(57)【要約】【課題】接合性が高く安定したバンプを形成することが可能なバンプ形成方法を提供する。【解決手段】ワイヤボンディング装置によってバンプを形成するバンプ形成方法であって、ファーストボンド位置Ｐ１を特定のバンプ形成対象のバンプ形成位置に設定し該バンプ形成位置にボール１１を押圧して接合するファーストボンド工程と、セカンドボンド位置Ｐ２を、ファーストボンド位置Ｐ１からボール１１の径方向に同キャピラリ２の挿通孔２ａの半径Ｒ以上ずらした位置に設定し、ボール１１の直上のワイヤ３をキャピラリ２の先端面２ｂで押圧しボール１１に溶着させるセカンドボンド工程と、ワイヤ３を引っ張って破断させるワイヤ破断工程とを備えた。【選択図】図８
2009054950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャピラリの先端側に開口する挿通孔に挿通されたワイヤを、前記キャピラリで接続対象に設定されるファーストボンド位置にある第１接続端子と、該第１接続端子に対応する前記接続対象又は前記接続対象とは異なる他の接続対象に設定されたセカンドボンド位置にある第２接続端子と、に順次押圧し溶着させて、前記第１接続端子及び前記第２接続端子を電気的に接続するワイヤボンディング装置によってバンプを形成するバンプ形成方法であって、
前記ファーストボンド位置を特定のバンプ形成対象のバンプ形成位置に設定し、前記キャピラリの先端側に突出した前記ワイヤを溶融させて形成したボールを該バンプ形成位置に押圧して接合するファーストボンド工程と、
前記セカンドボンド位置を前記ファーストボンド位置から前記ボールの径方向に前記挿通孔の半径以上ずらした位置に設定し、前記キャピラリの先端面で前記ボールの直上のワイヤを押圧し前記ボールに溶着させるセカンドボンド工程と、
前記ワイヤを引っ張って破断させるワイヤ破断工程と
を備えたことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のバンプ形成方法において、
前記キャピラリの先端面は、外側に向かうほど基端側に傾斜することを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のバンプ形成方法において、
前記キャピラリの先端面における前記挿通孔の周囲には、面取り部が形成されたことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載のバンプ形成方法において、
前記バンプ形成対象は、前記第１接続端子又は前記第２接続端子を含むことを特徴とするバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップ等の接続端子と該半導体チップが搭載される基板等の搭載装置側の接続端子とに金属細線ワイヤを溶着して電気的に接続するワイヤボンディング装置がある。特許文献１に示すように、ワイヤボンディング装置は、ワイヤが挿通されたキャピラリと、キャピラリの先端に突出するワイヤとの間で放電を行うための電気トーチと、キャピラリの先端を加熱するためのヒータと、キャピラリに超音波振動を与えるための振動付与手段とを備えている。ワイヤボンディング装置は、半導体チップの第１接続端子及び搭載装置側の第２接続端子の間をワイヤボンディングするに際して、まず、キャピラリの先端側に突出するワイヤとキャピラリの先端側に移動させた電気トーチとの間で放電を行い、該ワイヤを溶融させてボールを形成する。そして、該ボールを、キャピラリの先端面で前記第１接続端子に押圧して接合する。そして、前記第２接続端子上にキャピラリを移動させ、該キャピラリの先端面でワイヤを第２接続端子に押しつけるとともに熱・超音波を加えて溶着させる。このとき、ワイヤの溶着部には、第２接続端子と完全に接合されるステッチボンドと、暫定的に接合されるテイルボンドが形成される。そして、ワイヤをテイルボンドによって第２接続端子に残したままキャピラリを上方へ移動させ、その後、ワイヤをクランプした状態でキャピラリを上方へ移動させることによりワイヤを引っ張ってテイルボンドの部分で破断させる。これにより、第１接続端子と第２接続端子とがワイヤにて電気的に接続される。ワイヤボンディング装置は、ワイヤを破断した後にキャピラリの先端側に残ったワイヤ（テイル）とキャピラリの先端側に移動させた電気トーチとの間で放電を行い、該ワイヤを溶融させて、次のワイヤボンディングサイクルの為のボールを形成し、次のワイヤボンディングサイクルを連続して実行する。
【０００３】
また、従来、ワイヤと接続端子との接続部分の電気的信頼性や機械的強度を向上させるべく、上述したワイヤボンディングに先立ち、接続端子上にバンプを形成する場合がある。特許文献１には、上述したワイヤボンディング装置を用いたバンプ形成方法が記載されている。ワイヤボンディング装置は、接続端子等の特定のバンプ形成対象にバンプを形成するに際して、まず、図１０（ａ）に示すように、通常のワイヤボンディングサイクルと同様、キャピラリ２の先端側に突出するワイヤ３とキャピラリ２の先端側に移動させた電気トーチ６との間で放電を行い、該ワイヤ３を溶融させてボール２０を形成する。そして、図１０（ｂ）に示すように、該ボール２０を、キャピラリ２の先端面で接続端子２１に押しつけて接合する。そして、図１０（ｃ）に示すように、接続端子２１にワイヤ３を残したままキャピラリ２を上方へ移動させた後、図１０（ｄ）に示すように、ワイヤ３をクランプした状態でキャピラリ２を上方へ移動させることによりワイヤ３を引っ張って破断させる。これにより、接続端子２１にバンプ２２が形成される。ワイヤボンディング装置１は、キャピラリ２側に残ったワイヤ３とキャピラリ２の先端側に移動させた電気トーチ６との間で放電を行い、該ワイヤ３を溶融させて上述したワイヤボンディングサイクルのためのボールを形成することで、バンプ２２を形成した後にワイヤボンディングサイクルを連続して行う。
【特許文献１】特開平１０−２２９１００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のバンプ形成方法によれば、ボール２０の直上のワイヤ３の太さが略一定となるため、ワイヤ３の破断位置が特定されず、バンプ２２のひげ（バンプ２２側に残るワイヤ）２２ａの長さ及びバンプ２２の形状が安定しない。このため、キャピラリ２側に残るワイヤ３の長さが安定せず、次のワイヤボンディングサイクル、若しくは、バンプ形成サイクルのためのボール２０を形成することができない場合がある。その結果、次のワイヤボンディングサイクル、若しくは、バンプ形成サイクルを直ちに開始することができなくなり、生産性が悪くなってしまう。また、接続端子２１の表面状態によっては、バンプ２２がはがれ易くなる場合があり、接続端子２１とバンプ２２との間の接合性を向上させたいという要望がある。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、バンプ形成対象に対する接合性が高く安定したバンプを形成することが可能なバンプ形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、キャピラリの先端側に開口する挿通孔に挿通されたワイヤを、前記キャピラリで接続対象に設定されるファーストボンド位置にある第１接続端子と、該第１接続端子に対応する前記接続対象又は前記接続対象とは異なる他の接続対象に設定されたセカンドボンド位置にある第２接続端子と、に順次押圧し溶着させて、前記第１接続端子及び前記第２接続端子を電気的に接続するワイヤボンディング装置によってバンプを形成するバンプ形成方法であって、前記ファーストボンド位置を特定のバンプ形成対象のバンプ形成位置に設定し、前記キャピラリの先端側に突出した前記ワイヤを溶融させて形成したボールを該バンプ形成位置に押圧して接合するファーストボンド工程と、前記セカンドボンド位置を前記ファーストボンド位置から前記ボールの径方向に前記挿通孔の半径以上ずらした位置に設定し、前記キャピラリの先端面で前記ボールの直上のワイヤを押圧し前記ボールに溶着させるセカンドボンド工程と、前記ワイヤを引っ張って破断させるワイヤ破断工程とを備えたことをその要旨とする。
【０００７】
本発明によれば、セカンドボンド工程におけるセカンドボンド位置をファーストボンド位置からボールの径方向に挿通孔の半径以上ずらした位置に設定し、キャピラリの先端面でボールの直上のワイヤを押圧しボールに溶着させたため、ワイヤにおいてキャピラリの先端面で押圧された部分の肉厚が薄くなる。このため、ワイヤ破断工程において、ワイヤは、キャピラリの先端面で押圧された位置で破断することとなり、ワイヤの破断位置を特定することができる。よって、破断後にバンプに残るワイヤ（ひげ）の長さ及びバンプの形状を安定させることができるとともに、破断後にキャピラリ側に残るワイヤ（テイル）の長さを安定させることができる。また、ファーストボンド工程でバンプ形成対象に溶着したボールを、セカンドボンド工程で再度押圧して溶着させるため、バンプ形成対象に対するバンプの接合性を向上させることができる。よって、バンプ形成対象に対する接合性が高く安定したバンプを形成することができる。その結果、生産性を向上させることができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、前記キャピラリの先端面は、外側に向かうほど基端側に傾斜することをその要旨とする。
本発明によれば、キャピラリの先端面は外側に向かうほど基端側に傾斜するため、セカンドボンド工程において、ボールの直上のワイヤを押圧して溶着させる際に溶融したボール若しくはワイヤは、キャピラリの外側であってボールの中心側へ押圧される。このため、溶融したボール若しくはワイヤがバンプの中心に集められ肉厚が確保されるので、バンプとワイヤとの接合性を向上させることができる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、前記キャピラリの先端面における前記挿通孔の周囲には、面取り部が形成されたことをその要旨とする。
本発明によれば、セカンドボンド工程においてキャピラリの先端面における挿通孔の周囲に形成された面取り部で押圧されることにより、該面取り部で押圧された部分が肉厚となりワイヤの強度が確保される。このため、ワイヤ破断工程においてワイヤを引っ張る前にワイヤが破断してしまうことを好適に防止することが可能となり、キャピラリ側にボールを形成する際に必要なワイヤの長さを十分確保することが可能となり、バンプ形成対象に対する接合性が高く安定したバンプをより確実に連続して形成することができる。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、前記バンプ形成対象は、前記第１接続端子又は前記第２接続端子を含むことをその要旨とする。
本発明によれば、接合性が高く安定したバンプを接続対象としての第１接続端子又は第２接続端子に形成することにより、生産性を低下させることなく、ワイヤと第１接続端子又は第２接続端子との接続部分の電気的信頼性や機械的強度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、接合性が高く安定したバンプを形成することが可能なバンプ形成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。
図１（ａ）に示すように、ワイヤボンディング装置１のキャピラリ２は、先端側（図１（ａ）中、下側）に向かって次第に細くなる略円錐台状に形成されている。キャピラリ２は、駆動装置（図示略）に駆動されて３次元方向へ移動する。図１（ｂ）に示すように、キャピラリ２は、その先端側と基端側とに開口する挿通孔２ａを備えている。キャピラリ２の先端面２ｂは、外側に向かうほどキャピラリ２の基端側に傾斜するテーパ面とされている。また、キャピラリの先端面２ｂにおける挿通孔２ａの周囲には、面取り部２ｃがすり鉢状に形成されている。図１（ａ）に示すように、挿通孔２ａには、ワイヤ３が挿通されている。ワイヤ３は、キャピラリ２の上方に設けられたワイヤスプール４から引き出されている。キャピラリ２とワイヤスプール４との間には、ワイヤ３をクランプ・アンクランプ可能なクランパ５が配設されている。クランパ５は、前記駆動装置に駆動されてキャピラリ２と共に移動する。
【００１３】
また、ワイヤボンディング装置１は、キャピラリ２の先端から突出するワイヤ３との間で放電を行うための手段として電気トーチ６を備えている。電気トーチ６は、退避位置からキャピラリ２の先端面２ｂにおける挿通孔２ａの近傍へ移動しうるように構成されている。また、ワイヤボンディング装置１は、キャピラリ２に超音波振動を与えるための振動付与手段（図示略）及びワイヤ３のテンションを一定に保つためのエアーテンション（図示略）を備えている。
【００１４】
また、ワイヤボンディング装置１は、接続対象としての半導体素子７の第１接続端子８が配置されるファーストボンド位置Ｐ１、及び、半導体素子７が搭載される接続対象としての基板９の第２接続端子１０が配置されるセカンドボンド位置Ｐ２、並びに、前記振動付与手段の出力等を設定するための入力装置（図示略）を備えている。なお、前記入力装置を通じて、基板９が載置されるステージを加熱するヒータ（図示略）の出力も設定できるようになっている。半導体素子７には、複数の第１接続端子８が設けられており、基板９には、複数の第１接続端子８に対応する複数の第２接続端子１０が設けられている。ワイヤボンディング装置１は、入力装置を通じて予め設定されたファーストボンド位置Ｐ１にある第１接続端子８及びセカンドボンド位置Ｐ２にある第２接続端子１０にワイヤ３を押圧し溶着させることで、第１接続端子８と第２接続端子１０とを電気的に接続する（図６参照）。
【００１５】
次に、第１接続端子８及び第２接続端子１０をワイヤ３にて接続する場合のワイヤボンディング装置１の動作（ワイヤボンディングサイクル）を説明する。
まず、ワイヤボンディング装置１は、図１（ａ）に２点鎖線で示されるように、キャピラリ２の先端側に電気トーチ６を移動させ、挿通孔２ａからキャピラリ２の先端側に突出したワイヤ３と電気トーチ６との間で高圧放電させ、該ワイヤ３の先端部を溶融させてボール１１を形成する。そして、図２に示すように、ワイヤボンディング装置１は、前記駆動装置の駆動によりキャピラリ２をファーストボンド位置Ｐ１の直上に移動させる。これにより、キャピラリ２の中心が、半導体素子７の第１接続端子８上に配置される。次に、ワイヤボンディング装置１は、前記駆動装置の駆動によりキャピラリ２を下方へ移動させ、ボール１１を第１接続端子８に押圧する。このとき、ワイヤボンディング装置１は、前記振動付与手段によって押圧状態のボール１１に超音波を加える（ファーストボンド工程）。これにより、ボール１１が、第１接続端子８に接合される。
【００１６】
次に、図３に示すように、ワイヤボンディング装置１は、クランパ５を開いたアンクランプ状態で、前記駆動装置の駆動を通じてキャピラリ２を上方へ移動させた後、図４に示すように、同キャピラリ２をセカンドボンド位置Ｐ２の直上に移動させる。これにより、キャピラリ２の中心が、第２接続端子１０上に配置される。なお、このとき、ワイヤボンディング装置１は、ワイヤ３のループ形状を最適な状態にするべく、前記エアーテンションでワイヤ３のテンションを一定に保ちながらキャピラリ２を特殊な軌道で移動させ、ワイヤ３に屈曲部（くせ）３ａを形成するループ動作を行う。
【００１７】
そして、図５（ａ）に示すように、ワイヤボンディング装置１は、前記駆動装置の駆動によりキャピラリ２を下方へ移動させ、ワイヤ３を第２接続端子１０に押圧する。このとき、ワイヤボンディング装置１は、前記振動付与手段によって押圧状態のワイヤ３に超音波を加える（セカンドボンド工程）。これにより、図５（ｂ）に示すように、ワイヤ３に、キャピラリ２の先端面２ｂで押圧されることで第２接続端子１０に接合される部分であるステッチボンドＢ１と、キャピラリ２の面取り部２ｃで押圧されることで第２接続端子１０に（暫定的に）接合される部分であるテイルボンドＢ２とが形成される。
【００１８】
次に、図６に示すように、ワイヤボンディング装置１は、クランパ５を開いたアンクランプ状態でキャピラリ２を上方へ移動させ、キャピラリ２の先端側に一定の長さのワイヤ３を突出させた後、クランパ５を閉じたクランプ状態でキャピラリ２をさらに上方へ移動させる（ワイヤ破断工程）。ワイヤ３は上方へ引っ張られることにより、テイルボンドＢ２の部分で破断し、ステッチボンドＢ１から切り離される。以上で、第１接続端子８と第２接続端子１０とをワイヤ３にて電気的に接続する１回のワイヤボンディングサイクルが終了する。ワイヤボンディング装置１は、ワイヤ破断工程においてワイヤ３を破断した後にキャピラリ２の先端側に残ったワイヤ（テイル）３と電気トーチ６との間で高圧放電させ、該ワイヤ３を溶融させて、次のワイヤボンディングサイクルの為のボール１１を形成する。ワイヤボンディング装置１は、次の第１接続端子８及び第２接続端子１０に対するワイヤボンディングサイクルを連続して実行する。
【００１９】
また、本実施の形態では、ワイヤ３と第２接続端子１０との接続部分の電気的信頼性や機械的強度を向上させるべく、上述したワイヤボンディングに先立ち、第２接続端子１０上にバンプを形成する。次に、このワイヤボンディング装置１によるバンプ形成方法（バンプ形成サイクル）について説明する。
【００２０】
＜バンプ形成方法＞
このバンプ形成方法においては、前記入力装置を通じて、セカンドボンド工程におけるセカンドボンド位置Ｐ２を、ファーストボンド工程におけるファーストボンド位置Ｐ１から、ボール１１の径方向に挿通孔２ａの面取り部２ｃの先端側の半径Ｒよりも大きな距離Ｒ１ずらした位置に設定する（図７参照）。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、ワイヤボンディング装置１は、第２接続端子１０にバンプを形成する場合、まず、前記ワイヤボンディングサイクルと同様に、キャピラリ２の先端側に電気トーチ６を移動させ、挿通孔２ａからキャピラリ２の先端側に突出したワイヤ３と電気トーチ６との間で高圧放電させ、該ワイヤ３の先端部を溶融させてボール１１を形成する。そして、図２に示すように、ワイヤボンディング装置１は、前記駆動装置の駆動によりキャピラリ２をファーストボンド位置Ｐ１の直上に移動させる。これにより、キャピラリ２の中心が、図２において括弧書きで示すバンプ形成対象である第２接続端子１０上に配置される。次に、ワイヤボンディング装置１は、前記駆動装置の駆動によりキャピラリ２を下方へ移動させ、ボール１１を第２接続端子１０に押圧する。このとき、ワイヤボンディング装置１は、前記振動付与手段によって押圧状態のボール１１に超音波を加える（ファーストボンド工程）。これにより、ボール１１が、第２接続端子１０に接合される。
【００２２】
次に、図３に示すように、ワイヤボンディング装置１は、クランパ５を開いたアンクランプ状態で、前記駆動装置の駆動を通じてキャピラリ２を上方へ移動させた後、図７に示すように、同キャピラリ２を、セカンドボンド位置Ｐ２の直上に移動させる。これにより、キャピラリ２の中心が、ボール１１の径方向にキャピラリ２の挿通孔２ａの半径Ｒよりも大きい距離Ｒ１ずれた位置に配置される。なお、このとき、ワイヤボンディング装置１は、キャピラリ２を特殊な軌道で移動させるループ動作を行うが、例えば、ワイヤ３に前記屈曲部３ａが形成されないよう、また、前記エアーテンションによりワイヤ３がキャピラリ２の挿通孔２ａ内に適切に引き込まれるよう、ループ動作の条件を設定して、バンプの形状に影響がないようにする。
【００２３】
そして、図８（ａ）に示すように、ワイヤボンディング装置１は、前記駆動装置の駆動によりキャピラリ２を下方へ移動させ、ワイヤ３を第２接続端子１０に押圧する。このとき、ワイヤボンディング装置１は、前記振動付与手段によって押圧状態のワイヤ３に超音波を加える（セカンドボンド工程）。これにより、図８（ｂ）に示すように、ボール１１の直上のワイヤ３がキャピラリ２の先端面２ｂで押圧されて溶着される（一体となる）とともに、ワイヤ３においてキャピラリ２の先端面２ｂで押圧された部分の肉厚が薄くなりテイルボンドＢ２が形成される。このとき、ファーストボンド工程で溶着したボール１１が、セカンドボンド工程で再度押圧されて溶着する。このため、バンプ１２の第２接続端子１０に対する接合性が向上する。また、キャピラリ２の先端面２ｂは、外側に向かうほど基端側に傾斜するため、ボール１１の直上のワイヤ３を押圧して溶着させる際に溶融したボール１１若しくはワイヤ３は、キャピラリ２の外側であってボール１１の中心側へ押圧される。このため、溶融したボール１１若しくはワイヤ３がバンプ１２の中心に集められ、バンプ１２の肉厚が確保されるので、後のワイヤボンディングサイクルにおけるバンプ１２とワイヤ３との接合性が向上する。
【００２４】
次に、図９（ａ）に示すように、ワイヤボンディング装置１は、クランパ５を開いたアンクランプ状態でキャピラリ２を上方へ移動させ、キャピラリ２の先端側に一定の長さのワイヤ３を突出させた後、クランパ５を閉じたクランプ状態でキャピラリ２をさらに上方へ移動させる（ワイヤ破断工程）。ワイヤ３は上方へ引っ張られることにより、ワイヤ３においてキャピラリ２の先端面２ｂで押圧されたテイルボンドＢ２の位置で破断し、ボール１１から切り離される。以上で、１回のバンプ形成サイクルが終了する。すなわち、図９（ｂ）に示されるように、ワイヤ３の破断位置が特定され、バンプ１２のひげの長さ及びバンプ１２の形状が安定するとともに、破断後にキャピラリ２側に残るワイヤ３の長さが安定する。また、セカンドボンド工程においてキャピラリ２の先端面２ｂに形成されたテーパ状の面取り部２ｃで押圧されることにより、該面取り部２ｃで押圧されてなるテイルボンドＢ２が肉厚となりワイヤ３の強度が確保される。このため、ワイヤ破断工程においてワイヤ３を引っ張る前にワイヤ３が破断してしまうことを好適に防止することが可能となり、キャピラリ２側に次のバンプ形成サイクルでボール１１を形成する際に必要なワイヤ３の長さを十分確保することができる。
【００２５】
ワイヤボンディング装置１は、ワイヤ３を破断した後にキャピラリ２の先端側に残ったワイヤ３と電気トーチ６との間で高圧放電させ、該ワイヤ３の先端部を溶融させて、第１接続端子８にワイヤを接合するためのボール１１を形成し、第１及び第２接続端子８，１０を接続するワイヤボンディングサイクルを連続して実行する。
【００２６】
次に、上記実施の形態の作用効果を以下に記載する。
（１）セカンドボンド工程におけるセカンドボンド位置Ｐ２（キャピラリ２の中心位置）を、ファーストボンド工程におけるファーストボンド位置Ｐ１（キャピラリ２の中心位置）からボール１１の径方向に挿通孔２ａの半径Ｒよりも大きい距離Ｒ１ずらした位置に設定した。このため、ボール１１の直上のワイヤ３がキャピラリ２の先端面２ｂで押圧されてボール１１に溶着されるとともに、ワイヤ３においてキャピラリ２の先端面２ｂで押圧された部分の肉厚が薄くなりテイルボンドＢ２が形成される。従って、ワイヤ破断工程において、ワイヤ３は、ワイヤ３においてキャピラリ２の先端面２ｂで押圧されたテイルボンドＢ２の位置で破断することとなり、ワイヤ３の破断位置を特定することができる。よって、破断後にバンプ１２に残るワイヤ（ひげ）の長さ及びバンプ１２の形状を安定させることができるとともに、破断後にキャピラリ２側に残るワイヤ（テイル）３の長さを安定させることができる。また、ファーストボンド工程で第２接続端子１０に溶着したボール１１を、セカンドボンド工程で再度押圧して溶着させるため、第２接続端子１０に対するバンプ１２の接合性を向上させることができる。よって、第２接続端子１０に対する接合性が高く安定したバンプ１２を形成することができる。その結果、生産性を向上させることができる。
【００２７】
（２）また、ワイヤボンディング装置１によって第２接続端子１０に対する接合性が高く安定したバンプ１２を形成することができるため、同一の装置でバンプ形成サイクルとワイヤボンディングサイクルとを連続して実行することが可能となり、生産性をより向上させることができる。
【００２８】
（３）キャピラリ２の先端面２ｂは外側に向かうほど基端側に傾斜するため、セカンドボンド工程において、ボール１１の直上のワイヤ３を押圧して溶着させる際に溶融したボール１１若しくはワイヤ３は、キャピラリ２の外側であってボール１１の中心側へ押圧される。このため、溶融したボール１１若しくはワイヤ３がバンプ１２の中心に集められ肉厚が確保されるので、バンプ１２とワイヤ３との接合性を向上させることができる。
【００２９】
（４）セカンドボンド工程ではキャピラリ２の先端面２ｂにおける挿通孔２ａの周囲に形成された面取り部２ｃで押圧されることにより、該面取り部２ｃで押圧されたテイルボンドＢ２が肉厚となりワイヤ３の強度が確保される。このため、ワイヤ破断工程においてワイヤ３を引っ張る前にワイヤ３が破断してしまうことを好適に防止することが可能となり、キャピラリ２側にボール１１を形成する際に必要なワイヤ３の長さを十分確保することができる。よって、第２接続端子１０に対する接合性が高く安定したバンプ１２をより確実に連続して形成することができる。
【００３０】
（５）接合性が高く安定したバンプ１２を接続対象としての第２接続端子１０に形成することにより、生産性を低下させることなく、ワイヤ３と第２接続端子１０との接続部分の電気的信頼性や機械的強度を向上させることができる。
【００３１】
尚、本実施の形態は、以下のように変更してもよい。
・上記実施の形態では、先端面２ｂが外側に向かうほど基端側に傾斜したキャピラリ２を用いたが、先端面２ｂが傾斜していないキャピラリを用いてもよい。
【００３２】
・上記実施の形態では、ワイヤボンディング装置１でバンプ１２を形成した後、ワイヤボンディングを行うようにしたが、ワイヤボンディングを行った後、第１接続端子８や第２接続端子１０にバンプを形成するようにしてもよい。また、上記実施の形態では、同一のワイヤボンディング装置１でバンプ１２の形成とワイヤボンディングとを行うようにしたが、別々の装置で行うようにしてもよい。
【００３３】
・上記実施の形態では、基板９の第２接続端子１０にバンプ１２を形成したが、半導体素子７の第１接続端子８にバンプ１２を形成してもよい。
・上記実施の形態では、半導体素子７の第１接続端子８と基板９の第２接続端子１０とをワイヤ３にて接続したが、基板９等の同一の部材に設けられた複数の接続端子をワイヤにて接続してもよい。
【００３４】
・上記実施の形態では、セカンドボンド工程におけるセカンドボンド位置Ｐ２を、ファーストボンド工程におけるファーストボンド位置Ｐ１から、ボール１１の径方向に挿通孔２ａの面取り部２ｃの先端側の半径Ｒよりも大きな距離Ｒ１ずらしたが、ずらし量は挿通孔２ａの半径以上であれば適宜変更可能である。
【００３５】
・上記実施の形態において、ワイヤボンディング装置１に、キャピラリ２を加熱するヒータを設け、ワイヤ３若しくはボール１１を接合する際に、前記振動付与手段及びヒータによってワイヤ３若しくはボール１１に直接、超音波及び熱を加えるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】（ａ）バンプ形成方法において使用されるワイヤボンディング装置の概略図、（ｂ）キャピラリの拡大断面図。
【図２】ワイヤボンディング装置の動作を説明するための部分概略断面図。
【図３】ワイヤボンディング装置の動作を説明するための部分概略断面図。
【図４】ワイヤボンディング装置の動作を説明するための部分概略断面図。
【図５】（ａ）ワイヤボンディング装置の動作を説明するための部分概略断面図、（ｂ）ワイヤボンディング装置の動作を説明するための拡大断面図。
【図６】ワイヤボンディング装置の動作を説明するための部分概略断面図。
【図７】バンプ形成方法を説明するための部分概略断面図。
【図８】（ａ）バンプ形成方法を説明するための部分概略断面図、（ｂ）バンプ形成方法を説明するための拡大断面図。
【図９】（ａ）バンプ形成方法を説明するための部分概略断面図、（ｂ）電子顕微鏡を用いて撮影したバンプの写真。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）従来のバンプ形成方法を説明するための部分概略断面図。
【符号の説明】
【００３７】
１…ワイヤボンディング装置、２…キャピラリ、２ａ…挿通孔、２ｂ…先端面、２ｃ…面取り部、３…ワイヤ、７…接続対象としての半導体素子、８…第１接続端子、９…接続対象としての基板、１０…バンプ形成対象としての第２接続端子、１１…ボール、１２…バンプ、Ｒ…挿通孔の半径、Ｐ１…ファーストボンド位置、Ｐ２…セカンドボンド位置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図９】
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