(57)【要約】      （修正有）【課題】集光ミラーをクリーニングすることに伴うＥＵＶ光発生装置のダウンタイムの低減を図る。【解決手段】クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、クリーニング位置に位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送するようにしている。【選択図】図４
2009295800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットをプラズマ状態にし、発生したＥＵＶ光を集光ミラーで集光するようにしたＥＵＶ光発生装置に適用され、集光ミラーに付着した汚染物質をクリーニングする方法であって、
集光ミラーが少なくとも２つ用意され、
一方の集光ミラーを、ＥＵＶ光集光位置に位置させている間に、他の集光ミラーをクリーニング位置に位置させ、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことを判定するとともに、ＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることを判定し、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、クリーニング位置に位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送すること
を特徴とするＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング方法。
【請求項２】
クリーニング位置に位置されている集光ミラーが寿命に達したことを判定し、
寿命に達したと判定された集光ミラーを新しい集光ミラーと交換し、
集光ミラーの交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送すること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング方法。
【請求項３】
ターゲットをプラズマ状態にし、発生したＥＵＶ光を集光ミラーで集光するようにしたＥＵＶ光発生装置に適用され、集光ミラーに付着した汚染物質をクリーニングするＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置であって、
少なくとも２つの集光ミラーと、
集光ミラーをクリーニングするための少なくとも１つのクリーニングチャンバと、
クリーニングチャンバとＥＵＶ光集光位置との間で集光ミラーを搬送する搬送手段と、
クリーニングチャンバ内で集光ミラーのクリーニングが終了したことを判定するクリーニング終了判定手段と、
ＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることを判定するクリーニング必要判定手段と、
クリーニングチャンバ内の集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニングチャンバまで搬送するとともに、クリーニングチャンバに位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送するように、搬送手段を制御する制御手段と
が備えられていること
を特徴とするＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項４】
クリーニング位置に位置されている集光ミラーが寿命に達したことを判定する寿命判定手段と、
寿命に達したと判定された集光ミラーを新しい集光ミラーと交換し、
制御手段は、
集光ミラーの交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送すること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項５】
クリーニングチャンバは、少なくとも２つの集光ミラーそれぞれに対応して設けられ、
搬送手段は、少なくとも２つの集光ミラーそれぞれに対応して設けられ、
制御手段は、ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、対応する搬送手段を作動させてクリーニングチャンバまで搬送するとともに、クリーニングチャンバに位置され、クリーニングが終了した集光ミラーを、対応する搬送手段を作動させてＥＵＶ光集光位置まで搬送すること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項６】
集光ミラーのクリーニングは、集光ミラーに付着した汚染物質と反応する反応性ガスを集光ミラーに供給することにより行われること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項７】
反応性ガスは、Ｈ2、Ａｒ、Ｎ2、Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩのいずれかのガスまたはこれらの混合ガスであること
を特徴とする請求項６記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項８】
反応性ガスと集光ミラーに付着した汚染物質との反応を促進させる反応促進手段が更に設けられること
を特徴とする請求項６記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項９】
反応促進手段は、集光ミラーまたは／および反応性ガスを加熱することにより、または／および反応性ガスをプラズマにすることにより、反応性ガスと集光ミラーに付着した汚染物質との反応を促進させるものであること
を特徴とする請求項８記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１０】
クリーニングチャンバには、ＥＵＶ光が発生するＥＵＶチャンバと連通させるか、またはＥＵＶチャンバとの連通を遮断させるためのゲートバルブが設けられていること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１１】
クリーニングチャンバは、差動排気装置によって差動排気されることによって大気に連通していること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１２】
クリーニングチャンバは、ロードロック室に連通していること
を特徴とする請求項４記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１３】
搬送手段は、少なくとも２つの集光ミラーが同一回転面上に配置された回転体と、この回転体を回転させるための回転軸を含んで構成されており、
制御手段は、回転軸を回転させて同一回転面上の各集光ミラーをクリーニングチャンバ、ＥＵＶ光集光位置に位置決めすること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１４】
搬送手段は、２つの集光ミラーがそれぞれ各表面、裏面に配置された回転板と、この回転板を表面、裏面が互いに反転するように回転させる回転軸を含んで構成されており、
制御手段は、回転軸を回転させて回転板の表面上の集光ミラー、裏面上の集光ミラーをクリーニングチャンバ、ＥＵＶ光集光位置に位置決めすること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置
【請求項１５】
搬送手段は、ＥＵＶ光集光位置とクリーニングチャンバとの間で集光ミラーを直線状に往復移動させる直線導入機であること
を特徴とする請求項５記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１６】
搬送手段は、ＥＵＶ光集光位置とクリーニングチャンバとの間で集光ミラーを搬送する搬送ロボットであること
を特徴とする請求項５記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１７】
搬送手段は、集光ミラーをステージ上に載せてＥＵＶ光集光位置とクリーニングチャンバとの間を往復移動させる移動ステージであること
を特徴とする請求項５記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１８】
搬送手段は、ワイヤを用いて集光ミラーをＥＵＶ光集光位置とクリーニングチャンバとの間を往復移動させるものであること
を特徴とする請求項５記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項１９】
クリーニング終了判定手段は、水晶発振子マイクロバランス測定法または／および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または／および集光ミラーの反射率を計測することにより、または／および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または／およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラーのクリーニングが終了否かの判定、集光ミラーのクリーニングが必要か否かの判定を行うものであること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【請求項２０】
寿命判定手段は、水晶発振子マイクロバランス測定法または／および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または／および集光ミラーの反射率を計測することにより、または／および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または／およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラーが寿命に達したか否かの判定を行うものであること
を特徴とする請求項４記載のＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置などの光源に用いられるＥＵＶ光発生装置に関し、特にＥＵＶ光を集光する集光ミラーをクリーニングする方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
回路パターンを半導体ウェーハ上に光転写する光リソグラフィ技術は、ＬＳＩの集積化を図る上で重要である。光リソグラフィに用いられる露光装置は、主に、ステッパと呼ばれる縮小投影露光方式によるものが使用されている。すなわち照明光源により照らされた原画（レチクル）パターンの透過光を縮小投影光学系により半導体基板上の光感光性物質に投影して回路パターンを形成するというものである。この投影像の分解能は、用いられる光源の波長で制限される。このためパターン線幅をより微細化したいとの要求に伴って、光源の波長は紫外領域へと次第に短波長化してきている。
【０００３】
近年は深紫外領域の光（ＤＵＶ光）を発振するＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡrＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が光源として使用され、あるいは真空紫外領域の光（ＶＵＶ光）を発振するＦ２レーザ（波長１５７ｎｍ）が光源として開発されている。
【０００４】
現在では更なる微細加工を行うべく極端紫外領域（Extreme Ultra Violet）の光（以下ＥＵＶ光）を出力するＥＵＶ光源（波長１３．５ｎｍ）を、光リソグラフィの光源とする試みがなされている。
【０００５】
ＥＵＶ光を発生させる方式に、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）方式がある。
【０００６】
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源では、短パルスレーザ光をターゲットに照射してターゲットをプラズマ状態に励起してＥＵＶ光を発生させこれを集光レンズで集光して外部にＥＵＶ光を出力するものである。
【０００７】
図１は、露光装置の光源として用いられるＬＰＰ方式によるＥＵＶ光発生装置の構成を概念的に示している。
【０００８】
真空チャンバ２の内部にはＥＵＶ光を集光する集光ミラー３が設けられている。集光ミラー３で集光されたＥＵＶ光は、真空チャンバ２外の図示しない露光装置に伝送される。露光装置では、ＥＵＶ光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。
【０００９】
真空チャンバ２の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これはＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。
【００１０】
ＥＵＶ光発生源となるターゲット１は、真空チャンバ２内の所定のＥＵＶ光発生点Ａ、つまりレーザ光の集光点に位置される。ターゲット１の材料には、錫Ｓｎ、リチウムＬｉ、キセノンＸｅなどが用いられる。
【００１１】
レーザ発振器としてのドライバレーザ装置４では、レーザ光Ｌがパルス発振されて、レーザ光Ｌが出射される。レーザには、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザなどが用いられる。
【００１２】
レーザ光Ｌはレーザ集光系を介して、ＥＵＶ光発生点Ａに集光される。レーザ光Ｌは、ターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに位置するタイミングでターゲット１に照射される。ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されることによってターゲット１がプラズマ状態に励起されＥＵＶ光が発生する。
【００１３】
発生したＥＵＶ光はプラズマを中心に全方位に発散する。集光ミラー３は、プラズマを取り囲むように配置されている。全方位に発散するＥＵＶ光は、集光ミラー３により集光され、集光したＥＵＶ光を反射する。集光ミラー３は、所望する波長１３．５ｎｍを選択的に反射する。集光ミラー３で反射されたＥＵＶ光（出力ＥＵＶ光）は、露光装置に伝播される。
【００１４】
ターゲット１の一部は、プラズマ発生時の衝撃波等により分裂、飛散し、デブリとなる。デブリは、高速イオン、プラズマにならなかったターゲット１の残滓を含む。
【００１５】
飛散したデブリは、真空チャンバ２内の集光ミラー３を含む光学素子、つまり集光ミラー３、レーザ集光用レンズ、ミラー、レーザ光入射ウインドウ、ＳＰＦ（Ｓｐｅｃｔｒｕｍ  Ｐｕｒｉｔｙ  Ｆｉｌｔｅｒ）、光学式センサの入射窓などに表面に付着する。このため光学素子の反射率、透過率が減少してＥＵＶ光出力が低下したり、光学式センサの感度が低下するという問題が発生する。
【００１６】
そこで、この問題を解決するために、下記特許文献１では、プラズマから放出されるイオンを磁場によって閉じ込め、真空チャンバ２外に排出するようにしている。たとえば、ターゲット励起用のドライバレーザ装置４として、ＣＯ２レーザを使用し、ターゲット１として、錫Ｓｎの金属ターゲットを励起した場合には、錫Ｓｎの多くは、励起した多価のプラスＳｎイオンと電子とが分離したプラズマ状態になる。このターゲットプラズマを含む周囲に磁場をかけると、プラスＳｎイオンは磁場に拘束され、磁力線に沿った方向にしから移動できなくなる。よって、磁場にプラスＳｎイオンを拘束させ、磁力線に沿って、集光ミラー３等の光学素子を回避する方向に移動させることで、Ｓｎイオンが集光ミラー３等の光学素子に付着することを防ぎ、Ｓｎイオンを効率的に真空チャンバ２外に排出させることができる。
【００１７】
しかしながら、発生した多価のプラスＳｎイオンは電子と再結合しやすい。このため一部の再結合したＳｎイオンは中性化し、磁場の拘束を受けることなく中性のデブリとして集光ミラー３等の光学素子に付着することがあった。また、ターゲット励起用のドライバレーザ装置４によって全てのターゲット１をイオン化させることは難しく、一部のターゲット１は中性の粒子として磁場の拘束を受けることなく集光ミラー３等の光学素子に付着することがあった。
【００１８】
そこで、下記特許文献２では、集光ミラー３に付着したデブリを反応性ガス等によって除去するようにしている。
【特許文献１】特公表２００５−５２９０５２号公報
【特許文献２】特公表２００６−５２９０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
真空チャンバ２内の光学素子のうち、集光ミラー３に最もデブリが付着し易く、クリーニングをする必要性が大きい。
【００２０】
集光ミラー３に付着したイオンは、原理的には、特許文献２にみられるように、反応性ガス等によってクリーニングを施すことで除去することができる。そして、クリーニング後は、集光ミラー３の反射率が回復し継続して使用することができる。
【００２１】
しかしながら、集光ミラー３をクリーニング処理中は、集光ミラー３を真空チャンバ２から隔離する必要があり、クリーニング処理中は、集光ミラー３を用いてＥＵＶ光を集光することができない。また、集光ミラー３が寿命に達し、クリーニング処理では対処しきれない場合には、集光ミラー３を新しい集光ミラーに交換する必要がある。集光ミラー交換処理中は、集光ミラー３を用いてＥＵＶ光を集光することができない。このためクリーニング処理時、集光ミラー交換時に、ＥＵＶ光発生装置で多大なダウンタイムが発生する。
【００２２】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、集光ミラーをクリーニングすることに伴うＥＵＶ光発生装置のダウンタイムの低減を図ることを解決課題とするものである。また、本発明は、集光ミラーを交換することに伴うＥＵＶ光発生装置のダウンタイムの低減を図ることを解決課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
第１発明は、
ターゲットをプラズマ状態にし、発生したＥＵＶ光を集光ミラーで集光するようにしたＥＵＶ光発生装置に適用され、集光ミラーに付着した汚染物質をクリーニングする方法であって、
集光ミラーが少なくとも２つ用意され、
一方の集光ミラーを、ＥＵＶ光集光位置に位置させている間に、他の集光ミラーをクリーニング位置に位置させ、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことを判定するとともに、ＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることを判定し、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、クリーニング位置に位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送すること
を特徴とする。
【００２４】
第２発明は、第１発明において、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーが寿命に達したことを判定し、
寿命に達したと判定された集光ミラーを新しい集光ミラーと交換し、
集光ミラーの交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送すること
を特徴とする。
【００２５】
第３発明は、
ターゲットをプラズマ状態にし、発生したＥＵＶ光を集光ミラーで集光するようにしたＥＵＶ光発生装置に適用され、集光ミラーに付着した汚染物質をクリーニングするＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング装置であって、
少なくとも２つの集光ミラーと、
集光ミラーをクリーニングするための少なくとも１つのクリーニングチャンバと、
クリーニングチャンバとＥＵＶ光集光位置との間で集光ミラーを搬送する搬送手段と、
クリーニングチャンバ内で集光ミラーのクリーニングが終了したことを判定するクリーニング終了判定手段と、
ＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることを判定するクリーニング必要判定手段と、
クリーニングチャンバ内の集光ミラーのクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニングチャンバまで搬送するとともに、クリーニングチャンバに位置され、クリーニングが終了した集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送するように、搬送手段を制御する制御手段と
が備えられていること
を特徴とする。
【００２６】
第４発明は、第３発明において、
クリーニング位置に位置されている集光ミラーが寿命に達したことを判定する寿命判定手段と、
寿命に達したと判定された集光ミラーを新しい集光ミラーと交換し、
制御手段は、
集光ミラーの交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置に位置されている集光ミラーがクリーニングを必要とすることが判定された時点で、
ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、クリーニング位置まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラーをＥＵＶ光集光位置まで搬送すること
を特徴とする。
【００２７】
第５発明は、第３発明において、
クリーニングチャンバは、少なくとも２つの集光ミラーそれぞれに対応して設けられ、
搬送手段は、少なくとも２つの集光ミラーそれぞれに対応して設けられ、
制御手段は、ＥＵＶ光集光位置に位置され、クリーニングを必要とする集光ミラーを、対応する搬送手段を作動させてクリーニングチャンバまで搬送するとともに、クリーニングチャンバに位置され、クリーニングが終了した集光ミラーを、対応する搬送手段を作動させてＥＵＶ光集光位置まで搬送すること
を特徴とする。
【００２８】
第６発明は、第３発明において、
集光ミラーのクリーニングは、集光ミラーに付着した汚染物質と反応する反応性ガスを集光ミラーに供給することにより行われること
を特徴とする。
【００２９】
第７発明は、第６発明において、
反応性ガスは、Ｈ2、Ａｒ、Ｎ2、Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩのいずれかのガスまたはこれらの混合ガスであること
を特徴とする。
【００３０】
第８発明は、第６発明において、
反応性ガスと集光ミラーに付着した汚染物質との反応を促進させる反応促進手段が更に設けられること
を特徴とする。
【００３１】
第９発明は、第８発明において、
反応促進手段は、集光ミラーまたは／および反応性ガスを加熱することにより、または／および反応性ガスをプラズマにすることにより、反応性ガスと集光ミラーに付着した汚染物質との反応を促進させるものであること
を特徴とする。
【００３２】
第１０発明は、第３発明において、
クリーニングチャンバには、ＥＵＶ光が発生するＥＵＶチャンバと連通させるか、またはＥＵＶチャンバとの連通を遮断させるためのゲートバルブが設けられていること
を特徴とする。
【００３３】
第１１発明は、第３発明において、
クリーニングチャンバは、差動排気装置によって差動排気されることによって大気に連通していること
を特徴とする。
【００３４】
第１２発明は、第４発明において、
クリーニングチャンバは、ロードロック室に連通していること
を特徴とする。
【００３５】
第１３発明は、第３発明において、
搬送手段は、少なくとも２つの集光ミラーが同一回転面上に配置された回転体と、この回転体を回転させるための回転軸を含んで構成されており、
制御手段は、回転軸を回転させて同一回転面上の各集光ミラーをそれぞれクリーニングチャンバ、ＥＵＶ光集光位置に位置決めすること
を特徴とする。
【００３６】
第１４発明は、第３発明において、
搬送手段は、２つの集光ミラーがそれぞれ各表面、裏面に配置された回転板と、この回転板を表面、裏面が互いに反転するように回転させる回転軸を含んで構成されており、
制御手段は、回転軸を回転させて回転板の表面上の集光ミラー、裏面上の集光ミラーをそれぞれクリーニングチャンバ、ＥＵＶ光集光位置に位置決めすること
を特徴とする。
【００３７】
第１５発明は、第５発明において、
搬送手段は、ＥＵＶ光集光位置とクリーニングチャンバとの間で集光ミラーを直線状に往復移動させる直線導入機であること
を特徴とする。
【００３８】
第１６発明は、第５発明において、
搬送手段は、ＥＵＶ光集光位置とクリーニングチャンバとの間で集光ミラーを搬送する搬送ロボットであること
を特徴とする。
【００３９】
第１７発明は、第５発明において、
搬送手段は、集光ミラーをステージ上に載せてＥＵＶ光集光位置とクリーニングチャンバとの間を往復移動させる移動ステージであること
を特徴とする。
【００４０】
第１８発明は、第５発明において、
搬送手段は、ワイヤを用いて集光ミラーをＥＵＶ光集光位置とクリーニングチャンバとの間を往復移動させるものであること
を特徴とする。
【００４１】
第１９発明は、第３発明において、
クリーニング終了判定手段、クリーニング必要判定手段は、水晶発振子マイクロバランス測定法または／および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または／および集光ミラーの反射率を計測することにより、または／および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または／およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラーのクリーニングが終了否かの判定、集光ミラーのクリーニングが必要か否かの判定を行うものであること
を特徴とする。
【００４２】
第２０発明は、第４発明において、
寿命判定手段は、水晶発振子マイクロバランス測定法または／および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または／および集光ミラーの反射率を計測することにより、または／および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または／およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラーが寿命に達したか否かの判定を行うものであること
を特徴とする。
【００４３】
第１発明によれば、図２に示すように、クリーニング位置Ｃ２に位置されている集光ミラー３-２のクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-１がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、クリーニング位置Ｃ１まで搬送するとともに、クリーニング位置Ｃ２に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するようにしている。このため、一方の集光ミラー３-２のクリーニング処理中に他方の集光ミラー３-１を用いてＥＵＶ光を集光させることができ、ＥＵＶ光の集光に使用していた集光ミラー３-１でクリーニングが必要なときに、即座に、その集光ミラー３-１をクリーニングすることができるとともに、即座にクリーニングが終了した他の集光ミラー３-２をＥＵＶ光の集光のために使用することができる。このため集光ミラー３をクリーニングすることに伴うＥＵＶ光発生装置のダウンタイムの低減を図ることができる。
【００４４】
第２発明によれば、クリーニング位置Ｃ２に位置されている集光ミラー３-２が寿命に達したことが判定され、寿命に達したと判定された集光ミラー３-２が新しい集光ミラー３-２と交換される。集光ミラー３-２の交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-１がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、クリーニング位置Ｃ１まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するようにしている。このため、一方の集光ミラー３-２の交換作業中に他方の集光ミラー３-１を用いてＥＵＶ光を集光させることができ、ＥＵＶ光の集光に使用していた集光ミラー３-１でクリーニングが必要なときに、即座に、その集光ミラー３-１をクリーニングすることができるとともに、即座に交換を終えた他の集光ミラー３-２をＥＵＶ光の集光のために使用することができる。このため集光ミラー３を交換することに伴うＥＵＶ光発生装置のダウンタイムの低減を図ることができる。
【００４５】
第３発明は、第１発明の方法の発明に対応する装置の発明である。
【００４６】
第４発明は、第２発明の方法の発明に対応する装置の発明である。
【００４７】
第５発明では、図２に示すように、クリーニングチャンバ２１、２２が、少なくとも２つの集光ミラー３-１、３-２それぞれに対応して設けられている。また、搬送手段３１、３２が、少なくとも２つの集光ミラー３-１、３-２それぞれに対応して設けられている。
【００４８】
そこで、制御手段５０は、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、対応する搬送手段３１を作動させてクリーニングチャンバ２１まで搬送するとともに、クリーニングチャンバ２２に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-２を、対応する搬送手段３２を作動させてＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送する。
【００４９】
第６発明では、集光ミラー３のクリーニングは、集光ミラー３に付着した汚染物質と反応する反応性ガスＧを集光ミラー３に供給することにより行われる。
【００５０】
第７発明では、反応性ガスＧとして、Ｈ2、Ａｒ、Ｎ2、Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩのいずれかのガスまたはこれらの混合ガスが用いられる。
【００５１】
第８発明では、反応促進手段によって、反応性ガスＧと集光ミラー３に付着した汚染物質との反応が促進される。これにより集光ミラー３のクリーニング時間の短縮が図られる。
【００５２】
第９発明では、反応促進手段は、集光ミラー３または／および反応性ガスＧを加熱することにより、または／および反応性ガスＧをプラズマにすることにより、反応性ガスＧと集光ミラー３に付着した汚染物質との反応を促進する。これにより集光ミラー３のクリーニング時間の短縮が図られる。
【００５３】
第１０発明では、図２に示すように、クリーニングチャンバ２１、２２には、ＥＵＶ光が発生するＥＵＶチャンバ２と連通させるか、またはＥＵＶチャンバ２との連通を遮断させるためのゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２が設けられている。よって、ゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２により連通が遮断されることにより、集光ミラー３のクリーニング処理中およびＥＵＶ光生成中に、クリーニングチャンバ２１、２２内の雰囲気とＥＵＶチャンバ２内の雰囲気とが隔離され、集光ミラー３のクリーニング処理およびＥＵＶ光の生成を良好に行うことができるとともに、ゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２により連通されることにより、集光ミラー３を所望する搬送位置まで搬送させることができる。
【００５４】
第１１発明では、クリーニングチャンバ２１、２２は、差動排気装置によって差動排気されることによって大気に連通される。
【００５５】
第１２発明では、図６に示すように、クリーニングチャンバ２１、２２は、ロードロック室４１、４２を介して大気に連通されている。よって、ロードロック室４１、４２にて集光ミラー３の交換を行うことができ、それにより集光ミラー交換の際にクリーニングチャンバ２１、２２内に大気に混入することを抑制できる。
【００５６】
第１３発明では、図７に示すように、搬送手段３０は、少なくとも２つの集光ミラー３-１、３-２が同一回転面３５Ａ上に配置された回転体３５と、この回転体３５を回転させるための回転軸３５Ｂを含んで構成されている。制御手段５０は、回転軸３５Ｂを回転させて同一回転面３５Ａ上の各集光ミラー３-１、３-２をクリーニングチャンバ２０、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置決めする。第１３発明によれば、搬送手段３０を１つで構成することができるとともに、クリーニングチャンバ２０を１つで構成することができる。
【００５７】
第１４発明では、図８に示すように、搬送手段３０は、２つの集光ミラー３-１、３-２がそれぞれ各表面３６Ａ、裏面３６Ｂに配置された回転板３６と、この回転板３６を表面３６Ａ、裏面３６Ｂが互いに反転するように回転させる回転軸３６Ｃを含んで構成されている。制御手段５０は、回転軸３６Ｃを回転させて回転板３６の表面３６Ａ上の集光ミラー３-１、裏面３６Ｂ上の集光ミラー３-２をクリーニングチャンバ２０、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置決めする。第１４発明によれば、搬送手段３０を１つで構成することができるとともに、クリーニングチャンバ２０を１つで構成することができる。
【００５８】
第１５発明では、図２に示すように、搬送手段３０としての直線導入機３１によって、集光ミラー３−１がＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２１との間で直線状に往復移動されるとともに、搬送手段３０としての直線導入機３２によって、集光ミラー３−２がＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２２との間で直線状に往復移動される。
【００５９】
第１６発明では、図６に示すように、搬送手段３０としての搬送ロボット３３によって、集光ミラー３−１がＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２１との間で搬送されるとともに、搬送手段３０としての搬送ロボット３４によって、集光ミラー３−２がＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２２との間で搬送される。
【００６０】
第１７発明では、搬送手段３０は、移動ステージで構成され、集光ミラー３が移動ステージ上に載せられてＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２０との間を往復移動される。
【００６１】
第１８発明では、搬送手段３０は、ワイヤで構成され、ワイヤを用いて集光ミラー３０がＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２０との間を往復移動される。
【００６２】
第１９発明では、クリーニング終了判定手段５１は、水晶発振子マイクロバランス測定法または／および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または／および集光ミラーの反射率を計測することにより、または／および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または／およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラー３のクリーニングが終了否かの判定を行う。
【００６３】
第２０発明では、寿命判定手段５３は、水晶発振子マイクロバランス測定法または／および分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、または／および集光ミラーの反射率を計測することにより、または／および汚染物質と反応性ガスの濃度を計測することにより、または／およびクリーニングに要した時間を計測することにより、集光ミラー３が寿命に達したか否かの判定を行う。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６４】
以下、図面を参照して本発明に係るＥＵＶ光発生装置における集光ミラーのクリーニング方法および装置の実施の形態について説明する。
【００６５】
（第１実施例）
図２は、第１実施例の装置構成を示している。
【００６６】
図２に示すＥＵＶ光発生装置１００は、図１に示す装置と同様に、ＥＵＶ光発生点Ａに位置するターゲット１をプラズマ状態にしてＥＵＶ光を発生させて、外部に出力する装置である。なお、以下では、集光ミラー３は、ＥＵＶ光発生装置１００に２つ設けられているものとし、それぞれ「３−１」、「３−２」と符号を付け、区別するものとする。なお、２つの集光ミラー３−１、３−２を区別せず、総称するときは、集光ミラー３とする。クリーニングチャンバ２０についても同様に、クリーニングチャンバ２１、２２とし、両者を区別するものとする。搬送手段３０についても同様に、搬送手段３１、３２とし、両者を区別するものとする。
【００６７】
このＥＵＶ光発生装置１００は、露光装置１１０の光源として用いられるＬＰＰ方式によるＥＵＶ光発生装置である。
【００６８】
すなわち、ＥＵＶ光発生装置１００の真空チャンバ２の内部にはＥＵＶ光を集光する集光ミラー３が設けられている。集光ミラー３で集光されたＥＵＶ光は、図１に示す装置と同様に真空チャンバ２外の露光装置１１０に伝送される。なお、露光装置１１０では、ＥＵＶ光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。
【００６９】
真空チャンバ２の内部は、真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。真空チャンバ２内の気体は、図示しない排気装置によって外部に排気される。ＥＵＶ光が発生する空間を真空状態にしているのは、ＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。
【００７０】
ＥＵＶ光発生源となるターゲット１は、ドロップレット（液滴）１Ａとなって、真空チャンバ２内の所定のＥＵＶ光発生点Ａ、つまりレーザ光Ｌの集光点に供給される。ターゲット供給装置６は、ドロップレット１ＡをＥＵＶ光発生点Ａに向けて射出し、真下に滴下する。
【００７１】
ドロップレット１Ａの材料は、たとえば錫Ｓｎである。ターゲット供給装置６は、固体の錫Ｓｎを加熱溶解し、固体あるいは液滴のドロップレット１ＡとしてＥＵＶ光発生点Ａに供給する。
【００７２】
レーザ発振器としてのドライバレーザ装置４では、レーザ光Ｌがパルス発振されて、レーザ光Ｌが出射される。レーザは、たとえばＣＯ２レーザである。なお、他のレーザ、たとえばＮｄ：ＹＡＧレーザを使用する実施も可能である。たとえばドライバレーザ装置４は、ターゲット１の励起のために高出力のＣＯ２パルスレーザ（たとえば出力２０ｋＷ、パルス繰返し周波数１００ｋＨｚ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）光Ｌを発振、出力する。
【００７３】
レーザ光Ｌは、真空チャンバ２のウインドウ２Ａ、集光レンズ等で構成されたレーザ集光系９を介して、ＥＵＶ光発生点Ａに集光される。レーザ光Ｌは、ドロップレット１Ａ中のターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに位置するタイミングでターゲット１に照射される。ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されることによってターゲット１がプラズマ状態に励起されＥＵＶ光（中心波長１３．５ｎｍ）が発生する。
【００７４】
発生したＥＵＶ光はプラズマを中心に全方位に発散する。ただし、ＥＵＶ光の放射強度分布は、レーザ光入射方向に依存し、レーザ光入射方向に対向する方向に比較的強いＥＵＶ光が放射される。
【００７５】
集光ミラー３は、プラズマを取り囲むように配置されている。集光ミラー３は、レーザ光入射方向に対向して配置されている。集光ミラー３の集光面３Ａは、楕円面形状に形成されている。このため全方位には発散するが、レーザ光入射方向に対向する方向に比較的強く放射されるＥＵＶ光は、集光ミラー３により効率的に捕集され、集光したＥＵＶ光を反射する。集光ミラー３は、所望する波長１３．５ｎｍを選択的に反射する。集光ミラー３には、１３．５ｎｍ付近に高い反射率を持つコーティング（たとえばＭｏ／Ｓｉ膜）が施されている。集光ミラー３で反射されたＥＵＶ光（出力ＥＵＶ光）は、中間集光点ＩＦを介して露光装置１１０に伝播される。なお、図示しないが、ＥＵＶ露光に不要な中心波長１３．５ｎｍ以外の波長の光をカットするＳＰＦ（Ｓｐｅｃｔｒｕｍ  Ｐｕｒｉｔｙ  Ｆｉｌｔｅｒ）を中間集光点ＩＦの前後に設けてもよい。
【００７６】
また、真空チャンバ２と露光装置１１０との間には、ゲートバルブＧＶ１００が設けられている。ＥＵＶ光発生時には、ゲートバルブＧＶ１００が開かれ、真空チャンバ２と露光装置１１０とが連通する。ＥＵＶ光発生装置１００、露光装置１１０のメンテナンス時には、ゲートバルブＧＶ１００が閉じられ、真空チャンバ２と露光装置１１０との連通が遮断され、両者が分離される。
【００７７】
ターゲット１は、レーザ光Ｌによって励起され、一部がプラズマになる。プラズマは、電子、多価のプラスＳｎイオンＳｎ＋、ＳｎのラジカルＳｎ＊からなる。
【００７８】
磁力線発生装置７は、磁力線をレーザ光Ｌの入射方向に対して垂直な方向に発生させる。
【００７９】
ここで、真空チャンバ２内の光学素子、つまり集光ミラー３やウインドウ２Ａ、ＳＰＦ、光学式センサの入射窓などは、磁力線に対して直交する方向に沿って配置されている。
【００８０】
磁力線発生装置７は、たとえば超伝導磁石を含んで構成されており、超伝導磁石により、例えば０．０１〜１Ｔ程度の磁場を発生させて磁力線を生成する。
【００８１】
プラズマからは多価のプラスＳｎイオンＳｎ＋が放出される。荷電粒子であるＳｎ＋は、磁場によってローレンツ力Ｆ（＝ｑｖ×Ｂ；ただしｑはＳｎ＋の電荷、ｖはＳｎ＋の速度、Ｂは磁場における磁束密度である）を受ける。これによりＳｎ＋は、磁力線に巻き付き、所定のラーマ半径をもって旋回しつつ磁力線の方向に沿って移動する。かかる磁場によるＳｎ＋の閉じ込めによって、Ｓｎ＋は、磁力線に直交に配置された集光ミラー３やウインドウ２Ａ、ＳＰＦ、光学式センサの入射窓などの真空チャンバ２内の光学素子表面に付着することが抑制される。しかし、Ｓｎ＋は、電子と再結合しやすい。このため一部の電子と再結合したＳｎ＋は、電気的に中性化し、磁場による拘束を受けることなく、中性のＳｎデブリとして、上記光学素子、特に集光ミラー３に付着することがある。
【００８２】
また、ターゲット励起用のレーザ光Ｌによってターゲット１の全てをイオン化させることは難しい。ターゲット１の一部は、電気的に中性の粒子として磁場による拘束を受けることなく、上記光学素子、特に集光ミラー３に付着することがある。
【００８３】
また、プラズマから放出されるＳｎのラジカルＳｎ＊も電気的に中性であるため、磁場による拘束を受けることなく、上記光学素子、特に集光ミラー３に付着することがある。
【００８４】
そこで、本実施例では、集光ミラー３を、２つ設け（集光ミラー３-１、３-２）、クリーニングチャンバ２１、２２を、２つの集光ミラー３-１、３-２それぞれに対応して設け、搬送手段３１、３２を、２つの集光ミラー３-１、３-２それぞれに対応して設け、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、対応する直線導入機３１を作動させてクリーニングチャンバ２１まで搬送するとともに、クリーニングチャンバ２２に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-２を、対応する直線導入機３２を作動させてＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するようにしている。
【００８５】
本第１実施例では、搬送手段３１、３２として、各集光ミラー３-１、３-２それぞれに対応して直線導入機３１、３２が設けられる。直線導入機３１によって、集光ミラー３−１がＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２１との間で直線状に往復移動されるとともに、直線導入機３２によって、集光ミラー３−２がＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２２との間で直線状に往復移動される。
【００８６】
すなわち、レーザ光Ｌの入射方向と垂直な方向に、直線状に往復移動自在に直線導入機３１、３２が設けられている。直線導入機３１の先端には集光ミラー３-１が接続されており、直線導入機３２の先端には集光ミラー３-２が接続されている。
【００８７】
直線導入機３１は、集光ミラー３−１を、ＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２１内のクリーニング位置Ｃ１との間で直線状に往復移動させる。
【００８８】
同様に、直線導入機３２は、集光ミラー３−２を、ＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２２内のクリーニング位置Ｃ２との間で直線状に往復移動させる。
【００８９】
ここで、ＥＵＶ光集光位置Ｍとは、ＥＵＶ光を集光し反射ＥＵＶ光（出力ＥＵＶ光）を、中間集光点ＩＦを介して露光装置１１０に伝播させることができる集光ミラー３の位置のことである。
【００９０】
また、クリーニング位置Ｃ１とは、集光ミラー３−１をクリーニングチャンバ２１内でクリーニングすることができる位置のことである。同様にクリーニング位置Ｃ２とは、集光ミラー３−２をクリーニングチャンバ２２内でクリーニングすることができる位置のことである。
【００９１】
クリーニングチャンバ２１には、真空チャンバ２と連通させるか、または真空チャンバ２との連通を遮断させるためのゲートバルブＧＶ１が設けられている。ゲートバルブＧＶ１が閉じられると、クリーニングチャンバ２１と真空チャンバ２との連通が遮断され、集光ミラー３-１のクリーニング処理中およびＥＵＶ光発生中に、クリーニングチャンバ２１内の雰囲気と真空チャンバ２内の雰囲気とが隔離され、集光ミラー３-１のクリーニング処理およびＥＵＶ光の発生を良好に行うことができる。また、ゲートバルブＧＶ１が開かれると、クリーニングチャンバ２１は、真空チャンバ２と連通し、集光ミラー３-１を所望する搬送位置まで搬送させることができる。
【００９２】
同様に、クリーニングチャンバ２２には、真空チャンバ２と連通させるか、または真空チャンバ２との連通を遮断させるためのゲートバルブＧＶ２が設けられている。ゲートバルブＧＶ２が閉じられると、クリーニングチャンバ２２と真空チャンバ２との連通が遮断され、集光ミラー３-２のクリーニング処理中およびＥＵＶ光発生中に、クリーニングチャンバ２２内の雰囲気とＥＵＶチャンバ２内の雰囲気とが隔離され、集光ミラー３-２のクリーニング処理およびＥＵＶ光の発生を良好に行うことができる。また、ゲートバルブＧＶ２が開かれると、クリーニングチャンバ２２は、真空チャンバ２と連通し、集光ミラー３-２を所望する搬送位置まで搬送させることができる。
【００９３】
集光ミラー３のクリーニングは、集光ミラー３に付着したデブリ等の汚染物質と反応する反応性ガスＧを集光ミラー３の表面に供給することにより行われる。反応性ガスＧは、クリーニングチャンバ２１、２２のガス供給口２１ＩＮ、２２ＩＮからそれぞれ供給され、クリーニングチャンバ２１、２２のガス排出口２１ＯＵＴ、２２ＯＵＴからそれぞれ排出される。
【００９４】
反応性ガスＧとしては、Ｈ2、Ａｒ、Ｎ2、Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩのいずれかのガスまたはこれらの混合ガスが用いられる。
【００９５】
反応性ガスＧとデブリなどの汚染物質が反応し、反応生成物がガス排気口２１ＯＵＴ、２２ＯＵＴから排出される。特に、Ｈ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、ＨＣｌ、ＨＢｒは、Ｓｎデブリと反応して、ＳｎＨ4、ＳｎＣｌ4、ＳｎＢｒ4などの蒸気圧が低く真空チャンバ２中でガス化する反応生成物を生じる。よって、これらガス化した反応生成物を容易に真空ポンプなどを用いてガス排気口２１ＯＵＴ、２２ＯＵＴから排出することができる。
【００９６】
なお、反応促進手段を設けてもよい。反応促進手段によって、反応性ガスＧと集光ミラー３に付着した汚染物質との反応速度が上がり反応が促進される。これにより集光ミラー３のクリーニング時間の短縮が図られる。反応促進手段としては、集光ミラー３加熱することにより、反応性ガスＧと集光ミラー３に付着した汚染物質との反応を促進する手段が考えられる。また、反応性ガスＧを加熱することにより、反応性ガスＧと集光ミラー３に付着した汚染物質との反応を促進する手段が考えられる。また、反応性ガスＧをプラズマにすることにより、反応性ガスＧと集光ミラー３に付着した汚染物質との反応を促進する手段が考えられる。また、これら各手段を適宜組み合わせて実施してもよい。
【００９７】
また、クリーニングチャンバ２１、２２を、差動排気装置によって差動排気させることによって大気に連通させてもよい。
【００９８】
直線導入機３１、３２は、制御手段としてのコントローラ５０によって制御される。
【００９９】
コントローラ５０は、クリーニング終了判定部５１、クリーニング必要判定部５２、寿命判定部５３、搬送制御部５４を備えている。
【０１００】
クリーニング終了判定部５１は、クリーニングチャンバ２１、２２内で集光ミラー３のクリーニングが終了したことを判定する。
【０１０１】
クリーニング必要判定部５２は、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３がクリーニングを必要とすることを判定する。
【０１０２】
寿命判定部５３は、クリーニングチャンバ２１、２２に位置されている集光ミラー３が寿命に達したことを判定する。
【０１０３】
クリーニング必要判定部５２は、水晶発振子マイクロバランス測定法を用いて集光ミラー３の膜厚を計測することにより、判定を行うことができる。また、分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、判定を行うことができる。また、集光ミラー３の反射率を計測することにより、判定を行うことができる。
【０１０４】
クリーニング終了判定部５１、寿命判定部５３は、水晶発振子マイクロバランス測定法を用いて集光ミラー３の膜厚を計測することにより、各判定を行うことができる。また、分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラーの膜厚を計測することにより、各判定を行うことができる。また、集光ミラー３の反射率を計測することにより、各判定を行うことができる。また、汚染物質と反応性ガスＧの濃度を計測することにより、各判定を行うことができる。また、クリーニングに要した時間を計測することにより、各判定を行うことができる。
【０１０５】
搬送制御部５４は、クリーニングチャンバ２１内の集光ミラー３-１のクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-２がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-２を、クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２まで搬送するとともに、クリーニングチャンバ２１のクリーニング位置Ｃ１に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-１をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するように、直線導入機３１、３２を制御する。更に同様にして、クリーニングチャンバ２２内の集光ミラー３-２のクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-１がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、クリーニングチャンバ２１のクリーニング位置Ｃ１まで搬送するとともに、クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するように、直線導入機３１、３２を制御する。
【０１０６】
また、搬送制御部５４は、集光ミラー３-１の交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-２がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-２を、クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラー３-１をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するように、直線導入機３１、３２を制御する。更に同様にして、搬送制御部５４は、集光ミラー３-２の交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-１がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、クリーニングチャンバ２１のクリーニング位置Ｃ１まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するように、直線導入機３１、３２を制御する。
【０１０７】
集光ミラー３は、ミラーアライメントステージ８の正しい位置に設置されて、ＥＵＶ光を高効率に集光する。図３は、集光ミラー３をミラーアライメントステージ８上に高い位置決め精度をもって設置させるための位置決め機構６０を示している。
【０１０８】
図３（ａ）は、台形状のオス部材とメス部材の面接触ですり合わせるアリ溝構造の位置決め機構６０を示している。すなわち、ミラーアライメントステージ８上には、断面台形状のメス穴８ａが形成されている。一方、固定部材６１には、メス穴８ａに応じた台形状のオス部材６１ａが形成されており、メス穴８ａに嵌装されている。固定部材６１およびミラーアライメントステージ８には、集光ミラー３の冷却を行うための冷却水通路６２が形成されている。
【０１０９】
集光ミラー３−１、３−２が直線導入機３１、３２によってＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送されると、その背面３Ｂが固定部材６１に接触する。この結果、集光ミラー３−１、３−２がミラーアライメントステージ８上に高い位置決め精度をもって設置される。
【０１１０】
また、集光ミラー３がＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されているとき、冷却水通路６２に冷却水が流れる。このため集光ミラー３が冷却されＥＵＶ光の発光効率が向上する。なお、かかる冷却水による冷却装置以外の熱交換装置を設けて、集光ミラー３を冷却してもよい。また、熱交換装置を集光ミラー３の冷却のためだけではなくて、反応性ガスＧと集光ミラー３に付着した汚染物質との反応を促進するために使用してもよい。すなわち、集光ミラー３を加熱することにより、反応性ガスＧと集光ミラー３に付着した汚染物質との反応が促進され、クリーニング時間を短縮することができる。
【０１１１】
図３（ａ）では、アリ溝構造の位置決め機構６０を例示したが、他の任意の構造で位置決めを行ってもよい。
【０１１２】
図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるオス部材６１ａ、メス穴８ａの代わりに、固定部材６１に形成されたスチールボール６１ｂと、ミラーアライメントステージ８に形成されたＲ溝８ｂとからなる構造の位置決め機構６０を示している。なお、Ｒ溝の代わりに、Ｖ溝やすり鉢状の穴、それらを混合した構造にしてもよい。
【０１１３】
図３（ｃ）は、図３（ａ）におけるオス部材６１ａ、メス穴８ａの代わりに、固定部材６１に形成された位置決めピン６１ｃと、ミラーアライメントステージ８に形成されたピン穴８ｃとからなる構造の位置決め機構６０を示している。
【０１１４】
なお、集光ミラー３の移動時の位置精度を確保するためにガイドレールを設置する実施も可能である。
【０１１５】
図４は、コントローラ５０で行われる処理の手順を示している。図４（ａ）は、真空チャンバ２のＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３に関する処理を示し、図４（ｂ）は、クリーニングチャンバ２１、２２のクリーニング位置Ｃ１、Ｃ２に位置されている集光ミラー３に関する処理を示している。
【０１１６】
図５は、実施例の制御の流れを説明する図で、集光ミラー３-１、３-２の搬送位置の変化を時系列で示している。以下、これら図を併せ参照して説明する。
【０１１７】
いま、図２に示すごとく、時刻ｔ＝τ0で、真空チャンバ２のＥＵＶ光集光位置Ｍに集光ミラー３−１が位置され、クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２に集光ミラー３−２が位置されているものとする。
【０１１８】
真空チャンバ２内のＥＵＶ光発生点ＡではＥＵＶ光が発生し、発生したＥＵＶ光が集光ミラー３−１で集光され、同集光ミラー３−１で反射されたＥＵＶ光が露光装置１１０に導かれている（ステップ２０１）。
【０１１９】
集光ミラー３−１に関しては、その集光ミラー３−１がクリーニングを必要とするか否かを判定するための計測が行われる。すなわち、つぎのいずれかの計測方法あるいはそれら計測方法を任意に組み合わせて、集光ミラー３−１の膜厚や反射率の計測が行われ、それら膜厚や反射率の計測値に基づいて集光ミラー３−１に付着、堆積したデブリなどの汚染物質の量が計測される。
【０１２０】
ａ）水晶発振子マイクロバランス測定法を用いて集光ミラー３の膜厚を計測する。
【０１２１】
ｂ）分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラー３の膜厚を計測する。
【０１２２】
ｃ）集光ミラー３の反射率を計測する。
【０１２３】
（ステップ２０２）
つぎに、計測した集光ミラー３−１に付着、堆積した汚染物質の量を、所定のしきい値と対比するなどして、集光ミラー３−１がクリーニングを必要としているか否かが判断される。この判断は、コントローラ５０のクリーニング必要判定部５２で行われる（ステップ２０３）。
【０１２４】
この結果、集光ミラー３−１がクリーニングを必要としていると判断された場合には（ステップ２０３の判断ＹＥＳ）、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３（集光ミラー３−１）をクリーニングチャンバ２０のクリーニング位置Ｃ（クリーニングチャンバ２１のクリーニング位置Ｃ１）まで搬送するととともに今現在クリーニングチャンバ２０のクリーニング位置Ｃに位置されている集光ミラー３（クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２に位置されている集光ミラー３−２）をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するための集光ミラー搬送指令を出力する（図５の時刻τ２参照；ステップ２０３）。
【０１２５】
一方、クリーニングチャンバ２２では、クリーニング位置Ｃ２に集光ミラー３−２が位置されており、集光ミラー３−２に付着、堆積されたデブリなどの汚染物質のクリーニングが行われている。
【０１２６】
集光ミラー３-２のクリーニング処理中およびＥＵＶ光発生中には、クリーニングチャンバ２２のゲートバルブＧＶ２が閉じられている。これによりクリーニングチャンバ２２と真空チャンバ２との連通が遮断され、集光ミラー３-２のクリーニング処理中およびＥＵＶ光発生中に、クリーニングチャンバ２２内の雰囲気とＥＵＶチャンバ２内の雰囲気とが隔離され、集光ミラー３-２のクリーニング処理およびＥＵＶ光の発生を良好に行うことができる。
【０１２７】
クリーニングチャンバ２２では、集光ミラー搬送指令が出力されるまでに（図５の時刻τ２までにに）、速やかにクリーニングを終了できるようにすることが望ましい。
【０１２８】
そこで、上述の反応促進手段によって、反応性ガスＧと汚染物質との反応を促進して、クリーニング時間の短縮を図ることが望ましい（ステップ３０１）。
【０１２９】
つぎに、集光ミラー３−２に関しては、その集光ミラー３−２のクリーニングが終了したか否かを判定するための計測が行われる。すなわち、つぎのいずれかの計測方法あるいはそれら計測方法を任意に組み合わせて、集光ミラー３−２の膜厚や反射率などの計測が行われ、それら膜厚や反射率などの計測値に基づいて集光ミラー３−２のクリーニング進行状態が計測される。
【０１３０】
ａ）水晶発振子マイクロバランス測定法を用いて集光ミラー３の膜厚を計測する。
【０１３１】
ｂ）分光エリプソメトリー法を用いて集光ミラー３の膜厚を計測する。
【０１３２】
ｃ）集光ミラー３の反射率を計測する。
【０１３３】
ｄ）汚染物質と反応性ガスＧの濃度を計測する。
【０１３４】
ｅ）クリーニングに要した時間を計測する。
【０１３５】
クリーニング進行状態の計測には、前述の汚染物質の量の計測に使用する装置を使用できる他、半導体エッチング装置などで使われるＦＴＩＲガス分析計やプラズマ発光分析エンドポイントモニタなどを使用することができる（ステップ３０２）
つぎに、計測した集光ミラー３−２のクリーニング進行状態を、所定のしきい値と対比するなどして、集光ミラー３−２のクリーニングが終了したか否かが判断される。この判断は、コントローラ５０のクリーニング終了判定部５１で行われる（ステップ３０３）。
【０１３６】
この結果、集光ミラー３−２のクリーニングが終了していないと判断されている場合には（ステップ３０３の判断ＮＯ）、つぎに、集光ミラー３-２が劣化し集光ミラー３-２が寿命に達したか否かが判断される。すなわち、上述のａ）〜ｄ）のいずれかの計測方法あるいはそれら計測方法を任意に組み合わせて、集光ミラー３−２の膜厚や反射率などの計測が行われ、それら膜厚や反射率などの計測値に基づいて集光ミラー３−２が寿命が計測される。計測した集光ミラー３−２の寿命を、所定のしきい値と対比するなどして、集光ミラー３−２が寿命に達したか否かが判断される。この判断は、コントローラ５０の寿命判定部５３で行われる（ステップ３０４）。
【０１３７】
この結果、集光ミラー３−２が寿命に達したと判断された場合には（ステップ３０４の判断ＹＥＳ）、集光ミラー３-２を新しい集光ミラーと交換する際にクリーニングチャンバ２２内に大気が入り込むことを抑制するために、クリーニングチャンバ２２が不活性ガスによってパージされる（ステップ３０５）。そして、クリーニングチャンバ２２で集光ミラー３-２が新しい集光ミラー３-２に交換される（ステップ３０６）。なお、集光ミラー３-２を新しい集光ミラーと交換する際にクリーニングチャンバ２２内に大気が入り込むことを抑制しているのは、クリーニングチャンバ２２内に大気が入り込むことでクリーニングチャンバ２２の汚染や腐食が進行することを防止するためである。
【０１３８】
集光ミラー交換後、さらにクリーニングチャンバ２２がパージされる。すなわち、集光ミラー３-２の搬送に備えるために、クリーニングチャンバ２２がＡｒやＮ2などの不活性ガスにより数回置換される。その後、クリーニングチャンバ２２が真空チャンバ２内の圧力と同圧程度になるまでクリーニングチャンバ２２からガスが排気される（ステップ３０７）。
【０１３９】
集光ミラー３−２が寿命に達したと判断されていない場合には（ステップ３０４の判断ＮＯ）、ステップ３０１に戻り、クリーニング処理を行う。
【０１４０】
ステップ３０３でクリーニングが終了したと判断された場合（ステップ３０３の判断ＹＥＳ）、または集光ミラー交換後チャンバパージが終了した場合（ステップ３０７）には、つぎのステップ３０８に移行する。
【０１４１】
以上の集光ミラー３-２のクリーニングあるいは交換は、迅速に、集光ミラー搬送指令が出力される時刻τ２よりも早い時期（図５の時刻τ１（＜τ２））までに行われる。
【０１４２】
つぎに、集光ミラー搬送指令が出力されているか否かが判断される（ステップ３０８）。
【０１４３】
この結果、集光ミラー搬送指令が出力されている場合には（ステップ３０８の判断ＹＥＳ）、集光ミラー３-１、３-２を搬送するためにクリーニングチャンバ２１、２２のゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２がそれぞれ開かれる。ゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２の開閉は、コントローラ５０の搬送制御部５４によって制御される（ステップ３０９）。
【０１４４】
以後、コントローラ５０の搬送制御部５４は、直線導入機３１を制御して、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、クリーニングチャンバ２１のクリーニング位置Ｃ１まで搬送する。また、コントローラ５０の搬送制御部５４は、直線導入機３２を制御して、クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送する。集光ミラー３-１、３-２の搬送は、同時に行なわれ、時間の短縮が図られる（図５の時刻τ2〜τ3参照）。
【０１４５】
このようにして、クリーニングチャンバ２２内の集光ミラー３-２のクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-１がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１が、クリーニングチャンバ２１まで搬送されるとともに、クリーニングチャンバ２２に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-２がＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送される。
【０１４６】
また、ステップ３０６で集光ミラー３-２が新しい集光ミラー３-２に交換された場合には、集光ミラー３-２の交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-１がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、コントローラ５０の搬送制御部５４は、直線導入機３１を制御して、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、クリーニングチャンバ２１のクリーニング位置Ｃ１まで搬送する。また、コントローラ５０の搬送制御部５４は、直線導入機３２を制御して、交換を終えた集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送する。集光ミラー３-１、３-２の搬送は、同時に行なわれ、時間の短縮が図られる（ステップ３１０；図５のτ2〜τ3参照）。
【０１４７】
集光ミラー３-１がクリーニングチャンバ２１内に搬入され、集光ミラー３-２がクリーニングチャンバ２２から搬出されると、クリーニングチャンバ２１で集光ミラー３-１のクリーニングを行い、集光ミラー３-２を用いてＥＵＶ光集光を行うために、クリーニングチャンバ２１、２２のゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２がそれぞれ閉じられる（ステップ３１１）。
【０１４８】
集光ミラー３-２がＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されると、位置決め機構６０によって集光ミラー３-２がミラーアライメントステージ８上に高い位置決め精度をもって設置される。そして、集光ミラー３-２の光軸がミラーアライメントステージ８上で調整される（ステップ２０５）。集光ミラー３-２の光軸調整完了後に、ＥＵＶ光の発光が開始され、露光が開始される（ステップ２０１）。以後、上述の「集光ミラー３-１」を「集光ミラー３-２」に互いに置き換えるとともに、「クリーニングチャンバ２１（クリーニング位置Ｃ１）」を「クリーニングチャンバ２２（クリーニング位置Ｃ２）」を互いに置き換えて、同様の処理が行われる（図５の時刻τ3〜τ4〜τ5）。
【０１４９】
以上のように本実施例によれば、クリーニング位置Ｃ２に位置されている集光ミラー３-２のクリーニングを終了したことが判定され、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-１がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、クリーニング位置Ｃ１まで搬送するとともに、クリーニング位置Ｃ２に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するようにしている。このため、一方の集光ミラー３-２のクリーニング処理中に他方の集光ミラー３-１を用いてＥＵＶ光を集光させることができ、ＥＵＶ光の集光に使用していた集光ミラー３-１でクリーニングが必要なときに、即座に、その集光ミラー３-１をクリーニングすることができるとともに、即座にクリーニングが終了した他の集光ミラー３-２をＥＵＶ光の集光のために使用することができる。このため集光ミラー３をクリーニングすることに伴うＥＵＶ光発生装置のダウンタイムの低減を図ることができる。
【０１５０】
また、クリーニング位置Ｃ２に位置されている集光ミラー３-２が寿命に達したことが判定され、寿命に達したと判定された集光ミラー３-２が新しい集光ミラー３-２と交換される。集光ミラー３-２の交換を終え、かつＥＵＶ光集光位置Ｍに位置されている集光ミラー３-１がクリーニングを必要とすることが判定された時点で、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１が、クリーニング位置Ｃ１まで搬送するとともに、交換を終えた集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送するようにしている。このため、一方の集光ミラー３-２の交換作業中に他方の集光ミラー３-１を用いてＥＵＶ光を発生させることができ、ＥＵＶ光の集光に使用していた集光ミラー３-１でクリーニングが必要なときに、即座に、その集光ミラー３-１をクリーニングすることができるとともに、即座に交換を終えた他の集光ミラー３-２をＥＵＶ光の集光のために使用することができる。このため集光ミラー３を交換することに伴うＥＵＶ光発生装置のダウンタイムの低減を図ることができる。
【０１５１】
図６は、搬送手段３０として、図２に示す直線導入機３１、３２の代わりに、搬送ロボット３３、３４が設けられた実施例の装置構成例を示している。
【０１５２】
搬送ロボット３３は、回動自在の基台１３０と、基台１３０上に、伸縮自在に構成された多関節のアーム部１３１とから構成されている。アーム部１３１の先端には、集光ミラー３-１を下から支え、集光ミラー３-１を載置する構造のハンド１３２が設けられている。ハンド１３２としては、下から集光ミラー３-１を支え、載置する構造の他、集光ミラー３-１を把持したり、吸着するなどの任意の構造のものを採用することができる。
【０１５３】
搬送ロボット３４についても、搬送ロボット３３と同様に集光ミラー３-２を搬送できるように構成されている。
【０１５４】
また、クリーニングチャンバ２１、２２はそれぞれ、ロードロック室４１、４２に連通している。クリーニングチャンバ２１とロードロック室４１との間には、開閉自在のゲートバルブＧＶ１３１が設けられているとともに、クリーニングチャンバ２２とロードロック室４２との間には、開閉自在のゲートバルブＧＶ１３２が設けられている。
【０１５５】
ロードロック室４１、４２は、大気に開放されている。ロードロック室４１、４２ではそれぞれ、集光ミラー３-１、３-２が新しい集光ミラーと交換される。
【０１５６】
よっていま、図６に示すごとく、真空チャンバ２のＥＵＶ光集光位置Ｍに集光ミラー３−１が位置され、クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２に集光ミラー３−２が位置されている状態で、集光ミラー３-１のクリーニングの必要があると判定され、かつ集光ミラー３-２のクリーニングが終了したと判定されたとする。
【０１５７】
すると、コントローラ５０の搬送制御部５４は、搬送ロボット３３を制御して、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置され、クリーニングを必要とする集光ミラー３-１を、クリーニングチャンバ２１のクリーニング位置Ｃ１まで搬送する。この際、搬送ロボット３３のハンド１３１が基台１３０上に取り込まれるように縮退され、集光ミラー３-１がＥＵＶ光集光位置Ｍからクリーニングチャンバ２１のクリーニング位置Ｃ１まで移動される。また、コントローラ５０の搬送制御部５４は、搬送ロボット３４を制御して、クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２に位置され、クリーニングが終了した集光ミラー３-２をＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送する。この際、搬送ロボット３４のハンド１３１が基台１３０上に取り込まれた状態から伸長され、集光ミラー３-２がクリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２からＥＵＶ光集光位置Ｍまで移動される。
【０１５８】
集光ミラー３-２が寿命に達し、集光ミラー３-２を新しい集光ミラー３-２と交換する必要があるときには、コントローラ５０の搬送制御部５４は、ゲートバルブＧＶ１３２を開き、クリーニングチャンバ２２とロードロック室４２とを連通させる。そして、搬送ロボット３４を制御して、クリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２に位置されている集光ミラー３-２を、ロードロック室４２内に搬送する。この際、搬送ロボット３４のハンド１３１が基台１３０上に取り込まれた状態から、ＥＵＶ光集光位置Ｍとは逆方向のロードロック室４２側に伸長され、集光ミラー３-２がクリーニングチャンバ２２のクリーニング位置Ｃ２からロードロック室４２内まで移動される。その後、搬送ロボット３４のハンド１３１が基台１３０上に取り込まれるように縮退され、ハンド１３１と集光ミラー３-２が切り離される。つぎにゲートバルブＧＶ１３２が閉じられ、クリーニングチャンバ２２とロードロック室４２との連通が遮断される。そして、ロードロック室４２で集光ミラー３-２が新しい集光ミラー３-２に交換される。集光ミラー交換後、再度ゲートバルブＧＶ１３２が開かれ、クリーニングチャンバ２２とロードロック室４２とが連通される。そして、搬送ロボット３４を制御して、ロードロック室４２に位置されている集光ミラー３-２を、ＥＵＶ光集光位置Ｍまで搬送する。この際、搬送ロボット３４のハンド１３１は、ロードロック室４２とは逆方向のＥＵＶ光集光位置Ｍに伸長され、集光ミラー３-２がロードロック室４２からＥＵＶ光集光位置Ｍまで移動される。
【０１５９】
以後、上述の「集光ミラー３-１」を「集光ミラー３-２」に互いに置き換えるとともに、「クリーニングチャンバ２１（クリーニング位置Ｃ１）」を「クリーニングチャンバ２２（クリーニング位置Ｃ２）」を互いに置き換えて、同様の処理が行われる。
【０１６０】
図６に示す実施例では、クリーニングチャンバ２１、２２とは完全に隔離されたロードロック室４１、４２にて集光ミラー３-１、３-２が新しい集光ミラーに交換される。このため集光ミラー交換時にクリーニングチャンバ２１、２２内に大気が入り込むことが極めて有効に抑制される。このためクリーニングチャンバ２１、２２内に大気が入り込むことでクリーニングチャンバ２１、２２の汚染や腐食が進行することを極めて効果的に防止できる。
【０１６１】
上述した各実施例では、集光ミラー３が２つ備えられ、各集光ミラー３-１、３-２に対応して個別に搬送手段が設けられている場合を想定して説明した。しかし、本発明としては、集光ミラー３を３つ以上備える場合にも適用可能である。たとえば集光ミラー３を３つ備える場合には、３つの集光ミラー３に対応した３つの搬送手段が設けられる。この場合、図２、図６において、紙面に対して垂直な方向に３番目の集光ミラー３-３を搬送自在に搬送できる３番目の搬送手段３０を追加すればよい。
【０１６２】
また、上述した各実施例では、搬送手段３０、クリーニングチャンバ２０がそれぞれ複数設けられていることを前提として説明した。しかし、搬送手段３０、クリーニングチャンバ２０をそれぞれ１つとする実施も可能である。
【０１６３】
図７に示す装置では、搬送手段３０は、２つの集光ミラー３-１、３-２が同一回転面３５Ａ上に配置された回転体３５と、この回転体３５を回転させるための回転軸３５Ｂを含んで構成されている。回転軸３５Ｂは、アクチュエータ７０によって回転作動される。制御手段５０は、アクチュエータ７０を制御し回転軸３５Ｂを回転させて同一回転面３５Ａ上の各集光ミラー３-１、３-２をクリーニングチャンバ２０、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置決めする。よって、この実施例によれば、搬送手段３０を１つで構成することができるとともに、クリーニングチャンバ２０を１つで構成することができる。なお、図７に示す装置においても、集光ミラー３が３つ以上備えられている場合に適用可能である。たとえば集光ミラー３を３つ備える場合には、図７において、回転体３５の回転面３５Ａ上に３番目の集光ミラー３-３を追加して設ければよい。
【０１６４】
また図８に示す装置では、搬送手段３０は、２つの集光ミラー３-１、３-２がそれぞれ各表面３６Ａ、裏面３６Ｂに配置された回転板３６と、この回転板３６を表面３６Ａ、裏面３６Ｂが互いに反転するように回転させる回転軸３６Ｃを含んで構成されている。回転軸３６Ｃは、アクチュエータ７０によって回転作動される。制御手段５０は、アクチュエータ７０を制御し回転軸３６Ｃを回転させて回転板３６の表面３６Ａ上の集光ミラー３-１、裏面３６Ｂ上の集光ミラー３-２をクリーニングチャンバ２０、ＥＵＶ光集光位置Ｍに位置決めする。よって、この実施例によれば、搬送手段３０を１つで構成することができるとともに、クリーニングチャンバ２０を１つで構成することができる。
【０１６５】
以上説明した各実施例の搬送手段３０の構成例はあくまで一例であり、集光ミラー３を搬送できる構造のものであれば任意の手段を採用することができる。たとえば、搬送手段３０を、移動ステージで構成して、集光ミラー３を移動ステージ上に載せてＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２０との間で往復移動させてもよい。
【０１６６】
また、搬送手段３０を、ワイヤで構成し、ワイヤを引っ張り集光ミラー３０をＥＵＶ光集光位置Ｍとクリーニングチャンバ２０との間で往復移動させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】図１は、従来技術を説明するために用いた図で、露光装置の光源として用いられるＬＰＰ方式によるＥＵＶ光発生装置の構成を概念的に示した図である。
【図２】図２は、搬送手段に直線導入機を使用した実施例の装置の構成例を示した図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、位置決め機構を説明する断面図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、コントローラで行われる処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図５は、集光ミラーを搬送位置を時系列で示した図である。
【図６】図６は、搬送手段に搬送ロボットを使用した実施例の装置の構成例を示した図である。
【図７】図７は、搬送手段、クリーニングチャンバを１つで構成した実施例の装置構成例を示した図である。
【図８】図８は、搬送手段、クリーニングチャンバを１つで構成した図７とは異なる実施例の装置構成例を示した図である。
【符号の説明】
【０１６８】
３  集光ミラー、２１、２２  クリーニングチャンバ、３０  搬送手段、３１、３２  直線導入機、３３、３４  搬送ロボット、３５  回転体、３５Ｂ、３６Ｃ  回転軸、３６  回転板、４１、４２  ロードロック室、５０  コントローラ（制御手段）
【図１】
2009295800.tif 000003
【図２】
2009295800.tif 000004
【図３】
2009295800.tif 000005
【図４】
2009295800.tif 000006
【図５】
2009295800.tif 000007
【図６】
2009295800.tif 000008
【図７】
2009295800.tif 000009
【図８】
2009295800.tif 000010