(57)【要約】【課題】小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制し、かつ、高速応答性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置１は、ヘッダ６と、ヘッダ６に取り付けられるサブマウント７と、サブマウント７に取り付けられる半導体レーザ素子部８と、リード３とを備えている。また、半導体レーザ装置１では、半導体レーザ素子部８からのレーザ光の出射方向を矢印Ｚ１方向（前方）とした場合に、リード３の前端部３ａは、サブマウント７の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７ａよりも矢印Ｚ２方向（後方）に配置され、サブマウント７の半導体レーザ素子部８と電気的に接続された電極７ｃは、リード３の前端部３ａとＡｕワイヤ１００により接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部および第１ヒートシンクを含むパッケージと、
前記第１ヒートシンクの第１表面部に取り付けられる第２ヒートシンクと、
前記第２ヒートシンクの第２表面部に取り付けられる半導体レーザ素子部と、
前記第１ヒートシンクが配置された前記本体部の第３表面部を貫通して取り付けられる第１リードとを備え、
前記半導体レーザ素子部からのレーザ光の出射方向を前方とした場合に、前記第１リードの第１前端部は、前記第２ヒートシンクの第１後端部よりも後方に配置され、
前記半導体レーザ素子部と電気的に接続された前記第２表面部は、前記第１前端部と電気的に接続されている、半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第２表面部と前記第１前端部とは、ワイヤを介して接続されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記レーザ光の出射方向と直交するとともに前記第１表面部に平行な方向を水平方向とした場合に、前記第２ヒートシンクの第１側面は、前記水平方向における前記第１リードの内側面よりも外側に配置されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第３表面部を貫通して取り付けられ、前記第１リードから電気的に独立した第２リードをさらに備え、
前記第２前端部は、前記第１後端部よりも後方に配置され、
前記半導体レーザ素子部は、前記第２前端部と電気的に接続されている、請求項１〜３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第２表面部は、互いに電気的に独立した第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極は、前記半導体レーザ素子部の裏面側と電気的に接続され、
前記第２電極は、前記半導体レーザ素子部の前記裏面側とは反対側の表面側と電気的に接続されるとともに、前記第２前端部と電気的に接続されている、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第３表面部を貫通して取り付けられ、前記第１リードから電気的に独立した第２リードをさらに備え、
前記第２前端部は、前記第１後端部よりも前方に配置されている、請求項１〜３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記半導体レーザ素子部と前記第２前端部とは、ワイヤを介して接続されている、請求項４〜６に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記本体部は、前記レーザ光の出射方向側から見て実質的に円形状の外形を有し、
前記パッケージは、前記本体部に配置されるとともに前記第１リードおよび前記第２リードから電気的に独立した第３リードをさらに備え、
前記レーザ光の出射方向側から見て、前記第１リード、前記第２リードおよび前記第３リードは、所定の円を構成する線分上に配置されており、
前記所定の円の中心は、前記第１ヒートシンクから離間する方向に、前記本体部の中心からずれて配置されている、請求項４〜７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記レーザ光の出射方向と直交するとともに前記第１表面部に平行な方向を水平方向とした場合に、前記水平方向における前記第１ヒートシンクの幅は、前記第１リードと前記第２リードとの間の内側間隔よりも大きい、請求項４〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、互いに電気的に独立した複数のリードとヒートシンクと半導体レーザ素子部とを搭載した半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光ピックアップの小型化および薄型化に伴い、その光源となる半導体レーザ装置も小型化が要求されている。しかし、その一方で、半導体レーザ装置を小型化すると、半導体レーザ装置に搭載されたヒートシンクも小型化され、その結果、放熱性が悪くなるという不都合がある。
【０００３】
そこで、従来、小型化を図りつつ、放熱性が低下することを抑制する半導体レーザ装置が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１には、レーザチップ（半導体レーザ素子部）と、レーザチップが搭載されるヒートシンクと、互いに電気的に独立した３本のリードとを備えた半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置では、レーザ光の出射方向を前方とした場合に、ヒートシンクの後端部がリードの先端部よりも前方に配置されている。また、ヒートシンクは、レーザチップを搭載する上側方向に延びるように形成されている。これにより、半導体レーザ装置を大きくすることなく、ヒートシンクを大きくすることが可能となり、その結果、半導体レーザ装置の小型化を図りつつ、放熱性が低下することを抑制することが可能である。なお、上記特許文献１では、ヒートシンクの表面部は、リードの側面とワイヤにより接続されている。
【特許文献１】特開２００１−１１１１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の半導体レーザ装置では、小型化を図りつつ、放熱性が低下することをある程度抑制することが可能であるが、ヒートシンクの後端部と本体部の距離が長くなり、その分放熱性が低下する。また、半導体レーザ装置のレーザ光の出射方向の長さが長くなってしまう。さらに、リードとリードの前方に配置されたヒートシンクの表面部とがリードの側面とワイヤにより接続されるので、ワイヤの長さが、ヒートシンクの表面部からリードまでの最短距離よりも長くなってしまうという不都合がある。このため、最短距離で接続された場合に比べて、半導体レーザ装置のインダクタンスが大きくなるので、高速応答性が劣るという問題点がある。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制し、かつ、高速応答性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、本体部及び第１ヒートシンクを含むパッケージと、第１ヒートシンクの第１表面部に取り付けられる第２ヒートシンクと、第２ヒートシンクの第２表面部に取り付けられる半導体レーザ素子部と、第１ヒートシンクが配置された本体部の第３表面部を貫通して取り付けられる第１リードとを備え、半導体レーザ素子部からのレーザ光の出射方向を前方とした場合に、第１リードの第１前端部は、第２ヒートシンクの第１後端部よりも後方に配置され、半導体レーザ素子部と電気的に接続された第２表面部は、第１前端部と電気的に接続されている。ここで、本発明において、「第１前端部と電気的に接続」とは、たとえば、ワイヤなどにより電気的に接続する意味である。
【０００７】
なお、本発明において、レーザ光の出射方向は、一対の共振器面から出射されるレーザ光のうち、相対的に光強度の大きいレーザ光が出射される方向である。
【０００８】
この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、半導体レーザ素子部からのレーザ光の出射方向を前方とした場合に、第１リードの第１前端部を、第２ヒートシンクの第１後端部よりも後方に配置する。このように構成することによって、第２ヒートシンクの幅を、第１リードよりも外側に広げることができるので、半導体レーザ装置を大きくすることなく、第２ヒートシンクの体積を大きくすることができる。これにより、小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制することができる。
【０００９】
また、第２ヒートシンクの第２表面部を、第１リードの第１前端部と電気的に接続することによって、第２ヒートシンクの第２表面部から第１リードまでの最短距離に極力近い短い距離で接続することができる。これにより、半導体レーザ装置のインダクタンスを極力小さくすることができるので、高速応答性の向上を図ることができる。また、第１ヒートシンクが配置された本体部の第３表面部からレーザ光の出射方向へ突出する第１リードの長さを短くすることができるので、第２ヒートシンクの第１後端部と本体部との距離を短くでき、その結果、放熱性がさらに向上する。
【００１０】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第２ヒートシンクの第２表面部と第１リードの第１前端部とは、ワイヤを介して接続されている。このように構成すれば、第２ヒートシンクの第２表面部と第１リードの第１前端部とを容易に接続することができる。
【００１１】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、レーザ光の出射方向と直交するとともに第１表面部に平行な方向を水平方向とした場合に、第２ヒートシンクの第１側面は、水平方向における第１リードの内側面よりも外側に配置されている。このように構成すれば、第２ヒートシンクの体積を容易に大きくすることができるので、放熱性が低下することを容易に抑制することができる。
【００１２】
この場合、好ましくは、水平方向において、第１側面は、第１リードの外側面よりも外側に配置されている。このように構成すれば、第２ヒートシンクの体積を容易により大きくすることができるので、放熱性が低下することを容易により抑制することができる。
【００１３】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第３表面部を貫通して取り付けられ、第１リードから電気的に独立した第２リードをさらに備え、第２リードの第２前端部は、第１後端部よりも後方に配置され、半導体レーザ素子部は、第２前端部と電気的に接続されている。このように構成すれば、第２ヒートシンクの水平方向の幅を、第１リード側に加えて第２リード側の外側にも広げることができるので、第２ヒートシンクの体積をより大きくすることができる。その結果、放熱性が低下することをより抑制することができる。また、半導体レーザ素子部を第２リードの第２前端部と電気的に接続することによって、半導体レーザ素子部から第２リードまでの最短距離に極力近い短い距離で接続することができる。これにより、半導体レーザ装置のインダクタンスをより小さくすることができるので、より高速応答性の向上を図ることができる。
【００１４】
この場合、好ましくは、第２表面部は、互いに電気的に独立した第１電極および第２電極を有し、第１電極は、半導体レーザ素子部の裏面側と電気的に接続され、第２電極は、半導体レーザ素子部の裏面側とは反対側の表面側と電気的に接続されるとともに、第２前端部と電気的に接続される。このように構成すれば、半導体レーザ素子部の表面側と第２リードの第２前端部とを直接電気的に接続する場合に比べて、全長として短い距離で接続することができる。これにより、半導体レーザ装置のインダクタンスをさらに低減することができるので、よりいっそう高速応答性の向上を図ることができる。
【００１５】
また、この場合、好ましくは、第１前端部と第２前端部とは、互いに、レーザ光の出射方向と直交する同一の平面上に配置されている。このように構成すれば、第１リードの第１前端部および第２リードの第２前端部の位置が互いにずれている場合と異なり、より前方に配置された第１リードまたは第２リードのいずれか一方の前端部の位置によって、第２ヒートシンクの第１後端部の位置が制限されない。その結果、第２ヒートシンクの第１後端部を全体的に後方側に広げることができるので、放熱性が低下することをさらに抑制することができる。
【００１６】
また、この場合、好ましくは、レーザ光の出射方向と直交するとともに第１ヒートシンクの表面に平行な方向を水平方向とした場合に、水平方向において、第１側面は、第１リードの内側面よりも外側に配置されているとともに、第１側面とは反対側の第２ヒートシンクの第２側面は、第２リードの内側面よりも外側に配置されている。このように構成すれば、第２ヒートシンクを第１リード側だけでなく第２リード側にも容易に広げることができる。これにより、第２ヒートシンクの体積を容易により大きくすることができるので、放熱性が低下することをより容易に抑制することができる。
【００１７】
また、この場合、好ましくは、水平方向において、第１側面は、第１リードの外側面よりも外側に配置されているとともに、第２側面は、第２リードの外側面よりも外側に配置されている。このように構成すれば、第２ヒートシンクの体積を容易にさらに大きくすることができるので、放熱性が低下することをさらに容易に抑制することができる。
【００１８】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、第３表面部を貫通して取り付けられ、第１リードから電気的に独立した第２リードをさらに備え、第２前端部は、第１後端部よりも前方に配置されている。このように構成すれば、第２リードのレーザ光の出射方向に延びる側面と半導体レーザ素子部の表面側とを容易に接続することができる。
【００１９】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、半導体レーザ素子部と第２前端部とは、ワイヤを介して接続されている。このように構成すれば、半導体レーザ素子部と第２リードの第２前端部とを容易に接続することができる。
【００２０】
この場合、好ましくは、本体部は、レーザ光の出射方向側から見て実質的に円形状の外形を有し、パッケージは、本体部に配置されるとともに第１リードおよび第２リードから電気的に独立した第３リードをさらに備え、レーザ光の出射方向側から見て、第１リード、第２リードおよび第３リードは、所定の円を構成する線分上に配置されており、所定の円の中心は、第１ヒートシンクから離間する方向に、本体部の中心からずれて配置されている。このように構成すれば、第１リードおよび第２リードが第１ヒートシンクから離間する分、第１ヒートシンクの体積を大きくすることができるので、放熱性が低下することをより抑制することができる。
【００２１】
また、この場合、好ましくは、レーザ光の出射方向と直交するとともに第１表面部に平行な方向を水平方向とした場合に、水平方向における第１ヒートシンクの幅は、第１リードと第２リードとの間の内側間隔よりも大きい。このように構成すれば、第１ヒートシンクの体積を大きくすることができるとともに、第１ヒートシンクに取り付けられる第２ヒートシンクの体積もより大きくすることができるので、放熱性が低下することをより抑制することができる。
【００２２】
また、この場合、好ましくは、レーザ光の出射方向と直交するとともに第１表面部に平行な方向を水平方向とした場合に、水平方向における第２ヒートシンクの幅は、第１リードと第２リードとの間の内側間隔よりも大きい。このように構成すれば、第２ヒートシンクの体積を大きくすることができるので、放熱性が低下することをより抑制することができる。
【００２３】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１前端部は、第３表面部と実質的に同一の平面上に配置されている。このように構成すれば、第１リードの第１前端部をレーザ光の出射方向に対してより後方側に配置することができる。これにより、第２ヒートシンクの第２後端部をより後方側に広げることができるので、放熱性が低下することをより抑制することができる。
【００２４】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、レーザ光の出射方向側から見た場合の本体部の外形は、一部が直線形状であるとともに、該一部以外の部分が円弧形状である。このように構成すれば、本体部の外形を円形状とする場合に比べて、外形の高さまたは幅を小さくすることができるので、容易に、半導体レーザ装置の小型化を図ることができる。
【００２５】
この場合、好ましくは、直線形状を有する部分は、２箇所以上形成されている。このように構成すれば、本体部の外形の１箇所だけを直線形状とする場合に比べて、外形の高さまたは幅をより小さくすることができるので、容易に、半導体レーザ装置をより小型化することができる。
【００２６】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１前端部は、第２表面部に対して鈍角をなす方向に傾斜している。このように構成すれば、ワイヤなどによって第１リードの第１前端部と第２ヒートシンクの第２表面部とを電気的に接続する場合に、半導体レーザ素子部が支障となりにくい。その結果、第１リードの第１前端部と第２ヒートシンクの第２表面部との間の配線を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。図３は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。図４は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための斜視図である。図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１の構造について説明する。
【００２９】
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１は、図１〜図３に示すように、ベース２と、ベース２に取り付けられ、互いに電気的に独立したリード３、４および５と、ベース２に取り付けられたヘッダ６とを備えており、ベース２、リード５およびヘッダ６によってパッケージが構成されている。また、半導体レーザ装置１は、ヘッダ６に取り付けられた窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるサブマウント７と、サブマウント７に取り付けられた半導体レーザ素子部８とをさらに備えている。なお、ベース２は、本発明の「本体部」の一例である。また、リード３、リード４およびリード５は、それぞれ本発明の「第１リード」、「第２リード」および「第３リード」の一例である。また、ヘッダ６は、本発明の「第１ヒートシンク」の一例であり、サブマウント７は、本発明の「第２ヒートシンク」の一例である。
【００３０】
また、半導体レーザ装置１は、図４に示すように、ベース２のレーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向（前方））側の表面２ａ上にキャップ９が取り付けられている。なお、表面２ａは、本発明の「第３表面部」の一例である。このキャップ９には、半導体レーザ素子部８から出射されるレーザ光が透過する光学窓９ａが形成されている。なお、図１〜図３および後述する図５〜図１８には、キャップ９を省略した半導体レーザ装置を図示している。
【００３１】
ここで、半導体レーザ素子部８から出射されるレーザ光の出射方向およびその反対方向をそれぞれ矢印Ｚ１およびＺ２で示し、矢印Ｚ１方向（前方）およびＺ２方向（後方）を半導体レーザ装置１の前後方向と呼ぶ。また、サブマウント７が取り付けられているヘッダ６の上面である表面６ａに垂直な方向（表面６ａに対してサブマウント７が取り付けられている方向）を矢印Ｙ１、および矢印Ｙ１の反対方向を矢印Ｙ２で示し、矢印Ｙ１（上方）およびＹ２方向（下方）を半導体レーザ装置１の垂直方向と呼ぶ。また、矢印Ｚ１およびＺ２方向と、矢印Ｙ１およびＹ２方向との両方に直交する方向を矢印Ｘ１およびＸ２で示し、これを半導体レーザ装置１の水平方向と呼ぶ。なお、これらの各方向については、後述する各実施形態においても同様である。なお、ヘッダ６の表面６ａは、本発明の「第１表面部」の一例である。
【００３２】
ベース２は、レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向（前方））側から見て、実質的に円形状に形成されている。また、ベース２は、鉄や銅などからなる金属製であるため放熱性が高い。
【００３３】
リード３および４は、金属製であるとともに、それぞれベース２の表面２ａおよび矢印Ｚ２方向（後方）側の表面２ｂを貫通するように配置されている。リード３は、前方側（矢印Ｚ１方向側）の前端部３ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ１だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に突出して配置されるように形成されている。なお、リード３の前端部３ａは、本発明の「第１前端部」の一例である。また、リード４は、矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部４ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ２だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に突出して配置されるように形成されており、その側面は、レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に延びている。なお、リード４の前端部４ａは、本発明の「第２前端部」の一例である。リード５は、ベース２の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面２ｂに溶接されることにより、表面２ｂに配置されている。
【００３４】
また、図３に示すように、リード３、４および５は、矢印Ｚ１方向（前方）側から見た場合に、所定の円１０を構成する線分上に配置されている。また、所定の円１０の中心１０ａは、ヘッダ６の上面である表面６ａから離間する方向（矢印Ｙ１方向）に、円形状のベース２の中心２ｃからずれて配置されている。これにより、リード３および４を、矢印Ｙ２方向側に配置されたヘッダ６から極力離間させることが可能である。
【００３５】
また、図３に示すように、リード３および４は、それぞれ、ベース２の貫通部においてガラスからなる絶縁体２００および３００により覆われている。これにより、リード３および４は、それぞれベース２から電気的に絶縁されている。なお、本発明の第１実施形態では、リード５は、通電には使用されない。このリード５は、ベース２と一体的に形成されている。
【００３６】
ここで、第１実施形態では、ヘッダ６は、ベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａに取り付けられることにより、表面２ａに配置されるとともに、ベース２とヘッダ６とは、電気的に接続されている。また、図１に示すように、ヘッダ６の水平方向、すなわち、矢印Ｘ１およびＸ２方向（レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に直交する方向）の幅Ｗ１は、リード３とリード４との間の内側間隔Ｗ２よりも大きくなるように形成されている。また、図３に示すように、ヘッダ６の上面である矢印Ｙ１方向側の表面６ａが平坦に形成されるとともに、矢印Ｙ２方向側の裏面が円弧状に形成されている。また、ヘッダ６は、金属製であるため放熱性が高い。これにより、半導体レーザ装置１のヒートシンクとして機能することが可能である。
【００３７】
サブマウント７は、直方体状の形状を有し、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、ヘッダ６の上面である矢印Ｙ１方向側の表面６ａに取り付けられており、ヘッダ６の表面６ａは、サブマウント７の裏面である矢印Ｙ２方向側の表面部と電気的に接続されている。また、サブマウント７は、矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ３だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に配置される。なお、サブマウント７の表面７ａは、本発明の「第１後端部」の一例である。具体的には、サブマウント７は、距離Ｄ３が距離Ｄ１よりも大きく、かつ、距離Ｄ２よりも小さくなるように配置されている。すなわち、サブマウント７の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７ａが、リード３の前端部３ａよりも矢印Ｚ１方向（前方）側に配置されているとともに、リード４の前端部４ａよりも矢印Ｚ２方向（後方）側に配置されている。
【００３８】
また、リード３の前端部３ａとサブマウント７の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７ａとは、距離Ｄ８だけ離間している。また、図１に示すように、サブマウント７の矢印Ｘ１方向側の側面７ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ２方向側の側面である内側面３ｂよりも外側（矢印Ｘ１方向側）に配置されている。さらに、この側面７ｂは、リード３の矢印Ｘ１方向側の側面である外側面３ｃよりも外側に配置されている。なお、サブマウント７の矢印Ｘ１方向側の側面７ｂは、本発明の「第１側面」の一例である。
【００３９】
また、絶縁性のＡｌＮからなるサブマウント７は、上面である矢印Ｙ１方向側の表面部７ｕに、Ｔｉ層とＰｔ層とＡｕ層とからなる電極７ｃを含んでいる。なお、サブマウント７の表面部７ｕは、本発明の「第２表面部」の一例である。また、電極７ｃは、Ａｕワイヤ１００により、リード３の前端部３ａと接続されている。また、サブマウント７は、ヘッダ６と同様、半導体レーザ装置１のヒートシンクとして機能するように構成されている。
【００４０】
半導体レーザ素子部８は、直方体状の形状を有しており、裏面である矢印Ｙ２方向側の表面に、一方の電極（図示せず）を含んでいるとともに、上面である矢印Ｙ１方向側の表面８ｃに、他方の電極（図示せず）を含んでいる。また、半導体レーザ素子部８の矢印Ｙ２方向側の表面は、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、サブマウント７の電極７ｃ上に取り付けられている。これにより、半導体レーザ素子部８の裏面側は、電極７ｃおよびワイヤ１００を介して、リード３と電気的に接続されている。
【００４１】
また、半導体レーザ素子部８は、共振器の延びる方向（矢印Ｚ１およびＺ２方向）に光出射面８ａおよび光反射面８ｂを含んでいる。なお、光出射面８ａからＺ１方向に出射されるレーザ光の光強度は、光反射面８ｂからＺ２方向に出射されるレーザ光の光強度よりも大きい。また、半導体レーザ素子部８は、波長約４０５ｎｍの青紫色光を出射するように構成されている。また、半導体レーザ素子部８のサブマウント７とは反対側（上面である矢印Ｙ１方向側）の表面８ｃは、Ａｕワイヤ１００により、リード４の側面と接続されている。これにより、半導体レーザ素子部８の表面８ｃ側は、リード４と電気的に接続されている。
【００４２】
第１実施形態では、上記のように、リード３の前端部３ａをサブマウント７の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７ａよりも矢印Ｚ２方向（後方）に配置することによって、サブマウント７の幅Ｗ１（側面７ｂ）を外側（矢印Ｘ１方向側）に広げることができる。このように構成することによって、半導体レーザ装置１を大きくすることなく、サブマウント７の体積を大きくすることができるので、小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制することができる。
【００４３】
また、サブマウント７の電極７ｃとリード３の前端部３ａとをＡｕワイヤ１００を介して接続することによって、サブマウント７の表面部７ｕとリード３の前端部３ａとを容易に接続することができる。さらに、サブマウント７の電極７ｃからリード３までの最短距離に極力近い短い長さのＡｕワイヤ１００で接続することができるので、半導体レーザ装置１のインダクタンスを極力小さくすることができる。これにより、高速応答性の向上を図ることができる。また、リード３のベース２からレーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）へ突出した距離Ｄ１を短くすることができるので、サブマウント７の矢印Ｚ２方向側の表面７ａとベース２との距離Ｄ３を短くすることができ、放熱性がさらに向上する。
【００４４】
また、第１実施形態では、水平方向において、サブマウント７の矢印Ｘ１方向側の側面７ｂをリード３の内側面３ｂよりも外側（矢印Ｘ１方向側）に配置することによって、サブマウント７の体積を容易に大きくすることができるので、放熱性が低下することを容易に抑制することができる。さらに、第１実施形態では、水平方向において、サブマウント７の矢印Ｘ１方向側の側面７ｂをリード３の外側面３ｃよりも外側（矢印Ｘ１方向側）に配置することによって、サブマウント７の体積をさらに容易に大きくすることができるので、放熱性が低下することをさらに容易に抑制することができる。
【００４５】
また、第１実施形態では、リード３、リード４およびリード５を所定の円１０を構成する線分上に配置し、所定の円１０の中心１０ａを、ヘッダ６の上面である表面６ａから離間する方向にベース２の中心２ｃからずれて配置している。これにより、リード３およびリード４がヘッダ６から離間する分、ヘッダ６の体積を大きくすることができる。その結果、放熱性が低下することを抑制することができる。
【００４６】
また、第１実施形態では、水平方向において、ヘッダ６の幅Ｗ１は、リード３とリード４との間の内側間隔Ｗ２よりも大きい。これにより、ヘッダ６の体積を大きくすることができるとともに、ヘッダ６に取り付けられるサブマウント７の体積もより大きくすることができる。その結果、放熱性が低下することをより抑制することができる。
【００４７】
また、第１実施形態では、リード４の前端部４ａを、サブマウント７の矢印Ｚ２方向側の表面７ａよりも前方に配置しているので、リード４ａの側面と半導体レーザ素子部８の上面である表面８ｃとを容易に接続することができる。
【００４８】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。図６は、図５に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。図７は、図５に示した第２実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。図５〜図７を参照して、この第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、リード２１の矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部２１ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ１だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に配置されている半導体レーザ装置２０について説明する。なお、リード２１は、本発明の「第２リード」の一例である。また、図５〜図７において、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を付している。
【００４９】
第２実施形態による半導体レーザ装置２０では、図５〜図７に示すように、ベース２と、ベース２に取り付けられ、互いに電気的に独立したリード３、５および２１と、ベース２に取り付けられたヘッダ６とを備えている。また、半導体レーザ装置２０は、ヘッダ６に取り付けられた窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるサブマウント２２と、サブマウント２２に取り付けられた半導体レーザ素子部８とをさらに備えている。なお、サブマウント２２は、本発明の「第２ヒートシンク」の一例である。
【００５０】
ここで、第２実施形態では、リード２１は、金属性であるとともに、ベース２の表面２ａおよび矢印Ｚ２方向（後方）側の表面２ｂを貫通するように配置されており、その貫通部においてガラスからなる絶縁体４００により覆われている。これにより、リード２１は、ベース２から電気的に絶縁されている。また、リード２１は、リード３と同様に、矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部２１ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ１だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に突出して配置されるように形成されている。すなわち、リード３の前端部３ａとリード２１の前端部２１ａとは、互いに、レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）と直交する同一平面上に配置されている。なお、リード２１の前端部２１ａは、本発明の「第２前端部」の一例である。
【００５１】
また、第２実施形態では、サブマウント２２は、直方体状の形状を有し、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、ヘッダ６の上面である矢印Ｙ１方向側の表面６ａに取り付けられており、ヘッダ６の表面６ａと、サブマウント２２の裏面である矢印Ｙ２方向側の表面部とは、電気的に接続されている。また、サブマウント２２は、矢印Ｚ２方向（後方）側の表面２２ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ４だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に配置される。なお、サブマウント２２の表面２２ａは、本発明の「第２ヒートシンクの後端部」の一例である。
【００５２】
具体的には、サブマウント２２は、距離Ｄ４が距離Ｄ１よりも大きくなるように配置されている。すなわち、サブマウント２２の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面２２ａが、リード３の前端部３ａおよびリード２１の前端部２１ａよりも矢印Ｚ１方向（前方）側に配置されている。なお、サブマウント２２の表面２２ａは、本発明の「第１後端部」の一例である。
【００５３】
また、図５に示すように、サブマウント２２の矢印Ｘ１方向側の側面２２ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ２方向側の側面である内側面３ｂよりも外側（矢印Ｘ１方向側）に配置されている。さらに、この側面２２ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ１方向側の側面である外側面３ｃよりも外側に配置されている。なお、サブマウント２２の矢印Ｘ１方向側の側面２２ｂは、本発明の「第１側面」の一例である。
【００５４】
また、サブマウント２２の矢印Ｘ２方向側の側面２２ｃ（第２ヒートシンクの第２側面）は、水平方向において、リード２１の矢印Ｘ１方向側の側面である内側面２１ｂよりも外側（矢印Ｘ２方向側）に配置されている。さらに、この側面２２ｃは、水平方向において、リード２１の矢印Ｘ２方向側の側面である外側面２１ｃよりも外側に配置されている。これにより、サブマウント２２の矢印Ｘ１およびＸ２方向（レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に直交する方向）の幅Ｗ３を、リード３とリード２１との間の内側間隔Ｗ４よりも大きくすることが可能となる。
【００５５】
また、絶縁性のＡｌＮからなるサブマウント２２は、上面である矢印Ｙ１方向側の表面部２２ｕに、Ｔｉ層とＰｔ層とＡｕ層とからなる電極２２ｄを含んでいる。なお、サブマウント２２の表面部２２ｕは、本発明の「第２表面部」の一例である。また、電極２２ｄは、Ａｕワイヤ１００により、リード３の前端部３ａと接続されている。また、サブマウント２２は、半導体レーザ装置２０のヒートシンクとして機能するように構成されている。
【００５６】
また、第２実施形態では、半導体レーザ素子部８の裏面である矢印Ｙ２方向側の表面は、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、サブマウント２２の電極２２ｄ上に取り付けられている。これにより、半導体レーザ素子部８の裏面側は、電極２２ｄおよびワイヤ１００を介して、リード３と電気的に接続されている。また、半導体レーザ素子部８の上面である矢印Ｙ１方向側の表面８ｃは、Ａｕワイヤ１００により、リード２１の前端部２１ａと接続されている。これにより、半導体レーザ素子部８の表面８ｃ側は、リード２１と電気的に接続されている。
【００５７】
なお、第２実施形態による半導体レーザ装置２０のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００５８】
第２実施形態では、上記のように、リード２１の前端部２１ａをサブマウント２２の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面２２ａよりも矢印Ｚ２方向（後方）に配置している。このように構成することによって、サブマウント２２の矢印Ｘ１およびＸ２方向の幅Ｗ３を、リード３側（矢印Ｘ１方向）に加えてリード２１側の外側（矢印Ｘ２方向）にも広げることができる。これにより、サブマウント２２の体積を大きくすることができるので、放熱性が低下することを抑制することができる。
【００５９】
また、本実施形態では、サブマウント２２の側面２２ｂは、リード３の内側面３ｂよりも外側に配置されているとともに、サブマウント２２の側面２２ｃは、リード２１の内側面２１ｂよりも外側に配置されている。これにより、サブマウント２２をリード３側だけでなくリード２１側にも容易に広げることができるので、サブマウント２２の体積をより大きくすることができる。その結果、放熱性が低下することを容易により容易に抑制することができる。
【００６０】
さらに、本実施形態では、サブマウント２２の側面２２ｂは、リード３の外側面３ｃよりも外側に配置されているとともに、サブマウント２２の側面２２ｃは、リード２１の外側面２１ｃよりも外側に配置されている。これにより、サブマウント２２の体積をさらに大きくすることができる。その結果、放熱性が低下することをさらに容易に抑制することができる。
【００６１】
また、第２実施形態では、水平方向のサブマウント２２の幅Ｗ３は、リード３とリード２１との間の内側間隔Ｗ４よりも大きいので、サブマウント２２の体積を大きくすることができる。これにより、放熱性が低下することをより抑制することができる。
【００６２】
また、第２実施形態では、半導体レーザ素子部８の上面である表面８ｃとリード２１の前端部２１ａとをＡｕワイヤ１００介して接続している。これにより、半導体レーザ素子部８とリード２１の前端部２１ａとを容易に接続することができる。さらに、半導体レーザ素子部８からリード２１までの最短距離に極力近い短い長さのＡｕワイヤ１００で電気的に接続（配線）することができるので、半導体レーザ装置２０のインダクタンスを小さくすることができる。その結果、高速応答性の向上を図ることができる。
【００６３】
また、第２実施形態では、リード３の前端部３ａとリード２１の前端部２１ａとは、互いに、レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）と直交する同一平面上に配置されている。これにより、リード３およびリード２１の前端部の位置が互いにずれている場合と異なり、より前方（矢印Ｚ１方向）に配置されたリード３またはリード２１のいずれか一方の前端部の位置によって、サブマウント２２の表面２２ａの位置が制限されることはない。その結果、サブマウント２２の表面２２ａを全体的に後方側（矢印Ｚ２方向側）に広げることができるので、放熱性が低下することをさらに抑制することができる。
【００６４】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６５】
（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。図８を参照して、この第３実施形態では、上記第２実施形態と異なり、サブマウント３１が、上面である矢印Ｙ１方向側の表面部３１ｕに、互いに電気的に独立した電極３１ｄおよび電極３１ｅを含んでいる半導体レーザ装置３０について説明する。なお、サブマウント３１およびその表面部３１ｕは、それぞれ、本発明の「第２ヒートシンク」および「第２表面部」の一例である。また、電極３１ｄは、本発明の「第１電極」の一例であり、電極３１ｅは、本発明の「第２電極」の一例である。また、図８において、第２実施形態と同様の構成については、同じ符号を付している。
【００６６】
第３実施形態による半導体レーザ装置３０では、図８に示すように、ベース２と、ベース２に取り付けられ、互いに電気的に独立したリード３、５および２１と、ベース２に取り付けられたヘッダ６とを備えている。また、半導体レーザ装置３０は、ヘッダ６に取り付けられた窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるサブマウント３１と、サブマウント３１に取り付けられた半導体レーザ素子部８とをさらに備えている。
【００６７】
ここで、第３実施形態では、サブマウント３１は、直方体状の形状を有し、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、ヘッダ６の上面である矢印Ｙ１方向側の表面６ａに取り付けられており、ヘッダ６の表面６ａは、サブマウント３１の裏面である矢印Ｙ２方向側の表面部と電気的に接続されている。また、サブマウント３１は、矢印Ｚ２方向（後方）側の表面３１ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ５だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に配置される。なお、サブマウント３１の表面３１ａは、本発明の「第１後端部」の一例である。
【００６８】
具体的には、サブマウント３１は、距離Ｄ５が距離Ｄ１よりも大きくなるように配置されている。すなわち、サブマウント３１の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面３１ａが、リード３の前端部３ａおよびリード２１の前端部２１ａよりも矢印Ｚ１方向（前方）側に配置されている。
【００６９】
また、サブマウント３１の矢印Ｘ１方向側の側面３１ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ２方向側の側面である内側面３ｂよりも外側（矢印Ｘ１方向側）に配置されている。さらに、この側面３１ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ１方向側の側面である外側面３ｃよりも外側に配置されている。なお、サブマウント３１の矢印Ｘ１方向側の側面３１ｂは、本発明の「第１側面」の一例である。
【００７０】
また、サブマウント３１の矢印Ｘ２方向側の側面３１ｃ（第２ヒートシンクの第２側面）は、水平方向において、リード２１の矢印Ｘ１方向側の側面である内側面２１ｂよりも外側（矢印Ｘ２方向側）に配置されている。さらに、この側面３１ｃは、水平方向において、リード２１の矢印Ｘ２方向側の側面である外側面２１ｃよりも外側に配置されている。これにより、サブマウント３１の矢印Ｘ１およびＸ２方向（レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に直交する方向）の幅Ｗ５を、リード３とリード２１との間の内側間隔Ｗ４よりも大きくすることが可能となる。
【００７１】
また、絶縁性のＡｌＮからなるサブマウント３１は、上面である矢印Ｙ１方向側の表面部３１ｕに、Ｔｉ層とＰｔ層とＡｕ層とからなり、互いに電気的に独立した電極３１ｄおよび電極３１ｅを含んでいる。なお、サブマウント３１の表面部３１ｕは、本発明の「第２表面部」の一例である。また、電極３１ｄは、Ａｕワイヤ１００により、リード３の前端部３ａと接続されている。また、電極３１ｅは、Ａｕワイヤ１００により、リード２１の前端部２１ａと接続されている。また、サブマウント３１は、半導体レーザ装置３０のヒートシンクとして機能するように構成されている。
【００７２】
また、第３実施形態では、半導体レーザ素子部８の裏面である矢印Ｙ２方向側の表面は、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、サブマウント３１の電極３１ｄ上に取り付けられている。これにより、半導体レーザ素子部８の裏面側は、電極３１ｄおよびワイヤ１００を介して、リード３と電気的に接続されている。また、半導体レーザ素子部８の矢印Ｙ１方向側の表面８ｃは、Ａｕワイヤ１００により、サブマウント３１の電極３１ｅと接続されている。これにより、半導体レーザ素子部８の表面８ｃ側は、電極３１ｅおよび２本のワイヤ１００を介して、リード２１と電気的に接続されている。
【００７３】
なお、第３実施形態による半導体レーザ装置３０のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。
【００７４】
第３実施形態では、上記のように、サブマウント３１の電極３１ｅを、半導体レーザ素子部８の裏面側とは反対側（矢印Ｙ１方向側）の表面８ｃ側とＡｕワイヤ１００により接続するとともに、電極３１ｅをリード２１の前端部２１ａとＡｕワイヤ１００により接続している。これにより、半導体レーザ素子部８の上面である表面８ｃ側とリード２１の前端部２１ａとを直接Ａｕワイヤ１００により接続する場合に比べて、Ａｕワイヤ１００の長さを短くすることができる。その結果、半導体レーザ装置３０のインダクタンスを低減することができるので、高速応答性の向上を図ることができる。
【００７５】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００７６】
（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。図９を参照して、この第４実施形態では、上記第１実施形態と異なり、ベース４１の外形が、矢印Ｙ１方向側の一部がカットされた状態の円形状に形成されている半導体レーザ装置４０について説明する。なお、ベース４１は、本発明の「本体部」の一例である。また、図９において、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を付している。
【００７７】
第４実施形態による半導体レーザ装置４０では、図９に示すように、ベース４１と、ベース４１に取り付けられ、互いに電気的に独立したリード３、４および５と、ベース４１に取り付けられたヘッダ６とを備えており、ベース４１、リード５およびヘッダ６によってパッケージが構成されている。また、半導体レーザ装置４０は、ヘッダ６に取り付けられた窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるサブマウント７と、サブマウント７に取り付けられた半導体レーザ素子部８とをさらに備えている。
【００７８】
また、第４実施形態では、それぞれベース４１の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面４１ａおよび矢印Ｚ２方向（後方）側の表面を貫通するように、リード３および４が配置されている。なお、表面４１ａは、本発明の「第３表面部」の一例である。また、ヘッダ６は、ベース４１の表面４１ａに取り付けられており、ベース４１とヘッダ６とは、電気的に接続されている。
【００７９】
ここで、第４実施形態では、図９に示すように、ベース４１は、矢印Ｙ１方向側の一部がカットされた状態の円形状に形成されている。具体的には、レーザ光の出射方向側（矢印Ｚ１方向側）から見た場合に、ベース４１の外形の矢印Ｙ１方向側（ベース４１の中心に対して、ヘッダ６が配置されていない側）の一部が直線形状に形成されており、直線形状に形成された部分以外の部分（ベース４１の中心に対して、ヘッダ６が配置されている側）は、円弧形状に形成されている。また、ベース４１は、鉄や銅などからなる金属製であるため放熱性が高い。
【００８０】
なお、第４実施形態による半導体レーザ装置４０のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００８１】
第４実施形態では、上記のように、ベース４１を矢印Ｙ１方向側の一部がカットされた状態の円形状に形成されている。すなわち、レーザ光の出射方向側（矢印Ｚ１方向側）から見た場合のベース４１の外形は、矢印Ｙ１方向側の一部が直線形状であるとともに、該一部以外の部分が円弧形状である。これによって、ベース４１の垂直方向（矢印Ｙ１およびＹ２方向）の高さを低く抑えることができるので、半導体レーザ装置４０の小型化を図ることができる。
【００８２】
なお、第４実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００８３】
また、第４実施形態では、レーザ光の出射方向側（矢印Ｚ１方向側）から見た場合のベース４１の外形に対して、矢印Ｙ１方向側の一部をカットして直線形状とする構成を示したが、本発明はこれに限らず、他の方向をカットして直線形状とするようにしてもよい。
【００８４】
（第５実施形態）
図１０は、本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。図１０を参照して、この第５実施形態では、上記第４実施形態と異なり、ベース５１の外形が、矢印Ｙ１方向側の一部および矢印Ｙ２方向側の一部がカットされた状態の円形状に形成されている半導体レーザ装置５０について説明する。なお、ベース５１は、本発明の「本体部」の一例である。また、図１０において、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を付している。
【００８５】
第５実施形態による半導体レーザ装置５０では、図１０に示すように、ベース５１と、ベース５１に取り付けられ、互いに電気的に独立したリード３、４および５と、ベース５１に取り付けられたヘッダ６とを備えており、ベース５１、リード５およびヘッダ６によってパッケージが構成されている。また、半導体レーザ装置５０は、ヘッダ６に取り付けられた窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるサブマウント７と、サブマウント７に取り付けられた半導体レーザ素子部８とをさらに備えている。
【００８６】
また、第５実施形態では、それぞれベース５１の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面５１ａおよび矢印Ｚ２方向（後方）側の表面を貫通するように、リード３および４が配置されている。なお、表面５１ａは、本発明の「第３表面部」の一例である。また、ヘッダ６は、ベース５１の表面５１ａに取り付けられており、ベース５１とヘッダ６とは、電気的に接続されている。
【００８７】
ここで、第５実施形態では、図１０に示すように、ベース５１は、矢印Ｙ１方向側の一部および矢印Ｙ２方向側の一部がカットされた状態の円形状に形成されている。具体的には、レーザ光の出射方向側（矢印Ｚ１方向側）から見た場合に、ベース５１の外形の矢印Ｙ１方向側（ベース５１の中心に対して、ヘッダ６が配置されていない側）の一部が直線形状に形成されているとともに、矢印Ｙ２方向側（ベース５１の中心に対して、ヘッダ６が配置されている側）の一部も直線形状に形成されている。また、ベース５１の外形において、直線形状に形成された部分以外の部分は、円弧形状に形成されている。
【００８８】
なお、第５実施形態では、ベース５１の外形に形成された２箇所の直線形状の部分は、水平方向（矢印Ｘ１およびＸ２方向）に対して、互いに平行に形成されている。また、ベース５１は、鉄や銅などからなる金属製であるため放熱性が高い。
【００８９】
なお、第５実施形態による半導体レーザ装置５０のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００９０】
第５実施形態では、上記のように、ベース５１を矢印Ｙ１方向側の一部および矢印Ｙ２方向側の一部がカットされた状態の円形状に形成されている。すなわち、レーザ光の出射方向側（矢印Ｚ１方向側）から見た場合のベース５１の外形は、矢印Ｙ１方向側および矢印Ｙ２方向側の一部に、それぞれ、直線形状であるとともに、該一部以外の部分が円弧形状である。これによって、ベース５１の矢印Ｙ１およびＹ２方向の高さを低く抑えることができるので、半導体レーザ装置５０の小型化を図ることができる。
【００９１】
また、第５実施形態では、ベース５１の外形に形成された２箇所の直線形状の部分が、水平方向（矢印Ｘ１およびＸ２方向）に対して、互いに平行に形成されている。これにより、ベース５１の垂直方向（矢印Ｙ１およびＹ２方向）の高さをより低く抑えることができるので、半導体レーザ装置５０の小型化を図ることができる。
【００９２】
なお、第５実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００９３】
また、第５実施形態では、レーザ光の出射方向側（矢印Ｚ１方向側）から見た場合のベース５１の外形に対して、矢印Ｙ１方向側の一部および矢印Ｙ２方向側の一部をカットして直線形状とする構成を示したが、本発明はこれに限らず、他の方向をカットして直線形状とするようにしてもよい。
【００９４】
（第６実施形態）
図１１は、本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。図１１を参照して、この第６実施形態では、上記第１実施形態と異なり、リード６１は、矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部６１ａがレーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に対して傾斜するように形成されている半導体レーザ装置６０について説明する。なお、リード６１およびその前端部６１ａは、それぞれ、本発明の「第１リード」および「第１前端部」の一例である。また、図１１において、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を付している。
【００９５】
第６実施形態による半導体レーザ装置６０では、図１１に示すように、ベース２と、ベース２に取り付けられ、互いに電気的に独立したリード４、５および６１と、ベース２に取り付けられたヘッダ６とを備えている。また、半導体レーザ装置６０は、ヘッダ６に取り付けられた窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるサブマウント７と、サブマウント７に取り付けられた半導体レーザ素子部８とをさらに備えている。
【００９６】
ここで、第６実施形態では、リード６１は、金属製であるとともに、ベース２の表面２ａおよび矢印Ｚ２方向（後方）側の表面２ｂを貫通するように配置されている。また、リード６１は、矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部６１ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ１だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に突出して配置されるように形成されている。また、前端部６１ａは、レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に対して矢印Ｙ１方向側に傾斜するように形成されている。すなわち、前端部６１ａは、サブマウント７の上面である矢印Ｙ１方向側の表面部７ｕ（電極７ｃを含む表面）に対して鈍角をなす方向に傾斜している。
【００９７】
また、第６実施形態では、サブマウント７の電極７ｃは、Ａｕワイヤ１００により、リード６１の前端部６１ａと接続されている。これにより、半導体レーザ素子部８の裏面側は、電極７ｃおよびワイヤ１００を介して、リード６１と電気的に接続されている。
【００９８】
なお、第６実施形態による半導体レーザ装置６０のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００９９】
第６実施形態では、上記のように、リード６１の前端部６１ａは、レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に対して矢印Ｙ１方向側に、すなわち、サブマウント７の上面である矢印Ｙ１方向側の表面部７ｕ（電極７ｃを含む面）に対して鈍角をなす方向に傾斜するように形成されている。これにより、前端部６１ａは、半導体レーザ素子部８が配置される方向（矢印Ｙ２方向）とは反対側の方向（矢印Ｙ１方向）に傾斜するので、半導体レーザ素子部８が支障となることなく、容易に前端部６１ａとＡｕワイヤ１００により接続することができる。
【０１００】
なお、第６実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【０１０１】
（第７実施形態）
図１２は、本発明の第７実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。図１３は、図１２に示した第７実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。図１２および図１３を参照して、この第７実施形態では、上記第２実施形態と異なり、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２を用いている半導体レーザ装置７０について説明する。なお、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２は、本発明の「半導体レーザ素子部」の一例である。また、図１２および図１３において、第２実施形態と同様の構成については、同じ符号を付している。
【０１０２】
第７実施形態による半導体レーザ装置７０では、図１２および図１３に示すように、ベース２と、ベース２に取り付けられ、互いに電気的に独立したリード３、５および２１と、ベース２に取り付けられたヘッダ６とを備えている。また、半導体レーザ装置７０は、ヘッダ６に取り付けられた窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるサブマウント７１と、サブマウント７１に取り付けられたモノリシック２波長半導体レーザ素子部７２とをさらに備えている。なお、サブマウント７１は、本発明の「第２ヒートシンク」の一例である。
【０１０３】
ここで、第７実施形態では、サブマウント７１は、直方体状の形状を有し、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、ヘッダ６の上面である矢印Ｙ１方向側の表面６ａに取り付けられており、ヘッダ６の表面６ａは、サブマウント７１の裏面である矢印Ｙ２方向側の表面部と電気的に接続されている。また、サブマウント７１は、矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７１ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ６だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に配置される。なお、サブマウント７１の表面７１ａは、本発明の「第１後端部」の一例である。具体的には、サブマウント７１は、距離Ｄ６が距離Ｄ１よりも大きくなるように配置されている。すなわち、サブマウント７１の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７１ａが、リード３の前端部３ａおよびリード２１の前端部２１ａよりも矢印Ｚ１方向（前方）側に配置されている。
【０１０４】
また、図１２に示すように、サブマウント７１の矢印Ｘ１方向側の側面７１ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ２方向側の側面である内側面３ｂよりも外側（矢印Ｘ１方向側）に配置されている。さらに、この側面７１ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ１方向側の側面である外側面３ｃよりも外側に配置されている。なお、サブマウント７１の矢印Ｘ１方向側の側面７１ｂは、本発明の「第１側面」の一例である。
【０１０５】
また、サブマウント７１の矢印Ｘ２方向側の側面７１ｃ（第２ヒートシンクの第２側面）は、水平方向において、リード２１の矢印Ｘ１方向側の側面である内側面２１ｂよりも外側（矢印Ｘ２方向側）に配置されている。さらに、この側面７１ｃは、リード２１の矢印Ｘ２方向側の側面である外側面２１ｃよりも外側に配置されている。これにより、サブマウント７１の矢印Ｘ１およびＸ２方向（レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に直交する方向）の幅Ｗ６を、リード３とリード２１との間の内側間隔Ｗ４よりも大きくすることが可能となる。
【０１０６】
また、サブマウント７１は、上面である矢印Ｙ１方向側の表面部７１ｕに、Ｔｉ層とＰｔ層とＡｕ層とからなり、互いに電気的に独立した電極７１ｄ、電極７１ｅおよび電極７１ｆを含んでいる。なお、サブマウント７１の表面部７１ｕは、本発明の「第２表面部」の一例である。また、電極７１ｄおよび７１ｅは、本発明の「第１電極」の一例であり、電極７１ｆは、本発明の「第２電極」の一例である。電極７１ｄは、Ａｕワイヤ１００により、リード３の前端部３ａと接続されている。また、電極７１ｅは、Ａｕワイヤ１００により、リード２１の前端部２１ａと接続されている。また、電極７１ｆには、サブマウント７１の上面である矢印Ｙ１方向側の表面部７１ｕと裏面である矢印Ｙ２方向側の表面部とを導通状態にするタングステンビア７１ｇが設けられている。これにより、電極７１ｆとヘッダ６とは電気的に接続されている。また、サブマウント７１は、半導体レーザ装置７０のヒートシンクとして機能するように構成されている。
【０１０７】
また、第７実施形態では、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２は、波長約７８０ｎｍの赤外光を出射する赤外半導体レーザ素子（図示せず）および波長約６５０ｎｍの赤色光を出射する赤色半導体レーザ素子（図示せず）から構成されている。また、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２の裏面である矢印Ｙ２方向側の表面は、サブマウント７１の上面である矢印Ｙ１方向側の表面部７１ｕ（電極７１ｄ、７１ｅおよび７１ｆを含む面）に取り付けられている。
【０１０８】
具体的には、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２の赤外半導体レーザ素子は、裏面である矢印Ｙ２方向側の表面に一方の電極（図示せず）を含んでおり、赤色半導体レーザ素子は、裏面である矢印Ｙ２方向側の表面に一方の電極を含んでいる。そして、赤外半導体レーザ素子の裏面側が、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、サブマウント７１の電極７１ｄ上に取り付けられるとともに、赤色半導体レーザ素子の裏面側が、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、電極７１ｅ上に取り付けられている。これにより、赤外半導体レーザ素子の裏面側は、電極７１ｄおよびワイヤ１００を介して、リード３と電気的に接続されているとともに、赤色半導体レーザ素子の裏面側は、電極７１ｅおよびワイヤ１００を介して、リード２１と電気的に接続されている。
【０１０９】
また、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２の上面である矢印Ｙ１方向の表面７２ｃは、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子の他方の電極となる共通電極を含んでいる。また、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２は、共振器の延びる方向（矢印Ｚ１およびＺ２方向）に光出射面７２ａおよび光反射面７２ｂを含んでいる。なお、光出射面７２ａからＺ１方向にそれぞれ出射される赤外レーザ光および赤色レーザ光の光強度は、光反射面７２ｂからＺ２方向に出射されるそれぞれのレーザ光の光強度よりも大きい。
【０１１０】
また、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２の上面である矢印Ｙ１方向側の表面７２ｃは、Ａｕワイヤ１００により、サブマウント７１の電極７１ｆと接続されている。これにより、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２の表面７２ｃ側は、リード５と電気的に接続され、リード５が、赤外半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子とのカソードコモンとして用いられる。
【０１１１】
なお、第７実施形態による半導体レーザ装置７０のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。
【０１１２】
第７実施形態では、上記のように、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２を設けることによって、赤外光および赤色光を出射することが可能な半導体レーザ装置７０において、小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制し、かつ、高速応答性を向上させることができる。
【０１１３】
また、第７実施形態では、モノリシック２波長半導体レーザ素子部７２の表面７２ｃと、リード５と電気的に接続されている電極７１ｆとをＡｕワイヤ１００により接続している。これにより、半導体レーザ素子部７２の表面７２ｃとベース２とを直接Ａｕワイヤ１００により接続する場合に比べて、Ａｕワイヤ１００の長さを短くすることができる。その結果、半導体レーザ装置７０のインダクタンスを低減することができるので、高速応答性の向上を図ることができる。
【０１１４】
なお、第７実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【０１１５】
（第８実施形態）
図１４は、本発明の第８実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。図１５は、図１４に示した第８実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。図１６は、図１４に示した第８実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。図１４〜図１６を参照して、この第８実施形態では、上記第２実施形態と異なり、３波長半導体レーザ素子部８３を用いている半導体レーザ装置８０について説明する。なお、３波長半導体レーザ素子部８３は、本発明の「半導体レーザ素子部」の一例である。また、図１４〜図１６において、第２実施形態と同様の構成については、同じ符号を付している。
【０１１６】
第８実施形態による半導体レーザ装置８０では、図１４〜図１６に示すように、ベース２と、ベース２に取り付けられ、互いに電気的に独立したリード３、５、２１および８１と、ベース２に取り付けられたヘッダ６とを備えている。また、半導体レーザ装置８０は、ヘッダ６に取り付けられた窒化アルミ（ＡｌＮ）からなるサブマウント８２と、サブマウント８２に取り付けられた３波長半導体レーザ素子部８３とをさらに備えている。なお、サブマウント８２は、本発明の「第２ヒートシンク」の一例である。
【０１１７】
ここで、第８実施形態では、リード８１は、金属性であるとともに、ベース２を貫通するように配置されている。リード８１は、矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部８１ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ１だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に突出して配置されるように形成されている。すなわち、リード３の前端部３ａ、リード２１の前端部２１ａおよびリード８１の前端部８１ａは、互いに、レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）と直交する同一平面上に配置されている。なお、リード８１およびその前端部８１ａは、それぞれ、本発明の「第２リード」および「第１前端部」の一例である。
【０１１８】
また、図１６に示すように、リード３、５、２１および８１は、矢印Ｚ１方向（前方）側から見た場合に、所定の円８４を構成する線分上に配置されている。また、所定の円８４の中心８４ａは、ヘッダ６の上面６ａから離間する方向（矢印Ｙ１方向）に、ベース２の中心２ｃからずれて配置されている。これにより、リード３、２１および８１を、矢印Ｙ２方向側に配置されたヘッダ６から極力離間させることが可能である。また、リード８１は、ベース２の貫通部においてガラスからなる絶縁体５００により覆われている。これにより、リード８１は、ベース２から電気的に絶縁されている。
【０１１９】
また、第８実施形態では、サブマウント８２は、直方体状の形状を有し、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、ヘッダ６の上面である矢印Ｙ１方向側の表面６ａに取り付けられており、ヘッダ６の表面６ａは、サブマウント８２の裏面である矢印Ｙ２方向側の表面部と電気的に接続されている。また、サブマウント８２は、矢印Ｚ２方向（後方）側の表面８２ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから距離Ｄ７だけ矢印Ｚ１方向（前方）側に配置される。なお、サブマウント８２の表面８２ａは、本発明の「第１後端部」の一例である。
【０１２０】
具体的には、サブマウント８２は、距離Ｄ７が距離Ｄ１よりも大きくなるように配置されている。すなわち、サブマウント８２の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面８２ａが、リード３の前端部３ａ、リード２１の前端部２１ａおよびリード８１の前端部８１ａよりも矢印Ｚ１方向（前方）側に配置されている。
【０１２１】
また、図１４に示すように、サブマウント８２の矢印Ｘ１方向側の側面８２ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ２方向側の側面である内側面３ｂよりも外側（矢印Ｘ１方向側）に配置されている。さらに、この側面８２ｂは、水平方向において、リード３の矢印Ｘ１方向側の側面である外側面３ｃよりも外側に配置されている。なお、サブマウント８２の矢印Ｘ１方向側の側面８２ｂは、本発明の「第１側面」の一例である。
【０１２２】
また、サブマウント８２の矢印Ｘ２方向側の側面８２ｃ（第２ヒートシンクの第２側面）は、水平方向において、リード２１の矢印Ｘ１方向側の側面である内側面２１ｂよりも外側（矢印Ｘ２方向側）に配置されている。さらに、この側面８２ｃは、リード２１の矢印Ｘ２方向側の側面である外側面２１ｃよりも外側に配置されている。これにより、サブマウント８２の矢印Ｘ１およびＸ２方向（レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）に直交する方向）の幅Ｗ７を、リード３とリード２１との間の内側間隔Ｗ４よりも大きくすることが可能となる。
【０１２３】
また、サブマウント８２は、上面である矢印Ｙ１方向側の表面部８２ｕに、Ｔｉ層とＰｔ層とＡｕ層とからなる電極８２ｄを含んでいる。なお、サブマウント８２の表面部８２ｕは、本発明の「第２表面部」の一例である。また、電極８２ｄには、サブマウント８２の上面である矢印Ｙ１方向側の表面部８２ｕと裏面である矢印Ｙ２方向側の表面部とを導通状態にするタングステンビア８２ｅが設けられている。これにより、電極８２ｄとヘッダ６とは電気的に接続されている。また、サブマウント８２は、半導体レーザ装置８０のヒートシンクとして機能するように構成されている。
【０１２４】
また、第８実施形態では、３波長半導体レーザ素子部８３は、波長約４０５ｎｍの青紫色光を出射する青紫色半導体レーザ素子８５と、波長約７８０ｎｍの赤外光を出射する赤外半導体レーザ素子８６と、波長約６５０ｎｍの赤色光を出射する赤色半導体レーザ素子８７とから構成されている。また、青紫色半導体レーザ素子８５は、共振器の延びる方向（矢印Ｚ１およびＺ２方向）に光出射面８５ａおよび光反射面８５ｂを有している。
【０１２５】
また、赤外半導体レーザ素子８６は、共振器の延びる方向（矢印Ｚ１およびＺ２方向）に光出射面８６ａおよび光反射面８６ｂを含んでいる。また、赤色半導体レーザ素子８７は、共振器の延びる方向（矢印Ｚ１およびＺ２方向）に光出射面８７ａおよび光反射面８７ｂを含んでいる。なお、各半導体レーザ素子８５、８６および８７の光出射面８５ａ、８６ａおよび８７ａから矢印Ｚ１方向に出射される各色のレーザ光の光強度は、それぞれ、光反射面８５ｂ、８６ｂおよび８７ｂから矢印Ｚ２方向に出射される各色のレーザ光の光強度よりも大きい。
【０１２６】
青紫色半導体レーザ素子８５は、裏面である矢印Ｙ２方向側の表面に一方の電極（図示せず）を含んでおり、青紫色半導体レーザ素子８５の裏面側は、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、サブマウント８２の電極８２ｄ上に取り付けられている。これにより、青紫色半導体レーザ素子８５の裏面側は、電極８２ｄおよびタングステンビア８２ｅを介して、ヘッダ６と電気的に接続される。また、青紫色半導体レーザ素子８５は、上面である矢印Ｙ１方向側の表面８５ｃに他方の電極（図示せず）を含んでおり、表面８５ｃ上には、所定の間隔を隔ててＳｉＯ２などからなる絶縁膜８８および８９が形成されている。
【０１２７】
さらに、絶縁膜８８および８９の矢印Ｙ２方向側の表面上には、それぞれ互いに電気的に分離（絶縁）された電極８８ａおよび８９ａが形成されている。
【０１２８】
また、絶縁膜８８および８９の間に露出された青紫色半導体レーザ素子８５の上面である矢印Ｙ１方向側の表面８５ｃは、Ａｕワイヤ１００により、リード８１の前端部８１ａと接続されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子８５の表面８５ｃ側は、リード８１と電気的に接続される。
【０１２９】
赤外半導体レーザ素子８６は、裏面である矢印Ｙ２方向側の表面に一方の電極（図示せず）を含んでおり、赤外半導体レーザ素子８６の裏面側は、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、電極８８ａの上面である矢印Ｙ１方向側の表面上に取り付けられている。また、電極８８ａは、Ａｕワイヤ１００により、リード３の前端部３ａと接続されている。これにより、赤外半導体レーザ素子８６の裏面側は、リード３と電気的に接続される。
【０１３０】
また、赤外半導体レーザ素子８６は、上面である矢印Ｙ１方向側の表面８６ｃに他方の電極（図示せず）を含んでおり、表面８６ｃは、Ａｕワイヤ１００により、サブマウント８２の電極８２ｄと接続されている。これにより、赤外半導体レーザ素子８６の表面８６ｃ側は、Ａｕワイヤ１００、電極８２ｄおよびタングステンビア８２ｅを介して、ヘッダ６と電気的に接続される。
【０１３１】
また、赤色半導体レーザ素子８７は、裏面である矢印Ｙ２方向側の表面に一方の電極（図示せず）を含んでおり、赤色半導体レーザ素子８７の裏面側は、ＡｕＳｎ半田などの導電性接着層（図示せず）を介して、電極８９ａの上面である矢印Ｙ１方向側の表面上に取り付けられている。また、電極８９ａは、Ａｕワイヤ１００により、リード２１の前端部２１ａと接続されている。これにより、赤色半導体レーザ素子８７の裏面側は、リード３と電気的に接続される。
【０１３２】
また、赤色半導体レーザ素子８７は、上面である矢印Ｙ１方向側の表面８７ｃに他方の電極（図示せず）を含んでおり、表面８７ｃは、Ａｕワイヤ１００により、サブマウント８２の電極８２ｄと接続されている。これにより、赤色半導体レーザ素子８７の表面８７ｃ側は、Ａｕワイヤ１００、電極８２ｄおよびタングステンビア８２ｅを介して、ヘッダ６と電気的に接続される。
【０１３３】
また、青紫色半導体レーザ素子８５の裏面側、赤外半導体レーザ素子８６の表面８６ｃ側および赤色半導体レーザ素子８７の表面８７ｃ側は、上述したように、電極８２ｄを介してヘッダ６と電気的に接続されており、さらに、ベース２を介して、リード５と電気的に接続されている。これにより、リード５が、青紫色半導体レーザ素子８５と赤外半導体レーザ素子８６と赤色半導体レーザ素子８７とのカソードコモンとして用いられる。
【０１３４】
なお、第８実施形態による半導体レーザ装置８０のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。
【０１３５】
第８実施形態では、上記のように、３波長半導体レーザ素子部８３を設けることによって、青紫色光、赤外光および赤色光を出射することが可能な半導体レーザ装置８０において、小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制し、かつ、高速応答性を向上させることができる。
【０１３６】
また、第８実施形態では、赤外半導体レーザ素子８６の上面である矢印Ｙ１方向側の表面８６ｃおよび赤色半導体レーザ素子８７の上面である矢印Ｙ１方向側の表面８７ｃと、リード５と電気的に接続されている電極８２ｄとをＡｕワイヤ１００により接続している。これにより、赤外半導体レーザ素子８６の表面８６ｃおよび赤色半導体レーザ素子８７の表面８７ｃとベース２とを直接Ａｕワイヤ１００により接続する場合に比べて、Ａｕワイヤ１００の長さを短くすることができる。その結果、半導体レーザ装置８０のインダクタンスを低減することができるので、高速応答性の向上を図ることができる。
【０１３７】
また、第８実施形態では、リード３の前端部３ａ、リード２１の前端部２１ａおよびリード８１の前端部８１ａをそれぞれサブマウント８２の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面８２ａよりも矢印Ｚ２方向（後方）に配置することによって、サブマウント８２の幅Ｗ７を外側（矢印Ｘ１方向側）に広げることができる。このように構成することによって、半導体レーザ装置８０を大きくすることなく、サブマウント８２の体積を大きくすることができるので、小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制することができる。
【０１３８】
また、第８実施形態では、リード３の前端部３ａ、リード２１の前端部２１ａおよびリード８１の前端部８１ａと、青紫色半導体レーザ素子８５、赤外半導体レーザ素子８６および赤色半導体レーザ素子８７とをＡｕワイヤ１００を介してそれぞれ接続することによって、各半導体レーザ素子８５、８６および８７と各リード３、２１および８１の前端部３ａ、２１ａおよび８１ａとを容易に接続することができる。さらに、各半導体レーザ素子８５、８６および８７から各リード３、２１および８１までの最短距離に極力近い短い長さのＡｕワイヤ１００でそれぞれ接続することができるので、各Ａｕワイヤ１００のインダクタンスをそれぞれ小さくすることができる。これにより、半導体レーザ装置８０のインダクタンスは極力小さくなり、高速応答性の向上を図ることができる。
【０１３９】
また、第８実施形態では、リード３の前端部３ａ、リード２１の前端部２１ａおよびリード８１の前端部８１ａとは、互いに、レーザ光の出射方向（矢印Ｚ１方向）と直交する同一平面上に配置されている。これにより、リード３の前端部３ａ、リード２１の前端部２１ａおよびリード８１の前端部８１ａの位置が互いにずれている場合と異なり、より前方（矢印Ｚ１方向）に配置されたリード３、２１および８１のいずれかの前端部の位置によって、サブマウント８２の表面８２ａの位置が制限されることはない。その結果、サブマウント８２の表面８２ａを全体的に後方側（矢印Ｚ２方向側）に広げることができるので、放熱性が低下することをさらに抑制することができる。
【０１４０】
なお、第８実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【０１４１】
（第９実施形態）
図１７は、本発明の第９実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。図１８は、図１７に示した第９実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。図１７および図１８を参照して、この第９実施形態では、上記第１実施形態と異なり、リード３の矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部３ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａと同一平面上に（図１および図２に示す距離Ｄ１がゼロとなるように）配置されている半導体レーザ装置９０について説明する。また、図１７および図１８において、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を付している。
【０１４２】
第９実施形態による半導体レーザ装置９０では、図１７および図１８に示すように、リード３は、矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部３ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａと実質的に同一平面上に配置されるように（図１および図２に示す距離Ｄ１がゼロとなるように）設けられている。すなわち、リード３の前端部３ａは、ベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａから矢印Ｚ１方向（前方）側に突出しておらず、サブマウント７の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７ａとベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａとの間の距離Ｄ３と、サブマウント７の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７ａとリード３の前端部３ａとの間の距離Ｄ８とが、実質的に同距離となっている。
【０１４３】
なお、第９実施形態による半導体レーザ装置９０のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【０１４４】
第９実施形態では、上記のように、矢印Ｚ１方向（前方）側の前端部３ａがベース２の矢印Ｚ１方向（前方）側の表面２ａと実質的に同一平面上に配置されているので、サブマウント７の矢印Ｚ２方向（後方）側の表面７ａをより後方側（矢印Ｚ２方向側）に広げることができる。その結果、サブマウント７の体積をより大きくすることができので、放熱性が低下することをより抑制することができる。
【０１４５】
なお、第９実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【０１４６】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【０１４７】
たとえば、上記第１〜第６実施形態および第９実施形態では、青紫色半導体レーザ素子を搭載する半導体レーザ素子部を用いる例を示したが、本発明はこれに限らず、モノリシック２波長半導体レーザ素子部または３波長半導体レーザ素子部などの多波長半導体レーザ素子部や青色以外の波長の半導体レーザ素子部を用いてもよい。さらに、多波長半導体レーザ素子部から出射されるレーザ光は、赤外、赤色、青色以外の色、または組み合わせであってもよく、例えば、赤外半導体レーザ素子の代わりに緑色半導体レーザ素子を有する（赤色、緑色、青色の組み合わせを有する）多波長半導体レーザ素子部を用いてもよい。
【０１４８】
また、上記第１〜第６実施形態および第９実施形態では、３本のリードを設ける例を示したが、本発明はこれに限らず、互いに電気的に独立した２本以上のリードを設けてもよい。
【０１４９】
また、上記第１〜第９実施形態では、ベース２、４１および５１に対して、表面２ａ、４１ａおよび５１ａにヘッダ６が取り付けられるとともに、表面２ａ、４１ａおよび５１ａの反対側の表面にリード５が取り付けられることによって、それぞれ、ベース２、４１および５１と、ヘッダ６およびリード５とを含むパッケージが一体的に形成されている。本発明はこれに限らず、プレス成形などによって、ベース２、４１、５１の表面２ａ、４１ａおよび５１ａにヘッダ６を配置するとともに、表面２ａ、４１ａおよび５１ａの反対側の表面にリード５を配置するように一体的に成形されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。
【図３】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。
【図４】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための斜視図である。
【図５】本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。
【図６】図５に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。
【図７】図５に示した第２実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。
【図８】本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。
【図９】本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。
【図１１】本発明の第６実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。
【図１２】本発明の第７実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。
【図１３】図１２に示した第７実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。
【図１４】本発明の第８実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。
【図１５】図１４に示した第８実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。
【図１６】図１４に示した第８実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向側から見た正面図である。
【図１７】本発明の第９実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための平面図である。
【図１８】図１７に示した第９実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための側面図である。
【符号の説明】
【０１５１】
１、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０    半導体レーザ装置
２、４１、５１    ベース（本体部）
２ｃ    中心
３、６１    リード（第１リード）
３ａ、６１ａ    前端部（第１前端部）
４ａ、２１ａ、８１ａ    前端部（第２前端部）
３ｂ    内側面
４、２１、８１    リード（第２リード）
５    リード（第３リード）
６    ヘッダ（第１ヒートシンク）
６ａ    表面（第１表面部）
７、２２、３１、７１、８２    サブマウント（第２ヒートシンク）
７ａ、２２ａ、３１ａ、７１ａ、８２ａ    表面（第１後端部）
７ｂ、２２ｂ、３１ｂ、７１ｂ、８２ｂ    側面（第１側面）
７ｕ、２２ｕ、３１ｕ、７１ｕ、８２ｕ  表面部（第２表面部）
８    半導体レーザ素子部
１０、８４    所定の円
１０ａ、８４ａ    中心
３１ｄ、７１ｄ、７１ｅ    電極（第１電極）
３１ｅ、７１ｆ    電極（第２電極）
７２    モノリシック２波長半導体レーザ素子部（半導体レーザ素子部）
８３    ３波長半導体レーザ素子部（半導体レーザ素子部）
【図１】
2009124119.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2009124119.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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