(57)【要約】【課題】確実なレーザリペアを可能とする構造のアレイ基板を備えた表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、  アクティブエリアにおいて、絶縁層を介して互いに交差するように配置されたゲート線Ｇ及びソース線Ｓと、  各画素に配置され、ゲート線及びソース線と接続されたスイッチング素子２２０と、  スイッチング素子に重なるように配置された有機絶縁膜２４０と、  各画素に配置され、スイッチング素子に接続された表示電極２３０と、  を備え、  有機絶縁膜は、ソース線とスイッチング素子との接続部ＳＳの上、ゲート線とソース線とのＧＳ交差部を挟んだ両側に位置するゲート線の上、及び、ＧＳ交差部を挟んだ両側に位置するソース線の上の少なくとも１つに重ならないパターンに形成されたことを特徴とする。【選択図】      図７
2009186823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
前記アクティブエリアにおいて、絶縁層を介して互いに交差するように配置されたゲート線及びソース線と、
各画素に配置され、前記ゲート線及び前記ソース線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に重なるように配置された有機絶縁膜と、
各画素に配置され、前記スイッチング素子に接続された表示電極と、
を備え、
前記有機絶縁膜は、前記ソース線と前記スイッチング素子との接続部の上、前記ゲート線と前記ソース線とのＧＳ交差部を挟んだ両側に位置する前記ゲート線の上、及び、前記ＧＳ交差部を挟んだ両側に位置する前記ソース線の上の少なくとも１つに重ならないパターンに形成されたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記表示電極は、各画素において前記有機絶縁膜の上に配置されるとともに、前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続され、
前記有機絶縁膜には、前記ソース線と前記スイッチング素子との接続部の上、前記ゲート線と前記ソース線とのＧＳ交差部を挟んだ両側に位置する前記ゲート線の上、及び、前記ＧＳ交差部を挟んだ両側に位置する前記ソース線の上の少なくとも１つに重なる開口部が形成されたことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
さらに、前記アクティブエリアを囲むように配置されたレスキュー配線を備え、
前記ゲート線は、前記アクティブエリアを挟んだ両側で前記絶縁層を介して前記レスキュー配線と交差し、
前記有機絶縁膜は、前記レスキュー配線と前記ゲート線とのＲＧ交差部に重なるように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ＧＳ交差部において、両者が電気的に接続されているとともに、
前記ＧＳ交差部を挟んだ両側に位置する前記ゲート線のそれぞれが前記ＧＳ交差部から切り離され、
しかも、前記アクティブエリアを挟んだ両側で、前記ＲＧ交差部において前記レスキュー配線と前記ゲート線とが電気的に接続されたことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
さらに、前記アクティブエリアを囲むように配置されたレスキュー配線を備え、
前記ソース線は、前記アクティブエリアを挟んだ両側で前記絶縁層を介して前記レスキュー配線と交差し、
前記有機絶縁膜は、前記レスキュー配線と前記ソース線とのＲＳ交差部に重なるように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ＧＳ交差部において、両者が電気的に接続されているとともに、
前記ＧＳ交差部を挟んだ両側に位置する前記ソース線のそれぞれが前記ＧＳ交差部から切り離され、
しかも、前記アクティブエリアを挟んだ両側で、前記ＲＳ交差部において前記レスキュー配線と前記ソース線とが電気的に接続されたことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記スイッチング素子は、
各画素に配置されアモルファスシリコンによって形成された半導体層と、前記ゲート線に接続されたゲート電極と、前記接続部で前記ソース線に接続されたソース電極と、前記表示電極に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが電気的に接続されているとともに、
前記接続部で前記ソース線と前記ソース電極とが切り離され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極とが電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置に係り、特に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置などの表示装置に適用可能なアレイ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置などの表示装置は、マトリクス状の画素によって構成されたアクティブエリアを備えている。表示装置を構成するアレイ基板は、例えば、アクティブエリアにおいて、画素の行方向に沿って配置された複数のゲート線、画素の列方向に沿って配置された複数のソース線、各画素のゲート線とソース線との交差部に配置されたスイッチング素子、各画素のスイッチング素子に接続された表示電極などを備えている。
【０００３】
このような表示装置において、リペア可能な欠陥が生じた場合に、アレイ基板の裏面側から適当な箇所にレーザビームを照射して配線や電極などの導電層の一部をカットする手法（レーザカット）や、異層間の導電層をコンタクトする手法（レーザコンタクト）などを用いたレーザリペアに関する技術が各種提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３４１３６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
レーザカットの手法を適用する場合、カット対象の導電層よりもアレイ基板の表面側に比較的膜厚が厚い有機絶縁膜が配置された構成においては、導電層を確実にカットできないおそれがある。
【０００５】
また、レーザコンタクトの手法を適用する場合、カット対象の導電層よりもアレイ基板の表面側に比較的膜厚が厚い有機絶縁膜が配置されていない構成においては、コンタクト対象の導電層の膜厚が比較的薄い場合に溶融した導電層の残渣物がアレイ基板の表面側にめくれ上がり、電極を備えた対向基板まで達して基板間ショートを生ずるおそれがある。また、レーザビームのパワーが強すぎたときには、コンタクト対象の導電層がともにめくれ上がって互いに離れ、コンタクトできないおそれもある。
【０００６】
この発明の目的は、確実なレーザリペアを可能とする構造のアレイ基板を備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
前記アクティブエリアにおいて、絶縁層を介して互いに交差するように配置されたゲート線及びソース線と、
各画素に配置され、前記ゲート線及び前記ソース線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に重なるように配置された有機絶縁膜と、
各画素に配置され、前記スイッチング素子に接続された表示電極と、
を備え、
前記有機絶縁膜は、前記ソース線と前記スイッチング素子との接続部の上、前記ゲート線と前記ソース線とのＧＳ交差部を挟んだ両側に位置する前記ゲート線の上、及び、前記ＧＳ交差部を挟んだ両側に位置する前記ソース線の上の少なくとも１つに重ならないパターンに形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、確実なレーザリペアを可能とする構造のアレイ基板を備えた表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。ここでは、特に、表示装置の一例として液晶表示装置について説明する。
【００１０】
図１に示すように、液晶表示装置は、略矩形平板状の液晶表示パネル１００を備えている。すなわち、液晶表示パネル１００は、一対の基板すなわちアレイ基板（第１基板）２００及び対向基板（第２基板）３００と、アレイ基板２００と対向基板３００との間に光変調層として保持された液晶層４００と、によって構成されている。これらのアレイ基板２００と対向基板３００とは、シール材によって貼り合わせられ、これらの間に配置されたスペーサにより液晶層４００を保持するための所定のギャップを形成する。
【００１１】
液晶表示パネル１００は、シール材によって囲まれた内側に画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１２０を備えている。このアクティブエリア１２０は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１２】
アレイ基板２００は、アクティブエリア１２０において、絶縁層を介して互いに交差するように配置されたゲート線Ｇ（１、２、３、…、ｍ）及びソース線Ｓ（１、２、３、…、ｎ）と、各画素ＰＸに配置されソース線Ｓ及びゲート線Ｇと接続されたスイッチング素子２２０と、各画素ＰＸに配置されスイッチング素子２２０に接続された表示電極２３０と、を備えている。
【００１３】
対向基板３００は、アクティブエリア１２０において、複数の画素ＰＸに共通の対向電極３３０を備えている。この対向電極３３０は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００１４】
これらのアレイ基板２００及び対向基板３００の液晶層４００に対向する面は、液晶層４００に含まれる液晶分子の配向を制御するための配向膜によって覆われている。また、アレイ基板２００及び対向基板３００の外面には、それぞれ液晶層４００の特性に合わせて偏光方向を設定した偏光板を含む光学素子が設けられている。
【００１５】
また、液晶表示パネル１００は、アクティブエリア１２０の外側に位置する外周部１３０に配置された接続部１３１を備えている。この接続部１３１は、信号供給源として機能する駆動ＩＣチップやフレキシブル配線基板と接続可能である。図１に示した例では、接続部１３１は、対向基板３００の端部３００Ａより外方に延在したアレイ基板２００の延在部２００Ａ上に配置されている。
【００１６】
アクティブエリア１２０に配置されたゲート線Ｇ（１、２、３、…、ｍ）のそれぞれは、画素ＰＸの行方向に沿って配置され、外周部１３０を経由して接続部１３１に接続されている。また、ソース線Ｓ（１、２、３、…、ｎ）のそれぞれも同様に、画素ＰＸの列方向に沿って配置され、外周部１３０を経由して接続部１３１に接続されている。
【００１７】
また、液晶表示パネル１００は、アクティブエリア１２０の外側において、アクティブエリア１２０を囲むように配置されたレスキュー配線Ｒを備えている。このレスキュー配線Ｒは、アクティブエリア１２０を挟んだ両側で絶縁層を介してゲート線Ｇ及びソース線Ｓと交差する。
【００１８】
次に、アレイ基板２００の構造をより詳細に説明する。
【００１９】
図２及び図３に示すように、アレイ基板２００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板２１０を用いて形成される。スイッチング素子２２０は、例えば、アモルファスシリコン膜を用いて形成された半導体層２２１を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。
【００２０】
スイッチング素子２２０のゲート電極２２２は、絶縁基板２１０の一方の主面（すなわち液晶層４００に対向する面）上に配置され、ゲート絶縁膜２２３によって覆われている。このゲート電極２２２は、ゲート線Ｇに接続されている（あるいは、ゲート線Ｇと一体的に形成されている）。これらのゲート電極２２２及びゲート線Ｇは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料によって形成されている。ゲート絶縁膜２２３は、例えば酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）や、窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ４）によって形成されている。
【００２１】
半導体層２２１は、ゲート絶縁膜２２３を介してゲート電極２２２と対向するように配置され、そのチャネル領域が保護膜２２４によって覆われている。
【００２２】
スイッチング素子２２０のソース電極２２５は、低抵抗膜２２６を介して半導体層２２１のソース領域にコンタクトしている（あるいは、ソース線Ｓと一体的に形成されている）。スイッチング素子２２０のドレイン電極２２７は、低抵抗膜２２６を介して半導体層２２１のドレイン領域にコンタクトしている。これらのソース電極２２５、ドレイン電極２２７、及び、ソース線Ｓは、例えば、アルミニウム、モリブデン、タングステン、チタンなどの導電材料によって形成されている。
【００２３】
これらのソース電極２２５、ドレイン電極２２７、及び、ソース線Ｓは、層間絶縁膜２２９によって覆われている。この層間絶縁膜２２９は、例えば窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ４）によって形成されている。さらに、この層間絶縁膜２２９は、有機絶縁膜（ハードレジンコート）２４０によって覆われている。
【００２４】
表示電極２３０は、有機絶縁膜２４０の上に配置され、層間絶縁膜２２９及び有機絶縁膜２４０に形成されたコンタクトホール２３１を介してドレイン電極２２７と電気的に接続されている。バックライト光を選択的に透過して画像を表示する透過型液晶表示パネルにおいては、表示電極２３０は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。また、外光を選択的に反射して画像を表示する反射型液晶表示パネルにおいては、表示電極２３０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やモリブデン（Ｍｏ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。
【００２５】
また、アレイ基板２００は、絶縁基板２１０上に配置された補助容量線２５０を備えている。この補助容量線２５０は、ゲート線Ｇと略平行に配置され、ゲート電極２２２と同一材料を用いて同一工程にて形成可能である。より詳細には、この補助容量線２５０は、表示電極２３０と対向するとともに複数の表示電極２３０を横切るように配置されている。これにより、表示電極２３０と対向電極３３０との間の液晶容量ＣＬＣと並列な蓄積容量部ＣＳが形成される。
【００２６】
ところで、上述したような構造のアレイ基板においては、確実なレーザリペアを可能とするために、レーザカットの手法を適用可能とする場所については、有機絶縁膜２４０が重ならないように構成されている。
【００２７】
例えば、図４に示すように、ゲート線Ｇなどと同一層の導電層Ｍ１に対してアレイ基板２００の裏面側（つまり光学素子が配置される側）からレーザビームを照射して、この導電層Ｍ１をレーザカットする場合、導電層Ｍ１よりもアレイ基板２００の表面側（つまり液晶層と対向する側）に有機絶縁膜２４０が重なる構成では、昇華しきらなかった導電層が残って確実なカットができないおそれがある。これに対して、導電層Ｍ１に重なる有機絶縁膜を排除した構成では、容易にカットが可能となる。
【００２８】
また、レーザコンタクトの手法を適用可能とする場所については、有機絶縁膜２４０が重なるように構成されている。
【００２９】
例えば、図５に示すように、ゲート線Ｇなどと同一層の導電層Ｍ１とソース線Ｓなどと同一層の導電層Ｍ２との交差部においてアレイ基板２００の裏面側からレーザビームを照射して両者をレーザコンタクトする場合、有機絶縁膜２４０が重ならない構成では、導電層の残渣物がアレイ基板の表面からめくれ上がり、対向基板まで達して基板間ショートを生ずるおそれがある。これに対して、有機絶縁膜２４０が重なる構成では、導電層のめくれ上がりが抑制され、基板間ショートを防止できるとともに導電層Ｍ１及びＭ２を容易にコンタクトすることが可能となる。なお、この図５に示した例では、導電層Ｍ１と導電層Ｍ２との間に半導体層２２１が介在しており、半導体層２２１を伴って導電層Ｍ１及びＭ２のコンタクトを可能としている。
【００３０】
また、図６に示すように、導電層Ｍ１と導電層Ｍ２との交差部においてアレイ基板２００の裏面側からレーザビームを照射して両者をレーザコンタクトする場合、有機絶縁膜２４０が重ならない構成では、コンタクト対象の導電層がともにめくれ上がって互いに離れ、コンタクト不良を生ずるおそれがある。これに対して、有機絶縁膜２４０が重なる構成では、導電層のめくれ上がりが抑制され、導電層Ｍ１及びＭ２を確実にコンタクトすることが可能となる。なお、この図６に示した例では、導電層Ｍ１と導電層Ｍ２との間に半導体層２２１が介在しており、半導体層２２１を伴って導電層Ｍ１及びＭ２のコンタクトを可能としている。
【００３１】
このように、有機絶縁膜２４０は、少なくともレーザコンタクトの手法を適用する場所に重なるように配置されており、レーザカットの手法を適用する場所には重ならないようなパターンに形成されている。つまり、有機絶縁膜２４０は、レーザコンタクトの手法を適用する場所のみに島状に配置し、レーザカットの手法を適用する場所を含む他の部分には配置されないようなパターンとして形成されても良い。あるいは、有機絶縁膜２４０は、レーザコンタクトの手法を適用する場所を含むようにアレイ基板２００の全体にわたって成膜され、レーザカットの手法を適用する場所に重なる開口部が形成されたパターンとして形成されても良い。
【００３２】
次に、より具体的なレーザリペアの手法について説明する。なお、以下に説明する実施例において、参照する図面では、主要部を図示しており、保護膜２２４や低抵抗膜２２６などは省略している。
【００３３】
〔第１実施例〕
第１実施例では、スイッチング素子２２０において、ソース電極２２５とドレイン電極２２７とがショートしている場合のレーザリペアの手法について説明する。
【００３４】
図７は、図２において、ソース電極２２５とドレイン電極２２７とが繋がってショートした状態のスイッチング素子２２０をＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断したときの断面図である。ここに示した例において、有機絶縁膜２４０は、スイッチング素子２２０の上に重なるように配置されている。また、有機絶縁膜２４０には、ソース線Ｓとスイッチング素子２２０とを接続する接続部ＳＳに重なる開口部ＡＰが形成されている。この開口部ＡＰが形成された位置では、複数の導電層が重なることはなく、導電層としてはソース線Ｓのレイヤのみが配置されている。
【００３５】
このようにショートした状態のスイッチング素子２２０を有する画素ＰＸにおいては、ゲート線Ｇのゲート電位に関わらず、常に表示電極２３０がソース線Ｓの電位となり、例えば、輝点となる。
【００３６】
そこで、このようなショートに対しては、ゲート電極２２２とソース電極２２５またはドレイン電極２２７とが重なる部分にレーザビームを照射して、両者をコンタクトする。このとき、スイッチング素子２２０が有機絶縁膜２４０によって覆われているため、レーザコンタクト時の上述した不具合を生ずることなく、ソース電極２２５及びドレイン電極２２７とゲート電極２２２との電気的な接続が可能となる。
【００３７】
また、上述したレーザコンタクトと併せて、ソース線Ｓとスイッチング素子２２０（より具体的にはソース電極２２５）とが接続される接続部ＳＳにレーザビームを照射して、接続部ＳＳをカットする。このとき、接続部ＳＳが有機絶縁膜２４０に形成された開口部ＡＰと重なるため、レーザカット時の上述した不具合を生ずることなく、ソース線Ｓとスイッチング素子２２０（ソース電極２２５）との切り離しが可能となる。
【００３８】
このようなレーザリペアにより、表示電極２３０は常にゲート電位となる。ノーマリーホワイトの場合には、スイッチング素子２２０がオンの状態においても、また、オフの状態においても、ゲート・ソース間電圧は、常に液晶層４００に印加される電圧よりも高い。したがって、上述の方法によりゲート電極２２２とソース電極２２５またはドレイン電極２２７が接続されリペアされた画素は、常に液晶層４００に高いゲート電圧が印加されるため黒表示となり、画素ＰＸは、滅点化される。
【００３９】
〔第２実施例〕
第２実施例では、ゲート線Ｇとソース線Ｓとが交差するＧＳ交差部Ｃ１において、ゲート線Ｇとソース線Ｓとがショートしている場合のレーザリペアの手法について説明する。
【００４０】
図８は、図２において、ゲート線Ｇとソース線Ｓとがショートした状態のＧＳ交差部Ｃ１をソース線Ｓに沿ったＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線で切断したときの断面図である。ここに示した例において、有機絶縁膜２４０には、ＧＳ交差部Ｃ１を挟んだ両側に位置するソース線Ｓの上にそれぞれ重なる開口部ＡＰ１及びＡＰ２が形成されている。これらの開口部ＡＰ１及びＡＰ２が形成された位置では、複数の導電層が重なることはなく、導電層としてはソース線Ｓのレイヤのみが配置されている。
【００４１】
このようにショートした状態では、ゲート線Ｇにソース線Ｓの電位が供給され、また、ソース線Ｓにゲート線Ｇの電位が供給されてしまう。
【００４２】
そこで、このようなショートに対するレーザリペアの第１の手法では、まず、ＧＳ交差部Ｃ１の両側に位置するソース線Ｓにレーザビームを照射して、ソース線Ｓをカットする。このとき、ソース線Ｓのカット部分が有機絶縁膜２４０に形成された開口部ＡＰ１及びＳＰ２と重なるため、レーザカット時の上述した不具合を生ずることなく、ＧＳ交差部Ｃ１とソース線Ｓとの切り離しが可能となる。このＧＳ交差部Ｃ１の近傍に配置されたスイッチング素子２２０のソース電極２２５は、ＧＳ交差部Ｃ１と切り離されたいずれか一方のソース線Ｓに接続部ＳＳを介して接続されている。
【００４３】
このようなレーザカットにより、ソース線Ｓは、途中でカットされてしまうため、このままでは、接続部１３１と繋がった側のみがソース電位を供給可能となり、接続部１３１と繋がっていない側にはソース電位を供給不能となってしまう。
【００４４】
そこで、レスキュー配線Ｒを利用したソース線Ｓのレスキュー処理を行う。
【００４５】
すなわち、図９に示すように、ソース線Ｓは、アクティブエリア１２０を挟んだ両側で、絶縁層を介してレスキュー配線Ｒとそれぞれ交差している。図９に示した例では、ソース線Ｓ１０の途中がカットされている場合を示している。
【００４６】
図１０は、図９において、レスキュー配線Ｒとソース線Ｓとが交差するＲＳ交差部Ｃ２をＸ−Ｘ線で切断したときの断面図である。レスキュー配線Ｒは、例えば、ゲート線Ｇなどと同一の導電層として形成されている。レスキュー配線Ｒとソース線Ｓとの間の絶縁層とは、ゲート絶縁膜２２３に相当する。
【００４７】
尚、ソース線Ｓと平行に形成されているレスキュー配線Ｒは、ソース線Ｓと同一の層に形成された導電層であり、上述のゲート線Ｇと同一の層にあるレスキュー配線Ｒとは、レスキュー配線Ｒどうしが交差する部分において、コンタクトされる。
【００４８】
ここに示した例において、有機絶縁膜２４０は、ＲＳ交差部Ｃ２の上に重なるように配置されている。また、有機絶縁膜２４０には、隣接するＲＳ交差部Ｃ２の間に重なる開口部ＡＰが形成されている。この開口部ＡＰが形成された位置では、複数の導電層が重なることはなく、導電層としてはレスキュー配線Ｒのレイヤのみが配置されている。
【００４９】
そして、アクティブエリア１２０を挟んだ両側において、レスキュー配線Ｒとソース線Ｓ１０とが交差するＲＳ交差部Ｃ２のそれぞれにレーザビームを照射して、両者をコンタクトする。このとき、ＲＳ交差部Ｃ２が有機絶縁膜２４０によって覆われているため、レーザコンタクト時の上述した不具合を生ずることなく、レスキュー配線Ｒとソース線Ｓ１０との電気的な接続が可能となる。
【００５０】
また、上述したレーザコンタクトと併せて、ソース線Ｓ１０とソース線Ｓ１１との間のレスキュー配線Ｒにレーザビームを照射して、レスキュー配線Ｒをカットしても良い。このとき、レスキュー配線Ｒが有機絶縁膜２４０に形成された開口部ＡＰと重なるため、レーザカット時の上述した不具合を生ずることなく、レスキュー配線Ｒの切り離しが可能となる。
【００５１】
このようなレーザリペアにより、途中でカットされたソース線Ｓに接続された全ての画素ＰＸについて、各スイッチング素子２２０を介して表示電極２３０に正常なソース電位を供給することが可能となる。
【００５２】
〔第３実施例〕
第３実施例では、ゲート線Ｇとソース線Ｓとが交差するＧＳ交差部Ｃ１において、ゲート線Ｇとソース線Ｓとがショートしている場合のレーザリペアの別の手法について説明する。
【００５３】
図１１は、図２において、ゲート線Ｇとソース線Ｓとがショートした状態のＧＳ交差部Ｃ１をゲート線Ｇに沿ったＸＩ−ＸＩ線で切断したときの断面図である。ここに示した例において、有機絶縁膜２４０には、ＧＳ交差部Ｃ１を挟んだ両側に位置するゲート線Ｇの上にそれぞれ重なる開口部ＡＰ１及びＡＰ２が形成されている。これらの開口部ＡＰ１及びＡＰ２が形成された位置では、複数の導電層が重なることはなく、導電層としてはゲート線Ｇのレイヤのみが配置されている。
【００５４】
このようなショートに対するレーザリペアの第２の手法では、まず、ＧＳ交差部Ｃ１の両側に位置するゲート線Ｇにレーザビームを照射して、ゲート線Ｇをカットする。このとき、ゲート線Ｇのカット部分が有機絶縁膜２４０に形成された開口部ＡＰ１及びＳＰ２と重なるため、レーザカット時の上述した不具合を生ずることなく、ＧＳ交差部Ｃ１とゲート線Ｇとの切り離しが可能となる。
【００５５】
このようなレーザカットにより、ゲート線Ｇは、途中でカットされてしまうため、このままでは、接続部１３１と繋がった側のみがゲート電位を供給可能となり、接続部１３１と繋がっていない側にはゲート電位を供給不能となってしまう。
【００５６】
そこで、レスキュー配線Ｒを利用したゲート線Ｇのレスキュー処理を行う。
【００５７】
すなわち、図１２に示すように、ゲート線Ｇは、アクティブエリア１２０を挟んだ両側で、絶縁層を介してレスキュー配線Ｒとそれぞれ交差している。図１２に示した例では、ゲート線Ｇ１０の途中がカットされている場合を示している。
【００５８】
図１３は、図１２において、レスキュー配線Ｒとゲート線Ｇとが交差するＲＧ交差部Ｃ３をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線で切断したときの断面図である。レスキュー配線Ｒは、例えば、ソース線Ｓなどと同一の導電層として形成されている。レスキュー配線Ｒとゲート線Ｇとの間の絶縁層とは、ゲート絶縁膜２２３に相当する。
【００５９】
尚、ゲート線Ｇと平行に形成されているレスキュー配線Ｒは、ゲート線Ｇと同一の層に形成された導電層であり、上述のソース線Ｓと同一の層にあるレスキュー配線Ｒとは、レスキュー配線Ｒどうしが交差する部分において、コンタクトされる。
【００６０】
ここに示した例において、有機絶縁膜２４０は、ＲＧ交差部Ｃ３の上に重なるように配置されている。また、有機絶縁膜２４０には、隣接するＲＧ交差部Ｃ３の間に重なる開口部ＡＰが形成されている。この開口部ＡＰが形成された位置では、複数の導電層が重なることはなく、導電層としてはレスキュー配線Ｒのレイヤのみが配置されている。
【００６１】
そして、アクティブエリア１２０を挟んだ両側において、レスキュー配線Ｒとゲート線Ｇ１０とが交差するＲＧ交差部Ｃ３のそれぞれにレーザビームを照射して、両者をコンタクトする。このとき、ＲＧ交差部Ｃ３が有機絶縁膜２４０によって覆われているため、レーザコンタクト時の上述した不具合を生ずることなく、レスキュー配線Ｒとゲート線Ｇとの電気的な接続が可能となる。
【００６２】
また、上述したレーザコンタクトと併せて、ゲート線Ｇ１０とゲート線Ｇ１１との間のレスキュー配線Ｒにレーザビームを照射して、レスキュー配線Ｒをカットしても良い。このとき、レスキュー配線Ｒが有機絶縁膜２４０に形成された開口部ＡＰと重なるため、レーザカット時の上述した不具合を生ずることなく、レスキュー配線Ｒの切り離しが可能となる。
【００６３】
このようなレーザリペアにより、途中でカットされたゲート線Ｇに接続された全ての画素ＰＸについて、各スイッチング素子２２０のゲート電極２２２に正常なゲート電位を供給することが可能となる。
【００６４】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００６５】
上述した実施の形態において、表示装置として液晶表示装置を例に説明したが、この液晶表示装置については液晶モードについて特に制限はなく、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなどが適用可能である。また、これらのアレイ基板２００と対向基板３００との間での縦電界を主に利用して液晶分子の配向を制御する液晶モードのほかに、アレイ基板２００と対向基板３００との間での横電界を主に利用して液晶分子の配向を制御する液晶モードなどにも適用可能である。
【００６６】
また、カラー表示タイプの液晶表示装置においては、アレイ基板２００または対向基板３００が、アクティブエリア１２０においてカラーフィルタを備えて構成され、例えば、赤色画素、緑色画素、青色画素を構成する。
【００６７】
また、この発明の表示装置は、上述した液晶表示装置に限定されるものではなく、自己発光素子を表示素子とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置などであっても良い。有機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合、スイッチング素子のドレイン電極に接続される表示電極は、例えば有機ＥＬ素子を構成するアノードに相当する。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の液晶表示パネルの構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルにおける表示画素の構成を概略的に示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示した液晶表示パネルを構成するアレイ基板をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した構造を示す断面図である。
【図４】図４は、レーザカット時の不具合、及び、本実施形態におけるレーザカットの手法を説明するための図である。
【図５】図５は、レーザコンタクト時の不具合（基板間ショート）、及び、本実施形態におけるレーザコンタクトの手法を説明するための図である。
【図６】図６は、レーザコンタクト時の他の不具合（メタル剥離）、及び、本実施形態におけるレーザコンタクトの手法を説明するための図である。
【図７】図７は、図２において、ソース電極とドレイン電極とがショートした状態のスイッチング素子をＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断したときの断面図である。
【図８】図８は、図２において、ゲート線とソース線とがショートした状態のＧＳ交差部をソース線に沿ったＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線で切断したときの断面図である。
【図９】図９は、レスキュー配線とソース線とが交差するＲＳ交差部の構造を概略的に示す図である。
【図１０】図１０は、図９において、レスキュー配線とソース線とが交差するＲＳ交差部をＸ−Ｘ線で切断したときの断面図である。
【図１１】図１１は、図２において、ゲート線とソース線とがショートした状態のＧＳ交差部をゲート線に沿ったＸＩ−ＸＩ線で切断したときの断面図である。
【図１２】図１２は、レスキュー配線とゲート線とが交差するＲＧ交差部の構造を概略的に示す図である。
【図１３】図１３は、図１０において、レスキュー配線とゲート線とが交差するＲＧ交差部をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線で切断したときの断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
ＰＸ…画素  Ｇ…ゲート線  Ｓ…ソース線  ＳＳ…接続部
１００…液晶表示パネル  １２０…アクティブエリア
２００…アレイ基板
２２０…スイッチング素子
２２１…半導体層  ２２２…ゲート電極  ２２５…ソース電極  ２２７…ドレイン電極
２３０…表示電極
２２３…ゲート絶縁膜  ２２９…層間絶縁膜  ２４０…有機絶縁膜  ＡＰ…開口部
３００…対向基板  ３３０…対向電極  ４００…液晶層
Ｃ１…ＧＳ交差部  Ｃ２…ＲＳ交差部  Ｃ３…ＲＧ交差部
Ｒ…レスキュー配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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