(57)【要約】【課題】広範囲にわたる均質なポーリング処理とデバイス表面の平滑化の両立が図られた導波路デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】基板２０１上に、第１電極（下部電極２０２）、第１クラッド層（下部クラッド層２０３）、導波路２０４、第２クラッド層（上部クラッド層２０５）、及び第２電極（上部電極２０６）を順次積層し、さらに有機導電層２０７を形成して、下部電極２０２と有機導電層２０７との間に電場を印加し、当該電場印加領域における導波路２０４に含まれる前記有機非線型光学材料の配向を揃える、所謂ポーリング処理を施す。【選択図】図１
2009058906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に、第１クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層上に、有機電気光学材料を含む導波路を形成する工程と、
前記導波路上に、第２クラッド層を形成する工程と、
前記第２クラッド層上の少なくとも一部に第２電極を形成する工程と、
前記有機導電層を、前記第２電極上と共に前記第２電極の形成領域以外の前記第２クラッド層上の少なくとも一部に形成する工程と、
前記第１電極と前記有機導電層との間に電場を印加し、当該電場印加領域における前記導波路に含まれる前記有機非線型光学材料の配向を揃える工程と、
前記有機導電層を除去する工程と、
を有することを特徴とする導波路デバイスの製造方法。
【請求項２】
基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に、第１クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層上に、有機電気光学材料を含む導波路を形成する工程と、
前記導波路上に、第２クラッド層を形成する工程と、
前記有機導電層を、前記第２クラッド層上における第２電極形成領域と共に前記第２電極の形成領域以外の領域の少なくとも一部に形成する工程と、
前記第１電極と前記有機導電層との間に電場を印加し、当該電場印加領域における前記導波路に含まれる前記有機非線型光学材料の配向を揃える工程と、
前記有機導電層を除去する工程と、
前記第２クラッド層上の少なくとも一部に第２電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする導波路デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記有機導電層を、前記導波路における導波路として機能する領域全面上を覆うように形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の導波路デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導波路デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展は著しく、特に最近では動画をはじめとする大容量の情報が企業間だけでなく個人の間でも頻繁にやり取りされるようになり、更なる大容量の高速通信手段が求められている。そのため、大容量高速情報通信が可能な光通信の重要性はますます高まっている。
【０００３】
光通信技術の分野では、電気信号で光信号を制御する技術が重要であり、信号の制御には電場によって屈折率が変化する「電気光学効果(ＥＯ効果)」を有する電気光学材料が利用されている。近年、マイクロ波・ミリ波領域と光波領域との速度不整合がなく、応答速度を大幅に改善できる可能性がある材料として、有機電気光学材料をホストとなる高分子に分散・結合させた高分子電気光学材料への注目が高まっている。高分子電気光学材料は電気光学特性が広い波長域にわたって高く、光学損傷に対しても強いため、高性能な光デバイス材料として期待されている。さらに、高分子電気光学材料は、スピンコート法などの手法により容易に薄膜形成が可能であり、サイズの制限も受けない。また、微細加工、成型加工等の加工性にも優れることから、極めて安価に素子化ができるという大きな利点を有している。
【０００４】
一方、高分子電気光学材料はその電気光学特性を発現させるために、高温に加熱して電場を印加し、分子の配向を揃える必要がある（ポーリング）。ポーリングの手段には、コロナポーリングと電極ポーリングの二種類が挙げられる。コロナポーリングの具体例としては、特許文献１が挙げられ、電極ポーリングの具体例としては、非特許文献１、２、及び特許文献２の例を挙げられる。
【特許文献１】特開平１０−２３９７２０号公報
【特許文献２】特開２００３−４８２８２公報
【非特許文献１】ＩＥＥＥ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＮ  ＳＥＬＥＣＴＥＤ  ＴＯＰＩＣＳ  ＩＮ  ＱＵＡＮＴＵＭ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，  ＶＯＬ．  ７，  ＮＯ．  ５，  ８２６  （２００１）．
【非特許文献２】ＩＥＥＥ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＮ  ＳＥＬＥＣＴＥＤ  ＴＯＰＩＣＳ  ＩＮ  ＱＵＡＮＴＵＭ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，  ＶＯＬ．  ２，  ＮＯ．  ２，  ２８９  （１９９６）．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述のポーリング手段には、それぞれ課題が残されている。コロナポーリングでは、デバイスの広い範囲で高分子電気光学材料の配向を揃えることできるが、デバイスに印加される電場は不均一となってしまうため、配向度合の均一性を確保することは難しい。分子の配向度合がデバイス面内で均一でないと、デバイス特性の低下を招いてしまうことがある。例えば、多モード干渉型デバイスでは、配向度合のばらつきにより屈折率のばらつきがデバイスを伝搬する光の干渉パターンを崩す要因となり、光学特性を大幅に低下させてしまうことがある。
【０００６】
一方、電極ポーリングは電極を配した部分しか配向を揃えることができないものの、デバイスに印加される電場は均一にすることが可能であり、配向度合を均一にすることができる。しかし、上記非特許文献１、２のように、無機材料電極をウェハーなどの広い面積に渡って配して電極ポーリングを行うと、デバイスの表面に荒れが生じ、生じた表面の凹凸が時にはデバイスの光学特性を低下させる原因となることがあった。これは、加熱によってデバイスからアウトガスが発生するためである。すなわち、広い面積に渡って気体透過性の低い無機材料電極を配してしまうと、発生したアウトガスが上部クラッド膜と電極の間に閉じ込められ、デバイス表面に荒れが生じ、光学特性を悪化させる一因となる。
【０００７】
このような表面荒れを回避する手段として、特許文献２では電極表面に予めクラックを入れておくことにより、発生したアウトガスを逃がす手法が報告されている。しかし、該手法ではクラックを入れた部分にポーリング処理を施すことはできないため、広範囲にわたる均質なポーリング処理と表面の平滑化を両立することが困難であることが現状である。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、広範囲にわたる均質なポーリング処理とデバイス表面の平滑化の両立が図られた導波路デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に、第１クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層上に、有機電気光学材料を含む導波路を形成する工程と、
前記導波路上に、第２クラッド層を形成する工程と、
前記第２クラッド層上の少なくとも一部に第２電極を形成する工程と、
前記有機導電層を、前記第２電極上と共に前記第２電極の形成領域以外の前記第２クラッド層上の少なくとも一部に形成する工程と、
前記第１電極と前記有機導電層との間に電場を印加し、当該電場印加領域における前記導波路に含まれる前記有機非線型光学材料の配向を揃える工程と、
前記有機導電層を除去する工程と、
を有することを特徴とする導波路デバイスの製造方法である。
【００１０】
請求項２に係る発明は、
基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に、第１クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層上に、有機電気光学材料を含む導波路を形成する工程と、
前記導波路上に、第２クラッド層を形成する工程と、
前記有機導電層を、前記第２クラッド層上における第２電極形成領域と共に前記第２電極の形成領域以外の領域の少なくとも一部に形成する工程と、
前記第１電極と前記有機導電層との間に電場を印加し、当該電場印加領域における前記導波路に含まれる前記有機非線型光学材料の配向を揃える工程と、
前記有機導電層を除去する工程と、
前記第２クラッド層上の少なくとも一部に第２電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする導波路デバイスの製造方法である。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、
前記有機導電層を、前記導波路における導波路として機能する領域全面上を覆うように形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の導波路デバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、広範囲にわたる均質なポーリング処理とデバイス表面の平滑化の両立が図られた導波路デバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、実質的に同一の機能・作用を持つ部材には、全図面を通して同じ符合を付与し、重複する説明を省略する場合がある。
【００１４】
図１は、実施形態に係る導波路デバイスを作製プロセスを説明する工程図を示す。
ここで、図１には、基板２０１上に、下部電極２０２、下部クラッド層２０３、導波路２０４、上部クラッド層２０５、及び上部電極２０６を形成して導波路デバイスを作製する工程を順次示している。
なお、以下に示す作製プロセスは一例であり、デバイスの構造や使用する材料などに合わせて変更しても構わない。
【００１５】
［基板］
まず、基板２０１を準備する。基板としては特に限定されないが、平坦性に優れたものが好ましい。例えば、金属基板、シリコン基板、透明基板等が挙げられ、導波路型光変調素子の形態によって適宜選択可能である。金属基板の好ましい例としては、金、銀、銅、アルミニウム、シリコン等の基板が挙げられ、透明基板の好ましい例としては、石英、ガラス、プラスチック等の基板が挙げられる。
【００１６】
［下部電極］
次に、図１（Ａ）に示すように、基板２０１上に下部電極２０２（電気配線）を形成する。下部電極２０２としては、例えば、金属蒸着層、透明電極層等が適用される。蒸着する金属の好ましい例としては、金、銀、銅、アルミニウム等が挙げられる。また、透明電極層の好ましい例としては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープスズ酸化物(ＦＴＯ)、アンチモンドープスズ酸化物等が挙げられる。
【００１７】
［下部クラッド層］
次に、図１（Ｂ）に示すように、下部電極２０２上に下部クラッド層２０３を形成する。下部クラッド層２０３の材料としては、ポリイミド、フッ素化ポリイミドの他、光硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂が好ましい例として挙げられる。材料の塗布法としては周知の手法、例えばカーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法等を採用することができ、特にスピンコーティング法が簡便である。
【００１８】
［導波路］
次に、図１（Ｃ）に示すように、下部クラッド層２０３上に導波路層２０４Ａを形成する。導波路層２０４Ａの形成は、構成材料を有機溶剤に溶解、あるいは熱で溶融させた状態において下部クラッド層２０３上に塗布する。塗布法としては周知の手法、例えばカーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法等を採用することができ、特にスピンコーティング法が簡便である。
【００１９】
次に、図１（Ｄ）に示すように、導波路層２０４Ａを形成した後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、フォトリソグラフィー、電子線リソグラフィー等の半導体プロセス技術を用いた公知の方法により導波路層２０４Ａをパターニングし、リッジ型の導波路２０４を形成する。また、導波路層２０４Ａの一部にＵＶ光、電子線等をパターニングして照射することにより、照射部分の屈折率を変化させてリッジ型の導波路２０４を形成してもよい。なお、本実施形態では、リッジ型の導波路２０４を形成した形態を示しているが、これに限られず、例えば、チャネル型の導波路、逆リッジ型の導波路、正逆リッジ型の導波路（厚み方向の双方に凸部を持つ導波路）であってもよい。
【００２０】
導波路２０４としては光波工学（コロナ社、１９８８年発行）、第１０７章、２０４頁に記載されている周知の導波路、例えば分岐導波路型、マッハツェンダー型、方向性結合器型、交差導波路型等が採用される。その一例として、多モード干渉型の導波路デバイスを挙げられる。言うまでもないことだが、該文献に記載されていない導波路であっても、本実施形態に適用される。
【００２１】
ここで、導波路２０４の構成材料としては、有機電気光学材料が用いられる。有機電気光学材料は、例えば高分子材料と混合した材料として用いる、又は高分子材料と化学反応により結合させた材料として用いる。これら構成材料は、下部クラッド層２０３よりも屈折率の高い材料を選ぶ必要がある。
【００２２】
有機電気光学材料としては、公知の材料が用いられるが、一次超分極率βが１０×１０−３０ｅｓｕ以上の値を有する低分子化合物であることが望ましい。中でも、電子供与性基と電子求引性基とをπ電子系で繋いだ化合物群は、高い一次超分極率を有しており、好適である。例えば、電子供与性基と電子求引性基を有するアゾ色素や、メロシアニン系の色素などが挙げられ、中でも好適な例としては、Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｒｅｄ  １（ＤＲ１）や、２−メチル−６−（４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジリデン）−４Ｈ−ピラン−４−イリデンプロパンジニトリル、４−｛［４−（ジメチルアミノ）フェニル］イミノ｝−２，５−シクロヘキサジエン−１−オンなどが挙げられる。
【００２３】
高分子材料の具体例としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニルスルホン、ポリウレタン、ポリアミドなどを挙げることができる。中でも、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホンは溶解性と耐溶剤性のバランスがよく、扱いやすいため好適である。
【００２４】
［上部電極］
次に、図１（Ｆ）に示すように、上部クラッド層２０５上の全面、あるいは一部には、必要に応じて上部電極２０６（電気配線）を配する。上部電極を形成する材料は下部電極と同様、特に限定されない。例えば、金属であれば、金、銀、銅、アルミニウム等を用いることができる。上部電極はこれらの材料を蒸着した電極であることが好ましい。
【００２５】
［有機導電層］
次に、図１（Ｇ）に示すように、上部電極２０６が設けられた上部クラッド層２０５上に有機導電層２０７を形成する。本実施形態では、有機導電層２０７は、上部電極２０６が設けられた上部クラッド層２０５上の全面（デバイス面全面）に形成している。
【００２６】
なお、本実施形態では、有機導電層２０７は、上部電極２０６が設けられた上部クラッド層２０５上の全面（デバイス面全面）に形成しているが、これに限られず、目的に応じて、上部電極２０６上と共に、当該上部電極２０６の形成領域以外の上部クラッド層２０５上の少なくとも一部に形成すればよい。特に、有機導電層２０７は、導波路２０４における導波路として機能する領域（例えば、リッジ型の導波路２０４の場合、凸状に突出した領域）を覆うように形成することがよい。さらに、有機導電性層２０７を同一ウエハー内のチップ間にまたがって形成することにより、同一ウエハー内の複数の素子に対して一括してポーリング処理が施され、デバイス歩留まりが向上する。
【００２７】
ここで、有機導電層２０７の構成材料としては、例えば、ポリアセチレン系樹脂、ポリアセン系樹脂、ポリ芳香族ビニレン系樹脂、ポリピロール系樹脂、ポリアニリン系樹脂、及びポリチオフェン系樹脂、並びにこれらの誘導体等が挙げられる。
【００２８】
有機導電層２０７の形成方法は、周知の塗布法が挙げられる。具体的には、例えば例えばカーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法等が挙げられる。特にスピンコーティング法が簡便であることがら望ましい。
【００２９】
なお、有機導電層２０７を塗布形成するにあたり、予め上部クラッド層２０５の表面を処理しておくと、均質で薄膜の有機導電層２０７が得られることからよい。これにより、ポーリング処理のばらつきが低減される。この表面処理の手法としては、例えば、表面解析・改質の化学（日刊工業新聞社、２００３年発行）、第２部などに記載されている手法が採用される。
【００３０】
次に、図１（Ｈ）に示すように、下部電極２０２と有機導電層２０７との間に電圧を印加する。これにより、当該間に電場が印加され、当該電場印加領域における導波路２０４に含まれる前記有機非線型光学材料の配向が揃う、所謂ポーリング処理（分極配向制御処理）を行う。具体的には、ポーリング処理は、導波路２０４に含まれる高分子電気光学材料を加熱して流動・軟化状態で、直流電場を印加して、電場を印加したまま材料を冷却・固化することにより実施される。
【００３１】
ここで、ポーリング処理としては、下部電極２０２と有機導電層２０７との間に電圧を印加するが、当該印加する電圧としては０．１ｋＶ以上２ｋＶ以下程度の範囲とすることがよい。電極の極性は正負どちらでもよい。
【００３２】
ポーリング処理の温度は、有機電気光学材料のガラス転移温度以上が好ましく、具体的には５０℃以上２００℃以下の範囲内に０．２時間以上１０時間以下程度保持することが望ましい。
【００３３】
次に、図１（Ｉ）に示すように、有機導電層２０７を除去する。有機導電層２０７の除去には、例えば、ＲＩＥ（（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）加工が採用できる。このようにして、導波路デバイスが得られる。
【００３４】
作製された導波路デバイス１００は、ダイシングやへき開によりウエハーからチップを切出すことで、デバイスとして完成する。
【００３５】
ここで、本実施形態に係る導波路デバイスの型については、特に制限はなく、例えば図２（Ａ）乃至（Ｄ）に示す型のデバイスが挙げられる。図２（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれの導波路デバイスを真上から見た平面図であり、図１と同じ構成要素には同じ符合を付し、内部の導波路部分を視認できるように描いている。図２（Ａ）はマッハ−ツェンダ型の導波路デバイス、（Ｂ）はモード変換型の導波路デバイス、（Ｃ）は分岐スイッチ型の導波路デバイスであり、（Ｄ）は多モード干渉型の導波路デバイスである。
【００３６】
以上説明した実施形態に係る導波路デバイス１００では、上部クラッド層２０５上に有機導電層２０７を形成し、これをポーリング処理（分極配向制御処理）の一方の電極として利用する。この有機導電層２０７は、上部電極２０６の形成領域よりも広範囲（必要に応じてデバイス面全面）に配され、この有機導電層２０７を利用して電極ポーリング処理（分極配向制御処理）を行うと、高分子電気光学材料の配向度合が広範囲にわたり均質に制御される。これにより、デバイス面の広範囲でデバイス特性のばらつきが抑えられる。これに加え、有機導電層２０７がポーリング処理時の加熱によってデバイスから発生したアウトガスを透過することから、ポーリング処理時に発生するデバイス表面の荒れを抑え、デバイスの光学特性が低下も抑制される。したがって、広範囲にわたる均質なポーリング処理とデバイス表面の平滑化の両立が図られる。また、デバイスの歩留まりが向上し、不良品の発生によるコストの増加が抑えられる。
【００３７】
ここで、本実施形態では、有機導電層２０７が形成された上部クラッド層２０５の表面は、平滑化が実現されるが、具体的には、例えば、表面粗さＲａが０．０１３μｍ以下レベルにまで実現される。また、本実施形態では、有機導電層２０７を利用してポーリング処理を施していることから、有機導電層２０７が形成された領域で導波路２０４における有機非線型光学材料の配向が揃えられる、つまり上部電極２０６形成領域以外でも導波路２０４における有機非線型光学材料の配向が揃えられることとなる。これにより、例えば、モード変換型の導波路デバイス（多モード干渉型の導波路デバイス）において、複数の上部電極間の導波路２０４における有機非線型光学材料の配向が揃えることができ、当該配向度合のばらつきにより屈折率のばらつきがデバイスを伝搬する光の干渉パターンが崩されることが抑制され、結果、光学特性の低下が抑制される。
【００３８】
なお、本実施形態では、有機導電層２０７は、上部電極２０６形成後に形成してポーリング処理を施す形態を説明したが、これに限られず、上部電極２０６形成前に、上部クラッド層２０５上に形成してポーリング処理を施した後、上部電極２０６を形成する形態であってもよい。この形態の場合、有機導電層２０７は、上部クラッド層２０５上における上部電極２０６形成領域と共に上部電極２０６の形成領域以外の領域の少なくとも一部に形成する。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４０】
［実施例１］
有機電気光学材料（非線形光学材料）の溶液として、シクロヘキサノン、ポリスルホン、及び［３−シアノ−２−ジシアノメチリデン−４−｛ｔｒａｎｓ，ｔｒａｎｓ−［３−（２−（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノフェニル）ビニル）シクロヘク−２−エチリデン］−１−プロペニル｝−５−メチル−５−（４−シクロヘキシルフェニル）−２，５−ジヒドロフランを、前記すべての材料の総質量を１００質量部としてそれぞれ、８５質量部、１３質量部、及び６質量部からなる溶液（以下、ＰＳ溶液）を調製した。
【００４１】
ここで、ＰＳ溶液を石英基板上に塗布し、１２０℃で加熱したサンプルを作製し、屈折率をプリズムカップリング法により測定したところ、屈折率は１．６４であった。
【００４２】
次に、下部電極として金をスパッタしたシリコン基板上に、下部クラッド層として屈折率１．５４のアクリル系紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射して膜厚３．５μｍの樹脂硬化膜を得た。
【００４３】
次に、下部クラッド層上に前記ＰＳ溶液を塗布した後、加熱・硬化させて、膜厚３．３で屈折率１．６４の導波路層を形成した。そして、導波路層に対し、フォトリソグラフィに続くエッチングを施し、マッハ−ツェンダ型の導波路（リッジ型）をパターニングした。導波路の膜厚は３．３μｍであり、リッジ高さは０．７μｍ、リッジ幅は５μｍであった。
【００４４】
次に、導波路上に、下部クラッド層と同様にして紫外線硬化樹脂（屈折率１．５４）を塗布し、膜厚３．５μｍ厚の上部クラッド層を作製した。
【００４５】
次に、上部クラッド層上に、上部電極をフォトリソグラフィに続くリフトオフによってマッハ−ツェンダ型の導波路の２つアームと重なるようにそれぞれ形成した後、当該上部電極が形成された上部クラッド層上全面に、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレン・ジオキシチオフェン）水溶液を塗布、１２０℃にて溶剤を除去して、厚み０．３μｍのＰＥＤＯＴからなる有機導電層を形成した。
【００４６】
次に、デバイスを１４０℃に加熱し、下部電極と有機導電層との間に５００Ｖの直流電場を印加してポーリング処理を施した。そして、ＲＩＥにより有機導電層を除去し、ダイシングによりウェハーからチップを切出すことで導波路デバイスを作製した。
【００４７】
得られた導波路デバイス表面（上部クラッド層表面）の顕微鏡写真を図３に示す。得られた導波路デバイスは、そのデバイスの表面に荒れが発生することは無く、デバイス表面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝０．００４〜０．０１μｍであった。
また、ポーリングの均質性をウエハー内の異なるチップ上に作製されたＭａｃｈ−Ｚｅｈｄｅｒ型導波路素子の半波長電圧を測定をして調べたところ、異なるチップ間においても同じ半波長電圧で駆動できることが確認され、均質なポーリング処理が導波路のデバイス全面にわたって行われていることがわかった。
【００４８】
［比較例１］
実施例１と同様にして上部クラッド層までデバイスを作製し、上部クラッド層上全面にチタンをスパッタして無機導電層を形成した後、上部電極をフォトリソグラフィに続くリフトオフによってマッハ−ツェンダ型の導波路の２つアームと重なるようにそれぞれ形成した。その後、下部電極とチタンからなる無機導電層とを電極として実施例１と同様にポーリング処理を行ったところ、チタンからなる無機導電層の表面に表面荒れが発生してしまった。続いて、ＲＩＥによりチタンからなる無機導電層を除去し、ダイシングによりウェハーからチップを切出すことで導波路デバイスを作製した。
【００４９】
得られた導波路デバイス表面（上部クラッド層表面）の顕微鏡写真を図４に示す。得られた導波路デバイスは、その表面に荒れが発生しており、デバイスの表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝０．０２〜０．０１５μｍであり、平滑で良好な状態ではなくなっていた。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施形態に係る導波路デバイスの作製プロセスを示す工程図である。
【図２】実施形態に係る導波路デバイスの型の一例を示す平面図である。
【図３】実施例１で作製した導波路デバイス表面（上部クラッド層表面）の顕微鏡写真を示す図である。
【図４】比較例１で作製した導波路デバイス表面（上部クラッド層表面）の顕微鏡写真を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１００  導波路デバイス
２０１  基板
２０２  下部電極
２０３  下部クラッド層
２０４Ａ  導波路層
２０４  導波路
２０５  上部クラッド層
２０６  上部電極
２０７  有機導電層
【図１】
2009058906.tif 000003
【図２】
2009058906.tif 000004
【図３】
2009058906.tif 000005
【図４】
2009058906.tif 000006