(57)【要約】【課題】半導体素子から放射されるノイズが、半導体装置が実装される実装基板に悪影響を及ぼすことを防止する。【解決手段】インターポーザ基板１と、インターポーザ基板１の上面に搭載されインターポーザ基板１と電気的に接続する半導体素子３と、インターポーザ基板１及び半導体素子３を一体的に封止する封止樹脂６とを備え、インターポーザ基板１の下面に配置された外部電極５を介して実装基板に実装される半導体装置であって、封止樹脂６の表面を覆う第１のシート７を備えている。第１のシート７は、導電性材料からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の上面に搭載され前記インターポーザ基板と電気的に接続する半導体素子と、前記インターポーザ基板及び前記半導体素子を一体的に封止する封止樹脂とを備え、前記インターポーザ基板の下面に配置された外部電極を介して実装基板に実装される半導体装置であって、
前記封止樹脂の表面を覆うシートを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記シートは、導電性材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記シートは、電波吸収材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記シートは、前記封止樹脂の表面と前記インターポーザ基板の周縁領域とを覆うように形成され、
前記シートと、前記インターポーザ基板の周縁領域に配置された配線パターンとの間には、接続部が設けられており、
前記接続部を介して、前記シートは、前記インターポーザ基板の接地面と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記シートは、導電性材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記シートには、前記封止樹脂を構成する樹脂を注入するための開口が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
インターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の上面に搭載され前記インターポーザ基板と電気的に接続する半導体素子と、前記インターポーザ基板及び前記半導体素子を一体的に封止する封止樹脂とを備え、前記インターポーザ基板の下面に配置された外部電極を介して実装基板に実装される半導体装置であって、
前記封止樹脂の表面を覆う第１のシートと、
前記第１のシートの表面を覆う第２のシートとを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第１のシートは、絶縁材料からなり、
前記第２のシートは、導電性材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第１のシートは、電波吸収材料からなり、
前記第２のシートは、導電性材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第１のシートは、絶縁材料からなり、
前記第２のシートは、電波吸収材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第２のシートは、前記第１のシートの表面と前記インターポーザ基板の周縁領域とを覆うように形成され、
前記第２のシートと、前記インターポーザ基板の周縁領域に配置された配線パターンとの間には、接続部が設けられており、
前記接続部を介して、前記第２のシートは、前記インターポーザ基板の接地面と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置において、
前記第１のシートは、絶縁材料からなり、
前記第２のシートは、導電性材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の半導体装置において、
前記第１のシートは、電波吸収材料からなり、
前記第２のシートは、導電性材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第１のシート及び前記第２のシートには、前記封止樹脂を構成する樹脂を注入するための開口が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項２、５、８、９、１２又は１３記載の半導体装置において、
前記導電性材料は、ニッケル、金、又はアルミニウムからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項３、９、１０又は１３に記載の半導体装置において、
前記電波吸収材料は、フェライトからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
インターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の上面に搭載され前記インターポーザ基板と電気的に接続する半導体素子と、前記インターポーザ基板及び前記半導体素子を一体的に封止する封止樹脂とを備え、前記インターポーザ基板の下面に配置された外部電極を介して実装基板に実装される半導体装置の製造方法であって、
前記インターポーザ基板の上面に前記半導体素子を搭載する工程（ａ）と、
金型のキャビティー内に第１のシートを設置する工程（ｂ）と、
前記工程（ａ）及び前記工程（ｂ）の後に、前記金型のキャビティー内に前記半導体素子が配置されるように前記インターポーザ基板上に前記金型を設置する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記金型のキャビティー内に樹脂を注入し、前記封止樹脂を形成する工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）は、前記第１のシートと前記インターポーザ基板との間に、前記第１のシートと前記インターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｃ）をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）は、前記金型の開口と前記第１のシートの開口とが対応するように、前記金型のキャビティー内に前記第１のシートを設置する工程であり、
前記工程（ｄ）において、前記金型の開口及び前記第１のシートの開口から、又は前記金型の開口及び前記第１のシートの開口に挿入された管から、前記金型のキャビティー内に樹脂が注入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｄ）の後に、前記第１のシートの表面を覆う第２のシートを形成する工程（ｅ）をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）は、前記金型のキャビティー内に第２のシートを設置する工程（ｂ１）と、前記工程（ｂ１）の後に、前記金型のキャビティー内に前記第１のシートを設置する工程（ｂ２）とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｅ）は、前記第２のシートと前記インターポーザ基板との間に、前記第２のシートと前記インターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｅ）をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）は、前記第２のシートと前記インターポーザ基板との間に、前記第２のシートと前記インターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｃ）をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
インターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の上面に搭載され前記インターポーザ基板と電気的に接続する半導体素子と、前記インターポーザ基板及び前記半導体素子を一体的に封止する封止樹脂とを備え、前記インターポーザ基板の下面に配置された外部電極を介して実装基板に実装される半導体装置の製造方法であって、
前記インターポーザ基板の上面に前記半導体素子を搭載する工程（ａ）と、
開口が設けられた第１のシートからなるキャップを準備する工程（ｂ）と、
前記工程（ａ）及び前記工程（ｂ）の後に、前記キャップ内に前記半導体素子が配置されるように前記インターポーザ基板上に前記キャップを設置する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記キャップの開口から前記キャップ内に樹脂を注入し、前記封止樹脂を形成する工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）は、前記キャップを構成する前記第１のシートと前記インターポーザ基板との間に、前記第１のシートと前記インターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｃ）をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｄ）において、前記キャップの開口に挿入された管から、前記キャップ内に樹脂が注入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｄ）の後に、前記第１のシートの表面を覆う第２のシートを形成する工程（ｅ）をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）は、開口が設けられた前記第１のシートと第２のシートとからなるキャップを準備する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項２７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｅ）は、前記キャップを構成する前記第２のシートと前記インターポーザ基板との間に、前記第２のシートと前記インターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｅ）をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
請求項２８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）は、前記キャップを構成する前記第２のシートと前記インターポーザ基板との間に、前記第２のシートと前記インターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｃ）をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の多機能化、小型・薄型化に伴い、半導体装置においては、小型化・薄型化が進み、端子数も増加傾向にある。このような目的を達成する半導体装置の１種として、従来のＱＦＰ（Ｑuad Ｆlat Ｐackage）型パッケージのような側方に突出していた外部リードをなくし、実装基板との電気的接続を行うための外部電極としての半田ボールをインターポーザ基板の下面にマトリクス状に配置した、いわゆるＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａllay）型パッケージが知られている。
【０００３】
このようなＢＧＡ型の半導体装置では、半導体素子から放射される電磁波（ノイズ）、及び外部から半導体素子へ伝わる電磁波（ノイズ）が、半導体素子の特性、及びその周辺のデバイス等の特性、並びに人体に悪影響を及ぼすとして問題となっている。
【０００４】
そこで、このようなノイズ対策の一環として、特許文献１には、以下に示すような構成を有する半導体装置が開示されている。特許文献１に開示されている従来の半導体装置について、図２０を参照しながら説明する。図２０は、従来の半導体装置の構成について示す断面図である。
【０００５】
図２０に示すように、金属フレーム２９が、半導体素子２６と接触せずに半導体素子２６を覆っている。半導体素子２６が実装されたインターポーザ基板２５の外周端部が金属フレーム２９の内側面に保持されている。金属フレーム２９の下端となる開口端部はインターポーザ基板２５の裏面より下側に飛び出た足部２９ａになっている。金属フレーム２９の外側には封止樹脂３０が設けられている。金属フレーム２９の足部２９ａは、半導体装置６００が実装される実装基板３２の銅箔パターン３３上に位置し、銅箔パターン３３と足部２９ａとは半田３１により固定されている。ワイヤ２７により、半導体素子２６とインターポーザ基板２５とが電気的に接続している。インターポーザ基板２５の裏面にマトリクス状に配置された半田ボール２８と、実装基板３２に配置された銅箔パターン３４とが電気的に接続している。
【０００６】
このように、足部２９ａが接続される実装基板３２の銅箔パターン３３はグランドに接続されているため、半導体素子２６がグランドで覆われることになり、ノイズを遮蔽するシールドの役割を金属フレーム２９に持たせることができる。
【０００７】
また、金属フレーム２９の外側を封止樹脂３０によって被覆する構成であるため、パッケージ外形をモールド又は塗布等によって精度良く形成することができる。
【特許文献１】特開２００６−６６４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の半導体装置６００では、金属フレーム２９の足部２９ａがインターポーザ基板２５の下面よりも突出し、実装基板３２の銅箔パターン３３上に位置しており、金属フレーム２９内部には、実装基板３２の銅箔パターン３４が存在しており、半導体素子２６から放射されるノイズが、実装基板３２（例えば、銅箔パターン３４）に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００９】
また、従来の半導体装置６００では、半導体装置６００を薄型化した場合、ワイヤ２７に金属フレーム２９が接触し、半導体装置６００内でショートが起こる虞がある。
【００１０】
前記に鑑み、本発明は、半導体素子から放射されるノイズが、半導体装置が実装される実装基板（例えば、実装基板に配置された銅箔パターン）に悪影響を及ぼすことを防止することを第１の目的とし、半導体装置が薄型化されることがあっても、半導体装置内でショートが起こることを防止することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記第１の目的を達成するために、請求項１に記載の半導体装置は、インターポーザ基板と、インターポーザ基板の上面に搭載されインターポーザ基板と電気的に接続する半導体素子と、インターポーザ基板及び半導体素子を一体的に封止する封止樹脂とを備え、インターポーザ基板の下面に配置された外部電極を介して実装基板に実装される半導体装置であって、封止樹脂の表面を覆うシートを備えていることを特徴とする。
【００１２】
シートにより、半導体素子から放射されるノイズがシート外部へ漏洩することを防止できると共に、シート外部から半導体素子へノイズが伝わることを防止できる。加えて、シートの端部がインターポーザ基板の上面に位置しており、シート内部には、半導体装置が実装される実装基板が存在していない。そのため、従来のように半導体素子から放射されるノイズが実装基板に悪影響を及ぼすことがなく、シールド効果（ノイズ防止効果）を向上させることができる。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、シートは、導電性材料からなることを特徴とする。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、シートは、電波吸収材料からなることを特徴とする。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、シートは、封止樹脂の表面とインターポーザ基板の周縁領域とを覆うように形成され、シートと、インターポーザ基板の周縁領域に配置された配線パターンとの間には、接続部が設けられており、接続部を介して、シートは、インターポーザ基板の接地面と電気的に接続していることを特徴とする。
【００１６】
請求項５の発明は、請求項４に記載の半導体装置において、シートは、導電性材料からなることを特徴とする。
【００１７】
請求項６の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、シートには、封止樹脂を構成する樹脂を注入するための開口が設けられていることを特徴とする。
【００１８】
前記第１の目的及び第２の目的を達成するために、請求項７に記載の半導体装置は、インターポーザ基板と、インターポーザ基板の上面に搭載されインターポーザ基板と電気的に接続する半導体素子と、インターポーザ基板及び半導体素子を一体的に封止する封止樹脂とを備え、インターポーザ基板の下面に配置された外部電極を介して実装基板に実装される半導体装置であって、封止樹脂の表面を覆う第１のシートと、第１のシートの表面を覆う第２のシートとを備えていることを特徴とする。
【００１９】
第１のシートにより、半導体素子から放射されるノイズが第１のシート外部へ漏洩することを防止できると共に、第１のシート外部から半導体素子へノイズが伝わることを防止できる。加えて、第１のシートの端部がインターポーザ基板の上面に位置しており、第１のシート内部には、半導体装置が実装される実装基板が存在していない。そのため、従来のように半導体素子から放射されるノイズが実装基板に悪影響を及ぼすことがなく、シールド効果（ノイズ防止効果）を向上させることができる。
【００２０】
加えて、封止樹脂と第２のシートとの間に第１のシートを設けることにより、ワイヤと第２のシートとが接触することがなく、加えて、半導体装置が薄型化されてワイヤと第１のシートとが接触することがあっても、第１のシートは絶縁機能を持つため、ワイヤと第１のシートとがショートすることはなく、ショート防止効果を得ることができる。
【００２１】
請求項８の発明は、請求項７に記載の半導体装置において、第１のシートは、絶縁材料からなり、第２のシートは、導電性材料からなることを特徴とする。
【００２２】
請求項９の発明は、請求項７に記載の半導体装置において、第１のシートは、電波吸収材料からなり、第２のシートは、導電性材料からなることを特徴とする。
【００２３】
請求項１０の発明は、請求項７に記載の半導体装置において、第１のシートは、絶縁材料からなり、第２のシートは、電波吸収材料からなることを特徴とする。
【００２４】
請求項１１の発明は、請求項７に記載の半導体装置において、第２のシートは、第１のシートの表面とインターポーザ基板の周縁領域とを覆うように形成され、第２のシートと、インターポーザ基板の周縁領域に配置された配線パターンとの間には、接続部が設けられており、接続部を介して、第２のシートは、インターポーザ基板の接地面と電気的に接続していることを特徴とする。
【００２５】
請求項１２の発明は、請求項１１に記載の半導体装置において、第１のシートは、絶縁材料からなり、第２のシートは、導電性材料からなることを特徴とする。
【００２６】
請求項１３の発明は、請求項１１に記載の半導体装置において、第１のシートは、電波吸収材料からなり、第２のシートは、導電性材料からなることを特徴とする。
【００２７】
請求項１４の発明は、請求項７に記載の半導体装置において、第１のシート及び第２のシートには、封止樹脂を構成する樹脂を注入するための開口が設けられていることを特徴とする。
【００２８】
請求項１５の発明は、請求項２、５、８、９、１２又は１３記載の半導体装置において、導電性材料は、ニッケル、金、又はアルミニウムからなることを特徴とする。
【００２９】
請求項１６の発明は、請求項３、９、１０又は１３に記載の半導体装置において、電波吸収材料は、フェライトからなることを特徴とする。
【００３０】
前記第１の目的を達成するために、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法は、インターポーザ基板と、インターポーザ基板の上面に搭載されインターポーザ基板と電気的に接続する半導体素子と、インターポーザ基板及び半導体素子を一体的に封止する封止樹脂とを備え、インターポーザ基板の下面に配置された外部電極を介して実装基板に実装される半導体装置の製造方法であって、インターポーザ基板の上面に半導体素子を搭載する工程（ａ）と、金型のキャビティー内に第１のシートを設置する工程（ｂ）と、工程（ａ）及び工程（ｂ）の後に、金型のキャビティー内に半導体素子が配置されるようにインターポーザ基板上に金型を設置する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、金型のキャビティー内に樹脂を注入し、封止樹脂を形成する工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする。
【００３１】
第１のシートにより、半導体素子から放射されるノイズが第１のシート外部へ漏洩することを防止できると共に、第１のシート外部から半導体素子へノイズが伝わることを防止できる。加えて、第１のシートの端部がインターポーザ基板の上面に位置しており、第１のシート内部には、半導体装置が実装される実装基板が存在していない。そのため、従来のように半導体素子から放射されるノイズが実装基板に悪影響を及ぼすことがなく、シールド効果（ノイズ防止効果）を向上させることができる。
【００３２】
請求項１８の発明は、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｃ）は、第１のシートとインターポーザ基板との間に、第１のシートとインターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｃ）をさらに含むことを特徴とする。
【００３３】
請求項１９の発明は、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｂ）は、金型の開口と第１のシートの開口とが対応するように、金型のキャビティー内に第１のシートを設置する工程であり、工程（ｄ）において、金型の開口及び第１のシートの開口から、又は金型の開口及び第１のシートの開口に挿入された管から、金型のキャビティー内に樹脂が注入されることを特徴とする。
【００３４】
請求項２０の発明は、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｄ）の後に、第１のシートの表面を覆う第２のシートを形成する工程（ｅ）をさらに備えていることを特徴とする。
【００３５】
請求項２１の発明は、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｂ）は、金型のキャビティー内に第２のシートを設置する工程（ｂ１）と、工程（ｂ１）の後に、金型のキャビティー内に第１のシートを設置する工程（ｂ２）とを含むことを特徴とする。
【００３６】
請求項２２の発明は、請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｅ）は、第２のシートとインターポーザ基板との間に、第２のシートとインターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｅ）をさらに含むことを特徴とする。
【００３７】
請求項２３の発明は、請求項２１に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｃ）は、第２のシートとインターポーザ基板との間に、第２のシートとインターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｃ）をさらに含むことを特徴とする。
【００３８】
前記第１の目的を達成するために、請求項２４に記載の半導体装置の製造方法は、インターポーザ基板と、インターポーザ基板の上面に搭載されインターポーザ基板と電気的に接続する半導体素子と、インターポーザ基板及び半導体素子を一体的に封止する封止樹脂とを備え、インターポーザ基板の下面に配置された外部電極を介して実装基板に実装される半導体装置の製造方法であって、インターポーザ基板の上面に半導体素子を搭載する工程（ａ）と、開口が設けられた第１のシートからなるキャップを準備する工程（ｂ）と、工程（ａ）及び工程（ｂ）の後に、キャップ内に半導体素子が配置されるようにインターポーザ基板上にキャップを設置する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、キャップの開口からキャップ内に樹脂を注入し、封止樹脂を形成する工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする。
【００３９】
第１のシートにより、半導体素子から放射されるノイズが第１のシート外部へ漏洩することを防止できると共に、第１のシート外部から半導体素子へノイズが伝わることを防止できる。加えて、第１のシートの端部がインターポーザ基板の上面に位置しており、第１のシート内部には、半導体装置が実装される実装基板が存在していない。そのため、従来のように半導体素子から放射されるノイズが実装基板に悪影響を及ぼすことがなく、シールド効果（ノイズ防止効果）を向上させることができる。
【００４０】
請求項２５の発明は、請求項２４に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｃ）は、キャップを構成する第１のシートとインターポーザ基板との間に、第１のシートとインターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｃ）をさらに含むことを特徴とする。
【００４１】
請求項２６の発明は、請求項２４に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｄ）において、キャップの開口に挿入された管から、キャップ内に樹脂が注入されることを特徴とする。
【００４２】
請求項２７の発明は、請求項２４に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｄ）の後に、第１のシートの表面を覆う第２のシートを形成する工程（ｅ）をさらに備えていることを特徴とする。
【００４３】
請求項２８の発明は、請求項２４に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｂ）は、開口が設けられた第１のシートと第２のシートとからなるキャップを準備する工程であることを特徴とする。
【００４４】
請求項２９の発明は、請求項２７に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｅ）は、キャップを構成する第２のシートとインターポーザ基板との間に、第２のシートとインターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｅ）をさらに含むことを特徴とする。
【００４５】
請求項３０の発明は、請求項２８に記載の半導体装置の製造方法において、工程（ｃ）は、キャップを構成する第２のシートとインターポーザ基板との間に、第２のシートとインターポーザ基板の接地面とを電気的に接続する接続部を介在させる工程（ｘｃ）をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、封止樹脂の表面を覆うシートにより、半導体素子から放射されるノイズがシート外部へ漏洩することを防止できると共に、シート外部から半導体素子へノイズが伝わることを防止できる。加えて、シートの端部がインターポーザ基板の上面に位置しており、シート内部には、半導体装置が実装される実装基板が存在していない。そのため、従来のように半導体素子から放射されるノイズが実装基板に悪影響を及ぼすことがなく、シールド効果（ノイズ防止効果）を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されない。
【００４８】
（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置について、図１(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図１(a) 及び(b) は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。具体的には、図１(a) はシート側から見た半導体装置の平面図、図１(b) は図１(a) 中に示すIb-Ib線における半導体装置の断面図である。
【００４９】
本実施形態の構成上の特徴点は、封止樹脂６を覆うシート７を備えている点である。
【００５０】
本実施形態に係る半導体装置１００は、主要な構成要素として、図１(b) に示すように、インターポーザ基板１と、インターポーザ基板１上に接着剤２を介して搭載された半導体素子３と、半導体素子３の電極パッド（図示せず）とインターポーザ基板１の配線パターン１ａとを電気的に接続するワイヤ４と、インターポーザ基板１の配線パターン１ｂと電気的に接続するボール電極５と、インターポーザ基板１及び半導体素子３を一体的に封止する封止樹脂６と、封止樹脂６を覆うシート７とを備えている。
【００５１】
シート７は、例えば膜厚が２μｍの導電性材料からなり、導電性材料の具体例としては、例えば、アルミニウム、金、ニッケル等が挙げられる。
【００５２】
インターポーザ基板１は、その上面（半導体素子３の搭載面）に配置された配線パターン１ａと、その下面に配置された配線パターン１ｂと、例えば絶縁性樹脂からなる絶縁層中に形成されたグランドプレーン１ｃ及び電源プレーン１ｅと、該絶縁層中に設けられたビアホール内に形成され、相対する配線パターン１ａ，１ｂ間を電気的に接続するビア１ｄとを有している。
【００５３】
このように、本実施形態おけるシート７は、図１(a) に示すように、四辺形状に形成された上面部７ａと、上面部７ａの周縁に連接され下方に延びる側面部７ｂとを有している。そして、図１(b) に示すように、シート７の端部（詳細には、側面部７ｂの下端）が、インターポーザ基板１の上面に位置している。
【００５４】
以下に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２(a) 〜(d) を参照しながら説明する。図２(a) 〜(d) は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。なお、本実施形態では、２つの半導体装置を製造する場合を具体例に挙げて説明する。
【００５５】
まず、図２(a) に示すように、インターポーザ基板１を準備し、インターポーザ基板１の上面のうち半導体素子が搭載される領域（以下、素子搭載領域と称す）に、接着剤２を塗布する。その後、接着剤２を介して、インターポーザ基板１の素子搭載領域上に半導体素子３を接着固定し、インターポーザ基板１上に半導体素子３を搭載する。その後、ワイヤ４により、半導体素子３の電極パッド（図示せず）と、インターポーザ基板１の上面に配置された配線パターンとを電気的に接続する。
【００５６】
次に、図２(b) に示すように、金型８のキャビティー内に、シート材料（例えば、導電性材料）からなるシート７を設置する。このようにして、図２(b) に示すように、上面部７ａと、上面部７ａの周縁に連接され下方に延びる側面部７ｂとが一体化されてなるシート７を形成する。
【００５７】
ここで、キャビティー内へのシート７の設置方法としては、第１に例えば、柔軟性の高いシート材料を用いて、キャビティーの形状に合わせてシート材料を敷く方法、第２に例えば、キャビティーの形状に合う形状のシート７を予め作製し、キャビティー内にシート７を嵌め込む方法等が挙げられる。
【００５８】
次に、図２(c) に示すように、インターポーザ基板１上に、キャビティー内に半導体素子３が配置されるように、金型８を設置した後、インターポーザ基板１と金型８との間隙から、キャビティー内に樹脂を注入し、封止樹脂６を形成する。
【００５９】
次に、図２(d) に示すように、金型８をインターポーザ基板１上から取り外す。その後、インターポーザ基板１の下面に配置された配線パターン上に、ボール電極５をマウントする。その後、回転ブレード９を用いてインターポーザ基板１を切断し、各半導体装置に個片化する。
【００６０】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【００６１】
本実施形態によると、導電性材料からなるシート７により、半導体素子３から放射されるノイズがシート７外部へ漏洩することを防止できると共に、シート７外部から半導体素子３へノイズが伝わることを防止できる。加えて、シート７の端部がインターポーザ基板１の上面に位置しており、シート７内部には、半導体装置１００が実装される実装基板（図示せず）の銅箔パターン（図示せず）が存在していない。そのため、従来のように半導体素子３から放射されるノイズが銅箔パターンに悪影響を及ぼすことがなく、シールド効果（ノイズ防止効果）を向上させることができる。これに対し、前述の通り、従来の半導体装置では、図２０に示すように、金属フレーム２９の足部２９ａがインターポーザ基板２５の下面よりも突出し、実装基板３２の銅箔パターン３３上に位置しており、金属フレーム２９内部には、実装基板３２の銅箔パターン３４が存在しており、半導体素子２６から放射されるノイズが銅箔パターン３４に悪影響を及ぼす。
【００６２】
加えて、シート７を構成するシート材料として導電性材料を採用することにより、シート７を薄膜化させても、シート７は充分なシールド効果を発揮できるため、薄型化された半導体装置に有効である。
【００６３】
さらに、キャビティー内にシート７が設置された金型８を用いて、封止樹脂６を形成することにより、キャビティー内に樹脂が付着することを防止できるため、金型８の清掃頻度を減少させることができ、半導体装置の生産効率を向上させることができる。このように、シート７は、所謂「剥離シート」としての役割も兼ねることができる。
【００６４】
なお、本実施形態では、キャビティー内に樹脂を注入する方法として、インターポーザ基板１と金型８との間隙から、キャビティー内に樹脂を注入する方法を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。第１に例えば、図３(a) に示すように、中央にゲート口８Ａｈが設けられた金型８Ａを用いて、ゲート口８Ａｈからキャビティー内に樹脂を注入する方法、第２に例えば、図３(b) に示すように、中央にゲート口８Ｂｈが設けられた金型８Ｂを用いて、ゲート口８Ｂｈ内に管１０を挿入し、管１０からキャビティー内に樹脂を注入する方法が挙げられる。上記何れの場合も、キャビティー内に設置されたシート７に、ゲート口８Ａｈ，８Ｂｈ位置と対応する位置に配置された開口（すなわち、キャビティー内に樹脂を注入するための開口）を設ける必要がある。
【００６５】
また、本実施形態では、図１(b) に示す半導体装置を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図４に示す半導体装置の場合も、本実施形態と同様の効果を得ることができる。図４に示す半導体装置と図１(b) に示す半導体装置との構造上の相違点は、次に示す通りである。第１に、図４に示す半導体装置のインターポーザ基板１は、配線パターン１ａ，１ｂと、グランドプレーン１ｃと、電源プレーン１ｅとを有している。これに対し、図１(b) に示す半導体装置のインターポーザ基板１は、図４に示す半導体装置のインターポーザ基板１と同様の構成に加えて、相対する配線パターン１ａ，１ｂ間を電気的に接続するビア１ｄをさらに有している。第２に、図４に示す半導体装置のシート７の端部は、配線パターン１ａ上に位置している。これに対し、図１(b) に示す半導体装置のシート７の端部は、インターポーザ基板１の上面のうち配線パターン１ａが配置されていない領域に位置している。
【００６６】
すなわち、グランドプレーン１ｃと電気的に接続していないシート７の構成として、本実施形態では、図１(b) に示すように、その端部が、インターポーザ基板１の上面のうち配線パターン１ａ（なお、配線パターン１ａは、ビア１ｄによりグランドプレーン１ｃと電気的に接続している）が配置されていない領域に位置する構成を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図４に示すように、その端部が、グランドプレーン１ｃと電気的に接続していない配線パターン１ａ上に位置する構成であってもよい。
【００６７】
また、本実施形態では、シート７の上面部７ａの形状が、図１(a) に示すように、四辺形状の場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、円状、又は多角形状であってもよい。
【００６８】
＜第１の実施形態の変形例＞
以下に、第１の実施形態の変形例に係る半導体装置ついて説明する。なお、本変形例では、前述の第１の実施形態との相違点についてのみ説明する。
【００６９】
第１の実施形態と本変形例との構造上の相違点は、以下に示す点である。
【００７０】
シート７を構成するシート材料として、第１の実施形態では、シールド効果を得ることを目的に、導電性材料を用いる点に対し、本変形例では、シールド効果に加えてショート防止効果を得ることを目的に、電波吸収材料を用いる点である。ここで、電波吸収材料の具体例としては、例えばフェライト等が挙げられる。
【００７１】
すなわち、シート７を構成するシート材料として、第１の実施形態では、シールド機能のみを持つ材料（例えば導電性材料）を採用する点に対し、本変形例では、シールド機能だけでなくショート防止機能を持つ材料（例えば電波吸収材料）を採用する点である。
【００７２】
以下に、第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について簡単に説明する。
【００７３】
まず、第１の実施形態と同様に、図２(a) に示す工程と同様の工程を行い、図２(a) に示す構成を得る。
【００７４】
次に、金型８のキャビティー内に、電波吸収材料からなるシートを設置する。このように、本変形例では、第１の実施形態における導電性材料の代わりに、電波吸収材料を用いる。ここで、電波吸収材料からなるシートの設置方法としては、例えば接着剤等で、フェライトと金型８とを貼り合わせる方法が挙げられる。
【００７５】
次に、第１の実施形態と同様に、図２(c) 〜(d) に示す工程と同様の工程を順次行い、図２(d) に示す構成と同様の構成を得る。
【００７６】
以上のようにして、本変形例に係る半導体装置を製造することができる。
【００７７】
本変形例によると、第１の実施形態と同様に、シールド効果を向上させることができる。
【００７８】
加えて、シート材料として、シールド機能だけでなく絶縁機能を持つ材料を採用することにより、半導体装置が薄型化されシートとワイヤとが接触することがあっても、シートとワイヤとがショートすることはない。
【００７９】
このように、本変形例では、第１の実施形態と同様にシールド効果を向上させるのに加えて、ショート防止効果を得ることができる。
【００８０】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置について、図５(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図５(a) 及び(b) は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。具体的には、図５(a) はシート側から見た半導体装置の平面図、図５(b) は図５(a) 中に示すVb-Vb線における半導体装置の断面図である。なお、本実施形態では、前述の第１の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付す。従って、本実施形態では、第１の実施形態と同様の説明は繰り返し行わない。
【００８１】
本実施形態に係る半導体装置２００は、主要な構成要素として、図５(b) に示すように、インターポーザ基板１と、半導体素子３と、ワイヤ４と、ボール電極５と、封止樹脂６と、シート１１とを備えている。このように、本実施形態におけるシート１１は、第１の実施形態におけるシート７と形状が異なる。
【００８２】
本実施形態におけるシート１１について、以下に詳細に説明する。シート１１は、第１の実施形態と同様に導電性材料からなる。シート１１は、図５(a) に示すように、四辺形状に形成された上面部１１ａと、上面部１１ａの周縁に連接され下方に延びる側面部１１ｂと、側面部１１ｂの周縁に連接され外側方に延びる下面部１１ｃとを有している。そして、シート１１の下面部１１ｃと、インターポーザ基板１の上面（半導体素子３の搭載面）に配置された配線パターン１ａとの間に、シート１１と配線パターン１ａとを電気的に接続する接続部（図示せず）が設けられている。これにより、シート１１は、配線パターン１ａと電気的に接続するビア１ｄを介して、グランドプレーン１ｃと電気的に接続している。ここで、接続部を構成する材料の具体例としては、例えば、半田、銀ペースト、又は異方性導電シート等が挙げられる。
【００８３】
すなわち、本実施形態と第１の実施形態との構造上の相違点は、以下に示す点である。
【００８４】
本実施形態におけるシート１１は、封止樹脂６の表面とインターポーザ基板１の周縁領域とを覆うように設けられ、上面部１１ａと側面部１１ｂと下面部１１ｃとが一体化されてなるシートである。これに対し、第１の実施形態におけるシート７は、封止樹脂６の表面を覆うように設けられ、上面部７ａと側面部７ｂとが一体化されてなるシートである。
【００８５】
そして、シート１１は、下面部１１ｃと配線パターン１ａとの間に新たに設けられた接続部により、グランドプレーン１ｃと電気的に接続している。これに対し、第１の実施形態におけるシート７は、グランドプレーン１ｃと電気的に接続していない。
【００８６】
以下に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図６(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図６(a) 及び(b) は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【００８７】
まず、第１の実施形態と同様に、図２(a) に示す工程と同様の工程を行い、図２(a) に示す構成を得る。
【００８８】
次に、図６(a) に示すように、キャビティー内と金型８の下面とに、シート材料（例えば導電性材料）からなるシート１１を設置する。これに対し、第１の実施形態では、キャビティー内のみにシート７を設置する（図２(b) 参照）。このようにして、図６(a) に示すように、上面部１１ａと、上面部１１ａの周縁に連接され下方に延びる側面部１１ｂと、側面部１１ｂの周縁に連接され外側方に延びる下面部１１ｃとが一体化されてなるシート１１を形成する。
【００８９】
次に、図６(b) に示すように、インターポーザ基板１上に、キャビティー内に半導体素子３が配置されるように、金型８を設置する。このとき、シート１１の下面部１１ｃと配線パターン１ａとの間に接続部（図示せず）を介在させて、シート１１と配線パターン１ａとを電気的に接続する。
【００９０】
その後、インターポーザ基板１と金型８との間隙から、キャビティー内に樹脂を注入し、封止樹脂６を形成する。ここで、キャビティー内に樹脂を注入する方法としては、インターポーザ基板１と金型８との間隙からキャビティー内に樹脂を注入する方法以外に、ゲート口からキャビティー内に樹脂を注入する方法（前述の図３(a) 参照）、又はゲート口内に挿入された管からキャビティー内に樹脂を注入する方法（前述の図３(b) 参照）が挙げられる。
【００９１】
次に、金型８をインターポーザ基板１上から取り外す。その後、配線パターン上にボール電極をマウントする。その後、各半導体装置に個片化する（前述の図２(d) 参照）。
【００９２】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【００９３】
本実施形態によると、第１の実施形態と同様に、シールド効果を向上させることができる。
【００９４】
加えて、シート１１とグランドプレーン１ｃとを電気的に接続することにより、半導体素子３から放射されるノイズが、シート１１とグランドプレーン１ｃとの間から、シート１１外部へ漏洩されることを確実に防止できるので、シート１１におけるシールド機能を高めることができ、第１の実施形態と比較して、より効果的にシールド効果を向上させることができる。
【００９５】
なお、本実施形態では、グランドプレーン１ｃと電気的に接続するシートとして、上面部１１ａと側面部１１ｂと下面部１１ｃとが一体化されてなるシート１１を用いて、下面部１１ｃの下面と配線パターン１ａとの間に接続部を介在させて、グランドプレーン１ｃと電気的に接続するシート１１を実現する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、第１の実施形態と同様に上面部と側面部とが一体化されてなるシートを用いて、側面部の下端と配線パターン１ａとの間に接続部を介在させて、グランドプレーン１ｃと電気的に接続するシートを実現してもよい。
【００９６】
また、本実施形態では、シート１１の上面部１１ａの形状が、図５(a) に示すように、四辺形状の場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、円状、又は多角形状であってもよい。
【００９７】
（第３の実施形態）
以下に、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置について、図７(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図７(a) 及び(b) は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。具体的には、図７(a) は第２のシート側から見た半導体装置の平面図、図７(b) は図７(a) 中に示すVIIb-VIIb線における半導体装置の断面図である。なお、本実施形態では、前述の第１の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付す。従って、本実施形態では、第１の実施形態と同様の説明は繰り返し行わない。
【００９８】
ここで、本実施形態と第１の実施形態との構造上の相違点は、以下に示す点である。
【００９９】
第１の実施形態では、導電性材料からなるシート７のみを備えている点に対し、本実施形態では、封止樹脂６と導電性材料からなる第２のシート１３との間に、絶縁材料からなる第１のシート１２を新たに備えている点である。
【０１００】
本実施形態に係る半導体装置３００は、主要な構成要素として、図７(b) に示すように、インターポーザ基板１と、半導体素子３と、ワイヤ４と、ボール電極５と、封止樹脂６と、封止樹脂６を覆う第１のシート１２と、第１のシート１２を覆う第２のシート１３とを備えている。
【０１０１】
第１のシート１２について、以下に詳細に説明する。第１のシート１２は、絶縁材料からなり、絶縁材料の具体例としては、例えばポリイミド等が挙げられる。第１のシート１２は、四辺形状に形成された上面部と、上面部の周縁に連接され下方に延びる側面部とを有している。
【０１０２】
第２のシート１３について、以下に詳細に説明する。第２のシート１３は、導電性材料からなり、導電性材料の具体例としては、例えばアルミニウム、金、ニッケル等が挙げられる。第２のシート１３は、図７(a) に示すように、四辺形状に形成された上面部１３ａと、上面部１３ａの周縁に連接され下方に延びる側面部１３ｂとを有している。
【０１０３】
以下に、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図８(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図８(a) 及び(b) は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【０１０４】
まず、第１の実施形態と同様に、図２(a) 〜(d) に示す工程と同様の工程を順次行い、図８(a) に示す構成を得る。
【０１０５】
次に、図８(b) に示すように、第１のシート１２を覆うように、導電性材料からなる第２のシート１３を形成する。ここで、第２のシート１３を形成する方法としては、第１に例えば、無電解めっきにより、例えばニッケル、又は金からなる第２のシート１３を形成する方法、第２に例えば、蒸着により、例えばアルミニウム、又は金からなる第２のシート１３を形成する方法が挙げられる。
【０１０６】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【０１０７】
本実施形態によると、第１の実施形態と同様に、シールド効果を向上させることができる。
【０１０８】
加えて、封止樹脂６と第２のシート１３との間に第１のシート１２を設けることにより、ワイヤ４と第２のシート１３とが接触することがなく、加えて、半導体装置３００が薄型化されてワイヤ４と第１のシート１２とが接触することがあっても、第１のシート１２は絶縁材料からなるため、ワイヤ４と第１のシート１２とがショートすることはない。
【０１０９】
このように、本実施形態では、第１の実施形態と同様にシールド効果を向上させるのに加えて、ショート防止効果を得ることができる。
【０１１０】
なお、本実施形態では、半導体装置３００の個片化（図８(a) 参照）後に、例えば無電解めっき、又は蒸着により、第２のシート１３を形成する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、金型８のキャビティー内に第１のシート１２を設置する（前述の図２(b) 参照）前に、エッチング加工、又はプレス加工により、キャビティーの形状に合う形状の第２のシートを予め作製し、キャビティー内に第２のシートを嵌め込んだ後、第２のシートが設置されたキャビティー内に、第１のシートを設置してもよい。
【０１１１】
また、本実施形態では、図７(b) に示す半導体装置を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図９に示す半導体装置の場合も、本実施形態と同様の効果を得ることができる。図９に示す半導体装置と図７(b) に示す半導体装置との構造上の相違点は、次に示す通りである。第１に、図９に示す半導体装置のインターポーザ基板１は、配線パターン１ａ，１ｂと、グランドプレーン１ｃと、電源プレーン１ｅとを有している。これに対し、図７(b) に示す半導体装置のインターポーザ基板１は、図９に示す半導体装置のインターポーザ基板１と同様の構成に加えて、相対する配線パターン１ａ，１ｂ間を電気的に接続するビア１ｄをさらに有している。第２に、図９に示す半導体装置の第１，第２のシート１２，１３の端部は、配線パターン１ａ上に位置している。これに対し、図７(b) に示す半導体装置の第１，第２のシート１２，１３の端部は、インターポーザ基板１の上面のうち配線パターン１ａが配置されていない領域に位置している。
【０１１２】
すなわち、グランドプレーン１ｃと電気的に接続していない第２のシート１３の構成として、本実施形態では、図７(b) に示すように、その端部が、インターポーザ基板１の上面のうち配線パターン１ａ（なお、配線パターン１ａは、ビア１ｄによりグランドプレーン１ｃと電気的に接続している）が配置されていない領域に位置する構成を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図９に示すように、その端部が、グランドプレーン１ｃと電気的に接続していない配線パターン１ａ上に位置する構成であってもよい。
【０１１３】
また、本実施形態では、第１，第２のシート１２，１３の上面部１２ａ，１３ａの形状が、図７(a) に示すように、四辺形状の場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、円状、又は多角形状であってもよい。
【０１１４】
＜第３の実施形態の変形例１＞
以下に、第３の実施形態の変形例１に係る半導体装置について簡単に説明する。なお、本変形例では、第３の実施形態との相違点についてのみ説明する。
【０１１５】
第３の実施形態と本変形例との構造上の相違点は、以下に示す点である。
【０１１６】
第１のシート１２を構成する第１のシート材料として、第３の実施形態では、絶縁機能のみを持つ材料を用いる点に対し、本変形例では、絶縁機能だけでなくシールド機能を持つ材料（例えば電波吸収材料）を用いる点である。
【０１１７】
本変形例によると、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１８】
加えて、第１のシート材料として、絶縁機能だけでなくシールド機能を持つ材料を採用することにより、第３の実施形態と比較して、より効果的にシールド効果を向上させることができる。
【０１１９】
＜第３の実施形態の変形例２＞
以下に、第３の実施形態の変形例２に係る半導体装置について簡単に説明する。なお、本変形例では、第３の実施形態との相違点についてのみ説明する。
【０１２０】
第３の実施形態と本変形例との構造上の相違点は、以下に示す点である。
【０１２１】
第２のシート１３を構成する第２のシート材料として、第３の実施形態では、シールド機能のみを持つ材料（例えば導電性材料）を用いる点に対し、本変形例では、シールド機能だけでなく絶縁機能を持つ材料（例えば電波吸収材料）を用いる点である。
【０１２２】
本変形例によると、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２３】
加えて、第２のシート材料として、シールド機能だけでなく絶縁機能を持つ材料を採用することにより、第３の実施形態と比較して、より効果的にショート防止効果を得ることができる。
【０１２４】
（第４の実施形態）
以下に、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置について、図１０(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図１０(a) 及び(b) は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。具体的には、図１０(a) は、第２のシート側から見た半導体装置の平面図、図１０(b) は、図１０(a) 中に示すXb-Xb線における半導体装置の断面図である。なお、本実施形態では、前述の第３の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付す。従って、本実施形態では、第３の実施形態と同様の説明は繰り返し行わない。
【０１２５】
本実施形態における半導体装置４００は、主要な構成要素として、図１０(b) に示すように、インターポーザ基板１と、半導体素子３と、ワイヤ４と、ボール電極５と、封止樹脂６と、第１のシート１２と、第２のシート１４とを備えている。このように、本実施形態における第２のシート１４は、第３の実施形態における第２のシート１３と形状が異なる。
【０１２６】
本実施形態における第２のシート１４について、以下に詳細に説明する。第２のシート１４は、第３の実施形態と同様に、導電性材料からなる。第２のシート１４は、図１０(a) に示すように、四辺形状に形成された上面部１４ａと、上面部１４ａの周縁に連接され下方に延びる側面部１４ｂと、側面部１４ｂの周縁に連接され外側方に延びる下面部１４ｃとを有している。そして、第２のシート１４の下面部１４ｃと、インターポーザ基板１の上面（半導体素子３の搭載面）に配置された配線パターン１ａとの間に、第２のシート１４と配線パターン１ａとを電気的に接続する接続部（図示せず）が設けられている。これにより、第２のシート１４は、配線パターン１ａと電気的に接続するビア１ｄを介して、グランドプレーン１ｃと電気的に接続している。ここで、接続部を構成する材料の具体例としては、例えば、半田、銀ペースト、又は異方性導電シート等が挙げられる。
【０１２７】
すなわち、本実施形態と第３の実施形態との構造上の相違点は、以下に示す点である。
【０１２８】
本実施形態における第２のシート１４は、第１のシート１２の表面とインターポーザ基板１の周縁領域とを覆うように設けられ、上面部１４ａと側面部１４ｂと下面部１４ｃとが一体化されてなるシートである。これに対し、第３の実施形態における第２のシート１３は、第１のシート１２の表面を覆うように設けられ、上面部１３ａと側面部１３ｂとが一体化されてなるシートである。
【０１２９】
そして、第２のシート１４は、下面部１４ｃと配線パターン１ａとの間に新たに設けられた接続部により、グランドプレーン１ｃと電気的に接続している。これに対し、第３の実施形態における第２のシート１３は、グランドプレーン１ｃと電気的に接続していない。
【０１３０】
以下に、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１１(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図１１(a) 及び(b) は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【０１３１】
まず、第３の実施形態と同様に、図２(a) 〜(d) に示す工程と同様の工程を順次行い、図１１(a) に示す構成を得る。
【０１３２】
次に、図１１(b) に示すように、第１のシート１２とインターポーザ基板１の周縁領域とを覆うように、導電性材料からなる第２のシート１４を形成する。このとき、第２のシート１４の下面部１４ｃと配線パターン１ａとの間に接続部（図示せず）を介在させて、第２のシート１４と配線パターン１ａとを電気的に接続する。
【０１３３】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【０１３４】
本実施形態によると、第３の実施形態と同様に、シールド効果を向上させることができる。
【０１３５】
加えて、第３の実施形態と同様に、封止樹脂６と第２のシート１４との間に、絶縁性材料からなる第１のシート１２を設けるため、ショート防止効果を得ることができる。
【０１３６】
さらに、第２のシート１４とグランドプレーン１ｃとを電気的に接続することにより、第２のシート１４におけるシールド機能を高めることができるため、第３の実施形態と比較して、より効果的にシールド効果を向上させることができる。
【０１３７】
なお、本実施形態では、半導体装置４００の個片化（図１１(a) 参照）後に、例えば無電解めっき、又は蒸着により、第２のシート１４を形成する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、金型８のキャビティー内に第１のシート１２を設置する（前述の図２(b) 参照）前に、エッチング加工、又はプレス加工により、金型８のキャビティーの形状に合う形状の凸状部を有する第２のシートを予め作製し、該凸状部をキャビティー内にを嵌め込んで第２のシートを設置した後、第２のシートが設置されたキャビティー内に、第１のシートを設置してもよい。
【０１３８】
また、本実施形態では、第１，第２のシート１２，１４の上面部１２ａ，１４ａの形状が、図１０(a) に示すように、四辺形状の場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、円状、又は多角形状であってもよい。
【０１３９】
＜第４の実施形態の変形例＞
以下に、第４の実施形態の変形例に係る半導体装置について簡単に説明する。なお、本変形例では、前述の第４の実施形態との相違点についてのみ説明する。
【０１４０】
第４の実施形態と本変形例との構造上の相違点は、以下に示す点である。
【０１４１】
第１のシート１２を構成する第１のシート材料として、第４の実施形態では、絶縁機能のみを持つ材料を用いる点に対し、本変形例では、絶縁機能だけでなくシールド機能を持つ材料（例えば電波吸収材料）を用いる点である。
【０１４２】
本変形例によると、第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１４３】
加えて、第１のシート材料として、絶縁機能だけでなくシールド機能を持つ材料を採用することにより、第４の実施形態と比較して、より効果的にシールド効果を向上させることができる。
【０１４４】
（第５の実施形態）
以下に、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置について、図１２(a) 及び(b) を参照しながら説明する。図１２(a) 及び(b) は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。具体的には、図１２(a) は第２のシート側から見た半導体装置の平面図、図１２(b) は図１２(a) 中に示すXIIb-XIIb線における半導体装置の断面図である。なお、本実施形態では、前述の第４の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付す。
【０１４５】
ここで、本実施形態と第４の実施形態との構造上の相違点は、以下に示す点である。
【０１４６】
本実施形態では、半導体装置５００を構成する第１，第２のシート１５，１６に開口１７，１８が設けられている点に対し、第４の実施形態では、半導体装置４００を構成する第１，第２のシート１２，１４に開口は設けられていない点である。なお、この相違点は、後述の通り、半導体装置の製造方法が異なることによるものである。
【０１４７】
本実施形態に係る半導体装置５００は、主要な構成要素として、図１２(b) に示すように、インターポーザ基板１と、半導体素子３と、ワイヤ４と、ボール電極５と、封止樹脂６と、第１のシート１５と、第２のシート１６とを備えている。
【０１４８】
第１のシート１５について、以下に詳細に説明する。第１のシート１５は、絶縁材料からなり、絶縁材料の具体例としては、例えばポリイミド等が挙げられる。第１のシート１５は、四辺形状に形成された上面部と、上面部の周縁に連接され下方に延びる側面部とを有している。
【０１４９】
第２のシート１６について、以下に詳細に説明する。第２のシート１６は、導電性材料からなり、導電性材料の具体例としては、例えばアルミニウム、金、ニッケル等が挙げられる。第２のシート１６は、図１２(a) に示すように、四辺形状に形成された上面部１６ａと、上面部１６ａの周縁に連接され下方に延びる側面部１６ｂと、側面部１６ｂの周縁に連接され外側方に延びる下面部１６ｃとを有している。
【０１５０】
そして、第１，第２のシート１５，１６には、図１２(a) に示すように、その上面部の中央領域に開口１７が設けられており、その上面部の周縁領域に開口１８が設けられている。
【０１５１】
以下に、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１３(a) 〜(e) を参照しながら説明する。図１３(a) 〜(e) は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【０１５２】
まず、図１３(a) に示すように、インターポーザ基板１を準備し、インターポーザ基板１の上面のうち半導体素子が搭載される領域（以下、素子搭載領域と称す）に、接着剤２を塗布する。次に、接着剤２を介して、インターポーザ基板１の素子搭載領域上に半導体素子３を接着固定し、インターポーザ基板１上に半導体素子３を搭載する。次に、ワイヤ４により、半導体素子３の電極パッド（図示せず）と、インターポーザ基板１の上面に配置された配線パターンとを電気的に接続する。
【０１５３】
次に、図１３(b) に示すように、第１のシート１５と第２のシート１６とが一体化されてなるキャップを作製し、第１，第２のシート１５，１６の上面部の中央領域に開口１７を設けると共に、該上面部の周縁領域に開口（図１２(a)：１８参照）を設ける。
【０１５４】
ここで、キャップの作製方法としては、例えばエンボス加工等により加工された第１のシート１５と、例えばエッチング加工、又はプレス加工等により加工された第２のシート１６とを一体化させて作製する方法が挙げられる。
【０１５５】
次に、図１３(c) に示すように、インターポーザ基板１上に、キャップの空間１９内に半導体素子３が配置されるように、キャップを配置する。このとき、第２のシート１６の下面部（図１２(a)：１６ｃ参照）と配線パターンとの間に接続部（図示せず）を介在させて、第２のシート１６と配線パターンとを電気的に接続する。
【０１５６】
次に、図１３(d) に示すように、開口１７に管２０を挿入し、管２０から空間１９に樹脂６ａを注入し、封止樹脂（図１３(e)：６参照）を形成する。このとき、空間１９に樹脂６ａが注入されるに従い、空間１９から開口１８を通って空気が排出される。このように、開口１７は、空間１９に樹脂を注入するために設けられた開口であり、一方、開口１８は、空間１９から空気を排出するために設けられた開口である。
【０１５７】
次に、図１３(e) に示すように、開口１７から管２０を引き抜き、インターポーザ基板１の下面に配置された配線パターン上に、ボール電極５をマウントする。次に、回転ブレード９を用いてインターポーザ基板１を切断し、各半導体装置に個片化する。
【０１５８】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【０１５９】
本実施形態によると、第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１６０】
加えて、第１〜第４の実施形態のように高額な金型８を使用することなく、半導体装置を製造することができるので、製造コストの削減を図ることができる。
【０１６１】
さらに、第１のシート１５と第２のシート１６とが一体化されてなるキャップの形状を適宜変更するだけで、封止樹脂６のサイズ及び形状を変更することができる。
【０１６２】
＜第５の実施形態の変形例１＞
なお、第１のシート１５と第２のシート１６とが一体化されてなるキャップに設けられる開口１７，１８位置はそれぞれ、図１２(a) に示す位置に限定されるものではない。また、樹脂を注入するために設けられる開口１７の個数は、１コに限定されるものではなく、複数個であってもよく、空気を排出するために設けられる開口１８の個数も、１コに限定されるものではなく、複数個であってもよい。
【０１６３】
第１に例えば、図１４(a) に示すように、半導体装置５００Ａを構成する第１，第２のシート１５，１６の側面部の中央領域に、樹脂を注入するための開口１７ａ，１７ｂを設け、第１，第２のシート１５，１６の上面部の周縁領域に、空気を排出するための開口１８ａ，１８ｂを設けてもよい。なお、図１４(a) は、第２のシート１６側から見た半導体装置の平面図、図１４(b) は、図１４(a) 中に示すXIVb-XIVb線における半導体装置の断面図である。
【０１６４】
第２に例えば、図１５に示すように、第１，第２のシート１５，１６の上面部に設けた３個の開口のそれぞれに挿入された管２０ｘ，２０ｙ，２０ｚから、空間１９に樹脂６ａが注入されて封止樹脂が形成された半導体装置５００Ｂであってもよい。
【０１６５】
特に、開口の位置、又は個数を適宜設定することにより、ワイヤスイープを抑制することができる。
【０１６６】
＜第５の実施形態の変形例２＞
なお、第５の実施形態では、ワイヤ４により、インターポーザ基板１と半導体素子３とを電気的に接続する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図１６(a) に示すように、ワイヤ４の代わりに、接着剤２中に設けたバンプ２１により、インターポーザ基板１と半導体素子３とを電気的に接続してもよい。但し、この場合、当然ではあるが、半導体装置５００Ｃ内でワイヤによるショートは起こらない。また、この場合、ワイヤが不要な為、図１６(b) に示すように、半導体素子３に第１のシート１５ａを接触させて配置することができ、第１のシート１５ａと第２のシート１６ａとが一体化されてなるキャップの高さ（図１６(b)：ｈ参照）を低くすることができるので、半導体装置５００Ｄの薄型化を図ることができる。なお、開口１７ｃ，１７ｄは、樹脂を注入するために設けられた開口である。
【０１６７】
＜第５の実施形態の変形例３＞
なお、第５の実施形態では、絶縁材料からなる第１のシート１５と、グランドプレーン１ｃと電気的に接続し導電性材料からなる第２のシート１６とを備えた半導体装置５００を製造する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図１７(a) 及び(b) に示すように、電波吸収材料からなるシート２２のみを備えた半導体装置５００Ｅを製造する場合であっても、第５の実施形態と同様に行うことができる。なお、図１７(a) は、シート２２側から見た半導体装置の平面図、図１７(b) は、図１７(a) 中に示すXVIIb-XVIIb線における半導体装置の断面図である。また、開口２３は、樹脂を注入するために設けられた開口であり、開口２４は、空気を排出するために設けられた開口である。
【０１６８】
すなわち、第５の実施形態では、前述の第４の実施形態の構成（図１０(a),(b) 参照）と類似の構成を有する半導体装置を製造する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、前述の第２の実施形態の構成（図５(a),(b) 参照）と類似の構成を有する半導体装置を製造することができる。なお、言うまでもないが、その他の実施形態、すなわち、第１の実施形態の構成（図１(a),(b) 参照）、又は第３の実施形態の構成（図７(a),(b) 参照）と類似の構成を有する半導体装置を製造することもできる。
【０１６９】
＜第５の実施形態の変形例４＞
なお、第５の実施形態では、開口１７内に封止樹脂６が充填されていない場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。第１に例えば、図１８(a) に示すように、封止樹脂６Ａが開口１７内に充填されていてもよく、第２に例えば、図１８(b) に示すように、封止樹脂６Ｂが開口１７外に溢れていてもよい。何れの場合も、第１のシート１５と封止樹脂６Ａ，６Ｂとの密着強度、及び第２のシート１６と封止樹脂６Ａ，６Ｂとの密着強度を強めることができるため、半導体装置５００Ｆ，５００Ｇから第１，第２のシート１５，１６が剥がれることを防止できる。
【０１７０】
＜第５の実施形態の変形例５＞
なお、第５の実施形態では、封止樹脂６の形成後に、開口１７から管２０を引き抜く場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図１９に示すように、封止樹脂６の形成後に、管２０を切断し、管２０のうちホール１７外に突出する部分を除去して、ホール１７内に管２０ａを残存させてもよい。この場合、管２０ａを構成する材料として熱伝導性の高い材料（例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、又はＦｅ−Ｎｉ合金等）を採用することにより、半導体素子３から放射される熱を、管２０ａを通して外部へ放散させることができるので、熱放散効率の高い半導体装置５００Ｈを提供できる。
【産業上の利用可能性】
【０１７１】
本発明は、半導体素子から放射されるノイズが、半導体装置が実装される実装基板に悪影響を及ぼすことを防止できるので、半導体装置及びその製造方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１７２】
【図１】(a) 及び(b) は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。
【図２】(a) 〜(d) は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【図３】(a) 及び(b) は、キャビティー内に樹脂を注入する方法について示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態のその他の例に係る半導体装置の構成について示す断面図である。
【図５】(a) 及び(b) は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。
【図６】(a) 及び(b) は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【図７】(a) 及び(b) は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。
【図８】(a) 及び(b) は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態のその他の例に係る半導体装置の構成について示す断面図である。
【図１０】(a) 及び(b) は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。
【図１１】(a) 及び(b) は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【図１２】(a) 及び(b) は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構成について示す図である。
【図１３】(a) 〜(e) は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
【図１４】(a) 及び(b) は、第５の実施形態の変形例１に係る半導体装置の構成について示す図である。
【図１５】は、第５の実施形態の変形例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】(a) 及び(b) は、第５の実施形態の変形例２に係る半導体装置の構成について示す断面図である。
【図１７】(a) 及び(b) は、第５の実施形態の変形例３に係る半導体装置の構成について示す図である。
【図１８】(a) 及び(b) は、第５の実施形態の変形例４に係る半導体装置の構成について示す断面図である。
【図１９】は、第５の実施形態の変形例５に係る半導体装置の構成について示す断面図である。
【図２０】従来の半導体装置の構成について示す断面図である。
【符号の説明】
【０１７３】
１００  半導体装置
１  インターポーザ基板
１ａ  配線パターン
１ｂ  配線パターン
１ｃ  グランドプレーン
１ｄ  ビア
１ｅ  電源プレーン
２  接着剤
３  半導体素子
４  ワイヤ
５  ボール電極
６  封止樹脂
７  シート
７ａ  上面部
７ｂ  側面部
８  金型
８Ａ，８Ｂ  金型
８Ａｈ，８Ｂｈ  ゲート口
９  回転ブレード
１０  管
２００  半導体装置
１１  シート
１１ａ  上面部
１１ｂ  側面部
１１ｃ  下面部
３００  半導体装置
１２  第１のシート
１３  第２のシート
１３ａ  上面部
１３ｂ  側面部
４００  半導体装置
１４  第２のシート
１４ａ  上面部
１４ｂ  側面部
１４ｃ  下面部
５００  半導体装置
１５  第１のシート
１６  第２のシート
１６ａ  上面部
１６ｂ  側面部
１６ｃ  下面部
１７  開口
１８  開口
１９  空間
５００Ａ  半導体装置
１７ａ，１７ｂ  開口
１８ａ，１８ｂ  開口
５００Ｂ  半導体装置
５００Ｃ，５００Ｄ  半導体装置
２０ｘ，２０ｙ，２０ｚ  管
２１  バンプ
１７ｃ，１７ｄ  開口
１５ａ  第１のシート
１６ａ  第２のシート
５００Ｅ  半導体装置
２２  シート
２３  開口
２４  開口
５００Ｆ，５００Ｇ  半導体装置
６Ａ，６Ｂ  封止樹脂
５００Ｈ  半導体装置
２０ａ  管
【図１】
2009176895.tif 000003
【図２】
2009176895.tif 000004
【図３】
2009176895.tif 000005
【図４】
2009176895.tif 000006
【図５】
2009176895.tif 000007
【図６】
2009176895.tif 000008
【図７】
2009176895.tif 000009
【図８】
2009176895.tif 000010
【図９】
2009176895.tif 000011
【図１０】
2009176895.tif 000012
【図１１】
2009176895.tif 000013
【図１２】
2009176895.tif 000014
【図１３】
2009176895.tif 000015
【図１４】
2009176895.tif 000016
【図１５】
2009176895.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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