(57)【要約】  【課題】安定かつ良好な制御性をもって薄膜を形成する。  【解決手段】成膜装置４０はウエハ２を処理する処理室４１と、処理室４１内に原料ガスを供給する原料ガス供給管５６Ａ、５６Ｄと、処理室４１内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給管５９Ｂとを備えており、処理室４１内にオゾンガスを供給してウエハ２の表面にシリコン酸化膜を形成し、その後、原料ガスの供給とオゾンガスの供給とを連続して複数回繰り返すことで、シリコン酸化膜上に高誘電率膜を形成する。一つの処理室内で連続して界面層としてのシリコン酸化膜とハフニウムシリケート膜を形成できるので、効率的に極薄いシリコン酸化膜を界面にもつハフニウムシリケート膜を形成できる。  【選択図】図３
2009049316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に基板を搬入するステップと、
前記処理室内にオゾンガスを供給して基板表面に酸化膜を形成するステップと、
前記処理室内に原料ガスを供給するステップと、前記処理室内にオゾンガスを供給するステップと、を連続して複数回繰り返すことで前記酸化膜上に金属酸化膜を形成するステップと、
前記金属酸化膜形成後の基板を前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料ガスを供給する供給口と、
前記処理室内にオゾンガスを供給する供給口と、
前記処理室内にオゾンガスを供給して基板表面に酸化膜を形成し、その後、原料ガスの供給とオゾンガスの供給とを連続して複数回繰り返すことで前記酸化膜上に金属酸化膜を形成するように制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および基板処理装置に関する。
詳しくは、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に薄膜を形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において用いられる薄膜形成方法には、 スパッタリングのような物理気相成長法（以下、ＰＶＤという。）と、化学反応を利用した化学気相成長法（以下、ＣＶＤという。）と、がある。
一般的に、ＣＶＤは温度に対して敏感な依存性をもち、 ステップカバレジや初期成膜特性をはじめ成膜速度が異なる性質を有する。
ＣＶＤはＰＶＤに比べステップカバレジに優れる等の膜特性の効果に加え、 原料（ターゲット) 交換のために反応室を大気開放する必要がない等の生産性の効果を得ることができる点から量産に適している。
【０００３】
ハフニウムシリケート膜の有機原料を用いたＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）の原料としては、 例えば、 Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ3 ）3 ］4 （テトラキスターシャリ−ブトラキシ−ハフニウム、以下、Ｈｆ−ＯｔＢｕと略す。）、Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 ］4 （テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ）ハフニウム、以下、Ｈｆ−ＭＭＰと略す。）、Ｓｉ［ＯＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 ］4 （テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ）シラン、以下、Ｓｉ−ＭＭＰと略す。）、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 （テトラ  エトキシ  シラン、以下、ＴＥＯＳと略す。）等、様々な化学物質が組み合わされて利用されている。
このような材料の多くは常温常圧において液体であったり固体であったりする。
そのため、殆どの原料は加熱して蒸気圧を高めて気体に変換して利用される。
【０００４】
ハフニウムシリケート膜の有機原料を用いたＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）の原料としてＨｆ−ＭＭＰとＳｉ−ＭＭＰとを用いた薄膜形成方法は、特許文献１で知られている。
【特許文献１】ＷＯ２００５／０７１７２３号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ハフニウムシリケート膜をシリコンウエハ（下地）の上に形成する際に、 トランジスタの特性を最大限に引き出すためには、界面層に酸化シリコン膜を形成するのが有効であることが、究明されている。
そこで、ハフニウムシリケート膜とシリコンウエハとの界面に極薄い酸化シリコン膜を形成する方法として、様々な薄膜形成方法が提案されている。
しかし、安定で制御し易い薄膜形成方法は確立されていない。
【０００６】
本発明の目的は、安定かつ良好な制御性をもって薄膜を形成することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）処理室内に基板を搬入するステップと、
前記処理室内にオゾンガスを供給して基板表面に酸化膜を形成するステップと、
前記処理室内に原料ガスを供給するステップと、前記処理室内にオゾンガスを供給するステップと、を連続して複数回繰り返すことで前記酸化膜上に金属酸化膜を形成するステップと、
前記金属酸化膜形成後の基板を前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料ガスを供給する供給口と、
前記処理室内にオゾンガスを供給する供給口と、
前記処理室内にオゾンガスを供給して基板表面に酸化膜を形成し、その後、原料ガスの供給とオゾンガスの供給とを連続して複数回繰り返すことで前記酸化膜上に金属酸化膜を形成するように制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の効果】
【０００８】
前記（１）（２）の手段によれば、一つの処理室内で連続して界面層としての酸化膜と金属酸化膜を形成することができるので、効率的に極薄い酸化膜を界面にもつ金属酸化膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
図１は本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法におけるＭＯＳＦＥＴのゲートスタック形成工程を示すフローチャートである。
図２以降は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示している。
まず、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【００１１】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、構造的には図２に示されているようにクラスタ装置として構成されており、機能的には、ＭＯＳＦＥＴのゲートスタック形成工程に使用されるように構成されている。
なお、本実施の形態に係るクラスタ装置においては、ウエハ２を搬送するためのウエハ搬送用キャリア（基板収納容器）としては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）１が使用されている。
【００１２】
図２に示されているように、クラスタ装置１０は大気圧未満の圧力（負圧）に耐える構造に構成された搬送室としての第一ウエハ移載室（以下、負圧移載室という。）１１を備えており、負圧移載室１１の筐体（以下、負圧移載室筐体という。）１２は、平面視が七角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
負圧移載室１１の中央部には負圧下においてウエハ２を移載する搬送装置としてのウエハ移載装置（以下、負圧移載装置という。）１３が設置されており、負圧移載装置１３はスカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm ＳＣＡＲＡ）によって構成されている。
【００１３】
負圧移載室筐体１２の７枚の側壁のうち長い側壁には、搬入用予備室（以下、搬入室という。）１４と搬出用予備室（以下、搬出室という。）１５とがそれぞれ隣接して連結されている。
搬入室１４の筐体と搬出室１５の筐体とはそれぞれ平面視が略菱形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。
【００１４】
搬入室１４および搬出室１５の負圧移載室１１と反対側には、大気圧以上の圧力（以下、正圧という。）を維持可能な構造に構成された第二ウエハ移載室（以下、正圧移載室という。）１６が隣接して連結されており、正圧移載室１６の筐体は平面視が横長の長方形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
搬入室１４と正圧移載室１６との境にはゲートバルブ１７Ａが設置されており、搬入室１４と負圧移載室１１との間にはゲートバルブ１７Ｂが設置されている。
搬出室１５と正圧移載室１６との境にはゲートバルブ１８Ａが設置されており、搬出室１５と負圧移載室１１との間にはゲートバルブ１８Ｂが設置されている。
正圧移載室１６には正圧下でウエハ２を移載する第二ウエハ移載装置（以下、正圧移載装置という。）１９が設置されており、正圧移載装置１９はスカラ形ロボットによって構成されている。
正圧移載装置１９は正圧移載室１６に設置されたエレベータによって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータによって左右方向に往復移動されるように構成されている。
正圧移載室１６の左側端部にはノッチ合わせ装置２０が設置されている。
【００１５】
正圧移載室１６の正面壁には三つのウエハ搬入搬出口２１、２２、２３が、隣合わせに並べられて開設されており、これらのウエハ搬入搬出口２１、２２、２３はウエハ２を正圧移載室１６に対して搬入搬出し得るように設定されている。
これらのウエハ搬入搬出口２１、２２、２３にはポッドオープナ２４がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ２４はポッド１を載置する載置台２５と、載置台２５に載置されたポッド１のキャップを着脱するキャップ着脱機構２６とを備えており、載置台２５に載置されたポッド１のキャップをキャップ着脱機構２６によって着脱することにより、ポッド１のウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。
ポッドオープナ２４の載置台２５に対してはポッド１が、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出されるようになっている。
【００１６】
図２に示されているように、負圧移載室筐体１２の７枚の側壁のうち正圧移載室１６と反対側に位置する３枚の側壁には、第一処理ユニット３１と第二処理ユニット３２と第三処理ユニット３３とがそれぞれ隣接して連結されている。
第一処理ユニット３１と負圧移載室１１との間にはゲートバルブ４４（図３参照）が設置されている。
第二処理ユニット３２と負圧移載室１１との間にはゲートバルブ８２（図４参照）が設置されている。
第三処理ユニット３３と負圧移載室１１との間にはゲートバルブ１１８（図５参照）が設置されている。
また、負圧移載室筐体１２における７枚の側壁のうちの他の２枚の側壁には、第一クーリングユニット３５と、第二クーリングユニット３６とがそれぞれ連結されており、第一クーリングユニット３５および第二クーリングユニット３６はいずれも処理済みのウエハ２を冷却するように構成されている。
【００１７】
クラスタ装置１０は後述するシーケンスフローを統括的に制御するためのコントローラ３７を備えている。
【００１８】
次に、前記構成に係るクラスタ装置１０を使用して、図１に示されたゲートスタック形成工程を実施する場合について説明する。
【００１９】
図１に示されたウエハ投入ステップにおいては、クラスタ装置１０の載置台２５に供給されたポッド１のキャップが、キャップ着脱機構２６によって取り外され、ポッド１のウエハ出し入れ口が開放される。
ポッド１が開放されると、正圧移載室１６に設置された正圧移載装置１９はウエハ搬入搬出口を通してポッド１からウエハ２を一枚ずつピックアップし、搬入室１４に投入し、ウエハ２を搬入室用仮置き台に移載して行く。
この移載作業中には、搬入室１４の正圧移載室１６側はゲートバルブ１７Ａによって開かれており、また、搬入室１４の負圧移載室１１側はゲートバルブ１７Ｂによって閉じられており、負圧移載室１１内の圧力は、例えば、１００Ｐａに維持されている。
【００２０】
図１に示されたウエハローディングステップにおいては、搬入室１４の正圧移載室１６側がゲートバルブ１７Ａによって閉じられ、搬入室１４が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
搬入室１４内が予め設定された圧力値に減圧されると、搬入室１４の負圧移載室１１側がゲートバルブ１７Ｂによって開かれる。
次に、負圧移載室１１の負圧移載装置１３は搬入室用仮置き台からウエハ２を一枚ずつピックアップして負圧移載室１１に搬入する。
その後、搬入室１４の負圧移載室１１側がゲートバルブ１７Ｂによって閉じられる。
続いて、第一処理ユニット３１のゲートバルブ４４が開かれ、負圧移載装置１３はウエハ２を、図１に示された界面層形成ステップおよび高誘電率膜形成ステップを実施する第一処理ユニット３１に搬送して、第一処理ユニット３１の処理室へ搬入（ウエハローディング）する。
なお、ウエハの第一処理ユニット３１への搬入に際しては、搬入室１４および負圧移載室１１が真空排気されることによって内部の酸素や水分が予め除去されているため、外部の酸素や水分がウエハの第一処理ユニット３１への搬入に伴って第一処理ユニット３１の処理室に侵入することは確実に防止される。
【００２１】
本実施の形態においては、第一処理ユニット３１は、構造的には図３に示されているように、枚葉式ウォームウオール形基板処理装置として構成されており、機能的にはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ）装置またはサイクリックＣＶＤ装置（以下、成膜装置という。）４０として構成されている。
図３に示されているように、成膜装置４０は処理室４１を形成する筐体４２を備えており、筐体４２には処理室４１の壁面を加熱するためのヒータ（図示せず）が内蔵されている。
筐体４２の負圧移載室１１との境にはウエハ搬入搬出口４３が開設されており、ウエハ搬入搬出口４３はゲートバルブ４４によって開閉されるように構成されている。
【００２２】
図３に示されているように、筐体４２により形成される処理室４１内には、ウエハ２を支持する支持台４５が設けられている。支持台４５の上部にはウエハ２を支持する支持板としてのサセプタ４６が設けられている。
支持台４５の内部には加熱機構（加熱手段）としてのヒータ４７が設けられている。ヒータ４７はサセプタ４６上に載置されるウエハ２を加熱する。
ヒータ４７はウエハ２の温度が所定の温度となるように温度制御部（温度制御手段）としての温度コントローラ４８により制御される。
【００２３】
処理室４１の外部には回転機構（回転手段）４９が設けられている。回転機構４９は処理室４１内の支持台４５を回転させてサセプタ４６上のウエハ２を回転させる。
処理室４１の外部には昇降機構（昇降手段）５０が設けられている。昇降機構５０は支持台４５を処理室４１内において昇降させる。
【００２４】
処理室４１の上部にはガスをシャワー状に噴出するシャワーヘッド５１が設けられており、シャワーヘッド５１はサセプタ４６と対向するように設けられている。
シャワーヘッド５１は分散板５１ａとシャワー板５１ｂとを有する。分散板５１ａは多数個のガス噴出口５１ｆを有し、内部に供給されたガスを分散させる。シャワー板５１ｂは多数個のガス噴出口５１ｅを有し、分散板５１a により分散されたガスを処理室４１内へシャワー状に噴出させる。
シャワーヘッド５１の天井部と分散板５１a との間には、第一バッファ空間５１ｃが設けられており、分散板５１a とシャワー板５１ｂとの間には第二バッファ空間５１ｄが設けられている。
【００２５】
処理室４１の外部には、液体原料である第一原料を供給する第一原料供給源５２Ａと、液体原料である第二原料を供給する第二原料供給源５２Ｄとが設けられている。
第一原料供給源５２Ａには第一液体原料供給管５３Ａが接続されており、第二原料供給源５２Ｄには第二液体原料供給管５３Ｄが接続されている。
第一液体原料供給管５３Ａおよび第二液体原料供給管５３Ｄはそれぞれ、原料の液体供給流量を制御する流量制御装置（流量制御手段）としての液体流量コントローラ（液体マスフローコントローラ）５４Ａ、５４Ｄを介して、原料を気化する気化器５５Ａ、５５Ｄに接続されている。
気化器５５Ａ、５５Ｄには第一原料ガス供給管５６Ａ、第二原料ガス供給管５６Ｄがそれぞれ接続されており、第一原料ガス供給管５６Ａ、第二原料ガス供給管５６Ｄはバルブ５７Ａ、５７Ｄを介してシャワーヘッド５１にそれぞれ接続されている。
【００２６】
また、処理室４１の外部には不活性ガス供給源５２Ｃが設けられており、不活性ガス供給源５２Ｃは非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する。
不活性ガス供給源５２Ｃには不活性ガス供給管５３Ｃが接続されており、不活性ガス供給管５３Ｃの途中には不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置（流量制御手段）としてのガス流量コントローラ（マスフローコントローラ）５４Ｃが設けられている。
不活性ガス供給管５３Ｃはガス流量コントローラ５４Ｃよりも下流側で二つの供給管に分岐している。分岐した一方の供給管はバルブ５７Ｃを介して第一原料ガス供給管５６Ａに接続され、分岐した他方の供給管はバルブ５７Ｅを介して第二原料ガス供給管５６Ｄに接続されている。
不活性ガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2 を用いる。
【００２７】
第一原料ガス供給管５６Ａでは、気化器５５Ａにて第一原料を気化して得た第一原料ガスと、不活性ガス供給管５３Ｃからの不活性ガスとが混合される。
第二原料ガス供給管５６Ｄでは、気化器５５Ｄにて第二原料を気化して得た第二原料ガスと、不活性ガス供給管５３Ｃからの不活性ガスとが混合される。
混合されたガスは第一原料ガス供給管５６Ａおよび第二原料ガス供給管５６Ｄからシャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃにそれぞれ供給される。
第一原料ガス供給管５６Ａ、第二原料ガス供給管５６Ｄ、不活性ガス供給管５３Ｃにそれぞれ設けられたバルブ５７Ａ、５７Ｄ、５７Ｃ、５７Ｅは開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御する。
【００２８】
処理室４１の外部にはオゾナイザ５８が設けられており、オゾナイザ５８は酸素ガス（Ｏ2 ）からオゾンガス（Ｏ3 ）を生成する。
オゾナイザ５８の上流側には酸素ガス供給管５３Ｂが設けられており、酸素ガス供給管５３Ｂには酸素ガス供給源５２Ｂが接続されている。酸素ガス供給源５２Ｂは酸素ガスをオゾナイザ５８に酸素ガス供給管５３Ｂを介して供給する。
酸素ガス供給管５３Ｂには酸素ガスの供給流量を制御するガス流量コントローラ５４Ｂとバルブ５７Ｂとが設けられている。バルブ５７Ｂは開閉することにより、酸素ガスの供給を制御する。
オゾナイザ５８の下流側にはオゾンガス供給管５９Ｂが設けられており、オゾンガス供給管５９Ｂはバルブ６０Ｂを介してシャワーヘッド５１に接続されている。
オゾンガス供給管５９Ｂはオゾナイザ５８によって生成されたオゾンガスをシャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃに供給する。バルブ６０Ｂは開閉することにより、オゾンガスの供給を制御する。
【００２９】
筐体４２の下部側壁には排気口６１が設けられており、排気口６１には排気管６２の一端が接続されている。排気管６２の他端は排気装置（排気手段）としての真空ポンプ６３および除害装置（図示せず）に接続されている。排気口６１および排気管６２で排気系が構成されている。
排気管６２には圧力制御部（圧力制御手段）としての圧力コントローラ６４と、原料回収トラップ６５とが設けられている。圧力コントローラ６４は処理室４１内の圧力を制御する。原料回収トラップ６５は原料を回収する。
【００３０】
第一原料ガス供給管５６Ａと第二原料ガス供給管５６Ｄとオゾンガス供給管５９Ｂとには、原料回収トラップ６５に接続された第一原料ガスバイパス管（ベント管）６６Ａと、第二原料ガスバイパス管（ベント管）６６Ｃと、オゾンガスバイパス管（ベント管）６６Ｂとがそれぞれ設けられている。バイパス管６６Ａ、６６Ｃ、６６Ｂには、バルブ６７Ａ、６７Ｃ、６７Ｂがそれぞれ設けられている。
【００３１】
処理室４１内の支持台４５上には整流板としてのプレート６８が設けられており、プレート６８はシャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを介して供給されたガスの流れを調整する。プレート６８は円環（リング）形状であり、ウエハ２の周囲に位置する。
シャワーヘッド５１を介してウエハ２に供給されたガスはウエハ２の径方向外方に向かって流れ、プレート６８上を通り、プレート６８と筐体４２の側壁（内壁）との間を通り、排気口６１より排気される。
なお、ウエハ２の外周縁部のように、ウエハ２に膜を形成したくない箇所がある場合は、プレート６８の内径をウエハ２の外形より小さくして、ウエハ２の外周部を覆うようにしてもよい。
この場合は、ウエハ２の搬送を可能とするために、プレート６８を処理室４１内のウエハ２の処理位置に固定したり、プレート６８を昇降させる機構を設ける。
【００３２】
バルブ５７Ａ〜６７Ｃ、流量コントローラ５４Ａ〜５４Ｄ、温度コントローラ４８、圧力コントローラ６４、気化器５５Ａ、５５Ｄ、オゾナイザ５８、回転機構４９、昇降機構５０の制御は、主制御部（主制御手段）としてのメインコントローラ６９が行う。
なお、メインコントローラ６９の制御は、コントローラ３７により行う。
【００３３】
次に、図１に示された界面層形成ステップおよび高誘電率膜形成ステップを、以上の構成に係る成膜装置４０を使用して高誘電率膜としてのハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）膜をＡＬＤ法またはサイクリックＣＶＤ法によってウエハ２上に成膜する場合について説明する。
なお、以下の説明において、成膜装置４０を構成する各部の動作はメインコントローラ６９により制御される。
【００３４】
ここで、高誘電率膜が形成される前のウエハ２の構造は、図６に示されているようになっている。
すなわち、シリコンウエハ２には素子分離領域３が形成されており、この素子分離領域３で分離された活性領域にはＰウエル領域４とＮウエル領域５とが形成されている。
【００３５】
高誘電率膜としてのハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）膜を成膜する場合には、ハフニウム原子（Ｈｆ）を含む原料として、例えば、次のようなものが使用される。
ＴＤＭＡＨ（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］4 ：テトラキスジメチルアミノハフニウム）、
ＴＤＥＭＡＨ（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ］4 ：テトラキスジエチルアミノハフニウム）、
ＴＥＭＡＨ（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）］4 ：テトラキスエチルメチルアミノハフニウム）、
Ｈｆ‐ＯｔＢｕ（Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ3 ）3 ］4 ：テトラ‐シャリ‐ブトラキシ‐ハフニウム）、
Ｈｆ‐ＭＭＰ（Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 ］4 ：テトラキス（１‐メトキシ‐２‐メチル‐２‐プロポキシ）ハフニウム）。
また、シリコン原子（Ｓｉ）を含む原料としては、例えば、次のようなものが使用される。
Ｓｉ‐ＯｔＢｕ（Ｓｉ［ＯＣ（ＣＨ3 ）3 ］4 ：テトラ‐シャリ‐ブトラキシ‐シリコン）、
Ｓｉ‐ＭＭＰ（Ｓｉ［ＯＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 ］4 ：テトラキス（１‐メトキシ‐２‐メチル‐２‐プロポキシ）シリコン）、
ＴＥＯＳ（Ｓｉ［ＯＣ2 Ｈ5 ］4 ：テトラエトキシシラン）。
これらの原料は、常温で液体である。蒸気圧が高い原料については、バブリングで気化して得た原料ガスを用いることも可能である。
本実施形態では、ハフニウム原料としてＨｆ‐ＭＭＰをシリコン原料としてＳｉ‐ＭＭＰを用い、これらの原料を気化器で気化して得た原料ガスを用いる例について説明する。
【００３６】
図３において、支持台４５がウエハ搬送位置まで下降した状態で、ゲートバルブ４４が開かれ、ウエハ搬入搬出口４３が開放されると、ウエハ２が処理室４１内に負圧移載装置１３により搬入される（ウエハ搬入ステップ）。
ウエハ２が処理室４１内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ４４が閉じられる。
支持台４５がウエハ搬送位置からそれよりも上方のウエハ処理位置まで上昇する。
その間に、ウエハ２は突き上げピン上からサセプタ４６上に載置される（ウエハ載置ステップ）。
【００３７】
支持台４５がウエハ処理位置に到達すると、ウエハ２は回転機構４９により回転される。また、ヒータ４７に電力が供給されることにより、ウエハ２は所定の処理温度となるように均一に加熱される（ウエハ昇温ステップ）。
同時に、処理室４１内は真空ポンプ６３により排気され、所定の処理圧力となるように制御される（圧力調整ステップ）。
なお、ウエハ搬送時やウエハ昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管５３Ｃに設けられたバルブ５７Ｃ、５７Ｅは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源５２Ｃより処理室４１内に不活性ガスが常に流される。
これにより、パーティクルや金属汚染物のウエハ２への付着を防ぐことができる。
【００３８】
まず、界面層形成ステップについて説明する。
図８に示されているように、ウエハ昇温ステップの途中で、処理室４１内の圧力が所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室４１内にオゾンガスが供給される。
すなわち、バルブ５７Ｂが開かれると、酸素ガス供給源５２Ｂから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管５３Ｂを通り、ガス流量コントローラ５４Ｂで流量制御されてオゾナイザ５８へ供給される。オゾナイザ５８はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後に、バルブ６７Ｂが閉じられると共に、バルブ６０Ｂが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ５８からオゾンガス供給管５９Ｂを通り、シャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを介してウエハ２上へシャワー状に供給される。ウエハ２に対して供給されたオゾンガスは排気管６２より排気される。
このとき、後述する高誘電率膜形成ステップ時のウエハ温度（以下、成膜温度という。）よりも低い温度に加熱されたウエハ２表面に、オゾンガスが接触することにより、ウエハ２表面に極薄い界面層としてのシリコン酸化膜６（図７（ａ）参照）が形成される（界面層形成ステップ）。
なお、このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に供給される。
【００３９】
なお、界面層形成ステップはウエハ昇温中ではなく、図８（ｃ）に示されているように、成膜温度よりも低い一定の温度に維持した状態で実施してもよい。
また、界面層形成ステップは、高誘電率膜（金属酸化膜）形成ステップとは温度、圧力、オゾンガス流量、オゾンガス供給時間のうち、少なくとも何れかの条件を異ならせて行う。
【００４０】
オゾンガスの供給が所定時間行われ、界面層としてのシリコン酸化膜６が形成された後に、バルブ６０Ｂが閉じられ、オゾンガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
【００４１】
この際、バルブ６７Ｂを開き、オゾンガスバイパス管６６Ｂによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ５８からのオゾンガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
オゾンガスを安定供給するまでには時間がかかる。したがって、オゾナイザ５８からのオゾンガスの供給を停止することなく、処理室４１をバイパスするように流しておくことにより、次回にオゾンガスを供給するステップ（後述の高誘電率膜形成ステップにおける酸化剤供給ステップ）では、流れを切換えるだけで、直ちにオゾンガスをウエハ２へ供給することができる。
【００４２】
処理室４１内のパージが所定時間行われ、ウエハ２の温度や処理室４１内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定した後、高誘電率膜形成ステップが行われる。
【００４３】
次に、高誘電率膜形成ステップについて説明する。
まず、図８（ａ）に示された第一実施形態に係るシーケンスについて説明する。
ウエハ２表面に界面層としてのシリコン酸化膜６が形成された後に、ウエハ２の温度や処理室４１内の圧力がそれぞれ、所定の成膜温度や所定の成膜圧力に到達して安定すると、処理室４１内に第一原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源５２Ａから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えば、Ｈｆ−ＭＭＰが第一液体原料供給管５３Ａを通り、液体流量コントローラ５４Ａで流量制御され、気化器５５Ａへ供給される。気化器５５Ａは第一原料を気化させる。
バルブ６７Ａが閉じられると共に、バルブ５７Ａが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは第一原料ガス供給管５６Ａを通り、シャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管５６Ａ内で混合されてシャワーヘッド５１に導かれ、第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してサセプタ４６上のウエハ２上へシャワー状に供給される（第一原料ガス供給ステップ）。
ウエハ２に対して供給された第一原料ガスは、排気管６２より排気される。
なお、第一原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
【００４４】
第一原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ５７Ａが閉じられ、第一原料ガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
【００４５】
この際、バルブ６７Ａを開いて、第一原料ガスバイパス管６６Ａによって第一原料ガスを排気することにより、気化器５５Ａからの第一原料ガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
液体原料を気化させた原料ガスを安定供給するまでには時間がかかる。したがって、気化器５５Ａからの第一原料ガスの供給を停止することなく、処理室４１をバイパスするように流しておくことにより、次回の第一原料ガス供給ステップでは、流れを切換えるだけで、直ちに第一原料ガスをウエハ２へ供給することができる。
【００４６】
処理室４１内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室４１内に第二原料ガスが供給される。
すなわち、第二原料供給源５２Ｄから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えば、Ｓｉ−ＭＭＰが第二液体原料供給管５３Ｄを通り、液体流量コントローラ５４Ｄで流量制御され、気化器５５Ｄへ供給される。気化器５５Ｄは第二原料を気化させる。
バルブ６７Ｃが閉じられると共に、バルブ５７Ｄが開かれると、気化した第二原料ガスは第二原料ガス供給管５６Ｄを通り、シャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄおよびシャワー板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。
このときも、バルブ５７Ｅ、５７Ｃは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に流される。
第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管５６Ｄ内で混合されてシャワーヘッド５１に導かれ、第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してサセプタ４６上のウエハ２上へシャワー状に供給される（第二原料ガス供給ステップ）。
ウエハ２に対して供給された第二原料ガスは、排気管６２より排気される。
なお、第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
【００４７】
第二原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ５７Ｄが閉じられ、第二原料ガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｅ、５７Ｃは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
【００４８】
この際、バルブ６７Ｃを開いて、第二原料ガスバイパス管６６Ｃによって第二原料ガスを排気することにより、気化器５５Ｄからの第二原料ガスの供給を停止しないようにすることが好ましい。
液体原料を気化させた原料ガスを安定供給するまでには時間がかかる。したがって、気化器５５Ｄからの第二原料ガスの供給を停止することなく、処理室４１をバイパスするように流しておくことにより、次回の第二原料ガス供給ステップでは、流れを切換えるだけで、直ちに第二原料ガスをウエハ２へ供給することができる。
【００４９】
処理室４１内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室４１内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、前述のように、オゾナイザ５８からのオゾンガスの供給を停止することなく処理室４１をバイパスするように流しておいた状態で、バルブ６７Ｂが閉じられると共に、バルブ６０Ｂが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ５８からオゾンガス供給管５９Ｂを通り、シャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してウエハ２上へシャワー状に供給される（酸化剤供給ステップ）。
ウエハ２に対して供給されたオゾンガスは排気管６２より排気される。
なお、このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に供給される。
【００５０】
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ６０Ｂが閉じられ、オゾンガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
【００５１】
この際、前述の理由により、バルブ６７Ｂを開き、オゾンガスバイパス管６６Ｂによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ５８からのオゾンガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
【００５２】
処理室４１内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、再び、バルブ６７Ａが閉じられると共に、バルブ５７Ａが開かれると、気化した第一原料ガスが不活性ガスと共にシャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。すわなち、第一原料ガス供給ステップが実施される。
【００５３】
以上の第一原料ガス供給ステップ、パージステップ、第二原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップ、パージステップを、１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、ウエハ２上すなわちウエハ２表面に形成された界面層としてのシリコン酸化膜６上に所定膜厚の高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜７（図７（ｂ）参照）を形成することができる（高誘電率膜形成ステップ）。
【００５４】
次に、図９に示された第二実施形態に係るシーケンスについて説明する。
ウエハ２表面に界面層としてのシリコン酸化膜６が形成された後、ウエハ２の温度や処理室４１内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室４１内に第一原料ガスおよび第二原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源５２Ａから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えばＨｆ−ＭＭＰが、第一液体原料供給管５３Ａを通り、液体流量コントローラ５４Ａで流量制御され、気化器５５Ａへ供給される。気化器５５Ａは第一原料を気化させる。
バルブ６７Ａが閉じられると共に、バルブ５７Ａが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは、第一原料ガス供給管５６Ａを通り、シャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。
同時に、第二原料供給源５２Ｄから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えばＳｉ−ＭＭＰが、第二液体原料供給管５３Ｄを通り、液体流量コントローラ５４Ｄで流量制御され、気化器５５Ｄへ供給される。気化器５５Ｄは第二原料を気化させる。
バルブ６７Ｃが閉じられると共に、バルブ５７Ｄが開かれると、第二原料が気化した第二原料ガスは、第二原料ガス供給管５６Ｄを通り、シャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管５６Ａ内で混合され、第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管５６Ｄ内で混合されてシャワーヘッド５１に導かれる。
これらのガスは第一バッファ空間５１ｃにおいて混合された後に、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してサセプタ４６上のウエハ２上へシャワー状に供給される（原料ガス供給ステップ）。
ウエハ２に対して供給された第一原料ガスおよび第二原料ガスは、排気管６２より排気される。
なお、第一原料ガスおよび第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
【００５５】
第一原料ガスおよび第二原料ガスが所定時間供給された後に、バルブ５７Ａ、５７Ｄが閉じられ、各原料ガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
【００５６】
この際、前述の理由により、バルブ６７Ａおよび６７Ｃを開いて、第一原料ガスバイパス管６６Ａおよび第二原料ガスバイパス管６６Ｃによって第一原料ガスおよび第二原料ガスを排気することにより、気化器５５Ａおよび５５Ｄからの第一原料ガスおよび第二原料ガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
【００５７】
処理室４１内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室４１内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、前述のように、オゾナイザ５８からのオゾンガスの供給を停止することなく処理室４１をバイパスするように流しておいた状態で、バルブ６７Ｂが閉じられると共に、バルブ６０Ｂが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ５８からオゾンガス供給管５９Ｂを通り、シャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してウエハ２上へシャワー状に供給される（酸化剤供給ステップ）。
ウエハ２に対して供給されたオゾンガスは、排気管６２より排気される。
なお、このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態とされ、処理室４１内には不活性ガスが常に供給される。
【００５８】
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ６０Ｂが閉じられ、オゾンガスのウエハ２への供給が停止される。
このときも、バルブ５７Ｃ、５７Ｅは開いたままの状態なので、処理室４１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室４１へ供給された不活性ガスは排気管６２より排気される。これにより、処理室４１内が不活性ガスによりパージされ、処理室４１内の残留ガスが除去される（パージステップ）。
【００５９】
この際、前述の理由により、バルブ６７Ｂを開き、オゾンガスバイパス管６６Ｂによってオゾンガスを排気することにより、オゾナイザ５８からのオゾンガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
【００６０】
処理室４１内の残留ガスパージが所定時間だけ実施された後に、再び、バルブ６７Ａが閉じられると共にバルブ５７Ａが開かれ、同時に、バルブ６７Ｃが閉じられると共に、バルブ５７Ｄが開かれると、気化した第一原料ガスおよび第二原料ガスが不活性ガスと共にシャワーヘッド５１の第一バッファ空間５１ｃ、分散板５１ａ、第二バッファ空間５１ｄ、シャワー板５１ｂを経由してウエハ２上へ供給される。すなわち、原料ガス供給ステップが実施される。
【００６１】
以上の原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップ、パージステップを、１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を実施することにより、ウエハ２上すなわちウエハ２表面に形成された界面層としてのシリコン酸化膜６上に所定膜厚の高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜７（図７（ｂ）参照）を形成することができる（高誘電率膜形成ステップ）。
【００６２】
なお、高誘電率膜形成ステップをサイクリックＣＶＤ法により行う場合には、成膜温度を原料ガスが自己分解する程度の温度帯となるように制御する。
この場合、原料ガス供給ステップにおいては、原料ガスが熱分解し、ウエハ２上に数〜数十原子層程度の高誘電率膜が形成される。
この間、ウエハ２は回転しながら所定温度に保たれているので、ウエハ面内にわたり均一な膜を形成することができる。
酸化剤供給ステップにおいては、オゾンガスによりウエハ２上に形成された数〜数十原子層程度の高誘電率膜よりＣ、Ｈ等の不純物が除去される。この間も、ウエハ２は回転しながら所定温度に保たれているので、高誘電率膜より不純物を素早く均一に除去することができる。
【００６３】
また、高誘電率膜形成ステップをＡＬＤ法により行う場合には、成膜温度を原料ガスが自己分解しない程度の温度帯となるように制御する。
この場合、原料ガス供給ステップにおいては、原料ガスは熱分解することなくウエハ２上に吸着する。
この間、ウエハ２は回転しながら所定温度に保たれているので、ウエハ面内にわたり均一に原料を吸着させることができる。
酸化剤供給ステップにおいては、ウエハ２上に吸着した原料とオゾンガスとが反応することによりウエハ２上に１〜数原子層程度の高誘電率膜が形成される。
この間も、ウエハ２は回転しながら所定温度に保たれているので、ウエハ面内にわたり均一な膜を形成できる。
なお、このとき、オゾンガスにより高誘電率膜中に混入するＣ、Ｈ等の不純物を脱離させることができる。
【００６４】
サイクリックＣＶＤ法によりハフニウムシリケート膜を成膜する処理条件としては、処理温度：３９０〜４５０℃、処理圧力：５０〜４００Ｐａ、第一原料（Ｈｆ−ＭＭＰ）供給流量：０．０１〜０．２ｇ／分、第二原料（Ｓｉ−ＭＭＰ）供給流量：０．０１〜０．２ｇ／分、酸化剤（オゾンガス）供給流量：１００〜３０００ｓｃｃｍが例示される。
また、ＡＬＤ法によりハフニウムシリケート膜を成膜する処理条件としては、処理温度：２００〜３５０℃、処理圧力：５０〜４００Ｐａ、第一原料（Ｈｆ−ＭＭＰ）供給流量：０．０１〜０．２ｇ／分、第二原料（Ｓｉ−ＭＭＰ）供給流量：０．０１〜０．２ｇ／分、酸化剤（オゾンガス）供給流量：１００〜３０００ｓｃｃｍが例示される。
【００６５】
以上のようにして、図７（ｂ）に示されているように、ウエハ２上に形成された界面層としてのシリコン酸化膜６上に高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜７が形成される。
ハフニウムシリケート膜の形成が終了すると、ゲートバルブ４４が開かれ、成膜済みのウエハ２は負圧移載装置１３によって第一処理ユニット３１から負圧に維持された負圧移載室１１に搬出（ウエハアンローディング）される。
続いて、ゲートバルブ４４が閉じられた後に、ゲートバルブ８２が開かれ、負圧移載装置１３はウエハ２を、図１に示されたプラズマ窒化ステップを実施する第二処理ユニット３２に搬送して、第二処理ユニット３２の処理室へ搬入（ウエハローディング）する。
【００６６】
本実施の形態においては、第二処理ユニット３２には図４に示されたＭＭＴ(Modified Magnetron Typed)装置７０が使用されている。
【００６７】
図４に示されているように、ＭＭＴ装置７０は処理室７１を備えており、処理室７１は下側容器７２と、下側容器７２の上に被せられた上側容器７３とから構成されている。
上側容器７３はドーム型の酸化アルミニウムまたは石英によって形成されており、下側容器７２はアルミニウムによって形成されている。
上側容器７３の上部にはガス分散空間であるバッファ室７５を形成するシャワーヘッド７４が設けられており、下壁にはガスを噴出する噴出口であるガス噴出孔７７を有するシャワープレート７６が形成されている。シャワーヘッド７４の上壁にはガス供給装置７８に接続されたガス供給ライン７９が接続されている。
下側容器７２の側壁の一部には、排気装置８０に接続された排気ライン８１が接続されている。
下側容器７２の側壁の他の位置には、仕切弁となるゲートバルブ８２が設けられている。ゲートバルブ８２が開いている時にはウエハ２が処理室７１に負圧移載装置１３によって搬入および搬出されるようになっており、ゲートバルブ８２が閉じている時には処理室７１は気密に維持されるようになっている。
【００６８】
上側容器７３の外側には反応ガスを励起させる放電手段として筒状（好適には円筒状）の筒状電極８４が同心円に敷設されており、筒状電極８４は処理室７１のプラズマ生成領域８３を囲んでいる。筒状電極８４には高周波電力を印加する高周波電源８６がインピーダンスの整合を行う整合器８５を介して接続されている。
筒状電極８４の外側には筒状（好適には円筒状）の磁界形成手段である筒状磁石８７が同心円に敷設されており、筒状磁石８７は筒状電極８４の外側の表面の上下端近傍にそれぞれ配置されている。
上下の筒状磁石８７、８７は処理室７１の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石８７、８７の磁極の向きが逆向きに設定されている。したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極８４の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
筒状電極８４および筒状磁石８７の周囲には電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板８８が設置されており、遮蔽板８８は筒状電極８４および筒状磁石８７で形成される電界や磁界を外部環境等に悪影響を及ぼさないように遮蔽している。
【００６９】
下側容器７２の中心部にはエレベータによって昇降駆動されるサセプタ昇降軸８９が垂直方向に昇降するように支承されており、サセプタ昇降軸８９の処理室７１側の上端にはウエハ２を保持するための保持手段としてのサセプタ９０が水平に設置されている。
サセプタ昇降軸８９は下側容器７２と絶縁されており、下側容器７２の底面上におけるサセプタ昇降軸８９の外方には三本の突き上げピン９１が垂直に立設されている。
三本の突き上げピン９１はサセプタ昇降軸８９の下降時にサセプタ９０に開設された三個の挿通孔９２を下から挿通して、サセプタ９０の上に保持されたウエハ２を突き上げるように構成されている。
サセプタ９０は誘電体である石英によってウエハ２よりも大径の円盤形状に形成されており、ヒータ（図示せず）が内蔵されている。
サセプタ９０にはインピーダンスを調整するインピーダンス調整器９３が電気的に接続されている。インピーダンス調整器９３はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、サセプタ９０を介してウエハ２の電位を制御し得るようになっている。
【００７０】
次に、図１に示されたプラズマ窒化ステップを、以上の構成に係るＭＭＴ装置７０を使用してハフニウムシリケート膜に窒素（Ｎ）を添加する場合について説明する。
【００７１】
ゲートバルブ８２が開かれると、第一処理ユニット３１においてハフニウムシリケート膜が形成されたウエハ２は、第二処理ユニット３２であるＭＭＴ装置７０の処理室７１に負圧移載装置１３によって搬入され、三本の突き上げピン９１の上端間に移載される。
ウエハ２を突き上げピン９１に移載した負圧移載装置１３が処理室７１の外へ退避すると、ゲートバルブ８２が閉まり、サセプタ９０がサセプタ昇降軸８９により上昇されて、図４に示されているように、ウエハ２が突き上げピン９１の上からサセプタ９０に受け渡される。
【００７２】
処理室７１が気密に閉じられた状態で、処理室７１内の圧力は０．５〜２００Ｐａの範囲内の所定の圧力となるように排気装置８０によって排気される。
サセプタ９０のヒータは予め加熱されており、サセプタ９０に保持されたウエハ２を室温〜９５０℃の範囲内で所定の処理温度に加熱する。
ウエハ２が処理温度に加熱されると、０．１〜２ＳＬＭの流量の窒素（Ｎ2 ）ガスやアンモニア（ＮＨ3 ）ガス等の窒素原子を含むガスが処理室７１に、ガス供給装置７８からガス供給ライン７９およびシャワープレート７６のガス噴出孔７７を介してシャワー状に導入される。
次に、１５０〜２００Ｗの高周波電力が筒状電極８４に高周波電源８６から整合器８５を介して印加される。この際、高周波は反射波が最小になるように整合器８５によって制御される。
筒状磁石８７、８７の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハ２の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域８３に高密度プラズマが生成される。
そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ９０上のウエハ２の表面にプラズマ処理が施される。
以上の処理条件に対応する量の窒素がウエハ２上に形成されたハフニウムシリケート膜に添加され、図７（ｂ）（ｃ）に示されているように、ハフニウムシリケート膜７は窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）膜８となる。
この処理時間は、通常、３〜５分である。
【００７３】
ＭＭＴ装置７０において予め設定された処理時間が経過すると、ゲートバルブ８２が開かれ、窒化ハフニウムシリケート膜が形成されたウエハ２は、負圧移載装置１３によって搬入時とは逆の手順により、処理室７１から負圧移載室１１に搬出（ウエハアンローディング）される。
続いて、ゲートバルブ８２が閉じられた後に、ゲートバルブ１１８が開かれて、負圧移載装置１３はウエハ２を、図１に示されたアニールステップを実施する第三処理ユニット３３に搬送して、第三処理ユニット３３の処理室へ搬入（ウエハローディング）する。
【００７４】
本実施の形態においては、アニールステップを実施する第三処理ユニット３３には、図５に示されたＲＴＰ（Rapid Thermal Processing）装置１１０が使用されている。
図５に示されているように、ＲＴＰ装置１１０はウエハ２を処理する処理室１１１を形成した筐体１１２を備えており、筐体１１２は上下面が開口した円筒形状に形成されたカップ１１３と、カップ１１３の上面開口部を閉塞する円盤形状のトッププレート１１４と、カップ１１３の下面開口部を閉塞する円盤形状のボトムプレート１１５とが組み合わされて円筒中空体形状に構築されている。
カップ１１３の側壁の一部には排気口１１６が処理室１１１の内外を連通するように開設されており、排気口１１６には処理室１１１を大気圧未満（以下、負圧という。）に排気し得る排気装置（図示せず）が接続されている。
カップ１１３の側壁の排気口１１６と反対側の位置には、ウエハ２を処理室１１１に搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１１７が開設されており、ウエハ搬入搬出口１１７はゲートバルブ１１８によって開閉されるようになっている。
【００７５】
ボトムプレート１１５の下面の中心線上には昇降駆動装置１１９が設置されており、昇降駆動装置１１９はボトムプレート１１５に挿通されてボトムプレート１１５に対して上下方向に摺動自在に構成された昇降軸１２０を昇降させるように構成されている。
昇降軸１２０の上端には昇降板１２１が水平に固定されており、昇降板１２１の上面には複数本（通常は３本または４本）のリフタピン１２２が垂直に立脚されて固定されており、各リフタピン１２２は昇降板１２１の昇降に伴って昇降することにより、ウエハ２を下から水平に支持して昇降させるようになっている。
【００７６】
ボトムプレート１１５の上面における昇降軸１２０の外側には支持筒１２３が突設されており、支持筒１２３の上端面の上には冷却プレート１２４が水平に架設されている。
冷却プレート１２４の上方には、複数本の加熱ランプから構成された第一加熱ランプ群１２５および第二加熱ランプ群１２６が下から順に配置されて、それぞれ水平に架設されており、第一加熱ランプ群１２５および第二加熱ランプ群１２６は第一支柱１２７および第二支柱１２８によってそれぞれ水平に支持されている。
第一加熱ランプ群１２５および第二加熱ランプ群１２６の電力供給電線１２９はボトムプレート１１５を挿通して外部に引き出されている。
【００７７】
処理室１１１にはタレット１３１が処理室１１１と同心円に配置されている。タレット１３１は内歯平歯車１３３の上面に同心円に固定されており、内歯平歯車１３３はボトムプレート１１５に介設されたベアリング１３２によって水平に支承されている。内歯平歯車１３３には原動側平歯車１３４が噛合されており、原動側平歯車１３４はボトムプレート１１５に介設されたベアリング１３５によって水平に支承され、ボトムプレート１１５の下に設置されたサセプタ回転装置１３６によって回転駆動されるようになっている。
タレット１３１の上端面の上には平板の円形リング形状に形成されたアウタプラットホーム１３７が水平に架設されており、アウタプラットホーム１３７の内側にはインナプラットホーム１３８が水平に架設されている。
インナプラットホーム１３８の内周の下端部にはサセプタ１４０が、内周面の下端部に径方向内向きに突設された係合部１３９に係合されて保持されている。サセプタ１４０の各リフタピン１２２に対向する位置には挿通孔１４１がそれぞれ開設されている。
【００７８】
トッププレート１１４にはアニールガス供給管１４２および不活性ガス供給管１４３が処理室１１１に連通するようにそれぞれ接続されている。
また、トッププレート１１４には放射温度計のプローブ１４４が複数本、互いに半径方向にウエハ２の中心から周辺にかけてずらされてそれぞれ配置されてウエハ２の上面と対向するように挿入されており、放射温度計は複数本のプローブ１４４がそれぞれ検出した放射光に基づく計測温度をコントローラに逐次送信するように構成されている。
トッププレート１１４の他の場所にはウエハ２の放射率を非接触にて測定する放射率測定装置１４５が設置されている。放射率測定装置１４５はレファレンスプローブ１４６を備えており、レファレンスプローブ１４６はレファレンスプローブ用モータ１４７によって垂直面内で回転されるようになっている。
レファレンスプローブ１４６の上側には参照光を照射するレファレンスランプ１４８がレファレンスプローブ１４６の先端に対向するように設置されている。レファレンスプローブ１４６は放射温度計に光学的に接続されており、放射温度計はウエハ２からの光子密度とレファレンスランプ１４８からの参照光の光子密度とを比較することにより、計測温度を校正するようになっている。
【００７９】
次に、図１に示されたアニールステップを、以上の構成に係るＲＴＰ装置を使用して、ウエハ２上に形成された窒化ハフニウムシリケート膜にアニールを施す場合について説明する。
【００８０】
ゲートバルブ１１８が開かれると、アニールを施すべきウエハ２は、第三処理ユニット３３であるＲＴＰ装置１１０の処理室１１１に負圧移載装置１３によってウエハ搬入搬出口１１７から搬入され、複数本のリフタピン１２２の上端間に移載される。
ウエハ２をリフタピン１２２に移載した負圧移載装置１３が処理室１１１の外へ退避すると、ウエハ搬入搬出口１１７がゲートバルブ１１８により閉じられる。
また、昇降軸１２０が昇降駆動装置１１９によって下降されることにより、リフタピン１２２の上のウエハ２がサセプタ１４０の上に受け渡される。
処理室１１１が気密に閉じられた状態で、処理室１１１内は１０〜１００００Ｐａの範囲内の所定の圧力となるように排気口１１６を通じて排気される。
【００８１】
ウエハ２がサセプタ１４０に受け渡されると、ウエハ２をサセプタ１４０によって保持したタレット１３１が内歯平歯車１３３および原動側平歯車１３４を介してサセプタ回転装置１３６によって回転される。
サセプタ１４０に保持されたウエハ２はサセプタ回転装置１３６によって回転されながら、６００〜１０００℃の範囲内の所定の温度となるように第一加熱ランプ群１２５および第二加熱ランプ群１２６によって加熱される。
この回転および加熱中に、窒素ガスやアンモニアガス等の窒素原子を含むガスまたは酸素ガス等の酸素原子を含むガスが処理室１１１に、アニールガス供給管１４２から供給される。
なお、アニールの際にアニールガス供給管１４２から処理室１１１内に供給するガスは、窒素ガス等の不活性ガスが好ましい。酸素ガスを添加する場合は処理室１１１内の酸素分圧を１３３．３Ｐａ以下とするのが好ましい。
サセプタ１４０がサセプタ回転装置１３６によって回転されながら、サセプタ１４０の上に保持されたウエハ２は第一加熱ランプ群１２５および第二加熱ランプ群１２６によって均一に加熱されるため、ウエハ２上の窒化ハフニウムシリケート膜８は全面にわたって均一にアニールされる。
このアニールの処理時間は、５〜１２０秒間である。
以上のアニールステップにより、図７（ｄ）に示されているように、ウエハ２にはポストアニールによって改質された窒化ハフニウムシリケート膜９が形成される。
【００８２】
ＲＴＰ装置１１０において予め設定された所定の処理時間が経過すると、処理室１１１が排気口１１６によって所定の負圧となるように排気された後に、ゲートバルブ１１８が開かれ、アニールが施されたウエハ２は、負圧移載装置１３によって搬入時と逆の手順で処理室１１１から負圧移載室１１に搬出（ウエハアンローディング）される。
【００８３】
なお、高誘電率膜形成ステップ、プラズマ窒化ステップ、アニールステップ実施後のウエハは、第一クーリングユニット３５または第二クーリングユニット３６が使用されて、必要に応じて冷却される場合もある。
【００８４】
クラスタ装置１０でのアニールステップ後の図１に示されたウエハアンローディングステップにおいては、搬出室１５の負圧移載室１１側がゲートバルブ１８Ｂによって開かれ、負圧移載装置１３はウエハ２を負圧移載室１１から搬出室１５へ搬送し、搬出室１５の搬出室用仮置き台の上に移載する。
この際には、事前に、搬出室１５の正圧移載室１６側がゲートバルブ１８Ａによって閉じられ、搬出室１５が排気装置（図示せず）により負圧に排気される。搬出室１５が予め設定された圧力値に減圧されると、搬出室１５の負圧移載室１１側がゲートバルブ１８Ｂによって開かれ、ウエハアンローディングステップが行われることとなる。
ウエハアンローディングステップ後に、ゲートバルブ１８Ｂは閉じられる。
【００８５】
アニールステップ実施済みのウエハ２についてのクラスタ装置１０における第三処理ユニット３３から負圧移載室１１を介して行なわれる搬出室１５へのアンローディング作業は、いずれも真空下に維持された第三処理ユニット３３、負圧移載室１１および搬出室１５において実施されるために、第三処理ユニット３３から搬出室１５へのウエハ２のアンローディング作業に際して、ウエハ２に形成された膜の表面に自然酸化膜が生成されたり、有機物等の不純物や異物等が付着したりするのは防止される。
同様に、搬入室１４から第一処理ユニット３１へ、第一処理ユニット３１から第二処理ユニット３２へ、第二処理ユニット３２から第三処理ユニット３３へウエハをそれぞれ搬送する場合においても、搬送作業はいずれも真空下に維持された状態で実施されるために、ウエハ２に形成された膜の表面に自然酸化膜が生成されたり、有機物等の不純物や異物等が付着したりするのは防止される。
【００８６】
以上の作動が繰り返されることにより、搬入室１４に一括して搬入された２５枚のウエハ２について、第一処理ユニット３１による界面層形成ステップおよび高誘電体膜形成ステップ、第二処理ユニット３２によるプラズマ窒化ステップ、第三処理ユニット３３によるアニールステップが順次に実施されて行く。
【００８７】
なお、先に処理されているウエハ２が第一処理ユニット３１での処理を終了し、第二処理ユニット３２に搬入された後に、次のウエハ２を第一処理ユニット３１に搬送し、処理することが可能である。
つまり、一連の処理順序の中で、それぞれの処理ユニットが空き状態になったら、次のウエハ２を搬入して、並列で複数のウエハを処理することが可能である。
２５枚のウエハ２について一連の所定の処理が完了すると、処理済のウエハ２は搬出室１５の仮置き台に溜められた状態になる。
【００８８】
図１に示されたウエハ排出ステップにおいては、負圧に維持された搬出室１５内に窒素ガスが供給され、搬出室１５内が大気圧となった後に、搬出室１５の正圧移載室１６側が、ゲートバルブ１８Ａによって開かれる。
次いで、載置台２５に載置された空のポッド１のキャップが、ポッドオープナ２４のキャップ着脱機構２６によって開かれる。
続いて、正圧移載室１６の正圧移載装置１９は搬出室１５からウエハ２をピックアップして正圧移載室１６に搬出し、正圧移載室１６のウエハ搬入搬出口２３を通してポッド１に収納（チャージング）して行く。
処理済みの２５枚のウエハ２のポッド１への収納が完了すると、ポッド１のキャップがポッドオープナ２４のキャップ着脱機構２６によってウエハ出し入れ口に装着され、ポッド１が閉じられる。
【００８９】
本実施の形態においては、クラスタ装置１０における一連の四つのステップが終了したウエハ２はポッド１に気密に収納された状態で、ゲート電極形成ステップを実施する成膜装置に、図１に示されたポッドの工程内搬送ステップにより搬送されて行く。
ゲート電極形成ステップを実施する成膜装置としては、例えば、バッチ式縦形ホットウオール形ＣＶＤ装置、枚葉式ＡＬＤ装置、枚葉式ＣＶＤ装置等がある。
そして、図１に示されたパターニングステップを経て、ウエハ２にデュアルメタルゲート構造の電極が形成されて行く。
【００９０】
ゲート電極形成ステップおよびパターニングステップの一例を、デュアルメタルゲート構造の電極を形成する場合について、図１０〜図１２によって説明する。
図１０（ａ）に示されているように、クラスタ装置１０における一連の三つのステップにより形成された窒化ハフニウムシリケート膜９の上にＮＭＯＳ用電極膜２０１が形成される。
次に、図１０（ｂ）に示されているように、ＮＭＯＳ用電極膜２０１のＮウエル領域５に対応する部分にスルーホール２０２が形成される。
次に、図１１（ａ）に示されているように、ＮＭＯＳ用電極膜２０１およびスルーホール２０２の形成により露出した窒化ハフニウムシリケート膜９の上にＰＭＯＳ用電極膜２０３が形成される。
次に、図１１（ｂ）に示されているように、ＮＭＯＳ用電極膜２０１が露出するまでＰＭＯＳ用電極膜２０３が平坦化される。
その後、図１２に示されているように、ＮＭＯＳ用電極膜２０１およびＰＭＯＳ用電極膜２０３がパターンニングされて、ＮＭＯＳ用電極２０４およびＰＭＯＳ用電極２０５が形成される。
なお、ゲート電極はデュアルメタルゲート構造に構成するに限らない。
また、ゲート電極はメタルゲート電極によって形成するに限らず、ポリシリコン膜もしくはアモルファスシリコン膜によって形成してもよい。
なお、メタル電極の形成材料としては、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｉＳｉ、ＰｔＳｉ、ＴａＣ、ＴｉＳｉ、Ｒｕ、ＳｉＧｅ、がある。
【００９１】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００９２】
（１）一つの成膜装置内で連続して界面層としてのシリコン酸化膜と高誘電率膜としてのハフニウムシリケート膜を形成することができるので、効率的に極薄いシリコン酸化膜を界面にもつハフニウムシリケート膜を形成することができる。
【００９３】
（２）成膜温度よりも低い温度でオゾンガスを供給することにより、成膜温度よりも低い温度で薄い酸化シリコン膜を形成することができるので、より一層効率的に薄い酸化シリコン膜を形成することができる。
【００９４】
（３）成膜温度への上昇途中で、オゾンガスを供給することにより、より一層効率的に薄い酸化シリコン膜を形成することができる。
【００９５】
（４）成膜温度への上昇途中に成膜温度よりも低い一定の温度期間を設定し、その期間にオゾンガスを供給することにより、薄い酸化シリコン膜を精密かつ効率的に形成することができる。
【００９６】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００９７】
前記実施形態では、界面層形成ステップ後に高誘電率膜形成ステップを行う例について説明したが、例えば、初期のＨｆＳｉＯを極薄く形成するようにすれば、オゾンガス供給時に下地のウエハの表面を酸化できるので、高誘電率膜形成ステップの前に別途界面層形成ステップを設けなくとも、高誘電率膜形成ステップの初期にＨｆＳｉＯ膜の形成と同時に界面層としてのシリコン酸化膜が形成される。
【００９８】
ゲート絶縁膜を形成するための高誘電率膜の形成材料としては、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）以外に、Ｔａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＨｆＡｌＯｘ、ＨｆＡｌＯＮ、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 がある。
キャパシタ絶縁膜の形成材料としては、ＢＳＴ（Ｂａ−Ｓｒ−ＴｉＯ3 ）、ＳＴＯ（Ｓｒ−ＴｉＯ3 ）、がある。
【００９９】
被処理基板はウエハに限らず、ＬＣＤ装置の製造工程におけるガラス基板や液晶パネル等の基板であってもよい。
【０１００】
本願が開示する手段のうち代表的なものは、以下の通りである。
（１）処理室内に基板を搬入するステップと、
前記処理室内にオゾンガスを供給して基板表面に酸化膜を形成するステップと、
前記処理室内に原料ガスを供給するステップと、前記処理室内にオゾンガスを供給するステップと、を連続して複数回繰り返すことで前記酸化膜上に金属酸化膜を形成するステップと、
前記金属酸化膜形成後の基板を前記処理室内から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料ガスを供給する供給口と、
前記処理室内にオゾンガスを供給する供給口と、
前記処理室内にオゾンガスを供給して基板表面に酸化膜を形成し、その後、原料ガスの供給とオゾンガスの供給とを連続して複数回繰り返すことで前記酸化膜上に金属酸化膜を形成するように制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
（３）前記（１）（２）において、前記原料ガスが、Ｈｆを含む液体原料を気化したガスとＳｉを含む液体原料を気化したガスである。
（４）前記（３）において、前記Ｈｆを含む液体原料が、Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 ］4 であり、前記Ｓｉを含む液体原料がＳｉ［ＯＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 ］4 である。
（５）前記（１）（２）において、前記処理室内に原料ガスを供給するステップでは、前記処理室内で原料ガスが分解して膜が形成され、
前記処理室内にオゾンガスを供給するステップでは、前記形成された膜中の不純物が除去される。
（６）前記（１）（２）において、前記処理室内に原料ガスを供給するステップでは、前記酸化膜上に原料ガスが吸着し、
前記処理室内にオゾンガスを供給するステップでは、前記酸化膜上に吸着した原料ガスがオゾンガスと反応して膜が形成される（ＡＬＤ）。
（７）前記（１）（２）において、前記酸化膜を形成するステップは、前記金属酸化膜を形成するステップよりも低い温度にて行われる。
（８）前記（１）（２）において、前記酸化膜を形成するステップは、前記金属酸化膜を形成するステップとは、温度、圧力、オゾンガス流量、オゾンガス供給時間のうち、少なくとも何れかの条件を異ならせて行う。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の一実施の形態であるＭＯＳＦＥＴのゲートを形成するゲートスタック形成工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明の一実施の形態であるクラスタ装置を示す平面断面図である。
【図３】成膜装置を示す正面断面図である。
【図４】ＭＭＴ装置を示す正面断面図である。
【図５】ＲＴＰ装置を示す正面断面図である。
【図６】高誘電率膜形成前のウエハを示す拡大断面図である。
【図７】各ステップのウエハをそれぞれ示す各拡大断面図である。
【図８】界面層形成ステップおよび高誘電率膜形成ステップの第一実施形態のタイムチャートであり、（ａ）はシーケンスを示し、（ｂ）は成膜温度の第一例を示し、（ｃ）は成膜温度の第二例を示している。
【図９】界面層形成ステップおよび高誘電率膜形成ステップの第二実施形態に係るシーケンスを示すタイムチャートである。
【図１０】（ａ）はＮＭＯＳ用電極膜形成ステップを示す拡大断面図、（ｂ）はスルーホール形成ステップを示す拡大断面図である。
【図１１】（ａ）はＰＭＯＳ用電極膜形成ステップを示す拡大断面図、（ｂ）は平坦化ステップを示す拡大断面図である。
【図１２】ＮＭＯＳ用電極とＰＭＯＳ用電極のパターニングステップを示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１…ポッド、２…ウエハ（被処理基板）、３…素子分離領域、４…Ｐウエル領域、５…Ｎウエル領域、６…シリコン酸化膜、７…ハフニウムシリケート膜（高誘電率膜）、８…窒化ハフニウムシリケート膜（プラズマ窒化された高誘電率膜）、９…窒化ハフニウムシリケート膜（アニール後のプラズマ窒化済み高誘電率膜）、
２０１…ＮＭＯＳ用電極膜、２０２…スルーホール、２０３…ＰＭＯＳ用電極膜、２０４…ＮＭＯＳ用電極、２０５…ＰＭＯＳ用電極、
１０…クラスタ装置（基板処理装置）、１１…負圧移載室（基板移載室）、１２…負圧移載室筐体、１３…負圧移載装置（ウエハ移載装置）、１４…搬入室（搬入用予備室）、１５…搬出室（搬出用予備室）、１６…正圧移載室（ウエハ移載室）、１７Ａ、１７Ｂ…ゲートバルブ、１８Ａ、１８Ｂ…ゲートバルブ、１９…正圧移載装置（ウエハ移載装置）、２０…ノッチ合わせ装置、２１、２２、２３…ウエハ搬入搬出口、２４…ポッドオープナ、２５…載置台、２６…キャップ着脱機構、３１…第一処理ユニット、３２…第二処理ユニット、３３…第三処理ユニット、３４…第四処理ユニット、３５…第一クーリングユニット、３６…第二クーリングユニット、３７…コントローラ、
４０…成膜装置（基板処理装置）、４１…処理室、４２…筐体、４３…ウエハ搬入搬出口、４４…ゲートバルブ、４５…支持台、４６…サセプタ、４７…ヒータ、４８…温度コントローラ、４９…回転機構、５０…昇降機構、５１…シャワーヘッド、５１ａ…分散板、５１ｂ…シャワー板、５１ｃ…第一バッファ空間、５１ｄ…第二バッファ空間、５１ｅ…ガス噴出口、５１ｆ…ガス噴出口、
５２Ａ…第一原料供給源、５３Ａ…第一液体原料供給管、５４Ａ…液体流量コントローラ（液体マスフローコントローラ）、５５Ａ…気化器、５６Ａ…第一原料ガス供給管、５７Ａ…バルブ、
５２Ｄ…第二原料供給源、５３Ｄ…第二液体原料供給管、５４Ｄ…液体流量コントローラ（液体マスフローコントローラ）、５５Ｄ…気化器、５６Ｄ…第二原料ガス供給管、５７Ｄ…バルブ、
５２Ｃ…不活性ガス供給源、５３Ｃ…不活性ガス供給管、５４Ｃ…ガス流量コントローラ、５７Ｃ、５７Ｅ…バルブ、
５２Ｂ…酸素ガス供給源、５３Ｂ…酸素ガス供給管、５４Ｂ…ガス流量コントローラ、５７Ｂ…バルブ、５８…オゾナイザ、５９Ｂ…オゾンガス供給管、６０Ｂ…バルブ、
６１…排気口、６２…排気管、６３…真空ポンプ、６４…圧力コントローラ、６５…原料回収トラップ、
６６Ａ…第一原料ガスバイパス管（ベント管）、６６Ｂ…オゾンガスバイパス管（ベント管）、６６Ｃ…第二原料ガスバイパス管（ベント管）、６７Ａ、６７Ｃ、６７Ｂ…バルブ、
６８…プレート、６９…メインコントローラ、
７０…ＭＭＴ装置、７１…処理室、７２…下側容器、７３…上側容器、７４…シャワーヘッド、７５…バッファ室、７６…シャワープレート、７７…ガス噴出孔、７８…ガス供給装置、７９…ガス供給ライン、８０…排気装置、８１…排気ライン、８２…ゲートバルブ、８３…プラズマ生成領域、８４…筒状電極、８５…整合器、８６…高周波電源、８７…筒状磁石、８８…遮蔽板、８９…サセプタ昇降軸、９０…サセプタ、９１…突き上げピン、９２…挿通孔、９３…インピーダンス調整器。
１１０…ＲＴＰ装置、１１１…処理室、１１２…筐体、１１３…カップ、１１４…トッププレート、１１５…ボトムプレート、１１６…排気口、１１７…ウエハ搬入搬出口、１１８…ゲートバルブ、
１１９…昇降駆動装置、１２０…昇降軸、１２１…昇降板、１２２…リフタピン、１２３…支持筒、１２４…冷却プレート、１２５…第一加熱ランプ群、１２６…第二加熱ランプ群、１２７…第一支柱、１２８…第二支柱、１２９…電力供給電線、
１３１…タレット、１３２…ベアリング、１３３…内歯平歯車、１３４…原動側平歯車、１３５…ベアリング、１３６…サセプタ回転装置、１３７…アウタプラットホーム、１３８…インナプラットホーム、１３９…係合部、１４０…サセプタ、１４１…挿通孔、
１４２…アニールガス供給管、１４３…不活性ガス供給管、１４４…プローブ、１４５…放射率測定装置、１４６…レファレンスプローブ、１４７…レファレンスプローブ用モータ、１４８…レファレンスランプ。
【図１】
2009049316.tif 000003
【図２】
2009049316.tif 000004
【図３】
2009049316.tif 000005
【図４】
2009049316.tif 000006
【図５】
2009049316.tif 000007
【図６】
2009049316.tif 000008
【図７】
2009049316.tif 000009
【図８】
2009049316.tif 000010
【図９】
2009049316.tif 000011
【図１０】
2009049316.tif 000012
【図１１】
2009049316.tif 000013
【図１２】
2009049316.tif 000014