(57)【要約】【課題】液相成長法による優れた圧電特性を有する圧電薄膜からなる圧電体素子を提供すること。【解決手段】本発明の圧電体素子は、基板１と、その基板１の上に形成した下部電極層２と、その下部電極層２の上に液相成長法により形成した圧電体層３と、その圧電体層３の上に形成した上部電極層４とを有する。圧電体層３をチタン酸ジルコン酸鉛を主成分とするペロブスカイト型酸化物強誘電体材料とし、ジルコンとチタンのモル比を（５４／４６）＜（Ｚｒ／Ｔｉ）＜（５７／４３）とすることによって、優れた圧電特性を有する。【選択図】図１
2009054934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成された下部電極層と、前記下部電極層の上に形成された圧電体層と、前記圧電体層の上に形成された上部電極層とを備えた圧電体素子であって、
前記下部電極層がニッケル酸ランタンを主成分とする導電性酸化物からなり
前記圧電体層が液相成長法により形成された、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とするペロブスカイト型酸化物強誘電体材料からなり、ジルコンとチタンのモル比が（５４／４６）＜（Ｚｒ／Ｔｉ）＜（５７／４３）である圧電体素子。
【請求項２】
前記導電性酸化物が、液相成長法により形成された、ニッケル酸ランタンを主成分とする擬立方晶系の（１００）面に優先配向したペロブスカイト型酸化物である請求項１に記載の圧電体素子。
【請求項３】
前記下部電極層の厚みが１００〜５００ｎｍである請求項２に記載の圧電体素子。
【請求項４】
前記圧電体層の厚みをｔｐとし、前記下部電極層の厚みをｔｅとしたとき、
（ｔｐ／ｔｅ）＜２の範囲において、（Ｚｒ／Ｔｉ）＝（５６／４４）であり、
（ｔｐ／ｔｅ）≧２の範囲において、（Ｚｒ／Ｔｉ）＝（５５／４５）である請求項１に記載の圧電体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気機械変換機能を有する圧電体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペロブスカイト型構造を有する酸化物誘電体薄膜は一般式ＡＢＯ3で表され、優れた強誘電性、圧電性、焦電性および電気光学特性を示し、各種センサやアクチュエータなど幅広いデバイスに有効な材料として注目されており、今後その利用範囲は拡大していくものと思われる。
【０００３】
このペロブスカイト型酸化物であるチタン酸ジルコン酸鉛（一般式Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3（０＜ｘ＜１）。以下、ＰＺＴと略す。）系薄膜は、高い圧電性を有することから、圧電センサや圧電アクチュエータなどの圧電素子に利用されている。圧電センサは、強誘電性の圧電効果を利用したものである。強誘電体は内部に自発分極を有しており、その表面に正および負電荷を発生させる。大気中における定常状態では大気中の分子が持つ電荷と結合して中性状態になっている。この圧電体に外圧がかかると圧電体から圧力量に応じた電気信号を取り出すことができる。また、圧電アクチュエータも同様の原理を用いたもので、圧電体に電圧を印加するとその電圧に応じて圧電体が伸縮し、伸縮方向あるいはその方向に直交する方向に変位を生じさせることができる。
【０００４】
ＰＺＴ系薄膜の形成方法は、蒸着法、スパッタリング法（以下、スパッタ法と略す。）、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法（以下、ＣＶＤ法と略す。）等に代表される気相成長法による形成方法が主流であり、最近では液相成長法を用いて作製が試みられている。この中で、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法（以下、ＣＳＤ法と略す。）は組成制御が容易で、再現性良く薄膜を作製しやすい、また製造設備に必要なコストが安く大量生産が可能という特徴がある（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平１１−２２０１８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来、液相成長法、例えばＣＳＤ法により作製したＰＺＴ系薄膜を用いた圧電体素子は、その圧電特性が不十分であるという問題があった。すなわち、結晶配向性が高く、かつ残留分極値等の圧電特性が良好なＰＺＴ系薄膜が得られていなかった。
【０００６】
そこで、本発明は上記の問題点を解決し、結晶配向性が高くかつ圧電特性の良好なＰＺＴ系薄膜を液相成長法により作製し、生産性に優れかつ高い圧電性を有する圧電体素子を提供することを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
すなわち、本発明の圧電体素子は、基板と、前記基板の上に形成された下部電極層と、前記下部電極層の上に形成された圧電体層と、前記圧電体層の上に形成された上部電極層とを備えた圧電体素子であって、前記下部電極層がニッケル酸ランタンを主成分とする導電性酸化物からなり、前記圧電体層が液相成長法により形成された、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とするペロブスカイト型酸化物強誘電体材料からなり、ジルコンとチタンのモル比が（５４／４６）＜（Ｚｒ／Ｔｉ）＜（５７／４３）であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明においては、導電性酸化物に、液相成長法により形成された、ニッケル酸ランタンを主成分とする擬立方晶系の（１００）面に優先配向したペロブスカイト型酸化物を用いることができる。
【０００９】
また、本発明においては、下部電極層の厚みを１００〜５００ｎｍとすることができる。
【００１０】
また、本発明においては、圧電体層の厚みをｔｐとし、下部電極層の厚みをｔｅとしたとき、
（ｔｐ／ｔｅ）＜２の範囲において、（Ｚｒ／Ｔｉ）＝（５６／４４）、
（ｔｐ／ｔｅ）≧２の範囲において、（Ｚｒ／Ｔｉ）＝（５５／４５）、とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、下部電極層にニッケル酸ランタンを主成分とする導電性酸化物を用い、圧電体層には液相成長法により形成された、ジルコンとチタンのモル比が（５４／４６）＜（Ｚｒ／Ｔｉ）＜（５７／４３）であるＰＺＴ系薄膜を用いることにより、その高い結晶配向性と良好な圧電特性により、液相成長法により作製したＰＺＴ系薄膜を用いた場合であっても、優れた圧電特性を有する圧電体素子を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態に係る圧電体素子について、図面を用いて説明する。
図１は、実施の形態に係る圧電体素子の構造の一例を示す模式断面図である。圧電体素子は、基板１と、この基板１の上に形成された下部電極層２と、この下部電極層２の上に液相成長法により形成された圧電体層３と、この圧電体層３の上に形成された上部電極層４とから構成されている。
【００１３】
基板１には、品質安定性に優れ低コストである、（１００）面に配向したシリコンの単結晶基板を用いることができるが、シリコン基板に限定されず、ＳｉＯ２を始め、金属、合金等、作製するデバイスに応じた様々な基板を用いることができる。
【００１４】
下部電極層２には、ニッケル酸ランタン（化学式ＬａＮｉＯ３。以下、ＬＮＯと略す。）を主成分とする導電性酸化物を用いることができる。さらに、この導電性酸化物には、擬立方晶系で（１００）面に優先配向したペロブスカイト型酸化物を用いることができる。擬立方晶系で（１００）面に優先配向したペロブスカイト型酸化物を用いることにより、下部電極層２は、電極としての役割を有するだけでなく、圧電体層３を（１００）面又は（００１）面に優先配向させる配向制御層としての役割を兼ねることができるからである。ここで、ＬＮＯを主成分とする導電性酸化物には、ＬＮＯと、ニッケルの一部を他の金属で置換した材料、例えば、鉄で置換したＬａＮｉＯ３−ＬａＦｅＯ３系材料、アルミニウムで置換したＬａＮｉＯ３−ＬａＡｌＯ３系材料、マンガンで置換したＬａＮｉＯ３−ＬａＭｎＯ３系材料、コバルトで置換したＬａＮｉＯ３−ＬａＣｏＯ３系材料とが含まれるが、ＬＮＯを用いることが好ましい。また、導電性酸化物の厚さは、１００〜５００ｎｍであることが好ましい。１００ｎｍを下回るとＬＮＯの結晶性が低くなり、５００ｎｍよりも厚くなると生産性が低下するからである。
【００１５】
また、後で説明するように、ＬＮＯは結晶成長の核形成サイトとしての役割を果たすため、従来７５０℃以上の高温が必要であったＰＺＴの結晶化温度を５００℃まで低温化することが可能になる。これにより、ＰＺＴの結晶化時にＰｂが蒸発することによるＰＺＴの結晶性低下や、基板１と圧電体層３間の相互拡散を抑制することができ、圧電特性の劣化を防止する効果も有する。
【００１６】
なお、ニッケル酸ランタン（以下、ＬＮＯという）は、Ｒ−３ｃの空間群を持ち、菱面体に歪んだペロブスカイト型構造（菱面体晶系：ａ０＝５．４６１Å（ａ０＝ａｐ）、α＝６０°、擬立方晶系：ａ０＝３．８４Å）を有し、抵抗率が１×１０−３（Ω・ｃｍ、３００Ｋ）で、金属的電気伝導性を有する酸化物であって、温度を変化させても金属−絶縁体転移が起こらない材料である。
【００１７】
圧電体層３には、液相成長法により形成させた菱面体晶系または正方晶系の（００１）面又は（１００）面方向に配向したＰＺＴ系薄膜を用いることができる。以後、（００１）面または（００１）面配向に配向しているＰＺＴ系薄膜を、ＰＺＴ（００１）／（１００）と標記する。液相成長法によって形成させたＰＺＴの組成は、ジルコンとチタンのモル比を（５４／４６）＜（Ｚｒ／Ｔｉ）＜（５７／４３）とすることによって優れた圧電特性を示す。一方、スパッタ法等の気相プロセスで作製した従来のＰＺＴ系薄膜では、優れた圧電特性を示す組成としては、正方晶系と菱面体晶系との境界（モルフォトロピック相境界）付近の組成（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７）近傍の組成で、優れた圧電特性を示すことが知られている。すなわち、従来のＰＺＴ系薄膜では、高い圧電定数を実現するためには、本実施の形態の場合と異なり、Ｚｒ／Ｔｉの比率を５３／４７としておくことが一般的である。
【００１８】
また、圧電体層３の構成材料は、ＰＺＴを主成分とする圧電材料であれば良く、Ｓｒ、Ｎｂ、Ａｌ等を含有していても良い。また、圧電体層３の膜厚は、０．５〜５．０μｍであれば良い。
【００１９】
なお、圧電体層３は液相成長法を用いて作製するが、液相成長法には、ＣＳＤ法、水熱合成法、そして酸化熱分解法等を用いることができる。
【００２０】
また、本実施の形態によれば、ＬＮＯからなる下部電極層２の上にＰＺＴからなる圧電体層３を形成しているので、従来の圧電素子のようにＰｔからなる下部電極層２の上に形成した場合と比較して、格段に高い結晶配向性を得ることができる。ここで、（００１）／（１００）面の配向度（α（００１）／（１００））を、以下の式（Ｉ）の通り定義すると、
【数１】
2009054934.tif 000003
この圧電体層３の（００１）／（１００）面配向度α（００１）／（１００）は約９８％であった。ここで、式（Ｉ）において、ΣＩ（ｈｋｌ）は、Ｘ線回折法において、Ｃｕ−Ｋα線を用いたときの２θが１０〜７０°でのペロブスカイト型結晶構造のＰＺＴにおける各結晶面からの回折ピーク強度の総和である。なお、（００２）面及び（２００）面は（００１）面および（１００）面と等価な面であるため、ΣＩ（ｈｋｌ）には含めない。
【００２１】
高い面配向度が得られるのは、ＬＮＯは電極としての役割を有するだけでなくＰＺＴとの格子マッチングが良好だからである。格子マッチングとは、ＰＺＴの単位格子とＬＮＯの表面の単位格子との格子整合性のことをいう。一般的に、ある種の結晶面が表面に露出している場合、その結晶格子と、その上に成膜する膜の結晶格子とをマッチングさせる力が働き、基板と膜界面とでエピタキシャルな結晶核を形成しやすいことが報告されている。このことから（１００）面配向したＬＮＯの表面（格子定数：３．８４Å）と格子マッチングのよいＰＺＴ（格子定数：ａ＝４．０３６、ｃ＝４．１４６Å）のＰＺＴ（００１）面及び（１００）面が選択的に生成するものである。
【００２２】
一方、従来の圧電体素子では、Ｐｔからなる下部電極の上にＣＳＤ法によりＰＺＴからなる圧電薄膜を形成していたので、結晶化のためのアニールを行う際に、７００℃と非常に高温にする必要があり、アニール中の膜組成のＰｂ、Ｔｉの拡散、Ｐｂ−Ｐｔ化合物の形成等により所望の圧電体組成が得られず、圧電薄膜を形成するＰＺＴ層の結晶配向性が低くなっていた。例えば、従来の圧電薄膜では、（１００）面の配向度（α（１００））が８８％程度と低い値になっていた。そのため、圧電特性が低い圧電体素子となり、例えばアクチュエータとして用いた場合には変位量が不十分であるとともに、印加電圧に対する変位量の変化が非線形になってしまうものである。これに対して、本実施の形態に係るＰＺＴ系薄膜層は（００１）／（１００）面方向だけに配向していた。
【００２３】
本実施の形態に係る圧電体素子は圧電定数が高く、膜表面にクラックがないため、光スイッチ、レーザビームスキャナ等に用いる圧電アクチュエータや、角速度センサ等の各種センサ用途として好適である。また、下部電極層２及び圧電体層３を液相成長法により作製するため、スパッタ法等の気相成長法で必要となる真空プロセスが不要であり、製造コストを低減できる。また、下部電極層２に用いるＬＮＯは（１００）面方向に配向しやすく、その下部となる基板１の材料には依存しにくいため、基板１としてＳｉ、ＳｉＯ２を始め、金属、合金等、作製するデバイスに応じた様々な材料を選択できる。
【００２４】
次に、本実施の形態に係る圧電体素子の一例として、シリコン基板１と、そのシリコン基板１の上にＣＳＤ法により形成されたＬＮＯからなる下部電極層２と、その下部電極層２の上にＣＳＤ法により形成されたＰＺＴ系薄膜からなる圧電体層３と、その圧電体層３の上に形成されたＡｕからなる上部電極層４を備えた圧電体素子の製造方法について説明する。
【００２５】
（基板の準備）
まず、所定の形状のシリコン基板１を準備した。
【００２６】
（下部電極層の作製）
次に、以下の手順により、シリコン基板１の上にＬＮＯを主成分とする下部電極層２を形成する。シリコン基板１の上にＬＮＯ前駆体溶液をスピンコート法により塗布した。スピンコートの条件としては、回転数３５００ｒｐｍで３０秒とした。
【００２７】
ＬＮＯ前駆体溶液の出発原料としては、硝酸ランタン六水和物、酢酸ニッケル四水和物を用い、溶媒として２−メトキシエタノールと２−アミノエタノールを用いた。２−メトキシエタノールはわずかに水分を含んでいるため、あらかじめモレキュラーシーブ０．３ｎｍを用いて水分を除去したものを使用した。
【００２８】
次に、硝酸ランタン六水和物（Ｌａ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏ）を所定のビーカーに採り、水和物の除去のため１５０℃で１時間以上乾燥させた。その後、室温まで冷却した後、２−メトキシエタノールを加えて、室温で３時間攪拌することで、硝酸ランタンを溶解させて溶液Ａを調製した。
【００２９】
一方、酢酸ニッケル四水和物（（ＣＨ３ＣＯＯ）２Ｎｉ・４Ｈ２Ｏ）を別のセパラブルフラスコに採り、水和物の除去のため１５０℃で１時間乾燥の後、２００℃で１時間、計２時間乾燥させた。次に、２−メトキシエタノールおよび２−アミノエタノールを加え、１１０℃で３０分間攪拌して溶液Ｂを調製した。
【００３０】
溶液Ｂを室温まで冷却した後、溶液Ａを溶液Ｂが入っているセパラブルフラスコに投入し、室温で３時間攪拌することにより、ＬＮＯ前駆体溶液を作製した。
【００３１】
次に、シリコン基板１の上に塗布したＬＮＯ前駆体溶液を１５０℃で１０分間加熱して乾燥を行い、その後３５０℃で１０分間加熱して、残留有機成分の熱分解を行った。この乾燥工程は前駆体溶液中の物理吸着水分の除去を目的としたものであり、温度は１００℃を超えて２００℃未満であることが望ましい。これは、２００℃以上では前駆体溶液中の残留有機成分の分解が開始するためであり、作製した膜中への水分の残留を防止するためである。また、熱分解工程の温度は２００℃以上５００℃未満であることが好ましい。これは、５００℃以上では乾燥した前駆体溶液の結晶化が大きく進行するためであり、作製した膜中への有機成分の残留を防止するためである。
【００３２】
その後、このＬＮＯ前駆体溶液を基板１の上に塗布する工程から熱分解を行うまでの工程を複数回繰り返し、所望の膜厚になった時点で、急速加熱炉（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ。ＲＴＡと略す。）を用いて急速加熱し、結晶化を行った。結晶化の条件は７００℃で５分とし、昇温速度は２００℃／ｍｉｎとした。結晶化温度は５００℃以上７５０℃以下が望ましい。以上の工程を経ることにより、（１００）面方向に高配向したＬＮＯからなる厚さ２００ｎｍの下部電極層２が得られた。
【００３３】
（圧電体層の作製）
下部電極層２の上に、圧電体層３を形成するためのＰＺＴ前駆体溶液をスピンコート法により塗布した。このＰＺＴ前駆体溶液の調製方法を以下に示す。この溶液に用いるエタノールは、含有水分による金属アルコキシドの加水分解を防止するため、予め脱水処理を行った無水エタノールを用いた。
【００３４】
Ｐｂ前駆体溶液の出発原料として、酢酸鉛（II）三水和物（Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3）2・３Ｈ2Ｏ）を用いた。これをセパラブルフラスコに採り、水和物の除去のため１５０℃で２時間以上乾燥させた。次に無水エタノールを加えて溶解し、７８℃で４時間還流させ、Ｐｂ前駆体溶液を作製した。Ｔｉ−Ｚｒ前駆体溶液の出発原料としては、チタンイソプロポキシド（Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4）ジルコンノルマルプロポキシド（Ｚｒ（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3）4）を用いた。これを別のセパラブルフラスコに採り、無水エタノールを加えて溶解し、７８℃で４時間還流することで、Ｔｉ−Ｚｒ前駆体溶液を作製した。Ｚｒ／Ｔｉ比はｍｏｌ比で表１に示した組成比となるように秤量した。このＴｉ−Ｚｒ前駆体溶液をＰｂ前駆体溶液に混合した。このとき、Ｐｂ成分を化学量論組成（Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3）に対し２０ｍｏｌ％過剰とした。これは、アニール時の鉛成分の揮発による不足分を補うためである。この混合溶液を７８℃で４時間還流し、安定化剤としてアセチルアセトンを金属陽イオンの総量に対して０．５ｍｏｌ等量加え、さらに７８℃で１時間還流することでＰＺＴ前駆体溶液を作製した。このＰＺＴ前駆体溶液を下部電極層２の上にスピンコートを行う条件としては、回転数２５００ｒｐｍで３０秒とした。
【００３５】
次に、下部電極層２の上に塗布したＰＺＴ前駆体溶液を１１５℃で１０分間加熱して乾燥し、その後３５０℃で１０分間加熱して、残留有機成分の熱分解を行った。乾燥工程は前駆体溶液中の物理吸着水分の除去を目的としたものであり、温度は１００℃を超えて２００℃未満であることが望ましい。これは、２００℃以上では前駆体溶液中の残留有機成分の分解が開始するためであり、作製した膜中への水分の残留を防止するためである。そして、熱分解工程の温度は２００℃以上５００℃未満であることが好ましい。これは、５００℃以上では乾燥した前駆体溶液の結晶化が大きく進行するためであり、作製した膜中への有機成分の残留を防止するためである。
【００３６】
その後、このＰＺＴ前駆体溶液を下部電極層２の上に塗布する工程から熱分解を行うまでの工程を複数回繰り返し、所望の膜厚になった時点で、急速加熱炉を用いて結晶化を行った。結晶化の条件は５５０℃で５分とし、昇温速度は２００℃／ｍｉｎとした。このときの結晶化温度は５００℃以上７５０℃以下が望ましい。従来、白金からなる下部電極層２の上にＣＳＤ法によりＰＺＴ系薄膜を作製する場合、ペロブスカイト単相化のためには６００℃以上の高温を必要としていた。しかし、本実施の形態においては、下部電極層２を構成するＬＮＯが結晶成長の核形成サイトとしての役割を果たしＰＺＴの結晶化を促進するため、結晶化温度を５００℃と低温化することが可能になる。また、７５０℃よりも高くすると、成膜時に、膜中に含まれるＰｂが蒸発することにより不足して結晶性が低下するので、好ましくない。以上の工程により、（００１）面方向に高配向のＰＺＴ系薄膜からなる圧電体層３が得られた。
【００３７】
（上部電極層の作製）
圧電体層３の上にイオンビーム蒸着法により、Ａｕからなる上部電極層４を形成する。上部電極層４の形成方法については、イオンビーム蒸着法に限るものではなく、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法等を用いても良い。
【００３８】
なお、本実施の形態では圧電体層３の形成において、所望の膜厚を得るために複数回塗布〜熱分解を繰り返した後に結晶化を行ったが、毎回塗布〜結晶化までの工程を繰り返しても良い。
【００３９】
以上の製造方法によって、表１に示したＺｒ／Ｔｉのモル比からなる材料組成の圧電薄膜を作製し、残留分極（Ｐｒ）を測定して圧電特性（残留分極）を評価した。以下、その結果について説明する。
【００４０】
【表１】
2009054934.tif 000004
【００４１】
残留分極（Ｒｅｍａｎｅｎｔ  Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ。以下、Ｐｒと略す。）の測定はソーヤ・タワー回路を用いて測定した。すなわち、圧電体素子に三角波電圧（Ｖ）を印加し、それによって生じる分極が更に表面電荷を発生させ、この表面電荷量（Ｑ）を測定し、電極面積（Ｓ）で除することによって残留分極（Ｐｒ）を求めた。
【００４２】
表１に示す結果から、ＣＳＤ法によって作製したＰＺＴ系薄膜のＺｒ／Ｔｉのモル比が（５４／４６）＜（Ｚｒ／Ｔｉ）＜（５７／４３）において優れたセンサ特性を示すことが分かった。Ｚｒ／Ｔｉ比が５３／４７では角速度センサのＳ／Ｎ比が十分ではなかった。また、Ｚｒ／Ｔｉ比が５８／４２では結晶化することができず、特性を評価できる角速度センサを作製することができなかった。
【００４３】
次に、作製した圧電体素子をダイシングにより２０ｍｍ×２ｍｍに切り出してカンチレバーを作製し、０．２μｍ厚の金（Ａｕ）からなる上部電極層４を形成して、圧電定数ｄ３１の測定を行ったところ、ｄ３１＝−１２０ｐＣ／Ｎ程度と非常に高い値が得られた。この上部電極層４の材料はＡｕに限らず、導電性材料であればよく、膜厚は０．１〜０．４μｍであればよい。
【００４４】
次に、シリコン基板１は同じ条件とし、圧電体層２の厚み（ｔｐ）と下部電極層２の厚み（ｔｅ）との比（ｔｐ／ｔｅ）を変化させたときの残留圧縮応力の評価を行った。残留圧縮応力の測定は、ラマン分光法を用いて行った。そのときのラマン光源はアルゴンイオンレーザー（波長；４８８ｎｍ）を用いた。このラマンスペクトルは応力によりシフトすることが知られているため、この特性を用いることで、薄膜に働く応力の状態を評価することができる。PZTの微粒子をストレスフリーの状態とし、それに一定の応力を印加した際に、ラマンスペクトルのピークシフト量を算出し、その結果をもとに圧電薄膜の残留応力を測定した。そのときの評価結果を図２に示す。また、Ｚｒ／Ｔｉ比と圧電特性（残留分極（Ｐｒ））の評価結果を図３に示す。
【００４５】
図２および図３の結果より、圧電体層３の残留圧縮応力をＲｓとしたとき、
Ｒｓ＞０．５ＧＰａの範囲において、（Ｚｒ／Ｔｉ）＝（５６／４４）とすることによって、より圧電特性に優れた圧電薄膜を実現していることが分かった。このような構成の圧電薄膜からなる圧電体素子は、誘電率を高くしかつ残留分極を大きくすることができるため、各種センサまたは強誘電体メモリーなどの用途に適している。
【００４６】
また、０．５ＧＰａ≧Ｒｓ≧０．３ＧＰａの範囲において、（Ｚｒ／Ｔｉ）＝（５５／４５）とすることが好ましいことが分かった。このような構成の圧電体素子は、電気機械結合係数を高くすることができるため、耐電圧特性と長期信頼性が必要な各種アクチュエータ等の用途に適している。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上のように、本発明の圧電体素子は、圧電特性に優れた圧電体層を容易に形成することができることから、各種電子機器に用いる角速度センサなどの各種センサ、圧電アクチュエータや超音波モータ等の各種アクチュエータおよび光スキャナや光スイッチ等の光学デバイス等の用途として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施の形態１における圧電体素子の構造の一例を示す模式断面図である。
【図２】図１の圧電体素子における、圧電体層の膜み（ｔｐ）と下部電極層の厚み（ｔｅ）との比（ｔｐ／ｔｅ）と残留圧縮応力との関係を示す図である。
【図３】図１の圧電体素子における、種々の圧電体層の膜みにおける、Ｚｒの割合と残留分極との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  基板
２  下部電極層
３  圧電体層
４  上部電極層
【図１】
2009054934.tif 000005
【図２】
2009054934.tif 000006
【図３】
2009054934.tif 000007