(57)【要約】【課題】本発明は、プラズマディスプレイパネルの温度が高いときであっても、リセット放電が適切に行われるプラズマディスプレイパネルの駆動方法及びプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。【解決手段】表示電極対Ｘｉ、Ｙｉを有する放電セルＣｉｊを複数備えたプラズマディスプレイパネル１０を、１フィールドＦを複数に分割したサブフィールドＳＦにより駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、  前記サブフィールドは、リセット期間Ｔｒと、アドレス期間Ｔａと、サステイン期間Ｔｒと、を有し、  前記プラズマディスプレイパネルが所定温度以上となったときに、前記サステイン期間における最後から少なくとも２回以上のサステインパルスを、それまでのサステインパルスの電圧２Ｖｓより高く、かつ前記アドレス期間で選択されなかった前記放電セルの放電開始電圧より低い電圧２Ｖｓ＋Ｖｕを有する強放電発生用パルスとすることを特徴とする。【選択図】図４
2009186590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、１フィールドを複数に分割したサブフィールドにより駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記サブフィールドは、前記放電セルで初期化放電を発生させるリセット期間と、発光させる前記放電セルを選択するアドレス放電を発生させるアドレス期間と、該アドレス期間で選択された前記放電セルの前記表示電極対にサステインパルスを印加し、階調の重みに応じた回数の放電を発生させるサステイン期間と、を有し、
前記プラズマディスプレイパネルが所定温度以上となったときに、前記サステイン期間における最後から少なくとも２回以上のサステインパルスを、それまでのサステインパルスの電圧より高く、かつ前記アドレス期間で選択されなかった前記放電セルの放電開始電圧より低い電圧を有する強放電発生用パルスとすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
前記強放電発生用パルスは、最上位の階調の重みを有する前記サブフィールドに設定し、最下位の階調の重みを有する前記サブフィールドには設定しないことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記表示電極対は、Ｘ電極とＹ電極とからなる電極対であり、
前記強放電発生用パルスは、前記Ｙ電極に電圧を印加するＹサステインパルスであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記表示電極対は、Ｘ電極とＹ電極とからなる電極対であり、
前記強放電発生用パルスは、前記Ｘ電極に電圧を印加するＸサステインパルスであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプラズマィスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記所定温度は、５０℃であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、１フィールドを複数に分割したサブフィールドにより駆動するプラズマディスプレイ装置であって、
発光させる前記放電セルを選択するアドレス放電を発生させるアドレスドライバと、
前記表示電極対にサステインパルスを印加し、前記アドレスドライバにより選択された前記放電セルを、階調の重み付けに応じた所定のサステイン期間サステイン放電させるサステイン回路と、
前記プラズマディスプレイパネルのパネル温度を検出する温度センサと、
該温度センサにより検出された前記パネル温度が所定温度以上のときに、前記サステイン期間の最後の少なくとも２回以上の前記サステインパルスを、それまでのサステインパルスの電圧よりも高く、かつ前記アドレスドライバにより選択されなかった前記放電セルの放電開始電圧よりも低い電圧を有する強放電発生用パルスとする強放電発生制御を、前記サステイン回路に実行させるサステインパルス制御回路と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記強放電発生用パルスは、最上位の階調の重みを有する前記サブフィールドに設定し、最下位の階調の重みを有する前記サブフィールドには設定しないことを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記サステインパルス制御回路は、Ｙサステイン回路に前記強放電発生制御を実行させることを特徴とする請求項６又は７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記サステインパルス制御回路は、Ｘサステイン回路に前記強放電発生制御を実行させることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記所定温度は、５０℃であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの駆動方法及びプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表示面を構成するセル群の壁電荷量を表示データに従って制御するアドレッシングと、セル群に放電開始電圧より低い維持電圧を周期的に印加する点灯維持とを順に行うプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、アドレッシングの際、アドレス放電を生じさせるためにセル群に印加するアドレスパルスのパルス幅を切り換えることによって、壁電荷の多値制御を行い、点灯維持の途中で維持電圧の値を変更させるようにしたプラズマディスプレイパネルの駆動方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
これにより、セル群の壁電荷の量を制御し、表示放電を維持電圧の印加毎に毎回生じさせたり、印加回数よりも少ない回数だけ生じさせたり、全く生じさせなかったりすることができ、電圧制御による多値のアドレッシングを行う場合と比べて安定した多階調表示を実現することができる。
【特許文献１】特開２００２−１８９４４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、維持放電中の壁電荷を制御し、多階調表示を安定させることは可能であるが、その後に続くサブフィールドのリセット期間で、壁電荷の状態がどのようになっているのかまでは考慮されていない。
【０００５】
一方、プラズマディスプレイパネルの駆動において、前のサブフィールドのサステイン放電が終了した後に、次のサブフィールドでリセット期間を迎えるが、かかるリセット期間において、前のサブフィールドで点灯していないセルに対しては、高い電圧パルスによるリセットを行うが、前のサブフィールドで点灯したセルに対しては、低い電圧パルスによりリセットを行う、いわゆるオンセルリセットを実行する場合がある。かかるオンセルリセットを採用している場合、階調の重み付けが大きいサブフィールドのセルについては、サブフィールドの後半で壁電荷が少なくなり、次のサブフィールドのオンセルリセット時に壁電荷が不足し、リセットが適切になされない場合がある。また、このような状況は、プラズマディスプレイパネルの温度が高いときによく起こり得る。
【０００６】
そこで、本発明は、プラズマディスプレイパネルの温度が高いときであっても、階調の重み付けの高いサブフィールドの次のサブフィールドにおいて、リセット放電が適切に行われるプラズマディスプレイパネルの駆動方法及びプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、第１の発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、１フィールドを複数に分割したサブフィールドにより駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記サブフィールドは、前記放電セルで初期化放電を発生させるリセット期間と、発光させる前記放電セルを選択するアドレス放電を発生させるアドレス期間と、該アドレス期間で選択された前記放電セルの前記表示電極対にサステインパルスを印加し、階調の重みに応じた回数の放電を発生させるサステイン期間と、を有し、
前記プラズマディスプレイパネルが所定温度以上となったときに、前記サステイン期間における最後から少なくとも２回以上のサステインパルスを、それまでのサステインパルスの電圧より高く、かつ前記アドレス期間で選択されなかった前記放電セルの放電開始電圧より低い電圧を有する強放電発生用パルスとすることを特徴とする。
【０００８】
これにより、アドレス期間で選択された放電セルについては、サステイン期間の最後に強い放電を発生させ、壁電荷の状態を初期のサステイン放電と同様の状態としてサステイン放電を終了させることができ、次のサブフィールドでオンセルリセットがなされても、適切に放電セルのリセットを行うことができる。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
前記強放電発生用パルスは、最上位の階調の重みを有する前記サブフィールドに設定し、最下位の階調の重みを有する前記サブフィールドには設定しないことを特徴とする。
【００１０】
これにより、サステイン期間が長く、サブフィールドの後半で壁電荷量が不足する最上位のサブフィールドに対しては、壁電荷を最後に調整すべく強い放電を発生させることができるとともに、壁電荷が十分なサステイン期間の短い最下位の階調については余分なエネルギーを用いず、発光効率を高め、かつ次のサブフィールドのリセットを確実に行うことができる。
【００１１】
第３の発明は、第１又は第２の発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
前記表示電極対は、Ｘ電極とＹ電極とからなる電極対であり、
前記強放電発生用パルスは、前記Ｙ電極に電圧を印加するＹサステインパルスであることを特徴とする。
【００１２】
これにより、Ｙサステインパルスを用いて放電セル内の壁電荷を適正量にすることができる。また、Ｙサステインパルスにのみを用いて強放電を発生させる場合には、片側のサステインパルスのみを制御対象とするので、簡素な構成で強放電を発生させることができ、製造原価を低減させることができる。
【００１３】
第４の発明は、第１〜３のいずれか一つの発明に係るプラズマィスプレイパネルの駆動方法において、
前記表示電極対は、Ｘ電極とＹ電極とからなる電極対であり、
前記強放電発生用パルスは、前記Ｘ電極に電圧を印加するＸサステインパルスであることを特徴とする。
【００１４】
これにより、Ｘ電極のサステイン放電の最後においても強い放電を発生させることができ、壁電荷量を適切にすることができる。Ｘサステインパルスにのみ強放電発生用パルスを発生させる場合には、片側のみを制御対象とすれば良いので、簡素な構成で強放電を発生させることができ、製造原価を低減させることができる。また、ＸサステインパルスとＹサステインパルスの双方に強放電発生用パルスを発生させる場合には、放電セル内の壁電荷量を、確実に増加させることができる。
【００１５】
第５の発明は、第１〜４のいずれか一つの発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
前記所定温度は、５０℃であることを特徴とする。
【００１６】
これにより、リセット放電の不具合が発生し易いプラズマディスプレイパネルが５０℃以上の領域で、放電セルのサブフィールド終了時の壁電荷の量を適切にすることができる。
【００１７】
第６の発明に係るプラズマディスプレイ装置は、表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、１フィールドを複数に分割したサブフィールドにより駆動するプラズマディスプレイ装置であって、
発光させる前記放電セルを選択するアドレス放電を発生させるアドレスドライバと、
前記表示電極対にサステインパルスを印加し、前記アドレスドライバにより選択された前記放電セルを、階調の重み付けに応じた所定のサステイン期間サステイン放電させるサステイン回路と、
前記プラズマディスプレイパネルのパネル温度を検出する温度センサと、
該温度センサにより検出された前記パネル温度が所定温度以上のときに、前記サステイン期間の最後の少なくとも２回以上の前記サステインパルスを、それまでのサステインパルスの電圧よりも高く、かつ前記アドレスドライバにより選択されなかった前記放電セルの放電開始電圧よりも低い電圧を有する強放電発生用パルスとする強放電発生制御を、前記サステイン回路に実行させるサステインパルス制御回路と、を有することを特徴とする。
【００１８】
これにより、サステイン放電の最後に強い放電を発生させることができ、サブフィールドの最後で放電セルの壁電荷を適切な量とすることができるので、次のサブフィールドにおいても適正なリセット放電を発生させることができる。
【００１９】
第７の発明は、第６の発明に係るプラズマディスプレイ装置において、
前記強放電発生用パルスは、最上位の階調の重みを有する前記サブフィールドに設定し、最下位の階調の重みを有する前記サブフィールドには設定しないことを特徴とする。
【００２０】
これにより、サステイン放電の後半に壁電荷が少なくなり、次のリセット放電が適切に行われないおそれがある最上位の重みのサブフィールドについては、サステイン期間の最後に大きな放電を発生させて壁電荷を整えるとともに、サステイン放電期間の短い最下位の重みのサブフィールドについては通常のサステイン放電で済ませ、発光効率の向上を図ることができる。
【００２１】
第８の発明は、第６又は第７の発明に係るプラズマディスプレイ装置において、
前記サステインパルス制御回路は、Ｙサステイン回路に前記強放電発生制御を実行させることを特徴とする。
【００２２】
これにより、Ｙサステイン回路の既存の制御回路に追加して強放電発生制御を実行させることができ、制御追加に大きな変更を要せず、リセット放電を適正に行えるプラズマディスプレイ装置とすることができる。
【００２３】
第９の発明は、第６〜８のいずれか一つの発明に係るプラズマディスプレイ装置において、
前記サステインパルス制御回路は、Ｘサステイン回路に前記強放電発生制御を実行させることを特徴とする。
【００２４】
これにより、Ｘサステインパルスを利用してサステイン放電の最後の壁電荷を調整することができ、次のリセット放電を適正に行わせることができる。
【００２５】
第１０の発明は、第６〜９のいずれか一つの発明に係るプラズマディスプレイ装置において、
前記所定温度は、５０℃であることを特徴とする。
【００２６】
これにより、パネル温度が５０℃となり、リセット放電の不良が発生し易くなったときに、リセット放電を適正に行うための本制御を実行することができ、適切なタイミングで適切な制御を実行することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、サステイン放電終了時の放電セルの壁電荷量を適切に調整にし、次のサブフィールドにおけるリセット放電を適正に発生させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００２９】
図１は、本発明を適用した実施例に係るプラズマディスプレイ装置の基本構成例を示す図である。本実施例に係るプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１０と、アドレスドライバ２０と、Ｘサステイン回路３０と、Ｙサステイン回路４０と、スキャンドライバ５０と、制御回路部６０と、温度センサ７０とを有する。
【００３０】
制御回路部６０は、サステインパルス制御部６１を有し、アドレスドライバ２０、Ｘ電極を駆動するＸサステイン回路３０、Ｙ電極を駆動するＹサステイン回路４０、及びスキャンドライバ５０の制御を行う。
【００３１】
アドレスドライバ２０は、アドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３，・・・に所定の電圧を供給する。以下、アドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３，・・・の各々を又はそれらの総称を、アドレス電極Ａｊといい、ｊは添え字を意味する。
【００３２】
スキャンドライバ５０は、制御回路部６０及びＹサステイン回路４０の制御に応じて、Ｙ電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・に所定の電圧を供給する。以下、Ｙ電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・の各々を又はそれらの総称を、Ｙ電極Ｙｉといい、ｉは添え字を意味する。
【００３３】
Ｘサステイン回路３０は、Ｘ電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，・・・にそれぞれ同一の電圧を供給する。以下、Ｘ電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，・・・の各々を又はそれらの総称を、Ｘ電極Ｘｉといい、ｉは添え字を意味する。各Ｘ電極Ｘｉは相互接続され、同一の電圧レベルを有する。
【００３４】
Ｙサステイン回路４０は、Ｘサステイン回路と同様に、スキャンドライバ５０を介して、Ｙ電極Ｙｉにそれぞれ同一の電圧を供給する。
【００３５】
プラズマディスプレイパネル１０では、Ｙ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉが水平方向に並列に延びる行を形成し、アドレス電極Ａｊが垂直方向に延びる列を形成する。Ｙ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉは、垂直方向に交互に配置される。リブ１１は、各アドレス電極Ａｊ間に設けられるストライプリブ構造を有する。
【００３６】
Ｙ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊは、ｉ行ｊ列の２次元行列を形成する。放電セルＣｉｊは、Ｙ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊの交点並びにそれに対応して隣接するＸ電極Ｘｉにより形成される。この放電セルＣｉｊが画素に対応し、Ｘ電極ＸｉとＹ電極Ｙｉに交互にサステインパルスが印加されて放電セルＣｉｊが放電することにより発光し、プラズマディスプレイパネル１０は２次元画像を表示することができる。よって、Ｘ電極ＸｉとＹ電極Ｙｉは、放電セルＣｉｊ内で表示電極対を構成する。なお、放電セルＣｉｊ内のＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉは、その間に空間を有し、容量性負荷を構成している。
【００３７】
サステインパルス制御部６１は、Ｘサステイン回路３０及びＹサステイン回路４０を制御する。具体的には、サブフィールドの最後の段階で、それ以前の通常のサステインパルスよりも電圧が高く、かつ発光セルとして選択されていない放電セルについては放電が発生しない、放電開始電圧より低い電圧となるようなサステインパルスを発生させる制御を行う。そして、このようなサステインパルスをＸサステイン回路３０及びＹサステイン回路４０に発生させるように、これらを駆動制御する。なお、この内容の詳細については、後述する。
【００３８】
制御回路部６０は、サステインパルス制御部６１によるサステインパルスの制御の他、プラズマディスプレイパネル１０を駆動させるのに必要な制御を実行してよい。これにより、アドレスドライバ２０、Ｘサステイン回路３０、Ｙサステイン回路４０及びＹスキャンドライバ５０等を適切に駆動させ、プラズマディスプレイパネル１０が有する放電セルＣｉｊを放電させ、種々の動画像を表示することができる。
【００３９】
温度センサ７０は、プラズマディスプレイパネル１０のパネル温度を検出する手段である。プラズマディスプレイパネル１０は、複数の放電セルＣｉｊが放電すると、５０〜６０℃を超え、１００℃近い高温となり、種々の動作特性に影響を及ぼす場合がある。本実施例に係るプラズマディスプレイ装置においては、プラズマディスプレイパネル１０が高温となることにより、放電セルＣｉｊの壁電荷が減少し易くなるという課題を、制御により解決する。よって、本実施例に係るプラズマディスプレイ装置は、パネル温度の高温時にかかる制御を実行するため、温度センサ７０を用いて、プラズマディスプレイパネル１０の温度を監視する。
【００４０】
なお、温度センサ７０は、サーミスタ等の種々の態様の温度センサ７０が適用されてよい。また、温度センサ７０は、プラズマディスプレイパネル１０に直接設けられてもよいし、シャーシ等のプラズマディスプレイパネル１０の温度を反映する適切な位置に設けられてもよい。
【００４１】
次に、図２を用いて、本実施例に係るプラズマディスプレイ装置において、プラズマディスプレイパネル１０を駆動させるサブフィールド法について説明する。
【００４２】
図２は、画像の１フィールドＦの構成例を示す図である。画像は、例えばインターレースの場合、６０フレーム／秒、３０フィールド／秒で形成される。１フィールドＦは、第１のサブフィールドＳＦ１、第２のサブフィールドＳＦ２、第３のサブフィールドＳＦ３、第４のサブフィールドＳＦ４・・・、第ｎのサブフィールドＳＦｎにより形成される。このｎは、例えば１０であり、階調ビット数に相当する。サブフィールドＳＦ１，ＳＦ２等の各々又はそれらの総称を、以下、サブフィールドＳＦという。
【００４３】
各サブフィールドＳＦは、リセット期間Ｔｒ、アドレス期間Ｔａ、及びサステイン（維持放電）期間Ｔｓにより構成される。リセット期間Ｔｒでは、表示セルの初期化を行う。アドレス期間Ｔａでは、アドレス電極Ａｊ及びＹ電極Ｙｉ間のアドレス放電により各放電セルの発光又は非発光を選択することができる。サステイン期間Ｔｓでは、選択された表示セルのＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間でサステイン放電を行い、発光を行う。各ＳＦでは、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間のサステイン放電による発光回数が異なり、これに応じてサステイン期間Ｔｓの長さも異なる。この発光回数により、階調値を決めることができる。このように、サブフィールドＳＦを用いてプラズマディスプレイパネル１０を駆動させる駆動方法を、サブフィールド法と呼ぶものとする。
【００４４】
次に、図３を用いて、サブフィールド法を用いてプラズマディスプレイパネル１０を駆動させる駆動方法を、更に詳細に説明する。図３は、サブフィールドＳＦ１、ＳＦ２について、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にアドレス電極Ａｊ、Ｙ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉに印加されるパルスの電圧波形を示した図である。
【００４５】
図３において、Ｙ電極Ｙｉは、２つのＹ電極に印加される電圧波形が示されている。図３中、上側のＹ電極Ｙ１は、総てリセットを行うフィールドＦのＹ電極の波形を示しており、下側のＹ電極Ｙ２は、オンセルリセットのみを行うフィールドＦのＹ電極の波形を示している。ここで、「総てリセットを行う」とは、放電セルＣｉｊの総てについてリセット電圧を印加してリセット放電を行わせ、全セルについて一律にリセットを行い、放電セルの壁電荷の状態を一律に調整することを意味する。一方、オンセルリセットとは、前のフィールドＦ又はサブフィールドＳＦにおいて、点灯（発光）した放電セルについてのみ行われるリセットを意味する。
【００４６】
通常、前のフィールドＦ又はサブフィールドＳＦにおいて放電セルが点灯すると、サステイン放電が行われて前のフィールドＦ又はサブフィールドＳＦが終了している筈であるので、放電セルには十分な壁電荷が残っていると考えられる。よって、オンセルリセットは、全セルリセット時より小さい電圧のリセット電圧を印加しても、リセット放電が適切に行われることを想定し、オンセルリセット時には、全セルリセット時よりも小さい電圧を印加する制御が行われている場合が多い。
【００４７】
図３において、ＳＦ１のリセット期間における全セルリセットを行うＹ波形Ｙ１と、オンセルリセットのみを行うＹ波形Ｙ２とを比較すると、両者とも、最初は電圧２Ｖｓが印加されているが、その後、Ｙ波形Ｙ１は２Ｖｓ＋Ｖｗ、Ｙ波形Ｙ２は２Ｖｓ＋低Ｖｗに増加して変化している。そして、Ｙ波形Ｙ１の最大置２Ｖｓ＋Ｖｗは、Ｙ波形Ｙ２の最大値２Ｖｓ＋低Ｖｗよりも大きな電圧値となっている。これにより、全セルリセットを行った場合は、放電セルＣｉｊの壁電荷の状態の如何に関わらず、総ての放電セルについて壁電荷の状態を一律にすることができる。一方、オンセルリセットのみを行った場合は、前のフィールドＦ又はサブフィールドＳＦで、適切に放電が行われ、放電セルに十分な壁電荷が残っていた場合に、適切なリセット放電がなされることになる。
【００４８】
図３において、ＳＦ１のアドレス期間に注目すると、アドレス電極Ａｊには、アドレスパルスＶａが印加され、Ｙ電極Ｙ１、Ｙ２にはスキャンパルス−Ｖｙが印加され、アドレス放電がなされる。
【００４９】
次に、サブフィールドＳＦ１のサステイン期間に着目すると、Ｘ電極及びＹ電極Ｙ１、Ｙ２に交互にサステインパルスが印加され、サステイン放電が発生する。サステイン放電は、階調表現の重み付けに応じて、サステインパルス数が定まり、サステイン放電がなされて放電セルが発光する。
【００５０】
次に、図３のサブフィールドＳＦ２のリセット期間に着目すると、Ｙ電極Ｙ１、Ｙ２の双方のリセット電圧が、２Ｖｓ＋低Ｖｗとなっており、いわゆるオンセルリセット電圧が印加されている。つまり、Ｙ波形Ｙ１のように、最初に全セルリセットがなされても、一旦発光が有った後は、Ｙ波形Ｙ２と同様に、オンセルリセットがなされることになる。
【００５１】
このように、前のフィールドＦ又はサブフィールドＳＦで発光（放電）がなされていない放電セルＣｉｊについては、全セルリセットをかける駆動制御を行うが、前のフィールドＦ又はサブフィールドＳＦで発光した放電セルＣｉｊについては、総てオンセルリセットが実行される制御がなされている。なお、その後のアドレス期間、サステイン期間については、サブフィールドＳＦ１と同様であるので、その説明を省略する。
【００５２】
以上、図３において、全セルリセットとオンセルリセットについて説明したが、オンセルリセットが適正に行われるためには、前のフィールドＦ又はサブフィールドＳＦにおけるサステイン放電が適切に行われ、放電セルＣｉｊ内に十分な量の壁電荷が存在することが必要である。
【００５３】
ところで、サステインパルス数（サステイン放電回数）及びサステイン期間は、サブフィールドＳＦの割り当てられた階調の重みに応じて異なり、階調の重みが大きくなる程、サステイン期間が長くなる。そして、サステイン期間が長くなると、放電セルＣｉｊ内に、最初は十分な壁電荷の量が存在していても、徐々にその量が減少する場合がある。そのような場合、サステイン放電中のサブフィールドＳＦにおいては、サステイン放電は適切になされているが、次のサブフィールドＳＦのリセット期間において、前のサステイン放電で残された壁電荷の量が不足し、リセット放電が適正に行われない場合がある。そして、プラズマディスプレイパネル１０が高温のときに、このような減少が顕著に発生しており、例えば、プラズマディスプレイパネル１０の温度が５０℃〜６０℃程度に達したときに、このようなオンセルリセット不具合現象が頻繁に発生する。
【００５４】
そこで、本実施例に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法及びプラズマディスプレイ装置においては、図４に示すような強放電発生制御を行うことにより、この問題を解決している。
【００５５】
図４は、本実施例に係るプラズマディスプレイパネル１０の駆動方法における、１サブフィールドの、アドレス期間からリセット期間までのサステインパルスと、サステイン放電のタイミングを示した図である。
【００５６】
図４において、Ｙサステインパルス及びＸサステインパルスの電圧波形が示されており、サステイン放電が発生したタイミングが、○印で示されている。図１で説明したように、温度センサ７０により検出されたプラズマディスプレイパネル１０のパネル温度が所定温度以上のときに、図４に示すサステインパルスの制御が実行される。所定温度は、例えば５０℃に設定してもよく、６０℃に設定してもよい。所定温度は、５０〜６０℃程度以上の、プラズマディスプレイパネル１０及びその駆動回路の種類に応じた適切な温度に設定することができる。
【００５７】
図４において、アドレス期間において、発光させる放電セルを選択するアドレス放電があったときには、アドレス放電により、放電セルＣｉｊに壁電荷が蓄えられる。
【００５８】
サステイン期間では、ＹサステインパルスとＸサステインパルスが交互に表示電極対Ｘｉ、Ｙｉに印加されてサステイン放電が発生し、壁電荷は、Ｘ電極ＸｉとＹ電極Ｙｉの付近に、サステイン放電の度に正負が交互に入れ換わって蓄えられる。このとき、サステインパルスとして、電圧２Ｖｓが印加され、電圧２Ｖｓは、例えば、１８５〔Ｖ〕程度の電圧値であってもよい。
【００５９】
ここで、サステイン放電は、サブフィールドＳＦに割り当てられた階調の重み付けに従い、所定数のパルスが印加されて所定の放電回数の放電が起こるが、上述のように、パネル温度が所定温度以上の場合には、重み付けが重いサブフィールドＳＦにおいては、サブフィールドＳＦの後半で壁電荷量が減少してしまう。そこで、図４に示すように、本実施例に係るプラズマディスプレイパネル１０の駆動方法においては、電圧値をそれまでのサステインパルス２Ｖｓよりも高くした２Ｖｓ＋Ｖｕパルスを、サステイン期間の最後の少なくとも２回以上印加するようにする。これにより、サステイン期間の最後に強い放電を発生させ、放電セルＣｉｊの壁電荷を、サステイン放電の最初の状態に戻すことができる。これにより、次のサブフィールドＳＦ又はフィールドＦにおけるリセット放電が適正に行われることになる。
【００６０】
強放電発生用パルス２Ｖｓ＋Ｖｕの値は、最初のサステイン放電時の壁電荷量を発生させるような十分な大きさの電圧であって、かつ、アドレス期間において発光セルとして選択されていない放電セルの放電開始電圧よりも低い電圧であれば、プラズマディスプレイパネル１０の用途と種類に応じて、種々の適切な電圧値を設定することができる。例えば、２Ｖｓが１８５〔Ｖ〕であれば、Ｖｕを２０、２５〔Ｖ〕以上５０＋α〔Ｖ〕以下程度に設定し、強放電発生用パルス２Ｖｓ＋Ｖｕの電圧値は、好ましくは２０５〔Ｖ〕〜２５０〔Ｖ〕、更に好ましくは２１０〔Ｖ〕〜２４０〔Ｖ〕、最適には２１０〔Ｖ〕〜２３０〔Ｖ〕程度にしてもよい。これらの値は、プラズマディスプレイパネル１０の種類と仕様により異なるので、サステイン期間のそれまでのサステインパルスよりも高く、アドレス期間において発光セルとして選択されていない放電セルの放電開始電圧よりも低い値でれば、用途に応じた適切な電圧値を設定することができる。
【００６１】
なお、強放電発生用パルスの大きさを、アドレス期間に発光セルとして選択されていない放電セルの放電開始電圧より低く設定するのは、非表示セルを誤って表示してしまう状態を回避するためである。アドレス放電で選択されなかった非発光セルも、若干の壁電荷を有しており、非発光セルの放電開始電圧は、発光セルが無電荷の状態よりは低い電圧であるので、強放電発生用パルスは、これらが誤って放電することが無い大きさの電圧値とするようにする。
【００６２】
また、強放電発生用パルスは、図４においては、最後の２回のパルスに設定しているが、もっと多くして、３回以上の設定としてもよい。逆に、１回の強放電発生用パルスで、十分な壁電荷量が確保でき、次のサブフィールドＳＦ又はフィールドＦでリセット放電が適正に行われるようであれば、１回の強放電発生用パルスの発生に留めてもよい。しかしながら、放電セルＣｉｊ内の十分な壁電荷量を確保するためには、少なくとも２回以上強放電発生用パルスを印加することが好ましい。
【００６３】
なお、図４においては、Ｙサステインパルスにおいて強放電発生用パルスを印加する強放電発生制御を実行しているので、その制御は、図１で説明したサステインパルス制御回路６１が、Ｙサステイン回路５０に強放電発生制御を実行させ、強放電発生用パルスを発生させている。その際、サステインパルス制御回路６１は、制御回路部６０に入力された温度センサ７０の温度検出値に基づいて、強放電発生制御をＹサステイン回路４０に実行させている。
【００６４】
このような制御を行うことにより、オンセルリセットの場合であっても、次のサブフィールドＳＦ又はフィールドＦのリセット放電を適正に行わせることができる。
【００６５】
図５は、本実施例に係るプラズマディスプレイパネル１０の駆動方法の第１の変形例に係るサステインパルスの制御方法を示した図である。図５において、１サブフィールドＳＦのアドレス期間、サステイン期間、休止期間及びリセット期間のＹサステインパルス及びＸサステインパルスが示されている点は、図４と同様であるが、強放電発生用パルスが、Ｙサステインパルスではなく、Ｘサステインパルスに設定されている点で、図４と異なっている。
【００６６】
このように、Ｙサステインパルスではなく、Ｘサステインパルスの方に、強放電発生用パルスを発生させるようにしてもよい。かかる強放電発生用パルスにより、やはり放電セル内に十分な量の壁電荷を確保することができるので、次のフィールドＦ又はサブフィールドにおけるオンセルリセットを適正に行うことができる。
【００６７】
なお、図５の態様においては、温度センサ７０の温度検出に基づき、制御回路部６０のサステインパルス制御部６１が、Ｘサステイン回路３０に強放電発生制御を実行させることにより、強放電発生用パルスを発生させる駆動制御を行うことになる。
【００６８】
図６は、本実施例に係るプラズマディスプレイパネル１０の駆動方法の第２の変形例に係るサステインパルスの制御方法を示した図である。図６において、１サブフィールドＳＦのアドレス期間、サステイン期間、休止期間及びリセット期間のＹサステインパルス及びＸサステインパルスが示されている点は、図４及び図５と同様であるが、強放電発生用パルスが、Ｙサステインパルス及びＸサステインパルスの双方に設定されている点で、図４及び図５と異なっている。
【００６９】
このように、強放電発生用パルスを、ＸサステインパルスとＹサステインパルスの双方に発生させるようにしてもよい。ＸサステインパルスとＹサステインパルスとによるサステイン放電の双方について強放電を発生させるため、壁電荷量が減少しているときであっても、最初の段階のサステイン放電の状態を復活させ、確実に放電セルを壁電荷量が十分な状態にすることができる。
【００７０】
なお、図６における強放電発生制御は、図４及び図５の説明と同様に、サステインパルス制御回路６１が、温度センサ７０で検出した温度が所定温度以上であるときに、Ｘサステイン回路３０及びＹサステイン回路４０の双方に、サステイン期間の最後に２以上の強放電発生用パルスを発生させる強放電発生制御を実行させるようにすればよい。なお、図６における態様では、強放電発生用パルスは、Ｘサステインパルスで１回、Ｙサステインパルスで１回の計２回発生させるようにしてもよいし、Ｘサステインパルス及びＹサステインパルスの双方で各々２回以上発生させるようにしてもよい。これらの強放電発生用パルスの発生パターンの設定は、プラズマディスプレイパネル１０の種類と用途に応じて、適切な設定とすることができる。
【００７１】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明を適用した実施例に係るプラズマディスプレイ装置の基本構成図である。
【図２】画像の１フィールドＦの構成例を示す図である。
【図３】サブフィールドＳＦ１、ＳＦ２について、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に電極に印加されるパルスの電圧波形図である。
【図４】１サブフィールドの、サステインパルスと放電タイミングを示した図である。
【図５】第１の変形例に係るサステインパルスの制御方法を示した図である。
【図６】第２の変形例に係るサステインパルスの制御方法を示した図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０    プラズマディスプレイパネル
１１    リブ
２０    アドレスドライバ
３０    Ｘサステイン回路
４０    Ｙサステイン回路
５０    Ｙスキャンドライバ
６０    制御回路部
６１    サステインパルス制御回路
７０    温度センサ
【図１】
2009186590.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009186590.tif 000008