(57)【要約】【課題】異なる複数の材料が表面に設けられた膜構造体において、表面の平坦性に優れる膜構造体の製造方法を提供する。【解決手段】第１膜を設けた基板上に、第１膜を覆うように第２膜を設ける工程と、第１膜の上に設けられた第２膜の上面に、研磨の進行を規制可能な第１ストッパ膜を形成する工程と、基板の上に設けられた第２膜の上面に、研磨の進行を規制可能な第２ストッパ膜を形成する工程と、第１ストッパ膜及び第２ストッパ膜の上に第３膜を設ける工程と、第３膜を設けた後、第１ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで第３膜の上面を研磨する工程と、第１ストッパ膜を除去する工程と、第１ストッパ膜を除去した後、第２ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで第２膜及び第３膜の上面を研磨する工程と、第２ストッパ膜を除去する工程と有することを特徴とする膜構造体の製造方法。【選択図】図１
2009295210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に第１膜を設ける工程と
前記第１膜を設けた前記基板上に、前記第１膜を覆うように第２膜を設ける工程と、
前記第１膜の上に設けられた前記第２膜の上面に、研磨の進行を規制可能な第１ストッパ膜を形成する工程と、
前記基板の上に設けられた前記第２膜の上面に、研磨の進行を規制可能な第２ストッパ膜を形成する工程と、
前記第１ストッパ膜及び前記第２ストッパ膜の上に第３膜を設ける工程と、
前記第３膜を設けた後、前記第１ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第３膜の上面を研磨する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去した後、前記第２ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第２膜及び前記第３膜の上面を研磨する工程と、
前記第２ストッパ膜を除去する工程と
を有することを特徴とする膜構造体の製造方法。
【請求項２】
前記第１ストッパ膜及び第２ストッパ膜は一体として形成されることを特徴とする請求項１に記載の膜構造体の製造方法。
【請求項３】
前記第１膜は金属からなり、前記第２膜及び前記第３膜は電気的な絶縁性を有する材料からなることを特徴とする請求項１に記載の膜構造体の製造方法。
【請求項４】
前記第２膜及び前記第３膜はアルミナを含んでなり、前記第１及び前記第２ストッパ膜はタンタルを含んでなることを特徴とする請求項１に記載の膜構造体の製造方法。
【請求項５】
前記基板から前記第１膜の上に設けられた前記第２膜の上面までの距離と前記基板から前記基板の上に設けられた前記第２膜の上面までの距離との差よりも、前記第３膜の厚さが大きくなるように前記第３膜を設けることを特徴とする請求項１に記載の膜構造体の製造方法。
【請求項６】
記憶媒体の磁気情報を再生するために設けられる素子部と、該素子部を外部磁場から遮蔽するために該素子部を挟むように設けられ第１シールド層及び第２シールド層とを備える磁気ヘッドの製造方法において、
基板の上に前記第１シールド層を設ける工程と、
前記第１シールド層を設けた基板上に、前記第１シールド層を覆うように電気的な絶縁性を有する第１層を設ける工程と、
前記第１シールド層の上に設けられた前記第１層の上面に、研磨の進行を規制可能な第１ストッパ膜を形成する工程と、
前記基板の上に設けられた前記第１層の上面に、研磨の進行を規制可能な第２ストッパ膜を形成する工程と、
少なくとも前記第１ストッパ膜及び前記第２ストッパ膜の上に第２層を設ける工程と、
前記第２層を設けた後、前記第１ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第２層の上面を研磨する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去した後、前記第２ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第１層及び前記第２層の上面を研磨する工程と、
前記第２ストッパ膜を除去する工程と、
前記第１層及び前記第１シールド層の上に電気的な絶縁性を有する第３層を設ける工程と、
前記第３層の上に前記素子部を設ける工程と、
前記素子部の上に電気的な絶縁性を有する第４層を設ける工程と、
前記第４層の上に前記第２シールド層を設ける工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドに形成される磁性層等の膜構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶装置に設けられ、磁気記憶媒体へ磁気情報を書き込んだり磁気記憶媒体に記録された磁気情報を読み出したりすることが可能な磁気ヘッドは、磁気記憶装置の記録密度の向上に伴い微細化が進んでいる。磁気ヘッドの製造工程では、セラミックからなるウエハの表面に、シールド層となる磁性層、再生素子を構成する各種成膜層、絶縁層、磁極となる磁性層、記録用のコイルとなる導体層等をドライプロセスあるいはめっきによって形成する処理が行われる。また、これらの工程では磁性層あるいは導体層をエッチングしたりパタニングしたりする工程が含まれる。近年は媒体の記録密度がきわめて増大していることから、磁気ヘッドを構成する各層を設ける工程において、表面の平坦性及び厚さをより厳密に制御する必要が生じてきた。
【０００３】
磁気ヘッドの製造工程では、基板の表面に磁性材料等からなる金属層を形成し、その後基板の表面に金属層を覆うようにアルミナ等の金属酸化物からなる絶縁膜をスパッタリングによって形成し、更に絶縁膜を研磨して金属層の表面を露出させるとともに基板の表面全体を平坦化処理する研磨加工がしばしば行われる。このように異なる材料からなる複数の層が表面に設けられたワークを研磨する際に、後から設けられる層の厚さを大きくし、その層の研磨量を増やすことにより、隣り合う層の段差を小さくすることができる。しかし、このように研磨量を増やすと、複数のワーク間で、研磨される各層の厚さ及び隣り合う層の段差のばらつきが大きくなるという問題がある。
【０００４】
この問題を解決するため、異なる材料からなる複数の層が設けられたワークを研磨する前に、研磨の進行を規制可能なストッパ層をワークの上面に設け、その後ストッパ層まで研磨を行う方法の開発が行われている（例えば特許文献１、２。）。ストッパ層を設けたワークを研磨することで、上記後から設けられる層の厚さが薄くても、隣り合う層の段差をある程度小さくすることができた。しかし、ワークの形状が微細化されるにしたがって、これまでの研磨方法によって得られる表面の平坦性では不十分な場合が生じてきている。
【特許文献１】特開２００８−４１６１号公報
【特許文献２】特開２００６−２４４６３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記実情に鑑み、本発明は、異なる複数の材料が表面に設けられた膜構造体において、表面の平坦性に優れる膜構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によると、
基板の上に第１膜を設ける工程と
前記第１膜を設けた前記基板上に、前記第１膜を覆うように第２膜を設ける工程と、
前記第１膜の上に設けられた前記第２膜の上面に、研磨の進行を規制可能な第１ストッパ膜を形成する工程と、
前記基板の上に設けられた前記第２膜の上面に、研磨の進行を規制可能な第２ストッパ膜を形成する工程と、
前記第１ストッパ膜及び前記第２ストッパ膜の上に第３膜を設ける工程と、
前記第３膜を設けた後、前記第１ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第３膜の上面を研磨する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去した後、前記第２ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第２膜及び前記第３膜の上面を研磨する工程と、
前記第２ストッパ膜を除去する工程と
を有することを特徴とする膜構造体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の膜構造体の製造方法によれば、異なる材料が表面に設けられた膜構造体において、表面の平坦性に優れる膜構造体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の好適な実施形態について添付図面とともに詳細に説明する。
【０００９】
図１は、本発明の膜構造体の製造方法の一実施形態として、金属層１０及び第１絶縁層１２からなる金属パタン形成する工程を示す断面図である。
【００１０】
まず、図１（ａ）に示されるように、任意の基板１１上に金属層１０を設ける。金属層１０は基板１１上に突出している。金属層１０を構成する材料は金属材料であり、用途に応じて適宜選択される。金属層１０の膜厚は、目標とする製造物の膜厚であることが好ましい。このような膜厚の金属膜１０が設けられることにより、後述する第２ストッパ層を除去する工程の後に、仕上げの研磨を行って膜厚を制御する工程が不要となるからである。金属層１０の厚さは、例えば１〜２０μｍ程度である。金属層１０の形状、大きさは限定されない。尚、図１において金属層１０は基板１１上の１箇所に設けられているが、金属層は基板上に複数設けられていてもよい。
【００１１】
次いで、図１（ｂ）に示されるように、上記基板１１上に金属層１０を覆うように第1絶縁層１２を設ける。第１絶縁層１２は、金属層１０の上面の形状に倣って突出している。第１絶縁層１２を構成する材料は、絶縁性を有するものであることを除いて特に限定されず、用途に応じて適宜選択することができる。第１絶縁層１２は、例えばアルミナ等の金属酸化物や樹脂からなる。第１絶縁層１２の厚さは、目標とする製造物である金属パタンの膜厚であることが好ましい。このような膜厚の第１絶縁層１２を設けることにより、後述する第２ストッパ層を除去する工程の後に、仕上げの研磨を行って金属パタンの膜厚を制御する工程が不要となるからである。
【００１２】
次いで、図１（ｃ）に示されるように、第１絶縁層１２の上にストッパ層１３を設ける。ストッパ層１３は第１絶縁層１２を覆うように設けられている。ストッパ層１３を構成する材料は、後工程において研磨を行う際、第１絶縁層１２よりも研磨速度が遅い材料であることが好ましい。本実施形態において研磨速度とは、単位時間当たりの研磨量、すなわち、一定期間に被研磨面が研磨工具によって研磨される厚さである。第１絶縁層がアルミナの場合、ストッパ層１３を構成する材料は、例えばタンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、炭化珪素（ＳｉＣ）などである。ストッパ層１３は、後工程において第２絶縁層の研磨を行う際、被研磨面の研磨の進行を規制し、被研磨面が過剰に研磨されるのを防止する機能を有する。ストッパ層１３のうち、金属層１０上に設けられた第１絶縁層１２の上の部分は、後述する１回目の研磨工程において、ストッパ層として機能する。（以下、この部分を第１ストッパ層１３ａと称呼する。）また、ストッパ層１３のうち、基板１１上に設けられた第１絶縁層１２上の部分は、後述する2回目の研磨工程においてストッパ層として機能する。（以下、この部分を第２ストッパ層１３ｂと称呼する。）
本実施形態において、第１ストッパ層１３ａと第２ストッパ層１３ｂとは一体として形成されている。第１絶縁層１２の突出部のふもと（図１（ｂ）における部分Ｐ）には通常窪みが形成される。図２は、図１（ｃ）における部分Ｑの拡大図である。このようなストッパ層１３が設けられた積層体の上面は第１絶縁層１２の窪みに対応する窪み１４を有する。窪み１４の深さは、ストッパ層１３に覆われる前の窪みの深さよりも小さくなる傾向にある。後述するＣＭＰ法を用いた研磨において、一般に、ある特定の表面粗さを達成するために必要な研磨量は、被研磨面の表面粗さが大きい場合ほど大きい。よって、窪み１４の深さが小さいほど、後工程において研磨対象となる第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５を薄く設けることが可能になる。窪み１４の深さを小さくすることが可能な点から、本実施形態のように、第１ストッパ層１３ａと第２ストッパ層１３ｂとがひと続きであることが好ましい。
【００１３】
尚、例えば、図１におけるストッパ層１３の代わりに、図３に示されるように第１ストッパ層１３ａと第２ストッパ層１３ｂとが分離した状態で別々に設けられていてもよい。しかし、このようにストッパ層が分離して設けられる態様は、ストッパ層が形成された後の窪みの深さを大きくする。従って、最終的に得られる金属パタンの表面粗さは、本実施形態のようにストッパ層１３が第１絶縁層を覆うように設けられている態様のほうが、第１ストッパ層１３ａと第２ストッパ層１３ｂとが分離して別々に設けられている態様よりも小さい。
【００１４】
ストッパ層１３の厚さは、被研磨面の研磨の進行を規制する機能を有することが可能な範囲において、できるだけ薄いことが好ましい。ストッパ層１３がタンタルからなり、第１絶縁層１２及び後述の第２絶縁層１５がアルミナからなり、その厚さが２．６μｍである場合、ストッパ層１３の厚さは例えば３０ｎｍである。
【００１５】
次いで、図１（ｄ）に示されるように、ストッパ層１３の上に第２絶縁層１５を設ける。第２絶縁層１５は、ストッパ層１３を覆うように設けられる。第２絶縁層１５は、第１絶縁層１２やストッパ層１３と同様、金属層１０の上面の形状に倣って突出している。第２絶縁層１５を構成する材料は絶縁性を有し、ストッパ層１３よりも研磨速度が大きい材料であることが好ましい。第２絶縁層は、例えばアルミナや樹脂からなる。
【００１６】
第２絶縁層を設けることにより、第１絶縁層を研磨する直前の被研磨面の平坦性が向上する。通常、被研磨面が平坦性に優れているほど研磨後の平坦性は向上する。後述する２回目の研磨を行った後、即ち第１絶縁層を研磨した後における第１絶縁層の上面の平坦性は優れる。研磨の際、ある特定の表面粗さを達成するために必要な研磨量は、一般に、表面粗さが大きい面を研磨する場合ほど大きい。最終的に得られる金属パタンの表面粗さをより小さくするため、後述の第１ストッパ層１３ａの除去後において、第１絶縁層の上部１２ａ、第２絶縁層の上部１５ａ、及びストッパ層１３におけるスロープ状の部分１３ｃを含んで構成される上面の表面粗さは小さくすることが好ましい。具体的には、例えば、第１に第１絶縁層の上部１２ａと、第２ストッパ層１３ｂの上に残った第２絶縁層の上部１５ａとの距離(段差)は小さいほど好ましい。この距離（段差）を小さくする観点から、第２絶縁層１５の厚さは、第１ストッパ層１３ａの上面と第２ストッパ層１３ｂの上面の距離（段差）以上であることが好ましい。また、第２絶縁層１５の厚さは、第１ストッパ層１３ａの上面と第２ストッパ層１３ｂの上面の距離と、後述のストッパ層１３ａの除去の際に研磨されて減少する膜厚との和と同じかそれよりも大きいことが好ましい。
【００１７】
後述する２回目の研磨の前に、第１絶縁層１２の上面の表面粗さをより小さくするため、第１絶縁層１２と第２絶縁層１５の研磨速度が近いほど好ましい。第１絶縁層１２と第２絶縁層１５の研磨速度を近づける観点から、第１絶縁層と第２絶縁層を構成する材料は同一材料を含んでなることが好ましく、更に同一材料から構成されることが好ましい。
【００１８】
第２絶縁層１５を設けた後、第１ストッパ層１３ａによって研磨の進行が規制されるまで第２絶縁層１５の上面を研磨する。この研磨を１回目の研磨と称呼する。１回目の研磨を行うと、図１（ｅ）に示されるように、第１ストッパ層１３の上面が露出する。１回目の研磨は例えば化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）により行う。１回目の研磨を行う時間は、複数の研磨時間の異なる条件で予備的な試験を行って予め定めておくことができる。
【００１９】
１回目の研磨の後、図１（ｆ）に示されるように、第１ストッパ層１３ａが除去される。第１ストッパ層１３ａを除去する手段は限定されないが、イオンミリング、集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ：ＦＩＢ）、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）などのドライエッチングを用いることができる。このとき、ストッパ層１３上に残っている第２絶縁層１５の一部が研磨されてもよい。上述のとおり、第１ストッパ層１３ａの除去後において、第２絶縁層１５の上面と、第１絶縁層１２の上面１２ａとの距離が小さいほど、後述する２回目の研磨において研磨の対象となる上面の段差が小さくなり、最終的に得られる金属パタンの表面粗さを小さくすることができる点から好ましい。
【００２０】
再び、図１を用いて本実施形態の金属パタンの製造方法について説明する。第１ストッパ層を除去した後、第２ストッパ層１３ｂによって研磨の進行が規制されるまで第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５並びに金属層１０の上面を研磨する。この研磨を２回目の研磨と称呼する。２回目の研磨は例えばＣＭＰにより行う。２回目の研磨を行うと、図１（ｇ）に示されるように、第２ストッパ層１３ｂが露出する。２回目の研磨において、ストッパ層１３のうち、第１ストッパ層１３ａ及び第２ストッパ層１３ｂの間に位置し、スロープ状の部分１３ｃも研磨される。通常、ストッパ層を構成する材料単独の研磨速度と、絶縁層を構成する材料単独の研磨速度とを、同じ大きさ且つ同じ形状のワークに対して同じ条件で研磨した場合で比較すると、前者は後者よりもきわめておそい。しかし、被研磨面において部分１３ｃの両側は第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５によって埋められている。このような部分１３ｃの被研磨面は、研磨に用いる工具（ＣＭＰによる研磨におけるプラテン）から圧力を受けやすい。また、部分１３ｃが占める面積は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５に比べて極めて小さい。このため、研磨後において、上面に部分１３ｃの大きな突出が残ることは起きにくい。上記第２絶縁層が設けられていることにより、研磨の対象となる第１絶縁層の上面１２ａ及び第２絶縁層の上面１５ａは距離（段差）が小さい。即ち２回目の研磨において、被研磨面の平坦性が高い。よって研磨後の上面の平坦性も高い。
【００２１】
第２絶縁層１５を形成し、更に１回目の研磨を行うことによって第１絶縁層１２の上面と第２絶縁層１５の上面との距離が小さくなっている。このため、２回目の研磨における被研磨面の表面粗さは小さい。ゆえに、２回目の研磨後、露出した金属層１０は、上面の平坦性に優れる。
【００２２】
また、第２絶縁層１５のうち、図２における窪み１４に対応する部分は、第２ストッパ層１３ｂ上に残っていてもよい。
【００２３】
次いで、第２ストッパ層１３ｂを除去する。第２ストッパ層１３ｂを除去する手段は限定されないが、例えば、イオンミリング、ＦＩＢ、ＲＩＥなどのドライエッチングを用いることができる。このとき、ストッパ層１３上に残っている第２絶縁層１５の一部が研磨されてもよい。尚、第２ストッパ層１３ｂ及び第２絶縁層１５のうち図２における窪み１４に対応する部分については、第１絶縁層上に残っていてもよい。
【００２４】
第２ストッパ層１３ｂの除去後、必要に応じて、更に、第１絶縁層１２及び金属層１０上面に対して仕上げの研磨を行う。第１絶縁層１２の厚さが、目標とする製造物である金属パタンの膜厚であるとき、この更なる研磨は不要である。
【００２５】
以上の工程を経て、図１（ｈ）に示されるように、本実施形態の金属パタンが得られる。得られる金属パタンは上面の平坦性に優れる。本実施形態の金属パタンの製造方法によれば、金属層１０及び第１絶縁層１２の膜厚の範囲をその膜厚の平均値で除した値（Ｒａｎｇｅ／Ａｖｅｒａｇｅ）が３％以下の金属パタンを形成することができる。
【００２６】
このような金属パタンの製造工程は、磁気ディスク装置内部に備えられ、記憶媒体に対し磁気情報を記録したり、記憶媒体に記憶された磁気情報を再生したりすることが可能な磁気ヘッドの製造工程において適用することができる。
【００２７】
以下、この磁気ヘッドが備えられた磁気ディスク装置について、一例を挙げて説明する。図４は、本発明の金属パタンの製造方法を適用して得た磁気ヘッドを備える磁気ディスク装置（ハードディスクドライブ：ＨＤＤ）の概略的構成を示す平面図である。なお、これ以降、前述した構成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付して表す。
【００２８】
図４において、ＨＤＤ１００はハウジング１０１を有する。ハウジング１０１には、スピンドルモータ１０２に装着される記憶媒体（磁気ディスク）１０３と、記憶媒体１０３に対向し磁気ヘッド１０８が搭載されたヘッドジンバル組立体１０４とが配置されている。磁気ヘッド１０８は、記憶媒体へ情報を記録する又は該記憶媒体の情報を再生する働きを有する。磁気ヘッド１０８は、記憶媒体１０３へ情報を記録する又は記憶媒体１０３の情報を再生するための素子部（図示せず）と、素子部を備え記憶媒体１０３に対向するように配置されたスライダ（図示せず）とを含んでなる。磁気ヘッド１０８が搭載されたヘッドジンバル組立体１０４はシャフト１０５のまわりで揺動することができるキャリッジアーム１０６の先端に固定される。
【００２９】
ＨＤＤ１００の作動中、磁気ディスク１０３は矢印Ｒの方向に回転し、キャリッジアーム１０６はアクチュエータ１０７によって揺動駆動され、磁気ヘッド１０８が磁気ディスク１０３の所望の記録トラックに位置決めされる。これらの動作によって、磁気ヘッド１０８は記憶媒体１０３に情報を書き込み、あるいは記憶媒体１０３から情報を読み取ることができる。
【００３０】
以下、上記実施形態の金属パタンの製造方法を適用して製造可能な磁気ヘッドについて説明する。図５は、上記実施形態の金属パタンの製造方法を適用して得ることができる、磁気ヘッドを示す模式図である。図５は、磁気ヘッドの浮上面側を見た（すなわち、磁気ディスク装置内部において、記憶媒体に対向する面を見た）平面図である。
【００３１】
以下の説明では、Ｘ軸方向は記憶媒体の直径方向であり、Ｙ軸方向は記憶媒体に対して遠ざかる方向であり、Ｚ軸は基板上に積層されている各層の積層方向（以下、「基板からの積層方向」と呼称する。）であり、また、磁気ヘッドに対する媒体の移動方向である。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに垂直ある。また、Ｘ軸方向の距離を「幅」、Ｙ軸方向の距離を「長さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚さ」とそれぞれ表記する。磁気ヘッドにおいて、Ｙ軸方向のうちの浮上面（エアベアリング面：ＡＢＳ）に近い側を「浮上面側」、浮上面から遠ざかる側を「ハイト側」とそれぞれ表記する。これらの表記内容は、図６以降においても同様とする。
【００３２】
本実施形態に係る磁気ヘッドは、アルティック（Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ）などのセラミック材料よりなる基板３７上に、絶縁層（図示せず）と、記憶媒体上の記録面に記録された情報を読出し可能な再生ヘッド部６２と、垂直記録方式により記憶媒体上の記録面の任意の位置に情報を記録可能な記録ヘッド部６１と、アルミナ等よりなるオーバーコート層（図示せず）とがこの順に積層された構成をなしている。
【００３３】
アルティック基板３７の上に、絶縁層（図示せず）が設けられている。この絶縁層は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性非導電性材料からなる。
【００３４】
絶縁層が形成された基板３７上に、再生ヘッド部６２が設けられる。再生ヘッド部６２は、例えば、下部シールド層３３と、ギャップ膜３４と、上部シールド層３６とがこの順に積層された構成をなしている。ギャップ膜３４には、浮上面４６に一端面が露出するように、磁気再生デバイスとしての磁気抵抗効果素子（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｅｆｆｅｃｔ  ｅｌｅｍｅｎｔ。以下、ＭＲ素子と略記する。）３５が埋設されている。
【００３５】
下部シールド層３３および上部シールド層３６は、主に、ＭＲ素子３５を周囲から磁気的に遮蔽するものである。これらの下部シールド層３３および上部シールド層３６は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（以下、単に「パーマロイ（商品名）」という）；Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、それらの厚みは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００３６】
ギャップ膜３４は、下部シールド層３３や上部シールド層３６からＭＲ素子３５を電気的に分離するものである。このギャップ膜３４は、例えば、アルミナなどの非磁性非導電性材料により構成されており、その厚みは約０．１μｍ〜０．２μｍである。
【００３７】
ＭＲ素子３５として、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）等の磁気抵抗効果を示す感磁性膜を用いた素子が用いられうる。
【００３８】
絶縁層３９はアルミナなどの非磁性非導電性材料からなる。絶縁層３９には、加熱器（図示せず）が埋め込まれていてもよい。加熱器は再生ヘッド部６１及び記録ヘッド部６２を加熱することにより、それらを膨張させ、浮上面側に突き出させることを可能にする。磁気ディスク装置においては、この突出量の制御によって、記録、再生に適した浮上量になるように制御することができる。
【００３９】
記録ヘッド部６１は、例えば、主磁極層４１、トレーリングシールド層４４、接続層４０Ａ、４０Ｂ、コイル４８ａ〜４８ｄ（以下、コイル４８と総称する場合がある。）、樹脂層４３ａ〜４３ｅ（以下、レジスト４３と総称する場合がある。）、リターンヨーク層４５、絶縁層４２、４７を有する。
【００４０】
主磁極層４１、接続層４０Ｂ、リターンヨーク層４５、接続層４０Ａ、及びトレーリングシールド層４４は、それぞれ磁性材料からなり、磁気的に接続されている。これら磁性材料からなる部分とコイル４８とは絶縁層４２、４７及び樹脂層４３により電気的に遮蔽されている。コイル４８、レジスト４３、接続層４０Ａは基板から遠い側の表面は研磨され、略同一平面上に位置する。
【００４１】
コイル４８ａ〜４８ｄは、通電することにより磁界を発生させることができる。発生した磁界が主磁極層へ誘導され、主磁極層の先端から放出されることにより、記録媒体へ磁気情報が記録されうる。このコイル４８ａ〜４８ｄは、例えば、銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されている。コイルの厚さは例えば１〜３μｍ程度である。尚、接続層１０Ｂのハイト側に位置するコイルは図示していない。
【００４２】
主磁極層４１は、主に、コイル４８において発生した磁束を収容し、その磁束を磁気ディスク（図示せず。）に向けて放出するものである。主磁極層４１は、通常、浮上面４６側が露出している。この主磁極層４１は強磁性材料を含んでいる。強磁性材料としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、鉄系合金（Ｆｅ−Ｍ；Ｍは４Ａ，５Ａ，６Ａ，３Ｂ，４Ｂ族の金属元素）、あるいはこれらの各合金の窒化物などが挙げられる。主磁極層４１の膜厚は約０．１μｍ〜０．５μｍである。
【００４３】
鍍金ベース（図示せず）は主磁極層４１の基板側に位置する。主磁極層４１を鍍金法により形成する際に電極として機能する層である。鍍金ベースは、導電性を有する任意の材料により構成されうる。鍍金ベースに含まれる材料は、例えばタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）などの中から少なくとも１種類が選択される。尚、主磁極層１１が鍍金法を用いて形成されない場合、鍍金ベースは設けられない。
【００４４】
トレーリングシールド層４４は、主に、主磁極層４１から放出された磁束をハードディスク（図示せず。）を経由してリターンヨーク層４５に環流させる際に、主磁極層の書き込み磁界の磁界勾配を急峻にする機能を担う。また、トレーリングシールド層４４は、主磁極層４１を周囲から磁気的に遮蔽する機能も担う。トレーリングシールド層４４は、通常、浮上面４６側が露出している。このトレーリングシールド層４４は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚みは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００４５】
リターンヨーク層４５は、記録ヘッド部６１において、主磁極層４１から放出された磁束をハードディスク（図示せず。）を経由して環流させる機能を担うものである。このリターンヨーク層４５は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚みは約１．０μｍ〜４．０μｍである。
【００４６】
樹脂層４３ａ〜４３ｅは、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）などにより構成されている。樹脂層４３ａ〜４３ｅは、尚、樹脂層４３ａ〜４３ｅの代わりに、アルミナ等のセラミックスを配置しても良い。
【００４７】
絶縁層４２は、コイル８と主磁極層１１との間の電気的な絶縁性を確保することが可能であり且つ非磁性である材料により構成されている。絶縁層４２は、例えば、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２）などの非磁性非導電性材料により構成されている。また、絶縁層４２のうち浮上面側に、ルテニウム（Ｒｕ）や銅（Ｃｕ）などの導電性を有する非磁性材料が用いられてもよい。絶縁層４２の厚みは、浮上面側において約数十〜数百ｎｍ、ハイト側で約０．１μｍ〜１．０μｍである。絶縁層４２は、複数の材料から構成されていても良いし、互いに異なる材料からなる複数の層からなっていてもよい。ここで、絶縁層４２は、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。
【００４８】
絶縁層４７は、コイル４８及び樹脂層４３を覆うように設けられる。絶縁層４７は、例えばアルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２）やフォトレジストなどの非磁性非導電性材料により構成されており、その厚みは例えば約０．１μｍ〜１．０μｍである。絶縁層４７がフォトレジストからなる場合、通常、上記樹脂層４３と一体形成される。ここで、絶縁層４２は、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。
【００４９】
接続層４０Ａは、リターンヨーク層４５とトレーリングシールド４４との間を磁気的に連結させるためのものであり、通常、コイル４８よりも浮上面側に位置する。また、接続層４０Ｂは、リターンヨーク層４５と主磁極層４１との間を磁気的に連結させるためのものであり、通常、コイル８よりもハイト側に位置する。接続層４０Ａ及び接続層４０Ｂは、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。
【００５０】
オーバーコート層（図示せず。）は、記録ヘッド部６１を保護するため、記録ヘッド部６１の上面に設けられる。オーバーコート層を構成する材料は特に限定されない。オーバーコート層は、例えば、アルミナから構成されうる。
【００５１】
磁気ヘッド１０８を磁気ディスクに配置して、記憶媒体上の記録層に情報を記録したい場合、主磁極層４１の近傍のコイル４８に電流を流して所定の磁束を生成する。このコイル４８にて生成された磁束は、主磁極層４１を通過し、浮上面４６から記憶媒体（図示せず）の表面へ流れる。記録層に流れ込んだ磁界は磁束に流出し、トレーリングシールド層４４、接続層４０Ａ、及びリターンヨーク層４５へと流入する。上記の主磁極層４１、記憶媒体（図示せず）、トレーリングシールド層４４、接続層４０Ａ、リターンヨーク４５、接続層４０Ｂにより磁気回路が形成される。この磁気回路を利用して、記憶媒体の主面に対して垂直な方向の磁化（情報）を記録層に記録することができる。
【００５２】
図６は、図５に示す磁気ヘッドの浮上面に垂直な断面を示している。図６を用いて、上記磁気ヘッドを構成する各層と、その周辺に設けられる層について説明する。基板３７上に再生ヘッド部６２と絶縁層３９と記録ヘッド部６１とが設けられている。以下、再生ヘッド部６２及びその周辺に設けられる層について説明する。下部シールド層３３の側方には絶縁層３８が設けられる。下部シールド層３３及び絶縁層３８の上面に、ギャップ膜３４のうちＭＲ素子３５よりも基板３７に近い側の部分（ギャップ膜３４ａ）が設けられる。ギャップ膜３４ａの上にＭＲ素子３５ａが設けられる。ＭＲ素子３５ａを覆うようにギャップ膜３４のうち残りの部分（ギャップ膜３４ｂ）が設けられる。ギャップ膜３４ｂの上に、上部シールド層３６が設けられる。上部シールド層３６の側方には絶縁層３２が設けられる。上部シールド層の上に絶縁層３９が設けられる。次に、記録ヘッド部６１及びその周辺に設けられる層について説明する。絶縁層３９の上に主磁極層４１が設けられる。主磁極層の両側には絶縁層４９が設けられる。主磁極層４１及び絶縁層４９の上に絶縁層４２が設けられる。絶縁層４２の上に、トレーリングシールド４４が設けられる。トレーリングシールド４４の側方には、絶縁層５０ａが設けられる。更にトレーリングシールド４４に磁気的に接続するように、トレーリングシールド４４の上に接続層４０Ａが設けられる。接続層４０Ａの側方には、絶縁層５０ｂが設けられる。更に接続層４０Ａに磁気的に接続するように、接続層４０Ａの上にリターンヨーク層４５が設けられる。リターンヨーク層を覆うように絶縁層（オーバーコート層）５０ｃが設けられる。絶縁層３２、３８、３９、４９、４２、５０ａ、５０ｂ、ギャップ層３４、オーバーコート層５０ｃは、例えば、アルミナ等の非導電性の材料を用いることができる。
【００５３】
上記各層は、例えば、メッキ処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ法やエッチング法などを利用したパタニング技術、並びに機械加工や研磨加工などの研磨技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して、図５及び図６の下方の層から上方の層へ向かって順に、基板３７上に積層することにより製造可能である。
【００５４】
上記磁気ヘッドを構成する各層のうち、例えば下部シールド層３３を上記金属パタンの製造方法を適用して形成することができる。すなわち、上記金属層１０として下部シールド層３３を、上記第１絶縁層１２として金属層１０の側方に位置する絶縁層３８を、上記金属パタンの製造方法を用いて形成することができる。得られる下部シールド層３３は上面の平坦性が高い。例えば、下部シールド層３３の表面の凹凸の変化量をその膜厚の平均値で除した値（Ｒａｎｇｅ／Ａｖｅｒａｇｅ）が３％以下の金属パタンを形成することができる。下部シールド層３３の上に形成されるギャップ膜３４の一部（ＭＲ素子３５の基板となるギャップ膜３４ａ)は平坦性が高い。例えば、ギャップ膜３４ａの膜厚の範囲をその膜厚の平均値で除した値（Ｒａｎｇｅ／Ａｖｅｒａｇｅ）は３％以下にすることができる。平坦性が高いギャップ膜３４ａの上にＭＲ素子３５を設けると、得られるＭＲ素子は所定の形状及び高い平坦性を備えうる。このようなＭＲ素子３５を備える磁気ヘッドは再生性能に優れる。
【００５５】
ここでは下部シールド層３３の形成に上記金属パタンの製造方法を適用したが、上記金属パタンの製造方法を適用可能な層は下部シールド層３３に限定されるものではない。上記磁気ヘッドを製造する工程において、ＭＲ素子を構成する各種成膜層、絶縁層、主磁極層、及びコイル等の金属層がドライプロセスあるいは鍍金によって基板の上に形成される。これらの形成において各層の表面を平坦化することが、平坦化した層の上層に設ける層の表面の平坦性を向上させることにつながる点から好ましい。例えば、上記金属層１０として主磁極層４１を、上記第１絶縁層として絶縁層４９を、上記金属パタンの製造方法を用いて形成することができる。
【００５６】
図７は、第１比較例の金属パタンの製造途中における積層体の模式的断面を示す断面図である。まず、基板１１の表面に金属層１０を形成する（図７（ａ））。次いで、絶縁層１２としてアルミナをスパッタリングする（図７（ｂ））。このとき、絶縁層１２は金属層１０の厚さ分だけ絶縁膜１２が突出した形状を有する。次に絶縁膜１２の上面を粗研磨する（図７（ｃ））。粗研磨は研磨面の全面を略平坦に加工可能な研磨である。具体的には、絶縁層１２のうち金属層１０の上部に位置する突出部を主に研磨することにより、突出部の突出量を小さくする研磨である。粗研磨の方法として、例えば、ダイシングソーによる切削や、スラリーやＣＭＰによる粗研磨などが挙げられる。
【００５７】
この絶縁層１２の上面を粗研磨すると、金属層１０の上面に位置する絶縁膜１２が研磨されるとともに、金属層１０の側方に位置する絶縁膜１２も徐々に研磨される（図７（ｃ））。粗研磨の後、金属層１０を目標の厚さまで仕上げ研磨する（図７（ｄ））。仕上げ研磨は、粗研磨よりも研磨速度を抑制しながら、研磨面の微視的な平坦性を向上させることが可能な研磨である。仕上げ研磨は、ＣＭＰによって行うことができる。金属層１０の表面の粗研磨を終了するとき、図７（ｃ）に示されるように金属層１０の側方に位置する絶縁層１２の厚さが金属層１０よりも小さくなるおそれがある。このように金属層１０の側方に位置する絶縁層１２の厚さが金属層１０よりも小さいと、この後に行われる仕上げ研磨の際に金属層１０の上面の平坦性が損なわれるおそれがある。金属層１０の側方に位置する絶縁層１２の厚さが金属層１０よりも小さくならないようにするためには、絶縁層１２の厚さを大きくする必要があり、スループット及びコストの点から好ましくない。また、得られる複数の金属パタンの間で、金属層１０及び絶縁層１２の厚さに大きなばらつきが生じるおそれがある。
【００５８】
図８は、第２比較例の金属パタンの製造途中における積層体の模式的断面を示す断面図である。第２比較例の金属パタンの製造工程においては、上記実施形態のように第２絶縁層１５を設ける工程と、及び１回目の研磨工程とを行わず、ストッパ層１３ａを除去し、更に第１絶縁層１２の上面を研磨し、第２ストッパ層１３ｂの上面を露出させる。
【００５９】
以下、第２比較例の金属パタンの製造方法について図８を用いながら説明する。まず、図８（ａ）に示されるように、基板１１上に金属層１０、第１絶縁層１２、ストッパ層１３を上記実施形態と同様に形成する。次いで、図８（ｂ）に示されるように、ストッパ層１３のうち、金属層１０上の第１絶縁層１２の上の部分をドライエッチングにより除去する。次いで、露出した第１絶縁層１２の上面を研磨する。ストッパ層１３ｂの上面に対して、露出した第１絶縁層１２の上面が大きく突出しているため、研磨によって第１絶縁層１２の上面は図８（ｃ）に示されるように平坦性が損なわれる。更に研磨を続けると、金属層１０の上面が露出する。第１絶縁層１２の上面の平坦性が損なわれているため、図８（ｄ）に示されるように、研磨後の金属層１０の上面の平坦性も損なわれる。また、第１絶縁層１２とともに研磨されるスロープ状の部分１３ｃは研磨されにくい。これは上記実施形態における第２絶縁層１５が設けられていないことによる。第２絶縁層１５が設けられていないことにより、研磨に用いる工具（ＣＭＰによる研磨におけるプラテン）と部分１３との間の間隔が大きくなりやすく、部分１３ｃにおける露出した部分に研磨の圧力がかかりにくい。このため、研磨後において、金属パタンの上面にスロープ状の部分１３ｃからなる突起が残るおそれがある。次いで、図（ｅ）に示されるように、第１絶縁層１２上に残っているストッパ層１３を除去する。ストッパ層１３が部分１３ｃからなる突起を有している場合、第１絶縁層の上面にその突起に対応する形状の突起が存在する。また、上記の通り金属層１０の上面は平坦性が損なわれている。よって、更にＣＭＰなどの研磨を行って上面を平坦化する必要がある。第２比較例の金属パタンの製造方法によれば、金属層１０及び第１絶縁層１２の膜厚の範囲をその膜厚の平均値で除した値（Ｒａｎｇｅ／Ａｖｅｒａｇｅ）が４〜８％程度の金属パタンが形成される。
【００６０】
図９は、第３比較例の金属パタンの製造途中における積層体の模式的断面を示す断面図である。第３比較例の金属パタンの製造工程においては、上記実施形態のようにドライエッチングにより第１ストッパ層１３ａを除去するのではなく、１回目の研磨を続けることにより、第１ストッパ層を研磨し更に第２ストッパ層１３ｂの上面を露出させる。すなわち、第１ストッパ層１３ａを除去する工程を行わず、１回目の研磨と２回目の研磨とが連続して行われる。第３比較例において、第１ストッパ層１３ａはストッパ層として、つまり被研磨面が過剰に研磨されるのを防止するために設けられているのではなく、ストッパ層として機能させる第２ストッパ層１３ｂを設ける際に付随して設けられる層である。
【００６１】
以下、第３比較例の製造方法について図９を用いながら説明する。まず、図９（ａ）に示されるように、基板１１上に金属層１０、第１絶縁層１２、ストッパ層１３、第２絶縁層１３を上記実施形態と同様に形成する。次いで、基板１１の上に設けられた第２絶縁層１５に対してＣＭＰを行う。すると、第２絶縁層１５の突出部が研磨されると同時に、第２絶縁層１５の裾の部分も徐々に研磨されていく。やがて図９（ｂ）に示されるように第１ストッパ層１３ａの上面が露出する。第１ストッパ層１３ａの研磨速度は、通常第２絶縁層１５の研磨速度よりも遅い。よって、更にＣＭＰを続けると、第２ストッパ層１３ｂ上の第２絶縁層１５が、第１ストッパ層１３ａに比べて多く研磨される。そして、図９（ｄ）に示されるように第２ストッパ層１３ｂの上面が露出する。この後更にＣＭＰを続けると、図９（ｄ）に示されるように第１ストッパ層１３ａが除去され、第１絶縁層１２の上面が露出する。この後、更にＣＭＰを行い、第１絶縁層１２及び金属層１０の研磨を行う。前工程において第１ストッパ層１３ａを除去するために第２絶縁層１５が過剰に研磨されているため、第１絶縁層１２の上面の平坦性は低い。よって、図９（ｅ−１）に示されるように、ＣＭＰの終了後において金属層１０の上面の平坦性は低い。また、図９（ｅ−２）に示されるように、金属層１０の上面が所望の平坦性になるように加工される前に、第２ストッパ層１３ｂの一部が除去され、ストッパ層１３ｂがストッパ層として機能しなくなる場合がある。ストッパ層１３ｂの一部が除去されると、金属層１０の側方に位置する絶縁層１２は所定の厚さよりも薄くなり、その上面の平坦性も損なわれる。
【００６２】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００６３】
本発明の膜構造体の一実施形態として金属パタンの製造方法を説明したが、上記金属層１０は非金属の材料からなるものもよく、上記第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５は電気的な絶縁性を有していなくてもよい。上記金属層１０と、上記第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５とが異なる材料からなるものであればよい。
（実験例１）
上記実施形態の金属パタンの製造方法に従い、以下の手順で実験例１の金属パタンを形成した。
【００６４】
まず、アルティックからなる基板上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる薄膜をスパッタリングによって形成し、更にその薄膜をフォトリソグラフィを用いたエッチングにより長方形状に加工した。次いで、長方形状の薄膜上にパーマロイ鍍金を行い、６０μｍ×１００μｍ×３．３μｍのパーマロイからなる金属パタンを形成した。
【００６５】
次いで、金属パタンを覆うように、厚さ２．６μｍのアルミナからなる第１絶縁層をスパッタリングによって形成した。
【００６６】
次いで、第１絶縁層の上に厚さ３０ｎｍのタンタルからなるストッパ層をスパッタリングによって形成した。次いで、ストッパ層の上に、厚さ２．６μｍのアルミナからなる第２絶縁層をスパッタリングによって形成した。
【００６７】
次いで、岡本工作機械製のＣＭＰ装置を用いて第２絶縁層の上面に対し研磨を行い（１回目の研磨）、金属層の上方に位置するストッパ層を露出させた。研磨の際、プラテンの回転数は１００回転だった。研磨時間は１００秒間だった。研磨に用いたスラリーはアルミナ系スラリーだった。第２絶縁層の上面に印加する荷重は５〜２０ｋＰａの範囲だった。
【００６８】
次いで、露出したストッパ層を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって除去し、第１のストッパ層の突出部分の上面を露出させた。ＲＩＥは、市販のエッチング装置（Ｓａｍｃｏ社製、商品名「１０１ＬＣ」）を用いて行った。ＲＩＥの際、イオンの出力は５６Ｗ、ＣＦ４の流量は１００ｓｃｃｍ、Ｏ２の流量は５ｓｃｃｍ、気体の圧力は３Ｐａ、エッチングの時間は２００秒だった。ＲＩＥの後、金属パタンの上面と第２絶縁層の上面との段差（リセス）を、触針式の表面形状測定器（ＫＬＡ-Ｔｅｎｃｏｒ社製、商品名「ＨＲＰ２４０」）を用いて測定したところ、段差は２００Åだった。
【００６９】
次いで、残っている第２絶縁層と、露出させた第１絶縁層と、わずかに露出したストッパ層とに対して研磨を行い（２回目の研磨）、基板上に直接設けられた第１絶縁層の上に位置するストッパ層を露出させた。２回目の研磨の条件は、研磨時間が１２０秒だったことを除き、１回目と同様だった。得られた金属パタンの、金属層及び第１絶縁層の厚さは２．６μｍだった。
【００７０】
次いで、残っているストッパ層をＲＩＥによって除去し、実験例１の金属パタンを得た。ＲＩＥの条件は、１回目の研磨により露出させたストッパ層を除去する際と同様とした。
【００７１】
（評価１）
触針式の表面形状測定器（ＫＡＬ-Ｔｅｎｃｏｒ社製、商品名「ＨＲＰ２４０」）を用いて、得られた金属パタンの表面の形状を測定した。
【００７２】
得られた金属パタンの表面において、凹凸の変化量（Ｒａｎｇｅ）は３０ｎｍであり、Ｒａｎｇｅ／Ａｖｅｒａｇｅは３％だった。また、金属層の上面と絶縁層の上面との段差（リセス）は１０ｎｍ以下だった。
【００７３】
（評価２）
得られた金属パタンの第１絶縁層の表面のＡＭＦ像（１μｍ角）を、原子間力顕微鏡（Ｖｅｅｃｏ社製、商品名「ＮａｎｏＳｃｏｐｅIIIa,Ｄ-３０００」）を用いて観察した。第１絶縁層の表面において、算術平均粗さ（Ｒａ）は３．１Åだった。
【００７４】
尚、得られた金属パタンの上面に対して、更に２回目の研磨と同様の条件でＣＭＰによる研磨を行ったあと、第１絶縁層の上面のＡＦＭ像を同様に観察した。第１絶縁層の表面において、算術平均粗さ（Ｒａ）は４．９Åだった。
【００７５】
ここで再び、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
（付記１）
基板の上に第１膜を設ける工程と
前記第１膜を設けた前記基板上に、前記第１膜を覆うように第２膜を設ける工程と、
前記第１膜の上に設けられた前記第２膜の上面に、研磨の進行を規制可能な第１ストッパ膜を形成する工程と、
前記基板の上に設けられた前記第２膜の上面に、研磨の進行を規制可能な第２ストッパ膜を形成する工程と、
前記第１ストッパ膜及び前記第２ストッパ膜の上に第３膜を設ける工程と、
前記第３膜を設けた後、前記第１ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第３膜の上面を研磨する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去した後、前記第２ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第２膜及び前記第３膜の上面を研磨する工程と、
前記第２ストッパ膜を除去する工程と
を有することを特徴とする膜構造体の製造方法。
（付記２）
前記第１ストッパ膜及び第２ストッパ膜は一体として形成されることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記３）
前記第１膜は金属からなり、前記第２膜及び前記第３膜は絶縁性材料からなることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記４）
前記第２膜及び前記第３膜はアルミナを含んでなり、前記第１及び前記第２ストッパ膜はタンタルを含んでなることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記５）
前記基板から前記第１膜の上に設けられた前記第２膜の上面までの距離と前記基板から前記基板の上に設けられた前記第２膜の上面までの距離との差よりも、前記第３膜の厚さが大きくなるように前記第３膜を設けることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記６）
前記第２膜を設ける工程は、目標とする厚さの前記第２膜を設ける工程であることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記７）
前記第２膜と前記第３膜とが同じ材料からなることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記８）
前記第１層の研磨速度と、前記第２層及び前記第３層の研磨速度とが異なることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記９）
前記第１ストッパ層は、前記第３層よりも研磨速度が遅い材料からなることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記１０）
前記第２ストッパ層は、前記第２層及び前記第３層よりも研磨速度が遅い材料からなることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記１１）
前記第３膜の上面を研磨する工程と、前記第２膜及び前記第３膜の上面を研磨する工程とが、それぞれ化学的機械的研磨により行われることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記１２）
前記第１ストッパ層を除去する工程と、前記第２ストッパ層を除去する工程とが、それぞれエッチングにより行われることを特徴とする付記１に記載の膜構造体の製造方法。
（付記１３）
前記第１ストッパ層をエッチングにより除去する工程において、前記第３膜のエッチングレートよりも前記第１ストッパ層のエッチングレートのほうが大きいことを特徴とする付記１２に記載の膜構造体の製造方法。
（付記１４）
前記第２ストッパ層をエッチングにより除去する工程において、前記第１膜のエッチングレートよりも前記第１ストッパ層のエッチングレートのほうが大きいことを特徴とする付記１２に記載の膜構造体の製造方法。
（付記１５）
記憶媒体の磁気情報を再生するために設けられる素子部と、該素子部を外部磁場から遮蔽するために該素子部を挟むように設けられ第１シールド層及び第２シールド層とを備える磁気ヘッドの製造方法において、
基板の上に前記第１シールド層を設ける工程と、
前記第１シールド層を設けた基板上に、前記第１シールド層を覆うように電気的な絶縁性を有する第１層を設ける工程と、
前記第１シールド層の上に設けられた前記第１層の上面に、研磨の進行を規制可能な第１ストッパ膜を形成する工程と、
前記基板の上に設けられた前記第１層の上面に、研磨の進行を規制可能な第２ストッパ膜を形成する工程と、
少なくとも前記第１ストッパ膜及び前記第２ストッパ膜の上に第２層を設ける工程と、
前記第２層を設けた後、前記第１ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第２層の上面を研磨する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去する工程と、
前記第１ストッパ膜を除去した後、前記第２ストッパ膜によって研磨の進行が規制されるまで前記第１層及び前記第２層の上面を研磨する工程と、
前記第２ストッパ膜を除去する工程と、
前記第１層及び前記第１シールド層の上に電気的な絶縁性を有する第３層を設ける工程と、
前記第３層の上に前記素子部を設ける工程と、
前記素子部の上に電気的な絶縁性を有する第４層を設ける工程と、
前記第４層の上に前記第２シールド層を設ける工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の金属パタンの製造方法の一実施形態として、金属パタン形成する工程を示す断面図である。
【図２】図１における部分Ｑの拡大図である。
【図３】本発明の金属パタンの製造方法の別の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の金属パタンの製造方法を適用して得た磁気ヘッドを備える磁気ディスク装置の概略的構成を示す平面図である。
【図５】実施形態の金属パタンの製造方法を適用して得ることができる、磁気ヘッドを示す模式図である。
【図６】図５に示す磁気ヘッドの浮上面に垂直な断面を示している。
【図７】第１比較例の金属パタンの製造途中における積層体の模式的断面を示す断面図である。
【図８】第２比較例の金属パタンの製造途中における積層体の模式的断面を示す断面図である。
【図９】第３比較例の金属パタンの製造途中における積層体の模式的断面を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１０    金属層
１１    基板
１２    第１絶縁層
１３    ストッパ層
１３ａ    第１ストッパ層
１３ｂ    第２ストッパ層
１４    窪み
１５    第２絶縁層
３２    絶縁層
３３    下部シールド層
３４（３４ａ、３４ｂ）    ギャップ膜
３５    ＭＲ素子
３６    上部シールド層
３７    アルティック基板
３９    絶縁層
４０Ａ、４０Ｂ    接続層
４１    主磁極層
４２    絶縁層
４３    樹脂層
４４    トレーリングシールド層
４５    リターンヨーク層
４６    浮上面
４７    絶縁層
４８    コイル
４９    絶縁層
５０    絶縁層
６１    再生ヘッド部
６２    記録ヘッド部
１００    磁気ディスク装置（ＨＤＤ）
１０１    ハウジング
１０２    スピンドルモータ
１０３    記憶媒体（磁気ディスク）
１０４    ヘッドジンバル組立体
１０５    シャフト
１０６    キャリッジアーム
１０７    アクチュエータ
１０８    磁気ヘッド
【図１】
2009295210.tif 000003
【図２】
2009295210.tif 000004
【図３】
2009295210.tif 000005
【図４】
2009295210.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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