(57)【要約】【課題】磁気ヘッドの歩留まり及び磁気ディスク装置の記録及び再生性能の信頼性を向上させることが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】基板に鍍金ベース層を形成する工程と、前記鍍金ベース層上に、幅広部から延在する狭隘部を備えた磁性層を形成する工程と、前記磁性層の形状の幅広部と狭隘部にそれぞれ対応して、前記磁性層よりも大きいレジストパタンを前記磁性層と前記鍍金ベース上に形成する工程と、エッチングにより前記鍍金ベース層をパタニングする工程と、前記磁性層及び鍍金ベース層を覆うように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に磁性を有する補助磁性層を前記磁性層と磁気的に接続するように形成する工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。【選択図】図１２
2009230808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に鍍金ベース層を形成する工程と、
前記鍍金ベース層上に、幅広部から延在する狭隘部を備えた磁性層を形成する工程と、
前記磁性層の形状の幅広部と狭隘部にそれぞれ対応して、前記磁性層よりも大きいレジストパタンを前記磁性層と前記鍍金ベース上に形成する工程と、
エッチングにより前記鍍金ベース層をパタニングする工程と、
前記磁性層及び鍍金ベース層を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に磁性を有する補助磁性層を前記磁性層と磁気的に接続するように形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記幅広部は、前記狭隘部を挟む第１幅広部及び第２幅広部を含んでなり、
更に、前記補助磁性層を形成した後、前記第２幅広部を除去する工程と、
前記狭隘部の先端を研磨する工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１幅広部及び前記第２幅広部のうち小さいほうよりも、前記レジストパタンの形状が大きいことを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記レジストパタンを形成する工程において、前記レジストパタンは、前記幅広部の形状に対応し、前記幅広部よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に設けた幅広部から延在する狭隘部を備える鍍金ベース層と、
前記鍍金ベース層上に、前記鍍金ベースと対応して幅広部から延在する狭隘部を備えた磁性層と、
該磁性層を覆うように配置された絶縁層と、
前記磁性層と磁気的に接続し前記絶縁層上に配置された磁性を有する補助磁性層と
を有し、
前記鍍金ベース層の幅広部の前記磁性層より張り出した部分は、前記鍍金ベースの狭隘部の前記磁性層より張り出した部分よりも小さいことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項６】
エッチングにより前記鍍金ベース層をパタニングすることにより、前記鍍金ベースを構成する材料を含んでなる突出部が前記鍍金ベースの周辺に形成されていないことを特徴とする請求項５に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に配置された鍍金ベース層と、
前記鍍金ベース層上に、幅広部から延在する狭隘部を備えた磁性層と、
該磁性層を覆うように配置された絶縁層と、
前記磁性層と磁気的に接続し前記絶縁層上に配置された磁性を有する補助磁性層と
を有し、
前記鍍金ベース層が、前記磁性層の形状に対応して、前記磁性層よりも大きいことを特徴とする磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶媒体に対し情報の書き込みが可能な磁気ヘッドの製造方法に関するものであり、特に、記憶媒体における記録密度の向上に対応して記憶媒体に対向する部分の幅を狭めた記録用磁極を備える磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置に記録可能な情報の大容量化（すなわち高記録密度化）に対する要求が高まっている。これに対応するため、主磁極の記憶媒体対向面（いわゆる浮上面）側の幅（記憶媒体のトラック幅方向に対応する幅。以下、主磁極幅と称呼する。）が記憶媒体へ近づくに従い徐々に小さくなる記録用の磁気ヘッドが提案されている（例えば、特許文献１、２）。このような主磁極の製造方法として、例えば、鍍金ベース層上に所定のパタニングがなされたマスクを配置し、マスクが配置されていない部分に主磁極を鍍金する方法が挙げられる。鍍金後、通常、マスクを除去し、更に鍍金ベース層を主磁極の外形に沿った形状に加工する。このように加工するひとつの理由として、主磁極から離れた位置において、端子部など他の導電性部材が鍍金ベース層と接触することにより短絡するのを防ぐことが挙げられる。また、別の理由として、鍍金ベース層は主磁極の製造上必要なものである一方、完成品の磁気ヘッドにおいてはそれが異物となり、磁気ディスクの記録再生性能に障害を引き起こすおそれがあることが挙げられる。
【０００３】
鍍金ベース層を加工する工程において、まず、鍍金ベース層が主磁極幅に対応した幅、すなわち、主磁極幅よりも若干広い幅に加工できるように、鍍金ベース層及び主磁極層上にレジストパタンを配置する。その後、イオンミリングなどの物理的エッチングにより、レジストパタンに対応した形状に鍍金ベース層を加工する。このとき、レジストパタンの側面に鍍金ベース層を構成する材料が堆積する。堆積した材料はレジストパタン除去後も表面に残り、鍍金ベース層のパタンに沿って突出する。この突出は、後工程において、更に、突出部を覆うように絶縁層や補助磁極層などを形成する際、それら各層が所望の形状に形成されなかったり、それら各層が欠陥や空隙を有したり所望の組成から外れたりするなどの異常を引き起こすおそれがある。その結果、得られる磁気ヘッドの歩留まりが低下するおそれがある。また、浮上面側をラップ又は研磨する工程において、上記層内の空隙や密度が小さい領域に浮上面の削りカスやスラリーや定盤の材料がトラップされる。トラップされた削りカスや、上記異常を有する部分を構成する材料等は、磁気ディスク装置内で欠落してコンタミネーションとなりやすく、情報の記録、再生に重大な障害を引き起こすおそれがある。
【特許文献１】特開昭６０−１０１７０７号公報
【特許文献２】特開平０５−８１６１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、磁気ディスク装置において使用される際に記録・再生性能の信頼性を向上させることが可能な所望の形状、組成の磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によると、
基板に鍍金ベース層を形成する工程と、
前記鍍金ベース層上に、幅広部から延在する狭隘部を備えた磁性層を形成する工程と、
前記磁性層の形状に対応して、前記磁性層よりも大きいレジストパタンを前記磁性層と前記鍍金ベース上に形成する工程と、
エッチングにより前記鍍金ベース層をパタニングする工程と、
前記磁性層及び鍍金ベース層を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に磁性を有する補助磁性層を前記磁性層と磁気的に接続するように形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば、主磁極の狭隘部周辺の鍍金ベース層のパタンに沿って鍍金ベース層を構成する材料が堆積しにくい。よって、磁気ヘッドは所望の形状、組成で形成される。更に、得られた磁気ヘッドを備える磁気ディスク装置は、情報の記録、再生性能が保持される点において、信頼性が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい実施例の構成を説明する。
【０００８】
図１は、本発明の磁気ヘッドを含む磁気ディスク装置（ハードディスクドライブ：ＨＤＤ）の概略的構成を示す平面図である。なお、これ以降、前述した構成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付して表す。
【０００９】
図１において、ＨＤＤ１００はハウジング１０１を有する。ハウジング１０１には、スピンドルモータ１０２に装着される記憶媒体（磁気ディスク）１０３と、記憶媒体１０３に対向し磁気ヘッド１０８が搭載されたヘッドジンバル組立体１０４とが配置されている。磁気ヘッド１０８は、記憶媒体へ情報を記録する又は該記憶媒体の情報を再生する働きを有する。磁気ヘッド１０８は、記憶媒体１０３へ情報を記録する又は記憶媒体１０３の情報を再生するための素子部（図示せず）と、素子部を備え記憶媒体１０３に対向するように配置されたスライダ（図示せず）とを含んでなる。磁気ヘッド１０８が搭載されたヘッドジンバル組立体１０４はシャフト１０５のまわりで揺動することができるキャリッジアーム１０６の先端に固定される。
【００１０】
ＨＤＤ１００の作動中、磁気ディスク１０３は矢印１０９の方向に回転し、キャリッジアーム１０６はアクチュエータ１０７によって揺動駆動され、磁気ヘッド１０８が磁気ディスク１０３の所望の記録トラックに位置決めされる。これらの動作によって、磁気ヘッド１０８は記憶媒体１０３に情報を書き込み、あるいは記憶媒体１０３から情報を読み取ることができる。
−磁気ヘッド−
図２〜４は、本発明の磁気ヘッドの第１実施形態である磁気ヘッドの概略的構成を示す断面図である。ここでは、単磁極型の垂直磁気ヘッドからなる記録ヘッド部を有する磁気ヘッドの概略的構成を示す。図２は、記憶媒体に対向する面（浮上面）に垂直であり且つ記憶媒体の直径方向に垂直な面を示す概略断面図である。図３は、浮上面を示す概略平面図である。図４は、主磁極層及び鍍金ベース層の基板の主面に平行な断面を同一平面上に重ねて表示した概略図である。
【００１１】
以下の説明では、Ｘ軸方向は記憶媒体の直径方向であり、Ｙ軸方向は記憶媒体に対して遠ざかる方向であり、Ｚ軸は基板上に積層されている各層の積層方向（以下、「基板からの積層方向」と呼称する。）であり、また、磁気ヘッドに対する媒体の移動方向である。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに垂直ある。また、Ｘ軸方向の距離を「幅」、Ｙ軸方向の距離を「長さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚さ」とそれぞれ表記する。磁気ヘッドにおいて、Ｙ軸方向のうちの浮上面（エアベアリング面：ＡＢＳ）に近い側を「浮上面側」、浮上面から遠ざかる側を「ハイト側」とそれぞれ表記する。これらの表記内容は、後述する図３以降においても同様とする。
【００１２】
本実施形態に係る磁気ヘッドは、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に磁気記録用のデバイスとして搭載されるものである。この磁気ヘッドは、例えば、アルティック（Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ）などのセラミック材料よりなる基板７上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶縁層９と、垂直記録方式により記憶媒体上の記録面の任意の位置に情報を記録可能な記録ヘッド部１１１と、アルミナ等よりなるオーバーコート層（図示せず）とがこの順に積層された構成をなしている。
【００１３】
アルティック基板７の上に、絶縁層９が形成されている。絶縁層９はアルミナなどの非磁性非導電性材料からなる。絶縁層９には、加熱器（図示せず）が埋め込まれていてもよい。加熱器は記録ヘッド部１１１を加熱することにより、それらを膨張させ、浮上面側に突き出させることを可能にする。加熱器としては、例えば抵抗加熱ヒータを用いることができる。抵抗加熱ヒータは、例えばチタンタングステン(ＴｉＷ)やタングステン（Ｗ）、ニッケル銅（ＮｉＣｕ）から形成される。抵抗加熱ヒータへ供給される電力が制御されることにより、抵抗加熱ヒータは発熱する。その熱に応じて、記録ヘッド部１１１（中でも後述する主磁極層１１）の突出量が制御されうる。磁気ディスク装置においては、この突出量の制御によって、再生、記録に適した浮上量になるように制御することができる。
【００１４】
記録ヘッド部１１１は、例えば、主磁極層１１、鍍金ベース層１８、トレーリングシールド層１４、接続層１０Ａ、１０Ｂ、コイル８ａ〜８ｄ（以下、コイル８と総称する場合がある。）、樹脂層１３ａ〜１３ｅ（以下、レジスト１３と総称する場合がある。）、リターンヨーク層１５、絶縁層１２、１７を有する。
【００１５】
主磁極層１１、接続層１０Ｂ、リターンヨーク層１５、接続層１０Ａ、及びトレーリングシールド層１４は、それぞれ磁性材料からなり、磁気的に接続されている。これら磁性材料からなる部分とコイル８とは絶縁層１２、１７及び樹脂層１３により磁気的かつ電気的に遮蔽されている。コイル８、レジスト１３、接続層１０Ａは基板から遠い側の表面は研磨され、略同一平面上に位置する。
【００１６】
コイル層８ａ〜８ｄは、主に、記録用の磁束を発生させるものである。このコイル層８ａ〜８ｄは、例えば、銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されている。コイル層の厚さは例えば１〜３μｍ程度である。尚、接続層１０Ｂのハイト側に位置するコイルは図示していない。
【００１７】
主磁極層１１は、主に、コイル層８Ａ及び８Ｂにおいて発生した磁束を収容し、その磁束を磁気ディスク（図示せず。）に向けて放出するものである。主磁極層１１は、通常、浮上面１６側が露出している。この主磁極層１１は、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、鉄系合金（Ｆｅ−Ｍ；Ｍは４Ａ，５Ａ，６Ａ，３Ｂ，４Ｂ族の金属元素）、あるいはこれらの各合金の窒化物などにより構成されており、その厚みは約０．１μｍ〜０．５μｍである。ここで、主磁極層１１は本発明における「磁性層」の一具体例に相当する。
【００１８】
鍍金ベース層１８は、主磁極層１１を鍍金法により形成する際に電極として機能する層である。鍍金ベース層１８は、導電性を有する任意の材料により構成されうる。鍍金ベース層は、例えばタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）により構成されうる。
【００１９】
トレーリングシールド層１４は、主に、主磁極層１１から放出された磁束をハードディスク（図示せず。）を経由してリターンヨーク層１５に環流させる際に、主磁極層の書き込み磁界の磁界勾配を急峻にする機能を担う。また、トレーリングシールド層１４は、主磁極層１１を周囲から磁気的に遮蔽する機能も担う。トレーリングシールド層１４は、通常、浮上面１６側が露出している。このトレーリングシールド層１４は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚みは約１．０μｍ〜２．０μｍである。ここで、トレーリングシールド層１４は本発明における「補助磁性層」の一具体例に相当する。
【００２０】
リターンヨーク層１５は、記録ヘッド部１１１において、主磁極層１１から放出された磁束をハードディスク（図示せず。）を経由して環流させる機能を担うものである。このリターンヨーク層１５は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚みは約１．０μｍ〜４．０μｍである。リターンヨーク層１５は本発明における「補助磁性層」の一具体例に対応する。
【００２１】
樹脂層１３ａ〜１３ｅは、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）などにより構成されている。樹脂層１３ａ〜１３ｅは、尚、樹脂層１３ａ〜１３ｅの代わりに、アルミナ等のセラミックスを配置しても良い。ここで、樹脂層１３ａ〜１３ｅは、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。
【００２２】
絶縁層１２は、コイル８と主磁極層１１との間の電気的な絶縁性を確保することが可能であり且つ非磁性である材料により構成されている。絶縁層１２は、例えば、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２）などの非磁性非導電性材料により構成されている。また、絶縁層１２のうち浮上面側に、ルテニウム（Ｒｕ）や銅（Ｃｕ）などの導電性を有する非磁性材料が用いられてもよい。絶縁層１２の厚みは、浮上面側において約数十〜数百ｎｍ、ハイト側で約０．１μｍ〜１．０μｍである。絶縁層１２は、複数の材料から構成されていても良いし、互いに異なる材料からなる複数の層からなっていてもよい。ここで、絶縁層１２は、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。
【００２３】
絶縁層１７は、コイル８及び樹脂層１３を覆うように設けられる。絶縁層１７は、例えばアルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２）やフォトレジストなどの非磁性非導電性材料により構成されており、その厚みは例えば約０．１μｍ〜１．０μｍである。絶縁層１７がフォトレジストからなる場合、通常、上記樹脂層１３と一体形成される。ここで、絶縁層１２は、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。
【００２４】
接続層１０Ａは、リターンヨーク層１５とトレーリングシールド１４との間を磁気的に連結させるためのものであり、通常、コイル層８よりも浮上面側に位置する。また、接続層１０Ｂは、リターンヨーク層１５と主磁極層１１との間を磁気的に連結させるためのものであり、通常、コイル層８よりもハイト側に位置する。接続層１０Ａ及び１０Ｂは、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。接続層１０Ａは本発明における「補助磁性層」の一具体例に対応する。
【００２５】
また、接続層１０Ｂは、トレーリングシールド１４、接続層１０Ａ及びリターンヨーク層１５と（すなわち、本発明における補助磁極層）主磁極層１１との間を磁気的に連結させるためのものであり、通常、コイル層８よりもハイト側に位置する。接続層１０Ｂは、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。
【００２６】
オーバーコート層（図示せず。）は、記録ヘッド部１１１を保護するため、記録ヘッド部１１１の上面に設けられる。オーバーコート層を構成する材料は特に限定されない。オーバーコート層は、例えば、アルミナから構成されうる。
【００２７】
上記各層は、例えば、メッキ処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ法やエッチング法などを利用したパタニング技術、並びに機械加工や研磨加工などの研磨技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して、図２の下方の層から上方の層へ向かって順に、セラミック材料よりなる基板７上に積層することにより製造可能である。磁気ヘッドの製造方法の詳細は後述する。
【００２８】
図２の磁気ヘッド１０８を磁気ディスクに配置して、記憶媒体上の記録層に情報を記録したい場合、主磁極層１１の近傍のコイル８に電流を流して所定の磁束を生成する。このコイル８にて生成された磁束は、主磁極層１１を通過し、浮上面１６から記憶媒体（図示せず）の表面へ流れる。記録層に流れ込んだ磁界は磁束に流出し、トレーリングシールド層１４、接続層１０Ａ、及びリターンヨーク層１５へと流入する。上記の主磁極層１１、記憶媒体（図示せず）、トレーリングシールド層１４、接続層１０Ａ、リターンヨーク１５、接続層１０Ｂにより磁気回路が形成される。この磁気回路を利用して、記憶媒体の記憶媒体面に対して垂直な方向の磁化（情報）を記録層に記録することができる。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、主磁極層１１の浮上面側の断面は、逆台形の形状を有する。断面がこのような逆台形の形状を有しているのは、磁気ヘッドが記録動作を行う際、磁気記憶媒体の円周方向（トラック方向）に対する磁気ヘッドの傾き角（スキュー角）によって、主磁極層１１が記録を行いたくないトラックに磁気情報を書き込んでしまうのを抑制するためである。主磁極層１１の浮上面側の断面パタンの寸法は、例えば上辺ｎが百数十ｎｍ、下辺ｎ２が数十ｎｍ、厚さｎ３が二百数十ｎｍである。尚、図３（ｂ）に示すように、主磁極層１１の浮上面側の断面は、逆三角形であってもよい。この場合、主磁極層１１は鍍金ベース層１８上に固着されていない。逆三角形の側方は図示されないアルミナなどの非磁性絶縁物で埋められる。
【００３０】
図４に示すように、主磁極層１１は、磁界誘導部４１、フレア部４２、及び先端部４３を含んで構成される。磁界誘導部４１は、コイルにより記録するための磁界が誘導される比較的幅が広い部分である。磁界誘導部４１の幅ｌは、フレア部４２の幅ｍ以上である。磁界誘導部の幅ｌは、例えば、数十μｍである。
【００３１】
フレア部４２は、磁界誘導部４１に誘導された磁界を絞り込み、先端部４３へと誘導するテーパ形状を有する部分である。フレア部４２の幅ｍは磁界誘導部４１に近づくほど大きく、先端部４３に近づくほど小さい。フレア部４２の幅ｍの範囲は、例えば０．１〜３０μｍ程度である。フレア部４２の長さｍ０は、例えば１００〜１５０ｎｍである。フレア部４２の幅ｍは先端部４３の幅ｎ以上であり、磁界誘導部４１の幅ｌ以下である。先端部の幅ｎは、例えば、数十〜百数十ｎｍ程度である。
【００３２】
先端部４３は、浮上面１６側から磁気記憶媒体に向けて磁界を放出し、磁気記録するための部分である。先端部４３の長さｎ０（一般にスロートハイトと呼ばれる）は、例えば百数十ｎｍである。
【００３３】
鍍金ベース層１８は、主磁極層１１のうち先端部４３よりも幅広である磁界誘導部４１の幅ｌに対応した幅ｋを有している。対応した幅ｋは幅ｌよりも例えば０．１〜０．５μｍ程度大きい。幅ｌと幅ｋの大きさの差は、製造上のマージンである。対応する幅ｋが必要以上に大きすぎることは無益である。幅ｋが必要以上に大きいと、例えば、鍍金ベース層が磁気ヘッドの動作に必要な導電性を有する端子部（図示せず）と電気的に短絡するおそれがある。
【００３４】
このような磁気ヘッドは、鍍金ベース層１８が、主磁極層１１の形状に対応して、主磁極層１１よりも大きく、鍍金ベース層１８の端部の形状の精度がよい。以下にその理由を説明する。鍍金ベース層を設ける際、通常、以下の工程を経る。まず、絶縁層９が設けられた基板７上の全面に鍍金ベース層１８を設ける。次いで、基板７の主面方向を向いて所望の形状となるように、主磁極層１１が設けられる。この主磁極層１１は、磁界誘導部４１から延在するフレア部４２及び先端部４３の先に、更に、主磁極層１１の加工中に先端部４３の形状を保持するための支持部（図示せず）を有する。この支持部は、通常先端部４３の幅ｎよりも大きな幅を有する。その後、鍍金ベース層１８が、主磁極層１１のうち磁界誘導部４１の形状に対応して、磁界誘導部４１の幅よりも大きい幅を有する形状に加工される。この加工において、まず、磁界誘導部４１の幅ｌよりも大きいレジストパタンが主磁極層１１の全部と鍍金ベース１８の一部を覆うように設けられる。このレジストパタンは、主磁極層１１の形状に対応して、主磁極層１１よりも大きい鍍金ベース層１８を設けるための形状を有する。次いで、イオンミリング等、物理的エッチングの手法により、鍍金ベース１８をエッチングする。このとき、イオンビームが入射することにより放出される鍍金ベース１８を構成する材料等が鍍金ベース層の周辺に再付着するのを防ぐため、イオンビームは、通常、基板７の主面に対して０°よりも大きい入射角で入射され、イオンビームを照射するとき基板７は主面に垂直なある軸を中心に回転される。上記のようなレジストパタンを設けて上記イオンミリング等を行うと、レジストパタンの周辺において、イオンビームがレジストの存在により届かない時間が短いため、鍍金ベース１８を構成する材料等は鍍金ベース層の周辺に再付着しにくく、鍍金ベース１８を構成する材料を含んでなる突出部が鍍金ベース層の周辺に形成されない。即ち、鍍金ベース層１８の端部の形状の精度がよい。端部の形状精度がよい鍍金ベース層１８を覆うように形成される絶縁層、トレーリングシールド層、リターンヨーク層等は、所望の形状及び組成を有する。これら各層が所望の形状及び組成を有するため、本実施形態の磁気ヘッドが設けられた磁気ディスク装置において、鍍金ベース層を覆う上記各層の一部が欠落しにくい。ゆえに、このような磁気ヘッドを備える磁気ディスク装置は、高い信頼性を備える。磁気ヘッドから生じる欠落物は磁気ディスク装置内部において、コンタミネーションとして働き、情報の記録、再生性能に障害を生じさせる。
【００３５】
尚、鍍金ベース１８のうち狭隘部（先端部４３）から張り出している部分については、鍍金ベースの幅ｋは、磁界誘導部の幅ｌより小さい幅に対応していてもよい。例えば、鍍金ベースのうち狭隘部から張り出している部分において、鍍金ベースの幅ｋは主磁極層１１となる強磁性層のうち、先端部４３の形状を保持するために設けられる支持部の幅に対応していてもよい。換言すれば、鍍金ベースの幅広部の磁性層より張り出した部分が、鍍金ベースの狭隘部の磁性層より張り出した部分よりも小さくてもよい。後述する磁気ヘッドの製造方法の説明における第２実施形態に示される方法で作成した磁気ヘッドは、このような主磁極層の形状を有し、鍍金ベース層の端部の形状の精度がよい。即ち、鍍金ベース層を設ける際に、エッチングにより鍍金ベース層をパタニングすることにより、鍍金ベースを構成する材料を含んでなる突出部が鍍金ベース層の周辺に形成されない。よって、上記形状を有する磁気ヘッドを備える磁気ディスク装置は、図２〜４を用いて説明した磁気ヘッドと同様の理由で、高い信頼性を備える。
【００３６】
図５〜７は、それぞれ本発明の磁気ヘッドの別の実施形態を示す断面模式図である。図５〜７は、記憶媒体に対向する面（浮上面）を示す概略平面図である。図５〜７に示す磁気ヘッドの、浮上面、基板の主面に平行な主磁極層及び鍍金ベース層の断面の形状は、それぞれ図３及び図４の断面形状と同様であるため省略する。上記実施形態の磁気ヘッドにおいて、トレーリングシールド層１４、接続層１０Ａ、１０Ｂが設けられているが、例えば図５のように、トレーリングシールド１４、接続層１０Ａは設けられていなくても良い。また、図６のようにトレーリングシールド１４、接続層１０Ａ、１０Ｂが設けられていなくても良い。
【００３７】
また、本発明の磁気ヘッドは、記録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであってもよく、例えば、基板７上に絶縁層９と再生ヘッド部１１２と記録ヘッド部１１１とオーバーコート層（図示せず）とがこの順に積層された構成であってもよい。例えば、図７のように、本発明の磁気ヘッドには更に再生ヘッド部１１２が設けられていてもよい。再生ヘッド部１１２は、例えば、下部シールド層３と、ギャップ膜４と、上部シールド層６とがこの順に積層された構成をなしている。ギャップ膜４には、浮上面１６に一端面が露出するように、磁気再生デバイスとしての磁気抵抗効果素子（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｅｆｆｅｃｔ  ｅｌｅｍｅｎｔ。以下、ＭＲ素子と略記する。）５が埋設されている。
【００３８】
下部シールド層３および上部シールド層６は、主に、ＭＲ素子５を周囲から磁気的に遮蔽するものである。これらの下部シールド層３および上部シールド層６は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（以下、単に「パーマロイ（商品名）」という）；Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、それらの厚みは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００３９】
ギャップ膜４は、下部シールド層３や上部シールド層６からＭＲ素子５を磁気的かつ電気的に分離するものである。このギャップ膜４は、例えば、アルミナなどの非磁性非導電性材料により構成されており、その厚みは約０．１μｍ〜０．２μｍである。
【００４０】
ＭＲ素子５として、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）等の磁気抵抗効果を示す感磁性膜を用いた素子が利用されうる。
【００４１】
図５〜７に示される磁気ヘッドは、図２〜４に示される磁気ヘッドと同様、いずれも鍍金ベース層１８の端部の形状の精度がよい。ゆえに、磁気ディスク装置の信頼性が高い。
−磁気ヘッドの製造方法−
図８、９は、本発明の磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態を示す模式的断面図であり、図２〜４に示す磁気ヘッドと同様の構成を有する磁気ヘッドの製造途中における積層体において、最終的に得られる磁気ヘッドの浮上面に相当する断面の形状を示す模式的断面図である。尚、上記実施形態の磁気ヘッドの説明と重複する部分については、説明を省略する。
【００４２】
まず、図８（ａ）に示すように、アルティック等の基板２０７上にアルミナ等の絶縁層（図示せず）を形成し、更に、絶縁層を形成した基板２０７上にルテニウム等の鍍金ベース層２１８ａをスパッタリング法等によって形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、鍍金ベース層２１８ａの上に強磁性層２４０を形成する。この強磁性層２４０が後工程において加工されることにより、後述の主磁極層が得られる。尚、強磁性層２４０は本発明における「磁性層」の一具体例に対応する。
【００４３】
図１０は、強磁性層の形成方法を示す模式的断面図である。この模式的断面図は、強磁性層の先端部の断面（すなわち、得られる磁気ヘッドにおける浮上面に相当する断面）を示している。
【００４４】
まず、図１０（ａ）において鍍金ベース層２１８ａの表面にレジスト層２３０ａを塗布する。使用されるレジストはポジ型であってもネガ型であってもよい。続いて図１０（ｂ）においてレジストパタン２３０ｂを通常のフォトリソグラフィの技術を用いて形成する。具体的には、例えば、そのレジスト層２３０ａ上に露光用のマスクを配置した状態で露光を行った後、レジスト層２３０ａの感光した部分を現像により除去する。このマスクは、主磁極層２１１のパタン形状を反映した開口部を有する開口型のマスクである。使用する露光装置（露光条件）および現像液の種類は、任意に設定可能である。現像後のレジストパタンの端部（エッジ）は、図１０（ｂ）に示すように略垂直に立ち上がっている。このレジストパタン２３０ｂを所定温度の加熱炉に入れてレジストをリフロー（流動化）させると、図１０（ｃ）のようにテーパ形状を有するレジストパタン２３０を得ることができる。
【００４５】
次いで、図１０（ｄ）に示すようにテーパのついたレジストパタン２３０に強磁性材料（例えば、パーマロイ）による鍍金を行い、強磁性層２４０ａが形成される。レジストパタン２３０の除去（図１０（ｅ））後、強磁性層２４０ａイオンミリングによりスリミングを行い、強磁性層２４０を得る（図１０（ｆ））。図１０（ｆ）において強磁性層２４０の形状は逆台形を保っているが、先端部の幅がより小さい場合やイオンミリングをより多く実施すれば前述したように逆三角形になる。なお、図１０に示す製造フローでは、イオンミリングにより形成したパタン（強磁性材料によるメッキパタン）の側面だけではなく上面もイオンによるエッチングが行われるので、パタン厚（即ち、メッキ厚）も減少することになる。
【００４６】
図１１は、図１０で説明した形成方法により得られた強磁性層の斜視図である。図１１は磁気ヘッドとして未だ完成しておらず、製造途中の鍍金ベース層上に形成した強磁性層のパタンを示すものである。強磁性層２４０は、磁気ヘッドにおいて主磁極層となる主磁極部２４７と、製造中に主磁極部２４７の形状を保持するために主磁極部２４７と一体となっている支持部２４８とを含んでなる。主磁極部２４７は、磁界誘導部２４１とフレア部２４２と先端部２４３とからなる。磁界誘導部２４１とフレア部２４２と先端部２４３とは磁気的に接続されている。磁界誘導部２４１の積層方向に垂直な断面における幅ｌ（Ｘ軸方向の長さ）は、フレア部２４２の幅ｍ以上である。磁界誘導部２４１は図示されないコイルにより磁界が誘導される。フレア部２４２は、磁界誘導部２４１及び先端部２４３に隣接する。フレア部２４２の幅ｍは磁界誘導部２４１から先端部２４３に近づくにつれて細くなるテーパ形状を有する。先端部２４３はフレア部２４２に隣接する。先端部２４３は磁極幅を一定に加工する便宜上、通常ほぼ一定の幅ｎを有する。先端部２４３の幅ｎは、フレア部２４２の幅ｍ以下である。尚、磁界誘導部２４１は、本発明における「幅広部」の一例に相当する。また、先端部２４３は、本発明における「狭隘部」の一例に相当する。支持部２４８は、細幅で且つ高さが幅に較べて高い先端部２４３が磁気ヘッドの製造途中で倒れたり曲がったりすることを防ぐ目的で設けられる。支持部２４８とフレア部２４２とは、先端部２４３を挟むように設けられる。即ち、主磁極部２４７のフレア部２４２、磁界誘導部２４１と支持パタン２４８とが橋頭堡のように先端部２４３及び第２を支えてパタン形成することが行われている。支持部２４８の形状は、この目的を達成可能なものであれば特に限定されないが、例えば、本実施形態のように先端部２４３と略同一の幅ｎを有する先端支持部２４４、テーパ形状を有するフレア支持部２４５、幅広支持部２４６から構成される形状を採用することができる。フレア支持部２４５の幅ｏは、先端支持部２４４の幅ｎ以上であり、幅広支持部２４６の幅ｐ以下である。
【００４７】
磁界誘導部２４１の幅ｌは、例えば数十μｍ程度である。フレア部２４２の幅ｍの範囲は、例えば０．１〜３０μｍ程度である。先端部の幅ｎは、例えば、数十〜百数十ｎｍ程度である。フレア支持部２４５の幅ｏの範囲は、例えば０．１〜１０μｍ程度である。フレア支持部２４５の長さｏ１は、例えば１００〜１５０ｎｍである。幅広支持部２４６の幅ｐは、例えば５〜１０μｍ程度である。尚、本実施形態において磁界誘導部２４１の幅ｌは幅広支持部２４６の幅ｐよりも大きいが、幅広支持部２４６の幅ｐが磁界誘導部の幅ｌよりも大きくてもよい。
【００４８】
先端部２４３と先端支持部２４４からなる架橋部の長さｎ１は１〜２μｍである。尚、幅広支持部２４８は、本発明における「幅広部」の一例に相当する。後工程において、強磁性層２４０に対応する部分が支持部２４８側から線分Ｐ−Ｑを通るＹ軸に垂直な断面まで研磨されることにより、所定のスロートハイトを有する主磁極部２４７を得る。線分Ｐ−Ｑを通るＹ軸に垂直な断面は磁気ヘッドにおける浮上面の一部を構成する。
【００４９】
再び図８、９を用いて、本実施形態の磁気ヘッドの製造方法について説明する。強磁性層２４０を形成した後、図８（ｃ）に示すように、後工程において強磁性層２４０の上面をＣＭＰ（化学的機械的研磨）により精度良く研磨するためのストッパ層２１９ａが形成される。ストッパ層２１９ａは、スパッタリング法など通常の成膜工程により形成される。ストッパ層２１９ａを構成する材料は特に限定されないが、ストッパ層２１９ａは例えばタンタルなど、後工程において積層するアルミナなどの絶縁層よりも研磨速度が遅い材料から構成される。
【００５０】
次いで図８（ｄ）に示すように、強磁性層２４０を覆うように、レジストパタン２２０を形成した積層体が得られる。レジストパタン２２０は、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、強磁性層２４０と、鍍金ベース層２１８ａ、ストッパ層２１９ａのうち除去したくない部分とを覆うように形成される。使用されるレジストはポジ型であってもネガ型であってもよい。例えば、ポジ型レジストをストッパ層２１９ａ上に塗布し、レジスト層を設ける。続いてレジストパタンを通常のフォトリソグラフィの技術を用いて形成する。具体的には、例えば、そのレジスト層上に露光用のマスクを配置した状態で露光を行った後、レジスト層の感光した部分を現像により除去し、レジストパタンが得られる。このマスクは、主磁極層２１１のパタン形状を反映した開口部を有する開口型のマスクである。使用する露光装置（露光条件）および現像液の種類は、任意に設定可能である。
【００５１】
図１２は、第１実施形態の磁気ヘッドの製造方法において、途中で得られる積層体を示す斜視図である。図１２は、鍍金ベース層及びストッパ層をパタニングする前において、レジストパタンが設けられた積層体の例を示す斜視図である。図１２において、先端部２４３と先端支持部２４４の近傍のレジストパタンの幅ｋ１Ｒは、後述するイオンミリングの工程において、所定の幅ｋ１を有する鍍金ベース層を得る観点から定められる。すなわち、レジストパタンの幅ｋ１Ｒは、イオンミリングの工程において鍍金ベース層が磁界誘導部２４１の幅ｌに対応する幅を形成可能なように設けられている。詳細は後述する。
【００５２】
図１２を用いて、本実施形態の磁気ヘッドの製造方法において、鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層（図示せず）をイオンミリングによってエッチングする際に鍍金ベース層２１８ａに入射するイオンビームの方向を説明する。図１２において、絶縁層２０９、鍍金ベース層２１８ａ、強磁性層２４０及びレジストパタン２２０のみが示されており、他の層は省略されている。イオンミリングの際、上記積層体がＺ軸方向のある直線を中心として通常一定の角速度で回転した状態で、イオンビームが積層体の上面に照射される。本実施形態におけるイオンビームの照射角度θは特に限定されるものではない。イオンが入射することにより鍍金ベース層２１８ａ及び鍍金ベース層の上に設けられたストッパ層（図示せず）から叩き出された材料はレジストパタン２２０の側面に再付着する。この再付着を防止するため、通常イオンビームの入射角θは０°よりも大きい。イオンビームの入射角が０°よりも大きいほど、再付着した材料がイオンビームにより再び叩き出され、レジストパタンの側面から除去されるからである。入射角θは、例えば２０°に設定される。
【００５３】
図１２に示す積層体をイオンミリングする際、イオンビームの照射時間の約半分の時間において、イオンビームＩｏｎは、レジストパタン２２０の近傍の鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層（図示せず）上に入射することができる。すなわち、イオンビームの入射点Ｔ１に入射可能なイオンビームは、矢印Ｒで示される位置を通過するイオンビームに限られる。回転角αは積層体のＺ軸方向のある直線を中心としたイオンビームが点Ｔ１に入射可能な角度である。矢印Ｓで示される位置を通過するイオンビームは、レジストパタン２２０が障害となるため、点Ｔ１に到達しない。回転角αは約１８０°であり、イオンビームは、浮上面近傍且つレジストパタン２２０の近傍の、鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層（図示せず）や、レジストパタン２２０の浮上面の近傍の側面に、比較的長時間照射されうる。よって、レジスト側面への再付着を防ぐことができる。
【００５４】
イオンビームの照射後、レジストパタン２２０を除去して、図８（ｆ）に示されるような積層体を得る。レジストパタンを除去する方法は特に限定されないが、例えば、レジストパタンを溶解可能な溶媒に浸漬する方法や、アッシング処理などを用いることができる。
【００５５】
図１３は、図１２に示す積層体において鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層（図示せず）をパタニングした後の積層体を示す斜視図である。図１３において、絶縁層２０９、鍍金ベース層２１８及び強磁性層２４０のみが示されており、他の層は省略されている。図１３に示される積層体は、鍍金ベース層２１８が、磁界誘導部２４１の幅ｌに対応する幅ｋ１を有するように設けられている。ここで、対応する幅ｋ１は少なくとも幅ｌよりも大きければよいが、幅ｋ１と幅ｌとの差は製造上のマージンである。対応する幅ｋ１が必要以上に大きすぎることは無益である。幅ｋ１が必要以上に大きいと、例えば、鍍金ベース層が磁気ヘッドの動作に必要な導電性を有する端子部（図示せず）と電気的に短絡するおそれがある。磁界誘導部２４１の幅ｌは例えば数十μｍである。幅ｋ１と幅ｌとの差は、例えば０．１〜０．５μｍ程度である。これはレジスト２２０の幅（図１２における幅ｋ１Ｒ）の精度に依存した値であるが、この範囲に限定されるものではない。パタニング後の鍍金ベース２１８の端部の形状の精度は高い。即ち、前記鍍金ベース層を設ける際に、エッチングにより前記鍍金ベース層をパタニングすることにより、前記鍍金ベースを構成する材料を含んでなる突出部が鍍金ベース層の周辺に形成されない。
【００５６】
尚、図８（ｄ）に示されるレジストパタン２２０を形成した積層体は、イオンビームの照射前に加熱処理されることが好ましい。レジストパタン２２０が加熱されることにより、上部の角が丸まり、イオンミリングの際、レジストパタン２２０の側面に照射される時間の割合が増加するため、上記再付着物の発生が抑制される。また、レジストパタン２２０が加熱されることにより、レジストパタン２２０が接するストッパ層との密着性が向上し、再付着物が抑制される。仮にレジストパタン２２０がストッパ層から剥離すると、イオンミリングの際レジストパタン２２０がストッパ層から剥離した部分に再付着物が堆積しやすい点において問題である。加熱温度はレジストパタンを構成する材料によって異なるものであり、本発明において特に限定されるものではない。
【００５７】
上記イオンビームの照射中に、イオンビームの入射角度を変化させても良い。イオンミリングは、例えば、主に鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層２１９ａを除去することを目的として、鍍金ベース層２１８ａの表面に対して４５°以下の入射角でイオンビームを照射する第１照射工程と、主に再付着した鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層２１９ａを構成する材料を除去することを目的として、前記鍍金ベース層の表面に対して４５°以上の入射角でイオンビームを照射する第２照射工程とに分けて行ってもよい。第２照射工程の時間は、第１照射工程の時間よりも短いことが、鍍金ベース層２１８ａの下側に設けられたアルミナなどの絶縁層が過剰にエッチングされにくく、絶縁層の表面形状を平坦に保持することができる点から好ましい。例えば、第２照射工程は第１照射工程の５０％程度の時間に設定できる。イオンの照射は、鍍金ベース層２１８ａの構成材料の残膜量を、光学式エンドポイントディテクタや二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）で判断して、停止する。
【００５８】
再び図８、９を用いて、本実施形態の磁気ヘッドの製造方法について説明する。レジストパタン２２０を除去した後、ストッパ層２１９ｂ上に、絶縁層２２１ａを設け、図８（ｇ）に示される積層体を得る。ストッパ層２１９ｂの厚さは、通常、強磁性層２４０の厚さ以上である。絶縁層２２１ａは、例えばアルミナなどの非磁性非導電性材料から構成される。次いで、図９（ａ）に示されるように、図８（ｇ）における絶縁層２２１ａの上面をストッパ層の上面２１９ｔが露出するまでＣＭＰによって第１の研磨を行う。第１の研磨は、強磁性層２４０の高さの分だけ大きく突出している絶縁層２２１ａの突出部を小さくするために行う。次いで、強磁性層２４０の上面に位置するストッパ層２１９ｂを、イオンミリングなどの物理的エッチングによって除去し、図９（ｂ）に示されるように、強磁性層の上面２４０ｔを露出させる。次いで、強磁性層２４０の上面をＣＭＰ法により第２の研磨を行い、図９（ｃ）に示されるように、主磁極層２１１に要求される所定の幅（すなわち、上面のＸ軸方向の長さ）及び厚さ（すなわち、Ｚ軸方向の長さ）を有する強磁性層２４０ｂを得る。第２の研磨は、主に強磁性層２４０ｔ及び絶縁層２２１ａの上面全体を精密に研磨するために行う。第２の研磨の際、ストッパ層２１９の露出した上面も研磨される。
【００５９】
次いで、図９（ｄ）に示されるように、絶縁層２１２及びトレーリングシールド層２１４を順に形成する。また、図示されないが、図９（ｄ）の紙面奥の位置には、コイル（図示せず）、樹脂層（図示せず）、及びそのコイル並びに樹脂層を覆うように設けられる絶縁層（図示せず）が設けられる。更に、トレーリングシールド層２１４と強磁性層２４０ｂを磁気的に接続するため、図２に示される接続層１０Ａ、１０Ｂ及びリターンヨーク層１５に対応する層（図示せず）が設けられる。これらの層は、例えば、メッキ処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ法やエッチング法などを利用したパタニング技術、並びに機械加工や研磨加工などの研磨技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して形成することが可能である。次いで、上面全体にオーバーコート層（図示せず）をスパッタリング法を用いて設ける。更に、図１４における強磁性層２４０の支持部２４８側から線分Ｐ−Ｑを通るＹ軸に垂直な断面に対応する位置まで、強磁性層２４０ｂを研磨することにより、所定のスロートハイトを有する主磁極層を得る。研磨の手段は特に限定されないが、ダイシングソーなどを用いて適宜研磨することにより磁気ヘッドが得られる。尚、図１４における支持部２４８の線分Ｐ−Ｑに略平行な任意の断面に対応する部分において切断した後に、図１４における強磁性層２４０の支持部２４８側から線分Ｐ−Ｑを通るＹ軸に垂直な断面に対応する位置まで、強磁性層２４０ｂを研磨してもよい。
【００６０】
上記製造工程の中で、ストッパ層２１９、２１９ａ、２１９ｂが設けられているが、これらはＣＭＰにより主磁極層２１１を所望の形状に容易に加工するために設けられるものである。よって、本発明の磁気ヘッドの製造方法においては、強磁性層及び鍍金ベース層の上にストッパ層が設けることなく絶縁層２２１ａ及び強磁性層２４０の研磨を行ってもよい。また、研磨の方法はＣＭＰに限定されない。
【００６１】
次に、本発明の磁気ヘッドの製造方法の第２実施形態について説明する。尚、第２実施形態の説明において、第１実施形態の説明と重複する部分についてはその説明を省略する。
【００６２】
まず、アルティック等の基板上にアルミナ等の絶縁層（図示せず）、鍍金ベース層、強磁性層、ストッパ層を第１実施形態と同様に形成する。
【００６３】
次いで強磁性層を覆うようにレジストパタンを形成した積層体を形成する。レジストパタンの形成手段は第１実施形態と同様であるが、レジストパタンの形状は第１実施形態と異なる。
【００６４】
図１４は、第２実施形態の磁気ヘッドの製造方法において、途中で得られる積層体を示す斜視図である。図１４に示される積層体は、鍍金ベース層及びストッパ層をパタニングする前において、図１２に示される積層体におけるレジストパタン２２０の代わりに、それとは異なる形状のレジストパタン２３０が設けられている。図１４において、先端部２４３と先端支持部２４４の近傍のレジストパタンの幅ｋ２Ｒは、幅広支持部２４６の幅ｐに対応している。図１４において、先端部２４３と先端支持部２４４の近傍のレジストパタンの幅ｋ２Ｒは、後のイオンミリングの工程において鍍金ベース層が磁界誘導部２４６の幅ｐに対応する幅を形成可能なように設けられている。
【００６５】
レジストパタン２２０（又は２３０）が形成された後、イオンミリングなどの物理的エッチングによって、鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層２１９ａをパタニングし、鍍金ベース層２１８及びストッパ層２１９ｂを得る。
【００６６】
図１４を用いて、第２実施形態の磁気ヘッドの製造方法において、鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層（図示せず）をイオンミリングによってエッチングする際に鍍金ベース層２１８ａに入射するイオンビームの方向を説明する。図１４において、絶縁層２０９、鍍金ベース層２１８ａ、強磁性層２４０及びレジストパタン２３０のみが示されており、他の層は省略されている。図１４に示す積層体をイオンミリングする際、図１２に示される積層体の場合と同様に、イオンビームは鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層（図示せず）の浮上面近傍でレジストパタン２２０の近傍の部分（例えば点Ｔ２）や、レジストパタン２３０の浮上面の近傍の側面に、比較的長時間照射されうる。すなわち、イオンビームの入射点Ｔ２に入射可能なイオンビームは、矢印Ｒで示される位置を通過するイオンビームに限られる。回転角βは積層体のＺ軸方向のある直線を中心としたイオンビームが点Ｔ２に入射可能な角度である。矢印Ｓで示される位置を通過するイオンビームは、レジストパタン２２０が障害となるため、点Ｔ２に到達しない。回転角βは、イオンビームの入射角θとレジストパタンの形状によって変化するが、およそ９０〜１８０°の範囲内である。イオンビームは、浮上面近傍且つレジストパタン２２０の側面に近い位置Ｔ２に、比較的長時間照射されうる。
【００６７】
イオンビームの照射後、第１実施形態と同様にレジストパタン２３０を除去する。
【００６８】
図１５は、図１４に示す積層体において、鍍金ベース層２１８ａ、ストッパ層（図示せず）をパタニングした後の積層体を示す斜視図である。図１５において、絶縁層２０９、鍍金ベース層２１８及び強磁性層２４０のみが示されており、他の層は省略されている。
【００６９】
図１５に示される積層体は、鍍金ベース層２１８が、支持部２４８のうち幅広支持部２４６の幅ｐに対応する幅ｋ２を有するように設けられている。換言すれば、鍍金ベース層２１８のうち、強磁性層の先端部２４３及び先端支持部２４４から張り出している部分については、鍍金ベースの幅ｋ２は、幅広支持部２４６の幅ｐに対応している。ここで、「対応する幅ｋ２」は少なくとも幅ｐよりも大きければよいが、幅ｋ２と幅ｐとの差は製造上のマージンである。対応する幅ｋ２が必要以上に大きすぎることは無益である。幅ｋ２が必要以上に大きいと、例えば、鍍金ベース層が磁気ヘッドの動作に必要な導電性を有する端子部（図示せず）と電気的に短絡するおそれがある。幅広支持部２４６の幅ｐは例えば５〜１０μｍ程度である。幅ｋ２と幅ｐとの差は、例えば０．１〜０．５μｍ程度である。これはレジスト２２０の幅（図１４における幅ｋ２Ｒ）の形状精度に依存した値である。
【００７０】
レジストパタン２３０を除去した後の工程は、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。第２実施形態に示される方法で作成した磁気ヘッドにおいて、鍍金ベース層の端部の形状の精度は高い。即ち、前記鍍金ベース層を設ける際に、エッチングにより前記鍍金ベース層をパタニングすることにより、前記鍍金ベースを構成する材料を含んでなる突出部が鍍金ベース層の周辺に形成されない。
【００７１】
上記第１実施形態及び第２実施形態を用いて説明したように、レジストパタンは幅広部の幅に対応した幅を有する。幅広部が複数存在する場合、レジストパタンの幅は、それぞれの幅広部の幅を比較して最小の幅を有する幅広部の幅より大きいことを要する。鍍金ベース層及びストッパ層の浮上面近傍でレジストパタンの近傍の部分や、レジストパタンの浮上面の近傍の側面に、イオンビームを長時間照射可能であり、再付着物の発生を効果的に抑制可能な点から、第２実施形態より第１実施形態のほうが好ましい。
【００７２】
尚、幅広部の幅が一定でない場合、レジストパタンは幅広部の最大幅に対応した幅を有する。また、幅広部が複数存在し且つ幅広部の幅が一定でない場合、レジストパタンの幅は、それぞれの幅広部の最大幅の中で最も小さい幅よりも大きいことを要する。
【００７３】
次に、比較例の磁気ヘッドの製造方法について説明する。尚、比較例の説明において、第１実施形態の説明と重複する部分についてはその説明を省略する。
【００７４】
まず、アルティック等の基板上にアルミナ等の絶縁層（図示せず）、鍍金ベース層、強磁性層、ストッパ層を第１実施形態と同様に形成する。
【００７５】
次いで強磁性層を覆うようにレジストパタンを形成した積層体を形成する。レジストパタンの形成手段は第１実施形態と同様であるが、レジストパタンの形状は第１実施形態と異なる。
【００７６】
図１６は比較例の磁気ヘッドの製造途中の積層体を示す斜視図である。図１６は、鍍金ベース層及びストッパ層をパタニングする前の積層体を示す斜視図である。図１６において、絶縁層２０９、鍍金ベース層２１８ａ、強磁性層２４０及びレジストパタン２３５のみが示されており、他の層は省略されている。他の層の積層構成、及び各層の形状、材料、製造方法等は上記実施形態と同様である。また、絶縁層２０９、鍍金ベース層２１８ａ、及び強磁性層２４０の形状、材料、製造法等は、上記第１実施形態と同様である。レジストパタン２３５の材料、製造方法は上記第１実施形態におけるレジストパタン２２０と同様である。図１６に示すレジストパタン２３５は、先端部２４３と先端支持部２４４の幅ｎに対応する幅を有する部分を備える。
【００７７】
レジストパタン２３５が形成された後、イオンミリングなどの物理的エッチングによって、鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層２１９ａをパタニングし、鍍金ベース層２１８及びストッパ層２１９ｂを得る。
【００７８】
図１６を用いて、比較例の磁気ヘッドの製造方法において、鍍金ベース層２１８ａ及びストッパ層（図示せず）をイオンミリングによってエッチングする際に鍍金ベース層２１８ａに入射するイオンビームの方向を説明する。図１６に示す積層体をイオンミリングする際、イオンビームの照射時間の１／６程度の時間において、イオンビームＩｏｎは、レジストパタン２３５の近傍の鍍金ベース層２１８及びストッパ層（図示せず）上に入射することができる。すなわち、イオンビームの入射点Ｆに入射可能なイオンビームは、矢印Ｇで示される位置を通過するイオンビームに限られる。回転角γは積層体のＺ軸方向のある直線を中心としたイオンビームが点Ｇに入射可能な角度である。矢印Ｈで示される位置を通過するイオンビームはレジストパタン２３５が障害となるため点Ｇに到達しない。点Ｇに近い位置において、回転角γは約６０°であり、イオンビームは上記実施形態におけるＴ１及びＴ２ほど長時間照射されない。よって点Ｇに近い位置において再付着物が発生するおそれがある。
【００７９】
イオンビームの照射後、第１実施形態と同様にレジストパタン２３５を除去する。
【００８０】
図１７は比較例の磁気ヘッドの製造途中の積層体を示す斜視図である。図１７は、図１６に示される積層体の鍍金ベース層２１８、ストッパ層（図示せず）をパタニングした後の積層体が示されている。図１７において、絶縁層２０９、鍍金ベース層２１８、及び強磁性層２４０のみが示されており、他の層は省略されている。他の層の積層構成、及び各層の形状、材料、製造方法等は上記実施形態と同様である。また、絶縁層２０９、鍍金ベース層２１８及び強磁性層２４０の材料、製造方法は、上記実施形態と同様である。また、図１８は、図１７に示される積層体の線分Ｐ−Ｑを通りＹ軸に垂直な断面を示す断面図である。
【００８１】
比較例の磁気ヘッドの鍍金ベース層２１８は、強磁性層２４０を構成する磁界誘導部２４１、フレア部２４２、先端部２４３のそれぞれの幅ｌ、ｍ、ｎに、及び支持部２４８を構成する先端支持部２４４、フレア部２４５、幅広支持部２４６のそれぞれの幅ｎ、ｏ、ｐに対応する幅を有する複数の部分から構成されている。上記実施形態と異なる点は、鍍金ベース層２１８がフレア部２４２、先端部２４３、先端支持部２４４、フレア部２４５の幅ｍ、ｎ、ｎ、ｏにそれぞれ対応する幅を有する部分を備えることである。鍍金ベース層２１８のこれらの部分に近いエッジには再付着物２５１が生じている。これは、イオンミリングの際に、これらの部分にイオンビームが照射されにくいためである。
【００８２】
再付着物２５１の上に、後述するように積層される絶縁層やトレーリングシールド層を形成すると、それらの層は再付着物２５１の形状に倣って隆起して、それら各層が所望の形状に形成されなかったり、それら各層が欠陥や空隙を有したり所望の組成から外れたりする。絶縁層やトレーリング層が所望の形状ではない磁気ヘッドは、記録性能に劣るおそれがある。また、絶縁層やトレーリング層の浮上面側に欠陥、空隙を生じた部分、或いは所望の組成から外れた部分を有する磁気ヘッドは、浮上面側をラップ又は研磨する工程において、それらの部分に浮上面の削りカスやスラリーや定盤の材料がトラップされる。欠陥、空隙を生じた部分、所望の組成から外れた部分、或いはトラップされた削りカス等は、磁気ディスク装置内部において欠落することにより、コンタミネーションを生じさせるおそれがある。このコンタミネーションは、磁気ディスク装置の情報の記録、再生性能に障害を生じさせやすくする。
【００８３】
レジストパタン２３５を除去した後の工程は、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
【００８４】
本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００８５】
ここで、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
（付記１）
基板に鍍金ベース層を形成する工程と、
前記鍍金ベース層上に、幅広部から延在する狭隘部を備えた磁性層を形成する工程と、
前記磁性層の形状に対応して、前記磁性層よりも大きいレジストパタンを前記磁性層と前記鍍金ベース上に形成する工程と、
エッチングにより前記鍍金ベース層をパタニングする工程と、
前記磁性層及び鍍金ベース層を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に磁性を有する補助磁性層を前記磁性層と磁気的に接続するように形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（付記２）
前記幅広部は、前記狭隘部を挟む第１幅広部及び第２幅広部を含んでなり、
更に、前記補助磁性層を形成した後、前記第２幅広部を除去する工程と、
前記狭隘部の先端を研磨する工程と
を有することを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記３）
前記第１幅広部及び前記第２幅広部のうち小さいほうよりも、前記レジストパタンの形状が大きいことを特徴とする付記２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記４）
前記レジストパタンを形成する工程において、前記レジストパタンは、前記幅広部の形状に対応し、前記幅広部よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記５）
更に、前記鍍金ベース層をパタニングする工程の前に、前記レジストパタンを加熱する工程を有することを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記６）
前記鍍金ベース層をパタニングする工程が、前記鍍金ベース層の表面に対して４５°以下の入射角でイオンビームを照射する工程を含んでなることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記７）
前記鍍金ベース層をパタニングする工程が、前記鍍金ベース層の構成材料の堆積量を判断してイオンビームの照射を停止する工程を含んでなることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）
前記鍍金ベース層をパタニングする工程は、前記鍍金ベース層の表面に対して４５°以下の入射角でイオンビームを照射する第１工程と、前記鍍金ベース層の表面に対して４５°以上の入射角でイオンビームを照射する第２工程とを有することを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記９）
前記第２工程の時間が前記第１工程の時間よりも短いことを特徴とする付記７に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記１０）
更に、前記磁性層を形成する工程の後に、前記磁性層上に前記磁性層の形状を加工するために用いられるストッパ層を形成する工程を有し、
前記鍍金ベース層をパタニングする工程において、前記ストッパ層がパタニングされることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記１１）
基板と、
前記基板上に設けた幅広部から延在する狭隘部を備える鍍金ベース層と、
前記鍍金ベース層上に、前記鍍金ベースと対応して幅広部から延在する狭隘部を備えた磁性層と、
該磁性層を覆うように配置された絶縁層と、
前記磁性層と磁気的に接続し前記絶縁層上に配置された磁性を有する補助磁性層と
を有し、
前記鍍金ベース層の幅広部の前記磁性層より張り出した部分は、前記鍍金ベースの狭隘部の前記磁性層より張り出した部分よりも小さいことを特徴とする磁気ヘッド。
（付記１２）
エッチングにより前記鍍金ベース層をパタニングする際に、前記鍍金ベースを構成する材料を含んでなる突出部が前記鍍金ベースの周辺に形成されないことを特徴とする請求項５に記載の磁気ヘッド。
（付記１３）
基板と、
前記基板上に配置された鍍金ベース層と、
前記鍍金ベース層上に、幅広部から延在する狭隘部を備えた磁性層と、
該磁性層を覆うように配置された絶縁層と、
前記磁性層と磁気的に接続し前記絶縁層上に配置された補助磁性層と
を有し、
前記鍍金ベース層が、前記磁性層の形状に対応して、前記磁性層よりも大きいことを特徴とする磁気ヘッド。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の磁気ヘッドを含む磁気ディスク装置の概略的構成を示す平面図である。
【図２】本発明の磁気ヘッドの一実施形態である磁気ヘッドの概略的構成を示す断面図である。
【図３】本発明の磁気ヘッドの一実施形態である磁気ヘッドの概略的構成を示す断面図である。
【図４】本発明の磁気ヘッドの一実施形態である磁気ヘッドの概略的構成を示す断面図である。
【図５】本発明の磁気ヘッドの別の実施形態を示す断面模式図である。
【図６】本発明の磁気ヘッドの別の実施形態を示す断面模式図である。
【図７】本発明の磁気ヘッドの別の実施形態を示す断面模式図である。
【図８】本発明の磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態を示す模式的断面図である。
【図９】本発明の磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態を示す模式的断面図である。
【図１０】本実施形態の磁気ヘッドの製造方法において、強磁性層の形成方法を示す模式的断面図である。
【図１１】本発明の磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態により得られる強磁性層の斜視図である。
【図１２】本発明の磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態において、鍍金ベース層及びストッパ層をパタニングする前の積層体を示す斜視図である。
【図１３】本発明の磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態の製造方法において、鍍金ベース層、ストッパ層をパタニングした後の積層体を示す斜視図である。
【図１４】本発明の磁気ヘッドの製造方法の第２実施形態の製造方法により得られる、鍍金ベース層及びストッパ層をパタニングする前の積層体を示す斜視図である。
【図１５】本発明の磁気ヘッドの製造方法の第２実施形態の製造方法により得られる鍍金ベース層、ストッパ層をパタニングした後の積層体を示す斜視図である。
【図１６】比較例の製造方法により得られる、鍍金ベース層及びストッパ層をパタニングする前の積層体を示す斜視図である。
【図１７】比較例の製造方法により得られる、鍍金ベース層、ストッパ層をパタニングした後の積層体を示す斜視図である。
【図１８】比較例の製造方法により得られる、鍍金ベース層、ストッパ層をパタニングした後の積層体を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
３    下部シールド層
４    ギャップ膜
５    ＭＲ素子
６    上部シールド層
７    基板
８、８ａ〜８ｄ    コイル
９    絶縁層
１０、１０Ａ、１０Ｂ    接続層
１１    主磁極層
１２    絶縁層
１３、１３ａ〜１３ｅ    樹脂層
１４    トレーリングシールド層
１５    リターンヨーク層
１７    絶縁層
１６    浮上面
１８    鍍金ベース層
４１    磁界誘導部
４２    フレア部
４３    先端部
１００    磁気ディスク装置（ＨＤＤ）
１０１    ハウジング
１０２    スピンドルモータ
１０３    記憶媒体（磁気ディスク）
１０４    ヘッドジンバル組立体
１０５    シャフト
１０６    キャリッジアーム
１０７    アクチュエータ
１０８    磁気ヘッド
１１１    記録ヘッド部
１１２    再生ヘッド部
２１１    主磁極層
２１２    絶縁層
２１４    トレーリングシールド層
２１８、２１８ａ    鍍金ベース層
２１９、２１９ａ、２１９ｂ    ストッパ層
２１９ａ    ストッパ層の上面
２２０    レジストパタン
２３０ａ    レジスト層
２３０、２３０ｂ    レジストパタン
２４０、２４０ａ、２４０ｂ    強磁性層
２４０ｔ    強磁性層の上面
２４１    磁界誘導部
２４２    フレア部
２４３    先端部
２４４    先端支持部
２４５    フレア支持部
２４６    幅広支持部
２４７    主磁極部
２４８    支持部
２５１    再付着物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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