(57)【要約】【課題】磁気センサデバイスの製造方法において、磁気センサデバイスの性能を向上させるために導電部形状の高精度化を図る。【解決手段】磁気センサデバイスの製造方法は、バリア層の上側に、開口部６を有する犠牲層パターンとしてのシリコン酸化物層７を形成する工程と、これを覆うように金属膜を形成する工程と、これを等方性エッチングすることによって、この金属膜のうち開口部６の底部にある部分を除去し、前記犠牲層パターンの上側を覆う部分およびその周囲に張り出す部分を選択的に残す工程と、これらの上側から堆積するように導電層１１を形成する工程と、前記犠牲層パターンを除去することによって、前記金属膜パターンおよびその上側にある導電層１１を一括して除去し、開口部６の底部にある導電層を導電部１２として残す導電層パターニング工程とを含む。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に第１絶縁層を介して磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の上側を覆うバリア層を形成する工程と、
前記バリア層の上側に、開口部を有する犠牲層パターンを形成する工程と、
前記犠牲層パターンを覆うように金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を等方性エッチングすることによって、前記金属膜のうち前記開口部の底部にある部分を除去し、前記犠牲層パターンの上側を覆う部分およびその周囲に張り出す部分を選択的に残す工程と、
前記犠牲層パターンの上側にある前記金属膜パターンの上側および前記開口部の底部に上側から堆積するように導電層を形成する工程と、
前記犠牲層パターンを除去することによって、前記金属膜パターンおよび前記金属膜パターンの上側にある前記導電層を一括して除去し、前記開口部の底部にある前記導電層を残す導電層パターニング工程とを含む、磁気センサデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記導電層を形成する工程および前記導電層パターニング工程においては、前記開口部の底部にあって残る前記導電層が、前記磁気抵抗効果素子の中心線に対して一定角度で斜めに交差する向きで、前記中心線に沿って一定間隔で並ぶ複数の短冊状パターンとして形成される、請求項１に記載の磁気センサデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記導電層パターニング工程の後に、前記導電層および前記磁気抵抗効果素子の上側を一括して覆うように第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上側に導電体からなる電流線を配置する工程とを含み、
前記電流線は、平面視したときに、前記電流線の中心線が、前記磁気抵抗効果素子の中心線と略一致するように配置される、請求項１または２に記載の磁気センサデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記電流線の断面形状が長方形であって厚みを横幅で割った値が０．１以上となるように、前記電流線が形成される、請求項３に記載の磁気センサデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサデバイスの製造方法に関するものである。特に、内部に電流線を有し、薄膜により形成された磁気センサデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気センサデバイスとしては、バーバー・ポール構造のものが知られている。「バーバー・ポール構造」とは、基板上の一定の細長い長方形の領域内において、複数の短冊状の導電部を一定間隔で斜めに平行に配列した構造である。この構造の磁気センサデバイスを作製する方法、特にその導電部を作製する方法としては、たとえば、特表２００４−５３６４５３号公報（特許文献１）に記載されたものがある。この方法は、素子上に絶縁層を堆積するステップと、絶縁層にバーバー・ポール・ウインドウをエッチングするステップと、絶縁層の上およびバーバー・ポール・ウインドウ内に電導性材料を堆積するステップと、バーバー・ポール・ウインドウ間の電導性材料をエッチングで取り去り、バーバー・ポール構造を形成するステップとを含む。
【０００３】
また、従来の薄膜微細パターンの作製方法としては、たとえば特開平０５−６２９４８号公報（特許文献２）に記載されたものがある。この方法は、対象物上にフォトレジストを堆積するステップと、フォトレジストに被堆積部をパターニング（除去）するステップと、フォトレジストの上および被堆積部内に所望の材料を堆積するステップと、フォトレジストの溶解により微細な被堆積部を形成するリフトオフのステップとを含む。
【０００４】
さらに、たとえば特開２００５−３０２８８１号公報（特許文献３）に記載されているように、２層のレジストパターン（以下、「２層レジスト」という。）と可溶層で構成された犠牲層を利用して、バリのない微細な薄膜パターンを形成する方法がある。
【特許文献１】特表２００４−５３６４５３号公報
【特許文献２】特開平０５−６２９４８号公報
【特許文献３】特開２００５−３０２８８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
内部に電流線を有する磁気センサデバイスの動作において、電流線から素子への一様な磁界の印加はデバイスの性能確保において重要であり、そのためには一様な磁界の発生を可能にする凹凸のない平坦な電流線の作製が必要となる。前記特許文献１に開示されている方法でバーバー・ポール構造の導電部を作製した場合、個々の導電部が急峻な段差形状を有するように仕上がってしまう。したがって、こうして仕上がった導電部の上層にさらに絶縁層を介して他の電流線を積層する場合、段差および凹凸を有する面上に前記他の電流線を形成しなければならず、前記他の電流線は平坦には形成しにくくなってしまうという問題点があった。
【０００６】
そこでこの問題点に対する対策として、滑らかな段差が形成できるリフトオフ法が考えられる。しかし、従来のリフトオフによる工程では、段差および凹凸の低減という観点からは有効なものの、導電部と素子との境界部分におけるバリ発生の頻度が高くなってしまうという問題点があった。
【０００７】
さらに、２層レジストを使用した場合でも、単層レジスト使用時よりはバリの発生確率は低減されるものの、アンダーカット量が小さいため完全にバリの発生を回避することはできないという問題点があった。さらに、数千Åといった厚膜の導電部を形成する場合、成膜時の熱劣化によるレジスト残渣が回避できないなどという問題点もあった。
【０００８】
この発明は上述のような問題点を解決するためになされたものであり、内部に電流線を有する薄膜の磁気センサデバイスの製造方法において、導電部を有する磁気抵抗効果素子表面の段差および凹凸を低減することにより、磁気抵抗効果素子と離間して素子近傍に形成される電流線の平坦度を向上させることを目的とする。さらに、導電部形状の高精度化により性能が向上した磁気センサデバイスを得られるような磁気センサデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に基づく磁気センサデバイスの製造方法は、基板の上面に第１絶縁層を介して磁気抵抗効果素子を形成する工程と、上記磁気抵抗効果素子の上側を覆うバリア層を形成する工程と、上記バリア層の上側に、開口部を有する犠牲層パターンを形成する工程と、上記犠牲層パターンを覆うように金属膜を形成する工程と、上記金属膜を等方性エッチングすることによって、上記金属膜のうち上記開口部の底部にある部分を除去し、上記犠牲層パターンの上側を覆う部分およびその周囲に張り出す部分を選択的に残す工程と、上記犠牲層パターンの上側にある上記金属膜パターンの上側および上記開口部の底部に上側から堆積するように導電層を形成する工程と、上記犠牲層パターンを除去することによって、上記金属膜パターンおよび上記金属膜パターンの上側にある上記導電層を一括して除去し、上記開口部の底部にある上記導電層を残す導電層パターニング工程とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、上記特許文献３に記載されているような従来の２層レジスト法で生じる成膜時の熱劣化によるレジスト残渣を回避でき、また、アンダーカット量の大きいひさし形状を持った厚みある構造が形成できることで、厚膜成膜時のバリを抑制でき、数千Åという十分な厚さで滑らかな導電部（バーバー・ポール（ＢＢＰ）電極）が作製される。導電部を有する素子表面の段差および凹凸が低減されるので、導電部の形状を高精度に実現することができ、均一なものとすることができる。また、磁気抵抗効果素子と離間して磁気抵抗効果素子の近傍に形成する電流線の平坦度が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
（製造方法）
図１〜図１３を参照して、本発明に基づく実施の形態１における磁気センサデバイスの製造方法について説明する。
【００１２】
本実施の形態における磁気センサデバイスの製造方法は、基板の上面に第１絶縁層を介して磁気抵抗効果素子を形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子の上側を覆うバリア層を形成する工程と、前記バリア層の上側に、開口部を有する犠牲層パターンを形成する工程と、前記犠牲層パターンを覆うように金属膜を形成する工程と、前記金属膜を選択的に等方性エッチングして金属膜パターンとし、前記金属膜パターンが前記犠牲層パターンの上側を覆うとともにその周囲に張り出すひさし形状部としてのみ残り、前記開口部の底部には残らないようにするひさし形状部形成工程と、前記犠牲層パターンの上側にある前記金属膜パターンの上側および前記開口部の底部に上側から堆積するように導電層を形成する工程と、前記犠牲層パターンを除去することによって、前記金属膜パターンおよび前記金属膜パターンの上側にある前記導電層を一括して除去し、前記開口部の底部にある前記導電層を残す導電層パターニング工程とを含む。以下詳しく説明する。
【００１３】
本実施の形態における磁気センサデバイスの製造方法で得ることができる磁気センサデバイスの平面図を図１に示す。実際には、このような磁気センサデバイスがミアンダ状に折返し構造を有するものが４つ合わさってホイートストンブリッジを構成することによって磁気検出に用いられる。図１に示したのは４辺のうちの１辺に相当する。
【００１４】
この磁気センサデバイスは導電部１２を備える。図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図を図２に示す。本実施の形態における磁気センサデバイス、すなわちこの図２に示す構造を得るまでの製造方法について説明する。
【００１５】
（磁気抵抗効果素子を形成する工程）
まず、「磁気抵抗効果素子を形成する工程」を行なう。図３に示すように、磁気抵抗効果素子１は、シリコン熱酸化物層３、シリコン窒化物層４を介して、シリコン基板２上に形成される。図３は図２と同じ位置における製造途中段階の状態での断面図である。磁気抵抗効果素子１を設置する対象としての基板をシリコン基板２としたが、絶縁が確保され、凹凸のない滑らかな表面を有するものであれば、これに限るものではない。たとえばシリコン基板２に代えてガラス基板を用いてよい。シリコン熱酸化物層３およびシリコン窒化物層４は、両者合わせて第１絶縁層として設けられる。磁気抵抗効果素子１は、磁気センサデバイスとしては、実使用上、たとえば細線化したブリッジ構造にて用いるため、磁気抵抗効果素子１の材料を広い範囲に堆積した後に所望の部分だけを残すためにパターニングを行なう。なお、磁気抵抗効果素子１としては、たとえば強磁性体であるニッケル、鉄などを主成分とする２０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の薄膜を用いるが、これに限定されるものではない。シリコン熱酸化物層３およびシリコン窒化物層４はシリコン基板２と磁気抵抗効果素子１との間を電気的に絶縁するための層である。この絶縁のための層の中でも特にシリコン熱酸化物層３は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などによって形成してもよいが、シリコン熱酸化物層３としては熱酸化物層を用いることが望ましい。熱酸化物層は良好な絶縁耐圧を示すことが知られているからである。
【００１６】
（バリア層を形成する工程）
次に、「バリア層を形成する工程」を行なう。すなわち、磁気抵抗効果素子１上にバリア層としてのタンタル窒化物層５を堆積する。その後、所望の長さ、幅、本数になるように磁気抵抗効果素子１およびタンタル窒化物層５のパターニングを行なう。なお、図３は、長手方向のみの、１本の磁気抵抗効果素子１の断面を示したものである。本実施の形態ではバリア層としてのタンタル窒化物層５を設けたが、これに限るものではなく、バリア層は省略される場合もある。
【００１７】
（犠牲層パターンを形成する工程）
次に、「犠牲層パターンを形成する工程」を行なう。図４、図５に示すように、犠牲層パターンとしてのシリコン酸化物層７を形成する。ただし、シリコン酸化物層７には複数の開口部６が設けられる。図５は図４におけるＶ−Ｖ線に関する矢視断面図である。この時点で形成される開口部６は「第１開口部」とも呼ばれる。これらを形成するに当たっては、シリコン酸化物層７を全面に堆積する工程と、シリコン酸化物層７をパターニングして開口部６を設ける工程とを経る。こうして、所望パターンのシリコン酸化物層７が得られると同時に、所望の幅にてのちに導電部窓となる開口部６が形成される。導電部窓とは、のちに導電層に現れる開口部のことである。シリコン酸化物層７にあけられた開口部６は、のちに導電層に導電部窓を設けるための元として利用される。
【００１８】
開口部６の幅は、後に形成される開口部（第２開口部）９の幅、ならびに導電部の幅よりも大きく形成される。図４、図５では、簡略化して、３つの第１開口部６を任意の幅、間隔にて模式的に示したが、実際には第１開口部６の幅は、細線化した磁気抵抗効果素子１の幅や磁気センサデバイスとしての性能などにより決められるものであり、図４、図５に示した例に限るものではない。ただし、シリコン酸化物層７は、後工程の厚膜堆積時の熱劣化を防ぐために耐熱性の材料で形成しておく必要がある。
【００１９】
（金属膜を形成する工程）
次に、「金属膜を形成する工程」を行なう。すなわち、図６に示すように、金属膜８を堆積させる。犠牲層パターンとしてのシリコン酸化物層７は金属膜８によって覆われる。金属膜８は、シリコン酸化物層７上に堆積するだけでなく、開口部６の内部ではバリア層としてのタンタル窒化物層５上に堆積される。開口部６の内外を問わず、バリア層がなく、第１絶縁層の最上層としてのシリコン窒化物層４が直接露出している部分では、金属膜８はシリコン窒化物層４上に堆積される。
【００２０】
金属膜８は、次工程で等方的にエッチングされる材料である必要がある。また、次々工程で厚膜を堆積する際の熱劣化を防ぐために耐熱性の材料である必要がある。金属膜８の材料は、たとえばアルミニウムなどであってよい。金属膜８はスパッタなどにより成膜してよい。
【００２１】
（ひさし形状部形成工程）
次に、「ひさし形状部形成工程」を行なう。すなわち、フォトレジストの塗布工程と、フォトレジストのパターニング工程と、金属膜８（図６参照）の選択的な等方性エッチング工程を経て、図７に示す構造となる。金属膜８は金属膜パターンとなる。この金属膜パターンは、犠牲層パターンとしてのシリコン酸化物層７の上側を覆うとともにその周囲に張り出すひさし形状部１０としてのみ残る。一方、開口部６の底部には金属膜８は残らない。
【００２２】
こうして、第２開口部９、ひさし形状部１０が形成される。ひさし形状部１０は、第２開口部９が所望の幅となるように調整されて形成される。図７に示すように、第２開口部９は第１開口部６上に重ねて形成される。第２開口部９の幅は第１開口部６の幅よりも小さく形成される。
【００２３】
よって、等方性エッチングの結果としてシリコン酸化物層７の上側に形成されたひさし形状部１０は、従来のリフトオフ工程に比べて高精度に制御されたアンダーカット形状となる。その結果、バリ発生の頻度を著しく低下させる効果がある。
【００２４】
なお、第２開口部９の幅は、フォトレジストのパターニング工程と金属膜８の厚さ、エッチング工程によって調整することができる。以下に具体的な例を示す。図８に示すようにシリコン酸化物層７としての酸化膜を２．３μｍ堆積させ、第１開口部６としての窓部をエッチングする。その上に図９に示すように金属膜８としてのアルミニウム膜を２μｍ堆積させると、アルミニウム膜の段差の斜面は酸化膜の端部から１μｍ程度の場所に現れる。図１０に示すように、アルミニウム膜の段差の下端でパターニングする。すなわち、レジスト膜１７を設ける。こうすることで、ひさし形状を酸化膜の端部から１μｍの場所にまで延在するように形成することができる。上記特許文献３における２層レジストの方法ではアンダーカット量は高々０．１μｍ程度であったが、本実施の形態では、それと比較して非常に大きな段差の形成が可能である。また、アルミニウム膜のエッチングにおいては、図１１に示すように平坦な膜を横方向に向かってエッチングした場合と比較して、図１２に示すように段差の斜面部でエッチングを行なうと、エッチングの進む方向が斜め上になるため、エッチング端部の位置変化がエッチング時間に影響されにくくなっており、精度良い窓部の形成が可能となる。
【００２５】
（導電層を形成する工程）
次に、「導電層を形成する工程」を行なう。すなわち、図７に示した構造に対して、全面に導電層１１を堆積させる。こうして図１３に示す構造が得られる。図に示すように、導電層１１は、露出しているシリコン窒化物層４およびタンタル窒化物層５の上面とひさし形状部１０の上面および斜面とに堆積する。
【００２６】
導電層１１は電気的に導電性を有する材料で形成されていればよく、低抵抗であることが望ましい。導電層１１の材料として使用可能なものとしてはたとえば金などがある。導電層１１は、スパッタなどにより成膜することができる。密着性、拡散防止性などを改善するためには単層ではなく、クロムやチタンなどの上に成膜するか、あるいは、クロムやチタンなどによって挟んで成膜するのがよい。
【００２７】
また、抵抗値を低くするためには導電層１１の厚みはできるだけ厚い方がよく、数千Åの厚さで成膜することが望ましい。導電層１１を厚膜に形成する場合、下部堆積層がもしレジストであれば、熱劣化により次工程での除去時に残渣が残るという問題が生じるので、導電層１１の下部に位置する堆積層は耐熱性の高いシリコン酸化膜や金属膜であることが望ましい。
【００２８】
（導電層パターニング工程）
次に、「導電層パターニング工程」を行なう。すなわち、犠牲層パターンとしてのシリコン酸化物層７をエッチング除去することによって、金属膜パターンであったひさし形状部１０およびその上側にある導電層１１を一括して除去し、開口部６の底部にある導電層１１を導電部１２として残す。こうして、図２に示した構造が得られる。
【００２９】
エッチング条件を設定するに当たっては、シリコン窒化物層４、タンタル窒化物層５、導電層１１のエッチングレートよりも、シリコン酸化膜７のエッチングレートがより速くなるようにしなければならない。また、金属膜８に対してもエッチングレートが速いことが望ましい。これらを満たすエッチング溶液としては、フッ酸が望ましいが、これに限るものではない。
【００３０】
導電層パターニング工程として行なったエッチング工程の後には、タンタル窒化物層５を介して磁気抵抗効果素子１上に残る導電層１１が導電部１２となる。導電部１２は「ＢＢＰ（Barber Pole）電極」と呼ばれる場合もある。また、主として磁気抵抗効果素子１の端部においては、導電層１１の残存物が、他の磁気抵抗効果素子１や入出力用パッドなどとの接続を行なうための接続電流線１３となる。
【００３１】
後述の磁気センサデバイスとしての性能に係わる導電部１２の幅は、第２開口部９の幅によって規定される。よって導電部１２の幅は、第２開口部９を形成する工程によって決定されることになる。
【００３２】
本実施の形態における磁気センサデバイスの製造方法として好ましくは、前記磁気抵抗効果素子１は図１に示すように中心線１８を有し、前記導電層を形成する工程および前記導電層パターニング工程においては、前記開口部６の底部にあって残る前記導電層すなわち導電部１２が、中心線１８に対して一定角度で斜めに交差する向きで、中心線１８に沿って一定間隔で並ぶ複数の短冊状パターンとして形成される。このように形成されることによって、バーバー・ポール構造を確実に得ることができる。
【００３３】
（電流路の説明）
図１４は、磁気センサデバイスに流れる電流路の説明図である。図において、導電部１２は、磁気抵抗効果素子１の細線化した軸方向に対して４５°傾けて設けられたものである。磁気センサデバイスは、図に示した方向に電流を印加した状態で用いられる。導電部１２は磁気抵抗効果素子１の表面に流れる電流の向きを４５°傾けるために設けられたものである。各導電部１２の内部では電位が等しくなり、電流は導電部１２に対して垂直に流れる。強磁性体である磁気抵抗効果素子１を軸方向に磁化すると、外部磁界が０の時に磁化の向きと電流の向きとがなす角度θを４５°にすることができる。
【００３４】
（作用・効果）
磁気センサデバイスを、４辺の細線化した磁気抵抗効果素子１から成るブリッジ構造で形成するとき、４辺のそれぞれの磁気抵抗効果素子１の抵抗が同一であり、平衡を保ち、外部磁界が０のときにブリッジの出力が０、すなわちオフセットが０であることが望ましい。４辺を構成するそれぞれの磁気抵抗効果素子１の抵抗が同一であるためには、製造工程において、均一な導電部１２を形成すること、すなわち導電部１２の幅が均一となるように形成することが重要となる。
【００３５】
以上のように、本実施の形態における磁気センサデバイスの製造方法によれば、導電部を有する素子表面の段差および凹凸が低減されるので、導電部の形状を高精度に実現することができ、均一なものとすることができる。また、磁気抵抗効果素子と離間して磁気抵抗効果素子の近傍に形成する電流線の平坦度が向上される。こうして、磁気センサデバイスとしての性能の向上が実現する。
【００３６】
（実施の形態２）
図１５〜図１８を参照して本発明に基づく実施の形態２における磁気センサデバイスの製造方法について説明する。本実施の形態における磁気センサデバイスの製造方法では、前記導電層パターニング工程の後に、導電部１２および磁気抵抗効果素子１の上側を一括して覆うように第２絶縁層１４を形成する工程と、第２絶縁層１４の上側に導電体からなる電流線１５を配置する工程とを含む。電流線１５は、平面視したときに、電流線１５の中心線が、磁気抵抗効果素子１の中心線１８と一致するように配置される。
【００３７】
すなわち、実施の形態１で説明したような製造方法によって導電部１２を作製した後に、図１５に示すように、磁気抵抗効果素子１および複数の短冊状となっている導電部１２の上を一括して覆うように絶縁層１４を設ける。さらに、図１６に示すように絶縁層１４の上を覆うように電流線１５および保護膜１６を堆積する。図１６におけるＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に関する矢視断面図を図１７に示す。
【００３８】
絶縁層１４および保護膜１６は電気的に絶縁性を有し、かつ下層に設置した磁気抵抗効果素子１および導電部１２を外部環境から保護する材料が望ましい。したがって、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などで形成可能であるがこれらの材料に限るものではない。なお、絶縁層１４、および保護膜１６とも、緻密で密着性の良好な層であることが望ましい。
【００３９】
電流線１５は、電流線１５への印加電流により発生する磁界を磁気抵抗効果素子１へ付与するためのものであり、特に微弱な電流を測定するための被測定電流線、もしくは被測定電流線を磁気センサデバイスの外部に有したときに補償磁界を付与するための補償電流線として利用する。また、電流線１５は、電流線１５から磁気抵抗効果素子１へ、一様かつ大きな磁界を付与するためには、凹凸の少ない平坦な電流線１５を、可能な限り磁気抵抗効果素子１に接近させて、かつ磁気抵抗効果素子１の中心線と電流線１５の中心線が一致するように設置することが望ましい。電流線１５の材料としてはたとえば低抵抗材料であるアルミニウムや金などが選択され得るがこれに限るものではない。さらにまた、同じ電流密度かつ同じ絶縁層厚みの条件で磁気抵抗効果素子１への付与磁界を増加するためには、電流線１５の長方形の断面形状において、縦幅と横幅の比率、すなわち、縦幅／横幅の値を大きくすることが望ましい。縦幅／横幅の値とは、厚みを横幅で割った値のことである。
【００４０】
さらに本実施の形態では、前記電流線の断面形状が長方形であって厚みを横幅で割った値が０．１以上となるように、前記電流線が形成されることが好ましい。図１８に磁気抵抗効果素子１と電流線１５との間の絶縁層１４の厚みを０．３μｍとしたときの縦幅／横幅の値に対する付与磁界比の関係をグラフで示す。図１８からは縦幅／横幅の値が大きいほど付与磁界比は大きくなり、縦幅／横幅が０．１以下となったときに付与磁界比は急激に減少していることがわかる。このことから、電流線の縦幅／横幅の値は０．１以上であることが望ましいといえる。
【００４１】
（作用・効果）
以上のように、本実施の形態によれば、実施の形態１による製造方法の完了後に電流線１５などを堆積する工程を含んでいるので、この磁気センサデバイスの製造方法によれば、凹凸の少ない平坦な電流線１５から磁気抵抗効果素子１へ向けて、一様な磁界を付与することのできる磁気センサデバイスが得られる。また、電流線の長方形の断面形状において、縦幅／横幅を大きくするように電流線を形成することで、磁気抵抗効果素子１への付与磁界を増加させた磁気センサデバイスを得ることができる。
【００４２】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における磁気センサデバイスの製造方法で得ることができる磁気センサデバイスの平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における磁気センサデバイスの製造方法の第１の工程での断面図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における磁気センサデバイスの製造方法の第２の工程での平面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線に関する矢視断面図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１における磁気センサデバイスの製造方法の第３の工程での断面図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態１における磁気センサデバイスの製造方法の第４の工程での断面図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態１において第２開口部の幅をエッチング工程によって調整する様子の第１の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態１において第２開口部の幅をエッチング工程によって調整する様子の第２の説明図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態１において第２開口部の幅をエッチング工程によって調整する様子の第３の説明図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態１におけるエッチングの進む方向についての第１の説明図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態１におけるエッチングの進む方向についての第２の説明図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態１における磁気センサデバイスの製造方法の第５の工程での断面図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態１における磁気センサデバイスの製造方法で得られる磁気センサデバイスに流れる電流路の説明図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態２における磁気センサデバイスの製造方法の第１の工程での断面図である。
【図１６】本発明に基づく実施の形態２における磁気センサデバイスの製造方法の第２の工程での断面図である。
【図１７】図１６におけるＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図１８】縦幅／横幅の値に対する付与磁界比の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
１  磁気抵抗効果素子、２  シリコン基板、３  シリコン熱酸化物層、４  シリコン窒化物層、５  タンタル窒化物層、６  （第１）開口部、７  シリコン酸化物層、８  金属膜、９  第２開口部、１０  ひさし形状部、１１  導電層、１２  導電部、１３  接続電流線、１４  第２絶縁層、１５  電流線、１７  レジスト膜、１８  （磁気抵抗効果素子の）中心線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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