(57)【要約】【課題】実装配線板と半導体部品との接続信頼性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置１Ａは、実装配線板３、半導体部品２Ａ、アンダーフィル４および界面活性剤５を備える。界面活性剤５は、半導体部品２Ａの側面２ａおよび下面２ｂに塗布されており、半導体部品２Ａおよびアンダーフィル４に対して親和性を発揮する。よって、アンダーフィル４の流入時に半導体部品２Ａの側面２ａおよび下面２ｂの全面にアンダーフィル４が付着する。半導体部品２Ａに用いる半導体チップ９は界面活性剤５を添加した切削水３０をマザー基板２０に供給されながら切断・個片化される。【選択図】図１
2009176863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部品を実装する実装配線板と、
前記実装配線板と対向する下面に形成されたバンプを用いて前記実装配線板にフリップチップ接続される半導体部品と、
前記実装配線板に前記半導体部品を固着するアンダーフィルと、
前記半導体部品の側面に塗布されており、前記半導体部品および前記アンダーフィルに対して親和性を発揮する界面活性剤と
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記界面活性剤は、前記半導体部品の下面および前記半導体部品の側面の両面に塗布されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記界面活性剤は、前記半導体部品の側面とその上面との境界付近まで塗布されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体部品は、半導体チップであり、
前記半導体部品のバンプは、半田バンプである
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体部品は、半導体チップをインターポーザの上面に実装したものであり、
前記半導体部品のバンプは、前記インターポーザの下面に形成された半田バンプである
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
実装配線板に半導体部品をフリップチップ接続する際の補強として前記実装配線板と前記半導体部品との間にアンダーフィルを介在させて前記実装配線板と前記半導体部品とを固着させる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体部品またはその主部品として用いる半導体チップは、ベースフィルムが上面に貼付された半導体チップのマザー基板を個々の半導体チップごとに切断する際に、前記半導体部品および前記アンダーフィルに対して親和性を発揮する界面活性剤を切削水に添加して用いて前記半導体チップの側面および下面に界面活性剤を浸透させながら前記ベースフィルムを残した状態で前記マザー基板を切断することにより、個片化されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に係り、特に、アンダーフィルを用いて実装配線板に半導体部品をフリップチップ接続する際に好適に利用できる半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置１０１においては、図４に示すように、半導体部品１０２を実装配線板１０３にフリップチップ接続する際にアンダーフィル１０４が用いられていた。アンダーフィル１０４はフリップチップ接続の固着補助に用いられるエポキシ系樹脂接着剤であり、半導体部品１０２の下面１０２ｂと実装配線板１０３の実装面１０３ａとの間にアンダーフィル１０４を流入させることにより半導体部品１０２と実装配線板１０３とを固着させる。ここで、半導体部品１０２の側面１０２ａに対しては、十分な量のアンダーフィル１０４を半導体部品１０２の下面１０２ｂと実装配線板１０３の実装面１０３ａとの間に流入することにより、アンダーフィル１０４の濡れ上がりを利用して付着させていた（特許文献１を参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２８９２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図５に示すように、近年、半導体部品１０２の小型化によってアンダーフィル１０４を流入させる半導体部品１０２の下面１０２ｂの面積および半導体部品１０２の下面１０２ｂと実装配線板１０３の実装面１０３ａとの間の流入間隔が小さくなったので、アンダーフィル１０４の塗布量が減少し、アンダーフィル１０４の濡れ上がりを利用して半導体部品１０２の側面１０２ａにアンダーフィル１０４を付着させることが困難になってしまうという問題があった。
【０００５】
また、図６に示すように、小型化した半導体部品１０２のバンプ１０６に半田バンプ１０６ｈを採用する場合、それよりも低いＡｕバンプ（図５を参照）１０６Ａを採用する場合よりも半導体部品１０２の下面１０２ｂと実装配線板１０３の実装面１０３ａとの間隔が大きくなって半導体部品１０２の側面１０２ａが実装配線板１０３の実装面１０３ａからさらに離れてしまうので、半導体部品１０２の側面１０２ａにアンダーフィル１０４を付着させることがより困難になってしまうという問題があった。
【０００６】
半導体部品１０２の側面１０２ａにアンダーフィル１０４が付着しないと、所望するアンダーフィル１０４の固着力を得ることができない。その結果、半導体部品１０２の温度昇降時に生じるアンダーフィル１０４の熱膨張・熱収縮により半導体部品１０２のバンプ１０６が実装配線板１０３から剥離する可能性が生じるため、実装配線板１０３と半導体部品１０２との接続信頼性を低下させる原因になっていた。だからといって、アンダーフィル１０４を過剰に流入すると、アンダーフィル１０４を必要としない隣位する他の回路要素にまでアンダーフィル１０４が流入してしまい、他の回路要素に不具合が生じてしまうという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、実装配線板と半導体部品との接続信頼性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを本発明の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述した目的を達成するため、本発明の半導体装置は、その第１の態様として、半導体部品を実装する実装配線板と、実装配線板と対向する下面に形成されたバンプを用いて実装配線板にフリップチップ接続される半導体部品と、実装配線板に半導体部品を固着するアンダーフィルと、半導体部品の側面に塗布されており半導体部品およびアンダーフィルに対して親和性を発揮する界面活性剤とを備えていることを特徴としている。
【０００９】
本発明の第１の態様の半導体装置によれば、半導体部品の側面が小さくなっても界面活性剤によりその側面にアンダーフィルを付着させやすくすることができる。
【００１０】
本発明の第２の態様の半導体装置は、第１の態様の半導体装置において、界面活性剤は、半導体部品の下面および半導体部品の側面の両面に塗布されていることを特徴としている。
【００１１】
本発明の第２の態様の半導体装置によれば、半導体部品と実装配線板との間にアンダーフィルが流動しにくい状態であっても半導体部品と実装配線板との間にアンダーフィルを確実に流入させることができる。また、半導体部品の下面と側面の濡れ性を同等にすることにより、アンダーフィルの流動性を向上させることができる。
【００１２】
本発明の第３の態様の半導体装置は、第１または第２の態様の半導体装置において、界面活性剤は、半導体部品の側面とその上面との境界付近まで塗布されていることを特徴としている。
【００１３】
本発明の第３の態様の半導体装置によれば、半導体部品の側面の最上部までアンダーフィルを付着させることができるので、アンダーフィルによる半導体部品と実装配線板との固着力が向上する。
【００１４】
本発明の第４の態様の半導体装置は、第１から第３のいずれか１の態様の半導体装置において、半導体部品は半導体チップであり、半導体部品のバンプは半田バンプであることを特徴としている。
【００１５】
本発明の第４の態様の半導体装置によれば、半導体チップに半田バンプを用いるとＡｕバンプを用いた場合と比較して半導体部品と実装配線板との間隔が広がりやすいが、半導体チップに半田バンプを用いた場合であっても界面活性剤の影響によりアンダーフィルが付着しにくい半導体部品の側面にアンダーフィルを付着させることができる。
【００１６】
本発明の第５の態様の半導体装置は、第１から第３のいずれか１の態様の半導体装置において、半導体部品は半導体チップをインターポーザの上面に実装したものであり、半導体部品のバンプはインターポーザの下面に形成された半田バンプであることを特徴としている。
【００１７】
本発明の第５の態様の半導体装置によれば、半導体部品として半導体チップ単体を用いた場合と比較して、半田バンプを有するインターポーザに半導体チップを実装してなる半導体部品は半導体部品と実装配線板との間隔が広がりやすいが、そのような場合であっても界面活性剤の影響により半導体部品の側面、特に上方に位置してアンダーフィルが付着しにくい半導体チップの側面にアンダーフィルを付着させることができる。
【００１８】
また、前述した目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、その第１の態様として、実装配線板に半導体部品をフリップチップ接続する際の補強として実装配線板と半導体部品との間にアンダーフィルを介在させて実装配線板と半導体部品とを固着させる方法であって、半導体部品またはその主部品として用いる半導体チップは、ベースフィルムが上面に貼付された半導体チップのマザー基板を個々の半導体チップごとに切断する際に、半導体部品およびアンダーフィルに対して親和性を発揮する界面活性剤を切削水に添加して用いて半導体チップの側面および下面に界面活性剤を浸透させながらベースフィルムを残した状態でマザー基板を切断することにより、個片化されていることを特徴としている。
【００１９】
本発明の第１の態様の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの個片化工程に用いる切削水に界面活性剤を添加するだけで半導体チップの下面および側面に界面活性剤を自動的に塗布することができるので、別工程を設けて半導体チップの下面および側面に界面活性剤を塗布する必要がなくなる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体装置によれば、実装配線板の実装面から高い位置にある半導体部品の側面までアンダーフィルが付着するので、半導体部品が小型化しても、半導体部品の温度昇降時におけるアンダーフィルの熱膨張・熱収縮により半導体部品のバンプが実装配線板から剥離することを防止できる。その結果、実装配線板と半導体部品との接続信頼性が向上するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図を用いて、本発明の半導体装置およびその製造方法をそれぞれ２つの実施形態により説明する。
【００２２】
はじめに、第１の実施形態の半導体装置１Ａを説明する。図１は第１の実施形態の半導体装置１Ａを示している。第１の実施形態の半導体装置１Ａは、図１に示すように、半導体部品２Ａ、実装配線板３、アンダーフィル４および界面活性剤５を備えている。
【００２３】
半導体部品２Ａは、図１に示すように、半導体チップ９そのものである。この半導体部品２Ａの基板にはシリコンが用いられている。また、半導体部品２Ａをフリップチップ接続するため、実装配線板３と対向する半導体部品２Ａの下面２ｂにはバンプ６が形成されている。バンプ６は主にＡｕバンプ（図２を参照）１０や半田バンプ（図１を参照）６を採用することができる。第１の実施形態の半導体部品２Ａは、図１に示すように、Ａｕバンプ１０よりも大きな半田バンプ６を採用している。
【００２４】
実装配線板３は、半導体部品２Ａを実装する配線板である。半導体部品２Ａはフリップチップ接続されるため、第１の実施形態の実装配線板３には、バンプ６と接触する電極パッド７が実装面３ａに形成されたガラスエポキシ配線板が用いられている。
【００２５】
アンダーフィル４としては、実装配線板３と半導体部品２Ａとを固着するエポキシ系樹脂接着剤が用いられている。このアンダーフィル４は、実装配線板３に半導体部品２Ａをフリップチップ接続した後、実装配線板３と半導体部品２Ａとの間に毛細管現象を利用して流入されている。
【００２６】
界面活性剤５は、半導体部品２Ａおよびアンダーフィル４に対して親和性を発揮するものが用いられている。第１の実施形態の界面活性剤５としては、シリコンおよびガラスエポキシに対して高い親和性を有するポリオキシエチレン・アルキルエーテルなどが用いられている。この界面活性剤５が、半導体部品２Ａの下面２ｂおよび側面２ａに塗布されている。ここで、半導体部品２Ａの上面２ｃに界面活性剤５が塗布されないように注意しながら、半導体部品２Ａの側面２ａとその上面２ｃとの境界付近まで界面活性剤５が塗布されていることが好ましい。なお、半導体部品２Ａの下面２ｂは毛細管現象によりその側面２ａよりもアンダーフィル４が塗布されやすいので、界面活性剤５は少なくとも半導体部品２Ａの側面２ａに塗布されていれば良い。
【００２７】
次に、第１の実施形態の半導体装置１Ａの製造方法について説明する。
【００２８】
第１の実施形態の半導体装置１Ａは、バンプ６が形成された半導体チップ９のマザー基板２０から半導体チップ９をそれぞれ個片化し、その半導体チップ９を半導体部品２Ａとして実装配線板３にフリップチップ接続した後、半導体部品２Ａと実装配線板３との間にアンダーフィル４を流入して半導体部品２Ａと実装配線板３とを固着させることにより、製造される。
【００２９】
ここで、図３に示すように、半導体部品２Ａとして用いる半導体チップ９をマザー基板２０からそれぞれ個片化する際、切削水３０を切断箇所に供給しながらダイヤモンド製の円形回転刃３１を高速回転してマザー基板２０を切断する。この切削水３０には界面活性剤５が添加されている。また、半導体チップ９の上面９ｃとなるマザー基板２０の上面２０ｃにはベースフィルム３２が貼付されている。したがって、マザー基板２０の切断中は、半導体チップ９の下面９ｂとなるマザー基板２０の下面２０ｂ、および、マザー基板２０を切断することにより新たに形成される半導体チップ９の側面９ａに切削水３０が供給されるので、切削水３０に添加された界面活性剤５が半導体チップ９の下面９ｂおよび側面９ａに浸透する。
【００３０】
マザー基板２０の切断後、ベースフィルム３２から個片化された半導体チップ９を取り出すと、半導体チップ９の下面９ｂおよび側面９ａには界面活性剤５が塗布されているが、その上面９ｃには界面活性剤５が塗布されていない半導体チップ９が得られる。この半導体チップ９を用いることにより、半導体チップ９の側面９ａおよび下面９ｂに界面活性剤５が塗布された半導体装置１Ａが製造される。
【００３１】
次に、第１の実施形態の半導体装置１Ａの作用を説明する。
【００３２】
第１の実施形態の半導体装置１Ａにおいては、図１に示すように、フリップチップ接続された半導体部品２Ａと実装配線板３との間にアンダーフィル４が流入している。
【００３３】
ここで、半導体部品２Ａの側面２ａには界面活性剤５が塗布されている。界面活性剤５は半導体部品２Ａおよびアンダーフィル４に対して高い親和性を発揮するため、半導体部品２Ａの側面２ａが小さくなってもその側面２ａにアンダーフィル４が付着しやすくなる。アンダーフィル４が側面２ａにまで付着すれば、アンダーフィル４の接着面積が拡大するので、アンダーフィル４の固着力が強固になり、実装配線板３と半導体部品２Ａとの接続信頼性が向上する。
【００３４】
また、図１に示すように、この界面活性剤５が半導体部品２Ａの側面２ａとその上面２ｃとの境界付近まで塗布されていれば、半導体部品２Ａの側面２ａの最上部までアンダーフィル４を付着させることができるので、アンダーフィル４による半導体部品２Ａと実装配線板３との固着力が向上する。
【００３５】
なお、半導体部品２Ａの上面２ｃにまでアンダーフィル４を塗布すれば固着力はさらに向上するが、半導体装置１Ａの全高が上昇してしまい、半導体装置１Ａの小型化が図れない。そのため、界面活性剤５の塗布を半導体部品２Ａの側面２ａとその上面２ｃとの境界付近までに抑えておくことが好ましい。
【００３６】
半導体部品２Ａに用いるバンプには主に図２に示したＡｕバンプ１０と図１に示した半田バンプ６があるが、半導体部品２Ａに半田バンプ６を用いると、半導体部品２Ａに半田バンプ６を用いた場合よりも半導体部品２Ａと実装配線板３との間隔が広がり、実装配線板３の実装面３ａから半導体部品２Ａの側面２ａまでの距離が遠ざかるので、半導体部品２Ａの側面２ａにアンダーフィル４が付着しにくい状態が生じる。
【００３７】
そこで、図１に示すように、第１の実施形態の半導体部品２Ａの側面２ａには界面活性剤５が塗布されている。そのため、半導体部品２Ａの側面２ａに対するアンダーフィル４の濡れ上がりが生じるので、半田バンプ６の採用により実装配線板３の実装面３ａから半導体部品２Ａの側面２ａまでの距離が遠ざかっても、半導体部品２Ａの側面２ａにアンダーフィル４を付着させることができる。
【００３８】
また、第１の実施形態の半導体装置１Ａにおいては、図１に示すように、この界面活性剤５が半導体部品２Ａの側面２ａだけでなく半導体部品２Ａの下面２ｂにも塗布されている。アンダーフィル４は毛細管現象を利用して半導体部品２Ａの下面２ｂと実装配線板３の実装面３ａとの間隙に流入するので、半導体部品２Ａの側面２ａと比較すればアンダーフィル４が付着しやすい状態にある。しかし、半導体部品２Ａと実装配線板３との間に突起物や他の回路要素などの障害物が存在してアンダーフィル４が流動しにくい状態が生じた場合や、半導体部品２Ａの下面２ｂと側面２ａとの境界付近の濡れ性が極端に異なる場合が生じると、半導体部品２Ａの下面２ｂおよび側面２ａの全面にアンダーフィル４が付着しないおそれも出てくる。
【００３９】
そこで、界面活性剤５を半導体部品２Ａの下面２ｂに塗布している。これにより、半導体部品２Ａと実装配線板３との間にアンダーフィル４が確実に流入するので、半導体部品２Ａの下面２ｂの全面にアンダーフィル４を付着させることができる。また、界面活性剤５を半導体部品２Ａの側面２ａと下面２ｂの両面に塗布することにより、半導体部品２Ａの下面２ｂと側面２ａの濡れ性が同等になるので、アンダーフィル４の流動性が向上して半導体部品２Ａの下面２ｂおよび側面２ａの全面にアンダーフィルを付着させることができる。
【００４０】
次に、第１の実施形態の半導体装置１Ａの製造方法の作用を説明する。
【００４１】
半導体部品２Ａとなる半導体チップ９の側面９ａまたは下面９ｂには界面活性剤５が塗布される。通常であれば、半導体チップ９の形成後に界面活性剤５をスプレーコーティングするなどして界面活性剤５を半導体チップ９の側面９ａまたは下面９ｂに塗布することが考えられる。しかし、半導体チップ９の形成後に界面活性剤５を塗布するとなると、従来の半導体装置１Ａの製造工程に新たに別個の工程を設ける必要があるため、製造コストの増加につながってしまう。
【００４２】
そこで、第１の実施形態の半導体装置１Ａの製造方法においては、半導体チップ９をマザー基板２０から個片化する際、界面活性剤５を添加した切削水３０をマザー基板２０に流入しながらマザー基板２０を切断している。半導体チップ９の上面９ｃとなるマザー基板２０の上面２０ｃはベースフィルム３２によって覆われているため、切削水３０がマザー基板２０に付着することにより、露出している半導体チップ９の下面９ｂおよび側面９ａにのみ界面活性剤５が浸透する。
【００４３】
つまり、半導体チップ９の個片化工程に用いる切削水３０に界面活性剤５を添加することにより、半導体チップ９の下面９ｂおよび側面９ａに界面活性剤５を自動的に塗布することができる。これにより、新たに別工程を設けて半導体チップ９の下面９ｂおよび側面９ａに界面活性剤５を塗布する必要がなくなるので、製造コストをほとんど増加させずに第１の実施形態の半導体装置１Ａの効果を享受することができる。
【００４４】
次に、第２の実施形態の半導体装置１Ｂを説明する。図２は第２の実施形態の半導体装置１Ｂを示している。第２の実施形態の半導体装置１Ｂは、図２に示すように、半導体部品２Ｂ、実装配線板３、アンダーフィル４および界面活性剤５を備えている。
【００４５】
半導体部品２Ｂは、図２に示すように、インターポーザ８に半導体チップ９を実装したものを用いている。第２の実施形態の半導体チップ９の基板には、第１の実施形態の半導体部品２Ａの基板と同様、シリコンが用いられている。ここで、小型化した半導体チップ９にはＡｕバンプ１０を採用することが多いが、半導体チップ９が小型化されるとそのＡｕバンプ１０は微細配置されるため、実装配線板３に対する半導体チップ９の実装作業が困難になる。
【００４６】
そのため、第２の実施形態の半導体部品２Ｂにおいては、インターポーザ８を用いて半導体チップ９の再配線を行ない、実装配線板３の実装性を向上させている。このインターポーザ８はポリイミドテープ配線板やガラスエポキシ配線板であり、実装配線板３と対向するその下面２ｂに半田バンプ６が形成されている。
【００４７】
第２の実施形態の実装配線板３、アンダーフィル４および界面活性剤５は、第１の実施形態と同様である。
【００４８】
次に、第２の実施形態の半導体装置１Ｂの製造方法を説明する。
【００４９】
第２の実施形態の半導体装置１Ｂは、バンプ６が形成された半導体チップ９のマザー基板２０から半導体チップ９をそれぞれ個片化し、その半導体チップ９を図２に示したインターポーザ８にフリップチップ接続して半導体部品２Ｂを形成し、その半導体部品２Ｂを実装配線板３にフリップチップ接続した後、半導体部品２Ｂと実装配線板３との間にアンダーフィル４を流入して半導体部品２Ｂと実装配線板３とを固着させることにより、製造される。
【００５０】
ここで、図３に示すように、半導体部品２Ｂの主部品として用いる半導体チップ９は、第１の実施形態の半導体チップ９と同様、界面活性剤５を添加した切削剤を用いてマザー基板２０から個片化される。
【００５１】
インターポーザ８は再配線の要求を満たすために半導体チップ９の下面よりも大きな面積になっており、界面活性剤５を塗布する要求は大きくない。また、図２に示すように、インターポーザ８の厚さも薄く、インターポーザ８の上方までアンダーフィル４を塗布するので、インターポーザ８の側面までアンダーフィル４が塗布されないという心配もない。しかし、アンダーフィル４の流動性を向上させてその上方の半導体チップ９にアンダーフィル４を素早く流入させるため、インターポーザ８の基板に界面活性剤５を塗布しておくことが好ましい。界面活性剤５の塗布方法としては、スプレーコーティング等の従来技術の塗布方法採用することができる。
【００５２】
次に、第２の実施形態の半導体装置１Ｂを説明する。
【００５３】
第２の実施形態の半導体装置１Ｂにおいては、図１に示すように、フリップチップ接続された半導体部品２Ｂと実装配線板３との間にアンダーフィル４が流入している。
【００５４】
ここで、インターポーザ８の側面が非常に小さいことから、半導体部品２Ｂの側面２ａは半導体チップ９の側面９ａによって構成されている。そして、この半導体部品２Ｂの側面２ａには界面活性剤５が塗布されている。そのため、半導体部品２Ｂの側面２ａが小さくなってもその側面２ａにアンダーフィル４が付着しやすくなる。アンダーフィル４が半導体部品２Ｂの側面２ａまで付着すれば、アンダーフィル４の接着面積が拡大するので、アンダーフィル４の固着力が強固になり、実装配線板３と半導体部品２Ｂとの接続信頼性が向上する。
【００５５】
図２に示すように、この界面活性剤５が半導体部品２Ｂの側面２ａとその上面２ｃとの境界付近まで塗布されていれば、半導体部品２Ｂの側面２ａの最上部までアンダーフィル４を付着させることができるので、アンダーフィル４による半導体部品２Ｂと実装配線板３との固着力が向上する。
【００５６】
なお、半導体部品２Ｂの上面２ｃにまでアンダーフィル４を塗布すれば固着力はさらに向上するが、半導体装置１Ｂの全高が上昇してしまい、半導体装置１Ｂの小型化が図れないため、この界面活性剤５の塗布を半導体部品２Ｂの側面２ａとその上面２ｃとの境界付近までに抑えておくことが好ましい。
【００５７】
半導体部品２Ｂに用いるバンプは、図２に示すように、半田バンプ６であるが、第１の実施形態と同様、半導体部品２Ｂに界面活性剤５が塗布されている。そのため、実装配線板３の実装面３ａから半導体部品２Ｂの側面２ａまでの距離が遠ざかっても、半導体部品２Ｂの側面２ａにアンダーフィル４を付着させることができる。
【００５８】
また、図示はしないが、第１の実施形態と同様、半導体部品２Ｂの下面２ｂにも塗布されていることが好ましい。これにより、半導体部品２Ｂと実装配線板３との間にアンダーフィル４が確実に流入し、半導体部品２Ｂの下面２ｂの全面にアンダーフィル４を付着させることができる。
【００５９】
次に、第２の実施形態の半導体装置１Ｂおよびその製造方法の作用を説明する。
【００６０】
図２に示すように、半導体部品２Ｂの主部品となる半導体チップ９には、少なくともその側面９ａに界面活性剤５が塗布される。第２の実施形態においては、第１の実施形態と同様、半導体チップ９をマザー基板２０から個片化する際、界面活性剤５を添加した切削水３０をマザー基板２０に流入しながらマザー基板２０を切断している。これにより、新たに別工程を設けて半導体チップ９の下面９ｂおよび側面９ａに界面活性剤５を塗布する必要がなくなる。また、インターポーザ８に界面活性剤５を塗布するのは困難な作業ではないので、製造コストに大きな変化をもたらさない。そのため、製造コストをほとんど増加させずに第２の実施形態の半導体装置１Ｂの効果を享受することができる。
【００６１】
以上のことから、第１の実施形態および第２の実施形態の半導体装置１Ａ、１Ｂおよびそれらの製造方法によれば、実装配線板３の実装面３ａから離れた位置にある半導体部品２Ａ、Ｂの側面２ａまでアンダーフィル４が付着するので、半導体部品２Ａ、２Ｂが小型化しても、半導体部品２Ａ、２Ｂの温度昇降時におけるアンダーフィル４の熱膨張・熱収縮により半導体部品２Ａ、２Ｂのバンプ６が実装配線板３から剥離することを防止できる。その結果、実装配線板３と半導体部品２Ａ、２Ｂとの接続信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
【００６２】
なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１の実施形態の半導体装置を示す縦断面図
【図２】第２の実施形態の半導体装置を示す縦断面図
【図３】第１の実施形態および第２の実施形態の半導体部品に用いる半導体チップの個片化工程を示す概念図
【図４】従来の半導体装置を示す縦断面図
【図５】従来の半導体装置において半導体部品が小型化した状態を示す縦断面図
【図６】従来の半導体装置において小型化した半導体部品に半田バンプを形成した状態を示す縦断面図
【符号の説明】
【００６４】
１Ａ、１Ｂ  半導体装置
２Ａ、２Ｂ  半導体部品
３  実装配線板
４  アンダーフィル
５  界面活性剤
６  バンプ
９  半導体チップ
３０  切削水
【図１】
2009176863.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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