(57)【要約】【課題】完全なボイドフリー接合を実現することが可能な半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体基板１と接合材料６とが接着樹脂層２を介して接合されている半導体パッケージであって、接着樹脂層２は、スクライブライン３上の少なくとも一箇所において、気体を追い込む空間５を有するものとする。この気体を追い込む空間５においては、半導体基板１側および接合材料６側の少なくとも一方に接着樹脂が残されていることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と接合材料とが接着樹脂層を介して接合されている半導体パッケージであって、
前記接着樹脂層は、スクライブライン上の少なくとも一箇所において、気体を追い込む空間を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記空間において、半導体基板側および接合材料側の少なくとも一方に接着樹脂が残されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記接着樹脂層は、前記スクライブラインのいずれの交点上にも前記空間を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記接合材料は、接着樹脂層を介して半導体基板と接合される側の面のスクライブライン上に凹部を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
半導体基板と接合材料とが接着樹脂層を介して接合されている半導体パッケージの製造方法であって、
半導体基板および接合材料のうちいずれか一方に接着樹脂層を形成するに際して、スクライブライン上の少なくとも一箇所において、気体を追い込む空間を形成する工程と、
半導体基板および接合材料のうち前記接着樹脂層が形成された一方とは異なる他方のものを、前記接着樹脂層を介して半導体基板および接合材料のうち前記一方と接合する工程と、
前記スクライブラインに沿ってダイシングを行い、各々の半導体パッケージを分離する工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハレベル半導体パッケージにおける接着樹脂を用いた基板接合に関するものであり、接合面に混入する気泡を樹脂構造の工夫により抑制するものである。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ接合は、その方式により２つに大別される。一つは共晶法、陽極接合、融着接合などで、シリコンやガラス等の基板材料同士を直接接触させる方式である。もう一方は、樹脂や半田などの接着層を介して基板材料を接合させる方式である。前者の方式では接合時に３００℃以上の高温が必要であり、構成成分に樹脂などの低融点材料を含むデバイスのパッケージに対しては適応困難である。後者の方式、特に樹脂接合では、接着樹脂の選定により２００℃以下での接合が可能であり、高温を嫌う半導体デバイスのパッケージにおいては樹脂接合が用いられている。
【０００３】
従来の樹脂接合は、基板材料の片一方に液状の接着樹脂を塗り付け、これに対してもう一方の基板材料を加熱圧着した後に適切な温度でキュアすることで固体の接着層を形成する。この技術を用いてＭＥＭＳ分野で一般的な中空パッケージを実施する場合、接着樹脂には感光性が必要となり、上記のプロセス中に一般的なフォトリソ工程を加える必要がある（特許文献１、非特許文献１参照）。
【特許文献１】特表２００４−５３０９２６号公報
【非特許文献１】ハンスプ・キム（Ｈａｎｓｅｕｐ  Ｋｉｍ）、カリル・ナジャフィ（Ｋｈａｌｉｌ  Ｎａｊａｆｉ）、“Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｌｏｗ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｗａｆｅｒ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｕｓｉｎｇ  Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｐａｒｙｌｅｎｅ”、ジャーナル・オブ・マイクロエレクトロメカニカル・システム（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ）、２００５年１２月、第１４巻、第６号、ｐ．１３４７−１３５５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の樹脂接合では、接着界面に発生するボイドが問題であった。このボイドの発生理由は大別すると２つである。１つは接着樹脂液がキュア時に固体へと相転移する際の樹脂成分および溶媒成分の揮発である。すなわち、揮発によって生成した気体が接着界面もしくは樹脂中に閉じ込められてボイドを生じる。
【０００５】
もう１つは接着面の平滑性である。原理的に、完全な平面同士の接合であれば接合界面にボイドが入ることは無いが、スピンコート等で形成される塗膜からサブミクロンオーダーの凹凸を無くすことは難しく、その難易度は膜厚に比例して高くなる。
【０００６】
また、塗膜が形成される基板の表面に凹凸がある場合にも、塗膜は基板表面の凹凸に沿った形で形成される傾向にあるため、塗膜表面の凹凸は、表面が平滑な基板上に塗膜を形成する場合よりも大きくなる。塗膜が形成される基板が半導体ウエハである場合、個片化のためのスクライブラインおよび電極パッド表面が凹形状であることが一般的である。
【０００７】
これらの要因で形成された塗膜表面の凹部分には接合時に気体が残存する。この気体は、熱圧着時に加圧を逃れ、その場所でボイドとして残る傾向にある。または加圧により気体が変形すると面積の大きなボイドへと成長する可能性もある。
【０００８】
そのため、一般的なウエハ接合装置は減圧機能を備えており、上記の理由でのボイド発生が低減できる機構となっているが、完全なボイドフリー接合には至らないのが現状である。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、完全なボイドフリー接合を実現することが可能な半導体パッケージおよびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するため、本発明は、半導体基板と接合材料とが接着樹脂層を介して接合されている半導体パッケージであって、前記接着樹脂層は、スクライブライン上の少なくとも一箇所において、気体を追い込む空間を有することを特徴とする半導体パッケージを提供する。
前記空間において、半導体基板側および接合材料側の少なくとも一方に接着樹脂が残されていることが好ましい。
前記接着樹脂層は、前記スクライブラインのいずれの交点上にも前記空間を有することが好ましい。
前記接合材料は、接着樹脂層を介して半導体基板と接合される側の面のスクライブライン上に凹部を有することが好ましい。
【００１１】
また、本発明は、半導体基板と接合材料とが接着樹脂層を介して接合されている半導体パッケージの製造方法であって、半導体基板および接合材料のうちいずれか一方に接着樹脂層を形成するに際して、スクライブライン上の少なくとも一箇所において、気体を追い込む空間を形成する工程と、半導体基板および接合材料のうち前記接着樹脂層が形成された一方とは異なる他方のものを、前記接着樹脂層を介して半導体基板および接合材料のうち前記一方と接合する工程と、前記スクライブラインに沿ってダイシングを行い、各々の半導体パッケージを分離する工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体パッケージは、スクライブライン上の少なくとも一箇所において、気体を追い込む空間を有する接着樹脂層を用いて半導体基板と接合材料とが接合されたものであるので、接合面に残存した気体、あるいはキュアによって発生した気体を該空間に逃がすことができる。これにより、接着樹脂層（詳しくは、スクライブライン上以外の部分）にはボイドが発生せず、ダイシング後の半導体パッケージにおける接合面へのボイド混入を抑制することができる。また、スクライブライン上に気体を追い込む空間が形成されていることにより、その他の部分（スクライブライン上以外の部分）に残存した気体にも逃げ道を設けることができるので、空間近傍の接合面からもボイドを除去できる。
【００１３】
本発明の半導体パッケージの製造方法は、あらかじめ、スクライブライン上の少なくとも一箇所において、気体を追い込む空間を形成した接着樹脂層を用いて半導体基板と接合材料とを接合した後、スクライブラインに沿ってダイシングを行うものであるので、接着樹脂層に形成された気体を追い込む空間により、接合時に接合面からのボイド除去が容易になるため、熱圧着時の加重および真空度を低下させてもボイドレス接合が可能となり、工程が簡素化される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、最良の形態に基づき、本発明を説明する。
本発明では、従来技術の問題点を解決するために、半導体基板と接合材料との接合に用いる接着樹脂層の構造を工夫した。図１（ａ）は本発明の半導体パッケージの第１の例を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の半導体パッケージをダイシングして得られる半導体パッケージを示す断面図である。
【００１５】
図１（ａ）に示す半導体パッケージは、半導体基板１と接合材料６とが接着樹脂層２を介して接合されている半導体パッケージであって、接着樹脂層２は、スクライブライン３上の少なくとも一箇所において、気体を追い込む空間５（以下、「気体を追い込む空間」を「気体追い込み空間」という場合がある。）を有することを特徴とする。
【００１６】
本形態例の半導体パッケージによれば、接合面に残存した気体、あるいはキュアによって発生した気体を気体追い込み空間５に逃がすことができる。これにより、接着樹脂層（詳しくは、スクライブライン上以外の部分）にはボイドが発生せず、ダイシング後の半導体パッケージにおける接合面へのボイド混入を抑制することができる。また、スクライブライン３上に気体追い込み空間５が形成されていることにより、その他の部分（スクライブライン３上以外の部分）に残存した気体にも逃げ道を設けることができるので、気体追い込み空間５近傍の接合面からもボイドを除去することができる。
【００１７】
また、本形態例の半導体パッケージにおいては、気体追い込み空間５において、気体追い込み空間５の幅はスクライブライン３の幅よりも狭くなっている。このように基板１のスクライブライン３上にスクライブライン３よりも幅の狭い気体追い込み空間５が残されていることにより、回転刃によるダイシング時に回転刃の端部が接着樹脂層２を切断する。これによりダイシング時の部分的剥離を抑制することができる。
また、気体追い込み空間５において、半導体基板１側と接合材料６側との両方の気体追い込み空間５の幅がスクライブライン３の幅より狭くなっているものとしても、ダイシング時の部分的剥離を抑制することができる。
【００１８】
本形態例の半導体パッケージは、例えば、下記の手順により製造することができる。
半導体基板１と接合材料６とを接合するため、いずれか一方に接着樹脂層２を形成するに際して、スクライブライン３上の少なくとも一箇所において、気体追い込み空間５を形成する。気体追い込み空間５の形成は、接着樹脂層２の形成後に気体追い込み空間５にあたる樹脂を除去することで気体追い込み空間５とする方法でも良く、あるいは、あらかじめ気体追い込み空間５にあたる凹部を有する接着シートを貼り合わせて、該凹部をスクライブライン３上に配置することにより、気体追い込み空間５とする方法でも良い。
【００１９】
次に、半導体基板１および接合材料６のうち接着樹脂層２が形成された一方とは異なる他方のものを、接着樹脂層２を介して半導体基板１および接合材料６のうち前記一方と接合する。すなわち、気体追い込み空間５をスクライブライン３上に有する接着樹脂層２を、半導体基板１に形成した後で、該接着樹脂層２を介して接合材料６と接合するのでも良く、あるいは、気体追い込み空間５をスクライブライン３上に有する接着樹脂層２を、接合材料６に形成した後で、該接着樹脂層２を介して半導体基板１と接合するのでも良い。
【００２０】
このようにして接合した本形態例の半導体パッケージは、例えばウエハレベルパッケージの半製品であり、接合後、スクライブライン３に沿ってダイシングを行うことで、図１（ｂ）に示すように、各々の半導体パッケージ７，７を分離することができる。本形態例の場合は、気体追い込み空間５がスクライブライン３の内部にのみ形成されているので、分離して得られた各々の半導体パッケージ７，７には、気体追い込み空間５に由来する部分がないものとなる。
【００２１】
なお、本発明においては、気体追い込み空間５がスクライブライン３の両側（図２参照）または片側（図示略）に、はみ出していても良い。図２（ａ）は本発明の半導体パッケージの第２の例を示す断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の半導体パッケージをダイシングして得られる半導体パッケージを示す断面図である。この場合は、図２（ａ）に示す半導体パッケージに対し、スクライブライン３に沿ってダイシングを行うことで得られる各々の半導体パッケージ７Ａ，７Ａは、気体追い込み空間５に由来する部分５Ａ（接着樹脂層２の欠落部）が存在するものとなる。
【００２２】
図３は、本発明により形成される接着樹脂層のパターニングの第１の例を示す平面図である。図３において、半導体基板１１上に設けられた接着樹脂層１２は、スクライブライン１３上に、気体追い込み空間１５を有することを特徴とする。また、符号１４は、半導体デバイスにおいて接合した２枚の基板間に中空部が形成される空隙部であり、接着樹脂層１２はこの空隙部１４においても除去されている。接着樹脂層１２を除去した部分は、接着樹脂として液状樹脂を塗布した後、現像の際にパターニングすることで形成することができる。
【００２３】
図３に示す場合、スクライブライン１３上の気体追い込み空間１５は、スクライブライン１３に沿って全長にわたり形成されるものとしたが、本発明では特にこれに限定されるものではない。例えば図５に示すように、気体追い込み空間１５が、スクライブライン１３の外側にはみ出した部分１５Ａを有していても良い。また、図４、図７に示すように、スクライブライン２３，３３上の一部において気体追い込み空間２５，３５を形成するようにしてもよい。また、図６に示すように、スクライブライン２３上の一部において、スクライブライン２３の外側にはみ出した気体追い込み空間２５Ｂ，２５Ｃを有するものとしてもよい。
【００２４】
このようにスクライブライン上に気体追い込み空間を形成することにより、スクライブライン上には、接着樹脂層の接合面に残存した気体、あるいはキュアによって発生する気体を逃がすための十分に大容積の空間が設けられる。このため、ウエハ接合時に、接合面にボイドが発生することを抑制することができる。また、この空間は、スクライブライン以外の場所に形成された基板表面の凹凸に起因して接着樹脂層の表面（接合界面となる面）に残存した気体の逃げ場ともなり、結果としてチップ面のボイドを無くす効果も付随する。
【００２５】
なお、溝型構造の長さについては、図３、図５に示すように、１チップを取り囲むように全面に形成するのが最もボイドの吸収・抑制効果を期待できる。しかし、このようにすべての溝をつなげてしまうと、この溝型構造の周辺になんらかの原因で欠陥が発生した場合、すべての溝がつながっているため、不具合を拡大させてしまう。例えば、接着後の半導体基板が微小に破損し、内部に薬液等が侵入した場合などが想定される。
したがって、例えば図７に示すように、それぞれの溝型構造３５を分離するように、スクライブライン上に沿う方向において、一部の接着樹脂を残した形で溝型構造３５を形成する手法を取ることが望ましい。
【００２６】
この際、スクライブライン上の中で最もボイドが発生しやすいのは、ラインが密集する交点であることから、スクライブラインの交点に気体追い込み空間を設けておくことが望まれる。例えば、図３に示すように、スクライブライン１３に沿って全長にわたり気体追い込み空間１５を形成する場合は、気体追い込み空間１５を交差させることで、スクライブライン１３の交点に気体追い込み空間１５を有する形態とすることができる。同様の理由から、図４、図６に示すように、スクライブライン２３上に多数の気体追い込み空間２５を設けるときにも、スクライブライン２３の交点上にも気体追い込み空間２５Ａ、２５Ｃを設けることが望ましい。
【００２７】
本発明では、接着樹脂層が形成された半導体基板のスクライブライン上に気体追い込み空間を設け、この半導体基板上の該接着樹脂層に対して接合材料を貼付して接合するのでもよい。あるいは、接着樹脂層が形成された接合材料のスクライブライン上に気体追い込み空間を設け、この接合材料上の該接着樹脂層に対して半導体基板を貼付して接合するのでもよい。
【００２８】
また、スクライブライン上に気体追い込み空間を設けることで、接合後の製品（ダイシング前のウエハ）において接着領域が格子状に分布する結果となる。これにより、従来の「接合材料／接着樹脂層／半導体基板」の三層構造が擬似二層構造となり、接合後、製品の反りが緩和される。
【００２９】
（断面形状の第１の例および第２の例）
図８は、スクライブライン４３上の気体追い込み空間４５の断面形状の第１の例を示す断面図であり、図９は、スクライブライン５３上の気体追い込み空間５５の断面形状の第２の例を示す断面図である。これらの図中、ｈｒは接着樹脂層４２，５２の高さであり、Ｗｒは気体追い込み空間４５の幅である。また、図８中のｈａは、気体追い込み空間４５の高さである。Ｗｒはスクライブライン４３，５３の幅Ｗｓよりも小さくてよく、この場合は、ダイシング後のチップに気体追い込み空間４５，５５の痕跡が残ることがない。
【００３０】
本発明においては、図８，図９に示すように、気体追い込み空間４５，５５において、気体追い込み空間４５，５５の幅Ｗｒがスクライブライン４３，５３の幅Ｗｓよりも狭いことが望ましい。これにより、ダイシング時の半導体基板４１，５１や接合材料４６，５６の接合面の部分的剥離を抑制することができる。
【００３１】
なお、気体追い込み空間４５，５５を、現像による接着剤の除去で形成する場合は、現像が完了したとき、ｈａとｈｒは同じ値となり、図９に示すように、気体追い込み空間５５は接着樹脂層５２の高さ方向の全体が除去されたものとなる。本発明においては、ウエハ接合時に接合界面にボイドが入らない程度の気体追い込み空間４５が設けられれば十分であり、ｈａ＜ｈｒであっても問題ない。すなわち、接着樹脂の解像（除去）は不十分であっても構わない。この場合、図８に示すように、気体追い込み空間４５は接着樹脂層４２の高さ方向の一部のみが除去されたものとなり、気体追い込み空間４５において、半導体基板４１に接着樹脂が残された状態となる。
【００３２】
（断面形状の第３の例）
図１０は、スクライブライン６３上の気体追い込み空間６５の断面形状の第３の例を示す断面図である。この例では、半導体基板６１側に接着樹脂層６２および気体追い込み空間６５を形成するとともに、接合材料６６側にもスクライブライン６３上に凹部６８を形成している。図１０中、Ｗｃは凹部６８により接合材料６６側に設けた空間の幅、ｈｃは接合材料６６側に設けた空間の高さである。本発明は、接合材料６６側に空間を設けた場合にもその効果を発揮する。また、Ｗｃはスクライブライン６３の幅Ｗｓよりも小さくてよく、この場合は、ダイシング後のチップに凹部６８の痕跡が残ることがない。また、ｈｃは接合材料６６の厚さｈｇに等しいと、空間が接合材料６６を貫通してしまうので、ｈｃはｈｇより小さくても構わない。
【００３３】
（断面形状の第４の例）
図１１は、スクライブライン７３上の気体追い込み空間７５の断面形状の第４の例を示す断面図である。この例では、接合材料７６側に接着樹脂層７２および気体追い込み空間７５を形成している。本発明は、半導体基板７１の表面、具体的にはスクライブライン７３上の凹みに起因する接合面ボイドを回避するためのものであり、接着樹脂層７２を接合材料７６側に成膜した場合でも同様の効果を発揮する。この場合、図１１に示すように、気体追い込み空間７５において、気体追い込み空間７５の幅Ｗｒがスクライブラインの幅Ｗｓよりも狭いことが望ましい。これにより、ダイシング時の半導体基板７１や接合材料７６の接合面の部分的剥離を抑制することができる。
【００３４】
なお、気体追い込み空間７５を、現像による接着剤の除去で形成する場合は、接着樹脂の解像（除去）は不十分であっても構わない。この場合、図１１に示すように、気体追い込み空間７５は接着樹脂層７２の高さ方向の一部のみに形成され、接合材料７６側に接着樹脂が残された状態となる。
【００３５】
（断面形状の第５の例）
図１２は、スクライブライン８３上の気体追い込み空間８５の断面形状の第５の例を示す断面図である。この例では、半導体基板８１側に接着樹脂層８２および気体追い込み空間８５を形成するとともに、接合材料８６側にもスクライブライン８３上に凹部８８を形成している。図１２中、Ｗｃは凹部８８により接合材料８６側に設けた空間の幅、ｈｃは接合材料８６側に設けた空間の高さ、ｈｇは接合材料８６の厚さ、ｈｒは接着樹脂層８２の高さ、Ｗｒは気体追い込み空間８５の幅、ｈａは気体追い込み空間８５の高さである。図１２に示すように、ｈａ＜ｈｒ、かつｈｃ＜ｈｇであっても本発明の効果は発揮される。
【００３６】
（気体追い込み空間のパターニング）
図８〜図１２に示される断面形状の例において、気体追い込み空間の平面的なパターニングは限定されるものではなく、例えば図３〜図７に示されるパターニングを、図８〜図１２に示される断面形状と組み合わせて用いることができる。
【００３７】
図３に示されるように、スクライブラインに沿って全長にわたり形成される気体追い込み空間は、図８に示すように半導体基板側に形成されていても良く、図９に示されるように、接着樹脂層の厚さに等しい高さを有しても良く、図１１に示すように接合基板側に形成されていても良く、図１０、図１２に示されるように、接合基板側の凹部と組み合わされても良い。
【００３８】
図４に示されるように、スクライブラインの一部にのみ形成される気体追い込み空間は、図８に示すように半導体基板側に形成されていても良く、図９に示されるように、接着樹脂層の厚さに等しい高さを有しても良く、図１１に示すように接合基板側に形成されていても良く、図１０、図１２に示されるように、接合基板側の凹部と組み合わされても良い。
【００３９】
図５に示されるように、スクライブラインの外側に、はみ出し部を有する気体追い込み空間は、図８に示すように半導体基板側に形成されていても良く、図９に示されるように、接着樹脂層の厚さに等しい高さを有しても良く、図１１に示すように接合基板側に形成されていても良く、図１０、図１２に示されるように、接合基板側の凹部と組み合わされても良い。
【００４０】
図６に示されるように、スクライブラインの外側に、はみ出した形状の気体追い込み空間は、図８に示すように半導体基板側に形成されていても良く、図９に示されるように、接着樹脂層の厚さに等しい高さを有しても良く、図１１に示すように接合基板側に形成されていても良く、図１０、図１２に示されるように、接合基板側の凹部と組み合わされても良い。
【００４１】
図７に示されるように、溝型構造が途中で分離した構造を有する気体追い込み空間は、図８に示すように半導体基板側に形成されていても良く、図９に示されるように、接着樹脂層の厚さに等しい高さを有しても良く、図１１に示すように接合基板側に形成されていても良く、図１０、図１２に示されるように、接合基板側の凹部と組み合わされても良い。
【００４２】
（その他の改変例について）
なお、本発明で用いられる接着樹脂パターンは、必ずしも感光性樹脂の現像工程で形成する必要は無く、例えば接着樹脂層を印刷法、ディスペンス法などを用いて形成すれば、非感光性の接着樹脂においても形成可能である。非感光性の接着樹脂としては、熱硬化性樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。また、感光性樹脂としては、紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、赤外光硬化性樹脂など、特に限定されない。
【００４３】
また、図１０や図１２の例において、接合材料６６，８６側に空間６８，８８を設ける場合、ブラストによる研削、化学薬品によるウェットエッチ、真空プロセスによるドライエッチなどで形成可能である。
【００４４】
（製造方法の例）
本発明による半導体パッケージを製造する方法の一例について、図１３〜図１６を参照して説明する。
まず、図１３に示すように、半導体基板１上に接着樹脂層２を形成する。接着樹脂としては、例えば、低温での接着が可能な、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、あるいはこれらを複合した材料等が挙げられる。これら接着樹脂の中でも、特に感光性を有し、フォトリソグラフィーによりパターニングが可能な材料を選ぶことが、この製造例においては必要である。
【００４５】
また、接着樹脂層を半導体基板上に形成する際には、液状の樹脂を半導体基板上に垂らし、高速で回転させて均一に塗布するスピンコート法、フィルム状の樹脂をローラーまたは熱板により加熱・加圧して転写するラミネート法を用いることができる。これらの方法を用いることにより、図１３に示すように、半導体基板１上に均一な接着樹脂層２が形成される。
【００４６】
次に、任意のマスクパターンを用いて、露光および現像を行う。露光装置や現像液などは、使用する接着樹脂に適したものを選定して使用する。この製造例では、この露光・現像工程において、図１４に示すように、半導体デバイスを保護するための空隙４を作ると同時に、半導体基板１上のスクライブライン３上の接着樹脂をあらかじめ除去した溝型構造の空間５を形成する。接合材料（例えばガラス）と接合する工程（詳しくは後述する）において、この溝型空間５により中空部が形成され、スクライブライン３上に発生するボイドを吸収・抑制することができる。
【００４７】
続いて、図１５に示すように、接合材料６を接着させる。接合材料の接着は、例えば熱圧着によって行うことができる。真空チャンバ内にて、接着樹脂層２の形成された半導体基板１と、接合材料６とを重ね合わせ、過熱した熱板を使って荷重をかけることにより、接合材料６と接着樹脂層２および半導体基板１とがそれぞれ強固に接着される。接合材料６としては、ガラス、セラミック、プラスチック、樹脂などの絶縁体のほか、シリコンなどの半導体を用いることもできる。
【００４８】
一般にガラスやシリコンといったヤング率の高い、変形しにくい基板同士を、広い面積に渡ってボイド無く接着させることは、いかに真空チャンバ内とはいえ難しい。また、接着層として樹脂を用いる場合には、アウトガスにより発生するボイドの懸念もある。さらには、半導体基板上には、様々な段差を持つ微細パターンが形成されており、これらによる凹凸・起伏が基板上の平坦性を悪くし、ボイドの発生を誘発する要因ともなりやすい。
【００４９】
特に、半導体デバイスをダイシングして個片化する際に用いられるスクライブライン上については、ダイシング工程（詳しくは後述する）でチッピングや膜剥がれといった問題を引き起こす不要な薄膜などをあらかじめ除去しておくのが一般的であるから、通常、半導体基板の表面から窪んだ段差形状となっている。また、スクライブＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）と呼ばれる工程検査用微細パターン等も形成されており、複雑な凹凸形状を持っていることも多い。
【００５０】
このような複雑な段差形状を持つスクライブライン上にはボイドが最も入りやすく、これを吸収・抑制するための解決策として、前述した接着樹脂の溝型構造５が必要となる。半導体デバイスのスクライブライン３は一般に幅１００μｍ前後であるが、溝型構造５の幅については、半導体デバイスの構成上問題とならない範囲であれば、太くも細くもできる。無論、溝幅が大きいほうがよりボイド抑制効果を発揮できるが、溝型構造５の幅が１０μｍ程度の小さな幅であっても、ある程度のボイド抑制効果は期待できるからである。実際は、半導体チップのチップサイズ、チップやスクライブライン上の段差、半導体デバイス保護のための空隙部４の面積等によりボイドの発生状況が変わるため、適切な幅を選んで適用することが必要である。
【００５１】
図１６は、スクライブライン３に沿ってダイシングを行い、ウエハ上に形成された各半導体パッケージ（チップ）７を分離した様子を示している。このとき、接着樹脂層２のうち、溝型構造５を有するスクライブライン３上の部分は除去され、個片化後の最終製品であるチップ７には溝型構造５が残らない。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、半導体基板と接合材料とが接着樹脂層を介して接合されている半導体パッケージに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）は本発明の半導体パッケージの第１の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体パッケージをダイシングして得られる半導体パッケージを示す断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の半導体パッケージの第２の例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体パッケージをダイシングして得られる半導体パッケージを示す断面図である。
【図３】接着樹脂層のパターニングの第１の例を示す平面図である。
【図４】接着樹脂層のパターニングの第２の例を示す平面図である。
【図５】接着樹脂層のパターニングの第３の例を示す平面図である。
【図６】接着樹脂層のパターニングの第４の例を示す平面図である。
【図７】接着樹脂層のパターニングの第５の例を示す平面図である。
【図８】スクライブライン上の気体追い込み空間の断面形状の第１の例を示す断面図である。
【図９】スクライブライン上の気体追い込み空間の断面形状の第２の例を示す断面図である。
【図１０】スクライブライン上の気体追い込み空間の断面形状の第３の例を示す断面図である。
【図１１】スクライブライン上の気体追い込み空間の断面形状の第４の例を示す断面図である。
【図１２】スクライブライン上の気体追い込み空間の断面形状の第５の例を示す断面図である。
【図１３】本発明の半導体パッケージを製造する工程の一を示す（ａ）平面図、および（ｂ）断面図である。
【図１４】本発明の半導体パッケージを製造する工程の一を示す（ａ）平面図、および（ｂ）断面図である。
【図１５】本発明の半導体パッケージを製造する工程の一を示す（ａ）平面図、および（ｂ）断面図である。
【図１６】本発明の半導体パッケージを製造する工程の一を示す（ａ）平面図、および（ｂ）断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１，１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１…半導体基板、２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，７２，８２…接着樹脂層、３，１３，２３，３３，４３，５３，６３，７３，８３…スクライブライン、４，１４，２４，３４…空隙部、５，１５，２５，２５Ｂ，３５，４５，５５，６５，７５，８５…気体追い込み空間、２５Ａ，２５Ｃ…スクライブラインの交点にある気体追い込み空間、６，４６，５６，６６，７６，８６…接合材料、７，７Ａ…個片化した半導体パッケージ、６８，８８…接合材料側の凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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