(57)【要約】【課題】反りやバリが生じることのない線状の実装基板を得ることのできる実装基板の製造方法を提供する。【解決手段】金属からなる基板本体１２と、基板本体１２の上側に形成される絶縁層１３、絶縁層１３の上側に形成される金属からなる回路パターン１４、及び、回路パターン１４の上側に形成され絶縁材からなる表層１５を有する積層部１８と、を備える線状の実装基板１１を製造するにあたり、一枚の金属板に複数の線状の積層部１８を幅方向に間隙をおいて並べて形成し、金属板における積層部１８の間隙の部分をエッチングを用いて除去するようにした。【選択図】図２
2009176961.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属からなる基板本体と、前記基板本体の上側に形成される絶縁層、前記絶縁層の上側に形成される金属からなる回路パターン、及び、前記回路パターンの上側に形成され絶縁材からなる表層を有する積層部と、を備える線状の実装基板を製造するにあたり、
一枚の金属板に、複数の線状の前記積層部を幅方向に間隙をおいて並べて形成する積層部形成工程と、
前記金属板における前記積層部の前記間隙の部分を、エッチングを用いて除去するエッチング工程と、を含む実装基板の製造方法。
【請求項２】
前記積層部形成工程は、前記絶縁層の上側に金属を全面的に形成した後、エッチングを用いて該金属の一部を除去して前記回路パターンを形成する工程を含む請求項１に記載の実装基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層部形成工程は、前記絶縁層の一部を除去して前記基板本体における搭載装置の放熱パターンとの接続部分を露出させる工程を含む請求項２に記載の実装基板の製造方法。
【請求項４】
前記積層部形成工程は、前記回路パターンにおける前記搭載装置の電極パターンとの接続部分が露出するように、前記表層を前記回路パターン上に形成する工程を含む請求項３に記載の実装基板の製造方法。
【請求項５】
前記実装基板は、曲線状である請求項４に記載の実装基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４の製造方法によって製造された実装基板と、
前記回路パターンに接続される電極パターン及び前記基板本体に接続される放熱パターンを有し、前記実装基板の長手方向に一列に搭載される複数の発光装置と、を備える線状光源を製造するにあたり、
前記実装基板の前記回路パターン及び前記発光装置の前記電極パターンと、前記実装基板の前記基板本体及び前記発光装置の前記放熱パターンと、の間にはんだ材をそれぞれ配置し、前記はんだ材を溶融させて前記発光素子を前記実装基板に対して位置決めした後、前記はんだ材を固化させる線状光源の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線状の実装基板と、これを備える線状光源の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
線状光源装置として、長尺状の基板と、基板の長手方向に沿って配置された複数の発光素子と、発光素子から長手方向へ出射された光を出射方向へ反射させ、発光素子と交互に配置された反射体と、発光素子を樹脂で封止した樹脂封止部とを有する線状光源装置が知られている（特許文献１参照）。特許文献１には、この線状光源装置を、基板材に並列したザグリ溝を形成する基板切削工程と、それぞれのザグリ溝の底面に複数の発光素子をザグリ溝に沿って配置する実装工程と、ザグリ溝を横断するように基板材を切断してそれぞれのザグリ溝の底面に発光素子が配置された個片とする切断工程とによって製造することが記載されている。
【特許文献１】特開２００６−２７８２０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載された製造方法では、基板材を長尺方向に切断しているため、切断時に基板材に剪断方向の力が作用して反りやバリが生じやすい。
【０００４】
本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、反りやバリが生じることのない線状の実装基板の製造方法及びこの実装基板を備えた線状光源の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、金属からなる基板本体と、前記基板本体の上側に形成される絶縁層、前記絶縁層の上側に形成される金属からなる回路パターン、及び、前記回路パターンの上側に形成され絶縁材からなる表層を有する積層部と、を備える線状の実装基板を製造するにあたり、一枚の金属板に、複数の線状の前記積層部を幅方向に間隙をおいて並べて形成する積層部形成工程と前記金属板における前記積層部の前記間隙の部分を、エッチングを用いて除去するエッチング工程と、を含む実装基板の製造方法が提供される。
【０００６】
また、本発明によれば、上記製造方法によって製造された実装基板と、前記回路パターンに接続される電極パターン及び前記基板本体に接続される放熱パターンを有し、前記実装基板の長手方向に一列に搭載される複数の発光装置と、を備える線状光源を製造するにあたり、前記実装基板の前記回路パターン及び前記発光装置の前記電極パターンと、前記実装基板の前記基板本体及び前記発光装置の前記放熱パターンと、の間にはんだ材をそれぞれ配置し、前記はんだ材を溶融させて前記発光素子を前記実装基板に対して位置決めした後、前記はんだ材を固化させる線状光源の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、反りやバリが生じることのない線状の実装基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１から図１５は本発明の第１の実施形態を示し、図１は線状光源装置の外観斜視図である。
図１に示すように、線状光源装置１は、所定方向へ延びる実装基板１１と、実装基板１１の上面に一列に搭載される複数のガラス封止ＬＥＤ２と、を有している。本実施形態においては、計８つのガラス封止ＬＥＤ２が電気的に直列に実装されている。各ガラス封止ＬＥＤ２は、それぞれ、セラミック基板２１（図２参照）上に３つのＬＥＤ素子２２が実装基板１１の延在方向へ並んで搭載され、各ＬＥＤ素子２２が電気的に直列に接続されている。各ＬＥＤ素子２２は、順方向が４．０Ｖ、順電流が１００ｍＡの場合に、ピーク波長が４６０ｎｍの光を発する。この線状光源装置１は、計２４個のＬＥＤ素子２２が直列に接続されていることから、家庭用のＡＣ１００Ｖの電源を利用すると、各ＬＥＤ素子２２に約４．０Ｖの順方向電圧が印加され、各ＬＥＤ素子２２が所期の動作をするようになっている。
【０００９】
図２は線状光源装置の縦断面図である。
図２に示すように、ガラス封止ＬＥＤ２は、フリップチップ型のＧａＮ系半導体材料からなるＬＥＤ素子２２と、ＬＥＤ素子２２を搭載するセラミック基板２１と、セラミック基板２１に形成されＬＥＤ素子２２へ電力へ供給するための回路パターン２４と、ＬＥＤ素子２２をセラミック基板２１上にて封止するガラス封止部２３と、を備えている。
【００１０】
ＬＥＤ素子２２は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる成長基板の表面に、III族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることにより、バッファ層と、ｎ型層と、ＭＱＷ層と、ｐ型層とがこの順で形成されている。このＬＥＤ素子２２は、７００℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は６００℃以上であり、低融点の熱融着ガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。また、ＬＥＤ素子２２は、ｐ型層の表面に設けられるｐ側電極と、ｐ側電極上に形成されるｐ側パッド電極と、を有するとともに、ｐ型層からｎ型層にわたって一部をエッチングすることにより露出したｎ型層に形成されるｎ側電極を有する。ｐ側パッド電極とｎ側電極には、それぞれバンプ２５が形成される。本実施形態においては、ＬＥＤ素子２２は、厚さ１００μｍで３４６μｍ角に形成される。
【００１１】
セラミック基板２１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の多結晶焼結材料からなり、厚さ方向寸法が０．２５ｍｍ、長手方向寸法が３．２５ｍｍ、幅方向寸法が０．９ｍｍに形成される。図２に示すように、回路パターン２４は、セラミック基板２１の上面に形成されてＬＥＤ素子２２と電気的に接続される上面パターン２４ａと、セラミック基板２１の下面に形成されて実装基板１１と電気的に接続される電極パターン２４ｂと、上面パターン２４ａと電極パターン２４ｂを電気的に接続するビアパターン２４ｃと、を有している。電極パターン２４ｂはセラミック基板２１の長手方向両端に形成され、一方が正電極、他方が負電極をなす。また、セラミック基板２１の裏面における各電極パターン２４ｂの間には、放熱パターン２６が形成される。
【００１２】
上面パターン２４ａ、電極パターン２４ｂ及び放熱パターン２６は、セラミック基板２１の表面に形成されるＷ層と、Ｗ層の表面を覆う薄膜状のＮｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層の表面を覆う薄膜状のＡｇメッキ層と、を含んでいる。ビアパターン２４ｃは、Ｗからなり、セラミック基板２１を厚さ方向に貫通するビアホールに設けられる。本実施形態においては、電極パターン２４ｂ及び放熱パターン２６は、平面視にて矩形状に形成される。各電極パターン２４ｂは、セラミック基板２１の長手方向に０．４ｍｍ、セラミック基板２１の幅方向に０．６５ｍｍの寸法となるよう形成される。また、放熱パターン２６は、セラミック基板２１の長手方向に１．８ｍｍ、セラミック基板２１の幅方向に０．６５ｍｍの寸法となるよう形成される。各電極パターン２４ｂと放熱パターン２６は、セラミック基板２１の長手方向に０．２ｍｍ離れて形成されている。本実施形態においては、放熱パターン２６は、平面視にて各ＬＥＤ素子２２と重なるように、各ＬＥＤ素子２２の真下に形成されている。
【００１３】
ガラス封止部２３は、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−Ｎａ２Ｏ−Ｌｉ２Ｏ系の熱融着ガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではなく、例えば、熱融着ガラスは、Ｌｉ２Ｏを含有していなくてもよいし、任意成分としてＺｒＯ２、ＴｉＯ２等を含んでいてもよい。図２に示すように、ガラス封止部２３は、セラミック基板２１上に直方体状に形成され、セラミック基板２１の上面からの高さが０．５ｍｍとなっている。ガラス封止部２３の側面は、ホットプレス加工によってセラミック基板２１と接着された板ガラスが、セラミック基板２１とともにダイサー(dicer)でカットされることにより形成される。また、ガラス封止部２３の上面は、ホットプレス加工によってセラミック基板２１と接着された板ガラスの一面である。この熱融着ガラスは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が４９０℃、屈伏点（Ａｔ）が５２０℃、１００℃〜３００℃における熱膨張率（α）が６×１０−６／℃、屈折率が１．７となっている。
【００１４】
また、ガラス封止部２３に蛍光体２３ａが分散されている。蛍光体２３ａは、ＭＱＷ層から発せられる青色光により励起されると、黄色領域にピーク波長を有する黄色光を発する黄色蛍光体である。本実施形態においては、蛍光体２３ａとしてＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体が用いられる。尚、蛍光体２３ａは、珪酸塩蛍光体や、ＹＡＧと珪酸塩蛍光体を所定の割合で混合したもの等であってもよい。
【００１５】
図２に示すように、実装基板１１は、金属からなる基板本体１２と、基板本体１２の上側に形成され樹脂からなる絶縁層１３と、絶縁層１３の上側に形成され金属からなる回路パターン１４と、回路パターン１４の上側に形成され絶縁材からなる表層としての白色レジスト層１５と、を有している。本実施形態においては、絶縁層１３、回路パターン１４及び白色レジスト層１５が、基板本体１２上に形成される積層部１８をなしている。
【００１６】
基板本体１２は、例えば銅（熱伝導率：３８０Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）からなり、各ガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン２６とはんだ材３１を介して接続される。絶縁層１３は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、液晶ポリマー等からなり、導電性を有する基板本体１２と回路パターン１４との絶縁を図る。回路パターン１４は、例えば表面（上面）に薄膜状の金を有する銅からなり、各ガラス封止ＬＥＤ２の電極パターン２４ｂとはんだ材３２を介して接続される。白色レジスト層１５は、例えば酸化チタンのフィラーが混入されたエポキシ系の樹脂からなり白色を呈する。これにより、線状光源装置１の上面の反射率の向上が図られている。
【００１７】
図３は実装基板の平面図である。
実装基板１１は、長手方向が８９．５ｍｍ、幅方向が１．０ｍｍ、厚さ方向が１．０ｍｍに形成される。すなわち、実装基板１１は、上面に搭載されるガラス封止ＬＥＤ２よりも幅方向寸法が僅かに大きい。図３に示すように、実装基板１１は、長手方向（前後方向）両端に回路パターン１４が露出する第１パターン露出部１１ａを有する。本実施形態においては、実装基板１１の長手方向両端に、幅方向（左右方向）に間隔をおいて一対の第１パターン露出部１１ａが形成される。各第１パターン露出部１１ａは、前後方向へ延びる矩形状に形成される。
【００１８】
また、実装基板１１は、ガラス封止ＬＥＤ２が搭載される部位に、回路パターン１４が露出する第２パターン露出部１１ｂと、基板本体１２が露出する放熱用露出部１１ｃと、を有する。第２パターン露出部１１ｂはガラス封止ＬＥＤ２の電極パターン２４ｂに対応して形成され、放熱用露出部１１ｃはガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン２６に対応して形成される。放熱用露出部１１ｃは実装基板１１の幅方向中央にて長手方向へ延び、放熱用露出部１１ｃの長手方向外側に一対の第２パターン露出部１１ｂが形成されている。各放熱用露出部１１ｃ及び各第２パターン露出部１１ｂは、各ガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン２６及び各電極パターン２４ｂと平面視にて同寸法に形成される。本実施形態においては、隣接する放熱用露出部１１ｃ同士の中央部間の距離は１１．５ｍｍであり、長手方向両端の放熱用露出部１１ｃの中央部における実装基板１１の長手方向端部からの距離は４．５ｍｍである。
【００１９】
以上のように構成された実装基板の製造方法について、図４から図１５を参照して説明する。図４は、実装基板の基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
図４（ａ）に示すように、一枚の矩形状の金属板からなる基板本体１２を用意する。本実施形態においては、基板本体１２の縦方向寸法は１００ｍｍ、横方向寸法は１０ｍｍである。図４（ｂ）に示すように、用意される基板本体１２は、平坦に形成され、厚さが１．０ｍｍである。
【００２０】
図５は、絶縁層のパターンが形成された基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
次いで、図５（ｂ）に示すように、基板本体１２の上面に絶縁層１３のパターンをスクリーン印刷により形成する。図５（ａ）に示すように、絶縁層１３のパターンは実装基板１１の長手寸法及び幅寸法と同寸法であり、複数の絶縁層１３のパターンが幅方向（図５（ａ）において横方向）に複数並べられる。本実施形態においては、絶縁層１３の厚さは２０μｍである。尚、絶縁層１３の形成方法はスクリーン印刷に限定されるものではない。
【００２１】
図６は、絶縁層上に回路パターンが形成された基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
次いで、図６（ｂ）に示すように、絶縁層１３上にＣｕ箔を貼り付けることにより回路パターン１４を形成する。図６（ａ）に示すように、絶縁層１３の上面に全面的にＣｕ箔が貼り付けられ、絶縁層１３の上面が回路パターン１４により全て覆われるようになっている。本実施形態においては、Ｃｕ層の厚さは３５μｍである。尚、Ｃｕ層の形成方法はＣｕ箔を用いたものに限定されるものではなく、例えば印刷等により形成することもできる。
【００２２】
図７は、回路パターン上にレジストマスクが形成された基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
次いで、図７（ｂ）に示すように、回路パターン１４上にレジストマスク１６をスクリーン印刷により形成する。図７（ａ）に示すように、レジストマスク１６は、回路パターン１４における各第１パターン露出部１１ａから第２パターン露出部１１ｂまでと、隣接する第２パターン露出部１１ｂ同士との間に対応するように連続的に形成される。
【００２３】
図８はレジストマスクを利用して回路パターンをエッチングした基板本体を示し、図９はレジストマスクを除去した基板本体を示し、それぞれ、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
次いで、図８（ｂ）に示すように、レジストマスク１６を利用して回路パターン１４をエッチングする。これにより、図８（ａ）に示すように、レジストマスク１６により被覆された部分以外の回路パターン１４が除去される。
この後、図９（ｂ）に示すように、レジストマスク１６を除去する。これにより、図９（ａ）に示すように、基板本体１２に絶縁層１３及び回路パターン１４が形成される。
【００２４】
図１０は、絶縁層の一部を除去した基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、切削加工により絶縁層１３の一部を除去し、基板本体１２を表面に露出させる。これにより、図１０（ａ）に示すように、絶縁層１３に包囲された基板本体１２の放熱用露出部１１ｃを形成することができる。
【００２５】
図１１は、露出部分及び回路パターンにめっきを施した基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、基板本体１２の露出部分及び回路パターン１４に無電解めっき法により金のめっき層１７を形成する。図１１（ａ）に示すように、絶縁層１３により包囲された金属部分にめっき層１７が形成される。絶縁層１３の外側の基板本体１２にはめっき層１７は形成されない。
【００２６】
図１２は、白色レジスト層が形成された基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
次いで、図１２（ｂ）に示すように、絶縁層１３及び回路パターン１４上に白色レジスト層１５をスクリーン印刷により形成する。これにより、基板本体１２に、複数の線状の積層部１８が幅方向に間隔をおいて並べて形成された状態となる。図１２（ａ）に示すように、白色レジスト層１５は、各第１パターン露出部１１ａ、各第２パターン露出部１１ｂ及び放熱用露出部１１ｃが露出するよう形成される。
【００２７】
図１３は、ドライフィルムが形成された基板本体を示す平面図である。
図１３に示すように、後工程にて実装基板１１となる部分及び各実装基板１１の連結部４１となる部分にレジストマスクとしてのドライフィルム１９をスクリーン印刷により形成する。
【００２８】
図１４は、ドライフィルムを用いてエッチングされた基板本体の平面図である。
図１４に示すように、ドライフィルム１９をマスクとしてサブトラクティブ法により基板本体１２をエッチングする。本実施形態においては、エッチング剤として塩化第２鉄（ＦｅＣｌ３）液が用いられる。これにより、基板本体１２における積層部１８の間隙の部分をはじめとして、ドライフィルム１９により被覆された部分以外の部分が除去される。
【００２９】
図１５は、ドライフィルムを除去した基板本体の平面図である。
この後、図１５に示すように、ドライフィルム１９を除去する。本実施形態においては、ドライフィルム１９を水酸化ナトリウム等のアルカリ液を用いてドライフィルム１９を除去する。これにより、図１５に示すように、複数の実装基板１１が、基板本体１２の銅材からなる連結部４１により接続された中間体４０が形成される。この後、中間体４０の連結部４１を切断することにより、複数の実装基板１１を得ることができる。
【００３０】
この後、実装基板１１の回路パターン１４及びガラス封止ＬＥＤ２の電極パターン２４ｂと、実装基板１１の基板本体１２及びガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターンと、の間にはんだ材３１，３２をそれぞれ配置し、はんだ材３１，３２を溶融させてガラス封止ＬＥＤ２を実装基板１１に対して位置決めする。このとき、液化したはんだ材３１，３２により、ガラス封止ＬＥＤ２は自動的に所期の姿勢及び位置に調整される。ガラス封止ＬＥＤ２を実装基板１１に対して位置決めした後、はんだ材３１，３２を固化させることにより、図１に示すような線状光源装置１が完成する。
【００３１】
以上のように、エッチングを用いて各実装基板１１の間の銅材を除去するようにしたので、反りやバリのない複数の実装基板１１を一括して製造することができる。また、エッチング後は、各実装基板１１の長手方向端部が連結部４１により接続されるので、各実装基板１１の取り扱いが簡単容易である。
尚、本実施形態においては、１つの中間体４０から７個の実装基板１１を得る例を示しているが、実装基板１１の縦方向及び横方向の配列数を増やして例えば５０個以上の実装基板１１を得るようにし、量産性をさらに向上させてもよい。
【００３２】
本実施形態の線状光源装置１によれば、第１パターン露出部１１ａを通じて電圧を印加すると、各ＬＥＤ素子２２が青色に発光して青色光の一部が蛍光体２３ａにより黄色に波長変換され、各ガラス封止ＬＥＤ２が白色に発光する。ここで、ＬＥＤが従来のように樹脂封止であれば、光のみならず熱によっても黄変等の劣化が生じるため、経時的に光量低下や色度変化が生じる。また、封止材の熱膨張率が大きい（例えば、シリコーンでは１５０〜２００×１０−６／℃）ことにより、温度変化による膨張収縮が生じるため、ＬＥＤ素子等の電気接続箇所にて断線が生じてしまう。これに対し、本実施形態のようなガラス封止であれば、光や熱に対して劣化がなく、また熱膨張率がＬＥＤ素子２２と比較的近い値であるため、電気的断線が生じない。尚、ガラスは低融点のガラスに限定されず、例えば、アルコキシドを出発原料として形成されるゾルゲルガラスであってもよい。
【００３３】
また、各ガラス封止ＬＥＤ２の各ＬＥＤ素子２２にて生じた熱は、放熱パターン２６を介して基板本体１２に伝達される。このとき、ガラス封止ＬＥＤ２の各ＬＥＤ素子２２は、放熱パターン２６の形成部位の真上に位置しており、さらに熱抵抗が大きな絶縁層２３を介さず基板本体１２と接合されているので、各ＬＥＤ素子２２にて生じた熱を的確に放熱パターン２６から基板本体１２へ伝達することができる。
【００３４】
図１６から図１９は本発明の第２の実施形態を示すもので、図１６は線状光源装置の製造工程を説明する絶縁層及び回路パターンの断面説明図である。以下、第２の実施形態の製造方法について説明する。
図１６（ａ）に示すように、矩形状の樹脂板からなる絶縁層１３を用意し、これにＣｕ箔を貼り付けることにより回路パターン１４を形成する。絶縁層１３の下面には、後工程における銅板との接続のため、エポキシ系の接着剤が塗布されている。次いで、図１６（ｂ）に示すように、回路パターン１４上にレジストマスク１６をスクリーン印刷により形成する。次いで、図１６（ｃ）に示すように、レジストマスク１６を利用して回路パターン１４をエッチングする。この後、図１６（ｄ）に示すように、レジストマスク１６を除去し、絶縁層１３上に所定の回路パターン１４が形成された状態となる。
【００３５】
図１７は線状光源装置の製造工程を説明するための絶縁層及び回路パターンの断面説明図であり、図１８は線状光源装置の製造工程を説明するための基板の平面図である。
次いで、図１７（ａ）に示すように、絶縁層１３及び回路パターン１４上に白色レジスト層１５をスクリーン印刷により形成する。この後、図１７（ｂ）に示すように、回路パターン１４の露出部分に金のめっき層１７を形成する。次いで、図１７（ｃ）に示すように、プレス加工により絶縁層１３の一部を除去する。そして、図１７（ｄ）に示すように、絶縁層１３の下面に基板本体１２を貼り付ける。これにより、図１８に示すように、基板本体１２の不要部分のみが絶縁層１３から露出した状態となる。
【００３６】
図１８は線状光源装置の製造工程を説明するための中間体の平面図である。
この後、図１８に示すように、基板本体１２の不要部分をエッチングにより除去することで、中間体４０を得ることができる。本実施形態においては、各連結部４１の基板本体１２は、絶縁層１３により覆われている。この後、中間体４０の連結部４１を切断することにより、複数の実装基板１１を得ることができる。
【００３７】
以上の工程であっても、エッチングを用いて各実装基板１１の間の銅材を除去するようにしたので、反りやバリのない複数の実装基板１１を一括して製造することができる。また、エッチング後は、各実装基板１１の長手方向端部が連結部４１により接続されるので、各実装基板１１の取り扱いが簡単容易である。
【００３８】
尚、第１及び第２の実施形態においては、表層として白色レジスト層１５を設けたものを示したが、表層を白色レジスト層１５に代えて絶縁層１３とし、回路パターン１４が上下の絶縁層１３に挟まれるようにしてもよい。この場合、絶縁層１３として例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマーを等を用いることができる。
【００３９】
また、第１及び第２の実施形態においては、実装基板１１が直線状であるものを示したが、各実施形態と同様の製造工程により、例えば図２０に示すような曲線状の実装基板１１を製造することも可能である。曲線状の実装基板１１を切削等により成形する場合は、直線状のものよりもさらに反り、バリ等が生じやすくなるが、前記各実施形態の製造方法を用いることにより、反り、バリ等のない曲線状の実装基板１１を得ることができる。また、このようにして得られた実装基板１１を利用して、例えば図２１に示すような曲線状の線状光源装置１を製造することができる。従って、前記各実施形態の実装基板の製造方法によれば、如何なる形状の実装基板１１であっても、基板本体１２に内部応力を生じないよう成形することができ、実装基板１１の形状の自由度が向上する。
【００４０】
また、第１の実施形態においては、実装基板１１にガラス封止ＬＥＤ２が搭載されるものを示したが、例えば図２２に示すように、実装基板１１にＬＥＤ素子２２を直接搭載することも可能である。図２２の線状光源装置は、基板本体１２に銀めっき層１０１を介してフェイスアップタイプのＬＥＤ素子１２２が搭載され、ＬＥＤ素子１２２の電極と回路パターン１４とはワイヤ１０２により電気的に接続されている。また、ＬＥＤ素子１２２は、半球状の封止樹脂１０３により封止されている。この封止樹脂１０３は、型を用いて実装基板１１上で成形して半球状もよいし、液状の状態で実装基板１１上に充填した後、実装基板１１を上下逆さとして自重により半球状に成形してもよい。また、例えば図２３に示すように、ＬＥＤ素子２２２としてＬＬＯ（Laser Lift-Off）タイプのチップを用い、Ｓｉからならるサブマウント２２１を介して実装基板１１に搭載するようにしてもよい。
【００４１】
また、前記各実施形態においては、実装基板１１として基板本体１２が銅である銅ベース基板を示したが、実装基板は他の金属をベースとした基板であってもよい。
【００４２】
また、前記各実施形態においては、各ガラス封止ＬＥＤ２が電気的に直列に接続されるものを示したが、各ガラス封止ＬＥＤ２が並列に接続されるものであってもよい。さらに、各ガラス封止ＬＥＤ２を暖色系のものと寒色系のものを交互に配置し、実装基板１１に暖色系のＬＥＤ２を駆動する回路及び寒色系のＬＥＤ２を駆動する回路を独立して設け、スイッチ等により駆動回路を切り換えるようにしてもよい。
【００４３】
また、前記各実施形態においては、ガラス封止ＬＥＤ２から白色光が発せられるものを示したが、例えば、ガラス封止部２３に蛍光体２３ａが含まれない構成として、ガラス封止ＬＥＤ２から青色光が発せられるようにしてもよい。また、ガラス封止ＬＥＤ２のＬＥＤ素子２２をフリップチップ型としたものを示したが、フェイスアップ型としてもよい。さらに、１つのガラス封止ＬＥＤ２に３つのＬＥＤ素子２２が一列に搭載されるものを示したが、１つのガラス封止ＬＥＤ２に搭載されるＬＥＤ素子２２の個数、ＬＥＤ素子２２の配置状態は任意である。このように、ガラス封止ＬＥＤ２の細部構成、発光色等については適宜に変更が可能である。
【００４４】
また、前記各実施形態においては、発光素子としてＬＥＤ素子２２を用いたものを示したが、ＬＥＤ素子以外の発光素子を用いてもよいし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態を示す線状光源装置の外観斜視図である。
【図２】図２は線状光源装置の縦断面図である。
【図３】図３は実装基板の平面図である。
【図４】図４は実装基板の基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図５】図５は絶縁層のパターンが形成された基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図６】図６は絶縁層上に回路パターンが形成された基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図７】図７は回路パターン上にレジストマスクが形成された基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図８】図８はレジストマスクを利用して回路パターンをエッチングした基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図９】図９はレジストマスクを除去した基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図１０】図１０は絶縁層の一部を除去した基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図１１】図１１は露出部分及び回路パターンにめっきを施した基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図１２】図１２は白色レジスト層が形成された基板本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面説明図である。
【図１３】図１３はドライフィルムが形成された基板本体の平面図である。
【図１４】図１４はドライフィルムを用いてエッチングされた基板本体の平面図である。
【図１５】図１５はドライフィルムを除去した基板本体の平面図である。
【図１６】図１６は本発明の第２の実施形態を示す絶縁層及び回路パターンの断面説明図で、（ａ）は絶縁層上に回路パターンを形成した状態、（ｂ）は回路パターン上にレジストマスクを形成した状態、（ｃ）はレジストマスクを用いて回路パターンをエッチングした状態、（ｄ）はレジストマスクを除去した状態である。
【図１７】図１７は絶縁層及び回路パターンの断面説明図で、（ａ）は回路パターン上に白色レジスト層を形成した状態、（ｂ）は回路パターンの露出部分にめっき層を形成した状態、（ｃ）は絶縁層の一部を除去した状態、（ｄ）は絶縁層の下面に基板本体を貼り付けた状態である。
【図１８】図１８は基板本体の平面図である。
【図１９】図１９はドライフィルムを除去した基板本体の平面図である。
【図２０】変形例を示す実装基板の平面図である。
【図２１】変形例を示す線状光源装置の外観斜視図である。
【図２２】変形例を示す線状光源装置の縦断面図である。
【図２３】変形例を示す線状光源装置の縦断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１      線状光源装置
２      ガラス封止ＬＥＤ
１１    実装基板
１１ａ  第１パターン露出部
１１ｂ  第２パターン露出部
１１ｃ  放熱用露出部
１２    基板本体
１３    絶縁層
１４    回路パターン
１５    白色レジスト層
１６    レジストマスク
１７    めっき層
１８    積層部
１９    ドライフィルム
２１    セラミック基板
２２    ＬＥＤ素子
２３    ガラス封止部
２３ａ  蛍光体
２４    回路パターン
２４ａ  上面パターン
２４ｂ  電極パターン
２４ｃ  ビアパターン
２５    バンプ
２６    放熱パターン
３１    はんだ材
３２    はんだ材
４０    中間体
４１    連結部
１０１  銀めっき層
１０２  ワイヤ
１０３  封止樹脂
１２２  ＬＥＤ素子
２２１  サブマウント
２２２  ＬＥＤ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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