(57)【要約】【課題】反射率の低いフォトマスクの高さ測定に関し、光位置検出器が有する暗電流による測定値のゆらぎを回避し、高精度の高さ測定が可能な電子線描画装置を提供することを課題とする。【解決手段】光測定によるフォトマスク表面の高さ測定手段が、光位置検出器に入射する反射光量の読出し手段と、読み出された光量が、所定の光量になるように、高さ測定をするフォトマスクの種類に応じて、光源から照射される入射光量を自動制御する制御手段とを備え、前記読出し手段は、前記反射光量を所定の待機時間経過後に読出し、前記制御手段は、読み出した光量が前記所定の光量に到達していない場合は、前記読出し手段が、読み出し可能な光量値の範囲内でフィードバック制御する電子線描画装置を提供する。 【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク表面に対して斜め上方から光を照射する光源と、この光源から照射される光をフォトマスク表面で収束させる投光レンズと、前記フォトマスク表面で反射した前記光を受ける受光レンズと、この受光レンズにより収束された光が入射して、反射光の位置を検出する光位置検出器とを有するフォトマスク表面の高さ測定手段を備えた電子線描画装置であって、
前記高さ測定手段は、前記光位置検出器に入射する反射光量の読出し手段と、読み出された光量が、所定の光量になるように、高さ測定をするフォトマスクの種類に応じて、前記光源から照射される入射光量を自動制御する制御手段とを備え、
前記読出し手段は、前記反射光量を所定の待機時間経過後に読出し、前記制御手段は、読み出した光量が前記所定の光量に到達していない場合は、前記読出し手段が読み出し可能な光量値の範囲内でフィードバック制御するものであることを特徴とする電子線描画装置。
【請求項２】
前記光源は、光量が可変であり、前記制御手段は、この光源の光量を制御するものであることを特徴とする請求項１記載の電子線描画装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記光源と投光レンズとの間の光の入射路に、２枚の偏光板を介在させ、光の入射方向を回転軸としていずれか一方の偏光板を回転自在に駆動させる駆動手段を有するものであることを特徴とする請求項１記載の電子線描画装置。
【請求項４】
前記光位置検出器は、光位置検出とともに、前記読出し手段として光量検出可能な光学素子からなるものであることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の電子線描画装置。
【請求項５】
前記高さ測定手段は、前記所定の光量で測定された高さデータに基づいてマップ補正データを生成する補正データ生成手段を備えていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の電子線描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク表面の高さ測定手段を備えた電子線描画装置、特に、フォトマスク表面に対して斜め上方から光を照射し、フォトマスク表面で反射した光の位置を検出することにより、フォトマスク表面の高さ測定を行う高さ測定手段を備えた電子線描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線描画装置によって、フォトマスク上で描画を行う場合、描画位置のずれ、電子ビームぼけ、などの不具合を回避するために、前処理として、フォトマスクの表面の正確な高さ測定を行う必要がある。
【０００３】
例えば、図６で示す通り、電子ビームBをフォトマスクの理想形状ｈ０上のｉ０点で収束させるように設定した場合、フォトマスクの実際の形状ｈ１のように理想形状ｈ０に対して高低差があると、電子ビームＢは、X軸方向に△X、Ｚ軸方向に△Ｚ位置ずれしたｉ１点で収束する。
【０００４】
また、図７で示す通り、フォトマスクの理想の表面ｓ０での電子ビームＢのビーム径をｄ０とすると、実際のフォトマスクの表面の位置が、表面ｓ０から△Ｚ’分だけ高い表面ｓ１である場合、電子ビームＢを照射したときのフォトマスク表面ｓ１での電子ビームＢのビーム径は、上記ｄ０より広がるｄ１となっていわゆる電子ビームぼけ状態となる。
【０００５】
一般に、フォトマスクの高さ測定は、光をフォトマスク表面に照射し、反射光を受光した素子上で収束する光の移動量を測定し、この移動量を前記フォトマスクの高さの変位量に変換して測定する光測定によって行われる。
【０００６】
図８を参照して、１は、従来の光による高さ測定手段を備えた電子線描画装置本体である。電子線描画装置本体には、電子銃１１とステージ１２と偏向部１３と収束レンズ１４が設けられ、電子銃１１から、ステージ１２上に載置されたフォトマスクＭに照射される電子ビームは、偏向部１３及び収束レンズ１４によって、照射位置が制御される。
【０００７】
ステージ１２は、制御コンピュータ２から、ステージ制御部１２を介して駆動モータ３を駆動させることによって、移動することができ、後述する高さ測定部４による測定の位置を確定する。
【０００８】
高さ測定部４は、光源４１と光源４１から照射される光ＬｉをフォトマスクＭ上で収束させる投光レンズ４２とフォトマスクＭ上で反射した光Ｌｒを受けて収束させる受光レンズ４３と受光レンズ４３によって収束された光Ｌｒを受けて光の位置を検出する光位置検出器４４とから構成されている。
【０００９】
光位置検出器４４によって検出された光の位置から、フォトマスクＭ表面の高さデータ処理部２２で高さデータが生成され、制御コンピュータ２を介して、この高さデータが高さ補正演算部２３に転送され、高さ補正データが算出される。
【００１０】
この高さ補正データと、制御コンピュータ２によって、パターンデータメモリ２４から読み出されたパターンデータとを描画データ制御部２５で受取り、高さ補正を反映した描画データを生成し、この描画データをＤ/Ａ変換部２６で変換し、偏向部１３の動きを制御して、所望の描画が行われる。
【００１１】
ところで、フォトマスクは、表面に薄膜層を形成しており、フォトマスクの種類によって光の反射率が異なる（図９参照）。
【００１２】
反射率が低いフォトマスクについて光測定をした場合、検出信号の強度が低いため、正確に位置を捉えることができず、測定精度が落ちるという問題があった。
【００１３】
そこで、反射率の低い試料（フォトマスク）の高さを精度よく測定するために、従来、高さセンサ部が照射する光の強度をフォトマスク表面の反射率に応じて調整する調整手段を備えた荷電粒子ビーム描画装置が提案されていた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３０３７５８（請求項１の記載、９ページ［００６６］から［００７０］の記載）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記従来技術の高さ測定部は、２つの光位置検出器を備えており、この２つの光位置検出器の出力電圧をＶ１，Ｖ２とすると、測定される高さＺは、式（１）のように表される。
Ｚ＝α×（Ｖ１−Ｖ２）/（Ｖ１＋Ｖ２）…（１）
ここでαは、測定範囲を示す。
【００１５】
しかし、実際には、照射する光による検出信号のほかに、光位置検出器自体が有する暗電流により、オフセットが存在する。したがって、暗電流の存在を考慮すると、実際に測定される高さＺは、式（２）のようになる。
Ｚ＝α×（(Ｖ１+Ｖ１o)−(Ｖ２+Ｖ２o)）/（(Ｖ１+Ｖ１o)＋(Ｖ２+Ｖ２o)）…（２）
ここで、Ｖ１oは、光量Ｖ１の光位置検出器のオフセット電圧、Ｖ２oは、光量Ｖ２の光位置検出器のオフセット電圧を示す。
【００１６】
図１０は、上記オフセットがＶ１o＝０．１V、Ｖ２o＝０.２Vの場合に、高さが０μｍのフォトマスクを測定する光量の出力を１Ｖから２４Ｖに変動させて測定した結果を示したグラフである。なお、測定範囲は、α＝±１００μｍとする。また、光位置検出器の中心に光が当たっているもの（Ｖ１＝Ｖ２）とする。また光量は、V1+V2と定義する。
【００１７】
全体の光量が１Ｖから２４Ｖに変動すると、フォトマスクの高さに変化がないにも関わらず、上記暗電流によるオフセットの影響で、測定値としては、見かけ上の高さが変化したことになっている。
【００１８】
上記従来技術では、反射率の低いフォトマスクについて、前記オフセットの影響を回避するために、光量を調整する調整手段が提供されていたが、このオフセットの影響で測定値が経時的に変化するゆらぎを考慮していないため、光量を調整しても、光量が安定するまでは、測定値がゆらぎ正確な高さ測定ができなくなるという不都合が生じていた。
【００１９】
また、上記従来技術にかかる高さ測定部は、反射した光量を一定にする調整手段を備えている。この調整手段は、加算器、比較器等の算出手段に基づき、光位置検出器によって検出された信号と、あらかじめ設定された定数とを比較し、その差の信号を光源に出力するものである。
【００２０】
しかし、調整する信号の値を算出する手段については、説明されているものの、調整された信号により、光源４１からフォトマスクMに照射される入射光量の具体的な出力手段については、なんら説明されていなかった。
【００２１】
ところで、近年、電子線描画装置は、高ＮＡ（Numerical aperture）化の要請に対応するため、電子鏡筒とフォトマスクとを近接させる必要が生じているが、その結果、前記高さ測定装置とフォトマスクとの間のスペースが狭くなり、前記光源から照射する光、あるいは反射光が、上記電子鏡筒によって一部遮断され、高さ測定できない領域が生じていた。
【００２２】
しかしながら、上記従来技術では、このような測定不可領域の高さデータの取得方法に関する解決手段が示されていないため、実際には、正確な高さ測定ができないという不都合が生じていた。
【００２３】
そこで、本発明は、前記問題点に鑑み、前記測定値のゆらぎによる影響を回避し、簡易な入射光量の出力手段により、光量を調整するとともに、測定された高さデータから前記測定不可領域の高さデータを取得して、高精度の高さ測定が可能な電子線描画装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記課題を解決するため、本発明にかかる電子線描画装置は、フォトマスク表面に対して斜め上方から光を照射する光源と、この光源から照射される光をフォトマスク表面で収束させる投光レンズと、前記フォトマスク表面で反射した前記光を受ける受光レンズと、この受光レンズにより収束された光が入射して、反射光の位置を検出する光位置検出器とを有するフォトマスク表面の高さ測定手段を備えた電子線描画装置であって、前記高さ測定手段は、前記光位置検出器に入射する反射光量の読出し手段と、読み出された光量が、所定の光量になるように、高さ測定をするフォトマスクの種類に応じて、前記光源から照射される入射光量を自動制御する制御手段とを備え、前記読出し手段は、前記反射光量を所定の待機時間経過後に読出し、前記制御手段は、読み出した光量が前記所定の光量に到達していない場合は、前記読出し手段が読み出し可能な光量値の範囲内でフィードバック制御するものであることを特徴とする。
【００２５】
高さ測定の精度は、Ｓ/Ｎ比（Signal to Noise ratio）に依存する。高さ測定時のノイズが一定とすれば、高さ測定の精度は、実質的に反射光量の多少に左右されることになる。すなわち、反射光量から読み出される信号強度が強いほど、測定精度も向上する。
【００２６】
そこで、前記反射光量の読出し手段により光量を読み出し、この光量が、所定の光量、すなわち、高い精度の高さ測定に必要な光量になるように、前記光源から照射される入射光量を増大させるフィードバック制御を行うようにすればよい。
【００２７】
ただし、入射光量を増大させる場合、図１０で示した通り、オフセットの影響を回避する必要がある。
【００２８】
そこで、オフセットの影響による測定値がゆらぐ時間を待機時間とし、この待機時間経過後に光量を読み出し、高さ測定するように設定すれば、安定した測定値を取得することができる。
【００２９】
なお、前記読出し手段で反射光量から読み出される信号強度が、読出し手段で読出し可能な範囲を超えないようにする必要がある。
【００３０】
そこで、前記所定の光量は、前記読出し手段が読み出し可能な光量値の範囲内とすればよい。この光量値の範囲は、上限を読出し可能な信号強度の最大値で設定してもよいが、実際には、この最大値にマージンを持たせた値で設定することが好ましい。
【００３１】
前記光源は、光量が可変であり、前記制御手段は、この光源の光量を制御するものであればよい。光量が可変な光源としては、たとえば、半導体レーザが好適である。半導体レーザを使用する場合は、入力電流に依存して、光出力（光量）が増大し、光量変化の応答速度も速いため、前記制御手段として、入力電流を制御すればよい。
【００３２】
また、前記制御手段は、前記光源と投光レンズとの間の光の入射路に、２枚の偏光板を介在させ、光の入射方向を回転軸として、いずれか一方の偏光板を回転自在に駆動させる駆動手段を有するものであってもよい。
【００３３】
偏光板に光源から照射された光が入射すると、直線偏光（完全偏光）を取り出すことができる。そこで、前記の通り、２枚の偏光板を介在させて、１枚を回転させることにより、透過する光量を制御して、反射光量を所定の光量に調整すればよい。
【００３４】
前記光位置検出器は、光位置検出とともに、前記読出し手段として光量検出可能な光学素子からなるもの、たとえば、ＰＳＤ（Position  Sensitive  Detector）、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）などであればよい。
【００３５】
なお、前記測定不可領域の高さデータについては、前記高さ測定手段に、前記所定の光量で測定された高さデータに基づいてマップ補正データを生成する補正データ生成手段を設け、補間すればよい。
【発明の効果】
【００３６】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる電子線描画装置は、反射率の低いフォトマスクであっても、前記入射光量の出力手段により、安定した測定値を取得できるように光量を調整し、高精度の高さ測定が可能になるという効果を奏する。
また、上記算出された光量を調整する信号により、光源からフォトマスクに照射される入射光量の簡易な構成による出力手段を提供することができるので、高精度の高さ測定を簡易に行うことができるという効果を奏する。
【００３７】
さらに、前記高さ測定手段によって実測が不可能な領域については、この高さ測定手段によって取得された高さデータからマップ補正データを生成することにより補間することが可能であるため、より高精度な高さ測定を実現できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
図１は、本発明にかかる電子線描画装置の高さ測定部４を示したものである。図８で示した従来の高さ測定部４と同一の構成については、同一の番号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３９】
光源４１から投光レンズ４２を介して照射された入射光Ｌｉは、フォトマスクＭの表面で反射し、反射光Ｌｒとして受光レンズ４３を介して光位置検出器４４で収束し、反射位置とともに、光量が検出される。光量の検出は、読出し部（図示せず）を設けてもよいが、光位置検出器４４を構成する光学素子として、光量検出可能なもの、たとえば、ＰＳＤ（Position  Sensitive  Detector）、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）などを使用してもよい。
【００４０】
検出された光量は、高精度の高さ測定に必要な光量と比較し、検出された光量が所定の光量よりも小さい場合には、光源４１から照射される入射光量を増大させるように、フィードバック制御部２０で自動制御される。
【００４１】
フィードバック制御部２０で上記入射光量が制御され、検出された光量が、前記所定の光量に達すると、高さデータ処理部２２で高さデータが生成され、高さ測定の処理が行われる。
【００４２】
高さ測定の精度は、Ｓ／Ｎ比に依存する。ノイズは、様々な要因で発生するが、熱雑音や電気回路による雑音は、光量の変動に関わらず一定であると考えられる。したがって、ノイズを一定と考えれば、光量が大きくなれば、大きくなるほど、Ｓ／Ｎ比の数値も限りなく大きくなる。このような関係から、上記の通り、入射光量を制御して光量を大きくすれば、高さ測定の精度も向上する。
【００４３】
たとえば、反射率が２０％と６０％のフォトマスクがある場合、入射光量を制御しないと、反射率の差異がそのまま測定光量の差異に匹敵するため、上記反射率が２０％のフォトマスクは、６０％のフォトマスクに比べてＳ/Ｎ比が３倍程度悪化することになる。そこで、前記入射光量を制御して、前記読出し部で読み出される光量として、所定の光量、すなわち、高精度の高さ測定に必要な光量を確保することができれば、フォトマスクの反射率に影響されることなく、高精度の高さ測定が可能になる。
【００４４】
ただし、入射光量を増大させた場合、光位置検出器４４自体が有する暗電流によるオフセットの影響を回避する必要がある。
【００４５】
そこで、オフセットの影響による測定値がゆらぐ時間を待機時間とし、この待機時間経過後に高さ測定するように設定すれば、安定した測定値を取得することができる。
【００４６】
以下、図２を用いて、所定の光量に切り替えた時の光量の経時的な変化と高さデータの変動との関係を説明する。
【００４７】
図２（ａ-１）は、設定した所定の光量を２．１３Ｖとした場合の実際の光量の経時的変化を示し、（ａ-２）は、上記光量の経時的変化にともなうフォトマスク（試料）の高さデータの変動を示している。
【００４８】
（ａ-１）によれば、光量切り替えから１３秒程度まで急峻な光量値の上昇を示し、設定した２．１３Ｖに落ち着くのは、３３秒前後である。
【００４９】
一方、（ａ-２）によれば、高さデータが安定した値（‐０．１８〜-０．１６μｍ）を示すのも、３３秒前後である。
【００５０】
したがって、前記所定の光量を２．１３Ｖで設定した場合、前記待機時間は、３３秒とすればよい。
【００５１】
次いで、図２（ｂ−１）は、設定した所定の光量を１．３８Ｖとした場合の実際の光量の経時的変化を示し、（ｂ-２）は、上記光量の経時的変化にともなうフォトマスク（試料）の高さデータの変動を示している。
【００５２】
（ｂ-１）によれば、光量切り替えから８秒程度まで急激に光量値が下降し、設定した１．３８Ｖに落ち着くのは、２０秒前後である。
【００５３】
一方、（ｂ-２）によれば、高さデータが安定した値（‐０．２０〜-０．２３μｍ）を示すのも、２０秒前後である。
【００５４】
したがって、前記所定の光量を１．３８Ｖで設定した場合、前記待機時間は、２０秒とすればよい。
【００５５】
なお、前記読出し部で反射光量から読み出される信号強度が、読出し部で読出し可能な範囲を超えないようにする必要がある。
【００５６】
そこで、前記所定の光量は、前記読出し部が読み出し可能な光量値の範囲内とすればよい。実際には、この所定の光量を読出し可能な信号強度の最大値で設定してもよいが、安全を考慮すると、この最大値にマージンを持たせ、この最大値よりも若干小さ目の値で設定することが好ましい。
【００５７】
ところで、高ＮＡ（Numerical aperture）化の要請に対応するため、電子線描画装置１の電子鏡筒（図示せず）とフォトマスクMとを近接させると、高さ測定部４とフォトマスクMとの間のスペースが狭くなり、光源４１から照射する光Li、あるいは反射光Lrが、上記電子鏡筒によって一部遮断され、高さ測定できない領域が生じる。
【００５８】
そこで、この測定不可領域の高さデータについては、測定された高さデータに基づいてマップ補正データを生成する補正データ生成部（図示せず）を設けて、補間するようにすればよい。
【００５９】
この測定不可領域の高さデータZは、測定が可能な領域で測定された離散的な高さデータから、Z=f(X,Y)となるように、座標X,Yの２項を変数とする関数ｆ（X，Y）を近似し、それを測定不可領域のZに適用することによって生成することができる。たとえば、f(X,Y)として3次多項式を用いた場合を下記（３）式に示す。
Ｚ＝aX３＋bY３＋cX２Y＋dXY２＋eXY＋ｆX２＋gY２＋ｈX＋ iY＋j…（３）
すなわち、測定が可能な領域で測定された離散的な高さデータから、（３）式の係数、a,b,c......jを求め、上記Ｚを補間すればよい。
【００６０】
次に、上記フィードバック制御部２０によって光量を調整する信号により、光源４１からフォトマスクＭに照射される入射光量の具体的な出力手段を説明する。
【００６１】
図３は、本発明にかかる第１の実施形態のフローチャートを示したものである。
【００６２】
本実施形態では、図１で示す光源４１として半導体レーザを使用するものを示した。反導体レーザは、そのＬ−Ｉ特性により、入力電流に依存して、光出力（光量）が増大し、光量変化の応答速度も速いため、光量制御に使用する光源としては好適である。ただし、半導体レーザに限定する趣旨ではなく、光量が可変な光源であって、光量を制御することが可能なものであれば、半導体レーザ以外の光源であってもよい。
【００６３】
なお、半導体レーザの場合、レーザの寿命は、流す電流量に依存する。そこで、電流量を低めに制御し、あるいはＯＮ/ＯＦＦを小刻みに繰り返すようにすればよい。電流量の制御は、前記の通り、最大信号強度に対してある程度マージンを設定することも可能であるため、このマージンの設定に際して、半導体レーザの寿命も考慮するようにすればよい。
【００６４】
まず、半導体レーザ（光源４１）を起動し（Ｓ１）、フォトマスクＭの表面に向けてレーザ光Ｌｉを入射する（Ｓ２）。入射光Ｌｉの光量が安定する所定時間待機してから（Ｓ３）、フォトマスクＭの表面で反射した反射光Ｌｒの光量を光位置検出器４４で検出する（Ｓ４）。
【００６５】
フィードバック制御部２０で、上記検出された反射光量値ｌが、所定の光量値Ｌよりも小さいと判断した場合（Ｓ５）、半導体レーザに供給する電流を増大させて照射する光量が大きくなるように処理する（Ｓ６）。
【００６６】
検出された反射光量値ｌが、所定の光量値Ｌよりも小さくないと判断した場合（Ｓ５）、高さ測定を開始する（Ｓ７）。なお、図１で説明したとおり、所定の光量値Ｌは、前記読出し部が読み出し可能な光量値の範囲内で設定され、反射光量値ｌは、この範囲内で制御されるため、所定の光量値Ｌよりも小さくないと判断した場合とは、反射光量値ｌが所定の光量値Ｌに一致した場合ということになる。
【００６７】
図４は、本発明にかかる第２の実施形態のフローチャートを示したものである。
【００６８】
本実施形態は、光源４１自体は制御せず、入射光学系に光量調整機構を設けて光量を制御するものである。
【００６９】
まず、光源４１を起動し（Ｓ’１）、上記光量調整機構を作動させる（Ｓ’２）。
【００７０】
この光量調整機構は、図５で示す通り、２枚の偏光板Ｐ１及びＰ２を有する。偏光板Ｐ１及びＰ２は、図１で説明した光源４１と投光レンズ４２との間の光の入射路ｉに介在させる。光源４１から照射される入射光は、複数の方向の振動面を有する光の集まりであるが、偏光板Ｐ１、Ｐ２の偏光軸aと同一方向で光を透過させると、直線偏光（完全偏光）を取り出すことができる。
【００７１】
この偏光板P１、P２の性質を利用して、いずれか一方の偏光板（本実施形態では、偏光板P1）に、ステッピングモータなどの駆動手段を設け（図示せず）、入射光の入射方向を回転軸として回転自在に駆動させ、光の透過率を制御し、反射光量を所定の光量に調整する。
【００７２】
図４に戻り、光量調整機構を透過した光が入射し（Ｓ’３）、図２の場合と同様、入射光Ｌｉの光量が安定する所定時間待機してから（Ｓ’４）、フォトマスク表面で反射した反射光Ｌｒの光量を光位置検出器４４で検出する（Ｓ’５）。
【００７３】
フィードバック制御部２０で、上記検出された反射光量値ｌが、所定の光量値Ｌよりも小さいと判断した場合（Ｓ’６）、上記ステッピングモータなどの駆動手段を制御して偏光板を回転させ、光の透過率を制御し、照射する光量を大きくする（Ｓ’７）。
【００７４】
検出された反射光量値ｌが、所定の光量値Ｌよりも小さくないと判断した場合（Ｓ’６）、高さ測定を開始する（Ｓ’８）。なお、図２同様、所定の光量値Ｌよりも小さくないと判断した場合とは、反射光量値ｌが所定の光量値Ｌに一致した場合ということになる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明にかかる電子線描画装置の高さ測定部を示す図
【図２】（ａ-１）設定した所定の光量を２．１３Ｖとした場合の実際の光量の経時的変化を示す図、（ａ-２）（ａ-１）の経時的変化にともなうフォトマスク（試料）の高さデータの変動を示す図、（ｂ-１）設定した所定の光量を１．３８Ｖとした場合の実際の光量の経時的変化を示す図、（ｂ-２）（ｂ-１）の経時的変化にともなうフォトマスク（試料）の高さデータの変動を示す図
【図３】本発明にかかる第１の実施形態のフローチャートを示した図
【図４】本発明にかかる第２の実施形態のフローチャートを示した図
【図５】第２の実施形態の光量調整機構を示す図
【図６】フォトマスクの高さ誤差による描画位置の位置ずれを示す図
【図７】フォトマスクの高さ誤差による電子ビームぼけを示す図
【図８】従来の高さ測定手段を備えた電子線描画装置を示すブロック図
【図９】フォトマスクの種類別の反射率の測定結果を示す図
【図１０】オフセット一定でのシミュレーション結果を示す図
【符号の説明】
【００７６】
１    電子線制御装置本体
２    制御コンピュータ
３    駆動モータ
４    高さ測定部
４１  光源
４２  投光レンズ
４３  受光レンズ
４４  光位置検出器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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