(57)【要約】【課題】媒体Ｓ／Ｎが高く、ヘッドの書き滲みを抑え、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板１１の上部に軟磁性下地層１３を介して垂直記録層１６を有する。軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。特に、Ｆｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることが望ましい。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層はＦｅを主成分とする第一軟磁性層と、Ｆｅを主成分とする第二軟磁性層と、前記第一軟磁性層及び第二軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層とを有し、前記反強磁性結合層はＲｕＦｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３％であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記反強磁性結合層のＦｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることを特徴とする
請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第一及び第二軟磁性層は、非晶質合金であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気
記録媒体。
【請求項４】
前記第一及び第二軟磁性層は微結晶質合金であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気
記録媒体。
【請求項５】
前記反強磁性結合層の膜厚が、約０．５５ｎｍ〜約１．０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第一及び第二軟磁性層は、ＦｅにＣｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｍｏの群の中から選ばれる一種あるいは複数種の元素を含む合金であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第一及び第二軟磁性層は、ＦｅＣｏＴａＺｒ合金であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記垂直記録層は、ＣｏとＰｔを含む合金であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記軟磁性下地層と前記垂直記録層の間にＲｕを主成分とする中間層を有することを特徴とする請求項８記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記垂直記録層は、ＣｏＣｒＰｔ合金に酸化物を含むグラニュラ層と、前記グラニュラ層上のＣｏＣｒを主成分とする強磁性層とを含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大容量の情報記録が可能な磁気記録媒体に係り、特に高密度磁気記録に好適な磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータのみならず家庭用の電気製品にも小型で大容量の磁気ディスク装置が搭載されるなど、磁気記録装置の大容量化の要求は強く、記録密度の向上が求められている。これまで、磁気ヘッドや磁気記録媒体などの開発が精力的に行われてきた中、記録方式の主流が面内磁気記録方式から垂直磁気記録方式へ移行し、さらなる記録密度向上が可能になった。垂直磁気記録媒体においては、軟磁性下地層を有する二層垂直磁気記録媒体とすることで、磁気ヘッドからの記録磁界の効率を上げることができ、記録膜の保磁力増加に対応可能なことが知られている。
【０００３】
軟磁性下地層は磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たすため、記録層と比較して、飽和磁束密度（Ｂｓ）の高い軟磁性材料を形成する必要があり、そのため軟磁性下地層起因のノイズが問題となってきた。このノイズの主な原因は軟磁性層に生成した磁壁からの漏洩磁場によるもので、これまで磁壁の生成を抑制する方法や漏洩磁場を減少させる方法が検討されてきた。
【０００４】
たとえば特許文献１および特許文献２に開示されているように、軟磁性下地層と基板との間に硬磁性ピニング層を設け、軟磁性下地層の磁化を一方向に揃える方法や、特許文献３に開示されているように、磁気スピンの方向をそろえた反強磁性との交換結合により軟磁性下地層の磁壁移動を抑止する方法が提案されている、また、特許文献４に開示されているように、軟磁性下地層を非磁性層で互いに分離された二層以上の軟磁性層で構成し、非磁性膜にＲｕを用いることで、二層の軟磁性下地層を反強磁性的に交換結合させる方法が提案されている。この積層された軟磁性層の磁化を逆向きにする方法は、磁壁からの漏洩磁場が発生しにくいため、磁区制御層が無くてもスパイクノイズや記録磁化の減磁の抑制が可能であり、浮遊磁界耐性も向上する。
【０００５】
特許文献５には、反強磁性結合している二層の非晶質軟磁性層の磁気モーメントを等しくすることにより、層間で磁束が環流するためにスパイクノイズおよび再生信号の振幅変調の抑制に大きな効果があること、第一非晶質軟磁性層および第二非晶質軟磁性層の半径方向に一軸異方性を付与し、保磁力を小さくすることで、浮遊磁界耐性の向上に効果があることが記載されている。また、特許文献５には、非磁性層をＣｏ系の強磁性層で挟んだサンドイッチ構造とするか、あるいは非磁性層にＲｕＣｏ、ＲｕＦｅを用いることにより、非晶質軟磁性層間に働く反強磁性結合を強くできることが記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１２９９４６号公報
【特許文献２】特開平１１−１９１２１７号公報
【特許文献３】特開平６−１０３５５４号公報
【特許文献４】特開２００１−１５５３２１号公報
【特許文献５】特開２００５−３０２２３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のとおり、軟磁性下地層に用いる材料は、高Ｂｓで、ディスク基板の半径或いは周方向に一軸異方性が付与されており、表面平坦性に優れていれば特に限定するものではなく、これまではＣｏ或いはＦｅを主成分とした非晶質合金が用いられてきた。しかしながら最近になって、垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層が腐食するという問題が浮上し、特にＣｏ合金を用いた場合に腐食が起こりやすくなることが明らかになってきた。Ｃｏ合金は耐食性に優れていないばかりでなく、水溶液環境中において非常に卑な電位を持つために、近接する中間層との間においてガルバニック腐食（異種金属間腐食）を生じる。中間層としてよく知られているＲｕまたはＲｕ合金は貴金属であるために非常に電位が高く、両者の電位差は１．０Ｖ程度にも達するため、Ｃｏ合金の腐食がガルバニック腐食により、単体の腐食よりも非常に加速されるのである。これに対しＦｅ系合金は、耐食性はＣｏ合金とさほど変わらないものの電位が比較的高く、Ｒｕと隣接してもガルバニック腐食はほとんど起こらない。
【０００８】
前述のとおり、軟磁性下地層起因のノイズを解消するという点で、二層の軟磁性層をＲｕ非磁性層で分離させ、反強磁性的に交換結合させる方法は非常に有効である。軟磁性層の交換結合を最大にするＲｕ非磁性層の最適膜厚は、軟磁性層の材料によって異なる。軟磁性層にＣｏ合金を用いた場合には、Ｒｕの最適膜厚は１ｎｍ前後であるが、Ｆｅ合金の材料を用いた場合には、膜厚は0.4ｎｍ程度と非常に薄い。さらに、後述するように交換結合磁界のＲｕ膜厚依存性もＣｏ合金を用いた場合に比べ大きいため、膜厚マージンが狭く、量産を考慮するとその制御が難しい。
【０００９】
本発明の目的は、軟磁性下地層の交換結合磁界を向上するためのＲｕＦｅ非磁性層の膜厚制御が容易で、磁気記録再生特性が良好で、ガルバニック腐食に対する耐性に優れた垂直磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
発明者等は、Ｒｕ非磁性層にＦｅを添加することによって、軟磁性層と非磁性層との間に強磁性層を設けることなく、軟磁性下地層の交換結合磁界を向上し、ＲｕＦｅ非磁性層の膜厚制御が容易になることを見出し、特願２００６−３０５７１７号（先願）でＦｅの含有率が４０ａｔ％〜７５ａｔ％において良い結果が得られることを提案した。さらにその後の研究において、Ｆｅの含有率が７６ａｔ％〜８０ａｔ％で若干減少傾向にあった交換結合磁界が、８０ａｔ％以上添加すると逆に増大し、ＲｕＦｅ非磁性層の膜厚制御がより容易になることを新たに見出した。具体的な構成は、以下のとおりである。
【００１１】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板の上部に軟磁性下地層を介して垂直記録層を有し、、軟磁性下地層がＦｅを主成分とする第一軟磁性層及び第二軟磁性層と、第一軟磁性層及び第二軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層とを有し、反強磁性結合層がＲｕＦｅ合金であり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％であることを特徴とする。
【００１２】
前記反強磁性結合層のＦｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることが望ましい。
【００１３】
前記第一及び第二軟磁性層は、非晶質合金であることが望ましい。
【００１４】
また、前記第一及び第二軟磁性層は微結晶質合金であっても良い。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、軟磁性下地層の交換結合磁界を向上させるためのＲｕＦｅ非磁性層の膜厚制御が容易となる。また、軟磁性下地層の交換結合磁界を向上させることができるので、軟磁性下地層起因の媒体ノイズを低減できるばかりでなく、ヘッドの書き滲みを抑えることができる。さらに、ガルバニック腐食に対する耐性に優れた垂直磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
まず、実施例による垂直磁気記録媒体の基本構成を説明する。垂直磁気記録媒体は、ANELVA製スパッタ装置（C3010）を用いて作製した。このスパッタ装置は１０個のプロセスチャンバと１個の基板導入チャンバから構成され、それぞれのチャンバは独立に排気されている。全てのチャンバの排気能力は６×１０−６Ｐａ以下である。
【００１７】
垂直磁気記録媒体は、基板上に密着層が形成され、密着層上に軟磁性下地層が形成され、軟磁性下地層上にシード層が形成され、シード層上に中間層が形成され、中間層上に垂直記録層が形成されてなる。
【００１８】
基板はガラス基板、ＮｉＰめっき膜をコーティングしたＡｌ合金基板、シリコンなどのセラミックス基板、さらにテクスチャ加工により表面に同心円状の溝が形成された基板を用いることができる。
【００１９】
密着層の材料としては、基板とその上に形成される軟磁性下地層との密着性が良く、表面平坦性に優れていれば特に限定するものではないが、Ｎｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｃｏ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｂの少なくとも二種以上の金属を含む合金で構成することが好ましい。より具体的には、ＮｉＴａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＴａ，ＣｒＴｉ，ＣｏＴｉ，ＮｉＴａＺｒ，ＮｉＣｒＺｒ，ＣｒＴｉＡｌ，ＣｒＴｉＴａ，ＣｏＴｉＮｉ，ＣｏＴｉＡｌ等を用いることができる。
【００２０】
軟磁性層下地層は、飽和磁束密度（Ｂｓ）が少なくとも１テスラ以上で、ディスク基板の半径方向に一軸異方性が付与されており、ヘッド走行方向に測定した保磁力が１．６ｋＡ／ｍ以下であることが望ましい。具体的には、Ｆｅを主成分とし、これにＣｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ、Ｍｏ等を添加した非晶質合金を用いると上記特性が得られやすい。また、微結晶質合金であっても同様の特性が得られる。
【００２１】
軟磁性下地層のノイズを低減するために、軟磁性下地層に非磁性層を挿入し、この非磁性層を介して上下の軟磁性層を反強磁性的に結合させる構成を用いる。非磁性層の上側の軟磁性層と下側の軟磁性層の磁気モーメントを等しくすると両層の間で磁束が還流し、両層の磁区状態がより安定化されるので好ましい。非磁性層の材料としては、ＲｕＦｅ合金が用いられる。
【００２２】
軟磁性下地層に一軸異方性を確実に付与するために、磁界中冷却工程を行うことが望ましい。磁界は基板半径方向に印加することが望ましく、軟磁性層の半径方向の磁化が飽和する必要があり、磁界の大きさは少なくともディスク基板上で４ｋＡ／ｍ以上であれば良い。冷却温度は、理想的には室温まで冷却することが望ましいが、媒体製造プロセス時間の短縮を考慮すると６０〜１００゜Ｃ程度まで下げるのが現実的である。また、冷却工程の導入箇所は、媒体形成プロセスにより必ずしも軟磁性層形成後である必要はなく、シード層、中間層或いは記録層を形成した後であっても良い。軟磁性下地層の膜厚が十分薄い場合には、この冷却工程は必ずしも行う必要はない。
【００２３】
シード層は、中間層の結晶配向性を向上するための層であり、ＮｉＷ合金あるいはＮｉＴａ合金が好適である。
【００２４】
中間層としては、Ｒｕ単体か、Ｒｕを主成分とした六方稠密構造(ｈｃｐ)や面心立方構造（ｆｃｃ）の合金、或いはグラニュラ構造を有する合金を用いることができる。また、中間層は単層膜でもよいが、結晶構造の異なる材料を用いた積層膜でもよい。
【００２５】
垂直記録層としては、少なくともＣｏとＰｔを含む合金を用いることができる。また、ＣｏＣｒＰｔを主成分とし、それに酸化物を添加したグラニュラ構造を有する合金、具体的にはＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２，ＣｏＣｒＰｔ−ＭｇＯ，ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＯx，ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯxなどを用いることができる。また、上記酸化物グラニュラ層を第一記録層とし、その上に酸化物を含まないＣｏＣｒを主成分とした強磁性の第二記録層を形成した積層構造を用いることもできる。また、(Ｃｏ／Ｐｄ)多層膜，(ＣｏＢ／Ｐｄ)多層膜，（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜，(ＣｏＢ／Ｐｔ)多層膜等の人工格子膜を用いることができる。
【００２６】
垂直記録層の保護層としては、カーボンを主体とする厚さ２ｎｍ以上、６ｎｍ以下の膜を形成し、さらにパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を用いることが好ましい。これにより信頼性の高い垂直記録媒体が得られる。
【００２７】
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性は、スピンスタンドによって評価した。評価に用いたヘッドは、シールドギャップ長６０ｎｍ、トラック幅６５ｎｍの巨大磁気抵抗効果を利用した再生素子と、トラック幅９０ｎｍの単磁極書き込み素子からなる複合磁気ヘッドである。周速１０ｍ／ｓ、スキュー角０度、磁気スペーシング約１５ｎｍの条件で再生出力とノイズを測定し、媒体Ｓ／Ｎは線記録密度２６９０ｆｒ／ｍｍの信号を記録したときの孤立波再生出力と線記録密度２６９００ｆｒ／ｍｍの信号を記録したときの積分ノイズの比として求めた。
【００２８】
媒体の耐食性の評価は以下の手順で行った。まず、温度６０゜Ｃ、相対湿度９０％以上の高温多湿状態の条件下にサンプルを９６時間放置する。次に、Optical Surface Analyzerを用いて半径１４ｍｍから２５ｍｍまでの範囲内における腐食点の数をカウントし、以下のようにランク付けした。カウント数が３０未満のものをＡ、３０以上８０未満のものをＢ、８０以上のものをＣとして評価した。実用的にはＢ以上のランクが望ましい。
【００２９】
以下、実施例による垂直磁気記録媒体の具体的な層構成、製法、組成及び特性について、図面を参照して説明する。
図１に、垂直磁気記録媒体の層構成を示す。基板１１には表面に同心円状の溝が形成された厚さ０．６３５ｍｍ、直径６５ｍｍ（２．５インチ型）のガラスディスク基板を用い、スパッタリング法により密着層１２、軟磁性下地層１３、シード層（結晶配向層層）１４、中間層１５、垂直記録層１６、保護層１７を順次形成し、潤滑剤１８を塗布した。図２にターゲット組成とＡｒガス圧および膜厚を示す。
【００３０】
まず、基板１１上に密着層１２であるＡｌＴｉを５ｎｍ、その上に第一軟磁性層１３１であるＦｅＣｏＴａＺｒを３０ｎｍ、反強磁性結合層１３２であるＲｕＦｅを０．２〜１．２ｎｍ、第二軟磁性層１３３であるＦｅＣｏＴａＺｒを３０ｎｍ、順に形成し、基板を約８０゜Ｃ以下まで磁界中冷却した。さらにシード層１４となるＮｉＷを７ｎｍ、中間層１５となるＲｕを１６ｎｍ形成した。このＲｕ中間層１５は二層に分けて形成しており、下層の８ｎｍは、ガス圧１Ｐａ、成膜速度４ｎｍ／ｓで形成し、上層の８ｎｍはガス圧５．５Ｐａ、成膜速度１．５ｎｍ／ｓで形成した。
【００３１】
さらに第一記録層１６１であるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を１４ｎｍ、第二記録層１６２であるＣｏＣｒＰｔを７ｎｍ積層して垂直記録層１６を形成し、その上に保護層１７であるカーボンを４ｎｍ形成した。その後、パーフルオロアルキルポリエーテル系の材料をフルオルカーボン材で希釈した潤滑剤を塗布して潤滑層１８を形成し、表面にバニッシュをかけて本実施例である垂直記録媒体を作製した。スパッタガスとしてはＡｒを使用し、垂直記録層１６を形成する際には酸素を２０ｍＰａの分圧で添加した。保護層１７を形成する時は、製膜時のＡｒ圧力０．６Ｐａに対し窒素を５０ｍＰａの分圧で添加した。
【００３２】
次に、上記のように作製した垂直記録媒体の軟磁性下地層１３の磁気特性について試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて評価した。垂直記録媒体の半径２３ｍｍの位置を中心として８ｍｍ角に切断したサンプルの、径方向および周方向の磁化曲線を測定した。その代表的な結果を図３に示す。図３（ａ）に示す基板の半径方向に磁界を印加して測定した磁化曲線は、ゼロ磁界を含むある範囲で安定なレベルを有するステップ状の形状をしている。これは軟磁性下地層の磁化容易軸が径方向を向いていることを示しており、この安定なレベルの磁界範囲で、第一軟磁性層１３１と第二軟磁性層１３３が反強磁性的に結合していることを示している。この安定なレベルから遷移する磁界を交換結合磁界Ｈｅｘとして定義する。実際の測定結果である図３（ａ）の磁化曲線では、勾配の極大値である図中のＨｅｘ＋およびＨｅｘ−は、Ｙ軸を中心に概ね対称で、その大きさはほぼ等しく、これらの平均の値を軟磁性下地層の交換結合磁界Ｈｅｘとする。一方、図３（ｂ）に示す基板の周方向に磁界を印加して測定した磁化曲線は、原点から飽和磁場付近まで単調に変化している。この飽和磁界をＨｓと定義し、Ｈｅｘと同様に、図中のＨｓ＋とＨｓ−との平均とした。
【００３３】
次に、反強磁性結合層１３２であるＲｕＦｅの膜厚を変化させて、Ｈｅｘの膜厚依存性を調べた。その結果を図４に示す。ここでＲｕＦｅのＦｅ添加量は５０ａｔ％と７０ａｔ％とした。比較のために反強磁性結合層１３２にＲｕを用いたサンプルを用意し、同様に評価した。比較例の他の層構成は実施例と同じである。ＨｅｘはＲｕＦｅ或いはＲｕの膜厚に対してピークをもつ。ＲｕＦｅのピーク値はＲｕに比較して大きく、Ｒｕが３．６４ｋＡ／ｍに対し、ＲｕＦｅ５０は４．１０ｋＡ／ｍ、ＲｕＦｅ７０は４．３８ｋＡ／ｍであった。さらにピーク値を示す膜厚は、Ｒｕの場合０．４ｎｍであるのに対し、ＲｕＦｅ５０では０．６２ｎｍ、ＲｕＦｅ７０では０．８５ｎｍとＦｅ添加量が多いほど厚い側にシフトすることが分かった。また、Ｈｅｘが３．２ｋＡ／ｍ以上となる膜厚は、Ｒｕが０．３５〜０．４５ｎｍ、ＲｕＦｅ５０が０．５５〜０．７５ｎｍ、ＲｕＦｅ７０が０．７〜１．０ｎｍとなり、Ｒｕに対してＲｕＦｅの方が、またＲｕＦｅにおいてはＦｅ添加量の多い方が膜厚マージンも広くなることが分かった。
【００３４】
次に、反強磁性結合層１３２であるＲｕＦｅ添加量とその最適膜厚、及びＨｅｘのピーク値との関係を調べた。その結果を図５及び図６に示す。今回の実験では図５に示すようにＦｅ添加量を、０ａｔ％から８０ａｔ％（図中Ａ領域斜線部）に加えて、８０ａｔ％を超えて９５ａｔ％まで振っている（図中Ｂ領域斜線部）。Ｆｅ添加量が２５ａｔ％までは最適膜厚はＲｕの場合と殆ど変わらないが、Ｆｅの添加量を増やすと、添加量と共に最適膜厚は厚くなる。Ｆｅ添加量７０〜８０ａｔ％は最適膜厚が殆ど変わらなかったが、８０ａｔ％より多くなるとさらに厚くなり、Ｆｅ添加量８５ａｔ％で約１ｎｍとなることが分かった。図５から推測して、Ｒｕと比較して、膜厚の制御が容易になる膜厚にするためのＦｅ添加量の下限は約４０ａｔ％である。膜厚にすると約０．５５ｎｍである。
【００３５】
図６からＨｅｘのピーク値に関しても前述したように、ＲｕＦｅの最適膜厚と同様、Ｆｅ添加量が２５ａｔ％までは殆ど変化しないが、３０ａｔ％を超えると単調に増大することが分かる。Ｆｅの添加量が約７６ａｔ％から８０ａｔ％の範囲で若干減少する傾向が見られるが、しかし、さらにＦｅを添加するとＨｅｘは再び増大し、９３ａｔ％まで反強磁性結合することが分かった。Ｆｅ添加量が９５ａｔ％まで増加するとＨｅｘはゼロとなり、軟磁性下地層は強磁性結合した。なお、Ｆｅの添加量が約７６ａｔ％から８０ａｔ％の範囲で、Ｈｅｘが若干減少しているが、このレベルはＦｅの添加量が４０ａｔ％と同程度であり、Ｒｕ単体に比較してＨｅｘは増大している。
【００３６】
上記現象の原因を調べるため、ＸＲＤにてＲｕＦｅの結晶配向を調べた。その結果、Ｆｅ含有量が７５ａｔ％以下ではＲｕＦｅはｈｃｐ構造であったのに対し、Ｆｅが８０ａｔ％から９３ａｔ％まで添加された膜は、ｈｃｐ構造とｂｃｃ構造の混層になっており、Ｆｅ添加量が９５ａｔ％の場合には、ｂｃｃ構造となっていることがわかった。したがって、今回の実験により、ｂｃｃ構造以外、つまりｈｃｐ構造とｂｃｃ構造の混合層である場合に望ましいことが分かった。
【００３７】
次に、ＲｕＦｅの腐食性を調べるために、水溶液中における浸漬電位測定を行った。試験には基板上にＡｌＴｉを５ｎｍ、ＲｕＦｅを５０ｎｍ形成したサンプルを用いた。試験溶液はシュウ酸水溶液（ｐH３．１、温度２５°Ｃ）を使用し、銀塩化銀電極（KCｌ飽和）を基準とし、１０分間測定した。試料面積は１ｃｍ２とし、それ以外の面は被覆している。その結果を図７に示す。比較のために軟磁性下地層のＦｅＣｏＴａＺｒ膜の電位も調べた。Ｒｕは電位が高くおおよそ６００ｍＶであり、一方ＦｅＣｏＴａＺｒの電位は−４００ｍＶとＲｕに比較してかなり低く、両者の電位差が大きいことが分かる。つまり、この電位差によって両者間にガルバニック腐食が生じてしまう。ＲｕにＦｅを添加していくと電位は徐々に低下し、Ｆｅを添加するほどガルバニック腐食が起こりにくくなり、耐食性が向上すると予想される。
【００３８】
上記反強磁性層１３２であるＲｕＦｅのＦｅ添加量を振った媒体１−１〜１−１４を用意し、ＲＷ特性、及び耐食性を評価した。その結果を図８にまとめた。比較のためにＲｕ反強磁性層を用いた媒体１−１５を用意した。Ｆｅ添加量９３ａｔ％までは、いずれの媒体も媒体Ｓ／Ｎは同程度であったが、Ｆｅ添加量が９５ａｔ％まで増えるとの媒体Ｓ／Ｎは劣化した。径方向への書き滲みを示すＭＣＷは、Ｈｅｘと相関が見られ、Ｈｅｘが大きいほどＭＣＷ（記録トラック幅）が狭くなっていることがわかった。ガルバニック腐食に対する耐性（耐食性）はＦｅ含有量に依らず、いずれの媒体もＡランク以上と良好であった。
【００３９】
これらのことから、高い媒体Ｓ／Ｎと狭いＭＣＷを得るためには、反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量は４０ａｔ％〜９３ａｔ％であり、特に８３ａｔ％〜９３ａｔ％が望ましいこと分かった。
【００４０】
なお、上記実施例においては、基板として、厚さ０．６３５ｍｍ、直径６５ｍｍ（２．５インチ型）のガラス基板を用いたが、これに限らず、基板材としてはＮｉＰめっき膜をコーティングしたＡｌ合金基板あるいはシリコンなどのセラミックス基板でも良く、基板のサイズとしては、厚さが０．８ｍｍ以上あるいは０．６３５ｍｍ以下、直径が８８．９ｍｍ（３．５インチ型）でも良い。これらの基板の場合でも、上記実施例と同様の結果は得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例による垂直磁気記録媒体の層構成を示す図である。
【図２】実施例で用いたターゲット組成とＡｒガス圧および膜厚を示す図である。
【図３】実施例による垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の磁化曲線を示す図である。
【図４】軟磁性下地層の反強磁性結合層であるＲｕＦｅの膜厚と反強磁性結合磁界Ｈｅｘの関係を示す図である。
【図５】実施例による垂直磁気記録媒体の反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量と最適膜厚との関係を示す図である。
【図６】実施例による垂直磁気記録媒体の反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量と反強磁性結合磁界Ｈｅｘとの関係を示す図である。
【図７】実施例による垂直磁気記録媒体の反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量と浸漬電位との関係を示す図である。
【図８】実施例による垂直磁気記録媒体のＲＷ特性、及び耐食性を評価した結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１１…基板、１２…密着層、１３…軟磁性下地層、１４…シード層、１５…中間層、１６…記録層、１７…保護層、１８…潤滑層、１３１…第一軟磁性層、１３２…反強磁性結合層、１３３…第二軟磁性層、１６１…第一記録層、１６２…第二記録層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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