(57)【要約】【課題】  リードの長さを変えることなく、ワイヤ流れによる金属ワイヤ同士の接触を防止することのできる半導体装置およびその半導体装置に用いられるリードフレームを提供すること。【解決手段】  半導体チップ２と、半導体チップ２の各辺に沿って並べて配置される複数を１群とするリード４と、半導体チップ２と各リード４とに跨って接続される金属ワイヤ５と、半導体チップ２および金属ワイヤ５を封止する樹脂パッケージ６を備える半導体装置１において、リード４の各群における第１リード４１のワイヤ接続面１４の位置を、第１リード４１と隣り合う第２リード４２のワイヤ接続面１４の位置とは、半導体チップ２の厚さ方向において異なった位置にする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視四角形状の半導体チップと、
前記半導体チップの各辺に沿って並べて配置され、前記半導体チップとの対向方向に延び、前記半導体チップ側の一端部にワイヤ接続面を有する複数のリードと、
前記半導体チップの表面と各前記リードとに跨って接続される金属ワイヤと、
前記半導体チップおよび前記金属ワイヤを封止する樹脂パッケージとを含み、
前記半導体チップの各辺に沿って並ぶ前記リードの各群において、端に配置される前記リードである第１リードの前記ワイヤ接続面と、前記第１リードと隣り合う前記リードである第２リードの前記ワイヤ接続面とは、前記半導体チップの厚さ方向における位置が互いに異なる、半導体装置。
【請求項２】
前記リードは、前記対向方向における途中部がクランク形状に屈曲し、前記一端部とその反対側の他端部との間に段差を有しており、
前記第１リードおよび前記第２リードは、それらの有する段差量が互いに異なる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記リードの前記一端部は、前記半導体チップに近づくにつれて前記半導体チップの裏面側へ向かって傾斜している、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１リードおよび前記第２リードは、それらの厚さが互いに異なる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１リードおよび前記第２リードは、それらの前記対向方向における位置が互いに異なる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体チップを樹脂パッケージで封止した構造の半導体装置に用いられるリードフレームであって、
前記半導体チップが搭載される平面視四角形状のダイパッドと、
前記ダイパッドの各辺に沿って並べて配置され、前記ダイパッドとの対向方向に延び、前記ダイパッド側の一端部にワイヤ接続面を有する複数のリードと、
前記ダイパッドの各辺に沿って並ぶ前記リードの各群において、端に配置される前記リードの前記ワイヤ接続面と、当該リードと隣り合う前記リードの前記ワイヤ接続面とは、前記ダイパッドの厚さ方向における位置が互いに異なる、リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびリードフレーム、より詳しくは、半導体チップを樹脂パッケージで封止した構造の半導体装置およびそれに用いられるリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子が作り込まれた半導体チップは、リードフレームに搭載され、樹脂パッケージにより封止された状態で使用される。
リードフレームは、平面視矩形状のダイパッドと、ダイパッドの各辺に沿ってその周囲を取り囲む平面視矩形環状のダムバーとを有している。
ダイパッドは、ダイパッドの各角とこれらに対向するダムバーの各角との間に吊りリードが架設されることにより、吊りリードを介してダムバーに支持されている。
【０００３】
ダムバーには、その内外に跨って延びる複数のリードが形成されている。複数のリードは、ダムバーの周方向に沿って等間隔に配置されている。各リードは、ダムバーからダイパッドへ向かって内側に延びるインナーリードと、ダムバーから外側に延びるアウターリードとを一体的に有している。インナーリードのダイパッド側の端部は、ダイパッドと間隔を隔てて対向しており、その表面が金属ワイヤとの接続面とされる。
【０００４】
そして、半導体チップが封止された半導体装置を作製するには、まず、銀ペーストなどを接着剤として、ダイパッド上に半導体チップが貼り付けられる。次いで、半導体チップの各電極パッドと各インナーリードとが、金属ワイヤを用いて接続される。
金属ワイヤによる接続後、リードフレームが封止用金型にセットされ、金型のキャビティ内へ封止用樹脂が注入される。封止用樹脂は、たとえば、ダムバーの内周付近から吊りリードに沿って注入され、これにより、封止用樹脂が金型のキャビティ内に満遍なく行き渡って、リードフレーム上の半導体チップなどが封止される。
【０００５】
その後、リードフレームの余分な樹脂やバリが除去され、リードがめっきされる。そして、樹脂から露出するダムバーおよび各アウターリードの先端が切断され、さらに、ローラでアウターリードが曲げ成型される。以上の工程を経ることにより、樹脂パッケージにより封止された半導体装置の個体が得られる。
【特許文献１】特開平９−３１２３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、１つの半導体ウエハから得られる半導体チップの取り数を増やすため、半導体チップ１つ当たりのサイズの縮小化が図られている。その一方で、リードフレームに関しては、各電極パッドそれぞれに対応するリードのピン数の制約などにより、そのサイズの縮小化に限界がある。リードフレームに対して半導体チップの大きさが小さくなるため、ダイパッド上の半導体チップとそれを取り囲むインナーリードとの距離が長くなり、これらを接続する金属ワイヤの長さ（ワイヤ長）が長くなる。
【０００７】
金属ワイヤのワイヤ長が長いと、半導体チップの封止時に、樹脂の流れにより金属ワイヤが変形する、いわゆるワイヤ流れを生じやすい。とりわけ、樹脂の注入口に近い吊りリード付近、より詳しくは、半導体チップの各辺に沿って並ぶ複数のリード群の端に配置されるリード付近では、ワイヤ流れの生じる度合が大きくなる。その結果、ワイヤ流れにより金属ワイヤ同士が接触するという不具合がある。
【０００８】
ワイヤ流れによる金属ワイヤ同士の接触を防止すべく、インナーリードのダイパッドとの対向方向における長さを長くすることにより、半導体チップとインナーリードとを接近させてワイヤ長を短くすることが検討される。
しかしながら、インナーリードを長くすると、互いに隣り合うインナーリード同士が接触するという別の不具合を生じる。
【０００９】
本発明の目的は、リードの長さを変えることなく、ワイヤ流れによる金属ワイヤ同士の接触を防止することのできる半導体装置およびその半導体装置に用いられるリードフレームを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、平面視四角形状の半導体チップと、前記半導体チップの各辺に沿って並べて配置され、前記半導体チップとの対向方向に延び、前記半導体チップ側の一端部にワイヤ接続面を有する複数のリードと、前記半導体チップの表面と各前記リードとに跨って接続される金属ワイヤと、前記半導体チップおよび前記金属ワイヤを封止する樹脂パッケージとを含み、前記半導体チップの各辺に沿って並ぶ前記リードの各群において、端に配置される前記リードである第１リードの前記ワイヤ接続面と、前記第１リードと隣り合う前記リードである第２リードの前記ワイヤ接続面とは、前記半導体チップの厚さ方向における位置が互いに異なる、半導体装置である。
【００１１】
この構成によれば、平面視四角形状の半導体チップの各辺に沿って、複数のリードが並べて配置されている。複数のリードは、半導体チップとの対向方向に延びている。複数のリードにおいて、半導体チップ側の一端部の表面は、金属ワイヤの接続のためのワイヤ接続面である。金属ワイヤは、半導体チップの表面と各リードとに跨って接続されている。  半導体チップの各辺に沿って並ぶリードの各群において、端に配置されるリードである第１リードのワイヤ接続面と、その第１リードと隣り合う第２リードのワイヤ接続面とは、半導体チップの厚さ方向における位置が異なる。
【００１２】
これにより、金属ワイヤを、第１リードおよび第２リードに対して、半導体チップの厚さ方向においてそれぞれ異なった位置で接続することができる。したがって、半導体チップから第１リードへ向かう金属ワイヤ（第１金属ワイヤ）の中央部での高さと、半導体チップから第２リードへ向かう金属ワイヤ（第２金属ワイヤ）の中央部での高さとを異なった高さにすることができる。
【００１３】
第１金属ワイヤの中央部の高さと第２金属ワイヤの中央部の高さとが異なるので、半導体チップおよび金属ワイヤを樹脂パッケージで封止するときに、第１金属ワイヤおよび／または第２金属ワイヤにワイヤ流れが生じても、これら金属ワイヤ同士の接触を防止することができる。また、リードの半導体チップとの対向方向における長さを長くする必要がないので、隣り合うリード同士の接触を防止することもできる。
【００１４】
その結果、金属ワイヤ同士の短絡などの半導体装置の動作不良を防止でき、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
また、請求項２に記載の発明は、前記リードは、前記対向方向における途中部がクランク形状に屈曲し、前記一端部とその反対側の他端部との間に段差を有しており、前記第１リードおよび前記第２リードは、それらの有する段差量が互いに異なる、請求項１に記載の半導体装置である。
【００１５】
この構成によれば、クランク状に屈曲した第１リードと第２リードとは、これらの有する段差量が互いに異なる。これによって、第１リードのワイヤ接続面と第２リードのワイヤ接続面との半導体チップの厚さ方向における位置が異なっている。
各リードの一端部と他端部との間に段差を有するクランク形状は、たとえば、プレス加工など簡単な加工で形成することができる。すなわち、請求項２では、簡単な加工で第１リードのワイヤ接続面および第２リードのワイヤ接続面の半導体チップの厚さ方向における位置を、異なる位置にすることができる。
【００１６】
また、請求項３に記載の発明は、前記リードの前記一端部は、前記半導体チップに近づくにつれて前記半導体チップの裏面側へ向かって傾斜している、請求項２に記載の半導体装置である。
金属ワイヤとリードフレームのリードとを接合するには、たとえば、まず、リードの裏面側にジグ（台座）が挿入される。次いで、ジグでリードを支持しながら、高温状態の金属ワイヤがリードの表面側から荷重をかけて接着される。
【００１７】
請求項３のように、リードの一端部が半導体チップの裏面側へ向かって傾斜していれば、ジグでリードを支持するときに、半導体チップの厚さ方向裏面側にかかるリードの付勢力により、ジグをリードに対して隙間なく密着させることができる。そのため、リードをジグで確実に支持できるので、金属ワイヤとリードとを良好に接合することができる。その結果、金属ワイヤの接合信頼性を向上させることができる。
【００１８】
また、請求項４に記載の発明は、前記第１リードおよび前記第２リードは、それらの厚さが互いに異なる、請求項１に記載の半導体装置である。
この構成によれば、第１リードと第２リードとは、それらの厚さが互いに異なる。これによって、第１リードのワイヤ接続面と第２リードのワイヤ接続面との半導体チップの厚さ方向における位置が異なっている。
【００１９】
各リードの厚さの差は、たとえば、条件（圧力など）に差を設けて各リードをプレス加工することにより、簡単に設けることができる。すなわち、請求項４では、簡単な加工で第１リードのワイヤ接続面および第２リードのワイヤ接続面の半導体チップの厚さ方向における位置を、異なる位置にすることができる。
また、請求項５に記載の発明は、前記第１リードおよび前記第２リードは、それらの前記対向方向における位置が互いに異なる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【００２０】
この構成によれば、第１リードおよび第２リードの、半導体チップとの対向方向における位置が互いに異なるので、金属ワイヤを、第１リードおよび第２リードに対して、当該方向においてそれぞれ異なった位置で接続することができる。その結果、これら金属ワイヤ同士の接触を一層防止することができる。
また、請求項６に記載の発明は、半導体チップを樹脂パッケージで封止した構造の半導体装置に用いられるリードフレームであって、前記半導体チップが搭載される平面視四角形状のダイパッドと、前記ダイパッドの各辺に沿って並べて配置され、前記ダイパッドとの対向方向に延び、前記ダイパッド側の一端部にワイヤ接続面を有する複数のリードと、前記ダイパッドの各辺に沿って並ぶ前記リードの各群において、端に配置される前記リードの前記ワイヤ接続面と、当該リードと隣り合う前記リードの前記ワイヤ接続面とは、前記ダイパッドの厚さ方向における位置が互いに異なる、リードフレームである。
【００２１】
この構成によれば、平面視四角形状のダイパッドの各辺に沿って、複数のリードが並べて配置されている。複数のリードは、ダイパッドとの対向方向に延びている。複数のリードにおいて、ダイパッド側の一端部の表面は、金属ワイヤの接続のためのワイヤ接続面である。
ダイパッドの各辺に沿って並ぶリードの各群において、端に配置されるリードのワイヤ接続面と当該リードと隣り合うリードのワイヤ接続面とは、ダイパッドの厚さ方向における位置が異なる。
【００２２】
そして、このリードフレームを用いて半導体装置を作製するには、たとえば、まず、ダイパッド上に半導体チップが貼り付けられる。次いで、半導体チップの表面と各リードとが金属ワイヤで接続される。
リード各群の端に配置されるリード（一方のリード）のワイヤ接続面と一方のリードと隣り合うリード（他方のリード）のワイヤ接続面との位置が異なっているので、金属ワイヤを、一方のリードおよび他方のリードに対して、ダイパッドの厚さ方向においてそれぞれ異なった位置で接続することができる。したがって、半導体チップから一方のリードへ向かう金属ワイヤ（一方の金属ワイヤ）の中央部での高さと、半導体チップから他方のリードへ向かう金属ワイヤ（他方の金属ワイヤ）の中央部での高さとを異なった高さにすることができる。
【００２３】
一方の金属ワイヤの中央部の高さと他方の金属ワイヤの中央部の高さとが異なるので、半導体チップおよび金属ワイヤを樹脂パッケージで封止するときに、一方の金属ワイヤおよび／または他方の金属ワイヤにワイヤ流れが生じても、これら金属ワイヤ同士の接触を防止することができる。また、リードのダイパッドとの対向方向における長さを長くする必要がないので、隣り合うリード同士の接触を防止することもできる。
【００２４】
その結果、このリードフレームを用いれば、半導体装置の動作不良を防止でき、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を模式的に示す平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を模式的に示す斜視図である。図３は、図２の半導体装置を実線矢印IIIで示す方向から見たときの図である。
半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を支持するためのダイパッド３と、半導体チップ２の周囲を取り囲むリード４と、半導体チップ２とリード４とを電気的に接続する金属ワイヤ５と、これらを封止する樹脂パッケージ６とを備えている。
【００２６】
半導体チップ２は、平面視四角形状に形成されている。半導体チップ２には、多数の素子（能動素子、受動素子）が作りこまれている。また、半導体チップ２の表面には、金属ワイヤ５との電気接続のための電極パッド７が形成されている。
電極パッド７は、半導体チップ２の各素子と電気的に接続されている。また、電極パッド７は、半導体チップ２の各縁に８つずつ配置され、各電極パッド７は、半導体チップ２の各辺に沿って等間隔に並べられている。
【００２７】
ダイパッド３は、たとえば、銅を含む金属薄板からなり、たとえば、錫（Ｓｎ）、錫−銀合金（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス合金（Ｓｎ−Ｂｉ）、錫−銅合金（Ｓｎ−Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）などでめっきされている。ダイパッド３は、半導体チップ２よりも大きい相似形の平面視四角形状に形成されている。ダイパッド３には、樹脂パッケージ６内において、ダイパッド３の外側四方に延びる吊りリード８が一体的に接続されている。
【００２８】
吊りリード８は、ダイパッド３と略同じ厚さの金属薄板からなる。各吊りリード８は、ダイパッド３の各角に接続されており、ダイパッド３と同一平面上において、ダイパッド３の対角方向に一直線状に延びている。ダイパッド３の角から四方に延びる吊りリード８およびダイパッド３の各辺により、樹脂パッケージ６内における半導体チップ２の周囲の領域は、平面視略台形状の４つの領域９に区画される。
【００２９】
リード４は、ダイパッド３と略同じ厚さの金属薄板からなり、たとえば、錫（Ｓｎ）、錫−銀合金（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス合金（Ｓｎ−Ｂｉ）、錫−銅合金（Ｓｎ−Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）などでめっきされている。リード４は、半導体チップ２の周囲の各領域９に、８つずつこれらを１つの群として配置されている。また、各領域９において、リード４は、吊りリード８と隣り合う位置から、それぞれ半導体チップ２の各辺に沿って等間隔に並べられ、互いに絶縁されている。
【００３０】
各リード４は、樹脂パッケージ６の内外に跨って延びており、樹脂パッケージ６内に配置される一端側のインナーリード１０と、樹脂パッケージ６外に配置される他端側のアウターリード１１とを一体的に有している。
アウターリード１１は、半導体チップ２との対向方向に延び、その途中がクランク形状に屈曲している。クランク形状のアウターリード１１において、インナーリード１０側の上側部１５と反対側の下側部１６との間には段差がある。したがって、リード４は、リード４の一端部としてのインナーリード１０の先端部１３（後述）と、リード４の他端部としてのアウターリード１１の下側部１６との間に段差を有している。上側部１５と下側部１６とは、半導体チップ２の厚さ方向に立ち上がる連結部１７により一体的に接続されている。
【００３１】
リード４の各群において、アウターリード１１の下側部１６はその全部がほぼ同一平面上に位置している。下側部１６に対する上側部１５の段差量Ｈ（半導体チップ２の厚さ方向における上側部１５と下側部１６との距離）は、各群のリード４のうち最も端（吊りリード８と隣り合う位置）に配置されるリード４（以下、このリード４を第１リード４１とする。）から各群のリード４の中央（吊りリード８から最も遠い位置）に配置されるリード４（以下、このリード４を第４リード４４とする。）へ向かって段階的に小さくなっている。具体的には、第１リード４１のアウターリード１１の段差量Ｈ１が最も大きく、第１リード４１と隣り合うリード４（以下、このリード４を第２リード４２とする。）のアウターリード１１の段差量Ｈ２が、段差量Ｈ１よりも小さくなっている。そして、第２リード４２と第４リード４４とで挟まれるリード４（以下、このリード４を第３リード４３とする。）のアウターリード１１の段差量Ｈ３、第４リード４４のアウターリード１１の段差量Ｈ４の順に隣り合うアウターリード１１の段差量Ｈよりも小さくなっている。これにより、リード４各群において、インナーリード１０のワイヤ接続面１４（後述）は、半導体チップ２の厚さ方向における高さが第１リード４１、第２リード４２、第３リード４３および第４リード４４それぞれにおいて異なり、第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に低くなっている。
【００３２】
互いに隣り合うアウターリード１１の段差量Ｈの比は、たとえば、吊りリード８に近い側のアウターリード１１（たとえば、第１リード４１のアウターリード１１）の段差量Ｈが、それに隣り合うアウターリード１１（たとえば、第２リード４２のアウターリード１１）の段差量Ｈの１０〜２０％であることが好ましい。この値は、金属ワイヤ５の長さなどにより適切な値に設定される。
【００３３】
一方、インナーリード１０は、アウターリード１１に近い側を基端部１２として半導体チップ２との対向方向に延び、その先端部１３が半導体チップ２の中心へ向かって延びるように屈曲している。
リード４の一端部としての先端部１３は、ダイパッド３と所定の間隔を空けて配置され、半導体チップ２の略中心に対向している。そして、先端部１３の表面が、金属ワイヤ５とのワイヤ接続面１４とされる。
【００３４】
上記のように、アウターリード１１の段差量Ｈが第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に小さくなっていることにより、各群のインナーリード１０は、図３に示すように、半導体チップ２との対向方向におけるダイパッド３との距離Ｄが、第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に短くなっている。具体的には、インナーリード１０の先端とダイパッド３の辺との距離Ｄは、第１リード４１のインナーリード１０の距離Ｄ１が最も長く、第２リード４２のインナーリード１０の距離Ｄ２が、距離Ｄ１よりも短くなっている。そして、第３リード４３のインナーリード１０の距離Ｄ３、第４リード４４のインナーリード１０の距離Ｄ４の順に隣り合うインナーリード１０の距離Ｄよりも短くなっている。
【００３５】
また、インナーリード１０は、その先端部１３が基端部１２よりも低い位置に位置しており、半導体チップ２の厚さ方向裏面側へ向かって傾斜している。ダイパッド３の表面に平行な面に対するインナーリード１０の傾斜角度θは、各リード４ともにほぼ等しく、たとえば、２〜３°である。これにより、基端部１２と先端部１３との間に高低差が設けられている。なお、インナーリード１０の先端部１３の半導体チップ２の厚さ方向における位置は、アウターリード１１の下側部１６よりも高くなっている。
【００３６】
金属ワイヤ５は、たとえば、金細線からなり、半導体チップ２の電極パッド７とインナーリード１０のワイヤ接続面１４とを電気的に接続している。
樹脂パッケージ６は、たとえば、エポキシ樹脂からなり、略直方体形状をなしている。なお、図１では、ダイパッド３よりも上側の樹脂パッケージ６を省略しており、図２では、ダイパッド３よりも上側の樹脂パッケージ６の半分のみを示している。また、図３では、ダイパッド３よりも上側の樹脂パッケージ６を破線で示している。
【００３７】
そして、上記した半導体装置１は、たとえば、図４〜図５に示すリードフレーム２１を用いて作製される。
図４は、本発明の一実施形態に係るリードフレームの構造を模式的に示す平面図である。図５は、本発明の一実施形態に係るリードフレームの構造を模式的に示す斜視図である。図４および図５において、図１〜図３に示す各部に対応する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。
【００３８】
リードフレーム２１は、たとえば、半導体装置１の製造に用いられるリードフレームであって、銅を含む金属薄板からなる。リードフレーム２１は、互いに平行に延びる１対のレール２２と、１対のレール２２間に架設される架設部材２３とを一体的に備えている。
レール２２には、所定の間隔を空けてパイロットホール２６が形成されている。パイロットホール２６は、半導体装置の製造ラインにおいて、後述するユニット２４の位置決めをするための穴である。
【００３９】
架設部材２３は、レール２２の延伸方向において、２本１組として等間隔に設けられている。互いに隣り合う２組の架設部材２３間の領域は、１つの半導体装置を作製するための１ユニット２４である。
各ユニット２４は、ダイパッド３と、リード４と、ダイパッド３の各辺に沿ってその周囲を取り囲む平面視四角環状のダムバー２５とを有している。
【００４０】
１ユニット２４において、ダイパッド３は、ダイパッド３の各角とこれらに対向するダムバー２５の各角との間に吊りリード８が架設されることにより、吊りリード８を介してダムバー２５に支持されている。１ユニット２４において、ダイパッド３およびリード４は、図１で説明したように配置されている。また、１ユニット２４において、リード４は、ダイパッド３の各辺に沿ってダムバー２５により一体的に連結されるとともに、アウターリード１１がレール２２および架設部材２３と一体的に接続されている。
【００４１】
そして、このようなリードフレーム２１を製造するには、たとえば、まず、金属薄板が準備される。次いで、たとえば、スタンピング加工、エッチング加工などの方法により、金属薄板に対して、レール２２、架設部材２３、ダムバー２５、リード４およびダイパッド３のパターンが形成される。
その後、リード４が、所定の条件でプレス加工されることによりクランク形状に屈曲し、ダムバー２５よりも内側において、ダイパッド３側の端部とダムバー２５側の端部との間に段差が形成される。以上の工程を経ることにより、リードフレーム２１を得ることができる。
【００４２】
そして、このリードフレーム２１を用いて図１〜３に示す半導体装置１を作製するには、まず、リードフレーム２１がマウンタ装置に導入され、銀ペーストなどを接着剤として、ダイパッド３の表面に半導体チップ２が貼り付けられる。
次いで、リードフレーム２１がボンディング装置に入れられる。ボンディング装置では、リード４の裏面側にジグ（台座）が挿入される。続いて、ジグでリード４を支持しながら、高温状態の金属ワイヤがリード４の表面側から荷重をかけて接着される。これにより、半導体チップ２の各電極パッド７とリード４のワイヤ接続面１４とが、金属ワイヤ５を用いて接続される。
【００４３】
金属ワイヤ５による接続後、リードフレーム２１は、リード４のクランク形状部分がキャビティ外に露出するように封止用金型にセットされる。そして、金型のキャビティ内へ封止用樹脂（エポキシ樹脂）が注入される。封止用樹脂は、吊りリード８が接続されたダムバー２５の角付近（図４および図５参照。）から注入される。そして、封止用樹脂は、図２に実線矢印IIに示すように、吊りリード８に沿ってダイパッド３の角へ向かって流れるとともに、当該吊りリード８と隣り合う領域９において、第１リード４１から第４リード４４へ向かって流れる。これにより、封止用樹脂が金型のキャビティ内に満遍なく行き渡って、リードフレーム２１上の半導体チップ２および金属ワイヤ５などが樹脂パッケージ６により封止される。
【００４４】
その後、リードフレーム２１の余分な樹脂やバリが除去される。そして、樹脂パッケージ６から露出するダムバー２５が切断されるとともに、各アウターリード１１の先端がレール２２および架設部材２３から切り離され、さらに、ローラでアウターリード１１が曲げ成型される。以上の工程を経ることにより、樹脂パッケージ６により封止された半導体装置１の個体が得られる。
【００４５】
そして、この半導体装置１では、リード４の各群において、アウターリード１１の下側部１６に対する上側部１５の段差量Ｈが、第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に小さくなっている。段差量Ｈの段階的な減少により、リード４各群において、インナーリード１０のワイヤ接続面１４の半導体チップ２の厚さ方向における高さが、第１リード４１、第２リード４２、第３リード４３および第４リード４４それぞれにおいて異なり、第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に低くなっている。
【００４６】
また、上記した段差量Ｈの段階的な減少により、リード４の各群において、半導体チップ２との対向方向におけるインナーリード１０とダイパッド３との距離Ｄが、第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に短くなっている。
これにより、金属ワイヤ５を、各リード４に対して、半導体チップ２の厚さ方向およびリード４の半導体チップ２との対向方向において、それぞれ異なった位置で接続することができる。したがって、半導体チップ２の各辺に沿って並ぶ電極パッド７から各リード４へ向かう金属ワイヤ５の中央部での高さを、それぞれ異なった高さにすることができる。
【００４７】
そのため、半導体チップ２および金属ワイヤ５を樹脂パッケージ６で封止するときに、第１リード４１から第４リード４４へ向かって流れる封止用樹脂により金属ワイヤ５が変形するワイヤ流れが生じても、金属ワイヤ５同士の接触を防止することができる。
さらに、リード４の半導体チップ２との対向方向における長さ、たとえば、インナーリード１０とダイパッド３との距離Ｄを長くする必要がないので、隣り合うリード４同士の接触を防止することもできる。
【００４８】
その結果、金属ワイヤ５同士の短絡などの半導体装置１の動作不良を防止でき、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
上記のような金属ワイヤ５同士の接触防止は、たとえば、リードフレーム２１において、リード４に対して、それぞれ所定の条件（圧力など）でプレス加工するだけで達成される。すなわち、簡単な加工により、ワイヤ流れによる金属ワイヤ５同士の接触を防止することができる。
【００４９】
また、半導体装置１では、インナーリード１０が、半導体チップ２の厚さ方向裏面側へ向かって傾斜している。そのため、ボンディング装置において、ジグ（台座）でリード４を支持するときに、半導体チップ２の厚さ方向裏面側にかかるリード４の付勢力により、ジグをリード４に対して隙間なく密着させることができる。そのため、リード４をジグで確実に支持できるので、金属ワイヤ５とリード４とを良好に接合することができる。その結果、金属ワイヤ５の接合信頼性を向上させることができる。
【００５０】
そして、リードフレーム２１を用いれば、半導体装置１のように、半導体装置の動作不良を防止できる、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
図６は、図１に示す半導体装置の変形例を示す図であって、図３に対応するものである。図６において、図３に示す各部に対応する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。
【００５１】
図６では、アウターリード１１の段差量Ｈは、第１リード４１〜第４リード４４においてほぼ同じ大きさである。
インナーリード１０は、その厚さが第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に薄くなっている。具体的には、第１リード４１の厚さが最も厚く、第２リード４２の厚さが、第１リード４１の厚さよりも薄くなっている。そして、第３リード４３の厚さ、第４リード４４の厚さの順に隣り合うインナーリード１０の厚さよりも薄くなっている。これにより、リード４各群において、インナーリード１０のワイヤ接続面１４は、半導体チップ２の厚さ方向における高さが第１リード４１、第２リード４２、第３リード４３および第４リード４４それぞれにおいて異なり、第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に低くなっている。
【００５２】
また、インナーリード１０とダイパッド３との距離Ｄは、第１リード４１および第４リード４４においてほぼ同じ長さである。
その他の構成は、図１〜３に示した形態と同様であり、効果も同様である。
そして、上記のように各インナーリード１０の厚さに差を設けるには、たとえば、半導体装置１の製造工程に先立って、リードフレーム２１におけるリード４を厚さ方向に、条件（圧力など）に差を設けてプレスすればよい。
【００５３】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、封止用樹脂が注入口付近の吊りリード８と隣り合う領域９以外の領域９においては、アウターリード１１の段差量Ｈが、第１リード４１〜第４リード４４においてほぼ同じ大きさであってもよい。
【００５４】
たとえば、各リード４の半導体チップ２の厚さ方向における高さは、第１リード４１と第２リード４２とが異なるだけでもよい。
また、アウターリード１１の段差量Ｈは、第１リード４１から第４リード４４へ向かって段階的に小さくしたが、段階的に大きくしてもよい。また、第１リード４１の段差量Ｈ１と第３リード４３の段差量Ｈ３を同じ大きさとし、第２リード４２の段差量Ｈ２と第４リード４４の段差量Ｈ４を同じ大きさとすることにより、段差量Ｈの大きさを第１リード４１から第４リード４４へ向かって交互に変化させてもよい。
【００５５】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を模式的に示す斜視図である。
【図３】図２の半導体装置を実線矢印IIIで示す方向から見たときの図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るリードフレームの構造を模式的に示す平面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るリードフレームの構造を模式的に示す斜視図である。
【図６】図１に示す半導体装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１    半導体装置
２    半導体チップ
３    ダイパッド
４    リード
５    金属ワイヤ
６    樹脂パッケージ
１０  インナーリード
１１  アウターリード
１３  先端部（リードの一端部）
１４  ワイヤ接続面
１６  下側部（リードの他端部）
２１  リードフレーム
４１  第１リード
４２  第２リード
【図１】
2009295866.tif 000003
【図２】
2009295866.tif 000004
【図３】
2009295866.tif 000005
【図４】
2009295866.tif 000006
【図５】
2009295866.tif 000007
【図６】
2009295866.tif 000008