(57)【要約】【課題】受光素子の受光感度の低下を招くことなく、受光効率を向上可能な光通信モジュールを提供することを課題とする。【解決手段】本発明に係る双方向光送受信モジュールは、基板と；前記基板上に配置され、波長に応じて光を透過または反射する波長分波器と；前記基板上に配置され、前記波長分波器を介して受信用の光が入射し、当該光を電気信号に変換する受光素子と；前記基板上に配置され、送信用の光を発光する発光素子とを備える。そして、前記送信用の光は、前記波長分波器を介して出力される。また、前記受光素子の受光部は、前記基板表面と水平な面内において前記受信用の光の光軸と直交する方向の長さが当該光軸と平行な方向の長さよりも長いことを特徴とする。【選択図】図４
2009192816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板上に配置され、波長に応じて光を透過または反射する波長分波器と；
前記基板上に配置され、前記波長分波器を介して受信用の光が入射し、当該光を電気信号に変換する受光素子と；
前記基板上に配置され、送信用の光を発光する発光素子とを備え、
前記送信用の光は、前記波長分波器を介して出力され、
前記受光素子の受光部は、前記基板表面と水平な面内において前記受信用の光の光軸と直交する方向の長さが当該光軸と平行な方向の長さよりも長いことを特徴とする双方向光送受信モジュール。
【請求項２】
前記受光部の平面形状は楕円であることを特徴とする請求項１に記載の双方向光送受信モジュール。
【請求項３】
前記受光素子は、受光素子用基板と前記受光素子用基板の表面に形成された受光部とを有し、光を前記受光部の反対から入射させる裏面入射構造を採用することを特徴とする請求項１又は２に記載の双方向光送受信モジュール。
【請求項４】
前記受光素子は、端面入射型の受光素子であり、底面に傾斜部分が形成され、そこに反射した光が前記受光部に達する構造であることを特徴とする請求項３に記載の双方向光送受信モジュール。
【請求項５】
前記基板には、前記波長分波器で反射した光を前記受光素子に導くＶ溝が形成され、
前記Ｖ溝の終端面に傾斜部が形成され、前記傾斜部に反射した光が前記受光部に達する構造であることを特徴とする請求項３に記載の双方向光送受信モジュール。
【請求項６】
請求項１に記載の双方向光送受信モジュールに使用される前記受光素子。
【請求項７】
前記受光部の平面形状は楕円であることを特徴とする請求項６に記載の受光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信分野などに用いられる光モジュールに関する。特に、光ファイバを伝搬する２つ以上の異なる波長の光信号の送受信を行うのに好適な光送受信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信の分野、特にファイバトゥザホーム（ＦＴＴＨ）において、１本の光ファイバに波長の異なる２種の光信号を双方向に伝搬させて通信を行う一芯双方向通信方式が普及してきている。例えば、異なる２種の波長の光を１本の光ファイバに入れて双方向通信を行う方式がある。
【０００３】
そのような一芯双方向通信方式においては、例えば一本の光ファイバの一端のＡ点において送信用の波長λ１の光信号を発信し、光ファイバの他端のＢ点においてλ１と異なる波長λ２の信号を発信する。そして、Ｂ点ではＡ点から送られた波長λ１の光信号を受信し、同じようにＡ点ではＢ点から送られた波長λ２の光信号を受信することになる。光ファイバ中は波長λ１と波長λ２の光信号がお互いに逆方向に伝搬するため、光ファイバの両端には通常、それぞれの波長を識別分離する機能を有する波長分波器が設置される。
【０００４】
上記方式においては、一本の光ファイバのＡ点側の一端に波長分波器が結合され、波長分波器にはレーザダイオード（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）が光学的に結合されている。また、光ファイバのＢ点側の一端には波長分波器が結合され、波長分波器にはＬＤ、ＰＤが結合されている。ＬＤから発した波長λ１の光は、波長分波器を通過し波長分波器で分波されてＰＤに入射する。同様にＬＤから発した波長λ２の光は、波長分波器を通過し波長分波器で分波されてＰＤに入射する。
【０００５】
このような分波機能を有し、光信号の送信機能と受信機能とを一体化した送受信モジュールは、例えば各家庭やオフィスにおいて使用される場合がある。このため、小型で低価格な送受信モジュールを提供することが光通信の普及には重要となる。
【０００６】
図１を用いて従来例に係る一芯双方向光通信用の送受信モジュールについて簡単に説明する（非特許文献１参照）。このモジュールでは、直方体のハウジング２０の内部に波長選択性を有する波長フィルタ２１が設けられている。ハウジング２０の外壁には、光ファイバ２７、ＬＤ２２、ＰＤ２３が結合されている。光ファイバ２７、ＬＤ２２、ＰＤ２３には、光ファイバ用レンズ２４、ＬＤ用レンズ２５、ＰＤ用レンズ２６がそれぞれ結合されている。
【０００７】
ＬＤ２２から出射された波長λ１の光信号は、レンズ２５により平行ビームに変換され、波長フィルタ２１によって９０度反射され、光ファイバ用レンズ２４により光ファイバ２７へ集光され伝搬される。一方、光ファイバ２７を伝搬してきた波長λ２の光信号は、光ファイバ用レンズ２４により平行ビームに変換され、波長フィルタ２１を透過して、ＰＤ用レンズ２６によってＰＤ２３へ集光される。このような構成により、一芯双方向光通信用の送受信モジュールとしての機能が発揮される。
【０００８】
【非特許文献１】「レセプタクル形双方向波長多重光モジュールＩ」、小楠正大、他２名、１９９６年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、Ｃ−２０８、ｐ２０８
【０００９】
特開２００６−１５４５３５号公報には、シリコンマイクロレンズを用い、一つの基板にＬＤ、ＰＤを集積化した小型形状の一芯双方向光通信モジュールが提案されている。
【特許文献１】特開２００６−１５４５３５号公報
【００１０】
図２は、特開２００６−１５４５３５号公報に開示された光通信モジュールの概略構成を示す。ここで、基板５０上に配置されたＬＤ５２から出射した光ＯＵＴは、シリコンレンズ５８及びＷＤＭフィルタ（波長分波器）５６を透過して光ファイバー（図示せず）に入射する。一方、光ファイバから送られてきた光ＩＮは、ＷＤＭフィルタ５６で反射し、シリコンレンズ６０によってＰＤ５４の受光部６２に集光される。
【００１１】
上記のような構成の従来の光通信モジュールにおいては、ＷＤＭフィルタ５６の実装を高精度に行う必要がある。特に、制御の難しい回転方向（θ）の実装精度向上が重要である。回転方向（θ）の実装精度が悪い場合、図２に示すように、ＰＤ５４に集光される下りの光信号ＩＮが、Ｘ軸方向にばらついてしまう。その結果、ＰＤ５４の受光部６２から外れた部分に光が到達し、ＰＤ５４における受光効率を低下させる要因となっていた。
【００１２】
ここで、ＰＤ５４の受光部６２の受光径（面積）を大きくすることで、実装エラーによる受光効率低下を防ぐことが可能である。しかしながら、受光径が大きくなると受光素子の容量も大きくなるため、光モジュールとしての受光仕様（最小受光感度、最大キャパシタンス）を満たさなくなるという問題が発生する。一方、Ｙ方向への光のばらつきは、回転制御と比較して容易に高精度化が可能であり、例えば±１０μｍ以下であった。これは、半導体基板５０の平坦な表面上に、高精度なダイシング底面を有するＷＤＭフィルタをボンディングしているためである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は上記のような状況に鑑みてなされたものであり、受光素子の受光感度の低下を招くことなく、受光効率を向上可能な光通信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記のような課題を解決するために、本発明に係る双方向光送受信モジュールは、基板と；前記基板上に配置され、波長に応じて光を透過または反射する波長分波器と；前記基板上に配置され、前記波長分波器を介して受信用の光が入射し、当該光を電気信号に変換する受光素子と；前記基板上に配置され、送信用の光を発光する発光素子とを備える。そして、前記送信用の光は、前記波長分波器を介して出力される。また、前記受光素子の受光部は、前記基板表面と水平な面内において前記受信用の光の光軸と直交する方向の長さが当該光軸と平行な方向の長さよりも長いことを特徴とする。
【００１５】
なお、ここで重要なのは、受光部の面積を一定に保ちながら受光部の平面形状を工夫することである。したがって、受光素子自体を傾斜させるなどの方法により光の投影形状を楕円にすることとは技術的に異なる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、波長分波器のθ回転実装精度の許容値が格段に大きくなり、その結果、現状の実装機性能でも受光感度仕様未達品の割合が減り、光送受信モジュールの歩留まりが向上する。さらに、受光素子（ＰＤ）の受光径とトレードオフの関係となる実装トレランスを悪化させることなく、高周波対応のＰＤチップを作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明に係る光通信モジュールの実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について説明する。図３及び図４は、本実施形態に係る光モジュールの概略構成を示す説明図であり、図３は斜視図、図４は平面図である。
【００１９】
本実施形態に係る光モジュール１００は、Ｖ溝１１０ａ、１１０ｂを有する基板１１０上に、発光素子としてレーザダイオード（ＬＤ）１２０、受光素子としてフォトダイオード（ＰＤ）１３０、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂ、波長分波器（ＷＤＭフィルタ）１５０が実装されている。以下、各構成要素について詳細に説明する。
【００２０】
基板１１０には、例えば、プラットフォームとして加工技術の成熟してあるシリコン基板を採用することができる。基板１１０の上面には、横断面形状がＶ字形状であるＶ溝１１０ａ、１１０ｂが形成されている。また、基板１１０の上面には、後述のＬＤ１２０、ＰＤ１３０、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂ、および波長分波器１５０が実装される。なお、基板１１０には、横断面形状が凹字である凹溝１１０ｃ、素子などが何も配置されていない面１１０ｄ、後述の波長分波器１５０を配置するための段差１１０ｅ、電極パッド１１２等が形成されている。
【００２１】
Ｖ溝１１０ａ、１１０ｂは、基板１１０をエッチングすることにより形成され、シリコンの（１１１）面群を斜面に持つような構成で精密に作製されている。Ｖ溝１１０ａはＬＤ１２０側に形成され、Ｖ溝１１０ｂはＰＤ１３０側に形成されている。Ｖ溝１１０ａの延在する方向とＶ溝１１０ｂの延在する方向とは、直交するように形成されている。
【００２２】
波長分波器１５０は、基板１１０の凹部に配置される。本実施形態では、波長分波器１５０として、板状のＷＤＭフィルタを採用する。波長分波器１５０は、波長に応じて、光を透過または９０度反射する。本実施形態では、波長分波器１５０は、ＬＤ１２０から発光する光（例えば、波長１．３μｍの光）を透過し、外部から入射される光（例えば、波長１．５５μｍの光）を９０度反射してＰＤ１３０に導くようになっている。
【００２３】
本実施形態では、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂとしてシリコン製マイクロレンズを採用している。レンズ素子１４０ａ、１４０ｂは、一方の面にレンズ部が形成されている。このレンズ部には、例えば１１０μｍの直径を有する回折光学素子が形成されている。レンズ部に回折光学素子を用いることにより、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂはマスクパターンの変更で、光を任意の方向へ容易に曲げることができる。また、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂの縁部は、Ｖ溝１１０ａ、１１０ｂに接合すべき形状として略円弧状に形成されており、その直径は例えば約１２５μｍとする。
【００２４】
なお、図３に示すレンズ素子１４０ａ、１４０ｂの形状は一例に過ぎず、例えば、レンズ部として、直径が５０〜２５０μｍの回折光学素子を形成することも可能である。この場合には、Ｖ溝１１０ａ、１１０ｂの形状も、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂの形状に合わせて調整される。
【００２５】
レンズ素子１４０ａは、ＬＤ１２０側に設けられている。レンズ素子１４０ａのレンズ部は、ＬＤ１２０からの出射光を平行光に変換し、波長分波器１５０に入射するコリメータレンズとしての機能を有する。レンズ素子１４０ｂは、ＰＤ１３０側に設けられている。レンズ素子１４０ｂのレンズ部１４２は、波長分波器１５０により分波された光を集光し、ＰＤ１３０へ入射する集光用レンズとしての機能を有する。
【００２６】
ＬＤ１２０は、光を出射する発光素子であり、厚み約１５０μｍの略直方体形状からなる。ＬＤ１２０は、Ｖ溝１１０ａの端部近傍に配置されており、光を発光し、発光素子側レンズ素子１４０ａおよび波長分波器１５０を介して外部への出射光とする。
【００２７】
ＰＤ１３０は、光を端面から入射する受光素子であり、約１５０μｍの略直方体形状からなる。ＰＤ１３０は、Ｖ溝１１０ｂの端部近傍に配置されており、外部からの入射光を、波長分波器１５０および受光素子側レンズ素子１４０ｂを介して受光する。ＰＤ１３０は、現在光ファイバ通信で最も広く使用されているＩｎＧａＡｓ（インジウム
ガリウム ヒ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）を使用し、周知の方法により作製される。例えば、ＩｎＰからなる基板を使用し、ＩｎＧａＡｓをI層とするＰＩＮフォトダイオードとすることができる。
【００２８】
図４上図に示すように、ＰＤ１３０はＩｎＰからなる基板１３２の上面に、楕円形状の受光部１３４、アノード電極１３６及びカソード電極１３８が形成されている。受光部１３４の面積は、通常の円形状ＰＤ（半径４０μｍ）と同等にするべく長軸半径を８０μｍ、短軸半径を２０μｍとしている。ここで、受光部１３４の長軸は、基板表面に平行な面内において入射光の光軸と直交する方向（Ｘ軸）に対応する。なお、受光部１３４の形状は楕円形状に限らず、長方形など他の形状を採用することができる。
【００２９】
図４下図に示すように、入射光はシリコン基板１１０に形成されたＶ溝１１０ｂの終端面１４０で反射し、基板１３２の上面に形成された受光部１３４に達するようになっている。ＰＤ１３０側に設けられるレンズ素子１４０ｂは、波長分波器１５０から入射された光を集光しながら角度を下に向け、Ｖ溝１１０ｂの端部で反射させる。このＶ溝１１０ｂの端部にはあらかじめ反射膜（１４０）、例えば金を蒸着してある。従って、終端面１４０で反射した光は方向を上へ向けＰＤ１３０に入射する。
【００３０】
次に、光通信モジュール１００の製造方法について、簡単に説明する。まず、基板１１０およびレンズ素子１４０ａ、１４０ｂを作製する。その他のＬＤ１２０、ＰＤ１３０、波長分波器１５０については、予め用意しておく。波長分波器１５０の作製では、基板１１０と接する面はダイシングによって高精度に作製され、その精度誤差は０．５°以下である。
【００３１】
次に、基板１１０をエッチングして、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂを実装するためのＶ溝１１０ａ、１１０ｂを形成する。Ｖ溝１１０ａ、１１０ｂは、シリコンの（１１１）面群を斜面に持つような構成で精密に形成される。従って、溝部１１０ａの横断面形状は、図４に示すように５４．７°の角度を有する。この際、必要に応じて、凹溝１１０ｃ、段差１１０ｅも同時にエッチング形成する。
【００３２】
単結晶シリコンをＫＯＨ水溶液に浸すと（１１１）面が選択的にエッチングされＶ字溝を形成できる。このエッチング時間を調整することでＶ溝の幅を高精度に制御し、かつ逆台形という形も製造可能となる。本発明でのＷＤＭフィルタ搭載部１１０ｅは逆台形の底面であるため、エッチングによる平坦性が保たれ、誤差は０．１度以下となる。
【００３３】
次いで、ＬＤ１２０とレンズ素子１４０ａとの位置関係を算出するとともに、ＰＤ１３０とレンズ素子１４０ｂとの位置関係を算出する。レンズ素子１４０ａ、１４０ｂは基板１１０の溝部１１０ａに実装されることから、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂの位置は、溝部１１０ａの形状とレンズ素子１４０ａ、１４０ｂの形状とに基づいて正確に算出することができる。
【００３４】
次いで、ＬＤ１２０とレンズ素子１４０ａとの位置関係の算出結果に応じて、光軸を調整したレンズ素子１４０ａを設計するとともに、ＰＤ１３０とレンズ素子１４０ｂとの位置関係の算出結果に応じて、光軸を調整したレンズ素子１４０ｂを設計する。
【００３５】
レンズ素子１４０ａ、１４０ｂには、レンズ部として１１０μｍの直径を有する回折光学素子を形成する。回折光学素子はマスクを用いて、光学基板の所望の個所にエッチング処理を施すことで形成される。レンズ素子１４０ａ、１４０ｂに対応する形状のパターンをフォトマスクパターンとして用いて、ディープエッチングなどの手法を用いて任意の深さまで掘り下げることにより、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂを作製できる。
【００３６】
また、本実施形態では、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂにシリコン製マイクロレンズを採用しているので、エッチングにより高精度に作製できるのみならず、一度に大量に作製できつる。更に、従来のレンズ素子（例えば、ボールレンズ等）に比べて小型化を図ることができるなどの利点がある。
【００３７】
次に、波長分波器１５０、光軸が調整されたレンズ素子１４０ａ、１４０ｂ、ＬＤ１２０、ＰＤ１３０を基板１１０上に実装する。本実施形態では、例えば自動実装器により実装することができ、精密に作製された基板１１０上に各構成要素を単に実装するだけで、高精度な光軸合わせが可能であることを特徴とする。
【００３８】
実装に際し、まず、ＬＤ１２０およびＰＤ１３０を、基板１１０の上部からマーカーを用いて高精度に位置決めし、半田などで接合する。
【００３９】
次に、基板１１０に対して、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂを光軸方向に対してはマーカーを用いて位置決めし、Ｖ溝１１０ａ、１１０ｂに熱硬化性樹脂を用いて接合する。なお、接合用の接着剤としては、熱硬化性樹脂に限らず、ＵＶ硬化型樹脂や半田により接着を行うことができる。
【００４０】
ＬＤ１２０、ＰＤ１３０およびレンズ素子１４０ａ、１４０ｂの実装精度はボンダの精度に依存し、±３μｍでの実装が容易に可能となる。一方、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂの光軸とは垂直方向の精度については、±１μｍでの実装が可能となる。すなわち、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂをＶ溝１１０ａ、１１０ｂに配置することにより、垂直方向の位置合わせが行われ、レンズ部１４２の中心部に位置する光軸がＬＤ１２０の出射点またはＰＤ１３０の入射点に対して配置されることから、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂのＶ溝接合部加工精度およびＶ溝加工精度に依存し、±１μｍでの実装が可能となる。
【００４１】
その後、波長分波器１５０を基板１１０の段差１１０ｅに配置し、熱硬化性樹脂、もしくはＵＶ硬化型樹脂により固定する。
【００４２】
上述したように、基板１１０の波長分波器搭載部１１０ｅの平坦性精度誤差は０．１度以下である。一方、波長分波器１５０の基板１１０と接する面の平坦性精度誤差は０．５°以下である。つまり、本実施態様におけるあおり方向での誤差（がたつき）は、最大で０．６度となる。これに対し、波長分波器１５０を基板１１０表面に搭載する際の角度θｚは、搭載時の摩擦により±数度動くことは避けられない。本実施態様では受光素子１３０の受光部１３４での集光径が約１０μｍであり、波長分波器１５０の角度が１°ずれると約２０μｍ集光位置がずれるとになる。つまり、図５においてＹ軸方向には１２μｍ程度、Ｘ軸方向には６０μｍ（３°として）動くことになる。このような実際の光学系に最適な受光部の形状が本発明の特徴である。
【００４３】
従来、ＷＤＭフィルタの回転精度が±０．５°以上のものにおいて、ＰＤを用いた光送受信モジュールの受光効率が７０％以下であった。これに対し、本実施形態に係る光送受信モジュールによれば、ＷＤＭフィルタの回転精度が±１°まで受光効率は下がらなかった。すなわち、ＷＤＭフィルタ１５０のθ回転実装精度の許容値が格段に大きくなった。その結果、現状の実装機性能でも受光感度仕様未達品の割合が減り、光送受信モジュールの歩留まり向上となる。
【００４４】
さらに、高周波対応受光素子において、より小さい受光径、より小さい容量のＰＤチップが求められているが、本発明によれば受光径とトレードオフの関係となる実装トレランスを悪化させることなく、高周波対応のＰＤチップを作製することが可能となる。
【００４５】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態では、上記第１の実施形態との相違点について重点的に説明する。図６は、本実施形態に係る光モジュールの概略構成を示す斜視図である。
【００４６】
本実施形態に係る光モジュール２００は、Ｖ溝１１０ａ、１１０ｂを有する基板１１０上に、発光素子としてレーザダイオード（ＬＤ）１２０、受光素子としてフォトダイオード（ＰＤ）２３０、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂ、波長分波器（ＷＤＭフィルタ）１５０が実装されている。ここで、基板１１０、ＬＤ１２０、レンズ素子１４０ａ、１４０ｂ、波長分波器（ＷＤＭフィルタ）１５０については、上述した第１の実施形態と同様（同一又は類似）であるため重複した説明は省略する。
【００４７】
ＰＤ２３０は、光を端面から入射する受光素子であり、約１５０μｍの略直方体形状からなる。ＰＤ２３０は、Ｖ溝１１０ｂの端部近傍に配置されており、外部からの入射光を、波長分波器１５０および受光素子側レンズ素子１４０ｂを介して受光する。ＰＤ２３０は、現在光ファイバ通信で最も広く使用されているＩｎＧａＡｓ（インジウム
ガリウム ヒ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）を使用し、周知の方法により作製される。例えば、ＩｎＰからなる基板を使用し、ＩｎＧａＡｓをI層とするＰＩＮフォトダイオードとすることができる。
【００４８】
図７上図に示すように、ＰＤ２３０はＩｎＰからなる基板２３２の上面に、楕円形状の受光部２３４、アノード電極２３６及びカソード電極２３８が形成されている。受光部２３４の面積は、通常の円形状ＰＤ（半径４０μｍ）と同等にするべく長軸半径を８０μｍ、短軸半径を２０μｍとしている。ここで、受光部２３４の長軸は、基板表面に平行な面内において入射光の光軸と直交する方向（Ｘ軸）に対応する。なお、受光部２３４の形状は楕円形状に限らず、長方形など他の形状を採用することができる。また、長軸長さと短軸長さとの比率は４：１とすることが現実的に好ましいが、実際の波長分派器の搭載誤差等を考慮して適宜設定することができる。
【００４９】
図７下図に示すように、波長分波器１５０を介して光送受信モジュール２００に取り込まれた光は、レンズ素子１４０ｂを介してＰＤ２３０に取り込まれる。本実施形態では、ＰＤ２３０は端面入射型の受光素子とする。ＰＤ２３０には、光を反射させるための反射面２４０が形成されている。この反射面２４０は、例えば、ＰＤ２３０の底面に、横断面形状がＶ字形状の溝として形成することができる。ＰＤ２３０の端面２３２ａから取り込まれた光は、ＰＤ２３０内部の反射面２４０で反射されて、受光面２３４に取り込まれる。
【００５０】
本実施形態に係る光通信モジュール２００の製造方法については、上述した第１の実施形態と同様であるため重複した説明は省略する。
【００５１】
先に説明した第一の実施形態と同様に、本実施形態においても、ＷＤＭフィルタ１５０のθ回転実装精度の許容値が格段に大きくなり、その結果、現状の実装機性能でも受光感度仕様未達品の割合が減り、光送受信モジュールの歩留まり向上となる。さらに、受光径とトレードオフの関係となる実装トレランスを悪化させることなく、高周波対応のＰＤチップを作製することが可能となる。
【００５２】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲に示された技術的思想の範疇において変更可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、双方向光送受信モジュールの構成を示す概略図である。
【図２】図２は、従来の（特開２００６−１５４５３５号公報に開示された）光通信モジュールの概略構成を示平面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る双方向光送受信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る双方向光送受信モジュールの構造を示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態に係る光送受信モジュールに使用される受光素子の構造を示す斜視図及び断面説明図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態に係る双方向光送受信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態に係る光送受信モジュールに使用される受光素子の構造を示す斜視図及び断面説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００，２００：光送受信モジュール
１１０：シリコン基板
１２０：ＬＤ
１３０，２３０：ＰＤ
１３４：受光部
１５０：波長分波器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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