(57)【要約】【課題】  柱状電極を電解メッキにより形成するとき、半導体ウエハ上の全面に形成された下地金属層の周辺部からなるメッキ用接続端子部の部分へのメッキ液の浸入を確実に防止する。【解決手段】  半導体ウエハ２１上の全面に形成された下地金属層８の上面においてメッキ用接続端子部８ａの内側には、柱状電極１０形成用の第２のメッキレジスト膜２８の周辺部からなるリング状の第２のシールリング接触部３２が形成されている。そして、第２のメッキレジスト膜２８の開口部２８ａ内に柱状電極１０を電解メッキにより形成するとき、メッキ治具のシールリング２７を第２のシールリング接触部３２の上面に接触させると、メッキ用接続端子部８ａの部分へのメッキ液の浸入を確実に防止することができる。【選択図】  図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上の全面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に未露光のネガ型のメッキレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光を行なうことにより、前記メッキレジスト膜の周辺部の内側をリング状の露光部とし、それ以外の領域を非露光部とする工程と、
第２の露光を行なうことにより、前記メッキレジスト膜の電解メッキ層形成用開口部形成領域および周辺部を非露光部とし、それ以外の領域を露光部とする工程と、
現像を行なうことにより、前記メッキレジスト膜に電解メッキ層形成用開口部を形成し、且つ、前記メッキレジスト膜の周辺部を除去して前記下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させ、さらに、前記メッキ用接続端子部の内側に前記メッキレジスト膜からなるリング状のシールリング接触部を形成する工程と、
前記シールリング接触部に、前記メッキ用接続端子部の部分をメッキしないためのメッキ治具のシールリングを接触させ、且つ、前記メッキ用接続端子部に前記メッキ治具の給電部材を接触させた状態で、電解メッキを行なうことにより、前記メッキレジスト膜の電解メッキ層形成用開口部内に電解メッキ層を形成する工程と、
前記シールリング接触部を含む前記メッキレジスト膜を剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、未露光の前記メッキレジスト膜はドライフィルムレジストによって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記第１の露光は、前記メッキレジスト膜の周辺部の内側に対応する領域をリング状の透過部とされ、それ以外の領域を遮光部とされたシールリング接触部形成用露光マスクを用いた全面露光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記第２の露光は、前記メッキレジスト膜の周辺部上面に遮光リングを配置した状態で、電解メッキ層形成領域に対応する領域を遮光部とされ、それ以外の領域を透過部とされた電解メッキ層形成用露光マスクを用いたステップ露光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、未露光の前記メッキレジスト膜を形成する前に、
前記下地金属層上に未露光の別のメッキレジスト膜を形成する工程と、
前記別のメッキレジスト膜の周辺部を除去して前記下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させる工程と、
露光および現像を行なうことにより、前記別のメッキレジスト膜に配線用上部金属層形成用開口部を形成し、且つ、前記下地金属層上において前記メッキ用接続端子部の内側に前記別のメッキレジスト膜からなるリング状の別のシールリング接触部を形成する工程と、
前記別のシールリング接触部に、前記メッキ用接続端子部の部分をメッキしないための前記メッキ治具のシールリングを接触させ、且つ、前記メッキ用接続端子部に前記メッキ治具の給電部材を接触させた状態で、電解メッキを行なうことにより、前記別のメッキレジスト膜の配線用上部金属層形成用開口部内の前記下地金属層上に配線用上部金属層を形成する工程と、
前記別のシールリング接触部を含む前記別のメッキレジスト膜を剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記別のメッキレジスト膜はポジ型の液状レジストによって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記別のメッキレジスト膜に対する露光は、前記別のメッキレジスト膜の周辺部上面に遮光リングを配置した状態で、配線用上部金属層形成領域に対応する領域を透過部とされ、それ以外の領域を遮光部とされた配線用上部金属層形成用露光マスクを用いたステップ露光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５に記載の発明において、前記電解メッキ層は柱状電極であり、該柱状電極は前記配線用上部金属層の接続パッド部上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記メッキレジスト膜を剥離した後に、前記配線用上部金属層をマスクとして前記下地金属層の不要な部分をエッチングして除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記下地金属層の不要な部分を除去した後に、前記柱状電極の周囲を覆う封止膜を形成する工程と、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程と、ダイシングにより前記半導体ウエハを切断して半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＳＰ(chip size package)と呼ばれる半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ上に電解メッキにより外部接続用電極としての柱状電極を形成する場合には、半導体ウエハ上の全面に形成された下地金属層上に、柱状電極形成領域に対応する部分に開口部を有するメッキレジスト膜を形成し、下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜の開口部内に柱状電極を形成している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１５６０９３号公報
【０００４】
上記従来の半導体装置の製造方法において、柱状電極形成領域に対応する部分に開口部を有するメッキレジスト膜を形成する場合には、下地金属層上の全面に未露光のネガ型のメッキレジスト膜を形成し、複数個の半導体装置に対応するサイズの柱状電極形成用露光マスクを用いたステップ露光を行なうことにより、メッキレジスト膜を露光し、次いで現像を行なうことにより、柱状電極形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜に開口部を形成している。
【０００５】
ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するため、メッキレジスト膜の周辺部を除去して下地金属層の周辺部を露出させている。すなわち、未露光のネガ型のメッキレジスト膜の周辺部上面に遮光層を形成した状態で、柱状電極形成用露光マスクを用いたステップ露光を行ない、次いで遮光層を除去し、次いで現像を行なうことにより、メッキレジスト膜の周辺部を除去して下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、メッキレジスト膜の周辺部上面に形成された遮光層のすぐ内側におけるメッキレジスト膜もステップ露光されるため、メッキ用接続端子部のすぐ内側におけるメッキレジスト膜にも開口部が形成される。この状態における半導体ウエハの周辺部の一例の平面図を図２０（Ａ）に示し、そのＢ−Ｂ線に沿う断面図を図２０（Ｂ）に示す。
【０００７】
図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ４１上の全面には下地金属層４２が形成され、下地金属層４２の周辺部以外の上面にはメッキレジスト膜４３が形成され、メッキレジスト膜４３には円形状の開口部４４が形成されている。この場合、下地金属層４２の周辺部からなるメッキ用接続端子部４２ａのすぐ内側におけるメッキレジスト膜４３の周辺部には外側が開放された開口部４４ａが形成されることがある。
【０００８】
一方、半導体ウエハ４１をメッキ治具に取り付け、メッキ治具の給電部材をメッキ用接続端子部４２ａに接触させたとき、この接触部分へのメッキ液の浸入を防止する必要がある。このため、図２１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、メッキ治具のシールリング４５をメッキレジスト膜４３の周辺部上面に接触させているが、メッキレジスト膜４３の周辺部に外側が開放された開口部４４ａが形成されていると、この開口部４４ａをシールリング４５で完全に覆うことができない。
【０００９】
この結果、メッキ液がメッキレジスト膜４３の周辺部の開口部４４ａを介してメッキ用接続端子部４２ａの部分に浸入し、この部分における給電部材がメッキされ、このメッキされた給電部材の抵抗がメッキされない給電部材の抵抗よりも高くなり、ひいては給電が不均一となり、メッキ不良の原因となってしまうという問題がある。
【００１０】
そこで、この発明は、電解メッキにより柱状電極等の電解メッキ層を形成するとき、半導体ウエハ上の全面に形成された下地金属層の周辺部からなるメッキ用接続端子部の部分へのメッキ液の浸入を確実に防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、半導体ウエハ上の全面に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に未露光のネガ型のメッキレジスト膜を形成する工程と、第１の露光を行なうことにより、前記メッキレジスト膜の周辺部の内側をリング状の露光部とし、それ以外の領域を非露光部とする工程と、第２の露光を行なうことにより、前記メッキレジスト膜の電解メッキ層形成用開口部形成領域および周辺部を非露光部とし、それ以外の領域を露光部とする工程と、現像を行なうことにより、前記メッキレジスト膜に電解メッキ層形成用開口部を形成し、且つ、前記メッキレジスト膜の周辺部を除去して前記下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させ、さらに、前記メッキ用接続端子部の内側に前記メッキレジスト膜からなるリング状のシールリング接触部を形成する工程と、前記シールリング接触部に、前記メッキ用接続端子部の部分をメッキしないためのメッキ治具のシールリングを接触させ、且つ、前記メッキ用接続端子部に前記メッキ治具の給電部材を接触させた状態で、電解メッキを行なうことにより、前記メッキレジスト膜の電解メッキ層形成用開口部内に電解メッキ層を形成する工程と、前記シールリング接触部を含む前記メッキレジスト膜を剥離する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、未露光の前記メッキレジスト膜はドライフィルムレジストによって形成することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１の露光は、前記メッキレジスト膜の周辺部の内側に対応する領域をリング状の透過部とされ、それ以外の領域を遮光部とされたシールリング接触部形成用露光マスクを用いた全面露光であることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第２の露光は、前記メッキレジスト膜の周辺部上面に遮光リングを配置した状態で、電解メッキ層形成領域に対応する領域を遮光部とされ、それ以外の領域を透過部とされた電解メッキ層形成用露光マスクを用いたステップ露光であることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、未露光の前記メッキレジスト膜を形成する前に、前記下地金属層上に未露光の別のメッキレジスト膜を形成する工程と、前記別のメッキレジスト膜の周辺部を除去して前記下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させる工程と、露光および現像を行なうことにより、前記別のメッキレジスト膜に配線用上部金属層形成用開口部を形成し、且つ、前記下地金属層上において前記メッキ用接続端子部の内側に前記別のメッキレジスト膜からなるリング状の別のシールリング接触部を形成する工程と、前記別のシールリング接触部に、前記メッキ用接続端子部の部分をメッキしないための前記メッキ治具のシールリングを接触させ、且つ、前記メッキ用接続端子部に前記メッキ治具の給電部材を接触させた状態で、電解メッキを行なうことにより、前記別のメッキレジスト膜の配線用上部金属層形成用開口部内の前記下地金属層上に配線用上部金属層を形成する工程と、前記別のシールリング接触部を含む前記別のメッキレジスト膜を剥離する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記別のメッキレジスト膜はポジ型の液状レジストによって形成することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記別のメッキレジスト膜に対する露光は、前記別のメッキレジスト膜の周辺部上面に遮光リングを配置した状態で、配線用上部金属層形成領域に対応する領域を透過部とされ、それ以外の領域を遮光部とされた配線用上部金属層形成用露光マスクを用いたステップ露光であることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記電解メッキ層は柱状電極であり、該柱状電極は前記配線用上部金属層の接続パッド部上に形成することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記メッキレジスト膜を剥離した後に、前記配線用上部金属層をマスクとして前記下地金属層の不要な部分をエッチングして除去する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記下地金属層の不要な部分を除去した後に、前記柱状電極の周囲を覆う封止膜を形成する工程と、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程と、ダイシングにより前記半導体ウエハを切断して半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、半導体ウエハ上の全面に形成された下地金属層の周辺部からなるメッキ用接続端子部のすぐ内側に、メッキレジスト膜からなるリング状のシールリング接触部を形成し、このシールリング接触部にメッキ治具のシールリングを接触させるようにしているので、電解メッキにより電解メッキ層を形成するとき、メッキ用接続端子部の部分へのメッキ液の浸入を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１はこの発明の一実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部には、２個のみを図示するが実際には多数の、アルミニウム系金属等からなる接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。
【００１４】
接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１５】
保護膜５の上面には複数の配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１６】
配線７の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極１０が設けられている。配線７を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１がその上面が柱状電極１０の上面と面一となるように設けられている。柱状電極１０の上面には半田ボール１２が設けられている。
【００１７】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）を準備する。ここで、図２において、縦線と横線とで囲まれた正方形状の領域は半導体装置形成領域２２である。したがって、図２に示す縦線および横線はダイシングストリートに対応する領域である。
【００１８】
次に、図３は図２のIII−III線に沿う断面図を示す。この場合、図３は、左側から右側に向かって、半導体ウエハ２１の左側の周辺部の部分の断面図、半導体ウエハ２１の１つの半導体装置形成領域２２の部分の断面図、半導体ウエハ２１の右側の周辺部の部分の断面図を示す。
【００１９】
図３に示すように、半導体ウエハ２１の半導体装置形成領域２２上にはアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３およびポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部は絶縁膜３および保護膜５に形成された開口部４、６を介して露出されている。半導体ウエハ２１の周辺部上には絶縁膜３および保護膜５のみが形成されている。なお、図２においては、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６は、あまりに小さくなるため、図示していない。
【００２０】
次に、図４に示すように、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面全体に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２１】
次に、下地金属層８の上面全体に、ノボラック系樹脂からなるポジ型の液状レジストを塗布し、未露光の第１のメッキレジスト膜２３を形成する。次に、図５および図６に示すように、第１のメッキレジスト膜２３の周辺部をエッジリンス法により除去し、下地金属層８の周辺部をメッキ用接続端子部８ａとして使用するために露出させる。
【００２２】
次に、図７に示すように、第１のメッキレジスト膜２３の周辺部上面に第１の遮光リング２４を配置する。次に、複数（例えば３行３列の合計９つ）の半導体装置形成領域２２に対応するサイズの配線用上部金属層形成用露光マスク２５を準備する。この場合、配線用上部金属層形成用露光マスク２５は上部金属層９形成領域に対応する領域を透過部２５ａとされ、それ以外の領域を遮光部２５ｂとされたものからなっている。
【００２３】
次に、配線用上部金属層形成用露光マスク２５を用いたステップ露光を行なうことにより、第１のメッキレジスト膜２３を露光する。すると、半導体装置形成領域２２に対応する部分における第１のメッキレジスト膜２３においては、上部金属層９形成領域に対応する領域が露光部となり、それ以外の領域が非露光部となる。半導体装置形成領域２２の周囲に対応する部分における第１のメッキレジスト膜２３においては、第１の遮光リング２４によって覆われた領域が非露光部となり、それ以外の領域が配線用上部金属層形成用露光マスク２５の露光パターンに応じて露光される。
【００２４】
次に、図８および図９に示すように、現像を行なうと、半導体装置形成領域２２においては、上部金属層９形成領域に対応する部分における第１のメッキレジスト膜２３に開口部２３ａ（図８では、あまりに小さくなるため、図示せず）が形成される。半導体装置形成領域２２の周囲においては、下地金属層８の上面においてメッキ用接続端子部８ａの内側に第１のメッキレジスト膜２３からなるリング状の第１のシールリング接触部２６が形成され、その内側における第１のメッキレジスト膜２３に配線用上部金属層形成用露光マスク２５の露光パターンに応じたダミー開口部２３ｂが形成される。この場合、第１のシールリング接触部２６は第１の遮光リング２４によって覆われた部分によって形成されるため、その外周部に外側が開放された開口部が形成されることはない。
【００２５】
次に、図１０に示すように、第１のシールリング接触部２６の上面外周側半分にメッキ治具のシールリング２７を接触させ、且つ、メッキ用接続端子部８ａの上面にメッキ治具の給電部材（図示せず）を接触させ、銅の電解メッキを行なう。すると、半導体装置形成領域２２においては、第１のメッキレジスト膜２３の開口部２３ａ内の下地金属層８の上面に上部金属層９が形成される。半導体装置形成領域２２の周囲においては、第１のシールリング接触部２６の内側における第１のメッキレジスト膜２３のダミー開口部２３ｂ内の下地金属層８の上面にダミー上部金属層９ａが形成される。
【００２６】
ここで、上述の如く、第１のシールリング接触部２６は第１の遮光リング２４によって覆われた部分によって形成されるため、その外周部に外側が開放された開口部が形成されることはない。そして、メッキ治具のシールリング２７を第１のシールリング接触部２６の上面外周側半分に接触させているので、メッキ用接続端子部８ａの部分へのメッキ液の浸入を確実に防止することができ、シール不良に起因するメッキ不良が発生しないようにすることができる。次に、第１のシールリング接触部２６を含む第１のメッキレジスト膜２３をレジスト剥離液を用いて剥離する。
【００２７】
次に、図１１に示すように、上部金属層９、ダミー上部金属層９ａおよび下地金属層８の上面全体に、アクリル系樹脂からなるネガ型のドライフィルムレジストをラミネートし、未露光の第２のメッキレジスト膜２８を形成する。次に、図１２に示すように、第２のシールリング接触部形成用露光マスク２９を準備する。この場合、第２のシールリング接触部形成用露光マスク２９は第２のメッキレジスト膜２８の周辺部の内側に対応する領域をリング状の透過部２９ａとされ、それ以外の領域を遮光部２９ｂとされたものからなっている。なお、図１２には、透過部２９ａの外径および内径が、それぞれ、２９ａ1および２９ａ2として示されている。
【００２８】
次に、第２のシールリング接触部形成用露光マスク２９を用いた全面露光を行なうことにより、第２のメッキレジスト膜２８を露光する。すると、第２のメッキレジスト膜２８の周辺部の内側がリング状の露光部となり、それ以外の領域が非露光部となる。
【００２９】
次に、図１３に示すように、第２のメッキレジスト膜２８の周辺部上面に第２の遮光リング３０を配置する。この場合、第２の遮光リング３０の内径は第２のシールリング接触部形成用露光マスク２９のリング状の透過部２９ａの外径２９ａ1と同じか、それより僅かに小さくなっている。しかし、第２の遮光リング３０の内径が第２のシールリング接触部形成用露光マスク２９のリング状の透過部２９ａの内径２９ａ2より小さくされることはない。図１３には、第２のシールリング接触部形成用露光マスク２９のリング状の透過部２９ａの外径２９ａ1の位置を二点鎖線で示してある。
【００３０】
次に、複数（例えば３行３列の合計９つ）の半導体装置形成領域２２に対応するサイズの柱状電極（電解メッキ層）形成用露光マスク３１を準備する。この場合、柱状電極形成用露光マスク３１は上部金属層９の接続パッド部（柱状電極１０（電解メッキ層）形成領域）に対応する領域を遮光部３１ａとされ、それ以外の領域を透過部３１ｂとされたものからなっている。
【００３１】
次に、柱状電極形成用露光マスク３１を用いたステップ露光を行なうことにより、第２のメッキレジスト膜２８を再度露光する。すると、半導体装置形成領域２２に対応する部分における第２のメッキレジスト膜２８においては、上部金属層９の接続パッド部（柱状電極１０形成領域）に対応する領域が非露光部となり、それ以外の領域が露光部となる。半導体装置形成領域２２の周囲に対応する部分における第２のメッキレジスト膜２８においては、第２の遮光リング３０によって覆われた領域が非露光部となり、それ以外の領域が柱状電極形成用露光マスク３１の露光パターンに応じて露光される。
【００３２】
次に、図１４に示すように、現像を行なうと、半導体装置形成領域２２においては、上部金属層９の接続パッド（柱状電極１０形成領域）に対応する部分における第２のメッキレジスト膜２８に開口部２８ａが形成される。半導体装置形成領域２２の周囲においては、第２のメッキレジスト膜２８の周辺部が除去され、下地金属層８の周辺部がメッキ用接続端子部８ａとして使用するために露出される。
【００３３】
この状態では、第２のメッキレジスト膜２８における、第２のシールリング接触部形成用露光マスク２９の透過部２９ａに対応する領域（メッキ用接続端子部８ａのすぐ内側における部分）は、図１２に示す露光工程において既に露光されているため、図１３に示す露光工程とは関係なく、リング状の第２のシールリング接触部３２として残存される。また、第２のシールリング接触部３２は図１３に示す露光工程とは関係なく形成されるため、その外周部に外側が開放された開口部が形成されることはない。
【００３４】
次に、図１５に示すように、第２のシールリング接触部３２の上面外周側半分に上記と同様のメッキ治具のシールリング２７を接触させ、且つ、メッキ用接続端子部８ａの上面にメッキ治具の給電部材（図示せず）を接触させ、銅の電解メッキを行なう。すると、半導体装置形成領域２２においては、第２のメッキレジスト膜２８の開口部２８ａ内の上部金属層９の接続パッド部上面に柱状電極１０が形成される。半導体装置形成領域２２の周囲においては、図示していないが、第２のメッキレジスト膜２８のダミー開口部内のダミー上部金属層９ａの接続パッド部上面にダミー柱状電極が形成される。
【００３５】
ここで、上述の如く、第２のシールリング接触部３２は図１３に示す露光工程とは関係なく形成されるため、その外周部に外側が開放された開口部が形成されることはない。そして、メッキ治具のシールリング２７をリング状の第２のシールリング接触部３２の上面外周側半分に接触させているので、メッキ用接続端子部８ａの部分へのメッキ液の浸入を確実に防止することができ、シール不良に起因するメッキ不良が発生しないようにすることができる。
【００３６】
次に、第２のシールリング接触部３２を含む第２のメッキレジスト膜２８を剥離液を用いて剥離し、次いで、上部金属層９およびダミー上部金属層９ａをマスクとして下地金属層８の不要な部分をエッチングして除去すると、図１６に示すように、上部金属層９およびダミー上部金属層９ａ下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９およびその下に残存された下地金属層８により２層構造の配線７が形成され、ダミー上部金属層９ａおよびその下に残存された下地金属層８により２層構造のダミー配線７ａが形成されている。
【００３７】
次に、図１７に示すように、柱状電極１０、ダミー柱状電極（図示せず、以下、その説明を省略する）、配線７およびダミー配線８ａを含む保護膜５の上面にエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１をその厚さが柱状電極１０の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００３８】
次に、封止膜１１および柱状電極１０の上面側を適宜に研磨することにより、図１８に示すように、柱状電極１０の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１０の上面を含む封止膜１１の上面を平坦化する。次に、図１９に示すように、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成する。次に、ダイシング工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３９】
なお、上記実施形態においては、下地金属層上に形成される電解メッキ層は柱状電極としたが、配線またはインダクタ等の電子部品または電子部品の一部等を形成する場合にも適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の一実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初準備したものの平面図。
【図３】図２のIII−III線に沿う断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の平面図。
【図６】図５のVI−VI線に沿う断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の平面図。
【図９】図８のIX−IX線に沿う断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】従来の半導体装置の製造方法を説明するために示すもので、（Ａ）は半導体ウエハの周辺部の一例の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図２１】（Ａ）は図２０に続く工程を説明するために示す平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【符号の説明】
【００４１】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
５  保護膜
７  配線
８  下地金属層
８ａ  メッキ用接続端子部
９  上部金属層
１０  柱状電極
１１  封止膜
１２  半田ボール
２１  半導体ウエハ
２２  半導体装置形成領域
２３  第１のメッキレジスト膜
２４  第１の遮光リング
２５  配線用上部金属層形成用露光マスク
２６  第１のシールリング接触部
２７  メッキ治具のシールリング
２８  第２のメッキレジスト膜
２９  第２のシールリング接触部形成用露光マスク
３０  第２の遮光リング
３１  柱状電極形成用露光マスク
３２  第２のシールリング接触部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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