(57)【要約】【課題】液晶装置等において、より有効且つ容易に輝点不良をリペアする。【解決手段】一対の基板（１０、２０）間に電気光学物質（５０）を挟持してなる電気光学装置の製造の際、その画素領域（１０ａ）における輝点不良をリペアする。リペア方法は、一対の基板のうち少なくとも一方の基板について、輝点不良が生じる不良箇所を特定する特定工程（Ｓ１０１、Ｓ１０２）と、該特定された不良箇所に対して、輝点不良が視認され難くなるように修正するための修正材料を、インクジェット法により塗布する塗布工程（Ｓ１０３、Ｓ１０４）とを備える。【選択図】図８
2009058569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造の際、該電気光学装置の画素領域における輝点不良をリペアするリペア方法であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板について、前記画素領域における前記輝点不良が生じる不良箇所を特定する特定工程と、
該特定された不良箇所に対して、前記輝点不良が視認され難くなるように修正するための修正材料を、インクジェット法により塗布する塗布工程と
を備えることを特徴とするリペア方法。
【請求項２】
前記塗布工程は、前記特定された不良箇所と前記修正材料を塗布可能な塗布手段のノズル位置とを相対的に位置合わせをする工程と、
前記位置合わせの後に、前記塗布手段により塗布する工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載のリペア方法。
【請求項３】
前記特定工程は、
前記不良箇所を発見する工程と、
前記発見された不良箇所の位置を特定する工程と
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のリペア方法。
【請求項４】
前記特定工程及び前記塗布工程は、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板を複数含む大型基板に対して、行われることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のリペア方法。
【請求項５】
前記特定工程及び前記塗布工程は、前記一対の基板が互いに貼り合わせられる前に行われることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のリペア方法。
【請求項６】
前記塗布工程では、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における前記電気光学物質に面する側の基板面上に前記修正材料を塗布することを特徴とする請求項５に記載のリペア方法。
【請求項７】
前記特定工程及び前記塗布工程は、前記基板面上に、前記電気光学物質の配向状態を制御する配向膜を成膜後、該配向膜に対するラビング処理前に行われ、
前記塗布工程では、前記修正材料として前記配向膜と同一材料を塗布することを特徴とする請求項６に記載のリペア方法。
【請求項８】
前記特定工程及び前記塗布工程は、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における前記電気光学物質に面する側と反対側に透明板部材を貼り合わせた後に、前記透明板部材における前記電気光学物質に面する側と反対側に位置する外側表面に対して行われることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のリペア方法。
【請求項９】
前記塗布された修正材料の塗布位置が前記不良箇所の位置と一致しているか否かを確認する確認工程と、
前記塗布位置が前記不良箇所の位置と一致していない場合に、前記塗布された修正材料を除去する除去工程と
を更に備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のリペア方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のリペア方法を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造の際、該電気光学装置の画素領域における輝点不良をリペアするリペア装置であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板について、前記画素領域における前記輝点不良が生じる不良箇所を特定する特定手段と、
該特定された不良箇所に対して、前記輝点不良が視認され難くなるように修正するための修正材料を、インクジェット法により塗布する塗布手段と
を備えることを特徴とするリペア装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造におけるリペア方法及び装置、並びに、該リペア方法を含む電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のリペア方法は、電気光学装置の製造の際、例えば、画素領域における輝点不良の発生を防止するために行われる。特許文献１には、画素欠陥不良による輝点不良の発生を防止する技術が開示されている。特許文献１によれば、電気光学装置を構成する一対の基板が貼り合わされた状態で、画素領域の各画素を駆動する画素回路について、画素スイッチング素子の不良が認められた場合、レーザーにより導電膜を切断及び溶融接続させて、画素スイッチング素子を冗長スイッチング素子に切り替えることにより、リペアを行う。
【０００３】
一方、特許文献２には、電気光学装置を構成する一対の基板間に異物の存在が認められた場合、この異物に起因して画素領域において輝点不良が生じるのを防止する技術が開示されている。特許文献２によれば、異物の存在箇所に対して、基板の外側にマイクロホールを開孔し、このマイクロホールに遮光性を有する材料を充填することにより、輝点をブロッキングする。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−７２１１６号公報
【特許文献２】特開２００７−６５６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したようなレーザーを用いた画素回路の修正は、修正される部分以外に存在する配線の断線等により、画素回路に新たな不良を生じさせるおそれがある。また、一対の基板が貼り合わされた状態でレーザーが照射されると、配向膜やカラーフィルタが損傷を受け、溶融して流出した有機材料により電気光学物質が汚染される場合もある。
【０００６】
一方、特許文献２によれば、マイクロホールの形成は、マイクロドリルで基板を削ることにより行われる。このような細工は高度な技術を要し、リペアにかかる工程が煩雑になるおそれがある。
【０００７】
そして特に従来の技術によれば、適当な修正が実施されないが故に、最終的な検査により液晶装置全体として不良品との判定が下る場合が多くなる。このため、液晶パネル等を構成する各種の材料資源の無駄使いになると共に、各種の有害なる有機物や無機物を含んだまま廃棄される液晶パネル等の総量が多くなる。これらの結果、近時における社会的懸念事項である環境破壊に繋がりかねないという重大なる問題点もある。
【０００８】
本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、より有効且つ容易に輝点不良をリペアすることが可能な環境に優しいリペア方法及び装置、並びに、このようなリペア方法を含んでなる電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のリペア方法は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造の際、該電気光学装置の画素領域における輝点不良をリペアするリペア方法であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板について、前記画素領域における前記輝点不良が生じる不良箇所を特定する特定工程と、該特定された不良箇所に対して、前記輝点不良が視認され難くなるように修正するための修正材料を、インクジェット法により塗布する塗布工程とを備える。
【００１０】
本発明のリペア方法によれば、電気光学装置の製造の際、画素領域の輝点不良を以下のようにリペアする。尚、本願において「画素領域」とは、複数の画素が平面配列された領域全体を意味し、典型的には、直視用又は投影用の画像が、透過型又は反射型表示される画像表示領域を意味する。
【００１１】
電気光学装置の製造プロセスでは、一対の基板の一方の基板に対して、例えば画素電極及び画素スイッチング素子等を形成すると共に、他方の基板に対して、例えば画素電極と対向する対向電極等を形成する。その後、一対の基板の各々には、例えば配向膜を形成し、互いを貼りあわせた後、一対の基板間には電気光学物質として例えば液晶を注入し、封止する。その後、一対の基板の各々が互いに対向する側と反対側に、例えば石英またはガラス部材からなる防塵ガラス等の防塵基板や、位相差板、偏光膜或いは偏向フィルターなどを設ける。
【００１２】
かかる製造プロセスにおいて、一対の基板の各々等に異物が付着したり、画素スイッチング素子等から構成される画素回路の欠陥が生じることがある。この場合、欠陥により、画素電極或いは対向電極の駆動状態に関わらず、互いの電極間が常に通電状態になったり、配向膜による電気光学物質の配向状態の制御が良好に行えなくなること等により、光漏れ等が生じる。また、基板における電気光学物質に面する側やその反対側の基板表面などに、異物が付着、或いは基板表面にキズが存在すると、表示光が散乱されたりする。或いは、画素回路の不良は画素欠陥不良（以下、「リークビット」と称することもある）となり、電気光学物質における光の透過率が制御不能となる事態が生じ得る。その結果、電気光学装置の画素領域において輝点不良が生じるに至る。ここに輝点不良は、暗点不良に比べ、人間の視覚上、特に一般的に表示される各種画像上で、非常に目立つ。
【００１３】
そこで本発明では、先ず、特定工程により、少なくとも一方の基板について、このような輝点不良が生じる不良箇所を特定する。ここに「不良箇所」は、上述のように異物やリークビットが存在することにより、輝点不良を生じ得る箇所である。また、「少なくとも一方の基板について」とは、基板自体に対してという意味の他、当該基板に貼り付けられた防塵基板等の基板に対してという意味も含む。
【００１４】
その後、塗布工程により、この特定された不良箇所に対して、修正材料をインクジェット法により塗布する。ここに「修正材料」は、輝点不良が視認され難くなるように修正するためのものであり、典型的には、黒色系統の顔料又は染料インクである。「黒色系統」は、灰色或いは黒色として視認される程度の色相、彩度、及び明度により規定される各色のことを意味する。このような材料はより高い遮光性を有しており、輝点の明るさより確実に低減することが可能となる。よって、画素領域において、輝点不良を暗点不良に変えることで、これを視認され難くすることができる。また「インクジェット法」とは、広くプリンタ用途で発展したインクを粒状に飛翔させる方法であり、電気光学装置における、例えば一辺が数ミクロン〜数十ミクロンオーダの画素に対し、ミクロン単位の位置精度で且つミクロン単位のドットとして塗布することは、既存技術により容易である。
【００１５】
不良箇所に対して、修正材料は、当該箇所に存在する例えば異物を直接覆うように塗布される。或いは、修正材料は、不良箇所に対して、当該箇所を透過する光を遮ることが可能なように、塗布される。従って、導電性の異物の存在により画素電極或いは対向電極間が常に通電状態になるのを防止したり、不良箇所における透過光を低減することにより、輝点が画素領域における表示において視認され難くするように修正することが可能となる。これにより、輝点不良をリペアすることができる。尚、修正材料を塗布する面としては、基板自体における電気光学物質に面する側の面でも、その反対側の面でもよく、更に基板に貼り付けられた防塵基板等の表面でもよい。
【００１６】
このように塗布工程では、インクジェット法により修正材料を塗布するので、例えば基板に微細な穴を設けるなどの細工は不要となる。従って、かかる細工のための高度な技術は不要となり、リペアに要する手間が煩雑となるのを防止することができる。また、レーザーによる画素回路の修正等は行われないため、リペアに伴う画素回路の新たな不良や配向膜等の損傷も防止することができる。これにより、配向膜等より有機材料が電気光学物質に溶融して流出する事態を防止することが可能である。
【００１７】
以上説明したような本発明によれば、より容易に且つ有効に輝点不良をリペアすることができる。そして特に、効率良くリペアすることで、最終的な検査により電気光学装置全体として不良品との判定が下る場合が少なくなる。このため、電気光学装置を構成する各種の材料資源の無駄使いを防止し、更に、各種の有害なる有機物や無機物の廃棄を抑制できる。これらの結果、環境に優しい電気光学装置の提供に繋がる。
【００１８】
本発明のリペア方法の一態様では、前記塗布工程は、前記特定された不良箇所と前記修正材料を塗布可能な塗布手段のノズル位置とを相対的に位置合わせをする工程と、前記位置合わせの後に、前記塗布手段により塗布する工程とを含む。
【００１９】
この態様によれば、塗布工程では、先ず、例えば基板が載せられたステージの２次元的な移動によって、又はこれに代えて又は加えて、セットされた基板に対する塗布手段のノズルの２次元的な移動によって、不良箇所と塗布手段のノズル位置とが、位置合わせされる。また、塗布手段のノズルから塗布すべき面までの距離も、ノズルに応じた所定距離に調節される。その後、塗布手段のノズルから、修正材料が、インクジェット法で塗布される。よって、確実に不良箇所に対して修正材料を塗布できる。
【００２０】
尚、不良箇所が複数あれば、このような位置合わせと塗布とを１セットとして、既に特定工程で特定されている複数の不良箇所に対して順次行えばよい。
【００２１】
本発明のリペア方法の他の態様では、前記特定工程は、前記不良箇所を発見する工程と、前記発見された不良箇所の位置を特定する工程とを含む。
【００２２】
この態様によれば、特定工程では、先ず、輝点不良を伴う不良箇所が発見される。これは、ＣＣＤ、カメラ、目視等により、直視すること又は投影映像を観察することで行えばよく、不良箇所であるか否かの判断は、輝度計の出力或いはコンピュータによる画像解析によってでもよいし、目視による画像解析によってでもよい。ここで、少なくとも一方の基板について、不良箇所が発見されると、この不良箇所の位置が特定される。不良箇所の位置は、例えば基板表面における画素領域内の座標情報として特定される。或いは、基板が乗せられたステージの位置として特定されてもよい。
【００２３】
本発明のリペア方法の他の態様では、前記特定工程及び前記塗布工程は、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板を複数含む大型基板に対して、行われる。
【００２４】
この態様によれば、電気光学装置の製造プロセスにおいて、例えば個々の基板を数枚から数百枚含むマザー基板等の大型基板から、個々の基板が、切断及び分離されていない状態で、輝点不良のリペアを行う。従って、個々の基板についてリペアを行う場合と比較して、より効率的にリペアを行うことが可能となる。
【００２５】
本発明のリペア方法の他の態様では、前記特定工程及び前記塗布工程は、前記一対の基板が互いに貼り合わせられる前に行われる。
【００２６】
この態様によれば、電気光学装置の製造プロセスにおいて、一対の基板の各々について個別にリペアを行うことにより、一対の基板を貼り合わせた後に、各々の不良箇所についてまとめてリペアを行う場合と比較して、より容易に且つ確実に輝点不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００２７】
また、互いに対向させて貼り合わされる対向面側に対して、輝点不良のリペアを行うことができる。従って、一対の基板の各々について、例えば対向面側に付着した異物の存在に起因して輝点不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００２８】
加えて、一対の基板が貼り合わされる前の段階で、輝点不良が生じるおそれがあることにより不良とされる基板の数を低減し、電気光学装置の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。
【００２９】
この、一対の基板の貼り合わせ前にリペアを行う態様では、前記塗布工程では、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における前記電気光学物質に面する側の基板面上に前記修正材料を塗布してもよい。
【００３０】
このように塗布すれば、一対の基板の各々について、例えば電気光学物質に面する側に存在する異物を直接覆うように修正材料を塗布することができる。また、一対の基板間において、不良箇所を透過する光を塗布された修正材料により遮ることが可能となる。
【００３１】
この場合更に、前記特定工程及び前記塗布工程は、前記基板面上に、前記電気光学物質の配向状態を制御する配向膜を成膜後、該配向膜に対するラビング処理前に行われ、前記塗布工程では、前記修正材料として前記配向膜と同一材料を塗布するようにしてもよい。
【００３２】
このように塗布すれば、より効率的にリペアを行える。即ち、電気光学装置の製造プロセスにおいて、一対の基板の各々について、対向面側に配向膜を成膜する。配向膜が成膜された状態で、配向膜上に異物が存在する場合、基板の対向面側に修正材料として配向膜と同一材料を塗布することで、この材料により異物を直接覆うことができる。その後、電気光学装置の製造プロセスにおいて、配向膜に対して、不良箇所も含めてラビング処理を行うことにより、配向膜上の異物の存在に基づいて、電気光学物質の配向不良が生じるのを防止することができる。従って、電気光学物質の配向不良による輝点不良をリペアすることが可能となる。
【００３３】
また、この場合、修正材料として配向膜と同一の材料を用いるため、対向面側に塗布された修正材料が、電気光学物質中に流出して汚染し、リペアに伴って新たな表示不良が生じるのをより確実に防止することができる。
【００３４】
本発明のリペア方法の他の態様では、前記特定工程及び前記塗布工程は、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板における前記電気光学物質に面する側と反対側に透明板部材を貼り合わせた後に、前記透明板部材における前記電気光学物質に面する側と反対側に位置する外側表面に対して行われる。
【００３５】
この態様によれば、電気光学装置の製造プロセスにおいて、一対の基板を貼り合わせた後に、一対の基板の各々の対向する側と反対側に透明板部材として例えば防塵基板、カバーガラス、デフォーカスガラス、放熱ガラス等を貼り合せる。或いは、偏光板、位相差板等の光学部材を貼り合わせる。その後、透明板部材において、一対の基板ののうち対応する基板と対向する側と反対側の外側表面に対して、輝点不良のリペアを行う。
【００３６】
透明板部材の外側表面に付着した異物やキズに対して、修正材料として黒色系統の染料や顔料を塗布することで、異物やキズを覆う。或いは、透明板部材より内側の一対の基板の各々に付着した異物やキズ、或いはリークビットに基づく不良箇所において、透明板部材の外側表面に対して、黒色系統の染料や顔料を塗布する。これにより、透明板部材の異物やキズに基づく不良箇所、及び透明板部材より内側のリークビット等に基づく不良箇所において、表示に寄与する光を遮ることが可能となる。
【００３７】
ここに、透明板部材の外側表面に塗布された修正材料の影は、画素領域における表示画像に映りこむこととなる。透明板部材を介して出射された表示に寄与する光が遮られることで、修正材料の影はデフォーカスされた状態で映りこむ。従って、修正材料の影を表示画像において視認され難くすることが可能となる。
【００３８】
本発明のリペア方法の他の態様では、前記塗布された修正材料の塗布位置が前記不良箇所の位置と一致しているか否かを確認する確認工程と、前記塗布位置が前記不良箇所の位置と一致していない場合に、前記塗布された修正材料を除去する除去工程とを更に備える。
【００３９】
この態様によれば、塗布工程で修正材料を塗布し、リペアを行った後、確認工程において、不良箇所に対してリペアが行われたか否かを確認することができる。ここに、確認工程では、塗布位置を例えば座標情報により特定し、特定工程で特定された、不良箇所の位置と座標情報により照らし合わせて確認する。
【００４０】
確認工程で、不良箇所と異なる箇所に対してリペアが行われたと確認された場合、除去工程では、不良箇所と異なる箇所に塗布された修正材料を除去する。その後、特定工程から再度行うことにより、不良箇所に対してリペアを行うことが可能となる。従って、より有効に且つより確実に輝点不良をリペアすることができる。また、より環境に優しいリペア方法を実現できる。
【００４１】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、上述した本発明に係るリペア方法（但し、その各種態様を含む）を含む。
【００４２】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明に係るリペア方法を含むので、輝点不良をより容易に且つ有効にリペアすることができる。このため、製造プロセスにおける歩留まりを向上させると共に、環境に優しい電気光学装置を製造することが可能となる。
【００４３】
本発明のリペア装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造の際、該電気光学装置の画素領域における輝点不良をリペアするリペア装置であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板について、前記画素領域における前記輝点不良が生じる不良箇所を特定する特定手段と、該特定された不良箇所に対して、前記輝点不良が視認され難くなるように修正するための修正材料を、インクジェット法により塗布する塗布手段とを備える。
【００４４】
本発明のリペア装置によれば、上述したようなリペア方法の場合と同様に、電気光学装置の輝点不良をリペアすることができる。従って、より容易に且つ有効に輝点不良をリペアすることができる。
【００４５】
尚、本発明のリペア装置においても、上述した本発明のリペア方法における各種態様と同様の各種態様を採ることが可能である。
【００４６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４８】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態について、図１から図１１を参照して説明する。
【００４９】
まず、電気光学装置たる液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。図１又は図２では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点は、後述する各図についても同様である。
【００５０】
図１及び図２において、液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画素領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。尚、本実施形態において、画素領域１０ａは、個々の画素の領域を意味するのではなく、複数の画素がマトリクス状に２次元配列されてなる画像表示領域を意味する。
【００５１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００５２】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画素領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５３】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画素領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２が夫々形成される。
【００５４】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画素領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置される。
【００５５】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画素領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００５６】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられる。
【００５７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画素領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜１６が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタ或いはＴＦＤ等により構成されてもよい。
【００５８】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画素領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００５９】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００６０】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００６１】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画素領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００６２】
図３において、画素領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６３】
ＴＦＴ３０のゲート３ａに走査線１１ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００６４】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００６５】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００６６】
次に、以上説明したような液晶装置の製造プロセスについて、図４から図６を参照して説明する。図４は、本実施形態の液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図であり、図５は、液晶装置の製造プロセスの概要について示すフローチャートであり、図６は、液晶装置に設けられる防塵基板の構成を示す斜視図である。
【００６７】
本実施形態の液晶装置は、図４に示すようなマザー基板Ｍｔの上において、一挙に複数形成される形態がとられるものとする。即ち、マザー基板Ｍｔの上において、液晶装置が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各液晶装置においては、それぞれ、図１から図３を参照して説明したような各種の構成要素（ＴＦＴ３０や走査線１１ａ、データ線６ａ等、或いは走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１等々）が形成されることになるのである。
【００６８】
図４において、マザー基板Ｍｔは、図１及び図２に示されるＴＦＴアレイ基板１０を複数含んでなる。即ち、マザー基板Ｍｔ上には、ＴＦＴアレイ基板１０の側における各種の構成要素が形成され、これとは別に、図４には図示しないガラスまたは石英基板の上に、対向電極２１、配向膜等々が形成されて、対向基板２０が複数形成され、各対向基板２０は例えば個別に分断される。そして、マザー基板Ｍｔに形成されたＴＦＴアレイ基板１０の各々に、対向基板２０を個別に対向させて、一対のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０について、個別に、シール材５２によって貼り合わせた後、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶を封入する。その後、マザー基板Ｍｔを分断することによって、図１及び図２に示したような各個別の液晶装置が製造されることになる。
【００６９】
以下、図１から図３、更には図５を参照して、液晶装置の製造プロセスの概要について説明する。図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、データ線６ａや走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等及び画素電極９ａを形成する（ステップＳ１）。一方、ＴＦＴアレイ基板１０側の各製造工程と並行して又は相前後して、対向基板２０上に、遮光膜２３や対向電極２１等を形成する。（ステップＳ４）
続いて、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々の基板上に、例えばポリイミドにより配向膜１６及び２２を成膜した後（ステップＳ２又はＳ５）、ラビング処理を行う（ステップＳ３又はＳ６）。なお、このような配向膜１６又は２２の形成は、ＴＦＴアレイ基板１０側と対向基板２０側とで夫々、並行して又は相前後して行われる。
【００７０】
その後、ＴＦＴアレイ基板１０において配向膜１６が形成された側と、対向基板２０において配向膜２２が形成された側とをシール材５２を介して貼り合わせる（ステップＳ７）。続いて、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶を注入し（ステップＳ８）、封止する（ステップＳ９）。
【００７１】
その後、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には夫々、防塵ガラス等の防塵基板や、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などを所定の方向で貼り合せる（ステップＳ１０）。
【００７２】
以上が、液晶装置の製造プロセスの概要である。ここに、図６には、ステップＳ１０において、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々に貼り合わされた防塵基板４００の構成の概要について示してある。防塵基板４００のデフォーカス作用により、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々の外側表面、即ち防塵基板４００と貼り合わせられる接着面に付着した埃や塵は、表示画面にピンボケの状態で表示されることとなる。従って、表示画面に前述したような埃や塵が明確に映りこむのを防止することができる。このような効果は、特に、スクリーンに投影された投影画像上では大きい。なお、外部回路接続端子１０２に対して、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４を駆動するための駆動用ＩＣがフレキシブル基板５０１に形成されて、ＴＡＢ実装される。
【００７３】
ここで、スクリーンに投影された画像上で、輝点不良が生じることがある。輝点不良は、特に黒色の表示を行った場合に、表示画面において周囲よりひときわ明るく見える部分として顕著に現れる。
【００７４】
液晶装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０や防塵基板４００に埃や塵などの異物が付着したり、図３を参照して説明した画素回路に欠陥が生じることがある。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に存在する異物により、画素電極９ａ或いは対向電極２１の駆動状態に関わらず、互いの電極間が常に通電状態になったり、配向膜１６又は２２による電気光学物質の配向状態の制御が良好に行えなくなること等により、光漏れ等が生じる。また、防塵基板４００の表面に異物が付着、或いは基板表面にキズが存在すると、表示光が散乱されたりする。或いは、画素回路の不良はリークビットとなり、液晶における光の透過率が制御不能となる事態が生じ得る。その結果、輝点不良が生じるに至る。
【００７５】
本実施形態では、液晶装置の製造プロセスにおいて輝点不良のリペアを行う。好ましくは、リペアは、図５を参照して説明した製造プロセスにおいて、ステップＳ７の工程、即ちＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の貼り合せより前であって、ステップＳ２又はＳ５の配向膜１６又は２２の成膜後、ステップＳ３又はＳ６のラビング処理の前に行う。
【００７６】
図７は、リペア装置の構成を概略的に示すブロック図である。本実施形態のリペア装置は、発見装置７０２、特定装置７０４、アライメント装置７０５及び塗布装置７０６よりなる。発見装置７０２及び特定装置７０４は、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々について、輝点不良を検出するための専用のモニタ７００に含まれる。或いは、発見装置７０２及び特定装置７０４は、異物の付着等を検査するための検査装置に含まれるようにしてもよい。
【００７７】
ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の貼り合せより前に、例えばＴＦＴアレイ基板１０を複数含むマザー基板Ｍｔについてリペアが行われる。或いは、対向基板２０を分断するより前に、対向基板２０を複数含むマザー基板Ｍｃについて、リペアが行われる。リペア装置においては、マザー基板Ｍｔ又はＭｃを保持するためのステージ７０８が設けられており、アライメント装置７０５によって、ステージ７０８の位置を調整することにより、ステージ７０８上のマザー基板Ｍｔ又はＭｃを塗布装置７０６に対して位置合わせする。また、塗布装置７０６は、インクジェット法により修正材料７０７をマザー基板Ｍｔ又はＭｃ上に塗布する。
【００７８】
次に、図７に示すリペア装置において行われる輝点不良のリペアについて、図７に加えて図８から図１１を参照して説明する。以下では、マザー基板Ｍｔ内の各ＴＦＴアレイ基板１０についてリペアを行う場合について説明する。
【００７９】
図８は、リペア装置において行われるリペアの各工程を順を追って示すフローチャートであり、図９は、リペアの各工程について模式的に示す模式図であり、図１０は、リペアの各工程におけるＴＦＴアレイ基板の構成を概略的に示す断面図であり、図１１は、座標情報について説明するための平面図である。
【００８０】
なお、図１０（ａ）には、マザー基板Ｍｔにおける一のＴＦＴアレイ基板１０に着目して、図２に対応する断面部分の構成を示してあり、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）には、図１０（ａ）における点線Ａ０に示す部分の構成を拡大して示してある。また、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）については、ＴＦＴアレイ基板１０側の積層構造について詳細な構成は図示を省略してある。加えて、図１１においては、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域についてはその主要な構成のみを図示してある。
【００８１】
図８において、リペア装置では、発見装置７０２によって、マザー基板Ｍｔの各ＴＦＴアレイ基板１０上の画素領域１０ａについて、輝点不良が生じ得る不良箇所を発見する（ステップＳ１０１）。その後、特定装置７０４によって、発見された不良箇所の位置を特定する（ステップＳ１０２）。
【００８２】
より具体的には、図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９ａ上に配向膜１６を成膜後、ラビング処理より前にリペアが行われる。図９（ａ）においてステージ７０８上に、マザー基板Ｍｔは、例えば各ＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１６等が形成された側と反対側が保持されるように、配置される。この状態で、ステージ７０８上においてマザー基板Ｍｔと対向するように配置されたモニタ７００によって、マザー基板Ｍｔの各ＴＦＴアレイ基板１０について、配向膜１６等が形成された側における不良箇所のモニタを行う。かかるモニタは、モニタ７００内の発見装置７０２によって、例えば各ＴＦＴアレイ基板１０の画像を取得し、画像内を解析することによって行う。発見装置７０２は、例えば輝点不良を生じ得る異物について、その存在の有無を調査し、存在する場合はかかる異物の存在箇所を不良箇所として発見する。
【００８３】
発見された不良箇所の位置は、モニタ７００内の特定装置７０４によって、例えば座標情報として特定される。図１０（ａ）において、発見装置７０２によって、ＴＦＴアレイ基板１０上の点線Ａ０で囲まれた領域内における、図１０（ｂ）に示す異物８１０の存在が発見された場合、特定装置７０４は、図１０（ｂ）又は図１１に示すように、異物８１０の位置Ａｄ０を画素領域１０ａ内の座標（ｘ０,ｙ０）により表して特定する。
【００８４】
その後、図８において、特定装置７０４によって特定された不良箇所の位置Ａｄ０に基づいて、アライメント装置７０５は、マザー基板Ｍｔと塗布装置７０６との位置合わせを行う（ステップＳ１０３）。より具体的には、図９（ｂ）において、かかる工程では、塗布装置７０６のノズル７０６ｎが、ステージ７０８上においてマザー基板Ｍｔと対向するように配置される。例えば白抜きの矢印で示すように、アライメント装置７０５はステージ７０８の位置を調整することにより、マザー基板ＭｔにおけるＴＦＴアレイ基板１０の不良箇所Ａｄ０を、ノズル７０６ｎに対して位置合わせをする。
【００８５】
その後、図８において、塗布装置７０６は、図９（ｃ）に示すようにノズル７０６ｎより修正材料を不良箇所Ａｄ０に対して、インクジェット法により塗布する（ステップＳ１０４）。ここに、修正材料は、不良箇所Ａｄ０に塗布されることにより、画素領域１０ａにおいて視認されないように輝点不良を修正可能な材料からなる。本実施形態では、好ましくは修正材料は配向膜１６と同一の材料である、例えばポリイミドからなる。
【００８６】
図１０（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１６が形成された側において、不良箇所Ａｄ０にポリイミドが塗布されることにより、異物８１０をポリイミドによって直接覆うことができる。従って、その後、ラビング処理を、配向膜１６に対して不良箇所Ａｄ０も含めて行うことにより、配向膜１６上の異物８１０の存在に基づいて、液晶の配向不良により光漏れが生じるのを防止することで、輝点不良をリペアすることが可能となる。また、この場合、修正材料として例えばポリイミドを用いるため、対向面側に塗布された修正材料が、液晶中に流出して汚染し、リペアに伴って新たな表示不良が生じるのをより確実に防止することができる。
【００８７】
以上によりリペアが終了する。図８におけるステップＳ１０４では、塗布装置７０６はインクジェット法により修正材料を塗布する。従って、インクジェット法の処理条件を調整することで、容易に修正材料の塗布を行うことが可能であり、例えば基板に微細な穴を設けるなどの細工は不要となる。従って、かかる細工のための高度な技術は不要となり、リペアに要する手間が煩雑となるのを防止することができる。また、レーザーによる画素回路の修正等は行われないため、リペアに伴う画素回路の新たな不良や配向膜１６等の損傷も防止することができる。これにより、例えば配向膜１６より有機材料が液晶に溶融して流出する事態を防止することが可能である。
【００８８】
従って、本実施形態では、より容易に且つ有効に輝点不良をリペアすることができる。
【００８９】
また、マザー基板Ｍｔ又はＭｃの状態でリペアを行うことにより、マザー基板Ｍｔ又はＭｃより分断された状態のＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０を個別にリペアする場合と比較して、より容易にリペアを行うことが可能となる。
【００９０】
また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を貼り合せるより前に、各々について個別にリペアを行うことにより、これらの基板を貼り合せた後に、各々の不良箇所についてまとめてリペアを行う場合と比較して、より容易に且つ確実に輝点不良が生じるのを防止することが可能となる。また、上述したように、互いに対向させて貼り合わされる対向面側に対して、輝点不良のリペアを行うことができる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々について、例えば対向面側に付着した異物の存在に起因して輝点不良が生じるのを防止することが可能となる。加えて、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が貼り合わされる前の段階で、輝点不良が生じるおそれがあることにより不良とされる基板の数を低減し、液晶装置の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。
【００９１】
従って、以上説明したような本実施形態では、液晶装置の製造プロセスにおいて、輝点不良をより容易に且つ有効にリペアすることができるため、製造プロセスにおける歩留まりを向上させると共に、より信頼性が高く、高品位な画像表示を行うことが可能な液晶装置を製造することが可能となる。
【００９２】
ここに、本実施形態のリペアは、以上説明したような態様に限られない。例えば、輝点不良のリペアを図５におけるラビング処理（ステップＳ３又はＳ６）の後であって、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の貼り合せより前（ステップＳ７）に行うようにしてもよい。また、マザー基板Ｍｔ及びＭｃの各々について、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０における、配向膜１６又は２２の形成された側と反対側に対して、リペアを行うようにしてもよい。
【００９３】
更には、図８において、ステップＳ１０４では、修正材料として遮光性を有する材料を塗布するようにしてもよい。かかる材料により、例えば図１０（ｂ）に示すような異物８１０を覆うことで、不良箇所において透過する光を遮り、輝点の明るさを低減させることができる。その結果、輝点が画素領域１０ａに表示される表示画面において視認され難くすることで、輝点不良をリペアすることが可能となる。なお、修正材料は、例えば黒色系統の染料や顔料であって、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々について、互いの対向面側に塗布された場合、液晶に対して流出しても、液晶を汚染して配向不良等の不具合を生じさせないような材料を用いるのが好ましい。
【００９４】
加えて、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０上の画素領域１０ａに存在する異物に加えて若しくは代えてリークビットや基板面のキズにより輝点不良が生じ得る箇所を不良箇所として、かかる不良箇所に対してリペアを行うようにしてもよい。
【００９５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について、図１２又は図１３を参照して説明する。第２実施形態では、防塵基板に対してリペアが行われる点が、第１実施形態とは異なっている。従って、以下では、第１実施形態と異なる点についてのみ図を参照して説明し、第１実施形態と同様の構成については、図１から図１１を参照して説明すると共に重複する説明を省略することもある。
【００９６】
ここに、図１２は、第２実施形態におけるリペアの各工程について模式的に示す模式図であり、図１３は、防塵基板上の座標情報について説明するための平面図である。
【００９７】
第２実施形態では、図５を参照して説明した液晶装置の製造プロセスにおいて、ステップＳ１０の工程の後に、例えば防塵基板の外側表面に対して、図７を参照して説明したリペア装置によってリペアが行われる。
【００９８】
以下、第２実施形態に係る輝点不良のリペアについて、図１２又は図１３に加えて図７、更には図８のフローチャートをも参照して、各工程について説明する。
【００９９】
まず、図８において、不良箇所の発見（ステップＳ１０１）は例えば以下のように行う。
【０１００】
ここに、図６に示すように防塵基板４００がＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０に対して設けられた状態で、プロジェクタの場合と同様に、投射光を液晶装置に対して照射し、表示画面を検査する投影検査を行うことがある。投影検査において輝点不良が発見された場合、図１２（ａ）に示すように、液晶装置に対して通電させた状態で、モニタ７００によって表示画面をモニタする。
【０１０１】
図１２（ａ）には、ステージ７０８上に設けられた、対向基板２０側の防塵基板４００の外側表面をモニタする構成について、一例として図示してある。モニタ７００内の発見装置７０２は、取得した表示画面を解析し、輝点不良を生じる不良箇所を発見する。例えば、不良箇所においては、防塵基板４００の外側表面に付着した異物やキズ又はリークビットにより、輝点不良が生じ得る。
【０１０２】
その後、図８において、発見された不良箇所の位置を、モニタ７００内の特定装置７０４によって、例えば座標情報として特定する（ステップＳ１０２）。特定装置７０４は、図１３に示すように、防塵基板４００の外側表面における不良箇所の位置Ｂｄを座標（ｘ１,ｙ１）により表して特定する。
【０１０３】
その後、図８において、特定装置７０４によって特定された不良箇所の位置Ｂｄに基づいて、アライメント装置７０５は、防塵基板４００と塗布装置７０６との位置合わせを行う（ステップＳ１０３）。より具体的には、図１２（ｂ）において、例えば白抜きの矢印で示すように、アライメント装置７０５はステージ７０８の位置を調整することにより、防塵基板４００の不良箇所Ｂｄを、ノズル７０６ｎに対して位置合わせをする。
【０１０４】
その後、図８において、塗布装置７０６は、図１２（ｃ）に示すようにノズル７０６ｎより修正材料を不良箇所Ｂｄに対して、インクジェット法により塗布する（ステップＳ１０４）。第２実施形態では、修正材料は、黒色系の染料や顔料であって、液晶に対する汚染を生じさせ難い材料を用いるのが好ましい。これにより、不良箇所Ｂｄにおいて透過する光を遮ることで、輝点の明るさを低減させることができる。よって、輝点不良をリペアすることが可能となる。
【０１０５】
防塵基板４００の外側表面に塗布された修正材料の影は、液晶装置の画素領域１０ａにおける表示画面に映りこむこととなる。防塵基板４００を介して出射された表示に寄与する光が遮られることで、修正材料の影はデフォーカスされた状態で映りこむ。従って、修正材料の影を表示画像において視認され難くすることが可能となる。
【０１０６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について、図１４又は図１５を参照して説明する。第３実施形態では、第１又は第２実施形態に係るリペアの後に再度リペアをやり直す。以下では、第１又は第２実施形態と異なる点についてのみ図を参照して説明し、第１又は第２実施形態と同様の構成については、図１から図１３を参照して説明すると共に重複する説明を省略することもある。
【０１０７】
図１４は、第３実施形態に係るリペア装置の構成を概略的に示すブロック図であり、図１５は、第３実施形態に係るリペアの各工程を順を追って示すフローチャートである。
【０１０８】
まず、図１４を参照して、第３実施形態におけるリペア装置の構成について、第１又は第２実施形態と異なる点についてのみ説明する。図１４では、図７に示すリペア装置と同様の構成については同一の符号を付して示してある。
【０１０９】
第３実施形態では、リペア装置には、発見装置７０２、特定装置７０４、アライメント装置７０５及び塗布装置７０６等に加えて、塗布装置７０６による修正材料の塗布位置を確認する確認装置８０１及び塗布された修正材料を除去する除去装置８０３が設けられる。なお、図１４においては、ステージ７０８上においてリペアの対象となる、マザー基板Ｍｔ又はＭｃ（図７参照）或いは防塵基板４００（図１２参照）について、対象基板Ｃｂとして示してある。
【０１１０】
続いて、図１４又は図１５を参照して、第３実施形態におけるリペアの各工程について説明する。
【０１１１】
図１４に示す対象基板Ｃｂに対して修正材料７０７の塗布が行われた後に、図１５において、確認装置８０１は、修正材料７０７の塗布位置を、例えば第１又は第２実施形態と同様の座標情報により特定し（ステップＳ２０１）、特定装置７０４によって特定された不良箇所の位置と、座標情報により照らし合わせて確認する（ステップＳ２０２）。ここに、確認装置８０１は、実際にはモニタ７００内に設けられ、発見装置７０２及び特定装置７０４による不良箇所の発見及び特定と同様の手順により、塗布位置の特定を行うようにしてもよい。
【０１１２】
確認装置８０１によって、塗布位置が不良箇所の位置とは一致しないと判断された場合（ステップＳ２０２：Ｎｏ）、除去装置８０３は塗布位置における修正材料７０７の除去を行う（ステップＳ２０３）。一方、確認装置８０１によって、塗布位置が不良箇所の位置と一致すると判断された場合（ステップＳ２０２：Ｙｅｓ）、一連の動作が終了する。
【０１１３】
その後、第１又は第２実施形態と同様の手順により、再度、不良箇所に対してリペアを行うことが可能となる。従って、より有効に且つより確実に輝点不良をリペアすることができる。
【０１１４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うリペア方法及び装置、並びに該リペア方法を用いた電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】液晶装置の概略的な平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画素領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】本実施形態の液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。
【図５】液晶装置の製造プロセスの概要について示すフローチャートである。
【図６】液晶装置に設けられる防塵基板の構成を示す斜視図である。
【図７】リペア装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【図８】リペア装置において行われるリペアの各工程を順を追って示すフローチャートである。
【図９】リペアの各工程について模式的に示す模式図である。
【図１０】リペアの各工程におけるＴＦＴアレイ基板の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】座標情報について説明するための平面図である。
【図１２】第２実施形態におけるリペアの各工程について模式的に示す模式図である。
【図１３】防塵基板上の座標情報について説明するための平面図である。
【図１４】第３実施形態に係るリペア装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【図１５】第３実施形態に係るリペアの各工程を順を追って示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１６】
１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、５０…液晶層、７０２…発見装置、７０４…特定装置、７０５…アライメント装置、７０６…塗布装置、７０７…修正材料
【図１】
2009058569.tif 000003
【図２】
2009058569.tif 000004
【図３】
2009058569.tif 000005
【図４】
2009058569.tif 000006
【図５】
2009058569.tif 000007
【図６】
2009058569.tif 000008
【図７】
2009058569.tif 000009
【図８】
2009058569.tif 000010
【図９】
2009058569.tif 000011
【図１０】
2009058569.tif 000012
【図１１】
2009058569.tif 000013
【図１２】
2009058569.tif 000014
【図１３】
2009058569.tif 000015
【図１４】
2009058569.tif 000016
【図１５】
2009058569.tif 000017