(57)【要約】【課題】インクが溢れにくく塗布後のインクの位置が安定する有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置１１は、ガラス基板上に回路素子層が形成され、回路素子層上に画素電極が形成されている。画素電極上には、発光領域１２を除く領域に絶縁層が形成されている。これら発光領域１２が集まる領域の周囲には、機能層材料を貯めるためのバンク３４が形成されている。バンク３４で囲まれた開口部３７は、長辺４３と短辺４４とを有する。長辺４３側の側壁には、第１親液膜４１が形成されている。短辺４４側の側壁には、第１親液膜４１より相対的に親液性の低い第２親液膜４２が形成されている。これにより、開口部３７に機能層材料である液体４５を吐出した際、短辺４４側にある液体４５を長辺４３側に移動させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された画素電極と、
前記画素電極が集まる領域を囲むように形成されたバンクと、
前記バンクに囲まれた開口部に形成された機能層と、
前記機能層上及び前記バンク上を含む前記基板上の全体に形成された陰極と、
を有し、
前記開口部は、長辺と短辺とを備え、
前記長辺側の領域における少なくとも一部の領域に、前記短辺側の前記バンクより親液性の高い第１親液膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１親液膜は、前記開口部の側壁に沿って形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１親液膜は、多孔質構造であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１親液膜が複数に分割されていると共に間隔をおいて形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記短辺側の領域に前記第１親液膜より相対的に親液性が低い第２親液膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
基板上に画素電極を形成する工程と、
前記画素電極が集まる領域を囲むようにバンクを形成する工程と、
前記バンクに囲まれた開口部に液滴吐出法を用いて機能層を形成する工程と、
前記機能層上及び前記バンク上を含む前記基板上の全体に陰極を形成する工程と、
を有し、
前記開口部は、長辺と短辺とを備え、
前記機能層を形成する工程の前に、前記長辺側の領域における少なくとも一部の領域に前記短辺側の前記バンクより親液性の高い第１親液膜を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１親液膜は、複数に分割すると共に間隔をおいて形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記機能層を形成する工程の前に、前記短辺側の領域に前記第１親液膜より相対的に親液性が低い第２親液膜を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出法を用いて機能層を形成する有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した有機ＥＬ装置は、例えば、ラインプリンタ等のプリンタヘッドの光源として用いられる。有機ＥＬ装置の製造方法は、図７に示すように、まず、基板上の発光領域が集まる領域１１１を囲むようにバンク（隔壁）１１２を形成する。バンク１１２に囲まれた開口部１１３の形状は、長辺１１４と短辺１１５とを有する細長状の形状となっている。次に、開口部１１３の中に、例えば、機能層の材料である液体１１６を、インクジェット法を用いて吐出する。
【０００３】
この時、開口部１１３における短辺１１５側に液体１１６が集中することから、短辺１１５側から液体１１６が溢れるという問題がある。そこで、例えば、特許文献１に記載のように、バンク１１２に撥液処理（例えば、ＣＦ4プラズマ処理）を施すことにより、短辺１１５側から液体１１６が溢れることを抑えている。
【０００４】
【特許文献１】特許第３３２８２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば、機能層の一つである正孔輸送層のように、液体１１６の濃度が薄いもの（固形分濃度が薄いもの）を開口部１１３の中に大量に打ち込むと、撥液処理の能力を超えると共に液体１１６のバランスが崩れて短辺１１５側から溢れてしまう。これにより、膜厚が不均一になり、歩留まりが低下するという問題がある。また、液体１１６が溢れないようにバンク１１２を高くすると、例えば、バンク１１２上に形成した陰極等にクラックが発生しやすくなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上に形成された画素電極と、前記画素電極が集まる領域を囲むように形成されたバンクと、前記バンクに囲まれた開口部に形成された機能層と、前記機能層上及び前記バンク上を含む前記基板上の全体に形成された陰極と、を有し、前記開口部は、長辺と短辺とを備え、前記長辺側の領域における少なくとも一部の領域に、前記短辺側の前記バンクより親液性の高い第１親液膜が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、長辺側の領域に、短辺側にあるバンクより親液性の高い第１親液膜が形成されているので、長辺側の領域に液体を馴染ませることが可能となり、短辺側にある液体を長辺側の方向に移動させる（開口部の中央付近に引き寄せる）ことができる。よって、短辺側から機能層の材料である液体が溢れることを抑えることができる。更に、開口部に塗布された液体の厚みを均一にすることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１親液膜は、前記開口部の側壁に沿って形成されていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、側壁に沿って第１親液膜が形成されているので、比較的液体が入り込みにくいバンクの角部（底の端）近傍に液体を充填させることが可能となる。よって、長辺側の領域に液体を濡れ広がらせることが可能となり、短辺側にある液体を長辺側に移動させることができる。これにより、短辺側から液体が溢れることを抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１親液膜は、多孔質構造であることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、多孔質構造によって露出する第１親液膜の表面積を多くすることが可能となり、液体と接触する面積を増やすことができる。よって、長辺側の領域に液体をより馴染ませることが可能となり、短辺側にある液体を長辺側により移動させることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１親液膜が複数に分割されていると共に間隔をおいて形成されていることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、第１親液膜が間隔をおいて分割されていることにより、露出する第１親液膜の面積を多くすることが可能となり、より液体と接触する面積を増やすことができる。よって、長辺側の領域に液体を馴染ませることが可能となり、短辺側にある液体を長辺側により移動させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記短辺側の領域に前記第１親液膜より相対的に親液性が低い第２親液膜が形成されていることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、第１親液膜より相対的に親液性の低い第２親液膜が短辺側に形成されているので、短辺側にある液体の接触角を第１親液膜と比較して大きくすることができる。よって、短辺側にある液体を長辺側に移動させることが可能となる。その結果、短辺側から液体が溢れることを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に画素電極を形成する工程と、前記画素電極が集まる領域を囲むようにバンクを形成する工程と、前記バンクに囲まれた開口部に液滴吐出法を用いて機能層を形成する工程と、前記機能層上及び前記バンク上を含む前記基板上の全体に陰極を形成する工程と、を有し、前記開口部は、長辺と短辺とを備え、前記機能層を形成する工程の前に、前記長辺側の領域における少なくとも一部の領域に前記短辺側の前記バンクより親液性の高い第１親液膜を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、開口部における長辺側の領域に、短辺側のバンクより親液性の高い第１親液膜を形成するので、長辺側の領域に液体を馴染ませることが可能となり、液体が溢れやすい短辺側にある液体を長辺側の方向に移動させる（開口部の中央付近に引き寄せる）ことができる。よって、短辺側から機能層の材料である液体が溢れることを抑えることができる。更に、開口部に塗布された液体の厚みを均一にすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１親液膜は、複数に分割すると共に間隔をおいて形成することが好ましい。
【００２０】
この方法によれば、第１親液膜を間隔をおいて分割することにより、露出する第１親液膜の面積を多くすることが可能となり、より液体と接触する面積を増やすことができる。よって、長辺側の領域に液体を馴染ませることが可能となり、短辺側にある液体を長辺側により移動させることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記機能層を形成する工程の前に、前記短辺側の領域に前記第１親液膜より相対的に親液性が低い第２親液膜を形成することが好ましい。
【００２２】
この方法によれば、第１親液膜より相対的に親液性の低い第２親液膜を短辺側に形成するので、短辺側にある液体の接触角を第１親液膜と比較して大きくすることができる。よって、短辺側にある液体を長辺側に移動させることが可能となる。その結果、短辺側から液体が溢れることを抑えることができる。
【００２３】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、開口部の中の液体の厚みを安定させ、歩留まりを向上させることができる電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図１を参照しながら説明する。なお、図１は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、相対関係は度外視されている。
【００２６】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域１２において発光が行われるものであり、基板１３と、基板１３上に形成された回路素子層１４と、回路素子層１４上に形成された発光素子層１５と、発光素子層１５上に形成された陰極（共通電極）１６とを有する。基板１３としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる（以下、「ガラス基板１３」と称する。）。
【００２７】
回路素子層１４には、ガラス基板１３上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜１７が形成され、下地保護膜１７上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１８が形成されている。詳しくは、下地保護膜１７上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜１９が形成されている。半導体膜１９には、ソース領域２１及びドレイン領域２２が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域２３となっている。
【００２８】
更に、回路素子層１４には、下地保護膜１７及び半導体膜１９を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極２５（走査線）が形成されている。
【００２９】
ゲート絶縁膜２４及びゲート電極２５上には、透明な第１層間絶縁膜２６及び第２層間絶縁膜２７が形成されている。第１層間絶縁膜２６及び第２層間絶縁膜２７は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極２５は、半導体膜１９のチャネル領域２３に対応する位置に設けられている。
【００３０】
半導体膜１９のソース領域２１は、第１層間絶縁膜２６及びゲート絶縁膜２４を貫通して設けられたコンタクトホール２８を介して、第１層間絶縁膜２６上に形成された信号線２９と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域２２は、第２層間絶縁膜２７、第１層間絶縁膜２６、ゲート絶縁膜２４を貫通して設けられたコンタクトホール３１を介して、第２層間絶縁膜２７上に形成された画素電極３２と電気的に接続されている。
【００３１】
画素電極３２は、例えば、発光領域１２ごとに形成されている。また、画素電極３２は、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、発光領域１２における発光を下方のガラス基板１３側に射出させることが可能となっている。また、画素電極３２は、例えば、平面方向に見て丸形状となっている。なお、回路素子層１４には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスタが形成されている。このようにして、回路素子層１４には、各画素電極３２に接続された駆動用のトランジスタが形成されている。
【００３２】
発光素子層１５は、発光素子３５を具備してガラス基板１３上に形成されている。詳述すると、発光素子層１５は、画素電極３２上に形成された機能層３３と、機能層３３を区画するバンク３４とを主体として構成されている。機能層３３上及びバンク３４上には、陰極１６が配置されている。画素電極３２と、機能層３３と、陰極１６とによって発光素子３５が構成されている。
【００３３】
回路素子層１４とバンク３４との間には、絶縁層３６が形成されている。絶縁層３６は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。絶縁層３６は、隣り合う画素電極３２間の絶縁性を確保すると共に、発光領域１２の形状を所望の形状（例えば、丸形状）にするために、画素電極３２の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、画素電極３２と絶縁層３６とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。また、絶縁層３６は、発光領域１２を除いた領域に形成されていることになる。
【００３４】
バンク３４は、発光領域１２が集まる領域を囲むように形成されている。つまり、囲まれた領域がバンク３４の開口部３７となる。開口部３７は、長辺４３と短辺４４とを有する細長状の形状となっている（図２参照）。バンク３４の材質としては、例えば、有機材料が挙げられる。
【００３５】
開口部３７の内周側壁には、第１親液膜４１と第２親液膜４２（図２参照）とが形成されている。具体的には、例えば、開口部３７の中に吐出された機能層３３の液体材料が、開口部３７における長辺４３側と短辺４４側とで位置にばらつきがあることから、正規の位置に移動させるために用いられる。
【００３６】
機能層３３は、例えば、正孔注入輸送層と、発光層と、電子注入輸送層とがバンク３４に囲まれた領域、すなわち開口部３７に、インクジェット法を用いて順に形成されている。詳述すると、正孔注入輸送層は、正孔注入層と正孔輸送層とが積層されて構成されている。電子注入輸送層は、電子輸送層と電子注入層とが積層されて構成されている。
【００３７】
陰極１６は、機能層３３及びバンク３４を含む基板上の全体にベタ状に形成されている。具体的には、陰極１６は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極１６の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。なお、発光素子層１５と陰極１６とによって発光素子３５が構成される。
【００３８】
上述した発光層は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極３２と陰極１６との間に電圧を印加することによって、発光層には、正孔注入層から正孔が、また、陰極１６から電子が注入される。発光層において、これらが結合したときに光を発する。
【００３９】
図２は、有機ＥＬ装置のバンクの構造を示す模式図である。（ａ）は、バンクの構造を上方から見た模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示すバンクのＡ−Ａ断面に沿う模式断面図である。（ｃ）は、（ａ）に示すバンクのＢ−Ｂ断面に沿う模式断面図である。以下、バンク３４の構造を、図２を参照しながら説明する。なお、図２に示すバンク３４は、上記した画素電極３２及び絶縁層３６の図示を省略している。
【００４０】
バンク３４は、上記したように、機能層３３を区画する開口部３７を有する。開口部３７は、例えば、平面視で長辺４３と短辺４４とを有する細長状に形成されている。開口部３７の大きさは、例えば、短辺４４側が７６０μｍ、長辺４３側が３０ｃｍである。バンク３４の高さ（開口部３７の深さ）は、例えば、２μｍである。バンク３４の材質としては、例えば、アクリル樹脂が挙げられる。
【００４１】
開口部３７の長辺４３側には、親液性の高い（濡れ性の高い）第１親液膜４１が形成されている。具体的には、長辺４３側の中央近傍の下側に形成されている。より具体的には、バンク３４の側壁３４ａと絶縁層３６（底面側、図１参照）に隣接するように形成されている。第１親液膜４１は、例えば、その下側に形成されているシリコン酸化膜からなる絶縁層３６よりも親液性が高い。
【００４２】
第１親液膜４１の厚み（高さ方向）は、例えば、１００ｎｍ〜１０００ｎｍである。第１親液膜４１は、金属酸化物であり、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ2）に紫外線が照射され親液性が高められている。
【００４３】
また、第１親液膜４１は、多孔質構造を有していることが望ましい。多孔質構造により、露出する表面積を多くすることが可能となり、液体４５と接触する面積を多くすることができる。よって、液体４５とより馴染みやすくすることが可能となり、短辺４４側にある液体４５を、長辺４３側（開口部３７の中央付近）に引き寄せることができる。
【００４４】
開口部３７の短辺４４側には、第１親液膜４１より相対的に親液性の低い第２親液膜４２が形成されている。具体的には、短辺４４側（長辺４３側の一部の領域を含む）の下側に形成されている。より具体的には、バンク３４の側壁３４ａと絶縁層３６（図１参照）に隣接するように形成されている。
【００４５】
第２親液膜４２の厚み（高さ方向）は、例えば、５００ｎｍ以下である。第２親液膜４２は、例えば、酸化チタンで構成されている。つまり、第２親液膜４２の親液性が、第１親液膜４１と比較して相対的に低くなるようになっている。
【００４６】
また、第２親液膜４２は、例えば、その周囲に形成されているアクリル樹脂からなるバンク３４よりも親液性が低い。なお、第２親液膜４２の親液性がバンク３４よりも高い場合であっても、第１親液膜４１より相対的に親液性が低いことが好ましい。
【００４７】
ここで、「親液性が高い」とは、液体４５との接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、親液性を高くした長辺４３側の領域に、液体４５が充填しやすくなった（移動しやすくなった）と言える。
【００４８】
一方、「親液性が低い」とは、液体４５との接触角が相対的に大きいことを指す。つまり、親液性を低くした短辺４４側の領域から外部に、液体４５が溢れにくくなったと言える。更に、短辺４４側にある液体４５を、長辺４３側（中央側）に移動させることができる。
【００４９】
開口部３７の側壁３４ａに形成された第１親液膜４１及び第２親液膜４２によって、開口部３７の中に吐出される液体４５（例えば、正孔輸送層の液体材料）を開口部３７の中央側に濡れ広がりやすくすることができる。よって、開口部３７にある液体４５全体の位置のバランスを良好に保つことができる。これにより、液体４５の厚みを均一にすることができる。
【００５０】
より具体的には、長辺４３側に第１親液膜４１を形成し短辺４４側に第２親液膜４２を形成することにより、開口部３７の中にインクジェット法を用いて液体４５を吐出した際、液体４５の量が多い場合、短辺４４側に寄った液体４５を長辺４３側に引き寄せる（移動させる）ことが可能となる。よって、液体４５が短辺４４側から溢れて出ることを抑えることができ、歩留まりを向上させることができる。更に、短辺４４側に寄った液体４５を開口部３７の中央付近に移動させて、開口部３７の中の液体４５のバランスを整えることが可能となるので、所望の膜厚を均一に形成することができる。
【００５１】
図３は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す工程図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図３を参照しながら説明する。
【００５２】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１の製造方法は、まずステップＳ１では、ガラス基板１３上に、成膜技術を用いて回路素子層１４を形成する。ステップＳ２では、回路素子層１４上に、ＩＴＯからなる画素電極３２を形成する。
【００５３】
ステップＳ３では、画素電極３２上を含む回路素子層１４上に、絶縁層３６を形成する。詳しくは、まず、絶縁層３６の材料となる、例えば、シリコン酸化膜を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、画素電極３２上及び回路素子層１４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層３６のうち発光領域１２に対応する領域に開口部を形成する。
【００５４】
ステップＳ４では、発光領域１２が集合する領域を囲むようにバンク３４を形成する。具体的には、例えば、アクリル樹脂からなるバンク３４を基板上の全体に形成し、その後、長辺４３と短辺４４とを有する細長状の開口部３７を形成する。
【００５５】
ステップＳ５では、開口部３７の側壁３４ａに第１親液膜４１と第２親液膜４２とを形成する。まず、例えば真空蒸着法を用いて、基板上に酸化チタンからなる膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、開口部３７の内周のみに酸化チタン膜が残るように膜を除去する。酸化チタン膜の厚み（高さ方向）は、例えば、１００ｎｍ〜１０００ｎｍである。
【００５６】
次に、開口部３７における長辺４３側の酸化チタン膜にＵＶ光（紫外線）を照射する。これにより、長辺４３側にある酸化チタン膜の親液性を、短辺４４側にある酸化チタン膜と比較して、相対的に高くすることができる。このような製造方法により、同じ材料を用いて第１親液膜４１と第２親液膜４２とを形成するので、比較的簡単な製造プロセスによって形成することができる。
【００５７】
以上により、開口部３７における長辺４３側の側壁３４ａに第１親液膜４１を、短辺４４側の側壁３４ａに第２親液膜４２を形成することができる。そして、第２親液膜４２と比較して、第１親液膜４１の液体４５との接触角を小さくすることができる。これにより、第１親液膜４１の濡れ性を第２親液膜４２より相対的に高くすることが可能となり、短辺４４側にある液体４５を長辺４３側（開口部３７の中央付近）に移動させることができる。
【００５８】
なお、第１親液膜４１を形成する際、酸化チタン膜を多孔質構造にして形成することにより、更に、親液性を向上させることができる。
【００５９】
ステップＳ６では、画素電極３２上を含むバンク３４で囲まれた開口部３７に、正孔注入輸送層を形成する。具体的には、まず、開口部３７の中に、正孔注入層の材料を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）によって吐出する。次に、材料を乾燥又は焼成して正孔注入層を形成する。同様にして、正孔輸送層も形成する。
【００６０】
ステップＳ７では、正孔注入輸送層上に発光層を形成する。製造方法は、上記した正孔注入輸送層と同様に行う。ステップＳ８では、発光層上に電子注入輸送層を、上記した方法と同様にして形成する。電子注入輸送層は、電子輸送層と電子注入層とを順に形成する。
【００６１】
例えば、液体４５と濡れ性の悪い（マッチングの悪い）下地に対して液体４５を吐出した場合、液体４５の量が少ないと弾く。よって、大量に吐出することによって開口部３７の中を埋めると、開口部３７の短辺４４側から液体４５が溢れてしまうという問題がある。更に、液体４５の濃度が薄い場合、特に、短辺４４側から溢れやすいという問題がある。
【００６２】
しかしながら、開口部３７において、長辺４３側の領域に親液性の高い第１親液膜４１を形成し、短辺４４側の領域に第１親液膜４１より相対的に親液性の低い第２親液膜４２を形成するので、機能層３３の材料（液体４５）を塗布した際に、液体４５が比較的溢れやすい短辺４４側にある液体４５を、長辺４３側（開口部３７の中央付近）に移動させる（引き込む）ことができる。よって、開口部３７の中にある液体４５の厚みが不均一になることを抑えることができる。なお、液体４５と下地とのマッチングがよければ、吐出する液体４５を少なくするようにしてもよい。
【００６３】
ステップＳ９では、機能層３３及びバンク３４が形成されたガラス基板１３上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極１６を形成する。形成されたカルシウム膜は、例えば、５ｎｍである。形成されたアルミニウム膜は、例えば、３００ｎｍである。
【００６４】
ステップＳ１０では、陰極１６上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行う。以上により、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００６５】
図４は、有機ＥＬ装置が組み込まれた光書き込みヘッドモジュールを示す斜視図である。以下、有機ＥＬ装置を備えた光書き込みヘッドモジュールの構成を、図４を参照しながら説明する。
【００６６】
図４に示すように、光書き込みヘッドモジュール１０１Ｋは、円柱状の感光体ドラム７１Ｋと平行に、これと対向した状態で用いられる。光書き込みヘッドモジュール１０１Ｋは、感光体ドラム７１Ｋと平行な方向に配設された箱体７７と、箱体７７と感光体ドラム７１Ｋとの間に位置するように箱体７７に取り付けられた光学部材７８とを備えている。箱体７７は、感光体ドラム７１Ｋ側に開口部を有しており、その開口部に向かって光が射出されるように有機ＥＬ装置１１が固定されている。光学部材７８は、内部にセルフォック（登録商標）レンズアレイを備えており、有機ＥＬ装置１１の発光素子３５から射出され、一端に入射した光を、他端側から射出して感光体ドラム７１Ｋの表面で集光、照射（描画）する。
【００６７】
図５は、上記した有機ＥＬ装置を有する光書き込みヘッドモジュールを備えた電子機器の一例として画像形成装置を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置を有する光書き込みヘッドモジュールを備えた画像形成装置の構造を、図５を参照しながら説明する。
【００６８】
図５に示すように、画像形成装置８０は、有機ＥＬ装置１１が組み込まれた光書き込みヘッドモジュール１０１Ｋ，１０１Ｃ，１０１Ｍ，１０１Ｙを備えており、これらに対応して４個の感光体ドラム（像担持体）７１Ｋ，７１Ｃ，７１Ｍ，７１Ｙが配置されたタンデム方式として構成されたものである。
【００６９】
この画像形成装置８０は、駆動ローラ９１と従動ローラ９２とテンションローラ９３とを備え、これら各ローラに中間転写ベルト９０を、図５中矢印方向（反時計方向）に循環駆動するよう張架したものである。この中間転写ベルト９０に対して、感光体ドラム７１Ｋ，７１Ｃ，７１Ｍ，７１Ｙが所定間隔で配置されている。これら感光体ドラム７１Ｋ，７１Ｃ，７１Ｍ，７１Ｙは、その外周面が像担持体としての感光層となっている。
【００７０】
ここで、上記符号中のＫ、Ｃ、Ｍ、Ｙは、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローを意味し、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエロー用の感光体であることを示している。なお、これら符号（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の意味は、他の部材についても同様である。感光体ドラム７１Ｋ，７１Ｃ，７１Ｍ，７１Ｙは、中間転写ベルト９０の駆動と同期して、図５中矢印方向（時計方向）に回転駆動するようになっている。
【００７１】
各感光体ドラム７１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の周囲には、それぞれ感光体ドラム７１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の外周面を一様に帯電させる帯電手段（コロナ帯電器）７２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この帯電手段７２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）によって一様に帯電させられた外周面を感光体ドラム７１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転に同期して順次ライン走査する光書き込みヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。
【００７２】
また、光書き込みヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で形成された静電潜像に現像剤であるトナーを付与して可視像（トナー像）とする現像装置７４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、現像装置７４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で現像されたトナー像を一次転写対象である中間転写ベルト９０に順次転写する転写手段としての一次転写ローラ７５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。また、転写された後に感光体ドラム７１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニング装置７６（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）が設けられている。
【００７３】
各光書き込みヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、各有機ＥＬ装置１１のアレイ方向（発光素子３５の整列方向）が感光体ドラム７１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転軸に平行となるように設置されている。そして、各光書き込みヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の主発光波長と、感光体ドラム７１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の感度ピーク波長とが略一致するように設定されている。
【００７４】
現像装置７４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、例えば、現像剤として非磁性一成分トナーを用いる。そして、その一成分現像剤を例えば供給ローラで現像ローラへ搬送し、現像ローラ表面に付着した現像剤の膜厚を規制ブレードで規制し、その現像ローラを感光体ドラム７１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に接触させあるいは押圧せしめることにより、感光体ドラム７１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の電位レベルに応じて現像剤を付着させ、トナー像として現像するものである。
【００７５】
このような４色の単色トナー像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各トナー像は、一次転写ローラ７５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に印加される一次転写バイアスによって中間転写ベルト９０上に順次一次転写される。そして、中間転写ベルト９０上で順次重ね合わされてフルカラーとなったトナー像は、二次転写ローラ６６において用紙等の記録媒体Ｐに二次転写され、更に、定着部である定着ローラ対６１を通ることで記録媒体Ｐ上に定着される。その後、排紙ローラ対６２によって装置上部に形成された排紙トレイ６８上に排出される。
【００７６】
なお、図５中の符号６３は多数枚の記録媒体Ｐが積層保持されている給紙カセット、６４は給紙カセット６３から記録媒体Ｐを一枚ずつ給送するピックアップローラ、６５は二次転写ローラ６６の二次転写部への記録媒体Ｐの供給タイミングを規定するゲートローラ対、６６は中間転写ベルト９０との間で二次転写部を形成する二次転写手段としての二次転写ローラ、６７は二次転写後に中間転写ベルト９０の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニングブレードである。
【００７７】
この画像形成装置８０は、上記した有機ＥＬ装置１１を有する光書き込みヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）が露光手段として備えられている。このため、画像形成装置８０は、感光体ドラム７１Ｋに対して均一な発光光を射出することが可能となり、高品位な画像を形成することができる。
【００７８】
なお、上記有機ＥＬ装置１１は、電子機器としての照明機器、携帯電話機、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器等の表示部に、表示装置として搭載して用いることもできる。
【００７９】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８０】
（１）本実施形態によれば、開口部３７における長辺４３側の領域に親液性（濡れ性）の高い第１親液膜４１を形成し、短辺４４側の領域に第１親液膜４１より相対的に親液性の低い第２親液膜４２を形成することにより、長辺４３側の領域に液体４５を馴染ませることが可能となり、短辺４４側にある液体４５を長辺４３側の方向に移動させる（開口部３７の中央付近に引き寄せる）ことができる。よって、短辺４４側から機能層３３の材料である液体４５が溢れることを抑えることができる。更に、開口部３７の中に塗布された液体４５の厚みを均一にすることができる。これにより、歩留まりを向上させることができる。また、バンク３４を高くしなくても液体４５が溢れないので、バンク３４が高くなった場合に生じる陰極１６にクラックが発生することを防ぐことができる。
【００８１】
（２）本実施形態によれば、第１親液膜４１が多孔質構造を有しているので、露出する第１親液膜４１の表面積を多くすることが可能となり、液体４５と接触する面積を増やすことができる。よって、長辺４３側の領域に液体４５をより馴染ませることが可能となり、短辺４４側にある液体４５を長辺４３側により移動させることができる。
【００８２】
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式図である。（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ断面に沿う模式断面図である。第２実施形態の有機ＥＬ装置５１は、長辺４３側にある第１親液膜５２を、複数に分割すると共にそれぞれ間隔をおいて形成する部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置５１の構造を、図６を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００８３】
図６に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置５１は、開口部３７における長辺４３側に親液性の高い第１親液膜５２（５２ａ）が形成されており、短辺４４側に第１親液膜５２より相対的に親液性が低い第２親液膜５３が形成されている。
【００８４】
第１親液膜５２は、複数の親液膜５２ａによって構成されており、それぞれが間隔（隙間５２ｂ）をおいて形成されている。具体的には、第１実施形態と同様に、バンク３４の側壁３４ａと絶縁層３６（図１参照）とに隣接するように形成されている。
【００８５】
また、第１親液膜５２は、酸化チタンで構成されており、紫外線が照射されて更に親液性が高い状態となっている。第２親液膜５３は、酸化チタンで構成されている。つまり、第１親液膜５２が、第２親液膜５３と比較して相対的に親液性が高くなるようになっている。
【００８６】
第１親液膜５２の製造方法としては、上記した成膜技術、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いて形成することができる。具体的には、まず、バンク３４を含む基板上に酸化チタン膜を成膜する。次に、フォトマスクを用いて、不要な膜を除去する。このとき、親液膜５２ａと親液膜５２ａとの間に、隙間が空くように除去する。以上により、複数に分割された第１親液膜５２が形成される。
【００８７】
また、第１実施形態と同様に、第１親液膜５２を多孔質構造に形成することが望ましい。これにより、液体と接触する第１親液膜５２の表面積を多くすることが可能となり、液体４５をより馴染ませることができる。
【００８８】
このように、第１親液膜５２が複数に分割されていると共に、それぞれ間隔をおいて形成されていることにより、露出する第１親液膜５２の表面積を多くすることができる。これにより、第１親液膜５２と液体４５との接触面積を多くすることができ、より液体４５を馴染ませることができる。更に、それぞれの親液膜５２ａとの間にできた隙間５２ｂによって毛細管現象を引き起こし、液体４５を隙間５２ｂの方向に引っ張ることができる。よって、短辺４４側にある液体４５を長辺４３側の方向（開口部３７の中央付近）に引っ張る（移動させる）ことができる。
【００８９】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００９０】
（３）第２実施形態によれば、第１親液膜５２が分割されていると共に間隔を空けて形成されていることにより、露出する第１親液膜の表面積を多くすることが可能となり、より液体４５と接触する面積を増やすことができる。よって、分割された長辺４３側の領域に液体４５をより馴染ませることが可能となり、短辺４４側にある液体４５を長辺４３側により移動させることができる。これにより、開口部３７の中にある液体４５（機能層３３）の厚みの均一性を向上させることができる。
【００９１】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００９２】
（変形例１）
上記したように、バンク３４の開口部３７に第１親液膜４１と第２親液膜４２との両方を形成することに代えて、例えば、第１親液膜４１のみを形成するようにしてもよい。この場合、例えば、バンク３４にＣＦ4プラズマ処理などの撥液処理が施してあれば、第１親液膜４１のみであったとしても、短辺４４側の領域から第１親液膜４１が形成された長辺４３側の領域に液体４５を移動させることができる。なお、撥液処理を施していなくても、短辺４４側の領域と比較して長辺４３側の領域の親液性が高い場合であれば、液体４５を移動させることができる。吐出した後の液体４５の状態を見て、撥液処理をするか否かを判断することが望ましい。
【００９３】
（変形例２）
上記したように、第１親液膜４１の材料に酸化チタンを用いることに限定されず、例えば、金属酸化物であればよく、酸化アルミニウム、窒化シリコン、多孔質シリカ、酸化チタンとシリカの混合物等であってもよい。この場合、酸化チタンやこれらの材料を組み合わせて、互いに親液性の異なる第１親液膜４１及び第２親液膜４２を形成するようにする。また、これらの膜の多孔質構造を用いるようにすれば、更に親液性の効果が期待できる。
【００９４】
（変形例３）
上記したように、第１親液膜４１及び第２親液膜４２をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術で形成することに限定されず、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ2）を含んだペースト状の材料を転写技術等でバンク３４の側壁に形成するようにしてもよい。そして、これを焼き固めることによって膜を形成する。なお、異なる親液性を得るために、２種類の膜材料を転写してもよいし、同じ膜材料を転写してから紫外線を照射する等して膜質を変えるようにしてもよい。また、上記したペースト状の材料を焼き固めることにより、多孔質状の膜を形成することができる。
【００９５】
（変形例４）
上記したように、親液膜は多孔質構造であることに限定されず、多孔質構造がない構造であってもよい。この場合、多孔質構造でなくても、短辺４４側の親液性と比較して長辺４３側の親液性が高いことが望ましい。また、多孔質構造は、蒸着する際の成膜条件を変えることによって形成するようにしてもよいし、ペースト状の材料を付けたあとに焼き固めることによって形成するようにしてもよい。
【００９６】
（変形例５）
上記したように、液体４５は、正孔輸送層の材料に限定されず、例えば、比較的液体の濃度が薄い材料に適用するようにしてもよい。
【００９７】
（変形例６）
上記したように、開口部３７の側壁３４ａの下側に第１親液膜４１及び第２親液膜４２を形成することに限定されず、例えば、吐出される液体４５の量に応じてバンク３４の側壁の上側まで形成するようにしてもよい。
【００９８】
（変形例７）
上記したように、第１親液膜４１及び第２親液膜４２をバンク３４の側壁３４ａに形成することに限定されず、例えば、バンク３４と絶縁層３６との間に形成し、端部が側壁３４ａからはみ出すようにして形成するようにしてもよい。これによれば、開口部３７の底部周囲に第１親液膜４１及び第２親液膜４２が形成されることから、短辺４４側から長辺４３側に液体４５を移動させることが可能となり、液体４５が短辺４４側から溢れることを抑えることができる。
【００９９】
また、第２親液膜４２を、以下のように製造してもよい。バンク３４をハーフ露光等の方法で周囲のバンク３４より薄く（例えば、５００ｎｍ以下）形成する。なお、バンク３４には、ＣＦ4プラズマ処理が施されている。この薄くなった領域に低エネルギー電子線を照射して親液性を与える。このようにして膜を形成することにより、第１親液膜４１より親液性が劣る第２親液膜４２が完成する。
【０１００】
（変形例８）
上記したように、第１親液膜４１の膜厚（１００ｎｍ〜１０００ｎｍ）と第２親液膜４２の膜厚（５００ｎｍ以下）とに差を設けていることに限定されず、同じ膜厚に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図２】有機ＥＬ装置のバンクの構造を示す模式図であり、（ａ）はバンクの構造を上方から見た模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示すバンクのＡ−Ａ断面に沿う模式断面図、（ｃ）は（ａ）に示すバンクのＢ−Ｂ断面に沿う模式断面図。
【図３】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す工程図。
【図４】有機ＥＬ装置が組み込まれた光書き込みヘッドモジュールを示す斜視図。
【図５】有機ＥＬ装置を有する光書き込みヘッドモジュールを備えた電子機器の一例として画像形成装置を示す模式断面図。
【図６】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図、（ｃ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ断面に沿う模式断面図。
【図７】従来の有機ＥＬ装置の構造を示す模式図。
【符号の説明】
【０１０２】
１１…有機ＥＬ装置、１２…発光領域、１３…ガラス基板、１４…回路素子層、１５…発光素子層、１６…陰極、１７…下地保護膜、１８…ＴＦＴ素子、１９…半導体膜、２１…ソース領域、２２…ドレイン領域、２３…チャネル領域、２４…ゲート絶縁膜、２５…ゲート電極、２６…第１層間絶縁膜、２７…第２層間絶縁膜、２８…コンタクトホール、２９…信号線、３１…コンタクトホール、３２…画素電極、３３…機能層、３４…バンク、３４ａ…側壁、３５…発光素子、３６…絶縁層、３７…開口部、４１…第１親液膜、４２…第２親液膜、４３…長辺、４４…短辺、４５…液体、５１…有機ＥＬ装置、５２…第１親液膜、５２ａ…親液膜、５３…第２親液膜、８０…電子機器としての画像形成装置、１０１…光書き込みヘッドモジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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