(57)【要約】【課題】  電子部品を収容する凹部に最適な保護膜を備えた電子部品収容基板を提供する。【解決手段】  第一表面に電子部品を収容する凹部を有する電子部品収容基板には、第一表面側の凹部の底面および凹部のすべての内側面に保護膜が形成され、凹部が形成された電子部品収容基板の第一表面には保護膜が形成されていない状態で蓋部材が接合される。 【選択図】図１
2009231567.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一表面に電子部品を収容する凹部を有する電子部品収容基板であって、
前記第一表面側の前記凹部の底面および前記凹部のすべての内側面に保護膜が形成され
、
前記凹部が形成された前記電子部品収容基板の前記第一表面には前記保護膜が形成され
ていない状態で蓋部材が接合されることを特徴とする電子部品収容基板。
【請求項２】
前記凹部の内側面に形成した保護膜の開口端部は、
前記電子部品搭載基板の前記第一表面と同一平坦面をなし、
前記電子部品搭載基板の前記第一表面と前記蓋部材との接合は、
直接接合であることを特徴とする請求項１記載の電子部品収容基板。
【請求項３】
前記電子部品収容基板は半導体材料からなり、
前記保護膜は絶縁性を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品収容
基板。
【請求項４】
前記電子部品は圧電振動片であることを特徴とする請求項１から３のいずれか1つに記
載の電子部品収容基板。
【請求項５】
半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の第一表面に電子部品を収容する凹部を形成する工程と、
前記第一表面と前記凹部内面に保護膜を形成する工程と、
前記第一表面を研磨して、前記保護膜を除去する工程とを有することを特徴とする電子
部品収容基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子、焦電素子、半導体素子などの電子部品を収容する凹部を有する電
子部品収容基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品収容基板として、セラミック基板やガラエポ基板などに、電子部品収容
部を設け、電子部品を収容し、蓋部材で電子部品を気密封止するものが知られている。
【０００３】
近年、電子部品パッケージの更なる小型化が求められ、特許文献１には、ガラスまたは
水晶からなり、圧電振動片を収容するキャビティを有するパッケージが開示されている。
図６は、従来の圧電振動片のパッケージを説明する断面図である。図７は、従来の電子部
品収容基板を複数形成したウェハを説明する斜視図である。
【０００４】
パッケージは、図６に示すように、電子部品収容基板１と蓋部材２からなり、電子部品
収容基板１の第一表面５に形成された凹部４に、圧電振動片（電子部品３）を収容し、電
子部品収容基板１の第一表面５に蓋部材２を接合して、圧電振動片を気密封止する。また
、図７に示すように、電子部品収容基板１を複数形成した集合基板で、物流することで、
量産性が向上する。
【特許文献１】特開２００７−２６７１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
小型化に対応するため、電子部品収容基板も微細加工を施し易い材料（例えば、半導体
材料）を用いることになるが、電子部品収容基板の材料に応じて、遮光性や絶縁性などの
機能を付加する必要があり、且つ蓋部材との接合に適合する必要がある。
【０００６】
また、電子部品収容基板には電子部品を収容する凹部が形成されているため、凹部への
保護膜形成、特に凹部内側面への保護膜形成において、その工程上、技術的な課題があっ
た。凹部への保護膜形成に関する不具合を図を用いて説明する。図８は、従来の凹部内側
面が露出した状態を説明する断面図であり、図９は、従来の第一表面に保護膜が残った状
態を説明する断面図である。
【０００７】
図８に示すように、電子部品収容基板１において電子部品３（図６参照）を収容する側
を第一表面側とし、第一表面側に形成された凹部４に電子部品３を収容するものとする。
このときの第一表面側の天面を第一表面５とする。また、凹部４の底面４ａと凹部４の側
壁全面４ｂを凹部内面とする。凹部内面に保護膜６を形成し、第一表面５は基板素材を露
出させる場合には、凹部内面と第一表面５を合わせた第一表面側全面に保護膜６を形成し
、フォトマスク７を使用しレジストを用いて凹部内面を保護し、第一表面５のみエッチン
グで保護膜６を除去する方法が考えられる。しかしながら、この方法だとフォトマスク７
のズレによって、所望の形状に保護膜６を形成できない。例えば、図８に示すように、保
護膜６を残したい凹部内面まで保護膜６を除去してしまい、凹部内面が露出してしまった
り、図９に示すように、電子部品収容基板１と蓋部材２との接合領域である第一表面５に
保護膜６が残ってしまい、蓋部材の接合に支障をきたし、パッケージを気密封止できない
場合がある。
【０００８】
本発明では、電子部品を収容する凹部に最適な保護膜を備えた電子部品収容基板および
その製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の電子部品収容基板は、第一表面に電子部品を収容す
る凹部を有する電子部品収容基板であって、前記第一表面側の前記凹部の底面および前記
凹部のすべての内側面に保護膜が形成され、前記凹部が形成された前記電子部品収容基板
の前記第一表面には前記保護膜が形成されていない状態で蓋部材が接合されることを特徴
とする。
【００１０】
このような構成にすれば、電子部品収容基板と収容する電子部品に対して最適な保護膜
を備えると共に、電子部品収容基板における電子部品収容基板と蓋部材との接合領域を清
浄な状態にすることが可能となる。
【００１１】
本発明の電子部品収容基板は、前記凹部の内側面に形成した保護膜の開口端部を、前記
電子部品搭載基板の前記第一表面と同一平坦面とし、前記電子部品搭載基板の前記第一表
面と前記蓋部材との接合を、直接接合とすることができる。
【００１２】
このような構成にすれば、電子部品収容基板と収容する電子部品に対して最適な保護膜
を備えると共に、電子部品収容基板と蓋部材との直接接合を良好に行うことが可能となる
。
【００１３】
本発明の電子部品収容基板は、半導体材料からなり、前記保護膜は絶縁性を有すること
ができる。
【００１４】
このような構成にすれば、半導体材料からなる電子部品収容基板と電子部品とを適切に
絶縁すること可能となる。
【００１５】
本発明の電子部品収容基板に収容する前記電子部品は、圧電振動片とすることができる
。
【００１６】
このような構成にすれば、気密性に優れ、品質の安定した圧電デバイスを形成することが
可能となる。
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明の電子部品収容基板の製造方法は、半導体基板を準備
する工程と、前記半導体基板の第一表面に電子部品を収容する凹部を形成する工程と、前
記第一表面と前記凹部内面に保護膜を形成する工程と、前記第一表面を研磨して、前記保
護膜を除去する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によって、小型化に対応し、且つ生産性に優れた、電子部品を収容する凹部に最
適な保護膜を備えた電子部品収容基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施の形態を、半導体材料、例えばシリコンウェハよりなる電子部品収容基板
に圧電振動片を収容した圧電振動子を例に図を用いて以下に説明する。図１は、本実施例
における圧電振動子の断面図である。図２は、本実施例におけるシリコンウェハに設けた
圧電振動片を収容する凹部を説明する斜視図である。図３は、本実施例におけるシリコン
ウェハに保護膜をつけた状態を説明する断面図である。図４は、本実施例におけるシリコ
ンウェハの研磨後の第一表面と凹部を説明する断面図である。図５は、本実施例における
シリコンウェハとリッドとの接合工程を説明する図である。
【００２０】
本実施例における圧電振動子２０は、図１に示すように、圧電振動片１３を収容する凹
部１４を有するシリコン基板１１とリッド１２とを接合することで、圧電振動片１３を気
密封止し、凹部１４の底面および凹部１４のすべての内側面に保護膜１６が形成された圧
電振動子である。凹部１４の内側面の保護膜１６の端部は、接合面（第一表面１５）と同
一平面を成している。
【００２１】
図２に示すように、シリコンウェハ１０は複数の製品領域（シリコン基板１１）を有し
、シリコンウェハ１０の第一表面１５に、ドライエッチングあるいはウエットエッチング
あるいは機械加工等により凹部１４を形成する。
【００２２】
必要に応じて凹部１４内に圧電振動片１３等を設置する場所等の形状を形成する。また
、必要に応じて配線の引き回し、貫通電極等を設け、また、第一表面側に対する裏面、あ
るいは側面に必要な形状・配線等を形成する。
【００２３】
図３に示すように、シリコンウェハ１０の第一表面１５および凹部１４内面を合わせた
第一表面側全面に、ＣＶＤ・スピンコーター・スプレーコーター等により絶縁膜・遮光線
膜等の保護膜１６をつける。必要に応じて凹部１４内電子部品設置場所等の保護膜１６を
除去する。
【００２４】
図４に示すように、第一表面１５を研磨（ＣＭＰ等）する。第一表面１５は研磨により
保護膜１６は除去され、基板素材（シリコン）が露出する。凹部１４内側面の側壁は第一
表面１５と同じ高さまで保護膜１６を形成した状態となる。
【００２５】
洗浄等必要な処置をした上で、凹部１４内に圧電振動片１３等を設置する。必要に応じ
て、加熱・ＵＶ照射・乾燥・高温雰囲気下投入等の処置を行う。また、必要に応じて圧電
振動片１３等の設置調整（ＩＢＦ調）等を行う。
【００２６】
図５に示すように、シリコンウェハ１０をリッド１２と接合する。接合方法は、表面活
性化接合・陽極接合・金錫接合等々考えられるが、特に表面活性化接合においては接合面
（第一表面１５）の清浄度が求められるため、段落００１５〜段落００１７での工程の残
渣および保護膜を、残すことなく取り去る本発明は非常に有効である。
【００２７】
リッド１２と接合したシリコンウェハ１０をダイシング等により個片化して、図１に示
すような圧電振動子２０を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施例における圧電振動子の断面図
【図２】本実施例におけるシリコンウェハに設けた圧電振動片を収容する凹部を説明する斜視図
【図３】本実施例におけるシリコンウェハに保護膜をつけた状態を説明する断面図
【図４】本実施例におけるシリコンウェハの研磨後の第一表面と凹部を説明する断面図
【図５】本実施例におけるシリコンウェハとリッドとの接合工程を説明する図
【図６】従来の圧電振動片のパッケージを説明する断面図
【図７】従来の電子部品収容基板を複数形成したウェハを説明する斜視図
【図８】従来の凹部内側面が露出した状態を説明する断面図
【図９】従来の第一表面に保護膜が残った状態を説明する断面図
【符号の説明】
【００２９】
１    電子部品収容基板
２    蓋部材
３    電子部品
４    凹部
４ａ  凹部の底面
４ｂ  凹部の側壁全面
５    第一表面
６    保護膜
７    フォトマスク
１０    シリコンウェハ
１１    シリコン基板
１２    リッド
１３    圧電振動片
１４    凹部
１５    第一表面（接合面）
１６    保護膜（絶縁膜）
２０    圧電振動子
【図１】
2009231567.tif 000003
【図２】
2009231567.tif 000004
【図３】
2009231567.tif 000005
【図４】
2009231567.tif 000006
【図５】
2009231567.tif 000007
【図６】
2009231567.tif 000008
【図７】
2009231567.tif 000009
【図８】
2009231567.tif 000010
【図９】
2009231567.tif 000011