(57)【要約】【課題】表示パネルの取出し電極の導通信頼性の向上を図ることができる表示パネルを提供する。【解決手段】表示エリア２と取出し電極部３とからなる表示パネル１において、取出し電極部３は、薄膜パターンで形成された取出し電極１１と、この取出し電極１１に積層固定されためっき電極１２とを備え、取出し電極１１とめっき電極１２が電気的に接続されており、少なくともめっき電極１３の一面が露出Ｓするようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示エリアと、取出し電極部と、を備えた表示パネルにおいて、
前記取出し電極部は、薄膜パターンで形成された取出し電極と、該取出し電極に積層固定されためっき電極と、を備え、前記取出し電極と前記めっき電極が電気的に接続されており、少なくとも前記めっき電極の一面が露出していることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記取出し電極部は、プラスチックフィルム基板をベースとしていることを特徴とする表示パネル。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極が接着剤を介して接着固定されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項４】
請求項３に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極の一部が前記接着剤で埋め込まれており、前記めっき電極の段差がめっき電極厚より小さいことを特徴とする表示パネル。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極は、前記露出面に対して、前記取出し電極との接触面が粗化処理されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項６】
請求項３に記載の表示パネルにおいて、前記接着剤が紫外線硬化性樹脂であることを特徴とする表示パネル。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極に選択的に接着層が形成されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極の表裏が金で被覆されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の表示パネルを製造する表示パネルの製造方法であって、
導電性を有する転写フィルム上に絶縁膜パターンを形成する工程と、前記絶縁膜パターン開口部に電解めっきを施してめっき電極を形成する工程と、前記めっき電極上に選択的に接着層を形成する工程と、パネル取出し電極と位置合わせを行い、前記めっき電極を接着固定する工程とを含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の表示パネルと、表示パネル駆動用ＩＣと、を備え、前記表示パネルの前記めっき電極上に、前記表示パネル駆動用ＩＣがフリップチップ実装されていることを特徴とする表示パネル装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の表示パネルと、表示書換え装置とからなり、前記表示パネルは、表示をメモリするメモリ機能を有し、前記表示書換え装置は、駆動用ＩＣ出力端子を前記表示パネルの取り出し電極部とコンタクトさせて導通をとることにより前記表示パネルの表示を書換えることを特徴とする表示パネル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル、表示パネルの製造方法、及び表示パネル装置に関わり、特に、ペーパーライクディスプレイ（ＰＬＤ：Paper-Like Display）等の表示パネルに好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示パネルの取出し電極は、薄膜微細パターンで形成されているため、配線抵抗が高く、またプラスチックフィルム基板をベースにした表示パネルにおいては、クラック等が入りやすく耐久性に問題があったため、良好な導通特性を確保することが困難であった。このため、ガラス表示パネルにおいては、取出し電極上をめっきによってメタライズし、その上にベアチップを搭載する、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式等の表示パネルの製造方法が提案されており、このめっき密着力を向上する方法として、めっき膜の構成を改良し、内部応力を低減する方法が特許文献１等に開示されている。
また、めっき工程を排除した表示パネルの取出し電極構造としては、はんだ付け可能な導電粒子を紫外線硬化性接着剤で固定することが特許文献２に開示されている。
また、表示パネル用途ではなくプリント基板等への適用を目指した配線パターン形成方法としてめっき転写法が特許文献３に開示されている。この場合、めっき転写版上にめっきパターンを形成し、接着層を介してめっき配線を転写させるもので繰返し、転写することによりプリント基板の多層化が可能となる。
【特許文献１】特開２０００−５６７０６公報
【特許文献２】特開平０８−１６７４４０号公報
【特許文献３】特開２００１−１２７４０９公報
【特許文献４】特開２０００−５６７０６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１の表示装置では、表示パネルの取出し電極へめっきするためには、表示パネルをめっき液中に浸漬しなくてはならず、生産性の低下と表示パネルの特性及び信頼性の劣化が問題となっていた。
また特許文献２の表示パネルの取出し電極構造では、電極上に点状に導電粒子が存在しているため、はんだ付け等接続方式が限定され低コスト化が困難であった。
また、特許文献３の技術では、接着層を層間絶縁層として用いており、層間導通はドリル、レーザ加工等により開口穴を設け、導電性樹脂等を用いて導通を確保する必要があった。
また、近年、注目されているＰＬＤは、表示メモリ性を有しており、ＰＬＤに駆動用ＩＣを実装するとＰＬＤコストが大幅に高くなってしまうという問題点があった。
【０００４】
さらに、表示パネルの配線は、透明導電膜としてＩＴＯが一般的に用いられている。ＩＴＯは金属粒子をインクジェット方式等により配線状に塗布しパターン形成するなどして薄膜配線パターンが形成されている。ここで、配線抵抗を下げるためには厚膜化が必要であるが、コスト上昇を招くとともに、膜応力が大きくなり配線自体の信頼性が低下するという問題があった。
さらにまた、小型液晶表示パネルにおける実装構造で駆動用ＩＣをパネルの取出し電極上に実装するに際し、特に駆動用ＩＣの入力端子側の配線抵抗を下げる必要があるために、特許文献４等に開示されているように取出し電極部にめっき処理を施す必要があり、信頼性が損なわれるおそれがあった。
本発明は、上記したような点を鑑みてなされたものであり、表示パネルの取出し電極の導通信頼性の向上を図ることができる表示パネルと、表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、表示素子に直接めっき処理を施すことなく、表示素子の取出し電極の低抵抗化と実装信頼性の向上を図ることができる表示パネル装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、請求項１の本発明は、表示エリアと、取出し電極部と、を備えた表示パネルにおいて、前記取出し電極部は、薄膜パターンで形成された取出し電極と、該取出し電極に積層固定されためっき電極と、を備え、前記取出し電極と前記めっき電極が電気的に接続されており、少なくとも前記めっき電極の一面が露出していることを特徴とする。
請求項２の本発明は、請求項１に記載の表示パネルにおいて、前記取出し電極部は、プラスチックフィルム基板をベースとしていることを特徴とする。
請求項３の本発明は、請求項１又は２に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極が接着剤を介して接着固定されていることを特徴とする。
請求項４の本発明は、請求項３に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極の一部が前記接着剤で埋め込まれており、前記めっき電極の段差がめっき電極厚より小さいことを特徴とする。
請求項５の本発明は、請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極は、前記露出面に対して、前記取出し電極との接触面が粗化処理されていることを特徴とする。
請求項６の本発明は、請求項３に記載の表示パネルにおいて、前記接着剤が紫外線硬化性樹脂であることを特徴とする。
【０００６】
請求項７の本発明は、請求項１乃至６の何れか一項に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極に選択的に接着層が形成されていることを特徴とする。
請求項８の本発明は、請求項１乃至７の何れか一項に記載の表示パネルにおいて、前記めっき電極の表裏が金で被覆されていることを特徴とする。
請求項９の本発明は、請求項１乃至８の何れか一項に記載の表示パネルを製造する表示パネルの製造方法であって、導電性を有する転写フィルム上に絶縁膜パターンを形成する工程と、前記絶縁膜パターン開口部に電解めっきを施してめっき電極を形成する工程と、前記めっき電極上に選択的に接着層を形成する工程と、パネル取出し電極と位置合わせを行い、前記めっき電極を接着固定する工程とを含むことを特徴とする。
請求項１０の本発明は、請求項１乃至８の何れか一項に記載の表示パネルと、表示パネル駆動用ＩＣと、を備え、前記表示パネルの前記めっき電極上に、前記表示パネル駆動用ＩＣがフリップチップ実装されている表示パネル装置を特徴とする。
請求項１１の本発明は、請求項１乃至８の何れか一項に記載の表示パネルと、表示書換え装置とからなり、前記表示パネルは、表示をメモリするメモリ機能を有し、前記表示書換え装置は、駆動用ＩＣ出力端子を前記表示パネルの取り出し電極部とコンタクトさせて導通をとることにより前記表示パネルの表示を書換える表示パネル装置を特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の表示パネルによれば、取出し電極部は、薄膜パターンで形成された取出し電極上に低抵抗のめっき電極が積層固定されていることから、取出し電極部の低抵抗化と高剛性化が可能となる。
本発明の表示パネル装置によれば、表示パネルの取出し電極にめっき処理を施すといった湿式プロセスが不要になるため、表示パネルの信頼性劣化なしに駆動用ＩＣを実装することが可能になる。また狭額縁、高精細な表示パネルを実現することができる。
また駆動用ＩＣ出力端子と表示パネルの取出し電極とが接触式コンタクトさせて導通をとる構成としていることから、表示パネルに駆動用ＩＣを実装する必要がなくなり、表示デバイスコストを大幅に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の実施形態にかかる表示パネルの構成を示した図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は表示パネルの取り出し電極部の拡大図である。
この図に示す本実施形態の表示パネル１は、プラスチックフィルム基板をベースとしたペーパーライクディスプレイ（ＰＬＤ：Paper-Like Display）であり、マイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ等に適用されている。また表示パネル１は、主として有機ＴＦＴを使用したトランジスタが形成されている。
表示パネル１は、表示エリア２と、取出し電極部３とを備えている。
取出し電極部３は、表示パネル１の駆動制御をするためにパネル周辺部に形成されており、信号入力することで表示エリア２の表示の書換えが可能となる。
ここで、表示パネル１の取出し電極部３は、インクジェット方式により金属ナノインクを吐出し、配線形成するなど薄膜での配線パターン形成が行われているが、非常に脆く接続信頼性を確保することと配線抵抗を低減することが困難であった。
そこで本実施形態の表示パネル１では、図１（ｂ）に示すように、ポリカーボネート基板１０上に薄膜パターンにより取出し電極１１を形成し、この取出し電極１１上に低抵抗のめっき電極１２を形成して取出し電極部３とした。このとき、ポリカーボネート基板１０上のメッキ電極１２を除く領域は、例えば紫外線硬化性樹脂（接着剤）から成るめっき電極転写部材１３により覆うようにした。
このように表示パネル１の取出し電極部３を構成すると、薄膜パターンで形成された取出し電極１１上に低抵抗のめっき電極１２が積層固定され、取出し電極部３の低抵抗化と高剛性化を図ることができる。
【０００９】
また、表示パネル１をめっき液中に浸漬するなどの湿式プロセスを通さずに低抵抗のめっき電極２３を形成できるので、表示パネル１の信頼性が劣化するといったこともない。
さらに、取出し電極１１上にめっき電極１２を転写形成することで、取出し電極１１上をコンパクトプローブ等のメカニカルコンタクトを施してもクラック等の発生が無く、安定した接続を確保することができる。
さらに、表示パネル１の取出し電極部３の断面構造は、図１（ｂ）に示すように、めっき電極１２の一部がめっき電極転写部材（紫外線硬化性樹脂）１３中に埋め込まれている構造となっている。このような構造とすることで、ＦＰＣ（フレキシブル配線板）等との接続性において、トータルでの電極部段差を低減でき、異方性導電膜接続等で問題となる電極間での接着剤未充填（ボイド発生）等による接続信頼性の低下が防止できる。
さらにまた、上記取出し電極部３の段差が小さくすることにより、めっき電極１２に対してＦＰＣ等の電極を位置合わせし、メカニカルに接触させることで、コンタクトをとる方式においても、電極同士を凸部同士で構成していると一方の電極が他方の電極間（凹部）にずれ、導通不良を発生し易くなるが、本実施形態のように構成した場合は、表示パネル１の取出し電極部３側の段差がほとんど無いため、位置ズレが発生しなくなるという利点もある。
【００１０】
図２は、本実施形態の表示パネルを備えた表示パネル装置の構成を示した図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は駆動用ＩＣ実装部の拡大図である。
この図２（ａ）に示すように、本実施形態の表示パネル装置５０は、表示パネル１の取出し電極部３に表示パネル駆動用ＩＣ５１を実装するようにしている。
この場合、表示パネル駆動用ＩＣ５１は、図２（ｂ）に示すように、導電性粒子５４を含んだ異方性導電膜５３により取出し電極部３上にフリップチップ実装するようにしている。従って、表示パネル駆動用ＩＣ５１のバンプ５２と取出し電極１１のメッキ電極１２との位置を適正に合わせることで、表示パネル駆動用ＩＣ５１のバンプ５２は、異方性導電膜５３に含まれている導電性粒子５４により目的とするメッキ電極１２との間で確実に導通させることできる。
なお、本願発明者は、上記のように構成したことで、表示パネル駆動用ＩＣ５１の入力信号により正常な表示出力が得られることを確認し、表示パネル１への表示パネル駆動用ＩＣ５１のフリップチップ実装が可能であることを確認した。
このように本実施形態の表示パネル装置５０では、表示パネル１の取出し電極部３のめっき処理などの湿式プロセスが不要になるため、表示パネル１の信頼性劣化なしに駆動用ＩＣを実装することが可能になる。
また、表示パネル１に表示パネル駆動用ＩＣを実装することが可能になるため、狭額縁、高精細な表示パネル装置を実現することができる。なお、表示パネル駆動用ＩＣ５１をフリップチップ実装する際には、熱圧着プロセスにより接続を行っても信頼性の高い接続が可能である。
【００１１】
図３は、本実施形態の表示パネルを備えた表示パネル装置の他の構成を示した図である。図３に示す表示パネル装置は、例えば、表示パネル１が表示をメモリするメモリ機能を有している場合の構成である。この場合は、上記図２に示したように、表示パネル駆動用ＩＣ５１を表示パネル１の取出し電極部３に実装せず、表示書換え装置の駆動用ＩＣボード６２の駆動用ＦＰＣ（フレキシブル配線板）６３を取出し電極部３の取出し電極１１に接触させて繰返し導通をさせることにより表示エリア２の表示の書換えを行う。
表示書換え装置は、例えばコントローラボード６１と、このコントローラボード６１に接続された駆動用ＩＣボード６２からなり、駆動用ＩＣボード６２は駆動用ＩＣ出力端子として駆動用ＦＰＣ６３を備える。このように構成される表示パネル装置では、表示書換え装置（表示パネル駆動用ＩＣ）を共用することが可能となり、複数の表示パネル１のそれぞれに表示パネル駆動用ＩＣを実装する場合に比べて表示デバイスコストを大幅に低減することができ、表示パネルの競争力を高めることができるようになる。
【００１２】
以下、本実施形態の表示パネルの製造方法を説明する。
図４は、本実施形態の表示パネルの第１の製造方法を示した図である。
この場合は、まず、めっき電極付きステンレス箔２０を作製するために、図４（ａ）に示すように、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４）２１を電解研磨後、エレコートナイスロン（シミズ製）によりフッ素系電着膜２２を約５μｍ厚で電着塗装する。
次に、このフッ素系電着膜２２をＡｒＦエキシマレーザによりアブレーション加工を施して、フッ素系電着膜２２に開口パターンを形成する。開口パターンは２００μｍピッチで１００μｍ幅のラインを３００ライン形成した。ライン長は３ｍｍとした。この開口パターンは仮想の表示パネル取出し電極パターンのピッチに合わせている。
上記フッ素系電着膜２２をめっき絶縁膜として活用し、ステンレス箔２１上のポリイミド開口部に電解金めっき、スルファミン酸ニッケルめっきを積層して総厚１０μｍとした後、さらに金メッキを施してめっき電極２３を形成する。つまり、めっき電極２３は、金めっき／ニッケルめっき／金めっきという３層構造になっている。これにより、めっき電極付きステンレス箔２０が作製される。このとき、上記ニッケルめっき表面を置換金めっきした場合は、その表面の粗さＲａは約３０ｎｍであった。
一方、上記ニッケルめっき表面をニッケル表面粗化剤（メックニッケルラフナーＮＲ−１８７０）へ浸漬して粗化処理した後、このニッケルめっき表面に置換金めっきを施した場合、その表面の粗さＲａは約３００ｎｍであった。
【００１３】
次に、仮想表示パネルの取出し電極部３０として、図４（ｂ）に示すように、ポリカーボネート（ＰＣ）基板３１上に取出し電極となるＩＴＯパターン３２を約１０００Å厚、２００μｍピッチで形成する。次に、このＰＣ基板３１上にめっき電極転写部となる紫外線硬化性樹脂３３を供給し、図４（ａ）で作製しためっき電極付きステンレス箔２０をそれぞれパターン位置合わせした後、図４（ｃ）に示すように圧接し、ＰＣ基板３１の裏面から紫外光を照射することで樹脂を硬化させる。
樹脂硬化後、ステンレス箔２１を剥離することにより、図４（ｄ）に示すように、ステンレス箔２１上のめっき電極（金／ニッケル／金）２３をＰＣ基板３１のＩＴＯパターン３２上に転写形成することができる。
【００１４】
ここで、ＩＴＯパターン単独（シート抵抗：約４０Ω□）での配線抵抗は３ｍｍ長で約１．２ｋΩであったのに対して、めっき電極２３を転写形成した場合は、めっき電極端からＩＴＯパターン間（約３ｍｍ長）までの抵抗は、それぞれ約１００Ω以下と５０Ω以下となり、めっき電極２３のコンタクトによる配線の低抵抗化が図れた。
特に、めっき電極２３の表面の粗さＲａを３０ｎｍとした場合に比べて３００ｎｍにしたほうが、低抵抗で抵抗値が安定（ばらつき小）した。この要因としては、めっき電極２３のＩＴＯパターン３２と接触する面側を粗化処理したことにより、ＩＴＯパターン３２との接触性が向上し、安定した導通を確保することができるためである。
なお、ＩＴＯパターン３２上をコンタクトプローブで数回押し当てると、キズ、クラックが入り高抵抗となってくるが、紫外線硬化性樹脂３３は何度押し当てても安定したコンタクトを確保することができ、抵抗の安定化および信頼性も確保することができている。
なお、上記しためっき電極形成方法では、フッ素系電着膜（絶縁膜）２２を形成したため、めっき電極２３の段差は約５μｍとなったが、無機絶縁膜（たとえばＤＬＣ膜）であれば１μｍレベルの絶縁膜を形成でき、めっき電極２３の段差は更に小さく１μｍレベルとすることができる。
【００１５】
図５は、本実施形態の表示パネルの第２の製造方法を示した図である。なお、図４に示した第１の製造工程と同一部位には同一符号を付しておく。
この場合も、まず、めっき電極付きステンレス箔２０を作製するために、図５（ａ）に示すように、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４）２１を電解研磨後、エレコートナイスロン（シミズ製）によりフッ素系電着膜２２を約５μｍ厚で電着塗装する。
次に、このフッ素系電着膜（絶縁膜）２２をＡｒＦエキシマレーザによりアブレーション加工を施し開口パターンを形成する。この開口パターンは２００μｍピッチで１００μｍ幅のラインを３００ライン形成する。ライン長は３ｍｍとした。この開口パターンは仮想の表示パネル取出し電極パターンのピッチに合わせている。
上記フッ素系電着膜２２をめっき絶縁膜として活用し、ステンレス箔２１上のポリイミド開口部に電解金めっき、スルファミン酸ニッケルめっきを積層して総厚１０μｍとした後、金メッキを施してめっき電極２３を形成する。これにより、めっき電極付きステンレス箔２０が作製される。このとき、上記ニッケルめっき表面をニッケル表面粗化剤（メックニッケルラフナーＮＲ−１８７０）へ浸漬して粗化処理した後、このニッケルめっき表面に置換金めっきを施した。
【００１６】
次に、仮想表示パネルの取出し電極部３０として、図５（ｂ）に示すように、ポリカーボネート（ＰＣ）基板３１上に銀ナノインク（住友電工製）とインクジェット配線形成装置（リコープリンティングシステムズ製）を用いて２００μｍピッチ配線パターンを形成後、１８０℃  ３０分の条件で銀ナノインク配線を融着させ導電パターン（銀ナノ配線パターン）４２とした。
この銀ナノ配線パターン３４に対してコンタクトプローブを数回押し当てると、キズ、クラックが発生し安定したメカニカルコンタクトができなかった。
なお、ＰＣ基板３１上の銀ナノ配線パターン３４上に、銀ペースト（藤倉化成製）をスクリーン印刷し、加熱硬化することで配線の低抵抗化は図れたが、コンタクトプローブで押し当てるとやはり銀ペーストの削れ等が発生し、信頼性低下が問題となる。
そこで、このＰＣ基板３１上の銀ナノ配線パターン３４上に、低温速硬化の熱硬化性樹脂３３を供給し、図５（ａ）で作製しためっき電極付きステンレス箔をパターン位置合わせした後、熱圧着（１５０℃  ２０ｓｅｃ）し、樹脂を硬化させる。
【００１７】
樹脂硬化後、ステンレス箔を剥離することにより、ステンレス箔上にめっきしためっき電極（構成：金／ニッケル／金）２３は、ＰＣ基板３１の銀ナノ配線パターン３４上に転写形成された。
ここで、銀ナノ配線パターン３４単独での配線抵抗は３ｍｍ長で約３０Ωであったのに対して、めっき電極２３を転写形成した場合は、めっき電極端から銀ナノ配線パターン間（約３ｍｍ長）までの抵抗は約１Ω以下となり、めっき電極２３のコンタクトによる配線の低抵抗化が図れた。
なお、めっき電極転写部となる紫外線硬化性樹脂３３に対してコンタクトプローブを何度押し当てても安定したコンタクトを確保することができ抵抗の安定化および信頼性も確保することができている。
【００１８】
図６は、本実施形態の表示パネルの第３の製造方法を示した図である。なお、図４、図５に示した製造工程と同一部位には同一符号を付しておく。
この場合も、まず、めっき電極付きステンレス箔２０を作製するために、図６（ａ）に示すように、ステンレス箔（ＳＵＳ３０４）２１を電解研磨後、エレコート ナイスロン（シミズ製）によりフッ素系電着膜を約５μｍ厚で電着塗装する。このフッ素系電着膜２２をＡｒＦエキシマレーザによりアブレーション加工を施し開口パターンを形成した。この開口パターンは２００μｍピッチで１００μｍ幅で３００ライン形成した。ライン長は３ｍｍとした。この開口パターンは仮想の表示パネル取出し電極パターンのピッチに合わせている。
上記フッ素系電着膜２２をめっき絶縁膜として活用し、ステンレス箔２１上のポリイミド開口部に電解金めっき、スルファミン酸ニッケルめっきを積層して総厚１０μｍ厚で形成した。次に、このニッケルめっき表面をニッケル表面粗化剤（メックニッケルラフナーＮＲ−１８７０）へ浸漬して粗化処理したのち、このニッケルめっき表面に置換金めっきを施した。このめっき電極２３上は樹脂密着性があり、フッ素系電着膜２２上は樹脂密着性を有していないことから、図６（ｂ）に示すように、オフセット印刷手法により、接着層４２を転写用ローラ４１上に均一に形成し、ステンレス箔２１上を回転させ、めっき電極２３上のみに接着剤を供給する。これにより、めっき電極付きステンレス箔２０が作製される。
【００１９】
次に、仮想表示パネルの取出し電極部３０として、図６（ｃ）（ｄ）に示すように、ポリカーボネート（ＰＣ）基板３１上に形成した銀ナノ配線パターン３４とめっき電極付きステンレス箔２０をパターン位置合わせした後、熱圧着（１５０℃  ２０ｓｅｃ）し、樹脂を硬化させた。
樹脂硬化後、ステンレス箔を剥離することにより、ステンレス箔２１上にめっきしためっき電極（構成：金／ニッケル／金）２３は、ＰＣ基板３１の銀ナノ配線パターン３４上に転写形成される。
ここで、銀ナノ配線パターン３４単独での配線抵抗は３ｍｍ長で約３０Ωであったのに対して、めっき電極２３を転写形成した場合においても、めっき電極端から銀ナノ配線パターン間（約３ｍｍ長）までの抵抗は約１Ω以下となり、めっき電極コンタクトによる配線の低抵抗化が図れた。なお、めっき電極上への選択的な接着、粘着剤供給方式としては電着法等も適用可能である。
上記したような本実施形態の表示パネルの製造方法によれば、めっき電極２３が紫外線硬化性樹脂３３等の接着剤を介して接着固定されていることから、低抵抗の取出し電極であるめっき電極２３の密着力を向上することができる。
【００２０】
また、めっき電極２３の一部が紫外線硬化性樹脂３３で埋め込まれており、めっき電極２３の段差がめっき電極厚より小さいことから、取出し電極部の段差を小さくし、接続信頼性の向上を図ることができる。
また、本実施形態では、めっき電極２３の露出面に対してＩＴＯパターン（取出し電極）３２との接触面が粗化処理されていることから、めっき電極２３とＩＴＯパターン３２と接続性が向上し、接触抵抗を低減することができる。
また本実施形態では、めっき電極２３が紫外線硬化性樹脂で接着されていることから、低温プロセスでめっき電極を転写することにより、累積ピッチ精度を向上させ微細配線形成が可能となす。
また本実施形態では、めっき電極２３に対応して接着層４２が形成され、接着固定されていることから、接着剤のはみ出しを防止でき、取出し電極部形状精度を向上することができ、接続信頼性も向上できる。また、低コストでの製造方法を提供できる。
さらに、めっき電極２３の表裏が金で被覆されていることから、めっき電極２３との接触抵抗を低減し、接続信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態にかかる表示パネルの構成を示した図である。
【図２】本実施形態の表示パネルを備えた表示パネル装置の構成を示した図である。
【図３】本実施形態の表示パネルを備えた表示パネル装置の他の構成を示した図である。
【図４】本実施形態の表示パネルの第１の製造方法を示した図である。
【図５】本実施形態の表示パネルの第２の製造方法を示した図である。
【図６】本実施形態の表示パネルの第３の製造方法を示した図である。
【符号の説明】
【００２２】
１…表示パネル、２…表示エリア、３…取出し電極部、４…銀ナノ配線パターン、１０…ポリカーボネート基板、１１…取出し電極、１２…メッキ電極、１３…電極転写部材、２０…めっき電極付きステンレス箔、２１…ステンレス箔、２２…フッ素系電着膜、２３…めっき電極、３０…取出し電極部、４１…転写用ローラ、４２…接着層、５０…表示パネル装置、５１…表示パネル駆動用ＩＣ、５２…バンプ、５３…異方性導電膜、５４…導電性粒子、６１…コントローラボード、６２…駆動用ＩＣボード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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