(57)【要約】【課題】電極間における異常放電を抑制することによって、プラズマ処理の処理効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】ステージ電極２の各外周面２ｂから距離ｄだけ基板Ｗが突出するように、ステージ電極２を形成し、基板Ｗが位置決めされたステージ電極２を対向電極３側から見たときに、ステージ電極２の電極面２ａが基板Ｗによって覆われるようにする。また、ステージ電極２の外周面２ｂに誘電体膜９を設ける。【選択図】図２
2009252510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に接地されて基板が載置されるステージ電極と、前記基板を挟んで前記ステージ電極と対向し、前記基板の法線方向から見て前記基板の端と交差するように前記基板に対して相対的に移動する対向電極とを備え、
前記対向電極に電圧を印加して前記ステージ電極と前記対向電極との間に生成するプラズマで前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記ステージ電極は、電気的に接地される電極面の全体を露出させ、前記電極面に前記基板が載置される状態で、前記基板の法線方向から見て前記電極面の全体が前記基板によって覆われることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記電極面は、前記基板の法線方向から見て前記基板よりも小さいサイズであり、
前記ステージ電極は、前記電極面から連続する外周面に前記外周面を覆う誘電体膜を有して、前記誘電体膜の全体が前記基板の法線方向から見て前記基板によって覆われることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置であって、
前記基板は、矩形基板であり、
前記電極面は、前記基板の法線方向から見て前記基板よりも小さいサイズからなる矩形面であり、
前記基板の法線方向から見て、前記基板の一つの隅部と前記電極面の一つの隅部とを所定距離だけ離間させて前記電極面が前記基板で覆われるように前記基板を前記電極面に対して位置決めする位置決め部を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に表面処理を施す装置としては、大気圧の下で生成したプラズマに基板を曝すプラズマ処理装置が知られている。平行平板型のプラズマ処理装置においては、基板が載置されて電気的に接地された第１電極面と、高周波電力が印加される第２電極面とが、基板を挟んで相対向するように配置される。そして、基板と第２電極面との間の空間に所望の表面処理に適したガスが供給され、第２電極面に高周波電力が印加されることで前記空間にプラズマが生成される。上記プラズマ処理装置は、基板の表面をこうしたプラズマに曝すことによって所望の表面処理を行う。
【０００３】
この種のプラズマ処理装置において、特許文献１は、基板の縁部における異常放電を防止するとともに、基板の縁部における表面処理の範囲を拡大させる。詳述すると、特許文献１が開示する基板ステージは、基板が載置される第１ステージと、第１ステージの外周に設けられて固体誘導体層が被膜された第２ステージと、樹脂等の絶縁体で形成されて第２ステージの外周に設けられた第３ステージとからなる。そして、基板に対するプラズマ処理を行うときには、第２電極面を、第３ステージ上、第２ステージ上、第１ステージ上の順に走査させるとともに、第２電極面と第２ステージとが相対向するときに、第２電極面への高周波電力の印加を開始する。そして、基板と第２電極面とが相対向する前に、第２ステージにおいて予備的な放電を開始させる。この予備的な放電を開始させることによって、基板の縁部における異常放電を防止させて、基板の縁部における表面処理の範囲を拡大させる。
【特許文献１】特開２００７−２８０７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のプラズマ処理装置では、第２ステージと第２電極との間で予備的な放電を開始させることから、第２ステージに被膜された固体誘電体が、プラズマ空間に曝されて容易に磨耗してしまう。この磨耗によって絶縁性が損なわれた固体誘導体では、第２ステージと第２電極面との間における異常放電を容易に発生させてしまう。この結果、特許文献１のプラズマ処理装置では、定期的な第２ステージの交換作業が必要となり、その交換作業の分だけ、プラズマ処理の処理効率を低下させる問題があった。
【０００５】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電極間における異常放電を抑制することによって、プラズマ処理の処理効率を向上させたプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプラズマ処理装置は、電気的に接地されて基板が載置されるステージ電極と、前記基板を挟んで前記ステージ電極と対向し、前記基板の法線方向から見て前記基板の端と交差するように前記基板に対して相対的に移動する対向電極とを備え、前記対向電極に電圧を印加して前記ステージ電極と前記対向電極との間に生成するプラズマで前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記ステージ電極は、電気的に接地される電極面の全体を露出させ、前記電極面に前記基板が載置される状態で、前記基板の法線方向から見て前記電極面の全体が前記基板によって覆った。
【０００７】
本発明のプラズマ処理装置によれば、接地された電極面と対向電極との間には、常に基板が介在する。したがって、ステージ電極における異常放電が基板の介在で抑制される。その結果、このプラズマ処理装置は、異常放電に起因する電極の損傷を抑止できることから、電極のメンテナンス頻度を大幅に低減でき、ひいてはプラズマ処理の処理効率を向上できる。
【０００８】
このプラズマ処理装置は、前記電極面は、前記基板の法線方向から見て前記基板よりも小さいサイズであり、前記ステージ電極は、前記電極面から連続する外周面に前記外周面を覆う誘電体膜を有して、前記誘電体膜の全体が前記基板の法線方向から見て前記基板によって覆われていることが好ましい。
【０００９】
このプラズマ処理装置によれば、ステージ電極の外周面が誘電材料で覆われることから、ステージ電極の外周面と対向電極との間の異常放電が、基板と誘電材料との介在で、より一層に抑制できる。
【００１０】
このプラズマ処理装置は、前記基板は、矩形基板であり、前記電極面は、前記基板の法線方向から見て前記基板よりも小さいサイズからなる矩形面であり、前記基板の法線方向から見て、前記基板の一つの隅部と前記電極面の一つの隅部とを所定の距離だけ離間させて前記電極面が前記基板で覆われるように前記基板を前記電極面に対して位置決めする位置決め部を備えることが好ましい。
【００１１】
このプラズマ処理装置によれば、基板の一つの隅部と電極面の一つの隅部とが位置決めされるだけで、ステージ電極における異常放電が抑制される。したがって、このプラズマ処理装置は、基板の位置決めに関わる構成を簡素にすることができ、より簡単な構成の下で異常放電を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図５に従って説明する。図１は、プラズマ処理装置１の概略構成を示す模式図である。図２は、対象物としての基板Ｗが載置されたステージ電極２の端部を示す拡大断面図である。
【００１３】
図１に示すプラズマ処理装置は、平行平板型のプラズマ処理装置１であって、大気圧の下で、基板Ｗに対して、エッチング処理、親水処理、撥水処理などの各種プラズマ処理を行う装置である。プラズマ処理装置１は、基板Ｗが載置されるステージ電極２と、該基板Ｗを挟むように配置される対向電極３とを有している。また、プラズマ処理装置１は、対向電極３に整合器４を介して電圧を印加する電源５と、ステージ電極２と対向電極３との間に、所定のプラズマガスを供給するプラズマガス供給装置６とを有している。
【００１４】
基板Ｗは、プラズマ処理装置１によって表面処理が施される処理面Ｗａと処理面Ｗａに連続する外周面Ｗｂとを備えた矩形基板である。プラズマ処理装置１をエッチング処理に適用する場合、基板Ｗの構成材料は、プラズマ中の活性化種と反応して揮発性の生成物を生成する誘電材料であればよい。この種の構成材料としては、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４のシリコン系化合物、ポリオレフィン、ポリイミドのような有機系材料等が挙げられる。また、プラズマ処理装置１を親水処理に適用する場合、基板Ｗの構成材料は、プラズマ中の活性種と反応して親水性の生成物を処理面Ｗａに生成する誘電材料であればよい。また、プラズマ処理装置１を撥液処理に適用する場合、基板Ｗの構成材料は、プラズマ中の活性種と反応して撥液性の生成物を処理面Ｗａに生成する誘電材料であればよい。
【００１５】
ステージ電極２は、例えばステンレス鋼などの金属からなり、矩形の金属表面である電
極面２ａと電極面２ａから連続する外周面２ｂとを備えた直方体形状に形成され、接地ライン７を介して電気的に接地されている。ステージ電極２の電極面２ａは、基板Ｗの処理面Ｗａの外形寸法に基づいて形成されている。詳述すると、図２に示すように、電極面２ａは、電極面２ａに基板Ｗが位置決めされたときに、対向電極３側から見て、基板Ｗの端をステージ電極２の外周面２ｂからそれぞれ距離ｄだけ突出させるように形成されている。すなわち、ステージ電極２の電極面２ａは、処理面Ｗａの法線方向から見て、基板Ｗによって覆われた状態で基板Ｗを支持する。これにより、ステージ電極２と対向電極３とは、常に基板Ｗを介して相対向することから、ステージ電極２の電極面２ａと対向電極３との間でプラズマが生成される場合には、基板Ｗを介する分だけ、異常放電を抑制できる。なお、上記の距離ｄは、基板Ｗのプラズマ処理範囲を基板Ｗの端まで拡大させる上で、０．２ｍｍ〜３ｍｍであることが好ましい。
【００１６】
ステージ電極２には、搬送装置８が接続されている。搬送装置８は、基板Ｗの搬出入が行われる搬出入位置と折返し位置との間でステージ電極２を往復させて、ステージ電極２の電極面２ａに載置された基板Ｗを対向電極３に対して相対移動させる。すなわち、プラズマ処理装置１は、搬出入位置と折返し位置との間でステージ電極２の電極面２ａと対向電極３とを相対向させ、基板Ｗの処理面Ｗａに対して対向電極３を走査させる。ステージ電極２の構成材料は、ステージ電極２が電極としての機能を備えていればよく、ステンレス鋼のほかに、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀などの金属単体、真鍮、アルミニウム合金などの各種合金、金属間化合物、各種炭素材料などの導電性材料が挙げられる。
【００１７】
ステージ電極２の各外周面２ｂには、誘電体膜９が形成されている。この誘電体膜９は、誘電体としての機能を備えていればよく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタートのような樹脂材料、石英ガラスのような各種ガラス、及び、無機酸化物などが挙げられる。無機酸化物としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）等の複合酸化物などが挙げられる。ステージ電極２の外周面２ｂは、この誘電体膜９で覆われることにより、ステージ電極２の外周面２ｂと対向電極３との間でプラズマが生成される場合には、誘電体膜９を介する分だけ、異常放電を抑制できる。
【００１８】
また、誘電体膜９の厚さは、前記距離ｄよりも薄い肉厚ｔ１で形成され、処理面Ｗａの法線方向から見て、誘電体膜９が基板Ｗの外周面Ｗｂよりも内側に位置するように形成されている。これにより、基板Ｗが載置されたステージ電極２を対向電極３側から見たとき、ステージ電極２の電極面２ａと誘電体膜９とは、基板Ｗによって覆われた状態となる。したがって、ステージ電極２と対向電極３との間には、基板Ｗと誘電体膜９とが介在することから、ステージ電極２の外周面２ｂと対向電極３との間でプラズマが生成される場合には、より一層に異常放電を抑制できる。なお、この誘電体膜９の肉厚ｔ１は、絶縁破壊耐性を確保し、また基板Ｗの加工範囲を基板Ｗの端へ拡大させる上で、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍであることが望ましい。これより薄くなると、誘電体膜９が絶縁破壊を起こす虞がある。また、これより厚くなると、ステージ電極２の外周面２ｂと基板Ｗの外周面Ｗｂとの距離ｄが大きくなり、基板Ｗの端におけるプラズマ処理が困難となる。
【００１９】
対向電極３は、紙面垂直方向に延びる四角柱状に形成されて、紙面垂直方向における幅がステージ電極２と同じ長さで形成されている。対向電極３の構成材料としては、対向電極３が電極としての機能を備えていればよく、ステージ電極２の構成材料と同様の材料が挙げられる。
【００２０】
対向電極３のステージ電極２側には、ステージ電極２の電極面２ａと平行な底面を有する誘電体層３ａが設けられている。この誘電体層３ａの構成材料としては、誘電体としての機能を備えていればよく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフ
タートのような樹脂材料、石英ガラスのような各種ガラス、及び、無機酸化物などが挙げられる。無機酸化物としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）等の複合酸化物などが挙げられる。この誘電体層３ａを設けることによって、対向電極３に電圧を印加したときに、対向電極３とステージ電極２との間に良好なプラズマＰを生成できる。誘電体層３ａの厚さは、絶縁破壊耐性を確保し、また高周波電力の損失を抑える上で、０．０１ｍｍ〜４ｍｍが好ましく、１ｍｍ〜２ｍｍがより好ましい。
【００２１】
対向電極３には、整合器４を介して電源５が接続されている。電源５は、本実施形態では高周波の電源であり、整合器４へ所定の高周波電力を出力し、整合器４のインピーダンス整合によって、その出力値を対向電極３へ効率的に供給する。対向電極３は、電源５からの高周波電力を受けるとき、対向電極３とステージ電極２との間に高周波電場Ｅを形成する。なお、電源５の周波数は特に限定されないが、高周波である場合には、１０〜７０ＭＨｚであることが好ましく、１０〜４０ＭＨｚであることがより好ましい。
【００２２】
プラズマガス供給装置６は、ステージ電極２と対向電極３との間に所定流量のプラズマガスＧを供給する装置である。プラズマガス供給装置６は、ガスボンベ６ａに貯留されたプラズマガスＧをレギュレータ６ｂにて所定流量に調整し、ノズル６ｃを介して、ステージ電極２と対向電極３との間にプラズマガスＧを供給する。プラズマガスＧは、ステージ電極２と対向電極３とが相対向し、かつ対向電極３に高周波電力が印加されるとき、高周波電場Ｅの作用よって電離し、プラズマＰを生成する。プラズマガスとしては、例えば、Ｈｅ（ヘリウム）ガス、Ａｒ（アルゴン）ガスのようなキャリアガスと、処理ガスとの混合ガスなどが挙げられる。プラズマ処理装置１は、この処理ガスの種類を変更することで、基板Ｗの処理面Ｗａに所望の表面処理を行う。
【００２３】
処理ガスとしては、例えば、シリコン系化合物からなる基板Ｗにエッチング加工を施す場合には、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６のようなフッ素系ガス、ＣＣｌ４、Ｃｌ２、ＢＣｌ３のような塩素系ガスなどが挙げられる。有機系材料からなる基板Ｗにエッチング加工を施す場合には、Ｏ２のような酸素系ガスなどが挙げられる。また、基板Ｗの処理面Ｗａを親水化する親水処理を施す場合には、処理ガスとして、Ｏ３、Ｈ２Ｏ等などが用いられる。基板Ｗの処理面Ｗａを撥水化する撥水処理を施すときには、処理ガスとして、前述したフッ素系ガスが用いられる。
【００２４】
次に、基板Ｗを位置決めするための位置決め部１０について説明する。図３は、基板Ｗを位置決めする位置決め部１０の斜視図である。図４は、位置決め部１０を対向電極３側から見たときの平面図である。図５（ａ）は、位置決め部１０の作用位置を実線で示す断面図、図５（ｂ）は、位置決め部１０の待機位置を実線で示す断面図である。
【００２５】
図３及び図４に示すように、ステージ電極２の１つの隅部付近には、基板Ｗをステージ電極２に対して位置決めするための位置決め部１０が設けられている。位置決め部１０は、昇降装置１１に連結されて、昇降装置１１の駆動力を受けるとき、ステージ電極２の電極面２ａよりも上方に突出する位置（作用位置：図５（ａ）参照）と、電極面２ａの下方で待機する位置（待機位置：図５（ｂ）参照）との間を基板Ｗの法線方向に沿って昇降する。なお、この位置決め部１０の構成材料は、特に限定されないが、対向電極３と位置決め部１０との間の異常放電が防止できるように誘電材料で構成されることが好ましい。
【００２６】
位置決め部１０には、ステージ電極２の一つの隅部に沿うように、基板Ｗの法線方向に延びる断面Ｌ字状の当接部１０ａが設けられている。当接部１０ａは、基板Ｗの法線方向から見て、基板Ｗの隅部を構成する２つの面と当接可能に形成され、位置決め部１０が作用位置にある状態で基板Ｗの隅部と当接することにより、基板Ｗを位置決めする。この当
接部１０ａは、ステージ電極２の隅部を構成する２つの外周面２ｂからそれぞれ距離ｄだけ離間した位置に配置され、位置決め部１０が作用位置にある状態で、基板Ｗの外周面Ｗｂをステージ電極２の外周面２ｂから距離ｄだけ離間させる。これによって、基板Ｗは、作用位置に位置している位置決め部１０の当接部１０ａに、該基板Ｗの隅部の１つを当接させるだけで、ステージ電極２の外周面２ｂから距離ｄだけ離間した位置に位置決めされる。したがって、プラズマ処理装置１は、基板Ｗの法線方向から見て、電極面２ａを基板Ｗで確実に覆うことができ、かつ、基板Ｗを位置決めするための構成を簡素にすることができる。なお、この位置決め部１０は、基板Ｗを位置決めするときにのみ、作用位置に配置され、それ以外のときには、待機位置に配置される。
【００２７】
次に、上記のように構成したプラズマ処理装置１の処理動作について説明する。
まず、プラズマ処理装置１においては、ステージ電極２を初期位置（搬出入位置）に配置させて、ステージ電極２と対向電極３とが相対向しない状態で待機している。この状態から、処理動作を開始するための信号が図示しない操作パネルからが入力されると、プラズマ処理装置１は、昇降装置１１を駆動して位置決め部１０を待機位置から作用位置まで上動させる。位置決め部１０が作用位置に配置されると、図示しない搬送ロボットや作業者等による搬送によって、基板Ｗの隅部の１つが位置決め部１０の当接部１０ａと当接するように、基板Ｗがステージ電極２に載置される。これによって、基板Ｗは、その各外周面Ｗｂがステージ電極２の各外周面２ｂよりも距離ｄだけ突出した状態で位置決めされる。すなわち、ステージ電極２の電極面２ａと誘電体膜９とは、対向電極３側から見たときに、位置決めされた基板Ｗによって覆われた状態となる。
【００２８】
基板Ｗが位置決めされると、プラズマ処理装置１は、昇降装置１１を駆動して位置決め部１０を待機位置まで下動させる。そして、プラズマ処理装置１は、搬送装置８を駆動して、所定の速度でステージ電極２を移動させ基板Ｗを折返し位置に向けて搬送する。
【００２９】
プラズマ処理装置１は、ステージ電極２が対向電極３の直下にまで移動すると、プラズマガス供給装置６を駆動して、ステージ電極２と対向電極３との間に所定量のプラズマガスＧを供給する。また、プラズマ処理装置１は、整合器４と電源５とを駆動して、対向電極３に高周波電力を印加し、ステージ電極２と対向電極３との間にプラズマガスＧを用いたプラズマを生成する。そして、プラズマ処理装置１は、ステージ電極２と対向電極３との間に生成したプラズマＰに基板Ｗの処理面Ｗａを曝して、処理面Ｗａに所望の表面処理を施す。
【００３０】
この際、ステージ電極２と対向電極３との間には、常に基板Ｗが存在することから、ステージ電極２の電極面２ａと対向電極３との間における異常放電が抑制される。また、ステージ電極２の各外周面２ｂには、誘電体膜９が形成されていることから、ステージ電極２の外周面２ｂと対向電極３との間の異常放電を抑制できる。
【００３１】
プラズマ処理装置１は、ステージ電極２が対向電極３の直下から離脱すると、電源５とプラズマガス供給装置６とを停止する。そして、プラズマ処理装置１は、ステージ電極２を折返し位置まで移動させた後、ステージ電極２を搬出入位置に復帰させる。
【００３２】
上記実施形態によれば、下記のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態では、処理面Ｗａの法線方向から見て、ステージ電極２の電極面２ａの全体が基板Ｗに覆われるようにステージ電極２を形成した。したがって、電極面２ａと対向電極３との間には、常に基板Ｗが介在することから、電極面２ａと対向電極３との間の異常放電が、基板Ｗの介在によって抑制される。その結果、異常放電に起因するステージ電極２や対向電極３などの損傷を抑止できることから、プラズマ処理装置１のメンテナンス頻度を低減し、プラズマ処理の処理効率を向上できる。
【００３３】
（２）上記実施形態では、ステージ電極２の各外周面２ｂに誘電体膜９を設けた。したがって、ステージ電極２の各外周面２ｂが誘電材料で覆われることから、ステージ電極２の外周面２ｂと対向電極３との間の異常放電が抑制される。その結果、ステージ電極２と対向電極３との間の異常放電を、より一層抑制できる。
【００３４】
（３）上記実施形態では、基板Ｗの処理面Ｗａとステージ電極２の電極面２ａとを矩形面とした。また、基板Ｗを電極面２ａに載置したときに、基板Ｗの各外周面Ｗｂに対してステージ電極２の外周面２ｂがそれぞれ距離ｄだけ離間した状態で、基板Ｗに覆われるようにした。そして、基板Ｗの一つの隅部を利用して、基板Ｗを電極面２ａに位置決めする位置決め部１０を設けた。
【００３５】
したがって、位置決め部１０は、電極面２ａの一つの隅部と基板Ｗの一つの隅部とを相対的に位置決めするだけで、基板Ｗを電極面２ａに対して位置決めできる。その結果、基板Ｗの位置決めに関わる構成を簡素にすることができ、より簡単な構成の下でステージ電極２と対向電極３との間の異常放電を抑制できる。
【００３６】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、誘電体膜９の肉厚を、ステージ電極２の外周面２ｂと基板Ｗの外周面Ｗｂとの距離ｄよりも薄い肉厚ｔ１に具体化した。これに限らず、図６（ａ）のように、ステージ電極２における異常放電を抑止する上では、前記距離ｄよりも大きい肉厚ｔ２で誘電体膜９を形成するようにしても良い。これによれば、誘電体膜の肉厚が厚くなる分だけ、異常放電を一層抑制できる。
【００３７】
・上記実施形態のプラズマ処理装置１は、処理面Ｗａの法線方向から見て、ステージ電極２の外周面２ｂを、基板Ｗの外周面Ｗｂよりも距離ｄだけ内側に配置するようにした。これに限らず、図６（ｂ）のように、基板Ｗのプラズマ処理範囲を処理面Ｗａの端まで拡大させる上では、ステージ電極２の外周面２ｂと基板Ｗの外周面Ｗｂとが面一になるように構成してもよい。
【００３８】
・上記実施形態のプラズマ処理装置１は、処理面Ｗａの法線方向から見て、ステージ電極２の各外周面２ｂを、基板Ｗの各外周面Ｗｂに対して、共通する距離ｄだけ内側に配置するようにした。これに限らず、処理面Ｗａに対して所望のプラズマ処理領域を形成する上では、基板Ｗの外周面Ｗｂとステージ電極２の外周面２ｂとの距離が、所望するプラズマ処理領域に応じて、外周面Ｗｂごとに異なる構成であってもよい。
【００３９】
・上記実施形態では、基板Ｗを位置決めする位置決め部１０を設けたが、プラズマ処理装置１の構成を簡素化する上においては、位置決め部１０を割愛してもよい。
・上記実施形態では、ステージ電極２の外周面２ｂに誘電体膜９を設けたが、ステージ電極２の構成を簡略化する上においては、誘電体膜９を割愛してもよい。
【００４０】
・上記実施形態では、対象物を矩形基板に具体化したが、これに限らず、電極面２ａを処理面Ｗａに応じた形状で形成する場合には、対象物が円板形などの矩形基板以外であってもよい。
【００４１】
・上記実施形態では、ステージ電極２を移動させることにより、ステージ電極２と対向電極３とを相対移動させる。これに限らず、対向電極３を移動させることにより、ステージ電極２と対向電極３とを相対移動させる、あるいは対向電極３及びステージ電極２をそれぞれ移動させることにより、ステージ電極２と対向電極３とを相対移動させる構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】プラズマ処理装置の概略構成を示す模式図。
【図２】基板が位置決めされたステージを示す部分断面図。
【図３】位置決め部を示す斜視図。
【図４】位置決め部を示す平面図。
【図５】（ａ）位置決め部の待機位置を示す断面図、（ｂ）位置決め部の作用位置を示す断面図。
【図６】（ａ），（ｂ）別例のステージを示す断面図。
【符号の説明】
【００４３】
Ｐ…プラズマ、Ｗ…基板、ｔ１，ｔ２…肉厚、Ｗａ…処理面、Ｗｂ…外周面、１…プラズマ処理装置、２…ステージ電極、２ａ…電極面、２ｂ…外周面、３…対向電極、９…誘電体膜、１０…位置決め部。
【図１】
2009252510.tif 000003
【図２】
2009252510.tif 000004
【図３】
2009252510.tif 000005
【図４】
2009252510.tif 000006
【図５】
2009252510.tif 000007
【図６】
2009252510.tif 000008