(57)【要約】      （修正有）【課題】積層パターン形成工程の連続処理化を可能として、製造設備の簡素化と製造コストの低減を図ることのできる、多層配線基板等の製造に用いる積層体の積層パターン形成方法、その形成装置及び積層体を提供する。また、その積層パターン形成方法に基づき製造される多層回路基板の製造方法及びその多層回路基板を用いた電子回路部品を提供する。【解決手段】単一又は複数の感光ドラム１を用いて、認識カメラＣにより絶縁性基体１３及び／又は直前の絶縁体層又は導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別し、判別した基準位置に基づき、絶縁性基体上に導体層と絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成する。【選択図】図１
2009054832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンに対応する導体パターン静電潜像が形成された像受容体の表面に、導体用粒子を帯電付着させることにより、前記導体パターン静電潜像を導体用粒子像として顕在形成し、前記導体用粒子像を絶縁性基体上に転写した後、前記導体用粒子像を定着処理して導体層を前記絶縁性基体上に形成する第１工程と、次に、絶縁体パターンに対応する絶縁体パターン静電潜像が形成された像受容体の表面に、絶縁体用粒子を帯電付着させることにより、前記絶縁体パターン静電潜像を絶縁体用粒子像として顕在形成し、前記絶縁体用粒子像を前記導体パターン像の所定位置に転写した後、前記絶縁体用粒子像を定着処理して絶縁体層を前記導体層の上に形成する第２工程からなり、前記第１工程と前記第２工程からなる連続工程を前記絶縁性基体上に積層しながら１回以上反復処理し、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組をこの順に１組以上積層定着させた積層パターンを形成することを特徴とする積層パターン形成方法。
【請求項２】
前記第１工程と前記第２工程からなる連続工程を前記絶縁性基体上に積層しながら１回以上反復処理した後、その最上層に最終工程として前記第１工程を行い、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組をこの順に１組以上積層定着させ、その上に最上層として前記導体層を備えた積層パターンを形成する請求項１に記載の積層パターン形成方法。
【請求項３】
前記積層パターンの最上層の上に前記絶縁性基体と同材料からなる被覆用絶縁層を被覆形成する請求項１又は２に記載の積層パターン形成方法。
【請求項４】
前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像を転写する際に、位置合わせの基準として、前記絶縁性基体及び／又は直前の絶縁体層又は導体層の一部又は全部を用いる請求項１、２又は３に記載の積層パターン形成方法。
【請求項５】
前記絶縁層がスルーホールを有する場合に、前記第１工程において、前記スルーホールを充填する前記導体用粒子像を転写して、前記スルーホールを充填した導体層を形成する請求項１〜４のいずれかに記載の積層パターン形成方法。
【請求項６】
前記第１工程と前記第２工程に用いる像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行う請求項１〜５のいずれかに記載の積層パターン形成方法。
【請求項７】
導体パターンに対応する静電潜像を形成する像受容体と、前記像受容体の表面に導体用粒子を帯電付着させることにより、前記静電潜像を導体用粒子像として顕在形成する導体用粒子付着手段と、前記導体用粒子像を絶縁性基体上に転写する転写手段と、前記導体用粒子像を定着処理して前記絶縁性基体上に導体層を定着形成する定着手段と、前記絶縁性基体及び／又は前記導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別する判別手段と、前記基準位置に基づき、絶縁体パターンに対応する絶縁体用粒子像を前記導体層に転写する積層転写手段とを有し、前記積層転写手段により前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成することを特徴とする積層パターン形成装置。
【請求項８】
前記像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行う請求項７に記載の積層パターン形成装置。
【請求項９】
導体パターンに対応する静電潜像を形成する第１の像受容体と、絶縁体パターンに対応する静電潜像を形成する第２の像受容体と、前記第１の像受容体の表面に導体用粒子を帯電付着させることにより、前記静電潜像を導体用粒子像として顕在形成する導体用粒子付着手段と、前記第２の像受容体の表面に絶縁体用粒子を帯電付着させることにより、前記静電潜像を絶縁体用粒子像として顕在形成する絶縁体用粒子付着手段と、前記導体用粒子像を絶縁性基体上に転写する導体転写手段と、前記導体用粒子像を定着処理して前記絶縁性基体上に導体層を定着形成する導体定着手段と、前記絶縁性基体及び／又は前記導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別する判別手段と、前記基準位置に基づき、前記絶縁体用粒子像を前記導体層に転写する絶縁体転写手段と、前記絶縁体用粒子像を定着処理して前記導体層上に絶縁体層を定着形成する絶縁体定着手段とを有し、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成することを特徴とする積層パターン形成装置。
【請求項１０】
前記第１の像受容体及び第２の像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行う請求項９に記載の積層パターン形成装置。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれかに記載の積層パターン形成方法により、絶縁性基体上に導体層及び絶縁体層からなる積層パターンが積層されたことを特徴とする積層体。
【請求項１２】
請求項１１に記載の積層体を焼成して多層回路基板を製造することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の多層回路基板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層回路基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載の多層回路基板の表面及び／又は裏面に電子部品を実装したことを特徴とする電子回路部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子部品を実装して電子機器を構成するための電子回路部品や多層配線基板等の製造に用いる積層体の積層パターン形成方法及びその形成装置に関する。また、本発明はその積層パターン形成方法に基づき製造される多層回路基板の製造方法及びその多層回路基板を用いた電子回路部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近は、電子機器の小型化あるいは高機能化が進んでおり、それに実装される電子部品あるいは電子回路実装基板の小型化、高集積化あるいは高密度化がより一層必要となっている。また、かかる小型化等を実現するために、実装段階あるいは製造段階におけるコスト低減も求められている。
【０００３】
近年、複数の配線基板を積層することにより３次元的な配線の引き回しを可能とする多層配線基板を用いて、電子回路実装基板の小型化、高集積化あるいは高密度化が図られている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、配線基板上の導体配線パターンを転写シートを用いた転写法によって形成する多層配線基板の製造方法が開示されている。転写法による製造は、以下の工程により行われる。
まず、絶縁基材の表面に第１層の導体パターンが形成された配線基板を作製し、その基材面に絶縁性スラリーを塗布して絶縁層を形成する。その絶縁層に第１層の導体パターンと連絡するビアホールをレーザ加工等によって形成し、ビアホール内に導電ペーストを充填する。更に、あらかじめ転写シート上に形成しておいた第２層の導体パターンを絶縁層に転写し、導電ペーストを介して、第１層と第２層の導体パターンを接続形成する。導体パターンは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の転写シート上に貼着された導体層をウェットエッチング法によりパターニングして形成される。３層以上の導体層を形成する場合には、上記の工程を繰り返して行う。
【特許文献１】特開平１０−１０７４４５号公報
【特許文献２】特開２００２−２３１５５７号公報
【特許文献３】特許第３９０９７２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記転写シートによる製造方法においては、絶縁層の積層工程、孔あけ工程、導電ペーストの充填工程、導体パターンの転写工程などの個別工程を必要とするため、工程が複雑になり、製造コストが高くなるといった問題があった。
【０００６】
また、半導体電子部品については連続製造工程による多量製造が可能となっている。しかし、例えば、特許文献２に示された積層コンデンサ等のセラミックス電子部品などでは、多数のセラミックス基板を積層したり、導体層を形成したりする工程を必要するため、半導体処理工程のように連続処理化ができず、製造コストの低減の実現が難しかった。
【０００７】
従って、この発明の目的は、積層パターン形成工程の連続処理化を可能として、製造設備の簡素化と製造コストの低減を図ることのできる、多層配線基板等の製造に用いる積層体の積層パターン形成方法、その形成装置及び積層体を提供することである。また、本発明はその積層パターン形成方法に基づき製造される多層回路基板の製造方法及びその多層回路基板を用いた電子回路部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の第１の形態は、導体パターンに対応する導体パターン静電潜像が形成された像受容体の表面に、導体用粒子を帯電付着させることにより、前記導体パターン静電潜像を導体用粒子像として顕在形成し、前記導体用粒子像を絶縁性基体上に転写した後、前記導体用粒子像を定着処理して導体層を前記絶縁性基体上に形成する第１工程と、次に、絶縁体パターンに対応する絶縁体パターン静電潜像が形成された像受容体の表面に、絶縁体用粒子を帯電付着させることにより、前記絶縁体パターン静電潜像を絶縁体用粒子像として顕在形成し、前記絶縁体用粒子像を前記導体パターン像の所定位置に転写した後、前記絶縁体用粒子像を定着処理して絶縁体層を前記導体層の上に形成する第２工程からなり、前記第１工程と前記第２工程からなる連続工程を前記絶縁性基体上に積層しながら１回以上反復処理し、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組をこの順に１組以上積層定着させた積層パターンを形成する積層パターン形成方法である。
【０００９】
本発明の第２の形態は、前記第1の形態において、前記第１工程と前記第２工程からなる連続工程を前記絶縁性基体上に積層しながら１回以上反復処理した後、その最上層に最終工程として前記第１工程を行い、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組をこの順に１組以上積層定着させ、その上に最上層として前記導体層を備えた積層パターンを形成する積層パターン形成方法である。
【００１０】
本発明の第３の形態は、前記第１又は第２の形態において、前記積層パターンの最上層の上に前記絶縁性基体と同材料からなる被覆用絶縁層を被覆形成する積層パターン形成方法である。
【００１１】
本発明の第４の形態は、前記第１、第２又は第３の形態において、前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像を転写する際に、位置合わせの基準として、前記絶縁性基体及び／又は直前の絶縁体層又は導体層の一部又は全部を用いる積層パターン形成方法である。
【００１２】
本発明の第５の形態は、前記第１〜第４のいずれかの形態において、前記絶縁層がスルーホールを有する場合に、前記第１工程において、前記スルーホールを充填する前記導体用粒子像を転写して、前記スルーホールを充填した導体層を形成する積層パターン形成方法である。
【００１３】
本発明の第６の形態は、前記第１〜第５のいずれかの形態において、前記第１工程と前記第２工程に用いる像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行う積層パターン形成方法である。
【００１４】
本発明の第７の形態は、導体パターンに対応する静電潜像を形成する像受容体と、前記像受容体の表面に導体用粒子を帯電付着させることにより、前記静電潜像を導体用粒子像として顕在形成する導体用粒子付着手段と、前記導体用粒子像を絶縁性基体上に転写する転写手段と、前記導体用粒子像を定着処理して前記絶縁性基体上に導体層を定着形成する定着手段と、前記絶縁性基体及び／又は前記導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別する判別手段と、前記基準位置に基づき、絶縁体パターンに対応する絶縁体用粒子像を前記導体層に転写する積層転写手段とを有し、前記積層転写手段により前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成する積層パターン形成装置である。
【００１５】
本発明の第８の形態は、前記第７の形態において、前記像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行う積層パターン形成装置である。
【００１６】
本発明の第９の形態は、導体パターンに対応する静電潜像を形成する第１の像受容体と、絶縁体パターンに対応する静電潜像を形成する第２の像受容体と、前記第１の像受容体の表面に導体用粒子を帯電付着させることにより、前記静電潜像を導体用粒子像として顕在形成する導体用粒子付着手段と、記第２の像受容体の表面に絶縁体用粒子を帯電付着させることにより、前記静電潜像を絶縁体用粒子像として顕在形成する絶縁体用粒子付着手段と、前記導体用粒子像を絶縁性基体上に転写する導体転写手段と、前記導体用粒子像を定着処理して前記絶縁性基体上に導体層を定着形成する導体定着手段と、前記絶縁性基体及び／又は前記導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別する判別手段と、前記基準位置に基づき、前記絶縁体用粒子像を前記導体層に転写する絶縁体転写手段と、前記絶縁体用粒子像を定着処理して前記導体層上に絶縁体層を定着形成する絶縁体定着手段とを有し、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成する積層パターン形成装置である。
【００１７】
本発明の第１０の形態は、前記第９の形態において、前記第１の像受容体及び第２の像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行う積層パターン形成装置である。
【００１８】
本発明の第１１の形態は、前記第１〜第６のいずれかの形態に係る積層パターン形成方法により、絶縁性基体上に導体層及び絶縁体層からなる積層パターンが積層された積層体である。
【００１９】
本発明の第１２の形態は、前記第１１の形態に係る積層体を焼成して多層回路基板を製造する多層回路基板の製造方法である。
【００２０】
本発明の第１３の形態は、前記第１２の形態に係る多層回路基板の製造方法により製造された多層回路基板である。
【００２１】
本発明の第１３の形態は、前記第１３の形態に係る多層回路基板の表面及び／又は裏面に電子部品を実装した電子回路部品である。
【発明の効果】
【００２２】
本出願人は、特許文献３において、電子写真方式を利用して配線基板の配線パターンを高密度、高精度かつ安価に製造することができる製造装置を開示している。本発明は、かかる電子写真方式を利用した配線基板製造方法により多層配線基板の製造過程を自動化できる点に着目してなされたものであり、本発明の第１の形態によれば、導体パターンに対応する導体パターン静電潜像が形成された像受容体の表面に、導体用粒子を帯電付着させることにより、前記導体パターン静電潜像を導体用粒子像として顕在形成し、前記導体用粒子像を絶縁性基体上に転写した後、前記導体用粒子像を定着処理して導体層を前記絶縁性基体上に形成する第１工程と、次に、絶縁体パターンに対応する絶縁体パターン静電潜像が形成された像受容体の表面に、絶縁体用粒子を帯電付着させることにより、前記絶縁体パターン静電潜像を絶縁体用粒子像として顕在形成し、前記絶縁体用粒子像を前記導体パターン像の所定位置に転写した後、前記絶縁体用粒子像を定着処理して絶縁体層を前記導体層の上に形成する第２工程からなり、前記第１工程と前記第２工程からなる連続工程を前記絶縁性基体上に積層しながら１回以上反復処理し、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組をこの順に１組以上積層定着させた積層パターンを形成する。従って、前記第１工程により、像受容体の表面に顕在形成した前記導体用粒子像を絶縁性基体上に転写し、定着処理して導体層を前記絶縁性基体上に形成し、次に前記第２工程により、像受容体の表面に顕在形成した前記絶縁体用粒子像を前記導体パターン像の所定位置に転写し、定着処理して絶縁体層を前記導体層の上に形成する連続工程を反復処理するので、中間に導体層を絶縁体層で挟み、最上層を絶縁体層とした積層パターンを円滑に連続形成することができ、製造設備の簡素化と製造コストの低減を図ることができる。この最上層を絶縁体層とした積層パターンは、例えば積層コンデンサ等の積層セラミックス電子部品等の多層構造部品に好適である。
【００２３】
本発明の第２の形態によれば、前記第１工程と前記第２工程からなる連続工程を前記絶縁性基体上に積層しながら１回以上反復処理した後、その最上層に最終工程として前記第１工程を行い、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組をこの順に１組以上積層定着させ、その上に最上層として前記導体層を備えた積層パターンを形成するので、中間に導体層を絶縁体層で挟み、最上層を導体層とした積層パターンを円滑に連続形成することができ、製造設備の簡素化と製造コストの低減を図ることができる。この最上層を導体層とした積層パターンは、例えば表面に電子部品を実装する多層配線基板に好適である。
本発明における導体用粒子原料には、銅（Ｃｕ）、銀パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ)、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）あるいは錫（Ｓｎ）など、通常電子配線基板に使用するような金属材料であればどのようなものでも使用することができる。特に亜鉛、錫、インジウム（Ｉｎ）などを使用すれば、３００℃程度以下の低温でトナー像の導電性パターン化処理を行うことができる。また、本発明における絶縁体用粒子原料には、アルミナセラミックス、ムライトセラミックス、窒化珪素セラミックス、窒化アルミニウムセラミックス、ガラスセラミックス等から選択され、特に、導体金属の融点より低い焼成温度の素材として、ガラス粉末を含有させたセラミックス原料を使用することができる。
【００２４】
本発明の第３の形態によれば、前記積層パターンの最上層の上に前記絶縁性基体と同材料からなる被覆用絶縁層を被覆形成するので、前記被覆用絶縁層を保護層として有した多層電子部品あるいは多層配線基板を製造することができる。
【００２５】
本発明の第４の形態によれば、前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像を転写する際に、位置合わせの基準として、前記絶縁性基体及び／又は直前の絶縁体層又は導体層の一部又は全部を用いるので、位置ずれを生ずることなく、簡易かつ高精度に積層処理することができ、微細パターンを備えた、多層構造の電子部品あるいは多層配線基板を製造することができる。
【００２６】
本発明の第５の形態によれば、前記絶縁層がスルーホールを有する場合に、前記第１工程において、前記スルーホールを充填する前記導体用粒子像を転写して、前記スルーホールを充填した導体層を形成するので、例えば、異なる導体層パターンを幾層にも備えた多層配線基板等を高精度に製造することができる。
【００２７】
本発明の第６の形態によれば、前記第１工程と前記第２工程に用いる像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行うので、像受容体の回転駆動によって、帯電付着から転写までを連続した工程により行うことができ、連続処理工程の設備面での簡素化を図ることができる。なお、本発明における像受容体にはドラム型回転体の他に、無端ベルト型回転体を使用することができる。
【００２８】
本発明の第７の形態によれば、単一の像受容体を用いて、前記絶縁性基体及び／又は前記導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別し、前記基準位置に基づき、絶縁体パターンに対応する絶縁体用粒子像を前記導体層に転写する前記積層転写手段により前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成するので、前記像受容体に対して前記絶縁体用粒子像又は前記導体用粒子像の形成を切り換えることにより、積層パターンの連続形成を可能とする、簡素化された積層パターン製造装置を実現することができる。
【００２９】
本発明の第８の形態によれば、前記像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行うので、像受容体の回転駆動によって、帯電付着から転写までを連続した工程により行うことができ、連続処理工程の設備面での簡素化を図ることができる積層パターン製造装置を実現することができる。
【００３０】
本発明の第９の形態によれば、前記第１の像受容体を用いて、帯電付着から転写までを連続した工程により導体層を形成し、前記第２の像受容体を用いて帯電付着から転写までを連続した工程により絶縁体層を形成し、更に前記絶縁性基体及び／又は前記導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別し、前記基準位置に基づき、前記絶縁体用粒子像を前記導体層に転写して、前記絶縁性基体上に前記導体層と前記絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成するので、導体層の形成工程と絶縁体層の形成工程を連続処理化可能な積層パターン製造装置を実現することができる。
【００３１】
本発明の第１０の形態によれば、前記第１の像受容体及び第２の像受容体は、前記導体用粒子又は前記絶縁体用粒子を回転面に帯電付着させる回転体からなり、前記回転体を回転させながら前記導体用粒子像又は前記絶縁体用粒子像の前記転写を行うので、像受容体の回転駆動によって、帯電付着から転写までを連続した工程により行うことができ、連続処理工程の設備面での簡素化を図ることができる積層パターン製造装置を実現することができる。
【００３２】
本発明の第１１の形態によれば、前記第１〜第６のいずれかの形態に係る積層パターン形成方法により、絶縁性基体上に導体層及び絶縁体層からなる積層パターンが積層されたので、中間段階の製造コストを低減して、焼成等の後処理を経て、安価な多層構造電子部品又は多層配線基板を得ることのできる積層体の提供が可能となる。
【００３３】
本発明の第１２の形態によれば、前記第１１の形態に係る積層体を焼成して多層回路基板を製造するので、本発明に係る積層パターン形成工程により製造コストを低減して、安価な多層回路基板を製造することができる。
【００３４】
本発明の第１３の形態によれば、前記第１２の形態に係る多層回路基板の製造方法により製造されるので、基板の積層パターン形成工程の製造コストを低減して、安価な多層回路基板を提供することができる。
【００３５】
本発明の第１４の形態によれば、前記第１２の形態に係る多層回路基板の表面及び／又は裏面に電子部品を実装したので、基板の積層パターン形成工程の製造コストを低減した安価な電子回路部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図１は、本発明の実施の一形態としての多層配線基板製造装置の概略的な構成を示す。像受容体である感光ドラム１は、表面に光導電性材料による皮膜が形成されている。感光ドラム１の周囲には、現像器２、帯電器４が配設され、現像器２から供給される現像剤粒子であるトナーを、電気絶縁性基体であるグリーンシート１３の表面に転写させる。感光ドラム１は、図示の時計まわり方向に回転し、感光ドラム１の表面に付着している余分のトナーは、清掃器５により除去される。グリーンシート１３は搬送ベルト又は搬送チェーンからなる搬送装置１５により感光ドラム１の最下点の位置に向けて図の左方向に搬送される。感光ドラム１の最下点には転写器６が対向配置されている。
【００３７】
現像器２では、粒状のトナー８がトナー容器７に貯留され、供給ローラ９を介して現像ローラ１１の表面に供給される。供給ローラ９は、導電性繊維１０が植毛されて形成され、トナー８を荷電させる。現像器２下部に配設されたトナー厚規制ブレード１９は、現像ローラ１１と微細な距離を隔てて離間し、現像ローラ１１の表面に付着するトナー厚みを規制する。トナー容器７にはトナー８に荷電を与えるために電位が印加されている。清掃器５は、回収されるトナー８の電荷をリセットするためのブレードを有し、そのブレードは半導電性材料で形成され、接地又は電位が印加されている。
本実施形態においては、絶縁体及び導体層からなる多層配線基板を製造するために、絶縁体用トナーの現像器と、導体用トナーの現像器が使用され、それぞれ現像器２の構成を備える。絶縁体層及び導体層の各形成工程に応じて、感光ドラム１に対して装着される。
【００３８】
現像ローラ１１は、例えば弾性を有する半導電性（１０6 〜１０8 Ω）のゴム材料で形成され、トナー厚規制ブレード１９も弾性ゴム材料で形成される。現像ローラ１１の表面には、粒子層として２〜３層となる均一な厚みのトナー層が形成される。供給ローラ９によるトナー８への電荷付与は、摩擦帯電や電荷注入方式を主体として行われる。
【００３９】
トナー定着時には、搬送装置１５によりグリーンシート１３は左方向に搬送され、感光ドラム１の回転に伴って、後述の所定のパターンの転写が行われた後、定着器１４の加熱ローラ及び加圧ローラ間で加熱・加圧され、表面に付着しているトナーの定着が行われる。トナーが表面に定着されたグリーンシート１３は、更に搬送路１６を通じて焼成装置１７に搬送されて、焼成される。グリーンシート１３が、アルミナを主成分とするセラミックシートの焼成前の状態であるとき、焼成装置１７における焼成温度は約１，０００℃となる。焼成後のグリーンシートは、連続処理のために収納部１８に搬送され、収納される。収納シートは多層形成のために、搬送路２０を通じて再び感光ドラム１側に搬送される。
【００４０】
搬送装置１５の搬送路１６には、搬送物通過センサＳが配置され、通過センサＳの検知によりグリーンシート１３の位置検出が行われる。感光ドラム１の手前には、グリーンシート１３の位置合わせマークを認識するための認識カメラＣが配置されている。パターン転写のとき、通過センサＳの検知後、グリーンシート１３は認識カメラＣの位置に搬送され、一旦停止する。グリーンシート１３の位置合わせマークを認識カメラＣにより認識した後、グリーンシート１３の送り動作と感光ドラム１の回転動作を同調させて、所定の位置にパターン転写を行う。
【００４１】
トナー層は、現像ローラ１１の表面に、トナー８の層厚が粒子層として２〜３層という薄層で存在し、しかも均一に帯電している。所定の付着量の現像を行い、転写されるトナー像の精度を高める要求に対しては、必要最小限の量しか現像ローラ１の表面に存在しないために、感光ドラム１上の静電潜像に対応して現像されるトナーの量を単位面積あたりの付着トナー量として容易に制御することができる。
【００４２】
図２は本実施形態における露光装置と制御部を示す。露光装置は２次元アレイの面発光レーザ３０７と、拡大レンズ３０８と凹面鏡３０９からなる。面発光レーザ３０７から射出されたレーザ光束は、拡大レンズ３０８により拡大された後、凹面鏡３０９により集光され反射されて、光照射３として感光ドラム１に照射される。感光ドラム１上に静電潜像を形成するために、帯電器４で感光ドラム１の表面を均一に帯電させ、光照射３の露光によって配線パターンに対応する静電潜像が形成される。
露光形成された静電潜像には、現像ローラ１の表面に均一に帯電しているトナーが吸引され、高精度のトナー像を顕在形成する現像を行うことができる。このトナー像は、電気絶縁性基体であるグリーンシート１３に転写、定着され、所定のパターンが形成される。制御部３００は、マイクロコンピュータからなり、絶縁体及び導体層の照射光パターンデータ、感光ドラム１及び搬送装置１５の動作制御等のプログラムを記憶するＲＯＭ３０１、ワーキングメモリ用ＲＡＭ３０２を有する。制御部３００には、通過センサＳの検知出力３０３、認識カメラＣの撮像データ３０４が与えられ、制御部３００は搬送装置１５及び感光ドラム１の各駆動部３０５，３０６の駆動制御を行う。
【００４３】
本実施形態においては多層配線構造パターンを形成するために、絶縁体及び導体層用の２種類のトナーを使用する。
導体粒子は、銅（Ｃｕ）、銀パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ)、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）あるいは錫（Ｓｎ）など、通常電子配線基板に使用するような金属材料であればどのようなものでも使用することができる。特に亜鉛、錫、インジウム（Ｉｎ）などを使用すれば、３００℃程度以下の低温でも、トナー像の導電性パターン化処理を行うことができる。導体用トナーは、金属粒子の表面に樹脂被膜がコーティングされて形成される。トナー製造は、例えば、金属粒子（３μｍ以上）の表面をスチレンアクリル樹脂でコートするか、あるいは金属粒子微粉（２μｍ以下）をスチレンアクリルと熱混練し、その後粉砕して１０μｍ前後に粒子化して行うことができる。例えば、銅などの金属粒子の比率が９０％、平均粒径９μｍの粒子である。
絶縁体粒子素材は、アルミナセラミックス、ムライトセラミックス、窒化珪素セラミックス、窒化アルミニウムセラミックス、ガラスセラミックス等から選択される。特に、絶縁体粒子素材としては、導体金属の融点より低い焼成温度の素材が好ましく、とりわけ８００〜１，０００℃の焼成温度のセラミックス原料が好ましので、ガラス粉末を含有させたセラミックス原料を使用することができる。絶縁体用トナーは、導体粒子と同様に、絶縁体粒子の表面に上記樹脂被膜がコーティングされて形成される。
【００４４】
感光ドラム１の表面に形成されている静電潜像によって、現像ローラ１１の表面のトナー１２を静電的に移行させ、絶縁体又は導体層用のトナー１２による像を感光ドラム１の表面に形成する。導体層用のトナー１２のトナー像は、グリーンシート１３上に転写される。この転写の際には、転写器６による静電的な吸引力を利用する。グリーンシート１３の表面に付着したトナー像は、定着器１４の加熱ローラによって加熱され、トナーの樹脂被膜が部分的に溶融して定着される。更に、グリーンシート１３及び導体層用のトナー１２を、例えば、１，０００℃焼成すると、焼成セラミックシート上に金属粒子のみが残留し、導電性の配線パターンが得られる。更に絶縁体層を形成する場合には、同様にして、絶縁体層用トナー像は、定着器１４の加熱ローラによって加熱され、トナーの樹脂被膜が部分的に溶融して定着される。
【００４５】
上記構成の多層配線基板製造装置において、単一の感光ドラム１を用いて、認識カメラＣにより絶縁性基体及び／又は導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別し、判別した基準位置に基づき、絶縁性基体上に導体層と絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成することができる。従って、導体用トナーの現像器と絶縁体用トナーの現像器を交互に使用して、感光ドラム１に対して絶縁体用粒子像又は導体用粒子像の形成を切り換えることにより、積層パターンの連続形成を可能とする、簡素化された多層配線基板製造装置を実現することができる。
【００４６】
制御部３００によって行われる、本実施形態の積層パターン連続形成のシーケンス手順を図１２に示す。処理工程Ｓ１から処理工程Ｓ５までは一連の導体層形成工程を示し、処理工程Ｓ６から処理工程Ｓ１０までは一連の絶縁体層形成工程を示す。ここでは、単一の多層配線基板の製造工程を例に説明するが、多量製造時には、導体層形成工程及び絶縁体層形成工程をそれぞれ、多数枚の基板シートにつき実施してバッチ処理を行い、現像器２の切り替え処理回数を削減するのが好ましい。
導体層形成工程では、導体用トナーの現像器２の装着等の準備が行われた後（処理工程Ｓ１）、出発基材としての電気絶縁性基体であるグリーンシート１３の搬送導入が行われて、感光ドラム１により導体層用トナーパターンの転写処理が行われる（処理工程Ｓ２）。ついで、トナー定着処理工程Ｓ３、導体層焼成Ｓ４が行われ、収納部１８に搬送され、収納される（処理工程Ｓ５）。次に、絶縁体層形成工程に移り、絶縁体用トナーの現像器２の装着等の準備が行われた後（処理工程Ｓ６）、収納部１８から取り出した導体層形成済みシートの搬送導入が行われて、感光ドラム１により、導体層に積層して絶縁体層用トナーパターンの転写処理が行われる（処理工程Ｓ７）。ついで、トナー定着処理工程Ｓ８、導体層焼成Ｓ９が行われ、収納部１８に搬送され、収納される（処理工程Ｓ１０）。
【００４７】
以上の導体層形成工程及び絶縁体層形成工程を繰り返した後（処理工程Ｓ１１）、最終工程を導体層形成で終了することにより、後述の図７に示す、最上層に導体パターンが形成された多層配線基板を簡易な設備で低価格に製造することができる。
なお、本発明は、最上層を絶縁体層とした積層パターンを連続形成する場合にも適用することができる。また、積層パターンの最上層の上に、例えば絶縁性基体（グリーンシート）と同材料からなる被覆用絶縁層を被覆形成することにより、その被覆用絶縁層を保護層として有した多層電子部品あるいは多層配線基板を製造することができる。
【００４８】
図３は、導体層形成用感光ドラム１と絶縁体層形成用感光ドラム２１を別個に設けた本発明の別の実施形態に係る多層配線基板製造装置を示す。導体層形成用感光ドラム１側の導体パターン形成部は、前記実施形態の現像器２に導体用トナー８ａの現像器とした場合と同様であり、また絶縁体層形成用感光ドラム２１側の絶縁体パターン形成部は、前記実施形態の現像器２に絶縁体用トナーの現像器とした場合と同様であり、前者については図１と同じ符号を付している。
【００４９】
導体層形成用感光ドラム１側の導体パターン形成部において導体パターンが形成されたグリーンシート３９は、焼成後、連続処理のために収納部１８に搬送され、順次収納される。ついで、収納部１８より導体パターン形成済のシート４０が取り出されて、搬送路３５を通じて、次の絶縁体層形成用感光ドラム２１側の工程に移送される。
絶縁体パターン形成部は、絶縁体層形成用感光ドラム２１、感光ドラム１の周囲に配設された、現像器２２、帯電器２５からなり、現像器２２から供給される現像剤粒子である絶縁体用トナー８ｂをシート４０の表面に転写させる。感光ドラム２１は、図示の時計まわり方向に回転し、感光ドラム２１の表面に付着している余分のトナーは、清掃器５と同様の清掃器２６より除去される。シート４０は搬送装置１５と同様の搬送装置３４により感光ドラム２１の最下点の位置に向けて図の左方向に搬送される。感光ドラム２１の最下点には転写器３２が対向配置されている。
【００５０】
現像器２２では、絶縁体用トナー８ｂがトナー容器２７に貯留され、供給ローラ２８を介して現像ローラ３０の表面に付着トナー２３として供給される。供給ローラ２８は、導電性繊維２９が植毛されて形成され、トナー８ｂを荷電させる。現像器２２下部に配設されたトナー厚規制ブレード３１は、現像ローラ３０と微細な距離を隔てて離間し、現像ローラ３０の表面に付着するトナー厚みを規制する。トナー容器２７にはトナー８ｂに荷電を与えるために電位が印加されている。現像ローラ３０及びトナー厚規制ブレード３１は現像ローラ１１、トナー厚規制ブレード１９と同様の構成材料からなり、現像ローラ３０の表面には、絶縁体粒子層として２〜３層となる均一な厚みのトナー層が形成される。供給ローラ２８によるトナー８ｂへの電荷付与は、摩擦帯電や電荷注入方式を主体として行われる。
【００５１】
導体層形成用感光ドラム１側の導体パターン形成部において導体パターンが形成されたシート４０は、絶縁体トナー定着のために、搬送装置３４により左方向に搬送される。そして、感光ドラム２１の回転に伴って、前記導体パターンに積層して絶縁体のパターンの転写が行われた後、定着器３３の加熱ローラ及び加圧ローラ間で加熱・加圧され、トナー定着が行われる。導体パターンと絶縁体パターンが積層されたシートは、更に搬送路３５を通じて焼成装置３６搬送されて、焼成される。焼成後のシートは、収納部３７に一旦搬送されて収納され、更なる多層形成連続処理のために、搬送路３８を通じて再び感光ドラム１側に搬送される。なお、焼成装置１７における導体層の焼成温度は、例えば、導体原子が銅の場合には約１，１００℃、ニッケル原子で約１，５００℃である。また、焼成装置３６における絶縁体層の焼成温度は、例えば、セラミックス原料の場合には約１，０００℃である。図１又は図３の実施形態においては、焼成装置１７、３６を用いているが、焼成温度より低温の仮焼成を行うようにしてもよく、場合によっては焼成又は半焼成工程を省略し、積層パターン形成を終了した後に一括焼成するようにしてもよい。
【００５２】
搬送装置３４の搬送路３５は搬送路１６と同様に、搬送物通過センサＳが配置され、通過センサＳの検知によりシート４０の位置検出が行われる。感光ドラム２１の手前には、シート４０の位置合わせマークを認識するための認識カメラＣ２が配置されている。
導体層形成用感光ドラム１側の導体パターンの形成部は、パターン転写のとき、通過センサＳの検知後、シート３９は認識カメラＣ１の位置に搬送され、位置合わせマークを認識カメラＣにより確認した後、シート送り動作と感光ドラム１の回転動作を同調させて、所定の位置にパターン転写を行う。
絶縁体層形成用感光ドラム２１側の絶縁体パターンの形成部は、パターン転写のとき、通過センサＳの検知後、シート４０は認識カメラＣ２の位置に搬送され、位置合わせマークを認識カメラＣにより確認した後、シート送り動作と感光ドラム２１の回転動作を同調させて、所定の位置にパターン転写を行う。絶縁体パターンの形成部における、光照射２４による露光及び絶縁体パターンの静電潜像の顕在形成は、前記図２により説明した原理と同様にして行われる。
【００５３】
図３の実施形態によれば、感光ドラム１（第１の像受容体）を用いて、帯電付着から転写までを連続した工程により導体層を形成し、感光ドラム２１（第２の像受容体）を用いて帯電付着から転写までを連続した工程により絶縁体層を形成し、更に認識カメラＣ１又はＣ２により、絶縁性基体及び／又は前記導体層の一部又は全部を位置合わせの基準位置として判別し、その判別した基準位置に基づき、絶縁体用粒子像を導体層に転写して、絶縁性基体上に導体層と絶縁体層の組を１組以上積層定着させた積層パターンを形成することができる。従って、導体層の形成工程と絶縁体層の形成工程を連続処理化可能な多層配線基板製造装置を実現することができる。
【００５４】
図１又は図３の多層配線基板製造装置を用いた多層配線基板製造工程を更に具体的に説明する。図７は製造例に係る５層構造の多層配線基板の断面構成を示す。この多層配線基板は、最下層の絶縁体層６０、中間の絶縁体層６２、６４、６６及び最上層の絶縁体層６８と、最下層の導体層６１、中間の導体層６３、６５、６７、６９及び最上層の導体層７０、７１からなる積層体である。この積層体を用いて、例えば、上層の導体層７０、７１に、抵抗体７２を印刷形成し、裏面側の導体層６１にバンプ電極７３を形成し、バンプ電極７３にＩＣチップ７４、７５をハンダ付けして実装し、多層配線基板による複合電子部品を構成することができる。なお、絶縁体層及び導体層には上述した原料物質で構成される。導体層６１、中間の導体層６５、６９は後述のビアホール８０、８１、８２に埋め込み形成されるが、平面配線用導体層６３、６７より充填性のよい導電材を使用してもよい。
【００５５】
図４〜図６は本発明の図１の多層配線基板製造装置を用いた、上記構造の多層配線基板の製造工程を示す。まず、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はポリイミド等からなる層形成用キャリアシート５０が搬送路１６に搬送され、絶縁体の最下層形成が行われる。キャリアシート５０にはあらかじめ位置合わせマーク（図示せず）が印刷形成されており、その位置合わせマークを認識カメラＣにより認識した後、キャリアシート５０の送り動作と感光ドラム１の回転動作を同調させて、所定の位置に下層の絶縁体層６０のパターン転写が行われる（図４の４Ａ）。最下層の絶縁体層６０には、埋め込み導体のためのビアホール８０が設けられている。次の導体パターン形成工程（図４の４Ｂ）では、ビアホール８０への導体層６１の埋め込み形成が行われる。ついで、中間配線用の導体層領域を除いた絶縁体層６２が形成された後（図４の４Ｃ）、その導体層領域への導体層６３が形成される（図４の４Ｄ）。次に、ビアホール８１を有する、中間の絶縁体層６４が積層形成され（図５の５Ａ）、上記（４Ｂ）と同様に、ビアホール８１への導体層６５の埋め込み形成（図５の５Ｂ）、中間配線用の導体層領域を除いた絶縁体層６６の形成、その導体層領域への導体層６７の形成が行われる（図５の５Ｃ）。更に、最上層の絶縁体層６８の形成と、絶縁体層６８のビアホール８２への導体層６９の埋め込み形成が行われる（図６の６Ａ）。最後に、最上層の導体層７０、７１の積層形成を行われる（図６の６Ｂ）。以上の連続処理工程により形成された多層配線基板をキャリアシート５０に載置した状態で抵抗体７２の印刷形成工程に移送することにより複合電子部品の連続製造工程を実現することができる。
【００５６】
上記製造工程では、ビアホールの導体層埋め込み形成や中間の絶縁体層６４が積層形成を別の工程で行っているが、上層の導体層や絶縁体層と同時形成するようにしてもよい。図１１は、中間の絶縁体層６４工程を行わずに、上層絶縁体層と同時形成する製造工程の要部を示す。図４〜図６と同一部材等については同じ符号を付している。図４の（４Ａ）及び（４Ｂ）と同様にして、ビアホール８０を設けた最下層の絶縁体層６０に、導体層６１の埋め込み形成が行われる（図１１の１１Ａ、１１Ｂ）。ついで、中間配線用の導体層６３が形成される（図１１の１１Ｃ）。次に、ビアホール１２１を有するとともに導体層６３のない領域を覆う段差構造の絶縁体層１２０が積層形成される（図１１の１１Ｄ）。ついで、ビアホール１２１を充填するように導体層６５の埋め込み形成が行われ（図１１の１１Ｅ）、２層目の埋め込み導体層が形成され、以下同様の肯定を繰り返して、上記と同様の多層配線基板の積層体を製造することができる。導体層埋め込み形成を省く場合には、例えば、導体層６１と導体層６３を同一工程で同時形成すればよい。このようにビアホールの導体層埋め込み形成や中間の絶縁体層の積層形成を上層の工程と同時に形成することにより製造工程の簡略化を実現でき、製造コストを一層低価格化することができる。
【００５７】
本発明の多層配線基板製造装置を用いて多層配線基板を量産化する場合には、大型の出発基材を使用して多数個のパターン転写を行えばよい。図１０の（１０Ａ）は出発基材のグリーンシート２００を用意し、その中に多数個の基板領域２０１に上記図４〜図６に示した同一の積層パターンを個々形成する場合である。グリーンシート２００には位置合わせマーク２０２が非パターン形成部位に形成されている。積層パターンを個々形成する段階で各層にも位置合わせマーク２０４を層形成材を用いて形成して、位置合わせマーク２０２、２０４を認識して位置合わせを各層形成段階で行うことにより高精度に積層形成を行うことができる。多層形成を終了した後、各基板領域２０１間の分離領域２０３で分割切断処理することにより個別の多層配線基板を得ることができる。
【００５８】
図１０の（１０Ａ）の場合には各基板領域２０１を分離領域２０３を介して島状に形成したが、（１０Ｂ）に示すように、各基板領域２０５を縦横の分離領域２０６、２０７も含めて同一層状に積層形成するようにしてもよい。多層形成を終了した後、各基板領域２０５を分離領域２０６，２０７で分割切断処理することにより個別の多層配線基板を得ることができ、この場合には、積層パターンを個々形成する段階で位置合わせマーク２０８を分離領域２０６，２０７に形成することができる。
【００５９】
図１又は図３の多層配線基板製造装置はトナー材料を変更することにより積層コンデンサ等のセラミックス電子部品の製造に応用することができる。例えば、図１３に示す積層コンデンサの製造工程例を図８及び図９を用いて説明する。この積層コンデンサの積層体は、セラミックス層１００、１０２、１０４、１０６、１０８と、内部電極層１０１、１０３、１０５、１０７とからなる。この積層体は、焼成処理の後、外部電極１０９及び１１０を外被して積層セラミックスコンデンサ部品となる。図８及び図９の積層体製造工程では、積層体の形成後に加圧処理及び焼成処理されるために、図１の製造装置を使用するが、焼成装置１７による焼成処理は省かれる。まず、層形成用キャリアシート１１１が搬送路１６に搬送され、絶縁体の最下層１００の形成が行われる。キャリアシート１１１にはあらかじめ位置合わせマーク（図示せず）が印刷形成されており、その位置合わせマークを認識カメラＣにより認識した後、キャリアシート１１１の送り動作と感光ドラム１の回転動作を同調させて、所定の位置に下層のセラミックス層１００のパターン転写が行われる。最下層のセラミックス層１００の形成後、第１層目の内部電極１０１の導体パターン形成が行われる（図８の８Ａ）。内部電極１０１の長さはセラミックス層１００より短く、端部に空隙段差１１２が形成される。次に、空隙段差１１２を埋める段差形状のセラミックス層１０２が積層形成される（図８の８Ｂ）。更に、第２層目の内部電極１０３の導体パターン形成が行われ（図８の８Ｃ）、その上にセラミックス層１０４が積層形成される（図８の８Ｄ）。以上の工程を繰り返して、更に内部電極層１０５、１０７、セラミックス層１０６、１０８の多層形成が行われて（図９の９Ａ〜９Ｃ）、未焼成の積層体が形成される。この積層体を加圧、焼成することにより積層セラミックコンデンサの素体が形成され、外部電極１０９及び１１０を形成して積層コンデンサのセラミックス電子部品を製造することができる。上記製造工程においては、内部電極層とセラミックス層の積層パターンが連続処理されるため、製造コストを低減して、焼成等の後処理を経て、安価な多層構造電子部品を得ることができる。
【００６０】
本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における種々の変形例や設計変更をその技術的範囲内に包含するものであることは云うまでも無い。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明に係る積層パターン形成装置により、単一又は複数の像受容体に対して絶縁体用粒子像又は導体用粒子像の形成を行って、絶縁体層及び導体層の積層パターンの連続形成が可能となり、製造コストの低減を実現できる。従って、本発明により安価な多層電子部品、あるいは多層配線基板の提供が可能となり、本発明に係る各種電子部品を、例えば、家電用電子部品、自動車用電子部品、産業用電子部品、宇宙用電子部品などとして広範囲な分野に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施の一形態としての多層配線基板製造装置の概略構成図である。
【図２】図１の実施形態における露光装置と制御部を示す概略構成図である。
【図３】本発明の別の実施形態に係る多層配線基板製造装置の概略構成図である。
【図４】図１の多層配線基板製造装置を用いた、多層配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】図１の多層配線基板製造装置を用いた、多層配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】図１の多層配線基板製造装置を用いた、多層配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】図１又は図３の多層配線基板製造装置を用いて製造した多層配線基板の概略縦断面図である。
【図８】本発明をセラミックス電子部品の製造に応用したときの製造工程を示す図である。
【図９】本発明をセラミックス電子部品の製造に応用したときの製造工程を示す図である。
【図１０】多数個の基板領域を形成する場合の積層パターン形成例を説明するための基材平面図である。
【図１１】本発明に係る多層配線基板の別の製造工程を示す断面図である。
【図１２】図１の本実施形態の積層パターン連続形成のシーケンス手順を示す図である。
【図１３】図１の本実施形態の積層パターン連続形成のシーケンス手順を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１        感光ドラム
２        現像器
３        光照射
４        帯電器
５        清掃器
６        転写器
７        トナー容器
８        トナー
８ａ      トナー
８ｂ      トナー
９        供給ローラ
１０      導電性繊維
１１      現像ローラ
１２      トナー
１３      グリーンシート
１４      定着器
１５      搬送装置
１６      搬送路
１７      焼成装置
１８      収納部
１９      トナー厚規制ブレード
２０      搬送路
２１      感光ドラム
２２      現像器
２３      トナー
２４      光照射
２５      帯電器
２６      清掃器
２７      トナー容器
２８      供給ローラ
２９      導電性繊維
３０      現像ローラ
３１      トナー厚規制ブレード  
３２      転写器
３３      定着器
３４      搬送装置
３５      搬送路
３６      焼成装置
３７      収納部
３８      搬送路
３９      グリーンシート
４０      シート
４１      シート
５０      キャリアシート
６０      絶縁体層
６１      導体層
６２      絶縁体層
６３      導体層
６４      絶縁体層
６５      導体層
６６      絶縁体層
６７      導体層
６８      絶縁体層
６９      導体層
７０      導体層
７１      導体層
７２      抵抗体
７３      バンプ電極
７４      ＩＣチップ
７５      ＩＣチップ
８０      ビアホール
８１      ビアホール
８２      ビアホール
１００    セラミックス層
１０１    内部電極層
１０２    セラミックス層
１０３    内部電極層
１０４    セラミックス層
１０５    内部電極層
１０６    セラミックス層
１０７    内部電極層
１０８    セラミックス層
１０９    外部電極
１１０    外部電極
１１１    キャリアシート
１１２    空隙段差
１２０    絶縁体層
１２１    ビアホール
２００    グリーンシート
２０１    基板領域
２０２    位置合わせマーク
２０３    分離領域
２０４    位置合わせマーク
２０５    基板領域
２０６    分離領域
２０７    分離領域
２０８    位置合わせマーク
３００    制御部
３０１    ＲＯＭ
３０２    ＲＡＭ
３０３    検知出力
３０４    撮像データ
３０５    駆動部
３０６    駆動部
３０７    面発光レーザ
３０８    拡大レンズ
３０９    凹面鏡
Ｃ        認識カメラ
Ｃ１      認識カメラ
Ｃ２      認識カメラ
Ｓ        通過センサ
【図１】
2009054832.tif 000003
【図２】
2009054832.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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