(57)【要約】【課題】広視野角化を実現しつつ、表示品位の向上、及び高歩留り化を実現する半透過型液晶表示装置を提供すること。【解決手段】本発明の一態様に係る半透過型液晶表示装置は、第１の基板３０と第２の基板４０の間に封止された液晶層３を備え、画素電極２の透過領域Ｔは、反射領域Ｒから延在された領域であって、当該領域には液晶層３の配向を制御するための配向制御パターン１１からなる透明導電膜１０が配設されている。配向制御パターン１１は、透過領域Ｔにおける反射領域Ｒの境界近傍から、透明導電膜１０の周縁部に向けて、幅が狭くなる根元太ラインパターン１２であり、反射領域Ｒに配設された透明導電膜１０と一体的に形成されている。【選択図】図１
2009282059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面側からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るよう透過させる透過領域と、
前記表示面側から入射する光を所定の双方向性光路を経るように反射させる反射領域と、
透明導電膜と反射性導電膜を備える画素電極が形成された第1の基板と、
前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に封止された液晶層と、を備え、
前記画素電極の前記透過領域は、前記反射領域から延在された領域であって、当該領域には、前記液晶層の配向を制御するための配向制御パターンからなる前記透明導電膜が配設され、
前記配向制御パターンは、前記透過領域における前記反射領域の境界近傍から前記透明導電膜の周縁部に向けて、幅が狭くなる根元太ラインパターンであり、
前記反射領域に配設された前記透明導電膜と前記配向制御パターンが一体的に形成されている液晶表示装置。
【請求項２】
背面側からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るよう透過させる透過領域と、
前記表示面側から入射する光を所定の双方向性光路を経るように反射させる反射領域と、
透明導電膜と反射性導電膜を備える画素電極が形成された第1の基板と、
前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に封止された液晶層と、を備え、
前記画素電極の前記透過領域は、前記反射領域から延在された領域であって、当該領域には、前記液晶層の配向を制御するための配向制御パターンからなる前記透明導電膜が配設され、
前記配向制御パターンは、前記透過領域の前記透明導電膜にスリット状の開口部を設けることにより形成された前記透明導電膜から構成されるラインパターンであり、
前記反射領域に配設された前記透明導電膜と前記配向制御パターンが一体的に形成され、かつ、前記透過領域の前記透明導電膜の外側周縁部近傍において、少なくとも隣接する前記ラインパターン同士が電気的に接続するように接続パターンが形成されている液晶表示装置。
【請求項３】
背面側からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るよう透過させる透過領域と、
前記表示面側から入射する光を所定の双方向性光路を経るように反射させる反射領域と、
透明導電膜と反射性導電膜を備える画素電極が形成された第1の基板と、
前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に封止された液晶層と、を備え、
前記画素電極の前記透過領域は、前記反射領域から延在された領域であって、当該領域には、前記液晶層の配向を制御するための配向制御パターンからなる前記透明導電膜が配設され、
前記配向制御パターンは、前記反射領域の前記透明導電膜と一体的に形成されたラインパターンであり、
当該ラインパターンの根元部及びその周辺の直上層には、前記反射領域の画素電極と電気的に接続される導電膜が被覆されている液晶表示装置。
【請求項４】
前記ラインパターンの根元部近傍のパターン幅が、当該根元部近傍以外の領域のパターン幅よりも狭いことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
背面側からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るよう透過させる透過領域と、
前記表示面側から入射する光を所定の双方向性光路を経るように反射させる反射領域と、
透明導電膜と反射性導電膜を備える画素電極が形成された第1の基板と、
前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に封止された液晶層と、を備え、
前記画素電極の前記透過領域は、前記反射領域から延在された領域であって、当該領域には、前記液晶層の配向を制御するための配向制御パターンからなる前記透明導電膜が配設され、
前記配向制御パターンは、前記反射領域の前記透明導電膜と分断されたラインパターンであり、
当該ラインパターンの前記反射領域側の端部及びその周辺の直上層には、前記反射領域の画素電極と電気的に接続される導電膜が被覆されている液晶表示装置。
【請求項６】
前記導電膜が、前記反射領域の前記反射性導電膜により構成されていることを特徴とする請求項３、４又は５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記透明導電膜の直下層が、有機膜により構成された平坦化膜であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記画素電極それぞれにおいて、前記配向制御パターンは、平面視上、放射状に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射領域は、略矩形状であり、
前記透過領域は、前記反射領域の隣接する少なくとも２辺に延在され、前記配向制御パターンが、前記透過領域を構成する前記透明導電膜の全体に亘って設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記透過領域は、前記反射領域の外側に枠体状に区画され、
前記配向制御パターンが、前記透過領域を構成する前記透明導電膜の全周に亘って設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に反射モードと透過モードの双方で表示を行う半透過型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルの表示方式は、透過型、反射型、半透過型に大別される。透過型は、バックライトと呼ばれる光源を点灯し、液晶表示パネルを通過した光で表示を行う表示方式である。このため、暗所での視認性は高いが、明所での視認性は低い。一方、反射型は、液晶表示パネルに入射した光を反射させて表示を行う表示方式である。このため、明所での視認性は高いが、暗所での視認性が低い。半透過型は、透過型と反射型の機能を兼ね備えた表示方式であり、周囲の明るさに応じて表示モードを切り替えることにより、視認性の高い表示を常に提供することができる。その優れた表示特性から、半透過型液晶表示装置は、携帯機器や移動体機器等において広く適用されている。
【０００３】
半透過型液晶表示装置は、第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持された構造となっている。第１の基板の内面には、例えばアルミニウム等の金属膜に光透過用の開口部が形成された反射膜が形成されている。
【０００４】
反射モードにおいては、第２の基板側（視認側）から入射した外光が液晶層を通過し、さらに第１の基板の内面に配設された反射膜で反射される。そして、その反射光が、再度、液晶層を通過して第２の基板側から出射されることにより、表示に寄与する。一方、透過モードにおいては、第１の基板側（反視認側）から入射したバックライトからの光が、透過膜を通過し、さらに液晶層を通過する。そして、第２の基板側から外部に出射されることにより、表示に寄与する。従って、反射膜が形成された領域が反射領域、反射膜の開口部が形成された領域が透過領域となる。
【０００５】
従来の半透過型液晶表示装置においては、透過モードにおいて視角が狭いという課題があった。これは、視差が生じないように液晶セルの内面に反射膜を設けている関係で、観察者側に備えた１枚の偏光板だけで反射表示を行わなければならないという制約があり、光学設計の自由度が小さいためである。
【０００６】
そこで、特許文献１において、垂直配向液晶を用いる半透過型液晶表示装置が提案された。その特徴は、（１）誘電異方性が負の液晶を基板に対して垂直に配向させ、電圧印加によってこれを倒す「ＶＡ（Vertical Alignment）モード」を採用した点、（２）透過領域と反射領域の液晶層厚（セルギャップ）が異なる「マルチギャップ構造」を採用した点、（３）透過領域を正八角形又は円とし、この領域内で液晶が等方的に倒れるように、対向基板上の透過領域の中央に突起を設ける、いわゆる「配向分割構造」を採用した点にある。
【０００７】
特許文献２及び３には、１つの画素領域を幅細の連結部によって繋がっている略四角形状の３つのサブ画素電極に分割し、そのうちの一つを反射領域Ｒ、残りの２つを透過領域Ｔとする構成が開示されている。そして、各サブ画素電極それぞれに、配向制御用突起や、配向制御用開口を設ける構成が開示されている。
【０００８】
特許文献２においては、液晶の配向を安定させるために、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極の端辺から複数のスペース（スリット）が形成され、微細なとげのようなパターン構成が開示されている。特許文献３には、画素電極の外周部の最も配向が乱れやすい領域（反射領域と透過領域との境界領域側に位置する４つのコーナー領域）にスリットを設ける構成が開示されている。
【０００９】
特許文献４には、半透過型液晶表示装置の例ではないが、透過型液晶表示装置の例において、様々な形状の電極スリットを設ける例が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３５０８５３号公報
【特許文献２】特開２００５−１７３０３７号公報  第３−４図、段落番号００２０−００２２
【特許文献３】特開２００６−２４３３１７号公報  第８−９図、段落番号００５１−００６８
【特許文献４】特開２００３−１６１９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記特許文献２〜４のように画素電極にスリットを設ける微細パターン構造を有する画素電極においては、その下層に配設された積層膜が水分や熱によって膨張伸縮することに起因して、本来意図した微細パターンの形状とは異なる形状に変形してしまう場合がある。このような状況となると、液晶の配向不良が生じ、表示品位が低下してしまう。また、膨張伸縮の程度によっては、画素電極の微細パターンが分断され、断線してしまう場合がある。さらに、断線した画素が隣接間の画素同士をショートさせ、点欠陥を発生させる恐れがある。とりわけ、画素電極の下層を有機膜により構成する場合において、微細パターンの変形や断線を解決する技術が切望されていた。
【００１１】
本発明は、上記背景に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半透過型液晶表示装置において、広視野角化を実現しつつ、表示品位の向上、及び高歩留り化を実現する液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る第１の態様の液晶表示装置は、背面側からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るよう透過させる透過領域と、前記表示面側から入射する光を所定の双方向性光路を経るように反射させる反射領域と、透明導電膜と反射性導電膜を備える画素電極が形成された第1の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に封止された液晶層と、を備える。そして、前記画素電極の前記透過領域には、前記反射領域から延在された領域であって、当該領域には、前記液晶層の配向を制御するための配向制御パターンからなる前記透明導電膜が配設されている。さらに、前記配向制御パターンは、前記透過領域における前記反射領域の境界近傍から前記透明導電膜の周縁部に向けて、幅が狭くなる根元太ラインパターンであり、前記反射領域に配設された前記透明導電膜と一体的に形成されている。
【００１３】
本発明に係る第２の態様の液晶表示装置は、背面側からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るよう透過させる透過領域と、前記表示面側から入射する光を所定の双方向性光路を経るように反射させる反射領域と、透明導電膜と反射性導電膜を備える画素電極が形成された第1の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に封止された液晶層と、を備える。そして、前記画素電極の前記透過領域は、前記反射領域から延在された領域であって、当該領域には、前記液晶層の配向を制御するための配向制御パターンからなる前記透明導電膜が配設されている。さらに、前記配向制御パターンは、前記透過領域の前記透明導電膜にスリット状の開口部を設けることにより形成された前記透明導電膜から構成されるラインパターンであり、前記反射領域に配設された前記透明導電膜と前記配向制御パターンが一体的に形成され、かつ、前記透過領域の前記透明導電膜の外側周縁部近傍において、少なくとも隣接する前記ラインパターン同士が電気的に接続するように接続パターンが形成されている。
【００１４】
本発明に係る第３の態様の液晶表示装置は、背面側からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るよう透過させる透過領域と、前記表示面側から入射する光を所定の双方向性光路を経るように反射させる反射領域と、透明導電膜と反射性導電膜を備える画素電極が形成された第1の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に封止された液晶層と、を備える。そして、前記画素電極の前記透過領域は、前記反射領域から延在された領域であって、当該領域には、前記液晶層の配向を制御するための配向制御パターンからなる前記透明導電膜が配設されている。さらに、前記配向制御パターンは、前記反射領域の前記透明導電膜と一体的に形成されたラインパターンであり、当該ラインパターンの根元部及びその周辺の直上層には、前記反射領域の画素電極と電気的に接続される導電膜が被覆されている。
【００１５】
本発明に係る第４の態様の液晶表示装置は、背面側からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るよう透過させる透過領域と、前記表示面側から入射する光を所定の双方向性光路を経るように反射させる反射領域と、透明導電膜と反射性導電膜を備える画素電極が形成された第1の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に封止された液晶層と、を備える。そして、前記画素電極の前記透過領域は、前記反射領域から延在された領域であって、当該領域には、前記液晶層の配向を制御するための配向制御パターンからなる前記透明導電膜が配設されている。さらに、前記配向制御パターンは、前記反射領域の前記透明導電膜と分断されたラインパターンであり、当該ラインパターンの前記反射領域側の端部及びその周辺の直上層には、前記反射領域の画素電極と電気的に接続される導電膜が被覆されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半透過型液晶表示装置において、広視野角化を実現しつつ、表示品位の向上、及び高歩留り化を実現する液晶表示装置を提供することができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、これに限定されるものではない。
【００１８】
［実施形態１］
本実施形態１に係る半透過型液晶表示装置（以下、「液晶表示装置」と云う）は、画素電極が形成された第1の基板と、第1の基板と対向配置された第２の基板を有する。そして、これら一対の基板間に液晶層が挟持されている。第1の基板は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ(Thin Film Transistor))アレイ基板（以下、「ＴＦＴアレイ基板」と云う）などの配線基板である。第1の基板には、複数の走査信号線が並行に配設されている。そして、この走査信号線と直交する方向には、複数の表示信号線が並行に、かつ走査信号線と交差するように配設されている。
【００１９】
隣接する走査信号線と表示信号線とで囲まれた領域が画素となる。すなわち、第1の基板においては、画素がマトリックス状に配列されている。
【００２０】
本実施形態１に係る液晶は、誘電率異方性が負の液晶材料を用いている。電圧無印加状態においては、第1の基板、第２の基板に対して垂直に配向する。そして、電圧印加により、垂直配向から傾斜して多軸配向に切り替わる。
【００２１】
図１に、本実施形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板（第1の基板）の１画素分の画素電極の模式的平面図を示す。また、図２に、図１のＩＩ−ＩＩ切断部断面図の位置に相当するＴＦＴアレイ基板の模式的断面図を、図３に、図１の点線Ａの領域の画素電極の部分拡大平面図を示す。また、図４に、本実施形態１に係る液晶表示装置の模式的断面図を示す。
【００２２】
ＴＦＴアレイ基板３０は、図２に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板３１、ゲート電極３２、補助容量配線３３、シリコン窒化膜等からなるゲート絶縁膜３４、半導体層３５、ソース電極３６、ドレイン電極３７、層間絶縁膜３８、平坦化膜３９、透明導電膜１０、反射性導電膜２０等を備えている。
【００２３】
ＴＦＴアレイ基板３０の内面に形成された画素電極２には、反射領域Ｒと透過領域Ｔがある。反射領域Ｒは、平面視上、矩形状であり、透過領域Ｔは、反射領域Ｒの外側に枠体状に区画される。このような画素電極が各画素に形成されている。画素電極２は、透明導電膜１０と反射性導電膜２０により構成される。透明導電膜１０とドレイン電極３７とは、コンタクトホール６を介して接続されている。
【００２４】
反射領域Ｒは、視認側である表示面側（対向基板４０側）から入射する光を、所定の双方向性光路を経るように反射させる領域である。反射領域Ｒの表面は、図２に示すように、平坦化膜３９に形成された凹凸パターン７によって凹凸形状となっている。本実施形態１に係る反射領域Ｒは、透明導電膜１０と反射性導電膜２０の積層構造となっている。
【００２５】
透過領域Ｔは、反視認側である裏面側（ＴＦＴアレイ基板３０側）からの光を表示面側へ所定の単一方向性光路を経るように透過させる領域である。画素電極２の透過領域Ｔは、反射領域Ｒから延在された領域にある。そして、透過領域Ｔに配置される液晶層３の配向を制御するための配向制御パターンからなる透明導電膜１０により構成されている。配向制御パターン１１は、透過領域Ｔにおける反射領域Ｒの境界近傍から、透明導電膜１０の周縁部に向けて、幅が狭くなる根元太ラインパターン１２であり、配向制御パターン１１（根元太ラインパターン１２）は、反射領域Ｒの透明導電膜１０と一体的に形成されている。配向制御パターン１１により、透過領域Ｔにおける液晶層３の配向が制御される。
【００２６】
根元太ラインパターン１２は、図３に示すように、透明導電膜１０の周縁部に近づくにつれて幅Ｗ１が狭くなるように形成されている。換言すると、透明導電膜１０の周縁部に近づくにつれて、透明導電膜１０に形成されたスリット１９の幅Ｗ２が広くなるように形成されている。また、根元太ラインパターン１２の方向は、図１に示すように、１つの画素において、平面視上、放射状になるように形成されている。これにより、電圧印加時に、１つの画素において透過領域Ｔの液晶を放射状に傾斜させることができる。本実施形態１に係る根元太ラインパターン１２は、分岐しない１本の線状パターン１２Ａと、分岐構造を有する分岐状パターン１２Ｂを備えている。
【００２７】
ＴＦＴアレイ基板３０には、図４に示すように、第２の基板たる対向基板４０が配置されている。対向基板４０は、例えばカラーフィルタ基板であり、視認側に配置される。対向基板４０には、絶縁性基板４１、カラーフィルタ４２、ブラックマトリクス（不図示）、平坦化膜４３、対向電極４４、配向制御部４５、及び配向膜(不図示)等が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板３０と対向基板４０との間に液晶層３が挟持されている。
【００２８】
対向基板４０に設けられた配向制御部４５は、対向電極４４の上層に突起状構造体として形成されている（図４参照）。これは、感光性樹脂を用いて、フォトリソグラフィー処理により作製することができる。対向基板４０の配向制御部４５により、反射領域Ｒに配置された液晶層３の配向が制御される。すなわち、配向制御部４５により、電圧印加に応じて、反射領域Ｒの液晶分子を垂直配向から多軸配向に切り換えることができる。配向制御部４５の形成位置は、反射領域Ｒの略中心位置とする。
【００２９】
配向制御部４５としては、上述したように電圧印加に応じて、液晶分子を垂直配向から一軸、若しくは多軸配向に切り換えることができれば、その構造は特に限定されない。例えば、配向制御用突起や、配向制御用開口等の公知の構成を対向基板４０側に配置することができる。対向基板４０側に代えてＴＦＴアレイ基板３０側に配設することもできる。また、１つの反射領域Ｒに対して１つの配向制御部４５を形成する態様に限定されるものではなく、反射領域Ｒの面積や形状に応じて１つの反射領域Ｒに複数の配向制御部４５を配設してもよい。なお、対向基板４０の反射領域Ｒに、透過領域Ｔと反射領域Ｒで、液晶層３を通過する光路長をほぼ同じにするために、透明樹脂等からなる液晶層厚調整層を形成してもよい。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板３０と、対向基板４０との外側の面には、不図示の偏光板や位相差板等が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板３０の外側である反視認側には、バックライトユニット（不図示）等が配設されている。
【００３１】
液晶は、画素電極２と対向電極４４との間の電界によって駆動される。すなわち、基板間の液晶層３の配向方向が変化する。これにより、液晶層３を通過する光の偏光状態が変化する。すなわち、偏光板を通過して直線偏光となった光は液晶層３によって、偏光状態が変化する。具体的には、透過領域Ｔにおいては、バックライトユニットからの光は、偏光板によって直線偏光になる。そして、この直線偏光が液晶層３を通過することによって、偏光状態が変化する。
【００３２】
従って、偏光状態によって、対向基板４０側の偏光板を通過する光量が変化する。すなわち、バックライトユニットから液晶表示パネルを通過する透過光のうち、視認側の偏光板を通過する光の光量が変化する。液晶層３の配向方向は、印加される表示電圧によって変化するので、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板を通過する光量を変化させることができる。すなわち、画素毎に表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。
【００３３】
次に、本実施形態１に係るＴＦＴアレイ基板３０の製造方法について述べる。なお、以下に説明する例は典型的なものであって、本発明の趣旨に合致する限り他の製造方法を採用することができることは言うまでもない。
【００３４】
まず、絶縁性基板３１として透明なガラス基板等を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板３１の厚さは任意でよいが、液晶表示装置１の厚さを薄くするために１．１ｍｍ厚以下のものが好ましい。絶縁性基板３１が薄すぎる場合には各種の成膜やプロセスの熱履歴によって基板の歪みが生じるためにパターニング精度が低下するなどの不具合を生じるので、絶縁性基板３１の厚さは使用するプロセスを考慮して選択する必要がある。また、絶縁性基板３１がガラスなどの脆性破壊材料からなる場合、基板の端面は面取りを実施しておくことが、端面からのチッピングによる異物の混入を防止する上で好ましい。
【００３５】
次に、スパッタリングなどの方法でゲート配線（不図示）、ゲート電極３２、補助容量配線３３等を形成するための金属薄膜を成膜する。当該金属薄膜としては、例えばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金などを用いることができ、１００ｎｍ から５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例では、２００ｎｍの膜厚のアルミニウムが用いられる。
【００３６】
次に、写真製版法によりレジストを塗膜、露光、現像等のプロセスを経てパターニングし、エッチング処理により上記金属薄膜をパターニングする。これにより、ゲート電極３２、ゲート配線（不図示）、補助容量電極（不図示）、補助容量配線３３、及びゲート端子（不図示）等が形成される。金属薄膜のエッチングは、パターンエッジがテーパー形状となるようにエッチングすることが、他の配線との段差での短絡を防止する上で好ましい。
【００３７】
次に、プラズマＣＶＤによりゲート絶縁膜３４、半導体層３５（半導体能動膜、オーミックコンタクト膜）を形成するための薄膜を成膜する。ゲート絶縁膜３４を構成する薄膜としては、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚＮｗ膜やこれらの積層膜を用いることができる（なお、ｘ、ｙ、ｚ、ｗはそれぞれ正数である）。半導体層３５のうちの半導体能動膜としては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜が用いられる。オーミックコンタクト膜としては、ａ−Ｓｉ、又はｐ−Ｓｉにリン（Ｐ）を微量にドーピングしたｎ型ａ−Ｓｉ膜、ｎ型ｐ−Ｓｉ膜が用いられる。
【００３８】
次に、写真製版法により半導体層３５を少なくともＴＦＴ部が形成される部分にパターニングする。ゲート絶縁膜３４は、全体に亘って残存する。半導体層３５のエッチングは、公知のガス組成（例えば、ＳＦ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ4とＯ2の混合ガス）でドライエッチングが可能である。
【００３９】
次に、スパッタリングなどの方法でソース電極３６及びドレイン電極３７を形成するための金属薄膜を成膜する。この金属薄膜としては、例えばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金、あるいはこれらの積層膜が用いられる。もちろん、上述の材料を積層形成してもよい。好適な実施例としては、２００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜する例を挙げることができる。
【００４０】
続いて、写真製版法、エッチング法によりこの金属薄膜がソース配線（不図示）、ソース端子（不図示）、ソース電極３６及びドレイン電極３７を形成するようにパターニングする。ソース電極３６は、ソース配線とゲート配線が交差する部分にまで亘って形成される。次に、半導体層３５のうちのオーミックコンタクト膜のエッチングを行ない、ＴＦＴのチャネル部となる半導体能動膜を露出させる。オーミックコンタクト膜のエッチングは、公知のガス組成（例えば、ＳＦ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ4とＯ2の混合ガス）でドライエッチングが可能である。これらの工程により、ＴＦＴが形成される。
【００４１】
次に、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜３８を形成するための膜を形成する。その上から平坦化膜３９を形成する。層間絶縁膜３８を形成するための膜は、ゲート絶縁膜３４と同様の材質により形成することができる。好適な実施例では、１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられる。また、平坦化膜３９は、感光性有機膜を好適に用いることができる。例えば、ＪＳＲ社製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５等のポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。無論、ネガ型の感光性樹脂組成物を用いてもよい。平坦化膜３９は、３．０〜４．０μｍ程度の厚み、望ましくは３．２〜３．９μｍ程度の厚みで形成される。無論、これ以外の厚みでもよい。
【００４２】
次いで、写真製版法により平坦化膜３９の所望のパターン形状及び平坦化膜３９の反射領域Ｒの表面に凹凸パターン７を得るようにパターン形成する。まず、パターン形成前の平坦化膜３９に、光透過領域を有する遮光マスク（フォトマスク）を用いて、均一に低照度で露光を行う。続いて、図２に示すようなコンタクトホール６に対応する部分が開口した遮光マスク（不図示）を用いて、均一に高照度で露光を行う。
【００４３】
上記露光工程後、現像液を用いて現像を行う。これにより、高照度露光領域の平坦化膜３９が完全に除去され、低照度露光部の平坦化膜３９は初期の膜厚に対して若干膜減りする。その結果、平坦化膜３９の表面に凹凸パターン７が形成せしめられる。この凹凸パターン７は、後述する反射電極の表面に散乱用の凹凸形状として反映される。なお、このように照度を変えることにより平坦化膜３９のパターン形状を制御する方法に代えて、二つの異なる平坦化膜を塗布し、順を追って露光、現像を行いパターニングしてもよい。
【００４４】
続いて、必要に応じて加熱処理を行う。その後、コンタクトホール６に対応する領域では、エッチング工程により層間絶縁膜３８が除去されてドレイン電極３７が露出する。
【００４５】
次に、スパッタリングなどの方法で透明導電膜１０を成膜する。透明導電膜としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＩＺＯなどを用いることができる。化学的安定性の点からは、ＩＴＯが好ましい。好適な実施例では、透明導電膜は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いられる。
【００４６】
次に、写真製版法により透明導電膜１０の所望のパターン形状を得るようにパターン形成する。透明導電膜のエッチングは、使用する材料によって公知のウェットエッチング（例えば、透明導電膜が結晶化ＩＴＯからなる場合には塩酸、及び硝酸が混合されてなる水溶液）を用いて行うことができる。透明導電膜１０がＩＴＯの場合、公知のガス組成（例えば、ＨＩ、ＨＢｒ）でのドライエッチングによるエッチングも可能である。これにより、透明導電膜１０のパターンが得られる。透明導電膜１０は、コンタクトホール６を介して、ドレイン電極３７と電気的に接続される。
【００４７】
透明導電膜１０は、画素電極２を構成する反射領域Ｒ及び透過領域Ｔに亘って一体的に形成する。すなわち、反射領域Ｒには、全面に亘ってパターンなしの透明導電膜１０を配設する。反射領域Ｒから透過領域Ｔに亘る透明導電膜１０は、一体的に１つのパターンとなっている。透過領域Ｔには、前述したような根元太ラインパターン１２を有するパターンを形成する。透明導電膜１０は、単層に限定されず、積層体により構成してもよい。
【００４８】
続いて、スパッタリングなどの方法で反射性導電膜２０を成膜する。反射性導電膜２０としては、例えばアルミニウム等の反射機能を有する金属を用いることができる。膜厚としては、例えば、１００ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。反射性導電膜２０は、単層に限定されず積層体により構成してもよい。反射性導電膜２０を成膜後、所望のパターン形状を得るようにパターニング形成する。
【００４９】
その後、画素電極上に配向膜（不図示）を塗布し、ＴＦＴアレイ基板３０が製造される。配向膜としては、垂直配向膜が用いられる。このように製造されたＴＦＴアレイ基板３０は、対向基板４０とシール材（不図示）によって貼り合せられるとともに、両基板とシール材によって囲まれた領域に液晶が注入される。
【００５０】
本実施形態１に係る液晶表示装置においては、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を倒して光変調を行う。反射領域Ｒにおいては、液晶分子の配向を制御する配向制御部４５を配設しているため、垂直配向させた液晶分子を放射状に傾斜させることができる。一方、透過領域Ｔにおいては、液晶分子の配向を制御する根元太ラインパターン１２を、１つの画素内において、放射状に配設しているので、垂直配向させた液晶分子を放射状に傾斜させることができる。このため、広視野角化を実現することができる。
【００５１】
また、本実施形態１に係る透過領域Ｔに形成された根元太ラインパターン１２は、透明導電膜１０の周縁部に近づくにつれて幅Ｗ１が狭くなるように形成されている。換言すると、応力の集中しやすい根元部を太くすることにより、画素電極２の下層に形成された平坦化膜３９が、水分や熱などにより膨張伸縮した場合においても、その応力によって根元太ラインパターン１２の形状が変形したり、断線したりすることを抑制することができる。このため、液晶層３の配向制御が安定し、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。また、断線による歩留り低下を抑制することができる。
【００５２】
また、本実施形態１に係る画素電極２においては、上記特許文献２や３に記載のように、サブ画素電極同士を接続する細幅の連結部を設けていないので、サブピクセル間の反射、透過に属さない無効領域がない。従って、反射領域、透過領域に用いる有効面積を広く取ることができる。このため、高コントラスト化を実現することができる。しかも、細幅の連結部を設けていないので、平坦化膜３９の水分や熱などによる膨張伸縮による連結部の変形や断線の問題が生じない。
【００５３】
また、本実施形態１に係る画素電極においては、透過領域Ｔは、根元太ラインパターン１２によって液晶分子の配向制御を行っている。このため、透過領域Ｔにおいては、配向制御用突起や配向制御用開口等の配向制御部を設ける必要がなく、開口率の向上を図ることができる。すなわち、高輝度化を実現することができる。さらに、本実施形態１に係る画素電極においては、透過領域Ｔを反射領域Ｒの外側に枠体状に形成しているので、透過領域Ｔの配向制御パターン１１の強度を高めつつ、透過領域Ｔの面積を効率よく確保することができる。なお、本発明においては、透過領域Ｔにおいて対向基板４０に配向制御部を設けずに液晶層３の配向制御が可能であり、上述した効果を得ることができるものであるが、対向基板４０に配向制御部を設けることを排除するものではない。
【００５４】
なお、本実施形態１においては、液晶の配向方向を放射状に傾斜させる例について説明したが、放射状に傾斜させる必要性はなく、１方向、２方向、３方向、４方向等の一軸、若しくは多軸方向に傾斜させる場合にも同様の効果が得られる。また、根元太ラインパターン１２の形状は、根元部ほど幅広となっていればよく、上記図１の態様に限定されるものではない。
【００５５】
また、反射領域Ｒのパターンは、矩形状のパターンである必要性はなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において多角形、円形、楕円形等の種々の形状とすることができる。また、１つの画素における反射領域Ｒのパターンは、１つである例について説明したが、複数に分割したパターンとすることもできる。さらに、本実施形態１においては、透過領域Ｔが、反射領域Ｒの外側に枠体状に形成されている例について説明したが、これに限定されるものではなく、反射領域Ｒの少なくとも一方向に延在された領域に透過領域Ｔが形成されていれば本件発明の効果を得ることができる。
【００５６】
また、画素電極２の直下層に配設された積層膜として、平坦化膜の例を挙げたが、これに限定されるものではなく、層間絶縁膜等の他の積層膜の場合にも、本件発明の効果を得ることができる。本発明は、水分や熱により膨張伸縮の生じやすい有機膜等において特に好適に用いることができる。
【００５７】
[実施形態２]
次に、上記実施形態に係る液晶表示装置とは異なる一例について説明する。なお、以降の説明において、上記実施形態と同一の要素部材は同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００５８】
本実施形態２に係る液晶表示装置は、画素電極２ａの配向制御パターン１１ａ以外の基本的な構造及び製造方法は、上記実施形態１と同様である。図５に、本実施形態２に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素分の画素電極２ａの模式的な部分拡大平面図を示す。
【００５９】
透過領域Ｔは、矩形状に形成された反射領域Ｒから延在された方向の枠体部に相当する位置に形成されている。そして、透過領域Ｔに設けられた配向制御パターン１１ａは、透明導電膜１０ａにスリット状の開口部を設けることにより形成された透明導電膜１０ａから構成されるラインパターン１３である。このラインパターン１３は、反射領域Ｒに配設された透明導電膜１０ａと一体的に形成されている。そして、透過領域Ｔの透明導電膜１０ａの外側周縁部近傍において、少なくとも隣接するラインパターン１３同士が電気的に接続するように接続パターン１３Ａが形成されている。
【００６０】
本実施形態２に係る接続パターン１３Ａは、透明導電膜１０ａにより、その外側周縁部が枠体状になるように形成されている。換言すると、透過領域Ｔにおける透明導電膜１０ａに、スリット状の開口パターンであるスリットパターン１８を放射状に設けることにより、ラインパターン１３と、接続パターン１３Ａを形成している。これにより、ラインパターン１３は、図５に示すように、平面視上、１つの画素電極において、放射状になるように形成され、ラインパターン１３の外側端部が接続パターン１３Ａにより電気的に接続される。これにより、電圧印加時に、１つの画素において透過領域Ｔの液晶を放射状に傾斜させることができる。反射領域Ｒにおいては、上記実施形態１と同様に、透明導電膜１０ａと反射性導電膜２０との積層体により構成されている。透過領域Ｔにおいては、スリットパターン１８により液晶層３の配向方位が制御される。
【００６１】
本実施形態２に係るＴＦＴアレイ基板の基本的な製造方法は、下記の点を除き上記実施形態１と同様である。すなわち、透過領域Ｔの透明導電膜１０ａにおいて、上記実施形態１の根元太ラインパターン１２に代えて、ラインパターン１３及び接続パターン１３Ａが形成されるようにスリットパターン１８を形成すればよい。その後、上記実施形態１と同様の方法により、反射性導電膜２０を成膜してパターン形成を行う。なお、本実施形態２においては、ラインパターン１３と接続パターン１３Ａを同一レイヤにある透明導電膜１０ａにより形成する例について説明したが、ラインパターン１３を透明導電膜１０ａにより形成し、ラインパターン１３の外側端部に、少なくとも隣接するラインパターン１３同士が電気的に接続するように、その上層に接続パターンを配設してもよい。
【００６２】
本実施形態２に係る液晶表示装置においては、上記実施形態１と同様の理由により広視野角化、高コントラスト化を実現することができる。また、本実施形態２に係る透過領域Ｔは、透過導電膜１０ａの外側周縁部で接続パターンにより連結しているので透過領域Ｔにおける透明導電膜１０ａの強度を高めることができる。
【００６３】
従って、画素電極２ａの下層に形成された平坦化膜３９が、水分や熱などにより膨張伸縮した場合においても、その応力によって透過領域Ｔの透明導電膜１０ａの形状が変形したり、断線したりすることを抑制することができる。仮に、ラインパターン１３に断線が生じた場合であっても、接続パターン１３Ａを介して電位を供給することができる。以上により、液晶層３の配向制御が安定し、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。また、断線による歩留り低下を抑制することができる。
【００６４】
本実施形態２に係る配向制御パターンによれば、上記特許文献１に比してラインパターン１３の配向方向の設計自由度が増加するというメリットもある。例えば、矩形状の反射領域Ｒの辺と平行な方向にスリットパターン１８を設けることにより、反射領域Ｒの辺と平行な方向に配向制御パターン１１ａを設けることも可能である。
【００６５】
なお、本実施形態２においては、液晶層３の配向方向を放射状に傾斜させる例について説明したが、放射状に傾斜させる必要性はなく、1方向、２方向、３方向、４方向等の一軸若しくは多軸方向に傾斜させる場合にも同様の効果が得られる。すなわち、配向制御パターンを放射状に配向させる態様に代えて、1方向、２方向、３方向、４方向等に配向させたものを用いてもよい。また、ラインパターン１３の形状は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形状とすることができる。例えば、十字状のパターンや、枝分かれ状パターン等としてもよい。
【００６６】
また、接続パターン１３Ａを透明導電膜１０ａにより構成する例について説明したが、これに限定されるものではなく、透明導電膜１０ａの上層若しくは下層に接続パターン１３Ａを配設して、ラインパターン１３との電気的接続を図ってもよい。
【００６７】
[実施形態３]
本実施形態３に係る液晶表示装置は、画素電極の配向制御パターン以外の基本的な構造及び製造方法は、上記実施形態１と同様である。図６に、本実施形態３に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素分の画素電極の模式的な部分拡大平面図を示す。なお、説明の便宜上、反射性導電膜２０ｂは、透明であるかのように図示している。
【００６８】
画素電極２を構成する反射領域Ｒは、矩形状に構成され、透過領域Ｔは、反射領域Ｒの外側に枠体状に区画されている。本実施形態３においては、反射領域Ｒにおける透過領域Ｔの境界領域近傍から、透過領域Ｔの透明導電膜１０ｂの周縁部に向けて、透明導電膜１０の全周に亘って放射状に配向制御パターン１１ｂとして一体型ラインパターン１４が形成されている。また、反射領域Ｒと透過領域Ｔに形成された透明導電膜１０ｂが一体的に１つのパターンとして形成されている。
【００６９】
上記実施形態１においては、反射領域Ｒは、全領域において透明導電膜１０と反射性導電膜２０との積層構造となっていたが、本実施形態３においては、反射性導電膜２０の周縁部近傍領域は、透明導電膜１０ｂの一体型ラインパターン１４が形成され、透明導電膜１０ｂと反射性導電膜２０の積層構造となっていない領域が存在する。本実施形態３に係る一体型ラインパターン１４は、その根元部から先端部に向けて同一幅により構成されている。この一体型ラインパターン１４が形成された透明導電膜１０ｂにより、透過領域Ｔの液晶層３の配向が制御される。
【００７０】
一体型ラインパターン１４は、上記実施形態１に係る根元太ラインパターン１２と同様に１つの画素において、平面視上、放射状になるように形成している。これにより、電圧印加時に、１つの画素において透過領域Ｔの液晶を放射状に傾斜させることができる。
【００７１】
本実施形態３に係る液晶表示装置においては、上記実施形態１と同様の理由により広視野角化、高コントラスト化を実現することができる。また、本実施形態３に係る一体型ラインパターン１４は、反射領域Ｒにおける透過領域Ｔとの境界部近傍から、透過領域Ｔの周縁部に向けて形成しているので、一体型ラインパターン１４の強度を高めることができる。すなわち、応力の集中しやすい一体型ラインパターン１４の根元部に反射性導電膜２０を重畳することにより、応力による段切れを回避することができる。
【００７２】
従って、画素電極２の下層に形成された平坦化膜３９が、水分や熱などにより膨張伸縮した場合に、一体型ラインパターン１４の形状が変形したり、断線したりすることを抑制することができる。仮に、一体型ラインパターン１４の応力の集中しやすい根元部において断線が生じた場合であっても、その直上層に反射性導電膜２０が形成されているので、言った板がラインパターン１４に電位を供給することができる。以上により、液晶層３の配向制御が安定し、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。また、断線による歩留り低下を抑制することができる。
【００７３】
なお、本実施形態３においては、液晶層３の配向方向を放射状に傾斜させる例について説明したが、放射状に傾斜させる必要性はなく、1方向、２方向、３方向、４方向等の一軸、若しくは多軸方向に傾斜させる場合にも同様の効果が得られる。すなわち、配向制御パターンを放射状に配向させる態様に代えて、1方向、２方向、３方向、４方向等に配向させたものを用いてもよい。また、一体型ラインパターン１４の形状は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形状とすることができる。
【００７４】
また、一体型ラインパターン１４の根元領域に積層する膜として、反射性導電膜２０を用いる例について説明したが、応力の集中しやすい一体型ラインパターン１４の根元部に導電膜が重畳するように構成されていればよく、上記例に限定されるものではない。例えば、透明導電膜１０ｂにより構成される一体型ラインパターン１４の根元部から反射領域Ｒの画素電極２まで延在する導電膜を、透明導電膜１０ｂの上層若しくは下層に積層することにより、一体型ラインパターン１４と反射領域Ｒの画素電極２とを電気的に接続してもよい。
【００７５】
[実施形態４]
本実施形態４に係る液晶表示装置は、画素電極の配向制御パターン以外の基本的な構造及び製造方法は、上記実施形態１と同様である。図７（ａ）に、本実施形態４に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素分の画素電極の模式的な部分拡大平面図を、図７（ｂ）に、同ＴＦＴアレイ基板の模式的断面図を示す。なお、説明の便宜上、反射性導電膜２０ｃは、透明であるかのように図示している。
【００７６】
画素電極２ｃを構成する反射領域Ｒは、矩形状に構成され、透過領域Ｔは、反射領域Ｒの外側に枠体状に区画されている。本実施形態４においては、反射領域Ｒにおける透過領域Ｔの境界領域近傍から、透過領域Ｔの透明導電膜１０ｃの周縁部に向けて、透明導電膜１０ｃの全周に亘って放射状に配向制御パターン１１ｃとして分割型ラインパターン１５が形成されている。
【００７７】
本実施形態４に係る透明導電膜１０ｃは、上記実施形態１と異なり、反射領域Ｒと透過領域Ｔに形成された透明導電膜１０ｃが一体的に１つのパターンとして形成されていない。すなわち、本実施形態４に係る透明導電膜１０ｃは、反射領域Ｒにおいて、反射性導電膜２０ｃの周縁部を除く領域に形成された反射領域パターン１６と、反射性導電膜２０ｃの周縁部から、透過領域Ｔの周縁部に向けて配設された分割型ラインパターン１５とにより構成されている（図７（ａ）、（ｂ）参照）。
【００７８】
上記実施形態４においては、反射性導電膜２０ｃの周縁部近傍領域は、透明導電膜１０ｃの分割型ラインパターン１５が形成され、透明導電膜１０ｃと反射性導電膜２０ｃの積層構造となっていない領域が存在する。そして、分割型ラインパターン１５と反射領域パターン１６とは、分断されている。この分割型ラインパターン１５からなる透明導電膜１０ｃにより、透過領域Ｔの液晶層３の配向が制御される。
【００７９】
分割型ラインパターン１５は、上記実施形態１に係る根元太ラインパターン１２と同様に１つの画素において、平面視上、放射状になるように形成している。これにより、電圧印加時に、１つの画素において透過領域Ｔの液晶層３を放射状に傾斜させることができる。
【００８０】
本実施形態４に係る液晶表示装置においては、上記実施形態１と同様の理由により広視野角化、高コントラスト化を実現することができる。また、本実施形態４に係る透明導電膜１０ｃは、分割型ラインパターン１５と反射領域パターン１６とに分割している。これにより、応力の集中しやすい領域を事前に分割している。そして、反射性導電膜２０ｃにより反射領域パターン１６と分割型ラインパターン１５を電気的に接続させる構造としている。従って、画素電極２ｃの下層に形成された平坦化膜３９が、水分や熱などにより膨張伸縮した場合に、分割型ラインパターン１５の形状が変形したり、断線したりすることを抑制することができる。以上により、液晶層３の配向制御が安定し、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。また、断線による歩留り低下を抑制することができる。
【００８１】
なお、本実施形態４においては、液晶層３の配向方向を放射状に傾斜させる例について説明したが、放射状に傾斜させる必要性はなく、1方向、２方向、３方向、４方向等の一軸、若しくは多軸方向に傾斜させる場合にも同様の効果が得られる。すなわち、配向制御パターンを放射状に配向させる態様に代えて、1方向、２方向、３方向、４方向等に配向させたものを用いてもよい。また、分割型ラインパターン１５の形状は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形状とすることができる。また、分割型ラインパターン１５及び反射領域パターン１６を、反射性導電膜２０ｃを介して電気的に接続する例について説明したが、これに限定されるものではなく、他の導電膜により分割型ラインパターン１５と反射領域パターン１６の電気的接続を実現してもよい。
【００８２】
[実施形態５]
本実施形態５に係る液晶表示装置は、画素電極の配向制御パターン以外の基本的な構造及び製造方法は、上記実施形態１と同様である。図８に、本実施形態５に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素分の画素電極の模式的な部分拡大平面図を示す。なお、説明の便宜上、反射性導電膜２０ｄは、透明であるかのように図示している。
【００８３】
画素電極２ｄを構成する反射領域Ｒは、矩形状に構成され、透過領域Ｔは、反射領域Ｒの外側に形成されている。本実施形態５においては、反射領域Ｒにおける透過領域Ｔの境界領域近傍から、透過領域Ｔの透明導電膜１０ｄの周縁部に向けて、透明導電膜１０ｄの全周に亘って放射状に配向制御パターン１１ｄとして段差型ラインパターン１７が形成されている。また、反射領域Ｒと透過領域Ｔに形成された透明導電膜１０ｄが一体的に１つのパターンとして形成されている。
【００８４】
上記実施形態１においては、反射領域Ｒが透明導電膜１０と反射性導電膜２０が全領域において積層構造となっていたが、本実施形態５においては、反射性導電膜２０ｄの周縁部近傍領域は、透明導電膜１０ｄの段差型ラインパターン１７が形成され、透明導電膜１０ｄと反射性導電膜２０ｄとの積層構造となっていない領域が存在する。本実施形態５に係る段差型ラインパターン１７は、その根元部のパターン幅が、その根元部近傍以外の領域のパターン幅よりも狭くなっている。この段差型ラインパターン１７が形成された透明導電膜１０ｄにより、透過領域Ｔの液晶層３の配向が制御される。
【００８５】
段差型ラインパターン１７は、上記実施形態１に係る根元太ラインパターン１２と同様に１つの画素において、平面視上、放射状になるように形成している。これにより、電圧印加時に、１つの画素において透過領域Ｔの液晶が放射状に傾斜する。
【００８６】
本実施形態５に係る液晶表示装置においては、上記実施形態１と同様の理由により広視野角化、高コントラスト化を実現することができる。また、本実施形態５に係る透明導電膜１０ｄからなる配向制御パターン（段差型ラインパターン１７）は、根元部近傍のパターン幅Ｗ３を、根元部近傍以外のパターン幅Ｗ４に比して狭くし、かつ段差型ラインパターン１７の根元部を反射性導電膜２０ｄにより被覆している。
【００８７】
本実施形態５においては、応力の集中しやすい段差型ラインパターン１７の根元部の幅を敢えて狭くし、断線しやすい個所を故意に形成している。これにより、他の箇所の断線発生を抑制することが可能となる。当該部位において断線した場合、被膜している反射性導電膜２０ｄにより当該断線箇所の電気的接続を維持することができる。従って、液晶層３の配向制御が安定し、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。また、断線による歩留り低下を抑制することができる。
【００８８】
上述したように、段差型ラインパターン１７の根元部が変形、断線した場合であっても、反射性導電膜２０ｄにより透過領域の段差型ラインパターン１７に電位を供給することができる。従って、画素電極２の下層に形成された平坦化膜３９が、水分や熱などにより膨張伸縮した場合に、透過領域Ｔの液晶層３の配向性が低下することを防止することができる。以上により、液晶層３の配向制御が安定し、表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。また、断線による歩留り低下を抑制することができる。
【００８９】
なお、本実施形態５においては、液晶層３の配向方向を放射状に傾斜させる例について説明したが、放射状に傾斜させる必要性はなく、1方向、２方向、３方向、４方向等の一軸、若しくは多軸方向に傾斜させる場合にも同様の効果が得られる。すなわち、配向制御パターンを放射状に配向させる態様に代えて、1方向、２方向、３方向、４方向等に配向させたものを用いてもよい。
【００９０】
また、段差型ラインパターン１７の形状は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形状とすることができる。また、段差型ラインパターン１７を、反射性導電膜２０ｄを介して電気的に接続する例について説明したが、これに限定されるものではなく、他の導電膜により段差型ラインパターン１７の根元部と反射領域Ｒの反射性導電膜２０ｄ若しくは透明導電膜１０ｄとを電気的に接続させてもよい。
【００９１】
[実施形態６]
本実施形態６に係る液晶表示装置は、画素電極２ｅの配向制御パターン１１以外の基本的な構造及び製造方法は、上記実施形態１と同様である。図９に、本実施形態６に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素分の画素電極の模式的な部分拡大平面図を示す。
【００９２】
画素電極２ｅを構成する反射領域Ｒは、矩形状に構成されており、透明導電膜１０ｅと反射性導電膜２０ｅの積層構造からなる。透過領域Ｔは、反射領域Ｒの図９中の上下２方向にのみ延在された領域に形成されている。透過領域Ｔにおいては、上記実施形態１と同様に、根元太ラインパターン１２が形成されている。根元太ラインパターン１２を形成する透明導電膜１０ｅと、反射領域Ｒの透明導電膜１０ｅは、上記実施形態１と同様に一体的に１つのパターンとして形成されている。根元太ラインパターン１２が形成された透明導電膜１０ｅにより、透過領域Ｔの液晶層３の配向が制御される。
【００９３】
本実施形態６に係る液晶表示装置においては、上記実施形態１と同様の理由により広視野角化、高コントラスト化、表示品位の向上、及び高歩留まり化を実現することができる。
【００９４】
[実施形態７]
本実施形態７に係る液晶表示装置は、画素電極の配向制御パターン以外の基本的な構造及び製造方法は、上記実施形態６と同様である。図１０に、本実施形態７に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素分の画素電極の模式的な部分拡大平面図を示す。画素電極２ｆを構成する反射領域Ｒは、矩形状に構成されており、透明導電膜１０ｆと反射性導電膜２０ｆの積層構造からなる。透過領域Ｔは、反射領域Ｒの図１０中の上下２方向にのみ延在された領域に形成されている。透過領域Ｔにおいては、上記実施形態６と同様に、根元太ラインパターン１２ｆが形成されている。
【００９５】
本実施形態７に係る根元太ラインパターン１２ｆは、根元部から先端部方向に向かうにつれて、短軸方向の幅が狭くなるように形成され、かつ、その先端部が尖った形状となっている。また、根元太ラインパターン１２ｆは、図１０に示すように１方向に配設されている。根元太ラインパターン１２ｆを形成する透明導電膜１０ｆと、反射領域Ｒの透明導電膜１０ｆは、上記実施形態６と同様に一体的に１つのパターンとして形成されている。根元太ラインパターン１２ｆが形成された透明導電膜１０ｆにより、透過領域Ｔの液晶層３の配向が制御される。
【００９６】
本実施形態７に係る液晶表示装置においては、上記実施形態１と同様の理由により広視野角化、高コントラスト化、表示品位の向上、及び高歩留まり化を実現することができる。
【００９７】
[実施形態８]
本実施形態８に係る液晶表示装置は、画素電極の配向制御パターン以外の基本的な構造及び製造方法は、上記実施形態７と同様である。図１１に、本実施形態８に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素分の画素電極の模式的な部分拡大平面図を示す。画素電極２ｇを構成する反射領域Ｒは、矩形状に構成されており、透明導電膜１０ｇと反射性導電膜２０ｇの積層構造からなる。透過領域Ｔは、反射領域Ｒの図１１中の上下２方向にのみ延在された領域に形成されている。透過領域Ｔにおいては、上記実施形態８と同様に、根元太ラインパターン１２ｇが形成されている。
【００９８】
本実施形態８に係る根元太ラインパターン１２ｇは、上記実施形態７と同様に、根元部から先端部方向に向かうにつれて、短軸方向の幅が狭くなるように形成され、かつ、その先端部が尖った形状となっている。一方、上記実施形態７と異なり、本実施形態８に係る根元太ラインパターン１２ｇは、図１１に示すように２方向に配設されている。根元太ラインパターン１２ｇを形成する透明導電膜１０ｇと、反射領域Ｒの透明導電膜１０ｇは、上記実施形態７と同様に一体的に１つのパターンとして形成されている。根元太ラインパターン１２ｇが形成された透明導電膜１０ｇにより、透過領域Ｔの液晶層３の配向が制御される。
【００９９】
本実施形態８に係る液晶表示装置においては、上記実施形態１と同様の理由により広視野角化、高コントラスト化、表示品位の向上、及び高歩留まり化を実現することができる。
【０１００】
[実施形態９]
本実施形態９に係る液晶表示装置は、画素電極の配向制御パターン以外の基本的な構造及び製造方法は、上記実施形態６と同様である。図１２に、本実施形態９に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素分の画素電極の模式的な部分拡大平面図を示す。画素電極２ｈを構成する反射領域Ｒは、矩形状に構成されており、透明導電膜１０ｈと反射性導電膜２０ｈの積層構造からなる。透過領域Ｔは、反射領域Ｒの図１２中の上方向、及び右方向の２方向にのみ延在された領域に形成されている。２方向における反射領域Ｒからの延在領域である透過領域Ｔは、連続して一体的なパターンとして形成され、かつ、配向制御パターンが透過領域Ｔを構成する透明導電膜１０ｈの全体に亘って設けられている。
【０１０１】
本実施形態９に係る配向制御パターンは、上記実施形態１と同様の根元太ラインパターン１２が形成されている。また、根元太ラインパターン１２を形成する透明導電膜１０ｅと、反射領域Ｒの透明導電膜１０ｅは、上記実施形態１と同様に一体的に１つのパターンとして形成されている。根元太ラインパターン１２が形成された透明導電膜１０ｅにより、透過領域Ｔの液晶層３の配向が制御される。
【０１０２】
本実施形態９に係る液晶表示装置においては、上記実施形態１と同様の理由により広視野角化、高コントラスト化、表示品位の向上、及び高歩留まり化を実現することができる。
【０１０３】
上記実施形態１〜９は一例であって、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形が可能である。なお、上記実施形態１〜９の態様を相互に組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】実施形態１に係る画素電極の模式的平面図。
【図２】実施形態１に係るＴＦＴアレイ基板の模式的断面図。
【図３】実施形態１に係る画素電極の部分拡大平面図。
【図４】実施形態１に係る液晶表示装置の模式的断面図。
【図５】実施形態２に係る画素電極の模式的平面図。
【図６】実施形態３に係る画素電極の模式的平面図。
【図７】（ａ）は、実施形態４に係る画素電極の模式的平面図であり、（ｂ）は、実施形態４に係るＴＦＴアレイ基板の模式的断面図。
【図８】実施形態５に係る画素電極の模式的平面図。
【図９】実施形態６に係る画素電極の模式的平面図。
【図１０】実施形態７に係る画素電極の模式的平面図。
【図１１】実施形態８に係る画素電極の模式的平面図。
【図１２】実施形態９に係る画素電極の模式的平面図。
【符号の説明】
【０１０５】
１      液晶表示装置
２      画素電極
３      液晶層
６      コンタクトホール
７      凹凸パターン
１０    透明導電膜
１１    配向制御パターン
１２    根元太ラインパターン
１３    ラインパターン
１３Ａ  接続パターン
１４    一体型ラインパターン
１５    被覆型ラインパターン
１６    反射領域パターン
１７    段差型ラインパターン
１８    スリットパターン
１９    スリット
２０    反射性導電膜
３０    ＴＦＴアレイ基板
３１    絶縁性基板
３２    ゲート電極
３３    補助容量配線
３４    ゲート絶縁膜
３５    半導体層
３６    ソース電極
３７    ドレイン電極
３８    層間絶縁膜
３９    平坦化膜
４０    対向基板
４１    絶縁性基板
４２    カラーフィルタ
４３    対向側平坦化膜
４４    対向電極
４５    配向制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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