(57)【要約】      （修正有）【課題】チップ間に存在する接着剤層の切断を円滑に行え、ピックアップ効率の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体回路形成面からウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成した後該回路面に表面保護シートを貼着し、裏面研削をしてウエハの厚みを薄くするとともに、個々のチップ３への分割を行って前記表面保護シート上にチップ群を生成する。次いで研削面に接着シートを貼着し、前記表面保護シートを剥離してチップ群を接着シートに転着する方法において、表面保護シートを剥離する前の何れかの段階で、接着シートの接着剤層を一次硬化し、かつチップ群を接着シートに転着した後、チップ間に存在している接着シートの接着剤層をレーザー光５で切断し、該接着剤層をチップとともに、接着シートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に載置して該接着剤層を二次硬化してチップを基台上に固着する工程を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、
該回路面に表面保護シートを貼着し、
上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行って前記表面保護シート上にチップ群を生成し、
研削面に、基材とその上に形成された接着剤層とからなる接着シートを貼着し、前記表面保護シートを剥離して、チップ群を接着シートに転着する工程を含み、
前記表面保護シートを剥離する前の何れかの段階で、接着シートの接着剤層を一次硬化する工程を有し、かつ
チップ群を接着シートに転着した後、チップ間に存在している接着シートの接着剤層をレーザー光で切断し、
該接着剤層をチップとともに、接着シートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に載置して該接着剤層を二次硬化してチップを基台上に固着する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
接着シートをチップ群の研削面に貼着する前に、該接着シートの接着剤層の一次硬化を行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記表面保護シートが、エネルギー線硬化型粘着剤層を有し、前記回路面に表面保護シートを貼着し、エネルギー線硬化型粘着剤層を硬化した後に、半導体ウエハの裏面研削を行うことでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行う請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記表面保護シートが、エネルギー線硬化型粘着剤層を有し、前記回路面に表面保護シートを貼着し、エネルギー線硬化型粘着剤層を硬化した後に、前記接着シートの接着剤層を一次硬化する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しくは極薄チップの裏面に適当量の接着剤層を簡便に形成することができ、チップの欠けやチップクラックおよびパッケージクラックの発生を防止でき、しかもチップの整列性が良好であり、生産効率の向上が可能な半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカードの普及が進み、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。このような薄型半導体チップは、ウエハの回路面に表面保護シートを貼付して、ウエハ裏面を研削した後、ウエハをダイシングして得られるが、研削後のウエハ厚が薄くなるとダイシング時にチップの欠けやチップクラックが発生しやすい。
【０００３】
そこで、このようなチップの薄厚化を達成する他の方法として、特許文献１（特開平５−３３５４１１号公報）には、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、この裏面側から研削する半導体チップの製造方法が開示されている。得られた半導体チップはピックアップされ、所定の基台上に固着する際には、液状接着剤やフィルム状接着剤を用いて、チップを基台上に固着している。
【０００４】
液状接着剤を用いる場合には、液状接着剤をディスペンサーにより、基台上のチップ固着予定位置に、所定量塗布し、その上に半導体チップを圧着・固定する。しかしこの方法では、接着剤の塗出量の制御が難しく、接着剤量が一定せず、製品の品質にばらつきができる。また液状接着剤であるためブリード現象が起こるなどの問題もある。接着剤のブリードにより基台とチップとの接合部にフィレットが増加すると、チップ上面にまで接着剤が上がってしまったり、あるいは半導体チップが傾くため、ワイヤーボンディング時に不都合が生じる。また、樹脂封止の後に、高温状態下に置かれた場合には、接着剤からブリードアウトした揮発性成分のために、パッケージクラックに至る場合もある。
【０００５】
フィルム状接着剤を用いる方法では、予め基台上のチップ固着予定位置にチップとほぼ同一形状に切断したフィルム状接着剤を貼付しておくか、あるいは予めチップとほぼ同一形状に切断したフィルム状接着剤をチップに貼付しておき、該フィルム状接着剤を介して基台にチップを固着する。しかしこの方法では、フィルム状接着剤を、チップとほぼ同一形状に切断しておく準備が必要であり、手間がかかるとともに、また、チップと同サイズの極めて小さなフィルム状接着剤をチップに貼付する作業があり、煩雑でもある。
【０００６】
さらに、上記何れの手段を採るとしても、極薄にまで研削されて脆くなった微小なチップを取扱うため、僅かな操作ミスによってもチップが破損してしまう。このため、特にチップ裏面に接着剤層を形成するための簡便かつ確実な方法の開発が要請されている。このような課題の解決を目的とし、本発明者らは既に特許文献２（特開２００１−１５６０２７号公報）において、「半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路面に表面保護シートを貼着し、上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行い、研削面に、基材とその上に形成された接着剤層とからなるダイシング・ダイボンドシートを貼着し、該表面保護シートを剥離し、チップ間に露出しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断し、該接着剤層をチップとともに、ダイシング・ダイボンドシートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に固着することを特徴とする半導体装置の製造方法」を提案している。
【０００７】
この方法により、極薄チップ裏面に適当量の接着剤層を簡便かつ確実に形成できる。しかし、ダイシング・ダイボンドシートを貼着し、表面保護シートを剥離する際に、ダイシング・ダイボンドシートに剪断力が加わるために接着剤層に歪みが起こり、結果的にチップの位置ズレが発生することがある。また、チップ間に露出しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断する際に、接着剤層の振動・流動によりチップの位置ズレが起こることがある。チップの位置ズレが起こると、チップ間に露出しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断することが困難になり、またピックアップ装置の認識不良が発生し、生産効率が低下する場合がある。
【０００８】
このようなチップの位置ズレを防止するため、本発明者らは既に特許文献３（特開２００２−７５９２１号公報）において、「半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路面に表面保護シートを貼着し、上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行い、研削面に、基材とその上に形成された接着剤層とからなるダイシング・ダイボンドシートを貼着し、該接着剤層を一次硬化し、チップ間に存在しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断し、該接着剤層をチップとともに、ダイシング・ダイボンドシートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に載置して該接着剤層を二次硬化してチップを基台上に固着することを特徴とする半導体装置の製造方法」を提案している。
【０００９】
この方法によれば、ダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を一次硬化した後に表面保護シートを剥離しているため、表面保護シートの剥離時にダイシング・ダイボンドシートに剪断力が加わっても接着剤層の歪みは起こりにくく、表面保護シート剥離時のチップの位置ズレは低減される。また、同様の理由からチップ間に露出しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断する際に、接着剤層の振動・流動が抑制され、チップの位置ズレは低減される。
【特許文献１】特開平５−３３５４１１号公報
【特許文献２】特開２００１−１５６０２７号公報
【特許文献３】特開２００２−７５９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように特許文献２および３の製法では、切断分離されたチップ群の整列状態を保持した状態で該チップ群をダイシング・ダイボンドシートに転着し、その後チップ間に露出しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断している。接着剤層を切断する際には、従来よりダイシングブレードと呼ばれる回転丸刃が用いられていた。このため、ブレードの回転力により、接着剤層が振動し、流動する結果、チップの位置ズレが発生することがあった。
【００１１】
特に、特許文献３はかかる課題を解消することを目的として、接着剤層の一次硬化を行い、接着剤層の振動・流動を抑制して、チップの位置ズレを防止している。しかし、特許文献３においても、接着剤層の切断にはダイシングブレードを用いており、接着剤層の振動・流動によるチップの位置ズレを完全に防止することはできない。
【００１２】
そして、チップの位置ズレが生じると、チップ同士の間隔（カーフ幅）が一定しなくなり、かつ格子状に形成されたダイシングラインが歪む。極端な場合には、位置ズレしたチップがダイシングライン上にまで移動してしまう。この問題は特に、チップサイズが小さな場合や、チップを多数個得るためにカーフ幅を狭くした場合に顕著になる。
【００１３】
一方、ダイシングブレードは直線運動が可能なのみである。このため、ダイシングライン上にチップが存在する場合には、該チップを迂回することが不可能であり、チップを切断、破損することになる。この結果、チップ間に露出しているダイシング・ダイボンドシートの接着剤層を切断することが不可能になり、またチップの歩留まりも低下する。
【００１４】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、チップの整列性が良好であり、チップ間に存在する接着剤層の切断を円滑に行え、ピックアップ効率の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。また、本発明は、極薄チップの裏面に適当量の接着剤層を簡便に形成することができ、チップの欠けやチップクラックおよびパッケージクラックの発生を防止でき、生産効率の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
【００１６】
（１）半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、
該回路面に表面保護シートを貼着し、
上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行って前記表面保護シート上にチップ群を生成し、
研削面に、基材とその上に形成された接着剤層とからなる接着シートを貼着し、前記表面保護シートを剥離して、チップ群を接着シートに転着する工程を含み、
前記表面保護シートを剥離する前の何れかの段階で、接着シートの接着剤層を一次硬化する工程を有し、かつ
チップ群を接着シートに転着した後、チップ間に存在している接着シートの接着剤層をレーザー光で切断し、
該接着剤層をチップとともに、接着シートの基材から剥離し、該接着剤層を介して、チップを所定の基台上に載置して該接着剤層を二次硬化してチップを基台上に固着する工程を含む半導体装置の製造方法。
【００１７】
（２）接着シートをチップ群の研削面に貼着する前に、該接着シートの接着剤層の一次硬化を行う（１）に記載の半導体装置の製造方法。
【００１８】
（３）前記表面保護シートが、エネルギー線硬化型粘着剤層を有し、前記回路面に表面保護シートを貼着し、エネルギー線硬化型粘着剤層を硬化した後に、半導体ウエハの裏面研削を行うことでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行う（１）または（２）に記載の半導体装置の製造方法。
【００１９】
（４）前記表面保護シートが、エネルギー線硬化型粘着剤層を有し、前記回路面に表面保護シートを貼着し、エネルギー線硬化型粘着剤層を硬化した後に、前記接着シートの接着剤層を一次硬化する（１）または（２）に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
このような本発明に係る製法によれば、表面保護シートを剥離する前に、接着シートの接着剤層は一次硬化され、その流動性が低下しているため、表面保護シートを剥離しても、接着剤層の歪みは起こらず、チップの整列性が良好であり、チップ間に存在する接着剤層の切断を円滑に行え、ピックアップ効率を向上できる。また、接着剤層の切断時にはレーザー光を用いているため、ダイシングブレードを用いての切断と比較して振動が著しく低減され、チップの位置ズレが防止される。この結果、ピックアップ装置によるチップ認識を的確に行え、半導体装置の製造を効率よく行うことができる。
【００２１】
さらに、チップの位置ズレが起きている場合であっても、レーザー光を用いての切断によれば、位置ズレしたチップ周辺を迂回して接着剤層を切断することができるため、チップの歩留まりが向上し、半導体装置の製造をさらに効率よく行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい態様について、その最良の形態も含めて、さらに具体的に説明する。
【００２３】
第１工程：半導体回路が形成されたウエハ１表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝２を形成する。より具体的には、複数の回路を区画するウエハ１の切断位置に沿って所定の深さの溝２をウエハ１表面から形成する（図１参照）。
【００２４】
溝２の形成は、従来より用いられているウエハダイシング装置、またはハーフカット専用のウエハダイシング装置を用いて、適宜に切込み深さを調整することにより行われる。この際、必要に応じ、従来よりウエハダイシング時に用いられているダイシングテープ等により、ウエハを固定しておいてもよい。なお、ハーフカット可能のウエハダイシング装置を使用する場合には、ウエハをダイシングテープ等で固定する必要は必ずしも無い。ウエハ１の厚さは、何ら限定されるものではないが、通常は３５０〜８００μｍ程度であり、溝２の深さは、目的とするチップの厚さに応じて適宜に設定され、通常は２０〜５００μｍ程度である。また溝２の幅Ｗは、使用するダイシングブレードの幅と等しく通常は１０〜１００μｍ程度である。また、目的とするチップサイズは特に限定はされない。しかしながら、本発明の方法は特にチップサイズが小さな場合や、チップを多数個得るためにカーフ幅（溝２の幅Ｗ）を狭くした場合に有効である。
【００２５】
第２工程：ウエハの回路面に表面保護シート１０を貼着する。具体的には、前記ウエハ１の表面全体を覆う状態に表面保護シート１０を接着する（図２参照）。表面保護シート１０は、基材１１上に、再剥離性粘着剤層１２が形成されてなり、所定の用に供した後、容易に剥離できる性質を有する。また再剥離性粘着剤層１２はエネルギー線硬化型の粘着剤からなるものであってもよい。エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線の照射前には充分な接着力で被着体を保持でき、エネルギー線の照射により硬化し接着力を失い、容易に剥離できる性質を有する。エネルギー線硬化型粘着剤層を構成するエネルギー線硬化型粘着剤としては、従来より公知の種々のエネルギー線硬化性粘着剤が特に制限されることなく用いられるが、一般的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる。エネルギー線硬化性粘着剤に用いられるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。また、エネルギー線硬化性粘着剤は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。
【００２６】
なお、本発明においては、前記表面保護シート１０が、エネルギー線硬化型粘着剤層を有する場合には、前記回路面に表面保護シート１０を貼着し、エネルギー線硬化型粘着剤層を硬化した後に、後述する各工程を実施することが好ましい。
【００２７】
半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くする際には、ウエハには横方向（ウエハ面に対して水平方向）の剪断力が負荷される。したがって、粘着剤層が軟質であると、剪断力によりチップが横方向に移動し、チップの位置ズレが起こることがある。しかし、上記方法により粘着剤層を硬化させておくと、横方向に力が加えられてもチップの位置ズレが起こることは無い。また、横方向の力によっては、チップの剥離・脱落は起きないので、チップの歩留りが低下することもない。
【００２８】
第３工程：半導体ウエハ１の裏面研削をすることでウエハ１の厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップ３への分割を行い、チップ群を生成する。具体的には、前記溝２の底部に至るまでウエハ裏面を研削し、前記溝２の底部を除去し、ウエハをチップ３に分割し、さらに所定の厚さになるまでチップ３の裏面を研削する（図３参照）。裏面研削は従来より用いられている裏面研削装置により行なわれる。このような工程を経ることで、表面保護シート１０上に所定の間隔で整列したチップ群が得られる。
【００２９】
第４工程：ウエハの研削面に接着シート２０を貼着し、表面保護シート１０を剥離して、チップ群を接着シート２０に転着する（図４参照）。
【００３０】
接着シート２０は、基材２１とその上に形成された接着剤層２２とからなり、接着剤層２２は、基材２１から剥離可能なように形成されている。接着剤層２２は、室温条件または温和な熱圧着条件でチップ３に貼着可能であり、チップ３に貼着後、チップ３をピックアップすると、チップ３の裏面に同伴して基材２１から剥離される。
【００３１】
このような接着シート２０としては、従来より半導体ウエハのダイシングおよびダイボンドに用いられてきた各種のシートが特に制限されることなく用いられる。このような接着シートは、ダイシング・ダイボンドシートとも呼ばれ、たとえば前記した特許文献２あるいは３にその詳細が記載されている。
【００３２】
接着シート２０としては、たとえば、基材２１と、該基材上に形成された感圧接着性、エネルギー線硬化性および熱硬化性を有する接着剤層２２とからなるダイシング・ダイボンドシートなどを用いることができる。
【００３３】
基材２１としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニルフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等の透明および着色フィルムが用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。なお、後述する接着剤層２２が紫外線硬化性を有する場合には、基材は紫外線を透過するものであることが好ましい。
【００３４】
接着シート２０は、チップの研削面に貼着され、レーザー光によって接着剤層２２をチップと同サイズに切断する。その後、切断された接着剤層２２を、チップ裏面に固着残存させて、チップと接着剤層２２との積層物を基材から剥離する。このため、基材２１の接着剤層２２に接する面の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ 以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ 以下、特に好ましくは３６ｍＮ／ｍ 以下であることが望ましい。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等の剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。
【００３５】
基材の膜厚は、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。
【００３６】
基材２１上に剥離可能に形成される接着剤層２２は、チップ裏面に貼着された後に、レーザー光によりチップと同形状に切断される。
【００３７】
接着剤層２２の厚みは、特に限定はされないが、通常は０．１〜３００μｍ、好ましくは０．５〜２００μｍ、特に好ましくは１〜１５０μｍ程度である。接着剤層としては、従来より半導体チップのダイボンドに使用されている各種の粘接着剤が特に制限されることなく使用できる。粘接着剤とは、初期状態において常温で粘着性を示し、加熱のようなトリガーにより硬化し強固な接着性を示す接着剤をいう。このような粘接着剤は、たとえば（Ａ）粘着成分と、（Ｂ）エネルギー線硬化性成分と、（Ｃ）熱硬化型接着成分とからなる粘接着剤をあげることができる。
【００３８】
粘着成分（Ａ）としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂等の樹脂成分が用いられ、特にアクリル樹脂が好ましく用いられる。エネルギー線硬化性成分（Ｂ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物としては、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有するエネルギー線重合性のモノマーやウレタンアクリレートなどのアクリレート系オリゴマーなどが用いられる。上記のような成分（Ａ） および（Ｂ）からなる粘接着剤組成物は、エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。
【００３９】
また上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるものとして、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。
【００４０】
また、エネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤を混入することにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
【００４１】
熱硬化型接着成分（Ｃ）は、エネルギー線によっては硬化しないが、加熱を受けると三次元網状化し、被着体を強固に接着する性質を有する。このような熱硬化型接着成分（Ｃ）は、一般的にはエポキシ、アクリル、ポリイミド、フェノキシ、フェノール、レゾルシノール、ユリア、尿素、メラミン、フラン、不飽和ポリエステル、シリコーン等の熱硬化性樹脂と、適当な硬化促進剤とから形成されている。
【００４２】
本発明の第４工程では、上記したようにチップ群の研削面に接着シート２０を貼着し、表面保護シート１０を剥離する。これによりチップ群を接着シートに転着する。
【００４３】
この際、表面保護シート１０を剥離する前の段階で、接着シートの接着剤層を一次硬化する。
【００４４】
エネルギー線硬化性と熱硬化性とを有する接着剤層２２を備えた接着シートにあっては、エネルギー線を照射することで、エネルギー線硬化型粘着成分のみを硬化（一次硬化）させることができる。接着シートの接着剤層を一次硬化した後に表面保護シートを剥離しているため、接着シートの接着剤層の歪みは起こりにくく、表面保護シート剥離時のチップの位置ズレは低減される。
【００４５】
なお、接着シートの接着剤層の一次硬化は、表面保護シート１０を剥離する前であれば、いずれの段階で行っても良い。たとえば、接着シートをチップ群の研削面に貼着する前に、接着剤層の一次硬化を行っても良く、また、接着シートをチップ群の研削面に貼着した後、たとえば表面保護シート１０を剥離する直前に接着剤層の一次硬化を行っても良い。
【００４６】
接着シートをチップ群の研削面に貼着する前に、接着剤層の一次硬化を行うと、接着剤層２２の感圧接着性は低下する。しかし、チップ群の研削面は平滑性が極めて高いため、感圧接着性が低下した接着剤層であっても接着可能である。一次硬化した接着剤層をチップ群の研削面に貼着する場合には、接着シートの接着剤層を３０〜６０℃程度に加温し、穏和な条件下で熱圧着することが好ましい。
【００４７】
接着剤層の一次硬化を行う際には、接着剤層が体積変動を起こすことがある。チップ群が貼着されている状態で接着剤層の一次硬化を行うと、接着剤層の体積変動によってチップの位置ズレが起こる場合があるが、上記のようにチップ群に貼着する前に、接着剤層の一次硬化を行うことで、体積変動による位置ズレを未然に防止することができる。
【００４８】
また、接着シートをチップ群の研削面に貼着した後に、接着剤層の一次硬化を行う場合には、チップ群に接着シートを貼着する際には、接着剤層は未硬化の状態であり、高い接着性を有するため、チップ群に確実に貼着できる。また、接着剤層の一次硬化を行う際には、チップ群の回路面側が表面保護シートにより保持されているため、接着剤層が体積変動を起こしてもチップの位置ズレは少ない。特に前記表面保護シート１０が、エネルギー線硬化型粘着剤層を有する場合には、エネルギー線硬化型粘着剤層を硬化しておくことで、チップの位置ズレに対する拘束力が強く働くため、接着剤層の一次硬化により体積変動を起こしても、チップの位置ズレが防止される。なお、上記第４工程において表面保護シート１０を剥離する際は、接着シート２０側を吸着固定しておくことが好ましい。
【００４９】
上記のような第４工程を経ることで、チップ群が接着シートに転着される。
【００５０】
第５工程：チップ間に存在している接着シート２０の接着剤層を切断する（図５参照）。第５工程においては、チップ間に存在している接着剤層２２にレーザー光源４からレーザー光５を照射し、接着剤層２２を完全に切断（フルカット）する。この際、接着シート２０を吸着テーブル上に固定しておくことが好ましい。レーザー光５の焦点は、前記した溝２の幅Ｗよりもやや狭い範囲に集光され、具体的には、焦点の幅は、溝２の幅Ｗの３０〜９０％程度であることが望ましい。
【００５１】
本発明では、接着剤層の切断時にレーザー光を用いているため、ダイシングブレードを用いての切断と比較して、接着剤層切断時の振動が著しく低減される。この結果、接着剤層の振動や流動に起因する、チップの位置ズレが防止される。したがって、ピックアップ装置によるチップ認識を的確に行え、半導体装置の製造を効率よく行うことができる。
【００５２】
さらに、チップの位置ズレにより切断すべきラインが直線になっていない場合であっても、レーザー光を用いての切断によれば、位置ズレしたチップ周辺を迂回して接着剤層を切断することができるため、チップの歩留まりが向上し、半導体装置の製造をさらに効率よく行うことができる。
【００５３】
レーザー光による切込みの深さは、接着剤層２２をフルカットできる程度で充分であるが、基材２１の一部にまで切込み、接着剤層２２の切断を完全に行うことが好ましい。これにより、接着剤層２２は、チップ３と略同一のサイズ・形状に切断される。
【００５４】
第６工程：接着剤層２２をチップ３とともに、接着シート２０の基材２１から剥離する（図６参照）。接着剤層２２は、前述したように基材２１から剥離可能に形成されている。したがって、チップ３をピックアップすると、チップ裏面に接着剤層２２が固着された状態で、基材２１から剥離される。
【００５５】
なお、接着剤層２２が前述したエネルギー線硬化型粘着成分と熱硬化型接着成分とを必須成分とする接着剤からなる場合には、エネルギー線照射により接着剤層２２の一次硬化が行われており、接着力が低下しているため、接着剤層２２と基材２１との間での剥離を良好に行うことができる。
【００５６】
第７工程：該接着剤層２２を介して、チップ３を所定の基台上に固着する（図示せず）。上記第６工程により、チップ３の裏面には接着剤層２２が形成されている。この接着剤層２２を介して、基台上にチップ３を載置後、所要の手段により接着剤層２２に接着力を発現させることで、チップ３を基台上に固着できる。
【００５７】
接着剤層２２が、前述したエネルギー線硬化性と熱硬化性とを有する接着剤からなる場合には、加熱することで熱硬化型接着成分の接着性が発現し、チップ３と基台とを強固に接着できる。
【実施例】
【００５８】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、「チップ整列性」、「接着剤層の切断性」および「チップ破損率」は以下のように評価した。
【００５９】
「チップ整列性」
図７に示すように、ウエハのオリエンテーションフラットに平行方向（ｘ方向）および垂直方向（ｙ方向）において、ウエハ中心から等間隔になるように上下左右の端部近傍（４箇所）および該端部近傍とウエハ中心との中間点（４箇所）およびウエハ中心部の合計９箇所において、チップ間のラインの位置ズレをデジタル顕微鏡（倍率10倍）を用いて測定し、ｘ方向およびｙ方向でのライン幅の最大値と最小値を測定した。ｘ方向の評価結果を表１に、ｙ方向の評価結果を表２に示す。
【００６０】
また、ひとつのチップのｙ方向に平行な一辺により規定される直線と、該チップのｙ方向に隣接する他のチップのｙ方向に平行な一辺により規定される直線との距離からチップのｘ方向へのシフト値（長さ）を評価した。同様にしてｙ方向のシフト値を測定した。ｘ方向の評価結果を表３に、ｙ方向の評価結果を表４に示す。チップ間のライン幅の変動およびチップのシフト値が小さいほどよい。
【００６１】
「接着剤層の切断性」
実施例および比較例において、チップ転写から２４時間放置後のチップ間の接着剤層を、レーザーダイシング装置（DFL-7160、ディスコ社製、レーザー条件：波長355nm、2W）を用いてチップを破損しないように切断した。レーザー処理速度を指標とし生産性を比較した。評価結果を表５に示す。チップの整列性が悪くなるとレーザー光がチップのズレに追従するためにアライメントしながら移動するため時間がかかり、処理速度が低下する。一般に250mm/s以上であれば生産性がよいといわれている。
【００６２】
「チップ破損率」
実施例において、チップ転写から２４時間放置後のチップ間の接着剤層の切断を上記レーザーダイシング装置およびブレードダイシング装置（DFD-651、ディスコ社製）を用いて行った。ブレードは15-20μｍ幅の27HECA（ディスコ社製)を用いた。レーザーダイシング装置の処理速度250mm/s、ブレード回転数40000rpm、ブレードの移動速度50mm/sで、接着剤層を完全に切断する深さでダイシングを行った。チップ破損率は、接着剤層を切断後のチップ100個について、その表面および端面をデジタル顕微鏡（倍率20倍）で観察し、破損のあるチップ数をカウントして評価した。結果を表６に示す。
【００６３】
（実施例１）
直径８インチ、厚み７４０μmの鏡面研磨したシリコンウエハにウエハダイシング装置（DFD-6361、ディスコ社製）を用い、３０μm厚のブレードで、切り込み量１３０μm、チップサイズ８ｍｍ×８ｍｍの条件で溝を形成した。次いで、表面保護シート（Adwill E-3124、リンテック社製）を、溝を形成した面に貼付し、その表面保護シート面に紫外線照射装置（RAD-2000m/12、リンテック社製）を用い紫外線照射を行った（照度220mW/cm2、光量150mJ/cm2）。その後、裏面研削装置（DGP-8760、ディスコ社製）を用いて、厚さ１００μmになるまでシリコンウエハの裏面研削を行い、チップへ分割した。その後、ダイシング・ダイボンドシート（Adwill LE4738、リンテック社製、接着剤層の厚み３０μｍ）を研削面側に貼付し、そのダイシング・ダイボンドシート面に上記と同条件で紫外線照射して接着剤層を一次硬化した。その後、表面保護シートを剥離し、この時点で、チップ整列性の評価を行った。また、さらに２４時間放置した後のチップ整列性の評価も行った。また、チップ転写から２４時間放置後に、「接着剤層の切断性」および「チップ破損率」の評価を上記のように行った。結果を表１〜表６に示す。
【００６４】
（実施例２）
ダイシング・ダイボンドシートとして、（Adwill LE4737、リンテック社製、接着剤層の厚み３０μｍ）を使用した以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１〜表６に示す。
【００６５】
（実施例３）
ダイシング・ダイボンドシートとして、（Adwill LE4768、リンテック社製、接着剤層の厚み６０μｍ）を使用した以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１〜表６に示す。
【００６６】
（実施例４）
ダイシング・ダイボンドシート（Adwill LE4738、リンテック社製、接着剤層の厚み３０μｍ）のダイシング・ダイボンドシート面に紫外線照射して接着剤層を一次硬化し、ダイシング・ダイボンドシートを５０℃に加温して研削面側に貼付した以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１〜表６に示す。
【００６７】
（比較例１）
ダイシング・ダイボンドシートの一次硬化を行うことなく、表面保護シートを剥離した以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１〜表５に示す。
【００６８】
（比較例２）
ダイシング・ダイボンドシートとして、（Adwill LE4737、リンテック社製、接着剤層の厚み３０μｍ）を使用した以外は、比較例１と同様の操作を行った。結果を表１〜表５に示す。
【００６９】
（比較例３）
ダイシング・ダイボンドシートとして、（Adwill LE4768、リンテック社製、接着剤層の厚み６０μｍ）を使用した以外は、比較例１と同様の操作を行った。結果を表１〜表５に示す。
【００７０】
（比較例４）
ダイシング・ダイボンドシートの一次硬化を行うことなく、表面保護シートを剥離し、その後ダイシング・ダイボンドシートの一次硬化を行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１〜表５に示す。
【００７１】
（比較例５）
ダイシング・ダイボンドシートとして、（Adwill LE4737、リンテック社製、接着剤層の厚み３０μｍ）を使用した以外は、比較例４と同様の操作を行った。結果を表１〜表５に示す。
【００７２】
（比較例６）
ダイシング・ダイボンドシートとして、（Adwill LE4768、リンテック社製、接着剤層の厚み６０μｍ）を使用した以外は、比較例４と同様の操作を行った。結果を表１〜表５に示す。
【表１】
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【表２】
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【表３】
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【表４】
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【表５】
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【表６】
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【００７３】
実施例１〜４は、比較例１〜６に比べてシフト量が小さい。また、処理速度も優れている。接着剤層の切断をレーザー光で行った場合には、切断時の処理速度が速くても（250mm/s）、チップの破損は見られなかったが、ブレードを用いた切断では、処理速度が遅くても（50mm/s）、チップの破損が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明に係る半導体装置の１工程を示す。
【図２】本発明に係る半導体装置の１工程を示す。
【図３】本発明に係る半導体装置の１工程を示す。
【図４】本発明に係る半導体装置の１工程を示す。
【図５】本発明に係る半導体装置の１工程を示す。
【図６】本発明に係る半導体装置の１工程を示す。
【図７】チップ整列性の評価方法の概略を示す。
【符号の説明】
【００７５】
１…ウエハ
２…溝
３…チップ
４…レーザー光源
５…レーザー光
１０…表面保護シート
１１…基材
１２…再剥離性粘着剤層
２０…接着シート
２１…基材
２２…接着剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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