(57)【要約】【課題】曲げ剛性の減少と特性インピーダンスの低下とを両立できるようにする。【解決手段】信号伝送基板３６は、伝送部３６Ｂにおいて３本の信号線５２Ｓと４本のグランド線５２Ｇとを幅方向に交互に配置した導体層５２をベース層５１及びカバー層５３で挟み、導体層５２の配線パターンにより、ドライバマウント部３６Ａ及びダイオードマウント部３６Ｃそれぞれにおいて４本のグランド線５２Ｇを互いに電気接続すると共に、ジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃによりドライバマウント部３６Ａ及びダイオードマウント部３６Ｃそれぞれにおいて３本の信号線５２Ｓを互いに電気接続する。これにより信号伝送基板３６は、伝送部３６Ｂの曲げ剛性を低く抑え、各信号線５２Ｓと各グランド線５２ＧとのギャップＧ２を比較的容易に製造し得る範囲としながら、特性インピーダンスをレーザダイオード３８の微分抵抗とほぼ同等に低減することができる。【選択図】図１１
2009176395.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面状部分を有し一端及び他端の間を繋ぐベース層と、
上記一端と上記他端とを結ぶ伝送方向に延長された複数の第１導線と複数の第２導線とを、上記ベース層の上記面状部分における上記伝送方向と直交する幅方向に交互に配置した導体層と、
上記導体層を上記ベース層の反対側から覆うカバー層と、
上記一端側及び上記他端側でそれぞれ上記複数の第１導線同士を互いに導通させる第１導線導通部と、
上記一端側及び上記他端側でそれぞれ上記複数の第２導線同士を互いに導通させる第２導線導通部と
を有する信号伝送基板。
【請求項２】
上記第１導線導通部は、
他の導電性部材を介し上記複数の第１導線を互いに導通させる
請求項１に記載の信号伝送基板。
【請求項３】
上記第１導線導通部は、
上記ベース層に積層され上記導体層と異なる第２導体層に形成された配線パターンと上記複数の第１導線とを層間接続手段でそれぞれ電気的に接続する
請求項２に記載の信号伝送基板。
【請求項４】
上記ベース層は、
第２カバー層により少なくとも上記第２導体層を覆うと共に、上記一端側と上記他端側とを結ぶ伝送部を上記第２カバー層により覆うことなく露出させることにより、当該伝送部に屈曲性を持たせる
請求項３に記載の信号伝送基板。
【請求項５】
上記ベース層は、
上記一端側又は上記他端側の少なくとも一方に上記第１導線を露出させる第１導線露出部が設けられ、
上記カバー層は、
上記一端側及び上記他端側のうち上記第１導線露出部が設けられた側に上記第２導線を露出させる第２導線露出部が設けられ、
上記第１導線導通部は、
上記信号伝送基板と接続される他基板に形成された上記第１導線接続用の配線パターンと、上記第１導線露出部により露出された上記複数の第１導線とをそれぞれ電気的に接続し、
上記第２導線導通部は、
上記他基板に形成された上記第２導線接続用の配線パターンと、上記第２導線露出部により露出された上記第２導線とをそれぞれ電気的に接続する
請求項１に記載の信号伝送基板。
【請求項６】
上記第１導線導通部は、
上記第１導線露出部を上記他基板の上記第１導線接続用の配線パターンと対向させ、
上記第２導線導通部は、
上記第２導線露出部を上記他基板の上記第２導線接続用の配線パターンと近接させる
請求項５に記載の信号伝送基板。
【請求項７】
上記複数の第１導線は、
上記一端及び上記他端の間で伝送すべき電気信号が供給され、
上記複数の第２導線は、
上記電気信号として上記複数の第１導線を流れた電流を回帰させる
請求項１に記載の信号伝送基板。
【請求項８】
上記複数の第２導線は、
上記一端及び上記他端の間で伝送すべき電気信号が供給され、
上記複数の第１導線は、
上記電気信号として上記複数の第２導線を流れた電流を回帰させる
請求項１に記載の信号伝送基板。
【請求項９】
上記導体層は、
互いに隣接する上記第１導線と上記第２導線との間に比誘電率が１よりも大きい誘電体材料がそれぞれ充填されている
請求項１に記載の信号伝送基板。
【請求項１０】
駆動信号生成部により生成した駆動信号を所定の信号伝送基板を介して光源へ伝送することにより、当該光源から光ビームを出射し所定の光ディスクへ照射する光ピックアップであって、
上記信号伝送基板は、
面状部分を有し上記光源と上記駆動信号生成部との間を繋ぐベース層と、
上記光源側と上記駆動信号生成部側とを結ぶ伝送方向に上記駆動信号を伝える複数の信号線と複数のグランド線とを、上記ベース層の上記面状部分における上記伝送方向と直交する幅方向に交互に配置した導体層と、
上記導体層を上記ベース層の反対側から覆うカバー層と、
上記光源側及び上記駆動信号生成部側でそれぞれ上記複数の信号線同士を互いに導通させる信号線導通部と、
上記光源側及び上記駆動信号生成部側でそれぞれ上記複数のグランド線同士を互いに導通させるグランド線導通部と
を有する光ピックアップ。
【請求項１１】
上記信号伝送基板は、
上記駆動信号生成部をマウントする駆動信号生成マウント部と、上記光源をマウントする光源マウント部と、上記駆動信号生成マウント部と上記光源マウント部との間を繋ぐ伝送部とにより構成され、
上記信号線導通部及び上記グランド線導通部は、いずれも上記駆動信号生成マウント部及び上記光源マウント部に設けられている
請求項１０に記載の光ピックアップ。
【請求項１２】
上記導体層は、
上記信号線と上記グランド線との間に比誘電率が１よりも大きい誘電体材料が充填されている
請求項１０に記載の光ピックアップ。
【請求項１３】
上記信号伝送基板は、
上記駆動信号として上記複数の信号線を流れる電流が全て上記複数のグランド線を通り回帰するよう回路構成されている
請求項１０に記載の光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は信号伝送基板及び光ピックアップに関し、例えば光ピックアップを搭載する光ディスク装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスク装置においては、レーザダイオード等の光源から出射した光ビームを光ディスクへ照射することにより、当該光ディスクに情報を記録し、また当該光ディスクから情報を読み出し得るようになされている。
【０００３】
特に光ディスク装置は、光ディスクへ情報を記録する場合、図１に示すように、レーザダイオードに供給する駆動信号を変調させることにより、当該レーザダイオードから出射される光ビームの光量をパルス状に変調させるようになされている。
【０００４】
光ディスク装置は、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（登録商標、以下ＢＤと呼ぶ）方式の光ディスクへ情報を記録する際、図１のパルス状波形における１周期を約１５［ｎｓ］程度とする場合がある。このため光ディスク装置は、各パルスの立ち上がりや立ち下がりに要する時間を１［ｎｓ］以下に設定することが望ましい。
【０００５】
このため光ディスク装置においては、駆動信号をレーザダイオードへ伝送する伝送路を分布定数回路としてとらえ、当該レーザダイオードの微分抵抗Ｒｄに合わせて当該伝送路の特性インピーダンスＺ０を最適化することが考えられる。
【０００６】
ここで、レーザダイオードを用いる光プリンタ装置において、レーザダイオードへ駆動信号を供給する伝送路をマイクストリップライン構造としたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
このマイクロストリップライン構造を光ディスク装置に適用する場合、例えば図２（Ａ）に示すように、光ピックアップにおいて駆動信号を生成するレーザドライバ３からレーザダイオード４へ当該駆動信号を伝送するレーザ駆動部１は、マイクロストリップライン構造の信号伝送基板２により当該駆動信号を供給する。
【０００８】
信号伝送基板２は、全体としてフレキシブルプリント基板となっており、図２（Ｂ）に断面図を示すように、例えばポリイミド樹脂でなるベース層５の一面に信号線６が設けられ、その反対面にグランド線７が設けられている。さらに信号伝送基板２は、信号線６の上層及びグランド線７の下層にそれぞれ絶縁材料でなる第１カバー層８及び第２カバー層９が設けられている。
【０００９】
信号伝送基板２の断面形状が一様であると仮定した場合に、当該信号伝送基板２は、図３に示すように、誘導成分Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、…及び容量成分Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、…を組み合わせた分布定数回路によりモデル化することができる。
【００１０】
ここで誘導成分Ｌ＝Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝…、容量成分Ｃ＝Ｃ１＝Ｃ２＝Ｃ３＝…とすると、特性インピーダンスＺ０は、次に示す（１）式のように表すことができる。
【００１１】
【数１】
2009176395.tif 000003
【００１２】
この（１）式から、信号伝送基板２は、ベース層５の厚さを小さくして信号線６及びグランド線７を互いに近接させ、両者の結合を強めることにより容量成分Ｃを増加することができれば、特性インピーダンスＺ０を低下させることができる。
【００１３】
例えば信号伝送基板２は、ベース層５の厚さを約２５［μｍ］、信号線６及びグランド線７の厚さを約１８［μｍ］とすると、信号線６の幅Ｗ１と特性インピーダンスＺ０との間に、図４の特性曲線に示すような関係を有する。
【００１４】
光ディスク装置は、例えばＢＤ方式に対応した青紫色レーザダイオードの微分抵抗が約１６［Ω］である場合、信号線６の幅Ｗ１を約２００［μｍ］とすることにより、信号伝送基板２における特性インピーダンスＺ０を約２０［Ω］という比較的低い値に設定することができる。
【特許文献１】特開昭６３−２６０４６５号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで信号伝送基板２は、例えば光ピックアップの周側部に沿って取り付けられるため、取付時に屈曲されることが想定される。またレーザダイオード４は、光ピックアップへの取付時に取付位置を微調整される。このため信号伝送基板２は、比較的柔軟であることが望ましい。
【００１６】
しかしながら信号伝送基板２は、ベース層５の両面に例えば銅箔でなる信号線６及びグランド線７、さらには第１カバー層８及び第２カバー層９が設けられているため、全体的な厚さが比較的大きくなってしまう。
【００１７】
ここで、一般に物体の曲げ剛性は厚さの３乗に比例するため、信号伝送基板２は曲げ剛性が比較的高くなってしまう。このため信号伝送基板２は、例えばレーザダイオード４が位置調整されて光ピックアップに取り付けられた後に、その曲げ剛性により、当該レーザダイオード４の取付位置をずらしてしまう恐れがある。
【００１８】
このため信号伝送基板２は、曲げ剛性を低下させるべく、厚さが低減されることが望ましい。そこで、信号線及びグランド線が同一層に配置されるコプレーナ構造による信号伝送基板について検討する。
【００１９】
図２（Ａ）と対応する図５（Ａ）に示すように、信号伝送部１と対応する信号伝送部１０は、コプレーナ構造の信号伝送基板１２によりレーザドライバ３からレーザダイオード４へ駆動信号を伝送する。
【００２０】
信号伝送基板１２は、信号伝送基板２と同様、全体としてフレキシブルプリント基板となっている。この信号伝送基板１２は、図５（Ｂ）に断面図を示すように、例えばポリイミド樹脂でなるベース層１５の一面における中央寄りの部分に信号線１６が設けられ、同一面の両外側にグランド線１７及び１８が設けられている。さらに信号伝送基板１２は、信号線１６、グランド線１７及び１８の上層に絶縁材料でなるカバー層１９が設けられている。
【００２１】
このように信号伝送基板１２は、信号伝送基板２よりも厚さを小さくすることができるため、曲げ剛性を低下させ得るものと期待できる。
【００２２】
ところで信号伝送基板１２は、コプレーナ構造の原理上、信号線１６とグランド線１７及び１８とを近接させることにより、両者の結合を強めている。
【００２３】
ここで、ベース層１５の厚さを約２５［μｍ］、信号線１６並びにグランド線１７及び１８の厚さを約１８［μｍ］とし、信号線１６とグランド線１７との間隔及び当該信号線１６とグランド線１８との間隔をいずれもギャップＧとする。当該ギャップＧと特性インピーダンスＺ０との関係は、図６に示すような特性曲線により表される。
【００２４】
この図６から、信号伝送基板１２は、特性インピーダンスＺ０を信号伝送基板２と同様の約２０［Ω］とするためには、ギャップＧを約５［μｍ］とする必要がある。
【００２５】
しかしながら信号伝送基板１２は、その製造工程において、一般的なエッチング法を用いた場合、ギャップＧの精度は約２０［μｍ］程度しかない。このため、５［μｍ］のギャップＧを有するフレキシブルプリント基板を量産することは事実上不可能といえる。
【００２６】
また近年の技術進歩により、セミアディプティブ法を用いて１０［μｍ］以下のギャップＧを作成することも可能となりつつある。しかしながら、当該ギャップＧの設計値を５［μｍ］として量産した場合に十分な精度を確保することは未だ困難であり、また価格も高くなってしまう。さらには、導体部の厚み精度を確保することも困難であり、結果的に信号伝送基板１２の特性インピーダンスを精度良くコントロールすることが極めて困難となってしまう。
【００２７】
すなわち光ディスク装置では、レーザダイオードへ駆動信号を供給する伝送路において、信号伝送基板における曲げ剛性の減少と特性インピーダンスの低下とを両立させることが困難であるというという問題があった。
【００２８】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、曲げ剛性の減少と特性インピーダンスの低下とを両立させ得る信号伝送基板及び光源へ駆動信号を伝送する信号伝送基板における曲げ剛性の減少と特性インピーダンスの低下とを両立させ得る光ピックアップを提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
かかる課題を解決するため本発明の信号伝送基板においては、面状部分を有し一端及び他端の間を繋ぐベース層と、一端と上記他端とを結ぶ伝送方向に延長された複数の第１導線と複数の第２導線とを、ベース層の上記面状部分における伝送方向と直交する幅方向に交互に配置した導体層と、導体層をベース層の反対側から覆うカバー層と、一端側及び他端側でそれぞれ複数の第１導線同士を互いに導通させる第１導線導通部と、一端側及び他端側でそれぞれ複数の第２導線同士を互いに導通させる第２導線導通部とを設けるようにした。
【００３０】
これにより一端側と他端側とを結び屈曲性が要求される伝送部において導体層を１層のみとしながら、一端側から他端側まで複数の第１導線及び複数の第２導線の組み合わせにより信号を伝送することができ、結果的に特性インピーダンスを低減することができる。
【００３１】
また本発明の光ピックアップにおいては、駆動信号生成部により生成した駆動信号を所定の信号伝送基板を介して光源へ伝送することにより、当該光源から光ビームを出射し所定の光ディスクへ照射する光ピックアップであって、信号伝送基板は、面状部分を有し光源と駆動信号生成部との間を繋ぐベース層と、光源側と駆動信号生成部側とを結ぶ伝送方向に信号を伝える複数の信号線と当該信号の基準電位を表す複数のグランド線とを、ベース層の面状部分における伝送方向と直交する幅方向に所定間隔ごとに交互に配置した導体層と、導体層をベース層の反対側から覆うカバー層と、光源側及び駆動信号生成部側でそれぞれ複数の信号線同士を互いに導通させる信号線導通部と、光源側及び駆動信号生成部側でそれぞれ複数のグランド線同士を互いに導通させるグランド線導通部とを設けるようにした。
【００３２】
これにより駆動信号生成部から光源までの伝送路における導体層を１層のみとして屈曲性を確保しながら、複数の信号線及び複数のグランド線の組み合わせにより駆動信号を伝送することができ、結果的に特性インピーダンスを低減することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、一端側と他端側とを結び屈曲性が要求される伝送部において導体層を１層のみとしながら、一端側から他端側まで複数の第１導線及び複数の第２導線の組み合わせにより信号を伝送することができ、かくして曲げ剛性の減少と特性インピーダンスの低下とを両立させ得る信号伝送基板を実現できる。
【００３４】
また本発明によれば、駆動信号生成部から光源までの伝送路における導体層を１層のみとして屈曲性を確保しながら、複数の信号線及び複数のグランド線の組み合わせにより駆動信号を伝送することができ、かくして光源へ駆動信号を伝送する信号伝送基板における曲げ剛性の減少と特性インピーダンスの低下とを両立させ得る光ピックアップを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００３６】
（１）第１の実施の形態
（１−１）光ディスク装置の構成
図７において、第１の実施の形態による光ディスク装置２０は、制御部２１を中心に構成されており、例えばＢＤ方式の光ディスクＯＤに対して情報を記録し、また当該光ディスクＯＤから当該情報を再生し得るようになされている。
【００３７】
制御部２１は、図示しないＣＰＵ(Central Processing Unit)と、各種プログラムなどが格納されるＲＯＭ(Read Only Memory)と、当該ＣＰＵのワークメモリとして用いられるＲＡＭ(Random Access Memory)とによって構成されており、光ディスク装置２０を統括制御するようになされている。
【００３８】
すなわち制御部２１は、駆動部２２を介してスピンドルモータ２４を回転駆動させ、ターンテーブル（図示せず）に載置された光ディスクＯＤを所望の速度で回転させる。また制御部２１は、駆動部２２を介してスレッドモータ２５を駆動させることにより、図２に示すように、移動軸Ｇ１及びＧ２に沿って光ピックアップ２６を光ディスクＯＤの内周側又は外周側へ向かう方向であるトラッキング方向に大きく移動させる。
【００３９】
さらに制御部２１は、駆動部２２（図１）を介して光ピックアップ２６の２軸アクチュエータ２７を駆動制御する。これにより制御部２１は、対物レンズ２９が搭載された対物レンズホルダ２８を光ディスクＯＤに近接又は離隔させるフォーカス方向に移動させると共にトラッキング方向に細かく移動させ、対物レンズ２９の位置調整を行う。
【００４０】
制御部２１は、例えば光ディスクＯＤに情報を記録する場合、当該情報を信号処理部２３へ供給して所定の符号化処理及び変調処理等を施すことにより、図１に示したようなパルス状の矩形波でなる記録信号を生成し、これを光ピックアップ２６へ供給する。
【００４１】
光ピックアップ２６は、信号処理部２３から供給される記録信号を基に生成した情報記録用の光ビームを、位置調整された対物レンズ２９を介して光ディスクＯＤへ照射する。これにより光ピックアップ２６は、当該光ディスクＯＤに情報を記録し得るようになされている（詳しくは後述する）。
【００４２】
また制御部２１は、光ディスクＯＤから情報を再生する場合、光ピックアップ２６から光ディスクＯＤに対し情報再生用の光ビームを照射させる。光ピックアップ２６は、当該光ビームが反射されてなる反射光ビームを検出し、その検出結果に応じた検出信号を生成し信号処理部２３へ供給する。
【００４３】
信号処理部２３は、検出信号を基に再生ＲＦ信号を生成し、これに所定の復調処理や復号化処理等を施すことにより、光ディスクＯＤに記録されている情報を再生し得るようになされている。
【００４４】
さらに信号処理部２３は、検出信号を基にフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を生成し、これらを制御部２１での処理を経由して駆動部２２へ供給することにより、対物レンズ２９のフォーカス制御及びトラッキング制御を行うようになされている。
【００４５】
このように光ディスク装置２０は、光ディスクＯＤに情報を記録する際、信号処理部２３から記録信号を光ピックアップ２６へ供給することにより、当該光ピックアップ２６から情報記録用の光ビームを当該光ディスクＯＤへ照射し得るようになされている。
【００４６】
（１−２）光ピックアップの構成
図８に示すように、光ピックアップ２６は、略直方体状のベース部３０に各種光学部品が取り付けられることにより一体に構成されている。
【００４７】
ベース部３０の上面３０Ａには、ホルダ支持部３１が取り付けられている。ホルダ支持部３１は、４本の支持ワイヤ３２を介してレンズホルダ２８を支持しており、当該レンズホルダ２８をフォーカス方向（すなわち上方向又は下方向）及びトラッキング方向（すなわち外周方向又は内周方向）へ揺動させ得るようになされている。
【００４８】
また上面３０Ａには、定常状態にあるレンズホルダ２８を挟むような位置に、マグネット３３及び３４が取り付けられている。またレンズホルダ２８の側面におけるマグネット３３及び３４と対向する箇所には、図示しないコイルが取り付けられている。
【００４９】
すなわち光ピックアップ２６は、レンズホルダ２８のコイルとマグネット３３及び３４との組み合わせによりアクチュエータ２７を構成している。光ピックアップ２６は、コイルに駆動部２２（図７）からの電流が供給されることにより、当該レンズホルダ２８をフォーカス方向及びトラッキング方向へ駆動するようになされている。
【００５０】
また上面３０Ａには、移動主軸Ｇ１を挿通させるための挿通孔３０Ｈ１及び３０Ｈ２と移動副軸Ｇ２を摺動自在に挟持する副軸受け３０Ｅとが設けられている。
【００５１】
一方、ベース３０における外周方向の側面３０Ｂから他の側面３０Ｃにかけては、フィルム状の信号伝送基板３６にレーザドライバ３７及びレーザダイオード３８がマウントされてなるレーザ駆動部３５が取り付けられている。
【００５２】
さらにベース３０には、側面３０Ｂ及び側面３０Ｃのうち信号伝送基板３６の屈曲した部分と対向する部分に、厚さ約２００［μｍ］の絶縁テープＩＴが貼り付けられている。これにより光ピックアップ２６は、信号伝送基板３６内に設けられている信号線及びグランド線（詳しくは後述する）とベース３０等の導体との間における電気的な結合を生じ難くするようになされている。
【００５３】
さらにベース３０の内部には、複数の光学部品が取り付けられている。かかる光学部品の組み合わせにより、光ピックアップ２６は、図９に示すような光学回路を形成するようになされている。
【００５４】
すなわち光ピックアップ２６は、光ディスクＯＤに情報を記録する際、信号処理部２３から供給される記録信号をレーザドライバ３７へ供給する。レーザドライバ３７は、記録信号を増幅等することにより駆動信号ＳＤを生成し、信号伝送基板３６（図８）に形成され屈曲性を有する伝送部３６Ｂ（図１１（Ａ）を用いて後述する）を介して当該駆動信号ＳＤをレーザダイオード３８へ供給する。
【００５５】
因みに駆動信号ＳＤは、レーザドライバ３７から２端子間に流れる電流としてレーザダイオード３８へ伝送されるようになされている。この２端子をそれぞれ信号線及びグランド線とすると、レーザダイオード３８を流れる駆動信号ＳＤは、図１と同様の波形となる。ただし、このグランド線は必ずしも筐体（図示せず）等に接地されているものではない。
【００５６】
レーザダイオード３８は、駆動信号ＳＤに基づいた光量でなる波長４０５［ｎｍ］のレーザ光を光ビームＬ１として出射させ、１／２波長板４１へ入射させる。因みに光ビームＬ１は、レーザダイオード３８の特性により所定方向を偏光方向とする直線偏光となる。
【００５７】
１／２波長板４１は、光ビームＬ１における偏光方向を所定角度回転させることによりＰ偏光ビームとＳ偏光ビームとの光量比率を所定の割合とし、偏光ビームスプリッタ４２へ入射させる。
【００５８】
偏光ビームスプリッタ４２は、光ビームの偏光方向に応じて反射率が異なる偏光反射面４２Ｓを有している。実際上偏光ビームスプリッタ４２は、偏光反射面４２Ｓにより光ビームＬ１のうちＳ偏光ビームを反射して図示しない光量制御用光検出器に入射させると共に、Ｐ偏光ビームを透過してコリメータ４３へ入射させる。
【００５９】
コリメータ４３は、光ビームＬ１を発散光から平行光に変換し、立上ミラー４４により反射させた上で、１／４波長板４５へ入射させる。１／４波長板４５は、光ビームの偏光状態を直線偏光から円偏光へ、又は円偏光から直線偏光へ変換するようになされており、例えばＰ偏光でなる光ビームＬ１を左円偏光に変換し、対物レンズ２９へ入射させる。
【００６０】
対物レンズ２９は、光ビームＬ１を集光し、光ディスクＯＤの記録層に照射する。このとき光ディスクＯＤの記録層には、光ビームＬ１の変調パターンに応じた記録マークが形成される。
【００６１】
一方、光ピックアップ２６は、光ディスクＯＤから情報を再生する際、制御部２１から供給される再生光量信号をレーザドライバ３７へ供給する。レーザドライバ３７は、再生光量信号を増幅等することにより一定の信号レベルでなる駆動信号ＳＤを生成し、信号伝送基板３６（図８）に形成されている伝送路３６Ｂを介して当該駆動信号ＳＤをレーザダイオード３８へ供給する。
【００６２】
レーザダイオード３８は、駆動信号ＳＤに基づき再生用の光量でなる光ビームＬ１を出射し、記録時と同様、１／２波長板４１、偏光ビームスプリッタ４２、コリメータ４３、立上ミラー４４及び１／４波長板４５を介して、左円偏光でなる光ビームＬ１を対物レンズ２９へ入射させる。
【００６３】
対物レンズ２９は、光ビームＬ１を集光し、光ディスクＯＤの記録層に照射する。このとき光ビームＬ１は、光ディスクＯＤの記録層により反射されて右円偏光の反射光ビームＬ２となり、光ビームＬ１の光路を反対方向へ辿っていく。
【００６４】
すなわち反射光ビームＬ２は、対物レンズ２９により平行光に変換され、１／４波長板４５によりＳ偏光の直線偏光に変換され、立上ミラー４４により反射され、コリメータ４３により集光されて偏光ビームスプリッタ４２へ入射される。
【００６５】
偏光ビームスプリッタ４２は、偏光反射膜４２ＳによりＳ偏光でなる反射光ビームＬ２を反射し、集光レンズ４６へ入射させる。
【００６６】
集光レンズ４６は、反射光ビームＬ２をフォトディテクタ４７に集光する。フォトディテクタ４７は、表面に複数の検出領域が設けられており、各検出領域における反射光ビームＬ２の検出結果を基に検出信号を生成し、これを信号処理部２３（図７）へ送出する。
【００６７】
信号処理部２３は、検出信号を基に所定の演算処理を行うことにより、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を生成し、これらを制御部２１での処理を経て駆動部２２へ供給するようになされている。
【００６８】
このように光ピックアップ２６は、光ディスクＯＤに情報を記録する際、レーザドライバ３７により記録信号を増幅等して駆動信号ＳＤを生成し、信号伝送基板３６の伝送路３６Ｂを介して当該駆動信号ＳＤをレーザダイオード３８へ供給する。これにより光ピックアップ２６は、当該レーザダイオード３８から駆動信号ＳＤに基づいた光量でなる光ビームＬ１を出射させるようになされている。
【００６９】
（１−３）信号伝送基板の構成
図１０に示すように、レーザ駆動部３５は、信号伝送基板３６の一面にレーザドライバ３７がリフロー等により装着され、当該信号伝送基板３６の反対面にレーザダイオード３８が半田付け等により装着されるようになされている。
【００７０】
以下では、説明の都合上、信号伝送基板３６のレーザドライバ３７が装着される面を上面とし、当該信号伝送基板３６のレーザダイオード３８が装着される面を下面とする。
【００７１】
信号伝送基板３６は、図１１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、大きく分けて一端としてレーザドライバ３７がマウント（装着）されるドライバマウント部３６Ａ、駆動信号ＳＤを伝送する伝送部３６Ｂ、及び他端としてレーザダイオード３８がマウント（装着）されるダイオードマウント部３６Ｃにより構成されている。
【００７２】
信号伝送基板３６は、いわゆるフレキシブルプリント基板として構成されており、中心となるベース層５１の上面に導体層５２が設けられ、さらにその上面にカバー層５３が設けられている。またベース層５１の下面には、信号伝送基板３６のドライバマウント部３６Ａ及びダイオードマウント部３６Ｃをそれぞれ下面側から補強する補強板５４Ａ及び５４Ｃが設けられている。
【００７３】
ベース層５１及びカバー層５３は、それぞれ厚さ約２５［μｍ］及び約３２［μｍ］のポリイミド樹脂でなり、比誘電率が１よりも大きくなっている。また導体層５２は厚さ約１８［μｍ］の銅箔でなる。さらに補強板５４Ａ及び５４Ｃは、いずれも厚さ約１２５［μｍ］のポリイミド樹脂でなる。
【００７４】
すなわち信号伝送基板３６の伝送部３６Ｂは、金属でなる導体層５２を１層のみ有するフレキシブルプリント基板として構成されているため、十分な屈曲性を有しており、導体層を２層以上有するような他の信号伝送基板と比較して曲げ剛性が低減されている。
【００７５】
図１２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、ベース層５１及びカバー層５３は、いずれもほぼ一様な平面状に構成されている。一方、導体層５２は、配線すべき部分にのみ一様な厚さの銅箔が存することにより、所望の配線パターンを形成するようになされている。
【００７６】
導体層５２の配線パターンは、全体として、レーザドライバ３７とレーザダイオード３８との間で信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇをそれぞれ導通させることにより、駆動信号ＳＧを伝送し得るようになされている。
【００７７】
図１２（Ｂ）を拡大した図１３に示すように、導体層５２のうち伝送部３６Ｂに対応する伝送部５２Ｂは、駆動信号ＳＧを伝送する伝送方向（図中の横方向）と直交する幅方向（図中の縦方向）に、第１導線又は第２導線としての信号線５２Ｓと第２導線又は第１導線としてのグランド線５２Ｇとが交互に配置されている。実際上、伝送部５２Ｂには、４本のグランド線５２Ｇと３本の信号線５２Ｓとが設けられている。
【００７８】
図１１（Ｃ）に伝送部３６Ｂの断面図を示すように、伝送部５２Ｂにおける信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇは、いずれも幅Ｗ２が約３００［μｍ］となっている。また、互いに隣接する信号線５２Ｓ及びグランド線５２ＧのギャップＧ２は、いずれも約６０［μｍ］となっている。
【００７９】
さらに導体層５２のうち信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇ以外の部分、すなわち信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇの間等は、カバー層５３の一部が侵入することにより隙間なく充填されており、これにより信号線５２Ｓとグランド線５２Ｇとの結合を高めるようになされている。
【００８０】
ドライバマウント部３６Ａに対応するドライバマウント部５２Ａは、その配線パターンにより、グランド線５２Ｇを４本に分割すると共に、当該グランド線５２Ｇにより３本の信号線５２Ｓを互いに電気的に独立させている。またドライバマウント部５２Ａには、レーザドライバ３７の各端子と信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇとをそれぞれ接続させるための接続部５２ＬＡも設けられている。
【００８１】
因みにドライバマウント部５２Ａには、実際にはレーザドライバ３７の各端子と光ピックアップ２６内のメイン基板（図示せず）とを接続する種々の配線パターンも設けられているものの、図中では省略している。
【００８２】
ダイオードマウント部３６Ｃに対応するダイオードマウント部５２Ｃには、ドライバマウント部５２Ａと対応する配線パターンを有しており、グランド線５２Ｇを４本に分割すると共に、当該グランド線５２Ｇにより３本の信号線５２Ｓを互いに電気的に独立させている。またダイオードマウント部５２Ｃには、レーザダイオード３８の各端子と信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇ並びにフレームグランドパターン５２Ｆとをそれぞれ接続させるための接続部５２ＬＣも設けられている。
【００８３】
このように導体層５２には、伝送部５２Ｂにおいて４本に分岐されると共にドライバマウント部５２Ａ及びダイオードマウント部５２Ｃにおいて互いに電気的に接続されたグランド線５２Ｇと、互いに電気的に独立しそれぞれドライバマウント部５２Ａ及びダイオードマウント部５２Ｃ間を結ぶ３本の信号線５２Ｓとが設けられている。
【００８４】
かかる構成により信号伝送基板３６は、４本のグランド線５２Ｇを介し、レーザドライバ３７のカソード接続用端子３７Ｋ（図１０）とレーザダイオード３８のカソード端子３８Ｋ（図１０）とを互いに電気接続する。
【００８５】
これを換言すれば、信号伝送基板３６は、カソード接続用端子３７Ｋとカソード端子３８Ｋとを結ぶグランド電気経路を、ドライバマウント部３６Ａにおいて４本に分岐し、伝送部３６Ｂにおいて４本のままとし、ダイオードマウント部３６Ｃにおいて再度１本に統合することになる。
【００８６】
また各信号線５２Ｓには、ドライバマウント部５２Ａ内及びダイオードマウント部５２Ｃ内にそれぞれ接続部５２ＳＡ及び接続部５２ＳＣ（図中２重斜線で示す）が設けられている。接続部５２ＳＡ及び接続部５２ＳＣは、それぞれ一般的なプリント基板におけるランド部分と同様に、ある程度の面積を形成するようになされている。
【００８７】
これと対応するように、カバー層５３（図１２（Ａ））には、接続部５２ＳＡ及び５２ＳＣとそれぞれ対応する箇所に孔部５３ＨＡ及び５３ＨＣが設けられている。孔部５３ＨＡ及び５３ＨＣは、信号線５２Ｓの接続部５２ＳＡ及び５２ＳＣのみを露出させており、グランド線５２Ｇを露出させないようになされている。因みにカバー層５３には、レーザドライバ３７（図１０）の接続端子を導体層５２の配線パターンと電気接続させるための多数のランド用孔５３ＨＤも設けられている。
【００８８】
さらに図１１（Ａ）及び（Ｂ）に示したように、信号伝送基板３６は、屈曲性を要しないドライバマウント部３６Ａ及びダイオードマウント部３６Ｃにおいて、接続部５２ＳＡ及び５２ＳＣとそれぞれ対応する箇所にジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃが設けられるようになされている。
【００８９】
図１１（Ｄ）に断面図を示すように、ジャンパ線５５Ｃは、カバー層５３の孔部５３ＨＣを介して半田付け等により各信号線５２Ｓの接続部５２ＳＣ同士を電気的に接続している。因みにジャンパ線５５Ａも、ジャンパ線５５Ｃと同様に、カバー層５３の孔部５３ＨＡを介して各信号線５２Ｓの接続部５２ＳＡ同士を電気的に接続している。
【００９０】
因みにジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃは、カバー層５３の絶縁作用により、グランド線５２Ｇとは導通しないようになされている。
【００９１】
これにより信号伝送基板３６は、３本の信号線５２Ｓを介して、レーザドライバ３７の駆動信号出力用端子３７Ｓ（図１０）とレーザダイオード３８の駆動信号入力用端子であるアノード端子３８Ａ（図１０）と互いに電気接続する。
【００９２】
これを換言すれば、信号伝送基板３６は、駆動信号出力用端子３７Ｓとアノード端子３８Ａとを結ぶ信号電気経路を、ドライバマウント部３６Ａにおいて１本から３本に分岐し、伝送部３６Ｂにおいて３本のまま伝送し、ダイオードマウント部３６Ｃにおいて３本から１本に統合することになる。
【００９３】
すなわち信号伝送基板３６は、レーザドライバ３７からレーザダイオード３８へ駆動信号ＳＤを伝送する際、伝送部３６Ｂにおいて交互に配置された３本の信号線５２Ｓ及び４本のグランド線５２Ｇを介して、当該駆動信号ＳＤを伝送するようになされている。
【００９４】
ここで、信号伝送基板３６の伝送部３６Ｂにおける、信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇ間のギャップＧ２と特性インピーダンスＺ０との関係をシミュレートしたところ、図１４に示すような特性曲線が得られた。
【００９５】
図１４から、ギャップＧ２が約６０［μｍ］であるときに特性インピーダンスＺ０は約１９［μｍ］となっている。すなわち信号伝送基板３６の伝送部３６Ｂは、ギャップＧ２を比較的広い６０［μｍ］としながら、一般的なマイクロストリップライン構造の信号伝送基板２（図２）と同様の低い特性インピーダンスＺ０を得ることができる。
【００９６】
さらに図１４から、信号伝送基板３６の伝送部３６は、ギャップＧ２が約４０［μｍ］から約８０［μｍ］の間で変動した場合でも、特性インピーダンスＺ０の変動幅を約３［Ω］以内に止めることができる。
【００９７】
このように信号伝送基板３６は、複数の信号線５２Ｓ及び複数のグランド線５２Ｇを幅方向に渡って交互に配置した伝送部３６Ｂを介して駆動信号ＳＤを伝送することにより、特性インピーダンスＺ０を低減し得るようになされている。
【００９８】
（１−４）動作及び効果
以上の構成において、光ディスク装置２０の光ピックアップ２６は、レーザドライバ３７からレーザダイオード３８へ駆動信号ＳＤを供給する信号伝送基板３６の伝送部３６Ｂを、ベース層５１及びカバー層５３により導体層５２を１層のみ挟む構成とし、さらに当該導体層５２に３本の信号線５２Ｓと４本のグランド線５２Ｇとを幅方向に交互に配置するようにした。
【００９９】
信号伝送基板３６は、導体層５２の配線パターンにより、ドライバマウント部３６Ａ及びダイオードマウント部３６Ｃそれぞれにおいて４本のグランド線５２Ｇを互いに電気接続するようにした。また信号伝送基板３６は、ジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃにより、ドライバマウント部３６Ａ及びダイオードマウント部３６Ｃそれぞれにおいて３本の信号線５２Ｓを互いに電気接続するようにした。
【０１００】
これにより信号伝送基板３６は、レーザドライバ３７から出力された段階及びレーザダイオード３８へ入力される段階では１本ずつである信号線及びグランド線を、伝送部３６Ｂにおいて導体層５２を１層のみとしながら３本の信号線５２Ｓ及び４本のグランド線５２Ｇにそれぞれ分岐して駆動信号ＳＤを伝送することができる。
【０１０１】
この結果、信号伝送基板３６は、伝送部３６Ｂにおける導体層５２を１層のみとし、各信号線５２Ｓと各グランド線５２ＧとのギャップＧ２を比較的容易に製造し得る約６０［μｍ］としながら、特性インピーダンスを約１９［Ω］程度に低減することができる。
【０１０２】
すなわち信号伝送基板３６は、伝送部３６Ｂの特性インピーダンスＺ０をレーザダイオード３８の微分抵抗に近づけることができるため、比較的高周波でなる駆動信号ＳＤをレーザドライバ３７からレーザダイオード３８へ殆ど劣化させることなく伝送することができる。
【０１０３】
また信号伝送基板３６は、伝送部３６Ｂに導体層５２を１層のみしか有さないことから、当該伝送部３６Ｂの曲げ剛性を比較的低くすることができ、ドライバマウント部３６Ａに引っ張られてレーザダイオード３８の取付位置を不用意に変化させてしまう危険性を格段に低減できる。
【０１０４】
さらに信号伝送基板３６は、導体層５２における各信号線５２Ｓ及び各グランド線５２ＧのギャップＧ２を、比較的容易に製造し得る約６０［μｍ］としたときに特性インピーダンスＺ０を１９［Ω］とすることができる。そのうえ信号伝送基板３６は、ギャップＧ２が約４０［μｍ］から約８０［μｍ］の範囲で大きく変化した場合でも、特性インピーダンスＺ０の変動幅を約３［Ω］程度に抑えることができる。
【０１０５】
このため信号伝送基板３６は、例えば導体層５２又は信号伝送基板３６の製造精度が低くギャップＧ２にばらつきを有するような場合であっても、特性インピーダンスＺ０のばらつき幅を比較的小さく止めることができる。
【０１０６】
また信号伝送基板３６は、一般的なフレキシブルプリント基板と同様に、ベース層５１及びカバー層５３により導体層５２を挟む構成とし、さらに一般的な半田付け用のランドと同様の接続部５２ＳＡ及び５２ＳＣを設け、一般的なジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃを半田付けすることにより構成することができる。従って信号伝送基板３６は、特殊な材料や特殊な製造工程等を必要とせず、一般的な材料や製造工程を用いて容易に製造することができる。
【０１０７】
以上の構成によれば、信号伝送基板３６は、伝送部３６Ｂにおいて３本の信号線５２Ｓと４本のグランド線５２Ｇとを幅方向に交互に配置した導体層５２をベース層５１及びカバー層５３で挟む。また信号伝送基板３６は、導体層５２の配線パターンにより、ドライバマウント部３６Ａ及びダイオードマウント部３６Ｃそれぞれにおいて４本のグランド線５２Ｇを互いに電気接続する。さらに信号伝送基板３６は、ジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃにより、ドライバマウント部３６Ａ及びダイオードマウント部３６Ｃそれぞれにおいて３本の信号線５２Ｓを互いに電気接続する。これにより信号伝送基板３６は、伝送部３６Ｂにおいて導体層５２を１層のみとし、各信号線５２Ｓと各グランド線５２ＧとのギャップＧ２を約６０［μｍ］としながら、特性インピーダンスを約１９［Ω］程度に低減することができる。
【０１０８】
（２）第２の実施の形態
第２の実施の形態は、第１の実施の形態と比較して、信号伝送基板３６に代えて信号伝送基板６０が設けられている点が異なっているものの、光ディスク装置２０及び光ピックアップ２６における他の部分については同様に構成されている。
【０１０９】
すなわち信号伝送基板６０は、信号伝送基板３６と同様、レーザドライバ３７及びレーザダイオード３８（図９）が装着された状態で光ピックアップ２６に取り付けられ、当該レーザドライバ３７から当該レーザダイオード３８へ駆動信号ＳＤを供給するようになされている。
【０１１０】
（２−１）信号伝送基板の構成
信号伝送基板６０は、図１１と対応する図１５に示すように、大きく分けて、ドライバマウント部３６Ａ、伝送部３６Ｂ及びダイオードマウント部３６Ｃとそれぞれ対応するドライバマウント部６０Ａ、伝送部６０Ｂ及びダイオードマウント部６０Ｃにより構成されている。
【０１１１】
信号伝送基板６０は、ベース層５１、導体層５２及びカバー層５３とそれぞれ対応するベース層６１、第１導体層６２及び第１カバー層６３が積層されている。さらに信号伝送基板６０は、ドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃにおいて、ベース層６１の下面に第２導体層６５及び第２カバー層６６が積層され、その下面に補強板５４Ａ及び５４Ｃとそれぞれ対応する補強板６４Ａ及び補強板６４Ｃが設けられている。
【０１１２】
すなわち信号伝送基板６０は、伝送部６０Ｂにおいて、金属でなる第１導体層６２を１層のみ有しているものの、ドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃにおいて、金属でなる第１導体層６２及び第２導体層６５が２層重ねられている。さらに伝送部６０Ｂは、ドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃと異なり、第２カバー層６５が設けられていない。
【０１１３】
このため信号伝送基板６０は、伝送部に２層以上重なった導体層を有するような他の信号伝送基板と比較して、伝送部６０Ｂにおける曲げ剛性が低減されている。
【０１１４】
図１２と対応する図１６に示すように、ベース層６１及び第１カバー層６３は、いずれも微小なランド用の部分を除きほぼ一様な平面状に構成されている。一方、導体層６２及び第２導体層６５は、配線すべき部分にのみ一様な厚さの銅箔が存することにより、所望の配線パターンを形成するようになされている。
【０１１５】
第１導体層６２は、図１３と対応する図１７に拡大して示すように、導体層５２（図１２（Ｂ））とほぼ同様に構成されており、伝送部６２Ｂにおいて４本のグランド線６２Ｇと３本の信号線６２Ｓとが交互に配置されている。
【０１１６】
グラント線６２Ｇは、伝送部６２Ｂにおいて４本に分岐されると共にドライバマウント部６２Ａ及びダイオードマウント部６２Ｃにおいて互いに電気的に接続されている。また信号線６２Ｓは、伝送部６２Ｂにおいて互いに電気的に独立し、それぞれドライバマウント部６２Ａ及びダイオードマウント部６２Ｃ間を結んでいる。
【０１１７】
さらに第１導体層６２のうち信号線６２Ｓ及びグランド線６２Ｇ以外の部分、すなわち信号線６２Ｓ及びグランド線６２Ｇの間等は、第１カバー層６３の一部が侵入することにより隙間なく充填されている。これにより信号伝送基板６０では、信号線６２Ｓとグランド線６２Ｇとの結合を高めるようになされている。
【０１１８】
また各信号線６２Ｓには、ドライバマウント部６２Ａ内及びダイオードマウント部６２Ｃ内における、信号線５２Ｓの接続部５２ＳＡ及び接続部５２ＳＣ（図１３）とそれぞれ対応する箇所に接続部６２ＳＡ及び接続部６２ＳＣがそれぞれ設けられている。
【０１１９】
一方、第２導体層６５には、図１６（Ｄ）に示したように、第１導体層６２の接続部６２ＳＡ同士を互いに接続するような配線パターンでなる連結線６５Ａ、及び接続部６２ＳＣ同士を互いに接続するような配線パターンでなる連結線６５Ｃが形成されている。
【０１２０】
さらに信号伝送基板６０には、図１５（Ｄ）並びに図１６（Ｂ）〜（Ｄ）に示したように、ダイオードマウント部６０Ｃ内にある３箇所の接続部６２ＳＣに、第１導体層６２、ベース層６１及び第２導体層６５を貫通する３本のスルーホール６７Ｃが設けられている。これにより信号伝送基板６０は、連結線６５Ｃ及び３本のスルーホール６７Ｃにより、ダイオードマウント部６０Ｃ側で３本の信号線６２Ｓを互いに電気接続させている。
【０１２１】
これと同様に信号伝送基板６０は、ドライバマウント部６０Ａ内にある３箇所の接続部６２ＳＡに、３本のスルーホール６７Ｃと同様に第１導体層６２、ベース層６１及び第２導体層６５を貫通する３本のスルーホール６７Ａ（図示せず）が設けられている。これにより信号伝送基板６０は、連結線６５Ａ及び３本のスルーホール６７Ａにより、ドライバマウント部６０Ａ側で３本の信号線６２Ｓを互いに電気接続させている。
【０１２２】
すなわち信号伝送基板６０は、第１の実施の形態における信号伝送基板３６と比較して、ジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃに代わる連結線６５Ａ及び６５Ｃ並びにスルーホール６７Ａ及び６７Ｃにより、信号線６２Ｓ同士を互いに電気接続するようになされている。
【０１２３】
このため信号伝送基板６０は、信号伝送基板３６と同様、レーザドライバ３７からレーザダイオード３８へ駆動信号ＳＤを伝送する際、伝送部６０Ｂにおいて交互に配置された３本の信号線６２Ｓ及び４本のグランド線６２Ｇを介して、当該駆動信号ＳＤを伝送することができる。
【０１２４】
このとき伝送部６０Ｂは、伝送部３６Ｂと同様、信号線６２Ｓ及びグランド線６２Ｇ間のギャップＧ２と特性インピーダンスＺ０との関係として、図１４に示した特性曲線を得ることができる。
【０１２５】
すなわち信号伝送基板６０は、ギャップＧ２を比較的広い６０［μｍ］としながら、一般的なマイクロストリップライン構造の信号伝送基板２（図２）と同様に低い約１９［Ω］の特性インピーダンスＺ０を得ることができる。
【０１２６】
（２−２）動作及び効果
以上の構成において、第２の実施の形態による信号伝送基板６０は、信号伝送基板３６と同様、伝送部６０Ｂにおいてベース層６１及び第１カバー層５３により第１導体層６２を１層のみ挟む構成とし、さらに当該第１導体層６２に３本の信号線６２Ｓと４本のグランド線６２Ｇとを幅方向に交互に配置するようにした。
【０１２７】
また信号伝送基板６０は、信号伝送基板３６と同様、第１導体層６２の配線パターンにより、ドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃそれぞれにおいて４本のグランド線６２Ｇを互いに電気接続するようにした。
【０１２８】
さらに信号伝送基板６０は、第２導体層６５の連結線６５Ａ及び６５Ｃ並びにスルーホール６７Ａ及び６７Ｃにより、ドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃそれぞれにおいて３本の信号線６２Ｓを互いに電気接続するようにした。
【０１２９】
この結果、信号伝送基板６０は、信号伝送基板３６と同様、伝送部６０Ｂにおける導体層６２を１層のみとし、各信号線６２Ｓと各グランド線６２ＧとのギャップＧ２を約６０［μｍ］としながら、特性インピーダンスを約１９［Ω］程度に低減することができる。
【０１３０】
すなわち信号伝送基板６０は、信号伝送基板３６と同様、伝送部６０Ｂの特性インピーダンスＺ０をレーザダイオード３８の微分抵抗に近づけることができるため、比較的高周波でなる駆動信号ＳＤをレーザドライバ３７からレーザダイオード３８へ殆ど劣化させることなく伝送することができる。
【０１３１】
また信号伝送基板６０は、第１の実施の形態における信号伝送基板３６と同様の作用効果を奏し得る。
【０１３２】
さらに信号伝送基板６０は、ドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃにおいて、第２導体層に配線パターンとして連結線６５Ａ及び６５Ｃを形成しスルーホール６７Ａ及び６７Ｃにより信号線６２Ｓと接続する。このため信号伝送基板６０は、第１の実施の形態のようなジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃを別途設けることなく、一般的な２層のフレキシブルプリント基板を製造する工程により容易に製造することができる。
【０１３３】
また信号伝送基板６０は、ドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃのみを２層のフレキシブルプリント基板として構成している。このため信号伝送部６０は、伝送部６０Ｂにおける金属部分を第１導体層６２のみとすることができ、さらに当該伝送部６０Ｂに第２カバー層６５が設けられていないため、信号伝送基板３６の場合と同様に曲げ剛性を比較的弱くすることができる。
【０１３４】
以上の構成によれば、第２の実施の形態による信号伝送基板６０は、伝送部６０Ｂにおいて３本の信号線６２Ｓと４本のグランド線６２Ｇとを幅方向に交互に配置した第１導体層６２をベース層６１及び第１カバー層６３で挟んだ。また信号伝送基板６０は、第１導体層６２の配線パターンによりドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃそれぞれにおいて４本のグランド線６２Ｇを互いに電気接続した。さらに信号伝送基板６０は、第２導体層６５の連結線６５Ａ及び６５Ｃ並びにスルーホール６７Ａ及び６７Ｃによりドライバマウント部６０Ａ及びダイオードマウント部６０Ｃそれぞれにおいて３本の信号線６２Ｓを互いに電気接続した。これにより信号伝送基板６０は、伝送部６０Ｂにおいて第１導体層６２を１層のみとし、各信号線６２Ｓと各グランド線６２ＧとのギャップＧ２を約６０［μｍ］としながら、特性インピーダンスを約１９［Ω］程度に低減することができる。
【０１３５】
（３）第３の実施の形態
第３の実施の形態は、第１の実施の形態と比較して、信号伝送基板３６に代えて信号伝送基板７０が設けられている点が異なっているものの、光ディスク装置２０及び光ピックアップ２６における他の部分については同様に構成されている。
【０１３６】
すなわち信号伝送基板７０は、信号伝送基板３６と同様、レーザドライバ３７及びレーザダイオード３８（図９）が装着された状態で光ピックアップ２６に取り付けられ、当該レーザドライバ３７から当該レーザダイオード３８へ駆動信号ＳＤを供給するようになされている。
【０１３７】
（３−１）信号伝送基板の構成
信号伝送基板７０は、図１１（Ａ）及び（Ｂ）と対応する図１８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、大きく分けて、ドライバマウント部３６Ａ、伝送部３６Ｂ及びダイオードマウント部３６Ｃとそれぞれ対応するドライバマウント部７１、伝送部７２及びダイオードマウント部７３により構成されている。
【０１３８】
この信号伝送基板７０は、図１９に示すように、予めドライバマウント部７１、伝送部７２及びダイオードマウント部７３がそれぞれ別個に構成されている。また信号伝送基板７０は、ドライバマウント部７１と伝送部７２の端部とが接続されると共に、伝送部７２の端部とダイオードマウント部７３とが接続されることにより、一体に構成されるようになされている。
【０１３９】
さらに伝送部７２は、大きく分けてドライバマウント部７１側の端部であるドライバ側端部７２Ａ、ダイオードマウント部７３側の端部であるダイオード側端部７２Ｃ及び中央部７２Ｂにより構成されている。
【０１４０】
ドライバマウント部７１、伝送部７２及びダイオードマウント部７３は、それぞれ信号伝送基板３６と同様に、導体層を１層のみ有するフレキシブルプリント基板として構成されている。
【０１４１】
伝送部７２は、図１８（Ｂ）に示したように、信号伝送基板３６のベース層５１、導体層５２及びカバー層５３とそれぞれ対応するベース層９１、導体層９２及びカバー層９３が積層されている。
【０１４２】
導体層９２は、図２０（Ｂ）に示すように、導体層５２と同様、中央部９２Ｂにおいて、幅方向に３本の信号線９２Ｓと４本のグランド線９２Ｇとが交互に配置されている。各グランド線９２Ｇは、ドライバ側端部９２Ａ及びダイオード側端部９２Ｃそれぞれにおいて、幅方向に延長された長方形板状の接続部９２ＧＡ及び９２ＧＣにより互いに電気的に接続されている。
【０１４３】
さらに導体層９２のうち信号線９２Ｓ及びグランド線９２Ｇ以外の部分、すなわち信号線９２Ｓ及びグランド線９２Ｇの間等は、カバー層９３の一部が侵入することにより隙間なく充填されており、これにより信号線９２Ｓとグランド線９２Ｇとの結合を高めるようになされている。
【０１４４】
カバー層９３は、図２０（Ａ）に示すように、接続部９２ＧＡ及び９２ＧＣと対応する箇所に孔部９３Ｈがそれぞれ設けられている。
【０１４５】
また各信号線９２Ｓの両端には、ある程度の面積を有する接続部９２ＳＡ及び９２ＳＣがそれぞれ形成されている。これに対応してベース層９１は、図２０（Ｃ）に示すように、各接続部９２ＳＡ及び９２ＳＣとそれぞれ対応する箇所に孔部９１Ｈが設けられている。
【０１４６】
すなわち伝送部７２は、ドライバ側端部７２Ａ及びダイオード側端部７２Ｃにおいて、カバー層９３が設けられている上面側にグランド線９２Ｇの接続部９２ＧＡ及び９２ＧＣを露出させると共に、ベース層９１が設けられている下面側に信号線９２Ｓの接続部９２ＳＡ及び９２ＳＣを露出させるようになされている。
【０１４７】
ダイオードマウント部７３は、図１８（Ｂ）に示したように、信号伝送基板３６のベース層５１、導体層５２、カバー層５３及び補強板５４Ｃとそれぞれ対応するベース層１０１、導体層１０２、カバー層１０３及び補強板１０４が積層されている。
【０１４８】
導体層１０２は、図２１（Ｂ）に示すように、信号用パターン１０２Ｓ及びグランド用パターン１０２Ｇの組み合わせにより構成されている。
【０１４９】
信号用パターン１０２Ｓには、伝送部７２の接続部９２ＳＣと対応する形状でなる接続部１０２ＳＣが設けられており、またグランド用パターン１０２Ｇには、伝送部７２の接続部９２ＧＣと対応する形状でなる接続部１０２ＧＣが設けられている。
【０１５０】
カバー層１０３は、図２１（Ａ）に示すように、接続部１０２ＳＣ及び１０２ＧＣと対応する箇所に孔部１０３Ｈがそれぞれ設けられている。一方、ベース層１０１は、図２１（Ｃ）に示すように、一様に形成されている。
【０１５１】
ここで、伝送部７２及びダイオードマウント部７３の一部における断面図を図２２（Ａ）及び（Ｂ）に示す。
【０１５２】
因みに伝送部７２のドライバ側端部７２Ａ及びドライバマウント部７１については、それぞれ伝送部７２のダイオード側端部７２Ｃ及びダイオードマウント部７３とほぼ同様に構成されているため、その説明は省略する。
【０１５３】
かかる構成のドライバマウント部７１、伝送部７２及びダイオードマウント部７３は、図１８に示したように、信号伝送基板７０の組み立て工程等においてリフローや半田付け、銀ペースト接着等により互いに接続される。
【０１５４】
このとき信号伝送基板７０は、図２２（Ａ）及び（Ｂ）とそれぞれ対応する図２２（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、伝送部７２の信号線９２Ｓとダイオードマウント部７３の信号用パターン１０２Ｓとを対向させた状態で、両者がカバー層９３越しに加熱された半田ＳＬにより電気的に接続される。すなわち３本の信号線９２Ｓは、いずれも信号用パターン１０２Ｓと接続されることにより、互いに電気接続されることになる。
【０１５５】
また信号伝送基板７０は、グランド線９２Ｇとグランド用パターン１０２Ｇとが上面から見て近接した状態で、両者が半田ＳＬにより電気的に接続される。このとき信号伝送基板７０では、ベース層９１及びカバー層１０３がいずれも絶縁材として機能するため、信号線９２Ｓ及びグラント線９２Ｇを導通させることはない。
【０１５６】
このように信号伝送基板７０は、伝送部７２のダイオード側端部７２Ｃ及びダイオードマウント部７３を接続する際、信号用パターン１０２Ｓを第１の実施の形態におけるジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃ並びに第２の実施の形態における連結線６５Ａ及び６５Ｃと同様に、信号線９２Ｓ同士の接続部材としても利用するようになされている。
【０１５７】
因みに伝送部７２のドライバ側端部７２Ａ及びドライバマウント部７１についても、同様に接続されている。
【０１５８】
かくして信号伝送基板７０は、信号伝送基板３６と同様、レーザドライバ３７からレーザダイオード３８へ駆動信号ＳＤを伝送する際、伝送部７２において交互に配置された３本の信号線９２Ｓ及び４本のグランド線９２Ｇを介して、当該駆動信号ＳＤを伝送することができる。
【０１５９】
このとき伝送部７２は、伝送部３６Ｂと同様、信号線９２Ｓ及びグランド線９２Ｇ間のギャップＧ２と特性インピーダンスＺ０との関係として、図１４に示した特性曲線を得ることができる。
【０１６０】
すなわち信号伝送基板７０は、ギャップＧ２を比較的広い６０［μｍ］としながら、一般的なマイクロストリップライン構造の信号伝送基板２（図２）と同様に低い約１９［Ω］の特性インピーダンスＺ０を得ることができる。
【０１６１】
（３−２）動作及び効果
以上の構成において、第３の実施の形態による信号伝送基板７０は、第１の実施の形態における信号伝送基板３６と同様、伝送部７２においてベース層９１及びカバー層９３により導体層９２を１層のみ挟む構成とし、さらに当該導体層９２の中央部９２Ｂに３本の信号線９２Ｓと４本のグランド線９２Ｇとを幅方向に交互に配置するようにした。
【０１６２】
また信号伝送基板７０は、信号伝送基板３６と同様、導体層９２の配線パターンにより、ドライバ側端部９２Ａ及びダイオード側端部９２Ｃそれぞれにおいて４本のグランド線９２Ｇを互いに電気接続するようにした。
【０１６３】
さらに信号伝送基板７０は、伝送部７２のベース層９１に設けた孔部９１Ｈ及びダイオードマウント部７３のカバー層１０３に設けた孔部１０３Ｈを介し、３本の信号線９２Ｓと信号用パターン１０２Ｓとを半田ＳＬにより電気接続した。また信号伝送基板７０は、伝送部７２のカバー層９３に設けた孔部９３Ｈ及びダイオードマウント部７３のカバー層１０３に設けた孔部１０３Ｈを介し、グランド線９２Ｇとグランド用パターン１０２Ｇとを半田ＳＬにより電気接続した。
【０１６４】
この結果、信号伝送基板７０は、信号伝送基板３６と同様、伝送部７２における導体層９２を１層のみとし、各信号線９２Ｓと各グランド線９２ＧとのギャップＧ２を約６０［μｍ］としながら、特性インピーダンスを約１９［Ω］程度に低減することができる。
【０１６５】
すなわち信号伝送基板７０は、信号伝送基板３６と同様、伝送部７２の特性インピーダンスＺ０をレーザダイオード３８の微分抵抗に近づけることができるため、比較的高周波でなる駆動信号ＳＤをレーザドライバ３７からレーザダイオード３８へ殆ど劣化させることなく伝送することができる。
【０１６６】
また信号伝送基板７０は、第１の実施の形態における信号伝送基板３６と同様の作用効果を奏し得る。
【０１６７】
さらに信号伝送基板７０は、配線パターン及び半田付け箇所の配置を工夫したこと等により、ドライバマウント部７１、伝送部７２及びダイオードマウント部７３のいずれをもいわゆる単層のフレキシブルプリント基板により容易に構成することができる。
【０１６８】
以上の構成によれば、第３の実施の形態による信号伝送基板７０は、伝送部７２において３本の信号線９２Ｓと４本のグランド線９２Ｇとを中央部９２Ｂの幅方向に交互に配置した導体層９２をベース層９１及びカバー層９３で挟んだ。また信号伝送基板７０は、当該導体層９２の配線パターンによりドライバ側端部７２Ａ及びダイオード側端部７２Ｃそれぞれにおいて４本のグランド線９２Ｇを互いに電気接続した。さらに信号伝送基板７０は、３本の信号線９２Ｓと信号用パターン１０２Ｓとを半田ＳＬにより電気接続し、グランド線９２Ｇとグランド用パターン１０２Ｇとを半田ＳＬにより電気接続した。これにより信号伝送基板７０は、伝送部７２において導体層９２を１層のみとし、各信号線９２Ｓと各グランド線９２ＧとのギャップＧ２を約６０［μｍ］としながら、特性インピーダンスを約１９［Ω］程度に低減することができる。
【０１６９】
（４）第４の実施の形態
第４の実施の形態は、第１の実施の形態と比較して、信号伝送基板３６に代えて信号伝送基板１２０が設けられている点が異なっているものの、光ディスク装置２０及び光ピックアップ２６における他の部分については同様に構成されている。
【０１７０】
すなわち信号伝送基板１２０は、信号伝送基板３６と同様、レーザドライバ３７及びレーザダイオード３８（図９）が装着された状態で光ピックアップ２６に取り付けられ、当該レーザドライバ３７から当該レーザダイオード３８へ駆動信号ＳＤを供給するようになされている。
【０１７１】
（４−１）信号伝送基板の構成
信号伝送基板１２０は、図１１（Ａ）及び（Ｃ）とそれぞれ対応する図２３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、図２に示したマイクロストリップライン構造と類似した構成を有している。
【０１７２】
この信号伝送基板１２０は、大きく分けて、信号伝送基板３６（図１１）のドライバマウント部３６Ａ、伝送部３６Ｂ及びダイオードマウント部３６Ｃとそれぞれ対応するドライバマウント部１２０Ａ、伝送部１２０Ｂ及びダイオードマウント部１２０Ｃにより構成されている。
【０１７３】
信号伝送基板１２０は、いわゆるフレキシブルプリント基板として構成されており、伝送部１２０Ｂにおける断面図を図２３（Ｂ）に示すように、中心となるベース層１３１の上面に信号線としての第１導体層１３２が設けられ、さらにその上面に第１接着層１３３を介して第１カバー層１３４が貼り付けられている。
【０１７４】
またベース層１３１の下面には、グランド線としての第２導体層１３５が設けられ、さらにその下面に第２接着層１３６を介して第２カバー層１３７が貼り付けられている。
【０１７５】
ベース層１３１は厚さ約２５［μｍ］のポリイミド樹脂でなり、第１導体層１３２及び第２導体層１３５はいずれも厚さ約１８［μｍ］の銅箔でなる。また第１カバー層１３４及び第２カバー層１３７はいずれも厚さ約１２．５［μｍ］のポリイミド樹脂でなり、第１接着層１３３及び第２接着層１３６は、いずれも所定の接着剤が厚さ約２０［μｍ］となるよう充填されている。
【０１７６】
因みに第１接着層１３３及び第２接着層１３６は、予めそれぞれ第１カバー層１３４の下面及び第２カバー層１３７の上面にそれぞれ所定の接着剤が塗布されることにより形成されても良い。この場合、第１カバー層１３４は、ベース層１３１との間に第１導体層１３２を挟むよう、当該ベース層１３１及び当該第１導体層１３２に接着される。同様に第２カバー層１３７は、ベース層１３１との間に第２導体層１３５を挟むよう、当該ベース層１３１及び当該第２導体層１３５にそれぞれ接着される。
【０１７７】
この伝送部１２０Ｂは、上述した信号伝送基板２（図２）と同様の電気特性を有するため、特性インピーダンスＺ０を約２０［Ω］という比較的低い値に設定することができる。
【０１７８】
ここで第１導体層１３２の幅Ｗ３は、一般的なマイクロストリップライン構造の信号伝送基板と同様、第２導体層１３５の幅Ｗ４よりも狭くなるよう構成されている。
【０１７９】
また第１カバー層１３４及び第１接着層１３３の幅Ｗ４は、第１導体層１３２の幅Ｗ３よりも若干広くなるようになされている。これと同様に第２カバー層１３７及び第２接着層１３６の幅Ｗ６は、第２導体層１３５の幅Ｗ４よりも若干広くなるようになされると共に、ベース層１３１の全体幅と一致するようになされている。
【０１８０】
すなわち伝送部１２０Ｂは、ベース層１３１の上面に、幅Ｗ６よりも格段に狭い幅Ｗ４の範囲にのみ第１カバー層１３４及び第１接着層１３３が設けられており、その他の部分（以下これを側部ＥＧと呼ぶ）ではベース層１３１を露出させるようになされている。
【０１８１】
（４−２）動作及び効果
以上の構成において、第４の実施の形態による信号伝送基板１２０は、伝送部１２０Ｂにおいて、第１カバー層１３４及び第１接着層１３３の幅Ｗ５を第２カバー層１３７及び第２接着層１３６並びにベース層１３１の幅Ｗ６よりも大幅に狭め、側部ＥＧにおいてベース層１３１を露出させるようにした。
【０１８２】
これにより信号伝送基板１２０は、伝送部１２０Ｂにおいて、一般的なマイクロストリップライン構造の信号伝送基板（図２）と比較して、第１カバー層１３４及び第１接着層１３３の断面積を大幅に削減することができるため、曲げ剛性を弱くすることができる。
【０１８３】
また信号伝送基板１２０は、電気的にはマイクロストリップライン構造であるため、信号伝送基板２（図２）と同様に、特性インピーダンスＺ０を約２０［Ω］という比較的低い値に設定することができる。
【０１８４】
以上の構成によれば、第４の実施の形態による信号伝送基板１２０は、伝送部１２０Ｂにおいて、第１カバー層１３４及び第１接着層１３３の幅Ｗ５を第２カバー層１３７及び第２接着層１３６並びにベース層１３１の幅Ｗ６よりも大幅に狭めた。これにより信号伝送基板１２０は、伝送部１２０Ｂにおける特性インピーダンスＺ０を約２０［Ω］程度に抑えながら、曲げ剛性を格段に低下させることができる。
【０１８５】
（５）他の実施の形態
なお上述した第１の実施の形態においては、伝送部３６Ｂにおける導体層５２の厚さを約１８［μｍ］、幅Ｗ２を約３００［μｍ］とし、各信号線６２Ｓと各グランド線６２ＧとのギャップＧ２を約６０［μｍ］とするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、導体層５２の厚さ及び幅Ｗ２を任意の値としても良い。この場合、所望の特性インピーダンスＺ０を得られるときのギャップＧ２が、フレキシブルプリント基板として伝送部３６Ｂを製造し得る範囲内であれば良い。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１８６】
また伝送部３６Ｂの特性インピーダンスＺ０については、レーザダイオード３８の微分抵抗に合わせて設定すれば良い。
【０１８７】
さらに上述した第１の実施の形態においては、ギャップＧ２に相当する部分、すなわち信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇの間等をカバー層５３の一部により隙間なく充填するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、ベース層５１の一部を充填させるようにし、またはベース層５１及びカバー層５３を組み合わせて充填するようにし、さらには他の誘電体を充填するようにしても良い。
【０１８８】
あるいは、信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇの間に誘電体を充填しないようにしても良い。この場合、誘電体を充填する場合よりも低下するもののある程度の効果を期待できる。
【０１８９】
さらに上述した第１の実施の形態においては、伝送部３６Ｂに信号線５２Ｓを３本、グランド線５２Ｇを４本設けるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、２以上の任意数の信号線５２Ｓと、２以上のグランド線５２Ｇとを幅方向に交互に配置するようにしても良い。この場合、伝送部３６Ｂの幅や供給する駆動信号ＳＤの電流値等に応じて適宜定めれば良い。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１９０】
さらに上述した第１の実施の形態においては、伝送部３６Ｂにおける信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇの幅Ｗ２をいずれも約３００［μｍ］に揃えるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば信号線５２Ｓの幅とグランド線５２Ｇの幅とを相違させるようにしても良い。また複数のギャップＧ２に関し、その幅を全て６０［μｍ］とする以外にも、互いに相違させるようにしても良い。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０１９１】
さらに上述した第１の実施の形態においては、伝送部３６Ｂを直線状に構成し信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇもそれぞれ直線状とするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、信号伝送基板３６の取付箇所の形状等に合わせて、信号線５２Ｓ及びグランド線５２Ｇを平面内で矩形状に折り曲げる等しても良い。この場合、ギャップＧ２をほぼ一定に保つことが望ましい。
【０１９２】
さらに上述した第１の実施の形態においては、導体層５２を銅箔により構成し、ベース層５１及びカバー層５３をいずれもポリイミド樹脂により構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。すなわち、導体層５２を他の種々の導電性材料により構成し、ベース層５１及びカバー層５３を他の種々の絶縁性材料により構成するようにしても良い。この場合、導体層５２については、例えば電気抵抗率が低いと共に硬度が低いことが望ましく、またベース層５１及びカバー層５３については、絶縁性が高いと共に可撓性を有していることが望ましい。
【０１９３】
さらに上述した第１の実施の形態においては、信号伝送基板３６のドライバマウント部３６Ａ、伝送部３６Ｂ及びダイオードマウント部３６Ｃを当初より一体に構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、伝送部３６Ｂとダイオードマウント部３６Ｃとを別個に製造し、その後両者を接続することにより一体化するようにしても良い。
【０１９４】
すなわち図２４（Ａ）に示すように、例えば伝送部３６Ｂの端部及びダイオードマウント部３６Ｃのそれぞれにおいて、各信号線５２Ｓ及び各グランド線５２Ｇをそれぞれ露出させるようにして別個に製造し、半田付け等により両者の対応する配線パターン同士を接続すれば良い。これにより、第１の実施の形態と同様の作用効果を奏し得る。また図２４（Ｂ）に示すように、第２の実施の形態についても、例えば伝送部６０Ｂとダイオードマウント部６０Ｃとを別個に製造し、両者を接続することにより一体化するようにしても良い。
【０１９５】
さらに上述した第１の実施の形態においては、導体層５２の配線パターンによりグランド線５２Ｇ同士を接続し、ジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃにより信号線５２Ｓ同士を接続するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、導体層５２の配線パターンにより信号線５２Ｓ同士を接続し、ジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃによりグランド線５２Ｇ同士を接続するようにしても良い。この場合、導体層５２の配線パターンとしては、例えば図１３と対応する図２５のように構成することができる。
【０１９６】
あるいは、伝送部の一端と他端側とで相違する構成であっても良い。例えば、ドライバマウント部５２Ａでは導体層５２の配線パターンによりグランド線５２Ｇ同士を接続すると共にジャンパ線５５Ａにより信号線５２Ｓ同士を接続する。他方、ダイオードマウント部５２Ｃでは導体層５２の配線パターンにより信号線５２Ｓ同士を接続すると共にジャンパ線５５Ｃによりグランド線５２Ｇ同士を接続しても良い。
【０１９７】
第２の実施の形態についても同様に、例えば第１導体層６２の配線パターンにより信号線６２Ｓ同士を接続し、第２導体層６５の連結線６５Ａ及び６５Ｃ並びにスルーホール６７Ａ及び６７Ｃによりグランド線６２Ｇ同士を接続するようにしても良い。
【０１９８】
この場合も、伝送部の一端と他端側とで相違する構成であっても良い。例えば、ドライバマウント部６２Ａでは第１導体層６２の配線パターンによりグランド線６２Ｇ同士を接続すると共に連結線６５Ａ及びスルーホール６７Ａにより信号線５２Ｓ同士を接続する。他方、ダイオードマウント部６２Ｃでは第１導体層６２の配線パターンにより信号線６２Ｓ同士を接続すると共に連結線６５Ｃ及びスルーホール６７Ｃによりグランド線６２Ｇ同士を接続しても良い。
【０１９９】
さらに上述した第１の実施の形態においては、信号伝送基板３６によりレーザドライバ３７からレーザダイオード３８へ駆動信号ＳＤを供給するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、信号伝送基板により他の種々の信号を伝送するようにしても良い。この場合、送信側の出力インピーダンスや受信側の入力インピーダンスに応じて伝送路の特性インピーダンスを定め、これを基にギャップＧ２を定めれば良い。
【０２００】
また、グランド線は必ずしも接地されている必要はなく、信号線に対する電位の基準となるものであればよい。さらには、信号線及びグランド線のいずれも基準電位にない場合においても、複数の信号線を流れる電流が複数のグランド線を通って回帰する構成となっていれば、同様の効果を得ることができる。第２及び第３の実施の形態についても同様である。
【０２０１】
さらに上述した第２の実施の形態においては、第１導体層６２の及び第２導体層６５の間をスルーホール６７Ａ及び６７Ｃにより接続するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、第１導体層６２の及び第２導体層６５の間をビアにより接続する等、両層の間を種々の接続手段により接続するようにしても良い。
【０２０２】
さらに上述した第３の実施の形態においては、ドライバマウント部７１及びダイオードマウント部７３をフレキシブルプリント基板として構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、ガラスエポキシ樹脂でなる基板等の種々の基板であっても良い。この場合、少なくとも信号用パターン１０２Ｓ及びグランド用パターン１０２Ｇに相当する配線パターンが形成されていれば良い。上述した図２４（Ａ）及び（Ｂ）の場合も同様である。
【０２０３】
さらに上述した第３の実施の形態においては、ベース層９１の孔部９１Ｈにより信号線９２Ｓを露出させダイオードマウント部７３上の信号用パターン１０２Ｓと電気的に接続した。これと共に、カバー層９３の孔部９３Ｈによりグランド線９２Ｇを露出させダイオードマウント部７３上のグランド用パターン１０２Ｇと電気的に接続するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、ベース層９１の孔部９１Ｈによりグランド線９２Ｇを露出させダイオードマウント部７３上のグランド用パターンと電気的に接続する。これと共に、カバー層９３の孔部９３Ｈにより信号線９２Ｓを露出させダイオードマウント部７３上の信号用パターンと電気的に接続する等しても良い。
【０２０４】
さらに上述した第３の実施の形態においては、リフローや半田付け、銀ペースト接着等によりドライバマウント部７１、伝送部７２及びダイオードマウント部７３を互いに電気的に接続するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、導電性ペーストや異方性導電フィルム等の種々の材料を用いて電気的に接続するようにしても良い。
【０２０５】
さらに上述した第４の実施の形態においては、第１接着層１３３を設けるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らない。例えば、第１カバー層１３４をベース層１３１及び導体層１３２に直接接着し得るような場合に、第１接着層１３３を省略するようにしても良い。第２接着層１３６についても同様である。
【０２０６】
さらに上述した実施の形態においては、ベース層としてのベース層５１と、導体層としての導体層５２と、カバー層としてのカバー層５３と、第１導線導通部としてのジャンパ線５５Ａ及び５５Ｃ並びに半田ＳＬと、第２導線導通部としてのドライバマウント部５２Ａ及びダイオードマウント部５２Ｃとによって信号伝送基板としての信号伝送基板３６を構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らない。すなわち、その他種々の構成でなるベース層と、導体層と、カバー層と、第１導線導通部と、第２導線導通部とによって信号伝送基板を構成するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【０２０７】
本発明は、種々の電子機器において高周波数体域の信号を伝送する種々の信号伝送基板でも利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１】レーザダイオードへの駆動信号を示す略線図である。
【図２】マイクロストリップライン構造による信号伝送基板の構成を示す略線図である。
【図３】分布定数回路の構成を示す略線図である。
【図４】マイクロストリップライン構造の信号伝送基板における信号線幅と特性インピーダンスとの関係を示す略線図である。
【図５】コプレーナ構造による信号伝送基板の構成を示す略線図である。
【図６】コプレーナ構造の信号伝送基板におけるギャップと特性インピーダンスとの関係を示す略線図である。
【図７】光ディスク装置の全体構成を示す略線図である。
【図８】光ピックアップの外観構成を示す略線的斜視図である。
【図９】光ピックアップの構成を示す略線図である。
【図１０】レーザ駆動部の構成を示す略線図である。
【図１１】第１の実施の形態による信号伝送基板の構成（１）を示す略線図である。
【図１２】第１の実施の形態による信号伝送基板の構成（２）を示す略線図である。
【図１３】導体層の構成を示す略線図である。
【図１４】本発明による伝送部の特性インピーダンスを示す略線図である。
【図１５】第２の実施の形態による信号伝送基板の構成（１）を示す略線図である。
【図１６】第２の実施の形態による信号伝送基板の構成（２）を示す略線図である。
【図１７】第１導体層の構成を示す略線図である。
【図１８】第３の実施の形態による信号伝送基板の構成（１）を示す略線図である。
【図１９】第３の実施の形態による信号伝送基板の構成（２）を示す略線図である。
【図２０】第３の実施の形態による信号伝送基板の構成（３）を示す略線図である。
【図２１】第３の実施の形態による信号伝送基板の構成（４）を示す略線図である。
【図２２】第３の実施の形態による信号伝送基板の構成（５）を示す略線図である。
【図２３】第４の実施の形態による信号伝送基板の構成を示す略線図である。
【図２４】他の実施の形態による信号伝送基板の構成（１）を示す略線図である。
【図２５】他の実施の形態による信号伝送基板の構成（２）を示す略線図である。
【符号の説明】
【０２０９】
１、１０、３５……レーザ駆動部、４、３６、６０、７０、１２０……信号伝送基板、３、３７……レーザドライバ、４、３８……レーザダイオード、５、１５、５１、６１、８１、９１、１０１、１３１……ベース層、６、１６、５２Ｓ、６２Ｓ、９２Ｓ……信号線、７、１７、１８、５２Ｇ、６２Ｇ、９２Ｇ……グランド線、２０……光ディスク装置、２６……光ピックアップ、３６Ａ、５２Ａ、６０Ａ、６２Ａ、７１、１２１Ａ……ドライバマウント部、３６Ｂ、５２Ｂ、６０Ｂ、６２Ｂ、７２、１２２……伝送部、３６Ｃ、５２Ｃ、６０Ｃ、６２Ｃ、７３、１２３……ダイオードマウント部、５２、８２、９２、１０２、……導体層、５２ＳＡ、５２ＳＣ、９２ＳＡ、９２ＳＣ……接続部、５３、８３、９３、１０３……カバー層、５３Ｈ、９１Ｈ、９３Ｈ、１０３Ｈ……孔部、５４Ａ、５４Ｃ……補強板、６２、１３２……第１導体層、６３、１３４……第１カバー層、６５、１３５……第２導体層、６５Ａ、６５Ｃ……連結線、６７Ａ、６７Ｃ……スルーホール、１３３……第１接着層、１３６……第２接着層、１３７……第２カバー層、ＳＬ……半田。
【図１】
2009176395.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2009176395.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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