(57)【要約】【課題】光ピックアップでの消費電力を効果的に低減できる光ディスク装置および発光素子の駆動方法を提供する。【解決手段】光ディスク装置が，光ディスクに光を照射する発光素子と，前記発光素子から出射される光を受光し，前記発光素子の光量に対応する光量信号を出力する光検出部と，前記光量信号と基準光量信号の差分に基づいて，制御信号を生成する差分検出部と，前記制御信号に基づいて，第１の電流を供給する第１の電流供給部と，第２の電流を供給する第２の電流供給部と，前記第１，第２の電流を加算して，第３の電流を生成し，前記発光素子に供給する電流加算部と，前記第１の電流供給部と前記加算部が配置される光ピックアップと，前記第２の電流供給部が配置される回路基板と，を具備する。【選択図】図１
2009176379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに光を照射する発光素子と，
前記発光素子から出射される光を受光し，前記発光素子の光量に対応する光量信号を出力する光検出部と，
前記光量信号と基準光量信号の差分に基づいて，制御信号を生成する差分検出部と，
前記制御信号に基づいて，第１の電流を供給する第１の電流供給部と，
第２の電流を供給する第２の電流供給部と，
前記第１，第２の電流を加算して，第３の電流を生成し，前記発光素子に供給する電流加算部と，
前記第１の電流供給部と前記加算部が配置される光ピックアップと，
前記第２の電流供給部が配置される回路基板と，
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記発光素子の動作電圧を検出する電圧検出部と，
前記動作電圧に基づいて，第１の電流供給部に印加する電源電圧を制御する電圧制御部と，
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記第１の電流に基づいて，前記第２の電流の調整の要否を決定する要否決定部と，
前記決定に基づいて，前記第２の電流を調整する電流調整部と，
をさらに具備することを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記ピックアップの温度に基づいて，前記第２の電流の調整の要否を決定する要否決定部と，
前記決定に基づいて，前記第２の電流を調整する電流調整部と，
をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記電流調整部が，
前記第１の電流に基づき，前記第２の電流の値を決定する値決定部と，
前記値に従い，前記第２の電流の供給量を制御する制御部と，を有する
ことを特徴とする請求項３または４に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記電流調整部が，前記第２の電流供給部を制御して，前記第１の電流が所定値以下になるまで，前記第２の電流を増加させる，
ことを特徴とする請求項３または４に記載の光ディスク装置。
【請求項７】
前記電流調整部が，
前記差分検出器を制御して，前記制御信号の出力を停止させる第１の制御部と，
前記第２の電流供給部を制御して，前記光量信号の値が所定値以上になるまで，前記第２の電流を増加させる第２の制御部と，
前記差分検出器を制御して，前記制御信号の出力を再開させる第３の制御部と，を有する，
ことを特徴とする請求項３または４に記載の光ディスク装置。
【請求項８】
光ディスクに光を照射する発光素子の制御方法であって，
前記発光素子から出射される光を受光し，前記発光素子の光量に対応する光量信号を出力するステップと，
前記光量信号と基準光量信号の差分に基づいて，制御信号を生成するステップと，
光ピックアップ上から，前記制御信号に基づいて，第１の電流を供給するステップと，
回路基板上から，第２の電流を供給するステップと，
前記光ピックアップ上で，前記第１，第２の電流を加算して，第３の電流を生成し，前記発光素子に供給するステップと，
を具備することを特徴とする発光素子の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，光ディスク装置および発光素子の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光の光量を一定に保つように制御することで，レーザ駆動部での消費電力を一定に保つ光ディスクドライブに関する技術が公開されている（特許文献１参照）。レーザ駆動回路での損失を低減し，光ピックアップの消費電力および温度上昇を低減できる。
【特許文献１】特開２００３−１６８２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで，上述の光ディスクでは，レーザの駆動電流をレーザ駆動回路で消費する。このため，光ピックアップでの消費電力は駆動電流に比例し，それ以上に消費電力を低減することができない。
上記に鑑み，本発明は光ピックアップでの消費電力を効果的に低減できる光ディスク装置および発光素子の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様に係る光ディスク装置は，光ディスクに光を照射する発光素子と，前記発光素子から出射される光を受光し，前記発光素子の光量に対応する光量信号を出力する光検出部と，前記光量信号と基準光量信号の差分に基づいて，制御信号を生成する差分検出部と，前記制御信号に基づいて，第１の電流を供給する第１の電流供給部と，第２の電流を供給する第２の電流供給部と，前記第１，第２の電流を加算して，第３の電流を生成し，前記発光素子に供給する電流加算部と，前記第１の電流供給部と前記加算部が配置される光ピックアップと，前記第２の電流供給部が配置される回路基板と，を具備することを特徴とする。
【０００５】
本発明の一態様に係る発光素子の制御方法は，光ディスクに光を照射する発光素子の制御方法であって，前記発光素子から出射される光を受光し，前記発光素子の光量に対応する光量信号を出力するステップと，前記光量信号と基準光量信号の差分に基づいて，制御信号を生成するステップと，光ピックアップ上から，前記制御信号に基づいて，第１の電流を供給するステップと，回路基板上から，第２の電流を供給するステップと，前記光ピックアップ上で，前記第１，第２の電流を加算して，第３の電流を生成し，前記発光素子に供給するステップと，を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば，光ピックアップでの消費電力を効果的に低減できる光ディスク装置および発光素子の駆動方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下，図面を参照して，本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は，本発明の一実施形態に係るレーザ駆動回路１００の構成を示す回路図である。レーザ駆動回路１００は，光ディスク装置に搭載され，レーザ光源１１０，レーザ制御回路１２０，電源電圧生成回路１３０，Ｏ／Ｅ（光／電気）変換器１４０，ＣＰＵ(Central Processing Unit)１５１，メモリ１５２を有する。これらは，光ディスク装置内のＰＣＢ（printed circuit board：プリント配線基板）１７１，ＦＰＣ（flexible printed circuit：フレキシブルプリント配線基板）１７２，光ピックアップ１７３上に配置される。
【０００８】
レーザ光源１１０は，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３を有し，光ディスク（例えば，ＣＤ（Compact Disk），ＤＶＤ（Digital Versatile Disk），ＨＤ−ＤＶＤ（High Definition ＤＶＤ））にレーザ光を照射する。即ち，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３は，光ディスクに光を照射する発光素子として機能する。
【０００９】
レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３はそれぞれ，レーザ制御回路１２０から供給される駆動電流Ｉｌｄにより駆動され，異なる波長のレーザ光を発生する。例えば，ＣＤ，ＤＶＤ，ＨＤ−ＤＶＤそれぞれに対応して，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３それぞれから赤外，赤色，青紫色のレーザ光を出射する。
【００１０】
レーザ制御回路１２０は，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３に駆動電流Ｉｌｄを供給する。駆動電流Ｉｌｄは，バイアス電流Ｉｂと制御電流Ｉｃの加算により生成される。レーザ制御回路１２０は，信号制御回路１２１，誤差検出回路１２２，切替スイッチ１２３，バイアス電流制御回路１２４，電流増幅回路１２５，動作電圧検出回路１２６，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３，バイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３，スイッチＳＷ１ａ〜ＳＷ３ａ，ＳＷ１ｂ〜ＳＷ３ｂ，出力切替制御回路１２７，温度センサ１２８を有する。
【００１１】
信号制御回路１２１は，ＣＰＵ１５１によって制御され，Ｏ／Ｅ変換器１４０から出力される検出光量信号Ｓ０の比較対象（基準）である基準光量信号Ｓ１を出力する。基準光量信号Ｓ１に基づいて，電流制御信号Ｓ２，ひいては制御電流Ｉｃ，駆動電流Ｉｌｄが制御される。後述のように，検出光量信号Ｓ０の電圧がレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の光量Ａｌｄを表すことから，基準光量信号Ｓ１の電圧値が目標光量Ａｌｄを表す。
【００１２】
誤差検出回路１２２は，Ｏ／Ｅ変換器１４０から出力される検出光量信号Ｓ０と基準光量信号Ｓ１を比較し，これらの差分（誤差）が０になるような電流制御信号Ｓ２を出力する。即ち，誤差検出回路１２２は，光量信号と基準光量信号の差分に基づいて，制御信号を生成する差分検出部として機能する。
【００１３】
具体的には，誤差検出回路１２２は，検出光量信号Ｓ０（レーザ光源１１０から出射されるレーザ光の光量Ａｌｄ）が基準光量信号Ｓ１（基準光量Ａｔ）と一致するように，レーザ光源１１０を制御する。具体的には，検出光量信号Ｓ０が基準光量信号Ｓ１より小さいとき，電流制御信号Ｓ２，ひいては駆動電流Ｉｌｄが増加する。また，検出光量信号Ｓ０が基準光量信号Ｓ１より大きいとき，電流制御信号Ｓ２，ひいては駆動電流Ｉｌｄが減少する。電流制御信号Ｓ２の増減により，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３からの光量Ａｌｄが増減され，基準光量Ａｔに近づく。検出光量信号Ｓ０が基準光量信号Ｓ１と等しいとき（光量Ａｌｄが基準光量Ａｔと一致するとき），電流制御信号Ｓ２は一定に保たれる。
【００１４】
後述のように，電流制御信号Ｓ２は，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３で増幅されて，制御電流Ｉｃとなる。即ち，電流制御信号Ｓ２の電流値自体が電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を制御する制御量である。
【００１５】
切替スイッチ１２３は，検出光量信号Ｓ０，電流制御信号Ｓ２の何れをＣＰＵ１５１が検出するかを選択するためのスイッチである。
【００１６】
バイアス電流制御回路１２４は，ＣＰＵ１５１によって制御され，バイアス電流Ｉｂの基準となるバイアス電流基準信号Ｓｂを出力する。電流増幅回路１２５は，電流源として機能し，バイアス電流基準信号Ｓｂを増幅してバイアス電流Ｉｂを生成する。バイアス電流Ｉｂを大きくすることで，制御電流Ｉｃを低減し，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力，ひいては光ピックアップ１７３での消費電力を低減できる。電流増幅回路１２５は，第２の電流を供給する第２の電流供給部として機能する。
【００１７】
レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯状態が継続する場合（例えば，光ディスクからの読み出し時）には，駆動電流Ｉｌｄの大部分をバイアス電流Ｉｂとすることで，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力を大幅に低減できる。一方，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３を点滅する場合（例えば，光ディスクへの書き込み時）には，バイアス電流ＩｂをレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の閾電流（発振閾値）程度以下とすることが，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の駆動上好ましい。このために，バイアス電流Ｉｂに対して最適値（例えば，後述の最適バイアス電流Ｉｂ_ｏｐｔ）を設定することが考えられる。
【００１８】
動作電圧検出回路１２６は，電流増幅回路１２５の出力端での電圧Ｖｂを動作電圧検出信号Ｓｖに変換し，ＣＰＵ１５１で読み取り可能とする。この電圧Ｖｂは，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧Ｖｌｄに対応する。このため，動作電圧検出回路１２６は，発光素子の動作電圧を検出する電圧検出部として機能する。
【００１９】
正確には，電圧Ｖｂは，動作電圧Ｖｌｄにバイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３内の電圧Ｖｓ（例えば，後述のショットキーダイオードの順方向電圧）を加えたものにほぼ等しい（Ｖｂ＝Ｖｌｄ＋Ｖｓ）。バイアス電流Ｉｂが流れる信号線には，この電圧Ｖｓがオフセット電圧として加わるものの，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧Ｖｌｄに応じた電圧が発生する。即ち，ＣＰＵ１５１は，動作電圧検出回路１２６によって，電圧Ｖｂ，ひいては動作電圧Ｖｌｄを検出できる。
【００２０】
電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３はそれぞれ，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３に対応し，電源電圧生成回路１３０から供給される電源電圧Ｖｃｃによって，電流制御信号Ｓ２を増幅し，制御電流Ｉｃを生成する。電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３は制御信号に基づいて，第１の電流を供給する第１の電流供給部として機能する。
【００２１】
バイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３はそれぞれ，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３に対応し，制御電流Ｉｃにバイアス電流Ｉｂを加算し，駆動電流Ｉｌｄを出力する（Ｉｌｄ＝Ｉｃ＋Ｉｂ）。即ち，バイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３は，第１，第２の電流を加算して，第３の電流を生成し，発光素子に供給する電流加算部として機能する。
【００２２】
ここで，バイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３は，電流増幅回路１２５側の入力端側に，逆流防止手段，例えば，ショットキーダイオードを備える。これは，制御電流Ｉｃが電流増幅回路１２５側に流入することを防止するためである（制御電流Ｉｃの全てをレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３に流入させる）。例えば，バイアス電流Ｉｂが小さい場合，制御電流Ｉｃが電流増幅回路１２５側に流入し，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の光量Ａｌｄの低下等の原因となる。なお，このような逆流防止手段は，バイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３ではなく，電流増幅回路１２５に設けても良い。
【００２３】
スイッチＳＷ１ａ〜ＳＷ３ａ，ＳＷ１ｂ〜ＳＷ３ｂは，出力切替制御回路１２７によって制御され，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の何れに駆動電流Ｉｌｄを供給するかを切り替える。スイッチＳＷ１ａ〜ＳＷ３ａは，電流制御信号Ｓ２を入力する電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を選択する。また，スイッチＳＷ１ｂ〜ＳＷ３ｂは，バイアス電流Ｉｂを入力するバイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３を選択する。
【００２４】
出力切替制御回路１２７は，ＣＰＵ１５１からの出力切替制御信号Ｓｃ１により，スイッチＳＷ１ａ〜ＳＷ３ａ，ＳＷ１ｂ〜ＳＷ３ｂを制御して，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の何れに駆動電流Ｉｌｄを供給するかを切り替える。例えば，スイッチＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂをＯＮ，スイッチＳＷ２ａ，ＳＷ３ａ，ＳＷ２ｂ，ＳＷ３ｂをＯＦＦとすると，レーザダイオードＬＤ１が駆動される。
【００２５】
温度センサ１２８は，例えば，サーミスタであり，光ピックアップ１７３，特に，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３近傍の温度Ｔを測定する。この温度Ｔは，バイアス電流Ｉｂの調整の要否の判断に用いられる。
【００２６】
電源電圧生成回路１３０は，ＣＰＵ１５１からの電源電圧制御信号Ｓｃ２に対応する電源電圧Ｖｃｃを生成し，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３に供給する。
【００２７】
Ｏ／Ｅ変換器１４０は，発光素子から出射される光を受光し，発光素子の光量に対応する光量信号を出力する光検出部として機能する。Ｏ／Ｅ変換器１４０は，光検出器ＰＤ，Ｏ／Ｅ変換回路１４１を有する。光検出器ＰＤは，例えば，フォトダイオードであり，レーザ光源１１０からのレーザ光を受光し，検出光量電流を生成する。Ｏ／Ｅ変換回路１４１は，電流−電圧変換によって，検出光量電流を検出光量信号Ｓ０に変換する。即ち，検出光量信号Ｓ０の電圧がレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の光量Ａｌｄを表す。
【００２８】
ＣＰＵ１５１は，動作電圧検出回路１２６からの動作電圧検出信号Ｓｖ（レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧Ｖｌｄの情報）を入力する。ＣＰＵ１５１は，切替スイッチ１２３からの信号（検出光量信号Ｓ０，電流制御信号Ｓ２）を入力する。ＣＰＵ１５１は，温度センサ１２８から光ピックアップ１７３の温度Ｔの情報を入力する。
【００２９】
ＣＰＵ１５１は，電源電圧生成回路１３０および出力切替制御回路１２７それぞれに電源電圧制御信号Ｓｃ２，出力切替制御信号Ｓｃ１を出力する。即ち，ＣＰＵ１５１は，電源電圧制御信号Ｓｃ２によって，電源電圧生成回路１３０から出力される電源電圧Ｖｃｃを制御する。既述のように，ＣＰＵ１５１は動作電圧検出信号ＳｖによってレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧Ｖｌｄを検出可能である。ＣＰＵ１５１は，動作電圧Ｖｌｄから後述の最適電源電圧Ｖｃｃ_ｏｐｔ（最適な電源電圧Ｖｃｃ）を算出する。ＣＰＵ１５１は，電源電圧制御信号Ｓｃ２によって，電源電圧Ｖｃｃが最適電源電圧Ｖｃｃ_ｏｐｔとなるように制御する。この結果，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力Ｐａｍｐが低減される。
【００３０】
ＣＰＵ１５１は，信号制御回路１２１，バイアス電流制御回路１２４を制御する。この結果，ＣＰＵ１５１は，信号制御回路１２１，バイアス電流制御回路１２４の設定値（例えば，信号制御回路１２１から出力される基準光量信号Ｓ１）を検出できる。
また，ＣＰＵ１５１は出力切替制御回路１２７を制御して，駆動電流Ｉｌｄを供給するレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３を切り替える。
【００３１】
ＣＰＵ１５１は，次の要素として機能する。
・第１の電流供給部に印加する電源電圧を制御する電圧制御部
・第２の電流の調整の要否を決定する要否決定部
・第２の電流を調整する電流調整部（第２の電流の値を決定する値決定部，第２の電流の供給量を制御する制御部，制御信号の出力を停止させる第１の制御部，光量信号の値が所定値以上になるまで，第２の電流を増加させる第２の制御部，制御信号の出力を再開させる第３の制御部）
【００３２】
メモリ１５２は，光ピックアップ１７３の温度Ｔを記憶する。
【００３３】
ＰＣＢ１７１は，配線等が配置された基板（回路基板）である。ＦＰＣ１７２は，屈曲性の有るプリント配線基板である。光ピックアップ１７３は，光ディスクにレーザ光を照射して，光ディスクに情報を記録，再生するための部材であり，レーザ光源１１０，図示しない受光素子等が配置される。
【００３４】
レーザ制御回路１２０は，ＰＣＢ１７１，ＦＰＣ１７２，および光ピックアップ１７３に分散して配置される。バイアス電流制御回路１２４，電流増幅回路１２５がＰＣＢ１７１上に配置される。電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３，バイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３が光ピックアップ１７３上に配置される。電流増幅回路１２５は，バイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３を介して，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３に接続される。この結果，駆動電流Ｉｌｄの一部（バイアス電流Ｉｂ）を，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３を経由せず，ＰＣＢ１７１からレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３に供給できる。この結果，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力（損失）Ｐａｍｐが低減される。
【００３５】
電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３，およびレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３それぞれでの消費電力Ｐａｍｐ［ｍＷ］，Ｐｌｄ［ｍＷ］は，次の式（１），（２）で表される。
Ｐａｍｐ  ＝  （Ｉｌｄ−Ｉｂ）×（Ｖｃｃ−Ｖｌｄ）    ……式（１）
Ｐｌｄ  ＝  Ｉｌｄ  ×  Ｖｌｄ                        ……式（２）
Ｖｃｃ［Ｖ］：電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３に供給される電源電圧
Ｉｌｄ［ｍＡ］：レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３に供給される駆動電流
Ｖｌｄ［Ｖ］：レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧（順方向電圧）
【００３６】
後述の比較例での式（４）と比べ，駆動電流Ｉｌｄの一部をＰＣＢ１７１からバイアス電流Ｉｂとして供給することにより，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力Ｐａｍｐを軽減できる。
【００３７】
電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３に供給する最適電源電圧Ｖｃｃ_ｏｐｔは，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の最小動作電圧Ｖａｍｐ_ｍｉｎとレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧Ｖｌｄの和である（Ｖｃｃ_ｏｐｔ＝Ｖａｍｐ_ｍｉｎ＋Ｖｌｄ）。この結果，上記式（１）は，次の式（３）に変形できる。
Ｐａｍｐ  ＝  （Ｉｌｄ−Ｉｂ）×Ｖａｍｐ_ｍｉｎ            ……式（３）
【００３８】
既述のように，ＣＰＵ１５１は，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧Ｖｌｄ［Ｖ］を検出し，電源電圧生成回路１３０から供給される電源電圧Ｖｃｃが最適電源電圧Ｖｃｃ_ｏｐｔ（＝Ｖａｍｐ_ｍｉｎ＋Ｖｌｄ）と一致するように制御する。
【００３９】
（比較例）
図２は，本発明の比較例に係るレーザ駆動回路１００ｘの構成を示す回路図である。レーザ駆動回路１００ｘは，レーザ光源１１０，レーザ制御回路１２０ｘ，電源電圧生成回路１３０ｘ，Ｏ／Ｅ変換器１４０，ＣＰＵ１５１ｘを有する。これらは，ＰＣＢ１７１，ＦＰＣ１７２，光ピックアップ１７３上に配置される。
【００４０】
レーザ制御回路１２０ｘは，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３に駆動電流Ｉｌｄを供給する。レーザ制御回路１２０ｘは，レーザ駆動回路１００での切替スイッチ１２３，バイアス電流制御回路１２４，電流増幅回路１２５，動作電圧検出回路１２６，バイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３と対応する構成を有しない。また，ＣＰＵ１５１ｘは，電源電圧生成回路１３０ｘを制御していない。即ち，レーザ制御回路１２０ｘはバイアス電流Ｉｂを生成せず，駆動電流Ｉｌｄの全てが，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３から出力される。
【００４１】
ここで，比較例の電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力（損失）Ｐａｍｐ［ｍＷ］は，次の式（４）で表される。
Ｐａｍｐ  ＝  Ｉｌｄ×（Ｖｃｃ−Ｖｌｄ）            ……式（４）
【００４２】
レーザ駆動回路１００ｘでの電源電圧Ｖｃｃには，必要な最大光量Ａｌｄ時でのレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の最大動作電圧Ｖｌｄ_ｍａｘに加え，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の動作電圧Ｖａｍｐの確保が必要となる。従い，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧Ｖｌｄが小さい場合，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３に印加される電源電圧Ｖｃｃは必要以上に大きくなる。その結果，不要な消費電力（損失）Ｐａｍｐ，および発熱が発生する。
【００４３】
光ピックアップ１７３での放熱が不十分であった場合，消費電力Ｐａｍｐに起因する発熱により，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の温度が上昇する。この温度上昇は，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の駆動電流Ｉｌｄ−光量Ａｌｄ特性の変化，およびレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の劣化（経時変化）の原因となる。図３に，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の駆動電流Ｉｌｄ−光量Ａｌｄ特性（発光特性）を示す。レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の発光特性に温度依存性が有ることが示される。
【００４４】
電源電圧Ｖｃｃを５［Ｖ］，駆動電流Ｉｌｄを５０［ｍＡ］，動作電圧Ｖｌｄを２［Ｖ］とする。比較例の場合，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力Ｐａｍｐ［ｍＷ］とレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３での消費電力Ｐｌｄ［ｍＷ］は上記式（４）及び式（２）から，次のようになる。
Ｐａｍｐ＝  Ｉｌｄ×（Ｖｃｃ−Ｖｌｄ）＝５０×（５−２）
＝  １５０［ｍＷ］
Ｐｌｄ  ＝  Ｉｌｄ×Ｖｌｄ＝５０×２  
＝  １００［ｍＷ］
【００４５】
一方，上記実施形態において，バイアス電流Ｉｂを３０［ｍＡ］，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での最小動作電圧Ｖａｍｐ_ｍｉｎが２．５［Ｖ］であった場合，消費電力Ｐａｍｐ［ｍＷ］と消費電力Ｐｌｄ［ｍＷ］は上記式（１）及び式（２）から，次のようになる。
Ｐａｍｐ＝  （Ｉｌｄ−Ｉｂ）×Ｖａｍｐ_ｍｉｎ  
＝  （５０−３０）×２．５
＝  ５０［ｍＷ］
Ｐｌｄ  ＝  Ｉｌｄ×Ｖｌｄ  ＝  ５０×２
＝  １００［ｍＷ］
【００４６】
以上のように，実施形態と比較例を対比すると，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３での消費電力Ｐｌｄは同様である。しかし，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力Ｐａｍｐが大きく異なる。この結果，比較例と比べて，実施形態では光ピックアップ１７３での消費電力が大きく低減されている。
【００４７】
（レーザ駆動回路１００の動作）
以下，レーザ駆動回路１００の動作につき説明する。
図４，図５は，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯から消灯までの動作手順の一例を表すフロー図である。バイアス電流Ｉｂの調整の要否が判断され，バイアス電流Ｉｂが調整される。前者，後者はそれぞれ，温度および制御電流Ｉｃに基づいて，バイアス電流Ｉｂの調整の要否を判断している。
【００４８】
ここで，バイアス電流Ｉｂの調整は，任意の時間に可能である。例えば，光ディスクからの読み出し時，書き込み時にバイアス電流Ｉｂを調整できる。但し，光ディスクへの書き込みは，光ディスクから読み出しを前提とすることから，バイアス電流Ｉｂの調整を省略できる。
【００４９】
Ａ．温度に基づくバイアス電流Ｉｂの調整の決定（図４）
（１）レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯（ステップＳ１１）
レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３が点灯され，目標光量Ａｔのレーザ光が出射される。図６は，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯手順の詳細の一例を表すフロー図である。バイアス電流Ｉｂが停止された状態で（ステップＳ１１１），目標光量Ａｔに対応する基準光量信号Ｓ１ｔが信号制御回路１２１から出力される（ステップＳ１１２）。この結果，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３から目標光量Ａｔのレーザ光が出射される。その後，バイアス電流Ｉｂが調整される（ステップＳ１１３）。
【００５０】
バイアス電流Ｉｂの調整の詳細は後述する。但し，バイアス電流Ｉｂの調整時に，光ピックアップ１７３の温度Ｔ_bias_adjが測定され，メモリ１５２に保持される。即ち，光ピックアップ１７３の温度Ｔ_bias_adjは，バイアス電流Ｉｂの調整の度に測定され，メモリ１５２内に保持される。メモリ１５２内に，最新のバイアス電流Ｉｂ調整時の温度が保持されている（メモリ内容の更新）。
【００５１】
（２）バイアス電流Ｉｂの調整の決定（ステップＳ１２〜Ｓ１３）
バイアス電流Ｉｂの調整の要否が判断される。即ち，光ピックアップ１７３の温度が所定値以上に変動（特に，増大）すると，バイアス電流Ｉｂの調整が決定される。具体的には，温度センサ１２８によって，光ピックアップ１７３の現在の温度Ｔ_currentが測定され，メモリ１５２に保持される温度Ｔ_bias_adjと比較される。温度Ｔ_current，Ｔ_bias_adjの差が所定の値以上となるか否か（バイアス電流Ｉｂの調整の有無）が判断される。光ピックアップ１７３の温度の増大は，光ピックアップ１７３での消費電力の増大を意味する。バイアス電流Ｉｂを低減し，光ピックアップ１７３での消費電力を低減する。
【００５２】
（３）バイアス電流Ｉｂの調整（ステップＳ１４）
ステップＳ１３での判断が“Ｙｅｓ”のときに，バイアス電流Ｉｂが調整される。この詳細は，後述する。
【００５３】
（４）レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の消灯（ステップＳ１５〜Ｓ１６）
レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯状態を保持するか否かが判断される（ステップＳ１５）。この判断が“Ｙｅｓ”のとき，ステップＳ１２〜Ｓ１５が繰り返される。一方，この判断が“Ｎｏ”のとき（光ディスクの動作の終了時），レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３が消灯される。
【００５４】
Ｂ．制御電流Ｉｃに基づくバイアス電流Ｉｂの調整の決定（図５）
（１）レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯（ステップＳ２１）
レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３が点灯され，目標光量Ａｔのレーザ光が出射される。この詳細は，図４のステップＳ１１と同様なので，説明を省略する。
【００５５】
（２）バイアス電流Ｉｂの調整の決定（ステップＳ２２〜Ｓ２４）
制御電流Ｉｃに基づき，バイアス電流Ｉｂの調整の要否が判断される。具体的には，ＣＰＵ１５１が電流制御信号Ｓ２を読み込み，電流制御信号Ｓ２と電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の増幅率αから制御電流Ｉｃを算出する（制御電流Ｉｃ＝電流制御信号Ｓ２（電流値）×増幅率α）。増幅率αは一般的には固定値のため，電流制御信号Ｓ２を読取ることで制御電流Ｉｃを算出できる。制御電流Ｉｃが所定量以上のとき，バイアス電流Ｉｂの調整が決定される。この場合，光ピックアップ１７３での消費電力が大きいと考えられる。バイアス電流Ｉｂを低減し，光ピックアップ１７３での消費電力を低減する。
【００５６】
（３）バイアス電流Ｉｂの調整（ステップＳ２５）
ステップＳ２４での判断が“Ｙｅｓ”のときに，バイアス電流Ｉｂが調整される。この詳細は，後述する。
【００５７】
（４）レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の消灯（ステップＳ２６〜Ｓ２７）
レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯状態を保持するか否かが判断される（ステップＳ２６）。この判断が“Ｙｅｓ”のとき，ステップＳ２２〜Ｓ２５が繰り返される。一方，この判断が“Ｎｏ”のとき，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３が消灯される。
【００５８】
Ｃ．バイアス電流Ｉｂの調整
図７〜図９はそれぞれ，バイアス電流Ｉｂの調整手順の一例（調整手順１〜３）を表すフロー図である。これらの調整手順１〜３は，図４のステップＳ１４，図５のステップＳ２５，図６のステップＳ１１３の何れにも適用できる。
【００５９】
<調整手順１>
（１）駆動電流Ｉｌｄの算出（ステップＳ３１〜Ｓ３３）
ＣＰＵ１５１が電流制御信号Ｓ２を読込み（ステップＳ３２），電流制御信号Ｓ２と電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３の増幅率αから駆動電流Ｉｌｄを算出する（ステップＳ３３）。
【００６０】
ここでは，電流制御信号Ｓ２の読込みに先だって，バイアス電流Ｉｂを一旦停止している。このとき，駆動電流Ｉｌｄの全てが制御電流Ｉｃとなる（駆動電流Ｉｌｄ＝制御電流Ｉｃ＝電流制御信号Ｓ２（電流値）×増幅率α）。増幅率αは一般的には固定値のため，電流制御信号Ｓ２を読取ることで駆動電流Ｉｌｄを算出できる。
【００６１】
なお，ステップＳ３を省略することも可能である。即ち，バイアス電流Ｉｂを停止せず，駆動電流Ｉｌｄを計算する。バイアス電流Ｉｂを停止しなくとも，現在のバイアス電流Ｉｂと電流制御信号Ｓ２から駆動電流Ｉｌｄを算出できる。
【００６２】
（２）最適バイアス電流Ｉｂ_ｏｐｔの決定，出力（ステップＳ３４，Ｓ３５）
駆動電流Ｉｌｄから，最適バイアス電流Ｉｂ_ｏｐｔを決定する。例えば，駆動電流Ｉｌｄに所定の係数Ｋを乗じて，最適バイアス電流Ｉｂ_ｏｐｔを算出する（Ｉｂ_ｏｐｔ＝Ｋ×Ｉｌｄ）。係数Ｋは，駆動電流Ｉｌｄに対するバイアス電流Ｉｂの割合を表し，固定値を採用できる。また，係数Ｋを駆動電流Ｉｌｄの関数としても良い。この場合，駆動電流Ｉｌｄと係数Ｋ（あるいは，バイアス電流Ｉｂ）を対応して表すテーブルをメモリ１５２に保持し，このテーブルを用いて，最適バイアス電流Ｉｂ_ｏｐｔを算出することができる。
【００６３】
（３）光ピックアップ１７３の温度Ｔ_bias_adjの測定（ステップＳ３６）
温度センサ１２８によって，光ピックアップ１７３の温度Ｔ_bias_adjを測定し，メモリ１５２に保持する。図４のステップＳ１２，Ｓ１３に対応するためである。なお，図４の手順を用いない場合，このステップＳ３６は不要となる。
【００６４】
<調整手順２>
バイアス電流Ｉｂを段階的に増加させ（ステップＳ４１），そのときの電流制御信号Ｓ２を読み取り，制御電流Ｉｃを算出する（ステップＳ４２，Ｓ４３）。この制御電流Ｉｃが所定値以下となるまでバイアス電流Ｉｂを増加させる（ステップＳ４４）。バイアス電流Ｉｂを増加することで，制御電流Ｉｃが低下する。
【００６５】
その後，温度センサ１２８によって，光ピックアップ１７３の温度Ｔ_bias_adjを測定し，メモリ１５２に保持する（ステップＳ４５）。図４のステップＳ１２，Ｓ１３に対応するためである。なお，図４の手順を用いない場合，このステップＳ４５は不要となる。
【００６６】
<調整手順３>
基準光量信号Ｓ１（電流制御信号Ｓ２）を止めた状態で（ステップＳ５１），バイアス電流Ｉｂのみを増加させ（ステップＳ５２），Ｏ／Ｅ変換器１４０からの検出光量信号Ｓ０を読み取る（ステップＳ５３）。この検出光量信号Ｓ０が所定の基準値（所定の光量Ａｌｄ）以上になるまでバイアス電流Ｉｂを増加させる（ステップＳ５４）。
【００６７】
その後，目標光量Ａｔに対応する基準光量信号Ｓ１（電流制御信号Ｓ２）を出力する（ステップＳ５５）。この結果，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３からの光量Ａｌｄが目標光量Ａｔとなるように制御される。
【００６８】
ここで，ステップＳ５４での検出光量信号Ｓ０の基準値を目標光量Ａｔと対応させると，ステップＳ５５において，駆動電流Ｉｌｄの大部分がバイアス電流Ｉｂで占められる。この結果，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力Ｐａｍｐが大幅に低減される。これは，光量Ａｌｄが一定に保持される場合（例えば，光ディスクからの再生時）に適する。一方，バイアス電流Ｉｂが所定の最適バイアス電流Ｉｂ_ｏｐｔとなるように，検出光量信号Ｓ０の基準値を設定することも可能である。
【００６９】
さらに，温度センサ１２８によって，光ピックアップ１７３の温度Ｔ_bias_adjを測定し，メモリ１５２に保持する（ステップＳ５６）。図４のステップＳ１２，Ｓ１３に対応するためである。なお，図４の手順を用いない場合，このステップＳ５６は不要となる。
【００７０】
以上のように本実施形態に係るレーザ駆動回路１００は以下の特徴を有する。
Ａ．レーザ駆動回路１００では，次のようにＰＣＢ１７１，および光ピックアップ１７３上に部品を配置している。即ち，ＰＣＢ１７１上に，バイアス電流Ｉｂの電流源（電流増幅回路１２５）を配置する。また，光ピックアップ１７３上に，制御電流Ｉｃの電流源（電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３）およびバイアス電流加算回路ＳＵＭ１〜ＳＵＭ３を配置する。
【００７１】
このように部品を配置することで，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の駆動電流Ｉｌｄの一部がＰＣＢ１７１からバイアス電流Ｉｂとして供給される。従い，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力Ｐａｍｐ，即ち，光ピックアップ１７３上での消費電力を低下できる。従い，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の近傍およびレーザ制御回路１２０及びでの温度上昇を抑制できる。この結果，以下の利点（１）〜（３）を享受できる。
【００７２】
（１）温度上昇によるレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３特性の劣化（経時変化）を低減できる。
【００７３】
（２）光ディスクへの書き込みのための光パルスのＯＮ／ＯＦＦ時の電流の変化量が少なくなる。図３に示されるように，レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３が高温になると，駆動電流Ｉｌｄ−光量Ａｌｄのグラフの傾斜が小さくなり，光パルスのＯＮ／ＯＦＦ時の電流の変化量が大きくなる。レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３が低温だと，光パルスのＯＮ／ＯＦＦ時の電流の変化量が比較的小さい。この結果，記録時でのレーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の発熱を軽減できると同時に，光パルスの立上り，立下り時間が短くなる。結果として，光ディスクへの記録の信頼性が高くなる。
【００７４】
（３）光ピックアップ１７３の放熱の必要性が低下する。即ち，光ピックアップ１７３での放熱面積，即ち，光ピックアップ１７３の重量が軽減できる。この結果，光ピックアップ１７３のアクセス速度の向上が可能となる。
【００７５】
Ｂ．レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の動作電圧Ｖｌｄに対応して，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３に供給する電源電圧Ｖｃｃを制御する。この結果，電流増幅・駆動回路ＡＭＰ１〜ＡＭＰ３での消費電力を低減できる。動作電圧Ｖｌｄは，例えば，電流増幅回路１２５の出力端での電圧Ｖｂを用いて検知できる。
【００７６】
Ｃ．光ピックアップ１７３の温度上昇や制御電流Ｉｃの増大に対応して，バイアス電流Ｉｂを低減することで，光ピックアップ１７３での消費電力を抑制できる。
【００７７】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張，変更可能であり，拡張，変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施形態に係るレーザ駆動回路１００の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の比較例に係るレーザ駆動回路１００ｘの構成を示す回路図である。
【図３】レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の駆動電流Ｉｌｄ−光量Ａｌｄ特性（発光特性）を示すグラフである。
【図４】レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯から消灯までの動作手順の一例を表すフロー図である。
【図５】レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯から消灯までの動作手順の一例を表すフロー図である。
【図６】レーザダイオードＬＤ１〜ＬＤ３の点灯手順の詳細の一例を表すフロー図である。
【図７】バイアス電流Ｉｂの調整手順の一例を表すフロー図である。
【図８】バイアス電流Ｉｂの調整手順の一例を表すフロー図である。
【図９】バイアス電流Ｉｂの調整手順の一例を表すフロー図である。
【符号の説明】
【００７９】
１００…レーザ駆動回路，１１０…レーザ光源，ＬＤ１-ＬＤ３…レーザダイオード，１２０…レーザ制御回路，１２１…信号制御回路，１２２…誤差検出回路，１２３…切替スイッチ，１２４…バイアス電流制御回路，１２５…電流増幅回路，１２６…動作電圧検出回路，１２７…出力切替制御回路，１２８…温度センサ，ＡＭＰ１-ＡＭＰ３…電流増幅・駆動回路，ＳＵＭ１-ＳＵＭ３…バイアス電流加算回路，ＳＷ１ａ-ＳＷ３ｂ…スイッチ，１３０…電源電圧生成回路，１４０…Ｏ／Ｅ変換器，１４１…Ｏ／Ｅ変換回路，ＰＤ…光検出器，１５１…ＣＰＵ，１５２…メモリ，１７１…ＰＣＢ，１７３…光ピックアップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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