(57)【要約】【課題】実用的に十分な極端紫外光の出力を確保することのできるＥＵＶ光源装置を提供すること。  【解決手段】モータ２０ｄによって放電電極２０ａ，２０ｂが周方向に回転するよう駆動され、また、凹所形成用エネルギービーム照射機５０からレーザビームが液体充填部３１に充填された原料の液面に照射され凹所が形成される。凹所が形成されると、凹所に対してエネルギービーム照射機４０からレーザビームが照射される。液体充填部３１に充填された液体の原料は、このレーザビームが照射されることによって気化し、気化した原料Ｍが放電電極２０ａと２０ｂの間の放電領域に到達する。ついで、高電圧パルス発生部１１によって放電電極２０ａ、２０ｂにパルス電圧が供給され、放電電極２０ａ、２０ｂのエッジ間で高温プラズマが発生し、集光反射鏡４に向けてＥＵＶ光が放射される。【選択図】          図１
2009231041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
このチャンバ内に極端紫外光を放射させるための原料を供給する原料供給手段と、
前記原料の表面にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、
気化された前記原料を、放電により上記チャンバ内で加熱励起し高温プラズマを発生させるための一対の放電電極と、
前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、
前記高温プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光反射鏡と、を備える極端紫外光光源装置であって、
前記原料のエネルギービーム照射面に、凹所を形成するための凹所形成手段を有し、
前記エネルギービーム照射手段から照射されるエネルギービームは、当該凹所に照射される
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【請求項２】
前記原料供給手段は、液体の原料が充填された液体充填容器を備え、
前記凹所形成手段は、上記液体の原料の表面に凹所を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項３】
前記原料供給手段は、液体充填容器に充填された前記液体の原料の液面が所定の高さとなるよう調整するための液面調整手段を備えている
いることを特徴とする請求項２に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項４】
前記液体充填容器には、加熱手段が設けられている
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項５】
前記原料供給手段は、液体の原料が充填された液体充填容器と、当該液体の原料を通過するよう周方向に回転駆動する回転体と、
当該回転体の表面に付着した原料に前記凹所を形成するための凹所形成手段とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項６】
前記放電電極には、電極表面における放電発生位置が変化するよう駆動するための駆動手段が設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項７】
前記凹所形成手段は、前記原料にレーザビームを照射して凹所を形成する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の極端紫外光光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（以下、単にＥＵＶ光ともいう）を放射させる極端紫外光光源装置（以下、単に、ＥＵＶ光源装置ともいう）に関する。特に、次世代の半導体集積回路の露光用光源として期待される極端紫外光光源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化および高集積化が進むにつれて、その製造用の露光装置には解像度の向上が要求されている。解像度を向上させるには、短波長の光を放射する露光用光源を使用することが一般的である。短波長の光を放射する露光用光源としては、エキシマレーザ装置が使用されているが、それに代わる次世代の露光用光源として、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置の開発が進められている。
極端紫外光を発生させる方法の一つとして、極端紫外光放射源を含む放電ガスを加熱・励起することにより高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射させる極端紫外光を取出す方法がある。このような方法を採用する極端紫外光光源装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式と、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式とに大別される。
【０００３】
ＬＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、極端紫外光放射源を含む原料からなるターゲットに対してレーザ光を放射して、レーザアブレーションによって高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。
ＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、極端紫外光放射源を含む放電ガスが供給された電極間に、高電圧を印加することで放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。このようなＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、ＬＰＰ方式の極端紫外光光源装置に比して光源装置を小型化することができ、さらに光源システムの消費電力が小さいという利点があることから、実用化が期待されている。
【０００４】
上記した高密度高温プラズマを発生させる原料としては、１０価前後のＸｅ（キセノン）イオンが知られているが、より強い極端紫外光を放射させるための原料として、Ｌｉ（リチウム）イオン、Ｓｎ（スズ）イオンが注目されている。
例えば、Ｓｎは、高密度高温プラズマの発生に必要な電気入力と波長１３．５ｎｍの極端紫外光の放射強度との比で与えられる極端紫外光変換効率がＸｅよりも数倍大きいことから、大出力の極端紫外光を得るための放射源として期待されている。例えば、特許文献１に示されるように、極端紫外光放射源として、例えばＳｎＨ4 （スタナン）ガスを使用した極端紫外光光源装置の開発が進められている。
【０００５】
近年では、上記のＤＰＰ方式において、放電が発生する電極表面に供給された固体もしくは液体のＳｎやＬｉに対してレーザビーム等のエネルギービームを照射することにより気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成する方法が特許文献１に開示されてい  図８は、従来のＥＵＶ光源装置を説明するための図である。
チャンバ１内に放電部１ａとＥＵＶ集光部１ｂが設けられ、チャンバ１にはクリーニングガスを供給するガス供給ユニット１ｃ、ガスを排気するためのガス排気ユニット１ｄが設けられ、所定の圧力に調整される。
放電空間１ａ内に、一対の円盤状の電極２０ａ，２０ｂが絶縁材２０ｃを挟むように配置されている。放電電極２０ａと放電電極２０ｂとは、略同軸上に配置され、放電電極２０ａの直径は放電電極２０ｂの直径よりも大きい。放電電極２０ｂには、モータ２０ｄの回転軸２０ｅが取付けられている。放電電極２０ａ、２０ｂは、摺動子２０ｈ、２０ｇを介して高電圧パルス発生部１１に接続されている。放電電極２０ｂの周辺部には溝部が設けられ、この溝部に高温プラズマを発生させるための固体の原料（ＬｉまたはＳｎ）Ｍが配置されている。
【０００６】
放電電極２０ｂの溝部に配置された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、図示しないレーザビーム照射機からレーザ入射窓４１，ミラー４１ａを介してレーザビームが照射されることによって、固体の原料ＬｉまたはＳｎが放電電極２０ａと２０ｂとの間で気化する。この状態で、放電電極２０ａと２０ｂとの間に高電圧パルス発生部１１からパルス電力が供給されることによって、放電電極２０ａのエッジ部分と放電電極２０ｂの周辺部に設けられたエッジ部分との間で放電が発生し、ＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、放電部１ａからホイルトラップ３を介してＥＵＶ集光部１ｂに入射し、ＥＵＶ集光ミラー４で集光されてＥＵＶ光出射窓５から出射する。
【非特許文献１】「リソグラフィ用ＥＵＶ（極端紫外）光源研究の現状と将来展望」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したＥＵＶ光源装置においては、半導体基板に対して所望の線幅のパターンを形成することのできる程度に十分な極端紫外光の出力を得ることができない、という実用化の面で課題を有している。
極端紫外光の出力を十分に得ることのできない理由は、定かではないが、例えば以下のように予想される。
従来のＥＵＶ光源装置においては、エネルギービームが照射されることによって気化した原料は、自由膨張することになる。原料が自由膨張すると、原料が気化したことにより生成するガスの密度が低く、かつ、空間分布が広いことにより、一対の電極間に生成されるプラズマが大きくなる傾向にある。
そして、電極間に生成されるプラズマの空間的な広がりが大きいと、プラズマに流れる電流密度が低くなってプラズマが高温状態になることが阻害され、電離が阻害されてプラズマのイオン密度も低くなる。さらに、空間的な広がりが大きくなることでプラズマによる自己吸収が増大する。
このように、気化した原料が自由膨張することで、空間的な広がりが大きいプラズマが生成すると、プラズマから放出される極端紫外光の出力が低下する要因となり得る。
【０００８】
以上のように従来のＥＵＶ光源装置は十分な極端紫外光出力を得ることができないといった問題を有していた。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、本発明は、実用的に十分な極端紫外光の出力を確保することのできるＥＵＶ光源装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を本発明においては、次のように解決する。
（１）極端紫外光を放射させるための原料を供給する原料供給手段と、該原料を放電により上記チャンバ内で加熱励起し高温プラズマを発生させるための一対の放電電極と、放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と備え、該原料の表面にエネルギービームを照射して当該原料を気化し、気化された前記原料を放電により加熱励起し高温プラズマを発生させ、この高温プラズマから放射される極端紫外光を集光する極端紫外光光源装置において、前記原料のエネルギービーム照射面に、凹所を形成するための凹所形成手段を設け、エネルギービーム照射手段から照射されるエネルギービームを当該凹所に照射する。
（２）上記（１）において、前記原料供給手段は、液体の原料が充填された液体充填容器を備え、前記凹所形成手段は、上記液体の原料の表面に凹所を形成する。
（３）上記（２）において、前記原料供給手段は、液体充填容器に充填された前記液体の原料の液面が所定の高さとなるよう調整するための液面調整手段を備える。
（４）上記（２）（３）において、前記液体充填容器に、加熱手段を設ける。
（５）上記（１）において、前記原料供給手段に、液体の原料が充填された液体充填容器と、当該液体の原料を通過するよう周方向に回転駆動する回転体と、当該回転体の表面に付着した原料に前記凹所を形成するための凹所形成手段とを設ける。
（６）上記（１）〜（５）において、前記放電電極に、電極表面における放電発生位置が変化するよう駆動するための駆動手段を設ける。
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の極端紫外光光源装置。
（７）上記（１）〜（６）において、前記凹所形成手段は、前記原料にレーザビームを照射して凹所を形成する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のＥＵＶ光源装置によれば、原料における、エネルギービーム照射手段からのエネルギービームが照射される面に凹所が形成されており、当該凹所に対してエネルギービームが照射されるので、従来のＥＵＶ光源装置に比べＥＵＶ光の出力を大きくすることができるものと期待される。
その理由は、以下のように考えられる。
すなわち、原料におけるエネルギービームが照射される面に凹所が形成されていることにより、エネルギービームが照射されて原料が気化するときに、原料の自由膨張が凹所の内壁面によって規制されるので、指向性が高まる。そのため、原料が気化することで生成するガスの密度が高いものとなると共に、狭い空間分布となるので、一対の電極間に生成するプラズマの空間的な広がりを、従来のＥＵＶ光源装置よりも小さいものとすることができる。
このように、電極間に生成したプラズマの空間的な広がりを小さくすることにより、プラズマに流れる電流の密度を大きくすることができるので、プラズマを容易に高温状態にすることができ、電離が促進されてプラズマのイオン密度が大きいものとなる。さらに、プラズマの広がりを抑えることで、プラズマによる自己吸収が低減する。従って、極端紫外光の出力を従来の光源装置よりも高いものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の実施例のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す図である。
ＥＵＶ光源装置は、チャンバ１の内部が放電部１ａとＥＵＶ集光部１ｂとに区画されている。ＥＵＶ集光部１ｂには、一対の円板状の放電電極（回転電極）２０ａ、２０ｂが絶縁部材２０ｃを挟んで対向するよう配置されている。
各放電電極２０ａ、２０ｂは、各々の中心が同軸上に配置され、図１の紙面において下方側に位置する放電電極２０ｂには、モータ２０ｄの回転軸２０ｅが取付けられている。  回転軸２０ｅは、放電電極２０ａの中心と放電電極２０ｂの中心とが回転軸２０ｅの同軸上に位置している。
回転軸２０ｅは、メカニカルシール２０ｆを介してチャンバ１内に導入される。メカニカルシール２０ｆは、チャンバ１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２０ｅの回転を許容する。
【００１２】
放電電極２０ｂの下方側には、例えばカーボンブラシ等で構成される摺動子２０ｇおよび２０ｈが設けられている。摺動子２０ｇは、放電電極２０ｂに設けられた貫通孔を介して放電電極２０ａと電気的に接続される。摺動子２０ｈは、放電電極２０ｂと電気的に接続されている。
高電圧パルス発生部１１は、摺動子２０ｇ、２０ｈを介して、それぞれ放電電極２０ａ、２０ｂにパルス電力を供給する。
【００１３】
円板状の放電電極２０ａ，２０ｂの周辺部は、エッジ形状に形成されている。高電圧パルス発生部１１より放電電極２０ａ、２０ｂに電力が供給されると、両電極のエッジ部分間で放電が発生する。
放電が発生すると、放電電極２０ａ，２０ｂの周辺部は放電により高温となるので、放電電極２０ａ，２０ｂは、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属からなる。絶縁部材２０ｃは、窒化珪素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等からなる。
放電電極２０ｂの下側には、原料供給手段３０が設けられ、原料にエネルギービーム照射機４０からレーザビームを照射することにより原料は気化し、気化した原料が放電電極２０ａと２０ｂの間の放電領域に到達する。
なお、図１では以下に説明する第１の実施例の原料供給手段を設けた場合について示しているが、後述する第２〜第５の実施例に示す原料供給手段を用いることもできる。
【００１４】
図２は、原料供給手段の第１の実施例を示す図であり、第１の実施例の原料供給手段３０ａ（液体充填容器）の構成を示す拡大図である。
原料供給手段（液体充填容器）３０ａは、液体の原料Ｍを充填する液体充填部３１と、液面制御部３３とを備える。液体充填部３１と液面制御部３３とは、連結パイプ３２により連結されている。
液体充填部３１は、液体の原料Ｍの表面が所定の形状になるよう液体の原料Ｍを収容するためのもので、放電電極２０ｂの下方側に配置されている。
液体充填部３１は、エネルギービーム照射機４０から照射されるレーザビームの光軸方向に沿って伸びる筒状の胴部３１１を備え、胴部３１１の上方側に開口３１２を有するとともに、胴部３１１の下方側に連結パイプ３２に繋がる、開口３１２よりも内径の小さい開口３１３が形成されている。
【００１５】
液面制御部３３は、液体充填部３１に充填される液体の原料Ｍの液面を、放電電極２０ｂとの距離を考慮して、所定の高さに調整するためのもので、例えば液面の高さをカメラなどでモニタリングし、ガス圧により液面高さを制御する。
液体充填部３１、連結パイプ３２、液面制御部３３の外周面には、それぞれ、例えばヒータなどの加熱手段３４が設けられ、加熱される。
加熱手段３４は、高温プラズマ発生用の原料Ｍを液体状にするためのもので、例えば原料ＭがＳｎやＬｉの場合には、３００℃程度で加熱を行う。
【００１６】
図１に戻り、本発明のＥＵＶ光源装置について詳細に説明する。
チャンバ１には、前記した液体の原料Ｍに対してレーザビームを照射するためのエネルギービーム照射機４０が設けられている。エネルギービーム照射機４０から照射されるエネルギービームは、例えばレーザビームである。
エネルギービーム照射機４０からのレーザビームは、レーザ入射窓４１を介して、液体充填部３１に充填された液体の原料Ｍに照射される。
また、液体の原料Ｍのエネルギービーム照射面に対して凹所を形成するための凹所形成用エネルギービーム照射機５０が設けられ、エネルギービーム照射機５０からのエネルギービームはチャンバ１に設けられたレーザ入射窓５１を介してチャンバ１内に入射し、液体充填部３１に充填された液体の原料Ｍに照射される。凹所形成用エネルギービーム照射機５０から照射されるエネルギービームは、エネルギービーム照射機４０から照射されるエネルギービームと同様、例えばレーザビームである。
【００１７】
凹所形成用エネルギービーム照射機５０は、図２に示すように、例えばハーフミラー４２を介してエネルギービームを液体充填部３１に充填された液体の原料Ｍの液面に対して照射するように配置され、エネルギービームを照射することによって、原料Ｍの液面に凹所３５を形成する。
また、エネルギービーム照射機４０は、凹所形成用エネルギービーム照射機５０のエネルギービームにより形成された、液面の凹所３５にレーザビームが照射されるよう配置されている。
【００１８】
ＥＵＶ集光部１ｂには、集光反射鏡４が配置されている。集光反射鏡４は、高温プラズマから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射するための光反射面が形成されている。
集光反射鏡４は、Ｎｉ（ニッケル）などからなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０〜２５°の射入射角度の極端紫外光を良好に反射する光反射面が形成されている。
放電部１ａとＥＵＶ集光部１ｂとを区画する区画壁には、ホイルトラップ３が保持されている。ホイルトラップ３は、放電電極を構成する物質、高温プラズマ発生用の原料Ｍを基にして発生するデブリが、集光反射鏡４に向けて飛散することを抑制するために設けられている。ホイルトラップ３は、放射状に伸びる複数の薄板により仕切られる複数の狭い空間が形成されている。
【００１９】
チャンバ１には、放電部１ａ，ＥＵＶ集光部１ｂに、集光反射鏡４の光反射面をクリーニングするためのクリーニングガスを供給するためのガス供給ユニット１ｃと、クリーニングガスを排気するためのガス排気ユニット１ｄとが設けられている。
制御部５は、高電圧パルス発生部１１、モータ２０ｄ、ガス供給ユニット１ｃ、ガス排気ユニット１ｄ、エネルギービーム照射機４０、第２のエネルギービーム照射機である凹所形成用エネルギービーム照射機５０の動作を制御する。
【００２０】
以下、本発明に係るＥＵＶ光光源装置の動作の一例を説明する。
制御部５からの指令により、モータ２０ｄによって放電電極２０ａ，２０ｂが周方向に回転するよう駆動される。また、制御部５からの指令により、凹所形成用エネルギービーム照射機５０からレーザビームが液体充填部３１に充填された液体の原料Ｍの液面に所定時間にわたり照射され、液面に凹所３５が形成される。
凹所形成用エネルギービーム照射機５０としては、Ｎｄ・ＹＡＧレーザを用いることができ、例えば、パルスエネルギー１００ｍＪ、パルス幅１０ｎｓのレーザパルスを照射することにより、所望の径がφ０．５〜１ｍｍ、深さが１ｍｍ程度の凹所を形成することができる。
液体充填部３１における液面に凹所３５が形成され、蒸気が完全に拡散したのちに、制御部５からの指令により、当該液面の凹所３５に対してエネルギービーム照射機４０からレーザビームが照射される。
【００２１】
液体充填部３１に充填された液体の原料Ｍは、レーザビームが照射されることによって気化し、気化した原料Ｍが放電電極２０ａと２０ｂの間の放電領域に到達する。
エネルギービーム照射機４０からのレーザビームが液面に所定時間照射された後に、制御部５から高電圧パルス発生部１１に指令が送信される。
高電圧パルス発生部１１によって放電電極２０ａ、２０ｂにパルス電圧が供給され、放電電極２０ａ、２０ｂのエッジ間で高温プラズマが発生し、集光反射鏡４に向けてＥＵＶ光が放射される。
【００２２】
次に、液体の原料Ｍの液面に凹所３５を形成する第２、第３の実施例について説明する。
図３は、本発明のＥＵＶ光源装置に係る第２の実施例の原料供給手段（液体充填容器）の構成を示す図である。図３の原料供給手段（液体充填容器）３０ｂにおいては、液体充填部に関する構成を除くと他の構成は図２に示すものと共通している。
原料供給手段（液体充填容器）３０ｂは、液体の原料Ｍを充填する液体充填部３１と、液面制御部３３と、蓋部３６とを備えている。
液体充填部３１と液面制御部３３とは、連結パイプ３２により連結されている。蓋部３６は、液体充填部３１よりも外径の大きい円板状に形成された基体部３６１と、基体部３６１に連続して液体充填部３１の中心軸に沿って伸びる柱状の攪拌部３６２とを備えている。
【００２３】
蓋部３６は、モータ３７に連結されており、モータ３７によって周方向に旋回するよう駆動する。
蓋部３６に形成された攪拌部３６２が液体充填部３１に充填された液体の原料Ｍ中に浸された状態で、蓋部３６をモータ３７によって駆動することで、遠心力により液体の原料Ｍの液面に凹所３５が形成される。
【００２４】
図４は、本発明のＥＵＶ光源装置に係る原料供給手段（液体充填容器）の第３の実施例を示す図である。同図は液体の原料Ｍの液面に凹所３５を形成するその他の構成例を示している。
図４の原料供給手段（液体充填容器）３０ｃにおいては、液体充填部に関する構成を除くと他の構成は図２に示すものと共通している。
原料供給手段（液体充填容器）３０ｃは、液体の原料Ｍを充填する液体充填部３１と、液面制御部３３とを備えている。液体充填部３１と液面制御部３３とは、連結パイプ３２により連結されている。
液体充填部３１の外周面には、例えばピエゾ振動子３８が設けられている。
ピエゾ振動子３８によって液体充填部３１に充填された液体の原料Ｍに振動を加えることにより、液面に進行波が形成される。
液体充填部３１の全ての壁面より進行してきた進行波が、液体充填部３１の中心位置で衝突することによって、液面において突起が形成されると共に凹所３５が形成される。
【００２５】
以上のようなＥＵＶ光源装置においては、図２乃至図４に示した手段により液体の原料Ｍの液面に凹所３５を形成すると共に、この液面に形成された凹所３５に対しエネルギービーム照射機４０によってレーザビームを照射することで、前述したようにＥＵＶ光の出力を高くするという効果を期待することができる。
すなわち、プラズマの空間的な広がりを、従来のＥＵＶ光源装置よりも小さいものとすることができ、プラズマを容易に高温状態にすることができる。このため、極端紫外光の出力を従来の光源装置よりも高いものとすることができる。
しかも、原料Ｍが液体であることにより、液面におけるレーザビームの照射面の形状を常に一定にすることができるため、高温プラズマの発生する位置が安定することになるので、ＥＵＶ光の出力を一定にすることができる。
【００２６】
次に、図５〜図７を用いて本発明のＥＵＶ光源装置に係る原料供給手段の、その他の実施例について説明する。
図５は本発明のＥＵＶ光源装置に係る原料供給手段の第４の実施例を示す図であり、図５に示すＥＵＶ光源装置の原料供給手段３０ｄは、液体原料Ｍが充填された液体充填容器６１と、モータ６２等によって液体原料Ｍを通過するよう回転駆動する金属製の円板よりなる回転体６３と、当該回転体６３の側面に付着した原料Ｍに凹所６４を形成するための凹所形成手段（凹所形成用エネルギービーム照射機）６５とを備えている。
回転体６３は、回転電極２０ａ，２０ｂの下側に配置され、回転体６３に形成された凹所６４に対してエネルギービーム照射機４０から集光手段４３を介してレーザビームが照射される。
その他の構成は前記図１に示したＥＵＶ光源装置と同様である。
【００２７】
液体充填容器６１は、桶状の容器内に、例えばスズなどの金属からなる液体の原料Ｍを充填することで構成され、液体の原料Ｍの液面がエネルギービーム照射機４０に対向するよう配置されている。
また、液体充填容器６１は、ヒータなどの加熱手段を備えることにより、充填された原料Ｍを液体状態に保っている。回転体６３は、例えばタングステンや銅などの高融点の金属からなる円板状のものであり、その側面６３ａがエネルギービーム照射面である。
【００２８】
図５に示す例では、回転体６３は、エネルギービーム照射機４０の光軸に対する垂線を中心にして反時計回りに回転駆動することにより、そのエネルギービーム照射面６３ａに原料Ｍが付着する。エネルギービーム照射面６３ａに付着した原料Ｍは、固体状態になっており、凹所形成用エネルギービーム照射機６５からのレーザービームが集光手段４３を介して照射されることによって、複数の凹所６４が所定の間隔で同一円周上に順次に並ぶよう形成される。
回転体６３には、回転体６３を所定のスピードで周方向に回転駆動させるためのモータ６２などの駆動機構が設けられ、回転体６３の回転速度は、回転体６３の外径、エネルギービーム照射面に付着する原料Ｍの量、エネルギービーム照射機４０および凹所形成用エネルギービーム照射機６５から照射されるエネルギービームの出力などによって決定される。
エネルギービーム照射機４０は、原料Ｍに設けられた各凹所６４のそれぞれに対してエネルギービームが照射されるようにその位置が調整されている。凹所形成用エネルギービーム照射機６５は、表面が平坦な状態の原料Ｍに対してレーザビームが照射されるように配置されている。
【００２９】
図６は本発明のＥＵＶ光源装置に係る原料供給手段の第５の実施例を示す図であり、図６に示す原料供給手段３０ｅの凹所形成手段６６は、回転体６３に対して逆方向に回転する金属製の円板よりなるものであり、その他の構成は図５に示したものと同様である。
同図の例においては、凹所形成手段６５が、回転体６３と逆方向に回転しながらエネルギービーム照射面６３ａに付着した原料Ｍの表面に当接することによって、エネルギービーム照射面６３ａの全周にわたって凹所６４が溝状に形成される。
図７は本発明のＥＵＶ光源装置に係る原料供給手段の第６の実施例を示す図であり、図７に示す原料供給手段３０ｆの凹所形成手段６７は、所定の手段によって固定された金属製のロッドよりなるもので、原料Ｍに当接する尖頭部６７ａを有している。
同図の例においては、尖頭部６７ａがエネルギービーム照射面６３ａに付着した原料Ｍの表面に当接することによって、図６と同様にエネルギービーム照射面６３ａの全周にわたって凹所６４が溝状に形成される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す図である。
【図２】原料供給手段の第１の実施例を示す図である。
【図３】原料供給手段の第２の実施例を示す図である。
【図４】原料供給手段の第３の実施例を示す図である。
【図５】原料供給手段の第４の実施例を示す図である。
【図６】原料供給手段の第５の実施例を示す図である。
【図７】原料供給手段の第６の実施例を示す図である。
【図８】従来のＥＵＶ光源装置を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３１】
１      チャンバ
１ａ    放電部
１ｂ    ＥＵＶ集光部
１ｃ    ガス供給ユニット
１ｄ    ガス排気ユニット
３      ホイルトラップ
４      ＥＵＶ集光鏡
５      制御部
６      ＥＵＶ光出射窓
１１    高電圧パルス発生部
２０ａ，２０ｂ  放電電極
２０ｃ  絶縁部材
２０ｄ  モータ
２０ｅ  回転軸
３０，３０ａ〜３０ｆ  原料供給手段
３１    液体充填部
３２    連結パイプ
３３    液面制御部
３４    ヒータ
３５    凹所
３６    蓋部
３７    モータ
３８    ピエゾ振動子
４０    エネルギービーム照射機
５０    凹所形成用エネルギービーム照射機
６１    液体充填容器
６２    モータ
６３    回転体
６４    凹所
６５    凹所形成用エネルギービーム照射機
６６，６７  凹所形成手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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