(57)【要約】    【課題】発光の均一性を向上させつつ、少ない工程数で製造可能な電子放出源を提供すること。    【解決手段】基板上に少なくともカソード電極、安定化抵抗層、電子放出源が順に形成された電子放出素子であって、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である電子放出素子。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくともカソード電極、安定化抵抗層、電子放出源が順に形成された電子放出素子であって、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である電子放出素子。
【請求項２】
安定化抵抗層が、電気絶縁性ガラスおよび／またはセラミックスと、導電性粒子を含む請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
安定化抵抗層が、電子放出素子が形成される基板の略全面に形成されている請求項１または２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
安定化抵抗層の膜厚が、導電性粒子の粒径の２倍以下である請求項１〜３のいずれかに記載の電子放出素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子放出素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）、表面伝導型ディスプレイ（ＳＥＤ）、あるいは電界放出を用いた液晶バックライトや照明などの開発が近年盛んに行われている。例えばＦＥＤの最も一般的な構造は、カソード電極が形成されたガラス基板上にビアホールが形成された絶縁層とゲート電極を有し、ビアホール内に露出したカソード電極上に電子放出源（エミッタ）が形成されている背面基板と、アノード電極が形成されたガラス基板上に蛍光体層が形成された前面基板が、ガラスやセラミックスからなるスペーサーを介して所定の間隔になるように貼り合わせることで真空容器を形成したものである。カソード電極、ゲート電極、アノード電極に所定の電圧を印加し、電子放出源より発生した電子が蛍光体に照射されることにより発光を得ることができる。
しかしながら、カソード電極上に複数の電子放出源を形成した場合、各電子放出源ごとにカソード電極との接触抵抗や内部抵抗がそれぞれ異なるため、電圧を印加しても抵抗の小さい電子放出源に電子放出が集中してしまうことがあった。そのため、いくら電圧を印加しても抵抗の小さい電子放出源からしか電子放出が起こらず、発光の均一性を向上させることが難しかった。さらに、抵抗の小さい電子放出源に電子放出が集中するため、電子放出源の劣化を引き起こすという問題もあった。
そこで、例えば特許文献１や非特許文献１では、各電子放出源とカソード電極間に抵抗物質層を設けることが提案されている。この抵抗物質層は、安定化抵抗層として作用する。すなわち、安定化抵抗層における電圧降下の影響により、各電子放出源に作用する実効電圧は減少する。この電圧降下は、電子放出源の抵抗が小さく、より多くの電流が流れやすい電子放出源部分に存在する安定化抵抗層において、より強く作用する。そのため、結果として、電圧を強くした場合であっても各電子放出源ごとに流れる電流のばらつきが抑制され、特定の電子放出源からの電子放出の集中を防ぐことができる。しかしながら、従来の安定化抵抗層は基板に対して垂直方向と水平方向で同じ比抵抗を有するので、各電子放出源ごとに安定化抵抗層を形成しないと、隣接する電子放出源に作用する実効電圧の差が小さくなり、各電子放出源ごとに流れる電流のばらつきを十分小さくできない。そのために、安定化抵抗層のパターン加工が必要であり、工程数が増加し、製造コストをあげる要因となっていた。
【特許文献１】特開２００４−２０７２３９（請求項１）
【非特許文献１】フィールドエミッションディスプレイ技術、（株）シーエムシー、齋藤弥八監修、第３章ＦＥＤの構造と動作、１３〜１５ページ、２００４年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は上記課題に着目し、発光の均一性を向上させつつ、少ない工程数で製造可能な電子放出源を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
すなわち本発明は、基板上に少なくともカソード電極、安定化抵抗層、電子放出源が順に形成された電子放出素子であって、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である電子放出素子である。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、安定化抵抗層により発光の均一性を向上させつつ、少ない工程数で製造可能な電子放出源を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
発明者等は、安定化抵抗層により発光の均一性を向上させつつ、少ない工程数で製造可能な電子放出源を鋭意検討した結果、基板上に少なくともカソード電極、安定化抵抗層、電子放出源が順に形成された電子放出素子であって、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である電子放出素子で達成されることが分かった。
【０００７】
図１は本発明の電子放出素子を表したものである。本発明の電子放出素子は、ガラス基板１上にカソード電極２が設けられており、その上に安定化抵抗層３が形成されている。さらにその上に、パターンを有する絶縁層４が設けられており、該パターン内部に電子放出源６が形成されている。安定化抵抗層は基板の全面に形成されていても良いし、部分的に形成されていない領域があっても良い。ただし、各電子放出源とカソード基板の間には必ず安定化抵抗層が存在する。
【０００８】
安定化抵抗層とは、各電子放出源とカソード電極の間に所定の抵抗を挿入するための層であり、各電子放出源ごとに流れる電流のばらつきを抑制し、発光の均一性を向上させるものである。
【０００９】
本発明における安定化抵抗層は、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下である。このように比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ比抵抗に異方性を有すると、例えば本発明の安定化抵抗層を基板全面に形成し、そのままパターン加工することなくその上に複数の電子放出源を形成しても、隣接する電子放出源間に安定化抵抗層を通じた導電性が実質的に存在しない。つまり、パターン加工により安定化抵抗層を各電子放出源ごとに作成したのと同様の状況を作り出すことができる。従って、本発明の安定化抵抗層は、安定化抵抗層を電子放出源ごとに形成するためのパターン加工が不要である。なお、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗は、好ましくは１０１１Ω・ｃｍ以下である。
【００１０】
このような安定化抵抗層は、スピンコーティング、スクリーン印刷、スリットダイコーター等により全面形成させることができる。このように、各電子放出源ごとのパターン形状に合わせて安定化抵抗層のパターン加工を行う必要がないため、発光の均一性の高い電子放出素子を、少ない工程で製造することができる。なお、スクリーン印刷等の方法を用いれば、カソード電極上の一部に安定化抵抗層が形成されない領域を作成することも可能であるが、スクリーン印刷等のパターン精度やアライメントの手間を考慮すると、全面形成のほうが好ましい。
【００１１】
安定化抵抗層において、基板に対して垂直方向の安定化抵抗層の比抵抗が１Ω・ｃｍ以上であり、かつ基板に対して水平方向の安定化抵抗層の比抵抗の１／１００以下とするためには、図１に示すように、安定化抵抗層が、電気絶縁性ガラスおよび／またはセラミックスと、導電性粒子を含む焼結体であることが好ましい。電子放出源は真空中で動作させるため、有機物よりも焼結体のほうがアウトガスが発生し真空度を悪化させることが少ない。
【００１２】
また、安定化抵抗層の膜厚は導電性粒子の粒径の２倍以下であることが好ましい。用いる導電性粒子の粒径と安定化抵抗層の厚みをこのように調整することにより、カソード電極と電子放出源が、導電性粒子１個または数個の凝集を介して接しているため、基板に対して垂直方向には所定の導電性を付与することができる。一方、基板に対して水平方向には導電性粒子が導電経路をつくることなく分散しているので、実質的に導電性はない。
【００１３】
導電性粒子の平均粒径は０．１〜１０μｍが好ましい。これにより、導電性粒子の露出密度を大きくできるため、より精細度の高い電子放出源を作製することができる。従って安定化抵抗層の厚みは２０μｍ以下が好ましい。
【００１４】
本発明における導電性粒子の粒径は、粒子径分布測定装置（例えば、日機装（株）製、マイクロトラック９３２０ＨＲＡ）を用いて測定したときの粒子の直径を指し、累積５０％粒径を用いる。また、安定化抵抗層の厚みは、基板を小片にし、電子顕微鏡（例えば（株）日立製作所製透過型電子顕微鏡Ｈ７１００型）により５０００倍で、約２０μｍ幅の断面の１０箇所について厚みを測定し、これらの厚みの平均値とする。
【００１５】
本発明では、安定化抵抗層としての機能を効果的に発揮するために導電性粒子の比抵抗が１〜１０１１Ω・ｃｍである高抵抗粒子であることが好ましい。導電性粒子は、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）等を挙げることができる。入手のし易さ、比抵抗の観点から酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が好ましい。また、導電性酸化物を含む粒子、あるいは酸化物表面の一部または全部に導電性材料がコーティングされた粒子であってもよい。金属は触媒活性が高く、焼成や電子放出により高温になったときに電子放出源を劣化させることがあるためである。導電性酸化物としては、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化亜鉛などが好ましい。また、酸化チタン、酸化ケイ素などの酸化物表面の一部または全部にＩＴＯ、酸化スズ、酸化亜鉛、金、白金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、鉄、コバルトなどがコーティングされたものも好ましい。この場合も、導電性材料のコーティング材料としては、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化亜鉛などの導電性酸化物が好ましい。
【００１６】
また、単独の化合物ではなく、複合導電性粒子でもよい。複合導電性粒子は、例えば導電性粒子とガラスやセラミックスなどの混合物を焼結、粉砕することにより比抵抗を１〜１０１１Ω・ｃｍにしたものである。複合導電性粒子は、安定化抵抗層全体組成と同様に電気絶縁性ガラスおよび／またはセラミックスと導電性粒子を含むが、等方的な導電性を有する領域を複合導電性粒子として区別することができる。複合導電性粒子は、比抵抗を容易に変更できるため好ましい。電気絶縁性ガラスおよびセラミックスは、絶縁性を有していれば限定されないが、比較的低温で加工できるため、電気絶縁性を有する低軟化点ガラスが好ましい。しかし、代表的な低軟化点ガラスである鉛系ガラスは、環境負荷の観点から好ましくない。従って、環境負荷の少ないビスマス系ガラスを用いることが好ましい。また、同様の理由でアルカリ系ガラスを用いることも好ましい。
【００１７】
ここでいうガラスの軟化点は示差熱分析（ＤＴＡ）法を用いてガラス試料１００ｍｇを２０℃／分で空気中で加熱し、横軸に温度、縦軸に熱量をプロットして得られるＤＴＡ曲線より得られる。
【００１８】
ビスマス系ガラスとしては、例えば、４５〜８６重量％の酸化ビスマス、０．５〜８重量％の酸化ケイ素、３〜２５重量％の酸化ホウ素、０〜２５重量％の酸化亜鉛を有するガラス粉末がガラスの安定性と軟化点の制御のしやすさという点で好ましい。アルカリ系ガラスとしては、３〜１５重量％の酸化リチウム、酸化ナトリウムまたは酸化カリウム、２〜１５重量％の酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム、２０〜４５重量％の酸化ホウ素、１０〜２５重量％の酸化アルミニウム、５〜３０重量％の酸化ケイ素、２〜１５重量％の酸化バリウムまたは酸化ストロンチウム、０〜５重量％の酸化亜鉛を有するガラス粉末がガラスの安定性と軟化点の制御のしやすさという点で好ましい。
【００１９】
これらの低軟化点ガラスと導電性粒子を混合・焼結し、ボールミル等を用いて所望の粒径になるまで粉砕し、複合導電性粒子を得ることができる。低軟化点ガラス粉末と導電性粒子の混合比は、目的の比抵抗にもよるが、低軟化点ガラス粉末と導電性粒子の合計量に占める導電性粒子の濃度が３０ｖｏｌ％以下が好ましい。３０ｖｏｌ％を超えると、焼結性が低下するため、強度低下やアウトガスの増加といった問題を引き起こしやすい。
【００２０】
また、安定化抵抗層中の導電性粒子または複合導電性粒子の濃度は、１０ｖｏｌ％以下が好ましい。１０ｖｏｌ％以下であることで、より大きい異方導電性を発現させることができる。
【００２１】
基板に対して垂直方向、水平方向の比抵抗の測定は以下のようにすることができる。垂直方向の比抵抗について、ＩＴＯをスパッタにより成膜し平面電極を形成したソーダガラス基板上に作製した安定化抵抗層に直径１０ｍｍの電極を形成し、比抵抗を測定することができる。水平方向の比抵抗については、平面電極のないソーダガラス基板上に作製した安定化抵抗層上に、１００μｍのギャップを持ち、１０ｍｍの長さでオーバーラップする幅５ｍｍのくし形電極を形成し、比抵抗を測定することができる。
【００２２】
以下に、本発明の電子放出素子の製造方法について説明する。ソーダガラス等の基板上にＩＴＯ等の導電性膜を成膜しカソード電極を形成する。次に、安定化抵抗層を形成する。安定化抵抗層は、電気絶縁性ガラスまたは／およびセラミックス粉末と、導電性粒子をバインダー樹脂、溶剤を含むペーストを作製し、塗布、焼成することによって形成するペースト法が好ましい。塗布方法は、スクリーン印刷、スリットダイコーター、スピンナーなどの公知の方法でカソード基板を形成した基板状に成膜することができる。乾燥後、電気絶縁性ガラスまたは／およびセラミックス粉末が焼結する温度にて焼成し、安定化抵抗層を作製することができる。
【００２３】
ペースト成分であるバインダー樹脂は、５００℃以下の窒素雰囲気下でも熱分解性が良好であることが好ましい。具体的には、窒素雰囲気下における熱重量分析（ＴＧＡ）において、５００℃における有機残分が初期重量の１％以下であることが好ましい。より好ましくは、４５０℃において１％以下、さらに好ましくは４３０℃において１％以下である。
【００２４】
熱分解温度は、ＴＧ測定装置（ＴＧＡ−５０、（株）島津製作所（株）製）にて約５ｍｇの試料をセットし、空気または窒素雰囲気で流量２０ｍｌ／ｍｉｎ、昇温速度２０〜０．６℃／ｍｉｎで７００℃まで昇温する。その結果、温度（縦軸）と重量変化（横軸）の関係がプロットされたチャートを印刷し、分解前（横軸に平行な部分）の部分と分解中の部分の接線を引き、その交点の温度を熱分解温度とする、等の方法で測定できる。
【００２５】
バインダー樹脂としては、５００℃以下の窒素雰囲気下で熱分解するものであれば限定されないが、スクリーン印刷やスリットダイコーターによる塗膜作製のしやすさからアクリル樹脂やセルロース樹脂が好ましい。例えばポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、ブチルメタクリレート樹脂等を用いることができる。
【００２６】
溶剤は、バインダー樹脂等有機成分を溶解するものであれば公知のものを用いることができる。例えば、エチレングリコールやグリセリンに代表されるジオールやトリオールなどの多価アルコール、アルコールをエーテル化および／またはエステル化した化合物が挙げられる。特に、テルピネオールが電子放出材料であるＣＮＴの分散性が良好であるため特に好ましい。
【００２７】
分散剤も含んでも良い。公知のものを用いることができるが、バインダー樹脂と同様、５００℃以下の窒素雰囲気下でも熱分解性が良好であることが好ましい。具体的には、窒素雰囲気下における熱重量分析（ＴＧＡ）において、５００℃における有機残分が初期重量の１％以下であることが好ましい。より好ましくは、４５０℃において１％以下、さらに好ましくは４３０℃において１％以下である。
【００２８】
次に、プラズマＣＶＤ法などの方法を用いて酸化ケイ素からなる絶縁層を作製する。絶縁層上にスパッタ法などによりゲート電極層を形成し、その上にレジスト塗布し、露光、現像によりゲート電極および絶縁層をエッチングすることによって、ビアホールパターンを作製する。感光性ガラスペースト法を用いて絶縁層を形成してもよい。
この後、電子放出源用ペーストをスクリーン印刷またはスリットダイコーター等により塗布する。露光・現像を行い、ビアホール内に電子放出源パターンを形成し、大気中または窒素雰囲気中で４００〜５００℃で焼成する。最後にレーザー照射法やテープはく離法により電子放出源の活性化処理を行う。次に、前面基板を作製する。ソーダライムガラス等のガラス基板上にＩＴＯを成膜しアノード電極を形成する。アノード電極上に白色蛍光体を印刷法により積層する。背面基板と前面基板をスペーサーガラスをはさんで貼り合わせ、容器に接続した排気管により真空排気することによりトライオード型電子放出素子を作製する。電子放出状態を確認するために、カソード電極、ゲート電極、アノード電極に所定の電圧を印加し、電子放出源から電子が放出され蛍光体発光を得ることができる。
【実施例】
【００２９】
以下に、本発明を実施例を用いて具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。各組成物に用いた材料は次のとおりである。
【００３０】
導電性粒子１：ガラス粉末１を８０ｖｏｌ％、導電性フィラー１を２０ｖｏｌ％となるように混合後、５００℃で焼結させた後、ボールミルにて粉砕した複合粒子、比抵抗２×１０３Ω・ｃｍ、平均粒径３μｍ
導電性粒子２：酸化クロム粉末（Ｃｒ２Ｏ３）、比抵抗１．３×１０３Ω・ｃｍ、平均粒径３μｍ
導電性粒子３：石原産業（株）製、ＥＴ−３００Ｗ（ＴｉＯ２粒子にＳｂをドープしたＳｎＯ２をコートしたもの、粉体抵抗２〜５Ω・ｃｍ（９．８ＭＰａ圧粉体）、平均粒径０．２〜０．３μｍ）
ガラス粉末１：ビスマス系ガラス（酸化ビスマス：５０ｗｔ％、酸化ホウ素：２１ｗｔ％、酸化ケイ素：７ｗｔ％、酸化亜鉛：２２ｗｔ％）、ガラス軟化点４４７℃、平均粒径０．９μｍ、密度５．５ｇ／ｃｍ３ 
ガラス粉末２：ビスマス系ガラス（酸化ビスマス：８５ｗｔ％、酸化ホウ素：４ｗｔ％、酸化ケイ素：１．５ｗｔ％、酸化亜鉛：９．５ｗｔ％）、ガラス軟化点４１５℃、平均粒径０．５μｍ、密度６ｇ／ｃｍ３
バインダー１：ポリイソブチルメタクリレート
溶剤１：３-メチル３-メトキシブタノール（和光純薬工業（株）製）
溶剤２：α−テルピネオール（和光純薬工業（株）製）
電子放出材料：ＣＮＴ１（Ｓ−ＤＷＮＴ、ＳｈｉｎｚｈｅｎＮａｎｏｔｅｃｈＰｏｒｔＣｏ．,Ｌｔｄ．製）
導電性フィラー１：石原産業（株）製、ＥＴ−５００Ｗ。
【００３１】
膜厚測定
基板を小片にし、電子顕微鏡（（株）日立製作所製透過型電子顕微鏡Ｈ７１００型）により５０００倍で、２０μｍ幅の断面の１０箇所について厚みを測定し、これらの平均値を厚みとした。
【００３２】
平均粒径測定
用いた導電性粒子、ガラス粉末、導電性フィラー粒子は径分布測定装置（日機装（株）製、マイクロトラック９３２０ＨＲＡ）を用いて測定し、累積５０％粒径を平均粒径とした。
【００３３】
安定化抵抗層の作製
安定化抵抗層膜中の導電性粒子濃度、すなわち導電性粒子とガラス粉末１の合計量に対する導電性粒子濃度が各実施例において表１に示す通りとなるように各導電性粒子とガラス粉末１を全量４０ｇとして混合した。そこにバインダー１を溶剤１に溶解させた３５ｗｔ％バインダー溶液を１００ｇ加え、３本ローラーで混練することにより、安定化抵抗層用ペーストを作製した。次に、ＩＴＯをスパッタにより成膜し平面電極を形成したソーダガラス基板上に、安定化抵抗層用ペーストを、スクリーン印刷により、膜厚が表１に示す通りとなるように印刷し、大気中４７０℃、１５分間焼成することにより安定化抵抗層をえた。
【００３４】
ＣＮＴペーストの作製
ＣＮＴ１を２ｇ、ガラス粉末２を４ｇ、導電性フィラー１を２ｇ、バインダー１を２０ｇ、溶剤２を７２ｇを混合し、３本ローラーで混練することによりＣＮＴペーストを作製した。
【００３５】
比抵抗測定
基板に対し垂直方向の比抵抗については、前記の方法により作製した各々の安定化抵抗層上に直径１０ｍｍの電極を形成し、測定した。基板に対し水平方向の比抵抗については、平面電極のないソーダガラス基板上に作製した安定化抵抗層上に、１００μｍのギャップを持ち、１０ｍｍの長さでオーバーラップする幅５ｍｍのくし形電極を形成し、測定した。
【００３６】
発光均一性の評価
前記の方法により安定化抵抗層を形成した基板に、ＣＮＴペーストの１００μｍ×１００μｍの矩形パターン（２ｍｍピッチで１００個）を、スクリーン印刷にて形成した。窒素雰囲気下４４０℃、２０分間焼成後、剥離接着強さ６．７Ｎ／ｃｍのテープ（住友スリーエム（株）、８４２１Ｓ）を電子放出源に貼り付け、４５°の角度を保持しながら１ｃｍ／秒の速さでテープを剥離した。
【００３７】
次に、ＩＴＯをスパッタした厚み１．８ｍｍのソーダガラス基板上に蛍光体を印刷し、アノード基板を作製した。そして、先に作製したカソード基板とアノード基板とを、１００μｍのスペーサーガラスをはさんで貼り合わせ、真空チャンバー内にセットした。電極を接続して１×１０−３Ｐａになるまで真空排気し、電流値が２００μＡになるまでアノード電極に電圧を印加し、蛍光体発光を観察した。点灯エミッタ、不灯エミッタの数を計測し、全エミッタ数に対する点灯エミッタの百分率を発光の均一性の指標とした。１００％が全点灯で発光の均一性が最もよい。
【００３８】
実施例１〜８
表１に示した導電性粒子を用い、また表１に示した膜厚および導電性粒子濃度となるように、上記の方法で安定化抵抗層を作製し、安定化抵抗層の基板に対し垂直方向および水平方向の比抵抗を測定した。また、安定化抵抗層を形成した基板を用いて、上記の方法で電子放出素子を作製し、発光均一性の評価を行った。結果を表１に示す。どれも発光の均一性は良好であった。
【００３９】
比較例１
安定化抵抗層の作製において、導電性粒子３を用いたこと以外は、実施例１と同様に行った。結果を表１に示す。得られた安定化抵抗層に導電異方性がなく、発光の均一性は低かった。
【００４０】
比較例２
安定化抵抗層の作製において、導電性粒子を用いないこと以外は、実施例１と同様に行った。結果を表１に示す。５ｋＶまで電圧印加したが、発光は得られなかった。
【００４１】
比較例３
安定化抵抗層を形成していない基板を用いて、上記の方法で電子放出素子を作製し、発光均一性の評価を行った。結果を表１に示す。発光の均一性は低かった。
【００４２】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の電界放出素子の模式図。
【符号の説明】
【００４４】
１  ガラス基板
２  カソード電極
３  安定化抵抗層
４  絶縁層
５  ゲート電極
６  電子放出源
７  導電性粒子
８  電気絶縁性ガラスおよび／またはセラミックス
【図１】
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