(57)【要約】【課題】外部電極間のマイグレーションを抑制することができる電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１は磁性体基板６が貼り付けられた積層体２と外部電極７−１〜７−４とを具備し、積層体２は、絶縁層４１〜４６と導体パターン５１〜５４とを磁性体基板３の上に積層して成り、並列コイル５−１，５−２を内部に有する。磁性体基板３上面の溝３１が、外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）の間に介在する。充填部４１ａが、溝３１に入り込んだ絶縁層４１によって形成され、磁性体基板３が、充填部４１ａと溝３１とによって中央部で仕切られている。磁性体基板６下面の溝６１が、外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）の間に介在する。充填部４８ａが、溝６１に入り込んだ接着層４８によって形成され、磁性体基板６が、充填部４８ａと溝６１とによって中央部で仕切られている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と導体パターンとが第１の基板上に積層され且つ上記導体パターンで構成された内部回路の引き出し端子が側面に露出する積層体と、上記内部回路の各引き出し端子に接触するように当該積層体に上記側面に設けられた１対以上の外部電極とを具備する電子部品であって、
上記第１の基板の上面で且つ上記積層体の同一の側面に並んだ１対の外部電極の間又は対向する側面で向かい合う１対の外部電極の間のいずれかに、直線状の溝を形成すると共に、
上記第１の基板の真上の絶縁層を、上記溝内に充填させた状態で当該第１の基板上に積層した、
ことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品において、
一の上記溝を同一の側面に並んだ１対の外部電極の間に形成すると共に、他の上記溝を対向する側面で向かい合う１対の外部電極の間に形成した、
ことを特徴とする電子部品。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電子部品において、
上記溝の断面を、底方向に向かって狭くなるテーパ状又は円弧状に形成した、
ことを特徴とする電子部品。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品において、
第２の基板を上記積層体の上面に貼り付け、
当該第２の基板の下面にも、上記第１の基板の溝と対応する溝を上記第１の基板の溝と対応する箇所に形成すると共に、
当該第２の基板の真下の絶縁層を上記溝内に充填させた状態で、当該第２の基板を当該絶縁層上に貼り付けた、
ことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、携帯電話等の小型電子機器に使用される積層型の電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子部品１００では、図２０に示すように、絶縁層や磁性層等の層１１１〜１１５とコイルパターン１２１，１２２とを基板１０１上に交互に積層し、最上位に基板１０２を配した後、二点鎖線で示す外部電極１３１，１３２をこの積層体の側面に形成した構成になっている（例えば、特許文献１等）。
この際、外部電極１３１，１３２は、Ａｇ等の導電性ペーストを積層体側面に塗布又は蒸着した後、Ｎｉ等の金属をその上にメッキすることで、形成している。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−０６８１２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の電子部品では、次のような問題がある。
例えば、基板１０１，１０２がセラミックス基板であるには、基板１０１の上面の凹凸を緩和させるために、基板１０１，１０２に接触する層１１１，１１５をポリイミド樹脂等を用いて形成することがある。
しかし、このような樹脂は、セラミックス基板等とその熱膨張率や収縮率が大きく異なるため、焼成時に、隙間がセラミックス基板と樹脂との間に発生するおそれがある。
すなわち、積層型の電子部品１００において、熱膨張率や収縮率が基板１０１，１０２と大きく異なる材料を層１１１，１１５に用いると、図２１に示すように、焼成時に、基板１０１，１０２と層１１１，１１５との間に隙間Ｇ１，Ｇ２が発生する。
このため、外部電極１３１，１３２の形成時に、Ａｇ等の導電性ペーストを積層体側面に塗布等すると、当該ペースト１３１ａ，１３２ｂや１３１ｂ，１３２ｂが、隙間Ｇ１や隙間Ｇ２に侵入する。この結果、電子部品１００を高温多湿下で使用すると、外部電極１３１，１３２間の電位差（電界）によって、ペースト１３１ａ，１３２ｂやペースト１３１ｂ，１３２ｂとの間で、マイグレーションが発生し、基板１０１，１０２上面上で析出したＡｇ等の金属によって、ペースト１３１ａ，１３２ｂやペースト１３１ｂ，１３２ｂが電気的に接続され、外部電極１３１，１３２が短絡するおそれがあった。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、外部電極間のマイグレーションを抑制することができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、絶縁層と導体パターンとが第１の基板上に積層され且つ導体パターンで構成された内部回路の引き出し端子が側面に露出する積層体と、内部回路の各引き出し端子に接触するように積層体に側面に設けられた１対以上の外部電極とを具備する電子部品であって、第１の基板の上面で且つ積層体の同一の側面に並んだ１対の外部電極の間又は対向する側面で向かい合う１対の外部電極の間のいずれかに、直線状の溝を形成すると共に、第１の基板の真上の絶縁層を、溝内に充填させた状態で第１の基板上に積層した構成とする。
かかる構成により、第１の基板と真上の絶縁層との熱膨張率や収縮率が異なると、これらの部材の焼成時に、隙間が第１の基板の上面と真上の絶縁層下面との間に発生し、外部電極の形成時に、ペースト状の外部電極部分がこの隙間に侵入することがある。
かかる状態の電子部品を高温多湿下で使用し、これら侵入したペースト状の外部電極部分間に電位差が生じると、マイグレーションが発生するおそれがある。
しかしながら、この発明の電子部品では、直線状の溝を、第１の基板の上面で且つこの溝を積層体の同一の側面に並んだ１対の外部電極の間又は対向する側面で向かい合う１対の外部電極の間のいずれかに形成すると共に、第１の基板の真上の絶縁層を溝内に充填させた状態で第１の基板上に積層している。
したがって、この電子部品を使用し、同一の側面に並んだ１対の外部電極の間に電位差を発生させ、金属を一方の外部電極部分に析出させた場合においても、析出して他方の外部電極部分側に延出する金属は、外部電極の間に形成された溝内に充填された絶縁層によって遮られるので、マイグレーションは生じない。また、対向する側面で向かい合う１対の外部電極に電極を発生させ、金属を一方の外部電極部分に析出させた場合においても、析出して他方の外部電極部分側に延出する金属は、対向する外部電極の間に形成された溝内に充填された絶縁層によって遮られるので、マイグレーションは生じない。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の電子部品において、一の溝を同一の側面に並んだ１対の外部電極の間に形成すると共に、他の溝を対向する側面で向かい合う１対の外部電極の間に形成した構成とする。
かかる構成により、隣り合う外部電極部分の間に生じるマイグレーションだけでなく、対向する外部電極部分の間に生じるマイグレーションも同時に抑制することができる。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の電子部品において、溝の断面を、底方向に向かって狭くなるテーパ状又は円弧状に形成した構成とする。
かかる構成により、焼成時に生じる溝内の絶縁層と溝との間に、隙間を生じさせ難くすることができる。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品において、第２の基板を積層体の上面に貼り付け、第２の基板の下面にも、第１の基板の溝と対応する溝を第１の基板の溝と対応する箇所に形成すると共に、第２の基板の真下の絶縁層を溝内に充填させた状態で、第２の基板を絶縁層上に貼り付けた構成とする。
構成とした。
かかる構成により、第２の基板と真下の絶縁層との熱膨張率や収縮率が異なると、これらの部材の焼成時に、隙間が第２の基板の下面と真下の絶縁層との間に発生し、外部電極の形成時に、ペースト状の外部電極部分がこの隙間に侵入し、侵入したペースト状の外部電極部分間でマイグレーションが発生するおそれがある。しかし、かかる場合においても、請求項１の発明の場合と同様に、一方の外部電極部分から他方の外部電極部分側に延出する析出金属が、第２の基板の下面に形成された溝内に充填させられた絶縁層によって遮られるので、マイグレーションは生じない。
【発明の効果】
【００１０】
以上詳しく説明したように、この発明によれば、並んだ又は対向する外部電極間に設けられた溝に充填された絶縁層によって、マイグレーションの発生を抑制することができ、この結果、高品質の電子部品を提供することができるという優れた効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、この発明の第１実施例に係る電子部品の分解斜視図であり、図２は、電子部品の外観図であり、図３は、図２の矢視Ａ−Ａ断面図であり、図４は、図２の矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
これらの図に示すように、この実施例の電子部品１は、コモンモードチョークコイルであり、第２の基板としての磁性体基板６が上面に貼り付けられた積層体２と、この積層体２の側面に設けられた外部電極７−１〜７−４とを具備している。
【００１３】
積層体２は、図１および図３に示すように、絶縁層４１〜４６と導体パターン５１〜５４とを第１の基板としての磁性体基板３の上に積層したものである。
【００１４】
磁性体基板３は、フェライト等で形成した長方形状の板体であり、その上方に、内部回路としての１次側並列コイル５−１と２次側並列コイル５−２とが構成されている。
１次側並列コイル５−１は、絶縁層４１，導体パターン５１，絶縁層４２，導体パターン５２，絶縁層４３を磁性体基板３上に順に積み重ね、絶縁層４２に設けられたスルーホール４２ａを通じて、導体パターン５１，５２を電気的に接続した構造となっている。  そして、導体パターン５１，５２の引き出し端子５１ａ，５２ａが積層体２の側面としての前面２ａの左下部に露出され、引き出し端子５１ｂ，５２ｂが積層体２の側面としての後面２ｂの左下部に露出されている。
一方、２次側並列コイル５−２も１次側並列コイル５−１とほぼ同様であり、絶縁層４３上に、絶縁層４４，導体パターン５３，絶縁層４５，導体パターン５４，絶縁層４６を順に積み重ね、絶縁層４５に設けられたスルーホール４５ａを通じて、導体パターン５３，５４を電気的に接続した構造となっている。
そして、導体パターン５３，５４の引き出し端子５３ａ５４ａが積層体２の前面２ａの右上部に露出され、引き出し端子５３ｂ，５４ｂが積層体２の後面２ｂの右上部に露出されている。
【００１５】
磁性体基板６は、磁性体基板３と同様にフェライト等で形成された板体であり、接着層４７，４８を介して積層体２上に貼り付けられている。
【００１６】
外部電極７−１〜７−４は、図２に示すように、上記のように磁性体基板６が貼り付けられた積層体２の前面２ａ及び後面２ｂにそれぞれ設けられている。
具体的には、図１及び図３に示すように、１次側並列コイル５−１の引き出し端子５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂが積層体２の前面２ａ及び後面２ｂの左下部に露出し、２次側並列コイル５−２の引き出し端子５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂが前面２ａ及び後面２ｂの右上部に露出しているので、外部電極７−１は引き出し端子５１ａ，５２ａに、外部電極７−２は引き出し端子５１ｂ，５２ｂに、外部電極７−３は引き出し端子５３ａ，５４ａに、外部電極７−４は引き出し端子５３ｂ，５４ｂにそれぞれ接触するように設けられている。
これにより、外部電極７−１，７−２が１次側並列コイル５−１に電気的に接続された状態で互いに対向し、外部電極７−３，７−４が２次側並列コイル５−２に電気的に接続された状態で互いに対向している。また、外部電極７−１，７−３は、積層体２の前面２ａで左右に並んだ状態になり、外部電極７−２，７−４は、積層体２の後面２ｂで左右に並んだ状態になっている。
【００１７】
この実施例では、上記のような構成の電子部品１において、マイグレーション抑制用の手段が磁性体基板３，６の部分に設けられている。
磁性体基板３の部分における手段は、溝３１と充填部４１ａとで構成されている。
具体的には、図１及び図４に示すように、断面矩形の直線状の溝３１が、磁性体基板３の上面に形成され、積層体２の前面２ａから後面２ｂに向かって延びている。
この溝３１の形成位置は、磁性体基板３の上面の中央部である。すなわち、溝３１は、積層体２の同一の側面である前面２ａ（後面２ｂ）に並んだ１対の外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）の間に介在している。
また、充填部４１ａは、真上の絶縁層４１を磁性体基板３上面に積層する際に、溝３１内に入り込んだ絶縁層４１の部分である。この充填部４１ａは、溝３１の全長に渡って入り込んでおり、図４に示すように、磁性体基板３の上面が、この充填部４１ａと溝３１とにより中央部で仕切られた状態になっている。
一方、磁性体基板６の部分における手段は、図１及び図３に示すように、溝６１と充填部４８ａとで構成されている。
具体的には、溝３１と同形の直線状の溝６１が、磁性体基板６の下面に形成され、積層体２の前面２ａから後面２ｂに向かって延びている。
この溝６１の形成位置は、溝３１の形成位置と対応しており、磁性体基板６の下面の中央部である。すなわち、溝６１も、積層体２の同一の側面である前面２ａ（後面２ｂ）に並んだ１対の外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）の間に介在している。
また、充填部４８ａは、磁性体基板６を接着層４７，４８を介して真下の絶縁層４６上に貼り付ける際に、溝６１内に入り込んだ接着層４８の部分である。この充填部４８ａも、充填部４１ａと同様に、溝６１の全長に渡って入り込んでおり、磁性体基板６の下面が、この充填部４８ａと溝６１とにより中央部で仕切られた状態になっている。
【００１８】
ここで、電子部品１の製造方法の一例について簡単に説明する。
図５は、電子部品１の製造方法を示す工程図であり、図６は、積層工程を示す断面図であり、図７は、圧着工程を示す断面図であり、図８は、ダイシング工程と焼成工程と外部電極形成工程を示す概略図である。
図５に示すように、電子部品１は、積層工程Ｓ１と圧着工程Ｓ２とダイシング工程Ｓ３と焼成工程Ｓ４と外部電極形成工程Ｓ５とを実行することで製造される。
【００１９】
まず、積層工程Ｓ１においては、図６の（ａ）に示すように、磁性体基板３を用意する。
この実施例では、第１の基板としてフェライトなどの磁性体基板３を用いているが、基板の材料は磁性体に限定されるものではなく、用途に応じて、誘電体や絶縁体で第１の基板を形成しても良い。但し、基板３の表面粗さＲａは、基板３の上に絶縁層４１〜４６や導体パターン５１〜５４を積層する際に支障がないよう、０．５μｍ以下に研磨しておくことが望ましい。
そして、後述するダイシング工程Ｓ３で使用されるダイシングソー３００による磁性体基板３への切り込み深さを調節しながら、磁性体基板３をダイシングすることで、断面矩形で直線状の溝３１を、磁性体基板３の上面に形成する。
かかる状態で、絶縁層４１〜４６と導体パターン５１〜５４とを、フォトリソグラフィ技術を用いて交互に複数回積層して積層体２を形成する。
具体的には、図６の（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂である絶縁層４１を磁性体基板３の上面に積層し、絶縁層４１を溝３１に充填して、充填部４１ａを形成する。
そして、図６の（ｃ）に示すように、スパッタリングや蒸着等の薄膜形成法、あるいはスクリーン印刷等の厚膜形成法といった成膜技術を用いて、Ａｇ膜層を絶縁層４１の上に形成し、しかる後、レジスト塗布，露光及び現像やエッチング等の一連のフォトリソグラフィ技術を用いて、引き出し端子５１ａ，５１ｂを有した導体パターン５１を形成する。
続いて、図６の（ｄ）示すように、この導体パターン５１上に、感光性ポリイミド樹脂を塗布し、露光及び現像を行うことで、スルーホール４２ａを有した絶縁層４２を形成する。そして、この絶縁層４２上に、導体パターン５１及び絶縁層４１と同様に、引き出し端子５２ａ，５２ｂを有した導体パターン５２と絶縁層４３とを順に積層することで、１次側並列コイル５−１（図１参照）を形成する。
しかる後、１次側並列コイル５−１の上に、１次側並列コイル５−１と同様に、絶縁層４４，４５，４６と導体パターン５３，５４とを交互に積層することで、２次側並列コイル５−２（図１参照）を形成する。
これにより、積層工程Ｓ１が終了し、積層体２が形成される。
なお、この例では、導体パターン５１，５２，５３，５４を形成する材料として、Ａｇを用いているが、導体パターン５１，５２，５３，５４として、導電性に優れたＣｕ，Ｐｄ，Ａｌ等の金属や、これらの合金を用いることができることは勿論である。
また、絶縁層４１，４２，４３，４４，４５，４６として、ポリイミド樹脂を用いているが、絶縁層４２，４５はスルーホール４２ａ，４５ａを形成するため、感光性のポリイミド樹脂を用いる必要がある。また、絶縁層４１，４２，４３，４４，４５，４６として、ポリイミド樹脂以外に、エポキシ樹脂，ベンゾシクロプテン樹脂等の種々の樹脂材料、あるいはＳｉＯ2等のガラス、ガラスセラミックス、誘電体等を用いることができることは勿論である。
【００２０】
次に、圧着工程Ｓ２においては、まず、図７の（ａ）に示すように、磁性体基板３と同様に、断面矩形で直線状の溝６１が下面に形成されたフェライト等の磁性体基板６を用意し、絶縁層としても機能する熱硬化性のポリイミド樹脂の接着層４７，４８を積層体２の上面とこの磁性体基板６の下面とにそれぞれ塗布して、磁性体基板６を積層体２上に貼り合わせる。
かかる状態で、図７の（ｂ）に示すように、磁性体基板６が貼り付けられた積層体２を、真空ホットプレス機２００にセットし、真空中又は不活性ガス中にて加熱しながら、磁性体基板６を高圧で押圧することで、磁性体基板６を積層体２上に熱圧着する。しかる後、冷却して、真空ホットプレス機２００の圧力を解除することで、圧着工程Ｓ３が終了する。
かかる圧着工程Ｓ３によって、積層体２の接着層４８の一部が磁性体基板６の溝６１内に入り込み、充填部４８ａが形成される。
なお、この電子部品１をリフロー実装する際には、最高到達温度が２６０℃前後に至ることから、接着層４７，４８として、ガラス転移温度が２７０℃以上の熱硬化性のポリイミド樹脂を用いた。さらに、上記圧着工程Ｓ３では、３５０℃〜３９０℃の高温を加えて、積層体２と磁性体基板６とを圧着するので、この高温によって、接着層４７，４８からガスが流出して接着層４７，４８内に空孔を作るおそれがある。この空孔は、密着力を低下させたり、空孔内に湿気がたまった場合には、内部の導体パターンを短絡させるおそれがある。したがって、接着層４７，４８としては、耐熱温度が４００℃以上の熱硬化性のポリイミド樹脂を用いることが望ましい。
【００２１】
上記のように圧着工程Ｓ３を経ることで、磁性体基板６と積層体２とが強固に接着されたマザー基板１′が形成されるので、ダイシング工程Ｓ４によって、マザー基板１′を小さなチップに分割する。
具体的には、図８の（ａ）に示すように、マザー基板１′をダイシングソー３００で分割し、図８の（ｂ）に示すように、チップ１′′を切り出す。
しかる後、図示しないバレルによって面取りを施すことにより、並列コイル５−１，５−２の引き出し端子５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂが積層体２の前面２ａ，後面２ｂにそれぞれ露出したチップ１′′を得ることができる。
【００２２】
切り出されたチップ１′′は、図８の（ｃ）に示すように、焼成工程Ｓ４において焼成される。
図９は、磁性体基板３，層４１，４８との間に発生した隙間を示す断面図である。
電子部品１の材料として、磁性体基板３，６にフェライト等を用い、絶縁層４１〜４６にポリイミド樹脂等を用いると、磁性体基板３，６と層４１，４８との熱膨張率や収縮率が異なるため、当該焼成時に、隙間Ｇ１，Ｇ２が、磁性体基板３と絶縁層４１との間，磁性体基板６と接着層４８との間に発生することがある。
【００２３】
かかる焼成工程Ｓ４を経た後、外部電極形成工程Ｓ５を実行する。
外部電極形成工程Ｓ５においては、まず、Ａｇ含む導電性ペーストの塗布や、Ａｇのスパッタリングや蒸着等によって、引き出し端子５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂと接続するように、Ａｇ膜を積層体２の前面２ａ，後面２ｂに成膜する。そして、このＡｇ膜上に、湿式電解メッキ等によって、Ｎｉ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜を形成する。
これにより、図８（ｄ）に示すように、外部電極７−１〜７−４を備えた電子部品１が製造される。
なお、この例では、薄膜Ａｇの上にＮｉの膜を設けて、外部電極７−１〜７−４を形成するようにしたが、Ａｂ−Ｐｄ，Ｃｕ，ＮｉＣｒ又はＮｉＣｕ等の薄膜上にＮｉ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜を設けて、外部電極７−１〜７−４を形成しても良い。
【００２４】
ところで、図９に示したように、焼成時に、隙間Ｇ１，Ｇ２が、磁性体基板３と絶縁層４１との間，磁性体基板６と接着層４８との間にそれぞれ発生している場合には、外部電極形成工程Ｓ５時に、Ａｇ含む導電性ペーストの塗布やＡｇのスパッタリングや蒸着等を行うと、これらの金属が隙間Ｇ１，Ｇ２にそれぞれ侵入するおそれがある。
図１０は、Ａｇ金属が隙間Ｇ１，Ｇ２に侵入した状態を示す縦断面図であり、図１１は、Ａｇ金属が隙間Ｇ１に侵入した状態を示す横断面図である。
すなわち、これらの図に示すように、ペースト状の又はスパッタリングや蒸着されたＡｇ金属７−１ａが、隙間Ｇ１であって外部電極７−１形成位置に、Ａｇ金属７−１ｂが、隙間Ｇ２であって外部電極７−１形成位置に、Ａｇ金属７−２ａが、隙間Ｇ１であって外部電極７−２形成位置に、Ａｇ金属７−２ｂが、隙間Ｇ２であって外部電極７−２形成位置に、Ａｇ金属７−３ａが、隙間Ｇ１であって外部電極７−３形成位置に、Ａｇ金属７−３ｂが、隙間Ｇ２であって外部電極７−３形成位置に、Ａｇ金属７−４ａが、隙間Ｇ１であって外部電極７−４形成位置に、Ａｇ金属７−４ｂが、隙間Ｇ２であって外部電極７−４形成位置にそれぞれ侵入することがある。かかる場合には、図１１に示すように、例えば、隙間Ｇ１内では、隣り合うＡｇ金属７−１ａ，７−３ａやＡｇ金属７−２ａ，７−４ａが近接した状態になる。
【００２５】
次に、この実施例の電子部品１が示す作用及び効果について説明する。
図１２は、電子部品１の実装状態を示す斜視図である。
図１２に示すように、電子部品１を差動線路４０１，４０２に実装すると、電子部品１は、差動線路４０１，４０２を伝わる差動信号を通過させるが、差動線路４０１，４０２に侵入したコモンモードノイズは遮断するように機能する。
このとき、差動線路４０１，４０２を伝わる１対の差動信号は、同振幅で位相が１８０°ずれた信号であるので、外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）の極性が異なる。このため、外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）間に電位差（電界）が生じる。
【００２６】
図１３は、マイグレーション現象を説明するための部分縦断面図であり、図１４は、マイグレーション現象を説明するための横断面図である。
すなわち、図９〜図１１に示したように、焼成工程Ｓ４時に隙間Ｇ１，Ｇ２が生じ、外部電極形成工程Ｓ５時にＡｇ金属７−１ａ等がこの隙間Ｇ１，Ｇ２に侵入していると、図１３及び図１４に示すように、溝３１や充填部４１ａが存在しない状態では、外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）間に強い電位差（電界）が発生する。例えば、外部電極７−１（７−４）側のＡｇ金属７−１ａ（７−４ａ）が正極で、外部電極７−３（７−２）側のＡｇ金属７−３ａ（７−２ａ）が負極になった場合には、Ａｇ金属が高温多湿下でイオン化し、Ａｇ金属７−３ａ（７−２ａ）にＡｇ金属Ｍが析出する。Ａｇ金属Ｍは、時間と共に正極側のＡｇ金属７−１ａ（７−４ａ）に向かって延出し、最後には、正極側のＡｇ金属７−１ａ（７−４ａ）に接続して、マイグレーション状態になり、外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）間が短絡するおそれがある。
【００２７】
図１５は、マイグレーション抑制作用を説明するための部分縦断面図であり、図１６は、マイグレーション抑制作用を説明するための横断面図である。
この実施例の電子部品１では、上記したように、マイグレーション抑制用の手段である溝３１と充填部４１ａとが磁性体基板３に設けられ、充填部４１ａと溝３１とによって、磁性体基板３の中央部が仕切られた状態になっている。このため、図１５及び図１６に示すように、Ａｇ金属７−３ａ（７−２ａ）に析出したＡｇ金属Ｍが、時間と共に正極側のＡｇ金属７−１ａ（７−４ａ）に向かって延出すると、溝３１に入り込んだ充填部４１ａが、Ａｇ金属Ｍを遮断し、正極側のＡｇ金属７−１ａ（７−４ａ）への延出を阻止する。したがって、負極側のＡｇ金属７−３ａ（７−２ａ）と正極側のＡｇ金属７−１ａ（７−４ａ）とがＡｇ金属Ｍによって接続して、外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）間が短絡するという事態が、充填部４１ａによって防止される。
なお、溝３１と充填部４１ａとの間に隙間が生じているが、析出したＡｇ金属Ｍがこの隙間を通って正極側のＡｇ金属７−１ａ（７−４ａ）に至ることはない。析出したＡｇ金属Ｍは、負極側のＡｇ金属７−３ａ（７−２ａ）と正極側のＡｇ金属７−１ａ（７−４ａ）とを結ぶ磁性体基板３の平面上でのみ、延出することが可能であり、Ａｇ金属Ｍが磁性体基板３の下側に曲がって延出することはないからである。
一方、磁性体基板６と接着層４８との間の隙間Ｇ２に生じたＡｇ金属７−１ｂ（７−２ｂ）とＡｇ金属７−３ｂ（７−４ｂ）との間も、充填部４８ａに仕切られており、マイグレーションが生じることはない。
このように、この実施例によれば、溝３１，６１と充填部４１ａ，４８ａとによって、マイグレーションの発生を抑制することができるので、高温多湿下においても使用可能な高品質の電子部品１を提供することができる。
【実施例２】
【００２８】
次に、第２実施例について説明する。
図１７は、この発明の第２実施例に係る電子部品の分解斜視図である。
図１７に示すように、この実施例の電子部品では、磁性体基板３の上面において、溝３１の他に、溝３２が、対向する側面である前面２ａ，後面２ｂで向かい合う１対の外部電極７−１，７−２（７−３，７−４）の間に形成され、絶縁層４１が溝３２に入り込んで充填部４１ｂを形成している。また、磁性体基板６の下面においても、溝６１の他に、溝３２と対応する溝６２が、溝３２と対応する箇所に形成され、接着層４８が溝６２に入り込んで充填部４８ｂを形成している。
かかる構成により、隣り合う外部電極７−１，７−３（７−２，７−４）間に生じるマイグレーションだけでなく、対向する外部電極７−１，７−２（７−３，７−４）の間に生じるマイグレーションも同時に抑制することができる。
その他の構成，作用及び効果は上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００２９】
次に、第３実施例について説明する。
図１８は、この発明の第３実施例に係る電子部品の分解斜視図である。
図１８に示すように、この実施例の電子部品は、二端子コイルであり、１つのコイル５−１と１対の外部電極７−１′，７−２′とを備える。
この実施例の電子部品では、外部電極が２つしかないため、磁性体基板３の上面において、溝３２を、対向する側面である前面２ａ，後面２ｂで向かい合う１対の外部電極７−１′，７−２′の間に形成し、絶縁層４１を溝３２に入り込ませて充填部４１ｂを形成した。
磁性体基板６の下面においても、溝３２と対応する溝６２を、溝３２と対応する箇所に形成し、接着層４８を溝６２に入り込ませて充填部４８ｂを形成した。
その他の構成，作用及び効果は上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００３０】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、溝３１，６１の断面を矩形状に設定した例を示したが、断面形状は、これに限るものではない。図１９の（ａ）に示すように、溝３１，６１の断面を、底方向に向かって狭くなるテーパ状に形成したり、図１９の（ｂ）に示すように、円弧状に形成しても良い。
断面矩形状の場合には、焼成時において、溝３１（６１）と充填部４１ａ（４８ａ）との間に生じる隙間の内、溝底の角部における隙間が広くなるが、溝３１（６１）の断面を上記のようなテーパ状や円弧状に形成することで、溝３１（６１）と充填部４１ａ（４８ａ）との間に、隙間を生じさせ難くすることができる。
【００３１】
また、上記実施例では、第１の基板としての磁性体基板３の他に、第２の基板としての磁性体基板６を設けた電子部品を例示したが、第２の基板がない電子部品を、この発明の範囲から除外する意ではない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】この発明の第１実施例に係る電子部品の分解斜視図である。
【図２】電子部品の外観図である。
【図３】図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図４】図２の矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
【図５】電子部品の製造方法を示す工程図である。
【図６】積層工程を示す断面図である。
【図７】圧着工程を示す断面図である。
【図８】ダイシング工程と焼成工程と外部電極形成工程を示す概略図である。
【図９】磁性体基板と層との間に発生した隙間を示す断面図である。
【図１０】Ａｇ金属が隙間に侵入した状態を示す縦断面図である。
【図１１】Ａｇ金属が隙間に侵入した状態を示す横断面図である。
【図１２】電子部品の実装状態を示す斜視図である。
【図１３】マイグレーション現象を説明するための部分縦断面図である。
【図１４】マイグレーション現象を説明するための横断面図である。
【図１５】マイグレーション抑制作用を説明するための部分縦断面図である。
【図１６】マイグレーション抑制作用を説明するための横断面図である。
【図１７】この発明の第２実施例に係る電子部品の分解斜視図である。
【図１８】この発明の第３実施例に係る電子部品の分解斜視図である。
【図１９】溝の変形例を示す断面図である。
【図２０】従来例に係る電子部品の縦断面図である。
【図２１】図２０の電子部品におけるマイグレーション現象を説明するための縦断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１…電子部品、  ２…積層体、  ２ａ…前面、  ２ｂ…後面、  ３，６…磁性体基板、  ５−１…１次側並列コイル、  ５−２…２次側並列コイル、  ７−１〜７−４…外部電極、  ３１，３２，６１，６２…溝、  ４１〜４６…絶縁層、  ４１ａ，４１ｂ，４８ａ，４８ｂ…充填部、  ４７，４８…接着層、  ５１〜５４…導体パターン、  ５１ａ〜５４ａ，５１ｂ〜５４ｂ…引き出し端子、  Ｇ１，Ｇ２…隙間、  Ｍ…Ａｇ金属。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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