(57)【要約】【課題】  ショット分割繋ぎ位置選択方法及びショット分割露光システムに関し、ショット繋ぎ位置を体系的に且つ簡便に決定する。【解決手段】  フォトリソグラフィー工程における被露光基板上のショット分割繋ぎ位置を選択する際に、回路パターンに含まれるセルを、分割優先度でカテゴリ分類し、分割優先度に基づき、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外したのち、繋ぎに適する領域内のパターン形状に基づき、被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響度合いを求め、影響度合いに基づき繋ぎ位置候補を選択し、次いで、選択した繋ぎ位置候補から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率に基づき、繋ぎ位置を選択する。【選択図】          図１
2009049161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィー工程における被露光基板上のショット分割繋ぎ位置選択方法において、回路パターンに含まれるセルを、分割優先度でカテゴリ分類し、前記分割優先度に基づき、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する工程を有することを特徴とするショット分割繋ぎ位置選択方法。
【請求項２】
上記繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する工程で残った領域内のパターン形状に基づき、上記被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響度合いを求め、前記影響度合いに基づき繋ぎ位置候補を選択する工程を有することを特徴とする請求項１記載のショット分割繋ぎ位置選択方法。
【請求項３】
上記繋ぎ位置候補を選択する工程において、前記各繋ぎ位置候補において実際に露光した場合に多重露光による影響を点数化し、点数の少ない数箇所の繋ぎ位置候補を繋ぎ位置候補として選択することを特徴とする請求項２記載のショット分割繋ぎ位置選択方法。
【請求項４】
上記数箇所の繋ぎ位置候補を選択する工程の後に、前記繋ぎ位置候補の位置から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率に基づき、繋ぎ位置を選択する工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のショット分割繋ぎ位置選択方法。
【請求項５】
フォトリソグラフィー工程における被露光基板上のショット分割繋ぎ位置を選択するショット分割露光システムにおいて、回路パターンに含まれるセルを、分割優先度でカテゴリ分類し、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する機能と、繋ぎに適する領域内のパターン形状を分析し、前記被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響を受けにくい数箇所を繋ぎ位置候補として選択する機能と、前記数箇所の繋ぎ位置候補からフォトマスク作成時のエラーが最小となるように、繋ぎ位置から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率の大きな領域を繋ぎ位置として選択する機能を有することを特徴とするショット分割露光システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はショット分割繋ぎ位置選択方法及びショット分割露光システムに関するものであり、特に、半導体集積回路装置のフォトプロセスにおいて分割露光の繋ぎ位置を簡便に決定するための構成に特徴のあるショット分割繋ぎ位置選択方法及びショット分割露光システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造工程において、ウェーハへのパターン転写は一括露光転写方式が主流となっているが、表示用デバイスなどは用途により集積回路装置のサイズが大きくなり、一括露光転写の最大ショット領域を超えてしまう場合があり、その際、分割露光転写方式でのパターン転写が必要となる。
【０００３】
分割露光転写方式を行う場合、繋ぎ位置の選択は多重露光の影響があるため、本来ならば、パターンが無い領域を繋ぎ位置にすることが理想であるが、実際には、パターンが無い領域を繋ぎ位置にできる場合は稀であるため、パターン形状を考慮しなければならない。
【０００４】
このようなパターン形状の考慮にあたっては、感能的判断や設計的判断による分割位置の決定や、微視的なパターン形状による位置の選択が主な選択方法である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−０７７０００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年の集積回路の高集積化／微細化に伴い、パターンが無い繋ぎ領域を設けることはもとより、従来の技術を用いても、適切な分割位置を選択することが困難になりつつある。
【０００６】
一方、近年のフォトマスク電子ビーム描画装置は、電子ビーム近接効果や被りの影響などを考慮し、近接効果補正（ＰＥＣ）により、各パターン寸法の均一性を向上させており、電子ビーム描画装置での近接効果補正の手法は、任意の領域内での描画面積密度からドーズ量の変調により行われるが、このような手法で行う都合上、描画面積に依存したエラーは補正しきれない場合もある。
【０００７】
例えば、分割露光転写方式を行う場合、分割露光転写方式を行うために必要なフォトマスク上では、分割繋ぎとなる辺と接する箇所はブラインドカバー（遮光帯）にする必要があるが、フォトマスク作成工程においてはこのブラインドカバー部も描画面積密度として見なしてしまうため、分割露光転写方式を行う場合は、ブラインドカバー部の影響についても考慮しなければならない。
【０００８】
このように、分割露光転写方式を行う場合、フォトマスク作成工程とウェーハに対する露光工程の両方において、それぞれの繋ぎ影響を受けにくい箇所を選択する必要があるが、現在のところ、このような選択を体系的に且つ簡便に行うための手法が存在しないという問題がある。
【０００９】
したがって、本発明は、ショット繋ぎ位置を体系的に且つ簡便に決定することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、フォトリソグラフィー工程における被露光基板上のショット分割繋ぎ位置選択方法において、回路パターンに含まれるセルを、分割優先度でカテゴリ分類し、前記分割優先度に基づき、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する工程を有することを特徴とする。
【００１１】
このような、ショット繋ぎ位置の決定工程の最初の段階で、回路パターンをセル単位で分割優先度毎にカテゴリ分類し、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する、逆に言えば、繋ぎに適する領域を分割対象に選択することによって、ショット繋ぎ位置を簡便に決定することができる。
【００１２】
この場合、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する工程で残った領域内のパターン形状に基づき、被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響度合いを求め、影響度合いに基づき繋ぎ位置候補を選択する工程を設けることが望ましい。
【００１３】
このように、繋ぎ位置における多重露光の影響は、最終的には被露光基板上、典型的にはウェーハ上における多重露光の影響であるので、まず、繋ぎ位置候補として選択に際しては、被露光基板上に回路パターンを光露光する際の多重露光による影響を優先的に考慮する必要がある。
【００１４】
この多重露光による影響を受けにくい数箇所を繋ぎ位置候補として選択する工程においては、前記各繋ぎ位置候補において実際に露光した場合に多重露光による影響を点数化し、点数の少ない数箇所を繋ぎ位置候補として選択することが望ましく、それによって、客観的な基準に基づいて繋ぎ位置候補を選択することが可能になる。
【００１５】
なお、点数化に際しては、上記回路パターンを構成するパターン要素の延在方向又は前記パターン要素同士の突き合わせ状態の少なくとも一つを考慮することが望ましく、また、回路パターンを構成するパターン要素の線幅、繋ぎ被り量、または、多重露光部までの間隔の少なくとも一つを考慮することが望ましい。
【００１６】
また、数箇所の繋ぎ位置候補を選択する工程の後に、繋ぎ位置候補の位置から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率に基づき、繋ぎ位置を選択する工程を有することが望ましい。
【００１７】
上述の選択された数箇所を繋ぎ位置候補における点数が同程度に少ない場合にも、ショット繋ぎ位置近傍における被露光パターン占有率によってフォトマスク作成時の寸法エラーが異なるので、繋ぎ位置から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率の大きな領域を繋ぎ位置として選択することによってフォトマスク作成時のエラーを最小にすることができる。
【００１８】
また、上述の各工程を有するショット分割露光システムを構成することによって、多重露光の影響が少なく、且つ、フォトマスク作成時の寸法エラーが最小のショット繋ぎ位置を体系的に且つ簡便に決定することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、分割露光転写方法を行うフォトマスク作成工程における寸法エラーを最小にし且つウェーハ露光工程における多重露光の影響が少ないショット繋ぎ位置を体系的に且つ簡便に決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、フォトリソグラフィー工程における被露光基板をショット繋ぎ露光転写するための露光システムにおいて、
（１）まず、回路パターンをセル単位で分割優先度毎にカテゴリ分類し、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外し、
（２）次いで、繋ぎに適する領域内のパターン形状を分析し、前記被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響を受けにくい数箇所を繋ぎ位置候補として選択し、
（３）次いで、数箇所の繋ぎ位置候補からフォトマスク作成時のエラーが最小となるように、繋ぎ位置から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率の大きな領域を繋ぎ位置として選択するものである。
【００２１】
なお、上記（２）の繋ぎ位置候補の選択に際しては、回路パターンを構成するパターン要素の延在方向及び各パターン要素の突き合わせ状態を少なくとも考慮するとともに、回路パターンを構成するパターン要素の線幅、繋ぎ被り量、及び、多重露光部までの間隔も考慮して、各繋ぎ位置候補において実際に露光した場合に生じる多重露光による影響を点数化するものである。
【実施例１】
【００２２】
次に、図１乃至図１０を参照して、本発明の実施例１のショット分割繋ぎ位置決定方法を説明する。
図１参照  
図１は、本発明の実施例１のショット分割繋ぎ位置決定方法の体系を示すフローチャートであり、まず、
第一段階として、集積回路をセル単位で分割優先度毎にカテゴリ分類し、繋ぎに適さないセル領域を除外する。
【００２３】
図２参照  
図２は、ショット繋ぎ露光転写となる大面積半導体集積回路装置のフロアプランの一例であり、チップ上に配置された各マクロセルを切断しない領域を繋ぎ候補領域として選択し、他の領域を繋ぎに適さないセル領域として除外する。
逆に言えば、回路パターンの設計段階において、ショット繋ぎ露光転写の適用が決まった大面積半導体集積回路装置においては、直線上に各マクロセルが重ならない領域が存在するように各マクロセルを配置し、この重ならない領域を繋ぎ候補領域として選択する。
【００２４】
再び、図１参照  
次に、
第二段階として、第一段階で抽出した繋ぎ候補領域内のパターン情報を抽出し、抽出した回路パターン要素の線幅毎のウェーハプロセス基準に基づく繋ぎ判定条件により、繋ぎに適した位置であるかの判定を行う。
【００２５】
図３参照  
図３は、繋ぎ判定に用いるパターン情報の説明図であり、まず、
ａ．繋ぎ位置にくる回路パターン要素が、横配線か、縦配線か、斜め配線か、或いは、繋    ぎ位置近傍で分断された突き合わせパターンかを判断する。
ｂ．次いで、回路パターン要素の線幅、繋ぎ被り量、及び、多重露光部までの間隔を評価    する。
ｃ．また、回路パターンの疎密を評価するが、これは、後述する第三段階のフォトマスク    形成工程で用いる。
【００２６】
図４及び図５参照  
図４及び図５は、回路パターン要素の繋ぎ判定評価条件の説明図であり、多重露光となる領域Ｅ、多重露光による影響を受ける領域Ａを跨ぐ分割部パターンに対し、
ａ．Ｌｉｎｅ０°（横配線）
ｂ．Ｌｉｎｅ  ＆  Ｓｐａｃｅ０°（横方向ラインアンドスペース）
ｃ．Ｌｉｎｅ９０°（縦配線）
ｄ．Ｌｉｎｅ  ＆  Ｓｐａｃｅ９０°（縦方向ラインアンドスペース）
ｅ．大パターン
ｆ．Ｌｉｎｅ  ＥＮＤ（配線端部）
ｇ．Ｈｏｌｅ（穴開きパターン）
ｈ．斜めパターン
に区分し、ウェーハに光露光する際の繋ぎ部に対する補正パターン挿入の容易さや、出来上がりパターンの繋ぎ精度／形状が最適となるよう致命度を点数化して致命度判定を行い、致命度（点数）が低い位置を繋ぎ位置候補として複数選択する。
なお、致命度判定には、線幅〔ｗ〕、間隔〔Ｐ〕、分割線上ラインの長さ〔Ｌ〕、多重露光領域からはみ出し量〔Ｈ〕、多重露光部までの間隔〔Ｔ〕、開口幅〔Ｋ〕を点数化のファクタとする。
【００２７】
この点数化に際しては、実際にウェーハ上に露光した際のパターンの繋ぎ精度／形状に基づいてポイントを決定するものであり、ポイントの決定に際しては具体的な露光条件に基づいて決定することになる。
ここに示す一例は、ステッパとして２４８ｎｍの波長の紫外線を開口数（ＮＡ）が０．６の投影レンズで投影するステッパを用いて０．２μｍのデザインルールのパターンを露光する場合であり、分割致命度は、当然、使用するレジストの種類、使用するレチクルの構成にも依存する。
【００２８】
例えば、Ｌｉｎｅ０°（横配線）の場合は、露光パターンとしての線幅が０．２０１μｍ以上の場合には分割致命度を０点とし、０．２００μｍ以下の場合には分割致命度を１点とする。
【００２９】
また、Ｌｉｎｅ  ＆  Ｓｐａｃｅ０°（横方向ラインアンドスペース）の場合には、露光パターンとしてのピッチが０．６０１μｍ以上の場合に分割致命度を０点とする。
また、露光パターンとしてのピッチが０．６００〜０．４００μｍ且つスペースが０．２２μｍ以上の場合に分割致命度を１点とし、ピッチが６００〜０．４００μｍ且つスペースが０．２２μｍ未満の場合に分割致命度を３点とする。
【００３０】
また、Ｌｉｎｅ９０°（縦配線）の場合は、露光パターンとしての長さが２．０μｍ以上の場合に分割致命度を２点とし、長さが２．０μｍ未満の場合に分割致命度を３点とする。  また、Ｌｉｎｅ  ＆  Ｓｐａｃｅ９０°（縦方向ラインアンドスペース）の場合は、全て分割致命度を３点とする。
【００３１】
また、大パターンの場合は、露光パターンとしての幅Ｗが１．０μｍ以上ではみ出し量Ｈが０．２μｍ以上の場合に分割致命度を４点とし、幅Ｗが０．３μｍ以上ではみ出し量Ｈが０．２μｍ未満の場合に分割致命度を６点とする。
【００３２】
また、Ｌｉｎｅ  ＥＮＤ（配線端部）の場合は、判定領域Ａ内に対向する２つのエッジが存在する場合には、全てのパターンにおいて分割致命度を１０点とする。
また、分割領域Ｅ内にパターンのエッジの片方が存在する場合には、全てのパターンにおいて分割致命度を１０点とする。
【００３３】
また、Ｈｏｌｅ（穴開きパターン）の場合は、露光パターンとしてＥ→Ａ間に存在するパターンの分割致命度を３点とし、分割領域Ｅ内に存在するパターンの分割致命度を１０点とし、Ｅ境界線上に存在するパターンの分割致命度を２０点とする。
【００３４】
また、斜めパターンの場合は、露光パターンとしての線幅が０．２０１μｍ以上の場合には分割致命度を０点とし、０．２００μｍ以下の場合には分割致命度を１点とし、Ｌｉｎｅ０°（横配線）と同じ評価となる。
【００３５】
再び、図１参照  
次いで、
第三段階として、第二段階で選択した繋ぎ位置候補を抽出し、フォトマスク製造条件に基づく繋ぎ判定条件に基づき、最も繋ぎに適した位置を選択する。
抽出するパターン情報は、フォトマスク製造におけるブラインドカバー（遮光帯）近傍のパターン疎密差による影響を考慮した占有面積判定領域を抽出する。
【００３６】
図６参照  
図６は、占有面積判定領域の説明図であり、ここでは、フォトマスク上において、繋ぎ位置を挟み、ブラインドカバーと接する多重露光領域Ｅの端を中心として左右３０μｍ×１５μｍの３０μｍ□の範囲を占有面積判定領域として抽出し、領域Ｚ内と非分割領域とのパターン占有率（面積密度）の乖離が最も少ない位置を繋ぎ位置として選択する。
【００３７】
図７参照  
図７は、フォトマスクと各領域におけるパターン占有率の説明図であり、上段図は分割露光転写方式を用いたフォトマスクの一例であり、フォトマスク１０には２つの分割パターン１１，１２が設けられており、各分割パターン１１，１２の周囲には遮光帯１３が設けられている。
なお、図における符号１４がスクライブラインである。
【００３８】
中段図は、遮光帯近傍以外の領域におけるパターンの一例であり、左図は孤立ライン１５の場合を示し、右図はラインアンドスペース１６を示しており、パターン占有率は各々１０％と５０％とする。
なお、ここでは、被露光パターンの占有率であり、ネガ型レジストを用いた場合とポジ型レジストを用いた場合には、同じ配線パターンを形成する場合の被露光パターンの占有率は逆になる。
【００３９】
下段図は、遮光帯近傍領域におけるパターンの一例であり、左図は孤立ライン１７の場合を示し、右図はラインアンドスペース１８を示しており、この場合には、遮光帯１３も電子ビーム露光によって孤立ライン１７或いはラインアンドスペース１８と一緒に電子ビームレジストに電子ビームを照射して形成するため、遮光帯１３も描画面積となる。
したがって、孤立ライン１７の占有率は５５％（＝１０％／２＋１００％／２）となり、ラインアンドスペース１８の占有率は７５％（＝５０％／２＋１００％／２）となる。
【００４０】
図８参照  
図８は、電子ビーム露光による寸法エラーの描画面積密度依存性の説明図であり、図から明らかなように、描画面積密度が大きなほど寸法エラーは大きくなる。
しかし、図７の左図に示す孤立ラインの場合には、寸法エラーの絶対値は小さいものの、遮光帯近傍以外の領域における孤立ライン１５と遮光帯近傍領域における孤立ライン１７との寸法エラーの差ΔL が、図７右図に示すラインアンドスペース１６とラインアンドスペース１８との寸法エラーの差ΔL&S より寧ろ大きくなることが分かる。
【００４１】
したがって、全体の回路パターンを寸法エラー差が少なくなるように形成するためには、フォトマスク作成工程におけるパターン占有率（面積密度）の乖離を極力抑えることが好ましい。
例えば、図７の場合には、疎密差が４５％（＝５５％−１０％）の孤立ラインの箇所で分割するより、疎密差が２５％（＝７５％−５０％）のラインアンドスペースの箇所で分割する方が好ましいことになる。
【００４２】
次に、図９を参照して、第二段階の繋ぎ分割位置候補の選択例を説明する。
図９参照  
図９は、本発明の実施例１の第二段階の繋ぎ分割位置候補の選択例の説明図であり、まず、上段図に示すように、図２に示した繋ぎ候補領域に沿って、所定の間隔で繋ぎ分割位置を設定して、各設定箇所における分割致命度を計測する。
この上段図においては、繋ぎ分割位置にかかった場合に致命箇所となる可能性のあるパターン要素を異なったハッチングで表示しており、致命箇所１は分割位置を挟み、左右の間隔が均一にならないパターン要素（即ち、Ｌｉｎｅ  Ｅｎｄ）を表し、致命箇所２は分割判定領域に内包されるパターン要素（即ち、Ｌｉｎｅ９０°）を表している。
【００４３】
中段図は、任意の二つの箇所における分割致命度を示したものであり、左側の分割位置においては、致命箇所１も致命箇所２も存在しないので全体の分割致命度は０点となる。
また、右側の分割位置においては、致命箇所１が４箇所（４ライン）あるので４０点（＝１０点×４箇所）となり、また、致命箇所１が１箇所（縦配線）あるので３点となり、合計の分割致命度は４３点となる。
【００４４】
下段図は、所定の間隔で選択した繋ぎ分割位置の内で分割致命度が０点となる３箇所を例示したものであり、ウェーハ上に分割露光するだけであれば、これらの内のどの位置で分割しても同じ効果が得られることになる。
しかし、分割露光するためのフォトマスクの作成工程においては、電子ビーム露光工程における寸法エラーが問題になるので、上述の第三段階の繋ぎ分割位置の選択工程が必要になる。
【００４５】
次に、図１０を参照して、第三段階の繋ぎ分割位置の選択例を説明する。
図１０参照  
図１０は、本発明の実施例１の第三段階の繋ぎ分割位置の選択例の説明図であり、まず、上段図に示すように、分割致命度が０点の３箇所の候補について、上記の図６に示したように、フォトマスク上において、繋ぎ位置を挟み、多重露光領域Ｅの端を中心として左右３０μｍ×１５μｍの計３０μｍ□の範囲の占有面積判定領域を設定する。
【００４６】
次いで、中段図に示すように、各占有面積判定領域における占有率を計算する。
ここでは、各占有面積判定領域を左右に分離して図示しており、図内の数値は占有率を示している。
なお、ここでは、一例として、パターン占有率が３０％未満の場合に、フォトマスク作成において寸法エラーの差が大きくなり不適当であると判定して、致命度１個と評価する。
【００４７】
因に、左側の繋ぎ分割位置においては、致命度は０個となり、中央の繋ぎ分割位置においては、致命度は１個となり、右側の繋ぎ分割位置においては、致命度は３個となる。
したがって、下段図に示すように、選択した３つの繋ぎ分割位置候補のうち、致命度が０個で最も少ない左側の繋ぎ分割位置を最終的な繋ぎ分割位置として選択する。
【００４８】
以上説明したように、本発明の実施例１においては、
（１）まず、回路パターンをセル単位で分割優先度毎にカテゴリ分類し、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外し、
（２）次いで、繋ぎに適する領域内のパターン形状を分析し、前記被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響を受けにくい数箇所を繋ぎ位置候補として選択し、
（３）次いで、数箇所の繋ぎ位置候補からフォトマスク作成時のエラーが最小となるように、繋ぎ位置から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率の大きな領域を繋ぎ位置として選択しているので、ショット繋ぎ位置を体系的に且つ簡便に決定することができる。
【００４９】
以上、本発明の実施例を説明してきたが、本発明は実施例に記載した構成・条件に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、上に示した分割致命度の点数は単なる一例であり、使用するステッパーの精度、露光波長、使用するレジストの特性等に応じて、具体的な露光結果に基づいて適宜変更されるものである。
【００５０】
また、上記の第三段階における致命度を決定する際のパターン占有率の基準値を３０％としているが、３０％も単なる一例であり、フォトマスク作成に使用する電子ビーム露光装置の性能、使用する電子ビームレジストの特性等に応じて、具体的な露光結果に基づいて適宜変更されるものである。
【００５１】
ここで、再び、図１を参照して、本発明の詳細な特徴とを改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  フォトリソグラフィー工程における被露光基板上のショット分割繋ぎ位置選択方法において、回路パターンに含まれるセルを、分割優先度でカテゴリ分類し、前記分割優先度に基づき、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する工程を有することを特徴とするショット分割繋ぎ位置選択方法。
（付記２）  上記繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する工程で残った領域内のパターン形状に基づき、上記被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響度合いを求め、前記影響度合いに基づき繋ぎ位置候補を選択する工程を有することを特徴とする付記１記載のショット分割繋ぎ位置選択方法。
（付記３）  上記繋ぎ位置候補を選択する工程において、前記各繋ぎ位置候補において実際に露光した場合に多重露光による影響を点数化し、点数の少ない数箇所の繋ぎ位置候補を繋ぎ位置候補として選択することを特徴とする付記２記載のショット分割繋ぎ位置選択方法。
（付記４）  上記点数化に際して、上記回路パターンを構成するパターン要素の延在方向又は前記パターン要素同士の突き合わせ状態の少なくとも一つを考慮することを特徴とする付記３記載のショット分割繋ぎ位置選択方法。
（付記５）  上記点数化に際して、上記回路パターンを構成するパターン要素の線幅、繋ぎ被り量、または、多重露光部までの間隔の少なくとも一つを考慮することを特徴とする付記３または４に記載のショット分割繋ぎ位置選択方法。
（付記６）  上記数箇所の繋ぎ位置候補を選択する工程の後に、前記繋ぎ位置候補の位置から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率に基づき、繋ぎ位置を選択する工程を有することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載のショット分割繋ぎ位置選択方法。
（付記７）  フォトリソグラフィー工程における被露光基板上のショット分割繋ぎ位置を選択するショット分割露光システムにおいて、回路パターンに含まれるセルを、分割優先度でカテゴリ分類し、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外する機能と、繋ぎに適する領域内のパターン形状を分析し、前記被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響を受けにくい数箇所を繋ぎ位置候補として選択する機能と、前記数箇所の繋ぎ位置候補からフォトマスク作成時のエラーが最小となるように、繋ぎ位置から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率の大きな領域を繋ぎ位置として選択する機能を有することを特徴とするショット分割露光システム。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の活用例としては、表示デバイス等の駆動回路の製造工程における分割繋ぎ位置選択工程が典型的なものであるが、大規模システムＬＳＩ等のチップサイズが例えば、３０ｍｍ□を超える大型チップの半導体集積回路装置の製造工程にも適用されるものであり、さらには、超電導デバイス或いは強誘電体光デバイス等の他の電子デバイスの製造工程における分割繋ぎ位置選択工程にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施例１のショット分割繋ぎ位置決定方法の体系を示すフローチャートである。
【図２】ショット繋ぎ露光転写となる大面積半導体集積回路装置のフロアプランの一例である。
【図３】繋ぎ判定に用いるパターン情報の説明図である。
【図４】回路パターン要素（１）の繋ぎ判定評価条件の説明図である。
【図５】回路パターン要素（２）の繋ぎ判定評価条件の説明図である。
【図６】占有面積判定領域の説明図である。
【図７】フォトマスクと各領域におけるパターン占有率の説明図である。
【図８】電子ビーム露光による寸法エラーの描画面積密度依存性の説明図である。
【図９】本発明の実施例１の第二段階の繋ぎ分割位置候補の選択例の説明図である。
【図１０】本発明の実施例１の第三段階の繋ぎ分割位置の選択例の説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  フォトマスク
１１，１２  分割パターン
１３  遮光帯
１４  スクライブライン
１５，１７  孤立ライン
１６，１８  ラインアンドスペース
【図１】
2009049161.tif 000003
【図２】
2009049161.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2009049161.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009049161.tif 000009
【図８】
2009049161.tif 000010
【図９】
2009049161.tif 000011
【図１０】
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