(57)【要約】【課題】被洗浄物（ウエハ）を洗浄した際に生じた異物が被洗浄物（ウエハ）の表面に再付着し難い洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】内槽１１と外槽４とが上下２層に配置され、内槽１１に被洗浄物（ウエハ１）を浸漬させ、内槽１１の底面１１ａ側から上方に洗浄液３を噴出させつつ洗浄を行う洗浄装置１０であって、内槽１１の底面１１ａを中央が窪んだすり鉢状に形成するとともに、洗浄液を噴出する洗浄液供給口１２を内槽１１の底面１１ａの周辺側に設ける。被洗浄物から脱落した沈殿性の異物８は底面１１ａの中央の窪んだ部分に集まり、洗浄液３を噴出しても巻き上がり難くなり、被洗浄物への異物の再付着を防止できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側に洗浄液を噴出する洗浄液供給口が設けられた内槽と、
前記内槽の底面及び側壁を覆うように配置され、前記内槽から溢れた前記洗浄液を回収する外槽と、を備え、
前記内槽の底面は中央が低く窪んだすり鉢状に形成され、前記洗浄液供給口は前記内槽の最も低い部分から離れた場所に配置されていることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
さらに、前記内槽の底面付近には、前記内槽の底面の最も低い部分に向かって傾斜した板状部材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記洗浄液供給口は、前記内槽の底面側及び前記内槽の上端側の何れか一方又は両方に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
内側に洗浄液を噴出する洗浄液供給口が設けられた内槽と、
前記内槽の底面及び側壁を覆うように配置され、前記内槽から溢れた前記洗浄液を回収する外槽と、を備え、
前記内槽の底面は中央が低く窪んだすり鉢状に形成され、前記洗浄液供給口は前記内槽の最も低い部分から離れた場所に配置されていることを特徴とする洗浄装置を用いる洗浄方法であって、
前記洗浄液供給口からの噴射を行いつつ前記内槽に前記被洗浄物を入れて洗浄を行う工程と、
前記被洗浄物を前記内槽から引き上げる工程と、を有することを特徴とする洗浄方法。
【請求項５】
内側に洗浄液を噴出する洗浄液供給口が設けられた内槽と、
前記内槽の底面及び側壁を覆うように配置され、前記内槽から溢れた前記洗浄液を回収する外槽と、を備え、
前記内槽の底面は中央が低く窪んだすり鉢状に形成され、前記洗浄液供給口は前記内槽の最も低い部分から離れた場所に配置されていることを特徴とする洗浄装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記洗浄液供給口からの噴射を行いつつ前記内槽に前記被洗浄物を入れて洗浄を行う工程と、
前記被洗浄物を前記内槽から引き上げる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ等の被洗浄物を洗浄液に浸漬させて洗浄を行う洗浄装置及び洗浄方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程で使用される様々な工程、例えば、塗布、現像、イオン注入、パターニングなどにより、ウエハ（基板）の表面には様々な不純物や汚染物等（異物）が残る。それらは、次の工程を行う際、パターン不良、絶縁不良、接合リーク等の不具合を引き起こす原因となる。このため、ウエハの洗浄はウエハ表面を清浄にして半導体装置の製造歩留まりや長期信頼性を向上させるために非常に重要である。
【０００３】
ウエハの洗浄に使用される洗浄装置には、ウエハを一枚ずつ処理する枚葉型と複数のウエハを一括処理するバッチ型とがある。バッチ型の洗浄装置の一つとして、洗浄液を処理槽に溜めて、ウエハを浸漬させて洗浄を行う浸漬型の洗浄装置がある。
【０００４】
浸漬型の洗浄装置を用いた洗浄は以下のようにして行われていた。先ず、ウエハをキャリア（ウエハを入れる入れ物）に移し替え、ウエハをキャリアと共に処理槽に浸漬して洗浄処理を行う。次に、キャリアを処理槽から取り出した後、必要に応じてさらに別の種類の薬剤を用いた洗浄や水洗処理等を行う。最後に、ウエハの乾燥処理を行い、洗浄工程が終了する（特許文献２）。
【０００５】
上述の洗浄では、洗浄液にウエハ浸漬を浸漬させることにより、ウエハ表面に付着していた異物が除去される。このとき、異物の一部は洗浄液に完全に溶解せずに洗浄液中を漂う。例えば、シリコン酸化物からなる異物を除去すべく、洗浄液としてフッ酸を用いた場合、シリコン酸化物は洗浄液に完全に溶解するが、その異物の中に未酸化のシリコンが含まれていると、シリコンはフッ酸に溶解しないので、シリコン粒子が洗浄液の中を漂う。
【０００６】
このような、洗浄液に溶解しない異物が洗浄液を浮遊していると、ウエハの表面に異物が再付着してしまうおそれがある。そして、再付着した異物はその後の水洗工程等でいくら洗浄を行っても除去するのは困難である。
【０００７】
このため、近年の洗浄装置は、図１に洗浄装置２００として示すように、洗浄槽を内槽２０１と外槽４とを備えた２層構造とし、内槽２０１の底面２０１ａ側の洗浄液供給口７から洗浄液を噴出させて洗浄液３に上方に向かう流れを発生させていた。洗浄装置２００において、ウエハ１から脱落した浮遊しやすい異物（符号９）は、内槽から溢れた洗浄液３の流れに乗って、外槽４の外槽排出口５から排出される。洗浄液３はろ過循環装置（Chemical Reclamation System; CRS）６でろ過した後、再び内槽２０１に戻される。このような洗浄装置２００では、洗浄液中を浮遊しやすい異物（浮遊性の異物）はろ過循環装置６により除去される（特許文献１）。
【特許文献１】実公平７−１７９５号公報
【特許文献２】特開平６−１６３５０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、異物には洗浄液の上方への流れによって内槽の外に運ばれる浮遊性の異物の他に、洗浄液の上方への流れのみでは内槽の外に運搬され難い沈殿性の異物があり、従来の洗浄装置では沈殿性の異物を除去しきれないことが判明した。
【０００９】
このため、図１に模式的に示すように、従来の洗浄装置２００では、沈殿性の異物（符号８）が内槽２０１内に蓄積し、内槽２０１の洗浄液供給口７から噴出する洗浄液３の流れによって舞い上がり、ウエハ１の表面に再付着するおそれがあった。
【００１０】
そこで、洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法において、被洗浄物（ウエハ）を洗浄した際に生じた異物が被洗浄物（ウエハ）の表面に再付着するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的は、内側に洗浄液を噴出する洗浄液供給口が設けられた内槽と、前記内槽の底面及び側壁を覆うように配置され、前記内槽から溢れた前記洗浄液を回収する外槽と、を備え、前記内槽の底面は中央が低く窪んだすり鉢状に形成され、前記洗浄液供給口は前記内槽の最も低い部分から離れた場所に配置されていることを特徴とする洗浄装置により達成することができる。
【００１２】
この洗浄装置では、底面がすり鉢状（下がすぼまり上に行くほど径が大きくなる形状）となっているので、沈殿性の異物は底面の斜面に沿って最も低い部分付近に集まりやすくなる。さらに、洗浄液を噴出する洗浄液供給口が、すり鉢状の底面の最も低い部分から離れた場所、すなわち沈殿性の異物が集まりやすい部分から離れた場所（例えば、内槽の側壁又はすり鉢状の底面で最も高い部分）に設けられている。このため、洗浄液供給口から洗浄液を噴出させても、すり鉢状の底面の低い部分に集まった沈殿性の異物を巻き上げることがなく、浮遊性及び沈殿性の異物がウエハ表面へ再付着を防ぐことができる。また、内槽内の沈殿性の異物の量が増大しても再付着が生じにくいので、洗浄装置の洗浄液交換や清掃などのメンテナンスの周期を伸ばすことができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。尚、以下の説明において、水平方向というときは、洗浄液の液面と平行な方向をいい、上方向（又は下方向）というときは、洗浄液の液面に直交する方向をいうものとする。
【００１４】
（第１実施形態）
図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る洗浄装置を示す模式図であり、図３（ａ）及び（ｂ）は、第１実施形態に係る洗浄装置の第１供給口の構成例を示す断面図である。図４は、本発明の第１実施形態に係る洗浄装置の外観を示す斜視図である。図５は、本発明の実施形態に係る洗浄装置に使用するキャリア及びウエハの一例を示す斜視図である。
【００１５】
図２（ａ）に示すように、本実施形態の洗浄装置１０は、内槽１１と、内槽１１から溢れた洗浄液３を回収する外槽４と、洗浄液３を循環させるろ過循環装置（Chemical Reclamation System; CRS）６とを有しており、内槽１１にキャリア２をいれて洗浄液３にウエハ１を浸漬させて洗浄を行う。以下、洗浄装置１０の各部についてさらに説明する。
【００１６】
内槽１１は、図２（ａ）及び図４に示すように、中央が窪んで低くなったすり鉢状の底面１１ａと、上方に伸びる側壁１１ｂとを有している。内槽１１の側壁１１ｂは、例えば図４に示すように、矩形状に形成することができる。底面１１ａ及び側壁１１ｂの接続部分は水密に連結されている。内槽１１の上方には開口部が形成され、この開口部からウエハ１（被洗浄物）を収容したキャリア２（後述の図５参照）の出し入れを行うことができる。
【００１７】
第１供給口１２は、洗浄装置１０の底面図である図２（ｂ）に示すように、底面１１ａの周辺側の部分に配置され、内槽１１の最も低い部分（中央部分）から離れた場所に設けられている。第１供給口１２は、ろ過循環装置６の供給側（後述する）と接続され、洗浄液３を噴出する。
【００１８】
図３（ａ）に示すように、第１供給口１２は、水平方向（鎖線A）より上向きの方向（例えばθ1が４０°〜５０°）に洗浄液３を噴出するように形成されている。このように、底面１１ａから洗浄液３を上向きに排出させることにより内槽１１内の洗浄液３に上向きの流れを発生させることがきる。さらに、第１供給口１２は内槽１１の最も低い部分から離れた箇所に配置されているため、底面１１ａの窪んだ部分に集まった沈殿性の異物を巻き上げるおそれが少ない。尚、第１供給口１２は、図３（ｂ）に示すように配管を内槽１１の底面１１ａから突き出すように構成することもできる。また、特に図示しないが、第１供給口１２は、底面１１ａの近傍の側壁１１ｂ側に配置してもよい。
【００１９】
洗浄装置１０には、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、必要に応じてヒーター１８を内槽１１の底面１１ａに設けることもできる。ヒーター１８を設けた場合には、洗浄液３を、例えば２５℃〜１２０℃程度に加熱することができる。
【００２０】
外槽４は、図２（ａ）に示すように内槽１１の底面１１ａ及び側壁１１ｂの外側を覆うように配置され、内槽１１からあふれ出た洗浄液３を回収する。外槽４の底面１１ａ付近には外槽排出口５が設けられている。外槽排出口５は、後述するろ過循環装置６の排出側と接続され、外槽４に溜まった洗浄液３をろ過循環装置６に排出する。
【００２１】
ろ過循環装置６は、図示しないフィルタとポンプが設けられ、内槽１１及び外槽４から排出された洗浄液３を排出側で吸い込んで異物を除去し、清浄な洗浄液３を供給側から送り出す。尚、洗浄液３が例えば純水等のように安価なものであれば洗浄装置１０にはろ過循環装置６を設けなくてもよい。
【００２２】
図５に示すように、ウエハ１は、キャリア２に収容された状態で運搬及び洗浄がなされる。尚、図示の例では、キャリア２にウエハ１が１枚のみ収容されているが、キャリア２はウエハ１を複数枚収容することができる。キャリア２は、例えば石英等からなる。洗浄を行う際は、洗浄装置１０に設けられたキャリア固定器（図示せず）によりキャリア２が内槽１１内の所定の位置に保持される。
【００２３】
特に図示しないが、洗浄装置１０にはキャリア２を搬送する機構部と動作制御を行う制御装置が設けられており、洗浄装置１０は一連の洗浄動作（後述する）を自動的に行うことができる。
【００２４】
本実施形態に係る洗浄装置１０は、ウエハ１として、例えば、半導体装置に使用するシリコンやセラミック基板等の様々な基板を処理することができる。
【００２５】
洗浄液３としては、例えば、純水、NH4OH、H2、HCl、H2SO4、H2O2、HF、NH4F、O3の水溶液等を使用することができる。
【００２６】
以下、図６及び図７を参照しつつ第１実施形態の洗浄装置１０の洗浄動作について説明する。ここに、図６は、本発明の第１実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例１を示すフロー図であり、図７は、本発明の第１実施形態に変わる洗浄装置の洗浄動作例２を示すフロー図である。
【００２７】
（第１実施形態の洗浄動作例１）
本実施形態の洗浄動作例１は、第１供給口１２から洗浄液３を噴射させつつウエハ１の洗浄を行う。
【００２８】
まず、図６に示すように、ろ過循環装置６を駆動させて洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ１１１）。これにより第１供給口１２から洗浄液３が噴射され内槽１１内で上向きの流れが発生する。
【００２９】
次に、内槽１１の上部の開口部からウエハ１を収容したキャリア２を入れ、一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ１１２）。これにより、ウエハ１が洗浄液３に浸漬され、ウエハ１の表面に付着していた異物が除去される。このとき、浮上性の異物（図２（ａ）の符号９）は、内槽１１から溢れた洗浄液３と共に外槽４側に排出される。一方、沈殿性の異物（図２（ａ）の符号８）は、内槽１１内を落ちてゆき、やがて底面１１ａでもっとも深く形成された中央側の部分に集まる。
【００３０】
その後、キャリア２を内槽１１から引き上げて（ステップＳ１１３）、ウエハ１の洗浄動作が終了する。
【００３１】
このように、本実施形態の洗浄装置１０は、内槽１１の底面１１ａが中央で窪んだすり鉢状に形成され、第１供給口１２が内槽１１の周辺側に配置されている。これにより、沈殿性の異物はすり鉢状の底面１１ａの最も低い部分付近に堆積し、洗浄液３の噴出を行っても沈殿性の異物が巻き上がるおそれが少なく、異物の再付着を抑制できる。
【００３２】
（第１実施形態の洗浄動作例２）
本実施形態の洗浄動作例２は、内槽１１内を浮遊している異物を沈殿させるべく、内槽１１からキャリア２を引き上げる前に第１供給口１２の噴出を一時的に停止する動作を含む。
【００３３】
先ず、図７に示すように、ろ過循環装置６を作動させて洗浄液３の循環を開始し（ステップＳ１２１）、内槽１１にキャリア２を入れ、一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ１２２）。ここまでは本実施形態の洗浄動作例１と同様である。
【００３４】
次に、ろ過循環装置６から内槽１１への洗浄液３の供給を停止する（ステップＳ１２３）。これにより、第１供給口１２の噴出が止まって内槽１１内の流れが止まるため、洗浄液よりも比重の大きな異物は底面１１ａ側に集まる。その後、キャリア２を内槽１１から引き出す（ステップＳ１２４）。最後に、次の洗浄動作に備えてろ過循環装置６から内槽１１への洗浄液３の供給を再開（ステップＳ１２５）して、一連の洗浄動作を終了する。
【００３５】
このように、本実施形態の洗浄動作例２ではキャリア２の引き上げの前に一時的に洗浄液３の流れを止めるため、内槽１１内の沈殿性の異物をより確実に沈殿させることがでる。これにより、キャリア２を引き上げる最中において、ウエハ１表面へ異物が再付着するのを防止できる。
【００３６】
以上のように、本実施形態の洗浄装置１０によれば、異物の巻き上がりを防止してウエハ１の表面に異物が再付着するのを防ぐことができるので、半導体装置の信頼性向上及び製造歩留まりを向上させることができる。さらに、沈殿性の異物が内槽１１内に多少蓄積しても異物が巻き上がりを抑制することができるため、洗浄液３の交換や洗浄装置の清掃といった定期メンテナンスの頻度を少なくすることができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【００３７】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態は、被洗浄物（ウエハ）を内槽から引き上げる際の流れで沈殿性の異物が舞い上がるのを防止すべく、引き上げの際に一時的に下方の流れを発生させることができる洗浄装置に関する。
【００３８】
図８は、本発明の第２実施形態に係る洗浄装置を示す模式図であり、図９（ａ）及び（ｂ）は、第２実施形態に係る洗浄装置の第２供給口の構成例を示す断面図である。尚、以下の説明において、第１実施形態（洗浄装置１０）と同じ符号が付された構成は、対応する符号が付された第１実施形態の構成と同様である。
【００３９】
図８に示すように、第２実施形態の洗浄装置２０は、底面１１ａ及び側壁１１ｂを有する内槽１１と、内槽１１から溢れた洗浄液３を回収する外槽４と、洗浄液３を循環させるろ過循環装置６とを有している。内槽１１（底面１１ａ、側壁１１ｂ）、外槽４、外槽排出口５、第１供給口１２及びろ過洗浄装置６の構成は第１実施形態（洗浄装置１０）の対応する構成と同様である。
【００４０】
図８に示すように、第２施形態の洗浄装置２０には、さらに、ろ過洗浄装置６の供給側と接続された第２供給口１３が設けられている。第２供給口１３は、内槽１１の上部の開口部付近の側壁１１ｂに配置されている。この第２供給口１３は、例えば図９（ａ）に示すように、側壁１１ｂに傾斜した孔として形成することができ、洗浄液３を水平方向（鎖線A）よりも下側に向けて噴出するように設置されている。例えば、洗浄液３の噴射角度θ２は４０°〜５０°とすることができる。尚、第２供給口１３は、図９（ａ）に示す以外にも、図９（ｂ）に示すように、配管を側壁１１ｂから突き出すようにして構成してもよい。
【００４１】
また、本実施形態の洗浄装置２０には、第１供給口１２とろ過循環装置６との間の配管に設けられた第１供給バルブ２２と、第２供給口１３とろ過循環装置６との間の配管に設けられた第２供給バルブ２３とが設けられている。
【００４２】
以下、本実施形態の洗浄装置２０の洗浄動作について説明する。ここに、図１０は、本発明の第２実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例を示すフロー図である。
【００４３】
まず、ろ過循環装置６を作動させて洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ２１１）。次に、第１供給バルブ２２を開き、第２供給バルブ２３を閉じて、第１供給口１２のみから洗浄液３を噴出させる（ステップＳ２１２）。これにより内槽１１内に上向きの流れが発生する。次に、キャリア２を内槽１１内に入れて一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ２１３）。
【００４４】
次に、キャリア２の引き上げ開始と同時に、第１供給バルブ２２を閉じて第２供給バルブ２３を開き、第２供給口１３のみから洗浄液３を噴出させる（ステップＳ２１４）。このときキャリア２の引き上げ動作により、内槽１１の底面１１ａ付近で上方に向かう流れが発生するが、開口部側の第２供給口１３から下向きの洗浄液３の流れが発生するので、底面１１ａ付近の流れが抑制される。これにより沈殿性の異物の巻き上がりを防止できる。尚、第２供給口１３からの噴射を行うタイミングは、キャリア２を引き上げるのと同時に行うことが好ましい。これは、第２供給口１３の噴射により、底面１１ａに集まった異物を逆に舞い上げてしまうのを防ぐためである。その後、第２供給口１３からの噴射を行いつつキャリア２を内槽１１から完全に引き出して（ステップＳ２１５）一連の洗浄動作が終了する。
【００４５】
以上のように、本実施形態の洗浄装置２０によれば、被洗浄物（キャリア２に収容されたウエハ１）の引き上げの際に、一時的に内槽１１内の洗浄液３に下方の流れを与えることができる。これにより、キャリア２の引き上げの際に、底面１１ａ付近の流れを抑制でき、沈殿性の異物の巻き上がりを抑制できるため、異物の再付着を防止することができる。このため、ウエハ１に異物が再付着し難くなり、半導体装置の信頼性向上及び製造歩留まりを向上させることができる。さらに、沈殿性の異物が内槽１１内に多少蓄積しても異物が巻き上がりを抑制することができるため、洗浄液３の交換や洗浄装置の清掃といった定期メンテナンスの頻度を少なくすることができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【００４６】
（第３実施形態）
第３実施形態は、内槽の底面に集まった沈殿性の異物の巻き上がりによる再付着を防止すべく、内槽のすり鉢状の底面の最も低い部分に第１排出口を設けた洗浄装置に関する。ここに、図１１（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る洗浄装置を示す模式図であり、図１１（ｂ）は第３実施形態の内槽の底面図である。尚、図１１及び以下の説明において、第１実施形態（洗浄装置１０）と同じ符号が付された構成は、対応する符号が付された第１実施形態（洗浄装置１０）の構成と同様である。
【００４７】
図１１に示すように、洗浄装置３０は、底面１１ａ及び側壁１１ｂを有する内槽１１と、外槽排出口５が設けられた外槽４と、ろ過循環装置６とを有する。尚、これらの構成は第１実施形態の洗浄装置１０と同様である。
【００４８】
本実施形態の洗浄装置３０は、さらに、内槽１１（底面１１ａ）の最も低い部分に第１排出口１４を有している。図１１（ｂ）に示すように第１排出口１４はすり鉢状の底面１１ａの中央部分に配置されている。この第１排出口１４は、ろ過循環装置６の排出側に接続されており内槽１１内の洗浄液３を排出することができる。また、第１排出口１４とろ過循環装置６とを接続する配管には第１排出バルブ２４が設けられている。
【００４９】
以下、第３実施形態の洗浄装置３０の洗浄動作について説明する。ここに、図１２は、本発明の第３実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例１を示すフロー図であり、図１３は、本発明の第３実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例２を示すフロー図である。
【００５０】
（第３実施形態の洗浄動作例１）
本実施形態の洗浄動作例１は、第１排出口１４から洗浄液３の排出を常時行いながら一連の洗浄動作を行う。
【００５１】
まず、図１２に示すように、ろ過循環装置６を作動させて、洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ３１１）。次に、第１排出バルブ２４を開く（ステップＳ３１２）。このとき、洗浄液３は、第１供給口１２から噴出され、第１排出口１４及び外槽排出口５から排出される。次に、キャリア２を内槽１１に入れて一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ３１３）。このとき、浮遊性の異物は、上向きの洗浄液３の流れに乗って外槽４側に排出される。一方、沈殿性の異物は内槽１１内を落ちてゆき、やがて、底面１１ａの最も低部付近に移動する。底面１１ａの最も低い部分には第１排出口１４が設けられているため落ちてきた沈殿性の異物は洗浄液３とともに排出される。その後、キャリア２を引き上げて（ステップＳ３１４）、一連の洗浄動作を終了する。
【００５２】
このように、本実施形態の洗浄動作例１によれば、沈殿性の異物は第１排出口１４により速やかに内槽１１の外に排出されるため、沈殿性の異物の再付着を抑制することができる。尚、本実施形態の洗浄装置３０を本動作例のみに使用する場合には、第１排出バルブ２４を設けなくてもよく、この場合には第１排出バルブ２４を開く動作（ステップＳ３１２）は不要である。
【００５３】
（第３実施形態の洗浄動作例２）
本実施形態の洗浄動作例２は、キャリア２の洗浄終了後、引き上げの前に第１排出口１４からの排出を開始する。
【００５４】
先ず、図１３に示すように、ろ過循環装置６を作動させて洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ３２１）。次に、第１排出バルブ２４を閉じる（ステップＳ３２２）。このとき、洗浄液３は第１供給口１２から噴射され、外槽排出口５から排出される。次に、キャリア２を内槽１１内に入れて一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ３２３）。ウエハ１の洗浄により発生した沈殿性の異物は、内槽１１（底面１１ａ）の最も低い中央部付近に集まる。次に、第１排出バルブ２４を開いて第１排出口１４から洗浄液３の排出を行う（ステップＳ３２４）。これにより、沈殿性の異物は洗浄液３と共に内槽から排出されろ過循環装置６により除去される。次に、キャリア２を引き上げる（ステップＳ３２５）。最後に、第１排出バルブ２４を閉じて（ステップＳ３２６）、一連の洗浄動作を終了する。
【００５５】
このように、本実施形態の洗浄動作例２では、キャリア２の引き上げの前後にかけて一時的に第１排出口１４の排出を行う。これにより、キャリア２の引き上げによって生じる上向きの流れを、第１排出口１４の排出による下向きの流れで相殺することができ、底面１１ａ付近の異物の舞い上がりを防止することができる。
【００５６】
以上のように、本実施形態の洗浄装置によれば、沈殿性の異物は内槽１１の底の第１排出口１４から洗浄液３とともに排出され、底面１１ａの異物を減らすことができる。このため、異物の舞い上がりが抑制され、ウエハ１に異物が再付着し難くなり、半導体装置の信頼性向上及び製造歩留まりを向上させることができる。さらに、沈殿性の異物は内槽１１から速やかに排出されるため、洗浄液３の交換や洗浄装置の清掃といった定期メンテナンスの頻度を少なくすることができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【００５７】
（第４実施形態）
図１４は、本発明の第４実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。尚、図１４及び以下の説明において、第１実施形態乃至第３実施形態（洗浄装置１０、２０及び３０）と同じ符号が付された構成は、対応する符号が付された第１実施形態乃至第３実施形態に記載の構成と同様である。
【００５８】
第４実施形態の洗浄装置４０は、図１４に示すように、底面１１ａ及び側壁１１ｂを有する内槽１１と、第１供給口１２と、第２供給口１３と、第１排出口１４と、外槽排出口５が設けられた外槽４と、ろ過循環装置６とを備えている。内槽１１、第１供給口１２、外槽４、ろ過循環装置６は第１実施形態（洗浄装置１０）と同様である。また、第２供給口１３は第２実施形態（洗浄装置２０）と同様であり、第１排出口１４は第３実施形態（洗浄装置３０）と同様である。
【００５９】
図１４に示すように、第１供給口１２の配管に第１供給バルブ２２が設けられ、第２供給口１３の配管に第２供給バルブ２３が設けられ、第１排出口１４の配管に第１排出バルブ２４が設けられている。
【００６０】
次に、図１５及び図１６を参照しつつ第４実施形態に係る洗浄装置４０の洗浄動作について説明する。図１５は、第４実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例１を示すフロー図であり、図１６は、第４実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例２を示すフロー図である。
（第４実施形態の洗浄動作例１）
本実施形態の洗浄動作例１では、第１排出口１４から排出を行いつつウエハ１の洗浄を行い、キャリア２を引き上げる際に洗浄液３の噴射を第１供給口１２から第２供給口１３に切り替える。
【００６１】
まず、図１５に示すように、ろ過循環装置６を駆動させて洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ４１１）。次に、第１排出バルブ２４を開けて第１排出口１４から洗浄液３の排出を開始する（ステップＳ４１２）。次に、第１供給バルブ２２を開き、第２供給バルブ２３を閉じて第１供給口１２のみから洗浄液３を噴射させる（ステップＳ４１３）。次に、キャリア２を内槽１１に入れて一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ４１４）。このとき、沈殿性の異物は内槽１１内を落ちて行き、内槽１１の最も低い部分に設けられた第１排出口１４から洗浄液３とともに内槽１１から排出される。
【００６２】
次に、キャリア２の引き上げ開始と同時に第１供給バルブ２２を閉じて第２供給バルブ２３を開いて、第２供給口１３のみから洗浄液３を噴射させる。これにより、内槽１１内に下向きの流れが発生するとともに、内槽１１の底面１１ａ付近に集まった異物は第１排出口１４から洗浄液３とともに排出される。その後、キャリア２を完全に引き上げて（ステップＳ４１６）、一連の洗浄動作を終了する。
【００６３】
本実施形態の洗浄動作例１では沈殿性の異物は第１排出口１４から速やかに排出される。さらに、キャリア２を引き上げと同時に第２供給口１３の噴射を行って内槽１１内に下向きの流れを発生させるため、ウエハ１の洗浄中及びキャリア２の引き上げの際の沈殿性の異物の巻き上がりがさらに効果的に抑えられ、沈殿性の異物の再付着をより効果的に防止することができる。
【００６４】
（第４実施形態の洗浄動作例２）
本実施形態の洗浄動作例２では、キャリア２の引き上げの際に、洗浄液３の噴射を第１供給口１２から第２供給口１３に切り替えるとともに、第１排出口１４からの洗浄液３の排出を行う。
【００６５】
先ず、図１６に示すように、ろ過循環装置６を作動させて洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ４２１）。次に、第１排出バルブ２４を閉じる（ステップＳ４２２）。次に、第１供給バルブ２２を開き第２供給バルブ２３を開いて、第１供給口１２のみから洗浄液３を噴出させる（ステップＳ４２３）。次にキャリア２を内槽１１に入れて一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ４２４）。
【００６６】
次に、キャリア２の引き上げと同時に第１供給バルブ２２を閉じ、第２供給バルブを開いて洗浄液３の噴射を第２供給口１３に切り替える（ステップＳ４２５）。その直後に、第１排出バルブ２４を開いて第１排出口１４から洗浄液３の排出を開始する（ステップＳ４２６）。このとき、第２供給口１３からの噴射と第１排出口１４からの排出とにより内槽１１内に下向きの流れが発生する。さらに、内槽１１の底面１１ａ側に集まった沈殿性の異物は排出口１４からの洗浄液３とともに内槽１１から排出される。その後、キャリア２を完全に引き上げる（ステップＳ４２７）。最後に、第１排出バルブ２４を閉じて第１排出口１４からの排出を停止して（ステップＳ４２８）一連の洗浄処理を終了する。
【００６７】
本実施形態の洗浄動作例２では、キャリア２の引き上げの際に一時的に第２供給口１３からの噴出及び第１排出口１４からの排出を行う。これにより、キャリア２の引き上げ時に一時的に下向きの流れを発生させるので、異物の舞い上がりを抑制しつつ、内槽１１の底面１１ａ側に滞留した沈殿性の異物を効率的に排出できる。
【００６８】
以上のように、本実施形態の洗浄装置４０によれば、ウエハ１の洗浄中やキャリア２の引き上げの際の異物の再付着をより効果的に防止することができるので、半導体装置の信頼性向上及び製造歩留まりを向上させることができる。さらに、沈殿性の異物は内槽１１から速やかに排出されるため、洗浄液３の交換や洗浄装置の清掃といった定期メンテナンスの頻度を少なくすることができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【００６９】
（第５実施形態）
第５実施形態の洗浄装置は、内槽上部の第２供給口から洗浄液３を供給し、内槽の側壁から底面にかけて形成された第２排出口から洗浄液３を排出して、内槽に下向きの流れを発生させてウエハの洗浄を行う。ここに、図１７は、本発明の第５実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【００７０】
第５実施形態の洗浄装置５０は、図１７に示すように、内槽１１と、外槽排出口５が設けられた外槽４と、ろ過循環装置６とを有している。内槽１１、外槽４、外槽排出口５及びろ過循環装置６の構成は第１実施形態（洗浄装置１０）の対応する構成と同様である。
【００７１】
尚、本実施形態の洗浄装置５０の内槽１１は底面１１ａをすり鉢状とした構成に限定されるものではなく、例えば、底面１１ａを平坦に形成してもよい。
【００７２】
図１７に示すように、洗浄装置５０には内槽１１の開口部付近には第２供給口１３が形成されている。洗浄装置５０の第２供給口１３は第２実施形態（洗浄装置２０）の第２供給口１３（図８、図９参照）と同様である。
【００７３】
さらに、洗浄装置５０には、図１７に示すように、内槽１１の側壁１１ｂから底面１１ａにかけて、複数の孔からなる第２排出口１５が設けられている。第２排出口１５は、ろ過洗浄装置６の排出側に接続され、内槽１１内の洗浄液３を排出することができる。
【００７４】
次に、図１８を参照しつつ、第５実施形態の洗浄装置５０の洗浄動作について説明する。ここに、図１８は、第５実施形態の洗浄装置５０の洗浄動作例を示すフロー図である。
【００７５】
まず、ろ過循環装置６を駆動させて洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ５１１）。このとき、洗浄液３は第２供給口１３から噴射され、第２排出口１５及び外槽排出口５から排出される。そして、内槽１１内には下向きの流れが発生する。次に、キャリア２を内槽１１内に入れて一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ５１２）。このとき、ウエハ１から脱落した浮遊性の異物は洗浄液３の下向きの流れによって第２排出口１５から排出される。また、沈殿性の異物は内槽１１を落ちて行き、底面１１ａに形成された第２排出口１５から洗浄液３とともに排出される。最後に、キャリア２を引き上げて（ステップＳ５１３）、一連の洗浄動作を終了する。
【００７６】
本実施形態によれば、第１供給口１２及び第２排出口１５により内槽１１に下向きの流れを発生させながら洗浄を行うので、発生した浮遊性及び沈殿性の異物を第２排出口１５から速やかに排出することができる。これにより、ウエハ１の洗浄中及びキャリア２の引き上げの際に、異物が舞い上がって再付着するのを防止でき、半導体装置の信頼性向上及び製造歩留まりを向上させることができる。さらに、沈殿性の異物は内槽１１から速やかに排出されるため、洗浄液３の交換や洗浄装置の清掃といった定期メンテナンスの頻度を少なくすることができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【００７７】
（第６実施形態）
第６実施形態の洗浄装置は、第５実施形態の洗浄装置の内槽の最も低い部分に、さらに、第１排出口を設けたものである。ここに、図１９は、本発明の第６実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。尚、図１９及び以下の説明において、第５実施形態（洗浄装置５０）と同じ符号が付された構成は、対応する符号が付された第５実施形態に記載の構成と同様である。
【００７８】
第６実施形態の洗浄装置６０は、図１９に示すように、底面１１ａ及び側壁１１ｂを有する内槽１１と、第２供給口１３と、第２排出口１５と、外槽排出口５が設けられた外槽４と、ろ過循環装置６とを備えている。尚、本実施形態の洗浄装置６０は、沈殿性の異物を効率よく排出するべく、内槽１１の底面１１ａを中央部が窪んだすり鉢状とすることが好ましい。
【００７９】
さらに、洗浄装置６０は、内槽１１（底面１１ａ）の最も低い部分に第１排出口１４が設けられている。尚、洗浄装置６０の第１排出口１４は、第３実施形態の洗浄装置３０（図１１参照）の第１排出口１４と同様である。
【００８０】
また、第１排出口１４とろ過循環装置６とを接続する配管には第１排出ポンプ７４が設けられ、第２排出口１５とろ過循環装置６とを接続する配管には第２排出ポンプ７５が設けられている。
【００８１】
第２排出口１５は主に比重が水と同程度まで浮遊性の異物を除去するものであるが、浮遊性の異物の発生量はそれほど多くなく、排出に必要な流れも弱くてすむため、第１排出口１４の吸引力（排出量）よりも小さくすることができる。一方、比重の大きい沈殿性の異物は洗浄液３の流れに流され難いため、沈殿性の異物の排出にはより強い流れが必要である。そこで、異物が集まりやすい最も低い部分の第１排出口１４の排出量（異物の吸引力）を第２排出口１５の排出量よりも大きくすると好適である。すなわち、第１排出ポンプ７４の排出能力を第２排出ポンプ７５の排出能力よりも高くすると好適である。
【００８２】
以下、第６実施形態に係る洗浄装置６０の洗浄動作例について説明する。図２０は第６実施形態に係る洗浄装置６０の洗浄動作例を示すフロー図である。
【００８３】
先ず、図２０に示すように、ろ過循環装置６を作動させ、洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ６１１）。このとき、洗浄液３は第２供給口１３から噴射され、第１排出口１４及び第２排出口１５から排出される。そして、内槽１１内に下向きの流れが発生する。次に、キャリア２を内槽１１に入れて一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ６１２）。
【００８４】
このとき、ウエハ１から発生した浮遊性の異物は内槽１１内の洗浄液３と共に第１排出口１４及び第２排出口１５から排出される。沈殿性の異物は内槽１１を落ちてゆき、主に最も低い部分に形成された第１排出口１４から排出される。このため、内槽１１内に浮遊性及び沈殿性の異物は速やかに内槽から排出される。その後、キャリア２を引き上げて（ステップＳ６１３）一連の洗浄動作を終了する。
【００８５】
上述のように、洗浄時にウエハ１から脱落した異物は、内槽１１内の第１排出口１４及び第２排出口１５から速やかに排出されるので、キャリア２の引き上げの際に、沈殿性の異物が巻き上がってウエハ１に再付着するのを防止することができる。このため、第６実施形態の変形例に係る洗浄装置６０によれば、異物の再付着を防止できるため半導体装置の長期信頼性及び歩留まりを向上させることができる。さらに、メンテナンス間隔を伸ばすことができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【００８６】
（第６実施形態の変形例）
本実施形態の洗浄装置は上述の構成例（洗浄装置６０、図１９）に限定されるものではなく、図２１に示すように構成することもできる。ここに、図２１は、本発明の第６実施形態の変形例に係る洗浄装置を示す模式図である。
【００８７】
図２１に示すように、本実施形態の変形例に係る洗浄装置７０は、洗浄装置６０の第１排出ポンプ７４（図１９参照）及び第２排出ポンプ７５（図１９参照）に替えて第１排出バルブ２４及び第２排出バルブ２５が設けられている点で相違する。その他の構成は洗浄装置６０（図１９参照）と同様であるためその説明は省略する。
【００８８】
第１排出バルブ２４は、第１排出口１４とろ過循環装置６の排出側とを結ぶ配管に設けられている。また、第２排出バルブ２５は、第２排出口１５とろ過循環装置６の排出側とを結ぶ配管に設けられている。
【００８９】
以下、図２２を参照しつつ第６実施形態の変形例に係る洗浄装置７０の洗浄動作例について説明する。ここに、図２２は第６実施形態の変形例に係る洗浄装置の洗浄動作例を示すフロー図である。
【００９０】
先ず、ろ過循環装置６を作動させて洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ７１１）。次に第２排出バルブ２５を開き、第１排出バルブ２４を閉じる（ステップＳ７１２）。このとき、洗浄液３は、第２供給口１３から噴出され、第２排出口１５及び外槽排出口５から排出される。これにより内槽１１に下向きの流れが発生する。
【００９１】
次に、キャリア２を内槽１１に入れて一定時間ウエハ１を洗浄する（ステップＳ７１３）。このとき、ウエハ１から脱落した浮遊性の異物は主に第２排出口１５から洗浄液３とともに排出される。次に、第１排出バルブ２４を開け、第２排出バルブ２５を閉じる（ステップＳ７１４）。これにより、第１排出口１４から洗浄液３と共に沈殿性の異物が排出される。第１排出口１４は内槽１１の最底面１１ａ付近のみに形成されているため、内槽１１の最底面１１ａ付近に溜まった沈殿性の異物をより確実に排出することができる。
【００９２】
その後、キャリア２を内槽１１から引き上げる（ステップＳ７１５）。最後に第１排出バルブ２４を閉じ、第２排出バルブ２５を開けて（ステップＳ７１６）、一連の洗浄処理を終了する。
【００９３】
このように、第６実施形態の変形例に係る洗浄装置７０では、キャリア２を引き上げる前後に一時的に第１排出口１４から洗浄液３の排出を行って効率よく沈殿性の異物を排出することができる。
【００９４】
以上のように、本発明の第６実施形態によれば、ウエハ１の洗浄中及びキャリア２の引き上げのときの、沈殿性の異物の舞い上がりによる再付着を防止でき、半導体装置の信頼性向上及び製造歩留まりを向上させることができる。さらに、沈殿性の異物は内槽１１の最も低い部分に設けられた第１排出口１４によってより確実に排出できるため、洗浄液３の交換や洗浄装置の清掃といった定期メンテナンスの頻度を少なくすることができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【００９５】
（第７実施形態）
第７実施形態の洗浄装置は、キャリアの引き上げの際に生じる流れによって、内槽底面に集まった異物が巻き上がるのを防止すべく、内槽の底面側と開口部側とを仕切ることができる可動式の仕切り板を設けたものである。ここに、図２３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第８実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【００９６】
第７実施形態に係る洗浄装置８０は、図２３（ａ）、（ｂ）に示すように、底面１１ａ及び側壁１１ｂを有する内槽１１と、外槽排出口５が形成された外槽４と、内槽１１の底面の周辺側に配置された第１供給口１２と、ろ過循環装置６とを備えている。さらに、内槽１１に挿入可能な可動式の仕切り板１６を有している。
【００９７】
内槽１１は、縦方向に伸びる側壁１１ｂと中央部が最も低くなるように窪んだすり鉢状の底面１１ａとを有し、第１供給口１２は、内槽１１の底面１１ａの周辺側に配置されている。尚、第１供給口１２の構成は第１実施形態の洗浄装置１０（図２、図３参照）の第１供給口１２と同様である。
【００９８】
さらに、本実施形態の内槽１１には、図示しない仕切り板挿入部が設けられており、内槽１１の側方から仕切り板１６を挿入することができる。外槽４は内槽１１の底面１１ａ及び側壁１１ｂを覆うように配置され、仕切り板１６を挿入することが可能な図示しない仕切り板挿入部が設けられている。
【００９９】
外槽排出口５は外槽４の底部付近に設けられ、ろ過循環装置６の排出側に接続されている。また、第１供給口１２はろ過循環装置６の供給側に接続されている。第１供給口１２は仕切り板１６が挿入される位置よりも上方に配置されているため仕切り板１６を挿入しても支障なく洗浄液３を噴出し続けることができる。
【０１００】
仕切り板１６は可動式に設けられ、キャリア２の引き上げの時以外は図２３（ａ）に示すように、外槽４の外に配置されている。キャリア２の引き上げの直前に、図２３（ｂ）に示すように仕切り板１６が内槽１１に挿入される。内槽１１と仕切り板１６との摺動部分には、図示しないシール部材が設けられており、仕切り板１６を挿入したときには、内槽１１内で仕切り板１６の上下間で洗浄液３の移動が阻止される。このため、キャリア２を引き上げても内槽１１の底面１１ａ側に集まった沈殿性の異物が巻き上げずにすみ、異物の再付着を防止することができる。
【０１０１】
以下、本実施形態の洗浄装置８０の洗浄動作について説明する。ここに、図２４は、本発明の第７実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作を示すフロー図である。
【０１０２】
先ず、図２４に示すように、ろ過洗浄装置６を駆動して洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ８１１）。これにより、洗浄液３は、底面１１ａの周辺側に配置された第１供給口１２から上方に向けて噴射され、上方向へ向かう洗浄液３の流れが発生する。次に、キャリア２を内槽１１内に搬入し、一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ８１１）。このとき、浮遊性の異物は内槽１１の上方の開口部から流出し、沈殿性の異物は内槽１１の底面１１ａ側に集まる。
【０１０３】
次に、仕切り板１６を図８（ｂ）に示すように内槽１１に挿入する（ステップＳ８１３）。これにより、内槽１１の底面１１ａ側と開口部側との間の洗浄液３の流れが阻止される。その後、キャリア２を引き上げる（ステップＳ８１４）。このとき、内槽１１の底面１１ａ側の領域は仕切り板１６によって覆われているため、沈殿性の異物が巻き上げられることはない。そして、仕切り板１６を引き抜いて（ステップＳ８１５）、一連の洗浄工程が終了する。
【０１０４】
上述のように本実施形態によれば、キャリア２の引き上げ時に内槽１１の底面１１ａ側に集まった沈殿性の異物が仕切り板１６によって隔離されるので、キャリア２を引き上げても異物が巻き上がらずにすむ。このように、第７実施形態の変形例に係る洗浄装置８０によれば、異物の再付着を防止できるため半導体装置の長期信頼性及び歩留まりを向上させることができる。さらに、メンテナンス間隔を伸ばすことができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【０１０５】
（第８実施形態）
第８実施形態に係る洗浄装置は内槽を仕切る可動式の仕切り板に加え、内槽底面に堆積した沈殿性の異物を排出するための排出口（第１排出口１４又は排出口１７）を有している。
【０１０６】
ここに、図２５は、本発明の第８実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。尚、図２５において、第７実施形態（洗浄装置８０、図２３参照）と同じ符号が付された構成は、対応する符号が付された第７実施形態（洗浄装置８０）の構成と同様である。
【０１０７】
図２５（ａ）に示すように、本実施形態の洗浄装置９０は、内槽１１は側壁１１ｂと、中央部が窪んで低く形成されたすり鉢状の底面１１ａとを有し、その底面１１ａの最も低い中央部に異物を排出するための第３排出口１７が設けられている。第３排出口１７は開閉可能となっており、図２３（ｂ）に示すように、外槽４の洗浄液３の液面が低下したときに、第３排出口１７を開くことにより底面１１ａ付近に集まった沈殿性の異物を洗浄液３と共に内槽１１から排出することができる。
【０１０８】
尚、洗浄装置９０の、内槽１１、外槽４、外槽排出口５、ろ過洗浄装置６及び第１供給口１２は第７実施形態（洗浄装置８０）の対応する構成と同様である。
【０１０９】
次に、第８実施形態の洗浄装置９０の洗浄動作について説明する。ここに、図２６は、本発明の第８実施形態に係る洗浄装置９０の洗浄動作を示すフロー図である。
【０１１０】
先ず、第３排出口１７を閉じた状態で、ろ過循環装置６を作動させて洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ９１１）。次に、キャリア２を内槽１１内に入れ、一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ９１２）。次に、仕切り板１６を内槽１１に挿入する（ステップＳ９１３）。これにより、内槽１１内の底面１１ａ側の領域と開口部側の領域との間の洗浄液３の移動が阻止される。その後、キャリア２を引き上げる（ステップＳ９１４）。このとき、キャリア２を引き上げても沈殿性の異物が舞い上がることはない。その後、第１供給バルブ２２を閉じて洗浄液３の供給を停止する（ステップＳ９１５）。これにより、外槽４の外槽排出口５から洗浄液３の排出が進み、これにより図２５（ｂ）に示すように、外槽４の洗浄液３の液面が低下する。その後、第３排出口１７を開いて内槽１１の底面１１ａ側の領域の洗浄液３を排出する（ステップＳ９１６）。このとき、内槽１１の底面１１ａ側に集まった沈殿性の異物が洗浄液３とともに排出される。その後、第３排出口１７を閉じて仕切り板１６を内槽１１から引き出す（ステップＳ９１７）。さらに、第１供給バルブ２２を開けて浄液３の供給を開始して（ステップＳ９１８）、一連の洗浄動作を終了する。
【０１１１】
以上のように、本実施形態の洗浄装置９０によれば、内槽１１に挿入可能な仕切り板１６が設けられているためキャリア２の引き上げによって異物が舞い上がることがない。こため、異物の再付着を防止することができる。さらに、内槽１１の底面１１の最も低い部分に第３排出口１７が設けられているため内槽１１内に集まった沈殿性の異物を洗浄液３とともに排出することができる。これにより、洗浄装置９０のメンテナンス間隔を伸ばすことができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【０１１２】
（第８実施形態の変形例）
本実施形態の洗浄装置は、上述の例（洗浄装置９０、図２５参照）に限定されるものではなく以下のように構成することもできる。ここに、図２７は、本発明の第８実施形態の変形例に係る洗浄装置を示す模式図である。尚、図２７において、第８実施形態の洗浄装置９０と同じ符号が付された構成は、対応する符号が付された洗浄装置９０の構成と同様である。
【０１１３】
第８実施形態の変形例に係る洗浄装置１００は、第８実施形態の洗浄装置９０の第３排出口１７（図２５参照）に替えて、第１排出口１４が設けられている。図２７に示すように、第１排出口１４は、内槽１１の底面１１ａの最も低い部分（中央部分）に形成されている。第１排出口１４はろ過洗浄装置６の排出側と接続され、ろ過循環装置６との間の配管には第１排出バルブ２４が設けられている。また、外槽排出口５とろ過洗浄装置６との間の配管には外槽排出バルブ２６が設けられている。
【０１１４】
以下、図２８を参照しつつ、洗浄装置１００の洗浄動作について説明する。図２８は、本発明の第８実施形態の変形例に係る洗浄装置の洗浄動作を示すフロー図である。
【０１１５】
図２８に示すように、先ず、第１排出バルブ２４を閉じ、外槽排出バルブ２６を開いた状態で過洗浄装置６を作動させて、洗浄液３の循環を開始する（ステップＳ１０１１）。次に、キャリア２を内槽１１内に入れ、一定時間ウエハ１の洗浄を行う（ステップＳ１０１２）。次に、仕切り板１６を内槽１１に挿入する（ステップＳ１０１３）。その後、キャリア２を引き上げる（ステップＳ１０１４）。このとき、内槽１１の底面１１ａ側の領域は仕切り板１６によって覆われるので、キャリア２を引き上げても、底面１１ａ側に集まった沈殿性の異物が巻き上がることはない。
【０１１６】
次に、外槽排出バルブ２６を閉じ、第１排出バルブ２４を開けて内槽底部の洗浄液３を排出する（ステップＳ１０１５）。これにより、内槽１１の仕切り板１６より下側の領域の洗浄液３が排出される。このとき、洗浄液３とともに、沈殿性の異物が第１排出口１４から内槽１１の外に排出される。その後、外槽排出バルブ２６を開け、第１排出バルブ２４を閉じる（ステップＳ１０１６）。そして、仕切り板１６を引き抜いて（ステップＳ１０１７）一連の洗浄動作を終了する。
【０１１７】
以上のように、第８実施形態の変形例に係る洗浄装置１００によれば、異物の再付着を防止できるため半導体装置の長期信頼性及び歩留まりを向上させることができる。さらに、メンテナンス間隔を伸ばすことができ、スループットの向上及びランニングコストの低減を図ることができる。
【０１１８】
（第９実施形態）
第９実施形態は、第１実施形態乃至第８実施形態に係る各洗浄装置に好適な内槽の構造に関するものである。
【０１１９】
（第９実施形態の構成例１）
第９実施形態の構成例１は、すり鉢状の底面を有する内槽の底面付近に、螺旋状の板状部材を配置したものに関する。ここに、図２９は、本発明の第９実施形態の構成例１に係る内槽を示す模式図である。
【０１２０】
本構成例の内槽１１０は、矩形状の側壁１１０ｂと、中央部が低く窪んだすり鉢状の底面１１０ａとを有している。さらに、底面１１０ａの上方には、螺旋状に形成された板状部材１１１が設けられている。第１供給口１２は、螺旋状の板状部材１１１よりも上の部分であって、内槽１１０の側壁１１０ｂ付近の部分に設けられている。
【０１２１】
内槽１１０は、例えば、第１実施形態の洗浄装置１０の内槽１１の代わりに用いることにより、以下のように機能する。第１供給口１２から上向きに洗浄液３を噴出させることにより、内槽１１０の第１供給口１２よりも上の部分に上側に向かう流れが発生し、これにより浮遊性の異物が内槽１１０の開口部から排出される。一方、沈殿性の異物は、被洗浄物（ウエハ１）の下方に落ちて行き、やがて螺旋状の板状部材１１１の傾斜に沿って、内槽１１０の最も低い部分に集まる。この内槽１１０の最も低い部分に集まった沈殿性の異物は、上方を板状部材１１１で覆われているため、キャリア２の引き上げや、第１供給口１２の噴出によって、巻き上がり難くなる。このように、本実施形態の構成例１に係る内槽１１０を洗浄装置１０の内槽１１の代わりに用いることで、沈殿性の異物の巻き上がりによる再付着を防止することができる。尚、本構成例の内槽１１０は、第２実施形態乃至第８実施形態に係る洗浄装置にも用いることができる。
【０１２２】
（第９実施形態の構成例２）
以下、第９実施形態の構成例２について説明する。図３０は、本発明の第９実施形態の構成例２に係る内槽を示す断面図である。本構成例２は、すり鉢状の底面の上方に、互い違いに配置された板状部材を設けた内槽に関する。
【０１２３】
内槽１１５は、矩形状に形成された側壁１１５ｂと、中央が窪んだすり鉢状の底面１１５ａとを有している。内槽１１５の底面１１５ａの上方には、図３０に示すように、先端側が下るように傾斜した板状部材１１６が形成されている。これらの板状部材１１６は相互に対向する方向の側壁１１５ｂ及び底面１１５ａから伸びており、先端側が上下方向に一定の間隔を開けて互い違いに交差している。図３０に示すように、内槽１１５の最も低い部分は、上述の板状部材１１６により覆われている。第１供給口１２は、板状部材１１６よりも上の部分であって、内槽１１５の側壁１１５ｂ付近の部分に設けられている。
【０１２４】
内槽１１５は、例えば、第１実施形態の洗浄装置１０の内槽１１の代わりに用いることにより、以下のように機能する。第１供給口１２から上向きに洗浄液３を噴出させることにより、内槽１１０の第１供給口１２よりも上の部分に上側に向かう流れが発生し、これにより浮遊性の異物が内槽１１５の開口部から排出される。一方、沈殿性の異物は、被洗浄物（ウエハ１）の下方に落ちて行き、やがて板状部材１１６の傾斜に沿って、内槽１１５の最も低い部分に集まる。
【０１２５】
この内槽１１５の最も低い部分に集まった沈殿性の異物は、上方を板状部材１１１で覆われているため、キャリア２の引き上げや、第１供給口１２の噴出によって、巻き上がり難くなる。このように、本実施形態の構成例１に係る内槽１１５を洗浄装置１０の内槽１１の代わりに用いることで、沈殿性の異物の巻き上がり難くなるため、沈殿性の異物の再付着を防止することができる。尚、本構成例の内槽１１５も、第２実施形態乃至第８実施形態に係る洗浄装置に用いることができる。
【０１２６】
（第９実施形態の構成例３）
以下、第９実施形態の構成例３について説明する。図３１（ａ）〜（ｄ）は、第９実施形態の構成例３に係る内槽を示す模式図である。尚、図３１（ａ）はシート部材を引き抜いた状態の本構成例の内槽の断面を示し、図３１（ｂ）は同じくシート部材を引き抜いた状態の本構成例の内槽を上から見た様子を示す。また、図３１（ｃ）はシート部材を押し込んだ状態の本構成例の内槽の断面を示し、図３１（ｄ）は同じくシート部材を押し込んだ状態の本構成例の内槽を上から見た様子を示す。
【０１２７】
第９実施形態の構成例３に係る内槽１２０は、図３１（ａ）に示すように、矩形状に形成された側壁１２０ｂと、中央が窪んだすり鉢状の底面１２０ａとを有している。内槽１２０の底面１２０ａには、後述するシート部材１２１の移動方向を案内するガイド部材１２２が形成されている。第１供給口１２は、ガイド部材１２２よりも上の部分であって、内槽１２０の周辺側に設けられている。
【０１２８】
内槽１２０の内側には一対のシート部材１２１が設けられている。シート部材１２１は、相互に対向する方向の側壁１２０ｂの内面に沿って配置され、図３１（ａ）に示すように、側壁１２０ｂ上を摺動させながら矢印ｃ方向に押し込むことができる。シート部材１２１の先端側の部分は、ガイド部材１２２によって案内され、内槽１２０の中央側に向かうように曲げられている。シート部材１２１には、図３１（ｂ）に示すように、開口部１２１ａが設けられている。上述の第１供給口１２は、この開口部１２１ａを通して内槽１２０の中央側に突き出ている。開口部１２１ａはシート部材１２１を押し込む方向に伸びているため、第１供給口１２を突き出したままシート部材１２１を内槽１２０内に押し込むことができる。対向する面に設けられた第１噴出口１２及び開口部１２１ａ同士は、図３１（ｂ）に示すように相互にずれた位置に配置されている。
【０１２９】
図３１（ｃ）に示すように、シート部材１２１を押し込むと、シート部材１２１の先端側の部分はガイド部材１２２によって案内されて、内槽１２０の中央側に伸びてゆく。そして、両方のシート部材１２１同士が重なり、底面１２０ａの上方が一対のシート部材１２１によって覆われる。また、図３１（ｄ）に示すように、開口部１２１ａ同士は相互にずれた位置に配置されている。これにより、それぞれの開口部１２１ａを対向する側のシート部材１２１によって塞ぐことができる。このようにして、シート部材１２１を押し込むことで、内槽１２０の底面１２０ａ側の領域を隔離することができる。
【０１３０】
内槽１２０は、例えば、第１実施形態の洗浄装置１０の内槽１１の代わりに用いることにより、以下のように機能する。第１供給口１２から上向きに洗浄液３を噴出させることにより、内槽１２０の第１供給口１２よりも上の部分に上側に向かう流れが発生する。このとき、図３１（ａ）に示すようにシート部材１２１を引き抜いた状態としておく。この状態で被洗浄物（ウエハ１）を内槽１２０に入れて洗浄を行うと、浮遊性の異物が内槽１２０の上部（開口部）から排出され、沈殿性の異物は被洗浄物（ウエハ１）の下方に落ちて、底面１２０ａの最も低い部分に集まる。
【０１３１】
その後、被洗浄物の洗浄が終了した後、図３１（シート部材１２１を内槽１２０に押し込んで図３１（ｂ）に示す状態とする。次に、被洗浄物を引き上げる。このとき、内槽１２０には被洗浄物の引き上げによって乱れた流れが発生するが、底面１２０ａの上方は一対のシート部材１２１によって覆われているので、底面１２０ａ付近の沈殿性の異物の巻き上がりを防止できる。このため、本実施形態の構成例１に係る内槽１１０を洗浄装置１０の内槽１１の代わりに用いることで、沈殿性の異物の異物が巻き上がりを防ぎ、沈殿性の異物の再付着を防止することができる。尚、本構成例の内槽１２０も、第２実施形態乃至第８実施形態に係る洗浄装置に用いることができる。
【０１３２】
また、第９実施形態の本構成例の洗浄装置は上述の構成に限定されるものではない。例えば、図３１（ｂ）に示す内槽１２０において、図中の上側及び下側の側壁１２０ｂに第１供給口１２を設けることができる。この場合には、シート部材１２１によって覆われていない側の側壁１２０ｂ上に第１供給口１２が設けられるため、シート部材１２１に開口部１２１ａを設けなくてもよい。
【０１３３】
以上に述べた、本発明の上記諸実施形態の洗浄装置は、半導体装置の製造に用いることができる。例えば、塗布、現像、イオン注入、パターニング工程などの間に行われる洗浄工程として、上記諸形態の洗浄装置を用いた洗浄を行うことができる。これにより、洗浄工程における異物の再付着を防止できるので、製造される半導体装置の長期信頼性及び歩留まりを向上させることができる。また、上記諸形態の洗浄装置は定期メンテナンス間隔を伸ばすことができるため半導体製造工程のスループットの向上及びランニングコスト低減を図ることができる。
【０１３４】
さらに、上記諸実施形態の洗浄装置は、半導体装置の製造工程の他、磁性材料や圧電材料等の様々な材料を成膜及びパターニング等する各種電子デバイスの製造工程にも用いることができる。
【０１３５】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【０１３６】
（付記１）内側に洗浄液を噴出する洗浄液供給口が設けられた内槽と、前記内槽の底面及び側壁を覆うように配置され、前記内槽から溢れた前記洗浄液を回収する外槽と、を備え、前記内槽の底面は中央が低く窪んだすり鉢状に形成され、前記洗浄液供給口は前記内槽の最も低い部分から離れた場所に配置されていることを特徴とする洗浄装置。
【０１３７】
（付記２）さらに、前記内槽の底面付近には、前記内槽の底面の最も低い部分に向かって傾斜した板状部材が配置されていることを特徴とする付記１に記載の洗浄装置。
【０１３８】
（付記３）前記洗浄液供給口は、前記内槽の底面側及び前記内槽の上端側の何れか一方又は両方に配置されていることを特徴とする付記１又は２に記載の洗浄装置。
【０１３９】
（付記４）さらに、前記内槽の底面の最も低い部分に、前記洗浄液を排出する第１排出口が設けられていることを特徴とする付記１乃至３の何れか１に記載の洗浄装置。
【０１４０】
（付記５）さらに、前記内槽の側壁から底面にかけて、前記洗浄液を排出する複数の第２排出口が設けられていることを特徴とする付記１乃至４の何れか１に記載の洗浄装置。
【０１４１】
（付記６）さらに、前記内槽に挿抜可能に設けられ、前記内槽に挿入されたときに前記内槽の底面側の前記洗浄液を隔離する可動式の仕切り板を備えたことを特徴とする付記１乃至４の何れか１に記載の洗浄装置。
【０１４２】
（付記７）前記洗浄液供給口は、前記内槽の底面側及び前記内槽の上端側の両方に配置され、前記被洗浄物の洗浄を行う時は前記内槽の底面側に設けられた洗浄液供給口から洗浄液を噴射し、前記被洗浄物を前記内槽から引き出すときは前記内槽の上端側に設けられた洗浄液供給口から洗浄液を噴出することを特徴とする付記３に記載の洗浄装置。
【０１４３】
（付記８）前記第１排出口は前記被洗浄物を前記内槽から引き出すときのみ前記洗浄液の排出を行うことを特徴とする付記４に記載の洗浄装置。
【０１４４】
（付記９）内側に洗浄液を噴出する洗浄液供給口が設けられた内槽と、前記内槽の底面及び側壁を覆うように配置され、前記内槽から溢れた前記洗浄液を回収する外槽と、を備え、前記内槽の底面は中央が低く窪んだすり鉢状に形成され、前記洗浄液供給口は前記内槽の最も低い部分から離れた場所に配置されていることを特徴とする洗浄装置を用いる洗浄方法であって、前記洗浄液供給口からの噴射を行いつつ前記内槽に前記被洗浄物を入れて洗浄を行う工程と、前記被洗浄物を前記内槽から引き上げる工程と、を有することを特徴とする洗浄方法。
【０１４５】
（付記１０）内側に洗浄液を噴出する洗浄液供給口が設けられた内槽と、前記内槽の底面及び側壁を覆うように配置され、前記内槽から溢れた前記洗浄液を回収する外槽と、を備え、前記内槽の底面は中央が低く窪んだすり鉢状に形成され、前記洗浄液供給口は前記内槽の最も低い部分から離れた場所に配置されていることを特徴とする洗浄装置を用いる半導体装置の製造方法であって、前記洗浄液供給口からの噴射を行いつつ前記内槽に前記被洗浄物を入れて洗浄を行う工程と、前記被洗浄物を前記内槽から引き上げる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、従来の洗浄装置を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る洗浄装置の第１供給口の構成例を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態に係る洗浄装置の外観を示す斜視図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態の洗浄装置で使用するキャリア及びウエハの一例を示す斜視図である。
【図６】図６は、本発明の第１実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例１を示すフロー図である。
【図７】図７は、本発明の第１実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例２を示すフロー図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は、第２実施形態に係る洗浄装置の第２供給口の構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例を示すフロー図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例１を示すフロー図である。
【図１３】図１３は、本発明の第３実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例２を示すフロー図である。
【図１４】図１４は、本発明の第４実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図１５】図１５は、本発明の第４実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例１を示すフロー図である。
【図１６】図１６は、本発明の第４実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例２を示すフロー図である。
【図１７】図１７は、本発明の第５実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図１８】図１８は、本発明の第５実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例を示すフロー図である。
【図１９】図１９は、本発明の第６実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図２０】図２０は、本発明の第６実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例を示す模式図である。
【図２１】図２１は、本発明の第６実施形態の変形例に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図２２】図２２は、本発明の第６実施形態の変形例に係る洗浄装置の洗浄動作例を示すフロー図である。
【図２３】図２３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第７実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図２４】図２４は、本発明の第７実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例を示すフロー図である。
【図２５】図２５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第８実施形態に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図２６】図２６は、本発明の第８実施形態に係る洗浄装置の洗浄動作例を示すフロー図である。
【図２７】図２７は、本発明の第８実施形態の変形例に係る洗浄装置を示す模式図である。
【図２８】図２８は、本発明の第８実施形態の変形例に係る洗浄装置の洗浄動作例を示すフロー図である。
【図２９】図２９は、本発明の第９実施形態の構成例１に係る内槽を示す斜視図である。
【図３０】図３０は、本発明の第９実施形態の構成例２に係る内槽を示す断面図である。
【図３１】図３１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第９実施形態の構成例３に係る内槽を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１…ウエハ、２…キャリア、３…洗浄液、４…外槽、５…外槽排出口、６…ろ過循環装置（ＣＲＳ）、７…洗浄液供給口、８…異物（沈殿性）、９…異物（浮遊性）、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００…洗浄装置、１１、１１０、１１５、１２０、２０１…内槽、１１ａ、１１０ａ、１１５ａ、１２０ａ、２０１ａ…底面、１１ｂ、１１０ｂ、１１５ｂ、１２０ｂ、２０１ｂ…側壁、１２…第１供給口、１３…第２供給口、１４…第１排出口、１５…第２排出口、１６…仕切り板、１７…第３排出口、１８…ヒーター、２２…第１供給バルブ、２３…第２供給バルブ、２４…第１排出バルブ、２５…第２排出バルブ、２６…外槽排出バルブ、７４…第１排出ポンプ、７５…第２排出ポンプ、１１１、１１６・・・板状部材、１２１…シート部材、１２２…ガイド部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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