(57)【要約】【課題】額縁領域を狭くすることが可能な有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ装置１の製造方法は、基板１０上に発光画素２を形成する発光画素形成工程と、基板１０上又は基板５０上に枠状のシール剤６を形成するシール剤形成工程と、基板１０上又は基板５０上のシール剤６に囲まれた領域に充填剤４６を塗布する充填剤塗布工程と、基板１０と基板５０とをシール剤６及び充填剤４６を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、シール剤６及び充填剤４６を硬化させる硬化工程と、シール剤６に囲まれた領域を通る切断線Ｌに沿って基板１０及び基板５０を切断する切断工程と、を有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に発光画素を形成する発光画素形成工程と、
前記第１基板上の前記発光画素が形成された側又は第２基板上に、枠状のシール剤を形成するシール剤形成工程と、
前記第１基板上又は前記第２基板上の前記シール剤に囲まれた領域に充填剤を塗布する充填剤塗布工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを前記シール剤及び前記充填剤を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記シール剤及び前記充填剤を硬化させる硬化工程と、
前記シール剤に囲まれた領域を通る切断線に沿って前記第１基板及び前記第２基板を切断する切断工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１基板上に、列状に並んだ複数の端子を含む端子部を形成する工程を有し、
前記シール剤形成工程は、前記端子部と前記発光画素との間に前記端子部に沿って前記シール剤を形成する工程を含み、
前記切断工程は、前記端子部に沿って形成された前記シール剤を内部に含む矩形の切断線に沿って前記第１基板及び前記第２基板を切断する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記発光画素形成工程は、前記第１基板上に、複数の前記有機ＥＬ装置を構成する前記発光画素を形成する工程を含み、
前記シール剤形成工程は、複数の前記有機ＥＬ装置に含まれる前記発光画素を囲む枠状の前記シール剤を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記発光画素形成工程は、隣り合う２つの前記有機ＥＬ装置を構成する前記端子部が、当該２つの有機ＥＬ装置を構成する前記発光画素を挟んで反対側に位置するように、前記第１基板上に前記発光画素及び前記端子部を形成する工程を含み、
前記シール剤形成工程は、少なくとも前記２つの有機ＥＬ装置に含まれる前記発光画素を囲む枠状の前記シール剤を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記シール剤は紫外線硬化性樹脂であり、
前記硬化工程は、前記シール剤に紫外線を照射する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記充填剤は熱硬化性樹脂であり、
前記硬化工程は、前記充填剤を加熱する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記シール剤の粘度は前記充填剤の粘度より大きいことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
第１基板と、
前記第１基板に、シール剤及び充填剤を介して貼り合わされた第２基板と、
前記第１基板の前記第２基板に対向する面に形成された発光画素と、
前記第１基板の前記第２基板に対向する面の外縁部に、前記第１基板の少なくとも１つの辺に沿って形成された複数の端子を含む端子部と、を備え、
前記シール剤は、平面視で、前記端子部と前記発光画素との間に前記端子部に沿って形成され、
前記充填剤は、前記第１基板と前記第２基板との間の領域のうち、前記シール剤の前記発光画素側に充填されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項９】
請求項８に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に係る一態様は、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
自発光が可能な有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置は、広視野角、高コントラスト、薄型、高速応答といった利点を有しており、近年では各種電子機器の表示部等に用いられている。有機ＥＬ装置の構成の１つとして、発光画素が形成された素子基板と、対向基板とが、発光画素を囲む枠状のシール剤を介して貼り合わされた構成が知られている（特許文献１）。このような構成によれば、素子基板に、カラーフィルタを備えた対向基板を対向させることができ、また発光画素をシール剤、対向基板によって密閉することができる。
【０００３】
また、素子基板、対向基板、シール剤に囲まれた領域にさらに充填剤が封入された構成も知られている。図１２は、このような構成の有機ＥＬ装置７０を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ線における断面図である。有機ＥＬ装置７０は、発光画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ（以下単に発光画素２とも呼ぶ）が形成された素子基板２０と、対向基板６０とが、発光画素２を囲む枠状のシール剤６を介して貼り合わされた構成を有している。素子基板２０、対向基板６０、シール剤６に囲まれた領域には、充填剤４６が充填されている。このような構成によれば、発光画素２の密閉性をより向上させることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２２３９９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記構成においては、有機ＥＬ装置７０の外縁部に枠状のシール剤６の形成領域を確保しなければならず、この領域には発光画素２を配置することができない。このため、有機ＥＬ装置７０の外周と発光画素２との間の額縁領域を狭くすることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］第１基板上に発光画素を形成する発光画素形成工程と、前記第１基板上の前記発光画素が形成された側又は第２基板上に、枠状のシール剤を形成するシール剤形成工程と、前記第１基板上又は前記第２基板上の前記シール剤に囲まれた領域に充填剤を塗布する充填剤塗布工程と、前記第１基板と前記第２基板とを前記シール剤及び前記充填剤を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記シール剤及び前記充填剤を硬化させる硬化工程と、前記シール剤に囲まれた領域を通る切断線に沿って前記第１基板及び前記第２基板を切断する切断工程と、を有する有機ＥＬ装置の製造方法。
【０００８】
このような方法によれば、充填剤及び対向基板によって封止された発光画素を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。ここで、有機ＥＬ装置は、シール剤に囲まれた領域を通る切断線に沿って第１基板及び第２基板を切断する切断工程を経て製造される。このため、得られる有機ＥＬ装置は、外縁部の少なくとも一部においてシール剤が形成されていない状態となる。このようにすれば、有機ＥＬ装置においてシール剤形成領域の一部を省略することができる。よって、発光画素と外周との間の額縁領域を狭くすることができ、ひいては有機ＥＬ装置を小型化することが可能となる。
【０００９】
［適用例２］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１基板上に、列状に並んだ複数の端子を含む端子部を形成する工程を有し、前記シール剤形成工程は、前記端子部と前記発光画素との間に前記端子部に沿って前記シール剤を形成する工程を含み、前記切断工程は、前記端子部に沿って形成された前記シール剤を内部に含む矩形の切断線に沿って前記第１基板及び前記第２基板を切断する工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１０】
このような方法によれば、充填剤塗布工程において、シール剤が隔壁となることにより端子部に充填剤が浸入するのを防ぐことができる。これにより、外部に露出された端子部を有する狭額縁の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００１１】
［適用例３］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記発光画素形成工程は、前記第１基板上に、複数の前記有機ＥＬ装置を構成する前記発光画素を形成する工程を含み、前記シール剤形成工程は、複数の前記有機ＥＬ装置に含まれる前記発光画素を囲む枠状の前記シール剤を形成する工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１２】
このような方法によれば、有機ＥＬ装置ごとに発光画素をシール剤で囲む方法に比べて、シール剤形成領域の長さを短縮することができる。また、充填剤を塗布する位置の自由度を高くすることができる。これらにより、有機ＥＬ装置の製造工程を簡素化し、あるいは短縮することができる。
【００１３】
［適用例４］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記発光画素形成工程は、隣り合う２つの前記有機ＥＬ装置を構成する前記端子部が、当該２つの有機ＥＬ装置を構成する前記発光画素を挟んで反対側に位置するように、前記第１基板上に前記発光画素及び前記端子部を形成する工程を含み、前記シール剤形成工程は、少なくとも前記２つの有機ＥＬ装置に含まれる前記発光画素を囲む枠状の前記シール剤を形成する工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１４】
このような方法によれば、シール剤形成領域の長さをさらに短縮することができる。また、充填剤を塗布する位置の自由度をさらに高くすることができる。これらにより、有機ＥＬ装置の製造工程を簡素化し、あるいは短縮することができる。
【００１５】
［適用例５］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記シール剤は紫外線硬化性樹脂であり、前記硬化工程は、前記シール剤に紫外線を照射する工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１６】
このような方法によれば、硬化工程においてシール剤に紫外線を照射することにより容易にシール剤を硬化させることができる。
【００１７】
［適用例６］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記充填剤は熱硬化性樹脂であり、前記硬化工程は、前記充填剤を加熱する工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１８】
このような方法によれば、硬化工程において充填剤を加熱することにより容易に充填剤を硬化させることができる。
【００１９】
［適用例７］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記シール剤の粘度は前記充填剤の粘度より大きい有機ＥＬ装置の製造方法。
【００２０】
このような方法によれば、貼り合わせ工程において、シール剤が、充填剤の拡大範囲を規定する隔壁として機能するため、充填剤を所望の領域内に形成することができる。
【００２１】
［適用例８］第１基板と、前記第１基板に、シール剤及び充填剤を介して貼り合わされた第２基板と、前記第１基板の前記第２基板に対向する面に形成された発光画素と、前記第１基板の前記第２基板に対向する面の外縁部に、前記第１基板の少なくとも１つの辺に沿って形成された複数の端子を含む端子部と、を備え、前記シール剤は、平面視で、前記端子部と前記発光画素との間に前記端子部に沿って形成され、前記充填剤は、前記第１基板と前記第２基板との間の領域のうち、前記シール剤の前記発光画素側に充填されている有機ＥＬ装置。
【００２２】
このような構成の有機ＥＬ装置は、外縁部の少なくとも一部においてシール剤が形成されていない。このため、発光画素と外周との間の額縁領域を狭くすることができ、ひいては有機ＥＬ装置を小型化することが可能となる。
【００２３】
［適用例９］上記有機ＥＬ装置を備える電子機器。
【００２４】
このような構成によれば、狭額縁の有機ＥＬ装置を用いることによって、電子機器の設計自由度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照し、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２６】
（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
図１は、有機ＥＬ装置１の配線構造を示す模式図である。有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１６と、各走査線１６に対して交差する方向に延びる複数の信号線１７と、各信号線１７に並列に延びる複数の電源線１８とがそれぞれ配線された構成を有している。走査線１６と信号線１７との交差ごとに、発光画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが形成されている。発光画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色の光を発光する。以下では、発光色を区別しない場合には、単に発光画素２とも呼ぶ。
【００２７】
信号線１７は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１４に接続されている。また、走査線１６は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えた走査線駆動回路１５に接続されている。データ線駆動回路１４、走査線駆動回路１５は、外部回路と接続するための端子１９に電気的に接続されている。
【００２８】
発光画素２の領域のそれぞれには、走査線１６を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１と、スイッチング用ＴＦＴ１１を介して信号線１７から供給される画素信号を保持する保持容量１３と、保持容量１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２と、駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に電気的に接続したときに電源線１８から駆動電流が流れ込む有機機能層３０とが設けられている。
【００２９】
有機ＥＬ装置１では、走査線１６が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、そのときの信号線１７の電位が保持容量１３に保持され、保持容量１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２のチャネルを介して電源線１８から有機機能層３０に電流が流れる。有機機能層３０は、この電流の大きさに応じた輝度で発光する。
【００３０】
図２は、有機ＥＬ装置１の平面図である。また、図３は、図２中のＡ−Ａ線における断面図であり、図４は、図２中のＢ−Ｂ線における断面図である。有機ＥＬ装置１は、第１基板としての矩形の基板１０を含む素子基板２０と、第２基板としての矩形の基板５０を含む対向基板６０とが、シール剤６及び充填剤４６を介して貼り合わされた構成を有している。基板１０の基板５０に対向する面には、発光画素２が形成されている。
【００３１】
図２に示すように、発光画素２は、基板１０上に平面視でマトリクス状に配置されている。発光画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは、行方向にこの順に繰り返し配列されている。行方向に並んだ隣り合う３つの発光画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂからなる発光画素群が、表示の単位（ピクセル）となる。列方向の配置としては、例えば、ある列に配置される発光画素２の色を全て同一とし、発光画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂがストライプ状に並ぶような配置とすることができる。
【００３２】
基板１０を含む素子基板２０は、基板５０を含む対向基板６０より大きく、一部が対向基板６０に対して張り出した状態となっている。この張り出した部位には、端子１９が露出した状態で形成されている。より詳しくは、基板１０のうち基板５０に対向する面の外縁部に、複数の端子１９を含む端子部９が形成されている。端子部９は、基板１０の１つの辺に沿って形成されている。すなわち、端子１９は、基板１０の１つの辺に沿って並ぶように配列されている。端子部９は、基板１０のその他の３辺には形成されていない。端子部９は、図示しない外部回路に接続される。
【００３３】
シール剤６は、平面視で、端子部９と発光画素２との間に、端子部９に沿って形成されている。したがって、シール剤６は、基板５０の外縁部のうち、端子部９に沿う部分にのみ形成されている。充填剤４６は、基板１０と基板５０との間の領域のうち、シール剤６の発光画素２側（図２においてドットが配されている領域）に充填されている。
【００３４】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板１０上に、回路素子層２１と、画素電極２４、有機機能層３０、陰極３６から構成される多数の有機ＥＬ素子と、これらの有機ＥＬ素子を覆う陰極保護層３８、緩衝層４２、ガスバリア層４４とを備えている。ここでは、有機機能層３０から発した光がガスバリア層４４側に射出されるトップエミッション方式の有機ＥＬ装置１を例に説明する。
【００３５】
基板１０としては、ガラス基板、石英基板等を用いることができる。回路素子層２１は、基板１０上に形成されている。回路素子層２１は、画素電極２４を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２、各種回路及び素子、導通部、層間絶縁層等で構成されている。図４に示すように、回路素子層２１上のうち、基板１０の１つの辺に沿う領域には、複数の端子１９を含む端子部９が形成されている。
【００３６】
回路素子層２１上のうち、各発光画素２に相当する領域には、画素電極２４が形成されている。画素電極２４は、駆動用ＴＦＴ１２のドレインに、コンタクトホールを介して電気的に接続されている。画素電極２４の材料としては、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式であることから、透光性又は不透光性の導電材料を適宜用いることができる。画素電極２４の材料は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である。なお、画素電極２４は、反射性をより高めるために、例えば反射層／無機絶縁層／透光性陽極のような多層構造を有していてもよい。
【００３７】
隣り合う画素電極２４間には、親液性の無機バンク２６が形成されている。無機バンク２６は、それぞれの発光画素２に対応して開口部を有して形成されている。また、無機バンク２６は、開口部の周囲に沿って画素電極２４の周縁部に所定幅で重なる部分を有している。無機バンク２６は、例えばＳｉＯ2等の無機材料からなる。
【００３８】
無機バンク２６上には、発光画素２の領域を区画する有機バンク２８が形成されている。有機バンク２８は、無機バンク２６の開口部に重なる開口部を有している。有機バンク２８は、例えばアクリル樹脂等の有機材料からなる。
【００３９】
画素電極２４を底部とし、有機バンク２８を側壁とする凹部には、正孔輸送層３２、発光層３４がこの順に積層されている。より詳しくは、発光画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂには、それぞれ赤色、緑色、青色の発光を行う発光層３４が形成されている。有機機能層３０は、正孔輸送層３２と発光層３４とから構成されている。正孔輸送層３２から注入される正孔と、陰極３６から注入される電子とが発光層３４で再結合することにより、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの発光が得られる。なお、有機機能層３０は、発光層３４の上に積層された電子注入層をさらに有していてもよいし、発光層３４を含む４層以上の機能層で構成されていてもよい。
【００４０】
正孔輸送層３２の材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体等、又はそれらのドーピング体等を用いることができる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液等を用いることができる。
【００４１】
発光層３４の材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等が好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。上述した高分子材料に代えて、公知の低分子材料を用いてもよい。
【００４２】
有機機能層３０上及び有機バンク２８上には、これらを覆うように陰極３６が形成されている。陰極３６は、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式であることから、透光性導電材料からなる。陰極３６の材料としては、電子注入効果の大きい材料、例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体、ＩＴＯ等を用いることができる。本実施形態では、陰極３６の材料として、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ＩＴＯの積層体を、透光性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。
【００４３】
陰極３６上には、陰極３６を覆う陰極保護層３８が形成されている。陰極保護層３８は、製造工程において、上層に位置する緩衝層４２の残留水分等により陰極３６が損傷を受けるのを防止するためのものである。また、陰極保護層３８は、緩衝層４２の形成時の平坦性、消泡性、密着性等の向上や側面端部の低角度化も目的とする。陰極保護層３８の材料としては、透光性、緻密性、耐水性、絶縁性、ガスバリア性を考慮して、緻密かつ高弾性率の珪素窒化物や珪素窒酸化物等の窒素を含む珪素化合物等が好ましい。陰極保護層３８の材料の弾性率は、１００ＧＰａ以上が好ましい。陰極保護層３８の膜厚は、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度が好ましい。本実施形態では、陰極保護層３８の材料をＳｉＯＮとし、膜厚を２００ｎｍ程度とする。陰極保護層３８の形成方法としては、例えば、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法が適用できる。
【００４４】
陰極保護層３８上には、陰極３６よりも広い範囲に緩衝層４２が設けられている。緩衝層４２は、有機バンク２８の形状が反映された陰極３６表面の凹凸形状の凹部を埋めるように配置されており、略平坦に形成された上面を有している。緩衝層４２は、基板１０の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、有機バンク２８からの陰極３６の剥離を防止する機能を有している。また、緩衝層４２の上面が略平坦化されるので、緩衝層４２上に位置し、硬い被膜からなるガスバリア層４４も平坦化される。これにより、ガスバリア層４４において、応力が集中する部位がなくなるので、クラックや剥離、欠損の発生を防止できる。緩衝層４２は、例えばエポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマー等の、流動性に優れ、かつ溶媒や揮発成分のない塗布材料を塗布した後に硬化剤等を用いて硬化させることで形成することができる。
【００４５】
緩衝層４２上には、緩衝層４２と陰極保護層３８とを覆うガスバリア層４４が形成されている。ガスバリア層４４は、酸素や水分が浸入することによる陰極３６や有機機能層３０の劣化を防止するためのものである。ガスバリア層４４の材料としては、透光性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物等が用いられる。ガスバリア層４４は、水蒸気等のガスを遮断するため、緻密で欠陥のない被膜であることが好ましい。したがって、ガスバリア層４４の形成方法としては、緻密な膜を形成できるＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法が好適である。
【００４６】
陰極３６及び有機機能層３０上に積層された陰極保護層３８、緩衝層４２、ガスバリア層４４を、以下ではまとめて薄膜封止層８とも呼ぶ。陰極３６及び有機機能層３０は、薄膜封止層８によりガスや水分から保護されている。基板１０からガスバリア層４４までの要素により、素子基板２０が構成される。
【００４７】
続いて、対向基板６０について説明する。対向基板６０は、基板５０を基体として構成される。基板５０としては、例えばガラス基板や石英基板を用いることができる。基板５０の基板１０側の面には、カラーフィルタ５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単にカラーフィルタ５２とも呼ぶ。）が形成されている。カラーフィルタ５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂは、それぞれ平面視で発光画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂと重なる領域に形成され、それぞれ赤色、緑色、青色の光を選択的に透過する。カラーフィルタ５２を配置することによって、有機ＥＬ装置１から取り出される光の色純度を向上させることができる。また、視角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度遮断することができる。
【００４８】
カラーフィルタ５２と同一の層のうち、カラーフィルタ５２の形成領域を除いた領域には、遮光層５４が形成されている。遮光層５４は、光をほとんど透過させない樹脂であり、隣り合う発光画素２の間の混色を防止する役割を果たす。基板５０、カラーフィルタ５２、遮光層５４により、対向基板６０が構成される。
【００４９】
素子基板２０と対向基板６０との間には、充填剤４６が充填されている。充填剤４６は、ガスバリア層４４上に対向基板６０を固定させるとともに、外部からの機械的衝撃に対して有機機能層３０やガスバリア層４４を保護する緩衝機能を有している。また、充填剤４６により、外部からのガスや水分の浸入を防止することができる。充填剤４６は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系等の樹脂で、対向基板６０より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されている。充填剤４６の材料としては、透光性樹脂材料が好ましい。また、熱硬化性の樹脂とすることが好ましい。より低温で硬化させるため硬化剤を添加する２液混合型の材料であってもよい。
【００５０】
なお、充填剤４６には、シランカップリング剤又はアルコキシシランを添加しておくのが好ましい。このようにすれば、形成される充填剤４６とガスバリア層４４との密着性がより良好になり、したがって、機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。また、ガスバリア層４４が珪素化合物で形成されている場合等では、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層４４との密着性を向上させることができ、したがって、ガスバリア層４４のガスバリア性を高めることができる。
【００５１】
図２及び図３に示すように、素子基板２０のうち端子部９が形成されていない３辺の近傍においては、充填剤４６は、平面視で素子基板２０及び対向基板６０に重なる領域に隙間なく充填されている。一方、図２、図４に示すように、素子基板２０のうち端子部９が形成されている辺の近傍には、この辺に沿って（すなわち端子部９に沿って）シール剤６が形成されており、充填剤４６は、シール剤６の発光画素２側に充填されている。ここで、シール剤６は、例えば紫外線硬化性樹脂からなり、素子基板２０と対向基板６０とを接着する役割を有するとともに、内部に分散された球状のスペーサによって素子基板２０と対向基板６０の間隔を一定に保つ役割を果たす。また、シール剤６は、充填剤４６と同様に、外部からの機械的衝撃や、外部からのガス、水分の浸入に対して有機機能層３０やガスバリア層４４を保護する機能を有する。
【００５２】
シール剤６が、端子部９に沿った部分にのみ形成され、残りの３辺には形成されていない本実施形態の構成によれば、４辺に沿って枠状にシール剤６が形成された従来の構成（図１２（ａ））と比較して、発光画素２と外周との間の額縁領域を狭くすることができる。すなわち、従来は、紫外線硬化性樹脂からなるシール剤６に紫外線を照射するために、シール剤６を遮光層５４と重なる位置に設けることができず、遮光層５４のさらに外側にシール剤６を形成しなければならなかったため、シール剤６の分だけ額縁領域が広くなってしまうという課題があった。これに対し本実施形態の構成によれば、シール剤６の形成されていない辺については遮光層５４を基板外周の近傍まで配置することができ（図３、図４）、換言すれば基板の外周を遮光層５４の形成領域近傍まで内側に設定することができるため、狭額縁化が可能となる。これにより、有機ＥＬ装置１を小型化することが可能となる。
【００５３】
なお、有機ＥＬ装置１は、ボトムエミッション方式であってもよい。有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合には、基板１０側から光を取り出す構成であるので、基板１０の材料としては、透光性又は半透光性のものが用いられ、ガラス基板が好適である。また、画素電極２４も透光性材料が用いられる。一方、陰極３６は、反射膜としても機能するよう光反射性を有する構成とする。また、充填剤４６、対向基板６０は、いずれも透光性をもたない材料とすることもできる。
【００５４】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
続いて、有機ＥＬ装置１の製造方法について、図５から図７を用いて説明する。図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法を示すフローチャートである。図６は、有機ＥＬ装置１の製造工程を示す断面図である。図７は、有機ＥＬ装置１の製造工程における、シール剤６及び充填剤４６の形成位置を示す平面図である。図５のフローチャートにおいて、工程Ｓ１１から工程Ｓ１４が素子基板２０を製造するための工程であり、工程Ｓ２１が対向基板６０を製造するための工程である。工程Ｓ３１から工程Ｓ３４は、素子基板２０及び対向基板６０を組み合わせて有機ＥＬ装置１を完成させるための工程である。工程Ｓ１１から工程Ｓ１４と、工程Ｓ２１とは、それぞれ独立に行われる。以下、図５のフローチャートに沿って説明する。
【００５５】
工程Ｓ１１では、基板１０上に発光画素２を形成する（図６（ａ））。より詳しくは、基板１０上に、図３に示す回路素子層２１、無機バンク２６、有機バンク２８、発光層３４を含む有機機能層３０、陰極３６等を形成する。なお、図６においては、これらの構成要素のいくつかを省略して描いている。ここで、図７に示すように、基板１０上には、複数の有機ＥＬ装置１を構成する発光画素２を形成する。したがって、工程Ｓ１１から工程Ｓ１４によって製造される素子基板２０は、同一基板上に複数の有機ＥＬ装置１に対応する構成要素を含む複合素子基板である。図７では、基板１０上に６つの有機ＥＬ装置１に対応する構成要素を形成しているが、有機ＥＬ装置１の数は必要に応じて増減させることができる。また、工程Ｓ１１では、基板１０上に、列状に並んだ複数の端子１９を含む端子部９（図２、図４）も併せて形成する。工程Ｓ１１は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法、各種エッチング法等の種々の成膜方法、パターニング方法を用いて行うことができる。発光層３４の形成方法としては、蒸着法又は液滴吐出法のいずれを用いてもよい。工程Ｓ１１は、発光画素形成工程に対応する。
【００５６】
工程Ｓ１２では、基板１０上の発光画素２に対して薄膜封止を行う（図６（ａ））。より詳しくは、発光画素２を覆うようにして、図３に示す陰極保護層３８、緩衝層４２、ガスバリア層４４を形成する。図６においては、陰極保護層３８、緩衝層４２、ガスバリア層４４をまとめて薄膜封止層８として描いている。この工程は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法、各種エッチング法等の種々の成膜方法、パターニング方法を用いて行うことができる。
【００５７】
工程Ｓ１３では、基板１０上の発光画素２が形成された側に、枠状のシール剤６を形成する（図６（ｂ））。この工程は、基板１０上に、ディスペンサ塗布法により紫外線硬化性樹脂からなるシール剤６を塗布することによって行う。シール剤６は、工程Ｓ１４において塗布される充填剤４６より粘度の大きいものを用いる。また、シール剤６にはスペーサを混入させておく。シール剤６の塗布量は、例えば、工程Ｓ３１の貼り合わせ後のシール剤６の幅が約２ｍｍとなるような量とする。シール剤６の平面的な形成位置は、図７に示すように、各有機ＥＬ装置１に含まれる発光画素２を囲むような略矩形の枠状の領域である。ここで、図７における鎖線は、後に有機ＥＬ装置１の外形となる位置を示しており、シール剤６の一部は、有機ＥＬ装置１の外形の外側に配置される。より詳しくは、端子部９と発光画素２との間に、端子部９に沿うようにシール剤６が形成されており、この端子部９に沿う部分を除いたシール剤６は、有機ＥＬ装置１の外形の外側に位置している。したがって、工程Ｓ１３は、端子部９と発光画素２との間に端子部９に沿ってシール剤６を形成する工程を含んでいる。工程Ｓ１３は、シール剤形成工程に対応する。なお、スクリーン印刷法等の他の塗布法によってシール剤６を形成してもよい。
【００５８】
工程Ｓ１４では、基板１０上のシール剤６に囲まれた領域に、充填剤４６を塗布する（図６（ｃ））。この工程は、基板１０上に、ディスペンサ塗布法又は液滴吐出法により熱硬化性樹脂からなる充填剤４６を塗布することによって行う。充填剤４６は、シール剤６より粘度の低いものを用いる。また、充填剤４６は、硬化後に透明となるものを用い、また１００℃以下の低温で硬化するものを用いることが好ましい。この工程においては、シール剤６によって形作られる矩形の枠内の全体に充填剤４６が濡れ広がる必要はないが、充填剤４６の粘度が低く濡れ広がっていく場合でも、シール剤６が隔壁として機能するため、充填剤４６はシール剤６の枠内に配置される。充填剤４６の塗布量は、工程Ｓ３１の貼り合わせの際に、素子基板２０、対向基板６０、シール剤６によって囲まれる領域の体積と略等しい体積とする。工程Ｓ１４は、充填剤塗布工程に対応する。工程Ｓ１１から工程Ｓ１４を経て、素子基板２０が完成する。
【００５９】
工程Ｓ２１では、基板５０上に、図３に示すカラーフィルタ５２及び遮光層５４を形成して対向基板６０を製造する。ここで、基板５０上には、複数の有機ＥＬ装置１を構成するカラーフィルタ５２、遮光層５４を形成する。したがって、工程Ｓ２１によって製造される対向基板６０は、同一基板上に複数の有機ＥＬ装置１に対応する構成要素を含む複合対向基板である。
【００６０】
工程Ｓ３１は貼り合わせ工程であり、この工程では、基板１０を含む素子基板２０と基板５０を含む対向基板６０とをシール剤６及び充填剤４６を介して貼り合わせる（図６（ｄ））。より詳しくは、減圧環境下において素子基板２０と対向基板６０との間でアライメント（位置合わせ）をした状態で接触、圧着させる。このとき、素子基板２０と対向基板６０とは、シール剤６に含まれるスペーサによって支持され、一定の間隔を有した状態で貼り合わされる。素子基板２０と対向基板６０の間隔（すなわちスペーサの直径）は、例えば１０μｍとする。そして、素子基板２０、対向基板６０、シール剤６によって囲まれた領域に、充填剤４６が充填される。ここで、シール剤６には充填剤４６より粘度の大きなものが用いられているため、充填剤４６は、素子基板２０と対向基板６０とによって押し広げられる一方でシール剤６が隔壁となってシール剤６の形作る枠内にとどまる。これにより、端子部９に充填剤４６が浸入する不具合を防ぎながら充填剤４６を上記領域に充填することができる。
【００６１】
工程Ｓ３２では、シール剤６を硬化させる。詳しくは、紫外線硬化性樹脂からなるシール剤６に対し、対向基板６０側から紫外線を照射することにより、シール剤６を硬化させる。
【００６２】
工程Ｓ３３では、充填剤４６を硬化させる。詳しくは、熱硬化性樹脂からなる充填剤４６に対し熱処理を行うことにより、充填剤４６を硬化させる。熱処理の方法としては、例えば貼り合わせ後の素子基板２０及び対向基板６０を焼成炉内で加熱する方法を用いることができる。このとき、有機機能層３０の劣化を防止する観点から、１００℃以下の温度で加熱することが好ましい。工程Ｓ３２及び工程Ｓ３３は、硬化工程に対応し、これらの工程を経てシール剤６及び充填剤４６が硬化される。硬化後のシール剤６及び充填剤４６は、素子基板２０と対向基板６０の間隔を一定に保つ役割も果たす。
【００６３】
工程Ｓ３４は切断工程であり、この工程では、基板１０及び基板５０を切断して、貼り合わせ後の基板から個々の有機ＥＬ装置１を切り出す（図６（ｅ））。より詳しくは、図７に鎖線で示す切断線Ｌに沿って基板１０（素子基板２０）及び基板５０（対向基板６０）を切断する。切断線Ｌは、有機ＥＬ装置１の外形線と一致する。例えば、まず切断線Ｌに沿って基板１０，５０をスクライブし、その後基板１０，５０に外力を印加して切断線Ｌに沿って切断（ブレイク）する。
【００６４】
ここで、シール剤６は、一部が有機ＥＬ装置１の外形線の外側に形成されているため、シール剤６に囲まれた領域（シール剤６が形作る枠の内側）を通る切断線Ｌに沿って基板１０及び基板５０を切断することとなる。つまり、切断線Ｌの一部は、シール剤６の枠内の充填剤４６が充填された領域に設定され、シール剤６の一部は切断後に得られる有機ＥＬ装置１には含まれないこととなる。また、この切断線Ｌは、端子部９に沿って形成されたシール剤６を内部に含む矩形の切断線であり、端子部９に沿って形成されたシール剤６は、切断後の有機ＥＬ装置１内に残る。したがって、工程Ｓ３４においては、端子部９と発光画素２との間にシール剤６を有し、端子部９の形成されていない３辺にはシール剤６が形成されていない状態の有機ＥＬ装置１（図２）が取り出される。
【００６５】
このような方法によれば、得られる有機ＥＬ装置１は、外縁部の少なくとも一部においてシール剤６が形成されていない状態となる。このようにすれば、有機ＥＬ装置１においてシール剤６の形成領域の一部を省略することができる。よって、発光画素２と外周との間の額縁領域を狭くすることができ、ひいては有機ＥＬ装置１を小型化することが可能となる。
【００６６】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法によって得られる有機ＥＬ装置１の構成は第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１と同じである。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、一部が第１の実施形態と異なり、その他の工程は同一である。このため、以下では第１の実施形態との製造方法の相違点について説明する。
【００６７】
図８は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造工程における、シール剤６及び充填剤４６の形成位置を示す平面図である。この図に示すように、本実施形態では、シール剤６は、隣り合って並んだ３つの有機ＥＬ装置１に含まれる発光画素２を囲むように基板１０上に形成される。換言すれば、本実施形態のシール剤形成工程（工程Ｓ１３）は、複数の有機ＥＬ装置１に含まれる発光画素２を囲む枠状のシール剤６を形成する工程を含む。このようにすれば、有機ＥＬ装置１ごとに発光画素２をシール剤６で囲む方法に比べて、シール剤６の形成領域の長さを短縮することができる。よって、ディスペンサ塗布法等を用いた描画の時間を短縮することができる。なお、本実施形態においても、シール剤６の一部は、有機ＥＬ装置１の外形の外側に配置される。すなわち、有機ＥＬ装置１の内部のうち端子部９と発光画素２との間にはシール剤６が形成される一方、その他のシール剤６は有機ＥＬ装置１の領域外に形成される。
【００６８】
続く充填剤塗布工程（工程Ｓ１４）では、シール剤６に囲まれた領域に、充填剤４６を塗布する。このとき、シール剤６が形作る矩形の枠が第１の実施形態に比べて大きいため、ディスペンサや液滴吐出装置により充填剤４６を塗布又は吐出する位置の自由度を高くすることができる。
【００６９】
貼り合わせ工程、硬化工程の後に、切断工程（工程Ｓ３４）を行う。より詳しくは、図８に鎖線で示す切断線Ｌに沿って基板１０（素子基板２０）及び基板５０（対向基板６０）を切断する。切断線Ｌは、有機ＥＬ装置１の外形線と一致する。ここで、シール剤６は、端子部９に沿って形成された部分を除いて有機ＥＬ装置１の外形線の外側に形成されているため、切断線Ｌの一部は、シール剤６の枠内の充填剤４６が充填された領域に設定され、シール剤６の一部は切断後に得られる有機ＥＬ装置１には含まれないこととなる。よって、切断後には、端子部９と発光画素２との間にシール剤６を有し、端子部９の形成されていない３辺にはシール剤６が形成されていない状態の有機ＥＬ装置１（図２）が取り出される。よって、第１の実施形態と同様に狭額縁の有機ＥＬ装置１が得られる。
【００７０】
本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法によれば、シール剤６の形成領域の長さを短縮することができ、また、充填剤４６を塗布する位置の自由度を高くすることができるため、有機ＥＬ装置１の製造工程を簡素化し、あるいは短縮することができる。
【００７１】
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法によって得られる有機ＥＬ装置１の構成は第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１と同じである。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、一部が第１の実施形態と異なり、その他の工程は同一である。このため、以下では第１の実施形態との製造方法の相違点について説明する。
【００７２】
図９は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造工程における、シール剤６及び充填剤４６の形成位置を示す平面図である。この図に示すように、本実施形態では、素子基板２０（複合素子基板）、対向基板６０（複合対向基板）における有機ＥＬ装置１の配置は、列方向（図９の縦方向）に隣り合うものについては上下逆になっている。つまり、列方向に隣り合う２つの有機ＥＬ装置１の端子部９は、この２つの有機ＥＬ装置１を構成する発光画素２を挟んで反対側に位置している。このような構成とするため、本実施形態の発光画素形成工程（工程Ｓ１１）は、隣り合う２つの有機ＥＬ装置１を構成する端子部９が、当該２つの有機ＥＬ装置１を構成する発光画素２を挟んで反対側に位置するように、基板１０上に発光画素２及び端子部９を形成する工程を含む。
【００７３】
また、シール剤６は、２行３列にわたって隣り合って並んだ６つの有機ＥＬ装置１に含まれる発光画素２を囲むように基板１０上に形成される。換言すれば、本実施形態のシール剤形成工程（工程Ｓ１３）は、上記のように隣り合う（すなわち端子部９が互いの発光画素２を挟んで反対側に位置する状態で隣り合う）有機ＥＬ装置１に含まれる発光画素２を囲むような枠状にシール剤６を形成する工程を含む。このとき、シール剤６は、各有機ＥＬ装置１の端子部９と発光画素２との間に形成される一方で、その他については有機ＥＬ装置１の領域外に形成される。このようにすれば、多数の有機ＥＬ装置１の発光画素２を囲むようにシール剤６を形成することができ、有機ＥＬ装置１ごとに発光画素２をシール剤６で囲む方法に比べて、シール剤６の形成領域の長さを短縮することができる。
【００７４】
続く充填剤塗布工程（工程Ｓ１４）では、シール剤６に囲まれた領域に、充填剤４６を塗布する。このとき、シール剤６が形作る矩形の枠が第１及び第２の実施形態に比べて大きいため、ディスペンサや液滴吐出装置により充填剤４６を塗布又は吐出する位置の自由度を高くすることができる。
【００７５】
貼り合わせ工程、硬化工程の後に、切断工程（工程Ｓ３４）を行う。より詳しくは、図９に鎖線で示す切断線Ｌに沿って基板１０（素子基板２０）及び基板５０（対向基板６０）を切断する。切断線Ｌは、有機ＥＬ装置１の外形線と一致する。ここで、シール剤６は、端子部９に沿って形成された部分を除いて有機ＥＬ装置１の外形線の外側に形成されているため、切断線Ｌの一部は、シール剤６の枠内の充填剤４６が充填された領域に設定され、シール剤６の一部は切断後に得られる有機ＥＬ装置１には含まれないこととなる。よって、切断後には、端子部９と発光画素２との間にシール剤６を有し、端子部９の形成されていない３辺にはシール剤６が形成されていない状態の有機ＥＬ装置１（図２）が取り出される。よって、第１の実施形態と同様に狭額縁の有機ＥＬ装置１が得られる。
【００７６】
本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法によれば、シール剤６の形成領域の長さをさらに短縮することができ、また、充填剤４６を塗布する位置の自由度を高くすることができるため、有機ＥＬ装置１の製造工程を簡素化し、あるいは短縮することができる。
【００７７】
（電子機器）
上述した有機ＥＬ装置１は、例えば、携帯電話機等の電子機器に搭載して用いることができる。図１１は、電子機器としての携帯電話機１００の斜視図である。携帯電話機１００は、表示部１１０及び操作ボタン１２０を有している。表示部１１０は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１によって、操作ボタン１２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。このような構成によれば、狭額縁の有機ＥＬ装置１を用いることによって、携帯電話機１００の設計自由度を高めることができる。
【００７８】
なお、有機ＥＬ装置１は、上記携帯電話機１００の他、モバイルコンピュータ、テレビ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器等の各種電子機器に用いることができる。
【００７９】
上記実施形態に対しては、様々な変形を加えることが可能である。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００８０】
（変形例１）
上記各実施形態では、端子部９は、基板１０の外縁部のうち１つの辺に沿う領域にのみ形成されているが、複数の辺に沿って端子部９が形成された構成としてもよい。図１０は、本変形例に係る有機ＥＬ装置１Ａ，１Ｂの平面図である。図１０（ａ）に示す有機ＥＬ装置１Ａは、対向する２辺に端子部９が形成された構成を有しており、図１０（ｂ）に示す有機ＥＬ装置１Ｂは、直交する２辺に端子部９が形成された構成を有している。このような構成においても、シール剤６は、端子部９と発光画素２との間に、端子部９に沿って形成される。すなわち、シール剤６は、図１０（ａ）においては対向する２辺の端子部９に沿って、また図１０（ｂ）においては直交する２辺の端子部９に沿って、それぞれ形成されており、その他の辺には形成されていない。また、シール剤６を挟んで端子部９の反対側の領域には、充填剤４６が充填されている。このような構成の有機ＥＬ装置１Ａ，１Ｂも、端子部９の形成されていない辺にはシール剤６がないため、上記各実施形態と同様に額縁領域を狭くすることができる。
【００８１】
（変形例２）
上記各実施形態では、第１基板としての基板１０側にシール剤６及び充填剤４６を配置してから貼り合わせているが、これに代えて、第２基板としての基板５０側にシール剤６及び充填剤４６を配置してから貼り合わせを行ってもよい。
【００８２】
（変形例３）
上記各実施形態では、シール剤６に紫外線硬化性樹脂を用い、充填剤４６に熱硬化性樹脂を用いているが、この構成に限定する趣旨ではなく、シール剤６及び充填剤４６は、それぞれ紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図。
【図２】有機ＥＬ装置の平面図。
【図３】図２中のＡ−Ａ線における断面図。
【図４】図２中のＢ−Ｂ線における断面図。
【図５】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図６】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図。
【図７】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における、シール剤及び充填剤の形成位置を示す平面図。
【図８】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における、シール剤及び充填剤の形成位置を示す平面図。
【図９】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における、シール剤及び充填剤の形成位置を示す平面図。
【図１０】変形例１に係る有機ＥＬ装置の平面図。
【図１１】電子機器としての携帯電話機の斜視図。
【図１２】従来構成の有機ＥＬ装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ線における断面図。
【符号の説明】
【００８４】
１…有機ＥＬ装置、２…発光画素、８…薄膜封止層、９…端子部、１０…第１基板としての基板、１１…スイッチング用ＴＦＴ、１２…駆動用ＴＦＴ、１３…保持容量、１４…データ線駆動回路、１５…走査線駆動回路、１６…走査線、１７…信号線、１８…電源線、１９…端子、２０…素子基板、２１…回路素子層、２４…画素電極、２６…無機バンク、２８…有機バンク、３０…有機機能層、３２…正孔輸送層、３４…発光層、３６…陰極、３８…陰極保護層、４２…緩衝層、４４…ガスバリア層、４６…充填剤、５０…第２基板としての基板、５２…カラーフィルタ、５４…遮光層、６０…対向基板、１００…携帯電話機、１１０…表示部、１２０…操作ボタン、Ｌ…切断線。
【図１】
2009231192.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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