(57)【要約】【課題】  アクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子において、シール材の内側において複数の画素電極の配置領域からなり画像を表示する表示領域の周囲の表示領域周辺領域のギャップを一定に維持する。【解決手段】  表示領域では、表面凸凹膜２１の上面に透過用画素電極５が設けられ、その上の左側に反射用画素電極６が設けられ、その上に柱状スペーサ２３が設けられている。柱状スペーサ２３の上面は、対向電極３３の下面に設けられた平坦化膜３４の下面に当接されている。表示領域周辺領域には、表示領域における柱状スペーサ２３の部分と同一の構造の柱状スペーサ４７の部分が設けられている。これにより、表示領域周辺領域のギャップを一定に維持することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板が枠状のシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両基板間に液晶が封入された液晶表示素子において、前記シール材の内側において複数の画素電極の配置領域からなり画像を表示する表示領域に表示領域用柱状スペーサが設けられ、前記シール材の内側において前記表示領域の周囲の表示領域周辺領域に周辺領域用柱状スペーサが設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記画素電極は、前記２枚の基板のうちの一方の基板の内面側に設けられた透過用画素電極と反射用画素電極とからなり、前記透過用画素電極は、前記反射用画素電極に隣接する領域に設けられた第１の画素電極部と、前記反射用画素電極下に設けられた第２の画素電極部とを有することを特徴とする液晶表示素子。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記透過用画素電極下に表示領域用表面凸凹膜が設けられ、前記透過用画素電極は前記表示領域用表面凸凹膜の表面凸凹に追従して凸凹状に形成され、前記反射用画素電極は前記透過用画素電極の表面凸凹に追従して凸凹状に形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記表示領域用柱状スペーサは、前記反射用画素電極と前記２枚の基板のうちの他方の基板の内面側に設けられた表示領域用平坦化膜との間に設けられ、前記周辺領域用柱状スペーサは、前記一方の基板の内面側に設けられた周辺領域用表面凸凹膜およびダミー透過用画素電極上に設けられたダミー反射用画素電極と前記他方の基板の内面側に設けられた周辺領域用平坦化膜との間に設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記シール材の外側において、前記一方の基板の内面側に設けられた外部用表面凸凹膜およびダミー透過用画素電極上に設けられたダミー反射用画素電極と前記他方の基板の内面側に設けられた外部用平坦化膜との間に外部用柱状スペーサが設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項６】
請求項４または５に記載の発明において、前記シール材およびその両側に対応する部分における前記他方の基板の内面側に遮光膜が設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項７】
請求項２に記載の発明において、前記透過用画素電極のうちの前記第２の画素電極部下にのみ表面凸凹膜が設けられ、前記第２の画素電極部は前記表面凸凹膜の表面凸凹に追従して凸凹状に形成され、前記反射用画素電極は前記第２の画素電極部の表面凸凹に追従して凸凹状に形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記表示領域用柱状スペーサは、前記反射用画素電極と前記２枚の基板のうちの他方の基板の内面側との間に設けられ、前記周辺領域用柱状スペーサは、前記一方の基板の内面側に設けられた周辺領域用表面凸凹膜およびダミー透過用画素電極上に設けられたダミー反射用画素電極と前記他方の基板の内面側との間に設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記シール材の外側において、前記一方の基板の内面側に設けられた外部用表面凸凹膜およびダミー透過用画素電極上に設けられたダミー反射用画素電極と前記他方の基板の内面側に設けられた外部用平坦化膜との間に外部用柱状スペーサが設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の発明において、前記シール材およびその両側に対応する部分における前記他方の基板の内面側に遮光膜が設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項１１】
請求項１に記載の発明において、前記シール材中に球状または円柱状のシールスペーサが混入されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、前記シールスペーサは無機材料からなることを特徴とする液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、一般的に、２枚の基板がほぼ方形枠状のシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両基板間に液晶が封入された構造となっている。従来のこのような液晶表示素子には、液晶層の厚さ（ギャップ）を規制するために用いるスペーサの配置位置を所望の位置とするために、アクリル系樹脂等からなる柱状スペーサを１画素電極ごとに１個ずつ配置したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−９８８７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の液晶表示素子では、柱状スペーサを１画素電極ごとに１個ずつ配置しているだけであり、シール材の内側において複数の画素電極の配置領域からなり画像を表示する表示領域の周囲の表示領域周辺領域のギャップを一定に維持することは非常に困難である。この結果、表示領域周辺領域のすぐ内側における表示領域の外周部においてギャップムラが発生し、このギャップムラが発生した表示領域の外周部において表示ムラが発生することがあるという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は、シール材の内側において複数の画素電極の配置領域からなり画像を表示する表示領域の周囲の表示領域周辺領域のギャップを一定に維持することができる液晶表示素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、２枚の基板が枠状のシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両基板間に液晶が封入された液晶表示素子において、前記シール材の内側において複数の画素電極の配置領域からなり画像を表示する表示領域に表示領域用柱状スペーサが設けられ、前記シール材の内側において前記表示領域の周囲の表示領域周辺領域に周辺領域用柱状スペーサが設けられていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記画素電極は、前記２枚の基板のうちの一方の基板の内面側に設けられた透過用画素電極と反射用画素電極とからなり、前記透過用画素電極は、前記反射用画素電極に隣接する領域に設けられた第１の画素電極部と、前記反射用画素電極下に設けられた第２の画素電極部とを有することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記透過用画素電極下に表示領域用表面凸凹膜が設けられ、前記透過用画素電極は前記表示領域用表面凸凹膜の表面凸凹に追従して凸凹状に形成され、前記反射用画素電極は前記透過用画素電極の表面凸凹に追従して凸凹状に形成されていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記表示領域用柱状スペーサは、前記反射用画素電極と前記２枚の基板のうちの他方の基板の内面側に設けられた表示領域用平坦化膜との間に設けられ、前記周辺領域用柱状スペーサは、前記一方の基板の内面側に設けられた周辺領域用表面凸凹膜およびダミー透過用画素電極上に設けられたダミー反射用画素電極と前記他方の基板の内面側に設けられた周辺領域用平坦化膜との間に設けられていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記シール材の外側において、前記一方の基板の内面側に設けられた外部用表面凸凹膜およびダミー透過用画素電極上に設けられたダミー反射用画素電極と前記他方の基板の内面側に設けられた外部用平坦化膜との間に外部用柱状スペーサが設けられていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項４または５に記載の発明において、前記シール材およびその両側に対応する部分における前記他方の基板の内面側に遮光膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記透過用画素電極のうちの前記第２の画素電極部下にのみ表面凸凹膜が設けられ、前記第２の画素電極部は前記表面凸凹膜の表面凸凹に追従して凸凹状に形成され、前記反射用画素電極は前記第２の画素電極部の表面凸凹に追従して凸凹状に形成されていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記表示領域用柱状スペーサは、前記反射用画素電極と前記２枚の基板のうちの他方の基板の内面側との間に設けられ、前記周辺領域用柱状スペーサは、前記一方の基板の内面側に設けられた周辺領域用表面凸凹膜およびダミー透過用画素電極上に設けられたダミー反射用画素電極と前記他方の基板の内面側との間に設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記シール材の外側において、前記一方の基板の内面側に設けられた外部用表面凸凹膜およびダミー透過用画素電極上に設けられたダミー反射用画素電極と前記他方の基板の内面側に設けられた外部用平坦化膜との間に外部用柱状スペーサが設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項８または９に記載の発明において、前記シール材およびその両側に対応する部分における前記他方の基板の内面側に遮光膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記シール材中に球状または円柱状のシールスペーサが混入されていることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の発明において、前記シールスペーサは無機材料からなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、シール材の内側において複数の画素電極の配置領域からなり画像を表示する表示領域に表示領域用柱状スペーサを設け、シール材の内側において表示領域の周囲の表示領域周辺領域に周辺領域用柱状スペーサを設けているので、表示領域はもちろんのこと、表示領域周辺領域のギャップを一定に維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子の要部の断面図を示し、図２はそのうちの薄膜トランジスタ基板側の一部の透過平面図を示す。この場合、図１の左側の部分は図２のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する断面図である。この液晶表示素子は、ガラス基板等からなる薄膜トランジスタ基板１および対向基板３１を備えている。
【０００９】
まず、図２を参照して、薄膜トランジスタ基板１側について説明する。薄膜トランジスタ基板１の上面側（対向基板３１と対向する内面側）には走査ライン２およびデータライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４、透過用画素電極５および反射用画素電極６が設けられ、さらにほぼ格子状の補助容量電極７が走査ライン２およびデータライン３と平行して設けられている。ここで、図２を明確にする目的で、透過用画素電極５の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。
【００１０】
この場合、透過用画素電極５の四辺部は、その周囲に配置されたほぼ格子状の補助容量電極７と重ね合わされている。透過用画素電極５の右半分は第１の画素電極部５ａとなっており、左半分は第２の画素電極部５ｂとなっている。第１の画素電極部５ａは、反射用画素電極６の左側に隣接して配置されている。第２の画素電極部５ｂは、第２の画素電極部５ｂと同じサイズの反射用画素電極６の下側に配置されている。
【００１１】
これにより、透過用画素電極５のうち、反射用画素電極６形成領域および補助容量電極７形成領域を除く領域が実質的な透過用画素領域となっている。すなわち、第１の画素電極部５ａのうち、補助容量電極７形成領域を除く領域が実質的な透過用画素領域となっている。反射用画素電極６に対応する領域は、反射用画素領域となっている。
【００１２】
補助容量電極７は、ほぼ格子状であり、データライン３と重ね合わされた第１の補助容量電極部７ａと、走査ライン２と重ね合わされた第２の補助容量電極部７ｂと、薄膜トランジスタ４と重ね合わされた第３の補助容量電極部７ｃとからなっている。この場合、第１の補助容量電極７ａの幅はデータライン３の幅よりもある程度大きくなっている。第２の補助容量電極７ｂの幅は走査ライン２の幅よりもある程度大きくなっている。
【００１３】
第３の補助容量電極７ｃおよび反射用画素電極６は、薄膜トランジスタ４を覆うように設けられている。これにより、薄膜トランジスタ４への外光の入射を確実に防止するようになっている。また、ほぼ格子状の補助容量電極７および反射用画素電極６で透過用画素電極５の実質的な透過用画素領域以外を覆っているので、後述する対向基板３１の表示領域に対応する領域に光漏れ防止用のブラックマスクを設ける必要はなく、開口率を大きくすることができる。
【００１４】
次に、この液晶表示素子の具体的な構造について、まず、図１の左側の部分を参照して説明する。薄膜トランジスタ基板１の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなるゲート電極１１を含む走査ライン２（図２参照）が設けられている。ゲート電極１１および走査ライン２を含む薄膜トランジスタ基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２が設けられている。
【００１５】
ゲート電極１１上におけるゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１３が設けられている。ゲート電極１１上における半導体薄膜１３の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネル保護膜１４が設けられている。チャネル保護膜１４の上面両側およびその両側における半導体薄膜１３の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１５、１６が設けられている。オーミックコンタクト層１５、１６の上面にはクロムやモリブデン等からなるソース電極１７およびドレイン電極１８が設けられている。
【００１６】
そして、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタクト層１５、１６、ソース電極１７およびドレイン電極１８により、薄膜トランジスタ４が構成されている。
【００１７】
ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはデータライン３が設けられている。この場合、データライン３は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ、クロムやモリブデン等からなる金属膜３ｃの３層構造となっている。そして、真性アモルファスシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂおよび金属膜３ｃは、ドレイン電極１８形成領域における半導体薄膜１３、オーミックコンタクト層１６およびドレイン電極１８に接続されている。
【００１８】
薄膜トランジスタ４およびデータライン３を含むゲート絶縁膜１２の上面には窒化シリコンからなる層間絶縁膜１９が設けられている。層間絶縁膜１９の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなる補助容量電極７が設けられている。補助容量電極７を含む層間絶縁膜１９の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜２０が設けられている。
【００１９】
オーバーコート膜２０の上面の表示領域における透過用画素電極５形成領域にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる表示領域用表面凸凹膜２１が設けられている。ここで、表示領域とは、それぞれ複数の透過用画素電極５および反射用画素電極６の配置領域からなり、画像を表示する領域のことである。ソース電極１７上における表示領域用表面凸凹膜２１、オーバーコート膜２０および層間絶縁膜１９にはコンタクトホール２２が設けられている。
【００２０】
表示領域用表面凸凹膜２１の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有するＩＴＯ等の透明導電材料からなる透過用画素電極５がコンタクトホール２２を介してソース電極１７に接続されて設けられている。透過用画素電極５の左半分の上面にはアルミニウム、アルミニウム合金、銀等の高反射性材料からなる反射用画素電極６が設けられている。反射用画素電極６の上面の所定の箇所にはアクリル系樹脂等からなる表示領域用柱状スペーサ２３が設けられている。
【００２１】
ここで、表面を凸凹とされた表示領域用表面凸凹膜２１の形成方法の一例について説明する。まず、表面を凸凹とされた型の凸凹表面に、印刷法、スピンコート法、ダイコート法等により、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる表面凸凹膜形成用膜をその上面が平坦となるように形成する。次に、型の上下を反転して、表面凸凹膜形成用膜を、図１に示すオーバーコート膜２０の上面に転写する。次に、この転写された表面凸凹膜形成用膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすると、図２に示すように、オーバーコート膜２０の上面の透過用画素電極５形成領域に表示領域用表面凸凹膜２１が形成される。
【００２２】
なお、図１では表示領域用表面凸凹膜２１の表面の凹凸は、水平面に対する傾斜角度が４５°として図示されているが、これは図示の都合によるもので、実際には、液晶表示素子に入射された光が、垂直方向に反射されるようにするためには、水平面に対する傾斜角度が５〜２０°程度のものが多く含まれるようにすることが望ましい。
【００２３】
一方、対向基板３１の下面（薄膜トランジスタ１と対向する側の内面）には樹脂からなる赤、緑、青のカラーフィルタ３２が設けられている。カラーフィルタ３２の下面にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極３３が設けられている。反射用画素電極６に対応する部分における対向電極３３の下面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる表示領域用平坦化膜３４が設けられている。
【００２４】
そして、薄膜トランジスタ基板１と対向基板３１とは、図１の右側に示すように、シリカガラスやグラスファイバ等の無機材料からなる球状または円柱状のシールスペーサ４１が混入されたエポキシ系樹脂等からなるほぼ方形枠状のシール材４２を介して互いに貼り合わされている。シール材４２の内側における両基板１、３１間には液晶４３が封入されている。
【００２５】
この場合、図１の右側に示すように、シール材４２の内側におけるオーバーコート膜２０の上面において表示領域の周囲の表示領域周辺領域には、表示領域用表面凸凹膜２１の形成と同時に形成された周辺領域用表面凸凹膜４４が設けられている。周辺領域用表面凸凹膜４４の凸凹表面には、透過用画素電極５の形成と同時に形成されたダミー透過用画素電極４５が設けられている。ダミー透過用画素電極４５の上面には、反射用画素電極６の形成と同時に形成されたダミー反射用画素電極４６が設けられている。ダミー反射用画素電極４６の上面には、表示領域用柱状スペーサ２３の形成と同時に形成された周辺領域用柱状スペーサ４７が設けられている。
【００２６】
一方、シール材４２およびその両側における対向基板３１の下面には黒色の樹脂からなる遮光膜４８が設けられている。遮光膜４８の下面には対向電極３３が設けられている。シール材４２の内側における対向電極３３の下面には、表示領域用平坦化膜３４の形成と同時に形成された周辺領域用平坦化膜４９が設けられている。
【００２７】
シール材４２の外側には、周辺領域用柱状スペーサ４７の部分と同様の構造のものが設けられている。すなわち、オーバーコート膜２０の上面には外部用表面凸凹膜５１が設けられている。外部用表面凸凹膜５１の凸凹表面にはダミー透過用画素電極５２が設けられている。ダミー透過用画素電極５２の上面にはダミー反射用画素電極５３が設けられている。ダミー反射用画素電極５３の上面には外部用柱状スペーサ５４が設けられている。対向電極３２の下面には外部用平坦化膜５５が設けられている。
【００２８】
そして、薄膜トランジスタ基板１と対向基板３１とをシールスペーサ４１が混入されたシール材４２を介して互いに貼り合わせた状態では、各柱状スペーサ２３、４７、５４の上面は各平坦化膜３４、４９、５５の下面に当接されている。この状態では、シリカガラスやグラスファイバ等の無機材料からなる球状または円柱状のシールスペーサ４１が薄膜トランジスタ基板１のオーバーコート膜２０と対向基板３１の対向電極３２との間にほとんど変形することなく介在されていることにより、オーバーコート膜２０と対向電極３２との間の間隔が一定に維持されている。
【００２９】
そして、表示領域用柱状スペーサ２３は、反射用画素電極６の部分におけるオーバーコート膜２０と対向電極３２との間の間隔がシールスペーサ４１による間隔と同じとなるようするためのものである。周辺領域用柱状スペーサ４７は、シール材４２の内側におけるオーバーコート膜２０と対向電極３２との間の間隔がシールスペーサ４１による間隔と同じとなるようするためのものである。外部用柱状スペーサ５４は、シール材４２の外側におけるオーバーコート膜２０と対向電極３２との間の間隔がシールスペーサ４１による間隔と同じとなるようするためのものである。
【００３０】
以上のように、この液晶表示素子では、シール材４２の内側において表示領域の周囲の表示領域周辺領域に周辺領域用柱状スペーサ４７を設けているので、シール材４２の内側において表示領域の周囲の表示領域周辺領域のギャップを一定に維持することができる。この結果、シール材４２の内側の表示領域周辺領域のすぐ内側における表示領域の外周部においてギャップムラに起因する表示ムラが発生しないようにすることができる。
【００３１】
次に、上記構成の液晶表示素子の動作について説明する。まず、上記構成の液晶表示素子を透過型として使用する場合には、薄膜トランジスタ基板１の下面側に配置されたバックライト（図示せず）を点灯させると、バックライトからの光が薄膜トランジスタ基板１、ゲート絶縁膜１２、層間絶縁膜１９、オーバーコート膜２０、表示領域用表面凸凹膜２１、透過用画素電極５のうちの実質的な透過用画素領域、液晶４３、対向電極３３、カラーフィルタ３２および対向基板３１を透過して対向基板３１の上面側に出射され、これにより表示を行なう。
【００３２】
一方、上記構成の液晶表示素子を反射型として使用する場合には、バックライトを点灯させず、対向基板３１の上面側から入射された外光が対向基板３１、カラーフィルタ３２、対向電極３３、表示領域用平坦化膜３４、表示領域用柱状スペーサ２３および液晶４３を透過して反射用画素電極６で反射され、この反射光が上記とは逆の光路を経て対向基板３１の上面側に出射され、これにより表示を行なう。
【００３３】
この場合、反射用画素電極６は、表示領域用表面凸凹膜２１の凸凹表面に追従する凸凹表面を有するように形成されているため、この凸凹表面で光散乱反射機能が発揮される。また、表示領域用平坦化膜３４の膜厚により、表示領域用平坦化膜３４と反射用画素電極６との間のギャップが対向電極３３と透過用画素電極５との間のギャップの約１／２となるようにしておくと、反射率および透過率が共に最適となるマルチギャップ構造とすることができる。
【００３４】
ところで、上記構成の液晶表示素子を透過型および反射型として使用するいずれの場合においても、シール材４２およびその両側の部分において、対向基板３１の上面側から入射された外光が遮光膜４８によって遮光されるため、該外光がダミー反射用画素電極４６、５４で反射されることがなく、コントラストが低下しないようにすることができる。
【００３５】
（第２実施形態）
図３はこの発明の第２実施形態としての液晶表示素子の図１同様の断面図を示す。この液晶表示素子において、図１に示す液晶表示素子と異なる点は、透過用画素電極５のうちの第２の画素電極部５ｂ下にのみ表示領域用表面凸凹膜２１を設け、透過用画素電極５の第１の画素電極部５ａをオーバーコート膜２０の上面に設け、平坦化膜３４、４９、５５を省略し、柱状スペーサ２３、４７、５４を反射用画素電極６およびダミー反射用画素電極４６、５３と対向電極３３との間に設けた点である。
【００３６】
この場合、表示領域用表面凸凹膜２１、透過用画素電極５および反射用画素電極６の合計膜厚により、反射用画素電極６と対向電極３３との間のギャップが透過用画素電極５の第１の画素電極部５ａと対向電極３３との間のギャップの約１／２となるようにしておくと、反射率および透過率が共に最適となるマルチギャップ構造とすることができる。
【００３７】
（第３実施形態）
図４はこの発明の第３実施形態としての液晶表示素子の図１同様の断面図を示す。この液晶表示素子において、図１に示す液晶表示素子と異なる点は、すべての表示領域用表面凸凹膜２１とすべての周辺領域用表面凸凹膜４４とを連続したものとした点である。
【００３８】
（その他の実施形態）
シールスペーサ４１の材料は無機材料に限らず、樹脂等の有機材料であってもよい。また、上記各実施形態において、周辺領域用柱状スペーサ４７の部分のみであるいは周辺領域用柱状スペーサ４７の部分および外部用柱状スペーサ５４の部分のみでシール材４２の部分におけるギャップを一定に維持することができるならば、シールスペーサ４１を省略してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の第１実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子の要部の断面図。
【図２】図１に示す液晶表示素子における薄膜トランジスタ基板側の一部の透過平面図。
【図３】この発明の第２実施形態としての液晶表示素子の図１同様の断面図。
【図４】この発明の第３実施形態としての液晶表示素子の図１同様の断面図。
【符号の説明】
【００４０】
１  薄膜トランジスタ基板
４  薄膜トランジスタ
５  透過用画素電極
５ａ  第１の画素電極部
５ｂ  第２の画素電極部
６  反射用画素電極
７  補助容量電極
１２  ゲート絶縁膜
１９  層間絶縁膜
２０  オーバーコート膜
２１  表示領域用表面凸凹膜
２３  表示領域用柱状スペーサ
３１  対向基板
３２  カラーフィルタ
３３  対向電極
３４  表示領域用平坦化膜
４１  シールスペーサ
４２  シール材
４３  液晶
４４  周辺領域用表面凸凹膜
４５  ダミー透過用画素電極
４６  ダミー反射用画素電極
４７  周辺領域用柱状スペーサ
４８  遮光膜
４９  周辺領域用平坦化膜
５１  外部用表面凸凹膜
５２  ダミー透過用画素電極
５３  ダミー反射用画素電極
５４  外部用柱状スペーサ
５５  外部用平坦化膜
【図１】
2009157295.tif 000003
【図２】
2009157295.tif 000004
【図３】
2009157295.tif 000005
【図４】
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