(57)【要約】【課題】製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位な表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  支持基板１０１と、  支持基板上に配置された第１電極６０と、  第１電極に対向して配置され、光透過性及び光反射性を有する第２電極６４と、  第１電極と第２電極との間に配置され、発光層６２Ａを含む有機活性層６２と、  支持基板と第１電極との間に配置された反射層１１５と、  第１電極と反射層との間に配置され、発光層の発光主波長よりも厚い膜厚からなり、反射層と第２電極との間で発生しうる光干渉を解消する干渉解消層１１６と、  第２電極上に配置され、第２電極を介して出射した発光層の発光主波長における発光強度を最大化せしめる光学調整層８０と、  を備えたことを特徴とする。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され、光透過性及び光反射性を有する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、発光層を含む有機活性層と、
前記支持基板と前記第１電極との間に配置された反射層と、
前記第１電極と前記反射層との間に配置され、前記発光層の発光主波長よりも厚い膜厚からなり、前記反射層と前記第２電極との間で発生しうる光干渉を解消する干渉解消層と、
前記第２電極上に配置され、前記第２電極を介して出射した前記発光層の発光主波長における発光強度を最大化せしめる光学調整層と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記発光層の発光主波長をλとし、
前記有機活性層において前記発光層から前記第２電極までの光学長をＬとし、
前記光学調整層の屈折率をｎとし、前記光学調整層の厚さをｄとし、
前記第２電極の屈折率をｎ’とし、前記第２電極の厚さをｄ’とし、
ｍを整数（ｍ＝０、１、２・・・）としたとき、
ｎ・ｄ＋ｎ’・ｄ’＋Ｌ＝λ／４×（２ｍ＋１）
で示す式の関係を満足することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記整数ｍが２以上であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機活性層は、前記発光層と前記第１電極とに間にホール輸送層を有し、
前記光学調整層は、前記ホール輸送層と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記光学調整層は、光透過性を有する無機系材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
さらに、前記絶縁基板と前記反射層との間に配置され、その表面に凹凸構造を有する凹凸層を有し、
前記干渉解消層は、前記凹凸層の凹部上の膜厚が凸部上の膜厚より厚く形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、画素回路などとともにアレイ基板に備えられ、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。各画素は、隔壁によって分離されている。
【０００５】
ボトムエミッション方式では、１画素当たりの有機ＥＬ素子の発光面積の割合（開口率）が画素回路や配線によって制約されてしまう。開口率の制約を緩和できるトップエミッション方式が主流となりつつある。
【０００６】
一方で、共振器構造を備えた有機ＥＬ素子では、発光層で発生した光のうち共振波長の光だけが増幅されて取り出されるため、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、この有機ＥＬ素子で構成される表示装置の色再現範囲を拡大することが可能になることが知られている（マイクロキャビティ効果）。
【０００７】
ところが、上述のような共振器構造を備えた有機ＥＬ素子のように、取り出される光のスペクトルのピーク幅が狭くなると、発光面を斜め方向から見た場合に、光の波長が大きくシフトしたり発光強度が低下したりする等、発光特性の視野角依存性が高くなる。
【０００８】
このような課題に対して、特許文献１などによれば、視野角依存性が知覚上非常に認識されやすいホワイト（白色）について特に深刻な問題となることに着目し、輝度変動量のＲＧＢバランスを調整し、ホワイトの視野角依存性を減少させる技術を開示している。
【特許文献１】特開２００２−３６７７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、マイクロキャビティ効果を利用する場合、視野角によって有機ＥＬ素子内部の共振条件が変化するため、表示特性も変化してしまう場合がある。また、共振条件を満足する製造マージン（特に、有機活性層の膜厚制御）が狭く、わずかな膜厚の変化の影響によりマイクロキャビティ効果が得られなくなるといった課題もある。
【００１０】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明の態様による表示装置は、
支持基板と、
前記支持基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され、光透過性及び光反射性を有する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、発光層を含む有機活性層と、
前記支持基板と前記第１電極との間に配置された反射層と、
前記第１電極と前記反射層との間に配置され、前記発光層の発光主波長よりも厚い膜厚からなり、前記反射層と前記第２電極との間で発生しうる光干渉を解消する干渉解消層と、
前記第２電極上に配置され、前記第２電極を介して出射した前記発光層の発光主波長における発光強度を最大化せしめる光学調整層と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好な表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１４】
有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。
【００１５】
アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板２００によって封止されている。封止基板２００は、光透過性を有するガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の基板である。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、例えば、平坦に形成されている。
【００１６】
これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００によって貼り合せられている。シール部材３００は、例えば、感光性樹脂（例えば紫外線硬化型樹脂）であっても良いし、フリットであっても良い。
【００１７】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。なお、図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。
【００１８】
図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３、蓄積容量素子ＣＳなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子ＣＳは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。
【００１９】
駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。
【００２０】
これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。
【００２１】
このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。
【００２２】
そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。
【００２３】
表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００２４】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、有機絶縁膜（平坦化層）１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されたものとする。
【００２５】
すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。
【００２６】
ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇなどが配置されている。ゲート電極２０Ｇは、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄなどが配置されている。
【００２７】
これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、第１有機絶縁膜１１４によって覆われている。
【００２８】
第１有機絶縁層１１４の上には、反射層１１５が配置されている。この反射層１１５は、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成されている。また、この反射層１１５は、各画素に島状に配置されても良いし、アクティブエリア１０２の全体にわたって配置されても良い。このような反射層１１５は、第２有機絶縁層１１６によって覆われている。
【００２９】
第１有機絶縁層１１４及び第２絶縁層１１６は、感光性の樹脂材料、たとえばアクリル系樹脂によって形成されている。特に、第１有機絶縁層１１４は、その表面（反射層１１５が積層される面）に凹凸構造を形成すべくフォトリソグラフィプロセスを経て形成される。また、第２有機絶縁層１１６は、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化するように、樹脂材料をコーティングするなどの手法により形成される。
【００３０】
この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、第２有機絶縁層１１６の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。
【００３１】
すなわち、第１電極６０は、第２有機絶縁層１１６の上において画素ＰＸ毎に独立島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、第１有機絶縁層１１４及び第２有機絶縁層１１６をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。
【００３２】
このような第１電極６０は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成されている。
【００３３】
有機活性層６２は、第１電極６０上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
【００３４】
有機活性層６２は、高分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、インクジェット法などの選択塗布法により成膜可能である。また、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。
【００３５】
第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、光透過性及び光反射性を有し、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層として構成されている。
【００３６】
また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。
【００３７】
次に、この実施の形態における有機ＥＬ表示装置の主要構成について、より詳細に説明する。
【００３８】
すなわち、図３に示すように、支持基板１０１の上に、第１有機絶縁層１１４が配置されている。なお、支持基板１０１と第１有機絶縁層１１４との間の層については省略している。第１有機絶縁層１１４は、その表面に凹凸構造を有する凹凸層に相当し、その凹凸形状は、隣接する凸部（または隣接する凹部）のピッチは３０μｍ以下で、且つ、凹凸の深さ（つまり凸部のトップから凹部のボトムまでの高さ）は０．５μｍ以上となるように形成されている。ここに示した例では、第１有機絶縁層１１４は、アクリル系樹脂によって形成され、ピッチは９μｍであり、凹凸の深さが１．５μｍであった。
【００３９】
一方、支持基板１０１の上には、有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０が配置され、また、第１電極６０に対向して第２電極６４が配置されている。これらの第１電極６０と第２電極６４との間には、有機活性層６２が配置されている。ここに示した例では、有機活性層６２は、発光層６２Ａに加え、発光層６２Ａと第１電極６０との間に配置されたホール輸送層６２Ｈと、発光層６２Ａと第２電極６４との間に配置された電子輸送層６２Ｅと、を備えている。
【００４０】
支持基板１０１と第１電極６０との間には反射層１１５が配置されている。すなわち、反射層１１５は、第１有機絶縁層１１４の上に配置され、第１有機絶縁層１１４の凹凸構造に倣ってその表面に凹凸構造を有する。つまり、反射層１１５の表面の凹凸形状は、第１有機絶縁層１１４と略同一である。ここでは、反射層１１５は、アルミニウムをスパッタ成膜することによって形成されている。
【００４１】
第１電極６０と反射層１１５との間には第２有機絶縁層１１６が配置されている。すなわち、第２有機絶縁層１１６は、反射層１１５を覆うように配置され、その表面は平坦化されている。このような第２有機絶縁層１１６は、発光層の発光主波長よりも厚い膜厚からなり、反射層１１５と第２電極６４との間で発生しうる光干渉を解消する干渉解消層として機能する。つまり、第２有機絶縁層１１６においてはその膜厚が不均一であり、下地の凹部上の膜厚が凸部上の膜厚より厚く形成されており、これらの膜厚差によって光干渉を解消している。ここでは、第２有機絶縁層１１６は、アクリル系樹脂によって形成されている。
【００４２】
これにより、素子内部での多重反射・多重干渉効果を抑制し、有機活性層６２の膜厚変化や視野角依存性を低減することが可能となる。
【００４３】
この一方で、干渉解消層を適用した場合には、素子内部での多重反射・多重干渉効果を用いた有機ＥＬ素子の発光色の改善効果も抑制されるため、発光色の色純度が低下してしまう。
【００４４】
そこで、この実施の形態においては、発光層６２Ａから第２電極６４を介して出射した発光層６２Ａの発光主波長における発光強度を最大化せしめる光学調整層８０を備えている。この光学調整層８０は、第２電極６４の上に配置されている。このような光学調整層８０は、光透過性を有する材料であれば、ＩＴＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘなどの無機系材料によって形成しても良いし、有機系材料によって形成しても良い。
【００４５】
ここに示した例では、光学調整層８０は、ホール輸送層６２Ｈと同一材料によって形成した。このとき、光学調整層８０の屈折率は、発光層６２Ａの発光主波長において１．８５であった。また、光学調整層８０の膜厚は、３８０ｎｍとした。
【００４６】
このような構成によれば、干渉効果を打ち消す干渉解消層を用いた表示装置において、色純度の向上を図ることが可能となる。つまり、有機活性層の膜厚変化や視野角変化によらず、色再現性の良好な表示装置を提供することができる。
【００４７】
上述した光学調整層８０の屈折率及び膜厚は、以下に示す関係式を満たすように設定されることがより望ましい。
【００４８】
すなわち、発光層６２Ａの発光主波長をλとし、有機活性層６２において発光層６２Ａから第２電極６４までの光学長（つまり、ここに示した例では、発光層６２Ａの膜厚及び電子輸送層６２Ｅの膜厚の総和）をＬとし、光調整層８０の屈折率をｎとし光調整層８０の厚さをｄとし、第２電極６４の屈折率をｎ’とし第２電極６４の厚さをｄ’とし、ｍを整数（ｍ＝０、１、２・・・）としたとき、
ｎ・ｄ＋ｎ’・ｄ’＋Ｌ＝λ／４×（２ｍ＋１）
で示す式の関係を満足するように、ｎ及びｄが設定される。
【００４９】
このような関係式を満足する条件の光学調整層８０によれば、発光層６２Ａから出射される光の発光スペクトルより狭くすることができ、色画素における発光色の色純度を向上することが可能となる。
【００５０】
特に、整数ｍは、小さい値ほど透過率が低下するもののスペクトル幅が狭くなる傾向にあり、上記関係式において、整数ｍが２以上の条件を選択することが望ましい。
【００５１】
なお、発光層６２Ａの発光主波長λは、発光層６２Ａを形成する材料の発光スペクトルのうち、最大発光強度となる発光波長λ（ｐｅａｋ）での発光強度に対して８０％以上の発光強度が得られる波長の範囲であるものとする。
【００５２】
次に、青色画素（発光主波長が４７０ｎｍ〜４８０ｎｍ）を例に、光学調整層８０を適用したときの発光スペクトルを測定した。ここでは、上記関係式を満足するように、光学調整層８０の屈折率は１．８５とし、膜厚は３８０ｎｍとした。このとき、ｍ＝３次を選んだ。
【００５３】
この構成を光学調整層ありの最良のケース（Ｂｅｓｔ）とし、また、比較として、光学調整層なしのケース、及び、光学調整有りの非最良のケース（Ｗｏｒｓｔ）を同時に示す。非最良のケースとしては、上記関係式における右辺がλ/２となっている。この測定結果を図４に示す。
【００５４】
光学調整層なしのケースでは、得られた発光スペクトルの半値幅は５８ｎｍであった。一方、最良のケースでは、発光スペクトルの半値幅は４４ｎｍであり、光学調整層によって発光スペクトルの色純度が向上していることが分かる。また、同じく光学調整層を有するケースにおいても非最良のケースでは、発光スペクトルの半値幅は６７ｎｍとなり、光学調整層の無いケースよりも発光スペクトルの色純度が低下していることが確認された。
【００５５】
次に、干渉解消層が無い一般的な上面発光素子と、干渉解消層があり且つ最良条件の光学調整層を有する上面発光素子との発光スペクトルを図５に示す。
【００５６】
一般的な上面発光素子は、キャビティー効果によって色純度が向上しており、このときの発光スペクトルの半値幅は４９ｎｍであった。一方、干渉解消層があり且つ最良条件の光学調整層を有する上面発光素子では、キャビティー効果を改良しているにもかかわらず、発光スペクトルの半値幅が４４ｎｍとなっており急峻な発光スペクトルが得られていることが確認された。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態によれば、干渉効果を打ち消す干渉解消層を用いた表示装置において色純度の高い表示装置を提供することができる。
【００５８】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、一画素の素子構造を概略的に示す図である。
【図４】図４は、光学調整層を適用したことによる効果の検証結果を示す図である。
【図５】図５は、干渉解消層及び光学調整層を適用したことによる効果の検証結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…有機ＥＬ表示装置  ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
４０…有機ＥＬ素子（表示素子）
６０…第１電極  ６２…有機活性層  ６４…第２電極
８０…光学調整層
１００…アレイ基板  １０１…支持基板  １１４…第１有機絶縁層
１１５…反射層  １１６…第２有機絶縁層
【図１】
2009187748.tif 000003
【図２】
2009187748.tif 000004
【図３】
2009187748.tif 000005
【図４】
2009187748.tif 000006
【図５】
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