(57)【要約】      （修正有）【課題】データ蓄積容量及びデータ処理速度を向上させながら、体積を減少させた半導体パッケージモジュールを提供する。【解決手段】半導体パッケージモジュール５００は、収納部を有する基板本体１１０及び前記基板本体１１０に形成された導電パターン１２０を含む回路基板１００と、半導体チップを有する半導体パッケージ２００と、前記導電パターン１２０及び前記導電端子を電気的に連結する連結部材３００とを含む。回路基板１００の基板本体１１０に収納空間を有する収納部を形成し、収納部に半導体パッケージを収納した後、連結部材を利用して半導体パッケージ２００の接続端子及び基板本体１１０の導電パターン１２０を電気的に連結することにより、厚さを増加させることなく、１つの回路基板に複数の半導体パッケージ２００を積層する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
収納部を有する基板本体及び前記基板本体に形成された導電パターンを含む回路基板、
前記収納部に収納され、前記導電パターンと電気的に連結される導電端子及び前記導電端子と電気的に連結された半導体チップを有する半導体パッケージ、並びに、
前記導電パターンと前記導電端子とを電気的に連結する連結部材
を含むことを特徴とする、半導体パッケージモジュール。
【請求項２】
前記収納部は、前記基板本体の表面に凹状に形成されたレセス(recess)であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項３】
前記導電端子及び前記基板本体の表面は、同一平面上に配置されることを特徴とする、請求項２に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項４】
前記半導体パッケージは、前記半導体チップをモールディングするモールディング部材を含み、前記モールディング部材は、接着剤により前記収納部の底面に付着されることを特徴とする、請求項２に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項５】
前記収納部は、前記基板本体の第１の面上及び前記第１の面に対向する第２の面上に、それぞれ配置されることを特徴とする、請求項２に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項６】
前記連結部材は、絶縁部材、及び、前記収納部の底面と向かい合う絶縁部材の下面に形成されて、前記導電パターンと電気的に連結された第１の連結パターンを含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項７】
前記絶縁部材は、フレキシブル基板を含むことを特徴とする、請求項６に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項８】
前記絶縁部材は、前記下面に対向する上面上に配置されて、前記導電パターンと電気的に連結される第２の連結パターンをさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項９】
前記第２の連結パターンと電気的に連結された追加半導体パッケージをさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１０】
前記絶縁部材は、前記第２の連結パターンと前記導電パターンとを電気的に連結するために、前記絶縁部材を貫通する導電性ビアを含むことを特徴とする、請求項８に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１１】
前記導電パターン及び前記第１の連結パターン、並びに前記導電パターン及び前記第２の連結パターンは、ソルダー及び異方性導電フィルム(ACF)のいずれかにより電気的に連結されることを特徴とする、請求項８に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１２】
前記収納部は、前記基板本体を貫通する貫通孔であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１３】
前記基板本体に結合されて、前記収納部を覆う外部放熱カバーを含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１４】
前記基板本体は、前記基板本体の内部に配置されて、前記半導体パッケージから発生した熱を外部に放熱するための放熱プレートを含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１５】
前記放熱プレートの一部は前記基板本体から突出し、前記基板本体から突出した前記放熱プレートは、複数の放熱フィン(fin)を有することを特徴とする、請求項１４に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１６】
前記半導体パッケージと前記放熱プレートとの間には、熱伝導性接着剤が介在することを特徴とする、請求項１５に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１７】
前記基板本体は、プレート形状を有する第１の基板本体、及び前記第１の基板本体の両側に配置され、前記収納部を形成するために前記第１の基板本体を露出させる貫通部を有する第２の基板本体を含み、
前記導電パターンは、前記各第２の基板本体の表面にそれぞれ配置されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１８】
前記第１の基板本体は、第１の長さを有し、前記第２の基板本体は、前記第１の長さより短い第２の長さを有することを特徴とする、請求項１７に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項１９】
前記半導体パッケージ及び前記連結部材を密封する密封部材をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージモジュール。
【請求項２０】
前記連結部材は、リードフレームであることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近来、膨大なデータを蓄積し短時間内に処理できる半導体素子を有する半導体パッケージが開発されている。
【０００３】
さらに、半導体パッケージは、主にプリント回路基板などに実装されて、半導体パッケージモジュールが製造され、半導体パッケージモジュールは、各種装置、例えば、コンピュータなどに組み込まれて、様々な機能を行う。
【０００４】
最近、半導体パッケージモジュールの体積を減少させながら、半導体パッケージモジュールに複数の半導体パッケージを実装する技術の開発が進められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、データ蓄積容量及びデータ処理速度をさらに向上させながら、体積を減少させた半導体パッケージモジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
半導体パッケージモジュールは、収納空間を形成するための収納部を有する基板本体及び前記基板本体に形成された導電パターンを含む回路基板、前記収納部に収納され、前記導電パターンと電気的に連結される導電端子及び前記導電端子と電気的に連結された半導体チップを有する半導体パッケージ、並びに、前記導電パターンと前記導電端子とを電気的に連結する連結部材とを含む。
【０００７】
半導体パッケージモジュールの前記収納部は、前記基板本体の表面に凹状に形成されたレセス(recess)である。
【０００８】
半導体パッケージモジュールの前記導電端子及び前記基板本体の表面は、同一平面上に配置される。
【０００９】
半導体パッケージモジュールの前記半導体パッケージは、前記半導体チップをモールディングするモールディング部材を含み、前記モールディング部材は、接着剤により前記収納部の底面に付着される。
【００１０】
半導体パッケージモジュールの前記収納部は、前記基板本体の第１の面上及び前記第１の面に対向する第２の面上にそれぞれ配置される。
【００１１】
半導体パッケージモジュールの前記連結部材は、絶縁部材、及び、前記収納部の底面と向かい合う絶縁部材の下面に形成されて、前記導電パターンと電気的に連結された第１の連結パターンを含む。
【００１２】
半導体パッケージモジュールの前記絶縁部材は、フレキシブル基板を含む。
半導体パッケージモジュールの前記絶縁部材は、前記下面に対向する上面上に配置されて、前記導電パターンと電気的に連結される第２の連結パターンをさらに含む。
【００１３】
半導体パッケージモジュールは、前記第２の連結パターンと電気的に連結された追加半導体パッケージをさらに含む。
【００１４】
半導体パッケージモジュールの前記絶縁部材は、前記第２の連結パターンと前記導電パターンとを電気的に連結するために、前記絶縁部材を貫通する導電性ビアを含む。
【００１５】
半導体パッケージモジュールの前記導電パターン及び前記第１の連結パターン、並びに前記導電パターン及び前記第２の連結パターンは、ソルダー及び異方性導電フィルム(ACF)のいずれかにより電気的に連結される。
【００１６】
半導体パッケージモジュールの前記収納部は、前記基板本体を貫通する貫通孔である。
半導体パッケージモジュールは、前記基板本体に結合されて、前記収納部を覆う外部放熱カバーを含む。
【００１７】
半導体パッケージモジュールの前記基板本体は、前記基板本体の内部に配置されて、前記半導体パッケージから発生した熱を外部に放熱するための放熱プレートを含む。
【００１８】
半導体パッケージモジュールの前記放熱プレートの一部は前記基板本体から突出し、前記基板本体から突出した前記放熱プレートには、複数の放熱フィン(fin)が配置される。
【００１９】
半導体パッケージモジュールの前記半導体パッケージと前記放熱プレートとの間には、熱伝導性接着剤が介在する。
【００２０】
半導体パッケージモジュールの前記基板本体は、プレート形状を有する第１の基板本体、及び前記第１の基板本体の両側に配置され、前記収納部を形成するために前記第１の基板本体を露出させる貫通部を有する第２の基板本体を含み、前記導電パターンは、前記各第２の基板本体の表面にそれぞれ配置される。
【００２１】
半導体パッケージモジュールの前記第１の基板本体は、第１の長さを有し、前記第２の基板本体は、前記第１の長さより短い第２の長さを有する。
【００２２】
半導体パッケージモジュールは、前記半導体パッケージ及び前記連結部材を密封する密封部材をさらに含む。
半導体パッケージモジュールの前記連結部材は、リードフレームを含む。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、回路基板の基板本体に収納空間を有する収納部を形成し、収納部に半導体パッケージを収納した後、連結部材を利用して半導体パッケージの接続端子及び基板本体の導電パターンを電気的に連結することにより、厚さを増加させることなく、１つの回路基板に複数の半導体パッケージを積層して、半導体パッケージモジュールのデータ蓄積容量及びデータ処理速度を大きく向上させることができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態による半導体パッケージモジュールを示した分解斜視図である。図２は、図１のＩ−Ｉ’線断面図である。
【００２５】
図１及び図２を参照すると、半導体パッケージモジュール５００は、回路基板１００、半導体パッケージ２００、及び連結部材３００を含む。なお、半導体パッケージモジュール５００は、放熱部材４００をさらに含んでもよい。
【００２６】
図３は、図１の回路基板を示した断面図である。
図１及び図３を参照すると、回路基板１００は、基板本体１１０及び導電パターン１２０を含む。本実施形態において、回路基板１００は、例えば、プリント回路基板である。
【００２７】
基板本体１１０は、例えば、直方体プレート形状を有する。または、基板本体１１０は、直方体プレート形状の代わりに、多様な形状を有することもできる。
【００２８】
基板本体１１０は、第１の面１０１と、第１の面１０１に対向する第２の面１０２とを有して、基板本体１１０の第１の面１０１及び／または第２の面１０２には、収納空間を形成するための収納部(receiving portion)１１２が配置される。
【００２９】
収納部１１２は、基板本体１１０の第１の面及び／または第２の面１０２に凹状に形成されたレセス(recess)である
【００３０】
本実施形態において、基板本体１１０の第１の面１０１に形成された収納部に符号１１２ａを付し、基板本体１１０の第２の面１０２に形成された収納部に符号１１２ｂを付す。
【００３１】
図１に示した導電パターン１２０の一側端部は、基板本体１１０の収納部１１２の周辺に沿って配置され、各導電パターン１２０の前記一側端部に対向する他側端部は、基板本体１１０の長辺に沿って配置された各入・出力端子１３０に電気的に連結される。
【００３２】
図４は、図２に示した連結部材の下面を示した平面図である。
図２及び図４を参照すると、連結部材３００は、各収納部１１２(１１２ａ，１１２ｂ)を覆う。収納部１１２を覆う連結部材３００は、絶縁部材３０５及び第１の連結パターン３１０を含む。
【００３３】
絶縁部材３０５は、肉薄のフレキシブル合成樹脂シート(sheet)でも、相対的に高い強度を有する合成樹脂プレートでもよい。
【００３４】
図２に示したように、絶縁部材３０５は、収納部１１２(１１２ａ，１１２ｂ)により形成された基板本体１１０の底面１０３と向かい合う下面３０１、及び下面３０１に対向する上面３０２を有する。
【００３５】
第１の連結パターン３１０は、絶縁部材３０５の下面３０１上に配置される。第１の連結パターン３１０は、第１の接続端子３０６、第１の導電パターン３０７、及び第１のボールランドパターン３０９を含む。
【００３６】
第１の接続端子３０６は、回路基板１００の基板本体１１０の第１の面１０１上に形成された各導電パターン１２０の端部に対応する。
【００３７】
第１のボールランドパターン３０９は、例えば、円板形状を有し、第１のボールランドパターン３０９は、絶縁部材３０５の下面３０１上にマトリクス状に配置される。
【００３８】
第１の導電パターン３０７は、第１の接続端子３０６と、第１の接続端子３０６に対応する第１のボールランドパターン３０９とを電気的に連結する。図４に示した符号３１５は、後述する第２の連結パターン３２０に電気的に連結される導電性ビアである。
【００３９】
図４に示した第１の接続端子３０６は、図１に示した導電パターン１２０の一側端部と電気的に接続され、第１の接続端子３０６及び導電パターン１２０の一側端部は、ソルダーにより相互に電気的に接続されてもよいし、異方性導電フィルム(Anisotropic        conductive film, ACF)により電気的に接続されてもよい。
【００４０】
図５は、図２に示した連結部材の上面を示した平面図である。
図２及び図５を参照すると、連結部材３００の上面３０２上には、導電性ビア３１５及び第２の連結パターン３２０が配置される。
【００４１】
導電性ビア３１５は、絶縁部材３０５の上面３０２及び下面３０１を貫通する貫通孔内に配置される。導電性ビア３１５は、基板本体１１０の導電パターン１２０と電気的に連結される。
【００４２】
第２の連結パターン３２０は、第２の導電パターン３２２及び第２のボールランドパターン３２５を含む。
【００４３】
第２のボールランドパターン３２５は、例えば、円板形状を有し、第２のボールランドパターン３２５は、絶縁部材３０５の上面３０２上にマトリクス状に配置される。
【００４４】
第２の導電パターン３２２は、導電性ビア３１５と、第２のボールランドパターン３２５とを電気的に連結する。
【００４５】
図５に示した導電性ビア３１５は、図１に示した導電パターン１２０の一側端部と電気的に接続され、導電性ビア３１５及び導電パターン１２０の一側端部は、ソルダーにより相互に電気的に接続されても、異方性導電フィルム(ACF)により電気的に接続されてもよい。
【００４６】
さらに図２を参照すると、半導体パッケージ２００は、連結部材３００の下面３０１及び／または上面３０２に配置され得る。
【００４７】
本実施形態において、収納部１１２(１１２ａ，１１２ｂ)は、基板本体１１０の第１の面１０１及び第２の面１０２にそれぞれ形成され、これにより連結部材３００は、第１の面１０１に形成された収納部１１２ａ及び第２の面１０２に形成された収納部１１２ｂにそれぞれ配置される。
【００４８】
以下、基板本体１１０の第１の面１０１に形成された収納部１１２ａに配置された連結部材３００の下面３０２及び上面３０１にそれぞれ配置された半導体パッケージ２００は、第１の半導体パッケージ２１０及び第２の半導体パッケージ２２０として定義される。
【００４９】
また、基板本体１１０の第２の面１０２に形成された収納部１１２ｂに配置された連結部材３００の下面３０２及び上面３０１にそれぞれ配置された半導体パッケージ２００は、第３の半導体パッケージ２３０及び第４の半導体パッケージ２４０として定義される。
【００５０】
第１の半導体パッケージ２１０は、基板本体１１０の第１の面１０１に形成された収納部１１２ａに収納される。
【００５１】
第１の半導体パッケージ２１０は、第１の半導体チップ２１２と、第１の半導体チップ２１２と電気的に接続された第１の接続端子２１４とを含む。第１の接続端子２１４は、例えば、導電性バンプまたはソルダーボールである。
【００５２】
第１の半導体パッケージ２１０の第１の半導体チップ２１２は、モールディング部材をさらに含むことができ、第１の半導体チップ２１２は、収納部１１２ａにより形成された基板本体１１０の底面１０３上に配置される。第１の半導体チップ２１２は、接着部材により底面１０３上に接着される。
【００５３】
第１の接続端子２１４は、基板本体１１０の第１の面１０１上に配置された連結部材３００の下面３０１に形成された第１のボールランドパターン３０９と電気的に接続される。これを具現するために、第１の接続端子２１４の端部は、基板本体１１０の第１の面１０１と実質的に同一の平面上に配置される。
【００５４】
第２の半導体パッケージ２２０は、第２の半導体チップ２２２と、第２の半導体チップ２２２と電気的に接続された第２の接続端子２２４とを含む。第２の接続端子２２４は、例えば、導電性バンプまたはソルダーボールである。
【００５５】
第２の半導体パッケージ２２０の第１の半導体チップ２２２は、モールディング部材をさらに含むことができる。
【００５６】
第２の接続端子２２４は、基板本体１１０の第１の面１０１上に配置された連結部材３００の上面３０２に形成された第２のボールランドパターン３２５と電気的に接続される。
【００５７】
第３の半導体パッケージ２３０は、基板本体１１０の第２の面１０２に形成された収納部１１２ｂ内に収納される。
【００５８】
第３の半導体パッケージ２３０は、第３の半導体チップ２３２と、第３の半導体チップ２３２と電気的に接続された第３の接続端子２３４とを含む。第３の接続端子２３４は、例えば、導電性バンプまたはソルダーボールである。
【００５９】
第３の半導体パッケージ２３０の第３の半導体チップ２３２は、モールディング部材をさらに含むことができ、第３の半導体チップ２３２は、収納部１１２ｂにより形成された基板本体１１０の底面１０３上に配置される。第３の半導体チップ２３２は、接着部材により底面１０３上に接着される。
【００６０】
第３の接続端子２３４は、基板本体１１０の第２の面１０２上に配置された連結部材３００の下面３０１に形成された第１のボールランドパターン３０９と電気的に接続される。これを具現するために、第３の接続端子２３４は、基板本体１１０の第２の面１０２と実質的に同一の平面上に配置される。
【００６１】
第４の半導体パッケージ２４０は、第４の半導体チップ２４２と、第４の半導体チップ２４２と電気的に接続された第４の接続端子２４４とを含む。第４の接続端子２４４は、例えば、導電性バンプまたはソルダーボールである。
【００６２】
第４の半導体パッケージ２４０の第４の半導体チップ２４２は、モールディング部材をさらに含むことができる。
【００６３】
第４の接続端子２４４は、基板本体１１０の第２の面１０２上に配置された連結部材３００の上面３０２に形成された第２のボールランドパターン３２５と電気的に接続される。
【００６４】
一方、連結部材３００により接続された複数の半導体パッケージ２００が回路基板１００の基板本体１００の収納部１１２(１１２ａ，１１２ｂ)内に配置される場合、半導体パッケージ２００から発生した多量の熱が容易に放熱されず、これにより半導体パッケージの性能が低下する可能性がある。
【００６５】
本実施形態では、収納部１１２内に配置された半導体パッケージ２００から発生した熱を容易に外部に排出するために、半導体パッケージモジュール５００は、放熱部材４００を含むことができる。
【００６６】
放熱部材４００は、例えば、回路基板１００の基板本体１１０に形成された各半導体パッケージ２００を覆うキャップ(cap)形状を有することができる。キャップ形状を有する放熱部材４００は、半導体パッケージ２００から発生した熱を迅速に外部に放熱し、熱による半導体パッケージ２００の性能低下を防ぐことができる。
【００６７】
放熱部材４００に使用できる金属としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、及び銀などが挙げられる。
【００６８】
または、放熱部材４００は、半導体パッケージ２００から発生する多量の電磁波を吸収、反射、または熱エネルギーに変換させ、半導体パッケージモジュール５００から電磁波の発生を抑制するための電磁波吸収物質を含むことができる。
【００６９】
図６は、本発明の他の実施形態による半導体パッケージモジュールを示した断面図である。本実施形態による半導体パッケージモジュールは、放熱部材４５０を除くと、図２を参照して説明した半導体パッケージモジュールと実質的に同一の構成を有する。従って、同一の構成に対しては、その説明を省略し、同一の名称及び同一の符号を付す。
【００７０】
図６を参照すると、半導体パッケージモジュール５００は、回路基板１００、半導体パッケージ２００、連結部材３００、及び放熱部材４５０を含む。
【００７１】
直方体プレート形状を有する回路基板１００の内部には、コア(core)の役割をする放熱部材４５０が配置される。本実施形態において、放熱部材４５０は、回路基板１００に似た直方体プレート形状を有することができる。
【００７２】
放熱部材４５０として使用できる物質としては、熱伝達率の高い金属であるアルミニウム、アルミニウム合金、銅、及び銅合金などが挙げられる。
【００７３】
放熱部材４５０には、半導体パッケージ２００のうちの第１の半導体パッケージ２１０及び第３の半導体パッケージ２３０が密着される。この時、第１の半導体パッケージ２１０及び第３の半導体パッケージ２３０から発生した熱を、より迅速に放熱部材４５０に伝達するために、放熱部材４５０と第１の半導体パッケージ２１０との間、及び放熱部材４５０と第３の半導体パッケージ２３０との間には、熱伝導性接着剤４５９が配置される。熱伝導性接着剤４５９は、例えば、熱伝導率の高い金属パウダーを含むことができる。
【００７４】
一方、放熱面積をより増加させるために、放熱部材４５０の一部を、基板本体１１０から突出させてもよい。具体的には、放熱部材４５０は、入・出力端子１３０が形成された基板本体１１０の一側端部に対向する他側端部から突出する。
【００７５】
放熱性能をより向上させるために、基板本体１１０から突出した放熱部材４５０には、放熱フィン(heat dissipation fin)４５５が形成される。放熱フィン４５５は、放熱部材４５０に対し、垂直方向に複数個が配置される。放熱面積を増加させるために、放熱フィン４５５は、プレート形状を有する。さらに、放熱フィン４５５は、放熱フィン４５５の表面積をより増加させるために、複数個の溝または突起を有してもよい。
【００７６】
本実施形態において、放熱フィン４５５は、放熱部材４５０と一体に形成しても、放熱部材４５０とは別に形成してもよい。
【００７７】
図７は、本発明のさらに他の実施形態による半導体パッケージモジュールを示した断面図である。本実施形態による半導体パッケージモジュールは、回路基板１００を除くと、図２を参照して説明した半導体パッケージモジュールと実質的に同一の構成を有する。従って、同一の構成に対しては、その説明を省略し、同一の名称及び同一の符号を付す。
【００７８】
図７を参照すると、半導体パッケージモジュール５００は、回路基板１００、半導体パッケージ２００、連結部材３００、及び放熱部材４００を含む。
【００７９】
回路基板１００は、基板本体１１０及び導電パターン１２０を含む。本実施形態において、回路基板１００は、例えば、プリント回路基板である。
【００８０】
基板本体１１０は、例えば、直方体プレート形状を有する。または基板本体１１０は、直方体プレート形状の代わりに、他の形状を有してもよい。
【００８１】
基板本体１１０は、第１の面１０１と、第１の面１０１に対向する第２の面１０２とを有し、基板本体１１０の第１の面１０１及び／または第２の面１０２には、収納空間を形成するために、１つの収納部１１４が配置される。
【００８２】
収納部１１４は、基板本体１１０の第１の面及び第２の面１０２を貫通する貫通孔である。貫通孔である収納部１１４は、上方から見て、半導体パッケージ２００を収納するに適合した形状及び大きさを有する。
【００８３】
収納部１１４には、半導体パッケージ２００のうち、第１の半導体パッケージ２１０及び第３の半導体パッケージ２３０が収納され、第１の半導体パッケージ２１０及び第３の半導体パッケージ２３０は、接着部材により相互接着される。
【００８４】
一方、収納部１１４に収納された第１の半導体パッケージ２１０及び第３の半導体パッケージ２３０が収納部１１４内部で動くことを防止するために、接着部材により付着された第１の半導体パッケージ２１０及び第３の半導体パッケージ２３０は、収納部１１４により形成された基板本体１１０の内側面に形成された固定部材１６０により強固に固定される。固定部材１６０は、接着部材または弾性部材である。
【００８５】
図１に示した導電パターン１２０の一側端部は、収納部１１４の周辺に沿って配置され、各導電パターン１２０の前記一側端部に対向する他側端部は、基板本体１１０の長辺に沿って配置された各入・出力端子１３０に電気的に連結される。
【００８６】
図７に示した実施形態による半導体パッケージモジュール５００は、図２に比べ相対的に薄い厚さを有する回路基板１００に特に好適である。
【００８７】
図８は、本発明のさらに他の実施形態による半導体パッケージモジュールを示した断面図である。本実施形態による半導体パッケージモジュールは、モールディング部４８０を除くと、図２を参照して説明した半導体パッケージモジュールと実質的に同一の構成を有する。従って、同一の構成に対しては、その説明を省略し、同一の名称及び同一の符号を付す。
【００８８】
図８を参照すると、半導体パッケージモジュール５００は、回路基板１００、半導体パッケージ２００、連結部材３００、放熱部材４００、及びモールディング部４８０を含む。
【００８９】
モールディング部４８０は、例えば、放熱部材４００と連結部材３００との間の空間に配置される。本実施形態において、モールディング部４８０として使用できる物質としては、エポキシ樹脂が挙げられる。
【００９０】
放熱部材４００と連結部材３００との間の空間に配置されたモールディング部４８０は、外部から加えられた衝撃及び／または振動により、フレキシブルな連結部材３００及び連結部材３００に付着された半導体パッケージ２００が損傷することを防止する。
【００９１】
図９は、本発明のさらに他の実施形態による半導体パッケージモジュールを示した断面図である。本実施形態による半導体パッケージモジュールは、回路基板を除くと、図２を参照して説明した半導体パッケージモジュールと実質的に同一の構成を有する。従って、同一の構成に対しては、その説明を省略し、同一の名称及び同一の符号を付す。
【００９２】
図９を参照すると、半導体パッケージモジュール５００は、回路基板１９０、半導体パッケージ２００、連結部材３００、及び放熱部材４００を含む。
【００９３】
回路基板１９０は、第１の基板本体１９２、第２の基板本体１９４、及び第３の基板本体１９６を含む。本実施形態において、第１〜第３の基板本体１９２、１９４、１９６は、それぞれプリント回路基板である。
【００９４】
第１の基板本体１９２は、第２の基板本体１９４と第３の基板本体１９６との間に介在し、第１の基板本体１９２は、第２及び第３の基板本体１９４、１９６と電気的に連結される。
【００９５】
第２の基板本体１９４には、貫通孔が形成される。第２の基板本体１９４に形成された貫通孔及び第１の基板本体１９２により、第２の基板本体１９４には収納部１９３が形成される。
【００９６】
一方、第３の基板本体１９６にも貫通孔が形成される。第３の基板本体１９６に形成された貫通孔及び第１の基板本体１９２により、第３の基板本体１９６にも収納部１９５が形成される。
【００９７】
第２の基板本体１９４に形成された収納部１９３及び第３の基板本体１９６に形成された収納部１９５には、それぞれ連結部材３００が配置されて、連結部材３００には、半導体パッケージ２００が配置される。
【００９８】
本実施形態によると、第１の基板本体１９２の厚さが非常に薄く、第１の基板本体１９２に、半導体パッケージ２００を収納するに適した収納部を形成することが難しい場合、第１の基板本体１９２の両側にそれぞれ配置された第２及び第３の基板本体１９４、１９６を含む回路基板１９０を使用して、第２及び第３の基板本体１９４、１９６にそれぞれ形成された収納部１９３、１９５に半導体パッケージ２００を収納する。
【００９９】
上述の本発明による半導体パッケージモジュールにおいては、絶縁部材、第１及び第２の連結パターンを含む連結部材により回路基板と半導体パッケージを連結することを説明したが、連結部材は、回路基板と半導体パッケージを連結するリードを含むリードフレームであってもよい。
【０１００】
以上、本発明を特定の実施形態を挙げて説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者は、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様に変更、実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の一実施形態による半導体パッケージモジュールを示した分解斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線断面図である。
【図３】図１の回路基板を示した断面図である。
【図４】図２に示した連結部材の下面を示した平面図である。
【図５】図２に示した連結部材の上面を示した平面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による半導体パッケージモジュールを示した断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態による半導体パッケージモジュールを示した断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態による半導体パッケージモジュールを示した断面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態による半導体パッケージモジュールを示した断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１００，１９０  回路基板
１１０，１９２，１９４，１９６  基板本体
１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１４，１９３，１９５  収納部
１２０  導電パターン
１３０  入・出力端子
１６０  固定部材
２００，２１０，２２０，２３０，２４０  半導体パッケージ
２１２，２２２，２３２，２４２，２４４  半導体チップ
２１４，２２４，２３４，２４４  接続端子
３００  連結部材
３０５  絶縁部材
３０６  接続端子
３０７，３２２  導電パターン
３０９，３２５  ボールランドパターン
３１０，３２０  連結パターン
３１５  導電性ビア
４００，４５０  放熱部材
４５５  放熱フィン
４８０  モールディング部
５００  半導体パッケージモジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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