(57)【要約】【課題】端子間を確実に電気的に接続することができることにより、信頼性を向上させることのできる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】外部接続端子１０２に対して、低融点材料から構成された導電性粒子３を有するＡＣＦ１を塗布する塗布工程と、ＡＣＦ１を介して、外部接続端子１０２に対し端子部１１３を熱圧着することにより、熱の付与により導電性粒子３を溶かして、共晶接合により、外部接続端子１０２と端子部１１３とを電気的に接続する接続工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図７
2009186707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学パネルに形成された第１の端子部と、基板の第２の端子部とを電気的に接続する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の端子部と前記第２の端子部とのいずれかに対して、低融点材料から構成された導電性粒子を有する異方性導電接着剤を塗布する塗布工程と、
前記異方性導電接着剤を介して、前記第１の端子部に対し前記第２の端子部を熱圧着することにより、熱の付与により前記導電性粒子を溶かして、共晶接合により、前記第１の端子部と前記第２の端子部とを電気的に接続する接続工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電性粒子は、５００℃以下の低融点材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記低融点材料は、金属粒子から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記低融点材料は、樹脂に５００℃以下の低融点材料から構成された金属メッキが形成された樹脂コア粒子から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記接続工程における前記熱圧着は、前記導電性粒子の融点よりも高い温度を付与して行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学パネルに形成された第１の端子部と、薄板状基板の第２の端子部とを電気的に接続する電気光学装置の製造方法、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成された電気光学パネルである液晶パネルが実装ケース等に収容されて構成されている。
【０００３】
また、液晶装置は、液晶パネルの一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００４】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜は、層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００５】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、一部に切り欠きを有するよう略周状に塗布されたシール材を介して、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされる。
【０００６】
次いでアライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、シール材の一部に設けられた切り欠きを介して液晶が封入され、切り欠きが、熱等により硬化された封止材により封止される。
【０００７】
その後、例えばＴＦＴ基板が対向基板より平面視した状態で大きく形成されることによりＴＦＴ基板の対向基板が貼り合わされた面の一部に形成された張り出し部において、液晶パネルの一端と他端とを結ぶ幅方向に沿って設けられた外部接続端子に対し、プロジェクタ等の電子機器の外部回路と電気的に接続する、特定の長さを有する柔軟な図示しない薄板状基板であるフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits、以下ＦＰＣと称す）の端子部が電気的に接続される。
【０００８】
尚、外部接続端子に対してＦＰＣの端子部は、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film、以下、ＡＣＦと称す）や、異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste、以下、ＡＣＰと称す）等の異方性導電接着剤中の、例えば金属粒子等の導電性粒子を介して、熱圧着等により電気的に接続される。最後に、液晶パネルが実装ケース等に収容されることにより液晶装置が形成される。
【０００９】
このように、異方性導電接着剤中の導電性粒子を介して、端子間を接続する構成は、例えば特許文献１に開示されている。具体的には、特許文献１には、接着剤中に所定の割合で混在された導電性粒子となる金属粉を各端子にめり込まことにより、端子間を確実に電気的に接続する構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００７−４８８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、例えば上述したＴＦＴ基板を製造する工程において、例えば１枚の大板の石英基板に複数構成された各ＴＦＴ基板を所定の大きさにそれぞれ切断することにより、ＴＦＴ基板を一度に複数製造する手法が周知であるが、ＴＦＴ基板の小型化を図ると、１枚の大板の石英基板から一度に製造できるＴＦＴ基板の個数が増加することから、製造コストと削減を図ることができる。尚、以上のことは、対向基板であっても同様である。
【００１１】
しかしながら、ＴＦＴ基板の小型化を図ると外部接続端子の面積も縮小してしまうため、即ち、外部接続端子に対するＦＰＣの端子部の接続面積も縮小してしまうため、接続後、外部接続端子からＦＰＣの端子部が外れやすくなってしまうといった問題がある。
【００１２】
よって、特許文献１に開示された導電性粒子を各端子にめり込ますことにより、各端子間を電気的に接続する手法、構成よりも、各端子間をより確実に電気的に接続することができる手法、構成が望まれていた。
【００１３】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、端子間を確実に電気的に接続することができることにより、信頼性を向上させることのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学パネルに形成された第１の端子部と、基板の第２の端子部とを電気的に接続する電気光学装置の製造方法であって、前記第１の端子部と前記第２の端子部とのいずれかに対して、低融点材料から構成された導電性粒子を有する異方性導電接着剤を塗布する塗布工程と、前記異方性導電接着剤を介して、前記第１の端子部に対し前記第２の端子部を熱圧着することにより、熱の付与により前記導電性粒子を溶かして、共晶接合により、前記第１の端子部と前記第２の端子部とを電気的に接続する接続工程と、を具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、接続工程において、熱圧着の際、熱の付与により異方性導電接着剤中の導電性粒子を溶かして、第１の端子部と第２の端子部とを共晶接合によって電気的に接続することから、導電性粒子をめり込ませて第１の端子部と第２の端子部とを電気的に接続する従来よりも、各端子部に対する導電性粒子の接触面積が増えるため、確実に第１の端子部と第２の端子部とを電気的に接続することができることにより、電気光学装置の信頼性を向上させることができる。
【００１６】
また、前記導電性粒子は、５００℃以下の低融点材料から構成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、熱圧着の際、電気光学パネルに高熱によるダメージを与えることなく、第１の端子部と第２の端子部とを、溶け広がった導電性粒子を介して共晶接合により確実に電気的に接続することができる。
【００１８】
さらに、前記低融点材料は、金属粒子から構成されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、熱圧着の際、電気光学パネルに高熱によるダメージを与えることなく、第１の端子部と第２の端子部とを、溶け広がった金属粒子を介して、共晶接合により確実に電気的に接続することができる。
【００２０】
また、前記低融点材料は、樹脂に５００℃以下の低融点材料から構成された金属メッキが形成された樹脂コア粒子から構成されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、熱圧着の際、電気光学パネルに高熱によるダメージを与えることなく、第１の端子部と第２の端子部とを、溶け広がった樹脂コア粒子の金属メッキを介して、共晶接合により確実に電気的に接続することができる。
【００２２】
さらに、前記接続工程における前記熱圧着は、前記導電性粒子の融点よりも高い温度を付与して行うことを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、確実に導電性粒子を溶かすことができることから、共晶接合により、第１の端子部と第２の端子部とを確実に電気的に接続することができる。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、第１の端子部と第２の端子部とが、熱圧着の際の熱の付与により溶け広がった異方性導電接着剤中の導電性粒子を介して、共晶接合により電気的に接続される構成を有していることから、導電性粒子がめり込まされて第１の端子部と第２の端子部とが電気的に接続される従来構成よりも、各端子部に対する導電性粒子の接触面積が増えるため、確実に第１の端子部と第２の端子部とが電気的に接続されることにより、電気光学装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。よって、電気光学装置が具備する電気光学パネルは、液晶パネルを例に挙げて説明する。
【００２７】
また、液晶パネルにおいて対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。さらに、異方性導電接着剤は、上述したＡＣＦを例に挙げて説明する。
【００２８】
先ず、本実施の形態を示す製造方法によって製造される液晶装置の構成を図１、図２を用いて説明する。図１は、本実施の形態の製造方法によって製造される液晶装置における液晶パネルをＦＰＣとともに示す平面図、図２は、図１中のII-II線に沿って切断した液晶パネルをＦＰＣとともに示す断面図である。
【００２９】
図１、図２に示すように、液晶パネル１００は、例えば、石英基板やガラス基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等を用いたＴＦＴ基板１０よりも外形の小さい対向基板２０との間の内部空間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３０】
ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、ＴＦＴ基板１０の対向基板２０に対向する対向面となる表面１０ｆ側における表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極９ａがマトリクス状に配置されている。
【００３１】
また、対向基板２０の表面２０ｆ側における液晶５０と接する領域に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する対向電極２１が設けられており、対向電極２１の表示領域１０ｈに対向する領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００３２】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６、２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３３】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応して図示しない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられ、このＴＦＴ毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００３４】
ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００３５】
対向基板２０に、液晶パネル１００の表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００３６】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００３７】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間の空間において、シール材５２により囲まれた領域に液晶５０を注入するための切り欠きである液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９によって封止される。
【００３８】
ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆにおいて、シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１と外部回路との接続のための第１の端子部である外部接続端子１０２とが、ＴＦＴ基板１０の一端１０ｔ１とＴＦＴ基板１０の他端１０ｔ２とを結ぶ幅方向Ｈに沿って一側面側に設けられている。
【００３９】
尚、外部接続端子１０２は、対向基板２０に設けられていても構わない。また、外部接続端子１０２は、アルミニウム、ＩＴＯ等の電気的な導通性を有する材料から構成されている。さらに、図１には、ｐｉｎ数が省略して示してあるが、外部接続端子１０２は、通常、１００ｐｉｎ〜１０００ｐｉｎ程度、液晶パネルによって必要に応じた数が設けられている。
【００４０】
外部接続端子１０２に、液晶パネル１００を、図示しないプロジェクタ等の電子機器と電気的に接続する、特定の長さを有するＦＰＣ１１２の一端に構成された第２の端子部である端子部１１３（図５参照）が、ＡＣＦ１を介して、例えば圧着により電気的に接続されている。尚、ＡＣＦ１の構成は、後述する。
【００４１】
端子部１１３は、銅にニッケル金メッキが形成されたものや、銅に金メッキが形成されたもの、銅にスズメッキが形成されたもの等から構成されている。尚、端子部１１３を構成する材料は、上述したものに限定されない。
【００４２】
ＦＰＣ１１２の他端が電子機器における外部回路に接続されることにより、液晶パネル１００と電子機器とは電気的に接続される。尚、ＡＣＦ１を介した外部接続端子１０２とＦＰＣ１１２の端子部１１３との接続構成も後述する。
【００４３】
また、外部接続端子１０２と端子部１１３との電気的な接続を補強するため、ＦＰＣ１１２と、ＴＦＴ基板１０の一側面との間には、幅方向Ｈに沿って直線状に、例えば光硬化型接着剤７０が設けられている。
【００４４】
ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆにおいて、外部接続端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の一側面に隣接する各側面に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３、１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３、１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆ上に形成されている。
【００４５】
また、ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆ上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３、１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４６】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４７】
また、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒに、カバーガラス３０が貼着されている。同様に、対向基板２０の裏面２０ｒにも、カバーガラス３１が貼着されている。
【００４８】
各カバーガラス３０、３１は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の各裏面１０ｒ、２０ｒの少なくとも各表示領域１０ｈ、２０ｈに塵埃等が付着するのを防止するとともに、塵埃等を、各裏面１０ｒ、２０ｒから離間させてデフォーカスすることで、塵埃等の像を目立たなくする機能を有する。
【００４９】
次に、このように構成された液晶装置の製造方法、具体的には、外部接続端子に対するＦＰＣの端子部の接続方法を、図３〜図７を用いて示す。尚、外部接続端子に対するＦＰＣの端子部の接続方法以外の液晶装置の製造方法は、周知であるため、その説明は省略する。
【００５０】
図３は、ステージに載置されたＴＦＴ基板上に外部接続端子が設けられた状態を概略的に示す断面図、図４は、図３の外部接続端子上に、ＡＣＦを貼り付けた状態を概略的に示す断面図、図５は、図４のＡＣＦを介して、外部接続端子にＦＰＣの端子部を貼り合わせた状態を概略的に示す断面図である。
【００５１】
また、図６は、図５の貼り合わせ状態から、ＦＰＣの端子部を、ＡＣＦを介して外部接続端子にボンディングツールを用いて圧着した状態を概略的に示す断面図、図７は、図６の圧着後、ＡＣＦに熱が付与されて、導電性粒子が溶けて第１の端子部と第２の端子部とが共晶接合により電気的に接続された状態を概略的に示す断面図である。
【００５２】
また、以下、図３〜図７においては、図面を簡略化するため、外部接続端子の個数を、図１よりも減らして示している。さらに、以下において、図３〜図７においては、図面を簡略化するため、導電性粒子の個数を実際よりも減らして示している。
【００５３】
先ず、図３に示すようなヒータ１５５を有するヒータステージ１５０に載置されたＴＦＴ基板１０の外部接続端子１０２上に、図４に示すように、ＡＣＦ１を塗布する、即ち貼り付ける塗布工程を行う。
【００５４】
尚、ＡＣＦ１は、絶縁性接着材料２と、該絶縁性接着材料２中に拡散された、例えば半田、スズ等の５００℃以下の低融点材料から構成された金属粒子からなる所定の粒径、例えば２〜３μｍの粒径を有する導電性粒子３とから主要部が構成されている。また、以下、導電性粒子３は、２６０℃〜２８０℃程度の融点を有する半田から構成された金属粒子を例に挙げて示す。
【００５５】
図４に示す塗布工程終了後、ＡＣＦ１を介して、外部接続端子１０２に対してＦＰＣ１１２の端子部１１３を電気的に接続する接続工程を行う。
【００５６】
具体的には、先ず、図５に示すように、ＡＣＦ１を介して、各外部接続端子１０２に対し、各端子部１１３がそれぞれ対向するよう、外部接続端子１０２に、ＦＰＣ１１２を貼り合わせる。その後、ヒータ１５５により、ヒータステージ１５０を、予め、６０℃〜１２０℃程度に温める。
【００５７】
次いで、図６に示すように、ＦＰＣ１１２の厚さ方向Ｔの上方から、ヒータ２０５を有する既知の圧着装置（以下、ボンディングツールと称す）２００を用いて、外部接続端子１０２に対して、ＡＣＦ１を介して端子部１１３を圧着する。
【００５８】
具体的には、ヒータ２０５により、導電性粒子３を構成する半田の融点よりも高い温度、例えば５００℃程度まで加熱されたボンディングツール２００を、ＦＰＣ１１２の厚さ方向Ｔの上方から、ＡＣＦ１を押し潰すことにより、外部接続端子１０２に対して端子部１１３を電気的に接続する熱圧着を、例えば２、３秒行う。
【００５９】
尚、熱圧着を、２、３秒しか行わないのは、５００℃もの熱を、液晶パネル１００に対して長時間付与すると、液晶パネル１００に悪影響を及ぼす場合があるためである。具体的には、液晶５０が劣化してしまう等の不具合が発生してしまう場合があるためである。
【００６０】
熱圧着の結果、ＡＣＦ１には、熱が付与され、２６０℃〜２８０℃程度の融点を有する半田から構成された導電性粒子３は、ボンディングツール２００及びヒータステージ１５０からの熱の付与により、図７に示すようにフィレット状に溶け広がり、該溶け広がった導電性粒子３は、既知の共晶接合により、外部接続端子１０２とＦＰＣ１１２の端子部１１３とを電気的に接続する。
【００６１】
この際、導電性粒子３は、溶け広がっているので、従来のように、導電性粒子３の厚さ方向Ｔの上端と下端とで外部接続端子１０２と端子部１１３とを電気的に接続する方法よりも、接続面積を広くして、外部接続端子１０２と端子部１１３とを電気的に接続する。
【００６２】
また、図７においては、一対の外部接続端子１０２と端子部１１３との間は、１つの溶け広がった導電性粒子３において電気的に接続されているように示してあるが、実際は、平面視した状態で、複数の溶け広がった導電性粒子３によって電気的に接続されている。
【００６３】
このように、本実施の形態においては、接続工程において、熱の付与により、ＡＣＦ１中の導電性粒子３をフィレット状に溶かして、共晶接合により、外部接続端子１０２と端子部１１３とを電気的に接続すると示した。
【００６４】
このことによれば、導電性粒子３をめり込ませて外部接続端子１０２と端子部１１３とを電気的に接続する従来よりも、各端子部１０２、１１３に対する導電性粒子３の接触面積が増えるため、確実に外部接続端子１０２と端子部１１３とを電気的に接続することができることにより、液晶装置の信頼性を向上させることができる。
【００６５】
また、本実施の形態においては、ＡＣＦ１中の導電性粒子３は、５００℃以下の融点材料、具体的には、２６０℃〜２８０℃程度の融点を有する半田から構成された金属粒子から構成されていると示した。
【００６６】
このことによれば、熱圧着の際、液晶パネル１００に高熱によるダメージを与えることなく、外部接続端子１０２と端子部１１３とを、溶け広がった半田を介して、共晶接合により確実に電気的に接続することができる。
【００６７】
さらに、本実施の形態においては、接続工程におけるボンディングツール２００を用いた熱圧着は、導電性粒子３の融点よりも高い温度を付与して行うと示した。
【００６８】
このことによれば、確実に導電性粒子３を溶かすことができることから、共晶接合により、外部接続端子１０２と端子部１１３とを確実に電気的に接続することができる。
【００６９】
尚、以下、変形例を示す。本実施の形態においては、導電性粒子３は、２６０℃〜２８０℃程度の融点を有する半田から構成された金属粒子を例に挙げて示したが、これに限らず、５００℃以下の融点を有する半田であれば、他の半田であっても良いことは勿論である他、２３２℃の融点を有するスズから構成された金属粒子であっても構わないし、他の５００℃以下の融点を有する材料から構成された金属粒子であっても構わない。また、この場合、導電性粒子３の融点に応じて、ボンディングツール２００の加熱温度を、導電性粒子３を溶かすとともに、液晶パネル１００にダメージを与えない温度に変更する。
【００７０】
さらに、以下、図８、図９を用いて別の変形例を示す。図８は、ＡＣＦ中の樹脂コア粒子を示す断面図、図９は、図８の樹脂コア粒子中の金属メッキを溶かして、外部接続端子とＦＰＣの端子部とを電気的に接続した状態を概略的に示す部分断面図である。
【００７１】
本実施の形態においては、導電性粒子３は、金属粒子から構成されていると示した。これに限らず、図８に示すように、球状の樹脂３０１の外周に、５００℃以下の融点を有する半田、スズ等の金属メッキ３０２が形成されて構成された樹脂コア粒子３００から構成されていても構わない。尚、金属メッキ３０２は、５００℃以下の融点を有する融点材料であれば、他のものであっても良い。
【００７２】
この場合、図９に示すように、接続工程における熱圧着において、ボンディングツール２００からＡＣＦ１に熱が付与されると、樹脂コア粒子３００における金属メッキ３０２は、フィレット状に溶け広がり、該溶け広がった金属メッキ３０２による、共晶接合により、外部接続端子１０２と端子部１１３とは、電気的に接続される。
【００７３】
尚、この場合であっても、ボンディングツール２００からは、液晶パネル１００に対し、高熱によるダメージを与えることのない、金属メッキ３０２の融点よりも高い温度が付与される。
【００７４】
このような構成によっても、熱圧着の際、液晶パネル１００に高熱によるダメージを与えることなく、外部接続端子１０２と端子部１１３とを、溶け広がった樹脂コア粒子３００の金属メッキ３０２を介して、共晶接合により確実に電気的に接続することができる。
【００７５】
尚、上述した実施の形態においては、ＡＣＦ１は、外部接続端子１０２に貼り付けると示したが、これに限らず、端子部１１３に貼り付けても構わないということは勿論である。
【００７６】
また、ＡＣＦ１を用いて、外部接続端子１０２にＦＰＣ１１２の端子部１１３を電気的に接続する例を挙げて示したが、他の液晶パネル１００の端子部に、他の端子部を、ＡＣＦ１を用いて電気的に接続する場合においても、本実施の形態は適用可能である。
【００７７】
また、上述した実施の形態においては、異方性導電接着剤は、ＡＣＦを例に挙げて示したが、これに限らず、ＡＣＰや、他の異方性導電接着剤であっても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
また、液晶パネルは、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶パネルは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【００７９】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００８０】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【００８１】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本実施の形態の製造方法によって製造される液晶装置における液晶パネルをＦＰＣとともに示す平面図。
【図２】図１中のII-II線に沿って切断した液晶パネルをＦＰＣとともに示す断面図。
【図３】ステージに載置されたＴＦＴ基板上に外部接続端子が設けられた状態を概略的に示す断面図。
【図４】図３の外部接続端子上に、ＡＣＦを貼り付けた状態を概略的に示す断面図。
【図５】図４のＡＣＦを介して、外部接続端子にＦＰＣの端子部を貼り合わせた状態を概略的に示す断面図。
【図６】図５の貼り合わせ状態から、ＦＰＣの端子部を、ＡＣＦを介して外部接続端子にボンディングツールを用いて圧着した状態を概略的に示す断面図。
【図７】図６の圧着後、ＡＣＦに熱が付与されて、導電性粒子が溶けて第１の端子部と第２の端子部とが共晶接合により電気的に接続された状態を概略的に示す断面図。
【図８】ＡＣＦ中の樹脂コア粒子を示す断面図。
【図９】図８の樹脂コア粒子中の金属メッキを溶かして、外部接続端子とＦＰＣの端子部とを電気的に接続した状態を概略的に示す部分断面図。
【符号の説明】
【００８３】
１…ＡＣＦ（異方性導電接着剤）、３…導電性粒子、１００…液晶パネル（電気光学パネル）、１０２…外部接続端子（第１の端子部）、１１２…ＦＰＣ（基板）、１１３…端子部（第２の端子部）。
【図１】
2009186707.tif 000003
【図２】
2009186707.tif 000004
【図３】
2009186707.tif 000005
【図４】
2009186707.tif 000006
【図５】
2009186707.tif 000007
【図６】
2009186707.tif 000008
【図７】
2009186707.tif 000009
【図８】
2009186707.tif 000010
【図９】
2009186707.tif 000011