(57)【要約】【課題】複数のチップ厚のチップを、スループットを低下させることなく且つ製造コストを増大させることなく製造する。【解決手段】表面に複数のチップに対応した半導体回路が形成されたウェハの裏面を研削してウェハ厚を第１の厚さにし（ステップＳ３）、そのウェハから第１の厚さのチップを取り出し（ステップＳ４）、さらにウェハの裏面を研削してウェハ厚を第２の厚さにし（ステップＳ５）、そのウェハから第２の厚さのチップを取り出す（ステップＳ６）。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のチップに対応した半導体回路が形成されたウェハの裏面を研削し、ウェハ厚を第１の厚さにする第１研削工程と、
前記第１研削工程の後に、前記ウェハから前記第１の厚さの前記チップを取り出す第１チップ取り出し工程と、
前記第１チップ取り出し工程の後に、前記ウェハの裏面を研削し、前記ウェハ厚を第２の厚さにする第２研削工程と、
前記第２研削工程の後に、前記ウェハから前記第２の厚さの前記チップを取り出す第２チップ取り出し工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１研削工程の前に、前記ウェハの表面から前記複数のチップ間に溝を形成する工程と、次いで、前記ウェハの表面に保護テープを貼り付ける工程とを有し、
前記第１研削工程の研削により前記ウェハを前記チップに分割することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１研削工程の前に前記ウェハの表面に保護テープを貼り付ける工程と、
前記第１研削工程の後で、且つ、前記第１チップ取り出し工程の前に前記ウェハを裏面から前記チップに分割する工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１研削工程の後で、且つ、前記第１チップ取り出し工程の前に、前記ウェハを表面から前記チップに分割する工程と、前記チップに分割された前記ウェハの表面に保護テープを貼り付ける工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１研削工程の後に、前記ウェハを表面から前記チップに分割する工程と、前記チップに分割された前記ウェハの表面に保護テープを貼り付ける工程と、を有し、前記保護テープを貼り付ける際に、前記第１チップ取り出し工程を行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に組立工程における半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の製造方法において、組立工程は以下のような流れで行われていた。
図１１は、従来の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
まず、ウェハ単体の状態で各種の半導体デバイスが形成されているパターン面に表面保護テープを貼り付ける（ステップＳ８０）。次に、ウェハを背面から研削して目的のチップ厚まで厚くする（ステップＳ８１）。その後、パターン面に貼られた表面保護テープを剥離して（ステップＳ８２）、ウェハ背面側にダイシングテープを貼り付ける（ステップＳ８３）。そして、ウェハのパターン面側からダイシングソーを使用してチップに分割する（ステップＳ８４）。その後、紫外線を照射してダイシングテープの粘着力を低下させる（ステップＳ８５）。そして、ダイシングテープ越しに、チップ背面から多点または１点の突き上げピンによって突き上げることでチップをダイシングテープから剥離し、コレットでチップを真空吸着してピックアップする（ステップＳ８６）。ピックアップしたチップは実装基板へボンディングまたはトレーなどに収納する。
【０００３】
なお、実装の際に必要なチップ厚が異なる場合があるので、チップに厚さの異なる基板を貼り付け、チップ厚を調整する手法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
ところで、近年、半導体装置を少量試作する場合などのために、複数の異なるチップのパターンが形成された１つのレチクルを用いて、ウェハ上にパターンを転写する露光手法（以下マルチチップ露光という）が用いられてきている。
【０００４】
図１２は、マルチチップ露光の例を示す図である。
図１２（Ａ）のレチクル８０ａは、チップサイズの同じ１６種類のチップのパターンを有しており、ウェハ８１上に９回、転写している。
【０００５】
また、図１２（Ｂ）のレチクル８０ｂは、チップサイズの異なる３種類のチップのパターンを有しており、ウェハ８２上に９回転写している。
これにより少量多品種のチップの製造が可能になる。
【特許文献１】特開２００４−２０７３５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、チップの種類ごとに異なるチップ厚が要求される場合、図１１で示したような従来の方法では、ウェハごとに１種類のチップ厚でしか仕上げることができないため、異なるチップ厚が必要なチップは無駄になってしまう。つまり、ウェハに無駄な領域が増えてしまう。また、必要なチップ厚の種類に応じてウェハを用意しなくてはならず、ウェハ枚数が増加してしまう。これにより、スループットの低下、製造コストの増大へとつながる問題があった。
【０００７】
そこで、本発明者らは、複数のチップ厚のチップを、スループットを低下させることなく且つ製造コストを増大させることなく製造できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、以下のような工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法は、表面に複数のチップに対応した半導体回路が形成されたウェハの裏面を研削し、ウェハ厚を第１の厚さにする第１研削工程と、前記第１研削工程の後に、前記ウェハから前記第１の厚さの前記チップを取り出す第１チップ取り出し工程と、前記第１チップ取り出し工程の後に、前記ウェハの裏面を研削し、前記ウェハ厚を第２の厚さにする第２研削工程と、前記第２研削工程の後に、前記ウェハから前記第２の厚さの前記チップを取り出す第２チップ取り出し工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
複数のチップ厚のチップを、スループットを低下させることなく且つ製造コストを増大させることなく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、第１の実施の形態の半導体装置の製造方法の流れを説明する工程フロー図である。
【００１１】
また、図２、図３は、図１の各工程の様子を示す模式図である。
なお、以下に示すウェハには、表面に、たとえば、マルチチップ露光によって、所望されるチップ厚が異なる複数のチップに対応した半導体回路が形成されている。各チップは、異なる種類またはサイズのものであってもよいし、同一の種類またはサイズであってもよい。
【００１２】
まず、図２（Ａ）に示すように、複数のチップが形成されたウェハ１に対して、チップ間に所定深さの溝を形成する（ハーフカットダイシング）（ステップＳ１）。ハーフカットダイシングでは、ウェハ１の裏面をチャックテーブル２に吸着させて、ウェハ１のパターン面（半導体回路が形成されている面）よりダイシングソー３により切り込みを入れる。この溝の深さは、後述の背面研削（ステップＳ３）で、チップに分割されるような深さに設定する。
【００１３】
次に、図２（Ｂ）に示すように、ウェハ１のパターン面をフレーム４付の状態の表面保護テープ５に貼り付ける（ステップＳ２）。
表面保護テープ５としては、たとえば、後述するチップピックアップ工程で、紫外線照射または熱を加えることにより接着強度が下がるような、紫外線硬化型または熱硬化型のものを用いる。また、ダイシングテープなどを用いてもよい。
【００１４】
フレーム４は、表面保護テープ５を固定して形状を保つものであり、表面保護テープ５の外周または全面に貼り付けられている。フレーム４の材質は特に限定されるものではなく、金属など、表面保護テープ５の形状を保つものであればよい。
【００１５】
その後、図３（Ａ）に示すように、フレーム４付の表面保護テープ５に貼り付けられたウェハ１をチャックテーブル２に吸着させる。そして、グラインド用砥石６またはチャックテーブル２を回転させて、ウェハ１の裏面より複数の所望されるチップ厚の中から一番厚いものに合わせて背面研削を行う（ステップＳ３）。たとえば、厚さ６００μｍのウェハから３００μｍと２００μｍのチップ厚のチップを所望する場合、ウェハ厚が３００μｍになるように背面研削を行う。これにより、ハーフカットされたウェハ１はチップに分割される。このときチップは、表面保護テープ５に貼り付けられており固定されている。
【００１６】
なお、背面研削に用いるグラインド用砥石６は、始め目の粗いものを用い、途中で目の細かいものに切り替えるようにしてもよい。
次に、フレーム４付の表面保護テープ５に貼り付けられたウェハ１を、チップピックアップ装置にセットする。そして、分割されたウェハ１から、ステップＳ３の背面研削で得られた厚みを所望とするチップをピックアップする（ステップＳ４）。チップピックアップは、マッピングや赤外線認識装置などを用いて、図３（Ｂ）に示すように、ピックアップ対象のチップ部分の表面保護テープ５に対して、チップピックアップ装置の紫外線レーザ７（またはパルスヒータ）により紫外線（または熱）を加えて接着強度（粘着性）を下げる。ピックアップ対象のチップ部分以外の表面保護テープ５の接着強度は維持しておく。そして、コレット８により真空吸着することでチップをピックアップする。
【００１７】
なお、ニードルレス方式のチップピックアップ装置を用いてもよい。本実施の形態の半導体装置の製造方法では、表面保護テープ５にウェハ１のパターン面を貼り付けているため、これを保護するため突き上げピン方式を用いないことが望ましい。
【００１８】
次に、再び、フレーム４付の表面保護テープ５に貼り付けられたウェハ１をチップピックアップ装置から取り出して、図３（Ａ）に示したような背面研削装置のチャックテーブル２にセットする。そして、次の所望の厚さに背面研削を行う（ステップＳ５）。上記の例のように、３００μｍと２００μｍのチップ厚を所望の場合には、２回目の背面研削では、２００μｍのウェハ厚になるように研削を行う。
【００１９】
その後、ステップＳ４の工程と同様に、チップピックアップ装置にセットして、ステップＳ５の背面研削で得られた厚みを所望とするチップをピックアップする（ステップＳ６）。
【００２０】
上記では、２種類のチップ厚が必要な場合の半導体装置の製造方法について説明したが、ステップＳ３，Ｓ４（ステップＳ５，Ｓ６）の工程を繰り返せば、３種類以上のチップ厚のチップも簡単に同一のウェハから得ることができる。
【００２１】
このようにして、第１の実施の形態の半導体装置の製造方法では、同一のウェハから実装で必要となる複数のチップ厚のチップを得ることができる。そのため、従来のようにウェハの投入枚数を増やすことがない。これにより、スループットの低下や製造コストの増大を抑えられる。そして、工程を進める際の作業性と製品精度を確保することが可能となり、安全で確実な製造が行える。
【００２２】
また、フレーム４に貼り付けられた表面保護テープ５を使用して、パターン面を保護したまま各工程を行うため、ウェハ１をチップに分割した後にピックアップテープなどへ貼り替える工程が不要となる。これにより、転写装置やチップ移載装置を用意しなくてすみ、製造コストが低減できるとともに、チップ破損などの恐れも軽減される。
【００２３】
次に、第２の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。
図４は、第２の実施の形態の半導体装置の製造方法の流れを説明する工程フロー図である。
【００２４】
また、図５、図６は、図４の各工程の様子を示す模式図である。
第１の実施の形態の半導体装置の製造方法と同じ構成要素については同一符号を付し詳細な説明を省略する。
【００２５】
まず、図５（Ａ）に示すように、ウェハ１のパターン面をフレーム４付の状態の表面保護テープ５に貼り付ける（ステップＳ１０）。
次に、図５（Ｂ）に示すように、フレーム４付の表面保護テープ５に貼り付けられたウェハ１をチャックテーブル２に吸着させる。そして、グラインド用砥石６またはチャックテーブル２を回転させて、ウェハ１の裏面より複数の所望されるチップ厚の中から一番厚いものに合わせて背面研削を行う（ステップＳ１１）。たとえば、厚さ６００μｍのウェハ１から３００μｍと２００μｍのチップ厚のチップを所望する場合、ウェハ厚が３００μｍになるように背面研削を行う。
【００２６】
その後に、ウェハ１をチップに分割するため、ウェハ１の裏面側より赤外線認識などを使用して位置決めを行い、図６（Ａ）に示すように、ダイシングソー３を用いたフルカットダイシングまたは、レーザ１０を用いたダイシングを行う（ステップＳ１２）。ステップＳ１１の工程で、ウェハ１を一定量研削しているので、ここでのダイシングは時間を短縮できる。
【００２７】
次に、フレーム４付の表面保護テープ５に貼り付けられたウェハ１を、チップピックアップ装置にセットする。そして、分割されたウェハ１から、ステップＳ１１の背面研削で得られた厚みを所望とするチップをピックアップする（ステップＳ１３）。チップピックアップは、図６（Ｂ）に示すように、ピックアップ対象のチップ部分の表面保護テープ５に対して、チップピックアップ装置の紫外線レーザ７（またはパルスヒータ）により紫外線（または熱）を加えて接着強度を下げる。ピックアップ対象のチップ部分以外の表面保護テープ５の接着強度は維持しておく。そして、コレット８により真空吸着することでチップをピックアップする。
【００２８】
なお、ニードルレス方式のチップピックアップ装置を用いてもよい。第１の実施の形態と同様に、表面保護テープ５にウェハ１のパターン面を貼り付けているため、突き上げピン方式は用いないことが望ましい。
【００２９】
次に、再び、フレーム４付の表面保護テープ５に貼り付けられたウェハ１をチップピックアップ装置から取り出して、図５（Ｂ）で示したように背面研削装置のチャックテーブル２にセットする。そして、次の所望の厚さに背面研削を行う（ステップＳ１４）。上記の例のように、３００μｍと２００μｍのチップ厚を所望の場合には、２回目の背面研削では、２００μｍのウェハ厚になるように研削を行う。
【００３０】
その後、ステップＳ１３の工程と同様に、フレーム４付の表面保護テープ５に貼り付けられたウェハ１をチップピックアップ装置にセットして、ステップＳ１４の背面研削で得られた厚みを所望とするチップをピックアップする（ステップＳ１５）。
【００３１】
ステップＳ１４，Ｓ１５の工程を繰り返せば、３種類以上のチップ厚のチップも簡単に同一のウェハから得ることができる。
このように、ハーフカットダイシングを使用しない場合においても、同一のウェハから実装で必要となる複数のチップ厚のチップを得ることができる。そのため、従来のようにウェハの投入枚数を増やすことがない。これにより、スループットの低下や製造コストの増大を抑えられる。そして、工程を進める際の作業性と製品精度を確保することが可能となり、安全で確実な製造が行える。
【００３２】
また、フレーム４に貼り付けられた表面保護テープ５を使用して、パターン面を保護したまま各工程を行うため、ウェハ１をチップに分割した後にピックアップテープなどへの貼り替え工程が不要となる。これにより、転写装置やチップ移載装置を用意しなくてすみ、コストが低減できるとともに、チップ破損などの恐れも軽減される。
【００３３】
なお、ステップＳ１１の工程とステップＳ１２の工程を入れ替えて、背面研削の前にウェハ１をチップに分割するようにしてもよい。ただしその場合、背面研削の際にチップが動かないように、たとえば、研削速度を下げたり、目の細かいグラインド用砥石６を使用することが望ましい。
【００３４】
次に、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。
図７は、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法の流れを説明する工程フロー図である。
【００３５】
また、図８、図９、図１０は、図７の各工程の様子を示す模式図である。
第１及び第２の実施の形態の半導体装置の製造方法と同じ構成要素については同一符号を付し詳細な説明を省略する。
【００３６】
まず、図８（Ａ）のように、ウェハ１の表面に、フレームがない状態で表面保護テープ５ａを貼り付ける（ステップＳ２０）。その後、図８（Ｂ）に示すように、表面保護テープ５ａが貼り付けられたウェハ１をチャックテーブル２に吸着させる。そして、グラインド用砥石６またはチャックテーブル２を回転させて、ウェハ１の裏面より複数の所望されるチップ厚の中から一番厚いものに合わせて背面研削を行う（ステップＳ２１）。たとえば、厚さ６００μｍのウェハ１から３００μｍと２００μｍのチップ厚のチップを所望する場合、ウェハ厚が３００μｍになるように背面研削を行う。
【００３７】
その後、図９（Ａ）のように、表面保護テープ５ａを剥離してから（ステップＳ２２）、第１及び第２の実施の形態の半導体装置の製造方法で用いたフレーム４と同様のフレーム４ａで固定されたダイシングテープ１１にウェハ１の裏面を貼り付ける（ステップＳ２３）。そして、図９（Ｂ）に示すように、ウェハ１のパターン面よりフルカットダイシングを行い、ウェハ１をチップに分割する（ステップＳ２４）。パターン面よりダイシングを行うので、赤外線認識は必要ない。なお、このとき、第２の実施の形態の半導体装置の製造方法のように、レーザダイシングを行ってもよい。
【００３８】
次に、図１０（Ａ）に示すように、分割されたウェハ１を、ダイシングテープ１１から、第１及び第２の実施の形態の半導体装置の製造方法で用いたフレーム４と同様のフレーム４ｂで固定された表面保護テープ５ｂに転写する（ステップＳ２５ａ）。また、ステップＳ２５ａの工程の代わりに、図１０（Ｂ）に示すように、チップ移載装置で分割されたウェハ１の一部をピックアップして、フレーム４ｂで固定された表面保護テープ５ｂに貼り付けるようにしてもよい（ステップＳ２５ｂ）。その場合、ダイシングテープ１１にはウェハ１の裏面を貼り付けているので、多点または１点の突き上げピン１２とコレット８ａを用いてピックアップすることができる。そして、ステップＳ２１の背面研削工程で所望の厚さとなったチップ１ａは、たとえば、チップトレイ１３に収納し、それ以外の厚さを所望するチップ１ｂは、コレット８ａを用いてパターン面を表面保護テープ５ｂに貼り付けるようにしてダイシングテープ１１から貼り替える。
【００３９】
なお、突き上げピン１２の代わりに、第１及び第２の実施の形態の半導体装置の製造方法で説明したような、紫外線レーザまたはパルスヒータ、ニードルレス方式を用いてもよい。
【００４０】
ステップＳ２５ａの工程を選択した場合には、次に、フレーム４ｂ付の表面保護テープ５ｂに貼り付けられたウェハ１を、チップピックアップ装置にセットする。そして、分割されたウェハ１の中から、ステップＳ２１の背面研削で得られた厚みを所望とするチップをピックアップする（ステップＳ２６）。このチップピックアップ工程は、前述の第１及び第２の実施の形態と同じである。たとえば、ピックアップ対象のチップ部分の表面保護テープ５ｂに対して、チップピックアップ装置の紫外線レーザ７（またはパルスヒータ）により紫外線（または熱）を加えて接着強度を下げる。ピックアップ対象のチップ部分以外の表面保護テープ５ｂの接着強度は維持しておく。そして、コレット８ａにより真空吸着することでチップをピックアップし、ステップＳ２６の工程に進む。
【００４１】
次に、再び、フレーム４ｂ付の表面保護テープ５ｂに貼り付けられたウェハ１をチップピックアップ装置から取り出して、図３（Ａ）で示したように、背面研削装置のチャックテーブル２にセットする。そして、次の所望の厚さに背面研削を行う（ステップＳ２７）。上記の例のように、３００μｍと２００μｍのチップ厚を所望の場合には、２回目の背面研削では、２００μｍのウェハ厚になるように研削を行う。
【００４２】
その後、ステップＳ２６の工程と同様に、フレーム４ｂ付の表面保護テープ５ｂに貼り付けられたウェハ１をチップピックアップ装置にセットして、ステップＳ２７の背面研削で得られた厚みを所望とするチップをピックアップする（ステップＳ２８）。
【００４３】
ステップＳ２７，Ｓ２８の工程を繰り返せば、３種類以上のチップ厚のチップも簡単に同一のウェハから得ることができる。
このように、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法では、ステップＳ２０の工程からステップＳ２４の工程までを従来の工程と同様にしているが、その後の工程によって、同一のウェハから複数のチップ厚のチップを得ることができる。そのため、従来のようにウェハの投入枚数を増やすことがない。これにより、スループットの低下や製造コストの増大を抑えられる。そして、工程を進める際の作業性と製品精度を確保することが可能となり、安全で確実な製造が行える。また、従来の設備を用いることが可能なので、設備投資を少なくすることができる。
【００４４】
また、ステップＳ２５ａ，Ｓ２５ｂ以降の工程では、フレーム４ｂで固定された表面保護テープ５ｂを使用して、パターン面を保護したまま各工程を行うため、分割されたウェハ１をピックアップテープなどへの貼り替え工程が不要となる。これにより、工程間の搬送や各種製造装置へのセット、位置決め及び背面研削を容易に行うことが可能となり、チップ破損などの恐れも軽減される。
【００４５】
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）  表面に複数のチップに対応した半導体回路が形成されたウェハの裏面を研削し、ウェハ厚を第１の厚さにする第１研削工程と、
前記第１研削工程の後に、前記ウェハから前記第１の厚さの前記チップを取り出す第１チップ取り出し工程と、
前記第１チップ取り出し工程の後に、前記ウェハの裏面を研削し、前記ウェハ厚を第２の厚さにする第２研削工程と、
前記第２研削工程の後に、前記ウェハから前記第２の厚さの前記チップを取り出す第２チップ取り出し工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００４６】
（付記２）  前記第１研削工程の前に、前記ウェハの表面から前記複数のチップ間に溝を形成する工程と、次いで、前記ウェハの表面に保護テープを貼り付ける工程とを有し、
前記第１研削工程の研削により前記ウェハを前記チップに分割することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００４７】
（付記３）  前記第１研削工程の前に前記ウェハの表面に保護テープを貼り付ける工程と、
前記第１研削工程の後で、且つ、前記第１チップ取り出し工程の前に前記ウェハを裏面から前記チップに分割する工程と、を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００４８】
（付記４）  前記第１研削工程の後で、且つ、前記第１チップ取り出し工程の前に、前記ウェハを表面から前記チップに分割する工程と、前記チップに分割された前記ウェハの表面に保護テープを貼り付ける工程と、を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００４９】
（付記５）  前記第１研削工程の後に、前記ウェハを表面から前記チップに分割する工程と、前記チップに分割された前記ウェハの表面に保護テープを貼り付ける工程と、を有し、前記保護テープを貼り付ける際に、前記第１チップ取り出し工程を行うことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００５０】
（付記６）  前記保護テープを前記ウェハ表面に貼り付けたまま、前記第１研削工程、前記第１チップ取り出し工程、前記第２研削工程及び前記第２チップ取り出し工程を行うことを特徴とする付記２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【００５１】
（付記７）  前記保護テープはフレームで固定されていることを特徴とする付記２乃至６の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）  前記第１チップ取り出し工程または前記第２チップ取り出し工程は、前記保護テープに局所的に光または熱を加えて、粘着性を低下させることで、前記チップを取り出すことを特徴とする付記２乃至７の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法の流れを説明する工程フロー図である。
【図２】図１の各工程の様子を示す模式図である（その１）。
【図３】図１の各工程の様子を示す模式図である（その２）。
【図４】第２の実施の形態の半導体装置の製造方法の流れを説明する工程フロー図である。
【図５】図４の各工程の様子を示す模式図である（その１）。
【図６】図４の各工程の様子を示す模式図である（その２）。
【図７】第３の実施の形態の半導体装置の製造方法の流れを説明する工程フロー図である。
【図８】図７の各工程の様子を示す模式図である（その１）。
【図９】図７の各工程の様子を示す模式図である（その２）。
【図１０】図７の各工程の様子を示す模式図である（その３）。
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】マルチチップ露光の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  ウェハ
２  チャックテーブル
３  ダイシングソー
４  フレーム
５  表面保護テープ
６  グラインド用砥石
７  紫外線レーザ（またはパルスヒータ）
８  コレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009231435.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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