(57)【要約】      （修正有）【課題】ＩＣ端子に対する金属バンプの接合強度を高めたＩＣウェハ及びＩＣチップを提供する。【解決手段】ＩＣ端子５を一主面に有して個々のＩＣチップ１に分割されるＩＣウェハにおいて、前記ＩＣ端子５は電気的に接続した検査用のダミー端子を有する構成とする。例えば、前記ダミー端子は前記ＩＣ端子の形成される一主面と同一面であって、前記ＩＣチップの領域内に形成される。または、前記ダミー端子は前記ＩＣ端子の形成される一主面と同一面であって、前記ＩＣチップの領域外に形成され前記ＩＣチップの領域外に形成されるとともに前記領域外は個々のＩＣチップに分割される際に切除される。あるいは、前記ダミー端子は前記ＩＣチップの一主面から貫通電極によって他主面に形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣ端子を一主面に有して個々のＩＣチップに分割されるＩＣウェハにおいて、前記ＩＣ端子は電気的に接続した検査用のダミー端子を有することを特徴とするＩＣウェハ。
【請求項２】
請求項１において、前記ダミー端子は前記ＩＣ端子の形成される一主面と同一面であって、前記ＩＣチップの領域内に形成されたＩＣウェハ。
【請求項３】
請求項１において、前記ダミー端子は前記ＩＣ端子の形成される一主面と同一面であって、前記ＩＣチップの領域外に形成され前記ＩＣチップの領域外に形成されるとともに前記領域外は個々のＩＣチップに分割される際に切除されるＩＣウェハ。
【請求項４】
請求項１において、前記ダミー端子は前記ＩＣチップの一主面から貫通電極によって他主面に形成されたＩＣウェハ。
【請求項５】
請求項１において、前記ＩＣチップは少なくとも発振回路を集積化し、前記一主面のＩＣ端子は水晶振動子と接続する一対の水晶端子及び電源、出力、アース端子を少なくとも有するＩＣウェハ。
【請求項６】
請求項１〜５におけるいずれかの水晶ウェハを分割し、前記一主面のＩＣ端子上に金属バンプが設けられ、前記金属バンプを用いた超音波熱圧着によって、前記金属バンプの設けられた一主面が回路基板に固着されたことを特徴とするＩＣチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は例えば水晶発振器の発振回路を集積化したＩＣウェハ及び個々に分割されるＩＣチップを技術分野とし、特に、電気的特性を検査する際のＩＣ端子の損傷（圧痕）を防止したＩＣウェハ及びＩＣチップに関する。
【背景技術】
【０００２】
（発明の背景）
水晶発振器は水晶振動子に起因して周波数安定度が高いことから、通信機器を含む各種の電子機器に内蔵される。このようなものの一つに、水晶振動子とこれを除いた発振回路を集積化したＩＣチップとを容器本体内に一体的に収容した表面実装用の水晶発振器（以下、表面実装発振器とする）がある。
【０００３】
（従来技術の一例）
第５図は一従来例を説明する図で、同図（ａ）は表面実装発振器の断面図、同図（ｂ）はＩＣチップの平面図、同図（ｃ）は水晶片の平面図である。
【０００４】
表面実装発振器はＩＣチップ１と水晶片２とを凹状とした容器本体３に収容し、カバー４を被せて密閉封入する。ＩＣチップ１は少なくとも図示しない発振回路を集積化し、一主面にＩＣ端子５を有する。ＩＣ端子５は水晶振動子の接続する一対の水晶端子及び電源、出力、アース端子を少なくとも有し、この例ではこれら以外にスタンバイ端子を有して合計で６端子とする。
【０００５】
ＩＣチップ１における一主面の各ＩＣ端子５には金属バンプ６が設けられる。そして、容器本体３の内底面に形成された図示しない回路端子にＩＣチップ１の一主面が金属バンプ６を用いた超音波熱圧着によって固着される。これにより、各ＩＣ端子５と回路端子とが電気的に接続し、ＩＣ端子５中の電源、出力、アース端子及びスタンバイ端子が容器本体３の外底面に設けた外部端子７に接続する。
【０００６】
水晶片２は両主面に励振電極８ａを有し、例えば一端部両側に引出電極８ｂを延出する。引出電極８ｂの延出した水晶片２の一端部両側は導電性接着剤９によって容器本体３の内壁段部に固着される。カバー４は例えばシーム溶接やガラス封止等によって、容器本体３の開口端面に接合される。
【特許文献１】特開２００１−３２６２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の表面実装発振器では、ＩＣ端子５へのバンプの固着時や超音波熱圧着によるＩＣチップ１の固着時に接合不良となる問題があった。すなわち、ＩＣチップ１は一主面のＩＣ端子５にプローブを１、２回ほど接触させて電気的特性を測定し、不良品を排除して良品のみが選択（出荷）される。
【０００８】
この場合、プローブの接触時には、第６図（ａｂ）に示したように、押圧力による圧痕（傷）１０が残る。圧痕１０はプローブの接触部が穴１０ａとなり、その周囲が突堤１０ｂとなって、ＩＣ端子５の表面は凹凸面となる。したがって、ワイヤーボンディングを用いた金属バンプ６の形成時には、金属バンプ６の底面が圧痕１０によって充分に密着せず空隙を生ずる「第６図（ｃ）」。これにより、金属バンプ６を形成できない。
【０００９】
また、金属バンプ６を形成できても結合強度が不十分で品質が悪く、容器本体３の内底面に対する超音波熱圧着時には支障を来たし、回路端子に対する接合不良を生ずる問題があった。これらは、特に表面実装発振器（ＩＣチップ１）が小型になるほど、ＩＣ端子５も小さくなって圧痕１０が相対的に大きくなるので、その問題が大きくなる。
【００１０】
なお、ＩＣチップ１に対する電気的特性の検査は、図示しないＩＣウェハから分割された個々のＩＣチップの状態のみならず、ＩＣウェハの状態でも実施される。この場合でも、不良品が排除され良品のみのＩＣウェハが出荷される。
【００１１】
（発明の目的）
本発明はＩＣ端子に対する金属バンプの接合強度を高めたＩＣウェハ及びＩＣチップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、特許請求の範囲に示したように、ＩＣ端子を一主面に有して個々のＩＣチップに分割されるＩＣウェハにおいて、前記ＩＣ端子は電気的に接続した検査用のダミー端子を有する構成とする。
【００１３】
このような構成であれば、ＩＣチップの電気的特性の検査時には、測定用のプローブを検査用のダミー端子に接触すればよいので、ＩＣ端子にはプローブ接触時の圧痕は形成されない。したがって、例えばワイヤーボンディングによってＩＣ端子に金属バンプを形成する際の、ＩＣ端子に対する金属バンプの接合強度を高められる。
【００１４】
（実施態様項）
本発明の請求項２では、請求項１において、前記ダミー端子は前記ＩＣ端子の形成される一主面と同一面であって、前記ＩＣチップの領域内に形成される。これにより、ＩＣウェハの状態及びこれを分割した後でのＩＣチップの状態のいずれでも、ダミー端子によってＩＣチップの電気的特性を検査できる。
【００１５】
同請求項３では、請求項１において、前記ダミー端子は前記ＩＣ端子の形成される一主面と同一面であって、前記ＩＣチップの領域外に形成されるとともに前記領域外は個々のＩＣチップに分割される際に切除される。
【００１６】
これにより、水晶ウェハの状態でダミー端子によってＩＣチップの電気特性を検査できる。そして、電気的特性の検査後はダミー端子の形成されたＩＣチップの領域外は切除されるので、ＩＣチップから例えば浮遊容量の原因となる無用なダミー端子を排除できる。
【００１７】
同請求項４では、請求項１において、前記ダミー端子は前記ＩＣチップの一主面から貫通電極によって他主面に形成される。これにより、ＩＣウェハの状態及びこれを分割した後でのＩＣチップ１の状態のいずれでも、ダミー端子によってＩＣチップ１の電気的特性を検査できる。そして、ダミー端子はＩＣ端子と反対面に形成されるので、ＩＣチップが小さくなるほど有利となる。
【００１８】
同請求項５では、請求項１において、前記ＩＣチップ１は少なくとも発振回路を集積化し、前記一主面のＩＣ端子は水晶振動子と接続する一対の水晶端子及び電源、出力、アース端子を少なくとも有する。これにより、ＩＣウェハの利用される技術分野を水晶発振器に特定し、ＩＣチップ１の剥離等を防止して水晶発振器の信頼性を高められる。
【００１９】
同請求項６では、請求項１〜５におけるいずれかの水晶ウェハを分割し、前記一主面のＩＣ端子上に金属バンプが設けられ、前記金属バンプを用いた超音波熱圧着によって、前記金属バンプの設けられた一主面が回路基板に固着されたＩＣチップの構成とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
第１図は本発明の第１実施形態を説明するＩＣウェハの一部拡大平面図である。なお、前従来例と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
【００２１】
ＩＣウェハ１１は例えばシリコン基板を母体とし、分割線Ａ−Ａ及びＢ−Ｂ線に沿って縦横に切断して個々に分割される多数のＩＣチップ１を有する。各ＩＣチップ１は水晶振動子を除く発振回路が集積化される。そして、各ＩＣチップ１の一主面（回路機能面）の両端側（図では上下）にはＩＣ端子５を有する。ＩＣ端子５は前述同様に一対の水晶端子及び電源、出力、アース、スタンバイ端子とする。
【００２２】
第１実施形態では、各ＩＣチップ１（領域）の両端側のＩＣ端子５からは幅狭部を経て電気的に接続するダミー端子５ａを中央寄りに有する。ダミー端子５ａは各ＩＣチップ１の電気的特性の検査用とし、ＩＣ端子５よりも小さく検査用のプローブが接触する面積とする。これらのダミー端子５ａは、この例では酸化シリコン膜上にアルミニウム配線してＩＣ端子５を形成する際、一体的に形成される。
【００２３】
このような構成であれば、ＩＣウェハの状態で、あるいはＩＣチップ１に分割した状態で、各ＩＣチップ１の電気的特性がダミー端子５ａにプローブを接触して検査される。この場合、プローブはＩＣ端子５に触れることがないので、ＩＣ端子５にはプローブによる圧痕は生じない。したがって、ワイヤーボンディングによる金属バンプ６は底面がＩＣ端子５に密着して形成されるので、ＩＣ端子５に対する接合強度を高められる。
【００２４】
このことから、前述した表面実装発振器を形成する容器本体３の内底面に、金属バンプ６を用いた超音波熱圧着によってＩＣチップ１を固着しても、接合強度が維持されて信頼性を高められる。なお、容器本体３の内底面のみらず、図示しない回路基板に固着する場合でも同様に接合強度を維持できる。
【００２５】
（第２実施形態）
第２図は本発明の第２実施形態を説明するＩＣウェハの一部拡大平面図である。なお、前実施形態と同一部分の説明は簡略又は省略する。
【００２６】
第２実施形態では、ＩＣチップ１のＩＣ端子５は前述同様に両端側に形成されるものの、ダミー端子５ａはＩＣチップ１の領域外に形成される。すなわち、隣接するＩＣチップ１の例えば上下間となる領域外に検査用のダミー端子５ａが形成される。この例では、ＩＣチップ１内の回路を経て点線で示すように各ＩＣ端子５と電気的に接続する。
【００２７】
そして、ＩＣウェハ１１の状態で、プローブをダミー端子５ａに接触して電気的特性を測定する。その後、分割線Ａ−Ａ及びＢ−Ｂ線沿って分割し、多数のＩＣチップ１を得るとともに、ＩＣチップ１の領域外の各ダミー端子５ａを切除する。
【００２８】
この場合においても、測定用のプローブはＩＣ端子５に接触することがないので、ＩＣ端子５には圧痕を生じない。したがって、ワイヤーボンディングによる接合強度の高い金属バンプ６を得られる。そして、この例では、ＩＣチップ１にはダミー端子５ａはないので、浮遊容量等の発生を抑制できる。
【００２９】
なお、この実施形態では、各ＩＣ端子５に対してそれぞれのダミー端子５ａを設けたが、例えば第３図の一部図に示したように、隣接する２個のＩＣ端子５には共通する１個のダミー端子５ａを電気的に接続することもできる。この場合、ＩＣウェハ１１の無駄を省ける。
【００３０】
（第３実施形態）
第４図は本発明の第３実施形態を説明する図で、同図（ａ）はＩＣウェハの一部拡大平面図、同図（ｂ）はＩＣチップの側面図である。なお、前実施形態と同一部分の説明は簡略又は省略する。
【００３１】
第１及び第２実施形態ではいずれもＩＣ端子５の形成された一主面にダミー端子５ａを設けたが、第３実施形態ではダミー端子５ａをＩＣ端子５と反対面の他主面に設ける。すなわち、ＩＣチップ１に設けた貫通電極１２によって、ダミー端子５ａを他主面に形成する。
【００３２】
この場合でも、ＩＣウェハ１１あるいはこれを分割したＩＣチップ１の状態で、ダミー端子５ａにプローブを接触して電気的特性を測定するので、ＩＣ端子５には圧痕は形成されない。したがって、ワイヤーボンディングによる接合強度の高い金属バンプ６を得られる。そして、ダミー端子５ａを反対面に形成するので、ＩＣチップ１が小さくなるほど有利になる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１実施形態を説明するＩＣウェハの一部拡大平面図である。
【図２】本発明の第２実施形態を説明するＩＣウェハの一部拡大平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態の他例を説明するＩＣウェハの一部拡大図である。
【図４】本発明の第３実施形態を説明する図で、同図（ａ）はＩＣウェハの一部拡大平面図、同図（ｂ）はＩＣチップの側面図である。
【図５】一従来例を説明する図で、同図（ａ）は表面実装発振器の断面図、同図（ｂ）はＩＣチップの平面図、同図（ｃ）は水晶片の平面図である。
【図６】一従来例の問題点を説明する図で、同図（ａ）はＩＣ端子の拡大図、同図（ｂ）はＩＣ端子のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は金属バンプを固着したＩＣ端子の断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  ＩＣチップ、２  水晶片、３  容器本体、４  カバー、５  ＩＣ端子、６  金属バンプ、７  実装端子、８  励振及び引出電極、９  導電性接着剤、１０  圧痕、１１  ＩＣウェハ、１２  貫通電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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