(57)【要約】【課題】大面積化が可能で、放熱性、絶縁性に優れるフラットパネルディスプレイ用の紫外ＥＬ発光素子に使用される基板を提供する。【解決手段】単結晶状のＡｌ板の表面に、厚さ５〜８０nmの配向性に優れた結晶質のＡｌＮ層を設ける。  このＡｌＮ層としては、酸化物層を介することなくＡｌ板上に直接形成されていることが、さらには、Ａｌ板表面の酸化物除去後に、気相法で形成されたものが好ましい。  導電性を有する単結晶状Ａｌ板を基材としているため透明導電膜を形成する必要はなく、また、Ａｌ板の表面に形成したＡｌＮ層は絶縁耐圧性に優れるばかりでなく、放熱性にも優れる。  したがって、性能に優れたＥＬ発光素子用基板が安価に提供できる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶状アルミニウム板と、その表面に形成された厚さ５〜８０nmの配向性に優れた結晶質の窒化アルミニウム層からなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス発光素子用基板。
【請求項２】
前記窒化アルミニウム層が、５MV／cm以上の絶縁耐圧を有している請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス発光素子用基板。
【請求項３】
前記窒化アルミニウム層が、酸化物層を介することなくアルミニウム板上に直接形成されている請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス発光素子用基板。
【請求項４】
前記窒化アルミニウム層が、単結晶状アルミニウム板表面の酸化物除去後に、気相法で形成されたものである請求項１〜３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス発光素子用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示、通信、記録機器などの分野で商品化されている、発光素子などの半導体デバイス用基板に関するもので、特にフラットパネルディスプレイ用の紫外エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）発光素子に使用される基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今、表示、通信、記録機器など多くの分野で、発光素子などの半導体デバイスが用いられている。特に、フラットパネルディスプレイの分野では、ＬＥＤ素子（Light Emitting Diode）による光の三原色が実現したことにより、高輝度、高視野角なディスプレイの開発が可能となり、ＬＥＤ素子を用いた屋外用大画面フラットパネルディスプレイの商品化が進んでいる。
この優れた表示能力をもつディスプレイは非常に魅力的であり、家庭用サイズの商品の開発が待たれている。しかし、ＬＥＤ素子の単価は依然として高く、しかも、家庭用サイズのディスプレイにはＬＥＤ素子を高密度に配置する必要があるため、現状では高価なディスプレイとなってしまうという問題があった。
【０００３】
そこで、低コストで高密度に集積可能なフラットパネルディスプレイとして、ＬＥＤ素子に代えて、発光層として窒化ガリウム（ＧａＮ）薄膜を用いた二重絶縁構造のＥＬ発光素子を用いることが検討されるようになっている。そして、ＧａＮおよびその混晶を用いたIII族窒化物半導体が、高輝度な紫外〜緑、白色ＬＥＤ素子に応用されようとしている。
例えば、特許文献１には、ＧａＮ薄膜を用いた二重絶縁構造のＥＬ発光素子を用いたフラットパネルディスプレイについて記載されている。
【０００４】
ところで、安価な半導体デバイスの作製には、安価な基板を用いることが必要である。
従来、フラットパネルディスプレイ用の基板としては、特許文献２に記載されているように、ガラス基板が用いられていた。ガラスは透明で大面積の基板を作製することが可能であるが、ガラスが絶縁体であって、ガラス基板から直接電極をとることができないため、ガラス基板表面に透明導電膜を形成する必要があった。また、放熱性がよくないという問題があった。
この問題を解決するために、特許文献３には、フラットパネルディスプレイ用の基板としてアルミニウム基板を用いることが提案されている。
【０００５】
アルミニウム基板は、導電性があるため基板から直接電極がとれることに加え、放熱性が良いこと、大面積の基板を作製することが可能であること、低コストであることなど、多くの利点がある。
このアルミニウム基板を用いてＥＬ発光素子を作製するには、図１に示すように、発光層（例えばＧａＮ系薄膜）を二重絶縁構造で挟む構造にする必要がある。そのため、アルミニウム基板表面への絶縁膜の形成が必要となる。そして、その絶縁膜には交流電圧を加えたときにリークしないだけの耐圧が要求される。
【０００６】
従来、この絶縁膜として、例えば特許文献３に記載されるように、誘電率が大きい酸化ガリウム（Ｔａ2Ｏ5）などをスピンコート法により形成したものを用いていた。スピンコート法による薄膜形成は、簡便で、低コストの方法ではあるが、大面積の基板に均一な薄膜を形成することが困難なため大画面のディスプレイ用の基板への応用には適さない。また、絶縁膜の形成と発光層の形成プロセスを別の装置で行う必要があるため、連続した処理ができず、生産効率がよくないという問題があった。
【０００７】
本発明者らは、特許文献４、５で、表層部に電子材料、音響材料などに用いるに適した窒化アルミニウム層（以下、「ＡｌＮ層」とも記す。）を形成したアルミニウム板（以下、「Ａｌ板」とも記す。）およびその製法を提案した。しかし、このＡｌＮ層を形成したＡｌ板は、イオン注入法を用いて作製するため、フラットパネルディスプレイ用のような大面積の基板の作製は困難である。しかも、不純物の混入を避けるためには厳重な工程管理が必要であり、ＥＬ発光素子の絶縁層として用いるに十分な絶縁耐圧を有するものは高価であった。
【０００８】
【特許文献１】Tohru Honda, Miwako Akiyama, Shinichi Egawa,Yohta Aoki, Naoyuki Obinata, and Hideo Kawanishi, Physica Status Solidi (a),vol. 201, No. 12, 2814-2817, 2004.
【特許文献２】特開２００８−１０３９８号公報
【特許文献３】K. Sugimoto, S. Egawa, M. Arai and T.Honda, Physica Status Solidi (c), vol. 4, No. 1, 53-56, 2007.
【特許文献４】特公平５−２４２３０号公報
【特許文献５】特公平４−６５０３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記したように、発光素子などの半導体デバイス用基板、特にフラットパネルディスプレイ用の紫外ＥＬ発光素子に使用される基板は、導電性を有すること、大面積の基板を作製することが可能であること、放熱性に優れることが必要である。
そして、導電性を有し、大面積のものが作製可能で、放熱性に優れるＡｌ板を紫外ＥＬ発光素子用の基板として用いようとすると、Ａｌ板上に絶縁膜を設けることが必要である。その絶縁層は、電圧を加えたときにリークを生じないだけの耐圧性を有するとともに、Ａｌ板との接着性および発光層などの半導体層との接着性を備えることが必要である。
【００１０】
本発明は、このような問題を解消すべく案出されたものであり、導電性と放熱性を有する基板であって、大面積化が可能であることとともに、その上に形成する発光層などの半導体層との絶縁耐圧性、接着性に優れた安価なエレクトロルミネッセンス発光素子用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のエレクトロルミネッセンス発光素子用基板は、上記の課題を解決するために、単結晶状アルミニウム板と、その表面に形成された厚さ５〜８０nmの配向性に優れた結晶質の窒化アルミニウム層からなることを特徴とする。
前記窒化アルミニウム層は、５MV／cm以上の絶縁耐圧を有していることが好ましい。
また、前記窒化アルミニウム層は、酸化物層を介することなくアルミニウム板上に直接形成されていることが好ましい。そして、単結晶状アルミニウム板表面の酸化物除去後に、気相法で形成されたものが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のエレクトロルミネッセンス発光素子用基板は、単結晶状Ａｌ板を基材としている。このため、導電性を有するので透明導電膜を形成する必要がないことはもちろんのこと、大面積の基板が容易に作製できる。また、粒界がほとんどないため通常のＡｌ基板と比べ放熱性に優れたものである。
また、Ａｌ板の表面に形成したＡｌＮ層は絶縁耐圧性に優れるばかりでなく、放熱性にも優れる。そして、このＡｌＮ層をＡｌ板の表面に形成されている酸化物層を除去した後に供給したＮＨ3ガスで窒化・形成されたものとすると、Ａｌ板との接着性が極めて良好となる。
さらに、本発明のエレクトロルミネッセンス発光素子用基板は、その作製コストが廉価であるばかりでなく、ＡｌＮ層の形成とこのＡｌＮ層上への半導体薄膜の形成を同じ装置で連続して行うことができるため、結果として、半導体デバイスを低コストで提供できることになる。
【００１３】
そして、本発明エレクトロルミネッセンス発光素子用基板を、ＧａＮおよびその混晶を用いたIII族窒化物半導体薄膜を発光層とするＥＬ発光素子の基板として用いると、絶縁層を構成するＡｌＮと発光層を構成するＧａＮの結晶構造がともにウルツ鉱構造の六方晶であり、格子定数のミスマッチも小さいため、ＡｌＮ層上には高品質なＧａＮ層を成長させることができる。また、両者の接着性も良好である。さらに、ＡｌＮのバンドギャップは６．２eVと、ＧａＮの３．４eVよりワイドであることから、ＧａＮ発光層で励起されたキャリアのＡｌＮ絶縁層内での閉じ込めにより、発光強度の向上も期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明者らは、発光素子などの半導体デバイス用基板、特に、大面積の絶縁基板を安価に製造する必要のあるフラットパネルディスプレイ用の紫外ＥＬ発光素子に使用される基板について鋭意検討を重ねてきた。
その過程で、単結晶状のアルミニウム板の表面に厚さ５〜８０nmの配向性に優れた結晶質のＡｌＮ層を有するＡｌ基板が、十分な絶縁耐圧を有し、放熱性に優れ、容易に大面積の基板を得ることができるものであることを見出した。
【００１５】
ところで、本発明における単結晶状のＡｌとは、粒界が少なく、結晶方位がそろった結晶構造、すなわち単結晶に近い結晶構造を示すＡｌを言う。このような単結晶に近い結晶構造を有するＡｌ板は、粒界が少ないため放熱性が良好になる。しかも、その表面に形成されるＡｌＮ層の結晶構造に影響し、配向性に優れた結晶質のＡｌＮ層の形成に寄与する。
単結晶に近い結晶構造を示すＡｌ材は、例えば、ゾーンメルティング法を用いて製造することができる。また、簡便な方法として、偏析法によって得られたグレインが大きな結晶からなるものを得ても良い。
このようなＡｌ材を素材とし、例えばその（１１１）面を切り出したＡｌ板を、ＡｌＮ層を形成する基材とする。
【００１６】
Ａｌ板上に形成されるＡｌＮ層は、放熱性を良好にするため、配向性に優れた結晶質のものとする必要がある。放熱性向上の観点からは、粒界がない単結晶状の結晶構造であることが望ましい。また、十分な絶縁耐圧を得るために、ＡｌＮ層の厚さは５〜８０nmである必要がある。ＡｌＮ層の厚さが５nmに満たないと、絶縁耐圧が十分でなくなり、電圧を加えたときにリークを生じる虞がある。８０nmを超える程に厚くなるとＡｌＮ層の厚さが厚くなりすぎ、基板全体としての放熱性が低くなる。ＡｌＮ層の厚さは、１０〜３０nm程度とすることがより好ましい。
絶縁耐圧の点から見ると、ＡｌＮ層は、５MV/cm以上の絶縁耐圧を有するものとすることが好ましい。耐圧が５MV/cmより低いと、必要な電圧を加えたときリークが生じるなどして、半導体デバイス用基板の絶縁層として十分でない。
【００１７】
以下に、Ａｌ板上にＡｌＮ層を形成する方法について説明する。
まず、単結晶状のＡｌからなる板材を用意する。たとえば、偏析法によって得られたグレインが大きな結晶からなるＡｌ材から、目的とする結晶方位の面を表面とするようにして所定の大きさの板材を切り出す。純度は４Ｎ〜５Ｎ程度とすることが好ましい。
切り出したＡｌ板の表面を鏡面研磨する。研磨はＳｉＣ（炭化珪素）エメリー紙の１２０番、３２０番、６００番と順に大きくした後、ダイヤモンドペースト６μm、マゴメット（ＭｇＯ粉末研磨剤）１μmで仕上げることが好ましい。
【００１８】
研磨したＡｌ板を有機溶剤で洗浄し、酸化皮膜を除去した後、表面を窒化処理することによりＡｌＮ層を形成する。
Ａｌ板上へのＡｌＮ層の形成は、Ａｌ板上の表面酸化皮膜がＮＨ3による窒化処理を阻害する問題があることがよく知られている。また、ＮＨ3による窒化処理ではＮＨ3から分解した原子状のＮの熱拡散を利用しているため、基板温度はできるだけ高くした方が、効率よく窒化が行われる。しかしながら、Ａｌの融点はほぼ６６０℃であるため、Ａｌ板の加熱はこの融点以下に制限される。６６０℃以下のＡｌ板温度では、導入したＮＨ3の分解率は少なく、効率よい窒化が期待できないという問題もある。
【００１９】
本発明法でＡｌ板上にＡｌＮ層を形成する方法では、前処理として緩衝フッ酸溶液であるＢＨＦ溶液（ＮＨ4Ｆ/ＨＦ/Ｈ2Ｏ)に浸漬して５〜１５分の攪拌を行い、Ａｌ板表面の酸化物層を除去する。その後、真空容器内でＡｌ板温度６００℃以上６６０℃未満、３〜３０分のサーマルクリーニング処理を施して残存するＦ分を除去する工程を経てから、ＮＨ3を導入して基板温度６００℃以上６６０℃未満、窒化時間１〜１０ｈの窒化処理を行うことでＡｌＮを形成することによって製造することができる。
以下、詳述する。
【００２０】
研磨したＡｌ板を有機溶剤で洗浄し、その後、酸化皮膜を除去する目的で前記ＢＨＦ溶液に浸漬する。ＢＨＦ溶液は一般のシリコン半導体ウエハの湿式エッチング工程において、シリコン酸化膜のエッチングおよびウエハ表面のパーティクル除去のために使われる溶液として広く知られているものである。浸漬して攪拌する時間は５〜１５分とする。５分より短いと酸化皮膜の除去が不十分で、また１５分より長くしてもそれ以上の除去効果がないため、５〜１５分の範囲で攪拌するのが好ましい。
ＢＨＦ溶液への浸漬後、真空容器内で基板温度を６００℃以上６６０℃未満、好ましくは６５０℃で、３〜３０分、好ましくは１５分間のサーマルクリーニングを行う。サーマルクリーニングにより、前工程で用いたＢＨＦ溶液に含まれるＮＨ4Ｆ中のＦ（フッ素）がＡｌと反応して形成・残存されたＡｌＦ3（フッ化アルミニウム）が分解され、除去される。
【００２１】
次に、ＮＨ3ガスを用いた窒化処理を行う。ＮＨ3としては純度５Ｎ以上のものを用いることが好ましい。基板温度が６００℃以上６６０℃未満の範囲で、ＮＨ3ガス流量２〜５ccm、窒化時間１〜１０ｈとする。基板温度が６００℃に満たないととＮＨ3から分解したＮのＡｌ中での効率的な拡散が進行しない。また温度が６６０℃以上になる程に高いとＡｌの融点を超え、Ａｌ板が溶融してしまう。
このとき、真空容器に供給するＮＨ3ガスは、ＮＨ3分解を促進するため予め外部で６６０〜７５０℃に加熱して供給する。前記のようにＡｌ板温度を６６０℃以上にあげられない問題を、予め加熱したＮＨ3ガスを供給する方法でＮＨ3分解を促進させることで効率的な窒化を行うことができる。
以下、具体的製造例に基づく実験結果により説明する。
【実施例】
【００２２】
製造例１
製造した基板の表面をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により分析し、表面層における化学結合状態、すなわち、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｎの結合エネルギーを測定することにより、Ａｌ酸化膜やＡｌＮ形成状況を調べた。
まず、図２は、偏析法によって得られたグレインが大きな結晶からなるＡｌ材から、（１１１）方位の面を表面とするようにして切り出すことによって作製した単結晶状の１０ｍｍ角のＡｌ板表面を、Ａｒ（アルゴン）イオンビームを用いて３．２×１０-2nm／secのエッチングレートでエッチングしたときの、Ａｌ ２ｐ軌道スペクトルの経時変化をＸＰＳで分析した結果を示したものである。Ａｒイオンビームエッチングの時間を０〜１５００秒とし、深さ方向の結合状態の測定を行った。なお、以下に記載するＡｒイオンビームエッチングも上記のエッチングレートで行われたものである。
図２から、エッチング時間が５００秒までＡｌ−Ｏの結合が非常に支配的であることがわかる。Ａｒイオンビームエッチングのエッチングレートが３．２×１０-2nm／secであることからＡｌ板の表面酸化膜の膜厚は約１６〜４８nm程度であると考えられる。これが通常、窒化処理を阻害している。
【００２３】
次に、この単結晶状のＡｌ板を有機溶剤で洗浄し、その後ＢＨＦ溶液を用いて１０分間の浸漬・攪拌処理を行った。浸漬・攪拌処理後、真空容器にて板温度６５０℃で１５分間サーマルクーニングを行った。
図３は、ＢＨＦ処理後サーマルクリーニングしたＡｌ板表面をＡｒイオンビームでエッチングしたときの、Ａｌ ２ｐ軌道スペクトルの経時変化をＸＰＳで分析した結果を示したものである。エッチング時間０秒でＡｌ−ＯとAl metalのピーク強度が等しいことから、ＢＨＦ処理後サーマルクリーニングを行うことでＡｌ板表面の酸化膜が除去されたと考えられる。なお、このとき検出されたＡｌ−Ｏ結合はＡｌ板をＸＰＳ測定のために大気中に出したことにより生成した酸化物に起因するものと考えられる。
【００２４】
図４は、（ａ）ＢＨＦ処理後のＡｌ板、および（ｂ）ＢＨＦ処理後サーマルクリーニングを行ったＡｌ板の表面をＡｒイオンビームでエッチングしたときの、ＸＰＳ Ｆ １ｓ軌道スペクトルの経時変化を示したものである。図４（ａ）よりＢＨＦ処理をすることでＡｌ板表面にＡｌＦ3が形成されることがわかる。そして、図４（ｂ）よりＡｌＦ3は真空中でＡｌ板温度６５０℃、１５分間サーマルクリーニングを行うことで消失することがわかる。従ってＢＨＦ処理後のサーマルクリーニングはＡｌＦ3の除去に有効であることがわかる。
以上の結果から、ＢＨＦ処理により酸化膜を除去可能であるが、ＢＨＦ溶液中のＮＨ4ＦとＡｌが反応して生成したＡｌＦ3を除去するため、ＢＨＦ処理後サーマルクリーニングが有効かつ不可欠であると判明した。
【００２５】
製造例２
製造例１で得られたＢＨＦ処理後サーマルクリーニングを行うことにより表面の酸化膜を除去した単結晶状のＡｌ板に対し、ＮＨ3ガスを導入して窒化処理を行い、その表面にＡｌＮの形成を行った。
窒化処理は、Ａｌ板温度：６５０℃、流量：２ccm、窒化時間：３ｈの条件で行った。導入したＮＨ3ガスは純度５Ｎ以上とし、供給時のＮＨ3温度を室温、および外部で７００℃に加熱したＮＨ3ガスの２種類で実施した。
ＸＰＳ深さ方向分析で測定した結果、形成されたＡｌＮ層の厚さはおよそ３０nmであった。
【００２６】
図５、図６は、ＮＨ3ガス供給時の温度を７００℃に加熱して窒化処理したＡｌ板表面を、Ａｒイオンビームエッチングしたときの、Ａｌ ２ｐ軌道スペクトル、Ｎ １ｓ軌道スペクトルの経時変化をＸＰＳで分析した結果を示したものである。ＮＨ3ガス供給時の温度を７００℃に加熱して窒化したサンプルでは、図５、図６に示すスペクトルからわかるように、Ａｌ ２ｐ軌道に７４eV、Ｎ １ｓ軌道に３９７eVにピークが観測された。この結合エネルギーの値は、下記［１］［２］で示す文献値としてのＡｌＮのピーク値と一致している。また、図５、図６のスペクトルの経時変化で、エッチング時間１０００秒でもピークが観測されていることから、深さ方向に対しても窒化されていることがわかる。
【００２７】
これに対し、同様な測定を行っても、ＮＨ3ガス供給時の温度が室温で作製したサンプルではＸＰＳ Ａｌ ２ｐ軌道及び、Ｎ １ｓ軌道にＡｌ−Ｎ結合のピークを観測することができなかった。
［１］ M.Losurdo, P.Capezzuto, G.Bruno,  J.Appl.Phys. 88, 2138(2000)
［２］ Y.Cho, Y.Kim, E.R.Weber, S.Ruvimov, And Z.Liiental-Weber, J.Appl.Phys.
85, 7909(1999)
【００２８】
Ａｌ板表面の結晶構造の変化を調べるため、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子回折）を用いた分析を行った。
図７は、窒化前後のＲＨＥＥＤパターンの変化を示す。図７（ａ）は、ＢＨＦ処理後（サーマルクリーニング前）、（ｂ）は、ＢＨＦ処理＋サーマルクリーニング後、（ｃ）は、（ｂ）の窒化処理後の各ＲＨＥＥＤパターンをそれぞれ示す。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各ＲＨＥＥＤパターンは変化しており、各表面構造を反映したパターンを示している。このことから、サーマルクリーニング後の窒化処理で表面にＡｌＮの形成が示唆される。
【００２９】
さらに、外部で７００℃に加熱したＮＨ3ガスを用いて窒化処理を行った後のＡｌ板表面の結晶構造を同定するため、Ｘ線回折による分析を行った。図８のＸ線回折パターンをみると、Ａｌ基板表面には、（１００）に配向したＡｌＮの回折ピークが検出されており、ＡｌＮの形成が確認できた。これは、加熱ＮＨ3ガスを供給することで反応エネルギーを補うことができたことによりＡｌ板表面が窒化されたと考えられる。
【００３０】
比較製造例１：Ｈ2クリーニングとの比較
Ａｌ板を有機溶剤で洗浄し、その後真空容器中で基板温度６５０℃、水素流量２ccm、クリーニング時間を１−１３時間としてＨ2クリーニングを行った。
図９にＨ2クリーニング後のＡｌ板表面をＡｒイオンビームでエッチングしたときの、ＸＰＳ Ａｌ ２ｐ軌道スペクトルの経時変化を示す。Ｈ2クリーニング後ではエッチング時間１００秒でAl metalのピークが支配的になることから、酸化膜が減少していることがわかる。しかし、製造例２と同様の２つの方法でＡｌ板表面を窒化処理したものについて、測定を行っても、いずれもＡｌ−Ｎの結合を検出することはできなかった。また、Ｈ2クリーニング前後のＲＨＥＥＤパターンを観察した結果、水素クリーニング前後でＲＨＥＥＤパターンの大きな変化は見られず、ＸＰＳ分析結果と対応した結果を得た。
以上の結果から、Ａｌ板のＨ2クリーニングは表面酸化膜を減少させる効果はあるが、酸化皮膜を除去するには至らないことがわかった。この表面酸化膜の影響で、ＡｌＮの形成も確認できなかった。
【００３１】
実施例１
製造例２で製造したＡｌＮ層を有するＡｌ板について、ＡｌＮ層の絶縁耐圧を測定した。電流―電圧測定した結果、絶縁破壊電圧はほぼ３０Ｖであった。
また、ＴＥＭ断面観察、およびＸＰＳ深さ方向分析により、Ａｌ板上に形成されたＡｌＮ層の厚さを推定した結果、約３０nmであった。
以上の結果から、絶縁耐圧は約３０V/３０nm＝１０MV/cmとなる。エレクトロルミネッセンス発光素子用の基板として十分に使用できるものであることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】Ａｌ基板を用いたＥＬ発光素子構造の概要を説明する図
【図２】Ａｌ板表面をＸＰＳ分析したときのＡｌ ２ｐ軌道スペクトルの経時変化
【図３】ＢＨＦ処理＋サーマルクリーニング後のＡｌ板表面をＸＰＳ分析したときのＡｌ ２ｐ軌道スペクトルの経時変化
【図４】Ａｌ板表面をＸＰＳ分析したときのＦ １ｓ軌道スペクトルの経時変化  （ａ）ＢＨＦ処理後、  （ｂ）ＢＨＦ処理＋サーマルクリーニング後
【図５】窒化処理後のＡｌ板表面をＸＰＳ分析したときのＡｌ ２ｐ軌道スペクトルの経時変化
【図６】窒化処理後のＡｌ板表面をＸＰＳ分析したときのＮ １ｓ軌道スペクトルの経時変化
【図７】Ａｌ板表面のＲＨＥＥＤパターンの変化      （ａ）ＢＨＦ処理後（サーマルクリーニング前）、（ｂ）ＢＨＦ処理＋サーマルクリーニング後、（ｃ）窒化処理後
【図８】加熱アンモニアガスによる窒化処理後のＡｌ板表面のＸＲＤ回折パターン
【図９】Ｈ2クリーニング後のＡｌ板表面をＸＰＳ分析したときのＡｌ ２ｐ軌道スペクトルの経時変化
【図１】
2009230982.tif 000002
【図２】
2009230982.tif 000003
【図３】
2009230982.tif 000004
【図４】
2009230982.tif 000005
【図５】
2009230982.tif 000006
【図６】
2009230982.tif 000007
【図８】
2009230982.tif 000008
【図９】
2009230982.tif 000009
【図７】
2009230982.tif 000010