(57)【要約】【課題】基板上の複数の領域にそれぞれ対応するパターンを効率的に露光する。【解決手段】第１ウエハステージＷＳＴ１と、第２ウエハステージＷＳＴ２と、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上のウエハのマークを検出するアライメントセンサ２６と、ウエハ上の第１領域に露光光ＩＬを照射する投影光学系ＰＬと、その第１領域とは異なるウエハ上の第２領域に露光光ＩＬＡを照射する欠けショット露光系４０Ａとを備える。欠けショット露光系４０Ａは、アライメントセンサ２６によるマークの検出動作中に、ウエハステージＷＳＴ２に保持されるウエハＷ２上の第２領域に露光光ＩＬＡを照射する。【選択図】図１
2009124118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の異なる第１及び第２領域を含む複数の領域を露光する露光方法において、
２次元平面内で移動する第１基板保持可動体に保持される第１基板の前記第１領域を第１光学系を介して露光する動作と並行して、前記２次元平面内で移動する第２基板保持可動体上又は前記第２基板保持可動体に保持される第２基板上の複数のマークのうちの所定のマークを検出する第１工程と；
前記所定のマークの検出結果に基づいて、前記第２基板保持可動体に保持される前記第２基板の前記第２領域を第２光学系を介して露光する動作と、前記複数のマークのうちの前記所定のマークを除くマークを検出する動作とを実質的に並行に実行する第２工程と；
前記複数のマークの検出結果に基づいて、前記第２基板保持可動体に保持される前記第２基板の前記第１領域を前記第１光学系を介して露光する第３工程と；
を備えることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記第２基板の表面は、複数の完全な区画領域と、複数の一部が欠けた区画領域とに分割され、
前記第１領域は、前記複数の完全な区画領域と、前記複数の一部が欠けた区画領域の一部の領域とを含み、
前記第２領域は、前記複数の一部が欠けた区画領域のうちで、前記第１領域には含まれない領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第２基板上の前記第２領域は、直交する２方向のいずれかに平行な直線と前記第２基板のエッジ部とで囲まれた領域であることを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記第１光学系は、前記第１領域に第１パターンを露光し、
前記第２光学系は、前記第２領域に第２パターンを露光し、
前記第２パターンの線幅は、前記第１パターンの最小線幅の５〜２０倍であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記第１光学系で使用される第１露光光の波長幅に対して、前記第２光学系で使用される第２露光光の波長幅は広いことを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記第２光学系を介して前記第２基板上の前記第２領域の一部を露光している間に、前記第２基板と前記第２光学系とを相対移動することを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の露光方法。
【請求項７】
基板上の複数の領域を露光する露光装置において、
基板を保持して２次元平面内を移動可能な第１基板保持可動体と；
基板を保持して前記２次元平面内を移動可能な第２基板保持可動体と；
前記２つの基板保持可動体上のマーク及び前記２つの基板保持可動体に保持される基板上のマークの少なくとも一方を検出するアライメント系と；
基板上の第１領域に第１露光光を照射する第１光学系と；
前記第１領域とは異なる基板上の第２領域に第２露光光を照射する第２光学系と；
を備え、
前記アライメント系は、前記第１光学系が前記第１基板保持可動体に保持される第１基板に対して前記第１露光光を照射する動作中に、前記第２基板保持可動体上又は前記第２基板保持可動体に保持される第２基板上のマークを検出し、
前記第２光学系は、前記アライメント系による前記マークの検出動作中に、前記第２基板保持可動体に保持される前記第２基板上の前記第２領域に前記第２露光光を照射することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
前記アライメント系が前記第２基板保持可動体に保持される前記第２基板上の複数のマークのうちの少なくとも２つのマークを検出した後に、
前記第２光学系は、前記第２基板上の前記第２領域に前記第２露光光を照射することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記アライメント系は、前記第２光学系が前記第２領域への前記第２露光光の照射を開始した後に、前記複数のマークのうちの前記少なくとも２つのマークとは異なるマークの検出を開始することを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第２基板保持可動体の前記２次元平面内での位置を制御する位置制御部をさらに備え、
該位置制御部は、前記少なくとも２つのマークの検出情報に基づいて前記第２基板保持可動体を移動させることを特徴とする請求項８又は９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１光学系は、前記第１領域に第１パターンを露光し、
前記第２光学系は、前記第２領域に前記第１パターンとは異なる第２パターンを露光することを特徴とする請求項７から１０の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第２パターンの線幅は、前記第１パターンの最小線幅の５〜２０倍であることを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第２基板保持可動体に保持される前記第２基板の前記２次元平面の法線方向に沿った面位置情報を検出するための面位置検出部をさらに備え、
該面位置検出部により検出された面位置情報に基づいて、前記第２基板保持可動体に保持される前記第２基板と前記第２光学系との間隔を制御することを特徴とする請求項７から１２の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２光学系は、前記第２基板上の複数の前記第２領域にそれぞれ前記第２露光光を照射する複数の露光部を備えることを特徴とする請求項７から１３の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２光学系の前記複数の露光部のうちの２つの露光部の間隔を調整する調整部をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記アライメント系の検出位置は、前記第２光学系の前記複数の露光部による前記第２露光光の複数の照射位置で囲まれる位置にあることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２光学系から前記第２基板上の前記第２領域の一部に前記第２露光光を照射している間に、前記第２基板と前記第２光学系とを相対移動することを特徴とする請求項７から１６の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２領域は、基板上において前記第１領域の周囲に位置することを特徴とする請求項７から１７の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記第２領域は、直交する２方向のいずれかに平行な直線と前記基板のエッジ部とで囲まれた領域であることを特徴とする請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第１領域は、前記第１光学系と基板との間の液体を介して露光され、
前記第２領域は、前記第２光学系と基板との間に液体を介することなく露光されることを特徴とする請求項７から１９の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記第１領域の露光に用いられる前記第１露光光の波長と、前記第２領域の露光に用いられる前記第２露光光の波長とはほぼ同じ波長であることを特徴とする請求項７から２０の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
デバイスの製造方法であって、
感光性基板を準備する工程と；
請求項７から２１の何れか一項に記載の露光装置を用い、前記第１及び第２光学系を介してそれぞれ所定のパターンを前記感光性基板上に露光する工程と；
露光された前記感光性基板を現像し、前記第１及び第２光学系を介して露光されたパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する工程と；
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する工程と；
を備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の異なる複数の領域を露光する露光技術に関し、例えば基板上の欠けたショット領域に対して、基板上の完全なショット領域内に露光されるパターンに関連するパターンを露光する場合に適用可能なものである。さらに本発明は、その露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイス又は液晶表示素子等の各種デバイス（電子デバイス、マイクロデバイス）を製造するためのリソグラフィ工程においては、レチクル（又はフォトマスク等）のパターンをレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に転写露光するために、ステッパ等の一括露光型の投影露光装置又はスキャニングステッパ等の走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）などの露光装置が使用されている。
【０００３】
これらの露光装置によって露光されるウエハの周辺部で有効露光領域から一部がはみ出でしまう欠けたショット領域（以下、欠けショットと言う。）は、デバイスとして使用できない部分であるため、本来は露光を行う必要がない。しかしながら、最近のデバイス製造工程中では、パターンが形成されたウエハの表面を平坦化するために、化学機械的研磨であるＣＭＰ（Chemical & Mechanical Polishing)プロセスが適用されることがある。このＣＭＰプロセスを適用する際には、露光及び現像後のウエハの周辺部にも中心部と同様の段差（又は周期性若しくはパターン密集率）を持つパターンを形成する必要がある。この場合、露光装置においてそれらの欠けショットに対してもレチクルのパターンを露光するものとすると、スループットが低下する。
【０００４】
そこで、例えば現像装置内に設置された簡単な露光光学系を備え、ウエハの周辺部の欠けショットのみを露光する露光ユニットが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、露光装置のレチクルステージのレチクルの近傍に補助パターン板を設置しておき、その補助パターン板のパターンを介してウエハ上の欠けショットを効率的に露光するようにした露光装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平５−２５９０６９号公報
【特許文献２】特開２００６−２７８８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の欠けショット露光用の露光ユニットは、高精度なアライメント機構等を備えていないため、ウエハ上の欠けショットのみを正確に露光することが困難であった。これに関して、欠けショット露光のために、高精度なアライメント及びフォーカス位置計測を再び始めから行うものとすると、スループットが低下する恐れがある。
一方、レチクルステージに補助パターン板を設けた露光装置においては、欠けショットへの露光中にはウエハ上の本来の完全なショット領域への露光ができないため、スループット改善の割合があまり大きくないという問題があった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑み、ウエハ等の基板上の複数の領域（例えば完全なショット領域を含む領域と欠けショットを含む領域）にそれぞれ対応するパターンを効率的に露光できる露光技術及びデバイス製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による露光方法は、基板上の異なる第１領域（６５Ｆ）及び第２領域（６５Ｇ）を含む複数の領域を露光する露光方法において、２次元平面内で移動する第１基板保持可動体（ＷＳＴ１）に保持される第１基板（Ｗ１）のその第１領域を第１光学系（ＰＬ）を介して露光する動作と並行して、その２次元平面内で移動する第２基板保持可動体（ＷＳＴ１）上又はその第２基板保持可動体に保持される第２基板（Ｗ２）上の複数のマークのうちの所定のマーク（ＷＭＳ１，ＷＭＳ２）を検出する第１工程（ステップ２１３、１０４）と；その所定のマークの検出結果に基づいて、その第２基板保持可動体に保持されるその第２基板の第２領域を第２光学系（４０Ａ〜４０Ｄ）を介して露光する動作と、その複数のマークのうちのその所定のマークを除くマーク（ＷＭ）を検出する動作とを実質的に並行に実行する第２工程（ステップ１０５〜１０８）と；その複数のマークの検出結果に基づいて、その第２基板保持可動体に保持されるその第２基板の第１領域をその第１光学系を介して露光する第３工程（ステップ１１３）と；を備えるものである。
【０００８】
また、本発明による露光装置は、基板上の複数の領域を露光する露光装置において、基板を保持して２次元平面内を移動可能な第１基板保持可動体（ＷＳＴ１）と；基板を保持してその２次元平面内を移動可能な第２基板保持可動体（ＷＳＴ２）と；その２つの基板保持可動体上のマーク及びその２つの基板保持可動体に保持される基板上のマークの少なくとも一方を検出するアライメント系（２６）と；基板上の第１領域（６５Ｆ）に第１露光光を照射する第１光学系（ＰＬ）と；その第１領域とは異なる基板上の第２領域（６５Ｇ）に第２露光光を照射する第２光学系（４０Ａ〜４０Ｄ）と；を備え、そのアライメント系は、その第１光学系がその第１基板保持可動体に保持される第１基板に対してその第１露光光を照射する動作中に、その第２基板保持可動体上又はその第２基板保持可動体に保持される第２基板上のマークを検出し、その第２光学系は、そのアライメント系によるそのマークの検出動作中に、その第２基板保持可動体に保持されるその第２基板上のその第２領域にその第２露光光を照射するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第１基板保持可動体上の第１基板の第１領域（例えば完全なショット領域を含む領域）への露光と、第２基板保持可動体上の第２基板の第２領域（例えば欠けショットを含む領域）への露光とをほぼ並行に実行できるため、各基板の第１及び第２領域にそれぞれ対応するパターンを効率的に露光できる。さらに、その第２基板の第１領域の露光を行うためのアライメント系によるマーク検出（第２工程のマーク検出動作）と、その基板の第２領域の露光とを実質的に並行に行うため、露光工程のスループットをさらに向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る露光装置１００の全体構成を概略的に示す。露光装置１００は、スキャニングステッパ（スキャナ）よりなる走査露光型で、かつ液浸法により露光を行う投影露光装置である。
図１において、露光装置１００は、光源及び照明光学系を含み、露光ビームとしての露光光（露光用の照明光）ＩＬによりレチクルＲ（マスク）を照明する照明系１０と、レチクルＲを保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲを介した露光光ＩＬで基板としてのウエハ（図１ではウエハＷ１）上の完全なショット領域を含むデバイス領域６５Ｄ（図４（Ａ）参照）を含む領域露光する投影光学系ＰＬと、ウエハＷ１を保持して移動する第１ウエハステージＷＳＴ１と、投影光学系ＰＬによる露光動作等を統括制御するコンピュータよりなる第１制御系２０Ａとを備えている。
【００１１】
さらに露光装置１００は、露光光ＩＬＡでウエハ（図１ではウエハＷ２）上の欠けショットを含む非デバイス領域６５ＮＤ（図４（Ａ）参照）の少なくとも一部を露光する欠けショット露光系４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ（図２参照）と、ウエハＷ２を保持して移動する第２ウエハステージＷＳＴ２と、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上の基準マーク及びウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上のウエハ上のマーク（アライメントマーク）を検出するアライメントセンサ２６と、アライメントセンサ２６によるアライメント及び欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによる露光動作を制御するコンピュータよりなる第２制御系２０Ｂと、各種駆動系等とを備えている。第１制御系２０Ａ及び第２制御系２０Ｂは、計測情報及び動作タイミング等の情報の受け渡しを行う。
【００１２】
露光装置１００は、２台の同じ構成のウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２を備えており、図１の配置とは逆に、第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハを投影光学系ＰＬを介して露光するのと同時に、第１ウエハステージＷＳＴ１上のウエハに欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄを介して露光する工程もある。以下、図１において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面（本実施形態ではほぼ水平面に平行）内で、図１の紙面に平行な方向にＸ軸を、図１の紙面に垂直な方向にＹ軸を取って説明する。走査露光時のレチクルＲ及びウエハ（ウエハＷ１等）の走査方向は、Ｙ方向（Ｙ軸に平行な方向）である。
【００１３】
図１において、照明系１０中の照明光学系は、例えば特開２００１−３１３２５０号公報（対応する米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号公報）などに開示されるように、オプティカルインテグレータ（回折光学素子、フライアイレンズ等）等を含む照度均一化光学系、リレーレンズ系、レチクルブラインド（視野絞り）、及びコンデンサレンズ系等を含んで構成されている。照明系１０は、露光光ＩＬによって、レチクルブラインドで規定されたレチクルＲ上のスリット状の照明領域をほぼ均一な照度分布で照明する。露光光ＩＬとしては、一例として色収差を低減するために発振波長の狭帯化が行われたＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｍ）が用いられている。なお、露光光ＩＬとしては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、固体レーザ（ＹＡＧレーザ、半導体レーザ等）の高調波、又は水銀ランプの輝線等も使用できる。
【００１４】
レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴは、不図示のレチクルベース上のガイド面に載置されて、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部（不図示）により、Ｙ方向に指定された走査速度で駆動されるとともに、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ軸に平行な軸の周りの回転方向（θＺ方向）に微小駆動される。レチクルステージＲＳＴのガイド面上の位置は、レチクル干渉計（不図示）によって例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で常時計測されている。その位置情報に基づいて第１制御系２０Ａ内のレチクルステージ制御部が上記のレチクルステージ駆動部を介してレチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。
【００１５】
図１において、投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率（例えば１／４倍又は１／５倍）を有する。照明系１０からの露光光ＩＬによってレチクルＲの照明領域が照明されると、レチクルＲを通過した露光光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内の回路パターンの像が、ウエハＷ１上の一つのショット領域上のＸ方向に細長い露光領域３１（図２参照）に形成される。ウエハＷ１，Ｗ２は、例えば半導体（シリコン等）又はＳＯＩ(silicon on insulator)等の直径が２００〜３００ｍｍ程度の円板状の基材の表面に、露光光ＩＬに感光するレジスト（感光剤）を塗布したものである。ウエハＷ１，Ｗ２にはオリエンテーションフラット（又はノッチ部等）よりなる回転角を検出可能な切り欠き部Ｗ１ａ（図２参照）が形成されている。なお、投影光学系ＰＬは、屈折光学系又はミラーとレンズとを含んで構成される反射屈折系（カタディオプトリック系）等である。上記のレチクルベース及び投影光学系ＰＬは不図示のフレームに防振機構を介して支持されている。
【００１６】
アライメントセンサ２６は、投影光学系ＰＬから＋Ｘ方向に離して配置されている。アライメントセンサ２６は、比較的広い波長域の照明光で被検マークを照射する照明系と、その被検マークの拡大像を撮像する倍率可変の受光系とを含み、得られた像を画像処理してその被検マークの位置を検出するＦＩＡ（Field Image Alignment)方式である。アライメントセンサ２６の検出信号は信号処理系２７を介して第２制御系２０Ｂに供給される。ＦＩＡ方式のアライメントセンサについては、例えば特開平７−１８３１８６号公報に開示されている。
【００１７】
また、図１において、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハ側）の光学部材（不図示）の先端部を囲むように、ほぼリング状のノズルユニット２３が不図示のフレームによって保持されている。また、ノズルユニット２３内の液体供給路及び液体回収路がそれぞれ供給配管２４Ａ及び回収配管２４Ｂを介して液体供給回収装置２５に連結されている。液体供給回収装置２５は、第１制御系２０Ａの制御のもとで、ウエハの走査露光中に、投影光学系ＰＬの先端とウエハとの間の液浸領域３０に局所液浸方式で液体Ｌｑを供給して回収する。
【００１８】
液体Ｌｑとしては、一例として露光光ＩＬ（ここではＡｒＦエキシマレーザ光）が透過する超純水（以下、単に水と言う）を用いるものとする。水の露光光ＩＬに対する屈折率ｎはほぼ１．４４である。従って、ウエハを露光する露光光ＩＬの波長は、約１３４ｎｍ（＝１９３ｎｍ×１／ｎ）に短波長化され、解像度及び焦点深度が向上する。液体Ｌｑとしては、より高屈折率の液体であるデカリン(Decalin）等も使用できる。
【００１９】
また、ウエハＷ１，Ｗ２に塗布されるレジストは、一例として液体Ｌｑをはじく撥液性のレジストであり、必要に応じてその上に保護用のトップコートが塗布されている。また、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２の上面のウエハＷ１，Ｗ２を囲む領域（後述の基準マーク等が形成されている領域を除く）には液体Ｌｑをはじく撥液性のコーティングが施されている。
【００２０】
なお、本実施形態はリング状のノズルユニット２３を備えているが、これに限らず、例えば、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されるように、液体を供給する複数のノズル部材と、液体を回収する複数のノズル部材とを含んで液体供給回収システムを構成することも可能である。
図１において、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、それぞれ投影光学系ＰＬの下方に水平に配置されたウエハベースＷＢ上のＺ軸に垂直なガイド面（ＸＹ平面）上に複数のエアベアリングを介して非接触で浮上支持されている。ウエハベースＷＢは、複数の防振台２を介して床部材１上に支持されている。ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上に、それぞれウエハホルダ３６Ａ，３６Ｂを介してウエハＷ１，Ｗ２が真空吸着（又は静電吸着）によって保持されている。
【００２１】
また、第１ウエハステージＷＳＴ１は、ウエハベースＷＢ上でリニアモータ又は平面モータ等の駆動部（不図示）によってＸ方向、Ｙ方向、及びθＺ方向に駆動されるＸＹステージ３８Ａと、Ｚ・レベリングステージ３５Ａと、ＸＹステージ３８Ａ上にＺ・レベリングステージ３５Ａを支持するように配置されてＺ方向の位置が可変の３つのアクチュエータ３７Ａ（例えばボイスコイルモータを含んで構成される）とを備えている。その３つのアクチュエータ３７ＡをＺ方向に独立に駆動することによって、ウエハＷ１を投影光学系ＰＬの像面又はアライメントセンサ２６の観察面に合焦させるために、ＸＹステージ３８Ａに対するＺ・レベリングステージ３５ＡのＺ方向の位置（フォーカス位置）、並びにＸ軸及びＹ軸に平行な軸の周りの傾斜角θＸ，θＹを制御可能である。
【００２２】
図１のＸＹステージ３８ＡをＸＹ平面内で駆動するとともに、アクチュエータ３７Ａを駆動するウエハステージ制御部２１Ａの信号ラインが、切替部１９Ａを介して第１制御系２０Ａの信号ライン２０Ａａ又は第２制御系２０Ｂの信号ライン２０Ｂａに選択的に接続される。
一方、第２ウエハステージＷＳＴ２は、第１ウエハステージＷＳＴ１と同様に、ウエハベースＷＢ上で駆動されるＸＹステージ３８Ｂと、ウエハＷ２を保持するＺ・レベリングステージ３５Ｂと、Ｚ・レベリングステージ３５ＢをＺ方向に駆動する３つのアクチュエータ３７Ｂとを備えている。さらに、第２ウエハステージＷＳＴ２を駆動するウエハステージ制御部２１Ｂの信号ラインが、切替部１９Ｂを介して信号ライン２０Ａａ又は信号ライン２０Ｂａに選択的に接続される。切替部１９Ａ，１９Ｂの切り替えは第１制御系２０Ａによって制御される。ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２は、投影光学系ＰＬの下方にある期間では第１制御系２０Ａによって制御され、アライメントセンサ２６の下方にある期間では第２制御系２０Ｂによって制御される。
【００２３】
制御系２０Ａ及び２０Ｂは、それぞれウエハステージＷＳＴ１又はＷＳＴ２を駆動するために、以下のようにして、ウエハステージＷＳＴ１又はＷＳＴ２のウエハベースＷＢのガイド面上での位置情報を計測し、ウエハステージＷＳＴ１又はＷＳＴ２上のウエハＷ１又はＷ２の表面のフォーカス位置（Ｚ方向の位置）の分布情報を計測する。
先ず、投影光学系ＰＬの下部側面に、投影光学系ＰＬの露光領域及びこの近傍の領域を含む被検領域に斜めに複数のスリット像（検出用パターン）を投影する送光系２８ａと、その被検領域からの反射光を受光する受光系２８ｂとを含み、その被検領域の複数の計測点のフォーカス位置を計測する斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（以下、ＡＦ系と言う）２８がコラム（不図示）に支持されている。ＡＦ系２８の受光系２８ｂの検出信号は信号処理部２２Ａに供給され、信号処理部２２Ａは、その被検領域の各計測点のフォーカス位置の像面からのデフォーカス量を求め、求めたデフォーカス量の分布情報（フォーカス位置情報）を第１制御系２０Ａに供給する。なお、斜入射方式の多点のＡＦ系の詳細な構成は、例えば米国特許第５６３３７２１号明細書及び特開２００７−４８８１９号公報に開示されている。
【００２４】
同様に、アライメントセンサ２６の下部側面において、ＡＦ系２８と同様に送光系２９ａ及び受光系２９ｂを備え、アライメントセンサ２６の視野２６Ｆを含む細長い被検領域２９Ｆ（図４（Ａ）参照）に複数のスリット像３２を投影する斜入射方式の多点のＡＦ系２９がコラム（不図示）に支持されている。ＡＦ系２９の受光系２９ｂの検出信号は信号処理部２２Ｂに供給され、信号処理系２２Ｂは、その被検領域の各計測点のフォーカス位置の所定の基準面（例えばアライメントセンサ２６のベストフォーカス面を含む面）からのデフォーカス量を求め、求めたデフォーカス量の分布情報（フォーカス位置情報）を第２制御系２０Ｂに供給する。
【００２５】
次に、図２は、図１のウエハベースＷＢ上のウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２を示す平面図である。図２において、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２のＺ・レベリングステージ３５Ａ，３５ＢのＸ方向及びＹ方向の側面は、移動鏡の反射面として使用できるように鏡面加工されている。なお、それらの側面にロッド状の移動鏡を固定してもよい。
そして、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ及びアライメントセンサ２６の視野の中心を通りＹ軸に平行に、計測対象のステージの反射面に計測用の複数軸のレーザビームを照射するＹ軸のレーザ干渉計４６ＹＡ，４６ＹＢと、光軸ＡＸ及びその視野の中心を通りＸ軸に平行にそのステージの別の反射面に計測用の複数軸のレーザビームを照射するＸ軸のレーザ干渉計４６ＸＡ，４６ＸＢとがフレーム（不図示）に支持されている。
【００２６】
図２の状態では、レーザ干渉計４６ＸＡ，４６ＹＡによって第１ウエハステージＷＳＴ１（Ｚ・レベリングステージ３５Ａ）の少なくともＸ方向、Ｙ方向、θＺ方向の位置が計測され、これらの計測情報が図１の第１制御系２０Ａに供給される。また、レーザ干渉計４６ＸＢ，４６ＹＢによって第２ウエハステージＷＳＴ２（Ｚ・レベリングステージ３５Ｂ）の少なくともＸ方向、Ｙ方向、θＺ方向の位置が計測され、これらの計測情報が図１の第２制御系２０Ｂに供給される。図２において、第１ウエハステージＷＳＴ１は一例として、ウエハベースＷＢの＋Ｙ方向側に折れ曲がる経路ＭＰ１に沿って投影光学系ＰＬの下方とアライメントセンサ２６の下方との間を移動し、第２ウエハステージＷＳＴ２は、ウエハベースＷＢの−Ｙ方向側に折れ曲がる経路ＭＰ２に沿って投影光学系ＰＬの下方とアライメントセンサ２６の下方との間を移動する。
【００２７】
さらに、経路ＭＰ１，ＭＰ２に沿って移動するウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２のＹ座標及びＸ座標を連続して計測するために、Ｙ軸のレーザ干渉計４６ＹＡ，４６ＹＢの間に、Ｙ軸のレーザ干渉計４６ＹＣ，４６ＹＤ，４６ＹＥが設置され、Ｘ軸のレーザ干渉計４６ＸＢをＹ方向に挟むように、Ｘ軸のレーザ干渉計４６ＸＣ，４６ＸＤが設置されている。レーザ干渉計４６ＸＡ〜４６ＸＤ，４６ＹＡ〜４６ＹＥの計測分解能はそれぞれ例えば０．５〜０．１ｎｍ程度である。一例として、レーザ干渉計４６ＸＣ，４６ＹＣ，４６ＹＤの計測値が図１の第１制御系２０Ａに供給され、レーザ干渉計４６ＸＤ，４６ＹＥの計測値が第２制御系２０Ｂに供給されている。
【００２８】
また、一例として、ウエハステージＷＳＴ１及びＷＳＴ２のウエハのローディング及びアンローディングの位置ＬＰ１及びＬＰ２は、それぞれウエハベースＷＢの＋Ｘ方向の端部の＋Ｙ方向及び−Ｙ方向の端部に設定されている。なお、その他に、例えば位置ＬＰ１をウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に共通のウエハのローディング位置として、位置ＬＰ２をウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２に共通のウエハのアンローディング位置としてもよい。
【００２９】
本実施形態では、図２の位置ＬＰ２にあるウエハＷ２の外形Ａ１を検出するために３個の画像処理型のプリアライメントセンサ（以下、ＰＡセンサという）４８Ａ，４８Ｂ，４８Ｃが不図示のフレームに支持されて配置されている。ＰＡセンサ４８Ａ〜４８Ｃの検出結果は図１の第２制御系２０Ｂに供給される。同様に、位置ＬＰ１にあるウエハの外形を検出するための３個のＰＡセンサ（不図示）も設けられている。なお、例えばウエハローダ系（不図示）にプリアライメントセンサが設けられている場合には、ＰＡセンサ４８Ａ〜４８Ｃ等は省略できる。
【００３０】
また、図２において、第１のウエハステージＷＳＴ１の上面のウエハＷ１の近傍に、露光光ＩＬの照度及び照射量をそれぞれ計測する照度むらセンサ５１Ａ及び照射量センサ５２Ａと、基準マーク５３Ａ及び受光窓５４Ａが形成された基準部材とが設置されている。受光窓５４Ａの底面のＺ・レベリングステージ３５Ａの内部には、空間像計測系５５Ａが設置されている。空間像計測系５５Ａは、図３（Ａ）に示すように、受光窓５４Ａを透過した露光光ＩＬを結像する結像系５６と、露光光ＩＬを折り曲げるミラー５７と、露光光ＩＬの像を撮像するＣＣＤ型又はＣＭＯＳ型の２次元の撮像素子５８とを含む撮像型である。照度むらセンサ５１Ａ、照射量センサ５２Ａ、及び撮像素子５８の検出信号は信号処理系（不図示）を介して第１制御系２０Ａに供給されている。
【００３１】
一例として、受光窓５４Ａの上面には基準マーク５３Ａと所定関係にある指標マーク（不図示）が形成され、空間像計測系５５ＡによってレチクルＲに形成されたレチクルマークの投影光学系ＰＬによる像とその指標マークとの位置関係を計測することで、レチクルアライメント及びベースライン計測が行われる。なお、撮像型の空間像計測系５５Ａの代わりに、図３（Ｂ）に示すように、スリットが形成されたスリット板５９と、集光レンズ６０と、フォトダイオード等の受光素子６１とを含む走査型の空間像計測系５５Ａ１を使用してもよい。空間像計測系５５Ａ１では、スリット板５９のスリットと被検マークの像とを相対走査することで、被検マークの像位置が検出される。
【００３２】
図２において、第２のウエハステージＷＳＴ２の上面のウエハＷ２の近傍にも、同様に照度むらセンサ５１Ｂ、照射量センサ５２Ｂ、並びに基準マーク５３Ｂ及び受光窓５４Ｂが形成された基準部材が設置され、受光窓５４Ｂの底面に空間像計測系５５Ａと同じ空間像計測系５５Ｂが設置されている。
図１に戻り、アライメントセンサ２６をＸ方向に挟むように、１対の同じ構成の欠けショット露光系４０Ａ及び４０Ｂが不図示のフレームに支持されて配置されている。一方の欠けショット露光系４０Ａは、不図示の光源から光ガイドを介して導かれた露光光ＩＬＡを射出する光学部材４１と、露光光ＩＬＡで被照射面を照明するコンデンサ光学系４２と、被照射面に配置された視野絞りを兼ねるレチクル４３と、レチクル４３からの光を折り曲げるミラー４４と、レチクル４３に形成されたライン・アンド・スペースパターン（以下、Ｌ＆Ｓパターンという。）の像６３Ｘ（図４（Ｃ）参照）をウエハステージＷＳＴ２（又はＷＳＴ１）上のウエハＷ２（又はＷ１）上のＸ方向に細長い矩形の露光領域４６Ａ（図２参照）に形成する投影系４５とを備えている。
【００３３】
露光光ＩＬＡは、投影光学系ＰＬを介してウエハを露光するのに使用される露光光ＩＬ（本実施形態ではＡｒＦエキシマレーザ光）と同じ波長（１９３ｎｍ）である。ただし、後述のように、欠けショット露光系４０Ａの解像度は、液浸法を用いる投影光学系ＰＬの解像度よりも数倍から数１０倍程度に粗くともよい。そこで、露光光ＩＬＡとして、露光光ＩＬよりも波長幅が広いＡｒＦエキシマレーザ光を使用することも可能である。これによって、露光光ＩＬＡの照度（パルスエネルギー）を大きくできるため、後述の複数の欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによって露光光ＩＬＡの光源を共有しても、十分な照度が得られる。さらに、ウエハＷ１，Ｗ２のレジストはＡｒＦエキシマレーザ光に感度を持つが、そのレジストがＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等にも感度を有する場合には、露光光ＩＬＡとして露光光ＩＬよりも長波長のＫｒＦエキシマレーザ光等を使用することも可能である。これによって欠けショット露光系４０Ａの光源のコストを低減できる。
【００３４】
他方の欠けショット露光系４０Ｂは、欠けショット露光系４０Ａと同一構成であるが、欠けショット露光系４０Ａに対向するように対称に配置されている。欠けショット露光系４０Ｂは、図２に示すように、アライメントセンサ２６に対して露光領域４６Ａと対称な矩形の露光領域４６ＢにＬ＆Ｓ（ラインアンドスペース）パターンの像を投影する。また、図２に示すように、欠けショット露光系４０Ｂ（ひいては露光領域４６Ｂ）を不図示のフレームに対してＸ方向に所定範囲内（例えばウエハの一つのショット領域の幅程度）でスライドさせる駆動機構４７Ｂが設けられている。図１の第２制御系２０Ｂによって制御される駆動機構４７Ｂは、例えば送りねじ方式であり、欠けショット露光系４０Ｂの駆動量をモニタするリニアエンコーダを備えている。欠けショット露光系４０Ａ，４０Ｂで露光するパターンの位置決め精度は、ウエハ上のショット間のスクライブライン領域の幅（例えば５０μｍ程度）より小さければよいため、そのリニアエンコーダの計測精度は１μｍ程度でよい。
【００３５】
さらに、図２において、アライメントセンサ２６をＹ方向に挟むように、欠けショット露光系４０Ａ，４０Ｂを９０°回転した配置で、別の１対の欠けショット露光系４０Ｃ，４０Ｄが不図示のフレームに支持されて配置されている。欠けショット露光系４０Ｃ，４０Ｄはそれぞれ欠けショット露光系４０Ａと同じ構成で、かつＹ方向に細長い矩形の露光領域４６Ｃ，４６ＤにＹ方向に所定周期のＬ＆Ｓパターンの像６３Ｙ（図４（Ｄ）参照）を投影する。また、欠けショット露光系４０Ｄ（ひいては露光領域４６Ｄ）を不図示のフレームに対してＹ方向に所定範囲内（例えばウエハの一つのショット領域の幅程度）でスライドさせる駆動機構４７Ｄが設けられている。
【００３６】
また、欠けショット露光系４０Ａ，４０Ｂの露光領域４６Ａ，４６ＢのＸ方向の幅ｄＸ（図４（Ａ）参照）、及び欠けショット露光系４０Ｃ，４０Ｄの露光領域４６Ｃ，４６ＤのＹ方向の幅ｄＹは、それぞれ投影光学系ＰＬの露光領域３１のＸ方向の幅（ウエハ上のショット領域のＸ方向の幅にほぼ等しい）よりも小さい。しかしながら、欠けショット露光の効率をより高めるために、露光領域４６Ａ〜４６Ｄを露光領域３１と同じ程度の大きさにしてもよい。本実施形態では複数（図２では４つ）の欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄが設けられているため、欠けショットの露光を効率的に行うことができる。ただし、欠けショット露光系は一つ（例えば欠けショット露光系４０Ａのみ）でもよい。
【００３７】
次に、本実施形態の図１の露光装置１００によって露光されるウエハのショット配列の一例につき図４（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。以下では代表的にウエハＷ２を例にとって説明する。
図４（Ａ）は図１の第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２を示す平面図である。図４（Ａ）において、ウエハＷ２の露光面はＸ方向の幅ＤＸでＹ方向の幅ＤＹの多数のショット領域ＳＡによってＸ方向、Ｙ方向に区分されている。隣接する２つのショット領域ＳＡの境界部にはそれぞれ幅５０μｍ程度のスクライブライン領域ＳＬＡが設けられている。一例としてウエハＷ２は１層目の回路形成が済んでおり、各ショット領域ＳＡにはファインアライメントマークとしての２次元のウエハマークＷＭと、２次元のサーチアライメントマークＷＭＳとが形成されている。本実施形態では、一例として、ウエハＷ２上の２つのサーチアライメントマークＷＭＳ１，ＷＭＳ２を検出して、ウエハＷ２のＸ方向、Ｙ方向の位置、及びθＺ方向の回転角の検出（サーチアライメント）を行う。その後、ウエハＷの所定個数（図４（Ａ）では１０個）のショット領域（以下、サンプルショットという）ＳＡ１〜ＳＡ１０に付設されたウエハマークＷＭの位置を検出して、例えばＥＧＡ方式でウエハＷ２のアライメントを行うものとする。
【００３８】
また、ウエハＷ２の露光面において、有効露光領域内に全部が含まれる完全なショット領域ＳＡのみを含むデバイス領域６５Ｄは、実線の折れ線よりなる境界線６５で囲まれた領域である。一方、境界線６５の外側の領域は、有効露光領域から一部がはみ出たショット領域である欠けショット（例えば欠けショットＳＡＤ１，ＳＡＤ２等）のみを含む非デバイス領域６５ＮＤである。非デバイス領域６５ＮＤは、ウエハＷ２のスクライブライン領域ＳＬＡに平行な直線（Ｙ軸又はＸ軸に平行な直線で、例えば境界部６５ａを含む直線）とウエハＷ２のエッジ部とで囲まれた単純な形状の４つの非デバイス領域６６Ａ，６６Ｂ，６６Ｃ，６６Ｄと、折れ線よりなる境界部（例えば境界部６５ｅ）とエッジ部とで囲まれた複雑な形状の４つの非デバイス領域６７Ａ，６７Ｂ，６７Ｃ，６７Ｄとから構成されている。
【００３９】
さらに、ウエハＷ２のデバイス領域６５Ｄ内の各ショット領域ＳＡのほぼ全面に、図１の投影光学系ＰＬを介して、図４（Ｂ）に示すように、Ｘ方向の周期ＰＸのＬ＆Ｓパターン６２Ｘ又はＹ方向の周期ＰＹの解像限界に近いＬ＆Ｓパターンの像６２Ｘ又は６２Ｙが露光されるものとする。このとき、後工程においてＣＭＰ（Chemical & Mechanical Polishing)プロセスが実行されるものとすると、ウエハＷ２上の非デバイス領域６５ＮＤにも像６２Ｘ又は６２Ｙと同様の周期性（ただし、周期は粗くともよい）又は密集性を持つＬ＆Ｓパターンの像を露光することが好ましい。
【００４０】
そこで、一例として、非デバイス領域６５ＮＤ中の単純な形状の４つの非デバイス領域６６Ａ〜６６Ｄには、図２の欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄを用いて図４（Ｃ）に示すＸ方向の周期ＱＸのＬ＆Ｓパターンの像６４Ｘ、又は図４（Ｄ）に示すＹ方向の周期ＱＹのＬ＆Ｓパターンの像６４Ｙを露光するものとする。このため、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによる図４（Ａ）の矩形の露光領域４６Ａ，４６Ｂ及び４６Ｃ，４６Ｄにはそれぞれ図４（Ｃ）のＸ方向に周期ＱＸのＬ＆Ｓパターンの像６３Ｘ及びＹ方向に周期ＱＹのＬ＆Ｓパターンの像６３Ｙが投影される。そして、欠けショットの露光時には、図４（Ａ）の露光領域４６Ａ，４６Ｂ又は４６Ｃ，４６Ｄに露光光ＩＬＡを照射した状態で、第２ウエハステージＷＳＴ２によってウエハＷ２をＹ方向又はＸ方向に走査することによって、走査露光方式で非デバイス領域６６Ａ〜６６ＤにＬ＆Ｓパターンの像６４Ｘ又は６４Ｙが露光される。
【００４１】
像６４Ｘ，６４Ｙの周期ＱＸ，ＱＹはそれぞれ完全なショット領域ＳＡ内に露光される図４（Ｂ）のＬ＆Ｓパターンの像６２Ｘ，６２Ｙの周期ＰＸ，ＰＹの５〜２０倍程度である。また、像６２Ｘ，６２Ｙのライン部（明部）の線幅はほぼ周期ＱＸ，ＱＹの１／２であるため、像６４Ｘ，６４Ｙのライン部の線幅は像６２Ｘ，６２Ｙのライン部（明部）の線幅の５〜２０倍程度である。なお、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄの解像度を細かくできる場合には、非デバイス領域６６Ａ〜６６Ｄに露光されるＬ＆Ｓパターンの像の線幅を上記の５倍より小さくしてもよい。さらに、ＣＭＰプロセスで問題が生じない場合には、非デバイス領域６６Ａ〜６６Ｄに露光されるＬ＆Ｓパターンの像の線幅を上記の２０倍より大きくしてもよい。
【００４２】
一方、非デバイス領域６５ＮＤ中の複雑な形状の４つの非デバイス領域６７Ａ〜６７Ｄには、図１の投影光学系ＰＬを介してレチクルＲのパターンの像６２Ｘ，６２Ｙを露光するものとする。このように、非デバイス領域６５ＮＤの露光を欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄと投影光学系ＰＬとで分担することによって、全体としてのウエハに対する露光時間を短くできる場合がある。
【００４３】
次に、図１の露光装置１００の露光動作の一例につき図７及び図８のフローチャートを参照して説明する。図７のステップ１０１〜１０９、及びステップ１１４，１１５の動作は主に第２制御系２０Ｂによって制御され、図７のステップ１１０〜１１３及び図８のステップ２１０〜２１３の動作は主に第１制御系２０Ａによって制御される。先ず、図２に示すように、第１ウエハステージＷＳＴ１上にウエハＷ１がロードされているものとして、図７のステップ１０１において、第２ウエハステージＷＳＴ２の中心を図２のローディングの位置ＬＰ２に移動して、ウエハＷ２をロードする。ウエハＷ２には不図示のコータ・デベロッパにおいてレジストが塗布されている（ステップ１２１）。
【００４４】
次のステップ１０２において、図２のＰＡセンサ４８Ａ〜４８Ｃを用いて第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２の外形基準の位置及び回転角を検出して、ウエハＷ２のプリアライメントを行う。これによって、図４（Ａ）のウエハＷ２の各ショット領域ＳＡのサーチアライメントマークＷＭＳをアライメントセンサ２６の視野内に追い込むことが可能になる。なお、上記のようにウエハローダ系（不図示）においてウエハＷ２のプリアライメントが完了しているときには、ステップ１０２は省略できる。次のステップ１０３において、第２ウエハステージＷＳＴ２をアライメントセンサ２６の視野側に移動して、アライメントセンサ２６で図２の基準マーク５３Ｂを検出する（ベースライン計測の一部）。
この場合、予め図２の例えばウエハステージＷＳＴ２の空間像計測系５５Ｂを用いて、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｃの露光領域４６Ａ〜４６Ｄの位置を計測しておく。これらの計測結果と、基準マーク５３Ｂと空間像計測系５５Ｂの指標マークとの既知の間隔とから、アライメントセンサ２６の検出中心と露光領域４６Ａ〜４６Ｄとの位置関係が分かる。従って、アライメントセンサ２６の検出結果から、ウエハＷ２上の各ショット領域（欠けショットを含む）と欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｃとの位置関係を求めることができる。なお、この段階から、図１のＡＦ系２９によるウエハＷ２又は被検面のフォーカス位置の計測、及びこの計測結果に基づいた被検マークのアライメントセンサ２６に対する合焦が行われている。
【００４５】
次のステップ１０４において、例えばアライメントセンサ２６の倍率を低倍にして視野を広くして、図４（Ａ）のウエハＷ２上の２つのサーチアライメントマークＷＭＳ１，ＷＭＳ２を検出して、ウエハＷ２のショット配列のＸ方向、Ｙ方向のオフセット、及びθＺ方向の回転角を求める。このサーチアライメントによって、図１の第２制御系２０Ｂは、ウエハＷ２上の非デバイス領域６５ＮＤの位置がスクライブライン領域ＳＬＡの幅より小さい精度で認識できるとともに、ウエハＷ２の各ショット領域ＳＡ内のウエハマークＷＭを図２のアライメントセンサ２６の高倍率の視野内に追い込むことができるようになる。
【００４６】
次のステップ１０５において、図１のＡＦセンサ２９によるウエハＷ２の表面のフォーカス位置計測、及び被検マークのアライメントセンサ２６に対する合焦を行いながら、アライメントセンサ２６によって図５に示すように、ウエハＷ２上の２つのサンプルショットＳＡ１，ＳＡ２のウエハマークの検出を行う（ファインアライメントの一部）。このようにサンプルショットＳＡ２の計測が終わった状態では、図２の欠けショット露光系４０Ａ，４０Ｂの露光領域４６Ａ，４６Ｂ（この状態では露光光ＩＬＡは照射されていない）は、図５の非デバイス領域６６Ａ，６６Ｂを露光するのに都合がよい（第２ウエハステージＷＳＴ２の移動量が少なくてよい）位置Ａ３，Ｂ３の近傍にある。
【００４７】
そこで、ステップ１０６において、図２の駆動機構４７Ｂによって欠けショット露光系４０ＢをＸ方向に微動して、図５の露光領域４６Ａ，４６ＢのＸ方向の間隔をデバイス領域６５ＤのＸ方向の幅に、露光領域４６Ａの幅を加算した値に設定した後、露光領域４６Ｂの−Ｘ方向のエッジ部をデバイス領域６５Ｄの＋Ｘ方向の境界部６５ｂ内に合わせる。その後、露光領域４６Ａ，４６Ｂが位置Ａ３，Ｂ３に来るように第２ウエハステージＷＳＴ２を位置決めする。そして、露光領域４６Ａ，４６Ｂへの露光光ＩＬＡの照射を開始して、第２ウエハステージＷＳＴ２を＋Ｙ方向に走査した後、第２ウエハステージＷＳＴ２を−Ｘ方向に露光領域４６Ａの幅だけステップ移動することによって、露光領域４６Ａ，４６Ｂは位置Ａ５，Ｂ５に移動する。そして、第２ウエハステージＷＳＴ２を−Ｙ方向に走査することで、露光領域４６Ａ，４６Ｂは図５の軌跡ＴＡ，ＴＢで示すように非デバイス領域６６Ａ，６６Ｂ内を相対的に移動する（露光領域４６Ａのエッジ部はデバイス領域６５Ｄの境界部６５ａ内を移動する）ため、非デバイス領域６６Ａ，６６Ｂ内に図４（Ｃ）のＬ＆Ｓパターンの像６４Ｘが露光される。
【００４８】
この際に、図１のＡＦ系２９によるウエハＷ２のフォーカス位置の計測値の履歴又はリアルタイムの実測値より、露光領域４６Ａ，４６Ｂに最も近いウエハＷ２の表面のフォーカス位置の情報を求め、この情報に基づいてその走査露光中に欠けショット露光系４０Ａ，４０Ｂの投影系４５（図１参照）にウエハＷ２の表面が合焦されるように、第２ウエハステージＷＳＴ２のＺ・レベリングステージ３５ＢのＺ位置及びレベリングを制御する。投影系４５は、投影光学系ＰＬに比べて焦点深度が深いため、このような制御で必要な合焦精度が得られる。
【００４９】
なお、非デバイス領域６６Ａ，６６ＢのＸ方向の幅が狭い場合には、露光領域４６Ａ，４６ＢとウエハＷ２とをＹ方向に１回相対走査するのみで、露光領域４６Ａ，４６Ｂの全部を露光してもよい。
この状態では、図２のアライメントセンサ２６の視野は図６のサンプルショット領域ＳＡ２上にある。そこで、ステップ１０７において、計測対象のサンプルショットが残っているかどうかを判定すると、この段階ではサンプルショットＳＡ３〜ＳＡ１０が残っているため、動作はステップ１０５に戻り、アライメントセンサ２６によって図６の２つのサンプルショットＳＡ３，ＳＡ４のウエハマークの検出を行う。この状態では、図２の欠けショット露光系４０Ｃ，４０Ｄの露光領域４６Ｃ，４６Ｄは、図６の非デバイス領域６６Ｃ，６６Ｄを露光するのに都合がよい（第２ウエハステージＷＳＴ２の移動量が少なくてよい）位置Ｃ３，Ｄ３の近傍にある。
【００５０】
そこで、ステップ１０６に移行して、図２の駆動機構４７Ｄによって欠けショット露光系４０ＤをＹ方向に駆動して、図６の露光領域４６Ｃ，４６ＤのＹ方向の間隔をデバイス領域６５ＤのＹ方向の幅に、露光領域４６ＣのＹ方向の幅を加算した値に設定した後、露光領域４６Ｄの−Ｙ方向のエッジ部をデバイス領域６５Ｄの＋Ｙ方向の境界部内に収めて、露光領域４６Ｃ，４６Ｄを位置Ｃ３，Ｄ３に位置決めする。その後、露光領域４６Ｃ，４６Ｄへの露光光ＩＬＡの照射を開始して、第２ウエハステージＷＳＴ２を−Ｘ方向に走査した後、第２ウエハステージＷＳＴ２を−Ｙ方向に露光領域４６Ｃの幅だけステップ移動することによって、露光領域４６Ｃ，４６Ｄは位置Ｃ５，Ｄ５に移動する。そして、第２ウエハステージＷＳＴ２を＋Ｘ方向に走査することで、露光領域４６Ｃ，４６Ｄは図６の軌跡ＴＣ，ＴＤで示すように非デバイス領域６６Ｃ，６６Ｄ内を移動するため、非デバイス領域６６Ｃ，６６Ｄ内に図４（Ｄ）のＬ＆Ｓパターンの像６４Ｙが露光される。この状態では、アライメントセンサ２６の視野は図６のウエハＷ２のサンプルショットＳＡ５の近傍にある。
【００５１】
次にステップ１０７において、この段階ではサンプルショットＳＡ５〜ＳＡ１０が残っているため、動作はステップ１０５に戻り、アライメントセンサ２６によって図６の残りのサンプルショットＳＡ５〜ＳＡ１０のウエハマークの検出を行う。このときに欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄで露光する非デバイス領域は残っていないため、動作はステップ１０６から１０７に移行する。また、計測すべきサンプルショットも残っていないため、動作はステップ１０８に移行して、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄで露光する非デバイス領域（欠けショット領域）が残っているかどうかを最終的に判定する。露光すべき非デバイス領域がある場合には動作はステップ１０６に戻る。
【００５２】
一方、ステップ１０８で露光すべき非デバイス領域がない場合には動作はステップ１０９に移行して、図１の第２制御系２０ＢはウエハＷ２のサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ１０のウエハマークの計測結果から、例えばＥＧＡ方式で図２の基準マーク５３Ｂを基準としてウエハＷ２の各ショット領域の配列座標（アライメント情報）を算出する。さらに、第２制御系２０Ｂは、アライメント中にＡＦ系２９によって得られた計測値から、ウエハＷ２の表面のフォーカス位置の分布情報（フォーカス位置情報）を求める。これらのウエハＷ２のアライメント情報及びフォーカス位置情報は、第２制御系２０Ｂから第１制御系２０Ａに送出される。
【００５３】
次に、図７のステップ１１０において、図９に示すように、第２ウエハステージＷＳＴ２を経路ＭＰ２に沿って投影光学系ＰＬの露光領域側に移動する。この際に並行して、第１ウエハステージＷＳＴ１は経路ＭＰ１に沿ってアライメントセンサ２６の視野側に移動した後、位置ＬＰ１において第１ウエハステージＷＳＴ１上の露光済みのウエハは未露光のウエハＷ３に交換される。
【００５４】
次のステップ１１１において、図９の第２ウエハステージＷＳＴ２の空間像計測系５５Ｂで図１のレチクルＲのレチクルマークの像位置を検出する（ベースライン計測）。次のステップ１１２において、第１制御系２０Ａは、その像位置と、基準マーク５３Ｂと受光窓５４Ｂとの既知の位置関係とを用いて、上記の第２制御系２０Ｂから供給されたウエハＷ２の各ショット領域の配列座標を、レチクルの像を基準とした配列座標に換算することができる。この後は、換算後の配列座標を用いて、ウエハＷ２の各ショット領域とレチクルＲの像との位置合わせを高精度に行うことができる。
【００５５】
さらに、第１制御系２０Ａは、例えばＡＦ系２８を介してウエハＷ２上のＡＦ系２９によって計測された１点のフォーカス位置（ここでは投影光学系ＰＬの像面に対するデフォーカス量）を計測する。そして、この計測値を用いて、上記の第２制御系２０Ｂから供給されたウエハＷ２のフォーカス位置の分布情報を、投影光学系ＰＬの像面からのデフォーカス量の分布に換算する。この後は、予めＺ・レベリングステージ３５Ｂを駆動してウエハＷ２の露光領域３１の表面を像面に合わせ込むことによって、デフォーカス量が小さく追い込まれているため、ＡＦ系２８の計測値に基づく合焦をより高速に、かつ高精度に行うことができる。
【００５６】
次のステップ１１３において、第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２のフォーカス位置計測及び合焦を行いつつ、ウエハＷ２上の各ショット領域にレチクルＲのパターンの像を液浸法で走査露光する。この際に、本実施形態では、図４（Ａ）の非デバイス領域６５ＮＤの４つの非デバイス領域６７Ａ〜６７Ｄの欠けショットにもそれぞれレチクルＲのパターンの像（図４（Ｂ）の像６２Ｘ，６２Ｙ）を露光する。具体的に、図９のウエハステージＷＳＴ２をＸ方向、Ｙ方向に駆動して、ウエハＷ２が走査開始位置にステップ移動される。続いて、図１の液浸領域３０への液体Ｌｑの供給を開始し、露光光ＩＬの照射を開始して、レチクルステージＲＳＴを介してＹ方向にレチクルＲを走査するのに同期して、図９のウエハステージＷＳＴ２を介して露光領域３１に対してウエハＷ２上の一つのショット領域を対応する方向に投影倍率を速度比として走査する走査露光が行われる。そのステップ移動と走査露光とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作によって、図４（Ａ）のウエハＷ２上のデバイス領域６５Ｄ及び非デバイス領域６５ＮＤの非デバイス領域６７Ａ〜６７Ｄのショット領域にレチクルＲのパターンの像が転写される。
【００５７】
次のステップ１１４において、図２に示すように、第２ウエハステージＷＳＴ２をアンロードの位置ＬＰ２に移動して、ステップ１１５において、ウエハＷ２のアンロードを行った後、ステップ１０１に移行して次のウエハのロードを行う。一方、ステップ１１５でアンロードされた露光済みのウエハＷ２は、露光装置１００からコータ・デベロッパ（不図示）に搬送され、ステップ１２２においてウエハのレジストの現像が行われる。次のステップ１２３において、現像したウエハの加熱（キュア）、エッチング工程、ＣＭＰプロセスなどを含む基板処理が行われる。そして、次のステップ１２４において、必要に応じてリソグラフィ工程及び基板処理工程を繰り返した後、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）、及び検査ステップ等を経て半導体デバイス等のデバイスが製造される。この際に、本実施形態の図４（Ａ）のウエハＷ２の露光面にはほぼ全面に所定の周期性を持つＬ＆Ｓパターンの像が露光され、現像及び基板処理によってウエハのほぼ全面にその周期性を持つパターンが形成されるため、ＣＭＰプロセスを容易に実行できる。
【００５８】
また、図７のステップ１０１〜１１５の第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２に対する露光動作と同様の動作が、第１ウエハステージＷＳＴ１上のウエハＷ１に対しても並行に行われている。ただし、図８に示すように、ステップ１０３〜１０８の第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２のアライメント及び欠けショット露光動作と同時に、ステップ２１０〜２１３の第１ウエハステージＷＳＴ１上のウエハＷ１に対する投影光学系ＰＬを介したレチクルＲのパターンの像の露光が行われる。逆に、第１ウエハステージＷＳＴ１上のウエハに対してステップ１０５〜１０８に対応するアライメント及び欠けショット露光が行われているときに、同時に図７のステップ１１０〜１１３における第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハに対する投影光学系ＰＬによる露光が行われる。
【００５９】
本実施形態の作用効果及び変形例は以下の通りである。
（１）図１の露光装置１００による露光方法は、ウエハ上の図４（Ａ）に示すデバイス領域６５Ｄを含む領域（第１領域）及び非デバイス領域６５ＮＤ内の領域（第２領域）を含む複数の領域を露光する露光方法において、ガイド面（２次元平面）内で移動する第１ウエハステージＷＳＴ１（第１基板保持可動体）に保持されるウエハＷ１のその第１領域を投影光学系ＰＬ（第１光学系）を介して露光する動作（ステップ２１３）と並行して、そのガイド面内で移動する第２ウエハステージＷＳＴ２（第２基板保持可動体）上のウエハＷ２上のサーチアライメントマークＷＭＳ１，ＷＭＳ２を検出するステップ１０５と；サーチアライメントマークＷＭＳ１，ＷＭＳ２の検出結果に基づいて、第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２の第２領域を欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄ（第２光学系）を介して露光する動作と、ウエハＷ２上のサンプルショットＳＡ１〜ＳＡ１０に付設されたウエハマークＷＭを検出する動作とを実質的に並行に実行するステップ１０５〜１０８と；ウエハマークＷＭの検出結果に基づいて、第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２の第１領域を投影光学系ＰＬを介して露光するステップ１１３とを有する。
【００６０】
また、露光装置１００は、第１ウエハステージＷＳＴ１と、第２ウエハステージＷＳＴ２と、第２ウエハステージＷＳＴ２上の基準マーク５３Ｂ及びウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上のウエハのマークの少なくとも一方を検出するアライメントセンサ２６と、ウエハ上のその第１領域に露光光ＩＬを照射する投影光学系ＰＬと、その第１領域とは異なるウエハ上の第２領域に露光光ＩＬＡを照射する欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄと、を備えている。そして、アライメントセンサ２６は、投影光学系ＰＬが第１ウエハステージＷＳＴ１に保持されるウエハＷ１に対して露光光ＩＬを照射する動作中に、第２ウエハステージＷＳＴ２上の基準マーク５３Ｂ又はウエハＷ２上のマークを検出し、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄは、アライメントセンサ２６によるマークの検出動作中に、第２ウエハステージＷＳＴ２に保持されるウエハＷ２上のその第２領域に露光光ＩＬＡを照射する。
【００６１】
本実施形態によれば、第１ウエハステージＷＳＴ１上のウエハＷ１の第１領域（完全なショット領域を含む領域）への露光と、第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２の第２領域（欠けショットを含む領域）への露光とをほぼ並行に実行できるため、ウエハＷ１，Ｗ２の第１及び第２領域にそれぞれ対応するパターンを効率的に露光できる。さらに、ウエハＷ２の第１領域の露光を行うためのアライメントセンサ２６によるマーク検出（ステップ１０５のマーク検出動作）と、ウエハＷ２の第２領域の露光（ステップ１０６）とを実質的に並行に行うため、露光工程のスループットをさらに向上できる。
【００６２】
（２）また、図４（Ａ）において、ウエハＷ２の表面は、複数の完全なショット領域（区画領域）よりなるデバイス領域６５Ｄと、複数の一部が欠けたショット領域よりなる非デバイス領域６５ＮＤとに分割され、その第１領域は、デバイス領域６５Ｄと、非デバイス領域６５ＮＤの一部の領域（複雑な形状の非デバイス領域６７Ａ〜６７Ｄ）とを含み、その第２領域は、その非デバイス領域６５ＮＤのうちで、その第１領域には含まれない領域（単純な形状の非デバイス領域６６Ａ〜６６Ｄ）を含んでいる。この結果、非デバイス領域６５ＮＤ（欠けショット）のうちで、その第１領域に含まれる領域が投影光学系ＰＬによって露光され、その第２領域が欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによって露光される。このように欠けショットの露光を分担することによって、露光工程のスループットを向上できる場合がある。
【００６３】
なお、例えば欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄの個数が多いような場合、又は図１の投影光学系ＰＬによるウエハＷ１の露光時間に比べて、アライメントセンサ２６及び欠けショット露光系４０Ａ〜４０ＤによるウエハＷ１のアライメント及び欠けショット露光の時間が短いような場合には、ウエハＷ２の非デバイス領域６５ＮＤの全部を欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによって露光してもよい。
【００６４】
（３）また、図４（Ａ）において、ウエハＷ２上のその第２領域（非デバイス領域６６Ａ〜６６Ｄ）は、直交する２方向のいずれかに平行な直線とウエハＷ２のエッジ部とで囲まれた単純な形状の領域である。このため、その第２領域に対して図２の欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄを用いて例えば走査露光方式で効率的に図４（Ｃ）、図４（Ｄ）のパターンの像６４Ｘ，６４Ｙを露光できる。
【００６５】
（４）また、アライメントセンサ２６が第２ウエハステージＷＳＴ２上のウエハＷ２上の複数のマークのうちの少なくとも２つのマーク（サーチアライメントマークＷＭＳ１，ＷＭＳ２）を検出した（ステップ１０４）後に、欠けショット露光系４０Ａ〜４０ＤはウエハＷ２上のその第２領域に露光光ＩＬＡを照射する（ステップ１０６）。この場合、ステップ１０４の検出結果を用いて、その第２領域の位置を必要な精度で認識できる。
【００６６】
なお、図４（Ａ）において、例えばプリアライメントの精度が高い場合には、サーチアライメントマークＷＭＳ１，ＷＭＳ２の検出動作（ステップ１０４）を省略してもよい。この場合には、ウエハＷ２上の２つのサンプルショット（例えばＳＡ１，ＳＡ２）のウエハマーク（ファインアライメントマーク）の位置を検出することで、非デバイス領域６５ＮＤの位置を認識できる。従って、その２つのサンプルショットのウエハマークの検出後に欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによるその第２領域の露光を行うことができる。
【００６７】
（５）また、アライメントセンサ２６は、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄがその第２領域中の非デバイス領域６６Ａ，６６Ｂの照射を開始した（最初のステップ１０６）後に、ウエハＷ２上のその少なくとも２つのマークとは異なるサンプルショットＳＡ３以降のウエハマークの検出を開始している（２回目のステップ１０５）。これによって、サーチアライメントの結果を、欠けショット露光のための位置決めと、ファインアライメントのための位置決めとの両方に使用できる。
【００６８】
（６）また、第２ウエハステージＷＳＴ２のガイド面内での位置を制御するウエハステージ制御部２１Ｂをさらに備え、ウエハステージ制御部２１Ｂは、その少なくとも２つのサーチアライメントマークＷＭＳ１，ＷＭＳ２の検出情報に基づいて第２ウエハステージＷＳＴ２を移動させる。サーチアライメントマークＷＭＳ１，ＷＭＳ２の検出情報を用いることで、後のマークをアライメントセンサ２６の視野内に容易に追い込むことができる。
【００６９】
（７）また、投影光学系ＰＬはウエハのその第１領域に図４（Ｂ）のＬ＆Ｓパターンの像６２Ｘ，６２Ｙ（第１パターン）を露光し、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄはその第２領域にその第１パターンとは異なるＬ＆Ｓパターンの像６４Ｘ，６４Ｙ（第２パターン）を露光する。これによって、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄの解像度を投影光学系ＰＬの解像度より粗くできるため、例えば投影光学系ＰＬで液浸露光を行う場合に、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄではドライ露光を行うことができる。従って、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄの構成を簡易化できる。
【００７０】
（８）また、その像６４Ｘ，６４Ｙの線幅が、像６２Ｘ，６２Ｙの最小線幅の５〜２０倍である場合には、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄを簡易化できるとともに、後工程のＣＭＰプロセスを良好に行うことができる。
なお、図４（Ａ）の非デバイス領域６５ＮＤには、特定のパターンを露光することなく、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによって、単にレジスト感度を超える露光量の露光（いわゆる周辺露光）を行ってもよい。
【００７１】
（９）また、第２ウエハステージＷＳＴ２に保持されるウエハＷ２のガイド面の法線方向（Ｚ方向）に沿ったフォーカス位置（面位置情報）を検出するためのＡＦ系２９（面位置検出部）をさらに備え、ＡＦ系２９により検出された面位置情報に基づいて、第２ウエハステージＷＳＴ２に保持されるウエハＷ２と欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄとの間隔を制御している。これによって、欠けショット露光を高解像度で行うことができる。
なお、図１のように共通のＡＦ系２９を用いる代わりに、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄのそれぞれで計測点数の少ない小型のＡＦ系（オートフォーカスセンサ）を備えてもよい。この場合、このＡＦ系で計測されるウエハ上のフォーカス位置の情報を用いて、対応する欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄの合焦を正確に行うことができるとともに、予めウエハの表面のフォーカス位置の分布の情報を計測できる。
【００７２】
（１０）また、複数の欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄのうちの２つの欠けショット露光系（露光部）４０Ａ，４０Ｂ（又は４０Ｃ，４０Ｄ）の間隔を調整する駆動機構（調整部）４７Ｂ（又は４７Ｄ）をさらに備えている。
駆動機構４７ＢによってウエハＷ２のショット配列に応じて欠けショット露光系４０Ａ，４０Ｂの間隔を調整することで、図５に示すように、１対の欠けショット露光系４０Ａ，４０Ｂで同時に並行にウエハＷ２の第２領域を露光できる。従って、欠けショット露光をさらに効率的に実行できる。
【００７３】
（１１）また、図２のアライメントセンサ２６の検出位置は、複数の欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄの露光領域４６Ａ〜４６Ｄで囲まれる位置にある。これによって、アライメント及び欠けショット露光を効率的に実行できる。
（１２）また、上記の実施形態では、欠けショット露光系４０Ａ〜４０ＤからウエハＷ２上の露光領域４６Ａ〜４６Ｄ（第２領域の一部）に露光光ＩＬ２を照射している間に、欠けショット露光系４０Ａ〜４０ＤとウエハＷ２とを相対移動している。即ち、走査露光方式によって、例えばウエハＷ２上の一連の複数の欠けショットに対して連続的に所定のＬ＆Ｓパターンの像を効率的に露光できる。この場合、Ｌ＆Ｓパターンの像を露光できればよいため、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄ中のレチクル４３（図１参照）には、非走査方向に所定周期のＬ＆Ｓパターンを形成しておくだけで、レチクル４３の走査機構を設ける必要はない。
【００７４】
なお、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによって、ステップ・アンド・リピート方式でウエハＷ２上に露光してもよい。
（１３）また、投影光学系ＰＬによる露光は、投影光学系ＰＬとウエハとの間の液体Ｌｑを介して行われ、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによる露光は、ドライ露光で行われる。
【００７５】
なお、投影光学系ＰＬによる露光をドライ露光で行う場合にも本発明が適用できる。また、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄによる露光を液浸法で行うことも可能である。
（１４）また、露光光ＩＬの波長と露光光ＩＬＡの波長とがほぼ同じ波長であることが好ましい。これによって、欠けショット露光によるウエハ上のレジストを短時間で感光させることができる。
ここで、露光ビームとしての露光光ＩＬを供給する光源と、欠けショット露光のための露光光ＩＬＡを供給する光源とは、同じ光源であってもよい。
また、欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄに光源からの露光光ＩＬＡを導くために、光ガイドを用いているが、光ガイドを用いずにレンズ等からなる伝送光学系を用いて欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄに光源からの露光光ＩＬＡを導く構成であってもよい。
【００７６】
（１５）また、上記の実施形態のデバイス製造方法は、レジストが塗布されたウエハ（感光性基板）を準備する工程（ステップ１２１）と、上記の実施形態の露光装置１００を用い、投影光学系ＰＬ及び欠けショット露光系４０Ａ〜４０Ｄを介してそれぞれ所定のパターンをウエハ上に露光する工程（ステップ１０１〜１１５）と、露光されたウエハを現像し、その露光されたパターンに対応する形状のマスク層をウエハの表面に形成する工程（ステップ１２２）と、そのマスク層を介してウエハの表面を加工する工程（ステップ１２３）とを備えている。
【００７７】
この場合、露光装置１００によれば、欠けショットを含むウエハの露光を効率的に行うことができ、後工程においてＣＭＰプロセスを良好に実行できるため、デバイスを高い歩留りで高スループットに製造できる。
なお、本発明は、走査露光型の投影露光装置のみならず、一括露光型（ステッパー型）の投影露光装置を用いて露光する場合にも適用することが可能である。また、本発明は、ドライ露光型の露光装置で露光を行う場合にも適用できる。
【００７８】
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。
【００７９】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の実施形態の一例の露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１のウエハベースＷＢ上のウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２を示す平面図である。
【図３】（Ａ）は図２の空間像計測系５５Ａの構成を示す図、（Ｂ）は空間像計測系の別の例を示す図である。
【図４】（Ａ）は図１のウエハＷ２のショットマップの一例を示す平面図、（Ｂ）は図１の投影光学系ＰＬによって露光されるパターンを示す拡大図、（Ｃ）は図４（Ａ）の露光領域４６Ａによって露光されるパターンを示す拡大図、（Ｄ）は図４（Ａ）の露光領域４６Ｃによって露光されるパターンを示す拡大図である。
【図５】露光領域４６Ａ，４６ＢによってウエハＷ２の欠けショットを露光する動作の説明に供する平面図である。
【図６】露光領域４６Ｃ，４６ＤによってウエハＷ２の欠けショットを露光する動作の説明に供する平面図である。
【図７】図１の露光装置１００の露光動作の一例を示すフローチャートである。
【図８】図１の２台のウエハステージによって並行に実行される動作の一部を示すフローチャートである。
【図９】投影光学系ＰＬの下方に第２ウエハステージＷＳＴ２が移動し、アライメントセンサ２６の下方に第１ウエハステージＷＳＴ１が移動した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
Ｒ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、ＷＳＴ１…第１ウエハステージ、ＷＳＴ２…第２ウエハステージ、Ｗ１，Ｗ２…ウエハ、ＷＭ…ウエハマーク、１０…照明系、２０Ａ…第１制御系、２０Ｂ…第２制御系、２６…アライメントセンサ、２８，２９…ＡＦ系、４０Ａ〜４０Ｄ…欠けショット露光系、４６Ａ〜４６Ｄ…露光領域、４７Ｂ，４７Ｄ…駆動機構、５３Ａ，５３Ｂ…基準マーク、５５Ａ，５５Ｂ…空間像計測系、１００…露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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