(57)【要約】【課題】赤外反射法を用いて、ヘビードープＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるヘビードープＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。【解決手段】反射鏡にＰ偏光を斜め入射した際の赤外反射スペクトルと、前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ表面に、前記入射角と同一角度でＰ偏光入射した際の赤外反射スペクトルを測定し、前記反射鏡の赤外反射スペクトルに対する前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハの赤外反射スペクトルの比率である反射率スペクトルを算出して、波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
比抵抗０．１Ωｃｍ以下のヘビードープＳｉ基板上に形成された３Ｃ−ＳｉＣ層について、波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンを測定する方法において、
反射鏡にＰ偏光を斜め入射した際の赤外反射スペクトルと、前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ表面に、前記入射角と同一角度でＰ偏光入射した際の赤外反射スペクトルを測定し、前記反射鏡の赤外反射スペクトルに対する前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハの赤外反射スペクトルの比率である反射率スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることを特徴とするＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【請求項２】
ＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求めることを特徴とする請求項１記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【請求項３】
前記３Ｃ−ＳｉＣ層は、Ｓｉ基板上へのエピタキシャル成長または前記Ｓｉ基板表面の炭化により形成されたものであることを特徴とする請求項１または２記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【請求項４】
前記３Ｃ−ＳｉＣ層は、厚さが１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘビードープＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ（以下、３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハとも記す）の３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンの横波光学（ＴＯ）モードおよび縦波光学（ＬＯ）モードの波数の測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハは、Ｓｉ基板表面に３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を高温でヘテロエピタキシャル成長させる、あるいはまた、Ｓｉ基板表面を炭化することにより作製される。
このとき、エピタキシャル成長温度または炭化温度から室温まで降温すると、Ｓｉ基板と３Ｃ−ＳｉＣ層との熱膨張係数が異なることから（ＳｉＣ：５×１０-6／Ｋ、Ｓｉ：４．５×１０-6／Ｋ）、３Ｃ−ＳｉＣ層側でＳｉ基板からの引っ張り応力を受け、Ｓｉ基板側は３Ｃ−ＳｉＣ層からの圧縮応力を受け、３Ｃ−ＳｉＣ層とＳｉ基板との界面に残留応力が生じ、３Ｃ−ＳｉＣ層側に凹形状の反りが発生する。
また、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハにおける残留応力は、上記以外に、３Ｃ−ＳｉＣ層とＳｉ基板との格子定数の違いも原因として挙げられる。
【０００３】
このような残留応力によって、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードが低波数側にシフトすると考えられる（非特許文献１参照）。
したがって、従来は、上記のような残留応力の評価等のために、主に、ラマン散乱を用いて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数のシフトを観測していた。
【０００４】
また、Ｓｉ単結晶やＳｉウェーハ表面の酸化膜について、赤外透過法を用いて評価する方法が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００５】
一方、ＡｌＮのエピ層が形成されたＡｌＮ／Ｓｉウェーハについて、赤外反射法により測定することが報告されている（例えば、非特許文献２，３参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３５０３３１号公報
【特許文献２】特開平６−２８３５８６号公報
【非特許文献１】H.Mukaida, et al., Journal of Applied Physics , vol.62 (1987), p.254
【非特許文献２】V.Darakchieva, et al., Applied Physics Letters , vol.80 (2002), p.2302
【非特許文献３】P.Prokofyeva, et al., Physical Review B, vol.63 (2001), p.125313
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ラマン散乱法は、入射励起光に、通常、可視光域のレーザー光を用いるため、狭い領域に多くの光エネルギーを集中させることになり、Ｓｉ基板の加熱は避けられない。
また、測定には、回折格子による分光器を用いるため、ラマン散乱光の測定波長に近い波長のレーザー光、ガスレーザ光に含まれるプラズマ輝線やネオン管の輝線を用い、測定の度に波長校正を行う必要がある。
さらに、ラマン散乱は、ＳｉＣ層が薄い場合には測定が困難であった。
【０００８】
また、赤外透過法は、比抵抗０．１Ωｃｍ以下のヘビードープＳｉ基板の場合には、入射赤外光の透過率が低いため、測定自体が困難であった。
【０００９】
そこで、ＡｌＮ／Ｓｉウェーハの評価において適用されている赤外反射法を応用して、ヘビードープＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の残留応力に起因する波数シフトの評価を行うべく検討を重ね、本発明に係る測定方法を見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は、赤外反射法を用いて、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるヘビードープＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法は、比抵抗０．１Ωｃｍ以下のヘビードープＳｉ基板上に形成された３Ｃ−ＳｉＣ層について、波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンを測定する方法において、反射鏡にＰ偏光を斜め入射した際の赤外反射スペクトルと、前記３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハ表面に、前記入射角と同一角度でＰ偏光入射した際の赤外反射スペクトルを測定し、前記反射鏡の赤外反射スペクトルに対する前記３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハの赤外反射スペクトルの比率である反射率スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることを特徴とする。
このように、Ｐ偏光を斜め入射した赤外反射法によって、従来、ラマン散乱を用いて測定されていた３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハのＴ2フォノンの波数を、非破壊で、簡便に、高分解能で測定することができる。また、ＳｉＣ膜が薄くても測定することができる。
ここでいう「斜め」とは、反射鏡やウェーハの表面の垂線に対して傾きを有することを意味し、傾き角度は１〜８９°である。
なお、本発明においては、前記反射鏡の反射率を１００％とみなして測定する。
上記測定方法では、ＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求めることが好ましい。
【００１２】
上記測定方法は、前記３Ｃ−ＳｉＣ層が、Ｓｉ基板上へのエピタキシャル成長または前記Ｓｉ基板表面の炭化により形成されたものである場合に、好適に適用することができる。
【００１３】
また、前記３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１μｍ以下の場合に、上記測定方法を好適に適用することができる。
【発明の効果】
【００１４】
上述したとおり、本発明に係る測定方法によれば、従来、ラマン散乱を用いて測定されていた３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を、非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができる。
また、本発明によれば、ラマン散乱法では困難な、１００ｎｍ以下の極薄い３Ｃ−ＳｉＣエピ層についても、ＴＯモードおよびＬＯモードの測定が可能である。
したがって、本発明に係る測定方法は、３Ｃ−ＳｉＣ層が極めて薄く、かつ、高分解能測定が要求される３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハの残留応力の評価にも有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明について、詳細に説明する。
本発明に係るＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法においては、反射鏡（例えば、アルミニウム蒸着鏡）に入射角１〜８９°でＰ偏光を入射した際の赤外反射スペクトルと、３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハ表面に、前記入射角と同一角度でＰ偏光を入射した際の赤外反射スペクトルを測定し、前記反射鏡の赤外反射スペクトルに対する前記３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハの赤外反射スペクトルの比率である反射率スペクトルを算出して、波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める。
【００１６】
ここで、３Ｃ−ＳｉＣの波数ベクトルｋ≒０の光学フォノンは、赤外およびラマン両活性のＴ2フォノンモード１つのみであり、このＴ2フォノンは、ＴＯモードおよびＬＯモードを持ち、ＬＯの波数＞ＴＯの波数の関係にある。
このように、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンは、赤外およびラマンの両活性であるため、厚さ１００ｎｍ以下の極薄い３Ｃ−ＳｉＣ層へのＰ偏光斜め入射による赤外反射スペクトルから、ＴＯモードおよびＬＯモードの波数を直接測定することができる。
すなわち、本発明によれば、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンの測定において、従来のラマン散乱の代わりに、赤外反射法を用いて、ＴＯモードおよびＬＯモードを測定することができる。
【００１７】
本発明の測定対象である３Ｃ−ＳｉＣ／ヘビードープＳｉウェーハは、通常、厚さ３００〜８００μｍのヘビードープＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を厚さ１μｍ以下でエピタキシャル成長、または、ヘビードープＳｉ基板表面を炭化させて、作製されたものである。
【００１８】
前記Ｓｉ基板は、比抵抗が０．１Ωｃｍ以下のヘビードープウェーハとする。
また、前記Ｓｉ基板の製法は、下記実施例においては、チョクラルスキー法（ＣＺ法）で製造されたＳｉ基板を用いたが、特に限定されるものではない。
また、ドーパントの種類は、特に限定されるものではない。
【００１９】
３Ｃ−ＳｉＣ単結晶のＴＯ波数とＬＯ波数の間の波数の入射赤外光は、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶表面において、高い比率でReststrahlen反射し、透過光も波長程度伝播すると、ほとんど減衰する。
反射バンドは、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜厚が入射赤外光の波長よりも非常に薄い場合（例えば、１００ｎｍ）、垂直入射においては、反射スペクトルのほぼＴＯの波数の位置でのみ検出されるが、Ｐ偏光斜め入射の場合は、ほぼＬＯ波数とＴＯ波数の両方の位置で検出される。
【００２０】
したがって、本発明に係るＰ偏光斜め入射赤外反射法によれば、ラマン散乱では測定困難である厚さ１００ｎｍ以下の薄い３Ｃ−ＳｉＣ膜についても、ＴＯモードおよびＬＯモードについての測定が可能であり、むしろ、薄い場合に好適に測定することができる。
また、本発明に係る測定方法は、反射法であるため、ウェーハ裏面の状態に無関係に反射スペクトルを測定することができるという利点も有している。
【００２１】
本発明における測定領域は、赤外域であるが、これは、通常、フーリエ変換型赤外分光光度計（ＦＴＩＲ）により行う。この測定機器は、マイケルソン干渉計を中枢部に備えた干渉分光法によるものであり、その中の可動鏡の位置がＨｅ／Ｎｅレーザーによりモニタされており、回折格子を分散素子として用いるラマン散乱法よりも、波数確度が高く、高分解での測定が可能である。
また、赤外反射法においては、ラマン散乱法のように、レーザー光照射によって測定試料が加熱されて、測定対象のフォノン波数が低波数側にシフトすることはないという利点も有している。
ただし、赤外反射法は、ヘビードープＳｉ基板の場合には、高分解能測定が可能であるが、ライトドープＳｉ基板の場合は、干渉縞がスペクトル上に現れるため、高分解能測定は困難であり、分解能４ｃｍ-1までの測定であれば適用することができる。
【００２２】
以下において、光学計算シミュレーションにより、下記実施例１に対応する３Ｃ−ＳｉＣ／ＳｉウェーハのＰ偏光エネルギー反射率スペクトルを求め、Ｐ偏光斜め入射赤外反射スペクトルにおける３Ｃ−ＳｉＣ層のＴＯモードおよびＬＯモードのピークの挙動を調べる。
なお、下記計算シミュレーションは、Mathcad（登録商標） 11（Mathsoft Engineering & Education, Inc.製）で行った。
【００２３】
まず、Ｓｉ基板の誘電率分散εb（ν）を下記式により導く（H. Saito and H. Shirai, Journal of The Electrochemical Society, vol.147 (2000), p.1210 参照）。
【００２４】
【数１】
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【００２５】
ここで、γ＝ｅ／μｍ*、νは波数（ｃｍ-1）、εb∞はフリーキャリアの寄与が全くないほど高波数極限（ν→∞）でのＳｉの比誘電率（＝１１．６８）、Ｎはキャリア密度（ｍ-3（＝１０-6ｃｍ-3）、ｅは電気素量（＝１．６０２１７６×１０-19クーロン）、ｍ*は電子の有効質量（ｍ*／ｍ＝０．２９８２、ｍは電子の質量（＝９．１０９３８１×１０-31ｋｇ）、ε0は真空誘電率（＝８．８５４１８７×１０-12Ｆ／ｍ）、ｃは光速（＝２．９９７９２４×１０8ｍ／ｓ）、μは電子の移動速度（＝０．１４３ｍ2／（Ｖ・ｓ））である。
【００２６】
一方、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンによる誘電率分散ε（ν）を、下記古典分散式において、３Ｃ−ＳｉＣ層のＬＯモード波数νL＝９６９．０ｃｍ-1、ＴＯモード波数νT＝７９３．０ｃｍ-1、ダンピング常数Γ＝４．７６ｃｍ-1、（赤外域の）高波数極限での誘電率ε∞＝６．７として導く（W. J. Choyke and E. D. Palik,“Handbook of Optical Constants of Solids”, Academic Press, 1985, p.587 参照）。
【００２７】
【数２】
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【００２８】
そして、入射角１５°のＰ偏光入射光に対するエネルギー反射率Ｒp（ν）を下記式により計算する（D. W. Berreman, Phys. Rev. vol.130 (1963), p.2193，O. E. Piro, Phys. Rev. vol.36 (1987), p.3427 参照）。
【００２９】
【数３】
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【００３０】
ここで、νは波数（ｃｍ-1）、δ（ν）＝２πｄν・１０-7、ｄは３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さ（ｎｍ）、θ（ラジアン）＝２π・θd／３６０、θdは入射角（°）＝１５°、ｉは虚数単位（ｉ2＝−１）として、単色平行な入射光が、屈折率１の真空または空気中から３Ｃ−ＳｉＣ層表面に入射し、屈折率１の真空または空気中に出射する場合の反射率を、波数域１００〜１２５０ｃｍ-1において、波数間隔０．１ｃｍ-1で計算した。
【００３１】
上記計算シミュレーションにより、Ｓｉ基板のキャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが８００ｎｍの場合のエネルギー反射率を計算すると、反射率スペクトルは、図５に示すようになる。
図５から分かるように、ピーク波数は、ＬＯ：９６９．８ｃｍ-1となり、設定波数νL＝９６９．０ｃｍ-1に非常に近い値を示したが、ＴＯに対応するピークは認められなかった。
したがって、Ｐ偏光斜め入射赤外反射スペクトルの計算シミュレーションから、確度の高いＬＯ波数値が得られることが分かる。
【００３２】
また、上記計算シミュレーションにより、Ｓｉ基板のキャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１００ｎｍ、１０ｎｍの場合のエネルギー反射率を計算すると、各反射率スペクトルは、図６，７に示すようになる。
図６から、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１００ｎｍの場合、ピーク波数は、ＬＯ：９６９．０９ｃｍ-1、ＴＯ：７９３．７ｃｍ-1となり、図７から、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１０ｎｍの場合、ピーク波数は、ＬＯ：９６９．０ｃｍ-1、ＴＯ：７９３．０５ｃｍ-1となった。
【００３３】
これらの反射率スペクトルは、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが８００ｎｍの場合と異なり、ＴＯも明確なバンドとなり、また、ＴＯ波数、ＬＯ波数いずれも、設定波数νT＝７９３．０ｃｍ-1、νL＝９６９．０ｃｍ-1に非常に近い値を示すことが認められた。
また、ＬＯ波数の方が、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さの影響は受けにくいが、厚さが１０ｎｍ以下と極薄くなると、スペクトル強度が弱くなり、むしろ、ＴＯの方が明確なピークとなり、正確な波数値が得られると言える。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
［実施例１］
レファレンスであるヘビードープＳｉ基板として、直径３インチ、厚さ７６０μｍ、比抵抗約１６．６ｍΩｃｍのアンチモンドープＣＺ−Ｓｉ（１１１）ウェーハを用いた。
なお、このヘビードープＳｉ基板は、リンドープＳｉのIrvin曲線によると、キャリア濃度は２×１０18ｃｍ-3であった（ASTM Standards F723-88）。
前記ヘビードープＳｉ基板上に、エピタキシャル成長により、厚さ８００ｎｍ（面内バラツキ±１０％以内）の３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）層を形成した２種類の３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）／Ｓｉ（１１１）ウェーハ試料を用意した。
試料１は、エピ面が２０〜３０μｍ凹状に反っており、試料２は、エピ面が８０μｍ凹状に反ったものである。
【００３５】
前記３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）／Ｓｉ（１１１）ウェーハ試料について、Ｐ偏光斜め入射赤外反射法により、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンを測定した。
測定は、１５°入射の正反射セルを、ＦＴＩＲ装置（ブルカー製ＩＦＳ１１３Ｖ）に装着し、減圧下で行った。Globar光源、Ｇｅ／ＫＢｒビームスプリッタ、ＤＴＧＳ（deuterated triglycine sulfate)検出器を用い、入射直前の光路にワイヤグリッド偏光子を挿入し、分解能０．２５ｃｍ-1とした。
図１に、この赤外反射スペクトルを示す。
図１に示したように、試料１については、ＬＯ：９６９．９ｃｍ-1、試料２については、ＬＯ：９６９．３ｃｍ-1であった。ＴＯは、上述した計算シミュレーション結果でもわかるように、明確に現れなかった。
なお、ＬＯ波数の読み取りはピーク位置で行った。
【００３６】
［比較例１］
実施例１と同一の試料１，２について、ラマン散乱法でＴ2フォノンの測定を行った。
測定は、ウェーハ面内の
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方向をＸ、Ｘに垂直な方向をＹ、ウェーハ面の垂線方向をＺとして、
2009218458.tif 000007
または
2009218458.tif 000008
と、
2009218458.tif 000009
の後方散乱偏光ラマン測定配置にて行った。
2009218458.tif 000010
または
2009218458.tif 000011
は、３Ｃ−ＳｉＣのＴ2（ＴＯ）モードのみを測定することができ、
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は、Ｔ2（ＬＯ）モードおよびＴ2（ＴＯ）モードを測定することができる。
分光器は、堀場・ジョバンイボン社製ＨＲ８００ＵＶレーザーラマン分光装置を用い、測定条件は、励起光：Ａｒイオンレーザー４８８ｎｍ、回折格子２４００本／ｍｍ、分解能１．８７ｃｍ-1とした。ラマン散乱で測定したＬＯ波数とＴＯ波数は、ラマン散乱と同時に測定したＡｒイオンレーザーのプラズマ線を用いて校正した。波形解析においては、プラズマ線のフィッティングにはガウス関数、フォノンバンドのフィッティングにはローレンツ関数を用い、解析ソフトＯｒｉｇｉｎを用いてフォノンの波数を求めた。
【００３７】
図２に、
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配置、また、図３に
2009218458.tif 000014
配置の偏光ラマン散乱スペクトルをそれぞれ示す。
図２に示したように、
2009218458.tif 000015
配置においては、Ｔ2（ＴＯ）のみを測定することができ、試料１については、ＴＯ：７９１．４ｃｍ-1、試料２については、ＴＯ：７９０．６ｃｍ-1であった。
なお、Ｔ2（ＬＯ）は、選択則によりこの偏光測定配置では原理的には測定されないが、測定配置の若干のズレにより、弱く観測された。
また、図３に示したように、
2009218458.tif 000016
配置においては、試料１については、ＴＯ：７９１．６ｃｍ-1、ＬＯ：９６９．７ｃｍ-1、試料２については、ＴＯ：７９０．７ｃｍ-1、ＬＯ：９６８．９ｃｍ-1であった。
【００３８】
実施例１、比較例１から、Ｐ偏光斜め入射赤外反射スペクトルでも、偏光ラマンスペクトルでも、試料１よりも反りが大きい試料２の方が、ＴＯもＬＯも、約０．８ｃｍ-1低波数シフトした。これは、Mukaidaらの報告（非特許文献１）と一致するものであり、３Ｃ−ＳｉＣ層にかかる面内２軸引張り応力の増加に起因するものと考えられる。
したがって、３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）／ヘビードープＳｉ（１１１）ウェーハについて、Ｐ偏光斜め入射赤外反射法によっても、ラマン散乱法と同様に、残留応力に対応する波数シフトを観測可能であることが認められた。
【００３９】
［実施例２］
実施例１と同様のヘビードープＳｉ（１１１）基板上に、エピタキシャル成長により、厚さ約１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）層を形成した３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）／Ｓｉ（１１１）ウェーハ試料３を用意した。
一方、前記ヘビードープＳｉ（１１１）基板表面の炭化処理により、厚さ約１０ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）層を形成した３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）／Ｓｉ（１１１）ウェーハ試料４を用意した。
前記試料３，４について、実施例１と同様の赤外反射法により、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンを測定した。
図４に、これらの赤外反射スペクトルを示す。
図４に示したように、試料３については、ＴＯ：７９２．７ｃｍ-1、ＬＯ：９６６．９ｃｍ-1、試料４については、ＴＯ：７９１．４ｃｍ-1、ＬＯ：測定不可であった。
【００４０】
実施例２において、厚さ１０ｎｍの極薄い３Ｃ−ＳｉＣ層については、ＬＯバンドは観測されなかったが、実施例１，２から、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さに対応したＴＯおよびＬＯの変化を観測可能であることが確認され、これらの測定結果は、上述した光学計算シミュレーションによる３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さによるスペクトルの変化の予想とほぼ合致するものであった。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施例１に係る赤外反射スペクトルである。
【図２】比較例１に係るラマン散乱スペクトルである。
【図３】比較例１に係るラマン散乱スペクトルである。
【図４】実施例２に係る赤外反射スペクトルである。
【図５】３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが８００ｎｍの場合の計算シミュレーションによる反射率スペクトルである。
【図６】３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１００ｎｍの場合の計算シミュレーションによる反射率スペクトルである。
【図７】３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１０ｎｍの場合の計算シミュレーションによる反射率スペクトルである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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