(57)【要約】【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を、長時間に渡って安定して形成することができる堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】基体１１２が設置される減圧可能な反応容器１１１と、該反応容器内を減圧可能とする排気手段とを含み、基体１１２上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置である。上記排気手段は、排気部を介して反応容器１１１と接続されている。該排気部は、反応容器１１１の側壁の開口部を覆って取り付けられ、基体１１２の長手方向に沿って配列する複数の穴が形成された排気筒取付板１４５と、前記複数の穴にそれぞれ設けられた複数の排気筒１４６−１〜１４６−６とを有する。さらに排気部は、堆積膜形成時にそれら排気筒のコンダクタンスを調整する手段１４７を有している。【選択図】図１
2009030122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器と、前記反応容器の内部を減圧可能とする排気手段と、前記反応容器の内部に設置される基体を保持する基体保持手段と、前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、前記原料ガスを励起させて励起種を生成する放電エネルギーを印加する印加手段とを備え、前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記排気手段は、排気部を介して前記反応容器と接続されており、
該排気部は、前記反応容器の側壁に形成された複数の貫通孔にそれぞれ設けられた複数の排気筒と、前記排気筒のコンダクタンスを調整する手段とを有していることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記基体は円筒状であり、
前記堆積膜形成装置は、前記反応容器の側壁に形成された開口部を覆って取り付けられるとともに、前記基体の長手方向に沿って配列する前記複数の貫通孔が形成された排気筒取付板を有しており、かつ、該排気筒取付板は、前記基体の長手方向に平行に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記基体の長手方向の両端にそれぞれ対向配置する前記排気筒の間の距離は、前記基体の長手方向の長さの、１．０倍以上１．５倍以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記排気筒のコンダクタンスを調整する手段は、排気筒の長さを変える手段であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記排気筒のコンダクタンスを調整する手段は、排気筒の内径を変える手段であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
反応容器の内部に基体を設置する工程と、前記反応容器の内部を排気して減圧する工程と、前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、前記反応容器の内部に放電を発生させ、前記原料ガスを励起させて励起種を生成する工程とを有し、前記基体上に堆積膜を形成する方法において、
前記反応容器の内部を排気して減圧する工程は、該反応容器の側壁に形成された複数の貫通孔にそれぞれ設けられた複数の排気筒を介して行う工程であり、
前記排気筒のコンダクタンスを、堆積膜形成条件に応じて調整し、堆積膜を形成する工程を含むことを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項７】
反応容器の内部に円筒状基体を設置する工程と、前記反応容器の内部を排気して減圧する工程と、前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、前記反応容器の内部に放電を発生させ、前記原料ガスを励起させて励起種を生成する工程とを有し、前記円筒状基体に堆積膜を形成して、下部電荷注入阻止層、光導電層、表面層を有する電子写真感光体の形成方法において、
前記反応容器の内部の排気して減圧する工程は、該反応容器の側壁に形成された複数の貫通孔にそれぞれ設けられた複数の排気筒を介して行う工程であり、
堆積膜形成時に、前記排気筒の長さ、または前記排気筒の内径を変えることで、前記排気筒のコンダクタンスを調整する工程を含むことを特徴とする電子写真感光体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基体上に堆積膜、とりわけアモルファス状あるいは多結晶状等の非単結晶状の堆積膜を利用した光受容部材を形成するための堆積膜形成装置および方法に関するものである。本発明は、特にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって堆積膜を形成する堆積膜形成装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファス材料（本明細書では、以下、「アモルファス」は非単結晶であることを指す）で構成された半導体等用の堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。例えば水素およびハロゲン（例えばフッ素、塩素等）の少なくとも一方で補償されたアモルファスシリコン（以下、“ａ−Ｓｉ”と略記す。）が光受容部材として用いられている。このような光受容部材は、例えば半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサ、撮像デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等に、素子部材として用いることができる。
【０００３】
この種の堆積膜を形成する際には、堆積膜の膜厚、膜特性の均一化が求められることが多い。そのために、原料ガスの供給方法を工夫したり、プラズマＣＶＤ法を用いる場合、プラズマを均一にする方策を採ったり、堆積膜が形成される被処理基体を回転させたりすることが有効であることが示されている。
【０００４】
また、原料ガスの供給手段および堆積膜形成用基板の配列と、排気方向を適切に規定し、原料ガスの利用効率の向上と、堆積膜の均一化を図った装置も提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、電極を、原料ガスを吹き出す構成とし、原料ガス吹き出し口と排気口の方向を適切に規定して、膜厚分布の均一化を図った電子写真感光体製造装置も提案されている（特許文献２参照）。
【０００６】
また、原料ガスの供給手段と、原料ガスを吹き出す電極の構成部品の材料と、被処理体の周辺近傍の吸い込み口のコンダクタンスを適切に規定して、プラズマ処理の均一化を図った装置も提案されている（特許文献３参照）。
【特許文献１】特公平５−３２４７２号公報
【特許文献２】特許第０２７７６０８７号公報
【特許文献３】特開平８−１５３６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、上記のような方策により堆積膜の均一化が図られてきた。しかし、近年、このような堆積膜を利用した装置の高機能化、例えば電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、堆積膜の均一性が、従来以上に求められている。すなわち、例えば、電子写真プロセスを利用した近年の高画質カラー装置では、階調性が向上されているため、従来実用上の問題のなかった程度の、堆積膜の不均一性でも、形成画像に視覚可能なむらを生じさせる可能性が生じる。
【０００８】
この際、例えば電子写真感光体に見られるように、円筒状の堆積膜を形成する場合、その膜質の、長手方向での、さらなる均一性向上が求められている。これに関して、上述したような従来技術では、堆積膜形成装置における排気についての考慮が十分ではない。すなわち、ガスの排気速度を、堆積膜形成装置の長手方向で均一化すれば、プラズマ処理の均一性、特にガスの流れの均一性をさらに向上させることができることが期待される。
【０００９】
また、堆積膜形成時に、その堆積膜形成条件により、粉状の副生成物が発生する場合がある。特に、電子写真用感光体のように比較的大面積で厚い堆積膜が要求される製品を製造する場合、副生成物はかなり多量になる場合がある。このような時、堆積膜形成装置の排気機構は、このような副生成物によって閉塞したり、部分的に流れが悪くなったりして、堆積膜形成中の排気速度分布や内圧分布に影響を及ぼし、均一性の低下を生じる場合がある。
【００１０】
また、近年、例えば電子写真装置においては、電子写真特性をより一層向上させることができる堆積膜が要求されるようになり、その結果、堆積膜の層構成も多様化してきている。このような状況下において、電子写真用感光体の特性の均一性向上のために、各層の均一性をより向上させることが求められている。
【００１１】
また、前述のように電子写真装置においては、デジタル対応またはカラー対応等、多機種が市場に投入されている。それに対応するため電子写真用感光体も、多品種化しており、その結果、堆積膜形成条件も複雑化している。そこで、多品種生産を行う場合、各々の品種毎に堆積膜形成条件が異なるため、各品種に応じ堆積膜形成装置の最適化を行う必要がある。上記のような、ガスの排気速度の均一化に関しても、各品種に応じた調整が必要となることが考えられる。したがって、生産性の低下を抑制するため、そのような調整を簡便に行えるようにすることが求められる。
【００１２】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を形成することができる堆積膜形成装置および方法を提供することを目的とする。また、本発明は、比較的厚い堆積膜を形成するような場合でも長時間に渡って安定した生産品質を保つことができる堆積膜形成装置および方法を提供することも目的とする。さらに本発明は、多品種生産に対しても、高い生産性を維持可能な堆積膜形成装置および方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した目的を達成するため、本発明に係る堆積膜形成装置は、減圧可能な反応容器と、前記反応容器の内部を減圧可能とする排気手段と、前記反応容器の内部に設置される基体を保持する基体保持手段と、前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、前記原料ガスを励起させて励起種を生成する放電エネルギーを印加する印加手段とを備え、前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記排気手段は、排気部を介して前記反応容器と接続されており、
該排気部は、前記反応容器の側壁に形成された複数の貫通孔にそれぞれ設けられた複数の排気筒と、前記排気筒のコンダクタンスを調整する手段とを有していることを特徴とする。
【００１４】
更に、本発明に係る堆積膜形成方法は、反応容器の内部に基体を設置する工程と、前記反応容器の内部を排気して減圧する工程と、前記反応空容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、前記反応容器の内部に放電を発生させ、前記原料ガスを励起させて励起種を生成する工程とを有し、前記基体上に堆積膜を形成する方法において、
前記反応容器の内部の排気は、該反応容器側壁に形成された複数の貫通孔にそれぞれ設けられた複数の排気筒を介して行い、
前記排気筒のコンダクタンスを、堆積膜形成条件に応じて調整し、堆積膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、堆積膜形成装置内の、ガスの流れの均一性が向上し、基体の、堆積膜形成面内における膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を形成することができる。
【００１６】
また本発明によれば、例えば、電子写真用感光体のように比較的大面積で厚い堆積膜が要求される製品を製造する場合のように、比較的、長時間堆積膜形成を行う場合においても、副生成物による排気機構への影響を低減することができる。その結果長時間に渡って安定して堆積膜を形成することができる。
【００１７】
更に本発明によれば、多層構成の堆積膜の形成に対しても、また、多品種生産に対しても、均一性と、高い生産性を両立することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１９】
図１は、ＲＦ（Radio Frequency）−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、電子写真用感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を模式的に示した図である。図１（ａ）は縦断面図、図１（ｂ）は横断面図、図２、図３、図４はそれぞれ、排気筒１４６−１〜１６４−３近辺を拡大した縦断面図である。
【００２０】
堆積膜形成装置１１０は、プラズマ処理によって円筒状基体１１２に堆積膜を形成する装置であり、減圧可能な反応空間を形成する円筒状反応容器１１１と、その中に円筒状基体１１２を保持する基体ホルダ（基体保持手段）１１７を有している。
【００２１】
円筒状基体１１２は、使用目的に応じた材質を有するものであればよい。円筒状基体１１２の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス等が、電気伝導率が良好であるため、好適である。中でも、加工性や製造コストを考慮すると、アルミニウムが最適である。この場合、円筒状基体１１２を形成するアルミニウムとしては、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００２２】
基体ホルダ１１７の内部には、加熱用ヒーター１１３が設けられている。加熱用ヒーター１１３は、真空中で使用可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒーター、板状ヒーター、セラミックヒータ、カーボンヒータ等の電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプや、液体、気体等を熱媒とした熱交換手段が対象として挙げられる。加熱用ヒーター１１３の表面材料としては、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類や、セラミック、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【００２３】
また、円筒状反応容器１１１内には、円筒状反応容器１１１内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管（原料ガス導入手段）１１４が設けられている。原料ガス導入管１１４は、保持される円筒状基体１１２の長手方向に平行に延びている。原料ガス導入管１１４は、不図示のガス供給系に接続されている。その接続配管には、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在させたミキシング１２３と、原料ガス導入管１１４に供給する原料ガスの流量を調整するための原料ガス流入バルブ１３０が設けられている。
【００２４】
円筒状反応容器１１１の円筒状の側壁には、整合回路を有するマッチングボックス１１５を介して高周波電源（印加手段）１１６が電気的に接続されている。この側壁は、円筒状反応容器１１１の、アース面となる下プレート１１８および上蓋１１９から、セラミックスからなる絶縁体１３１により絶縁されている。
【００２５】
さらに、円筒状反応容器１１１の下部には、円筒状基体１１２を保持する基体ホルダ１１７を回転可能に支持する回転支持機構１０５が設けられている。この回転支持機構１０５は、基体ホルダ１１７が載置された回転台１２１と、この回転台１２１を支持する支軸１２２と、支軸１２２に接続され回転台１２１を回転させるためのモータ１２０とを有している。したがって、円筒状基体１１２は、基体ホルダ１１７上に装着された状態で、回転台１２１と共に支軸１２２を中心として回転させることができる。
【００２６】
堆積膜形成装置１１０が備える排気系は、円筒状反応容器１１１に接続された排気部１４０と、排気部１４０に連通した排気配管１４１を有している。排気配管１４１には、真空ポンプユニット（排気手段）１４２が接続されており、排気メインバルブ１４３が設けられている。また、円筒状反応容器１１１には、その内部の圧力を測定する真空計１３３が取り付けられている。これらを用いて、円筒状反応容器１１１内を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。真空ポンプユニット１４２には、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプ等を用いることができる。
【００２７】
排気部１４０は、円筒状反応容器１１１の側壁に形成されたほぼ長方形の開口部１４４に、絶縁体１３１を介して接続されている。排気部１４０は中空構造で、絶縁体１３１側に、排気筒取付板１４５が開口部１４４を覆って取り付けられている。この排気筒取付板１４５は、円筒状反応容器１１１の、円筒状基体１１２の長手方向と平行な側壁に配置される。排気筒取付板１４５には、保持された円筒状基体１１２の長手方向、したがって、円筒状反応容器１１１の長手方向に沿って略直線状に配列された複数の排気筒１４６（１４６−１〜１４６−６）が貫通孔として設けられている。
【００２８】
各排気筒１４６には、排気筒１４６のコンダクタンスを調整する手段が備えられている。
【００２９】
図２〜図４にそれぞれコンダクタンスを調整する手段１４７の詳細を示す。図２〜図４は、図１（ａ）に示す装置の、排気筒１４６−２の近辺（反応容器１１１の上半分にある排気筒１４６）を示している。
【００３０】
コンダクタンスを調整する手段１４７（１４７Ａ〜１４７Ｌ）は、調整排気筒１４８（１４８Ａ〜１４８Ｌ）、ガイド１４９（１４９Ａ〜１４９Ｌ）、調整排気筒駆動手段１５０（１５０Ａ〜１５０Ｌ）からなる。調整排気筒駆動手段１５０を駆動することで、ガイド１４９に沿って、調整排気筒１４８が排気部１４０内を、排気筒１４６側および排気配管１４１側に移動する。それにより、調整排気筒１４８が排気筒１４６と接続あるいは離脱される。その結果、排気筒１４６のコンダクタンスが調整される。
【００３１】
この様子を、図２〜図４を用い、詳細に説明する。
【００３２】
本発明の実施例では、排気筒１４６は、図１（ａ）に示すように、上下対称構成となっている。よって、図２〜図４の各図には、反応容器側壁の上半分に配置された排気筒１４６−１〜１４６−３しか示していないが、反応容器側壁の下半分に配置された排気筒１４６−４〜１４６−６も、図２〜図４を用い同時に説明する。
【００３３】
図２では、排気筒１４６−１には、調整排気筒１４８Ａ、１４８Ｂが接続されている。同様に、排気筒１４６−２には、調整排気筒１４８Ｃ、１４８Ｄが、排気筒１４６−３には、調整排気筒１４８Ｅ、１４８Ｆが接続されている。排気筒１４６−４には、調整排気筒１４８Ｇ、１４８Ｈが、排気筒１４６−５には、調整排気筒１４８Ｉ、１４８Ｊが、排気筒１４６−６には、調整排気筒１４８Ｋ、１４８Ｌが、接続されている。
【００３４】
これにより、排気筒１４６−１〜１４６−６のコンダクタンスは、調整排気筒１４８Ｂ、１４８Ｄ，１４８Ｆ、１４８Ｇ、１４８Ｉ、１４８Ｋにより、決定される。
【００３５】
この場合、調整排気筒１４８Ｂ、１４８Ｄ，１４８Ｆ、１４８Ｇ、１４８Ｉ、１４８Ｋは、長さは全て等しい構成となっている。一方、それらの調整排気筒の内径は、調整排気筒１４８Ｂ及び１４８Ｋが最大となり、調整排気筒１４８Ｆ及び１４８Ｇが最小となり、調整排気筒１４８Ｄ及び１４８Ｉがその中間となる。
【００３６】
この時の設置条件は、所望の堆積膜形成条件（以下条件Ｃとする）に合わせて選択した条件となる。
【００３７】
図３に、図２の状態から、コンダクタンスを調整する手段１４７Ｂ、１４７Ｄ、１４７Ｉ、１４７Ｋを動作させた状態を示す。調整排気筒駆動手段１５０Ｂ、１５０Ｄ、１５０Ｉ、１５０Ｋを駆動させ、ガイド１４９Ｂ、１４９Ｄ、１４９Ｉ、１４９Ｋに沿って、円筒状の調整排気筒１４８Ｂ、１４８Ｄ、１４８Ｉ、１４８Ｋを、排気筒１４６側から排気配管１４１側に移動させる。それにより、調整排気筒１４８Ｂ、１４８Ｄ、１４８Ｉ、１４８Ｋが、排気筒１４６−１、１４６−２、１４６−５、１４６−６から離脱し、排気配管１４０側に移動させられる。
【００３８】
この場合、排気筒１４６−３、１４６−４のコンダクタンスは、調整排気筒１４８Ｆ、１４８Ｇにより、決定され、長さが最大で、内径が最小となる。
【００３９】
また、排気筒１４６−１、１４６−２のコンダクタンスは、排気筒１４６−１と調整排気筒１４８Ａの組、排気筒１４６−２と調整排気筒１４８Ｃの組により、決定される。同様に、排気筒１４６−５、１４６−６のコンダクタンスは、排気筒１４６−５と調整排気筒１４８Ｊの組、排気筒１４６−６と調整排気筒１４８Ｌの組により、決定される。この場合、排気筒１４６−１、１４６−２、１４６−５、１４６−６は、長さおよび内径は等しくなるが、排気筒１４６−３、１４６−４とそれぞれ比較すると、長さは短く、内径は大きくなる。
【００４０】
この時の設置条件は、前述の条件Ｃとは異なる所望の堆積膜形成条件（以下条件Ｄとする）に合わせて選択した条件となる。
【００４１】
さらに、排気筒１４６のコンダクタンスを調整した場合を、図４に示す。
【００４２】
図４は、図３の状態から、コンダクタンスを調整する手段１４７Ａ、１４７Ｃ、１４７Ｅ、１４７Ｆ、１４７Ｇ、１４７Ｈ、１４７Ｊ、１４７Ｌを動作させた状態を示す。調整排気筒駆動手段１５０Ａ、１５０Ｃ、１５０Ｅ、１５０Ｆ、１５０Ｇ、１５０Ｈ、１５０Ｊ、１５０Ｌを駆動させる。それにより、ガイド１４９Ａ、１４９Ｃ、１４９Ｅ、１４９Ｆ、１４９Ｇ、１４９Ｈ、１４９Ｊ、１４９Ｌに沿って、調整排気筒１４８Ａ、１４８Ｃ、１４８Ｅ、１４８Ｆ、１４８Ｇ、１４８Ｈ、１４８Ｊ、１４８Ｌを、排気配管１４１側に移動させる。その結果、調整排気筒１４８Ａ、１４８Ｃ、１４８Ｅ、１４８Ｆ、１４８Ｇ、１４８Ｈ、１４８Ｊ、１４８Ｌが、排気筒１４６−１、〜１４６−６から離脱し、排気配管１４０側に移動させられる。
【００４３】
この場合、排気筒１４６−１〜１４６−６のコンダクタンスは、排気筒１４６−１〜１４６−６により決定される。つまり、排気筒１４６−１〜１４６−６は、内径が全て等しい構成となっている。一方、それらの長さは、排気筒１４６−１及び１４６−６が最小となり、排気筒１４６−３及び１４５−４が最大となり、排気筒１４６−２及び１４６−５がその中間となる。
【００４４】
この時の設置条件は、前述（条件Ｃ，Ｄ）とは異なる所望の堆積膜形成条件（以下条件Ｅとする）に合わせて選択した条件となる。
【００４５】
以上のように、図１においては、排気筒１４６のコンダクタンス調整は、コンダクタンス調整手段１４７を用い、排気筒の内径及び/または長さを変化させることで行われる。
【００４６】
以上のように構成された堆積膜形成装置１１０を用いて堆積膜を形成する手順の一例について以下説明する。
【００４７】
まず、円筒状反応容器１１１内に、円筒状基体１１２が装着された基体ホルダ１１７を設置し、真空ポンプユニット１４２により円筒状反応容器１１１内を排気する。このとき、排気筒１４６−１〜１４６−６は、図２の状態で、調整排気筒１４８Ａ〜１４８Ｌは、全て排気筒１４６−１〜１４６−６に接続されている。
【００４８】
続いて円筒状反応容器１１１内に、ミキシング１２３、原料ガス流入バルブ１３０、および原料ガス導入管１１４を介して、円筒状基体１１２の加熱に必要な、例えばＡｒ，Ｈｅ等のガスを導入する。そして、真空ポンプユニット１４２および排気メインバルブ１４３を用いて、円筒状反応容器１１１内を所定の圧力になるように真空計１３３を見ながら調整を行う。次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒーター１１３により円筒状基体１１２の温度を２００[℃]〜４５０[℃]程度、より好ましくは２５０[℃]〜３５０[℃]程度の所望の温度に制御する。
【００４９】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、円筒状基体１１２上に堆積膜の形成を行う。
【００５０】
このために、まず、加熱用のガスと堆積膜形成用の原料ガスとをミキシング１２３を介して混合して導入し、導入ガスが所望の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器１１１内が１３．３[ｍＰａ]〜１３３０[Ｐａ]程度の所望の圧力になるように、真空計１３３を確認しながら真空ポンプユニット１４２と排気メインバルブ１４３を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット１４２のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
【００５１】
堆積膜形成時に使用する原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、四フッ化珪素（ＳｉＦ4）、六フッ化二珪素（Ｓｉ2Ｆ6）等のアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、水素（Ｈ2）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等を用いることができる。また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素原子を含む元素、酸素原子を含む元素、炭化水素、またはフッ素化合物、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。この際に用いる窒素原子を含む元素としては、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）等が挙げられる。酸素原子を含む元素としては、酸素（Ｏ2）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2）、酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）等が挙げられる。炭化水素としては、メタン（ＣＨ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）等が挙げられる。フッ素化合物としては、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ4）、フッ化窒素（ＮＦ3）等が挙げられる。また、ドーピング処理を目的として、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、フッ化硼素（ＢＦ3）、ホスフィン（ＰＨ3）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入してもよい。
【００５２】
次に、円筒状反応容器１１１内の圧力が安定した後、高周波電源１１６を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１１５を介して円筒状反応容器１１１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６[ＭＨｚ]〜４５[ＭＨｚ]程度のＲＦ帯、特に１３．５６[ＭＨｚ]の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、円筒状反応容器１１１内に導入された原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、円筒状基体１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。
【００５３】
この時の、堆積膜形成条件（原料ガス種／流量、内圧、高周波電力）を、条件Ｃとする。
【００５４】
均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは円筒状基体１１２を加熱する段階から、円筒状基体１１２を回転させる。この回転は、１[ｒｐｍ]〜１０[ｒｐｍ]程度、例えば１[ｒｐｍ]の回転速度とする。こうすることで、円筒状基体１１２の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００５５】
以上のようにして円筒状基体１１２の外周面上に堆積膜が形成される。
【００５６】
堆積膜が形成された後には、原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１１１内を排気する。
【００５７】
次に、上記堆積膜の上に別の堆積膜を形成することで、多層構造の堆積膜を作成することができる。
【００５８】
円筒状反応容器１１１内を排気後、排気筒１４６−１〜１４６−６のコンダクタンスを調整する手段１４７Ａ〜１４７Ｌの、調整排気筒駆動手段１５０Ａ〜１５０Ｌを駆動させる。それにより、調整排気筒１４８Ａ〜１４８Ｌを排気筒１４６−１〜１４６−６から離脱させ、排気配管１４１側に待機させる。（図４に示される状態）
その後、前述と同様な手順で、堆積膜形成用の原料ガスをミキシング１２３を介して混合して導入し、導入ガスが別の堆積膜の形成に対し、所望の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器１１１内が１３．３[ｍＰａ]〜１３３０[Ｐａ]程度の所望の圧力になるように、真空計１３３を確認しながら真空ポンプユニット１４２と排気メインバルブ１４３を調整する。この調整は、前述のように、例えば、真空ポンプユニット１４２のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
【００５９】
次に、円筒状反応容器１１１内の圧力が安定した後、高周波電源１１６を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１１５を介して円筒状反応容器１１１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６[ＭＨｚ]〜４５[ＭＨｚ]程度のＲＦ帯、特に１３．５６[ＭＨｚ]の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、円筒状反応容器１１１内に導入された原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、円筒状基体１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。
【００６０】
この時の、堆積膜形成条件（原料ガス種／流量、内圧、高周波電力）を、条件Ｅとする。
【００６１】
均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは円筒状基体１１２を加熱する段階から、円筒状基体１１２を回転させる。この回転は、１[ｒｐｍ]〜１０[ｒｐｍ]程度、例えば１[ｒｐｍ]の回転速度とする。こうすることで、円筒状基体１１２の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００６２】
以上のようにして円筒状基体１１２の外周面上に先に形成された堆積膜の上に、新たに堆積膜が形成される。
【００６３】
堆積膜が形成された後には、原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１１１内を排気する。
【００６４】
その後、円筒状反応容器１１１および原料ガス導入管１１４内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガスおよびＮ2の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、円筒状反応容器１１１内をＡｒ等の不活性ガスおよびＮ2ガスの少なくとも一方を用いて、大気圧まで戻し、円筒状基体１１２を円筒状反応容器１１１内から取り出す。
【００６５】
その後に、必要に応じて、堆積した粉状の副生成物をクリーニング処理する。その時の手順としては、まず、円筒状基体１１２の替わりに同一形状をしたクリーニング用のダミー基体（不図示）を、円筒状反応容器１１１内に設置し、真空ポンプユニット１４２により円筒状反応容器１１１内を排気する。続いて、円筒状反応容器１１１内にミキシング１２３および原料ガス導入管１１４を介してクリーニング処理に必要なクリーニング性ガスを導入する。そして、真空ポンプユニット１４２および排気メインバルブ１４３を用いて、円筒状反応容器１１１内を所定の圧力になるように真空計１３３を見ながら調整を行う。
【００６６】
クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばＣＦ4、ＣＦ4／Ｏ2、ＳＦ6、ＣｌＦ3（三フッ化塩素）等が挙げられるが、本実施形態では、クリーニング時間を短縮する面から有効であるＣｌＦ3を用いる。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いることが有効である。この不活性ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒが挙げられるが、なかでもＡｒを用いることが好ましい。
【００６７】
円筒状反応容器１１１内の圧力が安定した後、高周波電源１１６を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１１５を介して円筒状反応容器１１１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６[ＭＨｚ]〜４５[ＭＨｚ]程度のＲＦ帯、特に１３．５６[ＭＨｚ]の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、円筒状反応容器１１１内に導入されたクリーニング用の原料ガスが分解され、円筒状反応容器１１１内がクリーニング処理される。
【００６８】
次に、クリーニング処理後に高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１１１内を排気する。その後、円筒状反応容器１１１および原料ガス導入管１１４内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガスおよびＮ2の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、円筒状反応容器１１１内をＡｒ等の不活性ガスおよびＮ2ガスの少なくとも一方を用いて、大気圧まで戻しクリーニング用のダミー基体（不図示）を円筒状反応容器１１１内から取り出す。
【００６９】
その後、同一の堆積膜を作製する場合は、調整排気筒駆動手段１５０Ａ〜１５０Ｌを駆動させて、図２に示される状態に調整排気筒１４８Ａ〜１４８Ｌを戻すことで、続けて堆積膜形成を行うことが出来る。
【００７０】
次に、図１の堆積膜形成装置を用い、別の堆積膜を形成する場合の説明する。前述の場合は、堆積膜形成条件が条件Ｃと条件Ｅの積層構造であった。次に、堆積膜形成条件が条件Ｃと条件Ｄの積層構造である場合について説明する。
【００７１】
まず、条件Ｃは、前述と同様に、図２に示される状態で形成される。つまり、排気筒１４６−１〜１４６−６には、調整排気筒１４８Ａ〜１４８Ｌが全て接続されている。
【００７２】
条件Ａの堆積膜が形成された後、原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１１１内を排気する。
【００７３】
円筒状反応容器１１１内を排気後、排気筒１４６−１、１４６−２、１４６−５、１４６−６のコンダクタンスを調整する手段１４７Ｂ、１４７Ｄ、１４７Ｉ、１４７Ｋの、調整排気筒駆動手段１５０Ｂ、１５０Ｄ、１５０Ｉ、１５０Ｋを駆動する。それにより、調整排気筒１４８Ｂ、１４８Ｄ、１４８Ｉ、１４８Ｋを、排気配管１４１側に移動させる。それにより、調整排気筒１４８Ｂ、１４８Ｄ、１４８Ｉ、１４８Ｋを排気筒１４６−１、１４６−２、１４６−５、１４６−６から離脱させ、排気配管１４１側に待機させる（図３に示される状態）。
【００７４】
そして、新たな堆積膜形成条件の条件Ｄで、堆積膜を形成する。
【００７５】
条件Ｄの堆積膜が形成された後、原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１１１内を排気する。
【００７６】
その後は、前述と同様に、円筒状基体１１２の取り出し、円筒状反応容器１１１内のクリーニングを行う。
【００７７】
以上のように構成された本実施形態の堆積膜形成装置１１０では、円筒状反応容器１１１の、円筒状基体１１２の長手方向に沿って該基体と平行に延びる側壁の開口部１４４に排気部１４０を設け、排気部１４０に複数の排気筒１４６を設置している。そして、排気筒１４６のコンダクタンスを調整することで、各種堆積膜形成条件に合わせて、円筒状反応容器１１１内におけるガスの流れを制御することができる。その結果、厚い堆積膜を形成するような場合でも、形成される堆積膜の、円筒状基体１１２の長手方向での膜厚および膜質の均一性を向上させることができる。排気筒１４６を用いることで、開口やスリットの大きさのみでコンダクタンスを調整するのに比べて、排気筒１４６の内径は、比較的大きく設定することが可能である。さらに、円筒状反応容器１１１内のガス分布は、排気筒１４６によって調整可能であるので、排気部１４０や排気配管１４１は、複雑な構成とする必要がなく、簡素な構成とすることができる。これらのことから、本実施形態によれば、堆積膜形成中に発生する粉状の副生成物が排気筒１４６、排気部１４０および排気配管１４１に堆積して、排気コンダクタンスが不必要に変化したり、閉塞が発生したりするのを抑制することができる。したがって、電子写真用感光体のように比較的大面積で厚い堆積膜を長時間にわたって形成する場合でも、堆積膜形成初期におけるガスの流れを維持し、安定して堆積膜を形成することが可能となる。
【００７８】
排気筒１４６のコンダクタンスを調整する手段１４７は、排気筒の長さ、および/または排気筒の内径を変えることで、実施される。いずれの場合も、排気筒１４６の内部は、全長に渡り、一定の内径か、滑らかに内径が変化している形態が好ましい。これは、例えば、排気取付板１４５側から、排気配管１４１に向かうあるところで、排気筒１４６の内径を小さく変化させた場合、その部分で排気筒１４６の内部に段差が生じる。
【００７９】
このような、段差がガスの流れの途中に存在すると（前述の、開口やスリットの大きさのみでコンダクタンスを調整する状況に近づく）、例えばプラズマＣＶＤの場合、段差部分でガスの流れが滞る。その結果その部分で気相反応が促進し、副生成物が段差部分に顕著に生成される場合がある。この副生成物により、排気筒の内径が堆積膜形成につれ変化し、排気筒１４６のコンダクタンスが変化することで、堆積膜の均一性に影響を及ぼす場合がある。よって、排気筒１４６の内部は、全長に渡り、一定の内径か、滑らかに内径が変化している形態が好ましい。
【００８０】
更に、排気筒１４６のコンダクタンスを調整する手段１４７を駆動させることにより、排気筒１４６のコンダクタンスを、堆積膜形成工程中に、調整させることができる。
【００８１】
このように、排気筒１４６のコンダクタンスをある条件Ｃでの堆積膜形成時とは、異なるコンダクタンスに調整することで、新たな堆積膜形成条件（条件Ｄ）に合わせて、円筒状反応容器１１１内におけるガスの流れ制御することができる。その結果、形成される堆積膜の、円筒状基体１１２の長手方向での膜厚および膜質の均一性を向上させることができる。
【００８２】
以上の様に、堆積膜形成条件に応じて、排気筒１４６のコンダクタンスを調整し、堆積膜を形成することにより、例えば電子写真感光体の様な、多層構成の堆積膜の場合、各層の均一性が向上する。その結果、電子写真感光体としての各特性の均一性が、大幅に向上する。
【００８３】
また、前述のように排気筒１４６のコンダクタンス調整は、堆積膜形成装置を停止（例えば、円筒状反応容器１１１を大気開放し、排気筒１４６を別のコンダクタンスの排気筒１４６に付け替える）することなく、行える。よって、例えば電子写真感光体のように、多品種の生産を行う場合、各品種に応じ堆積膜形成装置の最適化が容易に行えるため、生産性の低下を抑制することが可能となる。
【００８４】
本発明において、排気筒取付板１４５には円筒状反応容器１１１の長手方向に沿って複数の貫通孔が排気筒１４６として配列されていればよく、前述の様に直線状に並んで配列されてもよい（図５（ａ））。あるいは、図５（ｂ）のように、排気筒１４６としての貫通孔が千鳥状に配列されていてもよい。
【００８５】
本発明において、コンダクタンスを調整手段１４７の一部（図１では、調整排気筒駆動手段１５０）は、大気側に設けられているが、コンダクタンス調整手段１４７を全て、真空側（排気部１４０内）に設けてもよい。
【００８６】
また、本発明において、排気部１４０の、円周方向の配置は、ガスの利用効率および装置の簡略化の面で、原料ガス導入管１１４に対して円筒状基体１１２を挟んで反対側とすることが望ましい。また、排気部１４０内における排気筒１４６の配置は、前述のように、円筒状基体１１２の長手方向に沿って複数個配置すればよいが、長手方向の均一性の面から、長手方向にほぼ直線状に配置することが好ましい。
【００８７】
また、本発明において、基体１１２の長手方向の両端にそれぞれ対向配置する排気筒の間の距離（排気領域、図１中のＬ１）は、設置される円筒状基体１１２の長手方向の長さ（図１中のＬ２）以上であることが、長手方向の均一性の面から好ましい。但し、装置コスト及びガスの利用効率の面からは堆積膜形成装置１１０は小さいほうが好ましいため、「Ｌ１」は「Ｌ２」の１.５倍以下にすることが好ましい。
【００８８】
本発明での排気筒の間の距離（排気領域、図１中のＬ１）を、図５を用いて説明する。
【００８９】
図５（ａ）のように、排気筒１４６が直線状に並んでいる場合は、Ｌ１は、基体の長手方向の両端にそれぞれ対向配置された排気筒１４６の最端部を直線状に結んだ距離となる。
【００９０】
また、図５（ｂ）に示すように貫通孔が千鳥状に配列されていて、直線状に並んでいない場合のＬ１を、図５（ｂ）に示す。この場合は、Ｌ１は、基体の長手方向の両端にそれぞれ対向配置された排気筒１４６の最端部を直線状に結んだ距離ではなく、図５（ｂ）に示す距離がＬ１となる。
【００９１】
また、本発明において、原料ガスを励起させて励起種を生成する放電エネルギーの給電点は、円筒状基体１１２を挟んで、排気部１４０と反対側に設けるのが、効率的に原料ガスに放電エネルギーを付与可能のため、好ましい。また、その結果、放電空間内のプラズマの均一性が向上する。
【実施例】
【００９２】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した各実施形態において示したのと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。
【００９３】
（実施例１）
図１に示す堆積膜形成装置１１０を用いて、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１１２上に、表1に示す条件でアモルファスシリコン膜を堆積し、図６に示す層構成の電子写真感光体の形成を行った。なお、図６中の符号３０１は円筒状基体１１２の構成部材を示し、符号３０２は下部電荷注入阻止層、符号３０３は光導電層、３０４は表面層をそれぞれ示す。
【００９４】
【表１】
2009030122.tif 000003
【００９５】
本実施例においては、排気筒１４６（１４６−１〜１４６−６）、調整排気筒１４８（１４８Ａ〜１４８Ｌ）は、表２に示す条件のものを使用した。なお材質は、いずれもアルミニウム（Ａ５０５２）を使用した。
【００９６】
【表２】
2009030122.tif 000004
【００９７】
本実施例においては、下部電荷注入阻止層３０２および光導電層３０３は、図２に示すような、排気筒の構成で作製した。その後、前述のようにコンダクタンス調整手段１４７（１４７Ａ〜１４７Ｌ）を駆動させ、図４に示すような、排気筒の構成とし、表面層３０４を作製した。
【００９８】
さらに本実施例においては、排気領域Ｌ１＝４６０ｍｍとして、円筒状基体１１２の長さＬ２の１.２倍とした。
【００９９】
同様の操作を繰り返し、１０本の電子写真感光体を連続して作製した。
【０１００】
作製された電子写真感光体に関して、「Ｖｄ母線ムラ」「Ｖｄ母線ムラのバラツキ」の評価を以下のように実施した。
【０１０１】
「Ｖｄ母線ムラ」「Ｖｄ母線ムラのバラツキ」の評価
これらの電子写真感光体特性の評価には、複写機（キヤノン社製ｉＲ５０００）を用いた。図８にこの複写機の概略図を示した。図８において、電子写真感光体５０１は図の時計周りに回転駆動可能に支持されている。この電子写真感光体６０１の周りには、静電潜像を形成するための前露光器５０８、主帯電器５０２、潜像形成用露光器５０９、および電位センサー５０３が時計周り方向に順に配置されている。その次に時計周り方向に、静電潜像上にトナーを付着させて現像を行うための現像器５０４、トナー像を被記録媒体に転写するための転写帯電器５０５（ａ）、分離帯電器５０５（ｂ）、クリーナー５１０が順に配置されている。クリーナー５１０は、残留トナーを除去するためのクリーニングローラー５０６及びクリーニングブレード５０７を具備している。
【０１０２】
電子写真感光体特性を測定する際には、現像器５０４及びクリーナー５１０を取り外す。そして、現像器５０４の代わりに電子写真感光体の軸方向の所定の位置の電子写真特性を測定できる電位プローブ（ＴＲＥＫ社製Ｍｏｄｅｌ３４４、不図示）を装着し電子写真感光体の電子写真特性を測定する。この様にして測定した電子写真特性の評価を下記に示す基準で行った。
【０１０３】
「Ｖｄ母線ムラ」
プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）光量を４ｌｘ・ｓとし、電子写真感光体の長手方向の中央位置の表面電位が、電位プローブで測定して４５０Ｖ（暗電位）になるように主帯電器５０２の電流値を調整する。その後、電位プローブを電子写真感光体の端部より軸方向に移動させて、長手方向に４０ｍｍ間隔の９点で測定を行い、その９点での測定値の最大値と最小値の差（Ｖｄムラとする）を求める。１０本の電子写真感光体全てについて同じ測定を行い、Ｖｄムラの平均値をもって、Ｖｄ母線ムラとして評価した。
【０１０４】
得られた結果を表３に示す。
【０１０５】
【表３】
2009030122.tif 000005
【０１０６】
表３において評価は比較例１で得られた結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
【０１０７】
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
【０１０８】
Ａ‥‥75〜84
Ｂ‥‥85〜94
Ｃ‥‥95〜104
「Ｖｄ母線ムラのバラツキ」
上記１０本の電子写真感光体に対し、測定したＶｄムラの最大値と最小値の差をもって、Ｖｄ母線ムラのバラツキとした。得られた結果を表３に示す。表３において評価は比較例１で得られた結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
【０１０９】
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
【０１１０】
Ａ‥‥75〜84
Ｂ‥‥85〜94
Ｃ‥‥95〜104
「総合評価」
上記２項目に対し、
Ａ‥‥Ａのみ
Ｂ‥‥Ｂが有る（それ以外はＡ）
Ｃ‥‥Ｃが有る（それ以外はＡ、Ｂ）
（比較例１）
図７に示す堆積膜形成装置４１０を用いて、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体４１２上に、実施例１と同様、表１に示す条件で図６に示す層構成の電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表３に示す。
【０１１１】
図７に示す堆積膜形成装置４１０の排気系は、円筒状反応容器４１１の側壁の、円筒状基体４１２の長手方向に離れた位置に接続された３本の排気配管４０１Ａ〜Ｃを有している。排気配管４０１Ａ〜Ｃのそれぞれには、コンダクタンスバルブ４０２Ａ〜Ｃと、該バルブ位置より筒状反応容器４１１側の圧力を計測する圧力計４０４Ａ〜Ｃが設けられている。排気配管４０１Ａ〜Ｃは、共通の集合の排気配管４４１に合流した後、排気メインバルブ４４３を介して真空ポンプユニット４４２に接続されている。
【０１１２】
本比較例では、円筒状基体４１２の、長手方向の中央に対応する位置に排気配管４０１Ｂが配置され、両端に対応する位置に排気配管４０１Ａ，Ｃが配置されている。つまり、排気領域Ｌ１は、排気配管４０１Ａの上端から、排気配管４０１Ｃの下端となる。この時のＬ１＝４６０ｍｍとし、実施例１と同様、円筒状基体４１２の長さＬ２の１.２倍とした。
【０１１３】
また、本比較例では、堆積膜形成中に、各圧力計４０４Ａ〜Ｃの圧力が同一となるようにコンダクタンスバルブ４０１Ａ〜Ｃの制御を行った。
【０１１４】
表３から明らかなように、本発明の様に、排気筒を用いてコンダクタンスを調整する堆積膜形成装置を用い、堆積膜を形成することで、ロット毎の均一性のバラツキが低減し、かつ均一性も向上することが判った。
【０１１５】
これは、図７の装置を用いた場合、堆積膜形成中に反応容器４１１内に内圧の変化が生じる場合があった。これは、コンダクタンスバルブに副生成物が堆積するため、コンダクタンスが徐々に変化することが原因であった。そのために、堆積膜形成中にスロットバルブの開度を徐々に大きくする必要あった。その結果、安定して均一な堆積膜形成ができなかったと考えられる。
【０１１６】
一方、本発明の実施例１においては、堆積膜形成中に反応容器１１１内の内圧の変化は極めて小さく、安定していた。この理由は、実施例１では排気筒１４６を使用しているため、比較例１のスロットルバルブの様に、ガスの流れを阻害する構造では無いため、副生成物が、極端に堆積することが無い為と考えられる。これは、排気筒のコンダクタンス調整手段１４７を用い、コンダクタンスを調整した後も、同様に堆積膜形成中に反応容器内圧の変化は極めて小さく、安定していた。
【０１１７】
このため、本発明により、各条件の堆積膜の、膜特性の均一性が向上するため、得られた堆積膜（実施例１の場合は、電子写真感光体）の均一性が、向上したと考えられる。
【０１１８】
以上の様に、本発明により、堆積膜の均一性が向上し、さらに、安定して作製可能であることが判った。
【０１１９】
（実施例２）
円筒状基体１１２の長さＬ２および排気領域Ｌ１を変化させ、円筒状基体１１２の長さＬ２に対する、排気領域Ｌ１の比（Ｌ１／Ｌ２）を変化させた以外は、実施例１と同様に、電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表４に示す。
【０１２０】
【表４】
2009030122.tif 000006
【０１２１】
表４から、明らかなように、Ｌ１／Ｌ２を大きくすることで、堆積膜の均一性が向上する傾向にある。しかし、円筒状基体の長さＬ２に対して、排気領域Ｌ１を１．５倍より大きくしても効果は変わらないことが判った。円筒状基体１１２に対して、排気領域Ｌ２を大きくすることは、堆積膜形成装置の大型化となるため、基体１１２の長手方向に見て両端に位置する排気筒１４６の間の距離は、前記基体の長手方向の、長さの１．０倍以上１．５倍以下が好ましい。
【０１２２】
（実施例３）
図１に示す堆積膜形成装置１１０を用いて、実施例１と同様に、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１１２上に、表１に示す条件で図６に示す層構成の、電子写真感光体の形成を行った。
【０１２３】
その後、前述のように、形成された電子写真感光体の取り出し、および円筒状反応容器１１１のクリーニングを実施後、表５に示す条件で図６に示す層構成の、電子写真感光体の作製を行った。光導電層を成膜する際、ＳｉＨ4に対するＢ2Ｈ6の量を、光導電層成膜開始時には０.３ｐｐｍとし、光導電層の成膜につれ直線的に減少させ、光導電層の成膜終了時には、０ｐｐｍとした。また、表面層を成膜する際、表面層成膜開始時にはＳｉＨ4は７５ml/min(normal)、ＣＨ4は、０ml/min(normal)とし、表面層の成膜につれＳｉＨ4は直線的に減少させ、ＣＨ4は直線的に増加させる。そして表面層の成膜終了時には、ＳｉＨ4は１５ml/min(normal)、ＣＨ4は、６００ml/min(normal)とした。
【０１２４】
【表５】
2009030122.tif 000007
【０１２５】
本実施例においては、排気筒１４６、調整排気筒１４８は、表２に示す条件のものを使用した。なお材質は、いずれもアルミニウム（Ａ５０５２）を使用した。
【０１２６】
本実施例においては、表１に示す条件の電子写真感光体の形成は、実施例１同様、下部電荷注入阻止層３０２および感光層３０３は、図２に示すような、排気筒の構成で作製した。その後、前述のようにコンダクタンス調整手段１４７（１４７Ａ〜１４７Ｌ）を駆動させ、図４に示すような、排気筒の構成とし、表面層３０４を作製した。
【０１２７】
そして、表５に示す条件の電子写真感光体の形成は、下部電荷注入阻止層３０２および光導電層３０３は、図２に示すような、排気筒の構成で作製した。その後、前述のようにコンダクタンス調整手段１４７（１４７Ａ〜１４７Ｌ）を駆動させ、図３に示すような、排気筒の構成とし、表面層３０４を作製した。
【０１２８】
さらに本実施例においては、排気領域Ｌ１＝４６０ｍｍとして、円筒状基体１１２の長さＬ２の１.２倍とした。
【０１２９】
作製した表１に示す条件の電子写真感光体は、実施例１と同様に、「Ｖｄ母線ムラ」「Ｖｄ母線ムラのバラツキ」の評価を行った。
【０１３０】
表５に示す条件で作製した電子写真感光体は、複写機（キヤノン社製ｉＲＣ６８００）を用い、実施例１と同様に、「Ｖｄ母線ムラ」「Ｖｄ母線ムラのバラツキ」の評価を行った。但し、プロセススピード２７３ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）光量を４ｌｘ・ｓとし、電子写真感光体の長手方向の中央位置の表面電位が、電位プローブで測定して４５０Ｖ（暗電位）になるように主帯電器の電流値を調整した。
【０１３１】
得られた結果を表６に示す。
【０１３２】
【表６】
2009030122.tif 000008
【０１３３】
表６において「Ｖｄ母線ムラ」「Ｖｄ母線ムラのバラツキ」の評価は比較例２で得られた結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
【０１３４】
いずれの評価も、以下に示す基準でランク付けを行った。
【０１３５】
Ａ‥‥75〜84
Ｂ‥‥85〜94
Ｃ‥‥95〜104
「排気調整の時間」
表１に示す条件の電子写真感光体の作成後、表５に示す条件の電子写真感光体作製のための、排気部の調整に要した時間を「排気調整の時間」とした。得られた結果を表６に示す。表６において「排気調整の時間」の評価は比較例２で得られた結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
【０１３６】
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。
【０１３７】
Ａ‥‥95〜104
Ｂ‥‥105〜114
Ｃ‥‥115〜
「総合評価」
上記５項目に対し、
Ａ‥‥Ａのみ
Ｂ‥‥Ｂが有る（それ以外はＡ）
Ｃ‥‥Ｃが有る（それ以外はＡ、Ｂ）
（比較例２）
図７に示す堆積膜形成装置４１０を用いて、実施例３と同様に、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１１２上に、表１に示す条件で図６に示す層構成の、電子写真感光体の形成を行った。形成方法は、比較例1と同様に行った。
【０１３８】
その後、前述のように、円筒状基体４１２の取り出し、および円筒状反応容器４１１のクリーニングを実施後、表５に示す条件で図６に示す層構成の、電子写真感光体の形成を行った。
【０１３９】
実施例３と同様な評価を行った。得られた結果を表６に示す。
【０１４０】
評価を実施したところ、表１に示す条件の電子写真感光体および、表５に示す条件の電子写真感光体どちらも、実施例１同様、Ｖｄ母線ムラが良好で、かつＶｄ母線ムラのバラツキが小さい結果となった。
【０１４１】
また、表１に示す条件の電子写真感光体の作製から、表５に示す条件の電子写真感光体の作製への切り替える為の装置の排気条件の設定は、前述の通り、コンダクタンス調整手段１４７の駆動のみである。そのため、堆積膜形成装置の最適化に伴う装置のダウンタイムは、実質０であった。
【０１４２】
このように、本発明によれば、堆積膜形成面内における膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を形成することができる。
【０１４３】
また本発明によれば、安定して堆積膜を形成することができる。
【０１４４】
更に本発明によれば、多層構成の堆積膜の形成に対しても、また、多品種生産に対しても、均一性と、高い生産性を両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】本発明に係る堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態において排気筒のコンダクタンスを調整した場合を示す図である。
【図３】本発明の実施形態において排気筒のコンダクタンスを調整した場合を示す図である。
【図４】本発明の実施形態において排気筒のコンダクタンスを調整した場合を示す図である。
【図５】本発明に係る、排気筒取付板及び排気筒の位置を示す模式図である。
【図６】アモルファスシリコン電子写真用感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【図７】比較例の堆積膜形成装置を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明に係る電子写真感光体を搭載する複写機の概略図である。
【符号の説明】
【０１４６】
１１１、４１１、５１１    円筒状反応容器
１１２、４１２、５１２    円筒状基体
１１３、４１３、５１３    加熱用ヒーター
１１４、４１４、５１４    原料ガス導入管（原料ガス導入手段）
１１５、４１５、５１５    マッチィングボックス
１１６、４１６、５１６    高周波電源（印加手段）
１１７、４１７、５１７    基体ホルダ（基体保持手段）
１３１、４３１、５３１    絶縁体
１３３、４３３、５３３    真空計
１４０、４４０、          排気部
１４１、４４１、５４１    排気配管
１４２、４４２、５４２    排気ポンプユニット（排気手段
１４３、４４３、５４３    排気メインバルブ
１４４、４４４            開口部
１４５                    排気筒取付板
１４６、４４６            排気筒
１４７、５０２            コンダクタンス調整手段
１４８                    調整排気筒
１４９                    ガイド
１５０                    ガイド駆動手段
１５１                    Ｏリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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