(57)【要約】【課題】高周波ノイズが光電変換回路に伝達するのを抑制し、信頼性の高いデータ伝送を行えるようにした光通信装置及びそのシールド構造を提供する。【解決手段】ＦＧパターン３を有すると共に光電変換モジュール２及び制御ＩＣを搭載し、筐体７に固定されたベース基板１上には、光信号を電気信号に変換すると共にサブシールドケース２８を有した光電変換モジュール２が搭載されている。ＦＧパターン３は、配線パターン４Ａ，４Ｂ及び抵抗チップ２７Ａ，２７Ｂを介して光電変換モジュール２にグランド接続されている。配線パターン４Ａ，４Ｂには、導電性テープに金属粒子入りの粘着材を塗布して構成された表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂが設けられ、表皮効果により配線パターン４Ａ，４Ｂを伝導する高周波電流を抑制している。また、ＦＧパターン３と筐体７を接続する箇所には、表皮効果減衰部材１３が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を電気信号に変換する光電変換モジュールと、
前記光電変換モジュールから導出され、グランドに接続された導電体と、
前記導電体に設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、
を備えたことを特徴とする光通信装置。
【請求項２】
前記光電変換モジュールは、シールドケースを備え、
前記導電体は、前記シールドケースに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項３】
前記光電変換モジュールは、基板に搭載され、
前記導電体は、前記基板上に形成され、
前記表皮効果減衰部材は、前記基板上に前記導電体を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項４】
前記表皮効果減衰部材は、導電性テープと、前記導電性テープに塗布されると共に金属粒子が分散された粘着材とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項５】
前記表皮効果減衰部材は、前記導電体の前記光電変換モジュール側の端部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項６】
前記表皮効果減衰部材は、前記光電変換モジュールを搭載している基板が前記グランドにネジで固定される部位に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項７】
微弱な電気信号を出力するモジュールを搭載すると共に、前記モジュールに接続されるグランド用の導電体を有した基板と、
前記基板上に前記グランド用の導電体を覆うように設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、を備えたことを特徴とするシールド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信装置及びそのシールド構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル情報処理技術の飛躍的な進歩に伴い高速、大容量、高信頼性のデジタル通信技術が求められている。プリント配線板や金属電線を用いた信号伝送は、信号品質の劣化や電磁ノイズの影響により、データ転送速度、伝送距離に限界がある。そこで、画像データ等を光信号にして伝送することが行われている。
【０００３】
光信号にして伝送する場合、送信側では電気信号を半導体レーザ等の電気−光変換デバイスで光信号に変換して光ファイバ、光導波路等の光伝送媒体の一端に入射し、光伝送媒体の他端に光結合されたフォトダイオード（ＰＤ）等の光−電気変換デバイスや光電変換回路により光信号を電気信号に戻す方法がとられている。
【０００４】
光電変換回路は、例えば、光信号をフォトダイオードで受光して電流に変換し、更に電流をＴＩＡ（Transfer Impedance Amplifier）で差動電気信号に変換し、さらにＬＡ（limiting Amplifier）で増幅し、差動信号を出力する構成になっている。
【０００５】
ＴＩＡの入力はハイインピーダンスであり、また、光学系は全体を覆うシールドが施せない開口部を有するため、空間を伝搬してノイズが侵入する。また、筐体が受けた外乱ノイズが、ＧＮＤ（グランド）を伝達して侵入するノイズもある。
【０００６】
一般に、外来ノイズを防止する手段として、基板上の電子回路を覆う金属製のシールドケースが知られている（特許文献１参照）。また、高透磁率の導電性軟磁性体膜からなる高周波抑制体をリードフレームの外周に設け、表皮効果によりノイズを抑制する配線基板及び電子機器（特許文献２参照）や、ピンコンタクト及びソケットコンタクトを保持するインシュレータの表面に高周波電流抑制体を設けて高周波伝導ノイズを抑制するコネクタ（特許文献３参照）が知られている。
【０００７】
また、電子機器においては、ＥＳＤ（electrostatic discharge：静電気放電）に対する対策が要求されている。ＥＳＤは、帯電した人体、絶縁物等の導電性の物体が、他の導電性の物体（電子機器等）に接触または接近した際に高電圧の放電が生じる現象である。ＥＳＤが電子機器に生じると、誤動作や半導体素子の損傷等を招くことがある。
【特許文献１】実開昭６０−１９００９７号公報
【特許文献２】特開２００７−４３０９６号公報
【特許文献３】特開２００１−２８３９８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、高周波ノイズが光電変換回路に伝達するのを抑制し、信頼性の高いデータ伝送を行えるようにした光通信装置及びそのシールド構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光通信装置を提供する。
【００１０】
［１］光信号を電気信号に変換する光電変換モジュールと、前記光電変換モジュールから導出され、グランドに接続された導電体と、前記導電体に設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、を備えたことを特徴とする光通信装置。
【００１１】
［２］前記光電変換モジュールは、シールドケースを備え、前記導電体は、前記シールドケースに接続されていることを特徴とする前記［１］に記載の光通信装置。
【００１２】
［３］前記光電変換モジュールは、基板に搭載され、前記導電体は、前記基板上に形成され、前記表皮効果減衰部材は、前記基板上に前記導電体を覆うように設けられていることを特徴とする前記［１］に記載の光通信装置。
【００１３】
［４］前記表皮効果減衰部材は、導電性テープと、前記導電性テープに塗布されると共に金属粒子が分散された粘着材とを備えたことを特徴とする前記［１］に記載の光通信装置。
【００１４】
［５］前記表皮効果減衰部材は、前記導電体の前記光電変換モジュール側の端部に設けられていることを特徴とすることを特徴とする前記［１］に記載の光通信装置。
【００１５】
［６］前記表皮効果減衰部材は、前記光電変換モジュールを搭載している基板が前記グランドにネジで固定される部位に設けられていることを特徴とする前記［１］に記載の光通信装置。
【００１６】
また、本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下のシールド構造を提供する。
【００１７】
［７］微弱な電気信号を出力するモジュールを搭載すると共に、前記モジュールに接続されるグランド用の導電体を有した基板と、前記基板上に前記グランド用の導電体を覆うように設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、を備えたことを特徴とするシールド構造。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１の光通信装置によれば、高周波ノイズが光電変換回路に伝達するのを抑制し、信頼性の高いデータ伝送を行えるようにすることができる。
【００１９】
請求項２の光通信装置によれば、シールドケースを備えた光電変換モジュールに対する高周波ノイズを抑制することができる。
【００２０】
請求項３の光通信装置によれば、光電変換モジュール及び導電体が基板に設けられた構成における高周波ノイズを抑制することができる。
【００２１】
請求項４の光通信装置によれば、簡単かつ安価に表皮効果減衰部材を構成することができる。
【００２２】
請求項５の光通信装置によれば、ノイズを抑制するのに最適な場所を特定することができる。
【００２３】
請求項６の光通信装置によれば、ノイズを抑制するのに最適な場所を特定することができる。
【００２４】
請求項７のシールド構造によれば、外来ノイズ及びＥＳＤ試験時のノイズが光電変換回路に伝達するのを抑制し、データ伝送が高信頼に行えるようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
［第１の実施の形態］
（光通信装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。また、図２は、図１の光通信装置のＡ−Ａ線の断面図である。
【００２６】
光通信装置１００は、ベース基板１と、ベース基板１上に搭載された光電変換モジュール２と、ベース基板１上に設けられたＦＧ（フレームグランド）パターン３と、ベース基板１に設けられて光電変換モジュール２のグランドとＦＧパターン３とを電気的に接続する導電体としての配線パターン４Ａ，４Ｂと、受信信号を処理する制御ＬＳＩ５と、光電変換モジュール２に光コネクタ６２を介して接続された光伝送媒体６と、ベース基板１及び光電変換モジュール２を収容する金属製の筐体７とを備えて構成されている。
【００２７】
ベース基板１は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁基板からなり、ネジ１１及び導電性のスペーサ１２によって筐体７に固定されており、ベース基板１のＦＧパターン３と筐体７とは、電気的に接続されている。ネジ１１は、リング状の表皮効果減衰部材１３を介してスペーサ１２に螺子止めされている。表皮効果減衰部材１３の構成については図３を示して後記する。なお、ベース基板１は、更に複数組のネジ１１及びスペーサ１２によって筐体７に固定されている。
【００２８】
光電変換モジュール２は、ベース基板１の下側に配置されると共に光伝送媒体６の光コネクタ６２が挿入されるホルダ２１と、光伝送媒体６の光コネクタ６２に対向配置された受光デバイス２２と、受光デバイス２２が実装されたリジット基板２３と、リジット基板２３に接続されたフレキシブル基板２４と、フレキシブル基板２４に接続されたリジット基板２５と、リジット基板２５に接続された基板コネクタ２６と、配線パターン４Ａ，４Ｂの端部に一端が接続された抵抗チップ２７Ａ，２７Ｂと、抵抗チップ２７Ａ，２７Ｂの他端に接続されたグランド接続部２８ａ，２８ｂを有するサブシールドケース２８と、を備えて構成されている。
【００２９】
受光デバイス２２は、図示しないフォトダイオード等の受光素子と、受光素子からの微小な電流変化を電圧変化の差動電気信号に変換するＴＩＡ（Transfer Impedance Amplifier）と、さらにＴＩＡの差動出力信号を増幅するＬＡ（Limiting Amplifier）と、を備えて構成されている。ＴＩＡは、その入力部が、ノイズの影響を受けやすいハインピーダンスの構成になっている。
【００３０】
リジット基板２３は、受光デバイス２２とフレキシブル基板２４とを接続するもので、ホルダ２１に取り付けられている。
【００３１】
リジット基板２５は、フレキシブル基板２４を基板コネクタ２６に接続するもので、基板コネクタ２６に取り付けられている。
【００３２】
基板コネクタ２６は、ベース基板１の下面（裏面）に設けられた図示しない配線パターンにより、リジット基板２５からの信号を制御ＬＳＩ５へ出力している。
【００３３】
抵抗チップ２７Ａ，２７Ｂは、サブシールドケース２８のグランド基準電位の設定、放射ノイズ抑制対策を目的として設けられており、例えば、５〜１０Ωである。
【００３４】
サブシールドケース２８は、例えば真鍮等の金属板を箱型に加工したものであり、ホルダ２１、受光デバイス２２、リジット基板２３、フレキシブル基板２４、リジット基板２５及び光コネクタ６２を覆って外来ノイズを抑制する形状を有すると共に、上記グランド接続部２８ａ，２８ｂを備えている。
【００３５】
配線パターン４Ａ，４Ｂは、銅箔等による導電体であり、表皮効果減衰部材１３と同様な構成の表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂが貼着されている。表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂは、配線パターン４Ａ，４Ｂを覆う様にして配線パターン４Ａ，４Ｂの所定位置に貼着される。表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂの構成については、図３を示して後で説明する。
【００３６】
光伝送媒体６は、例えば光ファイバであり、端部に光プラグアダプタ６１が接続されており、更に光プラグアダプタ６１には上記光コネクタ６２が接続され、この光コネクタ６２が光電変換モジュール２に光結合される。
【００３７】
筐体７は、光通信装置１００の本体となるもので、図示しない電源装置等を備えて構成されている。
【００３８】
（表皮効果減衰部材の構成）
図３は、表皮効果減衰部材を示す断面図である。表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂと表皮効果減衰部材１３は、外形は異なるが断面構造は同じであり、導電性テープ２０１と、金属粒子２０２が分散された状態で導電性テープ２０１の片面に粘着された粘着材２０３とを備えて構成されており、所望の形状に裁断して使用する。
【００３９】
表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂ，１３は、筐体７と光電変換モジュール２のサブシールドケース２８の間に貼付する。表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂの大きさ（表面積）は、例えば、２０×２０ｍｍであり、また、表皮効果減衰部材１３の外径は、例えば、直径２０ｍｍ（この場合、スペーサ１２は直径６ｍｍ）である。
【００４０】
表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂ，１３の厚みは、表皮深さ（skin depth：表皮効果によって導電体を流れる電流の深さを言う）以上とする。表皮深さは、材料、使用周波数等によって異なるが、例えば、アルミニウムの場合、３００ＭＨｚにおいて４．６μｍである。
【００４１】
導電性テープ２０１は、例えば、厚みが２５０μｍであり、金属箔、金属薄板、導電性布等を用いることができる。具体的には、竹内工業株式会社製「ＴＲシリーズ」、北川工業株式会社製「ＣＳＴＫ」等の「導電布テープ」が最適である。
【００４２】
粘着材２０３は、例えば、厚みが５０μｍである。この場合、金属粒子２０２は、直径５０μｍ以下のものを用いる。
【００４３】
金属粒子２０２は、導電性を有し、且つ粘着材２０３との結合度に優れる形状を有するもの、例えば、銅製で、表面に凹凸や刺状物を有する粒状体を用いる。金属粒子２０２を設けたことにより、表皮効果で流れる電流は、導電性テープ２０１に流れると共に、金属粒子２０２の表面にも分散して伝導し、高周波電流を減衰させる効果を高めることができる。
【００４４】
（光通信装置の動作）
次に、図１に示す光通信装置１００の動作を説明する。図示しない送信側から光信号が光伝送媒体６に入射すると、その光信号は、光伝送媒体５を伝搬し、図２に示す光プラグアダプタ６１及び光コネクタ６２を介して受光デバイス２２に入射する。
【００４５】
受光デバイス２２は、光伝送媒体６からの光信号を受光素子で電気信号に変換し、更に増幅処理した信号を受信信号としてリジット基板２３へ出力する。受信信号は、リジット基板２３、フレキシブル基板２４及びリジット基板２５を介して基板コネクタ２６に伝送され、更に、ベース基板１の裏面の配線パターン（図示せず）を介して制御ＬＳＩ５に伝送される。制御ＬＳＩ５は、受信信号に基づいて、例えば画像信号を生成する。
【００４６】
一方、筐体７からのノイズは、スペーサ１２、ＦＧパターン３、配線パターン４Ａ，４Ｂ及び抵抗チップ２７Ａ，２７Ｂを介して光電変換モジュール２に侵入しようとするが、高周波数のノイズは導体の表面に集中する表皮効果が顕著になるため、ネジ１１に設けられた表皮効果減衰部材１３、及び配線パターン４Ａ，４Ｂに設けられた表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂによってノイズの伝導が阻止され、光電変換モジュール２への伝達が抑制される。本発明者らの検討によれば、３００ＭＨｚ以上まで表皮効果の減衰を確認することができた。
【００４７】
（ＥＳＤ試験）
次に、ＥＳＤ試験について説明する。ＥＳＤ試験は、例えば、「ＩＥＣ６１０００−４−２」等で、金属などの導電部に対して接触放電試験、非導電部に対して気中放電試験が適用される。試験条件は既定レベルにより設定されるが、接触放電で２〜８ｋＶ、気中放電で２〜１５ｋＶの高電圧が印加される。
【００４８】
放電電流の立ち上がり時間は０．７〜１ｎｓで極めて高速であり、その放電期間は、数十ｎｓの短時間である。電子機器の動作に影響を及ぼす場合、正常動作が一時的に損なわれても、再び正常状態に復帰すればよい場合もあるが、データ伝送では一時的に乱れた場合、致命的な伝送エラーとなる場合がある。
【００４９】
光電変換モジュール２に対するＥＳＤ試験の影響は、光電変換モジュール２の受光素子からの微少電流信号に対して現れる。このため、正常な差動信号がＥＳＤの印加期間に対応して逆相の信号乱れを生じる。しかし、ＥＳＤ試験時にスペーサ１２からＦＧパターン３に流れた放電電流は、通常のノイズと同様に表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂ，１３によって阻止され、放電電流の光電変換モジュール２への伝達が抑制される。
【００５０】
［第２の実施の形態］
（光通信装置の構成）
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。
【００５１】
光通信装置１００は、ベース基板８０と、ベース基板８０上に設けられたＩＣ８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃと、ベース基板８０の一辺に所定間隔に設けられた光電変換モジュール８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄと、光電変換モジュール８２Ａに接続された配線パターン８３Ａ、光電変換モジュール８２Ｂと光電変換モジュール８２Ｃとを接続する配線パターン８３Ｂ及び光電変換モジュール８２Ｄに接続された配線パターン８３Ｃと、配線パターン８３Ａ〜８３Ｄに設けられていると共に筐体７に接地された複数のスタッド８４と、配線パターン８３Ａ〜８３Ｄの所定の位置に設けられた表皮効果減衰部材８５Ａ，８５Ｂ，８５Ｃ，８５Ｄ，１３と、光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄと配線パターン８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃの各端部との間に設けられた抵抗チップ８７Ａ，８７Ｂ，８７Ｃ，８７Ｄと、光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄに接続された光ファイバ等による光伝送媒体８８Ａ，８８Ｂ，８８Ｃ，８８Ｄと、を備えて構成されている。
【００５２】
ＩＣ８１Ａ〜８１Ｃは、光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄからの電気信号を処理する回路からなる半導体デバイスである。
【００５３】
光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄは、同一仕様であり、第１の実施の形態における光電変換モジュール２と同様の構成を有している。従って、構成の詳細については説明を省略する。
【００５４】
配線パターン８３Ａ〜８３Ｄは、スタッド８４を介して筐体７に接地されている。従って、配線パターン８３Ａ〜８３Ｄは、グランド用である。
【００５５】
表皮効果減衰部材８５Ａ〜８５Ｄは、表皮効果減衰部材８Ａ，８Ｂと同様の構成を有している。表皮効果減衰部材８５Ａは、配線パターン８３Ａの光電変換モジュール８２Ａ側の端部に設けられ、表皮効果減衰部材８５Ｂ，８５Ｃは、配線パターン８３Ｂの光電変換モジュール８２Ｂ，８２Ｃ側の両端部に設けられ、表皮効果減衰部材８５Ｄは、配線パターン８３Ｃの光電変換モジュール８２Ｄ側の端部に設けられ、表皮効果減衰部材１３は、配線パターン８３Ａの他端に設けられている。
【００５６】
（光通信装置の動作）
次に、図４に示す光通信装置１００の動作を説明する。図示しない送信側から、光信号が光伝送媒体８８Ａ〜８８Ｄに同時に伝送されたとすると、４つの光信号は、光伝送媒体８８Ａ〜８８Ｄから光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄに入射する。
【００５７】
光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄは、入射した光信号を電気信号に変換し、これを受信信号として基板コネクタ２６から制御ＬＳＩ５へ出力する。制御ＬＳＩ５は、受信信号に基づいて、例えば画像信号を生成する。このとき、光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄのサブシールドケース（２８）は、抵抗チップ８７Ａ〜８７Ｄ、配線パターン８３Ａ〜８３Ｃ及びスタッド８４を介して接地される。
【００５８】
一方、筐体７からのノイズは、スタッド８４、配線パターン８３Ａ〜８３Ｃ及び抵抗チップ８７Ａ〜８７Ｄを介して光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄに侵入しようとするが、高周波数のノイズは導体の表面に集中する表皮効果が顕著になるため、抵抗チップ８７Ａ〜８７Ｄの近傍に設けられた表皮効果減衰部材８５Ａ〜８５Ｄによって阻止され、光電変換モジュール２への伝達が抑制される。また、長さのある配線パターン８３Ａにおいては、表皮効果減衰部材８５Ａに加え、表皮効果減衰部材１３が筐体７からのノイズを抑制する。
【００５９】
ＥＳＤ試験に対しても、第１の実施の形態と同様に、ＥＳＤ試験時にスタッド８４から配線パターン８３Ａ〜８３Ｃに流れた放電電流は、表皮効果減衰部材８５Ａ〜８５Ｄによって阻止され、放電電流の光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｄへの伝達が抑制される。
【００６０】
［第３の実施の形態］
（光通信装置の構成）
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。
【００６１】
本実施の形態における光通信装置１００は、上記筐体７と、ベース基板９０と、このベース基板９０に実装されたＩＣ８１Ａ及び上記駆動ＩＣ９１と、ベース基板９０の一辺に所定間隔に設けられた光送信モジュール（ＴＸ）９２及び光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃと、これらモジュールに接続された上記光伝送媒体８８Ａ〜８８Ｄと、光送信モジュール９２及び光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃに沿ってベース基板９０に設けられた帯状のＦＧパターン９３と、ＦＧパターン９３と筐体７とを電気的に接続する上記複数のスタッド８４と、ＦＧパターン９３と光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃ及び光送信モジュール９２とを接続する配線パターン９４Ａ，９４Ｂ，９４Ｃ，９４Ｄと、配線パターン９４Ｂ〜９４Ｄに設けられた上記表皮効果減衰部材８５Ａ，８５Ｂ，８５Ｃと、配線パターン９４Ｂ〜９４Ｄと光送信モジュール９２及び光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃのグランド端子とを接続する上記抵抗チップ８７Ａ，８７Ｂ，８７Ｃと、を備えて構成されている。
【００６２】
配線パターン９４Ａは、送信用であり、ノイズの影響を受けないため、表皮効果減衰部材は設ける必要がない。
【００６３】
（光通信装置の動作）
次に、図５に示す光通信装置１００の動作を説明する。駆動ＩＣ９１が動作すると、光送信モジュール９２は、光信号を光伝送媒体８８Ａへ出力する。光伝送媒体８８Ａを伝搬した光信号は、図示しない受信側の基板に設けられた光電変換モジュールによって受信される。
【００６４】
一方、図示しない送信側から、光信号が光伝送媒体８８Ａ〜８８Ｃに同時に伝送されたとすると、４つの光信号は、光伝送媒体８８Ａ〜８８Ｃから光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃに入射する。
【００６５】
光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃは、入射した光信号を電気信号に変換し、これを受信信号として基板コネクタ２６から制御ＬＳＩ５へ出力する。制御ＬＳＩ５は、受信信号に基づいて、例えば画像信号を生成する。このとき、光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃのサブシールドケース（２８）は、抵抗チップ８７Ａ〜８７Ｃ、配線パターン９４Ａ〜９４Ｃ、ＦＧパターン９３及びスタッド８４を介して接地される。
【００６６】
一方、筐体７からのノイズは、スタッド８４、ＦＧパターン９３、配線パターン９４Ａ〜９４Ｃ及び抵抗チップ８７Ａ〜８７Ｃを介して光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃに侵入しようとするが、高周波数のノイズは導体の表面に集中する表皮効果が顕著になるため、抵抗チップ８７Ａ〜８７Ｃの近傍に設けられた表皮効果減衰部材８５Ａ〜８５Ｃによってノイズの伝導が阻止され、光電変換モジュール２への伝達が抑制される。
【００６７】
ＥＳＤ試験に対しては、第２の実施の形態と同様に、ＥＳＤ試験時にスタッド８４からＦＧパターン９３を経て配線パターン９４Ｂ〜９４Ｄに流れた放電電流は、表皮効果減衰部材８５Ａ〜８５Ｃによって阻止され、放電電流の光電変換モジュール８２Ａ〜８２Ｃへの伝達が抑制される。
【００６８】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、各実施の形態間の構成要素の組合せは任意に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。
【図２】図２は、図１の光通信装置のＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】図３は、表皮効果減衰部材を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  ベース基板
２  光電変換モジュール
３  ＦＧパターン
４Ａ，４Ｂ  配線パターン
５  制御ＬＳＩ
６  光伝送媒体
７  筐体
８Ａ，８Ｂ，１３  表皮効果減衰部材
１１  ネジ
１２  スペーサ
２１  ホルダ
２２  受光デバイス
２３  リジット基板
２４  フレキシブル基板
２５  リジット基板
２６  基板コネクタ
２７Ａ，２７Ｂ  抵抗チップ
２８  サブシールドケース
２８ａ，２８ｂ  グランド接続部
６１  光プラグアダプタ
６２  光コネクタ
８０  ベース基板
８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ  ＩＣ
８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄ  光電変換モジュール
８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃ  配線パターン
８４  スタッド
８５Ａ，８５Ｂ，８５Ｃ，８５Ｄ  表皮効果減衰部材
８７Ａ，８７Ｂ，８７Ｃ，８７Ｄ  抵抗チップ
８８Ａ，８８Ｂ，８８Ｃ，８８Ｄ  光伝送媒体
９０  ベース基板
９１  駆動ＩＣ
９２  光送信モジュール
９３  ＦＧパターン
９４Ａ，９４Ｂ，９４Ｃ，９４Ｄ  配線パターン
１００  光通信装置
２０１  導電性テープ
２０２  金属粒子
２０３  粘着材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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