(57)【要約】【課題】熱処理時の異常を厳密に検知することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】ベークプレートに基板が載置された際に実測されたベークプレートの表面温度と設定温度との差の積分値を算定する。常温近傍の基板がベークプレートの表面所定位置に正確に載置されると、ベークプレート表面から基板への熱伝導が直ちに生じ、基板が急速に昇温する一方でベークプレートの表面温度が一時的に低下する。しかし、基板が傾いて載置されるなどの現象が発生したときには、ベークプレートから基板への伝熱量が少なくなり、ベークプレート表面温度の低下の程度が少なくなり、積分値も小さくなる。このため、算定された積分値が所定の閾値以下である場合には、熱処理に異常が発生したものと判定する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に熱処理を行う熱処理装置であって、
表面に載置された基板を熱処理する熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの表面温度を測定するプレート温度測定手段と、
前記熱処理プレートに基板が載置された際に前記プレート温度測定手段によって測定された前記熱処理プレートの表面温度と前記熱処理プレートの設定温度との差の積分値を算定する積分手段と、
前記積分手段によって算定された積分値が所定の閾値以下であるときに異常が発生したものとする異常検知手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理装置において、
前記積分手段によって算定された積分値に応じて前記熱処理プレートに前記基板が載置されている熱処理時間を延長する処理時間延長手段をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の熱処理装置において、
前記積分手段は、前記熱処理プレートに基板が載置されて正常に熱処理が行われたときの前記熱処理プレートの表面温度が前記設定温度から乖離を開始して前記設定温度に復帰するまでの時間を積分時間として積分値の算定を行うことを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
基板を熱処理プレートに載置して当該基板に熱処理を行う熱処理方法であって、
前記熱処理プレートに基板が載置された際に前記熱処理プレートの表面温度と前記熱処理プレートの設定温度との差の積分値を算定する積分工程と、
前記積分工程にて算定された積分値が所定の閾値以下であるときに異常が発生したものとする異常検知工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
請求項４記載の熱処理方法において、
前記積分工程にて算定された積分値に応じて前記熱処理プレートに前記基板が載置されている熱処理時間を延長することを特徴とする熱処理方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の熱処理方法において、
前記積分工程での積分時間を、前記熱処理プレートに基板が載置されて正常に熱処理が行われたときの前記熱処理プレートの表面温度が前記設定温度から乖離を開始して前記設定温度に復帰するまでの時間とすることを特徴とする熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を熱処理プレートに載置して熱処理を行う熱処理装置および熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらのうち熱処理は、例えばパターンの露光後、層間絶縁膜の材料であるＳＯＧ(Spin on glass)材の塗布後、或いはフォトレジストの塗布後などに行われる処理であって、半導体製造のプロセスに必須の重要な処理工程である。
【０００３】
半導体ウェハ等の熱処理を行う際には、熱処理プレート上に基板を載置して加熱する方式が最も一般的に行われている。すなわち、アルミニウム等の金属によって形成された熱処理プレートに加熱機構や冷却機構を内蔵し、その熱処理プレート上に基板を載置することによって熱処理を実行する方式である。
【０００４】
このような熱処理においては、熱処理プレート上に基板が正確に載置されることが要求されている。熱処理時に熱処理プレート上で基板が傾いていたりすると、基板の面内温度分布が著しく不均一となり、処理不良の原因となる。
【０００５】
このため、特許文献１には、基板が熱処理プレート上に正確に載置されたときにはプレート温度が大きく下がるのに対して、正確に載置されていない場合にはプレート温度があまり低下しないことを利用し、プレート温度を測定して基板が傾いて載置されていることを検知する技術が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、基板と熱処理プレートとの間の空間から排気される気流の圧力を検出して載置された基板の傾きを検知する技術が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３０６８２５号公報
【特許文献２】特開２００５−１１７００７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１，２に開示された技術によれば、熱処理プレートに基板が傾いて載置されていることは検知できるものの、プロセス異常を完全に検知することは難しい。例えば、特許文献１において、プレート温度が所定の閾値以下にまで低下した場合であっても、熱処理プレートに載置されている基板に若干の位置ずれが生じている可能性がある。このような場合、プロセス上の異常に繋がるおそれもあるが、特許文献１，２開示の技術では、そのような異常までをも完全に検知することは不可能であった。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、熱処理時の異常を厳密に検知することができる熱処理装置および熱処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置において、表面に載置された基板を熱処理する熱処理プレートと、前記熱処理プレートの表面温度を測定するプレート温度測定手段と、前記熱処理プレートに基板が載置された際に前記プレート温度測定手段によって測定された前記熱処理プレートの表面温度と前記熱処理プレートの設定温度との差の積分値を算定する積分手段と、前記積分手段によって算定された積分値が所定の閾値以下であるときに異常が発生したものとする異常検知手段と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記積分手段によって算定された積分値に応じて前記熱処理プレートに前記基板が載置されている熱処理時間を延長する処理時間延長手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理装置において、前記積分手段は、前記熱処理プレートに基板が載置されて正常に熱処理が行われたときの前記熱処理プレートの表面温度が前記設定温度から乖離を開始して前記設定温度に復帰するまでの時間を積分時間として積分値の算定を行うことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４の発明は、基板を熱処理プレートに載置して当該基板に熱処理を行う熱処理方法において、前記熱処理プレートに基板が載置された際に前記熱処理プレートの表面温度と前記熱処理プレートの設定温度との差の積分値を算定する積分工程と、前記積分工程にて算定された積分値が所定の閾値以下であるときに異常が発生したものとする異常検知工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る熱処理方法において、前記積分工程にて算定された積分値に応じて前記熱処理プレートに前記基板が載置されている熱処理時間を延長することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６の発明は、請求項４または請求項５の発明に係る熱処理方法において、前記積分工程での積分時間を、前記熱処理プレートに基板が載置されて正常に熱処理が行われたときの前記熱処理プレートの表面温度が前記設定温度から乖離を開始して前記設定温度に復帰するまでの時間とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、熱処理プレートに基板が載置された際に熱処理プレートの表面温度と熱処理プレートの設定温度との差の積分値を算定し、その算定された積分値が所定の閾値以下であるときに異常が発生したものとするため、表面温度測定のサンプリング間隔によらず積分値は概ね一定となり、熱処理時の異常を厳密に検知することができる。
【００１７】
特に、請求項２および請求項５の発明によれば、算定された積分値に応じて熱処理プレートに基板が載置されている熱処理時間を延長するため、熱処理時に若干の異常が発生しても基板と熱処理プレートとの間で移動する総熱量は一定となり、異なる基板間の熱処理の均一性を確保することができる。
【００１８】
特に、請求項３および請求項６の発明によれば、熱処理プレートに基板が載置されて正常に熱処理が行われたときの熱処理プレートの表面温度が設定温度から乖離を開始して設定温度に復帰するまでの時間を積分時間としているため、表面温度の変化が小さいにもかかわらず長時間をかけて設定温度に復帰したような場合であっても、熱処理時の異常を厳密に検知することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
まず、本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置１の平面図である。また、図２は基板処理装置１の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
【００２１】
本実施形態の基板処理装置１は、半導体ウェハ等の基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であっても良い。
【００２２】
本実施形態の基板処理装置１は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０の５つの処理ブロックを一方向（Ｘ方向）に連設して構成されている。インターフェイスブロック５０には基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。
【００２３】
インデクサブロック１０は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボットＩＲと、を備えている。
【００２４】
インデクサロボットＩＲは、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台１２を備えている。可動台１２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム１３ａ，１３ｂが搭載されている。保持アーム１３ａ，１３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム１３ａ，１３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットＩＲは、保持アーム１３ａ，１３ｂを個別に各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
【００２５】
インデクサブロック１０に隣接してバークブロック２０が設けられている。インデクサブロック１０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられている。この隔壁１５にインデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。
【００２６】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲはキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板ＷをインデクサロボットＩＲが受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。
【００２７】
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットＩＲや搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００２８】
次に、バークブロック２０について説明する。バークブロック２０は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２２，２３と、下地塗布処理部２１および熱処理タワー２２，２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。
【００２９】
バークブロック２０においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（（−Ｙ）側）に、２つの熱処理タワー２２，２３が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２２，２３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２２，２３から下地塗布処理部２１に熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００３０】
図２に示すように、下地塗布処理部２１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＢＲＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＢＲＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２６、このスピンチャック２６上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２７、スピンチャック２６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００３１】
図３に示すように、熱処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰおよびレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理ユニットＡＨＬが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー２３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている（後述する他の熱処理タワーについても同じ）。
【００３２】
図４に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム２４ａ，２４ｂは搬送ヘッド２８に搭載されている。搬送ヘッド２８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド２８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム２４ａ，２４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ１は、２個の搬送アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２２，２３に設けられた熱処理ユニット（加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび密着強化処理ユニットＡＨＬ）、下地塗布処理部２１に設けられた４つの塗布処理ユニットＢＲＣおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００３３】
次に、レジスト塗布ブロック３０について説明する。バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３０が設けられている。このレジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００３４】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。
【００３５】
基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００３６】
レジスト塗布ブロック３０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３２，３３と、レジスト塗布処理部３１および熱処理タワー３２，３３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。
【００３７】
レジスト塗布ブロック３０においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が装置正面側に、２つの熱処理タワー３２，３３が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３２，３３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３２，３３からレジスト塗布処理部３１に熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００３８】
図２に示すように、レジスト塗布処理部３１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＳＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル３７、スピンチャック３６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００３９】
図３に示すように、熱処理タワー３２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰおよび加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー３３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。
【００４０】
図４に示すように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム３４ａ，３４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム３４ａ，３４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム３４ａ，３４ｂは搬送ヘッド３８に搭載されている。搬送ヘッド３８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド３８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム３４ａ，３４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム３４ａ，３４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、２個の搬送アーム３４ａ，３４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３２，３３に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部３１に設けられた４つの塗布処理ユニットＳＣおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００４１】
次に、現像処理ブロック４０について説明する。レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４０が設けられている。この現像処理ブロック４０とレジスト塗布ブロック３０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００４２】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。
【００４３】
基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００４４】
現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー４２と、露光直後の基板Ｗに熱処理を行う熱処理タワー４３と、現像処理部４１および熱処理タワー４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。
【００４５】
図２に示すように、現像処理部４１は、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤを上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４６、このスピンチャック４６上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４７、スピンチャック４６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００４６】
図３に示すように、熱処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰおよび加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー４３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰは露光直後の基板Ｗに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰに対してはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの搬出入を行う。
【００４７】
また、熱処理タワー４３には、現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。
【００４８】
搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム４４ａ，４４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム４４ａ，４４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム４４ａ，４４ｂは搬送ヘッド４８に搭載されている。搬送ヘッド４８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド４８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム４４ａ，４４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム４４ａ，４４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ３は、２個の搬送アーム４４ａ，４４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、熱処理タワー４２に設けられた熱処理ユニット、現像処理部４１に設けられた５つの現像処理ユニットＳＤおよび熱処理タワー４３の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００４９】
次に、インターフェイスブロック５０について説明する。インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Ｗを基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡すブロックである。インターフェイスブロック５０は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構ＩＦＲの他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３およびエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備える。
【００５０】
エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６およびスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インターフェイスブロック５０の中央部に上下に積層配置されている。また、エッジ露光ユニットＥＥＷの下側には、２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦおよび基板送り用のセンドバッファＳＢＦが上下に積層配置されている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構ＩＦＲに基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構ＩＦＲから搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。
【００５１】
リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３で露光後加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものである。リターンバッファＲＢＦおよびセンドバッファＳＢＦはいずれも複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行い、センドバッファＳＢＦに対しては搬送機構ＩＦＲがアクセスを行う。
【００５２】
現像処理ブロック４０の露光後ベーク処理部４３に隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム５４ａ，５４ｂを上下に近接させて備えており、その構成および動作機構は搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と全く同じである。また、搬送機構ＩＦＲは、Ｙ軸方向の水平移動、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台５２を備え、その可動台５２に基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム５３ａ，５３ｂを搭載している。保持アーム５３ａ，５３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム５３ａ，５３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。
【００５３】
露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置１にてレジスト塗布された露光前の基板Ｗを搬送機構ＩＦＲから受け取って露光処理を行う。露光ユニットＥＸＰにて露光処理の行われた基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られる。なお、露光ユニットＥＸＰは、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであっても良い。
【００５４】
次に、熱処理タワー２２，２３，３２，３３，４２，４３に設けられている加熱ユニットＨＰについて説明する。図５は、加熱ユニットＨＰの要部構成を示す図である。加熱ユニットＨＰは、熱処理プレートたるベークプレート８０にベークコントローラ９０を付設して構成されている。
【００５５】
ベークプレート８０は、図示省略の加熱機構を内蔵する円板形状の金属製（例えばアルミニウム合金製）プレートである。ベークプレート８０の径は基板Ｗの径（例えばφ３００ｍｍ）よりも大きい。ベークプレート８０の加熱機構としては抵抗発熱体やヒートパイプ機構を採用することが可能である。また、ベークプレート８０は、金属製に限らず、セラミックス製（例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）製）であっても良い。
【００５６】
ベークプレート８０の表面には、その上端がプレート表面より微小量だけ突出する複数個のプロキシミティボール８１が配設されている。各プロキシミティボール８１は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の低伝熱性の部材にて構成された球体である。本実施形態では、３個のプロキシミティボール８１がベークプレート８０の上面の同一円周上に沿って１２０°間隔で配設されている。
【００５７】
また、ベークプレート８０の表面周縁部には、複数個の位置決めガイド８２が配設されている。位置決めガイド８２は、上側にテーパ面を備えており、ベークプレート８０への載置時に基板Ｗの位置ずれを防止するための部材である。本実施形態では、３個の位置決めガイド８２がベークプレート８０の上面の基板Ｗの径よりも若干大きな径を有する円周上に沿って１２０°間隔で配設されている。
【００５８】
ベークプレート８０内部の上面近傍には温度センサ８４が設けられている。温度センサ８４は、例えば熱電対を用いて構成されており、ベークプレート８０の表面温度を測定する。
【００５９】
また、加熱ユニットＨＰには、基板Ｗをベークプレート８０に載置するための昇降機構８５が設けられている。昇降機構８５は、複数本（本実施形態では３本）のリフトピン８６およびアクチュエータ８７を備える。３本のリフトピン８６は、石英によって形成されており、アクチュエータ８７によって一斉に昇降される。ベークプレート８０には、リフトピン８６が挿通可能な程度の大きさの貫通孔８３が鉛直方向に沿って穿設されている。
【００６０】
アクチュエータ８７は、３本のリフトピン８６を処理位置と受渡位置との間で昇降させる。アクチュエータ８７がリフトピン８６を受渡位置まで上昇させると、リフトピン８６の上端がベークプレート８０の上面から突出する。逆に、アクチュエータ８７がリフトピン８６を処理位置まで下降させると、リフトピン８６の上端が貫通孔８３内に埋入する。
【００６１】
ベークコントローラ９０は、加熱ユニットＨＰの制御を行う制御部であり、そのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、ベークコントローラ９０は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。ベークコントローラ９０は、温度センサ８４、ベークプレート８０の加熱機構および昇降機構８５のアクチュエータ８７と電気的に接続されており、温度センサ８４からの信号を受けるとともに、ベークプレート８０および昇降機構８５の動作を制御する。また、ベークコントローラ９０は、積分器９１、異常検知部９２および処理時間決定部９３を備えている。異常検知部９２および処理時間決定部９３はベークコントローラ９０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって実現される機能処理部であり、その処理内容についてはさらに後述する。なお、ベークコントローラ９０は、基板処理装置１の全体を管理するメインコントローラの下位コントローラとして設けられていても良い。
【００６２】
次に、上記の基板処理装置１における基板処理の手順について簡単に説明する。まず、基板処理装置１における全体の処理手順を簡単に説明する。装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１０に搬入される。続いて、インデクサブロック１０から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサロボットＩＲが所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー２２のいずれかの密着強化処理ユニットＡＨＬに搬送する。密着強化処理ユニットＡＨＬでは、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理して基板Ｗの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、熱処理タワー２２，２３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。
【００６３】
冷却された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって冷却ユニットＣＰから下地塗布処理部２１のいずれかの塗布処理ユニットＢＲＣに搬送される。塗布処理ユニットＢＲＣでは、基板Ｗの表面に反射防止膜の塗布液が供給されて回転塗布される。
【００６４】
塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって熱処理タワー２２，２３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送される。加熱ユニットＨＰにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が焼成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットＨＰから取り出された基板Ｗは熱処理タワー２２，２３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【００６５】
次に、反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送して所定温度に温調する。続いて、搬送ロボットＴＲ２が温調済みの基板Ｗをレジスト塗布処理部３１のいずれかの塗布処理ユニットＳＣに搬送する。塗布処理ユニットＳＣでは、基板Ｗにレジスト膜の塗布液が回転塗布される。本実施形態においては、レジストとして化学増幅型レジストが使用される。
【００６６】
レジスト塗布処理が終了した後、塗布処理ユニットＳＣから搬出された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって熱処理タワー３２，３３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送される。加熱ユニットＨＰにて基板Ｗが加熱(Post Applied Bake)されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱ユニットＨＰから取り出された基板Ｗは熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００６７】
レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、上下いずれかのエッジ露光ユニットＥＥＷに搬入される。エッジ露光ユニットＥＥＷにおいては、基板Ｗの端縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。
【００６８】
パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスブロック５０に戻され、搬送機構ＩＦＲによって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送する。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰでは、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。
【００６９】
露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、加熱ユニットＨＰ内部の機構によって冷却されることにより上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰから取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００７０】
基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー４２のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送する。冷却ユニットＣＰにおいては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、冷却ユニットＣＰから基板Ｗを取り出して現像処理部４１のいずれかの現像処理ユニットＳＤに搬送する。現像処理ユニットＳＤでは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって熱処理タワー４２のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送され、さらにその後いずれかの冷却ユニットＣＰに搬送される。
【００７１】
その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１０に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板ＷはインデクサロボットＩＲによって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。
【００７２】
上記一連の処理において、基板Ｗを加熱ユニットＨＰにて加熱する工程が複数存在する。加熱ユニットＨＰにおけるより詳細な熱処理手順は以下のようなものである。まず、基板Ｗが加熱ユニットＨＰに搬入されるときには、昇降機構８５が３本のリフトピン８６を受渡位置まで上昇させており、リフトピン８６の上端はベークプレート８０の上面から突出している。そして、搬送ロボット（搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ４のいずれか）が基板Ｗを保持する搬送アームを加熱ユニットＨＰに進入させてリフトピン８６に基板Ｗを渡す。その後、搬送ロボットは搬送アームを加熱ユニットＨＰから退出させる。
【００７３】
リフトピン８６に基板Ｗが渡されて搬送アームが退出した後、昇降機構８５がリフトピン８６を処理位置まで下降させる。リフトピン８６の上端は貫通孔８３内に埋入し、基板Ｗはベークプレート８０の表面に載置される。より正確には、プロキシミティボール８１上に基板Ｗが支持され、ベークプレート８０の表面と微小間隔を隔てて基板Ｗは載置される。リフトピン８６が下降するときに基板Ｗの位置が若干ずれていたとしても位置決めガイド８２によって案内されることにより、ベークプレート８０の表面の所定位置に基板Ｗが載置されることとなる。
【００７４】
ベークプレート８０は予め所定の設定温度（処理温度）に昇温維持されており、ベークプレート８０の表面に基板Ｗが載置されることによって当該基板Ｗは処理温度に加熱される。所定の加熱処理時間が経過した時点で、昇降機構８５がリフトピン８６を受渡位置まで上昇させる。この過程で、加熱後の基板Ｗはベークプレート８０からリフトピン８６によって受け取られ、受渡位置まで上昇する。そして、再び搬送ロボットが搬送アームを加熱ユニットＨＰに進入させて加熱後の基板Ｗを受け取って搬送アームを退出させる。
【００７５】
ところで、上述の通り、ベークプレート８０の上面には位置決めガイド８２が配設されており、基板Ｗを受け取ったリフトピン８６が下降するときには、この位置決めガイド８２に案内されて基板Ｗがベークプレート８０表面の所定位置に載置される。常温近傍の基板Ｗがベークプレート８０の表面所定位置に正確に載置されると、ベークプレート８０表面から基板Ｗへの熱伝導が直ちに生じ、基板Ｗが急速に昇温する一方でベークプレート８０の表面温度が一時的に低下する。
【００７６】
図６は、基板Ｗが正確に載置されたときのベークプレート８０の表面温度および基板温度の変化を示す図である。基板Ｗがベークプレート８０の表面に載置されて基板温度が上昇を開始すると同時にベークプレート８０の表面温度が低下する。ベークプレート８０の表面温度は温度センサ８４によって絶えず計測されており、その計測結果はベークコントローラ９０に伝達される。ベークコントローラ９０はベークプレート８０の温度が所定の設定温度となるように加熱機構を制御しており、ベークプレート８０の表面温度低下を検知するとその表面温度が設定温度に復帰するように加熱機構の出力を増加する。このため、図６に示すように、基板Ｗは処理温度にまで上昇し続ける一方で、ベークプレート８０の表面温度は一時的に低下した後再び上昇して元の設定温度に戻る。なお、図６では理解容易のためベークプレート８０の表面温度低下を誇張して記載しているが、実際には設定温度が１１５℃であったとして表面温度低下は１℃〜２℃程度である。
【００７７】
しかしながら、何らかの原因によってベークプレート８０の表面の所定位置に基板Ｗが正しく載置されない場合もある。正しく載置されない場合とは、例えばリフトピン８６が下降したときに基板Ｗの一部が位置決めガイド８２に乗り上げ、基板Ｗの下面がベークプレート８０の表面に接地しなかったような場合である。このような場合、プロセス上予定されている通りにはベークプレート８０から基板Ｗに熱が伝わらず、異常な加熱処理が行われることとなり、処理不良が発生することとなる。
【００７８】
このため、本実施形態では、以下のようにして熱処理プロセスの異常を検知しており、図７を参照しつつ説明を続ける。図７は、基板Ｗが載置された際のベークプレート８０の表面温度変化を例示した図である。図７（ａ）は、ベークプレート８０の表面の所定位置に正確に基板Ｗが載置されたときの表面温度変化を示し、図７（ｂ）（ｃ）は基板Ｗが正しく載置されなかった場合のベークプレート８０の表面温度変化を示す。
【００７９】
まず、ベークコントローラ９０の積分器９１は、ベークプレート８０に基板Ｗが載置された際に温度センサ８４によって測定されたベークプレート８０の表面温度とベークプレート８０の設定温度との差の積分値、すなわち図７の斜線部の面積を算定する。この積分値はベークプレート８０から基板Ｗへと伝わった熱量と相関のある指標である。定性的には、この積分値が小さいほど、ベークプレート８０から基板Ｗへの伝熱量が少ないことを意味する。
【００８０】
そして、ベークコントローラ９０の異常検知部９２は、積分器９１によって算定された積分値が所定の閾値以下であるか否かを判定し、所定の閾値以下である場合には加熱処理に異常が発生したものと判定する。ベークプレート８０の表面の所定位置に正確に基板Ｗが載置された場合には、図７（ａ）に示す如く、積分値が比較的大きく上記閾値より大きくなるため、異常検知部９２は正常と判定する。
【００８１】
一方、ベークプレート８０の表面の所定位置に正しく基板Ｗが載置されなかった場合には、例えば図７（ｂ）に示すように、一時的なベークプレート８０の表面温度低下の程度が小さくなり、その結果積分値も比較的小さくなる。この場合、ベークプレート８０から基板Ｗへの十分な伝熱量が確保できていないと考えられ、加熱処理異常となる可能性がある。このため、異常検知部９２は積分値が所定の閾値以下である場合には加熱処理に異常が発生したものと判定する。異常検知部９２によって加熱処理に異常が検知された場合には、例えばベークコントローラ９０が基板処理装置１の操作パネルに異常発生の警告を発報するようにすれば良い。
【００８２】
図７（ｂ）に示したのは、一時的なベークプレート８０の表面温度低下の程度が小さいものの表面温度が早期に設定温度に復帰するケースであるが、ベークプレート８０の加熱機構の種類や設定されているＰＩＤ(Proportional,Integral,Derivative)定数によっては表面温度が設定温度に復帰するまでに長時間を要するケースもある。図７（ｃ）に示すのは、一時的なベークプレート８０の表面温度低下の程度が小さく、かつ、表面温度が長時間をかけて設定温度に復帰する例である。
【００８３】
図７（ｃ）に示すような場合、ベークプレート８０の表面の所定位置に正しく基板Ｗが載置されておらず、加熱処理異常となっている可能性があるものの、積分時間が長いために積分値そのものは比較的大きくなって上記閾値より大きくなることもある。この場合、加熱処理異常であるにもかかわらず、異常検知部９２は正常と判定することになる。
【００８４】
このため、積分器９１は、ベークプレート８０に基板Ｗが載置されて正常に熱処理が行われたときのベークプレート８０の表面温度が設定温度から乖離を開始して設定温度に復帰するまでの時間ｔ１を積分時間として積分値の算定を行う。すなわち、図７（ａ）のように、ベークプレート８０の表面の所定位置に正確に基板Ｗが載置されて正常に熱処理が行われたときのベークプレート８０の表面温度が設定温度から乖離を開始して設定温度に復帰するまでの時間ｔ１をベークコントローラ９０の記憶部（例えば、メモリ）に予め記憶しておく。積分器９１は、積分値を算定するに際して、ベークプレート８０の表面温度が設定温度から乖離を開始して時間ｔ１を経過するまでのベークプレート８０の実測表面温度と設定温度との差を積分する。
【００８５】
このようにすれば、図７（ｃ）に示すような場合であっても、積分値は所定の閾値以下となり、異常検知部９２は加熱処理に異常が発生したものと判定する。なお、図７（ｂ）に示す場合においても、積分器９１は時間ｔ１を積分時間として積分値を算定しているのであるが、そもそもベークプレート８０の表面温度が設定温度から乖離して復帰するまでの時間が時間ｔ１より短く、特段に積分時間を設定しなかったとしても算定結果に影響は無い。
【００８６】
以上のようにすれば、ベークプレート８０の表面に基板Ｗが傾いて載置された結果熱処理時にプロセス異常が発生したとしても、その異常を確実に検知することができる。特許文献１に開示されている技術では、プレートの表面温度そのものの低下の程度を監視しているため、サンプリング間隔を非常に短くしなければ一瞬の温度低下を検知することはできず、基板傾き異常と判定する閾値を緩めに設定しておく必要があった。この点、本実施形態のように、積分値に基づいて判定を行うようにすれば、サンプリング間隔が少々長くても積分値に大きな差は生じない。このため、異常検知部９２が異常判定を行うための上記閾値を厳しめ（図７（ａ）の正常処理時の積分値に近い値）に設定することができ、熱処理時のプロセス異常を厳密に検知することができる。
【００８７】
また、積分値に基づいて異常判定を行うようにすれば、基板Ｗが傾いて載置されるようなプロセス異常だけでなく、例えば基板Ｗの僅かな位置ずれ、或いはベークプレート８０の加熱機構のアンダーシュートやオーバーシュートのような他の熱処理時のプロセス異常をも確実に検知することができる。
【００８８】
また、本実施形態においては、積分器９１によって算定された積分値に応じてベークプレート８０に基板Ｗが載置されている熱処理時間をベークコントローラ９０の処理時間決定部９３が延長している。ベークプレート８０に基板Ｗが載置されている熱処理時間は予め定められてベークコントローラ９０の記憶部に記憶されているのであるが、この熱処理時間はベークプレート８０の表面の所定位置に正確に基板Ｗが載置されて正常に熱処理が行われた場合（図７（ａ）の場合）を前提としたものである。積分器９１によって算定された積分値が正常に熱処理が行われた場合の積分値よりも小さい場合、ベークプレート８０から基板Ｗへの伝熱量が少なくなっていると考えられる。このため、処理時間決定部９３がベークプレート８０に基板Ｗが載置されている熱処理時間を延長し、ベークプレート８０から基板Ｗへの伝熱量が正常処理のときと同じになるようにしている。処理時間決定部９３がどの程度熱処理時間を延長するかは、ベークプレート８０から基板Ｗへの伝熱量が一定となるような積分値と熱処理時間との相関関係を予め実験やシミュレーションによって求めておき、その相関関係に基づいて決定するようにすれば良い。積分値と熱処理時間との当該相関関係は例えばルックアップテーブルとしてベークコントローラ９０の記憶部に保持することができる。
【００８９】
このようにすれば、熱処理プロセスに若干の異常が生じて積分値が小さくなった場合であっても、基板Ｗがベークプレート８０から受ける総熱量は一定となり、加熱ユニットＨＰで処理される異なる基板Ｗ間のプロセス均一性を確保することが可能となる。その結果、処理異常の基板Ｗを削減することが可能となり基板処理装置１の生産性を向上することができる。
【００９０】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、加熱ユニットＨＰにおける加熱処理時の異常を検知していたが、同様にして冷却ユニットＣＰにおける冷却処理時の異常を検知することもできる。すなわち、冷却ユニットＣＰの熱処理プレートであるコールドプレートに基板Ｗが載置された際に実測されるコールドプレートの表面温度とコールドプレートの設定温度との差の積分値を算定し、その積分値が所定の閾値以下であるときには冷却処理に異常が発生しているものと判定する。また、この場合であっても、上記実施形態と同様に、コールドプレートに基板Ｗが載置されて正常に熱処理が行われたときのコールドプレートの表面温度が設定温度から乖離を開始して設定温度に復帰するまでの時間を積分時間として積分値の算定を行う。さらに、算定された積分値に応じてコールドプレートに基板Ｗが載置されている熱処理時間を延長する。
【００９１】
また、密着強化処理ユニットＡＨＬも加熱ユニットの一種であり、本発明が適用できることは勿論である。すなわち、熱処理プレート（ベークプレートまたはコールドプレート）に基板Ｗを載置して熱処理（加熱処理または冷却処理）を行う熱処理装置であれば本発明を適用して熱処理時の異常を厳密に検知することができる。
【００９２】
また、上記実施形態においては、積分器９１によって算定された積分値が所定の閾値以下である場合に熱処理に異常が発生したと判定していたが、積分値が閾値未満である場合に異常が発生したと判定するようにしても良い。
【００９３】
また、積分器９１によって算定された積分値が所定の閾値以下である場合に熱処理に異常が発生したと判定して処理を停止するとともに、当該閾値より大きい場合には積分値に応じて熱処理プレートに基板Ｗが載置されている熱処理時間を延長するようにしても良い。
【００９４】
また、基板処理装置１の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、熱処理プレートに基板Ｗを載置して熱処理を行う熱処理装置を組み込み、当該熱処理装置に搬送ロボットが基板Ｗを搬送する形態であれば種々の構成を採用することが可能である。
【００９５】
また、本発明に係る熱処理装置によって熱処理の対象となる基板Ｗは半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ガラス基板であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。
【図３】図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。
【図４】図１の基板処理装置の搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。
【図５】加熱ユニットの要部構成を示す図である。
【図６】基板が正確に載置されたときのベークプレートの表面温度および基板温度の変化を示す図である。
【図７】基板が載置された際のベークプレートの表面温度変化を例示した図である。
【符号の説明】
【００９７】
１  基板処理装置
１０  インデクサブロック
２０  バークブロック
３０  レジスト塗布ブロック
４０  現像処理ブロック
５０  インターフェイスブロック
８０  ベークプレート
８４  温度センサ
８５  昇降機構
８６  リフトピン
８７  アクチュエータ
９０  ベークコントローラ
９１  積分器
９２  異常検知部
９３  処理時間決定部
ＢＲＣ，ＳＣ  塗布処理ユニット
ＣＰ  冷却ユニット
ＨＰ  加熱ユニット
ＩＦＲ  搬送機構
ＩＲ  インデクサロボット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０  基板載置部
ＳＤ  現像処理ユニット
ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４  搬送ロボット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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