(57)【要約】【課題】複数の受信信号を処理する受信回路において、差動入出力型の低雑音増幅器を用いることを可能にし、且つ低雑音増幅器の数を少なくして、受信回路の小型化、低コスト化を可能にする。【解決手段】高周波電子部品１０は、スイッチ１１とバラン１２を備えている。スイッチ１１は、入力ポート１１ａに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1と、入力ポート１１ｂに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2とを切り替えて、出力ポート１１ｃより出力する。バラン１２は、出力ポート１１ｃより出力された不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受信信号を処理する受信回路に用いられる高周波電子部品であって、
出力ポートとそれぞれ不平衡信号の形態の複数の受信信号が入力される複数の入力ポートとを有し、複数の入力ポートに入力される複数の受信信号を切り替えて前記出力ポートより出力するスイッチと、
前記出力ポートより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器に対して出力するバランと
を備えたことを特徴とする高周波電子部品。
【請求項２】
更に、前記低雑音増幅器を備えたことを特徴とする請求項１記載の高周波電子部品。
【請求項３】
更に、前記複数の入力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたバンドパスフィルタを備えたことを特徴とする請求項１または２記載の高周波電子部品。
【請求項４】
更に、前記出力ポートと複数の入力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたキャパシタを備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波電子部品。
【請求項５】
更に、積層された複数の誘電体層を含む積層基板を備え、前記バランは、前記積層基板内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、前記スイッチは、前記積層基板に搭載されていることを特徴とする請求項１記載の高周波電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の受信信号を処理する受信回路に用いられる高周波電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の周波数帯（マルチバンド）に対応可能な携帯電話機が実用化されている。一方、高速データ通信機能を有する第３世代の携帯電話機も普及している。そのため、携帯電話機には、マルチモード（複数方式）およびマルチバンドに対応することが求められている。
【０００３】
例えば、時分割多重接続（以下、ＴＤＭＡとも記す。）方式でマルチバンド対応の携帯電話機は実用化されている。一方で、広帯域符号分割多重接続（以下、ＷＣＤＭＡとも記す。）方式の携帯電話機も実用化されている。そこで、ＴＤＭＡ方式の既存の基盤（インフラ）を活かしながらＷＣＤＭＡ方式の通信も利用可能にするために、両方式の通信機能を有するマルチモードおよびマルチバンド対応の携帯電話機が求められている。例えば、欧州では、ＴＤＭＡ方式であるＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）方式の携帯電話機において、ＷＣＤＭＡ方式であるＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）方式の通信を行うことができることが求められている。
【０００４】
ところで、携帯電話機のような無線通信装置において受信信号の処理を行う受信回路では、受信信号を増幅する低雑音増幅器が必須の構成要素となる。この低雑音増幅器は、受信回路を構成する電子部品の中で比較すると高価である。
【０００５】
従来、例えば特許文献１に記載されているように、送受信間隔周波数に比べて２つのシステム間の受信周波数帯の間隔が狭いデュアルバンドシステムにおいては、低雑音増幅器と受信用フィルタとを含む受信回路を２つの受信信号で共用することが提案されている。
【０００６】
一方、特許文献２には、携帯電話機のような無線通信装置の受信回路において、差動入出力型の低雑音増幅器を用いる技術が記載されている。また、特許文献３には、アンテナ共用器より平衡信号の形態の受信信号を出力し、この受信信号を差動入出力型の低雑音増幅器によって増幅する技術が記載されている。一般的に、受信回路では、平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器を用いることにより、受信信号におけるコモンモードノイズが低減され、受信感度が向上する。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−０６４７７８号公報
【特許文献２】特開２００５−２３６９７１号公報
【特許文献３】特開２００６−０７４７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、携帯電話機では、マルチバンド化やマルチモード化に伴い、低雑音増幅器の数および占有面積が増加し、これが、携帯電話機の小型化の弊害となっている。また、前述のように低雑音増幅器は比較的高価であることから、携帯電話機では、低雑音増幅器の数の増加によりコストが増加している。
【０００９】
そこで、特許文献１に記載されているように、低雑音増幅器と受信用フィルタとを含む受信回路を２つの受信信号で共用することが考えられる。しかしながら、受信用フィルタが共用できる２つの周波数帯の組み合わせは、非常に限られている。例えば、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ方式の受信信号（８６９〜８９４ＭＨｚ）と９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ方式の受信信号（９２５〜９６０ＭＨｚ）では、周波数帯が比較的近接していても、受信用フィルタを共用することはできない。そのため、特許文献１に記載された技術には、適用できるシステムが非常に限られるという問題点がある。
【００１０】
ところで、受信回路では、受信感度向上のために、平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器を用いることが好ましい。受信回路において差動入出力型の低雑音増幅器を用いる場合にも、低雑音増幅器の数および占有面積の増加は、携帯電話機の小型化、低コスト化の妨げとなる。
【００１１】
特許文献１に記載された技術は、不平衡信号の形態の受信信号を対象としたものであるため、平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器を用いる受信回路に適用することはできない。
【００１２】
複数の受信信号を処理する受信回路において、複数の受信信号で１つの平衡入出力型の低雑音増幅器を共用するために、全ての受信信号について、受信回路内における全ての配線を平衡信号の配線とすることも考えられる。この場合には、１つの平衡入出力型の低雑音増幅器の前段に、平衡信号を切り替えるスイッチを設けることが考えられる。しかし、平衡信号を切り替えるスイッチは、不平衡信号を切り替えるスイッチに比べて高価である。そのため、１つの平衡入出力型の低雑音増幅器の前段に、平衡信号を切り替えるスイッチを設ける構成では、低雑音増幅器の数を少なくすることによってコストが低減されても、平衡信号を切り替えるスイッチを用いることによるコストの増加が生じるという問題点がある。また、全ての受信信号を平衡信号の形態とした場合には、平衡信号の配線が長くなり、平衡信号の平衡度の劣化が生じやすいという問題点がある。
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の受信信号を処理する受信回路に用いられる高周波電子部品であって、受信回路において差動入出力型の低雑音増幅器を用いることを可能にし、且つ低雑音増幅器の数を少なくして、受信回路の小型化、低コスト化を可能にする高周波電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の高周波電子部品は、複数の受信信号を処理する受信回路に用いられるものであって、スイッチとバランとを備えている。スイッチは、出力ポートとそれぞれ不平衡信号の形態の複数の受信信号が入力される複数の入力ポートとを有し、複数の入力ポートに入力される複数の受信信号を切り替えて出力ポートより出力する。バランは、スイッチの出力ポートより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器に対して出力する。
【００１５】
本発明の高周波電子部品は、更に、低雑音増幅器を備えていてもよいし、複数の入力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたバンドパスフィルタを備えていてもよい。
【００１６】
また、本発明の高周波電子部品は、更に、出力ポートと複数の入力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたキャパシタを備えていてもよい。
【００１７】
また、本発明の高周波電子部品は、更に、積層された複数の誘電体層を含む積層基板を備え、バランは、積層基板内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、スイッチは、積層基板に搭載されていてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の高周波電子部品では、スイッチによって、複数の入力ポートに入力される不平衡信号の形態の複数の受信信号を切り替えて出力ポートより出力し、バランによって、スイッチの出力ポートより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器に対して出力する。これにより、本発明によれば、受信回路において差動入出力型の低雑音増幅器を用いることが可能になり、且つ低雑音増幅器の数を少なくして、受信回路の小型化、低コスト化が可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品を含む携帯電話機の高周波回路の一例について説明する。図１は、この高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、２つのＧＳＭ方式の信号を処理する。
【００２０】
ここで、ＧＳＭ方式の信号の種類を表１に示す。表１において、「上り」の欄は送信信号の周波数帯を表し、「下り」の欄は受信信号の周波数帯を表している。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
図１に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ１と、集積回路（以下、ＩＣと記す。）２とを備えている。スイッチ１は、４つのポート１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを有し、ポート１ａをポート１ｂ，１ｃ，１ｄのいずれかに選択的に接続する。ポート１ａは、アンテナ１０１に接続されている。
【００２３】
ＩＣ２は、主に信号の変調および復調を行う回路である。本実施の形態では、ＩＣ２は、２つのＧＳＭ方式の送信信号GSM Tx1，GSM Tx2を生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、２つのＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2を受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号GSM Rx1，GSM Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、端子２ａ１，２ａ２，２ｂ１，２ｂ２を有している。送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は端子２ａ１，２ａ２より出力される。受信信号GSM Rx1，GSM Rx2は端子２ｂ１，２ｂ２に入力される。
【００２４】
本実施の形態では、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの他方における送信信号および受信信号である。
【００２５】
高周波回路は、更に、バラン３と、電力増幅器４と、ローパスフィルタ（以下、ＬＰＦと記す。）５と、受信回路６とを備えている。バラン３は、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。バラン３の２つの平衡入力端は、ＩＣ２の端子２ａ１，２ａ２に接続されている。電力増幅器４は、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。電力増幅器４の不平衡入力端は、バラン３の不平衡出力端に接続されている。電力増幅器４の不平衡出力端は、ＬＰＦ５を介して、スイッチ１のポート１ｂに接続されている。
【００２６】
図２は、受信回路６の回路構成を示している。受信回路６は、複数の受信信号、すなわち受信信号GSM Rx1，GSM Rx2を処理する。受信回路６は、入力端６ａ，６ｂと出力端６ｃ１，６ｃ２とを備えている。入力端６ａは、スイッチ１のポート１ｃに接続されている。入力端６ｂは、スイッチ１のポート１ｄに接続されている。出力端６ｃ１は、ＩＣ２の端子２ｂ１に接続されている。出力端６ｃ２は、ＩＣ２の端子２ｂ２に接続されている。
【００２７】
また、受信回路６は、スイッチ１１と、バラン１２と、２つのバンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦと記す。）１３Ａ，１３Ｂと、差動入出力型の低雑音増幅器１４とを備えている。スイッチ１１は、２つの入力ポート１１ａ，１１ｂと１つの出力ポート１１ｃとを有し、出力ポート１１ｃを入力ポート１１ａ，１１ｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。スイッチ１１の入力ポート１１ａは、ＢＰＦ１３Ａを介して、受信回路６の入力端６ａに接続されている。スイッチ１１の入力ポート１１ｂは、ＢＰＦ１３Ｂを介して、受信回路６の入力端６ｂに接続されている。スイッチ１１の出力ポート１１ｃは、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。
【００２８】
低雑音増幅器１４は、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。バラン１２の２つの平衡出力端は、低雑音増幅器１４の２つの差動入力端に接続されている。低雑音増幅器１４の２つの差動出力端は、受信回路６の２つの出力端６ｃ１，６ｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４は、バラン１２の平衡出力端より出力される信号を増幅する。本実施の形態に係る高周波電子部品１０は、図２に示した受信回路６に用いられるものである。
【００２９】
スイッチ１１は、例えば、モノリシックマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣと記す。）によって構成されていてもよいし、ＰＩＮダイオードを用いて構成されていてもよい。バラン１２は、例えば、インダクタとキャパシタとを用いるＬＣ回路によって構成されていてもよいし、共振器を用いて構成されていてもよい。ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂは、例えば弾性表面波素子によって構成されていてもよい。低雑音増幅器１４は、例えばＭＭＩＣによって構成されていてもよい。
【００３０】
図３は、高周波電子部品１０の回路構成を示す回路図である。高周波電子部品１０は、入力端子１０ａ，１０ｂと出力端子１０ｃ１，１０ｃ２と、上記のスイッチ１１とバラン１２とを備えている。入力端子１０ａは、ＢＰＦ１３Ａの出力端とスイッチ１１の入力ポート１１ａとに接続されている。入力端子１０ｂは、ＢＰＦ１３Ｂの出力端とスイッチ１１の入力ポート１１ｂとに接続されている。また、出力端子１０ｃ１，１０ｃ２は、バラン１２の２つの平衡出力端と、低雑音増幅器１４の２つの差動入力端とに接続されている。スイッチ１１は、このスイッチ１１を制御するための制御信号ＶＣ１，ＶＣ２が入力される制御端子１１ｄ，１１ｅを有している。
【００３１】
図３には、バラン１２がインダクタとキャパシタとを用いるＬＣ回路によって構成された例を示している。この例では、バラン１２は、２つのインダクタＬ１，Ｌ２と２つのキャパシタＣ１，Ｃ２とを有している。インダクタＬ１の一端とキャパシタＣ１の一端は、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。インダクタＬ１の他端は、出力端子１０ｃ２に接続されたバラン１２の平衡出力端に接続されていると共に、キャパシタＣ２を介してグランドに接続されている。キャパシタＣ１の他端は、出力端子１０ｃ１に接続されたバラン１２の平衡出力端に接続されていると共に、インダクタＬ２を介してグランドに接続されている。
【００３２】
また、図３に示した例では、高周波電子部品１０は、スイッチ１１の出力ポート１１ｃとバラン１２の不平衡入力端との間の信号経路に設けられたキャパシタＣ３を備えている。キャパシタＣ３は、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流が、出力ポート１１ｃに接続された信号経路に流れることを防止するためのものである。なお、図３に示した例では、スイッチ１１の入力ポート１１ａと入力端子１０ａとの間の信号経路およびスイッチ１１の入力ポート１１ｂと入力端子１０ｂとの間の信号経路にはキャパシタが設けられていない。これは、入力端子１０ａ，１０ｂに接続されたＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂが直流電流の通過を阻止する機能を有しているためである。入力ポート１１ａ，１１ｂより、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流が発生する場合であって、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂが直流電流の通過を阻止する機能を有していない場合やＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂが直流電流に対する耐性が小さい場合には、スイッチ１１の入力ポート１１ａと入力端子１０ａとの間の信号経路およびスイッチ１１の入力ポート１１ｂと入力端子１０ｂとの間の信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けてもよい。また、出力ポート１１ｃに接続された信号経路において、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流の通過を阻止する必要がない場合には、キャパシタＣ３を設けなくてもよい。スイッチ１１のポート１１ａ，１１ｂ，１１ｃに接続された各信号経路には、その信号経路において制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流の通過を阻止する必要がある場合にキャパシタが設けられる。スイッチ１１のポート１１ａ，１１ｂ，１１ｃに接続された各信号経路にキャパシタを設けることの要否については、後で詳しく説明する。なお、図１および図２では、キャパシタＣ３の図示を省略している。
【００３３】
次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM Tx1，GSM Tx2を生成し出力する。送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【００３４】
受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ１およびＢＰＦ１３Ａを通過して、高周波電子部品１０のスイッチ１１の入力ポート１１ａに入力される。
【００３５】
受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｄに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ１およびＢＰＦ１３Ｂを通過して、高周波電子部品１０のスイッチ１１の入力ポート１１ｂに入力される。
【００３６】
スイッチ１１は、制御端子１１ｄ，１１ｅに入力される制御信号ＶＣ１，ＶＣ２の状態に応じて、入力ポート１１ａに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1と入力ポート１１ｂに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2とを切り替えて、出力ポート１１ｃより出力する。バラン１２は、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力された不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号は、低雑音増幅器１４によって増幅され、平衡信号の形態の受信信号として、ＩＣ２に入力される。
【００３７】
本実施の形態に係る高周波電子部品１０では、スイッチ１１によって、入力ポート１１ａに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1と入力ポート１１ｂに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2とを切り替えて出力ポート１１ｃより出力し、バラン１２によって、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。これにより、本実施の形態によれば、２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2を処理する受信回路６において、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることが可能になり、その結果、受信感度を向上させることが可能になる。また、本実施の形態によれば、受信回路６に含まれる低雑音増幅器の数を少なくでき、その結果、受信回路６の小型化、低コスト化が可能になる。
【００３８】
次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０の構造について説明する。図４は、高周波電子部品１０の外観を示す斜視図である。図５は、高周波電子部品１０の平面図である。図４および図５に示したように、高周波電子部品１０は、高周波電子部品１０の各要素を一体化する積層基板２０を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板２０は、積層された複数の誘電体層を含んでいる。また、積層基板２０は、上面２０ａと底面２０ｂと４つの側面とを有し、直方体形状をなしている。
【００３９】
高周波電子部品１０における回路は、積層基板２０内に設けられた導体層と、上記誘電体層と、積層基板２０の上面２０ａに搭載された素子とを用いて構成されている。ここでは、一例として、上面２０ａに、スイッチ１１とキャパシタＣ３が搭載されているものとする。
【００４０】
次に、図６ないし図１０を参照して、積層基板２０における誘電体層と導体層について詳しく説明する。図６において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から１層目、２層目の誘電体層の上面を示している。図７において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から３層目、４層目の誘電体層の上面を示している。図８において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から５層目、６層目の誘電体層の上面を示している。図９において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から７層目、８層目の誘電体層の上面を示している。図１０（ａ）は、上から９層目の誘電体層の上面を示している。図１０（ｂ）は、上から９層目の誘電体層およびその下の導体層を、上から見た状態で表したものである。図６ないし図１０において、丸印はスルーホールを表している。
【００４１】
図６（ａ）に示した１層目の誘電体層２１の上面には、スイッチ１１が接続される導体層２１１Ａ〜２１１Ｇと、キャパシタＣ３が接続される導体層２１３Ａ，２１３Ｂとが形成されている。導体層２１１Ａはスイッチ１１のポート１１ａに接続されている。導体層２１１Ｃはスイッチ１１のポート１１ｂに接続されている。導体層２１１Ｅはスイッチ１１のポート１１ｃに接続されている。導体層２１１Ｆはスイッチ１１の制御端子１１ｄに接続されている。導体層２１１Ｄはスイッチ１１の制御端子１１ｅに接続されている。導体層２１１Ｂ，２１１Ｇは、スイッチ１１のグランドに接続されている。また、誘電体層２１には、上記各導体層に接続された複数のスルーホールが形成されている。
【００４２】
図６（ｂ）に示した２層目の誘電体層２２の上面には、導体層２２１，２２２，２２３，２２４，２２５が形成されている。導体層２２１には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ａが接続されている。導体層２２２には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｄが接続されている。導体層２２３には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｆが接続されている。導体層２２４には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｃが接続されている。導体層２２５には、それぞれ誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｅ，２１３Ｂが接続されている。また、誘電体層２２には、それぞれ導体層２２１，２２２，２２３，２２４に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。
【００４３】
図７（ａ）に示した３層目の誘電体層２３の上面には、キャパシタ用導体層２３１とグランド用導体層２３２が形成されている。導体層２３１には、誘電体層２１，２２に形成されたスルーホールを介して導体層２１３Ａが接続されている。導体層２３２には、誘電体層２１，２２に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｂ，２１１Ｇが接続されている。また、誘電体層２３には、それぞれ導体層２３１，２３２に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。
【００４４】
図７（ｂ）に示した４層目の誘電体層２４の上面には、キャパシタ用導体層２４１，２４２と導体層２４３が形成されている。導体層２３１，２４１と、これらの間に配置された誘電体層２３は、図３におけるキャパシタＣ１を構成する。導体層２３２，２４２と、これらの間に配置された誘電体層２３は、図３におけるキャパシタＣ２を構成する。導体層２４３には、誘電体層２３に形成された２つのスルーホールを介して導体層２３２が接続されている。また、誘電体層２４には、それぞれ導体層２４１，２４２，２４３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。
【００４５】
図８（ａ）に示した５層目の誘電体層２５の上面には、インダクタ用導体層２５１，２５２と導体層２５３，２５４が形成されている。導体層２５１には、誘電体層２４に形成されたスルーホールを介して導体層２４２が接続されている。導体層２５２には、誘電体層２４に形成されたスルーホールを介して導体層２４１が接続されている。導体層２５３には、誘電体層２４に形成された２つのスルーホールを介して導体層２４３が接続されている。導体層２５４には、誘電体層２３，２４に形成されたスルーホールを介して導体層２３１が接続されている。また、誘電体層２５には、それぞれ導体層２５１，２５２，２５３，２５４に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。
【００４６】
図８（ｂ）に示した６層目の誘電体層２６の上面には、インダクタ用導体層２６１，２６２と導体層２６３が形成されている。導体層２６１には、誘電体層２５に形成されたスルーホールを介して導体層２５１が接続されている。導体層２６２には、誘電体層２５に形成されたスルーホールを介して導体層２５２が接続されている。導体層２６３には、誘電体層２５に形成された２つのスルーホールを介して導体層２５３が接続されている。また、誘電体層２６には、それぞれ導体層２６１，２６２，２６３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。
【００４７】
図９（ａ）に示した７層目の誘電体層２７の上面には、インダクタ用導体層２７１，２７２と導体層２７３が形成されている。導体層２７１には、誘電体層２６に形成されたスルーホールを介して導体層２６１が接続されている。導体層２７２には、誘電体層２６に形成されたスルーホールを介して導体層２６２が接続されている。導体層２７３には、誘電体層２６に形成された２つのスルーホールを介して導体層２６３が接続されている。また、誘電体層２７には、それぞれ導体層２７１，２７２，２７３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。
【００４８】
図９（ｂ）に示した８層目の誘電体層２８の上面には、インダクタ用導体層２８１，２８２と導体層２８３が形成されている。導体層２８１には、誘電体層２７に形成されたスルーホールを介して導体層２７１が接続されている。また、導体層２８１には、誘電体層２３〜２７に形成されたスルーホールおよび導体層２５４を介して導体層２３１が接続されている。導体層２８２には、誘電体層２７に形成されたスルーホールを介して導体層２７２が接続されている。導体層２８３には、誘電体層２７に形成された２つのスルーホールを介して導体層２７３が接続されている。また、誘電体層２８には、それぞれ導体層２８２，２８３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。
【００４９】
図３に示したインダクタＬ１は、導体層２５１，２６１，２７１，２８１と、これらを直列に接続するスルーホールによって構成されている。図３に示したインダクタＬ２は、導体層２５２，２６２，２７２，２８２と、これらを直列に接続するスルーホールによって構成されている。
【００５０】
図１０（ａ）に示した９層目の誘電体層２９の上面には、グランド用導体層２９１と、導体層２９２，２９３が形成されている。導体層２９１には、それぞれ誘電体層２８に形成されたスルーホールを介して導体層２８２，２８３が接続されている。また、導体層２９１には、誘電体層２３〜２８に形成されたスルーホールを介して導体層２３２が接続されている。導体層２９２には、誘電体層２４〜２８に形成されたスルーホールを介して導体層２４２が接続されている。導体層２９３には、誘電体層２５〜２８に形成されたスルーホールを介して導体層２５２が接続されている。また、誘電体層２９には、導体層２９１，２９２，２９３に接続された複数のスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。
【００５１】
図１０（ｂ）に示したように、誘電体層２９の下面、すなわち積層基板２０の底面２０ｂには、入力端子１０ａ，１０ｂを構成する導体層３１０ａ，３１０ｂと、出力端子１０ｃ１，１０ｃ２を構成する導体層３１０ｃ１，３１０ｃ２と、制御端子１１ｄ，１１ｅを構成する導体層３１１ｄ，３１１ｅと、グランド端子を構成する導体層Ｇ１〜Ｇ１１とが形成されている。
【００５２】
導体層３１０ａには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２１を介して導体層２１１Ａが接続されている。導体層３１０ｂには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２４を介して導体層２１１Ｃが接続されている。導体層３１０ｃ１には、誘電体層２５〜２９に形成されたスルーホールと導体層２９３を介して導体層２５２が接続されている。導体層３１０ｃ２には、誘電体層２４〜２９に形成されたスルーホールと導体層２９２を介して導体層２４２が接続されている。導体層３１１ｄには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２３を介して導体層２１１Ｆが接続されている。導体層３１１ｅには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２２を介して導体層２１１Ｄが接続されている。導体層Ｇ１〜Ｇ１１には、誘電体層２９に形成されたスルーホールを介して導体層２９１が接続されている。また、導体層Ｇ１〜Ｇ１１は、グランドに接続されるようになっている。
【００５３】
上述の１層目ないし９層目の誘電体層２１〜２９および導体層が積層されて、図４に示した積層基板２０が形成される。この積層基板２０の上面２０ａには、スイッチ１１とキャパシタＣ３が搭載される。バラン１２は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成されている。なお、本実施の形態において、積層基板２０としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板２０としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。
【００５４】
次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１１は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図１に示した高周波回路におけるスイッチ１１およびバラン１２を備えておらず、図１に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂの代りにＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂを備え、図１に示した高周波回路における低雑音増幅器１４の代りに２つの低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂを備えている。ＢＰＦ１５Ａは平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1を出力し、ＢＰＦ１５Ｂは平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2を出力する。低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂは、いずれも、差動入出力型である。比較例の高周波回路では、スイッチ１のポート１ｃより出力された受信信号GSM Rx1は、ＢＰＦ１５Ａを通過して、低雑音増幅器３４Ａに入力される。また、スイッチ１のポート１ｄより出力された受信信号GSM Rx2は、ＢＰＦ１５Ｂを通過して、低雑音増幅器３４Ｂに入力される。比較例の高周波回路では、ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂおよび低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂが受信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図１に示した高周波回路と同様である。
【００５５】
図１１に示した比較例では、比較的高価な低雑音増幅器が２つ必要となり、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2で１つの低雑音増幅器１４を共用するため、比較例に比べて、受信回路６に含まれる低雑音増幅器の数を１つ少なくすることができ、その結果、受信回路６およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２によって、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４に対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、低雑音増幅器を１つ減らすことができるが、新たに、不平衡信号を切り替えるスイッチ１１が必要になる。しかし、不平衡信号を切り替えるスイッチは低雑音増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。
【００５６】
なお、図１１に示した比較例において、２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2で低雑音増幅器を共用するために、平衡信号を切り替えるスイッチを設けることが考えられる。この場合には、平衡信号を切り替えるスイッチの各入力ポートにＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂが接続され、平衡信号を切り替えるスイッチの出力ポートに１つの低雑音増幅器が接続されることになる。しかし、このような平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成では、平衡信号を切り替えるスイッチが不平衡信号を切り替えるスイッチに比べて高価であることから、コストの増加が生じる。また、上記のように平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成では、平衡信号の配線が長くなり、平衡信号の平衡度の劣化が生じやすい。
【００５７】
これに対し、本実施の形態では、上記のように平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成に比べると、バランが１つ必要になるが、平衡信号を切り替える高価なスイッチではなく、不平衡信号を切り替える安価なスイッチを用いることができる。また、バランは低コストで構成することができる。そのため、本実施の形態によれば、上記のように平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成に比べて、受信回路６およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の低コスト化が可能になる。また、本実施の形態によれば、上記のように平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成に比べて、平衡信号の配線が短くなるため、平衡信号の平衡度の劣化を防止することが可能になる。
【００５８】
また、本実施の形態のように、スイッチ１１とバラン１２を含む１つの高周波電子部品１０を構成することにより、スイッチ１１とバラン１２を別個の素子として構成して、これらを基板に実装する場合に比べて、受信回路６におけるスイッチ１１とバラン１２の占有面積を小さくすることが可能になる。この点からも、本実施の形態によれば、受信回路６およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化が可能になる。
【００５９】
また、本実施の形態に係る高周波電子部品１０は、積層基板２０を備え、バラン１２は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、スイッチ１１は、積層基板２０に搭載されている。図６ないし図１０に示したように、バラン１２は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて容易に構成することが可能である。そのため、本実施の形態のように、バラン１２を、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成し、スイッチ１１を積層基板２０に搭載することにより、特に、受信回路６における高周波電子部品１０の占有面積を小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、受信回路６およびそれを含む携帯電話機の高周波回路をより一層小型化することが可能になる。
【００６０】
ここで、本実施の形態に係る高周波電子部品１０におけるスイッチ１１の構成と、スイッチ１１に接続された信号経路にキャパシタを設けることの要否について詳しく説明する。まず、スイッチ１１としては、ＭＭＩＣによって構成されたスイッチや、ＰＩＮダイオードを用いて構成されたスイッチを用いることができる。ＭＭＩＣによって構成されたスイッチには、デプレッション型の電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと記す。）を用いたものと、エンハンスメント型のＦＥＴを用いたものとがある。デプレッション型のＦＥＴでは、ゲート電圧が０でもドレイン電流が流れる。エンハンスメント型のＦＥＴでは、ゲート電圧が０のときにはドレイン電流は流れない。デプレッション型のＦＥＴとしては、例えばＧａＡｓ系のｐＨＥＭＴ（シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ）がある。エンハンスメント型のＦＥＴとしては、例えばＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）がある。
【００６１】
スイッチ１１として、ＭＭＩＣによって構成されたスイッチであってデプレッション型のＦＥＴを用いて構成されたものを用いる場合、またはＰＩＮダイオードを用いて構成されたスイッチを用いる場合には、原則として、スイッチ１１の各ポートに接続された各信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要がある。ただし、上記信号経路に接続される素子が、直流電流の通過を阻止する機能を有し、且つ直流電流に対する耐性が大きい場合には、その信号経路には、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けなくてもよい。
【００６２】
スイッチ１１としてＭＭＩＣによって構成されたスイッチであってエンハンスメント型のＦＥＴを用いて構成されたものを用いる場合には、スイッチ１１の各ポートに接続された各信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要はない。
【００６３】
次に、図１２を参照して、バラン１２の他の構成について説明する。図１２に示したバラン１２は、共振器を用いて構成されたものである。このバラン１２は、１つの不平衡入力端１２１と、２つの平衡出力端１２２，１２３と、４つの１／４波長共振器１２４，１２５，１２６，１２７とを有している。１／４波長共振器１２４の一端は不平衡入力端１２１に接続され、１／４波長共振器１２４の他端は１／４波長共振器１２５の一端に接続されている。１／４波長共振器１２６の一端は平衡出力端１２２に接続され、１／４波長共振器１２６の他端はグランドに接続されている。１／４波長共振器１２７の一端は平衡出力端１２３に接続され、１／４波長共振器１２７の他端はグランドに接続されている。１／４波長共振器１２６は１／４波長共振器１２４と結合し、１／４波長共振器１２７は１／４波長共振器１２５と結合している。
【００６４】
図３に示したＬＣ回路によって構成されたバラン１２は、挿入損失は小さいが、振幅バランス特性のよい周波数帯域は狭い。一方、図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１２は、挿入損失はやや大きいが、振幅バランス特性のよい周波数帯域は広い。また、図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１２では、不平衡入力端１２１と平衡出力端１２２，１２３との間において直流電流の通過が阻止される。そのため、図１２に示したバラン１２を用いる場合には、スイッチ１１として原則として各ポートに接続された各信号経路に直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要のあるスイッチを用いる場合であっても、スイッチ１１とバラン１２との間の信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けなくてもよい。
【００６５】
図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１２は、図３に示したＬＣ回路によって構成されたバラン１２と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成することができる。
【００６６】
次に、図１３を参照して、本実施の形態に係る高周波電子部品の第１ないし第３の変形例について説明する。図１３は、受信回路６のうち各変形例の高周波電子部品に含まれる部分を示している。第１の変形例の高周波電子部品１０Ａは、スイッチ１１およびバラン１２に加えて低雑音増幅器１４を備えている。この高周波電子部品１０Ａにおいて、低雑音増幅器１４は積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。また、低雑音増幅器１４の入力端はバラン１２の平衡出力端に接続され、低雑音増幅器１４の出力端は高周波電子部品１０Ａの出力端に接続される。すなわち、低雑音増幅器１４は、バラン１２の平衡出力端と高周波電子部品１０Ａの出力端との間に設けられる。
【００６７】
第２の変形例の高周波電子部品１０Ｂは、スイッチ１１およびバラン１２に加えて２つのＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えている。この高周波電子部品１０Ｂにおいて、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂは、積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。また、ＢＰＦ１３Ａの入力端は受信信号GSM Rx1が入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３Ａの出力端はスイッチ１１の入力ポート１１ａに接続される。すなわち、ＢＰＦ１３Ａは、入力ポート１１ａと受信信号GSM Rx1が入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子との間に設けられる。また、ＢＰＦ１３Ｂの入力端は受信信号GSM Rx2が入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３Ｂの出力端はスイッチ１１の入力ポート１１ｂに接続される。すなわち、ＢＰＦ１３Ｂは、入力ポート１１ｂと受信信号GSM Rx2が入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子との間に設けられる。なお、高周波電子部品１０Ｂは、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂのうちの一方のみを備えている構成でもよい。
【００６８】
第３の変形例の高周波電子部品１０Ｃは、スイッチ１１およびバラン１２に加えて低雑音増幅器１４およびＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えている。この高周波電子部品１０Ｃにおいて、低雑音増幅器１４およびＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂは、積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。低雑音増幅器１４の入力端はバラン１２の平衡出力端に接続され、低雑音増幅器１４の出力端は高周波電子部品１０Ｃの出力端に接続される。ＢＰＦ１３Ａの入力端は受信信号GSM Rx1が入力される高周波電子部品１０Ｃの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３Ａの出力端はスイッチ１１のポート１１ａに接続される。また、ＢＰＦ１３Ｂの入力端は受信信号GSM Rx2が入力される高周波電子部品１０Ｃの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３Ｂの出力端はスイッチ１１のポート１１ｂに接続される。
【００６９】
［第２の実施の形態］
次に、図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１４は、本実施の形態に係る高周波電子部品４０を含む高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、２つのＧＳＭ方式の信号と、１つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。
【００７０】
ここで、ＵＭＴＳ方式の信号の種類について表２に示す。表２において、「上り」の欄は送信信号の周波数帯を表し、「下り」の欄は受信信号の周波数帯を表している。
【００７１】
【表２】
2009218649.tif 000004
【００７２】
図１４に示した高周波回路は、第１の実施の形態と同様に、アンテナ１０１と、スイッチ１と、ＩＣ２とを備えている。本実施の形態では、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS Txと２つのＧＳＭ方式の送信信号GSM Tx1，GSM Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号UMTS Txは不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する２つの送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxと２つのＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、端子２ａ１，２ａ２，２ｂ１，２ｂ２，２ｄ，２ｅ１，２ｅ２を有している。送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は端子２ａ１，２ａ２より出力される。受信信号GSM Rx1，GSM Rx2は端子２ｂ１，２ｂ２に入力される。送信信号UMTS Txは端子２ｄより出力される。受信信号UMTS Rxは端子２ｅ１，２ｅ２に入力される。
【００７３】
本実施の形態では、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうちのGSM850(AGSM)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM850(AGSM)と周波数帯の近いGSM900(EGSM)おける送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)と周波数帯が同一のバンドＶにおける送信信号および受信信号である。
【００７４】
また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうちのGSM900(EGSM)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM900(EGSM)と周波数帯の近いGSM850(AGSM)おける送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM900(EGSM)と周波数帯が同一のバンドVIIIにおける送信信号および受信信号である。
【００７５】
また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうちのGSM1800(DCS)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM1800(DCS)と周波数帯の近いGSM1900(PCS)における送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)と周波数帯が同一のバンドIIIにおける送信信号および受信信号である。
【００７６】
また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうちのGSM1900(PCS)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM1900(PCS)と周波数帯の近いGSM1800(DCS)における送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1900(PCS)と周波数帯が同一のバンドIIにおける送信信号および受信信号である。
【００７７】
本実施の形態における高周波回路は、第１の実施の形態におけるＢＰＦ１３Ａを備えていない。また、本実施の形態における高周波回路は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品４０を備えている。また、本実施の形態における高周波回路は、第１の実施の形態における高周波回路の構成要素に加え、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９、低雑音増幅器４２およびＢＰＦ４３を備えている。
【００７８】
高周波電子部品４０は、入力端子４０ａ，４０ｂと、出力端子４０ｃ１，４０ｃ２，４０ｄと、スイッチ４１と、スイッチ１１と、バラン１２とを備えている。スイッチ４１は、１つの入力ポート４１ａと２つの出力ポート４１ｂ，４１ｃとを有し、入力ポート４１ａを出力ポート４１ｂ，４１ｃのいずれかに選択的に接続する。スイッチ１１は、２つの入力ポート１１ａ，１１ｂと１つの出力ポート１１ｃとを有し、出力ポート１１ｃを入力ポート１１ａ，１１ｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。スイッチ１１，４１のうち、スイッチ１１が本発明におけるスイッチに対応する。
【００７９】
スイッチ４１の入力ポート４１ａは、高周波電子部品４０の入力端子４０ａに接続されている。スイッチ４１の出力ポート４１ｂは、高周波電子部品４０の出力端子４０ｄに接続されている。スイッチ４１の出力ポート４１ｃは、スイッチ１１の入力ポート１１ａに接続されている。スイッチ１１の入力ポート１１ｂは、高周波電子部品４０の入力端子４０ｂに接続されている。スイッチ１１の出力ポート１１ｃは、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。バラン１２の２つの平衡出力端は、高周波電子部品４０の出力端子４０ｃ１，４０ｃ２に接続されている。
【００８０】
デュプレクサ９は、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ９ａ，９ｂとを有している。第１のポートは、スイッチ１のポート１ｂに接続されている。ＢＰＦ９ａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられている。ＢＰＦ９ｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ９の第２のポートは、電力増幅器８の出力端に接続されている。デュプレクサ９の第３のポートは、高周波電子部品４０の入力端子４０ａに接続されている。
【００８１】
ＢＰＦ７は、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ７の平衡入力端は、ＩＣ２の端子２ｄに接続されている。ＢＰＦ７の不平衡出力端は、電力増幅器８の入力端に接続されている。
【００８２】
バラン３は、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。バラン３の２つの平衡入力端は、ＩＣ２の端子２ａ１，２ａ２に接続されている。電力増幅器４は、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。電力増幅器４の不平衡入力端は、バラン３の不平衡出力端に接続されている。電力増幅器４の不平衡出力端は、ＬＰＦ５を介して、スイッチ１のポート１ｄに接続されている。
【００８３】
ＢＰＦ１３Ｂは、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ１３Ｂの不平衡入力端は、スイッチ１のポート１ｃに接続されている。ＢＰＦ１３Ｂの不平衡出力端は、高周波電子部品４０の入力端子４０ｂに接続されている。
【００８４】
低雑音増幅器１４は、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。低雑音増幅器１４の２つの差動入力端は、高周波電子部品４０の２つの出力端子４０ｃ１，４０ｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４の２つの差動出力端は、ＩＣ２の端子２ｂ１，２ｂ２に接続されている。
【００８５】
低雑音増幅器４２は、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。また、ＢＰＦ４３は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。低雑音増幅器４２の不平衡入力端は、高周波電子部品４０の出力端子４０ｄに接続されている。低雑音増幅器４２の不平衡出力端は、ＢＰＦ４３の不平衡入力端に接続されている。ＢＰＦ４３の２つの平衡出力端は、ＩＣ２の端子２ｅ１，２ｅ２に接続されている。
【００８６】
本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、高周波電子部品４０、ＢＰＦ１３Ｂ，４３および低雑音増幅器１４，４２が受信回路を構成する。
【００８７】
次に、本実施の形態に係る高周波電子部品４０を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM Tx1，GSM Tx2と、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとを生成し出力する。
【００８８】
送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｄに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【００８９】
送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９のＢＰＦ９ａおよびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【００９０】
受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続され、スイッチ４１の入力ポート４１ａは出力ポート４１ｃに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、スイッチ４１およびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx1は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【００９１】
受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｃに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ１、ＢＰＦ１３Ｂおよびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx2は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【００９２】
受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続され、スイッチ４１の入力ポート４１ａは出力ポート４１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよびスイッチ４１を順に通過して、低雑音増幅器４２に入力される。低雑音増幅器４２に入力された受信信号UMTS Rxは、低雑音増幅器４２によって増幅され、ＢＰＦ４３を通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換されて、ＩＣ２に入力される。
【００９３】
次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１５は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図１４に示した高周波回路におけるスイッチ４１、スイッチ１１およびバラン１２を備えておらず、図１４に示した高周波回路におけるスイッチ１の代りにスイッチ５１を備え、図１４に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ｂの代りに２つのＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂを備え、図１４に示した高周波回路における低雑音増幅器１４の代りに２つの低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂを備えている。
【００９４】
スイッチ５１は、５つのポート５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを有し、ポート５１ａをポート５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅのいずれかに選択的に接続する。ポート５１ａは、アンテナ１０１に接続されている。ポート５１ｂは、デュプレクサ９の第１のポートに接続されている。ポート５１ｃは、ＢＰＦ１５Ａの入力端に接続されている。ポート５１ｄは、ＢＰＦ１５Ｂの入力端に接続されている。ポート５１ｅは、ＢＰＦ５の出力端に接続されている。
【００９５】
デュプレクサ９の第３のポートは、低雑音増幅器４２の入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ａの出力端は、低雑音増幅器３４Ａの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ｂの出力端は、低雑音増幅器３４Ｂの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂは、いずれも平衡信号の形態の受信信号を出力する。低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂは、いずれも、差動入出力型である。
【００９６】
比較例の高周波回路では、送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９のＢＰＦ９ａおよびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【００９７】
また、受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ５１を通過し、ＢＰＦ１５Ａを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換され、低雑音増幅器３４Ａによって増幅されてＩＣ２に入力される。
【００９８】
また、受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｄに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ５１を通過し、ＢＰＦ１５Ｂを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換され、低雑音増幅器３４Ｂによって増幅されてＩＣ２に入力される。
【００９９】
また、受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ５１およびデュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよび低雑音増幅器４２を順に通過し、更に、ＢＰＦ４３を通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換されて、ＩＣ２に入力される。
【０１００】
比較例の高周波回路では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂ，４３および低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂ，４２が受信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図１４に示した高周波回路と同様である。
【０１０１】
図１５に示した比較例では、比較的高価な低雑音増幅器が３つ必要となり、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2で１つの低雑音増幅器１４を共用するため、比較例に比べて、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を１つ少なくすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２によって、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４に対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、低雑音増幅器を１つ減らすことができるが、新たに、不平衡信号を切り替えるスイッチ４１，１１が必要になる。しかし、不平衡信号を切り替えるスイッチは低雑音増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。
【０１０２】
また、本実施の形態では、２つの受信信号UMTS Rx，GSM Rx1で１つのＢＰＦ９ｂを共用している。そのため、本実施の形態によれば、図１５に示した比較例に比べて、ＢＰＦを１つ減らすことができ、これによっても、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。
【０１０３】
ところで、図１５に示した比較例では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂより出力される不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器４２によって増幅している。このような構成の場合には、低雑音増幅器４２とＩＣ２との間の受信信号UMTS Rxの信号経路にはＢＰＦ４３が必要となる。その理由は、以下の通りである。ＴＤＭＡ方式では送信信号と受信信号が時分割されるが、ＵＭＴＳ方式では送信信号と受信信号が時分割されない。そのため、ＵＭＴＳ方式では、送信信号と受信信号の間における非常に高いアイソレーションが必要とされる。この高いアイソレーションを実現するために、低雑音増幅器４２とＩＣ２との間の受信信号UMTS Rxの信号経路にＢＰＦ４３が必要となる。
【０１０４】
上述のように不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器４２によって増幅する構成の場合には、ＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxとで低雑音増幅器を共用することは好ましくない。それは、このように低雑音増幅器を共用した場合には、ＵＭＴＳ方式における送信信号と受信信号の間における高いアイソレーションを実現するために、共用する低雑音増幅器とＩＣ２との間の信号経路にＢＰＦが必要となり、このＢＰＦによってＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2の損失が増加するためである。そのため、不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器４２によって増幅する構成の場合には、図１４に示したように、ＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxとでは低雑音増幅器を共用せず、ＧＳＭ方式の２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2で低雑音増幅器１４を共用する構成とすることが好ましい。
【０１０５】
なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ４１，１１およびバラン１２に加えて、低雑音増幅器１４とＢＰＦ１３Ｂのうちの少なくとも１つを備えていてもよい。また、本実施の形態に係る高周波電子部品は、低雑音増幅器４２を備えていてもよいし、低雑音増幅器４２およびＢＰＦ４３を備えていてもよい。
【０１０６】
次に、図１６を参照して、本実施の形態に係る高周波電子部品４０の変形例について説明する。図１６は、高周波回路のうち高周波電子部品４０に含まれる部分を示している。変形例の高周波電子部品４０は、図１４における２つのスイッチ１１，４１の代りに、双極双投型のスイッチ４５を備えている。スイッチ４５は２つの入力ポート４５ａ，４５ｂと、２つの出力ポート４５ｃ，４５ｄを有し、入力ポート４５ａを出力ポート４５ｃ，４５ｄのいずれかに選択的に接続すると共に、入力ポート４５ｂを出力ポート４５ｃ，４５ｄのいずれかに選択的に接続する。
【０１０７】
スイッチ４５の入力ポート４５ａは、高周波電子部品４０の入力端子４０ａに接続されている。スイッチ４５の入力ポート４５ｂは、高周波電子部品４０の入力端子４０ｂに接続されている。スイッチ４５の出力ポート４５ｃは、高周波電子部品４０の出力端子４０ｄに接続されている。スイッチ４５の出力ポート４５ｄは、バラン１２の不平衡出力端に接続されている。バラン１２の２つの平衡出力端は、高周波電子部品４０の出力端子４０ｃ１，４０ｃ２に接続されている。
【０１０８】
受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ４５の入力ポート４５ａは出力ポート４５ｃに接続される。受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ４５の入力ポート４５ａは出力ポート４５ｄに接続される。受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ４５の入力ポート４５ｂは出力ポート４５ｄに接続される。
【０１０９】
図１４に示した高周波電子部品４０では、受信信号GSM Rx1は２つのスイッチ１１，４１を経由するのに対し、図１６に示した変形例の高周波電子部品４０では、受信信号GSM Rx1は１つのスイッチ４５を通過する。そのため、図１４に示した高周波電子部品４０に比べて、図１６に示した変形例の高周波電子部品４０によれば、受信信号GSM Rx1の損失を低減することができる。
【０１１０】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１１】
［第３の実施の形態］
次に、図１７を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１７は、本実施の形態に係る高周波電子部品１０を含む高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、第２の実施の形態と同様に、２つのＧＳＭ方式の信号と、１つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。
【０１１２】
図１７に示した高周波回路は、第１の実施の形態および第２の実施の形態と同様に、アンテナ１０１と、スイッチ１と、ＩＣ２とを備えている。本実施の形態では、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS Txと２つのＧＳＭ方式の送信信号GSM Tx1，GSM Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号UMTS Txは不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する２つの送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxと２つのＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、端子２ａ１，２ａ２，２ｂ１，２ｂ２，２ｄを有している。送信信号UMTS Txは端子２ｄより出力される。送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は端子２ａ１，２ａ２より出力される。受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2は端子２ｂ１，２ｂ２に入力される。本実施の形態における送信信号UMTS Tx，GSM Tx1，GSM Tx2および受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2のシステムおよびバンドの組み合わせは、第２の実施の形態と同様である。
【０１１３】
本実施の形態における高周波回路は、第２の実施の形態に係る高周波電子部品４０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品１０を備えている。また、本実施の形態における高周波回路は、図１４における低雑音増幅器４２とＢＰＦ４３を備えていない。本実施の形態における高周波回路のその他の構成は、図１４に示した第２の実施の形態における高周波回路と同様である。
【０１１４】
高周波電子部品１０は、入力端子１０ａ，１０ｂと、出力端子１０ｃ１，１０ｃ２と、スイッチ１１と、バラン１２とを備えている。スイッチ１１は、２つの入力ポート１１ａ，１１ｂと１つの出力ポート１１ｃとを有し、出力ポート１１ｃを入力ポート１１ａ，１１ｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。
【０１１５】
デュプレクサ９の第３のポートは、高周波電子部品１０の入力端子１０ａに接続されている。また、ＢＰＦ１３Ｂの不平衡出力端は、高周波電子部品１０の入力端子１０ｂに接続されている。
【０１１６】
スイッチ１１の入力ポート１１ａは、高周波電子部品１０の入力端子１０ａに接続されている。スイッチ１１の入力ポート１１ｂは、高周波電子部品１０の入力端子１０ｂに接続されている。スイッチ１１の出力ポート１１ｃは、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。バラン１２の２つの平衡出力端は、高周波電子部品１０の出力端子１０ｃ１，１０ｃ２に接続されている。
【０１１７】
低雑音増幅器１４は、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。低雑音増幅器１４の２つの差動入力端は、高周波電子部品１０の２つの出力端子１０ｃ１，１０ｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４の２つの差動出力端は、ＩＣ２の端子２ｂ１，２ｂ２に接続されている。
【０１１８】
本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、高周波電子部品１０、ＢＰＦ１３Ｂおよび低雑音増幅器１４が受信回路を構成する。
【０１１９】
次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM Tx1，GSM Tx2と、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとを生成し出力する。
【０１２０】
送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｄに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１２１】
送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９のＢＰＦ９ａおよびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１２２】
受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx1は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１２３】
受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｃに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ１、ＢＰＦ１３Ｂおよびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx2は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１２４】
受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号UMTS Rxは、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１２５】
次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１８は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図１７に示した高周波回路におけるスイッチ１１およびバラン１２を備えておらず、図１７に示した高周波回路におけるスイッチ１の代りにスイッチ５１を備え、図１７に示した高周波回路におけるデュプレクサ９の代りにデュプレクサ１９を備え、図１７に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ｂの代りに２つのＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂを備え、図１７に示した高周波回路における低雑音増幅器１４の代りに３つの低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂ，５４を備えている。
【０１２６】
スイッチ５１は、５つのポート５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを有し、ポート５１ａをポート５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅのいずれかに選択的に接続する。ポート５１ａは、アンテナ１０１に接続されている。デュプレクサ１９は、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ１９ａ，１９ｂとを有している。
【０１２７】
ポート５１ｂは、デュプレクサ１９の第１のポートに接続されている。ポート５１ｃは、ＢＰＦ１５Ａの入力端に接続されている。ポート５１ｄは、ＢＰＦ１５Ｂの入力端に接続されている。ポート５１ｅは、ＢＰＦ５の出力端に接続されている。
【０１２８】
デュプレクサ１９において、ＢＰＦ１９ａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられ、ＢＰＦ１９ｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ１９の第２のポートは、電力増幅器８の出力端に接続されている。デュプレクサ１９の第３のポートは、平衡信号の形態の受信信号を出力する。デュプレクサ１９の第３のポートは、低雑音増幅器５４の入力端に接続されている。低雑音増幅器５４は、差動入出力型である。
【０１２９】
ＢＰＦ１５Ａの出力端は、低雑音増幅器３４Ａの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ｂの出力端は、低雑音増幅器３４Ｂの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂは、いずれも平衡信号の形態の受信信号を出力する。低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂは、いずれも、差動入出力型である。
【０１３０】
比較例の高周波回路では、送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ１９のＢＰＦ１９ａおよびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１３１】
また、受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ５１を通過し、ＢＰＦ１５Ａを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換され、低雑音増幅器３４Ａによって増幅されてＩＣ２に入力される。
【０１３２】
また、受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｄに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ５１を通過し、ＢＰＦ１５Ｂを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換され、低雑音増幅器３４Ｂによって増幅されてＩＣ２に入力される。
【０１３３】
また、受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ５１を通過し、デュプレクサ１９のＢＰＦ１９ｂを通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換され、低雑音増幅器５４によって増幅されてＩＣ２に入力される。
【０１３４】
比較例の高周波回路では、デュプレクサ１９のＢＰＦ１９ｂ、ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂおよび低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂ，５４が受信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図１４に示した高周波回路と同様である。
【０１３５】
図１８に示した比較例では、比較的高価な低雑音増幅器が３つ必要となり、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、３つの受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2で１つの低雑音増幅器１４を共用するため、比較例に比べて、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を２つ少なくすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２によって、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４に対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、低雑音増幅器を２つ減らすことができるが、新たにスイッチ１１が必要になる。しかし、スイッチは低雑音増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。
【０１３６】
ところで、図１８に示した比較例では、デュプレクサ１９のＢＰＦ１９ｂより出力される平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器５４によって増幅している。このような構成の場合には、受信信号UMTS Rxにおけるコモンモードノイズが低減されて、受信信号UMTS Rxの受信感度が向上するため、低雑音増幅器５４とＩＣ２との間の受信信号UMTS Rxの信号経路にＢＰＦを設ける必要がない。
【０１３７】
上述のように平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器によって増幅する構成の場合には、本実施の形態のように、ＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxとで低雑音増幅器１４を共用しても、低雑音増幅器１４とＩＣ２との間の受信信号の信号経路にＢＰＦを設ける必要がなく、ＢＰＦによるＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2の損失の増加も発生しない。
【０１３８】
なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ１１およびバラン１２に加えて、低雑音増幅器１４とＢＰＦ１３Ｂの少なくとも一方を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【０１３９】
［第４の実施の形態］
次に、図１９を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１９は、本実施の形態に係る高周波電子部品４６を含む高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、第２および第３の実施の形態と同様に、２つのＧＳＭ方式の信号と、１つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。
【０１４０】
図１９に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ５１と、ＩＣ２とを備えている。スイッチ５１は、５つのポート５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを有し、ポート５１ａをポート５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅのいずれかに選択的に接続する。ポート５１ａは、アンテナ１０１に接続されている。
【０１４１】
本実施の形態では、ＩＣ２は、第３の実施の形態と同様に、ＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS Txと２つのＧＳＭ方式の送信信号GSM Tx1，GSM Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号UMTS Txは不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する２つの送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、第３の実施の形態と同様に、ＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxと２つのＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。
【０１４２】
本実施の形態では、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、この場合、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)およびGSM900(EGSM)と周波数帯が近いバンドＶ，VI，VIIIのいずれかにおける送信信号および受信信号である。
【０１４３】
また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、この場合には、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)およびGSM1900(PCS)と周波数帯が近いバンドI，II，III，IV，IX，Ｘのいずれかにおける送信信号および受信信号である。
【０１４４】
本実施の形態における高周波回路は、第３の実施の形態に係る高周波電子部品１０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品４６を備えている。また、本実施の形態における高周波回路は、ＢＰＦ１３Ａを備えている。本実施の形態における高周波回路のその他の構成は、図１７に示した第３の実施の形態における高周波回路と同様である。
【０１４５】
高周波電子部品４６は、入力端子４６ａ，４６ｂ，４６ｃと、出力端子４６ｄ１，４６ｄ２と、スイッチ４７と、バラン１２とを備えている。スイッチ４７は、３つの入力ポート４７ａ，４７ｂ，４７ｃと１つの出力ポート４７ｄとを有し、出力ポート４７ｄを入力ポート４７ａ，４７ｂ，４７ｃのいずれかに選択的に接続する。バラン１２は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。
【０１４６】
デュプレクサ９の第１のポートは、スイッチ５１のポート５１ｂに接続されている。また、デュプレクサ９の第２のポートは、電力増幅器８の出力端に接続されている。また、デュプレクサ９の第３のポートは、高周波電子部品４６の入力端子４６ａに接続されている。
【０１４７】
送信信号GSM Tx1，GSM Tx2を増幅する電力増幅器４の不平衡出力端は、ＬＰＦ５を介して、スイッチ５１のポート５１ｅに接続されている。
【０１４８】
ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂは、それぞれ１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂの入力端は、それぞれスイッチ５１のポート５１ｃ，５１ｄに接続されている。ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂの出力端は、それぞれ高周波電子部品４６の入力端子４６ｂ，４６ｃに接続されている。
【０１４９】
スイッチ４７の入力ポート４７ａ，４７ｂ，４７ｃは、それぞれ高周波電子部品４６の入力端子４６ａ，４６ｂ，４６ｃに接続されている。スイッチ４７の出力ポート４７ｄは、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。バラン１２の２つの平衡出力端は、高周波電子部品４６の出力端子４６ｄ１，４６ｄ２に接続されている。低雑音増幅器１４の２つの差動入力端は、高周波電子部品４６の２つの出力端子４６ｄ１，４６ｄ２に接続されている。
【０１５０】
本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、高周波電子部品４６、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂおよび低雑音増幅器１４が受信回路を構成する。
【０１５１】
次に、本実施の形態に係る高周波電子部品４６を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM Tx1，送信信号GSM Tx2と、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとを生成し出力する。
【０１５２】
送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１５３】
送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９のＢＰＦ９ａおよびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１５４】
受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｃに接続され、スイッチ４７の出力ポート４７ｄは入力ポート４７ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された受信信号GSM Rx1は、スイッチ５１、ＢＰＦ１３Ａおよびスイッチ４７を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ４７より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx1は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１５５】
受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｄに接続され、スイッチ４７の出力ポート４７ｄは入力ポート４７ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された受信信号GSM Rx2は、スイッチ５１、ＢＰＦ１３Ｂおよびスイッチ４７を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ４７より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx2は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１５６】
受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続され、スイッチ４７の出力ポート４７ｄは入力ポート４７ａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ５１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよびスイッチ４７を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ４７より出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号UMTS Rxは、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１５７】
本実施の形態では、３つの受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2で１つの低雑音増幅器１４を共用するため、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を１つにすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２によって、スイッチ４７の出力ポート４７ｄより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４に対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。
【０１５８】
なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ１１およびバラン１２に加えて、低雑音増幅器１４とＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂのうちの少なくとも１つを備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第３の実施の形態と同様である。
【０１５９】
［第５の実施の形態］
次に、図２０を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図２０は、本実施の形態に係る２つの高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈを含む高周波回路を示している。この高周波回路は、４つのＧＳＭ方式の信号と、２つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。
【０１６０】
図２０に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ６１と、ＩＣ２とを備えている。スイッチ６１は、７つのポート６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６１ｅ，６１ｆ，６１ｇを有し、ポート６１ａをポート６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６１ｅ，６１ｆ，６１ｇのいずれかに選択的に接続する。ポート６１ａは、アンテナ１０１に接続されている。
【０１６１】
本実施の形態では、ＩＣ２は、２つのＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txと４つのＧＳＭ方式の送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する２つの送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txは、いずれも不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する４つの送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の２つ受信信号UMTS-L Rx，UMTS-H Rxと４つのＧＳＭ方式の受信信号GSM-L Rx1，GSM-L Rx2，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS-L Rx，UMTS-H Rx，GSM-L Rx1，GSM-L Rx2，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。
【０１６２】
本実施の形態では、送信信号GSM-L Tx1および受信信号GSM-L Rx1は、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの一方における送信信号および受信信号である。
【０１６３】
送信信号GSM-L Tx1および受信信号GSM-L Rx1が、GSM850(AGSM)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM-L Tx2および受信信号GSM-L Rx2は、GSM850(AGSM)と周波数帯の近いGSM900(EGSM)おける送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS-L Txおよび受信信号UMTS-L Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)と周波数帯が同一のバンドＶにおける送信信号および受信信号である。
【０１６４】
送信信号GSM-L Tx1および受信信号GSM-L Rx1が、GSM900(EGSM)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM-L Tx2および受信信号GSM-L Rx2は、GSM900(EGSM)と周波数帯の近いGSM850(AGSM)おける送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS-L Txおよび受信信号UMTS-L Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM900(EGSM)と周波数帯が同一のバンドVIIIにおける送信信号および受信信号である。
【０１６５】
また、送信信号GSM-H Tx1および受信信号GSM-H Rx1は、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの一方における送信信号および受信信号である。
【０１６６】
送信信号GSM-H Tx1および受信信号GSM-H Rx1が、GSM1800(DCS)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM-H Tx2および受信信号GSM-H Rx2は、GSM1800(DCS)と周波数帯の近いGSM1900(PCS)における送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS-H Txおよび受信信号UMTS-H Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)と周波数帯が同一のバンドIIIにおける送信信号および受信信号である。
【０１６７】
送信信号GSM-H Tx1および受信信号GSM-H Rx1が、GSM1900(PCS)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM-H Tx2および受信信号GSM-H Rx2は、GSM1900(PCS)と周波数帯の近いGSM1800(DCS)における送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS-H Txおよび受信信号UMTS-H Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1900(PCS)と周波数帯が同一のバンドIIにおける送信信号および受信信号である。
【０１６８】
本実施の形態における高周波回路は、本実施の形態に係る２つの高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈと、２つのデュプレクサ９Ｌ，９Ｈと、４つのＢＰＦ７Ｌ，７Ｈ，１３Ｌ，１３Ｈと、２つのＬＰＦ５Ｌ，５Ｈと、２つのバラン３Ｌ，３Ｈと、４つの電力増幅器４Ｌ，４Ｈ，８Ｌ，８Ｈと、２つの低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈとを備えている。
【０１６９】
高周波電子部品１０Ｌは、入力端子１０Ｌａ，１０Ｌｂと、出力端子１０Ｌｃ１，１０Ｌｃ２と、スイッチ１１Ｌと、バラン１２Ｌとを備えている。スイッチ１１Ｌは、２つの入力ポート１１Ｌａ，１１Ｌｂと１つの出力ポート１１Ｌｃとを有し、出力ポート１１Ｌｃを入力ポート１１Ｌａ，１１Ｌｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２Ｌは、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。
【０１７０】
スイッチ１１Ｌの入力ポート１１Ｌａは、高周波電子部品１０Ｌの入力端子１０Ｌａに接続されている。スイッチ１１Ｌの入力ポート１１Ｌｂは、高周波電子部品１０Ｌの入力端子１０Ｌｂに接続されている。スイッチ１１Ｌの出力ポート１１Ｌｃは、バラン１２Ｌの不平衡入力端に接続されている。バラン１２Ｌの２つの平衡出力端は、高周波電子部品１０Ｌの出力端子１０Ｌｃ１，１０Ｌｃ２に接続されている。
【０１７１】
高周波電子部品１０Ｈは、入力端子１０Ｈａ，１０Ｈｂと、出力端子１０Ｈｃ１，１０Ｈｃ２と、スイッチ１１Ｈと、バラン１２Ｈとを備えている。スイッチ１１Ｈは、２つの入力ポート１１Ｈａ，１１Ｈｂと１つの出力ポート１１Ｈｃとを有し、出力ポート１１Ｈｃを入力ポート１１Ｈａ，１１Ｈｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２Ｈは、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。
【０１７２】
スイッチ１１Ｈの入力ポート１１Ｈａは、高周波電子部品１０Ｈの入力端子１０Ｈａに接続されている。スイッチ１１Ｈの入力ポート１１Ｈｂは、高周波電子部品１０Ｈの入力端子１０Ｈｂに接続されている。スイッチ１１Ｈの出力ポート１１Ｈｃは、バラン１２Ｈの不平衡入力端に接続されている。バラン１２Ｈの２つの平衡出力端は、高周波電子部品１０Ｈの出力端子１０Ｈｃ１，１０Ｈｃ２に接続されている。
【０１７３】
デュプレクサ９Ｌは、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ９Ｌａ，９Ｌｂとを有している。第１のポートは、スイッチ６１のポート６１ｂに接続されている。ＢＰＦ９Ｌａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられている。ＢＰＦ９Ｌｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ９Ｌの第２のポートは、電力増幅器８Ｌの出力端に接続されている。デュプレクサ９Ｌの第３のポートは、高周波電子部品１０Ｌの入力端子１０Ｌａに接続されている。
【０１７４】
デュプレクサ９Ｈは、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ９Ｈａ，９Ｈｂとを有している。第１のポートは、スイッチ６１のポート６１ｅに接続されている。ＢＰＦ９Ｈａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられている。ＢＰＦ９Ｈｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ９Ｈの第２のポートは、電力増幅器８Ｈの出力端に接続されている。デュプレクサ９Ｈの第３のポートは、高周波電子部品１０Ｈの入力端子１０Ｈａに接続されている。
【０１７５】
ＢＰＦ７Ｌ，７Ｈは、いずれも１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ７Ｌ，７Ｈの不平衡入力端には、それぞれＩＣ２より出力される不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txが入力される。ＢＰＦ７Ｌ，７Ｈの不平衡出力端は、それぞれ電力増幅器８Ｌ，８Ｈの入力端に接続されている。
【０１７６】
バラン３Ｌ，３Ｈは、いずれも、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。バラン３Ｌの２つの平衡入力端には、ＩＣ２より出力される送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2が入力される。バラン３Ｈの２つの平衡入力端には、ＩＣ２より出力される送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2が入力される。電力増幅器４Ｌ，４Ｈは、それぞれ１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。電力増幅器４Ｌ，４Ｈの不平衡入力端は、それぞれバラン３Ｌ，３Ｈの不平衡出力端に接続されている。電力増幅器４Ｌ，４Ｈの不平衡出力端は、それぞれＬＰＦ５Ｌ，５Ｈを介して、スイッチ６１のポート６１ｄ，６１ｇに接続されている。
【０１７７】
ＢＰＦ１３Ｌ，１３Ｈは、それぞれ１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ１３Ｌ，１３Ｈの不平衡入力端は、それぞれスイッチ１のポート６１ｃ，６１ｆに接続されている。ＢＰＦ１３Ｌの不平衡出力端は、高周波電子部品１０Ｌの入力端子１０Ｌｂに接続され、ＢＰＦ１３Ｈの不平衡出力端は、高周波電子部品１０Ｈの入力端子１０Ｈｂに接続されている。
【０１７８】
低雑音増幅器１４Ｌは、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。低雑音増幅器１４Ｌの２つの差動入力端は、高周波電子部品１０Ｌの２つの出力端子１０Ｌｃ１，１０Ｌｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４Ｌの２つの差動出力端は、ＩＣ２に対して平衡信号の形態の受信信号を出力する。
【０１７９】
低雑音増幅器１４Ｈは、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。低雑音増幅器１４Ｈの２つの差動入力端は、高周波電子部品１０Ｈの２つの出力端子１０Ｈｃ１，１０Ｈｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４Ｈの２つの差動出力端は、ＩＣ２に対して平衡信号の形態の受信信号を出力する。
【０１８０】
本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂ、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂ、高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈ、ＢＰＦ１３Ｌ，１３Ｈおよび低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈが受信回路を構成する。
【０１８１】
次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈを含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2と、いずれも不平衡信号の形態である送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txとを生成し出力する。
【０１８２】
送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2の送信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｄに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2は、バラン３Ｌによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｌ、ＬＰＦ５Ｌおよびスイッチ６１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１８３】
送信信号UMTS-L Txの送信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-L Txは、ＢＰＦ７Ｌ、電力増幅器８Ｌ、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌａおよびスイッチ６１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１８４】
送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2の送信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｇに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2は、バラン３Ｈによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｈ、ＬＰＦ５Ｈおよびスイッチ６１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１８５】
送信信号UMTS-H Txの送信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-H Txは、ＢＰＦ７Ｈ、電力増幅器８Ｈ、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈａおよびスイッチ６１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０１８６】
受信信号GSM-L Rx1の受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｂに接続され、スイッチ１１Ｌの出力ポート１１Ｌｃは入力ポート１１Ｌａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1は、スイッチ６１、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂおよびスイッチ１１Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ１１Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号GSM-L Rx1は、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１８７】
受信信号GSM-L Rx2の受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｃに接続され、スイッチ１１Ｌの出力ポート１１Ｌｃは入力ポート１１Ｌｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2は、スイッチ６１、ＢＰＦ１３Ｌおよびスイッチ１１Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ１１Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号GSM-L Rx2は、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１８８】
受信信号UMTS-L Rxの受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｂに接続され、スイッチ１１Ｌの出力ポート１１Ｌｃは入力ポート１１Ｌａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxは、スイッチ６１、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂおよびスイッチ１１Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ１１Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号UMTS-L Rxは、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１８９】
受信信号GSM-H Rx1の受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｅに接続され、スイッチ１１Ｈの出力ポート１１Ｈｃは入力ポート１１Ｈａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1は、スイッチ６１、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂおよびスイッチ１１Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ１１Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号GSM-H Rx1は、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１９０】
受信信号GSM-H Rx2の受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｆに接続され、スイッチ１１Ｈの出力ポート１１Ｈｃは入力ポート１１Ｈｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2は、スイッチ６１、ＢＰＦ１３Ｈおよびスイッチ１１Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ１１Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号GSM-H Rx2は、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１９１】
受信信号UMTS-H Rxの受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｅに接続され、スイッチ１１Ｈの出力ポート１１Ｈｃは入力ポート１１Ｈａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxは、スイッチ６１、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂおよびスイッチ１１Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ１１Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号UMTS-H Rxは、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０１９２】
次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図２１は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図２０に示した高周波回路におけるスイッチ１１Ｌ，１１Ｈおよびバラン１２Ｌ，１２Ｈを備えておらず、図２０に示した高周波回路におけるスイッチ６１の代りにスイッチ７１を備え、図２０に示した高周波回路におけるデュプレクサ９Ｌ，９Ｈの代りにデュプレクサ１９Ｌ，１９Ｈを備えている。また、比較例の高周波回路は、図２０に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ｌの代りに２つのＢＰＦ１５ＬＡ，１５ＬＢを備え、図２０に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ｈの代りに２つのＢＰＦ１５ＨＡ，１５ＨＢを備え、図２０に示した高周波回路における低雑音増幅器１４Ｌの代りに３つの低雑音増幅器３４ＬＡ，３４ＬＢ，５４Ｌを備え、図２０に示した高周波回路における低雑音増幅器１４Ｈの代りに３つの低雑音増幅器３４ＨＡ，３４ＨＢ，５４Ｈを備えている。
【０１９３】
スイッチ７１は、９つのポート７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７１ｇ，７１ｈ，７１ｉを有し、ポート７１ａをポート７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７１ｇ，７１ｈ，７１ｉのいずれかに選択的に接続する。ポート７１ａは、アンテナ１０１に接続されている。デュプレクサ１９Ｌは、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ１９Ｌａ，１９Ｌｂとを有している。デュプレクサ１９Ｈは、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ１９Ｈａ，１９Ｈｂとを有している。
【０１９４】
ポート７１ｂは、デュプレクサ１９Ｌの第１のポートに接続されている。ポート７１ｃは、ＢＰＦ１５ＬＡの入力端に接続されている。ポート７１ｄは、ＢＰＦ１５ＬＢの入力端に接続されている。ポート７１ｅは、ＢＰＦ５Ｌの出力端に接続されている。ポート７１ｆは、デュプレクサ１９Ｈの第１のポートに接続されている。ポート７１ｇは、ＢＰＦ１５ＨＡの入力端に接続されている。ポート７１ｈは、ＢＰＦ１５ＨＢの入力端に接続されている。ポート７１ｉは、ＢＰＦ５Ｈの出力端に接続されている。
【０１９５】
デュプレクサ１９Ｌにおいて、ＢＰＦ１９Ｌａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられ、ＢＰＦ１９Ｌｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ１９Ｌの第２のポートは、電力増幅器８Ｌの出力端に接続されている。デュプレクサ１９Ｌの第３のポートは、平衡信号の形態の受信信号を出力する。デュプレクサ１９Ｌの第３のポートは、低雑音増幅器５４Ｌの入力端に接続されている。低雑音増幅器５４Ｌは、差動入出力型である。
【０１９６】
デュプレクサ１９Ｈにおいて、ＢＰＦ１９Ｈａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられ、ＢＰＦ１９Ｈｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ１９Ｈの第２のポートは、電力増幅器８Ｈの出力端に接続されている。デュプレクサ１９Ｈの第３のポートは、平衡信号の形態の受信信号を出力する。デュプレクサ１９Ｈの第３のポートは、低雑音増幅器５４Ｈの入力端に接続されている。低雑音増幅器５４Ｈは、差動入出力型である。
【０１９７】
ＢＰＦ１５ＬＡの出力端は、低雑音増幅器３４ＬＡの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５ＬＢの出力端は、低雑音増幅器３４ＬＢの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５ＬＡ，１５ＬＢは、いずれも平衡信号の形態の受信信号を出力する。低雑音増幅器３４ＬＡ，３４ＬＢは、いずれも、差動入出力型である。
【０１９８】
ＢＰＦ１５ＨＡの出力端は、低雑音増幅器３４ＨＡの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５ＨＢの出力端は、低雑音増幅器３４ＨＢの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５ＨＡ，１５ＨＢは、いずれも平衡信号の形態の受信信号を出力する。低雑音増幅器３４ＨＡ，３４ＨＢは、いずれも、差動入出力型である。
【０１９９】
比較例の高周波回路では、送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2の送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2は、バラン３Ｌによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｌ、ＬＰＦ５Ｌおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。送信信号UMTS-L Txの送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-L Txは、ＢＰＦ７Ｌ、電力増幅器８Ｌ、デュプレクサ１９ＬのＢＰＦ１９Ｌａおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０２００】
受信信号GSM-L Rx1の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1は、スイッチ７１を通過し、ＢＰＦ１５ＬＡを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1に変換され、低雑音増幅器３４ＬＡによって増幅されてＩＣ２に入力される。受信信号GSM-L Rx2の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｄに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2は、スイッチ７１を通過し、ＢＰＦ１５ＬＢを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2に変換され、低雑音増幅器３４ＬＢによって増幅されてＩＣ２に入力される。受信信号UMTS-L Rxの受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxは、スイッチ７１を通過し、デュプレクサ１９ＬのＢＰＦ１９Ｌｂを通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxに変換され、低雑音増幅器５４Ｌによって増幅されてＩＣ２に入力される。
【０２０１】
また、送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2の送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｉに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2は、バラン３Ｈによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｈ、ＬＰＦ５Ｈおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。送信信号UMTS-H Txの送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｆに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-H Txは、ＢＰＦ７Ｈ、電力増幅器８Ｈ、デュプレクサ１９ＨのＢＰＦ１９Ｈａおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０２０２】
受信信号GSM-H Rx1の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｇに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1は、スイッチ７１を通過し、ＢＰＦ１５ＨＡを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1に変換され、低雑音増幅器３４ＨＡによって増幅されてＩＣ２に入力される。受信信号GSM-H Rx2の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｈに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2は、スイッチ７１を通過し、ＢＰＦ１５ＨＢを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2に変換され、低雑音増幅器３４ＨＢによって増幅されてＩＣ２に入力される。受信信号UMTS-H Rxの受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｆに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxは、スイッチ７１を通過し、デュプレクサ１９ＨのＢＰＦ１９Ｈｂを通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxに変換され、低雑音増幅器５４Ｈによって増幅されてＩＣ２に入力される。
【０２０３】
比較例の高周波回路では、デュプレクサ１９ＬのＢＰＦ１９Ｌｂ、デュプレクサ１９ＨのＢＰＦ１９Ｈｂ、ＢＰＦ１５ＬＡ，１５ＬＢ，１５ＨＡ，１５ＨＢおよび低雑音増幅器３４ＬＡ，３４ＬＢ，３４ＨＡ，３４ＨＢ，５４Ｌ，５４Ｈが受信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図２０に示した高周波回路と同様である。
【０２０４】
図２１に示した比較例では、比較的高価な低雑音増幅器が６つ必要となり、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、３つの受信信号UMTS-L Rx，GSM-L Rx1，GSM-L Rx2で１つの低雑音増幅器１４Ｌを共用し、３つの受信信号UMTS-H Rx，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2で１つの低雑音増幅器１４Ｈを共用するため、比較例に比べて、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を４つ少なくすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２Ｌ，１２Ｈによって、スイッチ１１Ｌ，１１Ｈの出力ポート１１Ｌｃ，１１Ｌｂより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈに対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈを用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、低雑音増幅器を４つ減らすことができるが、新たにスイッチ１１Ｌ，１１Ｈが必要になる。しかし、スイッチは低雑音増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。
【０２０５】
なお、本実施の形態に係る高周波電子部品１０Ｌは、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ１１Ｌおよびバラン１２Ｌに加えて、低雑音増幅器１４ＬとＢＰＦ１３Ｌの少なくとも一方を備えていてもよい。同様に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０Ｈは、スイッチ１１Ｈおよびバラン１２Ｈに加えて、低雑音増幅器１４ＨとＢＰＦ１３Ｈの少なくとも一方を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０２０６】
［第６の実施の形態］
次に、図２２を参照して、本発明の第６の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図２２は、本実施の形態に係る２つの高周波電子部品４６Ｌ，４６Ｈを含む高周波回路を示している。この高周波回路は、第５の実施の形態と同様に、４つのＧＳＭ方式の信号と、２つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。
【０２０７】
図２２に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ７１と、ＩＣ２とを備えている。スイッチ７１は、９つのポート７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７１ｇ，７１ｈ，７１ｉを有し、ポート７１ａをポート７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７１ｇ，７１ｈ，７１ｉのいずれかに選択的に接続する。ポート７１ａは、アンテナ１０１に接続されている。
【０２０８】
本実施の形態では、ＩＣ２は、第５の実施の形態と同様に、２つのＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txと４つのＧＳＭ方式の送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する２つの送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txは、いずれも不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する４つの送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、第５の実施の形態と同様に、ＵＭＴＳ方式の２つ受信信号UMTS-L Rx，UMTS-H Rxと４つのＧＳＭ方式の受信信号GSM-L Rx1，GSM-L Rx2，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS-L Rx，UMTS-H Rx，GSM-L Rx1，GSM-L Rx2，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。
【０２０９】
本実施の形態では、送信信号GSM-L Tx1および受信信号GSM-L Rx1は、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの一方における送信信号および受信信号であり、送信信号GSM-L Tx2および受信信号GSM-L Rx2は、GM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、送信信号UMTS-L Txおよび受信信号UMTS-L Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)およびGSM900(EGSM)と周波数帯が近いバンドＶ，VI，VIIIのいずれかにおける送信信号および受信信号である。
【０２１０】
また、送信信号GSM-H Tx1および受信信号GSM-H Rx1は、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの一方における送信信号および受信信号であり、送信信号GSM-H Tx2および受信信号GSM-H Rx2は、GSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、送信信号UMTS-H Txおよび受信信号UMTS-H Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)およびGSM1900(PCS)と周波数帯が近いバンドI，II，III，IV，IX，Ｘのいずれかにおける送信信号および受信信号である。
【０２１１】
本実施の形態における高周波回路は、第５の実施の形態に係る２つの高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈの代りに本実施の形態に係る高周波電子部品４６Ｌ，４６Ｈを備えている。また、本実施の形態における高周波回路は、第５の実施の形態における２つのＢＰＦ１３Ｌ，１３Ｈの代りに４つのＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢ，１３ＨＡ，１３ＨＢを備えている。本実施の形態における高周波回路のその他の構成は、図２０に示した第５の実施の形態における高周波回路と同様である。
【０２１２】
高周波電子部品４６Ｌは、入力端子４６Ｌａ，４６Ｌｂ，４６Ｌｃと、出力端子４６Ｌｄ１，４６Ｌｄ２と、スイッチ４７Ｌと、バラン１２Ｌとを備えている。スイッチ４７Ｌは、３つの入力ポート４７Ｌａ，４７Ｌｂ，４７Ｌｃと１つの出力ポート４７Ｌｄとを有し、出力ポート４７Ｌｃを入力ポート４７Ｌａ，４７Ｌｂ，４７Ｌｃのいずれかに選択的に接続する。バラン１２Ｌは、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。
【０２１３】
高周波電子部品４６Ｈは、入力端子４６Ｈａ，４６Ｈｂ，４６Ｈｃと、出力端子４６Ｈｄ１，４６Ｈｄ２と、スイッチ４７Ｈと、バラン１２Ｈとを備えている。スイッチ４７Ｈは、３つの入力ポート４７Ｈａ，４７Ｈｂ，４７Ｈｃと１つの出力ポート４７Ｈｄとを有し、出力ポート４７Ｈｃを入力ポート４７Ｈａ，４７Ｈｂ，４７Ｈｃのいずれかに選択的に接続する。バラン１２Ｈは、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。
【０２１４】
デュプレクサ９Ｌの第１のポートは、スイッチ７１のポート７１ｂに接続されている。また、デュプレクサ９Ｌの第２のポートは、電力増幅器８Ｌの出力端に接続されている。また、デュプレクサ９Ｌの第３のポートは、高周波電子部品４６Ｌの入力端子４６Ｌａに接続されている。
【０２１５】
デュプレクサ９Ｈの第１のポートは、スイッチ７１のポート７１ｆに接続されている。また、デュプレクサ９Ｈの第２のポートは、電力増幅器８Ｈの出力端に接続されている。また、デュプレクサ９Ｈの第３のポートは、高周波電子部品４６Ｈの入力端子４６Ｈａに接続されている。
【０２１６】
送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2を増幅する電力増幅器４Ｌの不平衡出力端は、ＬＰＦ５Ｌを介して、スイッチ７１のポート７１ｅに接続されている。また、送信信号GSM-H Tx1，GSM-H Tx2を増幅する電力増幅器４Ｈの不平衡出力端は、ＬＰＦ５Ｈを介して、スイッチ７１のポート７１ｉに接続されている。
【０２１７】
ＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢ，１３ＨＡ，１３ＨＢは、それぞれ１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢ，１３ＨＡ，１３ＨＢの入力端は、それぞれスイッチ１のポート７１ｃ，７１ｄ，７１ｇ，７１ｈに接続されている。ＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢの出力端は、それぞれ高周波電子部品４６Ｌの入力端子４６Ｌｂ，４６Ｌｃに接続されている。ＢＰＦ１３ＨＡ，１３ＨＢの出力端は、それぞれ高周波電子部品４６Ｈの入力端子４６Ｈｂ，４６Ｈｃに接続されている。
【０２１８】
スイッチ４７Ｌの入力ポート４７Ｌａ，４７Ｌｂ，４７Ｌｃは、それぞれ高周波電子部品４６Ｌの入力端子４６Ｌａ，４６Ｌｂ，４６Ｌｃに接続されている。スイッチ４７Ｌの出力ポート４７Ｌｄは、バラン１２Ｌの不平衡入力端に接続されている。バラン１２Ｌの２つの平衡出力端は、高周波電子部品４６Ｌの出力端子４６Ｌｄ１，４６Ｌｄ２に接続されている。
【０２１９】
スイッチ４７Ｈの入力ポート４７Ｈａ，４７Ｈｂ，４７Ｈｃは、それぞれ高周波電子部品４６Ｈの入力端子４６Ｈａ，４６Ｈｂ，４６Ｈｃに接続されている。スイッチ４７Ｈの出力ポート４７Ｈｄは、バラン１２Ｈの不平衡入力端に接続されている。バラン１２Ｈの２つの平衡出力端は、高周波電子部品４６Ｈの出力端子４６Ｈｄ１，４６Ｈｄ２に接続されている。
【０２２０】
低雑音増幅器１４Ｌの２つの差動入力端は、高周波電子部品４６Ｌの２つの出力端子４６Ｌｄ１，４６Ｌｄ２に接続されている。また、低雑音増幅器１４Ｈの２つの差動入力端は、高周波電子部品４６Ｈの２つの出力端子４６Ｈｄ１，４６Ｈｄ２に接続されている。
【０２２１】
本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂ、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂ、高周波電子部品４６Ｌ，４６Ｈ、ＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢ，１３ＨＡ，１３ＨＢおよび低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈが受信回路を構成する。
【０２２２】
次に、本実施の形態に係る高周波電子部品４６Ｌ，４６Ｈを含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2と、いずれも不平衡信号の形態である送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txとを生成し出力する。
【０２２３】
送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2の送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2は、バラン３Ｌによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｌ、ＬＰＦ５Ｌおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０２２４】
送信信号UMTS-L Txの送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-L Txは、ＢＰＦ７Ｌ、電力増幅器８Ｌ、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌａおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０２２５】
送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2の送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｉに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2は、バラン３Ｈによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｈ、ＬＰＦ５Ｈおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０２２６】
送信信号UMTS-H Txの送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｆに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-H Txは、ＢＰＦ７Ｈ、電力増幅器８Ｈ、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈａおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。
【０２２７】
受信信号GSM-L Rx1の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｃに接続され、スイッチ４７Ｌの出力ポート４７Ｌｄは入力ポート４７Ｌｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1は、スイッチ７１、ＢＰＦ１３ＬＡおよびスイッチ４７Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ４７Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号GSM-L Rx1は、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０２２８】
受信信号GSM-L Rx2の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｄに接続され、スイッチ４７Ｌの出力ポート４７Ｌｄは入力ポート４７Ｌｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2は、スイッチ７１、ＢＰＦ１３ＬＢおよびスイッチ４７Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ４７Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号GSM-L Rx2は、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０２２９】
受信信号UMTS-L Rxの受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｂに接続され、スイッチ４７Ｌの出力ポート４７Ｌｄは入力ポート４７Ｌａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxは、スイッチ７１、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂおよびスイッチ４７Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ４７Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号UMTS-L Rxは、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０２３０】
受信信号GSM-H Rx1の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｇに接続され、スイッチ４７Ｈの出力ポート４７Ｈｄは入力ポート４７Ｈｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1は、スイッチ７１、ＢＰＦ１３ＨＡおよびスイッチ４７Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ４７Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号GSM-H Rx1は、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０２３１】
受信信号GSM-H Rx2の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｈに接続され、スイッチ４７Ｈの出力ポート４７Ｈｄは入力ポート４７Ｈｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2は、スイッチ７１、ＢＰＦ１３ＨＢおよびスイッチ４７Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ４７Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号GSM-H Rx2は、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０２３２】
受信信号UMTS-H Rxの受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｆに接続され、スイッチ４７Ｈの出力ポート４７Ｈｄは入力ポート４７Ｈａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxは、スイッチ７１、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂおよびスイッチ４７Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ４７Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号UMTS-H Rxは、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。
【０２３３】
本実施の形態では、３つの受信信号UMTS-L Rx，GSM-L Rx1，GSM-L Rx2で１つの低雑音増幅器１４Ｌを共用し、３つの受信信号UMTS-H Rx，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2で１つの低雑音増幅器１４Ｈを共用するため、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を２つにすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２Ｌ，１２Ｈによって、スイッチ１１Ｌ，１１Ｈの出力ポート１１Ｌｃ，１１Ｌｂより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈに対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈを用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。
【０２３４】
なお、本実施の形態に係る高周波電子部品４６Ｌは、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ４７Ｌおよびバラン１２Ｌに加えて、低雑音増幅器１４ＬとＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢのうちの少なくとも１つを備えていてもよい。同様に、本実施の形態に係る高周波電子部品４６Ｈは、スイッチ４７Ｈおよびバラン１２Ｈに加えて、低雑音増幅器１４ＨとＢＰＦ１３ＨＡ，１３ＨＢのうちの少なくとも１つを備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第５の実施の形態と同様である。
【０２３５】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、携帯電話機における受信回路に限らず、複数の受信信号を処理する受信回路全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２３６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品を含む携帯電話機の高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示した高周波回路における受信回路の回路構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の回路構成を示す回路図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の平面図である。
【図６】図４に示した積層基板における１層目および２層目の誘電体層の上面を示す説明図である。
【図７】図４に示した積層基板における３層目および４層目の誘電体層の上面を示す説明図である。
【図８】図４に示した積層基板における５層目および６層目の誘電体層の上面を示す説明図である。
【図９】図４に示した積層基板における７層目および８層目の誘電体層の上面を示す説明図である。
【図１０】図４に示した積層基板における９層目の誘電体層の上面および９層目の誘電体層の下の導体層を示す説明図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態におけるバランの他の構成を示す回路図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の第１ないし第３の変形例を示すブロック図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る高周波電子部品の変形例を示すブロック図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。
【図１９】本発明の第４の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。
【図２０】本発明の第５の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。
【図２１】本発明の第５の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。
【図２２】本発明の第６の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０２３７】
１…スイッチ、２…ＩＣ、３…バラン、４…電力増幅器、５…ＢＰＦ、６…受信回路、１０…高周波電子部品、１１…スイッチ、１２…バラン、１３Ａ，１３Ｂ…ＢＰＦ、１４…低雑音増幅器、２０…積層基板。
【図１】
2009218649.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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