(57)【要約】【課題】温度測定用に実際のデバイスを用い、そのデバイスの順方向電圧、波長、光出力などの温度特性を用いることにより、デバイスパッケージ内部の素子の実温度をより確実に計測する。【解決手段】ダイオード特性を有する半導体素子を内包したデバイスパッケージの半田付け工程において、当該デバイスパッケージの温度を計測する温度計測装置であって、デバイスパッケージに内包されている半導体素子と同じ半導体素子を温度測定用に別に用意し、この温度測定用半導体素子１９に順方向電流を供給する定電流電源部１１と、温度測定用半導体素子１９の順方向電圧を計測する電圧計測部１２とを備え、計測された順方向電圧の温度特性により得られた素子温度に基づいて半田付け工程時のデバイスパッケージの温度を計測する。【選択図】図１
2009058487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイオード特性を有する半導体素子を内包したデバイスパッケージの半田付け工程において前記デバイスパッケージの内部温度を計測する温度計測装置であって、
前記半導体素子と同じ半導体素子を用いたデバイスパッケージを温度測定用に用意し、この温度測定用半導体素子に順方向電流を供給する電流電源手段と、前記温度測定用半導体素子の順方向電圧を計測する電圧計測手段とを備え、前記計測された順方向電圧の温度特性により得られた素子温度に基づいて半田付け工程時のデバイスパッケージの内部温度を計測することを特徴とする温度計測装置。
【請求項２】
請求項１記載の温度計測装置において、前記順方向電圧を計測するときの温度測定用半導体素子に流す順方向電流の値を変更する変更手段を備えたことを特徴とする温度計測装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の温度計測装置において、前記温度計測用半導体素子を１素子以上用いてマルチチャネル構成としたことを特徴とする温度計測装置。
【請求項４】
請求項３記載の温度計測装置において、各温度計測用半導体素子に流す順方向電流をチャネルごとに設定可能な順方向電流設定手段を備えたことを特徴とする温度計測装置。
【請求項５】
請求項４記載の温度計測装置において、各温度計測用半導体素子の温度係数をチャネルごとに設定可能な温度係数設定手段を備えたことを特徴とする温度計測装置。
【請求項６】
ダイオード特性を有する発光デバイスを内包したデバイスパッケージの半田付け工程において前記デバイスパッケージの内部温度を計測する温度計測装置であって、
前記発光デバイスと同じ発光デバイスを温度測定用に別に用意し、この温度測定用発光デバイスに順方向電流を供給する電流電源手段と、前記温度測定用発光デバイスの発光波長を計測する波長計測手段とを備え、前記計測された発光波長の温度特性を利用して半田付け工程時のデバイスパッケージの内部温度を計測することを特徴とする温度計測装置。
【請求項７】
ダイオード特性を有する発光デバイスを内包したデバイスパッケージの半田付け工程において前記デバイスパッケージの内部温度を計測する温度計測装置であって、
前記発光デバイスと同じ発光デバイスを温度測定用に別に用意し、この温度測定用発光デバイスに順方向電流を供給する電流電源手段と、前記温度測定用発光デバイスの発光強度を計測する光出力計測手段とを備え、前記計測された発光強度の温度特性を利用して半田付け工程時のデバイスパッケージの内部温度を計測することを特徴とする温度計測装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載の温度計測装置において、前記発光デバイスが発光ダイオードまたは半導体レーザであることを特徴とする温度計測装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載の温度計測装置による半田付け工程時の計測温度に基づいてデバイスパッケージの半田付け工程温度の上限を定め、その上限以下で半田付け工程を行うことを特徴とするデバイスパッケージの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードや半導体レーザ等を含むダイオード特性を有する半導体素子を内包したデバイスパッケージの半田付け実装時及び熱処理時の温度管理に必要なデバイスパッケージの内部温度を計測する温度計測装置、及びこの温度計測装置を用いたデバイスパッケージの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半田付けや熱処理時の過熱状態の検査装置としては、熱電対やサーミスタといった汎用的な熱センサーを用いたものが一般的である（例えば、特許文献１参照）。また、半導体特性を用いた温度センサーを使ったもの（例えば、特許文献２参照）や、放射温度計を使った非接触での温度計測装置も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００３】
特許文献１は、リフロー炉内を通過する回路基板上の所定の位置の温度を正確に測定する温度測定装置であって、回路基板上の測定位置と送信機とを熱電対によって接続し、回路基板と送信機とをコンベアによって搬送し、アンテナによってワイヤレスで送信するとともに、コンベアの両側に配されてるアンテナによって受信し、受信装置のコンピュータによってデータ処理を行なう構成となっている。
【０００４】
また、特許文献２には、π型熱電変換素子の基板において、熱電エレメントが挟まれている面にサーミスタや半導体特性による温度センサー等の温度検出装置を直接形成する構成が記載されており、例えば、単結晶シリコンウエハを熱電変換素子の基板として用い、シリコンの半導体特性である拡散抵抗を利用した温度検出装置が記載されている。
【０００５】
特許文献３には、ウエハとの間に加熱ランプモジュールを有する少なくとも１つの高温計と、高温計がウエハの温度を確定できるように、ランプモジュールを介して高温計及びウエハに光学的に結合した光導体と、ランプ電源と、ウエハ温度を調整できるように、高温計からの入力に基づき、ランプモジュールからの出力を調整する制御装置と、半導体ウエハ表面粗さ及び分光放射率を測定する装置と、を備えた温度測定装置が記載されている。
【特許文献１】特開平７−１５４０６２号公報
【特許文献２】特開平１０−２７０７６２号公報
【特許文献３】特開平６−２４４２６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、リフロー半田やフロー半田、手半田などの温度プロファイルを評価・管理しようとした場合、上記したように、従来は熱電対やサーミスタ、半導体センサ、放射温度計などを用い、主としてデバイスパッケージを搭載する基板表面温度や溶融半田、半田ごてのこて先の温度を確認する方法が一般的に行われている。
【０００７】
これらの方法は、デバイスパッケージの半田付けをいかに安全、かつ、確実に（信頼性を損なわず）行うことができるかといった条件を出すことに主眼がおかれていた。これは、半田の溶融条件など、搭載されているデバイスパッケージの周辺温度の管理条件を出すことが主要なテーマだからである。従って、実際にこの熱プロセスを経ているときにデバイスパッケージ内部の素子温度がどうなっているのかについては評価の対象ではなかった。
【０００８】
このことは、一般的にデバイスメーカが客先へ提供する推奨温度条件が、あくまで実装基板上や溶融半田、半田ごてのこて先温度であるため、使用者側はそれだけに着目していれば良く、内部の素子温度まで知る必要がなかったという事情に起因している。
【０００９】
一方、その推奨温度条件を決めるデバイスメーカ側としては、その温度条件下でデバイスパッケージ内部の温度がどうなっているのかということに注意を払う必要がある。
【００１０】
特に、ＬＥＤデバイスなどでは光の取り出しの必要から透明樹脂を封止樹脂として使用していることが多い。従って、光の取り出しを考慮すると、耐熱性を上げるためのフィラーは入れられないため、高耐熱樹脂の使用が困難である。
【００１１】
また、半導体素子とリードフレームやプリント配線板とを機械的・電気的に接続するペースト材やロウ材についても、その耐熱性や溶融温度に注意をして温度条件を提示する必要がある。
【００１２】
さらに、半導体レーザにおいても、近年、低価格化によりフレーム化が促進されてきており、パッケージの熱容量が小さくなってきているため、上記ＬＥＤデバイスの場合と同様の課題があった。
【００１３】
特に、フロー半田や手半田のようにデバイスパッケージの端子から直接集中して熱が入り込んでくる場合には、局所的に高温になるために素子と素子近傍の部材との熱的な関係による熱的応力の影響も考慮する必要がある。
【００１４】
これらの事情から、デバイスメーカ側としては、一般的に用いられている熱電対やサーミスタ等を使った方式を採用した場合、センサーをパッケージ内部に埋め込んで温度評価をする必要があるため、正確な計測評価が困難であるといった問題があった。さらに、熱電対を用いた計測では、そのセンシング位置を、目的とする部位に接触固定することが必要であるが、リフロー炉内などの高温条件下ではその固定が困難であり、しばしばセンサーが測定対象物から外れるというトラブルも発生していた。
【００１５】
本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、温度測定用に実際のデバイスを用い、そのデバイスの順方向電圧、波長、光出力などの温度特性を用いることにより、デバイスパッケージ内部の素子の実温度をより正確に計測し得る温度計測装置、及びこの温度計測装置を用いたデバイスパッケージの実装方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明の温度計測装置は、ダイオード特性を有する半導体素子を内包したデバイスパッケージの半田付け工程において前記デバイスパッケージの内部温度を計測する温度計測装置であって、前記半導体素子と同じ半導体素子を用いたデバイスパッケージを温度測定用に用意し、この温度測定用半導体素子に順方向電流を供給する電流電源手段と、前記温度測定用半導体素子の順方向電圧を計測する電圧計測手段を備え、前記計測された順方向電圧の温度特性により得られた素子温度に基づいて半田付け工程時のデバイスパッケージの内部温度を計測することを特徴としている。
【００１７】
本発明の温度計測装置によれば、実際の半導体素子を用いてその半導体素子の順方向電圧を計測し、その計測した順方向電圧の温度特性を用いて素子温度を評価するので、半田付け時にデバイスパッケージ内部の素子にかかる温度プロファイルを高速に捕らえることが可能となる。なぜなら、一般的にこれらの素子は０．５ｍｍ角程度以下の大きさで熱容量が小さく、かつ素子そのものの電気的・光学的特性を利用して温度測定を行うため、応答が早いからである。
【００１８】
また、従来のように熱電対などを埋め込んだ場合には、そのセンサーそのものの熱容量や測定対象物への接触程度により測定精度がばらつく要因となるが、本発明では、実際の半導体素子を用いることで、センサーにより測定値が乱されることが無いため、デバイスパッケージ内部の素子の実温度をより確実に計測することが可能となる。
【００１９】
近年チップデバイスも小型化、薄型化に拍車がかかり、素子の大きさと大差無いレベルのデバイスパッケージ製品も出始めている。これらのデバイスパッケージでは、熱容量も小さいため、これをもちいることで素子温度＝基板表面温度とみなすことが可能であるため、搭載基板上の温度分布計測も、メインの評価対象デバイスパッケージと同時計測することで、熱電対などと併用しなくても一括して計測が可能となる。
【００２０】
ここで、本発明では、前記順方向電圧を計測するときの温度測定用半導体素子に流す順方向電流の値を変更する変更手段を備えた構成とする。すなわち、電流電源手段は、１種類以上の出力設定値を持ち、その出力設定値の切り換えを変更手段によって行う。この場合、変更手段による切り換えは、例えば本装置の有する入出力インターフェース部（Ｉ／Ｏ部）からの外部制御によって行ってもよく、また、本装置に設定用のスイッチ類を設けて、それをユーザが設定することで行ってもよい。
【００２１】
また、本発明では、前記温度計測用半導体素子を１素子以上用いてマルチチャネル構成としてもよく、この場合には、各温度計測用半導体素子に流す順方向電流をチャネルごとに設定可能な順方向電流設定手段を備えた構成とすればよい。このように、順方向電流設定手段を設けることで、チャネルを切り換えたときの各温度計測用半導体素子に適した順方向電流を供給することができる。さらに、各温度計測用半導体素子の温度係数をチャネルごとに設定可能な温度係数設定手段をさらに備えた構成とすればよい。各チャネルごとに、その温度計測用半導体素子に適した温度係数を設定することで、正確な温度変化分布を求めることができる。
【００２２】
また、本発明の温度計測装置は、ダイオード特性を有する発光デバイスを内包したデバイスパッケージの半田付け工程において前記デバイスパッケージの内部温度を計測する温度計測装置であって、前記発光デバイスと同じ発光デバイスを温度測定用に用意し、この温度測定用発光デバイスに順方向電流を供給する電流電源手段と、前記温度測定用発光デバイスの発光波長を計測する波長計測手段とを備え、前記計測された発光波長の温度特性を利用して半田付け工程時のデバイスパッケージの内部温度を計測することを特徴としている。このように、ダイオード特性を有する半導体素子が発光デバイスである場合には、その波長を波長計測手段によって計測し、その計測波長の温度特性を利用して素子部の温度計測を行い、温度評価の指標を得ることができる。この場合、波長を計測するためには分光が必要であるため、波長計測手段には分光器を備えている必要がある。
【００２３】
また、本発明の温度計測装置は、ダイオード特性を有する発光デバイスを内包したデバイスパッケージの半田付け工程において前記デバイスパッケージの温度を計測する温度計測装置であって、前記発光デバイスと同じ発光デバイスを温度測定用に用意し、この温度測定用発光デバイスに順方向電流を供給する電流電源手段と、前記温度測定用発光デバイスの発光強度を計測する光出力計測手段とを備え、前記計測された発光強度の温度特性を利用して半田付け工程時のデバイスパッケージの温度を計測することを特徴としている。このように、ダイオード特性を有する半導体素子が発光デバイスである場合には、その発光強度を光出力計測手段によって計測し、その計測発光強度の温度特性を利用して素子部の温度計測を行い、温度評価の指標を得ることができる。
【００２４】
なお、前記発光デバイスとしては、発光ダイオードや半導体レーザなどの使用が可能である。
【００２５】
また、本発明のデバイスパッケージの実装方法は、上記構成の温度計測装置による半田付け工程時の計測温度に基づいてデバイスパッケージの半田付け工程温度の上限を定め、その上限以下で（すなわち、上限を超えないように）半田付け工程を行うことを特徴としている。すなわち、本発明の実装方法によれば、実際に製造ラインに流されるデバイスパッケージに内包されている半導体素子と同じ素子を用いて半田付け工程での半田付け温度を計測しているので、半田付け工程時の正確な温度評価が可能となる。そのため、半田付け時の熱によるデバイス不良等の発生を低減することができ、生産性の高いデバイスパッケージの実装を実現することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の温度計測装置によれば、実際の半導体素子を用いてその半導体素子の順方向電圧を計測し、その計測した順方向電圧の温度特性を用いて素子温度を評価するので、半田付け時にデバイスパッケージ内部の素子にかかる温度プロファイルを高速に捕らえることができる。また、実際の半導体素子を用いることで、従来の熱電対などを埋め込んだ場合のように、埋め込んだセンサーによって測定値が乱されることが無いため、デバイスパッケージ内部の素子の実温度をより正確に計測することができる。そして、この温度計測装置を用いてデバイスパッケージの半田付け工程温度の上限を定め、その上限以下で半田付け工程を行う構成とすることで、半田付け工程時の正確な温度評価が可能となり、半田付け時の熱によるデバイス不良等の発生を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２８】
＜実施形態１＞
図１は、本発明の実施形態１に係る温度計測装置のブロック図である。
【００２９】
本発明の温度計測装置を用いた温度計測の場合、あらかじめ計測するデバイスを一定電流条件下で恒温槽などへ入れて順方向電圧（ＶＦ）の温度特性を測定し、温度係数を求めておく。通常、同じ種類のデバイスであれば温度係数はほぼ一定の値をとる。ダイオード特性を有する半導体素子の場合、マイナス数ｍＶ／℃の温度係数を持つ。従って、実際に計測したＶＦ変化分をこの温度係数で除すれば上昇温度を得ることができる。
【００３０】
図１において、本実施形態１の温度計測装置１Ａは、測定対象の半導体素子（以下、デバイスともいう。）１９へ定電流（ＩＦ）を供給する定電流電源部１１と、定電流電源部１１から定電流（ＩＦ）が供給されたときの順方向電圧（ＶＦ）を計測する電圧計測部１２と、これら定電流電源部１１及び電圧計測部１２を制御するマイコン部１３と、電源部１４と、外部とのデータのやり取りを行う入出力インターフェイス部であるＩ／Ｏ部１５とを備えている。
【００３１】
定電流電源部１１は、１種類以上の出力設定値を持ち、その出力設定の切り替えを、Ｉ／Ｏ部１５からの外部制御で行うか、または本装置１Ａに設定用のスイッチ類（図示省略）を設けて、それをユーザが設定操作することで行う構成とすることができる。すなわち、請求項に記載の変更手段は、本実施形態１では、Ｉ／Ｏ部１５からの外部制御、またはユーザによって操作される設定用スイッチ類である。
【００３２】
Ｉ／Ｏ部１５は、汎用的なメモリーデバイスや単純な通信ポート、若しくは無線でデータをやり取りするなどの方式を採用することができる。
【００３３】
本実施形態１の温度計測装置１Ａでは、これらの構成部材を耐熱容器に入れてコンパクトにまとめることで、デバイス１９とともにリフロー半田装置やフロー半田装置へ流すことができる。ただし、本装置１Ａをリフロー半田装置やフロー半田装置、手半田の場合は半田ごての外部に置き、測定対象デバイスまでの配線長さを長くとって計測することも可能である。
【００３４】
Ｉ／Ｏ部１５は、基本的には取得したＶＦデータ及び時間情報を出力する。また、マイコン部１３内にメモリ（図示省略）を用意しておいて、そのメモリに計測データを蓄積し、Ｉ／Ｏ部１５はその計測データを取り出して外部に送信する機能のみに限定してもよい。
【００３５】
図２は、上記構成の温度計測装置１Ａにおいて、デバイス１９に定電流（ＩＦ）を供給して得られた順方向電圧（ＶＦ）の変化の温度特性例を示している。すなわち、図２は、リフロー半田装置やフロー半田装置内における所定温度と２５℃での順方向電圧の変化量Ｖ（Ｖ）と素子温度とを対比させたものである。ダイオード特性は、デバイス（半導体素子）１９を構成する半導体材料によって変わるが、この例では、AlGaInP系（図中、実線により示す）、InGaN系（図中、一点鎖線により示す）の材料からなる場合を例示している。この図２に示す温度特性を元に、リフロー半田装置やフロー半田装置の表示温度が何度のときに、素子温度が何度になるかが算出できるので、半導体素子劣化が起こる素子温度を予め算出しておけば、これを元にリフロー半田装置やフロー半田装置の半田付け温度を規定することができる。
【００３６】
ここで、デバイス１９は、ＬＥＤチップ、半導体レーザチップ、ＩＣチップなどであり、測定対象デバイスは、このデバイス１９を搭載したデバイスパッケージである。
【００３７】
また、図１では簡単のために温度測定用のデバイス１９を１素子のみとして示しているが、複数素子を接続してマルチチャネル化することも容易に対応可能である。マルチチャネル化した場合の各チャネルごとの切り換えは、本装置１Ａにチャネル切換用のスイッチ類（図示省略）を設けて、それをユーザが操作することで行う構成とすることができる。すなわち、請求項に記載の順方向電流設定手段は、本実施形態１では、ユーザによって操作されるチャネル切換用スイッチ類である。ただし、このようなスイッチ類に限定されるものではない。
【００３８】
マルチチャネル化した場合、各デバイス１９の温度係数は、チャネル切換用スイッチ類の操作によってチャネルを切り換えるごとに、Ｉ／Ｏ部１５から当該チャネルのデバイス１９に対応した温度係数を読み込んで設定し、マイコン部１３で温度に換算して出力するようにしてもよいし、外部に図示しいなデータ処理用のパソコン（ＰＣ）をセットし、Ｉ／Ｏ部１５を介して取得したＶＦデータをＰＣ側で温度換算するシステム構成としてもよい。
【００３９】
＜実施形態２＞
図３は、本発明の実施形態２に係る温度計測装置のブロック図である。
【００４０】
本実施形態２の温度計測装置１Ｂは、測定対象の半導体素子がＬＥＤチップや半導体レーザチップ等の発光デバイスの場合の実施形態である。
【００４１】
図３において、本実施形態２の温度計測装置１Ｂは、測定対象の発光デバイス２０へ定電流（ＩＦ）を供給する定電流電源部１１と、定電流電源部１１から定電流（ＩＦ）が供給されたときの発光デバイス２０の発光波長を計測する波長測定用光ファイバ２１ａを有する波長計測部２１と、これら定電流電源部１１及び波長計測部２１を制御するマイコン部１３と、電源部１４と、外部とのデータのやり取りを行う入出力インターフェイス部であるＩ／Ｏ部１５とを備えている。この場合、波長を計測するためには分光が必要であるため、波長計測部２１は分光器を備えている。
【００４２】
なお、定電流電源部１１、マイコン部１３、電源部１４、Ｉ／Ｏ部１５は上記実施形態１の図１に示す各部の構成と同じであるので、ここでは同符号を付している。
【００４３】
図４は、上記構成の温度計測装置１Ｂにおいて、発光デバイス２０に定電流（ＩＦ）を供給し、波長計測部２１によって得られた波長の変化の温度特性例を示している。すなわち、図４は、リフロー半田装置やフロー半田装置内における所定温度と２５℃での波長の偏差（ｎｍ）と素子温度とを対比させたものである。ダイオード特性は、発光デバイス２０を構成する半導体材料によって変わるが、この例では、AlGaInP系（図中、実線により示す）、InGaN系（図中、一点鎖線により示す）の材料からなる場合を例示している。また、図４は、ドミナント波長の変化を示しているが、ピーク波長や色度変化でも同様の評価指標を得ることができる。この図４に示す温度特性を元に、リフロー半田装置やフロー半田装置の表示温度が何度のときに、素子温度が何度になるかが算出できるので、半導体素子劣化が起こる素子温度を予め算出しておけば、これを元にリフロー半田装置やフロー半田装置の半田付け温度を規定することができる。
【００４４】
＜実施形態３＞
図５は、本発明の実施形態３に係る温度計測装置のブロック図である。
【００４５】
本実施形態３の温度計測装置１Ｃは、測定対象の半導体素子がＬＥＤチップや半導体レーザチップ等の発光デバイスの場合の実施形態である。
【００４６】
図５において、本実施形態３の温度計測装置１Ｃは、測定対象の発光デバイス２０へ定電流（ＩＦ）を供給する定電流電源部１１と、定電流電源部１１から定電流（ＩＦ）が供給されたときの発光デバイス２０の発光強度を計測する受光用フォトダイオード３１ａを有する光出力計測部３２と、これら定電流電源部１１及び光出力計測部３１を制御するマイコン部１３と、電源部１４と、外部とのデータのやり取りを行う入出力インターフェイス部であるＩ／Ｏ部１５とを備えている。光出力計測部３１は、ＩＶアンプ（電流電圧変換回路）やＡＤ変換回路を備えている。
【００４７】
なお、定電流電源部１１、マイコン部１３、電源部１４、Ｉ／Ｏ部１５は上記実施形態１の図１に示す各部の構成と同じであるので、ここでは同符号を付している。
【００４８】
図６は、上記構成の温度計測装置１Ｃにおいて、発光デバイス２０に定電流（ＩＦ）を供給し、光出力計測部３１によって得られた光出力の変化の温度特性例を示している。すなわち、図６は、発光デバイス２０がＬＥＤチップである場合に温度計測に使用する発光特性を示したもので、リフロー半田装置やフロー半田装置内における所定温度と２５℃での発光ピーク波長の変化量と半導体素子温度とを対比させたものである。発光特性は、半導体素子を構成する半導体材料によって変わり、赤色ＬＥＤや赤色レーザ、青色ＬＥＤや青色レーザで使用されるAlGaInP系（図中、実線により示す）、InGaN系（図中、一点鎖線により示す）の材料からなる場合を例示している。
【００４９】
この図６に示す温度特性を元に、リフロー半田装置やフロー半田装置の表示温度が何度のときに、素子温度が何度になるかが算出できるので、半導体素子劣化が起こる素子温度を予め算出しておけば、これを元にリフロー半田装置やフロー半田装置の半田付け温度を規定することができる。
【００５０】
すなわち、上記各構成の温度計測装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃによる半田付け工程時の計測温度に基づいて、デバイスパッケージの半田付け工程温度の上限を定め、その上限を超えないように半田付け工程を行えばよい。本発明の温度計測装置によれば、実際に製造ラインに流されるデバイスパッケージに内包されている半導体素子と同じ素子を用いて半田付け工程での半田付け温度を計測しているので、半田付け工程時の正確な温度評価が可能である。そのため、半田付け時の熱によるデバイス不良等の発生を低減することができ、生産性の高いデバイスパッケージの実装を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施形態１に係る温度計測装置のブロック図である。
【図２】ダイオード素子の順方向電圧（ＶＦ）の変化の温度特性例を示す説明図（グラフ）である。
【図３】本発明の実施形態２に係る温度計測装置のブロック図である。
【図４】発光ダイオード素子の波長の変化の温度特性例を示す説明図（グラフ）である。
【図５】本発明の実施形態３に係る温度計測装置のブロック図である。
【図６】発光ダイオード素子の光出力の変化の温度特性例を示す説明図（グラフ）である。
【符号の説明】
【００５２】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  温度計測装置
１１  定電流電源部
１２  電圧計測部
１３  マイコン部
１４  電源部
１５  Ｉ／Ｏ部
１９  半導体素子（デバイス）
２０  発光デバイス
２１  波長計測部
２１ａ  波長測定用光ファイバ
３１  光出力計測部
３１ａ  受光用フォトダイオード
【図１】
2009058487.tif 000003
【図２】
2009058487.tif 000004
【図３】
2009058487.tif 000005
【図４】
2009058487.tif 000006
【図５】
2009058487.tif 000007
【図６】
2009058487.tif 000008