(57)【要約】【課題】ＩＴＯ層を透明電極として用いる場合、導電性を有する異物が形成される場合がある。このような異物が発生すると、特に有機ＥＬ装置では、数１０ｎｍの層厚で構成される有機発光層を突き抜け、対向電極と電気的に短絡し、表示されない領域が発生する。また、電気的に短絡した場所と配線が繋がっている領域では、電気的な短絡により生じる電圧降下により、線状の欠陥が発生し、表示画質を劣化させる要因となっている。【解決手段】ＩＴＯ層を３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する。ＩＴＯ層を形成する際に副次的に生じる異物はＩＴＯ層と組成が異なり、錫過剰の酸化物を含んでいるため、温水と反応してＩＴＯ層から剥離する。一方、ＩＴＯ層は温水に対して耐性を有しているため、異物を選択的に除去することが可能となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）層を３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程を含むことを特徴とするＩＴＯ層の製造方法。
【請求項２】
ＩＴＯ層を酸性洗浄液で洗浄する工程と、
３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程を含むことを特徴とするＩＴＯ層の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のＩＴＯ層の製造方法であって、前記酸性洗浄液は、燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸、またはこれらの混合液、または前記混合液を水で希釈した液体、または燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸単体を水で希釈した液体であることを特徴とするＩＴＯ層の製造方法。
【請求項４】
ＩＴＯ層を電解酸化水で洗浄する工程と、
３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程を含むことを特徴とするＩＴＯ層の製造方法。
【請求項５】
ＩＴＯ層を電解酸化水で洗浄する工程と、
酸性洗浄液で洗浄する工程と、
を順不同で含み、
３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程と、を含むことを特徴とするＩＴＯ層の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のＩＴＯ層の製造方法であって、前記酸性洗浄液は、燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸、またはこれらの混合液、または、前記混合液を水で希釈した液体、または燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸単体を水で希釈した液体であることを特徴とするＩＴＯ層の製造方法。
【請求項７】
請求項４または５に記載のＩＴＯ層の製造方法であって、前記電解酸化水は炭酸アンモニウム水溶液を用いて製造されることを特徴とするＩＴＯ層の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のＩＴＯ層の製造方法を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＴＯ層の製造方法及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置としての、液晶装置や有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）装置には、透明電極となるＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）層が電極として用いられている。導電性を有する透明な物質は少なく、透明電極としてＩＴＯ層は重要な役割を果たしている。
【０００３】
ＩＴＯ層を透明電極として用いる場合、導電性を有する異物が形成される場合がある。このような異物が発生すると、特に有機ＥＬ装置では、数１０ｎｍの層厚で構成される有機発光層を突き抜け、対向電極と電気的に短絡し、表示されない領域が発生する。また、電気的に短絡した場所と配線が繋がっている領域では、電気的な短絡により生じる電圧降下により、線状の欠陥が発生し、表示画質を劣化させる要因となっている。
【０００４】
このような現象を抑制するため、有機ＥＬ装置を製造する場合にはレーザリペアと呼ばれる工程が行われている。具体的には、有機ＥＬ装置の全画素を点灯させる操作を行い、非発光の有機ＥＬ素子を検出し、続けてレーザ光を照射し欠陥部分を切り離す操作を行うものである。具体的には、組成不明な異物を回避するよう、異物周辺をレーザで焼き切り、電気的に切り離す操作を行う。この技術は公知であり、例えば特許文献１に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２７６６００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レーザで焼き切る技術を用いた場合、焼き切られた領域は常に黒い状態となり、有機ＥＬ装置の画質を低下させるという課題がある。また、有機ＥＬ装置が大画面化する毎に、暗点探索・修復工程にかかる負荷が上昇し、特に大画面化を進める際に大きな課題となる。また、微細な領域で短絡が起きている場合、その位置の検出に要する時間が長くなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。ここで、「温水」とは、純水や超純水を加熱して得られたものを含んでいる。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかるＩＴＯ層の製造方法は、ＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）層を３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程を含むことを特徴とする。
【０００９】
これによれば、ＩＴＯ層を形成する際に副次的に生じる異物を選択的に除去することができる。副次的に生じる異物はＩＴＯ層と組成が異なり、錫過剰の酸化物を含んでいるため、温水と反応させてＩＴＯ層から剥離することができる。一方、ＩＴＯ層は温水に対して耐性を有している。従って、異物を選択的に除去することが可能となる。この場合、３０℃以上の温度を有する温水で洗浄することで実用的な速度で異物の除去が可能となる。そして、６０℃以下の温水で洗浄することでＩＴＯ層に与える損傷を抑制することが可能となり、蒸気によるむらなどの発生を最小限に押さえることができる。
【００１０】
［適用例２］本適用例にかかるＩＴＯ層の製造方法は、ＩＴＯ層を酸性洗浄液で洗浄する工程と、３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程を含むことを特徴とする。
【００１１】
これによれば、ＩＴＯ層を形成する際に副次的に生じる異物を選択的に除去することができる。副次的に生じる異物はＩＴＯ層と組成が異なる錫過剰の酸化物を含んでいるため、酸性洗浄液に対して、ＩＴＯ層と選択比を取り、選択的に反応させることができる。そのため、異物とＩＴＯ層との密着性を低下させることができる。この状態で温水洗浄を行うことで、ＩＴＯ層との密着性が低下した異物は温水と反応して剥離される。一方、ＩＴＯ層は温水に対して耐性を有しているため、異物を選択的に除去することが可能となる。この場合、３０℃以上の温度を有する温水で洗浄することで実用的な速度で異物の除去が可能となる。そして、６０℃以下の温水で洗浄することでＩＴＯ層に与える損傷を抑制することが可能となり、蒸気によるむらの発生などを最小限に押さえることができる。
【００１２】
［適用例３］上記記載のＩＴＯ層の製造方法は、前記酸性洗浄液は、燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸、またはこれらの混合液、または前記混合液を水で希釈した液体、または燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸単体を水で希釈した液体であることを特徴とする。
【００１３】
上記した適用例によれば、ＩＴＯ層を用いる電気光学装置の製造工程で好適に用いられる物質の組合せで異物を選択的に除去することが可能となる。また、酸性洗浄液で洗浄した後、温水で洗浄することで、酸性洗浄液をＩＴＯ層上から除去した状態にすることができ、次工程を酸汚染無しで行うことが可能となる。
【００１４】
［適用例４］本適用例にかかるＩＴＯ層の製造方法は、ＩＴＯ層を電解酸化水で洗浄する工程と、３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程を含むことを特徴とする。
【００１５】
これによれば、ＩＴＯ層を形成する際に副次的に生じる異物を選択的に除去することができる。副次的に生じる異物はＩＴＯ層と組成が異なるインジウム過剰の物質を含んでいるため、電解酸化水に対して、ＩＴＯ層と選択比を取り、選択的に反応させることができる。そのため、異物とＩＴＯ層との密着性を低下させることができる。この状態で温水洗浄を行うことで、ＩＴＯ層との密着性が低下した異物は温水と反応して剥離される。一方、ＩＴＯ層は温水に対して耐性を有しているため、異物を選択的に除去することが可能となる。この場合、３０℃以上の温度を有する温水で洗浄することで実用的な速度で異物の除去が可能となる。そして、６０℃以下の温水で洗浄することでＩＴＯ層に与える損傷を抑制することが可能となり、蒸気によるむらの発生などを最小限に押さえることができる。
【００１６】
［適用例５］本適用例にかかるＩＴＯ層の製造方法は、ＩＴＯ層を電解酸化水で洗浄する工程と、酸性洗浄液で洗浄する工程と、を順不同で含み、３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
これによれば、錫過剰の酸化物とインジウム過剰の物質に起因する異物を除去することができる。錫過剰の酸化物は、酸性洗浄液を用いて、ＩＴＯ層と選択比を取り、選択的に反応させ、異物とＩＴＯ層との密着性を低下させることができる。インジウム過剰の物質は、電解酸化水を用いて、ＩＴＯ層と選択比を取り、選択的に反応させ、異物とＩＴＯ層との密着性を低下させることができる。この状態で温水洗浄を行うことで、ＩＴＯ層との密着性が低下した異物は温水と反応して剥離される。一方、ＩＴＯ層は温水に対して耐性を有しているため、異物を選択的に除去することが可能となる。この場合、３０℃以上の温度を有する温水で洗浄することで実用的な速度で異物の除去が可能となる。そして、６０℃以下の温水で洗浄することでＩＴＯ層に与える損傷を抑制することが可能となり、蒸気によるむらの発生などを最小限に押さえることができる。
【００１８】
［適用例６］上記記載のＩＴＯ層の製造方法は、前記酸性洗浄液は、燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸、またはこれらの混合液、または、前記混合液を水で希釈した液体、または燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸単体を水で希釈した液体であることを特徴とする。
【００１９】
上記した適用例によれば、ＩＴＯ層を用いる電気光学装置の製造工程で好適に用いられる物質の組合せで異物を選択的に除去することが可能となる。また、酸性洗浄液や電解酸化水で洗浄した後、温水で洗浄することで、酸性洗浄液や電解酸化水をＩＴＯ層上から除去した状態にすることができ、次工程を酸汚染無しで行うことが可能となる。
【００２０】
［適用例７］上記記載のＩＴＯ層の製造方法は、前記電解酸化水は炭酸アンモニウム水溶液を用いて製造されることを特徴とする。
【００２１】
上記した適用例によれば、アルカリ金属やアルカリ土類金属を用いることなく電解酸化水を製造することができる。そのため、アルカリ金属やアルカリ土類金属に起因するＩＴＯ層を駆動する半導体層への汚染を確実に抑えることが可能となる。
【００２２】
［適用例８］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、上記記載のＩＴＯ層の製造方法を含むことを特徴とする。
【００２３】
この製造方法によれば、ＩＴＯ層に残留する異物の数を、上記したＩＴＯ層の製造方法を用いない場合と比べ低減させることが可能となり、画質に優れた電気光学装置の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を用いて説明する。
【００２５】
（電解酸化水供給装置）
まず、本実施形態で用いられる電解酸化水の供給装置について、図面を用いて説明する。図１は、電解酸化水供給装置が果たす機能を説明する模式断面図である。電解酸化水供給装置２００は、電解質容器２０１、電解酸化水容器２０２、電解還元水容器２０３、イオン交換膜２０４，２０５、陽極２０６、陰極２０７、電源２０８を含む。
【００２６】
電解質容器２０１中には炭酸アンモニウムの飽和水溶液が、電解酸化水容器２０２中には電解酸化水が、電解還元水容器２０３中には電解還元水が、それぞれ配置されている。以下、電解酸化水の発生機構について説明する。初期状態では、電解酸化水容器２０２、電解還元水容器２０３中には純水が配置され、電解質容器２０１内には炭酸アンモニウムの飽和水溶液が配置されている。電源２０８から陰極２０７に電子を供給し、陽極２０６から電子を吸い上げるよう電流を供給すると、陽極２０６側では水の電気分解により以下の反応が生じる。
２Ｈ2Ｏ→Ｏ2＋４Ｈ+＋４ｅ-
また、炭酸イオンがイオン交換膜２０４を介して侵入するため、以下の反応も生じる。
２（ＣＯ3）2-→２ＣＯ2＋Ｏ2＋４ｅ-
上記した反応により、電解酸化水容器２０２中の水は酸性を有し、さらに高い酸化性を備えた電解酸化水となる。電解酸化水のｐＨは例えば２〜３程度であり、酸化還元電位（ＯＲＰ）は例えば９００（ｍＶｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）程度の値を有している。そして、陰極２０７側では同様に水の電気分解により、以下の反応が生じる。
２Ｈ2Ｏ＋２ｅ-→２ＯＨ-＋Ｈ2
また、アンモニウムイオンがイオン交換膜２０５を介して侵入するため、以下の反応も生じる。
２（ＮＨ4）+＋２ｅ-→２ＮＨ3＋Ｈ2
上記した反応により、電解還元水容器２０３中の水はアルカリ性を有し、さらに高い還元性を備えた電解還元水となる。電解還元水のｐＨは例えば１０程度であり、酸化還元電位（ＯＲＰ）は例えば−７００（ｍＶｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）程度の値を有している。
【００２７】
このような電解酸化水を供給することで、アルカリ金属、アルカリ土類金属を使わずに電解酸化水を供給することが可能となる。ここで、炭酸アンモニウムの濃度は必ずしも飽和水溶液である必要はなく、濃度を下げても電解酸化水を提供することが可能である。また、後工程で十分な洗浄を行うことが可能な場合、電解酸化水の発生用に、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含む溶液を電解質容器２０１内に配置することも可能である。
【００２８】
（平行平板型スパッタ装置）
次に、本実施形態にかかるＩＴＯ層を形成する装置について説明する。図２は、平行平板型スパッタ装置３００の構成を示す断面図である。平行平板型スパッタ装置３００は、陽極３０１、チャンバー３０２、ガス導入部３０３、排気部３０４、陰極３０５、ＩＴＯターゲット３０６、磁石３０７、ＲＦ電源３０８、を含む。
【００２９】
陽極３０１は、陰極３０５と協働して、ＲＦ電源３０８より供給される高周波電力を用いてプラズマを発生させている。また、ＲＦ電源３０８は直流のバイアス電圧を供給する機能も有しており、陽極３０１と陰極３０５との間にはバイアス電圧が印加されている。そして、磁石３０７により発生する磁場で、プラズマの状態を制御している。
【００３０】
ガス導入部３０３は、スパッタ用のガスとして例えばＡｒガスを供給する。そして排気部３０４と協働してチャンバー３０２内部の圧力を制御する。そして、チャンバー３０２は、内圧が凡そ５０Ｐａ程度の圧力に保たれるよう制御されている。
【００３１】
陽極３０１と、陰極３０５との間に発生したプラズマはＩＴＯターゲット３０６をスパッタする。スパッタされたＩＴＯは、ガラス基板１に堆積され、ＩＴＯ層２を形成する。
【００３２】
平行平板型スパッタ装置３００は、構造が簡単であることから整備性に優れており、安定性高くＩＴＯ層２を形成することが可能となる。
【００３３】
（ＩＴＯ層の製造方法−１：温水を用いた洗浄工程）
以下、ＩＴＯ層２を形成した後、有機ＥＬ装置等で欠陥を発生させる異物を除去すべく温水を用いた洗浄工程を含むＩＴＯ層の製造方法について説明する。図３（ａ），（ｂ）は、温水洗浄により異物が除去される状況を説明するための模式断面図である。
【００３４】
まず、ガラス等を用いた基板本体１Ａの一方の面に薄膜トランジスタ（：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと称する）等が形成され（図示せず）、層間絶縁層が形成されたガラス基板１を２２０℃で６０分間ベークする。この工程を行うことで、後述するＩＴＯ層２とガラス基板１との密着性が向上する。
【００３５】
次に、上述した平行平板型スパッタ装置３００に装着し、ＩＴＯ層２を形成する。ここで、平行平板型スパッタ装置３００に代えて蒸着装置や、プラズマコーティング装置を用いても良い。この工程で、異物４０２Ａが副次的に生じる。この状態を示す断面図を図３（ａ）に示す。
【００３６】
次に、ガラス基板１に形成されたＩＴＯ層２を改質するために２２０℃で６０分間ベークする。ベークすることで、ＩＴＯ層２は結晶化し、耐薬品性が向上し、後述する異物除去工程で損傷を受けにくくなるので好適である。なお、このベーク工程は省略可能であり、ベーク工程を省略することでＩＴＯ層２の耐薬品性は低下するが、異物４０２Ａの耐薬品性も同時に低下するため、ＩＴＯ層２と異物４０２Ａとの間の選択比を取ることが可能となる。本実施形態では、ＩＴＯ層２を改質するために２２０℃で６０分間ベークする工程を行った場合について説明を続ける。
【００３７】
異物は、ＩＴＯ層２の組成と異なるものが支配的であり、例えば錫過剰の酸化物（異物４０２Ａ）が含まれている。異物４０２ＡとＩＴＯ層２との組成が異なることで、ＩＴＯ層２と異物４０２Ａとの間で選択比を確保することが可能となる。そのため、洗浄工程により異物を選択的に除去することが可能となる。具体的には、ＩＴＯ層２と異物４０２Ａとの間で選択比を取れる温度として３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水中にＩＴＯ層２を形成したガラス基板１を浸した場合、以下のような反応が生じる。
ＳｎＯ＋Ｈ2Ｏ⇔ＳｎＯ2＋２Ｈ+
図３（ｂ）は、この反応によりＩＴＯ層２から異物４０２Ａが剥れていく工程を模式化した断面図である。異物４０２Ａの化学反応速度はＩＴＯ層２に比べて速いため、異物４０２ＡとＩＴＯ層２との間で選択比を取ることができる。そして、この反応により、異物４０２ＡのＩＴＯ層２との付着強度が低下し、異物４０２ＡはＩＴＯ層２から剥れていく。即ち、上記した工程を行うことで異物を選択的に除去することが可能とするＩＴＯ層２の製造方法を提供することが可能となる。なお、温水洗浄後、常温の超純水等を用いて洗浄を行う工程を追加しても良い。
【００３８】
（ＩＴＯ層の製造方法−２：酸性洗浄液と温水を用いた洗浄工程）
以下、ＩＴＯ層２を形成した後、有機ＥＬ装置等で欠陥を発生させる異物４０２Ａを除去すべく酸性洗浄液を用いた洗浄工程と、温水を用いた洗浄工程を含むＩＴＯ層２の製造方法について図４を用いて説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は異物の除去を本実施形態にかかる洗浄工程を用いて行う工程を説明するための工程断面図である。なお、以下の説明では上述したものと同様の部分については重複を避けるため、記載を省いている。ここで、ＩＴＯ層２を形成した後の工程断面図を図４（ａ）に示す。
【００３９】
異物は、ＩＴＯ層２の組成と異なるものが支配的であり、例えば錫過剰の酸化物（異物４０２Ａ）が含まれている。異物４０２ＡとＩＴＯ層２との組成が異なることで、ＩＴＯ層２と異物４０２Ａとの間で選択比を確保することが可能となる。そのため、洗浄工程で異物４０２Ａを選択的に除去することが可能となる。具体的には、例えば燐酸を主として、硝酸と酢酸を加えたものを酸性洗浄液として用い、ＩＴＯ層２を形成したガラス基板１を浸した場合、以下のような反応が生じる。
ＳｎＯ2＋２Ｈ+＋２ｅ-⇔ＳｎＯ＋Ｈ2Ｏ
異物４０２Ａの化学反応速度はＩＴＯ層２に比べて速いため、異物４０２ＡとＩＴＯ層２との間で選択比を取ることができる。そして、この反応により、異物４０２ＡのＩＴＯ層２との付着強度が低下する。この工程後の工程断面図を図４（ｂ）に示す。そして３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水中にＩＴＯ層２を形成したガラス基板１を浸すことで、異物４０２Ａが剥離される。即ち、異物４０２Ａを選択的に除去することが可能となる。図４（ｃ）は、この反応によりＩＴＯ層２から異物４０２Ａが剥れていく工程を模式化した断面図である。３０℃以上の温度を有する温水で洗浄することで実用的な速度で異物の除去が可能となる。この場合、６０℃以下の温水で洗浄することでＩＴＯ層２に与える損傷を抑制することが可能となり、蒸気によるむらの発生などを最小限に押さえることができる。また、酸性洗浄液処理後、温水処理を行うことでガラス基板１から酸性洗浄液を除去することが可能となり、酸性洗浄液に起因する物質による影響を次工程に与えることがなくなるため、清浄度を維持することが可能となる。
【００４０】
ここで用いる酸性水溶液としては、乳酸やクエン酸等一般的な酸を用いることが可能であるが、その中でも特に、燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸、またはこれらの混合液、または、上記混合液を水で希釈した液体、または燐酸、硝酸、酢酸、塩酸、硫酸単体を水で希釈した液体を用いることが好適であり、ＩＴＯ層２を含む電気光学装置における有機ＥＬ装置１０（図８参照）の製造工程で用いられる物質の組合せで異物４０２Ａを選択的に除去することが可能となる。そのため、新規物質の導入に伴う予期せぬ汚染の発生を回避することが可能となる。上記した工程を行うことで異物を選択的に除去することが可能とするＩＴＯ層２の製造方法を提供することが可能となる。なお、温水洗浄後、常温の超純水等を用いて洗浄を行う工程を追加しても良い。
【００４１】
（ＩＴＯ層の製造方法−３：電解酸化水と温水を用いた洗浄工程）
以下、ＩＴＯ層２を形成した後、有機ＥＬ装置等で欠陥を発生させる異物を除去すべく電解酸化水を用いた洗浄工程と、温水を用いた洗浄工程を含むＩＴＯ層２の製造方法について説明する。図５（ａ）〜（ｃ）は、電解酸化水洗浄と温水洗浄により異物が除去される状況を説明するための模式断面図である。なお、以下の説明では上述したものと同様の部分については重複を避けるため、記載を省いている。
【００４２】
異物には、錫過剰の酸化物としての異物４０２Ａの他に、金属インジウムに近い組成を有する異物４０２Ｂが存在する。４０２Ｂが存在する状態での断面図を図５（ａ）に示す。この異物４０２Ｂの除去には、電解酸化水を用いることが好適となり、ＩＴＯ層２と異物４０２Ｂとの間で選択比を確保することが可能となる。電解酸化水としては、ｐＨが例えば２〜３程度、酸化還元電位（ＯＲＰ）が例えば９００（ｍＶｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）程度の値を有するものを用いることができる。この場合には、以下のような反応が生じ、異物４０２ＢのＩＴＯ層２への結合状態が緩む。
Ｉｎ→Ｉｎ3+＋３ｅ-
Ｉｎ3+＋ＯＨ-→ＩｎＯＨ2+
【００４３】
一方、ＩＴＯ層２は電解酸化水に対して耐性があり、異物４０２Ｂとの間で選択比を取ることができる。そして、この反応により、異物４０２ＢとＩＴＯ層２との付着強度が低下する。この状態での工程断面図を図５（ｂ）に示す。ここで、３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水中に浸すことで異物４０２ＢはＩＴＯ層２から剥離する。図５（ｃ）は、この反応によりＩＴＯ層２から異物４０２Ｂが剥れていく工程を模式化した工程断面図である。
【００４４】
電解酸化水製造に用いる物質としては、アルカリ金属を除去するため十分な洗浄を行うことが可能な場合には塩化ナトリウム等を用いても良い。また、アルカリ金属による汚染を確実に防止するためには、炭酸アンモニウム等、アルカリ金属を用いない電解質を用いることが好適である。上記した工程を行うことで、異物を選択的に除去しうるＩＴＯ層２の製造方法を提供することが可能となる。なお、温水洗浄後、常温の超純水等を用いて洗浄を行う工程を追加しても良い。
【００４５】
（ＩＴＯ層の製造方法−４：酸性洗浄液と電解酸化水と温水を用いた洗浄工程）
以下、ＩＴＯ層２を形成した後、有機ＥＬ装置等で欠陥を発生させる異物４０２Ａ，４０２Ｂを除去すべく酸性洗浄液を用いた洗浄工程と、電解酸化水を用いた洗浄工程と、温水を用いた洗浄工程を含むＩＴＯ層２の製造方法について図６を用いて説明する。なお、以下の説明では上述したものと同様の部分については重複を避けるため、記載を省いている。図６（ａ）〜（ｄ）は、ＩＴＯ層２を形成した後、異物を除去する工程を示す工程断面図である。
【００４６】
ここで、酸性洗浄液と電解酸化水による洗浄工程は順不同で行えるが、ここでは、酸性洗浄液を用いた洗浄工程の次に電解酸化水を用いた洗浄工程を行い、３０℃以上６０℃以下の温度を有する温水で処理する場合について説明する。また、電解酸化水を用いた洗浄工程と、温水を用いた洗浄工程との間に別の工程を挿入しても良い。
【００４７】
ガラス基板１に重ねてＩＴＯ層２を形成した場合、図６（ａ）のように異物４０２Ａ，４０２Ｂが副次的に形成される。ここで、まず酸性洗浄液を用いて洗浄した場合、図６（ｂ）に示すように異物４０２ＡとＩＴＯ層２との付着強度が低下する。次に、水洗により酸性洗浄液を置換する。ここで、３０℃以上６０℃以下の温水を用いても良く、この場合にはこの工程で異物４０２Ａを除去することができる。また、酸性洗浄液を置換する工程は省略可能であり、酸性洗浄液がガラス基板１に付着した状態で次工程を行っても良い。本実施形態では、常温の水洗を行う場合について説明を続ける。水洗後、電解酸化水を用いて洗浄した場合、異物４０２ＢとＩＴＯ層２との付着強度が低下する。この状態を図６（ｃ）に示す。次に、３０℃以上６０℃以下の温水を用いて洗浄する。この工程により、異物４０２Ａ，４０２Ｂが除去される。この状態を図６（ｄ）に示す。このＩＴＯ層２の製造工程を用いることで、錫過剰の異物とインジウム過剰の異物を共に除去し得るＩＴＯ層２の製造方法を提供することが可能となる。なお、温水洗浄後、常温の超純水等を用いて洗浄を行う工程を追加しても良い。
【００４８】
（平行平板型スパッタ装置のターゲット構造）
以下、ＩＴＯ層２を形成するための平行平板型スパッタ装置３００におけるＩＴＯターゲット３０６の構造について説明する。図７（ａ），（ｂ）は、図２で記載したＩＴＯターゲット３０６の平面構造を説明するための平面図である。例えば一辺が５００ｍｍのガラス基板１を用いる場合、図７（ａ）に示すように単位ＩＴＯターゲット３０６Ａを３つ程度用いる必要がある。
【００４９】
平行平板型スパッタ装置３００を用いる場合、ガラス基板１の寸法と同程度の面積を有するＩＴＯターゲット３０６を用いることが必要となる。この場合、複数の単位ＩＴＯターゲット３０６Ａを用いタイル状に配置することが必要となるが、単位ＩＴＯターゲット３０６Ａの継ぎ目から、図６（ａ）に示すような、異物４０２Ａ，４０２Ｂが発生する。ここで、ガラス基板１の寸法が大きくなるにつれて、ＩＴＯターゲット３０６に望まれる寸法は大きくなるが、製造上の問題から単位ＩＴＯターゲット３０６Ａの寸法を大きくすることが困難となる。
【００５０】
ここで、上記したように異物４０２Ａ，４０２Ｂを除去することができれば、単位ＩＴＯターゲット３０６Ａを小さくしても、異物４０２Ａ，４０２Ｂが取り除かれたＩＴＯ層２を得ることが可能となり、製造しやすい寸法で単位ＩＴＯターゲット３０６Ａを構成することができる。図７（ｂ）は、単位ＩＴＯターゲット３０６Ａを敷き詰めて、大型化したＩＴＯターゲット３０６Ｎを形成した平面図である。図７（ｂ）に示すように、ガラス基板１の大型化が進み、例えば一辺が１０００ｍｍのＩＴＯターゲット３０６Ｎを用いる場合でも、異物４０２Ａ，４０２Ｂを取り除けることで、単位ＩＴＯターゲット３０６Ａの寸法を増加させることなくＩＴＯターゲット３０６Ｎを構成することが可能となる。
【００５１】
（電気光学装置の製造方法）
以下、ＩＴＯ層２の製造方法を用いた応用例として、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。図８は、ＩＴＯ層２を含む有機ＥＬ装置１０の等価回路図である。ここで、「上」とは、各図面の上方向を指すものとする。
【００５２】
図８に示す有機ＥＬ装置１０は、スイッチング素子としてＴＦＴ１２２，１２３を有している。ＴＦＴ１２２，ＴＦＴ１２３を用いたアクティブマトリクス方式のものを用いる場合、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有すると共に、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、サブ画素４０が設けられている。
【００５３】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。サブ画素４０の各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１２２と、スイッチング用のＴＦＴ１２２を介して信号線１０２と共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、が含まれる。そして、保持容量１１３によって保持される画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２３と、ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに、当該電源線１０３から駆動電流が与えられる画素電極２３と、画素電極２３と対向する対向電極５０との間に挟み込まれた有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、が設けられている。
【００５４】
以下、有機ＥＬ装置１０の製造方法について説明する。図９（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ装置１０の製造方法を説明するための工程断面図、図１０は以下に示される製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置１０の平面図である。
【００５５】
まず、ＴＦＴ１２２，ＴＦＴ１２３（図８参照）を含み、層間絶縁層４０１が形成されたガラス基板１に対して、ＩＴＯ層２を上述した平行平板型スパッタ装置３００（図２参照）を用いて製造する。ここで、平行平板型スパッタ装置３００に代えて蒸着装置や、プラズマコーティング装置を用いても良い。この工程で、錫過剰の酸化物を含む異物４０２Ａ、金属インジウムに近い組成を有する異物４０２Ｂが副次的に生じる。この状態を示す断面図を図９（ａ）に示す。
【００５６】
異物４０２Ａ，４０２Ｂが残る場合、陽極となるＩＴＯ層２と陰極２１９（図９（ｄ）参照）との短絡により黒線が発生して、有機ＥＬ装置１０の画質が低下する。黒線状の欠陥が発生した場合、短絡している箇所を探索し、除去する工程が必要となり、特に大画面化・高精細化した有機ＥＬ装置では、この修正工程に必要とする時間が長くなるため、生産性が低下する。また、黒線欠陥を修正しても黒点欠陥が残り、画質の低下は避けられない。ここで、透明電極の異物を化学的に取り除くことで、暗点探索・修復工程にかかる負荷を抑えることが可能となる。
【００５７】
次に、酸性洗浄液により、ＩＴＯ層２が形成されたガラス基板１を洗浄する。そして、３０℃以上６０℃以下の温水を用いて洗浄を行う。この洗浄を行うことで、異物４０２Ａを除去することができる。この工程を終えた状態を図９（ｂ）に示す。ここで、温水を用いて洗浄した後に、常温の超純水等を用いて洗浄を行う工程を追加しても良い。
【００５８】
次に、電解酸化水を用いて、ＩＴＯ層２が形成されたガラス基板１を洗浄する。そして、３０℃以上６０℃以下の温水を用いて洗浄する。この洗浄を行うことで、異物４０２Ｂを除去することができる。この工程を終えた状態を図９（ｃ）に示す。ここで、温水を用いて洗浄した後に、常温の超純水等を用いて洗浄を行う工程を追加しても良い。
【００５９】
次に、第１隔壁２１５、第２隔壁２１６を形成した後、正孔輸送層２１７、有機発光層２１８を液滴吐出法等の製造工程を用いて形成する。そしてスパッタ法等を用いて陰極２１９、金属電極２２０を形成し、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を形成する。そして、データ線駆動回路１００等と接続させることで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を含む有機ＥＬ装置１０が形成される。この工程を終えた状態を図９（ｄ）に示す。有機ＥＬ装置１０は、線欠陥につながる異物４０２Ａ，４０２Ｂを予め除去しているため、欠陥数が抑えられる。そのため、表示品質の良い有機ＥＬ装置１０の製造方法を提供することが可能となる。
【００６０】
次に、図１０を用いて有機ＥＬ装置１０について説明する。図１０に示すように、ガラス基板１の実表示領域４には、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応して設けられたサブ画素４０（図８参照）に含まれる有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）がマトリクス状に規則的に配置される。そして有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応するサブ画素４０を一組として画素４１が構成される。本実施形態において画素部３（図中一点鎖線枠内）は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。そして、実表示領域４を挟むように、走査線駆動回路８０が配置される。
【００６１】
また、実表示領域４上方には検査回路９０が配置されている。検査回路９０は、有機ＥＬ装置１０の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時におけるカラー有機ＥＬディスプレイの品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。有機ＥＬ装置１０の製造方法を用いることで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）における電極間ショートの発生が抑えられる。そのため、線欠陥の発生が抑えられた高品質の画像が得られる有機ＥＬ装置１０を製造し得る製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】電解酸化水供給装置が果たす機能を説明する模式断面図。
【図２】平行平板型スパッタ装置の構成を示す断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は、温水洗浄により異物を剥がしていく状況を説明するための模式断面図。
【図４】酸性洗浄液による洗浄と、温水洗浄によりＩＴＯ層から異物を剥がしていく工程を模式化した断面図。
【図５】電解酸化水による洗浄と、温水洗浄によりＩＴＯ層から異物を剥がしていく工程を模式化した断面図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、ＩＴＯ層を形成した後、異物を除去する工程を示す工程断面図。
【図７】（ａ），（ｂ）は、ＩＴＯターゲットの平面構造を説明するための平面図。
【図８】ＩＴＯ層を含む有機ＥＬ装置の等価回路図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１０】有機ＥＬ装置の平面図。
【符号の説明】
【００６３】
１…ガラス基板、１Ａ…基板本体、２…ＩＴＯ層、３…画素部、４…実表示領域、５…ダミー領域、１０…有機ＥＬ装置、１７…有機ＥＬ素子、２３…画素電極、４０…サブ画素、５０…対向電極、８０…走査線駆動回路、９０…検査回路、１００…データ線駆動回路、１０１…走査線、１０２…信号線、１０３…電源線、１１３…保持容量、１２２…ＴＦＴ、１２３…ＴＦＴ、２００…電解還元水供給装置、２０１…電解質容器、２０２…電解酸化水容器、２０３…電解還元水容器、２０４…イオン交換膜、２０５…イオン交換膜、２０６…陽極、２０７…陰極、２０８…電源、２１５…第１隔壁、２１６…第２隔壁、２１７…正孔輸送層、２１８…有機発光層、２１９…陰極、２２０…金属電極、３００…平行平板型スパッタ装置、３０１…陽極、３０２…チャンバー、３０３…ガス導入部、３０４…排気部、３０５…陰極、３０６…ＩＴＯターゲット、３０６Ａ…単位ＩＴＯターゲット、３０６Ｎ…ＩＴＯターゲット、３０７…磁石、３０８…ＲＦ電源、４０１…層間絶縁層、４０２Ａ…異物、４０２Ｂ…異物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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