(57)【要約】【課題】ＭＦＣ内に設けられている機器の異常を検出することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】ＭＦＣ２４１の上流側には、不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン３０８、不活性ガスの供給を遮断する第１遮断バルブ３００、処理ガスを供給する処理ガス供給ライン３１０及び処理ガスの供給を遮断する第２遮断バルブ３０２が設けられ、ＭＦＣ２４１の下流側には、処理室２０１に接続されるガス供給管２３２、ガス供給管２３２への供給を遮断する第３遮断バルブ３０４、排気可能な排気ベントライン３１８及び排気ベントライン３１８への供給を遮断する第４遮断バルブ３０６が設けられている。主制御部は、これらの遮断バルブが閉じられた状態でＭＦＣ２４１が閉状態から開状態に移行した結果、当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、ＭＦＣ２４１は異常であると判定する。【選択図】図２
2009176982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室に供給されるガスの流量を制御する流量制御部と、
前記流量制御部の上流側及び下流側に設けられた開閉弁と、
前記開閉弁が閉じられた状態で前記流量制御部が閉状態から開状態に移行した結果、当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、前記流量制御部は異常であると判定する判定部と
を有する基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室に供給されるガスの流量を制御する流量制御部の上流側及び下流側に設けられた開閉弁が閉じられた状態で前記流量制御部を閉状態から開状態に移行させ、
当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、前記流量制御部は異常であると判定し、
当該移行時間が予め設定された時間以内である場合、前記流量制御部は正常であると判定して基板を処理する
基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板やガラス基板等を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置は、反応室内に処理対象の基板（ウエハ）を収容し、ヒータによって反応室内を所定の温度に加熱し、反応室内に所定のガスを流し、場合によっては、加熱炉内の圧力を調整し、基板を保持するボートを回転させることにより、基板の処理を行う。基板処理装置には、ガス流量制御器（ＭＦＣ；マスフローコントローラ）が設けられており、ＭＦＣは、反応室に供給する反応ガスのガス流量を調整・制御する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、ＭＦＣのゼロ点ずれ、ＭＦＣ内に設けられている流量センサの異常、ＭＦＣ内に設けられている弁体や弁体等を駆動させるアクチュエータの異常等が発生する場合がある。このような場合、ガス流量が変動してしまうので、基板への処理に悪影響が及ぼされ、品質、歩留まり及び安全の問題が懸念されている。
【０００４】
本発明は、上記の問題を解決すべく、ＭＦＣ内に設けられている機器の異常を検出することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記処理室に供給されるガスの流量を制御する流量制御部と、前記流量制御部の上流側及び下流側に設けられた開閉弁と、前記開閉弁が閉じられた状態で前記流量制御部が閉状態から開状態に移行した結果、当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、前記流量制御部は異常であると判定する判定部とを有する。
【０００６】
好適には、前記判定部は、前記開閉弁が閉じられた状態で前記流量制御部が閉状態から開状態に移行した結果、前記流量制御部を開状態にする電圧が予め設定された電圧を超えている場合、前記流量制御部は異常であると判定する。
【０００７】
好適には、前記判定部は、開状態における前記流量制御部の出力値が予め設定された値を超えている場合、前記流量制御部は異常であると判定する。
【０００８】
また、好適には、前記流量制御部は、前記開閉弁のうち上流側に設けられた少なくとも１の開閉弁が開けられた状態で不活性ガスを充填され、前記判定部は、当該開閉弁が閉じられた状態で判定を行う。
【０００９】
さらに、本発明に係る基板処理方法は、基板を処理する処理室に供給されるガスの流量を制御する流量制御部の上流側及び下流側に設けられた開閉弁が閉じられた状態で前記流量制御部を閉状態から開状態に移行させ、当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、前記流量制御部は異常であると判定し、当該移行時間が予め設定された時間以内である場合、前記流量制御部は正常であると判定して基板を処理する。
【００１０】
また，本発明に係る基板処理方法は，基板を処理する処理室に供給されるガスの流量を制御する流量制御部の上流側及び下流側に設けられた開閉弁が閉じられた状態で前期流量制御部を閉状態から開状態に移行させ、前記流量制御部を開状態にする電圧が予め設定された電圧を超えている場合、前記流量制御部は異常であると判断し、前記流量制御部を開状態にする電圧が前記予め設定された電圧以下である場合、前記流量制御部は正常であると判定して基板を処理する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、ＭＦＣ内に設けられている機器の異常を検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の構成を示す縦断面図である。
図１に示すように、処理炉２０２は、加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１３】
ヒータ２０６の内側には、反応管としてのプロセスチューブ２０３が、ヒータ２０６と同心円状に配設されている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には、処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
【００１４】
アウターチューブ２０５の下方には、マニホールド２０９が、アウターチューブ２０５と同心円状に配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は、垂直に据え付けられた状態となっている。反応容器は、プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により形成される。
【００１５】
後述するシールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、ガス流量制御部２３５は、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１６】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５及び圧力調整装置（ＡＰＣ）２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置（真空ポンプ）２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１７】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１８】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００１９】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２０】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置１００全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。主制御部２３９は、図示しないＣＰＵ、メモリ及びハードディスク駆動装置等の記憶装置を有し、所定のプログラムの実行、各制御部との信号の入出力などを行う。ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、及びこれらの制御部を制御する主制御部２３９は、コントローラ２４０として構成されている。
【００２１】
図２は、ＭＦＣ２４１及びこのＭＦＣ２４１の上流側及び下流側に設けられた開閉弁（第１遮断バルブ３００乃至第４遮断バルブ３０６）とガスの流れとの関係を示す図である。
図２に示すように、ＭＦＣ２４１の上流側には、不活性ガス（例えば、Ｎ２）を供給する不活性ガス供給ライン３０８、不活性ガスの供給を遮断する第１遮断バルブ３００、処理ガス（例えば、ＮＨ３）を供給する処理ガス供給ライン３１０、処理ガスの供給を遮断する第２遮断バルブ３０２、及び不活性ガスと処理ガスとの合流してＭＦＣ２４１に供給する上流側ガス供給ライン３１２が設けられている。
【００２２】
ＭＦＣ２４１の下流側には、ノズル２３０（図１）を介して処理室２０１に接続されるガス供給管２３２、ガス供給管２３２への供給を遮断する第３遮断バルブ３０４、処理室２０１を経由せずに排気可能な排気ベントライン３１８、排気ベントライン３１８への供給を遮断する第４遮断バルブ３０６、及びＭＦＣ２４１と第３遮断バルブ３０４及び第４遮断バルブ３０６との間でガス供給管２３２と排気ベントライン３１８とを分岐する下流側ガス分岐ライン３１４が設けられている。
【００２３】
ＭＦＣ２４１、第１遮断バルブ３００、第２遮断バルブ３０２、第３遮断バルブ３０４及び第４遮断バルブ３０６は、ガス流量制御部２３５に接続されている。ガス流量制御部２３５は、第１遮断バルブ３００乃至第４遮断バルブ３０６の開閉を制御する。また、ガス流量制御部２３５は、ＭＦＣ２４１内に設けられた後述する制御バルブの開閉を制御する。したがって、これらの構成要素におけるガス流量は、ガス流量制御部２３５に制御される。
【００２４】
図３は、ＭＦＣ２４１内の詳細な構成を示す図である。
図３に示すように、ＭＦＣ２４１には、バイパス３２２、バイパス３２２を介して供給されるガスの流量を制御する制御バルブ３３４、後述するＤ／Ａコンバータ３３０の出力に基いて制御バルブ３３４を駆動させる例えばアクチュエータ等を含むバルブ駆動回路３３２、バイパス３２２に供給されるガスの流量を検出する流量センサ３２４、流量センサ３２４により検出されたガス流量のアナログ・デジタル変換を行うＡ／Ｄコンバータ３２６、Ａ／Ｄコンバータ３２６からの出力を入力し、ＭＦＣ２４１内の構成要素を制御するＣＰＵ３２０、ＭＦＣ２４１の外部のコンピュータとの間でデジタル信号を入出力するデジタル入出力装置３２８、及びＣＰＵ３２０から出力された信号のデジタル・アナログ変換を行うＤ／Ａコンバータ３３０が設けられている。
【００２５】
ＭＦＣ２４１は、これらの構成要素により、処理室２０１に供給されるガスの流量を制御して、流量制御部を構成する。なお，流量制御部は，流量制御器ともいう。ＭＦＣ２４１において、ＣＰＵ３２０は、デジタル入出力装置３２８を介して、ＭＦＣ２４１内のガス流量を外部のコンピュータ（例えば、主制御部２３９）に対して出力する。ここで、ガス流量は、実際のガス流量に対応する電圧値で検出され、この電圧値が出力される。また、ＣＰＵ３２０は、流量センサ３２４からの電圧値とデジタル入出力装置３２８を介して、外部のコンピュータからの制御信号である流量設定電圧値とを比較して，流量センサ３２４からの電圧値が流量設定電圧値と同電圧になるように，バルブ駆動回路３３２を介して制御バルブ３３４の開閉制御を行う。
【００２６】
図４は、基板処理装置１００により実行される基準点確認処理（Ｓ１０）を示すフローチャートである。基準点確認処理は、基板を処理する工程の前に実行される。
図４に示すように、ステップ１００（Ｓ１００）において、基板処理装置１００の主制御部２３９は、ガス流量制御部２３５を制御し、このガス流量制御部２３５の制御により、第２遮断バルブ３０２が閉じられる。なお、以降のバルブの開閉動作及びガス供給動作も、同様にして制御される。
【００２７】
ステップ１０２（Ｓ１０２）において、第３遮断バルブ３０４及び第４遮断バルブ３０６が閉じられる。
ステップ１０４（Ｓ１０４）において、第１遮断バルブ３００が開かれる。
ステップ１０６（Ｓ１０６）において、不活性ガスとしてのＮ２ガスが、ＭＦＣ２４１内に供給され、ＭＦＣ２４１は、不活性ガスで充填される。
【００２８】
ステップ１０８（Ｓ１０８）において、第１遮断バルブ３００が閉じられる。即ち、第１遮断バルブ３００、第２遮断バルブ３０２、第３遮断バルブ３０４及び第４遮断バルブ３０６は、閉じられている。
ステップ１１０（Ｓ１１０）において、ＭＦＣ２４１内の制御バルブ３３４は、全閉（フルクローズ）状態にされる。
【００２９】
ステップ１１２（Ｓ１１２）において、主制御部２３９は、ガス流量制御部２３５を制御し、ＭＦＣ２４１を制御状態にする。即ち，第１〜第４遮断バルブが閉じられているため，ＭＦＣ２４１内の制御バルブ３３４は，全閉状態を維持してしまうことになる。これでは，ＭＦＣ２４１の状態が判定できないため強制的にＭＦＣ２４１を制御状態とする。具体的には、ＭＦＣ２４１内の制御バルブ３３４は、予め設定されている所定時間で、所定電圧値（即ち、所定速度）で開かれる。好ましくは、制御バルブ３３４は、１０秒以上かけて、全閉状態から全開（フルオープン）状態になるように、ガス流量制御部２３５により制御される。
【００３０】
ステップ１１４（Ｓ１１４）において、主制御部２３９は、制御バルブ３３４が全開状態になったか否かを判定する。主制御部２３９は、制御バルブ３３４が全開状態になった場合にはＳ１１６の処理に進み、そうでない場合にはＳ１１４の処理に戻る。
【００３１】
ステップ１１６（Ｓ１１６）において、バルブ駆動回路のバルブ駆動電圧、及び制御バルブ３３４が全閉状態から全開状態になるまでの経過時間が測定される。なお，バルブ駆動電圧とは、バルブを開こうとする電圧であって、バルブ開度とも呼ばれる。主制御部２３９は、バルブ駆動電圧及び経過時間を、図示しないメモリ及びハードディスク駆動回路などの記憶装置に格納する。
【００３２】
ステップ１１８（Ｓ１１８）において、ガス流量が、ガス流量センサ３２４により測定され、ＭＦＣ２４１から主制御部２３９に対して実際のガス流量に対応する電圧値として出力される。このガス流量は、制御バルブ３３４が全開である状態の下で検出された値（例えば、１ｍＶ）である。主制御部２３９は、この検出された値を記憶装置に格納する。なお、以降、ガス流量センサ３２４により測定され，ＭＦＣ２４１から主制御部２３９に対して出力される電圧値を、ＭＦＣ出力値ともいう。
【００３３】
主制御部２３９は、格納されたＭＦＣ出力値Ｍ１、バルブ駆動電圧Ｖ１及び経過時間Ｔ１を基準値とする。また、主制御部２３９は、これらの基準値に基いて、ＭＦＣ出力値、バルブ駆動電圧及び経過時間に関する閾値を設定する。例えば、主制御部２３９は、基準値に所定値を加算・減算した値を閾値とする。これらの閾値は、後述するＭＦＣ点検処理で用いられるが，これらを用いることにより，絶対値としての基準値，閾値ではなく，個々のＭＦＣの状態に応じた相対値としての基準値，閾値とすることができる。即ち，基準値，閾値をＭＦＣの経時変化の状態に合わせて修正することができる。
【００３４】
図５は、基板処理装置１００により実行されるＭＦＣ点検処理（Ｓ２０）を示すフローチャートである。ＭＦＣ点検処理は、所定回数（バッチ数）の基板処理が実行された後又は前回の基板処理の実行から所定期間経過後、実行される。好ましくは、ＭＦＣ点検処理は、その次の基板処理が開始される前に実行される。
【００３５】
図５に示すように、ステップ２００（Ｓ２００）において、基準点確認処理（Ｓ１０）と同様にして、バルブ駆動電圧ｖ１及び経過時間ｔ１が測定される。測定されたバルブ駆動電圧ｖ１及び経過時間ｔ１は、主制御部２３９に対して出力される。
【００３６】
ステップ２０１（ａ）（Ｓ２０１（ａ））において、主制御部２３９は、測定されたバルブ駆動電圧Ｖ１を閾値と比較し、バルブ駆動電圧Ｖ１が閾値を超えているか否かの判定をする。主制御部２３９は、バルブ駆動電圧Ｖ１が閾値を超えている場合には、ステップ２０１（Ｓ２０１（ｂ））の処理に進み、そうでない場合には、ステップ２０２（Ｓ２０２）の処理に進む。
【００３７】
ステップ２０１（ｂ）（Ｓ２０２（ｂ））において、主制御部２３９は、ＭＦＣ２４１に設けられたバルブ駆動回路３３２が異常であると判断する。
尚、バルブ駆動回路３３２が、異常である場合、実際には制御範囲外のバルブ駆動電圧Ｖ１が制御バルブ３３４に印加されてしまうことがある。すなわち、個体差はあるものの、制御バルブ３３４が制御不能状態となることにより、例えば、全開状態（フルオープン状態）となってしまい、制御流量上限より数十倍（複数倍）の流量が流れてしまうことがある。このような場合、基板の処理に大きく悪影響を及ぼすことになったり、混触発火、爆発、装置外への漏洩等の事故を起こすことになったり、しかねない。そこで主制御部２３９は、コントローラ２４０の図示しない表示部にバルブ駆動回路３３２異常であるという警告を表示する、警告音を鳴動させる等の異常通知処理を行う。また、主制御部２３９は、検出されたバルブ駆動電圧Ｖ１を記憶装置に格納する。さらに、主制御部２３９は、ＭＦＣ点検処理（Ｓ２０）を終了させ、その後、基板処理装置１００の基板処理工程等の実行が禁止される状態に移行する。
【００３８】
翻って，ステップ２０２（Ｓ２０２）において、主制御部２３９は、測定された経過時間ｔ１を閾値と比較し、経過時間ｔ１が閾値を超えているか否かを判定する。主制御部２３９は、経過時間ｔ１が閾値を超えている場合にはステップ２０４（Ｓ２０４）の処理に進み、そうでない場合にはステップ２０６（Ｓ２０６）の処理に進む。
【００３９】
ステップ２０４（Ｓ２０４）において、主制御部２３９は、ＭＦＣ２４１に設けられた制御バルブ３３４に異常が発生していると判断する。即ち、主制御部２３９は、第１遮断バルブ３００乃至第４遮断バルブ３０６が閉じられた状態でＭＦＣ２４１の制御バルブ３３４が閉状態から開状態に移行した結果、当該移行時間が予め設定された時間（閾値）を超えている場合、ＭＦＣ２４１は異常であると判定する判定部を構成する。なお，当該移行時間が閾値以上であった場合，制御バルブ３３４が経時変化により劣化しているものと判断する。この場合，異常であるもののガス流量制御は，正常に行うことができるため，ＭＦＣ点検処理（Ｓ２０）を続行させるようにする。
【００４０】
主制御部２３９は、コントローラ２４０の図示しない表示部に警告を表示する、警告音を鳴動させる等の異常通知処理を行う。また、主制御部２３９は、検出された経過時間ｔ１を記憶装置に格納する。
【００４１】
ステップ２０６（Ｓ２０６）において、制御バルブ３３４が全開である状態で、ＭＦＣ出力値が測定される。ＭＦＣ出力値は、ＭＦＣ２４１から主制御部２３９に対して出力される。主制御部２３９は、測定されたＭＦＣ出力値と記憶されている基準値Ｍ１との差分ｅ１を算出し、記憶装置に格納する。ＭＦＣ出力値の測定及び差分ｅ１の算出は、予め決定された時間Ｔ２の間、実行される。
【００４２】
ステップ２０８（Ｓ２０８）において、主制御部２３９は、算出された差分ｅ１と閾値とを比較する。時間Ｔ２の間に算出された差分ｅ１の少なくともいずれかが閾値を超えた場合、主制御部はＳ２１０の処理に進む。差分ｅ１のいずれもが閾値を超えない場合、主制御部２３９は、ゼロ点はずれていないと判定し、その旨を表示装置等に表示及び通知し、処理を終了する。なお、この場合においても、差分ｅ１の累積値が、所定値を超えた場合、主制御部２３９は、Ｓ２１０の処理に進んでもよい。
【００４３】
ステップ２１０（Ｓ２１０）において、主制御部２３９は、差分ｅ１が閾値を超えている状態が時間Ｔ２を経過しても継続しているか否かを判定する。当該状態が継続している場合、主制御部２３９は、Ｓ２１２の処理に進む。当該状態が継続していない場合、主制御部２３９は、差分ｅ１が閾値を超えた状態は突発的な状態であり、状態は既に正常状態に回復していると判定し、処理を終了する。
【００４４】
ステップ２１２（Ｓ２１２）において、主制御部２３９は、ゼロ点補正処理を行う。具体的には，求めた差分ｅ１を補正値として基準値Ｍ１に加えるように処理を行う。
ステップ２１４（Ｓ２１４）において、主制御部２３９は、差分ｅ１を記憶装置に格納する。
このように、ＭＦＣ点検処理では、ＭＦＣ２４１の異常が検知され、ＭＦＣ２４１のゼロ点ずれが検出され、その補正処理が実行される。
【００４５】
本実施形態によれば，以下の少なくとも１つ以上の効果を奏する。
１）本発明の実施形態に係る基板処理装置１００は、ＭＦＣ２４１内に設けられている機器の異常を検出することができる。また、異常が検出されなかった場合、基板処理装置１００は、ＭＦＣ２４１は正常であると判定し、基板を処理する。これにより、基板処理装置１００は、基板の処理に影響を及ぼすことなく、基板の品質を維持し、歩留まりの低下を防止することができる。
【００４６】
２）基準点確認処理及びＭＦＣ点検処理では、不活性ガスだけが用いられ、処理ガスが用いられないので、基板処理装置１００は、安全性を保つことができる。異常が検出された場合には所定の警告がなされるので、作業者は、修理、交換等の時期を容易に把握することができる。
【００４７】
３）流量制御部のバルブ駆動電圧を測定し、このバルブ駆動電圧と予め設定された基準値となるバルブ駆動電圧とを比較することにより、バルブ駆動回路の異常を検出することができ、基板の処理に大きく悪影響を及ぼすことになったり、混触発火、爆発、装置外への漏洩等の事故を起こすことになったりするのを防止することができる。
【００４８】
４）流量制御部の制御バルブが全閉状態から開き、全開状態になるまでの経過時間を測定し、この経過時間と予め設定された基準値となる経過時間とを比較することにより、制御バルブの異常を検出することができ、制御バルブの劣化状態を把握することができ、さらに直近の工程は禁止することなく、実行することができる。
【００４９】
５）流量制御部の全開である状態で出力値を測定し、この出力値と予め設定された基準値となる出力値とを比較することにより、ゼロ点の異常を検出することができる。また、比較した際の差分を補正値として基準値に加えることにより、ゼロ点の補正処理を行うことができ、正確な流量制御を行うことができる。
【００５０】
６）上述の点検処理（Ｓ２０）を行うことにより、流量制御部のバルブ駆動回路異常、制御バルブ異常、ゼロ点異常を一度の点検処理で判定することができ、点検工程の時間短縮、惹いては基板処理装置のダウンタイムを短縮することができ、ランニングコストを減らすことができる。
【００５１】
ＭＦＣ２４１には、デジタル入出力装置３２８が設けられている。したがって、ＭＦＣ２４１は、主制御部２３９との間で、デジタル信号を入出力することができる。このため、ＭＦＣ２４１と主制御部２３９との間では、Ａ／Ｄコンバータ及びＤ／Ａコンバータを不要とすることができる。
【００５２】
さらに、主制御部２３９は、ＭＦＣ２４１、第１遮断バルブ３００、第２遮断バルブ３０２、第３遮断バルブ３０４及び第４遮断バルブ３０６に対してデジタル信号を出力する。したがって、主制御部２３９は、これらの構成要素をデジタル通信を用いて制御することができる。なお，上記の実施形態では，ＭＦＣ２４１内に，デジタル入出力装置３２８及びＡ／Ｄコンバータ，Ｄ／Ａコンバータを収納する形態として説明したが，ＭＦＣ２４１内にデジタル入出力装置３２８やＡ／Ｄコンバータ，Ｄ／Ａコンバータを設けずに，アナログ入出力装置を設けて，ＭＦＣ２４１以外にＡ／Ｄコンバータ，Ｄ／Ａコンバータを設けるようにしてもよい。この場合，ＭＦＣ２４１と主制御部２３９との間にはＡ／Ｄコンバータ及びＤ／Ａコンバータを必要とする点で，上記の実施の形態より劣るものの，その他は，同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の構成を示す縦断面図である。
【図２】ＭＦＣ２４１及びこのＭＦＣ２４１の上流側及び下流側に設けられた開閉弁とガスの流れとの関係を示す図である。
【図３】ＭＦＣ２４１内の詳細な構成を示す図である。
【図４】基板処理装置１００により実行される基準点確認処理（Ｓ１０）を示すフローチャートである。
【図５】基板処理装置１００により実行されるＭＦＣ点検処理（Ｓ２０）を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５４】
１００ 基板処理装置
２３２ ガス供給管
２３５ ガス流量制御部
２３９ 主制御部
３００ 第１遮断バルブ
３０２ 第２遮断バルブ
３０４ 第３遮断バルブ
３０６ 第４遮断バルブ
３０８ 不活性ガス供給ライン
３１０ 処理ガス供給ライン
３１２ 上流側ガス供給ライン
３１４ 下流側ガス分岐ライン
３１８ 排気ベントライン
３２２ バイパス
３２４ ガス流量センサ
３２４ 流量センサ
３２６ Ａ／Ｄコンバータ
３２８ デジタル入出力装置
３３０ Ｄ／Ａコンバータ
３３２ バルブ駆動回路
３３４ 制御バルブ
【図１】
2009176982.tif 000003
【図２】
2009176982.tif 000004
【図３】
2009176982.tif 000005
【図４】
2009176982.tif 000006
【図５】
2009176982.tif 000007