(57)【要約】【課題】感度向上のための反射防止膜を備える固体撮像装置において、水素シンター時にシリコン界面上へ十分な量の水素を到達させてダングリングボンドの終端を行ない、暗電流を低減する。【解決手段】固体撮像装置において、半導体基板１の上部に設けられ、光電変換により電荷を生成する光電変換領域２と、半導体基板１の上部で且つ光電変換領域２の側方に設けられ、電荷を転送する転送領域４と、半導体基板１上で且つ転送領域４の上方に設けられた転送電極６とを備える。光電変換領域２及び転送電極６を覆う第１の絶縁膜２１と、第１の絶縁膜２１を覆う反射防止膜２２と、反射防止膜２２上に設けられ且つ少なくとも転送電極６を覆う第１の遮光膜２３とを更に備え、反射防止膜２２及び第１の遮光膜２３は、転送電極上において開口部２２ａ及び２３ａを有する。【選択図】図２
2009295918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上部に設けられ、光電変換により電荷を生成する光電変換領域と、前記半導体基板の上部で且つ前記光電変換領域の側方に設けられ、前記電荷を転送する転送領域と、前記半導体基板上で且つ前記転送領域の上方に設けられた転送電極とを備える固体撮像装置において、
前記光電変換領域及び前記転送電極を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を覆う反射防止膜と、
前記反射防止膜上に設けられ且つ少なくとも前記転送電極を覆う第１の遮光膜とを更に備え、
前記反射防止膜及び前記第１の遮光膜は、前記転送電極上において開口部を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像装置において、
前記開口部の上方に形成された第２の遮光膜を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
請求項２に記載の固体撮像装置において、
前記第２の遮光膜は、前記開口部を覆う大きさ及び平面形状を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の固体撮像装置において、
前記転送電極と前記第２の遮光膜とを電気的に接続するコンタクトを備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の固体撮像装置において、
前記第１の絶縁膜は、前記光電変換領域上から前記転送電極上まで延びるように一体に形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の固体撮像装置において、
前記第１の遮光膜は、前記反射防止膜の上面と接していることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の固体撮像装置において、
前記第１の遮光膜と前記反射防止膜との間に、第２の絶縁膜を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
請求項７に記載の固体撮像装置において、
前記第２の絶縁膜は、シリコン酸化膜又はシリコン酸化窒化膜であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一つに記載の固体撮像装置において、
前記第１の絶縁膜は、水素を透過する膜であり、
前記反射防止膜は、水素を透過しない膜であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一つに記載の固体撮像装置において、
前記第１の絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一つに記載の固体撮像装置において、
前記反射防止膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一つに記載の固体撮像装置において、
前記第１の遮光膜の上方に、水素を含有するシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を更に備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１３】
半導体基板の上部に、光電変換領域及び転送領域を形成する工程（ａ）と、
前記半導体基板上で且つ前記転送領域の上方に、転送電極を形成する工程（ｂ）と、
前記光電変換領域及び前記転送領域を覆う絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、
前記絶縁膜上に、前記半導体基板よりも屈折率の小さい反射防止膜を形成する工程（ｄ）と、
前記反射防止膜上に、第１の遮光膜を形成する工程（ｅ）と、
前記転送電極上において、前記反射防止膜及び前記第１の遮光膜に開口部を設ける工程（ｆ）とを備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記工程（ｅ）において、前記第１の遮光膜は、前記反射防止膜に接するように形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記工程（ｆ）の後に、前記開口部の上方に第２の遮光膜を形成する工程を更に備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第２の遮光膜は、前記開口部を覆う大きさ及び平面形状に形成されることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３〜１６のいずれか一つに記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜は、シリコン酸化膜により形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１３〜１７のいずれか一つに記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記反射防止膜は、シリコン窒化膜により形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１３〜１８のいずれか一つに記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記工程（ｆ）の後に、前記第１の遮光膜の上方に、水素を含有するシリコン窒化膜又はシリコン酸化窒化膜を形成する工程を更に備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、水素処理によって暗電流を低減する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ固体撮像装置において、ｐ型シリコン基板の表面に形成されたｎ型半導体領域に光が入射すると、そのｎ型半導体領域にて信号電荷が発生する。このようにして個々の画素において発生する該信号電荷より、映像信号を得ることができる。
【０００３】
図１６は、従来の固体撮像装置の一例を示す断面図であり、ｐ型シリコン基板１０１上に配列された画素の一つを含む範囲を示している。図１６において、ｐ型シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１０５を介して形成された転送電極１０６が備えられている。２つの転送電極１０６の間のｐ型シリコン基板１０１の表面部分には、ｎ型半導体領域である光電変換領域１０２が設けられている。また、アルミニウム又はタングステンからなる遮光膜１０７は、他の絶縁膜１１０を介して転送電極１０６上を覆うと共に、光電変換領域１０２の上方には開口を有している。更に、光電変換領域１０２上の部分の絶縁膜１０５及び遮光膜１０７を被覆するように、パッシベーション膜１０８が形成されている。
【０００４】
転送電極１０６の下方の部分のｐ型シリコン基板１０１上部には、ｎ型半導体領域からなる転送領域１０４が形成されている。このため、光電変換領域１０２を挟むように２つの転送領域１０４が位置することになる。光電変換領域１０２と、一方の転送領域１０４との間には距離が空いており、光電変換領域１０２から転送領域１０４へと電荷を転送する転送領域１０１ａとなっている。また、光電変換領域１０２と、他方の転送領域１０４の間には、画素間を分離するｐ＋  型半導体領域１０３が形成されている。以下、この従来技術を第１の従来技術と称する。
【０００５】
しかし、図１６に示す第１の従来技術の構造では、ｐ型シリコン基板１０１の表面における反射による入射光の損失が大きく、十分な感度が得られない。この点に関し、例えば、特許文献１（特開平４−２０６５７１号公報）が、光電変換領域上に反射防止膜を形成することを提案している。以下、特許文献１に代表される従来技術を、第２の従来技術と称する。
【０００６】
図１７を参照して第２の従来技術を説明する。尚、図１６に示した構成要素に対応する構成要素に対しては、図１７において同一の符号を付している。
【０００７】
この第２の従来技術において、例えばｐ型シリコン基板１０１の表面には、ｎ型半導体領域であり信号電荷を得るための光電変換領域１０２と、同じくｎ型半導体領域であり光電変換領域１０２から読み出された信号電荷を転送する転送領域１０４とが形成されている。光電変換領域１０２及び転送領域１０４は、例えば、不純物拡散により形成される。尚、画素間はｐ＋  型半導体領域１０３により分離されている。
【０００８】
更に、ｐ型シリコン基板１０１上を覆うようにシリコン酸化膜からなる絶縁膜１０５が形成され、該絶縁膜１０５上に、屈折率がシリコン酸化膜よりも大きくシリコンよりも小さいシリコン窒化膜からなる反射防止膜１０９が形成されている。シリコン酸化膜の屈折率は１．４５程度、シリコン窒化膜の屈折率は２．０程度、シリコンの屈折率は４．１程度である。絶縁膜１０５及び反射防止膜１０９の膜厚は、それぞれ膜厚６０ｎｍ以下とされ、好ましくは２５〜５０ｎｍ程度の所望の膜厚に設定される。
【０００９】
このように絶縁膜１０５及び反射防止膜１０９の膜厚を適切な膜厚に設定することにより、可視光の波長域において平均して１２〜１３％程度の反射率に抑えることができる。従来のｐ型シリコン基板の場合には４０％程度反射していたため、１／３程度に抑えられたことになる。このことによって、高感度化が実現される。
【００１０】
しかし、このような構造には、以下の問題がある。
【００１１】
例えば特許文献２（特開平６−２０９１００号公報）に開示されているように、固体撮像素子において暗電流を低減するための有効な方法の一つは、シリコン界面（ここでは、光電変換領域１０２と絶縁膜１０５との界面）に水素の拡散を行なうことである。これにより、シリコン界面に生じているダングリングボンドを終端させると、中間準位が減少して暗電流が低減する。しかし、第２の従来技術のような構造の場合、最終シンター処理工程において水素によりダングリングボンドを終端させる処理を十分に行うことができない。
【００１２】
この理由は、シリコン窒化膜による反射防止膜１０９を形成した後に水素によるシンター処理を行った場合、反射防止膜であるシリコン窒化膜によりシリコン界面上への水素の到達が遮られるためである。尚、特許文献２に開示されている固体撮像装置において、反射防止膜を設けた場合に暗電流を低減する方法は示されていない。
【００１３】
この点に関し、例えば、特許文献３（特開２０００−１２８１７号公報）は水素の到達経路を確保することを提案している。具体的には、転送電極の上部において反射防止膜の一部を取り除くことにより、反射防止膜形成後に水素によるシンター処理を行った場合にも、反射防止膜がシリコン界面上への水素の到達を遮ることが無いようにする。
【００１４】
以下、特許文献３に代表される従来技術を第３の従来技術と称し、図１８を参照して説明する。尚、図１８において、図１７に示した構成要素に対応する構成要素に対しては、同一の符号を付している。
【００１５】
第３の従来技術における固体撮像装置では、ｐ型シリコン基板１０１上に複数の光電変換領域１０２と、読み出された電荷を転送する転送領域１０４とが形成されており、転送領域の上部には転送電極１０６が形成されている。
【００１６】
転送電極１０６は、転送領域１０４上に、シリコン酸化膜１１１ａ、シリコン窒化膜１１１ｂ及びシリコン酸化膜１１１ｃからなるＯＮＯ構造の絶縁膜１１１を介して形成されている。
【００１７】
また、光電変換領域１０２上には、第１の絶縁膜１１２と、その上を覆う反射防止膜１１３と、更にその上を覆う第２の絶縁膜１１４とが形成されている。これら第１の絶縁膜１１２、反射防止膜１１３及び第２の絶縁膜１１４は、転送電極１０６上にまで延びて形成されており、更にその上を覆うように遮光膜１０７が形成されている。
【００１８】
反射防止膜１１３には、転送電極１０６上の部分において開口１１３ａが設けられており、このことが第３の従来技術における特徴となっている。開口１１３ａがあるため、反射防止膜１１３の形成後に水素によるシンター処理を行なった場合にも、水素をシリコン界面にまで到達させてシリコン表面上においてダングリングボンドを終端することができる。このようにして暗電流を低減させることができる旨を第３の特許文献は主張している。
【００１９】
尚、遮光膜１０７上には、パッシベーション膜１０８、平坦化層１１７、レンズ１１５が備えられている。
【特許文献１】特開平４−２０６５７１号公報
【特許文献２】特開平６−２０９１００号公報
【特許文献３】特開２０００−１２８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、第３の従来技術のような構造において、水素によるシンター処理を行った場合、水素がシリコン界面まで到達する経路が長いために、シリコン界面まで十分な量の水素を到達させることができないという問題がある。
【００２１】
これについて、図１９を用いて更に説明する。図１９は、図１８に示す第３の従来技術における固体撮像装置を一部拡大して示すものであり、水素がシリコン界面に到達するまでの経路１１６を示している。シリコン窒化膜からなる反射防止膜１１３と、アルミニウム、タングステン等の金属からなる遮光膜１０７は水素を遮る。このため、水素がシリコン界面にまで到達するためには、反射防止膜１１３を迂回する必要があり、反射防止膜１１３上に位置する第２の絶縁膜１１４と、反射防止膜１１３の下に位置する第１の絶縁膜１１２とを順に通過しなければならい。
【００２２】
このように水素が通過しなければならない経路が長く、このことから、シリコン表面上におけるダングリングボンドを終端するために必要な量の水素をシリコン界面にまで供給することができない。この結果、シリコン界面上のダングリングボンドの終端を十分に行なうことができない。
【００２３】
ダングリングボンドの終端が十分に行なわれていない場合、シリコン内のエネルギーバンドには複数の中間準位が発生する。そしてこのような中間準位を介して、非常に低い確率ながら、電子が価電子帯から伝導帯に叩き上げられる。このような電子が、暗電流となる。
【００２４】
よって、暗電流を十分に低減するためには、ダングリングボンドを終端するための水素をシリコン界面に対して十分に供給する必要がある。この実現が課題となっている。
【００２５】
以上の課題に鑑み、本発明の目的は、反射防止膜を備えると共に、シリコン界面に十分な量の水素を供給することが可能な固体撮像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
前記の目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板の上部に設けられ、光電変換により電荷を生成する光電変換領域と、半導体基板の上部で且つ光電変換領域の側方に設けられ、電荷を転送する転送領域と、半導体基板上で且つ転送領域の上方に設けられた転送電極とを備える固体撮像装置において、光電変換領域及び転送電極を覆う第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜を覆う反射防止膜と、反射防止膜上に設けられ且つ少なくとも転送電極を覆う第１の遮光膜とを更に備え、反射防止膜及び第１の遮光膜は、転送電極上において開口部を有する。
【００２７】
本発明の固体撮像装置によると、反射防止膜を備え且つ転送電極上において反射防止膜及び第１の遮光膜に開口部が設けられているため、光電変換領域上における反射損失を抑制すると共に、暗電流を低減することができる。
【００２８】
つまり、反射損失を抑制するために設ける反射防止膜が水素を通しにくい膜であったとしても、転送電極上の開口部から第１の絶縁膜を介して光電変換領域にまで至る水素の経路が確保されているために、光電変換領域に対する水素シンター処理を行なうことができる。
【００２９】
ここで、図１９に示す特許文献３の構成においても水素の経路１１６は設けられている。しかし、特許文献３における経路は、第２の絶縁膜１１４を通って光電変換領域１０２上から転送電極１０６上の開口１１３ａに達した後に、遮光膜１１３の下の第１の絶縁膜１１２を通って光電変換領域１０２に至る経路である。このような経路に比べると、転送電極上において遮光膜に設けられた開口部を通る本発明における経路は、大幅に短くなっている。従って、より確実に光電変換領域に水素を供給し、ダングリングボンドを終端して暗電流を低減することができる。
【００３０】
尚、本発明の固体撮像装置において、開口部の上方に形成された第２の遮光膜を備えることが好ましい。
【００３１】
第２の遮光膜は、開口部を覆う大きさ及び平面形状を備えることがより好ましい。
【００３２】
このようにすると、開口部から転送電極等に対して光が入射するのを防ぐことができる。この結果、スミア成分を低減することができる。
【００３３】
また、本発明の固体撮像装置において、転送電極と第２の遮光膜とを電気的に接続するコンタクトを備えることが好ましい。
【００３４】
このようにすると、第２の遮光膜を転送電極に対する裏打ち配線として利用することができ、パルス遅延を抑制することができる。
【００３５】
また、本発明の固体撮像装置において、第１の絶縁膜は、光電変換領域上から転送電極上まで延びるように一体に形成されていることが好ましい。
【００３６】
このようにすると、第１の絶縁膜内に継ぎ目のない水素の経路を得ることができる。結果として、ダングリングボンドの終端及びそれに伴う暗電流の軽減がより確実になる。
【００３７】
また、本発明の固体撮像装置において、第１の遮光膜は、反射防止膜の上面と接していることが好ましい。
【００３８】
このようにすると、以下のように、偽信号の軽減と感度の向上を実現することができると共に、固体撮像装置の汎用性を高めることができる。
【００３９】
光電変換領域の上面と第１の遮光膜の下端との間の領域から電荷が漏れ込んで転送領域に達した場合、スミアと呼ばれる偽信号を発生させる。そこで、反射防止膜上に、他の膜を介することなく第１の遮光膜を設けるようにすると、前記領域を狭くすることができ、電荷の漏れ込みを抑制してスミアを低減することができる。更に、転送電極の側面と第１の遮光膜との間の膜厚についても薄くすることができるため、光電変換領域上の開口を広くすることができ、感度が向上する。
【００４０】
また、本発明の固体撮像装置において、特許文献３の場合には反射防止膜と第１の遮光膜との間に他の膜を形成することが水素の経路を得るために必須であったが、これは、本発明の固体撮像装置の場合には必須ではない。従来、他の膜としては、駆動時の駆動電圧に対する耐圧性の観点から、熱酸化膜が用いられていた。しかし、熱酸化膜を形成するための熱処理によって半導体基板内の不純物プロファイルの拡散等が発生するため、設計の汎用性に制限を与えていた。これに対し、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば熱酸化膜の形成は不要であるため、設計の汎用性を広げることができる。
【００４１】
また、本発明の固体撮像装置において、第１の遮光膜と反射防止膜との間に、第２の絶縁膜を備えることも好ましい。
【００４２】
このようにすると、第１の遮光膜と反射防止膜との間に生じる応力を緩和することができる。
【００４３】
また、本発明の固体撮像装置において、第２の絶縁膜は、シリコン酸化膜又はシリコン酸化窒化膜であることが好ましい。
【００４４】
このような膜を用いると、より確実に応力を緩和する機能を果たすことができる。
【００４５】
また、本発明の固体撮像装置において、第１の絶縁膜は、水素を透過する膜であり、反射防止膜は、水素を透過しない膜であることが好ましい。
【００４６】
このようにすると、第１の絶縁膜を水素の経路とする効果が顕著に発揮される。
【００４７】
また、本発明の固体撮像装置において、第１の絶縁膜は、シリコン酸化膜であることが好ましい。
【００４８】
シリコン酸化膜は水素を透過する膜であるため、水素の経路を確保するために望ましい材料である。
【００４９】
また、本発明の固体撮像装置において、反射防止膜は、シリコン窒化膜であることが好ましい。
【００５０】
反射防止膜として一般に用いられているシリコン酸化膜は水素を透過しにくい膜であるため、このような反射防止膜を用いている場合に本発明の効果が顕著に表れる。
【００５１】
また、本発明の固体撮像装置において、第１の遮光膜の上方に、水素を含有するシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を更に備えることが好ましい。
【００５２】
このような膜は水素の供給源となるため、より確実にダングリングボンドを終端して暗電流を低減することができる。
【００５３】
前記の目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の上部に、光電変換領域及び転送領域を形成する工程（ａ）と、半導体基板上で且つ転送領域の上方に、転送電極を形成する工程（ｂ）と、光電変換領域及び転送領域を覆う絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、絶縁膜上に、半導体基板よりも屈折率の小さい反射防止膜を形成する工程（ｄ）と、反射防止膜上に、第１の遮光膜を形成する工程（ｅ）と、転送電極上において、反射防止膜及び第１の遮光膜に開口部を設ける工程（ｆ）とを備える。
【００５４】
本発明の固体撮像装置の製造方法によると、反射防止膜を備え且つ暗電流の抑制された固体撮像装置を製造することができる。これは、反射防止膜及び第１の遮光膜が水素を透過しない膜であったとしても、これらの膜に転送電極上において開口部を設けることにより、光電変換領域まで水素が達するための経路を確保しているためである。このような水素の経路があるため、水素シンターを行なうことにより光電変換領域におけるダングリングボンドを終端し、中間準位を無くすことによって暗電流が低減される。ここで、特許文献３の場合と比べて水素経路が短く、より確実に水素が光電変換領域に到達する。
【００５５】
尚、本発明の固体撮像装置の製造方法において、工程（ｅ）において、第１の遮光膜は、反射防止膜に接するように形成することが好ましい。
【００５６】
このようにすると、光電変換領域の上面と第１の遮光膜との間の距離を小さくすることができるため、この部分から転送領域に電荷が漏れ込むのを抑制し、結果として偽信号（スミア）を低減することができる。更に、転送電極の側面と第１の遮光膜との間の膜厚が薄くなるために光電変換領域上の開口を広くすることができ、感度が向上する。これに加えて、反射防止膜と第１の遮光膜との間に熱酸化膜等を形成する工程が入らないため、半導体基板内における不純物プロファイルの拡散等を避けることができ、固体撮像装置の汎用性を高めることができる。
【００５７】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法において、工程（ｆ）の後に、開口部の上方に第２の遮光膜を形成する工程を更に備えることが好ましい。
【００５８】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法において、第２の遮光膜は、開口部を覆う大きさ及び平面形状に形成されることが好ましい。
【００５９】
このようにすると、開口部から転送電極等に対して光が入射するのを防ぐことができる。
【００６０】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法において、第１の絶縁膜は、シリコン酸化膜により形成することが好ましい。
【００６１】
このようにすると、シリコン酸化膜は水素を透過する膜であるため、光電変換領域への水素の経路をより確実に確保することができる。
【００６２】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法において、反射防止膜は、シリコン窒化膜により形成することが好ましい。
【００６３】
シリコン窒化膜は水素を透過しにくい膜であるが、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、この場合にも水素の経路を確保して水素シンターによる暗電流の低減をより確実に行なうことができる。
【００６４】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法において、工程（ｆ）の後に、第１の遮光膜の上方に、水素を含有するシリコン窒化膜又はシリコン酸化窒化膜を形成する工程を更に備えることが好ましい。
【００６５】
このような膜は水素の供給源となるため、より確実にダングリングボンドを終端して暗電流を低減することができる。
【発明の効果】
【００６６】
本発明によると、光電変換領域上に反射防止膜を備えることにより反射損失が低減されていると共に、光電変換領域におけるダングリングボンドが水素シンターによって低減されて暗電流の抑制された固体撮像装置及びその製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。いずれの実施形態も、本発明の固体撮像装置の構成、作用・効果及び製造方法を説明する例として示しており、以下の内容に限定されるわけではない。本発明の技術思想の範囲内において、適宜変更されうるものである。
【００６８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について以下に説明する。図１は、本実施形態に係る固体撮像装置を示す断面図であり、特に、ｐ型シリコン基板１上に配列された画素の一つを含む範囲を示している。
【００６９】
図１に示す通り、ｐ型シリコン基板（半導体基板）１の上部に、いずれもｎ型半導体領域からなる複数の光電変換領域２及び複数の転送領域４が交互に並んで設けられている。光電変換領域２の一端と転送領域４との間にはｐ型シリコン基板１のｐ型シリコン層が残されており、光電変換領域２にて発生した電荷を転送領域４に読み出す読出し領域１ａとして機能する。光電変換領域２の他端（読出し領域１ａの反対側の端）と、その他端の側に位置する他の転送領域４との間には、Ｐ＋  型の半導体領域からなる分離領域３が設けられている。２つの分離領域３の間の光電変換領域２及び転送領域４を一つずつ含む領域が、一つの画素として機能する。
【００７０】
ｐ型シリコン基板１上で且つ転送領域４の上方に、ＯＮＯ絶縁膜１１を介して転送電極６が形成されている。ここで、ＯＮＯ絶縁膜１１は、転送領域４の表面を覆う薄いシリコン酸化膜１１ａと、その上に設けられたシリコン窒化膜１１ｂと、更にその上に設けられたシリコン酸化膜１１ｃとが３層に積層された、いわゆるＯＮＯ構造の絶縁膜である。但し、このようなＯＮＯ膜には限られず、絶縁膜としてシリコン酸化膜等からなる単層の膜を設けることもできる。
【００７１】
また、光電変換領域２上と、転送電極６の側壁及び上部とを連続して一体に覆うように、シリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜２１が設けられている。
【００７２】
更に、光電変換領域２上を覆うように、第１の絶縁膜２１上に、屈折率がシリコン酸化膜よりも大きく且つシリコン基板よりも小さいシリコン窒化膜からなる反射防止膜２２が形成されている。反射防止膜２２には、転送電極６の上面において一部が取り除かれることにより開口部２２ａが設けられている。
【００７３】
尚、転送電極６の下方のシリコン窒化膜１１ｂと反射防止膜２２とは、これらの間に第１の絶縁膜２１が介在することにより隔てられ、接触しない構造となっている。
【００７４】
また、転送領域４の上方において、反射防止膜２２上に、タングステン又はアルミニウムからなる第１の遮光膜２３が設けられている。第１の遮光膜２３は、転送電極６の側壁及び上面を覆ってこの領域への光の入射を遮断する。これと共に、光電変換領域２上では開口されて反射防止膜２２を露出させており、光電変換領域２への光の入射を妨げないようになっている。更に、転送電極６の上方において、反射防止膜２２の開口部２２ａ上に続くように第１の遮光膜２３に開口部２３ａが設けられている。
【００７５】
光電変換領域２上に露出している反射防止膜２２上と、第１の遮光膜２３上とを覆うように第１のパッシベーション膜２４が形成され、該第１のパッシベーション膜２４は転送電極６上にて開口部２２ａ及び開口部２３ａを埋め込んでいる。
【００７６】
また、開口部２２ａ及び開口部２３ａの上方を覆うように、第１のパッシベーション膜２４上に、第２の遮光膜２５が設けられている。この第２の遮光膜２５の面積は、固体撮像装置に対する入射光が開口部２３ａに入るのを防止できる大きさであれば良く、開口部２３ａの開口面積よりも大きく、且つ、転送電極６の上面の面積よりも小さいことが望ましい。第２の遮光膜２５及び第１のパッシベーション膜２４上には、第２のパッシベーション膜２６が設けられている。
【００７７】
更に、第２のパッシベーション膜２６上には第１の平坦化層１４が形成され、その上に第２の平坦化層１５が積層して形成されている。第２の平坦化層１５は、プラズマＣＶＤ法を用いて形成したシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）であることが好ましい。第２の平坦化層１５の上には、それぞれの光電変換領域２に対応してレンズ１６が形成されている。
【００７８】
以上のような構造を有する本実施形態の固体撮像装置は、水素雰囲気中のシンター処理を行なうことによって効果的に光電変換領域２上面付近のダングリングボンドを終端し、暗電流を低減することができる。これに関して以下に説明する。
【００７９】
図２は、後に詳しく説明する固体撮像装置の製造工程において、水素雰囲気でのシンター処理を行なう際の水素の経路を示す。
【００８０】
プラズマＣＶＤ法により形成したＳｉＯＮ膜である第２の平坦化層１５は水素を多く含むため、例えば３５０℃〜４５０℃のシンター温度によって水素を放出する。ここで、第１の平坦化層１４、第１のパッシベーション膜２４、第２のパッシベーション膜２６、第１の絶縁膜２１にはいずれも水素が透過しやすいシリコン酸化膜等の膜であるが、タングスタン又はアルミニウムからなる第１の遮光膜２３及び第２の遮光膜２５と、シリコン窒化膜である反射防止膜２２については、水素が透過しにくい膜である。しかし、転送領域４の上方において、反射防止膜２２及び第１の遮光膜２３にはそれぞれ開口部２２ａ及び開口部２３ａが設けられているため、第２の平坦化層１５から放出された水素は、これらの開口部と第１の絶縁膜２１とを通る経路３１に沿って光電変換領域２上のシリコン界面にまで達することができる。よって、シリコン層である光電変換領域２と酸化シリコン層である第１の絶縁膜２１との界面に存在するダングリングボンドを水素により終端し、中間準位を抑制して暗電流を大幅に低減することができる。
【００８１】
尚、図１９に示す特許文献３の場合にも水素の経路は設けられているが、これよりも本実施形態の場合の経路は短くなっており、より容易にシリコン界面まで水素を到達させてダングリングボンドを終端することができる。結果として、より確実に暗電流が軽減される。
【００８２】
また、本発明の固体撮像装置によると、反射防止膜２２を備えることにより感度が向上している。一般に、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面では、可視光である入射光の約３０％が反射されるため、これが感度低下の一因となっている。このようにシリコン基板とシリコン酸化膜との界面における反射率が高い原因は、シリコンの屈折率（３〜４程度）とシリコン酸化膜の屈折率（１．４５程度）との差が大きいためである。
【００８３】
そこで、屈折率がシリコン酸化膜よりも大きく且つシリコン基板よりも小さい膜を反射防止膜として形成することにより、シリコンへの光の入射率を高めることができ、この結果として感度を向上させることができる。
【００８４】
次に、本実施形態の固体撮像装置の製造方法について説明する。図３〜図１１は、それぞれ製造工程を示す断面図である。
【００８５】
まず、図３に示す通り、ｐ型シリコン基板１の上部に、ｎ型半導体領域である光電変換領域２と、同じくｎ型半導体領域である転送領域４と、ｐ＋  型半導体領域である分離領域３とを形成する。分離領域３は、光電変換領域２及び転送領域４を一つずつ含む個々の画素の間を分離しており、各画素内において、光電変換領域２と転送領域４との間にはｐ型シリコン基板１のｐ型シリコン層である部分が読出し領域１ａとして介在している。また、これらの各領域は、例えば、不純物注入により形成することができる。
【００８６】
次に、図４に示す工程を行なう。まず、ｐ型シリコン基板１上に、光電変換領域２、分離領域３、転送領域４、読出し領域１ａをいずれも覆うようにＯＮＯ絶縁膜１１を形成する。このためには、まず、シリコン酸化膜１１ａを形成する。これは、ＬＰＣＶＤ法により成長した後に、その際の成長温度よりも高い温度による熱処理を加えた膜であることが好ましい。次に、シリコン酸化膜１１ａ上に、シリコン窒化膜１１ｂを形成する。これは、プラズマＣＶＤ法により形成することが好ましい。更に、シリコン窒化膜１１ｂ上に、シリコン酸化膜１１ｃを形成する。これは、例えばＬＰＣＶＤ法により成長する。これらの工程により、ｐ型シリコン基板１上に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜の積層構造、いわゆるＯＮＯ構造のＯＮＯ絶縁膜１１が形成される。
【００８７】
尚、このＯＮＯ絶縁膜１１は、後の工程にて形成する転送電極６の下方に配置するものであるが、ＯＮＯ構造の膜であることは必須ではない。例えば、シリコン窒化膜１１ｂ及びシリコン酸化膜１１ｃの形成については省略し、シリコン酸化膜１１ａのみからなる単層の絶縁膜を設けるのであっても良い。
【００８８】
更に、ＯＮＯ絶縁膜１１上に、転送電極６を形成するためのポリシリコン層６ａを形成する。
【００８９】
次に、図５に示すように、レジスト形成、エッチング等の工程により光電変換領域２上方の部分のポリシリコン層６ａ及びＯＮＯ絶縁膜１１を除去し、転送領域４の上方に、ＯＮＯ絶縁膜１１を介して転送電極６をパターニングする。これにより、光電変換領域２の上面が露出した状態になる。
【００９０】
次に、図６に示す工程を行なう。初めに、光電変換領域２及び転送電極６を連続して覆うように、シリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜２１を形成する。これは、ステップカバレッジが均一であり且つ膜厚の精密な制御が可能であるＬＰＣＶＤ法により成長することが好ましい。
【００９１】
続いて、第１の絶縁膜２１上を覆うように、シリコン窒化膜からなる反射防止膜２２を形成する。これは、可視光域の感度向上のためには、５０ｎｍ程度の膜厚に形成することが好ましい。
【００９２】
更に、反射防止膜２２上を覆うように、第１の遮光膜２３を形成する。これは、例えば、アルミニウム又はタングステンを材料としてＣＶＤ法により形成する。
【００９３】
次に、図７に示す工程を行なう。まず、光電変換領域２上及び転送電極６上の第１の遮光膜２３をそれぞれ一部分ずつエッチング等により除去する。この際、反射防止膜２２がエッチングストッパ層として機能するため、反射防止膜２２上に第１の遮光膜２３の残渣を発生させることなくエッチングすることが容易にできる。これにより、光電変換領域２上を開口して反射防止膜２２を露出させると共に、転送電極６上に開口部２３ａを有する第１の遮光膜２３を得る。
【００９４】
続いて、転送電極６上において、第１の遮光膜２３の開口部２３ａと連続するように、エッチング等により反射防止膜２２に開口部２２ａを形成する。このとき、光電変換領域２上に露出している反射防止膜２２がエッチングされないように、例えばレジストによって覆っておく。
【００９５】
次に、図８に示す工程を行なう。まず、第１のパッシベーション膜２４を形成する。これは、第１の遮光膜２３と、光電変換領域２上に露出している反射防止膜２２との上を覆い、開口部２２ａ及び開口部２３ａを埋め込むように形成される。また、転送電極６上と光電変換領域２上とでは下地に段差があるために、第１のパッシベーション膜２４は光電変換領域２上方においてｐ型シリコン基板１の側に窪んだ形状となる。
【００９６】
続いて、第１のパッシベーション膜２４上に、例えばアルミニウム又はタングステンを材料として、第２の遮光膜２５を形成するための遮光材料膜２５ａを形成する。
【００９７】
次に、図９に示すように、遮光材料膜２５ａに対してエッチングを行ない、開口部２３ａ上を覆う第２の遮光膜２５をパターニングする。ここで、第２の遮光膜２５は、開口部２３ａよりも大きな面積を有するようにする。これにより、固体撮像装置に対する入射光が開口部２３ａに入るのを防ぐことができる。また、開口部２３ａの端部から第２の遮光膜２５の端部までの距離（第１の遮光膜２３と第２の遮光膜２５とがオーバーラップした部分の距離）Ｌ１を、当該範囲における第１のパッシベーション膜２４の膜厚よりも大きくするのがよい。これにより、斜めの入射光についても開口部２３ａから入るのを十分に抑制することができる。
【００９８】
このように、開口部２２ａ及び開口部２３ａ上方に第２の遮光膜２５を備えることにより、入射光が転送電極６及び転送領域４に入るのを防ぎ、スミア成分を抑制することができる。
【００９９】
次に、図１０に示す工程を行なう。まず、第１のパッシベーション膜２４及び第２の遮光膜２５上を覆うように、第２のパッシベーション膜２６を形成する。これについても、下地に段差があることから、第１のパッシベーション膜２４と同様に、光電変換領域２上方においてｐ型シリコン基板１の側に窪んだ形状となる。
【０１００】
尚、第１のパッシベーション膜２４及び第２のパッシベーション膜２６としては、例えば不純物を含まないシリコン酸化膜、所謂ＮＳＧ（non doped silicate glass）を用いることが望ましい。
【０１０１】
続いて、第２のパッシベーション膜２６上に、第１の平坦化層１４を形成する。これは、第２のパッシベーション膜２６よりも屈折率の大きい膜として形成することが好ましい。このようにすると、第２のパッシベーション膜２６が光電変換領域２上方において窪みを有することから、第１の平坦化層１４は下に凸となったレンズ効果を発揮することができる。つまり、ｐ型シリコン基板１に近い位置に入射光を集光することができ、光電変換領域２に入射する光を増大して感度を向上することができる。更には、転送領域４に漏れ込む光を減少させて、スミアを抑制することができる。
【０１０２】
続いて、第１の平坦化層１４上に、第２の平坦化層１５を形成する。これは、プラズマ酸化窒化膜又はプラズマ酸化膜を用いるのがよい。このような膜は、水素を多く含有する。そのため、第２の平坦化層１５を形成した後に、３５０℃〜３８０℃程度のシンター処理を行なうと、第２の平坦化層１５から水素が放出され、図２に示す経路３１を通って光電変換領域２に水素が到達する。これにより、シリコン界面（光電変換領域２と、その上の第１の絶縁膜２１との界面）付近におけるダングリングボンドを終端し、中間準位を削減して暗電流を抑制することができる。
【０１０３】
次に、図１１に示す工程を行なう。ここでは、第２の平坦化層１５上に、個々の光電変換領域２に対応するようにレンズ１６を形成する。これにより、固体撮像装置に対する入射光を光電変換領域２に効率良く入射させることができる。尚、レンズ１６は、既存の半導体プロセスを用いて形成可能である。例えば、シリコン窒化膜を全面に形成した後、その上にレジストパターンを形成し、ドライエッチングによってシリコン窒化膜をレンズとして形成する。また、レンズ１６上方に、色分離及び高い集光効果のために、平坦化層、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を形成しても良い。
【０１０４】
ここで、第２の遮光膜２５の幅Ｌ２は、レンズ１６同士の間の平坦部分の幅Ｌ３よりも大きくなっていることが好ましい。このようにすると、前記平坦部分に入射した光についても、開口部２３ａから転送領域４の方に入り込むのを防ぐことができる。尚、レンズ１６の凸部分に入射した光については、光電変換領域２に向かって集光される。
【０１０５】
また、本発明の固体撮像装置の場合、反射防止膜２２上には他の膜を介することなく第１の遮光膜２３を形成している。言い換えると、第１の遮光膜２３は反射防止膜２２上に接している。これは、図１８に示す従来構造の場合には、この部分に絶縁膜が介在するのとは異なっている。
【０１０６】
この部分に絶縁膜を形成しないことから、製造工程が少なくなり、コストの削減が可能である。また、従来、このような絶縁膜としては熱酸化膜を用いることが多く、その形成のための熱処理により、シリコン基板内における不純物プロファイルが拡散することがあった。本発明の固体撮像装置によれば、このような不純物プロファイルの拡散を避けることができ、装置の設計に関して自由度が高まるため、装置の汎用性が高くなる。
【０１０７】
また、第１の遮光膜２３が反射防止膜２２上に接している構造であるから、他の絶縁膜を更に備えていた従来の構造に比べ、光電変換領域２の上面と第１の遮光膜２３との間の膜厚Ｌ４が薄くなっている。このため、この部分を通って転送領域４に電荷が漏れ込むのを抑制し、これによって偽信号（スミア）を減少させることができる。
【０１０８】
更に、転送電極６の側面と第１の遮光膜２３との間の横方向（ｐ型シリコン基板１の主面方向）の膜厚Ｌ５についても、他の絶縁膜等の膜厚に相当するだけ薄くなる。このため、光電変換領域２上に第１の遮光膜２３が重なる量を小さくして、光電変換領域２上の開口をより広くすることができる。この結果、感度を向上することができる。
【０１０９】
（変形例）
以下、第１の実施形態の変形例を説明する。図１２は、本変形例に係る固体撮像装置を示す断面図である。
【０１１０】
図１２の固体撮像装置は、図１に示す固体撮像装置と比較すると、第２の遮光膜２５及び第２のパッシベーション膜２６を備えていない点で相違する。
【０１１１】
この場合も、光電変換領域上に反射防止膜２２を備えることにより反射損失を低減し、且つ、転送電極６上に開口部２２ａ及び開口部２３ａが設けられていることにより水素の経路を確保している。よって、感度向上と暗電流の低減という効果は発揮される。
【０１１２】
第２の遮光膜を備えていないことから、開口部２２ａ及び開口部２３ａから転送領域４に光が漏れ込むことが考えられる。しかし、レンズ１６の構造を適切に設定すること等により、転送電極６の付近に入射する光を少なくすることは可能であり、開口部からの入射光は必ずしも問題にはならない。
【０１１３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図１３は、本発明の固体撮像装置の要部を示す断面図である。
【０１１４】
図１３に示す固体撮像装置は、図１に示す第１の実施形態に係る固体撮像装置に対し、第２の遮光膜２５と転送電極６との間に、これらを接続するコンタクト２７が付け加えられた構造である。コンタクト２７は、開口部２２ａ及び開口部２３ａ内に位置している。その他の部分については第１の実施形態の場合と同様であるから、図１３において図１と同様の符号を付すことにより、詳しい説明は省略する。また、第１の実施形態において説明した効果は、本発明の固体撮像装置においても発揮される。
【０１１５】
コンタクト２７は、例えば、第１の遮光膜２３及び第２の遮光膜２５と同様に、アルミニウム又はタングステンを用いて形成する。このようなコンタクト２７により、第２の遮光膜２５と転送電極６とは電気的に接続されることになる。
【０１１６】
図１４に、コンタクト２７の平面的な配置について示す。ここでは、ｐ型シリコン基板１に配置された転送電極６、コンタクト２７、第２の遮光膜２５等の一部構成要素に関して示し、他の構成要素は省略している。
【０１１７】
アルミニウム又はタングステンからなる第２の遮光膜２５は、マトリクス状に配列された複数の画素に亘って、それぞれの転送領域４及び転送電極６の上方を通るように延びている。このため、コンタクト２７により転送電極６と接続されることによって、固体撮像装置の裏打ち配線として機能する。つまり、ポリシリコンからなる転送電極６においてはパルス遅延が発生しやすいことに対し、金属からなるコンタクト２７及び第２の遮光膜２５により裏打ち配線を設けることにより、パルス遅延を抑制することができる。
【０１１８】
尚、コンタクト２７の形成のためには、第１の実施形態の場合と同様の固体撮像装置の製造工程中にコンタクト２７形成用のホールを設ける工程を追加すればよい。つまり、第１のパッシベーション膜２４を形成した後、転送電極６上の部分の第１の絶縁膜２１及び第１のパッシベーション膜２４の一部をエッチング等により除去することにより、転送電極６の上面を露出させるコンタクトホールを設ける工程を追加する。該工程の後、第２の遮光膜２５となる遮光材料膜２５ａを形成する際に、同じ材料により同時に該コンタクトホールを埋め込むことによってコンタクト２７を形成することができる。
【０１１９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図１５は、本発明の固体撮像装置の要部を示す断面図である。
【０１２０】
図１５に示す固体撮像装置は、図１に示す第１の実施形態に係る固体撮像装置に対し、反射防止膜２２上で且つ第１の遮光膜２３及び第１のパッシベーション膜２４の下に、第２の絶縁膜２８が追加された構造である。転送電極６上において、反射防止膜２２の開口部２２ａは第２の絶縁膜２８によって埋め込まれ、第２の絶縁膜２８上に第１の遮光膜２３が有する開口部２３ａは、第１のパッシベーション膜２４により埋め込まれている。その他の部分については第１の実施形態の場合と同様であるから、図１５において図１と同様の符号を付すことにより、詳しい説明は省略する。
【０１２１】
ここで、第２の絶縁膜２８は、例えばシリコン酸化膜とする。本実施形態の固体撮像装置において、反射防止膜２２及び第１の遮光膜２３は、いずれもシリコン窒化膜としいている。このため、図１に示す第１の実施形態の場合のように、反射防止膜２２と第１の遮光膜２３とが接している場合、これら２層の間に、大きな応力が発生しやすい。このような応力が発生すると、第１の遮光膜２３が剥がれやすくなる。
【０１２２】
これに対し、反射防止膜２２と第１の遮光膜２３との間に、シリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜２８を介在させることにより、この部分における応力を緩和することができる。つまり、第２の絶縁膜２８は、応力緩和のための緩衝膜として機能する。
【０１２３】
第２の絶縁膜２８を形成するためには、第１の実施形態の場合と同様の固体撮像装置の製造工程中、シリコン窒化膜である反射防止膜２２を形成した後に、転送電極６上においてエッチングにより反射防止膜２２の一部を除去して開口部２２ａを設ける。次に、例えばＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜２８を形成する。これは、反射防止膜２２を覆い且つその開口部２２ａを埋め込むように形成する。
【０１２４】
続いて、第２の絶縁膜２８上に、第１の遮光膜２３を形成する。その後、第１の遮光膜２３に、転送電極６上の開口部２３ａを形成し、第１のパッシベーション膜２４、第２の遮光膜２５等を順に形成していく。これら工程については、第１の実施形態の場合と同様である。
【０１２５】
また、シリコン窒化膜である反射防止膜２２に対して熱酸化を行なうことにより、反射防止膜２２を覆うシリコン酸化膜の薄膜を形成して第２の絶縁膜２８としても良い。図１８に示す従来技術の場合、第２の絶縁膜２８に相当する部分は水素を透過させる経路であるため、一定の膜厚を有していることが必要であった。しかし、本発明の固体撮像装置の場合、応力を緩和することが目的であって水素の経路となる必要はないため、第２の絶縁膜２８は薄い膜でよい。熱酸化によりシリコン酸化膜を形成すると、ＣＶＤ法による場合よりも薄い膜とすることができる。図１１を参照して第１の実施形態において説明したのと同様に、スミアの低減及び感度向上のためには、第２の絶縁膜２８を薄くすることによりＬ４及びＬ５に相当する寸法を小さくすることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、光電変換領域上に反射防止膜を設けると共に、転送電極上にて遮光膜に開口部を設けることにより、光電変換領域上のシリコン界面に達する従来よりも短い水素の経路を確保している。このため、反射損失を抑制すると共に、ダングリングボンドを水素により終端して暗電流を低減することができ、感度が高く且つ高品質な画像を得ることのできる固体撮像装置及びその製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置について、要部の断面構造を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る固体撮像装置において、水素シンターの際に水素が光電変換領域に達するための経路を示す図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、図３に続いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、図４に続いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図６は、図５に続いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は、図６に続いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】図８は、図７に続いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】図９は、図８に続いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】図１０は、図９に続いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図１０に続いて、第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る固体撮像装置について、要部の断面構造を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置について、要部の断面構造を示す図である。
【図１４】図１４は、第２の実施形態に係る固体撮像装置について、平面構造、特にコンタクトの配置を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置について、要部の断面構造を示す図である。
【図１６】図１６は、第１の従来技術に係る固体撮像装置について、要部の断面構造を示す図である。
【図１７】図１７は、第２の従来技術に係る固体撮像装置について、要部の断面構造を示す図である。
【図１８】図１８は、第３の従来技術に係る固体撮像装置について、要部の断面構造を示す図である。
【図１９】図１９は、第３の従来技術に係る固体撮像装置において、水素シンターの際に水素が光電変換領域に達するための経路を示す図である。
【符号の説明】
【０１２８】
１      ｐ型シリコン基板
１ａ    領域
２      光電変換領域
３      分離領域
４      転送領域
６      転送電極
６ａ    ポリシリコン層
８      第１のパッシベーション膜
１１      ＯＮＯ絶縁膜
１１ａ    シリコン酸化膜
１１ｂ    シリコン窒化膜
１１ｃ    シリコン酸化膜
１４      第１の平坦化層
１５      第２の平坦化層
１６      レンズ
２１      第１の絶縁膜
２２      反射防止膜
２２ａ    開口部
２３      第１の遮光膜
２３ａ    開口部
２４      第１のパッシベーション膜
２５      第２の遮光膜
２５ａ    遮光材料膜
２６      第２のパッシベーション膜
２７      コンタクト
２８      第２の絶縁膜
３１      経路
【図１】
2009295918.tif 000003
【図２】
2009295918.tif 000004
【図３】
2009295918.tif 000005
【図４】
2009295918.tif 000006
【図５】
2009295918.tif 000007
【図６】
2009295918.tif 000008
【図７】
2009295918.tif 000009
【図８】
2009295918.tif 000010
【図９】
2009295918.tif 000011
【図１０】
2009295918.tif 000012
【図１１】
2009295918.tif 000013
【図１２】
2009295918.tif 000014
【図１３】
2009295918.tif 000015
【図１４】
2009295918.tif 000016
【図１５】
2009295918.tif 000017
【図１６】
2009295918.tif 000018
【図１７】
2009295918.tif 000019
【図１８】
2009295918.tif 000020
【図１９】
2009295918.tif 000021