(57)【要約】【課題】  光ファイバ素線の端部を規則的に配列すること【解決手段】  複数の光ファイバ素線の端部３ａ〜３ｄをそれぞれ収容する複数の開口部２ａ〜２ｄを有するコネクタ１と、該コネクタの前記開口部によってその端部が保持される複数の光ファイバ素線の群３ａ〜３ｄとを備える。【選択図】  図１
2009093054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光ファイバ素線の端部をそれぞれ収容する複数の開口部を有するコネクタと、該コネクタの前記開口部によってその端部が保持される複数の光ファイバ素線の群とを備えることを特徴とする光ファイバ束。
【請求項２】
前記コネクタの前記開口部は、前記複数の光ファイバ素線の１つの群の端部が一列に並ぶように収容するためにスリット状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ束。
【請求項３】
前記コネクタの前記スリット状の複数の開口部は、前記スリットの長手方向を横切る方向に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバ束。
【請求項４】
前記コネクタの前記複数の開口部は、二次元マトリクス状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ束。
【請求項５】
前記コネクタの前記開口部には、所定の本数の前記光ファイバ素線が収容されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の光ファイバ束。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の光ファイバ束を複数備え、
該複数の光ファイバ束のうちの１つの光ファイバ束の前記コネクタと、前記複数の光ファイバ束のうちの別の１つの光ファイバ束の前記コネクタとが対向配置されていることを特徴とする光ファイバ束組品。
【請求項７】
第１位置から第２位置まで光を導くために請求項６の光ファイバ束組品を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項８】
請求項７の照明装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項１１に記載の露光装置を用いて、所定のパターンを感光性基板に露光する露光工程と、
前記パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光を導くためのライトガイドに用いられる光ファイバ束に関する。
に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の光ファイバ束を直列に接続したライトガイドが提案されている（特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開平４―１０４２０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に開示された従来のライトガイドでは、光ファイバ素線の端部を規則的に配列しようとするために、断面三角、菱形、又は六角形状の内周形状をしたコネクタによって多本数の光ファイバ素線を収容する構成となっている。
【０００４】
しかしながら、光ファイバ素線の外径は太さ公差を有しているため、沢山の光ファイバ素線を一度に束ねようとしても、規則的に整列させることは非常に困難である。また、各々の光ファイバ素線の太さ公差が積み重なることにより、光ファイバ素線の端部が所定のピッチにならず、光ファイバ束同士を接続しようとしたときに、対向する光ファイバ素線同士のアライメントがずれて、光伝送効率が低下する問題がある。
【０００５】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、光ファイバ素線の端部を規則的に配列することを目的とする。また、本発明は、端部が規則的に配列されて光ファイバ束を用いて光伝送効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、複数の光ファイバ素線の端部をそれぞれ収容する複数の開口部を有するコネクタと、該コネクタの前記開口部によってその端部が保持される複数の光ファイバ素線の群とを備えることを特徴とする光ファイバ束を提供する。
【０００７】
また、本発明の第２形態では、第１形態の光ファイバ束を複数備え、該複数の光ファイバ束のうちの１つの光ファイバ束の前記コネクタと、前記複数の光ファイバ束のうちの別の１つの光ファイバ束の前記コネクタとが対向配置されていることを特徴とする光ファイバ束組品を提供する。
【０００８】
また、本発明の第３形態では、第１位置から第２位置まで光を導くために請求項６の光ファイバ束組品を備えることを特徴とする照明装置を提供する。
【０００９】
また、本発明の第４形態では、第３形態の照明装置を備えることを特徴とする露光装置を提供する。
【００１０】
また、本発明の第５形態では、第４形態の露光装置を用いて、所定のパターンを感光性基板に露光する露光工程と；前記パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と；前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光ファイバ束では、複数の光ファイバ素線の外径にばらつきがあったとしても、コネクタの１つの開口部に収容する光ファイバ素線の数を少なくすることにより、コネクタの１つの開口部内では光ファイバ素線の端部を規則的に整列させることができる。こうして、本発明の光ファイバ束組品では、１つの開口部内での光ファイバ素線の数を所定本数に制限できるため、各々の光ファイバ素線の太さ公差の積み重ねを最小限に抑え、光ファイバ束同士を接続する際のアライメントずれによる光伝送効率の低下を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の第１実施形態にかかる光ファイバ束のコネクタの構成を示す平面図である。
【００１３】
図１において、コネクタ１は、複数の光ファイバ素線の端部３ａ〜３ｄをぞれぞれ収容する複数のスリット状の開口部２ａ〜２ｄが形成されたフレーム部２と、フレーム部２に形成された櫛歯状の開口部２ａ〜２ｄの開放端側（＋Ｙ方向側）に取り付け可能な蓋部４とを備えている。フレーム部２は、基体部２ｅから＋Ｙ方向側に延びた複数の突出部２ｆ〜２ｊを備え、これら複数の突出部２ｆ〜２ｊの間に複数の開口部２ａ〜２ｄが位置している。すなわち、スリット状の複数の開口部２ａ〜２ｄの長手方向を横切る方向（Ｘ方向）に沿って、複数の開口部２ａ〜２ｄが並んでいる。
【００１４】
そして、開口部２ａ内には、複数の光ファイバ素線の端部３ａ〜３ｄのうち、第１の光ファイバ素線群の端部３ａがスリット状開口部２ａの長手方向（Ｙ方向）に沿って一列に整列するように収容されている。同様に、開口部２ｂ内には第２の光ファイバ素線群の端部３ｂが、開口部２ｃ内には第３の光ファイバ素線群の端部３ｃが、開口部２ｄ内には第４の光ファイバ素線群の端部３ｄが、スリット状開口部２ｂ〜２ｄの長手方向（Ｙ方向）に沿って一列に整列するように収容されている。
【００１５】
ここで、各開口部２ａ〜２ｄにそれぞれ収容される複数の光ファイバ素線は、予め決められた本数としている。
なお、本実施形態では、これら複数の光ファイバ素線群の端部３ａ〜３ｄは接着剤によってフレーム部２に固定されている。
【００１６】
これら複数の光ファイバ素線群の端部３ａ〜３ｄは、それらの入射端（あるいは射出端）がフレーム部２の端面と面一となるように位置決めされている。なお、フレーム部２の開口部によって複数の光ファイバ素線群の端部３ａ〜３ｄの入射端へ向かう光（あるいは射出端からの光）が遮光されなければ、これらの入射端（あるいは射出端）はフレーム部２の端面より奥側（−Ｚ側）に位置決めされていても良い。
【００１７】
図２（ａ）は、図１に示した光ファイバ束を複数備えた光ファイバ束組品を概略的に示す図であり、図２（ｂ）は複数の光ファイバ束を互いに接続した状態を示す図である。図２（ａ）において、光ファイバ束組品は、第１の光ファイバ束４と第２の光ファイバ束５とを備えており、それぞれの光ファイバ束４，５の構成は、図１に示した構成と同様である。図２（ｂ）に示すように、これら第１および第２の光ファイバ束４，５は、それぞれのコネクタ１が互いに当接するように接続される。
【００１８】
このとき、それぞれのコネクタ１の構成が同一構成であるため、それぞれのコネクタ１によって位置決めされる複数の光ファイバ素線の配列は、第１および第２の光ファイバ束４，５において互いに同じ配列となる。
【００１９】
このとき、複数の光ファイバ素線の数が全体として多数であっても、コネクタ１の複数の開口部２ａ〜２ｄに収容される光ファイバ素線の数が所定本数以下であるため、光ファイバ素線の端部の太さにばらつきがあったとしても、これら光ファイバ素線の端部３ａ〜３ｄはほぼ規則的に並ぶ。
【００２０】
ここで、ほぼ規則的とは、複数の光ファイバ束を接続した場合に、一方の光ファイバ束における複数の光ファイバ素線の端部の位置と、他方の光ファイバ束における複数の光ファイバ素線の端部の位置とが、どの光ファイバ素線に着目しても、光ファイバ素線のコア直径の１／４以内の位置ずれで位置決めされることを意味している。これにより、光伝送効率を低下させることなく、一方の光ファイバ束から他方の光ファイバ束へ光を伝送することができる。なお、本実施形態では、１／４よりもさらに小さい微少なずれとすることができる。
【００２１】
さらに、第１実施形態では、コネクタ１の複数の開口部２ａ〜２ｄを光ファイバ素線の端部が一方向のみに整列するように設けているため、光ファイバ素線の太さばらつきに起因する素線端部の位置ずれが実質的に一方向にしか発生しない。従って、光ファイバ束同士の接続時のアライメント作業が容易になる利点がある。
【００２２】
なお、上述の光ファイバ束同士の接続作業時におけるアライメント手法としては、一方の光ファイバ束から他方の光ファイバ束へ光を伝送させつつ、他方の光ファイバ束におけるコネクタ１とは反対側の端部からの光量をモニタし、その光量が最大値を示すようにコネクタ１同士の位置を調整することが考えられる。
【００２３】
なお、上述の第１実施形態において、開口部２ａ〜２ｄの数を４つとしたが、開口部の数は４つには限定されない。
【００２４】
上述の第１実施形態では、コネクタ１の複数の開口部の形状をスリット形状とし、これらの開口部を１次元的に整列させたが、開口部の形状はスリット形状には限定されず、また、開口部の配列は１次元的なものには限定されない。
【００２５】
以下、図３を参照して、第２実施形態を説明する。図３は、本発明の第２実施形態にかかる光ファイバ束のコネクタの構成を示す平面図である。
【００２６】
図３において、コネクタ１０は、複数の光ファイバ素線の端部３０ａ〜３０ｉをぞれぞれ収容する複数の六角形状の開口部２０ａ〜２０ｉが形成されたフレーム部２０を備えている。フレーム部２０において、複数の開口部２０ａ〜２０ｉは、図中ＸＹ平面内（フレーム部２の端面内）において２次元マトリクス状に形成されている。
【００２７】
そして、開口部２０ａ内には、複数の光ファイバ素線の端部３０ａ〜３０ｉのうち、第１の光ファイバ素線群の端部３０ａが六角形状の開口部２ａ内に最密充填で配列されるように収容されている。同様に、開口部２０ｂ内には第２の光ファイバ素線群の端部３０ｂが、開口部２０ｃ内には第３の光ファイバ素線群の端部３０ｃが、開口部２０ｄ内には第４の光ファイバ素線群の端部３０ｄが、開口部２０ｅ内には第５の光ファイバ素線群の端部３０ｅが、開口部２０ｆ内には第６の光ファイバ素線群の端部３０ｆが、開口部２０ｇ内には第７の光ファイバ素線群の端部３０ｇが、開口部２０ｈ内には第８の光ファイバ素線群の端部３０ｈが、開口部２０ｉ内には第９の光ファイバ素線群の端部３０ｉが、最密充填で配列されるように収容されている。なお、本実施形態では、これら複数の光ファイバ素線群の端部３０ａ〜３０ｉは接着剤によってフレーム部２０に固定されている。
【００２８】
この第２実施形態にかかる光ファイバ束を複数備えた光ファイバ束組品は、上述の図２に示した接続手法と同様に互いに接続することができる。
【００２９】
このとき、各光ファイバ束において、コネクタ１の各開口部２０ａ〜２０ｉにそれぞれ収容される複数の光ファイバ素線は、予め決められた本数としている。従って、複数の光ファイバ素線の数が全体として多数であっても、コネクタ１０の複数の開口部２０ａ〜２０ｉに収容される光ファイバ素線の数が所定本数以下であるため、光ファイバ素線の端部の太さにばらつきがあったとしても、これら光ファイバ素線の端部３０ａ〜３０ｉはほぼ規則的に並ぶことになる。これにより、光伝送効率を低下させることなく、一方の光ファイバ束から他方の光ファイバ束へ光を伝送することができる。
【００３０】
第２実施形態においても、これら複数の光ファイバ素線群の端部３０ａ〜３０ｉは、それらの入射端（あるいは射出端）がフレーム部２０の端面と面一となるように位置決めされている。なお、フレーム部２０の開口部によって複数の光ファイバ素線群の端部３０ａ〜３０ｉの入射端へ向かう光（あるいは射出端からの光）が遮光されなければ、これらの入射端（あるいは射出端）はフレーム部２０の端面より奥側（−Ｚ側）に位置決めされていても良い。
【００３１】
なお、上述の第１及び第２実施形態においては、光ファイバ素線群の位置決め精度を良好に保つために、１つのフレーム部２，２０に全ての開口部を形成した構成としているが、例えば１つの開口部を有する複数のフレーム部を結合することにより、コネクタ１，１０を構成しても良い。
【００３２】
さて、上述の第１及び第２実施形態においては、光ファイバ束のコネクタ同士を互いに接触するように対向させたが、光ファイバ束のコネクタ同士を若干間隔を空けた状態で対向させても良い。
【００３３】
また、図４に示すように、光ファイバ束４，５同士をリレー光学系６でリレーする構成（光ファイバ束４，５のコネクタ同士を対向させる際にリレー光学系６が介在するような構成）であっても良い。ここで、リレー光学系６は、光ファイバ束４における複数の光ファイバ素線の端部の像を、光ファイバ５における複数の光ファイバの素線の端部に形成する機能を持ち、典型的には等倍の再結像光学系である。
【００３４】
なお、リレー光学系６による結像回数は１回には限定されず、状況に応じて拡大倍率或いは縮小倍率であっても良い。
【００３５】
また、図５に示すように、光ファイバ束のコネクタ１の射出端（又は入射端）に反射防止コートを施したカバーガラス７を設ける構成であっても良い。このカバーガラス７は、コネクタ１に接着されても良い。このとき、コネクタ１により保持される複数の光ファイバ素線の端部は、カバーガラス７に接触していることが好ましい。この構成により、光ファイバ素線の端部におけるフレネル反射による光量損失を低減できる利点がある。
【００３６】
このようなカバーガラス７を設けた光ファイバ束を別の光ファイバ束と接続する場合、例えば図２に示した手法では、カバーガラス７同士を互いに接触するように接続しても良い。また、図４に示した手法では、カバーガラス７同士の間にリレー光学系６が介在することになる。
【００３７】
次に、図６を参照して、上述の実施形態にかかる光ファイバ束組品を露光装置に組み込んだ例を第３実施形態として説明する。
【００３８】
図６は、本発明の第３実施形態にかかる投影露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図７は、図６のアライメント系の検出光学系の上面図である。第３実施形態は、上述の実施形態にかかる光ファイバ束組品をステージ発光型のアライメント系を備えた投影露光装置に適用した例である。図６では、投影光学系５０の光軸ＡＸに平行にＺ軸が、光軸ＡＸに垂直な面内において図６の紙面に平行にＸ軸が、光軸ＡＸに垂直な面内において図６の紙面に垂直にＹ軸がそれぞれ設定されている。
【００３９】
一般に、半導体素子又は液晶表示素子等を製造する際に、投影露光装置が使用されている。投影露光装置では、たとえばレチクルのようなマスク（又はフォトマスク）を露光光で照明し、フォトレジストが塗布されたウェハ（又はガラスプレート等）のような感光性基板上に投影光学系を介してマスクパターン像を投影する。なお、露光光としては、水銀ランプの輝線（ｇ線、ｉ線等）やエキシマレーザ光等が使用されている。
【００４０】
投影露光装置においては、露光に際して、マスクとウェハとを正確に位置合わせ（アライメント）する必要がある。そこで、投影露光装置には、マスクとウェハとを位置合わせするためのアライメント系が組み込まれている。アライメントに際して、まず、マスクをマスクステージに対して位置決めする。次いで、マスクの位置決め終了後に、ウェハステージに対するマスクの相対位置を計測する。この計測結果に基づいて、マスク又はウェハを移動させることにより、マスクとウェハとの位置合わせを行う。従来、アライメント系として、たとえばステージ発光型のアライメント系が使用されている。
【００４１】
図６の投影露光装置は、たとえば水銀ランプからなる光源４１を備えている。光源４１は、回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡４２の第１焦点位置に位置決めされている。従って、光源４１から射出された照明光束は、楕円鏡４２の第２焦点位置４３に光源像（一次光源）を形成する。
【００４２】
この光源像からの光束は、インプットレンズ４４によりほぼ平行な光束に変換された後、所望の波長域の光束のみを透過するバンドパスフィルター（不図示）に入射する。バンドパスフィルターで選択された露光波長（たとえば波長３６５ｎｍのｉ線、又は波長４３６ｎｍのｇ線等）の照明光は、フライアイレンズ４５に入射する。フライアイレンズ４５に入射した光束は、フライアイレンズ４５を構成する複数のレンズエレメントにより分割され、複数の光源像からなる二次光源を形成する。
【００４３】
二次光源からの光束は、開口絞り４６により制限された後、メインコンデンサーレンズ４７及び折り曲げミラー４８を介して、所定のパターンが形成されたマスク４９を重畳的に照明する。マスク４９は、ＸＹ平面内においてマスクステージ５２上に支持されている。マスクステージ５２のＸＹ座標、ひいてはマスク４９のＸＹ座標は、不図示のマスクステージ用レーザ干渉計により常時計測されている。また、図８に示すように、マスク４９のパターン領域ＰＡのＸ方向に沿った両端部には、十字型のマスクマークＭＭがそれぞれ形成されている。なお、各マスクマークＭＭは、マーク部が光を反射するように構成された、いわゆる残しパターンである。
【００４４】
このように、楕円鏡４２、インプットレンズ４４、フライアイレンズ４５、開口絞り４６、メインコンデンサーレンズ４７及び折り曲げミラー４８は、光源４１からの露光照明光をマスク４９に照射するためのメイン照明光学系ＩＬを構成している。マスク４９のパターンを透過した光束は、投影光学系５０を介して、感光基板であるウェハ５１に達する。こうして、ウェハ５１上には、マスク４９のパターン像が形成される。
【００４５】
ウェハ５１は、ウェハホルダ５３を介してＸＹ平面内においてウェハステージ５４上に支持されている。ウェハステージ５４は、ＸＹ平面内において二次元的にウェハ５１の位置決めを行うＸＹステージ、Ｚ方向に沿ってウェハ５１の位置決めを行うＺステージ、及びウェハ５１の傾斜角の補正を行うレベリングステージ等から構成されている。ウェハステージ５４のＸＹ座標、ひいてはウェハ５１のＸＹ座標は、不図示のウェハステージ用レーザ干渉計により常時計測されている。従って、ウェハ５１を二次元的に駆動制御しながら投影露光を行うことにより、ウェハ５１の各露光領域にマスク４９のパターンを逐次転写することができる。
【００４６】
ウェハステージ５４上のウェハホルダ５３の近傍には、たとえばガラス基板からなる光透過性のステージ基板５５が設けられている。なお、ステージ基板５５の上面は、ウェハ５１の露光面とほぼ同じ高さ（Ｚ方向にほぼ同じ位置）に設定されている。また、ステージ基板５５の上面には、図９に示すように、例えばＸ軸に沿って中心対称な２カ所の領域に、それぞれ基準マークＳＭが形成されている。基準マークＳＭは、たとえば矩形開口内に形成された残しパターン（マーク部が反射）からなっている。
【００４７】
図６の投影露光装置には、ウェハステージ５４に対するマスクマークＭＭの相対位置を検出するためのアライメント系が設けられている。アライメント系は、露光用光源４１からの光をメイン照明光学系の光路からアライメント系の光路に選択的に導くためのシャッター６１を備えている。シャッター６１を介して導かれたアライメント照明光は、リレーレンズ系６２を介してライトガイド６３の入射端６３ａに入射する。ライトガイド６３の入射端６３ａには、十分な開口数（ＮＡ）及び径を有する光源像が形成される。
【００４８】
ライトガイド６３の入射端６３ａに入射した光は、その射出端６３ｂに導かれる。ライトガイド６３の射出端６３ｂからの光は、一対のレンズ６４ａ及び６４ｂからなるリレーレンズ系６４を介して、１つの入射端と２つの射出端とを有するライトガイド２５の入射端６５ａに入射し、その射出端６５ｂ及び２５ｃに導かれる。ライトガイド６５の射出端６５ｂ及び６５ｃからの光は、それぞれコンデンサーレンズ６６ｂ及び６６ｃを介して、適当な照明開口数（ＮＡ）を有する照野を形成し、ステージ基板１５に形成された一対の基準マークＳＭをケーラー照明する。
【００４９】
このように、楕円鏡４２、シャッター６１、リレーレンズ系６２、ライトガイド６３、リレーレンズ系６４、ライトガイド６５、及びコンデンサーレンズ２６は、光源４１からのアライメント光に基づいて、基準マークＳＭをアライメント光で照明するための送光光学系を構成している。そして、光源４１、楕円鏡４２、シャッター６１、リレーレンズ系２２、ライトガイド６３、及びレンズ６４ａは、ウェハステージ５４の外部に位置決めされ、アライメント光をウェハステージ５４の内部に導入するための光導入部を構成している。また、レンズ６４ｂ、ライトガイド６５、及びコンデンサーレンズ６６は、ウェハステージ５４の内部に固設され、ウェハステージ５４の内部に導入されたアライメント光を基準マークＳＭに照射するための光照射部を構成している。
【００５０】
こうして、一対の基準マークＳＭは、アライメント系の送光光学系により、下方からケーラー透過照明される。残しパターンからなる各基準マークＳＭを透過した光は、投影光学系５０を介して、マスク４９の下面に形成された対応するマスクマークＭＭを照明する。なお、アライメント光は露光光と同じ波長を有しており、アライメントに際してステージ基板５５の中心を投影光学系５０の光軸ＡＸに対して位置決めしている。従って、各マスクマークＭＭの上には、対応する基準マークＳＭの像が重なって形成される。すなわち、各基準マークＳＭの像により、対応するマスクマークＭＭの照明が行われる。
【００５１】
マスクマークＭＭを介した照明光は、アライメント系の検出光学系に入射する。検出光学系は、一対のマスクマークＭＭのうちの一方のマスクマークの相対位置を検出するための第１検出光学系と、他方のマスクマークの相対位置を検出するための第２検出光学系とから構成されている。なお、図６及び図７に示すように、２つの検出光学系は、互いに同じ構成を有し、Ｙ軸に関して対称に配置されている。
【００５２】
各マスクマークＭＭを介した照明光は、光路偏向用のミラー７１で反射された後、第１対物レンズ７２、ミラー７３及び第２対物レンズ７４を介して、２次元ＣＣＤ等からなる２次元撮像素子７５の撮像面に基準マークＳＭとマスクマークＭＭとの合成像を形成する。図１０は、２次元撮像素子７５の撮像面に形成される基準マークＳＭとマスクマークＭＭとの合成像を模式的に示す図である。前述したように、マスクマークＭＭは、基準マークＳＭの像によって透過照明される。このため、マスクマークＭＭの遮光部の透過率及び基準マークＳＭの遮光部の透過率がともに十分小さければ（通常この条件は満たされる）、２次元撮像素子７５の撮像面においてコントラストの良好な合成像を得ることができる。
【００５３】
そして、２次元撮像素子７５からの２次元画像データに基づいて、例えば目視観察により基準マークＳＭを指標としてマスクマークＭＭの位置ずれが検出される。さらに、その２次元画像データに画像処理を施すことにより、マスクマークＭＭの位置ずれがウェハステージ５４上のＸ座標及びＹ座標に沿った位置ずれ量として検出される。こうして、マスク４９上に形成された２つのマスクマークＭＭのウェハステージ５４に対する位置ずれ量に基づいて、マスク４９のウェハステージ５４に対する位置関係（２次元的な位置ずれ量、及びＺ軸回りの回転角）が求められる。
【００５４】
次いで、マスク４９のウェハステージ５４に対する位置関係が所望の許容範囲内に収まるように、マスクステージ５２を駆動してマスク４９を適宜移動させる。そして、マスク４９のウェハステージ５４に対する位置関係を再計測し、計測した位置関係が所望の許容範囲内に収まっていることを確認して、アライメントが終了する。
【００５５】
このように、第３実施形態では、ウェハステージ１４の内部へアライメント光を導入するための光導入部と、ウェハステージ１４の内部に導入されたアライメント光を基準マークＳＭに照射するための光照射部とが空間的に離間している。そして、アライメントに際してステージ基板１５を投影光学系１０に対して位置決めしたとき、光導入部のレンズ２４ａの光軸と光照射部のレンズ２４ｂの光軸とがほぼ一致し、一対のレンズ２４ａ及び２４ｂがリレーレンズ系を構成する。
【００５６】
ここで、第３実施形態のライトガイド６３，６５として、上述の第１又は第２実施形態にかかる光ファイバ束組品が用いられているため、光量ロスなく光導入部からのアライメント光を光照射部へ導くことができる。
【００５７】
また、上述の第３実施形態では、空間的に離間した２つの光学系を接続するために、光ファイバ組品を用いたが、例えば長い光ファイバ束を用いて光を伝送する場合において、製造を容易にするためにこの長い光ファイバ束を、上述の実施形態にかかる光ファイバ束組品に置き換えても良い。
【００５８】
また、上述の第３実施形態では、露光装置のアライメント系に上述の実施形態にかかる光ファイバ束組品を適用したが、露光装置の照明光学系に適用しても良い。例えば、米国特許第５，７２９，３３１号公報に開示される多分岐ライトガイドを、図１１に示すように、上述の実施形態にかかる光ファイバ束組品にしても良い。
【００５９】
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６０】
次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図１２は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図１２に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハＷに金属膜を蒸着し（ステップＳ４０）、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する（ステップＳ４２）。つづいて、上述の実施形態の投影露光装置を用い、マスク（レチクル）Ｍに形成されたパターンをウェハＷ上の各ショット領域に転写し（ステップＳ４４：露光工程）、この転写が終了したウェハＷの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う（ステップＳ４６：現像工程）。その後、ステップＳ４６によってウェハＷの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハＷの表面に対してエッチング等の加工を行う（ステップＳ４８：加工工程）。
【００６１】
ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の投影露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップＳ４８では、このレジストパターンを介してウェハＷの表面の加工を行う。ステップＳ４８で行われる加工には、例えばウェハＷの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップＳ４４では、上述の実施形態の投影露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハＷを、感光性基板つまりプレートＰとしてパターンの転写を行う。
【００６２】
図１３は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図１３に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程（ステップＳ５０）、カラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）、セル組立工程（ステップＳ５４）およびモジュール組立工程（ステップＳ５６）を順次行う。
【００６３】
ステップＳ５０のパターン形成工程では、プレートＰとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の投影露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の投影露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写されたプレートＰの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。
【００６４】
ステップＳ５２のカラーフィルタ形成工程では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応する３つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。
【００６５】
ステップＳ５４のセル組立工程では、ステップＳ５０によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップＳ５２によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップＳ５６のモジュール組立工程では、ステップＳ５４によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。
【００６６】
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。
【００６７】
なお、上述の実施形態では、露光光として超高圧水銀ランプからのｉ線（波長３６５ｎｍ）も用いているが、これに限定されることなく、他の適当なレーザ光源、たとえばＡｒＦエキシマレーザ光（波長：１９３ｎｍ）やＫｒＦエキシマレーザ光（波長：２４８ｎｍ）、波長１５７ｎｍのレーザ光を供給するＦ2レーザ光源などに対して本発明を適用することもできる。
【００６８】
また、上述の実施形態では、露光装置における照明光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、例えば内視鏡や顕微鏡など、マスク以外の被照射面を照明する一般的な照明光学系に対して本発明を適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる光ファイバ束のコネクタの構成を示す図である。
【図２】図１に示した光ファイバ束を複数備えた光ファイバ束組品を概略的に示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる光ファイバ束のコネクタの構成を示す図である。
【図４】光ファイバ束組品を接続する際の変形例を示す図である。
【図５】光ファイバ束の別の変形例を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態にかかる投影露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図７】図６のアライメント系の検出光学系の上面図である。
【図８】図６のマスク４９に形成された十字型のマスクマークＭＭを示す図である。
【図９】図６のステージ基板５５の上面に形成された基準マークＳＭを示す図である。
【図１０】図７の２次元撮像素子７５の撮像面に形成される基準マークＳＭとマスクマークＭＭとの合成像を模式的に示す図である。
【図１１】本発明を多分岐光ファイバ束に適用した変形例を示す図である。
【図１２】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
【図１３】液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７０】
１‥コネクタ、２‥フレーム部、２ａ〜２ｄ‥開口部、３‥光ファイバ素線、３ａ〜３ｄ‥光ファイバ素線の端部、４‥蓋部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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