(57)【要約】【課題】シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができるシリコンウェハの洗浄方法を提供する。【解決手段】マイクロバブル生成装置５０がマイクロバブルを洗浄液内に生成し、スプレーノズル１２にマイクロバブルを含む洗浄液（マイクロバブル含有洗浄液）を圧送し、スプレーノズル１２から洗浄タンク１１内に載置された複数のシリコンウェハＷに均一に噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液を吹き付けてシリコンウェハＷをスプレー洗浄する。また、洗浄液供給装置２３にマイクロバブル含有洗浄液を圧送し、洗浄液供給装置２３から噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液をスクラビングブラシ２２に供給し、一方順次スプレー洗浄装置１０によって洗浄されたシリコンウェハＷを搬送し、各スクラビングブラシ２２のニップ部においてマイクロバブル含有洗浄液の存在下でブラシ２５によってシリコンウェハＷをブラシスクラビング洗浄する。【選択図】図１
2009054792.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェハの洗浄方法であって、
洗浄液にマイクロバブルを生成するマイクロバブル生成ステップと、
前記マイクロバブルが生成された洗浄液をシャワー状又は霧状にして被洗浄物としてのシリコンウェハに吹き付ける洗浄ステップとを備えることを特徴とするシリコンウェハの洗浄方法。
【請求項２】
シリコンウェハの洗浄方法であって、
洗浄液にマイクロバブルを生成するマイクロバブル生成ステップと、
前記マイクロバブルが生成された洗浄液を被洗浄物としてのシリコンウェハに供給しつつ、前記被洗浄物としてのシリコンウェハをブラシスクラビングする洗浄ステップとを備えることを特徴とするシリコンウェハの洗浄方法。
【請求項３】
シリコンウェハの洗浄方法であって、
洗浄液にマイクロバブルを生成するマイクロバブル生成ステップと、
前記マイクロバブルが生成された洗浄液をシャワー状又は霧状にして被洗浄物としてのシリコンウェハに吹き付けるスプレー洗浄ステップと、
前記マイクロバブルが生成された洗浄液を前記スプレー洗浄ステップにおいて洗浄されたシリコンウェハに供給しつつ、該スプレー洗浄ステップにおいて洗浄されたシリコンウェハをブラシスクラビングするブラシスクラビング洗浄ステップとを備えることを特徴とするシリコンウェハの洗浄方法。
【請求項４】
前記被洗浄物としてのシリコンウェハは、スライシングされた後のシリコンウェハであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のシリコンウェハの洗浄方法。
【請求項５】
前記洗浄液は界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のシリコンウェハの洗浄方法。
【請求項６】
前記洗浄液はアルカリ性であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のシリコンウェハの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェハの洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造過程において、シリコンウェハに微細な異物、金属不純物、有機不純物等の不純物が付着すると、完成した半導体装置に動作不良が発生する等の不具合が生じてしまう。このため、シリコンウェハの清浄度は厳しい規格で管理されている。
【０００３】
従来のシリコンウェハの洗浄方法としては、ＲＣＡ法等の化学的洗浄法や、接触あるいは非接触スクラビング等の機械的洗浄法等がある（例えば、非特許文献１，２参照）。
【非特許文献１】ＵＣＳ半導体基盤技術研究会、「シリコンの科学」、リアライズ社、１９９６
【非特許文献２】服部毅、「シリコンウェーハ表面のクリーン化技術」、リアライズ社、２０００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体装置の微細化、高性能化に伴って、シリコンウェハの清浄度に対してはより厳しい要求がなされており、シリコンウェハに付着した不純物の洗浄力の向上が求められている。
【０００５】
本発明の目的は、シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができるシリコンウェハの洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法は、洗浄液にマイクロバブルを生成するマイクロバブル生成ステップと、前記マイクロバブルが生成された洗浄液をシャワー状又は霧状にして被洗浄物としてのシリコンウェハに吹き付ける洗浄ステップとを備えることを特徴とする。
【０００７】
また、上記目的を達成するために、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法は、洗浄液にマイクロバブルを生成するマイクロバブル生成ステップと、前記マイクロバブルが生成された洗浄液を被洗浄物としてのシリコンウェハに供給しつつ、前記被洗浄物としてのシリコンウェハをブラシスクラビングする洗浄ステップとを備えることを特徴とする。
【０００８】
また、上記目的を達成するために、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法は、洗浄液にマイクロバブルを生成するマイクロバブル生成ステップと、前記マイクロバブルが生成された洗浄液をシャワー状又は霧状にして被洗浄物としてのシリコンウェハに吹き付けるスプレー洗浄ステップと、前記マイクロバブルが生成された洗浄液を前記スプレー洗浄ステップにおいて洗浄されたシリコンウェハに供給しつつ、該スプレー洗浄ステップにおいて洗浄されたシリコンウェハをブラシスクラビングするブラシスクラビング洗浄ステップとを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法においては、特に、前記被洗浄物としてのシリコンウェハは、スライシングされた後のシリコンウェハであることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法においては、特に、前記洗浄液は界面活性剤を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法においては、特に、前記洗浄液はアルカリ性であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法によれば、洗浄液にマイクロバブルを生成し、このマイクロバブルが生成された洗浄液をシャワー状又は霧状にして被洗浄物としてのシリコンウェハに吹き付けて、シリコンウェハを洗浄するので、マイクロバブルの作用によって、従来のシリコンウェハの洗浄方法に比べてシリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができる。
【００１３】
本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法によれば、洗浄液にマイクロバブルを生成し、このマイクロバブルが生成された洗浄液を被洗浄物としてのシリコンウェハに供給しつつ、このシリコンウェハをブラシスクラビングするので、マイクロバブルの作用によって、従来のシリコンウェハの洗浄方法に比べてシリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができる。
【００１４】
また、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法によれば、洗浄液にマイクロバブルを生成し、このマイクロバブルが生成された洗浄液をシャワー状又は霧状にして被洗浄物としてのシリコンウェハに吹き付けて、シリコンウェハをスプレー洗浄した後に、マイクロバブルが生成された洗浄液をスプレー洗浄されたシリコンウェハに供給しつつブラシスクラビングするので、マイクロバブルの作用によって、従来のシリコンウェハの洗浄方法に比べてシリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力をより向上させることができる。
【００１５】
本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法によれば、特に、被洗浄物としてのシリコンウェハは、スライシングされた後のシリコンウェハであるので、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法をより好適に作用させることができ、シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力をより向上させることができる。
【００１６】
また、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法によれば、特に、洗浄液は界面活性剤を含むので、シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力をより向上させることができる。
【００１７】
さらに、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法によれば、特に、洗浄液はアルカリ性であるので、シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力をより向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】
本実施の形態においては、被洗浄物の一例として、ワイヤーソーによりスライスされ、ウェハ状になったシリコンを洗浄するものとする。
【００２０】
まず、本発明の実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法を実行するシリコンウェハ洗浄装置について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法を実行するシリコンウェハ洗浄装置１の概略構成を示す図である。
【００２２】
図１に示すように、シリコンウェハ洗浄装置１は、スプレー洗浄装置１０と、ブラシスクラビング装置２０と、洗浄液貯蔵タンク３０と、洗浄液戻しタンク４０と、マイクロバブル生成装置５０とを備える。
【００２３】
スプレー洗浄装置１０は、洗浄タンク１１と、洗浄液をスプレーするためのスプレーノズル１２と、洗浄液貯蔵タンク３０からスプレーノズル１２に洗浄液を供給するための供給管１３とを備えている。
【００２４】
洗浄タンク１１には、シリコン単結晶インゴットがマルチワイヤーソーによってスライスされた直後のものが、そのまま導入される。一般にＣＺ法により製造されたシリコン単結晶インゴットは円筒研削されて所定の直径とされ、４５０ｍｍ以下程度の長さに切断される。円柱状に加工された分割インゴットはエポキシ系の接着剤でカーボン製のベースホルダに固定され、マルチワイヤーソーによってスライスされる。スライスされたインゴットはカーボン製のベースホルダに接着されたまま、ベースホルダを上向きにして吊り下げられ、洗浄タンク１１へと導入される。
【００２５】
スプレーノズル１２は、洗浄タンク１１内において保持ホルダ１４により互いに向かい合って垂直に立設された状態で保持された複数枚のシリコンウェハＷの全てに均等に洗浄液をスプレーすることができるように、洗浄タンク１１内に保持されるシリコンウェハＷの上方に配置されている。
【００２６】
供給管１３は、洗浄液貯蔵タンク３０とスプレーノズル１２とを接続しており、供給管１３には、洗浄液貯蔵タンク３０からスプレーノズル１２に洗浄液を圧送するためのポンプ１５が設けられている。
【００２７】
スプレー洗浄装置１０においては、ポンプ１５が洗浄液貯蔵タンク３０から供給管１３を介してスプレーノズル１２に洗浄液を圧送することにより、スプレーノズル１２が洗浄液をシリコンウェハＷに均一にスプレーして、保持ホルダ１４に保持された複数のシリコンウェハＷを洗浄する。
【００２８】
スプレーノズル１２より噴出される洗浄液は洗浄タンク１１に溜まっていき、被洗浄物は洗浄液中に浸漬される。
【００２９】
また、スプレー洗浄装置１０において、洗浄タンク１１は、ポンプ１７を備える排管１６を介して洗浄液戻しタンク４０に接続されており、ポンプ１７は洗浄タンク１１に溜まった使用済み洗浄液を、排管１６を介して洗浄液戻しタンク４０に排出する。
【００３０】
スプレー洗浄装置１０での洗浄処理を終えた被洗浄物は、カーボン製ベースホルダからシリコンウェハを1枚ずつ引き剥がす工程へと進む。この工程で、被洗浄物はカーボン製ベースホルダを下向きにして温水槽に配置される。カーボン製ベースホルダをエポキシ系接着剤の部分まで温水に浸漬させて接着剤を軟化させたあと、被洗浄物がシリコンウェハとして1枚ずつ引き剥がされ、次の搬送式ブラシスクラビング装置２０による洗浄工程へと順次連続して搬送される。
【００３１】
搬送式ブラシスクラビング装置２０は、洗浄タンク２１と、スクラビング用のスクラビングブラシ２２と、スクラビングブラシ２２によって洗浄されているシリコンウェハＷに洗浄液を供給するための洗浄液供給装置２３と、シリコンウェハＷを搬送するための搬送装置２４とを備える。
【００３２】
ブラシスクラビング装置２０において、洗浄タンク２１内には、スクラビングブラシ２２が複数設けられており、本実施の形態においては例えば２つのスクラビングブラシ２２が設けられている。スクラビングブラシ２２は、一対の円筒状のブラシ２５を有しており、ブラシ２５が図示しない駆動装置によって互いに逆方向に回転することにより、そのニップ間に搬送されるシリコンウェハＷを洗浄するように構成されている。ブラシ２５は、例えば、ナイロン製、ポリプロピレン製、又はモヘア製である。
【００３３】
各スクラビングブラシ２２において、一対のブラシ２５は垂直方向に互いに対向して、所定の間隔の水平方向のニップを形成するように配置されており、また、２つのスクラビングブラシ２２は、互いのニップが同一水平面上に位置するように配置されている。
【００３４】
搬送装置２４は、ブラシスクラビング装置２０において、各スクラビングブラシ２２のニップ間にシリコンウェハＷを水平状態を保持して順次搬送するように構成されている。
【００３５】
洗浄液供給装置２３は、供給管２７を介して洗浄液貯蔵タンク３０に接続されており、供給管２７にはポンプ２６が設けられている。洗浄液供給装置２３にはポンプ２６によって洗浄液貯蔵タンク３０から洗浄液が供給される。また、洗浄液供給装置２３は、各スクラビングブラシ２２のニップ間のシリコンウェハＷに均一にシャワー状又は霧状の洗浄液を供給可能に構成されている。洗浄液供給装置２３は、スクラビングブラシ２２に搬送されたシリコンウェハＷ全体に均一にシャワー状又は霧状の洗浄液を供給可能であってもよく、また、搬送中のシリコンウェハＷ全体に均一にシャワー状又は霧状の洗浄液を供給可能であってもよい。シャワー状又は霧状の洗浄液を供給する場所は特に限定されるものではない。
【００３６】
また、ブラシスクラビング装置２０において、洗浄タンク２１は、ポンプ２９を備える排管２８を介して洗浄液戻しタンク４０に接続されており、洗浄タンク２１に溜まった使用済み洗浄液は排管２８を介して洗浄液戻しタンク４０に排出される。
【００３７】
ブラシスクラビング装置２０においては、ポンプ２６が洗浄液貯蔵タンク３０から供給管２７を介して洗浄液供給装置２３に洗浄液を圧送することにより、洗浄液供給装置２３が洗浄液を各スクラビングブラシ２２のニップ間に供給する。また、搬送装置２４がシリコンウェハＷをスクラビングブラシ２２のニップ間に順次供給する。各スクラビングブラシ２２のブラシ２５が互いに逆方向に回転して、ニップ間において洗浄液の存在のもとにシリコンウェハＷをブラシスクラビングして洗浄する。
【００３８】
洗浄液貯蔵タンク３０は、一定量の清浄な洗浄液を貯蔵するように構成されており、洗浄液戻しタンク４０は、スプレー洗浄装置１０及びブラシスクラビング装置２０から排出される使用済み洗浄液を貯蔵可能に構成されている。
【００３９】
洗浄液貯蔵タンク３０と洗浄液戻しタンク４０との間には、遠心分離器６０が設けられており、遠心分離器６０は、吸い込み管６１を介して洗浄液戻しタンク４０に、吐き出し管６２を介して洗浄液貯蔵タンク３０に夫々接続している。吸い込み管６１及び吐き出し管６２には、ポンプ６３，６４が夫々設けられている。遠心分離器６０は、ポンプ６３によって吸い込み管６１を介して洗浄液戻しタンク４０から供給される使用済み洗浄液から、遠心分離作用によって不純物を取り除いて使用済み洗浄液を浄化し、この浄化した洗浄液をポンプ６４によって吐き出し管６２を介して洗浄液貯蔵タンク３０に供給する。
【００４０】
マイクロバブル生成装置５０は、公知のマイクロバブル生成装置の構成を有しており、例えば、再公表００−６９５５０に開示された構成を有する。マイクロバブル生成装置５０には、気体導入管５１及び液体導入管５２が接続している。気体導入管５１は、マイクロバブル生成装置５０側ではない端部が大気中に開放しており、また、マイクロバブル生成装置５０に導入される空気量を調整するための調整弁５３が設けられている。液体導入管５２は、マイクロバブル生成装置５０側ではない端部が洗浄液貯蔵タンク３０内に開放しており、また、液体導入管５２にはマイクロバブル生成装置５０に洗浄液貯蔵タンク３０内の洗浄液を供給するためのポンプ５４が設けられている。
【００４１】
ここでマイクロバブルとは一般的に、直径がマイクロメータのオーダーである微細な泡を意味する（例えば、大成博文著「マイクロバブルのすべて」日本実業出版社（２００６）、或いは、上山智嗣、宮本誠著「マイクロバブルの世界」工業調査会（２００６）参照）。特にその直径は１０〜数百μｍの範囲にある。特に、直径６０μｍ以下の気泡は液中での浮上速度が遅く長時間存在するが、徐々に収縮し液中に溶解してしまうものもある。また、本発明は泡のサイズの分布の程度には特に限定されない。ほぼ単一の分布を有する微細な泡、種々のサイズの複数の分布を有する微細な泡をも含む。また処理工程の間に泡のサイズが変動する場合も含む。
【００４２】
マイクロバブル生成装置５０は、洗浄液貯蔵タンク３０の洗浄液内に浸漬配置されており、ポンプ５４によって液体導入管５２を介して加圧洗浄液が導入され、また、気体導入管５２を介して空気が導入され、導入された洗浄液にマイクロバブルを生成し、マイクロバブルが生成された洗浄液を洗浄液貯蔵タンク３０の洗浄液内に噴出する。これにより、洗浄液貯蔵タンク３０内の洗浄液をマイクロバブルによって満たすことが可能になる。マイクロバブル生成装置５０が生成するマイクロバブルの量及びサイズは調整弁５３によって調整可能である。
【００４３】
上述のシリコンウェハ洗浄装置１は、本発明の実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法を実行するためのシリコンウェハ洗浄装置の一例を示すものであり、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法を実行するためのシリコンウェハ洗浄装置はこれに限るものではなく他の構成であってもよい。例えば、マイクロバブルを発生させる場所も、洗浄液の送液配管中であってもよいし、スプレーノズル内等であってもよい。マイクロバブルを発生させる方法も、公知の各種方法が利用できる。また、マイクロバブル中の気体についても特に限定されない。上述のマイクロバブル生成装置５０においては、マイクロバブルの成分気体は空気としたが、マイクロバブルの成分気体は単一の成分でも混合成分の気体でもよく、適宜選択することができる。具体的には、生成されるマイクロバブルの成分気体としては、水素、酸素、窒素、二酸化炭素、オゾン、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、アルゴン、ヘリウムが挙げられる。ただし、この場合、成分気体の供給装置が気体導入管５１に設けられる。
【００４４】
次いで、本発明の実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法について説明する。
【００４５】
本実施の形態においては、洗浄液として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの各種アルカリを含むアルカリ性の洗浄液を使用する。また、洗浄液は、界面活性剤を含むものとする。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等がある。尚、洗浄液は、アルカリ性の洗浄液に限るものではなく、例えば、超純水であってもよい。また、洗浄液は界面活性剤を含まないものであってもよい。また、洗浄液やウェハに超音波を照射することも可能である。洗浄液の温度については特に制限はない。
【００４６】
ＣＺ法により製造したシリコン単結晶インゴッドを円筒研削して所定の直径としたのち、４５０ｍｍ以下程度の長さに切断する。次いで、円柱状に加工した分割インゴットを、エポキシ系の接着剤でカーボン製のベースホルダに固定し、マルチワイヤーソーを用いてスライスする。次いで、スライスしたインゴットをカーボン製のベースホルダに接着したまま、ベースホルダを上向きにして吊り下げて、洗浄タンク１１へ導入する。
【００４７】
次いで、マイクロバブル生成装置５０及びポンプ５４を起動し、調整弁５３を調整して、所望の量のマイクロバブルをポンプ５４で吸い上げた洗浄液内に生成し、洗浄液貯蔵タンク３０の洗浄液内に噴出する。これにより、洗浄液貯蔵タンク３０内の洗浄液をマイクロバブルで充満させる。
【００４８】
次いで、ポンプ１５を起動して、供給管１３を介してスプレーノズル１２にマイクロバブルを含む洗浄液（以下、マイクロバブル含有洗浄液という）を圧送し、スプレーノズル１２から洗浄タンク１１内に載置された複数のシリコンウェハＷに均一に噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液を吹き付けて、シリコンウェハＷを洗浄する（スプレー洗浄）。このとき、ポンプ１７を作動させて、洗浄タンク１１に溜まった使用済みの不純物を含む洗浄液（以下、使用済み洗浄液という）を、排管１６を介して洗浄液戻しタンク４０に排出する。
【００４９】
また、ポンプ２６を起動して、供給管２７を介して洗浄液供給装置２３にマイクロバブル含有洗浄液を圧送し、洗浄液供給装置２３から噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液を各スクラビングブラシ２２のニップ間に供給する。一方、搬送装置２４を起動し、スクラビングブラシ２２を回転駆動させて、ウェハ載置部７０から所定の時間間隔で順次スプレー洗浄装置１０によって洗浄されたシリコンウェハＷを搬送する。スプレー洗浄装置１０によって洗浄されたシリコンウェハＷは、図示しない搬送装置によって、スプレー洗浄装置１０からブラシスクラビング装置２０のウェハ載置部７０に搬送されている。シリコンウェハＷがスクラビングブラシ２２に搬送されると、シリコンウェハＷは、各スクラビングブラシ２２のニップ部において、マイクロバブル含有洗浄液の存在下でブラシ２５によってスクラビングされて洗浄される（ブラシスクラビング洗浄）。また、このとき、ポンプ２９を作動させて、洗浄タンク２１に溜まった使用済み洗浄液を、排管２８を介して洗浄液戻しタンク４０に排出する。
【００５０】
また、遠心分離器６０、ポンプ６３，６４を起動して、洗浄液戻しタンク４０内に溜まった使用済み洗浄液を遠心分離器６０によって浄化して清浄にし、清浄になった洗浄液を洗浄液貯蔵タンク３０に供給する。
【００５１】
本実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法においては、上述の各処理を継続して行うことにより、連続してシリコンウェハＷの洗浄を行う。
【００５２】
上述のように、本発明の実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法は、マイクロバブル含有洗浄液を被洗浄物としてのシリコンウェハに噴霧して、シリコンウェハをスプレー洗浄し、又は、マイクロバブル含有洗浄液の存在下で被洗浄物としてのシリコンウェハをブラシスクラビングしてブラシスクラビング洗浄するものである。
【００５３】
尚、上述の本発明の実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法は、本発明の一実施の形態を示すものであり、本発明はこれに限られるものではない。例えば、本実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法においては、スプレー洗浄装置１０においてスプレー洗浄されたシリコンウェハＷをブラシスクラビング装置２０においてブラシスクラビング洗浄するものとしたが、スプレー洗浄装置１０においてスプレー洗浄のみするようにしてもよく、また、ブラシスクラビング装置２０においてブラシスクラビング洗浄のみするようにしてもよい。また、本実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法は、スライス後洗浄に適用されるものとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、半導体製造工程における他の洗浄工程に適用してもよい。尚、本発明はスライス後洗浄に適用することが好適であり、この場合、不純物に対する洗浄力を効果的に発揮させることができる。
【００５４】
本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法は、洗浄液にマイクロバブルを生成し、このマイクロバブル含有洗浄液を用いてシリコンウェハを洗浄するものであり、例えば、マイクロバブル含有洗浄液をシャワー状又は霧状にして被洗浄物としてのシリコンウェハに吹き付ける洗浄方法、マイクロバブル含有洗浄液の存在下で被洗浄物としてのシリコンウェハをブラシスクラビングして洗浄する洗浄方法等を含むものである。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００５６】
まず、ＣＺ法により製造したシリコンインゴッドを円筒研削して直径２００ｍｍにしたものをマルチワイヤーソーを用いてスライスして厚さ約８００μｍのシリコンウェハを得た。本実施例においては、このシリコンウェハを被洗浄物としてのシリコンウェハＷとして、上述のシリコンウェハ洗浄装置１を用いて洗浄を行った。シリコンウェハＷの表面には不純物として、シリコンの切り屑（粉）、グリコール、研磨剤（ＳＩＣ粉末）の混合物がスラリー状で付着していた。
【００５７】
本実施例においては、マイクロバブル装置５０として、ナノプラネット研究所社製Ｍ２−ＭＳ型を使用した。
【００５８】
また、洗浄液としては、カストロールＮｏ．２００（０．１〜１ｗｔ％−ＫＯＨ＋界面活性剤（２〜５ｗｔ％−ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル））を、超純水にて４０倍に希釈したもの（以下、第１洗浄液という）、及び２００倍に希釈してもの（以下、第２洗浄液という）を使用した。
【００５９】
また、具体的な洗浄条件については、マイクロバブル生成装置５０から生成するマイクロバブルの量は１Ｌ／分とした。マイクロバブル生成用の気体は空気とした。また、シリコンウェハＷを洗浄タンク１１に導入する前に５分間マイクロバブルを発生させて、洗浄液貯蔵タンク１１内の洗浄液にマイクロバブルを充満させた。さらに、洗浄液の温度は２０℃とした。
【００６０】
上述の条件において、第１洗浄液を用いてシリコンウェハ洗浄装置１を用いてシリコンウェハＷを洗浄し（実施例１）、また、第２洗浄液を用いてシリコンウェハ洗浄装置１を用いてシリコンウェハＷを洗浄した（実施例２）。また、上述の条件において、第１洗浄液を用いてシリコンウェハ洗浄装置１のスプレー洗浄にだけマイクロバブルを導入した（実施例３）。また、第２洗浄液を用いてシリコンウェハ洗浄装置１のスプレー洗浄にだけマイクロバブルを導入した（実施例４）。さらに、上述の条件において、第１洗浄液を用いてシリコンウェハ洗浄装置１のブラシスクラビング洗浄にだけマイクロバブルを導入した（実施例５）。また、第２洗浄液を用いてシリコンウェハ洗浄装置１のブラシスクラビング洗浄にだけマイクロバブルを導入した（実施例６）。
【００６１】
また、比較例として、マイクロバブル生成装置５０を作動させずに、即ちスプレー洗浄にもブラシスクラビング洗浄にもマイクロバブルを導入せずに、上記実施例１〜６と同様にシリコンウェハＷを夫々洗浄した（比較例１〜２）。
【００６２】
尚、実施例１〜６及び比較例１〜２においては各々、ｎ＝約３００個のシリコンウェハＷの洗浄を行った。
【００６３】
次いで、実施例１〜６及び比較例１〜２において洗浄したシリコンウェハＷを、超純水をかけながらブラシスクラビングし、その後ドライエアー吹き付けで乾燥させた。このようにして洗浄されたシリコンウェハＷ（実施例１〜６、及び比較例１〜２）に対して清浄度評価を行った。清浄度評価は、目視による外観検査によるものであり、清浄度評価において、シミや研磨剤残り等の汚れの残存具合（付着物除去レベル）を評価した。レベルＢは従来の平均レベルであり、比較例１の条件に当たるレベルである。レベルＡは従来を上回るレベルであり、レベルＣは従来を下回るレベルである。清浄度評価の結果を下記表1に示す。
【００６４】
【表１】
2009054792.tif 000003
【００６５】
表１に示すように、付着物除去率のレベルは、第１洗浄液を用いた場合も、第２洗浄液を用いた場合も、マイクロバブル有りのとき（実施例１〜６）のほうが、マイクロバブル無しのとき（比較例１〜２）よりも、付着物除去レベルが高いことが分かる。つまり、スプレー洗浄又はブラシスクラビング洗浄における付着物除去レベルは、マイクロバブルを用いることにより向上させることができることが分かる。また、実施例２と比較例１との付着物除去レベルがほぼ等しいことから、マイクロバブルを導入することにより、洗浄液の濃度を５倍薄めても同等レベルの洗浄力が得られることが分かる。
【００６６】
上述のように、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法では、洗浄液にマイクロバブルを生成し、このマイクロバブル含有洗浄液をシャワー状又は霧状にして被洗浄物としてのシリコンウェハに吹き付けて洗浄するスプレー洗浄を行い、次いで、スプレー洗浄されたシリコンウェハをマイクロバブル含有洗浄液の存在下でブラシスクラビングして洗浄するブラシスクラビング洗浄を行う。このように、本発明に係るシリコンウェハの洗浄方法によれば、マイクロバブル含有洗浄液を用いてスプレー洗浄及び／又はブラシスクラビング洗浄するので、従来のシリコンウェハの洗浄方法に比べてシリコンウェハに付着した不純物の洗浄力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施の形態に係るシリコンウェハの洗浄方法を実行するシリコンウェハ洗浄装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  シリコンウェハ洗浄装置
１０  スプレー洗浄装置
１１，２１  洗浄タンク
１２  スプレーノズル
１３，２７  供給管
１４  保持ホルダ
１５，１７，２６，２９，５４，６３，６４  ポンプ
１６，２８  排管
２０  ブラシスクラビング装置
２２  スクラビングブラシ
２３  洗浄液供給装置
２４  搬送装置
２５  ブラシ
３０  洗浄液貯蔵タンク
４０  洗浄液戻しタンク
５０  マイクロバブル生成装置
５１  気体導入管
５２  液体導入管
５３  調整弁
６０  遠心分離器
６１  吸い込み管
６２  吐き出し管
７０  ウェハ載置部
Ｗ  シリコンウェハ
【図１】
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