(57)【要約】【課題】薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１の基体と、前記第１の基体の上に設けられた半導体チップである第２の基体と、前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、前記第１の基体と前記オーバーハング部との間に設けられ、前記オーバーハング部を支持しつつ互いに離間して設けられた複数の支持部と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。【選択図】図１
2009252771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基体と、
前記第１の基体の上に設けられた半導体チップである第２の基体と、
前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、
前記第１の基体と前記オーバーハング部との間に、前記オーバーハング部を支持しつつ互いに離間して設けられた複数の支持部と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の基体と前記第３の基体との間に設けられ、前記第３の基体の端部よりも後退した端部を有するスペーサをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体チップである第１の基体と、
前記第１の基体の上に設けられたスペーサである第２の基体と、
前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、
前記第１の基体と前記オーバーハング部との間に、前記オーバーハング部を支持しつつ互いに離間して設けられた複数の支持部と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記支持部は、前記第３の基体の下面及び側面に接したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記支持部は、前記第２の基体の側面から離間して設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の基体、前記第３の基体及び前記支持部を埋め込んだ封止樹脂をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の基体に接続された第１の配線をさらに備え、
前記支持部は、前記第１の配線から離間して設けられたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の基体に接続された第２の配線をさらに備え、
前記支持部は、前記第２の配線から離間して設けられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第３の基体に接続された第３の配線をさらに備え、
前記支持部は、前記第３の配線から離間して設けられたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
第２の基体と、
前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、
前記第３の基体の前記オーバーハング部の上に設けられた支持部と、
前記支持部の上面を露出させつつ前記第２の基体と前記第３の基体を埋め込んだ封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１の基体と、
前記第１の基体の上に設けられた第２の基体と、
前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１の基体の上の前記第２の基体が配置される領域の外部に、複数の支持部を互いに離間させて形成し、
前記複数の支持部の上に前記第３の基体を設置し、
前記第２の基体、前記第３の基体及び前記複数の支持部を封止樹脂により埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
第２の基体と、
前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記第３の基体の前記オーバーハング部の上に支持部を形成し、
前記支持部の上面を金型の内壁に当接させた状態で封止樹脂を充填することにより、前記第２の基体及び前記第３の基体を前記封止樹脂により埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のチップが積層された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、軽量化、薄型化に伴い、電子機器に用いられる半導体装置に対して、小型化、薄型化、高実装密度化が要求されている。  
このような要求に応えるものとして、複数の半導体チップを積層して実装したマルチチップパッケージ（ＭＣＰ：multi-chip package）構造の半導体装置がある。  
ＭＣＰ構造の半導体装置においては、様々な大きさの複数のチップを積層し、チップと基板上とを、例えばワイヤーボンディングにより電気的に接続する。この時、下層より大きい面積のチップを上層に積層することがあり、上層チップが下層チップより突出した領域（オーバーハング部）が発生する。そして、両者の間にスペーサを挟んで隙間を設け、この隙間部でワイヤーボンディングが行われる。この後、例えばトランスファモールド法、すなわち、積層されたチップを金型中に配置し、そこに加熱加圧された液状の樹脂を流し込んだ後に硬化させて封止することにより、半導体パッケージとなる。このようなＭＣＰ構造の半導体装置において、今後、チップの積層数は増加し、また、チップの厚みは１００μｍ程度から５０μｍ、さらには１０μｍに近い厚さまでの薄肉化が進行すると予想される。
【０００３】
このＭＣＰ構造の半導体装置の封止工程において、チップの薄肉化が進み、チップ強度が低下すると、オーバーハング部において、樹脂の流動抵抗による応力がチップに加わり、チップ割れやチップとワイヤーとの接触の他、オーバーハング部の下の封止樹脂の未充填等の不良が発生し易くなる。
【０００４】
なお、特許文献１に、ＭＣＰ構造の半導体装置において、上層のチップをワイヤーボンディングする際に、オーバーハング部でチップが割れてしまうことに対して、上下のチップの間に液状樹脂からなる支持部材を設ける技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−３４０４１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、第１の基体と、前記第１の基体の上に設けられた半導体チップである第２の基体と、前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、前記第１の基体と前記オーバーハング部との間に設けられ、前記オーバーハング部を支持しつつ互いに離間して設けられた複数の支持部と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００７】
また、本発明の他の一態様によれば、半導体チップである第１の基体と、前記第１の基体の上に設けられたスペーサである第２の基体と、前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、前記第１の基体と前記オーバーハング部との間に設けられ、前記オーバーハング部を支持しつつ互いに離間して設けられた複数の支持部と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、第２の基体と、前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、前記第３の基体の前記オーバーハング部の上に設けられた支持部と、前記支持部の上面を露出させつつ前記第２の基体と前記第３の基体を埋め込んだ封止樹脂と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００９】
また、本発明の他の一態様によれば、第１の基体と、前記第１の基体の上に設けられた第２の基体と、前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記第１の基体の上の前記第２の基体が配置される領域の外部に、複数の支持部を互いに離間させて形成し、前記複数の支持部の上に前記第３の基体を設置し、前記第２の基体、前記第３の基体及び前記複数の支持部を封止樹脂により埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
また、本発明の他の一態様によれば、第２の基体と、前記第２の基体の上に設けられ、前記第２の基体の端部よりも側方に突出したオーバーハング部を有する半導体チップである第３の基体と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記第３の基体の前記オーバーハング部の上に支持部を形成し、前記支持部の上面を金型の内壁に当接させた状態で封止樹脂を充填することにより、前記第２の基体及び前記第３の基体を前記封止樹脂により埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置及びその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。  
なお、本願明細書及び以下の各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図１に表したように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０は、基板１１０と、基板１１０の上に設けられた第１の半導体チップ１２０と、第１の半導体チップ１２０の上に設けられ、第１の半導体チップ１２０の端部よりも側方に突出したオーバーハング部２０２を有する第２の半導体チップ１４０と、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２と基板１１０とを連結するように、互いに離間し点在して設けられた複数の支持部２００と、を備える。
【００１３】
すなわち、半導体装置１０の例では、第１の基体５１０として、基板１１０が用いられている。そして、第１の基体５１０の上に設けられる第２の基体５２０として、第１の半導体チップ１２０が用いられている。そして、第２の基体５２０の上に設けられる第３の基体５３０として、第２の半導体チップ１４０が用いられている。  
そして、支持部２００は、第３の基体５３０のオーバーハング部２０２と第１の基体５１０とを連結するように、互いに離間し点在して設けられている。この例では、支持部２００は、第３の基体５３０のオーバーハング部の下面と第１の基体５１０とを連結している。
【００１４】
基板１１０には、第１の半導体チップ１２０を支持し、例えば、第１半導体チップ１２０及び第２の半導体チップ１４０と電気接続するための基板電極１１２を有する電気回路基板を用いることができる。ただし、本発明は、これに限らず、基板１１０として、別の半導体チップを用いても良い。
【００１５】
また、半導体装置１０には、第１の半導体チップ１２０（第２の基体５２０）に接続された第１のワイヤー１２１（第２の配線５２１）が設けられている。この例では、第１のワイヤー１２１は、第１の半導体チップ１２０の上に設けられた第１の電極１２２と、基板１１０の上の基板電極１１２とを接続している。
【００１６】
また、半導体装置１０には、第２の半導体チップ１４０（第３の基体５３０）に接続された第２のワイヤー１４１（第３の配線５３１）が設けられている。この例では、第２のワイヤー１４１は、第２の半導体チップ１４０の上に設けられた第２の電極１４２と、基板１１０の上の基板電極１１２とを接続している。なお、第２のワイヤー１４１は、第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップ１２０とを電気的に接続しても良い。
【００１７】
そして、第１の半導体チップ１２０、第２の半導体チップ１４０及び支持部２００の周りには、封止樹脂１５０がさらに設けられている。なお、図１（ｂ）、（ｃ）には封止樹脂１５０が描かれているが、図１（ａ）では封止樹脂１５０は省略されている。
【００１８】
図１（ｃ）に例示したように、本実施形態に係る半導体装置１０は、第２の半導体チップ１４０の端部領域において、第２の半導体チップ１４０の端部が第１の半導体チップ１２０の端部より突き出ている、ひさし状の、いわゆるオーバーハング部２０２を有している。そして、半導体装置１０においては、第２の半導体チップ１４０の端部領域のオーバーハング部２０２において、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間に、支持部２００が設けられている。
【００１９】
支持部２００には、例えば、有機樹脂フィルムや有機樹脂部材等の固形物等を用いることができる。また、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂の他、ゴム性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることができる。また、支持部２００には、有機物に限らず、シリカやシリコン等の無機物も用いることができる。  
支持部２００は、基板１１０や第２の半導体チップ１４０の少なくともいずれかに対し、直接、または、接着層等を介して設けることができる。  
また、支持部２００の厚みは、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間の距離と実質的に同じに設定することができる。
【００２０】
このように、本発明に係る半導体装置１０においては、第２の半導体チップ１４０の端部領域において、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間、すなわち、オーバーハング部２０２に支持部２００が設けられている。これによって、例えば、第２のワイヤー１４１のワイヤーボンディング時に、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２において、下方向（基板１１０への方向）の応力が第２の半導体チップ１４０に加えられても、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２は実質的に変形することがないため、破損もなく、また、チップとワイヤーとの接触が生じない。
【００２１】
さらに、本実施形態に係る半導体装置１０においては、この支持部２００が点在して設けられおり、支持部２００のそれぞれの間や、支持部２００と第１の半導体チップ１２０の側面との間に空間がある。これにより、例えば、トランスファモールド法等によって、封止樹脂１５０を充填する際に、例えば、第１の半導体チップ１２０の側面に未充填部（空隙）が発生しないように、封止樹脂１５０を充填することできる。  
すなわち、図１に例示する本実施形態に係る半導体装置１０においては、支持部２００は、第１の半導体チップ１２０（第２の基体５２０）の側面と離間して設けられている。
【００２２】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置における封止樹脂充填の状態を例示する断面模式図である。  
図２に表したように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０においては、例えば、トランスファモールド法等によって、封止樹脂１５０となる封止材料１５１が充填される。
【００２３】
すなわち、例えば、基板１１０の上に第１、第２の半導体チップ１２０、１４０を配置し、ワイヤーボンディングが終了した積層体１９５を、あらかじめ加熱された金型１９０に装着し、金型１９０を閉じて積層体１９５をクランプする。そして、ポットと呼ばれる円筒形の部分（図示しない）に、封止樹脂１５０となる熱硬化性の封止材料１５１を投入する。金型１９０には、カル、ランナー、ゲート及びキャビティ１９２と呼ばれる形状が形成されており、熱によって溶融した封止材料１５１が、プランジャを上昇させることによって、これらのカル、ランナー、ゲートを通過して、金型１９０内のキャビティ１９２へと供給され、封止材料１５１が充填される。封止材料１５１は、ある時間が経過すると硬化し始め、硬化した後に金型１９０を開き、完成した半導体装置１０を取り出す。
【００２４】
この時、本実施形態に係る半導体装置１０では、支持部２００を点在させている。これにより、支持部２００のそれぞれの間に封止材料１５１が流れ込むことができ、第１の半導体チップ１２０の側面にも封止材料１５１が入りこみ易い。このため、第１の半導体チップ１２０の側面には空隙（気泡）が実質的に発生しない。すなわち、支持部２００が点在しているので、粘度が十分低い高温の封止材料１５１が加圧されて充填されるため、封止材料１５１は、第１の半導体チップ１２０の側面に隙間なく入りこむことができ、第１の半導体チップ１２０の側面には気泡は発生しない。  
このように、本実施形態に係る半導体装置１０によれば、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００２５】
（第１の比較例）
図３は、本発明の第１の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図３に表したように、第１の比較例の半導体装置９０では、本実施形態に係る半導体装置１０に対して、支持部の構造が異なっている。すなわち、第２の半導体チップ１４０の端部領域の２つの辺のオーバーハング部２０２の、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間に、連続した支持部２９０が設けられている。
【００２６】
この支持部２９０には、例えば樹脂材料が用いられ、支持部２９０は、例えばポッティング法によって、形成される。  
すなわち、半導体装置９０は、例えば、基板１１０の上に第１の半導体チップ１２０を配置した後、第１のワイヤー１２１をボンディングし、この後、支持部２９０となる、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等の樹脂材料をポッティング法により塗布し、この後、第２の半導体チップ１４０を配置し、加圧しながら位置合わせを行い、加熱し、樹脂材料を熱硬化させ、支持部２９０を形成した後、第２のワイヤー１４１をボンディングし、その後、封止樹脂１５０を充填することによって形成される。
【００２７】
この時、本比較例の半導体装置９０では、支持部２９０が連続的に設けられているので、第１の半導体チップ１２０の側面と支持部２９０との間に空隙（気泡）２５０が発生し易い。すなわち、支持部２９０は、例えば、ポッティング法によって液体状の樹脂材料を基板１１０の上に塗布することによって設けられるが、液状の樹脂材料の粘度が高い場合は、第１の半導体チップ１２０の側面と支持部２９０との間に空隙（気泡）２５０が発生し易くなる。特に、支持部２９０が連続的に設けられる場合は、発生した気泡が逃げる経路がないために、一度発生した気泡はそのまま残り、支持部２９０の硬化によって、気泡は閉じ込められ、封止樹脂１５０によって封止した後も空隙（気泡）２５０は残ってしまう。この空隙（気泡）２５０は、時間の経過と共に、半導体チップの回路材料の腐食や封止樹脂１５０の破損を引き起こし、半導体装置１０の信頼性を著しく低下させる。
【００２８】
一方、支持部２９０となる液状の樹脂材料の粘度が低い場合は、第１の半導体チップ１２０の側面と基板１１０とが接する例えば角部への塗布性が増し、第１の半導体チップ１２０の側面と支持部２９０との間に空隙（気泡）２５０が発生し難くなるが、樹脂材料が、所定の場所以外の部分、例えば基板電極１１２の上に流れ出し、接続不良が発生する。  これに対し、例えば、特許文献１には、液状の樹脂材料をせき止めるダム樹脂を別途設け、樹脂材料が流れ出すことを防止する技術が提案されているが、工程数が増え、また、ダム樹脂を設ける場所が必要となり、実装密度が低下することから、実用性に難がある。
【００２９】
すなわち、本比較例の半導体装置９０においては、第１の半導体チップ１２０の側面は、封止樹脂１５０ではなく、支持部２９０となる樹脂材料で覆われる構造となる。そして、支持部２９０は、第２の半導体チップ１４０を配置する前に、連続的な形状で設けられる。そして、支持部２９０となる樹脂材料において、第１の半導体チップ１２０の側面部の形状へ追従したり、一旦発生した気泡が消失するための粘度と、不要部へ流れ出さないための粘度とが両立し難い。このため、第１の半導体チップ１２０の側面に空隙（気泡）２５０が発生するか、または、樹脂材料が流出するか、のいずれかの現象が発生する。このため、本比較例の半導体装置９０では、チップの変形や割れと封止樹脂の未充填とを両立させた高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置は得られない。
【００３０】
これに対し、既に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１０では、支持部２００は点在させて設けられている。すなわち、第１の半導体チップ１２０の側面は、支持部２００となる材料で覆われない構造である。そして、支持部２００のそれぞれの間に封止樹脂１５０となる封止材料１５１が流れ込むことができ、第１の半導体チップ１２０の側面には、封止樹脂１５０となる封止材料１５１が入りこみ易い。このため、第１の半導体チップ１２０の側面には空隙（気泡）が実質的に発生しない。すなわち、支持部２００が点在しているので、トランスファモールド法により、粘度が十分低い高温の封止樹脂が加圧されて充填されるため、封止材料１５１は、第１の半導体チップ１２０の側面に密着し、第１の半導体チップ１２０の側面には気泡は発生しない。  
このように、本実施形態に係る半導体装置１０によれば、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００３１】
なお、本実施形態に係る半導体装置１０においては、既に説明したように、支持部２００は第１の半導体チップ１２０の側面と離間して設けられている。すなわち第１の半導体チップ１２０の側面は、支持部２００封止樹脂１５０となる封止材料１５１で覆われる構造である。しかしながら、本発明はこれに限らず、第１の半導体チップ１２０の側面の一部は、支持部２００となる材料と接触しても良い。すなわち、第１の半導体チップ１２０の側面に気泡（空隙）が実質的に発生しなければ、点在して設けられる支持部２００となる材料が、第１の半導体チップ１２０の側面の一部に接していても良い。
【００３２】
また、支持部２００は、第２の半導体チップ１４０の端部領域において、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間に設けられるが、第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップ１２０との間に間隙がある場合は、第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップ１２０との間に支持部２００を設けても良い。すなわち、本実施形態に係る半導体装置１０においては、支持部２００は、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２に設けられる。
【００３３】
また、図１（ａ）に表したように、半導体装置１０においては、第２の半導体チップ１４０の同図上方の辺と同図下方の辺に、それぞれ３つの支持部２００が、計６個設けられている例であるが、支持部２００は、第２の半導体チップ１４０の端部領域（オーバーハング部２０２）の辺に１つ、または、点在して複数設けることができる。
【００３４】
また、支持部２００は、第１のワイヤー１２１（第２の配線５２１）と接しないで、すなわち、離間して設けることができる。ただし、支持部２００が、液状の樹脂材料等のように、第１のワイヤー１２１が変形するような大きな機械的応力を与えない材料で形成される場合は、第１のワイヤー１２１と接していても良い。  
また、支持部２００は、第２のワイヤー１４１（第３の配線５３１）と接しないで、すなわち、離間して設けることができる。ただし、支持部２００が、液状の樹脂材料等のように、第２のワイヤー１４１が変形するような大きな機械的応力を与えない材料で形成される場合は、第２のワイヤー１４１と接していても良い。  
すなわち、例えば、室温である程度の耐応力性を有する液状の樹脂材料によって支持部２００を設け、その後、第２のワイヤー１４１のボンディングを行った後、加熱し、支持部２００となる樹脂が加熱されて実用的に問題にならない程度で流動し、第１のワイヤー１２１や第２のワイヤー１４１に接触した状態で硬化し、支持部２００が形成されても良い。
【００３５】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図４に表したように、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置２０は、第１の半導体チップ１２０と、第１の半導体チップ１２０の上に設けられた第２の半導体チップ１４０と、第１の半導体チップ１２０と第２の半導体チップ１４０との間に設けられたスペーサ１３０と、を備えている。  
そして、第２の半導体チップ１４０の端部は、スペーサ１３０の端部より突出しており、第２の半導体チップ１４０はオーバーハング部２０２を有している。  
そして、半導体装置２０は、この第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２と第１の半導体チップ１２０とを連結するように、点在して設けられた支持部２００をさらに備えている。  
なお、図１と同様に、図４（ｂ）、（ｃ）には封止樹脂１５０が描かれているが、図４（ａ）では封止樹脂１５０は省略されている。
【００３６】
すなわち、半導体装置２０の例では、第１の基体５１０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第２の基体５２０としてスペーサ１３０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。  
そして、支持部２００は、第３の基体５３０のオーバーハング部２０２と第１の基体５１０とを連結するように、点在して設けられている。この例では、支持部２００は、第３の基体５３０のオーバーハング部の下面と第１の基体５１０とを連結している。
【００３７】
すなわち、図４に表したように、半導体装置２０においては、第１の半導体チップ１２０（第１の基体５１０）の第１の電極１２２が、図示しない別の回路基板の電極と接続可能なように、第１のワイヤー１２１（第１の配線５１１）が設けられており、この第１のワイヤー１２１と第２の半導体チップ１４０の下面とが接触しないように、第１の半導体チップ１２０と第２の半導体チップ１４０の間にスペーサ１３０が設けられ、第１の半導体チップ１２０と第２の半導体チップ１４０との間に間隙が設けられている。これにより、第２の半導体チップ１４０の端部にオーバーハング部２０２が形成されている。なお、スペーサ１３０には、接着剤層が設けられた各種のフィルム等を用いることができる。また、例えば、所定粒径の粒子が混合された樹脂材料等を用いることができる。さらに、スペーサ１３０には、接着層が設けられた例えばシリコンを用いることができ、また、接着層が設けられた各種の金属を用いることができる。
【００３８】
このように、第１の半導体チップ１２０と第２の半導体チップ１４０との間にスペーサ１３０が設けられ、第２の半導体チップ１４０の端部領域においてオーバーハング部２０２が設けられる構造においても、支持部２００を第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップ１２０との間に、点在して設けることにより、スペーサ１３０の側面は、支持部２００となる樹脂材料で覆われない構造となる。これにより、支持部２００のそれぞれの間に封止樹脂１５０となる封止材料１５１が流れ込むことができ、スペーサ１３０の側面に封止樹脂１５０となる封止材料１５１が入りこみ易い。このため、スペーサ１３０の側面には空隙（気泡）が実質的に発生しない。すなわち、支持部２００が点在しているので、トランスファモールド法により、粘度が十分低い高温の封止樹脂が加圧されて充填されるため、封止材料１５１は、スペーサ１３０の側面に密着し、スペーサ１３０の側面には気泡は発生しない。
【００３９】
このように、本実施形態に係る半導体装置２０によれば、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００４０】
なお、本実施形態に係る半導体装置２０においても、支持部２００は、スペーサ１３０（第２の基体５２０）の側面と離間して設けることができる。ただし、スペーサ１３０の側面の一部は、支持部２００となる材料と接触しても良い。すなわち、スペーサ１３０の側面に気泡（空隙）が実質的に発生しなければ、点在して設けられる支持部２００となる材料が、スペーサ１３０の側面の一部に接していても良い。
【００４１】
（第３の実施の形態）
図５は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図５に表したように、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置３０は、図１に例示した半導体装置１０に対して、第１の半導体チップ１２０と第２の半導体チップ１４０との間に設けられたスペーサ１３０をさらに備えており、また、スペーサ１３０に対応して支持部２００の配置も異なっている。これら、スペーサ１３０及び支持部２００以外は、図１に例示した半導体装置１０と同様の構造とすることができるので、説明を省略する。また、図１と同様に、図５（ｂ）、（ｃ）には封止樹脂１５０が描かれているが、図５（ａ）では封止樹脂１５０は省略されている。
【００４２】
図１に例示した半導体装置１０では、第１の半導体チップ１２０の第１の電極１２２の上部を第２の半導体チップ１４０が覆わない構造であったが、図５に例示した半導体装置３０では、第２の半導体チップ１４０の平面形状が第１の半導体チップ１２０より大きく、第１の半導体チップ１２０の第１の電極１２２の上部を第２の半導体チップ１４０が覆っている。このため、半導体装置３０においては、第１の電極１２２に接続される第１のワイヤー１２１が、第２の半導体チップ１４０の下面と接触しないために、スペーサ１３０が設けられている。
【００４３】
そして、本実施形態に係る半導体装置３０においては、支持部２００が、第２の半導体チップ１４０の端部領域において、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間、及び、第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップ１２０との間に、点在して設けられている。ただし、これに限らず、支持部２００は、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間、及び、第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップ１２０との間、の少なくともいずれかに点在して設けることができる。
【００４４】
すなわち、半導体装置３０の例では、第１の半導体チップ１２０、スペーサ１３０及び第２の半導体チップ１４０の組で見ると、図５（ｂ）に表したように、第１の基体５１０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第２の基体５２０としてスペーサ１３０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。そして、支持部２００は、第３の基体５３０（第２の半導体チップ１４０）のオーバーハング部２０２と第１の基体５１０（第１の半導体チップ１２０）とを連結するように、点在して設けられている。そして、第１のワイヤー１２１が第１の配線５１１となる。
【００４５】
また、基板１１０、第１の半導体チップ１２０及び第２の半導体チップ１４０の組で見ると、図５（ｃ）に表したように、第１の基体５１０として基板１１０が用いられ、第２の基体５２０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。そして、支持部２００は、第３の基体５３０（第２の半導体チップ１４０）のオーバーハング部２０２と第１の基体５１０（基板１１０）とを連結するように、点在して設けられている。そして、第２のワイヤー１４１が第３の配線５３１となる。
【００４６】
支持部２００は、基板１１０、第１の半導体チップ１２０及び第２の半導体チップ１４０の少なくともいずれかに対して、直接、または、接着層等を介して設けることができる。  
また、支持部２００が第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間に設けられる時は、支持部２００の厚みは、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間の距離と実質的に同じに設定することができる。また、支持部２００が第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップ１２０との間に設けられる時は、支持部２００の厚みは、第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップ１２０との間の距離と実質的に同じに設定することができる。
【００４７】
このような構造を有する本実施形態に係る半導体装置３０によっても、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００４８】
（第２比較例）
図６は、本発明の第２の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図６に表したように、第２の比較例の半導体装置９１は、図５に例示した本実施形態に係る半導体装置３０に対して、支持部の構造が異なっている。すなわち、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２の、第２の半導体チップ１４０と第１の半導体チップとの間、及び、第２の半導体チップ１４０と基板１１０との間に、連続した形状の支持部２９０が設けられている。
【００４９】
この支持部２９０には、例えば、樹脂材料が用いられ、例えばポッティング法によって、形成される。  
すなわち、半導体装置９０は、例えば、基板１１０の上に第１の半導体チップ１２０とスペーサ１３０を配置した後、第１のワイヤー１２１をボンディングし、この後、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等の樹脂材料をポッティング法により塗布し、この後、第２の半導体チップ１４０を配置し、加圧しながら位置合わせを行い、加熱し、樹脂材料を熱硬化させ、支持部２９０を形成した後、第２のワイヤー１４１をボンディングし、その後、封止樹脂１５０を充填することによって形成される。
【００５０】
本比較例の半導体装置９１においては、支持部２９０が連続的に設けられているので、第１の半導体チップ１２０の側面と支持部２９０との間、及び、スペーサ１３０と支持部２９０との間に、空隙（気泡）２５０が発生し易い。  
すなわち、本比較例の半導体装置９１においては、第１の半導体チップ１２０の側面及びスペーサ１３０の側面は、封止樹脂１５０ではなく、支持部２９０となる樹脂材料で覆われる構造となっている。そして、支持部２９０は、第２の半導体チップ１４０を配置する前に、連続的な形状で設けられる。このため、支持部２９０となる樹脂材料において、第１の半導体チップ１２０の側面部及びスペーサ１３０の側面部の形状へ追従したり、一旦発生した気泡が消失するための粘度と、不要部へ流れ出さないための粘度とが両立し難い。このため、第１の半導体チップ１２０の側面及びスペーサ１３０の側面において空隙（気泡）２５０が発生するか、または、樹脂材料が流出するか、のいずれかの現象が発生する。このため、半導体装置９１では、チップの変形や割れと封止樹脂の未充填とを両立させた高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置は得られない。
【００５１】
これに対し、図５に例示した本実施形態に係る半導体装置３０では、支持部２００を点在させている。そして、第１の半導体チップ１２０の側面及びスペーサ１３０の側面は、支持部２００となる樹脂材料で覆われない構造である。これにより、支持部２００のそれぞれの間に封止樹脂１５０となる封止材料１５１が流れ込むことができ、第１の半導体チップ１２０の側面やスペーサ１３０の側面に封止材料１５１が入りこみ易い。このため、空隙（気泡）２５０が実質的に発生しない。すなわち、支持部２００が点在しているので、トランスファモールド法により、粘度が十分低い高温の封止材料１５１が加圧されて充填されるため、封止材料１５１は、第１の半導体チップ１２０の側面及びスペーサ１３０の側面に密着し、気泡は発生しない。
【００５２】
支持部２００は、第１の半導体チップ１２０（第２の基体５２０）の側面及びスペーサ１３０（第２の基体５２０）の側面と離間して設けることができる。  
ただし、これに限らず、第１の半導体チップ１２０の側面及びスペーサ１３０の側面の一部は、支持部２００となる材料と接触しても良い。すなわち、第１の半導体チップ１２０の側面及びスペーサ１３０の側面に気泡が実質的に発生しなければ、支持部２００となる材料が第１の半導体チップ１２０の側面及びスペーサ１３０の側面の一部に接していても良い。
【００５３】
本実施形態に係る半導体装置３０においても、支持部２００は、第１のワイヤー１２１（第１の配線５１１）と接しないで、すなわち、離間して設けることができる。ただし、支持部２００が、液状の樹脂材料等のように第１のワイヤー１２１に対して大きな機械的応力を与えない材料で形成される場合は、支持部２００は、第１のワイヤー１２１と接していても良い。  
また、支持部２００は、第２のワイヤー１４１（第３の配線５３１）と接しないで、すなわち、離間して設けることができる。ただし、支持部２００が、液状の樹脂材料等のように第２のワイヤー１４１に対して大きな機械的応力を与えない材料で形成される場合は、支持部２００は、第２のワイヤー１４１と接していても良い。
【００５４】
（第４の実施の形態）
図７は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図７に表したように、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置４０は、図１に例示した半導体装置１０に対して、支持部２００の配置が異なっている。
【００５５】
すなわち、本実施形態に係る半導体装置４０は、基板１１０と、基板１１０の上に設けられた第１の半導体チップ１２０と、第１の半導体チップ１２０の上に設けられた第２の半導体チップ１４０と、第２の半導体チップ１４０の側面と基板１１０とを連結し、点在して設けられた支持部２００と、を備えている。  
なお、支持部２００以外の構成については、図１に例示した半導体装置１０と同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
【００５６】
すなわち、半導体装置４０の例では、第１の基体５１０として基板１１０が用いられ、第２の基体５２０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。  
そして、支持部２００は、第３の基体５３０（第２の半導体チップ１４０）の側面と第１の基体５１０（基板１１０）とを連結し、点在して設けられている。  
なお、第１のワイヤー１２１が第２の配線５２１であり、第２のワイヤー１４１が第３の配線５３１となる。
【００５７】
この支持部２００には、例えば、紫外線硬化型の樹脂を用いることができる。  
すなわち、例えば、基板１１０の上に第１の半導体チップ１２０を配置した後、第１のワイヤー１２１をボンディングし、その上に、第２の半導体チップ１４０を配置した後、支持部２００となる、例えば、紫外線熱硬化性のエポキシ樹脂等の樹脂材料を、第２の半導体チップ１４０の側面と基板１１０の間に、例えばディスペンサにより塗布し、紫外線を照射して硬化させ、支持部２００を設ける。この後、第２のワイヤー１４１をボンディングし、その後、封止樹脂１５０を充填することによって形成される。
【００５８】
このような構造を有する本実施形態に係る半導体装置４０によっても、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。  
なお、図７に例示したように、半導体装置４０においては、支持部２００は、第３の基体５３０の側面と下面に接して設けられているが、支持部２００は側面にのみ接して設けられても良い。このように、支持部２００が、第１の基体５１０及び第３の基体５３０の少なくともいずれかの側面に接して設けられている場合も、支持部２００は、第１の基体５１０と第３の基体５３０との間に設けられている。
【００５９】
図８は、本発明の第４の実施形態に係る別の半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図８に表したように、本発明の第４の実施形態に係る別の半導体装置４１では、図４に例示した半導体装置２０に対して、支持部２００の配置が異なっている。
【００６０】
すなわち、本実施形態に係る別の半導体装置４１は、第１の半導体チップ１２０と、第１の半導体チップ１２０の上に設けられたスペーサ１３０と、スペーサ１３０の上に設けられた第２の半導体チップ１４０と、第２の半導体チップ１４０の側面と第１の半導体チップ１２０の側面とを連結し、点在して設けられた支持部２００と、を備えている。  
支持部２００以外の構成については、図４に例示した半導体装置２０と同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
【００６１】
すなわち、半導体装置４１の例では、第１の基体５１０として、第１の半導体チップ１２０が用いられ、第２の基体５２０としてスペーサ１３０が用いられ、第３の基体５３０として、第２の半導体チップ１４０が用いられている。  
そして、支持部２００は、第３の基体５３０の側面と第１の基体５１０とを連結し、点在して設けられている。  
なお、第１のワイヤー１２１が第１の配線５１１であり、第２のワイヤー１４１が第３の配線５３１となる。
【００６２】
このような構造を有する本実施形態に係る半導体装置４１によっても、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００６３】
なお、図８の例示した半導体装置４１では、支持部２００は、第２の半導体チップ１４０の側面と第１の半導体チップ１２０の側面とを連結していたが、本発明はこれに限らず、第２の半導体チップ１４０の側面と第１の半導体チップ１２０の主面とを接続しても良く、支持部２００によって連結される第１の半導体チップ１２０の部位は任意である。
【００６４】
図９は、本発明の第４の実施形態に係る別の半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図９に表したように、本発明の第４の実施形態に係る別の半導体装置４２は、図５に例示した半導体装置３０に対して、支持部２００の配置が異なっている。
【００６５】
すなわち、本実施形態に係る別の半導体装置４２では、第２の半導体チップ１４０の側面と基板１１０とを連結し、点在して設けられた支持部２００と、を備えている。  
支持部２００以外の構成については、図５に例示した半導体装置３０と同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
【００６６】
すなわち、半導体装置４２の例では、第１の半導体チップ１２０、スペーサ１３０及び第２の半導体チップ１４０の組で見ると、図９（ｂ）に表したように、第１の基体５１０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第２の基体５２０としてスペーサ１３０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。そして、支持部２００は、第３の基体５３０の側面と第１の基体５１０とを連結し、点在して設けられている。なお、支持部２００は、基板１１０にも連結して、点在して設けられている。なお、第１のワイヤー１２１が第１の配線５１１となり、第２のワイヤー１４１が第３の配線５３１となる。
【００６７】
また、基板１１０、第１の半導体チップ１２０及び第２の半導体チップ１４０の組で見ると、図９（ｃ）に表したように、第１の基体５１０として基板１１０が用いられ、第２の基体５２０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。そして、支持部２００は、第３の基体５３０の側面と第１の基体５１０とを連結し、点在して設けられている。
【００６８】
このような構造を有する本実施形態に係る別の半導体装置４２によっても、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００６９】
なお、図９に例示した半導体装置４２のように、支持部２００は、第２の半導体チップ１４０の側面と基板１１０とを連結するように設けられる他、第２の半導体チップ１４０の側面と第１の半導体チップ１２０（側面や主面）とを連結するように設けても良い。すなわち、支持部２００は、第２の半導体チップ１４０の側面と基板１１０と、及び、第２の半導体チップ１４０の側面と第１の半導体チップ１２０と、の少なくともいずれかを連結するように、点在して、設けられる。
【００７０】
（第５の実施の形態）
図１０は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。  同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図１０に表したように、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置５０は、図１に例示した半導体装置１０に対して、第２の半導体チップ１４０の上に設けられた支持部２１０をさらに備えている。
【００７１】
すなわち、本実施形態に係る半導体装置５０は、第１の半導体チップ１２０と、第１の半導体チップ１２０の上に設けられ、第１の半導体チップ１２０の端部より突出したオーバーハング部２０２を有する第２の半導体チップ１４０と、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２の上に設けられた支持部２１０と、支持部２１０の上面を露出し、第１の半導体チップ１２０と第２の半導体チップ１４０の周りに設けられた封止樹脂１５０と、を備える。  
支持部２１０、封止樹脂１５０以外の構成については、図１に例示した半導体装置１０と同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
【００７２】
すなわち、半導体装置５０の例では、第１の基体５１０として基板１１０が用いられ、第２の基体５２０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。  
そして、支持部２１０は、第３の基体５３０のオーバーハング部２０２の上に設けられている。  
そして、封止樹脂１５０は、支持部２１０の上面を露出し、第２の基体５２０と第３の基体５３０の周りに設けられている。
【００７３】
これにより、本実施形態に係る半導体装置５０では、例えば、トランスファモールド法により、封止樹脂１５０となる封止材料１５１を充填する際に、封止材料１５１の流動による応力によって第２の半導体チップ１４０が変形することを防止できる。
【００７４】
図１１は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置における封止樹脂充填の状態を例示する断面模式図である。  
図１１に表したように、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置５０においては、例えば、トランスファモールド法等によって、封止樹脂１５０が充填される際に、金型１９０と第２の半導体チップ１４０との間に支持部２１０が配置される。これにより、封止樹脂１５０となる封止材料１５１を充填する際に、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２が、封止材料１５１の流動による応力によって変形することを防止できる。
【００７５】
このように、本実施形態に係る半導体装置５０によれば、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００７６】
なお、図１０に例示した半導体装置５０では、第２の半導体チップ１４０と、基板１１０及び第１の半導体チップ１２０のいずれかと、の間に設けられる支持部２００と、第２の半導体チップ１４０の上に設けられる支持部２１０の両方が設けられているが、本発明は、これに限らず、第２の半導体チップ１４０の上面に設けられる支持部２１０のみを設けても良い。
【００７７】
すなわち、本実施形態に係る半導体装置５０は、第１の半導体チップ１２０と、第１の半導体チップ１２０の上に設けられ第１の半導体チップ１２０の端部より突出したオーバーハング部２０２を有する第２の半導体チップ１４０と、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２の上に設けられた支持部２１０と、支持部２１０の上面を露出し、第１の半導体チップ１２０と第２の半導体チップ１４０の周りに設けられた封止樹脂１５０と、を備えれば良い。これにより、第２の半導体チップ１４０が、封止材料１５１の流動による応力によって変形することを防止でき、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００７８】
図１２は、本発明の第５の実施形態に係る別の半導体装置の構造を例示する模式図である。  
同図（ａ）は平面模式図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面模式図、同図（ｃ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面模式図である。  
図１２に表したように、本発明の第５の実施形態に係る別の半導体装置５１は、図５に例示した半導体装置３０に対して、第２の半導体チップ１４０の上に設けられた支持部２１０をさらに備えることが異なっている。支持部２１０以外の構成については、図５に例示した半導体装置３０と同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
【００７９】
すなわち、半導体装置５１の例では、第１の半導体チップ１２０、スペーサ１３０及び第２の半導体チップ１４０の組で見ると、図１２（ｂ）に表したように、第１の基体５１０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第２の基体５２０としてスペーサ１３０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。なお、第１のワイヤー１２１が第１の配線５１１となり、第２のワイヤー１４１が第３の配線５３１となる。  
また、基板１１０、第１の半導体チップ１２０及び第２の半導体チップ１４０の組で見ると、図１２（ｃ）に表したように、第１の基体５１０として基板１１０が用いられ、第２の基体５２０として第１の半導体チップ１２０が用いられ、第３の基体５３０として第２の半導体チップ１４０が用いられている。  
そして、支持部２１０は、第３の基体５３０のオーバーハング部２０２の上に設けられている  
そして、封止樹脂１５０は、支持部２１０の上面を露出し、第２の基体５２０と第３の基体５３０の周りに設けられている。
【００８０】
これにより、本実施形態に係る半導体装置５１では、例えば、トランスファモールド法により、封止樹脂１５０となる封止材料１５１を充填する際に、封止材料１５１の流動による応力によって第２の半導体チップ１４０が変形することを防止できる。
【００８１】
これにより、本実施形態に係る半導体装置５１によれば、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００８２】
なお、図１２に例示した半導体装置５１では、第２の半導体チップ１４０と、基板１１０及び第１の半導体チップ１２０のいずれかと、の間に設けられる支持部２００と、第２の半導体チップ１４０の上に設けられる支持部２１０の両方が設けられているが、本発明は、これに限らず、第２の半導体チップ１４０の上に設けられる支持部２１０のみを設けても良い。
【００８３】
（第６の実施の形態）
図１３は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式平面図である。  
図１４（ａ）、（ｂ）は、図１３のＡ−Ａ’線断面模式図及びＣ−Ｃ’線断面模式図である。そして、図１５（ａ）、（ｂ）は、図１３のＢ−Ｂ’線断面模式図及びＤ−Ｄ’線断面模式図である。  
図１３〜図１５に表したように、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置６０は、図５に例示した半導体装置３０に対して、第２の半導体チップ１４０の上に、さらに、第３の半導体チップ１６０、スペーサ１７０及び第４の半導体チップ１８０が積層されている。そして、第４の半導体チップ１８０の端部は、スペーサ１７０の端部より突出しており、オーバーハング部２０２が形成されている。
【００８４】
すなわち、第３の半導体チップ１６０、スペーサ１７０及び第４の半導体チップ１８０の組で見ると、第１の基体５１０として第３の半導体チップ１６０が用いられ、第２の基体５２０としてスペーサ１７０が用いられ、第３の基体５３０として第４の半導体チップ１８０が用いられている。すなわち、半導体装置６０は、第１〜第３の基体からなる積層構造が２段組み合わされた例である。  
なお、図１５（ｂ）に表したように、第２の半導体チップ１４０、第３の半導体チップ１６０及び第４の半導体チップ１８０の組で見ると、第１の基体５１０として第２の半導体チップ１４０が用いられ、第２の基体５２０として第３の半導体チップ１６０が用いられ、第３の基体５３０として第４の半導体チップ１８０が用いられている。
【００８５】
そして、第３の半導体チップ１６０の第３の電極１６２には、第３のワイヤー１６１（第１の配線５１１）が設けられ、基板１１０の基板電極１１２と電気接続されている。また、第４の半導体チップ１８０の第４の電極１８２には第４のワイヤー１８１（第３の配線５１１）が設けられ、基板１１０の基板電極１１２と電気接続されている。スペーサ１７０は、第３の半導体チップ１６０と第４の半導体チップ１８０との間に隙間を作り、第３のワイヤー１６１が第４の半導体チップ１８０の下面と接触することを防止している。また、第１〜第４の半導体チップ１２０、１４０、１６０、１８０の周囲は封止樹脂１５０で封止されている。
【００８６】
そして、支持部２００は、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２と基板１１０と、及び、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２と第１の半導体チップ１２０と、の少なくともにいずれかを連結するように、点在して設けられている。さらに、支持部２００は、第４の半導体チップ１８０のオーバーハング部２０２と第２の半導体チップ１４０と、及び、第４の半導体チップ１８０のオーバーハング部２０２と第３の半導体チップ１６０と、の少なくともにいずれかを連結するように、点在して設けられている。
【００８７】
このような構造の半導体装置６０により、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００８８】
なお、図１３〜１５に例示した半導体装置６０では、第４の半導体チップ１８０の上に支持部２１０が設けられ、封止樹脂１５０は、支持部２１０の上面を露出し、第１〜第４の半導体チップ１２０、１４０、１６０、１８０の周りに設けられている。これにより、例えば、トランスファモールド法により、封止樹脂１５０となる封止材料１５１を充填する際に、第４の半導体チップ１８０が、封止材料１５１の流動による応力によって変形することを、さらに防止でき、さらに高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置が得られる。
【００８９】
なお、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２と基板１１０と、及び、第２の半導体チップ１４０のオーバーハング部２０２と第１の半導体チップ１２０と、の少なくともにいずれかを連結する支持部２００は省略しても良い。また、第４の半導体チップ１８０のオーバーハング部２０２と第２の半導体チップ１４０と、及び、第４の半導体チップ１８０のオーバーハング部２０２と第３の半導体チップ１６０と、の少なくともにいずれかを連結する支持部２００を省略しても良い。そして、第４の半導体チップ１８０の上に設けられた支持部２１０のみを設けても良い。
【００９０】
また、図１３〜図１５に例示した半導体装置６０では、第１〜第４の半導体チップ１２０、１４０、１６０、１８０を備えた例であるが、本発明は、これに限らず、積層される半導体チップの数は任意である。  
また、図１３〜図１５に例示した半導体装置６０において、第３の半導体チップ１６０またはスペーサ１７０を省略しても良い。  
また、本実施形態に係る半導体装置において、半導体チップが３層以上積層される場合、積層された種々の半導体チップやスペーサを、第１の基体５１０、第２の基体５２０及び第３の基体５３０に読み替えることにより、上記で例示した実施形態に係る半導体装置の構成を任意に拡張して適用できる。
【００９１】
（第７の実施の形態）
図１６は、本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。  
図１６に表したように、本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、第１の基体５１０の上の第２の基体５２０が配置される領域の外部に、支持部２００を点在させて形成する（ステップＳ１１０）。このとき、支持部２００の高さは、第３の基体５３０と第１の基体５１０との間の距離と実質的に同じに設定することができる。なお、ステップＳ１１０の前または後に、第１の基体５１０の上に第２の基体５２０を設置する。また、必要に応じて第１の基体５１０の第１の配線５１１や第２の基体５２０の第２の配線５２１を設ける。
【００９２】
そして、支持部２００の上に第３の基体５３０を設置する（ステップＳ１２０）。また、第３の基体５３０の第３の配線５３１を設ける。
【００９３】
そして、第２の基体５２０、第３の基体５３０及び支持部２００の周りに、封止樹脂１５０を形成する（ステップＳ１３０）。すなわち、例えばトランスモールド法により、封止材料１５１を充填し、硬化させ、封止樹脂１５０を形成する。
【００９４】
このように、支持部２００を点在して形成することにより、支持部２００のそれぞれの間に封止樹脂１５０となる封止材料１５１が流れ込むことができ、また、第２の基体５１０（例えば第１の半導体チップ１２０やスペーサ１３０）の側面にも封止樹脂１５０となる封止材料１５１が入りこみ易い。このため、第２の基体５２０の側面には空隙（気泡）が実質的に発生しない。  
これにより、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置の製造方法が提供できる。
【００９５】
なお、上記のステップＳ１１０において、支持部２００として、例えば液体の樹脂材料を用いる場合、ステップＳ１１０では、その樹脂材料を第１の基体５１０の上に塗布する。そして、ステップＳ１２０で、支持部２００の上に第３の基体５３０を設置した後、その樹脂材料の硬化のための、例えば、加熱処理や光照射処理を実施することができる。  
すなわち、ステップＳ１１０における支持部２００の形成とは、支持部２００そのものの形成の他に、支持部２００となる例えば樹脂材料を塗布することを含む。
【００９６】
（第８の実施の形態）
図１７は、本発明の第８の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。  
図１７に表したように、本発明の第８の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、第３の基体５３０のオーバーハング部２０２の上に支持部２１０を形成する（ステップ（Ｓ２１０）。
【００９７】
そして、支持部２１０の上面を露出するように、第２の基体５２０及び第３の基体５２０の周りに、封止樹脂１５０を形成する（ステップＳ２２０）。  
すなわち、例えば、第１の基体５１０（基板１１０）の上に第２の基体５２０（第１の半導体チップ１２０）、及び、第３の基体５３０（第２の半導体チップ１４０）が配置され、その上に形成された支持部２１０を有する積層体１９５を、あらかじめ加熱された金型１９０に装着し、金型１９０を閉じて積層体１９５をクランプする。そして、熱によって溶融した封止材料１５１を充填し、硬化させ、封止樹脂１５０を形成する。
【００９８】
上記のステップＳ２１０において、支持部２１０の高さを、第３の基体５３０の上面と金型１９０との間の距離と同じに設定することで、封止材料１５１の充填時に、封止材料１５１の流れの応力によって、第３の基体５３０が変形することを防止できる。
【００９９】
なお、このように、支持部２１０の高さを、第３の基体５３０の上面と金型１９０との間の距離と同じに設定すると、封止樹脂１５０は、支持部２１０の上面を実質的に露出して形成される。
【０１００】
このように、封止樹脂１５０を形成する前に、第３の基体５３０のオーバーハング部２０２の上に支持部２１０を形成することで、チップの変形や割れが防止できる。また、最上層となる第３の基体５３０に支持部２１０を設けることで、チップの強度が増すので、封止材料１５１の充填時の圧力を高めることができ、結果として、封止樹脂の未充填が防止できる。
【０１０１】
このように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、薄肉のチップにおいても、チップの変形や割れがなく、封止樹脂の未充填等の発生がない、高生産性、高信頼性、高実装密度の半導体装置の製造方法が提供できる。
【０１０２】
なお、図１６に例示した第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法と、図１７に例示した第８の実施形態に係る半導体装置の製造方法とを同時に、混合して、または、連続して、実施しても良い。
【０１０３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置及びその製造方法を構成する各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。  
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。  
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置における封止樹脂充填の状態を例示する断面模式図である。
【図３】本発明の第１の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図６】本発明の第２の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る別の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る別の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置における封止樹脂充填の状態を例示する断面模式図である。
【図１２】本発明の第５の実施形態に係る別の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図１３】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式平面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、図１３のＡ−Ａ’線断面模式図及びＣ−Ｃ’線断面模式図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、図１３のＢ−Ｂ’線断面模式図及びＤ−Ｄ’線断面模式図である。
【図１６】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図１７】本発明の第８の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０、２０、３０、４０、４１、４２、５０、５１、６０、９０、９１  半導体装置
１１０  基板
１１２  基板電極
１２０  第１の半導体チップ
１２１  第１のワイヤー
１２２  第１の電極
１３０、１７０  スペーサ
１４０  第２の半導体チップ
１４１  第２のワイヤー
１４２  第２の電極
１５０  封止樹脂
１５１  封止材料
１６０  第３の半導体チップ
１６１  第３のワイヤー
１６２  第３の電極
１８０  第４の半導体チップ
１８１  第４のワイヤー
１８２  第４の電極
１９０  金型
１９２  キャビティ
１９５  積層体
２００、２１０、２９０  支持部
２０２  オーバーハング部
２５０  空隙（気泡）
５１０  第１の基体
５１１  第１の配線
５２０  第２の基体
５２１  第２の配線
５３０  第３の基体
５３１  第３の配線
【図１】
2009252771.tif 000003
【図２】
2009252771.tif 000004
【図３】
2009252771.tif 000005
【図４】
2009252771.tif 000006
【図５】
2009252771.tif 000007
【図６】
2009252771.tif 000008
【図７】
2009252771.tif 000009
【図８】
2009252771.tif 000010
【図９】
2009252771.tif 000011
【図１０】
2009252771.tif 000012
【図１１】
2009252771.tif 000013
【図１２】
2009252771.tif 000014
【図１３】
2009252771.tif 000015
【図１４】
2009252771.tif 000016
【図１５】
2009252771.tif 000017
【図１６】
2009252771.tif 000018
【図１７】
2009252771.tif 000019