(57)【要約】【課題】高周波用トランスやリアクトル、インダクタ等に好適な、高い透磁率と良好な周波数特性をもつ圧粉磁心を形成する。【解決手段】平均粒子径が１〜１０μｍの軟磁性金属粒子と、平均粒子径が５〜１００ｎｍのナノ金属磁性粒子を混合してなる複合磁性粒子を圧粉成型することを特徴とする圧粉磁心の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒子径が１〜１０μｍの軟磁性金属粒子と、平均粒子径が５〜１００ｎｍのナノ金属磁性粒子を混合してなる複合磁性粒子を圧粉成型することを特徴とする圧粉磁心の製造方法。
【請求項２】
前記ナノ金属磁性粒子の配合量が、前記軟磁性金属粒子の１〜１０ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の圧粉磁心の製造方法。
【請求項３】
前記軟磁性金属粒子が、その表面を絶縁性酸化物非磁性被膜で覆われてなるものであることを特徴とする請求項１または２記載の圧粉磁心の製造方法。
【請求項４】
圧粉成型時のプレス圧力が５８８〜１１７７ＭＰａ（６〜１２ｔｏｎ／ｃｍ2）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧粉磁心の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧粉磁心の製造方法により製造されてなる圧粉磁心。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング電源などに搭載されるトランスやリアクトルなどの磁気部品に用いる圧粉磁心及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器は小型・軽量化されてきており、なおかつ、低消費電力化が求められている。これに伴い、電子機器に搭載される電源として高効率かつ小型のスイッチング電源に対する要求が高まっている。特にノート型パソコンや携帯電話等の小型情報機器、薄型ＣＲＴ、テレビのフラットパネルディスプレイ等に用いられるスイッチング電源では、小型・薄型化が強く求められている。
【０００３】
従来のスイッチング電源では、その主要な構成部品であるトランスやリアクトルなどの磁気部品が大きな体積を占めており、スイッチング電源を小型・薄型化するためには、これら磁気部品の体積を縮小することが必要不可欠となっていた。
【０００４】
従来、このようなスイッチング電源に使用されているトランス又はリアクトルなどの磁気部品の磁心材料としては、センダストやパーマロイなどの金属磁性材料や、フェライトなどの酸化物磁性材料が使用されていた。
【０００５】
金属磁性材料は、一般に高い飽和磁束密度と透磁率を有する。しかしながら、金属磁性材料は電気抵抗率が低いため、特に高周波数領域では渦電流損失が大きくなってしまう。スイッチング電源では、近年、電源回路を高周波駆動して必要なインダクタンス値を下げることにより、高効率化および小型化する傾向にあるが、上記の渦電流損失の影響から金属磁性材料を高周波で使用することは困難である。
【０００６】
一方、フェライトに代表される酸化物磁性材料は、金属磁性材料に比べ電気抵抗率が高いため、高周波数領域でも発生する過電流損失が小さい。しかしながら、トランスやリアクトルを小型化した場合、コイルに流す電流は同じでも磁心にかかる磁場は強くなってしまう。
【０００７】
一般に、飽和磁束密度は金属磁性材料に比べて小さく、スイッチング電源の磁気部品として使用した場合、上記の理由によりその小型化には限界がある。
【０００８】
すなわち、上記のいずれの材料を用いても、スイッチング電源の磁気部品に対して要求される課題である、高周波駆動と小型化の双方を満足させることは困難となっていた。
【０００９】
上述の金属磁性材料や酸化物磁性材料に見られるように、トレードオフの関係にある透磁率と抵抗率の関係を改善するため、様々な検討がなされており、軟磁性金属粒子の表面に、電気抵抗率の高い酸化物磁性体材料や酸化物材料の被膜および粒子を被覆した粒子を用いた圧粉磁心や、金属磁性粉末と電気絶縁性が高いバインダーとの混合物からなる圧粉磁心が提案されている。
【００１０】
例えば、１〜１０μｍの粒子からなる金属磁性材料の表面をＭ−ＦｅxＯ4（但しＭ＝Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、ｘ≦２）で表されるスピネル組成の金属酸化物磁性材で被覆してなる高密度焼結磁性体を用いる圧粉磁心の製造方法が提案されている。(例えば、特許文献１参照。)  
また、スイッチング電源回路に必要な直流重畳特性に優れた圧粉磁心の製造方法や、圧粉磁心における磁性粒子が最密充填されるように粒径分布を変えた磁性粒子を用いた圧粉磁心の製造方法などが提案されている。  
これらの手法による圧粉磁心は、非磁性絶縁膜の効果により電気抵抗率が上昇することで渦電流を抑制できる、つまりＭＨｚ帯域などの高周波でも使用することができるものである。
【００１１】
すなわち、表面に超音波励起フェライトめっきによって形成されたフェライト層の被覆を有する金属または金属間化合物の強磁性体微粒子粉末が圧縮成形され、前記フェライト層を介して前記強磁性体粒子問に磁路を形成するものであることを特徴とする複合磁性材料の提案がある(例えば、特許文献２参照。）。
【００１２】
また、高密度で、かつ、比抵抗が高い軟磁性成形体を得る方法として、軟磁性の金属粒子と、その表面に被覆された高抵抗物質と、該高抵抗物質の表面に被覆されたリン酸系化成処理皮膜よりなることを特徴とする軟磁性粒子が提案されている(例えば、特許文献３参照。)。
【００１３】
また、表面が無機絶縁層で覆われた軟磁性粉末を用いて形成された圧粉磁心の提案もある(例えば、特許文献４、５参照。)。
【００１４】
また、粒径分布の異なる２種のフェライト被覆軟磁性金属粒子に１００ｎｍ以下の二酸化ケイ素粉末を混合してなる混合粉末を用いることで圧粉磁心における磁性粒子の充填率を向上させる提案もある（例えば特許文献６参照。）。
【００１５】
さらに、フェライト被覆金属磁性粒子を成形して得られた磁気部材であって、フェライト被覆金属磁性粒子相互の空隙にフェライト超微粒子を充填して充填率を高めることにより、高周波帯域においても優れた透磁率と飽和磁化強度とを有する低損失の磁気部材及びその製造方法に関する提案もある(例えば、特許文献７参照。)
【００１６】
また、フェライト被覆金属磁性粒子とより小さい粒径の金属磁性粒子の混合粉末の圧粉成型において、フェライト被覆金属磁性粒子が充填されてできた隙間をより小さい粒径の金属磁性粒子で順次埋めていくことにより粒子の充填率を高め、透磁率を向上させる提案もある(例えば、特許文献８参照。)。
【００１７】
また、表面に被覆層を形成した金属磁性粒子の周囲にフェライト材を配置し、加圧成型、焼結することにより、低飽和磁束密度と透磁率の低下という問題を同時に解決しようとする提案もある（例えば、特許文献９参照。）。
【００１８】
【特許文献１】特開昭５６−３８４０２号公報
【特許文献２】国際公開第０３／０１５１０９号パンフレット
【特許文献３】特開２００１−８５２１１号公報
【特許文献４】特開２００１−３０７９１４号公報
【特許文献５】特開２００３−３３２１１６号公報
【特許文献６】特開２００３−３０６７０３号公報
【特許文献７】特開２００５−１４２５１４号公報
【特許文献８】特開２００５−１６７０９７号公報
【特許文献９】特開２００５−２４３７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
上記特許文献１〜５に記載された圧粉磁心はいずれも、磁性粒子が占める体積割合、つまり充填率が上がらないという点である。通常、圧粉磁心はプレス成型を実施することで、構造体を形成するが、量産でき得るプレス圧力である１１７７ＭＰａ（１２ｔｏｎ／ｃｍ2）の圧力では、充填率は９０％程度までしか得られない。プレス圧力を増加させ、例えば１９６１ＭＰａ（２０ｔｏｎ／ｃｍ2）などでプレスすれば、９５〜９６％程度まで充填率は向上するものの、現行ではプレス装置の大型化や金型の耐久性の問題があり、量産性に欠けるという問題がある。
【００２０】
充填率が９０％程度までしか上がらないと、磁性体の透磁率も３０〜６０程度までしかあがらない。このため、従来技術では、高温での熱処理などをすることで、粒子問で相互拡散をさせて、透磁率を増加させている。ただし、粒子間の相互拡散をすると、磁性体の抵抗率も低下するため、渦電流損失が発生しやすくなり、高周波での使用ができない（高周波特性の悪化）という問題が発生する。
【００２１】
特許文献１〜５に見られるように、従来技術では粒子表面に絶縁性を持たせることで、熱処理後も高周波特性を維持したまま高い透磁率を得ようとしているが、例えば、特許文献１および２に開示されている従来の圧粉磁心の製造方法においても、透磁率向上と電気抵抗率向上のトレードオフの関係が改善されておらず、透磁率が大きな材料は抵抗率が低いため高周波では使用できず、抵抗率の高い材料は透磁率が数１０〜１００程度であり、高透磁率が得られないという問題がある。
【００２２】
次に、特許文献３〜５に開示されている従来の圧粉磁心の製造方法は、いずれもリン酸系化成処理被膜を用いたものやＳｉＯ2微粒子を含む懸濁液または絶縁性の高いシリカ系バインダーなどと磁性粒子を混合する際に、スラリー状に精錬する湿式の絶縁被膜形成法を用いたものである。この絶縁被膜形成法のみでは圧粉磁心の高抵抗化は図れるが、耐熱性に劣るため、粒子の成形歪み除去温度での熱処理が行えず、透磁率が向上しない。
【００２３】
また、ＳｉＯ2などの絶縁被膜を形成した粒子を用いた場合、プレス後の圧粉磁心の抵抗率は１〜１００Ωｃｍと、大きな抵抗率を示すが、透磁率は３０〜１００程度であり、高い透磁率が得られない。透磁率を増加させるために５００〜９００℃の熱処理を実施すると、透磁率は大きくなるが、抵抗率が低下してしまう。
【００２４】
つまり、特許文献１〜５に示されるような従来の方法では、いずれもプレス後の圧粉磁心の充填率が低く、透磁率が低いため、高温の熱処理で高透磁率化をはかろうとしているが、軟磁性金属粒子と絶縁被膜が相互拡散し、絶縁被膜の絶縁性は著しく低下する。もしくは、低温での熱処理では相互拡散が起きず、抵抗率は維持できるが、透磁率が大きくならない。
【００２５】
プレス後の圧粉磁心の充填率を上げるために、例えば、特許文献６では、使用する粒子の粒度分布に、２つの集中分布を持たせ、圧粉磁心中の粒子を高充填させる手法が提案されている。しかし、この中で提唱されているものは、一般的な最密充填、つまりプレス前のかさ密度を考慮したものであり、圧粉磁心のようにプレス成型をして、粒子自体が塑性変形することで充填率を向上させるものについては、この手法は必ずしも充填率を向上させる手法ではない。
【００２６】
特許文献７では、フェライト被覆金属磁性粒子相互の空隙にフェライト超微粒子を充填しているが、フェライトは飽和磁束密度が低いためすぐ磁気飽和してしまい、金属磁性粒子を用いているにもかかわらず、圧粉磁心自体も磁気飽和し易くなる。
【００２７】
特許文献９でも、表面に被覆層を形成した金属磁性粒子の周囲にフェライト材を配置しているため、特許文献７の場合と同様に圧粉磁心自体が磁気飽和し易いという問題を有する。
【００２８】
また、特許文献６、７、８のいずれもフェライト被覆金属磁性粒子を用いており、これらのような圧粉磁心において用いたフェライトの特性を出すためには、９００℃以上の温度で熱処理しなければならない。上述のように、９００℃の熱処理を実施すると、透磁率は大きくなるが、抵抗率低下の問題が発生してしまう。また、フェライト被覆粒子を用いているため、これらの圧粉磁心も磁気飽和し易いという問題を有する。
【００２９】
前述したとおり従来技術のいずれの手法による圧粉磁心についても、透磁率向上と電気抵抗率向上がトレードオフの関係にあり、高周波帯域で使用できる高透磁率の材料を得ることが困難である。その根本的な原因はプレス後の磁性粒子の充填率が低いことであり、この対策として、熱処理などを実施して透磁率向上をはかっても、粒子同士が相互拡散してしまい、圧粉磁心の抵抗率が低下してしまうことにある。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
上述の問題を解決するために本発明者らは鋭意検討の結果、本発明に到達した。  
即ち、本発明の圧粉磁心の製造方法は、粒子径が１〜１０μｍの軟磁性金属粒子と、粒子径が５〜１００ｎｍのナノ金属磁性粒子を混合してなる複合磁性粒子を圧粉成型することを特徴とする。また、本発明の圧粉磁心は、上記製造方法により製造されてなることを特徴とする。
【００３１】
この軟磁性金属粒子は、その表面が絶縁性酸化物非磁性被膜で覆われてなるものであると、全体の抵抗率を向上するので好ましい。  
また、前記ナノ金属磁性粒子の配合量は、前記軟磁性金属粒子の１〜１０ｖｏｌ％であることが好ましい。  
また、この圧粉磁心の圧粉成型時のプレス圧力が５８８〜１９６１ＭＰａ（６〜２０ｔｏｎ／ｃｍ2）であることが好ましい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の製造方法によれば、軟磁性金属粒子間の間隙をナノ金属磁性粒子で埋めることにより、プレス後の磁性粒子の充填率を向上することができ、プレス後の実効透磁率を向上することができる。また、絶縁被膜つきの軟磁性金属粒子を用いることで、実行透磁率の向上とともに、周波数特性の向上もすることができる。
【００３３】
また、本発明の圧粉磁心は、インダクタやトランスのコア材に用いることができ、従来のフェライトのコア材と比較して、小型化、薄型化が可能になる。また、大電圧、大電流など容量増加を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面をもとに本発明の実施の形態について説明する。  
図１は本発明の第一実施例の構造模式図を示す。図１（ａ）に示すように、本発明の圧粉磁心の製造方法においては、主原料となる粒子径が１〜１０μｍの軟磁性金属粒子１とともに粒子径が５〜１００ｎｍという、軟磁性金属粒子１に比べ極端に小さいナノオーダーのナノ金属磁性粒子２を混合して形成される複合磁性粒子を用いる。上記軟磁性金属磁性粒子１における金属としては、例えば、鉄、コバルト、ニッケルなどの単金属、あるいはパーマロイ、センダストなどそれらを基とする合金などの透磁率が高い金属材料からなる粒子を用いることができる。
【００３５】
この軟磁性金属粒子１はその表面がガラス、シリカ、アルミナなどの絶縁性酸化物、シリコーン樹脂などの非磁性酸化物からなる被膜を有していることが好ましい。  
ガラスとしてはＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3から選ばれる１種以上を主成分とするガラスを挙げることができる。
【００３６】
絶縁体被覆した軟磁性金属粒子の平均被覆膜厚は圧縮成型後の成形体における絶縁体被覆層が保たれることにより粒子間の電気抵抗を高めることができる厚さであれば特に限定されないが、５ｎｍ以上であることが好ましく、透磁率を高める観点および金属磁性材料の飽和磁化を低下させすぎない観点から、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３７】
被膜が磁性酸化物、例えばフェライトであると、被膜がある程度厚くなってしまうことから粒子間距離が大きくなってしまい、軟磁性金属粒子を用いていても磁気飽和し易くなる。
【００３８】
ナノ金属磁性粒子１２を構成する材料としては、ナノ粒子化できる磁性金属であれば、どの材料でも適用可能であり、具体的には、ＮｉＦｅＭｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＳｉＢなどの金属粒子を例示できる。  
このナノ金属磁性粒子１２はウェット法による化学合成法でも製造でき、また、ドライ法による気相合成法によっても製造できるが、所望の組成が簡便に得られることから、気相合成法が好ましく用いられる。気相合成法は、Ａｒなどの不活性ガス中で発生させた熱プラズマ内に原料材料を投入することで蒸発させ、それ を凝集させる過程を経ることで形成する手法である。また、気相合成法によるナノ粒子は、チャンバー内から取り出し後、凝集してしまう問題があるが、溶媒内で機械的分散法を用いて分散させることで、所望のナノ粒子を分散状態で得ることができる。
【００３９】
通常、例えば、粒子径８μｍ程度の粒子を金型に投入すると、図２（ａ）に示すように、粒子間に間隙２１ができる。このときの充填率は５０〜６０ｖｏｌ％程度である。  
この後、プレス成型すると、図２（ｂ）に示すように、粒子がプレス圧力によって塑性変形することで、充填率は向上する。しかし、粒子間の間隙が完全に埋まることはなく、１１７７ＭＰａ（１２ｔｏｎ／ｃｍ2）程度のプレス圧力では８〜１２ｖｏｌ％程度の問隙、１９６１ＭＰａ（２０ｔｏｎ／ｃｍ2）まで圧力をかけても４〜５％程度の間隙は発生してしまう。
【００４０】
本発明の製造方法では、図１（ｂ）に示したように、プレス前の時点で、主原料となる軟磁性金属粒子間の間隙にナノ磁性粒子が入り込むことで、初期から充填率が向上している。この後、図１（ｃ）に示したように、プレス成型を実施することで、間隙部にナノ磁性粒子が取り残されたまま塑性変形することにより、通常、単一の粒子径では埋めることのできない間隙を十分に埋めることが可能である。  
本発明の製造方法は、上記のように塑性変形し易い軟磁性金属粒子を用いた場合にも効果的であるが、塑性変形し難い軟磁性金属粒子を用いた場合にはさらに効果的である。
【００４１】
本発明の製造方法により得られる圧粉磁心は、従来の単一の粒子径のものと比較して、低いプレス圧力下でも充填率を向上させることができる。また、圧粉磁心の充填率が向上することにより、従来と同じプレス圧力でも圧粉磁心の透磁率は向上する。逆に、同じ透磁率を得る場合、従来に比べてプレス圧力を低減することができ、よって、量産性を向上させることができる。
【実施例】
【００４２】
＜実施例１＞
主原料の軟磁性金属粒子として、平均粒子径８μｍのＮｉ７８Ｍｏ５Ｆｅ粒子（Ｎｉが７８重量％，Ｍｏが５重量％，残りがＦｅからなる粒子、以下同様）を用い、ナノ磁性金属粒子として、平均粒子径２０ｎｍのＮｉ７８Ｆｅ粒子を用い、軟磁性金属粒子にナノ金属磁性粒子を混合して複合磁性粒子を得た。
【００４３】
軟磁性金属粒子に対するナノ金属磁性粒子の配合量は、ナノ金属磁性粒子を混合しないときに各プレス圧力で成型した場合の間隙率(１−充填率)と同じになるように調整した。具体的には、５８８ＭＰａ（６ｔｏｎ／ｃｍ2）で１８ｖｏ１％、１１７７ＭＰａ（１２ｔｏｎ／ｃｍ2）で１０ｖｏｌ％、１９６１ＭＰａ（２０ｔｏｎ／ｃｍ2）で５ｖｏｌ％となるように調整した。
【００４４】
これらの複合磁性粒子を用い、それぞれ上記に記載の圧力でプレス成型を行い、得られた圧粉磁心のプレス圧力と充填率の関係を図３に実線で示す。
【００４５】
また、得られた圧粉磁心の透磁率とプレス成型圧力の関係を図４に実線で示す。
【００４６】
＜比較例１＞
ナノ金属磁性粒子を用いなかった以外は実施例１と同様にして圧粉磁心を得、プレス圧力と充填率の関係及びプレス圧力と実効透磁率の関係を調べた。その結果を図３、図４に破線で示す。
【００４７】
図３から、ナノ金属磁性粒子を混合しない従来の単一の粒子径のものと比較して、低いプレス圧力下でも充填率が向上していることがわかる。また、１９６１ＭＰａ（２０ｔｏｎ／ｃｍ2）でプレスすれば、従来技術による充填率９５〜９６％を超える９８％という充填率を実現でき、１９６１ＭＰａ（２０ｔｏｎ／ｃｍ2）を許容できる装置、もしくは充填率９８％を実現したい用途に本発明を適用できることがわかる。
【００４８】
また、図４から、プレス成型後でも透磁率は向上することがわかる。  
即ち、本発明の製造方法を用いることにより、磁性体の充填率を向上させることができ、プレス後の透磁率も向上させることができることがわかる。逆に、同じ透磁率を得る場合、本発明の製造方法ではより低いプレス圧力を採用することができ、量産性を向上させることができることがわかる。
【００４９】
＜実施例２＞
本実施例では、主原料となる軟磁性金属粒子の表面に絶縁被膜を形成した複合粒子を用いた。  
図５に軟磁性金属粒子１に絶縁酸化被膜４を形成した絶縁酸化被膜付き軟磁性金属粒子５（以下、複合粒子と略す）の模式図を示す。  
本実施例では、軟磁性金属粒子１として水アトマイズ法にて作製したＮｉ７８Ｍｏ５Ｆｅ粒子（平均粒径８μｍ）を用い、絶縁酸化被膜４には水ガラス法で形成したＳｉＯ2被膜を用いた。  
軟磁性金属粒子の代わりにこの複合粒子を用いた以外は実施例１と同様にして圧粉磁心を作製した。図６に得られた磁心の実効透磁率のプレス圧力依存性を実線で示す。
【００５０】
＜比較例２＞
軟磁性金属粒子の代わりにこの複合粒子を用いた以外は比較例１と同様にして圧粉磁心を作製した。得られた磁心の実効透磁率のプレス圧力依存性を図６に破線で示す。
【００５１】
図６から、複合粒子の場合も、ナノ金属磁性粒子を混合することにより、比較例よりプレス成型後においても、磁性粒子の充填率が向上し、透磁率を大きく向上させることができることがわかる。
【００５２】
＜実施例３＞
実施例２において１９６１ＭＰａ（２０ｔｏｎ／ｃｍ2）でプレス成型して得られた圧粉磁心を、５００℃で１時間、大気中で熱処理した。熱処理後の実効透磁率および損失透磁率μ”の周波数特性を図７に実線で示す。
【００５３】
＜比較例３＞
比較例２において１９６１ＭＰａ（２０ｔｏｎ／ｃｍ2）でプレス成型して得られた圧粉磁心を、実施例３で採用した熱処理条件と同様の条件で熱処理した。熱処理後の実効透磁率および損失透磁率μ”の周波数特性を図７に破線で示す。
【００５４】
図７から、本発明による圧粉磁心は、９００℃といった高温の熱処理をしなくても、高い実効透磁率が得られているだけでなく、周波数特性も良好であることがわかる。これは、軟磁性金属粒子間の間隙にナノ金属磁性粒子が存在して磁性体の充填率を向上していることで、透磁率を向上させ、かつ、軟磁性金属粒子間の接触界面にもナノ金属磁性粒子が点在し、磁性粒子間の磁気的な結合を持たせているにもかかわらず、点在しているために、磁性粒子の絶縁被膜が劣化したとしても電気的には導通し難くなっているためである。
また、本発明においては、ナノ金属磁性粒子は大きさが非常に小さいために単磁区化することができ、これにより隣接する軟磁性金属粒子に磁気スピンを伝播させることができるという効果も期待できる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
前述したように、本発明によれば、高い透磁率と良好な周波数特性をもつ圧粉磁心を形成することができ、得られる圧粉磁心は高周波用トランスやリアクトル、インダクタ等に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施例１で製作した圧粉磁心の構造模式図であり、（ａ）軟磁性金属粒子およびナノ粒子（ｂ）プレス前の圧粉磁心の粒子間隙の様子（ｃ）プレス後の圧粉磁心の粒子間隙の様子を示す図である。
【図２】従来技術の圧粉磁心の構造模式図であり、（ａ）プレス前の圧粉磁心の粒子間隙の様子（ｂ）プレス後の圧粉磁心の粒子間隙の様子を示す図である。
【図３】実施例１及び比較例１で得られた圧粉磁心の磁性粒子充填率のプレス圧力依存性を示す図である。
【図４】実施例１及び比較例１で得られた圧粉磁心の実効透磁率μ’のプレス圧力依存性を示す図である。
【図５】実施例２で用いた絶縁被膜つき軟磁性金属粒子の構造模式図を示す図である。
【図６】実施例２及び比較例２で得られた圧粉磁心の実効透磁率μ’のプレス圧力依存性を示す図である。
【図７】実施例３及び比較例３で得られた圧粉磁心の実効透磁率μ’および損失透磁率μ”の周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  軟磁性金属粒子
２  ナノ金属磁性粒子
３  軟磁性金属粒子間の間隙
４  非磁性絶縁被覆
５  複合粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009054709.tif 000005
【図４】
2009054709.tif 000006
【図５】
2009054709.tif 000007
【図６】
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【図７】
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