(57)【要約】【課題】再生ヘッドと記録ヘッドが複合された複合ヘッドとヒータとを内蔵したヘッドスライダにおいて、ヒータ通電時の再生ヘッドとディスクとの距離を低減する。【解決手段】ヘッドスライダ１５の空気の流出側に隣接して設けられる支持体１５Ｓに、再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の両方が設けられているヘッドスライダ１５において、再生ヘッド１３の空気の流入側と流出側に一対のヒータ３１，３２を、再生ヘッド１３を挟むように設けると共に、記録ヘッド１９の空気の流入側と流出側に一対のヒータ３３，３４を、記録ヘッド１９を挟むように設け、更に、ヒータ３２とヒータ３３の間の支持体１５Ｓに、支持体１５Ｓよりも熱膨張係数が低い熱膨張材４０を配置したものである。ヒータ３１〜３４への通電時に再生ヘッド１３、記録ヘッド１９が共にディスク側に大きく近づき、ヘッドスライダ１５の再生、記録の性能が向上する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶再生媒体に対向する面がエアベアリング面となったヘッドスライダ本体と、
前記ヘッドスライダの空気の流出端に設けられたヘッド支持体と、
前記支持体に設けられた再生素子及び記録素子と、
前記再生素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置された一対の第１のヒータと、
前記記録素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置された一対の第２のヒータと、
を備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
前記一対の第１のヒータと前記一対の第２のヒータの間の前記支持体部分に、前記支持体よりも熱膨張係数が低い低熱膨張材を配置したことを特徴とする請求項１に記載のヘッドスライダ。
【請求項３】
前記第１のヒータのそれぞれは、前記空気の流れに沿った方向に対して前記再生素子から等距離の位置に設けると共に、前記第２のヒータのそれぞれは、前記空気の流れに沿った方向に対して前記記録素子から等距離の位置に設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載のヘッドスライダ。
【請求項４】
前記第１のヒータと前記第２のヒータは、それぞれ独立した通電用の端子を備えることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のヘッドスライダ。
【請求項５】
記憶再生媒体に対向する面がエアベアリング面となったヘッドスライダ本体、前記ヘッドスライダの空気の流出端に設けられたヘッド支持体、前記支持体に設けられた再生素子及び記録素子、前記再生素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置された一対の第１のヒータ、及び前記記録素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置された一対の第２のヒータとを有するヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダにより情報の記憶と再生が行われる記憶再生媒体と、
前記ヘッドスライダと前記記憶媒体による情報の記憶信号と再生信号を処理する信号処理基板と、
を備えることを特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はヒータを有するヘッドスライダ及び情報記憶装置に関し、特に、磁気ディスク装置のヘッドスライダに使用されるヒータを有するヘッドスライダ及びこの磁気ヘッドスライダを備える情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンピュータの外部記憶装置として使用される磁気ディスク装置は、記憶される情報量の増大に伴って記憶媒体である磁気ディスクが高密度化されてきている。そして、磁気ディスク（以後単にディスクという）により高い密度で情報を記憶するためには、ディスクとヘッドを搭載するヘッドスライダをできるだけ近づける必要があり、高密度化されたディスクではヘッドの浮上量が小さくなってきている。
【０００３】
ヘッドの浮上量は、ヘッドスライダのディスクに対向するエアベアリング面に発生する浮上力によって決まり、この浮上力は、ディスクの周速と、周速ベクトルとスライダ長手方向の角度に影響を受ける。ディスクの内周部、中周部、及び外周部では周速ベクトルが大きく変化するが、ヘッドとディスクの浮上間隔はほぼ一定であることが望まれている。このため、ヘッドスライダのヘッド組み込み部の近傍に電熱コイルを備えたヒータを内蔵させ、ヒータへの通電を制御することによって発生する熱量を制御し、発生した熱でヘッドスライダ本体の空気の流出側に設けられたヘッド支持体の膨張を制御して、ヘッドとディスクの浮上間隔をほぼ一定に保つ技術が特許文献１に記載されている。
【０００４】
また、特許文献１では、ヒータに電流を流して加熱し、ヘッドスライダ本体の空気の流出側に設けられたヘッド支持体の膨張によって、ヘッドスライダをディスク側に突き出して、ヘッドとディスクとの間隔を狭くすることも提案されている。ここで、ヒータに電流を流して加熱して支持体を膨張させ、ヘッドスライダヘッドとディスクとの間隔を狭くする動作について、図１（ａ）から（ｃ）を用いて説明する。
【０００５】
図１（ａ）は、ハードディスク装置のサスペンション１８に支持されたヘッドスライダ１５を示すものである。ディスクに情報を読み書きするヘッド（再生ヘッドと記録ヘッド）Ｈは、ディスク回転時にヘッドスライダ１５に対して流れる空気流Ａの、空気の流出端に設けられている。従来はこのヘッドスライダ１５のヘッドＨの近傍にヒータが組み込まれていた。そして、従来技術では、ヒータに電流を流して加熱し、ヘッドスライダ１５のヘッド組込み部の近傍をディスク側に突き出して、ヘッドＨとディスクとの間隔を狭くしていた。
【０００６】
図１（ｂ）は図１（ａ）のヘッドＨが設けられたヘッドスライダ１５の要部を拡大して示す断面図である。ヘッドスライダ本体１５Ｂに隣接して空気の流出端に設けられた支持体１５Ｓには、再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の２つのヘッドが設けられている。再生ヘッド１３は２つのシールド層２３，２４に挟まれた再生素子２５を備えている。再生素子２５には最初は磁気抵抗効果素子（ＭＲヘッド）が使用されていたが、現在は再生感度と記録密度が更に大きい巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲヘッド）が使用されている。一方、記録ヘッド１９は記録用コイル２６、ヨーク２７、及び磁極２８から構成されている。
【０００７】
従来技術では、支持体１５Ｓの再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の間の部分に、ヘッドスライダ１５の浮上量制御用のヒータ３０が１個だけ搭載されていた。ヒータ３０は記録ヘッド１９のヨーク２７の近傍に配置されていた。このヒータ３０に電流を流して加熱すると、ヒータ近傍の支持体１５Ｓが膨張するので、ヘッドＨがディスクに近づく。そして従来は、ヒータ３０に流す電流量を制御することによって、ヘッド３０のディスクからの浮上量を能動的に制御していた。
【０００８】
図１（ｃ）はヒータに所定の電流を流して加熱したときのヘッドスライダの変形を示す図である。図中には、ディスク４も示してあり、ディスク４に接触しているときのヘッドスライダ１５の変形が示されている。図中のディスク４には、ディスク基準位置ＲＰとベースグライドＢＧが示されている。ディスク基準位置ＲＰとは、ディスク表面の粗さ中心位置を示すものであり、ベースグライドＢＧは、ヘッドＨがこれ以下にはディスクに近づけない位置を示すものである。
【０００９】
記録ヘッド１９の近傍にヒータ３０が配置されているため、記録ヘッド１９のヨーク２７が加熱によって膨張し、支持体１５Ｓの記録ヘッド１９部分でディスク側への突出し（変形量）が最大となる。そして、ヘッドスライダ１５の変形量が最大となった部分で、ヘッドスライダ１５がディスク４と接触となる。このとき、ヘッドスライダ１５がディスク４と接触する接触点と、再生ヘッド１３の再生素子２５との高さ方向の長さＬは約３ｎｍである。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２４１１０５号公報（図１Ａ，１Ｂ，１２Ａ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
以上のように、従来技術では、ヘッドスライダがディスクに接触する位置から再生素子までの距離が約３ｎｍ離れており、ヘッドスライダがディスクに接触する位置と再生素子との距離をこれ以上小さくすることができない。この結果、ヒータでヘッドスライダの支持体をディスク側に変形させても、再生素子とディスクとの隙間を狭くすることができず、記録容量を上げることができない。
【００１２】
上記の問題を解決するために、特許文献１に記載のように、支持体に２つのヒータを設けることが行われている。特許文献１では、少なくとも１つのヒータは記録ヘッドの流出端側に位置させ、もう１つのヒータは再生ヘッドと記録ヘッドの間に設けている。しかしながら、特許文献１の技術では、ヘッドスライダのディスク側への最大変位位置が記録ヘッドより外側になっているので、ヘッドスライダのディスク側への最大変位位置と再生ヘッドの再生素子との間の距離を短くすることができず、記録容量を上げることができないという課題は解決されていなかった。
【００１３】
更に詳しく説明すると、浮上時のヘッドスライダは、ピッチ角度が付いているため、ヘッドスライダ流出側にある記録ヘッドがディスクに近づき、再生ヘッドはディスクより遠ざかっている。この状態でヒータに電流を流して加熱し、ヒータ周辺部の支持体を膨張させてディスク側に突き出すと、記録ヘッド付近が突き出しの最大点となり、ディスクと接触する。しかしながら、このような従来の突き出しでは、再生ヘッドをディスク側に大きく突き出すことができず、再生ヘッドは記録ヘッド程ディスクに近づくことができなかった。そのため、ヒータに電流を流して加熱した場合に、記録ヘッドのディスク側への突き出しと同様に、再生ヘッドの突き出しも大きくして、突き出しの最大点と再生ヘッドの高低差を小さくすることが望まれている。
【００１４】
そこで本発明は、ヘッドスライダ本体の空気の流出側に隣接して設けられるヘッドを備えた支持体にヒータを内蔵させ、このヒータに電流を流すことによって支持体をディスク側に変位させることができるヒータを有するヘッドスライダにおいて、ヒータに電流を流すことによってヘッドスライダをディスク側に最大変位させた時に、支持体の最大変位位置と同程度に再生ヘッド部分の支持体が変位するようにして、支持体の最大変位に対する再生ヘッド近傍の支持体の変位の高低差を小さくし、再生ヘッドと記録ヘッドの浮上量を可能な限り低減させ、ヘッドスライダの再生、記録の性能を向上させることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このヘッドスライダの特徴は、ディスクに対向する面がエアベアリング面となったヘッドスライダ本体と、ヘッドスライダの空気の流出端に設けられたヘッド支持体と、支持体に設けられた再生ヘッド及び記録ヘッドとを備えたスライダにおいて、一対のヒータを再生ヘッドの空気の流入側と流出側に再生ヘッドを挟み込むように配置すると共に、一対のヒータを記録ヘッドの空気の流入側と流出側に記録ヘッドを挟み込むように配置したことである。この場合、再生ヘッド用のヒータの組と記録ヘッド用のヒータの組の間に、低熱膨張材を設置することにより、各ヒータの組に通電した時のその周囲の支持体の変位を独立させ、お互いの干渉を小さくし、各ヘッドの変位量を大きくできる。
【００１６】
また、この情報記憶装置の特徴は、記憶再生媒体に対向する面がエアベアリング面となったヘッドスライダ本体と、ヘッドスライダの空気の流出端に設けられたヘッド支持体と、支持体に設けられた再生素子及び記録素子とを備えたスライダにおいて、一対の第１のヒータを再生素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置し、一対の第２のヒータを記録素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置したスライダと、ヘッドスライダにより情報の記憶と再生が行われる記憶再生媒体と、ヘッドスライダとディスクによる情報の記憶信号と再生信号を処理する信号処理基板とを備えることである。
【発明の効果】
【００１７】
このヘッドスライダによれば、再生ヘッドと記録ヘッドとをそれぞれ挟み込むように、各ヘッドに一対のヒータを配置したので、各ヘッドの近傍の支持体をそれぞれディスク側に最大限変させることができ、変位時の変位最大点と各ヘッドの高低差を小さくすることができ、再生ヘッドと記録ヘッドの浮上量を可能な限り低減することが可能であり、ヘッドスライダの再生、記録の性能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を用いて本発明の実施の形態を、具体的な実施例に基づいて詳細に説明する。なお、従来技術で説明したヘッドスライダの構成部材と同じ構成部材については原則同じ符号を付して説明する。
【００１９】
図２（ａ）は、ヘッドスライダを備えるロード／アンロード方式のハードディスク装置１の一例を示すものである。ハードディスク装置１のベース２の上の一方の側には、記憶媒体として、スピンドルモータ３によって回転する少なくとも１枚のディスク４があり、このディスク４にはデータ記録用の多数のトラックがある。
【００２０】
ハードディスク装置１のベース２の上の他方の側には、ディスク４のトラックにアクセスしてデータの読み書きを行うヘッドを備えるヘッドスライダ（図示せず）が取り付けられたスイングアーム５がある。ヘッドスライダはスイングアーム５の先端部に取り付けられている。スイングアーム５は回転軸６を中心にしてスイングするように構成されており、回転軸６に対してスイングアーム５と反対側には、スイングアーム５を駆動するボイスコイルモータ７がある。
【００２１】
また、ロード／アンロード方式のハードディスク装置１では、アンロード時にはヘッドをディスク４の外側に退避させる。このため、ロード／アンロード方式のハードディスク装置１には、ディスク４の外周部近傍のベース２の上に、スイングアーム５の先端部を保持するランプ機構１０がある。ランプ機構１０には、スイングアーム５の先端部に設けられたリフトタブ９を保持するためのランプ１１がある。ランプ機構１０はディスク４の外側に設けられるが、ランプ１１はその一部が磁気ディスク４とオーバラップしている。
【００２２】
図２（ｂ）は図１（ａ）に示したランプ１１に、スイングアーム５の先端部に設けられたリフトタブ９が保持される様子を示すものであり、符号１５がスイングアーム５に取り付けられるヘッドスライダの位置を示している。ランプ１１のスイングアーム側の面は、スイングアーム５の回転軌跡Ｔに合わせて、円周面となっている。このため、スイングアーム５のリフトタブ９は、スイングアーム５の回転によってランプ１１の上に乗り上げ、ディスク４の外部で保持される。ランプ機構１０の本体１２は、ネジ８によってベース２に固定される。
【００２３】
図３（ａ）は、図２（ｂ）に示されるヘッドスライダ１５の外観を示すものである。ヘッドスライダ１５にはヘッドスライダ本体１５Ｂと、ヘッドスライダ１５に対する空気の流れＡの下流側の端面に設けられた支持体１５Ｓがある。ヘッドスライダ本体１５Ｂは、アルチックでできている。支持体１５Ｓには、図３（ｂ）に模式図で示すような、再生ヘッド１３と記録ヘッド１９から構成される複合ヘッドＨが内蔵されている。再生ヘッド１３にはディスク４に記録されたデータを読み取って再生する再生素子（ＭＲ素子やＧＭＲ素子）２５がある。また、記録ヘッド１９には、コイル２６、ヨーク２７及び磁極２８があり、コイル２６に電流を流すことによってディスク４にデータを記録する。
【００２４】
図４（ａ）は図３（ａ）に示されるヘッドの支持体１５Ｓに内蔵される再生ヘッド１３のみの構成を示すものであり、データ記録用の磁気ヘッドの図示は省略してある。この図に示されるヘッドスライダ１５は、右側が図２（ａ）に示したスイングアーム５側で、下側がディスク４側であり、ディスク４の回転時には、ヘッドスライダ１５の下面を矢印Ａの方向に空気が流れるようになっている。再生ヘッド１３は、ヘッドスライダ１５の空気流出側の端面１４に設けられている。再生ヘッド１３は、ヘッドスライダ１５の空気流出側の端面１４に設けられた２つの端子電極１６，１７、データ読出部２０、及び２つの端子電極１６，１７とデータ読出部２０とを接続する２本の引出線２１，２２とから構成されている。
【００２５】
図４（ｂ）は、図４（ａ）のデータ読出部２０の近傍部分を部分的に拡大したものである。データ読出部２０は、ヘッドスライダ１５の空気流出側の端面１４の上に形成された下部シールド層２３と上部シールド層２４、及び例えばＭＲ素子からなる再生素子２５を備えている。ここで、下部シールド層２３はヘッドスライダ本体１５Ｂ側を下側とした時の呼称であり、この結果、再生素子２５を挟んで反対側に位置するシールド層２４を上部シールド層２４としたものであって、上下という用語が特に意味を持つものではない。そして、下部シールド層２３と上部シールド層２４の間に第１と第２の引出線２１，２２の先端部が挿入されている。
【００２６】
図５（ａ）、は図３（ａ）に示したヘッドの支持体１５Ｓ内において、再生ヘッド１３の下部シールド層２３と上部シールド層２４の外側にヒータ３１，３２を配置した構成を説明するものである。この図では、図４（ｂ）で説明した再生素子２５及び第１と第２の引出線２１，２２（これらは同じ面上に位置している）に対して、本来は破線の位置にある下部シールド層２３と上部シールド層２４とを、ヘッドスライダの長手方向に分解して示してある。
【００２７】
また、ここには、下部シールド層２３と上部シールド層２４のヘッドスライダの長手方向に対して外側の位置に、ヒータ３１，３２を設けた構成が示してある。ヒータ３１を構成する電熱線３１Ａは内部端子３５と外部端子３６に接続されており、同様に、ヒータ３２を構成する電熱線３２Ａは内部端子３７と外部端子３８に接続されている。なお、この図はヒータ３１，３２の配置を説明するためのものであり、寸法は正確ではない。また、内部端子３５、３７と外部端子３６、３８の位置、及び端子電極１６，１７のヘッドスライダの長手方向の位置も実際には支持体１５Ｓの外部に露出しており、本図の位置は実際の位置を示すものではない。
【００２８】
図５（ｂ）はヒータ３１，３２の電熱線３２Ａ，３２Ａのパターンを示すものであり、図５（ｃ）は、電熱線３１Ａ，３２Ａの結線状態を示すものである。図５（ｂ）に示すように、外部端子３８から電熱線３２Ａまでの通電線３２Ｂは太くし、抵抗が大きくならないようにしている。逆に、熱を発生させる電熱線３２Ａは細くして抵抗を大きくしてある。電熱線３２Ａが接続する内部端子３７は、支持体１５Ｓの内部で内部端子３５に結線される。同様に、内部端子３５に接続するヒータ３１の電熱線３１Ａは細くして抵抗を大きくしてあり、電熱線３１Ａを外部端子３６に接続する通電線３１Ｂは太くしてある。外部端子３６，３８には図５（ｂ）に矢印で示す向きに電流が流れるように電圧が印加される。
【００２９】
ここでは再生ヘッド１３側の構成と、再生ヘッド１３のシールド層２３，２４の外側に配置するヒータ３１，３２の構成について説明した。記録ヘッド１９については、図１（ｂ）で説明した従来例のヘッドスライダ１５のヨーク２７の外側に、ヨーク２７を挟むようにヒータ３３，３４を設けている。ヒータ３３，３４の構成も、ヒータ３１，３２の構成と同様であるので、その説明を省略する。
【００３０】
ヒータをヘッドスライダ１５の支持体に形成するための、ヒータのプロセスの概要図を図６（ａ）から（ｋ）に示す。ここでは、ヘッドスライダ本体１５Ｂから下部シールド層２３までのプロセスについて説明する。
【００３１】
図６（ａ）の状態からアルミナ４１をスパッタリング法などで製膜すると、図６（ｂ）の状態になる。次に、ヒータ３１を製膜する。図５（ｂ）に示したヒータパターンになるようにレジスト４２を付け、図６（ｃ）の状態にする。ヒータの材料である銅４３をスパッタリング法あるいはメッキなどで製膜すると、図６（ｄ）の状態となる。
【００３２】
表面をＣＭＰ（Chemical-Mechanical Polishing）を用いて研磨して、余分な銅４３を除去すると図６（ｅ）の状態になる。この後、レジスト４２を取り去る溶液につけて図６（ｆ）の状態にする。次に、アルミナ４４を製膜して図６（ｇ）の状態にし、研磨して図６（ｈ）の状態にする、更に、下シールド層の製膜のために、レジスト４５を塗布し、図６（ｉ）の状態にする。下シールド層の材料パーマロイ（ＮｉＦｅ）４６をスパッタリング法あるいはメッキで製膜し、その後研磨を行って余分なパーマロイ（ＮｉＦｅ）を除去して図７（ｊ）の状態にする。レジスト４５を除去後、アルミナ４７の製膜と研磨を行うと図６（ｋ）の状態になる。このような工程を行って、支持体１５Ｓに図７（ａ）の構成を作成する。
【００３３】
ここで、図７（ａ）に示すヘッドスライダ１５の構成について詳しく説明する。図７（ａ）に示すヘッドスライダ１５は、支持体１５Ｓ上に積層された再生ヘッド１３と、記録ヘッド１９とを備えており、再生ヘッド１３の積層方向の上下両側に配置される一対のヒータ３１，３２と、記録ヘッド１９の積層方向の上下両側に配置される一対のヒータ３３，３４とを備えるものである。一対のヒータ３１，３２は再生ヘッド１３を挟み込むように配置されており、この実施例では、ヘッドスライダ１５の下面を流れる空気の流れに沿った方向に対して再生素子２５から等距離にある。また、一対のヒータ３３，３４は記録ヘッド１９を挟み込むように配置されており、前述の空気の流れに沿った方向に対して記録ヘッド１９の中心から等距離にある。
【００３４】
ヘッドスライダ１５への空気の流入側に近いヒータ３１，３２の部分は、ヘッドスライダ１５にピッチ角度がついているため、ディスクとの距離がヒータ３３，３４よりも離れている。ヒータ３１，３２とヒータ３３，３４の形状を、コスト低減のために同じ形状にした場合、同時に各ヒータ３１〜３４に電流を流して加熱したとき、ヒータ３３，３４によって変形する記録ヘッド１９側の支持体１５Ｓの変形による、ディスク側への突出しが最大点に達する時間が、ヒータ３１，３２によって変形する再生ヘッド１３側の支持体１５Ｓの変形による、ディスク側への突出しが最大点に達する時間よりも１ｍｓ程度早い。そこで、ヒータ３１，３２の組と、ヒータ３３，３４の組を並列に接続し、ヒータ３１，３２の組を早めに加熱するようにすることができる。もちろん、ヒータ３１，３２の組と、ヒータ３３，３４の組を直列に接続してもかまわない。
【００３５】
以上説明したように、再生ヘッド１３と記録ヘッド１９を両側からヒータ３１〜３４で挟み込み、ヒータ３１〜３４に電流を流して加熱することによって、再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の各々がディスク４に対して近づく。この動作によって、再生ヘッド１３においては、再生信号出力が増大し、記録ヘッド１９においては、記録磁界効率が向上することによって、高記録密度に適したヘッドスライダを具現化することが出来る。 
【００３６】
またこの場合、ヒータ３１，３２とヒータ３３、３４の間の部分に、支持体１５Ｓよりも熱膨張係数が低い低熱膨張材４０を配置することができる。低熱膨張材は炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ）、又はインバー材の何れか１つを含んでいる。ヒータ３１，３２とヒータ３３、３４に電流を流して加熱した時、低熱膨張材４０によりこの部分の膨張が妨げられ、各ヘッド部分の支持体１５Ｓの膨張を大きくすることができる。
【００３７】
このように、低熱膨張材４０をヒータ３１，３２とヒータ３３、３４の間の部分に形成したヘッドスライダ１５において、ヒータ３１〜３４に電流を流して加熱すると、支持体１５Ｓの変形は図７（ｂ）に実線で示すようになる。この図には図１（ｂ）に示した従来構成のヘッドスライダ１５の支持体１５Ｓの変形を比較のために破線で示してある。図中には、ディスク４も示されており、ディスク４に接触しているときのヘッドスライダ１５の変形が示されている。図中のディスク４には、ディスク基準位置ＲＰとベースグライドＢＧが示されている。ディスク基準位置ＲＰは、ディスク表面の粗さ中心位置を示すものであり、ベースグライドＢＧは、ヘッドＨがこれ以下にはディスクに近づけない位置を示すものである。
【００３８】
各ヒータ３１〜３４に電流を流して加熱すると、再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の間に谷間が形成される。これは、低熱膨張材４０が再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の間に配置されており、低熱膨張材４０の部分が各ヒータ３１〜３４によってあまり熱膨張しないためである。また、ヒータ３１と３２は再生ヘッド１３の中心に対して等距離に配置することにより、加熱後の最大変形位置を再生ヘッド１３の中心にすることが可能である。同様に、ヒータ３３と３４は、記録ヘッド１９の中心に対して等距離に配置することにより、加熱後の最大変形位置を記録ヘッド１９の中心にすることが可能である。この構成により、各ヒータ３１〜３４で加熱された再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の部分の変形が最大となり、再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の部分の変形が同じ程度となり、両者の高低差はほとんどなくなる。
【００３９】
低熱膨張材４０の作用により、ヒータ３１，３２とヒータ３３、３４の間の部分に低熱膨張材４０を配置しない場合に比べて、更に、再生ヘッド１３と記録ヘッド１９の各々を磁気ディスク４に対して近づけることが可能となる。
【００４０】
更に、ヒータ３１と３２、及びヒータ３３と３４は、それぞれ独立して電流を流すことによって加熱するようにしたことにより、ヘッドスライダ１５の浮上時においては、ピッチ角度の付与等により、再生ヘッド１３の浮上量の方が記録ヘッド１９の浮上量よりも高くなるので、各素子に対する加熱を独立して制御することができる。
【００４１】
そして、以上のように構成されたヘッドスライダ１５は、ヘッドスライダ１５により情報の記憶と再生が行われる磁気ディスク４と、ヘッドスライダ１５と磁気ディスク４による情報の記憶信号と再生信号を処理する信号処理基板２９を備える図２（ａ）に示す、情報記憶装置としてのハードディスク装置に組み込んで使用することが可能である。
【００４２】
以上、本発明を特にその好ましい実施の形態を参照して詳細に説明した。本発明の容易な理解のために、本発明の具体的な形態を以下に付記する。
【００４３】
（付記１）  記憶再生媒体に対向する面がエアベアリング面となったヘッドスライダ本体と、
前記ヘッドスライダの空気の流出端に設けられたヘッド支持体と、
前記支持体に設けられた再生素子及び記録素子と、
前記再生素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置された一対の第１のヒータと、
前記記録素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置された一対の第２のヒータと、
を備えることを特徴とするヘッドスライダ。
（付記２）  前記一対の第１のヒータと前記一対の第２のヒータの間の前記支持体部分に、前記支持体よりも熱膨張係数が低い低熱膨張材を配置したことを特徴とする付記１に記載のヘッドスライダ。
（付記３）  前記第１のヒータのそれぞれは、前記空気の流れに沿った方向に対して前記再生素子から等距離の位置に設けると共に、前記第２のヒータのそれぞれは、前記空気の流れに沿った方向に対して前記記録素子から等距離の位置に設けたことを特徴とする付記１又は２に記載のヘッドスライダ。
（付記４）  前記第１のヒータと前記第２のヒータは、それぞれ独立した通電用の端子を備えることを特徴とする付記１から３の何れか１項に記載のヘッドスライダ。
（付記５）  前記第１のヒータと前記第２のヒータが通電用の端子により直列に接続されていることを特徴とする付記４に記載のヘッドスライダ。
（付記６）  前記第１のヒータと前記第２のヒータが通電用の端子により並列に接続されていることを特徴とする付記４に記載のヘッドスライダ。
（付記７）  ヒータへの通電時に、前記第１のヒータへの通電を前記第２のヒータへの通電より早くしたことを特徴とする付記６に記載のヘッドスライダ。
（付記８）  前記低熱膨張材が炭化珪素、窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、タングステン、モリブデン、又はインバー材の何れか１つを含んでいることを特徴とする付記２に記載のヘッドスライダ。
（付記９）  ヒータをヘッドスライダの支持体に形成する方法であって、少なくとも以下の工程を含む、
ヘッドスライダ本体にアルミナをスッパッタリング法などで製膜し、
次に、ヒータを製膜するために、ヒータパターンになるようにレジストと塗布し、
その上にヒータの材料である銅をスパッタリング法あるいはメッキなどで製膜し、
表面を研磨して、余分な銅を除去し、
溶液に浸けてレジストを取り去り、
次に、アルミナを製膜し、その後に研磨し、
次に、下シールド層の製膜のために、レジストを塗布した後に、下シールド層の材料パーマロイをスパッタあるいはメッキで製膜し、
その後研磨を行って余分なパーマロイを除去し、
レジストを除去後、アルミナの製膜と研磨を行うことを特徴とするヒータをヘッドスライダの支持体に形成する方法。
（付記１０）
記憶再生媒体に対向する面がエアベアリング面となったヘッドスライダ本体、前記ヘッドスライダの空気の流出端に設けられたヘッド支持体、前記支持体に設けられた再生素子及び記録素子、前記再生素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置された一対の第１のヒータ、及び前記記録素子の空気の流入側と流出側にそれぞれ配置された一対の第２のヒータとを有するヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダにより情報の記憶と再生が行われる記憶再生媒体と、
前記ヘッドスライダと前記記憶媒体による情報の記憶信号と再生信号を処理する信号処理基板と、
を備えることを特徴とする情報記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】（ａ）はヘッドサスペンションに保持された従来のヘッドスライダの斜視図、（ｂ）はヒータを内蔵するヘッドスライダのヘッド部分の部分拡大断面図、（ｃ）はヒータに通電した時のヘッドスライダのヘッドの支持体の変位を示す説明図である。
【図２】（ａ）は本発明が適用されたハードディスク装置の構成を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示したハードディスク装置におけるヘッドスライダの位置を示す部分拡大平面図である。
【図３】（ａ）は図２（ｂ）に示されるヘッドスライダ単体の斜視図、（ｂ）は（ａ）に示されるヘッドスライダのヘッドの支持体に内蔵される再生ヘッドと記録ヘッドの概略構成を示す説明図である。
【図４】（ａ）は図３（ａ）に示されるヘッドの支持体に内蔵される再生ヘッドのみの構成を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）の再生ヘッドの再生素子とシールド層の構成を説明する部分拡大斜視図である。
【図５】（ａ）は図３（ａ）に示されるヘッドの支持体内において再生ヘッドの両側にヒータを配置した構成を説明する分解斜視図、（ｂ）は（ａ）に示されるヒータの構成を説明する説明図、（ｃ）は（ａ）に示されるヒータの電気配線を示す回路図である。
【図６】（ａ）から（ｋ）はヒータの製造プロセスを説明するプロセス図である。
【図７】（ａ）は本発明のヘッドスライダのヘッド部分の構成を示す部分拡大断面図、（ｂ）は（ａ）の４つのヒータに通電した時のヘッドの支持体の変位を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
１    ハードディスク装置
１３    再生ヘッド
１４    端面
１５    ヘッドスライダ
１５Ｓ    支持体
１９    記録ヘッド
２３、２４    シールド層
２５    再生素子（ＭＲ素子）
３０〜３４    ヒータ
４０    低熱膨張材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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