(57)【要約】【課題】効率よくフォトマスクを製造することが可能な汎用フォトマスクおよびこれを用いたフォトマスクの製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】本発明の汎用フォトマスクは、フォトレジスト法によるパターン形成に使用するフォトマスクであって、必要とするパターン部分以外の汎用部分のパターンのみを形成し、必要とするパターン部分を空白部としてなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト法によるパターン形成に使用するフォトマスクであって、必要とするパターン部分以外の汎用部分のパターンのみを形成し、必要とするパターン部分を空白部としてなる汎用フォトマスク。
【請求項２】
（Ｉ）透明基板上に、パターン形成部材とフォトレジスト材を順次積層後、該フォトレジスト材に必要とするパターン部分を露光して描画する工程と、
（ＩＩ）露光後の前記フォトレジスト材における、必要とするパターン部分以外の汎用部分に、前記請求項1記載の汎用フォトマスクから汎用部分のパターンを転写する工程と、
（ＩＩＩ）前記フォトレジスト材を現像後、パターン形成部材をエッチングし、フォトレジスト材を剥離する工程、
とからなることを特長とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト法によるパターン形成に使用するフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトレジスト法によるパターン形成に使用するフォトマスクのパターンは、必要とするパターン部分と、所謂「捨てめっき」といわれる汎用部分のパターンとからなるが、従来は、上記の必要とするパターン部分と汎用部分のパターンを組み合わせた1枚のパターンとし、それらを全てレーザー等により描画して製造していた（下記特許文献１、２参照）。しかし、必要とするパターン部分を変更しても、汎用部分のパターンは同じであるにもかかわらず、組み合わせた1枚のパターンとしていることで製造に時間がかかり、フォトマスクの生産能力が抑制されて非効率的であった。
【特許文献１】特開２００７−２７１９９９号公報
【特許文献２】特開２００７−３３４３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、効率よくフォトマスクを製造することが可能な汎用フォトマスク、およびこれを用いたフォトマスクの製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）フォトレジスト法によるパターン形成に使用するフォトマスクであって、必要とするパターン部分以外の汎用部分のパターンのみを形成し、必要とするパターン部分を空白部としてなる汎用フォトマスク。
【０００５】
（２）（Ｉ）透明基板上に、パターン形成部材とフォトレジスト材を順次積層後、該フォトレジスト材に必要とするパターン部分を露光して描画する工程と、
（ＩＩ）露光後の前記フォトレジスト材における、必要とするパターン部分以外の汎用部分に、前記（１）記載の汎用フォトマスクから汎用部分のパターンを転写する工程と、
（ＩＩＩ）前記フォトレジスト材を現像後、パターン形成部材をエッチングし、フォトレジスト材を剥離する工程、
とからなることを特長とするフォトマスクの製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の汎用フォトマスク、およびフォトマスクの製造方法を用いることにより、時間のかかる描画は必要とするパターン部分のみとなるため、フォトマスクの製造時間を大幅に短縮することができ、効率的にフォトマスクを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について、図を用いて説明する。
【０００８】
図１は、本発明の汎用フォトマスクの構成を示す平面図である。図１の汎用フォトマスク１は、透明基板上に、必要とするパターン部分を描画しない空白部２として、上記パターン部分以外の汎用部分のパターン３のみを形成している。
【０００９】
本発明の汎用フォトマスクは、通常のフォトマスクと同様の方法によって製造できる。即ち、透明基板上に、パターン形成部材を積層してマスクブランクスとした後、該マスクブランクス上にフォトレジスト材を積層し、該フォトレジスト材に必要部分のパターンをレーザー等により露光して描画する。その後、上記フォトレジスト材を現像して、パターン形成部材をエッチングしてパターンを形成し、フォトレジスト材を剥離することにより製造できる。パターン形成部材とフォトレジスト材の積層方法も使用する材料に応じた積層方法を使用すればよい。
【００１０】
本発明のフォトマスクの製造方法は、（Ｉ）透明基板上に、パターン形成部材とフォトレジスト材を順次積層後、該フォトレジスト材に必要とするパターン部分を露光して描画する工程と、（ＩＩ）露光後の前記フォトレジスト材における、必要とするパターン部分以外の汎用部分に、上記の汎用フォトマスクから汎用部分のパターンを転写する工程と、（ＩＩＩ）前記フォトレジスト材を現像後、パターン形成部材をエッチングし、フォトレジスト材を剥離する工程とからなる。
【００１１】
図２は、本発明のフォトマスクの製造方法におけるパターンの組み合わせを説明する図である。後述の工程（Ｉ）において、マスクブランクス上のフォトレジスト材に必要とするパターン部分５をレーザー等で描画し（図２中、符号４で示される状態）、該パターン部分５と、工程（ＩＩ）において、汎用フォトマスクから転写される汎用部分のパターン３’とを組み合わせてフォトレジスト材にパターンを形成し（図２中符号６で示される状態）、工程（ＩＩＩ）を経てフォトマスクが製造される。
【００１２】
図３は、図１の汎用フォトマスクを用いた本発明の製造方法を示す図である。図３(ａ)に示すように、まず、通常のフォトマスク製造時と同様に透明基板７上に、パターン形成部材８を積層してマスクブランクス１０とし、該マスクブランクス１０上にフォトレジスト材９を順次積層する。その後、フォトレジスト材９の必要とするパターン部分のみを図中の矢印で示すようにレーザー等で露光して描画する（（工程（Ｉ））。次に、図３(ｂ)に示すように、必要とするパターン部分５を露光後のフォトレジスト材９における、必要とするパターン部分５以外の汎用部分に、本発明の汎用フォトマスク１から汎用部分のパターン３を矢印のように転写する（工程（ＩＩ））。転写後は、図３（ｃ）に示すように、フォトレジスト材に必要とするパターン部分５と転写された汎用部分のパターン３’が組み合わされてパターンが形成される。最後に、図３（ｄ）に示すように、前記フォトレジスト材を現像後、パターン形成部材をエッチングし、フォトレジスト材を剥離して、エッチングされたパターン形成部材１３により、汎用部分のパターン１４と、必要とするパターン部分１５が組み合わされたパターンが形成されたフォトマスク１６が完成する（工程（ＩＩＩ））。なお、本発明の汎用フォトマスクは、図３（ｂ）に示すように、通常のフォトマスクと同様、透明基板１２上に、パターン形成部材１１により、汎用部分のパターン３を形成し、必要とするパターン部分を描画しない空白部２とした構成である。
【００１３】
本発明のフォトマスクの製造方法において、透明基板の種類、パターン形成部材とフォトレジスト材の種類や積層方法、パターンの描画方法、フォトレジスト材の現像方法、パターン形成部材のエッチング方法、フォトレジスト材の剥離方法等は、特に限定されず、従来のフォトマスクの製造方法と同様とすることができる。
【００１４】
本発明のフォトマスクの製造方法における工程（ＩＩ）において、必要とするパターン部分以外の汎用部分に、本発明の汎用フォトマスクから汎用部分のパターンを転写する方法としては、例えば、汎用フォトマスクと必要とするパターン部分とのアライメント精度が特に高度でない場合、汎用フォトマスクと、必要とするパターン部分を露光したマスクブランクス上のフォトレジスト材とを密着させて重ね合わせ（図２（ｂ）における矢印方向に密着させる。）、そのまま露光することにより転写する方法が挙げられる。
【００１５】
なお、本発明のフォトマスクの製造方法における工程（ＩＩ）において、必要とするパターン部分以外の汎用部分に、本発明の汎用フォトマスクから汎用部分のパターンを転写するためのマーキング等の位置決め基準を有するのが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００１６】
本発明の汎用フォトマスク、およびこれを用いたフォトマスクの製造方法は、効率よくフォトマスクを製造することが可能であるため、高密度な種々の半導体部品等に使用するフォトマスクの製造に有益である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の汎用フォトマスクの構成を示す平面図である。
【図２】本発明のフォトマスクの製造方法におけるパターンの組み合わせを説明する図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、図１の汎用フォトマスクを用いた本発明の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  汎用フォトマスク
２  空白部
３  汎用部分のパターン
３’転写された汎用部分のパターン
４  マスクブランクス上のフォトレジスト材に必要とするパターンが描画された状態
５  必要とするパターン部分
６  マスクブランクス上のフォトレジスト材にパターンが形成された状態
７、１２  透明基板
８  パターン形成部材
９  フォトレジスト材
１０  マスクブランクス
１１  汎用フォトマスクのパターン形成部材
１３  エッチング後のパターン形成部材        
１４  汎用部分のパターン
１５  必要とするパターン部分
１６  フォトマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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