(57)【要約】【課題】信号線と駆動トランジスタのゲート電極間の寄生容量によるカップリングに起因するクロストークの発生を抑える。【解決手段】信号線に映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む際に、信号電圧Ｖｓｉｇの後に（または、前に）当該信号電圧Ｖｓｉｇと足して平均化したレベルが一定レベル、例えば最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸの半分のレベルになる電圧値のキャンセリング電圧Ｘｘを信号線に書き込むことで、画素ごとに信号線に書き込まれる映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの大きさに関係なく、信号線と駆動トランジスタのゲート間に存在する寄生容量による駆動トランジスタのゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓへのカップリング量をほぼし、カップリングに起因するクロストークの発生を抑える。【選択図】図１３
2009058592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素を行単位で選択走査する走査手段と、
前記走査手段によって選択走査された行の各画素に対して信号線を通して前記映像信号を供給するとともに、前記映像信号の前または後に当該映像信号と足して平均化したレベルが一定レベルになる補正信号を前記信号線に供給する信号供給手段と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記一定レベルは、前記映像信号の最大振幅レベルの半分のレベルである
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記補正信号の前記信号線への書き込み時間は、前記映像信号の前記信号線への書き込み時間と等しい
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記信号供給手段は、前記映像信号および前記補正信号を供給する前に、当該映像信号の基準となる基準信号を選択的に供給する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素を行単位で選択走査する走査手段とを備えた表示装置の駆動方法であって、
前記走査手段によって選択走査された行の各画素に対して前記映像信号を供給するとともに、前記映像信号の前または後に当該映像信号と足して平均化したレベルが一定レベルになる補正信号を前記信号線に供給する
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項６】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記走査手段によって選択走査された行の各画素に対して前記映像信号を供給するとともに、前記映像信号の前または後に当該映像信号と足して平均化したレベルが一定レベルになる補正信号を前記信号線に供給する信号供給手段と
を備えた表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式を採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線（即ち、画素数）の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース側に有機ＥＬ素子が接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。
【０００７】
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、当該駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点で決まる。そして、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、当該駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。
【０００８】
また、ポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度（以下、「駆動トランジスタの移動度」と記述する）μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なったりする（個々のトランジスタ特性にばらつきがある）。
【０００９】
駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲートに画素間で同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じ、その結果、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。
【００１０】
そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能、さらには駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正（以下、「閾値補正」と記述する）や、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正（以下、「移動度補正」と記述する）の各補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
このように、画素回路の各々に、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を持たせることで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つことができる。
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−１３３５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、近年、より高精細な表示パネルの需要が高まっており、それに伴って画素間の狭ピッチ化が進んでいる。このように、画素間のピッチが狭くなると、画素列ごとに配線される信号線と駆動トランジスタのゲート電極とが近接して両者間に寄生容量が存在することになる。そして、信号線と駆動トランジスタのゲート電極間の寄生容量によるカップリングの影響が表示画面上に現れる。
【００１４】
具体的には、映像信号の書き込みによって信号線の電位が変動すると、その電位変動が信号線と駆動トランジスタのゲート電極間の寄生容量を介して駆動トランジスタのゲート電位にカップリングして当該ゲート電位が変動するために、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が変動する。すると、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化するために、その輝度変化がクロストークとなって視認されることになる（その詳細については後述する）。
【００１５】
そこで、本発明は、信号線と駆動トランジスタのゲート電極間の寄生容量によるカップリングに起因するクロストークの発生を抑えることが可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明では、電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、前記画素アレイ部の各画素を行単位で選択走査する走査手段とを備えた表示装置において、前記走査手段によって選択走査された行の各画素に対して前記映像信号を供給するとともに、前記映像信号の前または後に当該映像信号と足して平均化したレベルが一定レベルになる補正信号を前記信号線に供給する構成を採っている。
【００１７】
上記構成の表示装置および当該表示装置を有する電子機器において、映像信号の前または後に当該映像信号と足して平均化したレベルが一定レベルになる補正信号を信号線に供給することで、画素ごとに信号線に書き込まれる映像信号の大きさに関係なく、即ち白レベルを書き込むときでも、黒レベルを書き込むときでも、それ以外の信号レベルを書き込むときでも、信号線と駆動トランジスタのゲート電極間に存在する寄生容量による駆動トランジスタのゲート電位へのカップリング量がほぼ同じになる。これにより、カップリングに起因する駆動トランジスタのゲート電位の変動、それに伴う発光輝度の変化は映像信号の大きさに関係なくほぼ一定となるために、カップリングに起因する発光輝度の変化がクロストークとして視認されることはない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、信号線と駆動トランジスタのゲート電極間の寄生容量によるカップリングに起因する駆動トランジスタのゲート電位の変動、それに伴う発光輝度の変化を映像信号の大きさに関係なくほぼ一定にできるため、カップリングに起因するクロストークの発生を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
［システム構成］
図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２１】
ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、画素（ＰＸＬＣ）２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置され、各画素２０を駆動する駆動部とを有する構成となっている。画素２０を駆動する駆動部としては、例えば、書き込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および水平駆動回路６０が設けられている。
【００２３】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線３１−１〜３１−ｍと電源供給線３２−１〜３２−ｍとが配線され、画素列ごとに信号線３３−１〜３３−ｎが配線されている。
【００２４】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成され、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０は、アモルファスシリコンＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)または低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、走査回路４０、電源供給走査回路５０および水平駆動回路６０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）７０上に実装することができる。
【００２５】
書き込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書き込みに際して、走査線３１−１〜３１−ｍに順次走査信号ＷＳ１〜ＷＳｍを供給して画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００２６】
電源供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成され、書き込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電位Ｖｃｃｐと当該第１電位Ｖｃｃｐよりも低い第２電位Ｖｉｎｉで切り替わる電源供給線電位ＤＳ１〜ＤＳｍを電源供給線３２−１〜３２−ｍに供給することにより、後述する駆動トランジスタ２２（図２参照）の導通（オン）／非導通（オフ）の制御を行なう。
【００２７】
水平駆動回路６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖｓｉｇと、後述する補正信号と、オフセット電圧Ｖｏｆｓのいずれか一方を適宜選択し、信号線３３−１〜３３−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して例えば行単位で供給する信号供給手段を構成している。水平駆動回路６０は、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。
【００２８】
ここで、オフセット電圧Ｖｏｆｓは、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの基準となる基準電圧（例えば、黒レベルに相当）である。また、第２電位Ｖｉｎｉは、オフセット電圧Ｖｏｆｓよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶｔｈとするときＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも低い電位、好ましくはＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い電位に設定される。
【００２９】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な構成例を示す回路図である。
【００３０】
図２に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子２１を発光素子として有し、当該有機ＥＬ素子２１に加えて、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３、保持容量２４および保持容量２５を有する画素構成となっている。
【００３１】
かかる構成の画素２０においては、駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いている。ただし、ここでの駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００３２】
有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された固定電位の共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。駆動トランジスタ２２は、ソース電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、ドレイン電極が電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。
【００３３】
書き込みトランジスタ２３は、ゲート電極が走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続され、一方の電極（ソース電極／ドレイン電極）が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン電極／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。
【００３４】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２のソース電極（有機ＥＬ素子２１のアノード電極）に接続されている。
【００３５】
補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極（駆動トランジスタ２２のソース電極）に接続され、他方の電極が共通電源供給線３４に接続されている。ここでは、補助容量２５の他方の電極を共通電源供給線３４に接続するとしたが、その接続先は共通電源供給線３４に限られるものではなく、固定電位であればよい。
【００３６】
この補助容量２５は、有機ＥＬ素子２１のアノード電極と固定電位との間に接続されることで、有機ＥＬ素子２１の容量不足を補うとともに、有機ＥＬ素子２１の発光色に応じて駆動トランジスタ２２のサイズが異なることに伴い、そのサイズに応じた容量値の調整によってホワイトバランスをとるなどの目的で設けられている。
【００３７】
かかる構成の画素２０において、書き込みトランジスタ２３は、書き込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される走査信号ＷＳに応答して導通状態となることにより、信号線３３を通して水平駆動回路６０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇまたはオフセット電圧Ｖｏｆｓをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００３８】
この書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇまたはオフセット電圧Ｖｏｆｓは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２４に保持される。駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳが第１電位Ｖｃｃｐにあるときに、電源供給線３２から電流の供給を受けて、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００３９】
（画素構造）
図３は、画素２０の断面構造の一例を示す断面図である。図３に示すように、画素２０は、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３等の画素回路が形成されたガラス基板２０１上に絶縁膜２０２、絶縁平坦化膜２０３およびウインド絶縁膜２０４が順に形成され、当該ウインド絶縁膜２０４の凹部２０４Ａに有機ＥＬ素子２１が設けられた構成となっている。
【００４０】
有機ＥＬ素子２１は、上記ウインド絶縁膜２０４の凹部２０４Ａの底部に形成された金属等からなるアノード電極２０５と、当該アノード電極２０５上に形成された有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）２０６と、当該有機層２０６上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極２０７とから構成されている。
【００４１】
この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０６は、アノード電極２０５上にホール輸送層/ホール注入層２０６１、発光層２０６２、電子輸送層２０６３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０５を通して有機層２０６に電流が流れることで、当該有機層２０６内の発光層２０６２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【００４２】
図３に示すように、画素回路が形成されたガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２、絶縁平坦化膜２０３およびウインド絶縁膜２０４を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜２０８を介して封止基板２０９が接着剤２１０によって接合され、当該封止基板２０９によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより、表示パネル７０が形成される。
【００４３】
（有機ＥＬ表示装置の回路動作）
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作について、図４のタイミング波形図を基に、図５および図６の動作説明図を用いて説明する。
【００４４】
ここでは、理解を容易にするために、水平駆動回路６０からは、先述した補正信号を除いて、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇとオフセット電圧Ｖｏｆｓが選択的に供給される場合の回路動作について説明するものとする。
【００４５】
なお、図５および図６の動作説明図では、図面の簡略化のために、書き込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１は容量成分を有するが、ここでは、当該容量成分については図示を省略し、補助容量２５についてだけ図示している。
【００４６】
図４のタイミング波形図においては、時間軸を共通にして、１Ｈ（Ｈは水平期間）における走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）の電位（走査信号）ＷＳの変化、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳの変化、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化を表している。
【００４７】
＜発光期間＞
図４のタイミングチャートにおいて、時刻ｔ１以前は有機ＥＬ素子２１が発光状態にある（発光期間）。この発光期間では、電源供給線３２の電位ＤＳが第１電位Ｖｃｃｐにあり、また、書き込みトランジスタ２３が非導通状態にある。このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設定されているために、図５（Ａ）に示すように、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して当該駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に供給される。よって、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で発光する。
【００４８】
＜閾値補正準備期間＞
そして、時刻ｔ１になると、線順次走査の新しいフィールドに入り、図５（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが第１電位（以下、「高電位」と記述する）Ｖｃｃｐから、信号線３３のオフセット電圧Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い第２電位（以下、「低電位」と記述する）Ｖｉｎｉに切り替わる。
【００４９】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶｅｌ、共通電源供給線３４の電位をＶｃａｔｈとするとき、低電位ＶｉｎｉをＶｉｎｉ＜Ｖｅｌ＋Ｖｃａｔｈとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが低電位Ｖｉｎｉにほぼ等しくなるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となって消光する。
【００５０】
次に、時刻ｔ２で走査線３１の電位ＷＳが低電位側から高電位側に遷移することで、図５（Ｃ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき、水平駆動回路６０から信号線３３に対してオフセット電圧Ｖｏｆｓが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがオフセット電圧Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、オフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉにある。
【００５１】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。ここで、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと、後述する閾値補正動作を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈなる電位関係に設定する必要がある。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ固定して（確定させて）初期化する動作が閾値補正準備の動作である。
【００５２】
＜閾値補正期間＞
次に、時刻ｔ３で、図５（Ｄ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに収束し、当該閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に保持される。
【００５３】
ここでは、便宜上、閾値電圧Ｖｔｈを検出して当該閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に保持する期間を閾値補正期間と呼んでいる。なお、この閾値補正期間において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位Ｖｃａｔｈを設定しておくこととする。
【００５４】
次に、時刻ｔ４で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図６（Ａ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になるが、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、駆動トランジスタ２２にドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは流れない。
【００５５】
＜書き込み期間／移動度補正期間＞
次に、時刻ｔ５で、図６（Ｂ）に示すように、信号線３３の電位がオフセット電圧Ｖｏｆｓから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わる。続いて、時刻ｔ６で、走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図６（Ｃ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通状態になって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００５６】
この書き込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが信号電圧Ｖｓｉｇとなる。そして、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺されることによって閾値補正が行われる。閾値補正の原理については後述する。
【００５７】
このとき、有機ＥＬ素子２１は始めカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にあるために、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じて電源供給線３２から駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）は補助容量２５に流れ込み、よって当該補助容量２５の充電が開始される。
【００５８】
この補助容量２５の充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきは補正されており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。
【００５９】
ここで、書込みゲイン（映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対する保持容量２４の保持電圧Ｖｇｓの比率）が１（理想値）であると仮定すると、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。
【００６０】
すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００６１】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを当該駆動トランジスタ２２のゲート入力に、即ちゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還することにより、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正が行われる。
【００６２】
より具体的には、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量（補正量）ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正が行われる。また、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。移動度補正の原理については後述する。
【００６３】
＜発光期間＞
次に、時刻ｔ７で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図６（Ｄ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極は信号線３３から切り離されてフローティング状態になる。
【００６４】
ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２４が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変動すると、当該ソース電位Ｖｓの変動に連動して(追従して）駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも変動する。これが保持容量２４によるブートストラップ動作である。
【００６５】
駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、有機ＥＬ素子２１のアノード電位は、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じて上昇する。
【００６６】
有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。
【００６７】
このとき、ブートストラップゲインが１（理想値）であると仮定した場合、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。
【００６８】
そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に伴って、有機ＥＬ素子２１の逆バイアス状態が解消され、順バイアス状態になると、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に駆動電流が供給されるために、有機ＥＬ素子２１が実際に発光を開始する。その後、時刻ｔ８で信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇからオフセット電圧Ｖｏｆｓに切り替わる。
【００６９】
（閾値補正の原理）
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値補正の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2     ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。
【００７０】
図７に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。
【００７１】
この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきに対する補正を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になる。
【００７２】
これに対して、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。
【００７３】
一方、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓがＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶであるために、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ−ΔＶ）2 
……（２）
で表される。
【００７４】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに変動しても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００７５】
（移動度補正の原理）
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図８に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００７６】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込んだ場合に、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素ごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれることになる。
【００７７】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図８に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｖの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。
【００７８】
そこで、移動度補正動作によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになるために、移動度μの画素ごとのばらつきを抑制することができる。
【００７９】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μの画素ごとのばらつきが補正される。
【００８０】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。
【００８１】
したがって、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることにより、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを補正することができる。
【００８２】
ここで、図２に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電位（サンプリング電位）Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図９を用いて説明する。
【００８３】
図９において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図９（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン・ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。
【００８４】
これに対して、閾値補正のみを行った場合は、図９（Ｂ）に示すように、当該閾値補正によってドレイン−ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。
【００８５】
そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことにより、図９（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができるために、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。
【００８６】
また、図２に示した画素２０は、閾値補正および移動度補正の各補正機能に加えて、先述したブートストラップ機能を備えていることで、次のような作用効果を得ることができる。
【００８７】
すなわち、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化し、これに伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変化したとしても、保持容量２４によるブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電位Ｖｇｓが一定に維持されるため、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変化しない。したがって、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も一定に保たれるために、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化しても、それに伴う輝度劣化のない画像表示を実現できる。
【００８８】
（クロストークの問題）
上記構成の有機ＥＬ表示装置１０において、表示パネル７０の高精細化に伴って画素２０間の狭ピッチ化が進むと、図２に示すように、信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）と駆動トランジスタ２２のゲート電極とが近接するために、両者間に寄生容量２６が存在することになる。
【００８９】
この寄生容量２６の存在により、先述したように、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの信号線３３への書き込みによって信号線３３の電位が変動したときに、その電位変動が寄生容量２６を介して駆動トランジスタ２２のゲート電位にカップリングして当該ゲート電位が変動する。すると、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変動するために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度が変化し、その輝度変化がクロストークとなって視認される。
【００９０】
特に、信号線３３からオフセット電圧Ｖｏｆｓを選択的に書き込む構成を採る場合は、信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇとオフセット電圧Ｖｏｆｓとの間で周期的に大きく変化することになるために、信号線３３と駆動トランジスタ２２のゲート電極との間の距離を十分に確保できないと、図１０に示すように、信号線３３の電位変動の寄生容量Ｃｐによるカップリングによって駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが大きく変動し、クロストークの問題が顕著に現れる。信号線３３は画素列に沿って配線されることから、クロストークは画素列に沿った方向の縦クロストークとなる。
【００９１】
図１１（Ａ）に、図２の保持容量２４、補助容量２５、寄生容量２６に関するところの等価回路を示す。ここで、保持容量２４の容量値をＣｓ、補助容量２５の容量値をＣｓｕｂ、寄生容量２６の容量値をＣｐとする。また、図１１（Ｂ）に、カップリングが入ったときの駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓの電位変化を示す。
【００９２】
図１１（Ａ）の等価回路において、先述したように、信号線３３に映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが書き込まれると、信号線３３の信号振幅（Ｖｄａｔａ−Ｖｏｆｓ）により、寄生容量２６を介して駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖｇに、さらに保持容量２４を介してソース電位Ｖｓにカップリングが入り、これらの電位Ｖｇ，Ｖｓが変動する。
【００９３】
ここで、ゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変動分をそれぞれΔＶｇ，ΔＶｓとすると、これら変動分ΔＶｇ，ΔＶｓは、次式（３），（４）で表わされる。
【数１】
2009058592.tif 000003
【数２】
2009058592.tif 000004
【００９４】
カップリングが入らないときの通常の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間の電位差をＶｇｓ１、カップリングが入ったときの駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間の電位差をＶｇｓ２とすると、カップリングが入ったときには、カップリングが入らないときよりも電位差が広がる。
【００９５】
そして、その電位差Ｖｇｓ１，Ｖｇｓ２の変化分の差（ΔＶｇｓ１−ΔＶｇｓ２）は、
【数３】
2009058592.tif 000005
となり、これがカップリングによる発光輝度の上昇分と考えることができる。
【００９６】
ここで、理解を容易にするために、一例として、白レベルの背景（白背景）中に黒レベルのウィンドウ（黒ウィンドウ）を表示する場合を例に挙げてクロストークについてより具体的に説明する。
【００９７】
図１２は、白背景中に黒ウィンドウを表示したときに発生するクロストークについての説明図であり、表示エリアＡ，Ｂにおける信号線電位と駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの各波形を示している。
【００９８】
白レベルの背景中に黒レベルのウィンドウを表示した場合に、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇとして白レベルを書き込むときは、白レベルが映像信号の最大振幅レベルであることから、駆動トランジスタ２２のゲートへの寄生容量Ｃｐによるカップリング量が大きくなるために、表示エリアＡでは、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが高くなる方向に大きく変動する。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが広がる方向に変動するために白背景はより白く表示される。
【００９９】
これに対して、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇとして黒レベルを書き込むときは、黒レベルが映像信号の最小振幅レベルであることから、駆動トランジスタ２２のゲートへの寄生容量Ｃｐによるカップリング量が小さくなるために、ウィンドウ部と同じ画素列上に位置する表示エリアＢでは、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの変動量が白レベルの書き込み時に比べて小さくなる。
【０１００】
この表示エリアＡ，Ｂ間でのゲート電位Ｖｇの変動量の違いにより、表示エリアＡ，Ｂ間で輝度差が生じる、即ち表示エリアＡよりも表示エリアＢの方が暗くなり、そして、この表示エリアＡ，Ｂ間での輝度差に伴う表示エリアＢの暗い部分が縦クロストークとして視認されることになる。
【０１０１】
（本実施形態の特徴部分）
本実施形態では、寄生容量Ｃｐによるカップリングに起因する縦クロストークの発生を抑えるために、水平駆動回路６０から信号線３３にオフセット電圧Ｖｏｆｓに代えて映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む（供給する）際に、信号電圧Ｖｓｉｇの前または後に当該信号電圧Ｖｓｉｇと足して平均化したレベルが一定レベルになる補正信号を信号線３３に書き込むことを特徴としている。
【０１０２】
ここで、上記補正信号は、寄生容量Ｃｐによるカップリングに起因するクロストークの発生をキャンセル（補正）する作用を為すための信号である。したがって、以下では、補正信号の信号電圧をキャンセリング電圧Ｘｘと呼ぶこととする。また、信号線３３に対してオフセット電圧Ｖｏｆｓ、信号電圧Ｖｓｉｇおよびキャンセリング電圧Ｘｘを選択的に供給する水平駆動回路６０の構成の詳細については後述する。
【０１０３】
図１３に、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みトランジスタ２３によるサンプリング電圧Ｖｄａｔａとキャンセリング電圧Ｘｘのタイミング関係を示す。ここでは、一例として、サンプリング電圧Ｖｄａｔａの後にキャンセリング電圧Ｘｘを書き込む場合を示している。
【０１０４】
キャンセリング電圧Ｘｘもサンプリング電圧Ｖｄａｔａと同様に、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓにカップリングを及ぼすために、キャンセリング電圧Ｘｘによる駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間の電位差Ｖｇｓ１，Ｖｇｓ２の変化分の差（ΔＶｇｓ１−ΔＶｇｓ２）についても式（５）と同様な式で表わすことができる。
【０１０５】
このキャンセリング電圧Ｘｘのカップリングによる輝度変化が常に一定になるように、キャンセリング電圧Ｘｘの電圧値を式で求める。人間の目には瞬間輝度と時間の積分で光を認識されるために、サンプリング電圧Ｖｄａｔａとキャンセリング電圧Ｘｘの積分が常に一定であれば、寄生容量２６によるカップリングがあったとしても、当該カップリングに起因する輝度変化がクロストークとして視認されなくなる。
【０１０６】
例えば、一定の値をサンプリング電圧Ｖｄａｔａの最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸに合わせるとすると、以下の式からキャンセリング電圧Ｘｘの電圧値は一意に求まる。カップリングによるＶｇｓ変動分（増加分）と、キャンセリング電圧Ｘｘによる積分値が、最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸのときと等しくなればよいので次式の関係となる。
【数４】
2009058592.tif 000006
【０１０７】
結局、（６）の両辺を簡単にすると、
【数５】
2009058592.tif 000007
と表わすことができる。
【０１０８】
さらに、（ｔ２−ｔ１）＝（ｔ３−ｔ４）のとき、
【数６】
2009058592.tif 000008
となる。つまりは、サンプリング電圧Ｖｄａｔａが最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸに満たない分をキャンセリング電圧Ｘｘで補えばよいということになる。
【０１０９】
このようにして、サンプリング電圧Ｖｄａｔａが最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸに満たない分を補うようにキャンセリング電圧Ｘｘの電圧値を設定し、当該キャンセリング電圧Ｘｘを例えばサンプリング電圧Ｖｄａｔａの後に信号線３３に書き込むことにより、サンプリング電圧Ｖｄａｔａとキャンセリング電圧Ｘｘを足して平均化したレベルが一定レベル、本例では最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸの半分のレベルになる。
【０１１０】
図１４に、キャンセリング電圧Ｖｘを用いないときの全白信号（Ａ）、ウィンドウ信号（Ｂ）およびランダム信号（Ｃ）のタイミング関係と信号電位を示す。
【０１１１】
このタイミング関係から、すべて一度映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを入力し、次いで当該映像信号の基準電圧であるオフセット電圧Ｖｏｆｓを入力する、という繰り返しになっていることがわかる。
【０１１２】
カップリングによる発光輝度への影響はカップリングの積分で決まってくるので、図１４の例の場合には、簡単のために、最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸをＶｄａｔａＭＡＸ＝５、信号電圧Ｖｓｉｇの信号線３３への書き込み時間（ホールド時間）ＴｓｉｇをＴｓｉｇ＝１とすると、積分の値は、全白信号（Ａ）のとき６０、ウィンドウ信号（Ｂ）のとき２５、ランダム信号（Ｃ）のとき３９となっている。
【０１１３】
図１５に、本実施形態、即ちキャンセリング電圧Ｖｘを用いたときの全白信号（Ａ）、ウィンドウ信号（Ｂ）およびランダム信号（Ｃ）のタイミング関係と信号電位を示す。
【０１１４】
図１５から明らかなように、本実施形態においては、白レベル（５）を入力した後黒レベル（０）を、黒レベルを入力した後白レベルを入力する。これにより、平均化したレベルが一定レベル、例えば最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸの半分のレベルになる。
【０１１５】
また、その他の信号レベルのときは当該信号レベルと足して平均化したレベルが一定レベル、例えば最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸの半分のレベルになるような電圧値のキャンセリング電圧Ｘｘを信号レベル（信号電圧Ｖｓｉｇ）の後に入力する。
【０１１６】
このとき、信号線３３へのキャンセリング電圧Ｘｘの書き込み時間（ｔ３−ｔ４）については、信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み時間Ｔｓｉｇ（ｔ１−ｔ２）と等しくする必要がある。キャンセリング電圧Ｘｘの書き込み時間（ｔ３−ｔ４）を信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み時間Ｔｓｉｇと等しくすることで、平均化したレベルを最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸの半分のレベルに設定することができる。
【０１１７】
その結果、図１５から明らかなように、信号線３３に書き込む映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの大きさに関係なく、即ち白レベルを書き込むときでも、黒レベルを書き込むときでも、その他の信号レベルを書き込むときでも、ＶｄａｔａＭＡＸ＝５、Ｔｓｉｇ＝１とすると、積分の値は、最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸの半分の２．５となる。
【０１１８】
（本実施形態の作用効果）
上述したように、水平駆動回路６０から信号線３３に映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む際に、信号電圧Ｖｓｉｇの後に（または、前に）当該信号電圧Ｖｓｉｇと足して平均化したレベルが一定レベルになる電圧値のキャンセリング電圧Ｘｘを信号線３３に書き込むことで、画素ごとに信号線３３に書き込まれる映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの大きさに関係なく、寄生容量２６によるカップリングの影響をすべて揃えることができる。
【０１１９】
すなわち、白レベルを書き込むときでも、黒レベルを書き込むときでも、その他の信号レベルを書き込むときでも、寄生容量２６による駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓへのカップリング量がほぼ同じになるために、カップリングに起因する発光輝度の変化は映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの大きさに関係なくほぼ一定となる。これにより、カップリングに起因する発光輝度の変化がクロストークとして視認されることがないために、結果として、カップリングに起因するクロストークの発生を抑えることができる。
【０１２０】
（水平駆動回路の構成）
次に、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇとオフセット電圧Ｖｏｆｓに加えて、キャンセリング電圧Ｘｘを選択的に信号線３３に供給する（書き込む）ための水平駆動回路６０の構成について具体的に説明する。
【０１２１】
＜実施例１＞
図１６は、実施例１に係る水平駆動回路６０Ａの構成の概略的に示す回路図である。ここでは、水平駆動回路６０Ａにおける１本の信号線３３に対応した出力段の構成を示している。図１６に示すように、水平駆動回路６０Ａの出力段には、信号線３３の各々に対応して、キャンセリング電圧生成部６１と３つのスイッチ素子ＳＷ１〜ＳＷ３が設けられている。
【０１２２】
キャンセリング電圧生成部６１は、信号線３３に書き込む映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じて、当該信号電圧Ｖｓｉｇと足して平均化したレベルが一定レベルになる電圧値、例えば最大振幅レベルＶｄａｔａＭＡＸの半分のレベルになるような電圧値のキャンセリング電圧Ｘｘを生成する。
【０１２３】
キャンセリング電圧生成部６１としては、信号電圧Ｖｓｉｇを基に当該信号電圧Ｖｓｉｇに対応した電圧値のキャンセリング電圧Ｘｘを演算する演算部や、信号電圧Ｖｓｉｇとそれに対応したキャンセリング電圧Ｘｘをテーブルとしてあらかじめ記憶しておき、当該テーブルから信号電圧Ｖｓｉｇに応じたキャンセリング電圧Ｘｘをテーブル選択して出力する記憶部など用いることができる。
【０１２４】
スイッチ素子ＳＷ１は、図１３のタイミング波形図において、時刻ｔ１以前、時刻ｔ２−ｔ３の期間、時刻ｔ４以降にアクティブとなる制御信号ＣＳ１に応答してオン状態となることで、オフセット電圧Ｖｏｆｓを選択的に信号線３３に書き込む。
【０１２５】
スイッチ素子ＳＷ２は、図１３のタイミング波形図において、時刻ｔ１−ｔ２の期間にアクティブとなる制御信号ＣＳ２に応答してオン状態となることで、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを選択的に信号線３３に書き込む。
【０１２６】
スイッチ素子ＳＷ３は、図１３のタイミング波形図において、時刻ｔ３−ｔ４の期間にアクティブとなる制御信号ＣＳ３に応答してオン状態となることで、キャンセリング電圧生成部６１で生成されたキャンセリング電圧Ｘｘを選択的に信号線３３に書き込む。
【０１２７】
上記構成の水平駆動回路６０によれば、水平駆動回路６０Ａから信号線３３に映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む際に、当該信号電圧Ｖｓｉｇの後にキャンセリング電圧Ｘｘを信号線３３に書き込むことができる。
【０１２８】
なお、本実施例１では、信号線３３に対して信号電圧Ｖｓｉｇの後にキャンセリング電圧Ｘｘを書き込むとしたが、信号電圧Ｖｓｉｇの前にキャンセリング電圧Ｘｘを書き込む構成を採ることも可能である。
【０１２９】
＜実施例２＞
図１７は、実施例２に係る水平駆動回路６０Ｂの構成の概略的に示す回路図であり、図中、図１６と同等部分には同一符号を付して示している。
【０１３０】
実施例２に係る水平駆動回路６０Ｂでは、信号電圧Ｖｓｉｇを１Ｈ遅延部６２で１Ｈ期間遅らせて信号線３３に書き込む一方、キャンセリング電圧生成部６１では、１Ｈ遅延部６２に入力される信号電圧Ｖｓｉｇに応じてキャンセリング電圧Ｘｘを生成する構成をとっている。かかる構成を採ることにより、信号電圧Ｖｓｉｇの前にキャンセリング電圧Ｘｘを書き込むようにすることができる。
【０１３１】
［変形例］
上記実施形態では、駆動トランジスタ２２と書き込みトランジスタ２３の２つのトランジスタを有する画素構成の有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、例えば、駆動トランジスタ２２に対して直列に接続され、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタを有する画素構成や、信号線３３以外からオフセット電圧Ｖｏｆｓを選択的に駆動トランジスタ２２のゲート電極に供給するトランジスタを有する画素構成などの有機ＥＬ表示装置にも同様に適用可能である。
【０１３２】
ただし、オフセット電圧Ｖｏｆｓを信号線３３から書き込みトランジスタ２３によって選択的に書き込む画素構成を採る有機ＥＬ表示装置の場合には、信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇとオフセット電圧Ｖｏｆｓとの間で周期的に大きく変化することになり、寄生容量Ｃｐによるカップリングに起因するクロストークの問題が顕著に現れることから、本発明は特にオフセット電圧Ｖｏｆｓを信号線３３から選択的に書き込む構成を採る有機ＥＬ表示装置に適用するとその効果が大きいと言える。
【０１３３】
上記実施形態では、画素回路２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
【０１３４】
［適用例］
以上説明した本発明による表示装置は、一例として、図１８〜図２２に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１３５】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、先述した実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、信号線と画素の駆動トランジスタのゲート間の寄生容量によるカップリングに起因するクロストークの発生を抑えることができるために、各種の電子機器において、良質な画像表示を行うことができる利点がある。
【０１３６】
なお、本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１３７】
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１３８】
図１８は、本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作成される。
【０１３９】
図１９は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４０】
図２０は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４１】
図２１は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４２】
図２２は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】画素（画素回路）の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３】画素の断面構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明に供するタイミング波形図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その１）である。
【図６】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その２）である。
【図７】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図８】駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図９】閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。
【図１０】寄生容量Ｃｐによるカップリングに起因する駆動トランジスタのゲート電位Ｖｇの変動の様子を示すタイミング波形図である。
【図１１】保持容量、補助容量、寄生容量に関するところの等価回路（Ａ）と、カップリングが入ったときの駆動トランジスタのゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓの電位変化（Ｂ）を示す図である。
【図１２】白背景中に黒ウィンドウを表示したときに発生するクロストークについての説明図である。
【図１３】サンプリング電圧Ｖｄａｔａとキャンセリング電圧Ｘｘのタイミング関係を示すタイミング波形図である。
【図１４】キャンセリング電圧Ｘｘを用いないときの全白信号（Ａ）、ウィンドウ信号（Ｂ）およびランダム信号（Ｃ）のタイミング関係と信号電位を示すタイミング波形図である。
【図１５】キャンセリング電圧Ｘｘを用いたときの全白信号（Ａ）、ウィンドウ信号（Ｂ）およびランダム信号（Ｃ）のタイミング関係と信号電位を示すタイミング波形図である。
【図１６】水平駆動回路の構成の一例を概略的に示す回路図である。
【図１７】水平駆動回路の構成の他の例を概略的に示す回路図である。
【図１８】本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。
【図１９】本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図２０】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図２１】本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図２２】本発明が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１０…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書き込みトランジスタ、２４…保持容量、２５…補助容量、２６…寄生容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…電源供給線、３３（３３−１〜３３−ｎ）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書き込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０，６０Ａ，６０Ｂ…水平駆動回路、７０…表示パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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