(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置、電子機器、液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】液晶装置１１の製造方法は、まず、ガラス基板等からなる第２基板４３上にカラーフィルタ層５４を形成する。次に、カラーフィルタ層５４上に第２配向膜６１を形成する。成膜化された第２配向膜６１は、その表面を一定の方向にラビング処理することにより、後の工程で第２配向膜６１上に形成される位相差層６２の遅相軸方向（一軸配向方向）を規定する。その後、第２配向膜６１上における反射表示領域Ｒに相当する部分に位相差層６２を形成するための材料を塗布する。そして塗布後、有機溶媒を除去するべく乾燥（プレベーク）を行い、この位相差層体に紫外線（ＵＶ光）を照射して硬化させる。次に、位相差層体に異方性エッチングであるＲＩＥプラズマ処理を施して位相差層６２を完成させる。【選択図】図３
2009058561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に挟持された液晶層と、
反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を含む複数の画素と、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に形成された位相差層と、
を有する液晶装置であって、
前記位相差層の端部は、傾斜領域を有し、
前記画素内に設けられた前記傾斜領域と平面的に重なるように遮光層が設けられ、
前記位相差層を断面に見て前記端部の傾斜角度は、前記基板の上面又は下面に対して７０°〜１１０°に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記端部の傾斜角度は、前記基板の上面又は下面に対して７０°〜９０°に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
一対の基板間に挟持された液晶層と、
反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を含む複数の画素と、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に形成された位相差層と、
前記画素の周辺部に設けられた遮光層と、
を有する液晶装置であって、
前記位相差層を断面に見て端部の角度は、前記基板の上面又は下面に対して９０°に形成されており、
前記端部には遮光層が設けられていないことを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
一対の基板間に挟持された液晶層と、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を含む画素と、前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に形成された位相差層と、を有する液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち一方の基板上に前記位相差層の材料を塗布する塗布工程と、
前記位相差層の材料に紫外線を照射して前記材料を硬化させる硬化工程と、
前記材料にドライエッチングを施して前記基板上における前記反射表示領域に位相差層を形成するエッチング工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透過表示領域と反射表示領域とを有する液晶装置、電子機器、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した液晶装置は、例えば、図７に示すように、横電界駆動の一つであるＦＦＳモードの液晶装置１０１であり、透過表示領域Ｔと、反射電極１１１が形成された反射表示領域Ｒとを有する。反射電極１１１を反射した光の位相差を調整するために、例えば、特許文献１に記載のように、反射表示領域Ｒにおけるカラーフィルタ層１１２上（液晶層１１６側）に、位相差層１１３が形成されている。なお、液晶装置１０１は、第１基板１１４を有する素子基板と、第２基板１１５を有する対向基板と、素子基板と対向基板とに挟持された液晶層１１６とを有する。
【０００３】
位相差層１１３は、比較的形成しやすいウエットエッチングによって形成される。よって、位相差層１１３は、等方性に除去され断面に見て略台形となり、端部がテーパ状に形成される。テーパの角度θは、例えば、３０°である。テーパを含まない透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒでは、所望の位相差が得られ、黒を表示した際に光漏れが生じない。一方、テーパを含む領域Ｓでは、所望の位相差が得られず光漏れが生じることから、コントラストが低下するという問題がある。よって、カラーフィルタ層１１２における、テーパ領域と平面的に重なる領域に光を透過させない遮光層１１７（ブラックマトリックス：ＢＭ）を設けて、光漏れが発生することを抑えている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、遮光層１１７の幅が広くなると開口率が低下し、これにより、液晶装置１０１の輝度が低下するという問題がある。また、遮光層１１７を形成したとしても、テーパの角度がなだらかに形成された場合、位相差層１１３のテーパ部分が透過表示領域Ｔにはみ出し、光漏れが発生するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層と、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を含む複数の画素と、前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に形成された位相差層と、を有する液晶装置であって、前記位相差層の端部は、傾斜領域を有し、前記画素内に設けられた前記傾斜領域と平面的に重なるように遮光層が設けられ、前記位相差層を断面に見て前記端部の傾斜角度は、前記基板の上面又は下面に対して７０°〜１１０°に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、位相差層の端部の傾斜角度が７０°〜１１０°の範囲に形成され、端部の傾斜角度が直角方向に近づくので、位相差が変化する傾斜領域と平面的に重なるように設けられた遮光層の領域（幅）を小さくすることが可能となり、開口率を向上させることができる。また、開口率の向上に伴って、液晶装置の輝度を向上させることができる。また、端部の傾斜角度が垂直方向に近づくので、なだらかな傾斜角度の場合と比較して、加工精度のバラツキに起因して端部が反射表示領域から透過表示領域にはみ出すことを抑えることができる。よって、黒を表示した際、透過表示領域と反射表示領域との境界部で、光漏れが生じることを抑えることができる。これにより、コントラストを向上させることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記端部の傾斜角度は、前記基板の上面又は下面に対して７０°〜９０°に形成されていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、７０°〜９０°に形成するので、位相差層の形状を台形又は直角にすることが可能となる。よって、逆テーパの形状と比較して、位相差層にラビング処理を施し易くすることができる。
【００１１】
［適用例３］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層と、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を含む複数の画素と、前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に形成された位相差層と、前記画素の周辺部に設けられた遮光層と、を有する液晶装置であって、前記位相差層を断面に見て端部の角度は、前記基板の上面又は下面に対して９０°に形成されており、前記端部には遮光層が設けられていないことを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、端部の角度が９０°（直角）に形成されているので、遮光層を設ける必要がなく、開口率を向上させることができる。また、開口率の向上に伴って、液晶装置の輝度を向上させることができる。また、黒を表示した際、透過表示領域と反射表示領域との境界部において、光漏れが生じることを抑えることができる。これにより、コントラストを向上させることができる。
【００１３】
［適用例４］本適用例に係る電子機器は、上記した液晶装置を備えることを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、輝度を向上させることができると共に、コントラストを向上させることができる液晶装置を提供することができる。
【００１５】
［適用例５］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板間に挟持された液晶層と、反射表示を行う反射表示領域及び透過表示を行う透過表示領域を含む画素と、前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に形成された位相差層と、を有する液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の基板上に前記位相差層の材料を塗布する塗布工程と、前記位相差層の材料に紫外線を照射して前記材料を硬化させる硬化工程と、前記材料にドライエッチングを施して前記基板上における前記反射表示領域に位相差層を形成するエッチング工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
この方法によれば、位相差層の材料にドライエッチングを施すので、位相差層の端部を異方性にエッチング（パターンニング）することが可能となり、端部が傾斜（テーパ）になることを抑えることができる。よって、傾斜領域と平面的に重なる領域に形成する遮光層の領域（幅）を小さくすることが可能となり、開口率を向上させることができる。また、開口率の向上に伴って、液晶装置の輝度を向上させることができる。また、端部の傾斜角度が垂直方向に近づくので、なだらかな傾斜角度の場合と比較して、加工精度のバラツキに起因して端部が反射表示領域から透過表示領域にはみ出すことを抑えることができる。よって、黒を表示した際、透過表示領域と反射表示領域との境界部で、光漏れが生じることを抑えることができる。これにより、コントラストを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図１を参照しながら説明する。
【００１８】
図１に示すように、液晶装置１１は、画素を構成する複数のサブ画素１２を有している。各サブ画素１２は、画素電極２１と、共通電極２２と、画素電極２１をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子１３（Thin Film Transistor）とを有している。画素電極２１と共通電極２２との間には液晶層１４が介在している。共通電極２２は、走査線駆動回路１５から延びる共通線１６と電気的に接続されており、各サブ画素１２において共通の電位に保持されるようになっている。画素電極２１は、ＴＦＴ素子１３のドレイン電極と電気的に接続されている。
【００１９】
ＴＦＴ素子１３のソース電極は、データ線駆動回路１７から延びるデータ線１８と電気的に接続されている。データ線駆動回路１７は、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを、データ線１８を介して各サブ画素１２に供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に供給してもよいし、相隣接する複数のデータ線１８同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２０】
また、ＴＦＴ素子１３のゲート電極には、走査線駆動回路１５から延びる走査線１９が電気的に接続されている。詳しくは、走査線駆動回路１５から所定のタイミングで走査線１９にパルス的に供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順にＴＦＴ素子１３のゲート電極に印加されるようになっている。
【００２１】
スイッチング素子であるＴＦＴ素子１３が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態となることで、データ線１８から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが所定のタイミングで画素電極２１に書き込まれるようになっている。画素電極２１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２１と液晶を介して対向する共通電極２２との間で一定期間保持される。
【００２２】
図２は、画素の構造を示す模式平面図である。以下、画素の構造を、図２を参照しながら説明する。
【００２３】
図２に示す液晶装置１１は、横電界駆動の一つであるＦＦＳモードの液晶装置であり反射半透過方式である。液晶装置１１を構成する画素は、３色（Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青））のカラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂに対応する３つのサブ画素１２を有している。各サブ画素１２には、複数のスリット３２が略梯子状に形成された矩形の画素電極２１が設けられている。画素電極２１の外周を取り囲むようにして、走査線１９と共通線１６と複数のデータ線１８とが配置されている。
【００２４】
走査線１９とデータ線１８との交差部近傍には、ＴＦＴ素子１３が形成されている。ＴＦＴ素子１３は、データ線１８及び画素電極２１と電気的に接続されている。また、画素電極２１と平面視で略重なる位置には、矩形状の共通電極２２が形成されている。
【００２５】
画素電極２１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。画素電極２１には、複数のスリット３２が形成されている。各スリット３２は、走査線１９及びデータ線１８の双方と交差する方向（図中斜め方向）に延びており、Ｙ軸方向（データ線１８が延在する方向）において等間隔に配列するように形成されている。各スリット３２は、互いに平行であり、略同一の幅に形成されている。そして、画素電極２１は、複数本の帯状電極部３３を有する。
【００２６】
共通電極２２は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる平面視矩形状の透明共通電極２２ｔと、アルミニウムや銀などの光反射性を有する金属材料からなる平面視略矩形状の反射共通電極２２ｒとからなる。透明共通電極２２ｔと反射共通電極２２ｒとは、互いの辺端部において電気的に接続されている。
【００２７】
反射共通電極２２ｒは、走査線１９と平行に延びる共通線１６と一体に形成されている。したがって、透明共通電極２２ｔと反射共通電極２２ｒとからなる共通電極２２は共通線１６と電気的に接続されている。
【００２８】
反射共通電極２２ｒの形成領域は、サブ画素１２の反射表示領域Ｒを構成している。一方、透明共通電極２２ｔの形成領域は、透過表示領域Ｔを構成している。つまり、液晶装置１１は、各サブ画素１２内に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを備えている。
【００２９】
ＴＦＴ素子１３は、走査線１９上に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、データ線１８を分岐して半導体層３５上に延出されたソース電極３６と、半導体層３５上から画素電極２１の形成領域に延びる矩形状のドレイン電極３７とを備えている。
【００３０】
走査線１９は、半導体層３５と第１層間絶縁層５１（図３参照）を介して対向する位置でＴＦＴ素子１３のゲート電極として機能する。ドレイン電極３７と画素電極２１とは、両者が平面的に重なる位置に形成されたコンタクトホール３８を介して電気的に接続されている。なお、サブ画素１２において、画素電極２１と共通電極２２とが平面視で重なる領域が、サブ画素１２の容量として機能するので、画像信号を保持するために別途保持容量をサブ画素１２の形成領域内に設ける必要が無く、高い開口率を得ることができる。
【００３１】
図３は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。詳しくは、図２に示す液晶装置のＡ−Ａ'断面に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図３を参照しながら説明する。
【００３２】
図３に示すように、液晶装置１１は、一対の基板の一方である第１基板４１を有する素子基板４２と、一対の基板の他方である第２基板４３を有する対向基板４４と、素子基板４２と対向基板４４との間に挟持された液晶層１４とを有する。第１基板４１及び第２基板４３は、例えば、透明なガラス基板からなる。
【００３３】
第１基板４１上には、走査線１９、共通電極２２、共通線１６が形成されている。また、第１基板４１上には、これら走査線１９、共通電極２２、共通線１６を覆うように、シリコン酸化物膜等からなる第１層間絶縁層５１が形成されている。
【００３４】
第１層間絶縁層５１上には、島状の半導体層３５と、半導体層３５と一部が重なるようにソース電極３６とドレイン電極３７とが形成されている。そして、第１層間絶縁層５１上には、半導体層３５、ソース電極３６、ドレイン電極３７を覆うように、シリコン酸化膜や樹脂膜からなる第２層間絶縁層５２が形成されている。
【００３５】
第２層間絶縁層５２上には、画素電極２１が形成されている。画素電極２１は、第２層間絶縁層５２を貫通して設けられたコンタクトホール３８を介して、ドレイン電極３７と電気的に接続されている。また、第２層間絶縁層５２上には、画素電極２１を覆うようにして、ポリイミド等からなる第１配向膜５３が形成されている。
【００３６】
第１配向膜５３は、ラビング処理等の配向処理が施されて液晶を所定方向に配向させるようになっている。第１配向膜５３による配向規制方向は、例えば、走査線１９の延在方向と平行である。
【００３７】
一方、第２基板４３上（液晶層１４側）には、カラーフィルタ層５４が形成されている。カラーフィルタ層５４は、上記したように、カラーフィルタ３１Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ（図２参照）と、例えば、サブ画素１２領域の間隙を覆う遮光層５５（ブラックマトリックス：ＢＭ）とを有する。カラーフィルタ層５４は、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって透過光を着色する部材であり、光を透過させることによってＲ、Ｇ、Ｂの光を抽出するものである。
【００３８】
カラーフィルタ層５４上には、第２配向膜６１を介して、反射表示領域Ｒに位相差層６２が選択的に形成されている。反射表示領域Ｒのセル厚は、透過表示領域Ｔのセル厚ｄに対して薄くなっており、例えば、ｄの半分であるｄ／２となっている。なお、反射表示領域Ｒのセル厚は、位相差層６２のみで調整するようにしてもよいし、別途厚み調整層を形成して調整するようにしてもよい。
【００３９】
位相差層６２の端部は、パターンニングする際の製造方法に起因して（例えば、エッチング法）、テーパ状（傾斜）に形成されている。端部の傾斜角度θは、例えば、第２基板４３の上面又は下面に対して７０°である。なお、開口率を大きくするために、７０°〜１１０°の範囲であることが好ましい。また、位相差層６２は、ラビング処理のしやすさを考慮して、端部が逆テーパとならない７０°〜９０°の台形状に形成されていることがより好ましい。
【００４０】
また、上記したように、位相差層６２の端部がテーパになることにより、この部分のセル厚が変わって位相差が変化することから、黒表示した際に光漏れが生じる。これを防ぐために、テーパに形成された領域（傾斜領域）を平面視で重なるように、カラーフィルタ層５４に遮光層５５が設けられている。つまり、遮光層５５は、カラーフィルタ層５４において、サブ画素１２領域の周縁部と、サブ画素１２領域の中の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界とに相当する領域に形成されている。
【００４１】
また、遮光層５５は、素子基板４２と対向基板４４とを貼り合わせる際にズレが生じたとしても、光漏れが生じないよう余裕をもった幅に形成されていることが望ましい。なお、遮光層５５の幅を広くすると開口率が低下することから、テーパ部分や位置ズレがないことがより望ましい。
【００４２】
また、第２配向膜６１上には、位相差層６２を覆うように、例えば、もう一層の第２配向膜６３が形成されている。第２配向膜６３は、第１配向膜５３と同様に、ラビング処理等の配向処理が施されて液晶を所定方向に配向させるようになっている。第２配向膜６３による配向規制方向は、例えば、第１配向膜５３の配向規制方向に対して１８０度反対方向となっている。したがって、液晶層１４は、素子基板４２と対向基板４４との間で、水平配向の初期配向状態を呈する。
【００４３】
第１基板４１の下面（液晶層１４側と反対の面）には、下偏光板６４が貼り付けられている。一方、第２基板４３の上面（液晶層１４側と反対の面）には、上偏光板６５が貼り付けられている。上偏光板６５と下偏光板６４との光学的な配置は、例えば、クロスニコルとなっている。そして、非駆動状態のモードは、例えば、ノーマリーブラックである。また、第１基板４１の下方（図３における下側）には、光源を有するバックライト（図示せず）が設けられている。
【００４４】
図４は、位相差層端部の傾斜（テーパ）角度と開口率及び輝度との関係を示す図表である。以下、傾斜角度と開口率及び輝度との関係について、図４を参照しながら説明する。
【００４５】
図４に示す図表は、位相差層６２端部のテーパ角度θを３０°、４５°、７０°、８０°に変えた場合に、テーパ領域と平面的に重なるように設ける遮光層５５の幅がどの位必要になるのか、また、開口率がどのように向上するか、また、輝度がどのように向上するかを示している。なお、開口率は、サブ画素１２領域における透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを合わせて求めている。
【００４６】
まず、従来のテーパ角度θの範囲である３０°又は４５°の場合を説明する。テーパ角度θが３０°の場合、必要な遮光層５５の幅は１０μｍであり、開口率は７０％である。また、輝度は、１．００である。なお、輝度は、テーパ角度θが３０°の場合を基準（１．００）としている。テーパ角度θが４５°の場合、必要な遮光層５５の幅は７μｍであり、開口率は７３％である。また、輝度は、１．０４である。
【００４７】
次に、本実施形態のテーパ角度θの範囲である７０°又は８０°の場合を説明する。テーパ角度θが７０°の場合、必要な遮光層５５の幅は５μｍであり、開口率は７６％である。また、輝度は、１．０９である。一方、テーパ角度θが８０°の場合、遮光層５５の幅は３μｍであり、開口率は７８％である。また、輝度は、１．１１である。
【００４８】
このように、従来のテーパ角度θ（３０°，４５°）に比べて、本実施形態のテーパ角度θ（７０°，８０°）に形成することにより、開口率を向上させることができ、これに伴って輝度を向上させることができる。なお、従来より遮光層５５の幅を狭くするということでは、テーパ角度θを４６°以上に形成することにより、従来と比較して開口率及び輝度を向上させることができる。なお、上記した幅は、テーパ角度及び貼り合わせズレの余裕によって、更に小さい値にすることが可能である。
【００４９】
図５は、液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図である。以下、液晶装置の製造方法を、図５を参照しながら説明する。
【００５０】
まず、素子基板４２の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基板４１上に走査線１９、共通電極２２、共通線１６を形成する。具体的には、第１基板４１上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、走査線１９、共通電極２２、共通線１６を形成し、その後、それらを覆うように第１層間絶縁層５１を形成する。
【００５１】
ステップＳ１２では、第１層間絶縁層５１上にＴＦＴ素子１３を形成する。具体的には、上記したように、第１層間絶縁層５１上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてＴＦＴ素子１３を形成し、その後、それらを覆うように第２層間絶縁層５２を形成する。
【００５２】
ステップＳ１３では、第２層間絶縁層５２上に画素電極２１を形成する。具体的には、第２層間絶縁層５２にコンタクトホール３８を形成した後、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第２層間絶縁層５２上及びコンタクトホール３８の中に画素電極２１を形成する。
【００５３】
ステップＳ１４では、第２層間絶縁層５２上及び画素電極２１上に第１配向膜５３を形成する。第１配向膜５３の形成方法は、配向膜材料としてのポリイミドやポリアミック酸を含む有機溶液を塗布して、溶媒成分を除去する乾燥・焼成を行う。塗布方法としては、スピンコート、スリットコートなどの方法や、オフセットなどの印刷法が挙げられる。その後、成膜化した第１配向膜５３に、ラビング処理を施す。
【００５４】
ステップＳ１５では、第１基板４１の周囲に、例えば、スクリーン印刷等によって、ギャップ材を有するシール材（図示せず）を形成する。以上により、素子基板４２が完成する。引き続いて、対向基板４４の製造方法を説明する。
【００５５】
ステップＳ２１では、ガラス基板等からなる第２基板４３上にカラーフィルタ層５４を形成する。具体的には、まず、第２基板４３上に遮光層５５を形成する。遮光層５５は、例えば、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって形成することができる。遮光層５５の材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）や酸化クロム（ＣｒＯ）、黒色顔料などを含む樹脂などが挙げられる。
【００５６】
次に、Ｒ（赤）に対応するカラーフィルタ３１Ｒの材料を、例えば、インクジェット法を用いて塗布し、その後、材料を乾燥させることによりカラーフィルタ３１Ｒが形成される。なお、Ｇ（緑）のカラーフィルタ３１Ｇ、Ｂ（青）のカラーフィルタ３１Ｂについても、同様の方法により形成される。以上により、カラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂと遮光層５５とを有するカラーフィルタ層５４が完成する。
【００５７】
ステップＳ２２では、カラーフィルタ層５４上に第２配向膜６１を形成する。第２配向膜６１の形成方法としては、上記した第１配向膜５３と同様にして形成することができる。そして、成膜化された第２配向膜６１は、その表面を一定の方向にラビング処理することにより、後の工程で第２配向膜６１上に形成される位相差層６２の遅相軸方向（一軸配向方向）を規定する。
【００５８】
ステップＳ２３（塗布工程、硬化工程）では、第２配向膜６１上に、反射表示領域Ｒに相当する部分に位相差層６２を形成するための材料を塗布する。まず、第２配向膜６１上に位相差層６２の材料を塗布する。位相差層６２の材料としては、例えば、重合性液晶化合物を含む有機溶液が挙げられる。塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法などが挙げられる。塗布工程では、完成後の位相差値がねらいの値となるように、位相差層６２の材料の膜厚を補正して塗布を行う。そして塗布後、有機溶媒を除去するべく乾燥（プレベーク）を行い、この位相差層体に紫外線（ＵＶ光）を照射して硬化させる。以上により、位相差層６２を形成する前の位相差層体が完成する。
【００５９】
ステップＳ２４（エッチング工程）では、位相差層体にドライエッチングを施して位相差層６２を完成させる。まず、位相差層体上にフォトレジストを塗布する。塗布方法としては、スピンコート法などが挙げられる。フォトレジストとしては、例えば、ノボラック樹脂からなるポジ型のフォトレジストが使用できる。その後、反射表示領域Ｒにある位相差層体上にマスクをセットする。そして、フォトレジストを露光、現像、乾燥（ポストベーク）する。
【００６０】
次に、位相差層体にドライエッチングを行う。具体的には、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）プラズマを用いた異方性エッチングである。エッチングガスは、例えば、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）などを用いることができる。このようなガスを用いてエッチング処理を施すことにより、位相差層体のうち不要な部分を除去することができる。更に、異方性のエッチングにより、位相差層６２の端部の傾斜角度θを、第２基板４３の上面又は下面に対して垂直に近づけて形成することができる。
【００６１】
具体的には、端部の傾斜角度θを７０°にして形成することができる。また、端部の傾斜角度θは、上記したように、ラビング処理のしやすさから、エッチング条件などを変えて７０°〜９０°に形成することが好ましい。また、端部の傾斜角度θを９０°（直角）に形成することがより好ましい。直角に形成することにより、位相差が変わる領域がないことから遮光層５５が不要となる。よって、開口率を向上させることができる。位相差層６２の厚みは、例えば、２μｍである。この後、位相差層６２上に残ったフォトレジストを、例えば、酸素プラズマなどを用いて除去する。これにより、位相差層６２が完成する。
【００６２】
ステップＳ２５では、位相差層６２及び第２配向膜６１を覆うように第２配向膜６３を形成する。第２配向膜６３の形成方法は、上記した第１配向膜５３及び第２配向膜６１の形成方法と同様である。第２配向膜６３の表面は、先に形成した第２配向膜６１と同じ方向にラビング処理が施される。以上により、対向基板４４が完成する。
【００６３】
ステップＳ３１では、素子基板４２と対向基板４４とを貼り合わせる。具体的には、例えば、素子基板４２に形成されたシール材を介して互いを貼り合わせる。この状態では、液晶が封入されていない空の構造体が形成される。
【００６４】
ステップＳ３２では、液晶注入口（図示せず）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止する。封止には、例えば、樹脂等が用いられる。そして、このようにして出来た構造体の下面に下偏光板６４、上面に上偏光板６５を貼り付けることにより、液晶装置１１が完成する。
【００６５】
以上のような形成方法により、従来、ウエットエッチングによって形成された位相差層６２端部の傾斜角度θが３０°〜４５°だったものが、ドライエッチングによって形成することによって位相差層６２端部の傾斜角度θを７０°以上にすることができる。よって、テーパ領域を遮光すると共に素子基板４２と対向基板４４との貼り合わせズレを考慮したり、エッチングによる加工精度のバラツキを考慮したりして、従来、遮光層５５の幅が、例えば１０μｍ必要だったものを、５μｍ（図４の図表参照）と小さくすることができる。よって、遮光層５５の幅を小さくできるので、開口率を向上させることができる。加えて、黒の表示の際、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界付近で、光漏れが生じることを防ぐことが可能となり、コントラストを向上させることができる。
【００６６】
図６は、上記した液晶装置を備えた電子機器の一例として携帯電話機を示す模式図である。以下、液晶装置を備えた携帯電話機を、図６を参照しながら説明する。
【００６７】
図６に示すように、携帯電話機７１は、表示部７２及び操作ボタン７３を有している。表示部７２は、内部に組み込まれた液晶装置１１によって、輝度やコントラストが向上される等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した液晶装置１１は、上記携帯電話機７１の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００６８】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１１によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６９】
（１）本実施形態の液晶装置１１によれば、位相差層６２の材料にドライエッチングを施すので、位相差層６２を断面に見て端部の傾斜角度θを７０°以上（７０°〜１１０°）にすることが可能となる。端部の傾斜角度θが直角に近づくので、位相差が変化するテーパ領域と平面的に重なるようにして設けた遮光層５５の領域（幅）を小さく（例えば、５μｍ以下）することが可能となり、開口率を向上させることができる。また、開口率の向上に伴って、液晶装置１１の輝度を向上させることができる。また、端部の傾斜角度θが直角に近づく方向に形成されるので、なだらかな傾斜角度の場合と比較して、加工精度のバラツキに起因して端部が透過表示領域Ｔにはみ出すことを抑えることができる。よって、黒を表示した際、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界部で、光漏れが生じることを抑えることができる。これにより、コントラストを向上させることができる。
【００７０】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００７１】
（変形例１）
上記したように、ステップＳ２４において、ドライエッチング処理後にフォトレジストを除去することに代えて、フォトレジストを除去することなくオーバーコートとして使用するようにしてもよい。これによれば、位相差層６２がフォトレジストからなるオーバーコートによって覆われているので、後の処理工程によって位相差層６２の位相差が劣化することを抑えることができる。また、ラビング処理を行う際に、位相差層６２を削ってパーティクルを発生させることを抑えることができる。
【００７２】
（変形例２）
上記したように、位相差層６２を形成するのに、ＲＩＥプラズマエッチング処理を行っていることに限定されず、異方性エッチングであればよく、例えば、電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance：ＥＣＲ）プラズマエッチング処理を行うようにしてもよい。
【００７３】
（変形例３）
上記したように、第２配向膜６１及び位相差層６２を覆うように第２配向膜６３を形成することに限定されず、例えば、位相差層６２をドライエッチングする際に、位相差層６２の領域以外の第２配向膜６１を一緒にエッチングした後、露出したカラーフィルタ層５４及び位相差層６２を覆うように第２配向膜６３を形成するようにしてもよい。
【００７４】
（変形例４）
上記したように、位相差層６２をパターンニングするのに、位相差層６２の材料を硬化させた後にドライエッチングする方法に限定されず、例えば、硬化させる前にドライエッチングを施し、パターンニングした後に硬化させるようにしてもよい。これによれば、加工しやすい状態でパターンニングすることができる。
【００７５】
（変形例５）
上記したように、ＦＦＳモードの液晶装置１１に適用されることに限定されず、例えば、ＶＡモードの液晶装置に適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】画素の構造を示す模式平面図。
【図３】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図４】位相差層端部のテーパ角度と開口率及び輝度との関係を示す図表。
【図５】液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図。
【図６】液晶装置を備えた携帯電話機を示す模式図。
【図７】従来の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００７７】
１１…液晶装置、１２…サブ画素、１３…ＴＦＴ素子、１４…液晶層、１５…走査線駆動回路、１６…共通線、１７…データ線駆動回路、１８…データ線、１９…走査線、２１…画素電極、２２…共通電極、３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ…カラーフィルタ、３２…スリット、３３…帯状電極部、３５…半導体層、３６…ソース電極、３７…ドレイン電極、３８…コンタクトホール、４１…第１基板、４２…素子基板、４３…第２基板、４４…対向基板、５１…第１層間絶縁層、５２…第２層間絶縁層、５３…第１配向膜、５４…カラーフィルタ層、５５…遮光層、６１，６３…第２配向膜、６２…位相差層、６４…下偏光板、６５…上偏光板、７１…携帯電話機、７２…表示部、７３…操作ボタン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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