(57)【要約】【課題】液浸露光におけるダミー露光に有利な技術を提供する。【解決手段】投影光学系および液体を介して基板を露光する液浸露光装置においてダミー露光のためにダミー露光基板３０が使用される。ダミー露光基板３０は、親液性領域１０と、親液性領域１０を取り囲む撥液性領域２０とを含む。【選択図】図２Ａ
2009295933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系および液体を介して基板を露光する液浸露光装置においてダミー露光のために使用されるダミー露光基板であって、
親液性領域と、
前記親液性領域を取り囲む撥液性領域と、
を含むことを特徴とするダミー露光基板。
【請求項２】
前記撥液性領域は、
前記親液性領域を取り囲む第１撥液性領域と、
前記第１撥液性領域を取り囲む第２撥液性領域とを含み、
前記第２撥液性領域は、前記第１撥液性領域よりも撥液性が高い、
ことを特徴とする請求項１に記載のダミー露光基板。
【請求項３】
前記親液性領域は、反射防止膜が表面に形成されたシリコン基板の前記表面の一部分であり、前記撥液性領域は、前記シリコン基板の前記表面における前記親液性領域を取り囲むように撥液性材料で形成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のダミー露光基板。
【請求項４】
前記親液性領域は、反射防止膜が表面に形成されたシリコン基板の前記表面の一部であり、前記第１撥液性領域は、前記シリコン基板の前記表面における前記親液性領域を取り囲むように前記表面の上にヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）膜で形成され、前記第２撥液性領域は、前記シリコン基板の前記表面における前記第１撥液性領域を取り囲むように前記ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）膜の上に前記ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）膜よりも撥液性が高いレジスト膜で形成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載のダミー露光基板。
【請求項５】
投影光学系および液体を介して基板を露光する液浸露光装置においてダミー露光のために使用されるダミー露光基板の製造方法であって、
ベース部材の表面の上に第１撥液性膜を形成する工程と、
前記第１撥液性膜の上に前記第１撥液性膜よりも撥液性が高い第２撥液性膜を形成する工程と、
前記第２撥液性膜に閉図形からなる第１開口を形成することにより前記第１撥液性膜を部分的に露出させる工程と、
前記第１撥液性膜の露出した部分に閉図形からなる第２開口を形成することにより前記表面を部分的に露出させる工程とを含む、
ことを特徴とするダミー露光基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１撥液性膜は、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）膜であり、前記第２撥液性膜は、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）膜よりも撥液性が高いレジスト膜である、
ことを特徴とする請求項５に記載のダミー露光基板の製造方法。
【請求項７】
前記反射防止膜を部分的に露出させる工程では、前記ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）膜の前記第２開口を形成するべき領域を露光することによって前記第２開口を形成する、
ことを特徴とする請求項６に記載のダミー露光基板の製造方法。
【請求項８】
投影光学系および液体を介して基板を露光する液浸露光装置であって、
基板を保持する基板ステージと、
ダミー露光のために前記基板ステージの上に配置されたダミー露光部材とを備え、
前記ダミー露光部材は、
親液性領域と、
前記親液性領域を取り囲む撥液性領域と、
を含む、
ことを特徴とする液浸露光装置。
【請求項９】
デバイス製造方法であって、
請求項８に記載の液浸露光装置を用いてダミー露光を行う工程と、
前記液浸露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸露光装置において使用されるダミー露光基板及びその製造方法、液浸露光装置、並びに、デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＳＩなどの極微細パターンで形成される半導体デバイスの製造工程において、原版（マスク又はレチクルとも呼ばれる）に形成されたパターンを投影光学系によって基板に縮小投影して該基板を露光する露光装置が使用される。
【０００３】
半導体デバイスの集積密度の向上に伴って、より一層のパターンの微細化が要求されており、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の解像力に対する要求が増大しつつある。
露光装置の解像力を向上させるアプローチとして、露光光の波長を短くするアプローチと、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくしていくアプローチとがある。このように解像力を向上させると、投影光学系の焦点深度が浅くなるため、投影光学系の像面に基板（ウエハ）を一致させるフォーカス精度の向上が重要なテーマとなっている。
また、露光装置の評価項目の一つとして、パターンを正確に重ね合わせるアライメント精度があり、このアライメント精度に影響を与える要素として、投影光学系の倍率誤差がある。半導体デバイスのパターンの大きさは、年々微細化の傾向を強め、それに伴ってアライメント精度の向上に対するニーズも強まっている。したがって、投影光学系の倍率を所定倍率に保つことは極めて重要である。
ところで、投影光学系は、露光光のエネルギの一部を吸収し、これによって投影光学系を構成する光学素子に温度変化が生じる。光学素子の温度変化は、光学素子の屈折率等の光学特性を変化させる。
【０００４】
したがって、投影光学系に長時間にわたって露光光が照射され続けると、投影光学系の結像性能（例えば、フォーカス、倍率、歪曲収差、非点収差、および、その他の波面収差）が変動する。その結果、フォーカス精度やアライメント精度が無視しえない量だけ発生する可能性がある。
そこで、投影光学系に対する露光光の照射状態に依存する結像特性の変動を補正する方法が提案されている。その一例として、投影光学系に対する露光光の照射状態に依存する結像特性の変動量を露光量、露光時間及び非露光時間等を変数とするモデル式を使って演算し、演算結果に基づいて投影光学系の結像特性変動を補正する方法がある。
上述のようなモデル式は、投影光学系の結像特性毎の係数を持ち、前記係数を実験で測定すれば、投影光学系の結像特性の変動を補正することができる。
前記係数を測定するための実験において、感光剤が塗布された基板にパターンを転写する必要はない。そのため、前記係数を測定するための実験においては、感光剤が塗布された基板の代わりに、基板ステージの上に設置されたダミー露光基板に照射をすることが行われている。このような、本来の露光の目的以外で行われる光照射をダミー露光と呼ぶことができる。
【特許文献１】特開平１０−１１６７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在、投影光学系の実質的な開口数（ＮＡ）の増大を実現するために、投影光学系と基板との間の空間に液膜を形成し、投影光学系のほか液膜を介して基板を露光する液浸露光装置が実現されている。液浸露光装置において、ダミー露光を行う際には、プロセスで用いられる基板と同様に、ダミー露光基板についても液浸環境下で露光をするべきである。そこで、ダミー露光基板も、プロセスで用いられる基板と同様に、その表面が撥液性を有する表面構造を備えることが便利ではある。しかし、撥液性領域が有機系物質で構成されている場合、液膜に接した状態でエキシマレーザー光が照射されると、該物質が分解されるので、長時間又は多数回の露光が要求されるダミー露光において撥液性を維持することは難しい。
一方で、エキシマレーザー光に対する耐性が期待できる無機系物質は、一般に親液性である。よって、ダミー露光基板の表面が無機系物質で構成され、親液性を有する場合、その表面に液膜が残ったり、投影光学系の下方空間からの離脱速度や搬送速度によっては液体が飛散したりしうる。
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、液浸露光におけるダミー露光に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の側面は、投影光学系および液体を介して基板を露光する液浸露光装置においてダミー露光のために使用されるダミー露光基板に係り、前記ダミー露光基板は、親液性領域と、前記親液性領域を取り囲む撥液性領域とを含む。
本発明の第２の側面は、投影光学系および液体を介して基板を露光する液浸露光装置においてダミー露光のために使用されるダミー露光基板の製造方法に係り、前記製造方法は、ベース部材の表面の上に第１撥液性膜を形成する工程と、前記第１撥液性膜の上に前記第１撥液性膜よりも撥液性が高い第２撥液性膜を形成する工程と、前記第２撥液性膜に閉図形からなる第１開口を形成することにより前記第１撥液性膜を部分的に露出させる工程と、前記第１撥液性膜の露出した部分に閉図形からなる第２開口を形成することにより前記表面を部分的に露出させる工程とを含む。
【０００７】
本発明の第３の側面は、投影光学系および液体を介して基板を露光する液浸露光装置に係り、前記液浸露光装置は、基板を保持する基板ステージと、ダミー露光のために前記基板ステージの上に配置されたダミー露光部材とを備え、前記ダミー露光部材は、親液性領域と、前記親液性領域を取り囲む撥液性領域とを含む。
本発明の第４の側面は、デバイス製造方法に係り、上記の液浸露光装置を用いてダミー露光を行う工程と、前記液浸露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記基板を現像する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、液浸露光におけるダミー露光に有利な技術が提供される。
具体的には、本発明によれば、ダミー露光における劣化が少なく液こぼれの防止に有利なダミー露光基板が提供される。
また、本発明よれば、ダミー露光における劣化が少なく液こぼれの防止に有利なダミー露光基板の製造方法が提供される。
【０００９】
また、本発明によれば、ダミー露光における劣化が少なく液こぼれの防止に有利なダミー露光部材を備える液浸露光装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１１】
図１は、本発明の好適な実施形態の液浸露光装置の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の液浸露光装置１００は、投影光学系および液体（液膜）１８０を介して原版１３０のパターンを基板（例えば、ウエハ）１７０を投影し基板１７０を露光するように構成される。液浸露光装置１００は、例えば、原版および基板を走査しながら基板を露光する露光装置として構成されてもよいし、原版および基板を静止させた状態で基板を露光する露光装置として構成されてもよい。前者は、走査露光装置又はスキャナと呼ばれうる。後者は、ステッパと呼ばれうる。
【００１２】
液浸露光装置１００は、例えば、照明光学系１１０、原版ステージ１３２、投影光学系１４０、基板ステージ１７４、液体供給装置１８２および液体回収装置１９０を備えうる。
光源としてのパルスレーザー１１２は、例えば、ＫｒＦやＡｒＦ等のガスが封入され、発振により露光光（レーザー光）を発生する。パルスレーザー１１２は、例えば、１９３ｎｍの波長を有する遠紫外領域の露光光を発生する。パルスレーザー１１２は、共振器を構成するフロントミラー、露光波長を狭帯化するための回折格子及びプリズムを含む狭帯化モジュール、波長の安定性及びスペクトル幅をモニタするための分光器やディテクタを含むモニタモジュール、並びに、シャッタを備えうる。
【００１３】
パルスレーザー１１２から射出された露光光は、ビーム整形光学系１１４及び集光光学系１１６を通過することで所定のサイズおよび形状になる。その後、その露光光は、オプティカルインテグレータ１１８に入射し、原版１３０を均一な照度分布で照明するために多数の２次光源を形成する。
照明光学系１１０の開口絞り１２０の開口部の形状はほぼ円形であり、その開口部の直径（これは、照明光学系１１０の開口数（ＮＡ）に対応する）は、不図示の照明系制御装置によって目標値に設定される。投影光学系１４０の開口数に対する照明光学系１１０の開口数の比は、コヒーレンスファクタ（σ値）と呼ばれる。照明系制御装置は、開口絞り１２０を制御することによってσ値を設定することができる。
開口絞り１２０を通過した露光光は、集光レンズ１２２より集光され、ミラー１２４で反射させてマスキングブレード１２６面を均一にケーラー照明する。マスキングブレード１２６は、転写領域を変更することができるように、開口幅を変更可能に構成された絞りである。マスキングブレード１２６により露光ショット領域の寸法に合わせて転写領域の寸法が設定される。マスキングブレード１２６を通過した露光光は、結像レンズ１２８を通して原版１３０を照明する。
【００１４】
原版１３０は、レチクル又はマスクとも呼ばれる、原版１３０は、半導体デバイス等のデバイスのパターンを有し、照明光学系１１０よって照明される。投影光学系１４０は、原版１３０のパターンを縮小倍率β（βは、例えば１／４とされうる）で基板（例えば、ウエハ又はガラス基板）１７０に縮小投影する。基板１７０には、フォトレジストが塗布されていて、露光によってそのフォトレジストに潜像が形成される。
【００１５】
投影光学系１４０としては、例えば、複数のレンズ素子のみからなる光学系を使用することができる。或いは、投影光学系１４０としては、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）を使用することができる。或いは、投影光学系１４０としては、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の回折光学素子とを有する光学系等を使用することができる。
原版ステージ（レチクルステージ）１３２は、原版１３０を保持した状態で不図示の駆動機構によって駆動される。原版ステージ１３２及び投影光学系１４０は、例えば、床等に設置されたベースフレームによってダンパ等を介して支持された支持体によって支持されうる。前記駆動機構は、例えば、リニアモータを含み、Ｘ、Ｙ方向に原版ステージ１３２を駆動することによって原版１３０を移動させる。
基板１７０は、基板チャック１７２を介して基板ステージ１７４によって保持される。基板ステージ１７４は、３次元方向に移動可能であり、投影光学系１４０の光軸方向（Ｚ方向）、及び該光軸方向に直交する面内（Ｘ−Ｙ面内）を移動することができる。
投影光学系１４０と基板１７０との間の空間には、液体供給装置１８２から供給管１８３および供給ノズル１８４を介して液体１８０が供給される。液体１８０は、回収ノズル１８８および回収管１９１を介して液体回収装置１９０によって回収される。
次に、本発明の好適な実施形態におけるダミー露光基板の構成およびその製造方法について説明する。ダミー露光基板は、図１に例示的に示すような液浸露光装置１００で実施されるダミー露光において、通常の基板（デバイスを製造するための材料となる基板）に代えて基板チャック１７２の上に載置される。
図２Ａは、本発明の好適な実施形態におけるダミー露光基板の構成を示す図である。本発明の好適な実施形態におけるダミー露光基板３０は、親液性領域１０と、親液性領域１０を取り囲む撥液性領域２０とを含む。撥液性領域２０は、親液性領域１０を取り囲む第１撥液性領域２２と、第１撥液性領域２２を取り囲む第２撥液性領域２４とを含みうる。ここで、第２撥液性領域２４は、第１撥液性領域２２よりも撥液性が高い。親液性領域１０は、典型的には、無機系物質膜で形成され、撥液性領域２０は、典型的には、有機系物質膜で構成されうる。第１撥液性領域２２は、例えば、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）膜で構成され、第２撥液性領域２４は、例えば、液浸露光用のトップコートレスレジストで構成されうる。図２Ａに示す構造を有するダミー露光基板３０は、中央領域が親液性を有し、周辺に向かって撥液性が高くなる構造を有するダミー露光基板の一例である。
ダミー露光基板の材料としては、反射防止膜が表面に形成されたシリコンウエハ（シリコン基板）が好適である。シリコンウエハは、典型的には、半導体デバイスを製造するための材料となるシリコンウエハと同様の形状を有する。
【００１６】
図２Ｂは、ダミー露光基板３０の製造方法を模式的に示す図である。まず、工程Ｓ１０において、反射防止膜が表面に形成されたベース部材としてシリコンウエハ（シリコン基板）４０を準備する。ここで、反射防止膜は、例えば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との多層構造によって構成されうる。該反射防止膜の静的接触角は、典型的には２６°である。
【００１７】
次いで、工程Ｓ２０において、シリコンウエハ（シリコン基板）４０の反射防止膜の上に第１撥液性膜としてのヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）膜５０を形成する。ＨＭＤＳは、撥液性を有する無機系物質である。ＨＭＤＳ膜の静的接触角は、６６°である。
次いで、工程Ｓ３０において、ＨＭＤＳ膜５０の上に、ＨＭＤＳ膜５０よりも撥液性が高い第２撥液性膜としてのレジスト膜６０を形成する。レジスト膜６０としては、例えば、液浸露光用のトップコートレスレジストが好適である。該トップコートレスレジストの静的接触角は、典型的には９０°よりも大きい。
【００１８】
次いで、工程Ｓ４０において、露光および現像を含むリソグラフィー工程によって、レジスト膜６０に閉図形からなる第１開口７１を形成することによりＨＭＤＳ膜５０を部分的に露出させる。ここで、第１開口７１（ＨＭＤＳ膜５０の露出部分）の形状は、ダミー露光時の露光領域（これは、通常の露光時における露光領域の形状と同一であることが好ましい。）をカバーする形状であることが好ましい。典型的には、ダミー露光時の露光領域は、通常の露光時と同様に矩形であり、第１開口７１の形状は、ダミー露光時の露光領域をカバーする矩形でありうる。
【００１９】
次いで、工程Ｓ５０において、ＨＭＤＳ膜５０のうち第１開口７１を通して露出した部分に閉図形からなる第２開口７２を形成することにより、シリコンウエハ４０の表面を構成する反射防止膜の一部分を露出させる。該反射防止膜の露出部分は、親液性領域１０を形成する。ここで、第２開口７２は、例えば、工程Ｓ４０で得られた構造体を図１に例示的に示す液浸露光装置の基板チャック上に載置して、投影光学系と該構造体との間に液膜を形成した状態（液浸状態）で該構造体を露光することによって形成されうる。ＨＭＤＳ膜５０のうち露光された部分は、分解されて液膜中に溶け込むことによって除去されうる。第２開口７２（シリコンウエハ４０の反射防止膜の露出部分）の形状は、ダミー露光時の露光領域をカバーする形状であることが好ましい。典型的には、ダミー露光時の露光領域は、通常の露光時と同様に矩形であり、第２開口７２の形状は、ダミー露光時の露光領域をカバーする矩形でありうる。
【００２０】
ＨＭＤＳ膜５０の露出部分は、第１撥液性領域２２を形成し、レジスト膜６０は、第２撥液性領域２４を形成する。つまり、第１開口７１および第２開口７２は、第２撥液性領域２４を形成するレジスト膜６０が第１撥液性領域２２を形成するＨＭＤＳ膜５０の露出部分を取り囲むように形成される。
【００２１】
第１開口７１は、ダミー露光時にフレア光が入射する範囲をカバーするように決定されることが好ましい。これは、ダミー露光時にフレア光の入射によってレジスト膜が露光されて変質することを防止するためである。一例において、第１開口７１は、１０４ｍｍ×９９ｍｍの矩形とされる。
第２開口７２は、第１開口７１の内側に規定される。第２開口７２は、例えば、２６ｍｍ×３３ｍｍの矩形とされ、例えば、７００Ｊ×１０００ショット（７００ジュールの露光量で１００回）の露光を実施することによって形成されうる。
【００２２】
撥液性材料としては、特開２００７−２３５１１２号公報に記載されているようなポリパラキシリレンを使用してもよい。
【００２３】
ダミー露光基板３０を図１に例示する液浸露光装置１００の基板チャック１７２の上に載置してダミー露光が実施されうる。ダミー露光は、ダミー露光基板３０の親液性領域１０又はその内側の領域を露光領域として実施されうる。これは、撥液性領域を構成する典型的な材料である有機系物質膜は、液浸状態でのエキシマレーザー光（露光光）によって分解されうるためである。
ダミー露光は、例えば、投影光学系の結像特性の変動を予測する目的、又は、投影光学系を構成するレンズ素子の透過率の安定化という目的で実施されうる。ダミー露光は、デバイスを製造するために使用される通常の基板の露光条件と同等の条件下で実施されるべきであるので、液浸状態で実施されうる。
デバイス製造時の露光における投影光学系の結像特性の変動を予測するためのダミー露光では、デバイス製造時の投影光学系の熱状態を再現する必要がある。よって、デバイス製造時の熱状態を再現するためには、ダミー露光基板は、デバイス製造時の基板と同等の反射率特性を有するべきである。また、投影光学系のレンズ素子の透過率を安定化させるためには、ダミー露光基板からの反射光量を十分なものとするために、高い反射率を有するダミー露光基板が求められる。そこで、反射率が互いに異なる少なくとも２種類のダミー露光基板が準備されるべきである。
ダミー露光時には、ダミー露光基板と投影光学系との間に液膜が形成される。したがって、ダミー露光の終了後に、液膜が存在する領域（液浸領域）からダミー露光基板が離脱する際には、液体のこぼれを防ぐために、離脱の直後にダミー露光基板の表面の撥液性領域２０には液残りがないようにすることが望まれる。液浸領域からダミー露光基板が高速に離脱する場合には、撥液性領域２０に液残りが生じうるので、ダミー露光基板が液浸領域から離脱する速度を制限する必要がある。また、ダミー露光基板が液浸領域から離脱した直後に親液性領域１０に残存する液体が基板ステージ１７４等にこぼれることを防ぐために、離脱からダミー露光基板３０の回収に至るまでのダミー露光基板の搬送速度も制限する必要がある。
上記の通り、液浸露光装置における液体のこぼれを防ぐという観点から、液浸領域からのダミー露光基板３０の離脱速度と、離脱からダミー露光基板３０の回収までのダミー露光基板３０の搬送速度を遅くしなければならない。しかし、これらの速度の低下は、ダミー露光から結像特性の計測までに要する時間の増加をもたらす。その間における投影光学系の温度変化により計測段階における投影光学系の熱状態とダミー露光時の投影光学系の熱状態が異なったものとなり、再現性が低下しうる。このため、できる限り高速で、かつ液こぼれが発生しないように離脱速度及び搬送速度が設定されるべきである。
離脱速度および搬送速度は、実機を使って検討により定められうる。検討時には、液浸用の液体として純水を用いてダミー露光を行い、離脱速度と搬送速度をそれぞれ変化させながらダミー露光基板の上における液体の挙動が観察されうる。このとき、図３に例示的に示すように、離脱速度を上げると、ある速度以上では、離脱直後に外側の第２撥液性領域２４に液体残りが発生しうる。離脱直後に外側の第２撥液性領域２４に液体残りが発生した場合、直後の搬送中にその液互がダミー露光基板からこぼれることが予測される。よって、離脱直後に少なくとも外側の第２撥液性領域２４には液体残りが生じるような離脱速度は不適切である。
搬送速度に関しては、ダミー露光基板の搬送終了後にダミー露光基板が静止した際に少なくとも外側の第２撥液性領域２４に液体残りがないような速度条件が決定されるべきである。
図５は、本発明の第２実施形態の液浸露光装置の概略構成を示す図である。図５において、図１に示す液浸露光装置１００の構成要素と実質的に同一の構成要素には、同一の符号が付されている。本発明の第２実施形態の液浸露光装置１００'は、基板ステージ１７４の上に配置されたダミー露光部材３０'を備える。ダミー露光部材３０'は、図２Ａに示すダミー露光基板３０と同様の構成を有しうる。すなわち、ダミー露光部材３０'は、親液性領域１０と、親液性領域１０を取り囲む撥液性領域２０とを含みうる。撥液性領域２０は、親液性領域１０を取り囲む第１撥液性領域２２と、第１撥液性領域２２を取り囲む第２撥液性領域２４とを含みうる。ここで、第２撥液性領域２４は、第１撥液性領域２２よりも撥液性が高い。基板ステージ１７４は、ダミー露光部材３０'を交換可能に構成されうる。例えば、基板ステージ１７４は、ダミー露光部材３０'を保持するチャック機構を含みうる。
本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイスの製造に好適である。該デバイス製造方法は、例えば、ダミー露光工程と、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の液浸露光装置１００'のような液浸露光装置を用いて原版のパターンを転写する工程と、該感光剤を現像する工程とを含みうる。さらに、他の周知の工程（エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を経ることによりデバイスが製造される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の好適な実施形態の液浸露光装置の概略構成を示す図である。
【図２Ａ】本発明の好適な実施形態におけるダミー露光基板又はダミー露光部材の構成を示す図である。
【図２Ｂ】ダミー露光基板３０の製造方法を模式的に示す図である。
【図３】液浸領域からのダミー露光基板の離脱速度と液体残りとの関係を模式的に示す図である。
【図４】ダミー露光基板の搬送速度と液体残りとの関係を模式的に示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態の液浸露光装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００２５】
１０  親液性領域
２０  撥液性領域
２２  第１撥液性領域
２４  第２撥液性領域
３０  ダミー露光基板
３０'  ダミー露光部材
４０  シリコンウエハ
５０  ＨＭＤＳ膜
６０  レジスト膜
７１  第１開口
７２  第２課移行
１００  液浸露光装置
１００'  液浸露光装置
１１０  照明光学系
１３０  原版
１３２  原版ステージ
１４０  投影光学系
１７０  基板
１７２  基板チャック
１７４  基板ステージ
１８０  液体
１８２  液体供給装置
１８３  供給管
１８４  供給ノズル
１８８  回収ノズル
１９０  液体回収装置
１９１  回収管
【図１】
2009295933.tif 000003
【図２Ａ】
2009295933.tif 000004
【図２Ｂ】
2009295933.tif 000005
【図３】
2009295933.tif 000006
【図４】
2009295933.tif 000007
【図５】
2009295933.tif 000008