(57)【要約】【課題】ペレット状の金属粒子を可溶性陽極を収容したアノードバスケットを使用し、電気めっき処理中に膜厚分布が突発的に変動することなくめっき膜が形成される電気めっき装置を提供する。【解決手段】陰極とアノードバスケット１５ａに収容された可溶性陽極１４とめっき液を満たすめっき浴槽とを備え、アノードバスケット１５ａとして、縦方向に積層された複数の収容ブロック（Ｂａ１〜Ｂａ４）を有し、各収容ブロックの高さ（ｚａ１〜ｚａ４）はアノードバスケット１５ａに収容された金属粒子の最大粒径の１０倍以下に調整されていることを特徴とする電気めっき装置。【選択図】図２
2009013433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被めっき部材からなる陰極と、
前記被めっき部材との間に電圧が印加され、複数の収容ブロックを有するアノードバスケットに収容された可溶性陽極と、
めっき液に浸漬された前記陰極及び前記可溶性陽極を配置するめっき浴槽と、を備える
ことを特徴とする電気めっき装置。
【請求項２】
前記アノードバスケットは、当該アノードバスケットの縦方向に積層された少なくとも２個の前記収容ブロックを有し、当該収容ブロックの高さは当該アノードバスケットに前記可溶性陽極として収容された金属粒子の最大粒径の１０倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気めっき装置。
【請求項３】
前記アノードバスケットは、前記めっき液に不溶な金属棒からなる直方体形状の枠体と、当該枠体の側面部分及び底面部分を覆い当該めっき液が浸透可能な多孔部材と、を有し、当該枠体の縦方向が少なくとも２個の前記収容ブロックを形成するように仕切り枠により分割されることを特徴とする請求項１に記載の電気めっき装置。
【請求項４】
前記収容ブロックを構成する側面のいずれか１枚が横方向に開口可能であることを特徴とする請求項１に記載の電気めっき装置。
【請求項５】
前記収容ブロックは、前記めっき液に不溶な金属棒から構成された箱型形状を有し、前記アノードバスケットに取り外し可能に装着されることを特徴とする請求項１に記載の電気めっき装置。
【請求項６】
凹凸形状を有するガラス原盤の表面に導電膜を形成し、
前記ガラス原盤の前記導電膜と２個以上の収容ブロックを有するアノードバスケットに収容されたニッケル粒子との間に電圧を印加することにより当該導電膜の表面にニッケルめっき膜を形成し、
前記ニッケルめっき膜と前記ガラス原盤とを剥離する
ことを特徴とする光記録媒体用スタンパの製造方法。
【請求項７】
前記ニッケル粒子の最大粒径が１０ｍｍ以下であり、前記アノードバスケットの前記収容ブロックの高さが１００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体用スタンパの製造方法。
【請求項８】
前記アノードバスケットは、少なくとも４個の前記収容ブロックを有することを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体用スタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気めっき装置等に関し、より詳しくは、電気めっき処理中に突発的に発生するめっき膜の変動を抑制することができる電気めっき装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電鋳技術（めっき）は、プリント基板配線用の銅めっき、磁気ディスクの作製等に利用されている。特に、光記録媒体を得るためのスタンパ等の作製には、微細形状パターンを高精度に転写できる有効な方法として活用されている。
通常、電気めっきは、めっき膜にしようとする金属を用いた可溶性陽極体と陰極体となる被めっき体とをめっき液中に配置し、陽極体と陰極体とに通電して被めっき体表面にめっき膜を形成している（特許文献１参照）。この場合、可溶性陽極体には、アノードバスケットと呼ばれるチタン等からなる筐体に複数個のペレット状の金属粒を収容したものが使用されている（特許文献２参照）。また、電気めっき処理中に金属粒に振動運動を与え、アノードバスケットに収容された金属粒の充填率を高める方法が報告されている（特許文献３参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３２１７９９号公報
【特許文献２】特開平１０−０３４２８５号公報
【特許文献３】特開昭６１−２０１７９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、光記録媒体の高密度化に伴い、光記録媒体の製造には均一な厚さを有する基板が必要とされている。このため、このような基板を、例えば、射出成型法等で製造する際に使用される金属製のスタンパにも平坦性が求められている。
このような光記録媒体用の金属製のスタンパは、通常、微細なフォトレジストパターンが転写されたガラス基板上に形成されたニッケル等のめっき膜として形成され、電気めっき処理後にガラス基板から剥離して使用されている。
しかし、我々の検討によれば、連続的な電気めっき処理中に、めっき膜の厚みが、急激に変動し、その結果、めっき膜の膜厚分布が大きくなるという現象が観察されている。
【０００５】
本発明の目的は、めっき液中に配置された陽極体と陰極体とに通電して被めっき体表面にめっき膜を形成するめっき装置において、可溶性陽極として複数個のペレット状の金属粒子をアノードバスケットに収容したものを使用する場合に、電気めっき処理中に膜厚分布が突発的に変動することなく被めっき体表面にめっき膜が形成される電気めっき装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで本発明者は鋭意検討の結果、電気めっき処理中に突然発生するめっき膜の膜厚変動は、アノードバスケット内において、電気化学的に溶解し粒径が小さくなった金属粒子の急激な位置関係の変動に起因することを見出し、かかる知見に基づき本発明を完成した。
かくして本発明によれば、被めっき部材からなる陰極と、被めっき部材との間に電圧が印加され、複数の収容ブロックを有するアノードバスケットに収容された可溶性陽極と、めっき液に浸漬された陰極及び可溶性陽極を配置するめっき浴槽と、を備えることを特徴とする電気めっき装置が提供される。
【０００７】
ここで、アノードバスケットは、その縦方向に積層された少なくとも２個の収容ブロックを有し、各収容ブロックの高さはアノードバスケットに可溶性陽極として収容された金属粒子の最大粒径の１０倍以下であることが好ましい。
また、アノードバスケットは、めっき液に不溶な金属棒からなる直方体形状の枠体と、枠体の側面部分及び底面部分を覆いめっき液が浸透可能な多孔部材と、を有し、枠体の縦方向が少なくとも２個の収容ブロックを形成するように仕切り枠により分割されることが好ましい。
【０００８】
また、収容ブロックを構成する側面のいずれか１枚が横方向に開口可能であることが好ましい。
さらに、収容ブロックは、めっき液に不溶な金属棒から構成された箱型形状を有し、アノードバスケットに取り外し可能に装着されることが好ましい。
【０００９】
次に、本発明によれば、凹凸形状を有するガラス原盤の表面に導電膜を形成し、ガラス原盤の導電膜と２個以上の収容ブロックを有するアノードバスケットに収容されたニッケル粒子との間に電圧を印加することにより導電膜の表面にニッケルめっき膜を形成し、ニッケルめっき膜とガラス原盤とを剥離することを特徴とする光記録媒体用スタンパの製造方法が提供される。
ここで、アノードバスケットに収容されたニッケル粒子の最大粒径が１０ｍｍ以下であり、アノードバスケットの収容ブロックの高さが１００ｍｍ以下であることが好ましい。
また、アノードバスケットは、少なくとも４個の収容ブロックを有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、可溶性陽極である金属粒子の最大粒径の１０倍以下の高さに調整された複数の収容ブロックを組み合わせたアノードバスケットを用いると、このような分割された収容ブロックを設けない場合と比較して、陰極の被めっき表面に形成するめっき膜の突発的な膜厚変動を大幅に減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態（実施の形態）について詳細に説明する。尚、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
図１は、本実施の形態が適用される電気めっき装置の一例を説明する図である。図１に示すように、電気めっき装置１００は、被めっき部材からなる陰極１０と、陰極１０との間に所定の電圧が印加される可溶性陽極１４と、可溶性陽極１４を収容する複数の収容ブロックを有するアノードバスケット１５と、めっき液２３に浸漬された陰極１０及び可溶性陽極１４を配置するめっき浴槽２０と、を備えている。
陰極１０と可溶性陽極１４を収容するアノードバスケット１５とは、所定の電極間距離Ｍを隔てて配置されている。
【００１２】
陰極１０側には、陰極１０を取り付ける陰極設置部１１と、陰極１０の被めっき表面とそれ以外の表面とを区画しているカソードバッフル板１２が設けられている。
陰極１０と対向するアノードバスケット１５側には、アノードバスケット１５の陰極１０側の表面に、陰極１０と可溶性陽極１４との間の電気力線の一部を遮蔽し中央付近に形成した開口部１７ａに限定するアノードバッフル板１７が配置されている。
また、陰極１０と可溶性陽極１４との間に所定の電圧を印加する直流電源２４と、直流電源２４と陰極１０及び可溶性陽極１４とをそれぞれ接合する導線１３，１６が配置されている。
さらに、めっき浴槽２０内のめっき液２３を、めっき浴槽２０の内側に設けた内壁２０ａの頂部からオーバーフローさせ、めっき浴槽２０の底部２０ｂに設けた循環配管２１を介してめっき浴槽２０内に循環供給する循環ポンプ２２が設けられている。
【００１３】
可溶性陽極１４は、陰極１０としての被めっき部材の表面にめっき膜を析出させようとする金属をペレット状にした複数個の金属粒子から構成されている。ペレット状の金属粒子の粒径は特に限定されず、通常、５ｍｍ〜２０ｍｍ程度である。
めっき膜として析出させる金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔ等が挙げられる。これらの中でも、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎが好ましく、さらに、Ｎｉ（ニッケル）が特に好ましい。尚、これらの金属は、それぞれ単独で、または、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１４】
電気めっき（電鋳）において使用されるめっき液は、通常、溶媒に、前述した被めっき部材の表面にめっき膜として析出させる１種又は２種類以上の金属の塩、有機電解質、リン酸等の酸、アルカリ物質等の各種電解質を溶解させたものが用いられる。溶媒としては、極性溶媒であれば特に限定されないが、例えば、水；メタノール、エタノール等のアルコール類；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の環状カーボネート類；ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等の直鎖状カーボネート類、又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。
【００１５】
尚、めっき液２３には、電解質溶液の安定化等を目的として一種又はそれ以上の物質を含むことができる。具体的には、めっき膜として析出させる金属のイオンと錯塩を形成する物質、電解質溶液の導電性を向上させるためのその他の塩、電解質溶液の安定剤、緩衝材等が挙げられる。
【００１６】
めっき液の主成分である金属塩の具体例としては、例えば、ニッケルめっき液としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル等；銅めっき液としては、結晶硫酸銅、ホウフッ化銅、シアン化銅、ピロリン酸銅等；クロムめっき液としては、クロム酸等；亜鉛めっき液としては、硫酸亜鉛、酸化亜鉛等；カドミウムめっき液としては、酸化カドミウム等；スズめっき液としては、硫酸第一スズ、スズ酸カリ等；銀めっき液としては、シアン化銀等；金めっき液としては、金；白金めっき液としては、塩化白金酸等；ロジウムめっき液としては、ロジウム、リン酸ロジウム等；ルテニウムめっき液としては、ルテニウム錯体等；黄銅めっき液としては、シアン化第一銅等が挙げられる。
【００１７】
次に、アノードバスケット１５について説明する。
図２は、アノードバスケットの例を説明する図である。図２（Ａ）は、アノードバスケットの第１の実施形態を示す。図２（Ａ）（ａ−１）に示すアノードバスケット１５ａは、直流電源２４（図１参照）と導線１６（図１参照）を介して接合される通電部材１５１ａと、縦ｚａ×横ｘａ×幅ｙａからなる直方体形状の陽極枠体（枠体）１５２ａと、陽極枠体１５２ａの側面、上面及び底面に配置された多孔部材１５３ａと、陽極枠体１５２ａの縦方向の長さを４個の収容ブロック（Ｂａ１,Ｂａ２,Ｂａ３,Ｂａ４）にそれぞれ分割する３個の仕切り枠１５４ａと、から構成されている。
図２（Ａ）（ａ−２）は、アノードバスケット１５ａの各収容ブロック（Ｂａ１,Ｂａ２,Ｂａ３,Ｂａ４）に可溶性陽極１４としての金属粒子をそれぞれ充填した状態を示す。本実施の形態では、図示しないが、各収容ブロック（Ｂａ１,Ｂａ２,Ｂａ３,Ｂａ４）が有する４枚の側面のいずれか１枚が横方向に開口できる構造とし、金属粒子を補給できるようになっている。尚、陽極枠体１５２ａが有する側面のいずれか１枚が横方向に開口できる構造としても良い。
【００１８】
アノードバスケット１５ａは、全体がめっき液２３に不溶な金属棒で形成される。このような金属としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）が挙げられる。陽極枠体１５２ａの縦ｚａ、横ｘａ、幅ｙａの大きさは、アノードバスケット１５ａに可溶性陽極１４としての金属粒子を収容することができる程度であれば特に限定されない。本実施の形態では、縦ｚａ２０ｃｍ〜６０ｃｍ、横ｘａ１０ｃｍ〜５０ｃｍ、幅ｙａ３ｃｍ〜１０ｃｍの範囲である。
陽極枠体１５２ａの側面及び底面に配置された多孔部材１５３ａは、所定のメッシュサイズを有する金網から構成されている。メッシュサイズは、可溶性陽極１４としての金属粒子がめっき液２３に浸漬可能な状態でアノードバスケット１５ａ内に収容される程度の大きさであれば特に限定されない。本実施の形態では、メッシュの形状はひし形であり、その大きさは、長軸方向の長さが１ｃｍ、短軸方向の長さが０．５ｃｍである。
【００１９】
図２（Ａ）（ａ−１）に示すように、陽極枠体１５２ａは、その縦方向の長さが３個の仕切り枠１５４ａによって、それぞれ高さ（ｚａ１,ｚａ２,ｚａ３,ｚａ４）を有する４個の収容ブロック（Ｂａ１,Ｂａ２,Ｂａ３,Ｂａ４）に分割されている。
ここで、分割された各収容ブロック（Ｂａ１,Ｂａ２,Ｂａ３,Ｂａ４）の各高さ（ｚａ１,ｚａ２,ｚａ３,ｚａ４）は、アノードバスケット１５ａに収容する金属粒子の最大粒径の１０倍以下、好ましくは、５倍以下となるように調整されている。
尚、金属粒子の最大粒径とは、可溶性陽極１４として未だ使用されていない状態の金属粒子の最大粒径をいう（以下、同様）。
【００２０】
このように、本実施の形態では、陽極枠体１５２ａを縦方向に４個の収容ブロック（Ｂａ１,Ｂａ２,Ｂａ３,Ｂａ４）に分割し、各収容ブロックに可溶性陽極１４である金属粒子を充填する。このようなアノードバスケット１５ａを用いると、金属粒子が電気化学的に溶解し、その粒径が小さくなった場合でも、このような分割された収容ブロックを設けない場合と比較して、各収容ブロック内では金属粒子同士の急激な位置関係の変動が生じないと考えられる。
その結果、陰極１０と可溶性陽極１４との電極間距離Ｍ（図１参照）は、電気めっき処理中に急激に変動することがないため、陰極１０の被めっき表面に形成するめっき膜の突発的な膜厚変動が大幅に減少する。
【００２１】
ここで、本実施の形態では、アノードバスケット１５ａの各収容ブロック（Ｂａ１,Ｂａ２,Ｂａ３,Ｂａ４）は、陽極枠体１５２ａの縦方向の長さを仕切り枠１５４ａで区切ることにより形成している。これ以外のアノードバスケット１５ａの形態としては、例えば、不溶性金属を用いて箱型形状（ボックス）の複数個の収容ブロックを形成し、これらを積み重ねた構造とすることも可能である。さらに、この場合、箱型形状の収容ブロックは、それぞれ独立に取り外し可能にしてもよい。このような構造とすれば、各収容ブロック間で金属粒子の溶解が偏って発生した場合にも、迅速に各収容ブロック毎の金属粒子の入れ替えが可能となる。
また、アノードバスケット１５ａは、陰極１０の被めっき表面の総面積より大きい面積を有するように設計されている。このような構造にすることにより、電気めっき処理における電気抵抗が減少し経済的である。また、陽極側における酸化反応が円滑に行われる傾向がある。
【００２２】
図２（Ｂ）は、アノードバスケットの第２の実施形態を説明する図である。図２（Ｂ）に示すアノードバスケット１５ｂは、通電部材１５１ｂと、縦ｚｂ×横ｘｂ×幅ｙｂからなる直方体形状の陽極枠体１５２ｂと、陽極枠体１５２ｂの側面、上面及び底面に配置された多孔部材１５３ｂと、陽極枠体１５２ｂの縦方向の長さを８個の収容ブロック（Ｂｂ１,Ｂｂ２,Ｂｂ３,Ｂｂ４,Ｂｂ５,Ｂｂ６,Ｂｂ７,Ｂｂ８）にそれぞれ分割する７個の仕切り枠１５４ｂと、から構成されている。各収容ブロック（Ｂｂ１〜Ｂｂ８）には、可溶性陽極１４としての金属粒子がそれぞれ充填されている。
図２（Ｂ）に示すように、陽極枠体１５２ｂは、その縦方向の長さが７個の仕切り枠１５４ｂによって、それぞれ高さ（ｚｂ１,ｚｂ２,ｚｂ３,ｚｂ４,ｚｂ５,ｚｂ６,ｚｂ７,ｚｂ８）を有する８個の収容ブロック（Ｂｂ１,Ｂｂ２,Ｂｂ３,Ｂｂ４,Ｂｂ５,Ｂｂ６,Ｂｂ７,Ｂｂ８）に分割されている。
ここで、分割された各収容ブロック（Ｂｂ１〜Ｂｂ８）の高さ（ｚｂ１〜ｚｂ８）は、図２（Ａ）で説明した場合と同様に、アノードバスケット１５ｂに収容する金属粒子の最大粒径の１０倍以下となるように調整されている。
【００２３】
図２（Ｃ）は、アノードバスケットの第３の形態を説明する図である。図２（Ｃ）に示すアノードバスケット１５ｃは、通電部材１５１ｃと、縦ｚｃ×横ｘｃ×幅ｙｃからなる直方体形状の陽極枠体１５２ｃと、陽極枠体１５２ｃの側面、上面及び底面に配置された多孔部材１５３ｃと、陽極枠体１５２ｃの縦方向の長さを２個の収容ブロック（Ｂｃ１,Ｂｃ２）にそれぞれ分割する１個の仕切り枠１５４ｃと、から構成されている。各収容ブロック（Ｂｃ１,Ｂｃ２）には、可溶性陽極１４としての金属粒子がそれぞれ充填されている。
図２（Ｃ）に示すように、陽極枠体１５２ｃは、その縦方向の長さが仕切り枠１５４ｃによって、それぞれ高さ（ｚｃ１,ｚｃ２）を有する２個の収容ブロック（Ｂｃ１,Ｂｃ２）に分割されている。分割された各収容ブロック（Ｂｃ１,Ｂｃ２）の高さ（ｚｃ１,ｚｃ２）は、図２（Ａ）で説明した場合と同様に、アノードバスケット１５ｃに収容する金属粒子の最大粒径の１０倍以下となるように調整されている。
【００２４】
次に、光記録媒体用スタンパの製造方法について説明する。
図３は、光記録媒体用スタンパの製造工程の一例を説明する図である。
先ず、図３（ａ）に示すようにディスク状のガラス基板３１上にシランカップリング剤３２をスピンコートし、ポジ型のフォトレジスト３３を塗布する（レジスト塗布）。次に、図３（ｂ）に示すように、露光装置を用いてレーザ光ＲとレンズＬによって、フォトレジスト３３にランド／グルーブの潜像を形成する（レーザーカッティング）。尚、ガラス基板３１は、ガラス（ＳｉＯ２）の他、シリコン（Ｓｉ）基板を用いることもできる。
次に、図３（ｃ）に示すように、アルカリ現像液を用いる現像処理により、ガラス基板３１上にフォトレジストパターン３４を顕在化させる（現像）。尚、ネガ型のフォトレジストを用いた場合も同様の工程になる。
【００２５】
続いて、図３（ｄ）に示すように、フォトレジストパターン３４をエッチングマスクとして反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）処理を行う。さらに、図３（ｅ）に示すように、ガラス基板３１表面に残ったフォトレジスト３３を苛性ソーダに１０分間浸漬処理することにより除去し、フォトレジストパターン３４が転写されたガラス原盤３５を調製する（フォトレジスト除去）。次に、図３（ｆ）に示すように、凹凸形状のフォトレジストパターン３４が転写されたガラス原盤３５上に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）をスパッタして導電膜３６を形成する（電極形成）。
【００２６】
その後、図３（ｇ）に示すように、導電膜３６が形成されたガラス原盤３５上に、電気めっき（電鋳）により、例えば、膜厚（ｄ）３００μｍ程度のめっき膜３７を形成する（電気めっき（電鋳））。電気めっき処理は、ガラス原盤３５を前述した電気めっき装置（図１参照）における陰極（カソード）１０として取り付け、アノードバスケット１５に充填したニッケル（Ｎｉ）の金属ペレットからなる可溶性陽極１４との間に通電し、ガラス原盤３５の導電膜３６が形成された面にニッケル（Ｎｉ）のめっき膜３７を形成する。その後、めっき膜３７を剥離し、洗浄し、打ち抜き加工し、光記録媒体用スタンパ３８を作製する（図３（ｈ））。
【００２７】
尚、光記録媒体を得るためには、通常、光記録媒体用スタンパ３８を成型機の金型に取り付け射出成型を行い、厚さ約０．６ｍｍ程度のプラスチック製の光ディスク用基板を作製する。次に、このように作成した光ディスク用基板上に、記録層、反射層及び保護層の順番で各層を積層し調製する。また、記録層の前後に、熱緩衝層や光干渉層等を形成しても良い。
【００２８】
また、図３において、図３（ｃ）に示すように、アルカリ現像液を用いる現像処理により、ガラス基板３１上にフォトレジストパターン３４を顕在化させた後、このフォトレジストパターン３４に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）をスパッタして導電膜を形成し、その後、導電膜が形成されたフォトレジストパターン３４上に、めっき（電鋳）によりめっき膜を形成し、その後、めっき膜を剥離し、洗浄、打ち抜き加工し光記録媒体用スタンパ３８を作製することも可能である。
【実施例】
【００２９】
以下に、実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。なお、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００３０】
（１）ガラス原盤の調製
ディスク状の石英ガラス基板にポジ型レジストを６０ｎｍ塗布し、この石英ガラス基板をレーザーカッティング装置で露光し、現像してレーザ光により露光された部分を除去して凹凸パターンを形成し、続いて、この凹凸パターン上に無電解めっき法により１００ｎｍのＮｉ−Ｐ導電膜を形成し、ガラス原盤を調製した。
【００３１】
（２）電気めっき処理
図１に示した電気めっき装置１００の陰極設置部１１に、陰極１０として前述したガラス原盤をＮｉ−Ｐ導電膜が形成された面がアノードバスケット１５と対向するように組み込み、その表面にカソードバッフル板１２を取り付けた。このとき、陰極１０としてのガラス原盤のＮｉ−Ｐ導電膜が形成された面の総面積が３０，０００ｍｍ２となるように調整した。
【００３２】
次に、めっき液に対して不溶性の金属であるチタン（Ｔｉ）により形成され、陰極１０に対向する面として縦４００ｍｍ×横３００ｍｍの面積を有し、奥行き５０ｍｍの直方体の形状を有するアノードバスケット１５を陽極側に取り付けた。このアノードバスケット１５中に可溶性陽極１４として複数個のペレット状のニッケル（Ｎｉ）球を充填した。ニッケル（Ｎｉ）球は、最大粒径１０ｍｍであり、総重量３０ｋｇである。
このとき、陰極１０表面とアノードバスケット１５の陰極１０に対向する面との電極間距離Ｍが３ｃｍとなるようにアノードバスケット１５を取り付けた。
【００３３】
続いて、陰極１０であるガラス原盤と可溶性陽極１４であるニッケル（Ｎｉ）球を充填したアノードバスケット１５をめっき液（スルファミン酸ニッケル液）中に浸漬した。次に、電流密度２０Ａ／ｄｍ２の条件で両極間に電圧を印加して電気めっき処理を行い、ガラス原盤の表面に膜厚３００μｍのニッケルのめっき膜を形成した。尚、電気めっき処理中は、陰極設置部１１に取り付けたガラス原盤を、回転数１００ｒｐｍで回転させた。
その後、ガラス原盤からめっき膜を剥離して、石英ガラス基板上に形成された凹凸パターンと逆転している凹凸パターンが形成されたニッケル（Ｎｉ）製のスタンパ前駆体を得た。このスタンパ前駆体は、その裏面を研磨し、成形機に取り付ける金型の形状に合わせて寸法が加工される。
【００３４】
電気めっき処理に用いためっき液（スルファミン酸ニッケル液）の組成及び電気めっき処理の条件は以下のとおりである。
・スルファミン酸ニッケル濃度：３５０ｇ／ｌ
・硼酸濃度：３０ｇ／ｌ
・ラウリル硫酸ナトリウム濃度：０．４ｇ／ｌ
・めっき液温度：５０℃
・めっき液ｐＨ：４．０
【００３５】
（３）めっき膜の膜厚分布の測定
アノードバスケット１５に充填したニッケル（Ｎｉ）球が電気化学的に溶解し、その全重量に対する１０重量％が減少するのに必要な積算電流量に達するまで電気めっき処理を行う。本実施例では、可溶性陽極として総重量３０ｋｇのニッケル（Ｎｉ）球を使用するので、３０ｋｇの１０重量％である３ｋｇのニッケル（Ｎｉ）球が溶解するための積算電流量は３，０００Ａ・Ｈ（アンペア・アワー）である。
本実施例における電気めっき処理では、積算電流量が３，０００Ａ・Ｈ（６０Ａ・Ｈ×５０回）に達するまで間に積算電流量６０Ａ・Ｈの電気めっき処理工程を５０回繰り返した。そして、各処理工程毎に発生しためっき膜の突発的な膜厚変動の回数を総処理工程数５０で除すことにより得られる割合（％）を、膜厚変動の発生率として求めた。尚、電気めっき処理中にニッケル（Ｎｉ）球の減少が著しい場合は、アノードバスケット１５内に随時ニッケル（Ｎｉ）球を補充した。
【００３６】
ここで、めっき膜の膜厚変動とは、６０Ａ・Ｈ（アンペア・アワー）の範囲内で、めっき膜の膜厚が、平均膜厚の±５％以上変動することとしている。
アノードバスケット１５内に充填したニッケル（Ｎｉ）球の１０重量％が電気化学的に溶解するまでの間に、めっき膜の急激な膜厚変動が無ければ、産業上十分使用できる範囲である。
また、陰極の表面に形成したニッケル（Ｎｉ）のめっき膜の膜厚は、静電容量式膜厚計（非接触式）を用いて測定した。
【００３７】
（実施例１）
図１に示す電気めっき装置１００において、可溶性陽極１４であるペレット状のニッケル（Ｎｉ）球が充填されたアノードバスケット１５として、図２（Ａ）（ａ−１）に示す構造のものを使用し、前述した条件で陰極１０の表面に電気めっき処理を行った。
即ち、アノードバスケット１５は、陰極１０に対向する面（縦４００ｍｍ×横３００ｍｍ）を縦方向に高さ１００ｍｍで４個の収容ブロック（ブロック）に分割されている。尚、各収容ブロックの幅は５０ｍｍである。
このとき、各収容ブロックは、その縦方向が、アノードバスケット１５に充填されたニッケル（Ｎｉ）球の最大粒径（１０ｍｍ）の１０倍（１００ｍｍ）の高さで分割されている。
また、アノードバスケット１５が有する４枚の側面のいずれか１枚は、各収容ブロック（ブロック）にニッケル（Ｎｉ）球を補給できるように横方向に開口できる構造としている。尚、各収容ブロック（ブロック）毎に、それぞれの側面のいずれか１枚が横方向に開口できる構造としても良い。
前述したように、陰極１０の表面にニッケル（Ｎｉ）のめっき膜を形成する操作として、積算電流量３，０００Ａ・Ｈに達するまで間に積算電流量６０Ａ・Ｈの電気めっき処理工程を５０回繰り返した結果、各工程においてめっき膜の突発的な膜厚変動は発生しなかった。
【００３８】
（実施例２）
図１に示す電気めっき装置において、可溶性陽極１４であるペレット状のニッケル（Ｎｉ）球が充填されたアノードバスケット１５として、図２（Ｂ）に示す構造のものを使用し、前述した条件で陰極１０の表面に電気めっき処理を行った。
即ち、アノードバスケット１５は、陰極１０に対向する面（縦４００ｍｍ×横３００ｍｍ）を縦方向に高さ５０ｍｍで８個の収容ブロック（ブロック）に分割されている。尚、各収容ブロックの幅は５０ｍｍである。
このとき、各収容ブロックは、その縦方向が、アノードバスケット１５に充填されたニッケル（Ｎｉ）球の最大粒径（１０ｍｍ）の５倍（５０ｍｍ）の高さで分割されている。
前述したように、陰極１０の表面にニッケル（Ｎｉ）のめっき膜を形成する操作として、積算電流量３，０００Ａ・Ｈに達するまで間に積算電流量６０Ａ・Ｈの電気めっき処理工程を５０回繰り返した結果、各工程においてめっき膜の突発的な膜厚変動は発生しなかった。
【００３９】
（比較例１）
図１に示す電気めっき装置において、可溶性陽極１４であるペレット状のニッケル（Ｎｉ）球が充填されたアノードバスケット１５として、図４（Ａ）に示すように、その縦方向が仕切り板によって分割されていないアノードバスケット１５ｒを使用し、前述した条件で陰極１０の表面に電気めっき処理を行った。
尚、アノードバスケット１５ｒは、通電部材１５１ｒと、縦ｚｒ×横ｘｒ×幅ｙｒからなる直方体形状の陽極枠体１５２ｒと、陽極枠体１５２ｒの側面及び底面に配置された多孔部材１５３ｒと、から構成されている。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示すアノードバスケット１５ｒに可溶性陽極１４としてニッケル（Ｎｉ）球が充填された状態を示す図である。この場合、ニッケル（Ｎｉ）球は多孔部材１５３ｒが設けられていない陽極枠体１５２ｒの上部からアノードバスケット１５ｒ内に充填される。また、陽極枠体１５２ｒの寸法は、縦ｚｒ４００ｍｍ×横ｘｒ３００ｍｍ×幅ｙｒ５０ｍｍである。
前述したように、陰極１０の表面にニッケル（Ｎｉ）のめっき膜を形成する操作として、積算電流量３，０００Ａ・Ｈに達するまで間に積算電流量６０Ａ・Ｈの電気めっき処理工程を５０回繰り返した結果、めっき膜の突発的な膜厚変動の発生率が１８％であった。
【００４０】
（比較例２）
図１に示す電気めっき装置において、可溶性陽極１４であるペレット状のニッケル（Ｎｉ）球が充填されたアノードバスケット１５として、図２（Ｃ）に示す構造のものを使用し、前述した条件で陰極１０の表面に電気めっき処理を行った。
ここで、アノードバスケット１５は、陰極１０に対向する面（縦４００ｍｍ×横３００ｍｍ）を縦方向に高さ２００ｍｍで２個の収容ブロックに分割されている。このとき、縦方向の高さ（２００ｍｍ）は、ニッケル（Ｎｉ）球の最大粒径（１０ｍｍ）の２０倍に調整されている。尚、各収容ブロックの幅は５０ｍｍである。
前述したように、陰極１０の表面にニッケル（Ｎｉ）のめっき膜を形成する操作として、積算電流量３，０００Ａ・Ｈに達するまで間に積算電流量６０Ａ・Ｈの電気めっき処理工程を５０回繰り返した結果、めっき膜の突発的な膜厚変動の発生率が８％であった。
【００４１】
以上、本実施例において説明したように、図１に示す電気めっき装置において、アノードバスケット１５として、その縦方向がアノードバスケット１５に収容された金属粒子の最大粒径の１０倍以下の高さになるように分割された収容ブロックを有するものを使用する場合（実施例１、実施例２）に、電気めっき処理においてめっき膜の突発的な膜厚変動は発生しないことが分かる。
これは、アノードバスケット１５を縦方向に複数の収容ブロックに分割し、各収容ブロックに可溶性陽極１４である金属粒子を充填することにより、電気めっき処理中に電気化学的に溶解し粒径が小さくなった金属粒子の急激な位置関係の変動が生じないためと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本実施の形態が適用される電気めっき装置の一例を説明する図である。
【図２】アノードバスケットの例を説明する図である。
【図３】光記録媒体用スタンパの製造工程の一例を説明する図である。
【図４】縦方向が分割されていないアノードバスケットを説明する図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０…陰極、１４…可溶性陽極、１５…アノードバスケット、２０…めっき浴槽、２３…めっき液、２４…直流電源、３５…ガラス原盤、３６…導電膜、３７…めっき膜、３８…光記録媒体用スタンパ、１００…電気めっき装置
【図１】
2009013433.tif 000003
【図２】
2009013433.tif 000004
【図３】
2009013433.tif 000005
【図４】
2009013433.tif 000006