(57)【要約】      （修正有）【課題】十分な昇温速度が得られて効率よくウェハを処理できるヒータ付きの静電チャックを提供する。【解決手段】ベース部１０と、ベース部１０の上に接着された断熱層１２と、断熱層１２の上に接着され、セラミックス基板部２２の中にヒータ電極２４とＥＳＣ電極２６とが設けられて構成されるチャック機能部２０とを含む。断熱層１２の両面側に接着層１４が設けられており、ベース部１０とチャック機能部２０とを高い接着強度で接着する場合は、断熱層１２に開口部１２ａが設けられ、その開口部１２ａに接着層１４が充填される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部と、
前記ベース部の上に接着された断熱層と、
前記断熱層の上に接着され、セラミックス基板部の中にヒータ電極とＥＳＣ電極とが設けられて構成されるチャック機能部とを有することを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記断熱層の両面側に接着層が設けられており、前記ベース部及びチャック機能部は前記接着層によって前記断熱層にそれぞれ接着されていることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記断熱層には複数の開口部が設けられて、前記開口部に前記接着層が充填されており、前記断熱層の開口部に対応する領域では、前記ベース部と前記チャック機能部とが前記開口部内の前記接着層によって直接接着されていることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記断熱層の前記開口部のトータル面積は、前記断熱層の全体面積に対して５０乃至９０％であることを特徴とする請求項３に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記断熱層の周縁部に内側に食い込む複数の切欠部が設けられて、前記切欠部に前記接着層が充填されており、前記切欠部の前記接着層の中央部に、前記チャック機能部の上面側にガスを流出するためのガス穴が設けられていることを特徴とする請求項３又は４に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記断熱層はシート材から形成され、前記接着層は液状接着剤が硬化したものであることを特徴とする請求項２に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記断熱層の熱伝導率は、前記接着層の熱伝導率と同一であることを特徴とする請求項３又は４に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記断熱層の熱伝導率は０．１乃至０．２Ｗ／ｍＫであり、前記断熱層の厚みは０．５乃至１ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記断熱層は、シリコーンゴム、フッ素ゴム又はウレタンゴムからなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は静電チャックに係り、さらに詳しくは、半導体ウェハプロセスなどでウェハの温度を制御するために各種の製造装置に採用されるヒータ付きの静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハプロセスなどで使用される製造装置（プラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置など）では、各種のプロセスでウェハ温度を制御するためにウェハを静電吸着して裁置する静電チャックが設けられている。例えば、ドライエッチング装置では、プラズマ処理によってウェハ温度が規定以上に上昇しないように、ベースプレートに冷却ジャケットを内蔵させ、ウェハの温度がある温度で均一になるようにウェハが冷却される。
【０００３】
近年では、ウェハを精度よく高温処理したり、高温エッチングによって微細加工したりする目的で、ヒータを内蔵した静電チャックの需要が増加している。ヒータ付きの静電チャックでは、従来に増してよりいっそうのウェハ内の温度のばらつき低減及び高度な温度制御が求められている。
【０００４】
特許文献１には、電極の両面側を絶縁性誘電体層で被覆して形成されるチャック機能部とプレート部をフッ素変性オルガノポリシロキサン組成物からなる接着層で接着することにより、超寿命で高性能な静電チャックを構成することが記載されている。
【０００５】
また、特許文献２には、金属基盤の上に接着剤層でセラミックス絶縁板が接着された静電チャックにおいて、ブタジエン−アクリルニトリル共重合などとヒンダードフェノール系抗酸化剤とを含む接着剤層を使用することにより、ウェハ吸着面の平坦性や接着剤層の剥離を防止することが記載されている。
【特許文献１】特開平６−３２６１７９号公報
【特許文献２】特開平１１−２９７８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ヒータ付きの静電チャックでは、ウェハを加熱して所定の温度に制御することから、ウェハを効率よく処理するためには、より高い昇温速度が求められる。
【０００７】
しかしながら、ヒータ電極及びＥＳＣ電極が内蔵されたチャック機能部がベース部の上に接着層によって接着されて構成されるヒータ付きの静電チャックでは、接着層の厚みが薄く断熱性が十分ではないため、ヒータ電極からの熱がベース部側に拡散しやすく、チャック機能部の表面側で十分な昇温速度が得られない問題がある。
【０００８】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、十分な昇温速度が得られて効率よくウェハを処理できるヒータ付きの静電チャックを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は静電チャックに係り、ベース部と、前記ベース部の上に接着された断熱層と、前記断熱層の上に接着され、セラミックス基板部の中にヒータ電極とＥＳＣ電極とが設けられて構成されるチャック機能部とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、ベース部の上に断熱層（シリコーンゴムなど）を介してチャック機能部が接着されて設けられている。断熱層の両面側に接着層が設けられており、ベース部及びチャック機能部は接着層によって断熱層にそれぞれ接着されている。
【００１１】
チャック機能部はヒータ電極とＥＳＣ電極を備えており、ウェハがチャック機能部上に吸着された状態でヒータ電極によって加熱されて所要温度に制御される。
【００１２】
本発明では、シート状の断熱層を使用することから、接着層のみでベース部とチャック機能部とを接着する場合と違って、断熱層を均一な厚みでその厚みをかなり厚く設定することができるので十分な断熱効果を得ることができる。
【００１３】
従って、ヒータ電極からの熱がベース部側に拡散することが防止され、チャック機能部の表面側（ウェハ側）に効率よく熱が伝導されるようになる。これによって、静電チャックの昇温速度が高くなるので、ウェハが効率よく加熱されて所要の温度に制御されるようになり、従来技術よりもスループットを格段に向上させることができる。
【００１４】
本発明の一つの好適な態様では、断熱層には複数の開口部が設けられて、開口部に接着層が充填されている。シリコーンゴムなどの断熱層は他の部材との密着性が悪い傾向がある。その対策として、断熱層に開口部を設けておき、それに接着層を充填することにより、その開口部ではベース部とチャック機能部とが断熱層を介すことなく接着層によって直接接着される。
【００１５】
このため、静電チャック全体としては、ベース部とチャック機能部とが十分な接着強度で接着される。しかも、接着層の熱伝導率は断熱層の熱伝導率と同等に設定できるので、開口部を設けない断熱層を使用する場合と同等な断熱効果を得ることができる。
【００１６】
また、上記した発明において、断熱層の周縁部に内側に食い込む複数の切欠部が設けられて、切欠部に接着層が充填されており、切欠部内の接着層の中央部に、チャック機能部の上面側にガスを流出するためのガス穴が設けられてもよい。
【００１７】
このようにすることにより、静電チャックの周縁部にガス穴が配置されても、ガス穴の近傍のベース部とチャック機能部とは接着層によって直接接着されて密着性がよくなるので、ガス穴の側部からのガスのリークが防止される。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明の静電チャックでは、ベース部への熱拡散が防止されて昇温速度を高くできるので、ウェハを効率よく処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２０】
本発明の実施形態の静電チャックを説明する前に、関連技術の静電チャックの問題点について説明する。図１は関連技術の静電チャックを示す断面図である。
【００２１】
図１に示すように、関連技術の静電チャック１００では、アルミニウムベース部２００の上に接着層２２０によってチャック機能部３００が固着されている。チャック機能部３００は、セラミックス基板部３２０の中に下から順にヒータ電極３４０とＥＳＣ電極３６０とが内蔵されて構成される。
【００２２】
そして、セラミックス基板部３２０の上にウェハが裁置され、ＥＳＣ電極３６０に所定の電圧を印加することにより、セラミックス基板部３２０の上にウェハが静電吸着される。さらに、ヒータ電極３４０に所定の電圧が印加されてヒータ電極３４０から熱が発生し、セラミックス基板部３２０上のウェハが加熱されて所定の温度に制御される。
【００２３】
本願発明者は、上記した構造の静電チャック１００の昇温速度について調査した。図１の接着層２２０として、熱伝導率が０．８３Ｗ／ｍＫで厚みが０．１ｍｍのシリコーン系の第１接着層を使用した。静電チャック１００のヒータ電極３４０は２つの電極に分離されて配置され、その２つの電極にそれぞれ２００Ｖの電圧を印加してヒータ電極３４０から熱を発生させた。そして、ヒータ電極３４０に電圧を印加してから６０秒後までセラミックス基板部３２０の表面温度を熱電対によって測定し、昇温速度を算出した。
【００２４】
その結果によれは、図２に示すように（一点鎖線のデータ）、ヒータ電極３４０に電圧を印加する前のセラミックス基板３４０の表面温度は２４℃程度であり、電圧を印加してから６０秒後ではセラミックス基板３４０の表面温度は４０℃に上昇した。これにより、昇温速度は0．２６℃／ｓｅｃであることが分った。この昇温速度（0．２６℃／ｓｅｃ）では、例えば、ウェハの温度を１００℃に設定する場合であっても、電圧印加した後から５分弱かかることになり、ウェハ処理の効率が悪く、十分なスループットが得られない。
【００２５】
そこで、本願発明者は、昇温速度を改善するため、図１の接着層２２０として、上記した第１接着層より熱伝導率の低い第２接着層（熱伝導率：０．２Ｗ／ｍＫ、厚み：０．１ｍｍ、）に替えて同様な実験を行った。
【００２６】
その結果によれば、図２に示すように（破線のデータ）、ヒータ電極３４０に電圧を印加する前のセラミックス基板３４０の表面温度は２４℃程度であり、電圧を印加してから２０秒後の表面温度は４２℃程度であり、２０秒までの昇温速度はかなり改善された。しかしながら、２０秒後から６０秒までの間では、十分な断熱性が得られず、４２℃から５２℃にしか昇温しなかった。従って、平均の昇温速度は０．４７℃／ｓｅｃであり、熱伝導率の高い第１接着層を使用する場合の昇温速度の１．８倍程度しか上昇せず、十分に高い昇温速度は得られなかった。
【００２７】
さらなる改善策としては、接着層２２０の厚みを厚くして断熱性を上げることが考えられるが、接着層２２０は液状接着剤を塗布し、それを加熱してゴム状に硬化させることから、厚みを厚くすると厚みのばらつきがかなり悪くなるなどの不具合が発生する。このように、断熱性を高めるために、厚みの厚い信頼性の高い接着層を形成することは困難である。
【００２８】
以下に説明する本実施形態の静電チャックではそのような問題を解消することができる。
【００２９】
（第１の実施の形態）
図３は本発明の第１実施形態の静電チャックを示す断面図である。
【００３０】
図３に示すように、第１実施形態の静電チャック1では、ベース部１０の上に断熱層１２を介してチャック機能部２０が設けられている。断熱層１２の下面側には接着層１４が形成されており、ベース部１０は接着層１４によって断熱層１２に接着されている。さらに、断熱層１２の上面側にも接着層１４が形成されており、チャック機能部２０は接着層１４によって断熱層１２に接着されている。
【００３１】
このようにして、ベース部１０の上に、両面側に接着層１４が設けられた断熱層１２を介してチャック機能部２０が固着されている。
【００３２】
ベース部１０の材料としては、アルミニウム（又はその合金）が好ましいが、他の金属を使用してもよいし、あるいは絶縁体を使用してもよい。
【００３３】
チャック機能部２０は、セラミックス基板部２２の中に下から順にヒータ電極２４とＥＳＣ（Electro Static Chuck）電極２６とが内蔵されて構成される。セラミックス基板部２２は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、チタンシリコン（ＴｉＳｉ）系セラミックス、又はチタンアルミニウム（ＴｉＡｌ）系セラミックスなどから形成される。
【００３４】
ＥＳＣ電極２６は、セラミックス基板部２２の全体に１つの電極を設ける単極方式であってもよいし、渦巻型やくし歯型などの双電極方式を採用し、双電極にプラス（＋）及びマイナス（−）の電圧をそれぞれ印加するようにしてもよい。
【００３５】
また、ヒータ電極２４は、セラミックス基板部２２の全体に１つの電極を設けてもよいし、ヒータゾーンを複数に分割して独立させ、発熱させるべくヒータゾーンを任意に選択できるようにしてもよい。例えば、セラミックス基板部２２の中心部と周縁部とにヒータ電極２４を分離して設けることにより、セラミックス基板部２２の全体、中心部のみ又は周縁部のみを選択して発熱させることができる。あるいは、ヒータ電極２４が分離されたそれぞれ領域の設定温度を変えて制御することも可能である。
【００３６】
チャック機能部２０は、セラミックス基板部２２を形成するためのグリーンシートでヒータ電極２４及びＥＳＣ電極２６をそれぞれ挟み、その積層体を焼結することにより得られる。ヒータ電極２４及びＥＳＣ電極２６の材料としては、タングステンペーストなどが使用される。さらに、ベース部１０の上に両面に液状の接着剤が塗布されたシート状の断熱層１２を介してチャック機能部２０を配置した後に、熱処理して接着剤を硬化させることにより、本実施形態の静電チャック１が得られる。
【００３７】
そして、チャック機能部２０の上にウェハ５が裁置され、ＥＳＣ電極２６に所定の電圧が印加され、両者の間に発生した力によってウェハ５がセラミックス基板部２２の上に静電吸着される。さらに、交流電源２５からヒータ電極２４に所定の電圧が印加されてヒータ電極２４から熱が発生し、セラミックス基板部２２上に裁置されたウェハ５が加熱されて所定の温度に制御される。
【００３８】
本実施形態の静電チャック１の特徴の一つは、ウェハ５の昇温速度を高くするためベース部１０の上に断熱層１２を介してチャック機能部２０を配置し、それらを接着層１４で接着したことにある。
【００３９】
断熱層１２はシリコーンゴム、フッ素ゴム又はウレタンゴムなどからなる柔軟性を有するシート材（フィルム）から形成される。また、断熱層１２の熱伝導率は０．１〜０．２Ｗ／ｍＫであり、その厚みは十分な断熱効果を考慮すると好適には０．５〜１ｍｍに設定される。
【００４０】
本実施形態に係る断熱層１２はシート材から形成するので、上記した関連技術の接着層２２０と違って均一な厚みでその厚みをかなり厚く設定することができる。断熱層１２の熱伝導率は関連技術の接着層２２０の熱伝導率と同等であるが、接着層２２０の厚みの５〜１０倍（又はそれ以上）に容易に設定できるので、高い断熱効果が得られる。
【００４１】
本実施形態では、断熱性は断熱層１２の特性によって概ね決定されるので、接着層１４としてはシリコーン系以外に熱伝導率に関係なく各種のものを使用してもよい。
【００４２】
本願発明者は、本実施形態の静電チャック１の昇温速度について調査した。断熱層１２として、熱伝導率が０．２Ｗ／ｍＫで、厚みが０．７ｍｍのシリコーンゴムを使用した。ヒータ電極２４は２つの電極に分離されて配置され、その２つの電極にそれぞれ２００Ｖの電圧を印加してヒータ電極２４から発熱させた。そして、ヒータ電極２４に電圧を印加してから５０秒後までセラミックス基板部２２の表面温度を熱電対によって測定し、昇温速度を算出した。
【００４３】
その結果によれば、図４に示すように（太線のデータ）、ヒータ電極２４に電圧を印加する前のセラミックス基板部２４の温度は２４℃程度であり、２０秒後の表面温度は７５℃程度であり、上記した関連技術よりも昇温速度が格段に改善された。さらに、電圧印加から５０秒経過すると１０５℃程度まで温度が上昇した。
【００４４】
図４には比較例として、前述した図２の関連技術の昇温速度特性を再掲している。本実施形態の静電チャック１の平均の昇温速度は１．６６℃／ｓｅｃであり、前述した関連技術の静電チャックと比べて３．５〜６．４倍の昇温速度が得られることが分った。
【００４５】
例えば、ウェハの温度を１００℃に設定する場合は、電圧印加した後から４６秒程度で昇温することになるので、関連技術よりもウェハ処理の効率が格段に向上し、十分なスループットが得られることが理解される。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態の静電チャック１では、ベース部１０の上に断熱層１２を介してチャック機能部２０を接着層１４によって接着した構成としている。断熱層１２はシート材から形成されるため、関連技術の接着層と違って厚みを容易に厚く設定することができるので、断熱効果を格段に大きくすることができる。従って、ヒータ電極２４から発生する熱は断熱層１２によって十分に断熱されるので、より多くの熱がセラミックス基板部２２の上側に拡散するようになり、ウェハ５に熱が効率よく伝導される。これによって、ウェハ５は素早く加熱されて所要の温度に制御されるようになり、関連技術よりもスループットを格段に向上させることができる。
【００４７】
本実施形態の静電チャックは、半導体ウェハプロセス又は液晶ディスプレイの素子基板の製造プロセスなどで使用されるＣＶＤ装置やドライエッチング装置などに好適に使用される。
【００４８】
（第２の実施の形態）
図５は本発明の第２実施形態の静電チャックを示す断面図、図６は図５の静電チャックの断熱層の開口部の様子を示す平面図である。第２実施形態では、第１実施形態と同一要素については同一符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
前述した第１実施形態の静電チャック1（図３）では、シート状の断熱層１２をそのまま使用し、その両面側に接着層１４を設けて断熱層１２を介してベース部１０とチャック機能部２０とを接着している。
【００５０】
シリコーンゴムやフッ素ゴムなどから形成される断熱層１２は他の部材との密着性が比較的悪いため、第１実施形態の接着方法では断熱層１２とベース部１０及びチャック機能部２０との接着強度が十分に得られない場合が想定される。
【００５１】
第２実施形態の静電チャックでは、ベース部１０とチャック機能部２０との接着強度を改善することができる。
【００５２】
図５に示すように、第２実施形態の静電チャック２では、断熱層１２に複数の開口部１２ａが設けられており、断熱層１２の上面側及び下面側に接着層１４が形成されているだけではなく、その開口部１２ａ内に接着層１４が繋がって充填されている。そして、ベース部１０が断熱層１２の下面側及び開口部１２ａに設けられた接着層１４によって断熱層１２に接着されている。また、チャック機能部２０は断熱層１２の上面側及び開口部１２ａに設けられた接着層１４によって断熱層１２に接着されている。
【００５３】
このようにして、ベース部１０の上に、接着層１４で挟み込まれた開口部１２ａ付きの断熱層１２を介してチャック機能部２０が接着されている。
【００５４】
第２実施形態の静電チャック２では、断熱層１２が存在する部分では第１実施形態（図３）と同様な接着構造となっているが、断熱層１２の開口部１２ａでは、ベース部１０とチャック機能部２０とが密着性の悪い断熱層１２を介すことなく、接着層１４によって直接接着されている。接着層１４は、断熱層１２（シリコーンゴムやフッ素ゴム）とは密着性が悪いものの、ベース部１０（アルミニウム）及びチャック機能部２０のセラミックス基板部２２とは密着性が良好である。
【００５５】
これにより、断熱層１２が存在する部分では断熱層１２とベース部１０及びチャック機能部２０との接着強度が低い場合であっても、断熱層１２の開口部１２ａでは接着強度が高くなるので、静電チャック２全体としては、ベース部１０とチャック機能部２０とが十分な接着強度で接着される。
【００５６】
ベース部１０とチャック機能部２０との十分な接着強度を得るには、断熱層１２の全体面積（外形面積）に対して開口部１２ａのトータル面積を５０〜９０％に設定することが好ましい。言い換えると、接着層１４と接触する部分の断熱層１２のトータル面積は、断熱層１２の全体面積（外形面積）の５０〜１０％に設定される。
【００５７】
シリコーン系などの接着層１４を使用することにより断熱層１２と接着層１４とは同等の熱伝導率（０．２Ｗ／ｍＫ）に設定できることから、断熱層１２の開口部１２ａのトータル面積を大きくしても開口部１２ａには接着層１４が充填されるので、第１実施形態のような開口部をもたない断熱層１２を使用する場合と同等な断熱効果が得られる。つまり、第２実施形態では、十分な断熱効果を有すると共に、断熱層１２を他の部材と密着性の悪い材料から形成する場合であってもベース部１０とチャック機能部２０とが十分な接着強度で接着される。
【００５８】
また、図６に示した断熱層１２の平面図では、接着強度改善用の開口部１２ａの他に、ヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスをチャック機能部２０とウェハとの間に供給するためのガス用開口部１２ｂが８つ設けられている。チャック機能部２０とウェハの間に不活性ガスを流すことにより、チャック機能部２０の熱を効率よくウェハに伝導することができる。
【００５９】
さらに、断熱層１２には、ウェハを上下に移動するためのリフトピンが挿通されるリフトピン用開口部１２ｃが３つ設けられている。リフトピンでウェハを上下に移動することにより、搬送ロボットによってウェハを自動搬送することができる。
【００６０】
断熱層１２のガス用開口部１２ｂ及びリフトピン用開口部１２ｃに対応する部分のチャック機能部２０には開口部（不図示）がそれぞれ設けられており、不活性ガスの供給経路及びリフトピンの駆動空間が確保されている。
【００６１】
断熱層１２には、その他にも、温度センサが挿通される温度センサ用開口部（不図示）やＥＳＣ電極及びヒータ電極の配線が挿通される配線用開口部（不図示）などが設けられる。
【００６２】
さらに、図６に示すように、第２実施形態の断熱層１２にはその周縁部に内側に食い込む半円状の切欠部１１が外周に沿って複数設けられている。
【００６３】
図５に示された断熱層１２及び接着層１４の断面の様子は、図６の断熱層１２に接着層１４が設けられた構造体のＩ−Ｉに沿った断面に相当する。
【００６４】
ここで、断熱層１２の切欠部１１の機能について説明する。図７（ａ）に示すように、チャック機能部２０において、ガス流出口２０ａは中央部の他に周縁部に設けられることが多い。従って、図７（ｂ）（図７（ａ）のＩＩ−ＩＩに沿った部分断面図）に示すように、チャック機能部２０の周縁部のガス流出口２０ａに対応する部分に断熱層１２の周縁部が存在する場合は、断熱層１２の周縁部にガス用開口部１２ｂが設けられることになる。
【００６５】
この場合、断熱層１２のガス用開口部１２ｂの外側では断熱層１２が存在するため、ベース部１０とチャック機能部２０とは断熱層１２を介してその両面側の接着層１４によって接着される（図７（ｂ）のＡ部）。前述したように、断熱層１２が存在する部分は密着強度が低いため、断熱層１２と接着層１４との界面からガスがリークするおそれがある。
【００６６】
このため、本実施形態では、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、チャック機能部２０のガス流出口２０ａに対応するする部分の断熱層１２にガス流出口２０ａより大きな面積の半円状の切欠部１１を設けている。
【００６７】
そして、断熱層１２が接着層１４で挟まれる際にその切欠部１１にも接着層１４が設けられる。断熱層１２の上にチャック機能部２０が配置された後に、チャック機能部２０のガス流入口２０ａを通して断熱層１２の切欠部１１に充填された接着層１４にガス用開口部１２ｂ（図８（ｂ））が開口される。
【００６８】
これにより、断熱層１２のガス用開口部１２ｂから外側の周縁部（図８（ｂ）のＢ）では、ベース部１０とチャック機能部２０とが接着層１４で直接接着されることから、それらの接着強度を強くすることができるので、静電チャック１の周縁部でのガスのリークが防止される。
【００６９】
また、チャック機能部２０に設けられたリフトピン穴（不図示）を通して断熱層１２のリフトピン用開口部１２ｃに充填された接着層１４にリフトピン用穴が開口される。また、同様にして、断熱層１２の温度センサ用開口部及び配線用開口部（不図示）に充填された接着層１４に温度センサ用穴や配線用穴がそれぞれ形成され、温度センサやヒータ電極２４及びＥＳＣ電極２６に接続される配線が設けられる。
【００７０】
第２実施形態の静電チャック２では、第１実施形態と同様に、ベース部１０とチャック機能部２０との間に断熱層１２を設けることにより昇温速度を高くすることができ、ウェハを効率よく処理することができる。
【００７１】
これに加えて、断熱層１２に設けた開口部１２ａに接着層１４を充填するようにしたので、断熱層１２が接着層１４と密着性が悪い場合であっても、十分な断熱性を確保しつつベース部１０とチャック機能部２０との十分な接着強度が得られるので、静電チャックの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】図１は関連技術の静電チャックを示す断面図である。
【図２】図２は関連技術の静電チャックの昇温特性を示す図である。
【図３】図２は本発明の第１実施形態の静電チャックを示す断面図である。
【図４】図４は図３の静電チャックの昇温特性を示す図である。
【図５】図５は本発明の第２実施形態の静電チャックを示す断面図である。
【図６】図６は図５の静電チャックの断熱層の開口部の様子を示す平面図であり、図５の断熱層及び接着層は図６の断熱層に接着層が設けられた構造体のＩ−Ｉに沿った断面に相当する。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は断熱層の周縁部に切欠部を設けない場合の問題点を示す平面図及び断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＩＩ−ＩＩに沿った断面に相当する。
【図８】図８（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の静電チャックの周縁部の様子を示す断面図及び平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面に相当する。
【符号の説明】
【００７３】
１，２…静電チャック、５…ウェハ、１０…ベース部、１１…切欠部、１２…断熱層、１２ａ…開口部、１２ｂ…ガス用開口部、１２ｃ…リフトピン用開口部、１４…接着層、２０…チャック機能部、２０ａ…ガス流出口、２２‥セラミックス基板部、２４…ヒータ電極、２５…交流電源、２６…ＥＳＣ電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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