(57)【要約】【課題】アンテナ形成後に、そのアンテナの特性を調整できる回路基板と、その回路基板を有する電話装置を提供すること【解決手段】短絡用線路２９には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を短絡用線路２９に接続するための複数の接続端子３１ａ１〜３１ａ３を設けており、短絡用線路２９にゼロオームチップ抵抗２３を接続の一端の接続位置を、接続端子３１ａ１〜３１ａ３から選択することができる。これにより、給電点２２から、グランド電極２４ｂとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分までの電気的な長さが複数段階に変えることができるので、回路基板１７に形成されるアンテナの共振周波数を複数段階に変化させることができる。よって、回路基板１７にアンテナを形成した後に、そのアンテナの特性を調整できる。【選択図】図２
2009105782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基材と、
その誘電体基材上に形成されたグランド電極と、
前記誘電体基材上に開放された一端を含む少なくとも一部分が前記グランド電極と対向して形成された放射線路と、
その放射線路の他端と接続され、その放射線路に高周波信号を給電する若しくはその放射線路に発生した高周波信号を受電する給電線路と、
前記誘電体基材上に形成されると共に前記放射線路と接続される短絡用線路と、
その短絡用線路と前記グランド電極とを短絡する短絡素子と、
前記短絡用線路に設けられ、前記短絡素子の一端を前記短絡用線路に接続すると共に、その短絡素子の一端の接続位置を変更可能に形成された接続端子とを備えていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
誘電体基材と、
その誘電体基材上に形成されたグランド電極と、
前記誘電体基材上に開放された一端を含む少なくとも一部分が前記グランド電極と対向して形成された放射線路と、
その放射線路の他端と接続され、その放射線路に高周波信号を給電する若しくはその放射線路に発生した高周波信号を受電する給電線路と、
前記放射線路と前記グランド電極とを短絡する短絡素子と、
前記放射線路に設けられ、前記短絡素子の一端を前記放射線路に接続すると共に、その短絡素子の一端の接続位置を変更可能に形成された接続端子とを備えていることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
前記接続端子は、前記短絡素子の一端の接続可能な位置が連続して形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記接続端子は、前記短絡素子の一端の接続可能な位置が複数形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項５】
前記接続端子は、前記短絡用線路または前記放射線路の外縁側に導体をパターン化して形成されたものであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記短絡用線路または前記放射線路を被覆する絶縁性の被覆膜を備え、
前記接続端子は、前記短絡用線路または前記放射線路が露出するように前記被覆膜を除去して形成されたものであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
前記接続端子は、前記短絡用線路上または前記放射線路上に形成された前記短絡素子が嵌着される穴であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
前記短絡素子は、ゼロオーム抵抗素子であることを特徴とする請求項１から７に記載の回路基板。
【請求項９】
無線通信を行う電話装置であって、
請求項１から８のいずれかに記載の回路基板と、
その回路基板へ給電する高周波信号を生成し、又は前記回路基板より受電した高周波信号を処理する信号処理回路とを備えていることを特徴とする電話装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板および電話装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、アンテナの小型化を目的として、回路基板の表面上に導体をパターン化して形成されたアンテナがある。この種のアンテナとしては、例えば、逆Ｆ型アンテナと呼ばれるものが広く知られている。特許文献１には、誘電体基板２１上に形成された逆Ｆ型アンテナが記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載の逆Ｆ型アンテナは、誘電体基板２１の一面側から側面にかけて形成された導体膜の一端が解放され、その側面側の他端部が裏面に設けられるグランド電極２３と接続されることにより放射電極２２が形成され、グランド電極２３との接続端に近い側に設けられる給電点２２ａに誘電体基板２１およびグランド電極２３に設けられた貫通孔を介して給電ピン２４が接続された構造になっている。
【０００４】
この逆Ｆ型アンテナの共振周波数は、放射電極２２の長さと、誘電体基板２１の誘電率とによって定まる。即ち、放射電極２２の長さが大きいほど共振周波数は低くなり、放射電極２２の長さが同じ場合、誘電体基板２１の誘電率が大きいほど共振周波数は低くなる。加えて、放射電極２２とグランド電極２３との接続端と、給電点２２ａとの長さによっても逆Ｆ型アンテナの共振周波数が変わることが知られており、放射電極２２とグランド電極２３との接続端と、給電点２２ａとの長さが短いほど共振周波数が低くなる。
【特許文献１】特開２００４−５６５０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
さて、一の回路基板に対して設計したアンテナの導体パターンを、別の回路基板にも用いたい、という要望がある。しかしながら、上述したように、特許文献１に記載の逆Ｆ型アンテナの共振周波数は、誘電体基板２１の誘電率によって定まるので、誘電率の異なる回路基板（誘電体基板）に同じ導体パターンを用いると、アンテナの共振周波数が変化してしまう。従って、異なる回路基板で所望の共振周波数を得るためには、結局、アンテナの導体パターンを回路基板の誘電率に応じて、回路基板毎に設計しなければならないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、アンテナ形成後に、そのアンテナの特性を調整できる回路基板と、その回路基板を用いた電話装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために、請求項１に記載の回路基板は、誘電体基材と、その誘電体基材上に形成されたグランド電極と、前記誘電体基材上に開放された一端を含む少なくとも一部分が前記グランド電極と対向して形成された放射線路と、その放射線路の他端と接続され、その放射線路に高周波信号を給電する若しくはその放射線路に発生した高周波信号を受電する給電線路と、前記誘電体基材上に形成されると共に前記放射線路と接続される短絡用線路と、その短絡用線路と前記グランド電極とを短絡する短絡素子と、前記短絡用線路に設けられ、前記短絡素子の一端を前記短絡用線路に接続すると共に、その短絡素子の一端の接続位置を変更可能に形成された接続端子とを備えている。
【０００８】
請求項２に記載の回路基板は、誘電体基材と、その誘電体基材上に形成されたグランド電極と、前記誘電体基材上に開放された一端を含む少なくとも一部分が前記グランド電極と対向して形成された放射線路と、その放射線路の他端と接続され、その放射線路に高周波信号を給電する若しくはその放射線路に発生した高周波信号を受電する給電線路と、前記放射線路と前記グランド電極とを短絡する短絡素子と、前記放射線路に設けられ、前記短絡素子の一端を前記放射線路に接続すると共に、その短絡素子の一端の接続位置を変更可能に形成された接続端子とを備えている。
【０００９】
請求項３に記載の回路基板は、請求項１又は２に記載の回路基板において、前記接続端子は、前記短絡素子の一端の接続可能な位置が連続して形成されている。
【００１０】
請求項４に記載の回路基板は、請求項１又は２に記載の回路基板において、前記接続端子は、前記短絡素子の一端の接続可能な位置が複数形成されている。
【００１１】
請求項５に記載の回路基板は、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板において、前記接続端子は、前記短絡用線路または前記放射線路の外縁側に導体をパターン化して形成されたものである。
【００１２】
請求項６に記載の回路基板は、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板において、前記短絡用線路または前記放射線路を被覆する絶縁性の被覆膜を備え、前記接続端子は、前記短絡用線路または前記放射線路が露出するように前記被覆膜を除去して形成されたものである。
【００１３】
請求項７に記載の回路基板は、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板において、前記接続端子は、前記短絡用線路上または前記放射線路上に形成された前記短絡素子が嵌着される穴である。
【００１４】
請求項８に記載の回路基板は、請求項１から７に記載の回路基板において、前記短絡素子は、ゼロオーム抵抗素子である。
【００１５】
請求項９に記載の電話装置は、無線通信を行うものであって、請求項１から８のいずれかに記載の回路基板と、その回路基板へ給電する高周波信号を生成し、又は前記回路基板より受電した高周波信号を処理する信号処理回路とを備えている。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に記載の回路基板によれば、誘電体基材上に、グランド電極と、開放された一端（開放端）を含む少なくとも一部分がグランド電極と対向した放射線路とが形成される。また、放射線路の他端には給電線路が接続され、この給電線路により、放射線路に高周波信号が給電されるか、若しくは、放射線路に発生した高周波信号が受電される。これにより、給電線路から放射線路に高周波信号を給電すれば、放射線路の開放端とグランド電極との間に発生する電界により放射線路から電波が送信され、また、電波により放射線路上に発生する高周波信号を、給電線路を介して受電すれば、放射線路により電波が受信される。よって、回路基板上にアンテナが形成される。また、短絡用線路と短絡素子とにより放射線路とグランド電極とが短絡されるので、短絡用線路および短絡素子のインダクタンス成分によって、放射線路とグランド電極との対向部分に発生する寄生容量（リアクタンス成分）がキャンセルされる。これにより、アンテナの共振特性が向上する。ここで、短絡用線路には、短絡素子の一端を短絡用線路に接続すると共にその短絡素子の一端の接続位置を変更可能な接続端子が設けられるので、回路基板上にアンテナを形成した後に、短絡用線路側の短絡素子の接続位置を変更することができる。これにより、短絡用線路側の短絡素子の接続位置を変更すれば、放射線路と給電線路との接続位置である放射線路の他端から、短絡素子とグランド電極との接続部分までの電気的な長さが変わるので、回路基板に形成されるアンテナの共振周波数を変化させることができる。よって、アンテナ形成後に、そのアンテナの特性を調整できるという効果がある。また、これにより、異なる誘電率を有する誘電体基材を用いる場合に、その誘電率に応じて短絡用線路側の短絡素子の接続位置を変更すれば、回路基板上に形成されたアンテナを所望の特性に合わせることができる。よって、誘電体基材の誘電率に合わせてアンテナを設計し直す労力を抑制することができるという効果がある。
【００１７】
請求項２に記載の回路基板によれば、誘電体基板上に形成されたグランド電極および放射線路と、放射線路の他端に接続された給電線路とによって、請求項１に記載の回路基板と同様により回路基板上にアンテナが形成される。また、放射線路とグランド電極とが短絡素子によって短絡されるので、短絡素子のインダクタンス成分によって、放射線路とグランド電極との対向部分に発生する寄生容量（リアクタンス成分）がキャンセルされる。これにより、アンテナの共振特性が向上する。ここで、放射線路には、短絡素子の一端を放射線路に接続すると共にその短絡素子の一端の接続位置を変更可能な接続端子が設けられるので、回路基板上にアンテナを形成した後に、放射線路側の短絡素子の接続位置を変更することができる。これにより、放射線路側の短絡素子の接続位置を変更すれば、放射線路と給電線路との接続位置である放射線路の他端から、短絡素子とグランド電極との接続部分までの電気的な長さが変わるので、回路基板に形成されるアンテナの共振周波数を変化させることができる。よって、アンテナ形成後に、そのアンテナの特性を調整できるという効果がある。また、これにより、異なる誘電率を有する誘電体基材を用いる場合に、その誘電率に応じて放射線路側の短絡素子の接続位置を変更すれば、回路基板上に形成されたアンテナを所望の特性に合わせることができる。よって、誘電体基材の誘電率に合わせてアンテナを設計し直す労力を抑制することができるという効果がある。
【００１８】
請求項３に記載の回路基板によれば、請求項１又は２に記載の回路基板の奏する効果に加えて、接続端子は、短絡素子の一端の接続可能な位置が連続して形成されるので、アンテナの特性を細かく調整することができるという効果がある。
【００１９】
請求項４に記載の回路基板によれば、請求項１又は２に記載の回路基板の奏する効果に加えて、接続端子は、短絡素子の一端の接続可能な位置が複数形成されるので、アンテナの特性を複数段階に分けて調整することができるという効果がある。
【００２０】
請求項５に記載の回路基板によれば、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板の奏する効果に加えて、接続端子は、短絡用線路または放射線路の外縁側に導体をパターン化して形成されたものであるので、接続端子に短絡素子の一端を接続する場合に、接続端子をその接続位置の目印とすることができるという効果がある。
【００２１】
請求項６に記載の回路基板によれば、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板の奏する効果に加えて、被覆膜によって短絡用線路または放射線路が被覆され、接続端子は、短絡用線路または放射線路が露出するようにその被覆膜を除去して形成されたものであるので、短絡用線路または放射線路に接続端子を形成する場合に、短絡用線路または放射線路の形状が変形され、アンテナの特性が劣化するのを防止できる。よって、アンテナの特性を良好に保つことができるという効果がある。
【００２２】
請求項７に記載の回路基板によれば、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板の奏する効果に加えて、接続端子は、短絡用線路上または放射線路上に形成された短絡素子が嵌着される穴であるので、簡単に接続端子を形成できるという効果がある。また、短絡素子の一端の接続位置が、穴の存在によって明確に判別することができるので、その位置決めを容易に行うことができるという効果がある。
【００２３】
請求項８に記載の回路基板によれば、請求項１から７のいずれかに記載の回路基板の奏する効果に加えて、短絡素子としてゼロオーム抵抗素子を用いるので、短絡部分での抵抗成分を限りなく小さくすることができる。これにより、アンテナの共振特性が、短絡部分の抵抗成分によって劣化するのを抑制することができるという効果がある。
【００２４】
請求項９に記載の電話装置によれば、信号処理回路から給電された高周波信号に基づいて電波が送信され、又は、受信した電波に基づいて信号処理回路により処理の行われる高周波信号が受電されるアンテナとして、請求項１から８のいずれかに記載の回路基板が用いられる。これにより、回路基板上に形成されているアンテナの特性をいつでも調整できるという効果がある。また、異なる誘電率を有する誘電体基材を用いた回路基板を使用する場合に、その誘電率に応じて回路基板上に形成されるアンテナの特性を所望の特性に合わせることができる。よって、誘電体基材の誘電率に合わせてアンテナを設計し直す労力を抑制することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施形態について、添付図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態における回路基板１７を有した多機能周辺装置（以下、「ＭＦＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ  Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ）」と称す）１と子機６１との外観構成を示した斜視図である。
【００２６】
ＭＦＰ１は、無線通信を介してデータ通信や通話を行うための装置であり、親機であるＭＦＰ１、または、電話回線網を介して接続される外部装置（図示せず）との間で通話を行うためのデジタルコードレス式の子機６１を備えている。そして、ＭＦＰ１は、無線通信を介して子機６１との間で通話を行うコードレス通話機能を有している。
【００２７】
ＭＦＰ１の筐体内部には、そのコードレス通話機能を行うための回路基板１７が内蔵されている。回路基板１７には、導体パターンとゼロオームチップ抵抗２３（図２参照）とによって逆Ｆ型アンテナが形成されており、このアンテナを用いて子機６１に対して電波を送信すると共に子機６１からの電波を受信する。この回路基板１７は、回路基板１７上にアンテナを形成した後、そのアンテナの特性を調整できるように構成されている。
【００２８】
ＭＦＰ１の上面前方には、横長形状の操作パネル６が設けられており、操作キー１５、液晶ディスプレイ１６（以下「ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）１６」と称する。）を具備する。操作キー１５は、ＭＦＰ１を操作するための操作入力キーにより構成されている。ユーザは、操作入力キーの押下により、無線通信を開始して子機６１との間で通話を開始したり、電話番号の入力により電話回線網を介して外部装置と接続することができる。ＬＣＤ１６には、操作手順や実行中の処理の状態が表示されると共に、操作キー１５の押下に対応する情報が表示される。
【００２９】
ＭＦＰ１の側部には、送受話器１８が設けられている。送受話器１８は、通話を行うための装置であり、マイクロフォンとスピーカとを有している。マイクロフォンは、入力された音声をアナログ音声信号（電気信号）に変換するものであり、また、スピーカは、アナログ音声信号を音声に変換して出力するものである。
【００３０】
次いで、図２（ａ）を参照して、回路基板１７の詳細構成について説明する。図２（ａ）は、回路基板１７の詳細構成を示した平面図である。図２（ａ）に示すように、この回路基板１７には、誘電体基材２０上に、２つのグランド電極２４ａ，２４ｂが各々矩形状に形成されると共に、グランド電極２４ａの一辺２４ａ１とグランド電極２４ｂの一辺２４ｂ１とが同じ直線状に揃うように並んで形成されている。
【００３１】
また、放射線路２１がＬ型形状に形成され、且つ、開放端２１ａを含む一辺がグランド電極２４ａの一辺２４ａ１と所定の間隔を隔てて対向するように形成されている。一方、放射線路２１の他端（給電点）２２は、２つのグランド電極２４ａ，２４ｂとの間で且つグランド電極２４ａの一辺２４ａ１とグランド電極２４ｂの一辺２４ｂ１とを結ぶ直線上に形成されている。
【００３２】
また、給電線路２５が、放射線路２１と給電点２２で接続されると共に、２つのグランド電極２４ａ，２４ｂの間を通って後述する信号処理集積回路５１（以下、「信号処理ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）５１」と称する。）と接続されるように形成されている。更に、短絡用線路２９が、グランド電極２４ｂと所定の間隔を隔てて対向する共に、放射線路２１の直角部分である接続位置２１ｂで放射線路２１と接続されるように形成されている。
【００３３】
これらグランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５、および短絡用線路２９は、金属を所定の形状にパターニングすることによって、即ち導体パターンによって形成される。そして、後述するように、グランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５によって、回路基板１７上にアンテナが構成される。
【００３４】
また、グランド電極２４ｂと短絡用線路２９とは、ゼロオームチップ抵抗２３によって接続されるようになっている。これにより、放射線路２１とグランド電極２４ｂとは、短絡用線路２９およびゼロオームチップ抵抗２３を介して短絡される。即ち、回路基板１７上のアンテナは、逆Ｆ型アンテナとして構成される。そして、後述するように、ゼロオームチップ抵抗２３の短絡用線路２９との接続位置によって、アンテナの特性が調整される。
【００３５】
次いで、各部の詳細構成について説明する。グランド電極２４ａ，２４ｂは、回路基板１７に形成されるアンテナの接地基準を定めるための電極である。このグランド電極２４ａ，２４ｂは、ＭＦＰ１の筺体と電気的に接続されており、常にＭＦＰ１の筺体と同電位に保たれている。
【００３６】
また、グランド電極２４ｂには、短絡用線路２９と所定の距離を隔てて対向するように複数（本実施形態では３つ）の接続端子３１ｂ１，３１ｂ２，３１ｂ３が形成されている。この接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３は、グランド電極２４ｂの外縁に且つグランド電極２４ｂと接するように、導体をパターニングして形成したランドによって構成されている。
【００３７】
この接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端が接続されるようになっている。そして、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を、接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３のいずれかと接続することによって、ゼロオームチップ抵抗２３がグランド電極２４ｂと電気的に接続される。なお、接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３は、上述したようにランドによって構成されているので、ゼロオームチップ抵抗２３の一端をチップマウンタによって接続する場合に、接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３をゼロオームチップ抵抗２３の接続位置の目印とすることができる。
【００３８】
放射線路２１は、高周波信号を電波に変換して送信し、又は、電波を高周波信号に変換して受信する電極である。この放射線路２１において、グランド電極２４ａと対向している一辺の一端２１ａが開放されており、接地電位を基準に開放端２１ａから強い電界が発生することにより、電波が空間に放射される。
【００３９】
給電線路２５は、信号処理ＩＣ５１によって生成された高周波信号を給電点２２から放射線路２１に給電し、又は、放射線路２１に発生した高周波信号を給電点２２から受電して信号処理ＩＣへ伝送する線路である。
【００４０】
信号処理ＩＣ５１は、子機６１との間で無線通信による通話を行うコードレス通信機能を制御する回路である。この信号処理ＩＣ５１では、無線通信によって子機６１へ伝送する音声データを変調処理して高周波信号を生成する。そして、生成した高周波信号を給電線路２５へ重畳し、給電線路２５を介して放射線路２１に給電する。これにより、放射線路２１から高周波信号に対応した電波が放射される。
【００４１】
また、信号処理ＩＣ５１では、子機６１から送信された電波によって放射線路２１に発生し、そして給電線路２５によって受電された高周波信号に対して、復調処理を行う。これにより、子機６１から送信されてきた音声データがＭＦＰ１で受信される。
【００４２】
このように、回路基板１７上に形成されたグランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５によってアンテナが構成される。そして、回路基板１７に形成されたアンテナにより、子機６１との間でコードレス通話機能を実現することができる。
【００４３】
なお、信号処理ＩＣ５１と接続された給電線路２５は、信号処理ＩＣ５１の中でＭＦＰ１の筺体に接続されたグランド電極（図示せず）と接続されている。これにより、給電線路２５の直流電位は、ＭＦＰ１の筺体と同電位に保たれ、この直流電位に対して、高周波信号が重畳される。
【００４４】
短絡用線路２９は、放射電極２１とグランド電極２４ｂとを短絡するための線路である。そして、短絡用線路２９には、短絡用線路２９と放射電極２１との接続位置２１ｂから離れた位置に、且つ、グランド電極２４ｂに形成された接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３の各々と、それぞれ所定の間隔（ゼロオームチップ抵抗２３のサイズに応じた長さ）を隔てて対向するように複数（本実施形態では３つ）の接続端子３１ａ１，３１ａ２，３１ａ３が形成されている。この接続端子３１ａ１〜３１ａ３は、短絡用線路２９の外縁に且つ短絡用線路２９と接するように、導体をパターニングして形成したランドによって構成されている。
【００４５】
この接続端子３１ａ１〜３１ａ３には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端が接続されるようになっている。そして、この接続端子３１ａ１〜３１ａ３のいずれかに、グランド電極２４ｂに設けられた接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３と接続されたゼロオームチップ抵抗２３の一端とは別の一端を接続することにより、ゼロオームチップ抵抗２３が短絡用線路２９と電気的に接続される。
【００４６】
なお、接続端子３１ａ１〜３１ａ３は、上述したようにランドによって構成されているので、ゼロオームチップ抵抗２３の一端をチップマウンタによって接続する場合に、接続端子３１ａ１〜３１ａ３をゼロオームチップ抵抗２３の接続位置の目印とすることができる。
【００４７】
ゼロオームチップ抵抗２３は、抵抗値がゼロオームの抵抗器が表面実装パッケージ化された素子で、回路上の２点間を短絡するジャンパー素子として機能するものである。このゼロオームチップ抵抗２３は、回路基板１７上にグランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５、短絡用線路２９、接続端子３１ａ１〜３１ａ３、接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３を導体パターンによって形成した後に、回路基板１７に実装される。尚、ゼロオームチップ抵抗２３に含まれる抵抗器は、その抵抗値が実質的にゼロオームと見なすことができるものであってもよい。
【００４８】
このとき、ゼロオームチップ抵抗２３は、回路基板１７上に一端が接続端子３１ａ１に、他端が接続端子３１ｂ１に接続されるか、一端が接続端子３１ａ２に、他端が接続端子３１ｂ２に接続されるか、若しくは、一端が接続端子３１ａ３に、他端が接続端子３１ｂ３に接続されるようになっている。なお、図２（ａ）には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を接続端子３１ａ１に、他端を接続端子３１ｂ１に接続した場合を例示している。
【００４９】
これにより、接続端子３１ａ１〜３１ａ３を備えた短絡用線路２９と、接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３を備えたグランド電極２４ｂとが短絡され、放射線路２１と短絡用線路２９との接続位置２１ｂからグランド電極２４ｂまでの間にインダクタンス成分が生じる。そして、このインダクタンス成分によって、放射線路２１とグランド電極２４ａとの対向部分に発生する寄生容量（リアクタンス成分）がキャンセルされるので、回路基板１７に形成されたアンテナの共振特性が向上する。
【００５０】
また、ゼロオームチップ抵抗２３は、その抵抗値が限りなくゼロに近いものであるので、ゼロオームチップ抵抗２３を用いて短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとを短絡すれば、その箇所での抵抗成分を限りなく小さくすることができる。これにより、逆Ｆ型アンテナの共振特性が、短絡部分の抵抗成分によって劣化されるのを抑制することができる。よって、アンテナの特性を良好に保つことができる。
【００５１】
一方、ゼロオームチップ抵抗２３を接続する接続端子３１ａ１〜３１ａ３および接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３の組を変更することで、給電点２２から、グランド電極２４ｂとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分までの電気的な長さを変えることができる。
【００５２】
次いで、図２（ｂ）を参照して、回路基板１７に形成されたアンテナの共振特性について説明する。図２（ｂ）は、回路基板１７に形成されたアンテナにおける電圧定在波比（以下、「ＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｔａｎｄｉｎｇ  Ｗａｖｅ  Ｒａｔｉｏ）」と称する。）の周波数特性を模式的に示した模式図である。
【００５３】
ＶＳＷＲは、放射線路２１内に発生する定在波の最小値（｜Ｖ１｜）に対する最大値（｜Ｖ２｜）の比（｜Ｖ２｜／｜Ｖ１｜）を表したものである。放射線路２１が共振する場合、定在波の最小値（｜Ｖ１｜）と最大値（｜Ｖ２｜）との差が共振していない場合と比較して小さくなる。従って、図２（ｂ）の図においてＶＳＷＲが極小値となる周波数が、共振周波数である。
【００５４】
なお、図２（ｂ）において、（１）はゼロオームチップ抵抗２３が接続端子３１ａ１と接続端子３１ｂ１との組に接続された場合のＶＳＷＲの周波数特性であり、（２）はゼロオームチップ抵抗２３が接続端子３１ａ２と接続端子３１ｂ２との組に接続された場合のＶＳＷＲの周波数特性であり、（３）はゼロオームチップ抵抗２３が接続端子３１ａ３と接続端子３１ｂ３との組に接続された場合のＶＳＷＲの周波数特性である。
【００５５】
さて、上述したように、給電点２２から、グランド電極２４ｂとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分までの電気的な長さを変えると、アンテナの共振周波数も変わることが知られている。即ち、給電点２２から、グランド電極２４ｂとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分までの電気的な長さが短いほど、逆Ｆ型アンテナの共振周波数が低くなる。
【００５６】
従って、ゼロオームチップ抵抗２３が接続端子３１ａ１と接続端子３１ｂ１との組に接続される場合、給電点２２から、グランド電極２４ｂとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分（接続端子３１ｂ１）までの電気的な長さが一番長いので、図２（ｂ）（１）に示すように、その共振周波数ｆ０１は一番高くなる。
【００５７】
また、ゼロオームチップ抵抗２３が接続端子３１ａ２と接続端子３１ｂ２との組に接続される場合、給電点２２から、グランド電極２４ｂとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分（接続端子３１ｂ２）までの電気的な長さが、図２（ｂ）（１）の場合よりも短いので、図２（ｂ）（２）に示すように、その共振周波数ｆ０２は図２（ｂ）（１）の共振周波数ｆ０１よりも低くなる。
【００５８】
更に、ゼロオームチップ抵抗２３が接続端子３１ａ３と接続端子３１ｂ３との組に接続される場合、給電点２２から、グランド電極２４ｂとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分（接続端子３１ｂ３）までの電気的な長さが一番短いので、図２（ｂ）（３）に示すように、その共振周波数ｆ０３は一番低くなる。
【００５９】
このように、回路基板１７において、ゼロオームチップ抵抗２３の短絡用線路２９に接続する位置を接続端子３１ａ１〜３１ａ３から選択することによって、所望の共振周波数を示すアンテナを回路基板１７上に形成することができる。また、ゼロオームチップ抵抗２３は、導体パターンによって回路基板１７上にアンテナを形成した後に回路基板１７上に実装され、あとからゼロオームチップ抵抗２３の短絡用線路２９側の接続位置を複数段階に変更することができる。よって、回路基板１７上にアンテナを形成後に、アンテナの特性を複数段階に調整できる。
【００６０】
また、回路基板１７の誘電体基材２０として、異なる誘電率を持つ誘電体基材２０を使用する場合に、各々の回路基板１７でゼロオームチップ抵抗２３の短絡用線路２９に接続する位置を接続端子３１ａ１〜３１ａ３から選択することによって、各々の回路基板１７に形成されるアンテナの特性を合わせることができる。
【００６１】
ここで、図３を参照して、本実施形態において、異なる誘電率を持つ誘電体基材２０ａ，２０ｂを備えた回路基板１７ａ，１７ｂ上に形成される各々のアンテナの特性を合わせる原理について説明する。図３（ａ）は、一の誘電率を持つ誘電体基材２０ａを用いた回路基板１７ａに形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）で示した誘電体基材２０ａよりも高い誘電率を持つ誘電体基材２０ｂを用いた回路基板１７ｂに形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図である。
【００６２】
また、図３（ｃ）は、図３（ａ）で示した回路基板１７ａおよび図３（ｂ）で示した回路基板１７ｂに形成したアンテナにおけるＶＳＷＲの周波数特性を模式的に示した模式図である。なお、図３（ｃ）において、（１）が図３（ａ）で示した回路基板１７ａにおけるＶＳＷＲの周波数特性であり、（２）が図３（ｂ）で示した回路基板１７ｂにおけるＶＳＷＲの周波数特性である。
【００６３】
誘電体基材２０ａを用いた回路基板１７ａと誘電体基材２０ｂを用いた回路基板１７ｂとは、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、グランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５、短絡用線路２９、接続端子３１ａ１〜３１ａ３、接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３が、同一の導体パターンによって形成される。
【００６４】
ここで、誘電体基材２０ａを用いた回路基板１７ａでは、図３（ａ）に示すように、ゼロオームチップ抵抗２３が、接続端子３１ａ１と接続端子３１ｂ１との組に接続されている。そして、この回路基板１７ａに形成されるアンテナの共振周波数は、図３（ｃ）の（１）に示すように、ｆ０となるように調整されている。
【００６５】
一方、誘電体基材２０ｂを用いた回路基板１７ｂでは、誘電体基材２０ｂの誘電率が誘電体基材２０ａよりも高いので、仮にゼロオームチップ抵抗２３を接続端子３１ａ１と接続端子３１ｂ１との組に接続した場合、誘電体基材２０ｂを用いた回路基板１７ｂに形成されるアンテナの共振周波数は、誘電体基材２０ａを用いた回路基板１７ａに形成されるアンテナの共振周波数ｆ０よりも高くなる。
【００６６】
これに対し、図３（ｂ）に示すように、ゼロオームチップ抵抗２３を接続端子３１ａ２と接続端子３１ｂ２との組に接続すれば、ゼロオームチップ抵抗２３を接続端子３１ａ１と接続端子３１ｂ１との組に接続する場合よりもアンテナの共振周波数が低くなる。これにより、誘電率による共振周波数への影響と、ゼロオームチップ抵抗２３の短絡用線路２９に接続する位置による共振周波数への影響とを打ち消すことができる。
【００６７】
よって、誘電体基材２０ｂを用いた回路基板１７ｂにおいて、図３（ｂ）に示すように、ゼロオームチップ抵抗２３を接続端子３１ａ２と接続端子３１ｂ２との組に接続すれば、図３（ｃ）の（２）に示すように、その回路基板１７ｂに形成されるアンテナの共振周波数を、ｆ０に調整することができる。
【００６８】
このように、異なる誘電率を持つ誘電体基材２０ａ，２０ｂを備えた回路基板１７ａ，１７ｂにおいて、同じ導体パターンを使用して、グランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５、短絡用線路２９を形成しても、ゼロオームチップ抵抗２３の放射線路２１に接続する位置を選択することにより、各々の回路基板１７に形成されるアンテナの共振周波数を合わせることができる。
【００６９】
以上のように、本実施形態における回路基板１７およびＭＦＰ１によれば、誘電体基材２０上に、グランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５、短絡用線路２９を導体パターンによって形成して、アンテナを構成した後に、ゼロオームチップ抵抗２３を実装して放射線路２１とグランド電極２４ｂとを短絡する。ここで、短絡用線路２９には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を短絡用線路２９に接続するための複数の接続端子３１ａ１〜３１ａ３が設けられているので、短絡用線路２９にゼロオームチップ抵抗２３の一端を接続する位置を、接続端子３１ａ１〜３１ａ３から選択することができる。これにより、給電点２２から、グランド電極２４ｂとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分までの電気的な長さを複数段階に変えることができるので、回路基板１７に形成されるアンテナの共振周波数を複数段階に変化させることができる。よって、回路基板１７にアンテナを形成した後に、そのアンテナの特性を調整できる。
【００７０】
また、異なる誘電率を持つ誘電体基材２０ａ，２０ｂを用いた回路基板１７ａ，１７ｂにアンテナを形成する場合に、同一の導体パターンを用いて、グランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５、短絡用線路２９を形成しても、誘電率に応じて短絡用線路２９側のゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を変更すれば、回路基板１７上に形成されたアンテナを所望の特性に合わせることができる。したがって、誘電体基材２０ａ，２０ｂの誘電率に合わせてアンテナを設計し直す労力を抑制できる。
【００７１】
次いで、図４（ａ）を参照して、第２実施形態について説明する。上記第１実施形態では、回路基板１７上に接続端子３１ａ１〜３１ａ３および接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３をランドによって形成する場合を説明したが、第２実施形態では、短絡用線路２９およびグランド電極２４ｂを被覆するソルダーレジスト２８の一部を除去（レジスト抜き）することによって、回路基板１１７上に接続端子３２ａ１，３２ａ２，３２ａ３および接続端子３２ｂ１，３２ｂ２，３２ｂ３を形成している。
【００７２】
なお、第２実施形態では、回路基板１１７が、無線通信を介して子機６１との間で通話を行うコードレス通話機能を行い且つＭＦＰ１に内蔵されているものとして説明をおこなう。また、上記第１実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００７３】
図４（ａ）は、第２実施形態における回路基板１１７に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図である。第２実施形態において、回路基板１１７には、誘電体基材２０上に導体パターンによって形成されたグランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５および短絡用線路２９の上面及び側面が、絶縁性の膜であるソルダーレジスト２８によって被覆されている。
【００７４】
そして、グランド電極２４ｂの上面を被覆するソルダーレジスト２８のうち、短絡用線路２９と所定の距離を隔てて対向するようにソルダーレジスト２８を複数個所（本実施形態では３か所）除去し、グランド電極２４ｂの上面を露出することによって、接地端子３２ｂ１、３２ｂ２、３２ｂ３を形成している。
【００７５】
この接続端子３２ｂ１〜３２ｂ３には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端が接続されるようになっている。そして、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を、接続端子３２ｂ１〜３２ｂ３のいずれかと接続することによって、ゼロオームチップ抵抗２３がグランド電極２４ｂと電気的に接続される。
【００７６】
また、短絡用線路２９の上面を被覆するソルダーレジスト２８のうち、短絡用線路２９と放射電極２１との接続位置２１ｂから離れた位置に、且つ、グランド電極２４ｂに形成された接続端子３２ｂ１〜３２ｂ３の各々と、それぞれ所定の距離（ゼロオームチップ抵抗２３のサイズに応じた長さ）を隔てて対向するようにソルダーレジスト２８を複数個所（本実施形態では３か所）除去し、短絡用線路２９の上面を露出することによって、接続端子３２ａ１，３２ａ２，３２ａ３を形成している。
【００７７】
この接続端子３２ａ１〜３２ａ３には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端が接続されるようになっている。そして、この接続端子３２ａ１〜３２ａ３のいずれかに、グランド電極２４ｂに設けられた接続端子３２ｂ１〜３２ｂ３と接続されたゼロオームチップ抵抗２３の一端とは別の一端を接続することにより、ゼロオームチップ抵抗２３が短絡用線路２９と電気的に接続される。
【００７８】
そして、ゼロオームチップ抵抗２３は、回路基板１１７上に一端が接続端子３２ａ１に、他端が接続端子３２ｂ１に接続されるか、一端が接続端子３２ａ２に、他端が接続端子３２ｂ２に接続されるか、若しくは、一端が接続端子３２ａ３に、他端が接続端子３２ｂ３に接続されるようになっている。即ち、ゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を選択することが可能となっている。
【００７９】
以上のように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、短絡用線路２９におけるゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を選択することが可能であるので、回路基板１１７にアンテナを形成した後に、そのアンテナの特性を調整できる。また、回路基板１１７上に形成されたアンテナを所望の特性に合わせることができ、よって、誘電体基材２０の誘電率に合わせてアンテナを設計し直す労力を抑制できる。加えて、短絡用線路２９が露出するようにソルダーレジスト２８を除去して接続端子３２ａ１〜３２ａ３を形成するので、例えばランドによって接続端子３１ａ１〜３１ａ３を形成する場合のように、短絡用線路２９の形状が接続端子によって変形され、アンテナの特性が劣化するのを防止できる。よって、アンテナの特性を良好に保つことができる。
【００８０】
次いで、図４（ｂ）を参照して、第３実施形態について説明する。上記第１実施形態の回路基板１７では、ゼロオームチップ抵抗２３によって短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとを短絡する場合を説明したが、第３実施形態の回路基板２１７では、ジャンパー線２６によって短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとが短絡されている。そして、第３実施形態の回路基板２１７では、グランド電極２４上に接続端子としてジャンパー線２６を嵌着するための穴３３ｂ１，３３ｂ２，３３ｂ３が形成されると共に、短絡用線路２９上に接続端子としてジャンパー線２６を嵌着するための穴３３ａ１，３３ａ２，３３ａ３が形成されている。
【００８１】
なお、第３実施形態では、回路基板２１７が、無線通信を介して子機６１との間で通話を行うコードレス通話機能を行い且つＭＦＰ１に内蔵されているものとして説明をおこなう。また、上記第１実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００８２】
図４（ｂ）は、第３実施形態における回路基板２１７に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図である。第３実施形態において、グランド電極２４ｂ上には、短絡用線路２９と所定の距離を隔てて対向するように、複数（本実施形態では３つ）の穴がそれぞれ接続端子３３ｂ１，３３ｂ２，３３ｂ３として形成されている。
【００８３】
この接続端子３３ｂ１〜３３ｂ３には、ジャンパー線２６の一端が嵌着されて接続されるようになっている。そして、ジャンパー線２６の一端を、接続端子３３ｂ１〜３３ｂ３のいずれかと嵌着して接続することによって、ジャンパー線２６がグランド電極２４ｂと電気的に接続される。
【００８４】
また、短絡用線路２９上には、短絡用線路２９と放射電極２１との接続位置２１ｂから離れた位置に、且つ、グランド電極２４ｂに形成された接続端子３３ｂ１〜３３ｂ３と各々所定の距離を隔てて対向するように、複数（本実施形態では３つ）の穴がそれぞれ接続端子３３ａ１，３３ａ２，３３ａ３として形成されている。
【００８５】
この接続端子３３ａ１〜３３ａ３には、ジャンパー線２６の一端が嵌着されて接続されるようになっている。そして、この接続端子３３ａ１〜３３ａ３のいずれかに、グランド電極２４ｂに設けられた接続端子３３ｂ１〜３３ｂ３と接続されたジャンパー線２６の一端とは別の一端を嵌着して接続することにより、ジャンパー線２６が短絡用線路２９と電気的に接続される。
【００８６】
ジャンパー線２６は、１本の導体のよって形成された電線で、ゼロオームチップ抵抗２３と同様に、回路上の２点間を短絡するジャンパー素子として機能するものである。このジャンパー線２６は、回路基板２１７上にグランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５、短絡用線路２９を導体パターンによって形成し、短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとにドリルで穴を開けて接続端子３１ａ１〜３１ａ３、接続端子３１ｂ１〜３１ｂ３を形成した後に、回路基板１７に実装される。
【００８７】
このとき、ジャンパー線２６は、回路基板２１７上に一端が接続端子３３ａ１に、他端が接続端子３３ｂ１に接続されるか、一端が接続端子３３ａ２に、他端が接続端子３３ｂ２に接続されるか、若しくは、一端が接続端子３３ａ３に、他端が接続端子３３ｂ３に接続されるようになっている。即ち、ジャンパー線２６の接続位置を選択することが可能となっている。
【００８８】
以上のように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、短絡用線路２９におけるゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を選択することが可能であるので、回路基板２１７にアンテナを形成した後に、そのアンテナの特性を調整できる。また、回路基板２１７上に形成されたアンテナを所望の特性に合わせることができ、よって、誘電体基材２０の誘電率に合わせてアンテナを設計し直す労力を抑制できる。加えて、接続端子３３ａ１〜３３ａ３として、短絡用線路２９上にジャンパー線２６が嵌着される穴を形成するので、簡単に接続端子３３ａ１〜３３ａ３を形成できる。また、ジャンパー線２６の一端の接続位置が、穴の存在によって明確に判別することができるので、チップマウンタによってジャンパー線２６を接続端子３３ａ１〜３３ａ３に嵌着する場合に、その位置決めを容易に行うことができる。
【００８９】
また、ジャンパー線２６によって、短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとを短絡するので、チップサイズが固定されているゼロオームチップ抵抗２３と比較して、接続端子３３ａ１〜３３ａ３と接続端子３３ｂ１〜３３ｂ３までの距離が任意の長さであっても、ジャンパー線２６によって両者を接続することができる。
【００９０】
次いで、図４（ｃ）を参照して、第４実施形態について説明する。上記第１実施形態の回路基板１７では、短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとに、各々複数（第１実施形態では３つ）の接続端子３１ａ１〜３１ａ３，３１ｂ１〜３１ｂ３を形成する場合を説明したが、第４実施形態の回路基板３１７では、短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとに、各々１つの接続端子３４ａ，３４ｂが形成され、各接続端子３４ａ，３４ｂの中で、ゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を連続して変更できるように構成されている。
【００９１】
なお、第４実施形態では、回路基板３１７が、無線通信を介して子機６１との間で通話を行うコードレス通話機能を行い且つＭＦＰ１に内蔵されているものとして説明をおこなう。また、上記第１実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００９２】
図４（ｃ）は、第４実施形態における回路基板３１７に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図である。第４実施形態において、グランド電極２４ｂには、短絡用線路２９と所定の距離を隔てて対向するように、１つの接続端子３４ｂが形成されている。この接続端子３４ｂは、グランド電極２４ｂの外縁に且つグランド電極２４ｂと接するように、導体をパターニングして形成したランドによって構成されている。また、接続端子３４ｂにおいて、短絡用線路２９と対向する辺の長さは、ゼロオームチップ抵抗２３の電極を接続するために必要な幅よりも長くなるように形成されている。これにより、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を接続端子３４ｂの任意の場所に接続することが可能である。
【００９３】
一方、短絡用線路２９には、短絡用線路２９と放射電極２１との接続位置２１ｂから離れた位置に、且つ、グランド電極２４ｂに形成された接続端子３４ｂ１と所定の距離（ゼロオームチップ抵抗２３のサイズに応じた長さ）を隔てて対向するように、接続端子３４ａが形成されている。この接続端子３４ａは、短絡用線路２９の外縁に且つ短絡用線路２９と接するように、導体をパターニングして形成したランドによって構成されている。また、接続端子３４ｂと同様に、接続端子３４ａにおいてグランド電極２４ｂと対向する辺の長さは、ゼロオームチップ抵抗２３の電極を接続するために必要な幅よりも長くなるように形成されている。これにより、ゼロオームチップ抵抗２３の他端を接続端子３４ａの任意の場所に接続することが可能である。
【００９４】
そして、回路基板３１７上にグランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５、短絡用線路２９、接続端子３４ａ、接続端子３４ｂを導体パターンによって形成してアンテナを構成した後に、そのアンテナの共振周波数が所定の周波数となるように、ゼロオームチップ抵抗２３の一端が接続端子３４ａの所望の位置に接続されると共に、他端が接続端子３４ｂの所望の位置に接続される。また、短絡用線路２９にゼロオームチップ抵抗２３を接続する位置を、接続端子３４ａ上において任意に（連続して）変更することにより、回路基板３１７上に形成されたアンテナの共振周波数を細かく調整できるようになっている。
【００９５】
以上のように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、短絡用線路２９におけるゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を選択することが可能であるので、回路基板３１７にアンテナを形成した後に、そのアンテナの特性を調整できる。また、回路基板３１７上に形成されたアンテナを所望の特性に合わせることができ、よって、誘電体基材２０の誘電率に合わせてアンテナを設計し直す労力を抑制できる。加えて、短絡用線路２９側の接続端子３４ａは、ゼロオームチップ抵抗２３の接続可能な位置を任意に（連続して）変更できるように構成されているので、短絡用線路２９にゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を任意に（連続して）変更すれば、回路基板３１７上に形成されたアンテナの共振周波数を微調整できる。
【００９６】
次いで、図５を参照して、第５実施形態について説明する。上記第１実施形態の回路基板１７では、短絡用線路２９を設け、短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとをゼロオームチップ抵抗２３によって短絡すると共に、短絡用線路２９におけるゼロオームチップ抵抗２３の接続位置が変更可能に構成される場合を説明したが、第５実施形態の回路基板４１７では、短絡用線路２９を設けずに、放射線路２１とグランド電極２４ａとをゼロオームチップ抵抗２３によって短絡すると共に、放射線路２１におけるゼロオームチップ抵抗２３の接続位置が変更可能に構成されている。
【００９７】
なお、第５実施形態では、回路基板４１７が、無線通信を介して子機６１との間で通話を行うコードレス通話機能を行い、且つＭＦＰ１に内蔵されているものとして説明をおこなう。また、上記第１実施形態と同一の部分には、同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００９８】
図５は、第５実施形態における回路基板４１７に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図である。第５実施形態において、グランド電極２４ａには、放射線路２１と所定の距離を隔てて対向するように複数（本実施形態では３つ）の接続端子３５ｂ１，３５ｂ２，３５ｂ３が形成されている。この接続端子３５ｂ１〜３５ｂ３は、グランド電極２４ａの外縁に且つグランド電極２４ａと接するように、導体をパターニングして形成したランドによって構成されている。よって、ゼロオームチップ抵抗２３の一端をチップマウンタによって接続する場合に、接続端子３５ｂ１〜３５ｂ３をゼロオームチップ抵抗２３の接続位置の目印とすることができる。
【００９９】
この接続端子３５ｂ１〜３５ｂ３には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端が接続されるようになっている。そして、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を、接続端子３５ｂ１〜３５ｂ３のいずれかと接続することによって、ゼロオームチップ抵抗２３がグランド電極２４ａと電気的に接続される。
【０１００】
一方、放射線路２１には、グランド電極２４ａに形成された接続端子接続端子３５ｂ１〜３５ｂ３の各々と、それぞれ所定の間隔（ゼロオームチップ抵抗２３のサイズに応じた長さ）を隔てて対向するように複数（本実施形態では３つ）の接続端子３５ａ１，３５ａ２，３５ａ３が形成されている。この接続端子３５ａ１〜３５ａ３は、放射線路２１の外縁に且つ放射線路２１と接するように、導体をパターニングして形成したランドによって構成されている。よって、ゼロオームチップ抵抗２３の一端をチップマウンタによって接続する場合に、接続端子３５ａ１〜３５ａ３をゼロオームチップ抵抗２３の接続位置の目印とすることができる。
【０１０１】
この接続端子３５ａ１〜３５ａ３には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端が接続されるようになっている。そして、この接続端子３５ａ１〜３５ａ３のいずれかに、グランド電極２４ａに設けられた接続端子３５ｂ１〜３５ｂ３と接続されたゼロオームチップ抵抗２３の一端とは別の一端を接続することにより、ゼロオームチップ抵抗２３が放射線路２９と電気的に接続されると共に、放射線路２１がグランド電極２４ａに短絡される。
【０１０２】
これにより、放射線路２１とグランド電極２４ａとの間にインダクタンス成分が生じるので、このインダクタンス成分により、放射線路２１とグランド電極２４ａとの対向部分に発生する寄生容量（リアクタンス成分）がキャンセルされ、回路基板１７に形成されたアンテナの共振特性が向上する。
【０１０３】
また、ゼロオームチップ抵抗２３は、回路基板４１７上に一端が接続端子３５ａ１に、他端が接続端子３５ｂ１に接続されるか、一端が接続端子３５ａ２に、他端が接続端子３５ｂ２に接続されるか、若しくは、一端が接続端子３５ａ３に、他端が接続端子３５ｂ３に接続されるようになっている。即ち、ゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を選択することが可能となっている。
【０１０４】
以上により、本実施形態によれば、誘電体基材２０上に、グランド電極２４ａ，２４ｂ、放射線路２１、給電線路２５を導体パターンによって形成して、アンテナを構成した後に、ゼロオームチップ抵抗２３を実装して放射線路２１とグランド電極２４ａとを短絡することができる。ここで、放射線路２１には、ゼロオームチップ抵抗２３の一端を放射線路２１に接続するための複数の接続端子３５ａ１〜３５ａ３が設けられているので、放射線路２１にゼロオームチップ抵抗２３の一端を接続する位置を、接続端子３５ａ１〜３５ａ３から選択することができる。これにより、給電点２２から、グランド電極２４ａとゼロオームチップ抵抗２３との接続部分までの電気的な長さを複数段階に変えることができるので、回路基板４１７に形成されるアンテナの共振周波数を複数段階に変化させることができる。よって、回路基板４１７にアンテナを形成した後に、そのアンテナの特性を調整できる。
【０１０５】
また、異なる誘電率を持つ誘電体基材を用いた回路基板にアンテナを形成する場合においても、第１実施形態と同様の原理に基づき、誘電率に応じて放射線路２１側のゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を変更すれば、回路基板４１７上に形成されたアンテナを所望の特性に合わせることができる。したがって、誘電体基材の誘電率に合わせてアンテナを設計し直す労力を抑制できる。
【０１０６】
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変更が可能であることは容易に推察できるものである。
【０１０７】
例えば、上記第１〜第４実施形態では、誘電体基材２０の同一面上に放射線路２１とグランド電極２４ａ，２４ｂとを形成する場合を説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、誘電体基材２０の一の面上に放射線路を形成すると共に、その一の面と対向する誘電体基材２０の別の面上にグランド電極を形成するようにしてもよい。この場合、短絡用線路とその短絡用線路に設けられる接続端子を、グランド電極と同じ別の面上に形成し、放射線路と短絡用線路とを誘電体基材２０に形成されたスルーホールを介して接続するようにしてもよい。または、グランド電極に設けられる接続端子を放射線路と同じ一の面上に形成し、誘電体基材２０に形成されたスルーホールを介してその接続端子とグランド電極とを接続するようにしてもよい。
【０１０８】
また、上記第５実施形態においても、同様に、誘電体基材２０の一の面上に放射線路を形成すると共に、その一の面と対向する誘電体基材２０の別の面上にグランド電極を形成するようにしてもよい。この場合、例えば、グランド電極用の接続端子を放射線路と同じ一の面上に形成し、誘電体基材２０に形成されたスルーホールを介して、そのグランド電極用の接続端子をグランド電極と接続するようにしてもよい。逆に、放射線路用の接続端子をグランド電極と同じ別の面上に形成し、誘電体基材２０に形成されたスルーホールを介して、放射線路用の接続端子を放射線路と接続するようにしてもよい。
【０１０９】
また、上記第１〜第３および第５実施形態では、グランド電極２４ｂに形成する接続端子（３１ｂ１〜３１ｂ３など）の数を短絡用線路２９または放射線路２１に形成する接続端子（３１ａ１〜３１ａ３など）と同じ数だけ形成する場合を説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、グランド電極２４ｂに形成する接続端子（３１ｂ１〜３１ｂ３など）の数を短絡用線路２９または放射線路２１に形成する接続端子（３１ａ１〜３１ａ３など）よりも少なくしてもよい。この場合、ゼロオームチップ抵抗２３やジャンパー線２６のサイズに応じて、それらの一端を接続するグランド電極２４ｂの接続端子（３１ｂ１〜３１ｂ３など）を選択すればよい。
【０１１０】
また、第４実施形態では、グランド電極２４ｂに形成される接続端子３１ｂ１の短絡用線路２９に対向する辺の長さを、短絡用線路２９に形成される接続端子３１ａ１のグランド電極２４ｂに対向する辺の長さよりも短くしてもよい。この場合、ゼロオームチップ抵抗２３のサイズに応じて、接続端子３４ｂにおけるゼロオームチップ抵抗２３の接続位置を選択ようにすればよい。
【０１１１】
また、上記第２実施形態では、短絡用線路２９上面を被覆するソルダーレジスト２８を複数個所剥離して、短絡用線路２９を露出させる場合を説明したが、必ずしもそれに限られるものではなく、ソルダーレジスト２８の剥離する箇所を１か所にすると共に、その剥離する長さを、ゼロオームチップ抵抗２３の電極を接続するために必要な幅よりも長くするようにしてもよい。これにより、ゼロオームチップ抵抗２３をこの接続端子の任意の場所に接続することが可能である。なお、この場合、グランド電極２４ｂに形成される接続端子も、短絡用線路２９の接続端子と合わせて、ソルダーレジスト２８の剥離する箇所を１か所にし、その剥離する長さを、ゼロオームチップ抵抗２３の電極を接続するために必要な幅よりも長くするようにしてもよい。
【０１１２】
また、上記第３実施形態では、短絡用線路２９にジャンパー線２６を嵌着するための複数の穴が接続端子として形成されているが、この複数の穴を連結して形成するようにしてもよい。また、１本の溝として形成してもよい。これにより、ジャンパー線２６の接続場所を細かく設定することができる。なお、この場合、短絡用線路２９に形成した接続端子に合わせて、グランド電極２４ｂの接続端子を、複数の穴を連結して形成してもよいし、１本の溝として形成してもよい。
【０１１３】
また、上記第５実施形態では、放射線路２１に複数のランドによって接続端子を形成する場合を説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、放射線路２１上面を被覆するソルダーレジストを複数個所剥離し、放射線路２１を露出させて接続端子を形成してもよい。これにより、接続端子を形成することによって放射線路の形状が変形され、アンテナの特性が劣化するのを防止できる。また、短絡素子を嵌着するための複数の穴によって接続端子を形成してもよい。これにより、簡単に接続端子を形成できると共に、穴の存在によって接続位置が明確に判別することができるので、その位置決めを容易に行うことができる。また、放射線路２１の接続端子をランドによって形成する場合に、１つのランドを形成し、そのランドのグランド電極２４ａに対向する辺の長さを、短絡素子を接続するために必要な幅よりも長くなるように形成してもよい。また、ソルダーレジストを剥離して放射線路２１を露出することによって放射線路２１の接続端子を形成する場合に、そのソルダーレジスタの剥離する箇所を１か所にすると共に、その剥離する長さを、短絡素子を接続するために必要な幅よりも長くするようにしてもよい。更に、短絡素子を嵌着するための穴によって放射線路２１の接続端子を形成する場合に、複数の穴を連結して形成するようにしてもよいし、１本の溝として形成してもよい。これによって、短絡素子の一端の接続可能な位置が連続して形成されるので、アンテナの特性を細かく調整することができる。加えて、グランド電極２４ａの接続端子の形状を、放射線路２１に形成された接続端子の形状に合わせて形成するようにしてもよい。
【０１１４】
また、上記第１、第２、第４、及び第５実施形態では、短絡用線路２９とグランド電極２４ｂとを短絡する素子としてゼロオームチップ抵抗２３を用いる場合を説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、抵抗成分がほぼ０Ωである素子、例えば、ジャンパー線やリード線を備えたゼロオーム抵抗を用いてもよい。一方、上記第３実施形態では、ジャンパー線２６を用いる場合を説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、抵抗成分がほぼ０Ωで且つリード線を備えた抵抗素子を用いてもよい。更に、上記各実施形態において、ゼロオームチップ抵抗２３やジャンパー線２６に代えて、放射線路２１の接続端子（３１ａ１〜３１ａ３など）とグランド電極２４ｂの接続端子（３１ｂ１〜３１ｂ３など）との間にハンダを落として短絡素子を形成するようにしてもよい。
【０１１５】
また、上記第１〜第４実施形態では、短絡用線路２９の接続位置２１ｂを放射線路２１の直角部分とする場合を説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、放射線路２１であればどの位置であってもよい。
【０１１６】
また、上記各実施形態では、短絡用線路２９または放射線路２１において、グランド電極２４ｂと短絡するための素子（ゼロオームチップ抵抗２３またはジャンパー素子２６）を接続する位置を変更可能に構成する場合を説明したが、これに代えて、又は、これに加えて、放射線路２１の開放端２１ａに１つの接続端子を形成すると共に、放射線路２１の開放端２１ａ側で且つ開放端２１ａを含む放射線路２１の一辺の延長線上に、電気的に独立した１以上の接続端子を形成してもよい。これにより、開放端２１ａに形成された接続端子と延長線上に形成された接続端子とに、ゼロオームチップ抵抗やジャンパー線を接続したり、外したりすることによって、また、延長線上に形成された複数の接続端子の中から、ゼロオームチップ抵抗やジャンパー線を接続する接続端子を選択することによって、放射線路２１の電気的な長さを変更することができる。よって、アンテナの共振周波数を調整することができる。また、図３と同様の原理によって、異なる誘電率を持つ誘電体基材を用いて回路基板上にアンテナを形成する場合に、各々のアンテナの特性を合わせることができる。
【０１１７】
なお、この場合、接続端子は、ランドによって形成してもよいし、ソルダーレジストを剥離して導体を露出すること（レジスト抜き）によって形成してもよい。また、ジャンパー線やゼロオーム抵抗素子のリード線を嵌着する穴であってもよい。また、この場合、短絡用線路２９または放射線路２１とグランド電極２４ｂとを、導体をパターニングして形成した短絡線路によって短絡するようにしてもよい。また、放射線路２１とグランド電極２４ｂとを短絡しないＬ型アンテナを構成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の第１実施形態における回路基板を有したＭＦＰと子機との外観構成を示した斜視図である。
【図２】（ａ）は、回路基板の詳細構成を示した平面図であり、（ｂ）は、回路基板に形成されたアンテナにおけるＶＳＷＲの周波数特性を模式的に示した模式図である。
【図３】（ａ）は、一の誘電率を持つ誘電体基材を用いた回路基板に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図であり、（ｂ）は、（ａ）で示した誘電体基材よりも高い誘電率を持つ誘電体基材を用いた回路基板に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図であり、（ｃ）は、（ａ）で示した回路基板および（ｂ）で示した回路基板に形成した各アンテナにおけるＶＳＷＲの周波数特性を模式的に示した模式図である。
【図４】（ａ）は、第２実施形態における回路基板に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図であり、（ｂ）は、第３実施形態における回路基板に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図であり、（ｃ）は、第４実施形態における回路基板に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図である。
【図５】第５実施形態における回路基板に形成されるアンテナの構成を模式的に示した模式図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１                              ＭＦＰ（電話装置の一例）
１７，１７ａ，１７ｂ            回路基板
１１７，２１７，３１７，４１７  回路基板
２０，２０ａ，２０ｂ            誘電体基材
２１                            放射線路
２２                            給電点
２３                            ゼロオームチップ抵抗（短絡素子の一例）
２４ａ，２４ｂ                  グランド電極
２５                            給電線路
２６                            ジャンパー線（短絡素子の一例）
２８                            ソルダーレジスト（被覆膜の一例）
２９                            短絡用線路
３１ａ１，３１ａ２，３１ａ３    接続端子
３１ｂ１，３１ｂ２，３１ｂ３    接続端子
３２ａ１，３２ａ２，３２ａ３    接続端子
３２ｂ１，３２ｂ２，３２ｂ３    接続端子
３３ａ１，３３ａ２，３３ａ３    接続端子
３３ｂ１，３３ｂ２，３３ｂ３    接続端子
３４ａ，３４ｂ                  接続端子
３５ａ１，３５ａ２，３５ａ３    接続端子
３５ｂ１，３５ｂ２，３５ｂ３    接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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