(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトマスクレイアウトの生成方法及びこれを行うプログラミングされた命令を保存するコンピュータで読み取り可能な記録媒体及びマスクイメージングシステムを提供する。【解決手段】フォトマスクレイアウトの生成方法は、主パターン及びサブ分解能補助形状パターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するステップと、第１フォトマスクレイアウトを分割して複数のメッシュセルを限定するステップと、メッシュセルのうち少なくとも一つ以上のメッシュセルに対して、ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むルールベーステーブルを生成するステップと、補正情報の値をメッシュセルに属するＳＲＡＦパターンに適用して、ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を含む。【選択図】図２
2009058957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主パターン及びサブ分解能補助形状であるＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するステップと、
前記第１フォトマスクレイアウトを分割して複数のメッシュセルを限定するステップと、
前記メッシュセルのうち少なくとも一つ以上のメッシュセルに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むルールベーステーブルを生成するステップと、
前記補正情報の値を前記メッシュセルに属する前記ＳＲＡＦパターンに適用して、前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を含むフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項２】
前記主パターン及び前記修正されたＳＲＡＦパターンを備える第２フォトマスクレイアウトを提供するステップと、
前記第１フォトマスクレイアウトと前記第２フォトマスクレイアウトとを比較検証するステップと、
前記第１フォトマスクレイアウトと前記第２フォトマスクレイアウトとが互いに同一であると判断される場合、前記補正情報の値を前記ＳＲＡＦパターンに再び適用して前記ＳＲＡＦパターンを補正するステップと、をさらに含む請求項１に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項３】
前記各メッシュセルの形態及びサイズまたは前記複数のメッシュセルの数は、フォトマスクレベル及びウェーハレベルの欠陥のうち少なくとも一つ以上を考慮して決定される請求項１に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項４】
前記補正情報の値は、前記ＳＲＡＦパターンのサイズ、位置及び数のうち少なくとも一つ以上を補正するための値を含む請求項１に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項５】
前記ＳＲＡＦパターンのサイズを補正するための値は、前記ＳＲＡＦパターンのサイズを増大させるための比率、臨界値及びバイアス値のうち少なくともいずれか一つを含む請求項４に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項６】
前記比較検証するステップは、ブーリアン演算により行われる請求項２に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項７】
前記ブーリアン演算にオフセット値が適用される請求項６に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項８】
前記複数のメッシュセルを限定するステップは、前記第１フォトマスクレイアウトから、前記主パターンを備える主パターンレイアウトと前記ＳＲＡＦパターンを備えるＳＲＡＦレイアウトとを分離するステップと、前記ＳＲＡＦレイアウトを分割して前記メッシュセルを限定するステップとを含み、
前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップで、前記補正情報を前記ＳＲＡＦレイアウトに適用される請求項１に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項９】
前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップは、
前記ＳＲＡＦレイアウトから前記一つ以上のメッシュセルをそれぞれ備える複数のレイヤーを限定するステップと、
少なくとも一つ以上の前記レイヤーに対して、前記補正情報の値を適用するステップと、を含む請求項８に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１０】
前記レイヤーは、同じ補正情報の値が適用される複数のメッシュセルを備える請求項９に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１１】
前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップは、
前記主パターンレイアウトと前記レイヤーとを併合するステップをさらに含む請求項９に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１２】
主パターン及びサブ分解能補助形状であるＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するステップと、
前記第１フォトマスクレイアウトから、前記主パターンを備える主パターンレイアウトと前記ＳＲＡＦパターンを備えるＳＲＡＦレイアウトとを分離するステップと、
前記ＳＲＡＦレイアウトを分割して複数のメッシュセルを限定するステップと、
一つ以上の前記メッシュセルをそれぞれ備える複数のレイヤーを限定するステップと、
少なくとも一つ以上の前記レイヤーに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むルールベーステーブルを生成するステップと、
前記レイヤーに前記補正情報の値を適用して前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を含むフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１３】
前記主パターンレイアウトと前記レイヤーとを併合して、前記主パターン及び前記修正されたＳＲＡＦパターンを備える第２フォトマスクレイアウトを提供するステップと、
前記第１フォトマスクレイアウトと前記第２フォトマスクレイアウトとを比較検証するステップと、
前記第１フォトマスクレイアウトと前記第２フォトマスクレイアウトとが互いに同一であると判断される場合、前記補正情報の値を前記ＳＲＡＦパターンに再び適用して前記ＳＲＡＦパターンを補正するステップと、をさらに含む請求項１２に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１４】
前記メッシュセルの形態、サイズまたは数は、フォトマスクレベル及びウェーハレベルの欠陥のうち少なくとも一つ以上を考慮して決定される請求項１２に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１５】
前記補正情報の値は、前記ＳＲＡＦパターンのサイズ、位置及び数のうち少なくとも一つ以上を補正するための値を含む請求項１２に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１６】
前記ＳＲＡＦパターンのサイズを補正するための値は、前記ＳＲＡＦパターンのサイズを増大させるための比率、臨界値及びバイアス値のうち少なくともいずれか一つを含む請求項１４に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１７】
前記比較検証するステップは、ブーリアン演算により行われる請求項１３に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１８】
前記ブーリアン演算にオフセット値が適用される請求項１７に記載のフォトマスクレイアウトの生成方法。
【請求項１９】
主パターン及びサブ分解能補助形状であるＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するデータ記録媒体と、
前記第１フォトマスクレイアウトを分割して、複数のメッシュセルを限定するステップと、前記メッシュセルのうち少なくとも一つ以上のメッシュセルに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むルールベーステーブルを生成するステップと、前記補正情報の値を、前記メッシュセルに属する前記ＳＲＡＦパターンに適用して前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を行うコンピュータシステムと、
を備えるマスクイメージングシステム。
【請求項２０】
主パターン及びサブ分解能補助形状であるＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するデータ記録媒体と、
前記第１フォトマスクレイアウトから、前記主パターンを備える主パターンレイアウトと前記ＳＲＡＦパターンを備えるＳＲＡＦレイアウトとを分離するステップと、前記ＳＲＡＦレイアウトを分割して複数のメッシュセルを限定するステップと、一つ以上の前記メッシュセルをそれぞれ備える複数のレイヤーを限定するステップと、少なくとも一つ以上の前記レイヤーに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むルールベーステーブルを生成するステップと、前記レイヤーに前記補正情報の値を適用して前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を行うコンピュータシステムと、
を備えるマスクイメージングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクレイアウトの生成方法、これを行うプログラムを保存するコンピュータで読み取り可能な記録媒体及びマスクイメージングシステムに係り、より詳細には、光近接効果補正パターンを備えるフォトマスクレイアウトの生成方法、これを行うプログラムを保存するコンピュータで読み取り可能な記録媒体及びマスクイメージングシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術の発展につれて大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ  ＳｃａｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ；ＬＳＩｓ）のスケール縮小は加速化しつつある。フォトリソグラフィーは、薄膜の一部または基板のバルクを選択的に除去するための微細加工に利用される工程である。これは、フォトマスクから基板上の感光性ケミカル（フォトレジストまたはレジスト）に幾何学的パターンを転写するために光を利用する。以後、一連の化学的処理によりフォトレジスト下部の材料内に露光されたパターンを形成する。半導体素子の製造のためのデザインルールがさらに狭小化しつつ、高集積回路のスケールは９０ｎｍ、６５ｎｍ、４５ｎｍ及びそれ以下のレベルまで減少しつつある。これによって、ウェーハ上に転写されるパターンのサイズは、実質的に露光ビームの波長より小さくなっており、これによって、光の回折及び干渉現象に起因する光近接効果が解像度の限界を決定する主要因になっている。
【０００３】
光近接効果の補正技術（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；以下、ＯＰＣ技術という）は、光近接効果によるイメージエラーを補償するために一般的に使われるフォトリソグラフィー向上技術である。従来のＯＰＣ技術によれば、サブ分解能補助形状（Ｓｕｂ−Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ａｓｓｉｓｔ  Ｆｅａｔｕｒｅｓ；以下、ＳＲＡＦパターン）をフォトマスクの主パターンに付加して、ウェーハに投影される前記主パターンのコントラスト及び鮮明度を高めることができる。
【０００４】
前記ＳＲＡＦパターンの数及びサイズは、主パターンのサイズ及びこれら間の間隔により決定されうる。デザインルールの狭小化によって主パターンのサイズ及び間隔が順次減少しつつあり、これにより、ＳＲＡＦパターンのサイズも順次減少しつつある。しかし、フォトマスク製造設備と技術の現在水準を考慮する時、さらに小さくなったＳＲＡＦパターンに対する信頼性のあるフォトリソグラフィー工程を確保することは非常に難しい。
【０００５】
図１は、従来のフォトマスク製造工程を通じて得られたフォトマスク１０の多様なＳＲＡＦパターンの欠陥を示す顕微鏡写真である。フォトマスク１０の写真周辺のイメージは、フォトマスク１０の四角形で示されたＡ、Ｂ、Ｃ及びＤ領域を詳細に示す部分拡大写真である。実際に臨界寸法（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ；ＣＤ）が４５ｎｍである半導体素子を製造するために、ＳＲＡＦパターンが形成されたフォトマスクを製造する場合、図１に示したように、Ａ領域ではＳＲＡＦパターンの消失欠陥が集中的に発生し、Ｂ領域では破断（ｂｌｅａｋ）欠陥が集中的に発生し、Ｄ領域では縮小欠陥が集中的に発生する。これと対照的に、Ｃ領域のＳＲＡＦパターンには欠陥が発生しない。これらの欠陥は、工程時に頻繁に発生するローディングエラーによって、多様な欠陥類型及び欠陥密度を持つ円形散布パターンσに分布されうる。これらのＳＲＡＦ欠陥は、実際ウェーハ上に転写される主パターンを崩れるか、転写されてはならないＳＲＡＦパターンがウェーハ上に転写されるようなウェーハレベルの欠陥を招く。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、フォトマスクの製造時に発生するＳＲＡＦパターンの欠陥と、これによって招来されうるウェーハレベルの欠陥を改善するために、フォトマスクレイアウトのＳＲＡＦパターンを修正して、ＳＲＡＦパターンの欠陥が減少するか、抑制されたフォトマスクを製造するためのフォトマスクレイアウトの生成方法を提供することである。
【０００７】
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前述したフォトマスクレイアウトの生成方法を行うプログラムを保存するコンピュータで読み取り可能な記録媒体を提供することである。また、本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、前述したフォトマスクレイアウトの生成方法を行うマスクイメージングシステムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を達成するための本発明の一態様によるフォトマスクレイアウトの生成方法は、主パターン及びＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するステップと、前記第１フォトマスクレイアウトを分割して複数のメッシュセルを限定するステップと、前記メッシュセルのうち少なくとも一つ以上のメッシュセルに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むルールベーステーブル（Ｒｕｌｅ  Ｂａｓｅｄ  Ｔａｂｌｅ；ＲＴ）を生成するステップと、前記補正情報の値を前記メッシュセルに属する前記ＳＲＡＦパターンに適用して、前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を含む。
【０００９】
前記方法は、前記主パターン及び前記修正されたＳＲＡＦパターンを備える第２フォトマスクレイアウトを提供するステップと、前記第１フォトマスクレイアウトと前記第２フォトマスクレイアウトとを比較検証するステップと、前記第１フォトマスクレイアウトと前記第２フォトマスクレイアウトとが互いに同一であると判断される場合、前記補正情報の値を前記ＳＲＡＦパターンに再び適用して前記ＳＲＡＦパターンを補正するステップと、をさらに含む。
【００１０】
本発明の一態様で、前記各メッシュセルの形態及びサイズまたは前記複数のメッシュセルの数は、フォトマスクレベル及びウェーハレベルの欠陥のうち少なくとも一つ以上を考慮して決定される。また、本発明の一態様で、前記補正情報の値は、前記ＳＲＡＦパターンのサイズ、位置及び数のうち少なくとも一つ以上を補正するための値を含む。この場合、前記ＳＲＡＦパターンのサイズを補正するための値は、前記ＳＲＡＦパターンのサイズを増大させるための比率、臨界値及びバイアス値のうち少なくともいずれか一つを含む。
【００１１】
本発明の他の態様で、フォトマスクレイアウトの生成方法は、主パターン及びＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するステップと、前記第１フォトマスクレイアウトから、前記主パターンを備える主パターンレイアウトと前記ＳＲＡＦパターンを備えるＳＲＡＦレイアウトとを分離するステップと、前記ＳＲＡＦレイアウトを分割して前記メッシュセルを限定するステップと、一つ以上のメッシュセルをそれぞれ備える複数のレイヤーを限定するステップと、少なくとも一つ以上の前記レイヤーに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むＲＴを生成するステップと、前記レイヤーに前記補正情報の値を適用して前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を含む。
【００１２】
本発明の一態様で、前記方法は、前記主パターンレイアウトと前記レイヤーとを併合して、前記主パターン及び前記修正されたＳＲＡＦパターンを備える第２フォトマスクレイアウトを提供するステップと、前記第１フォトマスクレイアウトと前記第２フォトマスクレイアウトとを比較検証するステップと、前記レイアウトが互いに同一であると判断される場合、前記補正情報の値を前記ＳＲＡＦパターンに再び適用して前記ＳＲＡＦパターンを補正するステップと、をさらに含む。
【００１３】
この場合、前記比較検証するステップは、ブーリアン演算により行われ、正確に修正されたＳＲＡＦパターンを除外した残りの非正常的なＳＲＡＦパターンのみ抽出されるように、前記ブーリアン演算にオフセット値が適用されうる。
本発明の態様に関するフォトマスクレイアウトの生成方法によれば、主パターンとＳＲＡＦパターンとが線形関係が破壊される臨界寸法付近で、各メッシュセルのＳＲＡＦパターンを修正することによって、ＳＲＡＦパターンの欠陥を防止できる。また、フォトマスクレイアウトのメッシュセルに属するＳＲＡＦパターンの欠陥種類及び分布特徴によって、前記ＳＲＡＦパターンを補正できるので、フォトリソグラフィー工程のウィンドウが拡張されて、さらに信頼性のあるフォトマスクが製造される。
【００１４】
また、本発明の態様によれば、前述したＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための演算を行うプログラムを保存するコンピュータで読み取り可能な記録媒体と、前記演算を行うマスクイメージングシステムとが提供されうる。
本発明の一態様によるマスクイメージングシステムは、主パターン及びＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するデータ記録媒体と、前記第１フォトマスクレイアウトを分割して、複数のメッシュセルを限定するステップと、前記メッシュセルのうち少なくとも一つ以上のメッシュセルに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むＲＴを生成するステップと、前記補正情報の値を、前記メッシュセルに属する前記ＳＲＡＦパターンに適用して前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を行うコンピュータシステムと、を備える。
【００１５】
本発明の一態様によるマスクイメージングシステムは、主パターン及びＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するデータ記録媒体と、前記第１フォトマスクレイアウトを分割して、複数のメッシュセルを限定するステップと、前記メッシュセルのうち少なくとも一つ以上のメッシュセルに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むＲＴを生成するステップと、前記補正情報の値を、前記メッシュセルに属する前記ＳＲＡＦパターンに適用して前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を行うコンピュータシステムと、を備える。
【００１６】
本発明の他の態様によるマスクイメージングシステムは、主パターン及びＳＲＡＦパターンを備える第１フォトマスクレイアウトを提供するデータ記録媒体と、前記第１フォトマスクレイアウトから、前記主パターンを備える主パターンレイアウトと前記ＳＲＡＦパターンを備えるＳＲＡＦレイアウトとを分離するステップと、前記ＳＲＡＦレイアウトを分割して前記メッシュセルを限定するステップと、一つ以上のメッシュセルをそれぞれ備える複数のレイヤーを限定するステップと、少なくとも一つ以上の前記レイヤーに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むＲＴを生成するステップと、前記レイヤーに前記補正情報の値を適用して前記ＳＲＡＦパターンを修正するステップと、を行うコンピュータシステムと、を備えることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の態様によるフォトマスクレイアウトの生成方法によれば、光近接効果を補正するためのＳＲＡＦパターンを備えるフォトマスクを製造するか、これを使用してフォトリソグラフィー工程により転写されたウェーハ上のイメージで発生しうる多様なＳＲＡＦ関連欠陥を改善するために、一つ以上のメッシュセルに属するＳＲＡＦパターンをそれぞれ修正できるＲＴを適用することによって、ＳＲＡＦパターンの欠陥種類及び分布特性に関係なく、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥をフォトマスクレイアウトの領域別に改善でき、これによって、フォトマスク製造工程のウィンドウが拡張されうる。また、マスク全体データではないメッシュセル別に修正が必要なＳＲＡＦパターンに対して修正を行えるので、さらに迅速で選択的なＳＲＡＦパターンデータの修正処理が行われるという利点がある。
【００１８】
また、本発明の態様によれば、前述したＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための演算を行うプログラムを保存するコンピュータで読み取り可能な記録媒体と、前記演算を行うマスクイメージングシステムとが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
本発明の実施形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものであり、下記の実施形態は色々な他の形態に変形でき、本発明の範囲が下記実施形態に限定されるものではない。かえって、これら実施形態は本開示をさらに充実で完全にし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。
【００２０】
本明細書で使われた用語は特定実施形態を説明するために使われ、本発明を制限するためのものではない。本明細書で使われたように、単数形態は文脈上他の場合を明確に指摘するものでなければ、複数の形態を含むことができる。また、本明細書で使われる場合、“含む（備える）”及び／または“含み（備え）”は、言及した形状、数字、ステップ、動作、部材、要素及び／またはこれらグループの存在を特定するものであり、一つ以上の他の形状、数字、動作、部材、要素及び／またはグループの存在または付加を排除するものではない。
【００２１】
本明細書で第１、第２などの用語が多様な部材、部品、領域及び／または部分を説明するために使われるが、これら部材、部品、領域及び／または部分はこれら用語により限定されてはならないということは明らかである。これら用語は一つの部材、部品、領域または部分を他の領域または部分と区別するためにのみ使われる。したがって、以下、詳述する第１部材、部品、領域または部分は、本発明の思想を逸脱せずに第２部材、部品、領域または部分を称することができる。
【００２２】
本発明で開示するように、主パターンは、ウェーハ上に転写されるウェーハイメージまたはターゲットイメージを称する。サブ分解能補助形状（すなわち、ＳＲＡＦパターン）は、スキャッタリングバーまたは強度調節バーと称することができる。前記ＳＲＡＦパターンは、バー、セリフ（ｓｅｒｉｆ）及びハンマーヘッドなどの当業界で公知の形態を持つことができる。前記ＳＲＡＦパターンは、主パターンの信頼性のあるイメージ転写のために付加される補助パターンを備える概念である。また、レイアウトは、これら主パターン及び／またはＳＲＡＦの集合的イメージを称する。また、本明細書で使われるレイヤーは、コントロールシステム社製のＰＡＴＡＣＯＮのような商用のイメージ変換ツールを使用して、ＲＴの値が一括的に適用されうるデータグループを称する。
【００２３】
以下、本発明の実施形態は、本発明の理想的の実施形態を概略的に示す図面を参照して説明する。図面において、例えば、製造技術及び／または公差によって、図示された形状の変形が予想されうる。したがって、本発明の実施形態は本明細書に図示された領域の特定形状に制限されたものと解釈されてはならず、例えば、製造上招来される形状の変化を含まねばならない。
【００２４】
（一実施形態）
図２は、本発明の一実施形態によるフォトマスクレイアウトの生成方法を示すフローチャートである。図３Ａないし図３Ｄは、図２に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
図２と共に図３Ａを参照すれば、まず商用化されたＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ａｉｄｅｄ  Ｄｅｓｉｇｎ）などのレイアウトツールにより作成された主パターンＰ１、Ｐ２及びＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３を備える第１フォトマスクレイアウト１００が提供される（Ｓ１００）。ここで、ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３は、例えば、それぞれ１００、１１０、１２０ｎｍの相異なる幅を持つことができる。ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３は、ルールベース接近法、モデルベース接近法またはこれらが結合された方法により生成されうる。しかし、ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３の生成方法は、このような接近法により限定されると解釈されてはならない。
【００２５】
第１フォトマスクレイアウト１００は、多様なデータ形式に変換された後、レーザービームライターまたは電子ビームライターなどのマスク記録装置に入力される。以後、前記マスク記録装置による記録工程と適した後工程により、バイナリーマスク（Ｂｉｎａｒｙ  Ｃｈｒｏｍｅ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ；ＣＯＧ）及び位相変移マスク（ＯＰｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ；ＰＳＭ）などが製造される。位相変位マスクは、フォトリソグラフィーのイメージ解像度を改善させるために、位相差により発生する干渉を利用するフォトマスクである。このように製造されたフォトマスクは、図１に示したような多様なＳＲＡＦパターン欠陥を持つ。このようなＳＲＡＦパターン自体の欠陥とこれによって招来される主パターンの欠陥とを直すために、本発明の実施形態によるＳＲＡＦパターンの修正処理を行うことができる。第１フォトマスクレイアウト１００は、コンピュータシステムで行われるプログラムツールがＳＲＡＦパターンの修正処理を行えるように、ＭＥＢＥＳまたはＧＤＳフォーマットなどの適したデータ形式に変換できる。
【００２６】
次いで、図２と共に図３Ｂを参照すれば、ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３の修正処理のための前ステップとして、第１フォトマスクレイアウト１００を分割して複数のメッシュセル（Ｍ（１，１）、Ｍ（１，２）、…、Ｍ（４，４）；Ｍ）を限定できる（Ｓ１２０）。例えば、４行×４列を持つ１６個のメッシュセルＭを限定できる。各メッシュセルＭは、第１フォトマスクレイアウト１００の実際座標に対応する位置情報を持つことができ、これらは前記位置情報にマッピングされ、行・列座標システムによって、例えば、Ｍ（１，１）、Ｍ（１，２）、…、Ｍ（４，３）及びＭ（４，４）のように命名されて互いに識別できる。
【００２７】
メッシュセルＭの形態は、図３Ｂに示したような正方形形態を持つことができる。しかし、メッシュセルＭの形態は、これに限定されない。例えば、メッシュセルＭの形態は、実際製作されたフォトマスク上で現れるＳＲＡＦパターン自体の消失、破断、短縮のようなフォトマスクレベルのＳＲＡＦパターンの欠陥種類、分布位置及び密度のような分布特徴を考慮して決定できる。例えば、メッシュセルＭは、ＳＲＡＦパターンの欠陥種類及び分布特徴をよく反映できるように菱形または六角形などの多様な多角形形態を持つことができる。また、メッシュセルＭのサイズまたは数もフォトマスクレベルのＳＲＡＦ欠陥を考慮して決定できる。
【００２８】
また、他の実施形態では、前述したフォトマスクレベルのＳＲＡＦ欠陥だけではなく、実際欠陥のあるＳＲＡＦパターンを持つフォトマスクを使用してフォトリソグラフィー工程を行った場合、ウェーハ上で現れる主パターンの崩れ又は願わないＳＲＡＦパターンの転写のようなウェーハレベルの欠陥を考慮して決定されることもある。前記フォトマスクレベル及び／またはウェーハレベルの欠陥を分析して得られるＳＲＡＦパターン欠陥の種類及び分布で観測される変化程度がさらに大きい。この場合には、フォトマスクレイアウト１００は、例えば、１６よりさらに多くのメッシュセルＭに分割されることができ、メッシュセルＭそれぞれのサイズはさらに小さくなり、その数はさらに大きくなる。
【００２９】
次いで、図２と共に図３Ｃを参照すれば、メッシュセルＭのうち少なくとも一つ以上のメッシュセルに対して、ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３の欠陥を改善するためのメッシュセル別補正情報を含むＲＴを生成する（Ｓ１３０）。ＲＴ  ＲＴ１は、最右側列に記載されているように、各メッシュセルの該当ＳＲＡＦパターンのサイズ補正値を含むことができる。前記サイズ補正値は、ＳＲＡＦ修正前サイズ項目の列に例示されているように、各メッシュセルの多様なＳＲＡＦパターンのうち、所定サイズ、例えば、約１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍサイズを持つＳＲＡＦパターンに対してのみ適用されることもある。
【００３０】
フォトマスクレベルで、メッシュセルのうち、Ｍ（１，１）、Ｍ（１，２）、Ｍ（２，１）及びＭ（３，１）セル（以下、これら領域を集合的にＡ領域という）では、ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３の消失欠陥が集中的に発生し、Ｍ（１，３）、Ｍ（１，４）、Ｍ（２，２）、Ｍ（２，３）、Ｍ（２，４）、Ｍ（３，３）及びＭ（３，４）セル（以下、これら領域を集合的にＢ領域という）ではＳＲＡＦパターンＳ１の破断欠陥が集中的に発生し、Ｍ（３，２）、Ｍ（４，１）及びＭ（４，２）セル（以下、Ｄ領域という）では、ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３の縮小欠陥が集中的に発生し、Ｍ（４，３）及びＭ（４，４）セル（以下、Ｃ領域という）では、ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３の欠陥が発生しない場合を考慮しよう。
【００３１】
このようなＳＲＡＦパターンの欠陥の種類及び分布に関する例は、説明の便宜上挙げられたものであり、ＳＲＡＦパターン自体のサイズ及び／または密度によって変わり、フォトマスク製造工程時に適用されるマスク記録装置とフォトレジスト、そしてフォトマスクの種類などを含むフォトマスク製造工程要因により変わりうる。本発明の実施形態のうち、少なくともいずれか一つで、前記サイズ補正値は、前記Ａ領域に属するメッシュセルで現れるＳＲＡＦパターンの消失欠陥を改善するために、特定ＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３（それぞれ、約１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍサイズを持つ）のサイズをそれぞれ１０％ずつ増大させる値を持つことができる。あるＳＲＡＦパターン、例えば、ＳＲＡＦパターンＳ１がフォトリソグラフィー工程の臨界寸法未満である時、前記Ｂ領域に属するメッシュセルではＳＲＡＦパターンＳ１の破断欠陥が現れると判定された場合に、前記サイズ補正値は臨界寸法より小さなＳＲＡＦパターンＳ１のサイズを一律的に所定の臨界値、例えば、１３０ｎｍに増大させる値を含むこともある。一方、ＳＲＡＦパターンＳ１ないしＳ３の欠陥が現れないＣ領域に対して、ＲＴ  ＲＴ１はサイズ補正値を持っていない。
【００３２】
また、Ｄ領域の欠陥を分析した結果、ターゲット寸法が１００ｎｍであるＳＲＡＦパターンＳ１の実際製造時、７０ｎｍでパターニングされると判定された場合（この場合、ターゲット寸法と実際製造された寸法との偏差（ｍｅａｎ  ｔｏ  ｐａｔｈ；ＭＴＴ）値は３０ｎｍに該当する）、工程上要求されるＭＴＴが１０ｎｍ以下ならば、フォトマスクレイアウト上のＳＲＡＦパターンＳ１は＋２０ｎｍバイアスされて１２０ｎｍのサイズを持つように増大される必要がある。残りの他のＳＲＡＦパターンＳ２、Ｓ３に対してもバイアスが必要であると判断される場合、ＲＴ  ＲＴ１は、Ｄ領域で現れるＳＲＡＲパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３の縮小欠陥を改善するために＋２０ｎｍのようなバイアス値を含むこともある。
【００３３】
前述したＲＴ  ＲＴ１の例では、ＳＲＡＦパターンのサイズを一定の割合で増大させる値（例えば、１０％に増大）、臨界値で増大させる値（例えば、１３０ｎｍに増大）またはバイアス値を含むサイズ補正値（例えば、＋２０ｎｍまで増大）を例示しているが、本発明の実施形態によるサイズ補正値はこれに制限されない。例えば、ＳＲＡＦパターンのサイズを縮小させるか、ＳＲＡＦパターンを消滅させる値を持つ事もできる。また、図３Ｃを参照して詳述したＲＴ  ＲＴ１の実施形態は、ＳＲＡＦパターンのサイズに関する補正情報のみを例示しているが、本発明の実施形態によるＲＴは、ＳＲＡＦパターンの位置及び／または数についての補正情報をさらに含むこともある。
【００３４】
本発明の実施形態で、ＲＴは第１フォトマスクレイアウトを利用して得られたフォトマスクを分析して生成されることもあり、所定のテストレイアウトを利用して得られたフォトマスクを分析して生成されることもある。したがって、ＲＴを生成するステップ（Ｓ１３０）と複数のメッシュセルを限定するステップ（Ｓ１２０）とは、順序に関係なく本発明に含まれると理解されうる。
【００３５】
以後、実際にＲＴ  ＲＴ１の補正情報を各メッシュセルのＳＲＡＦパターンに適用して、メッシュセル別にＳＲＡＦパターンを修正する（Ｓ１４０）。修正されたＳＲＡＦのサイズは表１の最右側列に記載されている。
【００３６】
【表１】
2009058957.tif 000003
【００３７】
Ａ領域のメッシュセルに属する修正されたＳＲＡＦパターンＳ１’、Ｓ２’、Ｓ３’のサイズは、それぞれ約１００、１１０、１２０ｎｍから約１１０、１２１、１３２ｎｍに１０％ずつ増大した。Ｂ領域のメッシュセルに属する修正されたＳＲＡＦパターンＳ１’は、いずれも約１３０ｎｍのサイズを持つように拡大された。Ｃ領域のメッシュセルに属するＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３は、サイズの変化がない。Ｄ領域のメッシュセルに属する修正されたＳＲＡＦパターンＳ１”、Ｓ２”、Ｓ３”は、いずれも＋２０のバイアス値により、約１００、１２０、１１０ｎｍから約１２０、１４０、１３０ｎｍにサイズが増大した。ＲＴがメッシュセルに属するＳＲＡＦパターンの位置及び／または数を補正する値を含む場合には、各メッシュセルに属する特定ＳＲＡＦパターンの位置及び／または数が修正されうる。
【００３８】
次いで、図２と共に図３Ｄを参照すれば、実際フォトマスクを製造するために適用できる主パターンと修正されたＳＲＡＦパターンとを備える第２フォトマスクレイアウトを準備する（Ｓ１５０）。第１フォトマスクレイアウト１００と第２フォトマスクレイアウト２００とは、主パターンＰ１、Ｐ２において互いに同一であるが、メッシュセルに属するＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３のうち少なくとも一つ以上においては、ＲＴ ＲＴ１の補正情報によって異なる。第２フォトマスクレイアウト２００は、レーザービームライターまたは電子ビームライターに入力され、好適な記録工程と現像工程及びエッチング工程を通じてフォトマスクが製造される。
【００３９】
次いで、図２を参照すれば、第２フォトマスクレイアウト２００を使用してフォトマスクを製造する前に、メッシュセル別にＳＲＡＦパターンが正確に修正されたかどうかを評価するステップをさらに行うことができる。これは、第１フォトマスクレイアウト１００と第２フォトマスクレイアウト２００とを互いに比較検証することによって行われうる（Ｓ１６０）。
【００４０】
これを比較検証するために、第１フォトマスクレイアウト１００と第２フォトマスクレイアウト２００とのデータに対してブーリアン演算を行うことができる。第２フォトマスクレイアウト２００のＳＲＡＦパターンと第１フォトマスクレイアウト１００のＳＲＡＦパターンとは補正情報による差を持つが、前記補正情報がサイズバイアス値ならば、前記ブーリアン演算時にバイアス値に該当するオフセット値を適用することによって、正確に修正されたＳＲＡＦパターンを除外した残りの非正常的なＳＲＡＦパターンのみ抽出させることもできる。
【００４１】
比較検証ステップ（Ｓ１６０）で、変換されたＳＲＡＦパターンのエラーがある場合、さらにＲＴの値により第１フォトマスクレイアウトのＳＲＡＦパターンを修正するステップ（Ｓ１４０）ないし比較検証するステップ（Ｓ１６０）を再び行うことができる（Ｓ１７０）。
フォトマスクレイアウトの主パターンのサイズが縮小するにつれてＳＲＡＦパターンのサイズも縮小されるため、設計された主パターンとＳＲＡＦパターンとのサイズは線形関係を持つ。しかし、主パターンのサイズが、フォトマスク工程で実現できる臨界寸法以下になれば、信頼性のあるＳＲＡＦパターンを形成するために線形関係が維持されないこともある。本発明の実施形態によるフォトマスクレイアウトの生成方法によれば、主パターンとＳＲＡＦパターン間の線形関係が破壊される臨界寸法付近で各メッシュセルのＳＲＡＦパターンを修正することによって、ＳＲＡＦパターンの欠陥を防止できる。
【００４２】
また、本発明のうち少なくともいずれか一つの実施形態によれば、フォトマスクレイアウトに複数のメッシュセルを限定し、前記メッシュセルに属するＳＲＡＦパターンの欠陥種類によって前記ＳＲＡＦパターンを補正でき、また、頻繁に発生するローディングエラーにより招来されるＳＲＡＦパターンの欠陥分布パターンに対応してＳＲＡＦの欠陥を補正することもできる。その結果、本発明の実施形態によれば、フォトリソグラフィー工程のウィンドウが拡張されて、さらに信頼性のあるフォトマスクが製造されうる。
【００４３】
図４は、本発明の他の実施形態によるフォトマスクレイアウトの生成方法を示すフローチャートである。図５Ａないし図５Ｄは、図４に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。本実施形態は、第１フォトマスクレイアウトから主パターンレイアウトとＳＲＡＦレイアウトとを分離して、ＳＲＡＦレイアウトに対してＲＴ値を適用する点で、図２を参照して詳述した実施形態と差がある。
【００４４】
図４と共に図５Ａを参照すれば、まず主パターンＰ１、Ｐ２及びＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３を含む第１フォトマスクレイアウト（図３Ａの１００）が提供される（Ｓ２００）。以後、第１フォトマスクレイアウト１００から、主パターンを備える図示しない主パターンレイアウトを分離してＳＲＡＦパターンを備えるＳＲＡＦレイアウト３００を得ることができる（Ｓ２１０）。第１フォトマスクレイアウト１００から主パターンレイアウトとＳＲＡＦレイアウト３００とを分離することは、商用のソフトウェアツール、例えば、ＰＡＴＡＣＯＮなどを利用して行われうる。この場合、処理速度及びマスク記録装置の許容データフォーマットを考慮して、第１フォトマスクレイアウトのデータ形式は他のデータ形式に変換されうる。
【００４５】
次いで、図４と共に図５Ｂを参照すれば、ＳＲＡＦレイアウト３００に複数のメッシュセルＭを限定する（Ｓ２２０）。例えば、図３Ｂを参照して詳述したように、４行×４列を持つ１６個のメッシュセルＭ（１，１）、Ｍ（１，２）、…Ｍ（４，４）を限定する。このようなメッシュセルＭの形状、サイズ及び／または数は、フォトマスクの製造時に発生するＳＲＡＦ欠陥の種類及び分布特徴、そして、フォトマスクレベル及び／またはウェーハレベルの欠陥を考慮して決定できるということは、図２を参照して詳述した通りである。
【００４６】
次いで、図４と共に図５Ｃを参照すれば、以後、一つ以上のメッシュセルを備える複数のレイヤー（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４；Ｌ）を限定する（Ｓ２３０）。メッシュセルが１６個である場合、最大１６個のレイヤーが形成されうる。
本発明の一実施形態では、各メッシュセルのＳＲＡＦパターンの欠陥の種類、分布及び特徴などを考慮して、図５Ｃに示したように、各レイヤーＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４が複数のメッシュセルを備えるようにレイヤーＬを限定できる。例えば、メッシュセルのうち、Ａ領域のメッシュセルＭ（１，１）、Ｍ（１，２）、Ｍ（２，１）及びＭ（３，１）でＳＲＡＦパターンの消失欠陥が集中的に発生して、これらのサイズを一定比率、例えば、１０％に一括的に増大させる必要がある場合、これら４個のメッシュセルを備える一つのレイヤーＬ１を限定できる。また、Ｂ領域のメッシュセルＭ（１，３）、Ｍ（１，４）、Ｍ（２，２）、Ｍ（２，３）、Ｍ（２，４）、Ｍ（３，３）及びＭ（３，４）ではＳＲＡＦパターンの破断欠陥が集中的に発生し、これらのサイズをいずれも特定臨界値に一括的に増大させる必要がある場合、これら７個のメッシュセルを備える一つのレイヤーＬ２を限定できる。
【００４７】
同様に、Ｄ領域のメッシュセルＭ（３，２）、Ｍ（４，１）及びＭ（４，２）では縮小欠陥を改善するために、特定バイアス値、例えば、＋２０に一括的に増大させる必要があるので、これら３個のメッシュセルを備える一つのレイヤーＬ４を限定できる。欠陥のないＣ領域のメッシュセルＭ（４，３）及びＭ（４，４）に対しても、これらを含む一つのレイヤーＬ３を限定できる。結果的に、各レイヤーＬはそれぞれ、同じＲＴの値が一括的に適用される一つまたは複数のメッシュセルに関するＳＲＡＦパターンに関する情報を含む。
【００４８】
次いで、図４と共に図５Ｄを参照すれば、レイヤーＬのうち少なくとも一つ以上のレイヤーに対して、前記ＳＲＡＦパターンの欠陥を改善するための補正情報を含むＲＴ ＲＴ２を生成する（Ｓ２４０）。図５Ｄに例示されたように、各レイヤーＬは同じ欠陥類型を持つ複数のメッシュセルを備えることができる。この場合、ＲＴ  ＲＴ２は、複数のメッシュセルＭに一括的に適用される補正情報を含むことができる。ＲＴ  ＲＴ２を生成するステップ（Ｓ２４０）は、他のステップ（Ｓ２１０、Ｓ２２０、Ｓ２３０）より時間的に後で行われることに限定されるものではなく、これらステップ（Ｓ２１０、Ｓ２２０、Ｓ２３０）より先に、または同時に行われうるということは明らかである。
【００４９】
以後、前記レイヤーＬのうち少なくとも一つのレイヤーにＲＴ  ＲＴ２の値を適用して、欠陥のあるＳＲＡＦパターンを修正する（Ｓ２５０）。例えば、図３Ｄを参照して詳述したように、Ｌ１レイヤーに属するメッシュセルＭ（１，１）、Ｍ（１，２）、Ｍ（２，１）及びＭ（３，１）に属するＳＲＡＦパターンＳ１’、Ｓ２’、Ｓ３’のサイズは、それぞれ約１００、１１０、１２０ｎｍから約１１０、１２１、１３２ｎｍに１０％ずつ増大する。Ｌ２レイヤーに属するメッシュセルＭ（１，３）、Ｍ（１，４）、Ｍ（２，２）、Ｍ（２，３）、Ｍ（２，４）、Ｍ（３，３）及びＭ（３，４）では、ＳＲＡＦパターンＳ’は約１００ｎｍサイズないし約１３０ｎｍのサイズを持つように拡大された。Ｌ３レイヤーに属するメッシュセルＭ（４，３）及びＭ（４，４）に属するＳＲＡＦパターンＳ１、Ｓ２、Ｓ３はサイズの変化がない。Ｌ４レイヤーに属するメッシュセルＭ（３，２）、Ｍ（４，１）及びＭ（４，２）に属するＳＲＡＦパターンＳ１”、Ｓ２”、Ｓ３”は、いずれも＋２０のバイアス値により、約１００、１２０、１１０ｎｍから約１２０、１４０、１３０ｎｍにサイズが増大した。
【００５０】
ＲＴ  ＲＴ２が各レイヤーＬに属するＳＲＡＦパターンに対する位置及び／または数を補正するための補正情報を含む場合には、各レイヤー別にＳＲＡＦパターンの位置及び／または数が修正できる。
次いで、図４を参照すれば、この後、主パターンと修正されたＳＲＡＦパターンを備える第２フォトマスクレイアウト（図３Ｅの２００）が提供される（Ｓ２６０）。マスク記録装置に入力される第２フォトマスクレイアウト２００を生成するために、主パターンレイアウトと修正されたＳＲＡＦパターンを備えるレイヤーＬとは、一つのレイアウトに併合される。前記併合後、図２を参照して詳述したように、メッシュセル別にＳＲＡＦパターンが正確に修正されたかを評価する比較検証ステップ（Ｓ２７０）をさらに行ってもよい。これは、第１フォトマスクレイアウト１００と第２フォトマスクレイアウト２００とをブーリアン演算などにより互いに比較検証することによって行われうる。比較検証するステップ（Ｓ２７０）で、変換されたＳＲＡＦパターンのエラーがある場合、さらにＲＴの値により第１フォトマスクレイアウトのＳＲＡＦパターンを修正するステップ（Ｓ１５０）ないし比較検証するステップ（Ｓ２７０）を再び行ってもよい（Ｓ２８０）。
【００５１】
本発明の少なくともいずれか一つの実施形態によれば、第１フォトマスクレイアウトから主パターンレイアウトとＳＲＡＦパターンレイアウトとを分離し、ＳＲＡＲパターンレイアウトはメッシュセルを備える一つ以上のレイヤーに分割され、これらレイヤーにＲＴを適用することによって、ＳＲＡＦパターンの修正処理を迅速で体系的に行える。
【００５２】
図６は、本発明の実施形態によってＳＲＡＦパターンの修正処理を行うイメージングシステム１０００を示す。
図６を参照すれば、ＳＲＡＦパターンの処理演算を行うことコンピュータシステム１３００は、一般的な目的で使われるワークステーションでありうる。コンピュータシステム１３００は、単独型またはネットワーク型であり、演算のためのシングルまたはマルチプロセッサーを備えることができ、並列処理コンピュータシステムでありうる。
【００５３】
コンピュータシステム１３００は、プログラム記録媒体１１００、例えば、コンパックディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）に記録されているか、インターネットのような有無線通信網を通じて伝えられる実行可能な一連の命令を行う。コンピュータシステム１３００は、レイアウトファイル記録媒体１２００、例えば、データベースまたは他の記録媒体から第１フォトマスクレイアウトに関する情報が入っているファイルを提供されて、これを読み出す命令を行う。コンピュータシステム１３００は、第１フォトマスクレイアウトに対して本発明の実施形態によるＳＲＡＦパターンの補正処理を行った後、第２フォトマスクレイアウトに関する情報が入っているファイルを生成する。
【００５４】
比較検証ステップを行って所望の第２フォトマスクレイアウトが形成されたかどうかを確認した後、第２フォトマスクレイアウトはマスク記録装置１４００に伝達され、これによりフォトマスクまたはレチクルが製造される。
本明細書で、コンピュータで読み取り可能な記録媒体という用語は、一般的に除去可能なフロッピーディスク（登録商標）、ハードディスクドライブ、ＣＤＲＯＭ、テープまたはＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ及びフラッシュメモリなどの半導体メモリなどを含むことができ、列挙された媒体に限定されない。
【００５５】
以上で説明した本発明が前述した実施形態及び添付された図面に限定されず、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内でいろいろな置換、変形及び変更が可能であるというのは、当業者に明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、フォトマスクレイアウト関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】従来のフォトマスク製造工程を通じて得られたフォトマスクの多様なＳＲＡＦパターンの欠陥を示す顕微鏡写真である。
【図２】本発明の一実施形態によるフォトマスクレイアウトの生成方法を示すフローチャートである。
【図３Ａ】図２に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
【図３Ｂ】図２に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
【図３Ｃ】図２に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
【図３Ｄ】図２に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
【図４】本発明の他の実施形態によるフォトマスクレイアウトの生成方法を示すフローチャートである。
【図５Ａ】図４に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
【図５Ｂ】図４に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
【図５Ｃ】図４に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
【図５Ｄ】図４に示したフォトマスクレイアウトの生成方法によるフォトマスクレイアウトの処理結果を概略的に示す図面である。
【図６】本発明の実施形態によってＳＲＡＦパターンの修正処理を行うマスクイメージングシステムを示す。
【符号の説明】
【００５８】
１００：第１フォトマスクレイアウト、２００：第２フォトマスクレイアウト、３００：ＳＲＡＦレイアウト、ＲＴ１、ＲＴ２：ルールベーステーブル、Ｐ１、Ｐ２：主パターン、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３：ＳＲＡＦパターン、Ｍ：メッシュ、Ｌ：レイヤー
【図２】
2009058957.tif 000004
【図３Ａ】
2009058957.tif 000005
【図３Ｂ】
2009058957.tif 000006
【図３Ｃ】
2009058957.tif 000007
【図３Ｄ】
2009058957.tif 000008
【図４】
2009058957.tif 000009
【図５Ａ】
2009058957.tif 000010
【図５Ｂ】
2009058957.tif 000011
【図５Ｃ】
2009058957.tif 000012
【図５Ｄ】
2009058957.tif 000013
【図６】
2009058957.tif 000014
【図１】
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