(57)【要約】【課題】テーブルの上面に液浸液を提供するために開口が設けられたテーブルを開示する。【解決手段】実施形態では、２つのこのような開口がある。開口の第一はテーブルの基板支持体を囲み、開口の第二はテーブルの外縁の周囲に延在する。【選択図】図６
2009295978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、液浸流体を前記テーブルの上面に提供する開口を備える、テーブル。
【請求項２】
前記開口が前記テーブルの上面にある、請求項１に記載のテーブル。
【請求項３】
前記開口が前記テーブルの外縁に隣接している、請求項１又は請求項２に記載のテーブル。
【請求項４】
前記縁部が前記開口の５ｍｍ以内で、液浸流体がそれに対して３０°未満の前進接触角を有するような縁部である、請求項３に記載のテーブル。
【請求項５】
前記開口が前記テーブル上の基板支持体の外縁に隣接している、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項６】
前記テーブルの縁部が少なくとも５ｍｍの半径の湾曲した縁部を備える、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項７】
前記テーブルの縁部を囲み且つ前記縁部から流れる液浸流体を捕集するドレインをさらに備える、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項８】
前記開口が、前記テーブルの部分から熱的に隔離されている部材によって形成される、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項９】
前記開口が前記部材の縁部によって形成される、請求項８に記載のテーブル。
【請求項１０】
前記開口が前記部材内に形成される、請求項８に記載のテーブル。
【請求項１１】
液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、液浸流体を提供し且つ前記テーブルの外縁に隣接する開口を備える、テーブル。
【請求項１２】
前記開口が前記テーブルの上面にある、請求項１１に記載のテーブル。
【請求項１３】
前記テーブルの縁部が少なくとも５ｍｍの半径の湾曲した縁部を備える、請求項１１又は請求項１２に記載のテーブル。
【請求項１４】
前記テーブルの縁部を囲み且つ前記縁部から流れる液浸流体を捕集するドレインをさらに備える、請求項１１から１３のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項１５】
液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、
前記テーブルの部分から熱的に隔離された部材、及び
液浸流体を提供し且つ少なくとも前記部材によって、又は前記部材内に形成された開口、を備えるテーブル。
【請求項１６】
前記開口が前記テーブルの上面にある、請求項１５に記載のテーブル。
【請求項１７】
前記開口が前記テーブルの縁部に隣接している、請求項１５又は請求項１６に記載のテーブル。
【請求項１８】
前記開口が前記テーブルの基板支持体の外縁に隣接している、請求項１５から１７のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項１９】
前記開口を通して液浸流体を前記テーブルの前記上面に提供することを制御するコントローラをさらに備える、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項２０】
液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、
液浸流体を提供する開口、及び
前記開口を通して液浸流体を前記テーブルの上面に提供することを制御するコントローラ、を備えるテーブル。
【請求項２１】
前記開口が前記テーブルの上面にある、請求項２０に記載のテーブル。
【請求項２２】
前記開口が前記テーブルの外縁に隣接している、請求項２０又は請求項２１に記載のテーブル。
【請求項２３】
前記開口が前記テーブルの基板支持体に隣接している、請求項２０から２２のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項２４】
前記開口が前記テーブル内の毛管路の端部にある、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項２５】
前記液浸流体が前記毛管路の表面に対して３０°未満の前進接触角を有する、請求項２４に記載のテーブル。
【請求項２６】
前記開口が前記テーブル内のチャンバと流体連絡している、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項２７】
前記チャンバが、前記チャンバを通過する液浸流体の圧力変動を減衰する内部構造を備える、請求項２６に記載のテーブル。
【請求項２８】
前記チャンバが前記毛管路より低い流れ抵抗を有するように構成される、請求項２６又は請求項２７に記載のテーブル。
【請求項２９】
前記構造が多孔質材料及び／又は毛管束システムを備える、請求項２６から２８のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項３０】
前記開口が環状である、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項３１】
前記テーブルが、オールウェット液体供給システムがある液浸リソグラフィ投影装置に適している、前記請求項のいずれか１項に記載のテーブル。
【請求項３２】
前記請求項のいずれか１項に記載のテーブルを備える、液浸リソグラフィ投影装置。
【請求項３３】
投影システムの最終要素と基板及び／又は前記テーブルの間の空間に液浸液を提供するために液体ハンドリングシステムをさらに備える、請求項３２に記載の液浸リソグラフィ投影装置。
【請求項３４】
前記液体ハンドリングシステムが前記テーブルに対して移動可能である、請求項３３に記載の液浸リソグラフィ投影装置。
【請求項３５】
テーブルにオブジェクトを配置すること、及び
前記テーブルの開口を通して前記テーブルの上面に液浸流体を提供すること、を含む
デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は基板テーブル、リソグラフィ装置及びデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。実施形態では液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することができる。本発明の実施形態は液体に関して説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることができることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族、例えばデカリン、フルオロハイドロカーボンなどの炭化水素、及び／又は水溶液である。
【０００４】
[0004]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００６】
[0006]  局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去されて、投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組み合わせの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは動作しない）。
【０００７】
[0007]  欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。
【０００８】
[0008]  ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、実質的に基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を提供する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／１１９８０９号に記載され、全ての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  オールウェットの概念における問題の１つは、基板テーブルの部分にディウェッティング(dewetting)の危険があることである。ディウェッティングとは、基板及び／又は基板テーブル上の流体槽に乾燥パッチが自然に、又は誘発されて発生し、その後に成長することである。ディウェッティングの結果、熱制御が失われ、基板テーブルから離れる大きな流れが妨害されることがあり、液はね、抽出の問題及び望ましくない動的力及び欠陥（乾燥汚れ及び気泡）の導入につながり得る。
【００１０】
[0010]  例えばディウェッティングの危険が軽減された基板テーブルを提供することが望ましい。
【００１１】
[0011]  本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、液浸流体をテーブルの上面に提供する開口を備える、テーブルが提供される。
【００１２】
[0012]  本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、液浸流体を提供し且つテーブルの外縁に隣接する開口を備える、テーブルが提供される。
【００１３】
[0013]  本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、
テーブルの部分から熱的に隔離された部材、及び
液浸流体を提供し且つ少なくとも部材によって、又は部材内に形成された開口、を備えるテーブルが提供される。
【００１４】
[0014]  本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、
液浸流体を提供する開口、及び
開口を通して液浸流体をテーブルの上面に提供することを制御するコントローラ、を備えるテーブルが提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の態様によれば、
テーブルにオブジェクトを配置すること、及び
テーブルの開口を通してテーブルの上面に液浸流体を提供すること、を含む
デバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【００１７】
【図１】[0017]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0018]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示した図である。
【図３】[0018]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示した図である。
【図４】[0019]リソグラフィ投影装置に使用するさらなる液体供給システムを示した図である。
【図５】[0020]リソグラフィ投影装置に使用するさらなる液体供給システムを示した図である。
【図６】[0021]本発明の実施形態による基板テーブルを示した平面図である。
【図７】[0022]図６の基板テーブルを示した断面図である。
【図８】[0023]基板の縁部の領域にある実施形態の基板テーブルを示した略平面図である。
【図９】[0024]図８に示した基板の縁部の領域を示した拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0025]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１９】
[0026]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２０】
[0027]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２１】
[0028]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２２】
[0029]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２３】
[0030]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２４】
[0031]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２５】
[0032]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２６】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２７】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２８】
[0035]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２９】
[0036]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３０】
[0037]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３１】
[0038]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３２】
[0039]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３３】
[0040]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３４】
[0041]  投影システムＰＳの最終要素と基板の間に液体を提供する構成は、２つの一般的カテゴリに分類することができる。それは、基板Ｗの全体及び任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体槽に浸される槽型構成と、液体が基板の局所領域に提供されるだけである液体供給システムを使用するいわゆる局所液浸システムとである。後者のカテゴリでは、液体によって充填された空間が基板の上面より平面図で小さく、液体で充填された領域は、基板Ｗがその領域の下で移動している間、投影システムＰＳに対して静止したままである。本発明の実施形態が指向しているさらなる構成は、液体が閉じ込められないオールウェットの解決法である。この構成では、実質的に基板の上面全体、及び基板テーブルの全部又は一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜でよい。図２から図５の液体供給デバイスのいずれも、このようなシステムに使用できるが、その密封フィーチャは存在しないか、動作していないか、通常ほど効率的でないか、それ以外にも局所領域のみに液体を密封するには有効でない。図２から図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが図示されている。図２から図４に開示した液体供給システムは、以上で説明されている。
【００３５】
[0042]  提案されている別の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を液体供給システムに設ける。このような構成が図５に図示されている。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。液体閉じ込め構造と基板の表面の間にシールが形成される。実施形態では、シールは液体閉じ込め構造と基板の表面の間に形成され、ガスシールなどの非接触シールとすることができる。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００３６】
[0043]  図５は、バリア部材１２、ＩＨがある局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。バリア部材１２、ＩＨは投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の文章で基板Ｗの表面に言及する場合、それは他に明記しない限り、追加的又は代替的に基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）バリア部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。実施形態では、バリア部材と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、流体シールのような非接触シール、望ましくはガスシールとすることができる。
【００３７】
[0044]  バリア部材１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＬの最終要素の間の空間内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シール１６を、投影システムのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間は、投影システムＰＬの最終要素の下方に配置され、それを囲むバリア部材１２によって少なくとも部分的に形成される。液体を、液体用開口１３によって投影システムの下方で、バリア部材１２内の空間に入れる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。バリア部材１２は投影システムの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。実施形態では、バリア部材１２は、その上端が投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができる内周を有し、例えば円形とすることができる。底部では、内周がイメージフィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形とすることができるが、そうである必要はない。
【００３８】
[0045]  実施形態では、液体が、使用中にバリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、気体、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、実施形態ではＮ2又は別の不活性ガスによって形成される。ガスシール内の気体は、圧力下で入口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流１６があるように構成される。バリア部材１２と基板Ｗの間で液体にかかる気体の力が、液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を囲む環状溝でよい。環状溝は連続的又は不連続的でよい。気体１６の流れは、液体を空間１１に封じ込めるのに有効である。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００３９】
[0046]  本発明の実施形態は、投影システムの最終要素と基板の間の液体が閉じ込められていないオールウェットシステムで使用するために最適化されている。しかし、本発明の実施形態は任意の他のタイプの液体ハンドリングシステムで使用することができる。
【００４０】
[0047]  本発明の実施形態は、特にオールウェットシステムを指向する。オールウェットシステムの実施形態は、米国特許出願公開ＵＳ２００８−００７３６０２号に開示されている。
【００４１】
[0048]  米国特許出願公開ＵＳ２００８−００７３６０２号のオールウェットの解決法では、図１に示す液体ハンドリングシステムＩＨを通して投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間に液体が供給される。液体ハンドリングシステムＩＨは、液体をその空間に直接供給する複数の開口を備える。液体ハンドリングシステムＩＨは、投影システムの最終要素と基板の間の空間を少なくとも部分的に囲むバリアを備えることができる。この実施形態では、液体ハンドリングシステムＩＨは基板テーブルから分離している。液体ハンドリングシステムＩＨは、投影システムＰＳに対して実質的に静止している。基板テーブルＷＴは液体ハンドリングシステムに対して移動することができる。液体ハンドリングシステムＩＨによって、液体が漏れ、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの残りの部分上に流れることができる。
【００４２】
[0049]  特に基板テーブルの外縁において生じ得るディウェッティングの問題は以前に、２００７年１２月１４日出願の米国特許出願第６１／００６，０２５号及び２００７年１２月１４日出願の米国特許出願第６１／００６，０２６号で対応されている。２００７年１２月１４日出願の米国特許出願第６１／００６，０２５号では、基板テーブルＷＴの縁部にあるドレイン５００の例が与えられている。このようなドレイン５００が図７に概略的に図示されている。この方法で、液体が基板テーブルの縁部から離れ、ドレイン５００内へと流れることができる。ドレイン５００に入ると、液体を廃棄することができる。これは、米国特許出願公開ＵＳ２００８−００７３６０２号に開示された液体捕集システムと交換することができる。本発明の実施形態は、オールウェットシステムにおけるディウェッティングの危険を軽減することを指向する。
【００４３】
[0050]  基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ上の液体の層厚さが減少すると、ディウェッティングの危険が増大する。基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面に気泡が付着すると、ディウェッティングの危険が増大する。最後に、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴに対する液浸液の接触角が大きい場合、これはディウェッティングの可能性を高めることがある。
【００４４】
[0051]  基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ上にある薄膜の層の薄型化は、蒸発によって、基板テーブルＷＴの縁部上で液体を排出することによって、及び基板テーブルＷＴの動作によって促進される。ディウェッティングは、特に基板テーブルＷＴの縁部で開始し易いことがある。基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗ上の液体の厚い層は、液体ハンドリングシステムＩＨから大きな流れの供給量を大きくすることによって達成することができる。しかし、これは流れの管理を、特に基板テーブルＷＴの縁部における液体の抽出を複雑化する。本発明の実施形態は、特に限られた大きな流れの流量について、ディウェッティングの可能性を低下させる堅固な解決法を提供することによって、この問題に対応する。
【００４５】
[0052]  本発明の実施形態は、基板テーブルＷＴ内に、基板テーブルＷＴの上面に液浸液を提供する少なくとも１つの開口３００、４００を設けることを含む。開口３００、４００は、基板テーブルＷＴの上面にあってよい。これは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間の空間に液体を提供する液体ハンドリングシステムＩＨに加えられる。開口３００、４００は特に、ディウェッティングの危険性が高い領域に隣接して配置することができる。このような領域は、使用時に基板Ｗが配置される基板支持体１０１の縁部及び／又は基板テーブルＷＴの縁部を含む。
【００４６】
[0053]  図６は、本発明の実施形態による基板テーブルＷＴの平面図である。基板テーブルＷＴは、基板テーブルＷＴの上面にある窪み１００を備える。基板支持体１０１が窪み１００内に設けられる。基板支持体１０１の半径方向外側の窪み１００の縁部の周囲には、第一開口３００が設けられ、それを通して基板テーブルＷＴの上面に液浸流体を供給することができる。
【００４７】
[0054]  開口３００は基板支持体１０１を囲んでいる。開口３００は実質的に環状である。開口３００は、基板支持体１０１及び／又は基板Ｗの形状と実質的に同じ形状を有する。
【００４８】
[0055]  開口３００に加えて、又はそれに代わって第二開口４００を設けることができる。開口４００は基板テーブルＷＴの縁部４９０に隣接している。開口４００は、基板テーブルＷＴの縁部と実質的に同じ形状を有する。
【００４９】
[0056]  開口３００、４００は両方とも、それぞれ基板支持体１０１及び基板縁部４９０の一部の周囲にのみ設けることができる。例えば実施形態では、液体は基板テーブルＷＴの２つの縁部上にのみ流れることが可能である。その場合、開口４００は、液体が流れることができるこれら２つの縁部の隣にのみ設けることができる。
【００５０】
[0057]  １つの実施形態では、開口３００、４００はそれぞれ基板支持体１０１及び縁部４９０の周囲に延在することができる。開口３００、４００は環状とすることができる。
【００５１】
[0058]  開口３００は、図７から図９に示すように窪み１００内に設けることができる。あるいは、開口３００は基板テーブルＷＴの上面に設けることができる。開口４００は、図７に示すように基板テーブルＷＴの上面に設けられる。開口３００、４００の両方は、基板テーブルＷＴの上面に液体を提供する。
【００５２】
[0059]  １つの実施形態では、開口３００、４００はそれぞれ連続的な開口である（つまり複数の別個の開口ではない）。各開口３００、４００は、個々の毛管路３１０、４１０を通して個々のチャンバ３２０、４２０に接続することができる。１つの実施形態では、毛管路３１０、４１０は連続的である。１つの実施形態では、チャンバ３２０、４２０は連続的である。チャンバ３２０、４２０は、１つ又は複数の別個の位置に液浸液を備えることができる。毛管路３１０、４１０及びチャンバ３２０、４２０は環状とすることができる。
【００５３】
[0060]  実施形態では、開口３００、４００を出る液体の圧力変動を減少させるために措置を執る。これを実行する１つの方法は、チャンバ３２０、４２０を設けることである。チャンバ３２０、４２０は、圧力変動を減衰する内部構造を有することができる。このような構造は壁及び減衰材料、例えば多孔質材料又は毛管束システム（液体が通過する複数の毛管路を提供するシステム）を含むことができる。この種の構造は、チャンバ３２０、４２０を通る液体の流れに対して抵抗を生じ、したがってチャンバ３２０、４２０における圧力損を招き、それにより安定性を改良する。別の種類の圧力ダンパをチャンバ３２０、４２０及び／又は毛管路３１０、４１０に組み込んで、基板テーブルＷＴの移動によって液体上に引き起こされる加速力を相殺することができる。圧力ダンパは、チャンバ３２０、４２０及び／又はチャンバ３２０、４２０自身内の毛管路の寸法（つまり幅）を小さくすることによって獲得される粘性減衰に作用することができる。代替的又は追加的に、圧力変動の大きさは、基板テーブルＷＴの動作による加速力及び減速力を受ける液柱の長さ規模を減少させることによって軽減することができる。例えば、チャンバ３２０、４２０及び／又は毛管路３１０、４１０内に壁又は（粗い）多孔質材料を導入することにより、長さ規模を減少させることができる。チャンバ３２０、４２０を個々の毛管路３１０、４１０より平面図で広くして、チャンバ３２０、４２０が毛管路３１０、４１０より低い流れ抵抗を有することを保証するのに役立てる。これは、開口３００、４００の全長に沿って液体の効率的な分布を生じる。
【００５４】
[0061]  実施形態では、毛管路３１０、４１０は液浸液が小さい接触角を有する表面を有する。実施形態では、液浸液と毛管路３１０、４１０の表面との前進接触角は３０°未満、２５°未満、又は２０°未満である。後退接触角は前進接触角より小さい。
【００５５】
[0062]  実施形態では、毛管路３１０、４１０は１ｍｍ未満の幅を有し、したがって路内の毛管力は開口３００、４００からの液体の滑らかな流出を向上させる。これは、毛管路３１０、４１０の局所的な排出も防止する。
【００５６】
[0063]  図７に見られるように、基板テーブルＷＴの縁部４９０は湾曲した外半径を有する。２００７年１２月１４日出願の米国特許出願第６１／００６，０２６号によれば、縁部４９０の一部の曲率半径は少なくとも５ｍｍであることが望ましい。開口４００は、縁部４９０の隣に、望ましくは基板テーブルＷＴの平坦な上面が下方向に湾曲し始める位置に設けることが望ましい。１つの実施形態では、縁部４９０の開口４００から５ｍｍ以内にある基板テーブルＷＴの表面は、液浸液が３０°未満、２０°未満、又は１５°未満の前進接触角を有する表面である。これは、液体の均一な分布を向上させ、表面への付着から生じ得る気泡を阻止する。
【００５７】
[0064]  開口３００、４００からの液体の流れを制御するために、コントローラ２３１が設けられる。コントローラは、開口３００、４００を出る液体が基板テーブルＷＴの上面に提供されることを保証するのに役立つ。流れは、基板テーブルＷＴの上面に１００〜１０００μｍのオーダの液体層を生じるのに十分でなければならない。
【００５８】
[0065]  図７に、及び図８及び図９にさらに詳細に示すように、開口３００は、基板テーブルＷＴの部分から熱的に隔離された部材２００に設けることができる。これは、開口３００に対してのみ図示されている。しかし、開口４００にも同様のシステムを使用することができる。
【００５９】
[0066]  基板テーブルＷＴの残りの部分から分離した部材２００を使用して、基板テーブルＷＴの縁部を形成する場合は、その部材２００と基板テーブルＷＴの残りの部分との間に毛管路３１０、４１０及びチャンバ３２０、４２０を形成することができる。代替実施形態は、基板テーブルＷＴと、基板テーブルＷＴの上面にある窪み（図示せず）内に配置されたインサート（図示せず）との間に、両方の開口３００、４００が形成される実施形態である。この場合、インサートは開口３００、４００の間にある基板テーブルＷＴの上面の部分を形成する。認識されるように、毛管路３１０、４１０及びチャンバ３２０、４２０さらに開口３００、４００を形成する多くの他の方法が可能である。
【００６０】
[0067]  次に図８及び図９を参照しながら、さらなる実施形態について述べる。この実施形態では、開口３００について詳細に述べる。特に、開口３００を出る液体と基板Ｗ及びいわゆる毛管路形成表面１３０の縁部との相互作用について述べる。本発明の実施形態は、基板テーブルＷＴ上にある基板Ｗの縁部を取り扱うために執る措置を指向する。
【００６１】
[0068]  基板Ｗ寸法の変化を考慮に入れるために、基板Ｗが配置された窪み１００は基板Ｗのサイズより半径方向にわずかに大きい。それにより、基板Ｗを窪み１００と慎重に位置合わせする必要がない状態で、基板Ｗを窪み１００内に配置することができる（というのは、窪み１００が基板Ｗより大きいからである）。また、様々なサイズの基板Ｗが同じ窪み１００内に填る。
【００６２】
[0069]  基板Ｗの縁部と窪み１００の縁部との間にギャップが存在する結果、気体がそのギャップに捕捉され、液浸液内に達するという危険がある。液浸液中のこのような気体の泡が投影システムＰＳの下方に達すると、これは結像欠陥につながることがあり、それは望ましくない。
【００６３】
[0070]  基板Ｗの縁部と窪み１００の縁部との間にあるギャップの別の問題は、液体が基板Ｗの下に達することがあることである。この液体は、基板Ｗを基板テーブルＷＴ上の所定の位置に保持する基板支持体１０１を妨害することがある。これは望ましくない。
【００６４】
[0071]  上述した問題の１つ又は複数に対処するために提案されている１つの方法は、基板Ｗの縁部と窪み１００の縁部との間にあるギャップに到達した液体があれば全て除去することである。これは、基板Ｗの縁部の下で基板テーブルＷＴ内の気体の半径方向外側及び下側への流れを使用して実行することができる。液の滴が気体中に同伴し、基板テーブルＷＴを通して除去される。１つのこのようなシステムが欧州特許出願公開ＥＰ１，４２９，１８８号に開示されている。
【００６５】
[0072]  本発明の実施形態は、液体が特定量よりさらに基板Ｗの下に浸透できない状態で、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの窪み１００の縁部との間にあるギャップを充填する措置を執る。
【００６６】
[0073]  図８は、基板Ｗの縁部を囲む基板テーブルＷＴの部分を断面図で示している。基板Ｗは、基板テーブルＷＴの上面１１０にある窪み１００に配置される。窪み１００は、基板テーブルＷＴの上面１１０が、基板Ｗの上面と実質的に同一平面上にあるようなサイズにされる。
【００６７】
[0074]  図８に示すように、基板Ｗは、複数の突起１２０を備える基板支持体１０１によって支持される。低圧源に接続された入口が配置されて、突起１２０間のギャップ内に低圧を発生させ、したがって基板が突起１２０上に吸い付けられる。このタイプの基板支持体１０１は通常、ピンプルテーブルと呼ばれる。
【００６８】
[0075]  窪み１００の外縁又はその近傍で、毛管路形成表面１３０の形態の流体ハンドリング特徴部が基板テーブルＷＴ上に形成される。毛管路形成表面１３０は、基板Ｗが基板支持体１０１上に配置されると、基板Ｗの下側と毛管路形成表面１３０との間にギャップが存在するようなサイズ及び位置にされる。これにより、基板Ｗと毛管路形成表面１３０との間に毛管路１４０が形成される。毛管路形成表面１３０は、毛管路１４０の第一側１４１を形成する。基板Ｗの下面は、毛管路１４０の第一側１４１と対向する第二側１４２を形成する。
【００６９】
[0076]  基板Ｗの中心軸から離れる方向で、毛管路形成表面１３０の長さは、サイズ及び配置の両方に関する公差内で基板Ｗを基板支持体１０１上に配置すると、（以下で検討するような）適切な長さの毛管路１４０が形成されるような長さである。
【００７０】
[0077]  毛管路形成表面１３０は、基板Ｗの上面と実質的に同一平面上にある（したがって基板Ｗの上面及び基板テーブルＷＴの上面１１０と実質的に平行である）。
【００７１】
[0078]  毛管路形成表面１３０の半径方向内側には、さらなる流体ハンドリング特徴部があり、これは今回はメニスカス固定特徴部１５０の形態である。メニスカス固定特徴部１５０は任意の形態を執ることができる。メニスカス固定特徴部１５０の機能は、毛管路１４０中の液体のメニスカス１６０（図９参照）を特定の位置に、又はある範囲の特定の位置内に（つまり例えば窪み１００の縁部から特定の半径方向距離だけ離れて）釘付けにすることである。メニスカス固定特徴部１５０は、メニスカス固定特徴部１５０と基板Ｗの間に延在するメニスカス１６０を釘付けにするように設計される。したがって、毛管路１４０が毛管路形成表面１３０を越えて、メニスカス固定特徴部１５０の上にも延在するのを見ることができる。メニスカス固定特徴部１５０におけるメニスカス１６０の形状及び／又は位置は、液体に加えられる力が異なるにつれて変化する。メニスカス１６０の形状及び／又は位置の変化により、液体中の（例えばスキャン運動による）圧力変動を吸収することができる。
【００７２】
[0079]  図８の実施形態では、メニスカス固定特徴部１５０は円錐台形の形態の表面である。つまり、平面図では毛管路形成表面１３０の面に対してある角度を成す。つまり傾斜している。メニスカス固定特徴部１５０の半径方向で最も外側の縁部は、毛管路形成表面１３０の半径方向外側の縁部よりもさらに毛管路形成表面１３０の面から離れている。メニスカスは、円錐台形の表面に沿って移動し、圧力変動を吸収することができる（一方側は半径方向内側、他方は半径方向外側）。
【００７３】
[0080]  メニスカス固定特徴部１５０は、以下のように作用する。つまり、毛管路１４０内の液体１６０のメニスカスが半径方向内側に（つまり基板Ｗの中心部分に向かって）移動すると、基板Ｗと基板テーブルＷＴ（毛管路形成表面１３０又はメニスカス固定特徴部１５０）の間にまたがるメニスカス１６０の長さが増加する。メニスカス１６０が長くなると、そのエネルギは減少する。
【００７４】
[0081]  断面図では、図８の実施形態のメニスカス固定特徴部１５０は毛管路形成表面１３０の面と０°から４５°又は１０°から４５°（望ましくは２０°から３５°）の角度を成す。実施形態では、水平表面とメニスカス固定特徴部１５０の傾斜表面との間の遷移は滑らかである。つまり、２つの表面間の丸みは可能な限り大きい。
【００７５】
[0082]  図９は、メニスカス１６０の位置をさらに詳細に示す。図８の実施形態では、毛管路１４０が液体で充填されている。液体は半径方向内側に延在して、メニスカス固定特徴部１５０の部分を覆っている。しかしメニスカス固定特徴部１５０は、メニスカス固定特徴部１５０の半径方向で最も内側の部分と半径方向で最も外側の部分との間の位置にメニスカス１６０を釘付けにしている。これにより、液体がメニスカス固定特徴部１５０の最も内側の縁部を半径方向内側に通り過ぎることが防止されている。
【００７６】
[0083]  メニスカス１６０の位置は力の平衡によって決定される。液体が基板Ｗの縁部と窪み１００の縁部との間にある窪み１００内のギャップを充填している。毛管路１４０内の液体にかかる半径方向内側への毛管力が発生する。この力の上には、主に半径方向内側へと作用する静水力学的及び流体力学的な力がある。メニスカス固定特徴部１５０は、半径方向内側への力に抵抗する。毛管路１４０内の液体にかかる半径方向外側方向への力は、メニスカス固定特徴部１５０の半径方向内側に流路１７０を設けることによって増加させることができる。流路１７０は毛管路１４０と流体連絡する。流路１７０内に気体の過剰圧力を提供することができる。メニスカス１６０にかかるこの気体の力は、毛管路１４０内の液体に半径方向外側への力を加えるために効果的である。これは、液体がメニスカス固定特徴部１５０の半径方向で最も内側の部分より半径方向内側に移動するのを防止するのに役立つことができる。したがって、流路１７０内の圧力は、メニスカス１６０を位置決めするものと見なすことができる。
【００７７】
[0084]  流路１７０をメニスカス固定特徴部１５０の半径方向内側に（実施形態ではメニスカス固定特徴部１５０のすぐ内側に）配置すると、流路１７０から気体が流れた場合に、それが全て実質的に半径方向内側への方向であるように流路１７０が構成されるのを保証するのに役立つ。この方法で、毛管路１４０からの液体が気体に同伴されるのを実質的に防止することができる。これにより、気体及び液体の流れの結果としての蒸発冷却負荷を実質的に回避することができる。
【００７８】
[0085]  流路１７０の半径方向内側には内部突起１８０がある。１つの実施形態では、内部突起１８０は、その上面が毛管路形成表面１３０の面と実質的に同一平面上にあるようなサイズにされる。したがって、基板Ｗを基板支持体１０１上に配置すると、内部突起１８０の上部と基板Ｗの底部との間にギャップが存在する。このギャップは、サイズが毛管路形成表面１３０と基板Ｗの底面との間のギャップ（つまり毛管路１４０の高さ）と同様である。実施形態では、内部突起１８０と基板Ｗの底面との間のギャップ、及び毛管路１４０の高さは、１〜５０μｍ又は１〜２０μｍ又は２〜２０μｍ又は１〜１０μｍ又は１〜５μｍの範囲から選択される。加速によって誘発される動的な力の抵抗のために、毛管路１４０の小さい高さが望ましい。動作条件、及び液浸液と毛管路形成表面１３０及び基板Ｗの下側表面との接触角に応じて、毛管路１４０の最適高さがある。
【００７９】
[0086]  内部突起１８０と基板Ｗの底部との間のギャップは、半径方向内側への気体の流れが制限され、それにより蒸発が原因で存在するような全ての可能な熱負荷を減少させるように選択される。基板支持体１０１によって使用される低圧を０．５ｂａｒとすると、流路１７０内の適切な過剰圧力は約１０ｍｂａｒとなる。内部突起１８０の上部と基板Ｗの底部との間のギャップが約３μｍである場合は、内部突起１８０と基板Ｗの間のギャップを通る０．７ｌ／分の気体の流れを予想することができる。これは、満足できる動作条件を提供できるが、流路１７０内はこれより低い圧力も使用することができる。使用時には、基板を露光した後、流路１７０に加えられる過剰圧力を減少させることができる。これは、基板Ｗを外した場合に、部材２００上に残された液体の蒸発による熱負荷を回避する。
【００８０】
[0087]  メニスカス固定特徴部１５０によってメニスカス１６０の位置を固定できる大きい動作ウィンドウを使用可能にすることが望ましい。動作パラメータを変化させる１つの方法は、液浸液に対する毛管路形成表面１３０及び／又はメニスカス固定特徴部１５０の表面の親和性を変化させることである（つまり、表面の１つ又は複数を液浸液に対して疎液性又は親液性にする）。これらの表面の１つ又は複数をさらに親液性にすることにより、ウェッティングを向上させることができ、これは使用中に基板Ｗの縁部と窪み１００の縁部との間にあるギャップから気泡が発散する可能性を低下させる。
【００８１】
[0088]  様々な異なる表面は、液浸液との静止接触角(static contact angle)と静止前進接触角(static advancing contact angle)と静止後退接触角(static receding contact angle)との間に違いを呈する。４０°と７０°の間の静止前進接触角が望ましいことがある。これは、毛管路１４０を充填し、それにより毛管路１４０から、及び基板Ｗの縁部と窪み１００の縁部との間のギャップから気体を排出するのに役立つ。ウェッティングを促進するために、静止後退接触角は４０°未満、３０°未満、２０°未満、又は１５°未満であることが望ましい。静止後退接触角は通常、静止前進接触角より小さい。流路１７０を画定する表面及び突起１８０を画定する表面は、液浸液が大きい接触角を有する材料であることが望ましい。つまり、これらの表面は疎液性である。
【００８２】
[0089]  実施形態のギャップ及び毛管路１４０を液浸液で充填できる方法の説明を、以下で述べる。図９に関して述べる実施形態は、毛管路１４０の良好な充填を保証するさらなる特徴部を有する。それ以外は、他の実施形態ではギャップ及び毛管路１４０を、通常の動作中に液浸液で充填可能にすることができるか、結像前にギャップ及び毛管路１４０を充填するために、他の措置を執ることができる。
【００８３】
[0090]  図８に見られるように、流体ハンドリング特徴部の幾つか（例えば毛管路形成表面１３０及びメニスカス固定特徴部１５０）は、基板テーブルの他の部分とは別個の部材２００上に形成される。部材２００は使用時に、液体が基板支持体１０１上に支持された基板Ｗの縁部と相互作用するという問題に対処するように構成される。気体のギャップ２１０が、部材２００の外面と基板テーブルＷＴの残りの部分との間に存在する。ギャップ２１０は絶縁体として作用し、したがって部材２００が基板テーブルＷＴの他の部分から熱的に分離される。実施形態では、ギャップ２１０を気体以外の絶縁材料で充填することができる。部材２００は、個々の装着部材２２０を介して基板テーブルＷＴに機械的に結合される。これらの個々の装着部材２２０は、熱伝導率が低い材料で作成することが望ましい。装着部材２２０は、板ばねとするか、ばねブレードとすることができ、又は例えば基板テーブルＷＴ及び部材２００に接着されるガラスビーズとすることができる。
【００８４】
[0091]  流路１７０は部材２００の縁部及び基板テーブルＷＴの縁部によって形成される。しかし、他の構成も可能である。
【００８５】
[0092]  基板テーブルＷＴの他の部分から熱的に分離されている部材２００の目的は、基板テーブルＷＴの熱平衡の動揺を回避することである。部材２００の流体ハンドリング特徴部は、熱負荷を誘発できる特徴部である。したがって基板テーブルＷＴの残りの部分からこれらの特徴部を熱的に分離することにより、潜在的な望ましくない熱膨張又は収縮を全て隔離することができる。
【００８６】
[0093]  実施形態では、図８に概略的に図示された１つ又は複数のヒータ２３０を部材２００内又は部材２００上に設けることができる。１つ又は複数のヒータは、部材２００の温度を感知する１つ又は複数のセンサ２４０を伴うことができ、コントローラ２３１は１つ又は複数のヒータ２３０へのパワーを（例えば１つ又は複数のセンサ２４０によって感知した温度に基づいて、フィードバック式に）制御することができる。
【００８７】
[0094]  部材２００は基板支持体１０１を囲んでいる。これは毛管路形成表面１３０及びメニスカス固定特徴部１５０、さらに基板テーブルＷＴの上面１１０の部分を形成する。部材２００と基板テーブルＷＴの間のギャップ２１０は、ステッカ２５０で覆われる。ステッカ２５０は薄い材料で作成され、液浸液が部材２００と基板テーブルＷＴの間にあるギャップ２１０に達するのを防止するために、所定の位置に接着される。そのギャップを密封する他の方法も使用可能とすることができる。ステッカ２５０は、図８の実施形態では環状である。
【００８８】
[0095]  部材２００は、縁部シール部材も提供する。縁部シール部材は、基板Ｗの縁部を少なくとも部分的に囲む。縁部シール部材の上部は、基板Ｗの上面と実質的に同一平面上にある。図示の実施形態では、縁部シール部材は部材の上面及び内部上縁である。
【００８９】
[0096]  開口３００、４００も、図８及び図９の部材２００のように基板テーブルＷＴの残りの部分から熱的に隔離されている部材内に形成することができる。
【００９０】
[0097]  基板Ｗの縁部と窪み１００及び毛管路１４０の縁部との間にあるギャップのウェッティングを補助する１つの方法が、図８及び図９に図示されている。その実施形態では、窪み１００の縁部から毛管路１４０の最も内側の縁部までの表面を、表面に対する液体の親和性を上げるために特別に処理する必要がない。例えば、これらの表面は、基板テーブルの上部表面と同じ材料で作成し、同じ方法で処理することができる。
【００９１】
[0098]  毛管路形成表面１３０に、又は毛管路形成表面１３０の隣に開口３００を設ける。開口３００は窪み１００内にある。開口３００は１つ又は複数の穴又はスリットとすることができる。開口３００は、毛管路形成表面１３０内及び／又はメニスカス固定特徴部１５０の表面内にあってよい。
【００９２】
[0099]  開口３００は、通路３１０を介して、及び任意選択でチャンバ３２０を介して液体供給源３１１に接続される。この方法で、基板Ｗの縁部と窪み１００の縁部との間にあるギャップに、及び毛管路１４０内に液体を供給することができる。これは、毛管路１４０のウェッティング及び気体の追い出しに役立つ。例えば、開口３００に液体を提供することにより、液滴が膨張することが分かる。このことは、矢印３３０及び３３５によって図示され、基板Ｗの縁部と窪み１００の縁部との間にあるギャップを充填し、さらに毛管路１４０を充填する。
【００９３】
[00100]  ギャップ及び毛管路１４０内に液体を供給するために開口３００を使用するということは、液浸液に対して親水性になるように、窪み１００の底縁部の周囲の表面を特別にコーティング又は処理するか、又は材料で形成する必要をなくすことができる、という意味である。
【００９４】
[00101]  開口３００を通して提供される液体は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗの間で使用される液浸液と同じであることが望ましい。開口３００を通して液体を提供することで得られる可能性がある利点は、ギャップ内の液体をリフレッシュできることである。そうしないと、汚染粒子が窪み１００の縁部の周囲に蓄積することがある。開口３００を通して液体を供給することにより、窪み１００の縁部にあるギャップ内で液体の循環を設定し、それにより汚染を洗い流して、窪み１００の縁部における汚染粒子の蓄積を防止することができる。供給された液体は、図６及び図７の実施形態のように、オールウェット液浸システム内で基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの上面を覆うために使用される液体の一部とすることができる。
【００９５】
[00102]  実施形態は基板支持体及び基板について述べられているが、本発明はこのフィーチャに限定されない。例えば本発明の実施形態は、異なるオブジェクトを基板テーブル上のオブジェクト支持体に装着することを指向することができる。例えばオブジェクトは、基板テーブルの上面上にあるセンサ支持体上で支持されるセンサとすることができる。
【００９６】
[00103]  認識されるように、上述した特徴のいずれも任意の他の特徴とともに使用することができ、本出願の対象となるのは明示的に述べられたこれらの組み合わせだけではない。
【００９７】
[00104]  実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、テーブルの上面に液浸液を提供する開口を備えるテーブルが提供される。
【００９８】
[00105]  実施形態では、開口はテーブルの上面にある。
【００９９】
[00106]  実施形態では、開口はテーブルの外縁に隣接している。
【０１００】
[00107]  実施形態では、縁部は開口から５ｍｍ以内で、液浸流体がそれに対して３０°未満の前進接触角を有するような縁部である。
【０１０１】
[00108]  実施形態では、開口はテーブル上の基板支持体の外縁に隣接している。
【０１０２】
[00109]  実施形態では、テーブルの縁部は少なくとも５ｍｍの半径の湾曲した縁部を備える。
【０１０３】
[00110]  実施形態では、テーブルはテーブルの縁部を囲み且つ縁部から流れる液浸流体を捕集するように構成されたドレインをさらに備える。
【０１０４】
[00111]  実施形態では、開口は、テーブルの部分から熱的に隔離されている部材によって形成される。
【０１０５】
[00112]  実施形態では、開口は部材の縁部によって形成される。
【０１０６】
[00113]  実施形態では、開口は部材内に形成される。
【０１０７】
[00114]  実施形態によれば、液浸流体を提供するために開口を備えるテーブルが提供され、開口はテーブルの外縁に隣接している。
【０１０８】
[00115]  実施形態では、開口はテーブルの上面にある。
【０１０９】
[00116]  実施形態では、テーブルの縁部は少なくとも５ｍｍの半径の湾曲した縁部を備える。
【０１１０】
[00117]  実施形態では、テーブルはテーブルの縁部を囲み且つ縁部から流れる液浸流体を捕集するように構成されたドレインをさらに備える。
【０１１１】
[00118]  実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、テーブルの部分から熱的に隔離された部材、及び液浸流体を提供し且つ少なくとも部分的に部材によって、又は部材内に形成された開口、を備えるテーブルが提供される。
【０１１２】
[00119]  実施形態では、開口はテーブルの上面にある。
【０１１３】
[00120]  実施形態では、開口はテーブルの縁部に隣接している。
【０１１４】
[00121]  実施形態では、開口はテーブルの基板支持体の外縁に隣接している。
【０１１５】
[00122]  実施形態では、テーブルは、開口を通して液浸流体をテーブルの上面に提供することを制御するように構成されたコントローラをさらに備える。
【０１１６】
[00123]  実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置のためのテーブルであって、液浸流体を提供するための開口、及び開口を通して液浸流体をテーブルの上面に提供することを制御するように構成されたコントローラ、を備えるテーブルが提供される。
【０１１７】
[00124]  実施形態では、開口はテーブルの上面にある。
【０１１８】
[00125]  実施形態では、開口はテーブルの外縁に隣接している。
【０１１９】
[00126]  実施形態では、開口はテーブルの基板支持体に隣接している。
【０１２０】
[00127]  実施形態では、開口はテーブル内の毛管路の端部にある。
【０１２１】
[00128]  実施形態では、液浸流体は毛管路の表面に対して３０°未満の前進接触角を有する。
【０１２２】
[00129]  実施形態では、開口はテーブル内のチャンバと流体連絡している。
【０１２３】
[00130]  実施形態では、チャンバは、チャンバを通過する液浸流体の圧力変動を減衰するように構成された内部構造を備える。
【０１２４】
[00131]  実施形態では、チャンバは毛管路より低い流れ抵抗を有するように構成される。
【０１２５】
[00132]  実施形態では、構造は多孔質材料及び／又は毛管束システムを備える。
【０１２６】
[00133]  実施形態では、開口は環状である。
【０１２７】
[00134]  実施形態では、テーブルはオールウェット液体供給システムがある液浸リソグラフィ投影装置に適している。
【０１２８】
[00135]  実施形態によれば、上述したテーブルを備える液浸リソグラフィ投影装置が提供される。
【０１２９】
[00136]  実施形態では、液浸リソグラフィ投影装置は、投影システムの最終要素と基板及び／又はテーブルの間の空間に液浸液を提供するために液体ハンドリングシステムをさらに備える。
【０１３０】
[00137]  実施形態では、液体ハンドリングシステムはテーブルに対して移動可能である。
【０１３１】
[00138]  実施形態によれば、テーブルにオブジェクトを配置すること、及びテーブルの開口を通してテーブルの上面に液浸流体を提供すること、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０１３２】
[00139]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１３３】
[00140]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
【０１３４】
[00141]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含む１つ又は複数のコンピュータプログラム、又はこのような１つ又は複数のコンピュータプログラムを内部に記憶した１つ又は複数のデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。本明細書で言及する１つ又は複数の異なるコントローラは、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって１つ又は複数のコンピュータプログラムが読み取られた場合に動作可能にすることができる。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成され、それによってコントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作する。
【０１３５】
[00142]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【０１３６】
[00143]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体入口を備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【０１３７】
[00144]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を改修できることが当業者には明白である。
【図１】
2009295978.tif 000003
【図２】
2009295978.tif 000004
【図３】
2009295978.tif 000005
【図４】
2009295978.tif 000006
【図５】
2009295978.tif 000007
【図６】
2009295978.tif 000008
【図７】
2009295978.tif 000009
【図８】
2009295978.tif 000010
【図９】
2009295978.tif 000011
【外国語明細書】
2009295978000001.pdf