(57)【要約】【課題】小型化が可能でかつ安定した動作で高精度なマスクレス露光が可能な露光装置を提供する。【解決手段】この露光装置１０は、光源１２と、ミラーＭを繰り返し傾斜させるＭＥＭＳ光スキャナと、光源からの光をミラーを介して被露光物Ａ上に露光する露光光学系と、を備え、光源からの光をＭＥＭＳ光スキャナで傾斜するミラーにより走査して被露光物上に照射する際に、その走査光による被露光物の表面におけるドーズ量が一定となるように走査光の走査速度に基づいて走査光の光強度を変化させて被露光物に対し露光を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、ミラーを繰り返し傾斜させるＭＥＭＳ光スキャナと、前記光源からの光を前記ミラーを介して被露光物上に露光する露光光学系と、を備え、
前記光源からの光を前記ＭＥＭＳ光スキャナで傾斜するミラーにより走査して前記被露光物上に照射する際に、その走査光による前記被露光物の表面におけるドーズ量が一定となるように前記走査光の走査速度に基づいて前記走査光の光強度を変化させて前記被露光物に対し露光を行う露光装置。
【請求項２】
前記走査光は、前記表面における走査位置が時間的に非線形に変化する非線形領域を含む走査領域で走査される請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記被露光物を載置して移動可能なステージを備え、
前記ステージの移動を制御することで前記光源からの光により前記被露光物上にパターンを露光する請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記ステージの位置を検出する位置検出部を備え、
前記ステージが駆動源としてモータを有し、
前記位置検出部の検出信号に基づいて前記モータを駆動し前記ステージの位置を制御する請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記光源からの光のオンオフを制御することで前記被露光物上にパターンを露光する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記露光光学系が対物レンズを含み、
前記対物レンズを前記被露光物に対し駆動し自動的に合焦させるオートフォーカス機構を備える請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクレス露光が可能な露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路や液晶デバイス等の製造工程では回路パターン形成のためにフォトリソグラフィ工程が多用されている。フォトリソグラフィは、所定のパターンが形成されたフォトマスクを用い、このフォトマスクを介してフォトレジストの塗布されたシリコンなどの基板上に露光することで、フォトマスクのパターンを基板上に転写してから、現像工程、エッチング工程等を経ることにより基板上にパターンを形成するものである。
【０００３】
上述のようなフォトリソグラフィ工程の代わりに、フォトマスクを用いずに所望のパターンを基板等に直接形成するマスクレス露光（直接露光）装置が提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。かかるマスクレス露光によれば、フォトマスクが不要でありコスト的に有利であり、また、高精度露光が可能であるとされている。
【０００４】
特許文献１に記載のマスクレス露光装置は、露光ヘッドの結像光学系で結像される所望の露光パターンと被露光物の表面とを相対的に走査する走査手段を備え、かかる走査手段としてＸＹステージを用いている。また、光走査手段としては、ポリゴンミラーやガルバノミラーとレンズ光学系を用いた光走査光学系が知られている。また、かかる光走査光学系の代わりに２次元光変調素子を用いることが提案されている（例えば、下記特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−２５０９８２号公報
【特許文献２】特開２００３−１５０７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の光走査手段としてポリゴンミラーやガルバノミラーとレンズ光学系を用いた光走査光学系を用いると、装置の全体構成が大きくなってしまい、装置の小型化の障害となり、また、高価であり、応答性もよくない。また、２次元光変調素子は短寿命化や誤動作発生の問題があるといわれており、誤動作対策に特別な構成やコストが必要となってしまい（特許文献１参照）、好ましくない。
【０００６】
本発明は、上述のような従来技術の問題に鑑み、小型化が可能でかつ安定した動作で高精度なマスクレス露光が可能な露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本実施形態による露光装置は、光源と、ミラーを繰り返し駆動させるＭＥＭＳ光スキャナと、前記光源からの光を前記ミラーを介して被露光物上に露光する露光光学系と、を備え、前記光源からの光を前記ＭＥＭＳ光スキャナで傾斜するミラーにより走査して前記被露光物上に照射する際に、その走査光による前記被露光物の表面におけるドーズ量が一定となるように前記走査光の走査速度に基づいて前記走査光の光強度を変化させて前記被露光物に対し露光を行うものである。
【０００８】
この露光装置によれば、ＭＥＭＳ（メムス）光スキャナによりミラーを繰り返し傾斜させて光源からの光を走査して走査光を得て、この走査光で被露光物上への露光を行うが、その際に、走査光の走査速度に基づいて走査光の光強度を変化させて露光を行うことで、走査光による被露光物の表面におけるドーズ量を一定にできる。このため、被露光物の表面における露光量が均一化し、高精度な露光が可能となる。
【０００９】
ＭＥＭＳ（メムス）とは、微小電気機械システム（Micro Electro Mechanical Systems）の略で、機械要素部品を極小サイズで作製した小型デバイスである。ＭＥＭＳ光スキャナは、アクチュエータによりミラーを駆動して光を走査するＭＥＭＳ（メムス）光デバイスであり、小型に構成され信頼性が高く動作が安定している。
【００１０】
以上のように、ＭＥＭＳ光スキャナを光走査に用いて走査光による被露光物の表面におけるドーズ量が一定となるように露光を行うことで、装置を小型化できかつ安定した動作で高精度なマスクレス露光が可能な露光装置を実現できる。
【００１１】
上記露光装置において前記走査光は、前記表面における走査位置が時間的に非線形に変化する非線形領域を含む走査領域で走査される場合でも、被露光物の表面におけるドーズ量を一定にできるので、露光むら発生を抑制できる。また、非線形領域を含んで露光可能であるので、走査光の走査長さを大きくとることができる。
【００１２】
また、前記被露光物を載置して移動可能なステージをさらに備え、前記ステージの移動を制御することで前記光源からの光により前記被露光物上にパターンを露光することにより、所望のパターンを被露光物上に直接露光できる。
【００１３】
また、前記ステージの位置を検出する位置検出部を備え、前記ステージが駆動源としてモータを有し、前記位置検出部の検出信号に基づいて前記モータを駆動し前記ステージの位置を制御することで、フィードバック制御を行い、ステージの位置を高精度に制御できる。
【００１４】
また、前記光源からの光のオンオフを制御することで前記被露光物上にパターンを露光することにより、例えば、走査方向に断続的なパターンや走査方向と直交する方向に間欠的なパターン等の所望のパターンを露光できる。
【００１５】
前記露光光学系が対物レンズを含み、前記対物レンズを前記被露光物に対し駆動し自動的に合焦させるオートフォーカス機構を備えることで、露光中に自動的に合焦させることができるので、被露光物の表面に凹凸があっても高精度な露光が可能となる。
【００１６】
また、前記ＭＥＭＳ光スキャナは、１次元的に光を走査し、前記露光光学系に２個配置されて２次元的に光を走査するように構成できる。また、前記ＭＥＭＳ光スキャナは、２次元的に光を走査するように構成してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の露光装置によれば、小型化が可能でかつ安定した動作で高精度なマスクレス露光が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。図１は本実施の形態による露光装置の全体の概略的構成を示す図である。図２は図１の露光光学系を説明するための図である。図３は図２の露光光学系のＭＥＭＳ光スキャナのミラーとレンズとの関係を説明するための模式図である。
【００１９】
図１に示すように、露光装置１０は、被露光物Ａを載置し保持してＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１１と、半導体レーザからなる光源１２と、光源１２から光ファイバＦＩで導かれた光により被露光物Ａに対し露光する露光光学系と、露光を行う際に露光光学系の鏡筒３１内の対物レンズをＸＹステージ１１上の被露光物Ａに対し図の上下方向に駆動し自動的に合焦させるオートフォーカス機構と、ＸＹステージ１１上の被露光物Ａを観察するための観察光学系と、ＸＹステージ１１及び光源１２等を制御する制御装置１３と、を備えている。
【００２０】
露光光学系は、図１〜図３のように、光源１２からの光が光ファイバＦＩを介して導入されてコリメートレンズＣで平行化されてミラーＭで反射し、レンズＬ２，ミラー１９，レンズＬ１，ビームスプリッタ２９を介して鏡筒３１内の対物レンズＪでステージ１１上の被露光物Ａの表面Ａ１に集光されて結像しスポット照射するようになっている。
【００２１】
上述の露光光学系の内のコリメートレンズＣからレンズＬ１までの各光学要素はハウジング２０内に配置され収容されている。
【００２２】
オートフォーカス機構は、図１のように、オートフォーカス用レーザ光源２２からの光がビームスプリッタ２７，２８，２９を介して鏡筒３１内の対物レンズＪ（図２）でＸＹステージ１１上の被露光物Ａの表面Ａ１に集光され、その反射光が対物レンズＪ、ビームスプリッタ２９，２８，２７，チューブレンズ３２，ビームスプリッタ２６を介してフォトダイオード（ＰＤ）からなる受光素子２１に入射し、その入射光信号に基づいて公知のピエゾ素子からなるアクチュエータ２３で鏡筒３１を光軸方向に駆動して鏡筒３１内の対物レンズＪ（図２）を移動させて合焦させるようになっている。
【００２３】
上述のビームスプリッタ２６，２７，２８，２９及びチューブレンズ３２はハウジング３０内に配置され収容されている。
【００２４】
観察光学系は、照明光を光導入部２５から導入してＸＹステージ１１上の被露光物Ａに照射してその反射光をＣＣＤカメラ２４で撮像して被露光物Ａを観察できるようになっている。
【００２５】
図１のように、ハウジング３０には、受光素子２１，オートフォーカス用レーザ光源２２，ＣＣＤカメラ２４及び光導入部２５が取り付けられており、ハウジング３０の下端にアクチュエータ２３が配置され、さらにアクチュエータ２３の下方に鏡筒３１が配置されている。
【００２６】
ＸＹステージ１１には、図１のステッピングモータ１５ａ，１５ｂとステッピングモータ１５ａ，１５ｂによる各回転運動をＸ方向及びＹ方向への直線運動に変換する公知のボールねじ等から構成された直動機構とが内蔵されている。ステッピングモータ１５ａ，１５ｂの各等速回転によりＸＹステージ１１は図１の横方向（Ｘ方向）及び図１の紙面垂直方向（Ｙ方向）に等速で移動可能になっている。
【００２７】
制御装置１３は、モータドライバ１６を介してステッピングモータ１５ａ，１５ｂを制御する。また、露光装置１０はＸＹステージ１１のＸ方向及びＹ方向の各位置を検出するエンコーダ等から構成された位置検出部１４を備えている。
【００２８】
制御装置１３は、ＸＹステージ１１のＸ方向及びＹ方向の各移動量を制御するが、このとき、位置検出部１４から入力した位置検出信号に基づいてステッピングモータ１５ａ，１５ｂをフィードバック制御することで、ＸＹステージ１１を高精度に制御できる。
【００２９】
また、制御装置１３は、ドライバ１７を介して光源１２をオンオフ制御し、光源１２からの光をオンオフするようになっている。なお、光源１２に対し公知の電動シャッタを後置し、この電動シャッタを制御装置１３が制御することにより、光源１２からの光をオンオフするようにしてもよい。
【００３０】
また、制御装置１３は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を備え、ＣＰＵにより光源１２及びＸＹステージ１１を所定のシーケンスで制御し、所定パターンの露光が可能となっている。
【００３１】
図１〜図３に示すミラーＭは、ＭＥＭＳ光スキャナの一部を構成するものであるが、かかるＭＥＭＳ光スキャナについて図４、図５を参照して説明する。
【００３２】
図４は図１〜図３の露光装置で使用可能なＭＥＭＳ光スキャナの基本構造及び動作原理を説明するための概略図である。図５は図１〜図３の露光装置で使用可能なＭＥＭＳ光スキャナの具体例を示す上面図（ａ）、b-b線方向に切断してみた断面図（ｂ）及び下面図（ｃ）である。
【００３３】
図４に示すＭＥＭＳ光スキャナは、矩形状のヨークＹ内に矩形平面状のミラーＭを一対のねじり棒Ｔ，ＴでヨークＹと連結するように形成し、ミラーＭの外周に沿って駆動コイルＤを形成し、ヨークＹの外側に対向するように一対の永久磁石Ｐ１，Ｐ２を配置するものであり、電磁駆動アクチュエータによりミラーを駆動する電磁駆動式の共振型である。
【００３４】
ＭＥＭＳ光スキャナは、図４のように、永久磁石Ｐ１，Ｐ２により磁束密度Ｂの磁界がねじり棒Ｔ，Ｔに直交する方向に生じ、駆動コイルＤに電流ｉを流すと、ローレンツ力Ｆによる回転トルクでねじり棒Ｔ，Ｔがその弾性復元力に抗して回動してミラーＭが傾く。電流ｉを交流電流とすることにより、ねじり棒Ｔ，Ｔが回転方向ｒとその逆方向ｒ’に共振して回動することでミラーＭが共振して傾斜を繰り返す。ここで、Ｆ∝ｉ・Ｂであるので、電流量を変化させることで、ミラーＭの傾きを変えることができる。ミラーＭは回転方向ｒ，ｒ’に傾斜し、ミラーＭに入射して反射する光の方向を一方向において変えるので、図４のＭＥＭＳ光スキャナは１次元可動タイプである。
【００３５】
ＭＥＭＳ光スキャナ１は、具体的には、図５（ａ）〜（ｃ）のように、基板６の基準面６ａ側にヨーク４を設け、ヨーク４の内側に永久磁石２，３を対向させて配置し、永久磁石２，３の間にシリコンチップ７を設け、ミラー５をシリコンチップ７で包囲するようにして配置し、図４のように駆動コイルを形成し、この駆動コイルにコネクタ８を介して外部から交流電流を流すことで、図５（ｂ）、（ｃ）のようにミラー５が回転中心軸ｐを中心にして回転方向ｒ、その逆方向ｒ’に共振して傾斜を繰り返すようになっており、１次元可動タイプの電磁駆動式共振型に構成されている。
【００３６】
図５（ａ）〜（ｃ）のＭＥＭＳ光スキャナ１では、基板６の基準面６ａの反対面６ｂ側において入射光ｎがミラーＭで反射するとき、その反射光ｎ’の基準面６ａに対する反射角度がミラー５の傾斜角に応じて変化する。なお、ＭＥＭＳ光スキャナ１には、図４のねじり棒Ｔと同様のねじり棒が回転中心軸ｐ上に設けられている。
【００３７】
図５（ａ）〜（ｃ）のＭＥＭＳ光スキャナ１は、各部品が微小に構成されており、その全体寸法が、例えば、３０ｍｍ×２２ｍｍ×５ｍｍ（厚さ）であり、ミラー５の平面寸法が４ｍｍ×４ｍｍである。このようなＭＥＭＳ光スキャナは、例えば、日本信号株式会社から商品名「ECO SCAN:ESS115B」として販売されている。
【００３８】
ＭＥＭＳ光スキャナ１は、図１〜図３のミラーＭの位置に配置される。すなわち、ＭＥＭＳ光スキャナ１は、基板６の四隅に取付孔６ｃを有し、基準面６ａを基準にして図１の露光装置１０のハウジング２０内の所定位置にミラー５がミラーＭの機能を発揮するように取付孔６ｃで取り付けられる。また、ＭＥＭＳ光スキャナ１は、図１のように、制御装置１３により制御される。
【００３９】
次に、図１〜図３の露光装置１０の露光動作について図１〜図６を参照して説明する。図６は図１の被露光物の表面に露光されるパターンの一例を説明するための模式図である。
【００４０】
最初に、露光装置１０による露光について説明する。まず、光源１２からの光がコリメートレンズＣで平行光ｍになって図２，図３のようにミラーＭに入射する。ミラーＭは、図５（ａ）〜（ｃ）のＭＥＭＳ光スキャナ１のミラー５に相当し、ＭＥＭＳ光スキャナ１に図４の駆動コイルＤのように交流電流を流すことで、図４のねじり棒Ｔを中心に回動を繰り返し、図２，図３の光軸ｂに対し傾斜を繰り返す。すなわち、ミラーＭは、図２，図３のように光軸ｂを中心にしてＸ方向に傾斜角α２で傾く。
【００４１】
ここで、図３のように、Ｘ方向に傾斜するミラーＭで反射した光ｍ’に関し、ミラーＭとレンズＬ２との間で次式が成立する。
tan(α２)＝ｘ２／ｆ２
【００４２】
次に、ミラーＭで反射した光ｍ’は、焦点距離ｆ２のレンズＬ２，ミラー１９（図１），焦点距離ｆ１のレンズＬ１，ビームスプリッタ２９（図１）を介して焦点距離ｆ０の対物レンズＪにより図１の被露光物Ａの表面Ａ１に集光される。
【００４３】
ＭＥＭＳ光スキャナ１によりミラーＭは光源１２からの平行光ｍを図３のＸ方向に走査し、図２の表面Ａ１上における光軸ｃからのＸ方向への走査光の走査長さｘ０は、次式（１）により表すことができる。
ｘ０＝ｆ０・(ｆ２／ｆ１)・tan(α２)  ・・・（１）
ただし、α２：ミラーＭの光軸ｂに対するＸ方向への傾斜角（振れ角）
【００４４】
上述のようにして、図１のＸＹステージ１１に載置されて保持された被露光物Ａの表面Ａ１に対し、光源１２からの光をミラーＭでＸ方向に走査長さｘ０で走査しながらライン照射し露光することができる。
【００４５】
次に、上述の露光装置１０による所定パターンの露光について説明する。ＸＹステージ１１上に被露光物Ａを載せて保持し、ＭＥＭＳ光スキャナ１を駆動し、ミラーＭを振動させることで、図６のように、走査光は被露光物Ａの表面Ａ１上において走査方向Ｘに走査される。また、ＸＹステージ１１による被露光物Ａの移動方向をＹ方向とし、ＸＹステージ１１のステッピングモータ１５ｂを駆動することでＸＹステージ１１を移動方向（走査方向Ｘと直交する方向）Ｙに等速で移動させる。
【００４６】
共振周波数で駆動されるＭＥＭＳ光スキャナ１を安定して駆動するためには一定周波数でミラーＭを振動させることが必要である。そこで、かかる共振型のミラーを用いて露光を行う場合は、露光のタイミング基準がＭＥＭＳ光スキャナ１になるようにステージ１１を移動させて露光を行う。
【００４７】
すなわち、ＸＹステージ１１の移動をＭＥＭＳ光スキャナ１によるミラーＭの振動と同期させることで、ＸＹステージ１１を等速で移動させながらミラーＭの角度と露光位置とを同期（一致）させて光源１２からの光をオンオフして露光を行う。
【００４８】
例えば、ＸＹステージ１１を等速で移動させながら、図６のように、被露光物Ａの表面Ａ１上にＸ方向に走査長さｘ０に対応する長さのラインパターンＰＡ１を露光し、所定幅に対応する時間だけ光源１２からの光をオフとしてから、次のラインパターンＰＡ２を露光することで、Ｙ方向に間欠的なパターンを露光できる。ラインパターンＰＡ２は、光源１２からの光をオンオフすることで、断続的なラインパターンとなっている。同様にして、ラインパターンＰＡ３〜ＰＡ６を露光する。
【００４９】
また、ＸＹステージ１１を移動させ所定の露光位置で停止して図６のラインパターンＰＡ１を露光するようにして、ラインパターンＰＡ２〜ＰＡ６を露光してもよい。
【００５０】
また、上記露光の際に、図１のオートフォーカス機構を作動させると、レーザ光源２２から光が対物レンズＪ（図２）を介して被露光物Ａの表面Ａ１に集光され、その反射光が受光素子２１に入射し、その入射光信号に基づいてアクチュエータ２３で鏡筒３１内の対物レンズＪを光軸方向に駆動して自動的に合焦させる。オートフォーカス機構は、露光の間に継続して作動させることで、被露光物Ａの表面Ａ１に凹凸があっても高精度に露光を行うことができる。また、必要に応じて、ＣＣＤカメラ２４で被露光物Ａの表面Ａ１を観察する。
【００５１】
以上のように、ＭＥＭＳ光スキャナは、電磁駆動アクチュエータによりミラーを共振させ光を走査するＭＥＭＳ（メムス）光デバイスであり、小型に構成されて信頼性が高く動作が安定しているので、ＭＥＭＳ光スキャナを露光装置１０の光走査に用いることによって、装置を小型化できかつ安定した動作でマスクレス露光が可能な露光装置を実現できる。
【００５２】
従来の光走査手段であるポリゴンミラーやガルバノミラーとレンズ光学系を用いた光走査光学系によれば、装置の全体構成が大きく、高価であり、応答性もよくなかったのに対し、本実施の形態のようにＭＥＭＳ光スキャナを用いることで、安価でかつ小型化が可能となり、応答性のよい露光装置１０の光走査が可能となり、さらに従来構成よりも省電力になる。また、従来の別の光走査手段である２次元光変調素子には短寿命化や誤動作発生の問題があったのに対し、ＭＥＭＳ光スキャナを用いることで、信頼性が高く安定した露光が可能となる。
【００５３】
また、本実施の形態において、露光可能なパターンに関し、図６はほんの一例であり、ＸＹステージ１１の移動及び光源１２からの光のオンオフを制御することで、光源１２からの光により任意のパターンを被露光物Ａの表面Ａ１上に露光できる。例えば、制御装置１３は、装置内部または外部のハードディスク記憶装置等の記憶装置から、所望のパターンで露光するプログラムをＣＰＵに読み取らせ、そのプログラムに従って光源１２及びＸＹステージ１１を制御することで、露光装置１０は所望のパターンによる自動露光が可能である。
【００５４】
次に、図１〜図３の露光装置１０における非線形領域露光について図７，図８を参照して説明する。図７は、図１〜図３の露光光学系において被露光物Ａの表面Ａ１における走査光のＸ方向の照射スポット位置ｘを説明するための図である。図８は、時間ｔにより変化する照射スポット位置Ｘ(ｔ)を表すグラフ（ａ）及び照射スポット位置の速度Ｖ(ｔ)を表すグラフ（ｂ）である。
【００５５】
図７のように、被露光物Ａの表面Ａ１における走査光（照射光）のＸ方向の照射スポット位置は、ＭＥＭＳ光スキャナ１によるミラーＭの振動により、−ｘ１〜ｘ１の範囲で変化する。
【００５６】
上述の走査光の照射スポット位置が図８（ａ）のように時間ｔにより正弦関数的に変化すると考えると、照射スポット位置Ｘ(ｔ)は次式（４）で表すことができる。
Ｘ(ｔ)＝ｘ１・sin(ｗｔ)    ・・・（４）
ただし、ｗ：定数
【００５７】
また、上記照射スポット位置Ｘ(ｔ)における速度は、図８（ｂ）のように次式（５）で表すことができる。
Ｖ(ｔ)＝ｖ０・cos(ｗｔ)  ・・・（５）
ただし、ｖ０：Ｘ＝０における速度
ｗ：定数
【００５８】
被露光物Ａの表面Ａ１における走査光（照射スポット光）の走査速度が非線形に変化する非線形領域を用いて表面Ａ１に光照射し露光する場合、照射スポット光の走査速度（照射速度）が変化するため、露光時のドーズ量が変化してしまう。
【００５９】
すなわち、ドーズ量は次式（６）のように表すことができ、照射速度が変化すると、一定光量の照射ではドーズ量が一定にならず、露光むらの発生原因となってしまう。
ドーズ量＝光強度／照射速度  ・・・（６）
【００６０】
そこで、照射スポット光の位置移動（ミラーＭの振動）に同期させて光照射量（光強度）を変化させることで、被露光物Ａの表面Ａ１におけるドーズ量を一定にする。
【００６１】
例えば、光強度Ｉを次式（７）のように変化させる。
Ｉ(ｔ)＝Ｉ０・cos(ｗｔ)  ・・・（７）
ただし、Ｉ０：Ｘ＝０における光強度
ｗ：定数
【００６２】
上記式（６）、（５）、（７）から、
ドーズ量＝Ｉ(ｔ)／Ｖ(ｔ)＝Ｉ０／Ｖ０
となって、上記比（Ｉ０／Ｖ０）は一定であるので、ドーズ量は、照射スポット光の走査速度（照射速度）が変化しても一定となる。
【００６３】
本実施の形態によれば、図１の制御装置１３が光源１２をドライバ１７を介して駆動する際に、ＭＥＭＳ光スキャナ１によるミラーＭの振動に同期させて光源１２の光照射量（光強度）を式（７）のように変化させることで、被露光物Ａの表面Ａ１におけるドーズ量を一定にでき、被露光物Ａの表面Ａ１における露光量が均一化し、高精度な露光が可能となる。
【００６４】
また、走査光（照射光）が非線形領域を用いて走査する場合に、被露光物Ａの表面Ａ１におけるドーズ量を一定にできるので、露光むら発生を抑制でき、また、非線形領域を含んで露光可能であるので、走査光の走査長さ （図７のｘ１）を大きくとることができる。
【００６５】
なお、照射スポット光の走査速度（照射速度）の変化による露光時のドーズ量は、次のようにして一定にするようにしてもよい。すなわち、一定の照射スポット位置Δｘで時間間隔をオンオフ制御する。Δｘ＝ｘ(ｉ＋１)−ｘ(ｉ)＝一定
制御装置１３はドライバ１７を介して次式（８）のタイミングで光源１２からの光による照射をオンオフ制御する。
ｔ（ｉ）＝arcsin(ｘ(ｉ))／ｗ  ・・・（８）
【００６６】
以上のように、本実施の形態では、ＭＥＭＳ光スキャナ１によるミラーＭの振動に同期させて光源１２の光照射量（光強度）を変化させることで、被露光物Ａの表面Ａ１におけるドーズ量を一定にできるので、被露光物Ａの表面Ａ１における露光量が均一化し、高精度なマスクレス露光が可能な露光装置を実現できる。
【００６７】
以上のように本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で各種の変形が可能である。例えば、ＭＥＭＳ光スキャナは交流電流により変位する共振タイプから構成したが、直流電流で変位するＭＥＭＳ光スキャナであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本実施の形態による露光装置の全体の概略的構成を示す図である。
【図２】図１の露光光学系を説明するための図である。
【図３】図２の露光光学系の一部（図２の破線で囲んだ範囲III）の上面図である。
【図４】図１〜図３の露光装置で使用可能なＭＥＭＳ光スキャナの基本構造及び動作原理を説明するための概略図である。
【図５】図１〜図３の露光装置で使用可能なＭＥＭＳ光スキャナの具体例を示す上面図（ａ）、b-b線方向に切断してみた断面図（ｂ）及び下面図（ｃ）である。
【図６】図１の被露光物の表面に露光されるパターンの一例を説明するための模式図である。
【図７】図１〜図３の露光光学系において被露光物Ａの表面Ａ１における走査光のＸ方向の照射スポット位置ｘを説明するための図である。
【図８】被露光物Ａの表面Ａ１において時間ｔにより変化する照射スポット位置Ｘ(ｔ)を表すグラフ（ａ）及び照射スポット位置の速度Ｖ(ｔ)を表すグラフ（ｂ）である。
【符号の説明】
【００６９】
１ ＭＥＭＳ光スキャナ
５ ミラー
１０ 露光装置
１１ ＸＹステージ
１２ 光源
１３ 制御装置
１４ 位置検出部
１５ａ，１５ｂ ステッピングモータ
２１ 受光素子
２２ オートフォーカス用レーザ光源
２３ アクチュエータ
２４ ＣＣＤカメラ
２５ 光導入部
２６〜２９ ビームスプリッタ
２０，３０ ハウジング
３１ 鏡筒
３２ チューブレンズ
Ａ 被露光物
Ａ１ 表面
Ｂ 磁束密度
Ｃ コリメートレンズ
Ｄ 駆動コイル
Ｆ ローレンツ力
ＦＩ 光ファイバ
Ｊ 対物レンズ
Ｌ１，Ｌ２ レンズ
Ｍ ミラー
Ｐ１，Ｐ２ 永久磁石
ＰＡ１〜ＰＡ６ ラインパターン
Ｔ ねじり棒
Ｙ ヨーク
ｂ 光軸
ｃ 光軸
ｉ 電流
ｍ 平行光
ｍ’ 反射光
ｐ 回転中心軸
ｒ 回転方向
ｒ’回転方向ｒの逆方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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