(57)【要約】【課題】液晶表示パネルのセル厚ムラを抑制する。【解決手段】互いに対向して配置された第１基板２０及び第２基板３０と、第１基板２０及び第２基板３０の間に設けられた液晶層４０と、第１基板２０及び第２基板３０の間で液晶層４０の周囲に設けられ、第１基板２０及び第２基板３０を互いに接着するためのシール材２５とを備えた液晶表示パネル５０ａであって、第１基板２０は、液晶層４０を収容するために凹状に設けられた第１凹部Ｃ１、及びシール材２５を収容するために第１凹部Ｃ１を囲むように凹状に設けられた第２凹部Ｃ２を有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、
上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、
上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層の周囲に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着するためのシール材とを備えた液晶表示パネルであって、
上記第１基板は、上記液晶層を収容するために凹状に設けられた第１凹部、及び上記シール材を収容するために該第１凹部を囲むように凹状に設けられた第２凹部を有していることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
上記第２凹部は、枠状に設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
上記第２凹部には、上記液晶層を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口が設けれ、
上記液晶注入口には、上記液晶層を封入するための封止材が設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項４】
請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
上記第１凹部の底面には、上記液晶層に電圧を印加するための導電素子が形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項５】
互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、
上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、
上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層の周囲に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着するためのシール材とを備えた液晶表示パネルを製造する方法であって、
上記第１基板は、上記液晶層を収容するために凹状に設けられた第１凹部、及び上記シール材を収容するために該第１凹部を囲むように凹状に設けられた第２凹部を有しており、
ガラス基板をエッチングすることにより、上記第１凹部及び第２凹部を形成する凹部形成工程と、
上記凹部形成工程で形成された第１凹部の底面に導電素子を形成することにより、上記第１基板を作製する第１基板作製工程と、
上記第１基板作製工程で作製された第１基板における第１凹部の内部に上記液晶層を構成する液晶材料を供給すると共に、該第１基板における第２凹部の内部に上記シール材を供給する液晶・シール供給工程と、
上記液晶・シール材供給工程で液晶材料及びシール材が供給された第１基板と上記第２基板とを該シール材により貼り合わせる基板貼り合わせ工程とを備えることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、
上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、
上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層の周囲に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着するためのシール材とを備えた液晶表示パネルを製造する方法であって、
上記第１基板は、上記液晶層を収容するために凹状に設けられた第１凹部、及び上記シール材を収容するために該第１凹部を囲むように凹状に設けられ上記液晶層を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口が形成された第２凹部を有しており、
ガラス基板をエッチングすることにより、上記第１凹部及び第２凹部を形成する凹部形成工程と、
上記凹部形成工程で形成された第１凹部の底面に導電素子を形成することにより、上記第１基板を作製する第１基板作製工程と、
上記第１基板作製工程で作製された第１基板における第２凹部の内部に上記シール材を供給するシール供給工程と、
上記シール材供給工程でシール材が供給された第１基板と上記第２基板とを該シール材により貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、
上記基板貼り合わせ工程で貼り合わせた第１基板及び第２基板の間に上記液晶注入口を介して上記液晶材料を注入した後に、該液晶注入口を封止する液晶封入工程とを備えることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネル及びその製造方法に関し、特に、液晶表示パネルにおいてセル厚ムラを抑制する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、互いに対向するように配置された一対の基板を液晶層を封入するためのシール材により貼り合わせて構成されている。そして、液晶表示パネルでは、一対の基板の間隔、すなわち、セル厚がそれらの両基板に挟持されるスペーサー（及びシール材に含有するシール内スペーサー）により所定間隔に保持されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、２枚のガラス基板を貼り合わせ、その間に液晶を封入するために用いられるシール樹脂に隣接して真空領域が形成された液晶パネルが開示されている。そして、この液晶パネルによれば、基板間に封入される液晶量が従来法ではセル厚ムラを生じせしめる程度変動した場合に於いても、その変動量を吸収し得る空間部分を設けることによりセル厚ムラを防止することが可能である、と記載されている。
【特許文献１】特開平６−１３８４４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、液晶表示パネルでは、画像の表示するための表示領域、及びその表示領域の周囲に配置された額縁領域がそれぞれ規定されている。ここで、例えば、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルの表示領域は、画像の最小単位である各画素毎にスイッチング素子や画素電極などが配置された相対的に複雑な構造を有し、また、その額縁領域には、各スイッチングに接続された表示用配線の引出配線などが配置された相対的に単純な構造を有しているので、液晶表示パネルでは、表示領域及び額縁領域の間で構造的な差が大きくなっている。したがって、液晶表示パネルでは、上記のような表示領域及び額縁領域の間における構造的な差、及び一対の基板を貼り合わせるためのシール材における仕上がりのばらつきなどにより、表示領域及び額縁領域の間でセル厚の差が生じ易いので、表示領域における額縁領域の近傍でセル厚ムラが発生してしまうという問題がある。
【０００５】
特に、液晶表示パネルを構成する一対の基板を貼り合わせる前に、一方の基板の表面に液晶材料を滴下し、それらの一対の基板を閉パターンの枠状に形成されたシール材を介して貼り合わせる滴下貼り合わせ法、いわゆる、ＯＤＦ（One Drop Fill）法では、シール材に囲まれる所定の容積に液晶材料を過不足なく供給する必要があるので、液晶層を構成する液晶材料の滴下量のばらつきなどにより、上記セル厚ムラの問題が懸念される。
【０００６】
また、近年、液晶表示パネルでは、狭額縁化が進んでおり、表示領域の周端と額縁領域に配置するシール材との距離が近くなっているので、この点においても上記セル厚ムラの問題が懸念される。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、液晶表示パネルのセル厚ムラを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、液晶表示パネルを構成する基板に液晶層を収容するための第１凹部、及びシール材を収容するために第２凹部を設けるようにしたものである。
【０００９】
具体的に本発明に係る液晶表示パネルは、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層の周囲に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着するためのシール材とを備えた液晶表示パネルであって、上記第１基板は、上記液晶層を収容するために凹状に設けられた第１凹部、及び上記シール材を収容するために該第１凹部を囲むように凹状に設けられた第２凹部を有していることを特徴とする。
【００１０】
上記の構成によれば、第１基板及び第２基板が第１基板の第１凹部に収容された液晶層を挟持した状態で第１基板の第２凹部に収容されたシール材により貼り合わせられているので、第１基板及び第２基板が各基板本体の外周部で互いに直接接触して接着されている。そのため、第１基板及び第２基板の少なくとも一方において、仮に、画像の表示するための表示領域とその周囲の額縁領域との間で構造的な差が大きくなったり、シール材の仕上がりがばらついたりしても、セル厚は所定の大きさに保持される。これにより、表示領域における額縁領域の近傍でセル厚ムラが発生し難くなるので、液晶表示パネルのセル厚ムラが抑制される。
【００１１】
上記第２凹部は、枠状に設けられていてもよい。
【００１２】
上記の構成によれば、シール材を収容するための第２凹部が液晶層を収容するための第１凹部の周囲に枠状に設けられているので、ＯＤＦ法で製造される液晶表示パネルにおいて、本発明の作用効果が有効に奏される。
【００１３】
上記第２凹部には、上記液晶層を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口が設けれ、上記液晶注入口には、上記液晶層を封入するための封止材が設けられていてもよい。
【００１４】
上記の構成によれば、シール材を収容するための第２凹部が液晶材料を注入するための液晶注入口を有し、そして、その液晶注入口には封止材が設けられているので、真空注入法で製造される液晶表示パネルにおいて、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００１５】
上記第１凹部の底面には、上記液晶層に電圧を印加するための導電素子が形成されていてもよい。
【００１６】
上記の構成によれば、第１基板に設けられた第１凹部の底面に画素電極などの導電素子が配置されているので、第２基板との間に挟持される液晶層に所定の電圧を印加することが可能になる。
【００１７】
また、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層の周囲に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着するためのシール材とを備えた液晶表示パネルを製造する方法であって、上記第１基板は、上記液晶層を収容するために凹状に設けられた第１凹部、及び上記シール材を収容するために該第１凹部を囲むように凹状に設けられた第２凹部を有しており、ガラス基板をエッチングすることにより、上記第１凹部及び第２凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部形成工程で形成された第１凹部の底面に導電素子を形成することにより、上記第１基板を作製する第１基板作製工程と、上記第１基板作製工程で作製された第１基板における第１凹部の内部に上記液晶層を構成する液晶材料を供給すると共に、該第１基板における第２凹部の内部に上記シール材を供給する液晶・シール供給工程と、上記液晶・シール材供給工程で液晶材料及びシール材が供給された第１基板と上記第２基板とを該シール材により貼り合わせる基板貼り合わせ工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
上記の方法によれば、まず、凹部形成工程において、ガラス基板に液晶層及びシール材をそれぞれ収容するための第１凹部及び第２凹部を形成する。続いて、第１基板作製工程において、ガラス基板の第１凹部の底面に導電素子を形成して第１基板を作製する。その後、液晶・シール供給工程において、第１基板の第１凹部及び第２凹部に液晶材料及びシール材をそれぞれ供給する。最後に、基板貼り合わせ工程において、第１基板及び第２基板をシール材により液晶層を挟持した状態で貼り合わせることにより、液晶表示パネルが製造される。この液晶表示パネルでは、第１基板及び第２基板が第１基板の第１凹部に収容された液晶層を挟持した状態で第１基板の第２凹部に収容されたシール材により貼り合わせられているので、第１基板及び第２基板が各基板本体の外周部で互いに直接接触して接着されている。そのため、第１基板及び第２基板の少なくとも一方において、仮に、画像の表示するための表示領域とその周囲の額縁領域との間で構造的な差が大きくなったり、シール材の仕上がりがばらついたりしても、セル厚は所定の大きさに保持される。これにより、表示領域における額縁領域の近傍でセル厚ムラが発生し難くなるので、液晶表示パネルのセル厚ムラが抑制される。
【００１９】
また、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層の周囲に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着するためのシール材とを備えた液晶表示パネルを製造する方法であって、上記第１基板は、上記液晶層を収容するために凹状に設けられた第１凹部、及び上記シール材を収容するために該第１凹部を囲むように凹状に設けられ上記液晶層を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口が形成された第２凹部を有しており、ガラス基板をエッチングすることにより、上記第１凹部及び第２凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部形成工程で形成された第１凹部の底面に導電素子を形成することにより、上記第１基板を作製する第１基板作製工程と、上記第１基板作製工程で作製された第１基板における第２凹部の内部に上記シール材を供給するシール供給工程と、上記シール材供給工程でシール材が供給された第１基板と上記第２基板とを該シール材により貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、上記基板貼り合わせ工程で貼り合わせた第１基板及び第２基板の間に上記液晶注入口を介して上記液晶材料を注入した後に、該液晶注入口を封止する液晶封入工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
上記の方法によれば、まず、凹部形成工程において、ガラス基板に液晶層及びシール材をそれぞれ収容するための第１凹部、及び液晶注入口を有する第２凹部を形成する。続いて、第１基板作製工程において、ガラス基板の第１凹部の底面に導電素子を形成して第１基板を作製する。その後、シール供給工程において、第１基板の第２凹部にシール材を供給する。さらに、基板貼り合わせ工程において、第１基板及び第２基板をシール材により貼り合わせる。最後に、液晶封入工程において、第１基板及び第２基板の間に液晶注入口を介して液晶材料を注入した後に、その液晶注入口を封止することにより、液晶表示パネルが製造される。この液晶表示パネルでは、第１基板及び第２基板が第１基板の第１凹部に収容された液晶層を挟持した状態で第１基板の第２凹部に収容されたシール材により貼り合わせられているので、第１基板及び第２基板が各基板本体の外周部で互いに直接接触して接着されている。そのため、第１基板及び第２基板の少なくとも一方において、仮に、画像の表示するための表示領域とその周囲の額縁領域との間で構造的な差が大きくなったり、シール材の仕上がりがばらついたりしても、セル厚は所定の大きさに保持される。これにより、表示領域における額縁領域の近傍でセル厚ムラが発生し難くなるので、液晶表示パネルのセル厚ムラが抑制される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、液晶表示パネルを構成する基板に液晶層を収容するための第１凹部、及びシール材を収容するための第２凹部が設けられているので、液晶表示パネルのセル厚ムラを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００２３】
《発明の実施形態１》
図１〜図４は、本発明に係る液晶表示パネル及びその製造方法の実施形態１を示している。具体的に、図１は、本実施形態の液晶表示パネル５０ａの平面図であり、図２は、図１のII−II線に沿った液晶表示パネル５０ａの断面図である。また、図３は、液晶表示パネル５０ａを構成するアクティブマトリクス基板２０の１つの画素を示す平面図であり、図４は、図３のIV−IV線に沿った液晶表示パネル５０ａの断面図である。
【００２４】
液晶表示パネル５０ａは、図１及び図２に示すように、第１基板として設けられたアクティブマトリクス基板２０と、アクティブマトリクス基板２０に対向して配置する第２基板として設けられたカラーフィルター基板３０と、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０の間に設けられた液晶層４０と、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０を互いに接着するするためのシール材２５とを備えている。
【００２５】
また、液晶表示パネル５０ａでは、画像を表示するための表示領域Ｄ、及びその周囲に配置された額縁領域Ｆがそれぞれ規定されている。ここで、表示領域Ｄでは、画像の最小単位である各画素がマトリクス状に設けられている。
【００２６】
アクティブマトリクス基板２０は、図１及び図２に示すように、液晶層４０を収容するために凹状に設けられた第１凹部Ｃ１、及びシール材２５を収容するために第１凹部Ｃ１を囲むように凹状に設けられた第２凹部Ｃ２を有している。
【００２７】
また、アクティブマトリクス基板２０は、第１凹部Ｃ１の底面において、図３及び図４に示すように、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１４ａと、各ゲート線１４ａと交差（直交）する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１６ａと、各ゲート線１４ａ及び各ソース線１６ａの交差部分のそれぞれに設けられたＴＦＴ５と、各ゲート線１４ａの間に延びるように設けられた容量線１４ｂと、隣り合う一対の容量線１４ｂ及び一対のソース線１６ａで囲われる領域に各ＴＦＴ５に対応してそれぞれに設けられた複数の画素電極１８とを備えている。ここで、アクティブマトリクス基板１０では、マトリクスに配列された複数の画素電極１８により表示領域Ｄが構成されている。
【００２８】
各ゲート線１４ａは、各画素毎に、各ソース線１６ａと重なる位置に開口した環状構造を有している。ここで、ＴＦＴ５のゲート電極は、各ゲート線１４ａの環状構造のうち、各ソース線１６ａと重なる領域により構成されている。
【００２９】
ＴＦＴ５は、図３及び図４に示すように、絶縁基板１０ａ上にベースコート膜１１を介して設けられた半導体層１２と、半導体層１２を覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に設けられた一対のゲート電極（ゲート線１４ａ）と、ゲート線１４ａを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上にそれぞれ設けられたソース電極（ソース線１６ａ）及びドレイン電極１６ｂとを備えている、ここで、ソース電極（ソース線１６ａ）は、第１層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＨ１を介して半導体層１２のソース領域に接続されている。また、ドレイン電極１６ｂは、第１層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＨ２を介して半導体層１２のドレイン領域に接続されていると共に、ソース線１６ａ及びドレイン電極１６ｂを覆うように設けられた第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨ３を介して画素電極１８に接続されている。
【００３０】
各容量線１４ｂは、図３及び図４に示すように、各画素毎にゲート絶縁膜１２を介して半導体層１２のドレイン領域に重なるように、各ソース線１６ａの延びる方向に突出した突出部を有して、補助容量を構成している。
【００３１】
カラーフィルター基板３０は、図４に示すように、絶縁基板１０ｂ上に格子状及び枠状に設けられたブラックマトリクス２１と、ブラックマトリクス２１の各格子間にそれぞれ設けられた赤色層２２ａ、緑色層２２ｂ及び青色層２２ｃを含むカラーフィルター層と、カラーフィルター層を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３からアクティブマトリクス基板２０側に突出するように設けられた柱状スペーサー２４とを備えている。ここで、カラーフィルター基板３０では、赤色層２２ａ、緑色層２２ｂ及び青色層２２ｃがマトリクスに配列されたカラーフィルター層により表示領域Ｄが構成されている。
【００３２】
液晶層２５は、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
【００３３】
上記構成の液晶表示パネル５０ａでは、各画素において、ゲート線１４ａからゲート信号がＴＦＴ５のゲート電極に送られて、ＴＦＴ５がオン状態になったときに、ソース線１６ａからソース信号がＴＦＴ５のソース電極に送られて、ＴＦＴ５の半導体層１２及びドレイン電極１６ｂを介して、画素電極１８に所定の電荷が書き込まれる。このとき、アクティブマトリクス基板２０の各画素電極１８とカラーフィルター基板３０の共通電極２３との間において電位差が生じ、液晶層４０に所定の電圧が印加される。そして、液晶表示パネル５０ａでは、液晶層４０に印加する電圧の大きさによって液晶層４０の配向状態を変えることにより、液晶層４０の光透過率を調整して画像が表示される。
【００３４】
ここで、ゲート線１４ａやソース線１６ａなどの表示用配線については、アクティブマトリクス基板２０の第１凹部Ｃ１の底面から、アクティブマトリクス基板２０の基板表面に設けられた端子領域などに引き出されている。具体的に後述する凹部形成工程では、ガラス基板のウエットエッチングにおいて第１凹部Ｃ１の側面が傾斜して形成されるので、その傾斜した側面に引出配線を形成して、その引出配線を介して第１凹部Ｃ１の底面の表示用配線と基板表面の端子領域の端子とを接続してもよい。なお、配線の断線やクラックを抑制するために、エッチング前のレジストパターンの厚さなどを調整することにより、第１凹部Ｃ１の側面の傾斜をより緩くしてもよい。また、第１凹部Ｃ１の端部に樹脂層を形成し、その樹脂層にコンタクトホールを形成することにより、そのコンタクトホールを介して第１凹部Ｃ１の底面の表示用配線と基板表面の端子領域の端子とを接続してもよい。また、カラーフィルター基板（３０）側に凹部を形成する場合には、カラーフィルター基板（３０）に導電部として共通電極（２３）のみが設けられているので、凹部の側面の傾斜及びその調整により、共通電極の断線やクラックなどの発生を有効に抑制することができる。
【００３５】
次に、本実施形態の液晶表示パネル５０ａを製造する方法について説明する。本実施形態の製造方法は、凹部形成工程、アクティブマトリクス基板作製工程、カラーフィルター基板作製工程、液晶・シール供給工程及び基板貼り合わせ工程を備える。
【００３６】
＜凹部形成工程＞
厚さ０．７ｍｍ程度のガラス基板の基板全体に感光性樹脂を塗布した後に、部分的に露光することにより、レジストパターンを形成する。そして、形成されたレジストパターンを介してガラス基板をエッチングすることにより、深さ４μｍ程度の第１凹部Ｃ１及び第２凹部Ｃ２を形成して絶縁基板１０ａを準備する。
【００３７】
＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
まず、凹部形成工程で第１凹部Ｃ１及び第２凹部Ｃ２が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の混合物であるＳｉＯＮ膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜してベースコート膜１１を形成する。
【００３８】
続いて、ベースコート膜１１が形成された基板全体に、原料ガスとしてジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を用いて、プラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜した後、レーザーアニールにより結晶化（ポリシリコン膜に変成）する。その後、フォトリソグラフィによりパターン形成して半導体層１２を形成する。
【００３９】
さらに、半導体層１２が形成されたベースコート膜１１上の基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜してゲート絶縁膜１３を形成する。
【００４０】
そして、ゲート絶縁膜１３が形成された基板全体に、スパッタリング法により、窒化タンタル膜（厚さ３０ｎｍ程度）及びタングステン膜（厚さ３７０ｎｍ程度）を順次成膜し、その後、フォトリソグラフィにより、パターン形成してゲート線１４ａ及び容量線１４ｂを形成する。
【００４１】
さらに、ゲート線１４ａをマスクとして、ゲート絶縁膜１３を介して半導体層１２にリンをドープして、ゲート線１４ａに重なる領域にチャネル領域を、それらのチャネル領域の外側にソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成し、その後、加熱処理を行い、ドープしたリンの活性化処理を行う。なお、補助容量を構成する半導体層１２の領域には、容量線１４ｂを形成する前に、別途マスクを用いてリンをドープする。また、不純物元素としてリンをドープすれば、Ｎチャネル型のＴＦＴが形成され、ボロンをドープすれば、Ｐチャネル型のＴＦＴが形成される。
【００４２】
そして、ゲート線１４ａ及び容量線１４ｂが形成されたゲート絶縁膜１３上の基板全体に、ＣＶＤ法により、窒化シリコン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）及び酸化シリコン膜（厚さ７００ｎｍ程度）を順次成膜して第１層間絶縁膜１５を形成する。
【００４３】
その後、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の積層膜において、半導体層１２のソース領域及びドレイン領域に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホールＨ１及びＨ２をそれぞれ形成する。
【００４４】
続いて、第１層間絶縁膜１５上の基板全体に、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ３５０ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を順次成膜し、その後、フォトリソグラフィにより、パターン形成して、ソース線１６ａ及びドレイン電極１６ｂを形成する。
【００４５】
さらに、ソース線１６ａ及びドレイン電極１６ｂが形成された第１層間絶縁膜１５上の基板全体に、アクリル系樹脂を塗布した後に、焼成することにより、厚さ２４００ｎｍ程度の第２層間絶縁膜１７を形成する。
【００４６】
その後、第２層間絶縁膜１７のドレイン電極１６ｂに重なる部分をエッチングして、コンタクトホールＨ３を形成する。
【００４７】
そして、第２層間絶縁膜１７上の基板全体に、スパッタリング法により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜した後、フォトリソグラフィによりパターン形成して画素電極１８を形成する。
【００４８】
最後に、印刷法により、ポリイミド系樹脂の薄膜を成膜した後、ラビング法により、その表面に配向処理を施し配向膜を形成する。
【００４９】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板２０を作製することができる。
【００５０】
＜カラーフィルター基板作製工程＞
まず、厚さ０．７ｍｍ程度のガラス基板などの絶縁基板１０ｂ上の基板全体に、クロム薄膜（厚さ０．２μｍ程度）又は黒色樹脂（厚さ１μｍ程度）を成膜した後、フォトリソグラフィによりパターン形成してブラックマトリクス２１を形成する。
【００５１】
続いて、ブラックマトリクス２１の格子間のそれぞれに、２μｍ程度の厚さで、赤、緑及び青の何れかの着色層をパターン形成して赤色層２２ａ、緑色層２２ｂ及び青色層２２ｃを含むカラーフィルター層を形成する。
【００５２】
その後、カラーフィルター層が形成された基板に、ＩＴＯ膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜して共通電極２３を形成する。
【００５３】
さらに、共通電極２３が形成された基板全体に、感光性アクリル樹脂などを塗布し、その後、フォトリソグラフィによりパターン形成して、高さ３μｍ〜４μｍ程度の柱状スペーサー２４を形成する。
【００５４】
最後に、印刷法により、ポリイミド系樹脂の薄膜を成膜した後、ラビング法により、その表面に配向処理を施し配向膜を形成する。
【００５５】
以上のようにして、カラーフィルター基板３０を作製することができる。
【００５６】
＜液晶・シール供給工程＞
上記アクティブマトリクス基板作製工程で作製されたアクティブマトリクス基板２０に対して、第１凹部Ｃ１の内部に液晶材料（４０）を滴下供給すると共に、第２凹部Ｃ２の内部にシール材２５を滴下供給する。
【００５７】
＜基板貼り合わせ工程＞
まず、上記液晶・シール供給工程で液晶材料（４０）及びシール材２５がそれぞれ供給されたアクティブマトリクス基板２０と、上記カラーフィルター基板作製工程で作製されたカラーフィルター基板３０とを各表示領域Ｄが重なり合うように真空雰囲気で貼り合わせる。
【００５８】
続いて、貼り合わせたアクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０を大気に開放することにより、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０の各表面を加圧する。
【００５９】
さらに、貼り合わせたアクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０に対して、ＵＶ照射及び熱焼成を行うことにより、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０の間に挟持されたシール材２５を硬化させて、液晶層４０を封入する。
【００６０】
以上のようにして、本実施形態の液晶表示装置５０ａを製造することができる。
【００６１】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ａ及びその製造方法によれば、まず、凹部形成工程において、ガラス基板に液晶層４０及びシール材２５をそれぞれ収容するための第１凹部Ｃ１及び第２凹部Ｃ２を形成する。続いて、アクティブマトリクス基板作製工程において、ガラス基板の第１凹部Ｃ１の底面に画素電極１８などを形成してアクティブマトリクス基板２０を作製する。その後、液晶・シール供給工程において、アクティブマトリクス基板２０の第１凹部Ｃ１及び第２凹部Ｃ２に液晶材料（４０）及びシール材２５をそれぞれ供給する。最後に、基板貼り合わせ工程において、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０をシール材２５により液晶層４０を挟持した状態で貼り合わせることにより、液晶表示パネル５０ａが製造される。そして、この液晶表示パネル５０ａでは、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０がアクティブマトリクス基板２０の第１凹部Ｃ１に収容された液晶層４０を挟持した状態でアクティブマトリクス基板２０の第２凹部Ｃ２に収容されたシール材２５により貼り合わせられているので、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０がガラス製の各基板本体の外周部で互いに直接接触して接着されている。そのため、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０の少なくとも一方において、仮に、表示領域Ｄと額縁領域Ｆとの間で構造的な差が大きくなったり、シール材２５の仕上がりがばらついたりしても、セル厚は所定の大きさに保持される。これにより、表示領域Ｄにおける額縁領域Ｄの近傍でセル厚ムラが発生し難くなるので、液晶表示パネルのセル厚ムラを抑制することができる。
【００６２】
《発明の実施形態２》
図５は、本実施形態２の液晶表示パネル５０ｂの平面図である。なお、以下の実施形態において、図１〜図４と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６３】
上記実施形態１では、ＯＤＦ法により製造された液晶表示パネル５０ａを例示したが、本実施形態では、真空注入法により製造される液晶表示パネル５０ｂについて説明する。
【００６４】
具体的に、液晶表示パネル５０ｂでは、アクティブマトリクス基板において、図５に示すように、上記実施形態１のシール材２５に対応するシール材２５ａを収容するための第２凹部Ｃ２が液晶材料を注入するための液晶注入口Ｃ２ａを有し、液晶注入口Ｃ２ａには封止材２５ｂが充填されている。なお、液晶表示パネル５０ｂにおけるその他の構成は、上記実施形態１の液晶表示パネル５０ａと同様である。
【００６５】
次に、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂを製造する方法について説明する。本実施形態の製造方法は、凹部形成工程、アクティブマトリクス基板作製工程、カラーフィルター基板作製工程、シール供給工程、基板貼り合わせ工程及び液晶封入工程を備える。なお、アクティブマトリクス基板作製工程及びカラーフィルター基板作製工程については、上記実施形態１の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【００６６】
＜凹部形成工程＞
厚さ０．７ｍｍ程度のガラス基板の基板全体に感光性樹脂を塗布した後に、部分的に露光することにより、レジストパターンを形成する。そして、形成されたレジストパターンを介してガラス基板をエッチングすることにより、深さ４μｍ程度の第１凹部Ｃ１、及び液晶注入口Ｃ２ａを有する第２凹部Ｃ２を形成する。
【００６７】
＜シール供給工程＞
上記アクティブマトリクス基板作製工程で作製されたアクティブマトリクス基板２０に対して、液晶注入口Ｃ２ａにシール材２５ａがなるべく流入しないように、第２凹部Ｃ２の内部にシール材２５ａを滴下供給する。
【００６８】
＜基板貼り合わせ工程＞
まず、上記シール供給工程でシール材２５が供給されたアクティブマトリクス基板と、上記カラーフィルター基板作製工程で作製されたカラーフィルター基板とを各表示領域Ｄが重なり合うように貼り合わせる。
【００６９】
続いて、貼り合わせたアクティブマトリクス基板及びカラーフィルター基板に対して、ＵＶ照射及び熱焼成を行うことにより、アクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０の間に挟持されたシール材２５ａを硬化させる。
【００７０】
＜液晶封入工程＞
まず、基板貼り合わせ工程で貼り合わせたアクティブマトリクス基板２０及びカラーフィルター基板３０に対して、真空注入法により液晶材料を液晶注入口Ｃ２ａから注入する。
【００７１】
さらに、液晶注入口Ｃ２ａに例えばＵＶ硬化性の封止材２５ｂを塗布した後に、その封止材２５ｂを硬化させることにより、液晶層４０を封入する。
【００７２】
以上のようにして、本実施形態の液晶表示装置５０ｂを製造することができる。
【００７３】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂ及びその製造方法によれば、まず、凹部形成工程において、ガラス基板に液晶層４０及びシール材２５をそれぞれ収容するための第１凹部Ｃ１、及び液晶注入口Ｃ２ａを有する第２凹部Ｃ２を形成する。続いて、アクティブマトリクス基板作製工程において、ガラス基板の第１凹部Ｃ１の底面に画素電極１８などを形成してアクティブマトリクス基板を作製する。その後、シール供給工程において、アクティブマトリクス基板の第２凹部Ｃ２にシール材２５ａを供給する。さらに、基板貼り合わせ工程において、アクティブマトリクス基板及びカラーフィルター基板をシール材２５ａにより貼り合わせる。最後に、液晶封入工程において、アクティブマトリクス基板及びカラーフィルター基板の間に液晶注入口Ｃ２ａを介して液晶材料を注入した後に、その液晶注入口Ｃ２ａを封止することにより、液晶表示パネル５０ｂが製造される。そして、この液晶表示パネル５０ｂでは、アクティブマトリクス基板及びカラーフィルター基板がアクティブマトリクス基板の第１凹部Ｃ１に収容された液晶層４０を挟持した状態でアクティブマトリクス基板の第２凹部Ｃ２に収容されたシール材２５ａにより貼り合わせられているので、アクティブマトリクス基板及びカラーフィルター基板がガラス製の各基板本体の外周部で互いに直接接触して接着されている。そのため、アクティブマトリクス基板及びカラーフィルター基板の少なくとも一方において、仮に、表示領域Ｄとその周囲の額縁領域との間で構造的な差が大きくなったり、シール材２５ａの仕上がりがばらついたりしても、セル厚は所定の大きさに保持される。これにより、表示領域における額縁領域の近傍でセル厚ムラが発生し難くなるので、液晶表示パネルのセル厚ムラを抑制することができる。
【００７４】
上記各実施形態では、第１凹部及び第２凹部がアクティブマトリクス基板側に設けられていたが、カラーフィルター基板側に設けられていてもよく、アクティブマトリクス基板及びカラーフィルター基板の双方側に設けられていてもよい。
【００７５】
上記各実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルを例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルにも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
以上説明したように、本発明は、表示領域における額縁領域の近傍でセル厚ムラが発生し難くなるので、ＯＤＦ法により製造される狭額縁の液晶表示パネルについて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネル５０ａの平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った液晶表示パネル５０ａの断面図である。
【図３】液晶表示パネル５０ａを構成するアクティブマトリクス基板２０の平面図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿った液晶表示パネル５０ａの断面図である。
【図５】実施形態２に係る液晶表示パネル５０ｂの平面図である。
【符号の説明】
【００７８】
Ｃ１      第１凹部
Ｃ２      第２凹部
Ｃ２ａ    液晶注入口
１８      画素電極（導電素子）
２０      アクティブマトリクス基板（第１基板）
２５，２５ａ    シール材
２５ｂ    封止材
３０      カラーフィルター基板（第２基板）
４０      液晶層
５０ａ，５０ｂ    液晶表示パネル
【図１】
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【図２】
2009058609.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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