(57)【要約】【課題】簡易な構成でかつ少ない量の塗布液により、基板全面に膜厚均一性に優れた塗布膜を形成することができる塗布処理装置を提供する。【解決手段】塗布処理装置は、基板を回転させることによって基板上の塗布液を基板全面に拡げて塗布膜を形成する装置であって、塗布膜を形成するための溶液と同一の化学的成分を有する溶液で基板表面に対する濡れ性が高い低粘度塗布液を基板の回転中心位置に吐出する第１塗布液吐出手段と、第１塗布液吐出手段により低粘度塗布液が吐出された後に、塗布膜を形成するための溶液で低粘度塗布液よりも粘度が高い高粘度塗布液を回転中心位置に吐出する第２塗布液吐出手段と、基板を回転中心位置で固定して所定の回転速度で回転させる基板回転手段と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させることによって前記基板上の塗布液を基板全面に拡げて塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
前記塗布膜を形成するための溶液と同一の化学的成分を有する溶液で基板表面に対する濡れ性が高い低粘度塗布液を前記基板の回転中心位置に吐出する第１塗布液吐出手段と、
前記第１塗布液吐出手段により前記低粘度塗布液が吐出された後に、前記塗布膜を形成するための溶液で前記低粘度塗布液よりも粘度が高い高粘度塗布液を前記回転中心位置に吐出する第２塗布液吐出手段と、
前記基板を前記回転中心位置で固定して所定の回転速度で回転させる基板回転手段と、
を有することを特徴とする塗布処理装置。
【請求項２】
前記第２塗布液吐出手段は、前記第１塗布液吐出手段により吐出された前記低粘度塗布液が前記基板全面に拡がる前に前記高粘度塗布液を吐出することを特徴とする請求項１に記載の塗布処理装置。
【請求項３】
前記基板回転手段は、前記第２塗布液吐出手段により吐出された前記高粘度塗布液が前記基板全面に拡がった後に、前記高粘度塗布液の吐出時よりも高速回転となるように回転速度を変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の塗布処理装置。
【請求項４】
基板を回転させることによって前記基板上の塗布液を基板全面に拡げて塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
前記塗布膜を形成するための溶液と同一の化学的成分を有する溶液で基板表面に対する濡れ性が高い低粘度塗布液を前記基板の回転中心位置に吐出する第１塗布液吐出ステップと、
前記第１塗布液吐出ステップにより前記低粘度塗布液が吐出された前記基板を所定の回転速度で回転させる第１基板回転ステップと、
前記第１塗布液吐出ステップにより前記低粘度塗布液が吐出された後に、前記塗布膜を形成するための溶液で前記低粘度塗布液よりも粘度が高い高粘度塗布液を前記回転中心位置に吐出する第２塗布液吐出ステップと、
前記第２塗布液吐出ステップにより前記高粘度塗布液が吐出された前記基板を所定の回転速度で回転させる第２基板回転ステップと、
を有することを特徴とする塗布処理方法。
【請求項５】
前記第２塗布液吐出ステップは、前記第１塗布液吐出ステップにより吐出された前記低粘度塗布液が前記基板全面に拡がる前に前記高粘度塗布液を吐出することを特徴とする請求項４に記載の塗布処理方法。
【請求項６】
前記第２基板回転ステップは、前記第２塗布液吐出ステップにより吐出された前記高粘度塗布液が前記基板全面に拡がった後に、前記高粘度塗布液の吐出時よりも高速回転となるように回転速度を変化させることを特徴とする請求項４又は５に記載の塗布処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布処理装置及び塗布処理方法に関し、特に、半導体ウエハの表面に樹脂層を均一な膜厚でコーティングする（例えばウエハの半導体回路パターン形成面上に表面保護用の樹脂層を形成する）のに好適に適用される技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの製造工程における塗布膜の形成方法として種々の方法が用いられているが、その１つとしてスピンコート法がある。このスピンコート法は、停止あるいは回転する半導体ウエハの回転中心位置に塗布液を滴下し、その後に半導体ウエハを所定の回転数で回転させ、遠心力によって塗布液をウエハ全体に拡げて薄い塗布膜を形成する方法である。通常、スピンコート法による塗布膜形成においては、滴下する塗布液の粘度、滴下量、ウエハの回転数を規定することにより、塗布抜けや膜厚不均一といった塗布不良が発生しないように管理される。
【０００３】
また、基板に対する濡れ性を向上させ、塗布液の使用量を低減させる方法として、塗布液の塗布に先立って半導体ウエハの表面にシンナ等の濡れ性の高い溶剤を塗布するプリウエット処理を行う方法が知られている。このプリウエット処理は、塗布液を塗布する前にシンナ等の溶剤を半導体ウエハの回転中心位置に吐出して半導体ウエハを回転させ、半導体ウエハ全体に拡げ、塗布液の基板に対する濡れ性を高めることで、塗布液を半導体ウエハ全体に容易に拡げることを可能とするものである。
【０００４】
例えば特許文献１では、ウエハ表面上に吐出されているレジストをレジスト溶媒雰囲気中で回転塗布する場合でも、同心円状の塗布斑等を生ずることなく、レジスト膜の膜厚バラツキが少なくなるレジスト塗布方法が開示されている。当該レジスト塗布方法は、レジスト溶媒雰囲気中でウエハを回転させて遠心力によりレジストをウエハ表面に拡げるもので、回転時間の経過とともにレジスト溶媒雰囲気からレジスト乾燥雰囲気に漸次置換しており、ウエハ表面のレジストを徐々に乾燥させることを可能としている。
【０００５】
また、例えば特許文献２では、基板表面に有機材皮膜を形成する際の該有機材の回転塗布方法で、いかなる大きさの基板でもその表面に均一な厚さの有機材皮膜を形成することで生産性の向上を目的とした回転塗布方法が開示されている。当該回転塗布方法は、回転する基板上に溶剤で液状化された有機材を滴下して該基板上に所要の厚さの有機膜を形成する有機材の回転塗布方法で、基板上に所要量の液状化した有機材を滴下した後、冷却されたエアあるいは霧状の溶剤を含むエアを回転する基板面に吹き付けることで、液状化有機材の流動領域を拡げることを可能としている。
【０００６】
また、例えば特許文献３では、基板全面で膜厚の均一性に優れた塗布膜を形成することができる塗布処理方法が開示されている。当該塗布処理方法は、スピンコート法に上記プリウエット処理を用いるもので、ウエハの外周部にシンナを吐出してプリウエット処理を行った後に、回転するウエハの表面の略中心に塗布液を吐出し、この塗布液をウエハ全面に拡げることにより膜厚均一性の良好な塗布膜形成を可能としている。
【特許文献１】特開平４−３６１５２４号公報
【特許文献２】特開平５−１６６７１０号公報
【特許文献３】特開２００３−１３６０１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
スピンコートを用いた従来の塗布方法は、高粘度の溶剤を半導体ウエハの外周部まで塗り拡げるには困難とされている。この傾向は、近年の半導体ウエハの大口径化に伴ってより顕著となってきている。塗布性を向上させるには溶剤の吐出量を増やすことが考えられるが、単純に溶剤吐出量を増加させるとランニングコストにはね返るだけで得策とはいえない。他方で、溶剤吐出量を減らすには、特許文献３のようなプリウエット処理を用いる方法が考えられる。しかしながら、例えば５０ｃｐ（centi-poise）以上の高粘度の溶剤（フォトレジストやポリイミド・ポリベンゾオキサゾール等のバッファコート材、層間絶縁膜等）を用いて半導体ウエハへスピンコート法により２μｍ以上の塗布膜形成を行う場合、プリウエット処理を用いてさらに溶剤吐出量を減らしていくと、濡れ性を高める基板表面のみの改質だけでは安定した塗布膜を得られないことがわかってきた。
【０００８】
図５を参照して説明する。図５（ａ）は半導体ウエハをウエハ表面に直交する方向から見た上面図、図５（ｂ）及び（ｃ）は半導体ウエハの断面をウエハ表面に平行する方向から見た側面図を表す。スピンコートによる塗布では、半導体ウエハ３の中心に吐出された塗布液１２が基板を回転させることによる遠心力で基板周辺に拡がっていく際、アメーバの触手のように何本もの枝となって塗布液１２の塊から周辺に伸びていく。やがて、その枝分かれした隣り合う塗布液同士が合流するが、その合流する際に、枝分かれした各々の塗布液表面は乾燥が進んでおり、さらに粘性が高まっているため、塗布液同士の馴染みが低下し、塗布液合流時に空気の巻き込みを生じさせ、膜中気泡となる問題を抱えている。この気泡は膜中に取り込まれたまま若しくは全く塗布液が付着しないピンホールとなるため、その部分が要求される本来の膜の厚みを持たず、品質を低下させてしまう。
【０００９】
これに対し、特許文献１のレジスト塗布方法や特許文献２の回転塗布方法は、レジスト溶液雰囲気中で回転塗布したり、回転塗布中に冷却エアや霧状の溶剤を含むエアを吹き付けたりするため、塗布液表面の乾燥を抑制し塗布液の流動性保持を可能とするが、蒸気発生器やエア発生器といった構成が新たに必要となり、塗布装置自体がコスト高となってしまう。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した事情に鑑み、簡易な構成でかつ少ない量の塗布液により、基板全面に膜厚均一性に優れた塗布膜を形成することができる塗布処理装置及び塗布処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
かかる目的を達成するために、本発明は、基板を回転させることによって基板上の塗布液を基板全面に拡げて塗布膜を形成する塗布処理装置であって、塗布膜を形成するための溶液と同一の化学的成分を有する溶液で基板表面に対する濡れ性が高い低粘度塗布液を基板の回転中心位置に吐出する第１塗布液吐出手段と、第１塗布液吐出手段により低粘度塗布液が吐出された後に、塗布膜を形成するための溶液で低粘度塗布液よりも粘度が高い高粘度塗布液を回転中心位置に吐出する第２塗布液吐出手段と、基板を回転中心位置で固定して所定の回転速度で回転させる基板回転手段と、を有することを特徴とする塗布処理装置である。
【００１２】
また、本発明は、上記の塗布処理装置において、第２塗布液吐出手段は、第１塗布液吐出手段により吐出された低粘度塗布液が基板全面に拡がる前に高粘度塗布液を吐出することを特徴とするものであってもよい。
【００１３】
また、本発明は、上記の塗布処理装置において、基板回転手段は、第２塗布液吐出手段により吐出された高粘度塗布液が基板全面に拡がった後に、高粘度塗布液の吐出時よりも高速回転となるように回転速度を変化させることを特徴とするものであってもよい。
【００１４】
他の態様として、本発明は、基板を回転させることによって基板上の塗布液を基板全面に拡げて塗布膜を形成する塗布処理方法であって、塗布膜を形成するための溶液と同一の化学的成分を有する溶液で基板表面に対する濡れ性が高い低粘度塗布液を基板の回転中心位置に吐出する第１塗布液吐出ステップと、第１塗布液吐出ステップにより低粘度塗布液が吐出された基板を所定の回転速度で回転させる第１基板回転ステップと、第１塗布液吐出ステップにより低粘度塗布液が吐出された後に、塗布膜を形成するための溶液で低粘度塗布液よりも粘度が高い高粘度塗布液を回転中心位置に吐出する第２塗布液吐出ステップと、第２塗布液吐出ステップにより高粘度塗布液が吐出された基板を所定の回転速度で回転させる第２基板回転ステップと、を有することを特徴とする塗布処理方法である。
【００１５】
また、本発明は、上記の塗布処理方法において、第２塗布液吐出ステップは、第１塗布液吐出ステップにより吐出された低粘度塗布液が基板全面に拡がる前に高粘度塗布液を吐出することを特徴とするものであってもよい。
【００１６】
また、本発明は、上記の塗布処理方法において、第２基板回転ステップは、第２塗布液吐出ステップにより吐出された高粘度塗布液が基板全面に拡がった後に、高粘度塗布液の吐出時よりも高速回転となるように回転速度を変化させることを特徴とするものであってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、簡易な構成でかつ少ない量の塗布液により、基板全面に膜厚均一性に優れた塗布膜を形成することができる塗布処理装置及び塗布処理方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
はじめに、本発明の実施形態である塗布処理装置の構成について説明する。図１は、本実施形態の塗布処理装置の概略構成を示した図である。本実施形態の塗布処理装置は、塗布液吐出ノズルＡ１、塗布液吐出ノズルＢ２、スピンチャック４、スキャンアーム５、コータカップ６、駆動モータ８、塗布液吐出ポンプＡ９、塗布液吐出ポンプＢ１０、低粘度塗布液１１・高粘度塗布液１２の容器を有して構成される。なお、塗布液吐出ノズルＡ１が請求項１の第１塗布液吐出手段に対応し、塗布液吐出ノズルＢ２が請求項１の第２塗布液吐出手段に対応し、スピンチャック４及び駆動モータ８が請求項１の基板回転手段に対応する。
【００２０】
コータカップ６は、半導体ウエハ３を回転させて塗布する際に塗布液の飛び散りを防止し不要となった塗布液の排出を行うためのもので、スピンチャック４に保持された半導体ウエハ３を収容するだけの空間を有した中空の形状をなしている。底面部は、円状で半導体ウエハ３の最大部分（ウエハの形状が円なら直径、長方形なら対角線）の長さより大きい直径を有し、スピンチャック４の貫通する穴部が中心部分に設けられている。また、底面部の外周の所定位置にドレイン７が設けられており、不要な塗布液がドレイン７から排出されるようになっている。また、側面部は、半導体ウエハ３が保持される位置より高く設けられ、ウエハの保持位置近傍では外部への飛び散りをより防ぐために空間の内側に近づくように傾斜をもたせた形状となっている（傾斜状が始まる位置までは底面部から垂直）。
【００２１】
コータカップ６は、上下に移動可能で、回転塗布前は側面部の最上部がスピンチャック４のウエハ保持位置より低い状態で固定され、半導体ウエハ３をスピンチャック４により保持し回転塗布する時にウエハ保持位置より高い位置に移動し固定する。本実施形態では、コータカップ６を上下に移動可能に構成しているが、コータカップ６を固定させてスピンチャック４及び駆動モータ８を上下に移動可能に構成してもよい。また、コータカップ６の形状を円状ではなく、正方形や長方形、その他多角形としてもよい。
【００２２】
スピンチャック４は、棒状の回転軸部と半導体ウエハ３との接触面が回転軸部より大きい台座部とからなり、台座部にて真空吸着により半導体ウエハ３を固定保持し、該保持した状態で駆動モータ８によって回転駆動し、これにより保持した半導体ウエハ３を回転させる。駆動モータ８は、不図示の制御装置により回転速度を変化させることができ、後述する塗布液吐出ノズルＡ１及び塗布液吐出ノズルＢ２の吐出位置変更に連動して回転速度を変える。
【００２３】
塗布液吐出ノズルＡ１は、ウエハ表面に対する濡れ性の高い低粘度塗布液１１を半導体ウエハ３に吐出するノズルで、塗布液をウエハ表面に吐出するノズル部とチューブ接続部とからなり、チューブ接続部が塗布液吐出ポンプＡ９からのチューブと接続されている。塗布液吐出ノズルＢ２は、低粘度塗布液１１より粘度の高い高粘度塗布液１２を半導体ウエハ３に吐出するノズルで、塗布液をウエハ表面に吐出するノズル部とチューブ接続部とからなり、チューブ接続部が塗布液吐出ポンプＢ１０からのチューブと接続されている。
【００２４】
塗布液吐出ノズルＡ１及び塗布液吐出ノズルＢ２は、スキャンアーム５先端の上下水平移動可能な支持部に取り付けられており、不図示の制御装置の制御に従ったスキャンアーム５の駆動により、半導体ウエハ３の回転中心位置へ各ノズルが速やかに移動し、ノズルの使い分けが行われる。また、該制御装置は、塗布液吐出ポンプＡ９及び塗布液吐出ポンプＢ１０の駆動を制御し、半導体ウエハ３の回転中心位置にあるノズルに接続された吐出ポンプを駆動させる。
【００２５】
本実施形態では２つのノズルをスキャンアーム５の先端部にまとめて取り付けて構成しているが、各々のノズルの使い分けが速やかに作動できる場合は例えば別々のスキャンアームに取り付けてもよい。また、ノズルを１つにして構成し、ノズルに注入する塗布液を切り換える注入切り換え機能をチューブ接続部に持たせて２種類の塗布液のチューブを１つのチューブ接続部に接続するようにしてもよい。ノズルを１つにした場合、制御装置は、チューブ接続部における２種類の塗布液の注入切り換えを制御するとともに、注入切り換えにより注入液として選択された塗布液を送り出す吐出ポンプを駆動させる制御を行うこととなる。
【００２６】
塗布液吐出ポンプＡ９は、低粘度塗布液１１を塗布液吐出ノズルＡ１に送り込むポンプで、塗布液吐出ノズルＡ１に接続されたチューブと、低粘度吐出液１１の容器につながっているチューブとが接続されている。塗布液吐出ポンプＢ１０は、高粘度塗布液１２を塗布液吐出ノズルＢ２に送り込むポンプで、塗布液吐出ノズルＢ２に接続されたチューブと、高粘度吐出液１２の容器につながっているチューブとが接続されている。
【００２７】
次に、本実施形態の塗布処理装置が行う回転塗布制御について説明する。図２は、本実施形態における回転塗布制御の流れを示したフローチャートである。図３は、本実施形態における回転塗布制御に従った塗布処理を図示したものである。
【００２８】
まず、基板の回転中心位置に低粘度塗布液を吐出する（ステップＳ１）。具体的には、図３（ａ）に示すように、スピンチャック４で真空吸着された半導体ウエハ３の回転中心位置に塗布液吐出ノズルＡ１を移動させ、半導体ウエハ３を静止させた状態で塗布液吐出ノズルＡ１から低粘度塗布液１１を吐出させる。塗布液吐出ノズルＡ１から低粘度塗布液１１を吐出させる際には半導体ウエハ３を低速で回転させながら行ってもよい。なお、後述する説明ではウエハを静止させた状態で低粘度塗布液１１を吐出させる場合について述べる。
【００２９】
基板上に低粘度塗布液を吐出させた後は、所定時間が経過するまで（ステップＳ３／ＮＯ）基板を低速で回転させる（ステップＳ２）。具体的には、図３（ｂ）に示すように、塗布液吐出ノズルＡ１と入れ替わるように塗布液吐出ノズルＢ２を半導体ウエハ３の回転中心位置に移動させるとともに、駆動モータ８によりスピンチャック４に保持された半導体ウエハ３を低速で回転させて低粘度塗布液１１をウエハ表面に塗り拡げる。なお、この時点では塗布液吐出ノズルＢ２から高粘度塗布液１２は吐出されていない。
【００３０】
次いで、基板を低速で回転させ所定時間経過した後（ステップＳ３／ＹＥＳ）、基板の回転を一旦停止し（ステップＳ４）、基板の回転中心位置に高粘度塗布液を吐出する（ステップＳ５）。そして、高粘度塗布液が基板全体に拡がるまで（ステップＳ７／ＮＯ）基板を再び低速で回転させる（ステップＳ６）。具体的には、図３（ｃ）に示すように、塗布液吐出ノズルＢ２から高粘度塗布液１２を低粘度塗布液１１に馴染ませながら吐出させ、低速回転により低粘度塗布液１１及び高粘度塗布液１２をウエハ表面に徐々に塗り拡げる。最初に低粘度塗布液１１が半導体ウエハ３の外周部に到達し、その後を高粘度塗布液１２が追いかけるように拡がっていく。呼び水となる濡れ性の高い低粘度塗布液１１が先立ってウエハ表面を覆いながら、所望の膜厚形成に必要である高粘度塗布液１２を連続的に送り込むことで、ウエハ外周部にまで高粘度塗布液１２を安定して塗り拡がらせることが可能となる。
【００３１】
高粘度塗布液１２の吐出を開始するまでの所定時間は、先に吐出された低粘度塗布液の浸透部分が狙いの領域となるまでにかかる時間とし、低粘着塗布液の粘度、滴下量、ウエハの回転数等に基づいてあらかじめ時間を設定しておき制御装置内のメモリに記憶しておく。上記のように、本フローでは、高粘度塗布液を吐出するタイミングを時間で計る方法（ステップＳ３）をとっているが、低粘度塗布液がウエハ表面の所定領域まで浸透する時点を把握することが目的であるため、低粘度塗布液が浸透した領域を光学センサ等で検知して所定領域に達したか判断する方法をとってもよいし、該浸透した領域をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等により画像データでして所定領域の画像データと対比することで判断する方法をとってもよい。
【００３２】
そして、基板の低速回転により高粘度塗布液が基板全体に拡がったとき（ステップＳ７／ＹＥＳ）、基板の回転を低速から高速に変化させ、所定時間が経過するまで（ステップＳ９／ＮＯ）回転させる（ステップＳ６）。具体的には、図３（ｄ）に示すように、高粘度塗布液１２を半導体ウエハ３の表面全体に拡げた後に、ウエハの回転速度を低速から高速へ徐々に変化させていき、塗布膜が所望の膜厚となるように調整を行っていく。
【００３３】
高粘度塗布液１２が半導体ウエハ３の表面全体に拡がったか否かを判断（ステップＳ７）する方法としては、高粘度塗布液１２の吐出開始タイミングの場合と同様に、時間で計る方法をとってもよいし、塗布状況をセンサで検知する方法ととってもよいし、塗布状況を画像データにより検証する方法をとってもよい。また、高粘度塗布液１２が所望の膜厚となったか否かを判断する方法としては、本フローのように時間で計る方法（ステップＳ９）を用いるほか、塗布状況をセンサで検知する方法ととってもよいし、塗布状況を画像データにより検証する方法をとってもよい。
【００３４】
図２のフローチャートにおけるステップＳ１（低粘度塗布液の吐出）を段階（１）、ステップＳ２〜３（低粘度塗布液の吐出後の低速回転）を段階（２）、ステップＳ４〜６（高粘度塗布液の吐出、吐出後の低速回転）を段階（３）、ステップＳ７〜９（高粘度塗布液の塗布後の高速回転）を段階（４）としたときのシーケンスを表したものが図４である。
【００３５】
段階（１）では半導体ウエア３が静止した状態で低粘度塗布液１１の吐出が行われ、段階（２）では吐出した低粘度塗布液１１をウエハ表面に拡げるために半導体ウエハ３を低速で回転させ、段階（３）では一旦回転を停止して高粘度塗布液１２の吐出を行い、吐出後に高粘度塗布液１２を半導体ウエハ３の表面全体に拡げるためにウエハの低速回転を再開し、段階（４）ではウエハ表面全体に塗り拡げられた高粘度塗布液１２が所望の膜厚となるようにウエハの回転速度を低速から高速へ徐々に変化させている。
【００３６】
本実施形態では、低粘度塗布液１１や高粘度塗布液１２の吐出の際に半導体ウエハ３を静止させた状態でこれを行ったが、低速で回転させながら塗布液を吐出してもよいし、半導体ウエハ３を静止させた状態で塗布液の吐出を開始して吐出しながらウエハを低速で回転させてもよい。
【００３７】
なお、上述する実施形態は、本発明の好適な実施形態であり、上記実施形態のみに本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。
【００３８】
例えば、低粘度塗布液を塗布する際に、あらかじめシンナを用いてプリウエット処理しても構わない。また、本発明が適用される塗布処理装置は、ウエハに電極パターンを形成するフォトリソグラフィ工程に用いられるフォトレジスト等のレジスト塗布処理装置として用いることが可能であり、この場合に、ウエハ１枚あたりに必要とされるレジストの量を低減し、生産コストを低減することが可能である。また処理される基板は、半導体ウエハに限定されるものではなく、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）基板等の他の基板であっても構わない。
【００３９】
上述した実施形態によれば、基板の中心部から外周部まで高粘度溶剤を円滑に拡げることができるため、塗布膜の気泡の巻き込みが低減されて膜品質の優れた塗布膜を得ることが可能となる。
【００４０】
また、上述した実施形態によれば、使用する塗布液の量を低減することも可能となる。
【００４１】
また、上述した実施形態によれば、塗布液表面の乾燥を抑制するための装置を新たに設けることなく、膜中気泡の発生を排除し膜品質の優れた塗布膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態に係る塗布処理装置の概略構成を示した図である。
【図２】本発明の実施形態における回転塗布制御の流れを示したフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態における回転塗布制御に従った塗布処理を図示したものである。
【図４】本発明の実施形態における回転塗布制御を表したシーケンス図である。
【図５】スピンコート法による塗布液の基板への塗布状態を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４３】
１    塗布液吐出ヘッドＡ
２    塗布液吐出ヘッドＢ
３    半導体ウエハ
４    スピンチャック
５    スキャンアーム
６    コータカップ
７    ドレイン
８    駆動モータ
９    塗布液吐出ポンプＡ
１０    塗布液吐出ポンプＢ
１１    低粘度塗布液
１２    高粘度塗布液
【図１】
2009049145.tif 000003
【図２】
2009049145.tif 000004
【図３】
2009049145.tif 000005
【図４】
2009049145.tif 000006
【図５】
2009049145.tif 000007