(57)【要約】【課題】外観検査装置２が検出した外観不良の発生原因を特定するために、最適の追加レビューポイントを決定できる追加レビューポイント生成装置１を提供する。【解決手段】外観検査装置２で検出された試料上の外観不良の複数の外観不良座標に基づいて、試料を所定の外観不良分布に分類する分類部１３と、分類された外観不良分布に応じて、外観不良座標から離れた追加座標においてレビュー装置３ａ、３ｂが撮像する追加レビューポイントを決定する決定部１４とを有する。【選択図】図１
2009176932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外観検査装置で検出された試料上の外観不良の複数の外観不良座標に基づいて、前記試料を所定の外観不良分布に分類する分類部と、
分類された前記外観不良分布に応じて、前記外観不良座標から離れた追加座標においてレビュー装置が撮像する追加レビューポイントを決定する決定部とを有することを特徴とする追加レビューポイント生成装置。
【請求項２】
複数の前記外観不良座標において前記レビュー装置が撮像するレビューポイントに、前記追加レビューポイントを追加する追加部を有することを特徴とする請求項１に記載の追加レビューポイント生成装置。
【請求項３】
前記分類部が、前記試料を、前記外観不良が前記試料の中央部より周辺部に偏在している前記外観不良分布に分類すると、
前記決定部が、前記追加座標を前記周辺部より外側のエッジ部に設定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の追加レビューポイント生成装置。
【請求項４】
前記分類部が、前記試料を、前記外観不良が前記周辺部の一部に偏在している前記外観不良分布に分類すると、
前記決定部が、前記追加座標を、前記周辺部の前記一部の外側の前記エッジ部に設定することを特徴とする請求項３に記載の追加レビューポイント生成装置。
【請求項５】
前記分類部が、前記試料上に形成される同一形状の複数のダイの内の一部の複数の前記ダイにおける同一箇所に前記外観不良がそれぞれ存在している前記外観不良分布に、前記試料を分類すると、
前記決定部が、前記追加座標を、前記同一箇所に前記外観不良が存在していない前記ダイの前記同一箇所に設定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の追加レビューポイント生成装置。
【請求項６】
前記分類部が、前記試料を、前記外観不良が線分上に偏在している前記外観不良分布に分類すると、
前記決定部が、前記追加座標を前記線分の延長線上に設定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の追加レビューポイント生成装置。
【請求項７】
前記決定部が、前記追加座標を、前記延長線上で前記試料の周辺部に設定することを特徴とする請求項６に記載の追加レビューポイント生成装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の追加レビューポイント生成装置を備え、
前記試料を検査することにより前記外観不良を検出し、前記外観不良座標を取得することを特徴とする外観検査装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の追加レビューポイント生成装置を備え、
前記追加座標において前記追加レビューポイントを撮像し、前記外観不良座標において前記外観不良を撮像することを特徴とするレビュー装置。
【請求項１０】
試料上の外観不良を検出し前記外観不良の外観不良座標を取得する外観検査装置と、前記外観不良座標において前記外観不良を撮像するレビュー装置とを備える外観不良レビューシステムにおいて、
前記外観不良座標に基づいて前記試料を所定の外観不良分布に分類する分類部と、分類された前記外観不良分布に応じて前記外観不良座標から離れた追加座標において前記レビュー装置が撮像する追加レビューポイントを決定する決定部とを、有する追加レビューポイント生成装置を設けたことを特徴とする外観不良レビューシステム。
【請求項１１】
外観検査装置で検出された試料上の外観不良の複数の外観不良座標に基づいて、前記試料を所定の外観不良分布に分類し、
分類された前記外観不良分布に応じて、前記外観不良座標から離れた追加座標においてレビュー装置が撮像する追加レビューポイントを決定することを特徴とする追加レビューポイント生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料上の外観不良のレビューに使用される追加レビューポイント生成装置および追加レビューポイント生成方法に関し、さらに、この追加レビューポイント生成装置を備えた外観検査装置、レビュー装置および外観不良レビューシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、フォトマスク、磁気ディスク、液晶ディスプレイ等の製品の製造においては、半導体ウェハやガラス基板等が用いられている。前記製品の製造工程において、半導体ウェハやガラス基板等の表面上の異物とパターン欠陥（以下、外観不良）は、製品不良の原因になる場合がある。このため、製品の歩留まりを上げるために、半導体ウェハやガラス基板等を試料として、その試料上の外観不良を製品の製造途中に検出し、外観不良の発生原因を迅速に特定して、後続して製造される製品に同じ外観不良を発生させないような対策を講じることが望まれている。
【０００３】
外観不良の検出には外観検査装置が用いられている。また、外観不良の発生原因の特定にはレビュー装置が用いられ、このレビュー装置は外観不良を拡大して撮像する。オペレータは、撮像された外観不良の形状を観察することにより、撮像された外観不良の発生原因の特定を行っている。
【０００４】
そして、外観不良の撮像、観察および発生原因の特定を効率化するために、自動レビュー（ＡＤＲ：Automatic Defect Review）や自動欠陥分類（ＡＤＣ:Automatic Defect Classification）の技術が提案されている。例えば、オペレータが半導体ウェハ上に形成されたパターンをＳＥＭ（Scanning Electron Microscopy）式レビュー装置を用いて観察（レビュー）するに当たり、そのオペレータへの負荷を低減しながら効率的に作業を行うシステムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、外観検査装置上のＲＤＣ（Real-Time Defect Classification）機能により検査中に外観不良を分類して、不要な撮像を省く手法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この手法によれば、外観検査装置から出力される外観不良の座標と、レビュー装置から出力されたＡＤＲ情報とＡＤＣ情報とを整理し、容易に外観不良の発生原因を特定（欠陥解析）できる。
【特許文献１】特開平１０-１３５２８８号公報
【特許文献２】特開２００１−１５６１４１号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、外観検査装置が検出した外観不良をレビューポイントとして、レビュー装置で撮像（レビュー）するだけでは、外観不良の発生原因を断定できず、その確証を得るために、オペレータが、検出されている外観不良（レビューポイント）以外の箇所（追加レビューポイント）を別途観察する場合があった。
【０００６】
また、オペレータにとって既知の外観不良ばかりが発生するわけではなく、未知の外観不良が発生した場合、外観検査装置の既存の検査レシピでは、複数発生した未知の外観不良の内の一部の外観不良（レビューポイント）しか検出できない場合がある。オペレータは、このような場合でも、検出できた一部の外観不良（レビューポイント）の観察から未知の外観不良の発生原因の推定をし、その確証を得るために、検出されている外観不良以外の箇所（追加レビューポイント）を別途観察する場合があった。
【０００７】
これらのような追加レビューポイントの観察は、追加レビューポイントの設定にオペレータの個人差が生じやすいという問題があった。オペレータによらず、最適の追加レビューポイントで撮像でき、撮像された追加レビューポイントに基づいて、容易に外観不良の発生原因を特定できることが望ましい。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、前記課題を解決すべく、外観検査装置が検出した外観不良の発生原因を特定するために、最適の追加レビューポイントを決定できる追加レビューポイント生成装置および追加レビューポイント生成方法を提供し、さらに、この追加レビューポイント生成装置を備えた外観検査装置、レビュー装置および外観不良レビューシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決した本発明は、外観検査装置で検出された試料上の外観不良の複数の外観不良座標に基づいて、前記試料を所定の外観不良分布に分類し、分類された前記外観不良分布に応じて、前記外観不良座標から離れた追加座標においてレビュー装置が撮像する追加レビューポイントを決定する追加レビューポイント生成装置および追加レビューポイント生成方法であることを特徴とし、さらに、この追加レビューポイント生成装置を備えた外観検査装置、レビュー装置および外観不良レビューシステムであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、外観検査装置が検出した外観不良の発生原因を特定するために、最適の追加レビューポイントを決定できる追加レビューポイント生成装置および追加レビューポイント生成方法を提供でき、さらに、この追加レビューポイント生成装置を備えた外観検査装置、レビュー装置および外観不良レビューシステムを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し重複した説明を省略する。
【００１２】
図１に、本発明の実施形態に係る外観不良レビューシステム５の構成図を示す。外観不良レビューシステム５は、追加レビューポイント生成装置１と、外観検査装置２と、光学式レビュー装置３ａと、ＳＥＭ式レビュー装置３ｂと、プローブ検査装置６を有し、各装置はネットワーク等の通信回線４を介して互いに接続されている。通信回線４には、例えばイーサネット（登録商標）による通信ネットワークを用いることができる。
【００１３】
外観不良レビューシステム５は、半導体装置、フォトマスク、磁気ディスク、液晶ディスプレイ等の製品の製造フロー９において使用される。これらの製品の製造フロー９では、具体的に、半導体ウェハやガラス基板等の試料に、製造フロー９に沿って各製造工程の処理が施される。それらの製造工程の中には、あらかじめ外観不良のレビューを行うことが決められている製造工程があり、その製造工程では、外観不良レビューシステム５を用いて外観不良のレビューが行われる。全ての製造工程が施された試料は、プローブ検査装置６により電気特性に関する検査が行われる。製造フロー９は、清浄な環境が保たれたクリーンルーム１０内で実施されているので、その製造フロー９で処理される試料を扱う、外観検査装置２、光学式レビュー装置３ａ、ＳＥＭ式レビュー装置３ｂ、プローブ検査装置６も、クリーンルーム１０内に設置されている。あらかじめ外観不良のレビューを行うことが決められている製造工程の処理が終了した後に、オペレータあるいは搬送機によって、まず外観検査装置２に運ばれて検査され、次に光学式レビュー装置３ａ又はＳＥＭ式レビュー装置３ｂに運ばれてレビューが行われる。
【００１４】
一方、試料が直接出入りしない追加レビューポイント生成装置１は、クリーンルーム１０内に限らず、図１に示すようにクリーンルーム１０の外に配置することができる。なお、図１に点線で示すように、追加レビューポイント生成装置１は、外観検査装置２に含まれていてもよいし、光学式レビュー装置３ａおよびＳＥＭ式レビュー装置３ｂに含まれていてもよい。このように含まれている場合は、追加レビューポイント生成装置１は、必然的にクリーンルーム１０内に設置されることになる。
【００１５】
外観検査装置２では、外観不良のレビューのために、前記試料上の外観不良を検出し、前記外観不良の位置する外観不良座標を取得する。外観検査装置２は、具体的には、試料の表面に光を照射し、試料上に当たり散乱した散乱光の強度の変化に基づいて外観不良を検出し、照射・散乱の行われた位置から外観不良座標を取得している。この外観不良座標は、外観不良情報２１の一部として、追加レビューポイント生成装置１に送信される。
【００１６】
追加レビューポイント生成装置１は、送受信部１１と、記憶制御部１２と、分類部１３と、決定部１４と、追加部１５と、記憶部１６とを有している。送受信部１１は、追加レビューポイント生成装置１から、外観不良情報２１を受信する。記憶制御部１２は、外観不良情報２１を記憶部１６に記憶させる。
【００１７】
分類部１３は、外観不良情報２１内の外観不良座標に基づいて、前記試料上の前記外観不良の分布を、所定の外観不良分布に分類する。
【００１８】
決定部１４は、分類された前記外観不良分布に応じて、前記外観不良座標から離れた追加座標において前記光学式レビュー装置３ａ又は前記ＳＥＭ式レビュー装置３ｂが撮像する追加レビューポイントを決定する。
【００１９】
追加部１５は、前記外観不良座標を、前記光学式レビュー装置３ａ又は前記ＳＥＭ式レビュー装置３ｂが撮像するレビューポイントとした上で、このレビューポイントに前記追加レビューポイントを追加する。
【００２０】
さらに、送受信部１１では、追加レビューポイントが追加されたレビューポイントを、レビューポイント情報２２ａとして、光学式レビュー装置３ａに送信する。同様に、送受信部１１は、レビューポイントを、レビューポイント情報２２ｂとして、ＳＥＭ式レビュー装置３ｂに送信する。
【００２１】
光学式レビュー装置３ａは、光学顕微鏡を用いて、試料上の外観不良の観察や分類を行い、ＳＥＭ式レビュー装置３ｂは、走査型電子顕微鏡を用いて、試料上の外観不良の観察や分類を行う。この分類によって外観不良の発生原因の特定ができる。光学式レビュー装置３ａとＳＥＭ式レビュー装置３ｂは、レビューポイント情報２２ａ、２２ｂを受信し、試料上の外観不良座標において外観不良を撮像し、試料上の追加座標において追加レビューポイントを撮像する。撮像された画像の画像情報２３ａ、２３ｂは、光学式レビュー装置３ａとＳＥＭ式レビュー装置３ｂから、追加レビューポイント生成装置１の送受信部１１へ送信される。画像情報２３ａ、２３ｂは、記憶制御部１２によって、記憶部１６に記憶される。
【００２２】
プローブ検査装置６は、完成した試料を用いて、製品の電気特性のテストを行う。テストレシピに基づいて、試料上の製品である、例えば半導体デバイスに信号波形を与え、その時、製品から出てくる出力波形と予め記憶されている正常な波形との比較を行い、製品の不良判定を行う。
【００２３】
図２に、本発明の実施形態に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートを示す。
【００２４】
まず、ステップＳ１で、外観検査装置２によって、試料の検査を行い、試料上の外観不良を検出する。そして、外観不良の位置する外観不良座標を取得する。
【００２５】
次に、ステップＳ２で、追加レビューポイント生成装置１の送受信部１１は、外観検査装置２から、外観不良座標を有する外観不良情報２１を受信する。
【００２６】
ステップＳ３で、記憶制御部１２は、受信した外観不良情報２１を記憶部１６に記憶する。
【００２７】
図３に、外観不良情報２１のデータ構造図を示す。外観不良情報２１は、ロット番号と、ウエハＩＤと、ダイレイアウトの識別子と、検査工程名（図示省略）あるいは直前の製造工程名と、検査日時（図示省略）とを用いて、対応する外観不良座標が検索可能なように、記憶部１６に記憶・管理されている。具体的に、外観不良情報２１には、外観不良座標のｘ座標とｙ座標とが記憶され、外観不良座標（（ｘ１、ｙ１）、（ｘ２、ｙ２）、（ｘ３、ｙ３））毎に、外観不良ＩＤ（ｎ１、ｎ２、ｎ３）と、外観不良サイズ（ｓ１、ｓ２、ｓ３）と、外観不良のカテゴリ（ｋ１、ｋ２、ｋ３）とが記憶されている。また、その他の外観不良情報２１として、欠陥ＡＤＲ画像、欠陥特徴量情報（ＲＤＣ情報）等を記憶していてもよい。
【００２８】
ステップＳ４で、分類部１３は、記憶されている外観不良情報２１内の外観不良座標に基づいて、試料上の外観不良の分布を、所定の外観不良分布に分類する。
【００２９】
ステップＳ５で、決定部１４は、分類された外観不良分布に応じて、外観不良座標から離れた追加座標において前記光学式レビュー装置３ａ又は前記ＳＥＭ式レビュー装置３ｂが撮像する追加レビューポイントを決定する。
【００３０】
記憶制御部１２は、決定した追加レビューポイントを、図４に示すような追加レビューポイント情報２４によって、記憶部１６に記憶する。追加レビューポイント情報２４のデータ構造は、外観不良情報２１のデータ構造と同様なフォーマット（データ構造）を有し、ロット番号と、ウエハＩＤと、ダイレイアウトの識別子と、検査工程名あるいは直前の製造工程名と、検査日時とは、追加レビューポイント情報２４と対応する外観不良情報２１とが検索可能なように、外観不良情報２１のロット番号と、ウエハＩＤと、ダイレイアウトの識別子と、検査工程名あるいは直前の製造工程名と、検査日時とがコピーされ同一になっている。
【００３１】
そして、具体的に、追加レビューポイント情報２４には、決定部１４によって決定された追加レビューポイントの位置を示す追加座標のｘ座標とｙ座標とが設けられ、追加座標（（ｘ１０、ｙ１０）、（ｘ２０、ｙ２０）、（ｘ３０、ｙ３０））毎に、追加レビューポイントＩＤ（ｎ１０、ｎ２０、ｎ３０）と、外観不良サイズ（ｓ１０、ｓ２０、ｓ３０）と、カテゴリ（ｋ１０、ｋ２０、ｋ３０）とが記憶されている。外観不良サイズとカテゴリとは、これら記憶されたデータが追加レビューポイントに関するものであることを容易に識別するためのフラグとして使用することができる。
【００３２】
なお、追加座標（（ｘ１０、ｙ１０）、（ｘ２０、ｙ２０）、（ｘ３０、ｙ３０））は、外観不良座標（（ｘ１、ｙ１）、（ｘ２、ｙ２）、（ｘ３、ｙ３））に、一致せず、離れているように設定されるが、詳細は後記する。
【００３３】
ステップＳ６で、追加部１５は、前記外観不良座標を、前記光学式レビュー装置３ａ又は前記ＳＥＭ式レビュー装置３ｂが撮像するレビューポイントとした上で、このレビューポイントに前記追加レビューポイントを追加する。具体的には、追加部１５では、図５に示すようなデータを有するレビューポイント情報２２ａ、２２ｂが生成される。レビューポイント情報２２ａ、２２ｂは、外観不良情報２１に追加レビューポイントを追加することによって生成してもよいし、外観不良情報２１をコピーしそのコピーに追加レビューポイントを追加することによって生成してもよい。このため、レビューポイント情報２２ａ、２２ｂのロット番号と、ウエハＩＤと、ダイレイアウトの識別子と、検査工程名あるいは直前の製造工程名と、検査日時とは、外観不良情報２１のロット番号と、ウエハＩＤと、ダイレイアウトの識別子と、検査工程名あるいは直前の製造工程名と、検査日時と同一になっている。
【００３４】
そして、レビューポイント情報２２ａ、２２ｂの外観不良座標には、外観不良情報２１の外観不良座標（（ｘ１、ｙ１）、（ｘ２、ｙ２）、（ｘ３、ｙ３））に追加して、追加レビューポイント情報２４の追加座標（（ｘ１０、ｙ１０）、（ｘ２０、ｙ２０）、（ｘ３０、ｙ３０））が、外観不良座標として記憶されている。そして、外観不良情報２１と同様に、外観不良座標（（ｘ１、ｙ１）、（ｘ２、ｙ２）、（ｘ３、ｙ３））毎に、外観不良ＩＤに対応するレビューポイントＩＤ（ｎ１、ｎ２、ｎ３）と、外観不良サイズ（ｓ１、ｓ２、ｓ３）と、カテゴリ（ｋ１、ｋ２、ｋ３）とが記憶されている。また、追加レビューポイント情報２４と同様に、追加座標に対応する外観不良座標（（ｘ１０、ｙ１０）、（ｘ２０、ｙ２０）、（ｘ３０、ｙ３０））毎に、追加レビューポイントＩＤに対応するレビューポイントＩＤ（ｎ１０、ｎ２０、ｎ３０）と、外観不良サイズ（ｓ１０、ｓ２０、ｓ３０）と、カテゴリ（ｋ１０、ｋ２０、ｋ３０）とが記憶されている。
【００３５】
ステップＳ７で、送受信部１１は、光学式レビュー装置３ａ又はＳＥＭ式レビュー装置３ｂに、対応するレビューポイント情報２２ａ又はレビューポイント情報２２ｂによって追加レビューポイントが追加されたレビューポイントを送信する。
【００３６】
ステップＳ８で、光学式レビュー装置３ａ又はＳＥＭ式レビュー装置３ｂは、受信したレビューポイント情報２２ａ又はレビューポイント情報２２ｂを受信し、試料上の外観不良座標において外観不良を撮像し、試料上の追加座標において追加レビューポイントを撮像する。具体的には、外観検査を終了した試料（ウェハ）は、外観不良を観察するために光学式レビュー装置３ａ又はＳＥＭ式レビュー装置３ｂにロットごと運ばれて、ロット内から予め決められているウェハを取り出してレビューを行う。レビューを行う際は、レビュー対象であるウェハの情報、すなわちロット番号とウエハＩＤと検査工程名をキー情報として、追加レビューポイント生成装置１の記憶部１６からレビューポイント情報２２ａ、２２ｂを取得する。なお、このレビューポイント情報２２ａ、２２ｂは、外観検査時に得られたＡＤＲ画像を含んでいてもよい。
【００３７】
外観検査装置２が出力する外観不良情報２１はデータ量が膨大であるため、追加レビューポイント生成装置１では、複数のフィルター機能により、必要なデータを抽出してレビューポイント情報２２ａ、２２ｂを構成し、こうしてデータ量の圧縮されたレビューポイント情報２２ａ、２２ｂを、光学式レビュー装置３ａ又はＳＥＭ式レビュー装置３ｂに通信回線４を通して送信している。
【００３８】
光学式レビュー装置３ａ又はＳＥＭ式レビュー装置３ｂでは、レビューポイント情報２２ａ、２２ｂに基づいて、追加レビューポイントを含んだレビューポイントの画像が取得され、その画像を用いて各レビュー装置３ａ、３ｂに搭載されているＡＤＣ機能で外観不良分類を行う。取得した画像とＡＤＲ／ＡＤＣ情報とは、画像情報２３ａ、２３ｂとして通信回線４を通して追加レビューポイント生成装置１に送られる。
【００３９】
本実施形態の追加レビューポイント生成装置１によれば、外観検査装置が検出した外観不良の外観不良分布に基づいて、追加レビューポイントを決定しているので、オペレータによらず、最適の追加レビューポイントを決定することができる。
【００４０】
なお、後記では、複数の実施例を挙げて、前記ステップＳ４の外観不良分布の分類と、前記ステップＳ５の追加レビューポイントの決定とについて具体的に説明する。
【００４１】
（実施例１）
図６に、本発明の実施例１に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートを示す。前記ステップＳ４の外観不良分布の分類には、ステップＳ４ａの欠陥分布の分類が対応している。なお、外観不良分布から欠陥分布に記載を変更しているが、これは、実質的な変更ではなく、欠陥の語を異物も含む概念で用いている。この変更は以下の実施例でも同様である。そして、このステップＳ４ａは、ステップＳ４１とステップＳ４２とで構成されている。
【００４２】
また、前記ステップＳ５の追加レビューポイントの決定は、ステップＳ５ａのエッジ部の８方向を追加レビューポイントに決定に対応している。なお、図２のフローチャートと比較して、図６のフローチャートには、ステップＳ２、Ｓ３、Ｓ７が記載されていないが、理解を容易にするために記載を省いたものであって、実施してよく、この省略は以下の実施例でも同様である。
【００４３】
そして、ステップＳ４１で、分類部１３は、図７に示すように、記憶されている外観不良情報２１内の欠陥（外観不良）３１の試料（ウェハ）３０上の外観不良座標に基づいて、ウェハ３０のエッジからＡ［ｍｍ］以内の欠陥数Ｂ１が、所定の閾値Ｂ以上であるか否かを判定する。欠陥数Ｂ１が閾値Ｂ以上であれば（ステップＳ４１、Ｙｅｓ；Ｂ１≧Ｂ）、ステップＳ４２に進み、欠陥数Ｂ１が閾値Ｂ未満であれば（ステップＳ４１、Ｎｏ；Ｂ１＜Ｂ）、ステップＳ８のレビューに進む。
【００４４】
ステップＳ４２で、分類部１３は、ウェハ３０のエッジからＡ［ｍｍ］内外での欠陥密度差Ｃ１が、所定の閾値Ｃ以上であるか否かを判定する。欠陥密度差Ｃ１が閾値Ｃ以上であれば（ステップＳ４２、Ｙｅｓ；Ｃ１≧Ｃ）、ステップＳ５ａに進み、欠陥密度差Ｃ１が閾値Ｃ未満であれば（ステップＳ４２、Ｎｏ；Ｃ１＜Ｃ）、ステップＳ８のレビューに進む。
そして、ステップＳ５ａに進むということにより、分類部１３は、試料３０を、欠陥（外観不良）３１が試料３０の中央部より周辺部に偏在している欠陥分布（外観不良分布）に分類したことになる。
【００４５】
次に、ステップＳ５ａで、決定部１４は、中央部より周辺部に偏在している欠陥分布（外観不良分布）に応じて、図８に示すように、欠陥３１の外観不良座標から離れた、試料３０の周辺部より外側のエッジ部に等間隔に８箇所の追加レビューポイント３２を決定する。エッジ部に追加レビューポイント３２を決定するのは、エッジ部の異常によりエッジ部からパーティクルが発生し飛散しそのパーティクルが外観不良の原因になっている場合、パーティクルは中央部より周辺部に偏在するように飛散すると考えられるからである。そして、エッジ部を追加レビューポイント３２においてステップＳ８でレビューすることにより、パーティクルの飛散した痕跡が観察できれば、欠陥（外観不良）３１の発生原因を、エッジ部からのパーティクルの発生であると特定することができる。このように、欠陥（外観不良）３１の発生の根本原因の特定が可能になる。また、追加レビューポイント３２は、オペレータによらず、決定部１４によって決定できるので、迅速かつ容易に、エッジ付近で起きている問題を発見することができる。
【００４６】
図８には、追加レビューポイント３２は、８点で試料（ウェハ）３０のノッチ付近を含み中心角が４５°の周期で配置してあるが、これに限らず、追加レビューポイント３２は、周方向および半径方向に数を増やしてもよい。これにより広い範囲をレビューにて観察することができるため、異常を発見できる確率を上げることができる。
上記のいずれかの条件を満たさないときは、通常のままレビュー４４を行う。
【００４７】
レビュー装置がＳＥＭおよび光学顕微鏡の両方を備えている場合、通常のレビューポイントはＳＥＭ像を使い、追加レビューポイントは光学顕微鏡像でもよい。光学顕微鏡の比較的低倍率の画像を使用することにより一度に広い範囲を見ることができるため、異常を発見できる確率を上げることができる。
【００４８】
（実施例２）
図９に、本発明の実施例２に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートを示す。前記ステップＳ４の外観不良分布の分類には、ステップＳ４ｂの欠陥分布の分類が対応している。そして、このステップＳ４ｂは、ステップＳ４３とステップＳ４４とステップＳ４５とで構成されている。また、前記ステップＳ５の追加レビューポイントの決定は、ステップＳ５ｂのウェハセンタからクラスタ中心および両端への直線の延長上のエッジを追加レビューポイントに決定に対応している。
【００４９】
そして、ステップＳ４３で、分類部１３は、図１０に示すように、記憶されている外観不良情報２１内の欠陥（外観不良）３１の試料（ウェハ）３０上の外観不良座標に基づいて、クラスタ３５を認識する。
【００５０】
そして、ステップＳ４４で、分類部１３は、クラスタ３５の中心がウェハ３０のエッジからＡ［ｍｍ］以内にあるか否かを判定する。クラスタ３５の中心がウェハ３０のエッジからＡ［ｍｍ］以内であれば（ステップＳ４４、Ｙｅｓ）、ステップＳ４５に進み、クラスタ３５の中心がウェハ３０のエッジからＡ［ｍｍ］を超えていれば（ステップＳ４４、Ｎｏ）、ステップＳ８のレビューに進む。
【００５１】
ステップＳ４５で、分類部１３は、そのクラスタ３５の長辺サイズＤ１が、所定の閾値Ｄ［ｍｍ］以上であるか否かを判定する。長辺サイズＤ１が閾値Ｄ［ｍｍ］以上であれば（ステップＳ４５、Ｙｅｓ；Ｄ１≧Ｄ）、ステップＳ５ｂに進み、長辺サイズＤ１が閾値Ｄ［ｍｍ］未満であれば（ステップＳ４５、Ｎｏ；Ｄ１＜Ｄ）、ステップＳ８のレビューに進む。
【００５２】
そして、ステップＳ５ｂに進むということにより、分類部１３は、試料３０を、欠陥（外観不良）３１が試料３０の周辺部の一部に偏在している欠陥分布（外観不良分布）に分類したことになる。
【００５３】
次に、ステップＳ５ｂで、決定部１４は、周辺部の一部に偏在している欠陥分布（外観不良分布）に応じて、図１０に示すように、欠陥３１の外観不良座標から離れた、ウェハセンタＯからクラスタ３５の中心への直線の延長上のエッジ部に、追加レビューポイント３２ａを決定する。さらに、ウェハセンタＯからクラスタ３５の両端それぞれへの直線の延長上のエッジ部に、追加レビューポイント３２ｂ、３２ｃを決定する。
【００５４】
クラスタ３５の外側のエッジ部に追加レビューポイント３２ａ、３２ｂ、３２ｃを決定するのは、エッジ部の異常によりエッジ部からパーティクルが発生し飛散しそのパーティクルがクラスタ３５の原因になっているので、クラスタ３５は周辺部に存在していると考えられるからである。そして、クラスタ３５の外側のエッジ部を追加レビューポイント３２ａ、３２ｂ、３２ｃとしてステップＳ８でレビューすることで、パーティクルの飛散した痕跡が観察できれば、クラスタ３５の発生原因を、エッジ部からのパーティクルの発生であると特定することができる。このように、クラスタ３５の発生の根本原因の特定が可能になる。また、追加レビューポイント３２ａ、３２ｂ、３２ｃは、オペレータによらず、決定部１４によって決定できるので、迅速かつ容易に、エッジ付近で起きている問題を発見することができる。
【００５５】
（実施例３）
図１１に、本発明の実施例３に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートを示す。前記ステップＳ４の外観不良分布の分類には、ステップＳ４ｃの欠陥分布の分類が対応している。そして、このステップＳ４ｃは、ステップＳ４６とステップＳ４７とステップＳ４８とで構成されている。また、前記ステップＳ５の追加レビューポイントの決定は、ステップＳ５ｃのリピート欠陥の隣接ダイで未検出点を追加レビューポイントに決定に対応している。
【００５６】
そして、ステップＳ４６で、分類部１３は、図１２に示すように、記憶されている外観不良情報２１内の欠陥（外観不良）３１の試料（ウェハ）３０上の外観不良座標に基づいて、リピート欠陥を検出する。試料（ウェハ）３０上には、同一形状の複数のダイ３６が、格子状に行方向と列方向に配列されており、それぞれのダイ３６は完成すると半導体チップ等の製品になる。それぞれのダイ３６は、互いに同じ構造をしているので、ダイ３６内の同一箇所に外観不良３１が発生していると、その外観不良３１は、行方向にも列方向にも一定間隔で出現することになる。このように出現する外観不良３１がリピート欠陥である。リピート欠陥として欠陥３１が行方向に出現する間隔は、ダイ３６の行方向の繰り返し周期になり、ほぼダイ３６の行方向の幅になる。また、リピート欠陥として欠陥３１が、列方向に出現する間隔は、ダイ３６の列方向の繰り返し周期になり、ほぼダイ３６の列方向の幅になる。ただ、前記出現する間隔と前記繰り返し周期とのずれを所定の値以内で許容して、リピート欠陥を検出すべきである。
【００５７】
次に、ステップＳ４７で、分類部１３は、リピート欠陥の検出結果に基づいて、リピート欠陥があるか否かを判定する。リピート欠陥があれば（ステップＳ４７、Ｙｅｓ）、ステップＳ４８に進み、リピート欠陥がなければ（ステップＳ４７、Ｎｏ）、ステップＳ８のレビューに進む。
【００５８】
ステップＳ４８で、分類部１３は、リピート欠陥を構成する欠陥３１があるダイ３６に隣接するダイ３６において、前記同一箇所が、欠陥３１として未検出点であるか否かを判定する。未検出点であれば（ステップＳ４８、Ｙｅｓ）、ステップＳ５ｃに進み、未検出点がなければ（ステップＳ４８、Ｎｏ）、ステップＳ８のレビューに進む。
【００５９】
そして、ステップＳ５ｃに進むということにより、分類部１３は、試料３０上に形成される同一形状の複数のダイ３６の内の一部の複数のダイ３６における同一箇所に外観不良３１がそれぞれ存在している外観不良分布（リピート欠陥）に、試料３０を分類したことになる。
【００６０】
次に、ステップＳ５ｃで、決定部１４は、リピート欠陥に応じて、図１２に示すように、リピート欠陥を構成する欠陥３１のあるダイ３６に隣接するダイ３６で、前記未検出点を、追加レビューポイント３２ｇに決定する。もちろん、隣接するダイ３６に限らず、より広範囲に、例えば、未検出の全ダイ３６に、追加レビューポイント３２ｇを決定してもよい。
【００６１】
これにより、外観検査では感度の問題等で検出できなかったリピート欠陥の正確な範囲を知ることができる。そして、前記感度の変更の要否を迅速に判断することができる。
【００６２】
（実施例４）
図１３に、本発明の実施例４に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートを示す。前記ステップＳ４の外観不良分布の分類には、ステップＳ４ｄの欠陥分布の分類が対応している。そして、このステップＳ４ｄは、ステップＳ４９とステップＳ５０で構成されている。また、前記ステップＳ５の追加レビューポイントの決定は、ステップＳ５ｄの線状欠陥に端の点、線状欠陥の延長線とウェハエッジの交点、およびそれらの中間点を追加レビューポイントに決定に対応している。
【００６３】
そして、ステップＳ４９で、分類部１３は、図１４に示すように、記憶されている外観不良情報２１内の欠陥（外観不良）３１の試料（ウェハ）３０上の外観不良座標に基づいて、線状欠陥３３を検出する。
【００６４】
次に、ステップＳ５０で、分類部１３は、線状欠陥３３の検出結果に基づいて、線状欠陥３３があるか否かを判定する。線状欠陥３３があれば（ステップＳ５０、Ｙｅｓ）、ステップＳ５ｄに進み、線状欠陥３３がなければ（ステップＳ５０、Ｎｏ）、ステップＳ８のレビューに進む。
【００６５】
そして、ステップＳ５ｄに進むことにより、分類部１３は、試料３０を、線状欠陥３３を構成する外観不良３１が線分３７上に偏在している外観不良分布に分類したことになる。
【００６６】
次に、ステップＳ５ｄで、決定部１４は、線状欠陥３３に応じて、図１４に示すように、線状欠陥３３の端の点を、追加レビューポイント３２ｄに決定している。また、線状欠陥３３上の線分３７の延長線３８とウェハエッジ（周辺部）の交点を、追加レビューポイント３２ｅに決定している。また、前記延長線３８上の追加レビューポイント３２ｄと追加レビューポイント３２ｅとの中間点を、追加レビューポイント３２ｆに決定している。
【００６７】
これにより、ステップＳ８のレビューにおいて、感度の問題等で検出できなかった線状外観不良の正確な範囲を知ることができる。
【００６８】
（実施例５）
図１５に、本発明の実施例５に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートを示す。前記ステップＳ４の外観不良分布の分類には、ステップＳ４ｅの欠陥分布の分類が対応している。そして、このステップＳ４ｅは、ステップＳ５１とステップＳ５２で構成されている。また、前記ステップＳ５の追加レビューポイントの決定は、ステップＳ５ｅの円弧状欠陥に端の点、円弧状欠陥の延長線とウェハエッジの交点、およびそれらの中間点を追加レビューポイントに決定に対応している。
【００６９】
そして、ステップＳ５１で、分類部１３は、図１６に示すように、記憶されている外観不良情報２１内の欠陥（外観不良）３１の試料（ウェハ）３０上の外観不良座標に基づいて、円弧状欠陥３４を検出する。
【００７０】
次に、ステップＳ５２で、分類部１３は、円弧状欠陥３４の検出結果に基づいて、円弧状欠陥３４があるか否かを判定する。円弧状欠陥３４があれば（ステップＳ５２、Ｙｅｓ）、ステップＳ５ｅに進み、円弧状欠陥３４がなければ（ステップＳ５２、Ｎｏ）、ステップＳ８のレビューに進む。
【００７１】
そして、ステップＳ５ｅに進むことにより、分類部１３は、試料３０を、円弧状欠陥３４を構成する外観不良３１が円弧状の線分３７上に偏在している外観不良分布に分類したことになる。
【００７２】
次に、ステップＳ５ｅで、決定部１４は、円弧状欠陥３４に応じて、図１６に示すように、円弧状欠陥３４の端の点を、追加レビューポイント３２ｄに決定している。また、円弧状欠陥３４上の線分３７の延長線３８とウェハエッジ（周辺部）の交点を、追加レビューポイント３２ｅに決定している。また、前記延長線３８上の追加レビューポイント３２ｄと追加レビューポイント３２ｅとの中間点を、追加レビューポイント３２ｆに決定している。
【００７３】
これにより、ステップＳ８のレビューにおいて、感度の問題等で検出できなかった円弧状外観不良の正確な範囲を知ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の実施形態に係る外観不良レビューシステムの構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートである。
【図３】外観不良情報のデータ構造図である。
【図４】追加レビューポイント情報のデータ構造図である。
【図５】レビューポイント情報のデータ構造図である。
【図６】本発明の実施例１に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートである。
【図７】本発明の実施例１のウェハのエッジ付近の異常が疑われる外観不良情報の例を示すウェハマップである。
【図８】本発明の実施例１の外観不良情報に追加レビューポイント情報を追加したウェハマップである。
【図９】本発明の実施例２に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートである。
【図１０】本発明の実施例２のエッジ付近の一部の異常が疑われる外観不良情報に追加レビューポイント情報を追加したウェハマップである。
【図１１】本発明の実施例３に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートである。
【図１２】本発明の実施例３のリピート外観不良が含まれる外観不良情報に追加レビューポイント情報を追加したウェハマップである。
【図１３】本発明の実施例４に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートである。
【図１４】本発明の実施例４の線状外観不良が含まれる外観不良情報に追加レビューポイント情報を追加したウェハマップである。
【図１５】本発明の実施例５に係る追加レビューポイント生成方法のフローチャートである。
【図１６】本発明の実施例５の円弧状外観不良が含まれる外観不良情報に追加レビューポイント情報を追加したウェハマップである。
【符号の説明】
【００７５】
１      追加レビューポイント生成装置
２      外観検査装置
３ａ    光学式レビュー装置
３ｂ    ＳＥＭ式レビュー装置
４      通信回線
５      外観不良レビューシステム
６      プローブ検査装置
９      製造フロー
１０    クリーンルーム
１１    送受信部
１２    記憶制御部
１３    分類部
１４    決定部
１５    追加部
１６    記憶部
２１    外観不良情報
２２ａ、２２ｂ  レビューポイント情報
２３ａ、２３ｂ  画像情報
２４    追加レビューポイント情報
３０    ウェハ（試料）（ウェハマップ）
３１    外観不良
３２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、３２ｆ、３２ｇ  追加レビューポイント、
３３    線状外観不良
３４    円弧状外観不良
３５    クラスタ
３６    ダイ（半導体チップ）
３７    線分
３８    延長線
【図１】
2009176932.tif 000003
【図２】
2009176932.tif 000004
【図３】
2009176932.tif 000005
【図４】
2009176932.tif 000006
【図５】
2009176932.tif 000007
【図６】
2009176932.tif 000008
【図７】
2009176932.tif 000009
【図８】
2009176932.tif 000010
【図９】
2009176932.tif 000011
【図１０】
2009176932.tif 000012
【図１１】
2009176932.tif 000013
【図１２】
2009176932.tif 000014
【図１３】
2009176932.tif 000015
【図１４】
2009176932.tif 000016
【図１５】
2009176932.tif 000017
【図１６】
2009176932.tif 000018