(57)【要約】【課題】半導体装置の高信頼性を実現させる。【解決手段】ダイシングシート２０の一方の主面に置かれた半導体素子１１を、当該ダイシングシート２０の他方の主面側から押し上げ、押し上げられた半導体素子１１上に、吸着コレット１００を近接配置する。そして、半導体素子１１の表面に気体を噴出し、気体を排出する。更に、半導体素子１１を、吸着コレット１００に保持しつつダイシングシート２０から剥離する。そして、半導体素子１１を、吸着コレット１００に保持しつつ支持部材上に搭載する。これにより、半導体装置の高信頼性が実現する。【選択図】図１
2009049127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングシートの一方の主面に置かれた半導体素子を、当該ダイシングシートの他方の主面側から押し上げる工程と、
押し上げられた前記半導体素子上に、吸着コレットを近接配置する工程と、
前記半導体素子の表面に気体を噴出する工程と、
前記気体を排出する工程と、
前記半導体素子を、前記吸着コレットに保持しつつ前記ダイシングシートから剥離する工程と、
前記半導体素子を、前記吸着コレットに保持しつつ支持部材上に搭載する工程と、
を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体素子の表面に前記気体を噴出する前記工程と、
当該半導体素子の表面にある気体を排出する前記工程と、
を同時に行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体素子表面に噴出される前記気体は、空気、窒素あるいは不活性ガスの何れかであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
被吸着物の表面に接して当該被吸着物を吸着する吸着部と、
当該吸着部を覆って配設された第１のカバーと、
当該第１のカバーを覆って配設された第２のカバーと、
を具備し、前記吸着部に気体の噴出部が配設され、前記第１のカバーと前記第２のカバーとの間の空間を排気する排気機構が配設されてなることを特徴とする吸着コレット。
【請求項５】
前記第１のカバーは、被吸着物の外形寸法よりも小である開口を有し、
前記第２のカバーは、被吸着物の外形寸法よりも大である開口を有していることを特徴とする請求項４記載の吸着コレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法及び吸着コレットに関し、特に半導体基板に対するダイシング処理により個片化された半導体素子を摘出し、支持部材上に搭載する半導体装置の製造方法及び吸着コレットに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子などの半導体素子を、回路基板等の支持部材上に搭載して半導体装置を形成する際、当該半導体素子の実装手段の一つとして、当該半導体素子の半導体基板（電子回路非形成面）を回路基板に対向させて搭載する、所謂フェイスアップ方式のダイボンディング工程がとられている。
【０００３】
かかる従来のダイボンディング工程について、図１７〜図２１を用いて説明する。
複数個の半導体素子が形成された半導体基板１０は、その主面（電子回路形成面）を上面として、すなわち他方の主面（電子回路非形成面）がダイシングシート（ダイシングテープ）２０に接する状態をもって、当該ダイシングシート２０上に固定された後、周知のダイシング処理法により半導体素子に個片化される（当該ダイシング工程は図示せず）。
【０００４】
そして、個片化された半導体素子が並んだ状態をもってダイシングシート２０に保持された半導体基板１０は、ダイボンダー装置の半導体素子摘出部に装着される。
当該ダイボンダー装置の半導体素子摘出部に於いて、被摘出半導体素子１１の下方には、突き上げピン３１が、また当該被摘出半導体素子１１の上方には、吸着コレット３２が配設される（図１７（Ａ）参照）。
【０００５】
尚、同図に於いて、１１乃至１３は半導体素子であり、また１１ａ乃至１３ａは当該半導体素子に於ける電子回路形成部である。
そして、先ず突き上げピン３１を上昇せしめ、ダイシングシート２０の他方の主面から、一つの半導体素子１１を押し上げ、当該半導体素子１１のダイシングシート２０との接触を解除する（図１７（Ｂ）参照）。
【０００６】
即ち、突き上げピン３１による押し上げにより、ダイシングシート２０に伸長を生じさせ、且つ当該ダイシングシート２０と半導体素子１１との接触面積を減じることにより、ダイシングシート２０と半導体素子１１との間の接着を低下させ、剥離する。
【０００７】
この時、当該突き上げピン３１の上昇に伴って生ずる応力により、当該半導体素子１１の下面周囲縁部に、欠け４０を生じてしまうことがある。
かかる半導体基板の欠け４０により生じた微小・軽量の半導体片（微粒子・粉）は、半導体素子１１の上方への移動と共に空間に散乱し、当該半導体素子１１の表面、並びに当該半導体素子１１に隣接する半導体素子１２あるいは半導体素子１３などの表面に付着してしまう。
【０００８】
当該微小・軽量の半導体片は、かかる半導体装置の製造工程にあっては、“異物”の一つとなる。
前記突き上げピン３１による所定量の押し上げ後、半導体素子１１の上方から前記吸着コレット３２を降下せしめ、その板状部材３２ａを半導体素子１１の上面（電子回路形成面）に当接させる（図１８（Ａ）参照）。
【０００９】
この時、当該吸着コレット３２の板状部材３２ａの当接により、半導体素子１１の表面に付着していた前記異物５０（半導体片）が、当該半導体素子１１の電子回路形成部１１ａまで入り込み、当該電子回路形成部１１ａに損傷を与える。
【００１０】
また、吸着コレット３２の板状部材３２ａ表面にも、異物５０が付着してしまう。
しかる後、吸着コレット３２に於ける真空吸引用パイプ３２ｂを介しての真空吸着を維持しつつ、当該吸着コレット３２を上昇せしめて、前記半導体素子１１をダイシングシート２０より剥離する（図１８（Ｂ）参照）。
【００１１】
そして、前記吸着コレット３２に吸着保持された半導体素子１１を、回路基板６０の所定位置上に位置せしめる（図１９（Ａ）参照）。
このとき、当該回路基板６０の所定位置には、予め接着部材６１が配設されている。
【００１２】
そして、前記吸着コレット３２を降下せしめ、当該吸着コレット３２に保持された半導体素子１１を前記回路基板６０の所定位置に押圧する（図１９（Ｂ）参照）。
かかる荷重の印加により、当該半導体素子１１は、接着部材６１の有するタック性により、回路基板６０上に固着される。
【００１３】
この時、当該吸着コレット３２の板状部材３２ａのへの加圧により、半導体素子１１の表面に付着していた前記異物５０が、当該半導体素子１１の電子回路形成部１１ａまで入り込み、当該電子回路形成部１１ａに損傷を与える。
【００１４】
しかる後、吸着コレット３２による吸引を解除し、当該吸着コレット３２を半導体素子１１の上方に移動させる（図１９（Ｃ）参照）。
この時、当該吸着コレット３２に於いて、半導体素子１１に対向していた面には、異物５０が付着している。
【００１５】
この様な手法により、回路基板６０上に固着された半導体素子１１にあっては、前述の如き異物５０の存在により、電子回路が正常に動作しない可能性を含む。
続いて、前記ダイシングシート２０上に固定された第２の半導体素子１２を、再び吸着コレット３２を用いて吸着し、当該ダイシングシート２０から剥離する。
【００１６】
すなわち、ダイボンダー装置の半導体素子摘出部に於いて、被摘出半導体素子１２の下方に、突き上げピン３１を、また当該被摘出半導体素子１２の上方には吸着コレット３２を配置する（図２０（Ａ）参照）。
【００１７】
そして、先ず突き上げピン３１を上昇せしめ、ダイシングシート２０の他方の主面から、半導体素子１２を押し上げ、当該半導体素子１２に於けるダイシングシート２０との接触を解除する（図２０（Ｂ）参照）。
【００１８】
この時、当該突き上げピン３１の上昇に伴って生ずる応力により、半導体素子１２の下面周囲縁部においても、欠け４０を生じてしまうことがある。
かかる欠け４０により生じた微小・軽量の異物５０は、前述の如く、半導体素子１２の上方への移動と共に散乱し、当該半導体素子１２の表面、並びに当該半導体素子１２に隣接する他の半導体素子の表面に付着してしまう。
【００１９】
そして、前記突き上げピン３１による所定量の押し上げ後、半導体素子１２の上方から前記吸着コレット３２を降下せしめ、当該半導体素子１２の上面（電子回路形成面）に当接させる（図２１（Ａ）参照）。
【００２０】
この時、当該吸着コレット３２の押し付けにより、前記半導体素子１１の摘出並びに固着処理の際に当該吸着コレット３２の板状部材３２ａ表面に付着していた異物５０、並びに半導体素子１２の表面に付着していた異物５０が、当該半導体素子１２の電子回路形成部１１ａまで入り込み、当該電子回路形成部１２ａに損傷を与えてしまう。
【００２１】
次いで、吸着コレット３２による真空吸着を維持しつつ、当該吸着コレット３２を上昇せしめて、前記半導体素子１２をダイシングシート２０より剥離する（図２１（Ｂ）参照）。
【００２２】
しかる後、吸着コレット３２に吸着保持された半導体素子１２を、回路基板の所定位置上に位置せしめ、当該回路基板上に固着する（図示せず）。
この様な手法により、回路基板上に固着された半導体素子１２にあっても、前述の如き異物５０の存在により、電子回路が正常に動作しない可能性を含む。
【００２３】
すなわち、このようなダイボンディング方法を含む半導体装置の製造方法にあっては、半導体素子の摘出の際に生ずる微小・軽量の半導体片（微粒子・粉）の存在により、高い信頼性をもって半導体装置を製造することができない。
【００２４】
このような問題に対し、異物を真空吸引により除去する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
当該文献に開示される方法によれば、チップ吸着機構を有するコレットの周りに真空系に連通する異物排出用の吸引口を設け、当該吸引口から異物を除去できるとしている。
【特許文献１】特開平０３−０７９０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
ところが、半導体チップ表面に付着した異物の多くは、静電気により強く付着している場合があり、このような異物を真空吸引による手段のみにて除去することは難しい。
また、異物を強力な吸引力で強引に除去しようとすると、半導体素子に強いストレスが印加され、当該半導体素子に割れ、欠けなどの不良が生じ易くなる。
【００２６】
特に、近年の半導体素子はより薄型化される傾向にあり、前記異物を強力な吸引力で除去しようとすると、半導体素子本体に損傷を与える可能性が大きい。
また、上記先行例にあっては、異物がどの段階で発生し、半導体素子のどの場所に異物が付着するのか具体的な例が示されていない。
【００２７】
このような理由から、従来のダイボンディング工程では、半導体装置の生産性を高めることができないという問題があった。
また、上記先行例では、断面が角錐状の吸着コレットを使用している。
【００２８】
このような構造の吸着コレットは、チップサイズに依存し、一品一様対応となることから、製造コストが上昇してしまう。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、高い信頼をもって実施可能な半導体装置の製造方法、並びに当該製造方法を実施するに有用な吸着コレットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明では上記課題を解決するために、ダイシングシートの一方の主面に置かれた半導体素子を、当該ダイシングシートの他方の主面側から押し上げる工程と、押し上げられた前記半導体素子上に、吸着コレットを近接配置する工程と、前記半導体素子の表面に気体を噴出する工程と、前記気体を排出する工程と、前記半導体素子を、前記吸着コレットに保持しつつ前記ダイシングシートから剥離する工程と、前記半導体素子を、前記吸着コレットに保持しつつ支持部材上に搭載する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００３０】
また、本発明では、被吸着物の表面に接して当該被吸着物を吸着する吸着部と、当該吸着部を覆って配設された第１のカバーと、当該第１のカバーを覆って配設された第２のカバーと、を具備し、前記吸着部に気体の噴出部が配設され、前記第１のカバーと前記第２のカバーとの間の空間を排気する排気機構が配設されてなることを特徴とする吸着コレットが提供される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明では、吸着コレットを用いて半導体素子を吸着する際、当該吸着コレットから半導体素子の表面に気体を噴出せしめ、当該気体の噴出により半導体素子周辺部に移動する異物を、当該吸着コレット内に於いて吸引してこれを除去する。
【００３２】
これにより、半導体装置製造において、高い生産性、低コスト化が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
先ず、本発明による半導体装置の製造方法を実施する際に適用される、吸着コレット１００の構成を図１に示す。
【００３４】
かかる図１にあっては、当該吸着コレット１００を用いての半導体素子の吸着処理の際の、一段階を例示している。
すなわち、複数個の半導体素子が形成された半導体基板１０は、その主面（電子回路形成面）を上面として、すなわち他方の主面（電子回路非形成面、裏面）がダイシングシート（ダイシングテープ）２０に接する状態をもって、当該ダイシングシート２０上に固定され、周知のダイシング処理法により半導体素子に個片化されている。
【００３５】
そして、図１にあっては、突き上げピン３１により、一つの半導体素子１１に於けるダイシングシート２０との接触が解除されようとする状態が示されている。
本発明にあっては、かかる半導体素子１１の摘出に於いて、次の様な構成を有する吸着コレット１００が適用される。
【００３６】
すなわち、本発明に適用される吸着コレット１００は、半導体素子を吸着する吸着部１１０と、当該吸着部１１０を覆い且つ当該吸着部１１０の側面を囲繞して配設された第１のカバー１２０、並びに当該第１のカバー１２０を覆い且つ当該第１のカバー１２０の側面を囲繞して配設された第２のカバー１３０を具備している。
【００３７】
そして、当該吸着部１１０は、シリコンゴムを主体とするゴム部材から形成され一方の主面が被吸着物である半導体素子１１に接する板状部材１１１と、当該板状部材１１１に設けられた第１の貫通孔１１１ａに連通して配設された第１のパイプ１１２ａ、並びに当該板状部材１１１に設けられた第２の貫通孔１１１ｂに連通して配設された第２のパイプ１１２ｂを含む棒状支持部１１２とを具備している。
【００３８】
当該棒状支持部１１２は、アルミニウム（Ａｌ）あるいはステンレスなどから形成され、前記板状部材１１１を支持すると共に、第１のカバー１２０並びに第２のカバー１３０に設けられた孔を貫通し、少ない摩擦抵抗をもって板状部材１１１の移動（上下動）を可能としている。
【００３９】
一方、前記第１のカバー１２０並びに第２のカバー１３０は、アルミニウム（Ａｌ）あるいはステンレスなどの金属板から形成され、前記吸着部１１０の周囲に於いて、被吸着半導体素子１１の外形形状に対応して矩形形状を有している。
【００４０】
すなわち、第１のカバー１２０は、前記板状部材１１１上を覆って、矩形形状を有する平坦部１２０ａと、当該平坦部１２０ａの各片から被吸着半導体素子１１方向に延びる側壁部１２０ｂを具備しており、当該側壁部１２０ｂは、前記板状部材１１１の側面を囲繞して、被吸着半導体素子１１の外形寸法よりも若干小である矩形状開口を形成している。
【００４１】
前記吸着部１１０の棒状支持部１１２は、当該第１のカバー１２０の平坦部１２０ａのほぼ中央部を貫通して配設されている。
一方、第２のカバー１３０は、前記第１のカバー１２０上方にあって、矩形形状を有する平坦部１３０ａと、当該平坦部１３０ａの各片から被吸着半導体素子１１方向に延びる側壁部１３０ｂを具備しており、当該側壁部１３０ｂは、前記第１のカバー１２０の外側に於いてその側壁部１２０ｂを囲繞し、且つ被吸着半導体素子１１の外形寸法よりも若干大である矩形状開口を形成しており、更に第１のカバー１２０よりも被吸着半導体素子側（図面上では下方）に延出している。
【００４２】
そして、第１のカバー１２０並びに第２のカバー１３０の間は、その側面あるいは上下面に於いて、棒状あるいは板状の支持体（図示せず）により一体化されており、また両カバー間に在る空間は、第２のカバー１３０に配設されたパイプ１２５ａ，１２５ｂを介して、外部との接続が可能とされている。当該パイプ１２５ａ，１２５ｂの配設位置、配置数は必要に応じて適宜選択される。
【００４３】
また、前記吸着部１１０の棒状支持部１１２に於ける第１のパイプ１１２ａは、樹脂などの可撓性を有する材料からなるパイプ１１３ａを介して、加圧ポンプあるいは送風ポンプ（図示せず）に接続される。
【００４４】
一方、当該棒状支持部１１２に於ける第２のパイプ１１２ｂは、樹脂などの可撓性を有する材料からなるパイプ１１３ｂを介して、真空吸引ポンプ（図示せず）に接続される。
更に、前記第１のカバー１２０並びに第２のカバー１３０間に在る空間は、前記パイプ１２５ａ、パイプ１２５ｂ及び当該パイプ１２５ａ，１２５ｂに接続された、樹脂などの可撓性を有する材料からなるパイプ１２６ａ、１２６ｂを介して、真空吸引ポンプ（図示せず）に接続される。
【００４５】
以下に半導体装置の製造方法をもって説明する如く、この様な構成を有する吸着コレット１００を用いることにより、突き上げピンを用いての被吸着半導体素子のダイシングシートからの剥離の際、当該半導体素子上に付着あるいはその周囲に飛散する異物５０を、効果的に除去することができる。
【００４６】
そして、当該半導体素子を回路基板等の支持部材上に搭載する際、当該半導体素子の電子回路形成面に於ける損傷の発生を防止することができる。
かかる吸着コレット１００を用いての半導体装置の製造方法について、図２乃至図１２を用いて説明する。
【００４７】
尚、前記図１に示した部位と対応する部位には、同一の符号を付している。
ここで、当該半導体装置の製造方法は、半導体基板に対するダイシング（個片化）処理後に於ける、半導体素子の摘出（ピックアップ）処理が対象とされる。
【００４８】
従って、此処では、半導体基板に対するダイシング（個片化）処理工程を含めて説明する。
所謂半導体素子製造用ウエファプロセスが適用されて、その一方の主面に複数個の半導体素子が形成された半導体基板１０は、当該半導体素子の電子回路形成面を表出して、ダイシングシート（ダイシングテープ）２０上に固着される。
【００４９】
当該半導体基板１０は、シリコン（Ｓｉ）あるいはガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料からなり、前記半導体素子１１は、それぞれその表面領域に、トランジスタなどの能動素子、容量素子などの受動素子並びに配線層をもって形成された電子回路部を含んでいる。
【００５０】
当該半導体基板１０は、ダイシングシート２０の表面に配設された接着剤層（図示せず）により、当該ダイシングシート２０上に固着される。
そして、当該半導体基板１０に対し、例えばダイシングブレード１５１を用いてのダイシング処理が施され、半導体素子の個片化がなされる（図２（Ａ）参照）。
【００５１】
尚、図に於いて、矩形形状は個片化される半導体素子を模式的に示す。
かかるダイシング処理の形態を、図２（Ｂ）に拡大して示す。当該図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ−Ｘ'断面を示す。
【００５２】
即ち、ダイシングシート２０上に固着された半導体基板１０に対し、当該半導体基板１０の上面からダイシングシート２０に至る深さにダイシングブレード１５１が切り込み、当該半導体基板１０は、個々の半導体素子１１、半導体素子１２などに分割（個片化）される。
【００５３】
尚、１１ａ，１２ａは、当該半導体素子に於ける電子回路形成部を示している。
この様に、ダイシング処理がなされた半導体基板１０が保持されたダイシングシート２０は、ダイボンダー装置に於ける半導体素子摘出部に配置される。
【００５４】
当該ダイボンダー装置の半導体素子摘出部に於いて、被摘出半導体素子１１の下方には、突き上げピン３１が配設され、また当該被摘出半導体素子１１の上方には、吸着コレット１００が配設される（図３参照）。
【００５５】
当該突き上げピン３１は、軸３１ａにより支持された板状台座３１ｂ上に、ピン３１ｃが複数配設されて、当該軸３１ａにより上下動可能に支持されている。
また、吸着コレット１００は、前記図１に示す構成を有している。
【００５６】
ダイシングシート２０上に固着された半導体基板１０からの半導体素子の摘出に際しては、先ず突き上げピン３１を上昇せしめ、ダイシングシート２０を押し上げることにより、一つの半導体素子１１に於けるダイシングシート２０との接触を解除する（図４参照）。
【００５７】
即ち、突き上げピン３１による押し上げにより、ダイシングシート２０に伸長を生じ、且つ当該ダイシングシート２０と半導体素子１１との接触面積を減じることにより、当該ダイシングシート２０と半導体素子１１との間の接着を低下させ、剥離する。
【００５８】
この時、当該突き上げピン３１の上昇に伴って生ずる応力により、当該半導体素子１１の下面周囲縁部などに、欠け４０が生じることがある。
かかる欠け４０の発生により生じた微小・軽量の半導体片（微粒子・粉）は、半導体素子１１の上方への移動と共に散乱し、当該半導体素子１１の表面、並びに当該半導体素子１１の周囲に位置する半導体素子１２並びに半導体素子１３などの表面に付着してしまう。
【００５９】
当該半導体片は、以後の半導体装置の製造工程にあっては、“異物”の一つとなる。
この様に、半導体素子１１の上面及び／あるいは周囲に付着した異物５０（半導体片）の存在に対し、本発明にあっては、以下の様に対応する。
【００６０】
まず、前記突き上げピン３１による所定量の押し上げ後、半導体素子１１の上方から前記吸着コレット１００を降下させ、当該半導体素子１１の上面（電子回路形成面）に近接せしめる。
【００６１】
即ち、当該吸着コレット１００に於ける第１のカバー１２０の側壁部１２０ｂの端部（下端部）が、半導体素子１１の上面（電子回路形成面）に近接し、また第２のカバー１３０の側壁部１３０ｂの端部が、当該半導体素子１１の側面に位置するまで当該吸着コレット１００が降下される（図５参照）。
【００６２】
当該第２のカバー１３０の側壁部１３０ｂの端部が半導体素子１１の側面に位置することにより、当該第２のカバー１３０の側壁部１３０ｂと半導体素子１１の側面との間には、間隙が生じている。
【００６３】
本発明にあっては、かかる状態において、吸着コレット１００の吸着部１１０の棒状支持部１１２に於ける第１のパイプ１１２ａ及び当該第のパイプ１１２ａに接続されたパイプ１１３を介して、気体７０例えば空気を導入（矢印Ａ１）し、当該吸着部１１０の板状部材１１１に設けられた第１の貫通孔１１１ａから、当該気体７０を流出あるいは噴出（噴射）せしめる（図６参照）。
【００６４】
当該気体７０は、半導体素子１１の上面のほぼ中央部に吹き付けられ、更にその上面に沿って当該半導体素子１１の外周縁部へ流れる。
またこれと同時、あるいはかかる気体７０の流出あるいは噴出に先行して、第２のカバー１３０に配設されたパイプ１２５ａ，１２５ｂ及び当該パイプ１２５ａ，１２５ｂに接続されたパイプ１２６ａ，１２６ｂを介して、真空吸引（減圧処理）（矢印Ａ２）を行う。
【００６５】
かかる吸着コレット１００内からの気体７０の流出あるいは噴出、並びにパイプ１２５ａ，１２５ｂを通しての真空吸引によって、前記異物５０は半導体素子１１の上面から外方即ち当該半導体素子１１の外周縁部近傍へ移動し、更に第１のカバー１２０と第２のカバー１３０との間の空間内を移動して、気体７０と共にパイプ１２５ａ，１２５ｂ、パイプ１２６ａ，１２６ｂを通して外部へ排出され、除去される。
【００６６】
この時、当該半導体素子１１の近傍に位置する他の半導体素子１２あるいは半導体素子１３に於いて、半導体素子１１近傍の表面に付着あるいは浮遊している異物５０も、当該半導体素子１１と第２のカバー１３０との間の間隙を通して吸引され、更に第１のカバー１２０と第２のカバー１３０との間の空間内を移動して、気体７０と共にパイプ１２５ａ，１２５ｂ、パイプ１２６ａ，１２６ｂを通して外部へ排出され、除去される。
【００６７】
かかる処理に於いて、パイプ１１３を介して導入される気体７０は空気に限られるものではなく、窒素、あるいはアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスが適用されてもよい。
また、当該気体７０は予めイオン化されてもよい。これにより、半導体素子１１の表面に静電気により付着している異物５０を除去することができる。
【００６８】
この様な方法によって異物５０が除去された半導体素子１１の上表面に対し、吸着コレット１００の吸着部１１０を、棒状支持部１１２のスライド降下により降下せしめ、板状部材１１１を半導体素子１１の上表面に当接させる。
【００６９】
この時、当該半導体素子１１の表上面には、異物５０は存在していない。
従って、当該吸着コレット１００の板状部材１１１が当接しても、半導体素子１１の上表面に、前記異物５０の存在による損傷は発生しない。
【００７０】
かかる吸着コレット１００の板状部材１１１が半導体素子１１の上表面に当接している状態に於いて、当該板状部材１１１に設けられた第２の貫通孔１１１ｂ、並びに第２の貫通孔１１１ｂに連通して配設された第２のパイプ１１２ｂを通して真空吸引（矢印Ａ３）を行い、当該半導体素子１１を吸着コレット１００の板状部材１１１に吸着保持する（図７参照）。
【００７１】
しかる後、当該吸着コレット１００を上昇せしめ、半導体素子１１をダイシングシート２０から剥離し、更に当該ダイシングシート２０との間の距離を拡大する（図８参照）。
この時、ダイシングシート２０を下降せしめる方法を採ることもできる。
【００７２】
そして、前記吸着コレット１００に保持された半導体素子１１を、回路基板６０の所定位置上に位置せしめる。このとき、当該回路基板６０の所定位置には、予め接着部材６１が配設されている（図９参照）。
【００７３】
当該回路基板６０は、ボンディングステージ（図示せず）上に吸着・保持され、必要に応じて所定の温度に加熱されている。
なお、回路基板６０は、例えばガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、あるいはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、あるいはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材から形成され、その表面及び／あるいは裏面、更には必要に応じて内部（内層）に導電層が配設されている。当該回路基板６０は、支持基板、配線基板あるいはインターポーザとも称される。
【００７４】
また、接着部材６１は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂、あるいはエポキシ系の熱硬化性樹脂を主体とする樹脂系材料からなる。
そして、前記吸着コレット１００を降下せしめ、当該吸着コレット１００に保持された半導体素子１１を、回路基板６０の所定位置に押圧する（図１０参照）。
【００７５】
かかる荷重の印加により、半導体素子１１は接着部材６１のタック性によって、回路基板６０上に固着される。尚、接着部材６１のタック性は、必要に応じて、回路基板６０を通しての加熱によって発現させてもよい。
【００７６】
しかる後、吸着コレット１００による吸引を解除し、当該吸着コレット１００を半導体素子１１の上方に移動せしめる。
この時、前記板状部材１１１は、棒状支持部１１２のスライド上昇に伴って、第１のカバー１２０の開口内に収容される（図１１参照）。
【００７７】
そして、当該吸着コレット１００は、ダイスボンダーの機械的構成に従い、半導体素子１１の上方から、前記ダイシングシート２０上に移動される。
この時、当該吸着コレット１００の板状部材１１１の表面１１１ｆ、特に半導体素子への当接面には、異物５０は付着していない。すなわち、異物５０を保持していない。
【００７８】
従って、前記図３に示す工程と同様の工程において、次なる被摘出半導体素子、例えば半導体素子１２の摘出を行おうとする際には、吸着コレット１００の板状部材１１１の表面１１１ｆには異物５０は付着していない。
【００７９】
一方、半導体素子１２の表面に付着している異物５０は、本発明の思想に従う方法により、前記図６に示す工程と同様の工程において、当該半導体素子１２の表面に対する気体７０の流出あるいは噴出並びにその排出により除去される。
【００８０】
上記工程を経て、半導体素子１１が搭載・固着された回路基板６０（図１２参照）は、ワイヤーボンダーに装着され、当該半導体素子１１の外部接続用電極端子と回路基板６０上の電極端子との間が、ボンディングワイヤにより接続される（図示せず）。
【００８１】
次いで、少なくとも回路基板６０の半導体素子搭載部が樹脂封止される。
これにより、当該半導体素子１１、並びにボンディングワイヤなどは、封止用樹脂により被覆される（図示せず）。
【００８２】
しかる後、当該回路基板６０の他方の主面（半導体素子１１の非搭載面）に、外部接続端子が配設されて、半導体装置が形成される（図示せず）。
この様な本発明に於ける製造方法によれば、ダイシングシート２０に保持された半導体素子を吸着コレットにより摘出（ピックアップ）する際、半導体材料の微粒子・粉などからなる異物５０によって被摘出半導体素子の表面、即ち電子回路形成部に損傷を生ずることはない。
【００８３】
従って、当該半導体素子を用いて形成された半導体装置は、高い信頼性を有する。
本発明による半導体装置の製造方法に於いて適用される吸着コレット１００は、前記実施態様に示す構成に限られるものではなく、以下に示す様に、種々の変形が可能である。
【００８４】
（変形例その１）
当該吸着コレット１００の、変形例その１を図１３に示す。当該図１３は、前記図５に示す状態に対応した状態を示している。
【００８５】
即ち、本変形例（変形例その１）にあっては、吸着部１１０は、シリコンゴムを主体とするゴム部材からなり、一方の主面が被吸着半導体素子に接する板状部材１１１と、当該板状部材１１１に設けられた一つの貫通孔１１１ａに連通して配設された一本のパイプ１１２ａを具備する棒状支持部１１２とを具備する。
【００８６】
当該棒状支持部１１２は、板状部材１１１を支持すると共に、第１のカバー１２０並びに第２のカバー１３０に設けられた孔を貫通し、少ない摩擦抵抗をもって当該板状部材１１１の移動（上下動）を可能としている。
【００８７】
他の構成要素は、前記図５に示す構成と実質的に同一である。
そして、前記吸着部１１０の棒状支持部１１２に於けるパイプ１１２ｃは、可撓性を有する材料からなるパイプ１１３ｃを介して電磁弁１１５に接続されている。
【００８８】
当該電磁弁１１５には、加圧ポンプあるいは送風ポンプ（図示せず）に接続される第１のパイプ１１６ａ、並びに真空吸引ポンプ（図示せず）に接続される第２のパイプ１１６ｂが配設されている。
【００８９】
他の、第１のカバー１２０、第２のカバー１３０並びに当該カバーに付設されたパイプなどの構成は、前記図５に示す構成と同一である。
即ち、かかる変形例その１にあっては、板状部材１１１に設けられた一つの貫通孔１１１ｃに対し、気体７０の流入・噴出と真空排気とが、電磁弁１１５の作動により切り換えてなされる。
【００９０】
半導体素子１１の上面に対する気体７０の流出・噴出の際には、電磁弁１１５の作動により、加圧ポンプあるいは送風ポンプ（図示せず）に接続されたパイプ１１６ａからの気体７０の流入を可能とする。そして、当該気体７０は、可撓性を有する材料からなるパイプ１１３ｃ及び棒状支持部１１２のパイプ１１２ｃを介して貫通孔１１１ｃに至る。
【００９１】
一方、当該半導体素子１１を板状部材１１１に吸着する際には、電磁弁１１５の作動により、真空吸引ポンプ（図示せず）に接続された第２のパイプ１１６ｂを介して真空吸引し、当該半導体素子１１を板状部材１１１に吸着保持する。
【００９２】
従って、かかる構成によれば、吸着部１１０の棒状支持部１１２の構成を簡略化することができ、当該吸着部１１０の小型化、軽量化を図ることができる。
（変形例その２）
また、前記吸着コレット１００の変形例その２を、図１４に示す。当該図１４も、前記図５に示す状態に対応した状態を示している。
【００９３】
本変形例（変形例その２）にあっては、第２のカバー１３０の外形形状を、図５に示す構成と異ならしめている。
即ち、第２のカバー１３０の側壁部１３０ｂが、直線状に傾斜して裾拡がり形状に拡大され、これによりその開口形状を半導体素子１１の近傍に於いて拡大して、その端部（下端部）が近接する半導体素子１２、半導体素子１３などの上方に位置するものとしている。
【００９４】
この様に、第２のカバー１３０に於ける側壁部１３０ｂが形成する開口の端部（下端部）が、半導体素子１２、半導体素子１３などの上方に位置せしめられることによって、異物５０が半導体素子１１から比較的遠い位置に飛散した場合であっても、当該異物５０を有効に吸引・排出することができる。
【００９５】
即ち、かかる変形例その２にあっては、吸着コレット１００の吸着部１１０の棒状支持部１１２に於ける第１のパイプ１１２ａ及び当該第のパイプ１１２ａに接続されたパイプ１１３を介して、気体７０例えば空気を導入（矢印Ａ１）し、当該吸着部１１０の板状部材１１１に設けられた第１の貫通孔１１１ａから、当該空気を流出・噴出せしめる。
【００９６】
またこれと同時、またはかかる気体７０の流出あるいは噴出に先行して、第２のカバー１３０の側壁部１３０ｂに配設されたパイプ１２５ａ、パイプ１２５ｂ及び当該パイプ１２５ａ、パイプ１２５ｂに接続されたパイプ１２６ａ、１２６ｂを介して、真空吸引（減圧処理）（矢印Ａ２）を行う。
【００９７】
かかる吸着コレット１００内への気体７０の流出・噴出、並びにパイプ１２５を通しての真空吸引によって、前記異物５０は半導体素子１１の表面上から外方即ち当該半導体素子１１の外周縁部近傍へ移動すると共に、第１のカバー１２０と第２のカバー１３０との間の空間内を移動し、パイプ１２５ａ，１２５ｂ、パイプ１２６ａ，１２６ｂを通して外部へ排出され、除去される。
【００９８】
この時、当該半導体素子１１の近傍に位置する他の半導体素子１２あるいは半導体素子１３に於いて、その表面に付着していた異物５０も、半導体素子１１と第２のカバー１３０との間の拡大された間隙を通して吸引され、有効に排出・除去される。
【００９９】
（変形例その３）
また、前記吸着コレット１００の変形例その３を、図１５に示す。当該図１５も、前記図５に示す状態に対応した状態を示している。
【０１００】
本変形例（変形例その３）にあっても、第２のカバー１３０の外形形状を、図５に示す構成と異ならしめている。
他の構成要素は、前記図５に示す構成と実質的に同一である。
【０１０１】
即ち、当該第２のカバー１３０の側壁部１３０ｂが円弧状の傾斜面とされ、これにより、その開口形状を半導体素子１１の近傍に於いて拡大して、その端部（下端部）が、近接する半導体素子１２並びに半導体素子１３の上方に位置するものとしている。
【０１０２】
この様に、第２のカバー１３０の開口の端部（下端部）が近接する半導体素子１２並びに半導体素子１３の上方に位置せしめられることにより、異物５０が半導体素子１１から比較的遠い位置に飛散した場合であっても、当該異物５０を有効に吸引・排出することができる。
【０１０３】
即ち、前記変形例その２と同様に、半導体素子１１の近傍に位置する他の半導体素子１２あるいは半導体素子１３に於いて、半導体素子１１近傍の表面に付着していた異物５０も、当該半導体素子１１と第２のカバー１３０との間の拡大された間隙を通して吸引され、有効に排出・除去される。
【０１０４】
（変形例その４）
更に、前記吸着コレット１００の変形例その４を、図１６に示す。当該図１６も、前記図５に示す状態に対応した状態を示している。
【０１０５】
本変形例（変形例その４）にあっては、第２のカバー１３０に配設されるパイプ１２５ａ、パイプ１２５ｂの配設位置を、図５に示す構成と異ならしめている。
他の構成要素は、前記図５に示す構成と実質的に同一である。
【０１０６】
即ち、当該パイプ１２５ａ並びにパイプ１２５ｂが、第２のカバー１３０の側壁部１３０ｂに配設されている。
この様に、パイプ１２５ａ、パイプ１２５ｂの配設位置が、第２のカバー１３０の側壁部１３０ｂとされたことにより、半導体素子のより近傍に於いて、異物５０の吸引がなされる。
【０１０７】
当該パイプ１２５ａ、パイプ１２５ｂは、パイプ１２６ａ、１２６ｂを介して、真空吸引ポンプ（図示せず）に接続される。
従って、半導体素子１１、並びに半導体素子１２、半導体素子１３などに於ける異物５０は、より効果的に吸引され、容易に排出・除去される。
【０１０８】
尚、前述の如き変形例その３あるいはその４に示す第２のカバー１３０に対して、本変形例その４に従うところのパイプ１２５ａ、パイプ１２５ｂの配設構成を適用することも勿論可能である。
【０１０９】
（付記１）  ダイシングシートの一方の主面に置かれた半導体素子を、当該ダイシングシートの他方の主面側から押し上げる工程と、
押し上げられた前記半導体素子上に、吸着コレットを近接配置する工程と、
前記半導体素子の表面に気体を噴出する工程と、
前記気体を排出する工程と、
前記半導体素子を、前記吸着コレットに保持しつつ前記ダイシングシートから剥離する工程と、
前記半導体素子を、前記吸着コレットに保持しつつ支持部材上に搭載する工程と、
を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１１０】
（付記２）  前記半導体素子の表面に前記気体を噴出する前記工程と、
当該半導体素子の表面にある気体を排出する前記工程と、
を同時に行うことを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【０１１１】
（付記３）  前記半導体素子表面にある気体を排出しつつ、当該半導体素子表面に前記気体を噴出する工程を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）  前記半導体素子表面のほぼ中央部に気体を噴出する工程を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【０１１２】
（付記５）  前記半導体素子表面に噴出される前記気体は、空気、窒素あるいは不活性ガスの何れかであることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）  被吸着物の表面に接して当該被吸着物を吸着する吸着部と、
当該吸着部を覆って配設された第１のカバーと、
当該第１のカバーを覆って配設された第２のカバーと、
を具備し、前記吸着部に気体の噴出部が配設され、前記第１のカバーと前記第２のカバーとの間の空間を排気する排気機構が配設されてなることを特徴とする吸着コレット。
【０１１３】
（付記７）  前記第１のカバーは、被吸着物の外形寸法よりも小である開口を有し、
前記第２のカバーは、被吸着物の外形寸法よりも大である開口を有していることを特徴とする付記６記載の吸着コレット。
【０１１４】
（付記８）  前記噴出部は、被吸着物の表面に気体を噴出することを特徴とする付記６記載の吸着コレット。
（付記９）  前記第１のカバーと前記第２のカバーとの間の空間に於ける気体は、前記第２のカバーに配設された排気機構を介して排出されることを特徴とする付記６記載の吸着コレット。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明にかかる吸着コレットの構成を示す要部断面図。
【図２】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その１）。
【図３】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための外観斜視図（Ａ）及び要部断面図（Ｂ）（その２）。
【図４】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その３）。
【図５】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その４）。
【図６】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その５）。
【図７】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その６）。
【図８】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その７）。
【図９】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その８）。
【図１０】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その９）。
【図１１】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その１０）。
【図１２】本発明による半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その１１）。
【図１３】本発明にかかる吸着コレットの変形例その１を示す要部断面図。
【図１４】本発明にかかる吸着コレットの変形例その２を示す要部断面図。
【図１５】本発明にかかる吸着コレットの変形例その３を示す要部断面図。
【図１６】本発明にかかる吸着コレットの変形例その４を示す要部断面図。
【図１７】従来の半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その１）。
【図１８】従来の半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その２）。
【図１９】従来の半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その３）。
【図２０】従来の半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その４）。
【図２１】従来の半導体装置の製造方法を説明するための要部断面図（その５）。
【符号の説明】
【０１１６】
１０  半導体基板
１１，１２，１３  半導体素子
１１ａ，１２ａ  電子回路形成部
２０  ダイシングシート
３１  突き上げピン
３１ａ  軸
３１ｂ  板状台座
３１ｃ  ピン
３２，１００  吸着コレット
３２ａ，１１１  板状部材
３２ｂ  真空吸引用パイプ
５０  異物
６０  回路基板
６１  接着部材
７０  気体
１１０  吸着部
１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ  貫通孔
１１１ｆ  表面
１１２  棒状支持部
１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ，１１３，１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃ，１１６ａ，１１６ｂ，１２５，１２５ａ，１２５ｂ，１２６ａ，１２６ｂ  パイプ
１１５  電磁弁
１２０  第１のカバー
１２０ａ，１３０ａ  平坦部
１２０ｂ，１３０ｂ  側壁部
１３０  第２のカバー
１５１  ダイシングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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