(57)【要約】【課題】コストの上昇を抑制しながら、樹脂封止半導体装置の偽造や模倣を防止する。【解決手段】表示マーク４は、樹脂封止型半導体装置３０上に設けられ、凹部１１と溝１２が設けられる。表示マーク４は１番端子表示マークとして使用され、モールド金型で一体形成される。凹部１１は、円柱形状を有し、凹部の幅がＷ１（ｍｍ）で、凹部の深さがＤ１（ｍｍ）である。溝１２は、凹部１１の両端部に設けられ、溝の幅がＷ２（ｍｍ）で、溝の深さがＤ２で、底部が平坦である。【選択図】図２
2009054954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを封止する樹脂と、
前記樹脂の第１主面に設けられ、凹部形状を有する表示マークと、
前記表示マークの端部に設けられた溝と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記溝は側面或いは底面の形状が不均一であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記表示マークは、１番端子を表示するマーク、電源端子を表示するマーク、或いは接地端子を表示するマークとして用いられることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凹部は円柱或いは多角柱の形状を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップが樹脂封止された半導体装置の真偽判別方法であって、
前記半導体装置の第１主面に凹部形状を有し、端部に溝が設けられた表示マークの真上に、真偽判別部をセットする工程と、
前記真偽判別部を前記表示マークに挿入できた場合、前記半導体装置を正規品と判別し、前記真偽判別部を前記表示マークに挿入できなかった場合、前記半導体装置を偽造品と判別する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の真偽判別方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に係り、特に樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路が搭載されている半導体チップが樹脂により封止された樹脂封止型半導体装置では、偽造、模倣、或いは不正な使用ができないように種々の対策が講じられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１などに記載される半導体装置では、表面に印字領域、チェックコード印字領域、及びコード印字領域を設け、印字情報を読み取り、読み取ったコード情報を復元して真偽判定を行っている。真偽判定を行うために印字情報を表示する装置や検査装置等が必要となるので、半導体装置のコストが大幅に上昇するという問題点がある。
【特許文献１】特開２００６−１０２３６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、コストの上昇を抑制しながら、偽造や模倣を防止できる半導体装置及びその真偽判別方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様の半導体装置は、半導体チップを封止する樹脂と、前記樹脂の第１主面に設けられ、凹部形状を有する表示マークと、前記表示マークの端部に設けられた溝とを具備することを特徴とする。
【０００６】
更に、本発明の一態様の半導体装置の真偽判別方法は、半導体チップが樹脂封止された半導体装置の真偽判別方法であって、前記半導体装置の第１主面に凹部形状を有し、端部に溝が設けられた表示マークの真上に、真偽判別部をセットする工程と、前記真偽判別部を前記表示マークに挿入できた場合、前記半導体装置を正規品と判別し、前記真偽判別部を前記表示マークに挿入できなかった場合、前記半導体装置を偽造品と判別する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、コストの上昇を抑制しながら、偽造や模倣を防止できる半導体装置及びその真偽判別方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【０００９】
まず、本発明の実施例１に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図１は、半導体装置を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う半導体装置の断面図である。本実施例では、表示マークに偽造品と正規品との真偽判別ができるように溝を設けている。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置３０には、半導体チップ１、リード端子２、モールド樹脂３、及び表示マーク４が設けられる。半導体装置３０は半導体チップ１を樹脂封止した３６ピンＱＦＰ（quad  flat  package）である。リード端子３は、半導体装置３０の四方向にそれぞれ等間隔に９個設けられている。モールド樹脂３は、半導体チップ１、ベッド、インナーリード、及びボンディングワイヤを封止する。ここで、ベッド、インナーリード、及びボンディングワイヤは図示していない。表示マーク４は、半導体装置３０の左下に配置され、モールド樹脂３上（モールド樹脂３の第１主面）に凹部形状で且つ円柱型に形成され、１番端子表示マークとして用いられる。表示マーク４は、モールド金型を用いて３６ピンＱＦＰ（quad  flat  package）と同じ工程で一体形成される。ここでは、凹部を円柱形状にしているが、三角柱や四角柱などの多角柱形状にしてもよい。
【００１１】
図２に示すように、表示マーク４には、凹部１１と溝１２が設けられる。凹部１１は、円柱形状を有し、凹部の幅がＷ１（ｍｍ）で、凹部の深さがＤ１（ｍｍ）である。溝１２は、凹部１１の両端部に設けられ、溝の幅がＷ２（ｍｍ）で、溝の深さがＤ２で、底部が平坦である。凹部の幅Ｗ１は、例えば１ｍｍで、凹部の深さＤ１は、例えば０．２ｍｍに形成される。
【００１２】
ここで、凹部の幅Ｗ１、凹部の深さＤ１、溝の幅Ｗ２、溝の深さＤ２の関係は、
W2＝0.1×W1〜0.2×W1・・・・・・・式（１）
D2＝0.5×D1〜1×D1・・・・・・・・式（２）
に設定するのが好ましい。溝の幅Ｗ２が０．１×Ｗ１以下の場合、モールド金型の精密加工のコストが上昇し、或いは加工精度が低下する。溝の幅Ｗ２が０．２×Ｗ２以上の場合、半導体装置３０を偽造しようとする者にとって、溝の有無及び形状の目視による確認作業が容易となる。溝の深さＤ２が０．５×Ｄ１以下の場合、半導体装置３０が正規品或いは偽造品の真偽判別が困難となる。溝の深さＤ２が１×Ｄ１以上の場合、半導体装置３０を偽造しようとする者にとって、溝の有無及び形状の目視による確認作業が容易となる。
【００１３】
次に、半導体装置の真偽判別について図３を参照して説明する。図３は半導体装置の真偽判別を示す模式図である。
【００１４】
まず、図３に示すように、真偽判別部２１を半導体装置３０の表示マーク４上に、表示マーク４と相対向して並行にセットする。ここで、真偽判別部２１は、表示マーク４と同一形状を有し、表示マーク４よりも大きさを若干小さく形成するのが好ましい。
【００１５】
次に、真偽判別部２１を表示マーク４に挿入する。真偽判別部２１を表示マーク４に挿入できた場合、半導体装置３０が正規品と判別できる。一方、真偽判別部２１を表示マーク４に挿入できなかった場合、半導体装置３０が偽造品と判別できる。
【００１６】
上述したように、本実施例の半導体装置では、表示マーク４が樹脂封止型半導体装置３０上に設けられ、表示マーク４には凹部１１と溝１２が設けられる。表示マーク４は１番端子表示マークとして使用され、モールド金型で一体形成される。凹部１１は、円柱形状を有し、凹部の幅がＷ１（ｍｍ）で、凹部の深さがＤ１（ｍｍ）である。溝１２は、凹部１１の両端部に設けられ、溝の幅がＷ２（ｍｍ）で、溝の深さがＤ２で、底部が平坦である。溝の幅Ｗ２（ｍｍ）及び溝の深さＤ２は、肉眼では認識が困難である大きさに設定される。真偽判別部２１を表示マーク４に挿入して半導体装置３０の真偽判別が行われる。
【００１７】
このため、守秘性を高めるために必要となるコード情報、真偽判定を行うために印字情報を表示する装置や検査装置等を必要せず、正規品の偽造を防止することができる。また、表示マーク４をモールド金型で一体形成しているので、半導体装置３０のコストの上昇を抑制することができる。また、真偽判別部２１が表示マーク４に挿入できない場合、半導体装置３０が偽造品であるとすぐに判別できるので、正規品及び偽造品の真偽判別を簡略化することができる。
【００１８】
なお、本実施例では、半導体チップ１を樹脂封止した３６ピンＱＦＰに適用しているが、ＱＦＰの代わりに、ＤＩＰ（Dual  In-line  package）、ＳＯＰ（small  out-line  package）、ＱＦＮ（quad  flat  non−leaded  package）などの樹脂封止半導体装置に適用できる。また、ＴＡＢ（Tape  Automated  Bonding）、ＳｉＰ（System  in  package）、或いはＭＣＰ（Multi−Chip  package）などの樹脂封止された製品にも適用できる。また、１番端子表示マークとしての表示マーク４に偽造品対策として溝１２を設けているが、電源端子表示マーク、接地端子表示マーク、ＩＤマーク、製品マーク、或いは製造日時マークなどに偽造品対策として溝を設けてもよい。
【実施例２】
【００１９】
次に、本発明の実施例２に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図４は、半導体装置の製造方法を示す模式図である。本実施例では、偽造品対策として設けられる表示マークの溝を樹脂封止後に形成している。
【００２０】
図４に示すように、モールド金型を用いて凹部形状の表示マーク４ａを有する半導体装置３０ａを形成後、表示マーク４ａの両端部にレーザ光を照射して、実施例１と同様な形状の溝を形成する。ここで、レーザ光を用いて溝を加工した場合、溶けたモールド樹脂が溝の周囲に堆積する。周囲に堆積したモールド樹脂の量が多くなると、偽造品の作成を意図するものにとって、溝の有無及び形状の目視による確認作業が容易となるので溝の幅及び深さを実施例１と同様に設定するのが好ましい。
【００２１】
レーザ光を用いて溝を加工した場合、モールド金型を用いた場合と比較して、半導体装置３０ａの個体別或いはロット別に自由に異なる溝の加工が可能となるという利点がある。また、溝の形状をモールド金型を用いた場合よりも自由にできるという利点がある。
【００２２】
上述したように、本実施例の半導体装置では、表示マーク４ａが樹脂封止型半導体装置３０ａ上に設けられる。表示マーク４ａは凹部形状を有する。レーザ光を用いて、表示マーク４ａの両端部に溝が形成される。溝の幅及び深さは、肉眼では認識が困難である大きさに設定される。
【００２３】
このため、守秘性を高めるために必要となるコード情報、真偽判定を行うために印字情報を表示する装置や検査装置等を必要せず、正規品の偽造を防止することができる。また、半導体装置３０ａの個体別或いはロット別に溝の形状を自由に変更できるので、実施例１よりも守秘性を向上することができる。
【実施例３】
【００２４】
次に、本発明の実施例３に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図５は、半導体装置を示す断面図である。本実施例では、表示マークの溝の形状を変更している。
【００２５】
図５に示すように、半導体装置３０ｂのモールド樹脂３上の表示マーク４ｂには、凹部１１と溝１２が設けられる。凹部１１は、円柱形状を有し、凹部の幅がＷ１（ｍｍ）で、凹部の深さがＤ１（ｍｍ）である。溝１２は、凹部１１の両端部に設けられ、溝の幅がＷ２（ｍｍ）で、溝の外周部の深さがＤ２ａで、溝の内周部の深さがＤ２ｂで、溝の底部を角型形状にしている。表示マーク４ｂは１番端子表示マークとして使用され、モールド金型で一体形成される。
【００２６】
ここで、凹部の幅Ｗ１、凹部の深さＤ１、溝の幅Ｗ２、溝の深さＤ２ａ、溝の深さＤ２ｂの関係は、
D2a＜D2b・・・・・・・・・・・・式（３）
W2＝0.1×W1〜0.2×W1・・・・・・式（４）
D2a＝0.5×D1〜1×D1・・・・・・・式（５）
に設定するのが好ましい。溝の幅Ｗ２が０．１×Ｗ１以下の場合、モールド金型の精密加工のコストが上昇し、或いは加工精度が低下する。溝の幅Ｗ２が０．２×Ｗ２以上の場合、半導体装置３０ｂを偽造しようとする者にとって、溝の有無及び形状の目視による確認作業が容易となる。溝の深さＤ２ａが０．５×Ｄ１以下の場合、半導体装置３０ｂが正規品或いは偽造品の真偽判別が困難となる。溝の深さＤ２ａが１×Ｄ１以上の場合、半導体装置３０ｂを偽造しようとする者にとって、溝の有無及び形状の目視による確認作業が容易となる。
【００２７】
上述したように、本実施例の半導体装置では、表示マーク４ｂが樹脂封止型半導体装置３０ｂ上に設けられ、表示マーク４ｂには凹部１１と溝１２が設けられる。凹部１１は、円柱形状を有し、凹部の幅がＷ１（ｍｍ）で、凹部の深さがＤ１（ｍｍ）である。溝１２は、凹部１１の両端部に設けられ、溝の幅がＷ２（ｍｍ）で、溝の外周部の深さがＤ２ａで、溝の内周部の深さがＤ２ｂで、溝の底部を角型形状にしている。表示マーク４ｂは１番端子表示マークとして使用され、モールド金型で一体形成される。溝の幅Ｗ２（ｍｍ）、溝の深さＤ２ａ、及び溝の深さＤ２ｂは、肉眼では認識が困難である大きさに設定される。
【００２８】
このため、守秘性を高めるために必要となるコード情報、真偽判定を行うために印字情報を表示する装置や検査装置等を必要せず、正規品の偽造を防止することができる。また、表示マーク４ｂをモールド金型で一体形成されているので、半導体装置３０ｂのコストの上昇を抑制することができる。また、溝の底部を角型形状にしているので、実施例１よりも守秘性を向上することができる。
【００２９】
なお、本実施例では、表示マーク４ｂの両端部の溝の底部を角型形状にしているが、表示マーク４ｂの端部の溝の一部分のみ角型形状にしてもよい。また、溝の底部を角型形状にしているが、必ずしも角型形状に限定されるものではなく、種々の形状（例えば、逆Ｍ型形状）にしてもよい。
【実施例４】
【００３０】
次に、本発明の実施例４に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図６は、半導体装置を示す断面図である。本実施例では、場所により表示マークの溝の深さを変更している。
【００３１】
図６に示すように、半導体装置３０ｃのモールド樹脂３上の表示マーク４ｃには、凹部１１と溝１２が設けられる。凹部１１は、円柱形状を有し、凹部の幅がＷ１（ｍｍ）で、凹部の深さがＤ１（ｍｍ）である。溝１２は、凹部１１の両端部に設けられ、溝の幅がＷ２（ｍｍ）で、溝の左側の深さがＤ２で、溝の右側の深さがＤ３で、両端部の深さが異なり溝の底部は平坦である。表示マーク４ｃは１番端子表示マークとして使用され、モールド金型で一体形成される。
【００３２】
ここで、溝の深さＤ２、溝の深さＤ３の関係は、
D2＜D3・・・・・・・・・・式（６）
に設定する。なお、溝の幅Ｗ２と溝の左側の深さＤ２は実施例１と同様な条件に設定するのが好ましい。ここでは、表示マーク４ｃの両端部に深さの異なる溝を設けているが、表示マーク４ｃの端部の一部分のみに深さの異なる溝を設けてもよい。
【００３３】
上述したように、本実施例の半導体装置では、表示マーク４ｃが樹脂封止型半導体装置３０ｃ上に設けられ、表示マーク４ｃには凹部１１と溝１２が設けられる。凹部１１は、円柱形状を有し、凹部の幅がＷ１（ｍｍ）で、凹部の深さがＤ１（ｍｍ）である。溝１２は、凹部１１の両端部に設けられ、溝の幅がＷ２（ｍｍ）で、溝の左側の深さがＤ２で、溝の右側の深さがＤ３で、両端部の深さが異なり溝の底部は平坦である。表示マーク４ｃは１番端子表示マークとして使用され、モールド金型で一体形成される。溝の幅Ｗ２（ｍｍ）、溝の深さＤ２、及び溝の深さＤ３は、肉眼では認識が困難である大きさに設定される。
【００３４】
このため、実施例１の効果の他に、溝の深さが場所により異なるので、実施例１よりも守秘性を向上することができる。
【００３５】
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
【００３６】
例えば、実施例では、偽造防止用として、表示マークの端部に溝を設けているが、溝を封止材で覆ってもよい。封止材には、例えば可視光線を透過せず、赤外線或いは紫外線を透過する樹脂材料などを用いるのが好ましい。このような性質の封止材を用いることにより、通常、表示マークの溝が認識されず、赤外線或いは紫外線を用いることにより溝を認識することができるので、偽造防止対策が更に向上する。
【００３７】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  半導体チップを封止する樹脂と、前記樹脂の第１主面に設けられ、凹部形状を有する表示マークと、前記表示マークの端部に設けられ、場所により深さが異なる溝とを具備する半導体装置。
【００３８】
（付記２）  半導体チップを封止する樹脂と、前記樹脂の第１主面に設けられ、凹部形状を有する表示マークと、前記表示マークの端部に設けられた溝とを具備し、凹部の幅をＷ（ｍｍ）、凹部の深さをＤ（ｍｍ）とした場合、前記溝は幅が０．１×Ｗ乃至０．２×Ｗ（ｍｍ）で、深さが０．５×Ｄ乃至１×Ｄ（ｍｍ）の範囲に設けられる半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う半導体装置の断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体装置の真偽判別を示す模式図。
【図４】本発明の実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す模式図。
【図５】本発明の実施例３に係る半導体装置の断面図。
【図６】本発明の実施例４に係る半導体装置の断面図。
【符号の説明】
【００４０】
１  半導体チップ
２  リード端子
３  モールド樹脂
４、４ａ、４ｂ、４ｃ  表示マーク
１１  凹部
１２  側溝部
２１  真偽判別部
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ  半導体装置
Ｄ１  凹部の深さ
Ｄ２、Ｄ２ａ、Ｄ２ｂ、Ｄ３  溝の深さ
Ｗ１  凹部の幅
Ｗ２  溝の幅
【図１】
2009054954.tif 000003
【図２】
2009054954.tif 000004
【図３】
2009054954.tif 000005
【図４】
2009054954.tif 000006
【図５】
2009054954.tif 000007
【図６】
2009054954.tif 000008