(57)【要約】      （修正有）【課題】多数枚（例えば、７５万枚）プリントしても保護層の摩耗や傷の発生がなく、画像ぼけが発生しない電子写真感光体の提供。【解決手段】少なくとも基体１１と感光層１３と保護層１６を有する電子写真感光体１において、該保護層のナノインデンテーション法により測定した硬度が２〜７ＧＰａであり、且つ、波長３００〜４００ｎｍの光の吸光度が１．０以上であることを特徴とする電子写真感光体。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基体と感光層と保護層を有する電子写真感光体において、
該保護層のナノインデンテーション法により測定した硬度が２〜７ＧＰａであり、
且つ、波長３００〜４００ｎｍの光の吸光度が１．０以上であることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記保護層が、大気圧プラズマＣＶＤ法で形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記波長３００〜４００ｎｍの光の吸収が、保護層中の酸化チタンにより行われることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体（以下、単に感光体ともいう）には、使用される電子写真プロセスに応じた所要の感度、電気特性、及び光学特性を備えていることが要求される。更に何度も繰り返し使用される感光体にあっては、感光体の保護層、即ち基体より最も離れている層には、帯電、露光、現像、転写、クリーニング等の電気的、機械的外力が直接加えられるためにそれらに対する耐久性が要求される。具体的には、摺擦による表面の摩耗や傷の発生、帯電時に発生するオゾンや窒素酸化物により表面を中心に進行する劣化等に対する耐久性が要求されている。一方、トナーによる現像及びクリーニングブレードによるクリーニングの繰り返しによる保護層表面へトナー付着や異物の堆積が発生するという問題もあり、これに対しては保護層のクリーニング性を向上させることも求められている。
【０００３】
多くの場合、感光体の耐久性は保護層の膜摩耗による電位特性の悪化や保護層表面の傷による画像欠陥によって支配されている。
【０００４】
膜摩耗や傷に対する耐久性を向上させる目的で、感光体表面に硬化性化合物を用いた保護層を設け、膜強度を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。
【０００５】
上記で開示された硬化性化合物を用いた保護層を有する感光体は摩耗や傷の発生が著しく減少し、膜強度の点では高耐久性が達成されている。
【特許文献１】特開平６−３０８７６６号公報
【特許文献２】特開平６−２８２０９２号公報
【特許文献３】特開平５−１７３３５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、硬化性化合物、特に光ラジカル硬化性化合物を用いた保護層を設けた感光体は、保護層の膜強度は向上されているが、多数枚プリントしたときプリントに画像ぼけが発生するという問題があった。
【０００７】
本発明は、多数枚（例えば、７５万枚）プリントしても保護層の摩耗や傷の発生がなく、画像ぼけが発生しない電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、下記構成を採ることにより達成される。
【０００９】
１．少なくとも基体と感光層と保護層を有する電子写真感光体において、
該保護層のナノインデンテーション法により測定した硬度が２〜７ＧＰａであり、
且つ、波長３００〜４００ｎｍの光の吸光度が１．０以上であることを特徴とする電子写真感光体。
【００１０】
２．前記保護層が、大気圧プラズマＣＶＤ法で形成されたものであることを特徴とする前記１に記載の電子写真感光体。
【００１１】
３．前記波長３００〜４００ｎｍの光の吸収が、保護層中の酸化チタンにより行われることを特徴とする前記１に記載の電子写真感光体。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の感光体は、多数枚（例えば、７５万枚）プリントしても保護層の摩耗や傷の発生がなく、画像ぼけも発生しない優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明者等は、多数枚（例えば、７５万枚）プリントしても摩耗や傷の発生が少なく、画像ぼけが発生しない感光体について検討を行った。
【００１４】
種々の検討を行った結果、感光体の表面に特定硬度を有し、且つ特定波長の吸光度が１．０以上の保護層を設けることにより、多数枚（例えば、７５万枚）プリントしても摩耗や傷の発生が無く、高温高湿（例えば、３０℃、８０％ＲＨ）環境でプリントしても画像ぼけが発生しない感光体が得られることを見いだした。
【００１５】
本発明者らは、上記問題を解決できたのは、感光体の表面にナノインデンテーション法で測定したときの硬度が２〜７ＧＰａで、波長３００〜４００ｎｍの吸光度が１．０以上の保護層を設けると、繰り返しプリントしても感光体の表面が摩耗されることが無く、帯電時放電ワイヤーから発生する紫外光により電荷輸送層中の電荷輸送物質が光分解されなくなったことによると推察している。
【００１６】
尚、電荷輸送層中の電荷輸送物質が光分解されると、高温高湿環境でプリントすると画像ぼけが発生することは確認されている。
【００１７】
ナノインデンテーション法により測定した硬度が２〜７ＧＰａで、波長３００〜４００ｎｍの光の吸光度が１．０以上の保護層を感光層（電荷輸送層）の上に形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、酸化チタンの膜を大気圧プラズマＣＶＤ法により形成する方法を挙げることができる。
【００１８】
先ず、本発明に係る保護層の硬度と吸光度について説明する。
【００１９】
《保護層の硬度》
本発明に係る保護層のナノインデンテーション法で測定したときの硬度は、２〜７ＧＰａである。
【００２０】
保護層の硬度を２ＧＰａ以上とすることで、傷が発生するのを防止できる。又、硬保護層の硬度を７ＧＰａ以下とすることで、ひび割れが発生するのを防止できる。
【００２１】
保護層のナノインデンテーション法による硬度は、保護層の表面を直接測定して求めた値である。
【００２２】
ナノインデンテーション法による硬度の測定方法は、微小なダイヤモンド圧子を薄膜に押し込みながら荷重と押し込み深さ（変位量）の関係を測定し、測定値から硬度を算出する方法である。
【００２３】
図１は、ナノインデンテーション法により硬度を測定する測定装置の一例を示す模式図である。
【００２４】
図１において、３１はトランスデューサー、３２は先端形状が正三角形のダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子、１は感光体、１１は基体、１３は感光層、１６は保護層を示す。
【００２５】
この測定装置はトランスデューサー３１とダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子３２を用いて、μＮオーダーの荷重を加えながらナノメートルの精度で変位量を測定をすることができる。この測定には市販の「ＮＡＮＯ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＸＰ／ＤＣＭ」（ＭＴＳ  Ｓｙｓｔｅｍｓ社／ＭＳＴ  ＮＡＮＯ  Ｉｎｓｔｕｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いることができる。
【００２６】
図２は、圧子と試料が接触している状態を示す模式図である。
【００２７】
硬度Ｈは、下記式（１）から求められる。
【００２８】
式（１）
Ｈ＝Ｐｍａｘ／Ａ
ここで、Ｐは圧子に加えられた最大荷重であり、Ａはそのときの圧子と試料間の接触射影面積である。
【００２９】
接触射影面積Ａは、図２におけるｈｃを用いて、下記式（２）で表すことができる。
【００３０】
式（２）
Ａ＝２４．５ｈｃ2
ここでｈｃは、図２に示すように接触点の周辺表面の弾性へこみにより、全体の押し込み深さｈより浅くなり、下記式（３）で表される。
【００３１】
式（３）
ｈｃ＝ｈ−ｈｓ
ここでｈｓは、弾性によるへこみの量であり、圧子の押し込み後の荷重曲線の勾配（図４の勾配Ｓ）と圧子形状から下記式（４）
式（４）
ｈｓ＝ε×Ｐ／Ｓ
と表される。
【００３２】
ここで、εは圧子形状に関する定数で、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子では０．７５である。
【００３３】
この様な測定装置を用いて、保護層表面及び電荷輸送層の硬度を測定することができる。
【００３４】
測定条件
測定機：ＮＡＮＯ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＸＰ／ＤＣＭ（ＭＴＳ  Ｓｙｓｔｅｍｓ社製）
測定圧子：先端形状が正三角形のダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子
測定環境：２０℃、６０％ＲＨ
測定試料：５ｃｍ×５ｃｍの大きさに感光体を切断して測定試料を作製
最大荷重設定：２５μＮ
押し込み速度：最大荷重２５μＮに５ｓｅｃで達する速度で、時間に比例して加重を印加する
尚、測定は各試料ともランダムに１０点測定し、その平均値をナノインデンテーション法により測定した硬度とする。
【００３５】
《保護層の吸光度》
本発明に係る保護層の波長３００〜４００ｎｍの光の吸光度は１．０以上、好ましくは１．５以上である。
【００３６】
保護層の吸光度を１．０以上とすることで、電荷輸送層中の電荷輸送物質が光分解されるのを防止できる。
【００３７】
保護層の吸光度は、保護層を含む感光体の全層又は一部である測定試料と、その保護層を除去して作製した測定試料の吸光度を測定し、その差から求めることができる。
【００３８】
本発明に係る吸光度は、市販の分光光度計（例えば日立ハイテクノロジーズ社製Ｕ−４１００）を用いて透過率又は反射率を測定すれば求めることができる。又、保護層の除去は、例えば、適当な精密研磨フィルム（例えば３Ｍ社製トライザクトダイヤモンドフィルム）による機械的手段によりおこなうことができる。
【００３９】
次に、感光体の層構成について説明する。
【００４０】
《感光体の層構成》
本発明の感光体は、基体の上に感光層を設け、更にその上に保護層を設けたものである。尚、基体と感光層の間に必要に応じ中間層を設けてもよい。
【００４１】
図３は、本発明の感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【００４２】
図３において、１は感光体、１１は基体、１２は中間層、１３は感光層、１４は電荷発生層、１５は電荷輸送層、１６は保護層を示す。
【００４３】
図３の（ａ）は、基体１１の外周上に、感光層１３、保護層１６を設けて作製されたものである。
【００４４】
図３の（ｂ）は、基体１１の外周上に感光層１３として電荷発生層１４、電荷輸送層１５、保護層１６を設けて作製されたものである。
【００４５】
図３の（ｃ）は、基体１１の外周上に中間層１２を設け、その上に感光層１３として電荷発生層１４、電荷輸送層１５、保護層１６を設けて作製されたものである。
【００４６】
これらの中では、図３の（ｃ）に示す構成が、基体と感光層の接着性がより良好になり好ましい。
【００４７】
《保護層》
本発明に係る保護層は、金属酸化物膜、ケイ素膜、或いは炭素膜であることが好ましい。具体的には、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化窒化チタン、窒化チタン又は酸化アルミニウム等の金属酸化物膜が挙げられる。
【００４８】
これらの中では紫外光（波長３００〜４００ｎｍ）を吸収するには酸化チタン膜、硬度を得るには酸化ケイ素膜が好ましい。又、それらの混合物からなる膜も好ましい。
【００４９】
本発明における保護層は１層以上あれば良い。保護層の層は、電荷輸送層直上から、電荷輸送層から最も離れた保護層の表面に向かって、徐々に硬度が高くなるような構造とすることが好ましい。
【００５０】
（保護層の膜厚）
保護層の膜厚は、硬度と吸光度が満足できれば特に限定されず、１０〜５００ｎｍが好ましく、２０〜４００ｎｍがより好ましい。
【００５１】
保護層の膜厚は、「ＭＸＰ２１（マックサイエンス社製）」を用いて測定して得られた値である。具体的な膜厚の測定は、以下の方法で行うことができる。
【００５２】
Ｘ線源のターゲットには銅を用い、４２ｋＶ、５００ｍＡで作動させる。インシデントモノクロメータには多層膜パラボラミラーを用いる。入射スリットは０．０５ｍｍ×５ｍｍ、受光スリットは０．０３ｍｍ×２０ｍｍを用いる。２θ／θスキャン方式で０から５°をステップ幅０．００５°、１ステップ１０秒のＦＴ法にて測定を行う。得られた反射率曲線に対し、マックサイエンス社製Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｐｒｏｇｒａｍ  Ｖｅｒ．１を用いてカーブのフィッティングを行い、実測値とフィッティングカーブの残差平方和が最小になるように各パラメータを求める。各パラメータから積層膜の膜厚を求める。
【００５３】
保護層の膜厚が１０ｎｍ以上であると耐久性や表面強度が満足でき、厚紙への転写などにより擦り傷が発生せず、最終的には薄膜が不均一に摩耗し転写率の低下や転写ムラが発生しにくくなる。１０００ｎｍ以下であると密着性や屈曲耐性が不足することがなく多数枚使用においても、割れや剥離が生じ難くなる上に、成膜に必要な時間も少なくてすみ生産上の観点からも好ましい。
【００５４】
次に、感光体の作製について説明する。
【００５５】
《感光体の作製》
本発明の感光体は、上記図３に示した層構成のものである。
【００５６】
下記に、基体の外周に中間層、電荷発生層、電荷輸送層、保護層の順で層を設けた感光体（図３の（ｃ））の作製方法の一例を挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５７】
（基体）
本発明における感光体の基体としては、導電性のドラムやシームレスベルトを用いることができる。
【００５８】
本発明で用いる基体は導電性を有するものであればいずれのものでもよく、例えば、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、亜鉛及びステンレスなどの金属をドラム又はシート状に成形したもの、アルミニウムや銅などの金属箔をプラスチックフィルムにラミネートしたもの、アルミニウム、酸化インジウム及び酸化スズなどをプラスチックフィルムに蒸着したもの、導電性物質を単独又はバインダー樹脂と共に塗布して導電層を設けた金属、プラスチックフィルム及び紙などが挙げられる。
【００５９】
（中間層）
本発明においては、基体と感光層の中間にバリアー機能と接着機能をもつ中間層を設けることもできる。中間層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド、ポリウレタン及びゼラチンなどによって形成できる。中でもアルコール可溶性のポリアミドが好ましい。中間層の膜厚は好ましくは０．１〜１５μｍである。
【００６０】
又、中間層の電気抵抗調整の目的で各種の導電性微粒子や金属酸化物を含有させることができる。例えば、アルミナ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス等の各種金属酸化物。スズをドープした酸化インジウム、アンチモンをドープした酸化スズ及び酸化ジルコニウムなどの超微粒子を用いることができる。これら金属酸化物を１種類もしくは２種類以上混合して用いてもよい。２種類以上混合した場合には、固溶体又は融着の形をとってもよい。この様な金属酸化物の平均粒径は好ましくは０．３μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。
【００６１】
（電荷発生層）
電荷発生層は、スーダンレッド及びダイアンブルーなどのアゾ原料、ビレンキノン及びアントアントロン、ピランスロンなどのキノン顔料、キノシアニン顔料、ペリレン顔料、インジゴ及びチオインジゴなどのインジゴ顔料、フタロシアニン顔料などの電荷発生物質を単独、もしくは公知のバインダー樹脂中に分散した塗布液を塗布乾燥して形成する。バインダー樹脂としてはホルマール樹脂、ブチラール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル及びアクリル樹脂などが望ましい。
【００６２】
バインダー樹脂と電荷発生物質との割合は、バインダー樹脂１００質量部に対して電荷輸送物質２０〜１０００質量部が好ましい。
【００６３】
電荷発生層の膜厚は、０．０５〜５μｍが好ましく、０．０５〜３μｍがより好ましい。尚、電荷発生層用の塗布液は塗布前に異物や凝集物を濾過することで画像欠陥の発生を防ぐことができる。
【００６４】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、主として電荷輸送物質とバインダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗布液を塗布乾燥して形成する。電荷輸送物質としては、トリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、トリアリルメタン系化合物及びチアゾール系化合物などが挙げられる。
【００６５】
これらは０．５〜２倍量のバインダー樹脂と組み合わされて塗布液が作製される。バインダー樹脂としては、例えば、ポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、並びにこれらの樹脂の繰り返し単位構造のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂が用いられる。又、これらの絶縁性樹脂の他、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。
【００６６】
又、電荷輸送層には酸化防止剤を含有させることが好ましい。該酸化防止剤とは、その代表的なものは感光体中に存在する自動酸化性物質に対して、光、熱、放電等の条件下で酸素の作用を防止、ないし抑制する性質を有する物質である。
【００６７】
電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍが好ましく、１５〜３０μｍがより好ましい。
【００６８】
（保護層）
保護層は、大気圧プラズマＣＶＤ法により形成することができる。
【００６９】
以下、大気圧プラズマＣＶＤ法により形成する装置及び方法、又使用するガスについて説明する。
【００７０】
図４は、感光体の保護層を製造する第１の製造装置の説明図である。
【００７１】
本発明に係る保護層をプラズマＣＶＤ法により形成する製造装置及び製造方法、製造に使用するガスについて詳細に説明する。
【００７２】
図４は、保護層を製造する第１の製造装置の説明図である。
【００７３】
図４において、１０は基体の外周に少なくとも感光層を設けたもの（以下、感光体Ａともいう）、３はプラズマＣＶＤ装置、２０は電極、２１は固定電極、２３は放電空間、Ｇは混合ガス、２４は混合ガス供給装置、２９は放電容器、２５は第１の電源、２５ａは第１のフィルタ、２６は第２の電源、２６ａは第２のフィルタ、Ｇ１は励起した混合ガス、Ｇ’は使用済みの排ガス、２８は排気部を示す。
【００７４】
プラズマＣＶＤ装置３は電荷輸送層上に保護層を形成するもので、矢印方向に回転する感光体１０を電極２０とし、感光体Ａ１０表面に保護層を形成する成膜装置である。
【００７５】
プラズマＣＶＤ装置３は、感光体Ａ１０を電極とする電極２０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極２１と、固定電極２１と電極２０との対向領域で放電が行われる放電空間２３と、少なくとも原料ガスと放電ガスを混合して放電空間２３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４と、放電空間２３等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、感光体１０に接続された第２の電源２６と、固定電極２１に接続された第１の電源２５と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有している。
【００７６】
混合ガス供給装置２４は保護層を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の放電ガスを混合した混合ガスを放電空間２３に供給する。
【００７７】
第１の電源２６は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２５は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧはプラズマ化され、励起された混合ガスＧ１となり、混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（保護層）が電荷輸送層の表面に堆積される。
【００７８】
以上説明したように、感光体Ａを電極２０とし、感光体Ａの外側に沿って他方の電極である少なくとも１対の固定電極を設け、これら電極間に大気圧又は大気圧近傍下で電界を発生させプラズマ放電を行わせ、電荷輸送層表面に膜を堆積・形成する。
【００７９】
更に他の形態として、感光体Ａの電極及び固定電極の内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源２５を使用することが緻密な膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の放電ガスを用いる場合に好ましい。
【００８０】
図５は、保護層を製造する第２の製造装置の説明図である。
【００８１】
図５において、１０は感光体Ａ、４はプラズマＣＶＤ装置、２１ａは第１の電源に接続された固定電極、２１ｂは第２の電源に接続された固定電極、２３ａは放電空間、Ｇは混合ガス、Ｇ２は励起された混合ガス、２４は混合ガス供給装置、２９は放電容器、２５は第１の電源、２５ａは第１のフィルタ、２６は第２の電源、２６ａは第２のフィルタ、Ｇ’は使用済みの排ガス、２８は排気部を示す。
【００８２】
プラズマＣＶＤ装置４は、感光体Ａ１０の表面に保護層を形成するもので、矢印方向に回転する感光体Ａ１０の表面に保護層を形成する成膜装置である。
【００８３】
プラズマＣＶＤ装置４は前述したプラズマＣＶＤ装置３と、電極に対する電源の接続と混合ガスの供給と膜の堆積に係る部分とが異なり、以下異なる部分について説明する。
【００８４】
プラズマＣＶＤ装置４は、感光体Ａ１０の外周に沿って配列された少なくとも１対の固定電極を有し、第１の電源２５に接続された固定電極２１ａと第２の電源２６に接続された固定電極２１ｂとの対向領域で放電が行われる放電空間２３ａと、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３ａに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４と、放電空間２３ａ等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、固定電極２１ａに接続された第１の電源２５と、固定電極２１ｂに接続された第２の電源２６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有している。
【００８５】
混合ガス供給装置２４は保護層を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の放電ガスを混合した混合ガスを放電空間２３ａに供給する。
【００８６】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω１より高い周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３ａに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧはプラズマ化され、励起された混合ガスＧ２となり、励起された混合ガスＧ２は膜形成領域４１へ噴射され、感光体Ａ１０の表面に噴射された励起された混合ガスＧ２に含まれる原料ガスに応じた膜が電荷輸送層表面に堆積・形成される。
【００８７】
更に他の形態として、１対の固定電極の内、一方の固定電極をアースに接続して、他方の固定電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の放電ガスを用いる場合に好ましい。
【００８８】
図６は、保護層を製造する第３の製造装置の説明図である。
【００８９】
図６は、図５の第２の製造膜装置に混合ガス供給装置を追加した装置で、同時に多数の混合ガスを用いて薄膜形成を行うことができる。
【００９０】
本発明に係わる放電ガスとは、上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等及びそれらの混合物などが挙げられる。
【００９１】
又、保護層を形成するための原料ガスとしては、常温で気体又は液体の有機金属化合物、特にアルキル金属化合物や金属アルコキシド化合物、有機金属錯体化合物が用いられる。これら原料における相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、混合ガス供給装置２４で加熱或いは減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である。
【００９２】
原料ガスとしては、放電空間でプラズマ状態となり、薄膜を形成する成分を含有するものであり、有機金属化合物、有機化合物、無機化合物等である。
【００９３】
例えば、ケイ素化合物として、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１などが挙げられるがこれらに限定されない。
【００９４】
チタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。
【００９５】
アルミニウム化合物としては、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウムイソプロポキシド、４−ペンタンジオネート、ジメチルアルミニウムクロライドなどが挙げられるがこれらに限定されない。
【００９６】
又、これらの原料は、単独で用いても良いが、２種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。
【００９７】
保護層の吸光度は原料ガスの種類、硬度は成膜速度や原料ガスの種類や放電ガスとの混合量比などによって調整することができる。
【００９８】
次に、画像形成装置について説明する。
【００９９】
《画像形成》
本発明の感光体は、電子写真法を用いた画像形成装置に利用するのみならず、レーザビームプリンター、ＣＲＴプリンター、及びレーザ製版など電子写真応用分野にも広く用いることができる。
【０１００】
以下、本発明の感光体が好ましく用いられる画像形成装置について説明する。
【０１０１】
図７は、本発明の感光体が使用可能な画像形成装置の一例を示す断面構成図である。
【０１０２】
図７に示す画像形成装置１は、デジタル方式による画像形成が可能なものであり、大きく分けて画像読取部Ａ、画像処理部Ｂ、画像形成部Ｃ、転写紙搬送部Ｄから構成される。
【０１０３】
画像読取部Ａの上部には、原稿を自動搬送する自動原稿送り手段が設けられ、原稿載置台１１上に載置された原稿は原稿搬送ローラ１２により１枚毎に分離搬送され、読取位置１３ａで画像の読取りが行われる。画像の読取りが終了した原稿は原稿搬送ローラ１２によって原稿排紙皿１４上に排出される。
【０１０４】
図７の画像形成装置１は上述した自動での画像読取りの他に、プラテンガラス１３上に原稿を１枚ずつ置いて読取りを行うことも可能である。プラテンガラス１３上で読取りを行う場合、原稿画像の読取りは走査光学系を構成する照明ランプと第１ミラーからなる第１ミラーユニット１５と２つのミラーをＶ字状に配置した構造の第２ミラーユニット１６とをそれぞれ移動させて行う。図７の画像形成装置では、第１ミラーユニット１５の移動速度をｖ、第２ミラーユニットの移動速度をｖ／２にして、原稿画像の読取りを行う。
【０１０５】
画像読取部Ａで前述の手順により読み取られた画像は、次の画像処理部Ｂでデジタルの画像信号に変換される。画像処理部Ｂでは、先ず、画像読取部Ａで読み取られた画像が、投影レンズ１７を通してラインセンサである撮像素子ＣＣＤの受光面に結像される。撮像素子ＣＣＤ上に結像したライン状の光学画像は順次電気信号（輝度信号）に光電変換され、更に、Ａ（アナログ）／Ｄ（デジタル）信号に変換処理される。そして、デジタル信号に変換された画像信号は濃度変換やフィルタ処理等の処理が施され、形成された画像情報は画像信号としていったんメモリに格納される。
【０１０６】
画像形成部Ｃは、画像処理部Ｂで形成されたデジタル信号を用いてトナー画像形成を行うもので、図７に示す様に画像形成に使用する部品を組み立ててなるユニット構造を有するものである。画像形成部Ｃを構成する画像形成ユニットは、ドラム状の感光体２１を有し、感光体２１の外周に感光体２１を帯電する帯電手段（帯電工程）２２、感光体２１にトナー供給を行う現像手段（現像工程）２３等を配置している。又、感光体２１の外周には、感光体２１で形成したトナー画像を用紙Ｐ等上に転写する転写手段（転写工程）である転写搬送ベルト装置４５、感光体２１上の残留トナーを除去するクリーニング装置（クリーニング工程）２６、次の画像形成に備えて感光体２１表面を除電する光除電手段（光徐電工程）であるプレチャージランプ２７が配置されている。感光体２１の外周に配置された帯電手段２２から光除電手段２７に到るこれら部材は、画像形成時に行われる動作の順番に配置されている。
【０１０７】
又、現像手段２３の下流側には感光体２１上に現像されたパッチ画像の反射濃度を測定する反射濃度検出手段２２２が設けられている。感光体２１には、本発明に係る電子写真感光体であるブラッグ角１２．３°、２０．５°、２５．３°、及び、２８．３°にピークを有するピランスロン化合物が電荷発生物質として使用され、感光体２１は画像形成時に図示方向、即ち、時計方向に駆動回転するものである。
【０１０８】
次に、感光体２１への露光方法について説明する。感光体２１は図示しない駆動手段により回転し、感光体２１は回転中に帯電手段２２により一様帯電され、像露光手段（像露光工程）３０で示す露光光学系により、画像処理部Ｂのメモリから呼び出された画像信号に基づいて像露光される。
【０１０９】
感光体２１に画像情報を書き込む書込手段に該当する像露光手段３０は、図示しないレーザダイオードを発光光源とし、ポリゴンミラー３１、ｆθレンズ３４、シリンドリカルレンズ３５及び反射ミラー３２により送られてきた露光光により主走査を行う。この様に送られてきた露光光を図中の位置Ａｏで感光体２１上に照射することにより像露光が行われ、感光体２１の回転（副走査）により静電潜像が形成される。
【０１１０】
本発明では、感光体２１上に静電潜像を形成するに際、発振波長が３５０〜５００ｎｍの半導体レーザ又は発光ダイオードを露光光源として用い、これら露光光源からの露光光のドット径を１０〜５０μｍに設定して露光を行うことが好ましい。露光光源の発振波長と露光ドット径が上記範囲内にあるいわゆる微細ドット光を用いた露光により、感光体２１上にデジタル画像形成に対応可能な高精細なドット画像を形成することが可能になる。即ち、発振波長と露光ドット径を上記範囲とすると、感光体２１上には例えば１２００ｄｐｉ（１インチあたりのドット数（１インチは２．５４ｃｍ））以上の高解像度の画像形成を行うことが可能になる。
【０１１１】
又、上記露光ドット径は、当該露光ビームの強度がピーク強度の１／ｅ2以上となる領域の主走査方向に沿った露光ビームの長さをいうものである。露光ビームの光源としては、例えば、半導体レーザを用いた走査光学系や発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた固体スキャナー等が挙げられる。又、露光ビームの強度はガウス分布やローレンツ分布等により分布を表現することもできるが、本発明では光強度の分布を特定する必要はなく、ピーク強度の１／ｅ2以上となる領域からなる直径が１０〜５０μｍのドット径を形成することができればよい。
【０１１２】
又、露光ビームとして、縦横それぞれ３本以上のレーザビーム発光点を有する面発光レーザアレイを用いると、電子写真感光体への静電潜像の書き込みが迅速に行えるので、高速のプリント作製を行う上で好ましい。そして、画像形成を繰り返し行っても安定した潜像形成が可能な本発明に係る電子写真感光体上に面発光レーザアレイで露光を行うことにより、安定した画質を有するプリント物を迅速に作製することができる様になる。
【０１１３】
感光体２１上に形成された静電潜像は、現像手段２３よりトナー供給を受けて現像が行われ、感光体２１表面に可視像であるトナー画像が形成される。デジタル対応の高精細な画像形成を実現する上で、現像手段２３により供給される現像剤は重合トナーを用いることが好ましい。即ち、重合トナーは、その生産工程で形状や粒度分布を制御しながら作製することができる。したがって、重合法による形状と大きさを揃えた小径トナーと、ブラッグ角１２．３°、２０．５°、２５．３°、及び、２８．３°にピークを有するピランスロン化合物を含有する電子写真感光体とを併用することで、鮮鋭性に優れた高精細な画像形成を実現する。
【０１１４】
次に、転写紙搬送部Ｄは、画像形成部Ｃで感光体２１の外周に形成されたトナー画像を転写手段４５により転写した用紙Ｐを次の定着手段５０に向けて搬送するものである。転写紙搬送部Ｄには、画像形成ユニットの下方に異なるサイズの転写紙Ｐが収納された転写紙収納手段である給紙ユニット４１（Ａ）、４１（Ｂ）、４１（Ｃ）が設けられ、又、給紙ユニットの側方には手差し給紙を行う手差し給紙ユニット４２が設けられている。これらの転写紙収納手段のいずれかより転写紙Ｐは選択され、案内ローラ４３により搬送路４０に沿って給紙される。
【０１１５】
転写紙搬送部Ｄには、給紙される転写紙Ｐの傾きと偏りを修正する対で構成される給紙レジストローラ４４が設けられ、給紙レジストローラ４４により転写紙Ｐは一時停止を行った後再給紙される。再給紙された転写紙Ｐは、搬送路４０、転写前ローラ４３ａ、給紙経路４６及び進入ガイド板４７に案内される。
【０１１６】
感光体２１上に形成されたトナー画像は、転写位置Ｂｏにおいて転写極２４及び分離極２５により転写紙Ｐ上に転写される。このとき、転写紙Ｐは転写搬送ベルト装置４５の転写搬送ベルト４５４に載置搬送された状態で紙面上にトナー画像の転写を受け、トナー画像が転写された転写紙Ｐは感光体２１面より分離し、転写搬送ベルト装置４５により定着手段５０に向けて搬送される。
【０１１７】
定着手段５０は、定着ローラ５１と加圧ローラ５２とを有するもので、転写紙Ｐが定着ローラ５１と加圧ローラ５２の間を通過すると、加熱、加圧により、転写紙Ｐ上のトナー画像を定着させる。この様にして、トナー画像が転写紙Ｐ上に定着されると、転写紙Ｐは排紙トレイ６４上に排出される。
【０１１８】
以上の手順により、図７の画像形成装置は転写紙Ｐの片面にトナー画像を転写して、片面に画像を形成したプリント物を作成することができるが、転写紙Ｐの両面にトナー画像を転写したプリント物を作成することも可能である。
【０１１９】
転写紙Ｐの両面にトナー画像を形成する場合、転写紙搬送部Ｄの排紙切換部材１７０が作動して、転写紙案内部１７７が開放され、片面にトナー画像を形成した転写紙Ｐは破線矢印の方向に搬送される。転写紙Ｐは、搬送機構１７８により下方に搬送され、転写紙反転部１７９でスイッチバック搬送させられ、転写紙Ｐの後端部だった側が先端になって両面プリント用給紙ユニット１３０内に搬送される。
【０１２０】
転写紙Ｐは、両面複写用給紙ユニット１３０に設けられた搬送ガイド１３１を給紙方向に移動し、給紙ローラ１３２で転写紙Ｐが再度給紙されて、転写紙Ｐは搬送路４０に案内される。そして、前述の手順により、感光体２１方向に転写紙Ｐが搬送され、転写紙Ｐの裏面にもトナー画像が転写され、定着手段５０で定着された後、排紙トレイ６４に排紙される。この様な手順により、転写紙Ｐの両面にトナー画像を形成したプリント物を作成することが可能である。
【０１２１】
又、図７に示す画像形成装置では、上記感光体２１と、現像手段２１、クリーニング装置２６等の構成要素を一体に結合させたユニット構造のいわゆるプロセスカートリッジを形成し、これを装置本体に着脱自在に構成する方式を採ることもできる。又、プロセスカートリッジの様に全ての構成要素をユニット化するものの他に、帯電器、像露光器、現像手段２３、転写又は分離装置、及び、クリーニング装置の少なくとも１つを感光体２１と一体に支持した構造のカートリッジを形成し、装置本体に対して着脱自在にセット可能なユニットとすることも可能である。
【０１２２】
本発明の感光体を用いた画像形成装置により形成されるトナー画像は、上記の様に、最終的に転写紙Ｐ上に転写され、定着工程を経て、転写紙Ｐ上に固定される。上記画像形成装置に使用される転写紙Ｐは、トナー画像を保持する支持体で、通常画像支持体、記録材或いは転写材とも呼ばれるものである。具体的には普通紙や上質紙と呼ばれる市販のコピー用紙や、アート紙やコート紙等の塗工処理が施された印刷用紙、市販の和紙やはがき用紙、ＯＨＰ用のプラスチックフィルム、布等が挙げられるが、本発明に使用可能なものはこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【０１２３】
以下、本発明を実施例によって詳しく説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。
【０１２４】
《感光体の作製》
下記のようにして感光体を作製した。
【０１２５】
（基体の準備）
円筒状アルミニウムを切削加工（ＪＩＳＢ−０６０１規定の十点表面粗さＲｚ：０．８１μｍ）後、洗浄して基体を準備した。これを「基体１」とする。
【０１２６】
〈感光体１の作製〉
（中間層の形成）
バインダー樹脂（Ｎ−１）１質量部をエタノール／ｎ−プロピルアルコール／テトラヒドロフラン（４５：２０：３５容量比）２０質量部に加え攪拌溶解後、質量比で５％のメチルハイドロジェンポリシロキサンで表面処理済みルチル型酸化チタン粒子４．２質量部を混合し、該混合液をビーズミルを用い分散した。この際、平均粒径０．１〜０．５ｍｍを用い、充填率８０％、周速設定４ｍ／ｓｅｃ、ミル滞留時間３時間で分散し、中間層塗布液を作製した。同液を５μｍフィルタで濾過した後、該中間層塗布液を上記で準備した「基体１」の外周に浸漬塗布法で塗布し、乾燥膜厚２μｍの「中間層１」を形成した。
【０１２７】
【化１】
2009186641.tif 000003
【０１２８】
（電荷発生層の形成）
下記成分を混合し、サンドミル分散機を用いて分散し、電荷発生層塗布液を調製した。この塗布液を浸漬塗布法で中間層の上に塗布し、乾燥膜厚０．３μｍの「電荷発生層１」を形成した。
【０１２９】
Ｙ−チタニルフタロシアニン（Ｃｕ−Ｋα特性Ｘ線によるＸ線回折のスペクトルでブラッグ角（２θ±０．２°）２７．３°に最大回折ピークを有するチタニルフタロシン顔料）                                                                  ２０質量部
ポリビニルブチラール（ＢＸ−１、積水化学（株）製）                １０質量部
メチルエチルケトン                                              ７００質量部
シクロヘキサノン                                                ３００質量部
（電荷輸送層の形成）
下記成分を混合し、溶解して電荷輸送層塗布液を調製した。この塗布液を前記電荷発生層上に浸漬塗布法で塗布し、１２０℃で７０分乾燥して乾燥膜厚２０μｍの「電荷輸送層１」を形成した。
【０１３０】
電荷輸送物質（下記構造）                                          ５０質量部
ポリカーボネート樹脂「ユーピロン−Ｚ３００」（三菱ガス化学社製）１００質量部
酸化防止剤  ２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール            ８質量部
テトラヒドロフラン／トルエン（体積比８／２）                    ７５０質量部
【０１３１】
【化２】
2009186641.tif 000004
【０１３２】
（保護層の形成）
次に、上記の「電荷輸送層１」の上に、図５に記載の第２の製造装置（プラズマ放電処理装置）を用いて、保護層を形成して「感光体１」を作製した。
【０１３３】
保護層の形成材料としては、テトラエトキシシランとＴｉ（Ｏ2Ｃ3Ｈ7）2（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2を用いた。この時のプラズマ放電処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミック溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施した。
【０１３４】
保護層の成膜条件を下記に示す。各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行い「保護層１」を形成した。
【０１３５】
「感光体１」の保護層のナノインデンテーション法により測定した硬度は５であった。又、保護層の波長３００〜４００ｎｍの光の吸光度は１．０であった。尚、ナノインデンテーション法による硬度と波長３００〜４００ｎｍの光の吸光度は前記の測定方法で行い求めた値である。
【０１３６】
（保護層下部（酸化チタン）の形成条件）
放電ガス：Ｎ2ガス
反応ガス：Ｏ2ガスを全ガスに対し１９体積％
原料ガス：Ｔｉ（Ｏ2Ｃ3Ｈ7）2（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2を全ガスに対し１．４体積％
低周波側電源電力（神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ））：１０Ｗ／ｃｍ2
高周波側電源電力（パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ））：５Ｗ／ｃｍ2
膜厚：１００ｎｍ
（保護層上部（酸化シリカ）の形成条件）
放電ガス：Ｎ2ガス
反応ガス：０2ガスを全ガスに対し１９体積％
原料ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を全ガスに対し１．４体積％
膜厚：５０ｎｍ
低周波側電源電力（神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ））：１０Ｗ／ｃｍ2
高周波側電源電力（パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ））：５Ｗ／ｃｍ2
〈感光体２の作製〉
感光体１の保護層形成時の保護層下部（酸化チタン）の形成時間を変えて、膜厚１００ｎｍから１５０ｎｍに変更した以外は同様にして「感光体２」を作製した。
【０１３７】
〈感光体３の作製〉
感光体１の保護層形成時の保護層下部（酸化チタン）の形成時間を変えて、膜厚１００ｎｍから２００ｎｍに変更した以外は同様にして「感光体３」を作製した。
【０１３８】
〈感光体４の作製〉
感光体１の保護層形成時の保護層上部（酸化シリカ）の形成時の低周波側電源電力と高周波側電源電力の出力を変えて、硬度５から硬度２に変更した以外は同様にして「感光体４」を作製した。
【０１３９】
〈感光体５の作製〉
感光体１の保護層形成時の保護層上部（酸化シリカ）の形成時の高周波側電源電力の出力を変えて、硬度５から硬度７に変更した以外は同様にして「感光体５」を作製した。
【０１４０】
〈感光体６の作製〉
感光体１の保護層形成時の保護層下部（酸化チタン）の形成時間を変えて、膜厚１００ｎｍから４００ｎｍに変更した以外は同様にして「感光体６」を作製した。
【０１４１】
〈感光体７の作製〉
感光体１の保護層形成時の保護層下部（酸化チタン）の形成時間を変えて、膜厚１００ｎｍから５０ｎｍに変更した以外は同様にして「感光体７」を作製した。
【０１４２】
〈感光体８の作製〉
感光体１の保護層形成時の保護層上部（酸化シリカ）の形成時の高周波側電源電力の出力を変えて、硬度５から硬度１．３に変更した以外は同様にして「感光体８」を作製した。
【０１４３】
〈感光体９の作製〉
感光体１の保護層形成時の保護層上部（酸化シリカ）の形成時の高周波側電源電力の出力を変えて、硬度５から硬度８に変更した以外は同様にして「感光体９」を作製した。
【０１４４】
〈感光体１０の作製〉
感光体１の保護層形成時に形成した保護層下部の酸化チタン層を設けなかった以外は同様にして「感光体１０」を作製した。
【０１４５】
〈感光体１１の作製〉
感光体１の保護層形成時に形成した保護層上部の酸化シリカ層を設けなかった以外は同様にして「感光体１１」を作製した。
【０１４６】
表１に、感光体１〜１１の保護層の組成、保護層の吸光度（波長３００〜４００ｎｍの光の吸光度）、表面硬度（ナノインデンテーション法により測定した硬度）を示す。
【０１４７】
【表１】
2009186641.tif 000005
【０１４８】
《評価》
〈実写評価〉
実写評価用の画像形成装置として「ｂｉｚｈａｂ  ＰＲＯ１０５０ｅ」（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製）を準備し、上記で作製した感光体を順次装填して下記の評価項目について評価を行った。尚、評価結果は◎と○を合格とする。
【０１４９】
（画像ぼけ）
画像ぼけが発生しやすい高温高湿（３０℃、８５％ＲＨ）環境で、印字率５％の画像を７５万枚枚プリントした。その後、画像形成装置の電源を切り、同環境で１２時間放置した。１２時間放置後に電源を入れ、同環境で印字率５％の画像のプリントを行った。得られたプリントの画像ぼけを目視で評価した。
【０１５０】
評価基準
◎：画像ぼけが全く認められない
○：画像ぼけがやや有るが、実用上問題とならないレベル
×：画像ぼけが多く、実用上問題となるレベル。
【０１５１】
（傷による画像欠陥）
感光体に傷が発生しやすい低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）環境で、印字率５％の画像を７５万枚プリントした。その後、現像剤とクリーニングブレードを新品と交換し、画像濃度０．４のハーフトーン画像をプリントし、感光体の傷による画像欠陥を目視で評価した。
【０１５２】
評価基準
◎：感光体の傷による画像欠陥が全く認められない
○：感光体の傷による画像欠陥がやや有るが、実用上問題とならないレベル
×：感光体の傷による画像欠陥が多く、実用上問題となるレベル。
【０１５３】
（保護層のひび割れ）
低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）環境で、印字率５％の画像を７５万枚プリントした。その後、現像剤とクリーニングブレードを新品と交換し、画像濃度０．４のハーフトーン画像をプリントし、保護層のひび割れによる画像欠陥を目視で評価した。
【０１５４】
評価基準
◎：保護層のひび割れよる画像欠陥が全く認められない
○：保護層のひび割れよる画像欠陥がやや有るが、実用上問題とならないレベル
×：保護層のひび割れよる画像欠陥が多く、実用上問題となるレベル。
【０１５５】
表２に、実写評価結果を示す。
【０１５６】
【表２】
2009186641.tif 000006
【０１５７】
表２より、実施例１〜６の感光体１〜６は、高温高湿に放置後プリントしたときの画像ぼけの評価、傷の評価、保護層のひび割れの評価で優れていることが判る。
【０１５８】
一方、比較例１〜５の感光体７〜１１は評価項目の全てに優れるということはなく本発明の目的が達成されていないことが判る。
【図面の簡単な説明】
【０１５９】
【図１】ナノインデンテーション法による測定装置の一例を示す模式図である。
【図２】圧子と試料の接触している状態の模式図を示す。
【図３】本発明の感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【図４】保護層を製造する第１の製造装置の説明図である。
【図５】保護層を製造する第２の製造装置の説明図である。
【図６】保護層を製造する第３の製造装置の説明図である。
【図７】本発明の感光体が使用可能な画像形成装置の一例を示す断面構成図である。
【符号の説明】
【０１６０】
１  感光体
１１  基体
１２  中間層
１３  感光層
１４  電荷発生層
１５  電荷輸送層
１６  保護層
【図１】
2009186641.tif 000007
【図２】
2009186641.tif 000008
【図３】
2009186641.tif 000009
【図４】
2009186641.tif 000010
【図５】
2009186641.tif 000011
【図６】
2009186641.tif 000012
【図７】
2009186641.tif 000013