裂が発生する。ここで、被加工物Ｇの端面に前述の初期亀裂を形成させておくと、この初期亀裂を起点としてレーザ光の移動方向に沿って初期亀裂から延在した亀裂を進行させることができ、被加工物Ｇのスクライブ加工における亀裂の形成（いわゆるハーフカット）が行われることになる。この亀裂は、被加工物Ｇの表面（第１の主面）の側に形成されるが、表面（第１の主面）と対向する裏面（第２の主面）までは貫通しない。
【００２４】
次に、図５に示すように、スクライブ加工において形成された亀裂に対してレーザ光７ｄを照射してさらに加熱領域を形成し、その位置に圧縮応力を発生させるとともにその前方に引張応力を発生させる。この引張応力によりスクライブ加工において形成された亀裂が被加工物Ｇの厚み方向にさらに深く進行して裏面（第２の主面）まで貫通するので、ブレーク加工における割断（いわゆるフルカット）が行われることになる。尚、レーザ光７ｄの照射エネルギーは割断対象となる被加工物Ｇの厚み、硬度、材質などにより適宜設定される。すなわち、割断対象となる被加工物Ｇに応じて、レーザ光７ｃの照射エネルギーと同等となる場合もあるし、レーザ光７ｃの照射エネルギーより高エネルギーまたは低エネルギーとなる場合もある。
【００２５】
以上のようにして脆性材料からなる被加工物Ｇを割断した場合、割断面にハックルが発生する場合がある。      
図６は、割断面に発生したハックルを例示するための模式図である。  
図６に示すように、割断面にハックルＨが発生すると割断面の平坦度が損なわれるおそれがある。また、ハックルの発生にともない割断屑が発生するおそれもある。    
ここで、本発明者の得た知見によれば、ハックルＨの発生原因は必ずしも明らかではないが被加工物Ｇの厚み方向における応力分布のバラツキが所定の範囲を超えるとハックルＨが発生する。
【００２６】
図７は、被加工物の厚み方向における応力の変化を例示するための模式グラフ図である。尚、横軸は加熱時間を表し、縦軸は発生する応力を表している。また、グラフ図中の上側の線図ほど被加工物Ｇの表面に近く、下側の線図ほど被加工物Ｇの裏面に近いことを表している。    
図７に示すように、加熱時間が長くなるにつれ被加工物Ｇの温度が上昇し、それにともない発生する応力も大きくなって行く。この場合、加熱面である被加工物Ｇの表面に近いほど温度上昇も大きくなるので、発生する応力も大きいものとなる。
【００２７】
図８は、被加工物の厚み方向における応力分布を例示するための模式グラフ図である。尚、図８（ａ）は加熱領域（レーザ光７ｄの照射領域）における応力分布を表し、図８（ｂ）は加熱領域の前方における応力分布を表している。    
図８（ａ）に示すように、加熱領域（レーザ光７ｄの照射領域）においては加熱による圧縮応力が発生し被加工物Ｇの表面に近いほどその値が大きくなるような圧力分布σ１となる。一方、図８（ｂ）に示すように、加熱領域（レーザ光７ｄの照射領域）の前方においては引張応力が発生し被加工物Ｇの表面に近いほどその値が大きくなるような圧力分布σ２となる。
【００２８】
ここで本発明者の得た知見によれば、図８（ｂ）に例示をした裏面側の引張応力があまり小さくなりすぎると被加工物Ｇを割断させる力が弱くなりすぎて裏面側の近傍にハックルＨが発生し易くなる。また、表面側の引張応力と裏面側の引張応力との差があまり大きくなりすぎるとハックルＨが発生し易くなる。特に裏面側の引張応力が表面側の引張応力の０．３倍未満となればハックルＨが発生し易くなることが判明した。例えば、表面側の引張応力が４ｋｇｆ／ｃｍ２（０．３９ＭＰａ）程度の場合、裏面側の引張応力が１．２ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０１１２ＭＰａ）未満となればハックルＨが発生し易くなる。
【００２９】
本発明者は検討の結果、割断予定線Ｌに沿って被加工物Ｇの裏面側に予め引張応力を与えておけば表面側の引張応力と裏面側の引張応力との差を小さくすることができるので、ハックルＨの発生を抑制することができるとの知見を得た。    
そのため、本実施の形態においては割断予定線Ｌを中心として裏面が突出する方向に被加工物Ｇを折り曲げるようにして、被加工物Ｇの裏面側に引張応力を予め与えるようにしている。この場合、被加工物Ｇの表面側には圧縮応力が予め与えられることにもなる。その結果、裏面側の引張応力を大きくすることができるとともに裏面側の引張応力を小さくすることができるので両者の差をさらに小さくすることもできる。
【００３０】
次に、図１に戻って支持手段５について例示をする。図１に示すように、ステージ１５の上面には支持部５ａ〜５ｃを有する支持手段５が設けられている。被加工物Ｇは支持部５ａ〜５ｃ上に載置されるとともに、例えば真空チャックや静電チャックなどのような図示しない吸着手段により支持部５ａ〜５ｃ上に保持される。そして、図１に例示をしたものの場合には、ステージ１５の外側になるほど支持部の高さが高くなっている。すなわち、支持部５ａの高さが一番高く、支持部５ｃの高さが一番低くなっている。そのため、載置、保持された被加工物Ｇは、支持部５ｃ同士の間において裏面が突出する方向に折り曲げられることになる。この場合、折り曲げ部分が割断予定線Ｌと重なるように被加工物Ｇが支持部５ａ〜５ｃ上に載置されるようになっている。そのため、支持手段５（支持部５ａ〜５ｃ）により、被加工物Ｇのスクライブ加工による亀裂が形成される面と対向する側の面（被加工物Ｇの裏面側）に引張応力が発生するように、被加工物Ｇを割断予定線Ｌ（割断予定領域）を中心に折り曲げることができるようになっている。この場合、スクライブ加工による亀裂が形成される面（被加工物Ｇの表面側）に圧縮応力が発生するように、被加工物Ｇを割断予定線Ｌ（割断予定領域）を中心に折り曲げることにもなる。尚、図中のθは折り曲げ角度を表している。
【００３１】
また、ステージ１５は載置、保持された被加工物Ｇの位置を水平面内で移動可能となっている。そのため、被加工物Ｇを割断予定線Ｌと略平行な方向に移動させることにより、レーザ光照射手段３ａによるレーザ光７ｃが照射される位置、冷却手段４による冷却剤Ｃが吹き付けられる位置、レーザ光照射手段３ｂによるレーザ光７ｄが照射される位置が割断予定線Ｌ上になるようにすることができる。また、被加工物Ｇが載置、保持される際に、被加工物Ｇが所定の位置になるように位置決めを行う図示しない位置決め手段を適宜設けるようにすることもできる。
【００３２】
図９は、被加工物Ｇを折り曲げるようにして保持させる効果を例示するための模式グラフ図である。尚、図９（ａ）は加熱領域（レーザ光７ｄの照射領域）における応力分布を表し、図９（ｂ）は加熱領域の前方における応力分布を表している。
【００３３】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、折り曲げることにより被加工物Ｇの表面側には圧縮応力が生じ裏面側には引張応力が生じるような応力分布σ３となる。また、図９（ａ）に示すように、加熱領域（レーザ光７ｄの照射領域）においては加熱による圧縮応力が発生し被加工物Ｇの表面に近いほどその値が大きくなるような圧力分布σ１となる。そのため、加熱領域（レーザ光７ｄの照射領域）においては、応力分布σ３と圧力分布σ１とが足し合わされて応力分布σ４のようになる。
【００３４】
一方、図９（ｂ）に示すように、加熱領域（レーザ光７ｄの照射領域）の前方においては引張応力が発生し被加工物Ｇの表面に近いほどその値が大きくなるような圧力分布σ２となる。そのため、加熱領域（レーザ光７ｄの照射領域）の前方においては、応力分布σ３と圧力分布σ２とが足し合わされて応力分布σ５のようになる。その結果、被加工物Ｇの裏面側の引張応力を大きくすることができるので、割断させる力を強くすることができハックルＨの発生を抑制することができる。また、裏面側の引張応力が大きくなるとともに表面側の引張応力が小さくなるので表面側と裏面側とにおける引張応力の差をさらに小さくすることができる。そのため、ハックルＨの発生をさらに抑制することができる。
【００３５】
ここで、折り曲げ角度θをあまり大きくしすぎると表面側の引張応力が小さくなりすぎるため、表面側近傍にハックルＨが発生しやすくなる。また、折り曲げ角度θが小さすぎると裏面側近傍におけるハックルＨの発生を抑制することができない。
図１０は、折り曲げ角度θとハックルＨの発生との関係を例示するためのグラフ図である。      
図１０に示すように、折り曲げ角度θを０．０１°未満とすれば裏面側近傍におけるハックルＨが発生する。一方、折り曲げ角度θを０．１°を超えるものとすれば表面近傍におけるハックルＨが発生する。そのため、折り曲げ角度θは０．０１°以上、０．１°以下とすることが好ましい。これを発生する応力の比率で表すと、表面における引張応力を「３．７以上、４以下」とすると、裏面における引張応力は「１．２以上、４以下」とすることができる。
ここで、特許文献２に開示がされている技術においては被加工物Ｇを折り曲げているが、被加工物Ｇの表面（ブレーク加工を行う側の表面）に引張応力が発生する方向に折り曲げている。そのため、裏面側（ブレーク加工を行う側の表面に対向する面側）には圧縮応力が発生し、裏面側の引張応力を小さくするとともに表面側と裏面側とにおける引張応力の差をさらに大きくすることになる。そのため、ハックルＨの発生を抑制することができず、割断面の平坦度が損なわれ、また、割断屑が発生するおそれもある。
【００３６】
これに対し本実施の形態によれば、被加工物Ｇの裏面側に引張応力が発生する方向に被加工物Ｇを折り曲げている。そのため前述したようにハックルＨの発生を抑制することができ、平坦度の高い割断面が得られるとともに、割断屑の発生を抑制することができる。
【００３７】
次に、割断装置１の作用とともに本実施の形態に係る割断方法について例示をする。    図１１は、本実施の形態に係る割断方法を例示するためのフローチャートである。    
まず、図示しない搬送手段により、割断の対象となる被加工物Ｇがステージ１５の支持部５ａ〜５ｃ上に載置、保持される（ステップＳ１）。載置された被加工物Ｇは、図示しない位置決め手段により所定の位置に位置決めされた後、支持部５ａ〜５ｃ上に保持される。この際、割断予定線Ｌ（割断予定領域）を中心として裏面が突出する方向に折り曲げられるようにして被加工物Ｇが保持される。すなわち、被加工物Ｇの亀裂が形成される面と対向する側の面に引張応力が発生するように、被加工物Ｇが割断予定線Ｌ（割断予定領域）を中心に折り曲げられる。
【００３８】
次に、ステージ１５により被加工物Ｇを移動させて、割断予定線Ｌ上に、レーザ光照射手段３ａによるレーザ光７ｃが照射される位置、冷却手段４による冷却剤Ｃが吹き付けられる位置、レーザ光照射手段３ｂによるレーザ光７ｄが照射される位置を合わせる（ステップＳ２）。    
次に、初期亀裂形成手段６のブレード６ａを揺動させて、被加工物Ｇの端面の所定の位置に初期亀裂を形成する（ステップＳ３）。
【００３９】
次に、ステージ１５を移動させることで被加工物Ｇを移動させる。そして、割断予定線Ｌに沿ってレーザ光照射手段３ａによる加熱、冷却手段４による冷却が行われ、初期亀裂から亀裂を進行させることでスクライブ加工を行う。また、レーザ光照射手段３ｂによりスクライブ加工において形成された亀裂をさらに加熱することでブレーク加工を行う（ステップＳ４）。    
すなわち、被加工物Ｇをレーザ光照射手段３ａにより局部的に加熱し、レーザ光照射手段３により局部的に加熱された領域を冷却手段４により局部的に冷却して亀裂を形成させる。そして、この亀裂をレーザ光照射手段３ｂにより局部的に加熱してブレーク加工を行う。この際、レーザ光照射手段３ａによって加熱される領域と、冷却手段４によって冷却される領域と、レーザ光照射手段３ｂによって加熱される領域と、を被加工物４の割断予定線Ｌ（割断予定領域）に沿って相対的に移動させて被加工物Ｇを割断する。
【００４０】
以上のようにして、一つの割断予定線Ｌに対する割断が終了すると図示しない搬送装置により被加工物Ｇを移動させて支持部５ａ〜５ｃ上に再び載置、保持させる（ステップＳ５）。この際、次の割断予定線Ｌを中心として裏面が突出する方向に折り曲げられるようにして被加工物Ｇが保持される。    
そして、すべての割断予定線Ｌに対する割断が終了した場合には、図示しない搬送装置により被加工物Ｇが搬出される（ステップＳ６）。
【００４１】
本実施の形態によれば、被加工物Ｇの裏面側に引張応力が発生する方向に折り曲げるようにして被加工物Ｇを支持部５ａ〜５ｃ上に保持している。そのため前述したようにハックルＨの発生を抑制することができ、平坦度の高い割断面が得られるとともに、割断屑の発生を抑制することができる。また、不良品の発生を抑制することができるので生産効率を向上させることができる。
【００４２】
図１２は、他の実施形態に係るレーザ光照射手段を例示するための模式図である。    
図１２に示すように、レーザ光照射手段２０にも前述のレーザ発振器７、ベンダーミラー８が備えられている。ここで、図２（ａ）で例示をしたレーザ光照射手段３ａの場合は、シリンドリカルレンズ９を用いて円形断面のレーザ光７ａを線状断面のレーザ光７ｂに変換している。これに対して、レーザ光照射手段２０においてはポリゴンミラー２１を用いて円形断面のレーザ光７ａを走査し、擬似的に線状断面のレーザ光７ｃ１を形成させるようにしている。この場合、線状断面のレーザ光７ｃ１の長手方向が被加工物Ｇの移動方向と略平行となるようになっている。尚、ポリゴンミラー２１に限定されるわけではなく、レーザ光を走査できるもの、例えば、ガルバノミラーのようなものであってもよい。
【００４３】
このように、レーザ光を走査して擬似的に線状断面のレーザ光７ｃ１を形成させるようにすれば、照射断面の長さを任意に変えることができるので、加熱領域の範囲の調整を簡単に行うことができる。尚、レーザ光照射手段３ｂの代わりにレーザ光照射手段２０を用いることもできる。
【００４４】
また、図示は省略するが支持部５ａ〜５ｃを個別的に上下する昇降手段を設けるようにして、支持部５ａ〜５ｃの高さを調整可能とすることもできる。そのようにすれば、被加工物Ｇの折り曲げ位置を変更したり、折り曲げ角度θを調整したりすることができる。
【００４５】
また、図１３に例示をするように被加工物Ｇを押圧する押圧手段２２（図１３に例示をするものは押圧用のピン）を設けて被加工物Ｇの折り曲げを補助することもできる。そのようにすれば折り曲げの状態をより安定させることができるので、ハックル発生の抑制をより安定させることができる。
【００４６】
図１４は、本発明の第２の実施形態に係る割断装置を例示するための模式斜視図である。  尚、図１で例示をした割断装置１と同様の部分は適宜省略している。    
また、図１４（ａ）はブレーク加工の様子を例示するための模式図、図１４（ｂ）はブレーク加工における割断（いわゆるフルカット）の様子を例示するための模式図である。また、図１４（ｃ）は応力分布を例示するための模式グラフ図である。
前述した割断装置１の場合は、被加工物Ｇの表面側（スクライブ加工による亀裂がある面側）からレーザ光照射を行いブレーク加工を行うようにしている。これに対し、本実施の形態においては図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すように被加工物Ｇの裏面側からも加熱を行いブレーク加工を行うようにしている。すなわち、被加工物Ｇのレーザ光照射手段３ｂにより加熱される領域と対向する側の領域を加熱するレーザ光照射手段３ｂ１を備えている。
【００４７】
この場合、特許文献１に開示がされている技術のように被加工物Ｇの表裏に同等の照射エネルギーを有するレーザ光を照射して一度に割断（フルカット）を行うようにすれば、照射面の温度が上がりすぎて損傷が生じるおそれがある。また、表裏における照射位置を正確に合わせる必要もある。
【００４８】
これに対して、本実施の形態においては、レーザ光照射手段３ｂ１は、レーザ光照射手段３ｂによって加熱される領域（表面側）に発生する引張応力に対して、これに対向する側（裏面側）に発生する引張応力が所定の範囲内となるように、被加工物Ｇの加熱を行うようになっている。または、レーザ光照射手段３ｂによって加熱される領域（表面側）の温度に対して、これに対向する側（裏面側）の温度が所定の範囲内となるように、被加工物Ｇの加熱を行うようになっている。すなわち、表面側から照射されるレーザ光による裏面側の引張応力の不足分または温度上昇の不足分を補うために裏面側からレーザ照射を行うようにしている。そのため、裏面側から照射されるレーザ光の照射エネルギーは表面側から照射されるレーザ光の照射エネルギーよりも低く設定されている。
【００４９】
この場合、裏面側からもレーザ光を照射することで表裏における照射面の温度が所定の範囲内に収まるようになれば、図１４（ｃ）に示すように表面側と裏面側とに生じる引張応力が所定の範囲内となることにもなる。尚、図１４（ｃ）中の応力分布σ５は表面側のみからレーザ照射を行った場合を表し、応力分布σ６は表裏における照射面の温度が所定の範囲内に収まるように裏面側からもレーザ照射を行った場合を表している。
【００５０】
本発明者は検討の結果、表面側から照射されるレーザ光の照射エネルギーの数十％以上、１００％未満の照射エネルギーを有するレーザ光を裏面側から照射するようにすれば照射面の温度上昇による損傷を抑えつつハックルの発生を抑制することができるとの知見を得た。尚、裏面側から照射されるレーザ光の照射エネルギーは被加工物Ｇの厚みや材質、表面側から照射されるレーザ光の照射エネルギーなどに応じて適宜設定される。すなわち、表面と裏面とに生じる引張応力が所定の範囲内となるように、または表裏における照射面の温度が所定の範囲内に収まるように、裏面側から照射されるレーザ光の照射エネルギーを制御すればよい。
【００５１】
この場合、表面と裏面とに生じる引張応力の範囲を比率により例示するものとすれば、表面における引張応力を「３．７以上、４以下」とすると、裏面における引張応力は「１．２以上、４以下」とすることができる。
【００５２】
また、表面側からの熱が被加工物Ｇの厚み方向を伝導する時間と、レーザ光照射手段３ｂ、３ｂ１と被加工物Ｇとの相対移動速度と、を考慮して、レーザ光照射手段３ｂとレーザ光照射手段３ｂ１との位置関係を決めることもできる。
図１５は、レーザ光照射手段の位置関係を例示するための模式図である。  
図１５に示すように、レーザ光照射手段３ｂによって被加工物Ｇの表面側を加熱すると、熱は被加工物Ｇの厚み方向を裏面側に向けて伝導する。図中のＥは熱が伝導して行く様子を表したものである。
【００５３】
この場合、被加工物Ｇの表面側から裏面側に熱が伝導するのにはある程度の時間を要する。    
図１６は、熱の伝導を応力に置き換えて例示するための模式グラフ図である。尚、横軸は時間を表し、縦軸は発生する応力を表している。また、グラフ図中の上側の線図ほど被加工物Ｇの表面に近く、下側の線図ほど被加工物Ｇの裏面に近いことを表している。また、表面側のみを加熱するものとしている。
時間の経過とともに被加工物Ｇの表面側から裏面側に熱が伝播し、それにともない図１６に示すように裏面側の応力が上昇することになる。そして、時間Ｔにおいて裏面側に発生する応力が最大となる。
この場合、応力が最大となった時間Ｔにおいて裏面側の温度が略最高となる。そのため、裏面側の温度が略最高になった時に裏面側を加熱するようにすれば、裏面側から照射するレーザ光の照射エネルギーを低減させることができる。
【００５４】
ここで、レーザ光照射手段３ｂ、３ｂ１と被加工物Ｇとの間には相対移動がある。そのため、時間Ｔと相対移動速度とを考慮して、レーザ光照射手段３ｂとレーザ光照射手段３ｂ１との位置関係を決めるようにすることが好ましい。
例えば、図１５に示したように、レーザ光照射手段３ｂとレーザ光照射手段３ｂ１との間を相対移動方向に寸法Ｌ１（時間Ｔ×相対移動速度）だけずらすようにすることができる。この場合、レーザ光照射手段３ｂが相対移動における前方側、レーザ光照射手段３ｂ１が相対移動における後方側とすることができる。
【００５５】
本実施の形態によれば、表面側から照射されるレーザ光による裏面側の温度上昇の不足分を補うために裏面側からレーザ照射を行うようにしているので照射面の温度が上がりすぎることがなく損傷が生じるおそれがない。また、裏面側から照射されるレーザ光はブレーク加工を直接行うためのものではないので、表裏における照射位置を正確に合わせる必要もない。また、裏面側から照射されるレーザ光の照射エネルギーは低いもので足りるので装置の小型化を図ることもできる。また、表面側からの熱が被加工物Ｇの厚み方向を伝導する時間と、レーザ光照射手段３ｂ、３ｂ１と被加工物Ｇとの相対移動速度と、を考慮して、レーザ光照射手段３ｂとレーザ光照射手段３ｂ１との位置関係を決めるようにすれば、裏面側から照射するレーザ光の照射エネルギーを低減させることができる。
【００５６】
尚、レーザ光照射手段３ｂ１を設ける他は図１で例示をした割断装置１と同様のためその構成の説明は省略する。また、被加工物Ｇのレーザ光照射手段３ｂによって加熱される領域と対向する側の領域をレーザ光照射手段３ｂ１により加熱することで、レーザ光照射手段３ｂによって加熱される領域に発生する引張応力に対して、これに対向する側に発生する引張応力を所定の範囲内とすること、以外は、図１１で例示をした割断装置１の作用、割断方法と同様のためその説明も省略する。
【００５７】
この場合、本実施の形態においては被加工物Ｇを折り曲げる必要がないので支持部５ａ〜５ｃを設ける必要はない。ただし、支持部５ａ〜５ｃを設けるとともに裏面側からレーザ照射を行うレーザ光照射手段を設けるようにすることもできる。そのようにすれば、裏面側から照射されるレーザ光の照射エネルギーをさらに低くすることができるとともに折り曲げ角度θを小さくすることができるので、被加工物Ｇの負担を軽減させることができる。      
また、説明の便宜上、裏面側からの加熱をレーザ照射としたが他の高密度エネルギー照射手段によるものとすることもできる。例えば、遠赤外線をスポット照射するようなものであってもよい。
【００５８】
図１７は、本発明の第３の実施形態に係る割断装置を例示するための模式斜視図である。  図１８は、比較例に係る割断装置を例示するための模式斜視図である。        
尚、図１で例示をした割断装置１と同様の要素については適宜省略している。    
まず、図１８に例示をする比較例について説明をする。    
前述したように被加工物Ｇを割断するには、被加工物Ｇを局部的に加熱、冷却することで初期亀裂から亀裂を進行させるスクライブ加工を行い、次に図１８（ａ）に示すようにスクライブ加工において形成された亀裂をさらに加熱することでブレーク加工を行うようにしている。
【００５９】
ここで被加工物Ｇの割断においては、図１８（ａ）に示すように非対称となるような位置を割断しなければならない場合がある。このような場合、図１８（ｂ）に示すように割断面２３が傾斜し、曲がった状態で割断されてしまうことがある。これは、割断される両側における被加工物Ｇの表面積や体積などがアンバランスとなるために発生する引張応力がアンバランスとなるからであると考えられる。そして、割断面２３が傾斜し曲がった状態で割断されると、割断面２３の形状精度が悪化するのみならずハックルＨが発生する場合がある。
【００６０】
これに対し、図１７に例示をする本実施の形態においては、スクライブ加工における亀裂に対して略直交する方向に、レーザ光照射手段３ｂによって加熱される領域を移動する移動手段を備えている。そのようなものとしては、例えば、図１７（ａ）に例示をするように光学部品２４（例えば、シリンドリカルレンズなど）をスクライブ加工における亀裂に対して略直交する方向に移動させる移動手段を例示することができる。
【００６１】
そして、割断位置や引張応力のバランスを考慮して、レーザ照射位置（加熱される領域）を亀裂に対して略直交する方向に移動させることで引張応力がアンバランスとなることを抑制しつつ割断を行うようにしている。この場合、前述したステージ１５により被加工物Ｇを移動させてレーザ照射位置を移動させることもできる。
【００６２】
本実施の形態によれば、非対称となるような位置を割断しなければならない場合であっても引張応力がアンバランスとなることを抑制しつつ割断を行うことができるので、図１７（ｂ）に示すように割断面の形状精度を向上させることができる。また、ハックルＨの発生をも抑制することができる。
【００６３】
次に、本発明の実施の形態に係るフラットパネルディスプレイの製造方法について例示をする。尚、説明の便宜上、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）カラー液晶表示パネルの製造工程について例示をする。    
図１９は、ＴＦＴカラー液晶ディスプレイの製造工程について例示をするためのフローチャートである。    
ＴＦＴカラー液晶表示パネルの製造工程は、ＴＦＴアレイ形成工程、カラーフィルター形成工程、配向膜形成工程、基板貼り合わせ工程、液晶注入工程、基板分断工程からなる。
【００６４】
まず、ＴＦＴアレイ形成工程において、清浄な無アルカリガラスからなるガラス基板の表面に、複数の画素を備えた画素配列を形成させる（ステップＳ１００）。    
この画素配列を構成する画素は、ＴＦＴトランジスタ、表示電極、蓄積容量を有し、リソグラフィー技術を用いて形成させることができる。尚、ＴＦＴトランジスタ、表示電極、蓄積容量などの形成については、既知の技術を適用することができるので、その説明は省略する。    
一方、カラーフィルター形成工程において、前述の画素が形成されたガラス基板と対を成すガラス基板の表面にカラーフィルターを形成させる（ステップＳ２００）。    
尚、カラーフィルターの形成法には、印刷法、電着法、パターニング法等があるが、これらの方法には既知の技術を適用することができるので、その説明は省略する。
【００６５】
次に、配向膜形成工程において、前述の画素とカラーフィルターの上に印刷法などを用いてポリイミド膜を積層させ、ラビングローラなどを用いてポリイミド膜を所定の方向に配向させて配向膜を形成させる（ステップＳ３００）。      
尚、薄膜形成やラビングなどに用いられる技術については、既知の技術を適用することができるので、その説明は省略する。    
次に、基板貼り合わせ工程において、前述の配向膜上にシール剤を塗布して、画素が形成されたガラス基板とカラーフィルターが形成されたガラス基板とを貼り合わせる（ステップＳ４００）。    
このとき配向膜の配向方向が平行になるように貼り合わせ、ノーマリホワイトとなるようにする。尚、この基板貼り合わせに用いられる技術については、既知の技術を適用することができるので、その説明は省略する。
【００６６】
次に、液晶注入工程において、前述の基板貼り合わせ工程において形成された２枚のガラス基板の間隙に液晶を注入する（ステップＳ５００）。      
尚、液晶の注入法には真空注入法などがあるが、既知の技術を適用することができるので、その説明は省略する。      
以上の工程により、画素とカラーフィルターとが液晶を挟んで対向した液晶表示パネルの集合体が形成される。
【００６７】
次に、基板分断工程において、本実施の形態に係る割断装置や割断方法を用いて液晶表示パネルの集合体をその割断予定線Ｌに沿って割断することで所望の液晶パネルに分断する（ステップＳ６００）。尚、本実施の形態に係る割断装置や割断方法については前述したのでその説明は省略する。    
以上によりＴＦＴカラー液晶表示パネルの製造が終了する。
【００６８】
次に、以上のようにして製造したＴＦＴカラー液晶表示パネルに機構部材などを装着する（ステップＳ７００）。        
機構部材としては、ドライバＩＣと、それに入力する制御信号を生成する駆動回路などを例示することができる。また、必要に応じてカバーなどを適宜設けるようにすることもできる。尚、機構部材、カバーなどに関しては既知の技術を適用させることができるので、その説明は省略する。また、機構部材の装着、カバーなどの取り付けに関しても既知の技術を適用することができるので、その説明は省略する。    
以上により、ＴＦＴカラー液晶ディスプレイの製造が終了する。
【００６９】
本実施の形態によれば、ハックルＨの発生を抑制することができるので、平坦度の高い割断面が得られるとともに割断屑の発生を抑制することができる。また、不良品の発生を抑制することができるので生産効率を向上させることができる。また、非対称となるような位置を割断しなければならない場合であっても引張応力がアンバランスとなることを抑制しつつ割断を行うことができるので、割断面の形状精度を向上させることができるとともにハックルＨの発生を抑制することができる。
【００７０】
尚、説明の便宜上、ＴＦＴカラー液晶ディスプレイの製造方法について例示をしたが、本実施の形態はこれに限定されるわけではない。例えば、他のフラットパネルディスプレイ（例えば、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ、有機ＥＬディスプレイなど）の製造方法にも適用させることができる。また、その他、脆性材料からなる電子部品（例えば、ウェーハなど）などの割断にも適用させることができる。
【００７１】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。    
前述の具体例に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
【００７２】
例えば、割断装置１などが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。      
また、レーザもＣＯ２レーザに限らず、ＹＡＧレーザやエキシマレーザなどでもよい。また、レーザ光の波長によってはビームスプリットミラーなどを用いて分岐したレーザ光を光ファイバに導入し、伝送する構成にしてもよい。
【００７３】
また、割断を進行させるための移動方法として、ステージ（被加工物）を移動させる場合を例示したが、レーザ光照射手段、冷却手段を移動させて、割断を進行させるようにしてもよい。すなわち、加熱手段（レーザ光照射手段）および冷却手段に対して被加工物Ｇを相対的に移動させ、加熱および冷却が行われる領域を割断予定線Ｌに沿って移動させることができるものであればよい。
【００７４】
また、被処理物Ｇの材質はガラスに限られるわけではなく、アルミナセラミックス、石英、半導体材料などの脆性材料であればよい。      
また、前述した各具体例が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る割断装置を例示するための模式斜視図である。
【図２】レーザ光照射手段を例示するための模式斜視図である。
【図３】冷却手段を例示するための模式斜視図である。
【図４】スクライブ加工を例示するための模式図である。
【図５】ブレーク加工を例示するための模式図である。
【図６】割断面に発生したハックルを例示するための模式図である。
【図７】被加工物の厚み方向における応力の変化を例示するための模式グラフ図である。
【図８】被加工物の厚み方向における応力分布を例示するための模式グラフ図である。
【図９】被加工物を折り曲げるようにして保持させる効果を例示するための模式グラフ図である。
【図１０】折り曲げ角度とハックルの発生との関係を例示するためのグラフ図である。
【図１１】本実施の形態に係る割断方法を例示するためのフローチャートである。
【図１２】他の実施形態に係るレーザ光照射手段を例示するための模式図である。
【図１３】被加工物を押圧する押圧手段を例示するためのグラフ図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る割断装置を例示するための模式斜視図である。
【図１５】レーザ光照射手段の位置関係を例示するための模式図である。
【図１６】熱の伝導を応力に置き換えて例示するための模式グラフ図である。
【図１７】本発明の第３の実施形態に係る割断装置を例示するための模式斜視図である。
【図１８】比較例に係る割断装置を例示するための模式斜視図である。
【図１９】ＴＦＴカラー液晶ディスプレイの製造工程について例示をするためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００７６】
１  割断装置、２  スクライブ加工部、３ａ  レーザ光照射手段、３ｂ  レーザ光照射手段、３ｂ１  レーザ光照射手段、４  冷却手段、５ａ〜５ｃ  支持部、６  初期亀裂形成手段、６ａ  ブレード、７  レーザ発振器、７ａ〜７ｄ  レーザ光、８  ベンダーミラー、９  シリンドリカルレンズ、１０  集光レンズ、１１  ベンダーミラー、１２  タンク、１３  ノズル、１４ａ  配管部材、１４ｂ  配管部材、１５  ステージ、２２  押圧手段、２３  割断面、Ｃ  冷却剤、Ｇ  被加工物、Ｈ  ハックル、Ｐ  加圧手段、σ１〜σ６  応力分布、θ  折り曲げ角度 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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