(57)【要約】【課題】低消費電力で長伝送距離の実現が可能な光送信機と光送信機の駆動方法とを提供する。【解決手段】Ｓｉ基板上に順に設けられたＬＤ４、第１の光強度モニタ装置８、波長フィルタ１０及び第２の光強度モニタ装置１４と、波長フィルタ１０を加熱する局所加熱装置１２と、局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０の温度を調整する制御装置２２とを備え、ＬＤ４は、無温調でＩｎＰ系であり、互に異なる第１及び第２の波長成分を含む出力信号光を発生し、波長フィルタ１０は、波長フィルタ１０の温度変化に応じて透過帯域の中心波長が変化し、Ｓｉを含む材料から成り、制御装置２２は、第１及び第２の光強度モニタ装置によるモニタ結果に基づいて、第１の波長成分が透過され第２の波長成分が遮られるように局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０の温度を調整する。【選択図】図１
2009159476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に順に設けられた光源、第１の光強度モニタ装置、波長フィルタ及び第２の光強度モニタ装置と、
前記波長フィルタの温度を調整する制御装置と
を備え、
前記光源は、無温調の直接変調型のＩｎＰ系レーザダイオードであり、互に異なる第１及び第２の波長成分を含む出力信号光を発生し、
前記第１の光強度モニタ装置は、前記出力信号光の光強度をモニタし、
前記第２の光強度モニタ装置は、前記波長フィルタの透過光又は反射光の光強度をモニタし、
前記波長フィルタは、Ｓｉ基板表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成され、
前記制御装置は、前記第１及び第２の光強度モニタ装置によるモニタ結果に基づいて、前記第１の波長成分を透過し前記第２の波長成分を遮るように前記波長フィルタの温度を調整する、ことを特徴とする光送信機。
【請求項２】
前記制御装置は、前記第１の光強度モニタ装置により測定された第１の光強度と前記第２の光強度モニタ装置により測定された第２の光強度との比を、前記波長フィルタが前記第１の波長成分を透過し前記第２の波長成分を遮る場合の値に維持するように、前記波長フィルタの温度を調整する、ことを特徴とする請求項１に記載の光送信機。
【請求項３】
前記ＩｎＰ系レーザダイオードより出力される前記第１及び第２の波長成分の温度変化率と比べ、Ｓｉを材料とした前記導波路により形成された前記波長フィルタの透過帯域の中心波長の温度変化率は、ほぼ同等か前記波長フィルタの温度変化率のほうが若干大きく、
前記波長フィルタは、前記ＩｎＰ系レーザダイオード及び前記波長フィルタが使用される最高温度において前記第１の波長成分を透過し前記第２の波長成分を遮るよう設定されており、
前記制御装置は、前記ＩｎＰ系レーザダイオード及び前記波長フィルタの温度が前記最高温度を下回っている場合に、前記第１の光強度と前記第２の光強度との比が前記最高温度における値となるように前記波長フィルタを加熱する、ことを特徴とする請求項２に記載の光送信機。
【請求項４】
前記Ｓｉ基板上に設けられた光強度調整装置を更に備え、
前記光強度調整装置は、前記波長フィルタの透過光の光路上に配置され、前記透過光を所定の光強度に増幅する、ことを特徴とする請求項１〜３のうち何れか一項に記載の光送信機。
【請求項５】
バイアス電流を前記ＩｎＰ系レーザダイオードに入力するバイアス回路と、
変調電流を前記ＩｎＰ系レーザダイオードに入力する変調回路と
を更に備え、
前記制御装置は、前記バイアス電流及び前記変調電流を一定に維持するよう前記バイアス回路及び前記変調回路を制御する、ことを特徴とする請求項１〜４のうち何れか一項に記載の光送信機。
【請求項６】
Ｓｉ基板上に順に設けられた光源及び波長フィルタを有し、前記光源は、無温調の直接変調型のＩｎＰ系レーザダイオードであり、前記波長フィルタは、Ｓｉ基板表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成され、前記ＩｎＰ系レーザダイオードの出力信号光が入力され、当該波長フィルタの温度変化に応じて透過帯域の中心波長が変化する光送信機の駆動方法であって、
互に異なる第１及び第２の波長成分を含む前記出力信号光の光強度と前記波長フィルタの透過光の光強度とに基づいて、前記第１の波長成分を透過し前記第２の波長成分を遮るように前記波長フィルタの温度を調整する、ことを特徴とする光送信機の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光送信機と光送信機の駆動方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
非特許文献１には、チャープを抑制することによって比較的長い伝送距離を実現するためのＣＭＬ技術（CML：Chirp managed directly modulated laser diode）が開示されている。このＣＭＬ技術においては、ファブリペローエタロンの波長フィルタ（ＯＳＲ：Optical Spectral Reshaping）を用いて光信号の「０」レベルの波長成分をカットすることにより必要な消光比を確保する。
【非特許文献１】Y. Matsui, et al.,“Chirp-Managed Directly Modulated Laser (CML)”,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGYLETTERS, p.385, Vol.18, No.2, January 15, 2006
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、非特許文献１の技術では、レーザダイオードの発振波長と波長フィルタの透過帯域の中心波長（ピーク）とを調整する必要があるため、レーザダイオード及び波長フィルタの双方の温度を制御しなければならず、消費電力が大きくなる。そこで本発明の目的は、低消費電力で長伝送距離の実現が可能な光送信機と光送信機の駆動方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、Ｓｉ基板上に順に設けられた光源、第１の光強度モニタ装置、波長フィルタ及び第２の光強度モニタ装置と、前記波長フィルタの温度を調整する制御装置とを備え、前記光源は、無温調の直接変調型のＩｎＰ系レーザダイオードであり、互に異なる第１及び第２の波長成分を含む出力信号光を発生し、前記第１の光強度モニタ装置は、前記出力信号光の光強度をモニタし、前記第２の光強度モニタ装置は、前記波長フィルタの透過光又は反射光の光強度をモニタし、前記波長フィルタは、Ｓｉ基板表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成され、前記制御装置は、前記第１及び第２の光強度モニタ装置によるモニタ結果に基づいて、前記第１の波長成分を透過し前記第２の波長成分を遮るように前記波長フィルタの温度を調整する、ことを特徴とする。
【０００５】
本発明によれば、光源はＩｎＰ系レーザダイオードであり、波長フィルタは、Ｓｉ基板表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成され、ＩｎＰとＳｉとは屈折率の温度特性が略同様なので、レーザダイオードの有する発振波長の温度特性と、波長フィルタの有する透過帯域の中心波長の温度特性とは略同様である。従って、ＩｎＰ系レーザダイオードの有する発振波長と波長フィルタの透過帯域の中心波長とが一致する温度から温度が変化し、両波長が一致しなくなっても、この場合の両波長の差は僅かなので、両波長を一致させるために波長フィルタの温度を調整しても、この温度の調整分は僅かとなる。よって、例えば加熱装置等の温度調整装置がこの温度調整に要する消費電力は比較的小さくて済む。
【０００６】
本発明では、前記制御装置は、前記第１の光強度モニタ装置により測定された第１の光強度と前記第２の光強度モニタ装置により測定された第２の光強度との比を、前記波長フィルタが前記第１の波長成分を透過し前記第２の波長成分を遮る場合の値に維持するように、前記波長フィルタの温度を調整するのが好ましく、また、前記ＩｎＰ系レーザダイオードより出力される前記第１及び第２の波長成分の温度変化率と比べ、Ｓｉを材料とした前記導波路により形成された前記波長フィルタの透過帯域の中心波長の温度変化率は、ほぼ同等か前記波長フィルタの温度変化率のほうが若干大きく、前記波長フィルタは、前記ＩｎＰ系レーザダイオード及び前記波長フィルタが使用される最高温度において前記第１の波長成分を透過し前記第２の波長成分を遮るよう設定されており、前記制御装置は、前記ＩｎＰ系レーザダイオード及び前記波長フィルタの温度が前記最高温度を下回っている場合に、前記第１の光強度と前記第２の光強度との比が前記最高温度における値となるように前記波長フィルタを加熱するのが好ましい。従って、波長フィルタが第１の波長成分を透過し第２の波長成分を遮断する状態が、確実に維持できる。
【０００７】
また、本発明では前記Ｓｉ基板上に設けられた光強度調整装置を更に備え、前記光強度調整装置は、前記波長フィルタの透過光の光路上に配置され、前記透過光を所定の光強度に増幅するのが好ましい。従って、ＩｎＰ系レーザダイオードの温度変化により出力信号光の光強度が低下しても、外部には、所定の光強度の光が出力可能となる。
【０００８】
また、本発明では、バイアス電流を前記ＩｎＰ系レーザダイオードに入力するバイアス回路と、変調電流を前記ＩｎＰ系レーザダイオードに入力する変調回路とを更に備え、前記制御装置は、前記バイアス電流及び前記変調電流を一定に維持するよう前記バイアス回路及び前記変調回路を制御するのが好ましい。従って、ＩｎＰ系レーザダイオードの温度変化に応じてバイアス電流及び変調電流を調整する必要がないので、制御内容が簡易となり、消費電力も低減できる。
【０００９】
本発明は、Ｓｉ基板上に順に設けられた光源及び波長フィルタを有し、前記光源は、無温調の直接変調型のＩｎＰ系レーザダイオードであり、前記波長フィルタは、Ｓｉ基板表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成され、前記ＩｎＰ系レーザダイオードの出力信号光が入力され、当該波長フィルタの温度変化に応じて透過帯域の中心波長が変化する光送信機の駆動方法であって、互に異なる第１及び第２の波長成分を含む前記出力信号光の光強度と前記波長フィルタの透過光の光強度とに基づいて、前記第１の波長成分を透過し前記第２の波長成分を遮るように前記波長フィルタの温度を調整する、ことを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、光源はＩｎＰ系レーザダイオードであり、波長フィルタはＳｉ基板表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成され、ＩｎＰとＳｉとは屈折率の温度特性が略同様なので、レーザダイオードの有する発振中心波長の温度特性と、波長フィルタの有する透過帯域の中心波長の温度特性とは略同様である。従って、ＩｎＰ系レーザダイオードの有する発振波長と波長フィルタの透過帯域の中心波長とが一致する温度から温度が変化し、両波長が一致しなくなっても、この場合の両波長の差は僅かなので、両波長を一致させるために波長フィルタの温度を調整しても、この温度の調整分は僅かとなる。よって、例えば加熱装置等の温度調整装置がこの温度調整に要する消費電力は比較的小さくて済む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、低消費電力で長伝送距離の実現が可能な光送信機と光送信機の駆動方法とが提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１は、実施形態に係る光送信機１の構成を示す図である。光送信機１は、４０Ｇｂｐｓ／１００Ｇｂｐｓの１０ｋｍ以上の伝送が可能な光トランシーバのＴＯＳＡであり、例えば、ＣＷＤＭなどの波長多重の送信機に適用される。光送信機１は、Ｓｉ基板２と、Ｓｉ基板２上に設けられたＬＤ４（光源）と、Ｓｉ基板（Ｓｉ基板２）の表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成されたＰＬＣ回路６（PLC：Planar lightwave circuit）とを備え、ＰＬＣ回路６は、第１の光強度モニタ装置８、波長フィルタ１０、局所加熱装置１２、第２の光強度モニタ装置１４及び光強度調整装置１６を有する。光送信機１は、バイアス回路１８、変調回路２０及び制御装置２２を更に備える。
【００１３】
ＬＤ４は、ＩｎＰ系の直接変調型のＤＦＢレーザダイオードなどである。ＬＤ４は、ペルチェ素子等の加熱冷却装置による温度制御を受けない（少なくとも、このような加熱冷却装置に熱的に接続されずにＳｉ基板２上に配置されている）無温調のレーザダイオードである。ＬＤ４は、ＧａＩｎＡｓＰやＡｌＧａＩｎＡｓ等の材料を含む半導体部がＩｎＰ基板上に設けられた構成を有する。ＬＤ４は、変調回路２０から入力される変調電流に応じて、「１」レベルの波長成分（“Ｈｉｇｈ”信号に対応）及び「０」レベルの波長成分（“Ｌｏｗ”信号に対応）を含む光を出力する。
【００１４】
すなわち、ＬＤ４の出力信号光Ｌ１は、互に異なる「１」レベルの波長成分（第１の波長成分）と「０」レベルの波長成分（第２の波長成分）とを含む。「１」レベルの波長成分の発振中心波長は「０」レベルの波長成分の発振中心波長に比較して短く、「１」レベルの波長成分の光強度は「０」レベルの波長成分の光強度に比較して大きい。光送信機１では、２６Ｇｂｐｓ（４０ｐｓ／ｂｉｔ）程度の信号を長距離伝送するために、「１」レベルの波長成分の周波数と、「０」レベルの波長成分の周波数とは、１３ＧＨｚ程度離隔しているのが望ましく、また、ＬＤ４に供給されるバイアス電流は、ＬＤ４の閾値電流よりも十分に大きな電流値であり、「０」レベルの波長成分の光強度も比較的大きな値を有する。
【００１５】
第１の光強度モニタ装置８、波長フィルタ１０、第２の光強度モニタ装置１４及び光強度調整装置１６は、ＬＤ４の出力信号光の光路上に順に配置され、ＬＤ４から出力される光は、第１の光強度モニタ装置８、波長フィルタ１０、第２の光強度モニタ装置１４、光強度調整装置１６の順に通過する。まず、ＬＤ４の出力信号光Ｌ１は、第１の光強度モニタ装置８に入力され、第１の光強度モニタ装置８を透過して、波長フィルタ１０に入力される。第１の光強度モニタ装置８に入力する前の出力信号光Ｌ１の波長スペクトルを図中符号Ａ１に示し、第１の光強度モニタ装置８を透過した後の出力信号光Ｌ１の波長スペクトルを図中符号Ａ２に示す。出力信号光Ｌ１の光強度は、第１の光強度モニタ装置８の透過前後で異なるが、「１」及び「０」レベルのそれぞれの波長成分の発振中心波長は変わらない。
【００１６】
波長フィルタ１０に入力される出力信号光Ｌ１は、波長フィルタ１０を透過し、透過光Ｌ２として波長フィルタ１０から出射される。波長フィルタ１０に入力された出力信号光Ｌ１は、「０」レベルの波長成分が低減された状態で透過光Ｌ２として出力される。波長フィルタ１０を透過した後の透過光Ｌ２の波長スペクトルを図中符号Ａ３に示す。
【００１７】
透過光Ｌ２は、第２の光強度モニタ装置１４に入力され、第２の光強度モニタ装置１４を透過して、光強度調整装置１６に入力される。第２の光強度モニタ装置１４を透過した後の透過光Ｌ２の波長スペクトルを図中符号Ａ４に示す。透過光Ｌ２の光強度は、第２の光強度モニタ装置１４の透過前後で異なるが、「１」レベルの波長成分の発振中心波長は変わらない。光強度調整装置１６に入力される透過光Ｌ２は、光強度調整装置１６によって増幅され、増幅光Ｌ３として光強度調整装置１６から外部に出射される。光強度調整装置１６から出力される増幅光Ｌ３の波長スペクトルを図中符号Ａ５に示す。
【００１８】
第１の光強度モニタ装置８は、出力信号光Ｌ１の光強度（「１」レベルの波長成分及び「０」レベルの波長成分の光強度）をモニタする例えば透過型のモニタ装置であり、モニタ結果（第１の光強度）を示す信号を制御装置２２に送る。
【００１９】
波長フィルタ１０は、Ｓｉ基板（Ｓｉ基板２）の表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成され、出力信号光Ｌ１のうち「１」レベルの波長成分を透過し「０」レベルの波長成分を遮ることが可能な波長特性を有する。波長フィルタ１０は、リング型やマッハチェンダ型等である。この場合、波長フィルタ１０の透過光Ｌ２は、実質的に「１」レベルの波長成分のみを含む。これにより、消光比は向上し、長距離伝送で問題となる波長分散による影響（断熱チャープによる影響）が緩和される。また、波長フィルタ１０は、波長フィルタ１０の温度変化に応じて透過帯域の中心波長も変化する。具体的には、波長フィルタ１０は、波長フィルタ１０の温度上昇に応じて透過帯域の中心波長も上昇する。局所加熱装置１２は、制御装置２２の制御に応じて波長フィルタ１０のフィルタ部を加熱する加熱装置である。
【００２０】
波長フィルタ１０は、Ｓｉ基板表面上を酸化しガラス化したＳＯＩ基板上に設けられたＳｉを材料とした導波路により形成される。一方、ＬＤ４はＩｎＰを含む。ＩｎＰとＳｉとは屈折率の温度特性が略同様なので、ＬＤ４の有する発振中心波長の温度特性と、波長フィルタ１０の有する透過帯域の中心波長の温度特性とは略同様である。具体的に説明すると、ＬＤ４については、ＬＤ４が摂氏１度上昇するとＬＤ４の発振中心波長は０．０８ｎｍ程度増加し、波長フィルタ１０については、波長フィルタ１０が摂氏１度上昇すると波長フィルタ１０の透過帯域の中心波長は０．０８６ｎｍ程度増加する。このように、波長の増加率の差は、摂氏１度あたり０．００６ｎｍ程度であり僅かなので、ＬＤ４の有する発振中心波長の温度特性と、波長フィルタ１０の有する透過帯域の中心波長の温度特性とは同様といえる。
【００２１】
そして、ＬＤ４の有する発振中心波長（「１」及び「０」レベルの波長成分の発振中心波長）と、波長フィルタ１０の有する透過帯域の中心波長とは、ＬＤ４及び波長フィルタ１０が共に比較的高い温度Ｔ（ＬＤ４及び波長フィルタ１０が使用される最高温度であり、例えば、摂氏８５度またはその近傍）の場合に一致し（ほぼ同等となり）、波長フィルタ１０の温度上昇に伴う透過帯域の中心波長の上昇率（温度変化率）は、ＬＤ４の温度上昇に伴う発振中心波長（「１」及び「０」レベルの波長成分の発振中心波長）の上昇率（温度変化率）に比較して若干大きい。これらの特性は、ＬＤ４及び波長フィルタ１０の材料の特性に依存する。これにより、ＬＤ４及び波長フィルタ１０が、同一の温度であって、この温度が上述のような二つの波長の一致する温度Ｔよりも低い温度の場合に、ＬＤ４の発振中心波長は、波長フィルタ１０の透過帯域の中心波長よりも長い。
【００２２】
従って、例えば、摂氏マイナス５度から摂氏８０度の温度範囲内において波長フィルタ１０の透過帯域の中心波長をＬＤ４の発振中心波長に一致させる場合、最大でも、摂氏５．９度（＝（０．０８６−０．０８）[ｎｍ／摂氏１度]×（摂氏８０度−摂氏マイナス５度）／０．０８６[ｎｍ／摂氏１度]）だけ波長フィルタ１０の温度を上昇させればよい。このように、波長フィルタ１０の透過帯域の中心波長をＬＤ４の発振中心波長に一致させるために、局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０の温度を上昇させても、摂氏６度程度上昇させるだけなので、局所加熱装置１２の消費電力は比較的小さくて済む。
【００２３】
第２の光強度モニタ装置１４は、透過光Ｌ３の光強度をモニタする例えば透過型の装置であり、このモニタ結果（第２の光強度）を示す信号を制御装置２２に送る。透過光Ｌ２の光強度は、第２の光強度モニタ装置１４の透過前後で異なる。なお、第２の光強度モニタ装置１４は、波長フィルタ１０が、マッハチェンダ型であった場合遮断ポートからの遮断光（波長フィルタ１０の反射光）をモニタするものでも良い。以下、簡単のため、第２の光強度モニタ装置１４は、透過光Ｌ２から「１」レベルの波長成分の光強度をモニタする装置とする。
【００２４】
光強度調整装置１６は、透過光Ｌ２を受け、制御装置２２の制御に応じてＬＤ４を所定の光強度に増幅／減衰する可変利得型の増幅／減衰装置である。また、バイアス回路１８は、制御装置２２の制御に応じてＬＤ４にバイアス電流を入力し、変調回路２０は、制御装置２２の制御に応じてＬＤ４に変調電流を入力する。
【００２５】
制御装置２２は、バイアス電流及び変調電流を一定に（特に、ＬＤ４や波長フィルタ１０の温度によらず一定に）維持するよう、バイアス回路１８及び変調回路２０を制御する。また、制御装置２２は、第１の光強度モニタ装置８によるモニタ結果（第１の光強度）を示す信号と、第２の光強度モニタ装置１４によるモニタ結果（第２の光強度）を示す信号とを受けて、局所加熱装置１２及び光強度調整装置１６を制御する。特に、制御装置２２は、局所加熱装置１２を制御して、波長フィルタ１０の温度を制御する。
【００２６】
制御装置２２は、出力信号光Ｌ１が波長フィルタ１０に入力されると、第１の光強度及び第２の光強度に基づいて、「１」レベルの波長成分を透過し「０」レベルの波長成分を遮るように局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０の温度を調整する。この場合、制御装置２２は、ＬＤ４及び波長フィルタ１０が温度Ｔの場合（波長フィルタ１０は、この温度Ｔにおいて「１」レベルの波長成分を透過し「０」レベルの波長成分を遮るように設定されている）における第１の光強度と第２の光強度との比を維持するように、局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０の温度を調整する。そして、制御装置２２は、ＬＤ４及び波長フィルタ１０の温度が上記の温度Ｔを下回っている場合に、第１の光強度と第２の光強度との比が温度Ｔにおける値となるように局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０を加熱する。
【００２７】
制御装置２２は、第２の光強度に基づいて、透過光Ｌ２を所定の光強度に増幅／減衰する。より具体的には、制御装置２２は、第２の光強度から増幅率を算出するための演算プログラムや、第２の光強度と増幅率／減衰率との対応を示すルックアップテーブルなどに基づいて、透過光Ｌ２を所定の光強度に増幅／減衰する。上記の演算プログラムやルックアップテーブルは、制御装置２２のメモリに格納されている。
【００２８】
以上説明したように、ＬＤ４はＩｎＰ系のレーザダイオードであり、波長フィルタ１０はＳｉを含む材料から成り、ＩｎＰとＳｉとは屈折率の温度特性が略同様なので、ＬＤ４の有する発振中心波長の温度特性と、波長フィルタ１０の有する透過帯域の中心波長の温度特性とは略同様である。従って、ＬＤ４の有する発振中心波長と波長フィルタ１０の透過帯域の中心波長とが一致する温度Ｔから温度が低下し、両波長が一致しなくなっても、この場合の両波長の差は僅かなので、両波長を一致させるために局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０の温度を上昇させても、上昇分の温度は僅かとなる。よって、局所加熱装置１２の消費電力は比較的小さくて済む。
【００２９】
（変形例）ＬＤ４が、スロープ効率の温度特性が比較的大きく、限定された温度範囲でのみ動作するレーザダイオードの場合には、図２に示す光送信機１ａを用いる。光送信機１ａは、光送信機１の構成に温調装置２４が加えられた構成である。温調装置２４は、制御装置２２の制御に応じて光送信機１ａ内の温度（特に、ＬＤ４や波長フィルタ１０の温度）を変える。制御装置２２は、第１の光強度モニタ装置８のモニタ結果からＬＤ４が動作しているか否かを判定し、光送信機１ａ内の温度がＬＤ４の動作不可能な温度の場合に温調装置２４を駆動し、ＬＤ４が動作可能な温度になるよう調整する。なお、制御装置２２または温調装置２４は、光送信機１ａ内の温度をモニタするモニタ装置を具備してもよく、この場合、制御装置２２は、このモニタ装置によるモニタ結果に基づいて、光送信機１ａ内の温度がＬＤ４の動作不可能な温度か否かを判定してもよい。
【００３０】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】実施形態に係る光送信機の構成を示す図である。
【図２】変形例に係る他の光送信機の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１…光送信機、１０…波長フィルタ、１２…局所加熱装置、１４…第２の光強度モニタ装置、１６…光強度調整装置、１８…バイアス回路、１ａ…光送信機、２…Ｓｉ基板、２０…変調回路、２２…制御装置、２４…温調装置、４…ＬＤ、６…ＰＬＣ回路、８…第１の光強度モニタ装置、Ｌ１…出力信号光、Ｌ２…透過光、Ｌ３…増幅光
【図１】
2009159476.tif 000003
【図２】
2009159476.tif 000004