(57)【要約】【課題】凹凸パターンの記録層の凹部を充填材で充填し、表面を充分に平坦化できる生産効率が良い磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】充填材３６の上に第１被覆材４２及び第２被覆材４３を成膜し凹部３４の上の第２被覆材４３で凹部３４の上の第１被覆材４２のエッチングを防止又は抑制しつつ、充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第１被覆材４２が凹部３４の上に残存するように第１被覆材４２をエッチングする。次に充填材３６のエッチングレートが第１被覆材４２のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面（隔膜２１がない場合は記録要素２０Ａの上面）が露出するまで充填材３６を除去する。【選択図】図１０
2009176360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体の上に充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に第１被覆材を成膜する第１被覆材成膜工程と、前記第１被覆材の上に第２被覆材を成膜する第２被覆材成膜工程と、前記第１被覆材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第２被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第２被覆材をエッチングする第２被覆材エッチング工程と、前記充填材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第１被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第１被覆材をエッチングする第１被覆材エッチング工程と、前記充填材のエッチングレートが前記第１被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録要素の上面が露出するまで前記充填材をエッチングする充填材エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記記録要素の上面部を除去する記録要素上面部除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層における少なくとも前記記録要素の上面に形成された隔膜を有する被加工体の上に充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に第１被覆材を成膜する第１被覆材成膜工程と、前記第１被覆材の上に第２被覆材を成膜する第２被覆材成膜工程と、前記第１被覆材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第２被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第２被覆材をエッチングする第２被覆材エッチング工程と、前記充填材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第１被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第１被覆材をエッチングする第１被覆材エッチング工程と、前記充填材のエッチングレートが前記第１被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録要素の上の前記隔膜の上面が露出するまで前記充填材をエッチングする充填材エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記記録要素の上面に形成された隔膜を除去する隔膜除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記充填材エッチング工程において前記第１被覆材における前記凹凸パターンの凹部の上に残存する部分を除去して前記被加工体の表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記充填材成膜工程において前記充填材で前記凹凸パターンの凹部を部分的に充填し、前記第１被覆材成膜工程において前記第１被覆材で前記凹凸パターンの凹部を更に充填し、前記充填材エッチング工程において前記第１被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記充填材をエッチングして前記被加工体の表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記充填材エッチング工程において前記第１被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記充填材をエッチングし、該充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記第１被覆材における前記凹凸パターンの凹部の上に残存する部分を除去して前記被加工体の表面を平坦化する第１被覆材除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第１被覆材エッチング工程において、前記第１被覆材のエッチングレートが前記第２被覆材のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記第１被覆材エッチング工程において、前記第２被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第１被覆材をエッチングすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記充填材はＤＬＣであり、前記充填材エッチング工程において酸素及び窒素のいずれかを含む加工用ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
前記第２被覆材はＤＬＣであり、前記第１被覆材エッチング工程において希ガスを含む加工用ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかにおいて、
前記第１被覆材エッチング工程が前記第２被覆材エッチング工程を兼ねていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。
【０００２】
これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成され、凹凸パターンの凸部が記録要素を構成するディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアが提案されている。一方、ハードディスク等の磁気記録媒体ではヘッド浮上高さを安定させて良好な記録／再生特性を得るために表面の平坦性が重視される。従って、記録要素の間の凹部を充填材で充填し、記録層の上の余剰の充填材を除去して記録要素及び充填材の上面を平坦化することが好ましい。充填材としては非磁性で硬度が高いＳｉＯ２やＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。尚、ＤＬＣは磁気記録媒体の保護膜の材料としても用いられている。
【０００３】
ＳｉＯ２の充填材を成膜して凹部を充填する手法としては、スパッタリング法等を利用できる。ＤＬＣの充填材を成膜して凹部を充填する手法としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を利用できる。余剰の充填材を除去して表面を平坦化する手法としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法やドライエッチングを利用できる（例えば、特許文献２参照）。尚、ＤＬＣは硬度が高くＣＭＰでＤＬＣの充填材を除去することは困難であるので充填材としてＤＬＣを用いる場合には、ドライエッチングで余剰の充填材を除去することが好ましい。充填材がＳｉＯ２等のＤＬＣ以外の材料である場合もドライエッチングで余剰の充填材を除去することができる。充填材は記録層の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されるが、ドライエッチングは一般的に凹部よりも凸部を選択的に速くエッチングする傾向がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１０９２１０号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、充填材の材料によっては（例えばＤＬＣのような材料では）、ドライエッチングにより凹部よりも凸部が選択的に速くエッチングされる効果が低いものがあり、成膜された充填材の凹凸の段差が大きいと、ドライエッチングにより余剰の充填材を除去しても表面を充分に平坦化できないことがあった。
【０００６】
尚、凹凸パターンの記録層の上に成膜される充填材は成膜される膜厚が厚くなるにつれて次第に表面の凹凸の段差が減少する傾向があり、充填材を厚く成膜することで成膜される充填材の凹凸の段差を小さく抑制することが可能であるが、充填材を厚く成膜することで充填材を成膜する工程や余剰の充填材を除去する工程に要する時間が長くなり生産効率が低下する。又、必要な充填材の量も増加する。これにより、磁気記録媒体のコストアップにつながるという問題がある。
【０００７】
又、例えばＤＬＣのような材料を厚く成膜しようとすると、充填材が被加工体の表面から剥がれたり被加工体の表面に付着しにくくなるなど、被加工体の一部に充填材を成膜できないという問題がある。
【０００８】
又、充填材を厚く成膜することで、記録層の上に堆積する余剰の充填材の量が多くなり、被加工体から除去される充填材の処理や真空チャンバーに付着する充填材の除去等のメンテナンスの負担が増大するという問題がある。
【０００９】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの記録層の凹部を充填材で充填し、表面を充分に平坦化できる生産効率が良い磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体の上に充填材を成膜して該充填材で凹凸パターンの凹部を充填し、充填材の上に第１被覆材を成膜し、第１被覆材の上に第２被覆材を成膜し、第１被覆材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第２被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第２被覆材をエッチングし、充填材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第１被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第１被覆材をエッチングし、充填材のエッチングレートが第１被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素の上面が露出するまで充填材をエッチングする磁気記録媒体の製造方法により上記目的を達成したものである。
【００１１】
又、本発明は、基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層における少なくとも記録要素の上面に形成された隔膜を有する被加工体の上に充填材を成膜して該充填材で凹凸パターンの凹部を充填し、充填材の上に第１被覆材を成膜し、第１被覆材の上に第２被覆材を成膜し、第１被覆材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第２被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第２被覆材をエッチングし、充填材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第１被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第１被覆材をエッチングし、充填材のエッチングレートが第１被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素の上の隔膜の上面が露出するまで充填材をエッチングする磁気記録媒体の製造方法により上記目的を達成したものである。
【００１２】
このように、第１被覆材の上に第２被覆材を成膜し第２被覆材をエッチングすることで第２被覆材の表面の凹凸の段差を第１被覆材の表面の凹凸の段差よりも小さくすることができる。これにより凹凸パターンの凹部の上の第２被覆材で凹部の上の第１被覆材のエッチングを防止又は抑制しつつ、充填材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第１被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第１被覆材をエッチングできる。次に充填材のエッチングレートが第１被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素の上面（又は記録要素の上の隔膜の上面）が露出するまで充填材を除去することにより、凹凸パターンの凹部の上の第１被覆材で凹部を充填する充填材のエッチングを防止又は抑制しつつ記録要素の上の余剰の充填材を除去できる。これにより、表面を充分に平坦化することができる。
【００１３】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００１４】
（１）基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体の上に充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に第１被覆材を成膜する第１被覆材成膜工程と、前記第１被覆材の上に第２被覆材を成膜する第２被覆材成膜工程と、前記第１被覆材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第２被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第２被覆材をエッチングする第２被覆材エッチング工程と、前記充填材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第１被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第１被覆材をエッチングする第１被覆材エッチング工程と、前記充填材のエッチングレートが前記第１被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録要素の上面が露出するまで前記充填材をエッチングする充填材エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１５】
（２）  （１）において、前記充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記記録要素の上面部を除去する記録要素上面部除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１６】
（３）基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層における少なくとも前記記録要素の上面に形成された隔膜を有する被加工体の上に充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に第１被覆材を成膜する第１被覆材成膜工程と、前記第１被覆材の上に第２被覆材を成膜する第２被覆材成膜工程と、前記第１被覆材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第２被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第２被覆材をエッチングする第２被覆材エッチング工程と、前記充填材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第１被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第１被覆材をエッチングする第１被覆材エッチング工程と、前記充填材のエッチングレートが前記第１被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録要素の上の前記隔膜の上面が露出するまで前記充填材をエッチングする充填材エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１７】
（４）  （３）において、前記充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記記録要素の上面に形成された隔膜を除去する隔膜除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１８】
（５）  （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記充填材エッチング工程において前記第１被覆材における前記凹凸パターンの凹部の上に残存する部分を除去して前記被加工体の表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１９】
（６）  （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記充填材成膜工程において前記充填材で前記凹凸パターンの凹部を部分的に充填し、前記第１被覆材成膜工程において前記第１被覆材で前記凹凸パターンの凹部を更に充填し、前記充填材エッチング工程において前記第１被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記充填材をエッチングして前記被加工体の表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
（７）  （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記充填材エッチング工程において前記第１被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記充填材をエッチングし、該充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記第１被覆材における前記凹凸パターンの凹部の上に残存する部分を除去して前記被加工体の表面を平坦化する第１被覆材除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２１】
（８）  （１）乃至（７）のいずれかにおいて、前記第１被覆材エッチング工程において、前記第１被覆材のエッチングレートが前記第２被覆材のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２２】
（９）  （１）乃至（８）のいずれかにおいて、前記第１被覆材エッチング工程において、前記第２被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第１被覆材をエッチングすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２３】
（１０）  （１）乃至（９）のいずれかにおいて、前記充填材はＤＬＣであり、前記充填材エッチング工程において酸素及び窒素のいずれかを含む加工用ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２４】
（１１）  （１）乃至（１０）のいずれかにおいて、前記第２被覆材はＤＬＣであり、前記第１被覆材エッチング工程において希ガスを含む加工用ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２５】
（１２）  （１）乃至（１１）のいずれかにおいて、前記第１被覆材エッチング工程が前記第２被覆材エッチング工程を兼ねていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２６】
尚、本出願において「凹凸パターンで形成された記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで分割され記録要素を構成する凸部が相互に完全に分離した記録層の他、データ領域では相互に分離した凸部同士がデータ領域とサーボ領域との境界付近等では連続している記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように、基板上の一部に連続して形成される記録層、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され、凸部の上面に形成された部分が記録要素を構成する記録層、凹部が厚さ方向の途中まで形成されて底部において連続した記録層、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の記録層も含む意義で用いることとする。
【００２７】
又、本出願において「充填材で凹凸パターンの凹部を充填する」とは、充填材で記録層の凹凸パターンの凹部を完全に充填する場合の他、充填材で凹凸パターンの凹部を部分的に充填する場合も含む意義で用いることとする。
【００２８】
又、本出願において「ＤＬＣ」という用語は、炭素を主成分としＳＰ３混成軌道の炭素結合を有する材料という意義で用いることとする。「炭素を主成分とする材料」とは、材料を構成する総ての原子の原子数に対する炭素の原子数の比率が５０％以上である材料であることを意味する。
【００２９】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、凹凸パターンの記録層の凹部を充填材で充填し、表面を充分に平坦化できる生産効率が良い磁気記録媒体の製造方法を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３２】
本発明の第１実施形態は、図１に示される被加工体１０の出発体にドライエッチング等の加工を施し、図２及び３に示されるような所定のラインアンドスペースパターン（データトラックパターン）及びサーボパターン（図示省略）の形状に連続膜の記録層を加工する磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、凹凸パターンの記録層の凹部を充填材で成膜して表面を平坦化する技術に特徴を有している。他の技術については本第１実施形態の理解に特に重要とは思われないため説明を適宜省略する。
【００３３】
被加工体１０の出発体は、図１に示されるように、基板１２、軟磁性層１６、配向層１８、連続膜の記録層２０、隔膜２１、第１マスク層２２、第２マスク層２４を有し、これらの層がこの順で基板１２の上に形成された構成である。
【００３４】
基板１２は、略円板形状である。基板１２の材料としてはガラス、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
【００３５】
軟磁性層１６は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層１６の材料としてはＦｅ合金、Ｃｏ合金等を用いることができる。
【００３６】
配向層１８は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層１８の材料としては非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。
【００３７】
記録層２０は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層２０の材料としてはＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＣｒ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料の中にＣｏＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。
【００３８】
隔膜２１は、厚さが１〜５ｎｍである。隔膜２１の材料としてはＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）、ＴａＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＯ２、ＳｉＣ、ＤＬＣ等を用いることができる。又、隔膜２１の材料としてＳｉ、Ｇｅ、Ｃ（炭素）、Ｍｎ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ等やこれらの化合物を用いてもよい。
【００３９】
第１マスク層２２は、厚さが例えば３〜５０ｎｍである。第１マスク層２２の材料としては例えばＤＬＣ等のＣ（炭素）を用いることができる。
【００４０】
第２マスク層２４は、例えば厚さが２〜３０ｎｍである。第２マスク層２４の材料としては例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ等を用いることができる。
【００４１】
磁気記録媒体３０は、ディスク形状の垂直記録型のディスクリートトラックメディアである。記録層２０は、前記連続膜の記録層２０がデータ領域において径方向に微細な間隔で多数の同心円弧状の記録要素２０Ａに分割された凹凸パターン形状であり、図２及び図３はこれを示している。尚、記録層２０はサーボ領域において、所定のサーボパターンで多数の記録要素に分割されている（図示省略）。記録要素２０Ａの間の凹部３４には充填材３６が充填され、記録要素２０Ａ及び充填材３６の上には保護層３８、潤滑層４０がこの順で形成されている。
【００４２】
充填材３６としては、ＤＬＣ等のＣ（炭素）、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＴａＳｉ、ＴｉＮ、ＴｉＯ２やＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｗのような金属又はこのような金属の合金等を用いることができる。ＤＬＣには、例えば、水素を含有しないテトラヘドラルアモルファスカーボン、水素を含むアモルファスカーボンやこれらが混在したもの、更に部分的又は局所的にポリエチレンやポリアセチレンのような構造をもつものなどが存在する。尚、充填材３６は隔膜２１の材料と異なる。
【００４３】
保護層３８は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層３８の材料としてはＤＬＣを用いることができる。尚、充填材３６がＤＬＣである場合、保護層３８を構成するＤＬＣと充填材３６を構成するＤＬＣは同じ種類でもよく、異なる種類でもよい。例えば、ＳＰ３混成軌道の炭素結合の割合が相互に異なるＤＬＣでもよい。
【００４４】
潤滑層４０は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層４０の材料としてはＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いることができる。
【００４５】
次に、図４に示されるフローチャート等を参照して磁気記録媒体３０の製造方法について説明する。
【００４６】
まず、前記図１に示される被加工体１０の加工出発体を用意する（Ｓ１０２）。被加工体１０の加工出発体は基板１２の上に、軟磁性層１６、配向層１８、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層２０、隔膜２１、第１マスク層２２、第２マスク層２４をこの順でスパッタリング法等により成膜することにより得られる。
【００４７】
次に、被加工体１０の第２マスク層２４の上にスピンコート法により樹脂材料を塗布し、更に図示しないスタンパを用いてインプリント法により図５に示されるように樹脂材料に記録層２０の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写し、凹凸パターンの樹脂層２６を形成する（Ｓ１０４）。尚、凹部底部の樹脂層２６はアッシングにより除去する。インプリント法としては、紫外線等による光インプリント、熱インプリント等を用いることができる。光インプリントの場合、樹脂層２６の材料としては紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。又、熱インプリントの場合、樹脂層２６の材料としては熱可塑性樹脂等を用いることができる。樹脂層２６の厚さ（凸部の厚さ）は、例えば、３０〜３００ｎｍである。尚、樹脂材料として感光性レジスト又は電子線レジストを用い、光リソグラフィ又は電子線リソグラフィの手法で記録層２０の凹凸パターンに相当する凹凸パターンの樹脂層２６を形成してもよい。
【００４８】
次に、Ａｒ等の希ガスを用いたＩＢＥ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）又はＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等により、凹部底部の第２マスク層２４を除去し、更に、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥ等により、凹部底部の第１マスク層２２を除去し、Ａｒ等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥ等により、凹部底部の隔膜２１及び記録層２０を除去する（Ｓ１０６）。尚、本出願では、希ガスのように被エッチング物と化学的に反応しないガスを用いる場合でも、ＲＩＥ装置を用いてエッチングを行う場合にはＲＩＥという用語を用いることとする。これにより、図６に示されるように多数の記録要素２０Ａに分割された前記凹凸パターンの記録層２０が形成される。隔膜２１は、記録要素２０Ａの上に残存する。即ち、記録要素２０Ａの上面に形成された隔膜２１を有する被加工体１０が得られる。尚、第１マスク層２２が隔膜２１の上に残存することがあるので、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥ等により、隔膜２１の上に残存する第１マスク層２２を完全に除去する。
【００４９】
次に、図７に示されるように、被加工体１０の上に充填材３６を成膜し充填材３６で凹部３４を充填する（Ｓ１０８）。充填材３６がＤＬＣである場合、被加工体１０にバイアス電圧を印加しつつＣＶＤ法により被加工体１０の上に充填材３６を成膜する。ＣＶＤの原料のガスとしては、メタン、エチレン、トルエン等を用いることができる。充填材３６がＳｉＯ２等のＤＬＣ以外の材料である場合、スパッタリング法又はバイアススパッタリング法等の他の成膜法により被加工体１０の上に充填材３６を成膜してもよい。充填材３６は、記録層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜される。尚、この工程（Ｓ１０８）では、充填材３６で凹部３４を完全に充填してもよく、又、充填材３６で凹部３４を部分的に充填してもよい。凹部３４を充填する充填材３６の上面の高さは、記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さに対して−４〜＋１０ｎｍであることが好ましく、凹部３４を充填する充填材３６の上面の高さが記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さとほぼ一致していることが更に好ましい。「充填材３６の上面の高さ」とは、充填材３６の上面の基板１２の厚さ方向における位置である。「記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さ」についても同様である。又、「−」は凹部３４を充填する充填材３６の上面が記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面よりも基板１２に近いことを意味する。又、「＋」は凹部３４を充填する充填材３６の上面が記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面よりも基板１２から離れていることを意味する。又、「充填材３６の上面の高さが記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さとほぼ一致している」とは、両者の上面の高さの差が±４ｎｍの範囲内であることを意味する。
【００５０】
次に、図８に示されるようにスパッタリング法等により、被加工体１０の充填材３６の上に第１被覆材４２を成膜する（Ｓ１１０）。第１被覆材４２は、記録層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された充填材３６の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜される。尚、充填材成膜工程（Ｓ１０８）において充填材３６で凹部３４を部分的に充填した場合、この工程（Ｓ１１０）において第１被覆材４２で凹部３４を更に充填する。成膜される第１被覆材４２の厚さは０．１〜１０ｎｍである。第１被覆材４２としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ｔａ、ＴａＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＯ２、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃ（炭素）等を用いることができる。尚、第１被覆材４２は、充填材３６と異なる。
【００５１】
次に、図９に示されるように、被加工体１０の第１被覆材４２の上に第２被覆材４３を成膜する（Ｓ１１２）。第２被覆材４３は、記録層２０の凹凸パターン、充填材３６の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された第１被覆材４２の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜される。尚、本出願において「第２被覆材４３が記録層２０の凹凸パターンに倣って成膜される」とは、記録層２０の凹凸パターンの輪郭と同じ輪郭の凹凸パターンで第２被覆材４３が成膜される場合に限定されず、記録層の凹凸パターンの輪郭に対して凸部又は凹部の幅や凹凸の段差が縮小又は拡大された輪郭の凹凸パターンで第２被覆材４３が成膜される場合も含む意義で用いることとする。「充填材３６が記録層２０の凹凸パターンに倣って成膜される」、「第１被覆材４２が記録層２０の凹凸パターンに倣って成膜される」についても同様である。成膜される第２被覆材４３の厚さは２０〜１３０ｎｍである。第２被覆材４３としては充填材３６と同様の材料を用いることができる。具体的には、ＤＬＣ等のＣ（炭素）、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＴａＳｉ、ＴｉＮ、ＴｉＯ２やＴａ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｗのような金属又はこのような金属の合金等の材料を用いることができる。又、第２被覆材４３としてＡｌ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ等の材料を用いてもよいが、第１被覆材４２とは異なる材料を選択する。第２被覆材４３がＤＬＣである場合、ＣＶＤ法により被加工体１０の上に第２被覆材４３を成膜する。又、第２被覆材４３がＳｉＯ２等のＤＬＣ以外の材料である場合、スパッタリング法又はバイアススパッタリング法等の他の成膜法により被加工体１０の上に第２被覆材４３を成膜してもよい。尚、充填材３６も第２被覆材４３もＤＬＣである場合、第２被覆材４３と充填材３６は同じ種類のＤＬＣでもよく、異なる種類のＤＬＣでもよい。第２被覆材４３も記録層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されるが、第２被覆材４３が厚く成膜される程、第２被覆材４３の上面の凹凸の段差は小さくなり、第１被覆材４２の上面の凹凸の段差よりも小さくなる。第２被覆材４３の上面の凹凸の段差を小さく抑制するためには、被加工体１０にバイアス電圧を印加しつつ第２被覆材４３を成膜することが好ましく、第２被覆材４３を充填材３６よりも厚く成膜することが好ましい。
【００５２】
次に、第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第２被覆材４３が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第２被覆材４３をエッチングし（第２被覆材エッチング工程）、更に第１被覆材４２のエッチングレートが第２被覆材４３のエッチングレートと同じ又はこれらよりも高いドライエッチング法により、図１０に示されるように充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第１被覆材４２をエッチングする（第１被覆材エッチング工程）（Ｓ１１４）。尚、「第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存する」とは、第１被覆材４２の一部又は全部が凹部３４の中（凹部３４における記録要素２０Ａの上面のレベルよりも基板１２に近い側の部分）に残存する場合も含む。この工程では、記録要素２０Ａの上の充填材３６が実質的に完全に露出するまで第２被覆材４３及び第１被覆材４２をエッチングすることが好ましい。第２被覆材成膜工程（Ｓ１１２）の終了時において第２被覆材４３の上面の凹凸の段差が、第１被覆材４２の上面の凹凸の段差よりも小さくなっているので、凹部３４の上の第２被覆材４３で凹部３４の上の第１被覆材４２のエッチングを防止又は抑制しつつ、第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第２被覆材４３が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第２被覆材４３をエッチングし、更に充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第１被覆材４２をエッチングすることができる。このようにすることで、第１被覆材４２が薄くても第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分を除去できる。凹部３４の上の第１被覆材４２のエッチングを防止又は抑制するためには、図１０に示されるように、この工程の終了時（第１被覆材エッチング工程の終了時）において第２被覆材４３が記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の上に残存することが好ましい。ドライエッチング法としては、例えば加工用ガスとしてＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスと希ガスとの混合ガス、ＣＨ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３等のＦ（フッ素）系ガス、希ガスとＦ系ガスとの混合ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスとＦ系ガスとの混合ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥを用いることができる。ＤＬＣ等のＣ（炭素）はＯ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが著しく高く、希ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートは低い。一方、Ｓｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ等は、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが著しく低く、希ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートはＤＬＣよりも高い。従って、第２被覆材４３がＤＬＣ等のＣ（炭素）であり、第１被覆材４２がＳｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ等である場合、加工用ガスとしてＯ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスと希ガスとの混合ガスを用い、これらの混合比を調整することで、第１被覆材４２、第２被覆材４３に対するエッチングレートを調整することができる。又、まずＯ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスのみで第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第２被覆材４３をエッチングし、次に希ガスのみで充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第１被覆材４２をエッチングしてもよい。加工用ガスの入射角は例えば被加工体１０の表面に対して９０°に設定する。尚、本出願において「加工用ガスの入射角」とは、加工用ガスの主たる進行方向と被加工体の表面とがなす角という意味で用いる。例えば、加工用ガスの主たる進行方向が被加工体の表面と平行である場合、入射角は０°である。図１０中の矢印は、加工用ガスの入射方向を模式的に示したものである。このように加工用ガスの入射角を大きく設定することでエッチングレートが高くなり、生産効率の向上に寄与する。又、ＲＩＥはＩＢＥよりも加工用ガスの直進性が低く、加工用ガスの入射角を被加工体１０の表面に対して垂直な９０°に設定しても、一部の粒子は被加工体１０の表面に対して傾斜した方向で被加工体１０に照射される。これにより、凸部が凹部よりも速くエッチングされやすくなり、記録要素２０Ａ上の充填材３６が第１被覆材４２及び第２被覆材４３から露出しやすくなる。又、ＩＢＥの場合も加工用ガスの発散角が５°以上になるように条件を設定することで、同様に凸部が凹部よりも速くエッチングされやすくなり、記録要素２０Ａ上の充填材３６が第１被覆材４２及び第２被覆材４３から露出しやすくなる。尚、第２被覆材４３や第１被覆材４２の表面の凹凸の段差はエッチングの進行とともに減少する。
【００５３】
次に、充填材３６のエッチングレートが第１被覆材４２のエッチングレートよりも高く、且つ、隔膜２１のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により、図１１に示されるように、記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面が露出するように充填材３６をエッチングする（Ｓ１１６）。ドライエッチング法としては、例えば加工用ガスとしてＯ２ガス等の酸素を含むガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガス等の窒素を含むガス、ＣＨ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３等のＦ系ガス、Ｏ２等の酸素を含むガス又はＮ２ガス又はＮＨ３ガス等の窒素を含むガスとＦ系ガスとの混合ガス、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥを用いることができる。充填材３６がＤＬＣ等のＣ（炭素）であり、第１被覆材４２がＳｉである場合、加工用ガスとしてＯ２ガス等の酸素を含むガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガス等の窒素を含むガスと希ガスとの混合ガスを用い、これらの混合比を調整することで、充填材３６、第１被覆材４２、第２被覆材４３に対するエッチングレートを調整することができる。加工用ガスの入射角は例えば被加工体１０の表面に対して垂直な９０°に設定する。図１１中の矢印は、加工用ガスの入射方向を模式的に示したものである。
【００５４】
尚、被覆材エッチング工程（Ｓ１１４）の終了時において第２被覆材４３が凹凸パターンの凹部３４の上に残存している場合、凹部３４の上の第２被覆材４３はこの工程（Ｓ１１６）において完全に除去される。又、凹部３４の上の第１被覆材４２は、図１１に示されるように記録要素２０Ａの上の充填材３６と共に完全に除去されてもよいし、凹部３４の上に第１被覆材４２が残存してもよい。尚、「第１被覆材４２が記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の上に残存する」とは、第１被覆材４２の一部又は全部が凹部３４の中（凹部３４における記録要素２０Ａの上面のレベルよりも基板１２に近い側の部分）に残存する場合も含む。
【００５５】
この工程（Ｓ１１６）において凹部３４の上の第１被覆材４２が完全に除去される場合、凹部３４の上の第１被覆材４２が完全に除去された時点でエッチングを直ちに停止することが好ましい。又、この工程(Ｓ１１６)における充填材３６のエッチングレートは第１被覆材４２のエッチングレートの１０倍以下であることが好ましい。
【００５６】
又、充填材成膜工程（Ｓ１０８）において隔膜２１の上面のレベル又はこれよりも上まで凹部３４の上に充填材３６を成膜した場合、この工程(Ｓ１１６)の終了時において凹部３４の上の充填材３６の上面の高さと記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。尚、「充填材３６の上面の高さが隔膜２１の上面の高さとほぼ一致する」とは、両者の上面の高さの差が±４ｎｍの範囲内であることを意味する。
【００５７】
一方、充填材成膜工程（Ｓ１０８）において隔膜２１の上面のレベルよりも下までしか凹部３４の上に充填材３６を成膜しなかった場合、この工程(Ｓ１１６)では第１被覆材４２が凹部３４の上に残存するように充填材３６をエッチングし、この工程（Ｓ１１６）の終了時において凹部３４の上の第１被覆材４２の上面の高さと記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。尚、「第１被覆材４２の上面の高さが隔膜２１の上面の高さとほぼ一致する」とは、両者の上面の高さの差が±４ｎｍの範囲内であることを意味する。上述のように充填材３６、第１被覆材４２、第２被覆材４３に対するエッチングレートを調整することで、凹部３４の上の充填材３６の上面又は凹部３４の上の第１被覆材４２の上面の高さと記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さとをほぼ一致させることができる。
【００５８】
第１被覆材４２が記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の上に残存する場合、凹部３４内の充填材３６をエッチングすることなく、記録要素２０Ａの上の余剰の充填材３６を除去できる。第１被覆材４２は凹部３４の上部を完全に覆うように残存してもよく、凹部３４の上部を部分的に覆うように残存してもよい。
【００５９】
次に、図１２に示されるように、ドライエッチング法により記録要素２０Ａの上の隔膜２１と凹部３４の上の充填材３６をエッチングして記録要素２０Ａの上の隔膜２１を除去する（Ｓ１１８）。尚、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の終了時において凹部３４の上部に第１被覆材４２が残存する場合、ドライエッチング法により記録要素２０Ａの上の隔膜２１と凹部３４の上の第１被覆材４２をエッチングする。即ち、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の終了時において凹部３４の上部に第１被覆材４２が残存する場合、この工程（Ｓ１１８）は記録要素２０Ａの上の隔膜２１を除去すると共に第１被覆材４２における凹部３４の上に残存する部分を除去して被加工体１０の表面を平坦化する第１被覆材除去工程を兼ねる。充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の終了時において、被加工体１０の表面が充分に平坦化されている場合、充填材３６又は第１被覆材４２のエッチングレートと隔膜２１のエッチングレートとがほぼ等しいドライエッチング法を用いるとよい。一方、充填材エッチング工程（Ｓ１１４）の終了時において、記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の充填材３６又は第１被覆材４２の上面の高さと記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さとの間に段差が生じている場合は、充填材３６又は第１被覆材４２のエッチングレートと隔膜２１のエッチングレートとに該段差が消滅又は充分に減少するような差があるドライエッチング法を用いるとよい。ドライエッチング法としては、例えば加工用ガスとしてＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスや希ガスと反応性ガスとを混合した混合ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥを用いることができる。尚、加工用ガスの入射角は例えば被加工体１０の表面に対して垂直な９０°に設定する。図１２中の矢印は、加工用ガスの入射方向を模式的に示したものである。これにより、記録要素２０Ａの上面と凹部３４を充填する充填材３６の上面が露出し、更にこれらの高さがほぼ等しくなる。即ち、被加工体１０の表面が充分に平坦化される。
【００６０】
次に、ＣＶＤ法により記録要素２０Ａ及び充填材３６の上に保護層３８を形成する（Ｓ１２０）。更に、ディッピング法により保護層３８の上に潤滑層４０を塗布する（Ｓ１２２）。これにより、前記図２及び３に示される磁気記録媒体３０が完成する。
【００６１】
このように、第１被覆材４２の上に第２被覆材４３を成膜し、又、第２被覆材４３をエッチングすることで第２被覆材４３の表面の凹凸の段差を第１被覆材４２の表面の凹凸の段差よりも小さくすることができる。これにより凹凸パターンの凹部３４の上の第２被覆材４３で凹部３４の上の第１被覆材４２のエッチングを防止又は抑制しつつ、充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第１被覆材４２をエッチングできる(Ｓ１１４)。更に充填材３６のエッチングレートが第１被覆材４２のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面が露出するまで充填材３６を除去することにより、凹凸パターンの凹部３４の上の第１被覆材４２で凹部３４を充填する充填材３６のエッチングを防止又は抑制しつつ記録要素２０Ａの上の余剰の充填材３６を除去できる。これにより、表面を充分に平坦化することができる。
【００６２】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。前記第１実施形態では被加工体１０の出発体を作製する際に（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層２０と第１マスク層２２との間に隔膜２１が形成され、隔膜２１は磁気記録媒体３０に残存していないのに対し、図１３に示されるように本第２実施形態に係る被加工体５０の出発体は記録層２０と第１マスク層２２との間に隔膜は形成されていない。又、図１４及び図１５に示されるように、本第２実施形態に係る磁気記録媒体６０は、記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の底面及び側面に隔膜６２が形成されている。
【００６３】
磁気記録媒体６０の製造方法について、図１６のフローチャートに沿って説明する。尚、磁気記録媒体６０の製造方法は前記第１実施形態に係る磁気記録媒体３０の製造方法と多くの点が共通であるので共通の点については図１〜１２と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。
【００６４】
被加工体５０の加工出発体に、前記第１実施形態と同様に樹脂層形成工程（Ｓ１０４）、記録層加工工程（Ｓ１０６）を実行することにより、図１７に示されるような、多数の記録要素２０Ａに分割された凹凸パターンの記録層２０を有し記録要素２０Ａの上に隔膜が存在しない被加工体５０が得られる。
【００６５】
次に、スパッタリング法等により、図１８に示されるように、凹凸パターンの記録層２０の上に隔膜６２を成膜する（Ｓ２０２）。尚、隔膜６２の厚さ及び材料は、隔膜２１と同じでよい。隔膜６２は記録層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成される。これにより、記録要素２０Ａの上面に形成された隔膜６２を有する被加工体５０が得られる。尚、隔膜６２は、記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の底面及び側面にも形成される。
【００６６】
この被加工体５０に、図１９に示されるように充填材成膜工程（Ｓ１０８）を実行し、図２０に示されるように第１被覆材成膜工程（Ｓ１１０）を実行し、更に、図２１に示されるように第２被覆材成膜工程（Ｓ１１２）を実行する。
【００６７】
次に、図２２に示されるように被覆材エッチング工程（第２被覆材エッチング工程及び第１被覆材エッチング工程）（Ｓ１１４）を実行し、更に図２３に示されるように充填材エッチング工程（Ｓ１１６）を実行する。これにより、記録要素２０Ａの上の隔膜６２が露出する。尚、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の終了時において凹部３４の上部の充填材３６又は第１被覆材４２の上面の高さと記録要素２０Ａの上の隔膜６２の上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。
【００６８】
次に、図２４に示されるように、凹部３４の上の充填材３６又は第１被覆材４２と記録要素２０Ａの上の隔膜６２をエッチングして記録要素２０Ａの上の隔膜６２を除去する（Ｓ１１８）。これにより、記録要素２０Ａの上面が露出し、更に記録要素２０Ａの上面と凹部３４を充填する充填材３６の上面の高さがほぼ等しくなる。即ち、被加工体５０の表面が充分に平坦化される。
【００６９】
更に、保護層成膜工程（Ｓ１２０）、潤滑層成膜工程（Ｓ１２２）を実行することにより、前記図１４及び図１５に示される磁気記録媒体６０が得られる。
【００７０】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。前記第１及び第２実施形態では記録層２０の上に隔膜２１、６２を形成して磁気記録媒体３０、６０を製造していたのに対し、本第３実施形態では記録層２０の上に隔膜を形成しないで前記第１実施形態と同じ構成の磁気記録媒体１０を製造する。尚、本第３実施形態の製造方法は前記第１及び第２実施形態の製造方法と多くの点が共通であるので共通の点については図１〜２４と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。
【００７１】
まず、前記第２実施形態と同様に被加工体５０の加工出発体に、前記第１実施形態と同様に樹脂層形成工程（Ｓ１０４）、記録層加工工程（Ｓ１０６）を実行することにより、前記図１７に示されるような、多数の記録要素２０Ａに分割された凹凸パターンの記録層２０を有し記録要素２０Ａの上に隔膜が存在しない被加工体５０が得られる。
【００７２】
この被加工体５０に、図２５に示されるように充填材成膜工程（Ｓ１０８）を実行する。この工程（Ｓ１０８）では、充填材３６で凹部３４を完全に充填してもよく、又、充填材３６で凹部３４を部分的に充填してもよい。記録層２０の凹凸パターンの凹部３４を充填する充填材３６の上面の高さは、記録要素２０Ａの上面の高さに対して−４〜＋１０ｎｍであることが好ましく、記録層２０の凹凸パターンの凹部３４を充填する充填材３６の上面が、記録要素２０Ａの上面と一致していることが更に好ましい。次に、図２６に示されるように第１被覆材成膜工程（Ｓ１１０）を実行し、更に図２７に示されるように第２被覆材成膜工程（Ｓ１１２）を実行する。尚、充填材成膜工程（Ｓ１０８）において充填材３６で凹部３４を部分的に充填した場合、第１被覆材成膜工程（Ｓ１１０）において、第１被覆材４２で凹部３４を更に充填する。
【００７３】
次に、図２８に示されるように被覆材エッチング工程（第１被覆材エッチング工程及び第２被覆材エッチング工程）（Ｓ１１４）を実行する。図２８に示されるように、この工程の終了時において第２被覆材４３が記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の上に残存することが好ましい。
【００７４】
次に、図２９に示されるように充填材エッチング工程（Ｓ１１６）を実行する。被覆材エッチング工程（Ｓ１１４）の終了時において第２被覆材４３が凹部３４の上に残存している場合、凹部３４の上の第２被覆材４３はこの工程（Ｓ１１６）で完全に除去される。又、凹部３４の上の第１被覆材４２は、図２９に示されるように記録要素２０Ａの上の充填材３６と共に完全に除去されてもよいし、記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の上に第１被覆材４２が残存してもよい。
【００７５】
この工程(Ｓ１１６)において凹部３４の上の第１被覆材４２が完全に除去される場合、凹部３４の上の第１被覆材４２が完全に除去された時点でエッチングを直ちに停止することが好ましい。又、この工程(Ｓ１１６)における充填材３６のエッチングレートは第１被覆材４２のエッチングレートの１０倍以下であることが好ましい。
【００７６】
充填材成膜工程（Ｓ１０８）において記録要素２０Ａの上面のレベル又はこれよりも上まで凹部３４の上に充填材３６を成膜した場合、この工程(Ｓ１１６)において凹部３４の上の第１被覆材４２を完全に除去し、この工程(Ｓ１１６)の終了時において凹部３４を充填する充填材３６の上面の高さと記録要素２０Ａの上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。「充填材３６の上面の高さが記録要素２０Ａの上面の高さとほぼ一致する」とは、両者の上面の高さの差が±４ｎｍの範囲内であることを意味する。
【００７７】
この工程（Ｓ１１６）において、凹部３４の上の第１被覆材４２を完全に除去する場合、更に、保護層成膜工程（Ｓ１２０）、潤滑層成膜工程（Ｓ１２２）を実行することにより、前記図２及び図３に示される磁気記録媒体３０が得られる。尚、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）と保護層成膜工程（Ｓ１２０）との間で希ガス等の加工用ガスを用いたドライエッチングにより記録要素２０Ａの上面部を除去してもよい（記録要素上面部除去工程）。この場合、凹部３４を充填する充填材３６の上面部も除去される。本第３実施形態では記録層２０の上に隔膜が形成されないため、記録層２０の上の第１マスク層２２を除去する加工等で記録要素２０Ａの上面近傍が変質する可能性があるが、仮にこのような変質が生じても、記録要素２０Ａの上面近傍の変質した部分を除去することで磁気特性の劣化を防止できる。又、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の終了時に記録要素２０Ａの上面と凹部３４を充填する充填材３６の上面とに段差がある場合、この段差を低減するように両者のエッチングレートに差があるドライエッチングを用いて記録要素２０Ａの上面部及び充填材３６の上面部を除去することで、平坦化を促進することができる。
【００７８】
一方、充填材成膜工程（Ｓ１０８）において記録要素２０Ａの上面のレベルよりも下までしか凹部３４の上に充填材３６を成膜しなかった場合、この工程(Ｓ１１６)では第１被覆材４２が凹部３４の上に残存するように充填材３６をエッチングする。このように第１被覆材４２が記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の上に残存する場合、凹部３４内の充填材３６をエッチングから保護しつつ、記録要素２０Ａの上の余剰の充填材３６を除去できる。第１被覆材４２は凹部３４の上部を完全に覆うように残存してもよく、凹部３４の上部を部分的に覆うように残存してもよい。凹部３４の上部に第１被覆材４２が残存する場合、この工程(Ｓ１１６)の終了時において凹部３４の上部の第１被覆材４２の上面の高さと記録要素２０Ａの上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。「第１被覆材４２の上面の高さが記録要素２０Ａの上面の高さとほぼ一致する」とは、両者の上面の高さの差が±４ｎｍの範囲内であることを意味する。上述のように充填材３６、第１被覆材４２、第２被覆材４３に対するエッチングレートを調整することで、凹部３４を充填する充填材３６の上面又は凹部３４の上の第１被覆材４２の上面の高さと記録要素２０Ａの上面の高さとをほぼ一致させることができる。
【００７９】
このように充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の終了時において、凹部３４の上部に第１被覆材４２が残存する場合、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の後にドライエッチング法により第１被覆材４２及び記録要素２０Ａをエッチングして記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の上に残存する第１被覆材４２及び記録要素２０Ａの上面近傍の部分を除去する（第１被覆材除去工程）。上述のように、本第３実施形態では記録層２０の上に隔膜が形成されないため、記録層２０の上の第１マスク層２２を除去する加工等で記録要素２０Ａの上面近傍が変質する可能性があるが、仮にこのような変質が生じても、この工程で記録要素２０Ａの上面近傍の変質した部分は除去されるので磁気特性の劣化を防止できる。又、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）の終了時に記録要素２０Ａの上面と凹部３４の上の第１被覆材４２の上面とに段差がある場合、この段差を低減するように両者のエッチングレートに差があるドライエッチングを用いて記録要素２０Ａの上面部及び第１被覆材４２を除去することで、平坦化を促進することができる。更に、保護層成膜工程（Ｓ１１８）、潤滑層成膜工程（Ｓ１２０）を実行することにより、前記図２及び図３に示される磁気記録媒体３０が得られる。
【００８０】
尚、前記第１〜第３実施形態において、１段階の被覆材エッチング工程（Ｓ１１４）で、第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第２被覆材４３をエッチングし、更に、充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第１被覆材４２をエッチングしているが、図３０のフローチャートに示される本発明の第４実施形態のように、まず第２被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ａ）で第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第２被覆材４３をエッチングし、次に、第１被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ｂ）で充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第１被覆材４２をエッチングしてもよい。尚、本第４実施形態の製造方法は前記第１〜第３実施形態の製造方法と多くの点が共通であるので共通の点については図１〜２９と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。第２被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ａ）では第１被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ｂ）のドライエッチング法と同じドライエッチング法を用いてもよく、第１被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ｂ）のドライエッチング法と異なるドライエッチング法を用いてもよいが、第２被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ａ）では、第１被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ｂ）におけるよりも、第２被覆材４３のエッチングレートが高いドライエッチング法を用いることが好ましい。又、第１被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ｂ）では、第１被覆材４２のエッチングレートが第２被覆材４３のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法を用いることが好ましい。
【００８１】
又、前記第１〜第４実施形態において、被覆材エッチング工程（Ｓ１１４）、第２被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ａ）、第１被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ｂ）で用いるドライエッチング法の例として、加工用ガスとしてＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスと希ガスとの混合ガス、ＣＨ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３等のＦ（フッ素）系ガス、希ガスとＦ系ガスとの混合ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガスとＦ系ガスとの混合ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥが示されているが、凹部３４の上の第２被覆材４３で凹部３４の上の第１被覆材４２のエッチングを防止又は抑制しつつ、充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第１被覆材４２をエッチングできるドライエッチング法であれば他のドライエッチング法を用いてもよい。
【００８２】
第２被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ａ）、第１被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ｂ）における、充填材３６、第１被覆材４２、第２被覆材４３の材料、ドライエッチングの加工用ガスの好ましい組合せを表１に示す。尚、前記第１〜第３実施形態のように１段階の被覆材エッチング工程（Ｓ１１４）で、第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第２被覆材４３をエッチングし、更に、充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第１被覆材４２をエッチングする場合、表１において第１被覆材エッチング工程（Ｓ１１４Ｂ）用のガスとして示される加工用ガスを用いればよい
【００８３】
【表１】
2009176360.tif 000003
【００８４】
又、前記第１〜第３実施形態において、第１被覆材エッチング工程を含む被覆材エッチング工程（Ｓ１１４）で第１被覆材４２のエッチングレートが第２被覆材４３のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法を用いているが、充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するようにエッチングできれば、第１被覆材４２のエッチングレートが第２被覆材４３のエッチングレートよりも低いドライエッチング法を用いてもよい。
【００８５】
又、前記第１〜第３実施形態において、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）で用いるドライエッチング法の例として、加工用ガスとしてＯ２ガス等の酸素を含むガス、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガス等の窒素を含むガス、ＣＨ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３等のＦ系ガス、Ｏ２ガス等の酸素を含むガスとＦ系ガスとの混合ガス、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥが示されているが、充填材３６のエッチングレートが第１被覆材４２のエッチングレートよりも高いドライエッチング法であれば他のドライエッチング法を用いてもよい。前記第４実施形態についても同様である。充填材エッチング工程（Ｓ１１６）における、充填材３６、第１被覆材４２、隔膜２１（６２）、ドライエッチングの加工用ガスの好ましい組合せを表２に示す。
【００８６】
【表２】
2009176360.tif 000004
【００８７】
又、前記第１〜第３実施形態において、被覆材エッチング工程（Ｓ１１４）、充填材エッチング工程（Ｓ１１６）、隔膜除去工程（Ｓ１１８）における加工用ガスの入射角として被加工体１０の表面に対して垂直な９０°が例示されているが、加工用ガスの入射角は例えば被加工体１０の表面に対して２°程度の小さな角度に設定してもよい。このように加工用ガスの入射角を小さく設定することで凸部が凹部よりも速くエッチングされる傾向が高くなる。前記第４実施形態についても同様である。
【００８８】
又、前記第１〜第３実施形態において、隔膜除去工程（Ｓ１１８）や第１被覆材除去工程で記録要素２０Ａの上の隔膜２１（６２）や凹部３４の上に残存する第１被覆材４２を除去する例が示されているが、記録要素２０Ａの上の隔膜２１（６２）や凹部３４の上の第１被覆材４２が最終製品に残存しても実用上問題がなければ、隔膜除去工程（Ｓ１１８）や第１被覆材除去工程を省略してもよい。又、隔膜除去工程（Ｓ１１８）や第１被覆材除去工程を実行し、隔膜除去工程（Ｓ１１８）や第１被覆材除去工程の終了時において最終製品に残存しても実用上問題がない程度に記録要素２０Ａの上の隔膜２１（６２）や凹部３４の上の第１被覆材４２を残存させてもよい。前記第４実施形態についても同様である。
【００８９】
又、前記第１〜第３実施形態において、第２被覆材成膜工程（Ｓ１１２）の終了時において第２被覆材４３の上面の凹凸の段差が第１被覆材４２の上面の凹凸の段差よりも小さくなっており、このことが、凹部３４の上の第２被覆材４３で凹部３４の上の第１被覆材４２のエッチングを防止又は抑制しつつ、第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第２被覆材４３が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第２被覆材４３をエッチングし、更に、充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第１被覆材４２をエッチングすることに寄与しているが、第２被覆材成膜工程（Ｓ１１２）の終了時において第２被覆材４３の上面の凹凸の段差が第１被覆材４２の上面の凹凸の段差よりも小さくなっていなくても、凸部を凹部よりも速くエッチングするドライエッチングの作用により、第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第２被覆材４３が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第２被覆材４３をエッチングし、更に、充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出し、且つ、第１被覆材４２が凹凸パターンの凹部３４の上に残存するように第１被覆材４２をエッチングすることは可能である。前記第４実施形態についても同様である。
【００９０】
又、前記第１〜第３実施形態において、第１マスク層２２、第２マスク層２４、樹脂層２６を連続膜の記録層２０の上に形成し、３段階のドライエッチングで記録層２０を凹凸パターンに分割しているが、記録層２０を高精度で所望の凹凸パターンに加工できれば、マスク層、樹脂層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。前記第４実施形態についても同様である。
【００９１】
又、前記第１〜第３実施形態において、記録要素２０Ａの上に残存する第１マスク層２２を完全に除去してから充填材３６を成膜しているが、第１マスク層２２の材料と充填材３６とが同じ材料又は類似の材料である場合には、記録要素２０Ａの上に第１マスク層２２が残存した状態で充填材３６を成膜してもよい。類似の材料としては例えば、ＳＰ３混成軌道の炭素結合の割合が相互に異なるＤＬＣや、ＤＬＣとＤＬＣではないＣ（炭素）を挙げることができる。前記第４実施形態についても同様である。
【００９２】
又、前記第１〜第３実施形態において、記録層２０の下に軟磁性層１６、配向層１８が形成されているが、記録層２０の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層１６と基板１２との間に下地層や反強磁性層を形成してもよい。又、軟磁性層１６、配向層１８の一方又は両方を省略してもよい。又、基板上に記録層を直接形成してもよい。前記第４実施形態についても同様である。
【００９３】
又、前記第１〜第３実施形態において、磁気記録媒体３０（又は６０）は記録層２０がトラックの径方向に微細な間隔で分割された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割されたパターンドメディア、渦巻き形状の記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素である記録層を有する磁気ディスク、凹部が厚さ方向の途中まで形成されて底部において連続した記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の凹凸パターンの記録層を有する磁気ディスクにも本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体にも本発明を適用可能である。前記第４実施形態についても同様である。
【実施例】
【００９４】
前記第１実施形態のとおり、１０枚の磁気記録媒体３０のサンプルを作製した。具体的には、まず、記録層２０を次の凹凸パターンに加工した（Ｓ１０６）。
【００９５】
記録要素２０Ａの径方向のピッチ：２００ｎｍ
記録要素２０Ａの上面の径方向の幅：１００ｎｍ
凹部の深さ（隔膜の上面から凹部の底面までの深さ）：２６ｎｍ
【００９６】
尚、記録層２０の厚さは２０ｎｍだった。記録層２０の材料はＣｏＣｒ合金だった。又、隔膜２１の厚さは２ｎｍだった。隔膜２１の材料はＴａだった。
【００９７】
次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により凹凸パターンの上に充填材３６を次の成膜条件で成膜し、凹部３４を充填材３６で充填した（Ｓ１０８）。
【００９８】
充填材３６の材料：ＤＬＣ
充填材３６の成膜厚さ：２８ｎｍ
原料ガス：ＣＨ４（メタン）
原料ガスの流量：２００ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：１．３３Ｐａ
マイクロ波パワー：２００Ｗ
ＲＦ電力：３００Ｗ
Ｖｄｃ（被加工体に実効的に印加される直流電圧）：−４６０Ｖ
【００９９】
充填材３６も記録層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された。充填材３６の表面の凹凸の段差は、充填材３６の成膜前の被加工体１０の表面の凹凸の段差と同じ２６ｎｍだった。又、凹部３４の上の充填材３６の上面の高さは記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面の高さよりも高かった。
【０１００】
次に、スパッタリング法により充填材３６の上に第１被覆材４２を次の成膜条件で成膜した（Ｓ１１０）。
【０１０１】
第１被覆材４２の材料：Ｓｉ
第１被覆材４２の成膜厚さ：１ｎｍ
ソースパワー（ターゲットに印加された電力）：５００Ｗ
チャンバー内圧力：０．３Ｐａ
ターゲットと被加工体１０との距離：３００ｍｍ
【０１０２】
第１被覆材４２も記録層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された。
【０１０３】
次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により第１被覆材４２の上に第２被覆材４３を次の成膜条件で成膜した（Ｓ１１２）。
【０１０４】
第２被覆材４３の材料：ＤＬＣ
第２被覆材４３の成膜厚さ：９８ｎｍ
原料ガス：ＣＨ４（メタン）
原料ガスの流量：２００ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：１．３３Ｐａ
マイクロ波パワー：２００Ｗ
ＲＦ電力：３００Ｗ
Ｖｄｃ（被加工体に実効的に印加される直流電圧）：−４６０Ｖ
【０１０５】
第２被覆材４３も記録層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されたが、第２被覆材４３の表面の凹凸の段差は、充填材３６の上面の凹凸の段差よりも減少した。具体的には、第２被覆材４３の表面の凹凸の段差は８ｎｍだった。尚、上記の成膜厚さ（９８ｎｍ）は凹部の上における厚さである。
【０１０６】
次に、ＩＢＥにより加工用ガスとしてＡｒガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いて、次の条件で第１被覆材４２における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第２被覆材４３をエッチングし、更に充填材３６における記録要素２０Ａの上の部分が露出するまで第１被覆材４２をエッチングした（Ｓ１１４）。
【０１０７】
Ａｒガスの流量：８ｓｃｃｍ
Ｏ２ガスの流量：３０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０８Ｐａ
加工用ガスの入射角：９０°
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：４００ｍＡ
サプレッサー電圧：−４００Ｖ
【０１０８】
エッチングを１分５０秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素２０Ａの上の第１被覆材４２は完全に除去された。一方、凹部３４の上には、第２被覆材４３及び第１被覆材４２が残存した。この時点で被加工体１０の表面の凹凸の段差は５ｎｍだった。尚、この条件における第２被覆材４３、第１被覆材４２、充填材３６のエッチングレートは以下のとおりである。
【０１０９】
第２被覆材４３（ＤＬＣ）：０．８７ｎｍ／ｓｅｃ
第１被覆材４２（Ｓｉ）：０．９０ｎｍ／ｓｅｃ
充填材３６（ＤＬＣ）：０．８７ｎｍ／ｓｅｃ
【０１１０】
尚、これらのエッチングレートは平坦な膜をエッチングした場合のエッチングレートであり、凹部におけるエッチングレートとほぼ等しい。又、凸部におけるエッチングレートはこれらのエッチングレートよりも高い。後述する他のエッチングレートについても同様である。
【０１１１】
次に、ＩＢＥにより加工用ガスとしてＡｒガス及びＯ２ガスの混合ガス用いて、次の条件で記録要素２０Ａの上の余剰の充填材３６を除去した（Ｓ１１６）。
【０１１２】
Ａｒガスの流量：３ｓｃｃｍ
Ｏ２ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０８Ｐａ
加工用ガスの入射角：９０°
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：４００ｍＡ
サプレッサー電圧：−４００Ｖ
【０１１３】
エッチングを１５秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素２０Ａの上の充填材３６は完全に除去された。又、凹部３４の上の第２被覆材４３及び第１被覆材４２も完全に除去された。この時点で被加工体１０の表面の凹凸の段差は１．４ｎｍだった。尚、この条件における第２被覆材４３、第１被覆材４２、充填材３６、隔膜２１のエッチングレートは以下のとおりである。
【０１１４】
第２被覆材４３（ＤＬＣ）：１．２６ｎｍ／ｓｅｃ
第１被覆材４２（Ｓｉ）：０．１０ｎｍ／ｓｅｃ
充填材３６（ＤＬＣ）：１．２６ｎｍ／ｓｅｃ
隔膜２１（Ｔａ）：０．１０ｎｍ／ｓｅｃ
【０１１５】
次に、ＩＢＥにより加工用ガスとしてＡｒガスを用いて、次の条件で記録要素２０Ａの上の隔膜２１及び凹部３４の上の充填材３６をエッチングし記録要素２０Ａの上の隔膜２１を除去した（Ｓ１１８）。
【０１１６】
Ａｒガスの流量：１６ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０４Ｐａ
加工用ガスの入射角：９０°
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：５００ｍＡ
サプレッサー電圧：４００Ｖ
【０１１７】
エッチングを４秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素２０Ａの上の隔膜２１は完全に除去された。尚、この条件における隔膜２１、充填材３６のエッチングレートは以下のとおりである。
【０１１８】
隔膜２１（Ｔａ）：０．３５ｎｍ／ｓｅｃ
充填材３６（ＤＬＣ）：０．０８ｎｍ／ｓｅｃ
【０１１９】
このようにして得られた各サンプルの４箇所の部位において、被加工体１０の表面における記録要素２０Ａの上の径方向の中央の上の部分とこれに隣接する凹部３４の径方向の中央の上の部分との段差をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて測定した。１０枚のサンプルの段差の相加平均値は０．３ｎｍであった。即ち、表面が充分に平坦化されていることが確認された。
【０１２０】
[比較例]
上記実施例に対し、製造条件を変更して１０枚の磁気記録媒体のサンプルを作製した。具体的には、第１被覆材４２及び第２被覆材４３を成膜しなかった。又、充填材成膜工程（Ｓ１０８）において、充填材３６を１２７ｎｍの厚さで成膜した。尚、この厚さ（１２７ｎｍ）は、凹部における厚さであり、前記実施例の充填材３６、第１被覆材４２及び第２被覆材４３の合計の厚さと等しい。充填材３６は記録層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されたが、充填材３６の表面の凹凸の段差は、充填材３６を成膜する前の被加工体１０の表面の凹凸の段差よりも減少した。具体的には、充填材３６の表面の凹凸の段差は８ｎｍだった。
【０１２１】
次に、ＩＢＥにより加工用ガスとしてＡｒガス及びＯ２ガスの混合ガス用いて、次の条件で記録要素２０Ａの上の余剰の充填材３６を除去した。
【０１２２】
Ａｒガスの流量：８ｓｃｃｍ
Ｏ２ガスの流量：３０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０８Ｐａ
加工用ガスの入射角：９０°
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：４００ｍＡ
サプレッサー電圧：４００Ｖ
【０１２３】
エッチングを２分２秒間行った時点でエッチングを停止した。隔膜２１の上面は露出した。又、充填材３６における記録層２０の凹凸パターンの凹部３４の上の部分の上面の高さは隔膜２１の上面の高さよりも低かった。即ち、充填材３６における凹部３４の上の部分の上面は記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面よりも基板１２側に凹んでいた。この時点で被加工体１０の表面の凹凸の段差は４．５ｎｍだった。尚、この条件における充填材３６、隔膜２１のエッチングレートは以下のとおりである。
【０１２４】
充填材３６（ＤＬＣ）：０．８７ｎｍ／ｓｅｃ
隔膜２１（Ｔａ）：０．８６ｎｍ／ｓｅｃ
【０１２５】
次に、ＩＢＥにより加工用ガスとしてＡｒガスを用いて、次の条件で記録要素２０Ａの上の隔膜２１及び凹部３４の上の充填材３６をエッチングし記録要素２０Ａの上の隔膜２１を除去した。
【０１２６】
Ａｒガスの流量：１６ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０４Ｐａ
加工用ガスの入射角：９０°
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：５００ｍＡ
サプレッサー電圧：４００Ｖ
【０１２７】
エッチングを４秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素２０Ａの上の隔膜２１は完全に除去された。尚、この条件における隔膜２１、充填材３６のエッチングレートは以下のとおりである。
【０１２８】
隔膜２１（Ｔａ）：０．３５ｎｍ／ｓｅｃ
充填材３６（ＤＬＣ）：０．０８ｎｍ／ｓｅｃ
【０１２９】
このようにして得られた各サンプルの４箇所の部位において、前記実施例と同様に被加工体１０の表面における記録要素２０Ａの上の径方向の中央の上の部分とこれに隣接する凹部３４の径方向の中央の上の部分との段差をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて測定した。１０枚のサンプルの段差の相加平均値は３．４ｎｍであった。
【０１３０】
ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアのような面記録密度が高い磁気記録媒体では、数ｎｍ〜十数ｎｍのヘッド浮上高さが想定されている。上記のように、第１被覆材４２、第２被覆材４３を成膜しないで充填材３６をエッチングした比較例では、想定されるヘッド浮上高さと表面の段差とが同程度であったのに対し、充填材３６の上に第１被覆材４２及び第２被覆材４３を成膜してから所定のエッチング条件で第２被覆材４３、第１被覆材４２、充填材３６を順次エッチングした実施例では、想定されるヘッド浮上高さよりも表面の段差が著しく小さく抑制されていた。即ち、充填材の上に第１被覆材及び第２被覆材を成膜してから前記各実施形態で示されるエッチング条件で第２被覆材、第１被覆材、充填材を順次エッチングすることで、表面を充分に平坦化できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１３１】
本発明は、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアのような凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す断面図
【図２】同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図３】同磁気記録媒体の記録層の周辺の構造を拡大して示す径方向に沿う断面図
【図４】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図５】凹凸パターンの樹脂層が形成された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図６】記録層及び隔膜が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図７】同記録層及び隔膜の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図８】同充填材の上に第１被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図９】同第１被覆材の上に第２被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１０】同第２被覆材及び第１被覆材がエッチングされて記録要素の上の充填材が露出した同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１１】同記録要素の上の充填材がエッチングされた同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１２】記録要素の上の隔膜が除去された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１３】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す断面図
【図１４】同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１５】同磁気記録媒体の記録層の周辺の構造を拡大して示す径方向に沿う断面図
【図１６】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図１７】記録層が凹凸パターンに加工された前記被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１８】同記録層の上に隔膜が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１９】同隔膜の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２０】同充填材の上に第１被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２１】同第１被覆材の上に第２被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２２】同第２被覆材及び第１被覆材がエッチングされて記録要素の上の充填材が露出した同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２３】同記録要素の上の充填材がエッチングされた同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２４】記録要素の上の隔膜が除去された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２５】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程において記録層の上に充填材が成膜された被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２６】同充填材の上に第１被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２７】同第１被覆材の上に第２被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２８】同第２被覆材及び第１被覆材がエッチングされて記録要素の上の充填材が露出した同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２９】同記録要素の上の充填材がエッチングされた同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図３０】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【符号の説明】
【０１３３】
１０、５０…被加工体
１２…基板
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０…記録層
２０Ａ…記録要素
２１、６２…隔膜
２２…第１マスク層
２４…第２マスク層
２６…樹脂層
３０、６０…磁気記録媒体
３４…凹部
３６…充填材
３８…保護層
４０…潤滑層
４２…第１被覆材
４３…第２被覆材
Ｓ１０２…被加工体の加工出発体用意工程
Ｓ１０４…樹脂層形成工程
Ｓ１０６…記録層加工工程
Ｓ１０８…充填材成膜工程
Ｓ１１０…第１被覆材成膜工程
Ｓ１１２…第２被覆材成膜工程
Ｓ１１４…被覆材エッチング工程
Ｓ１１４Ａ…第２被覆材エッチング工程
Ｓ１１４Ｂ…第１被覆材エッチング工程
Ｓ１１６…充填材エッチング工程
Ｓ１１８…隔膜除去工程
Ｓ１２０…保護層成膜工程
Ｓ１２２…潤滑層成膜工程
Ｓ２０２…隔膜成膜工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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