(57)【要約】【課題】消費電力の増加を伴わずにシェーディングの防止及びダイナミックレンジの拡大が可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】複数本の垂直電荷転送路２と、垂直電荷転送路２を転送されてきた電荷を水平方向に転送する水平電荷転送路５とを含む固体撮像素子１０であって、水平電荷転送路５は、印加電圧のレベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段５ｂを含み、複数の電荷転送段５ｂの各々の垂直電荷転送路２側とは反対側の端部に隣接して設けられた前記各々の飽和電荷量を決めるための障壁を形成する障壁領域７を備え、障壁領域７は障壁領域７ｂと障壁領域７ｂよりもポテンシャルの高い障壁領域７ａとを含み、障壁領域７ａは、一番左の垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂに隣接する障壁領域７ｂよりも転送方向下流側に少なくとも設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子で発生した電荷を垂直方向に転送する複数本の垂直電荷転送路と、前記複数本の垂直電荷転送路を転送されてきた電荷を前記垂直方向に直交する水平方向に転送する水平電荷転送路とを含む固体撮像素子であって、
前記水平電荷転送路は、印加電圧のレベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段を含み、
前記複数の電荷転送段の各々の前記垂直電荷転送路側とは反対側の端部に隣接して設けられた前記各々の飽和電荷量を決めるための障壁を形成する障壁領域を備え、
前記障壁領域は、第一の障壁領域と、前記第一の障壁領域よりもポテンシャルの高い第二の障壁領域とを含む固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記第二の障壁領域は、前記複数本の垂直電荷転送路のうちの前記水平電荷転送路による電荷の転送方向下流側の端部にある垂直電荷転送路に接続された前記電荷転送段に隣接する前記障壁領域よりも前記転送方向下流側に少なくとも設けられている固体撮像素子。
【請求項３】
請求項２記載の固体撮像素子であって、
前記第一の障壁領域と前記第二の障壁領域とが、前記水平電荷転送路に沿って規則的に配置されている固体撮像素子。
【請求項４】
請求項２又は３記載の固体撮像素子であって、
前記障壁領域の前記水平電荷転送路側とは反対側の端部に隣接して設けられた、前記障壁領域を超えた電荷を基板に排出するためのドレイン領域を備える固体撮像素子。
【請求項５】
請求項２又は３記載の固体撮像素子であって、
前記第二の障壁領域の前記水平電荷転送路側とは反対側の端部に隣接して設けられた、前記第二の障壁領域を超えた電荷を基板に排出するためのドレイン領域を備える固体撮像素子。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれか１項記載の固体撮像素子を備える撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子で発生した電荷を垂直方向に転送する複数本の垂直電荷転送路と、前記複数本の垂直電荷転送路を転送されてきた電荷を前記垂直方向に直交する水平方向に転送する水平電荷転送路とを含む固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型の固体撮像素子において、撮像で得られた電荷を読み出して転送する際に、水平電荷転送路の飽和電荷量を超える不要電荷を基板に掃き出すために、水平電荷転送路に隣接させて不要電荷排出領域（Ｈドレイン）を設ける構成が提案されている（例えば特許文献１，２参照）。特許文献１，２に記載の固体撮像素子は、垂直電荷転送路から水平電荷転送路へと転送された電荷のうち、水平電荷転送路とＨドレインとの境界に設けられたポテンシャル障壁を越える電荷は、余剰電荷としてＨドレインに排出され、水平電荷転送路の飽和電荷量は常に一定に保たれ、画像にムラを生じさせない構成となっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１３４７３２号公報
【特許文献２】特開平１０−５０９７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、実際には、電荷の転送中に、水平電荷転送路の飽和電荷量内の電荷の一部も上記ポテンシャル障壁を超えてＨドレインに漏れてしまう。この電荷の漏れ量は、電荷の転送される距離が長くなるほど増加する。つまり、水平電荷転送路の電荷転送方向上流側にあった電荷ほど、電荷の漏れ量は多くなる。この結果、水平方向にシェーディングが生じたり、水平電荷転送路の飽和電荷量が減少することによってダイナミックレンジが低下したりする。
【０００５】
ダイナミックレンジの低下を防ぐために、水平電荷転送路上方に設ける水平転送電極の面積を大きくして、１水平転送段の飽和電荷量を拡大する方法も考えられるが、その場合、水平転送電極の負荷容量増加に伴う消費電力の増加が生じてしまう。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、消費電力の増加を伴わずに水平電荷転送路の飽和電荷量を確保して、シェーディングの防止及びダイナミックレンジの拡大が可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の固体撮像素子は、光電変換素子で発生した電荷を垂直方向に転送する複数本の垂直電荷転送路と、前記複数本の垂直電荷転送路を転送されてきた電荷を前記垂直方向に直交する水平方向に転送する水平電荷転送路とを含む固体撮像素子であって、前記水平電荷転送路は、印加電圧のレベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段を含み、前記複数の電荷転送段の各々の前記垂直電荷転送路側とは反対側の端部に隣接して設けられた前記各々の飽和電荷量を決めるための障壁を形成する障壁領域を備え、前記障壁領域は、第一の障壁領域と、前記第一の障壁領域よりもポテンシャルの高い第二の障壁領域とを含む。
【０００８】
本発明の固体撮像素子は、前記第二の障壁領域が、前記複数本の垂直電荷転送路のうちの前記水平電荷転送路による電荷の転送方向下流側の端部にある垂直電荷転送路に接続された前記電荷転送段に隣接する前記障壁領域よりも前記転送方向下流側に少なくとも設けられている。
【０００９】
本発明の固体撮像素子は、前記第一の障壁領域と前記第二の障壁領域とが、前記水平電荷転送路に沿って規則的に配置されている。
【００１０】
本発明の固体撮像素子は、前記障壁領域の前記水平電荷転送路側とは反対側の端部に隣接して設けられた、前記障壁領域を超えた電荷を基板に排出するためのドレイン領域を備える。
【００１１】
本発明の固体撮像素子は、前記第二の障壁領域の前記水平電荷転送路側とは反対側の端部に隣接して設けられた、前記第二の障壁領域を超えた電荷を基板に排出するためのドレイン領域を備える。
【００１２】
本発明の撮像装置は前記固体撮像素子を備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、消費電力の増加を伴わずに水平電荷転送路の飽和電荷量を確保して、シェーディングの防止及びダイナミックレンジの拡大が可能な固体撮像素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態で説明する固体撮像素子は、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像装置に搭載して用いられるものである。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態である固体撮像素子の概略構成を示す平面模式図である。
図１に示す固体撮像素子１０は、シリコン基板表面の垂直方向及びこれに直交する水平方向に正方格子状に配列された多数の光電変換素子１と、多数の光電変換素子１の各々で発生した電荷を垂直方向に転送するための複数本の垂直電荷転送路２と、複数本の垂直電荷転送路２の各々を転送されてきた電荷を水平方向に転送するための水平電荷転送路５と、水平電荷転送路５を転送されてきた電荷を電圧信号に変換して出力する出力部６と、水平電荷転送路５の各電荷転送段の飽和電荷量を決めるための障壁領域７と、障壁領域７によって形成されるポテンシャルバリアを超えてきた水平電荷転送路５からの電荷をシリコン基板に排出するためのドレイン領域８とを備える。以下では、水平電荷転送路５における電荷転送時の電荷の流れを水の流れに例えて、各構成要素の位置を表現する。
【００１６】
垂直電荷転送路２は、垂直方向に並ぶ複数の光電変換素子１からなる光電変換素子列に対応してその右側部に設けられている。光電変換素子１とそれに対応する垂直電荷転送路２との間には、該光電変換素子１で発生した電荷を該垂直電荷転送路２に読み出すための電荷読出し部３が設けられている。複数本の垂直電荷転送路２の各々と水平電荷転送路５との間には、この間にポテンシャル障壁を形成するための垂直−水平間障壁領域４が設けられている。
【００１７】
障壁領域７は、水平電荷転送路５の垂直電荷転送路２側とは反対側の端部に隣接して設けられている。ドレイン領域８は、障壁領域７の水平電荷転送路５側とは反対側の端部に隣接して設けられている。
【００１８】
図２は、図１に示す固体撮像素子の部分拡大図である。図３は、図２に示すＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線断面におけるポテンシャルを示した図である。
図２に示すように、水平電荷転送路５は、印加電圧のレベルに応じて電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する複数の電荷転送段５ｂと、複数の電荷転送段５ｂ同士の間に設けられた、電荷転送段５ｂが電荷蓄積領域として動作するときの該電荷蓄積領域の水平方向のバリアとして動作する水平転送路障壁５ａとから構成されている。例えば、電荷転送段５ｂは、ｎ型シリコン基板上に形成されたｐウェル層内に形成されたｎ型不純物層で構成されており、水平転送路障壁５ａは、該ｎ型不純物層よりも不純物濃度の薄いｎ型不純物層で構成されている。
【００１９】
電荷転送段５ｂと、その右隣の水平転送路障壁５ａとがペアを形成しており、１つの垂直電荷転送路２には、１つのペアの電荷転送段５ｂが垂直−水平間障壁領域４を介して接続されている。複数本の垂直電荷転送路２のうち、水平電荷転送路５の電荷転送方向下流側の端部にある垂直電荷転送路２（図２中の一番左にある垂直電荷転送路２）に接続された電荷転送段５ｂよりも水平電荷転送路５の電荷転送方向下流側には、電荷転送段５ｂが少なくとも１つ（図２では１つ）設けられている。以下、この１つの電荷転送段５ｂを最終電荷転送段５ｂともいう。
【００２０】
各ペアにハイレベルの転送パルスを印加すると、図３（ｃ）に示すように、電荷転送段５ｂに電位井戸を形成することができ、電荷転送段５ｂを電荷蓄積領域として動作させることができる。一方、各ペアにローレベルの転送パルスを印加すると、電荷転送段５ｂの電位井戸の底が図３（ｃ）の破線の位置まで上昇するため、電荷転送段５ｂに蓄積されていた電荷を図２中の左方向（水平電荷転送路５の電荷転送方向）に転送することができる。又、隣接するペアに互いに極性が逆の転送パルスを印加すると、ローレベルの転送パルスが印加されているペアを、ハイレベルの転送パルスが印加されているペアのバリアとして動作させることができる。このように、電荷転送段５ｂは、印加される電圧によって電荷蓄積領域又はバリア領域として動作する。
【００２１】
図２に示すように、障壁領域７は、水平方向に交互に配置された、障壁領域７ａと障壁領域７ｂとの２種類の障壁領域で構成されている。障壁領域７ａと障壁領域７ｂは、それぞれ１つの電荷転送段５ｂに隣接して設けられている。図３（ａ），（ｂ）に示すように、障壁領域７ａのポテンシャルは障壁領域７ｂのポテンシャル及び水平転送路障壁５ａのポテンシャルよりも高くなっており、障壁領域７ｂのポテンシャルは水平転送路障壁５ａのポテンシャルよりも低くなっている。このように、各電荷転送段５ｂは、そこに隣接する障壁領域の種類によって、蓄積することのできる電荷量を示す飽和電荷量が異なるものとなっている。
【００２２】
最終電荷転送段５ｂには、障壁領域７ａが隣接して設けられており、この障壁領域７ａを起点に、水平電荷転送路５の電荷転送方向上流側に向かって障壁領域７ａと障壁領域７ｂとが交互に配置されている。つまり、水平電荷転送路５の電荷転送方向下流側から数えて奇数番目にある光電変換素子列に対応する垂直電荷転送路２には、障壁領域７ｂが隣接する電荷転送部５ｂが接続されており、偶数番目にある光電変換素子列に対応する垂直電荷転送路２には、障壁領域７ａが隣接する電荷転送部５ｂが接続された構成となっている。
【００２３】
障壁領域７ａのポテンシャルは、撮像装置に設定されたダイナミックレンジに必要な飽和電荷量を確保できる値となっている。即ち、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量は、従来と同様のものになっている。障壁領域７ｂのポテンシャルは、この障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂに隣の電荷転送段５ｂから電荷が転送されたときに、該電荷の一部がドレイン領域８に漏れこまない程度の値となっている。
【００２４】
以上のように構成された固体撮像素子１０の動作を説明する。
撮像が終了して、光電変換素子１から電荷が読み出されると、奇数番目の光電変換素子列に対応する垂直電荷転送路２を転送されてきた電荷が、該垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂに転送される。このとき、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量を超える電荷は、障壁領域７ｂを超えてドレイン領域８へと排出される。
【００２５】
次に、各ペアに印加される転送パルスの極性が反転され、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂに転送された電荷が、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂへと転送される。転送された電荷のうち、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量を超える電荷は、障壁領域７ａを超えてドレイン領域８へと排出される。
【００２６】
次に、各ペアに印加される転送パルスの極性が反転され、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂに転送された電荷が、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂへと転送される。障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量は、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂにあった電荷量よりも十分に大きくなっているため、この転送において電荷が障壁領域７ｂを超えてドレイン領域８に漏れることはない。
【００２７】
次に、各ペアに印加される転送パルスの極性が反転され、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂに転送された電荷が、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂへと転送される。障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量は、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂにあった電荷量と同一である場合もあるため、この転送においては、電荷が障壁領域７ａを超えてドレイン領域８に漏れることもある。以降、電荷が順次転送され、この電荷に応じた信号が出力部６から出力される。
【００２８】
次に、偶数番目の光電変換素子列に対応する垂直電荷転送路２を転送されてきた電荷が、該垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂに転送される。このとき、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量を超える電荷は、障壁領域７ａを超えてドレイン領域８へと排出される。
【００２９】
次に、各ペアに印加される転送パルスの極性が反転され、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂに転送された電荷が、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂへと転送される。障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量は、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂにあった電荷量よりも十分に大きくなっているため、この転送において電荷が障壁領域７ｂを超えてドレイン領域８に漏れることはない。
【００３０】
次に、各ペアに印加される転送パルスの極性が反転され、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂに転送された電荷が、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂへと転送される。障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量は、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂにあった電荷量と同一である場合もあるため、この転送においては、電荷が障壁領域７ａを超えてドレイン領域８に漏れることもある。以降、電荷が順次転送され、この電荷に応じた信号が出力部６から出力される。
【００３１】
以上のように、固体撮像素子１０によれば、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂから障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂに電荷を転送する際には、ドレイン領域８に電荷が漏れてしまう可能性があるが、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂから障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂに電荷を転送する際には、ドレイン領域８への電荷の漏れを防止することができる。このため、図２に示した障壁領域７ｂが全て障壁領域７ａであった従来構成と比較すると、電荷の転送時に、障壁領域７ａに隣接する電荷転送部５ｂの飽和電荷量内の電荷がドレイン領域８へ漏れる確率を減らすことができ、この結果、飽和電荷量を確保してダイナミックレンジを維持しつつ、シェーディングの発生を抑えることができる。
【００３２】
尚、本実施形態では、最終電荷転送段５ｂに隣接する障壁領域７ａを起点にして、水平方向に１つおきに障壁領域７ａを配置するものとしたが、これは２つおきであっても３つおきであっても良く、障壁領域７ａと障壁領域７ｂとが水平方向に規則的に配置されていれば、上記電荷の漏れ防止確率の低減という効果を得ることができる。
【００３３】
又、本実施形態では、図２中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂよりも水平電荷転送路５の電荷転送方向下流側には、電荷転送段５ｂが少なくとも１つ（図２では１つ）設けられており、この少なくとも１つの電荷転送段５ｂのうちの少なくとも１つに、障壁領域７ａを隣接して設けることが、ドレイン領域８への電荷漏れを防止する上で重要となる。
【００３４】
例えば、図２中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂよりも水平電荷転送路５の電荷転送方向下流側にある電荷転送部５ｂの全てに、障壁領域７ｂを隣接させて設けた場合を考える。この場合、図２中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂに垂直電荷転送路２から転送された電荷のうち、該電荷転送段５ｂの飽和電荷量を超える電荷は、障壁領域７ｂを超えてドレイン領域８へと排出される。その後、この電荷が出力部６まで順次転送されるが、図２中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂよりも電荷転送方向下流側には、障壁領域７ｂが隣接する電荷転送段５ｂしか存在しないため、固体撮像素子１０のダイナミックレンジを確保するために必要な飽和電荷量を超えた余剰電荷がドレイン領域８に排出されることなく、信号として出力されることになる。この結果、図２中の一番左にある垂直電荷転送路２に対応する光電変換素子１からの信号だけが、他の信号よりもレベルが突出して大きくなってしまい、画質劣化が懸念されてしまう。
【００３５】
このような事情から、図２中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂよりも電荷転送方向下流側には、障壁領域７ａが隣接する電荷転送段５ｂを少なくとも１つ設けておくことが必須となる。このようにしておくことで、この少なくとも１つの電荷転送段５ｂに電荷が転送された時点で、固体撮像素子１０のダイナミックレンジを確保するために必要な飽和電荷量を超えた余剰電荷をドレイン領域８に排出することができ、画質劣化を防止することができる。
【００３６】
以上のことを考慮すると、障壁領域７ａは、図２中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂよりも電荷転送方向下流側に少なくとも１つ設けてさえおけば、画質劣化の防止と電荷の漏れ防止とを実現できることが分かる。つまり、図４に示すように、図２の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂよりも電荷転送方向上流側にある障壁領域７ａを、全て障壁領域７ｂに変更した構成であっても、画質劣化の防止と電荷の漏れ防止とを実現することは可能である。
【００３７】
尚、図４に示す構成では、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送部５ｂの飽和電荷量が、図２に示した構成とは若干異なっている。図４に示す障壁領域７ｂに隣接する電荷転送部５ｂの飽和電荷量は、図４中の一番右にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂにあった電荷の量が該電荷転送段５ｂの飽和電荷量であると仮定した場合に、該電荷が該電荷転送段５ｂから図４中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂまで転送される間に失った電荷量を、障壁領域７ａに隣接する電荷転送部５ｂの飽和電荷量に足した値となっている。
【００３８】
図４に示す構成の固体撮像素子では、図４中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂに電荷転送方向上流側から転送されてきたほとんどの電荷は、障壁領域７ｂが隣接する電荷転送段５ｂの飽和電荷量よりも少なくなっているが、最終電荷転送段５ｂの飽和電荷量よりは多くなっている。そして、この電荷が隣の最終電荷転送段５ｂに転送されると、最終電荷転送段５ｂの飽和電荷量を超える余剰電荷が、障壁領域７ａを超えてドレイン領域８へと排出される。このように、多数の光電変換素子１の各々から得られる全ての電荷は、最終電荷転送段５ｂに転送された時点で、最終電荷転送段５ｂの飽和電荷量以内に収まることなるため、画質劣化を防止することができる。又、最終電荷転送段５ｂ以降、電荷は１回しか転送されないため、この転送における電荷の漏れはほぼ無視することができ、飽和電荷量の減少やシェーディングの発生による画質への影響をほぼなくすことができる。図４中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂよりも電荷転送方向下流側に電荷転送段５ｂが複数あったとしても、この複数の電荷転送段５ｂでの電荷転送における電荷の漏れは、図４中の一番左にある垂直電荷転送路２に接続された電荷転送段５ｂまで電荷を転送する際の電荷の漏れに比べて十分小さいため、飽和電荷量の減少やシェーディングの影響はあまり問題にはならない。
【００３９】
又、本実施形態では、全ての障壁領域７ａ，７ｂに隣接させてドレイン領域８を設けているが、障壁領域７ｂの隣にはドレイン領域８を設ける必要はない。図５は、このような構成を示した図であり、図２に示す構成において、障壁領域７ｂに隣接するドレイン領域８を省略した構成となっている。このような構成にした場合でも、障壁領域７ｂに隣接する電荷転送段５ｂに転送された電荷のうち、この電荷転送段５ｂの飽和電荷量を超える電荷は、この電荷転送段５ｂの隣の電荷転送段５ｂに隣接する障壁領域７ａを介してドレイン領域８へと排出されるため、余剰電荷の排出を問題なく行うことができる。又、障壁領域７ａに隣接する電荷転送段５ｂには障壁領域７ａを介してドレイン領域８が隣接しているため、このドレイン領域８により、各光電変換素子１から得られる電荷を、固体撮像素子１０のダイナミックレンジを確保するために必要な飽和電荷量内に収めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施形態である固体撮像素子の概略構成を示す平面模式図
【図２】図１に示す固体撮像素子の部分拡大図
【図３】図２に示すＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線断面におけるポテンシャルを示した図
【図４】図１に示す固体撮像素子の変形例を示す図
【図５】図１に示す固体撮像素子の変形例を示す図
【符号の説明】
【００４１】
１  光電変換素子
２  垂直電荷転送路
３  電荷読出し部
５  水平電荷転送路
６  出力部
７（７ａ，７ｂ）  障壁領域
８  ドレイン領域
１０  固体撮像素子
【図１】
2009054848.tif 000003
【図２】
2009054848.tif 000004
【図３】
2009054848.tif 000005
【図４】
2009054848.tif 000006
【図５】
2009054848.tif 000007