(57)【要約】【課題】  選択画素への書き込みによるデータ線電位の変動が非選択画素に及ぼす影響を最小化し、非選択画素の表示特性を格段に向上させること。【解決手段】電気光学装置（液晶表示装置等）は、ｎ本（ｎは１以上の整数）のメインデータ線（ＭＤＬ）と、ｎ本のメインデータ線のうちの第ｋのメインデータ線（１≦ｋ≦ｎ）（ＭＤＬｎ）に対応して設けられる、ｍ本（ｍは１以上の整数）のサブデータ線（ＳＤＬｎ）と、第ｋのメインデータ線とｍ本のサブデータ線の各々との間に設けられ、第ｋのメインデータ線とｍ本のサブデータ線の各々との電気的な接続／非接続を切り換えるためのｍ個の第１のスイッチ（ＳＷ１）と、ｍ本のサブデータ線の各々に接続されるｉ個（ｉは１以上の整数）の画素回路と、を含む。【選択図】  図１
2009192745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ本（ｎは１以上の整数）のメインデータ線と、
前記ｎ本のメインデータ線のうちの第ｋのメインデータ線（１≦ｋ≦ｎ）に対応して設けられる、ｍ本（ｍは１以上の整数）のサブデータ線と、
前記第ｋのメインデータ線と前記ｍ本のサブデータ線の各々との間に設けられ、前記第ｋのメインデータ線と前記ｍ本のサブデータ線の各々との電気的な接続／非接続を切り換えるためのｍ個の第１のスイッチと、
前記ｍ本のサブデータ線の各々に接続されるｉ個（ｉは１以上の整数）の画素回路と、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置であって、
前記ｍ本のサブデータ線の各々への、非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのｍ個の第２のスイッチを有し、
前記ｍ個の第１のスイッチの各々は、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオンし、非選択状態のときにオフし、かつ、
前記ｍ個の第２のスイッチの各々は、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオフし、非選択状態のときにオンすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２記載の電気光学装置であって、
前記非選択サブデータ線電圧は、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される画像信号の最大電圧と最小電圧との中点の電圧であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２記載の電気光学装置であって、
前記画像信号の電位極性は、所定電位を基準として周期的に切り換わり、
前記非選択サブデータ線電圧は、
前記画像信号が正極性である場合、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される、前記正極性の画像信号の最大電圧と最小電圧の中点の電圧であり、
前記画像信号が負極性である場合、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される、前記負極性の画像信号の最大電圧と最小電圧との中点の電圧であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項２記載の電気光学装置であって、
前記画像信号の電位極性は、所定電位を基準として周期的に切り換わり、
前記非選択サブデータ線電圧は、
前記画像信号が正極性である場合に前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される最大電圧と、前記画像信号が負極性である場合に前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される最小電圧との中点の電圧であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項２記載の電気光学装置であって、
前記ｉ個の画素回路の各々は、
画素電極と、
前記ｍ本のサブデータ線の各々と、前記画素電極との間に設けられるトランスファースイッチを有し、
前記非選択サブデータ線電圧は、
前記トランスファースイッチがＮＭＯＳトランジスタで構成される場合、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される最大電圧以上の電圧に設定され、
前記トランスファースイッチがＰＭＯＳトランジスタで構成される場合、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される最小電圧以下の電圧に設定されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１記載の電気光学装置であって、
前記ｍ本のサブデータ線の各々への、第１の非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのｍ個の第２のスイッチと、
前記ｍ本のサブデータ線の各々への、第２の非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのｍ個の第３のスイッチと、を有し、
前記ｍ個の第１のスイッチの各々は、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオンし、非選択状態のときにオフし、
前記ｍ個の第２のスイッチおよび第３のスイッチの各々は、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオフし、
かつ、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が非選択状態のときには、まず、前記第３のスイッチがオンして前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線に前記第２の非選択サブデータ線電圧を供給し、
次に、前記第３のスイッチをオフすると共に前記第２のスイッチをオンして、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線に前記第１の非選択サブデータ線電圧を供給することを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１記載の電気光学装置であって、
前記第１のスイッチは、メカニカルスイッチであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
ｎ本（ｎは１以上の整数）のメインデータ線と、前記ｎ本のメインデータ線のうちの第ｋのメインデータ線（１≦ｋ≦ｎ）に対応して設けられる、ｍ本（ｍは１以上の整数）のサブデータ線と、前記第ｋのメインデータ線と前記ｍ本のサブデータ線の各々との間に設けられ、前記第ｋのメインデータ線と前記ｍ本のサブデータ線の各々との電気的な接続／非接続を切り換えるためのｍ個の第１のスイッチと、前記一本のサブデータ線の各々に接続されるｉ個（ｉは１以上の整数）の画素回路と、前記ｍ本のサブデータ線の各々への、非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのｍ個の第２のスイッチを含む電気光学装置の駆動方法であって、
前記ｍ本のサブデータ線のうちの第ｘ（１≦ｘ≦ｍ）のサブデータ線が選択されるとき、前記ｍ個の第１のスイッチのうちの、前記第ｘのサブデータ線に対応する第ｘの第１のスイッチをオンさせて、前記第ｋのメインデータ線ならびに前記第ｘのサブデータ線を経由して、画像信号を、前記第ｘのサブデータ線に接続される前記ｉ個の画素回路の少なくとも一つに供給すると共に、
前記ｍ本のサブデータ線のうちの第ｘ（１≦ｘ≦ｍ）のサブデータ線が非選択であるとき、前記ｍ個の第１のスイッチのうちの、前記第ｘのサブデータ線に対応する第ｘの前記第１のスイッチをオフさせ、これによって、前記第ｋのメインデータ線と前記第ｘのサブデータ線とを電気的に分離し、かつ、前記第ｘのサブデータ線に対応する第ｘの前記第２のスイッチをオンさせて、前記非選択サブデータ線電圧を前記第ｘのサブデータ線に供給することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項１〜請求項８のいずれかに記載の電気光学装置を搭載した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置（例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置）、電気光学装置の駆動方法および電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置において、各画素の保持電圧（表示電圧）を変動させる要因として、各画素に設けられるトランスファースイッチとしてのＭＯＳトランジスタのゲート・ドレイン間の寄生容量に起因するフィードスルーが知られている。フィードスルー対策の一例が特許文献１に記載されている。
【０００３】
また、ＤＲＡＭ(ダイナミックＲＡＭ)において、データ線を階層化する構成が特許文献２に記載されている。
【０００４】
また、シリコン基板を用いたＩＣにおいて、アルファ線によって発生する電荷を吸収するための構成（すなわち、イオン注入によって形成された水素拡散層によって製造プロセス的に対策する構成）は、特許文献３に記載されている。
【特許文献１】特開２００２-３４１３１３号公報
【特許文献２】特開平５−５４６３４号公報
【特許文献３】特開平９−１２９８４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば液晶表示装置において、より高精細な画像表示を実現しようとすると、上述のフィードスルーの他に、解決しなければならない新たな課題が生じる。以下、本発明の発明者によって、本発明前に明らかとされた、新たな課題について説明する。以下の説明では、図９を参照する。図９（Ａ）〜図９（Ｄ）は、本発明前に明らかとされた、新たな課題について説明するための図である。
【０００６】
（１）課題１（データ線の電位変動が非選択画素の走査線電位を変動させること）
データ線上には複数の画素回路が接続されている。各画素回路には、トランスファースゲートとしてのＭＯＳトランジスタが設けられ、そのＭＯＳトランジスタのゲート・ソース（あるいはドレイン）間には寄生容量が存在する。よって、選択されている画素への書き込みのためにデータ線の電位が変動すると、そのデータ線の電位変動が、非選択状態の画素のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース（ドレイン）間の寄生容量によるカップリングによって、非選択状態の走査線電位を変動させる。その結果、非選択状態のＭＯＳトランジスタのリーク電流を増加させる。画素トランジスタのリーク電流は、保持電圧の低下や上昇といった電位変化を引き起こし、表示特性に影響を与える。
【０００７】
図９（Ａ）を用いて、具体的に説明する。図９（Ａ）には第１および第２の画素（ＰＩＸ（Ａ）およびＰＩＸ（Ｂ））が示されている。各画素には、トランスファーゲートとしてのＮＭＯＳトランジスタ（画素トランジスタ）Ｍ１００ａ，Ｍ１００ｂが設けられている。
【０００８】
図９（Ａ）において、ＧＬａ，ＧＬｂは走査線であり、ＤＬはデータ線であり、ＶＤＬはデータ線ＤＬを経由して各画素に供給される画像信号の電圧（データ線電圧）である。また、Ｃｇｄ（ｓ）はゲート・ドレイン間の寄生容量であり、Ｃｇｓ（ｄ）はゲート・ソース間の寄生容量であり、Ｉ（ＬＥ）はリーク電流であり、Ｉ（ＷＲ）は書き込み電流であり、ＬＣは液晶素子（液晶容量）であり、Ｃｓｔは保持容量であり、ＶＣＯＭは保持容量Ｃｓｔの一端に印可される基準電圧であり、ＬＣＯＭは、液晶素子（液晶容量）の下側の画素電極に印加される基準電圧（例えば、ＬＣＯＭはＶＣＯＭに等しく設定される）である。
【０００９】
第２の画素ＰＩＸ（Ｂ）に画像データを書き込む際に、データ線ＤＬの電圧変化が、第１の画素ＰＩＸ（Ａ）内のＮＭＯＳトランジスタＭ１００ａに寄生する容量Ｃｇｄ（ｓ）を経由して走査線ＧＬａに伝達される。よって、非選択状態の走査線ＧＬａの電位（つまり、ＮＭＯＳトランジスタＭ１００ａのゲート電位）が変動する。このゲート電位変動によって、リーク電流Ｉ（ＬＥ）の電流量が変動する。よって、第１の画素ＰＩＸ（Ａ）内の保持容量Ｃｓｔで保持されている電圧（表示電圧）が、そのリーク電流Ｉ（ＬＥ）に起因して変動し、画像表示に影響を与える。
【００１０】
（２）課題２（ＮＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間の電圧が変化することによるリーク電流の変動）
【００１１】
データ線を通して書き込まれる電位は画素毎に任意に決まるため、非選択状態の画素を構成するＮＭＯＳトランジスタ（トランスファーゲート）のソース・ドレイン間に印加される電圧は画素毎に様々な電圧値となる。様々なソース・ドレイン間電圧条件によって画素毎にトランジスタのリーク電流量が異なる。例えば、同じ電圧を保持している画素が複数、あったとしても、各画素のデータ線の電圧が時間経過と共に変化すれば、各画素内のＮＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間の電圧が時間経過と共に様々に変化する。よって、画素毎にリーク電流の量が異なる結果となる。このことが表示特性に影響を与える。課題１および課題２の現象が同時に生じることによって、表示特性が変動する。
【００１２】
ここで、図９（Ｂ）を参照する。図９（Ｂ）において、ＧＬａ〜ＧＬｄは走査線であり、ＤＬ１，ＤＬ２はデータ線であり、Ａ１〜Ｄ２は画素であり、ＰＩＸ（ｇ１）は第１の画素グループであり、ＰＩＸ（ｇ２）は第２の画素グループであり、ＰＩＸ（ｇ３）は第３の画素グループである。走査線ＧＬａを選択して第１の画素グループＰＩＸ（ｇ１）（つまり、画素Ａ１および画素Ａ２）に、例えば、電圧Ｖ１を書き込んだとする。次に、走査線ＧＬｂ〜ＧＬｄを順次、選択していき、第２の画素グループＰＩＸ（ｇ２）（つまり、画素Ｂ１〜画素Ｄ１）に、例えば、電圧Ｖ２（＞Ｖ１）を書き込み、同様に、第３の画素グループＰＩＸ（ｇ３）（つまり、画素Ｂ２〜画素Ｄ２）に、例えば、電圧Ｖ０（＜Ｖ１）を書き込んだとする。この場合、第１の画素グループＰＩＸ（ｇ１）に含まれる２つの画素（画素Ａ１および画素Ａ２）の保持電圧は異なる電圧となる。つまり、画素Ａ１およびＡ２で保持されている電位は、Ｖ１（Ａ２）＞Ｖ１（Ａ１）となる。同じ電圧Ｖ１を書き込んだのであるから、画素Ａ１および画素Ａ２の保持電圧は同じであるはずであるが、データ線の電位の変動の影響を受けて、画素Ａ１および画素Ａ２の各々の保持電圧は、異なる電圧値となってしまう。
【００１３】
（３）課題３（表示装置におけるα線（光）照射に対する対策）
表示装置（例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置）においては、α線（光）照射に対する対策は特に採られていないのが現状である。但し、より高精細な画像表示をめざす場合、表示装置（例えば、反射式液晶（Liquid Crystal On Silicon、LCOS）パネル）においても、α線（光）照射に対する対策を施すのが好ましい。
【００１４】
図９（Ｃ）および図９（Ｄ）を参照して具体的に説明する。図９（Ｃ）は画素の構成例を示している。図９（Ｃ）において、ＧＬは走査線であり、ＤＬはデータ線であり、Ｍ１００は画素トランジスタとしてのＮＭＯＳトランジスタであり、Ｃｓｔは保持容量であり、ＬＣは液晶素子（液晶容量）である。図９（Ｄ）は、図９（Ｃ）に示されるＮＭＯＳトランジスタの断面構造の一例を示している。図９（Ｄ）において、Ｐ＋型基板２００上に、ソースおよびドレインとなるＮ＋層２０２および２０４と、Ｐ＋型基板２００を接地するためのＰ＋層２０６ａおよび２０６ｂとが設けられる。Ｐ＋型基板２００の表面はフィールド酸化膜２０８ａ，２０８ｂによって覆われている。α線（光）の照射によって発生した電子正孔対のうち、正孔はＰ＋型基板２００を接地するためのＰ＋層２０６ａおよび２０６ｂに吸収されるが、電子は、ソースおよびドレインとなるＮ＋層２０２および２０４に向けて移動する。これによって、Ｎ＋層２０４の電圧が変動し、保持容量Ｃｓｔの保持電圧が変動する。
【００１５】
このように、α線や光の入射によって発生した電子および正孔は、画素トランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタ）のソース（ドレイン）へ引き寄せられ、画素の保持電圧を変化させる原因となり、このことが表示特性に影響を与える可能性がある。なお、上述のとおり、特許文献３では、α線によって発生する電荷を、イオン注入によって形成された水素拡散層によって製造プロセス的に対策している。α線対策を製造プロセス的に行うと、製造プロセスが複雑化し、コストアップが生じるのは否めない。
【００１６】
本発明はこのような考察に基づいてなされたものである。本発明の幾つかの実施形態によれば、例えば、選択画素への書き込みによるデータ線電位の変動が非選択画素に及ぼす影響を最小化し、非選択画素の表示特性を格段に向上させることが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
（１）本発明の電気光学装置の一態様では、ｎ本（ｎは１以上の整数）のメインデータ線と、前記ｎ本のメインデータ線のうちの第ｋのメインデータ線（１≦ｋ≦ｎ）に対応して設けられる、ｍ本（ｍは１以上の整数）のサブデータ線と、  前記第ｋのメインデータ線と前記ｍ本のサブデータ線の各々との間に設けられ、前記第ｋのメインデータ線と前記ｍ本のサブデータ線の各々との電気的な接続／非接続を切り換えるためのｍ個の第１のスイッチと、前記一本のサブデータ線の各々に接続されるｉ個（ｉは１以上の整数）の画素回路と、を含む。
【００１８】
本態様では、データ線を階層化する。すなわち、１本のメインデータ線に対して、少なくとも１本のサブデータ線を設ける。１本のサブデータ線には、少なくとも１つの画素回路が接続される。１本のメインデータ線とサブデータ線との間には、第１のスイッチが設けられる。この第１のスイッチのオン／オフによって、メインデータ線とサブデータ線との電気的接続／非接続を切り換えることができる。第１のスイッチをオンさせれば、メインデータ線およびサブデータ線を経由して選択状態の画素に画素電圧を書き込むことができる。一方、サブデータ線に接続される少なくとも一つの画素のすべてが非選択状態のとき、第１のスイッチをオフすることによって、サブデータ線をメインデータ線から電気的に分離することができる。この分離によって、選択状態の画素に対する書き込み電圧によってデータ線電位が変動したとしても、その電位変動は、サブデータ線には伝達されず、よって、非選択状態の画素は悪影響を受けない。すなわち、画素トランジスタの寄生容量に起因する走査線電位の変動が生じない。よって、非選択状態の画素の表示特性を向上させることができる。
【００１９】
（２）本発明の電気光学装置の他の態様では、前記ｍ本のサブデータ線の各々への、非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのｍ個の第２のスイッチを有し、前記ｍ個の第１のスイッチの各々は、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオンし、非選択状態のときにオフし、かつ、前記ｍ個の第２のスイッチの各々は、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオフし、非選択状態のときにオンする。
【００２０】
非選択状態のサブデータ線に対して、第２のスイッチを経由して非選択サブデータ線電圧を供給する。第１のスイッチは、上述のとおり、対応するサブデータ線が選択状態のとき（つまり、そのサブデータ線に接続される画素回路の少なくとも１つが選択されるとき）にオンし、非選択状態のとき（つまり、そのサブデータ線に接続される画素回路の全部が非選択のとき）にオフする。一方、第２のスイッチは第１のスイッチに対して相補的に（逆相で）オン／オフされる。つまり、第２のスイッチは、対応するサブデータ線が非選択状態のときにオンして非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）を非選択状態のサブデータ線に供給し、対応するサブデータ線が選択状態のときにオフする。非選択状態のサブデータ線はメインデータ線から電気的に分離されると共に、メインデータ線の電圧とは異なる一定の電圧（ＶＲ：非選択サブデータ線電圧）に維持されるため、画素トランジスタのリーク電流の電流量は、画素に保持されている電圧にのみ依存することになり、メインデータ線の電位の影響は排除される。よって、サブデータ線に接続されている非選択状態の画素は、より安定した非選択状態を保つことになり、メインデータ線に電気的に接続されている選択状態の画素からの電気的ノイズ等の影響が格段に軽減される。よって、従来に比べて、非選択状態の画素の表示特性の変動が低減され、表示品質が向上する。
【００２１】
（３）本発明の電気光学装置の他の態様では、前記非選択サブデータ線電圧は、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される画像信号の最大電圧と最小電圧との中点の電圧である。
【００２２】
非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）を、画素へ書き込む電圧の最大値および最小値の中点の電位（（最大値−最小値）／２）に相当する電圧に設定することによって、画素トランジスタからのリーク電流の最大値を、従来に比べて抑制することができる。例えば、画素に書き込む電圧の最大値を５Ｖとし、最小値を０Ｖとする。従来なら、非選択状態の画素トランジスタ（例えば、ＮＭＯＳトランジスタ）のソース・ドレインには、最大で５Ｖの電圧がかかる可能性がある（データ線電圧が０Ｖあるいは５Ｖであり、画素の保持電圧が５Ｖあるいは０Ｖであるとき）。本態様の場合、非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）は例えば２．５Ｖであるため、画素の保持電圧が０Ｖあるいは５Ｖのいずれの場合でも、画素トランジスタのソース・ドレイン間にかかる電圧の最大値は２．５Ｖであり、従来のソース・ドレイン間電圧の最大値の半分となる。よって、画素トランジスタのリーク電流も、従来に比べて抑制される。また、サブデータ線が非選択状態から選択状態となるとき、サブデータ線は、あらかじめ、画像信号の最大値および最小値の中点の電圧（すなわちＶＲ）に設定されているため、画像信号の電圧がどのような電圧であったとしても、サブデータ線の電圧の変動幅（振幅）は最小となる。サブデータ線の振幅が最小化されることによって、そのサブデータ線に接続される複数の画素間における相互の影響（つまり、選択状態の画素の書き込み電圧によるサブデータ線の電位変動が、非選択状態の画素の画素トランジスタの寄生容量を経由して伝達され、その非選択状態の画素の保持電圧が変動すること）が軽減されるという効果も得られる。
【００２３】
（４）本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像信号の電位極性は、所定電位を基準として周期的に切り換わり、前記非選択サブデータ線電圧は、前記画像信号が正極性である場合、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される、前記正極性の画像信号の最大電圧と最小電圧の中点の電圧であり、前記画像信号が負極性である場合、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される、前記負極性の画像信号の最大電圧と最小電圧との中点の電圧である。
【００２４】
これによって、メインデータ線を経由して伝達される画像信号の電圧極性が周期的に反転する場合（つまり、画素を交流駆動する場合）でも、上記（３）と同様の作用、効果を得ることができる。
【００２５】
（５）本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像信号の電位極性は、所定電位を基準として周期的に切り換わり、前記非選択サブデータ線電圧は、前記画像信号が正極性である場合に前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される最大電圧と、前記画像信号が負極性である場合に前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される最小電圧との中点の電圧である。
【００２６】
本態様では、非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）は常に、一定値であり、変更する必要がない。よって、メインデータ線を経由して伝達される画像信号の電圧極性が周期的に反転する場合（つまり、画素を交流駆動する場合）でも、電圧極性に応じて、非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）を反転する必要がなく、よって、表示装置のドライバ回路の負担が軽減される。
【００２７】
（６）本発明の電気光学装置の他の態様では、前記ｉ個の画素回路の各々は、画素電極と、前記ｍ本のサブデータ線の各々と、前記画素電極との間に設けられるトランスファースイッチを有し、前記非選択サブデータ線電圧は、前記トランスファースイッチがＮＭＯＳトランジスタで構成される場合、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される最大電圧以上の電圧に設定され、前記トランスファースイッチがＰＭＯＳトランジスタで構成される場合、前記第ｋのメインデータ線を経由して伝達される最小電圧以下の電圧に設定される。
【００２８】
本態様では、光やα線等の高エネルギー放射線が、例えばシリコン基板に入射した場合に発生するキャリア（電荷）を、サブデータ線側（トランスファースイッチを構成する画素トランジスタの例えばソース側）に寄せ集めて吸収することができる。よって、トランスファースイッチを構成する画素トランジスタの例えばドレインの電位変動が抑制される。つまり、その画素の保持容量に蓄えられている電荷が、α線等の照射によって生じたキャリアの内、保持容量側に引き寄せられる極性の電荷と再結合する事によって保持容量に蓄えられた電荷量を減少させてしまう問題が軽減される。よって、画素の保持電圧の変動を、電気的に抑制することができる。製造プロセスには変更はないため、製造プロセスが複雑化したり、製造コストが上昇したりする心配がない。
【００２９】
（７）本発明の電気光学装置の他の態様では、前記ｍ本のサブデータ線の各々への、第１の非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのｍ個の第２のスイッチと、前記ｍ本のサブデータ線の各々への、第２の非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのｍ個の第３のスイッチと、を有し、前記ｍ個の第１のスイッチの各々は、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオンし、非選択状態のときにオフし、前記ｍ個の第２のスイッチおよび第３のスイッチの各々は、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオフし、かつ、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が非選択状態のときには、まず、前記第３のスイッチがオンして前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線に前記第２の非選択サブデータ線電圧を供給し、次に、前記第３のスイッチをオフすると共に前記第２のスイッチをオンして、前記ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線に前記第１の非選択サブデータ線電圧を供給する。
【００３０】
非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）の供給ノード（あるいは供給線）には、一般に、多数の非選択状態のサブデータ線が接続される。よって、一本のサブデータ線が選択状態から非選択状態となったときに、メインデータ線から電気的に分離された直後のサブデータ線に、非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）の供給ノードを接続すると、その接続に伴って充放電電流が流れる。その充放電電流は、非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）の供給ノードに接続されている他の多数の非選択状態のサブデータ線の電位を変動させる要因（ノイズ要因）となる場合があり、この場合、非選択状態の画素の表示特性に影響が生じる。そこで、本態様では、非選択サブデータ線電圧として２種類の電圧（例えば、第１の非選択サブデータ線電圧ＶＲＢと第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡとする）を用意する。２種類の非選択サブデータ線電圧（ＶＲＢとＶＲＡ）は、各々、電気的（好ましくはさらに物理的にも）相互に切り離されているのが好ましい。但し、ＶＲＢとＶＲＡの電圧値は、原則的には同じである（但し、例えば、少々の差異を設けることもできる）。そして、一本のサブデータ線が選択状態から非選択状態となると、第３のスイッチをオンして、そのサブデータ線には、まず、第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡを供給する。これによって、サブデータ線の電位は、第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡに収束する（あるいは、ＶＲＡに近い電圧になる）。このとき、充放電電流が流れてＶＲＡの電位が変動するが、ＶＲＡは、ＶＲＢから電気的（望ましくはさらに物理的に）切り離されているため、ＶＲＡの電位変動は、ＶＲＢの電位に影響を与えない。よって、ＶＲＢに接続されている多数の非選択状態の画素には影響がない。サブデータ線の電位がＶＲＡに近づいた後（理想的にはＶＲＡに一致した後）、第３のスイッチをオフしてＶＲＡをサブデータ線から切り離し、次に、第２のスイッチをオンして、ＶＲＢをサブデータ線に供給する。サブデータ線は、ＶＲＢと同じ電圧あるいは、ＶＲＢの近傍の電圧となっていることから、充放電電流の電流量は低減され、よって、多数の非選択状態の画素には、ほとんど影響がない。よって、非選択状態の画素の表示特性をさらに改善することができる。
【００３１】
（８）本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１のスイッチは、メカニカルスイッチである。
【００３２】
例えば、第１のスイッチとして、メカニカルスイッチ（例えば、ＭＥＭＳ（機械電気的微小システム）技術を用いて製造されるスイッチ）を使用することによって、より完全な電気的なアイソレーションが実現され、リーク電流をより減少させることができる。よって、サブデータ線電位の変動が、画素の表示特性に与える影響をより低減することができる。なお、上述の第２のスイッチ（あるいは第３のスイッチ）として、メカニカルスイッチを使用して、同様の効果を得ることもできる。
【００３３】
（９）本発明の電気光学装置の駆動方法の一態様では、ｎ本（ｎは１以上の整数）のメインデータ線と、前記ｎ本のメインデータ線のうちの第ｋのメインデータ線（１≦ｋ≦ｎ）に対応して設けられる、ｍ本（ｍは１以上の整数）のサブデータ線と、前記第ｋのメインデータ線と前記ｍ本のサブデータ線の各々との間に設けられ、前記第ｋのメインデータ線と前記ｍ本のサブデータ線の各々との電気的な接続／非接続を切り換えるためのｍ個の第１のスイッチと、前記一本のサブデータ線の各々に接続されるｉ個（ｉは１以上の整数）の画素回路と、前記ｍ本のサブデータ線の各々への、非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのｍ個の第２のスイッチを含む電気光学装置の駆動方法であって、前記ｍ本のサブデータ線のうちの第ｘ（１≦ｘ≦ｍ）のサブデータ線が選択されるとき、前記ｍ個の第１のスイッチのうちの、前記第ｘのサブデータ線に対応する第ｘの第１のスイッチをオンさせて、前記第ｋのメインデータ線ならびに前記第ｘのサブデータ線を経由して、画像信号を、前記第ｘのサブデータ線に接続される前記ｉ個の画素回路の少なくとも一つに供給すると共に、前記ｍ本のサブデータ線のうちの第ｘ（１≦ｘ≦ｍ）のサブデータ線が非選択であるとき、前記ｍ個の第１のスイッチのうちの、前記第ｘのサブデータ線に対応する第ｘの前記第１のスイッチをオフさせ、これによって、前記第ｋのメインデータ線と前記第ｘのサブデータ線とを電気的に分離し、かつ、前記第ｘのサブデータ線に対応する第ｘの前記第２のスイッチをオンさせて、前記非選択サブデータ線電圧を前記第ｘのサブデータ線に供給する。
【００３４】
本態様の電気光学装置の駆動方法では、データ線を階層化すると共に、画素が選択されるときは、メインデータ線および対応するサブデータ線を経由して選択状態の画素に画素電圧を書き込む。一方、サブデータ線に接続される少なくとも一つの画素のすべてが非選択状態のとき、第１のスイッチをオフすることによって、サブデータ線をメインデータ線から電気的に分離する。この分離によって、選択状態の画素に対する書き込み電圧によってデータ線電位が変動したとしても、その電位変動は、サブデータ線には伝達されず、よって、非選択状態の画素は悪影響を受けない。すなわち、画素トランジスタの寄生容量に起因する走査線電位の変動が生じず、上述の課題１が解決される。よって、非選択状態の画素の表示特性を向上させることができる。また、非選択状態のサブデータ線（つまり、メインデータ線から電気的に切り離された状態のサブデータ線）には、第２のスイッチを経由して非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）を供給する。つまり、非選択状態のサブデータ線はメインデータ線から電気的に分離されると共に、メインデータ線の電圧とは異なる一定の電圧（ＶＲ：非選択サブデータ線電圧）に維持されるため、画素トランジスタのリーク電流の電流量は、画素に保持されている電圧にのみ依存することになり、サブデータ線の電位の影響は排除される。よって、サブデータ線に接続されている非選択状態の画素は、より安定した非選択状態を保つことになり、メインデータ線に電気的に接続されている選択状態の画素からの電気的ノイズ等の影響が格段に軽減される。よって、従来に比べて、非選択状態の画素の表示特性の変動が低減され、表示品質が向上する。
【００３５】
（１０）本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を搭載する。
本発明の電気光学装置は、データ線の階層化によって表示特性が改善され、高品質な表示が可能である。よって、その電気光学装置を搭載する電子機器（例えば、液晶表示パネルを搭載する携帯電話端末）の表示性能も向上する。
【００３６】
このように、本発明の幾つかの実施形態によれば、例えば、選択画素への書き込みによるデータ線電位の変動が非選択画素に及ぼす影響を最小化し、非選択画素の表示特性を格段に向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
次に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成のすべてが、本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００３８】
（第１の実施形態）
以下の説明では、電気光学装置として、液晶表示装置を例にとって説明する。但し、これに限定されるものではなく、電気光学装置は、有機ＥＬ表示装置やその他の表示装置であってもよい。
【００３９】
(階層化されたデータ線構造をもつ液晶表示装置の要部の構成と動作)
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、階層化されたデータ線構造をもつ液晶表示装置の要部の構成ならびにサブデータ線に印加される電圧について説明するための図である。図１（Ａ）では、サブデータ線が非選択状態であり、図１（Ｂ）では、サブデータ線が選択状態である。
【００４０】
図１（Ａ），図１（Ｂ）では、複数のデータ線のうちの一本のメインデータ線ＭＤＬｎに対応して、１本のサブデータ線ＳＤＬｎが設けられている。すなわち、データ線が、メインデータ線とサブデータ線に区別されている。すなわち、データ線が階層化されている。なお、一本のメインデータ線ＭＤＬｎに複数本のサブデータ線を接続する（対応させる）ことも可能である。例えば、図１（Ａ）のサブデータ線ＳＤＬｎの横方向（走査線Ｌ１０の延在する方向側）に、さらに、少なくとも一本のサブデータ線を設けることもできる。また、メインデータ線を中心として、その左右に（例えば、線対称となるように）、サブデータ線を配置する構成を採用することもできる。メインデータ線を中心として線対称（シンメトリー）にサブデータ線を配置すると、例えば、多層配線構造を用いて配線を形成する際に、バランスのとれた高密度な配置が実現されるという利点がある。
【００４１】
図１（Ａ），図１（Ｂ）では、一本のメインデータ線ＭＤＬｎには、複数の画素回路（具体的には（ｍ＋１）個の画素回路）が接続されている。なお、一本のメインデータ線ＭＤＬｎには、少なくとも１個の画素回路（画素）が接続されればよい。一つの画素回路は、トランスファースイッチを構成するトランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタ：画素トランジスタ）Ｍ１と、保持容量Ｃｓｔと、液晶素子（液晶容量）ＬＣと、を有する。なお、画素回路の構成はこれに限定されるものではなく、画素回路の構成としては、保持容量の代わりにフリップフロップ（ＲＡＭ）を用いる回路構成等を採用することができる。各画素回路における画素トランジスタＭ１のオン／オフは、走査線（ＧＬ０〜ＧＬｍ）によって制御される。また、画素トランジスタＭ１の一端（例えばソース）には、メインデータ線ＭＤＬｎおよびサブデータ線ＳＤＬｎを経由して、画像信号ＶＤｎ（書き込み電圧）が供給される。画素トランジスタＭ１の他端（ドレイン）には、保持容量Ｃｓｔの一端ならびに液晶素子の一方の画素電極が接続される。保持容量の他端には基準電圧ＶＣＯＭが印加される。また、液晶素子の他方の画素電極（対向電極）には、基準電圧ＬＣＯＭ（電圧値は、例えばＶＣＯＭと同じ）が印加される。
【００４２】
メインデータ線ＭＤＬｎと、そのメインデータ線ＭＤＬｎに対応するサブデータ線ＳＤＬｎとの間には、第１のスイッチＳＷ１が設けられる。第１のスイッチＳＷ１のオン／オフを切り換えることによって、メインデータ線ＭＤＬｎとサブデータ線ＳＤＬｎとの電気的接続／非接続を切り換えることができる。第１のスイッチＳＷ１は、サブデータ線ＳＤＬｎが選択状態であるとき（つまり、そのサブデータ線ＳＤＬｎに接続される少なくとも一つの画素回路が選択状態であるとき）にオンし、サブデータ線ＳＤＬｎが非選択状態であるとき（つまり、そのサブデータ線ＳＤＬｎに接続される少なくとも一つの画素回路のすべてが非選択のとき）にオフする。この第１のスイッチＳＷ１のオン／オフは、スイッチ制御信号Ｙによって制御される。
【００４３】
また、サブデータ線ＳＤＬｎと非選択サブデータ線電圧ＶＲの供給ノードＮＥ１との間には、第２のスイッチＳＷ２が設けられている。第２のスイッチＳＷ２は、サブデータ線ＳＤＬｎが非選択状態であるとき（つまり、そのサブデータ線ＳＤＬｎに接続される少なくとも一つの画素回路のすべてが非選択のとき）に、その非選択状態のサブデータ線ＳＤＬｎに対して、非選択サブデータ線電圧ＶＲを供給するために設けられている。第２のスイッチＳＷ２は、サブデータ線ＳＤＬｎが選択状態であるとき（つまり、そのサブデータ線ＳＤＬｎに接続される少なくとも一つの画素回路が選択状態であるとき）にオフし、サブデータ線ＳＤＬｎが非選択状態であるとき（つまり、そのサブデータ線ＳＤＬｎに接続される少なくとも一つの画素回路のすべてが非選択のとき）にオンする。この第２のスイッチＳＷ１のオン／オフは、スイッチ制御信号／Ｙ（スイッチ制御信号Ｙとは逆相の信号）によって制御される。
【００４４】
図１（Ｂ）に示すように、第１のスイッチＳＷ１をオンさせれば、メインデータ線ＭＤＬｎおよびサブデータ線ＳＤＬｎを経由して選択状態の画素に画素電圧を書き込むことができる。図１（Ｂ）において、太い矢印は、画像データの書き込みに伴って流れる電流を示している。
【００４５】
一方、図１（Ａ）に示す状態のとき、第１のスイッチＳＷ１をオフすることによって、サブデータ線ＳＤＬｎをメインデータ線ＭＤＬｎから電気的に分離することができる。この分離によって、選択状態の画素（すなわち、メインデータ線ＭＤＬｎに接続されている他のサブデータ線に関する画素：図１（Ａ），図１（Ｂ）では不図示）に対する書き込み電圧（画像信号）ＶＤｍによってメインデータ線ＭＤＬｎの電位が変動したとしても、その電位変動は、サブデータ線ＳＤＬｎには伝達されず、よって、サブデータ線ＳＤＬｎに接続される非選択状態の画素は悪影響を受けない。すなわち、画素トランジスタＭ１の寄生容量に起因する走査線電位の変動が生じない。よって、非選択状態の画素の表示特性を向上させることができる。
【００４６】
但し、非選択状態のサブデータ線ＳＤＬｎの電圧が不定では、そのサブデータ線ＳＤＬｎに接続される画素回路の表示電圧に影響を与える場合がある。そこで、図１（Ａ）では、第１のスイッチＳＷ１をオフすると同時に、第２のスイッチＳＷ２をオンして、非選択サブデータ線電圧ＶＲをサブデータ線ＳＤＬｎに供給する。すなわち、非選択状態のサブデータ線ＳＤＬｎは、メインデータ線から電気的に分離されると共に、メインデータ線ＭＤＬｎの電圧とは異なる非選択サブデータ線電圧ＶＲ（メインデータ線の電圧とは異なる一定の電圧）に維持される。
【００４７】
図１（Ａ）に示されるように、非選択サブデータ線電圧ＶＲは、供給ノードＮＥ１および供給線Ｌ１０、ならびに第２のスイッチＳＷ２を経由して、非選択のサブデータ線ＳＤＬｎに供給される。図１（Ａ）中の太線の矢印は、ＶＲの供給に伴って流れる電流を示している。このとき、非選択のサブデータ線ＳＤＬｎに接続されている画素トランジスタＭ１のリーク電流の電流量は、画素に保持されている電圧にのみ依存することになり、メインデータ線の電位の影響は排除される。よって、サブデータ線に接続されている非選択状態の画素は、より安定した非選択状態を保つことになり、メインデータ線に電気的に接続されている選択状態の画素からの電気的ノイズ等の影響が格段に軽減される。よって、従来に比べて、非選択状態の画素の表示特性の変動が低減され、表示品質が向上する。
【００４８】
以上説明した、図１（Ａ），図１（Ｂ）に示される電気光学装置の回路構成を一般化して表現すると以下のようになる。下記の説明では、便宜上、Ｎ，Ｍ，Ｋ，Ｉという変数を使用する。すなわち、電気光学装置は、Ｎ本（Ｎは１以上の整数）のメインデータ線と、Ｎ本のメインデータ線のうちの第Ｋのメインデータ線（１≦Ｋ≦Ｎ）に対応して設けられる、Ｍ本（Ｍは１以上の整数）のサブデータ線と、第Ｋのメインデータ線とＭ本のサブデータ線の各々との間に設けられ、第Ｋのメインデータ線とＭ本のサブデータ線の各々との電気的な接続／非接続を切り換えるためのＭ個の第１のスイッチと、Ｍ本のサブデータ線の各々に接続されるＩ個（Ｉは１以上の整数）の画素回路と、を含む。また、電気光学装置は、Ｍ本のサブデータ線の各々への、非選択サブデータ線電圧の供給／非供給を切り換えるためのＭ個の第２のスイッチを有し、Ｍ個の第１のスイッチの各々は、Ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオンし、非選択状態のときにオフし、かつ、Ｍ個の第２のスイッチの各々は、Ｍ本のサブデータ線のうちの対応するサブデータ線が選択状態のときにオフし、非選択状態のときにオンする。
【００４９】
（非選択サブデータ線電圧ＶＲについての考察）
次に、非選択サブデータ線電圧ＶＲの電圧レベルについて、図１（Ｃ）を参照して考察する。
【００５０】
（考察１）
図１（Ｃ）において、＋Ｖおよび−Ｖは、正フィールドおよび負フィールドにおける液晶素子ＬＣへの印加電圧を示す。時刻ｔ１〜ｔ２の期間には、データ“１”が画素に書き込まれる。時刻ｔ２〜ｔ３の期間には、データ“０”が画素に書き込まれる。図１（Ｃ）から明らかなように、データ“１”に対応する書き込み電圧が＋Ｖ（正フィールドの場合）ならびに−Ｖ（負フィールドの場合）であり、データ“０”に対応する書き込み電圧がＶＣＯＭである。液晶への印加電圧は、液晶の焼き付き防止のために、例えば、１フレーム（あるいはサブフィールド）毎に電圧極性が反転される。すなわち、液晶素子ＬＣは周期的に交流駆動される。基準電圧ＶＣＯＭを基準として正極性の電圧が液晶に印加される期間が正フィールドであり、ＶＣＯＭを基準として負極性の電圧が液晶に印加される期間が負フィールドである。
【００５１】
ここでは、正フィールドの場合について考察する。図１（Ｃ）では、非選択サブデータ線電圧ＶＲは、正極性の画像信号の最大電圧＋Ｖと最小電圧ＶＣＯＭの中点の電位に設定する。つまり、以下の式（１）が成立する。
ＶＲ＝（＋Ｖ−ＶＣＯＭ）／２＋ＶＣＯＭ・・・（１）
【００５２】
非選択サブデータ線電圧ＶＲを、最大値と最小値の中点の電圧（（最大電圧−最小電圧）／２）の電圧に相当する電圧に設定することによって、画素トランジスタからのリーク電流の最大値を、従来に比べて抑制することができる。例えば、画素に書き込む電圧の最大値を５Ｖとし、最小値を０Ｖとする。従来なら、非選択状態の画素トランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタＭ１）のソース・ドレインには、最大で５Ｖの電圧がかかる可能性がある（データ線電圧が０Ｖあるいは５Ｖであり、画素の保持電圧が５Ｖあるいは０Ｖであるとき）。これに対して、図１（Ｃ）のように非選択サブデータ線電圧ＶＲを設定した場合、非選択サブデータ線電圧（ＶＲ）は例えば２．５Ｖであるため、画素の保持電圧が０Ｖあるいは５Ｖのいずれの場合でも、画素トランジスタＭ１のソース・ドレイン間にかかる電圧の最大値は２．５Ｖであり、従来のソース・ドレイン間電圧の最大値の半分となる。よって、画素トランジスタのリーク電流も、従来に比べて抑制される。
【００５３】
また、サブデータ線ＳＤＬｎが非選択状態から選択状態となるとき、サブデータ線ＳＤＬｎは、あらかじめ、画像信号の最大値および最小値の中点(中間)の電圧に設定されているため、画像信号の電圧ＶＤｎがどのような電圧であったとしても、サブデータ線ＳＤＬｎの電圧の変動幅（振幅）は最小となる。サブデータ線ＳＤＬｎの振幅が最小化されることによって、そのサブデータ線ＳＤＬｎに接続される複数の画素間における相互の影響（つまり、選択状態の画素の書き込み電圧によるサブデータ線の電位変動が、非選択状態の画素の画素トランジスタＭ１の寄生容量を経由して伝達され、その非選択状態の画素の保持電圧が変動すること）が軽減されるという効果も得られる。
【００５４】
負フィールドについては、以下の式（２）が成立する。これによって、正フィールドの場合と同様の効果が得られる。
ＶＲ＝（−Ｖ−ＶＣＯＭ）／２＋ＶＣＯＭ・・・（２）
【００５５】
（考察２）
ここでは、アルファ線（光）照射に対する対策を考慮する。本態様では、非選択サブデータ線電圧ＶＲは、トランスファースイッチとして機能する画素トランジスタＭ１がＮＭＯＳトランジスタである場合、メインデータ線ＭＤＬｎを経由して伝達される最大電圧以上の電圧に設定され、トランスファースイッチとして機能する画素トランジスタＭ１がＰＭＯＳトランジスタで構成される場合、メインデータ線ＭＤＬｎを経由して伝達される最小電圧以下の電圧の電圧に設定される。
【００５６】
以下、図２を参照する。図２（Ａ），図２（Ｂ）は、非選択サブデータ線電圧を、アルファ線（光）照射により生じたキャリアの吸収用電圧として用いる例を説明するための図である。図２（Ａ）では、画素トランジスタＭ１はＮＭＯＳトランジスタである。図２（Ａ）において、Ｐ型基板１００には、ソースおよびドレインとなるＮ＋層１０２および１０４が設けられる。参照符号１０６はポリシリコンからなるゲート電極である。ソースとなるＮ＋層１０２は、サブデータ線ＳＤＬｎを経由して非選択サブデータ線電圧ＶＲが印加されている。
【００５７】
非選択サブデータ線電圧ＶＲは、メインデータ線ＭＤＬを経由して伝達される最大電圧以上の電圧に設定される。すなわち、図２（Ｂ）に示すように、画素トランジスタＭ１がＮＭＯＳトランジスタである場合の非選択サブデータ線電圧ＶＲ（ＮＭＯＳ）は、正フィールド／負フィールドにかかわらず、メインデータ線ＭＤＬを経由して伝達される最大電圧＋Ｖ以上の電圧＋Ｖ１に設定される。
【００５８】
図２（Ａ）に示すように、α線（光）の照射によって発生した電子正孔対のうち、正孔はＰ型基板１００の接地電位（タップ電位）に吸収されるが、電子は、ソースおよびドレインとなるＮ＋層１０２および１０４の双方に向けて移動しようとする。しかし、ソースとなるＮ＋層１０２には、サブデータ線ＳＤＬｎを経由して非選択サブデータ線電圧ＶＲ（最大の書き込み電圧以上の電圧）が印加されているため、電子は、Ｎ＋層１０２に向けて移動し、吸収される。したがって、Ｎ＋層１０４の電圧の変動は抑制され、保持容量Ｃｓｔの保持電圧の変動は最小化される。
【００５９】
このように、α線や光の入射によって発生した電子は、画素トランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタ）のソース層Ｎ＋層１０２に引き寄せられ、消滅するため、画素の保持電圧の変動は抑制される。つまり、その画素の保持容量に蓄えられている電荷が、α線等の照射によって生じたキャリアの内、保持容量側に引き寄せられる極性の電荷と再結合する事によって保持容量に蓄えられた電荷量を減少させてしまう問題が軽減される。よって、画素の保持電圧の変動を、電気的に抑制することができる。製造プロセスには変更はないため、製造プロセスが複雑化したり、製造コストが上昇したりする心配がない。
【００６０】
また、トランスファースイッチとして機能する画素トランジスタＭ１がＰＭＯＳトランジスタで構成される場合、非選択サブデータ線電圧ＶＲは、メインデータ線ＭＤＬｎを経由して伝達される最小電圧以下の電圧に設定される。つまり、図２（Ｂ）に示すように、画素トランジスタＭ１がＰＭＯＳトランジスタである場合の非選択サブデータ線電圧ＶＲ（ＰＭＯＳ）は、正フィールド／負フィールドにかかわらず、メインデータ線ＭＤＬを経由して伝達される最小電圧−Ｖ以下の電圧−Ｖ１に設定される。この場合、α線や光の入射によって発生した正孔は、画素トランジスタ（ＰＭＯＳトランジスタ）のソース層Ｎ＋層１０２に引き寄せられ、消滅するため、画素の保持電圧の変動は抑制される。つまり、その画素の保持容量に蓄えられている電荷が、α線等の照射によって生じたキャリアの内、保持容量側に引き寄せられる極性の電荷と再結合する事によって保持容量に蓄えられた電荷量を減少させてしまう問題が軽減される。よって、画素の保持電圧の変動を、電気的に抑制することができる。製造プロセスには変更はないため、製造プロセスが複雑化したり、製造コストが上昇したりする心配がない。
【００６１】
（考察３）
また、非選択サブデータ線電圧ＶＲをＶＣＯＭに設定することができる。ＶＣＯＭは、画像信号が正極性である場合にメインデータ線ＭＤＬｎを経由して伝達される最大電圧＋Ｖと、画像信号が負極性である場合にメインデータ線ＭＤＬｎを経由して伝達される最小電圧−Ｖとの中点（中間）の電圧である。
【００６２】
この場合、非選択サブデータ線電圧ＶＲは常に一定値であり、かつ、正フィールド／負フィールドに応じて変更する必要がない。よって、液晶表示装置のドライバ回路の負担が軽減される。なお、以上の考察１〜考察３において説明したＶＲの電圧設定は一例であり、それ以外の電圧設定を適宜、行うことができる。
【００６３】
（第２の実施形態）
本実施形態では、液晶表示装置の全体構成の一例について説明する。
【００６４】
（液晶表示装置の構成の一例）
図３は、液晶表示装置の全体構成の一例について説明するための図である。図３の液晶表示装置は、ｎ行ｎ列（ｎは０以上の整数）のマトリクス状に配置される複数の画素ＰＩＸを有する。図３および以下の説明では、ｎ行ｎ列目の画素をＰＩＸ（ｎ，ｎ）としている。また、図３においては、メインデータ線ＭＤＬ０〜ＭＤＬｎが用意されている。ＭＤＬｎは、ｎ列目のメインデータ線であることを表している。また、サブデータ線ＳＤＬに関しては、ＳＤＬ（ｎ，０）あるいはＳＤＬ（ｎ，１）という表記を用いている。サブデータ線ＳＤＬは、１列のサブデータ線が、上側のサブデータ線と下側のサブデータ線に２分割されているため、これらを区別できるように、下側のサブデータ線には“０”を使用し、上側のサブデータ線には“１”を使用している。すなわち、ＳＤＬ（ｎ，０）は、ｎ列目の下側のサブデータ線を表し、ＳＤＬ（ｎ，１）は、ｎ列目の上側のサブデータ線を表す。また、図３では、走査線として、ＧＬ（Ｍ）〜ＧＬ（Ｍ−３）が描かれている。図３では、ＧＬ（Ｍ）が最も下側の走査線である。
【００６５】
図３の液晶表示装置は、走査線駆動回路２００と、データ線駆動回路３００と、２次元状に配置された複数の画素（ＰＩＸ（ｎ，ｎ））と、階層化された構造をもつデータ線（メインデータ線ＭＤＬ０〜ＭＤＬｎおよびサブデータ線ＳＤＬ（０，０）〜ＳＤＬ（ｎ，１）を有する）と、第１のスイッチ回路（下側回路ＳＷ１ａ，上側回路ＳＷ１ｂ）と、第２のスイッチ回路（下側回路ＳＷ２ａ，上側回路ＳＷ２ｂ）とを有する。第１のスイッチ回路（下側回路）ＳＷ１ａは、第１のスイッチとして機能する複数のＮＭＯＳトランジスタＭＱａにより構成される。第１のスイッチ回路（上側回路）ＳＷ１ｂは第１のスイッチとして機能する複数のＮＭＯＳトランジスタＭＱｂにより構成される。第２のスイッチ回路（下側回路）ＳＷ２ａは第２のスイッチとして機能する複数のＮＭＯＳトランジスタＭＲａで構成される。第２のスイッチ回路（上側回路）ＳＷ２ｂは第２のスイッチとして機能する複数のＮＭＯＳトランジスタＭＲｂで構成される。
【００６６】
走査線駆動回路２００は、走査線ＧＬ（Ｍ）〜ＧＬ（Ｍ−３）の各々を、例えば、線順次駆動する。また、走査線駆動回路２００は、第１のスイッチ回路（下側回路）ＳＷ１ａに含まれる複数の第１のスイッチ（ＮＭＯＳトランジスタＭＱａ）のオン／オフを制御信号Ｙｐによって制御し、第２のスイッチ回路（下側回路）ＳＷ２ａに含まれる複数の第２のスイッチ（ＮＭＯＳトランジスタＭＲａ）のオン／オフを制御信号／Ｙｐによって制御し、第２のスイッチ回路（上側回路）ＳＷ２ｂに含まれる複数の第２のスイッチ（ＮＭＯＳトランジスタＭＲｂ）のオン／オフを制御信号／Ｙp-1によって制御し、第１のスイッチ回路(上側回路)ＳＷ１ｂに含まれる複数の第１のスイッチ（ＮＭＯＳトランジスタＭＱｂ）のオン／オフを制御信号Ｙp-1によって制御する。走査線駆動回路２００の動作は、制御信号ＹＣＮＴによって制御される。
【００６７】
データ線駆動回路３００には、画像信号ＶＩＤ０〜ＶＩＤｘが入力され、その画像信号は、メインデータ線（ＭＤＬ０〜ＭＤＬｎ）のうちの少なくとも一本に供給される。データ線駆動回路３００の動作は、制御信号ＸＣＮＴによって制御される。また、基準電圧ＶＣＯＭは、配線Ｌ２００を経由して各画素回路に供給される。また、非選択サブデータ線電圧ＶＲは、供給ノードＮＥ１、配線Ｌ１００ならびに第２のスイッチ回路ＳＷ２ａ、ＳＷ２ｂを経由してサブデータ線（ＳＤＬ（０，０）〜ＳＤＬ（ｎ，１））の各々に供給される。
【００６８】
図３の液晶表示装置では、一本のメインデータ線に対して、２本のサブデータ線（上側のサブデータ線および下側のサブデータ線）が設けられている。次に、図４を用いて、図３の液晶表示装置の動作を説明する。以下の説明では、図３に示される画素のうち、左側において上下方向に一列に配列される４つの画素（ＰＩＸ（０，０）〜ＰＩＸ（３，０））にデータを書き込む場合を想定する。
【００６９】
（液晶表示装置の動作例）
図４は、図３の液晶表示装置の動作の一例を説明するためのタイミング図である。図４の（１）〜（４）に示されるように、走査線ＧＬ（Ｍ−３）〜ＧＬ（Ｍ）は、線順次で駆動される。また、図４の（５）および（６）に示すように、時刻ｔ０〜ｔ８の期間において、スイッチ制御信号Ｙp-1がＨレベルとなり、／Ｙp-1がＬレベルとなる。これによって、サブデータ線ＳＤＬ（０，１）が選択される。同様に、図４の（７）および（８）に示すように、時刻ｔ８〜ｔ１６の期間において、スイッチ制御信号ＹｐがＨレベルとなり、／ＹｐがＬレベルとなる。これによって、サブデータ線ＳＤＬ（０，０）が選択される。
【００７０】
メインデータ線ＭＤＬ０には、図４の（９）に示すように、書き込みデータ(画像データ)Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４が供給される。サブデータ線ＳＤＬ（０，１）の電位は、図４の（１０）に示すように変化する。サブデータ線ＳＤＬ（０，０）の電位は、図４の（１１）に示すように変化する。そして、画素ＰＩＸ（３，０），画素ＰＩＸ（２，０），画素ＰＩＸ（１，０），画素ＰＩＸ（０，０）の各々には、図４の（１２）〜（１５）に示すように、書き込みデータ（画像データ）Ｄ１〜Ｄ４の各々が書き込まれる。
【００７１】
（第３の実施形態）
図５は、階層化されたデータ線構造をもつ液晶表示装置の要部の構成の他の例を示す回路図である。
【００７２】
（液晶表示装置の構成）
図５の回路構成は、基本的には、図３に示される回路構成と同じである。但し、本実施形態では、非選択サブデータ線電圧ＶＲとして、２種類の電圧ＶＲＡ（予備電圧），ＶＲＢ（正規の電圧）を使用する。すなわち、第１の非選択サブデータ線電圧ＶＲＢと、第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡとを設けておき、サブデータ線が選択状態から非選択状態になったときに、まず、第２のサブデータ線電圧ＶＲＡを非選択状態のサブデータ線に供給し、次に、第１の非選択サブデータ線電圧ＶＲＢを供給する。第１のサブデータ線電圧ＶＲＢの供給は、スイッチ回路ＳＷ２０を構成する第２のスイッチ（ＮＭＯＳトランジスタ）ＭＢ１，ＭＢ２によって制御する。第２のスイッチ（ＮＭＯＳトランジスタ）ＭＢ１，ＭＢ２のオン／オフは、走査線駆動回路２００から出力されるスイッチ制御信号／ＹＢp-1および／ＹＢｐによって制御される。また、第２のサブデータ線電圧ＶＲＡの供給は、スイッチ回路ＳＷ１０を構成する第３のスイッチ（ＮＭＯＳトランジスタ）ＭＲａ，ＭＲｂによって制御する。第２のスイッチ（ＮＭＯＳトランジスタ）ＭＲａ，ＭＲｂのオン／オフは、走査線駆動回路２００から出力されるスイッチ制御信号／Ｙｐおよび／Ｙp-1によって制御される。
【００７３】
非選択サブデータ線電圧ＶＲの供給ノード（あるいは供給線）には、一般に、多数の非選択状態のサブデータ線ＳＤＬが接続される。よって、一本のサブデータ線ＳＤＬが選択状態から非選択状態となったときに、メインデータ線ＭＤＬから電気的に分離された直後のサブデータ線ＳＤＬに、非選択サブデータ線電圧ＶＲの供給ノードを接続すると、その接続に伴って充放電電流が流れる。その充放電電流は、非選択サブデータ線電圧ＶＲの供給ノードに接続されている他の多数の非選択状態のサブデータ線ＳＤＬの電位を変動させる要因（ノイズ要因）となる場合があり、この場合、非選択状態の画素の表示特性に影響が生じる。
【００７４】
そこで、本実施形態では、非選択サブデータ線電圧ＶＲとして２種類の電圧（第１の非選択サブデータ線電圧ＶＲＢと第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡ）を用意する。２種類の非選択サブデータ線電圧（ＶＲＢとＶＲＡ）は、各々、電気的（好ましくはさらに物理的にも）相互に切り離されているのが好ましい。但し、ＶＲＢとＶＲＡの電圧値は、原則的には同じである（但し、例えば、少々の差異を設けることもできる）。そして、一本のサブデータ線ＳＤＬが選択状態から非選択状態となると、第３のスイッチＭＲａ，ＭＲｂをオンして、サブデータ線（ＳＤＬ（０，１），ＳＤＬ（０，０））には、まず、第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡを供給する。これによって、サブデータ線（ＳＤＬ（０，１），ＳＤＬ（０，０））の電位は、第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡに収束する（あるいは近い電圧となる）。このとき、充放電電流が流れてＶＲＡの電位が変動するが、ＶＲＡは、ＶＲＢから電気的（望ましくはさらに物理的に）切り離されているため、ＶＲＡの電位変動は、ＶＲＢの電位に影響を与えない。よって、ＶＲＢに接続されている多数の非選択状態の画素には影響がない。サブデータ線（ＳＤＬ（０，１），ＳＤＬ（０，０））の電位がＶＲＡに近づいた後（理想的にはＶＲＡに一致した後）、第３のスイッチＭＲａ，ＭＲｂをオフしてＶＲＡをサブデータ線（ＳＤＬ（０，１），ＳＤＬ（０，０））から切り離し、次に、第２のスイッチ（ＭＢ１，ＭＢ２）をオンして、ＶＲＢをサブデータ線（ＳＤＬ（０，１），ＳＤＬ（０，０））に供給する。サブデータ線（ＳＤＬ（０，１），ＳＤＬ（０，０））は、ＶＲＡによって予備的に充電（あるいは放電）されてＶＲＢと同じ電圧あるいはＶＲＢの近傍の電圧となっていることから、充放電電流の電流量は低減される。よって、ＶＲＢの供給ノード（図３のＮＥ１）あるいはＶＲＢの供給線（図３のＬ１００）に接続される多数の非選択状態の画素には、ほとんど影響がない。よって、非選択状態の画素の表示特性をさらに改善することができる。
【００７５】
（ＶＲＡおよびＶＲＢを発生させる回路の一例）
図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、第１および第２の非選択サブデータ線電圧を発生させる回路の一例を示す回路図である。図６（Ａ）の場合、第１のサブデータ線電圧ＶＲＢと第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡとは、スイッチＳＷ３を介して電気的に分離されている。ＶＲＡとＶＲＢは、以下の手順で生成される。まず、端子ＴＰ１に非選択サブデータ線電圧ＶＲを印加し、スイッチＳＷ３をオンさせる。コンデンサＣＡおよびコンデンサＣＢに電荷が蓄積され、ＶＲＡとＶＲＢ（電圧は共にＶＲに一致する）が生成される。次に、スイッチＳＷ３をオフする。これによって、ＶＲＡとＶＲＢは、スイッチＳＷ３によって電気的に分離される。
【００７６】
図６（Ｂ）の場合、第１のサブデータ線電圧ＶＲＢと第２の非選択サブデータ線電圧ＶＲＡとは、電気的のみならず、物理的にも分離される。つまり、ＶＲＡとＶＲＢは、完全に分離された別々の回路によって生成される。ＶＲＡは、端子ＴＰ２に印加される。コンデンサＣＡは安定化容量として機能する。同様に、ＶＲＢは、端子ＴＰ３に印加される。コンデンサＣＢは安定化容量として機能する。ＶＲＡとＶＲＢの独立性が高い方が好ましいため、図６（Ｂ）の回路構成の方がより信頼性が高いといえる。
【００７７】
（液晶表示装置の動作例）
図７は、図６の液晶表示装置の動作の一例を説明するためのタイミング図である。図７の（１）〜（４）に示されるように、走査線ＧＬ（Ｍ−３）〜ＧＬ（Ｍ）は、線順次で駆動される。また、図７の（５）および（６）に示すように、時刻ｔ０〜ｔ８の期間において、スイッチ制御信号Ｙp-1がＨレベルとなり、これによって、サブデータ線ＳＤＬ（０，１）が選択される。
【００７８】
ここで、注目すべき点は、時刻ｔ８〜ｔ８’の期間において、スイッチ制御信号／Ｙp-1がＨレベルになり、これによって、サブデータ線ＳＤＬ（０，１）に第２の非選択データ線電圧ＶＲＡが印加されることである。また、図７の（７）に示すように、時刻ｔ８’において、スイッチ制御信号／Ｙp-1がＬレベルになり、同時に、スイッチ制御信号／ＹＢp-1がＬレベルからＨレベルになる。これによって、サブデータ線ＳＤＬ（０，１）に第１の非選択データ線電圧ＶＲＢが印加される。
【００７９】
同様に、図７の（８）に示すように、時刻ｔ８〜ｔ１６の期間において、スイッチ制御信号ＹｐがＨレベルとなり、これによって、サブデータ線ＳＤＬ（０，０）が選択される。また、図７の（９）に示すように、時刻ｔ１６〜ｔ１６’の期間において、スイッチ制御信号／ＹｐがＨレベルになり、これによって、サブデータ線ＳＤＬ（０，０）に第２の非選択データ線電圧ＶＲＡが印加される。
【００８０】
また、時刻ｔ１６’においてスイッチ制御信号／ＹｐがＬレベルになり、図７の（１０）に示すように、同時にスイッチ制御信号／ＹＢｐがＬレベルからＨレベルになる。これによって、サブデータ線ＳＤＬ（０，０）に第１の非選択データ線電圧ＶＲＢが印加される。
【００８１】
メインデータ線ＭＤＬ０には、図７の（１１）に示すように、書き込みデータ(画像データ)Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４が供給される。サブデータ線ＳＤＬ（０，１）の電位は、図４の（１０）に示すように変化する。サブデータ線ＳＤＬ（０，０）の電位は、図７の（１２）に示すように変化する。時刻ｔ８〜ｔ８’の期間においてＶＲＡが印加され、時刻ｔ８’以降、ＶＲＢが印加されている。同様に、サブデータ線ＳＤＬ（０，０）の電位は、図７の（１３）に示すように変化する。時刻ｔ１６〜ｔ１６’の期間においてＶＲＡが印加され、時刻ｔ１６’以降、ＶＲＢが印加されている。
【００８２】
そして、画素ＰＩＸ（３，０），画素ＰＩＸ（２，０），画素ＰＩＸ（１，０），画素ＰＩＸ（０，０）の各々には、図７の（１４）〜（１７）に示すように、書き込みデータ（画像データ）Ｄ１〜Ｄ４の各々が書き込まれる。
【００８３】
（第４の実施形態）
図８は、本発明の液晶表示装置を搭載した電子機器の一例（携帯電話端末）の外観を示す斜視図である。図８において、携帯電話端末１３００は、液晶表示装置（液晶パネル）１００と、操作キー１３０２と、音声出力部１３０４と、音声入力部１３０６とを有する。
【００８４】
上述のとおり、本発明の液晶表示装置１００は、データ線の階層化によって表示特性が改善され、高品質な表示が可能である。よって、その液晶表示装置１００を搭載する電子機器（つまり携帯電話端末）１３００の表示性能も向上する。本発明は、その他の電子機器にも適用可能である。例えば、反射式液晶（Liquid Crystal On Silicon、LCOS）パネルを使用した反射型プロジェクタや照明装置にも適用することができる。
【００８５】
このように、本発明のいつくかの実施形態によれば、例えば、選択画素への書き込みによるデータ線電位の変動が非選択画素に及ぼす影響を最小化し、非選択画素の表示特性を格段に向上させることが可能となる。
【００８６】
以上、本発明について実施形態を参照して説明したが、本発明の新規事項および効果から逸脱しない範囲で、多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例は、すべて本発明に含まれるものとする。本発明は、各種の電気光学装置（液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置）および各種の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、階層化されたデータ線構造をもつ液晶表示装置の要部の構成ならびにサブデータ線に印加される電圧について説明するための図
【図２】図２（Ａ），図２（Ｂ）は、非選択サブデータ線電圧を、アルファ線（光）照射により生じたキャリアの吸収用電圧として用いる例を説明するための図
【図３】液晶表示装置の全体構成の一例について説明するための図
【図４】図３の液晶表示装置の動作の一例を説明するためのタイミング図
【図５】階層化されたデータ線構造をもつ液晶表示装置の要部の構成の他の例を示す回路図
【図６】図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、第１および第２の非選択サブデータ線電圧を発生させる回路の一例を示す回路図
【図７】図６の液晶表示装置の動作の一例を説明するためのタイミング図
【図８】本発明の液晶表示装置を搭載した電子機器の一例（携帯電話端末）の外観を示す斜視図
【図９】図９（Ａ）〜図９（Ｄ）は、本発明前に明らかとされた、新たな課題について説明するための図
【符号の説明】
【００８８】
Ｍ１  画素トランジスタ、ＬＣ  液晶素子、Ｃｓｔ  保持容量、
ＧＬ０〜ＧＬｍ  走査線、ＭＤＬｎ  メインデータ線、ＳＤＬｎ  サブデータ線、
ＶＤｎ  書込み電圧（画像信号）、ＶＲ  非選択サブデータ線電圧、
ＮＥ１  ＶＲの供給ノード、Ｌ１０  ＶＲの供給線、Ｌ２０，Ｌ３０  ＶＣＯＭの供給線
ＶＣＯＭ  保持容量の一端に印加される基準電圧、
ＬＣＯＭ  液晶素子の一端に印加される基準電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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