(57)【要約】【課題】製造コストを抑えるとともに、レーザプリンタ等の信頼性を良好に保ちながら長寿命化を図ることが可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明に係る面発光型半導体レーザ１００は，３つ以上の共振器１４１〜１４３と、共振器の各々と電気的に接続された第１共通電極と、共振器の各々と電気的に接続された第２共通電極１０９ａ，ｂと、を含み、共振器の各々は、第１共通電極と電気的に接続された第１ミラーと、第１ミラーの上方に形成された活性層と、活性層の上方に形成され、第２共通電極と電気的に接続された第２ミラーと、を有し、活性層の各々の少なくとも一部は、発光領域１０８であり、平面視において、発光領域の各々の中心は、円周上に位置し、かつ，等間隔に配置されている。【選択図】図３
2009065086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３つ以上の共振器と、
前記共振器の各々と電気的に接続された第１共通電極と、
前記共振器の各々と電気的に接続された第２共通電極と、を含み、
前記共振器の各々は、
前記第１共通電極と電気的に接続された第１ミラーと、
前記第１ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成され、前記第２共通電極と電気的に接続された第２ミラーと、を有し、
前記活性層の各々の少なくとも一部は、発光領域であり、
平面視において、前記発光領域の各々の中心は、円周上に位置し、かつ、等間隔に配置されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１において、
前記共振器は、開口部を備える電流狭窄層を有し、
前記発光領域は、平面視において、前記電流狭窄層の前記開口部と一致している、面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項２において、
少なくとも前記第２ミラーには、溝が設けられており、
前記電流狭窄層は、前記溝の側面から酸化されたものである、面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項３において、
前記共振器の各々は、複数の前記溝を有し、
前記複数の溝の各々は、互いに物理的に分離されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項５】
請求項４において、
隣り合う前記共振器の前記複数の溝のうちの一部は、一体化している、面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の面発光型半導体レーザを複数含み、
複数の前記面発光型半導体レーザは、アレイ状に配置されている、面発光型半導体レーザアレイ。
【請求項７】
請求項６に記載の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を受光する感光体と、を含み、
前記共振器と同じ数の前記レーザ光が、前記感光体の複数の画素の各々に対して照射される、レーザプリンタ。
【請求項８】
請求項７において、
前記面発光型半導体レーザから出射される前記レーザ光の進路を変更する光学系部材を有し、
前記発光領域の各々の中心が位置する前記円周の中心は、前記光学系部材の光軸に合っている、レーザプリンタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、および、レーザプリンタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、レーザプリンタ等の印刷装置だけでなく、プロジェクタ等の映像装置においても、その高性能化を図るために半導体レーザが使用され始めている。従来、レーザプリンタに用いられる半導体レーザの多くは単一ビームによるものだった。しかしながら、複数本のビームを用いた高速印刷を実現するため、１次元状または２次元状に配置された半導体レーザアレイを光源として用いることが考えられている。また、プロジェクタにおいても、従来の水銀ランプに替わり、半導体レーザを光源として用いることが考えられており、輝度向上に向けた半導体レーザの高出力化が望まれている。その一つの方法として、半導体レーザのアレイ化が挙げられる。
【０００３】
半導体レーザをアレイ状で用いる際には、レーザプリンタ用のように、アレイ中の１素子が故障しても不良となる場合がある。その故障率は、アレイを構成する素子数を増やせば増やすほど高くなり、寿命減少や信頼性低下を引き起こす場合がある。半導体レーザアレイの寿命を延ばす方法として、下記特許文献１には、予備の半導体レーザアレイを備え、素子が故障した場合に予備の素子への切替えを行う方法が開示されている。
【特許文献１】特開平７−２７６７０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記方法では、予備の半導体レーザアレイ及び周辺回路を用意しなければならず、部品点数増加、コスト増加に繋がる場合がある。
【０００５】
本発明の目的の１つは、製造コストを抑えるとともに、レーザプリンタ等の信頼性を良好に保ちながら長寿命化を図ることが可能な面発光型半導体レーザを提供することにある。また、本発明の目的の１つは、当該面発光型半導体レーザを有する面発光型半導体レーザアレイ及びレーザプリンタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る面発光型半導体レーザは、
３つ以上の共振器と、
前記共振器の各々と電気的に接続された第１共通電極と、
前記共振器の各々と電気的に接続された第２共通電極と、を含み、
前記共振器の各々は、
前記第１共通電極と電気的に接続された第１ミラーと、
前記第１ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成され、前記第２共通電極と電気的に接続された第２ミラーと、を有し、
前記活性層の各々の少なくとも一部は、発光領域であり、
平面視において、前記発光領域の各々の中心は、円周上に位置し、かつ、等間隔に配置されている。
【０００７】
本発明に係る面発光型半導体レーザでは、平面視において、前記発光領域の各々の中心は、円周上に位置し、かつ、等間隔に配置されている。これにより、本発明に係る面発光型半導体レーザが適用されるレーザプリンタなどにおいて、複数の画素の各々に対して、３つ以上のスポットをバランス良く、均等に当てることができる。さらに、各画素内において、例えばいずれか１つのスポットが故障等により消失したような場合に、いずれの画素で該消失が生じても、消失後のパターンを等価にすることができる。このため、故障等の後における画素ごとのパターンのばらつきを無くすことができる。
【０００８】
以上のことから、本発明に係る面発光型半導体レーザによれば、レーザプリンタなどの信頼性を良好に保ちながら長寿命化を図ることができる。そして、本発明に係る面発光型半導体レーザによれば、上記特許文献１に記載された方法のように、予備の半導体レーザアレイや周辺回路を用意する必要がないので、製造コストを抑えることができる。
【０００９】
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ａ部材」という）の「上方」に形成された他の特定の部材（以下「Ｂ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ部材上に直接Ｂ部材が形成されているような場合と、Ａ部材上に他のものを介してＢ部材が形成されているような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【００１０】
また、本発明において、「等間隔」とは、完全に等間隔である場合と、ほぼ等間隔である場合と、を含むものとする。
【００１１】
本発明に係る面発光型半導体レーザにおいて、
前記共振器は、開口部を備える電流狭窄層を有し、
前記発光領域は、平面視において、前記電流狭窄層の前記開口部と一致していることができる。
【００１２】
なお、本発明において、「一致している」場合とは、完全に一致している場合と、ほぼ一致している場合と、を含むものとする。
【００１３】
本発明に係る面発光型半導体レーザにおいて、
少なくとも前記第２ミラーには、溝が設けられており、
前記電流狭窄層は、前記溝の側面から酸化されたものであることができる。
【００１４】
本発明に係る面発光型半導体レーザにおいて、
前記共振器の各々は、複数の前記溝を有し、
前記複数の溝の各々は、互いに物理的に分離されていることができる。
【００１５】
本発明に係る面発光型半導体レーザにおいて、
隣り合う前記共振器の前記複数の溝のうちの一部は、一体化していることができる。
【００１６】
本発明に係る面発光型半導体レーザアレイは、上述の面発光型半導体レーザを複数含み、
複数の前記面発光型半導体レーザは、アレイ状に配置されている。
【００１７】
本発明に係るレーザプリンタは、上述の面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を受光する感光体と、を含み、
前記共振器と同じ数の前記レーザ光が、前記感光体の複数の画素の各々に対して照射される。
【００１８】
本発明に係るレーザプリンタにおいて、
前記面発光型半導体レーザから出射される前記レーザ光の進路を変更する光学系部材を有し、
前記発光領域の各々の中心が位置する前記円周の中心は、前記光学系部材の光軸に合っていることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
１．  まず、本実施形態に係る面発光型半導体レーザ（以下「面発光レーザ」ともいう）１００および面発光型半導体レーザアレイ（以下「面発光レーザアレイ」ともいう）３００について説明する。
【００２１】
図１は、面発光レーザ１００および面発光レーザアレイ３００を概略的に示す平面図であり、図２は、図１のII−II線断面図であり、図３は、面発光レーザ１００の一部を概略的に示す平面図である。
【００２２】
面発光レーザ１００は、図１〜図３に示すように、基板１０１と、３つの共振器１４１，１４２，１４３と、絶縁層１１０と、第１共通電極１０７と、第２共通電極１０９と、を含むことができる。なお、面発光レーザ１００は、３つより多くの共振器を有することもできる。
【００２３】
基板１０１としては、例えば第１導電型（例えばｎ型）ＧａＡｓ基板などを用いることができる。
【００２４】
共振器１４１〜１４３は、基板１０１上に形成されている。共振器１４１〜１４３の各々は、第１導電型（ｎ型）の第１ミラー１０２と、第１ミラー１０２の上に形成された活性層１０３と、活性層１０３の上に形成された第２導電型（例えばｐ型）の第２ミラー１０４と、を含む。具体的には、第１ミラー１０２は、例えば、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである。活性層１０３は、例えば、ＧａＡｓウェル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。第２ミラー１０４は、例えば、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアのＤＢＲミラーである。なお、第１ミラー１０２、活性層１０３、および第２ミラー１０４を構成する各層の組成および層数は特に限定されるわけではない。
【００２５】
第１ミラー１０２、活性層１０３、および第２ミラー１０４は、垂直共振器を構成することができる。ｐ型の第２ミラー１０４、不純物がドーピングされていない活性層１０３、およびｎ型の第１ミラー１０２により、ｐｉｎダイオードが構成される。少なくとも第２ミラー１０４は、柱状の半導体堆積体（以下「柱状部」という）１３０を構成することができる。柱状部１３０は、例えば図２に示すように、第１ミラー１０２の上部、活性層１０３、および第２ミラー１０４から構成されても良い。柱状部１３０の平面形状は、例えば円形などである。共振器１４１〜１４３の柱状部１３０の各々は、例えば図２及び図３に示すように、互いに物理的に分離されている。共振器１４１〜１４３は、第１ミラー１０２の下部を共有しており、該第１ミラー１０２の下部の上に、３つの柱状部１３０が独立して設けられている。
【００２６】
また、共振器１４１〜１４３の各々は、図２に示すように、開口部１１５を備える電流狭窄層１０５を有する。例えば、第２ミラー１０４を構成する層のうちの少なくとも１層を電流狭窄層１０５とすることができる。電流狭窄層１０５としては、例えば、ＡｌＧａＡｓ層を酸化したものなどを用いることができる。電流狭窄層１０５は、絶縁層である。電流狭窄層１０５は、例えばリング状に形成されている。
【００２７】
活性層１０３の一部は、図２に示すように、発光領域１０８である。発光領域１０８は、図２の例では、活性層１０３の中央部に設けられている。活性層１０３の発光領域１０８の境界は、電流狭窄層１０５の開口部１１５の形状、位置、大きさなどによって画定される。発光領域１０８は、例えば、平面視（図３）において、電流狭窄層１０５の開口部１１５と一致していることができる。発光領域１０８の平面形状は、例えば図３に示すような円形などである。なお、活性層１０３の全部が発光領域１０８であっても良い。
【００２８】
活性層１０３の発光領域１０８では、電子と正孔との再結合が起こり、該再結合による発光が生じる。この光が第１ミラー１０２と第２ミラー１０４との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上回ると、レーザ発振が起こり、第２ミラー１０４の上面からレーザ光が外部に出射される。
【００２９】
図４は、面発光レーザ１００の主要部の説明図である。平面視（図４）において、３つの発光領域１０８の各々の中心は、円周Ａ上に位置し、かつ、等間隔に配置されている。図４に示すように、第１の発光領域１０８ａの中心と第２の発光領域１０８ｂの中心との距離をｄ１、第２の発光領域１０８ｂの中心と第３の発光領域１０８ｃの中心との距離をｄ２、第３の発光領域１０８ｃの中心と第１の発光領域１０８ａの中心との距離をｄ３とすると、
ｄ１＝ｄ２＝ｄ３
である。ｄ１，ｄ２，ｄ３は、例えば１０μｍ以下である。また、図示の例では、３つの発光領域１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃの平面視における面積を互いに等しくすることができる。
【００３０】
基板１０１の下面側には、図２に示すように、第１共通電極１０７が形成されている。第１共通電極１０７は、基板１０１を介して第１ミラー１０２と電気的に接続されている。第１共通電極１０７は、例えば基板１０１の下面全面の下に形成されている。
【００３１】
第２ミラー１０４および絶縁層１１０の上には、第２共通電極１０９が形成されている。第２共通電極１０９は、第２ミラー１０４と電気的に接続されている。第２共通電極１０９は、図１に示すように、接触部１０９ａと、引き出し部１０９ｂと、パッド部１０９ｃと、を含むことができる。第２共通電極１０９は、接触部１０９ａにおいて第２ミラー１０４と接触している。第２共通電極１０９の接触部１０９ａの平面形状は、例えば図１に示すように、円形の開口部１８０を３つ有する円形などである。接触部１０９ａの開口部１８０は、柱状部１３０上に設けられている。平面視において、接触部１０９ａの開口部１８０の内側には、発光領域１０８が設けられている。第２共通電極１０９の引き出し部１０９ｂは、接触部１０９ａとパッド部１０９ｃとを接続している。引き出し部１０９ｂの平面形状は、例えば図１に示すような直線状などである。第２共通電極１０９のパッド部１０９ｃは、電極パッドとして外部の配線等と接続される。パッド部１０９ｃの平面形状は、例えば図１に示すような円形などである。
【００３２】
絶縁層１１０は、第１ミラー１０２の上に形成されている。絶縁層１１０は、柱状部１３０を囲むように形成されている。絶縁層１１０の上には、第２共通電極１０９の引き出し部１０９ｂおよびパッド部１０９ｃが形成されている。絶縁層１１０は、第２共通電極１０９と第１ミラー１０２とを電気的に分離している。
【００３３】
図５は、面発光レーザ１００の回路図である。３つの共振器１４１〜１４３は、図５に示すように、同じ方向で並列に接続されている。
【００３４】
面発光レーザアレイ３００は、図１に示すように、上述した面発光レーザ１００を複数含む。複数の面発光レーザ１００は、アレイ状に配置されている。複数の面発光レーザ１００は、例えば図１に示すように、横一列に並べられている。なお、図１には、便宜上、面発光レーザアレイ３００の一方の端部に設けられた２つの面発光レーザ１００及び他方の端部に設けられた１つの面発光レーザ１００のみを示してある。残りの面発光レーザ１００の図示は省略されている。面発光レーザアレイ３００における複数の面発光レーザ１００は、基板１０１を共有している。
【００３５】
２．  次に、本実施形態に係る面発光レーザ１００の製造方法および面発光レーザアレイ３００の製造方法の一例について、図面を参照しながら説明する。
【００３６】
図６及び図７は、図１及び図２に示す本実施形態の面発光レーザ１００および面発光レーザアレイ３００の一製造工程を概略的に示す断面図であり、それぞれ図２に示す断面図に対応している。
【００３７】
（１）まず、図６に示すように、基板１０１として、例えばｎ型ＧａＡｓ基板を用意する。次に、基板１０１の上に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、半導体多層膜１５０を形成する。半導体多層膜１５０は、第１ミラー１０２、活性層１０３、及び第２ミラー１０４を構成する半導体層を順に積層したものである。なお、第２ミラー１０４を成長させる際に、活性層１０３近傍の少なくとも１層を、後に酸化されて電流狭窄層１０５となる層とすることができる。電流狭窄層１０５となる層としては、例えば、Ａｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００３８】
（２）次に、図７に示すように、半導体多層膜１５０をパターニングし、所望の形状の第１ミラー１０２、活性層１０３、及び第２ミラー１０４を形成する。これにより、柱状部１３０が形成される。半導体多層膜１５０のパターニングは、例えばリソグラフィ技術およびエッチング技術等を用いて行われる。
【００３９】
次に、例えば４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、柱状部１３０形成後の全体を投入することにより、前述の電流狭窄層１０５となる層を側面から酸化して、電流狭窄層１０５を形成する。
【００４０】
（３）次に、図１及び図２に示すように、第１ミラー１０２上に、柱状部１３０を取り囲むように絶縁層１１０を形成する。まず、例えばスピンコート法等を用いて全面にポリイミド樹脂等からなる絶縁層を形成する。次に、例えば化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法等を用いて柱状部１３０の上面を露出させる。このようにして所望の形状の絶縁層１１０を形成することができる。
【００４１】
次に、第１共通電極１０７及び第２共通電極１０９を形成する。これらの電極は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成されることができる。なお、各電極を形成する順番は、特に限定されない。
【００４２】
（４）以上の工程により、図１及び図２に示すように、本実施形態の面発光レーザ１００及び面発光レーザアレイ３００が得られる。
【００４３】
３．  次に、本実施形態に係るレーザプリンタ５００について説明する。
【００４４】
図８は、レーザプリンタ５００を概略的に示す断面図であり、図９は、レーザ光が照射されている状態のレーザプリンタ５００の感光体５１０を概略的に示す平面図である。
【００４５】
レーザプリンタ５００は、図８に示すように、支持部材５０２と、上述した面発光レーザアレイ３００と、第１スペーサ５０４と、光学系部材５０６と、第２スペーサ５０８と、感光体５１０と、を含むことができる。
【００４６】
支持部材５０２は、面発光レーザアレイ３００を支持している。支持部材５０２としては、例えば、上面に金属膜のリードが形成されたセラミックス製の部材などを用いることができる。なお、支持部材５０２は、サブマウントと呼ばれることもある。面発光レーザアレイ３００は、支持部材５０２の上に設けられている。
【００４７】
光学系部材５０６は、図８に示すように、面発光レーザアレイ３００の面発光レーザ１００から出射されるレーザ光５２０の進路を変更することができる。光学系部材５０６としては、例えば、レンズアレイなどを用いることができる。光学系部材５０６は、その光軸が、面発光レーザ１００の発光領域１０８の各々の中心が位置する円周Ａの中心ａ（図４参照）に合うように配置されていることが望ましい。
【００４８】
第１スペーサ５０４は、支持部材５０２と光学系部材５０６との間のスペーサである。第１スペーサ５０４は、支持部材５０２の上であって、光学系部材５０６の下に設けられることができる。第１スペーサ５０４は、例えば、各種樹脂材料、各種金属材料等を用いて形成される。
【００４９】
感光体５１０は、面発光レーザ１００から出射されるレーザ光５２０を受光する。図８及び図９に示すように、共振器１４１〜１４３と同じ数（図示の例では３つ）のレーザ光５２０が、感光体５１０の複数の画素５１２の各々に対して照射される。感光体５１０上では、図９に示すように、１つの画素５１２に対して、レーザ光５２０のスポット５２２が３つ形成されている。スポット５２２の形状は、例えば図９に示すような円形である。スポット５２２の各々は、例えば図９に示すように、互いに接しており、点で重なり合っている。なお、スポット５２２の各々は、互いに重なり合っていなくても良い。画素５１２の平面形状は、例えば図９に示すような円形であり、その直径は、例えば２０μｍ以下である。
【００５０】
第２スペーサ５０８は、図８に示すように、光学系部材５０６と感光体５１０との間のスペーサである。第２スペーサ５０８は、光学系部材５０６の上であって、感光体５１０の下に設けられることができる。第２スペーサ５０８は、例えば、各種樹脂材料、各種金属材料等を用いて形成される。
【００５１】
４．  本実施形態に係る面発光レーザ１００では、平面視（図４参照）において、発光領域１０８の各々の中心は、円周Ａ上に位置し、かつ、等間隔に配置されている。これにより、例えば面発光レーザ１００が適用されるレーザプリンタ５００などにおいて、図９に示すように、複数の画素５１２の各々に対して、例えば３つのスポット５２２をバランス良く、均等に当てることができる。さらに、各画素５１２内において、例えばいずれか１つのスポットが故障等により消失したような場合に、いずれの画素５１２で該消失が生じても、消失後のパターンを等価にすることができる。例えば、図９に示す例では、消失後の残りの２つのスポット５２２の画素５１２内におけるパターンは、いずれのスポットが消失しても、１２０度の回転対称となる（図９では、消失したスポットに５２４の符号を付してある）。なお、対称軸は、画素５１２の中心を通る。このように、スポット消失後のパターンを等価にすることができるため、故障等の後における画素５１２ごとのパターンのばらつきを無くすことができる。なお、共振器１４１〜１４３の故障は、発光領域１０８に生じる欠陥が原因であることが多いが、発光領域１０８の各々は、離れて設けられているため、共振器１４１〜１４３の故障は、ほぼ単独で起こる。即ち、共振器１４１〜１４３の故障によるスポット消失は、１つずつ起こることがほとんどである。
【００５２】
以上のことから、本実施形態に係る面発光レーザ１００によれば、例えばレーザプリンタ５００などの信頼性を良好に保ちながら長寿命化を図ることができる。そして、本実施形態に係る面発光レーザ１００によれば、上記特許文献１に記載された方法のように、予備の半導体レーザアレイや周辺回路を用意する必要がないので、製造コストを抑えることができる。
【００５３】
上述したように、１つの画素５１２内において、故障等によりスポットが消失した場合には、例えば、消失前が３つのスポット５２２であり、消失後が２つのスポット５２２であった場合には、消失後の２つのスポット５２２を形成するレーザ光５２０の出力を３／２倍（１．５倍）にすることが望ましい。これにより、スポット消失前後において、１つの画素５１２に照射される光量を一定に保つことができる。なお、レーザ光５２０の出力は、面発光レーザ１００の外部より光量モニタを行うことで制御されることができる。
【００５４】
また、本実施形態のレーザプリンタ５００では、光学系部材５０６は、その光軸が、面発光レーザ１００の発光領域１０８の各々の中心が位置する円周Ａの中心ａ（図４参照）に合うように配置されていることが望ましい。これにより、図９に示すように、複数の画素５１２の各々に対して、例えば３つのスポット５２２をより確実にバランス良く当てることができる。
【００５５】
５．  次に、本実施形態に係る面発光レーザの変形例について説明する。なお、上述した図１及び図２に示す面発光レーザ１００（以下「面発光レーザ１００の例」という）と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００５６】
（１）まず、第１の変形例について説明する。
【００５７】
図１０は、本変形例に係る面発光レーザ４００の一部を概略的に示す平面図であり、図１１は、図１０のXI−XI線断面図である。なお、図１０に示す平面図は、面発光レーザ１００の例における図３に示す平面図に対応している。
【００５８】
面発光レーザ１００の例では、図２及び図３に示すように、互いに物理的に分離されている柱状部１３０を設ける場合について説明した。これに対し、本変形例では、図１０及び図１１に示すように、一体化した柱状部４３０を設けることができる。一体化した柱状部４３０の平面形状は、例えば図１０に示すような円形などである。
【００５９】
図１２は、本変形例の面発光レーザ４００の一製造工程を概略的に示す断面図であり、図１１に示す断面図に対応している。本変形例では、少なくとも第２ミラー１０４に溝４２０を設けることができる。図示の例では、溝４２０は、第２ミラー１０４、活性層１０３、および第１ミラー１０２の上部を貫いて設けられている。共振器１４１〜１４３の各々には、複数の溝４２０が形成されることができる。図示の例では、溝４２０は、共振器１４１〜１４３の各々に対して、３つずつ形成されている。溝４２０の平面形状は、例えば図１０に示すような円弧状である。複数の溝４２０の各々は、例えば図１０に示すように、互いに物理的に分離されており、連続していない。溝４２０は、例えばリソグラフィ技術およびエッチング技術等を用いて形成される。溝４２０は、例えば、柱状部４３０を形成する工程と同時の工程で形成されることができる。
【００６０】
また、隣り合う共振器の複数の溝４２０のうちの一部は、一体化していることができる。図１０では、一体化した溝に符合４２２を付してある。図示の例では、３つの共振器１４１〜１４３全体の中央付近における３つの溝４２０が一体化して、溝４２２を構成している。
【００６１】
本変形例では、電流狭窄層４０５は、図１２に示すように、溝４２０の側面から酸化されて形成されることができる。本変形例では、電流狭窄層４０５は、溝４２０を囲繞するように形成されることができる。電流狭窄層４０５は、それぞれの溝４２０の間に隙間なく形成されることができる。これにより、それぞれの溝４２０の間を絶縁できるため、活性層１０３の発光領域１０８に効率良く電流を注入することができる。電流狭窄層４０５をそれぞれの溝４２０の間に隙間なく形成するためには、溝４２０同士の間隔（最短距離）を、溝４２０の側面から電流狭窄層４０５の開口部４１５までの最短距離（即ち、酸化される距離）の２倍以下にすれば良い。
【００６２】
電流狭窄層４０５を形成した後、溝４２０を埋め込むように絶縁層４１０を形成することができる。絶縁層４１０は、第１ミラー１０２及び第２ミラー１０４の上に形成されることができる。絶縁層４１０は、柱状部４３０を囲むように形成されることができる。
【００６３】
本変形例に係る面発光レーザ４００では、溝４２０には絶縁層４１０が埋め込まれているが、溝４２０が形成されていない領域は、第２ミラー１０４や活性層１０３などを構成する半導体からなる。半導体の熱伝導率は絶縁体よりも高いため、本変形例に係る面発光レーザ４００によれば、例えば面発光レーザ１００の例などに比べ、放熱性を向上させることができる。
【００６４】
また、本変形例に係る面発光レーザ４００では、隣り合う共振器の複数の溝４２０のうちの一部を一体化させることができる。これにより、３つの共振器１４１〜１４３の全体の面積を小さくすることができ、面発光レーザ４００を小型化することができる。
【００６５】
（２）次に、第２の変形例について説明する。
【００６６】
図１３は、本変形例に係る面発光レーザ６００の一部を概略的に示す平面図である。なお、図１３に示す平面図は、面発光レーザ１００の例における図３に示す平面図に対応している。
【００６７】
本変形例では、第２共通電極１０９の接触部１０９ａの平面形状を、図１３に示すように、３つの円の一部が重なり合った形状とすることができる。なお、電極の面積は、放熱性の観点から、大きい方が好ましいため、電極の平面形状は、適宜変更できる。
【００６８】
また、面発光レーザ１００の例では、図３に示すように、第２共通電極１０９の引き出し部１０９ｂを２つの共振器１４１，１４２側から引き出す場合について説明した。これに対し、本変形例では、図１３に示すように、引き出し部１０９ｂを２つの共振器１４１，１４２とは反対側、即ち、残りの１つの共振器１４３側から引き出すことができる。
【００６９】
（３）次に、第３の変形例について説明する。
【００７０】
本変形例では、図示しないが、例えば、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）法などを用いて、面発光レーザ１００の例の基板１０１を切り離すことができる。即ち、面発光レーザ１００は、基板１０１を有しないことができる。
【００７１】
（４）次に、第４の変形例について説明する。
【００７２】
上述したように、図１および図２に示す面発光レーザ１００や面発光レーザアレイ３００は、例えば図８に示すようなレーザプリンタ５００に好適であるが、面発光レーザ１００や面発光レーザアレイ３００は、他のレーザ描画装置にも適用されることができる。他のレーザ描画装置としては、例えばレーザディスプレイなどが挙げられる。また、面発光レーザ１００や面発光レーザアレイ３００は、例えば、プロジェクタや、光導波路（例えば光ファイバなど）を有する通信装置などにも適用されることができる。
【００７３】
（５）なお、上述した変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００７４】
６．  上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本実施形態の面発光レーザ及び面発光レーザアレイを概略的に示す平面図。
【図２】本実施形態の面発光レーザ及び面発光レーザアレイを概略的に示す断面図。
【図３】本実施形態に係る面発光レーザの一部を概略的に示す平面図。
【図４】本実施形態に係る面発光レーザの主要部の説明図。
【図５】本実施形態に係る面発光レーザの回路図。
【図６】本実施形態の面発光レーザと面発光レーザアレイの製造工程を示す断面図。
【図７】本実施形態の面発光レーザと面発光レーザアレイの製造工程を示す断面図。
【図８】本実施形態に係るレーザプリンタを概略的に示す断面図。
【図９】本実施形態に係るレーザプリンタの感光体を概略的に示す平面図。
【図１０】本実施形態に係る面発光レーザの第１変形例を概略的に示す平面図。
【図１１】本実施形態に係る面発光レーザの第１変形例を概略的に示す断面図。
【図１２】本実施形態の面発光レーザの変形例の一製造工程を概略的に示す断面図。
【図１３】本実施形態に係る面発光レーザの第２変形例を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【００７６】
１００  面発光レーザ、１０１  基板、１０２  第１ミラー、１０３  活性層、１０４  第２ミラー、１０５  電流狭窄層、１０７  第１共通電極、１０８  発光領域、１０９  第２共通電極、１１０  絶縁層、１１５  開口部、１３０  柱状部、１４１〜１４３  共振器、１５０  半導体多層膜、１８０  開口部、３００  面発光レーザアレイ、４００  面発光レーザ、４０５  電流狭窄層、４１０  絶縁層、４２０，４２２  溝、５００  レーザプリンタ、５０２  支持部材、５０４  第１スペーサ、５０６  光学系部材、５０８  第２スペーサ、５１０  感光体、５１２  画素、５２０  レーザ光、５２２  スポット，６００  面発光レーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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