(57)【要約】【課題】リソグラフィープロセスウィンドーの信頼性の評価をすることが可能なリソグラフィープロセスウィンドー解析方法およびその解析プログラムを提供すること。【解決手段】ウェハ上においてＦＥＭサンプリング空間１２のサンプル点に従って露光量とフォーカス位置とを変化させて露光処理を実施し、それぞれ形成されたパターンの寸法の実測値が許容範囲内となるような露光量およびフォーカス位置についての許容境界を求め、さらにこの許容境界を外挿して曲線２０，２１を作成し、この許容境界内に外挿されたプロセスウィンドー１５を作成する。次に、露光量−フォーカス空間内の任意の点（プロセス条件）の解析信頼性Ｍを定義し、この解析信頼性Ｍを用いてプロセスウィンドー１５内の点についてＭα（αは−１程度の値）を平均化してプロセスウィンドー１５の信頼性Ｒを算出する。【選択図】        図３
2009231767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性基板上に露光量とフォーカス位置とを変化させて複数回の露光処理を行い、前記感光性基板上に転写された複数の回路パターンの寸法を測定し、少なくとも前記回路パターンの寸法が設計上の許容範囲内となるような露光量およびフォーカス位置についての範囲をもとにプロセスウィンドーを設定するとともに、この設定されたプロセスウィンドーの信頼性の評価を与えるリソグラフィープロセスウィンドー解析方法であって、
前記露光処理を行った露光量およびフォーカス位置からなる複数のプロセス条件に基づいて、任意の露光量およびフォーカス位置からなるプロセス条件に対する解析信頼性Ｍを設定する第１の工程と、
前記プロセスウィンドーに含まれる各プロセス条件についての前記解析信頼性Ｍに基づき、前記プロセスウィンドーの信頼性Ｒを算出する第２の工程と、
前記信頼性Ｒと所定の閾値との大小関係を比較し、この比較結果に応じて前記プロセスウィンドーの信頼性の有無を判定する第３の工程と、
を含むことを特徴とするリソグラフィープロセスウィンドー解析方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、任意の露光量Ｅおよびフォーカス位置Ｆからなるプロセス条件に対する前記解析信頼性Ｍは、前記露光処理を行った露光量およびフォーカス位置からなる複数のプロセス条件に基づいて算出した露光量の平均値Ｅ０、フォーカス位置の平均値Ｆ０、露光量の分散の平方根σＥ、ならびにフォーカス位置の分散の平方根σＦを用いて、下記数式１（但し、ｐは正の実数）
【数１】
2009231767.tif 000006
または、下記数式２（但し、ｐは正の実数）
【数２】
2009231767.tif 000007
により設定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィープロセスウィンドー解析方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、前記信頼性Ｒは前記解析信頼性Ｍを用いて、次式で算出することを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィープロセスウィンドー解析方法。
【数３】
2009231767.tif 000008
但し、windowは積分領域である前記プロセスウィンドーの内部領域を表し、αは負の実数である。
【請求項４】
前記プロセスウィンドーは外挿された領域を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のリソグラフィープロセスウィンドー解析方法。
【請求項５】
感光性基板上に露光量とフォーカス位置とを変化させて複数回の露光処理を行い、前記感光性基板上に転写された複数の回路パターンの寸法を測定した結果に基づき、少なくとも前記回路パターンの寸法が設計上の許容範囲内となるような露光量およびフォーカス位置についての範囲をもとに設定されたプロセスウィンドーに対して、当該プロセスウィンドーの信頼性を評価するためのリソグラフィープロセスウィンドー解析プログラムであって、
コンピュータに、
前記露光処理を行った露光量およびフォーカス位置からなる複数のプロセス条件に基づいて、任意の露光量およびフォーカス位置からなるプロセス条件に対する解析信頼性Ｍを設定する第１の手順と、
前記プロセスウィンドーに含まれる各点についての前記解析信頼性Ｍに基づき、前記プロセスウィンドーの信頼性Ｒを算出する第２の手順と、
前記信頼性Ｒと所定の閾値との大小関係を比較し、この比較結果に応じて前記プロセスウィンドーの信頼性の有無を判定してその結果を出力する第３の手順と、
を、実行させるためのリソグラフィープロセスウィンドー解析プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィー工程におけるプロセスウィンドーの解析方法およびその解析プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、ウェハ上に微細な回路パターン（以下、パターンという。）を形成する技術としてリソグラフィーが利用されている。リソグラフィー工程では、ウェハ上に感光性樹脂（レジスト）を塗布し、露光装置を用いてパターンを転写する。このとき、半導体デバイスの所望の特性を確保するために、転写されたパターンの寸法を設計条件から決まる許容範囲内となるように制御する必要がある。
【０００３】
パターンの寸法は、露光工程における露光量とフォーカス位置とによって調整することができる。そこで、リソグラフィー工程における露光条件出しと呼ばれる作業では、露光量とフォーカス位置とを変化させて実際にウェハに露光処理を施し、形成されたパターンの寸法を測定することで、露光量とフォーカス位置の最適値を求めている。このとき、パターンの寸法が許容範囲内となるような露光量とフォーカス位置とについての範囲（プロセスウィンドー）を作成し、このプロセスウィンドーの中心値を最適値とする。すなわち、プロセスウィンドーは、露光量とフォーカス位置とについての最適値を含む許容範囲を表す。
【０００４】
リソグラフィーのプロセスウィンドーを実験的に求める場合には、一つのウェハ上において露光量とフォーカス位置とを変化させ同時に露光箇所を移動して複数回の露光処理を実施し、それぞれ形成されたパターンの寸法を測定する。つまり、露光量およびフォーカス位置の異なる複数の組に対してサンプルを作成し、また、各露光ショットが相互に重複しないようにウェハ上の露光箇所を移動させる。プロセスウィンドーを十分開くためには、サンプル作成を行う際の露光量とフォーカス位置の変化範囲を適切に設定する必要がある。すなわち、プロセスウィンドーを包含するように変化範囲を設定する必要がある。そのためには、サンプルパターンの作成において、最適な寸法を与える露光量とフォーカス位置とがウェハの中心付近となるように、すなわち変化させる露光量とフォーカス位置の範囲の中心となるように、露光量とフォーカス位置を割り振るなどすることが望まれる。
【０００５】
しかしながら、ショットサイズが大きい場合には露光量とフォーカス位置の割り振り方が適切とならず、露光量とフォーカス位置の変化範囲が適切とならない場合がある。つまり、最適な寸法を与える露光量とフォーカス位置がウェハの中心から外れることがある。
【０００６】
その際に、再実験をし、最適な寸法がウェハ上の中心に形成されるようにしてサンプルを再作成すれば良いが、時間とコストがかかるために再実験ができない場合が多い。そのため、測定された寸法を外挿することで、リソグラフィーのプロセスウィンドーを算出すれば良いが、従来はその信頼性が明確に定義されていなかった。例えば非特許文献１では、測定された寸法を曲線であてはめる（fitting）モデルの改良法について記載しているが、このようなモデルを適用してプロセスウィンドーを作成し露光条件を抽出したとしても、外挿範囲の信頼性は不明なので、その露光条件が実際には許容範囲外となる場合がある。そのため、このような不適切な露光条件を用いて半導体デバイスを製造すると、歩留まりを確保することができなくなる。
【０００７】
【非特許文献１】Chiris A. Mack and Jeffery D. Byers, `Improved Model for Focus-Exposure Data Analysis', Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithograpy XVII, Daniel J. Herr, Editor, Proceedings of SPIE, Vol.5038, pp.396-405 (2003).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、リソグラフィープロセスウィンドーの信頼性の評価をすることが可能なリソグラフィープロセスウィンドー解析方法およびその解析プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、感光性基板上に露光量とフォーカス位置とを変化させて複数回の露光処理を行い、前記感光性基板上に転写された複数の回路パターンの寸法を測定し、少なくとも前記回路パターンの寸法が設計上の許容範囲内となるような露光量およびフォーカス位置についての範囲をもとにプロセスウィンドーを設定するとともに、この設定されたプロセスウィンドーの信頼性の評価を与えるリソグラフィープロセスウィンドー解析方法であって、前記露光処理を行った露光量およびフォーカス位置からなる複数のプロセス条件に基づいて、任意の露光量およびフォーカス位置からなるプロセス条件に対する解析信頼性Ｍを設定する第１の工程と、前記プロセスウィンドーに含まれる各プロセス条件についての前記解析信頼性Ｍに基づき、前記プロセスウィンドーの信頼性Ｒを算出する第２の工程と、前記信頼性Ｒと所定の閾値との大小関係を比較し、この比較結果に応じて前記プロセスウィンドーの信頼性の有無を判定する第３の工程と、を含むことを特徴とするリソグラフィープロセスウィンドー解析方法が提供される。
【００１０】
また、本発明の別の一態様によれば、感光性基板上に露光量とフォーカス位置とを変化させて複数回の露光処理を行い、前記感光性基板上に転写された複数の回路パターンの寸法を測定した結果に基づき、少なくとも前記回路パターンの寸法が設計上の許容範囲内となるような露光量およびフォーカス位置についての範囲をもとに設定されたプロセスウィンドーに対して、当該プロセスウィンドーの信頼性を評価するためのリソグラフィープロセスウィンドー解析プログラムであって、コンピュータに、前記露光処理を行った露光量およびフォーカス位置からなる複数のプロセス条件に基づいて、任意の露光量およびフォーカス位置からなるプロセス条件に対する解析信頼性Ｍを設定する第１の手順と、前記プロセスウィンドーに含まれる各点についての前記解析信頼性Ｍに基づき、前記プロセスウィンドーの信頼性Ｒを算出する第２の手順と、前記信頼性Ｒと所定の閾値との大小関係を比較し、この比較結果に応じて前記プロセスウィンドーの信頼性の有無を判定してその結果を出力する第３の手順と、を、実行させるためのリソグラフィープロセスウィンドー解析プログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えばプロセスウィンドーを外挿して求めた場合なども含め、プロセスウィンドーの信頼性の評価をすることができるので、リソグラフィー工程における露光条件出しの誤りを最小限に抑え、歩留まりを確保することができる、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかるリソグラフィープロセスウィンドー解析方法およびその解析プログラムの実施の形態を詳細に説明する。
【００１３】
（実施の形態）
本実施の形態にかかるリソグラフィープロセスウィンドー解析方法、およびリソグラフィープロセスウィンドー解析プログラムについて説明する。
【００１４】
リソグラフィー工程では、ウェハ上に感光性樹脂（レジスト）を塗布した感光性基板に対して、露光装置を用いてパターンを転写する。露光装置は、照明光源等を有する照明光学系、照明光学系の下部に配置されフォトマスクが設置されるレチクルステージ、レチクルステージの下部に配置されレチクルステージを透過した光をウェハ上に投影する投影光学系、および投影光学系の下部に配置されウェハが設置されるウェアステージ等を備える。パターンが転写されたウェハは、現像装置等により現像、エッチング処理を施した後に、線幅測定装置によりパターンの寸法値である線幅が測定される。
【００１５】
前述のように、ウェハ上に形成されるパターンの寸法は、露光装置の露光量とフォーカス位置とによって決まる。そこで、露光条件出しでは、異なる露光量およびフォーカス位置に対応するパターンのサンプルをウェハ上に複数作成し、それぞれのパターンの寸法を実測する。そして、これらの測定値が許容範囲となるサンプル群の露光量およびフォーカス位置に基づいて、プロセスウィンドーを算出する。しかしながら、露光量とフォーカス位置の変化範囲が適切でない場合に、プロセスウィンドーを十分に開くことができないことがある。このような場合には、プロセスウィンドーの外挿を行うことが好ましいが、外挿した部分の信頼性を定義する必要がある。
【００１６】
図１は、リソグラフィーのプロセスウィンドーを外挿によって求めた場合の一例を示す図であり、矢印の左側が外挿前のプロセスウィンドーを、矢印の右側が外挿後のプロセスウィンドーを表す。図１は、露光量−フォーカス空間を表し、横方向は露光量を、縦方向はフォーカス位置を表している。フォーカス位置としては例えばフォーカス深度をとることもできる。
【００１７】
実線で示された曲線１および３は、露光ショットにより形成されたパターンの寸法が許容範囲のそれぞれ上下限に対応するような露光量およびフォーカス位置を表す点をつないだもの（露光量−フォーカス曲線）である。具体的には、例えば、許容範囲として、許容寸法誤差を±１０％とすると、＋１０％に対応する露光量およびフォーカス位置についての露光量−フォーカス曲線が曲線１に、−１０％に対応する露光量およびフォーカス位置についての露光量−フォーカス曲線が曲線３に相当する。また、実線で示された曲線２は、露光により形成されたパターンの寸法が最適値に対応するような露光量−フォーカス曲線を表すものであり、曲線１、曲線３と同様に実際に露光ショットを行った露光量およびフォーカス位置を表す。曲線１〜３は、ＥＤ−ｔｒｅｅと呼ばれるものである。
【００１８】
一方、点線で示された曲線５、曲線６、および曲線７は、それぞれ曲線１、曲線２、曲線３を外挿した曲線である。つまり、実線が実測値を表すのに対して、点線は実際には露光に用いていない外挿領域を表す。ここで外挿方法としては種々の方法を用いることができ、単純には例えば多項式近似を用いることができる。
【００１９】
図１の矢印の左側では、実際に寸法測定を行った露光量およびフォーカス位置からなる曲線１，３により規定される範囲でプロセスウィンドー４が開かれている。すなわち、プロセスウィンドー４は許容境界を表す曲線１，３によって規定される範囲の内側の領域として定義される。本実施の形態では、プロセスウィンドーの形状を例えば楕円としている。しかしながら、プロセスウィンドーの形状はこれに限定されず、その他の形状、例えば矩形等としてもよい。
【００２０】
図１の矢印の右側では、曲線１，３およびこれらを外挿した曲線５，７により規定される拡張された範囲でプロセスウィンドー８が開かれている。つまり、露光−フォーカス曲線（曲線１，３）を外挿することで、プロセスウィンドー４は外挿され、プロセスウィンドー８は、その縦方向（この場合、フォーカス方向）の径がプロセスウィンドー４に比べてより長い楕円形状となっている。なお、図１では、曲線１，３の外挿は、図中上方に向けて行われているが、これは一例を示すものであり、図中下方に向けて外挿することもできる。
【００２１】
ここで、プロセスウィンドー８においては、外挿した部分の信頼性が問題となる。すなわち、外挿した部分は実測値ではないので、その部分が実際にパターンの寸法を許容範囲内とするような露光量およびフォーカス位置を与えるかどうかは保障されておらず、また、そのような信頼性を定義する指標もこれまで存在していない。そこで、外挿した部分の解析信頼性を定義することで、このプロセスウィンドーの信頼性を定義する必要がある。
【００２２】
図２は、露光量−フォーカス空間内において、露光処理を行い寸法測定を実行した領域（ＦＥＭサンプリング空間）の一例を示す図である。図２では、ＦＥＭ（Focus Exposure Matrix）サンプリング空間１０は、寸法測定を実行したすべての露光ショットの露光量およびフォーカス位置の点の集合を表し、一例として、各点の集合が例えば円周およびその内部に位置する場合を示している。
【００２３】
ＦＥＭサンプリング空間１０の内部とその外部とでは解析の信頼性が異なるし、また、内部であっても中心付近と円周付近とでは解析の信頼性は異なる。例えば、線分１１ａに沿って円の中心から外部へ移動した場合にも解析の信頼性は変化するし、これは線分１１ｂ、１１ｃについても同様である。そこで、本実施の形態では、まず、寸法測定を実行した露光量およびフォーカス位置の点（プロセス条件）に基づき（すなわち、ＦＥＭサンプリング空間内の点に基づき）、任意の露光量（Ｅ）およびフォーカス位置（Ｆ）の点（プロセス条件）に対する解析信頼性を下記（１）式で算出されるＭにより定義する。
【００２４】
【数１】
2009231767.tif 000003
【００２５】
ここで、Ｅ０とＦ０はそれぞれ寸法測定を行ったすべての露光ショットの露光量とフォーカス位置の平均値であり、σＥ，σＦはそれぞれその分散の平方根である。また、ｐは任意に設定可能な正の実数であるが、通常３程度の値をとる。ｐ＝３としたときには、３シグマの信頼性を基準としてＭを定義することになる。（１）式からわかるように、Ｍは（Ｅ，Ｆ）が平均値（Ｅ０，Ｆ０）から遠ざかるにつれて大きくなる。
【００２６】
（１）式は、露光量−フォーカス空間内における任意の点の解析信頼性を、ＦＥＭサンプリング空間内のサンプル点に基づき、マハラノビス（Mahalanobis）距離的な汎距離を用いて定義したものである。Ｍの定義としては（１）式に限定されず種々の定義が可能であり、例えば下記（２）式により定義することもできる。
【００２７】
【数２】
2009231767.tif 000004
【００２８】
ここで、Ｅ０，Ｆ０，σＥ，σＦ，ｐは（１）式と同様である。（２）式では、露光量−フォーカス空間において、中心を（Ｅ０，Ｆ０）、Ｅ軸方向の径をｐσＥ、Ｆ軸方向の径をｐσＦとする楕円の内部ではＭを１とし、外部ではＭを（１）と同様に定義している。
【００２９】
次に、この解析信頼性Ｍを用いてプロセスウィンドーの信頼性Ｒを下記（３）式で定義する。
【００３０】
【数３】
2009231767.tif 000005
【００３１】
ここでαは任意に設定可能な負の実数であるが、例えば−１程度の値である。また、積分領域（window）は、信頼性評価の対象となるプロセスウィンドーの内部領域を表す。
【００３２】
（３）式の右辺の分子では、プロセスウィンドーの内部の各点についての解析信頼性Ｍを（１）式または（２）式に基づいて算出し、次にＭαを算出してこのＭαを積分領域（window）について積分している。また、（３）式の右辺の分母は規格化を行うものである。このように、プロセスウィンドーについてＭαを平均化してその信頼性を算出する。実験者は、このＲを指標としてプロセスウィンドーが外挿された場合も含めてその信頼性を評価することができ、Ｒに基づいてプロセスウィンドーの適用の是非を判断することができる。具体的には、例えば、Ｒが所定の閾値以上の場合にプロセスウィンドーの半導体製造工程への適用を決め、Ｒが所定の閾値よりも小さい場合にはプロセスウィンドーを半導体製造工程に適用しないなど、判断基準とすることができる。
【００３３】
なお、信頼性Ｒの定義においてＭの負のべき乗を積分するのは、（１）式または（２）式において解析信頼性Ｍが平均値（Ｅ０，Ｆ０）から遠ざかるにつれて大きくなるように定義されているからである。一般に、信頼性というときに平均値から遠い部分が大きくなるほど信頼性は低くなるものなので、Ｍの定義との関係で通常の信頼性の意味と一致するように信頼性Ｒを定義した。
【００３４】
図３は、２つの異なるＦＥＭサンプリング空間に基づいてプロセスウィンドーを開いた場合の信頼性の違いを説明するための図である。図３では、露光量を横軸に、フォーカス位置を縦軸とする露光量−フォーカス空間において、第１のＦＥＭサンプリング空間１２と、これとは異なる第２のＦＥＭサンプリング空間１３とが示されている。
【００３５】
また、曲線２０および曲線２１は、パターンの寸法が許容範囲のそれぞれ上下限に対応するような露光量−フォーカス曲線を外挿したものである。詳細には、第１のＦＥＭサンプリング空間１２のサンプル点に基づいて曲線２０，２１を算出する場合には、曲線２０、２１のうち第１のＦＥＭサンプリング空間１２内の部分は実測値に基づいて算出された部分であり（図１でいえば曲線１，３に相当する。）、曲線２０、２１のうち第１のＦＥＭサンプリング空間１２外の部分は外挿に基づいて算出された部分である（図１でいえば曲線５，７に相当する。）。同様に、第２のＦＥＭサンプリング空間１３のサンプル点に基づいて曲線２０，２１を算出する場合には、曲線２０、２１のうち第２のＦＥＭサンプリング空間１３内の部分は実測値に基づいて算出された部分であり（図１でいえば曲線１，３に相当する。）、曲線２０、２１のうち第２のＦＥＭサンプリング空間１３外の部分は外挿に基づいて算出された部分である（図１でいえば曲線５，７に相当する。）。
【００３６】
図３では、許容境界を表す曲線２０，２１よって規定される範囲の内側に、例としてプロセスウィンドー１４，１５を開いている。これら２つのプロセスウィンドーは、横軸（露光量）方向の径の長さが互いに異なり、プロセスウィンドーの作成の自由度を表している。なお、楕円又は円形状のプロセスウィンドーの露光量方向の径の長さをＥＬ（Exposure Latitude）で表す（図１を参照）。
【００３７】
プロセスウィンドー１４，１５の各信頼性Ｒを評価する場合に、第１のＦＥＭサンプリング空間１２に基づいて評価するか、または第２のＦＥＭサンプリング空間１３に基づいて評価するかにより、各信頼性Ｒの値が異なる。これは、露光量−フォーカス空間において、プロセスウィンドー１４，１５の第１のＦＥＭサンプリング空間１２または第２のＦＥＭサンプリング空間１３に対する相対的な位置関係が異なるからである。例えば、プロセスウィンドー１５の信頼性Ｒを評価する場合に、第１のＦＥＭサンプリング空間１２に基づいて評価した場合には、外挿部分がそれほど大きくないので信頼性Ｒは高くなることが予想される。一方、第２のＦＥＭサンプリング空間１３に基づいて評価した場合には、外挿部分がプロセスウィンドー１５の上側で大きくなっており信頼性Ｒは低くなることが予想される。
【００３８】
図４は、図３に示す２つのＦＥＭサンプリング空間１２，１３に基づく解析結果と信頼性の値をプロットした図である。図４において、横軸はプロセスウィンドーのＥＬを表し、縦軸はフォーカス深度ＤＯＦ（Depth Of Focus）または信頼性Ｒを表す。詳細には、フォーカス深度曲線２３に対しては、縦軸はフォーカス深度ＤＯＦ（Depth Of Focus）を表し、信頼性曲線３１または３２に対しては、縦軸は信頼性Ｒを表す。
【００３９】
フォーカス深度曲線２３は、図３にて許容境界を表す曲線２０，２１より規定される範囲内にプロセスウィンドーを開く場合に、プロセスウィンドーの露光量方向の径長であるＥＬに応じてプロセスウィンドーのフォーカス位置方向の径長であるＤＯＦが変化することを示している。具体的には、フォーカス深度曲線２３は、ＥＬをより小さくしてプロセスウィンドーを開くとＤＯＦが大きくなることを示しているが、これは図３のプロセスウィンドー１４，１５の関係と整合する。
【００４０】
信頼性曲線３１は、図３のＦＥＭサンプリング空間１２に基づいてプロセスウィンドーを開いた場合の信頼性ＲをＥＬに応じてプロットしたものである。このとき、プロセスウィンドー内の点の解析信頼性Ｍを算出するのに例えば（１）式を用い、続いて（２）式を用いてＲを算出する。同様に、信頼性曲線３２は、図３のＦＥＭサンプリング空間１３に基づいてプロセスウィンドーを開いた場合の信頼性ＲをＥＬに応じてプロットしたものである。図３に示すように、ＦＥＭサンプリング空間１２に基づいてプロセスウィンドーを開いた場合の信頼性Ｒ（信頼性曲線３１）のほうが、ＦＥＭサンプリング空間１３に基づいてプロセスウィンドーを開いた場合の信頼性Ｒ（信頼性曲線３２）よりも信頼性が高いことが定量的にわかる。プロセスウィンドーの中心（平均）となるプロセス条件とＦＥＭサンプリング空間の中心（平均）となるプロセス条件とが近い場合には信頼性Ｒが大きく、遠い場合には信頼性Ｒが小さくなる。
【００４１】
実験者は閾値２４を設定し、信頼性曲線３１または３２と閾値２４とを比較し、信頼性曲線３１または３２が閾値２４以上の場合にはプロセスウィンドーの信頼性が確保されていると判断してこのプロセスウィンドーを半導体製造工程に適用することができる。また、比較の結果、信頼性曲線３１または３２が閾値２４より小さい場合にはプロセスウィンドーの信頼性が確保されていないと判断してこのプロセスウィンドーを半導体製造工程に適用しないことで、露光条件出しの誤りを最小限に抑えることができる。信頼性曲線３１に対しては、ＥＬがａ以上となるようなプロセスウィンドーに対して信頼性が確保され、一方、信頼性曲線３２に対しては、ＥＬがｂ以上となるようなプロセスウィンドーに対して信頼性が確保されていることがわかる。このように、ＦＥＭサンプリング空間１２に基づいてプロセスウィンドーを開いた場合のほうが選択の自由度がより大きくなる。
【００４２】
なお、以上の説明から明らかなように、プロセスウィンドーの信頼性Ｒは、プロセスウィンドーを外挿した場合のみならず、実測値のみに基づいて求めた場合を含む一般の場合に適用することができる。
【００４３】
上述したリソグラフィープロセスウィンドー解析方法は、当該解析方法に従って動作するリソグラフィープロセスウィンドー解析システムによって実現することが可能である。特に、当該解析方法の手順が記述されたプログラムによって動作が制御されるコンピュータによって実現することが可能である。その際、例えば、ＣＰＵなどの制御装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭなどの記憶装置と、ＨＤＤなどの外部記憶装置と、ディスプレイ装置などの表示装置と、キーボードやマウスなどの入力装置を備えた通常のコンピュータを利用したハードウェア構成を利用することができる。
【００４４】
本実施の形態によれば、プロセスウィンドーを外挿して求めた場合なども含め、プロセスウィンドーの信頼性の評価を与えることができるので、リソグラフィー工程における露光条件出しの誤りを最小限に抑え、歩留まりを確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施の形態において、リソグラフィーのプロセスウィンドーを外挿によって求めた場合の一例を示す図である。
【図２】露光量−フォーカス空間内において、露光処理を行い寸法測定を実行した領域（ＦＥＭサンプリング空間）の一例を示す図である。
【図３】実施の形態において、２つの異なるＦＥＭサンプリング空間に基づいてプロセスウィンドーを開いた場合の信頼性の違いを説明するための図である。
【図４】実施の形態において、図３に示す２つのＦＥＭサンプリング空間に基づく解析結果と信頼性の値をプロットした図である。
【符号の説明】
【００４６】
１〜３，５〜７，２０，２１；曲線、４，８，１４，１５；プロセスウィンドー、１０，１２，１３；ＦＥＭサンプリング空間、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；線分、２３；フォーカス深度曲線、２４；閾値、３１，３２；信頼性曲線
【図１】
2009231767.tif 000009
【図２】
2009231767.tif 000010
【図３】
2009231767.tif 000011
【図４】
2009231767.tif 000012