(57)【要約】【課題】  分割電極の間隔変化による膜分布の悪化を防止することができる真空処理装置を提供する。【解決手段】  基板が配置される対向電極と、対向電極に沿って延びるとともに、互いに第１所定間隔Ｗ１を空けて並んで配置された複数の棒状縦電極３Ｚ、および、複数の棒状縦電極３Ｚの端部を接続する一対の棒状横電極３Ｙを有する複数の分割電極３と、が設けられ、複数の分割電極３は、第１所定間隔Ｗ１以上、第１所定間隔Ｗ１に少なくとも分割電極３における熱膨張長さを加えた間隔以下、の広さを有する第２所定間隔Ｗ２を空けて並んで配置されていることを特徴とする。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が配置される対向電極と、
該対向電極に沿って延びるとともに、互いに第１所定間隔を空けて並んで配置された複数の棒状縦電極、および、該複数の棒状縦電極の端部を接続する一対の棒状横電極を有する複数の分割電極と、
が設けられ、
前記複数の分割電極は、前記第１所定間隔以上、前記第１所定間隔に少なくとも前記分割電極における熱膨張長さを加えた間隔以下、の広さを有する第２所定間隔を空けて並んで配置されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記第２所定間隔は、前記第１所定間隔に対して約１．０倍から約１．４倍の広さを有することを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記基板と前記複数の分割電極とは第３所定間隔を空けて配置され、
前記第３所定間隔が第１所定間隔に対して約４倍以上の場合には、
前記第２所定間隔は、前記第３所定間隔に対して約０．１８倍から約０．２８倍の広さを有することを特徴とする請求項１または２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記基板と前記複数の分割電極とは第３所定間隔を空けて配置され、
前記第３所定間隔が第１所定間隔に対して約４倍以下の場合には、
前記第２所定間隔は、前記第３所定間隔に対して約０．４倍から約０．７倍の広さを有することを特徴とする請求項１または２に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記分割電極を支持する電極支持部が設けられ、
該電極支持部には、少なくとも前記分割電極における長手方向の熱膨張を吸収する吸収部が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記電極支持部は、前記分割電極を、少なくとも前記第２所定間隔の幅方向に移動可能に支持することを特徴とする請求項５記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置に関し、特に、プラズマを用いて基板に製膜処理と製膜室内のクリーニング処理を行う真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大面積（例えば縦１ｍ以上、横１ｍ以上の大きさ）を有する基板に対して、シリコンなどの物質を製膜するのにプラズマ化学蒸着（Ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＣＶＤ）法を用いたプラズマＣＶＤ装置が使用されている。このプラズマＣＶＤ装置は、例えば、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池や液晶ディスプレイ用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などに用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン、窒化シリコン等からなる膜の製膜処理などに使用されていて、エッチングによるチャンバや放電電極に付着した膜のクリーニング（セルフクリーニング）する機能を保有するものもある。
【０００３】
上述のプラズマＣＶＤ装置の放電電極としては、棒状に分割した電極を略平行に並べた分割電極が用いられることが多く、このような分割電極は超高周波数（３０ＭＨｚから３００ＭＨｚ）の電源を用いて、大面積を有する基板に対して製膜を行う場合に適している（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００７−１１５７５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の分割電極は、同一の間隔を空けて略平行に並べられているが、様々な理由により複数の分割電極の間隔が異なる場合が発生する。分割電極の間隔が異なると、電極と基板との間におけるガスおよび電気条件が変化するため、基板の上に製膜される膜の膜分布が不均一になるという問題があった。
【０００５】
さらに、基板上に製膜を行っている時、つまり、プラズマ点灯時には、分割電極の温度が上昇し、分割電極は熱により膨張（熱伸び）する。すると、分割電極の間隔が変化し、基板上に製膜される膜の膜分布も変化する恐れがあった。
通常、分割電極の間隔は、製膜される膜の膜分布が均一になるように設定されるため、この間隔が変化すると製膜される膜の膜分布が悪化するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、分割電極の間隔変化、特に製膜中の温度上昇による分割電極の間隔変化による膜分布の悪化を防止することができる真空処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の真空処理装置は、基板が配置される対向電極と、該対向電極に沿って延びるとともに、互いに第１所定間隔を空けて並んで配置された複数の棒状縦電極、および、該複数の棒状縦電極の端部を接続する一対の棒状横電極を有する複数の分割電極と、が設けられ、前記複数の分割電極は、前記第１所定間隔以上、前記第１所定間隔に少なくとも前記分割電極における熱膨張長さを加えた間隔以下、の広さを有する第２所定間隔を空けて並んで配置されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、基板に膜を製膜する場合、つまり、分割電極と対向基板との間にプラズマを形成させ、分割電極の温度が上昇して熱膨張した場合であっても、第１所定間隔と第２所定間隔との間における広さの差の拡大が防止される。
したがって、基板に製膜された膜における膜厚分布に対する、第１所定間隔と第２所定間隔との差の影響が小さくなる。
【０００９】
具体的には、第２所定間隔が第１所定間隔以上の間隔であるため、第１所定間隔未満の間隔である場合と比較して、分割電極が熱膨張した場合における上述の広さの差が小さくなる。
一方、第２所定間隔が、第１所定間隔に少なくとも分割電極における熱膨張長さを加えた間隔であるため、それより長い間隔である場合と比較して、分割電極が熱膨張した場合における上述の広さの差が小さくなる。
【００１０】
上記発明においては、前記第２所定間隔は、前記第１所定間隔に対して約１．０倍から約１．４倍の広さを有することが望ましい。
【００１１】
本発明によれば、分割電極の温度が上昇して熱膨張した場合であっても、第１所定間隔と第２所定間隔との間における広さの差の拡大が防止し、基板に製膜された膜における膜厚分布に対する、第１所定間隔と第２所定間隔との差の影響が小さくなる。
【００１２】
上記発明においては、前記基板と前記複数の分割電極とは第３所定間隔を空けて配置され、前記第３所定間隔が第１所定間隔に対して約４倍以上の場合には、前記第２所定間隔は、前記第３所定間隔に対して約０．１８倍から約０．２８倍の広さを有することが望ましい。
【００１３】
上記発明においては、前記基板と前記複数の分割電極とは第３所定間隔を空けて配置され、前記第３所定間隔が第１所定間隔に対して約４倍以下の場合には、前記第２所定間隔は、前記第３所定間隔に対して約０．４倍から約０．７倍の広さを有することが望ましい。
【００１４】
本発明によれば、基板に製膜された膜における膜厚分布に対する、分割電極の熱膨張による第２所定間隔の変化の影響が小さくなる。
【００１５】
上記発明においては、前記分割電極を支持する電極支持部が設けられ、該電極支持部には、少なくとも前記分割電極における長手方向の熱膨張を吸収する吸収部が設けられていることが望ましい。
【００１６】
本発明によれば、分割電極における長手方向の熱膨張が吸収されるため、長手方向への熱膨張が拘束される場合と比較して、分割電極の変形が防止される。そのため、当該変形による第２所定間隔の変化が抑制され、基板に製膜された膜における膜厚分布に対する、第１所定間隔と第２所定間隔との差の影響が小さくなる。
【００１７】
上記発明においては、前記電極支持部は、前記分割電極を、少なくとも前記第２所定間隔の幅方向に移動可能に支持することが望ましい。
本発明によれば、第２所定間隔の調整が行いやすくなる。さらに、複数の第２所定間隔の値を一定に保ちやすくなる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の真空処理装置によれば、複数の分割電極における第２所定間隔を、第１所定間隔以上、第１所定間隔に少なくとも前記分割電極における熱膨張長さを加えた間隔以下とすることにより、分割電極の間隔変化による膜分布の悪化を防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
〔第１の実施形態〕
以下、本発明の第１の実施形態について図１から図７を参照して説明する。
図１は、本実施形態の薄膜製造装置の構成を示す概略図であり、薄膜製造装置の側面から見た図である。
【００２０】
本実施形態においては、本発明を製膜条件として製膜圧力が高く、電極基板間の放電距離が狭い高圧狭ギャップ条件により、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池や液晶ディスプレイ用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などに用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン、窒化シリコン等からなる膜の高速製膜処理を行うことが可能な薄膜製造装置に適用して説明する。
【００２１】
薄膜製造装置（真空処理装置）１には、図１に示すように、真空容器である製膜室６と、導電性の板である対向電極２と、対向電極２の温度分布を均一化する均熱板５と、均熱板５および対向電極２を保持する均熱板保持機構１１と、対向電極２との間にプラズマを発生させる放電電極である分割電極３と、膜が形成される範囲を制限する防着板４と、防着板４を支持する支持部７と、高周波電力を分割電極３に供給する同軸給電部１２ａ，１２ｂおよび整合器１３ａ，１３ｂと、製膜室６内の気体を排気する高真空排気部３１および低真空排気部３５と、製膜室６を保持する台３７と、が設けられている。
なお、本図において、ガス供給に関する構成は省略している。
【００２２】
製膜室６は真空容器であり、その内部で基板８に微結晶シリコンｉ層など製膜するものである。製膜室６は台３７上に角度αだけ傾けて保持される。傾きの角度αはｚ方向（鉛直方向）に対して７°から１２°までの範囲内の所定角度である。
製膜室６を傾けて保持することで、対向電極２における基板８における製膜処理面の法線が、ｘ方向に対して角度αだけ上（ｚ方向）に向く。このように基板８を垂直から僅かに傾けることは、装置の設置スペースの増加を抑えながら基板８の自重を利用して少ない手間で基板８を保持することができ、更に基板８と対向電極２の密着性を向上して基板８の温度分布と電位分布とを均一化することができて好ましい。
【００２３】
対向電極２は、基板８を保持可能な保持手段（図示せず）を有する非磁性材料の導電性の板である。セルフクリーニングを行う場合は耐フッ素ラジカル性を備えることが好ましく、ニッケル合金やアルミやアルミ合金の板を使用することが望ましい。
対向電極２は、分割電極３に対向する電極（例えば接地側電極）となる。対向電極２は、一方の面が均熱板５の表面と密接し、製膜時に他方の面が基板８の表面と密接する。
【００２４】
均熱板５は、内部に温度制御された熱媒体を循環したり、または温度制御されたヒーターを組み込んだりすることで、自身の温度を制御して、全体が概ね均一な温度を有し、接触している対向電極２の温度を均一化する機能を有する。
上述の熱媒体は非導電性媒体であり、水素やヘリウムなどの高熱伝導性ガス、フッ素系不活性液体、不活性オイル、及び純水等が熱媒体として使用できる。中でも１５０℃から２５０℃の範囲でも圧力が上がらずに制御が容易であることから、フッ素系不活性液体（例えば商品名：ガルデン、Ｆ０５など）の使用が好適である。
【００２５】
図２は、図１の分割電極と基板との間に間隔を説明する模式図である。
均熱板保持機構１１は、均熱板５及び対向電極２を製膜室６の側面（図１の右側の側面）に対して略平行となるように保持するとともに、均熱板５、対向電極２および基板８を、分割電極３に接近離間可能に保持するものである。
均熱板保持機構１１は、製膜時に均熱板５等を分割電極３に接近させて、図２に示すように、基板８と分割電極３との間の間隔（第３所定間隔）ｄを、例えば３ｍｍから２０ｍｍの範囲の値に設定することができる。
【００２６】
防着板４は、接地されプラズマの広がる範囲を抑えることにより、膜が製膜される範囲を制限するものである。本実施形態の場合、図１に示すように、製膜室６の内側における防着板４の後ろ側（基板８と反対の側）の壁に膜が製膜されないようにしている。
【００２７】
支持部７は、製膜室６の側面（図１における左側の側面）から内側へ垂直に延びている部材である。支持部７は防着板４と結合され、分割電極３における対向電極２と反対側の空間を覆うように防着板４を保持している。それと共に、支持部７は分割電極３と絶縁的に結合され、分割電極３を製膜室６の側面（図１における左側の側面）に対して略平行に保持している。
【００２８】
高真空排気部３１は、粗引き排気された製膜室６内の気体をさらに排気して、製膜室６内を高真空とする高真空排気用の真空ポンプである。弁３２は、高真空排気部３１と製膜室６との経路を開閉する弁である。
低真空排気部３５は、初めに製膜室６内の気体を排気して、製膜室６内を低真空とする粗引き排気用の真空ポンプである。弁３４は、低真空排気部３５と製膜室６との経路を開閉する。
【００２９】
台３７は、上面に配置された保持部３６を介して製膜室６を保持するものである。台３７の内部には低真空排気部３５が配置される領域が形成されている。
【００３０】
図３は、図１の薄膜製造装置の構成の一部を示す部分斜視図である。図４は、図１における分極電極の構成を説明する概略図である。
本実施形態においては、１つの製膜室６について８個の分割電極３を備えた薄膜製造装置１に適用して説明するが、分割電極３の数は８個よりも多くてもよいし、少なくてもよく、製膜される基板の大きさ等により適宜設定されるものであって、特に限定するものではない。
分割電極３はアルミニウムから形成され、複数の放電電極を並べて設置した状態で基板８の幅よりも少し大きくなるように配置されることがプラズマの均一化に好ましい。
【００３１】
製膜室６には、図３および図４に示すように、８個の分割電極３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ，３ｈ（以下、分割電極３ａ〜３ｈと表記する。）が、互いに間隔（第２所定間隔）Ｗ２を空けて並んで配置されている。
分割電極３ａ〜３ｈには、対向電極２に沿って延びるとともに、互いに間隔（第１所定間隔）Ｗ１を空けて並んで配置された複数の板状の棒状縦電極３Ｚと、Ｙ方向へ延びて棒状縦電極３Ｚの両端部を接続する一対の棒状横電極３Ｙと、が設けられている。
【００３２】
本実施形態では、説明の容易化のために棒状縦電極３Ｚが３本の場合に適用して説明するが、３本に限られることなく、６本や７本など、より多くの棒状縦電極３Ｚが設けられていてもよく、特に限定するものではない。
【００３３】
分割電極３ａ〜３ｈの給電点（端部）５３側には、整合器１３ａと、高周波給電伝送路１４ａと、同軸給電部１２ａと、熱媒体供給管１５ａおよび原料ガス配管１６ａが設けられている。また、給電点（端部）５４側には、整合器１３ｂと、高周波給電伝送路１４ｂと、同軸給電部１２ｂと、熱媒体供給管１５ｂおよび原料ガス配管１６ｂが設けられている。
【００３４】
分割電極３ａ〜３ｈの給電点５３の近傍には、原料ガス配管１６ａが接続されている。同様に、分割電極３ａ〜３ｈの給電点５４の近傍には、原料ガス配管１６ｂが接続されている。原料ガス配管１６ａ，１６ｂからは、分割電極３ａ〜３ｈに原料ガスが供給され、分割電極３ａは、この原料ガスを対向電極２側（図３中の右側）へ略均一に放出している。
ただし、分割電極３ａ〜３ｈへの電力供給を、８個を超える、または、８個未満の整合器１３ａ，１３ｂおよび高周波給電伝送路１４ａ，１４ｂとの組み合わせで行うことも可能である。さらに、個別の高周波電源部から電力を供給してもよい。
これらの場合、その組の数に対応するように、分割電極３ａ〜３ｈを加減して組み分けることが好ましい。
【００３５】
次に、上記の構成からなる薄膜製造装置１における棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２および分割電極３の間隔Ｗ１と、基板８に製膜された膜の膜厚分布との関係、および、基板８および棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２と、基板８に製膜された膜の膜厚分布との関係について説明する。
【００３６】
ここで、前提として分割電極３の各パラメータについて説明する。本実施形態では、図４に示すように、分割電極３の長さＬ０が約１２００ｍｍ、幅Ｗ０が約１８０ｍｍであって、分割電極３がアルミニウムから形成されている場合に適用して説明する。
【００３７】
室温環境（約２０℃）の下で、分割電極３の間隔Ｗ１と棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２との間には、以下の式（１）に示す関係が満たされている。
Ｗ１＝Ｗ２＋β    ・・・（１）
ここで、βは初期設定した余裕量である。
【００３８】
一方、分割電極３における幅方向の熱膨張長さ△Ｌは、以下の式（２）により求められる。
△Ｌ＝Ｗ０×α・△Ｔ    ・・・（２）
ここで、αは、アルミニウムの熱膨張係数（２５×１０−６（１／Ｋ））であり、△Ｔは、分割電極３における室温（約２０℃）とプラズマ放電中における温度（約２００℃）との温度差（約１８０℃）である。
したがって、本実施形態における熱膨張長さ△Ｌは０．８ｍｍとなる。
【００３９】
ここで、分割電極３の温度が約２００℃であっても、分割電極３の間隔Ｗ１が棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２と同等の間隔を有するためには、余裕量βが、少なくとも熱膨張長さと同じ長さであればよい。言い換えると、余裕量βの最小値は、分割電極３における幅方向の熱膨張長さとなる。
すると、上述の式（１）は、以下の式（３）として表すことができる。
Ｗ１＝Ｗ２＋０．８−△Ｌ    ・・・（３）
【００４０】
棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２が約２ｍｍの場合、分割電極３の間隔Ｗ１と棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２との間には、室温において、
Ｗ１＝Ｗ２＋０．８−０＝Ｗ２＋０．４×Ｗ２
＝１．４×Ｗ２
の関係が成立する。一方、分割電極３の温度が約２００℃において、
Ｗ１＝Ｗ２＋０．８−０．８
＝１．０×Ｗ２
の関係が成立する。
【００４１】
棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２が約４ｍｍの場合、
分割電極３の間隔Ｗ１と棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２との間には、室温において、
Ｗ１＝Ｗ２＋０．８−０＝Ｗ２＋０．２×Ｗ２
＝１．２×Ｗ２
の関係が成立する。一方、分割電極３の温度が約２００℃において、
Ｗ１＝Ｗ２＋０．８−０．８
＝１．０×Ｗ２
の関係が成立する。
【００４２】
図５は、棒状縦電極の間隔Ｗ１に対する分割電極の間隔Ｗ２を変化させた場合における基板に製膜された膜の膜厚分布を説明するグラフである。
図５のグラフにおける横軸は、棒状縦電極の間隔Ｗ１を基準として分割電極の間隔Ｗ２を無次元化した相対電極間隔を示し、縦軸は、基板８に製膜された膜の膜厚分布のばらつきを示すものである。さらに、図５の菱形（◇）で示すグラフは、棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２が約２ｍｍの場合を示すグラフであり、四角（□）で示すグラフは、棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２が約４ｍｍの場合を示すグラフである。
【００４３】
図５に示すように、棒状縦電極の間隔Ｗ１に対して分割電極の間隔Ｗ２が約１倍から約１．４倍の範囲内にあるときに、膜厚分布が約２０％よりも小さくなることが示されている。
【００４４】
このようにすることにより、分割電極３の温度が上昇して熱膨張した場合であっても、間隔Ｗ１と間隔Ｗ２との間における広さの差の拡大が防止され、基板８に製膜された膜における膜厚分布に対する、間隔Ｗ１と間隔Ｗ２との差の影響を小さくすることができる。
【００４５】
一方で、室温環境（約２０℃）の下で、基板８と分割電極３との間隔ｄと棒状縦電極３Ｚの間隔Ｗ２との間には、間隔ｄが間隔Ｗ１に対して約４倍以下の場合には、以下の式（４）に示す関係が満たされ、間隔ｄが間隔Ｗ１に対して約４倍以上の場合には、以下の式（５）に示す関係が満たされる。
０．４ｄ≦Ｗ２≦０．７ｄ        ・・・（４）
０．１８ｄ≦Ｗ２≦０．２８ｄ    ・・・（５）
【００４６】
図６および図７は、基板と分割電極との間隔ｄに対する分割電極の間隔Ｗ２を変化させた場合における基板に製膜された膜の膜厚分布を説明するグラフである。
図６および図７のグラフにおける横軸は、基板８と分割電極３との間隔ｄを基準として分割電極の間隔Ｗ２を無次元化した相対電極間隔を示し、縦軸は、基板８に製膜された膜の膜厚分布のばらつきを示すものである。
【００４７】
さらに、図６の菱形（◇）で示すグラフは、間隔ｄが約４．５ｍｍの場合を示すグラフであり、四角（□）で示すグラフは、間隔ｄが約８ｍｍの場合を示すグラフであり、図７では、間隔ｄが約２０ｍｍの場合を示すグラフである。
【００４８】
間隔ｄが間隔Ｗ１に対して約４倍以下の場合には、図６に示すように、間隔ｄに対して分割電極の間隔Ｗ２が約０．４倍から約０．７倍の範囲内にあるときに、膜厚分布が約２０％よりも小さくなることが示されている。
間隔ｄが約間隔Ｗ１に対して約４倍以上の場合には、一方、図７に示すように、間隔ｄに対して分割電極の間隔Ｗ２が約０．１８倍から約０．２８倍の範囲内にあるときに、膜厚分布が約２０％よりも小さくなることが示されている。
【００４９】
このようにすることにより、基板８に製膜された膜における膜厚分布に対する、分割電極３の熱膨張による間隔Ｗ２の変化の影響を小さくすることができる。
【００５０】
上記の構成によれば、基板８に膜を製膜する場合、つまり、分割電極３と対向基板との間にプラズマを形成させ、分割電極３の温度が上昇して熱膨張した場合であっても、間隔Ｗ１と間隔Ｗ２との間における広さの差の拡大を防止することができる。
したがって、基板８に製膜された膜における膜厚分布に対する、間隔Ｗ１と間隔Ｗ２との差の影響を小さくすることができる。
【００５１】
具体的には、間隔Ｗ２が間隔Ｗ１以上の間隔であるため、間隔Ｗ１未満の間隔である場合と比較して、分割電極３が熱膨張した場合における上述の広さの差を小さくすることができる。
一方、間隔Ｗ２が、間隔Ｗ１に少なくとも分割電極３における熱膨張長さを加えた間隔であるため、それより長い間隔である場合と比較して、分割電極３が熱膨張した場合における上述の広さの差を小さくすることができる。
【００５２】
なお、間隔Ｗ１、間隔Ｗ２および間隔ｄの設定値としては、以下の４種類の組み合わせを例示することができる。
（１）Ｗ１＝２．０（ｍｍ），Ｗ２＝２．６（ｍｍ），ｄ＝４．５（ｍｍ）
（２）Ｗ１＝２．０（ｍｍ），Ｗ２＝２．６（ｍｍ），ｄ＝７．０（ｍｍ）
（３）Ｗ１＝４．０（ｍｍ），Ｗ２＝４．６（ｍｍ），ｄ＝８．０（ｍｍ）
（４）Ｗ１＝４．０（ｍｍ），Ｗ２＝４．６（ｍｍ），ｄ＝２０．０（ｍｍ）
【００５３】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図８から図１１を参照して説明する。
本実施形態の薄膜製造装置の基本構成は、第１の実施形態と同様であるが、第１の実施形態とは、分割電極の支持部の構成が異なっている。よって、本実施形態においては、図８から図１１を用いて分割電極の支持構造のみを説明し、その他の構成要素等の説明を省略する。
図８は、本実施形態における分割電極の上側支持部および下側支持部の構成を説明する正面視図である。
なお、第１の実施形態と同一の構成要素に対しては同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５４】
薄膜製造装置（真空処理装置）１０１における分割電極３には、図８に示すように、分割電極３を支持する上側支持部（電極支持部）１１０および下側支持部（電極支持部）１３０が設けられている。
【００５５】
図９は、図８の上側支持部の構成を説明する側面視図である。図１０は、図８の上側支持部の構成を説明する正面視図である。図１１は、図８の上側支持部の構成を説明する上面視図である。
上側支持部１１０は、分割電極３の上端部（図９の上端部）に配置され、分割電極３を、製膜室６に対して移動可能に支持するものである。
上側支持部１１０には、図９から図１１に示すように、支持具（吸収部）１１１と、スライドブロック（吸収部）１１２と、スライドブロック本体１１３と、第１ストッパ１１４Ｙと、第２ストッパ１１５Ｘと、が設けられている。
【００５６】
支持具１１１は、アルミナなどの絶縁材料から形成された部材であって、分割電極３に取付けられる部材である。さらに支持具１１１は、スライドブロック１１２とともに、少なくとも分割電極３における長手方向の熱膨張を吸収するものである。
支持具１１１の上端（図９の上端）には、図９および図１０に示すように、スライドブロック１１２の凹部１１７にはめ込まれる凸部１１６が形成されている。一方、支持具１１１の下端（図９の下端）は、分割電極３に取付けられている。
【００５７】
スライドブロック１１２は、支持具１１１とスライドブロック本体１１３との間に配置される部材である。さらに、スライドブロック１１２は、支持具１１１とともに少なくとも分割電極３における長手方向の熱膨張を吸収し、スライドブロック本体１１３とともに分割電極３をＹ軸に沿う方向に移動可能に支持するものである。
【００５８】
スライドブロック１１２の下端（図９の下端）には、図９および図１０に示すように、支持具１１１の凸部１１６がはめ込まれる凹部１１７が形成されている。凹部１１７には、分割電極３の長手方向に延びる長孔（図示せず）が形成され、当該長孔に挿通されるボルト（図示せず）を用いて支持具１１１がスライドブロック１１２に取付けられている。
このようにすることで、スライドブロック１１２と支持具１１１とが、分割電極３の長手方向に相対移動可能とされる。
【００５９】
さらに、スライドブロック１１２の上端（図９の上端）には、図９から図１１に示すように、Ｙ軸方向に延びる一対の溝部１１８と、Ｙ軸方向に延びるボルト孔１１９Ｙと、が設けられている。
溝部１１８は、スライドブロック本体１１３のガイド突起１２１と嵌合され、分割電極３をＹ軸方向に導くものである。ボルト孔１１９Ｙは、図１０および図１１に示すように、移動用ボルト１２０Ｙおよび第１ストッパ１１４Ｙとともに、分割電極３におけるＹ軸方向の位置の調整を行うものである。
【００６０】
スライドブロック本体１１３は、スライドブロック１１２とともに分割電極３を基板８に接近離間させる方向（図９の左右方向）に移動可能に支持するものである。
スライドブロック本体１１３には、図９および図１１に示すように、スライドブロック１１２の溝部１１８と嵌合されるガイド突起１２１と、基板８に接近離間する方向に延びるボルト孔１２２Ｘと、スライドブロック本体１１３を固定する固定ボルト孔１２３と、が設けられている。
【００６１】
ガイド突起１２１は、図９に示すように、互いに対向して突出するとともに、Ｙ軸方向に沿って延びる畝状の突起であって、スライドブロック１１２の溝部１１８に嵌合されるものである。ボルト孔１２２Ｘは、移動用ボルト１２４Ｘおよび第２ストッパ１１５Ｘとともに、分割電極３における基板８に接近離間する方向の位置の調整を行うものである。固定ボルト孔１２３は、図１１に示すように、スライドブロック本体１１３を固定板１４０に固定する際に用いられるものである。
なお、固定板１４０は、製膜室６に設けられた分割電極３が取付けられる部材である。
【００６２】
第１ストッパ１１４Ｙは、図１０および図１１に示すように、ボルト孔１１９Ｙおよび移動用ボルト１２０Ｙとともに、分割電極３におけるＹ軸方向の位置の調整を行うものである。
第１ストッパ１１４Ｙは、Ｚ−Ｘ平面に沿って延びる板状の部材であって、スライドブロック本体１１３に固定されるものである。さらに、第１ストッパ１１４Ｙは、移動用ボルト１２０Ｙを回転可能に支持するとともに、Ｙ軸方向の移動を規制するものである。
このように構成することで、移動用ボルト１２０Ｙを回転させると、第１ストッパ１１４Ｙとスライドブロック１１２とが相対移動する。言い換えると、第１ストッパ１１４Ｙはスライドブロック本体１１３を介して固定板１４０に固定されているため、分割電極３をＹ軸方向に沿って移動させることができる。
【００６３】
第２ストッパ１１５Ｘは、図９に示すように、ボルト孔１２２Ｘおよび移動用ボルト１２４Ｘとともに、分割電極３における基板８に対して接近離間する方向の位置の調整を行うものである。
第２ストッパ１１５Ｘは、Ｙ軸方向および基板８に対して接近離間する方向から構成される平面に沿って延びる板状の部材であって、固定板１４０に固定されるものである。さらに、第２ストッパ１１５Ｘは、移動用ボルト１２４Ｘを回転可能に支持するとともに、基板８に対して接近離間する方向の移動を規制するものである。
このように構成することで、移動用ボルト１２４Ｘを回転させると、第２ストッパ１１５Ｘとスライドブロック本体１１３とが相対移動する。言い換えると、第２ストッパ１１５Ｘは固定板１４０に固定されており、また、スライドブロック本体１１３はスライドブロック１１２と嵌合わされているため、分割電極３を基板８に対して接近離間する方向に沿って移動させることができる。
【００６４】
下側支持部１３０は、上側支持部１１０と同様に、分割電極３の下端部（図９の下端部）に配置され、分割電極３を、製膜室６に対して移動可能に支持するものである。
なお、下側支持部１３０は、分割電極３における長手方向の熱膨張を吸収しない点を除けば、上側支持部１１０と同じである。言い換えると、支持具１１１とスライドブロック１１２との間の相対移動が許容されていない点を除けば、上側支持部１１０と同じ構成を有する。
【００６５】
次に、分割電極３の配置位置を調節方法について説明する。
分割電極３の配置位置を調節する場合には、図１１に示すように、固定ボルト孔１２３に螺合された固定ボルトを緩め、スライドブロック本体１１３を固定板１４０に対して相対移動可能とする。言い換えると、固定板１４０に対する分割電極３の固定を緩めて分割電極３を移動可能とする。
【００６６】
その後、図９から図１１に示すように、移動用ボルト１２４Ｘを回転させて分割電極３における基板８に対する接近離間方向の位置を調節し、移動用ボルト１２０Ｙを回転させて分割電極３におけるＹ軸方向の位置を調節する。
分割電極３における位置の調節が終わると、図１１に示すように、固定ボルト孔１２３に螺合された固定ボルトを締め、スライドブロック本体１１３を固定板１４０に対して固定する。
【００６７】
複数の分割電極３における位置調整を行う順番としては、始めに、中央に配置された分割電極３ｄ，３ｅ（図２参照。）の位置調整を行い、その後、外側に向かって順に分割電極３の位置調整を行う方法と例示できる。
このような順で分割電極３の位置を調節することにより、基板８と各分割電極３との位置関係を、製膜を行うために適した関係に調節することができる。
【００６８】
上記の構成によれば、上側支持部１１０により、分割電極３における長手方向の熱膨張が吸収されるため、長手方向への熱膨張が拘束される場合と比較して、分割電極３の変形が防止される。そのため、当該変形による間隔Ｗ２の変化が抑制され、基板８に製膜された膜における膜厚分布に対する、間隔Ｗ１と間隔Ｗ２との差の影響を小さくすることができる。
【００６９】
さらに、移動用ボルト１２０Ｙを回転させることにより、分割電極３の配置位置を調節することができるため、間隔Ｗ２の調整が行いやすくなる。さらに、複数の間隔Ｗ２の値を一定に保ちやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１の実施形態の薄膜製造装置の構成を示す概略図であり、薄膜製造装置の側面から見た図である。
【図２】図１の分割電極と基板との間に間隔を説明する模式図である。
【図３】図１の薄膜製造装置の構成の一部を示す部分斜視図である。
【図４】図１における分極電極の構成を説明する概略図である。
【図５】棒状縦電極の間隔Ｗ１に対する分割電極の間隔Ｗ２を変化させた場合における基板に製膜された膜の膜厚分布を説明するグラフである。
【図６】基板と分割電極との間隔ｄに対する分割電極の間隔Ｗ２を変化させた場合における基板に製膜された膜の膜厚分布を説明するグラフである。
【図７】基板と分割電極との間隔ｄに対する分割電極の間隔Ｗ２を変化させた場合における基板に製膜された膜の膜厚分布を説明するグラフである。
【図８】本発明の第２の実施形態における分割電極の上側支持部および下側支持部の構成を説明する正面視図である。
【図９】図８の上側支持部の構成を説明する側面視図である。
【図１０】図８の上側支持部の構成を説明する正面視図である。
【図１１】図８の上側支持部の構成を説明する上面視図である。
【符号の説明】
【００７１】
１，１０１  薄膜製造装置（真空処理装置）
２  対向電極
３  分割電極
８  基板
ｄ  間隔（第３所定間隔）
Ｗ２  間隔（第２所定間隔）
Ｗ１  間隔（第１所定間隔）
３Ｚ  棒状縦電極
３Ｙ  棒状横電極
１１０  上側支持部（電極支持部）
１３０  下側支持部（電極支持部）
１１１  支持具（吸収部）
１１２  スライドブロック（吸収部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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