(57)【要約】【課題】簡便な方法でチップ毎に共振器長のずれが許容範囲内であるか否かを判別可能な半導体レーザ装置の製造方法およびその製造工程における半導体レーザバーの検査方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に、第１導電型のクラッド層、活性層、第２導電型の第１クラッド層、および第２導電型の第２クラッド層を順次結晶成長させ、第２導電型の第２クラッド層を加工して、ストライブ状の複数のリッジ構造部５を形成し、リッジ構造部５の長手方向に対し直交する方向にへき開させて、レーザバー１を形成する。リッジ構造部５の長手方向に所定の間隔を開けて、リッジ構造部５が配列された列を、複数配列し、列は、リッジ構造部５の端部と隣接するリッジ構造部５の他の端部とが、リッジ構造部の長手方向に対して重なり合うように、隣接する列とリッジ構造部の長手方向にずらし、リッジ構造部５の端部が隣接するリッジ構造部５の端部と重なる領域をへき開させる。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、第１導電型のクラッド層、活性層、第２導電型の第１クラッド層、および第２導電型の第２クラッド層を順次結晶成長させ、
前記第２導電型の第２クラッド層を加工して、ストライブ状の複数のリッジ構造部を形成し、
前記リッジ構造部の長手方向に対し直交する方向にへき開させて、レーザバーを形成する半導体レーザ装置の製造方法において、
前記リッジ構造部の長手方向に所定の間隔を開けて、前記リッジ構造部が配列された列を、前記リッジ構造部の長手方向に対して垂直な方向に間隔を開けて複数配列させ、
前記列は、前記リッジ構造部の長手方向垂直方向に対して、前記リッジ構造部の端部と前記リッジ構造部の長手方向に対して垂直な方向に隣接するリッジ構造部の他の端部とが、前記リッジ構造部の長手方向に対して重なり合うように、隣接する列と前記リッジ構造部の長手方向にずらし、
前記リッジ構造部の端部が前記隣接するリッジ構造部の端部と重なる領域をへき開させる半導体レーサ装置の製造方法。
【請求項２】
前記リッジ構造部を形成した後に、
前記リッジ構造部の端部領域に前記第２導電型の第２クラッド層を覆うように電流ブロック層を形成する請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
前記電流ブロック層は、第１導電型の半導体層からなる請求項２記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】
前記電流ブロック層は、Ｓｉ、ＳｉＮx、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＮｂＯx若しくは水素化アモルファスＳｉからなる単層膜であるか、または前記単層膜が２層以上積層された誘電体膜である請求項２記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項５】
前記リッジ構造部がへき開されることにより形成される共振器における長さのばらつき許容範囲が±Ａである場合に、前記リッジ構造部の端部が前記リッジ構造部の長手方向に対して垂直な方向に隣接するリッジ構造部の端部と重なりあう長さを、Ａ／２とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置の製造方法におけるへき開工程の後に行う、半導体レーザバーの検査方法において、
へき開された部分に残存する前記リッジ構造部の配置、形状を観察することにより、形状不良を判定する半導体レーザバーの検査方法。
【請求項７】
両端の前記へき開された部分の少なくとも一方に、前記リッジ構造部の長手方向に対して垂直な方向に隣接するリッジ構造部の一部が残存してなければ不良と判断する請求項６記載の半導体レーザバーの検査方法。
【請求項８】
請求項６または７記載の半導体レーザバーの検査方法による検査と、半導体レーザ装置を発振させ、発振しなければ不良と判断する検査とを行う半導体レーザバーの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器長の精度向上のための半導体レーザ装置の製造方法およびその製造工程における半導体レーザバーの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオディスクプレーヤーをはじめとする様々な分野で、大記憶容量を特徴とするＤＶＤの記録再生用ドライブが急速に普及している。また、従来利用されてきたＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷの読み出しも同じ機器で行えることが強く要望されている。このため、ＤＶＤやＣＤの記録・再生用に用いられる光ピックアップの光源として、ＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯の赤色半導体レーザの他にＣＤ用の７８０ｎｍ帯の赤外半導体レーザが併用されている。
【０００３】
ＤＶＤ等の記録・再生装置はパソコンなどの情報処理機器の小型化に伴い、その小型化および薄型化を進展させる必要がある。これを実現するためには、光ピックアップの小型化および薄型化が必要不可欠となる。光ピックアップの小型化および薄型化には、光学部品を減らして装置を簡素化することが有効であり、その一つとして、赤色半導体レーザと赤外半導体レーザを集積化することが挙げられる。
【０００４】
装置の小型化、部品点数の削減という観点から、赤色半導体レーザと赤外半導体レーザを同一の半導体基板上に集積化させたモノリシック２波長半導体レーザが、近年量産されている。これにより、半導体レーザ自体を一つの部品に集約できるだけでなく、コリメータレンズやビームスプリッタ等の光学部品を赤色半導体レーザと赤外半導体レーザとで共通化でき、装置の小型化・薄型化に有効である。
【０００５】
また近年、高倍速での書き込み記録も要求されており、高出力でのレーザ動作が可能なモノリシック２波長レーザが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、半導体レーザの高出力化に伴って、レーザチップの放熱性を向上させるため、光導波路である共振器を長くすることを求められている。例えば、６５０ｎｍ帯の半導体レーザにおいて、２００ｍＷ超級の光出力を保証するために１０００μｍ以上の共振器長が必要であると言われている。
【０００７】
しかし、半導体レーザの共振器を長くするにつれ、サブマウントに対する組み立て時の回転誤差等が光軸ずれに与える影響はより大きくなる。また、コヒーレント長の変動幅も大きくなる。従って、長共振器化を進める際、共振器長自体のばらつき低減が必要である。
【０００８】
一般に、半導体レーザの製造に際して、ストライプ状の発光領域を有する半導体レーザウエハをバー状に分離するために、ストライプ方向と直交する方向にウエハ表面にスクライブ線を形成する。つぎに、スクライブ線に沿ってウエハに加重を加えてバー状態にへき開させる。なお、６５０ｎｍ帯の半導体レーザを形成するにあたって一般的に用いられる傾斜基板のへき開方法は、例えば特許文献２に開示されている。
【０００９】
上記レーザバー両端に形成されたへき開面をミラーとして利用し、ミラー間の距離が共振器長となる。従って、共振器長のばらつきは、へき開工程で生じるばらつき、例えば、ウエハ結晶方向のずれやスクライブ線等のずれによって決まる。共振器長の測定は、へき開工程の後に、光学顕微鏡やＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等の測定器を用いて行う。
【特許文献１】特開２００１−３４５５１４号公報
【特許文献２】特開平０９−２６６３４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記従来の共振長の測定方法では、チップ毎に測定を行うため、トータルの測定時間が長くなり、製造工程においてコストおよび時間がかかる。また、顕微鏡による測定方法では、共振器長が長くなるのに対応して、観察視野を広げる必要があり、その結果、測定誤差が大きくなるおそれがある。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑み、簡便な方法でチップ毎に共振器長のずれが許容範囲内であるか否かを判別可能な半導体レーザ装置の製造方法およびその製造工程における半導体レーザバーの検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体基板上に、第１導電型のクラッド層、活性層、第２導電型の第１クラッド層、および第２導電型の第２クラッド層を順次結晶成長させ、前記第２導電型の第２クラッド層を加工して、ストライブ状の複数のリッジ構造部を形成し、前記リッジ構造部の長手方向に対し直交する方向にへき開させて、レーザバーを形成する。上記課題を解決するために、前記リッジ構造部の長手方向に所定の間隔を開けて、前記リッジ構造部が配列された列を、前記リッジ構造部の長手方向に対して垂直な方向に間隔を開けて複数配列し、前記列は、前記リッジ構造部の長手方向垂直方向に対して、前記リッジ構造部の端部と前記リッジ構造部の長手方向に対して垂直な方向に隣接するリッジ構造部の他の端部とが、前記リッジ構造部の長手方向に対して重なり合うように、隣接する列と前記リッジ構造部の長手方向にずらし、前記リッジ構造部の端部が前記隣接するリッジ構造部の端部と重なる領域をへき開させる。
【００１３】
本発明の半導体レーザバーの検査方法は、半導体レーザ装置の製造方法におけるへき開工程の後に行い、へき開された部分に残存する前記リッジ構造部の配置、形状を観察することにより、形状不良を判定する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、へき開部にマーク部を形成することにより、簡便な方法でチップ毎に共振器長のずれが許容範囲内であるか否かを判別可能な半導体レーザ装置の製造方法およびその製造工程における半導体レーザバーの検査方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置の検査方法は、上記構成を基本として、以下のような種々の方法をとることができる。
【００１６】
すなわち、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記リッジ構造部を形成した後に、前記リッジ構造部の端部領域に前記第２導電型の第２クラッド層を覆うように電流ブロック層を形成してもよい。
【００１７】
また、前記電流ブロック層は、第１導電型の半導体層からなるようにしてもよい。
【００１８】
また、前記電流ブロック層は、Ｓｉ、ＳｉＮx、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＮｂＯx若しくは水素化アモルファスＳｉからなる単層膜であるか、または前記単層膜が２層以上積層された誘電体膜であるようにしてもよい。
【００１９】
また、前記リッジ構造部がへき開されることにより形成される共振器における長さのばらつき許容範囲が±Ａである場合に、前記リッジ構造部の端部が前記リッジ構造部の長手方向に対して垂直な方向に隣接するリッジ構造部の端部と重なりあう長さを、Ａ／２とするとしてもよい。
【００２０】
また、上記の半導体レーザバーの検査方法において、両端の前記へき開された部分の少なくとも一方に、前記リッジ構造部の長手方向に対して垂直な方向に隣接するリッジ構造部の一部が残存してなければ不良と判断してもよい。
【００２１】
また、上記記載の半導体レーザバーの検査方法による検査と、半導体レーザ装置を発振させ、発振しなければ不良と判断する特性検査とを行ってもよい。
【００２２】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置、その製造方法、および検査方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
（実施の形態）
図１Ａは、本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置８が複数形成された半導体レーザバー１を示す平面図であり、図１Ｂは図１ＡのＡ−Ａ'線に沿った拡大断面図、図１Ｃは図１ＡのＢ−Ｂ'線に沿った拡大断面図である。図１Ａに示すように、半導体レーザバー１には、平坦部２と、リッジ構造部５とが含まれる。このレーザバー１は、相対する一組の端面（第１端面６と第２端面７）がへき開により形成されている。リッジ構造部５には、レーザ発振するための共振器３と、共振器３の長さを検出するためのマーク部４とが含まれる。共振器３は、第１端面６から第２端面７まで形成され、第１端面６および第２端面７の部分でへき開されており、長さ（共振器長）は、例えば、１０００μｍである。マーク部４は、共振器３に並行して、第１端面６および第２端面７の付近にそれぞれ形成されている。
【００２４】
図１Ｃに示すように、レーザバー１は、半導体基板１１、バッファ層１２、ｎ型クラッド層（第１導電型のクラッド層）１３、活性層１４、ｐ型第１クラッド層（第２導電型の第１クラッド層）１５およびエッチングストップ層１６とが積層された構成を有する。リッジ構造部５には、ｐ型第２クラッド層（第２導電型の第２クラッド層）１７と、ｐ型中間層１８と、ｐ型コンタクト層１９との積層体が含まれる。
【００２５】
共振器３は、ｐ型第２クラッド層１７と、ｐ型中間層１８と、ｐ型コンタクト層１９との積層体の側面に電流ブロック層２０が形成されている。電流ブロック層２０の側面と、上記積層体上にｐ側電極２１が形成されている。マーク部４は、上記積層体を覆うように電流ブロック層２０が形成され、電流ブロック層２０を覆うようにｐ側電極２１が形成されている。
【００２６】
半導体基板１１は、ｎ型ＧａＡｓにより構成されている。バッファ層１２は、ｎ型ＧａＡｓにより構成され、半導体基板１１上に形成されている。ｎ型クラッド層１３は、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）により形成されている。活性層１４は、ＧａＩｎＰ層とＡｌＧａＩｎＰ層とが積層されて形成されている。ｐ型第１クラッド層１５は、ｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）により形成されている。エッチングストップ層１６は、ｐ型ＧａＩｎＰにより形成されている。
【００２７】
ｐ型第２クラッド層１７は、ｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）により構成され、エッチングストップ層１６上に形成されている。ｐ型中間層１８は、ｐ型ＧａＩｎＰにより形成されている。ｐ型コンタクト層１９は、ｐ型ＧａＡｓにより形成されている。電流ブロック層２０は、ｎ型の半導体で形成されている。ｎ側電極２２は、半導体基板１１の裏面に形成されている。
【００２８】
なお、ｎ型クラッド層１３、ｐ型第１クラッド層１５およびｐ型第２クラッド層１７のｘ、ｙは、例えばｘ＝０．７、ｙ＝０．５の値を用いることができる。
【００２９】
次に、本実施の形態における半導体レーザ装置８の製造方法について説明する。図２〜図４は、半導体レーザ装置８の製造方法の各工程を示す図である。なお、半導体レーザバー１は、端面近傍と中心領域（利得領域）とで断面形状に差異が生じるので、当該各工程を示す断面図を共振器端面近傍と利得領域とに分けて示す。すなわち、図２Ａおよび図３Ａは製造工程途中における半導体レーザバー１の平面図を示し、図２Ｂおよび図３Ｂはそれぞれ図２Ａおよび図３ＡのＣ−Ｃ'方向の断面図（利得領域の断面図）を示し、図２Ｃおよび図３Ｃはそれぞれ図２Ａおよび図３ＡのＤ−Ｄ'方向の断面図（共振器３の端面近傍の断面図）である。図４は、平坦部２を切断線３１に沿ってへき開した状態を示す平面図である。
【００３０】
まず、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、半導体基板１１上に、バッファ層１２、ｎ型クラッド層１３、活性層１４、ｐ型第１クラッド層１５、エッチングストップ層１６、ｐ型第２クラッド層１７、ｐ型中間層１８およびｐ型コンタクト層１９を化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて順次積層する。図２Ａにおける破線は、後の工程により第１端面６または第２端面７を形成するために、へき開される予定の線（以下、切断線と称す）３１を示す。図２Ａにおいて、第１領域３２ａ、第２領域３２ｂ、第３領域３２ｃは、それぞれ切断線３１により規定された領域である。
【００３１】
つぎに、ｐ型コンタクト層１９上にＳｉＯ2膜を形成し、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用いてパターニングすることにより、リッジ構造部５となる領域にストライプ形状のマスクパターン３３ａ〜３３ｃを形成する。各領域３２ａ〜３２ｃに形成されたＳｉＯ2マスクがそれぞれ、第１ＳｉＯ2マスク３３ａ、第２ＳｉＯ2マスク３３ｂ、第３ＳｉＯ2マスク３３ｃである。第１領域３２ａ、第２領域３２ｂ、第３領域３２ｃには、それぞれ同様に半導体レーザバー１が形成されるので、以下、第２領域３２ｂに関して詳細に説明する。
【００３２】
第２ＳｉＯ2マスク３３ｂは、第２領域３２ｂの切断線３１間に形成され、さらに切断線３１を跨ぐように、第１領域３２ａおよび第３領域３２ｃに延在して形成される。また、第２領域３２ｂのそれぞれの切断線３１の付近において、第２ＳｉＯ2マスク３３ｂに並行して、第１領域３２ａ、および第３領域３２ｃからそれぞれ延在した第１ＳｉＯ2マスク３３ａ、第３ＳｉＯ2マスク３３ｃが形成される。第１ＳｉＯ2マスク３３ａと第３ＳｉＯ2マスク３３ｃとは、一直線上に形成され、第２領域３２ｂで切断された破線状である。なお、第２ＳｉＯ2マスク３３ｂも、第１ＳｉＯ2マスク３３ａおよび第３ＳｉＯ2マスク３３ｃと、同様に、長手方向に対して、第１領域３２ａ、および第３領域３２ｃにおいて、切断された破線状である。
【００３３】
第２ＳｉＯ2マスク３３ｂを、共振器３における長さのばらつき許容範囲が±Ａである場合に、第１領域３２ａおよび第３領域３２ｃに延在した長さがそれぞれＡ／４となるように形成する。つまり、第２ＳｉＯ2マスク３３ｂと、第１ＳｉＯ2マスク３３ａの端部が長手方向に直交する方向に対して重なりあう長さは、Ａ／２である。具体的には、許容範囲が±１０μｍである場合、第１ＳｉＯ2マスク３３ａおよび第３ＳｉＯ2マスク３３ｃから第２領域３２ｂへ延在した長さがそれぞれ２．５μｍとなるように形成する。
【００３４】
また、第１リッジ構造部５ａおよび第３領域３２ｃのリッジ構造部（第３リッジ構造部５ｃ）と、第２リッジ構造部５ｂとを、第２リッジ構造部５ｂの長手方向に対して垂直な方向に、例えば１０μｍ離されるようにＳｉＯ2膜３３を形成する。
【００３５】
つぎに、当該マスクパターンを用いて、図３Ｂおよび図３Ｃに示すようにｐ型コンタクト層１９、ｐ型中間層１８およびｐ型第２クラッド層１７をエッチングし、リッジ構造部５を規定する。図３Ａに示すように、第１ＳｉＯ2マスク３３ａ、第２ＳｉＯ2マスク３３ｂ、第３ＳｉＯ2マスク３３ｃによりマスクされた部分がそれぞれ、第１リッジ構造部５ａ、第２リッジ構造部５ｂ、第３リッジ構造部５ｃとなる。リッジ構造部５は、長手方向にずれ、端部が隣接するリッジ構造部５の他の端部と長手方向に垂直な方向に対し一部が重なるように形成されている。
【００３６】
なお、本実施の形態では、リッジ構造部５を形成するために、例えば誘導結合型プラズマまたは反応性イオンプラズマを用いたドライエッチングと、ウェットエッチングとを併用して実施することができる。
【００３７】
つぎに、図示は省略しているが、マスクとして用いたＳｉＯ2膜３３を除去した後、リッジ構造部５の側面およびエッチングストップ層１６に電流ブロック層２０を形成する。このとき、リッジ構造部５において、共振器３となる予定の領域にマスクをし、マーク部４となる予定の領域（端部領域）にはマスクをせずに、電流ブロック層２０を形成する。ここで、端部領域とは、以下のへき開工程以前に規定されるので、実際にマーク部４となる部分に限らず、へき開前のリッジ構造部５の両端部から一定の領域（例えば、両端部からＡ／４の領域）のことである。このように形成することにより、半導体レーザとして発振させないマーク部４には、無効電流が流れず、余分な発熱を引き起こすことを防ぐことができる。つぎに、電流ブロック層２０およびｐ型コンタクト層１９上にｐ側電極２１を形成すると共に、半導体基板１１の裏面にｎ側電極２２を形成する。
【００３８】
つぎに、平坦部２およびリッジ構造部５を切断線３１に沿ってへき開させる。へき開は、一般的に用いられている方法、すなわち、リッジ構造部５の長手方向に対して直交する方向に平坦部２表面にスクライブ線を形成し、スクライブ線に沿ってウエハを加重して行う。
【００３９】
以上のような工程により、半導体レーザバー１を製造することができる。このように半導体レーザバー１を製造することで、へき開時に、第１リッジ構造部５ａおよび第３リッジ構造部５ｃの端部部分の両端部分がそれぞれ、第２領域３２ｂの平坦部２に残り、マーク部４として機能する。
【００４０】
次に、へき開後に行う、共振器３の共振器長が許容範囲内にあるか否かの検査方法について説明する。まず、第２領域３２ｂの半導体レーザバー１において、第１リッジ構造部５ａ、第３リッジ構造部５ｃから延在して形成されたマーク部４がそれぞれ存在するか否かを判断する。
【００４１】
図４は、共振器長が許容範囲内となるように、平坦部２およびリッジ構造部５をへき開した状態を示す平面図である。この場合、第２領域３２ｂにおいて、第１端面６および第２端面７付近にマーク部４が存在している。このことは、共振器３の両端部において、上述したように、共振器長の誤差がそれぞれ±５μｍ以内であり、共振器長の誤差が合計±１０μｍ以内であることを示している。
【００４２】
図５は、平坦部２およびリッジ構造部５をへき開した状態で、第２領域３２ｂの半導体レーザバー１において、一方の端部のみにマーク部４が存在する場合を示す平面図である。この場合、共振器３の共振器長が許容範囲外となる場合があるため、一方の端部のみにマーク部４が存在する半導体レーザバー１は、不良であると判断する。なお、半導体レーザバー１の両方の端部にマーク部４が存在しない場合も不良であると判断する。
【００４３】
つぎに、マーク部４が両端部に存在する半導体レーザバー１に対して、電流を流してレーザ発振するか否かを検査する。図４に示す半導体レーザバー１は、共振器長が許容範囲内であり、共振器３の両端がへき開されて形成されているので、電流が流れるとレーザ発振する。一方、図６の下側に示す半導体レーザバー１は、両端部にマーク部４が存在するが共振器３の一端がへき開されていないので、電流が流れてもレーザ発振しない。発振しない半導体レーザバー１を不良であると判断する。
【００４４】
以上のように、本実施の形態によれば、マーク部４の有無を光学顕微鏡等の検査装置での確認し、さらに半導体レーザバー１に電流を流してレーザ発振させることで、へき開後の共振器長が規格内であるか否かの検査を高精度でかつ容易に行え、検査時間を大幅に短縮することができる。また、ピックアップ等に組み込んだ後の検査で不良となる率が大幅に低減するため、コストを大きく低減することができる。
【００４５】
なお、上記検査で不良と判断されていない半導体レーザバーに対して、共振器ごとに切断し、配線などを行い半導体レーザ装置８を形成する。
【００４６】
次に、図示しないが、本実施の形態では、電流ブロック層２０がｎ型半導体層である例を示したが電流ブロック層２０は、これに限定されず、例えばＳｉ、ＳｉＮx、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＮｂＯx若しくは水素化アモルファスＳｉ等からなる単層膜であるかまたはこれらの単層膜が２つ以上積層された多層膜の誘電体膜であってもよい。
【００４７】
また、本実施の形態はモノリシック多波長半導体レーザ装置をはじめ青紫半導体レーザ装置などの導波路を有する半導体レーザ装置全般への適用が可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、共振器長のばらつきを簡便に管理して光軸ぶれの少ない半導体レーザ装置を提供でき、光ディスク装置等に用いられる半導体レーザ装置の製造に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１Ａ】本発明の実施の形態に係る半導体レーザバーの構成を示す平面図
【図１Ｂ】同上半導体レーザバーの構成を示すＡ−Ａ'断面図
【図１Ｃ】同上半導体レーザバーの構成を示すＢ−Ｂ'断面図
【図２Ａ】本発明の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造工程を示す平面図
【図２Ｂ】同上半導体レーザ装置の製造工程を示すＣ−Ｃ'断面図
【図２Ｃ】同上半導体レーザ装置の製造工程を示すＤ−Ｄ'断面図
【図３Ａ】図２Ａのつぎの工程を示す平面図
【図３Ｂ】図２Ａのつぎの工程を示すＣ−Ｃ'断面図
【図３Ｃ】図２Ａのつぎの工程を示すＤ−Ｄ'断面図
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体レーザバーのへき開された状態を示す平面図
【図５】同上半導体レーザバーの別の位置でへき開された状態を示す平面図
【図６】同上半導体レーザバーの別の位置でへき開された状態を示す平面図
【符号の説明】
【００５０】
１  半導体レーザバー
２  平坦部
３  共振器
４  マーク部
５  リッジ構造部
５ａ  第１リッジ構造部
５ｂ  第２リッジ構造部
５ｃ  第３リッジ構造部
６  第１端面
７  第２端面
１１  半導体基板
１２  バッファ層
１３  ｎ型クラッド層
１４  活性層
１５  ｐ型第１クラッド層
１６  エッチングストップ層
１７  ｐ型第２クラッド層
１８  ｐ型中間層
１９  ｐ型コンタクト層
２０  電流ブロック層
２１  ｐ側電極
２２  ｎ側電極
３１  切断線
３２ａ  第１領域
３２ｂ  第２領域
３２ｃ  第３領域
３３ａ  第１ＳｉＯ2マスク
３３ｂ  第２ＳｉＯ2マスク
３３ｃ  第３ＳｉＯ2マスク
【図１Ａ】
2009054636.tif 000003
【図１Ｂ】
2009054636.tif 000004
【図１Ｃ】
2009054636.tif 000005
【図２Ａ】
2009054636.tif 000006
【図２Ｂ】
2009054636.tif 000007
【図２Ｃ】
2009054636.tif 000008
【図３Ａ】
2009054636.tif 000009
【図３Ｂ】
2009054636.tif 000010
【図３Ｃ】
2009054636.tif 000011
【図４】
2009054636.tif 000012
【図５】
2009054636.tif 000013
【図６】
2009054636.tif 000014