(57)【要約】【課題】平均厚みが１０μｍ以下であり、加熱により硬化されたときに、ボイドが生じ難いダイボンディングフィルム、及び該ダイボンディングフィルムを用いた接着シートを提供する。【解決手段】平均厚みが１０μｍ以下であり、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料６とを含む硬化性樹脂組成物からなり、ダイボンディングフィルム３の平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物中の固体材料６の平均粒径が０．８Ｘμｍであり、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料６の個数が２００個／μＬ以下であるダイボンディングフィルム３、及び該ダイボンディングフィルム３の片面に非粘着フィルム４が積層されている接着シート１。【選択図】図１
2009231494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均厚みが１０μｍ以下のダイボンディングフィルムであって、
表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、
熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料とを含む硬化性樹脂組成物からなり、
前記ダイボンディングフィルムの平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された前記硬化性樹脂組成物中の前記固体材料の平均粒径が０．８Ｘμｍであり、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された前記硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する前記固体材料の個数が２００個／μＬ以下であることを特徴とする、ダイボンディングフィルム。
【請求項２】
請求項１に記載のダイボンディングフィルムの片面に、非粘着フィルムが積層されていることを特徴とする、接着シート。
【請求項３】
前記非粘着フィルムの主成分が（メタ）アクリル樹脂である、請求項２に記載の接着シート。
【請求項４】
前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが積層されている面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが積層されている、請求項２または３に記載の接着シート。
【請求項５】
請求項１に記載のダイボンディングフィルムと、非粘着フィルムと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
前記ダイボンディングフィルムの一方面に、前記非粘着フィルムを接合する工程と、
前記ダイボンディングフィルムの前記一方面とは反対側の他方面に、前記半導体ウェーハを接合する工程と、
前記ダイボンディングフィルムが接合された前記半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された状態で前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載のダイボンディングフィルムの片面に非粘着フィルムが積層された接着シートと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
前記接着シートの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが積層されている面とは反対側の面に、前記半導体ウェーハを接合する工程と、
前記ダイボンディングフィルムが接合された前記半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された状態で前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法。
【請求項７】
ダイシング後に、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される、請求項５または６に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造あるいは実装に用いられるダイボンディングフィルムに関し、より詳細には、例えば半導体ウェーハをダイシングしたり、半導体チップを支持部材にダイボンディングしたりするのに用いられるダイボンディングフィルム並びに該ダイボンディングフィルムを用いた接着シート及び半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出したり、半導体チップを基板や他の半導体チップなどの支持部材に実装したりするに際しては、ダイボンディングフィルムが用いられている。
【０００３】
上記ダイボンディングフィルムの一例として、下記の特許文献１には、ポリウレタンイミド樹脂を含む接着剤層を備えるダイボンディングフィルムが開示されている。ここでは、ダイボンディングフィルムの片面に、ダイシングフィルムが積層された接着シートも開示されている。ダイシングフィルムは、基材フィルムの片面に粘着剤層が設けられた構造を有する。ダイシングフィルムは粘着剤層側から、ダイボンディングフィルムに積層されている。ダイシングフィルムの粘着剤層は、放射線硬化型の粘着剤を用いて形成されている。
【０００４】
上記接着シートを用いて、半導体ウェーハを切り出すに際しては、先ずダイボンディングフィルムのダイシングフィルムが積層されている面とは反対側の面に半導体ウェーハを貼付する。次に、半導体ウェーハをダイボンディングフィルムごとダイシングする。ダイシング後に、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを、ダイシングフィルムから剥離して、取り出す。そして、ダイボンディングフィルムを介して、半導体チップを支持部材上に接着する。しかる後、ワイヤーボンディング工程、封止工程などの各工程を経て、半導体装置が得られている。
【特許文献１】特開２００６−２４１１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体装置の薄型化が進行している。それに伴って、半導体チップやダイボンディングフィルムの厚みも薄くされてきている。
【０００６】
特許文献１には、ダイボンディングフィルムを用いて半導体装置を作製した場合に、大きな熱履歴を受けたとしても、ダイボンディングフィルム層におけるボイドが充分に抑制されることが記載されている。しかしながら、特に、このダイボンディングフィルムの厚みが薄くされ、例えば厚み１０μｍ以下とされた場合には、ボイドの抑制効果は充分ではなかった。
【０００７】
また、特許文献１には、ダイボンディングフィルムの接着剤層にフィラーがさらに含まれてもよく、この場合、ボイドがより一層抑制されることが記載されている。このフィラーの平均粒子径は１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、フィラーの最大粒子径は、２５μｍ以下が好ましいことが記載されている。このように、ダイボンディングフィルムにおいては、該ダイボンディングフィルムに要求されている種々の特性を高めるために、樹脂と相溶しない固体材料が添加されることが多い。固体材料としては、シリカなどのフィラーが用いられることが多いが、貯蔵安定性を向上させるために、固体の硬化剤が用いられることも多い。
【０００８】
しかしながら、特に、上記固体材料を含むダイボンディングフィルムが厚み１０μｍ以下とされた場合に、ダイボンディングフィルムに添加されている固体材料の大きさ等によっては、ボイドが生じ易くなることがあった。
【０００９】
さらに、特許文献１に記載の接着シートでは、ダイボンディングフィルムに積層されている粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤を用いて形成されている。放射線が照射される前の放射線硬化型粘着剤層の粘着力は比較的高い。そのため、ダイシング後に、半導体チップを取り出すために、放射線硬化型粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させていた。従って、上記放射線を照射する作業を行わなければならなかった。
【００１０】
また、放射線硬化型粘着剤層を硬化させても、放射線硬化型粘着剤層の粘着力が充分に低下しないこともあった。粘着力が充分に低下していない状態で放射線硬化型粘着剤層から、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを剥離しようとすると、半導体チップに余計な力が加わり、半導体チップが破損しがちであった。
【００１１】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、平均厚み１０μｍ以下のダイボンディングフィルムであって、加熱により硬化されたときに、ボイドが生じ難いダイボンディングフィルム、並びに該ダイボンディングフィルムを用いた接着シート及び半導体チップの製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明のより限定的な目的は、上記ボイドが生じ難いだけでなく、例えばダイシング後に光の照射等の作業を行わなくても、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを容易に剥離して、取り出すことを可能とするダイボンディングフィルム、並びに該ダイボンディングフィルムを用いた接着シート及び半導体チップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、平均厚みが１０μｍ以下のダイボンディングフィルムであって、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料とを含む硬化性樹脂組成物からなり、前記ダイボンディングフィルムの平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された前記硬化性樹脂組成物中の前記固体材料の平均粒径が０．８Ｘμｍであり、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された前記硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する前記固体材料の個数が２００個／μＬ以下であることを特徴とする、ダイボンディングフィルムが提供される。
【００１４】
本発明に係る接着シートは、本発明のダイボンディングフィルムの片面に、非粘着フィルムが積層されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る接着シートのある特定の局面では、前記非粘着フィルムの主成分は（メタ）アクリル樹脂である。この場合、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを非粘着フィルムから、無理なくかつ容易に剥離することができる。しかも、ダイシング時には、半導体ウェーハとともに上記ダイボンディングフィルムを無理なく切削することができ、従って、切削屑が生じ難く、該切削屑によるピックアップ不良が生じ難い。
【００１６】
本発明に係る接着シートの他の特定の局面では、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが積層されている面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが積層されている。この場合、ダイシングに際し、切削屑がより一層生じ難い。
【００１７】
本発明に係る半導体チップの製造方法は、本発明のダイボンディングフィルムと、非粘着フィルムと、半導体ウェーハとを用意する工程と、前記ダイボンディングフィルムの一方面に、前記非粘着フィルムを接合する工程と、前記ダイボンディングフィルムの前記一方面とは反対側の他方面に、前記半導体ウェーハを接合する工程と、前記ダイボンディングフィルムが接合された前記半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された状態で前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと取り出す工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る半導体チップの他の製造方法は、本発明のダイボンディングフィルムの片面に非粘着フィルムが積層された接着シートと、半導体ウェーハとを用意する工程と、前記接着シートの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが積層されている面とは反対側の面に、前記半導体ウェーハを接合する工程と、前記ダイボンディングフィルムが接合された前記半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された状態で前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと取り出す工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る半導体チップの製造方法のある特定の局面では、ダイシング後に、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される。
【００２０】
なお、本明細書において、剥離力を変化させないとは、例えば、光照射や加熱によりダイボンディングフィルムあるいは非粘着フィルムのいずれかのフィルムを硬化させて粘着力を下げることにより剥離力を変化させる、又は、いずれかのフィルムを収縮させて剥離力を変化させる、あるいは、発泡させて剥離力を変化させる、等の工程をいずれも行わないことを意味する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ダイボンディングフィルムは、平均厚みが１０μｍであり、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、かつ熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料とを含む硬化性樹脂組成物からなり、さらに、ダイボンディングフィルムの平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物中の固体材料の平均粒径が０．８Ｘμｍであり、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料の個数が２００個／μＬ以下であるので、例えば半導体チップを基板や他の半導体チップなどの支持部材に実装するに際し、加熱により硬化されたときに、ボイドが生じ難い。
【００２２】
さらに、本発明のダイボンディングフィルムは極めて薄く、平均厚みが１０μｍ以下であるので、該ダイボンディングフィルムを用いて半導体装置を構成した場合に、半導体装置の薄型化を進めることができる。
【００２３】
本発明に係る接着シートは、ダイボンディングフィルムの片面に、非粘着フィルムが積層されているので、例えばダイシング後に光照射等の作業を行わなくても、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから容易に剥離し、取り出すことができる。さらに、取り出された半導体チップ付きダイボンディングフィルムが、支持部材に実装されて、ダイボンディングフィルムが加熱により硬化されたときに、ボイドを抑制することができる。
【００２４】
本発明に係る半導体チップの製造方法では、本発明のダイボンディングフィルムが接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後に、例えば光照射等の作業を行わなくても、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから容易に剥離し、取り出すことができる。しかも、本発明の半導体チップの製造方法により得られた半導体チップを用いることにより、ボイドが抑制された半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２６】
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る接着シートを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。
【００２７】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、接着シート１は、長尺状の離型フィルム２を有する。離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５がこの順に積層されている。ダイボンディングフィルム３は固体材料８を含む。ダイボンディングフィルム３の離型フィルム２が貼付された表面３ａは、半導体ウェーハが接合される面である。
【００２８】
ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５は、円形の平面形状を有する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有する。
【００２９】
ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に塗布された粘着剤５ｂとを有する。図１（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム５は粘着剤５ｂ側から、非粘着フィルム４の片面に貼付されている。
【００３０】
ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁を超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。該延長部５ｃの一面が、粘着剤５ｂにより離型フィルムの上面２ａに貼付されている。すなわち、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも外側の領域において、ダイシングフィルム５が離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。
【００３１】
ダイシングフィルム５がダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有するのは、ダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、ダイボンディングフィルム３の外周縁よりも外側に位置する延長部５ｃの粘着剤５ｂにダイシングリングを貼付するためである。
【００３２】
図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の長さ方向において、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５からなる複数の積層体が等間隔に配置されている。なお、ダイシングフィルム５よりも側方において、必ずしも設ける必要はないが、離型フィルム２の上面２ａに保護シート６，７が設けられている。このように、保護シート６，７が設けられている場合には、接着シート１が例えばロール状に巻回されることによってダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５に加わる圧力が、保護シート６，７の存在により軽減される。
【００３３】
なお、離型フィルムの厚みや形状は特に限定されず、例えば正方形の形状の離型フィルムにダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムからなる積層体が１つ配置された構造であってもよく、上述のようにロール状に巻回されていなくてもよい。また、ダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムの厚みや形状も特に限定されない。
【００３４】
上記ダイボンディングフィルム３は、ダイシングに際し、半導体ウェーハごと切断される。ダイボンディングフィルム３は、ダイシング後に半導体チップごと取り出され、半導体チップのダイボンディングに用いられる。
【００３５】
上記ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８とを含む硬化性樹脂組成物からなる。よって、ダイボンディングフィルム３は固体材料８を含む。硬化前のダイボンディングフィルム３は充分に柔らかく、従って外力により容易に変形する。もっとも、半導体チップをダイボンディングした後に、ダイボンディングフィルム３を加熱し硬化させることにより、半導体チップを基板や他の半導体チップに強固に接合させることができる。
【００３６】
本実施例形態の接着シート１の特徴は、ダイボンディングフィルム３が、平均厚み１０μｍ以下であり、表面粗さＲａ４００ｎｍ以下であり、かつ熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８とを含む硬化性樹脂組成物からなり、さらに、ダイボンディングフィルム３の平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物中の固体材料８の平均粒径が０．８Ｘμｍとされており、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料８の個数が２００個／μＬ以下とされていることにある。
【００３７】
従来、ダイボンディングフィルムの平均厚みは、２０〜６０μｍ程度である。このような厚いダイボンディングフィルムを介して、半導体チップが基板や他の半導体チップ等の支持部材に実装されて、ダイボンディングフィルムが加熱により硬化された場合には、ボイドは比較的生じ難い。
【００３８】
しかしながら、ダイボンディングフィルムの厚みが薄くされ、例えば平均厚み１０μｍ以下とされた場合には、この厚みの薄いダイボンディングフィルムが加熱により硬化されたときに、ボイドが生じがちであった。すなわち、図１１に示すように、従来のダイボンディングフィルムの平均厚みを１０μｍ以下とし、この厚みが薄くされたダイボンディングフィルム１０１を介して、支持部材１０２上に半導体チップ１０３を接着し、該ダイボンディングフィルム１０１を加熱により硬化させた場合には、特にダイボンディングフィルム１０１と支持部材１０２との接着界面あるいはダイボンディングフィルム１０１と半導体チップ１０３との接着界面において、複数のボイド１０４，１０４が生じ易かった。このようなボイド１０４が生じた場合には、該ボイド１０４が起点となって剥離したり、クラックが発生したりすることがあった。このようなボイド１０４は、特に、ダイボンディングフィルム１０１が固体の硬化剤やフィラーなどの固体材料（図示せず）を含む場合に、極めて生じ易かった。
【００３９】
これに対して、本実施例形態の接着シート１のダイボンディングフィルム３は、平均厚みが１０μｍ以下であり、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、かつ熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８とを含む硬化性樹脂組成物からなり、さらに、上記固体材料８の平均粒径が０．８Ｘμｍとされており、かつ上記Ｘμｍ以上の粒径を有する固体材料８の個数が２００個／μＬ以下とされているので、ダイボンディングフィルム３が加熱により硬化されたときに、ボイドが生じ難い。さらに、半導体装置が高温に晒された際にも、ボイドが生じ難い。
【００４０】
なお、上記固体材料８の平均粒径及び大粒径の上記固体材料８の個数は、硬化性樹脂組成物が加熱により硬化される前に測定される。よって、固体材料８が加熱により溶解あるいは変形するものである場合には、上記固体材料８の平均粒径及び大粒径の上記固体材料８の個数は、加熱される前に測定される値である。また、固体材料８は熱硬化性樹脂と相溶しないものであり、これは、硬化性樹脂組成物が加熱により硬化される前において相溶しないことを意味する。
【００４１】
ダイボンディングフィルム３は、平均厚みが１０μｍ以下である。平均厚みのより好ましい上限は８μｍであり、より好ましい下限は６μｍである。ダイボンディングフィルム３が厚すぎると、半導体装置の薄型化に対応することができず、薄すぎると、半導体チップと支持部材との接着に際し、接着信頼性が低下することがある。
【００４２】
ダイボンディングフィルム３は、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、より好ましくは、２００ｎｍ以下である。表面粗さＲａが大きすぎると、ダイボンディングフィルム３の接着界面において、ボイドが生じ易くなる。
【００４３】
上記熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８としては、固形ポリマーや、固体の硬化剤、固体の硬化促進剤、フィラー等が挙げられる。
【００４４】
本実施形態では、ダイボンディングフィルム３の平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物中の固体材料８の平均粒径は、０．８Ｘμｍ以下とされている。上記固体材料８の平均粒径が０．８Ｘμｍを超えると、ボイドが生じ易い。上記固体材料８の平均粒径のより好ましい上限は、０．５Ｘμｍである。
【００４５】
また、本実施形態では、個数カウント式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料８の個数は、２００個／μＬ以下とされている。上記固体材料８の個数が２００個／μＬを超えると、ボイドが生じ易い。上記固体材料８の個数のより好ましい上限は、１００個／μＬである。
【００４６】
なお、硬化性樹脂組成物中の固体材料８の個数を測定する場合には、通常、レーザー回折式粒度分布計が用いられることが多い。しかし、レーザー回折式粒度分布計を用いた場合には、固体材料８の大まかな分布についてだけしか知ることができない。すなわち、測定された固体材料８のヒストグラムの裾野部分に、どの程度の確率で固体材料８が存在しているのかを充分に知ることはできなかった。ヒストグラムの裾野部分における固体材料８の個数を確実に計測するためには、個数カウント式粒度分布計を用いる必要がある。よって、本発明では、硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料８の個数は、個数カウント式粒度分布計を用いて測定される。
【００４７】
上記個数カウント式粒度分布計としては、ベックマンコールターカウンター型のものと、画像解析型のものとが挙げられる。
【００４８】
上記固体材料８の平均粒径及び大粒径の上記固体材料８の個数が上記特定の範囲となるように、添加前に固体材料は適宜の粉砕手法により、粉砕されていることが好ましい。粉砕により、固体材料の平均粒径を小さくすることができ、かつ大粒径の固体粒子の個数を低減することができる。
【００４９】
上記粉砕方法としては、乾式法及び湿式法のいずれを用いてもよい。乾式法においては、ジェットミルにて事前粉砕することが好ましく、さらに、分級機構を付けて粗い固体材料を除去することが好ましい。また、湿式法においては、ボールミル、ビーズミル、湿式のジェットミル等が用いることができる。これらを適宜組み合わせて使用することが好ましい。
【００５０】
上記熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂が好ましい。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５１】
上記硬化性樹脂組成物としては、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する固形ポリマーとを含む硬化性樹脂組成物が好ましい。この硬化性樹脂組成物からなるダイボンディングフィルム３を介して、半導体チップを支持部材に接合した場合には、接合信頼性が高められる。
【００５２】
上記エポキシ樹脂としては特に限定されないが、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いた場合には、硬化性樹脂組成物の硬化物では、剛直で分子の運動が阻害されるので、機械的強度や耐熱性が高められるとともに、耐湿性も高められる。
【００５３】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂」と記す）、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ナフタレン型エポキシ樹脂」と記す）、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００５４】
これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。
【００５５】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、特に限定されるものではないが、重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量が５００未満であると、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強度、耐熱性、耐湿性等が充分に向上しないことがあり、重量平均分子量が１０００を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【００５６】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する固形ポリマーとしては特に限定されないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いた場合には、硬化性樹脂組成物の硬化物の可撓性が高められる。
【００５７】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子ポリマーであれば良く、特に限定されないが、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強度や耐熱性を高め得ることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。
【００５８】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの配合量は、全樹脂成分の合計１００重量％中、１０〜６０重量％が好ましい。より好ましくは１０〜３０重量％である。高分子ポリマーが少なすぎると、ダイボンディングフィルム３の保形性が低下することがあり、多すぎると、ダイボンディングフィルム３の接着性が低下することがある。なお、全樹脂成分とは、熱硬化性樹脂、硬化剤及び必要に応じて添加される他の樹脂構成成分の総和をいうものとする。
【００５９】
上記高分子ポリマーの重量平均分子量は、１万〜２００万の範囲が好ましく、５万〜１００万の範囲がより好ましい。高分子ポリマーの重量平均分子量が小さすぎると、ダイボンディングフィルム３の保形性が低下することがあり、大きすぎると、溶剤に溶けにくく、均一な塗膜を形成し難いことがある。
【００６０】
上記硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。
【００６１】
上記硬化剤のなかでも、常温（２３℃）で液状の加熱硬化型硬化剤が好ましい。この硬化剤を用いた場合には、常温で柔軟であってハンドリング性が良好なダイボンディングフィルム３が得られる。
【００６２】
上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の代表的なものとしては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されていることから、メチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好ましい。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。
【００６３】
上記硬化性樹脂組成物においては、硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに、硬化促進剤を併用しても良い。
【００６４】
上記硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等を調整するための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６５】
上記イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、マイクロカプセル化されたイミダゾール、アミンアダクト型イミダゾール、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。
【００６６】
酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、硬化性樹脂組成物の硬化物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００６７】
また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、硬化後の硬化性樹脂組成物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００６８】
上述した硬化剤及び硬化促進剤のなかでも、固体材料８である、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、及び／又は２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましく用いられる。これらの市販品としては、四国化成工業社製のＯＫシリーズである商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、「２ＰＺ−ＯＫ」や、四国化成工業社製のＨＺシリーズである商品名「２ＰＨＺ−ＰＷ」、「２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ」等が挙げられる。
【００６９】
上記固体材料８としてのフィラーは、有機フィラー、無機フィラーのいずれであってもよい。フィラーとしては、具体的には、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び酸化マグネシウムなどが挙げられる。
【００７０】
このようなフィラーの市販品としては、例えば、アドマテックス社製のＳＣ１０５０ＭＪＤ、ＳＣ２０５０ＭＢ、ＳＣ４０５０ＭＮＡ、ＳＣ４０５０ＭＮＢ及びＳＣ４０５０ＳＥＪ等が挙げられる。
【００７１】
上記硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に添加剤が添加されていてもよい。添加剤としては、カップリング剤等が挙げられる。
【００７２】
上記熱硬化性樹脂は、硬化性樹脂組成物１００重量％中に、７０〜１００重量％の範囲で配合されることが好ましく、より好ましくは８０〜１００重量％の範囲である。熱硬化性樹脂が少なすぎると、接着性に劣ったり、一括的に接着できないことがある。尚、上述のように、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂と反応可能な高分子ポリマーとを配合する場合は、エポキシ樹脂及び高分子ポリマーの両者ともを熱硬化性樹脂として扱う。
【００７３】
上記固体材料８の配合量としては、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、０．１〜３０重量部の範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜２０重量部の範囲であり、更に好ましくは０．５〜１０重量部である。固体材料８が少なすぎると、固体材料８を配合することによる効果が充分に得られないことがあり、多すぎると、ボイドの原因となることがある。
【００７４】
上記硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８と、必要に応じて配合される他の成分とを、適宜の方法で混合することにより得られる。各成分が混合された後に、上記固体材料８の平均粒径及び大粒径の上記固体材料８の個数が上記特定の範囲となるように、濾過が行われてもよい。
【００７５】
上記濾過に際して用いられるフィルターとしては、表面濾過タイプのフィルターと、深層濾過タイプのフィルターとの２種類がある。前者はクロス折のメッシュタイプのフィルターであり、後者は一般的なろ紙のような不織布の織り込みタイプのフィルターである。固体材料は必須の構成成分であるため、濾過に際して、固体材料は必要以上に取り除かれないことが好ましい。不織布の織り込みタイプのフィルターを用いた場合には、例えば粒径５〜１０μｍの固体材料を取り除こうとしたときに、粒径が５μｍよりも小さな固体材料まで必要以上に取り除かれ易い。よって、表面濾過タイプのフィルターが好ましく用いられ、それによって、選択性の高い濾過を行うことができる。
【００７６】
上記硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形し、ダイボンディングフィルム３を得る方法としては、特に限定されないが、ダイコーター、リップコーター、コンマコーター、グラビアコーター等が用いられる。なかでも、ダイボンディングフィルムの厚み精度が高められ、異物が混入したとしても筋状のむらなどが形成され難いので、グラビアコーターが好ましい。
【００７７】
上記非粘着フィルム４は、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離するために設けられている。
【００７８】
上記非粘着フィルム４は、非粘着性を有する。なお、本明細書において、「非粘着性フィルム」とは、表面が粘着性を有しないフィルムだけでなく、表面を指で押してから、指を持ち上げたときに、指にくっついて持ち上がらないフィルムを含むものとする。
【００７９】
上記非粘着フィルム４としては特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム：ポリ塩化ビニルフィルム；ポリイミドフィルム；アクリル樹脂系フィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。
【００８０】
また、上記非粘着フィルム４は、単一の合成樹脂フィルムからなる必要は必ずしもなく、２層以上を積層してなる積層フィルムであってもよい。
【００８１】
上記ポリオレフィン系フィルムとしては、より具体的には、低密度ポリエチレン（ＬＤＰ）フィルム、ＬＤＰフィルム＋ＰＰフィルムの積層体、ＬＤＰフィルム＋高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルムの積層体、ＬＤＰＥフィルム＋ＨＤＰＥフィルム＋ＬＬフィルムの積層体、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰ）フィルムなどが挙げられる。なかでも、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度を容易に設定することができ、半導体チップのピックアップ時のエキスパンド性が高められるので、ＬＬＤＰＥフィルムが好ましい。
【００８２】
また、上記アクリル樹脂系フィルムとしては、様々な（メタ）アクリル樹脂を主成分とする組成物からなるものを用いることができる。アクリル系樹脂フィルムは、ポリオレフィン系フィルムに比べて柔らかい。よって、アクリル系樹脂フィルムを用いた場合には、ダイシングに際しての切削性や、ダイシング後の剥離性が高められる。なお、本発明において「（メタ）アクリル」とは、「メタクリル酸又はアクリル酸」を意味する。
【００８３】
上記非粘着フィルム４は、主成分が（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。この場合、非粘着フィルム４を構成している樹脂分の５０重量％以上が、（メタ）アクリル樹脂とされる。
【００８４】
上記（メタ）アクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。非粘着フィルム４の主成分が（メタ）アクリル酸エステルポリマーである場合には、ダイシングに際しての切削性や、ダイシング後の剥離性がより一層高められる。
【００８５】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いた場合には、極性を充分に低めることができ、非粘着フィルム４の表面エネルギーを低くすることができ、剥離性をより一層高めることができる。アルキル基の炭素数が１８を超えると、溶液重合が困難となることがある。アルキル基の炭素数は、より好ましくは６以上であり、それによって極性がより一層低められる。
【００８６】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものも好ましい。この場合にも、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は６以上が特に好ましい。
【００８７】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は、２０万〜２００万の範囲が好ましい。
【００８８】
上記他の改質用モノマーとしては特に限定はされないが、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを使用すると、非粘着フィルム４の極性が高くなり、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。
【００８９】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られたものが好ましい。
【００９０】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられても、２種以上が併用されてもよい。
【００９１】
上記アクリル樹脂系フィルムの主成分としての上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの酸価は、２以下であることが望ましい。酸価が２以下であると、表面エネルギーが小さくなり、剥離性が高められる。
【００９２】
上記酸価を２以下に調整する方法としては特に限定はされないが、上記他のモノマーとして、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しない方法、反応過程においてエステルの加水分解が生じないように調整する方法が好ましい。
【００９３】
尚、本明細書において酸価とは、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１ｇ中に含まれる遊離酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数である。
【００９４】
上記非粘着フィルム４がアクリル系樹脂フィルムである場合、上記主成分としての（メタ）アクリル樹脂の他に、好ましくは、アクリル基と反応可能な二重結合性基を有し、重量平均分子量が５００〜５００００の範囲にあり、ガラス転移点Ｔｇが２５℃以下であるオリゴマーがさらに含有される。このようなオリゴマーの含有により、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性がより一層高められる。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００未満であると、オリゴマーの配合による効果が得られないことがあり、５００００を超えると、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性が低下することがある。
【００９５】
上記オリゴマーは、特に限定されないが、柔軟性を有する骨格、例えば、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、ジシクロペンタジエン骨格を有することが好ましい。柔軟性を有する骨格とは、上記オリゴマーのＴｇが２５℃以下となる骨格をいうものとする。
【００９６】
また、上記オリゴマーとしては、ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーがより好ましい。上記ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、ポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、Ｍ−２２５（東亜合成社製）、ＵＮ−７６００（根上工業社製）などが挙げられる。
【００９７】
上記オリゴマーのアクリル基と反応可能な二重結合性基としては特に限定はされず、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。中でも、アクリル基が好ましい。上記オリゴマーは、アクリル基と反応可能な二重結合性基を２以上有することが好ましい。
【００９８】
また、上記アクリル基と反応可能な二重結合性基は、分子の両末端に２個存在してもよく、分子鎖の途中に存在していてもよい。中でも、分子の両末端のみに上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が２個存在することが好ましく、分子の両末端のみにアクリル基が２個存在することがより好ましい。また、分子の両末端及び分子鎖中に上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が存在することも好ましい。
【００９９】
上記ポリエーテル骨格としては、例えばポリプロピレンオキシド骨格、ポリエチレンオキシド骨格などが挙げられる。
【０１００】
上記ポリエーテル骨格を有し、かつ分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、ポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、中村化学工業社製のＵＡ３４０Ｐ、ＵＡ４２００；東亜合成社製のアロニックスＭ−１６００、アロニックスＭ−２２０などが挙げられる。
【０１０１】
また、上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。ウレタンアクリルオリゴマーが３〜１０官能であると、骨格が適度な柔軟性を有するものとなる。ウレタンアクリルオリゴマーが３官能未満であると、柔軟性が低すぎてダイボンディングフィルム３の切断時にひげ状の切削屑が生じ易く、１０官能を超えると、柔軟性が高すぎてダイボンディングフィルム３の切断時に汚染の原因となることがある。
【０１０２】
上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの市販品としては、新中村化学工業社製のＵ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ  Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ、ＵＡ−６１００；根上工業社製のＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３、ＵＮ−１２５５などが挙げられる。
【０１０３】
上記オリゴマーの配合割合は、特に限定されないが、オリゴマーを配合した効果を得るには、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１重量部以上が望ましい。好ましい上限は５０重量部である。また、上記オリゴマーが多すぎると、原料が溶解せず、非粘着フィルム４の製造が不可能となることがある。
【０１０４】
両末端にアクリル基を有するオリゴマーを用いる場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜１００重量部が好ましく、１〜５０重量部がより好ましい。多官能のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜５０重量部が好ましく、１〜３０重量部がより好ましい。
【０１０５】
上記非粘着フィルム４は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーを含むことにより、ダイボンディングフィルム３の切断時の切削性が高められ、ダイボンディングフィルム３や半導体チップに切削屑が付着し難い。
【０１０６】
上記フィラーの平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が大きすぎると、非粘着フィルム４の面内厚みがばらつくことがあり、小さすぎると、切削性が充分に高められないことがある。
【０１０７】
非粘着フィルムに含まれる上記フィラーとしては、特に限定されず、シリカ、アルミナ等を用いることができる。中でも、合成された球状のシリカフィラーが好ましい。そのようなフィラーの市販品としては例えば、アドマテックス社製のＳＣ１０５０ＭＪＤ、ＳＣ２０５０ＭＢ、ＳＣ４０５０ＭＮＡ、ＳＣ４０５０ＭＮＢ、ＳＣ４０５０ＳＥＪ等が挙げられる。
【０１０８】
上記フィラーの配合割合は、フィラーを除く非粘着フィルム４を構成する材料の合計１００重量部に対して、０．１〜１５０重量部が好ましい。フィラーが多すぎると、非粘着フィルム４がエクスパンド時に破断してしまうことがあり、少なすぎると、切削性が充分に高められないことがある。
【０１０９】
また、上記非粘着フィルム４は、紫外線吸収剤をさらに含有してもよい。紫外線吸収剤を含有することにより、ダイボンディングフィルム３を容易にレーザーダイシングすることができる。
【０１１０】
上記ダイシングフィルム５は、ダイシングリングに貼り付けるために用いられている。また、ダイシングフィルム５は、ダイシングが行われた後のエクスパンド性を高めるために、あるいはダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を高めるために用いられている。上記ダイシングフィルム５は、基材５ａと、該基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて構成された粘着剤５ｂとを有する。
【０１１１】
上記基材５ａとしては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れ、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。
【０１１２】
上記粘着剤５ｂを構成する粘着剤としては、特に限定されないが、アクリル系、特殊合成ゴム系、合成樹脂系、ゴム系などの粘着剤が挙げられる。なかでも、感圧タイプとしてアクリル系の粘着剤が、非粘着フィルム４に対する貼着力、およびダイシングリングからの再剥離性、コスト面に優れているため好適に用いられる。  
【０１１３】
上記非粘着フィルム４の厚みは特に限定されないが、３０〜１００μｍが好ましい。厚みが３０μｍ未満であると、充分なエキスパンド性が得られないことがあり、厚みが１００μｍを超えると、均一な厚みとすることが困難なことがある。厚みにばらつきがあると、ダイシングを適切に行い得ないことがある。
【０１１４】
上記離型フィルム２は、ダイボンディングフィルム３の半導体ウェーハが貼付される表面３ａを保護するために用いられている。もっとも離型フィルムは、必ずしも用いられている必要はない。
【０１１５】
上記離型フィルム２としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等の片面をシリコンなどで離型処理したものが挙げられる。なかでも、平滑性、厚み精度などに優れているため、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの合成樹脂フィルムが好ましい。
【０１１６】
上記離型フィルムは、一層の上記フィルムで構成されていてもよく、２以上の上記フィルムが積層されて構成されていてもよい。離型フィルムが複数のフィルムが積層された積層フィルムである場合、異なる２種以上の上記フィルムが積層されていてもよい。
【０１１７】
図２に、本発明の他の実施形態に係る接着シートを部分切欠正面断面図で示す。
【０１１８】
図２に示す接着シート１１では、上述した離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４がこの順で積層されている。すなわち、接着シート１１は、ダイシングフィルム５が別途設けられていないこと以外は接着シート１と同様に構成されている。このように、ダイシングフィルム５は必ずしも設けられていなくてもよい。
【０１１９】
図３に、本発明のさらに他の実施形態に係る接着シートを部分切欠正面断面図で示す。
【０１２０】
図３に示す接着シート１５は、非粘着フィルム及びダイシングフィルムの構成が異なることを除いては、接着シート１と同様に構成されている。接着シート１５では、離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム１６及びダイシングフィルム１７がこの順で積層されている。
【０１２１】
上記非粘着フィルム１６は、第１の層１６Ａと第２の層１６Ｂとが積層された２層構造を有する積層フィルムである。非粘着フィルム１６の第１の層１６Ａ側の表面１６ａに、ダイボンディングフィルム３が貼付されている。非粘着フィルム１６の第２の層１６Ｂ側の表面１６ｂに、ダイシングフィルム１７が貼付されている。
【０１２２】
上記非粘着フィルム１６は非粘着性を有し、すなわち第１の層１６Ａ及び第２の層１６Ｂは非粘着性を有する。第１，第２の層１２Ａ，１６Ｂを構成する材料については特に限定されず、前述した非粘着フィルム４を構成する様々な合成樹脂フィルムを適宜用いることができる。
【０１２３】
このように、非粘着フィルムが２つの層が積層された２層構造を有する積層フィルムである場合には、第１の層１６Ａと第２の層１６Ｂとを異ならせることにより、非粘着フィルムの物性を容易に調整することができる。
【０１２４】
また、上記ダイシングフィルム１６では、上述したダイシングフィルム５と異なり、粘着剤層が設けられていない。ダイシングフィルムは粘着剤層を有していなくてもよい。粘着剤層を有していない場合には、ダイシングフィルムが、例えば粘着力を有する材料により構成される。
【０１２５】
次に、上述した接着シート１を用いた場合の半導体チップの製造方法を図４〜図９を用いて以下説明する。
【０１２６】
先ず上述した接着シート１と、図４に平面図で示す半導体ウェーハ２１とを用意する。
【０１２７】
上記半導体ウェーハ２１は、円形の平面形状を有する。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、図示しないが、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ２１では、裏面２１ｂが研磨されて所定の厚みとされている。
【０１２８】
半導体ウェーハ２１の厚みは、好ましくは３０μｍ以上である。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時やハンドリング時に、クラック等が発生し、破損することがある。
【０１２９】
なお、後述するダイシング時に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。
【０１３０】
図５に示すように、用意した半導体ウェーハ２１を、裏返しされた状態でステージ２２上に載置する。すなわち、半導体ウェーハ２１の表面２１ａがステージ２２に接するように、半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載置する。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられて、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低くされている。
【０１３１】
次に、図６に示すように、接着シート１のダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハ２１を接合する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。図６に示すように、接着シート１の離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂを、ダイシングリング２３上に貼付する。さらに、露出したダイボンディングフィルム３を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。
【０１３２】
図７に、ダイボンディングフィルム３に半導体ウェーハ２１を接合した状態を部分切欠正面断面図で示す。半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体に、ダイボンディングフィルム３が接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングフィルム５の延長部５ｃは、ダイシングリング２３に支持されている。
【０１３３】
次に、図８に示すように、ステージ２２からダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１を取り出し、裏返しにする。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼付された状態で取り出される。表面２１ａが上方になるように、取り出された半導体ウェーハ２１を別のステージ２４上に載置する。
【０１３４】
次に、ダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割する。図８に矢印Ｘを付して示すように、半導体ウェーハ２１側からダイシングが行われる。
【０１３５】
図９に示すように、ダイシング後に、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３は完全に切断されている。ダイシングは、ダイボンディングフィルム３を貫通するように行われれば特に限定されないが、例えば非粘着フィルム４の厚みの半分以下の位置まで切断刃が挿入される。図９では、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面よりも深く切断刃が挿入され、切り込み部分４１が形成されている。
【０１３６】
なお、図９では、ダイシングは二段階（ステップカット）で行われている。ダイシング時に半導体ウェーハ２１の破損を防止できれば、ダイシングは一段階で行われてもよい。
【０１３７】
半導体ウェーハ２１のダイシング方法としては、特に限定されず、例えば一枚刃でカットするシングルカット、二枚刃でカットするステップカット、さらに２枚の刃でカットを行い半導体ウェーハの表面についてはＶ字形状の刃を使用するベベルカットなどが挙げられる。なかでも、切断時に半導体ウェーハの破損が生じ難いため、ステップカットが好適に行われる。
【０１３８】
また、上記ダイシングは切断刃ではなく、レーザー光を用いて行われてもよい。すなわち、レーザー光の照射により半導体ウェーハをダイシングしてもよい。この場合、ダイシングは半導体ウェーハ２１だけでなく、ダイボンディングフィルム３を貫通するように行われる。従って、レーザー光はダイボンディングフィルム３を貫通し、非粘着フィルム４の途中に至る。このようなレーザー光の照射によるダイシングを行ったとしても、非粘着フィルム４の溶着は生じ難い。
【０１３９】
半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張する。しかる後、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離し、半導体チップをダイボンディングフィルム３ごと取り出す。
【０１４０】
なお、半導体チップ付きダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離する方法としては、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ側から、多数のピンを用いて突き上げる方法や多段ピンを用いて突き上げる方法、半導体ウェーハ２１の表面２１ａ側から真空ピールする方法、または超音波振動を利用する方法等が挙げられる。
【０１４１】
ところで、上述した特許文献１のように、放射線硬化型粘着剤層を備えるダイシングフィルムが、放射線硬化型粘着剤層側からダイボンディングフィルムに積層されている接着シートを用いた場合には、レーザー光によりダイシングを行ったときに、ダイシングフィルムが溶着して、その一部がダイボンディングフィルムに付着し、半導体チップのピックアップを確実に行い得ないことがあった。
【０１４２】
これに対して、上記非粘着フィルム４は、光の照射により粘着力が低減されるものではいので、レーザー光の照射により溶着が生じ難い。また、非粘着フィルム４の主成分が（メタ）アクリル樹脂である場合に、レーザー光の照射による溶着をより一層抑制することができる。
【０１４３】
また、特許文献１のダイボンディングフィルムに積層されている放射線が硬化される前の放射線硬化型粘着剤層の粘着力は、比較的高い。よって、半導体チップごと放射線硬化型粘着剤層を剥離するには、放射線硬化型粘着剤層の粘着力を低下させる必要があり、粘着力を低下させるために放射線を照射する必要があった。さらに、放射線を照射した後に粘着力が充分に低下しないこともあった。
【０１４４】
これに対し、本実施形態の接着シート１では、光照射等により剥離力を低下させる煩雑な作業を行わなくても、半導体チップ付きダイボンディングフィルム３を容易に取り出すことができる。すなわち、ダイボンディングフィルム３に積層されている層すなわち非粘着フィルム４は、例えば光照射等により剥離力が低下するように構成されている必要はない。非粘着フィルム４は、光照射等により剥離力が低下するものではないことが好ましい。非粘着フィルム４が光照射等により剥離力が低下するものではない場合には、光照射等により剥離力を低下させる作業を行わなくてもよく、半導体チップの製造効率が高められる。なお、光照射とは、自然光下に晒される場合を含まず、紫外線などの光を意図的に照射することをいう。
【０１４５】
なお、前述の半導体装置の製造方法では、接着シート１を用いたが、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４とを別々に用意して、半導体装置を製造してもよい。この場合、ダイボンディングフィルム３の一方面３ａに、非粘着フィルム４が接合され、かつダイボンディングフィルム３の一方面３ａとは反対側の他方面に、半導体ウェーハ２１が接合された後、上述したダイシング工程が行われる。
【０１４６】
また、半導体チップの大きさとされている上記ダイボディングフィルム３を用意し、該ダイボンディングフィルム３を半導体チップに接合した後、ダイボンディングフィルム３を介して半導体チップを支持部材に接合し、半導体装置を製造してもよい。
【０１４７】
図１０に、上記接着シート１を用いて製造された半導体装置を模式的に正面断面図で示す。
【０１４８】
図１０に示す半導体装置５１では、支持部材として基板５２上に、前述のようにして取り出されたダイボンディングフィルム３付き第１の半導体チップ３１Ａが、ダイボンディングフィルム３側から積層されている。さらに、第１の半導体チップ３１Ａ上に、ダイボンディングフィルム３付き第２の半導体チップ３１Ｂが、ダイボンディングフィルム３側から積層されている。
【０１４９】
第１の半導体チップ３１Ａ上の外周縁近傍には、外部と電気的な接続を果たすための電気接続端子５３，５４が設けられている。第２の半導体チップ３１Ｂ上の外周縁近傍には、外部と電気的な接続を果たすための電気接続端子５５，５６が設けられている。電気接続端子５３〜５６に、ボンディングワイヤー５７〜６０の一端がそれぞれ接続されている。ボンディングワイヤー５７〜６０の他端は、基板５２の上面５２ａに設けられた電気接続端子６１〜６４にそれぞれ接続されている。第１，第２の半導体チップ３１Ａ，３１Ｂ上には、複数のボンディングワイヤーが接続されている。
【０１５０】
基板５２上の第１，第２の半導体チップ３１Ａ，３１Ｂは、樹脂モールド層６５により被覆され、かつ保護されている。
【０１５１】
上記半導体装置５１では、基板５２と第１の半導体チップ３１Ａ、及び第１の半導体チップ３１Ａと第２の半導体チップ３１Ｂが、厚み１０μｍ以下のダイボンディングフィルム３を介してそれぞれ積層されているので、半導体装置５１の厚みが薄くされている。また、半導体装置５１では、ダイボンディングフィルム３が本発明に従って構成されているため、ボイドの発生が抑制されている。
【０１５２】
以下、実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【０１５３】
（実施例１）
（１）ダイボンディングフィルムの作製
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）２０重量部と、ＨＰ７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物）８０重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）４０重量部と、固体材料としての２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール系硬化促進剤）５重量部と、ＫＢＭ３０３（信越化学社製、シランカップリング剤）１重量部とを配合し、この配合物をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分６０重量％の溶液を得た。この溶液を、５μｍの開口を有するナイロンメッシュＮＹ５ＨＣ（ＳＥＦＡＲ社製）を用いて遠心濾過し、硬化性樹脂組成物を得た。
【０１５４】
得られた硬化性樹脂組成物を、離型フィルムとしてのＰＥＴ５０１１（リンテック社製）上にアプリケーターを用いて塗工し、さらに１１０℃で３分間オーブン中にて乾燥することにより、厚み５μｍのダイボンディングフィルムを得た。
【０１５５】
（２）非粘着フィルムの作製
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部及び２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部を、イルガキュア６５１（チバガイギ社製）を開始剤として、光重合させることによりポリマーを調製した。
【０１５６】
得られたポリマー１００重量部と、ウレタンアクリルオリゴマー（新中村化学社製「Ｕ−３２４Ａ」）２重量部と、イルガキュア６５１（チバガイギ社製）１重量部とを酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴフィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。そして、１１０℃のオーブンにて３分間乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。その後、高圧水銀灯下で３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射して架橋させ、非粘着フィルムを得た。
【０１５７】
（３）接着シートの作製
得られた離型フィルム上のダイボンディングフィルムの表面に、非粘着フィルムを６０℃でラミネートした。
【０１５８】
更に、非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが接合された面とは反対側の表面に、ダイシングフィルムとして、アクリル樹脂糊からなる粘着剤層が形成されたダイシングテープ（電気化学工業社製、「エレグリップＵＨＰ−０８０５ＭＣ」）を貼り付けた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／非粘着フィルム／ダイシングフィルムがこの順で積層された接着シートを作製した。
【０１５９】
（実施例２）
２ＰＨＺ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール系硬化促進剤）を、ジェットミルを用いて粉砕したものを、固体材料として用意した。２ＭＡＯＫ−ＰＷに代えて、上記２ＰＨＺ−ＰＷの粉砕品を用いたこと以外は実施例１と同様にして、硬化性樹脂組成物を得た。また、得られた硬化性樹脂組成物を用いて、実施例１と同様にしてダイボンディングフィルムを得た。
【０１６０】
さらに、得られたダイボンディングフィルムを用いて、実施例１と同様にして接着シートを作製した。
【０１６１】
（比較例１）
ＭＡＯＫ−ＰＷに代えて、上記２ＰＨＺ−ＰＷの未粉砕品を用いたこと以外は実施例１と同様にして、硬化性樹脂組成物を得た。また、得られた硬化性樹脂組成物を用いて、実施例１と同様にしてダイボンディングフィルムを得た。
【０１６２】
さらに、得られたダイボンディングフィルムの表面に、実施例１及び２と同様に非粘着フィルムを６０℃でラミネートしようと試みたが、ラミネートすることができなかった。
【０１６３】
（評価）
（１）ダイボンディングフィルムの表面粗さＲａ
カラー３Ｄレーザー顕微鏡ＶＫ−９７００（キーエンス社製）を用いて、ダイボンディングフィルムの表面粗さＲａを測定した。
【０１６４】
（２）硬化性樹脂組成物中の固体材料の平均粒径
レーザー回折式粒度分布計としてＬＭＳ３０（セイシン企業社製）を用いて、ダイボンディングフィルムを作製する前の硬化性樹脂組成物中の固体材料の平均粒径を測定した。
【０１６５】
（３）硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料の個数
ダイボンディングフィルムを作製する前の上記硬化性樹脂組成物を少量はかりとり、これをメチルエチルケトンを用いて１万倍に希釈した。この希釈液６０ｍＬを測定試料として、個数カウント式粒度分布計としてアキュサイザー７８０ＳＩＳ（インターナショナルビジネス社製）を用いて、固体材料の平均粒径を測定した。また、ブランクのメチルエチルエチルケトンについても同様の測定を行った。得られた測定結果から、硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料の個数を算出して求めた。
【０１６６】
（４）ピックアップの可否
得られた接着シートの離型フィルムを剥離し、露出したダイボンディングフィルムを直径８ｉｎｃｈ、厚み８０μｍのシリコンウェーハの一方面に６０℃でラミネートした。しかる後、ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。
【０１６７】
ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、エキスパンド４ｍｍ及びボンディング温度１００℃の各条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否について下記の評価基準で評価した。
【０１６８】
〔ピックアップ可否の評価基準〕
○：連続ピックアップＮＧの割合０％
△：連続ピックアップＮＧの割合１〜１５％
×：連続ピックアップＮＧの割合１６％以上
【０１６９】
（５）ボイドの発生
上記（４）ピックアップの可否の評価で得られたダイボンディングフィルム付き半導体チップを、ガラスエポキシ基板上に熱プレス機（０．１ＭＰａ、１００℃１秒間）によりダイボンディンディングフィルム側から仮着した。電子部品接合体としての半導体素子接合体を作製した。しかる後、オーブン中で１７０℃、１５分間ダイボンディングフィルムを硬化させることにより、半導体サンプルを得た。得られた１０個の半導体サンプルにおいて、超音波探傷装置（ＳＡＴ）を用いてボイドの発生を下記の評価基準で評価した。
【０１７０】
〔ボイドの発生の評価基準〕
○：ボイドが見られたサンプルが０個
△：ボイドが見られたサンプルが１〜３個
×：ボイドが見られたサンプルが４個以上
【０１７１】
結果を下記の表１に示す。
【０１７２】
【表１】
2009231494.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【０１７３】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る接着シートを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図。
【図２】本発明の他の実施形態に係る接着シートを示す部分切欠正面断面図。
【図３】本発明のさらに他の実施形態に係る接着シートを示す部分切欠正面断面図。
【図４】半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、半導体ウェーハがステージ上に載置された状態を示す部分切欠正面断面図。
【図６】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合するときの状態を示す部分切欠正面断面図。
【図７】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合した状態を示す部分切欠正面断面図。
【図８】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルム付き半導体ウェーハが裏返されて別のステージ上に載置された状態を示す部分切欠正面断面図。
【図９】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムが接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した状態を示す部分切欠正面断面図。
【図１０】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて製造された半導体チップを用いて構成された半導体装置を模式的に示す正面断面図。
【図１１】厚みが薄くされた従来のダイボンディングフィルムを用いて構成された半導体装置を模式的に示す部分切欠正面断面図。
【符号の説明】
【０１７４】
１…接着シート
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…ダイボンディングフィルム
３ａ…表面
４…非粘着フィルム
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘着剤
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
８…固体材料
１１…接着シート
１５…接着シート
１６…非粘着フィルム
１６Ａ，１６Ｂ…第１，第２の層
１６ａ，１６ｂ…表面
１７…ダイシングフィルム
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１Ａ，３１Ｂ…第１，第２の半導体チップ
４１…切り込み部分
５１…半導体装置
５２…基板
５２ａ…上面
５３〜５６…電気接続端子
５７〜６０…ボンディングワイヤー
６１〜６４…電気接続端子
６５…樹脂モールド層
【図１】
2009231494.tif 000004
【図２】
2009231494.tif 000005
【図３】
2009231494.tif 000006
【図４】
2009231494.tif 000007
【図５】
2009231494.tif 000008
【図６】
2009231494.tif 000009
【図７】
2009231494.tif 000010
【図８】
2009231494.tif 000011
【図９】
2009231494.tif 000012
【図１０】
2009231494.tif 000013
【図１１】
2009231494.tif 000014