(57)【要約】【課題】レーザ出力の応答性を高める。【解決手段】半導体チップ２０にレーザダイオードＬＤと高速ダイオードＦＤとを設ける。レーザダイオードＬＤは、外部から与えられた変調指令信号に応じた第１の駆動電流Ｉ１の供給を受ける。高速ダイオードＦＤは、第２の駆動電流Ｉ２の供給を受ける。この第２の駆動電流Ｉ２は、第１の駆動電流Ｉ１との総和が一定となるような値である。この構成により、レーザダイオードＬＤと高速ダイオードＦＤの双方から発熱を受けることから、常に十分な熱レンズ効果を発生させることができる。【選択図】図１
2009049132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードを備える半導体チップと、
外部から与えられた指令信号に応じた第１の駆動電流を前記レーザダイオードに供給する第１の駆動手段と
を備えるレーザ光源装置において、
前記半導体チップは、温度制御用のダイオードを備え、
さらに、
前記第１の駆動電流に対応する第２の駆動電流を前記温度制御用のダイオードに供給する第２の駆動手段
を備えることを特徴とするレーザ光源装置。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザ光源装置であって、
前記第２の駆動手段は、
前記第１の駆動電流と第２の駆動電流との和が一定となるように前記第２の駆動電流を定める演算手段
を備える、レーザ光源装置。
【請求項３】
請求項２に記載のレーザ光源装置であって、
前記レーザダイオードに実際に供給される駆動電流を前記第１の駆動電流として検出する駆動電流検出手段を備える、レーザ光源装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載のレーザ光源装置であって、
前記第１の駆動手段は、
前記レーザダイオードに接続され、電源から前記レーザダイオードに供給される電流を入力信号に応じて制御する第１のトランジスタと、
前記指令信号に応じた第１のパルス信号を前記入力信号として前記第１のトランジスタに出力する手段と
を備え、
前記第２の駆動手段は、
前記温度制御用のダイオードに接続され、電源から前記温度制御用のダイオードに供給される電流を入力信号に応じて制御する第２のトランジスタと、
前記演算手段により算出された第２の駆動電流に応じた第２のパルス信号を前記入力信号として前記第２のトランジスタに出力する手段と
を備える、レーザ光源装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のレーザ光源装置と、
画像信号を前記指令信号として前記レーザ光源装置に送る制御手段と、
前記レーザ光源装置からのレーザ光を利用して、表示面に前記画像信号に応じた画像を表示させる画像形成手段と
を備えるプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードを備えるレーザ光源装置と、そのレーザ光源装置を備えるプロジェクタとに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プロジェクタ等の光源にレーザダイオード（ＬＤ）を用いるものが知られている（特許文献１）。レーザダイオードは、熱レンズ効果を安定的に引き起こすことで、レーザ発振を可能としている。熱レンズ効果とは、レーザダイオードを駆動したとき、局所的に温度が上昇して屈折率分布が生じ、それがレンズとして機能することをいう。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３３５７６号公報
【０００４】
プロジェクタにおいては、レーザダイオードの駆動電流を変化させて出力光の強度変調を行なう方式のものがあるが、この種のプロジェクタにおいては、レーザダイオードに供給する駆動電流を頻繁に変化させる必要がある。これに対して、レーザダイオードは熱的な時定数が長く、その性質上、駆動電流に従って応答性良く熱レンズ効果を発生させることができない。この結果、従来のレーザダイオードでは、レーザ出力に応答遅れが生じる虞があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、レーザ出力の応答性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
レーザダイオードを備える半導体チップと、
外部から与えられた指令信号に応じた第１の駆動電流を前記レーザダイオードに供給する第１の駆動手段と
を備えるレーザ光源装置において、
前記半導体チップは、温度制御用のダイオードを備え、
さらに、
前記第１の駆動電流に対応する第２の駆動電流を前記温度制御用のダイオードに供給する第２の駆動手段
を備えることを特徴とするレーザ光源装置。
【０００８】
適用例１に記載のレーザ光源装置によれば、半導体チップにレーザダイオードと温度制御用のダイオードとを備え、レーザダイオードは、外部から与えられた指令信号に応じた第１の駆動電流の供給を受け、温度制御用のダイオードは、前記第１の駆動電流に対応する第２の駆動電流の供給を受ける。このため、半導体チップは、レーザダイオードと温度制御用のダイオードとの双方から加熱を受けることが可能となることから、レーザダイオードの駆動だけでは熱レンズ効果が十分に発生されない場合にも、温度制御用のダイオードからの加熱を受けて、十分な熱レンズ効果の発生を可能とすることができる。
【０００９】
したがって、適用例１に記載のレーザ光源装置によれば、常に十分な熱レンズ効果を発生させることができることから、駆動電流に従って応答性良くレーザ出力を行うことができるという効果を奏する。
【００１０】
［適用例２］
適用例１に記載のレーザ光源装置であって、前記第２の駆動手段は、前記第１の駆動電流と第２の駆動電流との和が一定となるように前記第２の駆動電流を定める演算手段を備える、レーザ光源装置。
【００１１】
適用例２に記載のレーザ光源装置によれば、レーザダイオードに供給する第１の駆動電流と、温度制御用のダイオードに供給する第２の駆動電流との和が一定となることから、レーザダイオードと温度制御用のダイオードの双方からの発熱量の和は一定となる。このため、双方を備える半導体チップの温度は一定に保たれることになる。したがって、適用例２に記載のレーザ光源装置によれば、より一層確実に、常に十分な熱レンズ効果を発生させることができることから、レーザ出力の応答性をより高めることができる。
【００１２】
［適用例３］
適用例２に記載のレーザ光源装置であって、前記レーザダイオードに実際に供給される駆動電流を前記第１の駆動電流として検出する駆動電流検出手段を備える、レーザ光源装置。
【００１３】
適用例３に記載のレーザ光源装置によれば、駆動電流検出手段により実測された駆動電流を第１の駆動電流として、第２の駆動電流の算出を行うことができる。したがって、より高精度に半導体チップの温度を制御することができることから、レーザ出力の応答性をより高めることができる。
【００１４】
［適用例４］
適用例２または３に記載のレーザ光源装置であって、前記第１の駆動手段は、前記レーザダイオードに接続され、電源から前記レーザダイオードに供給される電流を入力信号に応じて制御する第１のトランジスタと、前記指令信号に応じた第１のパルス信号を前記入力信号として前記第１のトランジスタに出力する手段とを備え、前記第２の駆動手段は、前記温度制御用のダイオードに接続され、電源から前記温度制御用のダイオードに供給される電流を入力信号に応じて制御する第２のトランジスタと、前記演算手段により算出された第２の駆動電流に応じた第２のパルス信号を前記入力信号として前記第２のトランジスタに出力する手段とを備える、レーザ光源装置。
【００１５】
適用例４に記載のレーザ光源装置によれば、簡単な構成により、第１の駆動手段および第２の駆動手段を構成することができる。
【００１６】
［適用例５］
適用例１ないし４のいずれかに記載のレーザ光源装置と、画像信号を前記指令信号として前記レーザ光源装置に送る制御手段と、前記レーザ光源装置からのレーザ光を利用して、表示面に前記画像信号に応じた画像を表示させる画像形成手段とを備えるプロジェクタ。
【００１７】
前述したように、適用例５に記載のプロジェクタによれば、応答性に優れたレーザ光源装置を用いることができることから、高画質の画像を表示することができる。
【００１８】
本発明は、上記以外の種々の形態で実現可能であり、例えば、本発明のレーザ光源装置を備える照明装置、本発明のレーザ光源装置を備える表示装置、本発明のレーザ光源装置を備えるレーザ光源装置システムなどの形態で実現することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明の実施の形態を実施例に基づいて説明する。
１．第１実施例：
図１は、本発明の第１実施例としてのレーザ光源装置１０の概略構成を示すブロック図である。図示するように、レーザ光源装置１０は、レーザダイオードＬＤと高速ダイオードＦＤとを有する半導体チップ２０を備える。
【００２０】
図２は、半導体チップ２０の概略構成を示す説明図である。半導体チップ２０は、大まかには、ＧａＡｓ基板２１の上（図中、左側の上部分）にｐ型層２２とｎ型層２３とを順に積層し、ｎ型層２３の表面側に第１の電極２４を、ＧａＡｓ基板２１の裏面側にｐ型層２２と電気的に接続される第２の電極（背面電極）２５をそれぞれ被着した構造をしている。さらに、ＧａＡｓ基板２１の上（図中、右側部分の上）にｐ型層３１とｎ型層３２とを順に積層し、ｎ型層３２の表面側に第３の電極３３を、ＧａＡｓ基板２１の裏面側にｐ型層３１と電気的に接続される第４の電極（背面電極）３４をそれぞれ被着した構造をしている。こうして形成された構造体は、サブマウント３６を介して図示しないマウント上に載置されている。
【００２１】
図中右側部分に積層された上記ｐ型層２２とｎ型層２３により、レーザ光ＬＢを外部に放出するレーザダイオードＬＤが構成され、図中左側部分に積層された上記ｐ型層３１とｎ型層３２とにより高速ダイオードＦＤが構成される。レーザダイオードＬＤのアノードは上記第２の電極２５に相当し、レーザダイオードＬＤのカソードは上記第１の電極２４に相当する。高速ダイオードＦＤのカソードは上記第３の電極３３に相当し、高速ダイオードＦＤのアノードは上記第４の電極３４に相当する。なお、高速ダイオードＦＤが、本発明の「温度制御用のダイオード」に該当する。
【００２２】
図１に戻り、レーザダイオードＬＤのアノードは電源Ｅの正極に接続され、高速ダイオードＦＤのアノードは電源Ｅの正極に接続される。
【００２３】
レーザダイオードＬＤのカソードは第１の抵抗器Ｒ１および第１のトランジスタＴ１を介して電源Ｅの負極に接続され、高速ダイオードＦＤのカソードは第２の抵抗器Ｒ２および第２のトランジスタＴ２を介して電源Ｅの負極に接続される。詳細には、第１のトランジスタＴ１のコレクタに第１の抵抗器Ｒ１を介してレーザダイオードＬＤのカソードが接続され、第１のトランジスタＴ１のエミッタに電源Ｅの負極が接続されている。また、第２のトランジスタＴ２のコレクタに第２の抵抗器Ｒ２を介して高速ダイオードＦＤのカソードが接続され、第２のトランジスタＴ２のエミッタに電源Ｅの負極が接続されている。
【００２４】
第１のトランジスタＴ１および第２のトランジスタＴ２の各ベースには、演算回路４０が接続されており、演算回路４０から各トランジスタＴ１，Ｔ２に制御信号（パルス信号）Ｓ１，Ｓ２が出力される。詳細には、演算回路４０は第１の演算部４１と第２の演算部４２とを備えており、第１の演算部４１から第１のトランジスタＴ１に制御信号Ｓ１が出力され、第２の演算部４２から第２のトランジスタＴ２に制御信号Ｓ２が出力される。第１の演算部４１は、第１のトランジスタＴ１に送る制御信号Ｓ１のパルス幅および振幅を可変することにより、レーザダイオードＬＤに供給する第１の駆動電流Ｉ１を制御することができる。第２の演算部４２は、第２のトランジスタＴ２に送る制御信号のパルス幅および振幅を可変することにより、高速ダイオードＦＤに供給する駆動電流Ｉ２を制御することができる。
【００２５】
なお、演算回路４０はディスクリートな電子回路により構成されており、後述する論理演算の処理を実行する。演算回路４０は、上記の構成に換えて、マイクロプロセッサとメモリを備えるマイクロコンピュータにより構成してもよく、メモリに記憶したコンピュータプログラムをマイクロプロセッサが実行することにより、後述する処理を実行する。
【００２６】
第１の抵抗器Ｒ１と第１のトランジスタＴ１との結線部５０は、演算回路４０の第２の演算部４２と電気的に接続されている。これにより、抵抗器Ｒ１により電流検出された大きさを第２の演算部４２は知ることができる。すなわち、第２の演算部４２は、レーザダイオードＬＤに実際に供給される駆動電流Ｉ１を検出することができる。
【００２７】
第１および第２の演算部４１，４２は、次の演算処理を実行している。第１の演算部４１は、レーザダイオードＬＤの変調指令信号（指令信号）を受信し、その変調指令信号に応じたパルス信号を第１の制御信号Ｓ１として第１のトランジスタＴ１に出力する処理を行う。この結果、レーザダイオードＬＤには、前記変調信号に応じた第１の駆動電流Ｉ１が供給される。
【００２８】
第２の演算部４２は、ｉ）第１の抵抗器Ｒ１により検出した第１の駆動電流Ｉ１、すなわちレーザダイオードＬＤに供給される駆動電流Ｉ１を用いて、高速ダイオードＦＤに供給する目標駆動電流ＴＩ２を求めて、ｉｉ）その目標駆動電流ＴＩ２に応じたパルス信号を第２の制御信号Ｓ２として第２のトランジスタＴ２に出力する処理を行う。上記ｉ）における目標駆動電流ＴＩ２の演算は、下記の式（１）に従うものである。
【００２９】
ＴＩ２＝Ｉconst−Ｉ１  …（１）
ここで、Ｉconstは、一定の電流値であり、例えばレーザダイオードＬＤの駆動電流Ｉ１が取り得る最大値Ｉmaxとなっている。なお、Ｉmaxに換えて、Ｉmaxよりも大きな値とすることもできる。
【００３０】
第２の演算部４２の処理の結果、高速ダイオードＦＤには、下記の式（２）を満たすような第２の駆動電流Ｉ２が供給されることになる。
Ｉ１＋Ｉ２＝Ｉconst    …（２）
【００３１】
なお、上記第１の演算部４１と第１のトランジスタＴ１との構成が本発明の第１の駆動手段に相当し、上記第２の演算部４２と第２のトランジスタＴ２との構成が本発明の第２の駆動手段に相当する。
【００３２】
以上のように構成されたレーザ光源装置１０の動作を図３のタイミングチャートに基づいて説明する。図３の（Ａ），（Ｂ）に示すように、レーザダイオードＬＤの駆動電流（第１の駆動電流）Ｉ１および高速ダイオードＦＤの駆動電流（第２の駆動電流）Ｉ２は、時間とともにオン／オフ動作するパルス信号であり、パルス幅および振幅が変化する。第１の駆動電流Ｉ１と第２の駆動電流Ｉ２とは、上下が互いに反転した形状をしており、両者の総和が常に一定値Ｉconst（＝Ｉmax）となっている。
【００３３】
時刻０から時刻ｔ１までの期間（以下、「第１の期間」と呼ぶ）において、第１の駆動電流Ｉ１は値０となり、第２の駆動電流Ｉ２はＩmaxとなっている。時刻ｔ１において、第１の駆動電流Ｉ１が値０からＩmaxに立ち上がると、第２の駆動電流Ｉ２は、Ｉmaxから値０に立ち下がる。時刻１から時刻ｔ２までの期間（以下、「第２の期間」と呼ぶ）では、第１の駆動電流Ｉ１はＩmaxとなり、第２の駆動電流Ｉ２は値０となる。時刻ｔ２では、第１の駆動電流Ｉ１がＩmaxから値０に立ち下がるとともに、第２の駆動電流Ｉ２はＩmaxから値０に立ち上がる。
【００３４】
図３の（Ｃ）には、半導体チップ２０の温度ＴＥが示されている。このグラフ中の破線は、高速ダイオードＦＤを有しない従来例の半導体チップについてのものである。従来例においては、高速ダイオードＦＤを有しないことから、レーザダイオードに供給される第１の駆動電流Ｉ１が値０である第１の期間では、半導体チップの温度は周囲温度となっている。その後、時刻ｔ１になると、第１の駆動電流Ｉ１の立ち上がりとともにレーザダイオードＬＤは発熱し始めて、図中破線に示すように、半導体チップ温度は上昇し始める。第２の期間においては、半導体チップの温度は徐々に上昇する。このように、従来例では、第１の駆動電流の立ち上がりに対して半導体チップの温度上昇は遅れを生じる。
【００３５】
これに対して、本実施例の半導体チップ２０では、図３の（Ｃ）の実線に示すように、第１の期間において、半導体チップ温度は徐々に上昇する。これは、レーザダイオードＬＤが駆動していなくても、高速ダイオードＦＤが第２の駆動電流Ｉ２の供給を受けて駆動するためである。その後、時刻ｔ１過ぎには、半導体チップ２０の温度は予め設計時に定めた設定温度ＴＥ０に達する。その後の第１の駆動電流の変化にかかわらず、半導体チップ温度は設定温度ＴＥ０を保つ。これは、第１の駆動電流Ｉ１と第２の駆動電流Ｉ２との和が常に一定となっているためである。すなわち、ダイオードは、レーザダイオード、高速ダイオード等のその種類によって発熱効率はそれほど大差ないものであることから、第１の駆動電流Ｉ１と第２の駆動電流Ｉ２との和を一定とすることで、半導体チップ温度を設定温度ＴＥ０に保つことができる。したがって、本実施例では、第１の駆動電流の立ち上がり時においても、半導体チップ２０の温度を設定温度ＴＥ０に高めておくことができる。
【００３６】
図３の（Ｄ）にはレーザ光量ＬＡが示されている。従来のレーザダイオードは、前述したように、第１の駆動電流の立ち上がりに対して半導体チップ温度は遅れを生じて上昇することから、第１の駆動電流に従って応答性良く熱レンズ効果を発生させることができない。このために、破線で示すように、第１の駆動電流がＩmaxに立ち上がった時刻ｔ１から遅れて、レーザ光量は徐々に上昇する。これに対して、本実施例では、実線で示すように、時刻ｔ１においても半導体チップ２０の温度は設定温度ＴＥ０にほぼ達していることから、第１の駆動電流に従って応答性良く熱レンズ効果を発生させることができる。したがって、レーザ光量ＬＡは、時刻ｔにおいて直ちに上昇する。
【００３７】
図中の時刻ｔ３からｔ４の期間（以下、「第３の期間」と呼ぶ）では、第１の駆動電流はＩmaxの１／２程度となっている。従来例においては、こうした場合には、半導体チップ温度は設定温度ＴＥ０よりもかなり低い値となる。このために、十分な熱レンズ効果を発生させることができず、図示するように、第１の駆動電流に応じた十分のレーザ光量を得ることができない。これに対して、本実施例では、第１の駆動電流Ｉ１がＩmaxの１／２程度となった第３の期間においても、半導体チップ温度ＴＥは設定温度ＴＥ０となっていることから、十分な熱レンズ効果を発生させることができ、第１の駆動電流Ｉ１に見合っただけのレーザ光量ＬＡを得ることができる。
【００３８】
以上詳述したように、本実施例のレーザ光源装置１０は、レーザダイオードＬＤに供給する第１の駆動電流Ｉ１が間欠的に変化したとき、その第１の駆動電流Ｉ１の立ち上がりに応答性良く追随したレーザ光量ＬＡを得ることができる。さらに、第１の駆動電流Ｉ１がＩmaxよりも小さな値である場合にも、その第１の駆動電流Ｉ１に見合っただけのレーザ光量ＬＡを応答性良く得ることができる。
【００３９】
２．第２実施例：
本発明の第２実施例について次に説明する。第１実施例では、レーザ光源装置１０について説明したが、この第２実施例は、第１実施例のレーザ光源装置１０をプロジェクタに採用した例である。
【００４０】
図４は、第２実施例としての走査型のプロジェクタ１００の概略構成を示す説明図である。図示するように、プロジェクタ１００は、第１色レーザ光を射出する第１色レーザ光源装置１０Ｒと、第２色レーザ光を射出する第２色レーザ光源装置１０Ｇと、第３色レーザ光を射出する第３色レーザ光源装置１０Ｂと、ガルバノミラー１２０（走査部）と、制御部１３０等を備える。
【００４１】
第１ないし第３色レーザ光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１実施例のレーザ光源装置１０と同一の構成を採用したもので、前述したように、レーザダイオードＬＤと高速ダイオードＦＤと演算回路４０等をそれぞれ備える。相違する点は、レーザダイオードＬＤとして、赤色レーザダイオード、緑色レーザダイオード、青色レーザダイオードのいずれかが用いられているかである。すなわち、第１色レーザ光源装置１０Ｒは赤色レーザダイオードが用いられ、第２色レーザ光源装置１０Ｇは緑色レーザダイオードが用いられ、第３色レーザ光源装置１０Ｂは青色レーザダイオードが用いられている。
【００４２】
制御部１３０は、第１ないし第３色レーザ光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれに備えられる演算回路４０に画像信号（映像信号）を変調指令信号として出力する。この結果、第１ないし第３色レーザ光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれに備えられるレーザダイオードＬＤから発した赤色（Ｒ）光、緑色（Ｇ）光、青色（Ｂ）光は、画像信号に従って変調される。
【００４３】
図４には示さなかったが、実際には、各色レーザ光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから発したＲ光、Ｇ光、Ｂ光は、図５に示すように、２枚のダイクロイックミラー１１２、１１４により合成されて、ガルバノミラー１２０に向かう。すなわち、第１のダイクロイックミラー１１２はＲ光を透過するとともにＧ光を反射し、第２のダイクロイックミラー１１４はＲ光とＧ光とを透過するとともにＢ光を反射することにより、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光を合成する。このようにして、光走査部であるガルバノミラー１２０に、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の変調光を射出する。
【００４４】
図１に戻って、ガルバノミラー１２０は、所定の２軸を中心に反射面を回動することにより、入射したＲ光、Ｇ光、Ｂ光を二次元方向に走査させる。この走査は、制御部１３０からの指令に従って実行される。図１においては、ガルバノミラー１２０は、軸ＡＸを中心に回動する様子を示している。ガルバノミラー１２０からの各色光は、スクリーン１４０に入射する。スクリーン１４０は、ガルバノミラー１２０により走査された各色光によって投射像を表示する。このガルバノミラー１２０と制御部１３０により実行される走査制御処理によって、レーザ光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからのレーザ光を利用して、表示面に画像信号に応じた画像を表示させる画像形成手段を実現している。
【００４５】
以上のように構成された第２実施例のプロジェクタ１００によれば、応答性に優れたレーザ光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを用いることができることから、高画質の画像を表示することができる。
【００４６】
３．他の実施形態：
なお、この発明は上記の第１実施例、第２実施例およびそれらの変形例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
【００４７】
（１）前記実施例では、半導体チップが備える温度制御用のダイオードとして高速ダイオードＦＤを形成していたが、必ずしもこのタイプのダイオードである必要はなく、発光ダイオード、レーザダイオード（半導体レーザ）、一般性流用ダイオード等に換えることができる。なお、前記実施例では特に言及しなかったが、レーザダイオードＬＤは、端面発光レーザ、面発光レーザ（VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）を含む）等、いずれのタイプであってもよい。
【００４８】
（２）前記実施例では、第２の演算部４２によって、レーザダイオードＬＤに供給される第１の駆動電流Ｉ１の実測値を計測して、その実測値に基づいて高速ダイオードＦＤに供給する目標駆動電流ＴＩ２を求め、その目標駆動電流ＴＩ２に応じたパルス信号を第２の制御信号Ｓ２として第２のトランジスタＴ２に出力する処理を行っていたが、これに換えて、第２の演算部４２を次の処理を行う構成としてもよい。第１および第２の駆動電流Ｉ１，Ｉ２は基本的には制御信号Ｓ１，Ｓ２にリニアに比例するものであるから、第２の演算部４２は、前述したＩ１とＩ２の和であるＩconstに対応する制御一定値を定めて、その制御一定値から第１の演算部４１で得られた制御信号Ｓ１の値を減算することにより制御信号Ｓ２の値を求め、第２の制御信号Ｓ２として第２のトランジスタＴ２に出力する処理を行う。この構成によっても、第１実施例と同様に、常に十分な熱レンズ効果を発生させることができることから、駆動電流に従って応答性良くレーザ出力を行うことができる。
【００４９】
（３）前記実施例の第２の演算部４２では、第１の駆動電流Ｉ１と第２の駆動電流Ｉ２との和が一定となるように、第２の駆動電流Ｉ２を求めているが、必ずしも、一定とする必要はなく、この構成に換えて、単に、第１の駆動電流Ｉ１がオフ（値０）であるときには第２の駆動電流をオンし、第１の駆動電流Ｉ１がオン（＞値０）であるときには第２の駆動電流をオフする構成等としてもよい。この構成によっても、従来に比べて応答性を改善する効果を得ることができる。要は、第２の駆動電流は第１の駆動電流に対応する構成とすればよく、いずれの構成としてもよい。
【００５０】
（４）前記第２実施例では、第１実施例のレーザ光源装置１０を走査型のプロジェクタに適用した構成としたが、必ずしも走査型のプロジェクタに適用する必要はなく、画像形成手段として光変調装置（液晶ライトバルブ、マイクロミラーデバイス等）を用い、レーザ光源装置からのレーザ光を光変調装置で変調し画像を形成し、投写レンズ（投写部）によって画像を投写するようなプロジェクタに適用してもよい。また、第１実施例のレーザ光源装置１０をプロジェクタに適用した構成としたが、必ずしもプロジェクタに適用する必要はなく、他の構成、例えば照明装置、モニタ装置、通信装置に適用した構成としてもよい。
【００５１】
（５）前記第２実施例では、画像信号は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色の映像信号によって表わされるが、必ずしも、３原色に限る必要はなく他の色成分によって表わされる映像に対しても本発明を適用することができる。またモノクロ画像であってもよい。さらに、動画である映像信号に換えて、静止画の画像に本発明を適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１実施例としてのレーザ光源装置１０の概略構成を示すブロック図である。
【図２】半導体チップ２０の概略構成を示す説明図である。
【図３】レーザ光源装置１０の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】第２実施例としてのプロジェクタ１００の概略構成を示す説明図である。
【図５】第１ないし第３色レーザ光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの出力光を合成する態様を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…レーザ光源装置
１０Ｒ…第１色レーザ光源装置
１０Ｇ…第２色レーザ光源装置
１０Ｂ…第３色レーザ光源装置
２０…半導体チップ
２１…ＧａＡｓ基板
２２…ｐ型層
２３…ｎ型層
２４…第１の電極
２５…第２の電極
３１…ｐ型層
３２…ｎ型層
３３…第３の電極
３４…第４の電極
３６…サブマウント
４０…演算回路
４１…第１および第２の演算部
４１…第１の演算部
４２…第２の演算部
５０…結線部
１００…プロジェクタ
１１２…第１のダイクロイックミラー
１１４…第２のダイクロイックミラー
１２０…ガルバノミラー
１３０…制御部
１４０…スクリーン
ＬＤ…レーザダイオード
ＦＤ…高速ダイオード
Ｒ１…第１の抵抗器
Ｒ２…第２の抵抗器
Ｔ１…第１のトランジスタ
Ｔ２…第２のトランジスタ
Ｅ…電源
Ｉ１…第１の駆動電流
Ｉ２…第２の駆動電流
ＬＢ…レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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