(57)【要約】      （修正有）【課題】反応管が傾斜した場合にも、ガスノズル、温度検出器の貫通部に無用な荷重が作用しない基板処理装置を提供する。【解決手段】反応管４７と、基板保持具３５と、処理ガスを供給するガスノズル５４と、基板を加熱する加熱手段と、温度検出器１０２と、排気手段とを備え、前記ガスノズル、前記温度検出器は、前記反応管内への挿入部分であり基板の主面に対して平行な第１の部位５４ｂ，１０２ｂと、該第１の部位から前記反応管の内壁面に沿って基板の積層方向に延出する第２の部位５４ａ，１０２ａとを有し、前記ガスノズル、前記温度検出器それぞれは細管支持部材５５，１１２によって支持され、該細管支持部材はそれぞれ第１支持部と第２支持部とを有し、前記第１支持部は前記第１の部位に当接し、前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に少なくとも三方で前記第２の部位に嵌合して該第２の部位を支持する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に複数の基板を所定の間隔で積層状に保持する基板保持具と、基板の積層方向に沿って設けられ、前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガスノズルと、基板を加熱する加熱手段と、基板の積層方向に沿って設けられた温度検出器と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気手段とを備え、前記ガスノズル、前記温度検出器は、前記反応管内への挿入部分であり基板の主面に対して平行な第１の部位と、該第１の部位から前記反応管の内壁面に沿って基板の積層方向に延出する第２の部位とを有し、前記ガスノズル、前記温度検出器それぞれは細管支持部材によって支持され、該細管支持部材はそれぞれ第１支持部と第２支持部とを有し、前記第１支持部は前記第１の部位に当接し、前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に少なくとも三方で前記第２の部位に嵌合して該第２の部位を支持することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に断面が凹形状であることを特徴とする請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
前記ガスノズル及び前記温度検出器の前記第１の部位の挿入方向から見て前記ガスノズル及び前記温度検出器の前記第２の部位の各背面とその左右が支持されることを特徴とする請求項１の基板処理装置。
【請求項４】
前記反応管は円筒状のインレットフランジに立設され、該インレットフランジは中心に向って水平方向に突出する内部フランジを具備し、前記細管支持部材は前記内部フランジに設けられ、該内部フランジは着脱可能なリング座を有し、前記第２支持部は前記リング座に立設され、前記第１支持部は前記リング座を螺通する調整ボルトと、該調整ボルトの上端に設けられ、前記第１の部位に当接する細管受けフランジを有する請求項１の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、酸化、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置として、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置と、所要枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。
【０００３】
バッチ式の基板処理装置では、縦型炉を有し、該縦型炉の処理室に所要枚数の基板を収納し、処理している。
【０００４】
前記縦型炉の処理室を画成する反応管は有天筒形状をしており、該反応管を囲繞する様に配設された加熱装置を具備している。処理室では、基板が基板保持具（ボート）により、水平姿勢で多段に保持され、処理室が所定の処理圧に減圧され、所定温度に加熱され、更に処理ガスが導入されつつ排気されることで、基板表面に所要の処理がなされる様になっている。
【０００５】
前記処理室に処理ガスを導入するガスノズルが反応管の壁面に沿って立設され、又処理室の温度を検出する為の温度検出器が前記反応管の壁面に沿って立設されている。
【０００６】
従来より、前記ガスノズル、前記温度検出器は反応管の下部を水平方向から貫通し、上方に垂直に屈曲され、前記反応管壁面に沿う様に設けられている。
【０００７】
図１４は、従来の基板処理装置に於ける、ガスノズル、温度検出器の支持構造を示している。
【０００８】
反応管１は短円筒状のインレットフランジ２に同心に立設され、該インレットフランジ２と前記反応管１との間にはシール部材、例えばＯリング３が介設され、前記反応管１と前記インレットフランジ２との接合部は気密にシールされている。前記インレットフランジ２はロードロック室の天板等の構造部材４によって支持され、該構造部材４と前記インレットフランジ２との間にはＯリング５が介設され、前記インレットフランジ２と前記構造部材４とは気密に接合している。
【０００９】
前記インレットフランジ２の下端開口部は炉口部６を形成し、該炉口部６からボート７がボートエレベータ（図示せず）によって処理室８に装脱される様になっている。又、前記ボート７が前記処理室８に挿入された状態では、前記炉口部６はシールキャップ９によって気密に閉塞される。
【００１０】
図１４中、１１はガスノズルを示し、１２は温度検出器を示している。
【００１１】
該温度検出器１２は、石英製の保護管内に複数の熱電対が挿入され、該複数の熱電対は、複数箇所の処理室内の温度が測定可能な様に、それぞれ保護管の内部で高さ方向の位置が異なる様に支持されている。又、前記ガスノズル１１は石英管等によって構成されている。
【００１２】
該ガスノズル１１、前記温度検出器１２のいずれについても、細管支持部材１３，１４により前記インレットフランジ２貫通部での垂直荷重を負担する様になっている。
【００１３】
前記細管支持部材１３と前記細管支持部材１４とは同一構造であるので、以下は、前記細管支持部材１３について説明する。
【００１４】
前記インレットフランジ２の下部の内周面から中心に向って内部フランジ１５が水平方向に突設され、該内部フランジ１５に垂直に調整ボルト１６が螺通し、該調整ボルト１６はロックナット１７によって固定される。前記調整ボルト１６の上端にはノズル受けフランジ１８が設けられ、該ノズル受けフランジ１８は前記ガスノズル１１の水平部１１ａの先端部に中心が下側から当接する様になっている。
【００１５】
又、前記水平部１１ａには可撓性の封止リング（図示せず）が嵌着され、ナット等の固着具により、前記封止リングが前記水平部１１ａに圧着されることで、水平部の貫通箇所が気密に封止され、又圧着力で前記水平部１１ａが前記インレットフランジ２に固定される。
【００１６】
上記した従来の基板処理装置に於けるガスノズル１１、温度検出器１２の支持構造であると、前記ガスノズル１１、前記温度検出器１２が倒れない様に、前記反応管１の内壁面に沿わせる必要がある。
【００１７】
従って、前記ノズル受けフランジ１８の高さ調整は、前記ガスノズル１１の垂直部１１ｂが垂直に、且つ前記反応管１の内壁面に沿う様に調整される。
【００１８】
ところが、前記反応管１内を減圧すると、前記Ｏリング３に圧縮方向の負荷が掛り、該Ｏリング３が圧縮変形する。更に、該Ｏリング３の圧縮変形が円周方向で均一でない場合は、前記インレットフランジ２に対し前記反応管１が傾斜する。
【００１９】
この為、該反応管１の内壁面に沿って設けられている前記ガスノズル１１、前記温度検出器１２の垂直部に水平方向の荷重が作用し、前記インレットフランジ２の貫通部を損傷させる虞れがある。
【００２０】
又、前記反応管１内を減圧すると、前記ガスノズル１１、前記温度検出器１２の各水平部に中心方向の水平力が作用し、又各水平部の前記インレットフランジ２貫通箇所は、摩擦力で固定されているので、前記ガスノズル１１、前記温度検出器１２が中心側にずれる場合がある。この場合は、前記ガスノズル１１、前記温度検出器１２の各垂直部が前記反応管１の内壁面から離反し、垂直部の支持が不安定となるという問題も含んでいた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明は斯かる実情に鑑み、反応管が傾斜した場合にも、ガスノズル、温度検出器の貫通部に無用な荷重が作用しない様にして損傷を防止し、又貫通部の固定を確実にしてズレを防止し、ガスノズル、温度検出器を確実に、又安定に支持しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に複数の基板を所定の間隔で積層状に保持する基板保持具と、基板の積層方向に沿って設けられ、前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガスノズルと、基板を加熱する加熱手段と、基板の積層方向に沿って設けられた温度検出器と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気手段とを備え、前記ガスノズル、前記温度検出器は、前記反応管内への挿入部分であり基板の主面に対して平行な第１の部位と、該第１の部位から前記反応管の内壁面に沿って基板の積層方向に延出する第２の部位とを有し、前記ガスノズル、前記温度検出器それぞれは細管支持部材によって支持され、該細管支持部材はそれぞれ第１支持部と第２支持部とを有し、前記第１支持部は前記第１の部位に当接し、前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に少なくとも三方で前記第２の部位に嵌合して該第２の部位を支持する基板処理装置に係り、又本発明は、前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に断面が凹形状である基板処理装置に係り、又本発明は、前記ガスノズル及び前記温度検出器の前記第１の部位の挿入方向から見て前記ガスノズル及び前記温度検出器の前記第２の部位の各背面とその左右が支持される基板処理装置に係り、又本発明は、前記反応管は円筒状のインレットフランジに立設され、該インレットフランジは中心に向って水平方向に突出する内部フランジを具備し、前記細管支持部材は前記内部フランジに設けられ、該内部フランジは着脱可能なリング座を有し、前記第２支持部は前記リング座に立設され、前記第１支持部は前記リング座を螺通する調整ボルトと、該調整ボルトの上端に設けられ、前記第１の部位に当接する細管受けフランジを有する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に複数の基板を所定の間隔で積層状に保持する基板保持具と、基板の積層方向に沿って設けられ、前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガスノズルと、基板を加熱する加熱手段と、基板の積層方向に沿って設けられた温度検出器と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気手段とを備え、前記ガスノズル、前記温度検出器は、前記反応管内への挿入部分であり基板の主面に対して平行な第１の部位と、該第１の部位から前記反応管の内壁面に沿って基板の積層方向に延出する第２の部位とを有し、前記ガスノズル、前記温度検出器それぞれは細管支持部材によって支持され、該細管支持部材はそれぞれ第１支持部と第２支持部とを有し、前記第１支持部は前記第１の部位に当接し、前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に少なくとも三方で前記第２の部位に嵌合して該第２の部位を支持するので、反応管が傾斜した場合にも、ガスノズル、温度検出器の第１の部位に無用な荷重が作用しない様にして、ガスノズルや温度検出器及び傾斜したガスノズル又は温度検出器と接触する反応管内壁、基板、基板保持具の損傷を防止し、又ガスノズル、温度検出器の固定を確実にしてズレや抜けを防止し、ガスノズル、温度検出器を確実且つ安定に支持できる。
【００２４】
又本発明によれば、前記反応管は円筒状のインレットフランジに立設され、該インレットフランジは中心に向って水平方向に突出する内部フランジを具備し、前記細管支持部材は前記内部フランジに設けられ、該内部フランジは着脱可能なリング座を有し、前記第２支持部は前記リング座に立設され、前記第１支持部は前記リング座を螺通する調整ボルトと、該調整ボルトの上端に設けられ、前記第１の部位に当接する細管受けフランジを有するので、反応室壁面に沿って設けることができ、占有スペースが小さくてすむ。
【００２５】
又本発明によれば、内部フランジは着脱可能なリング座を有し、前記第２支持部は前記リング座に立設され、前記第１支持部は前記リング座を螺通する調整ボルトと、該調整ボルトの上端に設けられ、前記第１の部位に当接する細管受けフランジを有するので、細管の径方向の傾きを正確に調整できる。
【００２６】
又本発明によれば、前記リング座に支持部材ホルダが取付けられ、該支持部材ホルダは、前記リング座と同心の円弧形状であり、垂直に立設された少なくとも１つの立片を有し、該立片に前記第２支持部が固定可能であるので、垂直受部の取付けが簡単に行え、又部品点数が少なくてすみ、製作コストが低減できる。
【００２７】
更に又本発明によれば、前記リング座は前記内フランジに下方から固定可能であり、少なくとも前記第１支持部を取付けた状態で、前記内フランジに着脱可能であるので、狭小な処理室内での作業を少なくでき、作業性が向上するという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２９】
先ず、図１に於いて、本発明が実施される基板処理装置の一例について説明する。
【００３０】
尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理等を行なう縦型の基板処理装置を適用した場合について述べる。又、図１中、図１４中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【００３１】
本発明に係る基板処理装置２０では、シリコン等からなるウェーハ２１の搬送は、基板収容器としてのカセット２２にウェーハを装填した状態で行われる。
【００３２】
図中、２３は筐体であり、該筐体２３の正面には、カセット搬入搬出口２４が前記筐体２３内外を連通する様に開設されており、前記カセット搬入搬出口２４はフロントシャッタ（図示せず）によって開閉される様になっている。
【００３３】
該カセット搬入搬出口２４と臨接してカセットステージ（基板収容器受渡し台）２５が設置されている。前記カセット２２は前記カセットステージ２５上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、又、前記カセットステージ２５上から搬出される様になっている。
【００３４】
該カセットステージ２５は、工程内搬送装置によって、カセット２２内のウェーハ２１が垂直姿勢となり、カセット２２のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置される。前記カセットステージ２５は、カセット２２を筐体後方に右回り縦方向９０°回転し、カセット２２内のウェーハ２１が水平姿勢となり、カセット２２のウェーハ出入れ口が筐体後方を向く様に動作可能となる様構成されている。
【００３５】
前記筐体２３内の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収容器載置棚）２６が設置されており、該カセット棚２６は複数段複数列に、複数個のカセット２２を保管する様に構成されている。前記カセット棚２６にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２７の搬送対象となるカセット２２が収納される移載棚２８が設けられている。
【００３６】
又、前記カセットステージ２５の上方には予備カセット棚（図示せず）が設けられ、予備的にカセット２２を保管する様に構成されている。
【００３７】
前記カセットステージ２５と前記カセット棚２６との間には、カセット搬送装置（基板収容器搬送装置）２９が設置されている。該カセット搬送装置２９は、カセット２２を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）３１と水平搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）３２とで構成されており、前記カセットエレベータ３１と前記カセット搬送機構３２との協働により、前記カセットステージ２５、前記カセット棚２６、前記予備カセット棚（図示せず）との間で、カセット２２を搬送する様に構成されている。
【００３８】
前記カセット棚２６の後方には、前記ウェーハ移載機構２７が設置されており、該ウェーハ移載機構２７は、ウェーハ２１を水平方向に回転可能及び直動可能なウェーハ移載装置（基板移載装置）３３及び該ウェーハ移載装置３３を昇降させる為のウェーハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）３４とで構成されている。該ウェーハ移載装置エレベータ３４及び前記ウェーハ移載装置３３の協働により、ボート３５に対してウェーハ２１を装填及び払出しする様に構成されている。
【００３９】
前記筐体２３内部の後部には気密な耐圧容器であるロードロック室７１（後述）が設けられ、該ロードロック室７１の上方には、処理炉３７が設けられている。該処理炉３７の下端は開口され、開口は炉口を形成し、該炉口は炉口シャッタ（炉口開閉機構）３８により開閉される様に構成されている。
【００４０】
前記ロードロック室７１の内部にはボート３５を昇降して前記処理炉３７に装脱させる昇降機構としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３９が設けられ、該ボートエレベータ３９からはボートアーム４１が水平方向に延出し、該ボートアーム４１には前記炉口を気密に閉塞するシールキャップ４２が設けられ、該シールキャップ４２には前記ボート３５が垂直に載置される。
【００４１】
該ボート３５は、石英等ウェーハ２１を汚染しない材質で構成され、ウェーハ２１を水平姿勢で多段に保持する様になっている。
【００４２】
前記カセット棚２６の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット４３が設けられており、クリーンエアを前記筐体２３の内部に流通させる様に構成されている。
【００４３】
又、前記ウェーハ移載装置エレベータ３４に対向し、該ウェーハ移載装置エレベータ３４に向ってクリーンエアを供給する様、供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット４４が設置されており、該クリーンユニット４４から吹出されたクリーンエアは、前記ウェーハ移載装置３３、前記ボート３５を流通した後に、図示しない排気装置に吸込まれて、前記筐体２３の外部に排気される様になっている。
【００４４】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
【００４５】
前記カセット搬入搬出口２４がフロントシャッタ（図示せず）によって開放される。その後、カセット２２は前記カセット搬入搬出口２４から搬入され、前記カセットステージ２５の上にウェーハ２１が垂直姿勢であって、カセット２２のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置される。前記カセットステージ２５は、カセット２２内のウェーハ２１が水平姿勢となり、カセット２２のウェーハ出入れ口が筐体後方を向く様に、カセット２２を載置する。
【００４６】
前記カセット搬送装置２９は、カセット２２を、前記カセット棚２６又は予備カセット棚（図示せず）の指定された棚位置へ搬送する。カセット２２は、前記カセット棚２６又は予備カセット棚（図示せず）に一時的に保管された後、前記カセット棚２６又は予備カセット棚（図示せず）から前記カセット搬送装置２９によって前記移載棚２８に移載されるか、或は前記カセットステージ２５から直接移載棚２８に搬送される。
【００４７】
カセット２２が前記移載棚２８に移載されると、ウェーハ２１はカセット２２から前記ウェーハ移載装置３３によって降下状態の前記ボート３５に装填（チャージング）される。該ボート３５にウェーハ２１を移載すると、前記ウェーハ移載装置３３はカセット２２に戻り、次のウェーハ２１を前記ボート３５に装填する。
【００４８】
予め指定された枚数のウェーハ２１が前記ボート３５に装填されると、前記炉口シャッタ３８が炉口を開放する。続いて、ウェーハ２１群を保持した前記ボート３５は前記シールキャップ４２が前記ボートエレベータ３９によって上昇されることにより、前記処理炉３７内へ装入されていく。
【００４９】
装入後は、前記処理炉３７にてウェーハ２１に任意の処理が実施される。
【００５０】
処理後は、上述と逆の手順で、ウェーハ２１及びカセット２２は前記筐体２３の外部へ払出される。
【００５１】
次に、上記基板処理装置２０に用いられる処理炉３７の一例について、図２により説明する。
【００５２】
該処理炉３７は加熱手段としてのヒータ４６を有する。該ヒータ４６は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材により構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据付けられている。
【００５３】
前記ヒータ４６の内側には、該ヒータ４６と同心に反応管４７が配設されている。該反応管４７は、石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。
【００５４】
前記反応管４７の内側に、処理室４８を画成する。該処理室４８には前記ボート３５が収納される。
【００５５】
前記反応管４７の下方には、同一中心線上にインレットフランジ４９が配設されている。該インレットフランジ４９は、例えば、ステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。
【００５６】
該インレットフランジ４９は前記ロードロック室７１の天板に設けられ、前記インレットフランジ４９に前記反応管４７が立設される。尚、前記インレットフランジ４９と前記反応管４７との間には、シール部材としてのＯリング５１が設けられている。前記反応管４７と前記インレットフランジ４９により反応容器が形成される。
【００５７】
前記インレットフランジ４９には、ガス排気管５２が設けられると共に、ガス供給管５３が設けられ、該ガス供給管５３にはガスノズル５４が接続されている。該ガスノズル５４は前記反応管４７の内壁面に沿って垂直に延出する垂直部と、前記インレットフランジ４９を水平に貫通する水平部とを具備している。前記ガスノズル５４の下端部は前記インレットフランジ４９に取付けられた細管支持部材５５によって支持されている。
【００５８】
尚、図示していないが、前記処理室４８の温度を測定する温度検出器（後述）が前記インレットフランジ４９を水平に貫通し、又前記反応管４７の内壁面に沿って垂直に延出する様に設けられている。
【００５９】
前記ガス供給管５３は、上流側で３つに分かれており、バルブ５６，５７，５８とガス流量制御装置としてのＭＦＣ５９，６０，６１を介して第１ガス供給源６３、第２ガス供給源６４、第３ガス供給源６５にそれぞれ接続されている。
【００６０】
前記ＭＦＣ５９，６０，６１及び前記バルブ５６，５７，５８には、ガス流量制御部６６が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の流量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００６１】
前記ガス排気管５２の下流側には、図示しない圧力センサ及び圧力調整器としてのＡＰＣバルブ６７を介して真空ポンプ等の真空排気装置６８が接続されている。圧力センサ及び前記ＡＰＣバルブ６７には、圧力制御部６９が電気的に接続されており、該圧力制御部６９は、圧力センサにより検出された圧力に基づいて前記ＡＰＣバルブ６７の開度を調節することにより、前記処理室４８の圧力が所望の圧力となる様所望のタイミングにて制御する様構成されている。
【００６２】
前記インレットフランジ４９は前記ロードロック室７１の上面に気密に連設され、該ロードロック室７１の天板には前記インレットフランジ４９と連通する開口が穿設され、該開口と前記インレットフランジ４９下端の開口とは炉口７０を形成する。
【００６３】
該炉口７０は、シールキャップ７２により、気密に開閉される。該シールキャップ７２は、例えばステンレス等の金属製であり、円盤状に形成されている。前記シールキャップ７２の上面には、前記炉口７０の下面と当接するシール部材としてのＯリングが設けられている。
【００６４】
前記シールキャップ７２には、回転機構７３が設けられている。該回転機構７３の回転軸７４は前記シールキャップ７２を貫通して前記ボート３５に接続されており、該ボート３５を回転させることでウェーハ２１を回転させる様に構成されている。
【００６５】
前記シールキャップ７２は、前記処理炉３７の外側に設けられた昇降機構として前記ボートエレベータ３９によって垂直方向に昇降される様に構成されており、これにより前記ボート３５を前記処理室４８に対し装脱することが可能となっている。前記回転機構７３及び前記ボートエレベータ３９には、駆動制御部７５が電気的に接続されており、所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様構成されている。
【００６６】
前記ボート３５は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ２１を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート３５の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板７６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、前記ヒータ４６からの熱が前記インレットフランジ４９側に伝わり難くなる様構成されている。
【００６７】
前記ヒータ４６及び温度検出器には、温度制御部７７が電気的に接続されており、温度検出器により検出された温度情報に基づき前記ヒータ４６への通電具合を調節することにより前記処理室４８の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００６８】
上記した処理炉３７の構成に於いて、第１の処理ガスは、前記第１ガス供給源６３から供給され、前記ＭＦＣ５９でその流量が調節された後、前記バルブ５６を介して、前記ガス供給管５３により前記処理室４８に導入される。第２の処理ガスは、前記第２ガス供給源６４から供給され、前記ＭＦＣ６０でその流量が調節された後、前記バルブ５７を介して前記ガス供給管５３により前記処理室４８に導入される。第３の処理ガスは、前記第３ガス供給源６５から供給され、前記ＭＦＣ６１でその流量が調節された後、前記バルブ５８を介して前記ガス供給管５３、前記ガスノズル５４より前記処理室４８に導入される。又、該処理室４８のガスは、前記ガス排気管５２に接続された排気装置としての前記真空排気装置６８により、前記処理室４８から排気される。
【００６９】
次に、本発明で用いられる基板処理装置の処理炉周辺の構成について説明する。
【００７０】
予備室としての前記ロードロック室７１の外面に下基板８１が設けられる。該下基板８１にはガイドシャフト８３、ボール螺子８４が立設され、前記ガイドシャフト８３、前記ボール螺子８４の上端には上基板８５が固着される。
【００７１】
昇降台８２は前記ガイドシャフト８３に摺動自在に嵌合すると共に、前記ボール螺子８４に螺合する。該ボール螺子８４は前記上基板８５に設けられた昇降モータ８６に連結され、該昇降モータ８６によって前記ボール螺子８４が回転されることにより前記昇降台８２が昇降する様に構成されている。
【００７２】
前記昇降台８２には中空の昇降シャフト８７が気密に垂設され、該昇降シャフト８７は前記昇降台８２と共に昇降する様になっている。前記昇降シャフト８７は前記ロードロック室７１の天板８８を遊貫し、前記昇降シャフト８７が貫通する前記天板８８の貫通孔は前記昇降シャフト８７に対して接触することがない様充分な余裕がある。
【００７３】
前記ロードロック室７１と前記昇降台８２との間には前記昇降シャフト８７の周囲を覆う様に伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ８９が前記ロードロック室７１を気密に保つ為に設けられる。前記ベローズ８９は前記昇降台８２の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、前記ベローズ８９の内径は前記昇降シャフト８７の外径に比べ充分に大きく前記ベローズ８９の伸縮で接触することがない様に構成されている。
【００７４】
前記昇降シャフト８７の下端には前記ボートアーム４１が水平に設けられる。
【００７５】
該ボートアーム４１は中空構造となっており、上面には前記昇降シャフト８７の下端が固着された昇降基板９１が設けられる。
【００７６】
該昇降基板９１の下面にはＯリング等のシール部材９２を介して駆動部カバー９３が気密に取付けられる。該駆動部カバー９３と前記昇降基板９１とで前記ボートアーム４１が構成されている。この構成により、該ボートアーム４１内部は前記ロードロック室７１内の雰囲気と隔離される。
【００７７】
又、前記ボートアーム４１の内部には前記ボート３５の前記回転機構７３が設けられ、該回転機構７３の周辺は、冷却機構９４により冷却される。
【００７８】
電力供給ケーブル９５が前記昇降シャフト８７の上端から中空部を通って前記回転機構７３に導かれて接続されている。又、前記冷却機構９４、前記シールキャップ７２には冷却流路９６が形成されており、該冷却流路９６には冷却水を供給する冷却水配管９７が接続され、前記昇降シャフト８７の上端から該昇降シャフト８７の中空部を通っている。
【００７９】
前記昇降モータ８６が駆動され、前記ボール螺子８４が回転することで前記昇降台８２及び前記昇降シャフト８７を介して前記ボートアーム４１を昇降させる。
【００８０】
該ボートアーム４１が上昇することにより、前記炉口７０を通して前記ボート３５が前記処理室４８に装入され、前記シールキャップ７２が前記炉口７０を気密に閉塞し、ウェーハ処理が可能な状態となる。又前記ボートアーム４１が降下することにより、前記ボート３５が降下される。該ボート３５の降下位置は、前記ロードロック室７１の側面に設けられたゲートバルブ９８と対向し、該ゲートバルブ９８が開放されることで、前記ウェーハ移載機構２７により、ウェーハの装填、払出しが可能となる（図１参照）。
【００８１】
前記ガス流量制御部６６、前記圧力制御部６９、前記駆動制御部７５、前記温度制御部７７は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部９９に電気的に接続されている。これら、前記ガス流量制御部６６、前記圧力制御部６９、前記駆動制御部７５、前記温度制御部７７、前記主制御部９９は、コントローラ１００として構成されている。
【００８２】
次に、前記処理炉３７を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウェーハ２１等の基板上に、Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は、前記コントローラ１００により制御される。
【００８３】
所定枚数のウェーハ２１が前記ボート３５に装填されると、前記昇降モータ８６による前記ボール螺子８４の回転で前記昇降台８２及び前記昇降シャフト８７を介して前記ボートアーム４１が上昇され、前記ボート３５が、前記処理室４８に装入される。この状態で、前記シールキャップ７２はＯリングを介して前記炉口７０を気密に閉塞する。
【００８４】
前記処理室４８が所望の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置６８によって真空排気される。この際、前記処理室４８の圧力は、圧力センサで測定され、該測定された圧力に基づき前記ＡＰＣバルブ６７がフィードバック制御される。又、前記処理室４８が所望の温度となる様に前記ヒータ４６により加熱される。この際、前記処理室４８が所望の温度分布となる様に温度検出器が検出した温度情報に基づき前記ヒータ４６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構７３により、前記ボート３５が回転されることでウェーハ２１が回転される。
【００８５】
前記第１ガス供給源６３、前記第２ガス供給源６４、前記第３ガス供給源６５には、処理ガスとして、それぞれＳｉＨ4 又はＳｉ2 Ｈ6 、ＧｅＨ4 、Ｈ2 が封入されており、次いで、これら処理ガス供給源からそれぞれの処理ガスが供給される。所望の流量となる様に前記ＭＦＣ５９，６０，６１の開度が調節された後、前記バルブ５６，５７，５８が開かれ、それぞれの処理ガスが前記ガス供給管５３を流通して、前記処理室４８の上部から該処理室４８に導入される。導入されたガスは、該処理室４８を通り、前記ガス排気管５２から排気される。処理ガスは、前記処理室４８を通過する際にウェーハ２１と接触し、ウェーハ２１の表面上にＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜が堆積される。
【００８６】
予め設定された時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室４８が不活性ガスで置換されると共に、該処理室４８の圧力が常圧に復帰される。
【００８７】
その後、前記昇降モータ８６により前記シールキャップ７２が降下されて、前記炉口７０が開口されると共に、処理済ウェーハ２１が前記ボート３５に保持された状態で前記処理室４８の外部に引出される。その後、前記ゲートバルブ９８が開放され、処理済のウェーハ２１は、前記ウェーハ移載機構２７によって前記ボート３５から払出される。
【００８８】
尚、一例迄、本実施の形態の基板処理装置にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜の成膜に於いて、処理温度４００℃〜７００℃、処理圧力１Ｐａ〜２００Ｐａが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。
【００８９】
上記した様に、前記処理室４８に処理ガスを導入する為に前記ガスノズル５４が設けられ、又前記処理室４８の温度を検出する為に温度検出器１０２（後述）が設けられるが、前記ガスノズル５４、前記温度検出器１０２のいずれも垂直部、水平部で構成されるＬ字状の細管であり、水平部が前記インレットフランジ４９を貫通し、貫通した内部を前記細管支持部材５５，１１２（後述）で支持する様になっている。
【００９０】
以下、図３〜図５を参照して第１の実施の形態に於けるガスノズル５４、温度検出器１０２の支持部の構造について説明する。
【００９１】
前記ガスノズル５４、前記温度検出器１０２の支持部の構造は略同一であり、先ず前記ガスノズル５４についての支持部の構造を説明する。
【００９２】
前記ガスノズル５４は石英製のＬ字状の管であり、前記反応管４７の内壁面に沿って垂直に延出する垂直部５４ａと該垂直部５４ａの下端に水平に溶接された水平部５４ｂを有する。
【００９３】
該水平部５４ｂは、前記インレットフランジ４９を水平に貫通し、前記水平部５４ｂの前記処理室４８への挿入部分と前記垂直部５４ａの下端部に掛渡って前記細管支持部材５５によって支持されている。
【００９４】
図４を参照して、前記細管支持部材５５について説明する。
【００９５】
前記インレットフランジ４９の下部には、内周面から中心に向って突出する内部フランジ１０３が設けられ、該内部フランジ１０３に前記細管支持部材５５がボルト１０４によって固定される。
【００９６】
前記細管支持部材５５はハステロイ製、或はステンレス製、或は石英製、ＳｉＣ製であり、前記内部フランジ１０３に当接する座部１０５と前記インレットフランジ４９に沿って立設された脚部１０６と、該脚部１０６の上端に水平に形成された水平受部１０７、該水平受部１０７の内端（中心側の端）から垂直に立設された垂直受部１０８を有し、概略クランク形状となっている。
【００９７】
前記座部１０５には、ボルト固定用の止め孔１０９が穿設され、該止め孔１０９は半径方向に調整可能な様に、長孔又は一部が欠切された形状となっている。前記脚部１０６は、強度を向上させる為断面がコの字状となっている。同様に、前記垂直受部１０８の水平断面もコの字状であり、断面の凹部には前記ガスノズル５４の垂直部５４ａが大きなガタ付きなく嵌入可能である。
【００９８】
而して、前記水平受部１０７に前記垂直部５４ａの挿入部、即ち前記ガスノズル５４の底部が当接されることで、該ガスノズル５４の自重により前記水平部５４ｂに作用する垂直荷重が前記水平受部１０７によって支持される。又、前記垂直部５４ａの中心側（半径方向）への倒れ、更に周方向への倒れの２方向の倒れが、前記垂直受部１０８によって支持される。又、該垂直受部１０８は前記ガスノズル５４の中心方向への変位を拘束し、前記処理室４８を負圧とした場合に、前記ガスノズル５４が前記処理室４８の中心方向に位置ずれしたり、抜けたりすることを防止する。
【００９９】
又、前記インレットフランジ４９の上フランジ４９ａの内周面と前記垂直部５４ａとの間にストッパ１１１を介設し、前記垂直部５４ａと前記反応管４７の内壁面との間に間隙が形成される様にする。前記ストッパ１１１は前記垂直部５４ａに設けてもよく、前記上フランジ４９ａに設けてもよい。
【０１００】
前記垂直部５４ａに設ける場合は、該垂直部５４ａと同材質のもの、例えば石英、ＳｉＣのものを溶接する。又、前記上フランジ４９ａに設ける場合は、該上フランジ４９ａと同材質のものを溶接するか、或は機械加工により、前記上フランジ４９ａの内周、全周に突条を形成してもよい。
【０１０１】
前記ガスノズル５４は、前記細管支持部材５５により垂直荷重を支持されると共に、半径方向、周方向の倒れが規制される。特に、半径方向の倒れについては、前記ストッパ１１１により前記反応管４７との間に間隙が形成されている為、前記垂直部５４ａが傾斜した場合も、該垂直部５４ａと前記反応管４７との接触が避けられ、又該反応管４７が前記インレットフランジ４９に対して傾斜した場合も、同様に前記垂直部５４ａと前記反応管４７との接触が避けられる。従って、前記垂直部５４ａと前記反応管４７との接触で、前記水平部５４ｂに負荷が発生することが防止され、又該水平部５４ｂの損傷が防止できる。
【０１０２】
次に、前記温度検出器１０２の支持部に用いられる細管支持部材１１２について、図５を参照して説明する。尚、前記細管支持部材５５と前記細管支持部材１１２は基本的な構造は同一であり、同等の部位には同符号を付してある。
【０１０３】
前記温度検出器１０２に用いられる細管は、熱電対の挿脱を行い易い様に垂直部１０２ａと水平部１０２ｂとの境界部がＲ形状となっている。従って、前記ストッパ１１１は、前記温度検出器１０２の下部形状に合せた形状となっている。即ち、前記水平受部１０７の一部が傾斜され傾斜部１０７ａを形成し、該傾斜部１０７ａが前記境界部に当接することで、前記水平部１０２ｂと前記水平受部１０７間の面圧を低下させ、又前記境界部に曲げ荷重が発生することを防止している。
【０１０４】
尚、垂直受部１０８が前記垂直部１０２ａに嵌合し、該垂直部１０２ａの半径方向と周方向の２方向で倒れを規制すること及び該垂直部１０２ａの中心方向への変位を拘束することは、前記細管支持部材５５と同様である。
【０１０５】
図６〜図１３に於いて、第２の実施の形態に於けるガスノズル５４、温度検出器１０２の支持部の構造について説明する。
【０１０６】
先ず、図６、図８〜図１１に於いて、前記ガスノズル５４についての支持部の構造を説明する。尚、上記した第１の実施の形態と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【０１０７】
図６に示す様に、インレットフランジ４９の下部には、内周面から中心に向って突出する内部フランジ１０３が設けられ、該内部フランジ１０３は２分割構造となっており、該内部フランジ１０３は前記インレットフランジ４９に一体に成形された内鍔１２１と、該内鍔１２１に下方からボルト付けられるドーナツリング状のリング座１２２から構成されている。
【０１０８】
図８、図９に示す様に、該リング座１２２にＡ支持部材ホルダ１２３及びＢ支持部材ホルダ１２４がボルト（図示せず）により固着される。前記Ａ支持部材ホルダ１２３、前記Ｂ支持部材ホルダ１２４それぞれは、前記リング座１２２と同心の円弧形状となっており、それぞれ所定の間隔で垂直に屈曲された立片１２５を有している。該立片１２５に対応させ半円状のナット逃げ部１２６が形成されている。前記リング座１２２、前記Ａ支持部材ホルダ１２３、前記Ｂ支持部材ホルダ１２４は、それぞれハステロイ製、或はステンレス製となっている。
【０１０９】
前記立片１２５に垂直受部１２７を取付ける。該垂直受部１２７は下端部１２７ａに中心方向から水平に挿通されるボルト１２８によって螺着され、前記下端部１２７ａは、前記ボルト１２８の頭が中心側（前記処理室４８の中心側）に突出してボート３５と接触しない様に凹形状となっている。前記垂直受部１２７の前記ボルト１２８が挿通する孔１２９は水平方向に長い長孔となっており、前記垂直受部１２７は水平方向に位置調整可能となっている。
【０１１０】
又、図１０、図１１の様に、該垂直受部１２７の水平断面形状は、コの字状であり、断面の凹部には前記ガスノズル５４の垂直部５４ａが大きなガタ付きなく嵌入可能である。又図８に示す様に、前記下端部１２７ａの下端は直角に屈曲され、下端を前記リング座１２２の上面に当接させることで、前記垂直受部１２７が垂直となる様になっている。
【０１１１】
図８、図９に示す様に、前記Ａ支持部材ホルダ１２３、前記Ｂ支持部材ホルダ１２４が前記リング座１２２に取付けられた状態で、前記ナット逃げ部１２６の中心位置と合致した位置に調整ボルト用螺子孔１３０が穿設されており、該調整ボルト用螺子孔１３０に調整ボルト１６が螺通される。該調整ボルト１６にはロックナット１７が螺合され、前記調整ボルト１６は上端に円板状のノズル受けフランジ１８を有している。
【０１１２】
前記ガスノズル５４の水平部５４ｂ下面には、石英製の下面座１３１が溶接固着される。該下面座１３１は、前記インレットフランジ４９の壁面側にストッパ１３２を有しており、該ストッパ１３２は前記ノズル受けフランジ１８と係合可能となっている。
【０１１３】
前記垂直受部１２７、前記調整ボルト１６、前記ロックナット１７は、細管支持部材５５を構成し、ハステロイ製、或はステンレス製となっている。
【０１１４】
前記ノズル受けフランジ１８の上端を前記下面座１３１に当接させ、前記ガスノズル５４の自重を支持すると共に前記調整ボルト１６を回転させて、前記ノズル受けフランジ１８の位置を調節して、前記垂直部５４ａが前記反応管４７に対して適宜な間隙を保持して垂直となる様に径方向の傾きを調節する。又、前記垂直受部１２７を前記垂直部５４ａに嵌合させ、該垂直部５４ａが垂直となる様に周方向の傾きを調整して前記ボルト１２８により前記立片１２５に固着する。尚、前記垂直部５４ａの垂直は下端を前記リング座１２２の上面に当接されることで容易に調整でき、又複数の垂直受部１２７を取付ける場合、既に位置が確定している前記立片１２５にボルト１本で固定するので、作業性がよい。
【０１１５】
前記ノズル受けフランジ１８を前記ストッパ１３２に係合可能とすることで、前記処理室４８が負圧となった場合に、前記ガスノズル５４が中心側に位置ずれしたり、抜けたりすることが抑止される。
【０１１６】
尚、前記垂直受部１２７の組立手順としては、前記リング座１２２に予め、前記調整ボルト１６、前記Ａ支持部材ホルダ１２３、前記Ｂ支持部材ホルダ１２４を取付け、前記リング座１２２を前記内鍔１２１に下方から取付ける。
【０１１７】
前記立片１２５それぞれに前記垂直受部１２７を前記ボルト１２８により固定する。尚、前記垂直受部１２７の下端を前記リング座１２２の上面に押当てることで、前記垂直受部１２７の前記リング座１２２に対する垂直が保証される。
【０１１８】
該リング座１２２に予め、前記調整ボルト１６、前記Ａ支持部材ホルダ１２３、前記Ｂ支持部材ホルダ１２４を取付けることで、狭小な前記処理室４８内での作業が少なくなり、作業性が向上する。
【０１１９】
又、前記Ａ支持部材ホルダ１２３に前記立片１２５を形成して、該立片１２５に前記垂直受部１２７を取付けることで、小さなピッチで複数の該垂直受部１２７を取付けることができ、前記ガスノズル５４を狭い間隔で複数設けることができる。
【０１２０】
次に、図７〜図９、図１２、図１３に於いて、温度検出器１０２の支持部に用いられる細管支持部材１１２について説明する。
【０１２１】
前記温度検出器１０２に用いられる細管は、石英製、ＳｉＣ製であり、熱電対の挿脱を行い易い様に垂直部１０２ａと水平部１０２ｂとの境界部がＲ形状となっている。該境界部、前記水平部１０２ｂに掛渡り、下面座１３３を溶接する。該下面座１３３は、前記細管と同材質の石英製、ＳｉＣ製であり、下面は水平面となっている。
【０１２２】
前記リング座１２２には前記温度検出器１０２用の調整ボルト１６が螺通され、又該調整ボルト１６にはロックナット１７が螺合されている。前記調整ボルト１６の上端は、前記下面座１３３の下面に当接し、前記温度検出器１０２の自重を支持すると共に前記調整ボルト１６の回転により前記ノズル受けフランジ１８の位置を調整することで、垂直部１０２ａの径方向の傾きを調整できる様になっている。
【０１２３】
図１２、図１３により、温度検出器保持具１３４について説明する。
【０１２４】
該温度検出器保持具１３４は、下端に水平方向に屈曲された座部１３５を有し、該座部１３５を挿通するボルト１３６により前記リング座１２２の上面に固着される。前記ボルト１３６が挿通する孔１３７は、前記処理室４８の径方向に長い長孔となっており、前記温度検出器保持具１３４は前記処理室４８の径方向の位置が調整可能となっている。
【０１２５】
又、前記温度検出器保持具１３４は脚部１３８、該脚部１３８に連続する垂直受部１３９を有し、前記脚部１３８の上端部と前記垂直受部１３９の下端部とが重複する形状となっており、該垂直受部１３９の水平断面、及び前記脚部１３８の上端部は水平断面がコの字形となっており、高い剛性が得られる様になっている。
【０１２６】
又、前記脚部１３８の下部には、切欠１４１が形成され、該切欠１４１は前記ノズル受けフランジ１８、前記ロックナット１７との干渉を避けると共に前記温度検出器保持具１３４、前記調整ボルト１６を取付けた状態で、前記調整ボルト１６の調整を可能としている。又、前記脚部１３８の前記座部１３５と反対側に、水平に屈曲された舌片１４２が形成され、前記温度検出器保持具１３４の周方向の倒れを抑制する。
【０１２７】
前記垂直受部１３９には前記温度検出器１０２の前記垂直部１０２ａが嵌合し、該垂直部１０２ａの半径方向と周方向の２方向で倒れを規制すること及び該垂直部１０２ａの中心方向への変位を拘束する。
【０１２８】
前記温度検出器保持具１３４及び前記ボルト１３６は、ハステロイ製、或はステンレス製となっている。
【０１２９】
前記温度検出器保持具１３４及び前記調整ボルト１６、前記ロックナット１７は細管支持部材１１２を構成する。
【０１３０】
該細管支持部材１１２を取付ける場合は、先ず前記ロックナット１７を螺合させた前記調整ボルト１６を前記リング座１２２に螺通し、該リング座１２２を前記内鍔１２１に下側からボルトで固定する。前記調整ボルト１６を回転させて、前記ノズル受けフランジ１８を前記下面座１３３に当接させ、又前記垂直部１０２ａの径方向の傾斜を調整する。次に、前記温度検出器保持具１３４を前記リング座１２２の上面に前記ボルト１３６により固定し、前記垂直受部１３９を前記垂直部１０２ａに嵌合させて該垂直部１０２ａの周方向傾斜を調整する。
【０１３１】
尚、前記細管支持部材１１２に於いて、前記温度検出器保持具１３４の代りに前記垂直受部１２７を設けてもよい。この場合、前記下面座１３３の下面に前記ストッパ１３２と同様の凸部を形成し、該凸部を前記ノズル受けフランジ１８と係合可能としてもよい。
【０１３２】
又、リング座１２２に設けられる支持部材ホルダの立片１２５は１つであってもよい。
【０１３３】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【０１３４】
（付記１）基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に複数の基板を所定の間隔で積層状に保持する基板保持具と、基板の積層方向に沿って設けられ、前記反応管内に所望の処理ガスを供給するガスノズルと、基板を加熱する加熱手段と、基板の積層方向に沿って設けられた温度検出器と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気手段とを備え、前記ガスノズル、前記温度検出器は、前記反応管内への挿入部分であり基板の主面に対して平行な第１の部位と、該第１の部位から前記反応管の内壁面に沿って基板の積層方向に延出する第２の部位とを有し、前記ガスノズル、前記温度検出器それぞれは細管支持部材によって支持され、該細管支持部材はそれぞれ第１支持部と第２支持部とを有し、前記第１支持部は前記第１の部位に当接し、前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に少なくとも三方で前記第２の部位に嵌合して該第２の部位を支持することを特徴とする基板処理装置。
【０１３５】
（付記２）前記第２支持部は断面がコの字状であり、前記第２の部位が嵌合可能であり、該第２の部位は前記第２支持部によって周方向の変位及び中心方向の変位が拘束される付記１の基板処理装置。
【０１３６】
（付記３）前記ガスノズル及び前記温度検出器は、前記処理室内壁面との間に介在されるストッパによって前記第２の部位が前記処理室内壁面に対して所定の距離を保持して支持される付記１の基板処理装置。
【０１３７】
（付記４）前記ガスノズル支持部材及び前記温度検出器支持部材は、Ｃｌを含むガスに対して耐腐食性のあるハステロイ製、或はステンレス製である付記１の基板処理装置。
【０１３８】
（付記５）前記ガスノズル支持部材及び前記温度検出器支持部材は、石英製、或は耐腐食性のあるＳｉＣ製である付記１の基板処理装置。
【０１３９】
（付記６）前記ストッパは、石英製、或はＳｉＣ製である付記３の基板処理装置。
【０１４０】
（付記７）前記ストッパは、前記ガスノズル及び前記温度検出器にそれぞれ溶接されている付記３の基板処理装置。
【０１４１】
（付記８）前記第１支持部は前記第１の部位と平行であり、前記第１支持部と前記第２支持部は一体構造である付記１又は付記２の基板処理装置。
【０１４２】
（付記９）前記第１支持部と前記第２支持部とは分離構造であり、前記第１支持部は前記第１の部位の支持位置を垂直方向に調整可能である付記１の基板処理装置。
【０１４３】
（付記１０）前記反応管は円筒状のインレットフランジに立設され、該インレットフランジは中心に向って水平方向に突出する内部フランジを具備し、前記インレットフランジの内径は前記反応管の内径より大きく、前記細管支持部材は前記インレットフランジの内壁と平行な脚部と前記第１支持部と前記第２支持部とによりクランク形状に形成された付記１の基板処理装置。
【０１４４】
（付記１１）前記細管支持部材下端に水平方向に延びる座部を有し、該座部はボルトにより前記内部フランジに固定され、ボルト貫通孔は半径方向長孔又は一部が欠切された形状となっており、前記細管支持部材は半径方向に位置調整可能である付記１０の基板処理装置。
【０１４５】
（付記１２）前記細管支持部材は、前記第１の部位と前記第２の部位との間に細管の屈曲部に当接する傾斜部を有する付記１の基板処理装置。
【０１４６】
（付記１３）前記第２支持部は下端に座部を有し、該座部は前記リング座にボルトにより固定され、前記座部のボルト貫通孔は半径方向に長い長孔であり、前記第２支持部は径方向に調整可能である付記１の基板処理装置。
【０１４７】
（付記１４）前記リング座に支持部材ホルダが固定され、該支持部材ホルダは垂直に屈曲された立片を有し、前記第２支持部は前記立片に固定された付記１の基板処理装置。
【０１４８】
（付記１５）前記リング座に支持部材ホルダが取付けられ、該支持部材ホルダは、前記リング座と同心の円弧形状であり、垂直に立設された少なくとも１つの立片を有し、該立片に前記第２支持部が固定可能である付記１の基板処理装置。
【０１４９】
（付記１６）前記支持部材ホルダは、前記リング座と同心の円弧形状であり、複数の前記立片を有し、複数の前記第２支持部が固定可能である付記１４の基板処理装置。
【０１５０】
（付記１７）前記第２支持部はボルトにより前記立片に固定され、前記第２支持部のボルト貫通孔は水平方向に長い長孔であり、前記第２支持部は水平方向に位置調整可能である付記１４乃至付記１６の基板処理装置。
【０１５１】
（付記１８）前記支持部材ホルダは、複数の第２支持部を取付けた状態で、前記リング座に着脱可能である付記１５の基板処理装置。
【０１５２】
（付記１９）前記リング座は前記内フランジに下方から固定可能であり、少なくとも前記第１支持部を取付けた状態で、前記内フランジに着脱可能である付記１５の基板処理装置。
【０１５３】
（付記２０）前記リング座は前記内フランジに下方から固定可能であり、前記第１支持部と前記第２支持部とを取付けた状態で、前記内フランジに着脱可能である付記１３、付記１４、付記１６、付記１８の何れか１つの基板処理装置。
【０１５４】
（付記２１）細管支持部材は、ハステロイ製、ステンレス製、石英製、ＳｉＣ製の何れかである付記１の基板処理装置。
【０１５５】
（付記２２）前記支持部材ホルダは、ハステロイ製、ステンレス製、石英製、ＳｉＣ製の何れかである付記１６の基板処理装置。 
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の斜視図である。
【図２】該基板処理装置に於ける処理炉の概略断面図である。
【図３】該処理炉の炉口部の拡大断面図である。
【図４】該処理炉で使用される細管支持部材の斜視図である。
【図５】該処理炉で使用される細管支持部材の斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置に於ける細管支持部分の断面図である。
【図７】該基板処理装置に於ける細管支持部分の断面図である。
【図８】該基板処理装置に於ける細管支持部の斜視図である。
【図９】該基板処理装置に於ける細管支持部の分解斜視図である。
【図１０】第２の実施の形態に於けるガスノズルについての細管支持部材の斜視図である。
【図１１】該ガスノズルについての細管支持部材の背面斜視図である。
【図１２】第２の実施の形態に於ける温度検出器についての細管支持部材の斜視図である。
【図１３】該温度検出器についての細管支持部材の背面斜視図である。
【図１４】従来の基板処理装置の炉口部の断面図である。
【符号の説明】
【０１５７】
２１            ウェーハ
３５            ボート
４６            ヒータ
４７            反応管
４８            処理室
４９            インレットフランジ
５４            ガスノズル
５４ａ          垂直部
５４ｂ          水平部
５５            細管支持部材
７２            シールキャップ
１０２          温度検出器
１０３          内部フランジ
１０７          水平受部
１０７ａ        傾斜部
１０８          垂直受部
１１１          ストッパ
１１２          細管支持部材
１２１          内鍔
１２２          リング座
１２３          Ａ支持部材ホルダ
１２４          Ｂ支持部材ホルダ
１２５          立片
１２７          垂直受部
１３４          温度検出器保持具
１３９          垂直受部
１４１          切欠
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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