(57)【要約】【課題】接合不良を生じさせることなく、かつ接合工程での工程数を増加させることなく、樹脂層を介して基板どうしを接合することが可能な半導体接合基板の製造方法を提供する。【解決手段】第二基板の中央領域を押圧してエッジから気泡を押し出し、次に外周領域だけを押圧してエッジビート部を押し潰し、最後に中央領域と外周領域とを含む第二基板全体を均一な押圧力で押圧することによって、気泡の内包による接合不良がなく、かつ平坦性に優れた半導体接合基板を得る事ができる。【選択図】図２
2009252904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面にデバイスが多数形成された略円板状の第一基板と、前記第一基板の一面に接合層を介して接合された略円板状の第二基板とからなる半導体接合基板の製造方法であって、
前記第一基板の一面に接合層を形成する工程と、前記接合層に重ねて前記第二基板を配する工程と、前記第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程と、前記第二基板の外周領域を押圧する工程と、前記第二基板の外周領域および中央領域の全体を均一な押圧力で押圧する工程とを備えたことを特徴とする半導体接合基板の製造方法。
【請求項２】
前記第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程は、前記第二基板の中央領域のうち、中心から外周方向に向けて段階的に押圧する領域を広げていくことを特徴とする請求項１に記載の半導体接合基板の製造方法。
【請求項３】
前記中央領域と前記外周領域との半径方向での長さの比は、８：２〜９．５：０．５の範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体接合基板の製造方法。
【請求項４】
一面にデバイスが多数形成された略円板状の第一基板と、前記第一基板の一面に接合層を介して接合された略円板状の第二基板とからなる半導体接合基板の製造装置であって、
前記第一基板の一面に形成した接合層に重ねて配された前記第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する第一押圧手段と、前記第二基板の外周領域を押圧する第二押圧手段と、前記第二基板の外周領域および中央領域の全体を均一な押圧力で押圧する第三押圧手段とを備えたことを特徴とする半導体接合基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一面にデバイスが形成された半導体基板と、これを覆う基板とが接合された半導体接合基板の製造方法及び半導体接合基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の一例であるＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサのパッケージには、モールドパッケージが用いられてきた。しかし、近年のデバイスの小型、薄型化の傾向に伴って、ウエハレベルチップサイズパッケージが採用されることが増えつつある。このウエハレベルチップサイズパッケージは、一面に多数のデバイスが形成されたウエハ（半導体基板）と、このウエハと同程度の大きさのガラスウエハ（ガラス基板）を接合した半導体接合基板を用いて、貫通電極によりデバイスのＩ／Ｏパッドから半導体基板の裏面側に再配線を形成したものである。
【０００３】
こうした、半導体接合基板を構成するウエハどうしの接合方法としては、例えば、陽極接合、常温接合、金属接合、樹脂接合等が挙げられる。特に、デバイスがイメージセンサである場合、マイクロレンズ等の受光部樹脂の耐熱性、デバイス側の表面凹凸形状（例えばスクライブライン）、光学特性向上のため中空構造の高さ制限などの要因に対応できる接合形態として、半導体基板とガラス基板とを樹脂層によって接合することが多い（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このような半導体基板とガラス基板とを樹脂層を介して接合したイメージセンサ（半導体接合基板）の従来の製造方法としては、まず、デバイスが形成された半導体基板の一面に、スピンコート、ドライフイルムラミネートなどによって樹脂層を形成する。次に、光学特性を良好にするために、受光面と重なる領域の樹脂を、感光性接合樹脂を用いたパターニングなどによって除去する（キャビティーの形成）。更に、半導体基板にガラス基板を重ねて、全体を均一な押圧力で押圧し、樹脂層を介して半導体基板とガラス基板とを接合させる。
【０００５】
しかしながら、こうした半導体基板とガラス基板とを樹脂を用いて接合をする場合、デバイスが形成されている半導体基板の一面に樹脂層を形成し、ガラス基板を重ねて押圧する際に、デバイスの凹凸によって生じた樹脂層の凹凸、および樹脂層に生じたピンホールなどによって、接合後の樹脂層に気泡が内包されてしまい、接合力の低下や光学特性の劣化といった不具合が生じることがあった。
【０００６】
また、半導体基板の一面に樹脂層を形成した際に、粘度の高い樹脂の表面張力によって、半導体基板の外周領域では、それより内側の中央領域よりも樹脂が盛り上がって厚みが増加した部分（エッジビート部）が形成されてしまう。こうした外周領域での樹脂の厚みは、中央領域よりも２倍程度に達することもある。このような外周領域で樹脂が盛り上がったエッジビート部が存在する状態でガラス基板を重ねて、そのまま全体を均一な押圧力で押圧して接合させると、盛り上がった樹脂の内側の中央領域に空気を巻き込んでしまい、半導体基板とガラス基板との接合が十分に行われず、深刻な接合不良を生じさせる虞があった。
【０００７】
半導体基板の外周領域で生じる樹脂の盛り上がりを解消する手段として、例えば、外周領域の盛り上がった樹脂を除去してしまう方法もある。しかし、外周領域の樹脂を除去すると、外周領域では半導体基板とガラス基板との接合が行われず、後工程で接合基板を研磨して薄板化する際に、基板のエッジ部分から破損する虞がある。
【０００８】
こうした外周領域での半導体基板とガラス基板との接合不良を解決するために、外周領域で盛り上がった樹脂を除去した後、この除去部分に再度、ワニス樹脂等を中央領域と同じ厚み程度に塗布してから接合する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。しかしながら、特許文献２のように、樹脂層を形成した後、外周部分の樹脂層だけを除去し、更に再度樹脂を塗布するなどの方法では、工程数や必要な材料が増加し、それに伴い製造コストが増加するといった課題があった。
【特許文献１】特開２００５−２０９９６７号公報
【特許文献２】特開２００６−３０１５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、接合不良を生じさせることなく、かつ接合工程での工程数を増加させることなく、樹脂層を介して基板どうしを接合することが可能な半導体接合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、接合不良を生じさせることなく、樹脂層を介して基板どうしを接合することが可能な半導体接合基板の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に記載の半導体接合基板の製造方法は、一面にデバイスが多数形成された略円板状の第一基板と、前記第一基板の一面に接合層を介して接合された略円板状の第二基板とからなる半導体接合基板の製造方法であって、前記第一基板の一面に接合層を形成する工程と、前記接合層に重ねて前記第二基板を配する工程と、前記第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程と、前記第二基板の外周領域を押圧する工程と、前記第二基板の外周領域および中央領域の全体を均一な押圧力で押圧する工程とを備えたことを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体接合基板の製造方法は、請求項１において、前記第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程は、前記第二基板の中央領域のうち、中心から外周方向に向けて段階的に押圧する領域を広げていくことを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体接合基板の製造方法は、請求項１または２において、前記中央領域と前記外周領域との半径方向での長さの比は、８：２〜９．５：０．５の範囲であることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体接合基板の製造装置は、一面にデバイスが多数形成された略円板状の第一基板と、前記第一基板の一面に接合層を介して接合された略円板状の第二基板とからなる半導体接合基板の製造装置であって、前記第一基板の一面に形成した接合層に重ねて配された前記第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する第一押圧手段と、前記第二基板の外周領域を押圧する第二押圧手段と、前記第二基板の外周領域および中央領域の全体を均一な押圧力で押圧する第三押圧手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体接合基板の製造方法によれば、第二基板の中央領域を押圧してエッジから気泡を押し出し、次に外周領域だけを押圧してエッジビート部を押し潰し、最後に中央領域と外周領域とを含む第二基板全体を均一な押圧力で押圧することによって、気泡の内包による接合不良がなく、かつ平坦性に優れた半導体接合基板を得る事ができる。
【００１３】
しかも、こうした半導体接合基板の製造方法によれば、周縁で盛り上がった接合層のエッジビート部をだけ除去したり、エッジ部に再度平坦に樹脂を塗布するなどの手間の掛かる工程を付加する必要が無く、短時間、低コストで接合不良のない半導体接合基板を得る事が可能になる。
【００１４】
また、本発明の半導体接合基板の製造装置によれば、第二基板の中央領域を押圧してエッジから気泡を押し出し、次に外周領域だけを押圧してエッジビート部を押し潰し、最後に中央領域と外周領域とを含む第二基板全体を均一な押圧力で押圧することができる。これにより、気泡の内包による接合不良がなく、かつ平坦性に優れた半導体接合基板を得る事ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る本発明の半導体接合基板の製造方法の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明はこのような実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００１６】
図１は、本発明の半導体接合基板の製造方法によって製造される半導体接合基板の一例を示す分解斜視図である。この半導体接合基板１０は、イメージセンサとして用いられる撮像素子であり、例えばシリコンウエハからなる略円板状の半導体基板（第一基板）１１を備える。半導体基板１１の一面１１ａには、多数のデバイス１２，１２…が所定の間隔を開けて配列される。デバイス１２，１２…は、例えば、ＣＣＤ，ＣＭＯＳイメージセンサであればよい。
【００１７】
半導体基板１１の一面１１ａには、接合層１３を介して略円板状の光透過性基板（第二基板）１４が接合される。この光透過性基板（第二基板）１４は、デバイス１２，１２…の保護、あるいはフィルタとして機能し、例えば、ガラス、透明樹脂などから形成されればよい。
【００１８】
接合層１３は、光硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などから形成されれれば良い。なお、こうした接合層１３は、デバイス１２，１２…どうしの隙間だけに形成し、デバイス１２，１２…と光透過性基板（第二基板）１４との間には空間が形成される形態であればよい。また、デバイス１２，１２…の形成部分を含む半導体基板１１の一面１１ａ全体に形成してもよい。
【００１９】
このような構成の半導体接合基板１０は、デバイス１２，１２…どうしの間で切断され、個々の撮像素子として分離される。なお、以下に述べる本発明の半導体接合基板の製造方法における半導体接合基板は、こうしたデバイスとしてイメージセンサを用いたものに限定されず、任意のデバイスを形成した第一基板に、例えばデバイスの保護などを目的として第二基板を接合したものであれば、どのような形態のものであってもよい。
【００２０】
図２は、本発明の半導体接合基板の製造方法の一例を段階的に示した断面図である。
まず、一面１１ａに多数のデバイス１２，１２…が配列形成された略円板状の半導体基板（第一基板）１１を用意する。半導体基板（第一基板）１１は、例えばシリコンウェーハであればよい。また、デバイス１２，１２…は、例えばＣＣＤ，ＣＭＯＳイメージセンサであればよい。この半導体基板１１を接合装置２１のステージ２２に載置する（図２（ａ）参照）。
【００２１】
次に、半導体基板１１の一面１１ａに、接合層１３を形成する（図２（ｂ）参照：第一基板の一面に接合層を形成する工程）。接合層１３は、光硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などであれば良い。また、接合層１３は、デバイス１２，１２…どうしの隙間と周縁だけ形成し、デバイス１２，１２…と光透過性基板（第二基板）１４との間には空間が形成される形態であればよい。また、デバイス１２，１２…の形成部分を含む半導体基板１１の一面１１ａ全体に形成してもよい。こうした接合層１３の形成方法としては、スピンコート法、ディスペンス法、プリント法、フィルムによる成膜後、フォトリソグラフィーにより成形する方法などが好ましく挙げられる。
【００２２】
このようにして形成された接合層１３は、半導体基板１１の周縁部分で、表面張力によって樹脂が盛り上がり、エッジビート部Ｒが形成される。次に、この接合層１３に重ねて略円板状の光透過性基板（第二基板）１４を配する（図２（ｂ）参照：接合層に重ねて第二基板を配する工程）。光透過性基板（第二基板）１４は、例えば、ガラス基板、透明樹脂基板などであればよい。また、光透過性基板（第二基板）１４の外形形状は、半導体基板１１と同じか、あるいはこれに近い形状であることが好ましい。
【００２３】
次に、以下に述べるとおり、段階的に光透過性基板（第二基板）１４を押圧して、半導体基板（第一基板）１１と光透過性基板（第二基板）１４とを接合する。
まず、略円板状の光透過性基板１４のエッジ部分である外周領域Ｅを除いた中央領域Ｓだけを、第一押圧手段２３を用いて押圧する（図２（ｃ）参照：第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程）。
【００２４】
なお、光透過性基板（第二基板）１４の外周領域Ｅとは、半導体基板（第一基板）１１の一面１１ａに接合層１３を形成した際に、エッジビート部Ｒが形成される位置を含む領域を指し、光透過性基板（第二基板）１４のエッジから中心に向かって所定の幅で広がるリング状の領域を成している。また、中央領域Ｓとは、接合層１３のエッジビート部Ｒよりも内側で、エッジビート部Ｒを含まず、接合層１３の厚みが均一に広がる部分に対応した領域を指し、外周領域Ｅよりも内側（中心側）で円形の領域を成している。
【００２５】
こうした外周領域Ｅと中央領域Ｓとの半径方向ｒでの長さの比は、２：８〜０．５：９．５の範囲であり、例えば、半径が１００ｍｍの半導体基板（第一基板）では、外周領域Ｅの幅ＥＷは２０〜５ｍｍ程度、中央領域Ｓの半径ＳＷは８０〜９５ｍｍ程度である。
【００２６】
第一押圧手段２３は、押圧面２４ａが上述した中央領域Ｓとほぼ同じ大きさの円形を成す押圧板２４と、この押圧板２４を上下動させる駆動機構（図示せず）から構成されていればよい。
【００２７】
第一押圧手段２３によって光透過性基板（第二基板）１４の中央領域Ｓを最初に押圧する事により、まず、接合層１３に存在するピンホールなどに由来する気泡を、光透過性基板（第二基板）１４の外周領域Ｅに向けて押し出し、中央領域Ｓに気泡が巻き込まれないように中心部分から接合する。これにより、光透過性基板（第二基板）１４の少なくとも中央領域Ｓは、気泡によって接合不良を引き起こすこと無く、接合層１３を介して半導体基板（第一基板）１１と密着して接合される。
【００２８】
次に、略円板状の光透過性基板１４のエッジ部分である外周領域Ｅだけを、第二押圧手段２５を用いて押圧する（図２（ｄ）参照：第二基板の外周領域を押圧する工程）。第二押圧手段２５は、押圧面２６ａが上述した外周領域Ｅとほぼ同じ形状のリング状を成す押圧板２６と、この押圧板２５を上下動させる駆動機構（図示せず）から構成されていればよい。
【００２９】
第二押圧手段２５によって光透過性基板（第二基板）１４の外周領域Ｅを押圧する事により、半導体基板１１の周縁部分で盛り上がった接合層１３のエッジビート部Ｒを押し潰すことができる。しかも、こうした外周領域Ｅだけを押圧してエッジビート部Ｒを押し潰す工程は、前述した光透過性基板（第二基板）１４の中央領域Ｓを押圧して接合層１３に存在する気泡を外周領域Ｅに向けて押し出す工程よりも後に行うことにより、中央領域Ｓに気泡が巻き込まれた状態になることを防止することができる。
【００３０】
続いて、略円板状の光透過性基板１４の外周領域Ｅおよび中央領域Ｓからなる全体を、第三押圧手段２７を用いて均一な押圧力で押圧する（図２（ｅ）参照：第二基板の外周領域および中央領域の全体を均一な押圧力で押圧する工程）。第三押圧手段２７は、押圧面２８ａが上述した外周領域Ｅおよび中央領域Ｓからなる光透過性基板（第二基板）１４とほぼ同じか、これよりも大きい円形の押圧板２８と、この押圧板２８を上下動させる駆動機構（図示せず）から構成されていればよい。
【００３１】
このように、中央領域Ｓと外周領域Ｅとを含む光透過性基板（第二基板）１４全体を均一な押圧力で押圧することによって、半導体基板（第一基板）１１と光透過性基板（第二基板）１４とを平坦に接合することができる。
【００３２】
以上のように、光透過性基板（第二基板）１４の中央領域Ｓを押圧してエッジから気泡を押し出し、次に外周領域Ｅだけを押圧してエッジビート部Ｒを押し潰し、最後に中央領域Ｓと外周領域Ｅとを含む光透過性基板（第二基板）１４全体を均一な押圧力で押圧することによって、気泡の内包による接合不良がなく、かつ平坦性に優れた半導体接合基板１０を得る事ができる（図２（ｆ）参照）。
【００３３】
しかも、こうした半導体接合基板の製造方法によれば、周縁部分で盛り上がった接合層のエッジビート部をだけ除去したり、エッジ部に再度平坦に樹脂を塗布するなどの手間の掛かる工程を付加する必要が無く、短時間、低コストで接合不良のない半導体接合基板を得る事ができる。
【００３４】
図３は、本発明の半導体接合基板の製造方法の別な一例を段階的に示した断面図である。
まず、一面１１ａにデバイス１２，１２…が配列形成された略円板状の半導体基板（第一基板）１１を接合装置３１のステージ３２に載置する（図３（ａ）参照）。
【００３５】
次に、半導体基板１１の一面１１ａに接合層１３を形成し、この接合層１３に重ねて略円板状の光透過性基板（第二基板）１４を配する（図３（ｂ）参照：接合層に重ねて第二基板を配する工程）。そして、略円板状の光透過性基板１４のエッジ部分である外周領域Ｅを除いた中央領域Ｓだけを、第一押圧手段３３を用いて押圧する（図３（ｃ）参照：第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程）。
【００３６】
この実施形態における第一押圧手段３３は、押圧面３４ａが押圧方向、即ち光透過性基板１４に向けて中心が最も突出するように、緩やかに湾曲（突出）した湾曲面を成す押圧板３４と、この押圧板３４を上下動させる駆動機構（図示せず）から構成されていればよい。
【００３７】
第一押圧手段３３によって光透過性基板（第二基板）１４の中央領域Ｓを最初に押圧する事により、接合層１３に存在するピンホールなどに由来する気泡を、光透過性基板（第二基板）１４の外周領域Ｅに向けて押し出し、中央領域Ｓに気泡が巻き込まれないように中心部分から接合する。しかも、こうした押圧板３４の押圧面３４ａを、中心が最も突出するように湾曲させた湾曲面とする事で、中央領域Ｓに存在する気泡を外周領域Ｅに向けてスムーズに押し出し、中央領域Ｓに気泡が取り込まれてしまうことを確実に防止できる。
【００３８】
次に、略円板状の光透過性基板１４のエッジ部分である外周領域Ｅだけを、第二押圧手段３５を用いて押圧し、接合層１３のエッジビート部Ｒを押し潰す（図３（ｄ）参照：第二基板の外周領域を押圧する工程）。そして光透過性基板１４の外周領域Ｅおよび中央領域Ｓからなる全体を、第三押圧手段３７を用いて均一な押圧力で押圧し、半導体基板（第一基板）１１と光透過性基板（第二基板）１４とを平坦に接合する（図３（ｅ）参照：第二基板の外周領域および中央領域の全体を均一な押圧力で押圧する工程）。以上により、気泡の内包による接合不良がなく、かつ平坦性に優れた半導体接合基板１０を得る事ができる（図３（ｆ）参照）。
【００３９】
図４，５は、本発明の半導体接合基板の製造方法の別な一例を段階的に示した断面図である。
まず、一面１１ａにデバイス１２，１２…が配列形成された略円板状の半導体基板（第一基板）１１を接合装置４１のステージ４２に載置する（図４（ａ）参照）。
【００４０】
次に、半導体基板１１の一面１１ａに接合層１３を形成し、この接合層１３に重ねて略円板状の光透過性基板（第二基板）１４を配する（図４（ｂ）参照：接合層に重ねて第二基板を配する工程）。
【００４１】
続いて、略円板状の光透過性基板１４のエッジ部分である外周領域Ｅを除いた中央領域Ｓを、第一押圧手段４３を用いて押圧する。第一押圧手段４３は、中心から外周方向に向けて段階的に分割された押圧面４４ａ〜４６ａを備えた押圧板４４〜４６と、この押圧板４４〜４６をそれぞれ独立して上下動可能な駆動機構（図示せず）から構成されていればよい。この実施形態では、第一押圧手段４３は、例えば３つに分割された押圧板４４〜４６からなる。
【００４２】
このような第一押圧手段４３を用いて、まず最初に最も中心を押圧する押圧板４４で、光透過性基板１４の中央領域Ｓの中心近傍を押圧する（図４（ｃ）参照：第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程）。続いて、押圧板４４と、この押圧板４４の外側に隣接する押圧板４５とを用いて、中央領域Ｓの中ほどまでを押圧する図４（ｄ）参照：第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程）。更に、押圧板４４、４５と、押圧板４５の外側に隣接する押圧板４６とを用いて、中央領域Ｓ全体、即ち外周領域Ｅに隣接する位置までを押圧する図５（ａ）参照：第二基板の外周領域を除いた中央領域だけを押圧する工程）
【００４３】
このように第一押圧手段４３を、中心から外周方向に向けて段階的に分割された押圧面４４ａ〜４６ａを備えた押圧板４４〜４６から構成し、この押圧板４４〜４６を中心から外側に向けて段階的に動作させて押圧する領域を広げていくことにより、中央領域Ｓに存在する気泡を外周領域Ｅに向けてスムーズに押し出し、中央領域Ｓに気泡が取り込まれてしまうことを確実に防止できる。
【００４４】
次に、略円板状の光透過性基板１４のエッジ部分である外周領域Ｅを含む部分を、第二押圧手段４７を用いて押圧し、接合層１３のエッジビート部Ｒを押し潰す（図５（ｂ）参照：第二基板の外周領域を押圧する工程）。この時、第一押圧手段４３の押圧板４４〜４６の押圧力よりも強い押圧力で第二押圧手段４７を動作させ、接合層１３のエッジビート部Ｒを確実に押し潰すのが好ましい。
【００４５】
この後、光透過性基板１４の外周領域Ｅおよび中央領域Ｓからなる全体を、第三押圧手段４８を用いて均一な押圧力で押圧し、半導体基板（第一基板）１１と光透過性基板（第二基板）１４とを平坦に接合する（図５（ｃ）参照：第二基板の外周領域および中央領域の全体を均一な押圧力で押圧する工程）。この時、第一押圧手段４３と第二押圧手段４７とを均等な押圧力で押圧する事により第三押圧手段４８として作用する。以上により、気泡の内包による接合不良がなく、かつ平坦性に優れた半導体接合基板１０を得る事ができる（図５（ｄ）参照）。
【００４６】
本発明の半導体接合基板の製造装置としては、例えば、図２に示すような半導体基板１１の接合装置（半導体接合基板の製造装置）２１が挙げられる。この接合装置２１は、第二基板１４の外周領域Ｅを除いた中央領域Ｓだけを押圧する第一押圧手段２３と、第二基板１４の外周領域Ｅを押圧する第二押圧手段２５と、第二基板１４の外周領域Ｅおよび中央領域Ｓの全体を均一な押圧力で押圧する第三押圧手段２７とを少なくとも備えている。また、半導体基板１１を載置するステージ２２を備えているのが好ましい。
【００４７】
第一押圧手段２３は、例えば、押圧面２４ａが上述した中央領域Ｓとほぼ同じ大きさの円形を成す押圧板２４と、この押圧板２４を上下動させる駆動機構（図示せず）から構成されていればよい。また、第二押圧手段２５は、押圧面２６ａが外周領域Ｅとほぼ同じ形状のリング状を成す押圧板２６と、この押圧板２５を上下動させる駆動機構（図示せず）から構成されていればよい。更に、第三押圧手段２７は、押圧面２８ａが上述した外周領域Ｅおよび中央領域Ｓからなる光透過性基板（第二基板）１４とほぼ同じか、これよりも大きい円形の押圧板２８と、この押圧板２８を上下動させる駆動機構（図示せず）から構成されていればよい。
【００４８】
なお、これら押圧板２４，２６，２８を１つの駆動機構（図示せず）に対して順次交換しつつ装着して使用する事で、３つの駆動機構を備えていなくとも、上述した各押圧手段２３，２５，２７を実現することができる。
【００４９】
このような接合装置（半導体接合基板の製造装置）２１によれば、光透過性基板（第二基板）１４の中央領域Ｓを押圧してエッジから気泡を押し出し、次に外周領域Ｅだけを押圧してエッジビート部Ｒを押し潰し、最後に中央領域Ｓと外周領域Ｅとを含む光透過性基板（第二基板）１４全体を均一な押圧力で押圧することができる。これにより、気泡の内包による接合不良がなく、かつ平坦性に優れた半導体接合基板１０を得る事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】半導体接合基板の一例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の半導体接合基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体接合基板の製造方法の別な一例を示す断面図である。
【図４】本発明の半導体接合基板の製造方法の別な一例を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体接合基板の製造方法の別な一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  半導体接合基板、１１  半導体基板（第一基板）、１２  デバイス、１３  接合層、１４  光透過性基板（第二基板）、２１  接合装置（半導体接合基板の製造装置）、２３  第一押圧手段、２５  第二押圧手段、２７  第三押圧手段、Ｅ  外周領域、Ｓ  中央領域。
【図１】
2009252904.tif 000003
【図２】
2009252904.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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