(57)【要約】【課題】本発明は、チッピングの低減と分割されたチップのエッジの強度を上げることができるダイシング方法を提供する。【解決手段】本発明のダイシング方法は、ストリート１６の幅と同寸法の刃厚を有するブレード９を選定し、このブレード９を用いてストリート１６の全幅を切削加工する。これにより、ストリート１６の残骸に起因するチッピングの発生を抑えることができ、また、ストリート１６の両側に形成されたストリートガード部１８、１８は、チップ２２のエッジに残るため、チップ２２のエッジの強度を上げることができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハに形成された所定幅のストリートをブレードによって切削加工することにより半導体ウェーハをチップに分割する半導体ウェーハのダイシング方法において、
前記ストリートの両側に形成されたストリートガード部を残すように、前記ストリートの幅と同寸法の刃厚を有するブレードによってストリートの全幅を切削加工することを特徴とするダイシング方法。
【請求項２】
前記ブレードの一度の切削加工によって前記ストリートを完全切断することを特徴とする請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項３】
前記ブレードによって前記ストリートを所定厚さ切削加工し、前記ブレードの刃厚よりも薄い刃厚のブレードによって前記ストリートを完全切断することを特徴とする請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項４】
半導体ウェーハに形成された所定幅のストリートをブレードによって切削加工することにより半導体ウェーハをチップに分割する半導体ウェーハのダイシング方法において、
前記ストリートの両側に形成されたストリートガード部を残すように、断面形状が略Ｖ字状のブレードによって前記ストリートを所定厚さ切削加工し、前記ブレードの刃厚よりも薄い刃厚のブレードによって前記ストリートを完全切断することを特徴とするダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はダイシング方法に関し、特に高速回転するブレードによって半導体ウェーハをストリートに沿って切削加工することにより半導体チップに分割するダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程において、表面に半導体装置や電子部品等が形成された半導体ウェーハは、プロービング工程で電気試験が行われた後、特許文献１等に示すようにダイシング工程で個々の半導体チップに分割され、次に個々のチップは、ダイボンディング工程で部品基台にダイボンディングされる。ダイボンディングされた後、チップは樹脂モールドされ、半導体装置や電子部品等の完成品となる。
【０００３】
プロービング工程の後のウェーハは、ダイシングシート又はダイシングテープとも称される厚さ１００μｍ程度のシート材に、ダイアタッチメントフィルムを介して貼り付けられ、シート材は剛性のあるリング状のフレームにその周縁が取り付けられて張設されている。ウェーハはこの状態でダイシング工程内、ダイシング工程とダイボンディング工程との間、及びダイボンディング工程内を搬送される。
【０００４】
ダイシング工程では、ダイシングブレードと称される円盤状の薄型砥石によって、ウェーハのスクライブラインと称される所定幅のストリートを切削加工することによりウェーハを個々のチップに分割するダイシング装置が使用されている。ダイシングブレードは、微細なダイヤモンド砥粒をＮｉで電着したもので、厚さ１０μｍ〜１００μｍ程度の極薄のものが用いられる。
【０００５】
このダイシングブレードを３０，０００〜６０，０００ｒｐｍで高速回転させてウェーハのストリートを切り込み、ストリートを１パス（フルカット）、又は２パス（ステップカット）で完全切断したり、部分切断（ハーフカット）したりする。フルカット及びステップカットの場合、ウェーハの裏面に貼られたシート材は、表面から１０μｍ程度しか切り込まれていないので、ウェーハは個々のチップに分割されてはいるものの、個々のチップがバラバラにはならず、チップ同士の配列が崩れていないので全体としてウェーハ状態が保たれている。
【特許文献１】特開２００３−１９７５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ダイシング装置を用いたダイシングでは、ストリートをブレードで切削加工した際にストリートの残骸が原因で発生するチッピング・欠け等が問題となっていた。また、ブレードによって分割されたチップのエッジの後工程での欠け等の発生も問題となっていた。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、チッピングの低減と分割されたチップのエッジの強度を上げることができるダイシング方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、半導体ウェーハに形成された所定幅のストリートをブレードによって切削加工することにより半導体ウェーハをチップに分割する半導体ウェーハのダイシング方法において、前記ストリートの両側に形成されたストリートガード部を残すように、前記ストリートの幅と同寸法の刃厚を有するブレードによってストリートの全幅を切削加工することを特徴とするダイシング方法を提供する。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、ストリートの幅と同寸法の刃厚を有するブレードを選定し、このブレードを用いてストリートの全幅を切削加工し、ストリートの両側に形成されたストリートガード部を残す。これにより、テグパターン等もろともストリート全体がひといきに切削除去されるので、ストリートの残骸に起因するチッピングの発生を抑えることができる。また、チップは、チップのエッジを補強するストリートガード部を残してチップ化されるため、チップのエッジの強度を上げることができ、後工程でチップのエッジが欠けることを防止することができる。
【００１０】
ところで、チップのエッジに面取り部が形成されるようにストリートをブレードで切削加工すると、その面取り部に、ワイヤボンディング時のハンダが付着する場合があり、この付着したハンダが、実装する基板に悪影響を与える場合がある。よって、ハンダが面取り部に付着しないように、チップ表面に対してストリートを垂直方向に切削加工することが好ましい。これにより、上記悪影響の発生を抑制できる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ブレードの一度の切削加工によって前記ストリートを完全切断することを特徴としている。
【００１２】
請求項２に記載の発明によれば、ブレードの一度の切削加工によってストリートを完全切断する加工方法、すなわち、１パスフルカット加工によってストリートを完全切断してもよい。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ブレードによって前記ストリートを所定厚さ切削加工し、前記ブレードの刃厚よりも薄い刃厚のブレードによって前記ストリートを完全切断することを特徴としている。
【００１４】
請求項３に記載の発明によれば、ブレードによってストリートを所定厚さ切削加工し、前記ブレードの刃厚よりも薄い刃厚のブレードによってストリートを完全切断する加工方法、すなわち、ステップカット加工によってストリートを完全切断してもよい。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、前記目的を達成するために、半導体ウェーハに形成された所定幅のストリートをブレードによって切削加工することにより半導体ウェーハをチップに分割する半導体ウェーハのダイシング方法において、前記ストリートの両側に形成されたストリートガード部を残すように、断面形状が略Ｖ字状のブレードによって前記ストリートを所定厚さ切削加工し、前記ブレードの刃厚よりも薄い刃厚のブレードによって前記ストリートを完全切断することを特徴とするダイシング方法を提供する。
【００１６】
請求項４に記載の発明によれば、まず、断面形状が略Ｖ字状のブレードによってストリートを所定厚さ切削加工し、ストリートの両側に形成されたストリートガード部を残す。次に、前記ブレードの刃厚よりも薄い刃厚のブレードによってストリートを完全切断する加工方法、すなわち、ベベルカット加工によってストリートを完全切断する。
【００１７】
なお、請求項４に記載のベベルカット加工では、チップのエッジに面取り部が形成されるようにストリートが切削加工されるため、前述したハンダ付着の点から好ましくないが、ストリートの両側に形成されたストリートガード部を残すように切断することを基本発明としているため、ベベルカット加工においても、請求項１と同様の効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るダイシング方法によれば、ストリートの幅と同寸法の刃厚を有するブレードを選定し、このブレードを用いてストリートの全幅を切削加工するので、ストリートの残骸に起因するチッピングの発生を抑えることができ、また、ストリートの両側に形成されたストリートガード部はチップのエッジに残るため、チップのエッジの強度を上げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面に従って本発明に係るダイシング方法の好ましい実施の形態について詳説する。
【００２０】
図１に示した実施の形態のダイシング装置１は、複数枚のウェーハが収納されたカセットを外部装置との間で受け渡すロードポート２、吸着部３を有しウェーハを装置各部に搬送する搬送手段４、ウェーハの上面を観察する一対の顕微鏡５、５、加工部６、加工後のウェーハを洗浄し乾燥させるスピンナ７、及び装置各部の動作を制御するコントローラ８等から構成されている。
【００２１】
加工部６には、回転ブレード９が取り付けられた高周波モータ内蔵型のエアーベアリング式スピンドル（又はメカニカルベアリング式のスピンドル）１０、１０が２本対向して配置され、これらのスピンドル１０、１０は高速回転されるとともに、互いに独立して図のＹ方向のインデックス送りとＺ方向の切込み送りとがなされる。
【００２２】
ブレード９は、手前側と下方が開口した不図示のフランジカバーで囲われ、フランジカバーに設けられた研削ノズルから研削水が加工ポイントに向けて供給される。また、フランジカバーには、不図示の洗浄ノズルが設けられており、この洗浄ノズルから加工ポイントに向けて洗浄水が供給される。ブレード９は薄い円盤状の砥石であり、ダイヤモンド砥粒やＣＢＮ砥粒をニッケルで電着した電着ブレード、又は樹脂で結合したレジンブレードが用いられる。
【００２３】
一方、加工部６には、ウェーハを吸着載置する２台の同形状のウェーハテーブル１２、１４が設けられ、これらはＸテーブル（不図示）の移動によって図１のＸ方向に研削送りされるように構成されている。Ｘテーブルは、Ｚ方向を軸にθ回転するモータ（不図示）にそれぞれ搭載されており、これらのモータが不図示のねじ送り装置によってＸ方向に移動される。
【００２４】
次に、加工部６によるウェーハのダイシング方法について説明する。
【００２５】
この加工部６は、前記Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の移動を各部材が所定の手順に従って適宜行うことにより、ウェーハテーブル１２、１４に吸着されたウェーハをブレード９によってダイシングし、ウェーハをチップに分割する。すなわち、ウェーハに形成された所定幅のストリートをブレード９によって切削加工することによりウェーハをチップに分割する。
【００２６】
そして、この加工部６によるダイシング方法の主たる特徴は、図２の如くストリート１６の両側に形成されたストリートガード部１８、１８を残すように、ストリートの幅と同寸法の刃厚を有するブレード９によってストリート１６の全幅を切削加工することにある。
【００２７】
すなわち、実施の形態のダイシング方法によれば、ストリート１６の幅と同寸法の刃厚を有するブレード９を選定し、このブレード９を用いてストリート１６の全幅を切削加工し、ストリート１６の両側に形成されたストリートガード部１８、１８を残す。これにより、図３の如くテグパターン２０、２０…等もろともストリート１６全体がひといきに切削除去されるので、ストリート１６の残骸に起因するチッピングの発生を抑えることができる。また、図４の如くチップ２２は、チップ２２のエッジを補強するストリートガード部１８、１８を残してチップ化されるため、チップ２２のエッジの強度を上げることができる。
【００２８】
具体的には、実際のストリート１６の幅（約５０〜１００μｍ）に合わせて、同寸法の刃厚のブレード９を選定し、そのブレード９を用いてストリート１６を切削加工することにより、ストリート１６全幅を全て取り除く。この際、ストリートガード部１８、１８を残すようにする。
【００２９】
図５は、ダイシング方法の第１の例を示した説明図であり、図５（Ａ）はストリート１６を切削加工する前のウェーハ２４の断面図、図５（Ｂ）はブレード９によってストリート１６がフルカットされているウェーハ２４の断面図である。ここで符号２６はシリコン母材であり、符号２８は絶縁膜である。また、符号３０はフレーム、符号３２はシート材であり、このシート材３２にウェーハ２４がダイアタッチメントフィルムを介して貼り付けられている。ストリートガード部１８、１８は、図２で示したようにストリート１６の両側でかつストリート１６に沿って成膜されたものであり、チップ２２のエッジの強度を上げるために形成されたものである。
【００３０】
図５に示すダイシング方法は、図５（Ｂ）に示すように、ストリート１６の幅と同寸法の刃厚を有するブレード９の一度の切削加工によってストリート１６を完全切断する加工方法、すなわち、１パスフルカット加工方法が示されている。
【００３１】
このダイシング方法によれば、ストリート１６が全て取り除かれるため、ストリート１６の残骸に起因するチッピングの発生を抑えることができる。また、チップ２２は、チップ２２のエッジを補強するストリートガード部１８、１８を残してチップ化されるため、チップ２２のエッジの強度を上げることができる。
【００３２】
また、このダイシング方法によれば、チップ２２の表面に対してストリート１６が垂直方向に切削加工されるため、その垂直面にワイヤボンディング時のハンダが付着せず、そのチップが実装される基板に、前記ハンダによる悪影響を与えないという利点がある。
【００３３】
図６は、ダイシング方法の第２の例を示した説明図であり、図６（Ａ）は、ストリート１６の幅と同寸法の刃厚を有するブレード９によってストリート１６をハーフカットしているウェーハ２４の断面図、図６（Ｂ）は、ブレード９の刃厚よりも薄い刃厚のブレード９Ａによってストリート１６をフルカットしているウェーハ２４の断面図である。
【００３４】
同図に示すダイシング方法は、まず、ブレード９によってストリート１６を所定厚さ切削加工し、次に、ブレード９の刃厚よりも薄い刃厚のブレード９Ａによってストリート１６を完全切断する加工方法、すなわち、ステップカット加工方法が示されている。
【００３５】
このダイシング方法によれば、図６（Ｂ）に示すように、ウェーハ２４の裏面側のストリート１６Ａはチップ２２に若干量残存するが、ウェーハ２４の表面側のストリート１６は図６（Ａ）の如く全て取り除かれるため、チップ２２の表面側のチッピングの発生を抑えることができる。また、チップ２２は、チップ２２のエッジを補強するストリートガード部１８、１８を残してチップ化されるため、チップ２２のエッジの強度を上げることができる。
【００３６】
図７は、ダイシング方法の第３の例を示した説明図であり、図７（Ａ）は、ストリート１６の幅よりも若干量厚さの厚い断面形状が略Ｖ字状のブレード９Ｂによってストリート１６をハーフカットしているウェーハ２４の断面図、図７（Ｂ）は、ブレード９Ｂの刃厚よりも薄い刃厚のブレード９Ａによってストリート１６をフルカットしているウェーハ２４の断面図である。なお、図７（Ａ）で示したハーフカットにおいて、ブレード９Ｂは、ストリートガード部１８、１８を残してストリート１６を切削加工する。
【００３７】
同図に示すダイシング方法は、まず、断面形状が略Ｖ字状のブレード９Ｂによってストリート１６を所定厚さ切削加工し、ストリート１６の両側に形成されたストリートガード部を残し、次に、ブレード９Ｂの刃厚よりも薄い刃厚のブレード９Ａによってストリートを完全切断する加工方法、すなわち、ベベルカット加工方法が示されている。
【００３８】
このダイシング方法によれば、図７（Ｂ）に示すように、ウェーハ２４の裏面側のストリート１６Ａはチップ２２に若干量残存するが、ウェーハ２４の表面側のストリート１６は図７（Ａ）の如く全て取り除かれるため、チップ２２の表面側のチッピングの発生を抑えることができる。また、チップ２２は、チップ２２のエッジを補強するストリートガード部１８、１８を残してチップ化されるため、チップ２２のエッジの強度を上げることができる。
【００３９】
以上の如く、図５に示したダイシング方法は、ウェーハ２４の表面側、及び裏面側のチッピングの発生を抑えることができ、図６、図７に示したダイシング方法は、ウェーハ２４の表面側のチッピングを抑えることができる。要するに、ウェーハ２４の表面側のチッピングを抑える要求のあるチップ２２を製造する場合に、図６、図７に示したダイシング方法は有益となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係るダイシング装置の外観を示す斜視図
【図２】ウェーハに形成されたストリートとストリートガード部を示した平面図
【図３】ブレードによってテグパターンを研削除去している説明図
【図４】ブレードで分割されたチップの側面図
【図５】ダイシング方法の第１の例を示したウェーハの断面図
【図６】ダイシング方法の第２の例を示したウェーハの断面図
【図７】ダイシング方法の第３の例を示したウェーハの断面図
【符号の説明】
【００４１】
１…ダイシング装置、５…顕微鏡、９、９Ａ、９Ｂ…ブレード、１０…スピンドル、１２、１４…ウェーハテーブル、１６…ストリート、１８…ストリートガード部、２０…テグパターン、２２…チップ、２４…ウェーハ、２６…シリコン母材、２８…絶縁膜、３０…フレーム、３２…シート材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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