(57)【要約】【課題】アクティブ・マトリックス方式で選択した画素決定要素を、高速で正確に表示できる電圧駆動方式の磁気光学光空間変調器を、容易に且つ安価に製造する。【解決手段】磁気光学層／圧電層／薄膜トランジスタ回路層が積層されている磁気光学空間光変調器を製造する。ガーネット基板１０上に、ＹＩＧ１２を設け、ミラー機能を有する共通電極１４と分極用電極１８とで挟まれるＰＺＴ１６からなる圧電層を積層し、ＰＺＴを分極した第１の機能性基体と、仮基板２０上に犠牲層２２を介して画素決定要素毎の個別電極２４及び薄膜トランジスタ回路層２６を積層し、水溶性密着膜２８によってハンドリング用基板３０を付着した第２の機能性基体とを各々独立に作製し、第１の機能性基体の分極用電極を除去し、その上に仮基板を除去した第２の機能性基体を、非水溶性密着膜３２によって貼り付け、水溶性密着膜を溶かしてハンドリング用基板を除去する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気光学効果により入射光に偏光方向の回転あるいは位相差を与える多数の画素決定要素を備えている磁気光学層と、変形することで前記の各画素決定要素に個別に応力を印加する応力付与要素を備えている圧電層と、前記画素決定要素の選択及び応力付与要素への電圧印加時間の延長のために各画素決定要素毎に薄膜トランジスタを配設すると共に、各薄膜トランジスタを選択駆動するアクティブ・マトリックス式電気配線を形成した薄膜トランジスタ回路層を具備し、前記磁気光学層、圧電層、薄膜トランジスタ回路層が、その順序で積層されている磁気光学空間光変調器を製造する方法において、
基板上に磁気光学層を設け、更にミラー機能を有する共通電極と分極用電極とで挟まれる圧電体からなる圧電層を積層し、前記圧電体を分極処理した第１の機能性基体と、仮基板上に犠牲層を介して画素決定要素毎の個別電極及び薄膜トランジスタ回路層を積層し、水溶性密着膜によってハンドリング用基板を付着した第２の機能性基体とを各々独立に作製し、前記第１の機能性基体の分極用電極を除去し、その上に、犠牲層剥離により仮基板を除去した第２の機能性基体を、非水溶性密着膜によって貼り付け、該第２の機能性基体の水溶性密着膜を溶かしてハンドリング用基板を除去することを特徴とする磁気光学空間光変調器の製造方法。
【請求項２】
前記第２の機能性基体の犠牲層は、仮基板加熱無しで背圧１０-6Ｔｏｒｒ以下の気相法により成膜したアモルファスシリコン、水溶性密着膜は酸化ゲルマニウムからなり、第１の機能性基体と第２の機能性基体をエポキシ系もしくはアクリル系接着剤からなる非水溶性密着膜で接合し、水溶性密着膜を煮沸にて剥離してハンドリング用基板を除去する請求項１記載の磁気光学空間光変調器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタを搭載した磁気光学空間光変調器を製造する方法に関し、更に詳しく述べると、磁気光学層と圧電層を積層した後、圧電体の分極処理を施した第１の機能性基体と、個別電極と薄膜トランジスタ回路層を有する第２の機能性基体とを各々独立に作製し、両者を貼り合わせるようにした磁気光学空間光変調器の製造方法に関するものである。この技術は、光メモリ、光ストレージ、光ディスプレイ等において、磁気光学効果を利用して、入射光をイメージファイルやページデータに高速で変調する空間光変調器に有用である。
【背景技術】
【０００２】
空間光変調器は、入射光の振幅、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調するデバイスであり、多数の画素を２次元的に配列した構成となっている。このような２次元アレイ状の画素配列をもつ空間光変調器は、情報を高速で並列処理可能なことから、光学情報処理システム、光コンピューティング、プロジェクターＴＶ、動画ホログラム記録、光体積記録などを実現するキーデバイスとして注目されている。これらの分野では、大量の情報を高速で処理する必要があることから、空間光変調器としては、動作速度が大きく、また信頼性の高いものが要求されるため、磁性膜の磁気光学効果（ファラデー効果）を利用する磁気光学方式のデバイスについて、近年、鋭意研究開発が進められている。
【０００３】
従来の磁気光学空間光変調器は、電流を供給することで画素決定要素に磁界を印加する電流駆動方式であったが、最近、圧電効果を利用して各画素決定要素に個別に応力を付与可能とし該画素決定要素の磁化方向を制御するように構成して消費電力及び発熱の低減を図る電圧駆動方式が提案されている（特許文献１参照）。これは、多数の画素決定要素を含んでいる磁気光学層と、自ら変形することで各画素決定要素に応力を与える圧電体と、該圧電体を挟み各画素決定要素に対応した位置で交差するように配置した第１及び第２の導体層を備え、磁気光学層の各画素決定要素は与えられた応力の方向に応じて磁化方向が設定される構造である。この方式は、電圧駆動式であるため電流が殆ど流れないので、発熱の問題が解消され、圧電体（ＰＺＴ：チタン酸ジルコン酸鉛）の高速動作により高フレーム速度が得られる利点がある。
【０００４】
しかし、このような電圧駆動式の磁気光学空間光変調器は、画素決定要素が多くなるとコントラストが低下する問題が生じていた。最近、これらの利点を生かしつつ、画素決定要素数が多くなっても表示のコントラストが低下せず、データ処理の高信頼性を維持できるように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を搭載してアクティブ・マトリックス駆動形式とすることが提案されている。このような構造の場合、磁気光学層と圧電層と薄膜トランジスタ回路層を、どのような手順で実施するかが大きなキーポイントとなる。
【０００５】
デバイスの製造では、通常、プロセス温度（取り扱い上の温度）が高温な層ほど先行して作製する。磁気光学光変調器の場合、磁気光学層のＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネット結晶膜）は、融点が約９００℃以上であるため、成膜方法を問わずそれに準じた温度に加熱され、更に、磁気特性向上のために通常、アニールにより約１０００℃以上に加熱される。次に圧電体、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）の成膜では、気相法や液相法が代表的であり、ペロブスカイト構造の結晶性を引き出すためのアニール、もしくは脱水、水酸基の焼成では約６００℃に加熱される。他方、薄膜トランジスタは、低温プロセスを駆使すれば、製造温度は約５００℃以下であるが、配線にアルミニウムを使用した場合、５５０℃以上にすると配線問題を招くし、９００℃以上ではドーパントの再分布に影響をもたらす。以上の構成素子のプロセス温度を考慮すれば、磁気光学層／圧電層／薄膜トランジスタ回路層の積層構造が妥当である。
【０００６】
ところが、このような磁気光学層／圧電層／薄膜トランジスタ回路層の積層構造を、下層から順序よく作製すると、次のような弊害が生じる。
（１）圧電体には分極処理が必要であるが、キュリー点に達すると分極が消滅する。ＰＺＴは強誘電体の中でもキュリー点が高い部類に属し、３６０℃程度である。なお、キュリー点の半分の温度に達した時点で、その圧電特性は著しく劣化する。従って、ＰＺＴを分極した後の工程で１８０℃以上の高温にさらされると、圧電体は機能を果たさなくなる。つまり、薄膜トランジスタ回路層のプロセス温度には耐えられないこととなる。
（２）この問題を解決するため、薄膜トランジスタ回路層の形成工程後に分極を行うことが考えられるが、薄膜トランジスタ回路層の形成工程まで終了したデバイスでは、圧電層は薄膜トランジスタ回路層の下方に位置し、一方は共通電極であるが他方は個別電極であるため、分極するための電極を取り出すのが困難となる。
（３）薄膜トランジスタ（半導体）では、不純物からの汚染が問題となる。例えば、ＰＺＴの鉛イオン等は２００〜３００℃の温度下で移動し易くなり、半導体やゲート絶縁膜を汚染してトランジスタ機能を劣化させる。他方、薄膜トランジスタではドーパントの活性化のためには５００℃以上のアニールを施すのが好ましいので、その際に汚染されることとなる。
【０００７】
これらの懸念事項を解消しない限り、薄膜トランジスタを搭載した磁気光学光空間変調器の量産化は困難である。
【特許文献１】特開２００３−３１５７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、薄膜トランジスタを搭載し、アクティブ・マトリックス方式で選択した画素決定要素を、高速で、正確に表示できるような電圧駆動方式の磁気光学光空間変調器を、容易に且つ安価に製造できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、磁気光学効果により入射光に偏光方向の回転あるいは位相差を与える多数の画素決定要素を備えている磁気光学層と、変形することで前記の各画素決定要素に個別に応力を印加する応力付与要素を備えている圧電層と、前記画素決定要素の選択及び応力付与要素への電圧印加時間の延長のために各画素決定要素毎に薄膜トランジスタを配設すると共に、各薄膜トランジスタを選択駆動するアクティブ・マトリックス式電気配線を形成した薄膜トランジスタ回路層を具備し、前記磁気光学層、圧電層、薄膜トランジスタ回路層が、その順序で積層されている磁気光学空間光変調器を製造する方法において、基板上に磁気光学層を設け、更にミラー機能を有する共通電極と分極用電極とで挟まれる圧電体からなる圧電層を積層し、前記圧電体を分極処理した第１の機能性基体と、仮基板上に犠牲層を介して画素決定要素毎の個別電極及び薄膜トランジスタ回路層を積層し、水溶性密着膜によってハンドリング用基板を付着した第２の機能性基体とを各々独立に作製し、前記第１の機能性基体の分極用電極を除去し、その上に、犠牲層剥離により仮基板を除去した第２の機能性基体を、非水溶性密着膜によって貼り付け、該第２の機能性基体の水溶性密着膜を溶かしてハンドリング用基板を除去することを特徴とする磁気光学空間光変調器の製造方法である。
【００１０】
ここで、例えば第２の機能性基体の犠牲層は、仮基板加熱無しで背圧１０-6Ｔｏｒｒ以下の気相法により成膜したアモルファスシリコン、水溶性密着膜は酸化ゲルマニウムからなり、第１の機能性基体と第２の機能性基体をエポキシ系もしくはアクリル系接着剤からなる非水溶性密着膜で接合し、水溶性密着膜を煮沸にて剥離してハンドリング用基板を除去するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の磁気光学空間光変調器の製造方法は、磁気光学層／圧電層を備えた第１の機能性基体と、薄膜トランジスタ回路層を有する第２の機能性基体とに分けて各々独立に作製し、圧電体の分極処理後に貼り合わせる方式としたことにより、分極処理を容易に行うことができ、しかも圧電特性の低下が生じず、また薄膜トランジスタの形成で不純物による汚染や機能劣化を防止でき、それらによって、容易に且つ安価に薄膜トランジスタ搭載の磁気光学空間光変調器を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る磁気光学空間光変調器の製造工程を図１に示す。本発明では、磁気光学層／圧電層を備えた第１の機能性基体と、個別電極及び薄膜トランジスタ回路層を有する第２の機能性基体とに分けて、各々独立に作製し、その後に貼り合わせて一体化しており、その点に特徴がある。
【００１３】
第１の機能性基体の作製は次の工程で行う。
（Ａ−１）工程：ガーネット基板１０上にＹＩＧ（磁気光学層）１２を形成する。
（Ａ−２）工程：ミラー兼用の共通電極１４を介してＰＺＴ（圧電体）１６を積層する。
（Ａ−３）工程：ＰＺＴ１６上に分極用電極（ベタ電極）１８を形成し、共通電極１４と分極用電極１８の間に電圧を印加して分極処理する。
（Ａ−４）分極用電極を除去する。
【００１４】
第２の機能性基体の作製は次の工程で行う。
（Ｂ−１）工程：仮基板２０上に犠牲層２２を介して個別電極２４及び薄膜トランジスタ回路層２６を設ける。
（Ｂ−２）工程：薄膜トランジスタ回路層２６上に水溶性密着膜２８によってハンドリング用基板３０を付着する。
（Ｂ−３）工程：犠牲層２２を剥離することにより仮基板２０を除去する。
【００１５】
（Ｃ−１）工程：分極用電極を全面除去した第１の機能性基体の上に、非水溶性密着膜３２によって、仮基板を除去した第２の機能性基体を貼り付ける。
（Ｃ−２）工程：第２の機能性基体の水溶性密着膜を溶かしてハンドリング用基板を除去する。
【００１６】
上記のような製造工程を経ると、（Ａ−３）工程で、共通電極と分極用電極を利用して容易に分極処理ができる。分極後は、分極用電極を除去し、個別電極及び薄膜トランジスタ回路層が形成されている第２の機能性基体との貼り付け工程（（Ｃ−１）工程〜（Ｃ−２）工程）のみであるので、ＰＺＴは薄膜トランジスタ回路層のプロセス温度に曝されず圧電特性の劣化は生じない。他方、薄膜トランジスタ回路層の形成は、圧電層を有する第１の機能性基体とは別個に行われるため、ＰＺＴの鉛イオンなど不純物による汚染、それによる機能劣化は生じない。
【００１７】
このようにして薄膜トランジスタ搭載の磁気光学空間光変調器が得られる。概略構成を図２に示す。Ａは断面を表しており、Ｂは平面を透視的に表している。この空間光変調器は、磁気光学層４０、圧電層４２、薄膜トランジスタ回路層４４が、その順序で積層されている構成である。磁気光学層４０は、それぞれ独立に磁化方向を設定可能で、磁気光学効果により入射光の偏光方向に回転を与える多数の画素決定要素４６を備えている。圧電層４２は、電圧を印加することで変形し、前記の各画素決定要素に個別に応力を印加させる多数の応力付与要素とを備えている。また、薄膜トランジスタ回路層４４は、前記画素決定要素の選択及び応力付与要素への電圧印加時間の延長のために各画素決定要素毎に薄膜トランジスタ４８を配設すると共に、各薄膜トランジスタ４８を選択駆動するアクティブ・マトリックス式電気配線５０を形成した構造である。
【００１８】
ここで空間光変調器は、各画素決定要素の背面側にミラーを設けた反射型である。前記磁気光学層４０は、従来同様、基板上にＹＩＧを育成し、該ＹＩＧを処理して各画素決定要素毎に区分された状態にしたものである。例えば、画素決定要素間に溝を形成してＹＩＧを埋め込んだ構造とする。ＹＩＧは、膜面垂直な方向に磁化方向をもつ膜であり、前記圧電層４２から受ける応力方向の大きさ及び方向により内部磁気スピンを回転させることで磁気光学効果が変化し、前記薄膜トランジスタ４８で圧電層４２による歪み状態を必要時間保持する。前記圧電層４２は、ＰＺＴを２種の電極で挟み込んだ構造であり、その一方の電極（ここでは下側の電極）は共通電極１４で磁気光学層側に位置するベタ膜であって前記ミラーを兼ねており、他方の電極（ここでは上側の電極）は各画素決定要素を投影した形状、配列に準じて分離されている個別電極２４であって薄膜トランジスタ回路層側に位置している。
【００１９】
アクティブ・マトリックス式電気配線５０は走査線と信号線、コモン線などからなり、それら走査線及び信号線は、画素決定要素と画素決定要素の間隙に形成されている。そして、薄膜トランジスタ４８は画素決定要素４６の中心からオフセットされた位置で、前記アクティブ・マトリックス式電気配線５０と同層に配置されている。
【００２０】
次に、電圧駆動による磁化方向の制御について図３により簡単に説明する。なお、説明を分かり易くするため、図ではＰＺＴ１６の変形を極端に大きく描いてある。無電圧時には薄膜トランジスタ（スイッチ素子）はオフなので、ＹＩＧには応力は印加されない。磁化方向は膜面垂直なので、ＹＩＧの厚み分がファラデー回転に寄与する。信号オン時は、図３に示すように、ＰＺＴ１６の上下両面に電圧が印加され、ＹＩＧ１２に応力が印加される。ＰＺＴ１６が伸長変形すると、ＹＩＧ１２は圧縮応力を受ける。それによって内部磁気スピンの静磁エネルギーは小さくなり磁化方向が回転し易くなる。そこで、外部磁界が印加されていると、ＰＺＴ１６の変形がトリガとなって外部磁界の方向に磁化方向が揃う。磁化方向が１８０度回転したのならば、ファラデー回転は逆方向になる。信号オフ時は、個別電極には蓄積された電荷が残り、磁界オン状態が維持される。入射光は、ガーネット基板１０及びＹＩＧ１２を透過し、共通電極１４で反射した後、ＹＩＧ１２及びガーネット基板１０を透過して出射する。光がＹＩＧ１２を往復する間、偏光面が＋方向もしくは−方向に、所定の角度だけ回転する。
【００２１】
このように構成した空間光変調器を使用したページデータの空間的な変調方法を図４に示す。光源６０からの光を、レンズ・偏光子６２で直線偏光にして空間光変調器６４に照射する。空間光変調器６４からの反射光は、レンズ・検光子６６で偏光面に応じて光のコントラストに変換され、検出器（Ｃ−ＭＯＳ）６８に入力することで入射光をページデータに変調することができる。
【実施例】
【００２２】
試作した磁気光学空間光変調器の一実施例について、その具体的作製条件の一例を説明する。なお、以下の各工程の表示は、図１の各工程に対応している。
【００２３】
第１の機能性基体の作製は次の工程で行った。
（Ａ−１）工程：ＧＧＧ基板上にＹＩＧ（磁気光学層）を形成した。ＹＩＧは、ＧＧＧ基板上にＬＰＥ（液相エピタキシャル）法にて成長させたビスマス置換イットリウム鉄ガーネット単結晶膜である。膜厚は２μｍで、シングルパスで偏光面が９度回転する。本発明は反射型デバイスであるので、ダブルパスで１８度のファラデー回転角を有する。ここでは、画素をセル化するためにＧＧＧ基板を画素域毎に掘り込み、その凹部にＹＩＧを埋設するような構造として画素間の磁気的干渉を防ぐようにしている。画素ピッチは１６μｍであり、画素間ギャップは２μｍである。
（Ａ−２）工程：ミラーを兼ねる共通電極を介してＰＺＴ（圧電体）を積層した。ミラーを兼ねる共通電極はＴｉ／Ｐｔ膜であり、ＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜した。膜厚は、Ｔｉ：２０ｎｍ、Ｐｔ：２００ｎｍである。ミラーとしての反射率は、３０％（波長：５３２ｎｍ）であった。ＰＺＴはＡＤ法（エアロゾルデポジション法）により作製した。ＰＺＴの膜厚は５μｍで、成膜後６００℃の大気中でアニール処理を施した。ＣＰＭを施し、平坦度１０ｎｍ程度の仕上がりとなった。
（Ａ−３）工程：ＰＺＴ上に分極用電極（ベタ電極）を形成した。分極用電極はＣｒ膜であり、膜厚は２００ｎｍである。共通電極と分極用電極との間に電圧を印加して分極処理を施した。分極作業は、２００℃で、３０Ｖの電圧を１５分間印加することで行った。得られたＰＺＴ特性は、比誘電率が８００、ｄ３１定数（歪の大きさの指標）は８０ｐｍ／Ｖであった。
（Ａ−４）不要となった分極用電極を全て除去した。分極用電極の除去には硝酸２セリウムアンモニウムを用い、Ｃｒ膜を選択性エッチングすることで行った。
【００２４】
第２の機能性基体の作製は次の工程で行った。
（Ｂ−１）工程：石英基板（仮基板）上に犠牲層を介して薄膜トランジスタ回路層を設けた。犠牲層は、石英基板加熱無し、背圧１０-6Ｔｏｒｒでのスパッタ法により成膜した故意にポーラスなアモルファスシリコンであり、膜厚は５０ｎｍである。犠牲層上に、ＳｉＯ2 膜／個別電極／ＳｉＯ2 膜及びコンタクトプラグ（ＣＰ）／薄膜トランジスタ（Ｓｉ）を、順に設けた。Ｓｉ及びＳｉＯ2 の成膜は、ＲＦマグネトロン・スパッタ法により、ＲＦ電力１００Ｗ、背圧１０-7Ｔｏｒｒ、ガス圧０．５Ｐａ、基板加熱２５０℃で行った。膜厚はＳｉ：５０ｎｍ、ゲート絶縁膜（ＳｉＯ2 ）：１５０ｎｍである。パターニングはＡｒイオンミリングを使用し、コンタクトホールは犠牲層をストッパとして、バッファードＨＦの１０倍希釈液によるウェットエッチングで行った。ゲート金属およびソース／ドレイン金属はいずれもＴｉ／Ｐｔであり、膜厚はＴｉ：２０ｎｍ、Ｐｔ：２００ｎｍである。エキシマレーザ・アニール（ＥＬＡ）条件は、ガス種ＫｒＦ、ホモジナイザーのエネルギー分布１０％以下、スポット・サイズ□５ｍｍ、パルス幅５０ｎｓ、エネルギー密度１２０ｍＪ／ｃｍ２、ショット数２５回である。イオン注入条件は、スルー膜ＳｉＯ2 （１５０ｎｍ）越し。注入元素Ｐ、投入エネルギー１１０ｋｅＶ、ドーズ量２×１０+15 ／ｃｍ2 であり、活性化アニール５００℃、３ｈｒ、Ｎ２雰囲気である。なお、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の最終工程では水蒸気処理を行った。３．５ＭＰａ、３００℃、トップ温度６時間保持である。
（Ｂ−２）工程：薄膜トランジスタ回路層上に水溶性密着膜によりハンドリング用基板を付着した。水溶性密着膜は、酸素アシストしたスパッタ法による酸化ゲルマニウム膜である。
（Ｂ−３）工程：石英基板の裏面からエキシマレーザ光を照射し、犠牲層をアブレーションし、石英基板を剥離した。
【００２５】
（Ｃ−１）工程：分極用電極を除去した第１の機能性基体上に、非水溶性密着膜（熱硬化型エポキシ接着剤）を、ローラで極薄に塗布した。その上に、石英基板を除去した第２の機能性基体を載せて貼り付けた。
（Ｃ−２）工程：その後、８０℃の純水に４時間浸漬することで、前記第２の機能性基体の水溶性密着膜を溶かしてハンドリング用基板を除去した。
【００２６】
このような工程を経ることで、１２×１２アレイの薄膜トランジスタ搭載の磁気光学空間光変調器を試作した。その薄膜トランジスタ回路層の詳細を図５にて縦断面図で示す。説明を簡略化するため、その他の基本的な部分については、図１と同じ符号を付す。符号７０はＳｉＯ2 層（絶縁層）、符号７２は上部コート、符号７４はドープトＳｉ（ソース／ドレイン）、符号７６はチャンネル、符号７８はゲート絶縁層、符号８０はコンタクトプラグ、符号８２はゲート金属である。
【００２７】
薄膜トランジスタ搭載の磁気光学空間光変調器は、温度プロセス・ルールが守られているため、薄膜トランジスタ単体としても空間光変調器としても良好な結果が得られた。薄膜トランジスタの製造プロセスでは、ＰＺＴ上に搭載した後には過大な加熱工程が無いので、汚染イオンの移動も起こらなかったと考えられ、トランジスタ特性の低下は生じていない。ＰＺＴに対して悪影響を及ぼす恐れのある水蒸気雰囲気下でも耐えられる構造（工程）となったので、膜質を改善を実施できた。また、犠牲層がコンタクトホール形成時のエッチングストッパとして機能したので、専用レイヤーを設けなくともよく、工程が簡素化された。非水溶性密着膜による貼り合わせ面も、後工程で加熱されないので、温度ストレスがなく接着強度が確保できた。また貼り合わせた個別電極は電界供給できればよいだけなので、接着強度はあまり問題にならなかった（なお、接着強度が要求されるのは、応力歪をＹＩＧに伝達させる下方の共通電極であるが、該共通電極は十分な強度でＹＩＧに接着されている）。
【００２８】
薄膜トランジスタの評価結果について述べる。駆動等価回路を図６のＡに、駆動波形を図６のＢに示す。駆動条件は、ソース接地の入力Ｖｄ＝１０Ｖ、ゲートにはＶｇ＝１５Ｖ印加した。ＶｄｓをパラメータとするＩｄｓ−Ｖｇｓ特性（対数表示）を図７に示す。閾値電圧：８．８Ｖ、移動度：３．７ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ、Ｓ値：０．５５Ｖ／ｄｅｃ、ＯＮ／ＯＦＦ比：３桁超であった。実測により、薄膜トランジスタ単体としても空間光変調器としても良好な結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る磁気光学空間光変調器の製造工程の説明図。
【図２】得られた磁気光学空間光変調器の概略構成図。
【図３】電圧駆動による磁化方向の制御の説明図。
【図４】空間光変調器を使用したページデータの空間的な変調方法の説明図。
【図５】実施例で製造した磁気光学空間光変調器の縦断面図。
【図６】薄膜トランジスタを評価するための説明図。
【図７】薄膜トランジスタのＩｄｓ−Ｖｇｓ特性（対数表示）線図。
【符号の説明】
【００３０】
１０  ガーネット基板
１２  ＹＩＧ
１６  ＰＺＴ
１８  分極用電極
２０  仮基板
２２  犠牲層
２４  個別電極
２６  薄膜トランジスタ回路層
２８  水溶性密着膜
３０  ハンドリング用基板
３２  非水溶性密着膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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