(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップの基板を貫通するプラグにおいて、微細になるとプラグに接続する電極との接続抵抗が大きくなる、またリーク電流が大きくなる、あるいは絶縁破壊やストレスマイグレーションが生じる、という問題があった。これらの問題の生じにくい貫通プラグの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１００の表面に設けられた電極パッド４００と、基板裏面に設けられた接続電極３８０とを電気的に接続する貫通プラグ３５０の端部が、電極パッドおよび接続電極に部分的に食い込んだ構造とする。および、半導体基板から貫通プラグを絶縁する絶縁分離部２１０が、半導体基板表面側の絶縁膜２０５に部分的に食い込んだ構造とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が設けられた複数の半導体チップからなる３次元積層ＬＳＩにおいて、
前記半導体チップの半導体基板を貫通プラグの形状に合わせて貫通させた、少なくとも１個の孔のそれぞれに埋め込まれた前記貫通プラグと、
該貫通プラグのすべてを取り囲む形状に前記半導体基板を貫通して設けた孔に埋め込まれた絶縁分離部と、
前記貫通プラグに接続される前記半導体基板の表面と裏面に設けた電極と、
を具備することを特徴とする貫通プラグ配線。
【請求項２】
前記電極の少なくとも一方に、前記貫通プラグの一部が食い込んだ埋め込み構造を有することを特徴とする請求項１記載の貫通プラグ配線。
【請求項３】
前記半導体基板の表面および裏面に設けられた絶縁膜に、前記絶縁分離部の一部が食い込んだ埋め込み構造を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の貫通プラグ配線。
【請求項４】
前記半導体基板を前記貫通プラグの形状に合わせて貫通させた孔の断面形状が、線または正方形もしくは円形の形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の貫通プラグ配線。
【請求項５】
前記貫通プラグと該貫通プラグの形状に穿った貫通孔側壁を形成する前記半導体基板の間に、導電性ポリシリコン、金属の窒素化合物又は金属の珪素化合物からなる導電緩衝膜を設けることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の貫通プラグ配線。
【請求項６】
前記絶縁分離部に囲まれた前記半導体基板の領域は、前記貫通プラグを埋め込む孔を抜いた残余の領域であり、前記導電緩衝膜を介して又は直接に前記貫通プラグと接触することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか記載の貫通プラグ配線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通プラグ配線の構造に関しており、特に回路が設けられた複数の半導体チップに貫通プラグを設け、これらを積層し接続した３次元積層ＬＳＩを作る技術に関する。 
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の半導体チップを積層した３次元ＬＳＩが提案されている。３次元ＬＳＩでは、各々の半導体チップの半導体基板を貫通する貫通プラグを設けて、積層した半導体チップ間を電気的に接続している。
【０００３】
３次元ＬＳＩに用いられている半導体基板を貫通する貫通プラグの構造としては、例えば特許文献１に記載されるものがある。図18はこの構造を説明するための平面図であり、図19は図18のA−Bの位置における断面構造を模式的に示す。半導体基板100の一部に、基板を貫通するように絶縁分離領域200が設けられ、当該絶縁分離領域に基板を貫通する貫通プラグ300が設けられる。半導体基板の表側と裏側に露出するこの貫通プラグの上端部と下端部に、上層や下層の半導体チップに設けられた電極を接続することで、３次元ＬＳＩを構成する。
【０００４】
半導体基板を貫通する他の貫通プラグの構造として、特許文献２に記載されるものもある。図20は、この構造を説明するもので平面構造を模式的に示す。また、図21は図20のA−Bの位置における断面構造を模式的に示す。半導体基板100の一部に、基板を貫通するように絶縁膜202で絶縁分離された矩形ドーナツ状の貫通プラグ302が設けられ、この矩形ドーナツ状の貫通プラグで囲まれた半導体基板分離領域101にも、絶縁膜201で絶縁分離された線状貫通プラグ301が設けられる。当該従来例では、矩形ドーナツ状の貫通プラグ302と線状貫通プラグ301の両方を用いて半導体チップ間の接続を行っており、理論回路など大きな電流を入出力する半導体チップ間の接続にも対応できるようにしている。
【特許文献１】特開２００６−１６５０２５号公報
【特許文献２】特開２００６−１９４３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図18〜21に示す従来構造の貫通プラグは、絶縁膜で絶縁分離された貫通プラグを半導体基板の表面側から裏面側に貫通するように設けた構造であることを特徴としている。さらに強調するならば、従来の貫通プラグは絶縁膜に接しており、当該絶縁膜に取り囲まれて設けられることが特徴である。
【０００６】
前記の絶縁膜は、半導体基板と貫通プラグとを絶縁分離する機能を有している。貫通プラグの上端部および下端部への電気的接続は、露出した貫通プラグの端面に、バンプあるいはハンダボールなどの金属を用いて、他の半導体チップの表面に設けられた電極に接続することで行う。
【０００７】
電気的接続にバンプあるいはハンダボールを用いることから、接続部は60〜100ミクロン程度の面積を要する。従って、従来の半導体チップで用いられるボンディングパッド（寸法は約100ミクロン平方）を介して、半導体チップを相互に電気的接続を行い、３次元ＬＳＩを実現するものである。
【０００８】
ＬＳＩの微細化・高密度化は年々進んでおり、３次元ＬＳＩに用いられる貫通プラグにおいても、より微細な寸法で電気的接続を行える技術が要求されていた。すなわち、異なる半導体チップ内に設けられたトランジスタ回路を、相互に接続するための微細な貫通プラグの技術が求められている。微細な貫通プラグに求められる寸法は、少なくとも10ミクロン以下が必要となるが、かかる微細寸法の貫通プラグ構造では、プラグに接続する電極との接触面積が貫通プラグの断面積であることから、きわめて小さな接触面積で接続することになり、接続抵抗が大きくなり接続不良が多発するという欠点があった。
【０００９】
さらに、図21の従来構造の貫通プラグで微細化しようとすると、半導体を貫通するプラグ径は極力大きくしたいことから、貫通プラグ302と半導体基板100とを絶縁分離する絶縁膜202の厚さを数100ナノメートル以下と薄くすることになる。絶縁膜が薄くなると、貫通プラグと半導体基板との間に生ずるリーク電流経路130が増大するため、ＬＳＩが誤作動を引き起こす、あるいは絶縁破壊を引き起こしＬＳＩが不良になるなどの重大な問題が起こる。
【００１０】
一方、絶縁分離する絶縁膜202の厚さを充分に厚く設けると、当該絶縁膜と貫通プラグに用いる電極材料との熱膨張係数が大きいために、貫通プラグの特に上端部および下端部の近傍に大きなストレスが加わる。この結果、貫通プラグに用いた電極材が電流の流れに沿って移動する現象（ストレスマイグレーション）が顕著となり、貫通プラグの一部に空洞が生じ断線するという問題も生ずる。かかるストレスマイグレーションによる断線は、貫通プラグの径寸法が小さくなるほど顕著となることから、微細な貫通プラグ配線ではきわめて重大な問題となる。ストレスマイグレーションによる断線は、ある程度の時間を経過した後に発現することから、製品が市場に出回った後に故障となるため、長期信頼性を著しく劣化させる点で影響が極めて大きい。
【００１１】
本発明は、貫通プラグの径寸法がきわめて小さい場合でも接続抵抗が小さくでき、また貫通プラグと半導体基板との間の絶縁性に優れ、長期信頼性の特性にも優れた貫通プラグ配線を提供することを目的としている。 
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、回路が設けられた複数の半導体チップからなる３次元積層ＬＳＩにおいて、前記半導体チップの半導体基板を貫通プラグの形状に合わせて貫通させた、少なくとも１個の孔のそれぞれに埋め込まれた前記貫通プラグと、該貫通プラグのすべてを取り囲む形状に前記半導体基板を貫通して設けた孔に埋め込まれた絶縁分離部と、前記貫通プラグに接続される前記半導体基板の表面と裏面に設けた電極と、を具備することを特徴とする貫通プラグ配線を提供する。
【００１３】
また、前記半導体基板の表面と裏面に設けた前記電極の少なくとも一方に、前記貫通プラグの一部が食い込んだ埋め込み構造を有することを特徴とする貫通プラグ配線である。
【００１４】
さらに、前記半導体基板の表面および裏面に設けられた絶縁膜に、前記絶縁分離部の一部が食い込んだ埋め込み構造を有することを特徴とした貫通プラグ配線である。
【００１５】
また、前記半導体基板を前記貫通プラグの形状に合わせて貫通させた孔の断面形状が、線または正方形もしくは円形の形状であることを特徴とする貫通プラグ配線である。
【００１６】
また、前記貫通プラグと該貫通プラグの形状に穿った貫通孔側壁を形成する前記半導体基板の間に、導電性ポリシリコン、金属の窒素化合物又は金属の珪素化合物からなる導電緩衝膜を設けることを特徴とする貫通プラグ配線である。
【００１７】
および、前記絶縁分離部に囲まれた前記半導体基板の領域は、前記貫通プラグを埋め込む孔を抜いた残余の領域であり、前記導電緩衝膜を介して又は直接に前記貫通プラグと接触することを特徴とする貫通プラグ配線である。 
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、貫通プラグの両端部に接続する他の電極との接触面積が大きくできることから、接続抵抗を低く維持しながら、微細な寸法の貫通プラグ配線構造が実現される。
【００１９】
また、本発明になる貫通プラグ配線は、プラグ径が10ミクロン以下の微細プラグであっても、0.1ミリオーム以下という実用上充分に低い接続抵抗のプラグが再現性良く実現できる。従って、異なる半導体チップ間のトランジスタ回路ブロックを相互に接続することも、さらにはトランジスタ回路自体を相互に接続することが可能である。このため、３次元積層ＬＳＩのいっそうの高密度化に極めて有効である。
【００２０】
本発明によれば、貫通プラグと半導体基板とを絶縁分離する絶縁膜の厚さを充分厚く設けることができることから、貫通プラグと半導体基板との間に生ずるリーク電流を実用上問題ない低いレベルに抑えることができ、あるいは絶縁破壊を防止できる。したがって、ＬＳＩの誤動作を防止し故障の少ない、高品質で信頼性に優れた３次元積層ＬＳＩが実現される。
【００２１】
さらに、本発明になる貫通プラグ配線は、貫通プラグと絶縁分離膜との間に半導体基板材料が設けられるため、貫通プラグに加わるストレスが小さい。このため、ストレスマイグレーション現象が防止できるため、貫通プラグの断面寸法が微細になっても断線が生じにくいという効果がある。したがって、長期信頼性に優れた３次元積層ＬＳＩが提供できる。 
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明になる貫通プラグ配線の構造およびこの製造工程を、図面を用いて説明する。
（弟１の実施の形態）
【００２３】
図１は、本発明になる第１の貫通プラグ配線の構造を説明する図であり、トランジスタ回路が設けられた半導体基板（トランジスタや配線等はすべて完成している）の裏面側から見た平面構造を模式的に示す。図において、100は半導体基板、210は絶縁分離部、101は絶縁分離部210により分離された半導体基板領域、350は貫通プラグ、400は半導体基板の表面（図では紙面の裏側になる）に設けられた半導体チップの内部および外部に信号を伝えるための電極パッドを示す。
【００２４】
図２は図１のA−Bの位置における断面構造を模式的に示す。図において、110はトランジスタのソースやドレインなどの回路素子が設けられた領域、205は半導体基板表面に設けられた絶縁膜、220と230は半導体基板裏面に設けられた第一の絶縁膜と第二の絶縁膜、380は貫通プラグ350と接続をとる接続電極、をそれぞれ示す。なお、構造の説明を容易とするために、接続電極380は図１では省略されている。当該例では、貫通プラグ350には銅、ニッケル、タングステンなどの金属、あるいは金属珪素化合物や金属窒素化合物、あるいは導電性ポリシリコンなどが用いられる。
【００２５】
本発明の特徴は、貫通プラグ350は、半導体基板の表面（図２では下側）に設けられた電極パッド400の厚み方向に食い込むように設けられ、また半導体基板の裏面（図２では上側）に設けられた電極380の厚み方向にも食い込むように設けられる。この構造により、貫通プラグ350に対する電極パッド400、および電極380との間の接触面積を拡大できることから、接触抵抗を充分に低く維持している。
【００２６】
さらに、当該発明の貫通プラグ配線では、貫通プラグ350は、分離された半導体基板領域101と接触する構成となっている。半導体基板にはシリコン結晶が用いられるが、シリコン結晶は絶縁膜に比べて貫通プラグ材料に対するストレスが小さい。このため、ストレスマイグレーションの現象が起こりにくく、したがって貫通プラグに空洞が生じにくい。
【００２７】
さらに、当該貫通プラグ配線では、貫通プラグ350は、分離された半導体基板領域101と接触する構成となっており、分離された半導体基板領域101も貫通プラグと同電位になる。したがって、分離された半導体基板領域101も、貫通プラグ抵抗の低減に役立っている。
【００２８】
なお、本実施例では、絶縁分離部210が半導体基板表面の絶縁膜205に単に接する構造となっており、絶縁分離部210の厚さが数千オングストローム以下になると、当該膜の接合界面を通じてリーク電流経路140が生じ易くなり、貫通プラグ350と半導体基板100との間にリーク電流が生じる。この現象は、回路のショートあるいは不要な消費電力の増加をもたらし、ＬＳＩの性能を著しく損ねる。あるいは絶縁破壊を生ずることで故障の原因となる。これを防止する構造を備えたものが、図３に示す本発明の第２の実施形態である。 
（弟２の実施の形態）
【００２９】
図３は本発明になる第２の実施の形態を説明する図で、貫通配線の断面構造を模式的に示す。本実施例では、絶縁分離部210が半導体基板表面の絶縁膜205に食い込んで設けられる。この構造にすることにより、従来の微細な寸法の絶縁分離膜で発生していたリーク電流を、実用的に支障ないレベルに抑えられる。また、半導体基板の裏面側においても、絶縁分離膜210は第一の絶縁膜220の内部にまで食い込んで設けられており、当該絶縁膜の界面を通じてのリーク電流も実用上無視できるレベルに抑えられる。 
（弟３の実施の形態）
【００３０】
図２および図３に示す構造の貫通プラグ配線では、貫通プラグ350が、分離された半導体基板領域101と接触する構成となっている。貫通プラグ350に金属材料が用いられる場合には、数百℃の熱処理中に、当該金属材料が半導体基板であるシリコンと異常反応を起こし、貫通プラグやその近辺の半導体基板に微細な空洞が生ずる場合がある。かかる空洞が生ずると、貫通プラグが断線し、あるいは抵抗が高くなるという問題が生ずる。かかる現象は、貫通プラグに用いる金属材料の種類にも依存するが、貫通プラグの構造をさらに工夫することで避けることができる。
【００３１】
図４は、貫通プラグの構造を工夫した第３の実施の形態を示しており、貫通配線の断面構造を模式的に示す。図において、図２や図３と同記号は同じ機能を有する物であり、352は導電緩衝膜である。当該実施例では、第１の材料からなる貫通プラグ350の周囲を、第２の材料からなる導電緩衝膜352で取り囲まれる構造であるのが特徴である。かかる構造では、貫通プラグの材料としては、銅、ニッケル、タングステンなど導電性の高い材料を用い、導電緩衝膜にはポリシリコン、およびタングステンやタンタルなどの珪素化合物材料、あるいはタングステンやタンタルやチタンなどの窒化物材料を用いる。
【００３２】
導電緩衝膜352に用いられるポリシリコン、珪素化合物材料や窒化物材料は、半導体基板に用いられるシリコンに対する化学的反応力が小さいという性質を持っており、分離された半導体基板領域101のシリコンとの異常反応が生じにくいため、当該部分での空洞の発生や断線の発生を効果的に防止している。
【００３３】
なお、当該例では、貫通プラグ材料としてポリシリコン、およびタングステンやタンタルなどの珪素化合物材料、あるいはタングステンやタンタルやチタンなどの窒化物材料を用いることとして説明したが、半導体基板としてGaAsなどの化合物結晶が用いられる場合には、反応の生じにくい他の材料を用いて良いことは言うまでもない。 
（弟４の実施の形態）
【００３４】
図５は、本発明になる第４の実施例を示し、半導体基板の裏面側から見た平面構造を示す。図において、図１と同記号は同じ機能を有する物である。当該実施例では、貫通プラグ350はストライプ状に設けられ、接続される電極との接触面積を広く設ける効果がある。なお、当該構造においても、Ａ−Ｂにおける断面構造は図２と同じになる。 
（弟５の実施の形態）
【００３５】
図６は、本発明になる第５の実施例を示し、半導体基板の裏面側から見た平面構造を示す。図において、図１と同記号は同じ機能を有する物である。当該実施例では、貫通プラグ350は矩形のドーナツ状に設けられ、接続される電極との接触面積を広く取ることで大きな電流を流せる効果がある。なお、貫通プラグの形状は、この上に設けられる電極との接触面積を制限することがない限りその形状や本数は自由に選択して良いことは明らかである。 
（製造工程１）
【００３６】
本発明になる貫通プラグの構造は、次のような製造工程により形成される。図７〜図15は図３に示した実施例の貫通プラグ配線を形成する工程を説明するもので、貫通プラグ配線の断面構造を示している。まず、図７において、半導体基板の表面にトランジスタ回路が設けられた半導体基板（トランジスタや配線等は製作済み）の表面に、樹脂250を用いて支持基板500を接着する。支持基板としての好ましい材料は、例えばガラスやシリコンなどが挙げられる。支持基板500を接着した後に、半導体基板の裏面側（図７の上側）を研削および研磨を行い、基板の厚さを所望の厚さにする。この時の好ましい厚さは、30〜300ミクロンである。
【００３７】
次に、図８において、半導体基板の裏面に第一の絶縁膜220を設けた後にフォトレジスト600を塗布する。続いて、例えば赤外光で目合わせが出来る露光装置により、半導体基板表面に設けられている電極パッド400に対して位置決めを行い、露光・現像を行うことにより、貫通プラグを設けるべき領域を囲む部分の前記フォトレジスト600の所望の部分に開口パターン221を設ける。なお、当該工程で用いる露光装置として、赤外光で目合わせをする方式以外にも、裏面の光学パターンを予め記憶する光学パターンリンク方式を採用するのも一法である。
【００３８】
次に、図９において、フォトレジストの開口パターン221をマスクにして第一の絶縁膜220を選択的に除去し、絶縁膜の開孔パターン222を形成する。
【００３９】
次に、図10において、第一の絶縁膜220の開孔パターン222をマスクにして、例えばドライエッチングの手段を用いて、半導体基板100に貫通孔102を掘り込む。このエッチングでは、半導体基板100の厚み分を掘り込み、さらに絶縁膜205に部分的に食い込むようにする。絶縁膜205に部分的に食い込む量は、0.02〜0.2ミクロンで良い結果を得た。
【００４０】
次に、図11において、孔102の内部に絶縁膜を埋め込み、絶縁分離部210が設けられる。当該絶縁膜材料の好ましい例としては、SiO2系、SiON系、PSG系などが挙げられ、化学的気相成長法あるいは塗布法などの手法で形成する。当該絶縁分離膜210は、絶縁性を充分に得るために、材料の異なる膜を複数層に設けても良い。
【００４１】
次に、図12において、半導体基板の裏面に第二の絶縁膜230を設けた後に、再びフォトレジスト露光工程により、半導体基板表面に設けられた電極パッド400に対して位置決めを行い、貫通プラグを掘り込む位置の第二の絶縁膜230に開孔パターン231を設ける。
【００４２】
次に、図13において、第二の絶縁膜230の開孔パターン231をマスクにして、第一の絶縁膜220、半導体基板100、絶縁膜205と掘り込み、さらに配線パッド400の厚さ方向にも部分的に食い込むように掘り込み、貫通孔104を設ける。配線パッド400に部分的に食い込む量は、0.01〜0.1ミクロンで良い結果を得た。
【００４３】
次に、図14において、貫通孔104の内部に導電材料を埋め込み、貫通プラグ350が設けられる。当該導電材料の好ましい例としては、タングステン・シリサイド、導電性ポリシリコン、導電性ペーストなどがあり、いずれを選択するかは自由である。
【００４４】
次に、図15において、フォトレジスト膜600を設け、露光工程により基板裏面側の貫通プラグ350の端部を含む領域の第二の絶縁膜230が、ドライエッチング等の手法で選択的に除去され、配線接続領域105が設けられる。かかる工程で、貫通プラグ350の端部が、第二の絶縁膜220の表面から大きく張り出た構造となる。この貫通プラグの好ましい張り出し量としては、0.01〜0.3ミクロンでよい結果を得た。
【００４５】
この後に、フォトレジスト・パターン600をマスクとして、無電界メッキなどの手段により、配線接続領域105に金属電極が選択的に設けられ、接続電極380が設けられ、図３に示した貫通プラグ配線構造が形成される。当該接続電極380の好ましい材料としては、Al、Ni、Cu、およびそれらを含む合金であり、いずれを選択するかは自由である。また、接続電極380の厚さとしては、0.5〜2ミクロンでよい結果を得た。
【００４６】
上記した製造工程では、支持基板としてガラスやシリコンを用いるとして説明したが、半導体チップを用いて、回路が形成された表面側に接着することでも良い。この場合は、支持基板となる半導体チップの回路パターンに対し位置合わせをする必要がある。   
（製造工程２）
【００４７】
図４に示した構造の貫通プラグ配線は、次のような工程で形成される。まず、前記した弟６の実施の形態で説明したと同じ工程を経て、図13に示される貫通孔104の形成まで行う。続いて、図16に示すように、形成された貫通孔104の側壁に導電緩衝膜352が、CVD法あるいはスパッタ蒸着法などの手段で設けられる。当該導電緩衝膜の材料としては、タングステンやタンタルなどの珪素化合物、あるいはタングステンやタンタルやチタンなどの窒化物を用いる。かかる膜は、基板であるシリコンとの化学的反応を防止する効果があり、その厚さとして0.01〜0.2ミクロンで良い結果を得た。
【００４８】
次に、図17に示すように、貫通プラグ350が設けられる。当該貫通プラグの材料としては、銅、ニッケル、タングステン、導電性ポリシリコンなど導電性の高い材料を用いる。この後、前記した弟６の実施の形態で説明したと同じ工程を経て、図４に示される貫通プラグ配線が形成される。 
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】「本発明になる第１の貫通プラグ配線の構造を説明する平面図」
【図２】「本発明になる第１の貫通プラグ配線の構造を説明する断面図」
【図３】「本発明になる第２の貫通プラグ配線の構造を説明する断面図」
【図４】「本発明になる第３の貫通プラグ配線の構造を説明する断面図」
【図５】「本発明になる第４の貫通プラグ配線の構造を説明する平面図」
【図６】「本発明になる第４の貫通プラグ配線の構造を説明する平面図」
【図７】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図１」
【図８】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図２」
【図９】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図３」
【図１０】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図４」
【図１１】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図５」
【図１２】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図６」
【図１３】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図７」
【図１４】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図８」
【図１５】「本発明の貫通プラグ配線の工程断面図９」
【図１６】「本発明の他の貫通プラグ配線の工程断面図１」
【図１７】「本発明の他の貫通プラグ配線の工程断面図２」
【図１８】「従来の貫通配線の構造を説明する平面図」
【図１９】「従来の貫通配線の構造を説明する断面図」
【図２０】「従来の貫通配線の他の構造を説明する平面図」
【図２１】「従来の貫通配線の他の構造を説明する断面図」
【符号の説明】
【００５０】
100           半導体基板
101           分離された半導体基板領域
102, 104      貫通孔
105           配線接続領域
110           回路素子が設けられた領域
130, 140      リーク電流の経路
200           絶縁分離領域
201, 202, 205 絶縁膜
210           絶縁分離部
221, 222, 231 開口パターン
220           第一の絶縁膜
230           第二の絶縁膜
250           樹脂
300, 301, 302, 350   貫通プラグ
352           導電緩衝膜
380           接続電極
400           配線パッド
500           支持基板
600           フォトレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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