(57)【要約】【課題】厚い塗布膜を基板上に均一に形成する。【解決手段】半導体ウェハ１０を用意し、半導体ウェハ１０の両面のうち塗布膜を形成すべき一面の外縁部に高粘度材で土手２１を形成する。そして、半導体ウェハ１０を水平に配置し、半導体ウェハ１０のうち土手２１が形成された一面側に塗布器具４０を配置して塗布器具４０から低粘度材３１を半導体ウェハ１０の一面に流し込む。これにより、低粘度材３１が土手２１で囲まれた領域に溜まるため、半導体ウェハ１０の上に低粘度材３１を一定の厚さとなるように流し込む。こうして、半導体ウェハ１０上に厚く均一な塗布膜５０を形成する。【選択図】図１
2009049339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）の一面から突出すると共に、前記半導体ウェハ（１０）の一面の外縁部を一周して囲む壁部材（２１〜２５）を設ける工程と、
前記半導体ウェハ（１０）を水平に配置し、前記半導体ウェハ（１０）のうち前記壁部材（２１〜２５）が形成された一面に塗布材（３１、３２）を流し込み、前記半導体ウェハ（１０）の一面に塗布膜（５０）を形成する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記塗布材（３１、３２）を流し込む工程では、前記半導体ウェハ（１０）の一面に前記塗布材（３１、３２）を流し込んだ後、前記半導体ウェハ（１０）を振動させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）の一面から突出すると共に、前記半導体ウェハ（１０）の一面の外縁部を一周して囲む壁部材（２１〜２５）を設ける工程と、
前記半導体ウェハ（１０）のうち前記壁部材（２１〜２５）が形成された一面に塗布材（３１、３２）を流し込み、前記半導体ウェハ（１０）を振動させつつ、前記半導体ウェハ（１０）の中心軸を中心に回転させることで、前記半導体ウェハ（１０）の一面に塗布膜（５０）を形成する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記壁部材（２１〜２５）を設ける工程では、前記壁部材（２１〜２５）として、前記半導体ウェハ（１０）の一面の上に、当該一面の外縁部を一周して囲むように土手（２１）を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記土手（２１）を形成する工程では、前記塗布材（３１、３２）よりも高粘度のもので前記土手（２１）を形成し、
前記塗布材（３１、３２）を流し込む工程では、前記土手（２１）よりも低粘度のものを流し込むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記壁部材（２１〜２５）を設ける工程では、前記壁部材（２１〜２５）として、前記半導体ウェハ（１０）の一面から突出するように、前記半導体ウェハ（１０）の側面に粘着テープ（２２）を貼り付けることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記壁部材（２１〜２５）を設ける工程では、前記壁部材（２１〜２５）として、前記半導体ウェハ（１０）の一面から突出するように、前記半導体ウェハ（１０）の側面にリング部材（２３〜２５）を嵌めることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記塗布材（３１、３２）を流し込む工程では、前記塗布材（３１、３２）を前記半導体ウェハ（１０）の上に渦巻き状に塗布することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記壁部材（２１〜２５）を設ける工程では、前記壁部材（２１〜２５）として、当該壁部材（２１〜２５）が少なくとも前記塗布材（３１、３２）に接する部分が撥水性のものを用いることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの上に塗布膜を形成する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、スピンコーターの円盤の上に基板を載せ、基板の中央部に液状の塗布材料を載せてスピンコーターの円盤を回転させ、遠心力を利用して塗布材料を基板上に均一な厚さで塗布するスピンコートの方法が広く知られている。このような手法は、例えば半導体プロセスのデバイス形成の最終工程において、半導体ウェハ上にＰＩＱ（ポリイミド）などの保護膜を形成する際に用いられている。この場合、ＰＩＱを厚く形成することが望まれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一般的に、半導体ウェハ等に樹脂材料などで厚い塗布膜を形成する場合、通常の塗布条件に対して、塗布材料の粘度を高くすることや、スピンコーターの円盤の回転数を下げることのいずれかもしくは両方を行う必要がある。これらの手法を採用することで、ＰＩＱを厚く均一に形成できると考えられる。しかしながら、このような方法では、半導体ウェハ上に均一な厚い保護膜を形成することが困難であることが発明者らの検討により明らかとなった。
【０００４】
上述のように、半導体ウェハをスピンコーターの円盤の上に載せ、高粘度の塗布材料を半導体ウェハの上に載せた後、円盤を回転させる。しかしながら、高粘度の塗布材料が均一に半導体ウェハの外縁側に広がらず、塗布膜に塗布ムラが発生しやすくなってしまう。
【０００５】
他方、スピンコーターの円盤を低回転で回転させた場合、塗布材料が受ける遠心力が弱くなり、遠心力によって半導体ウェハの外縁側に移動しにくくなるため、塗布膜に塗布ムラが発生しやすくなってしまう。
【０００６】
特に、高粘度の塗布材料を半導体ウェハの上に載せ、スピンコーターの円盤を低回転で回転させた場合、図９に示されるように、半導体ウェハ７０上に塗布された塗布材料８０が均一に広がらない。このように、厚い塗布膜を均一に形成しようとすると、塗布材料８０の塗布ムラが顕著に現れ、均一で厚い塗布膜の形成が困難になってしまう。
【０００７】
本発明は、上記点に鑑み、半導体ウェハの上に厚い塗布膜を均一に形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴では、半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、半導体ウェハ（１０）の一面から突出すると共に、半導体ウェハ（１０）の一面の外縁部を一周して囲む壁部材（２１〜２５）を設ける工程と、半導体ウェハ（１０）を水平に配置し、半導体ウェハ（１０）のうち壁部材（２１〜２５）が形成された一面に塗布材（３１、３２）を流し込み、半導体ウェハ（１０）の一面に塗布膜（５０）を形成する工程とを含んでいることを特徴とする。
【０００９】
これによると、壁部材（２１〜２５）が壁となって半導体ウェハ（１０）の一面に塗布材（３１、３２）を溜め込むことができる。この場合、壁部材（２１〜２５）の高さを調整することで、塗布膜（５０）の厚さを調整することができる。したがって、半導体ウェハ（１０）の上に均一で厚い塗布膜（５０）を形成することができる。このような方法は、低粘度の塗布材（３１）を用いる場合に特に有効である。
【００１０】
この場合、塗布材（３１、３２）を流し込む工程では、半導体ウェハ（１０）の一面に塗布材（３１、３２）を流し込んだ後、半導体ウェハ（１０）を振動させることもできる。このような振動により、塗布材（３１、３２）を均一に塗布することができる。
【００１１】
本発明の第２の特徴では、半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、半導体ウェハ（１０）の一面から突出すると共に、半導体ウェハ（１０）の一面の外縁部を一周して囲む壁部材（２１〜２５）を設ける工程と、半導体ウェハ（１０）のうち壁部材（２１〜２５）が形成された一面に塗布材（３１、３２）を流し込み、半導体ウェハ（１０）を振動させつつ、半導体ウェハ（１０）の中心軸を中心に回転させることで、半導体ウェハ（１０）の一面に塗布膜（５０）を形成する工程とを含んでいることを特徴とする。
【００１２】
これにより、塗布材（３１、３２）が半導体ウェハ（１０）の上に広がりやすくすることで、均一な厚さの塗布膜（５０）を形成することができる。特に、塗布材（３１、３２）として粘度が高いものを塗布する場合、半導体ウェハ（１０）に振動を与えつつ、回転させることで、塗布材（３１、３２）を均一に広げることができると共に、壁部材（２１〜２５）によって厚い塗布膜（５０）を形成することができる。
【００１３】
壁部材（２１〜２５）として、半導体ウェハ（１０）の一面の上に、当該一面の外縁部を一周して囲むように土手（２１）を形成することができる。これにより、土手（２１）で囲まれた領域に塗布材（３１、３２）を溜め込むことができる。
【００１４】
この場合、塗布材（３１、３２）よりも高粘度のもので土手（２１）を形成し、土手（２１）よりも低粘度の塗布材（３１、３２）を流し込むことができる。ただし、土手（２１）を形成するための塗布材の粘度は、例えば半導体ウェハ（１０）の外周に塗布材を塗布後、当該塗布材をベーキングなどにより硬化させ、塗布膜（５０）の形成に必要な高さの土手（２１）を形成することが可能であれば、塗布膜形成用に流し込む塗布材（３１、３２）の粘度より高粘度である必要はない。言い換えると、土手（２１）は、必要な高さの土手（２１）を形成できる粘度であることが必要である。
【００１５】
また、壁部材（２１〜２５）として、半導体ウェハ（１０）の一面から突出するように、半導体ウェハ（１０）の側面に粘着テープ（２２）を貼り付けることができる。これにより、粘着テープ（２２）で囲まれた領域に塗布材（３１、３２）を溜め込むことができる。粘着テープ（２２）は半導体ウェハ（１０）の側面に貼り付けられているだけであるので、容易に取り外すこともできる。
【００１６】
さらに、壁部材（２１〜２５）として、半導体ウェハ（１０）の一面から突出するように、半導体ウェハ（１０）の側面にリング部材（２３〜２５）を嵌めることができる。これにより、リング部材（２３〜２５）で囲まれた領域に塗布材（３１、３２）を溜め込むことができる。リング部材（２３〜２５）は半導体ウェハ（１０）の側面に嵌め込まれているだけであるので、容易に取り外すこともできる。
【００１７】
そして、塗布材（３１、３２）を半導体ウェハ（１０）の上に渦巻き状に塗布することができる。これにより、半導体ウェハ（１０）の一面全体に均等に塗布材（３１、３２）を塗布することができる。
【００１８】
また、壁部材（２１〜２５）を設ける工程では、壁部材（２１〜２５）として、当該壁部材（２１〜２５）が少なくとも塗布材（３１、３２）に接する部分が撥水性のものを用いることができる。
【００１９】
これにより、塗布材（３１、３２）から壁部材（２１〜２５）を容易に取り外すことができる。また、塗布材（３１、３２）と壁部材（２１〜２５）との接触面をきれいに仕上げることができる。
【００２０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００２２】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態では、塗布性の良い低粘度材で塗布膜を形成する場合について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。この図を参照して、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【００２３】
まず、半導体ウェハ１０を用意する。半導体ウェハ１０として、半導体素子が作り込まれたものが採用される。また、半導体ウェハ１０として、例えばＳｉウェハやＳｉＣウェハが採用される。
【００２４】
次に、半導体ウェハ１０の両面のうち塗布膜を形成すべき一面の外縁部に高粘度材で土手２１を形成する。この場合、半導体ウェハ１０の一面の外縁部を一周して囲むように土手２１を形成する。土手２１を形成する方法として、例えば注射器内に高粘度材を入れ、注射器内から高粘度材を押し出す方法を採用することができる。なお、土手２１は本発明の壁部材に相当する。
【００２５】
また、形成すべき塗布膜の厚さと同じ、もしくは形成すべき塗布材よりも高く土手２１を設けることが好ましい。高粘度材として、例えばＰＩＱ（ポリイミド）等の樹脂材料が採用される。
【００２６】
続いて、土手２１よりも低粘度であり、液状の低粘度材３１を用意する。また、低粘度材３１を半導体ウェハ１０に塗布するための塗布器具４０を用意する。低粘度材３１として、例えばＰＩＱ（ポリイミド）等の樹脂材料が採用される。ここで、土手２１の形成と塗布膜５０の形成とに使用するそれぞれの塗布材は、同一材質（本実施形態ではＰＩＱ）であることが望ましい。もちろん、土手２１の形成と塗布膜５０の形成とに使用するそれぞれの塗布材は異種材であっても良く、塗布膜５０を厚膜形成することは可能である。また、塗布器具４０として、例えば注射器が採用される。なお、低粘度材３１は本発明の塗布材に相当する。
【００２７】
この後、半導体ウェハ１０を水平に配置し、半導体ウェハ１０のうち土手２１が形成された一面側に塗布器具４０を配置し、塗布器具４０から低粘度材３１を半導体ウェハ１０の一面に流し込む。この場合、半導体ウェハ１０上の土手２１が壁としての役割を果たし、低粘度材３１が土手２１で囲まれた領域に溜まる。そして、半導体ウェハ１０の上に低粘度材３１を一定の厚さとなるように流し込む。こうして、半導体ウェハ１０上に厚く均一な塗布膜５０を形成する。
【００２８】
なお、塗布膜５０を乾燥させて保護膜を完成させた後、フォトリソグラフィ・エッチング工程により、保護膜のうち半導体素子の電極が形成された部分を開口して当該電極を露出させることもできる。
【００２９】
以上説明したように、本実施形態では、半導体ウェハ１０の一面の外縁部に高粘度材で土手２１を形成し、この土手２１を壁として土手２１で囲まれた領域に低粘度材３１を流し込んで塗布膜５０を形成することが特徴となっている。
【００３０】
これにより、土手２１で囲まれた領域に低粘度材３１を溜め込むことができるため、半導体ウェハ１０上の塗布膜５０を厚膜化することができる。また、液状の低粘度材３１が半導体ウェハ１０の上に均一に広がるため、均一の厚さの塗布膜５０を形成することができる。
【００３１】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第１実施形態では、半導体ウェハ１０の上に低粘度材３１を溜め込むために高粘度材で土手２１を形成したが、本実施形態では粘着テープによって低粘度材３１を溜め込むことが特徴となっている。
【００３２】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。この図に示されるように、半導体ウェハ１０の側面を一周して囲むように、半導体ウェハ１０の側面に粘着テープ２２を貼り付ける。この場合、半導体ウェハ１０の両面のうち塗布膜５０を形成すべき一面から粘着テープ２２が突出するように、半導体ウェハ１０の側面に粘着テープ２２を貼り付ける。すなわち、半導体ウェハ１０の一面から突出する粘着テープ２２が低粘度材３１をせき止める側壁となる。なお、粘着テープ２２は本発明の壁部材に相当する。
【００３３】
以上のように、半導体ウェハ１０の側面に粘着テープ２２を貼り付け、当該粘着テープ２２で囲まれた領域に低粘度材３１を流し込むことで、半導体ウェハ１０上に均一で厚い塗布膜５０を形成することができる。
【００３４】
また、半導体ウェハ１０の上に塗布膜５０を形成して乾燥させた後、半導体ウェハ１０から粘着テープ２２を剥がすだけで良いため、粘着テープ２２の取り外しを容易に行うことができる。
【００３５】
（第３実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態ではリング部材によって低粘度材３１を溜め込むことが特徴となっている。
【００３６】
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。この図に示されるように、半導体ウェハ１０の側面を一周して囲むように、半導体ウェハ１０の側面にリング部材２３を嵌める。リング部材２３として、弾性変形するリングや弾性バンドが採用される。なお、リング部材２３として、図４（ａ）に示されるテーパーリング２４や図４（ｂ）に示される段付リング２５を採用することもできる。なお、テーパーリング２４および段付リング２５は、本発明のリング部材に相当し、リング部材２３、テーパーリング２４、および段付リング２５は本発明の壁部材に相当する。
【００３７】
そして、半導体ウェハ１０の両面のうち塗布膜５０を形成すべき一面からリング部材２３が突出するように、リング部材２３を半導体ウェハ１０の側面に嵌める。リング部材２３が例えば弾性変形する樹脂部材である場合、当該樹脂部材が弾性変形して収縮することで半導体ウェハ１０の側面を締め付けるように嵌めることができる。続いて、上述のように、リング部材２３で囲まれた領域に低粘度材３１を流し込んで乾燥させ、塗布膜５０を形成する。
【００３８】
以上のように、半導体ウェハ１０の側面にリング部材２３を嵌め、当該リング部材２３で囲まれた領域に低粘度材３１を流し込むことで、半導体ウェハ１０上に均一で厚い塗布膜５０を形成することができる。また、半導体ウェハ１０にリング部材２３が嵌められているだけであるので、半導体ウェハ１０から容易にリング部材２３を取り外すことができる。
【００３９】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、塗布性の悪い高粘度材で塗布膜を形成する場合について説明する。図５は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。この図を参照して、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【００４０】
まず、図５（ａ）に示す工程では、第１実施形態と同様に半導体ウェハ１０を用意し、半導体ウェハ１０の両面のうち塗布膜を形成すべき一面の外縁部に、半導体ウェハ１０の一面の外縁部を一周して囲むように高粘度材で土手２１を形成する。
【００４１】
続いて、高粘度材３２が入った塗布器具４０を用意する。そして、半導体ウェハ１０のうち土手２１が形成された一面側に塗布器具４０を配置し、塗布器具４０から高粘度材３２を半導体ウェハ１０の一面に流し込む。この場合、例えば半導体ウェハ１０の中央部に高粘度材３２を流し込む。なお、高粘度材３２は本発明の塗布材に相当する。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、半導体ウェハ１０を例えば振動機能付きスピンコーターの円盤６０の上に載せ、当該円盤６０を振動させつつ回転させることで、半導体ウェハ１０に振動を与えながら半導体ウェハ１０を当該半導体ウェハ１０の中心軸を中心に回転させ、半導体ウェハ１０の上に高粘度材３２をスピンコートする。
【００４３】
これによると、高粘度材３２が半導体ウェハ１０を介して円盤６０から振動を受けることで半導体ウェハ１０の一面を覆うように広がる一方、半導体ウェハ１０が回転するために高粘度材３２が遠心力を受けて半導体ウェハ１０の外縁部側に移動しやすくなり、高粘度材３２を半導体ウェハ１０の外縁部側にまでムラなく行き渡らせることができる。また、半導体ウェハ１０を回転させ高粘度材３２を半導体ウェハ１０の外縁部側にムラなく均一な厚さで行き渡らせた後に、半導体ウェハ１０の回転を止め振動を加えることでも塗布膜５０の均一性を向上させることができる。こうして、半導体ウェハ１０上に厚く均一な塗布膜５０を形成することができる。
【００４４】
なお、図５（ｂ）に示す工程では、円盤６０を振動させるだけでも半導体ウェハ１０上に高粘度材３２を広がらせることができる。
【００４５】
以上説明したように、半導体ウェハ１０上に高粘度材３２を塗布するに際し、少なくとも半導体ウェハ１０を振動させることで、高粘度材３２を半導体ウェハ１０上に広がらせることができる。さらに半導体ウェハ１０を振動させつつ回転させることで、高粘度材３２を半導体ウェハ１０の外縁部側にムラなく均一な厚さで行き渡らせることができ、ひいては半導体ウェハ１０上に厚く均一な塗布膜５０を形成することができる。これらの半導体ウェハ１０の回転と振動との最良の組合せは、塗布材粘度に依存するため、使用する塗布材の粘度により、適時、半導体ウェハ１０の回転と振動とを組み合わせることが望ましい。
【００４６】
（第５実施形態）
本実施形態では、第４実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第４実施形態では、半導体ウェハ１０の中央部に高粘度材３２を流し込んでいたが、本実施形態ではより効率的に均等に高粘度材３２を半導体ウェハ１０に塗布することが特徴となっている。
【００４７】
図６は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。この図に示されるように、まず、半導体ウェハ１０を図５（ｂ）に示される円盤６０の上に載せ、高粘度材３２が入れられた塗布器具４０を半導体ウェハ１０の中央部の上に配置する。
【００４８】
続いて、半導体ウェハ１０を振動させつつ回転させる。そして、塗布器具４０から半導体ウェハ１０の中央部に高粘度材３２を流し込みつつ、塗布器具４０を半導体ウェハ１０の径方向に移動させる。これにより、図６に示されるように、高粘度材３２の径が大きくなっていき、高粘度材３２が半導体ウェハ１０の上に渦巻き状に塗布される。
【００４９】
この場合、高粘度材３２は振動を受けて半導体ウェハ１０の上に広がると共に、半導体ウェハ１０の回転に応じて遠心力を受けているため、高粘度材３２が均等に均一に半導体ウェハ１０の上に広がる。
【００５０】
以上説明したように、半導体ウェハ１０を振動させつつ回転させるに際し、塗布器具４０から高粘度材３２を半導体ウェハ１０に流し込みつつ、半導体ウェハ１０の中央部から径方向に移動させることで、高粘度材３２をより効率的に均等に半導体ウェハ１０に塗布することができる。
【００５１】
（第６実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、土手２１、粘着テープ２２、リング部材２３の塗布膜５０を形成する半導体ウェハ１０の一面からの突出高さが、形成すべき塗布膜の厚さと同じ、もしくは形成すべき塗布材よりも高い場合について説明したが、半導体ウェハ１０に塗布膜５０を塗布した際に土手２１等が塗布膜５０よりも僅かに低くなる場合もある。本実施形態では、この場合について説明する。
【００５２】
なお、以下では、リング部材２３として段付リング２５を用いた製造方法について説明する。もちろん、段付リング２５に限らず、他のものを用いても良い。
【００５３】
図７は、本実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した一部断面図である。まず、図７（ａ）に示されるように、半導体ウェハ１０の側面に段付リング２５を嵌め、半導体ウェハ１０の両面のうち段付リング２５が突出する一面側に液状の低粘度材３１を塗布する。この場合、塗布膜５０の表面張力により、段付リング２５から塗布膜５０が盛り上がった形態となる。すなわち、半導体ウェハ１０の一面に対して段付リング２５が塗布膜５０よりも僅かに低くなる形態となる。
【００５４】
続いて、図７（ｂ）では、塗布膜５０を硬化させる。これによると、硬化後の塗布膜５０の外周部の盛り上がりが少なくなる。そして、図７（ｃ）に示されるように、半導体ウェハ１０から段付リング２５を取り外すことにより、半導体ウェハ１０の一面に塗布膜５０を設けた状態となる。
【００５５】
以上説明したように、塗布膜５０の表面張力により、塗布膜５０が段付リング２５から盛り上がるようにすることもできる。本実施形態に係る方法は、塗布材である低粘度材３０中の溶剤成分が多く、硬化時の膜厚減少が大きい場合に有効である。
【００５６】
（他の実施形態）
第１〜第４実施形態に示される方法に第５実施形態に示される方法をそれぞれ採用することもできる。また、第１〜第３実施形態に示される方法と、第４実施形態に示される方法と、第５実施形態に示される方法とをそれぞれ組み合わせることもできる。これにより、より効率的に塗布膜５０を形成することができる。
【００５７】
上記各実施形態では、塗布膜５０を形成する対象として半導体ウェハ１０を例に説明したが、例えばガラス基板、金属、セラミックス等に厚い塗布膜５０を形成する際に上記各実施形態で示された方法を採用することができる。
【００５８】
上記第２、第３実施形態に示される粘着テープ２２やリング部材２３等の壁部材として非撥水性の壁部材を用いると、塗布膜５０の硬化後にその最外周部が壁部材に沿って濡れる形状となってテーパ状に厚くなってしまう場合や、壁部材を取り外した際にバリなどが発生してしまう場合がある。そこで、粘着テープ２２やリング部材２３等の壁部材の材質自体、もしくは少なくとも半導体ウェハ１０への装着時に塗布膜５０と接触する面を撥水性で構成することができる。
【００５９】
すなわち、図８（ａ）に示されるように、例えば撥水性の段付リング２５を半導体ウェハ１０の側面に取り付けて半導体ウェハ１０上に塗布膜５０を設け、図８（ｂ）に示されるように塗布膜５０を硬化させる。そして、図８（ｃ）に示されるように半導体ウェハ１０から段付リング２５を取り外す際に、段付リング２５と塗布膜５０とが密着しないため、段付リング２５を容易に取り外すことができる。また、塗布膜５０の外周部にてバリやテーパ状の厚膜部の発生を抑止することができる。なお、撥水性の材料として、例えばフッ素樹脂を用いることができる。
【００６０】
この場合、図１および図２に示される土手２１や粘着テープ２２として撥水性のものを採用したり、土手２１や粘着テープ２２のうち塗布材に接する部分に撥水処理を施すこともできる。
【００６１】
上記第５実施形態では、半導体ウェハ１０を振動させつつ回転させ、半導体ウェハ１０に高粘度材３２を流し込みつつ、塗布器具４０を半導体ウェハ１０の径方向に移動させることで高粘度材３２を半導体ウェハ１０の上に渦巻き状に塗布していたが、半導体ウェハ１０を回転のみさせて高粘度材３２を半導体ウェハ１０の上に渦巻き状に塗布した後、半導体ウェハ１０に振動を加えても良い。すなわち、半導体ウェハ１０を回転させて半導体ウェハ１０の一面に塗布材を流し込んだ後、半導体ウェハ１０に振動を加えて塗布膜５０を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図４】第３実施形態において、リング部材としてテーパーリングおよび段付リングを示した図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図８】他の実施形態において、撥水性の壁部材を用いたときの半導体装置の製造工程を示した図である。
【図９】従来の塗布膜の形成方法を示した図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０…半導体ウェハ、２１…土手、２２…粘着テープ、２３…リング部材、２４…テーパーリング、２５…段付リング、３１…低粘度材、３２…高粘度材、５０…塗布膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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