(57)【要約】【課題】封止の対象となる厚さが薄く、また、ＩＣチップの積層数を増やしても厚くならない構造体で、廉価なテープ基板貼り合わせ構造体を提供する。【解決手段】テープ基板３０Ｃの裏面側にＩＣチップ４０が積層して設けら、矩形状開口部６０の一隅を頂点とする２辺のインナーリード先端部１２ａ上面をテープ基板との貼り合わせ部とし、テープ基板側の貼り合わせ部をテープ基板の一隅を頂点とする２辺の外周部下面とし、矩形状開口部内に、テープ基板の裏面側に積層して設けられたＩＣチップが内蔵されるように、インナーリード先端部上面に、テープ基板の外周部下面を貼り合わせたテープ基板貼り合わせ構造体３。上記構造体を樹脂封止した半導体装置。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームにテープ基板を貼り合わせた構造体において、
１）前記テープ基板の裏面側にＩＣチップが積層して設けられており、
２）対向するインナーリード間の矩形状開口部の一隅を頂点とする、少なくとも２辺のインナーリード内縁部（先端部）上面をテープ基板との貼り合わせ部とし、
３）上記貼り合わせ部に対応したテープ基板側の貼り合わせ部を、テープ基板の一隅を頂点とする２辺の外周部下面とし、
４）上記矩形状開口部内に、テープ基板の裏面側に積層して設けられたＩＣチップが内蔵されるように、上記インナーリード内縁部（先端部）上面に、テープ基板の外周部下面を貼り合わせたことを特徴とするテープ基板貼り合わせ構造体。
【請求項２】
前記テープ基板の基材が厚さ１０〜４０μｍのポリイミドフィルム、該基材上の配線層が厚さ５〜１５μｍの銅箔、該配線層上のソルダーレジストが厚さ５〜２０μｍ、ダイアタッチフィルムが厚さ５〜２５μｍであることを特徴とする請求項１記載のテープ基板貼り合わせ構造体。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のテープ基板貼り合わせ構造体を樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープ基板貼り合わせ構造体に関するものであり、特に、ＩＣチップの積層数を増やしても、封止の対象となる厚さが厚くなることのない構造体であって、且つ、廉価に製造することのできるテープ基板貼り合わせ構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、ＩＣチップが積層されたテープ基板をリードフレームに貼り合わせた、テープ基板貼り合わせ構造体の一例を示す断面図である。図１に示すように、このテープ基板貼り合わせ構造体（１）は、リードフレーム（１０）のアイランド（１１）上に接着フィルム（２１）を介してテープ基板（３０Ａ）が設けられ、該テープ基板（３０Ａ）上にダイアタッチフィルム（２２）を介してＩＣチップ（４０Ａ）が設けられ、更に、該ＩＣチップ（４０Ａ）上にダイアタッチフィルム（２３）を介してＩＣチップ（４０Ｂ）が積層して設けられている。
【０００３】
このテープ基板貼り合わせ構造体（１）は、アイランド（１１）上に接着フィルム（２１）を用いて、上面に配線パターンが形成されたテープ基板（３０Ａ）を貼り合わせ、次ぎに、ダイアタッチフィルムを用いて、ＩＣチップを積層し、続いて、ワイヤボンディングにより金線を設けたものである。
チップ電極（４１）は、基板電極（３１）を介してインナーリード（１２）に接続されている。
【０００４】
この構造体を樹脂封止する際の、封止の対象となる厚さは、図１中、符号（Ｔ１）で示すように、アイランド（１１）、テープ基板（３０Ａ）、ＩＣチップ（４０Ａ）、及びＩＣチップ（４０Ｂ）の厚さが加算された厚さであり、既に相応の厚さのものとなっている。従って、更にＩＣチップを積層して設けることは制約されるといった問題がある。
【特許文献１】特開平４−７２６５５号公報
【特許文献２】特開平５−３２６８１１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、テープ基板貼り合わせ構造体において、封止の対象となる厚さを薄いものとした、更には、ＩＣチップの積層数を増やしても、封止の対象となる厚さが厚くなることのない構造体であって、且つ、廉価に製造することのできるテープ基板貼り合わせ構造体及び半導体装置を提供すること課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、リードフレームにテープ基板を貼り合わせた構造体において、
１）前記テープ基板の裏面側にＩＣチップが積層して設けられており、
２）対向するインナーリード間の矩形状開口部の一隅を頂点とする、少なくとも２辺のインナーリード内縁部（先端部）上面をテープ基板との貼り合わせ部とし、
３）上記貼り合わせ部に対応したテープ基板側の貼り合わせ部を、テープ基板の一隅を頂点とする２辺の外周部下面とし、
４）上記矩形状開口部内に、テープ基板の裏面側に積層して設けられたＩＣチップが内蔵されるように、上記インナーリード内縁部（先端部）上面に、テープ基板の外周部下面を
貼り合わせたことを特徴とするテープ基板貼り合わせ構造体である。
【０００７】
また、本発明は、上記発明によるテープ基板貼り合わせ構造体において、前記テープ基板の基材が厚さ１０〜４０μｍのポリイミドフィルム、該基材上の配線層が厚さ５〜１５μｍの銅箔、該配線層上のソルダーレジストが厚さ５〜２０μｍ、ダイアタッチフィルムが厚さ５〜２５μｍであることを特徴とするテープ基板貼り合わせ構造体である。
【０００８】
また、本発明は、請求項１又は請求項２に記載のテープ基板貼り合わせ構造体を樹脂封止したことを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、１）テープ基板の裏面側にＩＣチップが積層して設けられており、２）対向するインナーリード間の矩形状開口部の一隅を頂点とする、少なくとも２辺のインナーリード内縁部（先端部）上面をテープ基板との貼り合わせ部とし、３）上記貼り合わせ部に対応したテープ基板側の貼り合わせ部を、テープ基板の一隅を頂点とする２辺の外周部下面とし、４）上記矩形状開口部内に、テープ基板の裏面側に積層して設けられたＩＣチップが内蔵されるように、上記インナーリード内縁部（先端部）上面に、テープ基板の外周部下面を貼り合わせたテープ基板貼り合わせ構造体であるので、封止の対象となる厚さを薄いものとした、更には、ＩＣチップの積層数を増やしても、封止の対象となる厚さが厚くなることのない構造体であって、且つ、廉価に製造することのできるテープ基板貼り合わせ構造体となる。
【００１０】
また、テープ基板の基材が厚さ１０〜４０μｍのポリイミドフィルム、該基材上の配線層が厚さ５〜１５μｍの銅箔、該配線層上のソルダーレジストが厚さ５〜２０μｍ、ダイアタッチフィルムが厚さ５〜２５μｍであることによって、好適なテープ基板貼り合わせ構造体を得ることができる。
【００１１】
また、本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体を樹脂封止することによって得られる半導体装置は、従来の半導体装置に比較して厚さは薄いものとなり、更には、ＩＣチップの積層数を増やしても厚さが厚くなることのないものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明を実施の形態に基づいて説明する。
図２は、本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体の一例を示す断面図である。
図３は、図２に示すテープ基板貼り合わせ構造体の平面図である。図３のＸ−Ｘ線での断面が図２に相当する。
図２及び図３に示すように、テープ基板貼り合わせ構造体（２）のテープ基板（３０Ｂ）の裏面側には、ＩＣチップ（４０Ｃ、４０Ｄ）が各々ダイアタッチフィルム（２４）、ダイアタッチフィルム（２５）を介して順次に積層して設けられている。
【００１３】
対向するインナーリード（１２Ａ−１２Ｃ）、及びインナーリード（１２Ｂ−１２Ｄ）間の矩形状開口部（６０）の一隅（６０ｅ）を頂点とする、２辺（ａ、ｂ）のインナーリード内縁部（先端部）（１２ａ）上面をテープ基板との貼り合わせ部としている。
また、上記貼り合わせ部としている、インナーリード内縁部（先端部）（１２ａ）に対応したテープ基板側の貼り合わせ部は、テープ基板（３０Ｂ）の一隅（３０Ｂｅ）を頂点とする２辺（ｃ、ｄ）の外周部下面としている。
【００１４】
対向するインナーリード間の矩形状開口部（６０）内に、テープ基板（３０Ｂ）の裏面側に積層して設けられたＩＣチップ（４０Ｃ、４０Ｄ）が内蔵されるようにして、インナーリード内縁部（先端部）（１２ａ）上面に、テープ基板（３０Ｂ）の外周部下面を貼り合わせている。
基板電極（３１）は、チップ電極（４１）を介してインナーリード（１２Ｃ）に接続されている。
【００１５】
本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体（２）においては、この構造体を樹脂封止する際の、封止の対象となる厚さは、図２中、符号（Ｔ２）で示すように、テープ基板（３０Ｂ）、ＩＣチップ（４０Ｃ）、及びＩＣチップ（４０Ｄ）の厚さが加算された厚さであるが、図１に示すテープ基板貼り合わせ構造体（１）に比較して薄いものとなっている（Ｔ１＞Ｔ２）。この厚さの差は、略、図１に示すアイランド（１１）の厚さに相当する。従って、本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体（２）においては、更にＩＣチップを積層して設けることが可能となる。
【００１６】
また、本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体（２）においては、図１と図２を比較して明らかなように、接着フィルム、ダイアタッチフィルムなど貼り合わせに用いる接着剤として機能するフィルム数が少ないものとなっている（３層→２層）。つまり、廉価なテープ基板貼り合わせ構造体となる。
【００１７】
本発明においては、テープ基板の基材として、厚さ１０〜４０μｍのポリイミドフィルムを用い、この基材上の配線層として、厚さ５〜１５μｍの銅箔を用い、また、この配線層上のソルダーレジストが厚さ５〜２０μｍ程度、ダイアタッチフィルムが厚さ５〜２５μｍ程度であると好適なテープ基板貼り合わせ構造体を得ることができるが、これに限定されるものではない。
【００１８】
テープ基板の基材としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリフェニリンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリアレリートなどの耐熱性フィルムを用いることができる。これら基材に、剛性或いは熱伝導性を高めるため、ガラス布、炭素繊維、金属箔などをラミネートしてもよい。
テープ基板の貼り合わせに用いる接着剤としては、熱硬化或いは熱可塑性のポリイミドやエポキシ樹脂などの汎用の接着剤を用いることができる。これら接着剤には、カーボンやグラファイト、金属粒子などを分散させて熱伝導性を高めることが望ましい。
ＩＣチップの貼り合わせでは、ダイアタッチフィルムのほかに、低融点の金属合金やハンダなど、或いは超音波などの接合方法を適用することができる。
【００１９】
図４は、本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体の他の例を示す断面図である。図４に示すように、このテープ基板貼り合わせ構造体（３）のテープ基板（３０Ｃ）の裏面側には、ＩＣチップ（４０Ｅ、４０Ｆ）が各々ダイアタッチフィルム（２６）、ダイアタッチフィルム（２７）を介して順次に積層して設けられている。また、表面側には、ＩＣチップ（４０Ｇ）が設けられている。つまり、ＩＣチップが更に積層して設けられた例である。
【００２０】
対向するインナーリード間の矩形状開口部（６０）内に、テープ基板（３０Ｃ）の裏面側に積層して設けられたＩＣチップ（４０Ｅ、４０Ｆ）が内蔵されるようにして、インナーリード内縁部（先端部）（１２ａ）上面に、テープ基板（３０Ｃ）の外周部下面を貼り合わせている点は、図２に示すテープ基板貼り合わせ構造体（２）と同様である。
【００２１】
この構造体を樹脂封止する際の、封止の対象となる厚さは、図４中、符号（Ｔ３）で示すように、ＩＣチップ（４０Ｅ）、ＩＣチップ（４０Ｆ）、及びＩＣチップ（４０Ｇ）の厚さが加算された厚さであり、Ｔ３≒Ｔ２（図２に示す、テープ基板貼り合わせ構造体（２）の封止の対象となる厚さ）となっている。
つまり、ＩＣチップの積層数を増やしても、封止の対象となる厚さが厚くなることのない
構造体となる。
【００２２】
上述のように、本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体は、従来のテープ基板貼り合わせ構造体に比較して、封止の対象となる厚さは薄いものとなる。更には、ＩＣチップの積層数を増やしても、封止の対象となる厚さが厚くなることのない構造体となる。
従って、本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体を樹脂封止することによって得られる半導体装置は、従来の半導体装置に比較して厚さは薄いものとなり、更には、ＩＣチップの積層数を増やしても厚さが厚くなることのない半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】ＩＣチップが積層されたテープ基板をリードフレームに貼り合わせた、テープ基板貼り合わせ構造体の一例を示す断面図である。
【図２】本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体の一例を示す断面図である。
【図３】図２に示すテープ基板貼り合わせ構造体の平面図である。
【図４】本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１・・・テープ基板貼り合わせ構造体
２、３・・・本発明によるテープ基板貼り合わせ構造体
１０・・・リードフレーム
１１・・・アイランド
１２・・・インナーリード
２１・・・接着フィルム
２２〜２７・・・ダイアタッチフィルム
３０Ａ・・・テープ基板
３０Ｂ、３０Ｃ・・・本発明におけるテープ基板
３１・・・基板電極
４０Ａ〜４０Ｇ・・・ＩＣチップ
５０・・・金線
６０・・・矩形状開口部
４１・・・チップ電極
Ｔ１〜Ｔ３・・・封止の対象となる厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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