(57)【要約】【課題】従来のワイヤーボンディングの工程でも使用でき、ボンディングワイヤーの強度、導電性能を落とすことなく、ＬＳＩのパッド形状にあわせることができるボンディングワイヤーを提供する。【解決手段】ボンディングワイヤー１１０は、内層部１１１と内層部１１１を覆う外層部１１２とから構成される多層構造型のボンディングワイヤーであり、内層部１１１と外層部１１２とが、導電性の材料で構成され、かつボンディングワイヤー１１０の先端部において外層部１１２に対して軸心方向に内層部１１１が引き出し可能であって、単独でボンディングワイヤーとして機能するものである。【選択図】図１
2009231520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子上の電極パッドと外部の電極パッドとを電気的に接続するボンディングワイヤーであって、
前記ボンディングワイヤーの断面が２層以上の多層構造であり、
各層が、導電性の材料で構成され、かつ前記ボンディングワイヤーの先端部において他の層に対して軸心方向に引き出し可能であって、単独でボンディングワイヤーとして機能するものである
ことを特徴とするボンディングワイヤー。
【請求項２】
前記ボンディングワイヤーは、先端部において内側の層が引き出されて外側の層よりも突出するものである
ことを特徴とする請求項１に記載のボンディングワイヤー。
【請求項３】
前記ボンディングワイヤーは、内側の層と外側の層とが同一の材料で構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のボンディングワイヤー。
【請求項４】
前記ボンディングワイヤーは、内側の層が引き抜かれて外側の層が残ってなる中空状態である
ことを特徴とする請求項１に記載のボンディングワイヤー。
【請求項５】
前記ボンディングワイヤーは、中空の部分が真空である
ことを特徴とする請求項４に記載のボンディングワイヤー。
【請求項６】
請求項２に記載のボンディングワイヤーを整形するワイヤー整形装置であって、
前記ボンディングワイヤーの先端部において、外側の層を除去する除去手段と、
前記ボンディングワイヤーの先端部において、前記除去手段で外側の層が除去されることによって残った内側の層を固定する第１の固定手段と、
前記ボンディングワイヤーの先端部以外における外側の層をクランプし、前記第１の固定手段に対して前記ボンディングワイヤーの軸心方向に相対的に移動することで前記第１の固定手段で固定されている内側の層を前記ボンディングワイヤーから引き出すことができる第２の固定手段と
を備えることを特徴とするワイヤー整形装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤーボンディング（Wire Bonding）に使用されるボンディングワイヤーに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の半導体集積回路は、高集積化、ファインパターン化、多ピン化の傾向が強い。このため、コスト、品質、信頼性において、ワイヤーボンディングの工程が重要な位置を占めている。ここで、ワイヤーボンディングとは、ＬＳＩチップ上の電極とリードフレームのインナーリード部をボンディングワイヤーで結線する工法である。ボンディングワイヤーとは、金、アルミ、銅などの材料を使用した金属細線、またはこれらの材料と他の材料とを混合した金属細線である。
【０００３】
また、電子機器の小型化と高機能化の流れの中で、小型化、薄型化、高機能化がパッケージにも要求されている。これに伴い、これらに搭載されるＬＳＩも、小型化、狭ピッチ化が必要になってきている。そのようなＬＳＩに対応するパッケージのワイヤーボンディングにおいては、狭パッドピッチやロング・ワイヤー、低ループ化、多段ワイヤー（千鳥構造）などが求められる。また、ＬＳＩの状況にあわせ、ボンディング方式を選択するとともに適切なボンディングワイヤーを選択してワイヤーボンディングを実施する必要がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
ここで、図１１に示されるボンディングワイヤー１０を用いたワイヤーボンディングの工程について説明する。ここでは、一例として、図１２（ａ）〜図１２（ｅ）に示されるように、基板３６に実装されているベアチップ３４の電極パッド３３と、基板３６に設置されている基板電極３５とをワイヤーボンディングする場合について説明する。
【０００５】
なお、最初にボールボンディングをし（図１２（ａ）〜図１２（ｃ）参照。）、次にウエッジボンディングをし（図１２（ｄ）参照。）、最後にテールカットをする（図１２（ｅ）参照。）という工程をもってワイヤーボンディングの１サイクルとする。また、ボンディングワイヤー１０は、単層構造型のボンディングワイヤーである。
【０００６】
まず、図１２（ａ）に示されるように、ダイスボンディング済のフレームにプラズマ照射を施し、ボンディングパッド上の残渣を除去する。電気トーチ３１からの放電により、キャピラリーツール２２の真上から真下に通したボンディングワイヤー１０の先端部１４を溶融する。そして、図１２（ｂ）に示されるように、表面張力でボール３２を形成して凝固させる。
【０００７】
次に、図１２（ｃ）に示されるように、ボール３２をキャピラリーツール２２の先端部２３で保持したまま電極パッド３３に押し付ける。押し付けた状態で、３つの接合エネルギー（超音波・荷重・熱）をボール３２に加えて１ｓｔボンド３７を形成する。これによって、ボール３２と電極パッド３３を接合する。
【０００８】
その後、図１２（ｄ）に示されるように、キャピラリーツール２２を電極パッド３３側から基板電極３５側へ移動させる。キャピラリーツール２２でボンディングワイヤー１０を基板電極３５に押し付ける。ボンディングワイヤー１０において基板電極３５と接触する部分をキャピラリーツール２２の先端部２３の下面で押しつぶして基板電極３５のインナーリード面に熱圧着する。
【０００９】
このとき、キャピラリーツール２２の動きにより、ボンディングワイヤー１０に癖付けを行い、ループ３８を形成する。ボンディングワイヤー１０において基板電極３５と接触する部分に３つの接合エネルギー（超音波・荷重・熱）を加えて２ｎｄボンド３９を形成する。
【００１０】
そして、図１２（ｅ）に示されるように、クランパ２１でボンディングワイヤー１０をクランプしながら引き上げると、ボンディングワイヤー１０が接合部分で引きちぎれる。テールカットの処理を終えることにより１つの結線を完了する。
【００１１】
以上の動作を繰り返すことにより、ワイヤーボンディングの工程が完了する。
【特許文献１】特開平６−１１１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、近年、ＬＳＩの高密度化に伴い、多ピン化、多段ワイヤー等を必要とするようになってきている。結果、ボンディングワイヤーによるワイヤーボンディング箇所が増大し、ボンディングワイヤーの使用量が増大している。すなわち、多ピン化の進展と共に、ボンディングワイヤーの材料コストが大きく上昇してきている。
【００１３】
これに対して、材料使用量を削減しコストを低減させるためには、ボンディングワイヤーを細くすればよい。これによって、ボンディングワイヤーを用いて同一数の電極パッドにワイヤーボンディングを行っても材料の使用量は減少する。ただし、ボンディングワイヤーを細くした場合は、次の問題が生じる。
【００１４】
まず、ボンディングワイヤーが細いことにより、ボンディングワイヤーの強度に起因した問題が生じる。例えば、ループ形状に異常が生じやすい。特に、ロング・ループ化の場合には、極端に変形がしやすくなる。また、ワイヤー流れなどの現象も生じやすい。
【００１５】
また、ボンディングワイヤーが細い場合には、生成されるボールが小さいため、圧着部面積も小さい。このため、ワイヤーを電極パッドに圧着させるにあたり、強い力で圧着させることになり、電極パッドへの影響も大きくなるという問題が生じる。
【００１６】
また、近年のＬＳＩ高速化によっても、ボンディングワイヤーが細くなると、ボンディングワイヤーの断面積が小さくなり、電流が流れにくくなるという問題が生じる。
これらの問題を解決するためには、ボンディングワイヤーを太くすればよい。ただし、ボンディングワイヤーを太くした場合には、ボンディングワイヤーの材料使用量が増加してしまうという問題が生じる。
【００１７】
また、多ピン化され、狭パッドピッチになった電極パッドに対してボンディングを行う場合には、多ピン化に伴いパッド面積が小さくなるため、溶着すべきボール面積部分を小さくしなくてはならないという問題が生じる。
【００１８】
また、狭パッドの電極パッドにボンディングさせる場合には、ボール面積を小さくするために、電極パッドへ圧着させる力を小さくしなければならない。ただし、圧着時の圧力を弱めればワイヤーの不着が発生する可能性がある。
【００１９】
このように、従来のワイヤーボンディングの工程に使用されるボンディングワイヤーでは、ボンディングワイヤーが太い場合には、狭パッドピッチの電極パッドにボンディングができない。また、材料の使用量が増加し、製品コストも上昇するなどの問題がある。一方、ボンディングワイヤーが細い場合には、ボンディングワイヤーの強度、電流容量の減少などの問題がある。すなわち、ボンディングワイヤーが太い場合、細い場合それぞれに問題がある。
【００２０】
また、実際のＬＳＩにおいてはパッド面積の大小、ロング・ループ化によりワイヤーを選択し、ワイヤーボンディングを行う。そのため、生産すべき製品を変更する都度、適切なワイヤーに変更する必要がある。また、場合によっては生産設備を変更する必要がある。
【００２１】
そこで、本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、従来のワイヤーボンディングの工程でも使用でき、ボンディングワイヤーの強度、導電性能を落とすことなく、ＬＳＩのパッド形状にあわせることができるボンディングワイヤーを提供することを目的とする。また、材料使用量の増加を抑えることができるボンディングワイヤーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために、本発明に係わるボンディングワイヤーは、下記に示す特徴を備える。
（ａ）半導体素子上の電極パッドと外部の電極パッドとを電気的に接続するボンディングワイヤーであって、（ａ１）前記ボンディングワイヤーの断面が２層以上の多層構造であり、（ａ２）各層が、導電性の材料で構成され、かつ前記ボンディングワイヤーの先端部において他の層に対して軸心方向に引き出し可能であって、単独でボンディングワイヤーとして機能するものである。
【００２３】
さらに、（ｂ）前記ボンディングワイヤーは、先端部において内側の層が引き出されて外側の層よりも突出するものであるとしてもよい。
または、（ｃ）前記ボンディングワイヤーは、内側の層と外側の層とが同一の材料で構成されているとしてもよい。
【００２４】
または、（ｄ）前記ボンディングワイヤーは、内側の層が引き抜かれて外側の層が残ってなる中空状態であるとしてもよい。
さらに、（ｅ）前記ボンディングワイヤーは、中空の部分が真空であるとしてもよい。
【００２５】
また、本発明に係わるボンディングワイヤーを整形するワイヤー整形装置は、下記に示す特徴を備える。
（ｆ）本発明に係わるボンディングワイヤーを整形するワイヤー整形装置であって、（ｆ１）前記ボンディングワイヤーの先端部において、外側の層を除去する除去手段と、（ｆ２）前記ボンディングワイヤーの先端部において、前記除去手段で外側の層が除去されることによって残った内側の層を固定する第１の固定手段と、（ｆ３）前記ボンディングワイヤーの先端部以外における外側の層をクランプし、前記第１の固定手段に対して前記ボンディングワイヤーの軸心方向に相対的に移動することで前記第１の固定手段で固定されている内側の層を前記ボンディングワイヤーから引き出すことができる第２の固定手段とを備える。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、ボンディングワイヤーが多層構造型のボンディングワイヤーである。これによって、多層構造型のボンディングワイヤーから内層部を引き出すことで、ワイヤーボンディングにおいて細いボンディングワイヤーの径を選択することができる。このことから、狭パッドピッチのＬＳＩに対しても、ワイヤーの強度を落とすことなく、ワイヤーボンディングを行うことができる。
【００２７】
また、多層構造型のボンディングワイヤーから内層部を引き抜くことで、ワイヤーボンディングにおける材料使用量を抑制することができ、コストの観点からも非常に有効である。
【００２８】
また、多層構造型のボンディングワイヤーから内層部を引き抜いても、外層部が残ることで、ワイヤーボンディングの径が従来と変わらない。このことから、従来と同様のワイヤーボンディングを行うことができ、従来と同様のワイヤーボンディングの工程でも使用することができる。
【００２９】
また、従来のワイヤーボンディング装置に小改良を行い、多層構造型のボンディングワイヤーから内層部を引き出すワイヤー整形器を備えることで、電極パッドの状況等によって最適なボンディングワイヤーの径を選択することができる。このことから、装置の稼動を停止させることなく、ボンディングワイヤーの径を変更することができ、半導体生産効率の面からも非常に有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（実施の形態１）
以下、本発明に係わる実施の形態１について説明する。
＜概要＞
本実施の形態におけるボンディングワイヤーは、下記（ａ）〜（ｃ）に示す特徴を備える。
【００３１】
（ａ）半導体素子上の電極パッドと外部の電極パッドとを電気的に接続するボンディングワイヤーであって、（ａ１）ボンディングワイヤーの断面が２層以上の多層構造であり、（ａ２）各層が、導電性の材料で構成され、かつボンディングワイヤーの先端部において他の層に対して軸心方向に引き出し可能であって、単独でボンディングワイヤーとして機能するものである。
【００３２】
（ｂ）ボンディングワイヤーは、先端部において内側の層が引き出されて外側の層よりも突出するものである。
（ｃ）ボンディングワイヤーは、内側の層と外側の層とが同一の材料で構成されている。
【００３３】
また、本実施の形態におけるボンディングワイヤーを整形するワイヤー整形装置は、下記（ｄ）に示す特徴を備える。
（ｄ）本実施の形態におけるボンディングワイヤーを整形するワイヤー整形装置であって、（ｄ１）ボンディングワイヤーの先端部において、外側の層を除去する除去部と、（ｄ２）ボンディングワイヤーの先端部において、除去部で外側の層が除去されることによって残った内側の層を固定する第１の固定部と、（ｄ３）ボンディングワイヤーの先端部以外における外側の層をクランプし、第１の固定部に対してボンディングワイヤーの軸心方向に相対的に移動することで第１の固定部で固定されている内側の層をボンディングワイヤーから引き出すことができる第２の固定部とを備える。
【００３４】
ここでは、一例として、ボンディングワイヤーは、内層部（内側の層に該当する。）と、内層部を覆う外層部（外側の層に該当する。）との２層から構成されているとする。また、内層部と外層部とが同心円状で形成されているとする。
【００３５】
また、ワイヤーボンディングの工程で使用されるワイヤーボンディング装置には、ボンディングワイヤーから内側の層を引き出すことができるワイヤー整形器と、ボンディングワイヤーの動きに連動するようにワイヤー整形器の動作を制御するユニットとが取り付けられているとする。また、ワイヤー整形器の動作を手動または自動で行うことができるとする。
【００３６】
以上の点を踏まえて本実施の形態について説明する。
＜ボンディングワイヤー＞
まず、本実施の形態におけるボンディングワイヤーについて説明する。
【００３７】
図１は、本実施の形態におけるボンディングワイヤーの外観及び断面を示す図である。図１に示されるように、ボンディングワイヤー１１０は、多層構造型のボンディングワイヤーである。ここでは、一例として、内層部１１１と、内層部１１１を覆う外層部１１２とから構成される。また、内層部１１１は、ボンディングワイヤー１１０から引き出すことができる。ここで、内層部１１１と外層部１１２とは、金、アルミ、銅など、または、これらと他を混合した導電性の材料から形成されている。
【００３８】
＜工程＞
次に、ボンディングワイヤー１１０を用いたワイヤーボンディングの工程について説明する。ここでは、一例として、図６（ａ）〜図６（ｅ）に示されるように、基板３６に実装されているベアチップ３４の狭パッドの電極パッド１３３と、基板３６に設置されている基板電極３５とをワイヤーボンディングする場合について説明する。
【００３９】
まず、図２に示されるように、キャピラリーツール２２の真上から真下にボンディングワイヤー１１０を通し、クランパ２１で外層部１１２を固定する。
次に、図３に示されるワイヤー整形器１００を使用して、ボンディングワイヤー１１０の先端部１１３から内層部１１１を引き出す。
【００４０】
ここで、ワイヤー整形器１００は、ヒンジ１０２で上顎部１０３と下顎部１０４とが繋がれている。また、上顎部１０３と下顎部１０４とのそれぞれの口側には、口を閉じたときに挿入口１０１になる溝が形成されている。
【００４１】
そして、図４（ａ），図４（ｂ）に示されるように、ボンディングワイヤー１１０の先端部１１３から内層部１１１を引き出すにあたっては、ワイヤー整形器１００の口を開く。挿入口１０１からワイヤー整形器１００の内部にボンディングワイヤー１１０の先端部１１３を入れる。ワイヤー整形器１００の口を閉じる。
【００４２】
なお、図５（ａ）に示されるように、上顎部１０３には、挿入口１０１を構成する溝に合わすようにして、ヒンジ側よりに上刃１０５が配置されている。同様に、下顎部１０４には、下刃１０６が配置されている。また、口を閉じた状態では、上刃１０５と下刃１０６とが対向するように位置が調整されている。
【００４３】
そして、口を開いて外層部１１２を削りたい長さ分、上刃１０５（下刃１０６）より奥にボンディングワイヤー１１０の先端部１１３を入れ、口を閉じてボンディングワイヤー１１０を引き出す。これによって、上刃１０５と下刃１０６とで外層部１１２が削り取られる。
【００４４】
さらに、図５（ｂ）に示されるように、上顎部１０３には、挿入口１０１を構成する溝に合わすようにして、口側よりに上ストッパ１０７が配置されている。同様に、下顎部１０４には、下ストッパ１０８が配置されている。また、口を閉じた状態では、上ストッパ１０７と下ストッパ１０８とが対向するように位置が調整されている。
【００４５】
そして、外層部１１２が削り取られて剥き出しになった内層部１１１を上ストッパ１０７と下ストッパ１０８とで挟んで抑える。内層部１１１を抑えた状態で、外層部１１２をクランパ２１で抑えて引っ張る。これによって、ボンディングワイヤー１１０の先端部１１３から内層部１１１が引っ張り出される。そして、ボンディングワイヤー１１０の先端部１１３において内層部１１１が引っ張り出されたボンディングワイヤー１１０をキャピラリーツール２２で保持する。
【００４６】
なお、ここで使用されるワイヤーボンディング装置（不図示）には、ワイヤー整形器１００と、ボンディングワイヤー１１０の動きに連動するようにワイヤー整形器１００の動作を制御するユニットとが取り付けられている。また、ワイヤー整形器１００の動作を手動または自動で行うことができるとする。
【００４７】
なお、ワイヤー整形器１００とクランパ２１と同一の構成要素を備えたワイヤー整形装置（不図示）によってボンディングワイヤーを整形するとしてもよい。
次に、図６（ａ）に示されるように、電気トーチ３１からの放電により、内層部１１１の先端部１１４を溶融する。そして、図６（ｂ）に示されるように、表面張力でボール１３２を形成して凝固させる。ここで、ボール径は、基本的にボンディングワイヤーの径に比例する。そのため、内層部１１１が引っ張り出された状態では、外層部１１２の径で作成したときよりも径の小さいボールができる。
【００４８】
次に、図６（ｃ）に示されるように、ボール１３２をキャピラリーツール２２の先端部２３で保持したまま狭パッドの電極パッド１３３に押し付ける。押し付けた状態で、３つの接合エネルギー（超音波・荷重・熱）をボール１３２に加えて１ｓｔボンド１３７を形成する。ここで、１ｓｔボンド１３７は、内層部１１１の径に合わせた径の小さなボールで形成される。
【００４９】
その後、図６（ｄ）に示されるように、キャピラリーツール２２を電極パッド１３３側から基板電極３５側へ移動させる。キャピラリーツール２２でボンディングワイヤー１１０を基板電極３５に押し付ける。ボンディングワイヤー１１０において基板電極３５と接触する部分をキャピラリーツール２２の先端部２３の下面で押しつぶして基板電極３５のインナーリード面に熱圧着する。
【００５０】
このとき、キャピラリーツール２２の動きにより、ボンディングワイヤー１１０に癖付けを行い、ループ１３８を形成する。ボンディングワイヤー１１０において基板電極３５と接触する部分に３つの接合エネルギー（超音波・荷重・熱）を加えて２ｎｄボンド１３９を形成する。
【００５１】
そして、図６（ｅ）に示されるように、クランパ２１でボンディングワイヤー１１０をクランプしながら引き上げると、ボンディングワイヤー１１０が接合部分で引きちぎれる。テールカットの処理を終えることにより１つの結線を完了する。
【００５２】
以上の動作を繰り返すことにより、ワイヤーボンディングの工程が完了する。
＜まとめ＞
以上、本実施の形態によれば、ワイヤーボンディングの工程において多層構造型のボンディングワイヤー１１０を用いる。これによって、ワイヤー整形器１００を使用して、外層部１１２を削り取り、内層部１１１を引っ張り出し、ボンディングワイヤーの先端部の径を小さくすることができる。先端部の径を小さくすることで、狭パッドピッチへのワイヤーボンディングを可能とする。
【００５３】
（実施の形態２）
以下、本発明に係わる実施の形態２について説明する。
本実施の形態におけるボンディングワイヤーは、下記（ｅ）に示す特徴を備える。
【００５４】
（ｅ）ボンディングワイヤーは、内側の層が引き抜かれて外側の層が残ってなる中空状態である。
なお、さらに、下記（ｆ）に示す特徴を備えるとしてもよい。
【００５５】
（ｆ）ボンディングワイヤーは、中空の部分が真空である。
以上の点を踏まえて本実施の形態について説明する。なお、実施の形態１と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００５６】
＜工程＞
まず、図７に示されるボンディングワイヤー２１０を用いたワイヤーボンディングの工程について説明する。ここでは、一例として、図８（ａ）〜図８（ｅ）に示されるように、基板３６に実装されているベアチップ３４の電極パッド３３と、基板３６に設置されている基板電極３５とをワイヤーボンディングする場合について説明する。
【００５７】
なお、最初にボールボンディングをし（図８（ａ）〜図８（ｃ）参照。）、次にステッチボンディングをし（図８（ｄ）参照。）、最後にテールカットをする（図８（ｅ）参照。）という工程をもって、ワイヤーボンディングの１サイクルとする。また、ボンディングワイヤー２１０は、内層部１１１を引き抜くことでできた中空部２１１と、外層部１１２とから構成される中空構造型のボンディングワイヤーである。ここでは、一例として、内層部１１１だけを引き抜き、外層部１１２だけを用い、外層部１１２の径でワイヤリングする。
【００５８】
まず、図８（ａ）に示されるように、ダイスボンディング済のフレームにプラズマ照射を施し、ボンディングパッド上の残渣を除去する。電気トーチ３１からの放電により、キャピラリーツール２２の真上から真下に通したボンディングワイヤー２１０の先端部２１４を溶融する。そして、図８（ｂ）に示されるように、表面張力でボール２３２を形成して凝固させる。
【００５９】
次に、図８（ｃ）に示されるように、ボール２３２をキャピラリーツール２２の先端部２３で保持したまま電極パッド３３に押し付ける。押し付けた状態で、３つの接合エネルギー（超音波・荷重・熱）をボール２３２に加えて１ｓｔボンド２３７を形成する。これによって、ボール２３２と電極パッド３３を接合する。
【００６０】
その後、図８（ｄ）に示されるように、キャピラリーツール２２を電極パッド３３側から基板電極３５側へ移動させる。キャピラリーツール２２でボンディングワイヤー２１０を基板電極３５に押し付ける。ボンディングワイヤー２１０において基板電極３５と接触する部分をキャピラリーツール２２の先端部２３の下面で押しつぶして基板電極３５のインナーリード面に熱圧着する。
【００６１】
このとき、キャピラリーツール２２の動きにより、ボンディングワイヤー２１０に癖付けを行い、ループ２３８を形成する。ボンディングワイヤー２１０において基板電極３５と接触する部分に３つの接合エネルギー（超音波・荷重・熱）を加えて２ｎｄボンド２３９を形成する。
【００６２】
そして、図８（ｅ）に示されるように、クランパ２１でボンディングワイヤー２１０をクランプしながら引き上げると、ボンディングワイヤー２１０が接合部分で引きちぎれる。テールカットの処理を終えることにより１つの結線を完了する。
【００６３】
以上の動作を繰り返すことにより、ワイヤーボンディングの工程が完了する。
＜まとめ＞
以上、本実施の形態によれば、ワイヤーボンディングの工程において中空構造型のボンディングワイヤー２１０を用いる。これによって、内層部１１１の部分は、中空または真空の状態でありながら、外層部１１２の径でワイヤリングすることができる。また、同一の径で単層構造型のボンディングワイヤーと比べれば、材料使用量を削減することができる。
【００６４】
（実施の形態３）
以下、本発明に係わる実施の形態３について説明する。
なお、実施の形態１と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００６５】
＜工程＞
まず、図９に示されるボンディングワイヤー３１０を用いたワイヤーボンディングの工程について説明する。ここでは、一例として、図１０（ａ）〜図１０（ｅ）に示されるように、基板３６に実装されているベアチップ３４の電極パッド３３と、基板３６に設置されている基板電極３５とをワイヤーボンディングする場合を例に説明する。
【００６６】
なお、最初にボールボンディングをし（図１０（ａ）〜図１０（ｃ）参照。）、次にステッチボンディングをし（図１０（ｄ）参照。）、最後にテールカットをする（図１０（ｅ）参照。）という工程をもって、ワイヤーボンディングの１サイクルとする。また、ボンディングワイヤー３１０は、内層部１１１と、内層部１１１を覆う外層部１１２とから構成される多層構造型のボンディングワイヤーである。ここでは、内層部１１１を引き出さずに外層部１１２の径でワイヤーボンディングに使用される。
【００６７】
まず、図１０（ａ）に示されるように、ダイスボンディング済のフレームにプラズマ照射を施し、ボンディングパッド上の残渣を除去する。電気トーチ３１からの放電により、キャピラリーツール２２の真上から真下に通したボンディングワイヤー３１０の先端部３１４を溶融する。そして、図１０（ｂ）に示されるように、表面張力でボール３３２を形成して凝固させる。
【００６８】
次に、図１０（ｃ）に示されるように、ボール３３２をキャピラリーツール２２の先端部２３で保持したまま電極パッド３３に押し付ける。押し付けた状態で、３つの接合エネルギー（超音波・荷重・熱）をボール３３２に加えて１ｓｔボンド３３７を形成する。これによって、ボール３３２と電極パッド３３を接合する。
【００６９】
その後、図１０（ｄ）に示されるように、キャピラリーツール２２を電極パッド３３側から基板電極３５側へ移動させる。キャピラリーツール２２でボンディングワイヤー３１０を基板電極３５に押し付ける。ボンディングワイヤー３１０において基板電極３５と接触する部分をキャピラリーツール２２の先端部２３の下面で押しつぶして基板電極３５のインナーリード面に熱圧着する。
【００７０】
このとき、キャピラリーツール２２の動きにより、ボンディングワイヤー３１０に癖付けを行い、ループ３３８を形成する。ボンディングワイヤー３１０において基板電極３５と接触する部分に３つの接合エネルギー（超音波・荷重・熱）を加えて２ｎｄボンド３３９を形成する。
【００７１】
そして、図１０（ｅ）に示されるように、クランパ２１でボンディングワイヤー３１０をクランプしながら引き上げると、ボンディングワイヤー３１０が接合部分で引きちぎれる。テールカットの処理を終えることにより１つの結線を完了する。
【００７２】
以上の動作を繰り返すことにより、ワイヤーボンディングの工程が完了する。
＜まとめ＞
以上、本実施の形態によれば、ワイヤーボンディングの工程において多層構造型のボンディングワイヤー３１０を、内層部１１１を引っ張り出さずに、そのまま用いる。これによって、ボンディングワイヤーの強度を確保することができる。
【００７３】
（その他）
なお、本発明のボンディング方式については、ボールボンディング、ウエッジボンディングまたはステッチボンディングとその他の形態、順番をとることについて限定をしない。
【００７４】
なお、本発明におけるボンディングワイヤーを用いる場合は、ボンディング方式に限定されず、他方式において接合可能なものであれば、その方式を全て包含するものとする。
なお、本発明におけるボンディングワイヤーは、２層以上で構成されているとしてもよい。すなわち、内層部および外層部の少なくとも１つが、さらに多層で構成されているとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、ワイヤーボンディングに使用されるボンディングワイヤーなどとして利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】実施の形態１におけるボンディングワイヤーの外観及び断面を示す図
【図２】実施の形態１におけるボンディングワイヤーをキャピラリーツールに固定した様子を示す図
【図３】実施の形態１におけるボンディングワイヤーから内層部を引き出すワイヤー整形器の外観を示す図
【図４】（ａ），（ｂ）は、実施の形態１におけるボンディングワイヤーをワイヤー整形器に据える様子を示す図
【図５】（ａ），（ｂ）は、実施の形態１におけるボンディングワイヤーから内層部を引き出す様子を示す図
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、実施の形態１におけるボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングの工程を示す図
【図７】実施の形態２におけるボンディングワイヤーの外観及び断面を示す図
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、実施の形態２におけるボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングの工程を示す図
【図９】実施の形態３におけるボンディングワイヤーの外観及び断面を示す図
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、実施の形態３におけるボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングの工程を示す図
【図１１】従来の形態におけるボンディングワイヤーの外観及び断面を示す図
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、従来の形態におけるボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングの工程を示す図
【符号の説明】
【００７７】
１０  ボンディングワイヤー
１４  ボンディングワイヤーの先端部
２１  クランパ
２２  キャピラリーツール
２３  キャピラリーツールの先端部
３１  電気トーチ
３２  ボール
３３  電極パッド
３４  ベアチップ
３５  基板電極
３６  基板
３７  １ｓｔボンド
３８  ループ
３９  ２ｎｄボンド
１００  ワイヤー整形器
１０１  挿入口
１０２  ヒンジ
１０３  上顎部
１０４  下顎部
１０５  上刃
１０６  下刃
１０７  上ストッパ
１０８  下ストッパ
１１０  ボンディングワイヤー
１１１  内層部
１１２  外層部
１１３  ボンディングワイヤーの先端部
１１４  内層部の先端部
１３２  ボール
１３３  狭パッドの電極パッド
１３７  １ｓｔボンド
１３８  ループ
１３９  ２ｎｄボンド
２１０  ボンディングワイヤー
２１１  中空部
２１４  ボンディングワイヤーの先端部
２３２  ボール
２３７  １ｓｔボンド
２３８  ループ
２３９  ２ｎｄボンド
３１０  ボンディングワイヤー
３１４  ボンディングワイヤーの先端部
３３２  ボール
３３７  １ｓｔボンド
３３８  ループ
３３９  ２ｎｄボンド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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