(57)【要約】【課題】レジスト膜の縁の膜質が縁以外の膜質と同じ状態で液浸露光できると共に、レジスト膜の縁を効果的に除去できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、被加工膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をベークし、レジスト膜を液侵露光し、レジスト膜をポストエクスポージャベークし、レジスト膜を現像し、ポストエクスポージャベークした後にレジスト膜の縁を除去することを特徴とする。また、基板処理装置は、被加工膜上に形成されたレジスト膜の縁を周辺露光する周辺露光装置と、周辺露光するのと同時に、または周辺露光した後であって現像する前に、レジスト膜の縁を加熱する加熱装置と、を備えることを特徴とする。【選択図】図４
2009295716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工膜上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜をベークし、
前記レジスト膜を液侵露光し、
前記レジスト膜をポストエクスポージャベークし、
前記レジスト膜を現像し、
前記ポストエクスポージャベークした後に前記レジスト膜の縁を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レジスト膜の前記縁の前記除去は、
前記レジスト膜の前記縁に有機溶媒を塗布して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レジスト膜の前記縁の前記除去は、
前記ポストエクスポージャベークした後であって前記現像する前に、前記レジスト膜の前記縁を周辺露光し、
前記周辺露光するのと同時に、または前記周辺露光した後であって前記現像する前に、前記レジスト膜の前記縁を加熱し、
前記現像により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
被加工膜上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜をベークし、
前記レジスト膜を液侵露光し、
前記レジスト膜の縁を周辺露光し、
前記レジスト膜をポストエクスポージャベークし、
前記レジスト膜を現像し、
前記液浸露光した後であって、前記ポストエクスポージャベークする前に前記レジスト膜を冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
被加工膜上に形成されたレジスト膜の縁を周辺露光する周辺露光装置と、
前記周辺露光するのと同時に、または前記周辺露光した後であって前記レジスト膜を現像する前に、前記レジスト膜の前記縁を加熱する加熱装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造方法は、一般に、シリコンウェーハ上に被加工膜として複数の物質を堆積し、その被加工膜を所望のパターンにパターニングする一連の工程を多数含む。この被加工膜をパターニングする工程について以下に説明する。まず、一般にレジストと呼ばれる感光性物質を被加工膜上に塗布してレジスト膜を形成する。次に、このレジスト膜の所定の領域を露光する。次に、レジスト膜の露光領域または未露光領域の何れかを現像処理により除去してレジストパターンを形成する。さらに、このレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、被加工膜をドライエッチングする。これにより、被加工膜にパターンを形成する。
【０００３】
近年、パターンの微細化に伴い、高NA（開口数）化が可能な液浸リソグラフィーが使用されるようになってきている。この液浸リソグラフィーでは、露光用レンズとレジスト膜の表面との間を液浸用の液体（例えば純水）で満たして液浸露光する。また、液浸リソグラフィーでは、露光用レンズと液浸用の液体とをレジスト膜の表面に沿ってスキャンして所定の範囲を液浸露光するスキャン露光が行われている。そこで、液浸用の液体と接することを考慮すると共に、露光用レンズと液浸用の液体とを高速にスキャンするために、液浸リソグラフィープロセス対応のレジスト膜（トップコートレスレジスト膜）が開発されている。
【０００４】
また、液浸露光した後、レジスト膜の縁（つまりウェーハ表面上に形成されたレジスト膜のうち、ウェーハ面内の周辺部に存在する部分）は露光されずに未露光領域となる。ポジ型レジストを用いた場合、この未露光領域は現像処理によっては除去されず残存してしまう。そこで、予めレジスト膜の縁を周辺露光（WEE；Wafer Edge Exposure）してから液浸露光し、その後に現像して、レジスト膜の縁を除去している（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、従来通りに液浸露光する前に周辺露光した場合、液浸露光する時にレジスト膜の縁の膜質が縁以外の膜質とは異なっているという問題があった。
【特許文献１】特開２００６−２３５２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、レジスト膜の縁の膜質が縁以外の膜質と同じ状態で液浸露光できると共に、レジスト膜の縁を効果的に除去できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明の一態様によれば、被加工膜上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をベークし、前記レジスト膜を液侵露光し、前記レジスト膜をポストエクスポージャベークし、前記レジスト膜を現像し、前記ポストエクスポージャベークした後に前記レジスト膜の縁を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
また、本願発明の他の一態様によれば、被加工膜上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をベークし、前記レジスト膜を液侵露光し、前記レジスト膜の縁を周辺露光し、前記レジスト膜をポストエクスポージャベークし、前記レジスト膜を現像し、前記液浸露光した後であって、前記ポストエクスポージャベークする前に前記レジスト膜を冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
また、本願発明の他の一態様によれば、被加工膜上に形成されたレジスト膜の縁を周辺露光する周辺露光装置と、前記周辺露光するのと同時に、または前記周辺露光した後であって前記レジスト膜を現像する前に、前記レジスト膜の前記縁を加熱する加熱装置と、を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レジスト膜の縁の膜質が縁以外の膜質と同じ状態で液浸露光できると共に、レジスト膜の縁を効果的に除去できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者が本発明をなすに至った経緯について説明する。以下、本明細書においてレジスト膜とは、液浸リソグラフィープロセス対応のレジスト膜（トップコートレスレジスト膜）を表す。
発明者は、背景技術の項で述べた様に、液浸露光する前に周辺露光した場合、液浸露光する時にレジスト膜の縁の膜質が変化しており、縁以外の膜質とは異なっていることに気付いた。そのため、縁の膜質が変化したレジスト膜をスキャン露光方式により液浸露光すると、レジスト膜の縁が原因となって液浸用の液体が漏れることを発明者は独自に知得した。また、液浸用の液体が漏れると、漏れた液体が原因でウェーハの温度変化が引き起こされ、例えばフォーカスずれなど、液浸露光に悪影響が及ぼされることを発明者は独自に知得した。
【００１２】
上記現象について、図１を参照してより詳細に説明する。図１は、液浸露光する前に周辺露光した場合のレジスト膜の状態を示す断面図である。同図は、ウェーハ１枚の断面を模式的に表す。同図に示す様に、ウェーハ１０上の未露光のレジスト膜１１の縁１５には、周辺露光により生じた周辺露光領域１１ａが存在している。この状態で液浸露光用ノズル１３をレジスト膜１１及び周辺露光領域１１ａの表面に沿ってスキャンして、レジスト膜１１に対して液浸露光する場合について考える。この場合、周辺露光領域１１ａの上部を液浸露光用ノズル１３が通過すると、液浸露光用ノズル１３とレジスト膜１１との間に存在する液浸用の液体が周辺露光領域１１ａを介して漏れる様になる。
【００１３】
この液体の漏れは、次の様に説明できることを発明者は独自に知得した。即ち、液浸露光用ノズル１３がスキャンされても、未露光のレジスト膜１１はその表面に液浸用の液体が残存しない膜質を有している。しかし、周辺露光領域１１ａは露光が完了しているので未露光のレジスト膜１１の膜質から変化している。そのため、スキャン動作によって液浸露光用ノズル１３が周辺露光領域１１ａの上部を通過した後に、周辺露光領域１１ａの表面に液浸用の液体が残存してしまう。従って、その残存した液体がウェーハ１０の外部に漏れ出す。
【００１４】
上記問題を解決するために、液浸露光した後であってポストエクスポージャベークする前に周辺露光する方法が考えられる。しかし、発明者は、この方法では液浸露光した後にポストエクスポージャベークを開始するまでの時間が長くなるので、新たな問題が生じることにも気付いた。つまり、この方法ではレジスト膜の液浸露光した領域での化学反応の進行に変化が生じてパターン寸法が設計値とは異なってしまうポストエクスポージャディレイ（PED；Post Exposure Delay）が問題となることを発明者は知得した。
【００１５】
発明者は、上述した独自の知得に基づいて本発明をなすに至った。
以下に、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。これらの実施形態は、本発明を限定するものではない。
以下の実施形態では、液浸露光する前に周辺露光せずにレジスト膜の縁を除去することを基本的な原理とする。即ち、図２に示す様に、レジスト膜１１の縁１５の膜質が縁１５以外の膜質と同じ状態で液浸露光して、液浸露光している間に縁１５を介した液漏れが発生しない様にする。
また、以下の実施形態では、シリコンなどの半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜等の層間絶縁膜上にレジストパターンを形成する一例について説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図３〜図５を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。
図３、図４は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。なお、同図はウェーハ１枚の断面を模式的に示す。
【００１７】
［工程１］
まず、図３（ａ）に示すウェーハ（シリコン基板）１０上に、有機系下層膜３１を所定の膜厚となるようにスピンコートにより形成する（図３（ｂ））。その後、ベーキング処理を行う。次に、有機系下層膜３１の上に、シリコン含有中間膜３２を所定の膜厚となるようにスピンコートにより形成する（図３（ｃ））。その後、ベーキング処理を行う。
【００１８】
［工程２］レジスト膜形成
次に、ArF用のポジ型トップコートレスレジスト材料をスピンコートして、レジスト膜１１を所定の膜厚となるように形成する（図３（ｄ））。
【００１９】
［工程３］ベーク
次に、ベーキング処理を約125℃で約60秒間行う。
【００２０】
［工程４］液浸露光（パターン露光）
次に、ArFエキシマレーザー液浸露光装置を用いてArFエキシマレーザー４０をレジスト膜１１の所定の領域に照射して液浸露光する（図４（ａ））。この液浸露光は、所定のハーフトーンマスクを用いて、液浸露光用ノズルをウェーハ１０の面内方向にスキャンして行う（スキャン露光）。この液浸露光により、ハーフトーンマスクに応じたパターンを有する露光領域１１ｂをレジスト膜１１に形成する。
【００２１】
［工程５］ポストエクスポージャベーク
次に、ベーキング処理を約115℃で約60秒間行う。
【００２２】
［工程６］現像
次に、所定の濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAH）水溶液を用いて、パドル現像を所定の時間行う。このパドル現像によりレジスト膜１１の露光領域１１ｂを除去して、未露光領域からなるパターンを得る（図４（ｂ））。
【００２３】
［工程７］レジスト膜の縁の除去（エッジカット）
その後、例えばシンナー（有機溶媒）を用いてレジスト膜１１の縁１５を除去する（図４（ｃ））。除去するレジスト膜の幅は例えば約１ｍｍである。
【００２４】
ここで、図５を参照して上記工程７について更に説明する。
図５（ａ）は、レジスト膜の縁を除去する様子を表す断面図である。同図に示す様に、ウェーハ１０を回転させながら吐出装置５１からシンナー５０をレジスト膜１１の縁１５に対して吐出する。これにより、シンナー５０をレジスト膜１１ｃに塗布して、レジスト膜１１ｃを溶解して除去する。つまり、レジスト膜１１の縁１５は、ウェーハ１０の外周に沿って円形に除去される。
【００２５】
以上の形成方法により、例えば約45nm間隔のライン・アンド・スペース（L/S）のレジストパターンを形成できる。
上記工程に続き、レジストパターンをマスクとしてシリコン含有中間膜３２をドライエッチングする工程やイオン注入工程などの一連の工程を行い、半導体装置が形成される。
【００２６】
本実施形態によれば、液浸露光する前に周辺露光しないので、レジスト膜１１の縁１５の膜質が縁１５以外の膜質と同じ状態で液浸露光できる。従って、液浸露光している間にレジスト膜１１の縁１５を介して液浸用の液体が漏れない。その上で、レジスト膜１１の縁１５を効果的に除去できる。
また、本実施形態によれば、液浸露光後に短時間でポストエクスポージャベークを開始できる。従って、ポストエクスポージャディレイが発生し難い。
【００２７】
（第１の実施形態の変形例）
次に、上述した第１の実施形態の変形例について説明する。本変形例では、前記レジスト膜の縁の除去（工程７）を、前記ポストエクスポージャベーク（工程５）の後であって前記現像（工程６）の前に行う点が、第１の実施形態と異なる。その他の工程は第１の実施形態と同一であるため、説明を省略する。
【００２８】
この工程７では、第１の実施形態と同様にしてレジスト膜１１の縁１５の除去が行われる。即ち、図５（ｂ）に示す様に、ウェーハ１０を回転させながら吐出装置５１からシンナー５０をレジスト膜１１の縁１５に対して吐出する。これにより、シンナー５０をレジスト膜１１ｃに塗布して、レジスト膜１１ｃを溶解して除去する。つまり、レジスト膜１１の縁１５は、ウェーハ１０の外周に沿って円形に除去される。
【００２９】
本変形例によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
なお、半導体装置の製造工場などにおいて、半導体装置の生産効率を最適化するために、上述した第１の実施形態とその変形例とを並行して行っても良い。
【００３０】
（第２の実施形態）
次に、図６〜図８を参照して本発明の第２の実施形態について説明する。
本実施形態では、以下の工程が第１の実施形態と異なる。即ち、前記ポストエクスポージャベーク（工程５）の後であって前記現像（工程６）の前に、周辺露光する。そして、周辺露光するのと同時に、または周辺露光した後であって前記現像（工程６）の前にレジスト膜の縁を加熱して、その温度を室温よりも高温にする。また、前記工程７は行わない。その他の工程は第１の実施形態と同一であるため、説明を省略する。
【００３１】
上述した、周辺露光してレジスト膜の縁を加熱する工程について説明する。この工程は、図６に示す基板処理装置を用いて行われる。
図６は、本実施形態に係る基板処理装置の主要部の構成を表す概略図である。図６（ａ）は上面図を表し、図６（ｂ）は側面図を表す。同図に示す様に、基板処理装置はヒーター６０（加熱装置）を周囲に備えているステージ６１と、周辺露光装置６２とを備えている。ステージ６１は、処理対象のウェーハを上部に保持して回転させる。ヒーター６０は、ウェーハ上のレジスト膜の縁を加熱できる位置に配置されている。周辺露光装置６２は、移動してレジスト膜の縁を周辺露光する。
なお、同図は周辺露光してレジスト膜の縁を加熱する工程に関係する構成要素のみを示している。また、基板処理装置は、塗布現像装置であっても良く、露光装置であっても良い。
【００３２】
次に、ヒーター６０の構造の一例について説明する。
図７は、本実施形態に係るヒーター６０の構造を表す概略図である。図７（ａ）に示すヒーター６０は、直径が互いに異なる円形の複数の熱線６０ａ〜６０ｃを備えている。これらの熱線６０ａ〜６０ｃは、ウェーハの直径とほぼ同じ直径を有している。通電する熱線６０ａ〜６０ｃの数と位置とを制御することで、このヒーター６０はレジスト膜の縁のみを所望の温度に加熱できる。また、別の一例として図７（ｂ）に示すヒーター６０は、小型の熱線６０ｄを複数備えている。通電する熱線６０ｄの数と位置とを制御することで、このヒーター６０はレジスト膜の縁のみを所望の温度に加熱できる。
【００３３】
図８は、図６の基板処理装置を用いて周辺露光とレジスト膜の縁の加熱とが行われる様子を表す断面図である。前述した様に、ウェーハ１０はステージ６１とヒーター６０との上に載せられる。その他の構成要素は、図４の第１の実施形態及び図６と同一であるため、同一の要素に同一の符号を付して説明を省略する。
この工程では、まず周辺露光装置６２をレジスト膜１１の縁１５の位置に移動して光を照射し、周辺露光する。この時、ステージ６１を用いてウェーハ１０を回転させて、レジスト膜１１の縁１５をウェーハ１０の外周に沿って円形に周辺露光する。そして、周辺露光するのと同時に、または周辺露光した後にヒーター６０を加熱する。これにより、レジスト膜１１の縁１５のみを加熱（ベーク）して、その温度を室温よりも高温にする。
【００３４】
ここで、レジスト膜１１の縁１５を加熱する理由を説明する。一旦ポストエクスポージャベークされると、未露光領域であるレジスト膜１１の縁１５は、その後に光が照射されるだけでは現像液に十分に溶解する状態まで化学反応が進行し難くなる。そこで、レジスト膜１１の縁１５の内部での化学反応を十分に進行させるために、周辺露光するのと同時に、または周辺露光した後に、レジスト膜１１の縁１５の温度を室温よりも高くする。その結果、レジスト膜１１の縁１５は現像液に十分に溶解する状態まで化学反応が進行した周辺露光領域１１ａになる。そして、続く現像（工程６）によって、露光領域１１ｂと周辺露光領域１１ａとを除去する。
【００３５】
本実施形態によれば、液浸露光する前に周辺露光しないので、レジスト膜１１の縁１５の膜質が縁１５以外の膜質と同じ状態で液浸露光できる。従って、液浸露光している間にレジスト膜１１の縁１５を介して液浸用の液体が漏れない。その上で、レジスト膜１１の縁１５を効果的に除去できる。
また、本実施形態によれば、液浸露光した後に短時間でポストエクスポージャベークを開始できる。従って、ポストエクスポージャディレイは発生し難い。
【００３６】
（第２の実施形態の変形例）
次に、図９，図１０を参照して第２の実施形態の変形例について説明する。本変形例では、ウェーハの周辺部のレジスト膜に赤外線を照射して、その周辺部のレジスト膜の温度を室温よりも高温にする点が第２の実施形態と異なる。その他の工程は第２の実施形態と同一であるため、説明を省略する。
この周辺露光してレジスト膜の縁の温度を室温よりも高温にする工程について、以下に説明する。この工程は、図９に示す基板処理装置を用いて行われる。
【００３７】
図９は、本実施形態に係る基板処理装置の主要部の構成を表す概略図である。図９（ａ）は上面図を表し、図９（ｂ）は側面図を表す。同図に示す様に、基板処理装置はステージ９０と、赤外線照射装置９１（加熱装置）と、周辺露光装置６２と、を備えている。ステージ９０は、処理対象のウェーハを上部に保持して回転させる。赤外線照射装置９１は、移動してウェーハ上のレジスト膜の縁に赤外線を照射して加熱する。周辺露光装置６２は、移動してレジスト膜の縁を周辺露光する。
なお、同図は周辺露光してレジスト膜の縁を加熱する工程に関係する構成要素のみを示している。また、基板処理装置は、塗布現像装置であっても良く、露光装置であっても良い。
【００３８】
図１０は、図９の基板処理装置を用いて周辺露光とレジスト膜の縁の加熱とが行われる様子を表す断面図である。前述した様に、ウェーハ１０はステージ９０の上に載せられる。その他の構成は、図４の第１の実施形態及び図９と同一であるため、同一の要素に同一の符号を付して説明を省略する。
この工程では、まず周辺露光装置６２をレジスト膜１１の縁１５の位置に移動して光を照射し、周辺露光する。この時、ステージ９０を用いてウェーハ１０を回転させて、レジスト膜１１の縁１５をウェーハ１０の外周に沿って円形に周辺露光する。そして、周辺露光するのと同時に、または周辺露光した後に、赤外線照射装置９１を移動してレジスト膜１１の縁１５に赤外線を照射する。これにより、レジスト膜１１の縁１５のみを加熱してその温度を室温よりも高温にする。赤外線を照射する時にもステージ９０によってウェーハ１０を回転させて、レジスト膜１１の縁１５をウェーハ１０の外周に沿って加熱する。
【００３９】
本変形例によれば、赤外線によってレジスト膜１１の縁１５の温度が室温よりも高温に加熱されるので、第２の実施形態と同様の効果が得られる。
なお、上述した第２の実施形態及び第２の実施形態の変形例において、レジスト膜１１の縁１５を加熱する時に、冷却装置を用いてレジスト膜１１の縁１５以外の領域を冷却しても良い。
【００４０】
（第３の実施形態）
次に、図１１を参照して本発明の第３の実施形態について説明する。
本実施形態では、以下の工程が第１の実施形態と異なる。即ち、前記液浸露光（工程４）後であって前記ポストエクスポージャベーク（工程５）前に、レジスト膜を冷却してレジスト膜を周辺露光する。また、前記工程７は行わない。その他の工程は第１の実施形態と同一であるため、説明を省略する。
【００４１】
このレジスト膜を冷却して、周辺露光する工程について説明する。この工程は、冷却装置を備える基板処理装置を用いて行われる。
図１１は、基板処理装置を用いて周辺露光とレジスト膜の冷却とが行われる様子を表す断面図である。ウェーハ１０はステージを兼ねる冷却装置１１０の上に載せられる。周辺露光装置６２は、移動してレジスト膜１１の縁１５を周辺露光する。その他の構成要素は、図４の第１の実施形態と同一であるため、同一の要素に同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
この工程では、レジスト膜１１と、液浸露光（工程４）により形成された露光領域１１ｂとを冷却装置１１０を用いて冷却し、その温度を室温よりも低温にする。そして、この状態で周辺露光装置６２をレジスト膜１１の縁１５の位置に移動して光を照射し、周辺露光する。この時、ステージ６１を用いてウェーハ１０を回転させて、レジスト膜１１の縁１５をウェーハ１０の外周に沿って円形に周辺露光する。この周辺露光により、周辺露光領域１１ａが形成される。なお、冷却処理は、液浸露光（工程４）後であってポストエクスポージャベーク（工程５）前であれば、周辺露光する前後に関わらずいつ開始しても良い。ただし、液浸露光した後に短時間で冷却処理を開始した方がポストエクスポージャディレイは発生し難くなる。
冷却処理を停止した後に、ポストエクスポージャベーク（工程５）以降の処理を行う。そして、現像（工程６）によって、露光領域１１ｂと周辺露光領域１１ａとを除去する。
【００４３】
本実施形態によれば、液浸露光する前に周辺露光しないので、レジスト膜１１の縁１５の膜質が縁１５以外の膜質と同じ状態で液浸露光できる。従って、液浸露光している間にレジスト膜１１の縁１５を介して液浸用の液体が漏れない。その上で、レジスト膜１１の縁１５を効果的に除去できる。
また、液浸露光した後にレジスト膜１１と露光領域１１ｂの温度が室温よりも低温になるので、液浸露光で形成された露光領域１１ｂに発生している酸の活性エネルギーを低下させることができる。従って、レジスト膜１１と露光領域１１ｂでの化学反応の進行が遅くなるので、ポストエクスポージャディレイが発生し難くなる。
なお、同図は周辺露光と冷却とに関係する構成要素のみを示している。また、冷却装置を備える基板処理装置は、塗布現像装置であっても良く、露光装置であっても良い。
【００４４】
以上、本発明の実施形態を詳述してきたが、具体的な構成は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。
例えば、シリコンウェーハ上に形成された酸化膜、窒化膜、拡散層、または配線層などの上にレジストパターンを形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】液浸露光する前に周辺露光した場合のレジスト膜の状態を示す断面図である。
【図２】液浸露光する前に周辺露光しない場合のレジスト膜の状態を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】図１に続く、半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るレジスト膜を除去する様子を表す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の主要部の構成を表す概略図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るヒーターの構造を表す概略図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る、図６の基板処理装置を用いて周辺露光とレジスト膜の縁の加熱とが行われる様子を表す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の変形例に係る基板処理装置の主要部の構成を表す概略図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の変形例に係る、図９の基板処理装置を用いて周辺露光とレジスト膜の縁の加熱とが行われる様子を表す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置を用いて周辺露光とレジスト膜の冷却とが行われる様子を表す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  シリコン基板、１１，１１ｃ  レジスト膜、１１ａ  周辺露光領域、１１ｂ  露光領域、３１  有機系下層膜、３２  シリコン含有中間膜、５０  シンナー、５１  吐出装置、６０  ヒーター、６１，９０  ステージ、６２  周辺露光装置、９１  赤外線照射装置、１１０  冷却装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2009295716.tif 000007
【図６】
2009295716.tif 000008
【図７】
2009295716.tif 000009
【図８】
2009295716.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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