(57)【要約】【課題】半導体装置の実装基板に接合されたキャップの接合位置を安定させる手段を提供する。【解決手段】実装基板と、実装基板のおもて面に実装された半導体チップと、半導体チップを収容する凹部を有し、開放端を実装基板のおもて面に接合部材で接合されたキャップとを備えた半導体装置の製造方法において、キャップの開放端の反対側の上面と同形状の治具底面と、実装基板の外形形状より大きい開口と、治具底面から開口に向って拡大する斜面とを有するキャップ取付治具を設け、開放端に接合部材を設けたキャップの上面を、キャップ取付治具の治具底面に載置する工程と、半導体チップを実装した実装基板の縁部を、キャップ取付治具の斜面に沿わせて、実装基板のおもて面をキャップの開放端の接合部材上に載置する工程とを備える。【選択図】        図７
2009065085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、前記実装基板のおもて面に実装された半導体チップと、前記半導体チップを収容する凹部を有し、開放端を前記実装基板のおもて面に接合部材で接合されたキャップとを備えた半導体装置の製造方法において、
前記キャップの開放端の反対側の上面と同形状の治具底面と、前記実装基板の外形形状より大きい開口と、前記治具底面から前記開口に向って拡大する斜面とを有するキャップ取付治具を準備し、
前記開放端に前記接合部材を設けた前記キャップの上面を、前記キャップ取付治具の前記治具底面に載置する工程と、
前記半導体チップを実装した実装基板の縁部を、前記キャップ取付治具の斜面に沿わせて、前記実装基板のおもて面を、前記載置されたキャップの開放端の前記接合部材上に載置する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記キャップ取付治具を固定するステージに、加熱装置を設け、
前記キャップの開放端と前記実装基板のおもて面との間の接合部材を加熱して、前記実装基板に前記キャップを接合する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記実装基板の裏面を保持する吸着コレットに、加熱装置を設け、
前記キャップの開放端と前記実装基板のおもて面との間の接合部材を加熱して、前記実装基板に前記キャップを接合する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装基板に実装された半導体チップを内部に収容するキャップを備えた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のキャップを備えた半導体装置は、実装基板上に実装された半導体チップを、凹部を有するキャップで覆う場合に、キャップの開放端に接着剤を設けておき、開放端を下向きにしてトレイに収納されたキャップの上面を、負圧で吸着コレットに吸着して保持し、このキャップを半導体チップの上方から被せて実装基板のおもて面上に載置し、接着剤により実装基板とキャップの開放端とを接合して、キャップの内部に半導体チップを収容している（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平０５−１９３７２６号公報（第２頁左欄１５行−３８行、第１２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した従来の技術においては、開放端を下向きにしてトレイに収納されたキャップの上面を、負圧で吸着コレットに吸着して保持し、このキャップを半導体チップの上方から被せて実装基板のおもて面上に接合しているため、画像認識によりトレイに収納されたキャップの上面の角等の基準点を検出して求めたキャップのキャップ中心と、吸着コレットのコレット中心とのＸ、Ｙ、θ方向のずれを補正して位置合せを行い、吸着コレットでキャップの上面を吸着するときに、接着剤の厚さを含むキャップの高さのバラツキや、キャップが収納されたトレイの厚さのバラツキ等が要因になって、吸着コレットへの負圧の供給開始高さや、キャップが吸着コレットに保持される高さ位置にバラツキが生じ、コレット中心とキャップ中心とが一致しない状態でキャップが吸着コレットに保持される場合があり、この状態で保持されたキャップを、画像認識により実装基板の角や実装基板上に設けられたメタルパターン等の基準点を検出して求めた実装基板の基板中心と、コレット中心との位置合せを行って実装基板上にキャップを接合すると、基板中心とキャップ中心とが位置ずれした状態で接合され、キャップの接合位置にバラツキが生じて、半導体装置の製造歩留りが低下するという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、実装基板に接合されたキャップの接合位置を安定させる手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、実装基板と、前記実装基板のおもて面に実装された半導体チップと、前記半導体チップを収容する凹部を有し、開放端を前記実装基板のおもて面に接合部材で接合されたキャップとを備えた半導体装置の製造方法において、前記キャップの開放端の反対側の上面と同形状の治具底面と、前記実装基板の外形形状より大きい開口と、前記治具底面から前記開口に向って拡大する斜面とを有するキャップ取付治具を準備し、前記開放端に前記接合部材を設けた前記キャップの上面を、前記キャップ取付治具の前記治具底面に載置する工程と、前記半導体チップを実装した実装基板の縁部を、前記キャップ取付治具の斜面に沿わせて、前記実装基板のおもて面を、前記載置されたキャップの開放端の前記接合部材上に載置する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
これにより本発明は、キャップ中心は、キャップの上面と、キャップ取付治具の治具底面と斜面との付根部とで位置出しをし、基板中心は、実装基板の縁部とキャップ取付治具の斜面とにより位置出しをして、キャップ中心と基板中心との間の位置ずれを許容値以内とすることができ、実装基板に接合されたキャップの接合位置を安定させることができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下に、図面を参照して本発明による半導体装置の製造方法の実施例について説明する。
【実施例１】
【０００８】
図１は実施例１の半導体装置の断面を示す説明図、図２は実施例１のキャップ取付治具の断面を示す説明図、図５ないし図９は実施例１の半導体装置の製造方法を示す説明図である。
図１において、１は半導体装置であり、セラミックスや金属フレーム、合成樹脂等で形成された矩形の外形形状を有する平板状の実装基板２と、実装基板２のおもて面２ａの中央部にダイスボンディングされた半導体チップ３と、半導体チップ３に設けられたパッド４と実装基板２のおもて面２ａに設けられた図示しない端子との間を接続する金（Ａｕ）線等のワイヤ５と、半導体チップ３を収容する矩形の凹部６（図１０参照）を有し、セラミックスや合成樹脂等で形成されたキャップ７と、キャップ７の開放端７ａと実装基板２のおもて面２ａとの間を接合する、熱硬化性樹脂からなる接着剤や半田等の接合部材８等で構成されている。
【０００９】
図２において、１１はキャップ取付治具であり、金属材料等で形成され、キャップ７の開放端７ａの反対側の矩形の上面７ｂと同形状の治具底面１２と、実装基板２の矩形の外形形状より大きい開口１３と、治具底面１２から開口１３に向って拡大する４つの斜面１４とで形成された角錐状の内面を有している。
本実施例の治具底面１２の大きさは、治具底面１２と斜面１４との付根部の稜線とキャップ７の上面７ｂと側面との肩部の稜線との位置ずれは、キャップ中心と基板中心との位置ずれの許容値の半分以下の、キャップ中心と治具中心との位置ずれを許容する範囲でキャップ７の上面７ｂより大きく形成されている。
【００１０】
図３において、２１は吸着コレットとしての平コレットであり、円筒状のシリンダ２２に遊嵌するシャフト２３の先端に、保持面２４が平面とされたヘッド２５が固定され、保持面２４の中央には、負圧が供給される吸引穴２６がシャフト２３の軸芯に沿って形成されており、昇降可能、およびＸ−Ｙ方向に移動可能に構成されている。
また、シリンダ２２とシャフト２３との間には、衝撃吸収用の圧縮コイルバネ等のバネ部材２７が設けられている。
【００１１】
本実施例の平コレット２１のヘッド２５は、揺動や回転が可能なフローティングヘッドとされている。
２８はキャップトレイであり、予め開放端７ａに接合部材８が塗布されたキャップ７が、開放端７ａ側を上にして収納される。
図５において、３１は吸着コレットとしての角錐コレットであり、円筒状のシリンダ３２に遊嵌するシャフト３３の先端に、保持面３４が角錐状に形成されたヘッド３５が固定され、角錐状の保持面３４の底面の中央には、負圧が供給される吸引穴３６がシャフト３３の軸芯に沿って形成されており、昇降可能、およびＸ−Ｙ方向に移動可能に構成され、角錐コレット３１の上下を反転させる反転機構を備えている。
【００１２】
また、シリンダ３２とシャフト３３との間には、衝撃吸収用の圧縮コイルバネ等のバネ部材３７が設けられている。
本実施例の角錐コレット３１のヘッド３５は、Ｘ方向やＹ方向、斜め方向に所定の振幅および振動数で振動するスクラブ機能を備えている。
３８は基板トレイであり、予めおもて面２ａ上にダイスボンディングやワイヤボンディングにより半導体チップ３を実装した実装基板２が、半導体チップ３側を上にして収納される。
【００１３】
図４において、３９はステージであり、開口１３を上に向けたキャップ取付治具１１が取外し可能に固定され、図示しないヒータ等の加熱装置を備えている。
以下に、図３ないし図９を用い、Ｐで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
本実施例では、１台の装置内で、半導体チップ３が実装された実装基板２のおもて面２ａにキャップ７を接合する場合を例に説明する。
【００１４】
工程Ｐ１（図３）、予め開放端７ａに接合部材８が塗布され、開放端７ａ側を上にしたキャップ７を収納したキャップトレイ２８の上方に、平コレット２１を移動させ、画像認識によりキャップトレイ２８に収納されたキャップ７の凹部６の開放端７ａ側の角等の基準点を検出してキャップ７のキャップ中心を求め、キャップ中心と平コレット２１のコレット中心とのずれを補正して位置合せを行い、キャップ７の凹部６に平コレット２１のヘッド２５を挿入して凹部６の底面６ａに保持面２４を当接させ、凹部６の底面６ａを吸引穴２６から供給された負圧で保持面２４に吸着し、平コレット２１を上昇させて保持面２４に、上面７ｂを下にしたキャップ７を保持する。
【００１５】
工程Ｐ２（図４）、図示しない加熱装置により接合部材８の接合温度に保たれたステージ３９上に固定されたキャップ取付治具１１を準備し、その開口１３の上方に、キャップ７を保持した平コレット２１を移動させ、画像認識によりキャップ取付治具１１の開口１３の角等の基準点を検出してキャップ取付治具１１の治具中心を求め、治具中心と平コレット２１のコレット中心との位置合せを行い、平コレット２１を下降させ、保持したキャップ７をキャップ取付治具１１の開口１３側から挿入して、キャップ７の上面７ｂを治具底面１２に押圧する。
【００１６】
その後に、吸引穴２６の負圧を大気に開放し、吸引穴２６内を大気圧にして保持面２４によるキャップ７の保持を解除し、平コレット２１を上昇させて開放端７ａ側を上にしたキャップ７を治具底面１２上に載置する。
この平コレット２１の上昇時に、キャップ７がヘッド２５に連れられて多少持ち上がったとしても、本実施例のキャップ取付治具１１には斜面１４が設けられているので、持ち上げられたキャップ７は、斜面１４に沿って治具底面１２上に戻り、斜面１４と治具底面１２と付根部に案内されて治具中心とキャップ中心との位置ずれが自動的に補正される。
【００１７】
工程Ｐ３（図５）、次いで、予め実装された半導体チップ３側を上にした実装基板２を収納した基板トレイ３８の上方に、同じ装置内に装備された角錐コレット３１を移動させ、画像認識により基板トレイ３８に収納された実装基板２のおもて面２ａの角等の基準点を検出して実装基板２の基板中心を求め、基板中心と角錐コレット３１のコレット中心との位置合せを行い、実装基板２のおもて面２ａの縁部に、角錐コレット３１の角錐状の保持面３４を当接させ、実装基板２のおもて面２ａ側を、吸引穴２６から供給された負圧で吸引し、角錐コレット３１を上昇させて、保持面３４に裏面２ｂを下にした実装基板２を保持する。
【００１８】
工程Ｐ４（図６）、実装基板２を保持した角錐コレット３１を反転させて、実装基板２の裏面２ｂを上に向け、平コレット２１を反転させた実装基板２の裏面２ｂの上方に移動させる。
そして、画像認識により実装基板２の裏面２ｂの角等の基準点を検出して基板中心を求め、基板中心と平コレット２１のコレット中心との位置合せを行い、平コレット２１を下降させて実装基板２の裏面２ｂに平コレット２１の保持面２４を当接させ、実装基板２の裏面２ｂを、吸引穴２６から供給された負圧で吸引すると共に、角錐コレット３１の吸引穴３６の負圧を大気に開放して吸引穴２６内を大気圧にし、角錐コレット３１による実装基板２の保持を解除して実装基板２を平コレット２１に持ち替え、平コレット２１を上昇させて、保持面２４におもて面２ａを下にした実装基板２を保持する。
【００１９】
工程Ｐ５（図７）、おもて面２ａを下にした実装基板２を保持した平コレット２１を、開放端７ａ側を上にしたキャップ７を治具底面１２上に載置したステージ３９上のキャップ取付治具１１の上方に移動させる。
工程Ｐ６（図８）、そして、上記工程Ｐ２（図４）と同様にして、キャップ取付治具１１の治具中心を求め、治具中心と平コレット２１のコレット中心との位置合せを行い、平コレット２１を下降させて、保持した実装基板２をキャップ取付治具１１の開口１３側から挿入し、実装基板２のおもて面２ａをキャップ７の開放端７ａに塗布された接合部材８に押圧する。
【００２０】
このとき、本実施例の平コレット２１のヘッド２５はフローティングヘッドとされているので、実装基板２の持ち替え時等に、基板中心と平コレット２１のコレット中心とにずれが生じたとしても、キャップ取付治具１１に設けられた斜面１４に沿って実装基板２が下降し、治具中心、つまりキャップ中心と基板中心との位置ずれが自動的に補正される。
その後に、吸引穴２６の負圧を大気に開放し、吸引穴３６内を大気圧にして保持面２４による実装基板２の保持を解除し、平コレット２１を上昇させて裏面２ｂを上にした実装基板２をキャップ７の開放端７ａの接合部材８上に載置する。
【００２１】
工程Ｐ７（図９）、実装基板２のキャップ７の開放端７ａの接合部材８上への載置後に、キャップ取付治具１１内にセットされたキャップ７と実装基板２を、ステージ３９上に所定の時間滞留させ、加熱装置により接合温度に保たれたステージ３９により、キャップ取付治具１１を介して接合部材８を加熱し、接合部材８を溶かして実装基板２のおもて面２ａ上にキャップ７を接合する。
【００２２】
その後に、キャップ取付治具１１から半導体装置１を取出して、図１に示す本実施例の半導体装置１が製造される。
このようにして形成された実装基板２にキャップ７を接合した半導体装置１は、図１０に示すように、実装基板２の裏面２ｂ側から見ると、キャップ中心は、キャップ７の上面７ｂと、キャップ取付治具１１の治具底面１２と斜面１４との付根部とで治具中心に対して位置出しされ、基板中心は、実装基板２の縁部とキャップ取付治具１１の斜面１４とにより治具中心に対して位置出しされて、同じ治具中心に対してそれぞれ位置出しされるので、キャップ中心と基板中心との間に許容値以上の位置ずれが生ずることはなく、実装基板２に接合されたキャップ７の接合位置を安定させることができる。
【００２３】
以上説明したように、本実施例では、実装基板のおもて面に実装された半導体チップを収容するキャップを、実装基板のおもて面に接合部材で接合する場合に、キャップの上面と同形状の治具底面と、実装基板の外形形状より大きい開口と、治具底面から開口に向って拡大する斜面とを有するキャップ取付治具を設け、このキャップ取付治具の治具底面に、開放端に接合部材を設けたキャップの上面を載置し、半導体チップを実装した実装基板の縁部を、キャップ取付治具の斜面に沿わせて、実装基板のおもて面をキャップの開放端の接合部材上に載置するようにしたことによって、キャップ中心は、キャップの上面と、キャップ取付治具の治具底面と斜面との付根部とで位置出しをし、基板中心は、実装基板の縁部とキャップ取付治具の斜面とにより位置出しをして、キャップ中心と基板中心との間の位置ずれを許容値以内とすることができ、実装基板に接合されたキャップの接合位置を安定させて、半導体装置の製造歩留りが向上させることができる。
【００２４】
また、キャップ取付治具を固定するステージに加熱装置を設け、キャップの開放端と実装基板のおもて面との間の接合部材を加熱して実装基板にキャップを接合するようにしたことによって、ステージ上のキャップ取付治具の内部で、実装基板とキャップとの接合を容易に行うことができる。
【実施例２】
【００２５】
図１１ないし図１３は実施例２の半導体装置の製造方法を示す説明図である。
なお、上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施例の半導体チップ３を実装した実装基板２のキャップ７上への載置は、上記実施例１の平コレット２１に代えて、角錐コレット３１と同様に構成された他の角錐コレット４１を用いて行う。
【００２６】
このため、本実施例においては、角錐コレット３１を第１の角錐コレット３１とし、他の角錐コレット４１を第２の角錐コレット４１として説明する。
この場合に、各部の符号は第１の角錐コレット３１と同様の部分は、末尾番号を同じにした４０番台の符号で示す。
以下に、図１１ないし図１３を用い、ＰＡで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
【００２７】
本実施例では、１台の装置内で、半導体チップ３が実装された実装基板２のおもて面２ａにキャップ７を接合する場合を例に説明する。
本実施例の工程ＰＡ１〜ＰＡ３の作動は、上記実施例１の工程Ｐ１（図３）〜Ｐ３（図５）の作動と同様であるので、その説明を省略する。
ＰＡ４（図１１）、実装基板２を保持した第１の角錐コレット３１を反転させて、実装基板２の裏面２ｂを上に向け、同じ装置内に装備された第２の角錐コレット４１を反転させた実装基板２の裏面２ｂの上方に移動させる。
【００２８】
そして、上記実施例１の工程Ｐ４（図６）と同様にして、実装基板２の基板中心を求め、基板中心と第２の角錐コレット４１のコレット中心との位置合せを行い、第２の角錐コレット４１を下降させ、実装基板２の裏面２ｂの縁部に、第２の角錐コレット４１の角錐状の保持面４４を当接させ、実装基板２の裏面２ｂ側を、吸引穴４６から供給された負圧で吸引すると共に、第１の角錐コレット３１の吸引穴３６の負圧を大気に開放して吸引穴４６内を大気圧にし、第１の角錐コレット３１による実装基板２の保持を解除して実装基板２を第２の角錐コレット４１に持ち替え、第２の角錐コレット４１を上昇させて、保持面４４におもて面２ａを下にした実装基板２を保持する。
【００２９】
工程ＰＡ５（図１２）、おもて面２ａを下にした実装基板２を保持した第２の角錐コレット４１を、開放端７ａ側を上にしたキャップ７を治具底面１２上に載置したステージ３９上のキャップ取付治具１１の上方に移動させる。
工程ＰＡ６（図１３）、そして、上記実施例１の工程Ｐ２（図４）と同様にして、キャップ取付治具１１の治具中心を求め、治具中心と第２の角錐コレット４１のコレット中心との位置合せを行い、第２の角錐コレット４１を下降させ、保持した実装基板２をキャップ取付治具１１の開口１３側から挿入し、第２の角錐コレット４１のスクラブ機能によりヘッド４５を、所定の方向に、所定の振幅で、所定の回数振動させ、キャップ取付治具１１の斜面１４に沿って実装基板２を下降させ、実装基板２の持ち替え時等に生じた、治具中心と基板中心との位置ずれを自動的に補正しながら、実装基板２のおもて面２ａをキャップ７の開放端７ａに塗布された接合部材８に押圧する。
【００３０】
この場合に、スクラブ機能に代えて、第２の角錐コレット４１のヘッド４５を、実施例１の平コレット２１のヘッド２５と同様のフローティングヘッドとしてもよい。
その後に、吸引穴４６の負圧を大気に開放し、吸引穴４６内を大気圧にして保持面４４による実装基板２の保持を解除し、第２の角錐コレット４１を上昇させて裏面２ｂを上にした実装基板２をキャップ７の開放端７ａの接合部材８上に載置する。
【００３１】
その後の工程ＰＡ７等の作動は、上記実施例１の工程Ｐ７（図９）の作動と同様であるので、その説明を省略する。
このようにして形成された実装基板２にキャップ７を接合した半導体装置１は、上記実施例１と同様に、キャップ中心は、キャップ７の上面７ｂと、キャップ取付治具１１の治具底面１２と斜面１４との付根部とで治具中心に対して位置出しされ、基板中心は、実装基板２の縁部とキャップ取付治具１１の斜面１４とにより治具中心に対して位置出しされて、同じ治具中心に対してそれぞれ位置出しされるので、キャップ中心と基板中心との間に許容値以上の位置ずれが生ずることはなく、実装基板２に接合されるキャップ７の接合位置を安定させることができる。
【００３２】
以上説明したように、実装基板の持ち替えに角錐コレットを用いるようにしたことによっても、上記実施例１と同様の効果を得ることができる。
なお、上記各実施例においては、吸着コレットとして平コレットや角錐コレットを用いるとして説明したが、吸着コレットは前記に限らず、角錐コレットの対向する一対の側面を省略した、下駄状の２面コレットを用いるようにしてもよい。
【００３３】
また、上記各実施例においては、実装基板とキャップとの接合をステージ上で行うとして説明したが、実施例１の工程Ｐ６や、実施例２の工程ＰＡ６において、実装基板をキャップの接合部材に押圧したときに、そのまま加熱装置により接合温度に保たれたステージ上で接合部材を加熱して実装基板とキャップとを接合するようにしてもよい。
更に、上記各実施例においては、加熱装置によりステージを予め接合温度に加熱しておくとして説明したが、実施例１の工程Ｐ７や、実施例２の工程ＰＡ７において、キャップの接合部材に実装基板を載置した後に、加熱装置によりステージを加熱し、接着部材を溶かして実装基板とキャップとを接合するようにしてもよい。
【００３４】
更に、上記各実施例においては、実装基板とキャップとの接合をステージの設けた加熱装置により行うとして説明したが、熱硬化性樹脂の接着剤を接合部材として用いた場合には、上記工程Ｐ７または工程ＰＡ７を省略して、実装基板のおもて面をキャップの開放端に塗布された接合部材に押圧して、接着剤の粘着性により実装基板とキャップとを仮固定し、その後に、実装基板とキャップとを仮固定した半導体装置を、バッチ処理により恒温槽で加熱硬化させて実装基板とキャップとを接合するようにしてもよい。
【００３５】
更に、上記各実施例においては、キャップ取付治具の治具底面に載置されたキャップと、実装基板との位置合せを行うときに、キャップ取付治具の開口の角等を基準点として治具中心を求めて基板中心との位置合せを行うとして説明したが、キャップの開放端の角等を基準点としてキャップ中心を求めて、基板中心との位置合せを行うようにしてもよい。
更に、上記各実施例においては、１つのキャップ取付治具を用いて実装基板にキャップを接合した半導体装置を製造する場合を例に説明したが、図１４、図１５に示すように、ステージ３９上に複数のキャップ取付治具１１を設置し、各キャップ取付治具１１に接合部材８を塗布したキャップ７を載置して、上記と同様にして、半導体装置１を製造するようにしてもよい。
【００３６】
更に、上記各実施例においては、ステージに加熱装置を設けるとして説明したが、図１６、図１７に示すように、実装基板２を持ち替える側の平コレット２１や第２の角錐コレット４１に、リボンヒータ等の加熱装置４９を設け、実施例１の工程Ｐ６や実施例２の工程ＰＡ６において、実装基板２をキャップ７の接合部材８に押圧したときに、加熱装置４９により接合部材８を加熱して実装基板２とキャップ７とを接合するようにしてもよい。この場合に、ステージに設ける加熱装置は省略しても、しなくてもよい。
【００３７】
このようにしても、ステージ上のキャップ取付治具の内部で、実装基板とキャップとの接合を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施例１の半導体装置の断面を示す説明図
【図２】実施例１のキャップ取付治具の断面を示す説明図
【図３】実施例１の半導体装置の製造方法（工程Ｐ１）を示す説明図
【図４】実施例１の半導体装置の製造方法（工程Ｐ２）を示す説明図
【図５】実施例１の半導体装置の製造方法（工程Ｐ３）を示す説明図
【図６】実施例１の半導体装置の製造方法（工程Ｐ４）を示す説明図
【図７】実施例１の半導体装置の製造方法（工程Ｐ５）を示す説明図
【図８】実施例１の半導体装置の製造方法（工程Ｐ６）を示す説明図
【図９】実施例１の半導体装置の製造方法（工程Ｐ７）を示す説明図
【図１０】実施例１の工程Ｐ７における半導体装置の裏面から見た説明図
【図１１】実施例２の半導体装置の製造方法（工程ＰＡ４）を示す説明図
【図１２】実施例２の半導体装置の製造方法（工程ＰＡ５）を示す説明図
【図１３】実施例２の半導体装置の製造方法（工程ＰＡ６）を示す説明図
【図１４】実施例のキャップ取付治具をステージ上に複数設置した状態を示す説明図
【図１５】図１４の拡大側面図
【図１６】実施例１の平コレットの他の態様を示す説明図
【図１７】実施例２の第２の角錐コレットの他の態様を示す説明図
【符号の説明】
【００３９】
１    半導体装置
２    実装基板
２ａ  おもて面
２ｂ  裏面
３    半導体チップ
４    パッド
５    ワイヤ
６    凹部
６ａ  底面
７    キャップ
７ａ  開放端
７ｂ  上面
８    接合部材
１１  キャップ取付治具
１２  治具底面
１３  開口
１４  斜面
２１  平コレット
２２、３２、４２  シリンダ
２３、３３、４３  シャフト
２４、３４、４４  保持面
２５、３５、４５  ヘッド
２６、３６、４６  吸引穴
２７、３７、４７  バネ部材
２８  キャップトレイ
３１  角錐コレット（第１の角錐コレット）
３８  基板トレイ
３９  ステージ
４１  第２の角錐コレット
４９  ヒータ
【図１】
2009065085.tif 000003
【図２】
2009065085.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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