(57)【要約】    【課題】ヒートサイクル処理においてネジが緩んだ場合でも、リフトピンやその周囲の部品の抜けることを防止することができ、これによりメンテナンス周期を延長し使用者の負担を削減することができるものである。    【解決手段】  ウエハを処理する処理室と、処理室に設けられウエハが載置されるウエハ載置台と、ウエハ保持プレートに基板を載置して処理室に搬入出するウエハ搬送装置と、ウエハ搬送装置とウエハ載置台との間でウエハを受渡すウエハリフト機構とを具備し、ウエハリフト機構は昇降可能なリフタピンと該ピン上端に設けられたウエハ載置部を有し、ウエハ載置部はウエハが載置されるウエハ支持面と、リフタピンと固定する固定部が形成され、固定部は、基板載置台中心方向が空いているコの字状に形成されている。    【選択図】          図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを処理する処理室と、前記処理室に設けられ、ウエハが載置されるウエハ載置台と、ウエハ保持プレートに基板を載置して前記処理室に搬入出するウエハ搬送装置と、前記ウエハ搬送装置と前記ウエハ載置台との間でウエハを受渡すウエハリフト機構とを具備し、前記ウエハリフト機構は昇降可能なリフタピンと前記ピン上端に設けられたウエハ載置部を有し、前記ウエハ載置部はウエハが載置されるウエハ支持面と、前記リフタピンと固定する固定部で形成され、前記固定部は、基板載置台中心方向が空いているコの字状に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハ、ガラス基板等の基板の表面に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング、或はアッシング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ウエハの搬送は基板搬送装置により行われ、ウエハカセットに収納されたウエハが前記基板搬送装置により、水平を維持した状態で前記処理室へのウエハの搬入がされる。前記処理室に搬入されたウエハは、前記処理室内に設けられた基板載置台（サセプタ）に載置される。処理が完了すると、処理済のウエハは前記基板搬送装置により搬出される。
【０００３】
又、前記基板載置台には基板リフト機構が設けられており、該基板リフト機構は前記基板載置台と前記基板搬送装置間でウエハの授受を行う為の補助機能を有している。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１-２３３５８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
処理室にウエハが搬入され、それがサセプタ上に載置されると、サセプタ内のヒータ、もしくは処理室周囲のヒータにより、ウエハが加熱される。ウエハは加熱された状態で、所定の処理、例えばアッシング処理され、処理が終了した後、ヒータを止め、ウエハを冷却する。その後、処理室からウエハを搬出する。
【０００６】
ウエハを複数枚処理するときは、上記の処理を繰り返す。このような処理で、温度が高い状態や低い状態を交互に繰り返すことをヒートサイクルと呼ぶ。このヒートサイクルにより、ヒータに近い部分の部品、例えばネジ等が緩むこともあり、それにより、リフト機構の一部であるリフターピンやその周囲の部品が外れてしまうことがある。
【０００７】
このような状態で、ロボットが処理室からウエハを搬出しようとした場合、ウエハを破損させる恐れがある。
このため、定期的にネジの増し締めのメンテナンスが必要となるが、メンテナンス周期が短いため、装置使用者の負担が大きい。
【０００８】
本発明は斯かる実情に鑑み、ヒートサイクル処理においてネジが緩んだ場合でも、リフトピンやその周囲の部品の抜けることを防止することができ、これによりメンテナンス周期を延長し装置使用者の負担を削減することができるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、ウエハを処理する処理室と、処理室に設けられウエハが載置されるウエハ載置台と、ウエハ保持プレートに基板を載置して処理室に搬入出するウエハ搬送装置と、ウエハ搬送装置とウエハ載置台との間でウエハを受渡すウエハリフト機構とを具備し、ウエハリフト機構は昇降可能なリフタピンと該ピン上端に設けられたウエハ載置部を有し、ウエハ載置部はウエハが載置されるウエハ支持面と、リフタピンと固定する固定部が形成され、固定部は、基板載置台中心方向が空いているコの字状に形成されている基板処理装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
このような構造とすることにより、ヒートサイクル処理においてネジが緩んだとしても、リフタピンやウエハ載置部が外れることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明の好ましい実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明の好ましい実施例においては、半導体製造装置として用いられるアッシャ装置により、半導体装置の製造方法が実現される。
図１は、本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略横断面図であり、図２、図３は、本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。図１、図２に示されるように、アッシャ装置１０は、カセットトランスファー部１００と、ロードロックチャンバ部２００と、トランスファーモジュール部３００と、アッシング処理がなされる処理室として用いられるプロセスチャンバ部４００とを備えている。
【００１２】
カセットトランスファー部１００は、第１の搬送部として用いられるカセットトランスファーユニット１１０、１２０を備え、カセットトランスファーユニット１１０、１２０は、基板として用いられるウエハ６００を支持するカセット５００を載置するカセットテーブル１１１、１２１と、カセットテーブル１１１、１２１のＹ軸１３０、Ｚ軸１４０をそれぞれ動作させるＹ軸アセンブリ１１２、１２２、Ｚ軸アセンブリ１１３、１２３を、それぞれが備えている。
【００１３】
ロードロックチャンバ部２００は、ロードロックチャンバ２５０、２６０と、カセットテーブル１１１、１２１に載置されたカセット５００からウエハ６００をそれぞれ受け取り、ウエハ６００をロードロックチャンバ２５０、２６０内でそれぞれ保持するバッファユニット２１０、２２０を備えている。バッファユニット２１０、２２０は、バッファフィンガーアセンブリ２１１、２２１とその下部のインデックスアセンブリ２１２、２２２とを備えている。バッファフィンガーアセンブリ２１１（２２１）と、その下部のインデックスアセンブリ２１２（２２２）は、θ軸２１４（２２４）により同時に回転する。
【００１４】
トランスファーモジュール部３００は、搬送室として用いられるトランスファーモジュール３１０を備えており、先述のロードロックチャンバ２５０、２６０は、ゲートバルブ３１１、３１２を介して、トランスファーモジュール３１０に取り付けられている。トランスファーモジュール３１０には、第２の搬送部として用いられる真空アームロボットユニット３２０が設けられている。
【００１５】
プロセスチャンバ部４００は、処理室として用いられるプロセスチャンバ４１０、４２０と、その上部に設けられたプラズマ発生室４３０、４４０とを備えている。プロセスチャンバ４１０、４２０は、ゲートバルブ３１３、３１４を介してトランスファーモジュール３１０に取り付けられている。
【００１６】
プロセスチャンバ４１０、４２０は、ウエハ６００を載置するサセプタテーブル４１１、４２１を備えている。サセプタテーブル４１１、４２１をそれぞれ貫通してリフターピン４１３、４２３が設けられている。リフターピン４１３は、Ｚ軸４１２、４２２の方向に、それぞれ上下する。
【００１７】
プラズマ発生室４３０、４４０は、反応容器４３１、４４１をそれぞれ備え、反応容器４３１、４４１の外部には、高周波コイル４３２、４４２が設けられている。高周波コイル４３２、４４２に高周波電力を印加して、ガス導入口４３３、４４３から導入されたアッシング処理用の反応ガスをプラズマ化（プラズマ処理）し、そのプラズマを利用してサセプタテーブル４１１、４２１上に載置されたウエハ６００上のレジストをアッシングする。
【００１８】
以上のように構成されたアッシャ装置１０においては、カセットテーブル１１１（１２１）からロードロックチャンバ２５０（２６０）へとウエハ６００が搬送される。この際、まず、図２、図３に示されるように、カセットテーブル１１１（１２１）にカセット５００を搭載してＺ軸１４０が下方向に動作する。Ｚ軸１４０が下にある状態でバッファフィンガーアセンブリ２１１（２２１）のＹ軸１３０がカセット５００の方向に動作する。Ｉ軸２３０の動作により２５枚のウエハ６００をバッファフィンガーアセンブリ２１１（２２１）のバッファフィンガー２１３（２２３）がカセット５００から受け取る。受け取った状態でＹ軸１３０がもとの位置まで下がる。
【００１９】
ロードロックチャンバ２５０（２６０）においては、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内にバッファユニット２１０（２２０）によって、保持されているウエハ６００を、真空アームロボットユニット３２０のフィンガー３２１に搭載する。θ軸３２５方向で真空アームロボットユニット３２０を回転し、さらにＹ軸３２６方向にフィンガーを延伸し、プロセスチャンバ４１０（４２０）内のサセプタテーブル４１１（４２１）上に移載する。
【００２０】
ここで、ウエハ６００を、プロセスチャンバ４１０にフィンガー３２１からサセプタテーブル４１１（４２１）へ移載する工程を説明する。
【００２１】
真空アームロボットユニット３２０のフィンガー３２１とリフターピン４１３（４２３）との協働により、ウエハ６００をサセプタテーブル４１１（４２１）上に移載する。また、逆の動作により、処理が終了したウエハ６００をサセプタテーブル４１１（４２１）から、真空アームロボットユニット３２０によって、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内のバッファユニット２１０（２２０）にウエハ６００を移載する。
【００２２】
以上のように構成されたアッシャ装置１０では、ロードロックチャンバ２５０（２６０）へウエハ６００が搬送され、ロードロックチャンバ２５０（２６０）内が真空引き（真空置換）され、ロードロックチャンバ２５０（２６０）から、トランスファーモジュール３１０を経てウエハ６００がプロセスチャンバ４１０（４２０）へと搬送され、プロセスチャンバ４１０（４２０）でウエハ６００からレジストの除去がなされ（除去工程）、レジストの除去がなされたウエハ６００が、トランスファーモジュール３１０を経て再びロードロックチャンバ２５０（２６０）へ搬送される。
【００２３】
図４には、プロセスチャンバ４１０の詳細が示されている。尚、先述のプロセスチャンバ４２０は、プロセスチャンバ４１０と同じ構成である。
プロセスチャンバ４１０は、半導体基板や半導体素子に乾式処理でアッシングを施す高周波無電極放電型のプロセスチャンバである。プロセスチャンバ４１０は、図４に示すように、先述のプラズマを生成するためのプラズマ発生室４３０、半導体基板などのウエハ６００を収容する処理室４４５、プラズマ発生室４３０（特に共振コイル４３２）に高周波電力を供給する高周波電源４４４、及び高周波電源４４４の発振周波数を制御する周波数整合器４４６を備えている。例えば、架台としての水平なベースプレート４４８の上部に前記のプラズマ発生室４３０を配置し、ベースプレート４４８の下部に処理室４４５を配置して構成される。また、共振コイル４３２と外側シールド４５２とで、螺旋共振器が構成される。
【００２４】
プラズマ発生室４３０は、減圧可能に構成され且つプラズマ用の反応ガスが供給される、反応容器４３１と、反応容器の外周に巻回された共振コイル４３２と、共振コイル４３２の外周に配置され且つ電気的に接地された外側シールド４５２とから構成される。
【００２５】
反応容器４３１は、通常、高純度の石英硝子やセラミックスにて円筒状に形成された所謂チャンバである。反応容器４３１は、通常、軸線が垂直になるように配置され、トッププレート４５４及び処理室４４５によって上下端が気密に封止される。反応容器４３１の下方の処理室４４５の底面には、複数（例えば４本）の支柱４６１によって支持されるサセプタ４５９が設けられ、サセプタ４５９には、サセプタテーブル４１１及びサセプタ上のウエハを加熱する基板加熱部４６３が具備される。
サセプタ４５９の下方に、排気板４６５が配設される。排気板４６５は、ガイドシャフト４６７を介して底基板４６９に支持され、底基板４６９は処理室４４５の下面に気密に設けられる。昇降基板４７１がガイドシャフト４６７をガイドとして昇降自在に動くように設けられる。昇降基板４７１は、少なくとも３本のリフターピン４１３を支持している。
【００２６】
リフターピン４１３は、サセプタ４５９を貫通する。そして、リフターピン４１３の頂には、ウエハ６００を支持するウエハ載置部４１４が設けられている。
ウエハ載置部４１４は、サセプタ４５９の中心方向に延出している。リフターピン４１３の昇降によって、ウエハ６００をサセプタテーブル４１１に載置し、あるいはサセプタテーブル４１１から持ち上げることができる。
尚、ウエハ載置部４１４をリフターピン４１３に固定する構造については、後述する。
底基板４６９を経由して、昇降駆動部（図示略）の昇降シャフト４７３が昇降基板４７１に連結されている。昇降駆動部が昇降シャフト４７３を昇降させることで、昇降基板４７１とリフターピン４１３を介して、リフトピン支持部４１４が昇降する。
【００２７】
サセプタ４５９と排気板４６５の間に、円筒状のバッフルリング４５８が設けられる。バッフルリング４５８、サセプタ４５９、排気板４６５で第一排気室４７４が形成される。円筒状のバッフルリング４５８は、円筒側面に通気孔が多数均一に設けられている。従って、第一排気室４７４は、処理室４４５と仕切られ、また通気孔によって、処理室４４５と連通している。
【００２８】
排気板４６５の中央に、排気連通孔４７５が設けられる。排気連通孔４７５によって、第一排気室と第二排気室４７６が連通される。第二排気室４７６には、排気管４８０が連通されており、排気管４８０には排気装置４７９が設けられている。
【００２９】
反応容器４３１の上部のトッププレート４５４には、図示を省略するガス供給設備から伸長され且つ所要のプラズマ用の反応ガスを供給するためのガス供給管４５５が、ガス導入口４３３に付設されている。ガス供給管４５５には、流量制御部であるマスフローコントローラ４７７及び開閉弁４７８が設けられている。マスフローコントローラ４７７及び開閉弁４７８を制御することで、ガスの供給量を制御する。
また、反応容器４３１内には、反応ガスを反応容器４３１の内壁に沿って流れるようにするための略円板形で、石英からなるバッフル板４６０が設けられている。
尚、流量制御部及び排気装置４７９によって供給量、排気量を調整することにより、処理室４４５の圧力が調整される。
【００３０】
共振コイル４３２は、所定の波長の定在波を形成するため、一定波長モードで共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。すなわち、共振コイル４３２の電気的長さは、高周波電源４４４から供給される電力の所定周波数における１波長の整数倍（１倍、２倍、…）又は半波長もしくは１／４波長に相当する長さに設定される。
例えば、１波長の長さは、１３.５６MHzの場合約２２メートル、２７.１２ＭＨｚの場合約１１メートル、５４.２４ＭＨｚの場合約５.５メートルになる。
共振コイル４３２は、絶縁性材料にて平板状に形成され且つベースプレート４４８の上端面に鉛直に立設された複数のサポートによって支持される。
【００３１】
共振コイル４３２の両端は電気的に接地されるが、共振コイル４３２の少なくとも一端は、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に当該共振コイルの電気的長さを微調整するため、可動タップ４６２を介して接地される。図４中の符号４６４は他方の固定グランドを示す。更に、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に共振コイル４３２のインピーダンスを微調整するため、共振コイル４３２の接地された両端の間には、可動タップ４６６によって給電部が構成される。
【００３２】
すなわち、共振コイル４３２は、電気的に接地されたグランド部を両端に備え且つ高周波電源４４４から電力供給される給電部を各グランド部の間に備え、しかも、少なくとも一方のグランド部は、位置調整可能な可変式グランド部とされ、そして、給電部は、位置調整可能な可変式給電部とされる。共振コイル４３２が可変式グランド部及び可変式給電部を備えている場合には、後述するように、プラズマ発生室４３０の共振周波数及び負荷インピーダンスを調整するにあたり、より一層簡便に調整することができる。
【００３３】
外側シールド４５２は、共振コイル４３２の外側への電磁波の漏れを遮蔽するとともに、共振回路を構成するのに必要な容量成分を共振コイル４３２との間に形成するために設けられる。外側シールド４５２は、一般的には、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの導電性材料を使用して円筒状に形成される。外側シールド４５２は、共振コイル４３２の外周から、例えば５〜１５０ｍｍ程度隔てて配置される。
【００３４】
高周波電源４４４の出力側には反射波電力計４６８が設置され、反射波電力計４６８によって検出された反射波電力が、制御部として用いられるコントローラ４７０に入力される。コントローラ４７０は、単に高周波電源４４４のみを制御するものではなく、アッシャ装置１０全体の制御を行っている。コントローラ４７０には、表示部であるディスプレイ４７２が接続されている。ディスプレイ４７０は、例えば、反射波電力計４６８による反射波の検出結果等、アッシャ装置１０に設けられた各種検出部で検出されたデータ等を表示する。尚、コントローラ４７０は、反射波電力の検出に限らず各部の制御も行う。
【００３５】
載置工程を説明する。ウエハ６００を搭載したフィンガー３２１が、処理室４４５に進入する。それと同時に、リフターピン４１３が上昇する。フィンガー３２１は、上昇されたリフターピン４１３にウエハ６００を載置する。このとき、ウエハ６００の温度は、基板加熱部と真空断熱状態であるため、室温（約２５度）に維持される。
【００３６】
搬送工程にて、室温に保持されたウエハ６００を載置した後、Ｈ２ガス、及びＯ２ガスを、ガス供給管４３３からプラズマ発生室４３０に供給する。Ｈ２ガスは事前にＯ２ガスと混合されても良いが、プラズマ発生室４３０内で混合されても良い。
ガス供給後、高周波電源４４４が、共振コイル４３２に電力を供給する。
【００３７】
共振コイル４３２内部に励起される誘導磁界によって自由電子を加速し、ガス分子と衝突させることでガス分子を励起してプラズマを生成する。このようにして、プラズマ化されたＨ含有ガス及びＯ含有ガスにより、アッシング処理を行う。
尚、ここではガス供給後にプラズマを励起したが、それに限らず、ガス供給前に高周波電源４４４が共振コイルに電力を供給し、予め磁界を形成しても良い。
【００３８】
ところで、プラズマ生成時や、プラズマ処理中に処理条件を変動した場合（ガス種を増やす等）など、ガス流量やガス混合比、圧力が変化する場合がある。このため、高周波電源４４４の負荷インピーダンスが変動してしまうことがある。このような場合でも、周波数整合器４４６を有するため、処理温度や圧力の変化にすぐに追従して高周波数電源４４４の発信周波数を整合することができる。
【００３９】
具体的には次の動作が行われる。
プラズマ生成時、共振コイル４３２の共振周波数に収束される。このとき、反射波電力計４６８が共振コイル４３２からの反射波を検出し、検出された反射波のレベルを周波数整合器４４６に送信する。周波数整合器４４６は、反射波電力がその反射波が最小となるよう、高周波電源４４４の発信周波数を調整する。発信周波数は、実験により予め求められていると良い。この場合、コントローラ４７０にそれらのデータ（例えば反射波レベルと、それを最小とするような発信周波数データ）が記憶され、検出された反射波とデータを比較し、データの誤差等から収束する発信周波数を決定する。
各装置で反射波を最小に制御することが理想的であるが、複数台の装置それぞれを制御する場合、制御方法を統一とする、つまり共通したソフトにより制御を行うことが考えられる。このような場合、装置間で反射波を最小にするような発信周波数ににずれが生じることもあるため、各装置の反射波が最小となるような値の平均値を予め求め、それに収束するようにしても良い。
【００４０】
ここで、ウエハ載置部４１４がリフターピン４１３に固定構造について、図５、６を用いて説明する。
図５は、図４のサセプタテーブル４１１を拡大し、斜視したものである。図６は、リフターピン４１３を拡大したものであり、図６（ａ）は断面図、図６（ｂ）は、サセプタ中心方向に向かって見た図である。
リフターピン４１３は、固定ネジ５０１を差し込むネジ穴を有する。
ウエハ載置部４１４は、ウエハ６００が水平に載置されるよう、先端に設けられたウエハ支持部５０４が平面状となっている。
【００４１】
また、リフターピン４１３に固定される固定部５０４は、固定ネジ５０１が上部から嵌入されるネジ穴が貫通して設けられている。固定部５０４の下部には、固定ネジ５０１を固定するナット５０３を設置されるスペースを設定するよう、サセプタ中心方向を空けたコの字型となるよう構成される。
このコの字型の壁の内、サセプタ中心方向とは逆側の壁部分がストッパ５０２となる。このような構成とすることにより、例え固定ネジ５０１が緩んだとしても、ウエハ載置部４１４が、サセプタ中心方向に大幅にずれたり、または外れてしまうことを防止することができる。
【００４２】
ウエハ載置部４１４は、ウエハ６００と直に接するものであるため、セラミック等の不純物の少ない物質が良い。固定ネジ５０１及びリフターピン４１３、ナット５０３は、プラズマに対する耐久があり、且つウエハの重さに耐えられるような材質が良く、例えばアルミが良い。
【００４３】
ウエハ載置部４１４をリフターピン４１３に固定するときは、まずウエハ載置部４１４のコの字型の壁をナット５０２に差し込むように、サセプタ中心方向にスライドさせ、リフターピン４１３上に設置する。次に、ウエハ載置部４１４の根元部分のネジ穴に、固定ネジ５０１を嵌入させ、ウエハ載置部４１４をリフターピン上に固定する。
【００４４】
次に、ウエハ載置部の固定構造の比較例を、図７を用いて説明する。
図６と同様の番号は、同様の構成とする。
ウエハ載置部６０１は、図６のウエハ載置部４１４とは、コの字型の壁が無い点で異なる。
このような構造の場合、リフターピン４１３の周囲が比較的温度が高い状態や低い状態が交互に繰り返された場合（ヒートサイクル）に、ネジが緩む場合がある。この緩みが、ウエハ載置部６０１が外れることにつながることもあり、それを防止するために、頻繁にメンテナンス（緩み防止）を行うことが必要となる。
【００４５】
これに対して、ウエハ載置部４１４は、ヒートサイクル処理で固定ネジが緩んだとしても、ウエハ載置部４１４が、サセプタ中心方向に大幅にずれたり、または外れてしまうことを防止することができるので、メンテナンスの周期を延長し、結果装置使用者の負担を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略横断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例のアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例のアッシャ装置に用いられるプロセスチャンバを示す断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施例のアッシャ装置に用いられるプロセスチャンバのサセプタ近辺の斜視図である。
【図６】本発明の好ましい実施例のリフターピン拡大図である。
【図７】本発明の比較例のリフターピン拡大図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…アッシャ装置
１００…カセットトランスファー部
１１０、１２０…カセットトランスファーユニット
１１１…カセットテーブル
１１２、１２２…Ｙ軸アセンブリ
１１３、１２３…Ｚ軸アセンブリ
１３０…Ｙ軸
１４０…Ｚ軸
２００…ロードロックチャンバ部
２１０、２２０…バッファユニット
２１１、２２１…バッファフィンガーアセンブリ
２１２、２２２…インデックスアセンブリ
２１３…バッファフィンガー
２１４…θ軸
２３０…Ｉ軸
２５０、２６０…ロードロックチャンバ
３００…トランスファーチャンバ部
３１０…トランスファーチャンバ
３１１、３１２、３１３、３１４…ゲートバルブ
３２０…真空アームロボットユニット
３２１…フィンガー
３２５…θ軸
３２６…Ｙ軸
３３０…ヒータ
４００…プロセスチャンバ部
４１０、４２０…プロセスチャンバ
４１１、４２１…サセプタテーブル
４１２、４２２…Ｚ軸
４１３、４２３…リフターピン
４１４、６０１…ウエハ載置部
４３０、４４０…プラズマ発生室
４３１、４４１…チャンバ
４３２、４４２…高周波コイル
４３３、４４３…ガス導入口
４４５…処理室
４４４…高周波電源
４４６…周波数整合器
４４８…ベースプレート
４５０…共振コイル
４５２…外側シールド
４５４…トッププレート
４５５…ガス供給管
４５６…排気管
４５８…バッフルリング
４６０…バッフル板
４６２…可動タップ
４６４…固定グランド
４６６…可動タップ
４６８…反射波電力計
４７０…コンピュータ
４７２…表示装置
５００…カセット
５０１…固定ネジ
５０２…ストッパ
５０３…ナット
５０４、６０２…ウエハ支持部
５０５、６０３…固定部
６００…ウエハ
【図１】
2009124069.tif 000003
【図２】
2009124069.tif 000004
【図３】
2009124069.tif 000005
【図４】
2009124069.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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