(57)【要約】【課題】各部材間が接続されて構成される電子回路モジュールを簡単に作製し、かつこの電子回路モジュールを構成する各部材の高密度化を実現すること。【解決手段】電子回路モジュール１は、互いに対向配置された回路基板１１，１３と、回路基板１１，１３間を機械的および電気的に接続する金属柱１５とを備える。下側の回路基板１１には、上面の所定位置に非貫通穴１１１が形成されており、この非貫通穴１１１を避けて電子回路等の部材である電子部品１２が実装されている。一方、上側の回路基板１３には、下面に平面電極１３１が形成されている。そして、回路基板１１の非貫通穴１１１に金属柱１５の一端側が挿入され、この金属柱１５の他端面が回路基板１３の平面電極１３１と接触されて回路基板１１，１３間が接続される。【選択図】図１
2009124004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置された複数の部材と、各部材間を機械的および電気的に接続する導電部材とを備えた電子回路モジュールであって、
前記複数の部材のうち、少なくとも対向する一方の部材に非貫通穴が形成されており、前記導電部材の端部が前記非貫通穴に挿入されて他方の部材との間が接続されることを特徴とする電子回路モジュール。
【請求項２】
前記他方の部材は前記一方の部材と対向する面に端子部が形成された電子部品であり、前記導電部材の一端部が前記非貫通穴に挿入され、他端部が前記端子部と接触されて前記一方の部材と前記他方の部材との間が接続されることを特徴とする請求項１に記載の電子回路モジュール。
【請求項３】
前記一方の部材には複数の非貫通穴が形成されており、各非貫通穴に異なる長さに形成された導電部材の一端部が挿入され、各導電部材の他端部にそれぞれ別の部材が接続されて前記各部材が積層されて配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子回路モジュール。
【請求項４】
前記一方の部材には深さの異なる複数の非貫通穴が形成されており、各非貫通穴に同一の長さに形成された導電部材の一端部が挿入され、各導電部材の他端部にそれぞれ別の部材が接続されて前記各部材が積層されて配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子回路モジュール。
【請求項５】
前記一方の部材は中間層を有する基板であり、前記非貫通穴の底部に前記中間層が露出していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電子回路モジュール。
【請求項６】
前記非貫通穴の底部に予め半田材料が配置されており、前記非貫通穴に挿入された前記導電部材の一端部が前記中間層と半田接続されることを特徴とする請求項５に記載の電子回路モジュール。
【請求項７】
前記一方の部材は基板であり、前記非貫通穴の底部に導体層が露出していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電子回路モジュール。
【請求項８】
前記非貫通穴の底部に予め半田材料が配置されており、前記非貫通穴に挿入された前記導電部材の一端部が前記導体層と半田接続されることを特徴とする請求項７に記載の電子回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに対向配置された複数の部材と、各部材間を機械的および電気的に接続する導電部材とを備えた電子回路モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上に半導体チップを高密度実装するための技術として、基板の主面上に導電ピンを立設し、この導電ピンとチップとを電気的に接続するものが知られている。また、導電ピンの基部にフランジ部を設け、基板上のスルーホールにフランジ部を係止して半田等で固定するようにしたものが知られている（特許文献１：図８参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−６３１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の技術を適用して回路基板や電子部品等の各部材間を接続する場合、導電ピンにフランジ部を設ける必要があった。また、例えば電子部品が実装される回路基板上に他の部材を接続する等の場合に、フランジ部が配置される分だけ回路基板上の電子部品の実装領域が狭まるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みなされたものであって、各部材間が接続されて構成される電子回路モジュールを簡単に作製することができ、かつこの電子回路モジュールを構成する各部材の高密度化を実現することができる電子回路モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる電子回路モジュールは、互いに対向配置された複数の部材と、各部材間を機械的および電気的に接続する導電部材とを備えた電子回路モジュールであって、前記複数の部材のうち、少なくとも対向する一方の部材に非貫通穴が形成されており、前記導電部材の端部が前記非貫通穴に挿入されて他方の部材との間が接続されることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記他方の部材は前記一方の部材と対向する面に端子部が形成された電子部品であり、前記導電部材の一端部が前記非貫通穴に挿入され、他端部が前記端子部と接触されて前記一方の部材と前記他方の部材との間が接続されることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記一方の部材には複数の非貫通穴が形成されており、各非貫通穴に異なる長さに形成された導電部材の一端部が挿入され、各導電部材の他端部にそれぞれ別の部材が接続されて前記各部材が積層されて配置されることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記一方の部材には深さの異なる複数の非貫通穴が形成されており、各非貫通穴に同一の長さに形成された導電部材の一端部が挿入され、各導電部材の他端部にそれぞれ別の部材が接続されて前記各部材が積層されて配置されることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記一方の部材は中間層を有する基板であり、前記非貫通穴の底部に前記中間層が露出していることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記非貫通穴の底部に予め半田材料が配置されており、前記非貫通穴に挿入された前記導電部材の一端部が前記中間層と半田接続されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記一方の部材は基板であり、前記非貫通穴の底部に導体層が露出していることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記非貫通穴の底部に予め半田材料が配置されており、前記非貫通穴に挿入された前記導電部材の一端部が前記導体層と半田接続されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、対向する一方の部材に非貫通穴を形成し、この非貫通穴に導電部材を挿入して他方の部材との間を接続することができるので、簡単な構成で各部材間を接続した電子回路モジュールを作製することができる。また、一方の部材に形成された非貫通穴に、端部を挿入することによって導電部材を固定できるので、部材に導電部材を固定するためのフランジ部等が必要ない。したがって、部材上に他の部材を効率良く接続でき、電子回路モジュールを構成する部材の高密度化が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照し、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１の電子回路モジュール１の一例を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、実施の形態１の電子回路モジュール１は、互いに対向配置された部材である回路基板１１，１３と、回路基板１１，１３間を機械的および電気的に接続する導電部材である金属柱１５とを備える。
【００１７】
下側の回路基板１１には、上面の所定位置に非貫通穴１１１が形成されており、この非貫通穴１１１を避けて電子回路等の部材である電子部品１２が実装されている。非貫通穴１１１は、回路基板１１の上面にドリルやレーザ照射等によって穴あけ加工されて形成され、表面に金属膜がめっき形成される。一方、上側の回路基板１３には、下面に平面電極１３１が形成されている。回路基板１１の非貫通穴１１１は、回路基板１１，１３が対向配置されたときにこの平面電極１３１と対向する位置に形成される。そして、回路基板１１の非貫通穴１１１に金属柱１５の一端側が挿入され、この金属柱１５の他端面が回路基板１３の平面電極１３１と接触されて回路基板１１，１３間が接続される。金属柱１５は、予め規定される非貫通穴１１１の深さおよび回路基板１１の上面から回路基板１３の下面までの高さによって定まる長さに形成される。
【００１８】
この電子回路モジュール１を作製する際には、回路基板１１上面の所定位置に非貫通穴１１１を形成し、表面に金属膜をめっき形成するとともに、電子部品１２を半田等で実装する。そして、非貫通穴１１１に金属柱１５の一端側を挿入し、非貫通穴１１１表面の金属膜と金属柱１５の一端とを接続する。続いて、回路基板１３を回路基板１１と対向配置し、非貫通穴１１１と平面電極１３１とを対向させて金属柱１５の他端面を平面電極１３１と接触させ、例えば半田等で接続する。これにより、回路基板１１，１３間の機械的および電気的接続を得る。そして、回路基板１１，１３間の間隙Ｅに封止樹脂を充填し、内部の部材を固定し保護する。
【００１９】
この実施の形態１によれば、電子部品１２が実装される回路基板１１上面の所定位置に非貫通穴１１１を形成し、この非貫通穴１１１を避けて電子部品１２を実装することができる。そして、非貫通穴１１１に金属柱１５の一端側を挿入し、他端面を回路基板１３の平面電極１３１と接触させることによって、回路基板１１，１３間を機械的および電気的に接続することができる。したがって、簡単な構成で回路基板１１，１３間を接続した電子回路モジュールを作製することができる。また、回路基板１１上に金属柱１５を固定するためのフランジ部等が必要ない。したがって、回路基板１１上の電子部品１２の実装領域を狭めることがなく、スペースを有効に使って電子部品等の部材を実装して電子回路モジュール１を作製することができるので、電子回路モジュール１の高密度化が実現できる。これによれば、電子回路モジュール１全体の小型化が図れるとともにコストの低減も図れる。また、非貫通穴１１１の位置決めが容易であり、設計自由度も高い。
【００２０】
なお、実施の形態１では、回路基板１１，１３間を接続する場合について説明したが、金属柱による接続対象は回路基板に限定されるものではない。すなわち、回路基板と電子回路モジュール等の部材とを接続する場合や、電子回路モジュール間を接続する場合、２つの電子部品を積層させて接続する場合にも同様に適用できる。また、３枚以上の回路基板を接続する場合や、３つ以上の電子部品や電子回路モジュールを積層させて接続する場合にも同様に適用できる。
【００２１】
また、金属柱１５の一端側を回路基板１１の非貫通穴１１１に挿入するとともに、他端面を回路基板１３の平面電極１３１と接触させる場合を例示したが、上側の部材の下面にも非貫通穴を形成してこの非貫通穴に金属柱の他端側を挿入し、非貫通穴表面の金属膜と金属柱の他端とを接続することによって各部材間の機械的および電気的接続を得る構成としてもよい。
【００２２】
（実施の形態２）
図２は、実施の形態２の電子回路モジュール２の一例を模式的に示す斜視図である。図２に示すように、実施の形態２の電子回路モジュール２は、互いに対向配置された回路基板２１，２３と、回路基板２１と接続されて回路基板２１，２３間に配置された電子回路や電子回路モジュール等の部材である電子部品２５と、回路基板２１，２３間を機械的および電気的に接続する金属柱２７および回路基板２１と電子部品２５との間を機械的および電気的に接続する金属柱２９とを備え、回路基板２１，２３および電子部品２５が積層されて配置されている。
【００２３】
下側の回路基板２１には、上面の所定位置に実施の形態１と同様にして複数の非貫通穴２１１が形成されており、この非貫通穴２１１を避けて電子回路等の電子部品２２が実装されている。一方、上側の回路基板２３には、下面に平面電極２３１が形成されている。また、電子部品２５には、下面に端子部である平面電極２５１が形成されている。回路基板２１の非貫通穴２１１は、回路基板２１，２３が対向配置されたときに回路基板２３の平面電極２３１と対向する位置、および回路基板２１と電子部品２５とが対向配置されたときに電子部品２５の平面電極２５１と対向する位置に形成される。そして、回路基板２３の平面電極２３１と対向される非貫通穴２１１には金属柱２７の一端側が挿入され、この金属柱２７の他端面が回路基板２３の平面電極２３１と接触されて回路基板２１，２３間が接続される。また、電子部品２５の平面電極２５１と対向される非貫通穴２１１には金属柱２９の一端側が挿入され、この金属柱２９の他端面が電子部品２５の平面電極２５１と接触されて回路基板２１と電子部品２５との間が接続される。
【００２４】
金属柱２７，２９は、互いに異なる長さに形成されている。具体的には、金属柱２７は、予め規定される非貫通穴２１１の深さおよび回路基板２１の上面から回路基板２３の下面までの高さによって定まる長さに形成される。一方、金属柱２９は、予め規定される非貫通穴２１１の深さおよび回路基板２１の上面から電子部品２５の下面までの高さによって定まる長さに形成される。
【００２５】
この電子回路モジュール２を作製する際には、回路基板２１上面の所定位置に非貫通穴２１１を形成し、表面に金属膜をめっき形成するとともに、電子部品２２を半田実装する。そして、回路基板２１，２３間を接続するための非貫通穴２１１に金属柱２７の一端側を挿入し、非貫通穴２１１表面の金属膜と金属柱２７の一端とを接続するとともに、回路基板２１を電子部品２５と接続するための非貫通穴２１１に金属柱２９を挿入し、非貫通穴２１１表面の金属膜と金属柱２９の一端とを接続する。続いて、電子部品２５を回路基板２１と対向配置し、非貫通穴２１１と平面電極２５１とを対向させて金属柱２９の他端面を平面電極２５１と接触させ、半田等で接続する。また、電子部品２５の上方で回路基板２３を回路基板２１と対向配置し、非貫通穴２１１と平面電極２３１とを対向させて金属柱２７の他端面を平面電極２３１と接触させ、半田等で接続する。これにより、回路基板２１，２３間および回路基板２１と電子部品２５との間の機械的および電気的接続を得る。そして、回路基板２１，２３の間隙に封止樹脂を充填し、内部の部材を固定し保護する。
【００２６】
この実施の形態２によれば、実施の形態１と同様の効果を奏することができるとともに、長さの異なる金属柱２７，２９を組み合わせることによって、回路基板２１，２３間に電子部品２５を介在させることができる。したがって、回路基板２１，２３や電子部品２５が積層されて配置された電子回路モジュール２を容易に作製することができる。また、電子回路モジュール２をより一層高密度化でき、より小型化が図れる。
【００２７】
なお、実施の形態２では、回路基板２１，２３間に一つの電子部品２５を介在させた電子回路モジュール２を作製する場合について説明したが、金属柱の長さを調整することによって、回路基板間に２つ以上の回路基板や電子部品、電子回路モジュール等の部材を介在させることも可能である。また、３枚以上の回路基板を接続する場合や、３つ以上の電子部品や電子回路モジュールを積層させて接続する場合にも同様に適用できる。
【００２８】
（実施の形態３）
図３は、実施の形態３の電子回路モジュール３の一例を模式的に示す斜視図である。図３に示すように、実施の形態３の電子回路モジュール３は、互いに対向配置された回路基板３１，３３と、回路基板３１と接続されて回路基板３１，３３間に配置された電子部品３５と、回路基板３１，３３間を機械的および電気的に接続するそれぞれ同一の長さを有する金属柱３７とを備え、回路基板３１，３３および電子部品３５が積層されて配置されている。
【００２９】
下側の回路基板３１には、上面の所定位置に深さの異なる非貫通穴３１１，３１３が実施の形態１と同様にして形成されており、この非貫通穴３１１，３１３を避けて電子回路等の電子部品３２が実装されている。各非貫通穴３１１，３１３は、それぞれ異なる深さに形成される。具体的には、非貫通穴３１１の深さは、予め規定される金属柱３７の長さおよび回路基板３１の上面から回路基板３３の下面までの高さによって定まる長さに形成される。また、非貫通穴３１３の深さは、予め規定される金属柱３７の長さおよび回路基板３１の上面から電子部品３５の下面までの高さによって定まる長さに形成される。一方、上側の回路基板３３には、下面に平面電極３３１が形成されている。また、電子部品３５には、下面に端子部である平面電極３５１が形成されている。回路基板３１の非貫通穴３１１は、回路基板３１，３３が対向配置されたときに回路基板３３の平面電極３３１と対向する位置に形成され、非貫通穴３１３は、回路基板３１と電子部品３５とが対向配置されたときに電子部品３５の平面電極３５１と対向する位置に形成される。そして、非貫通穴３１１には金属柱３７の一端側が挿入され、この金属柱３７の他端面が回路基板３３の平面電極３３１と接触されて回路基板３１，３３間が接続される。また、非貫通穴３１３には金属柱３７の一端側が挿入され、この金属柱３７の他端面が電子部品３５の平面電極３５１と接触されて回路基板３１と電子部品３５との間が接続される。
【００３０】
この電子回路モジュール３を作製する際には、回路基板３１上面の所定位置に非貫通穴３１１，３１３を形成し、表面に金属膜をめっき形成するとともに、電子部品３２を半田実装する。そして、非貫通穴３１１，３１３にそれぞれ金属柱３７の一端側を挿入し、非貫通穴３１１，３１３表面の金属膜と金属柱３７の一端とを接続する。続いて、電子部品３５を回路基板３１と対向配置し、非貫通穴３１３と平面電極３５１とを対向させて金属柱３７の他端面を平面電極３５１と接触させ、半田等で接続する。また、電子部品３５の上方で回路基板３３を回路基板３１と対向配置し、非貫通穴３１１と平面電極３３１とを対向させて金属柱３７の他端面を平面電極３３１と接触させ、半田等で接続する。これにより、回路基板３１，３３間および回路基板３１と電子部品３５との間の機械的および電気的接続を得る。そして、回路基板３１，３３の間隙に封止樹脂を充填し、内部の部材を固定し保護する。
【００３１】
この実施の形態３によれば、実施の形態１と同様の効果を奏することができるとともに、非貫通穴３１１，３１３の深さを調整して組み合わせることによって、回路基板３１，３３間に電子部品３５を介在させることができる。したがって、回路基板３１，３３や電子部品３５が積層されて配置された電子回路モジュール３を容易に作製することができる。また、電子回路モジュール３をより一層高密度化でき、より小型化が図れる。さらに、共通の金属柱３７を用いて回路基板３１，３３間および回路基板３１と電子部品３５との間を接続することができるので、実施の形態２のように異なる長さの金属柱を用いる場合と比較してコストの低減が図れる。
【００３２】
なお、実施の形態３では、回路基板３１，３３間に一つの電子部品３５を介在させた電子回路モジュール３を作製する場合について説明したが、非貫通穴の深さを調整して組み合わせることによって、回路基板間に２つ以上の回路基板や電子部品、電子回路モジュール等の部材を介在させることも可能である。また、３枚以上の回路基板を接続する場合や、３つ以上の電子部品や電子回路モジュールを積層させて接続する場合にも同様に適用できる。
【００３３】
また、上記した実施の形態１〜３では、非貫通穴の表面に金属膜をめっき形成して回路基板と金属柱との電気的な接続を得ることとしたが、回路基板上に形成されている配線パターンと接続されるようにドリルやレーザ照射等によって穴あけ加工して非貫通穴を形成し、この配線パターンに金属柱の側面を接触させることによって回路基板と金属柱との電気的な接続を得ることとしてもよい。
【００３４】
（実施の形態４）
実施の形態４の電子回路モジュールは、回路基板上に他の回路基板や電子部品、電子回路モジュール等の部材が導電部材であるマイクロピンによって接続されて構成される。図４および図５は、実施の形態４の電子回路モジュールにおける回路基板４１とマイクロピン４３，４４，４５との接続構造を説明する図であり、図４は、回路基板４１に対するマイクロピン４３，４４，４５の半田付け工程前の回路基板４１の断面図を示し、図５は、半田付け工程後の回路基板４１の断面図を示している。図４および図５に示すように、実施の形態４では、回路基板４１が中間層を有する基板（多層基板）で構成される。
【００３５】
図４に示すように、回路基板４１は、中間層４１３，４１４を含む複数の導体層４１１〜４１４が積層され、各導体層間が絶縁層４１５で絶縁されて構成されている。そして、底部にそれぞれ中間層４１３，４１４を露出させた非貫通穴４１６，４１７や、絶縁層４１５を貫通して導体層４１１を露出させた非貫通穴４１８が形成されている。各非貫通穴４１６，４１７，４１８の底部には、予め半田ボールや半田ペースト等の半田材料４１９が配置されており、この半田材料４１９によって、中間層４１４とマイクロピン４３の一端、中間層４１３とマイクロピン４４の一端および導体層４１１とマイクロピン４５の一端がそれぞれ接続される。具体的には、回路基板４１は、ヒートツールや加熱炉等で例えば半田材料４１９の近傍を加熱する半田付け工程を経て、図５に示すように、非貫通穴４１６の底部に露出した中間層４１４とこの非貫通穴４１６に挿入されるマイクロピン４３の一端とが半田接続され、非貫通穴４１７の底部に露出した中間層４１３とこの非貫通穴４１７に挿入されるマイクロピン４４の一端とが半田接続され、非貫通穴４１８の底部に露出した導体層４１１とこの非貫通穴４１８に挿入されるマイクロピン４５の一端とが半田接続される。
【００３６】
この電子回路モジュールを作製する際には、回路基板４１上面の所定位置に中間層４１３，４１４をそれぞれ露出させた非貫通穴４１６，４１７を形成するとともに、導体層４１１を露出させた非貫通穴４１８を形成する。続いて、各非貫通穴４１６，４１７，４１８の底部に半田材料４１９を配置する。そして、非貫通穴４１６，４１７，４１８にマイクロピン４３，４４，４５の一端側をそれぞれ挿入し、マイクロピン４３，４４，４５の一端を非貫通穴４１６，４１７，４１８の底部の半田材料４１９と接触させ、半田付け工程を経てこれらの間を半田接続する。これにより、非貫通穴４１６，４１７，４１８にマイクロピン４３，４４，４５がそれぞれ固定され、回路基板４１を構成する中間層４１３，４１４とマイクロピン４３，４４との間を機械的および電気的に接続するとともに、導体層４１１とマイクロピン４５との間を機械的および電気的に接続する。そしてこの後、マイクロピン４３，４４，４５の他端側に他の回路基板や電子部品、電子回路モジュール等の部材を半田等で接続する。そして、回路基板４１と他の部材との間隙に封止樹脂を充填し、内部の部材を固定し保護する。
【００３７】
ここで、多層基板上にマイクロピンを接続する接続構造について、図６に示す従来の接続構造と比較して説明する。図６に示すように、従来は、多層基板である回路基板５１の各層と複数のマイクロピン５３，５４，５５との導通をとる際には、ビア等の層間接続部材５１７によって下層の導体層５１１，５１３，５１４との間が電気的に接続された最上層の導体層５１２上にマイクロピン５３，５４，５５が半田５１９等で機械的および電気的に接続されて構成されていた。これに対し、本実施の形態４では、マイクロピン４３，４４，４５を回路基板４１に固定するための非貫通穴４１６，４１７を中間層４１３，４１４が露出するように形成することができる。そして、この非貫通穴４１６，４１７の底部に予め半田材料４１９を配置しておき、非貫通穴４１６，４１７の底部とマイクロピン４３，４４の一端とを半田接続することによってこれらを機械的および電気的に接続することができる。したがって、実施の形態１と同様の効果を奏することができるとともに、非貫通穴４１６，４１７に対するマイクロピン４３，４４の接続を強固にでき、非貫通穴４１６，４１７底部の中間層４１３，４１４とマイクロピン４３，４４との間の機械的および電気的な接続信頼性を向上させることができるとともに、接続抵抗値を低くすることができる。
【００３８】
なお、上記した実施の形態４では、非貫通穴４１６，４１７等の底部に半田材料４１９を配置しておく場合について説明したが、非貫通穴４１６，４１７等に挿入されてその底部と接続されるマイクロピン４３，４４の一端面に半田材料を予め供給しておく構成としてもよい。
【００３９】
また、多層基板上に他の部材を接続するためのマイクロピンを挿入する非貫通穴にスルーホールを設ける構成としてもよい。図７は、本変形例における多層基板である回路基板６１とマイクロピンとの接続構造を説明する図である。図７に示す回路基板６１は、中間層６１３，６１４を含む複数の導体層６１１〜６１４が積層されて構成される。そして、底部にそれぞれ中間層６１３，６１４を露出させた非貫通穴６１６，６１７や、導体層６１１を露出させた非貫通穴６１８にそれぞれスルーホール６１５が設けられており、半田材料６１９によって、中間層６１４とマイクロピン６３の一端、中間層６１３とマイクロピン６４の一端および導体層６１１とマイクロピン６５の一端がそれぞれ接続される。本構成の場合も、実施の形態４と同様の効果を奏することができる。
【００４０】
また、実施の形態４では、中間層が形成された多層基板上に他の部材を接続する場合について説明したが、中間層が形成されていない基板上に他の部材を接続する場合にも同様に適用できる。この場合には、底部に導体層を露出させた非貫通穴にマイクロピンの一端側を挿入して半田接続する。そして、マイクロピン他端側に他の回路基板や電子部品、電子回路モジュール等の部材を半田等で接続する。
【００４１】
また、上記した実施の形態では、部材間を金属柱やマイクロピン等の導電部材で接続して電子回路モジュールを組み立てた後で、内部の部材を固定し保護するための封止樹脂を充填して電子回路モジュールを作製する場合について説明したが、電子回路モジュールの作製方法はこれに限定されない。図８は、電子回路モジュールの作製方法の変形例を説明する図である。図８に示す電子回路モジュールの作製方法では、先ず、回路基板７０上の所定位置に非貫通穴７１を形成し、表面に金属膜をめっき形成するとともに（図８（ａ））、この非貫通穴７１を避けて電子部品７２を半田等で実装する（図８（ｂ））。そして、非貫通穴７１に導電部材７３の一端側を挿入し、非貫通穴７１表面の金属膜と導電部材７３の一端とを接続する（図８（ｃ））。続いて、絶縁層７４を形成して導電部材７３および電子部品７２を補強する（図８（ｄ））。続いて、絶縁層７４の上面を研磨して平坦化するとともに、導電部材７３の他端面をそれぞれ露出させる（図８（ｅ））。そして、露出した導電部材７３の他端に金属膜７５を形成し、この金属膜上にバンプ７６を形成する（図８（ｆ））。なお、図示しないが、この後、バンプ７６を介して回路基板７０と他の部材とを対向配置し、これらの機械的および電気的な接続を得る。本作製方法によれば、導電部材７３の長さを正確に規定できない場合であっても、対向する部材間を確実に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態１の電子回路モジュールの一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】実施の形態２の電子回路モジュールの一例を模式的に示す斜視図である。
【図３】実施の形態３の電子回路モジュールの一例を模式的に示す斜視図である。
【図４】実施の形態４における半田付け工程前の回路基板の断面図を示す図である。
【図５】実施の形態４における半田付け工程後の回路基板の断面図を示す図である。
【図６】中間層を有する基板上にマイクロピンを接続する従来の接続構造を説明する図である。
【図７】変形例における中間層を有する基板とマイクロピンとの接続構造を説明する図である。
【図８】電子回路モジュールの作製方法の変形例を説明する図である。
【符号の説明】
【００４３】
１，２，３      電子回路モジュール
１１，１３，２１，２３，３１，３３      回路基板
１１１，２１１，３１１，３１３      非貫通穴
１２，２２，２５，３２，３５      電子部品
１３１，１３３，２３１，２５１，３３１，３５１      平面電極
１５，２７，２９，３７      金属柱
４１      回路基板
４１１，４１２      導体層
４１３，４１４      中間層
４１６〜４１８      非貫通穴
４１９      半田材料
４３〜４５      マイクロピン
【図１】
2009124004.tif 000003
【図２】
2009124004.tif 000004
【図３】
2009124004.tif 000005
【図４】
2009124004.tif 000006
【図５】
2009124004.tif 000007
【図６】
2009124004.tif 000008
【図７】
2009124004.tif 000009
【図８】
2009124004.tif 000010