(57)【要約】【課題】  シリコンパッケージに収容された電子部品が、シリコンパッケージ外部からの赤外光によって特性変動を引き起こしてしまう。【解決手段】  電子部品を収納する凹部を有し、シリコンを基材とする容器と、前記容器に接合し、前記凹部を密封し、シリコンを基材とする蓋と、前記容器と前記蓋とで形成される空間に収容される電子部品とを有するシリコンパッケージにおいて、前記容器と前記蓋には、赤外線を遮断する機能を有する絶縁膜が形成されるシリコンパッケージとする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
電子部品を収納する凹部を有し、シリコンを基材とする容器と、
前記容器に接合し、前記凹部を密封し、シリコンを基材とする蓋と、
前記容器と前記蓋とで形成される空間に収容される電子部品と
を有するシリコンパッケージにおいて、
前記容器と前記蓋には、赤外線を遮断する機能を有する絶縁膜が形成されることを特徴
とするシリコンパッケージ。
【請求項２】
赤外線を遮断する機能を有する前記絶縁膜は、シリコンパッケージにおける前記容器と
前記蓋との外表面に形成されていることを特徴とする請求項１記載のシリコンパッケージ
。
【請求項３】
赤外線を遮断する機能を有する前記絶縁膜は、前記電子部品を収容する空間における前
記容器と前記蓋との表面に形成されることを特徴とする請求項１記載のシリコンパッケー
ジ。
【請求項４】
前記絶縁膜は、低屈折率層と高屈折率層とを積層した多層膜であることを特徴とする請
求項１から３のいずれか１つに記載のシリコンパッケージ。
【請求項５】
前記絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の
シリコンパッケージ。
【請求項６】
前記シリコンパッケージに収容される前記電子部品は、水晶振動子であることを特徴と
する請求項１から５のいずれか１つに記載のシリコンパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を収容するシリコンパッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品を収容するパッケージは、金属パッケージや、セラミックパッケージ等
で、提供され、様々な電子機器に用いられている。近年、携帯電話やＰＤＡなどの小型の
情報端末で用いるため、更なる小型化・薄型化・低価格化が求められている。
【０００３】
更なる小型化・薄型化・低価格化のため、近年、複数のパッケージを配列し、フォトリ
ソ技術などにより一括処理することが可能なシリコンを基材とするウエハを利用したシリ
コンパッケージの作製が試みられている。フォトリソ技術などを利用することでシリコン
ウエハの微細な加工が可能となり、小型化・薄型化が図れ、また、一括処理することが可
能であるため、加工プロセスを簡略化でき、低価格化を図ることも可能なパッケージとな
っている。
【０００４】
また、電子部品、例えば水晶振動子は、赤外光によって特性変動を引き起こすことが知
られている。その特性変動を利用して、特許文献１に示されるように、赤外線検出用に水
晶振動子が利用されている。図３はその従来例を示す断面図であり、保持器１０２が接続
される一対のリード線１０３を備えるベース１０６と、前記保持器に支持固定される水晶
振動板１０１と、水晶振動板１０１と対向する位置に窓１０４を有するカバー１０５とで
構成され、水晶振動板１０１を容器内１０７に気密封止し、窓１０４から光を取り入れる
構造となっている。
【０００５】
【特許文献１】特開平２−２６２０２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図４は、シリコンの光透過率特性を説明する図である。
【０００７】
しかしながら、シリコンの光透過率特性は、図４に示すように、赤外域（９００ｎｍ以
上）において、透過率が５０％程度ある。そのため、シリコンパッケージに収容された電
子部品が、シリコンパッケージ外部からの赤外光によって特性変動を引き起こしてしまう
。
【０００８】
本発明では、赤外光によって特性変動を引き起こさないシリコンパッケージを提供する
ことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
少なくとも、電子部品を収納する凹部を有し、シリコンを基材とする容器と、前記容器
に接合し、前記凹部を密封し、シリコンを基材とする蓋と、前記容器と前記蓋とで形成さ
れる空間に収容される電子部品とを有するシリコンパッケージにおいて、前記容器と前記
蓋には、赤外線を遮断する機能を有する絶縁膜が形成されるシリコンパッケージとする。
【００１０】
この構成にすれば、シリコンパッケージが赤外線を遮断する機能を有する絶縁膜で覆わ
れているので、容器と蓋とで形成される電子部品を収容する空間に赤外線が侵入すること
がなくなるため、電子部品の特性変動が発生しなくなる。
【００１１】
赤外線を遮断する機能を有する前記絶縁膜は、シリコンパッケージにおける前記容器と
前記蓋との外表面に形成することができる。
【００１２】
この構成にすれば、容器と蓋とで形成される電子部品を収容する空間に赤外線が侵入す
ることを防ぐことができるとともに、外力によるシリコンパッケージの欠け防止の効果も
あわせもつことができる。
【００１３】
赤外線を遮断する機能を有する前記絶縁膜は、前記電子部品を収容する空間における前
記容器と前記蓋との表面に形成することができる。
【００１４】
この構成にすれば、容器と蓋とで形成される電子部品を収容する空間に赤外線が侵入す
ることを防ぐことができるとともに、電気的な接続を必要としない部分における電気的な
絶縁確保の効果もあわせもつことができる。
【００１５】
前記絶縁膜は、低屈折率層と高屈折率層とを積層した多層膜とすることができる。
【００１６】
この構成にすれば、単独では赤外線の侵入を防ぐことが困難な絶縁膜であっても、組み
合わせて積層することによって、赤外線の侵入を防ぐ効果を持たせることが可能となる。
【００１７】
前記絶縁膜は、樹脂膜とすることができる。
【００１８】
この構成にすれば、単層膜あるいは積層膜で赤外線の侵入を防ぐことも可能となる。
【００１９】
前記シリコンパッケージに収容される前記電子部品は、水晶振動子とすることができる
。
【００２０】
この構成にすれば、電子部品として電気特性の安定した水晶振動子を用いることで、高
精度な特性を有するデバイスを提供することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によって、シリコンパッケージ内に収納された電子部品へ、赤外光の入射を遮断
し、特性変動を防止できる。また、赤外線を遮断する機能を有する絶縁膜を半導体素材で
あるシリコンに形成するので、製造プロセスの工程削減や、材料コストの削減が可能とな
る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態に関して、図を参照して説明する。図１は、一実施例におけるシリ
コンパッケージを示す断面図である。図２は、他の実施例におけるシリコンパッケージを
示す断面図である。
【実施例１】
【００２３】
図１に示すように、本実施例のシリコンパッケージ１０は、水晶振動子、シリコンマイ
ク、レーザダイオードなどの電子部品１３を収容するための凹部１４、電子部品１３を支
持固定するためのマウント電極１７、ならびに外部回路との電気的接続をとるための外部
接続端子１６を有し、シリコンを基材とする容器１１と、前記容器１１の凹部１４を気密
に封止するためのシリコンを基材とする蓋１２と、マウント電極１７に図示していない接
着剤などで支持固定される電子部品１３と、外部接続端子１６の領域を除き前記容器１１
および前記蓋１２との外表面に形成される赤外線を遮断する機能を有する絶縁膜１５とで
構成された構造であり、マウント電極１７は容器の内外を導通させる貫通電極１８により
、外部接続端子１６と電気的に接続された構造となっている。また、絶縁膜１５は、酸化
シリコンと酸化チタン、酸化シリコンと酸化タンタル、酸化シリコンと硫化亜鉛、あるい
は酸化シリコンと酸化ニオブなど、低屈折率と高屈折率の膜を積層した構造となっている
。
【００２４】
図１に示ように、シリコンパッケージ１０の外表面を、赤外線を遮断する機能を有する
絶縁膜１５で覆うことにより、容器１１と蓋１２とで形成される電子部品１３を収容する
空間に赤外線が侵入することがなくなるため、電子部品１３の特性変動が発生しなくなる
。
【実施例２】
【００２５】
図１では、赤外線を遮断する機能を有する絶縁膜を容器と蓋との外表面に形成する構造
の場合を示したが、図２に示すように、絶縁膜は電子部品を収容する空間における前記容
器と前記蓋との表面に形成しても同様の効果が得られる。
【００２６】
図２に示すように、第２の本実施例のシリコンパッケージ２０は、水晶振動子などの電
子部品２３を収容するための凹部２４、電子部品２３を支持固定するためのマウント電極
２７、ならびに外部回路との電気的接続をとるための外部接続端子２６を有し、シリコン
を基材とする容器２１と、前記容器２１の凹部２４を気密に封止するためのシリコンを基
材とする蓋２２と、マウント電極２７に図示していない接着剤などで支持固定される電子
部品２３と、電子部品２３を収容する空間においてマウント電極２７の領域を除き前記容
器２１および前記蓋２２との表面に形成される赤外線を遮断する機能を有する絶縁膜２５
とで構成された構造であり、マウント電極２７は容器の内外を導通させる貫通電極２８に
より、外部接続端子２６と電気的に接続されており、容器２１と貫通電極２８との界面に
も絶縁膜２５が形成された構造となっている。また、絶縁膜２５は、酸化シリコンと酸化
チタン、酸化シリコンと酸化タンタル、酸化シリコンと硫化亜鉛、あるいは酸化シリコン
と酸化ニオブなど、低屈折率と高屈折率の膜を積層した構造となっている。
【００２７】
また、図１では図示していなかったが、容器の基材としてシリコンを用いた場合には、
一般的に貫通電極を構成する貫通孔の内表面には、容器と貫通電極との電気的絶縁を確保
するための絶縁膜が必要であるため、図２に示すように貫通電極２８が存在するシリコン
パッケージ２０の場合、貫通電極２８の貫通孔の内表面にも絶縁膜２５を形成することで
、赤外線の遮蔽とともに容器２１と貫通電極２８との電気的絶縁の確保も可能となり、製
造プロセスの工程削減など、シリコンパッケージの低コスト化にもつながる。
【００２８】
図１および図２では、酸化シリコンと酸化チタン、酸化シリコンと酸化タンタル、酸化
シリコンと硫化亜鉛、あるいは酸化シリコンと酸化ニオブなど、無機物からなる低屈折率
の膜と高屈折率の膜とを積層した構造の場合で示したが、有機物などからなる樹脂を用い
ても同様の効果を得ることが可能である。
【００２９】
また、図１および図２では、低屈折率の膜と高屈折率の膜とを積層した構造の場合で示
したが、単独で赤外線を遮蔽できる効果を有する樹脂であれば、単層の構造でも同様の効
果を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】シリコンの光透過率特性を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  シリコンパッケージ
１１  容器
１２  蓋
１３  電子部品
１４  凹部
１５  絶縁膜
１６  外部接続端子
１７  マウント電極
１８  貫通電極
１０１  水晶振動板
１０２  保持器
１０３  リード線
１０４  窓
１０５  カバー
１０６  ベース
１０７  容器内
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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