(57)【要約】【課題】一対の大判基板が貼り合わされたものから電気光学装置を切り出す場合において、一方の大判基板を分断した後に、該一方の大判基板に割れ残りが存在するか否かを正確に検出することが可能な電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の検査装置を提供する。【解決手段】本発明は、電気光学装置を、第１の大判基板と、第２の大判基板とが貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板を、所定の複数の分断予定線に沿って分断することで得る電気光学装置の検査方法であって、前記大判貼り合わせ基板の第１の大判基板と及び第２の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第１の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、該反り形状に基づいて、前記第１の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とが貼り合わされてなる電気光学装置を、前記第１の基板が複数構成された第１の大判基板と、前記第２の基板が複数形成された第２の大判基板とが貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板を、所定の複数の分断予定線に沿って分断することで得る電気光学装置の検査方法であって、
前記大判貼り合わせ基板の第１の大判基板と及び第２の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第１の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、
該反り形状に基づいて、前記第１の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項２】
前記大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は、全ての前記所定の複数の分断予定線に交差する直線上において行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項３】
前記所定の複数の分断予定線は、複数の第１の分断予定線と、該第１の分断予定線に直交する複数の第２の分断予定線とからなり、
前記大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は、少なくとも全ての前記第１の分断予定線に交差する直線と、少なくとも全ての前期第２の分断予定線に交差する直線との２つの直線上において行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項４】
前記大判貼り合わせ基板の反り形状と、前記前記大判貼り合わせ基板の反り形状を近似する２次曲線との差が所定の値以上である場合に、前記第１の分断工程における割れ残りが存在すると判定することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査方法。
【請求項５】
第１の基板と第２の基板とが貼り合わされてなる電気光学装置を、前記第１の基板が複数構成された第１の大判基板と、前記第２の基板が複数形成された第２の大判基板とが貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板を、所定の複数の分断予定線に沿って分断することで得る電気光学装置の検査装置であって、
前記大判貼り合わせ基板の第１の大判基板と及び第２の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第１の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、
該反り形状に基づいて、前記第１の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする電気光学装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向して貼り合わされた一対の大判基板から切り出される電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例としての透過型の液晶表示装置は、ガラス、石英等からなる一対の透光性を有する基板間に液晶を挟持してなる。例えば、液晶表示装置が一対のガラス基板を具備して構成される場合、この液晶表示装置に用いられるガラス基板は、液晶表示装置の最終的な大きさに比較してより大きい１枚の大判基板から切り出されることにより形成されることがある。
【０００３】
例えば、特開２００５−２６６６８４号公報やＷＯ  ２００３／００６３９１号公報に開示されているように、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法として、一対の大判基板を貼り合わせて両大判基板間に電気光学物質を挟持した後に、この貼り合わされた状態の一対の大判基板を分断する、いわゆる大判貼り合わせ方式が知られている。
【０００４】
また、大判ガラス基板を分断して所定の大きさに切り出す方法として、スクライブ法が知られている。スクライブ法は、スクライブ刃の刃先やレーザ光によりガラス表面に線状の傷（スクライブライン）をつけ、この傷とは反対側のガラス表面を冶具により押圧することでガラスに曲げ応力を与えることにより、傷を基点とした厚さ方向のクラックを生じさせてガラスを分断するものである。
【０００５】
スクライブ法は、大判ガラス基板が大型化し分断する距離が長くても、他の方法に比して短時間で実行することが可能であることから、電気光学装置の製造工程において多く採用されている。
【特許文献１】特開２００５−２６６６８４号公報
【特許文献２】ＷＯ  ２００３／００６３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
スクライブ法による大判ガラスの分断方法は、他のダイシングやエッチングによりガラスを分断する方法に比して、スクライブラインの形成条件や、ガラスを冶具により押圧する圧力の条件等にばらつきがでやすいため、割れ残りが発生する可能性がある。
【０００７】
しかしながら、一対の大判基板を貼り合わせたものの一方の大判基板を分断したときに割れ残りが発生してしまった場合、他方の大判基板はまだ分断されていないことから、一方の基板は分断されていても分断されていなくても分離せず見かけが同じため、割れ残りを検出することが困難であった。
【０００８】
一方の基板に割れ残りが存在したまま他方の基板のスクライブ法による分断を行ってしまうと、分断位置の精度が悪化し不良発生の原因となる。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、一対の大判基板が貼り合わされたものから電気光学装置を切り出す場合において、一方の大判基板を分断した後に、該一方の大判基板に割れ残りが存在するか否かを正確に検出することが可能な電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の検査方法は、第１の基板と第２の基板とが貼り合わされてなる電気光学装置を、前記第１の基板が複数構成された第１の大判基板と、前記第２の基板が複数形成された第２の大判基板とが貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板を、所定の複数の分断予定線に沿って分断することで得る電気光学装置の検査方法であって、前記大判貼り合わせ基板の第１の大判基板と及び第２の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第１の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、該反り形状に基づいて、前記第１の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学装置の検査装置は、第１の基板と第２の基板とが貼り合わされてなる電気光学装置を、前記第１の基板が複数構成された第１の大判基板と、前記第２の基板が複数形成された第２の大判基板とが貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板を、所定の複数の分断予定線に沿って分断することで得る電気光学装置の検査装置であって、前記大判貼り合わせ基板の第１の大判基板と及び第２の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第１の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、該反り形状に基づいて、前記第１の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする。
【００１２】
本発明のこのような構成によれば、第１の大判基板の割れ残りを検出することが可能となる。
【００１３】
また、本発明は、前記大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は、全ての前記所定の複数の分断予定線に交差する直線上において行うことが好ましい。
【００１４】
このような構成によれば、一つの直線状においてのみ大判貼り合わせ基板の反り形状を測定すればよく、検査にかかる時間を短縮することが可能となる。
【００１５】
また、本発明は、前記所定の複数の分断予定線は、複数の第１の分断予定線と、該第１の分断予定線に直交する複数の第２の分断予定線とからなり、前記大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は、少なくとも全ての前記第１の分断予定線に交差する直線と、少なくとも全ての前期第２の分断予定線に交差する直線との２つの直線上において行うことを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、大判貼り合わせ基板から行列状に電気光学装置が切り出される場合において、直交する２つの分断予定線における割れ残りを検出することが可能となる。
【００１７】
また、本発明は、前記大判貼り合わせ基板の反り形状と、前記前記大判貼り合わせ基板の反り形状を近似する２次曲線との差が所定の値以上である場合に、前記第１の分断工程における割れ残りが存在すると判定することを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、定量的に第１の大判基板の割れ残りを検出することが可能となり、分断時の不良発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下に説明する実施形態は、本発明を、電気光学装置としての透過型の液晶表示装置の製造工程に用いられる検査方法及び検査装置に適用したものである。
【００２０】
なお、以下の説明に用いた各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各構成要素毎に縮尺を異ならせてあるものであり、本発明は、これらの図に記載された構成要素の数量、構成要素の形状、構成要素の大きさの比率、及び各構成要素の相対的な位置関係のみに限定されるものではない。
【００２１】
まず、本実施形態に係る電気光学装置の構成について、図１、図２及び図３を参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを例にとる。
【００２２】
図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００２３】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る電気光学装置１００は、対向して配設された一対の基板であるＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）との間に、電気光学物質である液晶５０が挟持されてなる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、ガラス、石英、透光性セラミック等からなる透光性を有する略矩形状の平板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられた枠状のシール材５２により相互に接着されて貼り合わせられている。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が分散して配設されている。液晶５０は、シール材５２とＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とに囲まれた領域に充填されている。
【００２４】
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て対向基板２０よりも大きい形状を有して形成されている。ここで、平面的に見る視点とは、電気光学装置１００を、ＴＦＴアレイ基板１０の法線と平行であり、かつ対向基板２０の側から見た視点であり、図１と同様の視点のことを指す。図１及び図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、シール材５２を介して位置決めして貼り合せた状態において、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板２０よりも外側に張り出した張出し部１１０を有している。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板１０のシール材５２が配置されたシール領域の外側に位置し、かつ張出し部１１０が形成された一辺に沿う領域内には、データ線駆動回路１０１及び外部導通端子１０２（導通端子部）が設けられている。
【００２６】
外部導通端子１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０の液晶５０側の表面上に露出して形成されている。外部導通端子１０２は、パターニングされた導電性を有する膜により形成されており、電気光学装置１００と外部装置とを電気的に接続する目的を有している。外部導通端子１０２の最表面部は、例えばＡｌ（アルミニウム）もしくはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる導電性の膜により構成されている。
【００２７】
なお、外部導通端子１０２は、本実施例に限らず、他に例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）等を含む金属単体、合金及び金属シリサイドや、ポリシリコン等からなる導電層、またこれらを積層したものによって構成されてもよい。
【００２８】
例えば、図示しないが、外部導通端子１０２上に、フレキシブルプリント基板を異方性導電接着剤等を介して接続することによって、該フレキシブルプリント基板を介して、電気光学装置１００と電気光学装置１００を制御する制御回路等の外部装置との電気的接続が行われる。
【００２９】
枠状のシール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの辺縁としての額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。すなわち、本実施形態の電気光学装置１０では、画像表示領域１０ａの中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が非表示領域として規定されている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられるものであってもよい。
【００３０】
走査線駆動回路１０４は、張出し部１１０が形成された一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域内に設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０が形成された一辺に対向する辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域には、複数の配線１０５が設けられている。該配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は、互いに電気的に接続されている。
【００３１】
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上であり、かつ画像表示領域１０ａ内の領域には、図示しないが走査線及びデータ線等の配線、及び走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素スイッチング用の素子であるＴＦＴが積層構造を有して形成されている。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上には、ＴＦＴに対応して複数の画素電極９ａが形成されており、さらに画素電極９ａ上には配向膜１６が形成されている。
【００３３】
配向膜１６は、有機材料又は無機材料からなり液晶５０の配向状態を規制する膜である。配向膜１６が有機材料により構成される場合、配向膜１６は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜１６が無機材料により構成される場合、配向膜１６は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成され、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。
【００３４】
他方、対向基板２０の液晶５０側の表面上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。配向膜２２は、配向膜１６と同様に、有機材料又は無機材料からなり液晶５０の配向状態を規制する膜である。配向膜２２が有機材料により構成される場合、配向膜２２は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜２２が無機材料により構成される場合、配向膜２２は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成され、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。
【００３５】
液晶５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。
【００３６】
次に、図３を参照して、上述した電気光学装置１００の電気的な構成について説明する。図３に示すように、本実施形態における電気光学装置１００の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。
【００３７】
ＴＦＴ３０のゲート３ａには、走査線１１ａが電気的に接続されている。走査線１１ａには、走査線駆動回路１０４により、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、所定のタイミングで順次供給される。走査線１１ａを介してゲート３ａに走査信号が供給されることにより、当該走査線１１ａに電気的に接続された複数のＴＦＴ３０はＯＮ状態となる。
【００３８】
ＴＦＴ３０のソースには、画像信号が供給されるデータ線６ａが電気的に接続されており、ＴＦＴ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには、データ線駆動回路１０１により、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、所定のタイミングで順次供給される。ここで、データ線６ａに供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、走査信号が供給されることによってＯＮ状態となったＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａに書き込むべき所定レベルの電位を有する信号である。
【００３９】
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが書き込まれた画素電極９ａと、対向基板に形成された対向電極２１との間の電位差、すなわち液晶５０に印加される電圧に応じて、液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化する。これにより、液晶５０を透過する光が変調され、当該画素における階調表示が可能となる。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加される。
【００４０】
また各画素における画像信号の保持時間を長くするために、画素電極９ａには、蓄積容量７０の一方の電極が電気的に接続される。該蓄積容量７０の他方の電極は、走査線１１ａに並んで設けられ所定の電位とされた容量配線４００に電気的に接続されている。
【００４１】
なお、上述したＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４２】
以下に、上述した構成を有する本実施形態の電気光学装置１００の製造方法を図４から図１３を参照して説明する。
【００４３】
図４は、大判基板から電気光学装置を切り出す前の状態を説明する図である。図５は、電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。図６から図１１は、図４におけるVI−VI断面について各工程を順を追って説明する図である。
【００４４】
なお、各図中おいて、本実施形態の電気光学装置１００の製造工程における重力の方向は特に示していない。すなわち、各図における各構成要素の配置はそれぞれの相対的な位置関係を示すものであり、重力中における上下関係を示すものではない。
【００４５】
本実施形態に係る電気光学装置１００は、複数の電気光学装置１００となる構成要素が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、電気光学装置１００は、一対の大判基板が貼り合わせられた大判貼り合わせ基板から多面取りを行う方法により形成される。
【００４６】
概略的には、大判貼り合わせ基板６０は、図４に示すように、第１の大判基板であるマザー基板３５上に複数のＴＦＴアレイ基板１０を構成する積層構造を行列状に連なった状態で形成し、また同様に第２の大判基板である対向側マザー基板４０上に複数の対向基板２０を構成する積層構造を行列状に形成し、このマザー基板３５と対向側マザー基板４０とをシール材５２を介して貼り合わせることにより形成される。
【００４７】
本実施形態では、マザー基板３５は、オリエンテーションフラット（Orientation Flat:以下オリフラと略称する）３５ｃを有するウェハ状の略円板形状を有する。以下の説明においては、マザー基板３５の対向側マザー基板４０と対向する面上においてオリフラ３５ｃと平行な軸をＸ軸とし、また当該面上において該Ｘ軸と直交する軸をＹ軸とする。また、Ｘ軸及びＹ軸に直交する軸をＺ軸とする。
【００４８】
マザー基板３５上に形成される複数の積層構造１０ｂは、マザー基板３５の対向側マザー基板に対向する面上においてＸ軸及びＹ軸に沿う行列状に配列される。
【００４９】
そして、複数のＴＦＴアレイ基板１０の外形に沿うようにＸ軸と略平行に延在する複数の第１の分断予定線１３０と、同様にＴＦＴアレイ基板１０の外形に沿うようにＹ軸と略平行に延在する複数の第２の分断予定線１４０とにおいて、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０の双方を分断することで、上述した電気光学装置１００が切り出される。
【００５０】
なお、本実施形態では、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０は略円板形状のものとしているが、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０の形状はこの形状に限られるものではない。例えば、矩形状の平板によりマザー基板３５及び対向側マザー基板４０の少なくとも一方が構成されるものであってもよい。
【００５１】
以下に、本実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の詳細を図５のフローチャートに沿って説明する。
【００５２】
まず、ステップＳ０１において、図６に示すように、マザー基板３５の一方の面上に、複数の積層構造１０ｂを、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で行列状に配列して形成する積層構造形成工程を実施する。
【００５３】
ここで積層構造１０ｂは、上述のように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側表面上に形成される構成であって、配向膜１６、画素電極９ａ、走査線１１ａ、データ線６ａ、容量配線４００、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、外部導通端子１０２等を有して構成されるものである。
【００５４】
積層構造１０ｂを形成する詳細の工程については、公知の液晶表示装置の製造工程と同様であるため、説明を省略する。
【００５５】
次に、ステップＳ０２において、図７に示すように、複数の対向基板２０となる積層構造が形成された対向側マザー基板４０を、シール材５２を介してマザー基板３５に貼り合わせる貼り合わせ工程を実施する。ここで、対向側マザー基板４０に形成されている積層構造は、対向電極２１及び配向膜２２からなる。
【００５６】
また、このステップＳ０２においては、上記貼り合わせ工程と同時に、マザー基板３５と対向側マザー基板４０との間に液晶５０を充填する液晶充填工程も実施する。本実施形態においては、複数の積層構造１０ｂ上にそれぞれ枠状のシール材５２を形成し、該枠状のシール材５２により囲まれた領域内に所定量の液晶５０を滴下した後に対向側マザー基板４０を貼り合わせる、いわゆる液晶滴下方式が用いられる。
【００５７】
なお、液晶５０をＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に充填する方法は、この液晶滴下方式に限られるものではなく、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が貼り合わされた状態で切り出された後に、シール材５２に形成された開口部から液晶を注入して封止する、いわゆる液晶注入方式であってもよく特に限定されるものではない。
【００５８】
次に、ステップＳ０３において、図８に示すように、スクライブ刃により第１の分断予定線１３０及び第２の分断予定線１４０に沿って対向側マザー基板４０にスクライブライン１３１を形成し、該スクライブライン１３１を基点としたクラック１３２を生じさせて対向側マザー基板４０を分断する対向基板分断工程（第１の分断工程）を実施する。この、スクライブラインを基点としたクラックを生じさせる工程をブレーク処理と称する。
【００５９】
なお、対向基板分断工程において第１の分断予定線１３０及び第２の分断予定線１４０に沿って対向側マザー基板４０を分断する方法は、レーザ光を照射することによりスクライブラインを形成する、いわゆるレーザスクライブ法であってもよい。
【００６０】
次に、ステップＳ０４において、詳しくは後述する方法により、対向側マザー基板４０が全ての第１の分断予定線１３０及び第２の分断予定線１４０に沿って分断されているか否かを判定する、割れ残り検査工程を実施する。
【００６１】
そして、このステップＳ０４において、対向側マザー基板４０の割れ残りが存在すると判定された場合には、ステップＳ０３に戻り、割れ残りが存在する分断予定線に対して再びブレーク処理を実行し、ステップＳ０４の割れ残り検査工程を再び繰り返す。
【００６２】
一方、ステップＳ０４において、対向側マザー基板４０の割れ残りは存在しないと判定された場合には、ステップＳ０６へ移行する。
【００６３】
次に、ステップＳ０６において、図９に示すように、スクライブ刃により第１の分断予定線１３０及び第２の分断予定線１４０に沿ってマザー基板３５にスクライブライン１３３を形成し、該スクライブライン１３３を基点としたクラック１３４を生じさせてマザー基板３５を分断する素子基板分断工程を実施する。
【００６４】
この素子基板分断工程により、図１０に示すように、マザー基板３５及び対向側マザー基板４０が貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板６０は複数の個片１００ａに分断される。この個片１００ａは、上述した電気光学装置１００の構成に対して、対向基板２０から重畳部１１１が張出し部１１０とは反対の方向へ延出している点が異なるものである。
【００６５】
なお、素子基板分断工程において第１の分断予定線１３０及び第２の分断予定線１４０に沿ってマザー基板３５を分断する方法は、レーザ光を照射することによりスクライブラインを形成する方法であってもよい。
【００６６】
次に、ステップＳ０７において、図１１に示すように、個片１００ａの対向基板２０から延出する重畳部１１１を対向基板２０から分断する重畳部分断工程を実施する。これにより、上述した電気光学装置１００が大判貼り合わせ基板６０から切り出される。
【００６７】
次に、本実施形態の電気光学装置の検査方法である、ステップＳ０４における割れ残り検査工程について、図１２のフローチャートを参照して詳細に説明する。この割れ残り検査工程は、例えば自動化された検査装置によって実施される。
【００６８】
割れ残り検査工程においては、まず、ステップＳ１１において、接触又は非接触型の変位センサ、例えばレーザ変位計を用いて、対向基板分断工程後の大判貼り合わせ基板６０のＸ軸に略平行な方向についての反り形状を測定する。
【００６９】
大判貼り合わせ基板６０のＸ軸に略平行な方向についての反り形状の測定は、図１３に中の直線Ｌ１に示すように、全ての第２の分断予定線１４０に交差する直線上において行う。なお、直線Ｌ１は、大判貼り合わせ基板６０の中心近傍を通過することが好ましい。
【００７０】
また、直線Ｌ１上における大判貼り合わせ基板６０の反り形状の測定点は、２本の第２の分断予定線１４０に挟まれた範囲において少なくとも一点は設けられる。
【００７１】
例えば、図１３に示すような形状を有する大判貼り合わせ基板６０の場合、ステップＳ１１においては、大判貼り合わせ基板６０を基準平面上に載置した状態で、４箇所の測定点ＭＸ１〜ＭＸ４において大判貼り合わせ基板６０の表面の基準平面からの高さを計測し、大判貼り合わせ基板６０のＸ軸に略平行な方向についての反り形状を測定する。
【００７２】
次に、ステップＳ１２において、接触型又は非接触型の変位センサ、例えばレーザ変位計を用いて、対向基板分断工程後の大判貼り合わせ基板６０のＹ軸に略平行な方向についての反り形状を測定する。
【００７３】
大判貼り合わせ基板６０のＹ軸に略平行な方向についての反り形状の測定は、図１３に中の直線Ｌ２に示すように、全ての第１の分断予定線１３０に交差する直線上において行う。なお、直線Ｌ２は、大判貼り合わせ基板６０の中心近傍を通過することが好ましい。
【００７４】
また、直線Ｌ２上における大判貼り合わせ基板６０の反り形状の測定点は、２本の第１の分断予定線１３０に挟まれた範囲において少なくとも一点は設けられる。
【００７５】
例えば、図１３に示すような形状を有する大判貼り合わせ基板６０の場合、ステップＳ１２においては、大判貼り合わせ基板６０を基準平面上に載置した状態で、５箇所の測定点ＭＹ１〜ＭＹ５において大判貼り合わせ基板６０の表面の基準平面からの高さを計測し、大判貼り合わせ基板６０のＹ軸に略平行な方向についての反り形状を測定する。
【００７６】
なお、大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は変位センサに限らず、例えば３次元形状測定器等の公知の測定器を使用してもよいことは言うまでもない。
【００７７】
次に、ステップＳ１３において、ステップＳ１１で取得した複数の測定点ＭＸにおける測定結果に近似する近似２次曲線ＰＸを、最小二乗法等の公知の方法により算出する。同様にステップＳ１２で取得した複数の測定点ＭＹにおける測定結果に近似する近似２次曲線ＰＹを、最小二乗法等の公知の方法により算出する。
【００７８】
例えば、図１３中の測定点ＭＸ１〜ＭＸ４及びＭＹ１〜ＭＹ５における測定結果を近似する近似２次曲線ＰＸ及びＰＹを算出する。
【００７９】
次に、ステップＳ１４において、複数の測定点ＭＸ及びＭＹにおける測定結果と、近似曲線ＰＸ及びＰＹとの比較を行う。そしてステップＳ１５において、少なくとも一点の測定点ＭＸ及びＭＹにおける測定結果が、それぞれ近似曲線ＰＸ及びＰＹから所定の値以上離間している場合には、大判貼り合わせ基板６０に割れ残りが存在すると判定する。
【００８０】
一方、測定点ＭＸ及びＭＹにおける測定結果の、近似曲線ＰＸ及びＰＹに対する逸脱量が所定の値よりも小さければ、大判貼り合わせ基板６０に割れ残りは存在しないと判定する。
【００８１】
ここで、表面に積層構造が形成されたマザー基板３５及び対向側マザー基板４０が貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板６０は、積層構造を形成する際や貼り合わせる際の熱応力等の内部応力により、一般的にひずみが生じるものである。ここで、大判貼り合わせ基板６０の面内に均一に内部応力が働く場合、大判貼り合わせ基板６０は、理想的には２次曲線に沿う反り形状を有することとなる。
【００８２】
これは、大判貼り合わせ基板６０の対向側マザー基板４０が、全ての第１の分断予定線１３０及び全ての第２の分断予定線１４０に沿って分断された場合にも同様であり、したがって、対向基板分断工程において割れ残りが存在しない場合には、理想的には大判貼り合わせ基板６０の反り形状は２次曲線に近似する。
【００８３】
しかしながら、対向基板分断工程において、第１の分断予定線１３０及び第２の分断予定線１４０の少なくとも一つにおいて割れ残りが生じた場合、マザー基板３５を反らせようとする応力は、対向側マザー基板４０の分断されていない領域の影響によって不均一となるため、対向基板分断工程において割れ残りが存在した場合の大判貼り合わせ基板６０の反り形状は２次曲線から逸脱するのである。
【００８４】
例えば、測定点ＭＹ２とＭＹ３との間の第１の分断予定線１３０において割れ残りが発生した場合、測定点ＭＹ２及びＭＹ３近傍の測定結果が、近似曲線ＰＹから逸脱する。
【００８５】
以上のように、本実施形態の電気光学装置の検査方法では、積層構造が形成されたマザー基板３５及び対向側マザー基板４０が貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板６０の対向側マザー基板４０を、所定の複数の分断予定線に沿って分断した後に、大判貼り合わせ基板６０の反り形状を測定することにより、対向側マザー基板４０に割れ残りが存在しているか否かを判定することができるのである。
【００８６】
なお、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の検査装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００８７】
例えば、上述の実施形態では、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを電気光学装置１００として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置や、パッシブマトリクス駆動方式（単純マトリクス駆動方式とも称される）を採用した電気光学装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の電気光学装置に限られるものではなく、反射型、半透過半反射型又は自発光型等の電気光学装置にも本発明を適用可能である。
【００８８】
例えば、本発明は、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置の検査方法及び検査装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】大判基板から電気光学装置を切り出す前の状態を説明する図である。
【図５】電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【図６】図４におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。
【図７】図４におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。
【図８】図４におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。
【図９】図４におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。
【図１０】図４におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。
【図１１】図４におけるVII−VII断面について各工程を順を追って説明する図である。
【図１２】割れ残り検査工程のフローチャートである。
【図１３】反り形状の測定点を説明する図である。
【符号の説明】
【００９０】
１０  ＴＦＴアレイ基板、  ２０  対向基板、  ６０  大判貼り合わせ基板、  １３０  第１の分断予定線、  １４０  第２の分断予定線、  ＭＸ１〜４  測定点、  ＭＹ１〜５  測定点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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