(57)【要約】【課題】基板厚みを精度よく測定する。【解決手段】基板１０を準備する工程と、基板の第１主面１０ａ上に、複数の開口部を有しているマスクパターンを設ける工程と、第１主面から基板の厚み方向に沿って延在しており、予め設定されている互いに異なる深さであるか又は異なる深さであって同一の深さであるものを一部含んでいてもよい複数の穴部１４を形成する工程と、第２主面１０ｂ側から研削して薄厚化する工程と、研削された第２主面側の露出面に開口した穴部を判別し、少なくとも１つの開口した穴部に設定されていた深さに基づいて、基板の研削後の厚みを決定する工程とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有している基板を準備する工程と、
前記基板に、１又は２以上のチップ形成領域及びチップ非形成領域を設定する工程と、
前記基板の前記第１主面上に、複数の開口部を有しているマスクパターンを設ける工程と、
前記マスクパターンを用いて、前記第１主面から前記基板の厚み方向に沿って延在しており、予め設定されている互いに異なる深さであるか又は異なる深さであって同一の深さであるものを一部含んでいてもよい複数の穴部を形成する工程と、
前記第１主面側に支持基板を貼付する工程と、
前記基板を、前記第２主面側から研削して薄厚化する工程と、
研削された前記第２主面側の露出面に開口した前記穴部を判別し、少なくとも１つの開口した前記穴部の深さに基づいて、前記基板の研削後の厚みを決定する工程と
を含むことを特徴とする基板厚み測定方法。
【請求項２】
前記チップ非形成領域は、前記チップ形成領域を囲むように設定されることを特徴とする請求項１に記載の基板厚み測定方法。
【請求項３】
前記マスクパターンを設ける工程は、当該マスクパターンの複数の前記開口部を、最低でも２個を一組とする複数組に組分けして、各組ごとに当該組を構成する複数の前記開口部の輪郭形状を互いに同一形状とし、かつ当該開口部の開口面積を、前記穴部の予め設定された深さと関連づけられた互いに異なる面積として設ける工程であり、
複数の前記穴部を形成する工程は、前記開口面積に関連づけられた深さの前記穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板厚み測定方法。
【請求項４】
前記マスクパターンを設ける工程は、前記組を構成する複数の前記開口部において、互いに隣接する当該開口部同士を等間隔とした前記マスクパターンを設ける工程であることを特徴とする請求項３に記載の基板厚み測定方法。
【請求項５】
前記マスクパターンを設ける工程は、複数の前記開口部を、前記チップ非形成領域のみに有する前記マスクパターンを設ける工程であり、
前記穴部を形成する工程は、前記チップ非形成領域のみに当該穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板厚み測定方法。
【請求項６】
前記マスクパターンを設ける工程は、複数の前記開口部を、前記チップ形成領域のみに有する前記マスクパターンを設ける工程であり、
前記穴部を形成する工程は、前記チップ形成領域のみに前記穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板厚み測定方法。
【請求項７】
前記マスクパターンを設ける工程は、複数の前記開口部を、前記チップ非形成領域及び前記チップ形成領域の両方に有する前記マスクパターンを設ける工程であり、
前記穴部を形成する工程は、前記チップ非形成領域及び前記チップ形成領域の両方に前記穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板厚み測定方法。
【請求項８】
前記マスクパターンを設ける工程は、複数の前記開口部のうち開口面積が最小である前記開口部に隣接して、前記第１主面から前記第２主面に至る貫通孔である前記穴部を形成することができる程度の開口面積を有するガイドパターン形成用開口部をさらに有する前記マスクパターンを設ける工程であり、
前記穴部を形成する工程は、前記ガイドパターン形成用開口部により形成されるガイドパターンをさらに含む穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の基板厚み測定方法。
【請求項９】
前記穴部を形成する工程は、前記マスクパターンをマスクとして用いる異方性エッチングにより行われる工程であることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の基板厚み測定方法。
【請求項１０】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有している基板を準備する工程と、
前記基板に、１又は２以上のチップ形成領域及び当該チップ形成領域を囲むチップ非形成領域を設定する工程と、
前記基板の前記第１主面上に、前記基板の厚みを検出するための複数の穴部形成用の複数の開口部を有している、マスクパターンを設ける工程と、
前記マスクパターンを用いて、前記第１主面から前記基板の厚み方向に沿って延在しており、同一形状かつ同一深さであって前記第１主面と平行な面内での断面の輪郭が画成する断面積が徐々に小さくなっていく順テーパ状の複数の前記穴部を形成する工程と、
前記第１主面に支持基板を貼付する工程と、
前記基板を、前記第２主面側から研削して薄厚化する工程と、
研削された前記第２主面側の露出面に開口した前記穴部の輪郭の形状及び当該輪郭が画成する大きさの両方又はいずれか一方を観測することにより前記基板の研削後の厚みを決定する工程と
を含むことを特徴とする基板厚み測定方法。
【請求項１１】
前記穴部を形成する工程は、同一形状かつ同一深さであって前記第１主面と平行な面内での断面の輪郭が画成する断面積が徐々に小さくなっていき、かつ前記断面の輪郭が深くなるほど変化していく順テーパ状の複数の前記穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１０に記載の基板厚み測定方法。
【請求項１２】
前記マスクパターンを設ける工程は、複数の前記開口部を、前記チップ非形成領域のみに有する前記マスクパターンを設ける工程であり、
前記穴部を形成する工程は、前記チップ非形成領域のみに前記穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の基板厚み測定方法。
【請求項１３】
前記マスクパターンを設ける工程は、複数の前記開口部を、前記チップ形成領域のみに有する前記マスクパターンを設ける工程であり、
前記穴部を形成する工程は、前記チップ形成領域のみに前記穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の基板厚み測定方法。
【請求項１４】
前記マスクパターンを設ける工程は、複数の前記開口部を、前記チップ非形成領域及び前記チップ形成領域の両方に有する前記マスクパターンを設ける工程であり、
前記穴部を形成する工程は、前記チップ非形成領域及び前記チップ形成領域の両方に前記穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の基板厚み測定方法。
【請求項１５】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有している基板を準備する工程と、
前記基板に、１又は２以上のチップ形成領域及び当該チップ形成領域を囲むチップ非形成領域を設定する工程と、
前記基板の前記第１主面上に、複数の開口部を有しているマスクパターンを設ける工程と、
前記マスクパターンを用いて、前記第１主面から前記基板の厚み方向に沿って延在しており、予め設定されている互いに異なる深さであるか又は異なる深さであって同一の深さであるものを一部含んでいてもよい複数の穴部を形成する工程と、
前記第１主面に支持基板を貼付する工程と、
前記基板を、前記第２主面側から研削して薄厚化する工程と、
研削された前記第２主面側の露出面に開口した前記穴部を判別し、少なくとも１つの開口した前記穴部の深さに基づいて前記基板の研削後の厚みを決定する工程と、
前記チップ非形成領域を研削して、チップを個片化する工程と、
前記支持基板を剥離除去する工程と
を含むことを特徴とするチップの製造方法。
【請求項１６】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有している基板を準備する工程と、
前記基板に、１又は２以上のチップ形成領域及び当該チップ形成領域を囲むチップ非形成領域を設定する工程と、
前記基板の前記第１主面上に、複数の開口部を有しているマスクパターンを設ける工程と、
前記マスクパターンを用いて、前記第１主面から前記基板の厚み方向に沿って延在しており、同一形状かつ同一深さであって前記第１主面と平行な面内での断面の輪郭が画成する断面積が徐々に小さくなっていく順テーパ状の複数の穴部を形成する工程と、
前記第１主面に支持基板を貼付する工程と、
前記基板を、前記第２主面側から研削して薄厚化する工程と、
研削された前記第２主面側の露出面に開口した前記穴部の輪郭の形状及び当該輪郭が画成する大きさの両方又はいずれか一方を観測することにより前記基板の研削後の厚みを決定する工程と、
前記チップ非形成領域を研削して、チップを個片化する工程と、
前記支持基板を剥離除去する工程と
を含むことを特徴とするチップの製造方法。
【請求項１７】
前記穴部を形成する工程は、同一形状かつ同一深さであって前記第１主面と平行な面内での断面の輪郭が画成する断面積が徐々に小さくなっていき、かつ前記断面の輪郭が深くなるほど変化していく順テーパ状の複数の前記穴部を形成する工程であることを特徴とする請求項１６に記載のチップの製造方法。
【請求項１８】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有しており、１又は２以上のチップ形成領域及び当該チップ形成領域を囲むチップ非形成領域が設定されており、前記第１主面から前記基板の厚み方向に沿って延在しており、予め設定されている互いに異なる深さであるか又は異なる深さであって同一の深さであるものを一部含んでいてもよく、前記第２主面側から研削したときに露出面に開口した穴部を判別し、少なくとも１つの開口した前記穴部に設定されていた深さに基づいて、前記基板の厚みを決定することができる複数の前記穴部を具えていることを特徴とする基板。
【請求項１９】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有しており、１又は２以上のチップ形成領域及び当該チップ形成領域を囲むチップ非形成領域が設定されており、前記第１主面から前記基板の厚み方向に沿って延在しており、同一形状かつ同一深さであって前記第１主面と平行な面内での断面の輪郭が画成する断面積が徐々に小さくなっていく順テーパ状の穴部であって、研削された前記第２主面側の露出面に開口した前記穴部の輪郭の形状及び当該輪郭が画成する大きさの両方又はいずれか一方を観測することにより前記基板の研削後の厚みを決定することができる複数の前記穴部を具えていることを特徴とする基板。
【請求項２０】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有しており、前記第１主面から厚み方向に沿って延在している穴部であって、予め設定されている互いに異なる深さであるか又は異なる深さであって同一の深さであるものを一部含んでいてもよく、前記第２主面に開口した前記穴部を判別し、少なくとも１つの開口した前記穴部に設定されていた深さに基づいて、厚みを決定することができる複数の前記穴部を具えていることを特徴とするチップ。
【請求項２１】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有しており、前記第１主面から厚み方向に沿って延在しており、同一形状かつ同一深さであって前記第１主面と平行な面内での断面の輪郭が画成する断面積が徐々に小さくなっていく順テーパ状の穴部であって、前記第２主面に開口した前記穴部の輪郭の形状及び当該輪郭が画成する大きさの両方又はいずれか一方を判別することにより前記基板の研削後の厚みを決定することができる複数の前記穴部を具えていることを特徴とするチップ。
【請求項２２】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有しており、前記第１主面から厚み方向に沿って延在している穴部であって、予め設定されている互いに異なる深さであるか又は異なる深さであって同一の深さであるものを一部含んでいてもよく、前記第２主面側に開口した前記穴部を判別し、少なくとも１つの開口した前記穴部に設定されていた深さに基づいて、厚みを決定することができる複数の前記穴部と、前記第１主面から前記第２主面に貫通している複数の貫通電極とを有している複数のチップを含み、
複数の前記チップの前記貫通電極同士を互いに接続して、厚み方向に前記チップ同士を積層した積層体を具えている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
第１主面及び当該第１主面に対向している第２主面を有しており、前記第１主面から厚み方向に沿って延在しており、同一形状かつ同一深さであって前記第１主面と平行な面内での断面の輪郭が画成する断面積が徐々に小さくなっていく順テーパ状の穴部であって、前記第２主面に開口した前記穴部の輪郭の形状及び当該輪郭が画成する大きさの両方又はいずれか一方を観測することにより前記基板の研削後の厚みを決定することができる複数の前記穴部と、前記第１主面から前記第２主面に貫通している複数の貫通電極とを有している複数の前記チップを含み、
複数の前記チップの前記貫通電極同士を互いに接続して、厚み方向に前記チップ同士を積層した積層体を具えている
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板厚み測定方法、かかる基板厚み測定方法が適用された基板、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばシリコン基板（シリコンウエハ）といった基板を用いて製造される半導体装置において、さらなる高機能化を実現するために、複数個の半導体チップを厚み方向に積層するいわゆるマルチチップパッケージが提案されている。
【０００３】
このようなマルチチップパッケージにおいて、チップの上面から下面に貫通する貫通電極を具えるチップを用いる例が知られている。
【０００４】
こうしたマルチチップパッケージでは、同一形状の複数個のチップを準備し、貫通電極同士を相互に接続して積層している。
【０００５】
貫通電極を具える複数のチップを積層するにあたり、このチップの非実装領域に、貫通電極と同一工程で形成される同一構造のアラインメントマークを設け、このアラインメントマークを利用して搭載用基板に精度よくチップを積層していく構成が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−１７５２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に開示の技術によれば、アラインメントマークの存在により、搭載用基板及びチップの平面方向、すなわち搭載用基板及びチップの上面及び下面に対して水平方向の配置精度を高めることができる。
【０００７】
しかしながら、搭載用基板及びチップの厚み方向、すなわち搭載用基板及びチップの上面及び下面に対して垂直方向の配置精度、すなわち厚み管理については考慮されていないため、特にチップの厚みのばらつきに起因して、電気的な特性が損なわれるおそれがある。
【０００８】
チップ、すなわち個片化前の基板の厚みの調整は、ウエハプロセス終了後、基板と支持基板とを、接着材を用いて接合し、支持基板が接合されている面とは反対側の露出面を研削して薄厚化することにより行われている。
【０００９】
そして、基板、支持基板及び接着材の総厚みに基づいて、基板の厚みの調整及び管理が行われている。
【００１０】
このようにして基板の厚みを調整及び管理する場合には、基板以外の厚みのばらつき、すなわち支持基板の厚みのばらつき、接着材の層厚みのばらつきにより、基板の厚みの測定精度が損なわれてしまうおそれがある。
【００１１】
結果として、完成品、すなわちチップ（半導体装置）において所望の電気的特性が得られないおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した問題の解決を図り、基板、及びこの基板から切り出されるチップの厚みを精度よく測定及び管理することを目的として、この発明の発明者は鋭意研究を進めたところ、基板に、厚み測定用の複数の穴部を形成することにより、電気的特性の悪化を防止しつつ、極めて簡易な工程でかかる問題を解決できることを見出し、この発明を完成するに至った。
【００１３】
すなわち、この発明の基板厚み測定方法によれば、下記の工程を有している。
【００１４】
まず、第１主面及びこの第１主面に対向している第２主面を有している基板を準備する。
【００１５】
基板に、１又は２以上のチップ形成領域及びチップ非形成領域を設定する。
【００１６】
基板の第１主面上に、複数の開口部を有しているマスクパターンを設ける。
【００１７】
マスクパターンを用いて、第１主面から基板の厚み方向に沿って延在しており、予め設定されている互いに異なる深さであるか又は異なる深さであって同一の深さであるものを一部含んでいてもよい複数の穴部を形成する。
【００１８】
第１主面側に支持基板を貼付する。
【００１９】
基板を、第２主面側から研削して薄厚化する。
【００２０】
研削された第２主面側の露出面に開口した穴部を判別し、少なくとも１つの開口した穴部に設定されていた深さに基づいて、基板の研削後の厚みを決定する。
【発明の効果】
【００２１】
この発明の基板厚みの測定方法によれば、従来、支持基板と接合された状態で測定及び管理されていた基板厚みを、基板単体で行うことができるため、より精度よく管理することができる。
【００２２】
また、例えば貫通電極の形成工程といった、従来の工程と同時に実施することができるので、いわゆるウエハプロセスにおいてさらなる工程を付加することなく、基板厚みの測定及び厚みの管理、すなわち品質管理をより効率的に実施することができる。
【００２３】
結果として、完成品である例えば半導体装置の電気的特性の悪化をより効果的に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、この発明を実施するための最良の形態を説明する。なお、構成及び製造方法を説明する各図において、各構成要素の大きさ、形状及び配置関係については、この発明が理解できる程度に概略的に示してあるに過ぎず、この発明は図示例に限定されるものではない。また、各図において、同一の構成成分については同一の番号を付して示し、その重複する説明を省略することもある。
【００２５】
（第１の実施形態）
１．基板厚み測定方法
図１、図２、図３及び図４を参照して、この発明の基板厚み測定方法につき説明する。
【００２６】
図１（Ａ）はこの発明の基板厚み測定方法に適用される基板の構成を説明するための平面図であり、図１（Ｂ）は（Ａ）図中のＩ−Ｉ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【００２７】
図２（Ａ）は基板の一部領域を上面側からみた平面図であり、図２（Ｂ）は図１（Ａ）及び図２（Ａ）中のＩＩ−ＩＩ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【００２８】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、図２（Ｂ）につづく、模式図である。
【００２９】
図４（Ａ）及び（Ｂ）は、図３（Ｂ）につづく、模式図である。
【００３０】
なお、ここでは半導体装置（チップ）の製造工程を例にとって説明する。以下の工程の説明においては、この発明の主たる構成要素である穴部の形成工程について説明し、例えば素子分離工程、イオン注入工程といったいわゆるウエハプロセス、すなわち穴部形成工程以外の工程の説明については、この発明の趣旨ではないので省略する。
【００３１】
まず、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、基板１０を準備する。
【００３２】
この基板１０は、第１主面１０ａ及びこの第１主面１０ａと対向する第２主面１０ｂを有している。
【００３３】
この発明の基板厚み測定方法によれば、基板１０は、例えば半導体チップといった装置の製造用のものに限定されず、所望の任意好適なものとすることができる。
【００３４】
基板１０は、いわゆる半導体装置を製造する場合には、好ましくは例えばシリコン基板、すなわちシリコンウエハを用いるのがよい。
【００３５】
次に、基板１０に、１又は２以上のチップ形成領域１２ａを設定する。チップ形成領域１２ａは、この例では矩形（正方形）状の領域としてある。このチップ形成領域１２ａは、マトリクス状に互いに等間隔に配置されている。
【００３６】
このチップ形成領域１２ａ外である領域、すなわちこの例では当該チップ形成領域１２ａを囲む領域が、チップ非形成領域１２ｂである。なお、図において示した矩形状の領域すべてをチップ形成領域１２ａとする必要はなく、例えば、２以上の矩形状の領域のうちいくつかはチップ非形成領域１２ｂであってもよい。この場合には、チップ形成領域１２ａとして設定されていない矩形状の領域は、チップ非形成領域１２ｂとなる。
【００３７】
次いで、互いに等間隔で格子状に直交するダイシングラインＬを、チップ非形成領域１２ｂに設定する。ダイシングラインＬは、チップ形成領域１２ａが各格子内に配置されるようにチップ非形成領域１２ｂに設定する。
【００３８】
また、遅くともこの時点までに、最終製品、すなわちチップ及び個片化直前の所定の基板厚みｄを設定しておく。なお、ここでは厚みｄが５０μｍより大きく５５μｍより小さい水準となるように設定した例につき説明する。
【００３９】
次に、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、基板１０の第１主面１０ａ上に、マスクパターン２０を形成する。
【００４０】
このマスクパターン２０は、いわゆるエッチングマスクである。マスクパターン２０は、基板１０に形成される穴部形成用の複数の開口部２４を有している。穴部は、最終的な基板１０の厚みを測定、すなわち検出するために設けられる（詳細は後述する。）。この開口部２４は、貫通孔である。すなわち、開口部２４は、この穴部の形成が予定されている位置で、基板１０の第１主面１０ａを露出させるように形成される。
【００４１】
マスクパターン２０は、任意好適な市販されているレジスト材料を用いて、好ましくは例えば常法に従うホトリソグラフィ工程により、いわゆるレジストパターンとして形成すればよい。
【００４２】
また、マスクパターン２０は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜といったいわゆるハードマスクとして常法に従って形成してもよい。
【００４３】
開口部２４の開口形状、すなわち平面的形状及びその開口面積、すなわちサイズは、詳細は後述するがこの開口部２４により形成される穴部の深さを勘案して決定される。
【００４４】
この例では、開口部２４は、第１開口部２４ａ、第２開口部２４ｂ、第３開口部２４ｃ、ガイドパターン形成用開口部２４Ｘ及び貫通電極形成用開口部２４Ｙの３種類のパターンを含んでいる。この例では、基板の厚み測定用としては、第１開口部２４ａ、第２開口部２４ｂ、第３開口部２４ｃ及びガイドパターン形成用開口部２４Ｘの４つのパターンを１組として、設計に応じて１組又は２組以上が設けられる。
【００４５】
この例では、基板の厚み測定用の第１開口部２４ａ、第２開口部２４ｂ、第３開口部２４ｃ及びガイドパターン形成用開口部２４Ｘの４つのパターンは、チップ形成領域１２ａ外、すなわちダイシングラインＬが設定されているチップ非形成領域１２ｂに設けられている。
【００４６】
また、貫通電極形成用開口部２４Ｙは、チップ形成領域１２ａ内に設けられている。この例では、貫通電極形成用開口部２４Ｙは、チップ形成領域１２ａの角隅近傍に設けられている。
【００４７】
第１開口部２４ａ、第２開口部２４ｂ及び第３開口部２４ｃは、この例ではいずれも矩形状の開口形状を有している。
【００４８】
この例では、第１開口部２４ａの開口面積、すなわち開口径（最大径）が最小であり、第３開口部２４ｃの開口面積が最大である。第２開口部２４ｂの開口面積は、第１開口部２４ａよりも大きく、第３開口部２４ｃよりも小さい。
【００４９】
ガイドパターン形成用開口部２４Ｘは、この例ではＬ（エル）字状の開口形状を有している。このガイドパターン形成用開口部２４Ｘは、ガイドパターンの形成に用いられる開口部である（ガイドパターンの詳細については後述する。）。
【００５０】
このガイドパターン形成用開口部２４Ｘは、この例ではＬ字の屈曲部分の内側に第１開口部２４ａが位置するように、すなわち最小である開口部の近傍に配置されている。
【００５１】
第１開口部２４ａ、第２開口部２４ｂ及び第３開口部２４ｃは、この例ではそれぞれの中心がダイシングラインＬ上に一直線状に並ぶように、かつ互いに等間隔に配置されている。
【００５２】
なお、これら開口部２４の配置態様及び配置間隔は設計に応じた任意好適なものとすることができる。
【００５３】
この例では、基板厚み測定用の開口部２４として、すなわちガイドパターン形成用開口部２４Ｘ及び貫通電極形成用開口部２４Ｙを除き、３つの開口部、第１開口部２４ａ、第２開口部２４ｂ及び第３開口部２４ｃの３つを設ける例を示したが、設置数については設計に応じた任意好適な数とすることができる。
【００５４】
次に、図３（Ａ）に示されるように、基板１０に前駆穴部１４Ｚを形成する。この工程は、開口部２４が設けられているマスクパターン２０を用いて、好ましくは例えば常法に従う異方性エッチング工程、すなわち任意好適な条件でのドライエッチング工程により行うのがよい。好適なエッチング工程としては、例えばエッチングガスとしてフッ素系のガスを用いる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が挙げられる。
【００５５】
エッチング工程終了後、マスクパターン２０を材料に応じた任意好適な方法により除去する。
【００５６】
この工程により、開口部２４の開口面積に関連づけられた異なる深さで前駆穴部１４Ｚが形成される。すなわち、開口部２４の開口面積が大きいほど深く、小さいほど浅い前駆穴部１４Ｚが同時に、同一工程、すなわち単一のエッチング工程により形成される。
【００５７】
なお、異なる深さの複数の前駆穴部１４Ｚの形成工程は、例えば、深さごとに別々のエッチング工程として実施することもできる。
【００５８】
また、前駆穴部１４Ｚの形成工程は、例えば貫通電極形成用の穴部の形成工程の実施と同時に同一工程として実施することができる。
【００５９】
このようにすれば、さらなる工程を付加することなく、基板厚みの調整を製造工程の中で精度よく行うことができる。
【００６０】
この例では、基板厚み測定用の穴部として、マスクパターン２０の開口面積に関連づけられた深さ、すなわち第１開口部２４ａの径ｗ１に対応する深さｄ１の前駆第１穴部１４ａＺ、第２開口部２４ｂの径ｗ２に対応する深さｄ２の前駆第２穴部１４ｂＺ及び第３開口部２４ｃの径ｗ３に対応する深さｄ３の前駆第３穴部１４ｃＺが形成される。よって、この例では深さｄ１＜深さｄ２＜深さｄ３となっている。
【００６１】
また、深さｄＸの前駆ガイドパターン１４ＸＺ、及び深さｄＹの前駆電極穴部１４ＹＺが同時に形成される。
【００６２】
これら前駆第１穴部１４ａＺ、前駆第２穴部１４ｂＺ、前駆第３穴部１４ｃＺ、前駆ガイドパターン１４ＸＺ、及び前駆電極穴部１４ＹＺの深さについては、基板１０の種類、マスクパターン２０の種類、開口形状、開口面積及び異方性エッチング条件との関係で、基準データを予め取得しておくのが好ましい。
【００６３】
この例では深さｄ１が４５μｍ、深さｄ２が５０μｍ、及び深さｄ３が５５μｍとなるように開口形状及び開口面積を設定して、前駆穴部１４Ｚを形成した。好ましくは例えば径ｗ１を２μｍ程度、径ｗ２を４μｍ程度及び径ｗ３は５μｍ程度とすればよい。
【００６４】
この例では、５μｍ刻みの深さの差で各前駆穴部を形成する例を説明したが、前駆穴部の深さの差は、所望の基板厚みｄ及び許容される誤差、すなわち求められる水準に対応して任意好適なものとすることができる。
【００６５】
例えば深さの差を、より小さくするほど、基板厚みの管理の精度をより向上させることができる。
【００６６】
これら前駆第１穴部１４ａＺ、前駆第２穴部１４ｂＺ及び前駆第３穴部１４ｃＺは好ましくは、基板１０の第１主面１０ａから厚み内に至る、すなわち底部を有する穴部として形成するのがよい。このとき、基板厚み測定方法に直接的に用いられる複数の前駆穴部１４Ｚのうち少なくとも１つ、すなわちこの例では前駆第１穴部１４ａＺ、前駆第２穴部１４ｂＺ及び前駆第３穴部１４ｃＺのうち少なくとも１つについては、好ましくはその深さを予め設定された所望の基板厚みｄよりも大きくなるようにしておくのがよい。
【００６７】
この例では前駆第３穴部１４ｃＺの深さｄ３が所定の基板厚みｄよりも大きくされている。
【００６８】
また、前駆ガイドパターン１４ＸＺ及び前駆電極穴部１４ＹＺは、完成時に貫通孔とする必要があるため、深さｄＸ及び深さｄＹは、予め設定されている深さｄよりも大きくなるようにされる。
【００６９】
前駆穴部１４Ｙのうち、前駆ガイドパターン１４ＸＺ及び前駆電極穴部１４ＹＺは、この段階で基板１０の第１主面１０ａから第２主面１０ｂに貫通する貫通孔として形成してもよい。
【００７０】
これら前駆穴部１４Ｚ、すなわち前駆第１穴部１４ａＺ、前駆第２穴部１４ｂＺ及び前駆第３穴部１４ｃＺは、この例では互いに異なる深さとした例を示してある。
【００７１】
上述したように同一構成の前駆穴部１４Ｚを例えば複数組設けた場合には、基板全体としてみたときに、同一の深さであるものを一部含むこととなる。
【００７２】
次に、図３（Ｂ）に示されるように、前駆穴部１４Ｚを埋め込む。この埋込み工程は、好ましくは例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）といった導電性材料により形成されるいわゆる貫通電極の形成工程として、実施するのがよい。
【００７３】
また、前駆穴部１４Ｚ（穴部１４）は、内部を埋め込まない構成とするか、又は樹脂といった非導電性の材料により埋め込む構成としてもよい。
【００７４】
ここでは、好適な導電性材料の例として、貫通電極の形成工程で銅により前駆穴部１４Ｚを埋め込む例を説明する。
【００７５】
まず、前駆穴部１４Ｚ内側壁面に、バリアメタルを常法に従うスパッタ工程により形成する（図示しない。）。このようなバリアメタルの好適例としては、ＴｉＷ、ＴｉＮが挙げられる。
【００７６】
さらにこのバリアメタル上に銅の層をシード層として形成したのち、めっき処理により、前駆穴部１４Ｚを埋め込む。
【００７７】
以上の工程により、前駆電極穴部１４ＹＺを埋め込む前駆貫通電極部５４Ｘと前駆ガイドパターン１４ＸＺ、前駆第１穴部１４ａＺ、前駆第２穴部１４ｂＺ及び前駆第３穴部１４ｃＺを埋め込む前駆埋込み部５２Ｘが形成される。
【００７８】
このとき、前駆貫通電極部５４Ｘと各前駆埋め込み部５２Ｘの頂面は、第１主面１０ａに露出される。
【００７９】
次いで、図４（Ａ）に示されるように、基板１０の第１主面１０ａに、支持基板４０を貼付、すなわち搭載する。この支持基板１０は、基板１０の強度を補強する目的で搭載される。
【００８０】
支持基板４０としては、この目的を達成できることを条件として任意好適なものを選択することができるが、好ましくは例えばガラス基板といった従来公知の基板を用いることができる。
【００８１】
支持基板４０は、好ましくは例えば従来公知の樹脂系接着材といった任意好適な接着材３０により、基板１０と接着するのがよい。
【００８２】
次に、図４（Ｂ）に示されるように、基板１０を、第２主面１０ｂ側から研削して薄厚化する。なお、第２主面１０ｂ側から研削する研削工程により露出した露出面についても第２主面１０ｂと称するものとする。
【００８３】
この研削工程は、好ましくは例えば常法に従う化学機械研磨（ＣＭＰ）工程により実施すればよい。
【００８４】
この研削工程を実施することにより、前駆第１穴部１４ａＺを埋め込んでいる前駆埋込み部５２Ｘは第１穴部１４ａを埋め込む埋込み部５２となり、前駆第２穴部１４ｂＺを埋め込んでいる前駆埋込み部５２Ｘは第２穴部１４ｂを埋め込む埋込み部５２となり、及び前駆第３穴部１４ｃＺを埋め込んでいる前駆埋込み部５２Ｘは第３穴部１４ｃを埋め込む埋込み部５２となる。また、前駆ガイドパターン１４ＸＺを埋め込んでいる前駆埋込み部５２Ｘはガイドパターン１４Ｘを埋め込む埋込み部５２となり、前駆電極穴部１４ＹＺを埋め込んでいる前駆貫通電極部５４Ｘは電極穴部１４Ｙを埋め込む貫通電極部５４となる。
【００８５】
次いで、基板１０の研削後の厚みを決定する。図４（Ｂ）に示されるように、例えば、第３穴部１４ｃが第２主面１０ｂ側に開口し、かつ第１穴部１４ａ及び第２穴部１４ｂが非開口であることが判別されれば、基板１０の厚みは、厚み５０μｍから５５μｍの間であることがわかる。すなわち、基板厚みが目標とされた厚みｄの水準となっていることが確認できる。
【００８６】
なお、同時に形成されるガイドパターン１４Ｘは、開口が例えば電極穴部１４Ｙのパターンよりも極小となる穴部（以下、極小穴部と称する。）の近傍に形成しておくことで、かかる極小穴部の開口状況の確認をより容易にする機能を有している。
【００８７】
この例では第１穴部１４ａを極小穴部と想定して、その近傍に１つのガイドパターン１４Ｘを設けた例を説明したが、２以上の穴部の近傍にそれぞれ設けることもできる。
【００８８】
このようなガイドパターン１４Ｘが必要とされる極小穴部の上限サイズを一般的な技術水準として示すと１００μｍ×１００μｍ程度である。
【００８９】
ガイドパターン１４Ｘの平面サイズは、例えば、貫通電極が同時に形成される場合には、好ましくは例えば貫通電極の平面サイズの２倍程度のＬ／Ｓ（Ｌｉｎｅ  ａｎｄ  Ｓｐａｃｅ）として形成するのがよい。
【００９０】
然る後、ダイシングラインＬに沿って、基板１０のチップ非形成領域１２ｂを常法に従って研削することで個片化する。この工程により、基板１０から１個又は２個以上のチップ（１０）が切り出される。
【００９１】
このように、この発明の基板厚み測定方法、すなわち半導体装置の製造方法によれば、貫通電極の形成工程といった、従来の半導体装置の製造工程の一部として同時に実施することができるので、いわゆるウエハプロセスにおいてさらなる工程を付加することなく、基板厚みの測定及び厚みの管理、すなわち品質管理をより効率的に実施することができる。
【００９２】
２．チップ
上述した例では、基板１０のダイシングラインＬ上、すなわちチップ非形成領域１２ｂに基板厚み測定のための穴部１４を形成した。
【００９３】
ここでは、チップ形成領域１２ａ内に穴部１４を形成する例、すなわち基板厚み測定のための穴部１４をチップが具えている例につき説明する。なお、製造工程及び穴部１４自体の構成については、既に説明した基板１０の例と何ら変わるところがないのでこれらの詳細な説明は省略する。
【００９４】
図５（Ａ）はこの発明のチップの構成を説明するための平面図であり、図５（Ｂ）は（Ａ）図中のＩＩＩ−ＩＩＩ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【００９５】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、この例では深さｄ１の第１穴部１４ａ、深さｄ２の第２穴部１４ｂ、第１主面１０ａから第２主面１０ｂに貫通している第３穴部１４ｃ、ガイドパターン１４Ｘ及び電極穴部１４Ｙが穴部１４として形成されている。
【００９６】
これら穴部１４、すなわち第１穴部１４ａ、第２穴部１４ｂ、第３穴部１４ｃ、ガイドパターン１４Ｘ及び電極穴部１４Ｙは、チップ形成領域１２ａ内に設けられている。
【００９７】
穴部１４は、チップ１０の電気的特性を損なわないことを条件として、任意好適な配置関係、個数として設けることができる。
【００９８】
このように、チップ形成領域１２ａ内、すなわちチップ１０自体に穴部１４を設ける構成とすれば、個片化後のチップのレベルで厚み管理を精度よく行うことができる。よって、この発明のチップを例えば積層型のパッケージに使用すれば、より精度よく積層工程を実施することができる。よって、例えばチップサイズの不整合、特に厚み管理の精度不足に起因するパッケージの電気的な不具合の発生を効果的に防止することができる。
【００９９】
（第２の実施形態）
図６を参照して、この実施形態の基板厚み測定方法及びチップの構成例につき説明する。
【０１００】
ここでは、チップ形成領域１２ａ内に穴部１４を形成する例につき説明するが、既に説明した第１の実施形態と同様に、チップ非形成領域１２ｂに、以下に説明する構成の穴部１４を形成してもよい。
【０１０１】
なお、チップの製造工程については、既に説明した第１の実施形態と何ら変わるところがないのでその詳細な説明は省略する。
【０１０２】
図６（Ａ）はこの発明のチップの構成を説明するための平面図であり、図６（Ｂ）は（Ａ）図中のＩＩＩ−ＩＩＩ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図であり、図６（Ｃ）は（Ａ）図中のＩＶ−ＩＶ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【０１０３】
この実施形態の穴部１４は、複数の穴部が一組とされる点で第１の実施の形態と同様であるが、組を構成する各穴部の形状、すなわち平面形状及び断面形状（深さ）が互いに同様とされる点に特徴を有している。
【０１０４】
１．矩形状穴部
まず、図６（Ａ）において、ＩＩＩ−ＩＩＩ’一点鎖線に沿って示されている矩形（四角形）状穴部１４Ｂの構成につき説明する。
【０１０５】
図６（Ａ）に示されるように、矩形状穴部１４Ｂは、矩形状第１穴部１４Ｂａ、矩形状第２穴部１４Ｂｂ及び矩形状第３穴部１４Ｂｃにより構成されている。
【０１０６】
図６（Ｂ）に示されるように、矩形状第１穴部１４Ｂａ、矩形状第２穴部１４Ｂｂ及び矩形状第３穴部１４Ｂｃそれぞれは、少なくとも、第２主面１０ｂを研削することにより行われる薄厚化工程終了後には、基板１０の第１主面１０ａから第２主面１０ｂに貫通するように形成される。
【０１０７】
すなわち、これら矩形状第１穴部１４Ｂａ、矩形状第２穴部１４Ｂｂ及び矩形状第３穴部１４Ｂｃは、薄厚化工程終了時には、基板１０の第１主面１０ａから第２主面１０ｂに貫通するように設けられている。
【０１０８】
矩形状穴部１４Ｂの第１主面１０ａから第２主面１０ｂに至るまでの立体的な形状は、第１主面１０ａ側から第２主面１０ｂに向かうにつれて細長となるいわゆる順テーパ状の形状とされている。
【０１０９】
この場合には、第１主面１０ａに画成される第１主面開口１０ａａの輪郭形状は、ほぼ維持されて、すなわちほぼ相似形状で第２主面１０ｂに画成される第２主面開口１０ｂａに連続している。
【０１１０】
このとき、第１主面開口１０ａａは、これら矩形状第１穴部１４Ｂａ、矩形状第２穴部１４Ｂｂ及び矩形状第３穴部１４Ｂｃのいずれについても同一形状、同一サイズとされている。この例では第１主面開口１０ａａの形状は四角形状、すなわち長方形状としてある。
【０１１１】
また、第２主面開口１０ｂａも同様に、矩形状第１穴部１４Ｂａ、矩形状第２穴部１４Ｂｂ及び矩形状第３穴部１４Ｂｃのいずれについても、薄厚化工程が第２主面１０ｂに対して均一に行われた場合には、互いに同一形状、同一の大きさ（サイズ）、すなわち同一面積となる。
【０１１２】
このとき、研削された第２主面１０ｂ側の露出面に開口した穴部の輪郭、すなわち第２主面開口１０ｂａの形状及びこの輪郭が画成する大きさの両方又はいずれか一方を観測、すなわち判定することにより基板１０の研削後の厚みを決定することができる。
【０１１３】
例えば、第２主面開口１０ｂａの形状及びサイズが、深さと対応させて予め設定されていた所定形状及び所定サイズと一致し、かついずれも同一形状及び同一サイズとなった場合には、チップの厚みは所定の厚み水準を満たし、かつ平坦性、すなわち厚みの均一性も確保できているものと判断できる。
【０１１４】
第２主面１０ｂに対する薄厚化工程が均一に行われず、例えば第２主面１０ｂに傾斜やくぼみが生じてしまった場合には、これら矩形状第１穴部１４Ｂａ、矩形状第２穴部１４Ｂｂ及び矩形状第３穴部１４Ｂｃの第２主面開口１０ｂａの輪郭は互いに異なる形状、かつ異なるサイズとなる。
【０１１５】
なお、この例では第１主面開口１０ａａ及び第２主面開口１０ｂａの形状は四角形状としたが、これに限定されず、任意好適な形状とすることができる。
【０１１６】
２．八角形状穴部
次に、図６（Ａ）において、ＩＶ−ＩＶ’一点鎖線に沿って示されている八角形状穴部１４Ｃの構成につき説明する。
【０１１７】
図６（Ｃ）に示されるように、八角形状穴部１４Ｃは、八角形状第１穴部１４Ｃａ、八角形状第２穴部１４Ｃｂ及び八角形状第３穴部１４Ｃｃにより構成されている。
【０１１８】
八角形状穴部１４Ｃの第１主面開口１０ａａは、これら八角形状第１穴部１４Ｃａ、八角形状第２穴部１４Ｃｂ及び八角形状第３穴部１４Ｃｃのいずれも同一形状、同一サイズとされている。この例では第１主面開口１０ａａの形状は八角形（正八角形）状としてある。
【０１１９】
八角形状第１穴部１４Ｃａ、八角形状第２穴部１４Ｃｂ及び八角形状第３穴部１４Ｃｃそれぞれは、少なくとも、第２主面１０ｂを研削することにより行われる薄厚化工程終了後には、チップ１０の第１主面１０ａから第２主面１０ｂに貫通するように形成される。
【０１２０】
すなわち、これら八角形状第１穴部１４Ｃａ、八角形状第２穴部１４Ｃｂ及び八角形状第３穴部１４Ｃｃは、薄厚化工程終了時には、チップ１０の第１主面１０ａから第２主面１０ｂに貫通するように設けられている。
【０１２１】
八角形状穴部１４Ｃの第１主面１０ａから第２主面１０ｂに至るまでの立体的な形状は、第１主面１０ａ側から第２主面１０ｂに向かうにつれて細長となるいわゆる順テーパ状の形状とされている。
【０１２２】
この例では第１主面１０ａに画成される第１主面開口１０ａａの輪郭形状と、第２主面１０ｂに画成される第２主面開口１０ｂａの輪郭形状とは異なるものとなる。
【０１２３】
すなわち、第１主面開口１０ａａと第２主面開口１０ｂａとの間である八角形状穴部１４Ｃの延在方向に対して垂直な方向の断面の輪郭形状（以下、断面輪郭と称する。）は、八角形状穴部１４Ｃの深さによって、異なる形状となる。
【０１２４】
図６（Ａ）及び（Ｃ）に示されるように、深さＤ１の場合には、断面輪郭のサイズは小さくなるものの、第１主面開口１０ａａの形状、すなわち八角形の形状をほぼ維持される。
【０１２５】
深さＤ２の場合には、すなわち第２主面開口１０ｂａの輪郭形状は、四角形（正方形）の４つの角隅を若干削り取ったような全体の輪郭が四角形に近い、八角形となっている。
【０１２６】
このように、八角形状穴部１４Ｃの断面輪郭は、チップ１０の厚み内において、第１主面１０ａから第２主面１０ｂに向かうほどその面積が小さくなり、かつ断面輪郭の形状が徐々に四角形に近づいてゆく。
【０１２７】
八角形状穴部１４Ｃの第２主面開口１０ｂａは、八角形状第１穴部１４Ｃａ、八角形状第２穴部１４Ｃｂ及び八角形状第３穴部１４Ｃｃのいずれについても、薄厚化工程が第２主面１０ｂに対して均一に行われた場合には、互いに同一形状、同一サイズとなる。
【０１２８】
このとき、研削された第２主面１０ｂ側の露出面に開口した穴部の輪郭、すなわち第２主面開口１０ｂａの形状及びこの輪郭が画成する大きさの両方又はいずれか一方を観測することにより基板１０の研削後の厚みを決定することができる。
【０１２９】
例えば、第２主面開口１０ｂａの形状及びサイズが、深さと対応させて予め設定されていた所定形状及び所定サイズと一致し、かついずれも同一形状及び同一サイズとなった場合には、チップの厚みは所定の厚み水準を満たし、かつ平坦性、すなわち厚みの均一性も確保できているものと判断できる。
【０１３０】
第２主面１０ｂに対する薄厚化工程が均一に行われず、例えば第２主面１０ｂに傾斜やくぼみが生じてしまった場合には、これら八角形状第１穴部１４Ｃａ、八角形状第２穴部１４Ｃｂ及び八角形状第３穴部１４Ｃｃの第２主面開口１０ｂａの輪郭は互いに異なる形状、かつ異なるサイズとなる。
【０１３１】
この例では第１主面開口１０ａａ及び第２主面開口１０ｂａの形状は八角形（略四角形）状としたが、これに限定されず、任意好適な形状とすることができる。
【０１３２】
よって、第２の実施形態の穴部、すなわち矩形状穴部１４Ｂ及び八角形状穴部１４Ｃの構成によれば、薄厚化工程終了後に第２主面開口１０ｂａの形状及びサイズを特定及び互いに比較することにより、基板厚みの測定のみならず、第２主面１０ｂの第１主面１０ａに対する傾斜の有無、第２主面１０ｂの平坦性の評価も併せて実施することができる。
【０１３３】
なお、この第２の実施形態を実施するにあたり、薄厚化工程終了後の第２主面開口１０ｂａの形状及びサイズについては、厚みＤとの関係で、基準データを予め取得しておくのが好ましい。
【０１３４】
第２の実施形態の穴部、すなわち矩形状穴部１４Ｂ及び八角形状穴部１４Ｃは、チップ１０の電気的特性を損なわないことを条件として、任意好適な配置関係、個数として設けることができる。
【０１３５】
このように、第２の実施形態によれば、薄厚化工程終了後に第２主面開口１０ｂａの形状及びサイズを観測し、及び互いに比較することにより、基板厚み又はチップ厚みの測定のみならず、第２主面１０ｂの第１主面１０ａに対する傾斜の有無、第２主面１０ｂの平坦性の評価も併せて実施することができる。
【０１３６】
（第３の実施形態）
図７を参照して、第１及び第２の実施形態で説明したチップを用いる積層型の半導体装置の構成例につき説明する。
【０１３７】
図７は、この発明の半導体装置を切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【０１３８】
この実施形態の積層型の半導体装置１０は、３つのチップを厚み方向、すなわち第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂに垂直な方向に積層して含んでいる。
【０１３９】
すなわち、半導体装置１０は、第１チップ１０Ａ、この第１チップ１０ａの第１主面１０Ａａ側に積層されている第２チップ１０Ｂ、及び第２チップ１０Ｂの第１主面１０Ｂａ側に積層されている第３チップ１０Ｃを含んでいる。
【０１４０】
ここでは、積層型の半導体装置の構成例として、第１チップ１０Ａを図５を参照して既に説明した第１の実施形態のチップとし、第２チップ１０Ｂを図６（Ｂ）を参照して説明した第２の実施形態の矩形状穴部（１４Ｂ）を具えたチップとし、及び第３チップ１０Ｃを図６（Ｃ）を参照して説明した第２の実施形態の八角形状穴部（１４Ｃ）を具えたチップとした例を示す。
【０１４１】
これら３つのチップは、それぞれが具える貫通電極部５４により電気的に接続されている。
【０１４２】
すなわち、第１チップ１０Ａの貫通電極部５４は、第２チップ１０Ｂの貫通電極部５４と接続されており、第２チップ１０Ｂの貫通電極部５４は第３チップ１０Ｃの貫通電極部５４と接続されている。
【０１４３】
これら貫通電極部５４同士は、導電性接続部６０により互いに接続されている。導電性接続部６０としては、好ましくは例えば、半田ボール、ハンダペーストといった従来公知の部材を用いて、熱圧着、リフローといった常法に従う工程により、物理的かつ電気的に接続すればよい。
【０１４４】
なお、図示例では、互いに異なる態様の厚み測定用の穴部（埋込み部）を具えたチップを積層する構成を説明したが、例えば同一態様の厚み測定用の穴部（埋込み部）を具えたチップを複数個積層するか又は複数個含む構成としてももちろんよい。
【０１４５】
このような積層体は、支持基板への搭載、樹脂封止、外部端子の接続といった従来公知の任意好適な工程を実施することにより、所望の半導体パッケージ（半導体装置）とすることができる。
【０１４６】
この発明の積層体の構成によれば、厚み測定用の穴部（埋込み部）により、その厚みが精度よく調整されたチップを用いるため、積層精度を向上させることができる。よって、最終製品（半導体装置）の電気的特性のばらつきを効果的に抑制することができる。また、最終製品の歩留まりをより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】（Ａ）はこの発明の基板厚み測定方法に適用される基板の構成を説明するための平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）中のＩ−Ｉ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【図２】（Ａ）は基板の一部領域を上面側からみた平面図であり、（Ｂ）は図１（Ａ）及び図２（Ａ）中のＩＩ−ＩＩ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は図２（Ｂ）につづく、模式図である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、図３（Ｂ）につづく、模式図である。
【図５】（Ａ）はこの発明のチップの構成を説明するための平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）図中のＩＩＩ−ＩＩＩ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【図６】（Ａ）はこの発明のチップの構成を説明するための平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）図中のＩＩＩ−ＩＩＩ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図であり、（Ｃ）は（Ａ）図中のＩＶ−ＩＶ’一点鎖線に沿って切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【図７】この発明の半導体装置を切断した切断面の切り口を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１０：基板（ウエハ）、チップ、半導体装置（積層体）
１０Ａ：第１チップ
１０Ｂ：第２チップ
１０Ｃ：第３チップ
１０ａ：第１主面
１０ｂ：第２主面（露出面）
１２ａ：チップ形成領域
１２ｂ：チップ非形成領域（ダイシングライン設定領域）
１４：穴部
１４ａ：第１穴部
１４ａＺ：前駆第１穴部
１４ｂ：第２穴部
１４ｂＺ：前駆第２穴部
１４ｃ：第３穴部
１４ｃＺ：前駆第３穴部
１４Ｂ：矩形状穴部
１４Ｂａ：矩形状第１穴部
１４Ｂｂ：矩形状第２穴部
１４Ｂｃ：矩形状第３穴部
１４Ｃ：八角形状穴部
１４Ｃａ：八角形状第１穴部
１４Ｃｂ：八角形状第２穴部
１４Ｃｃ：八角形状第３穴部
１４Ｘ：ガイドパターン
１４ＸＺ：前駆ガイドパターン
１４Ｙ：電極穴部
１４ＹＺ：前駆電極穴部
１４Ｚ：前駆穴部
２０：マスクパターン
２４：開口部
２４ａ：第１開口部
２４ｂ：第２開口部
２４ｃ：第３開口部
２４Ｘ：ガイドパターン形成用開口部
２４Ｙ：貫通電極形成用開口部
３０：接着材
４０：支持基板
５２：埋込み部
５２Ｘ：前駆埋込み部
５４：貫通電極部
５４Ｘ：前駆貫通電極部
６０：導電性接続部
【図１】
2009295659.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2009295659.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009295659.tif 000009