(57)【要約】【課題】電極間の導通性を向上させ、発光輝度のバラツキを抑えることができる有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置１１の製造方法は、まず、第２層間絶縁膜３７上にアルミニウム等からなる画素電極２４及び下地電極５５を形成する。次に、画素電極２４の周囲に隔壁５１を形成する。その後、隔壁５１における下地電極５５上にコンタクトホールを形成する。次に、コンタクトホールの中に、無電解めっきでＮｉ（ニッケル）を析出させて陰極コンタクト電極５６を形成する。次に、画素電極２４上に機能層（有機層）２６を形成し、機能層２６上及び隔壁５１上を含む基板全体を覆うように、ＩＴＯからなる陰極２５を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された画素電極と、
前記画素電極の周囲に形成された隔壁と、
前記画素電極上の前記隔壁に囲まれた領域に形成された発光層と、
前記発光層上及び前記隔壁上を覆うように形成された共通電極と、
前記隔壁の下側に形成された共通陰極配線と前記共通電極とを電気的に接続するコンタクト電極と、を有し、
前記コンタクト電極は、無電解めっきで形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記コンタクト電極は、前記画素電極の周囲を囲むように形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記共通陰極配線と前記コンタクト電極との間に電気的に接続されて配置されていると共に、前記コンタクト電極の形状に沿ってアルミ電極が形成されており、
前記コンタクト電極は、前記アルミ電極上に無電解Ｎｉめっきで形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記コンタクト電極は、前記無電解Ｎｉめっき及び置換Ａｕめっきで形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
基板上に画素電極を形成する工程と、
前記画素電極を囲むように前記基板上に隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の下側に形成された共通陰極配線と共通電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを前記隔壁に形成する工程と、
前記コンタクトホールの中に無電解めっきで金属を析出させてコンタクト電極を形成する工程と、
前記画素電極上の前記隔壁に囲まれた領域に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁を含む前記基板上の全体を覆うように前記共通電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記コンタクトホールを形成する工程は、前記隔壁における前記画素電極の周囲を囲むように形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記コンタクト電極を形成する工程の前に、前記コンタクト電極と前記共通陰極配線とを電気的に接続するアルミ電極を形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記コンタクト電極を形成する工程は、無電解Ｎｉめっきで形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記コンタクト電極を形成する工程は、前記無電解Ｎｉめっき及び置換Ａｕめっきで形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素電極とベタ状の共通電極とによって発光層が挟持された有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した有機ＥＬ装置は、画素電極と共通電極との間に発光層が挟持された構造となっており、画素電極と共通電極とに電圧を印加することにより発光層が発光する。画素電極は、画素毎に形成されている。共通電極は、複数の画素で共有することが可能なベタ状に形成されている。
【０００３】
詳述すると、画素電極には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）を通じて駆動電流が流れる。一方、共通電極には、ベタ状に形成された共通電極の電圧降下によって発光輝度にバラツキが生じることから、電圧降下を抑えるべく、共通電極と接続された共通陰極配線を通じて駆動電流が供給される。共通電極と共通陰極配線とは、例えば、特許文献１に記載のように、異なる層に形成されており、コンタクト電極を通じて互いが電気的に接続されている。
【０００４】
有機ＥＬ装置の製造方法は、まず、共通陰極配線上に、画素電極を区画すると共に、フォトマスクと基板との間に所望の間隙を形成するための隔壁を形成する。次に、共通陰極配線と共通電極とを接続するためのコンタクトホールを隔壁内に形成する。その後、コンタクトホール内を含む基板上の全体にベタ状の共通電極を形成する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１５８４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機ＥＬ装置がトップエミッション方式の場合、共通電極を薄く形成することから（例えば、１０ｎｍ）、コンタクトホールの中で共通電極の膜が繋がりにくく断線する場合がある。更に、コンタクトホールが高さのある隔壁に形成されているので、膜が断線しやすい傾向にある。これにより、共通電極と共通陰極配線との導通性が悪く、画素領域全体が均一に発光できないという問題がある。また、コンタクトホールの中にスパッタ法などによって金属膜を形成する場合、導通性が向上できるものの、成膜に時間がかかるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上に形成された画素電極と、前記画素電極の周囲に形成された隔壁と、前記画素電極上の前記隔壁に囲まれた領域に形成された発光層と、前記発光層上及び前記隔壁上を覆うように形成された共通電極と、前記隔壁の下側に形成された共通陰極配線と前記共通電極とを電気的に接続するコンタクト電極と、を有し、前記コンタクト電極は、無電解めっきで形成されていることを特徴とする。
【０００９】
この構造によれば、共通電極と共通陰極配線とを電気的に接続するコンタクト電極を、無電解めっきで形成するので、隔壁に形成されたコンタクトホールの中をスパッタ法等と比較して早く金属で埋めることができる。また、コンタクトホールの中を無電解めっきで金属を析出させて埋めるので、コンタクト電極が断線することを抑えることが可能となり、導通性を向上させることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。また、無電解めっきでコンタクト電極を形成するので、コンタクト電極の高さのバラツキを少なくすることができる。よって、共通電極と確実にコンタクトを取ることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記コンタクト電極は、前記画素電極の周囲を囲むように形成されていることが好ましい。
【００１１】
この構造によれば、画素電極の周囲に亘ってコンタクト電極を形成するので、コンタクト電極と共通電極とを幅広い領域で接触させることができる。よって、ベタ状の共通電極に起因して電圧が降下することを抑えることが可能となる。その結果、発光輝度にバラツキが生じることを抑えることができる。更に、画素電極がコンタクト電極に囲まれていることにより、透過性の隔壁を用いた場合でも、同じ発光領域内に光を反射させることが可能となり、隣の発光領域へ光が漏れることを防ぐことができる。これにより、発光領域間において発光光を干渉させないようにすることが可能となる。その結果、遮光性の隔壁と比較して光の利用効率を高めることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記共通陰極配線と前記コンタクト電極との間に電気的に接続されて配置されていると共に、前記コンタクト電極の形状に沿ってアルミ電極が形成されており、前記コンタクト電極は、前記アルミ電極上に無電解Ｎｉめっきで形成されていることが好ましい。
【００１３】
この構造によれば、アルミ電極が形成されていることにより、無電解めっきによってアルミ電極上にＮｉ（ニッケル）を析出させることが可能となる。これにより、アルミ電極の形状に沿ってＮｉからなるコンタクト電極を形成することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記コンタクト電極は、前記無電解Ｎｉめっき及び置換Ａｕめっきで形成されていることが好ましい。
【００１５】
この構造によれば、無電解Ｎｉめっき及び置換Ａｕ（金）めっきでコンタクト電極が形成されているので、Ａｕによって析出させたＮｉめっきの表面が酸化することを抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に画素電極を形成する工程と、前記画素電極を囲むように前記基板上に隔壁を形成する工程と、前記隔壁の下側に形成された共通陰極配線と共通電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを前記隔壁に形成する工程と、前記コンタクトホールの中に無電解めっきで金属を析出させてコンタクト電極を形成する工程と、前記画素電極上の前記隔壁に囲まれた領域に発光層を形成する工程と、前記発光層及び前記隔壁を含む前記基板上の全体を覆うように前記共通電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
この方法によれば、共通電極と共通陰極配線とを電気的に接続するコンタクト電極を、無電解めっきで形成するので、コンタクトホールの中をスパッタ法等と比較して早く金属で埋めることができる。また、コンタクトホールの中を無電解めっきで金属を析出させて埋めるので、コンタクト電極が断線することを抑えることが可能となり、導通性を向上させることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。また、無電解めっきでコンタクト電極を形成するので、コンタクト電極の高さのバラツキを少なくすることができる。よって、共通電極と確実にコンタクトを取ることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記コンタクトホールを形成する工程は、前記隔壁における前記画素電極の周囲を囲むように形成することが好ましい。
【００１９】
この方法によれば、画素電極の周囲に亘ってコンタクトホールを形成するので、画素電極の周囲を囲んだ状態のコンタクト電極を形成することが可能となる。よって、コンタクト電極と共通電極とを幅広い領域で接触させることができ、ベタ状の共通電極に起因して電圧が降下することを抑えることが可能となる。その結果、発光輝度にバラツキが生じることを抑えることができる。更に、画素電極がコンタクト電極に囲まれていることにより、透過性の隔壁を用いた場合でも、同じ発光領域内に光を反射させることが可能となり、隣の発光領域へ光が漏れることを防ぐことができる。これにより、発光領域間において発光光を干渉させないようにすることが可能となる。その結果、遮光性の隔壁と比較して光の利用効率を高めることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記コンタクト電極を形成する工程の前に、前記コンタクト電極と前記共通陰極配線とを電気的に接続するアルミ電極を形成する工程を有することが好ましい。
【００２１】
この方法によれば、コンタクト電極を形成する前にアルミ電極を形成しておくので、無電解めっきによってアルミ電極上に金属を析出させることが可能となり、アルミ電極の形状に沿ってコンタクト電極のみを形成することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記コンタクト電極を形成する工程は、無電解Ｎｉめっきで形成することが好ましい。
【００２３】
この方法によれば、無電解めっきによって、例えば、アルミ電極上にＮｉ（ニッケル）を析出させることが可能となる。これにより、アルミ電極の形状に沿ってＮｉからなるコンタクト電極を形成することができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記コンタクト電極を形成する工程は、前記無電解Ｎｉめっき及び置換Ａｕめっきで形成することが好ましい。
【００２５】
この方法によれば、無電解Ｎｉめっき及び置換Ａｕ（金）めっきでコンタクト電極を形成するので、Ａｕによって析出させたＮｉめっきの表面が酸化することを抑えることができる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記した有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。
【００２７】
この構造によれば、共通電極と共通陰極配線との導通性を向上させて、高品位な表示を行うことが可能な電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１実施形態）
図１は、有機ＥＬ装置の構造を模式的に示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００２９】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３には、データ側駆動回路１５が接続されている。また、走査線１２には、走査側駆動回路１６が接続されている。
【００３０】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用ＴＦＴ２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む画素電極２４と、共通電極としての陰極２５と、この画素電極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００３１】
有機ＥＬ装置１１は、画素電極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光部２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光部２７で構成される発光表示領域を備えている。
【００３２】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオンになると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３のチャネルを介して、電源線１４から画素電極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３３】
図２は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図２を参照しながら説明する。なお、各構成要素は、断面的な位置関係を示すものであり、相対関係は度外視されている。
【００３４】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域３１において発光が行われるものであり、基板３２と、基板３２上に形成された回路素子層３３と、回路素子層３３上に形成された発光素子層３４と、発光素子層３４上に形成された陰極２５とを有する。基板３２としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等が挙げられる。また、図２に示す有機ＥＬ装置１１は、例えば、発光層４８から発した光が陰極２５側に射出されるトップエミッション方式である。
【００３５】
回路素子層３３は、基板３２上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜３５が形成され、下地保護膜３５上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子４１が形成されている。
【００３６】
詳しくは、下地保護膜３５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４２が形成されている。半導体膜４２には、ソース領域４３及びドレイン領域４４が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域４５となっている。
【００３７】
更に、回路素子層３３には、下地保護膜３５及び半導体膜４２を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜４６が形成されている。ゲート絶縁膜４６上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極４７が形成されている。ゲート絶縁膜４６及びゲート電極４７上には、透明な第１層間絶縁膜３６及び第２層間絶縁膜３７が形成されている。第１層間絶縁膜３６及び第２層間絶縁膜３７は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極４７は、半導体膜４２のチャネル領域４５に対応する位置に設けられている。
【００３８】
半導体膜４２のソース領域４３は、ゲート絶縁膜４６及び第１層間絶縁膜３６を貫通して設けられたコンタクトホール３８を介して、第１層間絶縁膜３６上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４４は、ゲート絶縁膜４６、第１層間絶縁膜３６、第２層間絶縁膜３７を貫通して設けられたコンタクトホール３９を介して、第２層間絶縁膜３７上に形成された画素電極２４と電気的に接続されている（図では、ゲート絶縁膜４６の貫通の図示を省略）。
【００３９】
画素電極２４は、発光領域３１（サブ画素）ごとに形成されている。また、画素電極２４は、例えば、アルミニウム、銀等の光反射性の高い金属で構成されている。これにより、上方の陰極２５側に効率よく射出させるようになっている。また、画素電極２４は、例えば、平面視で略矩形の形状となっている。なお、回路素子層３３には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスタが形成されている。このようにして、回路素子層３３には、各画素電極２４に接続された駆動用のトランジスタが形成されている。
【００４０】
上記した画素電極２４を含む発光素子層３４は、マトリックス状に配置された発光素子を具備して基板３２上に形成されている。詳述すると、発光素子層３４は、画素電極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６を区画する隔壁５１とを主体として構成されている。機能層２６上及び隔壁５１上には、陰極２５が配置されている。画素電極２４と、機能層２６と、陰極２５とによって有機ＥＬ素子５２が構成されている。
【００４１】
回路素子層３３と隔壁５１との間には、絶縁層５３が形成されている。絶縁層５３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。絶縁層５３は、隣り合う画素電極２４間の絶縁性を確保するために、画素電極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、画素電極２４と絶縁層５３とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。また、絶縁層５３は、発光領域３１を除いた領域に形成されていることになる。
【００４２】
隔壁５１は、例えば、断面に見て傾斜面を有する台形状に形成されている。隔壁５１は、例えば、発光層４８を真空蒸着法を用いて形成する際、フォトマスク（図示せず）が基板と直接接しないようにするために用いられる。絶縁層５３と隔壁５１とは、回路素子層３３上に、例えば、格子状に形成されており、発光領域３１を区画している。
【００４３】
機能層２６は、例えば、正孔注入輸送層６１と、発光層４８と、電子注入輸送層６２とが順に積層されており、これらが隔壁５１に囲まれた領域、すなわち開口部５４に形成されている。正孔注入輸送層６１は、正孔注入層６１ａと正孔輸送層６１ｂとが積層されて構成されている。電子注入輸送層６２は、電子輸送層６２ａと電子注入層６２ｂとが積層されて構成されている。
【００４４】
発光層４８は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質（有機物）の層である。画素電極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層４８には、正孔注入輸送層６１から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層４８において、正孔と電子とが結合したときに光を発する。
【００４５】
陰極２５は、電子注入輸送層６２及び隔壁５１を覆うようにベタ状に形成されている。言い換えれば、陰極２５は、発光層４８を挟んで画素電極２４の反対側に形成されている。陰極２５は、透光性を有しており、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で構成されている。
【００４６】
隔壁５１の下側には、絶縁層５３に隣接して、金属材料からなる共通陰極配線（図示せず）及びアルミ電極としての下地電極５５が形成されている。共通陰極配線は、ベタ状に形成される陰極２５の電圧降下によって発光輝度にバラツキが生じることを抑えるために用いられる。つまり、陰極２５の抵抗を下げることが可能となっている。
【００４７】
下地電極５５は、一方が共通陰極配線と接続されており、他方が陰極コンタクト電極５６を介して陰極２５と電気的に接続されている。つまり、共通陰極配線と下地電極５５と陰極コンタクト電極５６とによって、電圧降下を抑えるための補助電極を構成する。
【００４８】
陰極２５の上には、水分や酸素の侵入を防ぐための、透明樹脂などからなる封止層（図示せず）が積層されている。封止層は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等からなる。なお、発光素子層３４と陰極２５とによって有機ＥＬ素子５２が構成される。
【００４９】
図３〜図６は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式図である。（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図３〜図６を参照しながら説明する。なお、基板３２から第２層間絶縁膜３７までの各構成要素、又コンタクトホール３８，３９、絶縁層５３などの図示及び説明は省略する。
【００５０】
有機ＥＬ装置１１の製造方法は、図３に示すように、第２層間絶縁膜３７上に画素電極２４、下地電極５５、隔壁５１を形成する。まず、第２層間絶縁膜３７上にアルミニウム等からなる画素電極２４及び下地電極５５を形成する。具体的には、画素電極２４は、サブ画素毎に形成する。また、下地電極５５は、例えば、隣り合う画素電極２４間（隔壁５１内）に形成する。
【００５１】
下地電極５５の膜厚は、例えば、５０ｎｍである。また、下地電極５５及び共通陰極配線（図示せず）は、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成される。隔壁５１の下側に共通陰極配線などがある構造により、発光層４８の前に形成することができる。よって、共通陰極配線などを、プラズマＣＶＤ法を用いて形成したとしても、プラズマによって発光層にダメージを与えることなく、更に、精度よく形成することができる。
【００５２】
次に、画素電極２４の周囲に隔壁５１を形成する。具体的には、まず、画素電極２４、下地電極５５を含む第２層間絶縁膜３７上を覆うように、ＣＶＤ法等を用いて、絶縁層５３（図２参照）の材料となる酸化シリコン（ＳｉＯ2）を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層５３（図３には図示せず）を形成する。
【００５３】
その後、同様の方法を用いて、絶縁層５３上に隔壁５１を形成する。隔壁５１の材料としては、例えば、レジストが挙げられる。以上により、発光領域３１が隔壁５１に囲まれた状態となる。
【００５４】
次に、図４に示すように、隔壁５１に陰極コンタクト電極５６を形成する。まず、隔壁５１における下地電極５５上にコンタクトホール５６ａを形成する。次に、コンタクトホール５６ａの中に陰極コンタクト電極５６を形成する。陰極コンタクト電極５６の製造方法は、無電解めっきでＮｉ（ニッケル）を析出させて形成する。以下、無電解めっきの析出方法を具体的に説明する。
【００５５】
まず、アルミニウムからなる下地電極５５の濡れ性を向上させたり、残渣（残りカス）を除去したりするために、有機ＥＬ装置１１を処理液に浸漬する。処理液は、フッ酸が０．０１％〜０．１０％及び硫酸が０．０１％〜１．００％含有した水溶液である。この処理液に、有機ＥＬ装置１１を１分〜５分浸漬する。なお、０．１％〜１０．０％の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に、１分〜１０分浸漬するようにしてもよい。
【００５６】
次に、有機ＥＬ装置１１を、水酸化ナトリウムベースでｐＨが９〜１３のアルカリ性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分浸漬し、下地電極５５の表面の酸化膜を除去する。又、５％〜３０％硝酸をベースとしたｐＨ１〜３の酸性水溶液を、２０℃〜６０℃に加熱した中に１秒〜５分浸漬するようにしてもよい。
【００５７】
次に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有したｐＨ１１〜１３のジンケート液中に、有機ＥＬ装置１１を１秒〜２分浸漬し、下地電極５５の表面を亜鉛（Ｚｎ）に置換する。
【００５８】
次に、有機ＥＬ装置１１を、５％〜３０％の硝酸水溶液に１秒〜６０秒浸漬し、亜鉛（Ｚｎ）を剥離する。そして再度、有機ＥＬ装置１１をジンケート浴中に１秒〜２分浸漬し、緻密な亜鉛（Ｚｎ）粒子を下地電極５５の表面に析出させる。
【００５９】
次に、有機ＥＬ装置１１を無電解Ｎｉ（ニッケル）めっき浴に浸漬し、下地電極５５上のコンタクトホール５６ａにＮｉめっきからなる陰極コンタクト電極５６を形成する。具体的には、Ｎｉめっきの高さを、１μｍ〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は、次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨが４〜５、浴温が８５℃〜９５℃である。次亜リン酸浴のため、リン（Ｐ）が共析する。
【００６０】
次に、析出させたＮｉめっき表面の酸化防止のために、Ｎｉめっき表面を金（Ａｕ）で置換する。具体的には、有機ＥＬ装置１１を置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉめっき表面をＡｕにする。そしてＡｕを、０．０５μｍ〜０．３０μｍ程度形成する。Ａｕ浴は、シアンフリータイプを用い、ｐＨが６〜８であり、浴温が５０℃〜８０℃である。また、Ａｕ浴の中に１分〜３０分浸漬する。以上により、アルミニウムからなる下地電極５５上にＮｉ−Ａｕが形成される。
【００６１】
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽は、オーバーフロー構造、又は、ＱＤＲ（Quality Durability Reliability）機構であり、最下面からＮ2（窒素ガス）バブリングを行う。
【００６２】
以上のように、隔壁５１に形成されたコンタクトホール５６ａに、無電解めっきで陰極コンタクト電極５６を形成するので、段差の大きい（例えば、２μｍ〜３μｍ）隔壁５１に形成する場合でも、スパッタ法などと比較して早く形成することができる。
【００６３】
次に、図５に示すように、画素電極２４上に機能層（有機層）２６を形成する。具体的には、まず、画素電極２４上に正孔注入輸送層６１を成膜し、正孔注入輸送層６１上に発光層４８を成膜する。次に、発光層４８上に電子注入輸送層６２を成膜する。発光層４８は、例えば、真空蒸着法を用いて成膜する。また、発光層４８は、Ｒ（赤）の発光層材料、Ｇ（緑）の発光層材料、Ｂ（青）の発光層材料を、フォトマスク（図示せず）を介してそれぞれの領域（サブ画素）に塗り分けて形成する。
【００６４】
次に、図６に示すように、機能層２６上及び隔壁５１上を含む基板全体を覆うように、ＩＴＯからなる陰極２５を形成する。その後、陰極２５を覆うように、封止層（図示せず）を形成する。以上により、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００６５】
図７は、有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例として有機ＥＬテレビを示す斜視図である。以下、有機ＥＬ装置を備えた有機ＥＬテレビの構成を、図７を参照しながら説明する。
【００６６】
図７に示すように、有機ＥＬテレビ７１は、本体７２と、表示部７３と、スピーカ７４とを有している。表示部７３は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１によって、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１は、上記した有機ＥＬテレビ７１の他、携帯電話、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００６７】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６８】
（１）本実施形態によれば、陰極２５と共通陰極配線とを電気的に接続する陰極コンタクト電極５６を、無電解めっきで形成するので、スパッタ法等と比較して早く形成することができる。また、コンタクトホール５６ａの中をＮｉめっきで埋めるので、断線することを抑えることが可能となり、導通性を向上させることができる。その結果、有機ＥＬ装置１１の歩留まりを向上させることができる。また、無電解めっきで陰極コンタクト電極５６を形成するので、陰極コンタクト電極５６の高さのバラツキを少なくすることができる。よって、陰極２５と確実にコンタクトを取ることができる。
【００６９】
（２）本実施形態によれば、隔壁５１の中に陰極コンタクト電極５６が配置されると共に、隔壁５１の下側に共通陰極配線を配置する構造なので、発光層４８を形成する前に、プラズマＣＶＤ法を用いて共通陰極配線を形成することができる。よって、隔壁５１上に共通陰極配線を形成する場合と比較して、発光層４８にプラズマによるダメージを与えることを防ぐことができる。更に、プラズマＣＶＤ法を用いて共通陰極配線を形成するので、真空蒸着法を用いて形成する場合と比較して、精度よく形成することができる。
【００７０】
（第２実施形態）
図８は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式図である。（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図である。第２実施形態の有機ＥＬ装置は、画素電極の周囲を囲むように陰極コンタクト電極を設けた部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を、図８を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００７１】
図８に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置８１は、隔壁５１の中において、画素電極２４を囲むように下地電極８２及び陰極コンタクト電極８３が形成されている。言い換えれば、画素電極２４の周方向に亘って下地電極８２及び陰極コンタクト電極８３が形成されている。
【００７２】
下地電極８２は、一方が共通陰極配線と接続されており、他方が陰極コンタクト電極８３を介して陰極２５と電気的に接続されている。
【００７３】
有機ＥＬ装置８１の製造方法としては、まず、第２層間絶縁膜３７上にアルミニウム等からなる画素電極２４及び下地電極８２を形成する。そして、下地電極８２を、画素電極２４の周囲を囲むように形成する。その後、画素電極２４の周囲に、絶縁層５３（図２参照）及び隔壁５１を形成する。
【００７４】
次に、隔壁５１に陰極コンタクト電極８３を形成する。まず、隔壁５１に下地電極８２に沿って溝状のコンタクトホールを形成する。次に、陰極コンタクト電極８３を、上記した無電解めっきでＮｉ（ニッケル）を析出させて形成する。陰極コンタクト電極８３の材料であるＮｉめっきは、下側にアルミニウムからなる下地電極８２が画素電極２４の周方向に亘って形成されていることにより、その形状に沿って析出させることができる。
【００７５】
次に、隔壁５１によって囲まれた領域（発光領域３１、図２参照）に機能層２６を形成する。その後、基板上の全体に亘って陰極２５及び封止層（図示せず）を形成することにより、発光領域３１が陰極コンタクト電極８３に囲まれた構造の有機ＥＬ装置８１が完成する。
【００７６】
以上のように、画素電極２４がＮｉめっきからなる陰極コンタクト電極８３に囲まれていることにより、透過性の樹脂からなる隔壁５１を用いたとしても、隣の発光領域３１へ光が漏れることを防ぐことが可能となり、画素間の発光を干渉させないようにすることができる。
【００７７】
また、隣の画素に光を透過させないので（光漏れを防ぐので）、従来のクロストーク等のように光を無駄にすることなく、効率よく発光させることができる。更に、隔壁５１を透過性の樹脂にしているので、遮光性の隔壁と比較して光の利用効率を高めることができる。
【００７８】
また、多くの面積の陰極コンタクト電極８３が陰極２５と電気的に接続されているので、電圧降下によって発光ムラになることをより抑えることができる。
【００７９】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００８０】
（３）第２実施形態によれば、画素電極２４（発光領域３１）がＮｉめっきからなる陰極コンタクト電極８３に囲まれていることにより、レジストからなる隔壁５１を用いた場合でも、同じ発光領域３１内に光を反射させることが可能となり、隣の発光領域３１へ光が漏れることを防ぐことができる。その結果、画素間の発光を干渉（クロストーク）させないようにすることができる。また、効率よく発光させることができ、遮光性の隔壁と比較して光の利用効率を高めることができる。
【００８１】
（４）第２実施形態によれば、画素電極２４を囲むように陰極コンタクト電極８３が形成されているので、陰極２５に、多くの面積の陰極コンタクト電極８３を電気的に接触させることが可能となる。その結果、抵抗を下げることが可能となり、電圧降下によって発光ムラになることをより抑えることができる。
【００８２】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００８３】
（変形例１）
上記したように、発光層４８を真空蒸着法（低分子）を用いて形成することに限定されず、液滴吐出法（高分子）を用いて形成するようにしてもよい。この場合、隔壁５１によって囲まれた領域に発光層材料である液体を貯留する。これによれば、低分子材料に限定されず、高分子材料で形成される有機ＥＬ装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を模式的に示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図３】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図。
【図７】有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例として有機ＥＬテレビを示す斜視図。
【図８】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図。
【符号の説明】
【００８５】
１１…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…データ側駆動回路、１６…走査側駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…駆動用ＴＦＴ、２４…画素電極、２５…共通電極としての陰極、２６…機能層、２７…発光部、３１…発光領域、３２…基板、３３…回路素子層、３４…発光素子層、３５…下地保護膜、３６…第１層間絶縁膜、３７…第２層間絶縁膜、３８，３９…コンタクトホール、４１…ＴＦＴ素子、４２…半導体膜、４３…ソース領域、４４…ドレイン領域、４５…チャネル領域、４６…ゲート絶縁膜、４７…ゲート電極、４８…発光層、５１…隔壁、５２…有機ＥＬ素子、５３…絶縁層、５４…開口部、５５…アルミ電極としての下地電極、５６…陰極コンタクト電極、５６ａ…コンタクトホール、６１…正孔注入輸送層、６１ａ…正孔注入層、６１ｂ…正孔輸送層、６２…電子注入輸送層、６２ａ…電子輸送層、６２ｂ…電子注入層、７１…有機ＥＬテレビ、７２…本体、７３…表示部、７４…スピーカ、８１…有機ＥＬ装置、８２…下地電極、８３…陰極コンタクト電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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