(57)【要約】【課題】高収率、安価で、生産性が高く、且つ、固形廃棄物が少なく大量製造に適したディスコティック液晶化合物の精製方法を提供すること。【解決手段】合成したディスコティック液晶化合物を含むディスコティック液晶化合物溶液から不純物を除去するディスコティック液晶化合物の精製方法であって、前記ディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とするディスコティック液晶化合物の精製方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成したディスコティック液晶化合物を含むディスコティック液晶化合物溶液から不純物を除去するディスコティック液晶化合物の精製方法であって、前記ディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とするディスコティック液晶化合物の精製方法。
【請求項２】
合成したディスコティック液晶化合物の結晶を有機溶媒に溶解し、ディスコティック液晶化合物溶液を得て、前記ディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とする請求項１に記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【請求項３】
ディスコティック液晶化合物の中心部となりうる中心部前駆体と、側鎖部となりうる側鎖部前駆体とを反応させて得られたディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とする請求項１に記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【請求項４】
ディスコティック液晶化合物の中心部となりうるフェノール性水酸基を有する中心部前駆体と、側鎖部となりうるカルボン酸基を混合酸無水物誘導体の形で有する側鎖部前駆体とを反応させ、得られたディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とする請求項３に記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【請求項５】
ディスコティック液晶化合物溶液を水洗する工程をさらに含み、前記水洗後のディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【請求項６】
前記粘土鉱物を接触させる前に、前記ディスコティック液晶化合物溶液を乾燥剤で乾燥させることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【請求項７】
前記ディスコティック液晶化合物の構造が、下記一般式（Ｉ）［式中Ｒはアシル基を表す］で表されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【化１】
2009234973.tif 000013
【請求項８】
前記粘土鉱物をボディーフィードまたはスパークラー濾過器にプレコートする方法で利用することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【請求項９】
前記粘土鉱物が、モンモリロナイトであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスコティック液晶化合物の精製方法に関するものであり、詳しくは、位相差膜等の光学異方性材料や、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子における正孔注入輸送材料などの機能性材料の原料等として用いられ得るディスコティック液晶化合物の精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子はワードプロセッサー、パーソナルコンピューター、テレビなどに広く用いられるようになり、それに関連する素材、装置などの産業活動が活発に行われている。液晶表示材料の根本をなす素材である液晶化合物についても活発な開発研究が行われ、数多くの化合物が開発されてきた。これらの化合物は、表示素子に限らず種々の用途の開発に向け利用が考えられている。従来からよく知られ、よく利用されている棒状の液晶化合物に加え、最近では円盤状の液晶化合物、いわゆるディスコティック液晶化合物が注目を浴びるようになった。
【０００３】
ディスコティック液晶化合物として代表的なものは、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載されているように、例えばベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体、さらにＢ．Ｋｏｈｎｅらの研究報告、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，９６巻、７０頁（１９８４年）に記載されたシクロヘキサン誘導体、Ｊ．Ｍ．Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７９４頁（１９８５年）やＪ．Ｚｈａｎｇ、Ｊ．Ｓ．Ｍｏｏｒｅらの研究報告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１６巻、２６５５頁（１９９４年）に記載された種々のマクロサイクレン誘導体、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅら著、Ｊ．Ｐｈｓｉｑｕｅ，４０巻、４号、Ｃ３−１７（１９７９）およびＣ．Ｖａｕｃｈｉｅｒら著、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，６６巻、１０３頁（１９８１年）、特開平７−３０６３１７号に記載されている。
【０００４】
一方、フェノール性ヒドロキシ基を有する中心部前駆体と、カルボン酸を有する側鎖部前駆体からエステル化により、ディスコティック液晶化合物として有用な円盤状化合物を製造する方法において、側鎖部前駆体であるカルボン酸を酸クロライドで変換する方法や、側鎖部前駆体である混合酸無水物誘導体とフェノール性ヒドロキシ基を有する中心部前駆体との反応によりエステル化を行う方法が知られている。例えば、Ｃ．Ｖａｕｃｈｉｅｒらの研究報告〔Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，６６巻、１０３頁（１９８１年）〕やＴ．Ｗ．Ｗａｒｍｅｒｄａｍ  らの研究報告〔Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  ３巻、１０８７頁（１９８８年）〕、特開平９−９５４６７号などに記載されている。しかしながら、これらに開示されている方法では、得られたディスコティック液晶化合物の光学異方性材料としての性能は必ずしも十分なものでなく、さらに、化合物の結晶化による再精製をしても性能的にほとんど変化がなく、またカラムクロマトグラフィーによる精製法は、大量製造および製造の生産性の観点から実際上採用は非常に困難であった。これらの問題を解決する方法として、特許文献１（特開２００３-１１３１４１号公報）では、シリカゲル、或は合成吸着剤（主成分ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２）等の吸着剤を用いる事で高性能のディスコティック液晶化合物を製造する方法が記載されている。しかしながら、この方法は、ディスコティック液晶化合物の中心部となりうる中心部前駆体と側鎖部となりうる側鎖部前駆体を反応させた後、水洗することにより得られるディスコティック液晶化合物溶液を吸着剤と接触させる精製法であって、事前に無水硫酸マグネシウム等で有機層から水を脱水処理を行う必要があること、複数回の吸着処理が必要で製造プロセスが複雑になること、及び、多量の吸着剤の使用が必要であり廃棄物が多量に発生すると言う問題点を有している。
【特許文献１】特開２００３-１１３１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、高収率、安価で、生産性が高く、且つ、固形廃棄物が少なく大量製造に適したディスコティック液晶化合物の精製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、下記の精製方法により上記課題が解決されることを見出した。すなわち、本発明者らは、通常の検出手段では見過ごされるような微量の不純物の混入がディスコティック液晶化合物としての性能に大きく左右することを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は以下のとおりである。
【０００７】
１．合成したディスコティック液晶化合物を含むディスコティック液晶化合物溶液から不純物を除去するディスコティック液晶化合物の精製方法であって、前記ディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とするディスコティック液晶化合物の精製方法。
２．合成したディスコティック液晶化合物の結晶を有機溶媒に溶解し、ディスコティック液晶化合物溶液を得て、前記ディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とする前記１に記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
３．ディスコティック液晶化合物の中心部となりうる中心部前駆体と、側鎖部となりうる側鎖部前駆体とを反応させて得られたディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とする前記１に記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
４．ディスコティック液晶化合物の中心部となりうるフェノール性水酸基を有する中心部前駆体と、側鎖部となりうるカルボン酸基を混合酸無水物誘導体の形で有する側鎖部前駆体とを反応させ、得られたディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とする前記３に記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
５．ディスコティック液晶化合物溶液を水洗する工程をさらに含み、前記水洗後のディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させることを特徴とする前記１〜４のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
６．前記粘土鉱物を接触させる前に、前記ディスコティック液晶化合物溶液を乾燥剤で乾燥させることを特徴とする前記１〜５のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
７．前記ディスコティック液晶化合物の構造が、下記一般式（Ｉ）［式中Ｒはアシル基を表す］で表されることを特徴とする前記１〜６のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【０００８】
【化１】
2009234973.tif 000002
【０００９】
８．前記粘土鉱物をボディーフィードまたはスパークラー濾過器にプレコートする方法で利用することを特徴とする前記１〜７のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
９．前記粘土鉱物が、モンモリロナイトであることを特徴とする前記１〜８のいずれかに記載のディスコティック液晶化合物の精製方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のディスコティック液晶化合物の精製方法によれば、従来用いられていた、シリカゲル、合成吸着剤を用いる方法に対して、脱水工程を必ずしも必要としないこと、及び吸着工程を大幅に簡略化できるというメリットを有しており、工程の簡略化及び脱水剤・吸着剤の廃棄物を大幅に削減できる。また、本発明の精製方法により得られたディスコティック液晶化合物はディスコティック液晶材料としての性能が優れる。
すなわち本発明によれば、高収率、安価で、生産性が高く、且つ、固形廃棄物が少なく大量製造に適したディスコティック液晶化合物の精製方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明におけるディスコティック液晶化合物は、その中心部に円盤状の分子部分を有することを特徴とする。側鎖部を除いた中心部の円盤状の形態的特徴は、例えば、その原形化合物である水素置換体について、以下のように表現され得る。まず、分子の大きさを以下のようにして求める。
１）該分子につき、できる限り平面に近い、好ましくは平面分子構造を構築する。この場合、結合距離、結合角としては、軌道の混成に応じた標準値を用いる事が好ましく、例えば日本化学会編、化学便覧改訂４版基礎編、第ＩＩ分冊１５章（１９９３年刊  丸善）を参照することができる。
２）前記１）で得られた構造を初期値として、分子軌道法や分子力場法にて構造最適化する。方法としては例えば、Ｇａｕｓｓｉａｎ９２、ＭＯＰＡＣ９３  、ＣＨＡＲＭｍ／ＱＵＡＮＴＡ、ＭＭ３  が挙げられる。好ましくはＧａｕｓｓｉａｎ９２である。
３）構造最適化によって得られた構造の重心を原点に移動させ、座標軸を慣性主軸（慣性テンソル楕円体の主軸）にとる。
４）各原子にファンデルワールス半径で定義される球を付与し、これによって分子の形状を記述する。
５）ファンデルワールス表面上で各座標軸方向の長さを計測し、それらそれぞれをａ、ｂ、ｃとする。
以上の手順により求められたａ、ｂ、ｃを用いて円盤状の形態を定義すると、好ましくはａ≧ｂ＞ｃかつａ≧ｂ≧ａ／２、より好ましくはａ≧ｂ＞ｃかつａ≧ｂ≧０．７ａと表すことができる。またｂ／２＞ｃであることが好ましい。
【００１２】
これらの特徴は、ディスコティック液晶化合物として必要とされるものである。ここで、ディスコティック液晶化合物の具体的化合物として挙げると、例えば日本化学会編、季刊化学総説Ｎｏ．  ２２「液晶の化学」第５章、第１０章２節（１９９４年刊  学会出版センター）、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，７１巻、１１１頁（１９８１年）、Ｂ．Ｋｏｈｎｅ  らの研究報告、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，９６巻、７０頁（１９８４年）、Ｊ．Ｍ．Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇ  、Ｊ．Ｓ．Ｍｏｏｒｅ  らの研究報告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，  １１６巻、２６５５頁（１９９４年）に記載の母核化合物の誘導体が挙げられる。
【００１３】
例えば、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、アントラセン誘導体、ヘキサエチニルベンゼン誘導体、ジベンゾピレン誘導体、コロネン誘導体およびフェニルアセチレンマクロサイクル誘導体が挙げられる。さらに、日本化学会編、“化学総説Ｎｏ．１５  新しい芳香族の化学”（１９７７年  東京大学出版会刊）に記載の環状化合物およびそれらの複素原子置換等電子構造体を挙げることができる。
【００１４】
ディスコティック液晶化合物の中心部となりうる中心部前駆体としては、フェノール性水酸基を有する中心部前駆体が挙げられ、例えばベンゼン環、トリフェニレン環、トルキセン環、フタロシアニン環、ポルフィリン酸、アントラセン環、ヘキサエチニルベンゼン環、ジベンゾピレン環、コロネン環、フェニルアセチレンマクロサイクル環に放射状に水酸基が置換した化合物が挙げられる。本発明に用いられる中心部前駆体として好ましくは、トリフェニレン環に水酸基が置換した、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒドロキシトリフェニレンである。これらを分子の中心部とし、例えばアルカノイルオキシ基や、置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖部として放射状に置換された構造によりディスコティック液晶化合物が形成される。
【００１５】
側鎖部前駆体としては、アリルブロミド、１−ブチルブロミド、１−ヘキシルブロミド、２−エトキシエチルブロミド、等のエーテル結合又は不飽和結合を有していても良い炭素数１８以下のハロゲン化アルキル類、アリルアルコール、１−ブタノール、１−ヘキサノール、２−エトキシエタノール等の等のエーテル結合又は不飽和結合を有していても良い炭素数１８以下のアルコール類、及び、カルボン酸基を有する側鎖部前駆体が挙げられる。
【００１６】
側鎖部となりうるカルボン酸を有する側鎖部前駆体としては、例えば、飽和脂肪酸（例えば、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ドデカン酸）、４−アルキル安息香酸（例えばアルキル基として、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル）、４−アルコキシ安息香酸（例えばアルコキシ基として、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ）が挙げられ、分子中にアリール基、複素環基を含んでいても良い。
【００１７】
また、Ｃ．Ｈａｎｓｃｈ，  Ａ．Ｌｅｏ，  Ｒ．Ｗ．Ｔａｆｔ  著、ケミカルレビュー誌（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，）  １９９１年、９１巻、１６５〜１９５頁（アメリカ化学会）に記載されている置換基で置換されていてもよく、代表例としてアルコキシ基、アルキル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子が挙げられる。更に分子中に、例えばエーテル基、エステル基、カルボニル基、チオエーテル基、スルホキシド基、スルホニル基、アミド基のような官能基を有していても良い。特に分子中に、酸に弱い官能基、例えば加水分解または付加反応を生じる官能基、具体的にはα，β−不飽和カルボニル基｛例えば、アクリロイル〔具体的には、例えば、４−アクリロイルオキシブタン酸、６−アクリロイルオキシヘキサン酸、８−アクリロイルオキシオクタン酸、１０−アクリロイルオキシデカン酸、４−（アクリロイルオキシブチルオキシ）安息香酸、４−（６−アクリロイルオキシヘキシルオキシ）安息香酸、４−（８−アクリロイルオキシオクチルオキシ）安息香酸、４−（１０−アクリロイルオキシデシルオキシ）安息香酸〕、メタクリロイル〔具体的には、例えば、４−メタクリロイルオキシブタン酸、６−メタクリロイルオキシヘキサン酸、８−メタクリロイルオキシオクタン酸、１０−メタクリロイルオキシデカン酸、４−（４−メタクリロイルオキシブチルオキシ）安息香酸、４−（６−メタクリロイルオキシヘキシルオキシ）安息香酸、４−（８−メタクリロイルオキシオクチルオキシ）安息香酸、４−（１０−メタクリロイルオキシデシルオキシ）安息香酸〕、クロトノイル｝、エノールエーテル基｛例えばビニルエーテル〔具体的に例えば、４−ビニルオキシブタン酸、６−ビニルオキシヘキサン酸、８−ビニルオキシオクタン酸、１０−ビニルオキシデカン酸、４−（４−ビニルオキシブチルオキシ）安息香酸、４−（６−ビニルオキシヘキシルオキシ）安息香酸、４−（８−ビニルオキシオクチルオキシ）安息香酸、４−（１０−ビニルオキシデシルオキシ）安息香酸〕｝、エポキシ基、アセタール基、シリルエーテル基を有している場合に好ましい。また、側鎖部前駆体の主鎖の原子数は、カルボン酸もしくは安息香酸部を除いて、２〜３０個が好ましく、更に好ましくは４〜２０個である。
【００１８】
本発明では、ディスコティック液晶化合物の中心部となりうるフェノール性水酸基を有する中心部前駆体と、側鎖部となりうるカルボン酸基を混合酸無水物誘導体の形で有する側鎖部前駆体とをエステル化反応させ、ディスコティック液晶化合物を合成するのが好適な形態である。
前記混合酸無水物誘導体調製時に用いられるカルボン酸と対をなす酸としては、例えば、炭酸エステル（例えば、炭酸モノエチルエステル）、カルボン酸（例えば、ピバリン酸、トリフルオロ酢酸）、スルホン酸（例えば、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸）、無機酸（例えば、リン酸）が挙げられる。この中で好ましくは、スルホン酸であり、更に好ましくはメタンスルホン酸である。また、これらの酸は、酸クロライドの型でカルボン酸と反応させるが、この時用いられる酸クロライドの使用量は、カルボン酸に対して０．９〜１．０５当量、好ましくは１．０当量である。
【００１９】
混合酸無水物誘導体調製時に用いられる溶媒としては、例えば１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、トルエン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、が挙げられるが、この中でも特にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、酢酸エチル、酢酸ブチルが好ましい。すなわち、本発明においては、非極性溶媒が好ましく、少なくとも一種の非極性溶媒を反応溶媒として用いることが好ましい。ここで、非極性溶媒としては、２０℃での誘電率が１０．０以下のものが好ましく、さらに具体的にはエーテル類、芳香族炭化水素、エステル類、脂肪族炭化水素であって、極性基を有さない溶媒が好ましく、例えば上記のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、酢酸エチル、酢酸ブチルが挙げられる。混合酸無水物誘導体調製時に用いられる溶媒の少なくとも一種は上記の溶媒において、水に難溶性の溶媒が好ましく、水を加えた時に２層に分離する溶媒を使用するのが好ましい。具体的にはトルエン、酢酸エチル、酢酸ブチルが挙げられる。
【００２０】
混合酸無水物誘導体調製時に用いられる塩基としては、例えば三級アミン（例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン）、ピリジン類（例えば、ピリジン、ピコリン、ルチジン）が挙げられるが、この中でも特にトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンが好ましい。また使用量は、カルボン酸に対して好ましくは１．０〜２．０当量、より好ましくは１．０〜１．１当量である。混合酸無水物誘導体調製時の温度は好ましくは−３０℃〜１５℃、より好ましくは−２０℃〜５℃である。混合酸無水物誘導体の調製法としては、例えば、（カルボン酸＋アミン＋溶媒）の系に酸クロライドを滴下、（カルボン酸＋酸クロライド＋溶媒）の系にアミンを滴下、（酸クロライド＋溶媒）の系に、（カルボン酸＋アミン＋溶媒）を滴下、が挙げられるが、特に（酸クロライド＋溶媒）の系に、（カルボン酸＋アミン＋溶媒）を滴下することが好ましい。混合酸無水物誘導体と水酸基の反応に用いられる塩基としては、例えば三級アミン類（例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン）、ピリジン類（例えば、ピリジン、ピコリン、ルチジン）が挙げられるが、好ましくはトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンである。
【００２１】
フェノール性水酸基を有する中心部前駆体は、粉体、懸濁液、溶液の状態で、混合酸無水物誘導体反応液に添加してもよいし、混合酸無水物誘導体反応液を添加してもよい。用いられる溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ＴＨＦ、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジクロロメタン、クロロホルム、アセトンが挙げられるが、好ましくはＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＴＨＦである。エステル化反応におけるフェノール性水酸基の活性化及びエステル化反応により生成する酸をトラップする脱酸剤と用いられる塩基としては、例えば三級アルキルアミン類（例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン）、ピリジン類（例えば、ピリジン、ピコリン類、ルチジン類）、アニリン類（Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン）が挙げられるが、好ましくは、三級アルキルアミン類（例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン）、ピリジン類（例えば、ピリジン、ピコリン類、ルチジン類、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ））、さらに好ましくは、三級アルキルアミン類（例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン）である。また、混合酸無水物を活性化し、エステル化反応を促進するために、α−位に置換基を有さない電子過剰ピリジン化合物〔例えば、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、４−ピロリジノピリジン、４−ピペリジノピリジン〕を触媒として併用する事が好ましい。なお、本発明においては、エステル化の反応溶媒としては、前述のような非極性溶媒を少なくとも一種含有する溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、酢酸エチル、酢酸ブチルが挙げられる。また、本発明においては、混合酸無水物誘導体の調製時の反応液をそのまま使用するのが好ましい。従って、混合酸無水物の調製時の反応溶媒が、エステル化の反応溶媒もしくは反応溶媒の一部となるのがよい。
【００２２】
本発明は、合成したディスコティック液晶化合物溶液に、吸着剤として粘土鉱物を接触させ、不純物を除去することを特徴としている。
【００２３】
本発明では、上記のようにして合成したディスコティック液晶化合物を結晶として取り出し、これを有機溶媒に溶解し、ディスコティック液晶化合物溶液とし、それと吸着剤として粘土鉱物を接触させることができる。
【００２４】
用いられる有機溶媒としては、誘電率が２０以下で、且つ、ドナーナンバーが２１以下の有機溶媒を用いることが出来る。具体的には、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、クメン等の芳香族炭化水素系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロベンゼン等のハロゲン溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒が上げられる。またこれらの溶媒を複数組み合わせて用いることも出来る。
【００２５】
これとは別に、本発明においては、上記のエステル化反応後の反応液に吸着剤としての粘土鉱物を接触させることもできる。
【００２６】
本発明で吸着剤として使用される粘土鉱物としては、スメクタイト、バーミキュライトといった膨潤性粘土鉱物が挙げられ、さらに好ましくはスメクタイト系粘土鉱物、特に好ましくはモンモリロナイト（或は精製ベントナイトと表現する場合もある）である。吸着剤の使用量は、目的とするディスコティック液晶化合物の理論収量１ｇに対し、０．１ｇ〜１．５ｇ使用するのが好ましく、０．１ｇ〜１．０ｇがより好ましく、０．１ｇ〜０．６ｇが更に好ましい。
本発明においては、吸着剤は一度の添加処理よりも２回以上に分けた添加処理（具体的には２回以上の分割添加）が吸着剤の総使用量を減らせること、及び配向阻害物質の除去に効果的であるが、回数が増えると作業が煩雑になることから、好ましくは１〜５回、より好ましくは１〜２回である。本発明に好適な粘土鉱物を表１に記載する。
【００２７】
本発明に用いられる粘土鉱物としては、天然で入手可能な種々の粘土鉱物をそのまま用いることもできるが、好ましくは、天然に得られるスメクタイト系粘土鉱物、天然に得られるスメクタイト系粘土鉱物をさらに精製し得られる高純度スメクタイト系粘土鉱物、人工的に合成される合成スメクタイト系粘土鉱物であり、さらに好ましくは、天然に得られるスメクタイト系粘土鉱物をさらに精製し得られる高純度スメクタイト系粘土鉱物、あるいは人工的に合成される合成スメクタイト系粘土鉱物でであり、特に好ましくは、天然に得られるベントナイト鉱物を精製して得られるモンモリロナイト（高純度ベントナイト）、或いは人工的に合成された合成モンモリロナイトである。
天然に得られるスメクタイト系粘土鉱物としては、入手のし易さから、ベントナイト（モンモリロナイト）、ヘクトライトが最も重要であり、これらを精製して得られる高純度ベントナイト（モンモリロナイト）、高純度ヘクトライトは下記より入手可能である。
【００２８】
＜モンモリロナイト（高純度ベントナイト）入手先＞
モンモリロナイトＫ１０（シグマ−アルドリッチ社）ｓｓ
クニピアＦ（クニミネ工業株式会社）
ベンゲルＡ（株式会社ホージュン）
【００２９】
＜高純度ヘクトナイト入手先＞
ＢＥＮＴＯＮＥ(R)  ＧＳ（エレメンティス・スペシャルティーズ社）
【００３０】
人工的に合成される合成スメクタイト系粘土鉱物は水熱合成で製造することができ、例えばヘクトライトは特公昭６１−１２８４８号公報の方法によって、サポナイトは特公平６−６２２９０号公報の方法によって製造できる。
【００３１】
【表１】
2009234973.tif 000003
【００３２】
ディスコティック液晶化合物溶液と吸着剤としての粘土鉱物との接触処理は（以下、吸着剤で処理するという）、撹拌下で行うのが好ましい。また、処理時間は３０分〜９０分が好ましく、４０分〜８０分が更に好ましい。吸着剤で処理する際は、加熱してもよいが、室温で行うのが好ましい。本発明においては、上記のようにして吸着剤で処理した後、この処理後の溶液にディスコティック液晶化合物が溶解し難い溶媒を加え、そのまま晶析して取り出すことが好ましく、このような溶媒としてはアルコール系溶媒が好ましい。アルコール系溶媒としては、好ましくはメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、より好ましくはメタノール、エタノール、特に好ましくはメタノールである。
【００３３】
本発明において、上記のエステル化反応後の反応液に吸着剤で処理する場合、吸着剤を直接反応液に添加してもよいし、吸着剤を添加するよりも前に、反応液と水とを混合し、分液された有機層に吸着剤で処理しても構わない。本発明においては、反応液と水を混合し、分液された有機層を吸着剤で処理するのが好ましい。
【００３４】
また本発明においては、反応液あるいは前述の分液された有機層を乾燥させた後に吸着剤で処理することも可能である。乾燥には、無機乾燥剤を使用するのが好ましい。これらの乾燥剤としては、無水硫酸マグネシウム、芒硝、モレキュラーシーブ、シリカゲルが挙げられるが、無水硫酸マグネシウム、芒硝が好ましく、特に無水硫酸マグネシウムが好ましい。また乾燥剤を加えた後、撹拌するのが好ましい。反応液または分液された有機層に加えられた乾燥剤は好ましくは２０分〜１２０分後、より好ましくは３０分〜９０分後に濾別するのが好ましい。
【００３５】
本発明においては、吸着剤をボディーフィードまたは、スパークラー濾過器にプレコートする方法で利用することが好ましい。
【００３６】
本発明において、特に好ましく適用されるディスコティック液晶化合物としては、以下の一般式（Ｉ）で示される化合物である。
【００３７】
【化２】
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【００３８】
ここでＲはアシル基を表し、該アシル基としては、脂肪族または芳香族アシル基であり、置換基を有してもよい。これらのアシル基は側鎖部前駆体で説明したカルボン酸によるアシル基であり、先に述べた説明中の好ましい範囲および具体的に例示されたものがそのまま当てはめられる。以下に、一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明の範囲はこれらのみに限定されるものではない。
【００３９】
【化３】
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【００４０】
【化４】
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【００４１】
【化５】
2009234973.tif 000007
【００４２】
【化６】
2009234973.tif 000008
【００４３】
【化７】
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【００４４】
【化８】
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【実施例】
【００４５】
次に本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
以下に、本発明に用いられるディスコティック液晶化合物の合成例及び物性測定、さらに該化合物の液晶化合物としての性能、それを含む組成物を用いた光学異方性材料の作製例及びその性能の評価例を記載する。
【００４６】
実施例１−１
＜メシル化反応＞
５００ｍｌ−三ッ口フラスコに酢酸ブチル５８．５ｇ、ニトロベンゼン０．１１ｇ、メタンスルホニルクロリド１７．７７ｇ（０．１６ｍｏｌ）を仕込み４℃に冷却し、ＴＨＦ５８．４ｇ、ニトロベンゼン０．０５ｇ、トリエチルアミン１４．３１ｇ（０．１４ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン３．２３ｇ（０．０２５ｍｏｌ）及び４−（４−アクリロイルオキシブチルオキシ）安息香酸４０ｇ（０．１５ｍｏｌ）を溶解した溶液を、４〜８℃にて滴下し、滴下後、１時間攪拌する。
【００４７】
＜エステル化＞
上記、メシル化反応液にトリエチルアミン１０．９１ｇ（０．１１ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン４．６５ｇ（０．０４ｍｏｌ），４−ジメチルアミノピリジン０．９２５ｇ（８ｍｍｏｌ），ＴＨＦ６．６ｇを添加する。添加後、ＴＨＦ７６ｇで溶解したＨＨＴＰ  ７．２１ｇ（０．０２２ｍｏｌ）を４〜１０℃で滴下し、１０℃にて２時間反応する事で２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレンを合成した。
＜水洗＞
エステル化反応液に井水３０４ｇを添加し２０℃にて５分攪拌する。分液後、水層を廃却しＮａＣｌ１８．２４ｇを井水３０４ｇにて溶解し添加する。分液後、水層を廃却する。
＜吸着＞
上記脱水液にモンモリロナイトＫ１０（シグマ−アルドリッチ社）  １１．２ｇ添加し１時間攪拌後セライト濾過する。
＜晶析＞
上記、精製液にメタノール３８１ｍｌを添加し１５℃にて１時間３０分攪拌する。その後−６℃に冷却し３０分攪拌後、濾過して２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレン（収量３５．６ｇ，収率８９％）を得た。
【００４８】
実施例１−２  
＜メシル化反応＞
５００ｍｌ−三ッ口フラスコに酢酸ブチル５８．５ｇ、ニトロベンゼン０．１１ｇ、メタンスルホニルクロリド１７．７７ｇ（０．１６ｍｏｌ）を仕込み４℃に冷却し、ＴＨＦ５８．４ｇ、ニトロベンゼン０．０５ｇ、トリエチルアミン１４．３１ｇ（０．１４ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン３．２３ｇ（０．０２５ｍｏｌ）及び４−（４−アクリロイルオキシブチルオキシ）安息香酸４０ｇ（０．１５ｍｏｌ）を溶解した溶液を、４〜８℃にて滴下し、滴下後、１時間攪拌する。
【００４９】
＜エステル化＞
上記、メシル化反応液にトリエチルアミン１０．９１ｇ（０．１１ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン４．６５ｇ（０．０４ｍｏｌ），４−ジメチルアミノピリジン０．９２５ｇ（８ｍｍｏｌ），ＴＨＦ６．６ｇを添加する。添加後、ＴＨＦ７６ｇで溶解したＨＨＴＰ  ７．２１ｇ（０．０２２ｍｏｌ）を４−１０℃で滴下し、１０℃にて２時間反応する事で２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレンを合成した。
【００５０】
＜水洗＞
エステル化反応液に井水３０４ｇを添加し２０℃にて５分攪拌する。分液後、水層を廃却しＮａＣｌ１８．２４ｇを井水３０４ｇにて溶解し添加する。分液後、水層を廃却する。
＜晶析＞
上記、精製液にメタノール３８１ｍｌを添加し１５℃にて１時間３０分攪拌する。その後−６℃に冷却し３０分攪拌後、濾過して粗２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレン（収量３６．２ｇ，収率９０％）を得た。
＜吸着＞
上記晶析で得られた粗結晶（比較例３で得られる結晶と同等の結晶）３６．２ｇ、４−メトキシフェノール７２ｍｇを酢酸ブチル９０．５ｍｌに溶解し、モンモリロナイトＫ１０（シグマ−アルドリッチ社）  １１．２ｇ添加し１時間攪拌後、セライト濾過する。
＜晶析＞
上記、精製液にメタノール２９０ｍｌを添加し１５℃にて１時間３０分攪拌する。その後−６℃に冷却し３０分攪拌後、濾過して２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレン（収量３４．５ｇ，収率８６％）を得た。
【００５１】
比較例−１
＜メシル化反応＞
５００ｍｌ−三ッ口フラスコに酢酸ブチル５８．５ｇ、ニトロベンゼン０．１１ｇ、メタンスルホニルクロリド゛１７．７７ｇ（０．１６ｍｏｌ）を仕込み４℃に冷却し、ＴＨＦ５８．４ｇ、ニトロベンゼン０．０５ｇ、トリエチルアミン１４．３１ｇ（０．１４ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン３．２３ｇ（０．０２５ｍｏｌ）及び４−（４−アクリロイルオキシブチルオキシ）安息香酸４０ｇ（０．１５ｍｏｌ）を溶解した溶液を、４−８℃にて滴下し、滴下後、１時間攪拌する。
【００５２】
＜エステル化＞
上記、メシル化反応液にトリエチルアミン１０．９１ｇ（０．１１ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン４．６５ｇ（０．０４ｍｏｌ），４−ジメチルアミノピリジン０．９２５ｇ（８ｍｍｏｌ），ＴＨＦ６．６ｇを添加する。添加後、ＴＨＦ７６ｇで溶解したＨＨＴＰ    ７．２１ｇ（０．０２２ｍｏｌ）を４−１０℃で滴下し、１０℃にて２時間反応する事で２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレンを合成した。
【００５３】
＜水洗＞
エステル化反応液に井水３０４ｇを添加し２０℃にて５分攪拌する。分液後、水層を廃却しＮａＣｌ１８．２４ｇを井水３０４ｇにて溶解し添加する。分液後、水層を廃却する。
＜脱水＞
上記、抽出液に無水硫酸マグネシウムを１１．２ｇ添加し２０℃にて１時間攪拌し、濾過により硫酸マグネシウムを除去する。
＜吸着＞
上記脱水液にキョーワード７００ＳＮ（協和化学工業株式会社品）  ７．４４ｇ添加し１時間攪拌後セライト濾過する。次いで、この濾液にキョーワード７００ＳＮ（シリカ、アルミナからなる合成吸着剤）を１２．６ｇ添加し１時間攪拌後セライト濾過する。
＜晶析＞
上記精製液にメタノール３８１ｍｌを添加し１５℃にて１時間３０分攪拌する。その後−６℃に冷却し３０分攪拌後、濾過して２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレン（収量３５．２ｇ，収率８６％）を得た。
【００５４】
比較例−２
＜メシル化反応＞
５００ｍｌ−三ッ口フラスコに酢酸ブチル５８．５ｇ、ニトロベンゼン０．１１ｇ、メタンスルホニルクロリド１７．７７ｇ（０．１６ｍｏｌ）を仕込み４℃に冷却し、ＴＨＦ５８．４ｇ、ニトロベンゼン０．０５ｇ、トリエチルアミン１４．３１ｇ（０．１４ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン３．２３ｇ（０．０２５ｍｏｌ）及び４−（４−アクリロイルオキシブチルオキシ）安息香酸４０ｇ（０．１５ｍｏｌ）を溶解した溶液を、４〜８℃にて滴下し、滴下後、１時間攪拌する。
【００５５】
＜エステル化＞
上記、メシル化反応液にトリエチルアミン１０．９１ｇ（０．１１ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン４．６５ｇ（０．０４ｍｏｌ），４−ジメチルアミノピリジン０．９２５ｇ（８ｍｍｏｌ），ＴＨＦ６．６ｇを添加する。添加後、ＴＨＦ７６ｇで溶解したＨＨＴＰ  ７．２１ｇ（０．０２２ｍｏｌ）を４−１０℃で滴下し、１０℃にて２時間反応する事で２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレンを合成した。
【００５６】
＜水洗＞
エステル化反応液に井水３０４ｇを添加し２０℃にて５分攪拌する。分液後、水層を廃却しＮａＣｌ１８．２４ｇを井水３０４ｇにて溶解し添加する。分液後、水層を廃却する。
＜脱水＞
上記、抽出液に無水硫酸マグネシウムを１１．２ｇ添加し２０℃にて１時間攪拌し、濾過により硫酸マグネシウムを除去する。
＜晶析＞
上記脱水液にメタノール３８１ｍｌを添加し１５℃にて１時間３０分攪拌する。その後−６℃に冷却し３０分攪拌後、濾過して２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレン（収量３５．２ｇ，収率８６％）を得た。
【００５７】
比較例−３
＜メシル化反応＞
５００ｍｌ−三ッ口フラスコに酢酸ブチル５８．５ｇ、ニトロベンゼン０．１１ｇ、メタンスルホニルクロリド１７．７７ｇ（０．１６ｍｏｌ）を仕込み４℃に冷却し、ＴＨＦ５８．４ｇ、ニトロベンゼン０．０５ｇ、トリエチルアミン１４．３１ｇ（０．１４ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン３．２３ｇ（０．０２５ｍｏｌ）及び４−（４−アクリロイルオキシブチルオキシ）安息香酸４０ｇ（０．１５ｍｏｌ）を溶解した溶液を、４〜８℃にて滴下し、滴下後、１時間攪拌する。
【００５８】
＜エステル化＞
上記、メシル化反応液にトリエチルアミン１０．９１ｇ（０．１１ｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン４．６５ｇ（０．０４ｍｏｌ），４−ジメチルアミノピリジン０．９２５ｇ（８ｍｍｏｌ），ＴＨＦ６．６ｇを添加する。添加後、ＴＨＦ７６ｇで溶解したＨＨＴＰ  ７．２１ｇ（０．０２２ｍｏｌ）を４−１０℃で滴下し、１０℃にて２時間反応する事で２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレンを合成した。
【００５９】
＜水洗＞
エステル化反応液に井水３０４ｇを添加し２０℃にて５分攪拌する。分液後、水層を廃却しＮａＣｌ１８．２４ｇを井水３０４ｇにて溶解し添加する。分液後、水層を廃却する。
＜晶析＞
上記水洗液にメタノール３８１ｍｌを添加し１５℃にて１時間３０分攪拌する。その後−６℃に冷却し３０分攪拌後、濾過して２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ［４−（アクロイルオキシブトキシ）ベンゾイルオキシ］トリフェニレン（収量３６．０ｇ，収率９０％）を得た。
【００６０】
実施例２（ディスコティック液晶化合物の物性測定）
ＨＰＬＣ、ＧＰＣ、ＮＭＲでは、実施例１−１、１−２、比較例２〜３のディスコティック液晶化合物の物性差を検出することは困難であったが、ＴＬＣ測定により物性差を見いだすことが出来た。特にＴＬＣ２次展開の原点から２４ｍｍ部のスポットの結果は、ディスコティック液晶化合物の性能との相関性が非常に高い事が判明した。
＜１次元展開法＞
ＭＥＲＣＨ製（５７１５）シリカゲルプレートに化合物１０％濃度の酢酸エチル溶液をＭＩＣＲＯＣＡＰＳで４μｌスポットし、酢酸エチルで９．５ｃｍ展開する。このＴＬＣプレートの原点部（スポット部）を下記、クロマトスキャナー測定条件で定量する。
＜２次元展開法＞
上記１次元展開法の条件で展開したＴＬＣプレートをＴＨＦ／メタノール＝９／１（ｖ／ｖ）でさらに２次側に展開を行う（展開距離は９．５ｃｍ）。この２次展開側の原点から２４ｍｍ部のスポットを下記、クロマトスキャナー測定条件で定量する。
【００６１】
これらの結果を下記表２に示す。下記表２の結果から、比較例２の様に無水硫酸マグネシウムの脱水のみで吸着処理を行わなかったサンプル、及び比較例３の様に無水硫酸マグネシウムによる脱水及び吸着処理を行わなかったサンプルでは、原点成分ディスコティック液晶化合物が多く、ディスコティック液晶化合物としての配向性が悪い事が解る。一方、本発明の実施例１−２で得られた化合物は、比較例１で得られた化合物同等の原点成分ＡＲＥＡ値を示したが、実施例１−１は高い値を示した。しかし、実施例１−１は、原点成分が高いにも関わらず高い配向性を示す事が解った。そこで１次展開したＴＬＣプレートを乾燥後、ＴＨＦ／メタノール＝９／１（ｖ／ｖ）でさらに２次側に展開を行い、２次展開側の各スポットとディスコティック液晶化合物としての性能の相関性を比較した所、２次展開側の原点から２４ｍｍ部成分と配向性との相関性が高い事が解った。この、２次展開側の原点から２４ｍｍ部成分をプレパラで分取後、ディスコティック液晶化合物と併用すると液晶の配向性が著しく悪化する事が解った。この事から、２次展開側の原点から２４ｍｍ部成分が配向阻害の主物質である事が解った。
このことは実施例１−２及び比較例１の２次展開側の原点から２４ｍｍ部成分のＡＲＥＡが低い事と、後述の実施例４で示す位相差膜の性能が相関する事からも明らかである。
【００６２】
＜クロマトスキャナー測定条件＞
機種名：島津製作所  ＤＵＡＬ  ＷＡＶＥＬＥＮＧＴＨ  ＣＨＲＯＭＡＴＯ  ＳＣＡＮＮＥＲ  ＣＳ−９３０
測定波長：λ２５４ｎｍ  スキャンモード：ジグザグモード  スキャン巾：７ｍｍ
【００６３】
【表２】
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【００６４】
実施例３（ディスコティック液晶化合物を含む組成物とそれを用いた光学異方性材料の作成）
［ＷＶ−ＳＡの実施例（手塗布作成）］
（鹸化処理、及び配向膜の形成）
セルロースアセテート（ＣＡ−１）上に１．５規定ＫＯＨ−イソプロピルアルコール溶液を２５ｍｌ／ｍ２塗布し、２５℃で５秒間乾燥させた。流水で１０秒洗浄し、２５℃の空気を吹き付けることでフィルム表面を乾燥させた。その後、下記の組成の配向膜塗布液を＃１６のワイヤーバーコーターで２８ｍｌ／ｍ２塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。
【００６５】
――――――――――――――――――――――――――――――――――――
配向膜塗布液
――――――――――――――――――――――――――――――――――――
変性ポリビニルアルコール                              ２０質量部
水                                                  ３６０質量部
メタノール                                          １２０質量部
グルタルアルデヒド                                  ０．５質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――――
【００６６】
（光学的異方性層の形成）
下記の組成のディスコティック液晶化合物塗布液を＃４のワイヤーバーコーターで塗布し、１２５℃の高温槽中で３分間加熱し、ディスコティック液晶化合物を配向させた後、高圧水銀灯を用いてＵＶを５００ｍＪ／ｃｍ２照射し、室温まで放冷して、光学補償シートＫＳ−１を作成した。
【００６７】
――――――――――――――――――――――――――――――――――――
ディスコティック液晶化合物塗布液
――――――――――――――――――――――――――――――――――――
ディスコティック液晶化合物                                ９．１質量部
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパンアクリレート  ０．９質量部
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株））
セルロースアセテートブチレート                            ０．２質量部
（ＣＡＢ５５１−０．２  イーストマンケミカル）
セルロースアセテートブチレート                          ０．０５質量部
（ＣＡＢ５３１−１  イーストマンケミカル）  
イルガキュアー９０７                                      ３．０質量部
カヤキュアーＤＥＴＸ（日本化薬（株）製）                  ０．１質量部
メチルエチルケトン                                      ２５．９質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――――
【００６８】
光学的異方性層の厚さは、１．８μｍであった。
【００６９】
実施例４（位相差膜の性能評価）
位相差膜等の光学異方性材料などのディスコティック液晶化合物性能項目として、液晶相の配向性が重要である。その評価方法として下記に記す「消光値」の測定を行い、ディスコティック液晶化合物の評価を行った。
【００７０】
［消光値］
クロスニコルに配置した２枚の偏光板間に、透過率が最小になるように光学補償シートを配置した時の透過率を測定し、ディスコティック液晶化合物の配向性の評価を行った。消光値が低いほど配向性が高いことを表す。表３の結果から、本発明の実施例１−１、１−２及び比較例１で得られた化合物はいずれも高い配向性を示すことがわかる。
測定波長；５５０ｎｍ
パラニコル配置の偏光板の透過率を１００％とする。
【００７１】
【表３】
2009234973.tif 000012