(57)【要約】【課題】例えば、有機ＥＬ装置における陽極及び陰極間に生じる短絡不良を低減する。【解決手段】基板（１０）上の画像表示領域（１１０）を構成する複数の画素領域（７０ｇ）の夫々に形成された陽極（９ａ）の一部が陽極（９ａ）上に向かって突出した部分である凸部（２０１）が露出するように陽極（９ａ）上にレジスト膜（２１０）を形成する。特に、レジスト膜（２１０）の膜厚を凸部（２０１）の高さより小さくすることによって、レジスト膜（２１０）を形成しただけでレジスト膜（２１０）から凸部（２０１）が露出することなり、レジスト膜（２１０）上からエッチング処理を施すことによって、レジスト膜（２１０）から露出した凸部（２０１）がエッチングされ、凸部（２０１）を簡単に除去可能である。【選択図】図４
2009123355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々に形成された画素電極の一部が前記画素電極上に向かって突出した部分である凸部が露出するように前記画素電極上にレジスト膜を形成する第１工程と、
前記レジスト膜上から前記凸部にエッチング処理を施すことによって、前記凸部を選択的に除去する第２工程と、
前記レジスト膜を除去する第３工程と、
前記第３工程の後、前記凸部が除去された画素電極上に発光層を形成する第４工程と
を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
基板上の表示領域を構成する複数の画素領域に渡って形成された導電膜のうち前記画素領域に重なる部分の一部が前記導電膜上に向かって突出した部分である凸部が露出するように前記導電膜上にレジスト膜を形成すると共に、形成されるべき画素電極の画素電極パターンに対応したレジストパターンに前記レジスト膜をパターニングする第１工程と、
前記レジスト膜上からエッチング処理を施すことによって、前記凸部を選択的に除去すると共に前記導電膜を前記画素電極パターンにパターニングする第２工程と、
前記レジスト膜を除去する第３工程と、
前記第３工程の後、前記第２工程において形成された画素電極上に発光層を形成する第４工程と
を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト膜の膜厚は、前記凸部の高さより小さいこと
を特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記発光層は有機ＥＬ層であること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、有機ＥＬ素子等の発光素子を光源として有する発光装置を製造するための発光装置の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の発光装置の一例である有機ＥＬ装置では、基板上に電源供給用の配線及び画素電極を含む積層構造が形成され、その上に発光層である有機ＥＬ層が各画素領域に形成される。基板上の表示領域を構成する複数の画素領域は、絶縁性を有する隔壁で互いに区分けされており、例えば、画素電極のうち隔壁で区分けされた領域内に露出する部分の上に有機ＥＬ材料を塗布することによって画素毎に発光層が形成される。その後、発光層に電流を供給する一方の電極である画素電極と対をなすように、他方の電極である共通電極が発光層上において複数の画素領域に渡って共通に形成される。
【０００３】
ここで、画素電極の表面が平坦でない場合、即ち画素電極上に向かって突出した凸部が画素電極の表面に存在していた場合、画素電極上に形成された有機ＥＬ層を凸部が突き抜けることにより、或いは電界集中により、画素電極及び共通電極が短絡してしまうこととなり、点灯しない、言い換えれば正常に動作しない画素部が形成されてしまうことになる。
【０００４】
このような凸部は、例えば、隔壁を形成する際に絶縁膜をパターニングするパターニング工程、或いはレジスト膜を剥離する際に画素電極表面に付着した異物である場合が多い。特許文献１は、このような異物に起因する画素部の点灯不良を低減する技術の一例を提案している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３６２９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、画素電極の表面に生じる凸部は、画素電極の表面に付着した異物によるものだけでなく、画素電極の下地部分に異物が付着したまま画素電極が成膜されることによって画素電極の一部が画素電極上に向かって突出することによっても形成されてしまう。画素電極の下地部分から異物を除去するためにオゾン水等の機能水を用いて洗浄工程を行ったとしても、画素電極の表面から異物を完全に除去することは技術的に困難である。加えて、有機ＥＬ層等の発光層の膜厚が薄くなるほど異物に起因して生じた凸部を介して画素電極及び共通電極間が短絡する可能性は高くなり、発光装置の表示性能を低下させてしまう。より具体的には、例えば、５００Åの膜厚を有する画素電極上に４００Åの有機ＥＬ層を形成する場合、画素電極の下地部分に４００Å以上のサイズを有する微小な異物が付着していた場合には、画素電極の一部が異物のサイズだけ画素電極上に突出し、画素電極及び共通電極間を短絡させてしまう。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、有機ＥＬ層等の発光層を光源として含む発光装置の表示性能を高めることが可能な発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の発明に係る発光装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の表示領域を構成する複数の画素領域の夫々に形成された画素電極の一部が前記画素電極上に向かって突出した部分である凸部が露出するように前記画素電極上にレジスト膜を形成する第１工程と、前記レジスト膜上から前記凸部にエッチング処理を施すことによって、前記凸部を選択的に除去する第２工程と、前記レジスト膜を除去する第３工程と、前記第３工程の後、前記凸部が除去された画素電極上に発光層を形成する第４工程とを備える。
【０００９】
本発明の第１の発明に係る発光装置の製造方法によれば、画素電極は、例えば、隔壁に規定された画素領域に露出するようにＩＴＯ或いはＩＺＯ等の透明導電材料を用いて形成されている。凸部は、画素電極の下地部分に異物が付着したまま画素電極を形成することによって形成された部分である。第１工程では、凸部が露出するように、前記画素電極上にレジスト膜を形成する。
【００１０】
第２工程では、前記レジスト膜上から前記凸部にエッチング処理を施すことによって、前記凸部を選択的に除去する。ここで、「選択的に」とは、画素電極のうち凸部のみを除去することをいい、画素電極のうち凸部を除く部分はエッチングされないようにレジスト膜によって保護されるということを意味する。
【００１１】
第３工程では、例えば、レジスト膜のみを除去可能な専用の剥離液を用いてレジスト膜を除去する。
【００１２】
第４工程では、前記第３工程の後、前記凸部が除去され画素電極上に発光層を形成する。第３工程の後においては、画素電極の表面は平坦となっているため、その上に発光層を形成しても、画素電極の一部が発光層を突き抜け、発光層上に露出することない。また、凸部に起因して、電界集中が発生することもない。したがって、発光層上に共通電極を形成した際に、画素電極及び共通電極が短絡することがない。
【００１３】
よって、本発明の第１の発明に係る発光装置の製造方法によれば、発光装置の動作時に点灯しない画素部を低減することが可能であり、当該発光装置の表示性能を高めることが可能である。
【００１４】
本発明の第２の発明に係る発光装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の表示領域を構成する複数の画素領域に渡って形成された導電膜のうち前記画素領域に重なる部分の一部が前記導電膜上に向かって突出した部分である凸部が露出するように前記導電膜上にレジスト膜を形成すると共に、形成されるべき画素電極の画素電極パターンに対応したレジストパターンに前記レジスト膜をパターニングする第１工程と、前記レジスト膜上からエッチング処理を施すことによって、前記凸部を選択的に除去すると共に前記導電膜を前記画素電極パターンにパターニングする第２工程と、前記レジスト膜を除去する第３工程と、前記第３工程の後、前記第２工程において形成された画素電極上に発光層を形成する第４工程とを備える。
【００１５】
本発明の第２の発明に係る発光装置の製造方法によれば、第１工程では、導電膜は、例えば、ＩＴＯ或いはＩＺＯなどの透明導電材料で構成されており、複数の画素領域に渡って透明導電材料を成膜することによって形成されている。導電膜のうち画素領域に重なる部分の一部が導電膜上に向かって突出した部分である凸部は、例えば、導電膜の下地部分に付着した異物に起因して生じた画素電極のうち前記画素領域に重なる部分の一部を構成している。レジスト膜は、導電膜上に形成されるレジスト膜から凸部が露出するように形成される。これと並行して、レジスト膜は、形成されるべき画素電極の画素電極パターンに対応したレジストパターンにパターニングされる。
【００１６】
第２工程では、前記レジスト膜上からエッチング処理を施すことによって、前記凸部を選択的に除去する。ここで、「選択的に」とは、上述した第１の発明に係る発光装置の製造方法と同様に、導電膜のうち凸部のみをエッチングにより除去することをいう。第２工程では、凸部の除去と共に、前記導電膜が前記画素電極パターンにパターニングされる。即ち、第２工程では、凸部の除去及び導電膜のパターニングが、相互に共通のエッチング処理により行われる。したがって、凸部を除去するためのエッチング工程を別途新たに追加することなく、画素電極を形成する工程と同時に導電膜の表面を平坦にすることが可能であるため、発光装置の製造方法を煩雑化させることがない。
【００１７】
第３工程において、例えば、上述し第１の発明に係る発光装置の製造方法と同様のレジスト膜剥離方法を用いて前記レジスト膜を除去した後、第４工程を実行する。
【００１８】
第４工程では、前記第２工程において形成された画素電極上に発光層を形成する。画素電極の表面に存在した凸部は、第２工程において除去されているため、発光層上に形成される共通電極及び画素電極が短絡することを低減できる。
【００１９】
よって、本発明の第２の発明に係る発光装置の製造方法によれば、本発明の第１の発明に係る発光装置の製造方法と同様に、発光装置の動作時に点灯しない画素部を低減することが可能であり、当該発光装置の表示性能を高めることが可能である。加えて、凸部を除去するための工程が導電膜をパターニングする工程と共通の工程であるため、別途凸部を除去するための工程を追加する必要がなく、製造プロセスの煩雑化を抑制できる。
【００２０】
本発明の第１及び第２の発明の一の態様では、前記レジスト膜の膜厚は、前記凸部の高さより小さくてもよい。
【００２１】
この態様によれば、「凸部の高さ」とは、画素電極或いは導電膜の表面から凸部の頂上部までのサイズをいう。このような高さより膜厚が小さくなるようにレジスト膜を形成することによって、レジスト膜を形成しただけでレジスト膜から凸部が露出することなり、レジスト膜上からエッチング処理を施すことによってレジスト膜から露出した凸部がエッチングされ、簡単に除去可能である。
【００２２】
本発明の第１及び第２の発明の他の態様では、前記発光層は有機ＥＬ層であってもよい。
【００２３】
この態様によれば、塗布法を用いて画素電極上に形成される有機ＥＬ層を薄膜化した場合でも、確実に画素電極及び共通電極の短絡を低減することができる。有機ＥＬ層の薄膜化の要請に伴って、画素電極の下地部分に付着した微小な異物のうち上述の短絡不良に影響を与える異物のサイズが小さくなるため、異物を完全に除去することが困難な場合に、この態様に係る発光装置の製造方法は特に有効となる。
【００２４】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下図面を参照しながら、本発明の第１及び第２の発明の夫々に係る発光装置の製造方法の各実施形態を説明する。本実施形態では、本発明の第１及び第２の発明の夫々に係る発光装置の一例として有機ＥＬ装置を挙げる。
【００２６】
（第１実施形態）
先ず、図１乃至図６を参照しながら、本発明の第１の発明に係る発光装置の製造方法の一実施形態を説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の全体構成を示すブロック図である。
【００２７】
有機ＥＬ装置１は、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示装置であり、有機ＥＬ装置１が有する各画素部７０は有機ＥＬ素子７２を備えている。
【００２８】
有機ＥＬ装置１の画像表示領域１１０は、本発明の「表示領域」の典型例であり、縦横に相互に交差するデータ線１１４及び走査線１１２が設けられている。データ線１１４及び走査線１１２の交点に対応して各々設けられた複数の画素部７０はマトリクス状に配列されている。更に、画像表示領域１１０には各データ線１１４に対して配列された画素部７０に対応する電源供給線１１７が設けられている。
【００２９】
画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０が設けられている。走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給する。データ線駆動回路１５０は、画像表示領域１１０に配線されたデータ線１１４に画像信号を供給する。尚、走査線駆動回路１３０の動作とデータ線駆動回路１５０の動作とは、同期信号線１６０を介して相互に同期が図られる。電源供給線１１７には、外部回路から画素駆動用電源が供給される。図１中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２が設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８が設けられている。
【００３０】
スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。また、駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のソース電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。尚、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。
【００３１】
次に図２及び図３を参照しながら有機ＥＬ装置１の具体的な構成を説明する。図２は、有機ＥＬ装置１の画像表示領域１１０の一部を図式的に示した平面図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【００３２】
図２において、有機ＥＬ装置１は、画像表示領域１１０を構成するように図中Ｘ方向及びＹ方向に沿って配列された複数の画素領域７０ｇに臨む有機ＥＬ層５０を備えている。複数の画素領域７０ｇは、絶縁性の隔壁部４７によって互いに隔てられている。
【００３３】
図３において、有機ＥＬ装置１は、基板１０、基板１０上に形成された有機ＥＬ素子７２、駆動用トランジスタ７４、並びに隔壁部４７を備えている。尚、有機ＥＬ素子７２は、図中下側に光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であるが、トップエミッション型の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置でも本発明の発光装置は適用可能であることは言うまでもない。
【００３４】
基板１０は、例えば、ガラス基板等で構成されている。有機ＥＬ素子７２は、ボトムエミッション型の発光素子であるため、基板１０における有機ＥＬ素子７２に重ならない領域に、図１に示す駆動用トランジスタ７４及びスイッチング用トランジスタ７６が設けられている。基板１０は、基板１上に有機ＥＬ素子７２が形成されているだけでなく、図１に示す走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０の各種回路を備えている。
【００３５】
有機ＥＬ素子７２は、本発明の「発光層」の一例である有機ＥＬ層５０、本発明の「画素電極」の一例である陽極９ａ、並びに陰極４９を備えて構成されている。
【００３６】
有機ＥＬ層５０は、複数の有機ＥＬ層５０を互いに隔てる隔壁部４７に囲まれた凹部に有機ＥＬ材料を塗布することによって形成されている。より具体的には、有機ＥＬ層５０は、塗布法の一例であるインクジェット法を用いて各有機ＥＬ材料を含むインクを隔壁部４７に囲まれた凹部に塗布することによって形成されている。
【００３７】
隔壁部４７は、例えば、画素電極９ａの端に重なる保護層上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学蒸着）法、コート法、スパッタ法等の膜形成法を用いて形成される下地膜であって、ＳｉＯ、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２等の無機材料で構成された無機材料層と、アクリル樹脂、又はポリイミド樹脂等の有機材料で構成される有機材料層であって、図中上側に向かって先細りとなるテーパ形状を有するテーパ部とから構成されている。
【００３８】
陽極９ａは、基板１０上のゲート絶縁膜４１上に形成された絶縁膜４２上に形成されている。陽極９ａは、例えば、ＩＴＯ或いはＩＺＯなどの透明導電材料を用いて構成されている。
【００３９】
陰極４９は、基板１０上において複数の画素領域７０ｇに渡って形成されており、複数の有機ＥＬ素子７２によって相互に共用される共通電極である。より具体的には、陰極４９は、例えば、基板１０上で平面的に見て複数の有機ＥＬ素子７２間で物理的に接続された電極、或いは一枚の連続した電極として延在している。陰極４９は、例えばＡｇ等の反射材料で構成された電極であり、有機ＥＬ層５０から出射された光を反射させ、図中下側に投射させる。
【００４０】
駆動用トランジスタ７４は、半導体層１ａ及びゲート電極３ａ１を有している。半導体層１ａは、例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成された多結晶シリコン層或いはアモルファスシリコン層である。半導体層１ａの一部を構成するソース領域１ｓは、コンタクトホール８１を介して、図１に示す電源供給線１１７に電気的に接続されている。半導体層１ａの一部を構成するドレイン領域１ｄは、コンタクトホール８２を介して陽極９ａに電気的に接続されている。ゲート電極３ａ１は、半導体層１ａのチャネル了いい１ａ´に重なっている。駆動用トランジスタ７４は、図１に示すデータ線１１４を介してゲート電極３ａ１に供給されるデータ信号に応じてオンオフされ、駆動電流を有機ＥＬ素子７２に供給する。
【００４１】
尚、有機ＥＬ装置１では、陰極４９上に配置された封止部（不図示）によって有機ＥＬ素子７２を封止し、外気が有機ＥＬ素子７２に触れないように有機ＥＬ素子７２を外気から遮断している。
【００４２】
次に、図４乃至図６を参照しながら、上述した有機ＥＬ装置１を製造する製造方法を説明する。図４及び図５は、有機ＥＬ装置１の製造方法の主要な工程を順に示した工程断面図である。図６は、陽極の周辺部を拡大して示した拡大断面図である。
【００４３】
図４（ａ）に示すように、本発明の第１の発明における「第１工程」の一例であるレジスト膜形成工程において、基板１０上の画像表示領域１１０を構成する複数の画素領域７０ｇの夫々に形成された陽極９ａの一部が陽極９ａ上に向かって突出した部分である凸部２０１が露出するように陽極９ａ上にレジスト膜２１０を形成する。
【００４４】
図６に示すように、本実施形態では、レジスト膜２１０の膜厚Ｔ２は、凸部２０１の高さＴ１より小さい。したがって、レジスト膜２１０を形成しただけでレジスト膜２１０から凸部２０１が露出することなり、後述するように、レジスト膜２１０上からエッチング処理を施すことによって、レジスト膜２１０から露出した凸部２０１がエッチングされ、凸部２０１を簡単に除去可能である。凸部２０１は、陽極９ａの下地部分を構成する絶縁膜４２の表面に異物２００が付着したまま絶縁膜４２上に陽極９ａを形成することによって形成された部分である。
【００４５】
次に、図４（ｂ）に示すように、本発明の第１の発明における「第２工程」の一例であるエッチング工程において、レジスト膜２１０上から凸部２０１にエッチング処理を施すことによって、凸部２０１を選択的に除去する。ここで、陽極９ａのうち凸部２０１を除く部分はレジスト膜２１０によって保護されているため、凸部２０１のみがエッチングされる。
【００４６】
次に、図５（ｃ）に示すように、本発明の第１の発明における「第３工程」の一例であるレジスト膜剥離工程において、レジスト膜２１０のみを剥離可能な専用の剥離液をレジスト膜２１０の上側からレジスト膜２１０に供給し、レジスト膜２１０を剥離する。凸部２０１が除去されることによって形成された開口部に臨む異物２００は、剥離液によって除去されることはなく、且つ当該開口部から陽極９ａがエッチングされることもない。
【００４７】
次に、図５（ｄ）に示すように、隔壁部４７を形成した後、本発明の第１の発明における「第４工程」の一例である有機ＥＬ層形成工程において、凸部２０１が除去された陽極９ａ上に有機ＥＬ層５０を形成する。レジスト膜剥離工程の後においては、画素電極９ａの表面は平坦となっているため、その上に有機ＥＬ層５０を形成しても、画素電極９ａの一部が有機ＥＬ層５０を突き抜け、有機ＥＬ層５０上に露出することない。また、有機ＥＬ装置１の動作時に、凸部２０１に起因して電界集中が発生することもない。したがって、有機ＥＬ層５０上に陰極４９を形成した際に、陽極９ａ及び陰極４９が短絡することがない。加えて、有機ＥＬ装置１の動作時に凸部２０１に起因して生じる電界集中を低減できる。
【００４８】
特に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、塗布法を用いて陽極９ａ上に有機ＥＬ層５０を形成し、当該有機ＥＬ層５０を薄膜化した場合でも、確実に陽極９ａ及び陰極４９の短絡を低減することができる。有機ＥＬ層５０の薄膜化の要請に伴って、陽極９ａの下地部分に付着した微小な異物２００のうち上述の短絡不良に影響を与えうる異物のサイズは小さくなるため、異物を完全に除去することが困難な場合に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は有効となる。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法によれば、有機ＥＬ装置１の動作時に点灯しない画素部７０を低減することが可能であり、当該有機ＥＬ装置１の表示性能を高めることが可能である。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、図７及び図８を参照しながら、本発明の第２の発明に係る発光装置の製造方法の一実施形態を説明する。図７及び図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を主要な工程を順に示した工程断面図である。尚、以下では、上述した第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法と共通する部分に共通の参照符号を付し、その部分についての詳細な説明を省略する。
【００５１】
図７（ａ）に示すように、本発明の第２の発明における「第１工程」の一例であるレジスト膜形成工程において、基板１０上の画像表示領域１１０（図１参照）を構成する複数の画素領域７０ｇに渡って形成された導電膜９ａ１のうち画素領域７０ｇに重なる部分の一部が導電膜９ａ１上に向かって突出した部分である凸部２０１が露出するように導電膜９ａ１上にレジスト膜２１０ａを形成すると共に、形成されるべき陽極９ａの電極パターンに対応したレジストパターンにレジスト膜２１０ａをパターニングする。
【００５２】
次に、図７（ｂ）に示すように、本発明の第２の発明における「第２工程」の一例であるエッチング工程において、レジスト膜２１０ａ上からエッチング処理を施すことによって、凸部２０１を選択的に除去すると共に導電膜９ａ１を陽極９ａの電極パターンにパターニングする。ここで、「選択的に」とは、導電膜９ａ１のうち凸部２０１のみをエッチングにより除去することをいう。当該エッチング工程では、凸部２０１の除去と共に、導電膜９ａ１が陽極９ａの電極パターンにパターニングされる。即ち、エッチング工程では、凸部２０１の除去及び導電膜９ａ１のパターニングが、相互に共通のエッチング処理により行われる。したがって、凸部２０１を除去するためのエッチング工程を別途新たに追加することなく、陽極９ａを形成する工程と同時に導電膜９ａ１の表面を平坦にすることが可能であるため、有機ＥＬ装置１の製造方法を煩雑化させることがない。
【００５３】
次に、図８（ｃ）に示すように、本発明の第２の発明における「第３工程」の一例であるレジスト膜剥離工程において、上述の第１実施形態と同様に剥離液を用いてレジスト膜２１０ａを除去する。
【００５４】
次に、図８（ｄ）に示すように、本発明の第２の発明における「第４工程」の一例である有機ＥＬ層形成工程において、エッチング工程によって形成された陽極９ａ上に塗布法などの膜形成法を用いて有機ＥＬ層５０を形成する。当該有機ＥＬ層形成工程では、陽極９ａの表面に凸部２０１が存在していないため、続く工程において有機ＥＬ層５０上に形成される陰極４９と、陽極９ａとが短絡することを低減できる。加えて、第１実施形態と同様に、有機ＥＬ装置１の動作時に陽極９ａ及び陰極４９間に生じる電界集中も低減できる。
【００５５】
よって、本実施形態に係る有機装置の製造方法によれば、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同様に、有機ＥＬ装置１の動作時に点灯しない画素部７０を低減することが可能であり、当該有機ＥＬ装置１の表示性能を高めることが可能である。加えて、凸部２０１を除去するための工程が陽極９ａを形成する工程、より具体的には陽極９ａのパターニング工程と共通の工程であるため、別途凸部２０１を除去するための工程を追加する必要がなく、製造プロセスの煩雑化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法によって製造可能な有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法によって製造可能な有機ＥＬ装置の画像表示領域の一部を図式的に示した平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程断面図（その１）である。
【図５】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程断面図（その２）である。
【図６】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法によって製造可能な有機ＥＬ装置が備える陽極の周辺部を拡大して示した拡大断面図である。
【図７】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程断面図（その１）である。
【図８】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００５７】
１・・・有機ＥＬ装置、９ａ・・・陽極、９ａ１・・・導電膜、１０・・・基板、５０・・・有機ＥＬ層、２０１・・・凸部、２００・・・異物、２１０，２１０ａ・・・レジスト膜
【図１】
2009123355.tif 000003
【図２】
2009123355.tif 000004
【図３】
2009123355.tif 000005
【図４】
2009123355.tif 000006
【図５】
2009123355.tif 000007
【図６】
2009123355.tif 000008
【図７】
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【図８】
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