(57)【要約】【課題】基板と、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体と、を有し、吸収体の膜厚を薄くし、露光時にパターン周辺部の解像度低下を防止し、検査光に対するコントラストを向上させた反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。【解決手段】吸収体が第一の吸収体２０５と第二の吸収体２０４から構成され、第一の吸収体２０５が第二の吸収体２０４の上に露光光側となるように積層された構造を有し、第一の吸収体２０５が有する、露光光に対する消衰係数の値が、第二の吸収体２０４が有する、露光光に対する消衰係数の値よりも大きいかまたは等しく、且つ、第一の吸収体２０５が有する、露光光よりも波長の長い検査光に対する消衰係数の値が、第二の吸収体２０４が有する、露光光よりも波長の長い検査光に対する消衰係数の値よりも小さい反射型マスクブランク及び反射型マスク。【選択図】図２
2009218459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板と、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体と、を有する反射型マスクブランクであって、該吸収体が少なくとも第一の吸収体と第二の吸収体から構成され、該第一の吸収体が該第二の吸収体の上に露光光側となるように積層された構造を有し、且つ、第一の吸収体が有する、露光光に対する消衰係数の値が、第二の吸収体が有する、露光光に対する消衰係数の値よりも大きいかまたは等しく、且つ、第一の吸収体が有する、露光光よりも波長の長い検査光に対する消衰係数の値が、第二の吸収体が有する、露光光よりも波長の長い検査光に対する消衰係数の値よりも小さいことを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記第一の吸収体または前記第二の吸収体が、少なくともインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）の元素を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記第一の吸収体及び／または第二の吸収体のシート抵抗値が、１ＭΩ／□以下であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記第一の吸収体及び／または第二の吸収体が、非多結晶質であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記第一の吸収体及び／または第二の吸収体の応力の絶対値が、２００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記第一の吸収体及び／または第二の吸収体が、室温で形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記第一の吸収体または第二の吸収体が、スパッタ法により形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用いて作製したことを特徴とする反射型マスク。
【請求項９】
前記検査光の波長が、１９９ｎｍまたは２５７ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項１０】
前記検査光の波長が、１９９ｎｍまたは２５７ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の反射型マスク。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程において使用される、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を用いたフォトリソグラフィーに適用可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路や表示デバイスなど、配線や半導体のパターニングには、一般に可視光（ｇ線、ｈ線）または紫外光（ｉ線、ＫｒＦ、ＡｒＦ）を用いたフォトリソグラフィーが広く用いられている。近年、半導体集積回路の微細化に伴い、その製造技術として電子線リソグラフィの他、液浸  ＡｒＦ、ＥＵＶリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィなどに関する研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
これらの中でもＥＵＶリソグラフィは３２ｎｍ以降のデバイスに用いる転写技術の候補の一つであり、また光を使った現行のフォトリソグラフィー技術の延長線上にあるため、高い注目を集めている。ＥＵＶ光と呼ばれる波長０．２〜１００ｎｍの光は、可視光の波長より遥かに短くＸ線の波長の範囲に近い。ＥＵＶ光はほぼ全ての材料によって吸収される特性を持っているため、透過光が前提となっている透明マスク、及び例えば光学レンズなどの屈折光学部材を用いた従来のシステムは使用することができない。従って通常は反射光学系を用いる。このためマスクにも反射型が用いられる。
【０００４】
ＥＵＶマスクの構造は図１に示すように、低熱膨張率ガラス基板１０１上にＥＵＶ光を効率良く反射させる多層反射膜１０２（ＭＬ：  ｍｕｌｔｉ  ｌａｙｅｒ）があり、これにはモリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）を交互に積層した４０〜５０ペアの多層膜が使用される。この上に多層反射膜１０２を保護する役割を担う保護膜１０３が積層される。保護膜１０３は最終製品上に残るためＥＵＶ光を透過する材料が選定され、Ｓｉやルテニウム（Ｒｕ）などがよく用いられる。さらにこの上にバッファー層（図示無し）が存在し、これには窒化クロム（ＣｒＮ）や二酸化珪素（ＳｉＯ２）などが候補となっている。保護膜と兼用する形でＲｕを採用することもある。さらにこの上に、ＥＵＶ光を吸収するパターニングされた吸収体１０４が配置される。そして最表面にはマスクの製品としての欠陥検査用に検査光を低反射化するための反射防止層１０５が置かれる。なお符号１００は裏面導電膜である。
【０００５】
ＥＵＶマスクではこの吸収体（上層に検査用の反射防止層がある場合はこれを含む。また下層にバッファー層がある場合はやはりこれを含む）をパターニングすることによってＥＵＶ光の吸収部と反射部とを作り出し、コントラストを得ている。
【０００６】
作製したＥＵＶマスクは主に紫外線領域の検査光を用いて検査され、欠陥の修正など品質管理に関する工程を経た上で、出荷される。パターン開口部では検査光に対してある程度の強度の反射があるため、パターン非開口部における検査光の反射率を下げて開口部とのコントラストを得ている。
【０００７】
なお、反射や吸収を決める要素である屈折率や消衰係数などの光学定数は、一般に、用いる光の波長によってその値が異なるため、用いる光の波長をはっきり意識する必要がある。すなわち、露光光と検査光の波長が異なる場合、入射対象物質が同じ材料であっても消衰係数はそれぞれの光に対して異なるのが普通である。
【０００８】
露光時のＥＵＶ光は、ＥＵＶマスクに対して垂直ではなくやや角度を持って入射される、いわゆる斜め入射となる。これは、垂直入射では、光強度損失を抑えて反射光を取り出すのが困難なことによる。
【０００９】
しかし、この斜め入射によってパターン周辺部の解像度が低下する。パターン周辺部のみの影響であるため従来のようにパターンサイズが比較的大きい場合には問題とはならなかった。しかし集積回路などの微細化が進むにつれマスク上のパターンの微細化も要求されるようになり、前述のパターン周辺部の解像度低下がパターンの微細化を困難にしていた。これに対処する方法の一つにＥＵＶ光の入射角を垂直に近づける方法が有るが、現状において既に入射角はマスク面の法線に対して５〜６°程度と垂直に近い状態まで近づいていることから、これ以上入射角を小さくすると反射光を取り出すのが困難になる。
【００１０】
パターン周辺部の解像度低下を回避する他の方法は、マスクの構造において多層膜保護層よりも上層の部分、すなわち、バッファー層、吸収体、反射防止層、の膜厚を薄くする方法がある。
【００１１】
バッファー層は、吸収体のエッチングストッパー層としての機能を有するほか、吸収体パターニング後のパターン欠陥の修正時に、下層保護層としての機能を有する。一例としてバッファー層にＣｒＮを採用すると、パターン修正時の保護層としての機能のためにその膜厚は少なくとも１０ｎｍ程度は必要になる。一方でバッファー層にＲｕを採用すると、吸収体に対するエッチング選択比が高いためエッチングストッパーとしての役割からその膜厚は数ｎｍまで低減できるが、吸収体パターンのＦＩＢ(focused ion beam)修正時の下層保護膜としては充分な膜厚ではなく、修正方法が制限されてしまう。
【００１２】
次に、吸収体の膜厚を薄くすると、吸収体固有のＥＵＶ光に対する吸光度（光学密度）が低下し、反射型マスクとして用いたときの露光時のコントラストが低下するという問題があった。
【００１３】
こうした経緯から我々はＥＵＶ光に対して高吸収となる材料を吸収体に採用することで、露光時のＥＵＶ光コントラストを維持したまま、パターン部全体の膜厚を低く抑えた新型反射型マスクブランクを開発した（特許文献１）。
【特許文献１】特願２００７−２５４６８８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、この構成は検査光に対する反射防止層を有しないため、検査光に対する反射率は２０％以上あり、コントラストが低下することが確認された。検査光は波長２５７ｎｍの光が現在は一般的に使用されているが、今後波長１９９ｎｍの光への移行が進むと考えられる。従って波長１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ付近の波長領域を用いる検査光において、パターン非開口部で概ね１０％以下の反射率を達成する必要がある。
【００１５】
前述の特許文献１で示した構成に対して、これに見合う反射防止層を形成すると、例えば酸化珪化タンタル（ＴａＳｉＯ）を反射防止層に用いた場合は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率は０．０９％、波長１９９ｎｍに対する検査光の反射率は８．０％、波長２５７ｎｍの検査光に対する反射率３．５％となり、露光光及び検査光に対するコントラストは目標を達成できるものの、反射防止層と吸収体を合わせた膜厚が７４．７ｎｍとなり、薄くできないことが判った。それでも従来のＥＵＶマスクと比較すると膜厚の低減は図られているが、さらなる薄膜化が要求される。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
【００１７】
少なくとも基板と、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体と、を有する反射型マスクブランクであって、該吸収体が少なくとも第一の吸収体と第二の吸収体から構成され、該第一の吸収体が該第二の吸収体の上に露光光側となるように積層された構造を有し、且つ、第一の吸収体が有する、露光光に対する消衰係数の値が、第二の吸収体が有する、露光光に対する消衰係数の値よりも大きいかまたは等しく、且つ、第一の吸収体が有する、露光光よりも波長の長い検査光に対する消衰係数の値が、第二の吸収体が有する、露光光よりも波長の長い検査光に対する消衰係数の値よりも小さいことを特徴とする反射型マスクブランクである。
【００１８】
従来の検査光に対する反射防止膜は、露光光吸収に対しては充分な吸収を持っていなかった。そのため図１に示したような検査光に対する反射防止層１０５と露光光の吸収体１０４の２層を設ける必要があった。本発明は検査光のための反射防止層にも充分なＥＵＶ光吸収の機能を併せて持たせ、これにより検査光に対する反射率を低く保ったまま、露光光の吸収体の膜厚を薄くして全体の膜厚を低減させるものである。従って上部に配置する第一の吸収体は、その露光光に対する消衰係数が、下部に配置する第二の吸収体のそれと同等かまたは大きい物質を採用し、且つ、上部に配置する第一の吸収体の検査光に対する消衰係数を、その下に配置する第二の露光光吸収体の検査光に対する消衰係数よりも小さくすることで、それぞれの膜厚を最適化して得られる。
【００１９】
本発明の他の構成は、前記第一の吸収体または前記第二の吸収体が、少なくともインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）の元素を含むことを特徴とする前記の反射型マスクブランクである。このような吸収体は露光光の吸収が大きいため、このような構成にすることで、吸収体は吸光度を保ったまま、その膜厚を薄くすることができる。
【００２０】
本発明の他の構成は、前記第一の吸収体及び／または第二の吸収体のシート抵抗値が、１ＭΩ／□以下であることを特徴とする前記の反射型マスクブランクである。
【００２１】
前記吸収体に導電性を持たせることで、電子線レジストを用いて吸収体を電子ビーム（ＥＢ）により描画、パターニングする際に、チャージアップを避けることができ、吸収体のパターニングが容易になる。
【００２２】
本発明の他の構成は、前記第一の吸収体及び／または第二の吸収体が、非多結晶質であることを特徴とする前記の反射型マスクブランクである。
【００２３】
前記吸収体が多結晶質である場合には、パターニング後に、パターンエッジ部分に結晶粒界と見られる凹凸が観察されることがあり、ＬＥＲ（Ｌｉｎｅ  ｅｄｇｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を悪化させることがあった。前記吸収体が非多結晶質であることにより、このようなＬＥＲの悪化を回避することができる。
【００２４】
本発明の他の構成は、前記第一の吸収体及び／または第二の吸収体の応力の絶対値が、２００ＭＰａ以下であることを特徴とする前記の反射型マスクブランクである。
【００２５】
膜の応力を低く抑えることで、パターニング後の各パターンの位置精度（ＩＰ：Ｉｍａｇｅ  Ｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を高めることができる。応力の絶対値が２００ＭＰａを超えると、吸収体をパターニングした際に、パターン部において転写に影響するレベルの歪みが生じる。
【００２６】
本発明の他の構成は、前記第一の吸収体及び／または第二の吸収体が、室温で形成されることを特徴とする前記の反射型マスクブランクである。
【００２７】
加熱工程は非効率であるため、成膜時に加熱したり、あるいは成膜後に焼成したりすると、コストの増大につながるとともに、スループットの低下につながるほか、多層膜にダメージを与えることになる。室温で成膜することにより、これらの問題を回避することができる。
【００２８】
本発明の他の構成は、前記第一の吸収体または第二の吸収体が、スパッタ法により形成されることを特徴とする前記の反射型マスクブランクである。
【００２９】
スパッタ法を用いることで、特殊なガスを用いることなく容易に薄膜作製を行うことができ、また成膜時のガス圧調整や適宜導入する酸素ガスの流量調整を行うことにより応力調整や導電度調整を容易に行うことができる。
【００３０】
本発明の他の構成は、前記の反射型マスクブランクを用いて作製した反射型マスクである。
【００３１】
このような構成で作製した反射型マスクは、微細なパターンを配置することができ、また吸収体の膜厚が薄いことから次世代のＥＵＶマスクとして適用可能であり、良好な露光（パターンの転写）結果が期待できる。
【００３２】
本発明の他の構成は、前記紫外光の波長が、１９９ｎｍまたは／および２５７ｎｍであることを特徴とする前記の反射型マスクブランクまたは反射型マスクである。検査光にこのような波長を用いると、本マスクブランクから作製した本マスクはパターン部と非パターン部で高い検査光コントラストが得られ、精度良くパターンを検査することができる。
【発明の効果】
【００３３】
以上のことから、本発明によると、前記反射型マスクブランクは前記構成を用いることにより吸収体の膜厚を薄くでき、且つ検査光に対して高いコントラストを持った反射型マスクを作製することができる。従って作製したマスクは効率よく且つ高い精度で欠陥検査を行うことが可能になり、無欠陥マスクの完成度を高めることができるようになると同時に、該マスクを用いて露光することによって微細なパターンを高い解像度で転写することができると期待される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。
【００３５】
本発明の反射型マスクブランクは、少なくとも、基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する第一の吸収体と、同第二の吸収体を具備する。より好ましくは、基板に熱膨張係数が非常に低い平坦な基板を用い、該基板上に露光光を反射する多層反射膜を有し、該多層反射膜上に多層反射膜を保護する保護膜と、吸収体のエッチングストッパー層としての役割やパターン修正時の多層膜保護の役割として用いられるバッファー層と、露光光を吸収する第一の吸収体と、同第二の吸収体と、を具備する反射型マスクブランクである。
【００３６】
第一の吸収体は第二の吸収体の上部に配置する。すなわち、基板に近い方に第二の吸収体を配置し、その上に第一の吸収体を配置する。露光光及び検査光は第一の吸収体側から入射する。
【００３７】
第一の吸収体及び第二の吸収体の材料の特性として、露光光に対して少なからず吸収を有することは必須である。露光光に対する吸収体としての役割を考えると、吸収体は露光光に対する充分な吸収を持っていることが望ましい。上部に配置する検査光の反射防止膜に露光光吸収の役割を併せて持たせて第一の吸収体とするのであるから、第一の吸収体の露光光に対する消衰係数は、第二の吸収体の露光光に対する消衰係数と同等であるか、または大きいことが必須である。さらに、第一の吸収体に対しては、第二の吸収体と比較して検査光に対する消衰係数の小さい物質を用いる。
【００３８】
第一の吸収体と第二の吸収体が同一の材料であっても、構造の違いなどにより前述のような光学特性を満たす場合はこれを適用することができる。材料の一例として、少なくともインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）の元素を含む材料、例えば第一の吸収体にＩｎＧａＺｎＯｘ（３≦ｘ≦４）を用いた場合は、第二の吸収体に珪化タンタル（ＴａＳｉ）などを用いることができる。この例では波長２５７ｎｍの検査光を用いた場合は、第一の吸収体と第二の吸収体の消衰係数の値はそれぞれ０．４３８、２．０６３となる。それぞれの膜厚はそれぞれの光学定数と検査光の波長によって好ましい値が決定されるため、一概には言えない。言い換えると、膜厚はそれぞれの光学定数と波長において最適化するのが好適である。
【００３９】
それぞれの吸収体の成膜にはスパッタ法やＰＬＤ（ｐｌｕｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方法があるが、他の方法でもよい。スパッタ法を用いると簡便であり、応力調整や導電度調整が容易に行える効果がある。またスパッタ法は均一成膜にも優れている。
【００４０】
吸収体が酸化物の場合にはスパッタリングターゲットには酸化物ターゲットを用いると簡便であるが、低級酸化物にして導電性が得られる場合にはそれを用いてもよい。金属または合金または珪化物が安定な材料であるならば、反応性スパッタを用いて酸化物を形成することも可能である。いずれの場合も膜に導電性を持たせる場合には、成膜時にスパッタガスのほか酸素ガスを導入してその流量を適切に制御することで、導電性を有する吸収体を得ることができる。酸素ガスの導入量は、成膜装置やターゲット材、成膜時のガス圧などにより適切な値が異なるため、導入量を一概に定めることは適当ではない。
【００４１】
吸収体が金属または合金または珪化物である場合には、組成比を考慮してスパッタ成膜することが可能である。
【００４２】
吸収体の材料にＩｎＧａＺｎＯ４やＩｎＧａＳｎＯ５を用いた場合には室温で成膜することにより、非晶質構造を有する吸収体薄膜を容易に得ることができる。また一般に金属に珪素（Ｓｉ）を混入していくと非晶質化することがよく知られている。この場合も室温成膜で非晶質構造を有する吸収体薄膜を容易に得ることができる。
【００４３】
成膜法にスパッタ法を用いた場合、成膜時のガス圧等を適切に制御することにより、絶対値２００ＭＰａ以下の応力を有する吸収体薄膜を容易に得ることができる。最適なガス圧値等に関しては、装置固有の部分が大きく影響するため、用いる各装置で条件出しを行う必要があり、一概に値を定めることは適当ではない。
【００４４】
第一の吸収体及び／または第二の吸収体のシート抵抗値は、少なくとも１ＭΩ／□以下であることが好ましい。その理由は、前述のように、吸収体に導電性を持たせることで、電子線レジストを用いて吸収体を電子ビーム（ＥＢ）により描画、パターニングする際に、チャージアップを避けることができ、吸収体のパターニングが容易になるからである。
また、第一の吸収体及び／または第二の吸収体が、非多結晶質であることが好ましい。その理由は、前述のように、ＬＥＲの悪化を回避することができるからである。
また、第一の吸収体及び／または第二の吸収体の応力の絶対値が、２００ＭＰａ以下であることあることが好ましい。その理由は、前述のように、膜の応力を低く抑えることで、パターニング後の各パターンの位置精度（ＩＰ：Ｉｍａｇｅ  Ｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を高めることができるからである。
なお、シート抵抗値は、四探針法により、応力は成膜前後の基板のそりを評価することにより測定されるが、必ずしもこれに限定されない。
【００４５】
このようにして本発明の反射型マスクブランクが完成する。
【００４６】
このようにして得られた反射型マスクブランクを、一般的な電子ビーム（ＥＢ）リソグラフィ技術などを用いてパターニングすることで、本発明の反射型マスクが完成する。
【実施例】
【００４７】
以下、本発明を実施例によりさらに説明するが、本発明は下記例に制限されない。
【００４８】
実施例１
本発明の反射型マスクブランクについて、図２を用いてその製造方法の一例を詳細に述べる。
【００４９】
平坦度が高く熱膨張率の極めて低いガラス基板２０１上に、Ｍｏ／Ｓｉの４０ペアを用いた多層膜２０２が形成され、さらにＲｕを材料とする多層膜保護層２０３が形成された基板を用意した（図２（ａ））。この多層膜保護層２０３は材料の特性から、吸収体のエッチングストッパーとなるバッファー層の役割を兼ねる。
【００５０】
この基板上に第二の吸収体２０４を以下のようにして成膜した。すなわち、成膜法にはｄｃマグネトロンスパッタ法を用い、ターゲットにＴａ及びＳｉを用い、真空チャンバーにＡｒガスを導入してＴａとＳｉの同時放電により成膜を行った。この時、非多結晶薄膜を得るため、Ｓｉの放電電力を制御して最適化した。また応力の絶対値を２００ＭＰａ以下にするために、導入するＡｒガスの圧力を調整し、最適化した。得られたＴａＳｉ吸収体薄膜の導電率はシート抵抗値で４１．５Ω／□となった。パターニングすることを考えると、一般的なＥＢ描画装置の場合、基板の導電性は１ＭΩ／□以下が要求される。この結果はそれと比較して約５桁低く、充分な導電性を持つ吸収体が得られた。作製した吸収体の応力は−２１．２ＭＰａとなった。本吸収体はＸ線回折（ＸＲＤ：  Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）による結晶性評価の結果、非晶質であることが確認された。反射率の入射角依存性の評価から、波長１３．５ｎｍの露光光に対する消衰係数は０．０３６９となった。また分光エリプソメトリーによる評価から、波長１９９ｎｍの検査光に対する消衰係数は１．９２、波長２５７ｎｍの検査光に対する消衰係数は２．０６となった。
【００５１】
次に第二の吸収体２０４が成膜された基板上に第一の吸収体２０５を次のようにして形成した。すなわち、成膜法にはｒｆマグネトロンスパッタ法を用い、ターゲットにＩｎＧａＺｎＯ４の酸化物ターゲットを用い、真空チャンバーにＡｒ及び酸素の混合ガスを導入し、成膜を行った。この時、吸収体に導電性を持たせるため、Ａｒに対する酸素ガスの流量比を調整し、最適化した。また応力の絶対値を２００ＭＰａ以下にするために、導入する混合ガスの圧力を調整し、最適化した。得られた吸収体薄膜の導電率はシート抵抗値で１７．５ｋΩ／□となった。第二の吸収体の場合と同様、ＥＢ描画に際して充分な導電性を持つ吸収体が得られた。作製した第二の吸収体の応力は−２１．６ＭＰａとなった。本吸収体はＸ線回折（ＸＲＤ：  Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）による結晶性評価の結果、非晶質であることが確認された。反射率の入射角依存性の評価から、波長１３．５ｎｍの露光光に対する消衰係数は０．０５０６となった。また分光エリプソメトリーによる評価から、波長１９９ｎｍの検査光に対する消衰係数は０．６３１、波長２５７ｎｍの検査光に対する消衰係数は０．４３８となった。
【００５２】
このようにして本発明の反射型マスクブランクが完成した（図２（ｃ））。
【００５３】
本マスクブランクの波長１３．５ｎｍの露光光に対する反射率は０．１６％、波長１９９ｎｍの検査光に対する反射率は６．０％、波長２５７ｎｍの検査光に対する反射率は３．６％を達成し、吸収体全体、すなわち第一の吸収体２０５と第二の吸収体２０４を合わせた膜厚は６０．６ｎｍとなった。これにより、１９９ｎｍと２５７ｎｍの２波長の検査光に対応し、パターン部となる吸収体の薄膜化を実現したＥＵＶマスクブランクが完成した。
【００５４】
実施例２
実施例１のようにして作製した反射型マスクブランク（図２（ｃ））の表面上にレジスト２０６を塗布し（図２（ｄ））、これを一般的なＥＢリソグラフィによりパターニングし（図２（ｅ））、これをエッチングマスクとした。このパターニングされたレジスト付き反射型マスクブランクを一般的なドライエッチング装置に投入し、塩素系ガスを用いて露出部の第一の吸収体２０５を、フッ素系ガスを用いて露出部の第二の吸収体２０４のエッチングを行った（図２（ｆ））。エッチング終了後、表面のレジストを除去して、本発明の反射型マスクが完成した（図２（ｇ））。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】ＥＵＶマスクの構造の一例の断面図である。
【図２】本発明の反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造工程の一例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１００・・・裏面導電膜
１０１・・・基板
１０２・・・多層反射膜
１０３・・・保護膜
１０４・・・吸収体
１０５・・・検査用薄膜
１０６・・・レジスト
２０１・・・基板
２０２・・・多層反射膜
２０３・・・保護膜
２０４・・・第二の吸収体
２０５・・・第一の吸収体
２０６・・・レジスト
【図１】
2009218459.tif 000003
【図２】
2009218459.tif 000004