(57)【要約】【課題】受発光部の回路基板上への実装後に受発光部および光伝送路の不具合を検査することのできる光電子回路基板および光電子回路基板の検査装置を提供する。【解決手段】基板１０の第２基板１０Ｂ側には、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５から発せられる光を受光する受光器１４が設けられている。受光器１４は、第１基板１０Ａに設けられる開口部１０ａから入射する光の一部が光導波路１０Ｃを介して透過するように第２基板１０Ｂに設けられる開口部１０ｂに位置するように設けられており、受光した光の光強度に応じた受光信号を光電変換してアナログ信号として出力する。【選択図】図２
2009058747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記実装面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられている光導波路と、
前記光導波路の前記第１の基板が設けられる面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を前記光導波路を介して出射させる光出射部を設けられた第２の基板とを有する光電子回路基板。
【請求項２】
前記光出射部は、前記光入射位置に対応して前記第２の基板に設けられる開口部である請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項３】
前記光出射部は、前記光出射位置に対応して前記第２の基板に設けられる開口部である請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項４】
前記光路変換面は、前記発光素子から発せられる光の径より小なる反射面を有する請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項５】
前記光路変換面は、前記光入射位置で前記コアおよび前記クラッドに前記光を入射するように設けられる第１の光路変換面と、
前記第１の光路変換面で反射されて前記クラッドを伝播した前記光を光路変換して前記光出射部から出射させる第２の光路変換面とを有する請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項６】
前記光路変換面は、前記光入射位置に前記コアのサイズより小なるサイズで設けられる第１の光路変換面と、
前記光出射位置に前記コアのサイズより小なるサイズで設けられ、前記第１の光路変換面で反射されて前記コアを伝播した前記光の一部を光路変換して前記光出射部から出射させる第２の光路変換面とを有する請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項７】
発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第１の基板と、前記第１の基板の前記実装面と反対側の面に設けられる光導波路と、前記光導波路の前記第１の基板が設けられる面と反対側の面に設けられる第２の基板とを有する光電子回路基板と、
前記第１の基板の前記実装面に実装された前記光モジュールの前記発光素子に駆動電圧を印加する電源部と、
前記駆動電圧の印加に基づいて前記発光素子から発せられる検査光を前記第１の基板、前記光導波路、および前記第２基板を介して受光する受光部と、
前記検査光の受光に基づいて検出信号を出力する信号検出部とを有する光電子回路基板の検査装置。
【請求項８】
前記受光部は、前記光導波路への光入射位置に応じて前記第１および前記第２の基板に設けられる開口部に位置するように設けられる請求項７に記載の光電子回路基板の検査装置。
【請求項９】
前記受光部は、前記光導波路への光入射位置に応じて前記第２の基板に設けられる第１の開口部に位置するように設けられる第１の受光部と、前記光導波路からの光出射位置に応じて前記第２の基板に設けられる第２の開口部に位置するように設けられる第２の受光部とを有する請求項７に記載の光電子回路基板の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子回路基板および光電子回路基板の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を情報の伝送媒体として利用した光通信技術が広く普及してきている。このような光通信技術においては、情報を示す信号により光を変調した光信号を伝送するため、従来、基板に光導波路を内蔵した光実装基板が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
この光実装基板は、両端に光路変換面を有する光導波路が内蔵されたプリント配線板を有し、サブマウントの下面に発光素子が実装され、上面にドライバが実装された発光側光デバイスを、発光素子が一方の光路変換面の直上に位置するように半田ボールによってプリント配線板上に電気的に接続し、サブマウントの下面に受光素子が実装され、上面にレシーバが実装された受光側光デバイスを、受光素子が他方の光路変換面の直上に位置するように半田ボールによってプリント配線板上に電気的に接続した構造を有する。
【非特許文献１】エレクトロニクス実装学会誌 Vol.8 No.1(2005)、p.29-32
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、受発光部の回路基板上への実装後に受発光部および光伝送路の不具合を検査することのできる光電子回路基板および光電子回路基板の検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板を提供する。
【０００６】
（１）発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記実装面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられている光導波路と、
前記光導波路の前記第１の基板が設けられる面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を前記光導波路を介して出射させる光出射部を設けられた第２の基板とを有する光電子回路基板。
【０００７】
（２）前記光出射部は、前記光入射位置に対応して前記第２の基板に設けられる開口部である前記（１）に記載の光電子回路基板。
【０００８】
（３）前記光出射部は、前記光出射位置に対応して前記第２の基板に設けられる開口部である前記（１）に記載の光電子回路基板。
【０００９】
（４）前記光路変換面は、前記発光素子から発せられる光の径より小なる反射面を有する前記（１）に記載の光電子回路基板。
【００１０】
（５）前記光路変換面は、前記光入射位置で前記コアおよび前記クラッドに前記光を入射するように設けられる第１の光路変換面と、
前記第１の光路変換面で反射されて前記クラッドを伝播した前記光を光路変換して前記光出射部から出射させる第２の光路変換面とを有する前記（１）に記載の光電子回路基板。
【００１１】
（６）前記光路変換面は、前記光入射位置に前記コアのサイズより小なるサイズで設けられる第１の光路変換面と、
前記光出射位置に前記コアのサイズより小なるサイズで設けられ、前記第１の光路変換面で反射されて前記コアを伝播した前記光の一部を光路変換して前記光出射部から出射させる第２の光路変換面とを有する前記（１）に記載の光電子回路基板。
【００１２】
また、本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板の検査装置を提供する。
【００１３】
（７）発光素子を有する光モジュールを実装される実装面を有する第１の基板と、前記第１の基板の前記実装面と反対側の面に設けられる光導波路と、前記光導波路の前記第１の基板が設けられる面と反対側の面に設けられる第２の基板とを有する光電子回路基板と、
前記第１の基板の前記実装面に実装された前記光モジュールの前記発光素子に駆動電圧を印加する電源部と、
前記駆動電圧の印加に基づいて前記発光素子から発せられる検査光を前記第１の基板、前記光導波路、および前記第２基板を介して受光する受光部と、
前記検査光の受光に基づいて検出信号を出力する信号検出部とを有する光電子回路基板の検査装置。
【００１４】
（８）前記受光部は、前記光導波路への光入射位置に応じて前記第１および前記第２の基板に設けられる開口部に位置するように設けられる前記（７）に記載の光電子回路基板の検査装置。
【００１５】
（９）前記受光部は、前記光導波路への光入射位置に応じて前記第２の基板に設けられる第１の開口部に位置するように設けられる第１の受光部と、前記光導波路からの光出射位置に応じて前記第２の基板に設けられる第２の開口部に位置するように設けられる第２の受光部とを有する前記（７）に記載の光電子回路基板の検査装置。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に記載の光電子回路基板によれば、受発光部の回路基板上への実装後に受発光部および光伝送路の不具合を検査することができる。
【００１７】
請求項２に記載の光電子回路基板によれば、光出射部から出射される光に基づいて発光素子の不具合を検査することができる。
【００１８】
請求項３に記載の光電子回路基板によれば、光出射部から出射される光に基づいて発光素子および光導波路の不具合を検査することができる。
【００１９】
請求項４に記載の光電子回路基板によれば、発光素子から発せられた光を光出射部から出射させることができる。
【００２０】
請求項５に記載の光電子回路基板によれば、クラッドを伝播した光に基づいて光導波路の不具合を検査することができる。
【００２１】
請求項６に記載の光電子回路基板によれば、コアを伝播した光に基づいて光導波路の不具合を検査することができる。
【００２２】
請求項７に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、受発光部の回路基板上への実装後に受発光部および光伝送路の不具合を検査することができる。
【００２３】
請求項８に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、発光素子の発光状態について不具合を検査することができる。
【００２４】
請求項９に記載の光電子回路基板の検査装置によれば、発光素子の発光状態および光導波路の光伝送状態について不具合を検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
[第１の実施の形態]
（光電子回路基板の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成を示し、（ａ）は光電子回路基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における光電子回路基板中央部分の縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における光電子回路基板の横断面図である。
【００２６】
この光電子回路基板１は、図１（ａ）に示すように、第１基板１０Ａと第２基板１０Ｂとの間に光導波路１０Ｃを積層して構成される基板１０と、光導波路１０Ｃの一方の側（送信側）に位置して基板１０に実装される第１光モジュール１２Ａと、光導波路１０Ｃの他方の側（受信側）に位置して基板１０に実装される第２光モジュール１２Ｂとを有して構成されている。第１光モジュール１２Ａと第２光モジュール１２Ｂは、光導波路１０Ｃのコア層１００を介して光信号２を受送信する。
【００２７】
光電子回路基板１の第１基板１０Ａには、光モジュールの発光素子を後述する検査装置２０によって発光させるための検査用端子１Ａ，１Ｂ，１Ｄ，１Ｅおよび検査用グランド１Ｃが設けられている。
【００２８】
検査用端子１Ａは第１光モジュール１２Ａの発光素子駆動用であり、検査用端子１Ｂは第１光モジュール１２Ａの受光素子出力用であり、１Ｃは光電子回路基板１の検査用グランドであり、検査用端子１Ｄは第２光モジュール１２Ｂの発光素子駆動用であり、検査用端子１Ｅは第２光モジュール１２Ｂの受光素子出力用である。
【００２９】
光導波路１０Ｃは、図１（ｂ）に示すように、コア層１００と、コア層１００より屈折率の小なるクラッド層１０１とで構成され、コア層１００がクラッド層１０１の間に挟まれた構造を有する。この光導波路１０Ｃは、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開２００４−２９５０７号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。
【００３０】
図２は、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第１光モジュール部分における部分断面図、図３は、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第２光モジュール部分における部分断面図である。
【００３１】
第１光モジュール１２Ａおよび第２光モジュール１２Ｂは、外部接続用として設けられる端子１２０と基板１０の第１基板１０Ａに設けられた端子１１０Ａとをハンダボール１２１を介して接続するボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型の光モジュールである。
【００３２】
第１光モジュール１２Ａは、図２に示すように、大規模集積回路（ＬＳＩ）等の電子部品を実装可能な支持基板１２２と、支持基板１２２のハンダボール１２１接合側である裏面側に固定され、ワイヤ１２３を介して端子１２４に電気的に接続される発光素子１２５と、発光素子１２５の固定された側とは反対の表面側に固定されるＬＳＩ等の制御部１２６と、支持基板１２２を貫通して裏面側のハンダボール１２１と電気的に接続され、制御部１２６とワイヤ１２３を介して電気的に接続される端子１２７と、支持基板１２２表面の制御部１２６，ワイヤ１２３，および端子１２７を封止する封止樹脂１２８とを有する。
【００３３】
また、第１光モジュール１２Ａは、後述する第２光モジュール１２Ｂから送信された光信号を受信する受光素子を支持基板１２２の裏面側に有している。
【００３４】
この第１光モジュール１２Ａは、基板１０の方向に光を発する発光素子１２５と基板１０内に設けられた光導波路１０Ｃのクラッド層１０１とが光結合可能となるように、第１基板１０Ａに設けられた開口部１０ａに発光素子１２５が位置するように固定されている。
【００３５】
また、基板１０の第２基板１０Ｂ側には、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５から発せられる光を受光する受光器１４が設けられている。受光器１４は、第１基板１０Ａに設けられる開口部１０ａから入射する光信号２の一部が光導波路１０Ｃを介して透過するように第２基板１０Ｂに設けられる開口部１０ｂに位置するように設けられており、受光した光信号２の光強度に応じた受光信号を光電変換してアナログ信号として出力する。
【００３６】
受光器１４は、検査装置２０に接続されている。検査装置２０は、第１光モジュール１２Ａおよび基板１０の検査を行うためのオペレータによる入力操作を行う操作部２１と、受光器１４から入力するアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する信号変換部２２と、受光器１４の検出結果に基づく画面表示を行うカラー液晶パネル等の表示器からなる表示部２３と、検査の実行に基づく駆動電圧を発生する電源部２４と、検査装置２０の各部を制御する制御部２５と、電源部２４に電源線２６を介して接続される駆動電圧印加用の検電プローブ２７とを有しており、電源部２４には図示しない構成として検査用グランド１Ｃとの間にグランド線が接続される。
【００３７】
上記した受光器１４，グランド線を含む電源線２６，および検電プローブ２７についても検査装置２０に含まれる構成としている。
【００３８】
受光器１４は、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを用いる。
【００３９】
第２光モジュール１２Ｂは、図３に示すように、光導波路１０Ｃのコア層１００から光信号２を受信可能な光路上に受光素子１２９が位置するように第１基板１０Ａに固定されている構成以外については、第１光モジュール１２Ａと同様の構成を有する。受光素子１２９は、第１基板１０Ａに設けられた開口部１０ａを介して光導波路１０Ｃのコア層１００からミラー１０Ｄによって光路変換された光信号２を受信する。
【００４０】
第２光モジュール１２Ｂは、第１光モジュール１２Ａに対して光信号２を送信する発光素子を支持基板１２２の裏面側に有している。
【００４１】
（発光素子）
発光素子１２５は、面型発光ダイオードや面型レーザ等の発光素子（面型光素子）を用いることができる。本実施の形態では、発光素子１２５として、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）を用いており、その発光波長は８５０ｎｍである。
【００４２】
この面発光レーザは、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型下部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、ｐ側電極を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板の裏面にｎ側電極を形成したものであり、ｐ側電極は、活性層の発光領域の直上に開口を有する。
【００４３】
なお、本実施の形態では、発光素子はひとつであるが、複数の発光素子をアレイ状に配列したものを用いることもできる。
【００４４】
（受光素子）
受光素子１２９は、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを用いる。
【００４５】
この受光素子１２９は、例えば、ＧａＡｓ基板上に、ＰＩＮ接合されたＰ層、Ｉ層およびＮ層と、Ｐ層に接続されたｐ側電極と、Ｎ層に形成されたｎ側電極とを備え、ｐ側電極は、開口を有し、開口の内側がレーザ光を受光する受光部となっている。
【００４６】
なお、本実施の形態では、受光素子はひとつであるが、送信側の複数の発光素子に対応した複数の受光素子をアレイ状に配列したものを用いることもできる。
【００４７】
（支持基板）
第１光モジュール１２Ａおよび第２光モジュール１２Ｂの支持基板１２２は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成され、外部回路への実装側となる裏面に銅等の導電性材料から形成された端子１２０を有する。また端子１２０の一部は、スルーホールを介して制御部１２６が固定される表面に銅等の導電性材料から形成された端子や配線パターンと接続されている。
【００４８】
発光素子１２５については、図２に示す端子１２０と同様の導電性材料によって支持基板１２２の裏面に形成されたグランドに導電性接着剤によりｎ側電極が接着される。発光素子１２５のｐ側電極と端子１２４とは金等からなるワイヤ１２３により接続される。
【００４９】
また、受光素子１２９については、図３に示す端子１２０と同様の導電性材料によって支持基板１２２の裏面に形成されたグランドに導電性接着剤によりｎ側電極が接着される。受光素子１２９のｐ側電極と端子１２４とは金等からなるワイヤ１２３により接続される。
【００５０】
なお、支持基板１２２は、他の回路基板上に実装できるように構成されていてもよい。例えば、支持基板１２２の表面に形成された端子，グランドからスルーホールを介して支持基板１２２の裏面に設けられたハンダボール１２１に接続し、このハンダボール１２１を介して支持基板１２２を他の回路基板に実装してもよい。
【００５１】
（制御部）
制御部１２６は、発光素子１２５を駆動する駆動回路と、受光素子１２９での受光に基づいて光電変換された電気信号を増幅する増幅回路とを有している。
【００５２】
（封止樹脂）
封止樹脂１２８は、エポキシ樹脂等の熱硬化性成形材料からなり、ワイヤ１２３、制御部１２６、および端子１２７を光・熱や湿度などの環境から保護する。なお、エポキシ樹脂を主成分とし、シリカ等の充填材を加えたものであってもよい。
【００５３】
（基板）
基板１０は、第１基板１０Ａと第２基板１０Ｂについて、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成されている。第１基板１０Ａは、表面に銅等の導電性材料から形成された端子１１０Ａを有する。
【００５４】
第１基板１０Ａは、図２に示すように、第１光モジュール１２Ａが設けられる位置に発光素子１２５と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア層１００とを光結合させるための開口部１０ａを有している。なお、開口部１０ａについては、光導波路１０Ｃのコア層１００との光結合が可能であれば、発光素子１２５から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。
【００５５】
また、第１基板１０Ａは、図３に示すように、第２光モジュール１２Ｂが設けられる位置に受光素子１２９と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア層１００とを光結合させるための開口部１０ａを有している。この開口部１０ａについても、光導波路１０Ｃのコア層１００との光結合が可能であれば、発光素子１２５から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。
【００５６】
第２基板１０Ｂは、図２に示すように、第１基板１０Ａの開口部１０ａが設けられる位置と同じ位置に第２基板１０Ｂ側に光信号２を取り出すための開口部１０ｂを有している。なお、この開口部１０ｂについても、発光素子１２５から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。
【００５７】
（光導波路）
光導波路１０Ｃは、コア層１００と、コア層１００の周囲に形成されたクラッド層１０１とから構成されている。コア層１００は、第１基板１０Ａの開口部１０ａに対応する位置に４５度に傾斜した光路変換面としてのミラー１０Ｄが形成されている。このミラー１０Ｄは、発光素子１２５、コア層１００、および受光素子１２９の間の光路上に設けられる。ミラー１０Ｄの周囲にはクラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅが充填されており、ミラー１０Ｄの表面は光透過性樹脂１０Ｅによって覆われている。
【００５８】
光導波路１０Ｃは、例えば、コア層１００とクラッド層１０１を含む層厚さが１００〜２００μｍで形成される。
【００５９】
光導波路１０Ｃの作製は、まず、コア層１００に対応する凹部を有した鋳型を作製する。
【００６０】
次に、鋳型にクラッド用フィルム基材を密着させ、鋳型の凹部に硬化性樹脂を充填する。
【００６１】
次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させてコア層１００とした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド層１０１となるクラッド用フィルム基材上にコア層１００が残される。
【００６２】
次に、クラッド用フィルム基材のコア層１００が形成された面側に、コア層１００を覆うようにクラッド層１０１を設ける。本実施の形態では、このようにして形成された光導波路１０Ｃのコア層１００にミラー１０Ｄを設ける。
【００６３】
図４Ａおよび図４Ｂは、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。
【００６４】
まず、図４Ａ（ａ）に示すように、前述したコア層１００およびクラッド層１０１からなる光導波路１０Ｃを用意する。
【００６５】
次に、図４Ａ（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃに対してコア層１００への光入射位置となる所定の位置にダイサーで切り込みを入れて４５度の傾斜面１０３Ａを有するように溝１０３を形成する。溝１０３内にはコア層１００が露出する。
【００６６】
次に、図４Ａ（ｃ）に示すように、光導波路１０Ｃの溝１０３を形成した側にフォトレジスト１０４を形成する。
【００６７】
次に、図４Ａ（ｄ）に示すように、コア層１００の端面に形成するミラーの形状に応じたマスクパターンを有するフォトマスクをフォトレジスト１０４形成面に重ねてフォトレジスト１０４を露光する。この後、エッチングによってフォトレジスト１０４を部分的に除去することにより、開口部１０５を形成する。
【００６８】
次に、図４Ｂ（ｅ）に示すように、溝１０３の傾斜面１０３Ａに露出したコア層１００の部分に蒸着等の薄膜形成法によって光反射膜としてのミラー１０Ｄを形成する。ミラー１０Ｄとして、例えばＡｕ、Ａｌ等の金属膜、ＴｉＮ等の金属光沢を有する膜を設けることができる。
【００６９】
次に、図４Ｂ（ｆ）に示すように、ミラー１０Ｄを形成した光導波路１０Ｃからフォトレジスト１０４を除去する。
【００７０】
次に、図４Ｂ（ｇ）に示すように、傾斜面１０３Ａにミラー１０Ｄを形成された溝１０３にクラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅを充填する。これによりコア層１００の形成方向に対して４５度の傾斜角を有する光路変換面としてのミラー１０Ｄを備え、ミラー１０Ｄ以外の部分では光路変換しない光導波路１０Ｃが得られる。
【００７１】
図５（ａ）および（ｂ）は、光導波路と第１基板および第２基板とを一体化する工程を示す図である。
【００７２】
まず、図５（ａ）に示すように、光導波路１０Ｃの下面に対して、コア層１００に形成されたミラー１０Ｄが開口部１０ｂの位置に配置されるように第２基板１０Ｂを位置決めする。次に、位置決めされた第２基板１０Ｂを熱硬化型接着剤等の接着剤によって開口部１０ｂがミラー１０Ｄを設けた部分に位置するように第２基板１０Ｂを接合する。
【００７３】
次に、図５（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃの上面に対して、コア層１００に形成されたミラー１０Ｄが開口部１０ａの位置に配置されるように第１基板１０Ａを位置決めする。次に、位置決めされた第１基板１０Ａを熱硬化型接着剤等の接着剤によって上面に接合して基板１０とする。
【００７４】
なお、上記した工程については光導波路１０Ｃの光入射位置側について説明したが、光出射位置側についても同様に形成される。また、光導波路１０Ｃに対して第１基板１０Ａを先に接合し、次に第２基板１０Ｂを接合するようにしてもよい。また、第１基板１０Ａと第２基板１０Ｂを同時に接合することも可能である。
【００７５】
（光電子回路基板の動作）
以下に、第１の実施の形態の光電子回路基板の動作について、図１から図５を参照しつつ説明する。
【００７６】
（光信号の送受信）
第１光モジュール１２Ａの制御部１２６は、一例として、画像信号の送信を第２光モジュール１２Ｂに対して行うとき、画像信号に基づいて駆動回路に制御信号を出力する。駆動回路は、制御信号に基づく発光素子１２５への通電制御を行う。発光素子１２５は、通電に基づいてｐ型電極とｎ型電極との間に電圧を印可されることにより、波長８５０ｎｍのレーザ光を出射する。
【００７７】
図２に示すように、発光素子１２５から発せられたレーザ光の光信号２は、開口部１０ａを介して光導波路１０Ｃに入射し、コア層１００に設けられたミラー１０Ｄで反射されて９０度光路変換することによりコア層１００内を伝播する。光導波路１０Ｃは、コア層１００にミラー１０Ｄが設けられているので、開口部１０ａから入射した光信号２がクラッド層１０１には入射しない。このような構成によって、第２光モジュール１２Ｂでクラッド層１０１を伝播した光を受信することがなく、光信号２にノイズが含まれず、ビットエラーの発生を防ぐことができる。
【００７８】
図３に示すように、コア層１００を伝播した光信号２は、コア層１００の光出射位置側に設けられるミラー１０Ｄに入射する。ミラー１０Ｄは、コア層１００を伝播した光信号２を反射して９０度光路変換する。光路変換された光信号２は開口部１０ａより出射し、第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。
【００７９】
受光素子１２９は、入射した光信号２の光強度に応じてｐ側電極とｎ側電極の間に電圧が生じ、この電圧に基づく電流を制御部１２６に出力する。制御部１２６は、受光素子１２９から出力される電流を増幅回路で増幅した後に信号処理する。
【００８０】
第１光モジュール１２Ａと第２光モジュール１２Ｂは、上記したように基板１０に設けられた光導波路１０Ｃを介して光信号２の受送信を行う。このように光導波路１０Ｃが基板１０内に設けられる光電子回路基板１の構成では、光導波路１０Ｃに何らかの異常や損傷が生じても、外部からその異常について把握することが困難である。
【００８１】
さらに第１光モジュール１２Ａおよび第２光モジュール１２Ｂが基板１０に面実装されており、受発光部が露出していないので、発光素子１２５や受光素子１２９を直接的に検査することが困難である。以下に、本実施の形態における光電子回路基板１の検査方法について説明する。
【００８２】
（光電子回路基板の検査）
図６は、第１の実施の形態における第１光モジュールの検査について示すフローチャートである。
【００８３】
まず、オペレータは、図２に示すように第２基板１０Ｂの開口部１０ｂの位置に受光器１４を配置する（Ｓ１）。
【００８４】
次に、オペレータは、検査装置２０の操作部２１を操作して初期設定を行い、電源部２４から駆動電圧を供給可能な待機状態とする（Ｓ２）。
【００８５】
次に、オペレータは、検査用グランド１Ｃにグランド線を接続し、検電プローブ２７を検査用端子１Ａに接触させる（Ｓ３）。発光素子１２５に異常がなく正常に動作する状況では、検電プローブ２７を接触させることにより検査用端子１Ａから第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５に駆動電圧が供給される。発光素子１２５は駆動電圧に基づいて発光し、検査光としての光信号２を発する。
【００８６】
オペレータは、表示部２３の画面表示を監視して、受光器１４の出力が変化しているか否かを確認する。画面表示により閾値以上の光強度と入力信号に応じたＯＮ、ＯＦＦ信号が得られていると確認された場合（Ｓ４：Ｙｅｓ）は、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５は正常動作しているものと判断する（Ｓ５）。また、画面表示により光強度が閾値以下、もしくは受光器１４からの出力がないと確認された場合（Ｓ４：Ｎｏ）は、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５に発光不良が生じているものと判断する（Ｓ６）。
【００８７】
[第２の実施の形態]
（光電子回路基板の構成）
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板および検査装置の概略構成図である。同図においては、第１光モジュール１２Ａから第２光モジュール１２Ｂへの光伝送を示し、基板１０を断面図示している。以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。
【００８８】
この光電子回路基板１は、第１の実施の形態で説明した第１光モジュール１２Ａ側の構成に加えて、第２光モジュール１２Ｂ側の光導波路１０Ｃに受光素子１２９への光路変換面と検査光取り出し用の光路変換面とを有する構成において、第１の実施の形態と相違している。
【００８９】
検査装置２０は、光電子回路基板１の光入射位置側に設けられる受光器１４Ａと、受光器１４Ａから入力するアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する信号変換部２２Ａとを有する。また、光電子回路基板１の光出射位置側に設けられる受光器１４Ｂと、受光器１４Ｂから入力するアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する信号変換部２２Ｂとを有する。また、第２光モジュール１２Ｂ側の検査用端子１Ｅには、受光素子１２９の受光に基づく信号を信号変換部２２Ｂに出力する信号線２８が接続される。
【００９０】
光入射位置側では、光導波路１０Ｃのクラッド層１０１に設けられる光入射位置側のミラー１０Ｄが、コア層１００のサイズより大に形成されている。この光入射位置では、光路変換された光信号２がコア層１００およびクラッド層１０１へ入射される。また、ミラー１０Ｄで光路変換されない光信号２が開口部１０ｂを介して受光器１４Ａに入射する。
【００９１】
光出射位置側では、コア層１００と同等のサイズで形成されるミラー１０Ｆと、ミラー１０Ｆの後段にコア層１００より大なるサイズでクラッド層１０１を伝播した光信号２を光路変換するミラー１０Ｇを有している。第１基板１０Ａには開口部１０ａが設けられ、第２基板１０Ｂには開口部１０ｂが設けられている。この開口部１０ａおよび１０ｂは、ミラー１０Ｆおよび１０Ｇが形成される部分に位置している。この光出射位置では、コア層１００を伝播した光信号２がミラー１０Ｆによって受光素子１２９に入射するように光路変換される。また、クラッド層１０１を伝播した光信号２がミラー１０Ｇによって受光器１４Ｂに入射するように光路変換される。
【００９２】
第１光モジュール１２Ａから第２光モジュール１２Ｂへ光信号２を伝送する場合、受信側の第２光モジュール１２Ｂで光信号２の受信が可能か否かを監視するだけでは、異常が生じたことを発見できても、その発生箇所が第１光モジュール１２Ａなのか、光導波路１０Ｃなのか、あるいは第２光モジュール１２Ｂなのかを特定することができない。
【００９３】
第２の実施の形態では、複数の受光器１４Ａおよび１４Ｂを設けて光路変換面から検査用の光を受光することにより、光路の各部における異常を判断する。
【００９４】
（光電子回路基板の検査）
図８は、第２の実施の形態における第１光モジュール，光導波路，および第２光モジュールの検査について示すフローチャートである。
【００９５】
まず、オペレータは、図７に示すように光入射位置側である第２基板１０Ｂの開口部１０ｂの位置に受光器１４Ａを配置し、光出射位置側である第２基板１０Ｂの開口部１０ｂの位置に受光器１４Ｂを配置する（Ｓ１１）。
【００９６】
次に、オペレータは、検査装置２０の操作部２１を操作して初期設定を行い、電源部２４から駆動電圧を供給可能な待機状態とする（Ｓ１２）。
【００９７】
次に、オペレータは、検査用グランド１Ｃにグランド線を接続し、検電プローブ２７を検査用端子１Ａに接触させる（Ｓ１３）。発光素子１２５に異常がなく正常に動作する状況では、検電プローブ２７を接触させることにより検査用端子１Ａから第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５に駆動電圧が供給される。発光素子１２５は駆動電圧に基づいて発光し、検査光としての光信号２を発する。
【００９８】
オペレータは、表示部２３の画面表示を監視して、受光器１４Ａの出力が変化しているか否かを確認する。画面表示により閾値以上の光強度と入力信号に応じたＯＮ、ＯＦＦ信号が得られていると確認された場合（Ｓ１４：Ｙｅｓ）は、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５は正常動作しているものと判断する。
【００９９】
また、オペレータは、表示部２３の画面表示を監視して、受光器１４Ｂの出力が変化しているか否かを確認する。画面表示により閾値以上の光強度と入力信号に応じたＯＮ、ＯＦＦ信号が得られていると確認された場合（Ｓ１５：Ｙｅｓ）は、光導波路１０Ｃのクラッド層１０１を介して光信号２が正常に伝播しているものと判断する。
【０１００】
また、オペレータは、表示部２３の画面表示を監視して、信号線２８から受光素子１２９の受光に基づく出力が得られているかを確認する。画面表示により閾値以上の光強度と入力信号に応じたＯＮ、ＯＦＦ信号が得られていると確認された場合（Ｓ１６：Ｙｅｓ）は、受光素子１２９が正常に動作しているものと判断する。これにより第１光モジュール１２Ａから第２光モジュール１２Ｂへの光信号２の受送信が正常動作していると判断する（Ｓ１７）。
【０１０１】
一方、受光器１４Ａから閾値以上の光強度、または、入力信号に応じたＯＮ、ＯＦＦ信号が得られていないと確認された場合（Ｓ１４：Ｎｏ）は、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５が発光不良を生じているものと判断する。
【０１０２】
また、受光器１４Ｂから閾値以上の光強度、または、入力信号に応じたＯＮ、ＯＦＦ信号が得られていないと確認された場合（Ｓ１５：Ｎｏ）は、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５は正常であるが、光導波路１０Ｃに何らかの損傷が生じているものと判断する。
【０１０３】
また、受光素子１２９の受光に基づく出力が得られていないと確認された場合（Ｓ１６：Ｎｏ）は、第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５は正常で、光導波路１０Ｃも正常であるものの、第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９が受光不良を生じているものと判断する。
【０１０４】
[第３の実施の形態]
（光電子回路基板の構成）
図９は、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成図である。
【０１０５】
第３の実施の形態では、光導波路１０Ｃに光路変換面として設けるミラー１０Ｄおよび１０Ｅのサイズをコア層１００のサイズより小なるものとする構成について第２の実施の形態と相違している。
【０１０６】
このような光導波路１０Ｃを有する基板１０の場合、発光素子１２５から発せられて光入射位置に設けられるミラー１０Ｄで光路変換された光信号２は、コア層１００に入射する。コア層１００に入射した光信号２は拡散しながら伝播する。この光信号２は、光出入射位置に設けられるミラー１０Ｆで一部が光路変換されて受光素子１２９に入射し、光路変換されない成分は後段のミラー１０Ｇで反射されて受光器１４Ｂに入射する。
【０１０７】
このように、コア層１００を伝播したノイズの少ない光の一部を検査光として用いるようにしてもよい。
【０１０８】
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記した各実施の形態に限定されず、その発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形実施が可能である。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で各実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることが可能である。
【０１０９】
例えば、図４Ａおよび４Ｂで説明した光導波路の傾斜面１０３Ａは４５度に限定されない。また、ミラー１０Ｄとして形成される光反射膜についても金属膜に限定されず、波長選択性を有する誘電体多層膜を形成してもよい。
【０１１０】
また、第１光モジュール１２Ａと第２光モジュール１２Ｂは、それぞれ発光素子１２５と受光素子１２９の両方を有する双方向型の光モジュールとして説明したが、発光素子１２５のみ、または受光素子１２９のみを有する一方向型の光モジュールとして、光導波路１０Ｃを介した光通信を行うものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成を示し、（ａ）は光電子回路基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における光電子回路基板中央部分の縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における光電子回路基板の横断面図である。
【図２】図２は、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第１光モジュール部分における部分断面図である。
【図３】図３は、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第２光モジュール部分における部分断面図である。
【図４Ａ】図４Ａ（ａ）から（ｄ）は、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂ（ｅ）から（ｇ）は、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。
【図５】図５（ａ）および（ｂ）は、光導波路と第１基板および第２基板とを一体化する工程を示す図である。
【図６】図６は、第１の実施の形態における第１光モジュールの検査について示すフローチャートである。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板および検査装置の概略構成図である。
【図８】図８は、第２の実施の形態における第１光モジュール，光導波路，および第２光モジュールの検査について示すフローチャートである。
【図９】図９は、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１…光電子回路基板、１Ａ，１Ｂ，１Ｄ，１Ｅ…検査用端子、１Ｃ…検査用グランド、２…光信号、１０…基板、１０Ａ…第１基板、１０Ｂ…第２基板、１０ａ，１０ｂ…開口部、１０Ｃ…光導波路、１０Ｄ，１０Ｆ，１０Ｇ…ミラー、１０Ｅ…光透過性樹脂、１２Ａ…第１光モジュール、１２Ｂ…第２光モジュール、１４，１４Ａ，１４Ｂ…受光器、２０…検査装置、２１…操作部、２２，２２Ａ，２２Ｂ…信号変換部、２３…表示部、２４…電源部、２５…制御部、２６…電源線、２７…検電プローブ、２８…信号線、１００…コア層、１０１…クラッド層、１０３…溝、１０３Ａ…傾斜面、１０４…フォトレジスト、１０５…開口部、１１０Ａ…端子、１２０…端子、１２１…ハンダボール、１２２…支持基板、１２３…ワイヤ、１２４…端子、１２５…発光素子、１２６…制御部、１２７…端子、１２８…封止樹脂、１２９…受光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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