(57)【要約】【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、簡便に測定することにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性を評価する方法を提供する。【解決手段】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を形成したウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＬＯモードおよびＴＯモードの波数を測定し、測定ウェーハ間で、ＴＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以内、かつ、ＬＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以上である場合、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハの方が３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性が劣ると判断する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を形成したウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＬＯモードおよびＴＯモードの波数を測定し、測定ウェーハ間で、ＴＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以内、かつ、ＬＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以上である場合、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハの方が３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性が劣ると判断することを特徴とするＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法。
【請求項２】
前記３Ｃ−ＳｉＣ層は、Ｓｉ基板上へのエピタキシャル成長または前記Ｓｉ基板表面の炭化により形成されたものであることを特徴とする請求項１記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法。
【請求項３】
前記３Ｃ−ＳｉＣ層は、厚さが１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ（以下、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハとも記す）のＴ2フォノンの横波光学（ＴＯ）モードおよび縦波光学（ＬＯ）モードの波数測定による３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハは、Ｓｉ基板表面に３Ｃ−ＳｉＣ層を高温でヘテロエピタキシャル成長させる、あるいはまた、Ｓｉ基板表面を炭化することにより作製される。
上記のようにして形成された３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０の格子振動の振動数（波数）は、赤外透過または反射やラマン散乱等により測定することができる。
【０００３】
前記３Ｃ−ＳｉＣ層の格子振動の波数は、３Ｃ−ＳｉＣ層とＳｉ基板との格子定数の違いや、熱膨張係数の相違（ＳｉＣ：５×１０-6／Ｋ、Ｓｉ：４．５×１０-6／Ｋ）に起因して生じる３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ界面の残留応力によって、３Ｃ−ＳｉＣの固有振動数からシフトすることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
一方、赤外透過法を用いて、Ｓｉ単結晶やＳｉウェーハ表面の酸化膜の結晶性を評価する方法が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３５０３３１号公報
【特許文献２】特開平６−２８３５８６号公報
【非特許文献１】H. Mukaida, et al.,“Journal of Applied Physics”, vol.62, 1987, p.254
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記のような３Ｃ−ＳｉＣ層の格子振動の波数のシフトは、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ界面の残留応力に起因する以外に、３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の影響をも受けると考えられる。
３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性は、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハにデバイス形成する際においても、デバイス品質に影響を及ぼす極めて重要な物性である。
【０００７】
そこで、本発明者らは、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の変化に着目して、Ｓｉ単結晶やＳｉウェーハ表面の酸化膜の評価において適用されている赤外透過法または赤外反射法を応用して、Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価を行うべく検討を重ね、本発明に係る評価方法を見出した。
【０００８】
すなわち、本発明は、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、簡便に測定することにより、Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性を評価する方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法は、Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を形成したウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＬＯモードおよびＴＯモードの波数を測定し、測定ウェーハ間で、ＴＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以内、かつ、ＬＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以上である場合、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハの方が３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性が劣ると判断することを特徴とする。
上記方法によれば、３Ｃ−ＳｉＣ／ＳｉウェーハのＴ2フォノンの波数を測定することにより、非破壊で、簡便に、Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価を行うことができる。
【００１０】
上記評価方法は、前記３Ｃ−ＳｉＣ層が、Ｓｉ基板上へのエピタキシャル成長または前記Ｓｉ基板表面の炭化により形成されたものである場合に、好適に適用することができる。
また、前記３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１μｍ以下の場合に、上記測定方法を好適に適用することができる。
【発明の効果】
【００１１】
上述したとおり、本発明に係る方法によれば、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハの３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性を、非破壊で、簡便に評価することができる。
したがって、本発明に係る評価方法を用いれば、結晶性に優れた３Ｃ−ＳｉＣ層を有する３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハの選別を容易に行うことができ、この３Ｃ−ＳｉＣ層上に、高品質のエピタキシャル層を形成する際にも有用であり、ひいては、このような結晶性に優れたウェーハを用いた高品質デバイスの提供にも寄与し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明について、詳細に説明する。
本発明に係るＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法は、Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を形成したウェーハについて、各ウェーハの３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性を相対的に評価するものである。
具体的には、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＬＯモードおよびＴＯモードの波数を測定し、測定ウェーハ間で、ＴＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以内、かつ、ＬＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以上である場合、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハの方が３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性が劣ると判断するものである。
上記方法によれば、３Ｃ−ＳｉＣ／ＳｉウェーハのＴ2フォノンの波数を測定することにより、非破壊で、簡便に、Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価を行うことができる。
【００１３】
Ｔ2フォノンモードは、波数が異なるＬＯモードとＴＯモードとに分裂する。これは、ＬＯモードには、それ自体が誘起する遠距離力場である巨視的電場が働くが、ＴＯモードには、このような作用は働かないためであり、このため、ＬＯモードはＴＯモードよりも広い領域の影響を受けやすい。
例えば、３Ｃ−ＳｉＣ層が薄く、不均一である場合や、膜の成長が未熟であり、島状に成長している段階においては、完全な単結晶膜に比べて、広範囲の領域に由来する巨視的電場は小さく、ＴＯ波数からの分裂の程度は小さくなる。その結果、ＬＯ波数は完全な単結晶膜の場合よりも低波数側にシフトする。
一方、ＴＯ波数は、近距離の結合力が主であるため、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さの相違による変化は小さい。
すなわち、ＬＯ波数は、３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性を反映すると考えられる。
【００１４】
本発明においては、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハの３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のフォノン波数の測定方法としては、例えば、Ｐ偏光７３．７°入射赤外透過法、Ｐ偏光斜め入射赤外反射法、ラマン散乱法等を用いることができる。
【００１５】
ここで、３Ｃ−ＳｉＣの波数ベクトルｋ≒０の光学フォノンは、赤外およびラマン両活性のＴ2フォノンモード１つのみであり、このＴ2フォノンは、ＴＯモードおよびＬＯモードを持ち、ＬＯの波数＞ＴＯの波数の関係にある。
このように、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンは、赤外およびラマンの両活性であるため、厚さ１００ｎｍ以下の極薄い３Ｃ−ＳｉＣ層へのＰ偏光の斜め入射による赤外透過または反射スペクトルから、ＴＯモードおよびＬＯモードの波数を直接測定することができる（例えば、D. W. Berremen,“Phys. Rev.”, vol.130, 1963, p.2193.; H. Shirai,“Jpn. J. Appl. Phys.”, vol.33, 1994, L94.; M. Dean Sciacca, et al.,“Phys.Rev.B”, vol.51, 1995, p.7744 等参照）。
【００１６】
Ｐ偏光７３．７°入射赤外透過法とは、Ｓｉ基板および３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角である７３．７°で入射して、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＴＯバンドおよびＬＯバンドのピーク位置からＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める方法である。
この方法は、比抵抗が１Ωｍ以上のライトドープＳｉ基板が用いられている場合に好適である。Ｓｉ基板と３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハに赤外光が透過すれば、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角で入射するため、試料やレファレンス基板内で多重反射せず、スペクトル上に干渉縞がほとんど発生することなく、ＦＴＩＲ（フーリエ変換型赤外分光分度計）の特性を活かして、高分解能で、高確度の測定を行うことができる。
【００１７】
また、Ｐ偏光斜め入射赤外反射法とは、反射鏡（例えば、アルミニウム蒸着鏡）および３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光を斜め入射して、それぞれの赤外反射スペクトルを測定し、両者の比から反射率スペクトルを算出して、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＴＯバンドおよびＬＯバンドのピーク位置から、それぞれＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める方法である。
この方法は、赤外光を透過しないヘビードープＳｉ基板が用いられている場合に好適であり、ＦＴＩＲの特性を活かして、高分解能で、高確度の測定を行うことができる。
なお、赤外光が透過するライトドープＳｉ基板の場合には、多重反射による干渉縞が発生するが、分解能４ｃｍ-1程度で測定すれば、干渉縞はほとんど観測されない。
【００１８】
なお、ラマン散乱法は、上述したような赤外透過法または反射法に比べて、３Ｃ−ＳｉＣ層が薄い場合は、測定困難である。回折格子を用いた分光法であるため、高分解能測定はあまり期待できないが、レーザーを１μｍ程度にまで絞ったピンポイント測定を行うことができる。
【００１９】
本発明の測定対象である３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハは、通常、厚さ３００〜８００μｍのＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を厚さ１μｍ以下でエピタキシャル成長、または、Ｓｉ基板表面を炭化させて、作製されたものである。
また、前記Ｓｉ基板の製法は、特に限定されるものではなく、下記実施例においては、フローティングゾーン（ＦＺ）法で製造されたＳｉ基板を用いているが、チョクラルスキー法（ＣＺ）法で製造されたＳｉ基板であっても、同様に適用可能である。
なお、測定においてレファレンスとするＳｉ基板と、３Ｃ−ＳｉＣ／ＳｉウェーハのＳｉ基板とは、同一の製法であることが好ましい。
また、ドーパントの種類は、特に限定されるものではない。
【００２０】
以下において、光学計算シミュレーションにより、例えば、３Ｃ−ＳｉＣ／ＦＺ−ＳｉウェーハのＰ偏光７３．７°入射の赤外透過スペクトルにおける３Ｃ−ＳｉＣ層のＴＯモードおよびＬＯモードのピークの挙動を求める。
具体的には、下記のような古典分散式を用いて３Ｃ−ＳｉＣの分散特性を規定した場合において、その結晶特性を備えた３Ｃ−ＳｉＣ層についてモデル計算し、厚さが１５ｎｍの場合と４４５ｎｍの場合の透過率スペクトルの変化を調べる。
【００２１】
まず、３Ｃ−ＳｉＣ層の誘電率分散ε（ν）を、下記古典分散式において、３Ｃ−ＳｉＣ層のＬＯモード波数νL＝９６９．０ｃｍ-1、ＴＯモード波数νT＝７９３．０ｃｍ-1、ダンピング定数Γ＝４．７６ｃｍ-1、（赤外域の）高波数極限での誘電率ε∞＝６．７として導く（W. J. Choyke and E. D. Palik,“Handbook of Optical Constants of Solids”, Academic Press, 1985, p.587 参照）。
【００２２】
【数１】
2009231654.tif 000002
【００２３】
そして、Ｐ偏光のブルースター角での入射光に対するエネルギー透過率Ｔｐ（ν）を下記式により計算する（D. W. Berreman, Phys. Rev. vol.130 (1963), p.2193，O. E. Piro, Phys. Rev. vol.36 (1987), p.3427 参照）。
【００２４】
【数２】
2009231654.tif 000003
【００２５】
ここで、νは波数（ｃｍ-1）、δ（ν）＝２πｄν・１０-7、ｄはＳｉＣ層の厚さ（ｎｍ）、入射角θ（ラジアン）＝２π・７３．７／３６０（７３．７°は、Ｓｉのブルースター角）、ｉは虚数単位（ｉ2＝−１）として、単色平行な入射光が、屈折率１の真空または空気中から３Ｃ−ＳｉＣ薄片に入射し、屈折率１の真空または空気中に出射する場合の透過率を、波数域４００〜１２５０ｃｍ-1において、波数間隔０．１ｃｍ-1で計算した。なお、計算には技術計算ソフトMathcad（登録商標） 11（Mathsoft Engineering & Education, Inc.製）を用いた。
実際の赤外透過においては、Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層表面に入射し、Ｓｉ基板裏面から出射する透過光について、Ｓｉ基板の透過光に対する透過率スペクトルを測定するが、上記計算シミュレーションにおいても、実質的に、同等の３Ｃ−ＳｉＣ層の透過スペクトルが得られる。
【００２６】
上記計算シミュレーションにより、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍ、４４５ｎｍのそれぞれの場合の透過率を計算すると、各透過率スペクトルは、図３，４に示すようになる。
図３，４から分かるように、ＬＯ＝９６９．０ｃｍ-1、ＴＯ：７９３．０ｃｍ-1と設定した前記古典分散式によるモデル計算の結果、各ピーク波数は、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍの場合、ＬＯ：９６９．０ｃｍ-1、ＴＯ：７９３．０ｃｍ-1、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが４４５ｎｍの場合、ＬＯ：９６８．８ｃｍ-1、ＴＯ：７９６〜７９１ｃｍ-1付近（飽和してしまい、ピーク波数の観測不可）となる。
以上から、等質の３Ｃ−ＳｉＣ層であれば、Ｐ偏光７３．７°入射での赤外透過法により、確度の高いＬＯ波数値が得られ、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが厚い場合（４４５ｎｍ）でも、薄い場合（１５ｎｍ）でも、ＬＯ波数は、ほぼ同等の測定値として観測されると推定される。
【００２７】
したがって、３Ｃ−ＳｉＣ層において、ＬＯモードの波数に差がある場合、これらの差は、３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の優劣が反映されたものであると考えられる。
具体的には、下記実施例に示すように、ＴＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以内、かつ、ＬＯモードの波数の差が２ｃｍ-1以上である場合、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハの方が３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性が劣ると判断することができる。
【００２８】
上述したＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法は、３Ｃ−ＳｉＣ層を形成したＳｉＣウェーハの製造方法に適用することが可能である。
その場合は、予め良品とされるＳｉＣ層を有するＳｉＣウェーハのＬＯモードおよびＴＯモードを把握しておき、前記測定したウェーハのＬＯモードおよびＴＯモードの波数と比較する。
そして、前記測定したウェーハのＴＯモードの波数が前記良品の波数に対して２ｃｍ-1以内、かつ、前記測定したウェーハのＬＯモードの波数が前記良品の波数に対して２ｃｍ-1以上の差があるとき、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハを不良と判別する。
これにより、ＳｉＣウェーハの３Ｃ−ＳｉＣ層の良否を高精度に判定することができ、高品質なＳｉＣウェーハを製造することができる。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
［実施例１］
片面鏡面研磨ＦＺ−Ｓｉ（１１１）ウェーハ（リンドープ、比抵抗約１ｋΩｃｍ、厚さ７５６μｍ）上に、炭化により厚さ１５ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ層が形成された３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）／Ｓｉ（１１１）ウェーハ試料１について、Ｐ偏光７３．７°入射での赤外透過法により、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンを測定した。
また、片面鏡面研磨ＦＺ−Ｓｉ（１１１）ウェーハ（リンドープ、比抵抗約１ｋΩｃｍ、厚さ７６３μｍ）上に、エピタキシャル成長により、厚さ４４５ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ層が形成された３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ（１１１）ウェーハ試料２についても、同様に、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンを測定した。
測定条件は、室温、分解能０．２５ｃｍ-1、検出器：ＤＴＧＳ（deuterated triglycine sulfate)、ＦＴＩＲ装置：ブルカー製ＩＦＳ１１３Ｖ、レファレンス：片面鏡面研磨ＦＺ−Ｓｉ（１１１）ウェーハ（リンドープ、比抵抗約１ｋΩｃｍ、厚さ７５４μｍ）にて行った。
【００３０】
図１に、これらの赤外透過スペクトルを示す。
図１に示したように、試料１（３Ｃ−ＳｉＣ層厚さ１５ｎｍ）については、ＬＯ：９６０．９ｃｍ-1、ＴＯ：７９０．８ｃｍ-1ともに、明確に測定された。
一方、試料２（３Ｃ−ＳｉＣ層厚さ４４５ｎｍ）については、ＬＯ：９６８．３ｃｍ−１が検出されたが、ＴＯは、エピ層の厚さが厚すぎて飽和してしまい（７９０．０ｃｍ-1付近）、正確なピーク波数を求めることはできなかった。
なお、ＬＯ波数とＴＯ波数はピーク位置から求めた。
【００３１】
［実施例２］
実施例１と同一の試料について、ラマン散乱法でＴ2フォノンの測定を行った。
測定は、ウェーハ面に垂直な方向をｚ、ウェーハ面内の
2009231654.tif 000004
方向をｘ、ｘに垂直な方向をｙとして、
2009231654.tif 000005
および
2009231654.tif 000006
の後方散乱偏光ラマン測定配置にて行った。なお、
2009231654.tif 000007
配置では、選択則からＴ2（ＴＯ）およびＴ2（ＬＯ）を測定することができる。
2009231654.tif 000008
配置では、選択則からＴ2（ＴＯ）のみを測定することができる。
分光器は、堀場・ジョバンイボン社製ＨＲ８００ＵＶレーザラマン分光装置を用い、測定条件は、励起光：Ａｒイオンレーザー４８８ｎｍ、回折格子２４００本／ｍｍ、分解能１．８７ｃｍ-1とした。波数校正は、Ａｒイオンレーザーのプラズマ線を用いた。ＬＯ波数とＴＯ波数は、プラズマ線にはGauss関数、ＬＯおよびＴＯラマンバンドにはLorentz関数を用いて、波数解析して求めた。波数解析には、解析ソフトOriginを用いた。
【００３２】
図２に、これらのラマン散乱スペクトルを示す。
図２に示したように、試料１（３Ｃ−ＳｉＣ層厚さ１５ｎｍ）については、３Ｃ−ＳｉＣ層が薄すぎて、ＬＯバンドとＴＯバンドを測定することができなかった。
一方、試料２（３Ｃ−ＳｉＣ層厚さ４４５ｎｍ）については、
2009231654.tif 000009
配置では、ＬＯ：９６８．５ｃｍ-1、ＴＯ：７８９．５ｃｍ-1であった。また、
2009231654.tif 000010
配置では、ＴＯ：７８９．５ｃｍ-1であった。
【００３３】
なお、結晶性の評価の一般的な手段として、Ｘ線回折（ＸＲＤ）におけるロッキングカーブ半値幅を求めたところ、試料１（３Ｃ−ＳｉＣ層厚さ１５ｎｍ）は３．４４°、試料２（３Ｃ−ＳｉＣ層厚さ４４５ｎｍ）は０．６１７°であり、試料１の方が結晶性に劣ることが確認された。試料１，２ともに、Ｘ線回析では、３Ｃ−ＳｉＣの反射ピークを確認することができた。
【００３４】
上記実施例から、ＴＯモードの波数は、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが４４５ｎｍの場合（試料２）は、赤外透過法ではＴＯバンドが飽和し、ピークを測定することができなかったが、ラマン散乱法では７８９．５ｃｍ-1であった。このＴＯ波数は、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍの場合（試料１）の赤外透過法により求めたＴＯ波数７９０．８ｃｍ-1とは、差が１．３ｃｍ-1であり、ほぼ同等と言える。
一方、ＬＯモードの波数は、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが４４５ｎｍの場合（試料２）は、赤外透過法では９６８．３ｃｍ-1、ラマン散乱法では９６８．５ｃｍ-1であったのに対して、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍの場合（試料１）には、赤外透過法で９６０．９ｃｍ-1と測定され、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さの相違により、７ｃｍ-1以上の大きな乖離があった。
この実測結果は、上述した光学計算シミュレーションから、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さの相違によっては、ＬＯ波数は変化せず、ほぼ同じ測定値になると推定されたことと相違する。
このＬＯ波数の大きな乖離は、上述したように、３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の優劣が反映されたものであると考えられる。
【００３５】
また、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが４４５ｎｍの場合（試料２）は、実測赤外透過スペクトルと計算スペクトルとは、ほぼ同等の波形であったが、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍの場合（試料１）には、実測赤外透過スペクトルは、計算スペクトルよりも顕著にブロードになる。
このＬＯの低波数側へのシフトおよびブロード波形も、３Ｃ−ＳｉＣ層の低い結晶性を反映したものである。
【００３６】
以上から、ＬＯ波数が８ｃｍ-1以上低波数側にシフトしている試料１（３Ｃ−ＳｉＣ層厚さ１５ｎｍ）の方が、試料２（３Ｃ−ＳｉＣ層厚さ４４５ｎｍ）よりも、結晶性に劣るものであり、これは、ＸＲＤ測定結果とも合致するものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施例１に係る赤外透過スペクトルである。
【図２】実施例２に係るラマン散乱スペクトルである。
【図３】３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍの場合の計算シミュレーションによる透過率スペクトルである。
【図４】３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが４４５ｎｍの場合の計算シミュレーションによる透過率スペクトルである。
【図１】
2009231654.tif 000011
【図２】
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【図３】
2009231654.tif 000013
【図４】
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