(57)【要約】      （修正有）【課題】筐体内で発生したパーティクルの筐体外への流出を防止することができ、筐体内で安定したダウンフローを生成することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】処理炉５１を有するウエハ処理領域と、ウエハを収納するポッド２を搬送するポッド搬送装置３５を有するポッド保管室１１ｂと、ウエハ処理領域とポッド保管室１１ｂとを内部に有するメイン筐体１１とを備えたバッチ式ＣＶＤ装置において、メイン筐体１１の正面壁１１ａに開設されたポッド搬入口１２とエアインテーク２６を開閉する第一シャッタ１３と第二シャッタ２８とを両側ロッドシリンダ装置２９によって連動させる。ポッド２の搬入搬出時にはポッド搬入口１２を第一シャッタ１３で開き、エアインテーク２６を第二シャッタ２８で閉じる。ポッド保管室１１ｂ内でのポッド搬送時にはポッド搬入口１２を第一シャッタ１３で閉じ、エアインテーク２６を第二シャッタ２８で開く。【選択図】図２
2009266962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理炉を有する基板処理領域と、
前記基板を収納する収納容器を搬送する搬送装置を有する収納容器搬送領域と、
前記基板処理領域と前記収納容器搬送領域とを内部に有する筐体と、
前記筐体に設けられ、前記収納容器搬送領域と前記筐体外との間で収納容器の搬入搬出を行う第一開口部と、
前記筐体に設けられ、前記収納容器搬送領域に筐体外の気体を取り込む第二開口部と、  前記収納容器搬送領域の気体を排気する排気口と、
前記第一開口部および前記第二開口部を閉じる扉体と、
前記扉体を前記第一開口部と前記第二開口部のうちいずれか一方を開き、他方を閉じるように制御する制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
筐体に設けられる第一開口部を閉じた状態で、第二開口部から前記筐体外のガスを収納容器搬送領域に取り込みつつ排気口から前記筐体外へ排気するステップと、
扉体が前記第二開口部の少なくとも一部を閉じつつ前記第一開口部を開き、前記第一開口部から前記筐体外のガスを前記収納容器搬送領域に取り込みつつ前記排気口から前記筐体外へ排気するステップと、
収納容器を前記筐体外から第一開口部を介して前記収納容器搬送領域に搬入するステップと、
前記収納容器に収納された基板を処理炉で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）を作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶縁膜、金属膜、半導体膜等の薄膜を形成したり、不純物を拡散したり、アニールのような熱処理（thermal treatment ）等を施す半導体製造装置に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置の一例である半導体製造装置においては、複数枚のウエハが収納容器に収納された状態で扱われる。
収納容器としては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）がある。ポッドは略立方体の箱形状に形成されており、一つの面が開口されているとともに、該開口面にドアが着脱自在に装着されている。
ポッドはウエハを密閉した状態で搬送するので、ポッド周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していても、ポッド内のウエハは清浄度を維持することができる。このため、ポッドを使用する半導体製造装置が設置されるクリーンルーム内は、清浄度を従来より低く設定することができる。その結果、クリーンルームの清浄度の維持に要するコストを低減することができる。そこで、近年の半導体製造装置においては、ポッドを収納容器に採用している。
【０００３】
従来の半導体製造装置としては、ウエハを処理する処理炉を有するウエハ処理領域と、ポッドを搬送する搬送装置を有するポッド搬送領域と、ウエハ処理領域とポッド搬送領域とを内部に有する筐体と、筐体に設けられポッド搬送領域と筐体外との間でポッドの搬入搬出を行うＩ／Ｏシャッタと、筐体に設けられポッド搬送領域に筐体外のクリーンエアを取り込むエアインテークと、ポッド搬送領域のクリーンエアを排気する排気口と、を備えたものがある。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００２−４３１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、筐体前側領域のクリーンエアを筐体前側上部から筐体内へ取り込む仕様の半導体製造装置においては、筐体前側上部エアインテークは筐体前側領域のクリーンエアを筐体内へ取り込む取り込み口である。このため、筐体前側上部エアインテークは常時開放しており、通常は多孔のパンチングパネル等で簡易的に覆われている。
筐体内に積極的に取り込むため、かつ、筐体内を陽圧にするため、エアインテークにファンを取り付ける場合も有る。その際は、パンチングパネルの２次側（下流側）にファンを取り付けるのが、一般的である。
通常は、このエアインテークからクリーンエアを筐体内に取り込み、筐体内のポッド搬送領域下部の排気口からクリーンエアを排出することで、ポッド搬送領域で発生したパーティクルを同時に排出している。
【０００５】
しかしながら、Ｉ／Ｏシャッタからポッドを筐体内へ搬入する際、 Ｉ／Ｏステージ内側（筐体内）の扉を開放すると、ポッド搬送領域側にエアインテークおよびＩ／Ｏステージの２ヶ所の開口が発生するため、ダウンフローが乱れ、クリーンエアの乱流、逆流が発生し、筐体内のクリーンエアと一緒に筐体内のパーティクルが筐体外へ流出する。
筐体外すなわち装置にポッドを作業で筐体に挿入出したり、メンテナンスするクリーンルームでの作業空間に飛散した粉塵や油分等は、空気や人体を介して、装置メンテナンス時や組立て調整作業時に装置内の清浄空間に入り込み、ウエハの搬送の際、ウエハに付着してしまい、ウエハの歩留まりに対し、直接影響を及ぼしてしまうという新たな課題があった。
【０００６】
本発明の目的は、筐体内で発生したパーティクルの筐体外への流出を防止することができ、筐体内で安定したダウンフローを生成することができる半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するための手段は、次の通りである。
（１）基板を処理する処理炉を有する基板処理領域と、
前記基板を収納する収納容器を搬送する搬送装置を有する収納容器搬送領域と、
前記基板処理領域と前記収納容器搬送領域とを内部に有する筐体と、
前記筐体に設けられ、前記収納容器搬送領域と前記筐体外との間で収納容器の搬入搬出を行う第一開口部と、
前記筐体に設けられ、前記収納容器搬送領域に筐体外の気体を取り込む第二開口部と、  前記収納容器搬送領域の気体を排気する排気口と、
前記第一開口部および前記第二開口部を閉じる扉体と、
前記扉体を前記第一開口部と前記第二開口部のうちいずれか一方を開き、他方を閉じるように制御する制御部と、
を備える基板処理装置。
（２）筐体に設けられる第一開口部を閉じた状態で、第二開口部から前記筐体外のガスを収納容器搬送領域に取り込みつつ排気口から前記筐体外へ排気するステップと、
扉体が前記第二開口部の少なくとも一部を閉じつつ前記第一開口部を開き、前記第一開口部から前記筐体外のガスを前記収納容器搬送領域に取り込みつつ前記排気口から前記筐体外へ排気するステップと、
収納容器を前記筐体外から第一開口部を介して前記収納容器搬送領域に搬入するステップと、
前記収納容器に収納された基板を処理炉で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
前記手段によれば、筐体内で発生したパーティクルの筐体外への流出を防止することができ、筐体内で安定したダウンフローを生成することができる。
【０００９】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置は、バッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として、図１、図２および図３に示されているように構成されている。
また、本実施の形態においては、基板としてのウエハ１を収納する収納容器としては、ポッド２が使用されている。
ポッド２の一つの側壁にはウエハ出し入れ口３（図２参照）が開設されており、ウエハ出し入れ口３には、これを閉塞する蓋体としてのドア４（図２参照）が装着したり外したりすることができるように装着されている。
ポッド２の底面には位置決め穴５（図２参照）が３箇所に没設されている。
【００１１】
図１、図２および図３に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置１０は、筐体の一部としてのメイン筐体１１を備えている。
メイン筐体１１の正面壁１１ａはメイン筐体１１内外を区画する区画壁を構成している。正面壁１１ａの中間高さには、第一開口部としてのポッド搬入搬出口（以下、ポッド搬入口という。）１２が開設されている。ポッド搬入口１２はポッド２を搬入したり、ポッド２を搬出したりする。ポッド搬入口１２は第一扉体であるフロントシャッタ（以下、第一シャッタという。）１３によって閉じられたり開かれたりする。
【００１２】
メイン筐体１１の正面壁（区画壁）１１ａ外側には、Ｉ／Ｏステージ１４が設置されており、Ｉ／Ｏステージ１４は２つ並列に設けられている。Ｉ／Ｏステージ１４は三角形の平板形状に形成されており、ポッド搬入口１２の前方斜め下に位置している。
ポッド２はＩ／Ｏステージ１４上にバッチ式ＣＶＤ装置外（筐体外）にある工程内搬送装置（工程間搬送装置ともいう。）によって搬入され、もしくは、Ｉ／Ｏステージ１４上から搬出される。
工程内搬送装置としては、床走行型構内搬送車（ＡＧＶ）、天井走行型構内搬送装置（ＯＨＴ）等、があり、いずれのものも適用することができる。
【００１３】
正面壁１１ａの前面側にはフロント筐体としてのボックス１４Ａが設けられている。ボックス１４ＡはＩ／Ｏステージ１４と当該上方空間とを囲むように形成されている。ボックス１４Ａの天井壁には天井開口１４Ｂが開設されており、ボックス１４Ａの正面壁には正面開口１４Ｃが開設されている。つまり、Ｉ／Ｏステージ１４は、正面開口１４Ｃを経由してポッド２を受け取ることもできるし、また、天井開口１４Ｂを経由して受け取ることもできる。
なお、ボックス１４Ａとメイン筐体１１とはバッチ式ＣＶＤ装置の筐体を構成する。
また、ボックス１４Ａの前面パネル内にはコントローラ７７が設置されている。
【００１４】
Ｉ／Ｏステージ１４にはポッド２を昇降させるポッドエレベータ１５が設置されている。ポッドエレベータ１５はポッド２を、Ｉ／Ｏステージ１４の高さとポッド搬入口１２の高さとの間で昇降させる。
ポッドエレベータ１５は昇降駆動装置としてのシリンダ装置１６を備えており、シリンダ装置１６はカバー１７によって被覆されている。シリンダ装置１６のピストンロッド上端には保持板１８が水平に配置されて固定されており、カバー１７は保持板１８に垂下された状態で固定されている。
保持板１８には三角形の逃げ孔がＩ／Ｏステージ１４に対向する部位に開設されている。逃げ孔の三角形頂点のそれぞれには外側キネマティックピン１９Ｂが、Ｉ／Ｏステージ１４の三角形頂点のそれぞれに突設された内側キネマティックピン１９Ａの外側になるように配されて突設されている。
【００１５】
メイン筐体１１の正面壁１１ａ内側には、ロードロック室２０を構成する密閉筐体２１が設置されている。密閉筐体２１はＩ／Ｏステージ１４の高さに対応している。ロードロック室２０は不活性ガス例えば窒素ガスで充填維持可能な気密室を構成している。
【００１６】
メイン筐体１１の正面壁１１ａにはドア出し入れ口２２が、ロードロック室２０上部に対向する部位に開設されている。ドア出し入れ口２２はＩ／Ｏステージ１４に載置されたポッド２のドア４に対応する大きさ（ドア４よりも大きめ）に形成されている。
ロードロック室２０内にはポッドオープナ２３が設置されている。ポッドオープナ２３はＩ／Ｏステージ１４に載置されたポッド２のウエハ出し入れ口３および正面壁１１ａのドア出し入れ口２２を開いたり閉じたりする。
ポッドオープナ２３は移動台２４とクロージャ２５とを備えている。移動台２４はドア出し入れ口２２に対して前後（垂直方向）および上下（平行方向）に移動する。クロージャ２５は移動台２４によって移動される。クロージャ２５はドア４を保持することができるとともに、ドア出し入れ口２２を塞ぐことができる。
つまり、ドア４を保持した状態のクロージャ２５を移動台２４が前後および上下に移動させることにより、ポッドオープナ２３はポッド２のウエハ出し入れ口３およびドア出し入れ口２２を開いたり閉じたりする。
ポッドオープナ２３にはポッド２内のウエハ１をマッピングするマッピング装置２３ａが設けられている。
【００１７】
メイン筐体１１内の前側領域にはポッド保管室１１ｂが形成されている。ポッド保管室１１ｂ内には回転式ポッド棚３１が設置されている。回転式ポッド棚３１はポッド保管室１１ｂ内の前後方向略中央部のうちの上部空間に配置されている。
回転式ポッド棚３１は支柱３２と複数枚の棚板３３とを備えている。支柱３２は垂直に立設されており、水平面内で間欠回転される。複数枚の棚板３３は支柱３２に上中下段の各位置において放射状に支持される。複数枚の棚板３３は複数個のポッド２をそれぞれ載置することができる。
棚板３３の上面には複数個の棚板キネマティックピン３４が突設されており、棚板キネマティックピン３４はポッド２の位置決め穴５に嵌入することができる。
【００１８】
ポッド保管室１１ｂ内にはポッド搬送装置３５が設置されている。ポッド搬送装置３５はポッドエレベータ３５ａとハンドリング装置３５ｂとを備えている。ハンドリング装置３５ｂはポッドの下面を保持する保持部（保持機構ともいう。）を具備する。
ポッド搬送装置３５はポッドエレベータ３５ａとハンドリング装置３５ｂとの連続動作により、保持板１８と、回転式ポッド棚３１と、後に詳述するポッドオープナ４２の載置台４３との間でポッド２を搬送する。
したがって、ポッド保管室１１ｂは、ポッド２を搬送する搬送装置を有するポッド搬送領域（収納容器搬送領域）を構成している。
【００１９】
メイン筐体１１の正面壁１１ａにはエアインテーク２６が、ポッド搬入口１２の上方に開設されており、エアインテーク２６にはパンチングパネル２７（図１参照）が取り付けられている。エアインテーク２６は、筐体に設けられ収納容器搬送領域であるポッド保管室１１ｂに筐体外の気体を取り込む第二開口部、を構成している。
なお、パンチングパネル２７は設けられる方が、気体を筐体内に取り込む際に層流化し易い点で優れるが、パンチングパネル２７はなくてもよい。
メイン筐体１１の正面壁１１ａには第二開口部を閉じる第二扉体としてのエアインテークシャッタ（以下、第二シャッタという。）２８がポッド保管室１１ｂ側の面に設けられている。第二シャッタ２８はエアインテーク２６を閉塞可能な大きさに形成している。
メイン筐体１１の正面壁１１ａには両側ロッドシリンダ装置２９がポッド保管室１１ｂ側の面に、上下方向に延在するように据え付けられている。両側ロッドシリンダ装置２９の上側ロッドには第二シャッタ２８が取り付けられており、下側ロッドには第一シャッタ１３が取り付けられている。
両側ロッドシリンダ装置２９はコントローラ７７に接続されており、コントローラ７７は両側ロッドシリンダ装置２９によって第一シャッタ１３および第二シャッタ２８を制御することにより、第一開口部であるポッド搬入口１２とエアインテーク２６とのうちいずれか一方を開き、他方を閉じるように制御する。
【００２０】
収納容器搬送領域であるポッド保管室１１ｂの底面には、ポッド保管室１１ｂ内の気体であるクリーンエアを排気する排気口３０が開設されている。排気口３０はポッド保管室１１ｂ内にクリーンエアのダウンフローを形成する。
なお、好ましくは、排気口３０には、クリーンルームでの少なくとも作業空間と流体的に隔離させるように、図示しない排気ダクトを接続するとよい。この排気ダクトにより、排気口３０から排気された収納容器搬送領域内の気体をクリーンルーム外へ確実に排気することができる。
【００２１】
図２に示されているように、メイン筐体１１内の前後方向略中央部のうちの下部には、サブ筐体４０が後端にわたって構築されている。
サブ筐体４０の正面壁４０ａには一対のウエハ搬入搬出口（以下、ウエハ搬入口という。）４１、４１が、垂直方向で上下二段に並べられて開設されている。ウエハ搬入口４１はウエハ１をサブ筐体４０内に対して搬入したり、サブ筐体４０から搬出したりすることができる。上下段のウエハ搬入口４１、４１にはポッドオープナ４２、４２がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ４２はポッド２を載置する載置台４３と、ポッド２のドア４を着脱する着脱機構４４とを備えている。載置台４３に載置されたポッド２のドア４を着脱機構４４によって装着したり外したりすることにより、ポッドオープナ４２はポッド２のウエハ出し入れ口３を閉じたり開いたりする。
【００２２】
サブ筐体４０は予備室４５を構成しており、予備室４５はポッド搬送装置３５および回転式ポッド棚３１が設置されたポッド保管室１１ｂから流体的に隔絶されている。
予備室４５の前側領域にはウエハ移載機構４６が設置されている。ウエハ移載機構４６はウエハ移載装置４６ａとウエハ移載装置エレベータ４６ｂとツィーザ４６ｃとを備えている。ウエハ移載装置４６ａはウエハ１を保持したツィーザ４６ｃを水平面内において回転ないし直進させる。ウエハ移載装置エレベータ４６ｂは予備室４５内の前方領域右端部に設置されている。ウエハ移載装置エレベータ４６ｂはウエハ移載装置４６ａを昇降させる。
ウエハ移載機構４６はツィーザ４６ｃで保持したウエハ１をウエハ移載装置エレベータ４６ｂおよびウエハ移載装置４６ａの連続動作によって、ポッド２からボート４７へ搬送し、搬送したウエハ１をボート４７に装填（チャージング）する。
また、ウエハ移載機構４６はボート４７のウエハ１をツィーザ４６ｃで保持することによりボート４７から脱装（ディスチャージング）し、ボート４７からポッド２へ搬送して、ポッド２に戻す。
コントローラ７７は、ポッドエレベータ１５、ポッドオープナ２３、両側ロッドシリンダ装置２９、回転式ポッド棚３１、ポッド搬送装置３５、ポッドオープナ４２、ウエハ移載機構４６等のバッチ式ＣＶＤ装置内の全ての動作を制御する。
【００２３】
予備室４５の後側領域には、ボート４７を昇降させるためのボートエレベータ４８が設置されている。
ボートエレベータ４８の昇降台に連結された連結具としてのアーム４９には、シールキャップ５０が水平に据え付けられている。シールキャップ５０はボート４７を垂直に支持し、後記する処理炉５１の下端部を閉塞することができる。
ボート４７は複数本の保持部材を備えている。ボート４７は複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ１をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持する。
【００２４】
サブ筐体４０の上にはウエハを処理する処理炉５１が設置されている。これらは、処理炉５１とサブ筐体４０とで、基板処理領域を構成している。つまり、メイン筐体１１は、基板であるウエハを処理する処理炉５１を有する基板処理領域と、収納容器搬送領域であるポッド保管室１１ｂとを内部に有する筐体を、構成している。
【００２５】
図４に示されているように、処理炉５１は加熱機構としてのヒータ５２を有する。
ヒータ５２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース５３に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ５２の内側には、ヒータ５２と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ５４が配設されている。プロセスチューブ５４は外部反応管としてのアウタチューブ５５と、その内側に設けられた内部反応管としてのインナチューブ５６とから構成されている。
アウタチューブ５５は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料から形成されている。アウタチューブ５５は、内径がインナチューブ５６の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウタチューブ５５はインナチューブ５６と同心円状に設けられている。
インナチューブ５６は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料から形成されている。インナチューブ５６は上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ５６の筒中空部は処理室５７を形成している。処理室５７は、ウエハ１を水平姿勢で垂直方向に多段に整列させて保持したボート４７を収容することができる。
アウタチューブ５５とインナチューブ５６との隙間は筒状空間５８を形成している。
【００２６】
アウタチューブ５５の下方にはマニホールド５９が、アウタチューブ５５と同心円状に配設されている。マニホールド５９は、例えばステンレスから形成されている。マニホールド５９は上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド５９はアウタチューブ５５とインナチューブ５６とに係合しており、これらを支持している。
マニホールド５９がヒータベース５３に支持されることにより、プロセスチューブ５４は垂直に据え付けられた状態となっている。
プロセスチューブ５４およびマニホールド５９は反応容器を形成する。
なお、マニホールド５９とアウタチューブ５５との間には、シール部材としてのＯリング５９ａが設けられている。
【００２７】
シールキャップ５０にはガス導入部としてのノズル６０が接続されており、ノズル６０は処理室５７内に連通している。ノズル６０にはガス供給管６１が接続されている。
ガス供給管６１にはノズル６０との接続側と反対側（上流側）に、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）６２を介してガス供給源６３が接続されている。ＭＦＣ６２はガス流量制御器を構成する。ガス供給源６３は処理ガス、不活性ガス等の所望のガスを供給する。
ＭＦＣ６２にはガス流量制御部６４が電気配線Ｃによって電気的に接続されており、ガス流量制御部６４は供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングをもって、ＭＦＣ６２を制御する。
【００２８】
マニホールド５９には処理室５７内の雰囲気を排気する排気管６５が設けられている。排気管６５は筒状空間５８の下端部に配置されており、筒状空間５８に連通している。
排気管６５にはマニホールド５９との接続側と反対側（下流側）に、圧力センサ６６および圧力調整装置６７を介して排気装置６８が接続されている。圧力センサ６６は圧力検出器を構成する。排気装置６８は真空ポンプ等によって構成されている。圧力センサ６６、圧力調整装置６７および排気装置６８は処理室５７内を、その圧力が所定の圧力（真空度）となるように排気する。
圧力調整装置６７および圧力センサ６６には圧力制御部６９が電気配線Ｂによって電気的に接続されている。圧力制御部６９は圧力調整装置６７を、圧力センサ６６により検出された圧力に基づいて処理室５７内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて、制御する。
【００２９】
シールキャップ５０はマニホールド５９下端に垂直方向下側から当接する。シールキャップ５０はマニホールド５９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体を構成している。
シールキャップ５０は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ５０の上面にはシール部材としてのＯリング５０ａが設けられている。Ｏリング５０ａはマニホールド５９の下端と当接する
シールキャップ５０には処理室５７と反対側に、ボートを回転させる回転機構７０が設置されている。回転機構７０の回転軸７１はシールキャップ５０を貫通して、ボート４７に接続されている。回転軸７１はボート４７を回転させることにより、ウエハ１を回転させる。
回転機構７０およびボートエレベータ４８には駆動制御部７２が電気配線Ａによって電気的に接続されている。駆動制御部７２は回転機構７０およびボートエレベータ４８を、所望の動作をするように所望のタイミングにて制御する。
【００３０】
ボート４７は例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料から形成されている。ボート４７は複数枚のウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて多段に保持する。
なお、ボート４７の下部には複数枚の断熱板７３が水平姿勢で多段に配置されている。断熱板７３は例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料が使用されて、円板形状に形成されている。断熱板７３は断熱部材を構成している。複数枚の断熱板７３はヒータ５２からの熱がマニホールド５９側に伝わり難くさせる。
【００３１】
プロセスチューブ５４内には温度センサ７４が設置されている。温度センサ７４は温度検出器を構成している。ヒータ５２および温度センサ７４には温度制御部７５が電気配線Ｄによって電気的に接続されている。
温度制御部７５は温度センサ７４により検出された温度情報に基づきヒータ５２への通電具合を調整することにより、処理室５７内の温度が所望の温度分布となるようにヒータ５２を所望のタイミングにて制御する。
【００３２】
ガス流量制御部６４、圧力制御部６９、駆動制御部７２および温度制御部７５は、操作部および入出力部をも構成しており、バッチ式ＣＶＤ装置全体を制御する主制御部７６に電気的に接続されている。
ガス流量制御部６４、圧力制御部６９、駆動制御部７２、温度制御部７５および主制御部７６は、コントローラ７７を構成している。
【００３３】
次に、本発明の一実施形態であるＩＣ製造方法における成膜工程を、以上の構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置を用いた場合について説明する。
なお、以下の説明において、バッチ式ＣＶＤ装置を構成する各部の作動は、コントローラ７７により制御される。
【００３４】
ポッド２をメイン筐体１１外からポッド保管室１１ｂへ搬入しない際には、図３に示されているように、両側ロッドシリンダ装置２９は上側ロッドおよび下側ロッドを下方に移動させる。これにより、第一シャッタ１３はポッド搬入口１２を閉じ、第二シャッタ２８はエアインテーク２６を開く。
このため、メイン筐体１１外のクリーンエアはポッド保管室１１ｂ内へエアインテーク２６からのみ流入する。ポッド保管室１１ｂ内に流入したクリーンエアは、図３に矢印Ａ１で示されているように、ポッド保管室１１ｂ内の全体にわたるダウンフローを形成し、ポッド保管室１１ｂ底面に開設された排気口３０から排気される。
このように、ポッド保管室１１ｂ内ではダウンフローが形成されるので、ポッド保管室１１ｂ内で発生したパーティクルを排気口３０からポッド保管室１１ｂ外であってクリーンルーム外、少なくとも作業空間外へ確実に排気させることができる。
【００３５】
ポッド２をポッド搬入口１２からポッド保管室１１ｂ内へ搬入する際には、図２に示されているように、両側ロッドシリンダ装置２９は上側ロッドおよび下側ロッドを上方に移動させる。これにより、第一シャッタ１３はポッド搬入口１２を開き、第二シャッタ２８はエアインテーク２６を閉じる。
このため、メイン筐体１１外のクリーンエアはポッド保管室１１ｂ内へポッド搬入口１２からのみ流入する。ポッド保管室１１ｂ内に流入したクリーンエアは、図２に矢印Ａ２で示されているように、ポッド搬入口１２から下方に向かうダウンフローを形成して、ポッド保管室１１ｂ底面に開設された排気口３０から排気される。
また、この間、ポッド保管室１１ｂには微小隙間２６ａからのエアフローＡのみとなるが、パーティクルの発塵源となりうるポッド搬送装置３５は、ポッド搬入口１２の前でハンドリング装置３５ｂのみが駆動するため、パーティクルは主にエアフローＡ２に流され、補助的に流れるエアフローＡ３によりポッド保管室１１ｂ上方への逆流を防ぎ、排気口３０から排気される。
【００３６】
工程内搬送装置（ＡＧＶまたはＯＨＴ）はバッチ式ＣＶＤ装置１０に搬入すべきポッド２をＩ／Ｏステージ１４に、ボックス１４Ａの正面開口１４Ｃまたは天井開口１４Ｂから供給する。
このとき、Ｉ／Ｏステージ１４の内側キネマティックピン１９Ａがポッド２下面の位置決め穴５に嵌入することにより、Ｉ／Ｏステージ１４はポッド２を位置決めする。
次いで、ポッド２がポッドオープナ２３の方向に移動されて、ドア４がポッドオープナ２３のクロージャ２５に保持される。クロージャ２５はドア４を保持すると、移動台２４の後退によってドア４をウエハ出し入れ口３から取り外す（脱装し）。
その後に、クロージャ２５はロードロック室２０内を移動台２４の下降によってウエハ出し入れ口３の位置から離脱する。
ウエハ出し入れ口３が開放されると、マッピング装置２３ａがポッド２内のウエハ１をマッピングする。
所定のマッピングが完了すると、クロージャ２５は移動台２４の上昇によってウエハ出し入れ口３の位置に移動される。クロージャ２５は移動台２４の前進によってドア４をウエハ出し入れ口３に取り付ける（装着する）。
【００３７】
その後、ポッドエレベータ１５はポッド２をＩ／Ｏステージ１４からポッド搬入口１２の高さまで上昇させる。すなわち、シリンダ装置１６が保持板１８をピストンロッドによって上昇させると、保持板１８がＩ／Ｏステージ１４上のポッド２を掬い上げて上昇させる。このとき、保持板１８の外側キネマティックピン１９Ｂがポッド２底面の位置決め穴５にＩ／Ｏステージ１４の内側キネマティックピン１９Ａの外側において嵌入することにより、ポッド２を位置決めする。
ポッド２がポッド搬入口１２の高さまで上昇すると、前述したように、両側ロッドシリンダ装置２９は上側ロッドおよび下側ロッドを上方に移動させることにより、ポッド搬入口１２を第一シャッタ１３によって開き、エアインテーク２６を第二シャッタ２８によって閉じる。
【００３８】
続いて、図２に示されているように、ポッド搬送装置３５はハンドリング装置３５ｂをポッド搬入口１２に潜らせ、保持板１８によって支持されたポッド２をハンドリング装置３５ｂによって下側から掬い取る。
ポッド搬送装置３５はハンドリング装置３５ｂによって掬い取ったポッド２をポッド搬入口１２からメイン筐体１１内に搬入した後、両側ロッドシリンダ装置２９は上側ロッドおよび下側ロッドを下方に移動させることにより、ポッド搬入口１２を第一シャッタ１３によって閉じ、エアインテーク２６を第二シャッタ２８によって開く。その後、ポッド搬送装置３５はポッド２を回転式ポッド棚３１の指定された棚板３３へ搬送し移載する。
このとき、棚板３３の棚板キネマティックピン３４がポッド２の下面の位置決め穴５に嵌入することにより、ポッド２を棚板３３に位置決めする。
【００３９】
ポッド２は棚板３３に一時的に保管される。
その後に、ポッド搬送装置３５はポッド２を棚板３３から一方のポッドオープナ４２に搬送して載置台４３に移載する。
この際、ポッドオープナ４２のウエハ搬入口４１は着脱機構４４によって閉じられており、予備室４５にはクリーンエアが流通されて充満している。
予備室４５にはクリーンエアとして窒素ガスが充満している。この状態で、予備室４５の酸素濃度は、例えば２０ｐｐｍ以下と、メイン筐体１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低くなっている。
なお、ポッド搬送装置３５はポッド搬入口１２からメイン筐体１１内に搬入したポッド２を、ポッドオープナ４２に直接的に搬送する場合もある。
【００４０】
ポッド２をポッド保管室１１ｂ内で搬送する際は、図３に示されているように、両側ロッドシリンダ装置２９は上側ロッドおよび下側ロッドを下方に移動させる。これにより、第一シャッタ１３はポッド搬入口１２を閉じ、第二シャッタ２８はエアインテーク２６を開く。
このため、メイン筐体１１外のクリーンエアはポッド保管室１１ｂ内へエアインテーク２６からのみ流入する。ポッド保管室１１ｂ内に流入したクリーンエアは、図３に矢印Ａ１で示されているように、ポッド保管室１１ｂ内の全体にわたるダウンフローを形成し、ポッド保管室１１ｂ底面に開設された排気口３０から排気される。
このように、ポッド保管室１１ｂ内ではダウンフローが形成されるので、ポッド保管室１１ｂ内で発生したパーティクルを排気口３０から、ポッド保管室１１ｂ外であってクリーンルーム外、少なくともクリーンルームでの作業空間外へ確実に排気させることができる。
【００４１】
ポッドオープナ４２は載置台４３を移動させて、ポッド２の開口側端面を正面壁４０ａのウエハ搬入口４１開口縁辺部に押し付ける。
続いて、ポッドオープナ４２はドア４を着脱機構４４によって取り外すことにより、ポッド２のウエハ出し入れ口３を開放させる。
この際には、Ｉ／Ｏステージ１４において既にマッピングされているため、ポッド２内のウエハ１群についてのマッピングは省略することができる。
ポッドオープナ４２がポッド２を開放させると、ウエハ移載装置４６ａはウエハ１をウエハ出し入れ口３を通じてポッド２からツィーザ４６ｃによってピックアップし、ウエハ１をノッチ合わせ装置（図示せず）に搬送する。ノッチ合わせ装置はウエハ１を位置合わせする。位置合わせ後に、ウエハ移載装置４６ａはツィーザ４６ｃによってウエハ１をノッチ合わせ装置からピックアップし、ボート４７に搬送する。ウエハ移載装置４６ａは搬送したウエハ１をボート４７に装填（チャージング）する。
ボート４７にウエハ１を受け渡したウエハ移載装置４６ａはポッド２に戻り、次のウエハ１をボート４７に装填する。
【００４２】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ４２におけるウエハ移載機構４６によるウエハ１のボート４７への装填作業中に、ポッド搬送装置３５は別のポッド２を回転式ポッド棚３１から他方（下段または上段）のポッドオープナ４２に搬送して移載する。
この際、他方のポッドオープナ４２においては、ポッドオープナ４２によるポッド２の開放作業が同時進行される。
【００４３】
予め指定された枚数のウエハ１がボート４７に装填されると、炉口シャッタ（図示せず）によって閉じられていた処理炉５１の下端部が、炉口シャッタによって開放される。
続いて、ウエハ１群を保持したボート４７は、シールキャップ５０がボートエレベータ４８によって上昇されることにより、処理炉５１内へ搬入（ボートローディング）されて行く。
【００４４】
ここで、処理炉５１を用いてウエハ１上に薄膜をＣＶＤ法により形成する方法について説明する。
なお、以下の説明において、処理炉５１を構成する各部の動作はコントローラ７７により制御される。
【００４５】
複数枚のウエハ１がボート４７に装填（ウエハチャージ）されると、図４に示されているように、ボートエレベータ４８は複数枚のウエハ１を保持したボート４７を持ち上げて、処理室５７に搬入（ボートローディング）する。
この状態で、シールキャップ５０はＯリング５０ａを介してマニホールド５９の下端をシールした状態となる。
【００４６】
排気装置６８は処理室５７内を所望の圧力（真空度）となるように排気する。この際、圧力センサ６６は処理室５７内の圧力を測定する。この測定された圧力に基づき、圧力調整装置６７がフィードバック制御される。
また、ヒータ５２は処理室５７内を所望の温度となるように加熱する。この際、処理室５７内が所望の温度分布となるように、温度センサ７４が検出した温度情報に基づきヒータ５２への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構７０によってボート４７が回転されることにより、ウエハ１が回転される。
【００４７】
次いで、ガス供給源６３から供給されてＭＦＣ６２にて所望の流量となるように制御されたガスが、ガス供給管６１を流通してノズル６０から処理室５７内に導入される。
導入されたガスは処理室５７内を上昇し、インナチューブ５６の上端開口から筒状空間５８に流出して排気管６５から排出する。
ガスは処理室５７内を通過する際にウエハ１の表面と接触する。この際に、ウエハ１の表面上に薄膜が熱ＣＶＤ反応によって堆積（デポジション）される。
【００４８】
予め設定された処理時間が経過すると、ガス供給源６３からガス供給管６１を通じて不活性ガスが供給され、処理室５７内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室５７内の圧力が常圧に復帰される。
【００４９】
その後、ボートエレベータ４８はシールキャップ５０を下降させて、マニホールド５９の下端を開口させるとともに、処理済ウエハ１を保持したボート４７をマニホールド５９の下端からプロセスチューブ５４外に搬出（ボートアンローディング）する。
【００５０】
ウエハ移載機構４６はボートアンローディングされた処理済ウエハ１をボート４７からウエハ移載装置４６ａによって取り出し（ウエハディスチャージ）、ポッドオープナ４２に搬送し、ポッドオープナ４２に予め搬送された空のポッド２に戻す。
所定枚数の処理済ウエハ１が収納されると、ポッドオープナ４２はドア４をポッド２のウエハ出し入れ口３に装着する。
【００５１】
ポッド搬送装置３５はポッドオープナ４２上のポッド２をピックアップして、回転式ポッド棚３１の指定された棚板３３へ搬送し受け渡す。
この際にも、図３に示されているように、両側ロッドシリンダ装置２９は上側ロッドおよび下側ロッドを下方に移動させる。これにより、第一シャッタ１３はポッド搬入口１２を閉じ、第二シャッタ２８はエアインテーク２６を開くため、メイン筐体１１外のクリーンエアはポッド保管室１１ｂ内へエアインテーク２６からのみ流入し、ポッド保管室１１ｂ内の全体にわたるダウンフローを形成する。したがって、ポッド保管室１１ｂ内で発生したパーティクルを排気口３０から、ポッド保管室１１ｂ外であってクリーンルーム外、少なくともクリーンルームでの作業空間外へ確実に排気させることができる。
【００５２】
ポッド２は一時的に保管される。
その後に、ポッド搬送装置３５はポッド２を棚板３３からポッド搬入口１２に搬送し、ポッドエレベータ１５の保持板１８上にポッド搬入口１２を潜らされて受け渡す。
ポッド２をポッド搬入口１２から搬出する際には、両側ロッドシリンダ装置２９は上側ロッドおよび下側ロッドを上方に移動させる。これにより、第一シャッタ１３はポッド搬入口１２を開き、第二シャッタ２８はエアインテーク２６を閉じるため、メイン筐体１１外のクリーンエアはポッド保管室１１ｂ内へポッド搬入口１２からのみ流入して、ポッド搬入口１２から下方に向かうダウンフローを形成する。したがって、ポッド保管室１１ｂ内で発生したパーティクルを排気口３０から、ポッド保管室１１ｂ外であってクリーンルーム外、少なくともクリーンルームでの作業空間外へ確実に排気させることができる。
なお、ポッド搬送装置３５は処理済ウエハ１を収納したポッド２をポッドオープナ４２からポッド搬入口１２へ直接的に搬送し、ポッド搬入口１２から保持板１８へ搬出する場合もある。
【００５３】
ポッド搬送装置３５が保持板１８上にポッド２を受け渡すと、両側ロッドシリンダ装置２９は上側ロッドおよび下側ロッドを下方に移動させる。これにより、第一シャッタ１３はポッド搬入口１２を閉じ、第二シャッタ２８はエアインテーク２６を開くために、メイン筐体１１外のクリーンエアはポッド保管室１１ｂ内へエアインテーク２６からのみ流入し、ポッド保管室１１ｂ内の全体にわたるダウンフローを形成する。したがって、ポッド保管室１１ｂ内で発生したパーティクルを排気口３０からポッド保管室１１ｂ外へ確実に排気させることができる。
他方、ポッドエレベータ１５は保持板１８をシリンダ装置１６によって下降させ、ポッド２をＩ／Ｏステージ１４上に移載する。
その後、工程内搬送装置（ＡＧＶまたはＯＨＴ）はバッチ式ＣＶＤ装置１０から搬出すべきポッド２を、ボックス１４Ａの正面開口１４Ｃまたは天井開口１４Ｂを経由してＩ／Ｏステージ１４上からピックアップし、所定の工程へ搬送する。
【００５４】
前記実施の形態によれば、次の効果のうち少なくとも１つ以上の効果が得られる。
【００５５】
（１）ポッドをポッド保管室へ搬入したりポッド保管室から搬出したりしない際には、両側ロッドシリンダ装置が上側ロッドおよび下側ロッドを下方に移動させて、ポッド搬入口を第一シャッタで閉じ、エアインテークを第二シャッタで開くことにより、筐体外のクリーンエアをポッド保管室内へエアインテークからのみ流入させて、ポッド保管室内の全体にわたるダウンフローを形成させることができるので、ポッド保管室内で発生したパーティクルを排気口からポッド保管室外であってクリーンルーム外、少なくともクリーンルームでの作業空間外へ確実に排気させることができる。
【００５６】
（２）ポッドをポッド保管室内へ搬入したりポッド保管室内から搬出する際には、両側ロッドシリンダ装置が上側ロッドおよび下側ロッドを上方に移動させて、ポッド搬入口を第一シャッタで開き、エアインテークを第二シャッタで閉じることにより、筐体外のクリーンエアをポッド保管室内へポッド搬入口からのみ流入させて、ポッド搬入口から下方に向かうダウンフローを形成させることができるので、ポッド保管室内で発生したパーティクルを排気口からポッド保管室外であってクリーンルーム外、少なくともクリーンルームでの作業空間外へ確実に排気させることができる。
【００５７】
（３）筐体内外のクリーン度（清浄度）を向上させることができるので、製造歩留りを向上させることができる。
【００５８】
図５は本発明の第二実施形態であるバッチ式ＣＶＤ装置の主要部を示している。
ところで、ポッド搬入口１２を開放したままで、ポッド２をポッド保管室１１ｂ内で搬送する際は、エアインテーク２６を第二シャッタ２８によって完全に閉じると、ポッド保管室１１ｂ上部空間でエア溜まり（澱み）が形成される可能性がある。
本実施形態においては、第二シャッタ２８がエアインテーク２６を閉じる際には、少量のクリーンエアを取り込む隙間（少量クリーンエア取込口）２６ａを第二シャッタ２８によって形成させることにより、少量のクリーンエアをメイン筐体１１外からポッド保管室１１ｂ内に取り込むものとした。
すなわち、この隙間２６ａにより、ポッド搬入口１２からのクリーンエアの流入によるポッド保管室１１ｂ内下部のダウンフローＡ２に引っ張られるダウンフローＡ３を、ポッド保管室１１ｂ内上部空間に形成することができるため、ポッド保管室１１ｂ内上部空間でエア溜まり（澱み）が形成される現象を防止することができる。
ここで、少量とは第一シャッタ１３が閉じるポッド搬入口１２の開口サイズよりも、第二シャッタ２８が閉じるエアインテーク２６の開口サイズが小さいサイズである。
少量のクリーンエアを取り込む隙間２６ａは、エアインテーク２６の上端側に形成することが好ましい。このようにすると、ポッド保管室１１ｂ内全域でクリーンエアのエア溜まり（澱み）を確実に無くすことができる。
その際は、第一シャッタ１３によるポッド搬入口１２の開口量、ポッド保管室１１ｂ内の排気量、エアインテーク２６の少量取り込み開口量の３者のバランスが難しいことは、容易に想像することができる。そのため、これらは、クリーンエアの流れを実測して予め設定することが望ましい。
好ましくは、第二シャッタ２８主面の面積をエアインテーク２６よりも小さくすることにより、隙間２６ａを機械的に創出可能に構成するとよい。
さらに好ましくは、第二シャッタ２８の駆動装置を両側ロッドシリンダ装置２９からモータボールねじ方式リニアアクチュエータに代えて、ストロークを調整可能とするとよい。このようにすると、第二シャッタ２８によりエアインテーク２６を閉じる領域の微調整が容易になる。
なお、隙間はエアインテークの開口によって形成するに限らず、エアインテーク２６と第二シャッタ２８との合わせ面間によって形成してもよい。
また、少量のクリーンエアをメイン筐体１１外からポッド保管室１１ｂ内に取り込むために、クリーンエアを少量だけ取り込むことができる少量クリーンエア取込口を、ポッド保管室１１ｂ前側上部に設けてもよい。
【００５９】
本実施形態によれば、前記実施形態の効果に加えて、次のような効果が得られる。
エアインテークを第二シャッタで閉じる際に、少量のクリーンエアを筐体外からポッド保管室内に取り込むことにより、ポッド搬入口からのクリーンエアの流入によるポッド保管室内下部のダウンフローに引っ張られるダウンフローをポッド保管室内上部空間に形成することができるので、ポッド保管室内上部空間にエア溜まり（澱み）が形成される現象が発生するのを防止することができる。
【００６０】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００６１】
前述の実施形態においては、ポッド保管室前側上部にエアインテークを設けた場合について説明したが、ポッド保管室上部にＯＨＴ用Ｉ／Ｏステージが設けられる場合には、ＯＨＴ用Ｉ／Ｏステージとエアインテークとに連動する一対のシャッタを設けることにより、前述と同様の作用および効果を得ることができる。
その場合、ＯＨＴ用Ｉ／Ｏステージ側に第二実施形態のような少量のクリーンエアを取り込む構造を適用することができる。すなわち、排気口から見て上流側にある開口部側に少量のクリーンエアを取り込む隙間または取込口を設けると、ポッド保管室（ポッド搬送領域）全体にわたってエア溜まり（澱み）の発生を防止することができる。
【００６２】
シャッタを駆動する駆動装置としては、両側ロッドシリンダ装置、モータボールねじ方式リニアアクチュエータを使用するに限らず、片側ロッドシリンダ装置の組み合わせ方式、リニアモータ等々の各種の駆動装置を使用することができる。
【００６３】
前記した実施形態においては、バッチ式ＣＶＤ装置に適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、拡散装置やアニール装置および酸化装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００６４】
基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００６５】
好ましい実施の態様を付記する。
（１）基板を処理する処理炉を有する基板処理領域と、
前記基板を収納する収納容器を搬送する搬送装置を有する収納容器搬送領域と、
前記基板処理領域と前記収納容器搬送領域とを内部に有する筐体と、
前記筐体に設けられ、前記収納容器搬送領域と前記筐体外との間で収納容器の搬入搬出を行う第一開口部と、
前記筐体に設けられ、前記収納容器搬送領域に筐体外の気体を取り込む第二開口部と、  前記収納容器搬送領域の気体を排気する排気口と、
前記第一開口部および前記第二開口部を閉じる扉体と、
前記扉体を前記第一開口部と前記第二開口部のうちいずれか一方を開き、他方を閉じるように制御する制御部と、
を備える基板処理装置。
（２）筐体に設けられる第一開口部を閉じた状態で、第二開口部から前記筐体外のガスを収納容器搬送領域に取り込みつつ排気口から前記筐体外へ排気するステップと、
扉体が前記第二開口部の少なくとも一部を閉じつつ前記第一開口部を開き、前記第一開口部から前記筐体外のガスを前記収納容器搬送領域に取り込みつつ前記排気口から前記筐体外へ排気するステップと、
収納容器を前記筐体外から第一開口部を介して前記収納容器搬送領域に搬入するステップと、
前記収納容器に収納された基板を処理炉で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
（３）前記扉体は、前記第一開口部および前記第二開口部それぞれ個別に開閉させる第一扉体および第二扉体を有し、前記制御部が該第一扉体および該第二扉体を連動させて開閉するように制御する前記（１）の基板処理装置。
（４）前記第一開口部および前記第二開口部は、その開口面積が同じ大きさで設けられている前記（１）の基板処理装置。
（５）前記制御部は、前記第一開口部と前記第二開口部のうち前記排気口から離れている側の開口部を前記扉体が完全に閉じないように制御する前記（４）の基板処理装置。
（６）前記（１）の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、
前記第一開口部を閉じた状態で、前記第二開口部から前記収納容器搬送領域外のガスを取り込み、前記排気口から前記収納容器搬送領域外へ排気するステップと、
前記第二開口部を閉じ、前記第一開口部を開き、前記収納容器を前記第一開口部から前記収納容器搬送領域に搬入する工程と、
前記収納容器に収納された前記基板を前記処理炉で処理するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態であるバッチ式ＣＶＤ装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】側面断面図である。
【図３】主要部を示す側面断面図である。
【図４】反応炉を示す縦断面図である。
【図５】本発明の第二実施形態であるバッチ式ＣＶＤ装置の主要部を示す側面断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１…ウエハ（基板）、２…ポッド（収納容器）、３…ウエハ出し入れ口、４…ドア（蓋体）、５…位置決め穴、
１０…バッチ式ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…メイン筐体、１１ａ…正面壁、１１ｂ…ポッド保管室（収納容器搬送領域）、
１２…ポッド搬入口（第一開口部）、１３…第一シャッタ（第一扉体）、
１４…Ｉ／Ｏステージ、１４Ａ…ボックス、１４Ｂ…天井開口、１４Ｃ…正面開口、
１５…ポッドエレベータ、１６…シリンダ装置（昇降駆動装置）、１７…カバー、１８…保持板、１９Ａ、１９Ｂ…キネマティックピン、
２０…ロードロック室、２１…密閉筐体（区画壁）、２２…ドア出し入れ口、２３…ポッドオープナ、２４…移動台、２５…クロージャ、
２６…エアインテーク（第二開口部）、２６ａ…隙間（クリーンエア取込口）、２７…パンチングパネル、２８…第二シャッタ（第二扉体）、２９…両側ロッドシリンダ装置（扉体駆動装置）、
３０…排気口、
３１…回転式ポッド棚（保管棚）、３２…支柱、３３…棚板、３４…棚板キネマティックピン。
３５…ポッド搬送装置（搬送装置）、３５ａ…ポッドエレベータ、３５ｂ…ハンドリング装置、
４０…サブ筐体（基板処理領域）、４０ａ…正面壁、４１…ウエハ搬入口、４２…ポッドオープナ、４３…載置台、４４…着脱機構、
４５…予備室、４６…ウエハ移載機構、４６ａ…ウエハ移載装置、４６ｂ…ウエハ移載装置エレベータ、４６ｃ…ツィーザ。
４７…ボート、４８…ボートエレベータ、４９…アーム、５０…シールキャップ、
５１…処理炉、５２…ヒータ、５３…ヒータベース、５４…プロセスチューブ、５５…アウタチューブ、５６…インナチューブ、５７…処理室、５８…筒状空間、５９…マニホールド、
６０…ノズル、６１…ガス供給管、６２…ＭＦＣ、６３…ガス供給源、６４…ガス流量制御部、６５…排気管、６６…圧力センサ、６７…圧力調整装置、６８…排気装置、６９…圧力制御部、７０…回転機構、７１…回転軸、７２…駆動制御部、７３…断熱板、７４…温度センサ、７５…温度制御部、７６…主制御部、７７…コントローラ、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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