(57)【要約】【課題】焦電体に蓄積された熱を逃げにくくし、感度を向上させた焦電型赤外線センサーを提供する。【解決手段】下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に１個または２個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサー。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に１個または２個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサー。
【請求項２】
焦電体基板が支持基材上に、１個または２個以上のスペーサーを介して載置されてなる請求項１記載の焦電型赤外線センサー。
【請求項３】
焦電体基板が支持基材に直接載置されてなり、かつ該支持基材と焦電体基板とが焦電体基板の一部でのみ接触している請求項１記載の焦電型赤外線センサー。
【請求項４】
支持基材の少なくとも一部に厚さの薄い部分を含む請求項１記載の焦電型赤外線センサー。
【請求項５】
支持基材の一部または全部が断熱材料で作製されている請求項１記載の焦電型赤外線センサー。
【請求項６】
焦電体基板が、スペーサーを介して複数段設けられている請求項１記載の焦電型赤外線センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焦電体に蓄積された熱を逃げにくくし、感度を向上させた焦電型赤外線センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
焦電型赤外線センサーは、物質内部の自発分極量が温度によって変化する性質を持つ焦電体を用いた赤外線センサーである。この焦電型赤外線センサーでは、焦電体が赤外線を吸収し温度が上昇することにより生じる自発分極量の変化を電気信号として取り出すことによって、赤外線の有無および強度を検出する。
【０００３】
従来、チタン酸ジルコン酸鉛やチタン酸バリウム等の無機強誘電体、あるいはポリフッ化ビニリデンやフッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとのランダム共重合体等の強誘電ポリマーからなる焦電体を有する焦電型赤外線センサーが用いられていた。しかし、無機強誘電体は、焦電係数が大きいという利点を有するが、誘電率および熱容量が大きいためセンサーの感度の向上に限界があるうえ、膜を形成する際に数百℃以上の高温プロセスを用いる必要があるという欠点を有する。
【０００４】
それに対して、特許文献１では、焦電型赤外線センサーの焦電体にフッ化ビニリデンオリゴマーを用いることが提案されている。フッ化ビニリデンオリゴマーは前述の強誘電性ポリマーと同程度の誘電率および熱容量を有するうえ、それらの強誘電性ポリマーよりも焦電係数が大きいという点で焦電型赤外線センサーの焦電体として優れている。その焦電係数は重合数により異なるが、例えば重合度１７のフッ化ビニリデンオリゴマーの焦電係数Ｐ3は−７０μＣ／ｍ2Ｋであり、重合度が遙かに大きい（ｎ＝１０００〜２０００程度）フッ化ビニリデンポリマーの焦電係数Ｐ3＝−３０μＣ／ｍ2Ｋよりも大きな絶対値をもつ。また、フッ化ビニリデンオリゴマーは薄膜を形成する際に高温プロセスを用いる必要がないので、焦電体用基材に樹脂などの有機物を用いることができるという点で無機強誘電体よりも優れている。
【０００５】
フッ化ビニリデンオリゴマーを用いたものを含めた従来の焦電型赤外線センサーでは、シリコン等の無機材料からなる焦電体基材により受光素子を支える構成を有している。この焦電体基材が大きい熱容量や熱伝導率を有すると、赤外線が照射されることにより焦電体に与えられる熱の多くが焦電体基材に吸収されたり、焦電体基材から外部に放出されたりしてしまい、赤外線照射による焦電体の温度変化が小さくなるため、センサーの感度が低下してしまう。
【０００６】
そこで特許文献２では、焦電体の受光素子として強誘電ポリマーを有する焦電型赤外線センサーにおいて、熱伝導率が一般に小さいとされる樹脂製の焦電体基材を用いることが記載されている。これにより、赤外線照射により焦電体に与えられる熱が焦電体基材に奪われてセンサーの感度が低下することを抑制することができる。しかしながら樹脂製の焦電体基材の下には、さらにシリコン等からなる支持体が設けられており、この支持体により、樹脂製焦電体基材は平面状に固定され、曲がることがないように保持されている。
【０００７】
可撓性の焦電型赤外線センサーを提供するべく、特許文献３では、焦電体基材の材料として高分子材料を用い、焦電体であるフッ化ビニリデンオリゴマー層を可撓性の上部電極と下部電極で挟んだ受光素子を高分子材料製の焦電体基材上に形成して焦電体基板を構成し、焦電体基板に可撓性を付与している。
【０００８】
しかし、特許文献２および３では熱伝導に関する配慮は材料面を中心とし、また、構造的にも受光素子と焦電体基材からなる焦電体基板までである。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−０３７２９１号公報
【特許文献２】特開２０００−１５５０５０号公報
【特許文献３】国際公開第２００７／１０８４４１号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、焦電体基板とそれを支える支持基材との関係に着目し、さらに焦電体からの熱の放出を抑えて焦電型赤外線センサーの感度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
すなわち本発明は、下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に１個または２個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサーに関する。
【００１２】
本発明において、焦電体基板と支持基材との関係として、大きく分けてつぎの実施形態が好ましくあげられる。
【００１３】
実施形態１：
焦電体基板が支持基材上に、１個または２個以上のスペーサーを介して載置されている実施形態。
【００１４】
実施形態２：
焦電体基板が支持基材に直接載置されてなり、かつ該支持基材と焦電体基板とが焦電体基板の一部でのみ接触している実施形態。
【００１５】
実施形態３：
支持基材の少なくとも一部に厚さの薄い部分を含む実施形態。
【００１６】
実施形態４：
支持基材の一部または全部が断熱材料で作製されている実施形態。
【００１７】
実施形態５：
焦電体基板が、スペーサーを介して複数段設けられている実施形態。
【００１８】
これらの実施形態は単独でも組み合わせてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、簡単な構造で焦電体からの熱の放出をさらに抑えて焦電型赤外線センサーの感度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
まず、本発明の焦電型赤外線センサーの基本構造を図１および図２に基づいて説明する。図１は本発明の焦電型赤外線センサーの一実施態様の概略縦断面図であり、図２は焦電体基板と支持基材を説明するための概略縦断面図である。なお、これらの実施態様は、実施形態１で構成されている。
【００２１】
図１において、焦電型赤外線センサーは、ケーシング１の中に、焦電体基板２がスペーサー１１を介して支持基材３に載置されている。４はセンサー回路（ＦＥＴ）であり、ケーシング１の開口部には赤外線フィルター５が張られている。
【００２２】
焦電体基板２は、図２に示すように、フッ化ビニリデンオリゴマー層７が上部電極６と下部電極８に挟まれて受光素子９を構成している。この受光素子９は焦電体基材１０上に１個または２個以上配置されており、受光素子９と焦電体基材１０とで焦電体基板２が構成されている。かかる焦電体基板２の大きさおよび厚さはセンサーの大きさや使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。厚さは、通常、１μｍ〜５ｍｍである。焦電体基板２の製造および構成は特許文献３と同じであり、本発明でも採用される。
【００２３】
焦電体としてのフッ化ビニリデンオリゴマーはＣＦ3−（ＣＨ2ＣＦ2）n−ＣmＨ2m+1と表され、ｎが５〜５０の範囲内にあるものが優れた焦電効果を奏する。また、ＣmＨ2m+1基のｍは２〜１０が好ましく、さらに、ＣmＨ2m+1基がハロゲン原子で置換されたものも使用できる。
【００２４】
なお、フッ化ビニリデンオリゴマーと、チタン酸ジルコン酸鉛やチタン酸バリウム等の無機焦電体、あるいはポリフッ化ビニリデンやフッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとのランダム共重合体等の他の有機焦電体とを併用してもよい。また、実施形態によっては、無機焦電体の単独使用、他の有機焦電体の単独使用、さらには無機焦電体と他の有機焦電体との併用も可能である。
【００２５】
焦電体基材１０としては、受光素子９を支持しかつ保持し、絶縁体材料であれば無機材料、有機材料、もしくは有機無機複合材料でもよいが、変形させる場合は可撓性や変形性を有する材料を用いることが好ましい。無機材料としては、たとえばガラスや石英、アルミナセラミック等のセラミックス、有機無機複合材料としてはガラス−エポキシ樹脂複合体などが例示できる。有機材料としては、たとえばポリイミド、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリパラフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、エポキシ樹脂などを用いることができる。
【００２６】
上部電極６および下部電極８には、導電性材料であればよいが、たとえばＡｕ、金黒、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＮｉＣｒなどの金属または合金の蒸着膜、炭素蒸着膜、またはポリアニリン、ポリチオフェン、ＰＤＯＴ−ＰＳＳなどの有機電極などを用いることができる。
【００２７】
支持基材３としては、焦電体基板２を支持しかつ保持できる機能を果たすものであれば特に限定されない。しかし、多くの場合、断熱性と強度に優れた材料が好ましい。また、支持基材にＦＥＴや抵抗を配置し電気回路を作製し、焦電体基板から支持基材上の回路に配線を行ってもよく、その場合には断熱性、絶縁性と強度に優れた材料が好ましい。具体的には、たとえばガラスや石英、アルミナセラミック等のセラミックスなどの無機材料；ガラス−エポキシ樹脂複合体などの有機無機複合材料；ポリイミド、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリパラフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、エポキシ樹脂などの有機材料が好ましく例示できる。
【００２８】
支持基材３の寸法としては、焦電体基板２との関係、さらにはセンサーの大きさや使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。厚さは、通常、１μｍ〜１０ｍｍである。焦電体基板２は、図２（実施形態１）においては、スペーサー１１により支持基材３に載置され、焦電体基板２の支持基材３側に断熱領域１２を形成している。
【００２９】
本発明は、焦電体基板２の支持基材３側に断熱領域を種々の形態で形成することで、焦電体基板からの支持基材への熱の伝導を抑え、センサーの感度をさらに高めるものである。
【００３０】
つぎに各種の実施形態について、図面を参照して説明するが、本発明の構成はかかる具体的な実施形態に限定されるものではない。なお、図面中の同じ符号は同じ部分を示す。
【００３１】
実施形態１：図３〜図９参照
焦電体基板が支持基材上に、１個または２個以上のスペーサーを介して載置されている実施形態。
【００３２】
この実施形態１によれば、スペーサー１１を介在させることにより容易に焦電体基板２と支持基材３の間に断熱領域を形成できる点で有利である。また、焦電体基板を固定しやすい点、変形させやすい点からも有利である。
【００３３】
図３の形態：
焦電体基板２を矩形のスペーサー１１を２個用いて支持基材３上に載置した形態であり、空気の断熱領域２０が形成される。
この形態の場合、焦電体基板を固定しやすい点、作製が容易な点で有利である。
【００３４】
スペーサー１１の本数、配置、形状は、充分な断熱領域２０を形成できるものであれば特に制限されず、中央部に別のスペーサーを配置してもよい。また、断面形状が三角形、円または半円のスペーサーを用いてもよいし、また棒状のスペーサーであってもよい。さらに連続または不連続の環状のスペーサーであってもよい。さらにスペーサーの高さも要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
【００３５】
焦電体基板２の平面形状も円、多角形（三角形、四角形など）のほか、任意の形状を取ることができる。この点は、支持基材３についても同様であり、焦電体基板２と支持基材３は同種の形状でも異なっていてもよい。
【００３６】
また、焦電体基板２の断面形状は、図３に示すような矩形であっても、つぎの図４、図５、図８、図９に示すような曲面であってもよいし、実施形態２で説明するような波型（図１５、図１６）などの異形であってもよい。
【００３７】
曲面や異形の焦電体基板を作製するには、特許文献３に開示されている可撓性に優れた焦電体基板が有利である。
【００３８】
図４の形態：
焦電体基板２として凸曲面を有する半円筒状のものを用いた形態である。そのほかは、図３と同様である。断熱領域は２１で示されている。半円筒状の焦電体基板に代えて、ドーム型の焦電体基板としてもよい。
この形態によれば、広角で赤外線を感知できる点で有利である。
【００３９】
図５の形態：
焦電体基板２として凹曲面を有する半円筒状のものを用いた形態である。そのほかは、図３と同様である。断熱領域は２２で示されている。半円筒状の焦電体基板に代えて、ドーム型の焦電体基板としてもよい。
この形態によれば、指向性をもった赤外線感知ができる点で有利である。
【００４０】
図６の形態：
スペーサー１１として、上向きの断面形状コ字型の部材を用いている形態である。断熱領域は２３で示されている。
この形態によれば、焦電体基板を固定しやすい点、作製が容易な点で有利である。
【００４１】
図７の形態：
焦電体基板２の片方のみにスペーサー１１を設けた形態である。この形態の場合、焦電体基板２を前述の材料のうちで剛性の高いものを用いて作製すればよい。また、スペーサー１１とは反対側に支持基材３上に焦電体基板２を支えるために保持材１３を設けてもよい。断熱領域は２４で示されている。
この形態によれば、作製が容易な点で有利である。
【００４２】
図８および図９の形態：
図８は概略縦断面図、図９は概略斜視図である。この形態は、円筒状の支持基材３と同じく円筒状の焦電体基板２を同心円状に配置し、その間をスペーサー１１で固定した形態である。断熱領域は２５で示されている。
支持基材３および焦電体基板２は三角筒や、四角筒などの多角筒でもよいし、円筒も含めて、これらを組み合わせてもよい。
この形態によれば、広角で赤外線を感知できる点、両面で赤外線を感知できる点で有利である。
【００４３】
実施形態２：図１０〜図１９参照
焦電体基板が支持基材に直接載置されてなり、かつ該支持基材と焦電体基板とが焦電体基板の一部でのみ接触している実施形態。
【００４４】
この実施形態２によれば、スペーサー１１を介在させることなく、焦電体基板２および／または支持基材３を加工または変形することにより、容易に焦電体基板２と支持基材３の間に断熱領域を形成できる点で有利である。
【００４５】
図１０の形態：
焦電体基板２と接する支持基材３に貫通孔を設け、その空間で断熱領域３０を形成している。この貫通孔の大きさを大きくするほど断熱効果が大きくなる。したがって、貫通孔の大きさは焦電体基板２の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
また、貫通孔の数を増やすことによっても断熱領域３０を大きくすることができる。この場合、焦電体基板２に要求される強度はそれほど大きくなくてもよい。
この形態によれば、作製が容易である点、センサー全体の小型化が容易である点で有利である。
【００４６】
図１１の形態：
焦電体基板２と接する支持基材３に凹所を設け、その空間で断熱領域３１を形成している。この凹所の大きさを大きくするほど断熱効果が大きくなる。したがって、凹所の大きさは焦電体基板２の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
また、凹所の数を増やすことによっても断熱領域３１を大きくすることができる。この場合、焦電体基板２に要求される強度はそれほど大きくなくてもよい。
この形態によれば、センサー全体の小型化が容易である点、センサー全体の堅牢性が高い点で有利である。
【００４７】
図１２の形態：
焦電体基板２と接する支持基材３に凹所を設ける点は図１１の形態と同様であるが、この形態では凹所の形成を支持基材３を加工して変形させることにより形成している。凹所の空間で断熱領域３２を形成している。この凹所の大きさを大きくするほど断熱効果が大きくなる。したがって、凹所の大きさは焦電体基板２の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
また、凹所の数を増やすことによっても断熱領域３２を大きくすることができる。この場合、焦電体基板２に要求される強度はそれほど大きくなくてもよい。
この形態によれば、作製が容易である点で有利である。
【００４８】
図１３の形態：
支持基材３の焦電体基板２側に突起１４を複数設け、焦電体基板２を載置して断熱領域３３を形成する形態である。実施形態１の図３の形態で、スペーサー１１を支持基材に一体に設けた態様ともいえる。突起１４の個数、配置、形状（波型など）、高さなどは、要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
この形態によれば、焦電体基板を固定しやすい点、作製が容易な点で有利である。
【００４９】
図１４の形態：
支持基材３自体を波板にし、平板状の焦電体基板２と線接触して断熱領域３４を形成した形態である。波板の波のうねりの大きさや数（振幅と周波数）は、要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
この形態によれば、焦電体基板を固定しやすい点、作製が容易な点で有利である。
【００５０】
図１５の形態：
焦電体基板２の焦電体基材（図２の１０）の下面を波状に変形し、平板状の支持基材３と線接触して断熱領域３５を形成した形態である。波のうねりの大きさや数（振幅と周波数）は、要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
この形態によれば、焦電体基板の堅牢性が高い点で有利である。
【００５１】
図１６の形態：
焦電体基板２自体を波板にし、平板状の支持基材３と線接触して断熱領域３６を形成した形態である。波板の波のうねりの大きさや数（振幅と周波数）は、要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
この形態によれば、赤外線を感知する焦点エリアを複数箇所に増やせる角度変化をつけやすい点で有利である。
【００５２】
図１７の形態：
焦電体基板２を円筒状とし、支持基材３と接する部分１５には受光素子を設けない形態である。この形態の断熱領域３７は円筒の内部で形成される。なお、円筒状の焦電体基板２が移動しないように保持具（図示されていない）で固定してもよい。
この形態によれば、広角で赤外線を感知できる点で有利である。
【００５３】
図１８の形態：
焦電体基板２を半円筒状とし、その端部で支持基材３に固定し、断熱領域３８を形成した形態である。この形態では剛性に富む焦電体基板２が好適である。また、半円筒状の焦電体基板２を保持するため、または移動しないように保持具（図示されていない）を断熱領域３８の内部や端面の外部に配設してもよい。焦電体基板２としては、ドーム型でもよい。
この形態によれば、広角で赤外線を感知できる点で有利である。
【００５４】
図１９の形態：
焦電体基板２における焦電体基材１０の端部を延長し、その延長部分１６を折り曲げて支持基材３と接合し、断熱領域３９を形成する形態である。延長部分１６には受光素子９を設けても設けなくてもよい。
この形態では剛性に富む焦電体基材１０が好適である。また、焦電体基板２を保持するために保持具（図示されていない）を断熱領域３９の内部に配設してもよい。
この形態によれば、焦電体基材を固定しやすい点で有利である。
【００５５】
実施形態３：図２０〜図２１参照
支持基材の少なくとも一部に厚さの薄い部分を含む実施形態。
【００５６】
この実施形態３は、焦電体基板２から放出される熱を受けた支持基材３の熱の貯蔵量を小さくする（支持基材３の一部または全部の厚さを薄くする）ことにより、焦電体基板２から支持基材３を介して固定具１７へ流れる熱の移動を抑制し、焦電体基板２からの熱の放出を抑える形態である。この実施形態はこれまでの他の実施形態のように空間としての断熱領域は形成されないが、支持基材３の一部または全部の厚さを薄くすることで支持基材３自体が断熱領域を形成しているものである。
【００５７】
この実施形態３によれば、焦電体基材を固定しやすい点、センサー全体を小型化できる点で有利である。
【００５８】
図２０の形態：
支持基材３の焦電体基板２と反対側の面に凹所１８を形成する形態である。この凹所の大きさを大きくするほど断熱効果（固定具への熱の移動量の抑制効果）が大きくなる。したがって、凹所の大きさは焦電体基板２の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。また、凹所の数を増やすことによっても断熱効果を大きくすることができる。
この形態によれば、焦電体基材を固定しやすい点で有利である。
【００５９】
図２１の形態：
支持基材３全体を薄くした形態である。薄くすればするほど断熱効果（固定具への熱の移動量の抑制効果）が大きくなる。したがって、支持基材３の厚さは強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
この形態によれば、焦電体基材を固定しやすい点、センサー全体を小型化できる点で有利である。
【００６０】
実施形態４：図２２参照
支持基材の一部または全部が断熱材料で作製されている実施形態。
【００６１】
この実施形態４は、断熱領域として空間（隙間）を設けるのではなく、断熱性の高い材料で支持基材３の一部または全部を作製する形態である。
【００６２】
断熱材料としては、たとえば発泡スチロール等の多くの空孔を内部に構成している無機材料、有機無機複合材料、有機材料などが例示できる。
【００６３】
この実施形態４によれば、支持基材３の強度を維持できる点、厚さを薄くできる点、センサー全体を容易に小型化できる点で有利である。
【００６４】
図２２の形態：
実施形態２の図１０に示す貫通孔に代えて断熱材料で作製された断熱領域４０を設けた形態である。この断熱領域４０の大きさを大きくするほど断熱効果が大きくなる。したがって、貫通孔の大きさは支持基材３の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
また、断熱領域４０の数を増やすことによっても断熱効果を大きくすることができる。
この形態によれば、焦電体基材を固定しやすい点、センサー全体を小型化できる点、センサー全体の堅牢性を高くすることができる点で有利である。
【００６５】
なお、図面には記載していないが、支持基材３の全体を断熱材料で作製してもよい。この場合、焦電体基材を固定しやすい点、センサー全体を小型化できる点で有利である。
【００６６】
実施形態５：図２３〜図２４参照
焦電体基板が、スペーサーを介して複数段設けられている実施形態。
【００６７】
この実施形態５は、実施形態１における焦電体基板２とスペーサー１１のセットを垂直または水平方向に複数段組み合わせた形態である。
【００６８】
この実施形態５によれば、高さ方向への多素子化の容易性、センサー形状の自由度向上の点で有利である。
【００６９】
図２３の形態：
焦電体基板２とスペーサー１１のセットを垂直方向に２段組み合わせて２段構造とし、断熱領域５０および５１を形成した形態である。
垂直に組み合わせる焦電体基板２とスペーサー１１のセットは実施形態１で説明した形態のうち重ねることができる形態であれば特に限定されず、また、重ねるセット同士も同じであっても異なっていてもよい。
また、実施形態２〜４に記載した支持基材３に直接載置する形態の上に焦電体基板２とスペーサー１１のセットを重ねてもよい。
この形態によれば、センサー全体の小型化、センサー全体に対する受光部の高さ方向の集積化の点で有利である。
【００７０】
図２４の形態：
焦電体基板２とスペーサー１１のセットを水平方向に２段組み合わせて、断熱領域５２および５３を形成した形態である。図２４に示す形態では段差を設けているが、必ずしも段差を設けなくてもよい。
【００７１】
水平に組み合わせる焦電体基板２とスペーサー１１のセットは実施形態１で説明した形態のうち水平に配置できる形態であれば特に限定されず、また、配置するセット同士も同じであっても異なっていてもよい。
この形態によれば、センサー形状の自由度向上の点で有利である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の焦電型赤外線センサーの一実施態様の概略縦断面図である。
【図２】本発明における焦電体基板と支持基材の関係の一実施態様を説明するための概略縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態１のうち、焦電体基板を矩形のスペーサーを２個用いて支持基材上に載置した形態を示す概略縦断面図である。
【図４】本発明の実施形態１のうち、焦電体基板として凸曲面を有する半円筒状のものを用いた形態を示す概略縦断面図である。
【図５】本発明の実施形態１のうち、焦電体基板２として凹曲面を有する半円筒状のものを用いた形態を示す概略縦断面図である。
【図６】本発明の実施形態１のうち、スペーサーとして上向きの断面形状コ字型の部材を用いている形態を示す概略縦断面図である。
【図７】本発明の実施形態１のうち、焦電体基板の片方のみにスペーサーを設けた形態を示す概略縦断面図である。
【図８】本発明の実施形態１のうち、円筒状の支持基材と同じく円筒状の焦電体基板を同心円状に配置し、その間をスペーサーで固定した形態を示す概略縦断面図である。
【図９】図８の形態の概略斜視図である。
【図１０】本発明の実施形態２のうち、焦電体基板と接する支持基材に貫通孔を設け、その空間で断熱領域を形成している形態を示す概略縦断面図である。
【図１１】本発明の実施形態２のうち、焦電体基板と接する支持基材に凹所を設け、その空間で断熱領域を形成している形態を示す概略縦断面図である。
【図１２】本発明の実施形態２のうち、支持基材を加工し焦電体基板と接する支持基材に凹所を設ける形態を示す概略縦断面図である。
【図１３】本発明の実施形態２のうち、支持基材の焦電体基板側に突起を複数設け、焦電体基板を載置して断熱領域を形成する形態を示す概略縦断面図である。
【図１４】本発明の実施形態２のうち、支持基材自体を波板にし、平板状の焦電体基板と線接触して断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。
【図１５】本発明の実施形態２のうち、焦電体基板の焦電体基材の下面を波状に変形し、平板状の支持基材と線接触して断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。
【図１６】本発明の実施形態２のうち、焦電体基板自体を波板にし、平板状の支持基材と線接触して断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。
【図１７】本発明の実施形態２のうち、焦電体基板を円筒状とし、支持基材と接する部分には受光素子を設けない形態を示す概略縦断面図である。
【図１８】本発明の実施形態２のうち、焦電体基板を半円筒状とし、その端部で支持基材に固定し、断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。
【図１９】本発明の実施形態２のうち、焦電体基板における焦電体基材の端部を延長し、その延長部分を折り曲げて支持基材と接合し、断熱領域を形成する形態を示す概略縦断面図である。
【図２０】本発明の実施形態３のうち、支持基材の焦電体基板と反対側の面に凹所を形成する形態を示す概略縦断面図である。
【図２１】本発明の実施形態３のうち、支持基材全体を薄くした形態を示す概略縦断面図である。
【図２２】本発明の実施形態４のうち、支持基材に断熱材料で作製された断熱領域を設けた形態を示す概略縦断面図である。
【図２３】本発明の実施形態５のうち、焦電体基板とスペーサーのセットを垂直方向に２段組み合わせて２段構造とし、２つの断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。
【図２４】本発明の実施形態５のうち、焦電体基板とスペーサーのセットを水平方向に２段組み合わせて、２つの断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  ケーシング
２  焦電体基板
３  支持基材
４  ＦＥＴ
５  赤外線フィルター
６  上部電極
７  フッ化ビニリデンオリゴマー層
８  下部電極
９  受光素子
１０  焦電体基材
１１  スペーサー
１２  断熱領域
１３  保持材
１４  突起
１５  支持基材と接する部分
１６  延長部分
１７  固定具
１８  凹所
２０〜２５  断熱領域
３０〜３９  断熱領域
４０  断熱領域
５０〜５３  断熱領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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