(57)【要約】【課題】エピタキシャル成長に寄与しなかった原料溶液を原料溶液受けに落下させる際の落下速度をコントロールすることで、基板表面に残る原料溶液を減らし、結晶欠陥部を少なくすることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法を提供する。【解決手段】エピタキシャル層を成長させた後、原料溶液溜４ａ，４ｂの上方から加重ブロック９ａ，９ｂにて原料溶液Ｌａ，Ｌｂに下方向の力を加えつつ基板５をスライドさせ、メルト落下穴７を通じて原料溶液Ｌａ，Ｌｂを落下させるようにした。【選択図】図１
2009218362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に複数の原料溶液溜が形成された原料溶液ホルダの底面に、基板を保持すると共に、その後方にメルト落下穴が形成された基板ホルダを前記原料溶液ホルダに沿ってスライド自在に設け、前記基板を原料溶液を収容した前記原料溶液溜に位置させて前記基板上にエピタキシャル層を成長させた後、前記基板ホルダをスライドさせて、その後方のメルト落下穴を通じて前記原料溶液を落下させて、前記基板の表面から余剰の原料溶液を除去する発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法において、
前記エピタキシャル層を成長させた後、前記原料溶液溜の上方から加重ブロックにて前記原料溶液に下方向の力を加えつつ前記基板をスライドさせ、前記メルト落下穴を通じて前記原料溶液を落下させるようにしたことを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法。
【請求項２】
長手方向に複数の原料溶液溜が形成された原料溶液ホルダの底面に、基板を保持する基板ホルダを長手方向にスライド自在に設けると共に、その基板ホルダに保持された前記基板の後方にメルト落下穴を形成した発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置において、
前記原料溶液ホルダの上部に、長手方向に複数の穴が設けられた仕切り板を長手方向にスライド自在に設け、その仕切り板上に前記原料溶液溜の上方から前記原料溶液に下方向の力を加える加重ブロックを設けたことを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置。
【請求項３】
前記原料溶液溜は、前記原料溶液ホルダの上下を貫通するように形成され、その原料溶液ホルダ上部の長手方向には、前記仕切り板をスライドするための貫通溝が形成され、前記仕切り板で仕切られた原料溶液溜の上部には前記加重ブロックが設けられる請求項２記載の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置。
【請求項４】
前記加重ブロックは、前記原料溶液溜に嵌合する大きさに形成され、前記仕切り板の穴を通して前記原料溶液溜に落下するように形成される請求項２または３記載の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置。
【請求項５】
前記加重ブロックは、単位面積（ｃｍ2）あたり２６〜６１ｇにされる請求項２〜４いずれかに記載の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法及び成長装置に係り、特に、液相エピタキシャル成長に用いられる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法及び成長装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは、高輝度化が可能になったことにより、屋外用ディスプレイ、携帯電話などへの需要が拡大した。それに伴い、コンパクトで安価な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの需要が増えているため、歩留りよく作製することが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置や成長方法が求められている。
【０００３】
図５に示すように、従来の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置５１は、原料溶液受け（図示せず）を備えた台座５２、基板ホルダ５３、原料溶液ホルダ５４、キャップホルダ５５の４つのグラファイト製部品を上下に積み重ね、台座５２及び原料溶液ホルダ５４に対し、基板ホルダ５３を水平方向にスライドさせることができるように構成されている。
【０００４】
基板ホルダ５３の上面には、表面の一部を掘り込んで基板５６を載置する基板収納載置凹部５７が形成され、その基板収納載置凹部５７の後方には、成長に寄与しなかった原料溶液（メルト）Ｌを台座５２の原料溶液受けへ落下させるためのメルト落下穴５８が形成されている。
【０００５】
原料溶液ホルダ５４には、原料溶液Ｌを収容する原料溶液溜５９が、長手方向に複数個（図５では２つ）順次間隔をおいて形成され、原料溶液ホルダ５４上面は、キャップホルダ５５で気密に蓋がなされている。
【０００６】
この成長装置５１において、例えば、ＧａＡｓ基板上にｐ型ＧａＡｌＡｓ層、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを成長させる場合、図５の２つの原料溶液溜５９には、それぞれｐ型ＧａＡｌＡｓ層原料、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層原料が入れられる。
【０００７】
基板５６と原料をセットした成長装置５１を炉に入れ、成長開始温度である７００℃から９００℃に昇温し、原料であるＧａ、Ａｓ、Ａｌ、およびドーパントを溶解させて、原料溶液溜５９に原料溶液Ｌを作製する。その後、冷却しながら操作棒６０を動かして基板５６を原料溶液溜５９に移動させ、原料溶液Ｌを基板５６と接触させ、基板５６上にｐ型ＧａＡｌＡｓ層を成長させる。
【０００８】
所定の厚さのｐ型ＧａＡｌＡｓ層が成長した後、再び基板ホルダ５３をスライドさせ、基板５６を原料溶液溜５９から移動させて成長を停止させる。この操作をｎ型ＧａＡｌＡｓ層の原料溶液Ｌについても繰り返し行い、発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製する。
【０００９】
このとき、成長に寄与しなかった原料溶液Ｌに関しては、基板５６上にエピタキシャル層を成長させた後、基板ホルダ５３を移動させる際に、基板ホルダ５３のメルト落下穴５８を通じて台座５２の原料溶液受けへ落とし、基板５６表面より除去していた。
【００１０】
その他、基板５６から成長に寄与しなかった原料溶液Ｌを除去する方法としては、原料溶液Ｌにかかる慣性を利用し、基板５６表面から原料溶液Ｌを除去する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
また、基板５６を原料溶液Ｌに接触させる方法として、基板ホルダ５３をスライドさせる方法以外のものとしては、原料溶液溜５９を仕切り板によって複数に仕切り、仕切られた原料溶液溜５９にそれぞれ原料溶液Ｌを配置し、結晶成長を行う際に仕切り板を引き抜き、原料溶液Ｌを下方へ落下させることで基板５６と原料溶液Ｌを接触させるという方法がある（例えば、特許文献２参照）。
【００１２】
【特許文献１】特開平２−２９５１３８号公報
【特許文献２】特開２００６−１７３３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来技術においては、成長に寄与しなかった原料溶液Ｌを原料溶液受けに落下させる際に、重力に任せて自然落下させていたため、徐々に落下スピードが遅くなっていた。そのため、表面張力が強い特性を有する原料溶液Ｌが、基板５６の表面に残っていた。
【００１４】
基板５６の表面に残った不要な原料溶液Ｌは、異常エピタキシャル成長するため、その部分は欠陥結晶となり、非発光部となってしまう。よって、エピタキシャル成長後はその部分を切断除去して素子を形成しなければならないので、歩留りが悪くなるという問題点があった。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、エピタキシャル成長に寄与しなかった原料溶液を原料溶液受けに落下させる際の落下速度をコントロールすることで、基板表面に残る原料溶液を減らし、結晶欠陥部を少なくすることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法及び成長装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、長手方向に複数の原料溶液溜が形成された原料溶液ホルダの底面に、基板を保持すると共に、その後方にメルト落下穴が形成された基板ホルダを前記原料溶液ホルダに沿ってスライド自在に設け、前記基板を原料溶液を収容した前記原料溶液溜に位置させて前記基板上にエピタキシャル層を成長させた後、前記基板ホルダをスライドさせて、その後方のメルト落下穴を通じて前記原料溶液を落下させて、前記基板の表面から余剰の原料溶液を除去する発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法において、前記エピタキシャル層を成長させた後、前記原料溶液溜の上方から加重ブロックにて前記原料溶液に下方向の力を加えつつ前記基板をスライドさせ、前記メルト落下穴を通じて前記原料溶液を落下させるようにした発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法である。
【００１７】
本発明は、長手方向に複数の原料溶液溜が形成された原料溶液ホルダの底面に、基板を保持する基板ホルダを長手方向にスライド自在に設けると共に、その基板ホルダに保持された前記基板の後方にメルト落下穴を形成した発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置において、前記原料溶液ホルダの上部に、長手方向に複数の穴が設けられた仕切り板を長手方向にスライド自在に設け、その仕切り板上に前記原料溶液溜の上方から前記原料溶液に下方向の力を加える加重ブロックを設けた発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置である。
【００１８】
本発明は、前記原料溶液溜は、前記原料溶液ホルダの上下を貫通するように形成され、その原料溶液ホルダ上部の長手方向には、前記仕切り板をスライドするための貫通溝が形成され、前記仕切り板で仕切られた原料溶液溜の上部には前記加重ブロックが設けられる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置である。
【００１９】
本発明は、前記加重ブロックは、前記原料溶液溜に嵌合する大きさに形成され、前記仕切り板の穴を通して前記原料溶液溜に落下するように形成される発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置である。
【００２０】
本発明は、前記加重ブロックは、単位面積（ｃｍ2）あたり２６〜６１ｇにされる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板上にエピタキシャル層を成長させた後、原料溶液溜に加重ブロックを落とし込み、加重ブロックで原料溶液に下方向の力を加えつつメルト落下穴から落下させることで、原料溶液の落下速度をコントロールし、基板表面に残る原料溶液を低減することができる。これにより、従来よりも発光ダイオード用エピタキシャルウェハの表面欠陥を減らすことができ、歩留りをよくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２３】
まず、本実施形態に係る発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置で作製する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを説明する。
【００２４】
図３に示すように、発光ダイオード用エピタキシャルウェハ３１は、ＧａＡｓからなる基板５上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ層３２、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層３３を順次成長させたシングルへテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェハである。本実施形態では、基板５の大きさを３４ｍｍ×３４ｍｍとした。
【００２５】
次に、本実施形態に係る発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置を図１により説明する。
【００２６】
図１に示すように、発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置１は、原料溶液受け（図示せず）を備えた台座２上に、基板ホルダ３、原料溶液ホルダ４を順次積み重ねて構成される。台座２、基板ホルダ３、および原料溶液ホルダ４はグラファイトからなる。
【００２７】
原料溶液ホルダ４には、原料溶液（メルト）Ｌａ、Ｌｂを収容するための第１原料溶液溜４ａ、第２原料溶液溜４ｂが形成される。原料溶液溜４ａ，４ｂは、原料溶液ホルダ４を上下に貫通するように形成される。原料溶液溜４ａ，４ｂの開口部の大きさは、基板５とほぼ同じ３４ｍｍ×３４ｍｍとした。
【００２８】
基板ホルダ３は、原料溶液ホルダ４に沿ってスライド自在に形成される。基板ホルダ３の上面には、その表面の一部を掘り込んで、基板５を載置するための基板収納載置凹部６が形成される。また、基板収納載置凹部６の後方（図１では左側）には、成長に寄与しなかった原料溶液Ｌａ，Ｌｂを台座２の原料溶液受けへ落下させるためのメルト落下穴７が形成される。
【００２９】
メルト落下穴７の大きさは、従来よりも小さく形成するとよい。これは、原料溶液Ｌａ，Ｌｂの落下速度をコントロールしやすくするためである。具体的には、従来の２５ｍｍ×２５ｍｍより小さい１０ｍｍ×１０ｍｍ程度の大きさにするとよい。
【００３０】
基板収納載置凹部６とメルト落下穴７との距離は、原料溶液溜４ａ，４ｂの長手方向の幅よりも小さくなるよう形成される。基板ホルダ３の後端部には、基板ホルダ３をスライドさせるための操作棒１０が設けられる。
【００３１】
原料溶液ホルダ４上部の長手方向には貫通溝１２が形成され、その貫通溝１２には仕切り板８がスライド自在に設けられる。仕切り板８はグラファイトからなる。
【００３２】
仕切り板８には、長手方向に沿って複数（図１では２つ）の穴８ａ，８ｂが設けられる。仕切り板８の穴８ａは第１原料溶液溜４ａよりも後方（図１では左側）に、穴８ｂは第２原料溶液溜４ｂよりも前方（図１では右側）に形成される。仕切り板８の後端部には、仕切り板８をスライドさせるための操作棒１１が設けられる。
【００３３】
仕切り板８で仕切られた原料溶液溜４ａ，４ｂの上部には、原料溶液溜４ａ，４ｂの上方から原料溶液Ｌａ，Ｌｂに下方向の力を加える加重ブロック９ａ，９ｂが設けられる。
【００３４】
この加重ブロック９ａ，９ｂは、原料溶液溜４ａ，４ｂに嵌合する大きさに形成され、仕切り板８の穴８ａ，８ｂを通して原料溶液溜４ａ，４ｂに落下するように形成される。加重ブロック９ａ，９ｂの重さは、加重ブロック９ａ，９ｂの厚さにより調整される。
【００３５】
加重ブロック９ａ，９ｂは、高温で酸化することがなく、原料溶液Ｌａ，Ｌｂと反応したり不純物が混入することのない材料からなるものであればよく、例えば、グラファイトからなる。
【００３６】
次に、発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法を説明する。
【００３７】
まず、基板収納載置凹部６に基板５をセットすると共に、第１原料溶液溜４ａにｐ型ＧａＡｌＡｓ層３２の原料（Ｇａ、Ａｌ、Ａｓ、およびドーパント）をセットし、第２原料溶液溜４ｂにｎ型ＧａＡｌＡｓ層３３の原料（Ｇａ、Ａｌ、Ａｓ、およびドーパント）をセットする。
【００３８】
基板５と原料をセットした後、発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置１を炉に入れ、７００〜９００℃まで昇温させて各原料を溶解させ、原料溶液Ｌａ，Ｌｂを作製する。
【００３９】
その後、冷却しながら、基板ホルダ３をスライドして基板５を第１原料溶液溜４ａに位置させ、基板５と原料溶液Ｌａを接触させて、基板５上にｐ型ＧａＡｌＡｓ層３２を成長させる。
【００４０】
さて、原料溶液Ｌａ，Ｌｂは表面張力が強い特性を有するため、これを自然落下させたのでは基板５に原料溶液Ｌａ，Ｌｂが残ってしまう。さらに、原料溶液Ｌａ，Ｌｂの落下スピードが速ければ基板５上に原料溶液Ｌａ，Ｌｂが多く残ってしまい、落下スピードが遅ければ、原料溶液Ｌａ，Ｌｂ中の不純物が基板５表面に付着してしまう。つまり、落下スピードが速くても遅くても基板５に原料溶液Ｌａ，Ｌｂが残ってしまい、これが異常エピタキシャル成長して表面欠陥が生じてしまう。
【００４１】
したがって、表面欠陥を減らすためには、原料溶液Ｌａ，Ｌｂの落下スピードをコントロールし、基板５表面に残る原料溶液Ｌａ，Ｌｂを低減する必要がある。
【００４２】
そこで、図２に示すように、本実施形態に係る発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法では、基板５上に所定の厚さのｐ型ＧａＡｌＡｓ層３２を成長させた後、仕切り板８を図示右方向にスライドさせ、仕切り板８の穴８ａを原料溶液溜４ａに位置させる。これにより、加重ブロック９ａが仕切り板８の穴８ａから原料溶液溜４ａに落下する。
【００４３】
加重ブロック９ａは、原料溶液溜４ａに嵌合する大きさに形成されているため、加重ブロック９ａ下方の原料溶液溜４ａ内の気体を排出しながら静かに落下する。
【００４４】
その後、落下した加重ブロック９ａで原料溶液Ｌａに下方向の力を加えつつ基板ホルダ３をスライドさせ、成長に寄与しなかった余剰の原料溶液Ｌａをメルト落下穴７を通じて原料溶液受けへ落とす。加重ブロック９ａで原料溶液Ｌａに下方向の力を加えつつ落下させることで、原料溶液Ｌａの落下スピードをコントロールでき、基板８に残る原料溶液Ｌａを低減させることができる。また、このときメルト落下穴７の大きさを小さく形成しているため、原料溶液Ｌａの落下スピードをコントロールしやすくなっている。
【００４５】
その後、第２原料溶液溜４ｂに基板５を位置させてｎ型ＧａＡｌＡｓ層３３を成長させた後、仕切り板８を図示左方向にスライドさせ、仕切り板８の穴８ｂから加重ブロック９ｂを原料溶液溜４ｂに落とし込み、加重ブロック９ｂで原料溶液Ｌｂに下方向の力を加えつつ基板ホルダ３をスライドさせて、余剰の原料溶液Ｌｂをメルト落下穴７を通じて原料溶液受けに落下させ、基板５から原料溶液Ｌｂを除去する。
【００４６】
このように、加重ブロック９ａ，９ｂを原料溶液溜４ａ，４ｂに落とし込み、加重ブロック９ａ，９ｂにて原料溶液Ｌａ，Ｌｂに下方向の力を加えつつメルト落下穴７を通じて落下させることにより、従来自然落下に任せていた原料溶液Ｌａ，Ｌｂの落下スピードをコントロールすることができ、基板５表面に残る原料溶液Ｌａ，Ｌｂを減らすことができる。よって、作製する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ３１の表面欠陥を最小限にすることができ、歩留りを向上させることができる。
【００４７】
次に、加重ブロック９ａ，９ｂの重さについて図４により説明する。
【００４８】
図４は、成長終了後に第２原料溶液溜４ｂに移動させる際の基板ホルダ３の擦動スピードを３０ｍｍ／ｓに固定し、加重ブロック９ａ，９ｂの質量を２００ｇ（実験Ｎｏ．１）、５００ｇ（実験Ｎｏ．２）、８００ｇ（実験Ｎｏ．３）、１０００ｇ（実験Ｎｏ．４）の４条件に設定し、それぞれできあがった発光ダイオード用エピタキシャルウェハの良品面積を測定した結果を示す図である。基板５の大きさは３４ｍｍ×３４ｍｍ、メルト落下穴７の大きさは１０ｍｍ×１０ｍｍとした。
【００４９】
図４に示すように、加重ブロック９ａ，９ｂの質量を５００ｇ（実験Ｎｏ．２）としたときに良品面積が最も多く、加重ブロック９ａ，９ｂの質量が５００ｇよりも軽い実験Ｎｏ．１、５００ｇよりも重い実験Ｎｏ．３、４ともに良品面積が減少していることがわかる。
【００５０】
実験Ｎｏ．１では、加重ブロック９ａ，９ｂの質量が２００ｇと軽いため、原料溶液Ｌａ，Ｌｂの落下スピードが遅くなり、基板５表面に原料溶液Ｌａ，Ｌｂ中の不純物が付着したために良品面積が減少したと考えられる。
【００５１】
また、実験Ｎｏ．３、４では、加重ブロック９ａ，９ｂの質量が８００ｇ、１０００ｇと重いため、原料溶液Ｌａ，Ｌｂの落下スピードが速くなり、基板５表面に原料溶液Ｌａ，Ｌｂが残り、これが異常エピタキシャル成長して表面欠陥が発生したために、良品面積が減少したと考えられる。
【００５２】
よって、加重ブロック９ａ，９ｂの質量は３００〜７００ｇ、望ましくは５００ｇであるとよい。これを単位面積（ｃｍ2）当たりに換算すると、加重ブロック９ａ，９ｂは２６〜６１ｇ／ｃｍ2、望ましくは４３ｇ／ｃｍ2程度であるとよい。
【００５３】
上記実施形態では、仕切り板８に２つの穴８ａ，８ｂを形成したが、仕切り板８に１つの穴を形成し、これを順次スライドさせて加重ブロック９ａ，９ｂを落下させるようにしてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、シングルヘテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェハ３１を作製したが、本発明は、ダブルへテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェハや、ダブルへテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェハから基板５を除去して得られる裏面反射型の発光ダイオードなどにも適用できる。
【００５５】
上記実施形態では、原料溶液ホルダ４に２つの原料溶液溜４ａ，４ｂを形成したが、作製する発光ダイオード用エピタキシャルウェハに応じて、３つ以上の原料液溜を形成するようにしてもよい。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明の実施例および比較例を説明する。
【００５７】
（実施例）
図１に示す発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置１を用いて、図３の発光ダイオード用エピタキシャルウェハ３１を、ＧａＡｓ基板５上にｐ型ＧａＡｌＡｓ層３２、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層３３を順次積層して作製した。このとき、基板ホルダ３のメルト落下穴７は、従来の２５ｍｍ×２５ｍｍより小さい１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさにし、加重ブロック９ａ，９ｂの質量は５００ｇに設定した。
【００５８】
まず、３４ｍｍ×３４ｍｍに加工したＧａＡｓ基板５を基板収納載置凹部６に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ層原料（Ｇａ、Ａｓ、Ａｌ、およびドーパント）を第１原料溶液溜４ａに、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層原料（Ｇａ、Ａｓ、Ａｌ、およびドーパント）を第２原料溶液溜４ｂにそれぞれ配置し、発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置１を炉に入れ、これを水素気流中で９００℃に加熱し、原料溶液Ｌａ，Ｌｂを作製した。３時間保持後、１℃／ｍｉｎの割合で７００℃まで降温させた。冷却しながら、ＧａＡｓ基板５を第１原料溶液溜４ａの真下に移動させ、原料溶液ＬａとＧａＡｓ基板５を接触させ、基板５上にｐ型ＧａＡｌＡｓ層３２を成長させた。
【００５９】
成長終了後、仕切り板８をスライドさせ、仕切り板８の穴８ａから５００ｇに設定した加重ブロック９ａを原料溶液Ｌａに落下させた。その後、基板ホルダ３を３０ｍｍ／ｓｅｃの速さで第２原料溶液溜４ｂの真下に移動させ、このとき成長に寄与しなかった原料溶液Ｌａを基板ホルダ３のメルト落下穴７を通じて原料溶液受けへ落とし、基板５より除去した。
【００６０】
さらに、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層３３に関しても同様の操作を繰り返し、図３の発光ダイオード用エピタキシャルウェハ３１を作製した。
【００６１】
（比較例）
また、比較例として、図５に示す成長装置５１を用いて、加重ブロックを使用せず、原料溶液を自然落下によって基板より除去する方法で発光ダイオード用エピタキシャルウェハを作製した。なお、その他の条件は実施例と同じとした。
【００６２】
実施例で作製した発光ダイオード用エピタキシャルウェハ３１と比較例で作製した発光ダイオード用エピタキシャルウェハの評価結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
2009218362.tif 000003
【００６４】
表１に示すように、実施例で作製した発光ダイオード用エピタキシャルウェハ３１の良品面積（良品取得面積）は９３０ｍｍ2であり、比較例で作製した発光ダイオード用エピタキシャルウェハの良品面積６９５ｍｍ2に比べて約２５％向上させることができた。これは、加重ブロックを原料溶液の上に落下させることによって、原料溶液の落下速度をコントロールすることができたため、基板に残る原料溶液が低減し、表面欠陥を減らすことができたためである。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置の断面図である。
【図２】図１の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置において、仕切り板をスライドして加重ブロックを落とし込んだときの断面図である。
【図３】図１の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置で作製する発光ダイオード用エピタキシャルウェハの断面図である。
【図４】本発明の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置において、加重ブロックの質量とエピタキシャルウェハの良品面積の関係を示す図である。
【図５】従来の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長装置
２  台座
３  基板ホルダ
４  原料溶液ホルダ
４ａ、４ｂ  原料溶液溜
５  基板
７  メルト落下穴
８  仕切り板
９ａ、９ｂ  加重ブロック
Ｌａ、Ｌｂ  原料溶液
【図１】
2009218362.tif 000004
【図２】
2009218362.tif 000005
【図３】
2009218362.tif 000006
【図４】
2009218362.tif 000007
【図５】
2009218362.tif 000008