(57)【要約】【課題】  液晶表示パネルを製造するときに、走査信号線などのパターンの高精細化を容易にする。【解決手段】  絶縁基板の表面上に走査信号線、映像信号線、ＴＦＴ素子、および画素電極を形成する過程で、感光性材料膜を露光、現像する露光／現像工程を複数回行う表示装置の製造方法であって、１つの前記感光性材料膜に対する露光は、複数の段階に分けて行い、１つの前記感光性材料膜に対する前記複数の段階の露光は、連続する２つの段階の露光の間に、前記感光性材料膜のうちの前記露光する領域の位置を、露光時に使用するレイアウトデータにおける単位領域の寸法よりも短い距離だけ移動させるステップを挟み、１つの前記感光性材料膜に対するそれぞれの段階での露光は、前記単位領域の前記感光性材料膜全体の感光に要する露光量を前記段階の数で除した値と概ね一致する露光量で行う表示装置の製造方法。【選択図】        図４
2009192995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面のうちのあらかじめ定められた１つの領域に、複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、複数個のＴＦＴ素子、および複数個の画素電極を形成する過程で、前記絶縁基板の前記表面上に形成された感光性材料膜を露光した後、露光した前記感光性材料膜を現像する露光／現像工程を複数回行う表示装置の製造方法であって、
前記露光／現像工程での前記感光性材料膜の露光は、前記１つの領域を第１の方向および第２の方向に行列状に配置される多数の単位領域に分割し、前記単位領域毎に前記感光性材料膜を感光させるか否かを指定したレイアウトデータに基づいて、前記感光性材料膜のうちの、前記１つの領域に対応する１つの露光対象領域全体を露光する露光装置を用いて行い、
前記露光装置は、光源と、前記光源から前記感光性材料膜に照射される光により前記感光性材料膜を感光させるときに、前記感光性材料膜の表面から前記感光性材料膜の厚さ方向に順次感光させる光学系と、前記感光性材料膜の前記露光対象領域の位置を制御する位置制御手段とを有し、
１つの前記感光性材料膜に対する露光は、複数の段階に分けて行い、
１つの前記感光性材料膜に対する前記複数の段階の露光は、連続する２つの段階の露光の間に、前記感光性材料膜の前記露光対象領域の位置を、前記単位領域の前記第１の方向の寸法よりも短い距離だけ前記第１の方向に移動させるとともに、前記単位領域の前記第２の方向の寸法よりも短い距離だけ前記第２の方向に移動させるステップを挟み、かつ、それぞれの段階での露光を前記レイアウトデータに基づいて行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記レイアウトデータは、それぞれの前記単位領域の前記露光対象領域における位置を示す情報と、感光させるか否かを示す情報とを有し、
１つの前記感光性材料膜に対するそれぞれの段階での露光は、前記単位領域の前記感光性材料膜全体を感光させるのに要する露光量を、当該感光性材料膜に対して行う露光の段階の総数で除した値と概ね一致する露光量で行うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記レイアウトデータは、それぞれの前記単位領域の前記露光対象領域における位置を示す情報と、感光させるか否かを示す情報と、前記複数の段階のうちのどの段階で露光するかを示す情報とを有し、
１つの前記感光性材料膜に対するそれぞれの段階での露光は、前記レイアウトデータに基づいて、それぞれの感光させる前記単位領域における露光量の総和が、前記単位領域の前記感光性材料膜全体を感光させるのに要する露光量を満たすように、前記感光させる前記単位領域への露光量を制御しながら露光することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁基板の表面のうちの前記１つの領域に前記複数本の走査信号線、前記複数本の映像信号線、前記複数個のＴＦＴ素子、および前記複数個の画素電極を形成する前記過程に加え、
前記過程を経て形成された前記複数本の走査信号線の寸法、前記複数本の映像信号線の寸法、前記複数個のＴＦＴ素子の寸法、および前記複数個の画素電極の寸法のうちの１つ以上を計測するステップと、
前記計測するステップで計測した寸法に基づいて、前記レイアウトデータに補正が必要か否かを判定するステップと、
前記判定するステップにおいて補正が必要であると判定されたときに、前記レイアウトデータを補正するステップとを有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記補正するステップは、前記レイアウトデータの寸法を前記単位領域の第１の方向の寸法の整数倍だけ大きくするまたは小さくする補正と、前記レイアウトデータの寸法を前記単位領域の第２の方向の寸法の整数倍だけ大きくするまたは小さくする補正と、それぞれの前記単位領域を露光する段階の補正のうちの１つ以上を行うことを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記露光装置の前記光学系は、前記単位領域毎に前記光源からの光を前記感光性材料膜に照射するか否かを制御する制御手段を有し、
前記露光装置による前記感光性材料膜の露光は、前記感光性材料膜の前記露光対象領域に含まれるすべての前記単位領域を、前記レイアウトデータに基づいて感光させる単位領域と感光させない単位領域とに振り分け、
前記感光性材料膜上における前記光源および前記光学系の相対位置を移動させながら、前記感光させる単位領域のみに対して前記光源からの光を照射して感光させることで、前記露光対象領域全体を露光することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記１つの前記感光性材料膜に対する露光は、１つの前記露光対象領域を２以上の複数の副露光対象領域に分割して行い、
それぞれの段階での露光は、前記複数の副露光対象領域を個別に露光することで前記１つの前記露光対象領域全体を露光することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特に、液晶表示装置に用いる液晶表示パネルのＴＦＴ基板の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶テレビやＰＣ（パーソナルコンピュータ）の液晶モニタなどの液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを有する。
【０００３】
前記一対の基板のうちの一方の基板は、ガラス基板などの絶縁基板の表面上に、複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴ素子、および前記ＴＦＴ素子に接続された画素電極などが形成されており、一般に、ＴＦＴ基板と呼ばれている。また、前記一対の基板のうちの他方の基板は、ガラス基板などの絶縁基板の表面上に、ブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜やカラーフィルタなどが形成されており、一般に、対向基板と呼ばれている。
【０００４】
また、前記液晶表示パネルの表示領域は、前記ＴＦＴ素子および前記画素電極を有する画素の集合で設定されており、前記各画素は、前記画素電極、対向電極、および前記液晶材料で形成される画素容量（液晶容量と呼ぶこともある。）を有する。
【０００５】
前記液晶表示パネルが横電界駆動方式（たとえば、ＩＰＳ方式）の場合、前記対向電極は前記ＴＦＴ基板に形成されている。このとき、前記画素電極と前記対向電極は、ある１つの絶縁層の同じ面にあらかじめ定められた間隔で対向させて配置することもあるし、１層以上の絶縁層を介して積層させて配置することもある。
【０００６】
また、前記液晶表示パネルが縦電界駆動方式（たとえば、ＴＮ方式やＶＡ方式）の場合、前記対向電極は前記対向基板に形成されている。
【０００７】
前記ＴＦＴ基板の製造方法において、前記走査信号線を形成する工程、前記映像信号線（ＴＦＴ素子のソース電極およびドレイン電極を含む）を形成する工程、および前記画素電極を形成する工程は、通常、それぞれ独立した工程であり、所定の膜厚の導電膜を形成（成膜）した後、当該導電膜をエッチングして形成する。そのため、前記ＴＦＴ基板の製造方法では、通常、絶縁基板の表面のうちのあらかじめ定められた１つの領域に前記走査信号線、前記映像信号線、前記ＴＦＴ素子、および前記画素電極などを形成する過程で、エッチングレジストを形成する工程を複数回行う。すなわち、前記ＴＦＴ基板の製造方法では、前記絶縁基板の表面上に成膜された感光性材料膜を露光した後、露光した前記感光性材料膜を現像する露光／現像工程を複数回行う。
【０００８】
前記感光性材料膜の露光は、前記絶縁基板の前記１つの領域に形成する前記走査信号線や前記映像信号線、前記ＴＦＴ素子、および前記画素電極のレイアウトデータに基づいて行われる。たとえば、前記走査信号線を形成するときに行う前記感光性材料膜の露光は、前記１つの領域に形成する複数本の前記走査信号線の形成位置や寸法などを規定するレイアウトデータに基づいて行われる。
【０００９】
前記感光性材料膜の露光に使用する露光装置がフォトマスク（レクチル）を用いて露光する装置である場合、前記感光性材料膜は、前記レイアウトデータに基づいて作成したフォトマスクを用いて露光する。
【００１０】
また、前記感光性材料膜の露光に使用する露光装置が前記フォトマスクを用いないで露光する装置である場合、前記感光性材料膜は、たとえば、前記１つの領域に対応する露光対象領域を多数の微小領域（単位領域）に分割し、前記レイアウトデータに基づいて前記多数の微小領域を感光させる微小領域と感光させない微小領域とに振り分け、感光させる微小領域のみに光源からの光を照射して露光する。このような露光方式は、一般に、ダイレクト露光方式または直描露光方式と呼ばれている。
【００１１】
ところで、前記感光性材料膜を露光するときには、たとえば、使用する光源の波長や光学系の構成などにより、制御可能な光の照射領域の最小寸法が決まる。そして、従来の一般的な方法で前記感光性材料膜を露光、現像してエッチングレジストを形成するときの最小加工寸法は、制御可能な光の照射領域の最小寸法にほぼ等しい。そのため、前記レイアウトデータは、たとえば、前記制御可能な光の照射領域の最小寸法を単位領域にし、それぞれの単位領域を感光させる単位領域と感光させない単位領域とに振り分けることで、形成する物体の位置や寸法を規定する形式で作成される。このとき、前記レイアウトデータは、たとえば、前記１つの領域における単位領域の位置を指定する座標値と、感光させるか否かを示す値で構成される。
【００１２】
前記レイアウトデータに基づいて前記感光性材料膜を露光するときに使用する前記直描露光方式の露光装置の前記光学系は、前記単位領域毎に前記光源からの光を前記感光性材料膜に照射するか否かを制御する制御手段を有する。そして、当該露光装置を用いて前記感光性材料膜を露光するときには、前記感光性材料膜の前記露光対象領域に含まれるすべての前記単位領域を、前記レイアウトデータに基づいて感光させる単位領域と感光させない単位領域とに振り分け、前記感光性材料膜上における前記光源および前記光学系の相対位置を移動させながら、前記感光させる単位領域のみに対して前記光源からの光を照射して感光させることで、前記露光対象領域全体を露光する。
【００１３】
また、前記直描露光方式の露光装置を用いて前記感光性材料膜を露光するときには、たとえば、独立した制御が可能な前記光源および前記光学系の組を複数組設け、前記感光性材料膜の複数箇所を前記光源および前記光学系の組で並行して露光することもある。このようにすると、前記露光対象領域全体の露光に要する時間が短くなり、ＴＦＴ基板の生産性の低下や、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００１４】
またこのとき、たとえば、前記単位領域を非常に小さくした前記レイアウトデータを作成し、前記単位領域の大きさに応じた前記光源および前記光学系の組を有する露光装置を用いれば、高精細な加工ができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、前記露光装置は、前記レイアウトデータにおける単位領域の寸法を小さくすると、たとえば、単位領域毎に光を照射するか否かの制御をすることが難しくなるという問題がある。
【００１６】
また、従来の前記露光／現像工程によるエッチングレジストの形成方法では、前記レイアウトデータにおける単位領域の寸法を小さくしすぎると、逆に、エッチングレジストの加工精度が悪くなり、前記絶縁基板上に形成する走査信号線、映像信号線、ＴＦＴ素子、および画素電極などの加工精度が悪くなることがある。そのため、従来のＴＦＴ基板の製造方法では、前記絶縁基板上に形成する走査信号線、映像信号線、ＴＦＴ素子、および画素電極などの寸法の高精細化に制約があった。
【００１７】
また、従来の前記レイアウトデータは、たとえば、前記単位領域毎に感光させるか否かの指定をすることで形成するパターンを表現している。そのため、前記レイアウトデータを補正するときには、補正対象となるパターンを前記単位領域の寸法の整数倍だけ大きくする補正、または小さくする補正しかできない。このとき、前記レイアウトデータの補正による寸法の差（ずれ）は、最小でも前記単位領域の寸法と同じ値になる。したがって、走査信号線や映像信号線に関する前記レイアウトデータの補正をした場合、たとえば、補正した前記寸法に差（ずれ）が生じる部分において電気的な特性（たとえば、配線抵抗）に大きな変化が生じ、画質むらの原因になることがある。また、ＴＦＴ素子に関する前記レイアウトデータの補正をした場合、たとえば、補正した前記寸法に差（ずれ）が生じる部分において電気的な特性（たとえば、書き込み電流値）に大きな変化が生じ、画質むらの原因になることがある。
【００１８】
本発明の目的は、たとえば、液晶表示パネルを製造するときに、ＴＦＴ基板に形成する走査信号線などのパターンの高精細化を容易にすることが可能な技術を提供することにある。
【００１９】
本発明の他の目的は、たとえば、液晶表示パネルを製造するときに用いるレイアウトデータを補正したときに、補正後のレイアウトデータを用いて製造される液晶表示パネルの画質むらを抑制することが可能な技術を提供することにある。
【００２０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００２２】
（１）絶縁基板の表面のうちのあらかじめ定められた１つの領域に、複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、複数個のＴＦＴ素子、および複数個の画素電極を形成する過程で、前記絶縁基板の前記表面上に形成された感光性材料膜を露光した後、露光した前記感光性材料膜を現像する露光／現像工程を複数回行う表示装置の製造方法であって、前記露光／現像工程での前記感光性材料膜の露光は、前記１つの領域を第１の方向および第２の方向に行列状に配置される多数の単位領域に分割し、前記単位領域毎に前記感光性材料膜を感光させるか否かを指定したレイアウトデータに基づいて、前記感光性材料膜のうちの、前記１つの領域に対応する１つの露光対象領域全体を露光する露光装置を用いて行い、前記露光装置は、光源と、前記光源から前記感光性材料膜に照射される光により前記感光性材料膜を感光させるときに、前記感光性材料膜の表面から前記感光性材料膜の厚さ方向に順次感光させる光学系と、前記感光性材料膜の前記露光対象領域の位置を制御する位置制御手段とを有し、１つの前記感光性材料膜に対する露光は、複数の段階に分けて行い、１つの前記感光性材料膜に対する前記複数の段階の露光は、連続する２つの段階の露光の間に、前記感光性材料膜の前記露光対象領域の位置を、前記単位領域の前記第１の方向の寸法よりも短い距離だけ前記第１の方向に移動させるとともに、前記単位領域の前記第２の方向の寸法よりも短い距離だけ前記第２の方向に移動させるステップを挟み、かつ、それぞれの段階での露光を前記レイアウトデータに基づいて行う表示装置の製造方法。
【００２３】
（２）前記（１）の表示装置の製造方法において、前記レイアウトデータは、それぞれの前記単位領域の前記露光対象領域における位置を示す情報と、感光させるか否かを示す情報とを有し、１つの前記感光性材料膜に対するそれぞれの段階での露光は、前記単位領域の前記感光性材料膜全体を感光させるのに要する露光量を、当該感光性材料膜に対して行う露光の段階の総数で除した値と概ね一致する露光量で行う表示装置の製造方法。
【００２４】
（３）前記（１）の表示装置の製造方法において、前記レイアウトデータは、それぞれの前記単位領域の前記露光対象領域における位置を示す情報と、感光させるか否かを示す情報と、前記複数の段階のうちのどの段階で露光するかを示す情報とを有し、１つの前記感光性材料膜に対するそれぞれの段階での露光は、前記レイアウトデータに基づいて、それぞれの感光させる前記単位領域における露光量の総和が、前記単位領域の前記感光性材料膜全体を感光させるのに要する露光量を満たすように、前記感光させる前記単位領域への露光量を制御しながら露光する表示装置の製造方法。
【００２５】
（４）前記（１）乃至（３）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記絶縁基板の表面のうちの前記１つの領域に前記複数本の走査信号線、前記複数本の映像信号線、前記複数個のＴＦＴ素子、および前記複数個の画素電極を形成する前記過程に加え、前記過程を経て形成された前記複数本の走査信号線の寸法、前記複数本の映像信号線の寸法、前記複数個のＴＦＴ素子の寸法、および前記複数個の画素電極の寸法のうちの１つ以上を計測するステップと、前記計測するステップで計測した寸法に基づいて、前記レイアウトデータに補正が必要か否かを判定するステップと、前記判定するステップにおいて補正が必要であると判定されたときに、前記レイアウトデータを補正するステップとを有する表示装置の製造方法。
【００２６】
（５）前記（４）の表示装置の製造方法において、前記補正するステップは、前記レイアウトデータの寸法を前記単位領域の第１の方向の寸法の整数倍だけ大きくするまたは小さくする補正と、前記レイアウトデータの寸法を前記単位領域の第２の方向の寸法の整数倍だけ大きくするまたは小さくする補正と、それぞれの前記単位領域を露光する段階の補正のうちの１つ以上を行う表示装置の製造方法。
【００２７】
（６）前記（１）乃至（５）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記露光装置の前記光学系は、前記単位領域毎に前記光源からの光を前記感光性材料膜に照射するか否かを制御する制御手段を有し、前記露光装置による前記感光性材料膜の露光は、前記感光性材料膜の前記露光対象領域に含まれるすべての前記単位領域を、前記レイアウトデータに基づいて感光させる単位領域と感光させない単位領域とに振り分け、前記感光性材料膜上における前記光源および前記光学系の相対位置を移動させながら、前記感光させる単位領域のみに対して前記光源からの光を照射して感光させることで、前記露光対象領域全体を露光する表示装置の製造方法。
【００２８】
（７）前記（１）乃至（６）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記１つの前記感光性材料膜に対する露光は、１つの前記露光対象領域を２以上の複数の副露光対象領域に分割して行い、それぞれの段階での露光は、前記複数の副露光対象領域を個別に露光することで前記１つの前記露光対象領域全体を露光する表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の表示装置の製造方法によれば、たとえば、液晶表示パネルを製造するときに、ＴＦＴ基板に形成する走査信号線などのパターンの高精細化を容易にすることができる。
【００３０】
また、本発明の表示装置の製造方法によれば、たとえば、液晶表示パネルを製造するときに用いるレイアウトデータを補正したときに、補正後のレイアウトデータを用いて製造される液晶表示パネルの画質むらを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３２】
図１（ａ）乃至図１（ｃ）は、本発明に関わる液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式図である。
図１（ａ）は、液晶表示パネルの平面構成の一例を示す模式平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。図１（ｃ）は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板における走査信号線と映像信号線の配置方法の一例を示す模式平面図である。
なお、図１（ｃ）に示したｘ方向およびｙ方向は、それぞれ、図１（ａ）に示したｘ方向およびｙ方向と同じ方向である。
【００３３】
本発明は、たとえば、液晶テレビやＰＣに接続する液晶モニタなどの液晶表示装置に用いる液晶表示パネルのＴＦＴ基板の製造方法に適用することができる。前記液晶表示パネルは、たとえば、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１、対向基板２、液晶材料３、シール材４、下偏光板５、および上偏光板６を有する。また、液晶表示パネルの表示領域ＤＡは、複数の画素の集合で設定される領域である。
【００３４】
ＴＦＴ基板１は、たとえば、図１（ｃ）に示すように、複数本の走査信号線１０１と、複数本の映像信号線１０２と、図示しない複数個のＴＦＴ素子および画素電極などを有する基板である。このとき、走査信号線１０１、映像信号線１０２、前記ＴＦＴ素子、および前記画素電極などは、ガラス基板などの絶縁基板の表面上に形成されている。またこのとき、各映像信号線１０２は、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線１０１と立体交差している。
【００３５】
また、ＴＦＴ基板１において１つの画素が占有する領域は、たとえば、２本の隣接する走査信号線１０１と２本の隣接する映像信号線１０２とで囲まれた領域に相当する。
【００３６】
図２（ａ）乃至図２（ｃ）は、ＴＦＴ基板１における１つの画素の概略構成の一例を示す模式図である。
図２（ａ）は、ＴＦＴ基板１において１つの画素が占有する領域およびその周辺の平面構成の一例を示す模式平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ’線におけるＴＦＴ基板１の断面構成の一例を示す模式断面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ’線におけるＴＦＴ基板１の断面構成の一例を示す模式断面図である。
なお、図２（ａ）に示したｘ方向およびｙ方向は、図１（ａ）に示したｘ方向およびｙ方向と同じ方向である。
【００３７】
本発明は、基本的に、ＴＦＴ基板１がどのような構成であっても適用可能であるが、本明細書の以下の説明では、ＴＦＴ基板１における１つの画素が、たとえば、図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示したような構成の場合を例に挙げる。図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示した構成は、横電界駆動方式の透過型液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板１における１つの画素の一構成例である。
【００３８】
このとき、ＴＦＴ基板１は、たとえば、ガラス基板などの絶縁基板１００の表面上に、走査信号線１０１、保持容量線１０３、第１の絶縁層１０４、ＴＦＴ素子の半導体層１０５、映像信号線１０２（ＴＦＴ素子のドレイン電極を含む）、ＴＦＴ素子のソース電極１０６、第２の絶縁層１０７、画素電極１０８、対向電極１０９、および配向膜１１０が形成されている。
【００３９】
このような構成のＴＦＴ基板１を製造するときには、たとえば、まず、絶縁基板１００の表面全体にアルミニウム膜などの導電膜を成膜し、当該導電膜をエッチングして、走査信号線１０１および保持容量線１０３を形成する。
【００４０】
次に、走査信号線１０１および保持容量線１０３が形成された絶縁基板１００の表面全体に、たとえば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を成膜して第１の絶縁層１０４を形成する。なお、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示した断面構成では、第１の絶縁層１０４の表面（半導体層１０５、映像信号線１０２などを形成する面）が平坦になっているが、これに限らず、第１の絶縁層１０４の表面に段差（凹凸）があってもよい。
【００４１】
次に、第１の絶縁層１０４の表面に、ＴＦＴ素子の半導体層１０５、ＴＦＴ素子のドレイン電極を含む映像信号線１０２、およびＴＦＴ素子のソース電極１０６を形成する。半導体層１０５、ドレイン電極を含む映像信号線１０２、およびソース電極１０６を形成するときには、たとえば、まず、半導体層１０５の能動層の形成に用いる第１の半導体膜と、ソース領域およびドレイン領域の形成に用いる第２の半導体膜とを形成し、エッチングして複数の島状半導体層を形成する。次に、第１の絶縁層１０４の表面全体にアルミニウム膜などの導電膜を成膜し、当該導電膜をエッチングして、ドレイン電極を含む映像信号線１０２およびソース電極１０６を形成する。このとき、ソース電極１０６および映像信号線１０２のドレイン電極部分は、それぞれ、その一部分が前記島状半導体層に乗り上げるように形成する。次に、ドレイン電極およびソース電極１０６をマスクにして第２の半導体層をエッチングし、それぞれの前記島状半導体層の第２の半導体層をソース領域とドレイン領域に分離する。
【００４２】
次に、半導体層１０５、映像信号線１０２、およびソース電極１０６が形成された第１の絶縁層１０４の表面全体に、たとえば、シリコン窒化膜などの絶縁膜を成膜して第２の絶縁層１０７を形成した後、スルーホールＴＨ１，ＴＨ２を形成する。なお、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示した断面構成では、第２の絶縁層１０７の表面（画素電極１０８、対向電極１０９などを形成する面）が平坦になっているが、これに限らず、第２の絶縁層１０７の表面に段差（凹凸）があってもよい。また、第２の絶縁層１０７は、ある１種類の絶縁膜で形成してもよいし、２種類以上の絶縁膜を積層して形成してもよい。
【００４３】
次に、第２の絶縁層１０７の表面全体およびスルーホールＴＨ１，ＴＨ２に、たとえば、ＩＴＯなどの透明な導電膜を成膜し、当該導電膜をエッチングして画素電極１０８および対向電極１０９を形成する。このとき、画素電極１０８はスルーホールＴＨ１によりソース電極１０６と電気的に接続され、対向電極１０９はスルーホールＴＨ２により保持容量線１０３と電気的に接続される。
【００４４】
そして最後に、画素電極１０８および対向電極１０９が形成された第２の絶縁層１０７の表面に配向膜１１０を形成する。
【００４５】
このように、従来のＴＦＴ基板１の製造方法では、絶縁基板１００の表面に走査信号線１０１、映像信号線１０２、ＴＦＴ素子、および画素電極１０８などを形成する過程で、導電膜や半導体膜をエッチングする工程を複数回行う。すなわち、従来の前記ＴＦＴ基板１の製造方法では、前記絶縁基板１００の表面上に成膜された感光性材料膜を露光した後、露光した前記感光性材料膜を現像してエッチングレジストを形成する露光／現像工程を複数回行う。
【００４６】
このとき、前記感光性材料膜の露光は、あらかじめ用意されたレイアウトデータに基づいて行われる。
【００４７】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、レイアウトデータの概略構成の一例と従来の露光方法における問題点の一例を示す模式平面図である。
図３（ａ）は、図２（ａ）に示した領域Ｒ１部分のレイアウトデータの一例を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図２（ａ）に示した領域Ｒ１部分のレイアウトデータの補正方法の一例を示す模式平面図である。
【００４８】
従来のＴＦＴ基板１の製造方法における前記感光性材料膜の露光方法は、フォトマスクを使用して露光する方法と、前記フォトマスクを使用せずに露光する方法（ダイレクト露光方式または直描露光方式と呼ばれる方法）とに大別される。前記直描露光方式と呼ばれる露光方法は、前記感光性材料膜の露光対象領域を多数の微小領域に分割し、レイアウトデータに基づいて前記多数の微小領域を感光させる微小領域と感光させない微小領域とに振り分け、前記感光させる微小領域のみに光源からの光を照射して感光させることで、前記露光対象領域全体を露光する露光方法である。
【００４９】
また、前記感光性材料膜を露光するときには、たとえば、使用する光源の波長や光学系の構成などにより、制御可能な光の照射領域の最小寸法が決まる。そのため、従来の一般的な方法で前記感光性材料膜を露光、現像してエッチングレジストを形成するときの最小加工寸法は、前記制御可能な光の照射領域の最小寸法にほぼ等しい。したがって、前記レイアウトデータは、たとえば、図３（ａ）に示すように、前記制御可能な光の照射領域の最小寸法を単位領域ＵＡにし、それぞれの単位領域ＵＡを感光させる単位領域と感光させない単位領域とに振り分けることで、形成する物体（たとえば、画素電極１０８および対向電極１０９）の位置や寸法を規定する形式で作成される。このとき、前記レイアウトデータは、たとえば、前記１つの領域における単位領域ＵＡの位置を示す座標値と、感光させるか否かを示す値とで構成される。
【００５０】
なお、図３（ａ）は、図２（ａ）に示した領域Ｒ１における映像信号線１０２のレイアウトデータの一例と、画素電極１０８および対向電極１０９のレイアウトデータの一例とを示しており、１つのマス目が１つの単位領域ＵＡを表している。１つの単位領域ＵＡは、通常、正方形であり、横方向（ｘ方向）および縦方向（ｙ方向）の寸法ｄは、たとえば、０．２５μｍから０．５μｍ程度の値である。
【００５１】
また、図３（ａ）に示したレイアウトデータの例では、映像信号線１０２の幅（ｘ方向の寸法）ＤＬＷは、単位領域ＵＡの寸法ｄの６倍の値に設定されている。また、画素電極１０８の幅（ｘ方向の寸法）ＰＸＷは、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの３倍の値に設定されている。また、対向電極１０９のうちの、映像信号線１０２と重畳する位置に形成される部分の幅（ｘ方向の寸法）ＣＴＷ１は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの８倍の値に設定され、映像信号線１０２と重畳しない位置に形成される部分の幅（ｘ方向の寸法）ＣＴＷ２は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの３倍の値に設定されている。またさらに、画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧは、それぞれ、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの８倍の値に設定されている。
【００５２】
フォトマスクを使用して前記感光性材料膜を露光する場合は、たとえば、前記感光性材料膜に照射される光のパターンが、前記レイアウトデータと一致するパターンになるように作成されたフォトマスクを使用する。そのため、前記フォトマスクを使用して前記感光性材料膜を露光すれば、前記感光性材料膜に、前記レイアウトデータを反映した潜像、すなわち感光した領域と感光していない領域からなるパターンが形成される。したがって、露光した前記感光性材料膜を現像して得られるエッチングレジストを用いて導電膜をエッチングすれば、前記レイアウトデータを反映した導体パターン（たとえば、画素電極１０８および対向電極１０９）が形成される。
【００５３】
また、前記直描露光方式で前記感光性材料膜を露光するときには、たとえば、前記感光性材料膜の露光対象領域上で光源および光学系を走査させながら、前記レイアウトデータに基づいて、前記露光対象領域のうちの感光させる単位領域ＵＡのみに順次光を照射し感光させる。そのため、前記光源および前記光学系が露光対象領域全体を走査すると、前記感光性材料膜に、前記レイアウトデータを反映した潜像が形成される。したがって、たとえば、露光した前記感光性材料膜を現像して得られるエッチングレジストを用いて導電膜をエッチングすれば、前記レイアウトデータを反映した導体パターン（たとえば、画素電極１０８および対向電極１０９）が形成される。
【００５４】
ところで、前記レイアウトデータにおける最小寸法（最小変化量）は、単位領域ＵＡの寸法ｄである。そのため、従来のＴＦＴ基板１の製造方法において、たとえば、画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧの寸法を、図３（ａ）に示したレイアウトデータにおける寸法よりも狭くしたい場合は、たとえば、図３（ｂ）に示すように、少なくとも、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄだけ狭くしなければならない。
【００５５】
また、従来のＴＦＴ基板１の製造方法では、ＴＦＴ基板１の各画素における画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧ、保持容量の面積、ＴＦＴ素子のチャネル長およびチャネル幅などの寸法は、すべて単位領域ＵＡの寸法ｄの整数倍とほぼ同じ値になる。
【００５６】
したがって、従来のＴＦＴ基板１の製造方法では、前記レイアウトデータにおける前記最小寸法の制約により、たとえば、液晶表示パネルを高精細化させるときに、各画素におけるＴＦＴ素子の特性などを最適な値に近づけることが難しい、画素の開口率が低下するといった問題が生じやすい。
【００５７】
またさらに、従来のＴＦＴ基板１の製造方法では、たとえば、あらかじめ用意されたレイアウトデータに基づいて製造されたＴＦＴ基板１における走査信号線１０１などの寸法を測定した後、その測定結果に基づいて前記レイアウトデータの補正をすることもある。しかしながら、従来のＴＦＴ基板１の製造方法では、前記レイアウトデータの補正をする場合の補正量が単位領域ＵＡの寸法ｄの整数倍に制約される。そのため、従来のＴＦＴ基板１の製造方法では、前記レイアウトデータの補正をしたときに、たとえば、補正後の寸法を最適な値に近づけることが難しい、補正量が異なる２つの画素（領域）の境界部分に画質むらが発生するといった問題が生じやすい。
【００５８】
また、上記のような問題は、たとえば、単位領域ＵＡの寸法ｄを小さくして、前記レイアウトデータにおける最小寸法を小さくすることで対応できる。しかしながら、単位領域ＵＡの寸法ｄを変える場合、変更後の単位領域ＵＡの寸法に合わせて、前記感光性材料膜を露光するときに使用する光源の波長や光学系の構成を変える必要がある。また、単位領域ＵＡの寸法ｄを小さくしすぎると、単位領域ＵＡ毎の光の照射／非照射の制御、たとえば、ある１つの単位領域を感光させ、その隣の単位領域は感光させない場合に、前記ある１つの単位領域のみを感光させることが難しく、感光させない前記隣の単位領域まで感光してしまうことがある。そのため、単位領域ＵＡの寸法ｄを小さくすると、たとえば、露光した感光性材料膜を現像して得られるエッチングレジストの加工精度や、前記エッチングレジストを用いたエッチングで形成される導体パターン（たとえば、画素電極１０８および対向電極１０９）の加工精度が低下するという別の問題が発生する可能性もある。
【００５９】
本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、以下に説明するような方法でＴＦＴ基板１を製造することにより、走査信号線１０１などのパターンの高精細化を容易にしたり、レイアウトデータを補正したときに、補正後のレイアウトデータを用いて製造されるＴＦＴ基板１を有する液晶表示パネルの画質むらを抑制したりする。
【実施例１】
【００６０】
図４は、本発明による実施例１のＴＦＴ基板の製造方法における１つの感光性材料膜の露光／現像工程の手順の一例を示す模式フロー図である。
【００６１】
実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法では、１つの感光性材料膜に対する露光／現像工程を、たとえば、図４に示したような手順で行う。
【００６２】
まず、絶縁基板１００の表面上に成膜された導電膜または半導体膜の上に感光性材料膜（感光性レジスト）を形成する（ステップ７０１）。ステップ７０１は、たとえば、ポジ型のフォトレジストを塗布して形成する。
【００６３】
次に、あらかじめ用意された１つのレイアウトデータに基づき、感光性材料膜の厚さ方向に対する露光量０．５で、前記感光性材料膜を露光する（ステップ７０２）。ステップ７０２で感光性材料膜を露光するときには、もっとも浅い部分、すなわち絶縁基板１００からもっとも遠い表面部分から厚さ方向に感光が進むように露光する。また、ステップ７０２における露光での露光量０．５というのは、感光性材料膜全体を感光させるのに要する露光量の半分の露光量で前記感光性材料膜を露光することを意味する。すなわち、ステップ７０２では、感光させる単位領域の感光性材料膜を、膜厚の半分程度の深さまで感光させる。
【００６４】
次に、絶縁基板１００（感光性材料膜）上における露光対象領域の位置を、たとえば、ｘ方向にｄ／２、ｙ方向にｄ／２だけずらす（ステップ７０３）。すなわち、ステップ７０３では、感光性材料膜上における露光対象領域（レイアウトデータ）の基準位置を、ステップ７０２の露光時における位置から、ｘ方向に単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの半分の値、ｙ方向に単位領域ＵＡのｙ方向の寸法ｄの半分の値だけずらす。
【００６５】
このとき、使用している露光装置がフォトマスクを用いる露光装置であれば、たとえば、感光性材料膜が形成された絶縁基板１００と前記フォトマスクとの位置関係を、ｘ方向にｄ／２、ｙ方向にｄ／２だけずらす。また、使用している露光装置が直描露光方式の露光装置であれば、たとえば、露光開始位置および露光終了位置を、ｘ方向にｄ／２、ｙ方向にｄ／２だけずらす。
【００６６】
次に、ステップ７０２で使用したものと同じレイアウトデータに基づき、感光性材料膜の厚さ方向に対する露光量０．５で、感光性材料膜を露光する（ステップ７０４）。ステップ７０４も、たとえば、感光性材料膜を露光するときに、もっとも浅い部分、すなわち絶縁基板１００からもっとも遠い表面部分から厚さ方向に感光が進むように露光する。また、ステップ７０４における露光での露光量０．５というのも、感光性材料膜全体を感光させるのに要する露光量の半分の露光量で前記感光性材料膜を露光することを意味する。したがって、ステップ７０２においてすでに感光性材料膜の膜厚の半分程度の深さまで感光している部分は、感光性材料膜全体が感光し、ステップ７０２で感光していない部分は、膜厚の半分程度の深さまで感光する。
【００６７】
次に、ステップ７０２およびステップ７０４で露光した感光性材料膜を現像する（ステップ７０５）。感光性材料膜がポジ型の場合、ステップ７０５では、感光した部分のみが除去される。そのため、ステップ７０５の現像をした後の感光性材料膜は、形成時の膜厚で残っている部分の外周に、形成時の膜厚の半分の厚さで残っている部分が存在する。
【００６８】
ステップ７０４における露光は、別の言い方をすると、ステップ７０２で露光を行うときに使用したレイアウトデータにおけるすべての単位領域の位置を示す座標値をｘ方向にｄ／２、ｙ方向にｄ／２だけずらしたレイアウトデータに基づいて行っていると言える。また、ステップ７０２およびステップ７０４の露光で使用するレイアウトデータにおける走査信号線１０１の寸法、映像信号線１０２の寸法、画素電極１０８および対向電極１０９の寸法などは、前述のように、単位領域ＵＡの寸法ｄの整数倍の値になっている。そのため、ステップ７０５で現像した後に得られるエッチングレジストの寸法は、単位領域ＵＡの寸法ｄの整数倍の値に、単位領域ＵＡの寸法ｄの半分の値を加えた値（すなわち寸法ｄの半整数倍の値）になる。
【００６９】
したがって、図４に示した手順で形成されたエッチングレジストをマスクにして導体膜をエッチングする場合、エッチング後に得られる導体パターンの寸法を単位領域ＵＡの寸法ｄの半整数倍の値で制御することができる。
【００７０】
また、ステップ７０３において露光対象領域をずらすときには、たとえば、露光装置に絶縁基板１００を設置するステージの移動手段、言い換えると、絶縁基板１００（感光性材料膜）上における露光対象領域と光の照射範囲との位置合わせに使用する位置制御手段を利用することができる。そのため、実施例１の露光／現像工程を適用することで、ＴＦＴ基板１に形成する走査信号線１０１などのパターンの高精細化を容易にすることができる。
【００７１】
以下に、実施例１の露光／現像工程の手順について、図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示した構成の画素を有するＴＦＴ基板１の画素電極１０８および対向電極１０９を形成するときに行う露光／現像工程に適用した場合を例に挙げ、具体的に説明する。
【００７２】
図５（ａ）および図５（ｂ）、図６、図７（ａ）乃至図７（ｃ）、図８、および図９は、実施例１の露光／現像工程の一具体例を説明するための模式図である。
図５（ａ）は、実施例１の露光／現像工程における第１段階の露光時の絶縁基板とレイアウトデータとの位置関係の一例を示す模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＤ−Ｄ’線における第１段階の露光が終了した時点での模式断面図である。
図６は、絶縁基板とレイアウトデータとの位置関係のずらし方の一例を示す模式平面図である。
図７（ａ）は、実施例１の露光／現像工程における第２段階の露光時の絶縁基板とレイアウトデータとの位置関係の一例を示す模式平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における第２段階の露光が終了した時点での模式断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における現像が終了した時点での模式断面図である。
図８は、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法で形成される画素電極および対向電極の寸法とレイアウトデータの単位領域との関係の一例を示す模式平面図である。
図９は、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法で形成されるＴＦＴ素子の平面形状とレイアウトデータの単位領域との関係の一例を示す模式平面図である。
なお、図５（ａ）および図７（ａ）は、図２（ａ）に示した領域Ｒ１部分の絶縁基板とレイアウトデータとの位置関係の一例を示している。また、図５（ａ）、図６、図７（ａ）、図８、および図９に示したｘ方向およびｙ方向は、それぞれ、図１（ａ）に示したｘ方向およびｙ方向と同じ方向である。
【００７３】
図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示した構成の画素を有するＴＦＴ基板１の製造方法において、画素電極１０８および対向電極１０９を形成するときには、まず、第２の絶縁層１０７の表面全体に、ＩＴＯ膜などの透明な導電膜を成膜する。そして、前記透明な導電膜の上に、たとえば、ポジ型の感光性材料膜（フォトレジスト）を形成する（ステップ７０１）。
【００７４】
次に、あらかじめ用意されたレイアウトデータに基づいて、第１段階の露光を行う（ステップ７０２）。前記第１段階の露光は、たとえば、絶縁基板１００の表面における領域Ｒ１と、レイアウトデータの単位領域ＵＡとの位置関係が、図５（ａ）に示したような位置関係になっている状態で行う。なお、図５（ａ）では、１つのマス目が１つの単位領域ＵＡを示している。また、図５（ａ）において、網掛けが入っているマス目は感光させる単位領域を示しており、無地のマス目は感光させない単位領域を示している。
【００７５】
また、図５（ａ）に示したレイアウトデータには、無地のマス目の集合で構成されるブロックが３つあり、左側のブロックから、それぞれ、映像信号線１０２と重畳する対向電極１０９を形成するブロック、画素電極１０８を形成するブロック、画素の中央部分に延在する対向電極１０９を形成するブロックに相当する。このとき、それぞれのブロックの幅（ｘ方向の寸法）は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの整数倍の値であり、映像信号線１０２と重畳する対向電極１０９の幅ＣＴＷ１は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの８倍の値に設定されている。また、画素電極１０８の幅ＰＸＷおよび画素の中央部分に延在する対向電極１０９の幅ＣＴＷ２は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの３倍の値に設定されている。また、画素電極１０８と対向電極１０９との間隙ＣＴＧは、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの８倍の値に設定されている。
【００７６】
また、第１段階の露光において、前記感光性材料膜は、たとえば、図５（ｂ）に示すように、前記透明な導電膜８の上に形成された感光性材料膜９の表面（絶縁基板１００からもっとも遠い位置）から、感光性材料膜９の膜厚の半分の深さまで感光させる。すなわち、第１段階の露光では、感光性材料膜９のうちの、レイアウトデータにおいて網掛けが入っている単位領域ＵＡと重なる部分に、図５（ｂ）に示したように、感光性材料膜９の膜厚の約半分の深さであり、かつ、平面寸法が単位領域ＵＡの寸法ｄの整数倍である感光領域９ａが形成される。感光性材料膜９の膜厚の半分の深さまで感光させるには、たとえば、前記感光性材料膜９の全体を感光させるときに要する露光量の半分の露光量で露光すればよい。
【００７７】
次に、たとえば、図６に示すように、絶縁基板１００（感光性材料膜９）の表面における露光対象領域を、第１の露光対象領域ＥＡ１から第２の露光対象領域ＥＡ２にずらす（ステップ７０３）。このとき、第２の露光対象領域ＥＡ２は、たとえば、第１の露光対象領域ＥＡ１における各単位領域をｘ方向にｄ／２、ｙ方向にｄ／２だけずらした領域であり、大きさはそのままである。なお、図６において、絶縁基板１００の下側に拡大して示している矩形領域の実線は、移動後の第２の露光対象領域ＥＡ２における単位領域の境界を表しており、波線は移動前の第１の露光対象領域ＥＡ１における単位領域の境界を表している。
【００７８】
フォトマスクを使用して感光性材料膜９を露光している場合、ステップ７０３では、フォトマスクと絶縁基板１００（感光性材料膜９）との位置関係を、ｘ方向にｄ／２、ｙ方向にｄ／２だけずらす。また、直描露光方式で感光性材料膜９を露光している場合、ステップ７０３では、絶縁基板１００（感光性材料膜９）の表面における露光開始位置および露光終了位置の座標をｘ方向にｄ／２、ｙ方向にｄ／２だけずらす。
【００７９】
次に、第１段階の露光のときと同じレイアウトデータに基づいて、第２段階の露光を行う（ステップ７０４）。前記第２段階の露光は、たとえば、絶縁基板１００の表面における領域Ｒ１と、レイアウトデータの単位領域ＵＡとの位置関係が、図７（ａ）に示したような位置関係になっている状態で行われる。なお、図７（ａ）でも、１つのマス目が１つの単位領域ＵＡを示しているが、角部のマス目は単位領域ＵＡの１／４の領域、その他の外周のマス目は単位領域ＵＡの１／２の領域を示している。また、図７（ａ）において、網掛けが入っているマス目は感光させる単位領域を示しており、無地のマス目は感光させない単位領域を示している。
【００８０】
また、図７（ａ）に示したレイアウトデータにおいて、無地のマス目の集合で構成される３つのブロックは、左側のブロックから、それぞれ、映像信号線１０２と重畳する対向電極１０９を形成するブロック、画素電極１０８を形成するブロック、画素の中央部分に延在する対向電極１０９を形成するブロックに相当する。また、図７（ａ）に示したレイアウトデータは、図５（ａ）に示したレイアウトデータと同じデータである。そのため、それぞれのブロックの幅（ｘ方向の寸法）は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの整数倍の値であり、映像信号線１０２と重畳する対向電極１０９の幅ＣＴＷ１は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの８倍の値に設定されている。また、画素電極１０８の幅ＰＸＷおよび画素の中央部分に延在する対向電極１０９の幅ＣＴＷ２は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの３倍の値に設定されている。また、画素電極１０８と対向電極１０９との間隙ＣＴＧは、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの８倍の値に設定されている。
【００８１】
また、第２段階の露光においても、前記感光性材料膜は、たとえば、図７（ｂ）に示すように、前記透明な導電膜８の上に形成された感光性材料膜９の表面（絶縁基板１００からもっとも遠い位置）から、感光性材料膜９の膜厚の半分の深さまで感光させる。このとき、感光性材料膜９は、すでに膜厚の半分の深さまで感光した感光領域９ａを有する。そのため、第２段階の露光において感光領域９ａを有する部分を露光すると、感光領域９ａの下部にある未感光の部分が感光する。したがって、第２段階の露光では、図７（ｂ）に示したように、感光性材料膜９の、レイアウトデータにおいて網掛けが入っている単位領域ＵＡと重なる部分のうちの、すでに感光領域９ａが形成されている部分には、その下部に感光領域９ｂが形成され、感光領域９ａが形成されていない部分には、膜厚の約半分の深さまで感光した感光領域９ｃが形成される。すなわち、第２段階の露光が終了した時点での感光性材料膜９は、第１段階および第２段階の両方で露光した部分がすべて感光し、第１段階または第２段階のいずれかで露光した部分が膜厚の約半分の深さまで感光している。また、当然のことではあるが、第１段階および第２段階の両方で露光していない部分は、すべて未感光の状態である。
【００８２】
次に、たとえば、第２段階の露光が終了した感光性材料膜９を現像する（ステップ７０５）。感光性材料膜９がポジ型の場合、現像すると感光領域９ａ，９ｂ，９ｃが除去される。そのため、図７（ｂ）に示したような状態で感光している感光性材料膜９を現像すると、その感光性材料膜９の断面形状は、たとえば、図７（ｃ）に示すような形状になる。このとき、図７（ｃ）のような断面形状を有する感光性材料膜９（エッチングレジストＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３）の平面レイアウトと、第１段階の露光時におけるレイアウトデータの単位領域ＵＡとの関係は、たとえば、図８に示すような関係になる。すなわち、映像信号線１０２と重畳する対向電極１０９を形成する位置のエッチングレジストＥＲ１の幅（ｘ方向の寸法）ＥＲＷ１は、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの８．５倍になる。また、画素電極１０８を形成する位置のエッチングレジストＥＲ２の幅（ｘ方向の寸法）ＥＲＷ２、および画素の中央部分に延在する対向電極１０９を形成する位置のエッチングレジストＥＲ３の幅（ｘ方向の寸法）ＥＲＷ３は、それぞれ、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの３．５倍になる。また、画素電極１０８を形成する部分のエッチングレジストＥＲ２と対向電極１０９を形成する部分のエッチングレジストＥＲ１，ＥＲ３との間隙ＣＴＧは、それぞれ、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの７．５倍になる。
【００８３】
したがって、図７（ｃ）および図８に示したような状態で形成されたエッチングレジストＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３を用いて導電膜８をエッチングすると、画素電極１０８のｘ方向の寸法ＰＸＷおよび対向電極１０９のｘ方向の寸法ＣＴＷ２を、単位領域ＵＡのｘ方向の寸法ｄの半整数倍にすることができる。また、図７（ｃ）および図８に示したような状態で形成されたエッチングレジストＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３を用いて導電膜８をエッチングすれば、画素電極１０８および対向電極１０９のｙ方向の寸法（図示しない）も、単位領域ＵＡのｙ方向の寸法ｄの半整数倍にすることができる。そのため、レイアウトデータの単位領域ＵＡの寸法を変更することなく、画素電極１０８および対向電極１０９のパターンを高精細化できる。
【００８４】
また、映像信号線１０２（ＴＦＴ素子のドレイン電極を含む）およびＴＦＴ素子のソース電極１０６を形成するときに行う露光／現像工程を、図４に示した手順で行った場合、ＴＦＴ素子の平面形状は、たとえば、図９に示したような形状になる。なお、図９には、ＴＦＴ素子の平面形状と、第１段階の露光時におけるレイアウトデータの単位領域ＵＡとの位置関係を重ねて示している。また、図９においても、１つのマス目が１つの単位領域ＵＡを示している。
【００８５】
このように、実施例１の露光／現像工程の手順を映像信号線１０２およびソース電極１０６を形成するときに露光／現像工程に適用すると、たとえば、ＴＦＴ素子のドレイン電極とソース電極１０６との距離（すなわちチャネル長）ＴｒＬを、単位領域ＵＡの寸法ｄの半整数倍（図９に示した例では３／２倍）にすることができる。
【００８６】
また、走査信号線１０１および保持容量線１０３を形成するときに行う露光／現像工程を、図４に示した手順で行うことも可能である。
【００８７】
以上説明したように、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法によれば、絶縁基板１００の表面上に形成する走査信号線１０１、映像信号線１０２、ＴＦＴ素子、および画素電極１０８などの平面寸法の高精細化が容易になる。
【００８８】
また、実施例１では、１つの感光性材料膜９に対する露光を２段階にわけて行う場合を例に挙げたが、これに限らず、３段階以上のｎ段階（ｎは３以上の整数）にわけて行ってもよいことはもちろんである。１つの感光性材料膜９に対する露光をｎ段階に分けて行う場合は、たとえば、連続する２つの段階の露光を行う間に、露光対象領域ＥＡを単位領域ＵＡの寸法ｄの１／ｎの値だけずらしながら行い、かつ、それぞれの段階での露光を、感光性材料膜９の全体を露光するときに要する露光量の１／ｎの露光量で行えばよい。
【実施例２】
【００８９】
図１０（ａ）乃至図１０（ｃ）は、本発明による実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法に関わるレイアウトデータの補正方法の一例を説明するための模式図である。
図１０（ａ）は、２面取りのＴＦＴ基板の製造方法の一例を示す模式平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示した２面取りのＴＦＴ基板の製造方法における導電膜の膜厚分布の一例を示す模式平面図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）に示した２面取りのＴＦＴ基板の製造方法における１本の走査信号線の形状とレイアウトデータの補正方法の一例を示す模式グラフ図である。
なお、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示したｘ方向およびｙ方向は、それぞれ、図１（ａ）に示したｘ方向およびｙ方向と同じ方向である。
また、図１０（ｃ）に示したグラフ図には、走査信号線の延在方向（ｘ方向）でみた導電膜の膜厚ＭＴの分布の一例、１本の走査信号線のｘ方向で見た各位置における断面積ＧＬＳの分布の一例、および１本の走査信号線のｘ方向で見た各位置における幅（ｙ方向の寸法）ＧＬＷｃの一補正例を示している。また、図１０（ｃ）に示したグラフ図における横軸は、図１０（ｂ）に示したｘ方向の位置である。
【００９０】
液晶表示パネルのＴＦＴ基板１を製造するときには、一般に、１枚の大面積のガラス基板（マザーガラス）を用いた多面取りと呼ばれる方法で製造される。
【００９１】
ＴＦＴ基板１を２面取りと呼ばれる方法で製造する場合、たとえば、図１０（ａ）に示すように、１枚のマザーガラス１０の２つの領域１００１，１００２のそれぞれに、走査信号線１０１や映像信号線１０２などを形成してＴＦＴ基板１を形成する。そして、最後にマザーガラス１０から２つの領域１００１，１００２を切り出すことで、２枚のＴＦＴ基板１を得る。
【００９２】
また、１枚のマザーガラス１０の面積に対して、１枚のＴＦＴ基板１の面積が小さい場合には、１枚のマザーガラス１０からさらに多数のｍ枚のＴＦＴ基板１を得ることもでき、その場合はｍ面取りと呼ばれる。
【００９３】
ＴＦＴ基板１を、図１０（ａ）に示したような２面取りで製造する場合、たとえば、走査信号線１０１を形成するための導電膜は、通常、マザーガラス１０の表面全体に形成する。このとき、前記導電膜は、たとえば、スパッタリングで形成（成膜）する。そのため、マザーガラス７の表面に形成された前記導電膜の膜厚ＭＴには、たとえば、図１０（ｂ）および図１０（ｃ）に示したような分布が生じる。すなわち、マザーガラス１０の表面に形成された導電膜の膜厚ＭＴは、マザーガラス１０の表面の中心部分でもっとも厚くなり、マザーガラス１０の表面の中心部分から遠ざかるにつれて、同心円状に膜厚が薄くなっていく。そのため、形成する走査信号線１０１の延在方向（ｘ方向）でみた導電膜の膜厚ＭＴは、図１０（ｃ）に示したように、マザーガラス１０の表面のｘ方向における中心部分（ｘ＝ｘｃ）でもっとも厚くなり（厚さｔ１）、マザーガラス１０の表面のｘ方向における両端（ｘ＝０，ｘ＝Ｘ）に近づくにつれて徐々に薄くなり、マザーガラス７の表面のｘ方向における両端部分（ｘ＝０，ｘ＝Ｘ）でもっとも薄くなる（厚さｔ２）。
【００９４】
なお、導電膜の厚さｔ１，ｔ２は、マザーガラス１０の表面のｙ方向でみた位置によって変化するが、どの位置でも、図１０（ｃ）に示したような変化をする。
【００９５】
ところで、実施例１で説明したようなレイアウトデータを作成するときには、通常、導電膜の膜厚が均一であると想定して作成している。このとき、１本の走査信号線１０１のｘ方向でみた各位置における幅（ｙ方向の寸法）は、通常、常に同じ値になるように設定されている。そのため、そのようなレイアウトデータに基づいて形成されたエッチングレジストを用いて導電膜をエッチングし、走査信号線１０１を形成すると、１本の走査信号線１０１のｘ方向でみた各位置における断面積ＧＬＳは、たとえば、図１０（ｃ）に示したような分布になる。すなわち、形成された走査信号線１０１の延在方向（ｘ方向）でみた断面積ＧＬＳは、マザーガラス１０の表面のｘ方向における中心部分（ｘ＝ｘｃ）でもっとも大きくなり（面積ｓ１）、当該走査信号線の両端（ｘ＝ｘＴ１，ｘ＝ｘＴ２）に近づくにつれて徐々に小さくなり、当該両端（ｘ＝ｘＴ１，ｘ＝ｘＴ２）のいずれか一方または両方でもっとも小さくなる（面積ｓ２）。
【００９６】
このように、１本の走査信号線１０１のｘ方向で見た各位置における断面積ＧＬＳの大きさにばらつき（変化）があると、たとえば、各位置における配線抵抗が設計時（レイアウトデータ作成時）の値と異なる値になり、画質が低下する原因になる。
【００９７】
したがって、走査信号線１０１を形成するための導電膜の膜厚ＭＴにばらつきがある場合、そのばらつきを考慮して、たとえば、レイアウトデータにおける１本の走査信号線１０１のｘ方向で見た各位置における幅（ｙ方向の寸法）を補正することが好ましい。レイアウトデータにおける走査信号線１０１の幅を補正するときには、補正後の幅ＧＬＷｃが、たとえば、図１０（ｃ）に示したような分布になるように補正する。すなわち、走査信号線１０１の延在方向（ｘ方向）でみた補正後の幅ＧＬＷｃは、マザーガラス１０の表面のｘ方向における中心部分（ｘ＝ｘｃ）の幅がもっとも小さくなり（幅ｗ１）、当該走査信号線の両端（ｘ＝ｘＴ１，ｘ＝ｘＴ２）に近づくにつれて徐々に大きくなり、当該両端（ｘ＝ｘＴ１，ｘ＝ｘＴ２）のいずれか一方または両方でもっとも大きくなる（幅ｗ２）ようにする。またこのとき、各位置における幅は、導電膜の膜厚ＭＴの分布を参照し、補正後の走査信号線１０１の各位置における断面積がほぼ均一になるように補正する。
【００９８】
なお、図１０（ｃ）に示した走査信号線１０１の補正後の幅ＧＬＷｃの分布は、連続的な曲線で示しているが、レイアウトデータの補正は、単位領域ＵＡの寸法ｄの整数倍の値でしか行うことができない。そのため、レイアウトデータにおける走査信号線１０１の補正後の幅ＧＬＷｃの分布は、実際には、任意の区間毎に幅ＧＬＷｃが不連続に変動する分布になる。
【００９９】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、従来のレイアウトデータの補正方法の一例を説明するための模式図である。
図１１（ａ）は、実際の補正後のレイアウトデータにおける走査信号線の幅ＧＬＷｃの分布の一例を示す模式グラフ図である。図１１（ｂ）は、従来の補正後のレイアウトデータに基づいた露光方法の一例を説明する模式テーブル図である。
なお、図１１（ａ）は、図１０（ｃ）の区間Ｒ２における走査信号線の幅ＧＬＷｃの分布の一例を示しており、横軸はマザーガラス１０の表面におけるｘ方向の位置であり、縦軸は補正後の走査信号線の幅ＧＬＷｃである。また、図１１（ａ）において、点線で示した分布は、導電膜の膜厚ＭＴの分布から計算で求められる理想的な幅であり、太い実線で示した分布は、従来の露光方法におけるレイアウトデータの制約に基づいて定められる幅である。
【０１００】
走査信号線１０１を形成するための導電膜の膜厚ＭＴの分布は、通常、連続的な曲線で表されるので、導電膜の膜厚ＭＴの分布に基づいて、１本の走査信号線１０１のｘ方向でみた各位置における断面積が均一になるように幅ＧＬＷｃを補正すると、図１１（ａ）に点線で示したような、値が連続的に変化する分布になる。
【０１０１】
しかしながら、走査信号線１０１を形成するときに行う露光で使用するレイアウトデータにおける走査信号線１０１の幅（ｙ方向の寸法）は、単位領域ＵＡのｙ方向の寸法ｄの整数倍の値にする必要がある。そのため、レイアウトデータを補正するときには、たとえば、図１１（ａ）に示したように、計算で求めた、値が連続的に変化する分布（点線で示した分布）に基づいて、ｘａ≦ｘ＜ｘｂの区間Ｒ２を、ｘａ≦ｘ＜ｘｄの区間ｂ１、ｘｄ≦ｘ＜ｘｅの区間ｂ２、およびｘｅ≦ｘ＜ｘｂの区間ｂ３に分割し、区間ｂ１は幅ｗ１＋８・ｄ、区間ｂ２は幅ｗ１＋７・ｄ、区間ｂ３は幅ｗ１＋６・ｄというように補正しなければならない。
【０１０２】
なお、図１１（ａ）に示した補正後の幅ＧＬＷｃは、マザーガラス１０の表面のｘ方向における中心部分（ｘ＝ｘｃ）における幅ｗ１を基準にして表現している。また、図１１（ａ）における幅ｗ１からの増加量は一例であり、導電膜の膜厚ＭＴの分布に応じて適宜変更される。
【０１０３】
そして、従来の露光方法では、レイアウトデータにおける走査信号線１０１の幅を補正した場合でも、たとえば、図１１（ｂ）に示すように、補正前と同様の条件で感光性材料膜９を露光する。図１１（ｂ）において、ＧＬＢは、図１１（ａ）に示した３つの区間ｂ１，ｂ２，ｂ２であり、ＧＬＷｉは、補正前のレイアウトデータにおける３つの区間ｂ１，ｂ２，ｂ３の走査信号線１０１の幅である。また、図１１（ｂ）において、ＧＬＷｃは、補正後のレイアウトデータにおける３つの区間ｂ１，ｂ２，ｂ３の走査信号線１０１の幅であり、ＱｏＥは、露光時の３つの区間ｂ１，ｂ２，ｂ３の露光量の相対値である。
【０１０４】
従来の露光方法では、作成時のレイアウトデータにおける３つの区間ｂ１，ｂ２，ｂ３の走査信号線１０１の幅は同じ（ＧＬＷｉ＝ｗ１）であり、かつ、同じ露光量（ＱｏＥ＝１）で露光する。また、レイアウトデータを補正した場合、補正後のレイアウトデータにおける３つの区間ｂ１，ｂ２，ｂ３の走査信号線１０１の幅はそれぞれ、たとえば、ｗ１＋８・ｄ，ｗ１＋７・ｄ，ｗ１＋６・ｄに変わるが、３つの区間ｂ１，ｂ２，ｂ３はそれぞれ、同じ露光量（ＱｏＥ＝１）で露光する。
【０１０５】
したがって、最終的に得られる１本の走査信号線１０１の区間Ｒ２における幅（ｙ方向の寸法）を計測すると、区間ｂ１は幅ｗ１＋８・ｄでほぼ一定、区間ｂ２は幅ｗ１＋７・ｄでほぼ一定、区間ｂ３は幅ｗ１＋６・ｄでほぼ一定になる。すなわち、区間Ｒ２における走査信号線の幅は、区間ｂ１と区間ｂ２の境界部分（ｘ＝ｘｄ）、および区間ｂ２と区間ｂ３の境界部分（ｘ＝ｘｅ）において、それぞれ、単位領域ＵＡのｙ方向の寸法ｄだけ不連続に変動する。
【０１０６】
そのため、従来の露光方法およびレイアウトデータの補正方法では、３つの区間ｂ１，ｂ２，ｂ３のそれぞれの長さが、たとえば、数十画素分に相当する長さである場合に、区間ｂ１と区間ｂ２の境界部分や区間ｂ２とｂ３の境界部分で画質むらが生じる可能性がある。
【０１０７】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、本発明による実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法の一例を説明するための模式図である。
図１２（ａ）は、実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法におけるレイアウトデータの補正方法の原理を示す模式グラフ図である。図１２（ｂ）は、実施例２のＴＦＴ基板の製造方法におけるレイアウトデータの補正方法および露光方法の一例を示す模式テーブル図である。
なお、図１２（ａ）は、図１０（ｃ）の区間Ｒ２における走査信号線１０１の幅ＧＬＷｃの分布の一例を示しており、横軸はマザーガラス１０の表面におけるｘ方向の位置であり、縦軸は補正後の走査信号線１０１の幅ＧＬＷｃである。また、図１２（ａ）において、点線で示した分布は、導電膜の膜厚ＭＴの分布から計算で求められる理想的な幅であり、太い実線で示した分布は、実施例１の露光／現像工程を適用した場合のレイアウトデータの制約に基づいて定められる幅である。
【０１０８】
実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法は、実施例１で説明した露光／現像工程を有する製造方法であり、たとえば、１つの感光性材料膜９に対する露光を２段階に分けて行うことを前提とする。このとき、たとえば、走査信号線１０１の幅（ｙ方向の寸法）は、レイアウトデータにおける単位領域ＵＡのｙ方向の寸法ｄの半整数倍で制御できる。
【０１０９】
したがって、図１０（ｃ）に示した区間Ｒ２における走査信号線１０１の幅を補正するときには、単位領域ＵＡのｙ方向の寸法ｄの半分の値を最小補正寸法（最小変化量）にすることができる。すなわち、区間Ｒ２におけるレイアウトデータ（走査信号線１０１の幅）を補正するときには、たとえば、図１２（ａ）に示すように、計算で求めた、値が連続的に変化する分布（点線で示した分布）に基づいて、ｘａ≦ｘ＜ｘｂの区間Ｒ２を、ｘａ≦ｘ＜ｘｆの区間、ｘｆ≦ｘ＜ｘｇの区間ｂ１’、ｘｇ≦ｘ＜ｘｈの区間ｂ２’、ｘｈ≦ｘ＜ｘｉの区間ｂ３’、ｘｉ≦ｘ＜ｘｊの区間ｂ４’、ｘｊ≦ｘ＜ｘｋの区間ｂ５’、およびｘｋ≦ｘ＜ｘｂの区間に分割し、区間ｂ１’は幅ｗ１＋８・ｄ、区間ｂ２’は幅ｗ１＋７・ｄ＋ｄ／２、区間ｂ３’は幅ｗ１＋７・ｄ、区間ｂ４’は幅ｗ１＋６・ｄ＋ｄ／２、区間ｂ５’は幅ｗ１＋６・ｄにするというような補正をすることができる。
【０１１０】
ただし、レイアウトデータにおける各区間ｂ１’，ｂ２’，ｂ３’，ｂ４’，ｂ５’の走査信号線１０１の幅は、単位領域ＵＡのｙ方向の寸法ｄの整数倍の値で設定しなければならない。そのため、上記のような補正を実現するためには、たとえば、図１２（ｂ）に示すように、各区間ｂ１’，ｂ２’，ｂ３’，ｂ４’，ｂ５’に対する露光条件を変えればよい。図１２（ｂ）において、ＧＬＢは、図１１（ａ）に示した５つの区間ｂ１’，ｂ２’，ｂ３’，ｂ４’，ｂ５’であり、ＧＬＷｉは、補正前のレイアウトデータにおける５つの区間ｂ１’，ｂ２’，ｂ３’，ｂ４’，ｂ５’の走査信号線１０１の幅である。また、図１２（ｂ）において、ＧＬＷｃは、補正後のレイアウトデータにおける５つの区間ｂ１’，ｂ２’，ｂ３’，ｂ４’，ｂ５’の走査信号線１０１の幅である。また、図１２（ｂ）において、ＱｏＥ１は、第１段階の露光時における５つの区間ｂ１’，ｂ２’，ｂ３’，ｂ４’，ｂ５’の露光量の相対値であり、ＱｏＥ２は、第２段階の露光時における５つの区間ｂ１’，ｂ２’，ｂ３’，ｂ４’，ｂ５’の露光量の相対値である。
【０１１１】
本発明のＴＦＴ基板１の製造方法における１つの感光性材料膜９に対する露光は、たとえば、２段階に分けて行われ、かつ、第１段階の露光と第２段階の露光の間に、露光対象領域を単位領域ＵＡの寸法ｄの半分の値だけずらすという操作を行う。そのため、感光性材料膜９のうちのある領域を露光するときに、たとえば、第１段階の露光時にすべて感光させ、第２段階の露光時には感光させなければ、その領域には、単位領域ＵＡの寸法ｄの整数倍の寸法のエッチングレジストが形成される。また、感光性材料膜９のうちのある領域を露光するときに、たとえば、第１段階の露光時に露光量０．５で感光させ、第２段階の露光時に露光量０．５で感光させれば、その領域には、単位領域ＵＡの寸法ｄの半整数倍の寸法のエッチングレジストが形成される。
【０１１２】
したがって、走査信号線１０１の幅を単位領域ＵＡの寸法ｄの整数倍の値にしたい区間ｂ１’，ｂ３’，ｂ５’の感光性材料膜９は、たとえば、第１段階の露光時にすべて感光させ、第２段階の露光時には感光させないようにする。また、走査信号線１０１の幅を単位領域ＵＡの寸法ｄの半整数倍の値にしたい区間ｂ２’，ｂ４’の感光性材料膜９は、第１段階の露光時に露光量０．５で感光させ、第２段階の露光時に露光量０．５で感光させるようにする。このようにすれば、走査信号線１０１の幅を、図１２（ａ）に示した太い実線のような分布にすることができる。
【０１１３】
このようにすると、たとえば、区間ｂ１’と区間ｂ２’との境界部分や、区間ｂ２’と区間ｂ３’との境界部分における走査信号線１０１の幅の変動量は、単位領域ＵＡのｙ方向の寸法ｄの半分の値になる。そのため、従来の露光方法を適用して製造されたＴＦＴ基板を有する液晶表示パネルに比べて、区間ｂ１’と区間ｂ２’との境界部分や、区間ｂ２’と区間ｂ３’との境界部分などにおける画質むらの発生を抑制できる。
【０１１４】
なお、上記のような露光方法を実現するためには、たとえば、レイアウトデータの構成を、単位領域ＵＡの位置を示す座標値および感光させるか否かを示す情報に加え、どの段階で感光させるかを示す情報や、それぞれの段階における露光量を示す情報が付加された構成にすればよい。
【０１１５】
また、実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法におけるレイアウトデータの補正方法は、直描露光方式の露光装置を用いて露光する場合に適用することが好ましい。直描露光方式の露光装置は、ＣＡＤなどで作成されたレイアウトデータ（数値データ）に基づいて感光させる単位領域ＵＡの位置を特定するため、数値データの値を変更するだけで、露光パターン（感光させる単位領域ＵＡの位置）を容易に変更することができる。また、直描露光方式の露光装置は、たとえば、微小なミラーにより単位領域ＵＡに対する光の照射／非照射を制御するため、それぞれの単位領域ＵＡに対する露光量の制御を独立して行うことができる。そのため、レイアウトデータに、たとえば、図１２（ｂ）に示したような露光条件を含めておけば、走査信号線１０１の幅を図１２（ａ）に示したような分布に容易に補正でき、画質むらの発生を容易に抑制できる。
【０１１６】
また、直描露光方式の露光装置の場合、レイアウトデータの数値を変更するだけで露光パターンを変更できるので、たとえば、複数枚のマザーガラス１０を用いて連続してＴＦＴ基板１を製造している途中で、レイアウトデータを容易に補正することができる。すなわち、あるレイアウトデータに基づいて複数枚のＴＦＴ基板１を製造した後、得られたＴＦＴ基板１における走査信号線１０１などの寸法を計測し、その計測結果に基づいてレイアウトデータを補正するときに、レイアウトデータの補正に要する時間、および補正したレイアウトデータを反映させるために要する時間を短くできるので、ＴＦＴ基板１の製造効率を落とさずに補正できる。
【０１１７】
また、実施例２では、走査信号線１０１を形成するときに行う露光で使用するレイアウトデータの補正方法を例に挙げて説明したが、これに限らず、映像信号線１０２（ＴＦＴ素子のドレイン電極を含む）およびＴＦＴ素子のソース電極１０６を形成するときに行う露光や、画素電極１０８および対向電極１０９を形成するときに行う露光で使用するレイアウトデータについても、同様の方法で補正できることはもちろんである。
【０１１８】
以上説明したように、実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法によれば、レイアウトデータを容易に補正できる。また、実施例２の方法で製造されたＴＦＴ基板１を有する液晶表示パネルにおける画質むらの発生を抑制できる。
【０１１９】
図１３は、実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法の変形例を説明するための模式平面図である。
【０１２０】
実施例２では、ＴＦＴ基板１の製造方法の一例として、図１０（ａ）に示したような２面取りの場合を例に挙げた、レイアウトデータの補正方法および露光方法について説明した。しかしながら、実施例２のレイアウトデータの補正方法および露光方法は、２面取りの場合に限らず、たとえば、図１３に示すような２４面取りの場合にも適用できることはもちろんである。この場合も、たとえば、マザーガラス１０の領域１００１から切り出した１つのＴＦＴ基板１を有する液晶表示パネルにおける画質むらを抑制できる。また、このような多面取りの場合は、たとえば、マザーガラス１０の角部付近に位置する領域１００１から切り出したＴＦＴ基板１を有する液晶表示パネルにおける画質と、マザーガラス１０の中央付近に位置する領域１００３から切り出したＴＦＴ基板１を有する液晶表示パネルにおける画質のばらつきを軽減することもできる。
【０１２１】
また、実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法は、２面取り、２４面取りに限らず、１枚のマザーガラス１０で１枚のＴＦＴ基板のみを形成する場合や、他の多面取りの場合にも適用できることはもちろんである。
【０１２２】
図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法におけるレイアウトデータの補正方法において生じる可能性がある問題点の一例を説明するための模式図である。
図１４（ａ）は、図１２（ａ）に示した区間ｂ１’と区間ｂ２’の境界付近にある画素を示す模式平面図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示したブロックにおける保持容量の面積の分布の一例および画素電極と対向電極の間隙の分布の一例を示す模式グラフ図である。
【０１２３】
実施例２で説明したような方法でレイアウトデータの補正をする場合、図１２（ａ）に示した区間ｂ１’と区間ｂ２’の境界部分では、たとえば、保持容量の面積や、画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧが不連続な変化をする。ＴＦＴ基板１における区間ｂ１’および区間ｂ２’は、それぞれ、たとえば、図１４（ａ）に示すように、複数の画素で構成されている。図１４（ａ）において、１つの長方形のマス目は１つの画素を示しており、ＢＯは区間ｂ１’と区間ｂ２’の境界を示している。
【０１２４】
このとき、たとえば、実施例２で説明した方法により補正されたレイアウトデータに基づいて製造されたＴＦＴ基板１の、図１４（ａ）に示したブロックＢＬの画素における保持容量の面積ＳｔｇＳの分布、および画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧの分布は、たとえば、図１４（ｂ）に示すような分布になることが考えられる。図１４（ｂ）において、横軸は、図１４（ａ）に示した領域におけるｘ方向の位置であり、縦軸は、保持容量の面積ＳｔｇＳの大きさ、および画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧの大きさである。
【０１２５】
保持容量の大きさは、電極（ソース電極１０６と保持容量線１０３）の重畳領域の面積の大きさに比例し、電極間に介在する絶縁層の厚さに反比例する。電極間に介在する絶縁層は、たとえば、ＣＶＤ法などで形成されるため、膜厚分布は、図１０（ｂ）および図１０（ｃ）に示した導電膜の膜厚分布と同様の傾向を示す。したがって、図１２（ａ）に示した区間ｂ１’における絶縁層の厚さは、区間ｂ２’における絶縁層の厚さよりも薄い。そのため、区間ｂ１’に属する画素の保持容量と、区間ｂ２’に属する画素の保持容量とを同程度の大きさにするには、たとえば、ソース電極１０６のレイアウトデータを補正して、区間ｂ１’に属する画素における保持容量の面積ｓｓ１よりも、区間ｂ２’に属する画素における保持容量の面積ｓｓ２のほうが大きくなるようにすればよい。この場合、区間ｂ１’と区間ｂ２’の境界ＢＯで、画素の保持容量の面積が不連続に変化する。
【０１２６】
またこのとき、たとえば、ブロックＢＬの各画素のＴＦＴ素子におけるゲート絶縁膜の膜厚も、前記保持容量の絶縁層の膜厚と同様の分布になる。そのため、区間ｂ１’に属する画素のＴＦＴ素子における書き込み電流値は、区間ｂ２’に属する画素のＴＦＴ素子における書き込み電流値よりも大きくなる。このような場合、たとえば、ＴＦＴ素子の書き込み電流値の違いによる画質むらを抑制するために、画素電極１０８および対向電極１０９のレイアウトデータ補正し、たとえば、区間ｂ１’の画素における画素電極１０８と対向電極１０９との間隙ｇ１が、区間ｂ２’の画素における間隙ｇ２よりも大きくなるような補正をすることがある。この場合、区間ｂ１’と区間ｂ２’の境界ＢＯで、画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧが不連続に変化する。
【０１２７】
このように、１つの境界ＢＯの両側において、各画素の動作（特性）に影響する２種類以上の寸法が不連続な変化をする場合、個々の寸法の変動幅が小さくても、境界ＢＯにおいて画質むらが発生する要因になりうる。
【０１２８】
そのため、レイアウトデータを補正するときには、１つの境界ＢＯにおいて、各画素の動作（特性）に影響する２種類以上の寸法が不連続な変化をしないようにすることが望ましい。
【０１２９】
図１５（ａ）乃至図１５（ｃ）は、実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法におけるレイアウトデータの補正方法の好ましい例を説明するための模式図である。
図１５（ａ）は、保持容量の面積に関したレイアウトデータの補正をするときの境界の取り方の一例を示す模式平面図である。図１５（ｂ）は、画素電極と対向電極の間隙に関したレイアウトデータの補正をするときの境界の取り方の一例を示す模式平面図である。図１５（ｃ）は、図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示したブロックにおける保持容量の面積の分布の一例および画素電極と対向電極の間隙の分布の一例を示す模式グラフ図である。
【０１３０】
実施例２で説明したような方法でレイアウトデータの補正をする場合、たとえば、図１４（ｂ）に示したように、１つの境界ＢＯにおいて、保持容量の面積ＳｔｇＳ、および画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧの２種類の寸法が不連続な変化をしていると、その境界ＢＯ部分に画質むらが生じる可能性がある。
【０１３１】
このような画質むらを抑制するためには、たとえば、図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、保持容量の面積ＳｔｇＳに関したレイアウトデータの補正をするときの境界ＢＯ１と、画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧに関したレイアウトデータの補正をするときの境界ＢＯ２とを、別の位置にとればよい。
【０１３２】
このとき、図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示したブロックＢＬの各画素における保持容量の面積ＳｔｇＳの分布と、画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧの分布は、それぞれ、たとえば、図１５（ｃ）に示すような分布になる。
【０１３３】
このとき、補正後のレイアウトデータに基づいて作成されるブロックＢＬの各画素の保持容量の面積ＳｔｇＳは、たとえば、境界ＢＯ１において、面積ｓｓ１から面積ｓｓ２に不連続な変化をする。またこのとき、補正後のレイアウトデータに基づいて作成されるブロックＢＬの各画素の画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧは、たとえば、境界ＢＯ２において、間隙ｇ１から間隙ｇ２に不連続な変化をする。
【０１３４】
したがって、ブロックＢＬの各画素について、保持容量の面積ＳｔｇＳと、画素電極１０８と対向電極１０９の間隙ＣＴＧとの関係をみると、保持容量の面積がｓｓ１で間隙がｇ１の画素が並んでいる区間と、保持容量の面積がｓｓ２で間隙がｇ２の画素が並んでいる区間との間に、保持容量の面積がｓｓ２で間隙がｇ１の画素が並んでいる区間が存在する。このとき、保持容量の面積がｓｓ１で間隙がｇ１の画素が並んでいる区間と、保持容量の面積がｓｓ２で間隙がｇ１の画素が並んでいる区間とでは、保持容量の面積ＳｔｇＳと間隙ＣＴＧのうちの保持容量の面積ＳｔｇＳのみが異なる。そのため、たとえば、図１４（ｂ）に示したように、保持容量の面積ＳｔｇＳおよび間隙ＣＴＧの両方が異なる区間（画素）が並んでいる場合に比べて、画質むらが発生しにくい。
【０１３５】
同様に、保持容量の面積がｓｓ２で間隙がｇ１の画素が並んでいる区間と、保持容量の面積がｓｓ２で間隙がｇ２の画素が並んでいる区間とでは、保持容量の面積ＳｔｇＳと間隙ＣＴＧのうちの間隙ＣＴＧのみが異なる。そのため、たとえば、図１４（ｂ）に示したように、保持容量の面積ＳｔｇＳおよび間隙ＣＴＧの両方が異なる区間（画素）が並んでいる場合に比べて、画質むらが発生しにくい。
【０１３６】
すなわち、保持容量の面積ＳｔｇＳと間隙ＣＴＧを補正する場合、たとえば、図１５（ｃ）に示したように、保持容量の面積ＳｔｇＳに関する補正の境界ＢＯ１の位置と、間隙ＣＴＧに関する補正の境界ＢＯ２の位置とをずらすことで、補正後の寸法が不連続な変化をする境界部分における画質むらの発生を抑制することができる。
【０１３７】
なお、図１５（ｃ）には、保持容量の面積ＳｔｇＳと間隙ＣＴＧを補正する場合を例に挙げているが、これに限らず、他の寸法、たとえば、ＴＦＴ素子のチャネル長またはチャネル幅を補正する場合の境界、走査信号線１０１の幅、映像信号線１０２の幅などを補正する場合において補正後の寸法が不連続に変化する境界の位置についても、それぞれの境界が一致しないように設定することで、画質むらの発生を抑制することができる。
【０１３８】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１３９】
たとえば、実施例１および実施例２では、図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示したような構成の画素を有するＴＦＴ基板１の製造方法を例に挙げているが、本発明は、これに限らず、画素の構成が別の構成であるＴＦＴ基板の製造方法にも適用できることはもちろんである。
【０１４０】
また、実施例１および実施例２では、液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板１の製造方法を例に挙げているが、本発明は、これに限らず、ＴＦＴ基板１と同様の手順で製造する基板、たとえば、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）を用いた自発光型の表示パネルに用いる基板の製造方法などにも適用できることはもちろんである。
【０１４１】
また、１つの感光性材料膜に対する１つの段階の露光は、たとえば、１つの露光対象領域を複数の副露光対象領域に分割し、前記副露光対象領域毎に個別に露光してもよいことはもちろんである。このとき、フォトマスクを使用して露光するのであれば、１つの感光性材料膜の露光時に使用する１つのレイアウトデータを前記副露光対象領域毎のレイアウトデータに分割し、それぞれのレイアウトデータに基づいて複数枚のフォトマスクを作成し、各副露光対象領域を順次露光すればよい。また、直描露光方式で露光するのであれば、１つの感光性材料膜の露光時に使用する１つのレイアウトデータを前記副露光対象領域毎のレイアウトデータに分割し、たとえば、各副露光対象領域に１つの割合で光源を用意して、各副露光対象領域を並行して露光すればよい。
【０１４２】
またさらに、実施例１および実施例２で説明したような手順は、ＴＦＴ基板１を製造する際に行われるすべての露光／現像工程に適用してもよいし、複数回の露光／現像工程のうちの何回かの工程のみに適用し、残りの工程は従来通りの手順で行うようにしてもよいことはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１（ａ）】液晶表示パネルの平面構成の一例を示す模式平面図である。
【図１（ｂ）】図１（ａ）のＡ−Ａ’線における液晶表示パネルの断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図１（ｃ）】液晶表示パネルのＴＦＴ基板における走査信号線と映像信号線の配置方法の一例を示す模式平面図である。
【図２（ａ）】ＴＦＴ基板１において１つの画素が占有する領域およびその周辺の平面構成の一例を示す模式平面図である。
【図２（ｂ）】図２（ａ）のＢ−Ｂ’線におけるＴＦＴ基板１の断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図２（ｃ）】図２（ａ）のＣ−Ｃ’線におけるＴＦＴ基板１の断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図３（ａ）】図２（ａ）に示した領域Ｒ１部分のレイアウトデータの一例を示す模式平面図である。
【図３（ｂ）】図２（ａ）に示した領域Ｒ１部分のレイアウトデータの補正方法の一例を示す模式平面図である。
【図４】本発明による実施例１のＴＦＴ基板の製造方法における１つの感光性材料膜の露光／現像工程の手順の一例を示す模式フロー図である。
【図５（ａ）】実施例１の露光／現像工程における第１段階の露光時の絶縁基板とレイアウトデータとの位置関係の一例を示す模式平面図である。
【図５（ｂ）】図５（ａ）のＤ−Ｄ’線における第１段階の露光が終了した時点での模式断面図である。
【図６】絶縁基板とレイアウトデータとの位置関係のずらし方の一例を示す模式平面図である。
【図７（ａ）】実施例１の露光／現像工程における第２段階の露光時の絶縁基板とレイアウトデータとの位置関係の一例を示す模式平面図である。
【図７（ｂ）】図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における第２段階の露光が終了した時点での模式断面図である。
【図７（ｃ）】図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における現像が終了した時点での模式断面図である。
【図８】実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法で形成される画素電極および対向電極の寸法とレイアウトデータの単位領域との関係の一例を示す模式平面図である。
【図９】実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法で形成されるＴＦＴ素子の平面形状とレイアウトデータの単位領域との関係の一例を示す模式平面図である。
【図１０（ａ）】２面取りのＴＦＴ基板の製造方法の一例を示す模式平面図である。
【図１０（ｂ）】図１０（ａ）に示した２面取りのＴＦＴ基板の製造方法における導電膜の膜厚分布の一例を示す模式平面図である。
【図１０（ｃ）】図１０（ａ）に示した２面取りのＴＦＴ基板の製造方法における１本の走査信号線の形状とレイアウトデータの補正方法の一例を示す模式グラフ図である。
【図１１（ａ）】実際の補正後のレイアウトデータにおける走査信号線の幅ＧＬＷｃの分布の一例を示す模式グラフ図である。
【図１１（ｂ）】従来の補正後のレイアウトデータに基づいた露光方法の一例を説明する模式テーブル図である。
【図１２（ａ）】実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法におけるレイアウトデータの補正方法の原理を示す模式グラフ図である。
【図１２（ｂ）】実施例２のＴＦＴ基板の製造方法におけるレイアウトデータの補正方法および露光方法の一例を示す模式テーブル図である。
【図１３】実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法の変形例を説明するための模式平面図である。
【図１４（ａ）】図１２（ａ）に示した区間ｂ１’と区間ｂ２’の境界付近にある画素を示す模式平面図である。
【図１４（ｂ）】図１４（ａ）に示したブロックにおける保持容量の面積の分布の一例および画素電極と対向電極の間隙の分布の一例を示す模式グラフ図である。
【図１５（ａ）】保持容量の面積に関したレイアウトデータの補正をするときの境界の取り方の一例を示す模式平面図である。
【図１５（ｂ）】画素電極と対向電極の間隙に関したレイアウトデータの補正をするときの境界の取り方の一例を示す模式平面図である。
【図１５（ｃ）】図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示したブロックにおける保持容量の面積の分布の一例および画素電極と対向電極の間隙の分布の一例を示す模式グラフ図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１…ＴＦＴ基板
１００…絶縁基板
１０１…走査信号線
１０２…映像信号線
１０３…保持容量線
１０４…第１の絶縁層
１０５…半導体層
１０６…ソース電極
１０７…第２の絶縁層
１０８…画素電極
１０９…対向電極
１１０…配向膜
２…対向基板
３…液晶材料
４…シール材
５…下偏光板
６…上偏光板
８…導電膜
９…感光性材料膜
９ａ，９ｂ，９ｃ…感光領域
１０…マザーガラス
ＤＡ…表示領域
ＴＨ１，ＴＨ２…スルーホール
ＵＡ…単位領域
ＤＬＷ…映像信号線の幅（ｘ方向の寸法）
ＰＸＷ…画素電極の幅（ｘ方向の寸法）
ＣＴＷ１，ＣＴＷ２…対向電極の幅（ｘ方向の寸法）
ＣＴＧ…画素電極と対向電極の間隙
ＥＡ１…第１の露光対象領域
ＥＡ２…第２の露光対象領域
ＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３…エッチングレジスト
ＥＲＷ１，ＥＲＷ２，ＥＲＷ３…エッチングレジストの幅（ｘ方向の寸法）
【図１（ａ）】
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【図１（ｂ）】
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【図１（ｃ）】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図２（ｃ）】
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【図３（ａ）】
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【図３（ｂ）】
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【図４】
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【図５（ａ）】
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【図５（ｂ）】
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【図６】
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【図７（ａ）】
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【図７（ｂ）】
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【図７（ｃ）】
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【図８】
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【図９】
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【図１０（ａ）】
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【図１０（ｂ）】
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【図１０（ｃ）】
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【図１１（ａ）】
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【図１１（ｂ）】
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【図１２（ａ）】
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【図１２（ｂ）】
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【図１３】
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【図１４（ａ）】
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【図１４（ｂ）】
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【図１５（ａ）】
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【図１５（ｂ）】
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【図１５（ｃ）】
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