(57)【要約】【課題】書込みエラーの発生が抑制されたビットパターンドメディア（磁気記録媒体）と、そのような磁気記録媒体を使って情報の記録を行う情報記録装置とを提供する。【解決手段】基板と、基板上に硬磁性材料で複数個形成された、その基板と交わる方向の磁化が各々に生じる、情報の記録用の磁界中を所定の進行方向に通過することで各々の磁化の向きが該磁界の向きに応じた向きを向いて情報が記録される、硬磁性材料で形成された記録層を有する複数の記録ビット１１１と、各記録ビット１１１の、上記の進行方向の前方側の縁に載った、上記の記録層が有する透磁率よりも高い透磁率を有する軟磁性高透磁率膜１１２とを備えた。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に硬磁性材料で複数個形成された、該基板と交わる方向の磁化が各々に生じる、情報の記録用の磁界中を所定の進行方向に通過することで各々の磁化の向きが該磁界の向きに応じた向きを向いて情報が記録される情報記録体と、
前記情報記録体の、前記進行方向の前方側の縁に載った、該情報記録体が有する透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率膜とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記高透磁率膜が、軟磁性材料で形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記高透磁率膜が、前記情報記録体の、前記進行方向と交わる方向の幅よりも狭い幅を有しているものであることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記情報記録体が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｂ、Ｔｉ、Ｔａのうちのいずれかを含む合金で形成された記録層を有するものであることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
情報の記録用の磁界を印加する記録ヘッド；および、
基板と、
前記基板上に硬磁性材料で複数個形成された、該基板と交わる方向の磁化が各々に生じる、情報の記録用の磁界中を所定の進行方向に通過することで各々の磁化の向きが該磁界の向きに応じた向きを向いて情報が記録される情報記録体と、
前記情報記録体の、前記進行方向の前方側の縁に載った、該情報記録体が有する透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率膜とを備えた磁気記録媒体を備えたことを特徴とする情報記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、磁性体中の磁化の向きによって情報を記録する磁気記録媒体、および、そのような磁気記録媒体を使って情報の記録を行う情報記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録する装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。このＨＤＤは、情報が記録されるディスク状の磁気記録媒体である磁気ディスクを内蔵した情報記録装置である。
【０００３】
近年、記録媒体の記録密度を飛躍的に高める技術として、いわゆるビットパターンドメディアが注目を集めている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。ビットパターンドメディアは、基板上に、ｎｍオーダの微小な磁性体である記録ビットが多数配列されたものであり、多くの場合、情報の記録方式として、基板に直交する方向の磁化の向きで情報が記録される垂直磁気記録方式が採用されている。
【０００４】
ここで、磁気ディスクに記録された情報の長期保存を妨げる現象の１つに、熱揺らぎと呼ばれる現象がある。熱揺らぎは、磁化の向きが、外部の熱エネルギーの影響により不安定となってしまう現象であり、磁化が保持されている磁区のサイズが小さいほど顕著に現れる。上記のビットパターンドメディアでは、各記録ビットが磁区の役割を果たしているが、記録密度の向上のためにこの記録ビットが微小サイズで形成されていることから、熱揺らぎの問題が顕在化しやすい。
【０００５】
従来、ビットパターンドメディアでは、このような熱揺らぎに対して十分な耐性を持たせるために、基板に直交する方向を磁化容易軸とする磁気異方性が高められた磁性材料で各記録ビットが形成されることが多い。このような高い磁気異方性を有する磁性材料で形成された記録ビットは、磁化の反転に要するエネルギーが大きいことから、上記の熱揺らぎに対して十分な耐性を有することとなる。
【特許文献１】特開２００５−３１７１５５号公報
【特許文献２】特開２００６−４０３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、各記録ビットにおいて磁化の反転に要するエネルギーが大きいということは、一方で、情報記録の際にも各記録ビットの磁化を反転させ難いということを意味する。このため、このような記録ビットを有するビットパターンドメディアには、情報の記録時に磁化の反転に失敗する書込みエラーが生じやすいという問題がある。
【０００７】
また、ビットパターンドメディアを上記の磁気ディスクとして備えたＨＤＤでは、情報の記録時には、情報の記録を行う記録ヘッドが、磁気ディスクの回転に伴って直下を順次に通過する記録ビットそれぞれに対して、情報の記録用の磁界を印加する。各記録ビットには、磁化の向きが、その記録ビットが通過した磁界の向きに応じた向きに変更されることで情報の記録が行われる。
【０００８】
ここで、記録対象の記録ビットに対する記録ヘッドによる磁界の印加は、その記録対象の記録ビットが記録ヘッドの直下を通過するタイミングで実行される。近年では、ＨＤＤにおける情報の記録密度を向上させるために記録ビットの間隔が詰まってきており、上記のような磁界の印加が可能なタイミングの範囲が狭まりつつある。その結果、例えば磁気ディスクの微妙な回転ムラ等に起因にして、記録ヘッドによる磁界の印加のタイミングが、上記のような範囲から外れてしまうことがしばしば生じるようになってきている。
【０００９】
このとき、磁界の印加のタイミングが上記の範囲よりも早過ぎると、記録対象の記録ビットの直前に情報が記録された情報記録済みの記録ビットに対して情報が上書きされてしまう恐れが生じる。ここで、多くのビットパターンドメディアでは、上記のように磁化の反転に大きな磁界を要することから、磁界の印加のタイミングが早過ぎたとしても、そのような上書きはある程度までは抑えられる。一方で、磁界の印加のタイミングが上記の範囲よりも遅すぎる場合には、磁界の強さの不足から磁化の反転に失敗して書込みエラーが発生してしまう恐れが生じる。そして、この場合には、磁化の反転に大きな磁界を要することから、印加のタイミングが早過ぎる場合とは逆に、このような書込みエラーを抑えることが困難である。
【００１０】
本件は、上記事情に鑑み、書込みエラーの発生が抑制されたビットパターンドメディア（磁気記録媒体）と、そのような磁気記録媒体を使って情報の記録を行う情報記録装置とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成する磁気記録媒体の基本形態は、
基板と、
上記基板上に硬磁性材料で複数個形成された、その基板と交わる方向の磁化が各々に生じる、情報の記録用の磁界中を所定の進行方向に通過することで各々の磁化の向きがその磁界の向きに応じた向きを向いて情報が記録される情報記録体と、
上記情報記録体の、上記進行方向の前方側の縁に載った、その情報記録体が有する透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率膜とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
この磁気記録媒体の基本形態は、上記基板と交わる方向の磁化の向きで情報が記録される複数の情報記録体を備えた、垂直磁気記録方式で情報が記録されるビットパターンドメディアである。このとき、この磁気記録媒体の基本形態によれば、各情報記録体の上記進行方向の前方側の縁に上記高透磁率膜が載っていることから、情報の記録用の磁界における磁力線のうち、仮に上記高透磁率膜がなければ上記情報記録体の前方を通過するはずだった磁力線の一部が、この高透磁率膜に吸われて情報記録体の中を通過することとなる。このため、情報記録体の中を通過する磁力線の数が増え、磁化の反転に寄与する磁界の強さが増すこととなる。また、この磁気記録媒体の基本形態によれば、上記高透磁率膜によって情報記録体の中に導かれた磁力線は、情報記録体中を、上記基板と交わる方向に向いている磁化に対して斜めに通過する。このように磁化に対して斜めに通過する磁力線は、その磁化を、上記基板に沿った方向に押して反転させるように働くことから、磁化を反転させる効果が大きい。このように、この磁気記録媒体の基本形態によれば、磁化の反転に寄与する磁界の強さが増すとともに、情報記録体中を通過する磁力線が磁化を反転させる効果が大きいことから、磁化の反転に失敗する書込みエラーの発生が抑制されることとなる。さらに、この磁気記録媒体の基本形態によれば、上記高透磁率膜による磁力線の吸込み効果によって、ある程度までなら、記録対象のの情報記録体が記録ヘッドから離れてしまっても磁力線をその情報記録体に導くことができる。これにより、記録対象の情報記録体に記録ヘッドが磁界の印加を行えるタイミングの範囲が、その磁力線の吸込み効果の分だけ延びることとなる。その結果、磁界の強さの不足による書込みエラーを誘発させてしまうような、磁界の印加タイミングの遅れの発生が抑えられることとなる。
【００１３】
また、上記目的を達成する情報記録装置の基本形態は、
情報の記録用の磁界を印加する記録ヘッド；および、
基板と、
上記基板上に硬磁性材料で複数個形成された、その基板と交わる方向の磁化が各々に生じる、情報の記録用の磁界中を所定の進行方向に通過することで各々の磁化の向きがその磁界の向きに応じた向きを向いて情報が記録される情報記録体と、
上記情報記録体の、上記進行方向の前方側の縁に載った、その情報記録体が有する透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率膜とを備えた磁気記録媒体を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この情報記録装置の基本形態によれば、上記のように書込みエラーの発生が抑制された磁気記録媒体を使って情報を確実に記録することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上、説明したように、本件によれば、書込みエラーの発生が抑制されたビットパターンドメディア（磁気記録媒体）と、そのような磁気記録媒体を使って情報の記録を行う情報記録装置とを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、上記に基本形態について説明した磁気記録媒体および情報記録装置それぞれの具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、情報記録装置の具体的な実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【００１８】
図１のパート（ａ）には、ＨＤＤ１０が示されており、パート（ｂ）には、パート（ａ）中の領域Ａの拡大図が示されている。
【００１９】
この図１に示すＨＤＤ１０のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて矢印Ｒが示す回転方向に回転する磁気ディスク１１０と、磁気ディスク１１０に対して情報記録を行う記録ヘッドおよび磁気ディスク１１０からの情報再生を行う再生ヘッドを先端に備えたヘッドジンバルアセンブリ１０３と、このヘッドジンバルアセンブリ１０３が固着されてアーム軸１０４を中心に磁気ディスク１１０の表面に沿って移動するキャリッジアーム１０５と、そのキャリッジアーム１０５を駆動するアームアクチュエータ１０６とが収納されている。ここで、このＨＤＤ１０に収納されている磁気ディスク１１０が、基本形態について説明した磁気記録媒体の具体的な実施形態に相当する。
【００２０】
ここで、この磁気ディスク１１０は、磁化を保持する磁区の役割を果たす後述の記録層を有した複数の記録ビット１１１が、非磁性材料のディスク基板上に同心円状に配列されて複数本のトラックが構成されたビットパターンドメディアである。
【００２１】
磁気ディスク１１０への情報の記録や磁気ディスク１１０に記録された情報の再生に当たっては、アームアクチュエータ１０６によってキャリッジアーム１０５が駆動されて、記録ヘッドや再生ヘッドが、回転する磁気ディスク１１０上の所望のトラックに位置決めされる。これらの記録ヘッドや再生ヘッドは、磁気ディスク１１０の回転に伴って、磁気ディスク１１０の各トラックに多数並ぶ記録ビット１１１に順次に近接する。情報の記録時には、このように記録ビット１１１に近接した記録ヘッドに電気的な記録信号が入力され、記録ヘッドにより、その記録信号に応じて各記録ビット１１１に磁界が印加されて、その記録信号に担持された情報が記録ビット１１１の記録層に後述する磁化の向きとして記録される。また、情報の再生時には、再生ヘッドによって、各記録ビット１１１の記録層に記録された情報が、各記録ビット１１１の磁化によって発生する磁界の向きに応じた電気的な再生信号として取り出される。
【００２２】
ここで、本実施形態では、図１のパート（ｂ）に示すように、各記録ビット１１１の、矢印Ｒが示す磁気ディスク１１０の回転方向、即ち、記録ビット１１１の進行方向の前方側の縁とこの前方側の側面とが、軟磁性材料であるＮｉＦｅで形成された厚さ７ｎｍの軟磁性高透磁率膜１１２で覆われている。一般的に、軟磁性材料は、透磁率が高いことから、本実施形態では、この軟磁性材料を用いることで、後述するように硬磁性材料で形成された記録ビット１１１が有する透磁率よりも高い透磁率を有する軟磁性高透磁率膜１１２が容易に実現されている。
【００２３】
つまり、上記の磁気記録媒体および情報記録装置それぞれの基本形態に対し、
「上記高透磁率膜が、軟磁性材料で形成されたものである」という応用形態が好適であることを意味している。
【００２４】
上記の軟磁性高透磁率膜１１２は、上記の基本形態とこの応用形態とにおける高透磁率膜の一例に相当する。
【００２５】
図２は、図１のパート（ｂ）に示す記録ビットおよび軟磁性高透磁率膜を詳細に示す図である。
【００２６】
図２のパート（ａ）には、記録ビット１１１および軟磁性高透磁率膜１１２の、図１にも示す上面図が示されており、パート（ｂ）には、記録ビット１１１および軟磁性高透磁率膜１１２の、パート（ａ）に示す切断線Ｂ−Ｂに沿った断面図が示されている。
【００２７】
パート（ｂ）に示すように、記録ビット１１１は、非磁性材料であるガラスで形成されたディスク基板１１３側から、軟磁性材料からなる厚さが５０ｎｍの軟磁性裏打ち層１１１ｃ、非磁性材料からなる厚さが１０ｎｍの中間層１１１ｂ、および、硬磁性材料であるＣｏ合金からなる厚さが１５ｎｍの記録層１１１ａが、この順番で積層された構造を有している。
【００２８】
ここで、上記の基本形態に対し、
「上記情報記録体が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｂ、Ｔｉ、Ｔａのうちのいずれかを含む合金で形成された記録層を有するものである」という応用形態も好適である。
【００２９】
この好適な応用形態によれば、上記合金を用いることで、保持力の高い良好な情報記録体を得ることができる。
【００３０】
上記のディスク基板１１３は、上記の基本形態における基板の一例に相当し、上記の記録ビット１１１は、上記の基本形態と応用形態とにおける情報記録体の一例に相当し、上記の記録層１１１ａは、上記の応用形態における記録層の一例に相当する。
【００３１】
ここで、記録層１１１ａを構成する硬磁性材料は、ディスク基板１１３に対して垂直な方向を磁化容易軸とする強い磁気異方性を有している。その結果、記録層１１１ａ中では、磁化は、このディスク基板１１３に対して垂直な方向を向くこととなる。そして、この磁化が、図中の上向きと下向きとの何れかの向きに向けられることで、記録層１１１ａに情報が記録されることとなる。このように、図１の磁気ディスク１１０は、各記録ビット１１１に、ディスク基板１１３に対して垂直な方向の磁化の向きによって情報が記録される、いわゆる垂直磁気記録方式のメディアとなっている。また、上述のように、記録層１１１ａを構成する硬磁性材料の磁気異方性が強いことから、上向きと下向きとの何れかの向きに向いた磁化は、いわゆる熱揺らぎに対して強い耐性を有することとなっている。
【００３２】
さらに、本実施形態では、上述したように、各記録ビット１１１の、矢印Ｒが示す進行方向の前方側の縁と側面とが軟磁性高透磁率膜１１２で覆われている。この軟磁性高透磁率膜１１２は、記録層１１１ａよりも透磁率が高く、その結果、上記の記録ヘッドによって印加される磁界の磁力線は、この軟磁性高透磁率膜１１２を積極的に通過しようとする。つまり、本実施形態では、記録ヘッドによる磁界の磁力線がこの軟磁性高透磁率膜１１２に吸われることとなる。
【００３３】
また、本実施形態では、軟磁性高透磁率膜１１２が、上述したように、記録ビット１１１における上記の縁と側面とを覆っているので、記録ヘッドによって印加される磁界の磁力線の多くが、これらの縁と側面との双方で吸われて記録層１１１ａに導かれることとなる。
【００３４】
このことは、上記の基本形態に対し、
「上記高透磁率膜が、上記情報記録体の、上記進行方向の前方側の側面にも被っているものである」という応用形態が好適であることを意味している。
【００３５】
上記の軟磁性高透磁率膜１１２は、この応用形態における高透磁率膜の一例にも相当する。
【００３６】
図３は、記録ヘッドが印加した磁界の磁力線が軟磁性高透磁率膜に吸われる様子を示す模式図である。
【００３７】
この図３には、図２にも示す記録ビット１１１と軟磁性高透磁率膜１１２との断面図と、図１に示すヘッドジンバルアセンブリ１０３に搭載された記録ヘッド１０３ａとが示されている。そして、記録ビット１１１における記録層１１１ａに、図中の上向きに保持されている磁化Ｍが、記録ヘッド１０３ａによって印加された磁界によって下向きに反転させられることで、この記録層１１１ａに情報が記録される様子が示されている。ここで、上記の記録ヘッド１０３ａが、上述の情報記録装置の基本形態における記録ヘッドの一例に相当する。
【００３８】
この図３に示すように、記録ヘッド１０３ａが印加した磁界の磁力線Ｈは、透磁率が高い軟磁性高透磁率膜１１２に吸われる。その結果、矢印Ｒが示す記録ビット１１１の進行方向における前方を通過するはずだった磁力線Ｈの一部が、この軟磁性高透磁率膜１１２に吸われて記録層１１１ａの中を通過することとなる。つまり、本実施形態では、磁化を反転させて新たな情報を記録するに際し記録層１１１ａの中を通過する磁力線Ｈの数が多い。
【００３９】
ここで、この図３の例は、上述したように、図中の上向きの磁化Ｍを保持している記録層１１１ａに、記録ヘッド１０３ａからの磁界によって、この磁化Ｍを下向きに反転させることで情報を記録するという例である。このとき、本実施形態では、熱揺らぎに対する強い耐性を実現するために、記録層１１１ａを構成する硬磁性材料として磁気異方性が強く、磁化の反転に大きな磁界を要する磁性材料が使われている。このため、図３の例のように、磁化を反転させて情報を記録するに際し、仮に、記録層１１１ａ中の磁界が弱いとすると、磁化Ｍの反転に失敗する書込みエラーが発生してしまう恐れがある。しかしながら、本実施形態では、上述のように、記録層１１１ａの中を通過する磁力線Ｈの数が多いことから、記録層１１１ａ中の磁化Ｍの反転に寄与する磁界が強く、上記のような磁化Ｍの反転に失敗する書込みエラーの発生が抑制されることとなる。
【００４０】
また、上記のように軟磁性高透磁率膜１１２に吸われた磁力線Ｈは、この図３に示すように、記録層１１１ａの中を、ディスク基板１１３に対して垂直な方向に向いている磁化Ｍに対して斜めに通過する。このように磁化Ｍに対して斜めに通過する磁力線Ｈは、その磁化Ｍを、図中の矢印Ｃが示すように、ディスク基板１１３に平行な方向に押して反転させるように働くことから、磁化Ｍを反転させる効果が大きい。
【００４１】
以上に説明したように、本実施形態では、軟磁性高透磁率膜１１２による磁力線Ｈの吸込み効果と、吸込まれた磁力線Ｈの通過方向とが相俟って、記録層１１１ａ中の磁化Ｍを反転させ易くなっている。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
この表１には、軟磁性高透磁率膜１１２によって覆われた本実施形態における記録ビット１１１の、磁化Ｍの反転させ易さを、記録ヘッド１０３ａが記録ビット１１１の磁化Ｍを反転させるのに要する磁界（反転磁界）の大きさで示した表である。また、この表１には、比較のために、軟磁性高透磁率膜によって覆われていない従来の記録ビットに対する反転磁界の強さが示されている。
【００４４】
この表１に示すように、従来の記録ビットの反転磁界が、１０４９４Ｏｅ（１３１．９Ａ／ｍ）であるのに対し、本実施形態の記録ビット１１１の反転磁界は、８０９９Ｏｅ（１０１．８Ａ／ｍ）であり、本実施形態の記録ビット１１１では、磁化Ｍを反転させ易くなっていることが分かる。これは、上述したように、従来の記録ビットでは磁化の反転に寄与していない磁界が、本実施形態の記録ビット１１１では、磁化Ｍの反転に寄与することとなっていることによる。
【００４５】
また、本実施形態では、記録対象の記録ビット１１１に対する記録ヘッド１０３ａによる磁界の印加は、情報記録済みの記録ビット１１１が記録ヘッド１０３ａから十分に離れた後、記録対象の記録ビット１１１が記録ヘッド１０３ａの直下を、以下に説明するようにある程度まで通り過ぎた時点までが許容された範囲内のタイミングで実行される。
【００４６】
ここで、仮に上記のような軟磁性高透磁率膜１１２による磁力線の吸い込みが無かったとすると、記録ビット１１１が記録ヘッド１０３ａの直下を通り過ぎたタイミングで磁界の印加が行われると、記録層１１１ａ中の磁界の強さが不足して、上記の書込みエラーが発生してしまう可能性が高い。しかしながら、本実施形態では、ある程度までなら、記録ビット１１１が記録ヘッド１０３ａの直下を通り過ぎたタイミングで磁界の印加が行われたとしても、記録層１１１ａにおいて磁力線Ｈが通過しないはずだった部分に、軟磁性高透磁率膜１１２による磁力線Ｈの吸込み効果により磁力線Ｈが導かれることになる。これにより、記録層１１１ａ中で磁化Ｍの反転に寄与する磁界が確保されて、上記のような磁化Ｍの反転に失敗する書込みエラーの発生が抑制されることとなる。このことは、磁界の印加が可能なタイミングの範囲が、上記の磁力線の吸込み効果の分だけ延びたことと同義である。
【００４７】
また、本実施形態では、軟磁性高透磁率膜１１２は、矢印Ｒが示す進行方向の前方側についてのみ記録ビット１１１の縁と側面とを覆っており、記録ビット１１１における進行方向の後方側については開けられている。仮に、この後方側についても縁や側面が軟磁性高透磁率膜１１２で覆われていたとすると、その後方側における軟磁性高透磁率膜１１２による磁力線Ｈの吸込み効果により、情報記録済みの記録ビット１１１が、次の記録ビット１１１に対する情報記録時の磁界の影響を受けやすくなってしまう。この場合には、記録ヘッド１０３ａによる磁界の印加は、情報記録済みの記録ビット１１１が、磁力線Ｈの吸込み効果により強まってしまった影響を脱するまで記録ヘッド１０３ａから十分に離れるまで行えなくなってしまう。このことは、この磁界の印加を行えるタイミングの範囲が、後方側における磁力線Ｈの吸込み効果の分だけ縮まってしまうことと同義である。
【００４８】
これに対し、本実施形態では、上述のように、記録ビット１１１における進行方向の後方側については開けられていることから、上記のような磁界の印加を行えるタイミングの範囲の短縮は生じず、上述の、進行方向の前方側についての磁力線Ｈの吸込み効果に基づく範囲の延長のみが実現されることとなる。その結果、本実施形態では、磁界の強さの不足による書込みエラーを誘発させてしまうような、磁界の印加タイミングの遅れの発生が効果的に抑えられることとなる。
【００４９】
つまり、上記の基本形態に対し、
「上記高透磁率膜が、上記進行方向の後方側の縁を空けた状態で、その進行方向の前方側の縁に載ったものである」という応用形態が好適であることを意味している。
【００５０】
本実施形態の軟磁性高透磁率膜１１２は、この応用形態における高透磁率膜の一例にも相当する。
【００５１】
また、本実施形態では、図１や図２に示すように、軟磁性高透磁率膜１１２における、矢印Ｒが示す磁気ディスク１１０の回転方向と直交する幅が、記録ビット１１１の幅よりも狭くなっている。このため、軟磁性高透磁率膜１１２による磁力線の吸い込みの効果は、矢印Ｒが示す記録ビット１１１の進行方向には大きいが、この進行方向に直交する幅方向には小さい。
【００５２】
ところで、情報の記録時に記録ヘッド１０３ａによって印加される磁界の一部は、記録対象のの記録ビット１１１と幅方向に隣接する記録ビット１１１の方に漏れる。この幅方向の漏れ磁界が、隣接する記録ビット１１１にあまりに強く作用すると、この隣接する記録ビット１１１に記録されていた情報が書き換えられてしまう恐れがある。しかしながら、本実施形態では、記録層１１１ａが磁気異方性の高い磁性材料で形成されており、元々、磁気的な外乱に対して耐性を有している。さらに、軟磁性高透磁率膜１１２による磁力線の吸い込みの効果が上述のように幅方向には小さいことから、上記のような漏れ磁界が軟磁性高透磁率膜１１２によって記録層１１１ａに導かれてしまうこと等が抑えられている。これにより、本実施形態では、漏れ磁界による情報の書き換え等といった不具合の発生が効果的に抑制されることとなる。
【００５３】
従って、上記の基本形態に対し、
「上記高透磁率膜が、上記情報記録体の、上記進行方向と交わる方向の幅よりも狭い幅を有しているものである」という応用形態も好適であることが分かる。
【００５４】
本実施形態の軟磁性高透磁率膜１１２は、この応用形態における高透磁率膜の一例にも相当する。
【００５５】
次に、この本実施形態の磁気ディスク１１０の製造方法について説明する。
【００５６】
図４は、磁気ディスクの製造方法のうちのステップＳ１からステップＳ５に至る一連の作業を示す図であり、図５は、磁気ディスクの製造方法のうちのステップＳ６からステップＳ１０に至る一連の作業を示す図である。
【００５７】
図４のステップＳ１では、まず、非磁性材料であるガラスで形成されたディスク基板１１３の表面に、スパッタリング法により、厚さが５０ｎｍの軟磁性材料の膜と、厚さが１０ｎｍの非磁性材料の膜と、硬磁性材料であるＣｏ合金の厚さが１５ｎｍの膜とが順次に積層されて、上記の記録ビット１１１の元となる３層膜１１１’が形成される。さらに、ステップＳ１では、この３層膜１１１’の表面に、紫外線照射によって硬化する光硬化樹脂２０２が塗布されるとともに、記録ビット１１１の配列に対応したｎｍオーダの凹凸構造を有する第１モールド２０１が用意される。
【００５８】
ステップＳ１の作業に続いて、未硬化状態の光硬化樹脂２０２に、第１モールド２０１が、上記の凹凸構造を向けて押し付けられ、さらに、その光硬化樹脂２０２に対して紫外線ＵＶの照射による硬化処理が施される（ステップＳ２）。そして、光硬化樹脂２０２の硬化後に、第１モールド２０１の剥離が行われることで、第１モールド２０１のｎｍオーダの凹凸構造が光硬化樹脂２０２に写し取られる（ステップＳ３）。続いて、光硬化樹脂２０２の凹凸構造の凹部における薄膜が反応性イオンエッチングによって除去される（ステップＳ４）。これにより、３層膜１１１’のうち記録ビット１１１として残される部分の表面のみを覆う、記録ビット１１１用のマスクである第１マスク２０３が完成する。
【００５９】
このように、記録ビット１１１用の第１マスク２０３が完成すると、３層膜１１１’のうち第１マスク２０３で覆われていない部分がドライエッチングによって除去されることで、ディスク基板１１３上に、図２や図３に示す軟磁性裏打ち層１１１ｃと中間層１１１ｂと記録層１１１ａとで構成された記録ビット１１１の配列が形成される（ステップＳ５）。
【００６０】
ステップＳ５の作業に続いて、図５のステップＳ６では、記録ビット１１１の配列が形成されたディスク基板１１３の表面に、記録ビット１１１が有する透磁率よりも高い透磁率を有する軟磁性材料であるＮｉＦｅの、厚さ７ｎｍの膜（ＮｉＦｅ膜）１１２’が、スパッタリング法により形成される。
【００６１】
続くステップＳ７の作業では、ＮｉＦｅ膜１１２’で覆われたディスク基板１１３の表面に、上記の光硬化樹脂２０２が塗布されると共に、各記録ビット１１１の上に形成される上記の軟磁性高透磁率膜１１２の形状に対応した凹凸構造を有する第２モールド２０４が用意される。
【００６２】
そして、未硬化状態の光硬化樹脂２０２に、第２モールド２０４が、上記の凹凸構造を向けて押し付けられ、さらに、その光硬化樹脂２０２に対して紫外線ＵＶの照射による硬化処理が施される（ステップＳ８）。そして、光硬化樹脂２０２の硬化後に、第２モールド２０４の剥離が行われることで、第２モールド２０４の凹凸構造が光硬化樹脂２０２に写し取られ、さらに、ＮｉＦｅ膜１１２’のうち軟磁性高透磁率膜１１２として残される部分以外を覆った光硬化樹脂２０２の薄膜が反応性イオンエッチングによって除去されることで、軟磁性高透磁率膜１１２として残される部分の表面のみを覆う、軟磁性高透磁率膜１１２用のマスクである第２マスク２０５が完成する（ステップＳ９）。
【００６３】
図６は、ＮｉＦｅ膜で覆われたディスク基板の表面に、第２マスクが形成されている様子を示す図である。
【００６４】
この図６には、記録ビット１１１およびディスク基板１１３両方の表面を、図５のステップＳ６からステップＳ９にも示すように全面的に覆っているＮｉＦｅ膜１１２’のうち、図１のパート（ｂ）に示すような軟磁性高透磁率膜１１２として残される部分の表面のみを覆う上記の第２マスク２０５が、図１のパート（ｂ）と同様の上面図で示されている。
【００６５】
図５のステップＳ９の作業によって、この図６に示す第２マスク２０５が形成されると、ＮｉＦｅ膜１１２’のうち第２マスク２０５で覆われていない部分がドライエッチングによって除去されることで、ディスク基板１１３上に、軟磁性高透磁率膜１１２付きの記録ビット１１１の配列が形成されて、磁気ディスク１１０における基本構造が完成する（ステップＳ１０）。
【００６６】
このステップＳ１０の後、磁気ディスク１１０が最終的に完成するまでには、軟磁性高透磁率膜１１２付きの記録ビット１１１間の隙間を所定の非磁性材料で埋めて表面を平滑化する処理等が行われるが、この処理は、パターンドメディアの製造方法で一般的に行われている処理なので、ここでは説明を割愛する。
【００６７】
尚、上記では、上記の基本形態における基板の一例として、ガラス製のディスク基板１１３を例示したが、この基本形態における基板はこれに限るものではなく、この基板は、例えばアルミニウム製であっても良く、シリコン製であっても良く、セラミック製であっても良い。
【００６８】
また、上記では、上記の応用形態における記録層の一例として、Ｃｏ合金製の記録層１１１ａを例示したが、この応用形態における記録層はこれに限るものではなく、この記録層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｂ、Ｔｉ、Ｔａのうちのいずれかを含む合金で形成されたものであれば良い。
【００６９】
以下、上述した基本形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００７０】
（付記１）
基板と、
前記基板上に硬磁性材料で複数個形成された、該基板と交わる方向の磁化が各々に生じる、情報の記録用の磁界中を所定の進行方向に通過することで各々の磁化の向きが該磁界の向きに応じた向きを向いて情報が記録される情報記録体と、
前記情報記録体の、前記進行方向の前方側の縁に載った、該情報記録体が有する透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率膜とを備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００７１】
（付記２）
前記高透磁率膜が、軟磁性材料で形成されたものであることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００７２】
（付記３）
前記高透磁率膜が、前記情報記録体の、前記進行方向と交わる方向の幅よりも狭い幅を有しているものであることを特徴とする付記１又は２記載の磁気記録媒体。
【００７３】
（付記４）
前記高透磁率膜が、前記情報記録体の、前記進行方向の前方側の側面にも被っているものであることを特徴とする付記１から３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００７４】
（付記５）
前記情報記録体が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｂ、Ｔｉ、Ｔａのうちのいずれかを含む合金で形成された記録層を有するものであることを特徴とする付記１から４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００７５】
（付記６）
前記高透磁率膜が、前記進行方向の後方側の縁を空けた状態で、該進行方向の前方側の縁に載ったものであることを特徴とする付記１から５のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００７６】
（付記７）
情報の記録用の磁界を印加する記録ヘッド；および、
基板と、
前記基板上に硬磁性材料で複数個形成された、該基板と交わる方向の磁化が各々に生じる、情報の記録用の磁界中を所定の進行方向に通過することで各々の磁化の向きが該磁界の向きに応じた向きを向いて情報が記録される情報記録体と、
前記情報記録体の、前記進行方向の前方側の縁に載った、該情報記録体が有する透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率膜とを備えた磁気記録媒体を備えたことを特徴とする情報記録装置。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】情報記録装置の具体的な実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【図２】図１のパート（ｂ）に示す記録ビットおよび軟磁性高透磁率膜を詳細に示す図である。
【図３】記録ヘッドが印加した磁界の磁力線が軟磁性高透磁率膜に吸われる様子を示す模式図である。
【図４】磁気ディスクの製造方法のうちのステップＳ１からステップＳ５に至る一連の作業を示す図である。
【図５】磁気ディスクの製造方法のうちのステップＳ６からステップＳ１０に至る一連の作業を示す図である。
【図６】ＮｉＦｅ膜で覆われたディスク基板の表面に、第２マスクが形成されている様子を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０    ＨＤＤ
１０１    ハウジング
１０２    回転軸
１０３    ヘッドジンバルアセンブリ
１０３ａ    記録ヘッド
１０４    アーム軸
１０５    キャリッジアーム
１０６    アームアクチュエータ
１１０    磁気ディスク
１１１    記録ビット
１１１’    ３層膜
１１１ａ    記録層
１１１ｂ    中間層
１１１ｃ    軟磁性裏打ち層
１１２    軟磁性高透磁率膜
１１２’    ＮｉＦｅ膜
２０１    第１モールド
２０２    光硬化樹脂
２０３    第１マスク
２０４    第２モールド
２０５    第２マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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