(57)【要約】【課題】ＯＣＢモード型の液晶層ＬＣを有した液晶表示装置において、ベンド配列からスプレイ配列への転移を抑止する。【解決手段】第１の透明基板１０に配置された画素電極１７と第２の透明基板２０に配置された共通電極２１との間に、正の誘電率異方性Δεを有したＯＣＢモード型の液晶層ＬＣが挟持されている。共通電極２１には、一旦スプレイ配列からベンド配列に転移した液晶層ＬＣを再びベンド配列からスプレイ配列に転移させないように共通電極２１に所定の電圧ＶＢを印加する電圧印加手段１０３が接続されている。表示期間の後に、この所定の電圧ＶＢが共通電極２１に印加されることにより、表示期間において白表示電圧Ｖ１に対応した電圧（転移の閾値電圧ＶＣよりも低い電圧）が液晶層ＬＣに印加されても、液晶層ＬＣのベンド配列は維持され、高い透過率を得ることができる。【選択図】図２
2009186532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極が形成された第１の基板と、
共通電極が形成された第２の基板と、
前記複数の画素電極と前記共通電極の間に配置され、相転移させる電圧を印加した後に
前記液晶の構成分子が弓なり状に配列されるベンド配向となる液晶層と、
前記共通電極に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、を備えることを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項２】
複数の画素電極が形成された第１の基板と、
共通電極が形成された第２の基板と、
前記複数の画素電極と前記共通電極の間に配置され、相転移させる電圧を印加した後に
前記液晶の構成分子が弓なり状に配列されるベンド配向となる液晶層と、
前記第１の基板上に形成された補助容量線と、
前記画素電極と前記補助容量線との間に形成され前記画素電極に印加される表示信号を
保持するための補助容量と、
前記補助容量線と前記共通電極の間に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、を備える
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
１フィールドが、それぞれ異なる表示色に対応した複数のサブフィールドに分割され、
前記電圧印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィール
ドに、前記共通電極に前記所定の電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示装置。
【請求項４】
前記電圧印加手段は、前記サブフィールド毎に、前記共通電極に前記所定の電圧を印加
することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
１フィールドが、それぞれ異なる表示色に対応した複数のサブフィールドに分割され、
前記電圧印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィール
ドに、前記補助容量線と前記共通電極の間に前記所定の電圧を印加することを特徴とする
請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記電圧印加手段は、前記サブフィールド毎に、前記補助容量線と前記共通電極の間に
前記所定の電圧を印加することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素電極に表示信号が印加される前に、前記電圧印加手段により前記所定の電圧が
印加されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の液晶表示装置
。
【請求項８】
前記所定の電圧は、前記液晶層に印加される電圧の時間的な平均値が、前記液晶層が前
記ベンド配列から前記スプレイ配列へ転移する閾値電圧よりも高くなるように設定された
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記所定の電圧は、前記画素電極に印加される表示信号の最大電圧以上であることを特
徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、ＯＣＢモード型の液晶層を有した液晶表示装置
に関する。
【背景技術】
【０００２】
広視野角かつ高速応答が可能な液晶表示装置として、ＯＣＢモード型の液晶層を有した
液晶表示装置が知られている。
【０００３】
この液晶表示装置の一例について説明すると、図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）の
断面図に示すように、光源ＢＬと対向する第１の透明基板１０に配置された画素電極１７
と、第１の透明基板１０と対向する第２の透明基板２０に配置された共通電極２１との間
に、正の誘電率異方性Δεを有したＯＣＢモード型の液晶層ＬＣが挟持されている。第１
の透明基板１０と第２の透明基板２０には、互いに直交する透過軸を有した偏光板（不図
示）が配置されている。
【０００４】
図７（Ａ）に示すように、液晶層ＬＣの初期配向はスプレイ配列であるが、表示に先立
って、画素電極１７と共通電極２１との間に相転移閾値電圧以上の電圧を印加することに
より、図７（Ｂ）に示すように液晶層ＬＣをベンド配列に転移させる。
【０００５】
このベンド配列の液晶層ＬＣは、その厚み方向の中央の領域で第１の透明基板１０又は
第２の透明基板２０に対して略垂直に配向しており、その中央の領域以外の殆どの領域で
は、第１の透明基板１０又は第２の透明基板２０に対して略水平に配向している。この状
態では、光源ＢＬから第１の透明基板１０を通して液晶層ＬＣに入射した光の複屈折成分
が、第２の透明基板２０から出射されて白表示（ノーマリーホワイト）となる。
【０００６】
一方、黒表示に対応する電圧が画素電極１７と共通電極２１との間に印加されると、図
７（Ｃ）に示すように、液晶層ＬＣは、第１の透明基板１０又は第２の透明基板２０との
界面以外の殆どの領域で、それらの透明基板に対して略垂直に配向する。この状態では、
光源ＢＬから第１の透明基板１０を通して液晶層ＬＣに入射した光は、第２の透明基板２
０の不図示の偏光板に吸収されるため、黒表示となる。
【０００７】
この液晶表示装置では、液晶層ＬＣに印加される電圧が、液晶層ＬＣが転移する閾値電
圧よりも低くなると、ベンド配列の液晶層ＬＣがスプレイ配列に戻ってしまい、所望の透
過率を得ることができなくなる。この問題に対処するためには、例えば、各フィールドに
おいて、表示信号に応じた表示が完了した後、液晶層ＬＣに印加される電圧を転移の閾値
電圧より大きくするべく、画素電極１７に黒表示に対応する電圧を印加する方法が用いら
れる。
【０００８】
なお、ノーマリーホワイト表示を行う液晶表示装置における黒表示に対応する電圧の挿
入については、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−３５０８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、液晶層ＬＣに、転移の閾値電圧より大きな電圧を印加する際、その電圧
の上限値は、画素電極１７に印加される表示信号の最大電圧によって制限されていた。そ
のため、場合によっては液晶層ＬＣの転移の制御が十分に行われない場合があり、ベンド
配列からスプレイ配列への転移を抑止できない場合があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の画素電極が形
成された第１の基板と、共通電極が形成された第２の基板と、複数の画素電極と共通電極
の間に配置され、相転移させる電圧を印加した後に前記液晶の構成分子が弓なり状に配列
されるベンド配向となる液晶層と、共通電極に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、を
備えることを特徴とする。
【００１１】
かかる構成によれば、共通電極に所定の電圧を印加する手段により電圧を印加すること
により、液晶層がベンド配列からスプレイ配列に転移することを抑制することができ、表
示電圧範囲の下限を閾値電圧よりも低い電圧まで下げることができる。
【００１２】
また、本発明の液晶表示装置は、複数の画素電極が形成された第１の基板と、共通電極
が形成された第２の基板と、複数の画素電極と共通電極の間に配置され、相転移させる電
圧を印加した後に前記液晶の構成分子が弓なり状に配列されるベンド配向となる液晶層と
、第１の基板上に形成された補助容量線と、画素電極と補助容量線との間に形成され画素
電極に印加される表示信号を保持するための補助容量と、補助容量線と共通電極の間に所
定の電圧を印加する電圧印加手段と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
かかる構成によれば、共通電極と補助容量線の間に所定の電圧を印加することにより、
所定の電圧を印加した時に、液晶層に印加される電圧を高くすることができるとともに、
画素電極に書き込まれた表示信号電圧が異なる場合にも、所定の電圧を印加した時に液晶
層に印加される電圧が変わらない。このため、液晶層がベンド配列からスプレイ配列に転
移することを効果的に抑制することができる。
【００１４】
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、１フィールドが、それぞれ異なる
表示色に対応した複数のサブフィールドに分割され、電圧印加手段は、複数のサブフィー
ルドのうち、少なくとも１つのサブフィールドに、共通電極に所定の電圧を印加すること
を特徴とする。
【００１５】
かかる構成によれば、１フィールドが複数のサブフィールドに分割された構成において
、液晶層がスプレイ配列からベンド配列に転移することを抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、電圧印加手段は、サブフィールド
毎に、共通電極に所定の電圧を印加することを特徴とする。
【００１７】
かかる構成によれば、サブフィールド毎に所定の電圧を印加するため、確実に液晶層が
スプレイ配列からベンド配列に転移することを抑制することができる。
【００１８】
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、１フィールドが、それぞれ異なる
表示色に対応した複数のサブフィールドに分割され、電圧印加手段は、複数のサブフィー
ルドのうち、少なくとも１つのサブフィールドに、補助容量線と共通電極の間に前記所定
の電圧を印加することを特徴とする。
【００１９】
かかる構成によれば、１フィールドが複数のサブフィールドに分割された構成において
、所定の電圧を印加した時に、液晶層に印加される電圧を高くすることができるとともに
、画素電極に書き込まれた表示信号電圧が異なる場合にも、所定の電圧を印加した時に液
晶層に印加される電圧が変わらない。このため、液晶層がベンド配列からスプレイ配列に
転移することを効果的に抑制することができる。
【００２０】
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、電圧印加手段は、サブフィールド
毎に、補助容量線と共通電極の間に所定の電圧を印加することを特徴とする。
【００２１】
かかる構成によれば、サブフィールド毎に所定の電圧を印加するため、より確実に液晶
層がスプレイ配列からベンド配列に転移することを抑制することができる。
【００２２】
また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、画素電極に表示信号が印加される
前に、電圧印加手段により所定の電圧が印加されることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の液晶表示装置では、上記構成において、所定の電圧は、液晶層に印加さ
れる電圧の時間的な平均値が、液晶層がベンド配列からスプレイ配列へ転移する閾値電圧
よりも高くなるように設定されたことを特徴とする。
【００２４】
かかる構成によれば、液晶層がベンド配列からスプレイ配列へ転移する閾値電圧より高
い電圧を液晶層に印加することにより、液晶層がスプレイ配列からベンド配列に転移する
ことを抑制することができる。
【００２５】
また、本発明の液晶表示装置では、上記構成において、所定の電圧は、画素電極に印加
される表示信号の最大電圧以上であることを特徴とする。
【００２６】
かかる構成によれば、液晶層をベンド配列からスプレイ配列に転移させないために必要
な電圧を液晶層に確実に印加することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、ＯＣＢモード型の液晶層ＬＣを有した液晶表示装置において、ベンド
配列からスプレイ配列への転移を抑止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態による液晶表示装置について説明する。まず、この液晶表示装
置の概略の等価回路について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態による液晶表
示装置の等価回路図である。図１では、液晶表示装置に含まれる複数の画素の一部のみを
示している。
【００２９】
図１に示すように、垂直駆動回路１０１から画素選択信号が印加される複数の画素選択
信号線ＧＬと、水平駆動回路１０２から表示信号が印加される表示信号線ＤＬとの各交差
点に対応して、画素１Ｐが配置されている。各画素１Ｐには、ゲートが画素選択信号線Ｇ
Ｌに接続され、ドレインが表示信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタ等の画素トラン
ジスタＴＲが配置されている。画素トランジスタＴＲのソースには画素電極（不図示）が
接続され、その画素電極に印加される表示信号と共通電極（不図示）に印加される電圧に
より、液晶層ＬＣに電界が形成される。共通電極に印加される電圧は、通常の表示期間で
は共通電位ＣＯＭである。また、画素電極と、補助容量電位ＳＣが印加される補助容量線
ＳＬとの間には、画素電極に印加される表示信号を保持する補助容量Ｃｓが接続されてい
る。
【００３０】
以下に、この液晶表示装置の詳細な構成について図面を参照して説明する。図２は、本
実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図２では、説明の便宜上、複数の画素
１Ｐの中から１つの画素１Ｐのみを示している。なお、図２では、図１及び図７に示した
ものと同様の構成要素については同一の符号を付して参照する。
【００３１】
図２に示すように、ガラス基板等からなる第１の透明基板１０と第２の透明基板２０と
の間に、正の誘電率異方性Δεを有したＯＣＢモード型の液晶層ＬＣが挟持されている。
第１の透明基板１０の光源ＢＬと対向する側には第１の偏光板ＰＬ１が配置されており、
光源ＢＬと対向しない側にはポリシリコン等からなる第１の半導体層１１Ａ及び第２の半
導体層１１Ｂが配置されている。第１の半導体層１１Ａは画素トランジスタＴＲの能動層
であり、第２の半導体層１１Ｂは画素トランジスタＴＲに接続される補助容量Ｃｓを構成
する容量電極である。第１の半導体層１１Ａ及び第２の半導体層１１Ｂはゲート絶縁膜１
２に覆われている。第１の半導体層１１Ａと重畳するゲート絶縁膜１２上には、ゲート電
極として画素選択信号線ＧＬの一部が延びている。第２の半導体層１１Ｂと重畳するゲー
ト絶縁膜１２上には、補助容量Ｃｓを構成するもう１つの容量電極として、補助容量線Ｓ
Ｌが延びている。ここで、第２の半導体層１１Ｂを覆うゲート絶縁膜１２は、補助容量Ｃ
ｓの容量絶縁膜として機能する。
【００３２】
ゲート絶縁膜１２、画素選択信号線ＧＬ、及び補助容量線ＳＬは、パッシベーション膜
１４に覆われている。パッシベーション膜１４上には、表示信号線ＤＬと電極１５が配置
されている。表示信号線ＤＬは、コンタクトホールＣＨ１を通して第１の半導体層１１Ａ
のドレイン領域１１Ｄと接続されている。電極１５は、コンタクトホールＣＨ２を通して
第１の半導体層１１Ａのソース領域１１Ｓと接続されると共に、コンタクトホールＣＨ３
を通して第２の半導体層１１Ｂと接続されている。これらは平坦化膜１６に覆われており
、平坦化膜１６上にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料か
らなる画素電極１７が配置されている。画素電極１７はコンタクトホールＣＨ４を通して
電極１５と接続されている。画素電極１７は第１の配向膜１８に覆われている。
【００３３】
一方、第２の透明基板２０には、第１の透明基板１０と対向しない側に、第１の偏光板
ＰＬ１と直交する透過軸を有した第２の偏光板ＰＬ２が配置されている。第２の透明基板
２０上であって液晶層ＬＣと対応する側には、不図示のカラーフィルタと、ＩＴＯ等の透
明導電材料からなる共通電極２１が配置されている。共通電極２１は、第１の配向膜１８
と同一方向のラビング方向を有した第２の配向膜２２に覆われている。このラビング方向
に応じて、液晶層ＬＣの初期配向はスプレイ配列となり、図７に示したＯＣＢモード型の
液晶層による表示と同様に、表示信号に応じた表示に先立って、画素電極１７と共通電極
２１との間に電圧を印加することにより、液晶層ＬＣはベンド配列に転移する。
【００３４】
また、共通電極２１には、一旦スプレイ配列からベンド配列に転移した液晶層ＬＣを再
びベンド配列からスプレイ配列に転移させないように共通電極２１に所定の電圧ＶＢを印
加する電圧印加手段１０３が接続されている。電圧印加手段１０３は、電圧発生回路、又
は外部から上記所定の電圧ＶＢが印加される電圧印加端子である。
【００３５】
以下に、電圧印加手段１０３による所定の電圧ＶＢの印加について図面を参照して説明
する。図３は、本実施形態による液晶表示装置のフィールドを示すタイミング図である。
なお、図３のタイミング図にかかる説明では、表示信号に応じた表示が可能な状態として
、一旦、液晶層ＬＣがスプレイ配列からベンド配列に転移されているものとする。
【００３６】
また、図４は、本実施形態による液晶表示装置の液晶層ＬＣに印加される電圧と透過率
の関係を示すグラフであり、その横軸は液晶層ＬＣに印加される電圧に対応し、縦軸は透
過率に対応している。図中では、液晶層ＬＣにおけるスプレイ配列−ベンド配列間の転移
の閾値電圧をＶＣ（例えば約２．３Ｖ）で示している。また、表示信号に応じて液晶層Ｌ
Ｃに印加される電圧として、黒表示に対応した黒表示電圧をＶ１（例えば約５〜７Ｖ）と
し、白表示に対応した白表示電圧をＶ２（例えば約１〜１．５Ｖ）として示している。
【００３７】
図３に示すように、各フィールドでは、表示信号の書き込みを含む表示期間の完了後、
電圧印加期間ｔＶＢにわたって電圧印加手段１０３から所定の電圧ＶＢが共通電極２１に
印加される。この所定の電圧ＶＢは、１フィールドにおいて液晶層ＬＣに印加される電圧
の時間的な平均値が、液晶層ＬＣがベンド配列からスプレイ配列へ転移する閾値電圧ＶＣ
よりも高くなるように設定されている。所定の電圧ＶＢは、例えば約５〜約７Ｖである。
この所定の電圧ＶＢは、共通電極２１に印加されることから、画素電極１７に印加される
表示信号の最大電圧よりも高く（即ちその絶対値を大きく）設定できる。
【００３８】
この電圧ＶＢの印加により、図４の曲線Ｃ１に示すように、表示期間において、白表示
電圧Ｖ１（閾値電圧ＶＣよりも低い電圧）が液晶層ＬＣに印加されても、液晶層ＬＣのベ
ンド配列は維持され、高い透過率を得ることができる。
【００３９】
仮に、上記電圧ＶＢの印加が行われないと、表示期間において、白表示電圧Ｖ１が液晶
層ＬＣに印加されると、液晶層ＬＣに印加される電圧の時間的な平均は閾値電圧ＶＣより
も低くなり、液晶層ＬＣはベンド配列からスプレイ配列に戻るように転移してしまう。こ
のため、曲線Ｃ２に示すように、透過率が低下してしまい、コントラストを下げることに
なる。さらに、液晶の応答速度が遅くなってしまう。
【００４０】
さらに本実施形態では、液晶層ＬＣの転移を抑止するための電圧が画素電極１７を通し
て液晶層ＬＣに印加される従来例に比して、高い電圧（即ちその絶対値の大きな電圧）Ｖ
Ｂを液晶層ＬＣに印加できるため、従来例よりも確実に、液晶層ＬＣをベンド配列からス
プレイ配列に戻ることを抑止することができる。即ち、従来例よりも確実に高い透過率を
得ることができる。あるいは、電圧ＶＢを印加する電圧印加期間ｔＶＢを短縮することが
可能となる。
［第２の実施形態］
以下に、本発明の第２の実施形態について図５を参照して説明する。本実施形態では、
第１の実施形態における共通電極２１に接続された電圧印加手段１０３の替わりに、補助
容量線ＳＬと共通電極２１に接続された電圧印加手段１０４が設けられている。その他の
構成については第１の実施形態と同様である。
【００４１】
電圧印加手段１０４は、一旦スプレイ配列からベンド配列に転移した液晶層ＬＣを、再
びベンド配列からスプレイ配列に転移させないように、補助容量線ＳＬと共通電極２１と
の間に、第１の実施形態と同じ条件を満たす所定の電圧ＶＢを電圧印加期間ｔＶＢにわた
って印加する。ただし、この所定の電圧ＶＢを、補助容量線ＳＬと共通電極２１の２つの
電極の間に印加する。この場合は、共通電極２１と画素電極１Ｐとの間の液晶容量と補助
容量との分圧比によって、液晶層ＬＣにかかる電圧が決まり、同じ所定の電圧ＶＢを印加
した場合に、共通電極２１のみに電圧を印加する第１の実施形態よりも液晶層ＬＣに印加
される電圧を高くすることができる。さらに、第１実施形態では、所定の電圧ＶＢを印加
する前の画素電極１Ｐに書き込まれた表示信号電圧が異なる場合には、所定の電圧ＶＢが
印加された時に液晶層ＬＣに印加される電圧が異なるが、本実施形態では、液晶層ＬＣに
一定の電圧が印加されることになる。これにより、第１の実施形態と同様の効果を、より
確実に得ることができる。
【００４２】
なお、本発明は、上記第１の実施形態及び第２の実施形態に限定されず、カラーフィル
タが配置されないフィールドシーケンシャル方式によるカラー表示についても適用される
。ここでは例として、Ｒ（赤色）表示、Ｇ（緑色）表示、Ｂ（青色）表示の３色によるフ
ィールドシーケンシャル方式のカラー表示ついて、図６のタイミング図を参照して説明す
る。
【００４３】
フィールドシーケンシャル方式における１フィールドは、それぞれ異なる表示色に対応
した複数のサブフィールドに分割されている。この場合の液晶表示装置の光源ＢＬは、各
サブフィールドに対応した表示色のバックライトを順次切り換えて点灯するものである。
【００４４】
Ｒ表示に対応するサブフィールドでは、まず、書き込み期間ｔＳにおいて、Ｒ表示に対
応する表示信号が画素１Ｐに書き込まれ、続く液晶層ＬＣの応答期間ｔＬＣにおいて、書
き込まれた表示信号に応じて液晶層ＬＣの配向が変化し、その後の表示期間ｔＢＬにおい
て、赤色のバックライトが点灯されてＲ表示が行われる。同様に、Ｇ（緑色）表示、Ｂ（
青色）表示を順次繰り返すことによって、カラー表示が実現できる。
【００４５】
このフィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置では、１つの画素において複数の表
示色に対応した表示を高速で切り換える必要があるため、上述した広視野角かつ高速応答
の可能なＯＣＢモード型の液晶層ＬＣが好適である。
【００４６】
そして、例えば第１の実施形態に基づく場合、各サブフィールドにおいて、表示期間ｔ
ＢＬの後、電圧印加期間ｔＶＢにわたって電圧印加手段１０３から上記所定の電圧ＶＢが
共通電極２１に印加される。同様に、第２の実施形態に基づく場合、表示期間ｔＢＬの後
、電圧印加期間ｔＶＢにわたって上記所定の電圧ＶＢが補助容量線ＳＬと共通電極２１と
の間に印加される。なお、所定の電圧ＶＢの印加は、必ずしも各サブフィールドで行われ
なくともよく、１フィールドにおける複数のサブフィールドのうち、少なくとも１つのサ
ブフィールドにおいて行われてもよい。これらの場合においても、第１の実施形態及び第
２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の等価回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置のフィールドを示すタイミング図である。
【図４】本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の液晶層に印加される電圧と透過率の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第２の実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図６】フィールドシーケンシャル方式による液晶表示装置のフィールドを示すタイミング図である。
【図７】従来例による液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１Ｐ  画素                      
１０  第１の透明基板                １１Ａ  第１の半導体層
１１Ｂ  第２の半導体層              １２  ゲート絶縁膜
１４  パッシベーション層            １５  電極
１６  平坦化膜                      １７  画素電極
１８  第１の配向膜                  ２０  第２の透明基板
２１  共通電極                      ２２  第２の配向膜
１０１  垂直駆動回路                １０２  水平駆動回路
１０３，１０４  電圧印加手段
ＢＬ  光源                          ＬＣ  液晶層
ＧＬ  画素選択信号線                ＤＬ  表示信号線
ＰＬ１  第１の偏光板                ＰＬ２  第２の偏光板
ＳＬ  補助容量線                    ＴＲ  画素トランジスタ
【図１】
2009186532.tif 000003
【図２】
2009186532.tif 000004
【図３】
2009186532.tif 000005
【図４】
2009186532.tif 000006
【図５】
2009186532.tif 000007
【図６】
2009186532.tif 000008
【図７】
2009186532.tif 000009