(57)【要約】【課題】導電性パターン部を小さくすることなく、近年のドライバーＬＳＩのバンプ間の狭ピッチ化に対応可能な液晶表示装置およびその検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、複数の液晶表示素子が形成された表示部２１と、表示部２１の電極基板１に形成され、複数の液晶表示素子に信号を供給する複数の配線３ａ−１，３ａ−２とを備える。そして、電極基板１の周縁部に設けられ、複数の配線３ａ−１，３ａ−２の電極端子と接続するドライバーＬＳＩ６と、表示部２１とドライバーＬＳＩ６との間に位置する各複数の配線３ａ−１，３ａ−２を分岐してなる測定配線４−１，４−２とを備える。そして、分岐点を除く測定配線４−１，４−２上に第１の絶縁層を介して形成され、各複数の配線３ａ−１，３ａ−２から分岐した測定配線４−１，４−２同士にまたがって形成される導電性パターン部７とを備える。【選択図】図１
2009192572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する二枚の絶縁性基板によって液晶層を挟持してなり、複数の表示素子が形成された表示部と、
前記絶縁性基板の少なくとも一方に形成され、前記複数の表示素子に信号を供給する複数の配線と、
前記絶縁性基板の周縁部に設けられ、前記複数の配線の端子と接続することで前記複数の表示素子を駆動するドライバーＬＳＩと、
前記表示部と前記ドライバーＬＳＩとの間に位置する各前記複数の配線を分岐してなる測定配線と、
分岐点を除く前記測定配線上に第１の絶縁層を介して形成され、各前記複数の配線から分岐した前記測定配線同士にまたがって形成される導電性パターン部とを備える、
液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の配線は、偶数アドレス（２ｎ）の配線、および、奇数アドレス（２ｎ＋１）の配線を含み、
前記導電性パターン部は、前記偶数アドレスの配線から分岐した前記測定配線と、前記奇数アドレスの配線から分岐した前記測定配線とにまたがって形成される、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記導電性パターン部は、千鳥状に配置されている、
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一の前記配線から複数の前記測定配線が分岐して設けられ、
一の前記導電性パターン部は、前記一の配線からの前記複数の測定配線同士にまたがって形成される、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
各前記複数の配線は、
前記第１の絶縁層を介して、対応する前記導電性パターン部の下に配置されている、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記一の配線から分岐した少なくとも二つの前記測定配線は、互いに異なる前記導電性パターン部の下に設けられている、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１の絶縁層と前記導電性パターン部との間に、
前記測定配線上側に設けられ、前記第１の絶縁層上に設けられたメタルパット部と、
前記メタルパット部上に設けられた第２の絶縁層とをさらに備える、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記導電性パターン部は、コート材で覆われている、
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記導電性パターン部は、前記表示部の前記表示素子の導電膜と同一の工程で形成される、
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の液晶表示装置を検査する方法であって、
（ａ）前記表示部において不良が発生した前記配線を特定し、当該特定した一の前記配線からの前記測定配線と、当該測定配線上の前記導電性パターン部とをレーザー照射によって接続する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）により前記測定配線と接続された前記導電性パターン部に、測定器を接続させることによって、前記ドライバーＬＳＩからの出力を測定する工程とを備える、
液晶表示装置の検査方法。
【請求項１１】
（ｃ）前記工程（ｂ）後、前記工程（ａ）で接続した前記一の配線からの前記測定配線を、レーザー照射によって切断する工程と、
（ｄ）前記工程（ａ）で特定した他の前記配線からの前記測定配線と、当該測定配線上の前記導電性パターン部とをレーザー照射によって接続する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）により前記測定配線と接続された前記導電性パターン部に、測定器を接続させることによって、前記ドライバーＬＳＩからの出力を測定する工程とをさらに備える、
請求項１０に記載の液晶表示装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置およびその検査方法に関する発明であって、特に、表示素子を駆動するためのドライバーＬＳＩ（Large Scale Integration）が設けられた液晶表示装置およびその検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
小型化、低コスト化の観点から、液晶表示装置では、ドライバーＬＳＩのバンプを、ガラス基板上に設けられた配線の電極端子に直接接続させるＣＯＧ（Chip On Glass）方式を採用する場合が多い。このＣＯＧ方式を含め、液晶表示装置では、線欠陥等の表示不良が生じた場合、ドライバーＬＳＩおよび配線のいずれに原因があるかを区別する必要があった。
【０００３】
しかし、配線は、ドライバーＬＳＩのバンプと接続する端子以外は絶縁層に覆われているため、表示不良の究明を容易に行うことができなかった。その問題を解決する手段として、特許文献１に開示されているような手段が提案されている。この特許文献１の液晶表示装置では、ドライバーＬＳＩと表示素子との間の配線に、幅の広いパターン形状からなる測定パターン部と、その測定パターン部上に導電性パターン部を設けている。そして、欠陥検査時に、測定パターン部と導電性パターン部とをレーザー照射により接続させ、その導電性パターン部に測定器を接続することにより、ドライバーＬＳＩからの出力、例えば、出力信号や出力波形を確認し、表示不良の究明を行っていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１０８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された接続形態では、複数の配線の不具合を配線ごとに確認することを考慮して、測定パターン部および導電性パターン部を配線ごとに個別に配置している。その一方で、近年、ドライバーＬＳＩの小型化および多出力化に伴い、出力バンプ間のピッチを狭くすることが求められている。しかしながら、レーザー照射により確実に接続して、ドライバーＬＳＩからの出力を測定可能にするためには、ある程度の大きさの測定パターン部および導電性パターン部を配置する必要がある。それにも関わらず、このような測定パターン部および導電性パターン部を配線ごとに個別に配置すると、配線間のピッチを狭くすることができないため、バンプ間のピッチを狭くすることができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、導電性パターン部を小さくすることなく、近年のドライバーＬＳＩのバンプ間の狭ピッチ化に対応可能な液晶表示装置、および、液晶表示装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置は、相対向する二枚の絶縁性基板によって液晶層を挟持してなり、複数の表示素子が形成された表示部と、前記絶縁性基板の少なくとも一方に形成され、前記複数の表示素子に信号を供給する複数の配線とを備える。そして、前記絶縁性基板の周縁部に設けられ、前記複数の配線の端子と接続することで前記複数の表示素子を駆動するドライバーＬＳＩと、前記表示部と前記ドライバーＬＳＩとの間に位置する各前記複数の配線を分岐してなる測定配線とを備える。そして、分岐点を除く前記測定配線上に第１の絶縁層を介して形成され、各前記複数の配線から分岐した前記測定配線同士にまたがって形成される導電性パターン部を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の液晶表示装置によれば、複数の配線が導電性パターン部を共有するため、導電性パターン部の数を削減することができる。これにより、導電性パターン部を小さくすることなく、配線間のピッチを狭くすることができ、その結果、ドライバーＬＳＩのバンプ間のピッチを狭くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態に係る液晶表示装置が備える表示部２１と電極端子部２２とを示す平面図である。まず、表示部２１の構造について説明する。表示部２１は、相対向する二枚の絶縁性基板（例えばガラス基板）である電極基板１と対向基板２とによって液晶層を挟持してなり、複数の表示素子である液晶表示素子が形成される。本実施の形態では、電極基板１は、対向基板２から外側（図１の下側）に張り出している。なお、図示していないが、表示部２１の電極基板１上には、複数のゲート配線および複数のソース配線が設けられており、これらの交差部付近には、スイッチング素子である薄膜トランジスタが配置されている。そして、この薄膜トランジスタに接続された画素電極等がマトリックス状に配置されている（いずれも図示せず）。
【００１０】
表示部２１の対向基板２上には、透明導電膜よりなる対向電極、カラー表示用の着色フィルタ層および各画素間に配置されたブラックマトリックス等が形成されている（いずれも図示せず）。表示部２１の電極基板１と対向基板２とは、液晶層およびスペーサーを介して重ね合わされ、シール材により封止されている。
【００１１】
次に、電極端子部２２の構成について説明する。本実施の形態では、電極端子部２２は、対向基板２から外側に張り出した電極基板１上（以下、電極基板１の周縁部ともいう）に形成される。なお、電極端子部には、ゲート配線側の電極端子部と、ソース配線側の電極端子部があるが、ゲート配線側の電極端子部については、実施の形態２について説明することにし、本実施の形態では、ソース配線側の電極端子部に本発明を用いた場合について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る電極端子部２２は、配線３ａ−１，３ａ−２，３ｂと、測定配線４−１，４−２と、電極端子５ａ−１，５ａ−２，５ｂ，５ｃと、導電性パターン部７とを備える。なお、符号を付した右側の構成と、符号が付されていない部分の構成は同じである。
【００１２】
この電極端子部２２の図１に示される想像線（二点差線）の位置には、表示部２１の液晶表示素子を駆動する駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）であるドライバーＬＳＩが、ＣＯＧ方式により搭載される。ここでは、仮に、破線の位置に、後で図示するドライバーＬＳＩ６が搭載されているものとして説明する。
【００１３】
本実施の形態に係る液晶表示装置が備える複数の配線３ａ−１，３ａ−２は、電極基板１および対向基板２の少なくとも一方に形成され、表示部２１の複数の液晶表示素子に信号を供給する。本実施の形態では、複数の配線３ａ−１，３ａ−２は、電極基板１の周縁部、つまり、対向基板２から外側に張り出した電極基板１上に設けられている。複数の配線３ａ−１，３ａ−２は、ドライバーＬＳＩ６の出力側と接続する配線であり、表示部２１の電極基板１上に形成されるソース配線と繋がることで、ドライバーＬＳＩ６からの信号を表示部２１の薄膜トランジスタに供給する。そこで、以下、配線３ａ−１，３ａ−２をソース配線３ａ−１，３ａ−２と記すこともある。一方、電極基板１の端部（図１では、図中下側）からドライバーＬＳＩ６までは、配線３ｂが設けられている。この配線３ｂは、ドライバーＬＳＩ６の入力側と接続する配線であり、外部からドライバーＬＳＩ６に必要な信号や電源を供給する。
【００１４】
本実施の形態では、配線３ａ−１は、偶数アドレス（２ｎ）の配線であり、配線３ａ−２は、奇数アドレス（２ｎ＋１）の配線である。なお、本発明は、これに限ったものではなく、配線３ａ−１が奇数アドレスの配線、配線３ａ−２が偶数アドレスの配線であってもよい。以下、配線３ａ−１，３ａ−２を互いに区別する必要がない場合には、簡単に配線３ａと記すこともある。
【００１５】
本実施の形態に係る液晶表示装置では、上述したようにＣＯＧ方式を採用する。そのため、配線３ａ，３ｂには、ドライバーＬＳＩ６に形成されたバンプ（図示せず）と接続するための電極端子５ａ−１，５ａ−２，５ｂが接して設けられている。以下、電極端子５ａ−１，５ａ−２を互いに区別する必要がない場合には、簡単に電極端子５ａと記すこともある。入力側の配線３ｂには、ドライバーＬＳＩ６と反対側に外部入力用の電極端子５ｃが接して設けられている。これら、電極端子５ａ，５ｂ，５ｃの材質には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いる。
【００１６】
本実施の形態に係る液晶表示装置が備えるドライバーＬＳＩ６は、電極基板１の周縁部に設けられ、複数の配線３ａ−１，３ａ−２の端子である電極端子５ａ−１，５ａ−２と接続することで、表示部２１の上述の複数の液晶表示素子を駆動する。本実施の形態に係る液晶表示装置が備える測定配線４−１，４−２は、表示部２１とドライバーＬＳＩ６との間に位置する出力側の各複数の配線３ａ−１，３ａ−２を分岐してなる。以下、測定配線４−１，４−２を互いに区別する必要がない場合には、簡単に測定配線４と記すこともある。
【００１７】
本実施の形態に係る液晶表示装置が備える導電性パターン部７は、分岐点を除く測定配線４−１，４−２上に第１の絶縁層を介して形成され、各複数の配線３ａ−１，３ａ−２から分岐した測定配線４−１，４−２同士にまたがって形成される。本実施の形態では、第１の絶縁層は、後述する保護膜である。また、ここでいう分岐点は、測定配線４が、配線３ａから分岐する点である。
【００１８】
本実施の形態に係る導電性パターン部７は、偶数アドレスの配線３ａ−１から分岐した測定配線４−１と、奇数アドレスの配線３ａ−２から分岐した測定配線４−２とにまたがって形成される。こうして、導電性パターン部７の下に、後述する保護膜を介して測定配線４が設けられた構造となる。また、本実施の形態では、図１に示すように、導電性パターン部７は、千鳥状に配置されている。導電性パターン部７の材質には、例えば、ＩＴＯを用いる。測定配線４および導電性パターン部７は、後述するように、ドライバーＬＳＩ６の出力、例えば、出力信号または出力波形を検査するために用いられる。
【００１９】
図２は、図１に示すＡ−Ｂ面で表示部２１と電極端子部２２とを切断したときの断面図である。なお、この図２には、出力側の配線３ａ−２，測定配線４−２，電極端子５ａ−２の構成は図示されないが、これらの構成は出力側の配線３ａ−１，測定配線４−１，電極端子５ａ−１の構成と同じである。そこで、以下の説明では、配線３ａ−１，３ａ−２をまとめて配線３ａと記し、測定配線４−１，４−２をまとめて測定配線４と記し、電極端子５ａ−１，５ａ−２をまとめて電極端子５ａと記すことにする。図２には、これまで説明してきたソース配線側の電極端子部２２が示されている。図２に示すように、電極基板１の周縁部上にはゲート絶縁膜８が積層され、このゲート絶縁膜８上に出力側の配線３ａ、入力側の配線３ｂ、および、測定配線４が形成されている。
【００２０】
図に示すように、ドライバーＬＳＩ６の裏面には、複数のバンプ６ａ，６ｂが設けられている。出力側の配線３ａの表示部２１と反対側の先端部には、ドライバーＬＳＩ６の出力バンプ６ａを接合するための電極端子５ａが接して設けられる。さらに、中間部には、出力側の配線３ａから分岐された測定配線４が設けられている。そして、測定配線４上には、保護膜９が設けられ、さらに、分岐点を除く測定配線４真上に位置する保護膜９上に、ＩＴＯからなる導電性パターン部７が設けられている。こうして、導電性パターン部７は、分岐点を除く測定配線４上に第１の絶縁層である保護膜９を介して形成されている。
【００２１】
一方、入力側の配線３ｂの表示部２１側の先端部には、ドライバーＬＳＩ６の入力バンプ６ｂを接合するための電極端子５ｂが接して設けられ、他方の先端部には外部入力の電極端子５ｃが接して設けられている。上述の電極端子５ａ，５ｂは、ドライバーＬＳＩ６のバンプ６ａ，６ｂと同数である必要があり、これら電極端子５ａ，５ｂは近接して配置されることで電極端子ブロックを構成している。
【００２２】
次に、本実施の形態に係る液晶表示装置を形成する製造方法について説明する。最初に、電極基板１を形成する製造方法と、電極基板１に電極端子部２２を形成する製造方法とについて説明する。まず、例えば、無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板上に、スパッタリングにより、例えば、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏからなる金属膜、あるいは、当該金属成分を主成分とする合金膜を成膜する。その後、写真製版技術によりパターニングすることで、表示部２１のゲート電極、表示部２１のゲート配線、電極端子部のゲート配線を同時に形成する。
【００２３】
次に、プラズマＣＶＤを用いて、例えば、ＳｉＮをさらに成膜し、ゲート絶縁膜８を形成する。続いて、ゲート電極およびゲート配線、ゲート絶縁膜８上に、チャネル層となるアモルファスＳｉおよびコンタクト層となるＮ＋型のアモルファスＳｉを連続して形成する。成膜後に、写真製版技術によりパターニングして表示部２１の各液晶表示素子を駆動するための薄膜トランジスタを形成する。さらに、スパッタリングにて、例えば、Ｃｒ，Ａｌ，Ｍｏからなる金属膜、あるいは、当該金属成分を主成分とする合金膜を成膜する。その後、写真製版技術によりパターニングを行うことで、表示部２１のドレイン電極およびソース電極、表示部２１のソース配線、電極端子部２２のソース配線３ａ，３ｂを同時に形成する。
【００２４】
次に、表示部２１の液晶層にＤＣ成分が印加されるのを防ぐために、プラズマＣＶＤにより、例えば、ＳｉＮからなる膜を成膜し、保護膜９を形成する。その後、ゲート配線の電極端子、および、ソース配線３ａ，３ｂの電極端子５ａ，５ｂ，５ｃが形成される部分の保護膜９を除去する。本製造方法の最後の工程として、スパッタリングにてＩＴＯ膜を成膜し、写真製版技術によりパターニングして、表示部２１の画素電極と同時に、導電性パターン部７を形成する。これにより、導電性パターン部７は、表示部２１の液晶表示素子の導電膜である画素電極と同一の工程で形成される。また、これら導電性パターン部７、表示部２１の液晶表示素子の形成と同時に、ゲート配線の電極端子、および、ソース配線３ａ，３ｂの電極端子５ａ，５ｂ，５ｃを形成する。
【００２５】
ＩＴＯを上から成膜することによって、Ｃｒ，Ａｌ等の材料で形成された配線部分が露出せず、電極端子に酸化膜が形成されるのを防止でき、その結果、その配線部分の導通不良の発生を防ぐことができる。以上の工程を経て、本実施の形態に係る液晶表示装置の電極基板１、および、電極端子部２２が形成される。なお、対向基板２の製造方法や、電極基板１と対向基板２とを重ね合わせて接着し、液晶を注入する組立工程については、ここでは説明を省略する。
【００２６】
次に、ドライバーＬＳＩ６を電極端子部２２に搭載する方法を図３に基づいて説明する。電極基板１の周縁上に形成された電極端子５ａ，５ｂ上に、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）１０を貼り付ける。図３では、ＡＣＦ１０と後述するコート材１２との境界は、破線で示されている。次に、ドライバーＬＳＩ６の裏面に形成された、例えば、Ａｕからなる複数のバンプ６ａ，６ｂと、電極端子５ａ，５ｂとを精度よくアライメントした後、加熱加圧ツールを用いて熱圧着する。このときの条件は、例えば、加熱温度１７０〜２００℃、処理時間１０〜２０秒、圧力３０〜１００Ｐａにする。
【００２７】
ＡＣＦ１０は、絶縁性のエポキシ樹脂に導電粒子１０ａを混ぜ合わせたものである。このＡＣＦ１０は、熱圧着があった箇所で、かつ、その方向に対してのみ、内部の導電粒子１０ａにより導電経路を形成するが、その他の箇所、その他の方向に対しては、内部のエポキシ樹脂により絶縁性が保たれる。そのため、上述のように熱圧着することにより、ドライバーＬＳＩ６の出力バンプ６ａと電極端子５ａとの間、および、入力バンプ６ｂと電極端子５ｂとの間それぞれに挟まったＡＣＦ１０の導電粒子１０ａが、バンプ６ａ，６ｂと電極端子５ａ，５ｂとを導通させる。すなわち、ＡＣＦ１０を介して熱圧着することで、ドライバーＬＳＩ６が、電極端子５ａ，５ｂと電気的に接続される。その一方で、ＡＣＦ１０の導通方向に対する水平方向は、ＡＣＦ１０内の絶縁性のエポキシ樹脂により絶縁性が保たれる。
【００２８】
続いて、外部から入力するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１１と、外部入力用の電極端子５ｃとの接続も同様にＡＣＦ１０を用いて行う。なお、ＦＰＣ１１は、例えば、厚さ３０〜７０μｍ程度のポリイミドフィルム、厚さ８〜２５μｍの銅箔１１ａ、および、ポリイミド系のソルダーレジストにより構成する。
【００２９】
本搭載方法の最後の工程として、ドライバーＬＳＩ６とＦＰＣ１１との間の配線３ｂを含む電極端子部２２に、絶縁性のコート材１２を塗布する。コート材１２としては、主にシリコン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、ウレタン樹脂等が用いられ、ディスペンサーを用いて塗布される。このコート材１２を、電極端子部２２に塗布することにより、配線３ａ，３ｂ、測定配線４の腐食を防止することができる。
【００３０】
次に、図４を用いて、液晶表示装置の組立方法を説明する。本実施の形態に係る液晶表示装置は、上述の工程によりドライバーＬＳＩ６を電極基板１に搭載済みの液晶パネル１６を、平面発光源となるバックライト１８に載せ、液晶パネル１６の前面側よりフロントフレーム１７を嵌め込むことで組立てる。また、電極基板１に接続されたＦＰＣ１１は、回路基板１５と接続させる。
【００３１】
次に、本実施の形態に係る液晶表示装置において、表示不良が発生した際の検査方法を図５、および、図６を用いて説明する。なお、図６は、図５の平面図をＣ−Ｄで切断した場合の断面図である。ここでは、仮に、図５の右から１番目の配線３ａ−１に不良が発生していると仮定して説明する。検査方法の最初の工程として、表示部２１において不良が発生した配線３ａを特定し、当該特定した一の配線３ａ−１からの測定配線４−１と、当該測定配線４−１上の導電性パターン部７とをレーザー照射によって接続する。
【００３２】
本実施の形態では、ドライバーＬＳＩ６、および、ＦＰＣ１１を搭載した後の液晶表示パネルにおいて、信号発生器から各ソース配線３ａに順次信号を入力する。信号の入力により、表示部２１において所定の映像信号が得られなかった箇所、すなわち、線欠陥等の表示不良が発生した配線３ａのアドレスを、信号発生器の機能により特定する。ここでは、図５に示した配線３ａ−１に不良が発生していると仮定しているため、信号発生器により配線３ａ−１が特定される。
【００３３】
次に、当該アドレスの配線３ａ−１の測定パターン部（測定配線４−１の先端）と、導電性パターン部７との重ね合わせ部に対し、電極基板１の裏面側、すなわち、ガラス基板側からレーザーを照射する。図５では、右から１番目の配線３ａ−１の測定配線４−１の先端にレーザーを照射して、レーザー痕１４ａが形成された状態が示されている。レーザー痕１４ａが形成された箇所では、レーザー照射で発生する熱により、測定配線４−１の先端の金属が保護膜９を突き破って導電性パターン部７と接触している。その結果、測定配線４−１の先端と導電性パターン部７とが短絡し電気的に接続する。図６の断面図では、測定配線４−１と導電性パターン部７とが短絡している様子が示されている。なお、確実な導通をとるためには、レーザーの照射を数回に分けて行うことが望ましい。
【００３４】
上述のレーザー照射により測定配線４−１の先端と導電性パターン部７とを導通させた後に、当該導電性パターン部７に、測定器、例えば、オシロスコープまたはディジタルマルチメータのプローブまたは針を接触させる。こうして、測定配線４−１と接続された導電性パターン部７に、測定器を接続させることによって、ドライバーＬＳＩ６からの出力を測定し、不良原因を究明する。ここでいうドライバーＬＳＩ６からの出力は、例えば、出力信号または出力波形が該当する。このように、一の導電性パターン部７は、配線３ａ−１，３ａ−２に共有されているものの、不良が発生した一の配線３ａ−１を導電性パターン部７に個別に電気的に接続する。そのため、同一のドライバーＬＳＩ６に接続された複数の配線３ａの不良原因の究明を配線ごとに行うことができる。
【００３５】
以上は、一の導電性パターン部７を共有している配線３ａ−１，３ａ−２片方に不良が発生した場合について説明した。次に、図７を用いて、一の導電性パターン部７を共有している配線３ａ−１，３ａ−２両方に不良が発生し、上述の信号発生器により配線３ａ−１，３ａ−２両方が特定された場合について説明する。なお、配線３ａ−１の不良原因を究明する方法については、上述と同様であるため省略する。
【００３６】
配線３ａ−１の不良原因を究明した後、上述のレーザー照射で接続した一の配線３ａ−１からの測定配線４−１を、配線３ａ−１と導電性パターン部７の間において、レーザー照射によって切断する。本実施の形態では、測定配線４−１の分岐点近傍にレーザー照射することによって測定配線４−１を切断する。このレーザー照射後には、その分岐点近傍にレーザー痕１４ｂが形成される。信号発生器により特定した他の配線３ａ−２からの測定配線４−２と、当該測定配線４−２上の導電性パターン部７とをレーザー照射によって接続する。
【００３７】
本実施の形態では、配線３ａ−２の測定配線４−２の先端と、導電性パターン部７との間にレーザーを照射することによって、測定配線４−２と導電性パターン部７とを導通させる。レーザー照射後には、レーザー痕１４ｃが形成される。このレーザー照射により測定配線４−２と接続された導電性パターン部７に、上述と同様、測定器のプローブまたは針を接触させることによって、測定器によりドライバーＬＳＩ６からの出力を測定し、不良原因を究明する。
【００３８】
以上のような本実施の形態に係る液晶表示装置によれば、導電性パターン部７は、電極基板１の周縁部に位置する測定配線４上に、絶縁層である保護膜９を介して形成される。そのため、故障解析時にレーザー照射により、解析の対象となる配線３ａと導電パターン部７とを接続することによって、容易にドライバーＬＳＩ６の出力、例えば、出力信号または出力波形を検査することができる。また、配線３ａ−１，３ａ−２が一の導電性パターン部７を共有するため、導電性パターン部７の数を削減することができる。これにより、導電性パターン部７を小さくすることなく、配線３ａ−１，３ａ−２間のピッチを狭くすることができ、その結果、バンプ間のピッチを狭くすることができる。こうして、将来のドライバーＬＳＩ６の多出力化に対応することができる。また、導電性パターン部７の下に、測定配線４が形成されているので、レーザーを電極基板１の裏面側から照射する際に、照射箇所を特定しやすく作業効率が向上する。また、導電性パターン部７は、分岐点を除いた測定配線４上に形成されるため、２回目の配線の検査時において、分岐点にレーザー照射することにより、測定配線４の切断を容易にすることができる。
【００３９】
また、本実施の形態に係る液晶表示装置では、導電性パターン部７が千鳥上に配置されている。そのため、導電性パターン部７を小さくすることなく、配線３ａ−１，３ａ−２間のピッチを狭くすることができ、その結果、バンプ間のピッチをさらに狭くすることができる。
【００４０】
また、本実施の形態に係る液晶表示装置では、導電性パターン部７は、表示部２１の画素電極と同一の工程で形成される。これにより、製造工程を簡略化させ、コストを低減することができる。
【００４１】
また、本実施の形態に係る液晶表示装置の検査方法では、一の導電性パターン部７が配線３ａ−１，３ａ−２に共有されているものの、導電性パターン部７と、不良が発生した一の配線３ａ−１とを個別に電気的に接続する。これにより、一のドライバーＬＳＩ６に接続された複数の配線３ａに係る不良原因の究明を個別に行うことができる。なお、本実施の形態では、レーザー照射により先に接続される一の配線を配線３ａ−１であるものとして説明したが、一の配線が配線３ａ−２であっても、同様の効果を得ることができる。
【００４２】
また、本実施の形態に係る液晶表示装置の検査方法によれば、導電性パターン部７と接続した一の配線３ａ−１をレーザー照射により切断した後に、導電性パターン部７と他の配線３ａ−２とをレーザー照射により接続する。これにより、先に検査した一の配線３ａ−１と独立して、他の配線３ａ−２に係る不良原因の究明を個別に行うことができる。
【００４３】
ここまでは、本実施の形態に係る液晶表示装置の主要な構成およびその検査方法の主要な工程を説明した。次に、より望ましい液晶表示装置を、図８から図１１を用いて説明する。図８に係る液晶表示装置では、一の配線３ａ−１から複数の測定配線４−１Ａ，４−１Ｂが分岐して設けられ、一の導電性パターン部７は、一の配線３ａ−１からの複数の測定配線４−１Ａ，４−１Ｂ同士にまたがって形成される。同様に、一の配線３ａ−２から複数の測定配線４−２Ａ，４−２Ｂが分岐して設けられ、一の導電性パターン部７は、一の配線３ａ−２からの複数の測定配線４−２Ａ，４−２Ｂ同士にまたがって形成される。
【００４４】
このように形成された液晶表示装置によれば、複数の測定配線４−１Ａ，４−１Ｂの複数個所において、配線３ａ−１と導電性パターン部７とを接続することができる。こうして、複数個所で接続することにより、接続抵抗を下げることができるため、よりよい条件でドライバーＬＳＩ６からの出力信号または出力波形を測定し、不良原因を究明することができる。
【００４５】
図９および図１０に係る液晶表示装置では、各複数の配線３ａ−１，３ａ−２は、保護膜９を介して、対応する導電性パターン部７の下に配置されている。ここで、対応する導電性パターン部７とは、各配線３ａから分岐してなる各測定配線４上に設けられた導電性パターン部７をいう。これにより、図１および図８に係る液晶表示装置よりもさらに配線３ａ−１，３ａ−２間のピッチをさらに狭くすることができる。
【００４６】
図１１に係る液晶表示装置では、一の配線３ａ−２から分岐した測定配線４−２Ａ，４−２Ｂと、測定配線４−２Ｃは、互いに異なる導電性パターン部７Ａ，７Ｂの下に設けられている。これにより、導電性パターン部７Ａ，７Ｂのいずれにおいても、配線３ａ−２に係る不良原因の究明を行うことができる。こうして、導電性パターン部７Ａ，７Ｂの数を増やさなくても、ドライバーＬＳＩ６からの配線３ａ−２に係る出力信号または出力波形を測定できる箇所を増やすことができ、それらを比較することが容易となる。
【００４７】
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、電極基板１の周縁部に形成される電極端子部２２は、ソース配線側の電極端子部であるもとして説明した。本実施の形態では、電極基板１の周縁部に形成される電極端子部２２は、ゲート配線側の電極端子部であるものとして説明する。図１２は、本実施の形態に係る液晶表示装置の表示部２１と電極端子部２２とを切断したときの断面図である。なお、実施の形態１に係る液晶表示装置の構成に対応する本実施の形態に係る液晶表示装置の構成には、同一符号を付すものとする。
【００４８】
本実施の形態に係る液晶表示装置では、実施の形態１に係る液晶表示装置と同様、複数の配線３ａは、電極基板１に形成され、表示部２１の複数の液晶表示素子に信号を供給する。出力側の配線３ａの表示部２１と反対側の先端部には、ドライバーＬＳＩ６の出力バンプ６ａが接合される電極端子５ａが接して設けられている。入力側の配線３ｂの表示部２１側の先端部には、ドライバーＬＳＩ６の入力バンプ６ｂが接合される電極端子５ｂが接して設けられている。電極端子５ａ，５ｂは、ドライバーＬＳＩ６の複数のバンプ６ａ，６ｂと同数必要であり、これら電極端子５ａ，５ｂは近接して配置されることで、電極端子ブロックを構成している。また、測定配線４は、表示部２１とドライバーＬＳＩ６との間に位置する各複数の配線３ａの配線を分岐してなる。本実施の形態では、測定配線４は、配線３ａの中間部から分岐してなる。
【００４９】
本実施の形態に係るゲート配線側の電極端子部２２は、実施の形態１に係る電極端子部と異なり、配線３ａ，３ｂ、および、測定配線４は、ゲート絶縁膜８下に形成される。測定配線４上には、ゲート絶縁膜８を介してメタルパット部１３が設けられている。このメタルパット部１３の上部には、保護膜９を介してＩＴＯの導電性パターン部７が設けられている。
【００５０】
こうして、本実施の形態に係る導電性パターン部７は、分岐点を除く測定配線４上に第１の絶縁層であるゲート絶縁膜８を介して形成され、各複数の配線３ａから分岐した測定配線４同士にまたがって形成される。そして、本実施の形態に係る液晶表示装置は、ゲート絶縁膜８と導電性パターン部７との間に、メタルパット部１３と、第２の絶縁膜である保護膜９とを備える。メタルパット部１３は、測定配線４上側に設けられ、ゲート絶縁膜８上に設けられる。保護膜９は、メタルパット部１３上に設けられる。つまり、実施の形態１では、測定配線４−保護膜９−導電性パターン部７を順に積層した構成であったのに対し、本実施の形態では、測定配線４−ゲート絶縁膜８−メタルパット部１３−保護膜９−導電性パターン部７を順に積層した構成である。
【００５１】
本実施の形態において、電極基板１を形成する製造方法、電極基板１に電極端子部２２を形成する製造方法、ドライバーＬＳＩ６を電極端子部２２に搭載する方法、液晶表示装置の組立方法は、実施の形態１と同じであるため、詳細な説明は省略する。次に、本実施の形態に係る液晶表示装置において表示不良が発生した場合の検査方法について説明する。基本的には、本実施の形態に係る検査方法は、実施の形態１に係る検査方法とほぼ同じである。
【００５２】
検査方法の最初の工程として、ドライバーＬＳＩ６、および、ＦＰＣ１１を搭載した後の液晶表示パネルにおいて、信号発生器から各ゲート配線３ａに順次信号を入力する。信号の入力により、表示部２１において所定の映像信号が得られなかった箇所、すなわち、線欠陥等の表示不良が発生した配線３ａのアドレスを、信号発生器の機能により特定する。次に、当該アドレスの配線３ａの測定配線４の先端と、導電性パターン部７との重ね合わせ部に対し、電極基板１の裏面側、すなわち、ガラス基板側からレーザーを照射する。そうすると、レーザー痕１４ａが形成される。
【００５３】
レーザー痕１４ａが形成された箇所では、レーザー照射で発生する熱により、測定配線４の先端の金属がゲート絶縁膜８を突き破ってメタルパット部１３と接触する。さらに、メタルパット部１３の金属が保護膜９を突き破って導電性パターン部７と接触している。これにより、測定配線４と導電性パターン部７とが短絡し電気的に接続している。なお、確実な導通をとるためには、レーザーの照射を数回に分けて行うことが望ましい。
【００５４】
上述のレーザー照射により測定配線４の先端と導電性パターン部７とを導通させた後に、当該導電性パターン部７に、測定器、例えば、オシロスコープまたはディジタルマルチメータのプローブまたは針を接触させる。こうして、測定配線４と接続された導電性パターン部７に、測定器を接続させることによって、ドライバーＬＳＩ６からの出力を測定し、不良原因を究明する。
【００５５】
以上の構成からなる本実施の形態に係る液晶表示装置によれば、また、メタルパット部１３を設けることにより、レーザーにより絶縁層である保護膜９を突き破る金属が多くなるため、測定配線４と導電性パターン部７との導通の確保を容易にすることができる。
【００５６】
なお、本実施の形態においても、図８〜１１に示すような測定配線４と導電性パターン部７を設けてもよい。このように構成すれば、実施の形態１で説明した効果を同様に得ることができる。例えば、図８に示すような測定配線４と導電性パターン部７を設けた場合には、実施の形態１と同様、複数の測定配線４−１Ａ，４−１Ｂと導電性パターン部７とを接続して、接続抵抗を下げることができる。そのため、よりよい条件でドライバーＬＳＩ６からの出力信号または出力波形を測定し、不良原因を究明することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示す組立図である。
【図５】実施の形態１に係る液晶表示装置の検査方法を示す平面図である。
【図６】実施の形態１に係る液晶表示装置の検査方法を示す断面図である。
【図７】実施の形態１に係る液晶表示装置の検査方法を示す平面図である。
【図８】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図９】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図１０】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図１１】実施の形態１に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図１２】実施の形態２に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  電極基板、２  対向基板、３ａ，３ａ−１，３ａ−２，３ｂ  配線、４，４−１，４−１Ａ，４−１Ｂ，４−１Ｃ，４−２，４−２Ａ，４−２Ｂ，４−２Ｃ  測定配線、５ａ，５ａ−１，５ａ−２，５ｂ，５ｃ  電極端子、６  ドライバーＬＳＩ、７，７Ａ，７Ｂ  導電性パターン部、８  ゲート絶縁膜、９  保護膜、１０  ＡＣＦ、１１  ＦＰＣ、１２  コート材、１３  メタルパット部、１４ａ〜ｃ  レーザー痕、１５  回路基板、１６  液晶パネル、１７  フロントフレーム、１８  バックライト、２１  表示部、２２  電極端子部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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