(57)【要約】【課題】輝度バラツキを抑えることができ、表示品位の向上を図ることが可能なアクティブマトリクス型表示装置を提供する。【解決手段】マトリクス状に配列された複数の表示画素を備え、各表示画素は、第１電源と第２電源との間に直接に接続された駆動トランジスタ、第２制御信号によりオン、オフ制御される出力スイッチ、および電流駆動型の表示素子と、保持容量と、第１制御信号によりオン、オフ制御される画素スイッチおよび第１スイッチとを有し、駆動トランジスタおよび出力スイッチはそれぞれＰチャネル型の薄膜トランジスタで形成されているアクティブマトリックス型表示装置の駆動方法であって、出力スイッチ（２６）をオンするときの第２制御信号の電圧を、第１電源（Ｖｓｓ）の電圧と表示素子（１６）に印加される最高階調表示時の電圧とを加えた値よりも高い値に設定する。【選択図】      図２
2009157284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ第１電源に第２端子が接続された電流駆動型の表示素子、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタで形成され第２電源に第１端子が接続された駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタの制御端子と第１端子と間に接続された保持容量、トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタの第２端子と信号線との間に接続されているとともに、第１制御信号によりオン、オフ制御される画素スイッチ、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタの制御端子と第２端子と間に接続されているとともに、前記第１制御信号によりオン、オフ制御される第１スイッチ、およびＰチャネル型の薄膜トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタの第２端子と前記表示素子の第１端子との間に接続されているとともに、第２制御信号によりオン、オフ制御される出力スイッチとを含み、マトリクス状に配列された複数の表示画素と、前記表示画素の行毎に設けられ前記第１制御信号、第２制御信号を供給する複数の第１走査線および第２走査線と、前記表示画素の列毎に設けられた複数の信号線と、前記第１および第２電源を供給する第１および第２電源線と、を備えたアクティブマトリックス型表示装置の駆動方法であって、
前記出力スイッチをオンするときの前記第２制御信号の電圧を、前記第１電源の電圧と前記表示素子に印加される最高階調表示時の電圧とを加えた値よりも高い値に設定することを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置の駆動方法。
【請求項２】
それぞれ第１電源に第２端子が接続された電流駆動型の表示素子、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタで形成され第２電源に第１の端子が接続された駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタの制御端子と第１端子間に接続された保持容量、トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタの第２端子と信号線と間に接続されているとともに、第１制御信号によりオン、オフ制御される画素スイッチ、およびＰチャネル型の薄膜トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタの第２端子と前記表示素子の第１端子との間に接続されているとともに、第２制御信号によりオン、オフ制御される出力スイッチを含み、マトリクス状に配列された複数の表示画素と、前記表示画素の行毎に設けられ複数の前記第１、第２制御信号を供給する第１走査線および第２走査線と、前記表示画素の列毎に設けられた複数の信号線と、前記第１電源および第２電源を供給する第１電源線および第２電源線と、を備えたアクティブマトリックス型表示装置の駆動方法であって、
前記出力スイッチをオンするときの前記第２制御信号の電圧を、前記第１電源の電圧と前記表示素子に印加される最高階調表示時の電圧とを加えた値よりも高い値に設定することを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロ・ルミネッセンス（以下、ＥＬと称する）素子を含む表示画素をマトリクス状に配列して表示画面を構成したアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、情報携帯端末あるいはテレビジョン等の表示装置として、平面型のアクティブマトリクス型表示装置が広く利用されている。近年、このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、有機ＥＬ素子のような自己発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。この有機ＥＬ表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適しているという特徴を備えている。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ表示装置は、複数行、複数列に並んで設けられ表示画面を構成した複数の表示画素、表示画素の各行に沿って延びた複数の走査線、表示画素の各列に沿って延びた複数の信号線、各走査線を駆動する走査線駆動回路、各信号線を駆動する信号線駆動回路等を備えている。各表示画素は自己発光素子である有機ＥＬ素子、およびこの有機ＥＬ素子に駆動電流を供給する画素回路により構成されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
各画素回路は、走査線および信号線の交差位置近傍に配置された画素スイッチ、一対の電源線間で有機ＥＬ素子と直列に接続され薄膜トランジスタによって構成された駆動トランジスタ、および駆動トランジスタのゲート制御電圧を保持する保持容量を有している。画素スイッチは対応走査線から供給される走査信号に応答して導通し、対応信号線から供給される映像信号を取り込む。この映像信号に対応する駆動トランジスタのゲート・ソース間電位はゲート制御電圧として保持容量に書き込まれ所定期間保持される。そして、駆動トランジスタは保持容量に書き込まれたゲート制御電圧に応じた電流量を有機ＥＬ素子に供給し、発光動作を行う。
【０００５】
駆動トランジスタのドレイン電流がドレイン・ソース間電圧に依存しない理想的なトランジスタであれば、この画素回路では、有機ＥＬ素子の電流−電圧特性が変化しても、同じ電流を有機ＥＬ素子に供給することが可能である。
【特許文献１】特開２０００−２０８２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、実際の駆動トランジスタのドレイン電流はドレイン・ソース間電圧に依存する。したがって、有機ＥＬ素子の電流−電圧特性のバラツキにより有機ＥＬ素子に印加される電圧が変わると、発光時の駆動トランジスタのドレイン・ソース間電圧も変わることになり、有機ＥＬ素子に供給される電流も変化することになる。これにより、有機ＥＬ表示素子の発光輝度がばらつき、表示品位が低下する。
【０００７】
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、その目的は、表示素子の電流−電圧特性のバラツキによる発光電流バラツキ、すなわち、輝度バラツキを抑えることができ、表示品位の向上を図ることが可能なアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法は、それぞれ第１電源に第２端子が接続された電流駆動型の表示素子、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタで形成され第２電源に第１端子が接続された駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタの制御端子と第１端子と間に接続された保持容量、トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタの第２端子と信号線との間に接続されているとともに、第１制御信号によりオン、オフ制御される画素スイッチ、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタの制御端子と第２端子と間に接続されているとともに、前記第１制御信号によりオン、オフ制御される第１スイッチ、およびＰチャネル型の薄膜トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタの第２端子と前記表示素子の第１端子との間に接続されているとともに、第２制御信号によりオン、オフ制御される出力スイッチとを含み、マトリクス状に配列された複数の表示画素と、前記表示画素の行毎に設けられ前記第１制御信号、第２制御信号を供給する複数の第１走査線および第２走査線と、前記表示画素の列毎に設けられた複数の信号線と、前記第１および第２電源を供給する第１および第２電源線と、を備えたアクティブマトリックス型表示装置の駆動方法であって、前記出力スイッチをオンするときの前記第２制御信号の電圧を、前記第１電源の電圧と前記表示素子に印加される最高階調表示時の電圧とを加えた値よりも高い値に設定することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の態様によれば、表示素子の電流−電圧特性のバラツキによる発光電流バラツキ、すなわち、輝度バラツキを抑えることができ、表示品位の向上を図ることが可能なアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について詳細に説明する。  
図１は、有機ＥＬ装置全体を概略的に示している。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、例えば、１０型以上の大型アクティブマトリクス型表示装置として構成され、有機ＥＬパネル１０および有機ＥＬパネル１０を制御するコントローラ１２を備えている。
【００１１】
有機ＥＬパネル１０は、ガラス板等の絶縁基板８上にマトリクス状に配列され表示領域１１を構成したｍ×ｎ個の表示画素ＰＸ、表示画素の行毎に接続されているとともにそれぞれ独立してｍ本ずつ設けられた第１走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）、および第２走査線Ｓｇｂ（１〜ｍ）、表示画素ＰＸの列毎にそれぞれ接続されたｎ本の映像信号線Ｘ（１〜ｎ）、第１、第２走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）、Ｓｇｂ（１〜ｍ）を表示画素の行毎に順次駆動する走査線駆動回路１４、および複数の映像信号線Ｘ（１〜ｎ）を駆動する信号線駆動回路１５を備えている。走査線駆動回路１４および信号線駆動回路１５は、表示領域１１の外側で絶縁基板８上に一体的に形成されている。
【００１２】
画素部として機能する各表示画素ＰＸは、対向電極間に光活性層を備えた表示素子と、この表示素子に駆動電流を供給する画素回路１８とを含んでいる。表示素子は、例えば自己発光素子であり、本実施形態では、光活性層として少なくとも有機発光層を備えた電流駆動型の有機ＥＬ素子１６を用いている。
【００１３】
図２に表示画素ＰＸの等価回路を示す。画素回路１８は電流信号からなる映像信号に応じて有機ＥＬ素子１６の発光を制御する電流駆動方式の画素回路であり、画素スイッチ２０、駆動トランジスタ２２、第１スイッチ２４、出力スイッチ２６、および保持容量Ｃｓを備えている。画素スイッチ２０、駆動トランジスタ２２、第１スイッチ２４、出力スイッチ（第２スイッチ）２６は、ここでは同一導電型、例えばＰチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。本実施形態において、画素回路１８を構成する薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００１４】
駆動トランジスタ２２、出力スイッチ２６、および有機ＥＬ素子１６は、第１電圧電源線Ｖｓｓと第２電圧電源線Ｖｄｄとの間でこの順で直列に接続されている。第１電圧電源線Ｖｓｓおよび第２電圧電源線Ｖｄｄは、例えば、−９Ｖおよび＋６Ｖの電位にそれぞれ設定される。駆動トランジスタ２２は、その第１端子、ここではソースが第２電圧電源線Ｖｄｄに接続されている。有機ＥＬ素子１６は、一方の電極、ここではカソードが第１電圧電源線Ｖｓｓに接続されている。出力スイッチ２６は、そのソースが駆動トランジスタ２２の第２端子、ここではドレインに接続されている。出力スイッチ２６は、そのドレインが有機ＥＬ素子１６のアノードに接続され、更に、ゲートが第２走査線Ｓｇｂに接続されている。
【００１５】
駆動トランジスタ２２は、映像信号に応じた電流量の発光電流を有機ＥＬ素子１６に出力する。出力スイッチ２６は、第２走査線Ｓｇｂからの第２制御信号Ｓｂ（１〜ｍ）によりオン（導通状態）、オフ（非導通状態）が制御され、駆動トランジスタ２２と有機ＥＬ素子１６との接続、非接続を制御する。
【００１６】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタ２２の第１端子、制御端子間、ここではソース、ゲート間に接続され、映像信号により決定される駆動トランジスタ２２のゲート制御電位を保持する。画素スイッチ２０は、対応する映像信号線Ｘ（１〜ｎ）と駆動トランジスタ２２のドレインとの間に接続され、そのゲートは第１走査線Ｓｇａに接続されている。画素スイッチ２０は、第１走査線Ｓｇａから供給される第１制御信号Ｓａ（１〜ｍ）に応答して対応の映像信号線Ｘ（１〜ｎ）から階調電流としての信号電流を取り込む。
【００１７】
第１スイッチ２４は、駆動トランジスタ２２のドレイン、ゲート間に接続され、そのゲートが第１走査線Ｓｇａに接続されている。第１スイッチ２４は、第１走査線Ｓｇａからの第１制御信号Ｓａ（１〜ｍ）に応じてオン、オフ制御され、駆動トランジスタ２２のゲート、ドレイン間の接続、非接続を制御するとともに、保持容量Ｃｓからの電流リークを規制する。
【００１８】
一方、図１に示すコントローラ１２は有機ＥＬパネル１０の外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、走査線駆動回路１４および信号線駆動回路１５を制御する。コントローラ１２は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、および水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生し、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ走査線駆動回路１４および信号線駆動回路１５に供給すると共に、水平および垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を信号線駆動回路１５に供給する。
【００１９】
信号線駆動回路１５は水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号Ｄａｔａ１〜Ｄａｔａｎをアナログ形式に変換し電流信号として複数の信号線Ｘに並列的に供給する。走査線駆動回路１４は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される垂直走査スタートパルスを順次次段に転送し、出力バッファを介して各行の表示画素ＰＸに２種類の制御信号、すなわち、第１、第２制御信号Ｓａ、Ｓｂを供給する。これにより、各第１、第２走査線Ｓｇａ、Ｓｇｂは、互いに異なる１水平走査期間において、それぞれ第１制御信号Ｓａ、第２制御信号Ｓｂにより駆動される。
【００２０】
画素回路１８の動作は、映像信号書込み動作および発光動作に分けられる。図２に示すように、映像信号書込み動作において、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４がオン（導通状態）、出力スイッチ２６がオフ（非導通状態）となるような第１、第２制御信号Ｓａ、Ｓｂ、ここでは、第１制御信号Ｓａがローレベル、第２制御信号Ｓｂがハイレベルとして出力される。これにより、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４がオン（導通状態）、出力スイッチ２６がオフ（非導通状態）に切換えられ、映像信号書込み動作が開始される。
【００２１】
映像信号書込み期間において、信号線駆動回路１５から対応する映像信号線Ｘ（１〜ｎ）に供給された映像信号電流Ｉｄａｔａは画素スイッチ２０を介して、選択された表示画素ＰＸに供給される。表示画素ＰＸにおいて、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４はオン状態にあり、取り込まれた映像信号電流Ｉｄａｔａは駆動トランジスタ２２に供給され駆動トランジスタ２２を書き込み状態とする。これにより、第２電圧電源線Ｖｄｄから駆動トランジスタ２２を通して映像信号線Ｘ１に書き込み電流が流れ、映像信号電流Ｉｄａｔａの電流量に対応した駆動トランジスタ２２のゲート、ソース間電位が保持容量Ｃｓに書き込まれる。
【００２２】
次に、第１制御信号Ｓａがハイレベル（オフ電位）となり、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４がオフとなる。これにより、映像信号書込み動作が終了する。続いて、第２制御信号Ｓｂがローレベルとなり、出力スイッチ２６がオンとなる。これにより、発光動作が開始する。発光期間において、駆動トランジスタ２２は、保持容量Ｃｓに書き込まれたゲート制御電圧により導通状態に維持され、第２電圧電源線Ｖｄｄから映像信号電流Ｉｄａｔａに対応した電流量の発光電流を出力スイッチ２６側へ供給する。この発光電流は、出力スイッチ２６を通った後、有機ＥＬ素子１６に供給される。これにより有機ＥＬ素子１６が発光し、発光動作が開始される。そして、有機ＥＬ素子１６は、１フレーム期間後に、再び第２制御信号Ｓｂがオフ電位となるまで発光状態を維持する。
【００２３】
ここで、第２電圧電源線Ｖｄｄの電圧が６Ｖ、第１電圧電源線Ｖｓｓの電圧が−９Ｖの動作条件で発光電流が流れるときに、有機ＥＬ素子１６にかかる電圧が、その特性バラツキにより６Ｖ、７Ｖ、８Ｖに変化した場合の発光電流比率の変化について説明する。  
出力スイッチ２６がオンする第２制御信号Ｓｂの電圧を、本実施形態のように０Ｖあるいは−２Ｖとした場合と、比較例として、−４Ｖと−９Ｖにした場合とを比較して説明する。
【００２４】
図３は、オン電圧が０Ｖ、−２Ｖ、−４Ｖ、−９Ｖのそれぞれについて、有機ＥＬ素子１６にかかる電圧が７Ｖのときの発光電流を基準にした時の発光電流比率の変化を示している。この図からわかるように、−４Ｖおよび−９Ｖの場合に比べ、０Ｖおよび−２Ｖの場合の方が、有機ＥＬ素子１６にかかる電圧の変化に対する発光電流の変化が少ないことがわかる。
【００２５】
これは、第２制御信号Ｓｂの電圧を０Ｖまたは−２Ｖとして、出力スイッチ２６をオン動作させることにより、出力スイッチ２６が飽和領域で動作するため、有機ＥＬ素子１６にかかる電圧が変化しても、その変化した電圧分を、出力スイッチ２６のソース・ドレイン間の電圧変化で吸収してしまうからである。したがって、有機ＥＬ素子１６の特性にバラツキがある場合でも、駆動トランジスタ２２の動作点が変化しないため、発光電流は変化しない。
【００２６】
図４は、図３に示した結果に応じて、有機ＥＬ素子１６にかかる電圧７Ｖに対する８Ｖの場合の電流低下率が、出力スイッチ２６をオンさせる第２制御信号Ｓｂの電圧に対してどのように変化するかを示している。この図から、第２制御信号Ｓｂの電圧が−２Ｖよりも大きい場合、有機ＥＬ素子１６にかかる電圧の変化に対する発光電流の変化が少ないことがわかる。すなわち、出力スイッチ２６をオンさせるときの第２制御信号Ｓｂの電圧を、第１電圧電源線Ｖｓｓの電圧に、最高階調表示時、つまり、白表示時に有機ＥＬ素子１６にかかる電圧を加えた値、より大きい値にすることにより、有機ＥＬ素子の電流−電圧特性のバラツキによる発光電流バラツキ、すなわち輝度バラツキを抑えることが可能となる。
【００２７】
以上のように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法によれば、表示素子の電流−電圧特性のバラツキによる発光電流バラツキ、すなわち、輝度バラツキを抑えることができる。これにより、有機ＥＬ表示装置の表示品位向上を図ることができる。
【００２８】
次に、この発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。図５は有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示している。第２の実施形態によれば、表示画素の画素回路１８は、電圧信号からなる映像信号に応じて有機ＥＬ素子１６の発光を制御する電圧駆動方式の画素回路として形成されている。
【００２９】
すなわち、図５に示すように、画素回路１８は、駆動トランジスタ２２、画素スイッチ２０、第１スイッチ２４、出力スイッチ２６、および保持容量Ｃｓを備えている。駆動トランジスタ２２、画素スイッチ２０、および出力スイッチ２６は、ここでは同一導電型、例えばＰチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。本実施形態において、画素回路１８を構成する薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００３０】
駆動トランジスタ２２、出力スイッチ２６、および有機ＥＬ素子１６は、第１電圧電源線Ｖｓｓと第２電圧電源線Ｖｄｄとの間で直列に接続されている。駆動トランジスタ２２は、そのソースが第２電圧電源線Ｖｄｄに接続され、有機ＥＬ素子１６は、カソードが第１電圧電源線Ｖｓｓに接続されている。第１電圧電源線Ｖｓｓおよび第２電圧電源線Ｖｄｄは、例えば、−９Ｖおよび＋６Ｖの電位にそれぞれ設定される。駆動トランジスタ２２は、その第１端子、ここではソースが第２電圧電源線Ｖｄｄに接続されている。有機ＥＬ素子１６は、一方の電極、ここではカソードが第１電圧電源線Ｖｓｓに接続されている。
【００３１】
出力スイッチ２６は、そのソースが駆動トランジスタ２２の第２端子、ここではドレインに接続されている。出力スイッチ２６は、そのドレインが有機ＥＬ素子１６のアノードに接続され、更に、ゲートが第２走査線Ｓｇｂに接続されている。
【００３２】
駆動トランジスタ２２は、映像信号に応じた電流量の発光電流を有機ＥＬ素子１６に出力する。出力スイッチ２６は、第２走査線Ｓｇｂからの第２制御信号Ｓｂによりオン（導通状態）、オフ（非導通状態）が制御され、駆動トランジスタ２２と有機ＥＬ素子１６との接続、非接続を制御する。
【００３３】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタ２２の第１端子、制御端子間、ここではソース、ゲート間に接続され、映像信号により決定される駆動トランジスタ２２のゲート制御電位を保持する。画素スイッチ２０は、対応する映像信号線Ｘ（１〜ｎ）と駆動トランジスタ２２のゲートとの間に接続され、そのゲートは第１走査線Ｓｇａに接続されている。画素スイッチ２０は、第１走査線Ｓｇａから供給される第１制御信号Ｓａ（１〜ｍ）に応答してオン、オフされ、対応する映像信号線Ｘ（１〜ｎ）から階調電圧としての信号電圧を取り込む。
【００３４】
画素回路１８の動作は、映像信号書込み動作および発光動作に分けられる。映像信号書込み動作において、画素スイッチ２０がオン（導通状態）、出力スイッチ２６がオフ（非導通状態）となるような第１、第２制御信号Ｓａ、Ｓｂ、ここでは、第１制御信号Ｓａがローレベル、第２制御信号Ｓｂがハイレベルとして出力される。これにより、画素スイッチ２０がオン（導通状態）、出力スイッチ２６がオフ（非導通状態）に切換えられ、映像信号書込み動作が開始される。
【００３５】
映像信号書込み期間において、信号線駆動回路１５から対応する映像信号線Ｘ（１〜ｎ）に供給された映像信号電圧Ｖｄａｔａは画素スイッチ２０を介して、選択された表示画素ＰＸに供給される。表示画素ＰＸにおいて、画素スイッチ２０はオン状態にあり、取り込まれた映像信号電圧Ｖｄａｔａは駆動トランジスタ２２に供給され、映像信号電圧Ｖｄａｔａに対応した駆動トランジスタ２２のゲート、ソース間電位が保持容量Ｃｓに書き込まれる。
【００３６】
次に、制御信号Ｓａがハイレベル（オフ電位）となり、画素スイッチ２０がオフとなる。これにより、映像信号書込み動作が終了する。続いて、第２制御信号Ｓｂがローレベルとなり、出力スイッチ２６がオンとなる。これにより、発光動作が開始する。発光期間において、駆動トランジスタ２２は、保持容量Ｃｓに書き込まれたゲート制御電圧により導通状態に維持され、第２電圧電源線Ｖｄｄから映像信号電圧Ｖｄａｔａに対応した電流量の発光電流を出力スイッチ２６側へ供給する。この発光電流は、出力スイッチ２６を通った後、有機ＥＬ素子１６に供給される。これにより有機ＥＬ素子１６が発光し、発光動作が開始される。そして、有機ＥＬ素子１６は、１フレーム期間後に、再び第２制御信号Ｓｂがオフ電位となるまで発光状態を維持する。
【００３７】
この発光時の動作は、前述し第１の実施形態に係る電流駆動方式の有機ＥＬ表示装置と同じである。そこで、第１実施形態と同様に、第２の実施形態によれば、出力スイッチ２６をオンさせるときの第２制御信号Ｓｂの電圧を、第１電圧電源線Ｖｓｓの電圧に、最高階調表示時、つまり、白表示時に有機ＥＬ素子１６にかかる電圧を加えた値、より大きい値、例えば、−２Ｖあるいは０Ｖに設定されている。これにより、有機ＥＬ素子の電流−電圧特性のバラツキによる発光電流バラツキ、すなわち輝度バラツキを抑えることが可能となる。
【００３８】
以上のように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法によれば、表示素子の電流−電圧特性のバラツキによる発光電流バラツキ、すなわち、輝度バラツキを抑えることができる。これにより、有機ＥＬ表示装置の表示品位向上を図ることができる。
【００３９】
第２の実施形態において、有機ＥＬ表示装置の他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。そして、第２の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４０】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００４１】
例えば、前述した実施形態において、薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコンで構成することも可能である。表示画素を構成する自己発光素子は、有機ＥＬ素子に限定されず自己発光可能な様々な表示素子を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、前記有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図３】図３は、前記有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子にかかる電圧と、有機ＥＬ素子の発光電流比との関係を示す図。
【図４】図４は、前記有機ＥＬ素子にかかる電圧７Ｖに対する８Ｖの場合の電流低下率が、出力スイッチをオンさせる制御信号の電圧に対してどのように変化するかを示す図。
【図５】図５は、この発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素回路の等価回路を示す平面図。
【符号の説明】
【００４３】
８…絶縁基板、  １０…有機ＥＬパネル、１１…表示領域、１２…コントローラ、
１４…走査線駆動回路、  １５…信号線駆動回路、  １６…有機ＥＬ素子、
１８…画素回路、  ２０…画素スイッチ、  ２２…駆動トランジスタ、
２４…第１スイッチ、  ２６…出力スイッチ、  Ｃｓ…保持容量、
Ｖｓｓ…第１電圧電源線、  Ｖｄｄ…第２電圧電源線、
【図１】
2009157284.tif 000003
【図２】
2009157284.tif 000004
【図３】
2009157284.tif 000005
【図４】
2009157284.tif 000006
【図５】
2009157284.tif 000007