(57)【要約】【課題】遮断部材を基板表面に対向して配置しながら処理液で濡れた基板表面をＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面を良好に乾燥させる。【解決手段】環状の下側気体供給路９９ｂが上側気体供給路９９ａの下端部から下方外向きに、スカート状に延びる。開口部９０ｂと先端部材９５ｂの間隔ｒ２が回転支軸９１と内挿軸９５の上端部の間隔ｒ１よりも大きくなるように両気体供給路９９ａ、９９ｂが遮断部材９に設けられる。したがって、窒素ガスが上側気体供給路９９ａに圧送されると、窒素ガスは下側気体供給路９９ｂで下方外向きに広げられながら、下側気体供給路９９ｂの下端部に開口された気体吐出口９９ｃから下方外向きに吐出されて窒素ガスが減速されて間隙空間ＳＰに供給される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を前記基板表面から除去することによって前記基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
前記基板表面を上方に向けた略水平姿勢で前記基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面から上方に離間配置された遮断部材と、
前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に気体を供給する気体供給手段とを備え、
前記遮断部材は、前記基板表面に対向する基板対向面を有するとともに前記基板表面の中央部に対応して開口部が設けられた板状部材と、中空部を有するとともに前記板状部材と一体あるいは別体で前記板状部材から上方に延設されて前記中空部が前記開口部と繋がった支軸と、前記中空部および前記開口部に挿通された内挿軸とを備え、
前記気体供給手段は前記支軸と前記内挿軸の上端部で形成される環状の上側気体供給路に前記気体を送り込み、
前記開口部と前記内挿軸の下端部で形成される環状の下側気体供給路は前記上側気体供給路と繋がり、しかも前記上側気体供給路から下方外向きに傾斜して設けられ、前記下側気体供給路の下端部に形成された環状の気体吐出口から前記気体を前記間隙空間に吐出する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記気体吐出口の面積は前記上側気体供給路での前記気体の流通断面積よりも広い請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記内挿軸の前記下端部の外壁面と前記開口部の内壁面との間隔ｒ２は前記内挿軸の前記上端部の外壁面と前記支軸の内壁面との間隔ｒ１よりも大きい請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記内挿軸の前記下端部の外壁面と前記開口部の内壁面はともに下方外向きに傾斜した傾斜面であり、水平面に対し、前記内壁面の傾斜角θ２は前記外壁面の傾斜角θ１よりも小さい請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記内挿軸の下端部に中央吐出口が形成されるとともに、前記内挿軸の内部に前記気体供給手段からの気体を前記中央吐出口に案内する中央気体供給路が形成され、前記中央吐出口から前記気体を前記間隙空間に吐出する請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記気体供給手段は不活性ガスを前記気体として供給する請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記気体供給手段は低露点空気を前記気体として供給する請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板表面を上方に向けた略水平姿勢で保持された基板を所定の回転軸回りに回転させながら前記基板表面に処理液を供給して前記基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、
遮断部材の基板対向面を前記基板表面に対向させた状態で前記遮断部材を前記基板表面から上方位置に離間配置しながら前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板表面に供給することによって前記基板表面に付着している処理液を前記低表面張力溶剤に置換させる置換工程と、
前記置換工程後に前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して前記基板表面を乾燥させる乾燥工程とを備え、
前記置換工程において、前記回転軸を取り囲むように前記基板対向面に形成された環状の気体吐出口から気体を下方外向きに吐出させることによって前記間隙空間に気体を供給することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、処理液で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、乾燥処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ：Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、薬液による薬液処理および純水などのリンス液によるリンス処理が行われた後、基板表面に付着するリンス液を除去すべく、乾燥処理が実行される。例えば特許文献１に記載の装置は、基板を水平姿勢にて保持するスピンチャックと、スピンチャックを回転させるモータと、スピンチャックに対向して設けられた雰囲気遮断部材と、雰囲気遮断部材を回転させるモータと、スピンチャックに保持された基板の周囲を取り囲むカップとを備えており、次のようにして薬液処理、リンス処理および乾燥処理を実行する。この装置では、搬送ロボットによって未処理の基板がスピンチャックに渡されて保持されると、雰囲気遮断部材がスピンチャックに近接して基板表面を上方より覆うとともに、カップがスピンチャックおよび雰囲気遮断部材の周囲を囲むように位置する。その後、スピンチャックおよび雰囲気遮断部材を回転させながら基板に対して薬液による薬液処理および純水によるリンス処理が行われる。そして、純水によるリンス処理が終了した後、基板をそのまま回転させ続けて基板に付着した水滴を遠心力によって振り切る（乾燥処理）。また、この装置では、雰囲気遮断部材により基板表面を覆った状態で窒素ガスなどの不活性ガスやドライエアー（低露点空気）が基板と雰囲気遮断部材の間に供給され、不活性ガス雰囲気や低湿度雰囲気などの基板乾燥に適した雰囲気で乾燥処理が実行されるため、ウォーターマークの発生を抑制して基板処理を良好に行うことが可能となっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１４６７８４号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来装置では、リンス処理後スピン乾燥を直ちに実行しているが、近年、ウォーターマークの発生をより効果的に抑制するために、純水よりも表面張力が低い例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール：isopropyl alcohol）液を用いた置換処理を上記スピン乾燥前に行うことが提案されている。この置換処理とは、リンス処理後に基板表面にＩＰＡ液を供給してＩＰＡ液の液膜を形成し、基板表面において純水をＩＰＡ液に置換させる処理である。そして、この置換処理の後に、基板を高速回転させてＩＰＡ液を基板表面から除去することによって基板表面を乾燥させることができる。
【０００５】
しかしながら、ＩＰＡ液は純水に比べて基板表面に対する表面張力が低いため、特許文献１に記載の発明と同様に不活性ガスやドライエアーを基板と雰囲気遮断部材の間に吐出した場合、次のような問題が発生することがあった。すなわち、基板と雰囲気遮断部材に挟まれた間隙空間を基板乾燥に適した雰囲気とするためには、間隙空間に供給する気体（不活性ガスやドライエアーなど）の流量を十分に確保する必要がある。そこで、特許文献１の記載の発明において気体流量を高めると、気体吐出口から基板表面に向けて吐出される気体の流速が速くなる。その結果、ＩＰＡ液の液膜のうち当該気体が直接当たった部分ではＩＰＡ液が蒸発して基板表面の一部が露出して液滴残留が発生し易くなる。一方、気体流量を抑えると、基板乾燥に適した雰囲気が形成されず、乾燥不良が生じやすくなる。このように、遮断部材により基板表面を覆った状態でＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いた置換処理を乾燥処理前に実行する装置では、基板表面の乾燥を良好に行うためには、間隙空間に供給する気体の流量を十分に確保しながらも基板表面に当たる気体の流速を抑えることが非常に重要となっている。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、遮断部材を基板表面に対向して配置しながら処理液で濡れた基板表面をＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面を良好に乾燥させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を基板表面から除去することによって基板表面を乾燥させる基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板表面を上方に向けた略水平姿勢で基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段と、基板保持手段に保持された基板の表面から上方に離間配置された遮断部材と、遮断部材と基板表面との間に形成される間隙空間に気体を供給する気体供給手段とを備え、遮断部材は、基板表面に対向する基板対向面を有するとともに基板表面の中央部に対応して開口部が設けられた板状部材と、中空部を有するとともに板状部材と一体あるいは別体で板状部材から上方に延設されて中空部が開口部と繋がった支軸と、中空部および開口部に挿通された内挿軸とを備え、気体供給手段は支軸と内挿軸の上端部で形成される環状の上側気体供給路に気体を送り込み、開口部と内挿軸の下端部で形成される環状の下側気体供給路は上側気体供給路と繋がり、しかも上側気体供給路から下方外向きに傾斜して設けられ、下側気体供給路の下端部に形成された環状の気体吐出口から気体を間隙空間に吐出することを特徴としている。
【０００８】
また、この発明にかかる基板処理方法は、上記目的を達成するため、基板表面を上方に向けた略水平姿勢で保持された基板を所定の回転軸回りに回転させながら基板表面に処理液を供給して基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、遮断部材の基板対向面を基板表面に対向させた状態で遮断部材を基板表面から上方位置に離間配置しながら処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を基板表面に供給することによって基板表面に付着している処理液を低表面張力溶剤に置換させる置換工程と、置換工程後に低表面張力溶剤を基板表面から除去して基板表面を乾燥させる乾燥工程とを備え、置換工程において、回転軸を取り囲むように基板対向面に形成された環状の気体吐出口から気体を下方外向きに吐出させることによって間隙空間に気体を供給することを特徴としている。
【０００９】
このように構成された発明（基板処理装置および方法）では、乾燥処理前に遮断部材が基板表面に対向しながら基板表面から上方に離間配置された状態で低表面張力溶剤が基板表面に供給されて基板表面に付着している処理液が低表面張力溶剤に置換される（置換処理）。また乾燥処理前に、上記置換処理により低表面張力溶剤の液膜が形成された基板表面と遮断部材の間に形成される間隙空間に気体が次のように供給される。この遮断部材には、基板表面に向けて気体を吐出するために環状の気体吐出口が形成されている。そして、気体吐出口から気体が下方外向きに吐出して間隙空間に気体が供給される。したがって、気体が環状に広がりながら間隙空間に供給され、気体の流量を十分に確保しながらも気体の流速を落とすことができる。しかも、基板表面上の液膜に対して気体が上記のように広がりながら、しかも斜めに当たるため、気体の垂直速度成分が減速されて液膜の部分乾燥が効果的に防止される。
【００１０】
ここで、気体の流量を十分に確保しながらも気体の流速を減速させるためには、気体吐出口に気体を導入する経路、つまり上側気体供給路での気体の流通断面積に比べ、気体吐出口の面積を広げるのが好適である。例えば、上記基板処理装置において、内挿軸の下端部の外壁面と開口部の内壁面との間隔ｒ２を内挿軸の上端部の外壁面と支軸の内壁面との間隔ｒ１よりも大きくしたり、内挿軸の下端部の外壁面と開口部の内壁面をともに下方外向きに傾斜した傾斜面で構成するとともに水平面に対する内壁面の傾斜角θ２を外壁面の傾斜角θ１よりも小さくすることができる。これらの構成を採用することで環状の気体吐出口から吐出する気体の流速を効果的に減速させることができる。
【００１１】
また、内挿軸の下端部に中央吐出口を形成するとともに、内挿軸の内部に気体供給手段からの気体を中央吐出口に案内する中央気体供給路を形成し、中央吐出口から気体を間隙空間に吐出するように構成してもよい。このように環状の気体吐出口以外に中央吐出口からも気体を吐出することで基板表面の中央部にも気体を確実に供給することができ、間隙空間全体に気体を均一に供給することができる。
【００１２】
また、不活性ガスを気体として供給することによって間隙空間を不活性ガス雰囲気とすることができる。また、低露点空気を気体として供給することによって間隙空間を低湿度雰囲気とすることができる。このように間隙空間を基板乾燥に適した雰囲気に調整することができるため、ウォーターマークの発生をさらに効果的に抑制することができる。
【００１３】
なお、本発明に用いられる「低表面張力溶剤」としては、アルコール系有機溶剤や、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル：hydrofluoroether）、アセトン（acetone）およびTrans-1，2ジクロロエチレン（trans1,2-dichloroethylene）などを用いることができる。また、アルコール系有機溶剤としては、安全性、価格等の観点からイソプロピルアルコール、エチルアルコールまたはメチルアルコールを用いることができるが、特にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が好適である。また、低表面張力溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけではなく、他の成分と混合した液であってもよい。例えば、ＩＰＡと純水の混合液であってもよいし、ＩＰＡとＨＦＥの混合液であってもよい。
【００１４】
また、低露点空気とは半導体装置や液晶表示装置などの電子部品を製造するプロセスに適合するように調湿・調温された空気を意味しており、例えば相対湿度１０．５％（露点温度が約−１０゜Ｃ）以下に減湿された空気である。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、基板表面と遮断部材の間に形成される間隙空間に対して環状の気体吐出口から気体を下方外向きに吐出することによって、間隙空間に気体を供給している。このため、低表面張力溶剤の液膜に対して気体が環状に広がりながら、しかも斜めに当たることとなり、気体の流量を十分に確保しながらも気体の流速を落とすことができる。その結果、気体供給による乾燥不良の発生を防止しつつ間隙空間に対して十分な気体を供給して基板乾燥に適した雰囲気を確実に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１はこの発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Ｗの表面Ｗｆに付着している不要物を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、基板表面Ｗｆに対してフッ酸などの薬液による薬液処理および純水やＤＩＷ（脱イオン水：deionized water）などのリンス液によるリンス処理を施した後、リンス液で濡れた基板表面Ｗｆを乾燥させる装置である。なお、この実施形態では、基板表面Ｗｆとはｐｏｌｙ−Ｓｉ等からなるデバイスパターンが形成されたパターン形成面をいう。
【００１７】
この基板処理装置は、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに向けて薬液を吐出する薬液吐出ノズル３と、スピンチャック１の上方位置に配置に配置された遮断部材９とを備えている。
【００１８】
スピンチャック１は、回転支軸１１がモータを含むチャック回転機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転機構１３の駆動により回転軸Ｊ（鉛直軸）回りに回転可能となっている。これら回転支軸１１、チャック回転機構１３は、円筒状のケーシング２内に収容されている。回転支軸１１の上端部には、円盤状のスピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット４からの動作指令に応じてチャック回転機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が回転軸Ｊ回りに回転する。このように、この実施形態では、チャック回転機構１３が本発明の「基板回転手段」として機能する。
【００１９】
スピンベース１５の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部を把持するための複数個のチャックピン１７が立設されている。チャックピン１７は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース１５の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン１７のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン１７は、基板保持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Ｗの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
【００２０】
スピンベース１５に対して基板Ｗが受渡しされる際には、複数個のチャックピン１７を解放状態とし、基板Ｗに対して洗浄処理を行う際には、複数個のチャックピン１７を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン１７は基板Ｗの周縁部を把持してその基板Ｗをスピンベース１５から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Ｗはその表面（パターン形成面）Ｗｆを上方に向け、裏面Ｗｂを下方に向けた状態で支持される。このように、この実施形態では、チャックピン１７が本発明の「基板保持手段」として機能する。なお、基板保持手段としてはチャックピン１７に限らず、基板裏面Ｗｂを吸引して基板Ｗを支持する真空チャックを用いてもよい。
【００２１】
薬液吐出ノズル３は、薬液バルブ３１を介して薬液供給源と接続されている。このため、制御ユニット４からの制御指令に基づいて薬液バルブ３１が開閉されると、薬液供給源から薬液が薬液吐出ノズル３に向けて圧送され、薬液吐出ノズル３から薬液が吐出される。なお、薬液にはフッ酸またはＢＨＦ（Buffered Hydrofluoric acid：バッファードフッ酸）などが用いられる。また、薬液吐出ノズル３にはノズル移動機構３３（図２）が接続されており、制御ユニット４からの動作指令に応じてノズル移動機構３３が駆動されることで、薬液吐出ノズル３を基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置と吐出位置から側方に退避した待機位置との間で往復移動させることができる。
【００２２】
遮断部材９は、中心部に開口部を有するドーナツ盤状の板状部材９０と、内部が中空に仕上げられ、板状部材９０を支持する回転支軸９１と、回転支軸９１の中空部および板状部材９０の開口部に挿通された内挿軸９５とを有している。板状部材９０はスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向配置されている。板状部材９０は、その下面（底面）９０ａが基板表面Ｗｆと略平行に対向する基板対向面となっており、その平面サイズは基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されている。板状部材９０は略円筒形状を有する回転支軸９１の下端部に略水平に取り付けられ、回転支軸９１は水平方向に延びるアーム９２により基板Ｗの中心を通る回転軸Ｊ回りに回転可能に保持されている。内挿軸９５の外周面と回転支軸９１の内周面との間にはベアリング（図示せず）が介在して取り付けられている。アーム９２には、遮断部材回転機構９３と遮断部材昇降機構９４が接続されている。
【００２３】
遮断部材回転機構９３は、制御ユニット４からの動作指令に応じて回転支軸９１を回転軸Ｊ回りに回転させる。回転支軸９１が回転させられると、板状部材９０が回転支軸９１とともに一体的に回転する。遮断部材回転機構９３は、スピンチャック１に保持された基板Ｗの回転に応じて基板Ｗと同じ回転方向でかつ略同じ回転速度で板状部材９０（下面９０ａ）を回転させるように構成されている。
【００２４】
また、遮断部材昇降機構９４は、制御ユニット４からの動作指令に応じて遮断部材９をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット４は遮断部材昇降機構９４を作動させることで、基板処理装置に対して基板Ｗを搬入出させる際には、スピンチャック１の上方の離間位置に遮断部材９を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対して所定の処理を施す際には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された所定の対向位置（図１に示す位置）まで遮断部材９を下降させる。この実施形態では、リンス処理が開始されてから遮断部材９を離間位置から対向位置に下降させ、乾燥処理が完了するまで継続して遮断部材９を対向位置に位置させる。
【００２５】
図３は図１の基板処理装置に装備された遮断部材の要部を示す縦断面図である。また、図４は遮断部材の構成ならびに気体供給路および気体供給領域の関係を示す図であり、同図（ａ）は図３のＡ―Ａ’線断面図（横断面図）であり、同図（ｂ）は基板表面から吐出面を見た図であり、同図（ｃ）は環状気体吐出口から吐出された気体の基板表面への供給範囲を示している。この実施形態にかかる遮断部材９では、上記したように板状部材９０の中心部に開口部９０ｂが形成されている。この開口部９０ｂでは、円錐台形状の凹部が形成しており、開口部９０ｂの内壁面９０ｂ１は凹部の中心軸（回転軸Ｊと一致する）から下方外向きに傾斜した傾斜面となっている。
【００２６】
また、この開口部９０ｂが回転支軸９１の中空部９１ａと繋がるように回転支軸９１が板状部材９０の上面中央部から上方に延設されている。なお、この実施形態では、回転支軸９１は板状部材９０と一体的に設けられているが、板状部材９０と回転支軸９１をそれぞれ別体で設けるとともに、両者を締結部材によって一体化してもよい。
【００２７】
このように相互に連結された中空部９１ａおよび開口部９０ｂに内挿軸９５が挿通されている。この実施形態では、図３に示すように、内挿軸９５は、円柱状の軸体９５ａと、中空の円錐台形状を有する先端部材９５ｂを有しており、軸体９５ａの下方先端が先端部材９５ｂの中空部分に挿入されて両者が一体化されている。そして、軸体９５ａのうち先端部材９５ｂから上方の軸体部分が開口部９０ｂから回転支軸９１の中空部９１ａに送り込まれて先端部材９５ｂが開口部９０ｂに内挿されるとともに先端部材９５ｂより上方の軸体９５ａが中空部９１ａに内挿されている。なお、ここでは軸体９５ａと先端部材９５ｂを個別に形成するとともに両者を一体化させているが、軸体９５ａと先端部材９５ｂを一体的に形成してもよいことは言うまでもない。
【００２８】
この実施形態では、先端部材９５ｂの外壁面９５ｂ１は開口部９０ｂの内壁面９０ｂ１と同一傾斜角で傾斜しており、両者は全周に渡って一定間隔ｒ２だけ離間するように配置されている。また、回転支軸９１と内挿軸９５の上端部（軸体９５ａの上端側）においても、両者は全周にわたって均一に離間している。このため、内挿軸９５（非回転側部材）と回転側部材（回転支軸９１および板状部材９０）との隙間の間隔は全周にわたって均等となり、該隙間にシールガスを導入することで内挿軸９５と板状部材９０および回転支軸９１との隙間を外部からシールされた状態となっている。
【００２９】
この内挿軸９５の上端側では、回転支軸９１と内挿軸９５の上端部（軸体９５ａの上端側）が間隔ｒ１だけ全周にわたって均一に離間しており、環状の上側気体供給路９９ａが形成されている。これに対し、内挿軸９５の下端側では、開口部９０ｂと内挿軸９５の下端部（中空円錐台形状の先端部材９５ｂ）が間隔ｒ２だけ全周にわたって均一に離間しており、環状の下側気体供給路９９ｂが形成されている。これら２つの気体供給路９９ａ、９９ｂは互いに繋がっており、上側気体供給路９９ａが真っ直ぐ上下方向に延びているのに対し、下側気体供給路９９ｂは上側気体供給路９９ａの下端部から下方外向きに、スカート状あるいはラッパ状に延びている。しかも、この実施形態では、間隔ｒ２が間隔ｒ１よりも大きくなるように遮断部材９は構成されている。したがって、後述するように窒素ガスが上側気体供給路９９ａに圧送されると、窒素ガスは上側気体供給路９９ａを介して下側気体供給路９９ｂに送られ、さらに下側気体供給路９９ｂで下方外向きに広げられながら、下側気体供給路９９ｂの下端部に開口された気体吐出口９９ｃから下方外向きに吐出される。その結果、図４（ｃ）に示すように基板表面Ｗｆのうち回転中心Ｗ０を中心とし、開口部９０ｂよりも外側に広がった同心円状の気体供給領域１００に向けて窒素ガスが供給される。
【００３０】
一方、内挿軸９５には３本の流体供給路が鉛直軸方向に延びるように形成されている。すなわち、リンス液の通路となるリンス液供給路９６、ＩＰＡ液の通路となるＩＰＡ液供給路９７および窒素ガスの通路となる中央気体供給路９８が内挿軸９５に形成されている。リンス液供給路９６、ＩＰＡ液供給路９７および中央気体供給路９８はＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン：polytetrafluoroethylene）からなる内挿軸９５にそれぞれ、ＰＦＡ（パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）製のチューブ９６ｂ，９７ｂ，９８ｂを軸方向に挿入することによって形成されている。
【００３１】
そして、リンス液供給路９６、ＩＰＡ液供給路９７および中央気体供給路９８の下端がそれぞれ、リンス液吐出口９６ａ、ＩＰＡ液吐出口９７ａおよび中央気体吐出口（本発明の「中央吐出口」に相当）９８ａとなってスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆと対向している。この実施形態では、内挿軸９５の軸体９５ａの直径が１８〜２０ｍｍに形成されている。また、リンス液吐出口９６ａ、ＩＰＡ液吐出口９７ａおよび中央気体吐出口９８ａの口径がそれぞれ、４ｍｍ、２〜３ｍｍ、４ｍｍに形成されている。このように、この実施形態では、ＩＰＡ液吐出口９７ａの口径がリンス液吐出口９６ａの口径よりも小さくなっている。これにより、以下に示す不具合を防止できる。すなわち、ＩＰＡ液はリンス液（ＤＩＷ）に比較して表面張力が低くなっている。このため、リンス液吐出用に形成された口径と同一口径のＩＰＡ液吐出口からＩＰＡ液を吐出させた場合には、ＩＰＡ液の吐出停止後、ＩＰＡ液がＩＰＡ液吐出口から落下するおそれがある。一方で、ＩＰＡ液吐出用に形成された口径と同一口径のリンス液吐出口からリンス液を吐出させた場合には、リンス液の吐出速度が速くなってしまう。その結果、電気的絶縁体であるリンス液（ＤＩＷ）が基板表面Ｗｆに比較的高速で衝突することにより、リンス液が直接に供給された基板表面Ｗｆの供給部位が帯電して酸化するおそれがある。これに対して、この実施形態では、ＩＰＡ液とリンス液の吐出口を個別に設けるとともに、ＩＰＡ液吐出口９７ａの口径をリンス液吐出口９６ａの口径よりも小さく形成している。このため、ＩＰＡ液吐出口からＩＰＡ液が落下するのを防止するとともに、リンス液吐出口からのリンス液の吐出速度が速くなるのを抑え、基板表面Ｗｆの帯電による酸化を抑制することができる。
【００３２】
また、この実施形態では、リンス液吐出口９６ａが遮断部材９の中心軸、つまり基板Ｗの回転軸Ｊから径方向外側にずれた位置に設けられている。これにより、リンス液吐出口９６ａから吐出されたリンス液が基板表面Ｗｆの一点（基板Ｗの回転中心Ｗ０）に集中して供給されるのが回避される。その結果、基板表面Ｗｆの帯電部位を分散させることができ、基板Ｗの帯電による酸化を低減することができる。その一方で、リンス液吐出口９６ａが回転軸Ｊから離れ過ぎると、基板表面Ｗｆ上の回転中心Ｗ０にリンス液を到達させることが困難となってしまう。そこで、この実施形態では、水平方向における回転軸Ｊからリンス液吐出口９６ａ（吐出口中心）までの距離Ｌを４ｍｍ程度に設定している。ここで、基板表面Ｗｆ上の回転中心Ｗ０にリンス液（ＤＩＷ）を供給し得る距離Ｌの上限値としては、以下に示す条件で２０ｍｍとなっている。
【００３３】
ＤＩＷの流量：２Ｌ／ｍｉｎ
基板回転数：１５００ｒｐｍ
基板表面の状態：表面中央部が疎水面
また、回転軸ＪからＩＰＡ液吐出口９７ａ（吐出口中心）までの距離の上限値についても、基板回転数を１５００ｒｐｍに設定する限り、上記した回転軸Ｊからリンス液吐出口９６ａ（吐出口中心）までの距離Ｌの上限値（２０ｍｍ）と基本的に同じである。
【００３４】
一方で、回転軸Ｊから中央気体吐出口９８ａ（吐出口中心）までの距離については、対向位置に位置決めされた遮断部材９（板状部材９０）と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに窒素ガスを供給し得る限り、特に限定されず任意である。しかしながら、後述するようにして基板表面Ｗｆ上に形成されたＩＰＡ液による溶剤層に窒素ガスを吹付けて該溶剤層を基板Ｗから排出させる観点からは、中央気体吐出口９８ａは回転軸Ｊ上あるいはその近傍位置に設けることが好ましい。
【００３５】
図１に戻って説明を続ける。リンス液供給路９６の上端部はリンス液バルブ８３を介して工場のユーティリティ等で構成されるＤＩＷ供給源に接続されており、リンス液バルブ８３が開かれることにより、リンス液吐出口９６ａからＤＩＷをリンス液として吐出可能となっている。
【００３６】
また、ＩＰＡ液供給路９７の上端部はＩＰＡ液供給ユニット７に接続されている。このＩＰＡ液供給ユニット７はＩＰＡ液を貯留するタンク（図示省略）を有しており、制御ユニット４からの動作指令に応じて作動してタンク内のＩＰＡ液をＩＰＡ液供給路９７に圧送可能となっている。
【００３７】
中央気体供給路９８および上側気体供給路９９ａの上端部はそれぞれ窒素バルブ８４、８５を介して工場のユーティリティ等で構成される窒素ガス供給源（図示省略）に接続されている。そして、窒素バルブ８４が開かれることにより中央気体吐出口９８ａから窒素ガスを基板表面Ｗｆの中央部に吐出可能に、また窒素バルブ８５が開かれることにより上側気体供給路９９ａおよび下側気体供給路９９ｂを介して窒素ガスが気体吐出口９９ｃに送られ、気体吐出口９９ｃから下方外向きに吐出可能となっている。つまり、制御ユニット４の動作指令に応じて窒素ガス供給源から中央気体供給路９８および環状気体供給路（上側気体供給路９９ａ＋下側気体供給路９９ｂ）に個別に窒素ガスを圧送可能となっており、対向位置に位置決めされた遮断部材９（板状部材９０）と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに窒素ガスを供給することができる。なお、この実施形態では、窒素ガス供給源と上側気体供給路９９ａを接続する配管および当該配管に介挿される窒素バルブ８５が本発明の「気体供給手段」として機能しているが、窒素ガスを貯留する窒素ガス供給ユニットを装置内に設け、制御ユニット４の動作指令に応じて窒素供給ユニットから窒素ガスを供給するように構成してもよい。
【００３８】
ケーシング２の周囲には、受け部材２１が固定的に取り付けられている。受け部材２１には、円筒状の仕切り部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃが立設されている。ケーシング２の外壁と仕切り部材２３ａの内壁との間の空間が第１排液槽２５ａを形成し、仕切り部材２３ａの外壁と仕切り部材２３ｂの内壁との間の空間が第２排液槽２５ｂを形成し、仕切り部材２３ｂの外壁と仕切り部材２３ｃの内壁との間の空間が第３排液槽２５ｃを形成している。
【００３９】
第１排液槽２５ａ、第２排液槽２５ｂおよび第３排液槽２５ｃの底部にはそれぞれ、排出口２７ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されており、各排出口は相互に異なるドレインに接続されている。例えばこの実施形態では、第１排液槽２５ａは使用済みの薬液を回収するための槽であり、薬液を回収して再利用するための回収ドレインに連通されている。また、第２排液槽２５ｂは使用済みのリンス液を排液するための槽であり、廃棄処理のための廃棄ドレインに連通されている。さらに、第３排液槽２５ｃは使用済みのＩＰＡ液を排液するための槽であり、廃棄処理のための廃棄ドレインに連通されている。
【００４０】
各排液槽２５ａ〜２５ｃの上方にはスプラッシュガード６が設けられている。スプラッシュガード６はスピンチャック１に水平姿勢で保持されている基板Ｗの周囲を包囲するようにスピンチャック１の回転軸Ｊに対して昇降自在に設けられている。このスプラッシュガード６は回転軸Ｊに対して略回転対称な形状を有しており、スピンチャック１と同心円状に径方向内側から外側に向かって配置された３つのガード６１，６２，６３を備えている。３つのガード６１，６２，６３は、最外部のガード６３から最内部のガード６１に向かって、順に高さが低くなるように設けられるとともに、各ガード６１，６２，６３の上端部が鉛直方向に延びる面内に収まるように配置されている。
【００４１】
スプラッシュガード６は、ガード昇降機構６５と接続され、制御ユニット４からの動作指令に応じてガード昇降機構６５の昇降駆動用アクチェータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、スプラッシュガード６をスピンチャック１に対して昇降させることが可能となっている。この実施形態では、ガード昇降機構６５の駆動によりスプラッシュガード６を段階的に昇降させることで、回転する基板Ｗから飛散する処理液を第１〜第３排液槽２５ａ〜２５ｃに分別して排液させることが可能となっている。
【００４２】
ガード６１の上部には、断面くの字形で内方に開いた溝状の第１案内部６１ａが形成されている。そして、薬液処理時にスプラッシュガード６を最も高い位置（以下「第１高さ位置」という）に位置させることで、回転する基板Ｗから飛散する薬液が第１案内部６１ａで受け止められ、第１排液槽２５ａに案内される。具体的には、第１高さ位置として、第１案内部６１ａがスピンチャック１に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むようにスプラッシュガード６を配置させることで、回転する基板Ｗから飛散する薬液がガード６１を介して第１排液槽２５ａに案内される。
【００４３】
また、ガード６２の上部には、径方向外側から内側に向かって斜め上方に傾斜した傾斜部６２ａが形成されている。そして、リンス処理時にスプラッシュガード６を第１高さ位置よりも低い位置（以下「第２高さ位置」という）に位置させることで、回転する基板Ｗから飛散するリンス液が傾斜部６２ａで受け止められ、第２排液槽２５ｂに案内される。具体的には、第２高さ位置として、傾斜部６２ａがスピンチャック１に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むようにスプラッシュガード６を配置させることで、回転する基板Ｗから飛散するリンス液がガード６１の上端部とガード６２の上端部との間を通り抜けて第２排液槽２５ｂに案内される。
【００４４】
同様にして、ガード６３の上部には、径方向外側から内側に向かって斜め上方に傾斜した傾斜部６３ａが形成されている。そして、置換処理時にスプラッシュガード６を第２高さ位置よりも低い位置（以下「第３高さ位置」という）に位置させることで、回転する基板Ｗから飛散するＩＰＡ液が傾斜部６３ａで受け止められ、第２排液槽２５ｃに案内される。具体的には、第３高さ位置として、傾斜部６３ａがスピンチャック１に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むようにスプラッシュガード６を配置させることで、回転する基板Ｗから飛散するＩＰＡ液がガード６２の上端部とガード６３の上端部との間を通り抜けて第３排液槽２５ｃに案内される。
【００４５】
さらに、第３高さ位置よりも低い位置（以下「退避位置」という）に位置させて、スピンチャック１をスプラッシュガード６の上端部から突出させることで、基板搬送手段（図示せず）が未処理の基板Ｗをスピンチャック１に載置したり、処理済の基板Ｗをスピンチャック１から受け取ることが可能となっている。
【００４６】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図５および図６を参照しつつ詳述する。図５は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。また、図６は図１の基板処理装置の動作を示す模式図である。先ず、制御ユニット４はスプラッシュガード６を退避位置に位置させて、スピンチャック１をスプラッシュガード６の上端部から突出させる。そして、この状態で基板搬送手段（図示せず）により未処理の基板Ｗが装置内に搬入されると（ステップＳ１）、基板Ｗに対して洗浄処理（薬液処理＋リンス処理＋パドル形成処理＋置換処理＋乾燥処理）を実行する。基板表面Ｗｆには例えばｐｏｌｙ−Ｓｉからなる微細パターンが形成されている。そこで、この実施形態では、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入され、スピンチャック１に保持される。なお、遮断部材９はスピンチャック１の上方の離間位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。
【００４７】
続いて、制御ユニット４はスプラッシュガード６を第１高さ位置（図１に示す位置）に配置して、基板Ｗに対して薬液処理を実行する。すなわち、薬液吐出ノズル３を吐出位置に移動させるとともに、チャック回転機構１３の駆動によりスピンチャック１に保持された基板Ｗを所定の回転速度（例えば８００ｒｐｍ）で回転させる（ステップＳ２）。そして、薬液バルブ３１を開いて薬液吐出ノズル３から基板表面Ｗｆに薬液としてフッ酸を供給する。基板表面Ｗｆに供給されたフッ酸は遠心力により広げられ、基板表面Ｗｆ全体がフッ酸により薬液処理される（ステップＳ３）。基板Ｗから振り切られたフッ酸は第１排液槽２５ａに案内され、適宜再利用される。
【００４８】
薬液処理が終了すると、薬液吐出ノズル３が待機位置に移動される。そして、スプラッシュガード６が第２高さ位置に配置され、基板Ｗに対して本発明の「湿式処理」としてリンス処理が実行される。すなわち、制御ユニット４はリンス液バルブ８３を開いて、離間位置に位置する遮断部材９のリンス液吐出口９６ａからリンス液（ＤＩＷ）を吐出させてリンス処理を開始する（ステップＳ４：図６（ａ））。また、リンス液の吐出と同時に遮断部材９を対向位置に向けて下降させ、該対向位置に位置決めする。このように、薬液処理後、すぐに基板表面Ｗｆにリンス液を供給することで基板表面Ｗｆを継続して濡れた状態としておく。これは次のような理由による。すなわち、薬液処理後、フッ酸が基板Ｗから振り切られると、基板表面Ｗｆの乾燥がはじまる。その結果、基板表面Ｗｆが部分的に乾燥し、基板表面Ｗｆにシミ等が発生することがある。したがって、このような基板表面Ｗｆの部分的な乾燥を防止するため、基板表面Ｗｆを濡れた状態としておくことが重要となっている。
【００４９】
また、制御ユニット４は窒素バルブ８５を開いて遮断部材９の環状気体吐出口９９ｃから窒素ガスを吐出させる（ステップＳ５：環状窒素ガス供給）。なお、両気体吐出口９８ａ、９９ｃから同時に窒素ガスを吐出させてもよいが、この場合、環状気体吐出口９９ｃから比較的大流量の窒素ガスを吐出させる一方、中央気体吐出口９８ａから吐出させる窒素ガスの流量が微小量となるように、両吐出口から吐出させる窒素ガスの流量バランスを調整するのが望ましい。
【００５０】
リンス液吐出口９６ａから基板表面Ｗｆに供給されたリンス液は基板Ｗの回転に伴う遠心力により広げられ、基板表面Ｗｆ全体がリンス処理される（湿式処理工程）。つまり、基板表面Ｗｆに残留付着するフッ酸がリンス液によって洗い流され基板表面Ｗｆから除去される。基板Ｗから振り切られた使用済みのリンス液は第２排液槽２５ｂに案内され、廃棄される。また、間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給されることで基板表面Ｗｆの周囲雰囲気が窒素ガス雰囲気に保たれている。なお、リンス処理時における基板Ｗの回転速度は例えば６００ｒｐｍに設定される。
【００５１】
また、上記したリンス処理ならびに後述のパドル形成処理、置換処理および乾燥処理を実行する際には、遮断部材９の板状部材９０を基板Ｗと同じ回転方向でかつ略同じ回転速度で回転させる。これにより、板状部材９０の下面９０ａと基板表面Ｗｆとの間に相対的な回転速度差が発生するのを防止して、間隙空間ＳＰに巻き込み気流が発生するのを抑制することができる。このため、ミスト状のリンス液およびＩＰＡ液が間隙空間ＳＰに侵入して基板表面Ｗｆに付着するのを防止可能となっている。また、板状部材９０を回転させることで下面９０ａに付着するリンス液やＩＰＡ液を振り切り、下面９０ａにリンス液やＩＰＡ液が滞留するのを防止可能となっている。
【００５２】
所定時間のリンス処理が終了すると、制御ユニット４は基板Ｗの回転速度をリンス処理時の回転速度よりも遅い回転速度（この実施形態では１０ｒｐｍ）に減速する。これによって、同図（ｂ）に示すように、窒素ガスが間隙空間ＳＰに継続的にして供給された状態のままリンス液吐出口９６ａから吐出されるリンス液（ＤＩＷ）が基板表面Ｗｆに溜められてリンス液膜がパドル状に形成される（ステップＳ６：パドル形成処理）。なお、パドル形成処理時の回転速度は１０ｒｐｍに限定されるものではないが、リンス液に作用する遠心力がリンス液と基板表面との間で作用する表面張力よりも小さくなるという条件が満足する範囲で回転速度を設定する必要がある。というのも、リンス液の液膜をパドル状に形成するためには、上記条件の充足が必須だからである。
【００５３】
こうしてパドル形成が完了すると、制御ユニット４はリンス液バルブ８３を閉じてリンス液の吐出を停止するとともに、スプラッシュガード６を第３高さ位置に配置する。そして、制御ユニット４は間隙空間ＳＰへの窒素ガスの供給を継続したままＩＰＡ液供給ユニット７を作動させてＩＰＡ液吐出口９７ａからＩＰＡ液を吐出させる（ステップＳ７）。これによって、間隙空間ＳＰが窒素ガス雰囲気に保たれた状態のまま基板Ｗの表面中央部に向けてＩＰＡ液が供給される（同図（ｃ））。また、この実施形態では、置換処理の進行に伴って基板Ｗの回転速度を変化させている。つまり、ＩＰＡ液供給の初期段階では、基板Ｗの表面中央部ではリンス液膜の中央部がＩＰＡ液に置換されて置換領域が液膜に形成される。このときの回転速度はパドル形成処理と同程度（この実施形態では１０ｒｐｍ）に設定されている。そして、ＩＰＡ液供給から所定時間、例えば２．５秒が経過すると、ＩＰＡ液供給を継続させたまま基板Ｗの回転速度を１０ｒｐｍから１００ｒｐｍに加速する。このように回転速度の加速によって基板表面上の液膜（リンス液領域＋ＩＰＡ液領域（置換領域））に作用する遠心力が増大してリンス液が振り切られるとともに置換領域が径方向に広がっていく。このとき、基板表面上の液膜厚みは回転速度に対応する厚みと薄くなり、所定時間（この実施形態では１秒）経過すると、基板Ｗの表面外周部に存在していたリンス液は全て基板Ｗから振り落とされるとともに、置換領域が基板表面の全面に均一に広がって基板表面はＩＰＡ液膜（溶剤層）４１で全面的に覆われる。さらに、制御ユニット４は０．５秒をかけて基板Ｗの回転速度を１００ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速する。これは基板表面に形成された微細パターン（図示省略）の間隙内部に残留しているリンス液をＩＰＡ液に置換するために行われるものである。つまり、回転速度の加速によってＩＰＡ液が基板表面で大きく流動し、これによって微細パターンの間隙内部では残留リンス液がＩＰＡ液に置換される。これによって、基板表面に付着するリンス液がＩＰＡ液に確実に置換される。
【００５４】
こうして、置換処理が完了すると、制御ユニット４は環状気体吐出口９９ｃからの窒素ガスの吐出を継続させたままチャック回転機構１３の回転速度を高めて基板Ｗを高速回転（例えば１０００〜３０００ｒｐｍ）させる。これにより、基板表面Ｗｆに付着するＩＰＡ液が振り切られ、基板Ｗの乾燥処理（スピンドライ）が実行される（ステップＳ８；乾燥工程）。この乾燥処理の開始時点より制御ユニット４は窒素バルブ８４を開いて中央気体吐出口９８ａからも窒素ガスを吐出させる（ステップＳ９）。これによって、中央気体吐出口９８ａおよび環状気体吐出口９９ｃから窒素ガスが吐出されて間隙空間ＳＰは窒素ガスで満たされて窒素ガス雰囲気で乾燥処理が実行される。なお、基板Ｗの乾燥処理が終了すると、制御ユニット４はチャック回転機構１３を制御して基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１０）とともに、窒素バルブ８４、８５を閉じて窒素ガスの吐出を停止する（ステップＳ１１）。そして、スプラッシュガード６を退避位置に位置させて、スピンチャック１をスプラッシュガード６の上方から突出させる。その後、基板搬送手段が処理済の基板Ｗを装置から搬出して、１枚の基板Ｗに対する一連の洗浄処理が終了する（ステップＳ１２）。
【００５５】
以上のように、この実施形態によれば、回転軸Ｊを取り囲むように環状の気体吐出口９９ｃを遮断部材９に設け、この環状気体吐出口９９ｃから窒素ガスを下方外向きに吐出して間隙空間ＳＰに窒素ガスを供給して間隙空間ＳＰに窒素ガス雰囲気を形成している。したがって、窒素ガス雰囲気を形成するために比較的大流量の窒素ガスを間隙空間ＳＰに供給する場合であっても、環状気体吐出口９９ｃから吐出された窒素ガスは環状に、しかも下方外向きに大きく広がって間隙空間ＳＰに吐出される。その結果、窒素ガスの流量を十分に確保しながらも窒素ガスの流速を落とすことができる。特に、この実施形態では、間隔ｒ２が間隔ｒ１よりも大きくなるように遮断部材９を構成しているため、上側気体供給路９９ａでの窒素ガスの流通断面積に比べて気体吐出口９９ｃの面積が広がり、同吐出口９９ｃからの窒素ガスの流速を効果的に低減させることができる。しかも、気体吐出口９９ｃから吐出された窒素ガスは図６（ｃ）に示すようにＩＰＡ液の液膜４１に対して斜め方向より当たるため、窒素ガスの垂直速度成分が減速され、液膜４１の部分乾燥を効果的に防止することができる。よって、本実施形態によれば、窒素ガスの流量を十分に確保しながらも窒素ガスの流速を落とすことができ、基板表面Ｗｆ上に形成されたＩＰＡ液の液膜４１が局部的に乾燥するのを防止しつつ間隙空間ＳＰに対して十分な窒素ガスを供給して基板乾燥に適した不活性ガス雰囲気を確実に形成することができる。
【００５６】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上側気体供給路９９ａでの窒素ガスの流通断面積に比べて気体吐出口９９ｃの面積を広げるための具体的な構成は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば図７に示すように内挿軸９５の下端部の外壁面（先端部材９５ｂの傾斜面９５ｂ１）の水平面に対する角度θ１と、開口部９０ｂの内壁面（傾斜面）９０ｂ１の水平面に対する角度θ２とが次の関係、つまり
θ１＞θ２
を満足されるように遮断部材９を構成してもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、基板乾燥に適した雰囲気を形成するために間隙空間ＳＰに本発明の「気体」として窒素ガスを供給しているが、窒素ガス以外の不活性ガスを「気体」として供給して不活性ガス雰囲気を形成したり、低露点空気を「気体」として供給して低湿度雰囲気を形成するようにしてもよい。
【００５８】
また、上記した実施形態の置換処理では、基板表面に形成されたパターンが倒壊するなどの不具合を防止して乾燥性能を高めるために低表面張力液としてＩＰＡ液を用いて置換処理を行っているが、ＩＰＡ液以外に、エチルアルコール、メチルアルコール、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル：hydrofluoroether）、アセトン（acetone）およびTrans-1，2ジクロロエチレン（trans1,2-dichloroethylene）などの各種有機溶剤を低表面張力液として用いるようにしてもよい。また、低表面張力溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけではなく、他の成分と混合した液であってもよい。例えば、ＩＰＡと純水の混合液であってもよいし、ＩＰＡとＨＦＥの混合液であってもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、半導体ウエハ等の基板Ｗに対して薬液処理、リンス処理、パドル処理、置換処理および乾燥処置を行う装置および方法に本発明を適用しているが、基板Ｗの種類や処理内容はこれに限定されるものではなく、処理液を基板に供給して湿式処理を施した後に、処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を基板表面から除去することによって基板表面を乾燥させる基板処理装置および方法に本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般に湿式処理および乾燥処理を施す基板処理装置および方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。
【図３】図１の基板処理装置に装備された遮断部材の要部を示す縦断面図である。
【図４】遮断部材の構成ならびに気体供給路および気体供給領域の関係を示す図である。
【図５】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図６】図１の基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図７】この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
９…遮断部材
１３…チャック回転機構（基板回転手段）
１７…チャックピン（基板保持手段）
４１…ＩＰＡ液膜（溶剤層）
８５…窒素バルブ（気体供給手段）
９０…板状部材
９０ａ…下面（基板対向面）
９０ｂ…開口部
９１…回転支軸
９１ａ…中空部
９５…内挿軸
９５ａ…軸体
９５ｂ…先端部材
９５ｂ１…傾斜面
９８…中央気体供給路
９８ａ…中央気体吐出口
９９ａ…上側気体供給路
９９ｂ…下側気体供給路
９９ｃ…環状気体吐出口
Ｊ…回転軸
ＳＰ…間隙空間
Ｗ…基板
Ｗｆ…基板表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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