(57)【要約】【課題】ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置において、チップエッジに近い領域に生じる段差を軽減し、再配線層を覆う樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板α１１と、この半導体基板αの一面に配された絶縁部α１３と、前記絶縁部αの一部を覆うように配された導電部α１６と、前記絶縁部α及び前記導電部αを覆うように配された封止部α１９と、を少なくとも備える。また、半導体装置は、前記導電部αが、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が前記絶縁部αの段差部１０の近傍域に配され、前記絶縁部αが、前記段差部の近傍域において、その厚さが他の領域より薄いことを特徴とする。【選択図】図１
2009295679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板αと、
前記半導体基板αの一面に配された絶縁部αと、
前記絶縁部αの一部を覆うように配された導電部αと、
前記絶縁部α及び前記導電部αを覆うように配された封止部αと、
を少なくとも備える半導体装置であって、
前記導電部αは、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が前記絶縁部αの段差部の近傍域に配され、
前記絶縁部αは、前記段差部の近傍域において、その厚さが他の領域より薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板βと、
前記半導体基板βの一面に配された絶縁部βと、
前記絶縁部βの一部を覆うように配された導電部βと、
前記絶縁部β及び前記導電部βを覆うように配された絶縁部γと、
前記絶縁部γの一部を覆うように配された導電部γと、
前記絶縁部γ及び前記導電部γを覆うように配され、かつ、前記導電部γの一部が露呈する開口部を有する封止部βと、
を少なくとも備える半導体装置であって、
前記導電部βは、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が、前記封止部βの前記開口部と重なり、かつ前記絶縁部γを介して前記導電部γと重なり、
前記絶縁部βは、前記導電部βと前記開口部及び前記導電部γとの重なり領域において、その厚さが他の領域より薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記導電部γは、長手方向の端面が前記半導体基板βの表面に対して傾斜面となるように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記請求項１乃至３の何れか一つに記載の半導体装置を用いたことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
半導体基板αと、前記半導体基板αの一面に配された絶縁部αと、前記絶縁部αの一部を覆うように配された導電部αと、前記絶縁部α及び前記導電部αを覆うように配された封止部αと、を少なくとも備え、前記導電部αは、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が前記絶縁部αの段差部の近傍域に配され、前記絶縁部αは、前記段差部の近傍域において、その厚さが他の領域より薄い半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板αの一面上に絶縁部αを構成する樹脂層Ａを形成する工程と、
前記樹脂層Ａの段差部の近傍域を除き、前記樹脂層Ａに重ねて前記絶縁部αを構成する樹脂層Ｂを形成する工程と、
前記絶縁部αの少なくとも前記樹脂層Ａ上に導電部αを形成する工程と、
前記絶縁部α及び前記導電部αの上に封止部αを形成する工程と、
を少なくとも順に備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板βと、前記半導体基板βの一面に配された絶縁部βと、前記絶縁部βの一部を覆うように配された導電部βと、前記絶縁部β及び前記導電部βを覆うように配された絶縁部γと、前記絶縁部γの一部を覆うように配された導電部γと、前記絶縁部γ及び前記導電部γを覆うように配され、かつ、前記導電部γの一部が露呈する開口部を有する封止部βと、を少なくとも備え、前記導電部βは、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が、前記封止部βの前記開口部と重なり、かつ前記絶縁部γを介して前記導電部γと重なり、前記絶縁部βは、前記導電部βと前記開口部及び前記導電部γとの重なり領域において、その厚さが他の領域より薄い半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板βの一面上に絶縁部βを構成する樹脂層Ａを形成する工程と、
少なくとも前記導電部βと前記開口部及び前記導電部γとの重なり予定領域を除き、前記樹脂層Ａに重ねて前記絶縁部βを構成する樹脂層Ｂを形成する工程と、
前記絶縁部βの少なくとも前記樹脂層Ａ上に導電部βを形成する工程と、
前記絶縁部β及び前記導電部βの上に、絶縁部γを形成する工程と、
前記絶縁部γ上の一部に、少なくともその一部が前記導電部βと重なる導電部γを形成する工程と、
前記絶縁部γ及び前記導電部γの上に、前記導電部γの一部が露呈するように開口部を有し、前記開口部の少なくとも一部が前記導電部β及び前記導電部γと重なる封止部βを形成する工程と、
を少なくとも順に備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板（インタポーザ）を使用しないウエハレベルＣＳＰ(Chip Size/Scale Package）等の半導体パッケージなどに用いられる半導体装置とその製造方法及び電子装置に係り、詳しくは導電部を覆う絶縁部の絶縁性を確保して十分な信頼性を持つパッケージを実現するための構造と製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般的に「ウエハレベルＣＳＰ」と呼ばれる製造方法においては、シリコンウエハ上に、絶縁樹脂層、再配線層、封止樹脂層等を形成し、さらに、はんだバンプを形成する。そして、最終工程において、ウエハを所定のチップ寸法に切断することでパッケージ構造を具備した半導体チップを得ることができる。ウエハ前面にこれらの回路を積層し、最終工程においてウエハをダイシングすることから、切断したチップそのものの大きさが、パッケージの施された半導体チップとなり、実装基板に対して最小投影面積を有する半導体チップを得ることが可能になる。
このウエハレベルＣＰＳの製造方法における特徴は、パッケージを構成する部材を、すべてウエハの形状において加工することにある。すなわち、絶縁樹脂層、導電層（再配線層）、封止樹脂層、はんだバンプ等は、すべてウエハをハンドリングすることで形成される（たとえば、特許文献１及び２参照）。
【０００３】
このような従来のウエハレベルＣＳＰでは、再配線層形成後に絶縁樹脂にて封止樹脂層を形成する。このような従来の半導体装置は、たとえば図８に示すことができる。
図８の（ａ）は、従来の半導体装置を示す平面図、同（ｂ）は、図８（ａ）に示すｃ−ｃ’線に沿う縦断面模式図、同（ｃ）は、図８（ａ）に示すｄ−ｄ’線に沿う縦断面模式図である。図８において、基板１１１上に絶縁樹脂層１１３が配され、この絶縁樹脂層１１３の上に再配線層１１６が配され、さらに、絶縁樹脂層１１３と再配線層１１６を覆うように封止樹脂層１１９が配されている。
ところがこの際、再配線層１１６の近傍に深い段差部１１０が存在すると、前記再配線層１１６を覆う封止樹脂層１１９は、その縦断面方向から見て、前記再配線層１１６の上方角部（図８（ｂ）及び（ｃ）において点線サークル（Ｄ１，Ｄ２）でそれぞれ示す部分）において必要な膜厚を確保できず、ひいては前記再配線層１１６の前記角部が露出して、その絶縁性が破綻する虞があった。
【０００４】
つまり、たとえばウエハにおけるチップ間には、チップエッジとなるスクライブライン（ダイシングライン）が存在する。そのため、チップエッジに近い領域に再配線層を形成した場合、チップ基板上に、絶縁樹脂層と再配線層の厚さ分に相当する段差が生じる。そうすると、前記絶縁樹脂層と前記再配線層を覆うように封止樹脂層を形成しても、前記段差部側での前記封止樹脂層上面の傾斜角度が大きく、前記再配線層を十分な膜厚をもって全体的に覆うことが出来なくなってしまう。
したがって、従来の半導体装置においては、チップエッジ又はチップエッジに近い領域に再配線層を形成することが出来ず、小チップ化や配線の高密度化の阻害要因となっていた。
【０００５】
また、このような段差部は、半導体装置の多層配線部でも生じる。多層配線を有する半導体装置は、たとえば図９に示すことができる。
図９の（ａ）は、従来の多層配線を有する半導体装置を示す縦断面模式図、同（ｂ）は、上層の再配線にはんだボールを搭載してバンプを形成する状態を示す縦断面模式図である。図９において、基板１３１上に第一の絶縁樹脂層１３３が配され、この第一の絶縁樹脂層１３３の上に第一の再配線層１３６（１３６Ａおよび１３６Ｂ）が配され、第一の絶縁樹脂層１３３と第一の再配線層１３６を覆うように第二の絶縁樹脂層１３７が配されている。また、この第二の絶縁樹脂層１３７の上に、少なくともその一部が前記第一の再配線層１３６と重なるように第二の再配線層１３８が配されている。この第二の再配線層１３８は、第一の再配線層１３６Ｂとは電気的に接続されているが、第一の再配線層１３６Ａとは電気的に絶縁されている。さらに、第二の絶縁樹脂層１３７と第二の再配線層１３８を覆うように封止樹脂層１３９が配されている。
ところがこの際、第一の再配線層１３６Ａの端部が段差部１３０となり、前記第一の再配線層１３６Ａを覆う第二の絶縁樹脂層１３７が前記段差部１３０側上部（図９（ａ）において点線サークル（Ｅ１）で示す部分）において必要な膜厚を確保できない場合もあった。そのため、第一の再配線層１３６Ａと第二の再配線層１３８とが重なり、前記第二の再配線層１３８の下方に前記第一の再配線層１３６Ａの端部（すなわち段差部１３０）が存在すると、第二の絶縁樹脂層１３７による絶縁性が破綻し、前記第一の再配線層１３６Ａと前記第二の再配線層１３８とが短絡してしまう虞があった。
したがって、従来の半導体装置においては、多層配線における信頼性が低く、配線の高密度化の阻害要因となっていた。
【０００６】
しかも多層配線を有する半導体装置では、下方の再配線の有無により上方の再配線の表面に凹凸が生じてしまうものであった。そのため、図９（ｂ）に示すように、半導体装置の表面に生じた凹凸による段差部１４０を有する部位（図９（ｂ）において点線サークル（Ｅ２）で示す部分）に開口部１３９ａを設けて第二の再配線層１３８の一部を露呈させ、この部分にボール搭載法によってはんだバンプ１５０を搭載しようとすると、その段差部１４０によりはんだボール１５０が転げ搭載不良を起こす虞もある。
したがって、従来の半導体装置においては、はんだバンプ形成の歩留まりが好ましくないと共に、多層配線の形成によりバンプの高さにバラツキが生じ、基板への実装不良を起す虞があった。
【特許文献１】特開２００４−２０７３６８号公報
【特許文献２】特許第３６５１５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置において、チップエッジに近い領域に生じる段差を軽減し、再配線層を覆う樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置及び製造方法、並びにこの半導体装置を用いた電子部品を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、ウエハレベルＣＳＰ化された多層配線を有する半導体装置において、チップエッジから離れた領域に生じる段差を軽減し、再配線層間に存在する樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置及び製造方法、並びにこの半導体装置を用いた電子部品を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に係る半導体装置は、半導体基板αと、前記半導体基板αの一面に配された絶縁部αと、前記絶縁部αの一部を覆うように配された導電部αと、前記絶縁部α及び前記導電部αを覆うように配された封止部αと、を少なくとも備える半導体装置であって、前記導電部αは、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が前記絶縁部αの段差部の近傍域に配され、前記絶縁部αは、前記段差部の近傍域において、その厚さが他の領域より薄いことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の請求項２に係る半導体装置は、半導体基板βと、前記半導体基板βの一面に配された絶縁部βと、前記絶縁部βの一部を覆うように配された導電部βと、前記絶縁部β及び前記導電部βを覆うように配された絶縁部γと、前記絶縁部γの一部を覆うように配された導電部γと、前記絶縁部γ及び前記導電部γを覆うように配され、かつ、前記導電部γの一部が露呈する開口部を有する封止部βと、を少なくとも備える半導体装置であって、前記導電部βは、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が、前記封止部βの前記開口部と重なり、かつ前記絶縁部γを介して前記導電部γと重なり、前記絶縁部βは、前記導電部βと前記開口部及び前記導電部γとの重なり領域において、その厚さが他の領域より薄いことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の請求項３に係る半導体装置は、請求項２に記載の半導体装置において、前記導電部γが、長手方向の端面が前記半導体基板βの表面に対して傾斜面となるように形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の請求項４に係る電子装置品は、請求項１乃至３の何れか一つに記載の半導体装置を用いたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の請求項５に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板αと、前記半導体基板αの一面に配された絶縁部αと、前記絶縁部αの一部を覆うように配された導電部αと、前記絶縁部α及び前記導電部αを覆うように配された封止部αと、を少なくとも備え、前記導電部αは、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が前記絶縁部αの段差部の近傍域に配され、前記絶縁部αは、前記段差部の近傍域において、その厚さが他の領域より薄い半導体装置を製造する方法であって、前記半導体基板αの一面上に絶縁部αを構成する樹脂層Ａを形成する工程と、前記樹脂層Ａの段差部の近傍域を除き、前記樹脂層Ａに重ねて前記絶縁部αを構成する樹脂層Ｂを形成する工程と、前記絶縁部αの少なくとも前記樹脂層Ａ上に導電部αを形成する工程と、前記絶縁部α及び前記導電部αの上に封止部αを形成する工程と、を少なくとも順に備えることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の請求項６に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板βと、前記半導体基板βの一面に配された絶縁部βと、前記絶縁部βの一部を覆うように配された導電部βと、前記絶縁部β及び前記導電部βを覆うように配された絶縁部γと、前記絶縁部γの一部を覆うように配された導電部γと、前記絶縁部γ及び前記導電部γを覆うように配され、かつ、前記導電部γの一部が露呈する開口部を有する封止部βと、を少なくとも備え、前記導電部βは、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が、前記封止部βの前記開口部と重なり、かつ前記絶縁部γを介して前記導電部γと重なり、前記絶縁部βは、前記導電部βと前記開口部及び前記導電部γとの重なり領域において、その厚さが他の領域より薄い半導体装置を製造する方法であって、前記半導体基板βの一面上に絶縁部βを構成する樹脂層Ａを形成する工程と、少なくとも前記導電部βと前記開口部及び前記導電部γとの重なり予定領域を除き、前記樹脂層Ａに重ねて前記絶縁部βを構成する樹脂層Ｂを形成する工程と、前記絶縁部βの少なくとも前記樹脂層Ａ上に導電部βを形成する工程と、前記絶縁部β及び前記導電部βの上に、絶縁部γを形成する工程と、前記絶縁部γ上の一部に、少なくともその一部が前記導電部βと重なる導電部γを形成する工程と、前記絶縁部γ及び前記導電部γの上に、前記導電部γの一部が露呈するように開口部を有し、前記開口部の少なくとも一部が前記導電部β及び前記導電部γと重なる封止部βを形成する工程と、を少なくとも順に備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の請求項１に係るに係る半導体装置（以下、「第一の半導体装置」と呼ぶ。）は、半導体基板αの一面に配された絶縁部αの一部を覆うように配された導電部αが、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が前記絶縁部αの段差部の近傍域に配され、前記絶縁部αは、前記段差部の近傍域において、その厚さが他の領域より薄いことを有している。
ゆえに、再配線層である導電部αは、段差部の近傍域において、絶縁部αの厚さが他の領域より薄く、段差が小さく軽減された前記絶縁部α上に形成されるので、前記薄くなった前記絶縁部αの厚さ分だけその上面の高さが低くなる。これにより、前記導電部αを覆う封止部α上面の前記段差部側での傾斜角度が小さくなり、前記導電部α上への前記封止部αの形成がし易く、確実に前記導電部αを覆うことができる。また、段差部が生じるチップエッジに近い領域に形成した再配線層である導電部αを封止部αで確実に覆うことができるので、チップ上を平面的に有効に活用して前記導電部αを形成することができる。
したがって、ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置において、チップエッジに近い領域に生じる段差を軽減し、再配線層を覆う樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置を提供することができる。しかも、小チップ化やチップ内での再配線の高密度化が可能なため、半導体装置の多ピン化に寄与するものとなる。
【００１５】
本発明の請求項２に係るに係る半導体装置（以下、「第二の半導体装置」と呼ぶ。）は、半導体基板βの一面に配された絶縁部βの一部を覆うように導電部βが配され、前記絶縁部β及び前記導電部βを覆うように絶縁部γが配され、前記絶縁部γの一部を覆うように導電部γが配され、前記導電部γの一部が露呈する開口部を有して、前記絶縁部γ及び前記導電部γを覆うように封止部βが配されている。そして、前記導電部βが、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が、前記封止部βの前記開口部と重なり、かつ前記絶縁部γを介して前記導電部γと重なり、前記絶縁部βが、前記導電部βと前記開口部及び前記導電部γとの重なり領域において、その厚さが他の領域より薄いことを有している。ゆえに、再配線層である導電部βと導電部γとが重なる領域内において、前記導電部γの下方に前記導電部βの端部による段差が存在しないか、あるいは段差が存在しても、前記端部上において絶縁部γの段差を軽減し、電気的な絶縁性を保持して前記導電部βを覆うことになる。これにより、前記端部において前記導電部βと前記導電部γと間の前記絶縁部γの厚さを十分に確保できることになり、多層配線における信頼性が向上し、チップ上を立体的に有効に活用して再配線層を重ねて形成することができる。
したがって、ウエハレベルＣＳＰ化された多層配線を有する半導体装置において、チップエッジから離れた領域に生じる段差を軽減し、再配線層間に存在する樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置を提供することができる。
【００１６】
また、第二の半導体装置では、前記導電部βの端部において絶縁部γが段差を軽減するので、多層配線の形成によってその上に形成される再配線層である導電部γの表面に生じる凹凸による段差を軽減しあるいは無くし、前記導電部γに搭載するはんだバンプの高さのバラツキを少なくすると共に、バンプ形成の歩留まりを向上させ、基板への実装後の信頼性の向上を図ることができる半導体装置を提供することができる。
【００１７】
本発明の請求項３に係るに係る半導体装置は、前記導電部γを、長手方向の端面が前記半導体基板βの表面に対して傾斜面となるように形成している。ゆえに、前記導電部γの長手方向の端部に角部が形成されないので、絶縁層γや封止層γの厚さを十分に確保できる。したがって、再配線層を覆う樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置を提供することができる。
【００１８】
また、本発明の電子部品は、チップエッジに近い領域に生じる段差を軽減し、再配線層を覆う樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置を用いることで、実装後の信頼性の向上を図ることができる。
また、本発明の電子部品は、多層配線を有する場合に、チップエッジから離れた領域に生じる段差を軽減し、再配線層間に存在する樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置を用いることで、実装後の信頼性の向上を図ることができる。さらに、最配線層の表面に生じる凹凸による段差を軽減しあるいは無くしてはんだバンプの高さのバラツキを少なくした半導体装置を用いることで、実装後の信頼性の向上を図ることができる。
【００１９】
また、本発明の請求項５に係る第一の半導体装置の製造方法では、半導体基板αの一面上に絶縁部αを構成する樹脂層Ａを形成、この樹脂層Ａの段差部の近傍域を除き、前記樹脂層Ａに重ねて前記絶縁部αを構成する樹脂層Ｂを形成、前記絶縁部αの少なくとも前記樹脂層Ａ上に導電部αを形成、前記絶縁部α及び前記導電部αの上に封止部αを形成、を少なくとも順に備える構成となっている。この構成によれば、チップエッジに近い領域に生じる段差部の近傍域において、その厚さが他の領域より薄く形成された絶縁部α上に再配線層である導電部αを形成することができる。これにより、前記導電部α上への封止部αの形成がし易く、確実に前記封止部αによって前記導電部αを覆うことができる。
したがって、チップエッジに近い領域に生じる段差を軽減し、再配線層を覆う樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置を容易に製造することができる。
【００２０】
さらに、本発明の請求項６に係る第二の半導体装置の製造方法では、半導体基板βの一面上に絶縁部βを構成する樹脂層Ａを形成、少なくとも前記導電部βと前記開口部及び前記導電部γとの重なり予定領域を除き、前記樹脂層Ａに重ねて前記絶縁部βを構成する樹脂層Ｂを形成、前記絶縁部β及び前記導電部βの上に、絶縁部γを形成する。また、引き続き前記絶縁部γ上の一部に、少なくともその一部が前記導電部βと重なる導電部γを形成、前記絶縁部γ及び前記導電部γの上に、前記導電部γの一部が露呈するように開口部を有し、前記開口部の少なくとも一部が前記導電部β及び前記導電部γと重なる封止部βを形成、を少なくとも順に備える構成となっている。この構成によれば、再配線層である導電部βと導電部γとが重なり、前記導電部γの一部が露呈する開口部と重なる領域内において、前記導電部γの下方に前記導電部βの端部による段差が存在しないか、あるいは段差が存在しても、前記導電部βの前記端部において絶縁部γは段差を軽減し、電気的な絶縁性を保持して前記導電部βを覆うことになる。また、その下方における段差を軽減して前記導電部γを形成することができるので、多層配線における信頼性が向上し、チップ上を立体的に有効に活用して再配線層を重ねて形成することができる。
したがって、チップエッジから離れた領域に生じる段差を軽減し、再配線層間に存在する樹脂層に必要な膜厚を確保して、その絶縁性が破綻する虞を解消した半導体装置を容易に製造することができる。また、多層配線の形成によってその上に形成される再配線層である導電部γの表面に生じる凹凸による段差を更に軽減し、前記導電部γに搭載するはんだバンプの高さのバラツキを少なくすると共に、バンプ形成の歩留まりを向上させ、基板への実装後の信頼性の向上を図ることができる半導体装置を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
本発明の半導体装置は、段差の軽減による再配線層の絶縁性の確保の構造によって、大きく二つに分けることができる。一つは、チップエッジに近い領域に生じる段差を軽減する第一の半導体装置であり、もう一つは、チップエッジに近い領域以外において生じる段差、たとえば多層配線部で生じる段差を軽減する第二の半導体装置である。
【００２２】
（第一の半導体装置）
図１は、本発明の第一の半導体装置の一例を示す図面であり、（ａ）は、その構造を説明する平面図、（ｂ）は、（ａ）に示すａ−ａ’線に沿う縦断面模式図、（ｃ）は、（ａ）に示すｂ−ｂ’線に沿う縦断面模式図である。
図１に示すように、本発明の第一の半導体装置は、半導体基板α１１と、この半導体基板α１１の一面に配された絶縁部α１３と、この絶縁部α１３の一部を覆うように配された導電部α１６と、前記絶縁部α１３及び前記導電部α１６を覆うように配された封止部α１９と、を少なくとも備える。
【００２３】
また、第一の半導体装置は、前記導電部α１６が、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が前記絶縁部α１３の段差部１０の近傍域に配され、前記絶縁部α１３は、前記段差部１０の近傍域において、その厚さが他の領域より薄いことを特徴とする。
この段差部１０は、たとえばチップエッジとなる、半導体基板α１１表面のスクライブライン部（＝半導体ウエハを切断するための領域）近傍に生じる。
【００２４】
半導体基板α１１は、Ｉ／Ｏパッド（電極端子）１２を有している。この半導体基板α１１は、シリコンウエハやガリウム砒素ウエハ等の半導体ウエハの一面に、各種半導体素子やＩＣ等を形成した後、チップ寸法に切断することで得ることができる。
【００２５】
絶縁部α１３は、半導体基板α１１の一面を覆うように配され、Ｉ／Ｏパッド１２が露呈するように、その整合する位置に開口部を有する第一樹脂層１３Ａと、この第一樹脂層１３Ａの段差部１０の近傍域を除き、前記第一樹脂層１３Ａに重ねて配され、Ｉ／Ｏパッド１２が露呈するように、その整合する位置に開口部を有する第二樹脂層１３Ｂとからなる。つまり、第一樹脂層１３Ａと第二樹脂層１３Ｂとを併せることによって絶縁部α１３を構成している。したがって、絶縁部α１３は、段差部１０の近傍域において、第一樹脂層１３Ａだけの厚さであり、その厚さが第一樹脂層１３Ａと第二樹脂層１３Ｂとを併せた他の領域の厚さよりも薄くなっている。
【００２６】
第一樹脂層１３Ａは、たとえばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、等からなり、その厚さは、たとえば０．１〜９０μｍとすると良い。
また、第二樹脂層１３Ｂは、たとえばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、等からなり、その厚さは、たとえば３〜１００μｍとすると良い。
これら前記第一樹脂層１３Ａ及び前記第二樹脂層１３Ｂは何れも、たとえばスピンコート法やラミネート法、印刷法等により形成することができる。
【００２７】
導電部α１６は、前記絶縁部α１３の一部を覆うように配され、前記絶縁部α１３に有する開口部を通してＩ／Ｏパッド１２と電気的に接続する配線層である。この導電部α１６は、前記絶縁部α１３が形成された半導体基板α１１にめっき層の種となるシード層（不図示）を介して形成される。また、導電部α１６は、シード層上にレジストを形成し、めっき処理によりレジスト開口部にめっきを成長することで形成できる。めっき処理には、電解めっき及び無電解めっきの両方式を利用できる。
この導電部α１６は、段差部１０の近傍域において第二樹脂層１３Ｂが設けれていない第一樹脂層１３Ａ上に形成された部分１６Ａと、第二樹脂層１３Ｂが設けれた絶縁層α１３の他の領域に形成された部分１６Ｂとにより構成されている。
【００２８】
シード層は、密着層と給電層とからなる。密着層は、給電層と前記絶縁部α１３との密着性を確保し、給電層を容易に形成させるため設けられる。密着層の材料としては、たとえばクロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、Ｔｉ‐Ｗ（チタンタングステン）などの金属が好ましく、その厚さは、たとえば１０〜５００ｎｍとすると良い。一方、給電層は、密着層の上に配置され、導電部α１６形成時の給電に使用するため設けられる。給電層の材料としては、たとえば銅（Ｃｕ）やクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、Ｔｉ‐Ｗ（チタンタングステン）、金（Ａｕ）、などの金属が好ましく、その厚さは、たとえば１００〜５００ｎｍとすると良い。
このシード層は、たとえばスパッタ法、蒸着法、塗布法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、無電解めっき等により形成することができる。
【００２９】
封止部α１９は、前記絶縁部α１３及び前記導電部α１６を覆うように設けられ、前記導電部α１６を保護することを目的とする。この封止部α１９は、たとえばポリイミド系、エポキシ系、シリコン系、といった感光性液状樹脂からなり、その厚さは、たとえば３〜１５０μｍとすると良い。また、封止部α１９は、たとえばスピンコート法やラミネート法等により形成することができる。
【００３０】
次に、本発明における第一の半導体装置の製造方法の一例について説明する。
図２は、本発明の第一の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す部分拡大断面図である。
まず、基板１を用意する。この基板１としては、その一面に集積回路及びその電極、たとえばＩ／Ｏパッド（不図示）が設けられ、全面にＳｉＮ等のパッシベーション膜（不図示）が形成された、たとえばシリコンウエハやガリウム砒素ウエハ等の半導体ウエハを指す。これら半導体ウエハは、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。また、このパッシベーション膜のＩ／Ｏパッドに整合する位置に開口部を形成し、Ｉ／Ｏパッドを露呈させる。
【００３１】
次いで、基板１を覆い、前記Ｉ／Ｏパッドが露呈する開口部を有する第一樹脂層１３Ａを形成する（図２（ａ）参照）。この第一樹脂層１３Ａは、個片化するために切断される領域であるスクライブ予定領域Ｓ１には形成しない。第一樹脂層１３Ａに使われる材料は、たとえばポリイミド系、エポキシ系、又はシリコン系といった樹脂からなり、パッシベーション膜等が形成された基板１上に塗布することにより形成することができる。この第一樹脂層１３Ａは、たとえばスピンコート法やラミネート法、印刷法等により基板１上に樹脂を塗布した後、露光、現像によりパターニングを行う。なお、第一樹脂層１３Ａの厚さは、たとえば０．１〜９０μｍ程度である。
【００３２】
次に、第一樹脂層１３Ａの一部を覆うように、前記Ｉ／Ｏパッドが露呈する開口部を有する第二樹脂層１３Ｂを形成する（図２（ｂ）参照）。前記第一樹脂層１３Ａは、この第二樹脂層１３Ｂを併せて絶縁部α１３を構成している。この第二樹脂層１３Ｂは、段差部を生じるチップエッジとなるスクライブライン予定位置Ｌ１の近傍域を除き、前記第一樹脂層１３Ａに重ねて形成する。第二樹脂層１３Ｂに使われる材料は、前記第一樹脂層１３Ａと同様に、たとえばポリイミド系、エポキシ系、又はシリコン系といった樹脂からなる。この第二樹脂層１３Ｂもまた、たとえばスピンコート法やラミネート法、印刷法等によりパターン塗布できる。なお、第二樹脂層１３Ｂの厚さは、たとえば３〜１００μｍ程度である。
これにより、その縦断面方向から見て、段差部の近傍域において、その厚さが他の領域より薄い絶縁部α１３を形成することができる。
【００３３】
次に、前記第一樹脂層１３Ａ及び前記第二樹脂層１３Ｂを覆うように、電解めっき用のシード層１４を形成した後、シード層１４上にレジスト１５を形成し、レジスト１５が無く開口しているエリアにめっき成長させることで導電部α１６を形成する（図２（ｃ）参照）。
シード層１４は、たとえばスパッタ法により形成されたＣｕ層及びＣｒ層の積層体、又はＣｕ層及びＴｉ層の積層体である。また、シード層１４は、無電解めっき層でも良く、蒸着法、塗布法又は化学気相成長（ＣＶＤ）法等により形成された金属薄膜層であっても良く、これらを組み合わせても良い。
レジスト１５は、たとえばフィルムレジストをラミネートする方法又は液体レジストを回転塗布する方法等を使用して形成することができる。このレジスト１５は、絶縁部α１３の段差部の近傍域を除き形成する。すなわち、前記絶縁部α１３を構成する第一樹脂層１３Ａを除いた第二樹脂層１３Ｂ上に形成する。レジスト１５の厚さは、次工程で形成する導電部α１６の厚さよりも厚くする。
【００３４】
導電部α１６は、レジスト１５の形成後、このレジスト１５をマスクとして露出したシード層１４上に、電解Ｃｕめっきにより形成する。したがって、導電部α１６は、少なくともその一部が前記絶縁部α１３の段差部の近傍域に配されたもの（回路パターン）となっている。導電部α１６の厚さは、たとえば３〜５０μｍである。
なお、その後はんだバンプを形成する場合、導電部α１６上に、たとえばＮｉめっき層及びＡｕめっき層（図示せず）をはんだバンプとの濡れ性向上のために形成しても良い。
【００３５】
続いて、レジスト１５を除去し、導電部α１６が形成されていないエリアに残っている不要なシード層１４をエッチングにより除去して、絶縁部α１３を露出させる（図２（ｄ）参照）。
【００３６】
その後、表面保護用の封止部α１９を形成する（図２（ｅ）参照）。封止部α１９には、ポリイミド系、エポキシ系又はシリコン系等の感光性樹脂が好適に用いられる。封止部α１９は、たとえばスピンコート法やラミネート法により形成でき、その厚さは、たとえば３〜１５０μｍ程度である。
そして、前記基板１のスクライブライン予定位置Ｌ１を、図２（ｅ）において一点鎖線で示すようにカットし、ウエハを個片化する。
これにより、図１に示すような半導体装置を得ることができ完成となる。
【００３７】
以上のように本発明の第一の半導体装置は、段差部１０の近傍域における絶縁部α１３の段差が軽減する。これにより、段差部１０の近傍域において再配線層である導電部α１６が、絶縁部α１３においてその厚さが他の領域より薄い第一樹脂層１３Ａ上に形成されるので、前記導電部α１６を覆う封止部α１９上面の前記段差部１０側での傾斜角度が小さくなり、前記導電部α１６上への前記封止部α１９の形成がし易く、確実に前記導電部α１６を覆うことができる。したがって、導電部α１６の上方角部（図１（ｂ）及び（ｃ）において点線サークル（Ａ１，Ａ２）で示す部分）において封止部α１９に必要な膜厚が確保でき、前記導電部α１６の前記角部が露出して、その絶縁性が破綻してしまう虞を解消することができる。
【００３８】
（第一の半導体装置の変形例）
次に、第一の半導体装置の変形例について説明する。
図３は、本発明の第一の半導体装置の変形例を示す図面であり、（ａ）は、その構造を説明する平面図、（ｂ）は、（ａ）に示すａ−ａ’線に沿う縦断面模式図、（ｃ）は、（ａ）に示すｂ−ｂ’線に沿う縦断面模式図である。なお、図３において、図１と同様のものには、同じ符号を付してある。
【００３９】
図３に示すように、この変形例では、絶縁部α１３において、段差部１０と、第二樹脂層１３Ｂを設けないことによりその厚さが他の領域より薄い部分との間に、第二樹脂層１３Ａと第二樹脂層１３Ｂからなるエッジ部１３ａを設けている。このエッジ部１３ａにより、絶縁部α１３の上記他の領域より厚さが薄い部分は凹部を形成している。そして、段差部１０の近傍域に配された導電部α１６の部分１６Ａは、絶縁部α１３の上記凹部に形成されている。
【００４０】
この変形例の製造方法は、図２に示す上記第一の半導体装置と同様であるが、図２（ｂ）の工程において、エッジ部１３ａを構成する第二樹脂層１３Ｂを残すようにする。
【００４１】
この変形例では、上記第一の半導体装置と同様に、段差部１０の近傍域に配された導電部α１６の部分１６Ａが、絶縁部α１３においてその厚さが他の領域より薄い第一樹脂層１３Ａ上に形成されるので、導電部α１６の上方角部（図３（ｂ）及び（ｃ）において点線サークル（Ａ１，Ａ２）で示す部分）において封止部α１９に必要な膜厚が確保でき、導電部α１６の前記角部が露出して、その絶縁性が破綻してしまう虞を解消できる。
さらに、絶縁部α１３の段差部１０の直近にエッジ部１３ａを設けるので、導電部α１６の部分１６Ａのチップエッジ側の側面が絶縁部α１３および封止部α１９によって被覆されるようになる。これにより、チップエッジの絶縁性をさらに高めることができる。
【００４２】
なお、この変形例では、図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、絶縁部α１３の膜厚をｈ１、基板１１表面から導電部α１６の部分１６Ａの表面までの寸法をｈ２とすると、ｈ１＜ｈ２となっている。つまり、ｈ１≧ｈ２の場合に限らず、ｈ１＜ｈ２の場合にも上記の効果が得られる。この点は、上記第一の半導体装置についても同じである。
【００４３】
（第二の半導体装置）
次に、第二の半導体装置について説明する。
図４は、本発明の第二の半導体装置の一例を示す縦断面模式図である。図４（ａ）は、多層配線を有する第２の半導体装置を示す縦断面模式図、同（ｂ）は、上層の再配線にはんだボールを搭載してバンプを形成する状態を示す縦断面模式図である。
図４に示すように、本発明の第二の半導体装置は、半導体基板β３１と、この半導体基板β３１の一面に配された絶縁部β３３と、この絶縁部β３３の一部を覆うように配された導電部β３６（３６Ａおよび３６Ｂ）と、前記絶縁部β３３及び前記導電部β３６を覆うように配された絶縁部γ３７と、を少なくとも備える。絶縁部γ３７は、前記導電部β３６Ｂの一部が露呈する開口部３７ａを有する。
また、第二の半導体装置は、前記絶縁部γ３７の一部を覆うように配された導電部γ３８と、前記絶縁部γ３７及び前記導電部γ３８を覆うように配され、かつ、前記導電部γ３８の一部が露呈する開口部３９ａを有する封止部β３９と、を少なくとも備える。前記導電部γ３８は、前記第一開口部３７ａを介して前記導電部β３６と電気的に接続している。
【００４４】
さらに、第二の半導体装置は、前記導電部３６Ａが、その縦断面方向から見て、少なくともその一部が、前記封止部β３９の前記開口部３９ａと重なり、かつ前記絶縁部γ３７を介して前記導電部γ３８と重なり、前記絶縁部α３３が、前記導電部３６Ａと前記開口部３９ａ及び前記導電部γ３８との重なり領域において、その厚さが他の領域より薄いことを特徴とする。
【００４５】
半導体基板β３１は、Ｉ／Ｏパッド（電極端子）３２を有している。この半導体基板β３１は、シリコンウエハやガリウム砒素ウエハ等の半導体ウエハの一面に、各種半導体素子やＩＣ等を形成した後、チップ寸法に切断することで得ることができる。
【００４６】
絶縁部β３３は、半導体基板β３１の一面を覆うように配されて、Ｉ／Ｏパッド３２が露呈するように、その整合する位置に開口部を有する第一樹脂層１３Ａと、導電部β３６Ａと導電部γ３８とが絶縁部γ３７を介して重なる予定域を除き、前記第一樹脂層３３Ａに重ねて配され、Ｉ／Ｏパッド１２が露呈するように、その整合する位置に開口部を有する第二樹脂層３３Ｂとからなる。つまり、第一樹脂層３３Ａと第二樹脂層３３Ｂとを併せることによって絶縁部β３３を構成している。したがって、絶縁部β３３は、導電部β３６Ａと導電部γ３８の重なり予定域において、第一樹脂層３３Ａだけの厚さであり、その厚さが第一樹脂層３３Ａと第二樹脂層３３Ｂとを併せた他の領域の厚さよりも薄くなっている。
【００４７】
第一樹脂層３３Ａは、たとえばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、等からなり、その厚さは、たとえば０．１〜９０μｍとすると良い。
また、第二樹脂層３３Ｂは、たとえばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、等からなり、その厚さは、たとえば３〜１００μｍとすると良い。
これら前記第一樹脂層３３Ａ及び前記第二樹脂層３３Ｂは何れも、たとえばスピンコート法やラミネート法、印刷法等により形成することができる。
【００４８】
導電部β３６（３６Ａおよび３６Ｂ）は、前記絶縁部β３３の一部を覆うように配された配線層である。
導電部β３６を構成する導電部３６Ａは、前記絶縁部β３３に有する開口部を通してＩ／Ｏパッド３２と電気的に接続する配線層である。この導電部３６Ａは、第二樹脂層３３Ｂ上に形成された部分３６Ａａと、導電部γ３８との重なり予定域において第一樹脂層３３Ａ上に形成された部分３６Ａｂからなる。
【００４９】
この導電部β３６は、前記絶縁部β３３にめっき層の種となるシード層（不図示）を介して形成される。また、導電部β３６は、シード層上にレジストを形成し、めっき処理によりレジスト開口部にめっきを成長することで形成できる。めっき処理には、電解めっき及び無電解めっきの両方式を利用できる。
【００５０】
シード層は、密着層と給電層とからなる。密着層は、給電層と前記絶縁部β３３との密着性を確保し、給電層を容易に形成させるため設けられる。密着層の材料としては、たとえばクロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ‐Ｗ）などの金属が好ましく、その厚さは、たとえば１０〜５００ｎｍとすると良い。一方、給電層は、密着層の上に配置され、導電部β３６形成時の給電に使用するため設けられる。給電層の材料としては、たとえば銅（Ｃｕ）やクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ‐Ｗ）、金（Ａｕ）、などの金属が好ましく、その厚さは、たとえば１００〜５００ｎｍとすると良い。
このシード層は、たとえばスパッタ法、蒸着法、塗布法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、無電解めっき等により形成することができる。
【００５１】
絶縁部γ３７は、前記絶縁部β３３及び前記導電部β３６を覆うように配され、かつ、導電部β３６Ｂの一部が露呈する開口部３７ａを有する。この絶縁部γ３７は、前記絶縁部β３３と同様に、たとえばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、等からなり、その厚さは、たとえば２〜３０μｍ程度とすると良い。また、絶縁部γ３７は、たとえばスピンコート法やラミネート法、印刷法等により形成することができる。
【００５２】
導電部γ３８は、前記絶縁部γ３７の一部を覆い、前記絶縁部γ３７を介して前記導電部β３６Ａと電気的に絶縁されるとともに、開口部３７ａを介して前記導電部β３６Ｂと電気的に接続するように配された配線層である。この導電部γ３８は、前記絶縁部γ３７上にレジストを形成し、めっき処理によりレジスト開口部にめっきを成長することで形成できる。めっき処理には、電解めっき及び無電解めっきの両方式を利用できる。
【００５３】
封止部β３９は、前記絶縁部γ３７及び前記導電部γ３８を覆うように配され、かつ、前記導電部γ３８の一部が露呈する開口部３９ａを有する。この封止部β３９は、前記導電部γ３８を保護することを目的とする。封止部β３９は、たとえばポリイミド系、エポキシ系、シリコン系、といった感光性液状樹脂からなり、その厚さは、たとえば３〜１５０μｍとすると良い。また、封止部β３９は、たとえばスピンコート法やラミネート法等により形成することができる。
【００５４】
次に、本発明における第二の半導体装置の製造方法の一例について説明する。
図５および図６は、本発明の第二の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す部分拡大断面図である。図５および図６においては、図４（ａ）に示す多層配線部を有する半導体装置を例にその製造方法を示す。
まず、基板３１を用意する。この基板３１としては、その一面に集積回路及びその電極、たとえばＩ／Ｏパッド（不図示）が設けられ、全面にＳｉＮ等のパッシベーション膜（不図示）が形成された、たとえばシリコンウエハやガリウム砒素ウエハ等の半導体ウエハを指す。これら半導体ウエハは、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。また、このパッシベーション膜のＩ／Ｏパッドに整合する位置に開口部を形成し、Ｉ／Ｏパッドを露呈させる。
【００５５】
次いで、基板３１を覆い、前記Ｉ／Ｏパッドが露呈する開口部を有する第一樹脂層３３Ａを形成する（図５（ａ）参照）。第一樹脂層３３Ａに使われる材料は、たとえばポリイミド系、エポキシ系、又はシリコン系といった樹脂からなり、パッシベーション膜等が形成された基板３１上に塗布することにより形成することができる。第一樹脂層３３Ａは、たとえばスピンコート法やラミネート法、印刷法等により基板３１上に樹脂を塗布した後、露光、現像によりパターニングを行う。なお、絶縁部β３３の厚さは、たとえば０．１〜９０μｍ程度である。
【００５６】
次に、第一樹脂層３３Ａの一部を覆うように、前記Ｉ／Ｏパッドが露呈する開口部を有する第二樹脂層３３Ｂを形成する（図５（ｂ）参照）。前記第一樹脂層３３Ａは、この第二樹脂層３３Ｂを併せて絶縁部β３３を構成している。この第二樹脂層３３Ｂは、導電部３６Ａの部分３６Ａｂが形成される予定域を除き、前記第一樹脂層３３Ａに重ねて形成する。第二樹脂層３３Ｂに使われる材料は、前記第一樹脂層３３Ａと同様に、たとえばポリイミド系、エポキシ系、又はシリコン系といった樹脂からなる。この第二樹脂層３３Ｂもまた、たとえばスピンコート法やラミネート法、印刷法等によりパターン塗布できる。なお、第二樹脂層１３Ｂの厚さは、たとえば３〜１００μｍ程度である。
これにより、その縦断面方向から見て、導電部３６Ａの部分３６Ａｂ形成予定域（導電部３６Ａと導電部γ３８の重なり予定域）において、その厚さが他の領域より薄い絶縁部β３３を形成することができる。
【００５７】
次に、前記絶縁部β３３を覆うように、電解めっき用のシード層（不図示）を形成した後、シード層上にレジスト（不図示）を形成し、前記絶縁部β３３上の一部に、レジストが無く開口しているエリアにめっき成長させることで導電部β３６（導電部３６Ｂのみ不図示）を形成する（図５（ｃ）参照）。
導電部３６Ａを構成する部分３６Ａａは、第一樹脂層３３Ａ上に形成され、導電部３６Ａを構成する部分３６Ａｂは、第二樹脂層３３Ｂ上（絶縁部β３３において他の領域よりも薄い領域）に形成される。
これにより、その縦断面方向から見て、導電部３６Ａの部分３６Ａａの端部３０において、段差部を生じないか、あるいは生じていてもその度合いを微小なものとすることができる。
【００５８】
シード層は、たとえばスパッタ法により形成されたＣｕ層及びＣｒ層の積層体、又はＣｕ層及びＴｉ層の積層体である。また、シード層は、無電解めっき層でも良く、蒸着法、塗布法又は化学気相成長（ＣＶＤ）法等により形成された金属薄膜層であっても良く、これらを組み合わせても良い。
レジストは、たとえばフィルムレジストをラミネートする方法又は液体レジストを回転塗布する方法等を使用して形成することができる。
導電部β３６は、レジストの形成後、このレジストをマスクとして露出したシード層上に、電解Ｃｕめっきにより形成する。導電部β３６の厚さは、たとえば３〜５０μｍである。なお、導電部β３６の形成後、レジストを除去し、導電部β３６が形成されていないエリアに残っている不要なシード層をエッチングにより除去して、絶縁部β３３を露出させる。
【００５９】
次に、前記絶縁部β３３及び前記導電部β３６の上に、前記導電部３６Ａの上において電気的な絶縁性を保持している絶縁部γ３７を形成する（図５（ｄ）参照）。この絶縁部γ３７に使われる材料は、前記絶縁部β３３に使われる材料と同様に、たとえばポリイミド系、エポキシ系、又はシリコン系といった樹脂からなる。また、絶縁部γ３７は、たとえばスピンコート法やラミネート法、印刷法等により、前記絶縁部β３３及び前記導電部β３６の上に樹脂を塗布した後、露光、現像によりパターニングを行う。なお、絶縁部γ３７の厚さは、たとえば２〜３０μｍ程度である。
これにより、その縦断面方向から見て、前記導電部３６Ａの部分３６Ａａの端部３０において、段差部を生じないか、あるいは生じていてもその度合いが微小である絶縁部γ３７を形成することができる。
【００６０】
次に、前記絶縁部γ３７上の一部に、前記導電部３６Ａと電気的に絶縁され、少なくともその一部が前記絶縁部γ３７を介して前記導電部３６Ａの部分３６Ａａと重なる前記導電部γ３８を形成する（図６（ａ）参照）。
これにより、その縦断面方向から見て、前記導電部３６Ａの端部３０上において、段差部を生じないか、あるいは段差部を生じていてもその度合いが微小である導電部γ３８を形成することができる。
この導電部γ３８もまた、レジストの形成後、レジストをマスクとして露出した前記絶縁部γ３７上の一部に、電解Ｃｕめっきにより形成する。導電部γ３８の厚さは、たとえば３〜５０μｍである。
なお、その後はんだバンプを形成する場合、導電部γ３８上に、たとえばＮｉめっき層及びＡｕめっき層（図示せず）をはんだバンプとの濡れ性向上のために形成しても良い。
また、導電部γ３８の形成後、レジストを除去し、導電部γ３８が形成されていないエリアに残っている不要なシード層をエッチングにより除去して、絶縁部γ３７を露出させる。
【００６１】
その後、表面保護用の封止部β３９を形成する（図６（ｂ）参照）。封止部β３９は、前記絶縁部γ３７及び前記導電部γ３８を覆うように配され、かつ、前記導電部γ３８の一部が露呈する開口部３９ａを有する。この封止部β３９には、ポリイミド系、エポキシ系又はシリコン系等の感光性樹脂が好適に用いられる。封止部β３９は、たとえばスピンコート法やラミネート法により形成でき、その厚さは、たとえば３〜１５０μｍ程度である。そして、前記基板３１をカットし、ウエハを個片化する。
これにより、図４（ａ）に示すような半導体装置を得ることができ完成となる。開口部３９ａは、少なくともその一部が、導電部３６Ａと導電部γ３８の重なり領域と重なっており、この開口部３９ａ内の下には導電部３６Ａの端部３０が配されている。しかしながら、導電部３６Ａの端部３０と絶縁部β３３の第二樹脂層３３Ｂの端部とが、段差を生じないか、段差を生じていても微小であることにより、導電部γ３８は、開口部３９内において、平坦であるか、段差を生じていてもその度合いは微小である。
【００６２】
また、図４（ｂ）において示すバンプ５０は、外部基板と電気的に接続するための出力端子であり、導電部γ３８に整合して搭載されている。このバンプの材料としては、たとえばはんだが好ましい。
このはんだバンプ５０の形成方法としては、電解はんだめっき法、はんだボール搭載法、はんだペースト印刷法、はんだペーストディスペンス法、又ははんだ蒸着法、等が挙げられる。
【００６３】
以上のように本発明の第二の半導体装置は、導電部３６Ａの端部３０上において絶縁部γ３７に生じる段差を軽減しあるいは無くなり、前記導電部３６Ａの電気的な絶縁性を保持している。これにより、前記導電部３６Ａの端部３０の上方角部（図４において点線サークル（Ｂ１）で示す部分）において絶縁部γ３７に必要な膜厚が確保でき、前記導電部３６Ａの前記角部が露出して、その絶縁性が破綻してしまう虞を解消することができる。
しかも、封止部β３９の開口部３９ａと重なる領域内に存在する前記導電部γ３８は、前記導電部３６Ａの端部３０上の部位（図４において点線サークル（Ｂ２）で示す部分）の段差が軽減されてあるいはこの部位に段差が無く形成されることになる。したがって、多層配線の形成により生じる再配線層表面における凹凸を軽減しあるいは無くし、はんだバンプの高さのバラツキを少なくすると共に、バンプ形成の歩留まりを向上させ、基板への実装後の信頼性の向上を図ることができる。
【００６４】
（第二の半導体装置の変形例）
次に、第二の半導体装置の変形例について説明する。
図７は、本発明の第二の半導体装置の変形例を示す縦断面模式図である。なお、図７において、図４と同様のものには同じ符号を付してある。
【００６５】
図７に示すように、この第二の半導体装置の変形例では、導電部β３６Ａは、半導体基板β３１との接続部において、その長手方向は端部に端面３６ａを有し、この端面３６ａが半導体基板β３１の表面に対して傾斜面となるように形成されている。したがって、導電部β３６Ａは、上記接続部において長手方向の端部に角部を有しない。
同様に、導電部γ３８は、導電部β３６Ｂとの接続部において、その長手方向は端部に端面３８ａを有し、この端面３８ａが半導体基板β３１の表面に対して傾斜面となるように形成されている。したがって、導電部γ３８は、導電部β３６Ｂとの接続部において長手方向の端部に角部を有しない。
【００６６】
このように、層間の導電部の接続部、あるいは導電部と半導体基板の接続部において、導電部の長手方向の端面を傾斜面として、導電部端部に角部ができないようにすることにより、導電部端部において樹脂層（絶縁層や封止層）が薄くなることを防止できるので、上記導電部の長手方向の端部周辺の絶縁性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第一の半導体装置の構造の一例を示す図である。
【図２】第一の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す図である。
【図３】本発明の第一の半導体装置の他の構造の一例を示す図である。
【図４】本発明の第二の半導体装置の構造の一例を示す図である。
【図５】第二の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す図である（その１）。
【図６】第二の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す図である（その２）。
【図７】本発明の第二の半導体装置の他の構造の一例を示す図である。
【図８】従来の半導体装置の構造の一例を示す図である。
【図９】従来の半導体装置の他の構造の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  半導体ウエハ、１０  段差部、１１  半導体基板α、１２  電極、１３  絶縁部α、１３Ａ  第一樹脂層、１３Ｂ  第二樹脂層、１３ａ  絶縁部αのエッジ部、１４  シード層、１５  レジスト、１６（１６Ａ，１６Ｂ）  導電部α、１９  封止部α、３０  導電部βの端部、３１  半導体基板β、３２  電極、３３  絶縁部β、３６（３６Ａ，３６Ｂ，３６Ａａ，３６Ａｂ）  導電部β、３７  絶縁部γ、３７ａ  絶縁部γの開口部、３８  導電部γ、３９  封止部β、３９ａ  封止部βの開口部。
【図１】
2009295679.tif 000003
【図２】
2009295679.tif 000004
【図３】
2009295679.tif 000005
【図４】
2009295679.tif 000006
【図５】
2009295679.tif 000007
【図６】
2009295679.tif 000008
【図７】
2009295679.tif 000009
【図８】
2009295679.tif 000010
【図９】
2009295679.tif 000011