(57)【要約】【課題】破損させたり汚染したりすることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】両面粘着テープを介して透明支持板に固定されたウエハをダイシングして半導体チップに分割するダイシング工程と、透明支持板側から個々の半導体チップに光を照射する光照射工程と、半導体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、両面粘着テープは、基材の一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層が形成され、かつ、他方の面に光硬化性樹脂を含有する粘着剤層が形成されたものであり、ダイシング工程においては、両面粘着テープの前記気体発生剤を含有する粘着剤層が透明支持板に、光硬化性樹脂を含有する粘着剤層がウエハに接するようにして接着されており、光照射工程において、半導体チップの中央ほど照射量が多く、端部ほど照射量が少なくなるように光を照射する。【選択図】    図１
2009231476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面粘着テープを介して透明支持板に固定されたウエハをダイシングして半導体チップに分割するダイシング工程と、透明支持板側から個々の半導体チップに光を照射する光照射工程と、前記半導体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、
前記両面粘着テープは、基材の一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層が形成され、かつ、他方の面に光硬化性樹脂を含有する粘着剤層が形成されたものであり、
前記ダイシング工程においては、前記両面粘着テープの前記気体発生剤を含有する粘着剤層が透明支持板に、前記光硬化性樹脂を含有する粘着剤層がウエハに接するようにして接着されており、
前記光照射工程において、半導体チップの中央ほど照射量が多く、端部ほど照射量が少なくなるように光を照射する
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、破損させたり汚染したりすることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップは、通常、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスして半導体ウエハとした後、フォトレジストを利用して半導体ウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いで半導体ウエハ裏面を研削機により研削して、厚さを３０〜３００μｍ程度まで薄くした後、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。
【０００３】
従来から、ダイシングの際には、半導体ウエハ裏面側にダイシング用粘着テープを貼付して、半導体ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々の半導体チップに分離した後、形成された半導体チップをダイシングテープ側からニードル等で突き上げてピックアップし、ダイパッド上に固定させる方法が採られていた。例えば、特許文献１には、複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、半導体ウエハの裏面側より、少なくとも一つの砥石軸で半導体ウエハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの砥石軸で半導体ウエハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行う半導体ウエハの研削加工方法が開示されているが、このような方法にあっても半導体ウエハの位置ずれ等を防止する目的でダイシング用粘着テープが用いられている。
【０００４】
ダイシングの際に半導体ウエハの位置ずれ等を確実に防止するためには、半導体ウエハを固定するダイシング用粘着テープに高い粘着力が求められる。しかしながら、ダイシング用粘着テープの粘着力を高く設定すると、ダイシング用粘着テープから得られた半導体チップを剥離するのが困難になり、ニードル等で突き上げてピックアップする際に半導体ウエハが損傷してしまうことがあるという問題があった。
【０００５】
これに対して、ダイシング用粘着テープの粘着剤として硬化型粘着剤を用いる方法が行われていた。この方法によれば、比較的高い粘着力で半導体ウエハを固定してダイシングを行った後、粘着剤を硬化してその粘着力を低下させた後、得られた半導体チップをダイシング用粘着テープから剥離することができる。しかしながら、硬化型粘着剤を用いたとしても、その粘着力の変化の幅は小さいものであることから、ダイシング時の半導体ウエハの位置ずれ等を充分に防止できる程度に高い粘着力を付与した場合には、硬化後の粘着力もあまり低下しないことから、やはりニードル等で突き上げてピックアップする際に半導体チップを損傷することなく取り上げることは困難であった。
【０００６】
更に、近年ではコスト削減等の要請から高い生産性で半導体チップを生産することが要求されており、各工程においても極限の効率化が求められている。なかでもダイシング後の半導体チップをニードル等で突き上げてピックアップする工程は、ピックアップの速度を上げようとすると破損する半導体チップの数が増加してしまい歩留りに影響することから、生産性向上のための問題点の１つとなっていた。
【０００７】
【特許文献１】特開平７−７８７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、破損させたり汚染したりすることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、両面粘着テープを介して透明支持板に固定されたウエハをダイシングして半導体チップに分割するダイシング工程と、透明支持板側から個々の半導体チップに光を照射する光照射工程と、前記半導体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、前記両面粘着テープは、基材の一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層が形成され、かつ、他方の面に光硬化性樹脂を含有する粘着剤層が形成されたものであり、前記ダイシング工程においては、前記両面粘着テープの前記気体発生剤を含有する粘着剤層が透明支持板に、前記光硬化性樹脂を含有する粘着剤層がウエハに接するようにして接着されており、前記光照射工程において、半導体チップの中央ほど照射量が多く、端部ほど照射量が少なくなるように光を照射する半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１０】
以下に図を交えて本発明の半導体チップの製造方法を詳しく説明する。
本発明の半導体チップの製造方法は、両面粘着テープを介して透明支持板に固定されたウエハをダイシングして半導体チップに分割するダイシング工程と、透明支持板側から個々の半導体チップに光を照射する光照射工程と、前記半導体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有するものである。
【００１１】
上記半導体ウエハとしては、従来公知の方法により調製されたものを用いることができ、例えば、半導体単結晶等をスライスして得たウエハの表面にフォトレジストを利用して回路パターンを形成した後、所定の厚さにまで研削したもの等が挙げられる。
上記半導体ウエハの厚さとしては特に限定されず、従来の１００〜３００μｍ程度のものから、５０μｍ以下のものでも用いることができる。本発明の半導体チップの製造方法は、特に厚さが５０μｍ以下の半導体ウエハから半導体チップを高い生産性で製造するのに適している。
【００１２】
上記両面粘着テープは、基材の一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層（以下、「気体発生粘着剤層」ともいう）が形成され、かつ、他方の面に光硬化性樹脂を含有する粘着剤層（以下、「光硬化性粘着剤層」ともいう）が形成されたものである。
【００１３】
上記基材としては光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリアクリル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ポリウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
【００１４】
上記基材の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。３０μｍ未満であると、上記両面粘着テープの自立性が不足しハンドリングが困難になることがあり、２００μｍを超えると、ピックアップ工程が困難になることがある。
【００１５】
上記気体発生粘着剤層に含有される気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ化合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルプロピル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−エチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２’−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス｛２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン２−イル］プロパン｝ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ハイドロクロライド、２，２’−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオンアミジン］、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミジン］プロパン｝、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２’−アゾビスイソブチレート、４，４’−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れることから２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］等のアゾアミド化合物が好適である。
【００１６】
上記アジド化合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。
【００１７】
上記気体発生剤は、上記気体発生粘着剤中に溶解していることが好ましい。上記気体発生剤が気体発生粘着剤中に溶解していることにより、光を照射したときに気体発生剤から発生した気体が効率よく気体発生粘着剤の外に放出される。上記気体発生粘着剤中に気体発生剤が粒子として存在すると、局所的に発生した気体が粘着剤層を発泡させてしまい、気体が気体発生粘着剤層外に放出されにくくなることがある。更に、気体を発生させる刺激として光を照射したときに粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、気体発生粘着剤の表面平滑性が悪くなったりすることがある。なお、上記気体発生剤が気体発生粘着剤中に溶解していることは、電子顕微鏡により粘着剤層を観察したときに気体発生剤の粒子が見あたらないことにより確認することができる。
【００１８】
上記気体発生剤を気体発生粘着剤中に溶解させるためには、上記気体発生粘着剤を構成する粘着剤に溶解する気体発生剤を選択すればよい。なお、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中に気体発生剤をできるかぎり微分散させることが好ましい。粘着剤層中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発生剤は、微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状態まで分散させることがより好ましい。
【００１９】
上記気体発生粘着剤を構成する粘着剤は、光を照射することにより架橋して弾性率が上昇するものであることが好ましい。このような粘着剤を用いれば、気体を発生させるのに先立って架橋させれば粘着剤層全体の弾性率が上昇し、弾性率が上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出される。
【００２０】
このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤が挙げられる。
【００２１】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
【００２２】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。
【００２３】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００２４】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００２５】
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５，０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２６】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記光重合開始剤を用いる場合には、酸素による上記光硬化型粘着剤の硬化阻害を防止するために、２ｐｈｒ以上配合することが好ましい。
【００２７】
上記気体発生粘着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３μｍ、好ましい上限は５０μｍである。３μｍ未満であると、接着力が不足しダイシング時にチップとびが発生することがあり、５０μｍを超えると、接着力が高すぎることがある。
【００２８】
上記光硬化性粘着剤層を構成する粘着剤としては、例えば、上述の光硬化型粘着剤を用いることができる。
上記光硬化性粘着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３μｍ、好ましい上限は５０μｍである。３μｍ未満であると、接着力が不足しダイシング時にチップとびが発生することがあり、５０μｍを超えると、接着力が高すぎることがある。
【００２９】
本発明の半導体チップの製造方法では、まず、両面粘着テープを介して透明支持板に固定されたウエハをダイシングして半導体チップに分割するダイシング工程を行う（図１（ａ）、（ｂ））。
上記透明支持板としては、充分な強度を有し、かつ、光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、ガラス板、ポリカーボネート等の硬質樹脂からなる樹脂板等が挙げられる。
【００３０】
上記ダイシング工程においては、上記両面粘着テープの気体発生粘着剤層が透明支持板に、光硬化性粘着剤層がウエハに接するようにして接着されている。
図１（ａ）においては、ウエハ１と透明支持板２とは、両面粘着テープ３を介して固定されている。両面粘着テープ３は、基材３１の両面に光硬化性粘着剤層３２と気体発生粘着剤層３３とが形成されており、光硬化性粘着剤層３２がウエハ１に、気体発生粘着剤層３３が透明支持板２に接している。
【００３１】
上記ダイシング工程においては、両面粘着テープを介して透明支持板に固定された状態でウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割する（図１（ｂ））。
上記ダイシングの方法としては特に限定されず、例えば、従来公知の砥石等を用いて切断分離する方法等を用いることができる。
【００３２】
本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、透明支持板側から個々の半導体チップに光を照射する光照射工程を行う。
光照射することにより、上記気体発生粘着剤層中に含まれる気体発生剤より気体が発生し、該気体が上記気体発生粘着剤層と透明支持板との間に放出される。個々の半導体チップにピンポイントで光を照射した場合には、該半導体チップの直下にのみ気体が放出されるので、その部分に「空気溜まり」が生じる（図１（ｃ）の４）。空気溜まりの生成により、その部分の両面粘着テープは凸状に変形して、半導体チップが押出される。半導体チップを接着していた上記両面粘着テープの光硬化性粘着剤層も光照射により粘着力を失っていることから、押出された半導体チップは、光硬化性粘着剤層からほとんど剥離した状態で、凸上に変形した両面粘着テープの頂点部に置かれることになる（図１（ｃ））。このような状態の半導体チップは、ニードルレスピックアップ法により容易に取り上げることができる。
【００３３】
上記光照射工程においては、個々の半導体チップへの光の照射方法も重要である。
個々の半導体チップにピンポイントで光を照射する方法としては、例えば、半導体チップの形状に合わせたマスクを用いる方法が考えられる。このとき、半導体チップの全面に均一に光が照射されるような形状のマスクを選択した場合（図１（ｂ’））であっても、上述のように該半導体チップの直下に空気溜まりが発生して、ニードルレスピックアップが可能なように半導体チップが押出される。
【００３４】
しかしながら、半導体チップの全面に均一に光を照射すると、連続的にピックアップを行うことが困難となる。即ち、半導体チップの全面に均一に光を照射した場合、発生する空気溜まりの大きさも半導体チップの大きさと略同一となる。このような大きな空気溜まりが発生すると、該半導体チップに隣接する半導体チップにも影響が波及し、これらの半導体チップが傾いた状態で押出されることになる（図１（ｃ’））。このように傾いた状態で押出された半導体ウエハは取り上げるのが困難である。更に、光照射を連続して行っていくと発生した空気溜まり同士が繋がってしまい、その場合には上述の押出し効果は得られなくなってしまう。
【００３５】
本発明においては、上記光照射工程において、半導体チップの中央ほど照射量が多く（以下、「高照射領域」ともいう）、端部ほど照射量が少なくなるように光を照射する（以下、「低照射領域」ともいう）。
即ち、半導体チップの中央においては、上記気体発生粘着剤層中の気体発生剤から確実に気体が発生するように充分な照射量の光を照射する。一方、半導体チップの端部においては、気体発生剤から気体が発生しないが、上記光硬化性粘着剤層を確実に硬化させる程度の照射量の光を照射する。
【００３６】
上記気体発生剤から確実に気体が発生する照射量としては、用いる気体発生剤の種類にもよるが、２０００ｍＪ／ｃｍ２以上であることが好ましい。より好ましくは３０００ｍＪ／ｃｍ２以上である。
上記気体発生剤から気体が発生しないが、上記光硬化性粘着剤層を確実に硬化させる照射量としては、用いる気体発生剤及び光硬化性粘着剤の種類にもよるが、好ましくは５００ｍＪ／ｃｍ２〜２０００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ２〜１５００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００３７】
上記高照射領域の範囲としては特に限定されないが、半導体ウエハの全面積を１００としたときの半導体ウエハの中心部からの面積比で好ましい下限が２０、好ましい上限は８０である。２０未満であると、半導体ウエハを押出せるほどの空気溜まりが発生しないことがあり、８０を超えると、連続ピックアップが困難になることがある。より好ましい下限は４０、より好ましい上限は６０である。
なお、上記高照射領域と低照射領域との移行は、連続的であってもよく、非連続的であってもよい。
【００３８】
上記光照射工程において、半導体チップの中央ほど照射量が多く、端部ほど照射量が少なくなるように光を照射する方法としては特に限定されないが、例えば、半導体チップの形状に合わせたマスクにおいて、（１）半導体チップに対応した部分に色によるグラディエーションをつける（図２（ａ））、（２）半導体チップに対応した部分に網掛けによるグラディエーションをつける（図２（ｂ））、（３）半導体チップに対応した部分の端部に対応した部分に傾斜をつけ、光の回折現象により照射量を調整する（図２（ｃ））等が挙げられる。
【００３９】
上記光照射の際の照射強度としては特に限定されないが、効率等の面から３０００ｍＷ／ｃｍ２以上の光を照射することが好ましい。
【００４０】
本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、半導体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げるピックアップ工程を行う。
上記光照射工程により、個々の半導体チップは凸上に変形した両面粘着テープの頂点部に置かれた状態となっていることから、ニードルレスピックアップ法により容易に取り上げることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、破損させたり汚染したりすることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体チップの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００４３】
（両面粘着テープの調製）
（１）光硬化性粘着剤層用粘着剤の調製
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０万のアクリル共重合体からなる光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
・２エチルヘキシルアクリレート      ９１重量部
・ブチルアクリレート                  ３重量部
・アクリル酸                          ２重量部
・２−ヒドロキシエチルアクリレート    ４重量部
・光重合開始剤                    ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
・ラウリルメルカプタン          ０．０１重量部
得られた光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート１．０重量部を混合し、光硬化性粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
【００４４】
（２）気体発生粘着剤層用粘着剤の調製
（１）で得られた光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、グリシジルアジドポリマー（ＧＡＰ５００３；日本油脂社製）を１０重量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート１．０重量部を混合し、気体発生粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
【００４５】
（３）両面粘着テープの作製
光硬化性粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を、両面にコロナ処理を施した厚さ３８μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムのコロナ処理を施した面上に乾燥皮膜の厚さが約３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。乾燥後の光硬化性粘着剤層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムをラミネートした。
次に、気体発生粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約４０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の気体発生粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。
次いで、光硬化性粘着剤層を設けたコロナ処理を施したＰＥＴフィルムの光硬化性粘着剤層のないコロナ処理を施した面と、気体発生粘着剤層を設けた離型処理が施されたＰＥＴフィルムの気体発生粘着剤層の面とを貼り合わせた。その後、４０℃、３日間静置して養生を行った。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面が離型処理が施されたＰＥＴフィルムで保護された両面粘着テープを得た。
【００４６】
（実施例１）
両面粘着テープの光硬化性粘着剤層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直径２０ｃｍ、厚さ約５０μｍシリコンウエハに貼り付け、一方、気体発生粘着剤層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直径２０．４ｃｍのガラス板を真空プレス機を用いて粘着剤層に貼り付けてサンプルを作製した。次いで、シリコンウエハを５mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
【００４７】
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になるように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から図２（ａ）に示したマスクを用いて、表１に示した照射強度にて２秒間、紫外線を照射した。なお、紫外線の照射には、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。
【００４８】
紫外線照射後の半導体チップを吸引パッドで吸着して取り上げた。
隣接する１０枚の半導体チップを連続して取り上げたときに、各半導体チップが破損することなくピックアップできた場合を〇、破損又は取り上げ自体ができなかった場合を×と評価した。結果を表１に示した。
【００４９】
（実施例２）
図２（ｂ）に示したマスクを用いて、表１に示した照射強度にて２秒間、紫外線を照射以外は実施例１と同様にして半導体チップの取り上げを行った。
【００５０】
（実施例３）
図２（ｃ）に示したマスクを用いて、表１に示した照射強度にて２秒間、紫外線を照射以外は実施例１と同様にして半導体チップの取り上げを行った。
【００５１】
（比較例１）
半導体チップの全面に均一に光照射がされるマスクを用いて、表１に示した照射強度にて２秒間、紫外線を照射以外は実施例１と同様にして半導体チップの取り上げを行った。
【００５２】
（比較例２）
半導体チップの中央部分（面積比３０）のみ光照射がされるマスクを用いて、表１に示した照射強度にて２秒間、紫外線を照射以外は実施例１と同様にして半導体チップの取り上げを行った。
【００５３】
【表１】
2009231476.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、破損させたり汚染したりすることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体チップの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の半導体ウエハの製造方法を説明する模式図である。
【図２】光照射工程において用いるマスクの例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  ウエハ
２  透明支持板
３  両面粘着テープ
３１  基材
３２  光硬化性粘着剤層
３３  光硬化性粘着剤層
４、４’  空気溜まり
【図２】
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【図１】
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