(57)【要約】【課題】本発明は磁気抵抗効果素子を研磨する処理を有する再生ヘッドの製造方法、及びこの方法により製造される再生ヘッド、及びこの再生ヘッドを搭載した磁気記録再生装置に関し、研磨加工精度に拘らず磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の長さ（MRh）の精度を向上させることを課題とする。【解決手段】ＭＲ素子１２と、膜面垂直方向に電流を流すようＭＲ素子１２を挟むよう配置された一対の端子１１，１６とを有し、記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドであって、上部端子１６をＭＲ素子１２の素子高さ方向に複数に分割して分割端子１６Ａ〜１６Ｅを設ける。【選択図】図１１
2009230820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドの製造方法であって、
磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、
前記磁気抵抗効果素子に一対の端子を形成する端子形成工程と、
該一対の端子の内、少なくとも一方を前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に複数に分割する分割工程と、
前記磁気抵抗効果素子及び前記端子の前記記録媒体と対峙する面を研磨加工する研磨工程と、
前記研磨加工程の終了後、前記分割された複数の端子の内、所望する磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の長さと対応する前記端子を選択し、前記磁気抵抗効果素子に形成される電流路の前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の領域を調整する電流路調整工程と、
を有する再生ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記分割工程では、
分割形成されるそれぞれの前記端子の前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に対する長さが、前記研磨加工が行われる側に配置される前記端子に比べ、これより奥側方向に配置される前記端子の方が短くなるよう形成する請求項１記載の再生ヘッドの製造方法。
【請求項３】
磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の膜面垂直方向に電流を流すよう前記磁気抵抗効果素子を挟むよう配置された一対の端子と、該端子を挟む磁気シールドとを有し、記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドであって、
前記一対の端子の内、少なくとも一方が前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に複数に分割されてなる再生ヘッド。
【請求項４】
磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の膜面方向に電流を流すよう前記磁気抵抗効果素子のコア幅方向両端に配置された一対の端子と、前記磁気抵抗効果素子及び前記端子を挟む磁気シールドとを有し、記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドであって、
前記コア幅方向両端に配置された端子が、前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に複数に分割されてなる再生ヘッド。
【請求項５】
磁気記録媒体と、
請求項３または４に記載の再生ヘッドと、
該再生ヘッドを駆動する駆動装置とを有する磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は再生ヘッドの製造方法及び再生ヘッド及び磁気記録再生装置に係り、特に磁気抵抗効果素子を研磨する処理を有する再生ヘッドの製造方法、及びこの方法により製造される再生ヘッド、及びこの再生ヘッドを搭載した磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドという）は、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）を再生部に用いたヘッドで、再生出力が磁気記録媒体と磁気ヘッド間の相対速度に依存しないため、磁気記録装置の高記録密度化及び小型化に対して有利な磁気ヘッドである。
【０００３】
またＭＲ素子としては、主に、フリー層、中間層、ピンド層、反強磁性層からなるスピンバルブ膜が知られているが、反強磁性層がピンド層を固着する力を強めた、主に、フリー層、中間層、リファレンス層、中間層、ピンド層、反強磁性層からなる積層フェリ型スピンバルブ膜も知られている。
【０００４】
ＭＲ素子を用いたＭＲヘッドは、積層フェリ型スピンバルブ膜の場合、フリー層の磁化とリファレンス層の磁化のなす角度によって抵抗変化を生じる。このＭＲヘッドで、最も高い感度を得るためには、媒体磁界が入ってこないとき、フリー層の磁化が概略コア幅方向に向いており、上向きまたは下向きの媒体磁界が入ったとき、フリー層の磁化が素子高さ方向に傾くようにすることが重要である。もし媒体磁界が入ってこないとき、フリー層の磁化が素子高さ方向に向いていると、再生波形の上下非対称性が悪くなり、再生感度が悪くなる。
【０００５】
また、ＭＲ素子を用いたＭＲヘッドは、ＭＲ素子が単磁区とならない場合、バルクハウゼンノイズが発生し、再生出力が大きく変動する問題がある。このため、ＭＲ素子の磁区を制御するため、磁区制御膜が設けられている。この磁区制御膜としては、CoPt等に代表される高保磁力膜やPdPtMn等に代表される反強磁性膜と強磁性膜との積層膜を、ＭＲ素子のトラック幅方向の両サイドに設けることや、反強磁性膜をＭＲ素子上に積層して設ける場合がある。更にこの磁区制御膜はフリー層をコア幅更に向かせる効果がある。
【０００６】
また、電流を流す方向として、コア幅方向に電流を流す構造（ＣＩＰ構造）に対し、高感度化をねらう構造の一つとして、高い抵抗変化を得るためにＭＲ素子の面内垂直方向に電流を流す構造（ＣＰＰ構造）も知られている。
【０００７】
一方、近年では磁気ディスク装置の大容量化と共に媒体上のビット長及びトラック幅が急激に狭くなってきている。媒体上のトラック幅が狭くなると、再生ヘッドのトラック幅方向のMR素子の長さ（コア幅）も小さくなる。
【０００８】
一方、再生波形の上下非対称性を良好に保つためには、MR素子のコア幅と、MR素子の素子高さ方向の長さ（以下、MRhという）のアスペクト比を１に近い値とする必要があるが、コア幅が小さくなる一方で、MRhは研磨による加工で規定していることから、高精度に加工することは困難となり、その長さが短くなるほど精度は悪化する。例えば、昨今のMRhは約110nm程度であるが、これに対し研磨加工精度は約±30nm程度である。一方将来MRhが50nm程度以下に減少することが予測され、この場合、研磨加工精度が±30nm程度の場合、MRhを歩留まり良く作成することは困難である。
【０００９】
そこで、加工精度を向上させる方法として、端子、MR素子全体をMRh方向に細分化し、ABS面（空気潤滑面）側の細分化された領域で抵抗とMRhの関係を見出し、その関係を用いてMRhを規定する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−０７６６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示された発明では、端子及びMR素子全体をMRh方向に細分化し、ABS面側の細分化された領域で抵抗とMRhの関係を見出し、その関係を用いてMRhを規定している。この方法用いると、ヘッド一つ一つの抵抗とMRhの関係を用いて研磨加工することができる。しかしながら、この方法では上記の研磨加工精度（約±30nm程度）は維持されるため、やはりMRhを歩留まり良く作成することは困難となる。
【００１１】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、研磨加工精度に拘らず磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の長さ（MRh）の精度を向上しうる再生ヘッドの製造方法、及びこれに伴い良好な再生波形を得られる再生ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドの製造方法であって、
磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、
前記磁気抵抗効果素子に一対の端子を形成する端子形成工程と、
該一対の端子の内、少なくとも一方を前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に複数に分割する分割工程と、
前記磁気抵抗効果素子及び前記端子の前記記録媒体と対峙する面を研磨加工する研磨工程と、
前記研磨加工程の終了後、前記分割された複数の端子の内、所望する磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の長さと対応する前記端子を選択し、前記磁気抵抗効果素子に形成される電流路の前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の領域を調整する電流路調整工程と、
を有する再生ヘッドの製造方法により解決することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、研磨加工精度に拘らず磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の長さ（MRh）の精度を向上することができ、また良好な再生波形を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の第１実施形態である再生ヘッド１Ａを示している。第１実施形態に係る再生ヘッド１Ａは、磁気抵抗効果素子１２（以下、ＭＲ素子という）を再生部に用いた磁気抵抗効果型ヘッドである。
【００１６】
この磁気抵抗効果型ヘッドは、再生出力が磁気記録媒体と磁気ヘッド間の相対速度に依存しないため、磁気記録装置の高記録密度化及び小型化に対して有利である。また第１実施形態では、ＭＲ素子１２の面内垂直方向（図中、Ｚ方向）に電流を流すＣＰＰ(Current
Perpendicular to Plane)構造を例に挙げて説明する。
【００１７】
再生ヘッド１Ａは、大略すると下部シールド１０、下部電極１１、ＭＲ素子１２、上部端子１６、及び上部シールド膜１９等を有している。
【００１８】
下部シールド１０及び上部シールド膜１９は、例えばNiFe等よりなる磁気シールド材であり、ＭＲ素子１２の上部及び下部に、ＭＲ素子１２を挟むようにして配設されている。これにより、ＭＲ素子１２は、再生ヘッド１Ａに対して特に矢印Ｚ方向から印加される外部磁界からシールドされる。
【００１９】
また、磁区制御膜１４は、ＭＲ素子１２の左右位置（矢印Ｘ方向位置）に、ＭＲ素子１２を挟むように配設されている。磁区制御膜１４は、ＭＲ素子１２の磁区を制御する機能を奏するものである。この磁区制御膜１４は、例えばCoPt等の高保磁力膜やPdPtMn等の反強磁性膜と強磁性膜との積層膜を用いることができる。
【００２０】
また、本実施形態に係る再生ヘッド１ＡはＣＰＰ構造とされているため、下部電極１１と上部端子１６は、ＭＲ素子１２の面内垂直方向（図中、Ｚ方向）からＭＲ素子１２を挟むように配設されている。具体的には、ＭＲ素子１２の図中下部には下部電極１１が設けられ、ＭＲ素子１２の図中上部には上部端子１６が設けられている。この各部電極１１，１６間に電流供給を行うことにより、ＭＲ素子１２にはセンス電流が流れる。
【００２１】
ここで、上部端子１６に注目すると、上部端子１６は複数のスリット２６が形成されることにより、ＭＲ素子１２の素子高さ方向（矢印Ｙ方向）に複数に分割された構成となっている。図１に示す例では、上部端子１６は分割端子１６Ｃ〜１６Ｅの３本の電極に分割された構成となっている。この各分割端子１６Ｃ〜１６Ｅは、上部シールド膜１９と電気的に絶縁された構成となっている。
【００２２】
尚、後述するように、本実施形態では製造時にＭＲ素子１２の上部に５本の分割端子１６Ａ〜１６Ｅが形成されるが（図１１参照）、その後に実施される研磨工程において１６Ａ，１６Ｂは研磨により除去され、分割端子１６Ｃ〜１６Ｅが残存した構成となっている（これについては、後に詳述する）。
【００２３】
図２は、上記構成とされた再生ヘッド１Ａが実装された基板４０を示している。この基板４０は、再生ヘッド１Ａを磁気記録再生装置１００（図１９参照）に適用した場合、キャリッジアーム１０６の先端に配設されるものである。基板４０には、ライト端子４１、リード下側端子４２、リード端子４３Ａ〜４３Ｃ（請求項に記載の外部接続部に相当する）、配線４４，４５Ａ〜４５Ｃが形成されている。
【００２４】
リード下側端子４２は、配線４４を介して再生ヘッド１Ａの下部電極１１に接続されている。また、分割端子１６Ｃは配線４５Ａを介してリード端子４３Ａに接続されている。また、分割端子１６Ｄは配線４５Ｂを介してリード端子４３Ｂに接続されている。また、分割端子１６Ｅは配線４５Ｃを介してリード端子４３Ｃに接続されている。尚、ライト端子４１は、再生ヘッド１Ａを記録ヘッドと一体的して複合ヘッドとして用いる場合、当該記録ヘッドと接続される端子である。
【００２５】
上記のように、各リード端子４３Ａ〜４３Ｃを分割端子１６Ｃ〜１６Ｅに接続することにより、リード端子４３Ａ〜４３Ｃに選択的に電流を供給することにより、ＭＲ素子１２内を流れる電流の流路（以下、電流路５０という）の幅を調整することが可能となる。
【００２６】
ここで、ＭＲ素子１２を有する再生ヘッド１Ａでは、再生波形の上下非対称性を良好に保つためには、ＭＲ素子１２のコア幅（図１に矢印Ｗで示す）と、MR素子１２の素子高さ方向の長さ（以下、MRhという）のアスペクト比を１に近い値とする必要があるが、コア幅が小さくなる一方で、MRhは研磨による加工で規定していることから、高精度に加工することは困難となり、その長さが短くなるほど精度は悪化する。
【００２７】
しかしながら、実質的なMR素子１２のMRhは、ＭＲ素子１２内を流れる電流の電流路５０の幅により調整することができる。即ち、リード端子４３Ａにのみ電流を供給しリード端子４３Ｂ，４３Ｃに電流供給を行わない場合（即ち分割端子１６Ｃのみが電極として機能し、分割端子１６Ｄ，１６Ｅが電極として機能しない場合）は、実質的なMR素子１２のMRhは分割端子１６Ｃの幅寸法Ｌｃとなる。また、リード端子４３Ａ〜４３Ｃの全てに電流が供給された場合、MRhは分割端子１６Ｃ〜１６Ｅの全幅寸法となる。
【００２８】
このように、ＭＲ素子１２の上部に配設される上部端子１６をMR素子１２の素子高さ方向に複数の分割し、選択的に電流を供給できるよう構成することにより、ＭＲ素子１２の実際の素子高さ方向（Ｙ方向）の長さを機械的な加工（研磨加工）により実現しなくても、分割端子１６Ｃ〜１６Ｅ（１６Ａ〜１６Ｅ）を設けることにより、これを選択することによりMRhの調整を行うことができる。また、後述するように分割端子１６Ａ〜１６Ｅは、後述するようにイオンミリング等の研磨加工に比べて高精度の加工技術を用いて形成されるため、MRhを高精度に調整することができる。
【００２９】
このように、分割端子１６Ａ〜１６Ｅの幅寸法（ＭＲ素子１２の素子高さ方向に対する長さ寸法）は、MRhの調整に大きく影響を与える。よって、分割端子１６Ａ〜１６Ｅの幅寸法を全て同一とするのではなく、異なった幅寸法とすることも有効である。
【００３０】
この場合、研磨加工が行われる側に配置される分割端子１６Ａの幅を最も広く設定し、これより奥側方向に向かい各分割端子１６Ｂ〜１６Ｅの幅が漸次短くなるよう形成することが望ましい（図１１参照。Ｌａ＞Ｌｂ＞Ｌｃ＞Ｌｄ＞Ｌｅ）。具体的な幅寸法としては。分割端子１６Ａを10nm、分割端子１６Ｂを9nm、分割端子１６Ｃを8nm、分割端子１６Ｄを7nm、分割端子１６Ｅを6nmとしてもよい。
【００３１】
このように各分割端子１６Ａ〜１６Ｅの幅に変化を持たせるのは、研磨加工が行われる側に配置される分割端子１６Ａや分割端子１６Ｂは、研磨加工時に研磨により除去される可能性が高く、この研磨領域に配置される分割端子１６Ａを微細に形成しても、無駄になる可能性が高い。これに対し、分割端子１６Ａよりも奥側方向に配置される上部端子１６Ｂ〜１６ＤはMRhの調整に寄与するため、幅を小さく設定しておくことによりMRhの高精度の調整が可能となる。
【００３２】
次に、上記構成とされた再生ヘッド１Ａの製造方法の実施形態について説明する。
【００３３】
図３乃至図１１は、再生ヘッド１Ａの製造方法を製造手順の沿って示す図である。尚、図３乃至図９において、（Ａ）で示す図はＭＲ素子１２を図１における矢印Ｙ方向に見た矢視図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００３４】
再生ヘッド１Ａを製造するには、先ず基板４０上に下部シールド１０を成膜する。続いて、この下部シールド１０の上部に下部電極１１を形成する。本実施形態では、下部シールド１０と下部電極１１を別体としているが、導電性を有する磁性材料を用いることにより、下部シールド１０と下部電極１１を一体化することもできる。この場合、材料としてはNiFe等を用いることができる。
【００３５】
次に、下部電極１１の上部にＭＲ素子１２を成膜する。ＭＲ素子１２としては、Ta等の下地膜を成膜後、積層フェリ型スピンバルブ、即ち反強磁性膜、ピンド層、Ru等の中間層、リファレンス層、中間層、フリー層を順次成膜する。
【００３６】
ここで中間層としては、Al2O3やMgO等の絶縁膜か、Cu等の導電膜を用いることができる。この際、絶縁膜を用いた場合にはＭＲ素子１２はトンネル接合型のＴＭＲ素子となり、また導電膜を用いた場合にはＭＲ素子１２はＣＰＰ−ＧＭＲ素子となる。また反強磁性膜としては、IrMn、PdPtMn等を用い、ピンド層、リファレンス層及びフリー層としては、NiFe、CoFeB等の単層膜または積層膜を用いる。
【００３７】
次に、所望の形状にレジスト２１をパターンニングする。次にこのレジスト２１をマスクとして、イオンミリング等により、ＭＲ素子１２をエッチングする。図３は、ＭＲ素子１２を所定の形状にエッチングした状態を示している。
【００３８】
上記のようにＭＲ素子１２のパターニングが終了すると、レジスト２１を残したままで、非磁性膜１３、磁区制御膜１４、非磁性膜１５を順次成膜する。ここで、磁区制御膜１４としては、CoCrPt等の高保磁力膜、IrMnやPdPtMnの反強磁性膜とNiFeやCoFeB等の軟磁性膜の積層膜等を用いることができる。また、非磁性絶縁膜１３、１５としてはAl2O３等を用いることができる。図４は、各膜１３，１４，１５が成膜された状態を示している。
【００３９】
次にレジスト２１を除去後、別のレジスト２３を所望の形状に成膜する。そして、このレジスト２３をマスクとしてイオンミリング等を行うことにより、非磁性絶縁膜１３、磁区制御膜１４、非磁性絶縁膜１５をエッチングする（以上の工程が、請求項に記載の素子形成工程となる）。
【００４０】
上記のようにＭＲ素子１２及び各膜１３，１４，１５が形成されると、レジスト２３を除去した後、図５に示すように、ＭＲ素子１２及び非磁性膜１３，１５の上部に広く電極端子１６を成膜する（請求項に記載の端子形成工程）。
【００４１】
この端子形成工程が終了すると、続いて上部端子１６を分割する分割工程が実施される。この分割工程では、上部端子１６上にレジスト３６を所望の形状に成膜し、このレジスト３６をマスクとして、イオンミリング等により、上部端子１６のエッチングを行う（図６参照）。これにより、エッチング処理された部分にはスリット２６が形成され、上部端子１６は複数の分割端子１６Ａ〜１６Ｅに分割される。この際、レジスト３６のパターンを適宜選定することにより、前記のように分割端子１６Ａ〜１６Ｅの幅寸法（ＭＲ素子１２の素子高さ方向に対する長さ寸法）を異なった幅寸法とすることができる。尚、スリット２６の幅は、1〜10nm程度である。
【００４２】
次に、レジスト３６を残したままで、分割端子１６Ａ〜１６Ｅの形成位置以外の部分に非磁性絶縁膜１７を成膜する（図７参照）。非磁性絶縁膜１７が成膜されると、レジスト３６を除去し、別のレジスト３７を所望の形状に成膜する。そして、このレジスト３７をマスクとして、イオンミリング等により、分割端子１６Ｅ、非磁性絶縁膜１３，１５，１７、ＭＲ素子１２、磁区制御膜１４をエッチングする（図８参照）。
【００４３】
次に、レジスト３７を除去した後、分割端子１６Ａ〜１６Ｅ及び非磁性絶縁膜１７等の上部に非磁性絶縁膜１８及び上部シールド膜１９を順次積層形成する（図９参照）。尚、以上の説明の内、下部シールド１０及び上部シールド膜１９はめっき法、蒸着法、またはスパッタリング法等により成膜することができる。また、ＭＲ素子１２を構成する反強磁性膜、ピンド層、Ru等の中間層、リファレンス層、中間層、フリー層、及び磁区制御膜１４、非磁性絶縁膜１３、１５、１７、１８はスパッタリング法等により成膜することができる。
【００４４】
上記した分割工程が終了すると、形成された再生ヘッド１ＡのＡＢＳ面側を研磨する研磨工程が実施される。この研磨工程は、上記のように基板４０上に積層された下部シールド１０，下部電極１１，ＭＲ素子１２，分割端子１６Ａ，及び上部シールド膜１９のＡＢＳ面側の凹凸をなくして平坦性を高めると共に、前記したMRhの調整を行うために実施される。
【００４５】
図１０は、研磨工程に使用される研磨装置３０の一例を示している。この研磨装置３０は、ベース３４に再生ヘッド１Ａを装着する装着部３２と、この装着部３２を駆動する駆動部３３と、再生ヘッド１Ａの研磨処理を行う研磨布３１を有している。研磨布３１が図中矢印方向に変位することにより、再生ヘッド１Ａは研磨処理が行われる。この際、再生ヘッド１ＡはＡＢＳ面２５となる側の面が研磨布３１と対峙するよう研磨装置３０に装着される。
【００４６】
この研磨装置３０を用いた再生ヘッド１Ａの研磨加工の精度は、上記した再生ヘッド１Ａの形成工程に用いる加工（レジストを用いたイオンミリング等のエッチング等）の加工精度に比べ、低い加工精度となっている。具体的には、研磨加工の加工精度は約±30nm程度である。これに対し、将来想定されるMRhは50nm程度以下であり、この研磨加工精度の±30nm程度の加工精度では、将来的にMRhを歩留まり良く作成することは困難であることは前述した通りである。
【００４７】
そこで本実施形態では、研磨工程が終了した後、電流路調整工程を実施する。この電流路調整工程では、分割工程で形成された複数の分割端子１６Ａ〜１６Ｅの内、所望するＭＲ素子１２のMRhと対応する分割端子を選択し、これにより当該MRhに対応する電流路５０を調整する。以下、この電流路調整工程の具体的な実施方法について、主に図１１を用いて説明する。
【００４８】
図１１（Ａ）は、研磨工程が実施される前の再生ヘッド１Ａを示している。本実施形態では、研磨工程が実施される前では分割端子１６Ａ〜１６Ｅの５つの分割端子を有している。また、図２を用いて説明したリード端子は、電流路調整工程を実施する前までに形成される。
【００４９】
尚、図２では図１に対応させるため、リード端子数を３つ（リード端子４３Ａ〜４３Ｃ）として示したが、図１１に示すように分割端子数が５つである場合には、リード端子数も５つ形成する必要がある。
【００５０】
ＭＲ素子１２はイオンミリング等のエッチングにより成形されるため、そのコア幅Ｗは高精度に形成されている。従って、このコア幅Ｗから再生ヘッド１Ａの再生特性を向上させうるMRhの値も求めることができる。
【００５１】
一方、研磨加工精度が低いことにより、図１１（Ａ）に示す状態から同一条件で研磨加工を実施しても、図１１（Ｂ）に示すように、研磨量が少なくなる場合や、逆に図１１（Ｃ）に示すように研磨量が大きくなる場合が生じる。このように研磨加工精度に起因して研磨量にばらつきが発生すると、前記のようにMRhを歩留まり良く作成することは困難となる。
【００５２】
前記のように、実質的なMR素子１２のMRhは、ＭＲ素子１２内を流れる電流の電流路５０の幅により調整することができる。即ち、従来では上部端子が分割されていなかったため、研磨加工後におけるＭＲ素子１２の素子高さ方向の長さが、そのまま電流が流れる電流路となっていた。しかしながら、実質的なMR素子１２のMRhは、ＭＲ素子１２内において電流が流れる電流路５０の幅となる。
【００５３】
そこで、本実施形態では電流路調整工程において、次の処理を実施することとした。先ず、研磨工程で実施された研磨量を測定することにより再生ヘッド１Ａに残存している分割端子１６Ａ〜１６Ｂを求める。次に、この残存している分割端子１６Ａ〜１６ＢからMRhの長さに対応する分割端子を選択する。そして、この選択された分割端子に接続されているリード端子についてのみ電流を供給する。
【００５４】
例えば、図１１（Ｂ）に示すように研磨量Ｐ１が少ない場合には、分割端子１６Ａ〜１６Ｅが残存している。また、分割端子１６Ａは研磨されることにより、その幅は（Ｌａ−Ｐ）となっている。ここで、電流路５０の幅が所望するMRhの長さと最も近接するよう分割端子を選定する。
【００５５】
図１１（Ｂ）に示す例では、分割端子１６Ａ〜１６Ｃを選択することにより、電流路５０の幅を所望するMRhの長さに最も近くすることができる。よって、分割端子１６Ａ〜１６Ｃに接続されたリード端子に給電を行うことにより、研磨加工の精度に拘らずMRhを精度よく設定することができる。
【００５６】
また、図１１（Ｃ）に示すように研磨量Ｐ２が大きい場合は、残存する分割端子数は少なくなる。同図に示す例では、分割端子１６Ｃ〜１６Ｅが残存している（図１，２に示す例と等価）。ここで、電流路５０の幅が、所望するMRhの長さと最も近接するよう分割端子を選定する。
【００５７】
図１１（Ｃ）に示す例では、分割端子１６Ｃ〜１６Ｅを選択することにより、電流路５０の幅を所望するMRhの長さに最も近くすることができる。よって、分割端子１６Ｃ〜１６Ｅに接続されたリード端子に給電を行うことにより、研磨加工の精度に拘らずMRhを精度よく設定することができる。
【００５８】
電流路調整工程では上記の処理を実施するため、分割される分割端子の幅はできるだけ細かい方が、MRhを高精度に加工することができる。また前記のように、MRh奥側の分割端子ほど、その幅を小さくした方がMRhを高精度に加工することができる。
【００５９】
尚、上記した第１実施形態に係る再生ヘッド１Ａでは、ＭＲ素子１２の上部に配設される上部端子１６のみを分割して分割端子１６Ａ〜１６Ｅを形成する構成を例に挙げて説明した。しかしながら、下部端子１１を分割して分割端子とすることも可能である。この構成とした場合には、電流路調整工程において所望するMRhに応じて下部端子１１を分割して分割端子の選択も行う必要がある。
【００６０】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００６１】
図１２は第２実施形態である再生ヘッド１Ｂを示しており、また図１３乃至図１８は再生ヘッド１Ｂの製造方法の一実施形態を示している。尚、図１３乃至図１８において、図１乃至図１２に示した構成と対応する構成については同一符号を付して、その説明を省略する。また、図１３乃至図９において、（Ａ）で示す図はＭＲ素子１２を図１２における矢印Ｙ方向に見た矢視図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【００６２】
第２実施形態に係る再生ヘッド１Ｂは、ＭＲ素子１２の膜面方向に（図中、Ｘ方向）に電流を流すＣＩＰ(Current
In-Plane)構造を適用した例である。このため、ＭＲ素子１２の上面の一端に第１の上部端子２８が形成されると共に、他端に第２の上部端子２９が形成された構成とされている。
【００６３】
また、本実施形態においても、第１及び第２の上部端子２８，２９はＭＲ素子１２の素子高さ方向（矢印Ｙ方向）に複数に分割された構成となっている。具体的には、第１の上部端子２８は分割端子２８Ａ〜２８Ｃに分割され、第２の上部端子２９は分割端子２９Ａ〜２９Ｃに分割された構成とされている。
【００６４】
次に、上記構成とされた再生ヘッド１Ｂの製造方法に対説明する。尚、再生ヘッド１Ａの製造方法においては、先に説明した再生ヘッド１Ａの製造方法とは重複する部分があるため、重複部分については適宜その説明及び図示を省略する。
【００６５】
先ず、基板４０上に下部シールド１０、非磁性絶縁膜２２、ＭＲ素子１２、非磁性膜１３、磁区制御膜１４、及び非磁性膜１５を形成する（図１３参照）。ここで、本実施形態では第１実施形態と異なり、下部シールド１０上に非磁性絶縁膜２２を形成している。しかしながら、非磁性絶縁膜２２の形成は、他の非磁性絶縁膜と同様に容易に下部シールド１０上に形成することができる。
【００６６】
次に、ＭＲ素子１２の上部の所定範囲及び磁区制御膜１４の上部を覆うように、第１及び第２の上部端子２８，２９を成膜する（端子形成工程）。その後、第１及び第２の上部端子２８，２９の上部にレジスト２３を所望の形状に成膜し、このレジスト１１をマスクとして、イオンミリング等により、第１及び第２の上部端子２８，２９をエッチングする。これにより、スリット２６が形成され、ＭＲ素子１２の素子高さ方向（矢印Ｙ方向）に複数に分割された分割端子２８Ａ〜２８Ｃ，分割端子２９Ａ〜２９Ｃが形成される（分割工程。図１４参照）。
【００６７】
次に、図１５に示すように、レジスト２３を残存させたまま、第１の上部端子２８（分割端子２８Ａ〜２８Ｃ）と第２の上部端子２９（分割端子２９Ａ〜２９Ｃ）との間に非磁性絶縁膜１７を成膜する。その後、レジスト３６を所望の形状に成膜し、このレジスト３６をマスクとしてイオンミリング等により、ＭＲ素子１２、非磁性絶縁膜１３，１５，１７、磁区制御膜１４、各分割端子２８Ａ〜２８Ｃ，２９Ａ〜２９Ｃ等をエッチングする（図１６参照）。更に、レジスト３６を除去した後、非磁性絶縁膜１８、上部シールド膜１９を成膜する（図１７参照）。
【００６８】
上記のように端子形成工程及び分割工程が終了すると、第１実施形態と同様に、研磨装置３０を用いた研磨工程が実施される。そして、この研磨工程が終了すると、続いて電流路５０のＭＲ素子１２の素子高さ方向の領域を調整する電流路調整工程が実施される。
【００６９】
電流路調整工程では、分割工程で形成された複数の分割端子２８Ａ〜２８Ｅ、分割端子２９Ａ〜２９Ｅの内、所望するＭＲ素子１２のMRhと対応する分割端子を選択し、これにより当該MRhに対応する電流路５０を調整する。本実施形態に係る再生ヘッド１Ｂは、ＭＲ素子１２の膜面方向に（図中、Ｘ方向）に電流を流すＣＩＰ構造であるため、ＭＲ素子１２の上部面に分割端子２８Ａ〜２８Ｅと分割端子２９Ａ〜２９Ｅが対向するよう配置されている。よって、所望するMRhに応じて分割端子を選定する際、分割端子２８Ａ〜２８Ｅ及び分割端子２９Ａ〜２９Ｅの双方を選定する必要がある。
【００７０】
以下、本実施形態における電流路調整工程の具体的な実施方法について、主に図１８を用いて説明する。
【００７１】
図１８（Ａ）は、研磨工程が実施される前の再生ヘッド１Ｂを示している。本実施形態では、研磨工程が実施される前ではＭＲ素子１２の上面の両端部にそれぞれ５つの分割端子２８Ａ〜２８Ｅと分割端子２９Ａ〜２９Ｅが対向するよう配設されている。また、各分割端子２８Ａ〜２８Ｅ，２９Ａ〜２９Ｅには、個別に電流が供給できるよう構成されている。
【００７２】
本実施形態においても、ＭＲ素子１２はイオンミリング等のエッチングにより成形されるため、そのコア幅Ｗは高精度に形成されている。従って、このコア幅Ｗから再生ヘッド１Ａの再生特性を向上させうるMRhの値も求めることができる。
【００７３】
一方、研磨加工精度が低いことにより、図１８（Ａ）に示す状態から同一条件で研磨加工を実施しても、図１８（Ｂ）に示すように、研磨量が少なくなる場合や、逆に図１８（Ｃ）に示すように研磨量が大きくなる場合が生じることは第１実施形態と同様である。
【００７４】
前記のように、実質的なMR素子１２のMRhは、ＭＲ素子１２内において電流が流れる電流路５０の幅となるため、MRhは電流路５０の幅により調整することができる。具体的な調整方法は第１実施形態と同様であり、先ず、研磨工程で実施された研磨量を測定することにより再生ヘッド１Ｂに残存している分割端子を求める。次にこの残存している分割端子からMRhの長さに対応する分割端子を選択する。そして、この選択された分割端子に接続されているリード端子についてのみ電流を供給する。
【００７５】
例えば、図１８（Ｂ）に示すように研磨量Ｐ１が少ない場合には、分割端子分割端子２８Ａ〜２８Ｅ，２９Ａ〜２９Ｅが残存している。また、分割端子２８Ａ，２９Ａは研磨されることにより、その幅は（Ｌａ−Ｐ）となっている。ここで、電流路５０の幅が所望するMRhの長さと最も近接するよう分割端子を選定する。
【００７６】
図１８（Ｂ）に示す例では、分割端子２８Ａ〜２８Ｃ及び分割端子２９Ａ〜２９Ｃを選択することにより、電流路５０の幅を所望するMRhの長さに最も近くすることができる。よって、各分割端子２８Ａ〜２８Ｃ，２９Ａ〜２９Ｃに接続されたリード端子を用いて給電を行うことにより、研磨加工の精度に拘らずMRhを精度よく設定することができる。
【００７７】
また、図１８（Ｃ）に示すように研磨量Ｐ２が大きい場合は、残存する分割端子数は少なくなる。同図に示す例では、分割端子２８Ｃ〜２８Ｅ，２９Ｃ〜２９Ｅが残存している。ここで、電流路５０の幅が、所望するMRhの長さと最も近接するよう分割端子を選定する。
【００７８】
図１１（Ｃ）に示す例では、分割端子２８Ｃ〜２８Ｅ及び分割端子２９Ｃ〜２９Ｅを選択することにより、電流路５０の幅を所望するMRhの長さに最も近くすることができる。よって、分割端子２８Ｃ〜２８Ｅ，２９Ｃ〜２９Ｅに接続されたリード端子に給電を行うことにより、研磨加工の精度に拘らずMRhを精度よく設定することができる。
【００７９】
上記説明から明らかなように、本実施形態においても、分割される分割端子の幅はできるだけ細かい方が、MRhを高精度に加工することができる。また前記のように、MRh奥側の分割端子ほど、MRh方向の長さを小さくした方が、MRhを高精度に加工することができる。
【００８０】
次に、本実施形態の再生ヘッド１Ａ，１Ｂを装着しうる磁気記録再生装置２０ついて説明する。図７は、磁気記録再生装置１００の平面図である。この磁気記録再生装置２０は、パーソナルコンピュータやテレビの録画装置に搭載されるハードディスク装置である。
【００８１】
この磁気記録再生装置１００では、磁気記録媒体１０３が、スピンドルモータ１０２によって回転可能な状態で筐体１０１に収められる。更に、筐体１０１の内部には、軸１０５を中心にしてＶＣＭ１０７（ボイスコイルモータ）により回転可能なキャッリッジアーム１０６が設けられている。磁気ヘッド１０４は本実施形態の再生ヘッド１Ａ，１Ｂと記録ヘッドとの複合ヘッドであり、キャリッジアーム１４の先端に設けられている。そして、磁気ヘッド１０４が磁気記録媒体１０３の上方を走査することにより磁気記録媒体１０３への情報の書き込みと読み取りが行われる。
【００８２】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
【００８３】
以上の各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドの製造方法であって、
磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、
前記磁気抵抗効果素子に一対の端子を形成する端子形成工程と、
該一対の端子の内、少なくとも一方を前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に複数に分割する分割工程と、
前記磁気抵抗効果素子及び前記端子の前記記録媒体と対峙する面を研磨加工する研磨工程と、
前記研磨加工程の終了後、前記分割された複数の端子の内、所望する磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の長さと対応する前記端子を選択し、前記磁気抵抗効果素子に形成される電流路の前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の領域を調整する電流路調整工程と、
を有する再生ヘッドの製造方法。
（付記２）
前記分割工程では、
分割形成されるそれぞれの前記端子の前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に対する長さが、前記研磨加工が行われる側に配置される前記端子に比べ、これより奥側方向に配置される前記端子の方が短くなるよう形成する付記１記載の再生ヘッドの製造方法。
（付記３）
前記磁気抵抗効果素子は膜面内に電流を流す構成とされており、
前記端子形成工程では、前記一対の端子を前記磁気抵抗効果素子の片面に形成する付記１または２記載の再生ヘッドの製造方法。
（付記４）
前記磁気抵抗効果素子は膜面に垂直に電流を流す構成とされており、
前記端子形成工程では、前記一対の端子が前記磁気抵抗効果素子を挟むように形成する付記１または２記載の再生ヘッドの製造方法。
（付記５）
磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の膜面垂直方向に電流を流すよう前記磁気抵抗効果素子を挟むよう配置された一対の端子と、該端子を挟む磁気シールドとを有し、記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドであって、
前記一対の端子の内、少なくとも一方が前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に複数に分割されてなる再生ヘッド。
（付記６）
磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の膜面方向に電流を流すよう前記磁気抵抗効果素子のコア幅方向両端に配置された一対の端子と、前記磁気抵抗効果素子及び前記端子を挟む磁気シールドとを有し、記録媒体の磁気的信号を再生信号として検出する再生ヘッドであって、
前記コア幅方向両端に配置された端子が、前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に複数に分割されてなる再生ヘッド。
（付記７）
分割された複数の前記端子には、それぞれ別箇に給電を行うための外部接続部が接続されている付記５または６記載の再生ヘッド。
（付記８）
前記分割された端子は、前記磁気シールドと電気的に絶縁されている付記５乃至７のいずれか一項に記載の再生ヘッド。
（付記９）
前記分割形成された前記端子の前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向に対する長さが、前記研磨加工が行われる側に配置される前記端子に比べ、これより奥側方向に配置される前記端子の方が短く形成されてなる付記５乃至８のいずれか一項に記載の再生ヘッド。
（付記１０）
磁気記録媒体と、
付記５乃至９のいずれか一項に記載の再生ヘッドと、
該再生ヘッドを駆動する駆動装置とを有する磁気記録再生装置。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドを示す要部分解斜視図である。
【図２】図２は、分割端子に接続されるリード端子を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その３）。
【図６】図６は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その４）。
【図７】図７は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その５）。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その６）。
【図９】図９は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その７）。
【図１０】図１０は、研磨工程で使用される研磨装置を示す要部を拡大した斜視図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１実施形態である再生ヘッドの製造方法の内、電流路調整工程を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２実施形態である再生ヘッドを示す要部分解斜視図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図１４】図１４は、本発明の第２実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図１５】図１５は、本発明の第２実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その３）。
【図１６】図１６は、本発明の第２実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その４）。
【図１７】図１７は、本発明の第２実施形態である再生ヘッドの製造方法を説明するための図である（その５）。
【図１８】図１８は、本発明の第２実施形態である再生ヘッドの製造方法の内、電流路調整工程を説明するための図である。
【図１９】図１９は、本発明の第１及び第２実施形態である再生ヘッドを適用しうる磁気記録再生装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１Ａ，１Ｂ  再生ヘッド
１０  下部シールド
１１  下部電極
１２  ＭＲ素子
１３，１５  非磁性膜
１４  磁区制御膜
１６  上部端子
１６Ａ〜１６Ｅ  分割端子
１７，１８  非磁性絶縁膜
１９  上部シールド膜
２０，２２  非磁性絶縁膜
２５  ＡＢＳ面
２６  スリット
２８  第１の上部端子
２９  第２の上部端子
２８Ａ〜２８Ｅ、２９Ａ〜２９Ｅ  分割端子
３０  研磨装置
４０  基板
４２  リード下側端子
４３Ａ〜４３Ｃ  リード端子
４４，４５Ａ〜４５Ｃ  配線
５０  電流路
１００  磁気記録再生装置
【図１】
2009230820.tif 000003
【図２】
2009230820.tif 000004
【図３】
2009230820.tif 000005
【図４】
2009230820.tif 000006
【図５】
2009230820.tif 000007
【図６】
2009230820.tif 000008
【図７】
2009230820.tif 000009
【図８】
2009230820.tif 000010
【図９】
2009230820.tif 000011
【図１０】
2009230820.tif 000012
【図１１】
2009230820.tif 000013
【図１２】
2009230820.tif 000014
【図１３】
2009230820.tif 000015
【図１４】
2009230820.tif 000016
【図１５】
2009230820.tif 000017
【図１６】
2009230820.tif 000018
【図１７】
2009230820.tif 000019
【図１８】
2009230820.tif 000020
【図１９】
2009230820.tif 000021