(57)【要約】【課題】溝部幅が精度良く形成可能であり、小型化が容易な光結合装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁材からなり、上面と、前記上面から後退し第１及び第２の内側面が互いに対向している切り欠き部と、を有する基板と、前記基板の前記上面に設けられた第１の上面導電パターンの上に接着された発光素子と、前記基板の前記上面に設けられた第２の上面導電パターンの上に接着され、一側面が前記発光素子の一側面と対向し、前記発光素子から放出された光を受光可能な受光素子と、前記切り欠き部の前記第１の内側面と連続した内側面を有し、前記発光素子を埋め込むように前記基板上に形成され、透光性樹脂からなる第１の成型体と、前記第１の成型体の前記内側面と対向し且つ前記切り欠き部の前記第２の内側面と連続した内側面を有し、前記受光素子を埋め込むように前記基板上に形成され、前記透光性樹脂からなる第２の成型体と、を備えたことを特徴とする光結合装置が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなり、上面と、前記上面から後退し第１及び第２の内側面が互いに対向している切り欠き部と、を有する基板と、
前記基板の前記上面に設けられた第１の上面導電パターンの上に接着された発光素子と、
前記基板の前記上面に設けられた第２の上面導電パターンの上に接着され、一側面が前記発光素子の一側面と対向し、前記発光素子から放出された光を受光可能な受光素子と、
前記切り欠き部の前記第１の内側面と連続した内側面を有し、前記発光素子を埋め込むように前記基板上に形成され、透光性樹脂からなる第１の成型体と、
前記第１の成型体の前記内側面と対向し且つ前記切り欠き部の前記第２の内側面と連続した内側面を有し、前記受光素子を埋め込むように前記基板上に形成され、前記透光性樹脂からなる第２の成型体と、
を備えたことを特徴とする光結合装置。
【請求項２】
前記発光素子と前記受光素子との間に被検出物体が挿入されると、前記発光素子から放出された光が遮られて前記受光素子からの出力電流が減少することを特徴とする請求項１記載の光結合装置。
【請求項３】
前記基板の下面には、第１及び第２の下面導電パターンが設けられ、
前記基板の側面には、第１及び第２の側面導電パターンが設けられ、
前記第１の上面導電パターンと、前記第１の下面導電パターンと、は、前記第１の側面導電パターンを介して電気的に接続され、
前記第２の上面導電パターンと、前記第２の下面導電パターンと、は、前記第２の側面導電パターンを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光結合装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の光結合装置の製造方法であって、
打ち抜き加工用穴を有する前記基板を形成する工程と、
前記切り欠き部とする領域を覆わず、且つ前記発光素子及び前記受光素子の少なくともいずれかを埋め込むように、前記透光性樹脂を用いて前記基板上に成型体を形成する工程と、
第１の方向に沿って前記成型体及び前記基板をダイシングし、且つ前記第１の方向とは略直交する第２の方向に沿って前記成型体及び前記基板をダイシングする工程と、
打ち抜き加工により前記基板に前記切り欠き部を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする光結合装置の製造方法。
【請求項５】
前記打ち抜き加工用穴は、前記基板の下面に向かって開口し、且つ前記上面には貫通していないことを特徴とする請求項４記載の光結合装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光結合装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光部と受光部との間に設けられた溝部に被検出物体が挿入されると、発光部からの放出光が遮られて受光部において出力電流が減少し、被検出物体の存在を検知できる。このような光結合装置を透過型フォトインタラプタと呼び、ディジタルスチールカメラのレンズユニット位置制御や産業用機器のセンサなどに用いられている。
【０００３】
ディジタルスチールカメラなどの用途においては、光結合装置の薄型化及び小型化が要求される。この場合、絶縁性基板上に切り欠き部を挟んで、発光素子の一側面と、受光素子の一側面と、を互いに対向するように配置すると、薄型の光結合装置とすることが容易となる。  
【０００４】
絶縁性基板を用いた透過型フォトインタラプタの技術開示例がある（特許文献１）。この技術開示例では、発光素子からの放出光が切り欠きに挿入された被検知物体により遮られたことを受光素子が検知でき、絶縁性基板を用いているので薄型化が容易である。
しかしながら、絶縁性基板上に接着された発光素子及び受光素子を透光性樹脂を用いて埋め込む場合、透光性樹脂が切り欠きの側面に沿って漏れて流れ出ることがある。絶縁性基板上に成型金型の押さえ代を設けると、樹脂漏れを抑制することが容易となるが発光部の成型体と、受光部の成型体と、の間の間隙部の長さが大きくなり光結合装置が大型となる。
【特許文献１】特開平８−２４２０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
溝部幅が精度良く形成可能であり、小型化が容易な光結合装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、絶縁材からなり、上面と、前記上面から後退し第１及び第２の内側面が互いに対向している切り欠き部と、を有する基板と、前記基板の前記上面に設けられた第１の上面導電パターンの上に接着された発光素子と、前記基板の前記上面に設けられた第２の上面導電パターンの上に接着され、一側面が前記発光素子の一側面と対向し、前記発光素子から放出された光を受光可能な受光素子と、前記切り欠き部の前記第１の内側面と連続した内側面を有し、前記発光素子を埋め込むように前記基板上に形成され、透光性樹脂からなる第１の成型体と、前記第１の成型体の前記内側面と対向し且つ前記切り欠き部の前記第２の内側面と連続した内側面を有し、前記受光素子を埋め込むように前記基板上に形成され、前記透光性樹脂からなる第２の成型体と、を備えたことを特徴とする光結合装置が提供される。
【０００７】
また、本発明の他の一態様によれば、上記の光結合装置の製造方法であって、打ち抜き加工用穴を有する前記基板を形成する工程と、前記切り欠き部とする領域を覆わず、且つ前記発光素子及び前記受光素子の少なくともいずれかを埋め込むように、前記透光性樹脂を用いて前記基板上に成型体を形成する工程と、第１の方向に沿って前記成型体及び前記基板をダイシングし、且つ前記第１の方向とは略直交する第２の方向に沿って前記成型体及び前記基板をダイシングする工程と、打ち抜き加工により前記基板に前記切り欠き部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする光結合装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
溝部幅が精度良く形成可能であり、小型化が容易な光結合装置及びその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる光結合装置の模式図である。すなわち、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は正面図、図１（ｃ）はＡ−Ａ線に沿った断面図、図１（ｄ）Ｂ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００１０】
絶縁性材料からなる基板１０は、その上面１０ｓに導電パターンを有しており、第１の上面導電パターン上には、発光素子２０が接着され、第２の上面導電パターン上には受光素子３０が接着されている。また、基板１０は、切り欠き部１０ａを有している。基板１０の材料には、例えばガラスエポキシ、フェノール及びエポキシの複合材、セラミック、などを用いることができる。またその厚さは、例えば０．２〜１ｍｍの範囲とする。基板１０の上面導電パターンは、基板１０に設けられた側面導電パターン４１、４３、４５を介して基板１０の裏面側の下面導電パターン（図示せず）に電気的に接続され、実装部材への取り付け及び配線が可能とされる。
【００１１】
発光素子２０はシリコーン、エポキシなど熱硬化性を有する透光性樹脂からなる第１の成型体５０に埋め込まれ、受光素子３０は透光性樹脂からなる第２の成型体６０に埋め込まれている。発光素子２０と、受光素子３０と、は互いにその一側面が対向するように配置されている。なお、熱可塑性を有する透光性樹脂を用いることもできる。
【００１２】
発光素子２０は、例えば可視〜赤外光の波長範囲の放出光Ｇを放出可能である。ＡｌＧａＡｓ及びＧａＡｓなどからなる発光層から放出され、波長範囲が８７０〜９５０ｎｍである赤外光は、可視光波長範囲におけるよりも高い光出力とすることが容易であるのでより好ましい。
【００１３】
また、Ｓｉからなるフォトトランジスタ及びフォトダイオードなどの受光素子３０は、その放出光Ｇを検出することができる。フォトダイオードは高速応答が容易であり、フォトトランジスタは高感度とすることが容易であるので、用途により適正に選択することが好ましい。
【００１４】
なお、例えば、発光素子２０の順方向電流ＩＦを５ｍＡ、フォトトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥを２Ｖとする。フォトトランジスタのコレクタ電流をＩＣとすると、ＩＣ／ＩＦで表される変換効率を３〜４０％の範囲で制御すると種々の用途に応じた特性とすることが容易となる。
【００１５】
第１の成型体５０の内側面５０ａは、基板１０に設けられた切り欠き部１０ａの内側面１０ｄとの間に段差を生じることなく連続するように形成されている。また、内側面５０ａと略対向する第２の成型体６０の内側面６０ａは、切り欠き部１０ａの内側面１０ｄとの間に段差を生じることなく連続するように形成されている。第１の成型体５０の内側面５０ａ及び第２の成型体６０の内側面６０ａの間の間隙部５５と、切り欠き部１０ａと、は、光結合装置５の溝部５ａを構成している。溝部５ａの幅Ｗは、例えば１．２〜５ｍｍの範囲とする。
【００１６】
外形寸法は、例えばｘ軸に沿った長さＭを２．５〜４ｍｍ、ｙ軸に沿った長さＫを３〜４ｍｍ、ｚ軸に沿った長さＪを２．５〜５ｍｍなどとする。基板型構造である本実施形態は、ｘ軸に沿った長さＭを小さくすることが容易である。
【００１７】
図１（ｂ）及び図１（ｄ）のように、放出光Ｇを遮るように、溝部５ａに被検出物体７０が挿入されると、受光素子３０からの出力電流が減少し被検出物体７０を検知できる。このような光結合装置５を透過型フォトインタラプタと言う。
【００１８】
図２は、本実施形態の光結合装置の検出位置特性を説明する図である。すなわち、図２（ａ）の検出位置特性は、受光素子３０に生じる相対光電流の距離ｄ（ｍｍ）依存性を表す。また、図２（ｂ）に表すように、この距離ｄは、第２の成型体６０の側面６０ａ上の受光中心線６２と、被検出物体７０の端部と、の間のｘ軸方向間隔である。歯車やシャッタのような被検出物体７０をｘ軸に沿って溝部５ａに挿入するに伴って、放出光Ｇが徐々に遮られ、受光素子３０に生じる光電流が減少し、精度良く被検出物体７０の検知ができる。
【００１９】
他方、第１のリード上に接着された発光素子と、第２のリード上に接着された受光素子と、が透光性樹脂による共通の成型体に埋め込まれ、表面が互いに対向している光結合装置では、放出光がｘ軸方向に広がり且つ共通の成型体を介して受光素子に回り込みやすく、図２（ａ）のような検出位置特性を得ることが困難である。
【００２０】
これに対して本実施形態では、発光素子２０及び受光素子３０は、互いにその一側面が対向している。このために、放出光Ｇのｘ軸方向への広がりを抑制しつつ受光素子３０の受光感度をｘ軸方向の限定された領域に絞ることができる。さらに、第１及び第２のリードを一体成型する必要が無いので、第１及び第２の成型体５０、６０を分離することができ、放出光Ｇの回り込みを抑制することが容易となる。その結果、図２（ａ）のように良好な検出位置特性を得ることができる。
【００２１】
図１（ｄ）における被検出物体７０を回転する歯車とすると、矢印の方向に通過する歯車の数をカウントすることにより被検出物体７０の位置変化を検出できる。また、被検出物体７０をシャッターとすると、ズーム原点、フォーカス原点などの位置原点の検出が可能である。
【００２２】
このため、例えばディジタルスチールカメラのレンズユニット制御に用いることができる。なお、その用途は、ディジタルスチールカメラに限定されず、ファクシミリ、プリンタ、複写機、携帯電話、などであってもよい。
【００２３】
図３は、第１の実施形態にかかる光結合装置の製造方法を表す模式図である。また、図４は、製造工程における１単位の模式図である。
図３（ａ）は、個々の光結合装置５に分離する前の４×４（＝１６）個取り用の基板１０の上面を表す。図４（ａ）に拡大して表すように、第１、第２、及び第３の上面導電パターン４０、４２、４４が設けられている。第１、第２、及び第３の上面導電パターン４０、４２、４４は、スルーホールの内側面にメッキなどで形成された第１、第２、及び第３の側面導電パターン４１、４３、４５を介して、基板１０の裏面に設けられた第１、第２、及び第３の下面導電パターン（図示せず）とそれぞれ接続されている。図３において、破線で表す打ち抜き領域１０ｃは樹脂成型の後に、打ち抜き加工により切り欠き部１０ａとされる領域である。
【００２４】
図３（ｂ）は、発光素子２０及び受光素子３０の接着及びワイヤボンディング工程後を表す。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４（ａ）のように、銀ペーストや金属半田などを用いて、第１の上面導電パターン４０の上には発光素子２０が接着され、第２の上面導電パターン４２の上には受光素子３０が接着される。さらに、発光素子２０の上面の電極（図示せず）及び第２の上面導電パターン４２とがボンディングワイヤ２１により接続され、受光素子３０の上面の電極（図示せず）及び第３の上面導電パターン４４がボンディングワイヤ３１により接続されている。
【００２５】
受光素子３０がフォトトランジスタである場合、コレクタ電極及びエミッタ電極が上面導電パターンとそれぞれ電気的に接続される。また、受光素子３０がフォトダイオードである場合、アノード電極及びカソード電極が上面導電パターンとそれぞれ電気的に接続される。発光素子２０の電極のいずれかと、受光素子３０の電極のいずれかと、を共通である第２の上面導電パターン４２に接続すると、光結合装置５は３つの端子で駆動可能となる。
【００２６】
基板１０の打ち抜き（予定）領域１０ｃの周囲には、例えば基板１０の下面に向かって開口している打ち抜き加工用穴１０ｂが形成されている。この打ち抜き加工穴１０ｂは基板１０の上面には貫通していない。図４（ａ）では、３つの矩形状の打ち抜き加工用穴１０ｂが形成されている。
【００２７】
続いて、図３（ｃ）のように、透光性樹脂を用いて発光素子２０及び受光素子３０を埋め込むように成型体９０を形成する。この場合、図４（ｂ）に破線で表すように、封止金型で覆った打ち抜き領域１０ｃには成型体９０を形成しない。また、発光素子２０及び受光素子３０が隣り合っている領域は成型体９０を連続した形状とすることができる。他方、一番左側の列は、受光素子３０を４つ埋め込んだ成型体９０であり、一番右側の列は、発光素子２０を４つ埋め込んだ成型体９０となる。透光性樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合、例えば１００〜２００℃の温度範囲の熱処理工程により熱硬化を行う。
【００２８】
続いて、図３（ｄ）のように、ダイシング線８０に沿ったダイシングにより、発光素子２０及び受光素子３０が隣り合っている成型体９０は、第１の成型体５０及び第２の成型体６０に分離される。さらにダイシング線８０に略直交するダイシング線８２に沿ったダイシングにより、個々の光結合装置５に分離される。この場合、例えばブレードダイサ装置を用いてフルカットとすることができる。
【００２９】
さらに、打ち抜き領域１０ｃを打ち抜き、図３（ｅ）に表すように、切り欠き部１０ａが形成された個々の光結合装置５とする。この打ち抜き加工は、例えば基板１０を、オス型及びメス型の間に挟んで行うことができる。打ち抜き加工用穴１０ｂ及び封止樹脂の金型サイズを適正に選択すると、図１（ｃ）において、基板１０の内側面１０ｄに樹脂漏れを生じることなく、溝部５ａの幅Ｗが精度良く形成できる。
【００３０】
なお、打ち抜き加工を先に行なったのち、ダイシングを行ってもよい。すなわち、図３（ｃ）に表すような成型体９０を形成したのち、打ち抜き領域１０ｃを打ち抜くことにより切り欠き部１０ａを形成する。この場合、図４（ｃ）のように、４つの矩形状の打ち抜き加工用穴１０ｂを形成しておくと都合良い。続いて、ダイシング線８０、８２に沿ってダイシングを行うことにより、個々の光結合装置５に分離される。
【００３１】
図５は、比較例にかかる光結合装置の模式図である。すなわち、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は正面図である。
本比較例も絶縁性基板を用いた構造であるが、図５（ａ）及び図５（ｂ）のように、封止金型の押さえ代１１０ｂを設けてあり、その分ｙ軸方向に沿った長さＫＫが大きくなっている。
【００３２】
図６は、比較例の光結合装置の樹脂成型工程を説明する模式図である。すなわち、図６（ａ）は基板の上面を表す図、図６（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った断面図、図６（ｃ）は樹脂漏れ生じている図である。
図６（ａ）のように、基板１１０には、予めｙ軸方向の長さがＷＷである切り欠き部１１０ａが形成されている。樹脂が基板１１０の切り欠き部１１０ａの内側面に沿って漏れ出さないように、図６（ｂ）のように封止金型１７０の下面の一部を基板１１０の押さえ代１１０ｂに押し当てた状態で、注入口１７０ａから液状透光性樹脂を注入する。押さえ代１１０ｂの幅ＮＮを十分大きくすると樹脂漏れの防止が容易となるが、ｙ軸に沿った長さＫＫが大きくなる。
【００３３】
逆に押さえ代１１０ｂの幅ＮＮを小さくすると、図６（ｃ）のように、切り欠き部１１０ａの内側面に沿って樹脂漏れを生じやすくなり、溝部の幅ＸＸが切り欠き部１１０ａの幅ＷＷよりも狭くなる。樹脂漏れを抑制可能な押さえ代１１０ｂの幅ＮＮの下限値は、封止金型の位置精度程度と考えられ、少なくともＮＮの２倍の長さの分だけ長さＫＫを大きくする必要がある。
【００３４】
他方、切り欠き部１１０ａには被検出物体が挿入されるが、被検出物体が回転する歯車などの場合、先端部にブレを生じやすく、溝部の幅ＸＸが狭くなると被検出物体との接触が生じやすくなり機器の破損を生じることがある。
【００３５】
これに対して、第１の実施形態では、基板１０に切り欠き部が形成されていない状態で樹脂成型を行う。このため、基板１０の切り欠き部１０ａに樹脂が漏れることがなく、溝部５ａの幅Ｗを精度良く形成できる。このために、被検出物体７０との接触を回避することが容易である。
【００３６】
さらに、封止金型の押さえ代１１０ｂを設ける必要がないので、ｙ軸に沿った長さＫを小さくし光結合装置５を小型化することが容易である。さらに、発光素子２０及び受光素子３０が基板１０上に接着されかつ互いにその一側面が対向しており、透光性樹脂成型体を包むように遮光性樹脂成型体を形成する必要がない。このために、ｘ軸に沿った長さＭを小さく、すなわち薄型とすることができ、実装部材に表面実装することが容易となる。
【００３７】
図１及び図４において、発光素子２０の１つの電極及び受光素子３０の１つの電極は第２の側面導電パターン４３に共通に接続され、端子の数は３つであるが、本発明はこれに限定されない。例えば端子の数を４とすることもできる。また、例えばフォトダイオードなどの受光素子と、各種回路と、が集積されたフォトＩＣを用いる場合、フォトＩＣは、出力側電源端子、出力端子、及び出力側接地端子、を少なくとも有する。発光素子及び受光素子が接着されたリードフレームを樹脂成型する構造と比較して、本実施形態の絶縁基板型構造は導電パターンの配列数を増加することにより端子数を増加することが容易であり、実装部材への配線も容易となる。
【００３８】
また、図３及び図４を用いて説明した本実施形態の製造方法によれば、基板１０の切り欠き部１０ａへの樹脂もれを抑制することが容易なので、歩留まりを高めかつ外観不良を低減できる。また、透光性樹脂成型体を包むような遮光性成型体を必要としないので樹脂成型工程が１回でよい。これらにより、光結合装置５の量産性を高めることができ、結果として価格低減が可能となる。
【００３９】
図７は、本発明の第２の実施形態にかかる光結合装置を表す模式図である。すなわち、図７（ａ）は斜視図、図７（ｂ）は正面図、図７（ｃ）はＡ−Ａ線に沿った断面図である。  図７において、受光素子３０を埋め込んでいる第２の成型体６０において、発光素子２０と対向する内側面６０ａは、遮光体６４で覆われている。遮光体６４には、受光素子３０への入射光の範囲を制御可能なスリット６４ａが形成されている。
【００４０】
遮光体６４としては、放出光Ｇを反射可能であり且つ十分に薄いアルミニウム板や遮光膜などを用いることができる。スリット６４ａのｘ軸に沿った幅Ｓｘを、例えば０．１５〜０．７ｍｍの範囲とする。なお、この場合、受光中心線６２は、スリット６４ａの中心線と略一致する。
【００４１】
光結合装置５の検出位置特性は、スリット６４ａの形状により制御できる。例えば、被検出物体７０がｘ軸方向に沿って挿入される場合、スリット６４ａの幅Ｓｘを狭くすると、放出光Ｇの回り込みの影響を抑制できる。このため、マイナス０．５〜マイナス０．１ｍｍの距離ｄの範囲において相対光電流を略１に保ち、０．１〜０．５ｍｍの距離ｄの範囲において相対光電流を略ゼロに保つことができる。このために、第１の実施形態の検出位置特性よりも、被検出物体７０をより高い分解能で検知することが容易となる。
【００４２】
なお、図７では、受光素子３０側にスリット６４ａを形成しているが、本発明はこれに限定されず、発光素子２０側にスリットを形成しても良く、また発光素子２０及び受光素子３０側の両方にスリットを形成してもよい。さらにスリット６４ａの形状は、矩形に限定されず、楕円、円などであってもよい。
【００４３】
図８は、打ち抜き加工穴１０ｂの第１変形例を表す模式図である。すなわち、図８（ａ）は正面図、図８（ｂ）は側面図、図８（ｃ）は底面図である。
打ち抜き加工穴１０ｂは、基板１０の裏面側から略円柱状に掘られており、斜線で表す打ち抜き領域１０ｃの３つの辺に沿って配列されている。成型体９０は、切り欠き部１０ａとする打ち抜き領域１０ｃを覆わないように、かつ打ち抜き領域１０ｃの３つの辺に沿い且つ基板１０上に形成される。
【００４４】
図９は、打ち抜き加工穴１０ｂの第２変形例を表す模式図である。すなわち、図９（ａ）は正面図、図９（ｂ）は側面図、図９（ｃ）は底面図である。
打ち抜き加工穴１０ｂは、基板１０の裏面側から略楕円柱状に掘られており、斜線で表す打ち抜き領域１０ｃの３つの辺に沿って配列されている。成型体９０は、切り欠き部１０ａとする打ち抜き領域１０ｃを覆わないように、かつ打ち抜き領域１０ｃの３つの辺に沿いかつ基板１０上に形成される。打ち抜き加工用穴１０ｂの形状は、矩形、円、楕円に限定されず多角形などであってもよい。
【００４５】
図８及び図９に表す打ち抜き加工穴１０ｂを用いて打ち抜き加工を行った場合、加工後の切り欠き部１０ａの表面に凹凸がわずかに残ることがあるが、必要に応じて表面の後処理を行うことにより滑らかにすることは容易である。
【００４６】
以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかしながら本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明を構成する発光素子、受光素子、基板、樹脂成型体、溝部、遮光体、導電パターン、打ち抜き加工穴、スリットなどの材質、形状、サイズ、配置に関して当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる光結合装置の模式図
【図２】光結合装置の検出位置特性を説明するグラフ図
【図３】第１の実施形態の製造方法を説明する模式図
【図４】第１の実施形態の成型工程を説明する図
【図５】比較例にかかる光結合装置の模式図
【図６】比較例の樹脂成型工程を説明する図
【図７】第２の実施形態にかかる光結合装置の模式図
【図８】打ち抜き加工穴の第１変形例の模式図
【図９】打ち抜き加工穴の第２変形例の模式図
【符号の説明】
【００４８】
５  光結合装置、５ａ  溝部、１０  基板、１０ａ  切り欠き部、１０ｂ  打ち抜き加工穴、１０ｃ  打ち抜き領域、１０ｄ  内側面、２０  発光素子、３０  受光素子、４０  第１の上面導電パターン、４２  第２の上面導電パターン、４１、４３、４５  側面導電パターン、５０  第１の成型体、５０ａ  内側面、６０  第２の成型体、６０ａ  内側面、７０  被検出物体、９０  成型体、Ｇ  放出光、Ｗ  溝部の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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