(57)【要約】【課題】  十分な剥離防止効果を得ることにより洗浄回数を減少させ、歩留まりを向上させることのできる真空成膜装置を用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供することである。【解決手段】  本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置を用いて、基体１上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される部品１０８、１１２の表面には、成膜材料の熱膨張率と部品を構成する材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層１５０を備えることを特徴としている。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空成膜装置を用いて、基体上に少なくとも磁気記録層および媒体保護層を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される該真空成膜装置の部品の表面には、成膜材料の熱膨張率と該部品を構成する材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層を備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記真空成膜装置の部品を構成する材料は、アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記コーティング層は、
マンガン、銀、銅、金、ニッケル、白金、チタンおよびルテニウムから選択される元素の単体、もしくは前記元素を含む合金で構成されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記１または複数のコーティング層は、各層個別に、溶射、めっき、圧着、の群から選択される１の工法によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記コーティング層の表面に、ブラスト処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記真空成膜装置は、スパッタリング装置、ＣＶＤ装置、エッチング装置、イオン注入装置、の群のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記真空成膜装置がスパッタリング装置である場合、
前記真空成膜装置の部品は、少なくとも、
ターゲットから放出される前記成膜材料を前記基体にフォーカスし該基体以外への飛散を防止するシールドおよび／または前記基体を保持するキャリアを含むことを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７に記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０ＧＢｉｔを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基板面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて磁性粒が微細化するほど反磁界（Ｈｄ）が大きくなって保磁力Ｈｃが向上し、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
上述した面内磁気記録方式や垂直磁気記録方式の磁気ディスクは、スパッタリング装置やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等の真空成膜装置を用いて、所定の性質を有する複数の層を基体上に順次成膜して製作される。
【０００５】
ところで、上述したスパッタリング装置やＣＶＤ装置等の真空成膜装置においては、基体に成膜をする際に、装置内に配置され成膜雰囲気に曝される各種部品にも成膜材料が付着してしまう。付着した成膜材料は堆積し、やがて各種部品から剥離することとなる。剥離した成膜材料が、成膜中に基体に付着すると不具合を生じ、歩留まりが低下するおそれがある。
【０００６】
そこで、真空成膜装置内で成膜雰囲気に曝される各種部品をブラスト処理することによって表面を粗くし、アンカー効果を得ることによって、堆積した成膜材料と各種部品の表面の密着性を向上させ、剥離を低下させる方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−１４００５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載された部品の表面にブラスト処理を施す方法は、ある程度の剥離防止効果は得られるものの、完全とはいえない。そこで、剥離が発生しそうになった場合、真空成膜装置の真空を解除し、各種部品に付着した堆積物を洗浄し、再度ブラスト処理を行うという方法を採用していた。
【０００８】
しかし、ブラスト処理を複数行うと、部品の形状を維持できなくなり、部品を再加工するか新調する必要があった。また装置の停止に長時間を要するため、生産性の低下を招いていた。
【０００９】
本発明は、従来の剥離防止方法が有する問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、真空成膜装置の各種部品の表面に堆積物と密着性のよい層を新たに設けることで堆積した皮膜の剥離を防止し、洗浄回数を減少させて生産性を向上させることのできる磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の発明者らが鋭意検討したところ、堆積物の剥離は、成膜材料で形成される堆積物と真空成膜装置の各種部品の材質の熱膨張率の差が大きいことに起因することを見出し、さらに研究を重ねることにより、本発明を完成するに到った。
【００１１】
すなわち、上記課題を解決するために、本発明の磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、真空成膜装置を用いて、基体上に少なくとも磁気記録層および媒体保護層を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される当該真空成膜装置の部品の表面には、成膜材料の熱膨張率と当該部品を構成する材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層を備えることを特徴とする。
【００１２】
上記構成により、成膜材料は、コーティング層を介して、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される各種部品の表面に付着することとなる。コーティング層は、成膜材料の熱膨張率と真空成膜装置の各種部品を構成する材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する金属または合金であるため、成膜材料との密着性は、部品表面に直接付着するときと比較して向上する。また、上記理由からコーティング層と真空成膜装置の部品も、確実に密着することとなる。換言すれば、成膜材料は、コーティング層を介して真空成膜装置の部品と密着することとなり、堆積した成膜材料が剥離するのを起こしにくくすることができる。
【００１３】
また、真空成膜装置の部品を構成する材料は、アルミニウムであってもよい。アルミニウムは、他の金属と比較して、比重が軽く、展性に富むため、容易に加工することができる。さらに、表面に酸化皮膜を形成するため、耐食性に優れた部品を作成することが可能となる。
【００１４】
また、コーティング層は、マンガン、銀、銅、金、ニッケル、白金、チタンおよびルテニウムから選択される元素の単体、もしくは当該元素を含む合金で構成されるとよい。
【００１５】
マンガン、銀、銅、金、ニッケル、白金、チタンおよびルテニウムの熱膨張率は、磁気記録媒体の成膜材料の熱膨張率と、真空成膜装置の部品の材料であるアルミニウムの熱膨張率と、の中間にあたるため、両者に対して密着性がよい。
【００１６】
また本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の代表的な構成は、真空成膜装置を用いて、基体上に少なくとも磁気記録層および媒体保護層を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される当該真空成膜装置の部品の表面には、当該部品を構成する材料のヤング率よりも小さなヤング率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層が設けられたことを特徴とする。
【００１７】
すなわち、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される部品の表面に、当該部品よりやわらかい金属または合金からなる皮膜を形成する。これにより、当該部品および堆積した皮膜材料が熱膨張や応力などによって変形したとしても、コーディング層が転位を生じて変形に基づく応力を緩和し、その剥落を防止することができる。
【００１８】
また、１または複数のコーティング層は、各層個別に、溶射、めっき、圧着、の群から選択される１の工法によって形成されてもよい。
【００１９】
これにより、真空成膜装置の部品の表面にコーティング層を均一かつ確実に設置させることができる。特に、溶射によって形成される場合、表面に凹凸が形成されるため、コーティング層の表面と付着する成膜材料との間でアンカー効果が得られ、成膜材料のコーティング層からの剥離を低減させることが可能となる。
【００２０】
また、コーティング層の表面に、ブラスト処理を施してもよい。これにより、コーティング層の表面に凹凸が形成されるため、コーティング層の表面と付着する成膜材料との間でアンカー効果が得られ、成膜材料のコーティング層からの剥離を低減させることが可能となる。
【００２１】
また、真空成膜装置は、スパッタリング装置、ＣＶＤ装置、エッチング装置、イオン注入装置、の群のいずれかであるとよい。スパッタリング装置、ＣＶＤ装置、エッチング装置及びイオン注入装置は、特に成膜材料の膜剥がれが、顕著であるため、本発明を好適に用いることができる。
【００２２】
また、真空成膜装置がスパッタリング装置である場合、真空成膜装置の部品は、少なくとも、ターゲットから放出される成膜材料を基体にフォーカスし基体以外への飛散を防止するシールドおよび／または基体を保持するキャリアを含んでもよい。
【００２３】
スパッタリング装置において、シールドをキャリアは、成膜する目的物である基体付近に設置されるため、本発明の効果を充分発揮することができる。
【００２４】
また本発明に係る磁気記録媒体の代表的な構成は、上記磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００２５】
上述した磁気記録媒体の製造方法の技術的思想に基づく構成要素やその説明は、当該磁気記録媒体にも適用可能である。
【発明の効果】
【００２６】
以上、説明したように、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、十分な剥離防止効果を得ることにより洗浄回数を減少させ、歩留まりを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
(実施例)
本発明にかかる磁気記録媒体としての垂直磁気記録媒体の実施例について説明する。図１は本実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図、図２は本実施例に係る垂直磁気記録媒体の製造方法で用いられる真空成膜装置であるスパッタリング装置の構成を説明する図、図３は成膜材料、真空成膜装置の部品を構成する材料およびコーティング層を構成する材料の熱膨張率を表す図、図４はコーティング層の構成を説明する図である。なお、以下の実施例に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。
【００２８】
図１に示す垂直磁気記録媒体は、ディスク基体１、付着層１２、第１軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第２軟磁性層１４ｃ、配向制御層１６、第１下地層１８ａ、第２下地層１８ｂ、微細化促進層２０、磁気記録層２２、連続層２４、媒体保護層２６、潤滑層２８で構成されている。なお第１軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第２軟磁性層１４ｃは、あわせて軟磁性層１４を構成する。第１下地層１８ａと第２下地層１８ｂはあわせて下地層１８を構成する。
【００２９】
まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１を得た。
【００３０】
得られたディスク基体１上に、真空成膜装置としてのスパッタリング装置であるＤＣマグネトロンスパッタリング装置１００を用いて、Ａｒ雰囲気中で付着層１２から連続層２４まで順次成膜を行い、媒体保護層２６は真空成膜装置としてのＣＶＤ装置により成膜した。この後、潤滑層２８をディップコート法により形成した。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置１００の構成と、各層の構成および製造方法について説明する。
【００３１】
図２に示すＤＣマグネトロンスパッタリング装置１００は、真空室を形成するチャンバ１０２と、チャンバ１０２に設けられ外部からガス（Ａｒ）を導入する導入口１０４と、チャンバ１０２から真空排気を行うための排気口１０６と、基体１を保持するキャリア１０８と、基体１を成膜する成膜材料であるターゲット１１０と、ターゲット１１０から放出される成膜材料を基体１にフォーカスし基体１以外への飛散を防止するシールド１１２と、成膜速度を上げ、低温成膜を行うためのマグネット１１４と、を含んで構成される。
【００３２】
本実施例において、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置１００の成膜雰囲気に曝される部品であるキャリア１０８と、シールド１１２は、アルミニウムで構成される。アルミニウムは、他の金属と比較して、比重が軽く、展性に富むため、容易に加工することができる。さらに、表面に酸化皮膜を形成するため、耐食性に優れた部品を作成することが可能となる。
【００３３】
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置１００を用いた付着層１２から連続層２４までの成膜では、まず、チャンバ１０２内で、ターゲット１１０とシールド１１２の間にプラズマを発生させる。そして、プラズマにより発生したＡｒイオンを電界で加速し、成膜材料からなるターゲット１１０に照射する。Ａｒイオンはターゲット１１０表面の原子または分子を表面から弾きだす。弾き出された成膜材料の原子および／または分子は、基体１に堆積し、薄膜（層）を形成する。各層におけるターゲット１１０は、以下に詳述する。
【００３４】
この際に、ターゲット１１０から弾き出された成膜材料は、基体１だけでなく、基体１近傍に設置されるキャリア１０８、シールド１１２に付着する。本実施例において、ターゲット１１０およびシールド１１２の表面には、コーティング層１５０を溶射によって設けている。さらに、コーティング層１５０の表面にはブラスト処理を施している。本実施例において、コーティング層１５０はマンガンおよび銅の２層構造で構成されている。
【００３５】
図３に示すように、キャリア１０８およびシールド１１２は、熱膨張率２３．１Ｅ−６／℃のアルミニウムで構成されている。一方、主なターゲット１１０の材料である、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗの熱膨張率は１３．３Ｅ−６／℃〜４．５Ｅ−６／℃である。ターゲット１１０の材料の中で最も熱膨張率の大きいニッケルＮｉであっても、アルミニウムとの差は、約１０Ｅ−６／℃と大きい。一方、マグネトロンスパッタリング装置１００において成膜時には、ターゲットから弾き出された成膜材料と周辺の部品とは瞬間的に高温になっている。したがって、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される部品の表面に、直接ターゲット１１０の成膜材料が付着し堆積した場合、部品からの堆積物の剥離が起きやすくなる。
【００３６】
図４に示すように、本実施例では、チャンバ１０２、キャリア１０８とシールド１１２の表面に、マンガンの層１５０ａを、マンガンの層１５０ａの表面にニッケルＮｉの層１５０ｂを設け、コーティング層１５０としている。
【００３７】
マンガンの熱膨張率は２３．０Ｅ−６／℃であり、キャリア１０８およびシールド１１２等部品を構成するアルミニウムの熱膨張率２３．１Ｅ−６／℃と殆ど差がない。したがって、マンガンの層１５０ａは、キャリア１０８およびシールド１１２等部品との間に生じる熱ひずみが小さい。
【００３８】
マンガンの層１５０ａの上に、熱膨張率１３．３Ｅ−６／℃のニッケルの層１５０ｂを設けることによって、アルミニウムに直接ニッケルの層を設けるよりも、ニッケルの層１５０ｂとマンガンの層１５０ａとの熱ひずみは小さい。
【００３９】
ニッケルの熱膨張率は、ターゲット１１０の成膜材料の熱膨張率と差が少ないことから、ニッケルの層１５０ｂは、ターゲット１１０を構成する成膜材料との熱ひずみが小さく、剥離を生じにくい。これらのことから、真空成膜装置で成膜を行う場合、度重なる成膜により成膜材料が堆積しても、コーティング層を介して真空成膜装置の部品から剥離するのを防止することができる。
【００４０】
本実施例において、コーティング層はマンガンおよびニッケルで構成されているが、これに限定されず、真空成膜装置の部品と成膜材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有すれば足り、１層でもよく、銀、銅、金、白金、チタンおよびルテニウムの単体、およびマンガン、銀、銅、金、ニッケル、白金、チタン、ルテニウムのうち複数を含む合金で構成されてもよい。
【００４１】
また、本実施例において、コーティング層１５０は、溶射によって成膜されているが、これに限定されず、めっきや、圧着を用いてもよい。
【００４２】
さらに、ニッケルの層１５０ｂの表面にブラスト処理を施しているため、ニッケルの層１５０ｂの表面に凹凸が形成される。このため、ニッケルの層１５０ｂの表面と付着する成膜材料との間でアンカー効果が得られ、成膜材料のニッケルの層１５０ｂからの剥離を低減させることが可能となる。
【００４３】
また本実施形態ではコーディング層は真空成膜装置の部品と成膜材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有するものとしているが、真空成膜装置の部品を構成する材料のヤング率よりも小さなヤング率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層としてもよい。この場合、コーディング層が転位を生じて変形（熱ひずみ）に基づく応力を緩和し、その剥落を防止することができる。
【００４４】
なお、本実施形態において、コーティング層１５０を備える真空成膜装置としてスパッタリング装置を挙げているが、ＣＶＤ装置、エッチング装置、イオン注入装置にも好適に用いることができる。
【００４５】
以下に、各層の構成および製造方法について詳述する。
【００４６】
付着層１２は１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層１２を形成することにより、ディスク基体１と軟磁性層１４との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層１４の剥離を防止することができる。付着層１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。
【００４７】
軟磁性層１４は、第１軟磁性層１４ａと第２軟磁性層１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成した。これにより軟磁性層１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１４から生じるノイズを低減することができる。具体的には、第１軟磁性層１４ａ、第２軟磁性層１４ｃの組成はＣｏＦｅＴａＺｒとし、スペーサ層１４ｂの組成はＲｕ（ルテニウム）とした。
【００４８】
配向制御層１６は、軟磁性層１４を防護する作用と、下地層１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００４９】
下地層１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層２２のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。したがって、下地層１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層２２の配向性を向上させることができる。下地層の材質としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。
【００５０】
本実施例において下地層１８は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第２下地層１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
【００５１】
微細化促進層２０は非磁性のグラニュラー層である。下地層１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。微細化促進層２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。
【００５２】
磁気記録層２２は、非磁性物質の例としての酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２のｈｃｐ結晶構造を形成した。磁気記録層２２においても磁性粒はグラニュラー構造を形成した。
【００５３】
ここで、磁気記録層２２の雰囲気ガス圧は、０．６Ｐａ〜３Ｐａの低圧とした。このように低圧の雰囲気ガスによって成膜することにより、高い耐衝撃性を得ることができた。
【００５４】
連続層２４はグラニュラー磁性層の上に高い垂直磁気異方性を示す薄膜（補助記録層）を形成し、ＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）を構成するものである。これによりグラニュラー層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、連続膜の高熱耐性を付け加えることができる。連続層２４の組成は、ＣｏＣｒＰｔＢとした。
【００５５】
媒体保護層２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜し、ダイアモンドライクカーボンを含んで構成される。媒体保護層２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。
【００５６】
潤滑層２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層２８の膜厚は約１ｎｍである。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５８】
例えば、本実施形態において、磁気記録媒体として、垂直磁気記録媒体について説明したが、面内磁気記録媒体においても好適に用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される磁気記録媒体として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】実施例に係る垂直磁気記録媒体の製造方法で用いられる真空成膜装置であるスパッタリング装置の構成を説明する図である。
【図３】成膜材料、真空成膜装置の部品を構成する材料およびコーティング層を構成する材料の熱膨張率を表す図である。
【図４】コーティング層の構成を説明する図である。
【符号の説明】
【００６１】
１     …ディスク基体
１００  …ＤＣマグネトロンスパッタリング装置
１０２  …チャンバ
１０４  …導入口
１０６  …排気口
１０８  …キャリア
１１０  …ターゲット
１１２  …シールド
１１４  …マグネット
１２   …付着層
１４   …軟磁性層
１４ａ  …第１軟磁性層
１４ｂ  …スペーサ層
１４ｃ  …第２軟磁性層
１５０  …コーティング層
１５０ａ  …マンガンの層
１５０ｂ  …ニッケルの層
１６   …配向制御層
１８   …下地層
１８ａ  …第１下地層
１８ｂ  …第２下地層
２０   …微細化促進層
２２   …磁気記録層
２４   …連続層
２６   …媒体保護層
２８   …潤滑層
【図１】
2009093710.tif 000003
【図２】
2009093710.tif 000004
【図３】
2009093710.tif 000005
【図４】
2009093710.tif 000006