(57)【要約】【課題】精度の高い座標検出装置を生産するための製造装置を提供する。【解決手段】基板上に形成された抵抗膜と、抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、共通電極より抵抗膜に電位を供給することにより、抵抗膜に電位分布を発生させ、抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造装置において、レーザー光を照射することにより、抵抗膜の一部を除去し抵抗膜除去領域を形成するためのレーザー光源と、レーザー光を収束させるための光学系と、共通電極より前記抵抗膜に供給し、抵抗膜の表面の電位を測定するための複数のプローブと、基板を少なくとも二次元的に移動させることが可能なＸＹテーブルと、ＸＹテーブルと前記レーザー光源との制御を行う制御手段と、を有することを特徴とする座標検出装置の製造装置を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造装置において、
レーザー光を照射することにより、前記抵抗膜の一部を除去し抵抗膜除去領域を形成するためのレーザー光源と、
前記レーザー光を収束させるための光学系と、
前記共通電極より前記抵抗膜に供給した状態で、前記抵抗膜の表面の電位を測定するための複数のプローブと、
前記基板を少なくとも二次元的に移動させることが可能なＸＹテーブルと、
前記ＸＹテーブルと前記レーザー光源との制御を行う制御手段と、
を有することを特徴とする座標検出装置の製造装置。
【請求項２】
前記基板は前記レーザー光を透過する絶縁材料により構成されており、
前記基板の前記抵抗膜の形成されている面と反対の面より、前記レーザー光源からのレーザー光を照射することを特徴とする請求項１に記載の座標検出装置の製造装置。
【請求項３】
前記基板を介し、前記レーザー光源とは反対側に、前記複数のプローブを設けたことを特徴とする請求項２に記載の座標検出装置の製造装置。
【請求項４】
前記抵抗膜は、ＩＴＯ又は、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛を含む材料により構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の座標検出装置の製造装置。
【請求項５】
前記基板及び前記透明抵抗膜は、可視領域において透明であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の座標検出装置の製造装置。
【請求項６】
前記レーザー光の波長は、３４０〜４２０〔ｎｍ〕であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の座標検出装置の製造装置。
【請求項７】
前記レーザー光の光源は、エキシマレーザーであることを特徴とする請求項６に記載の座標検出装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、座標検出装置を製造するための製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、コンピュータシステムの入力デバイスとして、タッチパネルがある。タッチパネルは、ディスプレイ上に搭載されて、ディスプレイ上の座標位置を検出し、座標位置に応じた検出信号を取得できる。直接入力を可能として、簡単に、かつ、直感的な入力が可能となるものである。
【０００３】
タッチパネルには、抵抗膜方式、光学方式、容量結合方式など種々の方式が提案されている。タッチパネルとしては、構造がシンプルで、制御系も簡単な抵抗膜方式のものが一般的である。低抵抗方式のタッチパネルには、抵抗膜上への電極の配置の仕方により４線式、５線式、８線式等がある。
【０００４】
このうち、５線式のタッチパネルは、４線式や８線式の抵抗膜方式のタッチパネルと比較して、操作面側に配置される上部基板の導電膜は、単に電位読取専用となっているため、４線式や８線式の欠点であるエッジ摺動の課題がない。このため、厳しい使用環境や長期にわたる耐久年数が望まれる市場において使用されている。
【０００５】
図９に５線式抵抗膜方式タッチパネルの構成図を示す。５線式抵抗膜方式タッチパネル１は、上部基板１１と下部基板１２から構成されている。下部基板１２には、ガラス基板２１上に透明抵抗膜２２が一面に形成されており、透明抵抗膜２２上にＸ軸座標検出用電極２３、２４及びＹ軸座標検出用電極２５、２６が形成されている。上部基板１１には、フィルム基板３１上に透明抵抗膜３２が形成されており、透明抵抗膜３２上に座標検出用電極３３が形成されている。
【０００６】
最初に、Ｘ軸座標検出用電極２３、２４に電圧を印加することにより、下部基板１２における透明抵抗膜２２のＸ軸方向に電位分布が発生する。このとき、下部基板１２の透明抵抗膜２２における電位を検出することにより、上部基板１１の下部基板１２への接触位置のＸ座標を検出することが可能となる。次に、Ｙ軸座標検出用電極２５、２６に電圧を印加することにより、下部基板１２における透明抵抗膜２２Ｙ軸方向に電位分布が発生する。このとき、下部基板１２の透明抵抗膜２２における電位を検出することにより、上部基板１１の下部基板１２への接触位置のＹ座標を検出することができる。
【０００７】
この際、この種のタッチパネルでは、下部基板１２の透明抵抗膜２２において、いかに均一に電位分布を発生させるかが課題となっている。下部基板１２の透明抵抗膜２２への電位分布を均一にするために、特許文献１では、電位分布補正パターンを周辺に複数段にわたって設ける方法が開示されている。
【０００８】
また、特許文献２では、入力面の周囲を囲むように共通電極を設ける方法が開示されており、特許文献３では、透明抵抗膜上に設けられた絶縁膜に開口部を形成し、その部分より電位を供給する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−８３２５１号公報
【特許文献２】特開２００１−１２５７２４号公報
【特許文献３】特開２００７−２５９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
座標入力装置には、搭載装置などの小型化などから狭額化が求められている。しかしながら、特許文献１に記載されている座標入力装置は、電位分布パターンを周辺に複数段にわたって設ける必要があるため、狭額化が困難であった。
【００１０】
また、特許文献２に記載されている入力面の周囲を囲む用に共通電極を設ける方法では、透明抵抗膜とパターン抵抗との抵抗比を大きくとらないと透明抵抗膜の電位分布が乱れる等の問題点があった。
【００１１】
更に、特許文献３に記載されている形成された絶縁膜に開口部を設ける方法では、上記の２つの問題点を解決することができるものの、製造プロセスが複雑となり、特に、材料や製造上の抵抗値のバラツキにより、製品性能の歩留まりを低下させる要因となる場合があった。
【００１２】
本発明は上記点に鑑みてなされたものであり、狭額化され、座標位置の検出精度を向上させた座標検出装置を高い生産性で製造することが可能な製造装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、基板上に形成された抵抗膜と、前記抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、前記共通電極より前記抵抗膜に電位を供給することにより、前記抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置の製造装置において、レーザー光を照射することにより、前記抵抗膜の一部を除去し抵抗膜除去領域を形成するためのレーザー光源と、前記レーザー光を収束させるための光学系と、前記共通電極より前記抵抗膜に供給した状態で、前記抵抗膜の表面の電位を測定するための複数のプローブと、前記基板を少なくとも二次元的に移動させることが可能なＸＹテーブルと、前記ＸＹテーブルと前記レーザー光源との制御を行う制御手段と、を有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記基板は前記レーザー光を透過する絶縁材料により構成されており、前記基板の前記抵抗膜の形成されている面と反対の面より、前記レーザー光源からのレーザー光を照射することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前記基板を介し、前記レーザー光源とは反対側に、前記複数のプローブを設けたことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、前記抵抗膜は、ＩＴＯ又は、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛を含む材料により構成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、前記基板及び前記透明抵抗膜は、可視領域において透明であることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、前記レーザー光の波長は、３４０〜４２０〔ｎｍ〕であることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、前記レーザー光の光源は、エキシマレーザーであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、狭額化され、座標位置の検出精度を向上させた座標検出装置を高い生産性で製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明を実施するための最良の形態について、以下に説明する。本実施の形態は、座標検出装置の製造装置に関するものである。
【００２２】
〔製造装置〕
本実施の形態における製造装置について、具体的に図１に基づき説明する。
【００２３】
本実施の形態における製造装置は、ガラス基板１３１を２次元的にＸＹ方向に移動させることが可能なＸＹテーブル５１と、レーザー光源５２と、レーザー光源５２からの光をガラス基板１３１上に形成されているＩＴＯ等からなる透明抵抗膜１３２に集光するための光学系５３と、ＸＹテーブル５１の移動とレーザー光源５２の発振のタイミングを制御する制御回路５４により構成されている。制御回路５４とＸＹテーブル５１とは、制御信号等の通信のためのケーブル５５により接続されており、制御回路５４とレーザー光源５２とは、制御信号等の通信のためのケーブル５６により接続されている。また、透明抵抗膜１３２の表面の電位を測定するためのプローブ５７及び電位測定装置５８が設けられており、後述する共通電極１３４より電位が印加された状態の透明抵抗膜１３２の表面にプローブ５７を接触させて透明抵抗膜１３２の電位の測定を行う。後述する透明抵抗膜１３２の除去は、この測定された電位の情報をもとに行われる。
【００２４】
尚、透明抵抗膜１３２が形成されているガラス基板１３１は、透明抵抗膜１３２が形成されている面と反対側の面がレーザー光源５２の側となるようにＸＹテーブル５１に設置されている。また、プローブ５７及び電位測定装置５８は、ガラス基板１３１を介し、レーザー光源５２と反対側、即ち、ガラス基板１３１の透明抵抗膜１３２が形成されている側に設置されている。
【００２５】
このように、レーザー光源５２の反対側にプローブ５７及び電位測定装置５８が設けることにより、レーザー光源５２からは、プローブ５７や電位測定装置５８の存在を気にすることなくレーザー光の照射を行うことができ、装置の配置の自由度を高めることができると共に、制約の少ない状態のもので作業を行うことができ、作業効率を向上させることが可能となる。このような構成の製造装置において、ＸＹテーブル５１に載せられた透明抵抗膜１３２の形成されているガラス基板１３１をＸＹテーブル５１により二次元的に移動させつつ、所定の領域の透明抵抗膜１３２にレーザー光源５２からレーザー光の照射を行う。このレーザー光はエキシマレーザーであり、レーザー光の波長は、約３５５〔ｎｍ〕であり、ガラス基板１３１は、この波長の光は透過するものの、透明抵抗膜１３２は、この波長の光に対し低い透過率となる。よって、このレーザー光の照射された領域では、ガラス基板１３１はレーザー光を透過し、透過率の低い透明抵抗膜１３２においては、レーザー光を吸収する。このため、レーザー光の照射により、照射された領域の透明抵抗膜１３２はアブレーションによりガラス基板１３１の表面から除去される。
【００２６】
具体的には、図２に示すように、ガラス基板１３１と透明抵抗膜１３２とは光の波長に対し異なる透過率特性を有している。特に、３５５〔ｎｍ〕近辺では、この差が大きく、ガラス基板１３１はレーザー光を透過するが、透明抵抗膜１３２はレーザー光の透過率が低くなる波長域が存在している。透明抵抗膜１３２は、構成する材料によって若干異なるものの、３４０〜４２０〔ｎｍ〕の波長の光であれば、ガラス基板１３１を透過し、透明抵抗膜１３２を除去することが可能である。このことは、発明者の経験上の知見として得られている。本実施の形態においては、このような根拠のもと、この波長の範囲内における３５５〔ｎｍ〕の波長のレーザー光を用いて透明抵抗膜１３２の除去を行った。
【００２７】
このようにして、ガラス基板１３１上に形成されている所定の領域の透明抵抗膜１３２の除去を行う。透明抵抗膜１３２の除去される領域は、後述するように、透明抵抗膜１３２の電圧分布が均一となるような形状で除去が行われる。尚、本実施の形態では、透明抵抗膜として、ＩＴＯを用いたが、この他、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛を含む材料であって、可視域において透明となる材料であれば、同様な効果を得ることができる。
【００２８】
〔座標検出装置及び座標検出装置の製造方法〕
次に、本実施の形態における製造装置により製造される座標検出装置について説明する。具体的には、後述する下部基板１２１が本実施の形態による製造装置により製造される。
【００２９】
（システム構成）
図３は、本実施の形態における座標検出装置におけるシステムの構成を示す。本実施の形態では、座標入力システム１００として、いわゆる５線式アナログ抵抗膜方式のタッチパネルについて説明する。本実施の形態における座標入力システム１００は、パネル部１１１とインタフェースボード１１２から構成されている。
【００３０】
パネル部は、１１１は、下部基板１２１、上部基板１２２、スペーサ１２３、ＦＰＣケーブル１２４から構成されている。下部基板１２１と上部基板１２２とは、スペーサ１２３を介して接着されている。スペーサ１２３は、絶縁性の両面テープなどから構成され、下部基板１２１と上部基板１２２との間に所定の間隙を持たせつつ、下部基板１２１と上部基板１２２とを接着する。また、ＦＰＣケーブル１２４は、フレキシブルプリント基板上に第１〜第５の配線を形成した構成とされており、下部基板１２１に例えば、異方性導電膜等を熱圧着することにより接続されている。
【００３１】
（下部基板１２１）
次に、下部基板１２１の構成を図４に基づき説明する。図４（Ａ）は下部基板１２１の平面図であり、図４（Ｂ）は線Ａ−Ａにおいて切断した断面図であり、図４（Ｃ）は線Ｂ−Ｂにおいて切断した断面図であり、図４（Ｄ）は線Ｃ−Ｃにおいて切断した断面図であり、図４（Ｅ）は線Ｄ−Ｄにおいて切断した断面図である。
【００３２】
下部基板１２１は、ガラス基板１３１、透明抵抗膜１３２、抵抗膜除去領域１３３、共通電極１３４、第１絶縁膜１３５、配線１３６、第２絶縁膜１３７から構成されている。ガラス基板１３１には、透明抵抗膜１３２が略全面にわたって形成されている。透明抵抗膜１３２としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等を真空蒸着等の手法により形成したものであり、可視域における光を透過すると共に、所定の抵抗を有する膜である。
【００３３】
（抵抗膜除去領域１３３）
抵抗膜除去領域１３３は、ガラス基板１３１の周縁部であって、共通電極１３４が形成される領域の内側に設けられている。本実施の形態では、図５に示すように、相互に隣接する抵抗膜除去領域１３３間の間隔Ｗ、即ち、後述するように、この間に形成される電位を供給する領域の幅は同一幅で形成されており、パネル部１２１における第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端周辺においては、形成される抵抗膜除去領域１３３のピッチは広く、中心部に近づくに従い狭くなるように形成されている。具体的には、両端より中心部に向けて、抵抗膜除去領域１３３のピッチＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４・・・が、（Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３＞Ｐ４・・・）となるように形成されている。
【００３４】
（電位を供給する領域）
電位を供給する領域は、相互に隣接する抵抗膜除去領域１３３間における透明抵抗膜１３２の領域であり、この領域を介し電位が透明抵抗膜１３２全体に供給される。本実施の形態において、具体的に、図５に基づき説明すると、パネル部１２１における第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端周辺においては、電位を供給する領域は広いピッチで形成され、中央部では狭いピッチで形成されている。このような構成にすることにより、電位分布が大きく内部に歪みやすい部位である第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４における電位分布の歪みを低減し、透明抵抗膜１３２における電位分布を均一にすることができる。これによって、正確な座標位置検出を行うことが可能となる。
【００３５】
尚、抵抗膜除去領域１３３における形状は、図５に示す形状に限定されるものではなく。透明抵抗膜１３２における電位の分布が均一になるような形状であればよい。
【００３６】
（共通電極１３４）
共通電極１３４は、例えば、Ａｇ−Ｃから構成されており、抵抗膜除去領域１３３の外側における透明抵抗膜１３２上に形成される。
【００３７】
（第１の絶縁膜１３５）
第１の絶縁膜１３５は、抵抗膜除去領域１３３の上部に共通電極１３４を覆うように積層し形成する。第１の絶縁膜１３５には、下部基板１２１の４つの角部に第１から第４の貫通孔１５１−１から１５１−４が形成されている。第１から第４の貫通孔１５１−１から１５１−４は、駆動電圧印加部を構成している。
【００３８】
（第１から第４の配線１３６−１から１３６−４）
第１の配線１３６−１は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１辺１７１−１に沿って形成されている。このとき、第１の配線１３６−１は、第１の絶縁膜１３５に形成された第１の貫通孔１５１−１を埋めるように形成されている。また、第１の配線１３６−１は、ＦＰＣケーブル１２４の第１の配線に接続されている。
【００３９】
第２の配線１３６−２は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１辺１７１−１に対向する第２辺１７１−２に沿って形成される。このとき、第２の配線１３６−２は、第１の絶縁膜１３５に形成された第２の貫通孔１５１−２を埋めるように形成されている。第２の配線１３６−２は、ＦＰＣケーブル１２４の第２の配線に接続されている。
【００４０】
第３の配線１３６−３は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２に直交する第３の辺１７１−３の第２の辺１７１−２側半分に沿って形成されている。第３の配線１３６−３は、第１の絶縁膜１３５に形成された第３の貫通孔１５１−３を埋めるように形成されている。また、第３の配線１３６−３は、ＦＰＣケーブル１２４の第３の配線に接続されている。
【００４１】
第４の配線１３６−４は、例えば、Ａｇ等の低抵抗材料から構成されており、第１の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２に直交する第３の辺１７１−３の第２の辺１７１−１側半分に沿って形成されている。第４の配線１３６−４は、第１の絶縁膜１３５に形成された第３の貫通孔１５１−３を埋めるように形成されている。また、第４の配線１３６−４は、ＦＰＣケーブル１２４の第４の配線に接続されている。
【００４２】
第２の絶縁膜１３７は、第１の絶縁膜１３５の上部に第１の配線１３６−１、第２の配線１３６−２、第３の配線１３６−３、第４の配線１３６−４を覆うように形成されている。更に、第２の絶縁膜１３７の上部にスペーサ１２３を介し、上部基板１２２が接着される。
【００４３】
（上部基板１２２）
次に、上部基板１２２の構成について、図６に基づき説明する。図６（Ａ）は上部基板１２２の上面図であり、図６（Ｂ）は上部基板１２２の断面図である。上部基板１２２は、フィルム基板２１１、透明抵抗膜２１２、電極２１３により構成されている。フィルム基板２１１は、例えば、ＰＥＴ等の可撓性を有する樹脂フィルムから構成されている。フィルム基板２１１の下部基板１２１に対向する側の面には、その全面にわたって透明抵抗膜２１２が形成されている。透明抵抗膜２１２は、ＩＴＯなどの透明導電材料により構成されている。電極２１３は、上部基板１２２の透明抵抗膜２１２上、Ｘ１方向の端部に配置されており、不図示のコンタクトを介して下部基板１２１に接続されたＦＰＣケーブル１２４の第５の配線に接続されている。この上部基板１２２をプローブとして下部基板１２１の電位をインタフェースボード１１２により検出することにより座標位置が検出される。
【００４４】
（検出手順）
次に、本実施の形態の座標検出装置における座標位置検出の手順について説明する。図７はインタフェースボード１１２の処理フローチャート、図８は下部基板１２１の電位分布を示す図を示す。図８（ａ）はＸ座標検出時、図８（ｂ）はＹ座標検出時の電位分布を示す。
【００４５】
インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−１で第１の配線１３６−１及び第２の配線１３６−２に電圧Ｖｘを印加し、第３の配線１３６−３、第４の配線１３６−４を接地する。これによって、透明抵抗膜１３２に、図８（ａ）に破線で示すような均等な電界分布を発生させることができる。なお、従来の電位分布は、図８（ａ）に一点鎖線で示すように歪んでいた。よって、本実施例によれば、正確なＸ座標検出が可能となる。
【００４６】
次に、インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−２で下部基板１２１の電位を検出し、ステップＳ１−３で下部基板１２１の電位に応じてＸ座標を検出する。
【００４７】
次に、インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−４で第１の配線１３６−１及び第４の配線１３６−４に電圧Ｖｙを印加し、第２の配線１３６−２、第３の配線１３６−３を接地する。これによって、透明抵抗膜１３２に、図８（ｂ）に破線で示すような均等な電界分布を発生させることができる。なお、従来の電位分布は、図８（ｂ）に一点鎖線で示すように歪んでいた。よって、本実施例によれば、正確なＹ座標検出が可能となる。
【００４８】
次に、インタフェースボード１１２はステップＳ１−５で下部基板１２１の電位を検出し、ステップＳ１−６で下部基板１２１の電位に応じてＹ座標を検出する。
【００４９】
本実施例によれば、共通電極１３４上に配線１３６−１〜１３６−４を積層した構成とされているため、パネル部１２１を狭額化することができる。また、抵抗膜除去領域１３３を形成することにより下部基板１２１の透明抵抗膜１３２に、Ｘ軸座標検出時又はＹ座標検出時に印加される電位分布を検出領域で均等にできるため、正確な座標検出可能となる。
【００５０】
（製造方法）
次に、本実施の形態に係る製造装置により製造される座標検出装置の製造方法について説明する。具体的には、本実施の形態は、上述した下部基板１２１の製造方法に関するものである。本実施の形態について、図４に基づき説明する。
【００５１】
最初に、ガラス基板１３１上にＩＴＯ等の透明抵抗膜１３２をスパッタリング又は真空蒸着等によって形成する。
【００５２】
次に、透明抵抗膜１３２上にＡｇ−Ｃからなる共通電極１３４を形成する。具体的には、Ａｇ−Ｃを含むペーストを用いスクリーン印刷により印刷した後、ベークをすることにより形成する。
【００５３】
次に、透明抵抗膜１３２において抵抗膜除去領域１３３を形成する。具体的には、前述した本実施の形態における製造装置によって、透明抵抗膜１３２を除去する領域に、レーザー光を照射し、アブレーションによって、その領域における透明抵抗膜１３２を除去する。この際、ＸＹテーブル５１によりガラス基板１３１の位置を移動させながら、制御回路５４からの信号に基づき、レーザー光源５２よりレーザー光を照射し、所定の領域の透明抵抗膜１３２の除去を行う。
【００５４】
次に、第１から第４の貫通孔１５１−１〜１５１−４を有する第１の絶縁膜１３５を形成する。具体的には、絶縁ペーストを用いスクリーン印刷法によりパターン印刷したのち、ベークを行うことにより形成する。
【００５５】
次に、第１の絶縁膜１３５上にＡｇからなる第１から第４の配線１３６−１〜１３６−４を形成する。具体的には、Ａｇを含む導電ペーストをスクリーン印刷法によりパターン印刷した後、ベークを行うことにより形成する。
【００５６】
次に、第２の絶縁膜１３７を形成する。具体的には、絶縁ペーストを用いスクリーン印刷法によりパターン印刷したのち、ベークを行うことにより形成する。
【００５７】
以上により下部基板１２１を作製することができる。
【００５８】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本実施の形態における製造装置の構成図
【図２】ガラス基板と透明抵抗膜の波長と透過率の関係図
【図３】本実施の形態の製造装置により製造される座標検出装置のシステム構成図
【図４】パネル部１１１の構成図
【図５】抵抗膜除去領域１３３の要部平面図
【図６】上部基板１２２の構成図
【図７】インタフェースボード１１２の処理フローチャート
【図８】下部基板１２１の電位分布の状態図
【図９】５線式抵抗膜方式タッチパネルの構成図
【符号の説明】
【００６０】
５１  ＸＹテーブル
５２  レーザー光源
５３  光学系
５４  制御回路
５５  ケーブル
５６  ケーブル
５７  プローブ
５８  電位測定装置
１３１  ガラス基板
１３２  透明抵抗膜
【図１】
2009274104.tif 000003
【図２】
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【図３】
2009274104.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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