(57)【要約】【課題】製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、  各画素に配置された自発光性の表示素子４０と、  各画素を分離する隔壁７０と、  各画素の表示素子及び隔壁の上に配置され、画素の中央部と隔壁上とで略同等の膜厚を有する第１保護膜４１０と、  第１保護膜の上に配置され、隔壁上よりも画素の中央部で厚い膜厚を有する第２保護膜４２０と、  第２保護膜の上に配置された第３保護膜４３０と、  を備えたことを特徴とする。【選択図】      図２
2009123615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子と、
各画素を分離する隔壁と、
各画素の前記表示素子及び前記隔壁の上に配置され、画素の中央部と前記隔壁上とで略同等の膜厚を有する第１保護膜と、
前記第１保護膜の上に配置され、前記隔壁上よりも画素の中央部で厚い膜厚を有する第２保護膜と、
前記第２保護膜の上に配置された第３保護膜と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１保護膜は、蒸着法により、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＩＴＯ、ＩＺＯのうちの少なくとも１種類を選択して形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２保護膜は、ポリシラザン、ポリシロキサンのいずれかを用いた湿式法により形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第３保護膜は、蒸着法により、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮのうちの少なくとも１種類を選択して形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
画素の中央部において、前記第２保護膜の膜厚は、前記第１保護膜の膜厚より厚いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１保護膜、前記第２保護膜、及び、前記第３保護膜は、無機系酸化物によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
さらに、前記アクティブエリアを封止する封止基板を備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
さらに、前記封止基板と前記第３保護膜との間のギャップに充填される充填材を備えたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示素子は、
支持基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層及び前記隔壁を覆うように配置された第２電極と、を備えたトップエミッション方式であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、画素回路などとともにアレイ基板に備えられ、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。各画素は、隔壁によって分離されている。このような構成の有機ＥＬ素子は、水分の影響により劣化しやすい薄膜を含んで構成されている。
【０００５】
このため、有機活性層や陰極を形成する工程においてピンホールが形成されると、水分が浸入して短時間のうちにダークスポット、画素シュリンケージと呼ばれる点灯しない領域が発生し、製造歩留まりの低下につながるおそれがある。
【０００６】
また、有機ＥＬ素子を封止する封止基板に凹部を設けて乾燥剤を設置する構成もあるが、大型のパネルを作成する場合には、アクティブエリア全体を覆う凹部を形成することが困難である。また、封止基板が反るなどして有機ＥＬ素子と接触し、陰極にキズが発生すると、ピンホールが形成された場合と同様に、ダークスポット等が発生し、製造歩留まりの低下に繋がるおそれがある。
【０００７】
そこで、これらの課題を解決するために、陰極上に保護膜を形成することが検討されている。
【０００８】
保護膜としては、透湿性の低いＳｉＯＮやＡｌ２Ｏ３等の無機系材料を用いて、乾式法であるＣＶＤやスパッタ等の蒸着法により薄膜を成膜することが検討されている。しかしながら、このような無機系材料を蒸着法により成膜する手法では、成膜速度が遅いため、非透湿性能を確保するのに十分な膜厚を成膜するためには、長い成膜時間が必要となる。また、このような手法では、異物を十分にカバーすることも困難である。
【０００９】
これに対して、保護膜として、有機系材料によって形成された薄膜（樹脂膜）と無機系材料によって形成された薄膜膜（無機膜）とを積層した複合膜を適用することが検討されている。これによれば、複合膜のうち、樹脂膜の膜厚を厚く形成することによって異物をカバーしようとするものである。
【００１０】
しかしながら、樹脂膜は透湿性が高いため、薄い無機膜だけではやはり十分な非透湿性能を確保することは難しく、また、樹脂膜の形成工程において、更に別の異物が発生しやすいといった課題もある。
【００１１】
特許文献１によれば、第１の電極層と発光層と第２の電極層とを有するＥＬ素子が形成されたＥＬ装置において、ＥＬ素子を覆うようにＥＬ素子の表面上に乾式法により形成された第１の保護膜と、第１の保護膜の表面上に湿式法により形成され且つ第１の保護膜の未付着部分を穴埋めするための第２の保護膜とを備えたＥＬ装置が提案されている。
【００１２】
このうち、第１の保護膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、及び、ＳｉＯのいずれかからなり、また、第２の保護膜は、ポリシラザンを用いた湿式法により形成されることが記載されている。しかしながら、ポリシラザンを主成分とする第２の保護膜は、十分な硬度が得られにくく、封止基板の接触などにより容易に傷つきやすい。
【００１３】
トップエミッション方式の場合、保護膜を透過した光によって表示画像を形成することから、保護膜の表面に傷があると、光の屈折等を招き、表示画像の品位低下に繋がるおそれがある。
【特許文献１】特開２００５−０５６５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子と、
各画素を分離する隔壁と、
各画素の前記表示素子及び前記隔壁の上に配置され、画素の中央部と前記隔壁上とで略同等の膜厚を有する第１保護膜と、
前記第１保護膜の上に配置され、前記隔壁上よりも画素の中央部で厚い膜厚を有する第２保護膜と、
前記第２保護膜の上に配置された第３保護膜と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１８】
有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。
【００１９】
アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板２００によって封止されている。封止基板２００は、光透過性を有するガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の基板である。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、例えば、平坦に形成されている。
【００２０】
これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００によって貼り合せられている。シール部材３００は、例えば、感光性樹脂（例えば紫外線硬化型樹脂）であっても良いし、フリットであっても良い。
【００２１】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。
【００２２】
図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３、蓄積容量素子ＣＳなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチ素子ＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子ＣＳは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。
【００２３】
駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。
【００２４】
これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチ素子ＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。
【００２５】
このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。
【００２６】
そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。
【００２７】
表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００２８】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、有機絶縁膜（平坦化層）１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されたものとする。
【００２９】
すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。
【００３０】
ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇなどが配置されている。ゲート電極２０Ｇは、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄなどが配置されている。
【００３１】
これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、有機絶縁膜１１４によって覆われている。このような有機絶縁膜１１４は、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化する目的で、樹脂材料をコーティングするなどの手法により形成されている。
【００３２】
この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。
【００３３】
すなわち、第１電極６０は、有機絶縁膜１１４の上において画素ＰＸ毎に独立島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、有機絶縁膜１１４をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。
【００３４】
このような第１電極６０は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層、及び、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。
【００３５】
有機活性層６２は、第１電極６０上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
【００３６】
有機活性層６２は、高分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、インクジェット法などの選択塗布法により成膜可能である。また、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。
【００３７】
第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。
【００３８】
また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。
【００３９】
また、この実施の形態においては、有機ＥＬ表示装置１は、さらに、積層体によって構成された保護膜４００を備えている。この保護膜４００は、各色画素の有機ＥＬ素子４０及びこれらの有機ＥＬ素子を囲む隔壁７０の上に配置された第１保護膜４１０、第１保護膜４１０の上に配置された第２保護膜４２０、及び、第２保護膜４２０の上に配置された第３保護膜４３０によって構成されている。
【００４０】
すなわち、第１保護膜４１０は、第２電極６４を覆うように配置されている。このような第１保護膜４１０は、少なくともアクティブエリア１０２の全体にわたって配置され、さらに、最外周の隔壁より外方（つまり、アレイ基板１００の端部側）まで延在している。
【００４１】
この第１保護膜４１０は、無機系材料によって形成されている。この実施の形態においては、第１保護膜４１０は、シリコン酸化物（例えば、ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（例えば、ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（例えば、ＳｉＯＮ）、導電性酸化物（例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ）のうちの少なくとも１種類を選択して形成されている。
【００４２】
このような第１保護膜４１０は、乾式法であるＣＶＤやスパッタ等の蒸着法により成膜される。第１保護膜４１０は、有機ＥＬ素子４０を構成する第２電極６４に接触するため、有機ＥＬ素子４０へのダメージを考慮すると、成膜手法として湿式法を選択することは避けるべきである。
【００４３】
このようにして形成された第１保護膜４１０は、下地の凹凸の影響を緩和しにくく、概ね下地の表面に均一な膜厚で形成されるといった特徴がある。特に、画素の寸法（例えば３０〜５０μｍ）Ｗが隔壁７０の高さ（例えば１〜３μｍ）７０Ｈの概ね１０倍以上となるような構成においては、画素ＰＸの中央部における第１保護膜４１０の膜厚４１０Ｃと、隔壁７０の上における第１保護膜４１０の膜厚４１０Ｔとは略同等となる。なお、画素ＰＸの中央部とは、例えば、略矩形状の有効部（第１電極６０の隔壁７０から露出した部分）を有する構成においては、有効部の対角線が交わる部分に相当する。
【００４４】
第２保護膜４２０は、少なくともアクティブエリア１０２の全体にわたって配置されている。
【００４５】
このような第２保護膜４２０は、無機系材料によって形成されている。特に、この実施の形態においては、第２保護膜４２０は、ポリシラザン、ポリシロキサンのいずれかを用いた湿式法により形成されている。この実施の形態においては、第２保護膜４２０を成膜する手法としては、乾式法は排除される。
【００４６】
このような第２保護膜４２０を形成するための湿式法は、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサンのいずれかを有機溶媒に溶解したコート液を用いて実施される。コート液を塗布する方法は特に限定されない。第１保護膜４１０の表面にコート液を塗布した後、ホットプレートを用いて所定条件で加熱するベーキング処理を行うことにより、ポリシラザンあるいはポリシロキサンを反応させて、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる第２保護膜４２０が形成される。
【００４７】
このように、湿式法で成膜された第２保護膜４２０は、自身にクラックやピンホールが形成されにくいという利点を有しているとともに、たとえ下層にクラックやピンホールなどの凹凸が形成されていたとしても、塗布時にこれらに浸透して穴埋めするといった特徴を有している。
【００４８】
すなわち、このようにして形成された第２保護膜４２０は、下地の凹凸の影響を緩和し、凸部の上に残る膜厚が凹部に残る膜厚より薄くなるといった特徴がある。特に、隔壁７０が突出して画素を分離するような構成においては、画素ＰＸの中央部における第２保護膜４２０の膜厚４２０Ｃは、隔壁７０の上における第２保護膜４２０の膜厚４２０Ｔより厚くなる。また、隔壁７０の高さ７０Ｈよりも十分に厚い膜厚の第２保護膜４２０は、その表面が略平坦となるが、必ずしも平坦化しなくても良い。
【００４９】
第３保護膜４３０は、少なくともアクティブエリア１０２の全体にわたって配置されている。このような第３保護膜４３０は、傷つきやすい第２保護膜４２０を保護するハードコート層として機能するものである。
【００５０】
この第３保護膜４３０は、無機系材料によって形成されている。この実施の形態においては、第３保護膜４３０は、酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ２Ｏ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、シリコン酸化物（例えば、ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（例えば、ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（例えば、ＳｉＯＮ）のうちの少なくとも１種類を選択して形成されている。
【００５１】
このような第３保護膜４３０は、乾式法であるＣＶＤやスパッタ等の蒸着法により成膜される。このようにして形成された第３保護膜４３０は、下地の凹凸の影響を緩和しにくく、概ね下地の表面に均一な膜厚で形成されるといった特徴がある。すなわち、第１保護膜４１０と同様に、画素ＰＸの中央部における第３保護膜４３０の膜厚４３０Ｃと、隔壁７０の上における第３保護膜４３０の膜厚４３０Ｔとは略同等となる。
【００５２】
上述した構成よれば、有機ＥＬ素子４０は、バリア性の高い無機系材料からなる第１保護膜４１０によって覆われている。また、この第１保護膜４１０は、同じくバリア性の高い無機系材料からなる第２保護膜４２０によって覆われている。この第２保護膜４２０は、この第１保護膜４１０にクラックやピンホールなどの欠陥が形成されたとしてもこの欠陥に浸透するような塗布系の無機系材料によって形成されている。このため、有機ＥＬ素子４０への水分の進入による劣化を抑制することが可能となり、表示装置として長寿命化が可能となる。
【００５３】
また、第２保護膜４２０は、ハードコート層として機能する第３保護膜４３０によって覆われている。このため、第２保護膜４２０の引っかき強度や摩擦耐性の向上を図ることが可能となる。特に、トップエミッション方式の場合、保護膜側が画像表示面となるため、保護膜４００の表面の損傷を防止することにより、良好な表示品位の表示画像を視認可能となる。
【００５４】
したがって、製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することができる。
【００５５】
上述した実施の形態において、画素ＰＸの中央部においては、第２保護膜４２０の膜厚４２０Ｃは、第１保護膜４１０の膜厚４１０Ｃより厚く形成されていることが望ましい。
【００５６】
すなわち、第１保護膜４１０は、蒸着法によって形成されるため、限られた成膜時間では厚膜化は困難である。このような第１保護膜４１０は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚に形成されることが望ましい。
【００５７】
これに対して、第２保護膜４２０は、湿式法により形成されるため、比較的短時間で容易に厚膜化が可能となる。特に、画素ＰＸの有効部は、隔壁７０のトップの位置より窪んでいるため、塗布時のコート液が溜まりやすく、成膜された第２保護膜４２０は、画素ＰＸの有効部において厚膜化する傾向にある。このような第２保護膜４２０は、０．５μｍ以上１０μｍ以下の膜厚に形成されることが望ましい。
【００５８】
このため、第２保護膜４２０は、第１保護膜４１０に形成され得る欠陥を穴埋めしつつ、付着し得る異物の影響を緩和するのに十分な厚い膜厚に形成されているので、より高いバリア性を確保することが可能となる。
【００５９】
なお、第３保護膜４３０は、第１保護膜４１０と同様に蒸着法によって形成されるため、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚に形成されることが望ましい。
【００６０】
上述した実施の形態において、第１保護膜４１０、第２保護膜４２０、及び、第３保護膜４３０は、それぞれ各種材料を選択可能であることを説明したが、特に、これらは、無機系酸化物によって形成されることが望ましい。
【００６１】
これは、無機系酸化物同士が馴染みやすく、界面の繋がりが良好であるとの知見に基づいている。第２保護膜４２０がシリコン酸化物によって形成されることから、第１保護膜４１０として、例えば、シリコン酸化物を選択することにより、第１保護膜４１０と第２保護膜４２０との繋がりが良好となることが確認されている。同様に、第３保護膜４３０として、たとえば、シリコン酸化物を選択することにより、第２保護膜４２０と第３保護膜４３０との繋がりが良好となる。このため、保護膜４００を構成する３層間での剥離を抑制することが可能となる。
【００６２】
上述した実施の形態においては、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２が封止基板２００によって封止されているが、封止基板２００は省略しても良い。なお、封止基板２００を配置することにより、保護膜４００の損傷をさらに抑制することができ、トップエミッション方式においては、長期にわたって良好な表示品位を維持することが可能となる。
【００６３】
また、封止基板２００を配置した構成においては、封止基板２００と第３保護膜４３０との間のギャップに充填材を充填しても良い。充填材としては、樹脂材料が選択可能である。このように、充填材を充填することにより、パネル強度を向上することが可能となるとともに、気密性のさらなる向上を図ることが可能となる。
【００６４】
次に、実施例について説明する。
【００６５】
まず、４００ｍｍ×５００ｍｍの寸法のガラス基板（支持基板）上に低温ポリシリコンＴＦＴを形成した配線基板１２０を準備した。そして、この配線基板１２０の上に、有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０を形成した後、隔壁７０を形成する。
【００６６】
その後、有機活性層（ホール輸送層、電子ブロック層、発光層、ホールブロック層）６２を順次、蒸着法により成膜する。続いて、第２電極６４として、蒸着法によりフッ化リチウム（ＬｉＦ）層を１０オングストロームの膜厚に成膜したのに続いて、蒸着法により半透過層（Ｍｇ・Ａｇ層）を５０オングストロームの膜厚に成膜する。これにより、有機ＥＬ素子４０を備えたアレイ基板１００が形成される。
【００６７】
そして、このアレイ基板１００のアクティブエリア相当の領域に、ＣＶＤ法により第１保護膜４１０としてＳｉＯ２膜を２０００オングストローム程度の膜厚に成膜する。なお、第１保護膜４１０として平行平板マグネトロンスパッタ装置によってＩＴＯを成膜してもよい。第１保護膜４１０としてのＳｉＯ２は、ここでは第２保護膜４２０を形成するためのコート液が直接有機ＥＬ素子（特に第２電極）に接触しないように導入した。
【００６８】
続いて、このアレイ基板１００をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気下で表面処理し、親水性を確保する。これにより、第１保護膜４１０などの表面の濡れ性が向上し、後に塗布されるコート液が馴染みやすくなって基板表面に容易に拡散する。
【００６９】
そして、ポリシラザンまたはポリシロキサンを主成分とする無機ＳｉＯ２系のコート液をスリットコート法により５μｍ程度の膜厚に塗布する。これにより、第２電極６４や第１保護膜４１０に形成された欠陥や異物による凹凸が被覆される。この後、２００℃以下の温度の大気環境下で１時間ベークして固体化させて水分進入を防ぐための欠陥のない厚い膜厚の第２保護膜４２０を形成した。
【００７０】
そして、この第２保護膜４２０の上にさらに、平行平板マグネトロンスパッタ装置によって第３保護膜４３０としてＡｌ２Ｏ３を５０００オングストローム程度の膜厚に成膜する。
【００７１】
その後、このような構成のアレイ基板１００に対して、封止基板２００となるガラス基板をシール部材３００により貼りあわせ、有機ＥＬパネルが完成する。このとき、必要に応じて、封止基板２００と第３保護膜４３０との間のギャップ（空隙）に充填材を充填して封止してもよい。
【００７２】
上述した有機ＥＬパネルによれば、有機ＥＬ素子を形成する工程における異物の付着や、ピンホールなどの欠陥が発生した場合でも、防水性能が高い保護膜によって被覆することが可能となり、水分の浸入を効果的に防止することが可能となった。
【００７３】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１…有機ＥＬ表示装置  ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
１０…画素回路  ＤＲＴ…駆動トランジスタ
ＳＷ１…第１スイッチ  ＳＷ２…第２スイッチ
ＳＷ３…第３スイッチ  Ｃｓ…蓄積容量素子
４０…有機ＥＬ素子（表示素子）
６０…第１電極  ６２…有機活性層  ６４…第２電極  ７０…隔壁
１００…アレイ基板  １０１…支持基板  １０２…アクティブエリア
１２０…配線基板  ２００…封止基板  ３００…シール部材
４００…保護膜  ４１０…第１保護膜  ４２０…第２保護膜  ４３０…第３保護膜
【図１】
2009123615.tif 000003
【図２】
2009123615.tif 000004