(57)【要約】【課題】凹凸パターンの記録層を有し、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】被加工体４０の上に第１マスク層（暫定被覆材）４２と異なる充填材１８を成膜して凹部１６を充填し、記録要素１４Ａの上の第１マスク層４２の側面の少なくとも一部が露出するように充填材１８の余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去し、加工用ガスとして充填材１８及び第１マスク層４２の両方と化学的に反応してこれらを除去する性質を有する反応性ガスを用い、且つ、第１マスク層４２に対するエッチングレートが充填材１８に対するエッチングレートよりも高く、更に充填材１８に対するエッチングレートが記録層１４（記録要素１４Ａの上の第１マスク層４２の下面に接する下層）に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により第１マスク層４２を除去する。【選択図】図８
2009230823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層の少なくとも前記記録要素の上に形成された暫定被覆材を有してなる被加工体を作製する被加工体作製工程と、前記被加工体の上に前記暫定被覆材と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記記録要素の上に形成された前記暫定被覆材の側面の少なくとも一部が露出するように前記充填材のうち前記記録要素の上の前記暫定被覆材の下面よりも前記基板と反対側に形成された余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去する充填材エッチング工程と、加工用ガスとして前記充填材及び前記暫定被覆材の両方と化学的に反応してこれらを除去する性質を有する反応性ガスを用い、且つ、前記暫定被覆材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高く、更に前記充填材に対するエッチングレートが前記記録要素の上の前記暫定被覆材の下面に接する下層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記暫定被覆材を除去する暫定被覆材除去工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記暫定被覆材は炭素が主成分である材料及び樹脂のいずれかであり、前記充填材はＧｅ、Ｓｂのいずれかを含む材料であり、前記暫定被覆材除去工程における加工用ガスは窒素を含む反応性ガスである第１の組合せ、及び前記暫定被覆材は炭素が主成分である材料及び樹脂のいずれかであり、前記充填材はＧｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗのいずれかを含む材料であり、前記暫定被覆材除去工程における加工用ガスはフッ素を含む反応性ガスである第２の組合せのいずれかの組合せを採用したことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記暫定被覆材除去工程が前記充填材エッチング工程を兼ねていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記充填材エッチング工程において前記凹凸パターンの凹部の上の前記充填材の上面が前記記録要素の上の前記暫定被覆材の下面よりも高い位置で前記充填材のエッチングを停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記暫定被覆材除去工程の後に加工用ガスとして希ガスを用いたドライエッチング法により前記被加工体の上面部を除去する上面部除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記上面部除去工程において前記充填材の上面の高さが前記記録要素の上面と同じ高さ及びこれよりも低い高さのいずれかになるように前記被加工体の上面部を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記被加工体作製工程において、前記基板の上に形成された連続記録層における前記凹凸パターンの凸部に相当する部分をマスク層で被覆し、前記連続記録層における前記マスク層から露出した部分をエッチング法により除去して前記凹凸パターンの記録層を形成し、前記記録要素の上に残存する前記マスク層を前記暫定被覆材の少なくとも一部として用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターンで形成された記録層を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。
【０００３】
これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有するディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。一方、ハードディスク等の磁気記録媒体ではヘッド浮上高さを安定させて良好な記録／再生特性を得るために表面の平坦性が重視される。従って、凹凸パターンで形成された記録層の上に充填材を成膜して記録要素の間の凹部を充填材で充填し、記録要素及び充填材の上面を平坦化することが好ましい。充填材としては非磁性で硬度が高い酸化物や窒化物を用いることができる。又、充填材を成膜して凹部を充填する手法としては、スパッタリング法等を利用できる。尚、充填材は凹凸パターンの記録層に倣って凹凸パターンで成膜され、記録要素の上にも成膜される。充填材の余剰部分を除去して表面を平坦化する手法としてはドライエッチングを利用できる。
【０００４】
ドライエッチングは凹部よりも凸部を選択的に速く除去する傾向があるので、この点で平坦化に適している。一方、ドライエッチングは充填材の凸部だけでなく充填材の凹部もある程度除去する。更に、幅が広い凸部のエッチングレートよりも幅が狭い凸部のエッチングレートが高い。従って、凹凸パターンで成膜された充填材の余剰部分をドライエッチングで除去しても表面を充分に平坦化できないことがあった。
【０００５】
これに対し、記録要素の上に暫定被覆材が形成された被加工体を用意し、この被加工体の上に充填材を成膜して凹部を充填し、ドライエッチング法により充填材の余剰部分の少なくとも一部を除去し、更に暫定被覆材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高いエッチング法により暫定被覆材を選択的に除去して表面を平坦化する手法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
この手法は、暫定被覆材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高いエッチング法により暫定下地材を選択的に除去することで、凹部の充填材の加工を抑制しつつ暫定被覆材で構成された総ての凸部を、その幅に拘わらず短時間で除去でき、被加工体の表面を容易に平坦化できると期待されていた。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開２００６−１９６１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、実際にはこの手法を用いても被加工体の表面を充分に平坦化できないことがあった。
【０００９】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの記録層を有し、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層の少なくとも記録要素の上に形成された暫定被覆材を有してなる被加工体を作製し、被加工体の上に暫定被覆材と異なる充填材を成膜して凹凸パターンの凹部を充填し、記録要素の上に形成された暫定被覆材の側面の少なくとも一部が露出するように充填材のうち記録要素の上の暫定被覆材の下面よりも基板と反対側に形成された余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去し、加工用ガスとして充填材及び暫定被覆材の両方と化学的に反応してこれらを除去する性質を有する反応性ガスを用い、且つ、暫定被覆材に対するエッチングレートが充填材に対するエッチングレートよりも高く、更に充填材に対するエッチングレートが記録要素の上の暫定被覆材の下面に接する下層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により暫定被覆材を除去することにより上記目的を達成したものである。
【００１１】
発明者らは、本発明を完成する過程において、上記従来の暫定被覆材を用いた手法を用いても被加工体の表面を充分に平坦化できないことがある原因について鋭意検討した。この結果、本来は暫定被覆材を選択的に迅速に除去できるはずの加工用ガスを用いても、実際に暫定下地材を除去する工程においては暫定下地材が充分に除去されないことがあることがわかった。
【００１２】
その原因は必ずしも明らかではないが、暫定被覆材の上面に充填材が接触することにより充填材の成分が暫定被覆材の上面部に混入し、これにより暫定被覆材の上面部のエッチングレートが純粋な暫定被覆材のエッチングレートよりも低くなることがあると推定される。
【００１３】
これに対し、加工用ガスとして暫定被覆材だけでなく充填材とも化学的に反応して充填材も除去する性質を有する反応性ガスを用いることで、被覆材の上面部に充填材の成分が混入しても、暫定被覆材を確実に除去することができる。尚、凹部を充填する充填材も反応性ガスと化学的に反応するが、暫定被覆材よりもエッチングレートが低いので暫定被覆材よりも除去される量は少ない。これにより被加工体の表面が平坦化される。
【００１４】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００１５】
（１）基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層の少なくとも前記記録要素の上に形成された暫定被覆材を有してなる被加工体を作製する被加工体作製工程と、前記被加工体の上に前記暫定被覆材と異なる充填材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記記録要素の上に形成された前記暫定被覆材の側面の少なくとも一部が露出するように前記充填材のうち前記記録要素の上の前記暫定被覆材の下面よりも前記基板と反対側に形成された余剰部分の少なくとも一部をドライエッチング法により除去する充填材エッチング工程と、加工用ガスとして前記充填材及び前記暫定被覆材の両方と化学的に反応してこれらを除去する性質を有する反応性ガスを用い、且つ、前記暫定被覆材に対するエッチングレートが前記充填材に対するエッチングレートよりも高く、更に前記充填材に対するエッチングレートが前記記録要素の上の前記暫定被覆材の下面に接する下層に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記暫定被覆材を除去する暫定被覆材除去工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１６】
（２）  （１）において、前記暫定被覆材は炭素が主成分である材料及び樹脂のいずれかであり、前記充填材はＧｅ、Ｓｂのいずれかを含む材料であり、前記暫定被覆材除去工程における加工用ガスは窒素を含む反応性ガスである第１の組合せ、及び前記暫定被覆材は炭素が主成分である材料及び樹脂のいずれかであり、前記充填材はＧｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗのいずれかを含む材料であり、前記暫定被覆材除去工程における加工用ガスはフッ素を含む反応性ガスである第２の組合せのいずれかの組合せを採用したことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１７】
（３）  （１）又は（２）において、前記暫定被覆材除去工程が前記充填材エッチング工程を兼ねていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１８】
（４）  （１）又は（２）において、前記充填材エッチング工程において前記凹凸パターンの凹部の上の前記充填材の上面が前記記録要素の上の前記暫定被覆材の下面よりも高い位置で前記充填材のエッチングを停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１９】
（５）  （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記暫定被覆材除去工程の後に加工用ガスとして希ガスを用いたドライエッチング法により前記被加工体の上面部を除去する上面部除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
（６）  （５）において、前記上面部除去工程において前記充填材の上面の高さが前記記録要素の上面と同じ高さ及びこれよりも低い高さのいずれかになるように前記被加工体の上面部を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２１】
（７）  （１）乃至（６）のいずれかにおいて、前記被加工体作製工程において、前記基板の上に形成された連続記録層における前記凹凸パターンの凸部に相当する部分をマスク層で被覆し、前記連続記録層における前記マスク層から露出した部分をエッチング法により除去して前記凹凸パターンの記録層を形成し、前記記録要素の上に残存する前記マスク層を前記暫定被覆材の少なくとも一部として用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２２】
尚、本出願において「凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで分割され記録要素を構成する凸部が相互に完全に分離した記録層の他、データ領域では相互に分離した凸部同士がデータ領域とサーボ領域との境界付近等では連続している記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように基板の上の一部に連続して形成される記録層、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離されて形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素を構成する記録層、凹部が厚さ方向の途中まで形成されて底部において連続した記録層、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の記録層も含む意義で用いることとする。
【００２３】
又、本出願において「記録要素の上の暫定被覆材の下面に接する下層」とは、暫定被覆材の下面に記録層が接している場合には記録層である。又、暫定被覆材と記録要素との間に例えば隔膜が介在し、暫定被覆材の下面が隔膜に接している場合には隔膜である。
【００２４】
又、本出願において「炭素が主成分である材料」とは、材料を構成する総ての原子の原子数に対するＣ（炭素）の原子数の比率が７０％以上である材料という意義で用いることとする。
【００２５】
又、本出願において「充填材の上面」とは、充填材における基板と反対側の面という意義で用いることとする。
【００２６】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、凹凸パターンの記録層を有し、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
本発明の第１実施形態は、図１及び２に示されるような所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４を有する垂直記録型のディスクリートトラックメディアである磁気記録媒体１０の製造方法に関するものである。より詳細には、本第１実施形態は、図３に示されるような被加工体４０の加工出発体に加工を施すことにより、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層１４を図１及び２に示されるような多数の記録要素１４Ａに分割して凹凸パターンの記録層１４を形成すると共に記録要素１４Ａの間の凹部１６に充填材１８を充填して表面を平坦化するものであり、充填材１８の余剰部分を除去して表面を平坦化する工程に特徴を有している。他の工程については本第１実施形態の理解のために特に重要とは思われないため説明を適宜省略することとする。
【００３０】
まず本第１実施形態の理解のため、磁気記録媒体１０の構成について簡単に説明しておく。
【００３１】
磁気記録媒体１０は、基板１２、軟磁性層２４、配向層２６、記録層１４、保護層２８及び潤滑層３０を備え、これらの層がこの順で基板１２の上に形成されている。更に、磁気記録媒体１０は、記録要素１４Ａの間の凹部１６に充填された充填材１８を備えている。
【００３２】
基板１２は、中心孔を有する略円板形状である。基板１２の材料としてはガラス、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
【００３３】
記録層１４は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層１４の材料としてはＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料の中にＣｏＣｒＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。記録層１４の凸部である記録要素１４Ａは、データ領域において径方向に微細な間隔で分離された多数の同心の円弧形状で形成されており、図１及び２はこれを示している。尚、データ領域における記録要素１４Ａの上面の径方向の幅は１０〜１００ｎｍである。又、記録要素１４Ａの上面のレベルにおける凹部１６の径方向の幅は１０〜１００ｎｍである。又、記録要素１４Ａはサーボ領域において、所定のサーボパターンで形成されている（図示省略）。
【００３４】
充填材１８は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗのいずれかを含む材料であることが好ましい。より詳細には、後述する暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において加工用ガスとしてＮ２ガスやＮＨ３ガス等の窒素を含む反応性ガスを用いる場合、充填材１８は、Ｇｅ、Ｇｅの窒化物、Ｇｅの酸化物、Ｇｅの混合物、Ｇｅ合金、Ｇｅの化合物、Ｓｂ、Ｓｂの窒化物、Ｓｂの酸化物、Ｓｂの混合物、Ｓｂ合金、Ｓｂの化合物のいずれかであることが好ましい。又、後述する暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において加工用ガスとしてＮ２ガスやＮＨ３ガス等の窒素を含む反応性ガスを用いる場合、充填材１８は、Ｇｅ、Ｓｂが主成分である材料であることが更に好ましい。ここで「Ｇｅ、Ｓｂが主成分である材料」とは、Ｇｅ、Ｓｂの一方又は両方の元素を含み、充填材を構成する元素のうち酸素や窒素を除く金属又は半金属の元素の総ての元素の原子数に対する、Ｇｅ、Ｓｂの一方の元素の原子数の比率又は両方の元素の原子数の合計値の比率が、Ｇｅ、Ｓｂを除く金属又は半金属の他の総ての元素の各元素の原子数の比率と同じ又はこれよりも高い材料を意味する。又、後述する暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において加工用ガスとしてＮ２ガスやＮＨ３ガス等の窒素を含む反応性ガスを用いる場合、充填材１８は、Ｇｅ、Ｓｂの一方又は両方の元素を含み、充填材を構成する元素のうち酸素や窒素を除く金属又は半金属の総ての元素の原子数の合計値に対する、Ｇｅ、Ｓｂの一方の元素の原子数又は両方の元素の原子数の合計値の比率が５０％以上である材料であることが好ましい。
【００３５】
又、後述する暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において加工用ガスとして、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＳＦ６ガス、ＣＨＦ３ガス等のフッ素を含む反応性ガスを用いる場合、充填材１８は、Ｇｅ、Ｇｅの窒化物、Ｇｅの酸化物、Ｇｅの混合物、Ｇｅ合金、Ｇｅの化合物、Ｓｉ、Ｓｉの窒化物、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの混合物、Ｓｉ合金、Ｓｉの化合物、Ｔａ、Ｔａの窒化物、Ｔａの酸化物、Ｔａ合金、Ｔｉ、Ｔｉの窒化物、Ｔｉの酸化物、Ｔｉ合金、Ｗ、Ｗの窒化物、Ｗの酸化物、Ｗ合金のいずれかであることが好ましい。又、後述する暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において加工用ガスとして、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＳＦ６ガス、ＣＨＦ３ガス等のフッ素を含む反応性ガスを用いる場合、充填材１８は、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗが主成分である材料であることが更に好ましい。ここで「Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗが主成分である材料」とは、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗのうちの一又は複数の元素を含み、充填材を構成する元素のうち酸素や窒素を除く金属又は半金属の元素の総ての元素の原子数に対する、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗのうちの一の元素の原子数の比率又は複数の元素の原子数の合計値の比率が、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗを除く金属又は半金属の他の総ての元素の各元素の原子数の比率と同じ又はこれよりも高い材料を意味する。又、後述する暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において加工用ガスとしてＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＳＦ６ガス、ＣＨＦ３ガス等のフッ素を含む反応性ガスを用いる場合、充填材１８は、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗのうちの一又は複数の元素を含み、充填材を構成する元素のうち酸素や窒素を除く金属又は半金属の元素の総ての元素の原子数の合計値に対する、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗのうちの一の元素の原子数又は複数の元素の原子数の合計値の比率が５０％以上である材料であることが好ましい。
【００３６】
軟磁性層２４は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層２４の材料としてはＦｅ合金、Ｃｏ合金等を用いることができる。
【００３７】
配向層２６は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層２６の材料としては非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。
【００３８】
保護層２８は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層２８の材料としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を用いることができる。
【００３９】
潤滑層３０は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層３０の材料としてはＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いることができる。
【００４０】
次に、磁気記録媒体１０の製造方法について図４に示されるフローチャートに沿って説明する。
【００４１】
まず、前記図３に示される被加工体４０の出発体を用意する（Ｓ１０２）。被加工体４０の出発体は基板１２の上に、軟磁性層２４、配向層２６、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層１４、第１マスク層４２、第２マスク層４４をこの順でスパッタリング法等により成膜することにより得られる。
【００４２】
第１マスク層４２は、厚さが３〜５０ｎｍである。第１マスク層４２は、後述する暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）においてＮ２ガスやＮＨ３ガスのような窒素を含む反応性ガスやＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＳＦ６ガス、ＣＨＦ３ガスのようなフッ素を含む反応性ガスにより短時間で除去される暫定被覆材を兼ねている。第１マスク層４２の材料としては、ＤＬＣのようなＣ（炭素）が主成分である材料や樹脂を用いることができる。第２マスク層４４は、厚さが３〜３０ｎｍである。第２マスク層４４の材料としては、Ｎｉ、Ａｌ、Ｇｅ、ＳｂＧｅ等を用いることができる。
【００４３】
次に、図５に示されるように、被加工体４０の第２マスク層４４の上にスピンコート法により樹脂材料を塗布し、更に図示しないスタンパを用いてインプリント法により樹脂材料に記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写し、凹凸パターンの樹脂層４６を形成する（Ｓ１０４）。インプリント法としては、紫外線等による光インプリント、熱インプリント等を用いることができる。光インプリントの場合、樹脂層４６の材料として紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。又、熱インプリントの場合、樹脂層４６の材料として熱可塑性樹脂等を用いることができる。樹脂層４６の厚さ（凸部の厚さ）は、例えば、１０〜３００ｎｍである。又、樹脂材料として感光性レジスト又は電子線レジストを用い、光リソグラフィ又は電子線リソグラフィの手法で記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンの樹脂層４６を形成してもよい。尚、凹部底部の樹脂層４６はアッシング等により除去する。
【００４４】
次に、Ａｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）又はＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、凹部底部の第２マスク層４４を除去し、更に、Ｏ２ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、凹部底部の第１マスク層４２を除去し、更にＡｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、凹部底部の記録層１４を除去する（Ｓ１０６）。これにより、図６に示されるように多数の記録要素１４Ａに分割された前記凹凸パターンの記録層１４が形成される。尚、この時点で、第２マスク層４４は完全に除去される。一方、記録要素１４Ａの上面に残存する第１マスク層４２は除去しないで暫定被覆材として用いる。これにより、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、記録要素１４Ａの上に形成され炭素が主成分である第１マスク層４２（暫定被覆材）と、を有してなる被加工体４０が得られる。
【００４５】
尚、本出願において「ＩＢＥ」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して加工対象物を除去する加工方法の総称という意義で用いることとする。又、本出願では、希ガスのように加工対象物と化学的に反応しないガスを用いる場合でも、ＲＩＥ装置を用いてエッチングを行う場合には「ＲＩＥ」という用語を用いることとする。
【００４６】
次に、図７に示されるようにスパッタリング法等により、凹凸パターンの記録層１４を有する被加工体４０の上に充填材１８を成膜し、記録要素１４Ａの間の凹部１６を充填材１８で充填する（Ｓ１０８）。充填材１８は、記録層１４を覆うように記録層１４の凹凸パターンに倣って記録要素１４Ａの上の第１マスク層４２（暫定被覆材）の上にも成膜される。尚、本出願において「充填材１８が記録層１４の凹凸パターンに倣って成膜される」とは、記録層１４の凹凸パターンの輪郭と同じ輪郭の凹凸パターンで充填材１８が成膜される場合に限定されず、記録層１４の凹凸パターンの輪郭に対して凸部又は凹部の幅や凹凸の段差が縮小又は拡大された輪郭の凹凸パターンで充填材１８が成膜される場合も含む意義で用いることとする。
【００４７】
次に、図８に示されるように、Ａｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、記録要素１４Ａの上に形成された第１マスク層４２（暫定被覆材）の側面の少なくとも一部が露出するように充填材１８のうち記録要素１４Ａの上の第１マスク層４２（暫定被覆材）の下面よりも基板１２と反対側に形成された余剰部分の少なくとも一部を除去する（Ｓ１１０）。ＩＢＥやＲＩＥのようなドライエッチング法は、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があり、特にＩＢＥやＲＩＥは凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向が強い。従って、第１マスク層（暫定被覆材）４２を被覆する充填材１８を効率良く除去できる。
【００４８】
この工程（Ｓ１１０）では記録要素１４Ａの上に第１マスク層（暫定被覆材）４２が残存するようにエッチングを停止する。このようにすることで、記録要素１４Ａは、第１マスク層（暫定被覆材）４２によりエッチングから保護される。尚、この工程の終了時において記録要素１４Ａの上の第１マスク層（暫定被覆材）４２の上の一部に充填材１８が残存していてもよい。
【００４９】
又、この工程（Ｓ１１０）では図８に示されるように、凹部１６の上の充填材１８の上面が記録要素１４Ａの上の第１マスク層（暫定被覆材）４２の下面よりも高い位置で充填材１８のエッチングを停止することが好ましい。
【００５０】
又、この工程（Ｓ１１０）では加工用ガスの照射角を例えば被加工体４０の表面に対して９０°に設定する。尚、本出願において「加工用ガスの照射角」とは、加工用ガスの主たる進行方向と被加工体の表面とがなす角という意味で用いる。例えば、加工用ガスの主たる進行方向が被加工体の表面と平行である場合、照射角は０°であり、加工用ガスの主たる進行方向が被加工体の表面と垂直である場合、照射角は９０°である。図８中の矢印は、加工用ガスの進行方向を模式的に示したものである。このように加工用ガスの照射角を大きく設定することでエッチングレートが高くなり、生産効率の向上に寄与する。尚、ＲＩＥはＩＢＥよりも加工用ガスの直進性が低く、加工用ガスの照射角を被加工体４０の表面に対して垂直な９０°に設定しても、一部の粒子は被加工体４０の表面に対して傾斜した方向で被加工体４０に照射される。従って、凸部が凹部よりも速くエッチングされやすくなり、記録要素１４Ａ上の第１マスク層（暫定被覆材）４２が充填材１８から露出しやすくなる。又、加工用ガスの照射角は例えば９０°よりも小さな角度に設定してもよい。このようにすることで、凸部を凹部よりも速く除去する傾向が強くなるので、第１マスク層（暫定被覆材）４２の側面に成膜された充填材に対するエッチングレートが相対的に高くなり、第１マスク層（暫定被覆材）４２の側面が露出しやすくなる。
【００５１】
次に、図９に示されるように、加工用ガスとして充填材１８及び第１マスク層（暫定被覆材）４２の両方と化学的に反応してこれらを除去する性質を有する反応性ガスを用い、且つ、第１マスク層（暫定被覆材）４２に対するエッチングレートが充填材１８に対するエッチングレートよりも高く、更に充填材１８に対するエッチングレートが記録要素１４Ａ（記録要素１４Ａの上の暫定被覆材の下面に接する下層）に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により第１マスク層（暫定被覆材）４２を除去する（Ｓ１１２）。具体的には、窒素を含む反応性ガス及びフッ素を含む反応性ガスのいずれかを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより被加工体４０の表面をエッチングする。窒素を含む反応性ガスとしては、Ｎ２ガスやＮＨ３ガス等を用いることができる。フッ素を含む反応性ガスとしては、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＳＦ６ガス、ＣＨＦ３ガス等を用いることができる。加工用ガスはプラズマ化されていることが好ましい。
【００５２】
第１マスク層（暫定被覆材）４２は炭素が主成分の材料又は樹脂であるので、Ｎ２ガスやＮＨ３ガス等の窒素を含む反応性ガスやＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＳＦ６ガス、ＣＨＦ３ガス等のフッ素を含む反応性ガスと化学的に反応して脆化し迅速に除去される。又、充填材１８が第１マスク層４２（暫定被覆材）の上面に接触したことにより充填材１８の成分が第１マスク層４２（暫定被覆材）の上面部に混入しても、加工用ガスとして第１マスク層（暫定被覆材）４２だけでなく充填材１８とも化学的に反応して充填材１８も除去する性質を有する反応性ガスを用いているので、第１マスク層（暫定被覆材）４２を確実に除去することができる。尚、充填材エッチング工程（Ｓ１１０）の終了時において記録要素１４Ａの上の第１マスク層（暫定被覆材）４２の上に充填材１８が残存している場合、第１マスク層（暫定被覆材）４２の上の充填材１８は第１マスク層（暫定被覆材）４２と共に除去される。
【００５３】
一方、凹部１６を充填する充填材１８も窒素を含む反応性ガスやフッ素を含む反応性ガスと化学的に反応するが、第１マスク層（暫定被覆材）４２よりもエッチングレートが低いので第１マスク層（暫定被覆材）４２よりも除去される量は少ない。
【００５４】
尚、充填材１８が例えばＧｅである場合、次の工程（Ｓ１１４）では充填材１８のエッチングレートが記録層１４のエッチングレートよりも高い。このような場合、図９に示されるように凹部１６における充填材１８の上面の高さが、記録要素１４Ａの上面の高さよりも高い位置でエッチングを停止する。
【００５５】
一方、充填材１８が例えばＷである場合、次の工程（Ｓ１１４）では充填材１８のエッチングレートと記録層１４のエッチングレートとがほぼ等しい。このような場合、図１０に示されるように、凹部１６の上の充填材１８の上面の高さが、記録要素１４Ａの上面の高さとほぼ一致した位置でエッチングを停止する。
【００５６】
第１マスク層（暫定被覆材）４２の材料、充填材１８及び暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）における加工用ガスの好ましい組合せを表１に示す。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
次に、Ａｒ等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより被加工体４０の上面部を除去する（Ｓ１１４）。尚、被加工体４０の上面部とは、例えば被加工体４０の上面及びその近傍の数ｎｍの部分である。これにより、記録要素１４Ａの上面部及び凹部３４を充填する充填材１８の上面部が除去される。暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において記録要素１４Ａの上面近傍が反応性ガスにより変質する可能性があるが、仮にこのような変質が生じても、記録要素１４Ａの上面近傍の部分を除去することで磁気特性の劣化を防止できる。
【００５９】
充填材１８が例えばＧｅである場合のように、希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにおいて充填材１８のエッチングレートが記録層１４のエッチングレートよりも高く、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）の終了時において充填材１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差が生じていた場合、この段差が縮小し被加工体４０の表面が高精度で平坦化される。
【００６０】
一方、充填材１８が例えばＷである場合のように希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにおいて充填材１８のエッチングレートと記録層１４のエッチングレートとがほぼ等しく、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）の終了時において充填材１８の上面の高さと記録要素１４Ａの上面の高さとがほぼ一致していた場合、両者の上面の高さがほぼ一致した状態が保持されたまま、充填材１８の上面部及び記録要素１４Ａの上面部が除去される。尚、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）の終了時に記録要素１４Ａの上面と凹部１６を充填する充填材１８の上面とに微細な段差が残存している場合、この段差を低減するように両者のエッチングレートに差をつけて記録要素１４Ａの上面部及び充填材１８の上面部を除去することで、更に平坦化を促進することもできる。希ガスは化学反応を伴わないが照射角を調整することで両者のエッチングレートの差を調整することができる。
【００６１】
次に、ＣＶＤ法により記録要素１４Ａ及び充填材１８の上に保護層２８を成膜する（Ｓ１１６）。更に、ディッピング法により保護層２８の上に潤滑層３０を成膜する（Ｓ１１８）。これにより、前記図１及び２に示される磁気記録媒体１０が完成する。
【００６２】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。前記第１実施形態では、記録層１４の上面に接して第１マスク層（暫定被覆材）４２が形成されているのに対し、図１１等に示されるように、本第２実施形態では、記録層１４と第１マスク層（暫定被覆材）４２との間に隔膜５２が形成される。他の構成については前記第１実施形態と同様であるので、同様の構成については図１〜１０と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００６３】
まず、図１１に示されるように、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層１４と第１マスク層４２との間に（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）隔膜５２が成膜された被加工体５０の出発体を用意する（Ｓ１０２）。
【００６４】
隔膜５２は、厚さが１〜５ｎｍである。隔膜５２の材料としてはＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）、ＴａＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＯ２、ＳｉＣ等を用いることができる。又、隔膜５２の材料としてＳｉ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ等やこれらの合金や化合物を用いてもよい。尚、隔膜５２は、他の層と同様にスパッタリング法等により成膜することができる。
【００６５】
この被加工体５０に、前記第１実施形態と同様に、図１２〜１７に示されるように樹脂層形成工程（Ｓ１０４）、記録層加工工程（Ｓ１０６）、充填材成膜工程（Ｓ１０８）、充填材エッチング工程（Ｓ１１０）、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）を実行する。
【００６６】
尚、記録層加工工程（Ｓ１０６）では凹部底部の記録層１４と共に凹部底部の隔膜５２も除去する。
【００６７】
又、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において加工用ガスとして充填材１８及び第１マスク層（暫定被覆材）４２の両方と化学的に反応してこれらを除去する性質を有する反応性ガスを用い、且つ、第１マスク層（暫定被覆材）４２に対するエッチングレートが充填材１８に対するエッチングレートよりも高く、更に充填材１８に対するエッチングレートが隔膜５２（記録要素１４Ａの上の暫定被覆材の下面に接する下層）に対するエッチングレートよりも高いドライエッチング法により第１マスク層（暫定被覆材）４２を除去する。記録要素１４Ａの上面は隔膜５２によりエッチングから保護されるので記録要素１４Ａの上面近傍が暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）で使用される反応性ガスにより変質することがない。
【００６８】
上面部除去工程（Ｓ１１４）において充填材１８のエッチングレートが隔膜５２のエッチングレートよりも高い場合、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）では、図１６に示されるように凹部１６における充填材１８の上面の高さが、隔膜５２の上面の高さよりも高い位置でエッチングを停止する。
【００６９】
一方、上面部除去工程（Ｓ１１４）において充填材１８のエッチングレートと隔膜５２のエッチングレートとがほぼ等しい場合、図１７に示されるように、凹部１６における充填材１８の上面の高さが、記録要素１４Ａの上面の高さとほぼ一致した位置でエッチングを停止する。
【００７０】
次に、Ａｒ等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより被加工体４０の上面部を除去する（Ｓ１１４）。これにより、記録要素１４Ａの上の隔膜５２及び凹部３４を充填する充填材１８の上面部が除去される。尚、隔膜５２はその一部を除去してもよいし、全部を除去してもよい。
【００７１】
希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにおいて充填材１８のエッチングレートが隔膜５２のエッチングレートよりも高く、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）の終了時において充填材１８の上面と隔膜５２の上面との段差が生じていた場合、この段差が縮小し被加工体４０の表面が高精度で平坦化される。
【００７２】
一方、希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにおいて充填材１８のエッチングレートと隔膜５２のエッチングレートとがほぼ等しく、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）の終了時において充填材１８の上面の高さと隔膜５２の上面の高さとがほぼ一致していた場合、両者の上面の高さがほぼ一致した状態が保持されたまま、隔膜５２及び充填材１８の上面部が除去される。尚、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）の終了時に記録要素１４Ａの上の隔膜５２の上面と凹部１６の上の充填材１８の上面とに微細な段差が残存している場合、この段差を低減するように両者のエッチングレートに差をつけて隔膜５２及び充填材１８の上面部を除去することで、平坦化を促進することもできる。希ガスは化学反応を伴わないが照射角を調整することで両者のエッチングレートの差を調整することができる。
【００７３】
更に保護層成膜工程（Ｓ１１４）、潤滑層成膜工程（Ｓ１１６）を実行することにより、前記図１及び２に示される磁気記録媒体１０が得られる。
【００７４】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。前記第１及び第２実施形態では、記録層加工工程（Ｓ１０６）の終了時において第１マスク層４２を記録要素１４の上に残存させ、第１マスク層４２を暫定被覆材として利用しているのに対し、本第３実施形態では図１８に示されるように、連続記録層１４を凹凸パターンに加工し、第１マスク層４２を除去した後、凹凸パターンの記録層１４の上に暫定被覆材６０を成膜する。尚、暫定被覆材６０は凹部１６の底面及び側面にも成膜され、この部分は最終製品に残存する。他の構成については前記第１又は第２実施形態と同様であるので、同様の構成については図１〜１７と同一符号を付することとして説明を省略する。尚、図１８は便宜上、前記第１実施形態のように記録層１４と第１マスク層４２（暫定被覆材）との間に隔膜５２が形成されない製造工程を示しているが、前記第２実施形態のように記録層１４と第１マスク層４２（暫定被覆材）との間に隔膜５２が形成される場合、記録要素１４Ａの上に隔膜５２が形成されている被加工体５０の上に暫定被覆材６０を成膜すればよい（図示省略）。
【００７５】
このように、第１マスク層４２とは別に暫定被覆材６０を成膜する場合も、前記第１又は第２実施形態の磁気記録媒体１０と（暫定被覆材６０が凹部１６の底面及び側面に成膜されていること以外は）同様の構造の磁気記録媒体を効率良く製造することができる。又、第１マスク層４２の材料は、暫定被覆材としての機能に特に制約されることなく記録層の加工に適したものを適宜選択することができる。
【００７６】
尚、前記第２実施形態では、隔膜５２を被加工体５０の出発体用意工程（Ｓ１０２）において成膜しているが、前記第１実施形態のように隔膜がない被加工体４０の加工出発体を用意し、記録層加工工程（Ｓ１０８）を実行した後、第１マスク層４２を除去し、被加工体４０の上に隔膜を成膜してから、この隔膜の上に暫定被覆材６０を成膜してもよい。このようにすることで前記第２実施形態と同様に、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において隔膜で記録要素１４Ａの上面部を反応性ガスから保護することができる。尚、この場合、暫定被覆材６０だけでなく隔膜も凹部１６の底面及び側面に成膜され、隔膜も最終製品に残存する。
【００７７】
又、図１８は第１マスク層４２を除去して暫定被覆材６０を成膜する例を示しているが、第１マスク層４２を記録要素１４Ａの上に残存させ、記録要素１４Ａの上に残存した第１マスク層４２も暫定被覆層の一部として利用し、更にこの上に暫定被覆材６０を成膜してもよい。この場合、暫定被覆材６０の材料は、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）におけるエッチングレートが充填材１８よりも高い材料であれば、第１マスク層４２と同じ材料でもよく、第１マスク層４２と異なる材料でもよい。
【００７８】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。前記第１〜第３実施形態では、希ガスを用いた充填材エッチング工程（Ｓ１１０）と反応性ガスを用いた暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）の２工程で余剰の充填材１８及び第１マスク層４２（暫定被覆材）を除去しているのに対し、図１９に示されるように、本第４実施形態では充填材エッチング工程が省略されている。より詳細には、本第４実施形態では暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）のみで余剰の充填材１８及び第１マスク層４２（暫定被覆材）を除去する。即ち、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）が充填材エッチング工程を兼ねている。他の工程については前記第１〜第３実施形態と同様であるので、同様の工程については図１〜１８と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００７９】
暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）では加工用ガスとして第１マスク層（暫定被覆材）４２だけでなく充填材１８とも化学的に反応して充填材１８も除去する性質を有する反応性ガスを用いているので、余剰の充填材１８を除去することもできる。このように暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）が充填材エッチング工程を兼ねることで工程数を減らすことができ、生産効率を高めることができる。
【００８０】
次に、本発明の第５実施形態について説明する。前記第１〜第４実施形態では、上面部除去工程（Ｓ１１４）において記録要素１４Ａ（又は隔膜５２）の高さと充填材１８の上面の高さとが一致するように被加工体４０（５０）の上面部を除去しているのに対し、本第５実施形態では図２０に示されるように、上面部除去工程（Ｓ１１４）において充填材１８の上面の高さが記録要素１４Ａの上面の高よりも低くなるように被加工体４０の上面部を除去する。他の工程については前記第１〜第４実施形態と同様であるので、同様の工程については図１〜１９と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００８１】
このように充填材１８の上面が記録要素１４Ａ（又は隔膜５２）の上面よりも低い場合も、両者の段差が数ｎｍ程度の小さな値であれば磁気ヘッドの良好な浮上特性が得られる。
【００８２】
尚、前記第１〜第５実施形態において、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）と保護層成膜工程（Ｓ１１６）との間に上面部除去工程（Ｓ１１４）を実行しているが、記録要素１４Ａの上面部の変質が生じていない場合には、上面部除去工程（Ｓ１１４）は省略してもよい。又、変質が生じていても実用上問題がない場合も、上面部除去工程（Ｓ１１４）は省略してもよい。又、記録要素１４Ａの上に隔膜５２が残存していても実用上問題がない場合も、上面部除去工程（Ｓ１１４）は省略してもよい。上面部除去工程（Ｓ１１４）を省略する場合、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）における凹部１６の上の充填材１８のエッチング量だけ、充填材エッチング工程（Ｓ１１０）において凹部１６の上の充填材１８の上面が記録要素１４Ａの上の第１マスク層（暫定被覆材）４２（又は暫定被覆材６０）の下面よりも高い位置になるように充填材１８のエッチングを停止することで、高精度な平坦化を実現することができる。
【００８３】
又、前記第１〜第５実施形態において、第１マスク層４２、第２マスク層４４、樹脂層４６を連続膜の記録層１４の上に形成し、３段階のドライエッチングで記録層１４を凹凸パターンに分割しているが、記録層１４を高精度で加工できれば、マスク層、樹脂層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。
【００８４】
又、前記第１〜第５実施形態において、記録層１４の下に軟磁性層２４、配向層２６が形成されているが、記録層１４の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層２４と基板１２との間に下地層や反強磁性層を形成してもよい。又、軟磁性層２４、配向層２６の一方又は両方を省略してもよい。又、基板上に記録層を直接形成してもよい。
【００８５】
又、前記第１〜第５実施形態において、基板の片面に記録層を形成しているが、基板の両面に記録層が形成された磁気記録媒体を製造する場合にも本発明は当然適用可能である。
【００８６】
又、前記第１〜第５実施形態において、磁気記録媒体１０は記録層１４がトラックの径方向に微細な間隔で分割された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割されたパターンドメディア、渦巻き形状の記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素である記録層を有する磁気ディスク、凹部が厚さ方向の途中まで形成されて底部において連続した記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の凹凸パターンの記録層を有する磁気ディスクを製造する場合にも本発明は当然適用可能である。又、面内記録型の磁気ディスクを製造する場合にも本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体を製造する場合にも本発明を適用可能である。
【実施例】
【００８７】
前記第１実施形態のとおり磁気記録媒体１０を作製した。
【００８８】
具体的には、被加工体４０の出発体用意工程（Ｓ１０２）において、記録層１４を２０ｎｍの厚さに成膜した。
【００８９】
樹脂層形成工程（Ｓ１０４）では、樹脂材料として紫外線硬化性樹脂を用い、光インプリントの手法で記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンの樹脂層４６を形成した。
【００９０】
記録層加工工程（Ｓ１０６）では、データ領域において記録要素１４Ａの上面の径方向の幅が５０ｎｍ、記録要素１４Ａの上面のレベルにおける凹部１６の径方向の幅が５０ｎｍになるように記録層１４を加工した。尚、記録要素１４Ａの上には、２０ｎｍの厚さの第１マスク層（暫定被覆材）４２が残存していた。第１マスク層（暫定被覆材）４２の材料はＣ（炭素）だった。
【００９１】
充填材成膜工程（Ｓ１０８）では、Ｇｅの充填材１８を５０ｎｍの厚さでスパッタリング法により成膜した。成膜条件は以下のとおりであった。
【００９２】
ソースパワー（ターゲットに印加された電力）：５００Ｗ
バイアスパワー（被加工体４０に印加された電力）：５００Ｗ
チャンバー内圧力：０．３Ｐａ
ターゲットと被加工体との距離：３００ｍｍ
【００９３】
充填材エッチング工程（Ｓ１１０）では、Ａｒガスを用いたＩＢＥにより凹部１６の上の充填材１８を記録要素１４Ａの上の第１マスク層（暫定被覆材）４２の下面のレベル（記録要素１４Ａの上面のレベル）よりも１０ｎｍ高いレベルまで除去した。又、記録要素１４Ａの上の充填材１８は完全に除去した。エッチング条件は以下のとおりであった。
【００９４】
Ａｒガスの流量：１１ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０３Ｐａ
加工用ガスの入射角：９０°
ビーム電圧：１０００Ｖ
ビーム電流：５００ｍＡ
サプレッサー電圧：−４００Ｖ
【００９５】
又、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において、Ｎ２ガスを用いたＲＩＥにより記録要素１４Ａの上の第１マスク層４２（暫定被覆材）を完全に除去した。この際、凹部１６の上の充填材１８も記録要素１４Ａの上の第１マスク層（暫定被覆材）４２の下面のレベル（記録要素１４Ａの上面のレベル）まで除去した。エッチング条件は以下のとおりであった。
【００９６】
Ｎ２ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：１．０Ｐａ
マイクロ波パワー：１０００Ｗ
被加工体４０に印加したバイアス電圧：１５０Ｖ
処理時間：４０ｓｅｃ
【００９７】
更に、保護層成膜工程（Ｓ１１６）、潤滑層成膜工程（Ｓ１１８）を実行して磁気記録媒体１０を作製した。尚、上面部除去工程（Ｓ１１４）は実行しなかった。
【００９８】
このようにして得られた磁気記録媒体１０の表面の平坦性をＡＦＭ（ＡＴＯＭＩＣ  ＦＯＲＣＥ  ＭＩＣＲＯＳＣＯＰＥ）で測定した。凹部１６を充填する充填材１８の上面は記録要素１４Ａの上面のレベルとほぼ一致していた。又、記録要素１４Ａの上に第１マスク層４２（暫定被覆材）は残存していなかった。磁気記録媒体１０の表面粗さＲａは、０．７ｎｍだった。又、磁気カー効果により磁気記録媒体１０の静磁気特性を測定した。加工前の連続膜の記録層に対し、加工された記録層１４の静磁気特性の劣化は認められなかった。
【００９９】
又、この磁気記録媒体１０を磁気記録再生装置に設置し、磁気ヘッドの浮上特性を検査した。浮上特性は安定していた。
【０１００】
[比較例１]
前記実施例に対し、充填材成膜工程（Ｓ１０８）において、Ｎｂの充填材１８をスパッタリング法により５０ｎｍの厚さで成膜した。成膜条件は実施例と同じとした。又、充填材エッチング工程（Ｓ１１０）において、凹部１６の上の充填材１８を記録要素１４Ａの上面のレベルまで除去した。又、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）において、加工用ガスとしてＯ２ガスを用いた。尚、ＮｂはＯ２ガスを用いたエッチングにおいて化学的反応によっては殆どエッチングされず、物理的作用によって僅かにエッチングされるのみである。
【０１０１】
他は実施例と同じ条件で磁気記録媒体１０を作製した。
【０１０２】
このようにして得られた磁気記録媒体１０の表面の平坦性をＡＦＭで測定した。凹部１６を充填する充填材１８の上面は記録要素１４Ａの上面のレベルとほぼ一致していた。一方、記録要素１４Ａの上面には、第１マスク層４２（暫定被覆材）が部分的に残存しており、第１マスク層４２（暫定被覆材）の（磁気記録媒体１０の厚さ方向の）突出量の最大値は約１０ｎｍだった。
【０１０３】
又、磁気カー効果により磁気記録媒体１０の静磁気特性を測定した。実施例と同様に加工前の連続膜の記録層に対し、加工された記録層１４の静磁気特性の劣化は認められなかった。
【０１０４】
又、この磁気記録媒体１０を磁気記録再生装置に設置し、磁気ヘッドの浮上特性を検査した。磁気ヘッドと磁気記録媒体１０の表面とがクラッシュし、磁気ヘッドに傷が生じた。
【０１０５】
又、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）におけるエッチング処理時間を４０ｓｅｃよりも長い８０ｓｅｃ、１２０ｓｅｃ、１６０ｓｅｃとした条件でも磁気記録媒体１０を作製した。他の条件は上記の比較例１の条件と同じ条件に設定した。第１マスク層４２（暫定被覆材）の（磁気記録媒体１０の厚さ方向の）突出量の最大値は上記と同様に約１０ｎｍであった。即ち、暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）におけるエッチング処理時間を長くしても第１マスク層４２（暫定被覆材）の除去が困難であることがわかった。
【０１０６】
尚、平坦な基板の上に純粋なＣの第１マスク層４２（暫定被覆材）を成膜したサンプルを用意し、比較例１の暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）と同じ条件で純粋なＣの第１マスク層４２をエッチングしたところ、第１マスク層４２のエッチングレートは２．５ｎｍ／ｓｅｃだった。
【０１０７】
又、平坦な基板の上に純粋なＣの第１マスク層４２（暫定被覆材）を成膜し、更にこの上に比較例１と同じ条件でＮｂを５０ｎｍ成膜した他のサンプルを用意し、比較例１の充填材エッチング工程（Ｓ１１０）と同じ条件でＡｒを用いたＩＢＥによりＮｂを５０ｎｍエッチングし、更に比較例１の暫定被覆材除去工程（Ｓ１１２）と同じ条件でＯ２ガスを用いたＲＩＥによりＣの第１マスク層４２をエッチングしたところ、エッチング開始直後における第１マスク層４２のエッチングレートは１．５ｎｍ／ｓｅｃだった。
【０１０８】
即ち、純粋なＣの第１マスク層４２（暫定被覆材）の上にＮｂの充填材が成膜されたことにより、Ｃの第１マスク層４２（暫定被覆材）のエッチングレートが純粋なＣの第１マスク層４２（暫定被覆材）のエッチングレートに対して大幅に低下することが確認された。これは、充填材１８が第１マスク層４２（暫定被覆材）の上面に接触したことにより充填材１８の成分が第１マスク層４２（暫定被覆材）の上面部に混入したためと推測される。
【０１０９】
[比較例２]
前記比較例１に対し、充填材成膜工程（Ｓ１０８）において、Ｎｂに代えてＧｅの充填材１８を５０ｎｍの厚さで成膜した。尚、ＧｅもＮｂと同様にＯ２ガスを用いたエッチングでは化学的反応によっては殆どエッチングされず、物理的作用によって僅かにエッチングされるのみである。
【０１１０】
他は比較例１と同じ条件で磁気記録媒体１０を作製し、比較例１と同様に磁気記録媒体１０を検査した。検査結果は比較例１と同じであった。
【０１１１】
以上より、加工用ガスとして充填材１８及び第１マスク層４２（暫定被覆材）の両方と化学的に反応してこれらを除去する性質を有する反応性ガスを用いて第１マスク層４２（暫定被覆材）を除去した本願の実施例によれば、充填材１８とは化学的に反応しない反応性ガスを用いて第１マスク層４２（暫定被覆材）を除去した比較例１及び２に対し、表面がより平坦な磁気記録媒体を製造することができ、磁気ヘッドの良好な浮上特性が得られると共に磁気記録媒体の良好な磁気特性が得られることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図２】同磁気記録媒体の充填材の周辺の構造を拡大して示す側断面図
【図３】同磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図４】同製造工程の概要を示すフローチャート
【図５】凹凸パターンの樹脂層が形成された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図６】記録層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図７】同記録層の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図８】同充填材がエッチングされた同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図９】第１マスク層（暫定被覆材）が除去されて平坦化された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１０】第１マスク層（暫定被覆材）が除去されて平坦化された同被加工体の形状の他の例を模式的に示す側断面図
【図１１】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図１２】凹凸パターンの樹脂層が形成された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１３】記録層及び隔膜が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１４】同記録層及び隔膜の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１５】同充填材がエッチングされた同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１６】第１マスク層（暫定被覆材）が除去されて平坦化された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１７】第１マスク層（暫定被覆材）が除去されて平坦化された同被加工体の形状の他の例を模式的に示す側断面図
【図１８】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程において凹凸パターンの記録層の上に暫定被覆材が成膜された被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１９】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図２０】本発明の第５実施形態に係る上面部除去工程終了時における被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【符号の説明】
【０１１４】
１０…磁気記録媒体
１２…基板
１４…記録層
１４Ａ…記録要素
１６…凹部
１８…充填材
２４…軟磁性層
２６…配向層
２８…保護層
３０…潤滑層
４０、５０…被加工体
４２…第１マスク層（暫定被覆材）
４４…第２マスク層
４６…樹脂層
５２…隔膜
６０…暫定被覆材
Ｓ１０２…被加工体の出発体用意工程
Ｓ１０４…樹脂層形成工程
Ｓ１０６…記録層加工工程
Ｓ１０８…充填材成膜工程
Ｓ１１０…充填材エッチング工程
Ｓ１１２…暫定被覆材除去工程
Ｓ１１４…上面部除去工程
Ｓ１１６…保護層成膜工程
Ｓ１１８…潤滑層成膜工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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