(57)【要約】【課題】保管時の錆びの発生を抑制できる、耐食性に優れた磁気転写用マスター担体、及びその製造方法、並びに、前記磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法を提供すること。【解決手段】基材と、該基材上に磁性層とを備えてなり、かつ、該磁性層表面に存在する汚染物がプラズマ処理により除去されてなることを特徴とする磁気転写用マスター担体；基材上に磁性層を形成する工程、及び、該磁性層表面に存在する汚染物をプラズマ処理により除去する工程を含むことを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法；並びに、前記磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法である。【選択図】図５
2009252292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録方式の磁気記録媒体上に配置し、磁場を印加して該磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写用マスター担体であって、
基材と、該基材上に磁性層とを備えてなり、かつ、
該磁性層表面に存在する汚染物がプラズマ処理により除去されてなることを特徴とする磁気転写用マスター担体。
【請求項２】
磁性層が、Ｃｏ及びＰｔを含む磁性層材料からなる請求項１に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項３】
垂直磁気記録方式の磁気記録媒体上に配置し、磁場を印加して該磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写用マスター担体の製造方法であって、
基材上に磁性層を形成する工程、及び、
該磁性層表面に存在する汚染物をプラズマ処理により除去する工程、を含むことを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項４】
磁性層を、Ｃｏ及びＰｔを含む磁性層材料を用いて形成する請求項３に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項５】
垂直磁気記録媒体を、垂直方向に初期磁化させる初期磁化工程と、
前記初期磁化工程後の垂直磁気記録媒体に対して、請求項１から２のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
前記垂直磁気記録媒体と前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化と逆方向の垂直磁界を印加し、前記垂直磁気記録媒体に磁気情報を転写する工程と、を含むことを特徴とする磁気転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写用マスター担体、及びその製造方法、並びに、前記磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報を高密度で記録可能な磁気記録媒体として、垂直磁気記録媒体が知られている。この垂直磁気記録媒体の情報記録領域は、狭トラックで構成されている。そのため、垂直磁気記録媒体では、狭いトラック幅において正確に磁気ヘッドを走査し、高いＳ／Ｎ比で信号を再生するためのトラッキングサーボ技術が重要となる。このトラッキングサーボを行うためには、トラッキング用のサーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号等のサーボ情報を、所定間隔で垂直磁気記録媒体に、いわゆるプリフォーマットとして記録しておく必要がある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体に、サーボ情報をプリフォーマットする方法としては、例えば、サーボ情報に対応した、磁性層を含むパターンが形成されたマスター担体を、該磁気記録媒体に密着させた状態で記録用磁界（転写磁界）を印加し、マスター担体のパターンを磁気記録媒体に磁気転写する方法がある（例えば、特許文献１〜３参照）。
この方法において、該磁気記録媒体にマスター担体を密着させた状態で転写磁界が印加されると、磁束がマスター担体の磁化状態に基づきパターン上の磁性層に吸収され、磁界がパターンの凹凸形状に対応し強められる。このパターン状に強められた磁界によって、磁気記録媒体の所定箇所のみが磁化される。よって、これまでは高飽和磁化を有する磁性材料が積極的にマスター磁性層材料として使用されてきた。
【０００４】
マスター担体に磁性層を形成するための材料として、例えば、従来から、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ等の合金が用いられている。これらの材料は組み合わせにもよるが、ある環境下では保管中に「錆び」が発生してしまい、耐食性に優れた磁性層を形成することは難しい。特に、Ｆｅを主成分とする合金（例えば、ＦｅＣｏ等）からなる磁性層は高飽和磁化を有する観点からは好ましいものの、一方で、高い確率で錆びが発生してしまうという問題があった。マスター担体は作製されてすぐに磁気記録媒体への磁気転写に使用されるとは限らず、様々な条件下で保管・輸送される場合が多いため、この錆びの問題は重大である。マスター担体に錆びが発生すると、磁気転写時のマスター磁性膜として機能しない（磁束を吸収出来ない）だけでなく、発生した腐食物により、転写時（密着時）に媒体とスペーシングを発生させ、転写信号形成を妨げてしまうことがある。
【０００５】
上記問題の発生を抑制するために、例えば、磁性層上にダイヤモンドライクカーボン等の保護層を設けることも行われているが、十分な耐食性向上効果は得られていないのが現状である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２０３３２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４８号公報
【特許文献３】米国特許第７２１８４６５Ｂ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、保管時の錆びの発生を抑制できる、耐食性に優れた磁気転写用マスター担体、及びその製造方法、並びに、前記磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、以下のような知見を得た。即ち、マスター担体の磁性層上にプラズマ処理を施し、磁性層上の汚染物を除去することにより、保管時の錆びの発生を抑制でき、耐食性に優れたマスター担体を得ることができるという知見である。また、本発明者らは更に、磁性層材料としてＣｏ及びＰｔを含む磁性層材料を使用することにより、耐食性をより一層向上できることをも見出した。
【０００９】
本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  垂直磁気記録方式の磁気記録媒体上に配置し、磁場を印加して該磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写用マスター担体であって、
基材と、該基材上に磁性層とを備えてなり、かつ、
該磁性層表面に存在する汚染物がプラズマ処理により除去されてなることを特徴とする磁気転写用マスター担体である。
＜２＞  磁性層が、Ｃｏ及びＰｔを含む磁性層材料からなる前記＜１＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜３＞  垂直磁気記録方式の磁気記録媒体上に配置し、磁場を印加して該磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写用マスター担体の製造方法であって、
基材上に磁性層を形成する工程、及び、
該磁性層表面に存在する汚染物をプラズマ処理により除去する工程、を含むことを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜４＞  磁性層を、Ｃｏ及びＰｔを含む磁性層材料を用いて形成する前記＜３＞に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜５＞  垂直磁気記録媒体を、垂直方向に初期磁化させる初期磁化工程と、
前記初期磁化工程後の垂直磁気記録媒体に対して、前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
前記垂直磁気記録媒体と前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化と逆方向の垂直磁界を印加し、前記垂直磁気記録媒体に磁気情報を転写する工程と、を含むことを特徴とする磁気転写方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、保管時の錆びの発生を抑制できる、耐食性に優れた磁気転写用マスター担体、及びその製造方法、並びに、前記磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態に係る、磁気転写用マスター担体、及び、前記磁気転写用マスター担体の製造方法について説明する。
【００１２】
先ず、図１を用いて垂直磁気記録の磁気転写技術の概要を説明する。図１は、垂直磁気記録の磁気転写方法の工程を示す説明図である。図１において、符号１０は被転写用の磁気ディスクとしてのスレーブディスク（垂直磁気記録媒体に相当）、符号２０は磁気転写用マスター担体としてのマスターディスクを表す。
【００１３】
図１（ａ）に示されるように、スレーブディスク１０のディスク平面に対し、垂直の方向から、直流磁界（Ｈｉ）を印加して、該スレーブディスク１０を初期磁化する（初期磁化工程）。
初期磁化を行った後、図１（ｂ）に示されるように、前記初期磁化後のスレーブディスク１０と、マスターディスク２０とを密着させる（密着工程）。
さらに、両ディスク１０、２０を密着させた後、図１（ｃ）に示されるように、初期磁化の際に印加される磁界（Ｈｉ）とは、逆向きの磁界（Ｈｄ）を印加して、該スレーブディスク１０に磁気転写する（磁気転写工程）。
【００１４】
本実施形態の磁気転写用マスター担体とは、図１において示されるマスターディスク２０に相当するものである。以下、このマスターディスク２０を例に挙げて、本実施形態の磁気転写用マスター担体を説明する。
【００１５】
〔マスターディスク（磁気転写用マスター担体）〕
図２（ａ）は、マスターディスク（磁気転写用マスター担体）２０の部分断面図である。このマスターディスク２０は、基材２０２と、該基材２０２の表面上に形成される磁性層２０４とを備える。該基材２０２は、その表面に、凸部２０６及び凹部２０７を有する。該凸部２０６は、その表面に前記磁性層２０４を有する。なお、本実施形態においては、製造が容易である等の理由により、凹部２０７の表面にも磁性層２０８が形成されている。他の実施形態においては、凹部２０７内に磁性層２０８がなくてもよい。
基材２０２の凸部２０６の表面（頂面）に形成される磁性層２０４は、転写信号に対応するビット部となる。このビット部は、初期磁化を反転させる部分であり、転写部に相当する。なお、凹部２０７は、磁化反転しない非転写部に相当する。
【００１６】
図２（ｂ）は、他の実施形態のマスターディスク２０Ａの部分断面図である。このマスターディスク２０Ａは、基材２１２と、該基材２１２の表面上に、転写信号に対応するビット部となる磁性層２１４とを備える。このマスターディスク２０Ａにおいては、該磁性層２１４が、転写部に相当し、隣り合う磁性層２１４の間の部分（隙間）が、非転写部に相当する。
【００１７】
（基材）
前記基材は、例えば、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂、ニッケル、アルミニウム等の金属、シリコン、カーボン等の公知の材料からなる。
【００１８】
（磁性層）
前記磁性層を形成する材料（磁性層材料）としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔ、ＣｒＮｉ、Ｐｄ等のうち、少なくとも１つを含有する金属、合金、化合物などが挙げられる。中でも、前記磁性層材料としては、Ｃｏ及びＰｔを主成分として含むものであることが好ましく、ＣｏとＰｔとからなる合金（ＣｏＰｔ）であることが特に好ましい。ＣｏＰｔからなる磁性層を備えたマスターディスクは、保管時の錆びの発生を効果的に抑制することができ、耐食性により優れる点で、有利である。
【００１９】
−プラズマ処理−
なお、前記マスターディスクでは、前記磁性層表面に存在する汚染物が、プラズマ処理により除去されてなることを特徴とする。前記磁性層表面に存在する汚染物が、プラズマ処理により除去されていることにより、前記マスターディスクは、保管時の錆びの発生を抑制することができ、耐食性に優れたものとなる。（なお、前記プラズマ処理の方法は後述する〔マスターディスクの製造方法〕の項目に記載する通りである。）
ここで、前記「汚染物」とは、特に制限はなく、例えば、プラズマ処理前の磁性層表面に存在する、Ｃｌ、Ｓなどが挙げられる。
また、前記「磁性層表面に存在する汚染物がプラズマ処理により除去された」とは、磁性層表面に存在するＣｌ、及び、Ｓの合計存在量が、プラズマ処理前に比べ、プラズマ処理後に、単位面積当たりの質量比で、１０％以上減少した状態をいうものとする。なお、前記減少率は、７０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがより好ましい。前記「磁性層表面に存在するＣｌ、及び、Ｓの合計存在量」は、例えば、ＩＣ、ＩＣＰ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ、ＸＰＳなどにより測定することができる。
なお、プラズマ処理後の前記磁性層表面におけるＣｌ、及び、Ｓの合計存在量は、７０ｎｇ未満／枚であることが好ましく、３０ｎｇ未満／枚であることがより好ましい。前記汚染物の存在量が、前記好ましい範囲内であると、より耐食性を向上させることができる点で、有利である。
【００２０】
（保護層、潤滑剤層）
また、前記マスターディスク表面（磁性層上）には、更に機械的、摩擦特性、耐候性を改善するために、保護層が形成されていてもよいが、前記したように、前記マスターディスクは、プラズマ処理により前記磁性層表面の汚染物が除去されてなることから、前記保護層を形成しなくとも、耐食性に優れたものとすることができる点で、有利である。前記保護層の材料としては、硬質な炭素膜が好ましく、例えば、無機カーボン、ダイヤモンドライクカーボン等を用いることができる。
また、前記保護層上には、更に、潤滑剤からなる層（潤滑剤層）が形成されていてもよい。前記潤滑剤としては、一般的に、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等のフッ素系樹脂が用いられる。
【００２１】
ところで、前記保護層には、微小なピンホールが存在することに加え、前記潤滑剤層の被覆率も低いため、複数回の磁気転写工程において、前記ピンホールから水分が侵入し、従来のマスターディスク表面に磁性層酸化物が生成する場合があった。該酸化物が生成することにより、該磁性層の体積が膨張し、膨張した箇所が凸状となり、スレーブディスク表面に物理的欠陥が発生することがあった。
特に、従来のＦｅＣｏからなる磁性層を備えたマスターディスクを接触させると、該磁性層の金属元素、特にＦｅの腐食、酸化が選択的に発生するとう問題があった。
これに対し、Ｆｅよりもイオン化傾向が低い、Ｃｏ、Ｐｔを選択したＣｏＰｔからなる磁性層を備えたマスターディスクでは、上記問題を大幅に改善することができる。
【００２２】
（下地層）
また、前記マスターディスクの磁性層の垂直配向性、磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）、飽和磁化（Ｍｓ）、核生成磁界（Ｈｎ）等を調整するために、該磁性層の下（磁性層と基材との間）に、下地層が形成されていてもよい。
前記下地層の材料としては、例えば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｉのうち、少なくとも１つを含有する金属、合金、化合物などが挙げられる。中でも、前記下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ等の白金属の金属、合金が好ましい。また、前記下地層は、単層でもよく、多層でもよい。
【００２３】
〔マスターディスク（磁気転写用マスター担体）の製造方法〕
図３〜図５は、前記マスターディスクの各製造工程を示す説明図である。図３〜図５に基づいて、本実施形態の磁気転写用マスター担体（マスターディスク）の製造方法を説明する。
【００２４】
図３（ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板（Ｓｉ基板）３０を用意し、この原板３０の上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジスト層３２を形成し（図３（ｂ）参照）、ベーキング処理（プレベーク）を行う。
【００２５】
次いで、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板３０をセットし、原板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト層３２の略全面に所定のパターン３３、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に描画露光（電子線描画）する（図３（ｃ）参照）。
【００２６】
次いで、図３（ｄ）に示されるように、レジスト層３２を現像処理し、露光（描画）部分を除去して、残ったレジスト層３２による所望厚さの被覆層を形成する。この被覆層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。なお、基板３０上に塗布されるレジストはポジ型、ネガ型のどちらでも使用可能であるが、ポジ型とネガ型では、露光（描画）パターンが反転することになる。この現像処理の後には、レジスト層３２と原板３０との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００２７】
次いで、図３（ｅ）に示されるように、レジスト層３２の開口部より原板３０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）が好ましく採用できる。
【００２８】
次いで、図４（ｆ）に示されるように、レジスト層３２を除去する。レジスト層３２の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法が採用できる。以上のアッシング工程により、所望の凹凸状パターンの反転型が形成された原盤３６が作製される。
【００２９】
次いで、図４（ｇ）に示されるように、原盤３６の表面に均一厚さに導電層３８を形成する。この導電層３８の形成方法としては、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。このように、導電膜の層（符号３８）を１層形成すれば、次工程（電鋳工程）の金属の電着が均一に行えるという効果が得られる。導電層３８としては、Ｎｉを主成分とする膜であることが好ましい。このようなＮｉを主成分とする膜は、形成が容易であり、且つ、硬質であるため、導電膜としてふさわしい。この導電層３８の膜厚として、特に制限はないが、数十ｎｍ程度が一般的に採用できる。
【００３０】
次いで、図４（ｈ）に示されるように、原盤３６の表面に、電鋳により所望の厚さの金属（ここでは、Ｎｉ）による金属板４０を積層する（反転板形成工程）。この工程は、電鋳装置の電解液中に原盤３６を浸し、原盤３６を陽極とし、陰極との間に通電することにより行われるが、このときの電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、積層された金属板４０（すなわち、図２で説明した基材２０２に相当するマスター基板となるも）に歪みのない最適条件で実施されることが求められる。
【００３１】
そして、上記のようにして金属板４０の積層された原盤３６が電鋳装置の電解液から取
り出され、剥離槽（図示略）内の純水に浸される。
【００３２】
次いで、剥離槽内において、金属板４０を原盤３６から剥離し（剥離工程）、図４（ｉ）に示すような、原盤３６から反転した凹凸状パターンを有するマスター基板４２を得る。
【００３３】
次いで、図４（ｊ）に示されるように、マスター基板４２の凹凸表面上に磁性層４８を形成する。該磁性層の材料としては、前記したような磁性層材料が使用できるが、中でも、ＣｏＰｔを使用することが好ましい。該磁性層材料としてＣｏＰｔを使用することにより、保管時の錆びの発生を抑制でき、耐食性に優れたマスターディスクを得ることが可能となる。該磁性層４８の厚みは、１０ｎｍ〜３２０ｎｍの範囲が好ましく、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲がより好ましく、３０ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。
該磁性層４８は、上記材料のターゲットを用い、例えば、スパッタリングにより形成される。例えば、該磁性層材料としてＣｏＰｔを用いる場合、該磁性層の組成は、主として、該磁性層形成時のスパッタ圧（力）、Ｐｔ濃度で制御出来る。スパッタ圧（力）は、０．２Ｐａ〜５０Ｐａが好ましく、０．２Ｐａ〜１０Ｐａがより好ましい。Ｐｔ濃度は、５〜５０原子％が好ましく、１０〜２５原子％がより好ましい。また、スパッタリングで磁性層を形成する際に使用するスパッタガスとしては、一般的なアルゴン（Ａｒ）ガスが使用できるが、その他の希ガスを使用してもよい。また、スパッタリングで磁性層を形成する際の投入電力としては、０．６〜１６．０Ｗ／ｃｍ２が好ましく、３．０〜１０．０Ｗ／ｃｍ２がより好ましい。
【００３４】
次いで、図５（ｋ）に示されるように、マスター基板４２上に形成された磁性層４８に対して、プラズマ処理を施す。前記プラズマ処理は、例えば、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等を含む不活性ガス雰囲気中で行うことができるが、簡便性の観点から、前記磁性層を形成する際に使用されたスパッタガスと同様のものを使用することが好ましい。
前記プラズマ処理を行う際の圧力としては、０．０５〜２．０Ｐａが好ましく、０．１〜０．５Ｐａがより好ましい。前記圧力が、０．０５Ｐａ未満であると、放電が安定せず、均一な薄膜が形成出来ないことがあり、２．０Ｐａを超えると、薄膜中に不活性ガス粒子を取り込んで、低密度の磁性膜になってしまうことがある。
前記プラズマ処理を行う際の投入電力としては、１．５〜３２．０Ｗ／ｃｍ２が好ましく、３．０〜１０．０Ｗ／ｃｍ２がより好ましい。前記投入電力が、１．５Ｗ／ｃｍ２未満であると、放電が安定せず、均一な薄膜が形成出来ないことがあり、３２．０Ｗ／ｃｍ２を超えると、スパッタ粒子エネルギーが大き過ぎる事により、均一な薄膜が形成出来ないことがある。
前記プラズマ処理を行う際の処理時間としては、５〜１８０秒が好ましく、１０〜６０秒がより好ましい。前記処理時間が、５秒未満であると、汚染物除去率が低下することがあり、１８０秒を超えると、マスター表面の磁性膜表面に取り込まれる不活性ガスが多くなり、磁性膜の磁気特性が低下してしまうことがある。
前記プラズマ処理を施すことにより、前記磁性層表面に存在する汚染物を除去することができ、これにより、保管時の錆びの発生を抑制でき、耐食性に優れたマスターディスクを得ることが可能となる。（なお、前記汚染物とは前記した〔マスターディスク〕の項目に記載した通りである。）
【００３５】
その後、マスター基板４２の内径及び外径を、所定のサイズに打抜き加工する。以上のプロセスにより、図５（ｌ）に示すように、磁性層４８（図２における磁性層２０４に相当）が設けられた凹凸パターンを有するマスターディスク２０を作製することができる。なお、図４（ｊ）と図５（ｌ）とは同図であるが、プラズマ処理前の図４（ｊ）では、磁性層上に汚染物（不図示）が存在している状態を示すのに対して、プラズマ処理後の図５（ｌ）では、プラズマ処理により磁性層上の汚染物が除去された状態を示す。
【００３６】
図６はマスターディスク２０の上面図である。図６に示されるように、マスターディスク２０の表面には、凹凸パターンからなるサーボパターン５２が形成される。
また、図には示さないが、マスターディスク２０表面の磁性層４８（図５（ｌ）参照）の上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜（保護層）や、更に、保護膜上に潤滑剤層を設けてもよい。
該保護層を形成する目的は、マスターディスク２０とスレーブディスク１０とを密着させた際に磁性層４８が傷つきやすく、マスターディスク２０として使用できなくなってしまうことを防止するためである。また、潤滑剤層は、スレーブディスク１０との接触の際に生じる摩擦による傷の発生などを防止し、耐久性を向上させる効果がある。
具体的には、保護層として、厚さが２〜３０ｎｍのカーボン膜を形成し、更にその上に潤滑剤層を形成した構成などが挙げられる。また、磁性層４８と、保護層との密着性を強化するため、磁性層４８上にＳｉ等の密着強化層を形成し、その後に保護層を形成してもよい。
【００３７】
〔スレーブディスク（垂直磁気記録媒体）の説明〕
図１において示される、前記スレーブディスク１０は、円盤状の基板の表面の片面或いは、両面に磁性層が形成されたものであり、具体的には、高密度ハードディスク等が挙げられる。このスレーブディスク１０を例に挙げ、図７を用いて、垂直磁気記録媒体の説明を行う。
【００３８】
図７は、スレーブディスク１０の断面を示す説明図である。図７に示されるように、スレーブディスク１０は、ガラスなど非磁性の基板１２上に、軟磁性層（軟磁性下地層；ＳＵＬ）１３、非磁性層（中間層）１４、磁性層（垂直磁気記録層）１６が順次積層形成された構造からなり、磁性層１６の上は更に保護層１８と潤滑層１９とで覆われている。なお、ここでは、基板１２の片面に磁性層１６を形成した例を示すが、基板１２の表裏両面に磁性層を形成する態様も可能である。
【００３９】
円盤状の基板１２は、ガラスやＡｌ（アルミニウム）等の非磁性材料から構成されており、この基板１２上に軟磁性層１３を形成した後、非磁性層１４と、磁性層１６を形成する。
【００４０】
軟磁性層１３は、磁性層１６の垂直磁化状態を安定させ、記録再生時の感度を向上させるために有益である。軟磁性層１３に用いられる材料は、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＡｌ合金、パーマロイなどのＦｅＮｉ合金、パーメンジュールなどのＦｅＣｏ合金等の軟磁性材料が好ましい。この軟磁性層１３は、ディスクの中心から外側に向かって半径方向に（放射状に）磁気異方性が付けられている。
【００４１】
軟磁性層１３の厚さは、２０ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ〜４００ｎｍであることが更に好ましい。
【００４２】
非磁性層１４は、後に形成する磁性層１６の垂直方向の磁気異方性を大きくする等の理由により設けられる。非磁性層１４に用いられる材料は、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｔａ、Ｐｔ等が好ましい。非磁性層１４は、例えば、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。非磁性層１４の厚さは、１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜８０ｎｍであることが更に好ましい。
【００４３】
磁性層１６は、垂直磁化膜（磁性膜内の磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向したもの）により形成されており、この磁性層１６に情報が記録される。磁性層１６に用いられる材料は、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｃｏ合金−ＳｉＯ２、Ｃｏ合金−ＴｉＯ２、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）等が好ましい。これらの材料は、磁束密度が大きく、成膜条件や組成を調整することにより垂直の磁気異方性を有している。磁性層１６は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。磁性層１６の厚さは、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
【００４４】
本実施形態では、例えば、スレーブディスク１０の基板１２として、外形６５ｍｍの円盤状のガラス基板を用い、スパッタリング装置のチャンバー内にガラス基板を設置し、１．３３×１０−５Ｐａ（１．０×１０−７Ｔｏｒｒ）まで減圧した後、チャンバー内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入し、チャンバー内にあるＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、同じくチャンバー内の基板の温度を室温として、８０ｎｍ厚のＳＵＬ第１層をスパッタリング成膜する。次にその上に、チャンバー内にあるＲｕターゲットを用いて０．８ｎｍのＲｕ層をスパッタリング成膜する。さらにその上に、ＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、８０ｎｍ厚のＳＵＬ第２層をスパッタリング成膜する。こうしてスパッタ成膜されたＳＵＬを、半径方向に５０Ｏｅ以上の磁場を印加した状態で室温まで昇温し室温に冷却する。
【００４５】
次に、例えば、Ｒｕターゲットを用い、基板温度が室温の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜を行う。これによりＲｕからなる非磁性層１４を６０ｎｍ成膜する。
【００４６】
この後、例えば、上記と同様にＡｒガスを導入し、同じチャンバー内にあるＣｏＣｒＰｔターゲットを用い、同じく基板温度が室温の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜を行う。これによりＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２からなるグラニュラー構造の磁性層１６を２５ｎｍ成膜する。
【００４７】
以上のプロセスにより、ガラス基板に、軟磁性層、非磁性層と磁性層が成膜された転写用磁気ディスク（スレーブディスク）１０を作製することができる。
【００４８】
〔磁気転写方法〕
以下、本発明の一実施形態に係る磁気転写方法について説明する。
【００４９】
（スレーブディスクの初期磁化工程）
図１（ａ）に示されるように、スレーブディスク１０の初期磁化（直流磁化）は、スレーブディスク１０の表面に対し垂直に直流磁界を印加することができる装置（不図示の磁界印加手段）により初期化磁界Ｈｉを発生させることにより行う。具体的には、初期化磁界Ｈｉとしてスレーブディスク１０の保磁力Ｈｃ以上の強度の磁界を発生させることにより行う。この初期磁化工程により、図８に示されるように、スレーブディスク１０の磁性層１６について、ディスク面と垂直な一方向に初期磁化Ｐｉさせる。なお、この初期磁化工程は、スレーブディスク１０を磁界印加手段に対し相対的に回転させることにより行ってもよい。
【００５０】
（磁気転写における密着工程）
次に、マスターディスク２０と、初期磁化工程後のスレーブディスク１０とを図１（ｂ）のように重ね合わせて両者を密着させる工程（密着工程）を行う。図１（ｂ）に示されるように、密着工程では、マスターディスク２０の突起状パターン（凹凸パターン）の形成されている面と、スレーブディスク１０の磁性層１６の形成されている面とを所定の押圧力で密着させる。
【００５１】
スレーブディスク１０には、マスターディスク２０に密着させる前に、グライドヘッド、研磨体等により、表面の微少突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）が必要に応じて施される。
【００５２】
なお、密着工程は、図１（ｂ）に示すように、スレーブディスク１０の片面のみにマスターディスク２０を密着させる場合と、両面に磁性層が形成された転写用磁気ディスクについて、両面からマスターディスクを密着させる場合とがある。後者の場合では、両面を同時転写することができる利点がある。
【００５３】
（磁気転写工程）
次に、図１（ｃ）に基づき磁気転写工程を説明する。上記密着工程によりスレーブディスク１０とマスターディスク２０とを密着させたものについて、不図示の磁界印加手段により初期化磁界Ｈｉの向きと反対方向に記録用磁界Ｈｄを発生させる。記録用磁界Ｈｄを発生させることにより生じた磁束がスレーブディスク１０とマスターディスク２０に進入することにより磁気転写が行われる。
【００５４】
本実施形態では、記録用磁界Ｈｄの大きさは、スレーブディスク１０の磁性層１６を構成する磁性材料のＨｃと略同じ値である。
【００５５】
磁気転写は、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０を密着させたものを不図示の回転手段により回転させつつ、磁界印加手段によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク２０に記録されている突起状のパターンからなる情報をスレーブディスク１０の磁性層１６に磁気転写する。なお、この構成以外にも、磁界印加手段を回転させる機構を設け、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００５６】
磁気転写工程における、スレーブディスク１０とマスターディスク２０の断面の様子を図９に示す。図９に示されるように、凹凸パターンを有するマスターディスク２０をスレーブディスク１０が密着させた状態で、記録用磁界Ｈｄを印加すると、磁束Ｇは、マスターディスク２０の凸領域とスレーブディスク１０が接触している領域では強く、記録用磁界Ｈｄにより、マスターディスク２０の磁性層４８の磁化向きが記録用磁界Ｈｄの方向に揃い、スレーブディスク１０の磁性層１６に磁気情報が転写される。一方、マスターディスク２０の凹領域は、記録用磁界Ｈｄの印加によって生じる磁束Ｇが凸領域に比べて弱く、スレーブディスク１０の磁性層１６の磁化向きが変わることはなく、初期磁化の状態を保ったままである。
【００５７】
図１０は、磁気転写に用いられる磁気転写装置について詳細に示したものである。磁気転写装置は、コア６２にコイル６３が巻きつけられた電磁石からなる磁界印加手段６０を有するものであり、このコイル６３に電流を流すことによりギャップ６４において、密着させたマスターディスク２０とスレーブディスク１０の磁性層１６に対し垂直に磁界を発生する構造になっている。発生する磁界の向きは、コイル６３に流す電流の向きによって変えることができる。従って、この磁気転写装置によって、スレーブディスク１０の初期磁化を行うことも、磁気転写を行うことも可能である。
【００５８】
この磁気転写装置により初期磁化させた後、磁気転写を行う場合には、磁界印加手段６０のコイル６３に、初期磁化したときにコイル６３に流した電流の向きと逆向きの電流を流す。これにより、初期磁化の際の磁化向きとは反対の向きに記録用磁界を発生させることができる。磁気転写は、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０を密着させたものを回転させつつ、磁界印加手段６０によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク２０に記録されている突起状のパターンからなる情報をスレーブディスク１０の磁性層１６に磁気転写するため、不図示の回転手段が設けられている。なお、この構成以外にも、磁界印加手段６０を回転させる機構を設け、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００５９】
本実施形態では、記録用磁界Ｈｄは、本実施の形態に用いられるスレーブディスク１０の磁性層１６の保磁力Ｈｃの４０〜１３０％、好ましくは、５０〜１２０％の強度の磁界を印加することにより磁気転写を行う。
【００６０】
これにより、スレーブディスク１０の磁性層１６には、サーボ信号等の磁気パターンの情報が、初期磁化Ｐｉの反対向きの磁化となる記録磁化Ｐｄとして記録される（図１１参照）。
【００６１】
なお、本発明の実施に際して、マスターディスク２０に形成された突起状のパターンは、図５（ｌ）で説明したポジパターンと反対のネガパターンであってもよい。この場合、初期化磁界Ｈｉの方向及び記録用磁界Ｈｄの方向を各々逆方向にすることにより、スレーブディスク１０の磁性層１６に、同様の磁化パターンを磁気転写することができるからである。また、本実施の形態では、磁界印加手段は、電磁石の場合について説明したが、同様に磁界が発生する永久磁石を用いてもよい。
【００６２】
なお、上述した本発明の実施形態に係る方法により製造された垂直磁気記録媒体は、例えば、ハードディスク装置等の磁気記録再生装置に組み込まれて使用される。これにより、サーボ精度が高く、良好な記録再生特性の高記録密度磁気記録再生装置を得ることができる。
【００６３】
〔効果〕
本発明によれば、耐食性に優れた磁気転写用マスター担体、及びその製造方法、並びに、前記磁気転写用マスター担体を利用した磁気転写方法を提供することができる。
ここで、前記「耐食性」とは、主に「防錆び効果」を示す。本発明の磁気転写用マスター担体に望まれる防錆び効果の程度としては、特に制限はないが、磁性層材料としてＦｅを主成分とする合金（ＦｅＣｏ等）を使用する場合には、錆び発生率が２０〜５０％程度であることが好ましく、また、磁性層材料としてＣｏＰｔを主成分とする合金を使用する場合には、錆び発生率が０〜１％程度であることが好ましい。（なお、プラズマ処理を施さずに得られる従来の磁気転写用マスター担体（磁性層材料としてＦｅを主成分とする合金を使用した場合）の錆び発生率は、５８〜８４％程度である。）ここで、前記「錆び発生率（％）」は、後述する実施例に記載の方法に従い、求めることができる。具体的には、８０℃８０ＲＨ％の高温高湿環境下で、マスター担体１２枚を１週間保管し、保管後のマスター担体表面をハロゲン光観察と光学顕微鏡を併用して確認（異常を確認出来た場合は、ＦＴ−ＩＲ、ＥＤＡＸによる詳細解析を実施）する。上記観察方法により異常が見られたマスター担体数を測定し、下記式により錆び発生率（％）を求めることができる。
[式]
錆び発生率（％）＝（上記観察方法により異常が見られたマスター担体数／環境テスト後のマスター担体全数）×１００
【００６４】
本発明の磁気転写用マスター担体は、優れた防錆び効果（耐食性）を有するため、様々な条件下で保管・輸送した後であっても、磁気記録媒体への磁気転写に好適に使用することができる点で、有利である。
【実施例】
【００６５】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００６６】
〔実施例１〜５、比較例１〜５〕
以下のようにして、実施例１〜５のマスター担体（プラズマ処理有り）、及び、比較例１〜５のマスター担体（プラズマ処理無し）を作製した。また、垂直磁気記録媒体を作製し、得られた各マスター担体から垂直磁気記録媒体への磁気転写を行った。
【００６７】
（マスター担体の作製）
−原盤の作製−
８インチのＳｉ（シリコン）ウェハー（基板）上に、電子線レジストを、スピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、基板上の該レジストを、回転式電子線露光装置を用いて露光し、露光後の該レジストを現像して、凹凸パターンを有するレジストＳｉ基板を作製した。
その後、該レジストをマスクとして用い、該基板に対して、反応性イオンエッチング処理を行い、凹凸パターンの凹部を掘り下げた。該エッチング処理後、該基板上に残存するレジストを可溶溶剤で洗浄し、除去した。除去後、該基板を乾燥したものを、マスター担体を調製するための原盤とした。
なお、本実施例１で用いたパターンは、大別すると、データ部と、サーボ部からなる。該データ部は、凸巾：９０ｎｍ、凹巾：３０ｎｍ（ＴＰ＝１２０ｎｍ）のパターンで構成されている。該サーボ部は、基準信号長：８０ｎｍ、総セクタ数：１２０、プリアンブル（４０ｂｉｔ）／ＳＡＭ（６ｂｉｔ）／Ｓｅｃｔｏｒｃｏｄｅ（８ｂｉｔ）／ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ（３２ｂｉｔ）／Ｂｕｒｓｔパターンで構成されている。該ＳＡＭ部は、“００１０１０”であり、ＳｅｃｔｏｒがＢｉｎａｒｙ、ＣｙｌｉｎｄｅｒはＧｒａｙ変換を用いている。Ｂｕｒｓｔ部は一般的な４バースト（各バーストは１６ｂｉｔ）である。マンチェスター変換を使用した。
【００６８】
−メッキ法によるマスター担体中間体の作製−
上記原盤上に、スパッタ法を用いてＮｉ（ニッケル）導電性膜を２０ｎｍ形成した。該導電性膜を形成した後の原盤を、スルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電解メッキにより、２００μｍの厚みのＮｉ膜を形成した。その後、原盤よりＮｉ膜を引き剥がし、洗浄して、Ｎｉ製のマスター担体中間体を得た。
【００６９】
−磁気転写用磁性層の形成−
上記マスター担体中間体上に、アルゴン圧力０．３Ｐａ条件下で、スパッタリング法により、下記表１に示す各磁性層材料からなる磁性層を、膜厚５０ｎｍとなるように形成した。磁性層形成時のスパッタリング条件は以下の通りである。
［スパッタリング条件］
アルゴン圧力：０．３Ｐａ
基板−ターゲット間距離：２００ｍｍ
投入電力（ＤＣ電源）：１０００Ｗ
装置：芝浦メカトロニクス製スパッタリング装置（ＯｃｔａｖａII）
【００７０】
−プラズマ処理−
更に、上記磁性層に対して、プラズマ処理を施し、磁性層表面の汚染物を除去することにより、実施例１〜５のマスター担体（プラズマ処理有り）を得た。この際のプラズマ処理条件は以下の通りである。なお、上記プラズマ処理後の磁性層表面における汚染物（Ｓ、Ｃｌの合計）の存在量をＩＣ（イオンクロマト）により測定した（表１に、「汚染物量」として示す）。
［プラズマ処理条件］
アルゴン圧力：０．１６Ｐａ
基板−ターゲット間距離：７５ｍｍ
投入電力（ＤＣ電源）：１５００Ｗ
処理時間：３０秒間
装置：芝浦メカトロニクス製スパッタリング装置（ＯｃｔａｖａII）
【００７１】
また、上記プラズマ処理を施さない以外は、上記と同様に、マスター担体中間体上に磁性層を形成させて、比較例１〜５のマスター担体（プラズマ処理無し）を得た。なお、比較例１〜５のマスター担体（プラズマ処理無し）における汚染物（Ｓ、Ｃｌの合計）の存在量をＩＣ（イオンクロマト）により測定した（表１に、「汚染物量」として示す）。
【００７２】
（垂直磁気記録媒体の作製）
２．５インチのガラス基板上に、スパッタリング法を用いて、軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層及び保護層を、この順に形成した。更に、該保護層の上に、ディップ法により潤滑剤層を形成した。
軟磁性層の材料として、ＣｏＺｒＮｂを用いた。該軟磁性層の厚みは、１００ｎｍであった。ガラス基板をＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．６Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ１５００Ｗで成膜した。
第１非磁性配向層としてＴｉ：５ｎｍ、第２非磁性配向層としてＲｕ：６ｎｍを形成した。
第１非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向配置し、Ａｒガスを０．５Ｐａ圧になるように流入し、ＤＣ１０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚さになるように、Ｔｉシード層を成膜した。第１非磁性配向層形成後にＲｕターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．８Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ９００Ｗで放電し、６ｎｍの厚さになるように第２非磁性配向層を成膜した。
磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ：１８ｎｍを形成した。ＣｏＣｒＰｔＯターゲットと対向させて配置し、Ｏ２を０．０６％を含むＡｒガスを１４Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ２９０Ｗで放電し磁気記録層を作製した。
磁気記録層を形成した後に、Ｃ（カーボン）ターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．５Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ１０００Ｗで放電し、１０００Ｗで放電し、Ｃ保護層（４ｎｍ）を形成した。この記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
更に、該媒体にディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布した。
以上のようにして、垂直磁気記録媒体を調製した。
【００７３】
（磁気転写）
上記垂直磁気記録媒体に対して、初期化を行った。初期化の際に印加する磁界の強度（初期磁界強度）は１０ｋＯｅであった。
初期化済み垂直磁気記録媒体に対して、上記マスター担体を対向して配置し、これらを０．７ＭＰａの圧力にて密着させた。互いに密着した状態で、磁界を印加して、磁気転写を行った。磁気転写に用いた磁界強度は４．６ｋＯｅであった。磁界印加終了後、マスター担体を、垂直磁気記録媒体から剥離した。
【００７４】
〔評価〕
作製した実施例１〜５のマスター担体（プラズマ処理有り）、及び、比較例１〜５のマスター担体（プラズマ処理無し）について、以下のようにして耐食性（防錆び効果）を評価した。また、比較例１〜５のマスター担体（プラズマ処理無し）について、ビット長＝１００ｎｍにおける単一波形の転写信号出力（平均値）を算出した。結果を表１に示す。
【００７５】
−マスター担体の耐食性（防錆び効果）の評価−
各マスター担体１２枚を、８０℃、８０ＲＨ％の高温高湿環境下で１週間保管した後、ハロゲン光観察と光学顕微鏡を併用して、各マスター担体の表面異常を確認した。ここで、表面異常とは、光学顕微鏡観察を用いて、目視でマスター表面を観察し、明らかに通常部と異なる異常部を確認したことを指す。表面異常を確認できた場合は更に、ＦＴ−ＩＲ、ＥＤＡＸによる詳細解析を実施した（観察分解能：０．５μｍ以上）。上記表面異常の確認、及び、詳細解析の結果から、下記基準に基づき、各マスター担体の耐食性（防錆び効果）を評価した。なお、ここで、「錆び発生率（％）」とは、下記式により求めた値を示す。
[式]
錆び発生率（％）＝（上記観察方法により異常が見られたマスター担体数／環境テスト後のマスター担体全数）×１００
［耐食性（防錆び効果）基準］
◎：錆び発生率＝１０％未満
○：錆び発生率＝１０〜２０％未満
△：錆び発生率＝２０〜５０％未満
×：錆び発生率＝５０％以上
【００７６】
−転写信号出力の評価−
各マスター担体の凹凸部（幅＝１００ｎｍ）における転写信号出力を確認した。転写媒体としては、２．５インチ  ８０Ｇｂ／ｉｎ２仕様の垂直磁気記録媒体を使用した。スピンスタンド測定により、１００〜２００の転写サーボ信号をオシロスコープへ取り込み、プリアンブル信号出力平均を算出した。下記基準に基づき、各マスター担体の転写信号出力を評価した。
［転写信号出力基準］
◎：６５０ｍＶ以上
○：５５０〜６５０ｍＶ未満
△：４００〜５５０ｍＶ未満
×：４００ｍＶ以下
【００７７】
【表１】
2009252292.tif 000003
【００７８】
表１の結果から、プラズマ処理を施して作製した実施例１〜５のマスター担体はいずれも、耐食性（防錆び効果）に優れることが確認された。これは、プラズマ処理を施すことにより、マスター担体の磁性層表面に存在する汚染物が除去されて、磁性層を構成する磁性層材料と反応する異物をほぼ皆無にしたことによる効果であると考えられる。
【００７９】
Ｆｅを主成分とする合金からなる磁性層は錆び易いが（比較例２〜３）、プラズマ処理を施すことにより、Ｆｅを主成分とする合金からなる磁性層についても耐食性を高めることができることが示された（実施例２〜３）。なお、純Ｆｅからなる磁性層は元々耐食性に優れているものの、転写信号出力が弱く、そのため、マスター担体への利用は困難であることがわかる（比較例１）。
【００８０】
一方、Ｃｏ及びＰｔを主成分とする合金からなる磁性層は、元々Ｆｅを主成分とする合金からなる磁性層と比較して耐食性に優れるが（比較例４〜５）、更にプラズマ処理を施すことで、より一層耐食性を向上させることができることが示された（実施例４〜５）。Ｃｏ及びＰｔを主成分とする合金からなる磁性層は転写信号出力にも優れることから、Ｃｏ及びＰｔを主成分とする合金からなる磁性層を備え、かつ、該磁性層表面にプラズマ処理を施して作製されたマスター担体は、磁気転写用マスター担体として特に好適であると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】図１は、垂直磁気記録転写方法の工程を示す説明図である。
【図２】図２は、一実施形態に係るマスターディスクの部分断面図である。
【図３】図３は、一実施形態に係るマスターディスクの製造方法の説明図である。
【図４】図４は、一実施形態に係るマスターディスクの製造方法の説明図である。
【図５】図５は、一実施形態に係るマスターディスクの製造方法の説明図である。
【図６】図６は、マスターディスクの上面図である。
【図７】図７は、スレーブディスクの断面を示す説明図である。
【図８】図８は、初期磁化工程後の磁性層（記録層）の磁化方向を示した説明図である。
【図９】図９は、磁気転写工程を示す説明図である。
【図１０】図１０は、磁気転写工程に用いる磁気印加装置の概略構成図である。
【図１１】図１１は、磁気転写工程後の磁性層（記録層）の磁化方向を示した説明図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０  スレーブディスク（垂直磁気記録媒体）
２０  マスターディスク（磁気転写用マスター担体）
１２  基板
１３  軟磁性層
１６  磁性層
６０  磁界印加手段
６２  コア
６３  コイル
８０  磁界印加装置
２０２，２１２  基材
２０４，２１４  磁性層
２０６  凸部
２０７  凹部
【図１】
2009252292.tif 000004
【図２】
2009252292.tif 000005
【図３】
2009252292.tif 000006
【図４】
2009252292.tif 000007
【図５】
2009252292.tif 000008
【図６】
2009252292.tif 000009
【図７】
2009252292.tif 000010
【図８】
2009252292.tif 000011
【図９】
2009252292.tif 000012
【図１０】
2009252292.tif 000013
【図１１】
2009252292.tif 000014