(57)【要約】【課題】レーザ駆動回路の構成を簡易にする。【解決手段】レーザ駆動回路３９は、レーザダイオード３３のカソードにレーザドライバ３２を接続し、レーザダイオード３３のアノードに電源回路４１及びサーミスタ５５の一端を接続すると共に、当該サーミスタ５５の他端を設地する。さらにレーザ駆動回路３９は、電源回路４１から供給される電源の電圧及び電流、レーザダイオード３３に流れる電流のレーザ駆動電流値Ｉｏｐであるべき制御電流値に基づいてサーミスタ５５の抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出し、当該抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏが表すサーミスタ５５の周辺温度であるＬＤ近傍温度に基づいて照射光強度を調整するようレーザドライバ３２を制御するようにした。【選択図】図５
2009176332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに照射すべきレーザ光を出射するレーザダイオードと、
上記レーザダイオードのアノードに接続され、当該レーザダイオードに対して電力を供給する電源回路と、
上記レーザダイオードのカソードに接続され、上記レーザ光が出射されるときの出射光強度を制御するレーザドライバと、
一端が上記アノードに接続されると共に他端が接地されており、上記レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、
上記レーザダイオード及び上記温度可変抵抗素子に供給される電流の値である供給電流値を検出する供給電流値検出部と、
上記レーザダイオードに流れる電流の値であるレーザ駆動電流値を検出するレーザ電流検出部と、
上記レーザダイオードに印加される電圧の値である印加電圧値、上記供給電流値及び上記レーザ駆動電流値に基づいて上記温度可変抵抗素子の抵抗値を算出する抵抗値算出部と、
上記抵抗値と対応する上記温度可変抵抗素子近傍の温度に基づいて上記レーザドライバを制御することにより、上記レーザ光が上記光ディスクに照射されるときの照射光強度を調整する制御部と
を具えることを特徴とする光ディスクドライブ。
【請求項２】
上記出射光強度を検出する出射光強度検出部
を具え、
上記制御部は、
上記出射光強度検出部によって検出される出射光強度を上記温度可変抵抗素子近傍の温度に応じた任意の設定光強度になるよう上記レーザドライバを制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスクドライブ。
【請求項３】
上記印加電圧値を検出し、検出された当該印加電圧値を上記抵抗値算出部に供給する抵抗値検出部
を具えることを特徴とする請求項１に記載の光ディスクドライブ。
【請求項４】
上記電流検出部は、
上記電源回路が供給する電流を検出するために上記電源回路内に設けられた電源電流検出部である
ことを特徴とする請求項２に記載の光ディスクドライブ。
【請求項５】
上記電圧検出部は、
上記電源回路が印加する電圧を検出するために上記電源回路内に設けられた電源電圧検出部である
ことを特徴とする請求項４に記載の光ディスクドライブ。
【請求項６】
上記電源回路は、
上記レーザダイオードに対して印加する電圧値を一定の値になるよう調整し、
上記抵抗値算出部は、
上記一定の値を上記印加電圧値として用いることにより上記温度可変抵抗素子の抵抗値を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスクドライブ。
【請求項７】
上記制御部は、
上記抵抗値から上記温度可変抵抗素子近傍の温度を特定し、基準の温度において設定されるべき上記出射光強度を表す基準設定光強度に対して上記温度可変抵抗素子近傍の温度に対応する温度係数を乗算した値を上記設定光強度に決定する
ことを特徴とする請求項２に記載の光ディスクドライブ。
【請求項８】
上記制御部は、
予め記憶された上記抵抗値と温度とが対応付けられたテーブルから上記抵抗値と対応する温度を上記温度可変抵抗素子近傍の温度として選定する
ことを特徴とする請求項３に記載の光ディスクドライブ。
【請求項９】
上記制御部は、
上記抵抗値に対して所定の係数を乗算することにより上記温度可変抵抗素子近傍の温度を算出する
ことを特徴とする請求項３に記載の光ディスクドライブ。
【請求項１０】
上記制御部は、
予め記憶されたテーブルから上記抵抗値と対応する光強度を選定し、当該選定された光強度を上記設定光強度に決定する
ことを特徴とする請求項２に記載の光ディスクドライブ。
【請求項１１】
上記レーザドライバは、
上記レーザ駆動電流値が任意の制御電流値になるよう制御し、
上記制御部は、
上記制御電流値を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスクドライブ。
【請求項１２】
光ディスクに照射すべきレーザ光を出射するレーザダイオードと、
上記レーザダイオードのアノードに接続され、当該レーザダイオードに対して電力を供給する電源回路と、
上記レーザダイオードのカソードに接続され、上記レーザダイオードに流れる電流の値であるレーザ駆動電流値が任意の制御電流値になるよう制御することにより、上記レーザ光が出射されるときの出射光強度を制御するレーザドライバと、
一端が上記アノードに接続されると共に他端が接地されており、上記レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、
上記レーザダイオード及び上記温度可変抵抗素子に供給される電流の値である供給電流値を検出する電流値検出部と、
上記レーザダイオードに印加される電圧の値である印加電圧値、上記供給電流値及び上記制御電流値に基づいて上記温度可変抵抗素子の抵抗値を算出する抵抗値算出部と、
上記抵抗値と対応する上記温度可変抵抗素子近傍の温度に基づいて上記制御電流値を決定する制御部と
を具えることを特徴とする光ディスクドライブ。
【請求項１３】
レーザ光を出射するレーザダイオードと、
上記レーザダイオードのアノードに接続され、当該レーザダイオードに対して電力を供給する電源回路と、
上記レーザダイオードのカソードに接続され、上記レーザ光が出射されるときの出射光強度を制御するレーザドライバと、
一端が上記アノードに接続されると共に他端が接地されてなり、上記レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、
上記レーザダイオード及び上記温度可変抵抗素子に供給される電流の値である供給電流値を検出する供給電流値検出部と、
上記レーザダイオードに流れる電流の値であるレーザ駆動電流値を検出するレーザ電流検出部と、
上記レーザダイオードに印加される電圧の値である印加電圧値、上記供給電流値及び上記レーザ駆動電流値に基づいて上記温度可変抵抗素子の抵抗値を算出する抵抗値算出部と、
上記抵抗値と対応する上記温度可変抵抗素子近傍の温度に基づいて上記レーザドライバを制御することにより、上記レーザ光が上記光ディスクに照射されるときの照射光強度を調整する制御部と
を具えることを特徴とするレーザ駆動回路。
【請求項１４】
光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップにおいて、
電力を供給する電源回路に対してアノードが接続され、上記レーザ光を出射するレーザダイオードと、
一端が上記アノードに接続されると共に他端が接地されてなり、上記レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、
上記レーザダイオードのカソードに接続され、上記レーザ光が出射されるときの出射光強度を制御するレーザドライバと
を具えることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項１５】
電力を供給する電源回路に対してアノードが接続され、電流を制御するレーザドライバに対してカソードが接続されるレーザダイオードと、
一端が上記アノードに接続されると共に他端が接地されてなり、上記レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と
を具えることを特徴とする温度検出回路。
【請求項１６】
電力を供給する電源回路に対してアノードが接続され、電流を制御するレーザドライバに対してカソードが接続されるレーザダイオードと、
一端が上記アノードに接続されると共に他端が接地されてなり、上記レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、
上記レーザダイオード及び上記温度可変抵抗素子を内包すると共に上記アノード及び上記カソードを表出させるパッケージと
を具えることを特徴とするレーザダイオードパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスクドライブ、レーザ駆動回路、光ピックアップ、温度検出回路及びレーザダイオードパッケージに関し、レーザダイオードの温度検出を行う場合に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスクドライブにおけるレーザ光の光源として、レーザダイオードが広く用いられている。
【０００３】
レーザダイオードの温度は環境による温度変化やレーザ光の出射に伴う発熱により変化するが、当該発熱の影響によってレーザ光の波長や出力が変化してしまい、また過度な発熱によってレーザダイオード自体が破損するという問題もある。
【０００４】
このため図１に示すような温度検出回路１が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この温度検出回路１では、入力ピン２とグランドＧＮＤの間に所定の抵抗値でなる抵抗器３と温度に応じて抵抗値の変化するサーミスタ４とが直列に接続されている。
【０００５】
そして温度検出回路１では、入力ピン２から供給され、電源電圧値Ｖｃｃでなる電圧を当該抵抗器３及びサーミスタ４の間で分圧させると共に、当該分圧されたサーミスタモニタ電圧値Ｖｍｏｎでなる電圧を出力ピン６から出力するようになされている。
【０００６】
この温度検出回路１では、周囲の温度に応じてサーミスタ４の抵抗値が変化するのに伴い、当該サーミスタ４におけるサーミスタ抵抗値Ｒｔｈの値が変化するため、周囲の温度に応じて出力ピン６から出力されるサーミスタモニタ電圧値Ｖｍｏｎも変化する。
【０００７】
光ディスクドライブは、入力ピン２に対して印加される電圧の電源電圧値Ｖｃｃ、サーミスタモニタ電圧値Ｖｍｏｎ及び抵抗器３の抵抗値Ｒの関係から、サーミスタ４の抵抗値Ｒｔｈを算出することができ、当該抵抗値Ｒｔｈから当該サーミスタ４近傍の温度を検出することができる。
【０００８】
例えば図２に示すようにレーザ駆動回路９では、光ピックアップ１０内におけるレーザダイオード７の近傍に温度検出回路１のサーミスタ４が配置されると共に、レーザダイオード７のカソードにレーザドライバ３２が接続されている。
【０００９】
また光ピックアップ１０の外側に配設されるドライブ側回路１１には、Ｖｍｏｎ検出部１４が設置され、温度検出用回路１の入力ピン２が接続される。さらにドライブ側回路１１には、レーザダイオード７に電流を供給するためのレーザ用電源回路１３が設置され、レーザダイオード７のアノードが接続されると共に、温度検出用回路１の出力ピン６が接続されている。
【００１０】
Ｖｍｏｎ検出部１４は、入力ピン２から出力されるサーミスタモニタ電圧Ｖｍｏｎを検出すると、これらをシステムコントローラ２１の温度演算部２１Ａに供給する。またレーザ用電源回路１３は、出力ピン６に対して印加する電源電圧Ｖｃｃを検出すると、これを温度演算部２１Ａに供給する。
【００１１】
システムコントローラ２１は、温度演算部２１Ａによってレーザダイオード７近傍には位置されたサーミスタ４周辺の温度、すなわちレーザダイオード近傍の温度（以下、これをＬＤ近傍温度と呼ぶ）を算出すると、当該ＬＤ近傍温度に基づいたレーザダイオード７の制御が行われるようになされている。  
【特許文献１】特開２００６−７９７２８号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところが上述した構成の温度検出回路１では、電源電圧値Ｖｃｃ及びサーミスタモニタ電圧値Ｖｍｏｎを検出するために、出力ピン６をＶｍｏｎ検出部１４に接続する必要があるため、独立のピンを用意させなければならない。レーザ駆動回路９では、光ピックアップ１０とドライブ側回路１１とを接続するため温度検出用に別途配線する必要があり、当該レーザ駆動回路９としての構成が複雑になるという問題があった。
【００１３】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、簡易な構成のレーザ駆動回路を有する光ディスクドライブ、簡易な構成のレーザ駆動回路、並びにレーザ駆動回路の構成を簡易にし得る光ピックアップ、温度検出回路及びレーザダイオードパッケージを提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
かかる課題を解決するため本発明の光ディスクドライブにおいては、光ディスクに照射すべきレーザ光を出射するレーザダイオードと、レーザダイオードのアノードに接続され、当該レーザダイオードに対して電力を供給する電源回路と、レーザダイオードのカソードに接続され、レーザ光が出射されるときの出射光強度を制御するレーザドライバと、一端がアノードに接続されると共に他端が接地されており、レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、レーザダイオード及び温度可変抵抗素子に供給される電流の値である供給電流値を検出する供給電流値検出部と、レーザダイオードに流れる電流の値であるレーザ駆動電流値を検出するレーザ電流検出部と、レーザダイオードに印加される電圧の値である印加電圧値、供給電流値及びレーザ駆動電流値に基づいて温度可変抵抗素子の抵抗値を算出する抵抗値算出部と、抵抗値と対応する温度可変抵抗素子近傍の温度に基づいてレーザドライバを制御することにより、レーザ光が光ディスクに照射されるときの照射光強度を調整する制御部とを設けるようにした。
【００１５】
これにより、レーザダイオードと電源回路及びレーザドライバとが接続された回路の一部として温度可変抵抗素子を接続することができるため、温度検出用電源回路と温度可変抵抗素子とを接続するための配線を省略することができ、光ピックアップとドライブ側回路とを接続するための配線数を削減することができる。
【００１６】
また本発明の光ディスクドライブにおいては、光ディスクに照射すべきレーザ光を出射するレーザダイオードと、レーザダイオードのアノードに接続され、当該レーザダイオードに対して電力を供給する電源回路と、レーザダイオードのカソードに接続され、レーザダイオードに流れる電流の値であるレーザ駆動電流値が任意の制御電流値になるよう制御することにより、レーザ光が出射されるときの出射光強度を制御するレーザドライバと、一端がアノードに接続されると共に他端が接地されており、レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、レーザダイオード及び温度可変抵抗素子に供給される電流の値である供給電流値を検出する電流値検出部と、レーザダイオードに印加される電圧の値である印加電圧値、供給電流値及び制御電流値に基づいて温度可変抵抗素子の抵抗値を算出する抵抗値算出部と、抵抗値と対応する温度可変抵抗素子近傍の温度に基づいて制御電流値を決定する制御部とを設けるようにした。
【００１７】
これにより、レーザダイオードと電源回路及びレーザドライバとが接続された回路の一部として温度可変抵抗素子を接続することができるため、温度検出用電源回路と温度可変抵抗素子とを接続するための配線を省略することができ、光ピックアップとドライブ側回路とを接続するための配線数を削減することができる。
【００１８】
さらに本発明のレーザ駆動回路においては、レーザ光を出射するレーザダイオードと、レーザダイオードのアノードに接続され、当該レーザダイオードに対して電力を供給する電源回路と、レーザダイオードのカソードに接続され、レーザ光が出射されるときの出射光強度を制御するレーザドライバと、一端がアノードに接続されると共に他端が接地されてなり、レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、レーザダイオード及び温度可変抵抗素子に供給される電流の値である供給電流値を検出する供給電流値検出部と、レーザダイオードに流れる電流の値であるレーザ駆動電流値を検出するレーザ電流検出部と、レーザダイオードに印加される電圧の値である印加電圧値、供給電流値及びレーザ駆動電流値に基づいて温度可変抵抗素子の抵抗値を算出する抵抗値算出部と、抵抗値と対応する温度可変抵抗素子近傍の温度に基づいてレーザドライバを制御することにより、レーザ光が光ディスクに照射されるときの照射光強度を調整する制御部とを設けるようにした。
【００１９】
これにより、レーザダイオードと電源回路及びレーザドライバとが接続された回路の一部として温度可変抵抗素子を接続することができるため、温度検出用電源回路と温度可変抵抗素子とを接続するための配線を省略することができ、光ピックアップとドライブ側回路とを接続するための配線数を削減することができる。
【００２０】
さらに本発明の光ディスクに対してレーザ光を照射する光ピックアップにおいては電力を供給する電源回路に対してアノードが接続され、レーザ光を出射するレーザダイオードと、一端がアノードに接続されると共に他端が接地されてなり、レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、レーザダイオードのカソードに接続され、レーザ光が出射されるときの出射光強度を制御するレーザドライバとを設けるようにした。
【００２１】
これにより、レーザダイオードと電源回路及びレーザドライバとが接続された回路の一部として温度可変抵抗素子を接続することができるため、温度検出用電源回路と温度可変抵抗素子とを接続するための配線を省略することができ、光ピックアップとドライブ側回路とを接続するための配線数を削減することができる。
【００２２】
さらに本発明の温度検出回路においては、電力を供給する電源回路に対してアノードが接続され、電流を制御するレーザドライバに対してカソードが接続されるレーザダイオードと、一端がアノードに接続されると共に他端が接地されてなり、レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子とを設けるようにした。
【００２３】
これにより、レーザダイオードと電源回路及びレーザドライバとが接続された回路の一部として温度可変抵抗素子を接続することができるため、温度検出用電源回路と温度可変抵抗素子とを接続するための配線を省略することができ、光ピックアップとドライブ側回路とを接続するための配線数を削減することができる。
【００２４】
さらに本発明のレーザダイオードパッケージにおいては、電力を供給する電源回路に対してアノードが接続され、電流を制御するレーザドライバに対してカソードが接続されるレーザダイオードと、一端がアノードに接続されると共に他端が接地されてなり、レーザダイオードの近傍に配置された温度可変抵抗素子と、レーザダイオード及び温度可変抵抗素子を内包すると共にアノード及びカソードを表出させるパッケージとを設けるようにした。
【００２５】
これにより、レーザダイオードと電源回路及びレーザドライバとが接続された回路の一部として温度可変抵抗素子を接続することができるため、温度検出用電源回路と温度可変抵抗素子とを接続するための配線を省略することができ、光ピックアップとドライブ側回路とを接続するための配線数を削減することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、レーザダイオードと電源回路及びレーザドライバとが接続された回路の一部として温度可変抵抗素子を接続することができるため、温度検出用電源回路と温度可変抵抗素子とを接続するための配線を省略することができ、光ピックアップとドライブ側回路とを接続するための配線数を削減することができ、かくして簡易な構成のレーザ駆動回路を有する光ディスクドライブ、並びにレーザ駆動回路の構成を簡易にし得る光ピックアップ、温度検出回路及びレーザダイオードパッケージを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００２８】
（１）光ディスクドライブ及び光ピックアップの構成
図１及び図２との対応部分に同一符号を附して示す図３において、２０は全体として光ディスクドライブを示している。この光ディスクドライブ２０は、図示しないＣＰＵ（Central  Processing  Unit  ）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）及びＲＡＭ（Random  Access  Memory）から構成されるシステムコントローラ２１によって統括制御されている。
【００２９】
システムコントローラ２１は、ＲＯＭに格納されている基本プログラムやレーザ駆動プログラム等をＲＡＭに展開することによって、これらのプログラムに基づいて例えばＢＤ（Blu-ray  Disc、登録商標）方式でなる光ディスク１００に対する再生処理及び記録処理を実行するようになされている。
【００３０】
システムコントローラ２１は、再生処理の際、光ディスク１００から読み出すデータを特定するためのアドレス情報と共に、データ読出命令を駆動制御部２３へ送出する。
【００３１】
駆動制御部２３は、システムコントローラ２１からのデータ読出命令に応じて、スピンドルモータ２４を制御することにより光ディスク１００を所定の回転速度で回転させると共に、データ読出命令及びアドレス情報を基にスレッドモータ２５を制御することにより、光ピックアップ３０を当該光ディスク１００の径方向に移動させる。
【００３２】
そしてシステムコントローラ２１は、光ディスク１００の情報記録層におけるアドレス情報に応じたトラックに対し、光ピックアップ３０のレーザドライバ３２を介してレーザダイオード３３から例えば４０５［ｎｍ］でなる光ビームを発射させ、対物レンズ３７によって光ビームを集光して光ディスク１００に照射する。
【００３３】
すなわち図４に示すように、光ピックアップ３０のレーザダイオード３３は、レーザドライバ３２から供給される駆動電流に応じた光量で光ディスク１００の各方式に対応したレーザ光でなる光ビームを出射し、ビームスプリッタ３４へ入射する。
【００３４】
ビームスプリッタ３４は、入射された光ビームの大部分をそのまま透過させ、コリメータレンズ３５へ入射する。コリメータレンズ３５は、発散光として入射された光ビームを平行光に変換し、立上プリズム３６へ入射する。
【００３５】
立上プリズム３６は、入射された光ビームを反射してその方向を９０[°]変化させ、当該光ビームを対物レンズ３７に入射する。そして対物レンズ３７は、光ビームを集光し光ディスク１００に照射する。
【００３６】
また対物レンズ３７は、光ビームが光ディスク１００によって反射されてなる反射光ビームを受光し、立上プリズム３６と、コリメータレンズ３５とを介してビームスプリッタ３４に入射させる。
【００３７】
ビームスプリッタ３４は入射された反射光ビームを偏光面で反射し、その方向を９０[°]変化させ、集光レンズ３８を介してフォトディテクタ３９に入射する。そして、フォトディテクタ３９は反射光ビームを光電変換して受光信号を生成し、当該検出信号を信号処理部２６（図３）へ供給する。
【００３８】
信号処理部２６は、受光信号を基に、光ビームの所望のトラックに対する照射位置のずれ量に応じたトラッキングエラー信号と光ディスク１００の情報記録層に対する光ビームの焦点のずれ量に応じたフォーカスエラー信号とを生成してこれらを駆動制御部２３及びシステムコントローラ２１へ送出すると共に、当該受光信号を基に再生ＲＦ信号を生成し、外部機器（図示せず）へ送出する。
【００３９】
駆動制御部２３は、トラッキングエラー信号及びフォーカスエラー信号に基づいてトラッキング駆動電流、フォーカス駆動電流を生成し、これらを図示しないレンズ駆動部へ送出する。これに応じてレンズ駆動部は、対物レンズ３７を光ディスクの径方向であるトラッキング方向及び当該光ディスクに近接する又は離隔するフォーカス方向の２方向へ駆動させることにより、光ビームの焦点を光ディスク１００の所望のトラックに合致させる。
【００４０】
このように光ディスクドライブ２０では、光ディスクに対する情報の再生及び記録処理を行うようになされている。
【００４１】
ここでレーザダイオード３３は、同一の駆動電流が流された場合であっても、温度変化や経時劣化に応じて出力する光ビームの出射光強度を変化させてしまう。そこで光ピックアップ３０では、レーザダイオード３３の出力する光ビームの出射光強度を検出し、当該出射光強度を再生及び記録処理に適した値にするよう当該駆動電流を調整するようになされている。
【００４２】
すなわち光ピックアップ３０のビームスプリッタ３４（図４）は、その偏光面によって光ビームからその一部を所定の光量比で反射させることによって分離し、これをＡＰＣ（Auto  Power  Control）用レンズ４５により集光してＡＰＣ用光検出器４６により光量を検出し、当該光量に応じた電流値でなるＡＰＣ検出電流を生成してレーザドライバ３２へ供給する。
【００４３】
レーザドライバ３２は、このＡＰＣ検出電流の電流値（以下、これをＡＰＣ検出電流値と呼ぶ）と設定電流値とを比較し、当該ＡＰＣ検出電流の電流値と当該設定電流値とが一致するように、レーザダイオード３３に供給する駆動電流を増減することにより、レーザダイオード３３から出射される光ビームの強度（以下、これを出射光強度と呼ぶ）を調整する。
【００４４】
すなわちシステムコントローラ２１（図３）は、再生処理の際、予めＲＯＭに記憶された基準設定電流値に基づいて設定電流値を決定し、これをレーザパワー制御信号ＳＬＤとしてレーザドライバ３２に供給する。
【００４５】
レーザドライバ３２は、ＡＰＣ検出電流がこのレーザパワー制御信号ＳＬＤの表す設定電流値になるよう調整することにより、発光させる光ビームの強度を再生に適した所定の値に制御するようになされている。
【００４６】
またシステムコントローラ２１は、記録処理の際、光ディスク１００の情報記録層にデータを記録する箇所を指定するためのアドレス情報と共に、データ書込命令を駆動制御部２３へ送出する。駆動制御部２３は、供給されたアドレス情報に基づき光ピックアップ３０の位置を制御する。
【００４７】
さらにシステムコントローラ２１は、外部機器（図示せず）等から入力された書込データに基づいてレーザパワー制御信号ＳＬＤを生成し、これをレーザドライバ３２へ送出する。
【００４８】
レーザドライバ３２は、ＡＰＣ検出電流がこのレーザパワー制御信号ＳＬＤの表す設定電流値になるよう調整することにより、発光させる光ビームの強度を記録に適した所定の値に制御するようになされている。
【００４９】
これに応じて光ピックアップ３０は、光ディスク１００の情報記録層におけるアドレス情報に応じたトラックに光ビームの焦点を合わせ、レーザドライバ３２の制御により、データの記録に適した強度に調整された光ビームを照射することにより、書込データを当該光ディスク１００に記録していく。
【００５０】
このように光ピックアップ３０は、ＡＰＣ用光検出器４６によって実際に出力された光ビームの出射光強度をモニタリングすることにより、データの記録及び再生処理の際、光ディスク１００に対して設定電流値に応じた出射光強度でなる光ビームを照射し得るようになされている。
【００５１】
（２）本発明によるレーザダイオードの温度検出
ところで上述したように、レーザダイオード３３は、周囲の環境による温度変化や、レーザダイオード３３の発熱に応じてレーザダイオード３３自身の温度が変化すると、出力する光ビームの出射光強度だけでなく、波長をも変化させることが知られている。
【００５２】
光ピックアップ３０は、当該光ピックアップ３０内に配置された光学部品の特性により、光ビームの波長の変化に応じて、光ビームを光ディスク１００に照射するときの光強度（以下、これを照射光強度と呼ぶ）を変化させてしまう。
【００５３】
すなわち光ピックアップ３０は、レーザダイオード３３から出射する光ビームの出射光強度を一定にした場合、温度変化によって照射光強度を変化させてしまうことになる。
【００５４】
この光ディスクドライブ２０では、レーザダイオード３３の近傍にサーミスタ５５を配置し、周辺の温度に伴って変化するサーミスタ５５の温度をレーザダイオード３３近傍の温度を表すＬＤ近傍温度として検出する。そして光ディスクドライブ２０では、ＬＤ近傍温度に応じて光ビームの出射光強度を調整することにより、所望の照射光強度でなる光ビームを光ディスク１００に照射するようになされている。
【００５５】
図５に示すように、光ディスクドライブ２０は、レーザダイオード３３を駆動するためのレーザ駆動回路３９を有している。このレーザ駆動回路３９は、光ピックアップ３０の内部及び光ピックアップ３０の外部のドライブ側回路４０に物理的に離隔した状態で形成されている。この光ピックアップ３０及びドライブ側回路４０は、例えばＦＰＣ（Flexible  Printed  Circuit）上により接続されている。
【００５６】
光ピックアップ３０内部にはレーザダイオード３３及びサーミスタ５５を有する温度検出回路５０並びにレーザドライバ３２が配置されている。またドライブ側回路４０には、レーザダイオード３３に電力を供給する電源回路４１及びレーザダイオード３３に流れるべき制御電流値を決定するシステムコントローラ２１が配置されている。
【００５７】
このレーザ駆動回路３９では、入力ピン５１を介してレーザダイオード３３のアノードに電源回路４１が接続されている。電源回路４１は、温度検出回路５０に対して印加する電圧の値（以下、これを電源電圧値と呼ぶ）Ｖｃｃが所定の電圧値（例えば８Ｖ）になるように、当該電源電圧値Ｖｃｃを常に監視し、フィードバック制御する。また電源回路４１は、例えば過電流を防止するため、温度検出回路５０に対して供給する電流の値（以下、これを電源電流値と呼ぶ）Ｉｃｃを常に監視するようになされている。
【００５８】
またレーザ駆動回路３９では、出力ピン５６を介してレーザダイオード３３のカソードにレーザドライバ３２が接続されている。レーザドライバ３２は、レーザ駆動電流値Ｉｏｐがシステムコントローラ２１から供給されるレーザパワー制御信号ＳＬＤの表す制御電流値になるようレーザダイオード３３に流れる電流を引き込んで調整するようになされている。
【００５９】
ここで青色レーザ光を出射する一般的なレーザダイオードでは、電流を引き込むように制御することにより高速応答性を向上させ得ることが知られている。レーザ駆動回路３９では、レーザダイオード３３のカソードにレーザドライバ３２を接続することにより、レーザダイオード３３の特性を活かして高速応答性を高め得るようになされている。
【００６０】
さらにレーザ駆動回路３９は、レーザダイオード３３の近傍に配置されたサーミスタ５５の抵抗値の変化を検出する温度検出回路５０を有している。
【００６１】
温度検出回路５０では、入力ピン５１と出力ピン５６との間にレーザダイオード３３が接続されており、入力ピン５１にアノードが接続されると共に出力ピン側にカソードが接続されている。このレーザダイオード３３は、金属性でなるレーザダイオード（以下、ＬＤと略す）パッケージ５３内に配置されており、当該ＬＤパッケージ５３がケースグランドＣＧＮＤとして光ピックアップ３０の筐体に接続されている。
【００６２】
また温度検出回路５０では、レーザダイオード３３と並列にサーミスタ５５が接続されており、レーザダイオード３３のアノードにサーミスタ５５の一端が接続されると共に、サーミスタ５５の他端がグランドＧＮＤに接続されている。
【００６３】
また出力ピン５６は、光ピックアップ３０内に設置されているレーザドライバ３２を介してグランドＧＮＤに接続されている。入力ピン５１は、ドライブ側回路４０内に設置されている電源回路４１を介してグランドＧＮＤに接続されている。なおグランドＧＮＤは、光ディスクドライブ２０内でケースグランドＣＧＮＤと接続されているため、両者は共通となる。
【００６４】
すなわち温度検出回路５０では、レーザダイオード３３に対して並列にサーミスタ５５を接続することにより、レーザダイオード３３と電源回路４１及びレーザドライバ３２とを接続する回路の一部としてサーミスタ５５を設けることができる。
【００６５】
そしてレーザ駆動回路３９では、電源回路４１から電源電圧値Ｖｃｃ及び電源電流値Ｉｃｃでなる電力が供給されると、入力ピン５１を介して温度検出回路５０に電流が供給される。温度検出回路５０に供給された電源電流値Ｉｃｃは分岐し、レーザ駆動電流値Ｉｏｐとしてレーザダイオード３３を介してレーザドライバ３２に供給されると共に電流Ｉｔｈｅｒｍｏとしてサーミスタ５５に供給される。
【００６６】
レーザドライバ３２は、システムコントローラ２１から供給されるレーザパワー制御信号ＳＬＤが表す制御電流値になるよう電流を引き込む。このときレーザドライバ３２は、Ｉｏｐ検出部３２Ａによって実際にレーザダイオード３３に流れる駆動電流の値（以下、これをレーザ駆動電流値と呼ぶ）Ｉｏｐを検出し、当該レーザ駆動電流値Ｉｏｐをシステムコントローラ２１に送出する。
【００６７】
また電源回路４１は、Ｖｃｃ／Ｉｃｃ検出部４１Ａによって温度検出回路５０に対して供給している電源の電源電圧値Ｖｃｃ及び電源電流値Ｉｃｃを検出し、これらをシステムコントローラ２１に送出する。
【００６８】
ここでサーミスタ５５では、温度に応じてその抵抗値（以下、これをサーミスタ抵抗値と呼ぶ）Ｒｔｈｅｒｍｏが変化する特性を有している。従ってレーザ駆動回路３９は、サーミスタ５５の現在のサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを認識することができれば、温度に対するサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏの特性と認識したサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏとの関係とから、ＬＤ近傍温度を特定することができる。
【００６９】
この温度検出回路５０では、レーザダイオード３３及びサーミスタ５５が並列に接続されていることから、レーザ駆動電流値Ｉｏｐと、電源電流値Ｉｃｃ及びサーミスタ５５に流れる電流の値（以下、これをサーミスタ電流値と呼ぶ）Ｉｔｈｅｒｍｏの和がイコールとなる。このため（１）式に従って電源電流値Ｉｃｃからレーザ駆動電流値Ｉｏｐを減算することにより、サーミスタ５５を流れるサーミスタ電流値Ｉｔｈｅｒｍｏを算出することができる。
【００７０】
【数１】
2009176332.tif 000003
【００７１】
またオームの法則により、サーミスタ５５に印加されている電圧の値である電源電圧値Ｖｃｃをサーミスタ電流値Ｉｔｈｅｒｍｏで除算することにより（２）式に従ってサーミスタ５５のサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出することができる。
【００７２】
【数２】
2009176332.tif 000004
【００７３】
そして（２）式に（１）式を代入すると、（３）式を得ることができる。
【００７４】
【数３】
2009176332.tif 000005
【００７５】
従ってシステムコントローラ２１の温度算出部２１Ａは、電源回路４１から電源電圧値Ｖｃｃ及び電源電流値Ｉｃｃが供給されると共に、レーザドライバ３２からレーザ駆動電流値Ｉｏｐが供給されると、（３）式に従ってサーミスタ５５のサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出する。
【００７６】
温度算出部２１Ａは、図示しないＲＯＭにサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏと当該サーミスタ５５の温度との関係を示すテーブルを記憶している。温度算出部２１Ａは、サーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏに対応する温度を現在のＬＤ近傍温度として選定する。
【００７７】
そしてシステムコントローラ２１の出射光強度設定部２１Ｂは、ＬＤ近傍温度が所定の基準温度でなる場合にＡＰＣ用光検出器２６によって検出されるべきＡＰＣ検出電流値（すなわち設定電流値）を表す基準設定電流値を算出する。この基準設定電流値は、ＬＤ近傍温度が基準温度の場合にレーザダイオード３３が出射すべき光ビームの出射光強度を表している。
【００７８】
出射光強度設定部２１Ｂは、ＲＯＭにＬＤ近傍温度と温度係数とが対応付けられたテーブルを記憶している。システムコントローラ２１は、基準設定電流値に対してＬＤ近傍温度に対応する任意の温度係数を乗算することにより、レーザダイオード３３がＬＤ近傍温度付近でなる場合にレーザドライバ３２に設定されるべき設定電流値を生成する。この設定電流値は、ＬＤ近傍温度に応じてレーザダイオード３３が出射すべき光ビームの出射光強度を表している。
【００７９】
ここで光ピックアップ３０では、ＬＤ近傍温度の変化に応じた光ビームの波長の変化や光ピックアップ３０内の光学部品の特性により、ＬＤ近傍温度に応じて照射光強度が変化する。なおこの温度係数は、ＬＤ近傍温度の変化に応じて増減する光ビームが光ディスク１００に照射されるときの照射光強度を補正するように設定されている。
【００８０】
そして出射光強度設定部２１Ｂは、設定電流値を表すレーザパワー制御信号ＳＬＤを生成し、これをレーザドライバ３２に供給する。
【００８１】
レーザドライバ３２は、ＡＰＣ検出電流値がレーザパワー制御信号ＳＬＤの表す設定電流値になるよう電流を引き込むことにより、レーザダイオード３３に当該設定電流値に応じた適切な出射光強度でなる光ビームを出射させ得るようになされている。
【００８２】
これによりシステムコントローラ２１は、現在のＬＤ近傍温度に基づいて適切な出射光強度でなる光ビームを出射し得るようにレーザダイオード３３を制御し得る。この結果システムコントローラ２１は、ＬＤ近傍温度の変化に拘らず光ディスク１００に照射される光ビームの照射光強度を所望の光強度に調整し得るようになされている。
【００８３】
このようにレーザ駆動回路３９では、レーザダイオード３３のアノードに電源回路４１を接続し、カソードにレーザドライバ３２を接続した上で、サーミスタ５５をレーザダイオード３３に対して並列に接続する。これによりレーザ駆動回路３９では、レーザダイオード３３を接続する回路の一部としてサーミスタ５５を設けることができるため、光ピックアップ３０とドライブ側回路４０とを接続する配線を減少させ得るようになされている。
【００８４】
（３）動作及び効果
以上の構成において、光ディスクドライブ２０のレーザ駆動回路３９は、レーザ光でなる光ビームを出射するレーザダイオード３３と、レーザダイオード３３のアノードに接続され、当該レーザダイオード３３に対して電力を供給する電源回路４１と、レーザダイオード３３のカソードに接続され、光ビームが出射されるときの照射光強度を制御するレーザドライバ３２とを有している。
【００８５】
さらにレーザ駆動回路３９は、レーザダイオード３３に対して並列に接続され、一端がアノードに接続されると共に他端が接地されてなり、レーザダイオード３３の近傍に配置された温度可変抵抗素子であるサーミスタ５５を有している。
【００８６】
これによりレーザ駆動回路３９は、レーザダイオード３３を有する回路の一部としてサーミスタ５５を設けることができるため、サーミスタ４（図１）を有する温度検出回路１を独立して配置する従来のレーザ駆動回路９と比較して、光ピックアップ３０とドライブ側回路４０とを接続するための配線数を減少させることができる。
【００８７】
またレーザ駆動回路３９は、レーザダイオード３３のアノードから配線を僅かに延長しサーミスタ５５を接続すれば良いため、サーミスタ５５を容易にレーザダイオード３３の近傍に配置することができる。
【００８８】
これによりレーザ駆動回路３９は、例えば図６に示すようにサーミスタ４に対して独立した配線を引き回す必要がある従来のレーザ駆動回路９ｘのように配線スペースの都合によりレーザダイオード７の近傍にサーミスタ４を配置することができないといった事態を生じさせ難い。
【００８９】
さらにレーザ駆動回路３９は、レーザダイオード３３及びサーミスタ５５（すなわち温度検出回路５０）に供給される電源電流値Ｉｃｃを検出する供給電流値検出部としてのＶｃｃ／Ｉｃｃ検出部４１Ａによって検出された電源電流値Ｉｃｃ及び電源電圧値Ｖｃｃ、並びにレーザダイオード３３に流れる電流の値であるレーザ駆動電流Ｉｏｐに基づいてサーミスタ５５の抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出する。
【００９０】
そしてレーザ駆動回路３９は、予めＲＯＭに記憶されたテーブルにおける当該抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏから対応する温度をＬＤ近傍温度として選定することにより、当該抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏから当該サーミスタ５５近傍の温度であるＬＤ近傍温度を特定する。さらにレーザ駆動回路３９は、所定の基準温度でレーザドライバ３２に設定すべき基準設定電流値に対してＬＤ近傍温度に対応する温度係数を乗算することにより、抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏと対応するＬＤ近傍温度に基づいてレーザドライバ３２を制御し、照射光強度を調整するようにした。
【００９１】
これによりレーザ駆動回路３９は、（３）式による簡易な計算で抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出すると共に、当該抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏに対応するＬＤ近傍温度に基づく適正な制御電流値を決定することができる。
【００９２】
ところで一般的に定電圧の電源回路では、温度など環境の影響によって電流値が変動し易いため、供給する電源電流値Ｉｃｃを検出する回路が設けられている。レーザ駆動回路３９では、電源回路４１としてＶｃｃ／Ｉｃｃ検出部４１Ａを有する低電圧（８Ｖ）の電気回路を使用し、電源回路４１によって検出した電源電流値Ｉｃｃを温度算出部２１Ａに供給するようにした。
【００９３】
これによりレーザ駆動回路３９は、電源回路４１が本来有するＶｃｃ／Ｉｃｃ検出部４１Ａによって電源電流値Ｉｃｃを検出することができるため、別途電源の電源電流値Ｉｃｃを検出する素子を設ける必要がなく、Ｖｍｏｎ検出部１４を有していた従来のレーザ駆動回路９と比較して構成を簡易にすることができる。
【００９４】
すなわちレーザ駆動回路３９は、本来当該レーザ駆動電流値Ｉｏｐが制御電流値と一致するようフィードバック制御を行うために設けられているＩｏｐ検出部３２Ａをいわば共用し、レーザ駆動回路３９の部品点数を低減することができる。
【００９５】
またレーザ駆動回路３９は、設定電流値に基づいて調整されるレーザ駆動電流値Ｉｏｐを検出し、当該レーザ駆動電流値Ｉｏｐを温度算出部２１Ａに供給する。レーザ駆動回路３９では、当該温度算出部２１Ａによってレーザ駆動電流値Ｉｏｐを用いてサーミスタ５５の抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出することにより、電源電圧値Ｖｃｃ、電源電流値Ｉｃｃ及びレーザ駆動電流値Ｉｏｐに基づいてサーミスタ５５の抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出するようにした。
【００９６】
これによりレーザ駆動回路３９は、実際にレーザダイオード３３に流れるレーザ駆動電流値Ｉｏｐから抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出することができるため、設定電流値からレーザ駆動電流値を予測して抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出する場合と比較して、当該抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを高い精度で算出することができる。
【００９７】
さらにレーザ駆動回路３９では、レーザドライバ３２がレーザ電流値検出部であるＩｏｐ検出部３２Ａを有しており、ＡＰＣ検出電流値が設定電流値になるようレーザ駆動電流値Ｉｏｐを増減してレーザ駆動電流を制御すると共に、レーザ駆動電流値Ｉｏｐを検出して温度算出部に供給する。レーザ駆動回路３９では、抵抗値算出部としての温度算出部２１Ａによって電源電圧値Ｖｃｃ、電源電流値Ｉｃｃ及びレーザ駆動電流値Ｉｏｐからサーミスタ５５の抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出するようにした。
【００９８】
これによりレーザ駆動回路３９は、レーザドライバ３２がレーザ駆動電流値Ｉｏｐを調整するために本来有するＩｏｐ検出部３２Ａによってレーザ駆動電流値Ｉｏｐを検出できるため、わざわざレーザ電流値検出部を設ける必要がなく、構成を簡易にすることができる。
【００９９】
またレーザ駆動回路３９では、Ｖｃｃ／Ｉｃｃ検出部４１Ａによって電源電圧値Ｖｃｃを検出し、温度算出部２１Ａに供給することにより、実際にサーミスタ５５に印加される電源電圧値Ｖｃｃから抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出することができるため、当該抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを高い精度で算出することができる。
【０１００】
さらにレーザ駆動回路３９では、制御部としてのシステムコントローラ２１によってＬＤ近傍温度に基づいて設定電流値を決定し、当該設定電流値をレーザパワー制御信号ＳＬＤとしてレーザドライバ３２に供給するようにした。
【０１０１】
これによりレーザ駆動回路３９は、ＡＰＣ検出電流値がＬＤ近傍温度に合わせた適正な設定電流値になるようレーザ駆動電流値Ｉｏｐを制御できるため、レーザダイオード３３から出射される光ビームの出射光強度を実質的にレーザダイオード３３の温度に合わせた適正な出射光強度に調整することができる。この結果レーザ駆動回路３９は、ＬＤ近傍温度に拘らず、光ディスク１００に照射されるときの光ビームの照射光強度を所望の強度に安定化させることができる。
【０１０２】
またレーザ駆動回路３９では、レーザダイオード３３が光ビームとして青色でなるレーザ光を出射するようにした。これによりレーザ駆動回路３９では、カソードにレーザドライバ３２を接続してその高速応答性を向上させ得ると共に、カソード側でレーザ駆動電流Ｉｏｐを検出して抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出することができる。
【０１０３】
さらにレーザダイオード３３は、赤色のレーザ光を出射する赤色レーザダイオード（電源回路として５Ｖが接続される）と比較して高電圧を必要とするため、８Ｖでなる電源回路４１が接続される。ドライブ側回路４０では、殆どの回路が５Ｖの電源回路によって作動するため、電源回路４１は通常レーザダイオード３３専用として使用されている。このためレーザ駆動回路３９では、温度検出回路５０としてサーミスタ５５を設けたことにより、これまで電源回路４１に接続されていた素子を排除する必要がないため、当該接続されていた素子のために別途電源回路を準備する必要は無い。
【０１０４】
以上の構成によれば、光ディスクドライブ２０のレーザ駆動回路３９は、レーザダイオード３３のカソードにレーザドライバ３２を接続し、レーザダイオード３３のアノードに電源回路４１及びサーミスタ５５の一端を接続すると共に、当該サーミスタ５５の他端を接地する。さらにレーザ駆動回路３９は、電源回路４１から供給される電力の電圧及び電流、レーザダイオード３３に流れる電流であるレーザ駆動電流値Ｉｏｐに基づいてサーミスタ５５の抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出し、当該抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏが表すサーミスタ５５の周辺温度であるＬＤ近傍温度に基づいて、出射光強度を決定するようにした。これによりレーザ駆動回路３９は、レーザダイオード３３と電源回路４１及びレーザドライバ３２とが接続された回路の一部としてサーミスタ５５を接続することができるため、温度検出用電源回路１４とサーミスタ４とを接続するための配線を省略することができ、光ピックアップ３０とドライブ側回路４０とを接続するための配線数を減少させることができ、かくして簡易な構成のレーザ駆動回路を有する光ディスクドライブ、簡易な構成のレーザ駆動回路、並びにレーザ駆動回路の構成を簡易にし得る光ピックアップ、温度検出回路及びレーザダイオードパッケージを実現できる。
【０１０５】
（４）他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、サーミスタ５５の他端がグランドＧＮＤに接続されるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図７（Ａ）に示すように、パッケージ５３を介してケースグランドＣＧＮＤに接続されるようにしても良い。この場合であっても、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０６】
また上述の実施の形態においては、サーミスタ５５がレーザダイオードパッケージ５３の近傍に配置されることにより当該サーミスタ５５がレーザダイオード３３の近傍に配置されるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図７（Ｂ）に示すように、サーミスタ５５がレーザダイオードパッケージ５３の内部に配置されるようにしても良い。この場合、図示しないがレーザダイオードパッケージ５３は、レーザダイオード３３及びサーミスタ５５を覆うと共にアノード及びカソードを当該レーザダイオードパッケージ５３から表出させる。これによりサーミスタ５５をよりレーザダイオード３３の近傍に配置することができるため、レーザダイオード３３に一段と近い温度をＬＤ近傍温度として特定することが可能となる。
【０１０７】
さらに上述の実施の形態においては、光ピックアップ３０がＡＰＣ回路（集光レンズ４５及びＡＰＣ用光検出器４６）を有しており、レーザドライバ３２がＡＰＣ検出電流値が設定電流値になるようにレーザ駆動電流値Ｉｏｐを制御するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば光ピックアップ３０がＡＰＣ回路を有しておらず、レーザドライバ３２がレーザ駆動電流値Ｉｏｐを制御電流値になるよう制御すると共に、出射光鏡オ設定部２１Ｂが制御電流値を設定するようにしても良い。
【０１０８】
また必ずしも実際にレーザダイオード３３に流れているレーザ駆動電流値Ｉｏｐを検出する必要は無く、システムコントローラ２１が決定する制御電流値をそのままレーザ駆動電流値Ｉｏｐとして用いることにより、（３）式によるサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出することができる。この場合であっても、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０９】
さらに上述の実施の形態においては、一定の照射光強度になるように出射光強度を調整するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば光ビームの波長の変化に応じて照射光強度を変化させるよう出射光強度を調整しても良い。
【０１１０】
さらに上述の実施の形態においては、電源電圧値Ｖｃｃ及び電源電流値Ｉｃｃを検出するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば電源回路４１が一定の電源電圧値Ｖｃｃに固定して電源を供給するような場合には、電源電圧値Ｖｃｃが既知となるため、電源電流値Ｉｃｃのみを検出すればよい。また必ずしも電源回路４１が電源電圧値Ｖｃｃ及び電源電流値Ｉｃｃを検出する必要はなく、例えば図８に示すように、光ピックアップ９１内にＶｃｃ／Ｉｃｃ検出部９３を設け、当該Ｖｃｃ／Ｉｃｃ検出部９３によって検出した電源電圧値Ｖｃｃ及び電源電流値Ｉｃｃをドライブ側回路９２内に設けられたシステムコントローラ２１に供給するようにしても良い。この場合であっても、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。また図示しないが、マイコン１１４内に出射光強度設定部２１Ｂを設けることも可能である。この場合システムコントローラ２１と光ピックアップ１１１とを接続する配線を電源回路４１と温度検出回路５０とを接続する線のみにでき、配線数をさらに減少させることができる。
【０１１１】
さらに上述した実施の形態においては、電源回路４１が温度検出用回路５０にのみ電力を供給するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばレーザダイオード３３に対して並列になるように、すなわち電源回路４１に対して温度検出回路５０と当該素子とが分岐して接続されている場合には、分岐後にＶｃｃ／Ｉｃｃ検出部を設け、当該分岐後の温度検出回路５０に対して供給される電流の値をＩｏｐ、電圧をＶｃｃとして検出することにより、（３）式に従って上述した実施の形態と同様にしてサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出することができる。
【０１１２】
さらに上述した実施の形態においては、サーミスタ５５の抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏを算出し、当該抵抗値ＲｔｈｅｒｍｏからＬＤ近傍温度を特定すると共に、当該ＬＤ近傍温度に対応する任意の温度係数を基準設定電流値に乗算することにより設定電流値を決定するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏと任意の温度係数とが対応付けられて記憶されている場合には、抵抗値ＲｔｈｅｒｍｏからＬＤ近傍温度と対応する任意の温度係数を選定してこれを基準設定電流値に乗算することにより設定電流値を決定しても良い。また抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏと設定電流値とが対応付けられたテーブルを予め記憶しており、対応する設定電流値を選定するようにしても良い。この場合であっても、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１３】
さらに上述の実施の形態においては、システムコントローラ２１が有する温度演算部２１ＡによってＬＤ近傍温度を算出するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図９に示すように、光ピックアップ１１１内にＶｃｃ／Ｉｃｃ検出部９３及び温度演算部１１４Ａを有するマイクロコンピュータ（以下マイコンと略す）１１４を設けることにより、光ピックアップ１１４内でＬＤ近傍温度を算出することも可能である。この場合、マイコン１１４は、算出したＬＤ近傍温度をドライブ側回路１１２内のシステムコントローラ２１に供給することにより、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１４】
さらに上述の実施の形態においては、レーザダイオード５４が４０５［ｎｍ］でなるレーザ光を出射するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の波長でなるレーザ光を出射するようにしても良い。
【０１１５】
さらに上述の実施の形態においては、サーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏと温度とが対応付けられたテーブルを温度演算部１１４Ａが有しており、サーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏから選定した温度をＬＤ近傍温度とするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばサーミスタ抵抗値Ｒｔｈｅｒｍｏに対して所定の係数を乗算することにより算出された温度をＬＤ近傍温度とするようにしても良い。
【０１１６】
さらに上述の実施の形態においては、サーミスタ５５を用いるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、温度に応じて抵抗値が変化する特性を有する素子を用いれば、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１７】
さらに上述の実施の形態においては、レーザダイオードとしてのレーザダイオード３３と、電源回路としての電源回路４１と、レーザドライバとしてのレーザドライバ３２と、供給電流値検出部としてのＶｃｃ／Ｉｏｐ検出部４１Ａと、レーザ電流検出部としてのＩｏｐ検出部３２Ａと、抵抗値算出部としての温度演算部２１Ａと、制御部としての出射光強度設定部２１Ｂによって光ディスクドライブとしての光ディスクドライブ２０を構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の構成によるレーザダイオードと、電源回路と、レーザドライバと、供給電流値検出部と、レーザ電流検出部と、抵抗値算出部と、制御部とによって本発明の光ディスクドライブを構成するようにしても良い。
【０１１８】
さらに上述の実施の形態においては、レーザダイオードとしてのレーザダイオード３３と、電源回路としての電源回路４１と、レーザドライバとしてのレーザドライバ３２と、供給電流値検出部としてのＶｃｃ／Ｉｏｐ検出部４１Ａと、抵抗値算出部としての温度演算部２１Ａと、制御部としての出射光強度設定部２１Ｂとによって光ディスクドライブとしての光ディスクドライブ２０を構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の構成によるレーザダイオードと、電源回路と、レーザドライバと、供給電流値検出部と、抵抗値算出部と、制御部とによって本発明の光ディスクドライブを構成するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、種々の光ディスクドライブに広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】従来の温度検出回路を示す略線図である。
【図２】従来のＬＤ近傍温度の検出（１）の説明に供する略線図である。
【図３】光ディスクドライブの全体構成を示す略線図である。
【図４】光ピックアップの構成を示す略線図である。
【図５】本発明の一実施の形態によるＬＤ近傍温度の検出の説明に供する略線図である。
【図６】従来のＬＤ近傍温度の検出（１）の説明に供する略線図である。
【図７】他の実施の形態による温度検出回路を示す略線図である。
【図８】他の実施の形態によるＬＤ近傍温度の検出（１）の説明に供する略線図である。
【図９】他の実施の形態によるＬＤ近傍温度の検出（２）の説明に供する略線図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１、５０、６０、６５……温度検出回路、２、５１……入力ピン、４、５５……サーミスタ、６、５６……出力ピン、７、３３……レーザダイオード、１０、１０ｘ、３０、９１、１１１……光ピックアップ、１１、１１ｘ、４０、９２、１１２……ドライブ側回路、２１……システムコントローラ、２１Ａ……温度演算部、３２……レーザドライバ、３２Ａ……Ｉｏｐ検出部、４１……電源回路、４１Ａ、９３……Ｖｃｃ／Ｉｃｃ検出部、５３……ＬＤパッケージ、２６……信号処理部、２３……駆動制御部、３６……対物レンズ、１００……光ディスク、ＧＮＤ……グランド電極、ＣＧＮＤ……ケースグランド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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