(57)【要約】【課題】基板処理システムの小型化を図ることができる基板受入装置を提供する。【解決手段】基板処理システム１が備える略箱状のカセットモジュール２は、ウエハＷに処理を施すプロセスモジュール５に間接的に接続され、天井部に配されるとともに複数のウエハＷを保持するカセット８を収容する容器３が接続されるポート９と、カセットモジュール２の内部空間及びポート９に接続された容器３の内部の連通を制御し、該内部空間を容器３の内部から隔絶するドアバルブ１０と、カセット８を容器３から取り出し、ポート９を経由して上記内部空間に搬入する載置体１１と、容器３の内部から隔絶された内部空間の圧力を制御して該内部空間の大気−真空の切り替えを行うガス導入口１８及び排気口１９とを備える。【選択図】図１
2009054859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す真空処理装置に接続される略箱状の基板受入装置において、
天井部に配されるとともに、複数の前記基板を保持する保持体を収容する容器が接続される接続部と、
前記基板受入装置の内部空間及び前記接続部に接続された前記容器の内部の連通を制御し、前記内部空間を前記容器の内部から隔絶する連通制御部と、
前記保持体を前記容器から取り出し、前記接続部を経由して前記内部空間に搬入する保持体搬入部と、
前記容器の内部から隔絶された前記内部空間の圧力を制御して該内部空間の大気−真空の切り替えを行う圧力制御部とを備えることを特徴とする基板受入装置。
【請求項２】
前記圧力制御部は、前記内部空間へガスを導入する導入部と、前記内部空間のガスを排出する排気部とを有することを特徴とする請求項１記載の基板受入装置。
【請求項３】
前記連通制御部は、開閉自在なドアバルブであることを特徴とする請求項１又は２記載の基板受入装置。
【請求項４】
前記保持体搬入部は、前記内部空間に配置されるとともに、前記保持体が載置される載置体と、前記載置体を支持する支持体とを有し、
前記載置体は天井部−底部方向に昇降自在であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板受入装置。
【請求項５】
前記内部空間が前記容器の内部から隔絶された状態において、
前記内部空間へガスを導入することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板受入装置。
【請求項６】
前記内部空間に導入されるガスは不活性ガスであることを特徴とする請求項５に記載の基板受入装置。
【請求項７】
前記容器の内部に不活性ガスを導入する容器内部ガス導入部を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板受入装置。
【請求項８】
前記容器は、底部に開口部を有する略箱状の本体と、前記開口部を開閉自在な蓋体を有し、前記容器が前記接続部に接続された後、前記蓋体が除去されて前記開口部が開放されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板受入装置。
【請求項９】
基板に処理を施す真空処理装置に接続される略箱状の基板受入装置における基板受入方法であって、
前記基板受入装置の天井部に配される接続部に複数の前記基板を保持する保持体を収容する容器を接続する接続ステップと、
前記基板受入装置の内部空間を前記容器の内部と連通させる第１の連通ステップと、
前記保持体を前記容器の内部から取り出し、前記接続部を経由して前記内部空間に搬入する搬入ステップと、
前記内部空間と前記容器の内部を隔絶する隔絶ステップと、
隔絶された前記内部空間を真空にする真空引きステップと、
搬入された前記保持体が保持する複数の前記基板を枚葉毎に前記真空処理装置に搬送し、真空処理が施された前記基板を枚葉毎に前記真空処理装置から前記内部空間に搬送して前記保持体に保持させる搬送処理ステップと、
前記基板に前記真空処理が施された後に前記内部空間にガスを導入するガス導入ステップと、
ガスが導入された内部空間と前記容器の内部を連通する第２の連通ステップと、
前記真空処理が施された複数の前記基板を保持する前記保持体を前記基板受入装置の内部空間から前記容器の内部へ搬出する搬出ステップとを有することを特徴とする基板受入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板受入装置に関し、特に、複数の基板を収容する容器が接続される接続部を有し、且つ大気−真空切り替え可能である基板受入装置及び基板受入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板としての半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という。）の表面にプラズマ処理を施す基板処理システムとして、図１０に示すような基板処理システムが知られている。
【０００３】
図１０において、基板処理システム５０は、ウエハＷにプラズマ処理を施すプロセスモジュール５５と、後述のフープ５２（Front Opening Unified Pod）が接続される接続口（図示しない。）を有し、該接続口を経由してフープ５２内のウエハＷを取り出すローダーモジュール５１と、ウエハＷを受け取る受け取り台５８を有するロードロックモジュール５３と、ウエハＷをロードロックモジュール５３の内部からプロセスモジュール５５の内部に搬送するトランスファモジュール５４とを備える。また、ローダーモジュール５１は直方体の箱状物であり、接続口が配される側面にフープ載置台５６を有する。
【０００４】
プロセスモジュール５５及びトランスファモジュール５４のそれぞれはその内部を真空に維持され、ローダーモジュール５１はその内部を常時大気圧に維持され、ロードロックモジュール５３はその内部を大気−真空切り替え可能に構成される。また、ローダーモジュール５１とロードロックモジュール５３、ロードロックモジュール５３とトランスファモジュール５４、並びにトランスファモジュール５４とプロセスモジュール５５はそれぞれゲートバルブ５９，６０，６２を介して接続される。
【０００５】
ローダーモジュール５１の内部にはウエハＷを搬送するスカラタイプの搬送アーム５７が配置されており、該搬送アーム５７によってフープ５２内のウエハＷはロードロックモジュール５３内の受け取り台５８の上面に搬送されて載置される。また、トランスファモジュール５４の内部にも、ウエハＷを搬送するスカラタイプの搬送アーム６１が配置されており、該搬送アーム６１によって受け取り台５８上のウエハＷはプロセスモジュール５５の内部に搬送される。
【０００６】
プロセスモジュール５５の内部にはウエハＷを載置する下部電極としてのサセプタ６４と上部電極６３とが配置されており、搬送アーム６１によってサセプタ６４の上面に搬送されて載置されたウエハＷは、プロセスモジュール５５の処理空間に発生するプラズマによってプラズマ処理が施される。
【０００７】
図１１は、ウエハを収容するフープの構成を概略的に示す斜視図である。
【０００８】
図１１において、フープ５２は、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）において標準化されている搬送用容器であり、上面視がＵ字状であり、該上面から押出した形状を呈する容器であって、屈曲した側面と反対の側面が開口する容器としての本体７１と、該本体７１の側面開口に対向して配され、該開口を開閉自在な蓋体７２とを備える。本体７１は、上面と平行にウエハＷを収容可能なウエハＷの周縁部を保持する溝形状の複数のスロット（図示しない。）を有し、各スロットにウエハＷが挿入されることによって複数のウエハＷを互いに平行に収容する。蓋体７２は、本体７１と接触する周縁部においてＮＢＲ等からなるシールゴムを有し、該シールゴムによって本体７１の内部を密封する。尚、本体７１及び蓋体７２のいずれもＡＢＳ等の樹脂からなる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−１５０２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した基板処理システム５０では、フープ５２の側面の開口に対向して配される蓋体７２をローダーモジュール５１の側面に配される接続口に当接させる必要があるため、フープ５２が載置されるフープ載置台５６とローダーモジュール５１とを並べて配置する必要がある。また、基板処理システム５０では、トランスファモジュール５４の内部が真空に維持され、且つローダーモジュール５１の内部が大気圧に維持されるため、トランスファモジュール５４とローダーモジュール５１との間に内部を大気−真空切り替え可能なロードロックモジュール５３を配置する必要がある。
【００１０】
つまり、基板処理システム５０では、フープ載置台５６と、ローダーモジュール５１と、ロードロックモジュール５３とを並べて配置する必要があるため、例えば、工場の敷地において、大きな占有面積（フットプリント）を必要とするという問題があった。また、近年、ウエハサイズは大型化の傾向にあり、ウエハサイズの大型化に対応して、ローダーモジュール５１等が大型化されることも考えられる。
【００１１】
本発明の目的は、基板処理システムの小型化を図ることができる基板受入装置及び基板受入方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板受入装置は、基板に処理を施す真空処理装置に接続される略箱状の基板受入装置において、天井部に配されるとともに、複数の前記基板を保持する保持体を収容する容器が接続される接続部と、前記基板受入装置の内部空間及び前記接続部に接続された前記容器の内部の連通を制御し、前記内部空間を前記容器の内部から隔絶する連通制御部と、前記保持体を前記容器から取り出し、前記接続部を経由して前記内部空間に搬入する保持体搬入部と、前記容器の内部から隔絶された前記内部空間の圧力を制御して該内部空間の大気−真空の切り替えを行う圧力制御部とを備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の基板受入装置は、請求項１記載の基板受入装置において、前記圧力制御部は、前記内部空間へガスを導入する導入部と、前記内部空間のガスを排出する排気部とを有することを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載の基板受入装置は、請求項１又は２記載の基板受入装置において、前記連通制御部は、開閉自在なドアバルブであることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の基板受入装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板受入装置において、前記保持体搬入部は、前記内部空間に配置されるとともに、前記保持体が載置される載置体と、前記載置体を支持する支持体とを有し、前記載置体は天井部−底部方向に昇降自在であることを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の基板受入装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板受入装置において、前記内部空間が前記容器の内部から隔絶された状態において、前記内部空間へガスを導入することを特徴とする。
【００１７】
請求項６記載の基板受入装置は、請求項５に記載の基板受入装置において、前記内部空間に導入されるガスは不活性ガスであることを特徴とする。
【００１８】
請求項７記載の基板受入装置は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板受入装置において、前記容器の内部に不活性ガスを導入する容器内部ガス導入部を有することを特徴とする。
【００１９】
請求項８記載の基板受入装置は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板受入装置において、前記容器は、底部に開口部を有する略箱状の本体と、前記開口部を開閉自在な蓋体を有し、前記容器が前記接続部に接続された後、前記蓋体が除去されて前記開口部が開放されることを特徴とする。
【００２０】
上記目的を達成するために、請求項９記載の基板受入方法は、基板に処理を施す真空処理装置に接続される略箱状の基板受入装置における基板受入方法であって、前記基板受入装置の天井部に配される接続部に複数の前記基板を保持する保持体を収容する容器を接続する接続ステップと、前記基板受入装置の内部空間を前記容器の内部と連通させる第１の連通ステップと、前記保持体を前記容器の内部から取り出し、前記接続部を経由して前記内部空間に搬入する搬入ステップと、前記内部空間と前記容器の内部を隔絶する隔絶ステップと、隔絶された前記内部空間を真空にする真空引きステップと、搬入された前記保持体が保持する複数の前記基板を枚葉毎に前記真空処理装置に搬送し、真空処理が施された前記基板を枚葉毎に前記真空処理装置から前記内部空間に搬送して前記保持体に保持させる搬送処理ステップと、前記基板に前記真空処理が施された後に前記内部空間にガスを導入するガス導入ステップと、ガスが導入された内部空間と前記容器の内部を連通する第２の連通ステップと、前記真空処理が施された複数の前記基板を保持する前記保持体を前記基板受入装置の内部空間から前記容器の内部へ搬出する搬出ステップとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１記載の基板受入装置によれば、天井部に配される接続部は複数の基板を保持する保持体を収容する容器と接続され、保持体は接続部を経由して基板受入装置の内部空間に搬入されるので、接続部に接続する容器を載置するための載置台を基板受入装置に並べて配置する必要をなくすことができる。また、基板受入装置において容器の内部から隔絶された内部空間の大気−真空の切り替えが行われるので、間に内部を大気−真空切り替え可能な搬送室を介在させることなく、基板受入装置と真空処理装置とを接続することができる。その結果、基板処理システムの小型化を図ることができる。
【００２２】
請求項２記載の基板受入装置によれば、内部空間の圧力は、該内部空間へのガスの導入や内部空間からのガスの排出によって制御される。したがって、内部空間の圧力を容易且つ迅速に制御することができる。
【００２３】
請求項３記載の基板受入装置によれば、ドアバルブを開閉させることによって基板受入装置の内部空間及び容器の内部の連通−隔絶の切り替えを容易且つ確実に制御することができる。
【００２４】
請求項４記載の基板受入装置によれば、保持体が載置される載置体は内部空間において天井部−底部方向に昇降自在であるので、天井部の接続部に接続された容器の内部に収容されている保持体を基板受入装置の内部空間へ容易に搬入することができる。
【００２５】
請求項５記載の基板受入装置によれば、内部空間が容器の内部から隔絶された状態において該内部空間へガスが導入されて圧力が制御されるので、容器の内部と内部空間との圧力差を解消することができ、内部空間及び容器の内部が連通した際、圧力差に起因して内部空間や容器の内部において気流が生じるのを防止することができる。したがって、気流に起因するパーティクルの発生を抑制することができ、もって、パーティクルによる基板の表面の汚染を防止することができる。
【００２６】
請求項６記載の基板受入装置によれば、内部空間に導入されるガスは不活性ガスであるので、内部空間に搬入された基板において酸化やその他の化学反応の発生を抑制することができる。また、基板受入装置において腐食の発生を抑制することができる。
【００２７】
請求項７記載の基板受入装置によれば、容器の内部へ不活性ガスが導入されるので、容器の内部に搬入された基板において酸化やその他の化学反応の発生を抑制することができる。
【００２８】
請求項８記載の基板受入装置によれば、容器が接続部に接続された後、蓋体が除去されて開口部が開放されるので、基板受入装置の天井部に容器を載置することで、容器の内部と内部空間とを容易に連通させることができる。
【００２９】
請求項９記載の基板受入方法によれば、基板を前記基板受入装置の真空引きされた内部空間から真空処理装置に枚葉毎に搬送するので、複数の基板を搬送する間において大気−真空の切り替えを行う必要がない。その結果、真空処理システムによる基板処理のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３１】
図１は、本実施の形態に係る基板受入装置を備えた基板処理システムの構成を概略的に示す断面図である。
【００３２】
図１において、基板処理システム１は、ウエハＷに対して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の各種プラズマ処理を施すプロセスモジュール５（真空処理装置）と、カセットモジュール２（基板受入装置）と、カセットモジュール２及びプロセスモジュール５の間に配置され、カセットモジュール２からプロセスモジュール５、若しくはプロセスモジュール５からカセットモジュール２へウエハＷを搬送するトランスファモジュール４とを備える。
【００３３】
トランスファモジュール４及びプロセスモジュール５のそれぞれは、基板処理の際、その内部を真空に維持され、カセットモジュール２はその内部を後述するように大気−真空切り替え可能に構成される。また、カセットモジュール２とトランスファモジュール４、トランスファモジュール４とプロセスモジュール５はそれぞれゲートバルブ１４，１５を介して接続される。
【００３４】
略箱状のカセットモジュール２は、天井部に配されるポート９（接続部）と、スライド式のバルブであるドアバルブ１０（連通制御部）と、排気口１９（圧力制御部、排気部）と、ガス導入口１８（圧力制御部、導入部）とを備える。ポート９には後述の容器３が接続される。ドアバルブ１０はカセットモジュール２の内部空間においてポート９の直下に配され、該内部空間に突出自在に構成される。また、内部空間の圧力は、排気口１９を介して真空引きされることによって真空となり、ガス導入口１８を介してガスが導入されることによって大気圧となる。さらに、カセットモジュール２の内部には、後述のカセット８（保持体）を載置する載置体１１（保持体搬入部）と、該載置体１１を支持する支持体１２（保持体搬入部）とが配置される。支持体１２の一端は載置体１１を支持し、他端はカセットモジュール２の内部の底面に接続されている。また、載置体１１がカセットモジュール２の天井部−底部の方向に昇降自在となるように、支持体１２はリフト機構（図示しない。）を有している。
【００３５】
容器３は、カセット８を収容可能に構成され、底部に開口部を有する略箱状の本体６と該開口部を開閉自在な蓋体７とを有する、いわゆるBottom Opening Pod（以下、単に「ＢＯＰ」という。）である。開口部を蓋体７が閉塞することによって、容器３の内部は周辺雰囲気から隔絶される。容器３がポート９に接続された状態において開口部は蓋体７が本体６から除去されることによって開放されてポート９と連結する。これにより、ポート９と容器３の内部とが連通し、さらにはカセットモジュール２の内部空間と容器３の内部とが連通する。ここで、ドアバルブ１０は内部空間へ突出（閉弁）することによって該内部空間を容器３の内部から隔絶し、また、内部空間から退出（開弁）することによって該内部空間を容器３の内部と連通させる。
【００３６】
また、カセット８は、フープ５２と同様に、上面と平行にウエハＷを収容可能なウエハＷの周縁部を保持する溝形状の複数のスロットを有する枠体であり（図示しない。）、各スロットにウエハＷが挿入されることによって複数のウエハＷを互いに平行に保持する。
【００３７】
トランスファモジュール４は、その内部に配置された屈伸及び旋回自在のスカラタイプの搬送アーム１３を有する。該搬送アーム１３は、載置体１１の上面に載置されたカセット８が保持するウエハＷを、後述するプロセスモジュール５の内部のサセプタ１７の上面に枚様毎に搬送して載置する。
【００３８】
プロセスモジュール５は、該プロセスモジュール５の内部の底面に配置され、半導体ウエハＷを載置する下部電極としてのサセプタ１７と、サセプタ１７に対向して配置され、扁平な中空円盤状に形成された上部電極１６とを備える。サセプタ１７は、上面に取り付けられた静電チャック（図示しない。）等のクーロン力によりウエハＷを吸着保持する。また、サセプタ１７のウエハＷが吸着保持される面の周りにはフォーカスリングが配置され（図示しない。）、該フォーカスリングはサセプタ１７及び上部電極１６の間の処理空間において発生したプラズマをウエハＷに向けて収束させる。該収束されたプラズマにより、サセプタ１７上のウエハＷの表面がプラズマ処理される。
【００３９】
次に、本実施の形態におけるウエハＷのロット処理について、図２乃至図８を参照しながら説明する。
【００４０】
図２乃至図７は、図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理を示す工程図であり、図８は図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理のフローチャートである。
【００４１】
始めに、図２に示すように、１ロット（例えば、２５枚）のウエハＷを保持するカセット８を収容した容器３をカセットモジュール２の天井部に載置することによってポート９に接続し、ドアバルブ１０を開弁した後（ステップＳ３１）、容器３の蓋体７を開放する（ステップＳ３２）。そして、カセットモジュール２の内部空間に配置される載置体１１がカセットモジュール２の天井部方向に上昇して蓋体７及びカセット８を受け取る。さらに、蓋体７及びカセット８を受け取った載置体１１はカセットモジュール２の底部方向に下降してカセット８を内部空間に搬入する（ステップＳ３３）。その後、図３に示すように、ドアバルブ１０を閉弁して内部空間を容器３の内部から隔絶する（ステップＳ３４）。そして、内部空間を真空引きすることによって、該内部空間の圧力を大気圧から真空に切り替える（ステップＳ３５）。
【００４２】
次に、ゲートバルブ１４を開弁し（ステップＳ３６）、図４及び図５に示すように、トランスファモジュール４の内部に配置される搬送アーム１３が内部空間へ伸長し、カセット８に保持されているウエハＷを１枚ずつ取り出す。さらに、搬送アーム１３は、取り出した１枚のウエハＷをトランスファモジュール４を経由してプロセスモジュール５へ搬送し、サセプタ１７上に載置する。また、搬送アーム１３は、プロセスモジュール５においてプラズマ処理が施されたウエハＷをプロセスモジュール５からカセットモジュール２へ搬送し、再度カセット８に保持させ（ステップＳ３７）、１ロットにおける全てのウエハＷへプラズマ処理を施したか否かを判別する（ステップＳ３８）。
【００４３】
ステップＳ３８の判別の結果、全てのウエハＷへプラズマ処理を施していない場合（ステップＳ３８でＮＯ）には、ステップ３７に戻り、全てのウエハＷへプラズマ処理を施している場合（ステップＳ３８でＹＥＳ）には、ゲートバルブ１４を閉弁する（ステップＳ３９）。
【００４４】
次に、内部空間にガスを導入することによって該内部空間の圧力を真空から大気圧に切り替えた後（ステップＳ４０）、ドアバルブ１０を開弁して内部空間と容器３の内部を連通させる（ステップＳ４１）。そして、図６に示すように、載置体１１が上昇してプラズマ処理後のウエハＷを保持したカセット８を容器３の内部に収容する（ステップＳ４２）。次いで、図７に示すように、蓋体７を閉塞し（ステップＳ４３）、さらに、ドアバルブ１０を閉弁して内部空間を容器３の内部から隔絶して（ステップＳ４４）本処理を終了する。
【００４５】
本実施の形態にかかる基板受入装置としてのカセットモジュール２によれば、天井部に配されるポート９を備えるので、いわゆるＢＯＰである容器３を天井部に載置することによって該容器３をポート９に接続させることができる。したがって、容器３をカセットモジュール２の側面に接続させる必要がなく、例えば図１０に示すフープ載置台５６のような台座をカセットモジュール２と並べて配置する必要をなくすことができる。また、容器３の内部から隔絶されたカセットモジュール２の内部空間の大気−真空の切り替えが行われるので、間に内部を大気−真空切り替え可能な、例えば図１０に示すロードロックモジュール５３のような装置を介在させることなく、カセットモジュール２とプロセスモジュール５とを間接的に接続することができる。その結果、基板処理システム１の小型化を図ることができる。
【００４６】
また、搬送アーム１３のような搬送機構をカセットモジュール２またはプロセスモジュール５に設けることで、カセットモジュール２とプロセルモジュール５とを直接接続してもよい。
【００４７】
内部空間の圧力は該内部空間へのガス導入口１８を介したガスの導入や内部空間からの排気口１９を介したガスの排出によって制御される。したがって、内部空間の圧力を容易且つ迅速に制御することができる。また、ガス導入口１８のかわりに、大気雰囲気との連通を制御するリリーフバルブを配することによっても同様の効果が得られる。
【００４８】
また、スライド式のドアバルブ１０を開閉させることによってカセットモジュール２の内部空間及び容器３の内部の連通−隔絶の切り替えを容易且つ確実に制御することができる。
【００４９】
また、載置体１１は内部空間において天井部−底部方向に昇降自在であるので、ポート９に接続された容器３の内部に収容されているカセット８を内部空間へ容易に搬入することができる。
【００５０】
また、内部空間が容器３の内部から隔絶された状態において該内部空間へガスが導入されて圧力制御されるので、容器３の内部と内部空間との圧力差を解消することができ、内部空間及び容器３の内部が連通した際、圧力差に起因して内部空間や容器３の内部において気流が生じるのを防止することができる。したがって、気流に起因するパーティクルの発生を抑制することができ、もって、パーティクルによるウエハＷの表面の汚染を防止することができる。
【００５１】
また、内部空間に導入されるガスは不活性ガスが好ましく、例えばＮ２ガスであれば、内部空間に搬入されたウエハＷにおいて酸化やその他の化学反応の発生を抑制することができる。また、カセットモジュール２において腐食の発生を抑制することができる。
【００５２】
また、図９に示すように、容器３の内部が内部空間から隔絶された状態において、容器３の内部と連通するカセットモジュール２の一部に不活性ガスのガス導入口２０（容器内部ガス導入部）を設けてもよい。この構成により、容器３の内部へ不活性ガスが導入されるので、容器３の内部に搬入されたウエハＷにおいて酸化やその他の化学反応の発生を抑制することができる。
【００５３】
また、図８の処理では、ウエハＷは、真空引きされた内部空間からプロセスモジュール５に搬送されるので、例えば、図１０に示すロードロックモジュール５３のように、複数のウエハＷを搬送する間において枚葉毎に内部空間の大気−真空の切り替えを行う必要がない。その結果、真空処理システム１によるウエハＷの処理のスループットを向上させることができる。本実施の形態に係るウエハＷのロット処理では、１ロットにおける全てのウエハＷへのプラズマ処理を施した場合にゲートバルブ１４を閉弁したが、所望の枚数のウエハＷへプラズマ処理を施した後にゲートバルブを閉弁してもよい。
【００５４】
なお、上述した各実施の形態では、基板が半導体ウエハであったが、基板はこれに限らず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本実施の形態に係る基板受入装置を備えた基板処理システムの構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理を示す工程図である。
【図３】図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理を示す工程図である。
【図４】図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理を示す工程図である。
【図５】図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理を示す工程図である。
【図６】図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理を示す工程図である。
【図７】図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理を示す工程図である。
【図８】図１の基板処理システムにおけるウエハのロット処理のフローチャートである。
【図９】本実施の形態に係る基板受入装置の変形例の構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】従来の基板処理システムの構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】ウエハを収容するフープの構成を概略的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
１    基板処理システム
２    カセットモジュール
３    容器
４    トランスファモジュール
５    プロセスモジュール
６    本体
７    蓋体
８    カセット
９    ポート
１０    ドアバルブ
１１    載置体
１２    支持体
１４，１５    ゲートバルブ
１８，２０    ガス導入口
１９    排気口
【図１】
2009054859.tif 000003
【図２】
2009054859.tif 000004
【図３】
2009054859.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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