(57)【要約】【課題】成形安定性がよい希土類ボンド磁石組成物、およびそれを用いた高温での機械強度（取り出し強度）に優れる射出成形体の提供。【解決手段】希土類−遷移金属系磁石粉末とポリフェニレンサルファイド樹脂とを含む希土類ボンド磁石用組成物において、希土類−遷移金属系磁石粉末をＴＥＭＰＯＬ水溶液に入れて、電子スピン共鳴装置により５０℃と室温でＮＯラジカル量を測定し、測定されたＮＯラジカル量の差から算出した希土類−遷移金属系磁石粉末のラジカル量が、７５％以下であることを特徴とする希土類ボンド磁石用組成物；希土類ボンド磁石用組成物が、射出成形機によりノズル温度２３０〜３５０℃で射出成形されてなる射出成形体など。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類−遷移金属系磁石粉末とポリフェニレンサルファイド樹脂とを含む希土類ボンド磁石用組成物において、下記の式（１）で表される希土類−遷移金属系磁石粉末のラジカル量（ＭＲ）が、７５％以下であることを特徴とする希土類ボンド磁石用組成物。
ＭＲ（％）＝｛１−Ｉ（５０）／Ｉ（ＲＴ）｝×１００          ・・・（１）
（式中、Ｉ（ＲＴ）は、希土類−遷移金属系磁石粉末を４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラ−メチルピペリジン−Ｎ−オキシル（ＴＥＭＰＯＬ）水溶液中、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置を用い、２３℃で測定した時のＮＯラジカル強度であり、Ｉ（５０）は、５０℃で測定したＮＯラジカル強度である。）
【請求項２】
希土類−遷移金属系磁石粉末が、希土類元素として、ＮｄまたはＰｒの少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１記載の希土類ボンド磁石組成物。
【請求項３】
希土類−遷移金属系磁石粉末の平均粒径が、１０〜２００μｍであることを特徴とする請求項１記載の希土類ボンド磁石組成物。
【請求項４】
希土類−遷移金属系磁石粉末の表面が、燐酸系化合物、シリカ系化合物、又はトリアジンチオール誘導体から選ばれる少なくとも一種の表面処理剤で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の希土類ボンド磁石用組成物。
【請求項５】
ポリフェニレンサルファイド樹脂全体の５０重量％以上が、直鎖型ポリフェニレンサルファイド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の希土類ボンド磁石用組成物。
【請求項６】
直鎖型ポリフェニレンサルファイド樹脂の溶融粘度が、１０〜２００Ｐａ・ｓ（３１０℃，剪断速度１２００ｓ−１）であることを特徴とする請求項５に記載の希土類ボンド磁石用組成物。
【請求項７】
ポリフェニレンサルファイド樹脂の含有量が、組成物全体に対して５〜３０質量％であることを特徴とする請求項１に記載の希土類ボンド磁石用組成物。
【請求項８】
ポリフェニレンサルファイド樹脂の結晶化温度Ｔｃ２が、２００〜２５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の希土類ボンド磁石用組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の希土類ボンド磁石用組成物が、射出成形機によりノズル温度２３０〜３５０℃で射出成形されてなる射出成形体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類ボンド磁石組成物、およびその射出成形体に関し、さらに詳しくは、成形安定性が良い希土類ボンド磁石組成物、およびそれを用いた高温での機械強度に優れる射出成形体に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂結合型磁石（ボンド磁石）は、磁石粉末と熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などのバインダとからなる複合材料である。バインダとして熱可塑性樹脂を用いて射出成形法で製造されるボンド磁石は、形状自由度に優れている。磁石粉末としてはＳｒフェライトやＢａフェライトが主流であるが、小型化や高性能化の要求に伴って希土類磁石粉末、特にＮｄＦｅＢ系磁石粉末が用いられることが増えている。
射出成形用のボンド磁石用組成物は、コンパウンドと呼ばれ、上記磁石粉末と樹脂バインダを混合し、樹脂の融点以上の温度で混練することによって製造される。得られたコンパウンドは、破砕または切断によってペレット化され、射出成形機に供給される。射出成形機シリンダー内で可塑化されたコンパウンドは、所定形状の金型内に射出され、冷却されて固化した後に磁石成形品として金型から取り出される。
【０００３】
磁気特性に優れる磁石を得るには、当然のことながら磁性粉末の含有量を高くする必要がある。しかし、その含有量を上げると、得られる磁石の機械的強度が低下するという問題を生じる。また、磁性粉末の量が多くなるに従い、磁性粉末の分散性が低下して組成物の流動性の低下を招く。流動性が低下すると、磁性粒子の配向性も低下するので、磁性粉末の量に見合った磁気特性の磁石が得られない。また、流動性の悪化により、混練に要する動力負荷（混練トルク）が増大するだけでなく、組成物の成形性も悪化して所望の形状の磁石に成形できない場合もある。
【０００４】
ボンド磁石では、バインダとしてポリアミド樹脂が広く用いられている。しかし、鉄を含有する磁性粉末を使用すると、高い表面酸性度を有する鉄が塩基性のポリアミド樹脂に対して強い酸塩基相互作用を及ぼして化学吸着を引き起こし、その結果、組成物の流動性が一層低下し、また、混練トルクも押出機で押し出し作業ができないほど上昇してしまう。
そこで、このような問題を解決するため、ポリアミド樹脂バインダに金属不活性剤及びラジカル補集剤を劣化防止剤として配合することが提案されている（特許文献１参照）。これにより、組成物の流動性低下を抑制し得るが、得られたボンド磁石は、耐熱性が充分ではない。
【０００５】
一方、ポリアミド樹脂よりも耐熱性、耐溶剤性に優れるポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂を用いたボンド磁石が知られている。ＰＰＳ樹脂を用いた場合には、通常射出成形機のノズル温度がポリアミド樹脂よりも高い２８０〜３５０℃、金型温度が１２０℃以上となるように設定される。特に金型温度がこれより低く設定されるとＰＰＳの結晶化度が低下し、磁石成形品の機械強度が低下する。
【０００６】
また、磁石粉末としては、従来はＳｒフェライトやＢａフェライトが主流であったが、磁石の小型化や高性能化の要求に伴い、最近では希土類磁石粉末を用いることが増えている。希土類磁石粉末のうちＳｍＣｏ系やＳｍＦｅＮ系磁石のＰＰＳコンパウンドでは、射出成形時に、金型から成形品が突き出したりする変形現象などはほどんど生じない。
【０００７】
ところが、ＮｄＦｅＢ系ＰＰＳコンパウンドにおいては、このような温度設定で射出成形すると、金型から成形品を取り出す際に、スプルーやランナーが折れたり、成形品そのものが破損したり、あるいは取り出し時になお成形品が柔らかく変形するため、安定して連続成形できない場合があった。
以下、このような金型から成形品を取り出すときの機械強度を「取り出し強度」と呼ぶ。この取り出し強度と、常温での成形品の機械強度との間には、必ずしも相関がないが、常温での機械強度が十分であっても、取り出し強度が低く連続成形できないことがあり、取り出し強度を如何に向上させるかが課題となっている。
【０００８】
そこで、このような問題を解決する試みがこれまでに種々行われている。例えば、希土類−遷移金属系磁石粉末とＰＰＳ樹脂とを含有する希土類系ボンド磁石用組成物として、ＰＰＳ樹脂の少なくとも７０重量％を、溶融粘度（３００℃、剪断速度６００ｓ−１で測定）が２００ｐｏｉｓｅ以上の架橋型ＰＰＳ樹脂とした組成物が提案されている（特許文献２参照）。しかしながら、これはボンド磁石のリサイクル性を改良することを主目的として製造されており、磁石のラジカル量や射出成形体の取り出し強度には言及していない。
【０００９】
また、射出成形の際にノズル温度や金型温度を上記より低く設定することで、取り出し強度低下が回避できる場合もあるが、成形品の結晶化度が低下し、常温での機械強度が低下する。従って、取り出し強度が高く、安定して射出成形可能な希土類ボンド磁石組成物が求められている。
【特許文献１】特開２００３−８２２３６号公報
【特許文献２】特開２００６−５３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、上記従来の問題点に鑑み、成形安定性が良い希土類ボンド磁石組成物、およびそれを用いた高温での機械強度に優れる射出成形体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ね、ＮｄまたはＰｒの少なくとも一種を含有する磁石粉末をＰＰＳ樹脂バインダと混合してコンパウンドを調製すると、示差走査熱量計（ＤＳＣ）によるＰＰＳ樹脂の結晶化温度Ｔｃ２が大幅に低下し、連続成形できなくなるのに対して、Ｓｍ系磁石粉末をＰＰＳ樹脂バインダと混合したコンパウンドではＰＰＳ樹脂の結晶化温度Ｔｃ２がさほど低下しないことを見出した。そして、希土類ボンド磁石粉末が有する固有のラジカル強度を特定量以下に低減させることにより、ＰＰＳ樹脂の結晶化温度Ｔｃ２の低下が抑制され、連続成形が可能となることを見出して本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、希土類−遷移金属系磁石粉末とポリフェニレンサルファイド樹脂とを含む希土類ボンド磁石用組成物において、下記の式（１）で表される希土類−遷移金属系磁石粉末のラジカル量（ＭＲ）が、７５％以下であることを特徴とする希土類ボンド磁石用組成物が提供される。
ＭＲ（％）＝｛１−Ｉ（５０）／Ｉ（ＲＴ）｝×１００          ・・・（１）
（式中、Ｉ（ＲＴ）は、希土類−遷移金属系磁石粉末を４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラ−メチルピペリジン−Ｎ−オキシル（ＴＥＭＰＯＬ）水溶液中、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置を用い、２３℃で測定した時のＮＯラジカル強度であり、Ｉ（５０）は、５０℃で測定したＮＯラジカル強度である。）
【００１３】
また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、希土類−遷移金属系磁石粉末が、希土類元素として、ＮｄまたはＰｒの少なくとも一種を含有することを特徴とする希土類ボンド磁石組成物が提供される。
【００１４】
また、本発明の第３の発明によれば、第１の発明において、希土類−遷移金属系磁石粉末の平均粒径が、１０〜２００μｍであることを特徴とする希土類ボンド磁石組成物が提供される。
【００１５】
また、本発明の第４の発明によれば、第１の発明において、希土類−遷移金属系磁石粉末の表面が、燐酸系化合物、シリカ系化合物、又はトリアジンチオール誘導体から選ばれる少なくとも一種の表面処理剤で被覆されていることを特徴とする希土類ボンド磁石組成物が提供される。
【００１６】
また、本発明の第５の発明によれば、第１の発明において、ポリフェニレンサルファイド樹脂全体の５０重量％以上が、直鎖型ポリフェニレンサルファイド樹脂であることを特徴とする希土類ボンド磁石用組成物が提供される。
【００１７】
また、本発明の第６の発明によれば、第５の発明において、直鎖型ポリフェニレンサルファイド樹脂の溶融粘度が、１０〜２００Ｐａ・ｓ（３１０℃，剪断速度１２００ｓ−１）であることを特徴とする希土類ボンド磁石用組成物が提供される。
【００１８】
また、本発明の第７の発明によれば、第１の発明において、ポリフェニレンサルファイド樹脂の含有量が、組成物全体に対して５〜３０質量％であることを特徴とする希土類ボンド磁石用組成物が提供される。
【００１９】
さらに、本発明の第８の発明によれば、第１の発明において、ポリフェニレンサルファイド樹脂の結晶化温度Ｔｃ２が、２００〜２５０℃であることを特徴とする希土類ボンド磁石用組成物が提供される。
【００２０】
一方、本発明の第９の発明によれば、第１〜８の発明に係り、希土類ボンド磁石用組成物が、射出成形機によりノズル温度２３０〜３５０℃で射出成形されてなる射出成形体が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の希土類ボンド磁石組成物は、耐熱性、耐溶剤性に優れるポリフェニレンサルファイドを樹脂バインダとし、希土類−遷移金属系磁石粉末のラジカル度が特定値以下であるために、金型から成形品を取り出すときの機械強度（取り出し強度）が高く、連続成形することができる。従って、ボンド磁石の生産性が向上し、得られたボンド磁石は、高度な耐熱性、耐溶剤性、及び機械的強度が必要とされる多くの分野で使用することが可能となり、産業上の利用性が高いものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の希土類ボンド磁石組成物、およびそれを用いた射出成形体について詳細に説明する。
【００２３】
１．希土類ボンド磁石組成物
本発明の希土類ボンド磁石組成物は、希土類−遷移金属系磁石粉末とポリフェニレンサルファイド樹脂とを含む希土類ボンド磁石用組成物において、式（１）で表される希土類−遷移金属系磁石粉末のラジカル量（ＭＲ）が、７５％以下であることを特徴とする。
【００２４】
（１）希土類−遷移金属系磁石粉末
本発明において用いられる磁石粉末は、希土類元素とＦｅなどの遷移金属とを含有するものであり、特に希土類元素としてＮｄまたはＰｒの少なくとも一種を含有するものである。
そのような磁石粉末としては、例えば液体急冷法で製造されるＮｄＦｅＢ系の磁石粉末や、ＨＤＤＲ法またはｄ−ＨＤＤＲ法と呼ばれる方法で製造されるＮｄＦｅＢ系の磁石粉末が挙げられ、等方性のものでも異方性のものでも構わない。
【００２５】
また、ＮｄまたはＰｒ以外の、Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｂなど他の希土類元素を含有していてもよい。さらに、遷移金属としてＦｅ以外のＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｕなどが含有されていてもよい。また、耐熱性や耐候性などを高める添加元素として、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｖ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐ，Ｓ，Ｓｉ，Ｃが含有されていてもよい。
【００２６】
Ｓｍを含有する希土類ボンド磁石粉末、例えばＳｍＣｏ系磁石粉末やＳｍＦｅＮ系の磁石粉末とＰＰＳ樹脂とでコンパウンドを調製し、これを射出成形しても取り出し強度が低下せず、金型から成形品が突き出すなどの変形現象は顕著には生じない。ところが、希土類元素としてＮｄまたはＰｒの少なくとも一種を含有するものでコンパウンドを調製し、これを射出成形すると取り出し強度が低下して、金型から成形品が突き出すなどの変形現象が頻発する。本発明は、このような取り出し強度の低下を招くような希土類元素としてＮｄまたはＰｒの少なくとも一種を含有する希土類ボンド磁石粉末を対象とするものである。
【００２７】
上記希土類遷移金属合金粉末としては、例えば液体急冷法やＨＤＤＲ法またはｄ−ＨＤＤＲ法と呼ばれる方法で製造される等方性または異方性の磁性粉末が挙げられる。なお、ＨＤＤＲ法あるいはｄ−ＨＤＤＲ法とは、希土類遷移金属合金に水素を加熱吸蔵させることによって金属組織を不均一化し、その後合金を減圧下で加熱し脱水素することで不均一化した組織を再結合させ、１μｍ未満の微細な結晶粒を形成するボンド磁石用磁性粉末の製造方法である。また、希土類遷移金属合金粉末の一部をフェライト磁性粉末やシリカなどの酸化物粉末で置換して、所望の磁気特性や物性が得られるように調整することもできる。
【００２８】
また、希土類遷移金属磁石粉末には、平均粒径が５μｍ以下の微細なものから５００μｍを越える粗大なものまで存在するが、本発明では、平均粒径１０〜２００μｍ、好ましくは５０〜１００μｍのものがよい。平均粒径が２００μｍを超えて大き過ぎると、成形品の表面平滑性が悪化し、ラジカル量が大きくなる場合があり、好ましくない。一方、平均粒径が１０μｍよりも小さいと、混練や射出成形時に起こる該合金粉末の酸化劣化の改善効果が少なくなってしまい、好ましくない。
【００２９】
また、取り出し強度が低下するコンパウンドにおいては、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定されるＰＰＳ樹脂の結晶化温度Ｔｃ２が大幅に低下する。すなわち、不活性ガス雰囲気中、２０℃／ｍｉｎで３４０℃まで昇温、２分保持してから同じ速度で降温させながら測定した時、通常２３０〜２５０℃であるＴｃ２が、取り出し強度の低い組成物では２００℃未満に低下する。
そこで、本発明においては、これらの希土類ボンド磁石粉末のラジカル量（ＭＲ）が７５％以下になるよう磁石粉末製造条件を従来よりも厳密に管理し、Ｔｃ２の低下を抑制する。
【００３０】
ここで、磁石粉末のラジカル量は、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置を用い、室温で安定なラジカルを有する４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラ−メチルピペリジン−Ｎ−オキシル（ＴＥＭＰＯＬ）水溶液のＮＯラジカル量を測定することによって決定される。すなわち、まず、室温（２３℃）でＴＥＭＰＯＬ水溶液と磁石粉末を接触させる。室温では磁石粉末が有するラジカルはＴＥＭＰＯＬのＮＯラジカルとほとんど反応しない。始めに、この状態で初期ＮＯラジカル量をＥＳＲ強度として測定する。次に、この混合溶液を５０℃に加熱すると、磁石粉末が有するラジカルによってＴＥＭＰＯＬのＮＯラジカルが消費され減少する。
そこで、加熱前後のＮＯラジカルの消費率を算出して、磁石粉末が有するラジカル量とすることができる。この時ラジカル消費率が高いほど磁石粉末のラジカル量が多いことになる。本発明においては、このようなＴＥＭＰＯＬのＮＯラジカル消費率を磁石粉末の「ラジカル量」と称する。
【００３１】
一般に、樹脂はラジカル酸化劣化することが知られているが、ボンド磁石樹脂バインダとして最もよく利用されるポリアミドに比べて、ＰＰＳは上記組成の希土類ボンド磁石粉末と組み合わせられる時、特にラジカル酸化作用が顕著であり、劣化の程度が大きい。そこで、本発明は、ラジカル源である希土類ボンド磁石粉末のラジカル量を７５％以下にコントロールすることで安定成形可能な組成物の製造を実現する。もし、磁石粉末のラジカル量が７５％を超えてしまうと、組成物中のＰＰＳ樹脂が劣化し、金型から成形品を取り出す時に上記したような問題が発生することとなる。
【００３２】
（２）磁石粉末のラジカル量の制御
磁石粉末のラジカル量をコントロールするには、種々の方法が考えられるが、例えば磁石粉末の比表面積と表面処理を調整することが挙げられる。比表面積が小さいほど、あるいは磁石粉末の表面が不活性なほどラジカル量を低減できる。
【００３３】
比表面積は、粒度分布や粉末形状に影響されるので、例えば粒径を大きくする、粒度分布をシャープにする、粉末表面の凸凹を少なくする、形状を球に近づける、などによって比表面積を小さくできる。
【００３４】
一方、表面の不活性化は、例えば粉末を徐酸化することにより表面に酸化皮膜を形成すること、燐酸系化合物、シリカ系化合物、又はトリアジンチオール誘導体などで適切に表面処理することで実施できる。表面処理されていても，磁石粉末のラジカル量が７５％を超えるようなものであれば，効果がない。
【００３５】
徐酸化の方法としては、具体的には、磁石粉末をミキサ中で撹拌しながら酸素濃度を０．１〜２０％の範囲で調整した不活性ガスを流通させる方法がある。必要に応じて２００℃以下の温度で加熱して処理してもよい。
【００３６】
燐酸系化合物には、例えば特開昭６０−１３８２６号公報、特開昭６１−９５０１号公報、特開平０２−４６７０３号公報、特開平１１−２５１１２４号公報、特開２００３−００７５２１号公報などに記載されているものが適用できる。具体的には、磁石粉末１ｋｇに対して、８５％リン酸１０〜３０ｇと有機溶剤１〜２ｋｇを混合した溶液に磁石粉末を混合して、真空中で１００〜２００℃に加熱して乾燥すればよい。
【００３７】
また、シリカ系化合物には、例えばテトラメチルオルソシリケートやテトラエチルオルソシリケートが挙げられる。これを用いればゾルゲル反応により磁石粉末表面に被膜を有効に形成できる。例えば、磁石粉末１ｋｇに対して、シリカ系化合物を３０〜８０ｇ、水０．１〜０．５ｇを混合した溶液に混合して、真空中で５０〜１５０℃に加熱して乾燥すればよい。
【００３８】
また、トリアジンチオール誘導体には、トリアジンチオールの他に、２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジンなどがある。これをメタノール、エタノール、２−プロパノールなどのアルコールを溶媒として希釈し、ミキサ内で磁石粉末と撹拌混合し、その後不活性ガス雰囲気中で溶媒を揮発除去すれば被膜を形成することができる。例えば、磁石粉末１ｋｇに対し、トリアジンチオール誘導体３〜８ｇをアルコール１００〜３００ｇに混合した溶液に混合して、真空中で５０〜１５０℃に加熱して乾燥すればよい。
【００３９】
これら比表面積や表面処理の調整度合いとして、磁気特性を損なわない範囲内で粒径を大きくしたり、皮膜の膜厚を厚くしたりして、磁石粉末のラジカル量が７５％以下になるように条件を設定することが好ましい。
【００４０】
（３）ポリフェニレンサルファイド樹脂
本発明の射出成形用組成物に用いられるポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ樹脂）は、ベンゼン環と硫黄原子とが交互に結合した構造を有する熱可塑性樹脂であり、該希土類遷移金属磁石粉末のバインダとして機能する成分である。
【００４１】
上記ＰＰＳ樹脂には、架橋型、直鎖型、セミ直鎖型（部分架橋型あるいは半架橋型とも称される）の樹脂がある。本発明ではいずれのものでも使用でき、それぞれを混合して使用してもよいが、直鎖型を使った場合に効果が顕著である。
これまでボンド磁石用は、剛性が求められる場合には架橋型、靱性が求められる場合には直鎖型またはセミ直鎖型が使用されている。また、ボンド磁石に用いられるＰＰＳ樹脂の分子量は、２０，０００〜８０，０００であり、低分子量のＰＰＳ樹脂だと溶融粘度が低いため、射出成形用組成物の成形性には優れるが強度などの物性に劣り、高分子量のＰＰＳ樹脂だと逆に物性には優れるが、高粘度であるため磁性粉末の充填率を高くすると成形性に劣ることとなる。
本発明においては、ＰＰＳ樹脂を架橋率によって区別する場合、架橋型ＰＰＳ樹脂とは架橋率が２６％以上（例えば、３０〜４０％）のもの、セミ直鎖型ＰＰＳ樹脂とは架橋率が５〜２５％のもの、直鎖型ＰＰＳ樹脂とは架橋率が５％未満のものを指す。
【００４２】
また、直鎖型ＰＰＳ樹脂、セミ直鎖型ＰＰＳ樹脂は、従来公知の方法により容易に合成することができる。セミ直鎖型ＰＰＳ樹脂は、直鎖型ＰＰＳ樹脂を熱処理して部分架橋させる際に熱処理時間を短くしたり、あるいは処理温度を低くしたりすればよいが、直鎖型ＰＰＳ樹脂は、酸素によって架橋が促進されるため、熱処理雰囲気中の酸素含有量を少なくしても、セミ直鎖型ＰＰＳ樹脂の架橋率は調整することができる。実際の製造に際しては上記方法を適宜組み合わせて、セミ直鎖型ＰＰＳ樹脂の架橋率を調整すればよい。
【００４３】
ここで、直鎖型ＰＰＳ樹脂としては、（株）トープレン製のＨ−１（商品名）、ＬＲ−０３（商品名）、トープレンＰＰＳ    ＬＮ−１（商品名）、（株）トープレン製のＬＣ−５（商品名）、（株）クレハ製、商品名：Ｗ−２０３Ａ、Ｗ−２１４Ａなどの市販品を使用することもできる。セミ直鎖型ＰＰＳ樹脂としては、（株）トープレン製のＴ−２（商品名）などの市販品を使用することもできる。また、架橋型ＰＰＳ樹脂としては、（株）トープレン製のＫ−１Ｇ（商品名）などの市販品を使用することもできる。
【００４４】
また、ＰＰＳ樹脂の溶融粘度は、合金粉末の種類に応じて適切なものを選択すればよいが、一般には３１０℃、剪断速度１０００ｓ−１における溶融粘度が２０〜３００Ｐａ・ｓのものを選択することが好ましい。粘度が２０Ｐａ・ｓよりも小さいと、合金粉末を高充填することができるものの、成形体の機械強度が低下してしまい好ましくない。溶融粘度が３００Ｐａ・ｓを超えると、成形性が著しく低下し、好ましくない。
【００４５】
本発明では、樹脂バインダとしてＰＰＳ樹脂が用いられるが、樹脂全体の５０重量％以上が、溶融粘度１０〜２００Ｐａ・ｓ（３１０℃，剪断速度１２００ｓ−１）の直鎖型ＰＰＳ樹脂であるのが望ましく、さらにその溶融粘度が２０〜６０Ｐａ・ｓであれば一層好ましい。一方、溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ未満であると、常温での機械強度が低下し、２００Ｐａ・ｓを超えると、磁石粉末と組み合わせて製造した組成物による成形体においても、取り出し強度が十分上がらない上に組成物の流動性が低下する。
【００４６】
なお、必要に応じて、樹脂全体の５０重量％未満を、ポリフェニレンサルファイド樹脂以外の熱可塑性樹脂である、液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル系樹脂；非直鎖型ＰＰＳ樹脂；６ナイロン、６，６ナイロン、４，６ナイロン、１１ナイロン、１２ナイロン、芳香族系ナイロンなどのポリアミド樹脂；ポリアセタール樹脂；ポリエーテルエーテルケトン樹脂；これらの樹脂の単量体単位と他種モノマーとの共重合体；ならびにこれらの樹脂を脂肪酸などで変性したものなどで置換することができる。
樹脂の形状は、ペレット状、ビーズ状、パウダー状、ペースト状のいずれでもよいが、均一な混合物を得る点で、パウダー状が好ましい。
【００４７】
（４）重金属不活性化剤
樹脂安定化剤として、重金属不活性化剤を添加すると、取り出し強度の改善に有効である。ただし、この取り出し強度への効果は、ラジカル量を低減させる処理を行いコントロールした磁石粉末を使って初めて現れるものであって、上記処理が行われずラジカル量が多い磁石粉末では効果が見られないか小さい。
また、重金属不活性化剤は、希土類遷移金属合金粉末の金属成分元素とキレート化合物を形成することによって、ＰＰＳ樹脂の劣化を防止する働きを有している。
【００４８】
本発明では、重金属不活性化剤として、シュウ酸誘導体、サリチル酸誘導体、ヒドラジン誘導体から選ばれる１種以上が用いられる。これらの中でも、サリチル酸誘導体および／またはヒドラジン誘導体が好ましく、その融点が２００℃以上、より好ましくは３００℃以上のものを適用するのがよい。
このような重金属不活性化剤としては、例えば、オキサリル−ビス（ベンジリデンヒドラジド）、Ｎ，Ｎ−ジベンザル（オキザルヒドラジド）、２，２’−オキサミドビス［エチル３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］などのシュウ酸誘導体；Ｎ−サリシロイル−Ｎ´−アルデヒドラジン、デカメチレンカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾールなどのサリチル酸誘導体；２’，３−ビス［［３−［３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル］プロピオニル］］プロピオノヒドラジド、イソフタリック酸ビス（２−フェノキシプロピオニルヒドラジン）などのヒドラジン誘導体を挙げることができる。
なお、融点が２００℃よりも低い重金属不活性化剤を用いると、リターン材の取り出し強度が十分でなくなるという問題が現れる。その原因は、混練中に重金属不活性化剤が徐々に揮発するためと推測される。
【００４９】
また、重金属不活性化剤の量は、ポリフェニレンサルファイド樹脂量の０．１〜１０重量％であることが好ましい。０．１重量％よりも少ないと、射出成形後における成形体中のポリフェニレンサルファイド樹脂の結晶化温度が低下するのを抑制できず１７０℃未満となりがちであり、１０重量％を超えると、成形体の機械強度が低下してしまい、好ましくない。
【００５０】
（５）その他の添加剤
本発明における希土類系ボンド磁石用組成物には、必要に応じて、上記重金属不活性化剤以外の添加剤として滑剤、安定剤などを添加することができる。
【００５１】
滑剤としては、例えばパラフィンワックス、流動パラフィン、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス、エステルワックス、カルナウバワックス、マイクロワックスなどのワックス類；ステアリン酸、１，２−オキシステアリン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、オレイン酸などの脂肪酸類；ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸アルミニウム、ラウリン酸カルシウム、リノール酸亜鉛、リシノール酸カルシウム、２−エチルヘキソイン酸亜鉛などの脂肪酸塩（金属石鹸類）；ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、エルカ酸アミド、べへン酸アミド、パルミチン酸アミド、ラウリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスラウリン酸アミド、ジステアリルアジピン酸アミド、エチレンビスオレイン酸アミド、ジオレイルアジピン酸アミド、Ｎ−ステアリルステアリン酸アミドなどの脂肪酸アミド類；ステアリン酸ブチルなどの脂肪酸エステル；エチレングリコール、ステアリルアルコールなどのアルコール類；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコールおよびこれら変性物からなるポリエーテル類；ジメチルポリシロキサン、シリコングリースなどのポリシロキサン類；フッ素系オイル、フッ素系グリ一ス、含フッ素樹脂粉末などのフッ素化合物；ならびに窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウム、アルミナ、二酸化ケイ素、二硫化モリブデンなどの無機化合物粉体が挙げられる。これらの滑剤は、一種単独でも二種以上組み合わせてもよい。該滑剤の配合量は、磁石粉末１００重量部に対し、通常、１〜１０重量部でよい。
【００５２】
安定剤としては、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−｛３−（３，５−ジ−第三ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝−４−｛３−（３，５−ジ−第三ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、８−べンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，２，３−トリアザスピロ［４，５］ウンデカン−２，４−ジオン、４−べンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、こはく酸ジメチル−１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピぺリジン重縮合物、ポリ［［６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）イミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル］［（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ］へキサメチレン［［２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル］イミノ］］、２−（３，５−ジ−第三ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）などのヒンダードアミン系安定剤；ならびにフェノール系、ホスファイト系、チオエーテル系などの抗酸化剤が挙げられる。これらの安定剤も、一種単独でも二種以上組み合わせてもよい。該安定剤の配合量は、磁石粉末１００重量部に対し、通常、０．０５〜１０重量部でよい。
【００５３】
２．希土類ボンド磁石組成物の製造
本発明の希土類ボンド磁石組成物は、上記特定の磁粉とＰＰＳ樹脂とを混合、混練して製造される。
【００５４】
ＰＰＳ樹脂の配合量は、磁石粉末１００重量部に対して、通常、５〜１００重量部でよく、好ましくは５〜３０重量部、より好ましくは５〜２０重量部である。配合量が５重量部よりも少ないと、組成物の混練抵抗（トルク）が著しく高まり、流動性が低下して成形困難になる場合がある。逆に、１００重量部よりも多いと、所望の磁気特性を備えるボンド磁石が得られない。
【００５５】
本発明において、磁性粉末の配合量は、組成物全体に対して７０〜９７重量％であり、好ましくは８０〜９５重量％である。この配合量が７０重量％未満であると、得られる磁石の磁気特性が低下する。逆に、９７重量％を超えると、組成物の流動性が極端に低下して成形が困難になったり、たとえ流動性を保ち成形できても、磁性粒子の配向性が悪くなり、磁性粉末の含有率に見合った磁気特性が得られなくなったりする。また、バインダ成分が少なすぎて、磁石の機械的強度が低下し、部品として使用できなくなる。
【００５６】
各成分の混合手段は、特に限定されず、例えばリボンブレンダー、タンブラー、ナウターミキサー、ヘンシェルミキサー、スーパーミキサーなどの混合機；ならびにバンバリーミキサー、ニーダー、ロール、ニーダールーダー、単軸押出機、二軸押出機などの混練機を用いた方法が挙げられる。
また、混練では組成物の温度が３８０℃以下、好ましくは３６０℃以下になるよう、原料の供給量やブレード・スクリューの回転数を制御するのがよい。組成物の温度が３８０℃を超えると、熱によるＰＰＳ樹脂の劣化が進行し、取り出し強度が低下する。
得られる組成物の形状は、パウダー状、ビーズ状、ペレット状またはこれらの混合物の形であり、取扱いやすさの点でペレット状が好ましい。
【００５７】
また、得られた組成物の状態は、実際に射出成形して確認する以外に、示差走査熱量計（ＤＳＣ）によるＰＰＳ樹脂の結晶化温度Ｔｃ２でも確認できる。不活性ガス雰囲気中、２０℃／ｍｉｎで３４０℃まで昇温、２分保持してから同じ速度で降温させながら測定した時、本発明のボンド磁石組成物では、Ｔｃ２が２００〜２５０℃であり、より好ましい状態としては２２０〜２５０℃である。複数のＴｃ２発熱ピークが観察される場合には、発熱量の多い方がこの範囲に入る。取り出し強度の低い組成物では、Ｔｃ２が２００℃未満になる。
【００５８】
混練工程では、こうして得られた混合物を、ブラベンダー等のバッチ式ニーダー、バンバリーミキサー、ヘンシェルミキサー、ヘリカルローター、ロール、一軸押出機、二軸押出機等を用いて加熱溶融しながら混練する。混練にはニーダーなどのバッチ式の混練機を用いても、押し出し機などの連続混練機を用いてもよい。ＰＰＳ樹脂の結晶化温度は、温度や剪断力によって低下していくため、いずれの混練機において、設定温度や撹拌羽の構造や回転数を調整することによって条件を設定すればよい。
本発明のボンド磁石用組成物は、上記で得られた混練物を、ストランド状又はシート状に押し出した後、カッティングしたもの、また、前記混練物をホットカット又はコールドカットしてブロック状とした後、冷却固化し、さらに粉砕してペレット状等としたものとして得ることができる。このようにして得られたボンド磁石組成物は、低温流動性及び射出成形性に優れる。
【００５９】
３．射出成形体
射出成形法は、成形体の形状の自由度が大きく、しかも得られる磁石の表面性状及び磁気特性が優れ、そのまま電子部品の部品として組み込める点で好ましく、本発明の射出成形体は、前記の組成物を樹脂の融点以上、好ましくは２３０〜３５０℃の範囲の温度で加熱溶融した後、この射出成形法を用いて該溶融物を磁場中で成形することによりボンド磁石として得ることができる。
【００６０】
また、得られた成形体は、使用前に着磁することが望ましい。着磁には、静磁場を発生する電磁石、パルス磁場を発生するコンデンサー着磁機等が用いられる。着磁磁場、すなわち磁場強度は、１２００ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）以上が好ましく、さらに２４００ｋＡ／ｍ（３０ｋＯｅ）以上が一層好ましい。
このようにして得られたボンド磁石は、磁気特性に優れ、かつ剛性等の機械的強度に優れる。加えて、例えば、電子機器用モーター部品等の小型で偏平な複雑形状品に用いられ、大量生産が可能、後加工が不要、インサート成形可能等の特長を有しており、特に、金属材料との一体成形部品に好適である。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これら実施例によって限定されるものではない。
【００６２】
以下の実施例及び比較例において、ＰＰＳ樹脂、射出成形用磁石組成物及び射出成形磁石の各特性評価は、以下の様にして行った。
＜希土類磁石粉末＞
（１）等方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末ＭＱＰ−Ｂ（マグネクエンチインターナショナル製）
（２）異方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末１（（株）ネオマックス製  ＨＤＤＲ−Ｂ）
（３）異方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末２（愛知製鋼（株）製  ＭＦＰ−１２）
【００６３】
＜ＰＰＳ樹脂＞
（１）ポリフェニレンサルファイド：大日本インキ化学工業（株）、商品名：Ｈ−１Ｇ、溶融粘度１０Ｐａ・ｓ、直鎖型
（２）ポリフェニレンサルファイド：大日本インキ化学工業（株）、商品名：ＬＲ−１Ｇ、溶融粘度５０Ｐａ・ｓ、直鎖型
（３）ポリフェニレンサルファイド：（株）トープレン製、商品名：ＬＣ−５、溶融粘度３００Ｐａ・ｓ、直鎖型
（４）ポリフェニレンサルファイド：（株）クレハ製、商品名：Ｗ−２０３Ａ、溶融粘度３０Ｐａ・ｓ、直鎖型
（５）ポリフェニレンサルファイド：（株）クレハ製、商品名：Ｗ−２１４Ａ、溶融粘度１４０Ｐａ・ｓ、直鎖型
【００６４】
＜重金属不活性化剤＞
（１）サリチル酸誘導体１：  ３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾール
（２）サリチル酸誘導体２：  デカメチレンカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド
（３）ヒドラジン誘導体１：  ２’，３−ビス−［［３−［３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル］プロピオニル］］プロピオノヒドラジド
【００６５】
＜ラジカル量評価＞
１ｍＭのＴＥＭＰＯＬ水溶液をエチルアルコールで１０％に希釈した溶液を５ｃｃ用意し、磁石粉末１００ｍｇを投入した。２３℃で５分間撹拌した後、静置して上澄みを０．５ｃｃ採り、直径０．８ｍｍの試料管に入れてＥＳＲ測定した。ＥＳＲ測定装置は、日本電子製ＪＥＳ−ＦＡ２００型で、プローブヘッド７ｍｍ−ＭＡＳ、分解能２．３５μＴ、掃引幅０．０１ｍＴ、掃引時間４分、周波数９．０ＧＨｚの条件でＮＯラジカル強度を測定した。この強度をＩ（ＲＴ）とする。
次に、同じ比率でエチルアルコール希釈したＴＥＭＰＯＬ水溶液５ｃｃを５０℃に加温し、磁石粉末１００ｍｇを投入した後、５０℃を保ったまま５分間撹拌した。静置して得た上澄み０．５ｃｃを試料管に入れて、同様にＮＯラジカル強度Ｉ（５０）を測定した。磁石粉末が有するラジカル量（ＭＲ）を、本発明ではＮＯラジカル消費率である式（１）で示すことにした。
ＭＲ（％）＝｛１−Ｉ（５０）／Ｉ（ＲＴ）｝×１００          ・・・（１）
【００６６】
＜Ｔｃ２測定＞
マックサイエンス社製ＤＳＣ３１００Ｓを用い、窒素気流中にて組成物試料を室温から３５０℃まで２０℃／ｍｉｎで昇温し、５分間保持した後、室温まで２０℃／ｍｉｎで降温させた。試料の結晶化温度Ｔｃ２を、降温時の発熱ピークのトップで読みとった。
【００６７】
（実施例１）
等方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末ＭＱＰ−Ｂを、エタノールを溶媒として平均粒径７２μｍまでボールミル粉砕した。この粉砕スラリをミキサに投入し、１０％Ｏ２−Ｎ２ガス気流中で撹拌しながら８０℃で乾燥した。得られた粉末のラジカル量を評価したところ６３％だった。
この磁石粉末８９ｗｔ％、ＰＰＳ樹脂Ｗ−２０３Ａ１１ｗｔ％として配合しプ、ラストミル（（株）東洋精機製作所製）で混練した。混練物の最高温度は３５１℃だった。回収した試料のＴｃ２は２２９℃だった。
次に、得られた混練物を粉砕してから射出成形機（（株）日本製鋼所製Ｊ−３５Ｍ）に投入し、ノズル温度３０５℃、金型温度１３０℃、冷却時間５秒の条件で、幅８ｍｍ×厚さ２ｍｍ×長さ４０ｍｍの板状成形体を合計７０ショット射出成形した。スプルーやランナーが折れることもなく、全て安定して成形できた。この結果を表１に示す。
【００６８】
（実施例２）
磁石粉末を８９．０ｗｔ％、ＰＰＳ樹脂Ｗ−２０３Ａを１０．０ｗｔ％、重金属不活性化剤としてサリチル酸誘導体１を１．０ｗｔ％配合した以外は実施例１と同様に混練、成形した。混練中の混練物の最高温度は３５３℃だった。得られた組成物のＴｃ２は２３５℃だった。
７０ショット全ての射出成形が安定して行えた。この結果を表１に示す。
【００６９】
（実施例３）
ＰＰＳ樹脂としてＷ−２１４Ａを用いた以外は、実施例１と同様に配合し、混練、成形した。混練中の混練物の最高温度は３５９℃だった。得られた組成物のＴｃ２は２０６℃だった。
７０ショットの射出成形中、２回スプルー折れにより成形が中断した。この結果を表１に示す。
【００７０】
（比較例１）
等方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末ＭＱＰ−Ｂを、エタノールを溶媒として平均粒径７２μｍまでボールミル粉砕した。この粉砕スラリをミキサに投入し、７％Ｏ２−Ｎ２ガス気流中で撹拌しながら６０℃で乾燥した。得られた粉末のラジカル量を評価したところ８２％だった。
この磁石粉末を用いて実施例２と同様に混練・成形した。混練中の混練物最高温度は３５５℃だった。得られた組成物のＴｃ２は１９６℃まで低下しており、７０ショットの射出成形の、殆ど全てのショットでスプルー折れやランナー折れが発生した。この結果を表１に示す。
【００７１】
（比較例２）
比較例１の磁石粉末を用いた以外は、実施例３と同様に配合・混練・成形した。混練中の混練物最高温度は３５７℃だった。得られた組成物のＴｃ２は１５３℃まで低下していた。
射出成形においては、金型温度１３０℃で金型から成形品を取り出した時に成形品はまだ十分に固化しておらず、板状成形品が変形してしまった。金型温度を９０℃まで下げることで変形を緩和できたが、スプルー折れはなくならなかった。なお、金型温度を９０℃に下げたため、この成形品のＤＳＣ測定で、昇温中の１４２℃でＰＰＳ樹脂の再結晶化に伴う発熱ピークＴｃ１が確認され、結晶化度の低い成形品であることが分かった。この結果を表１に示す。
【００７２】
（実施例４）
磁石粉末１ｋｇに対して、８５％リン酸３０ｇとエタノール２ｋｇを混合した溶液に、５０μｍ以下の微粉末を篩にて分級除去した平均粒径１１５μｍの異方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末１を混合し５分間撹拌した。次に、濾過した磁石粉末を真空中で１３０℃に加熱して燐酸系化合物で表面処理した粉末を得た。得られた粉末は、表面が膜厚２０ｎｍの均一な燐酸塩皮膜で覆われていた。この磁石粉末のラジカル量を評価したところ４１％だった。
この磁石粉末を８５ｗｔ％、ＰＰＳ樹脂ＬＲ−１Ｇを１４．５ｗｔ％、重金属不活性化剤のヒドラジン誘導体１を０．５ｗｔ％として配合しプラストミルで混練した。混練物の最高温度は３４４℃だった。回収した試料のＴｃ２は２３２℃だった。
次に、得られた混練物を粉砕してから射出成形機に投入し、ノズル温度３０５℃、金型温度１３０℃、冷却時間５秒の条件で、幅８ｍｍ×厚さ２ｍｍ×長さ４０ｍｍの板状成形体を合計７０ショット射出成形した。スプルーやランナーが折れることもなく、全て安定して成形できた。この結果を表１に示す。
【００７３】
（実施例５）
ＰＰＳ樹脂としてＬＣ−５を、重金属不活性化剤としてサリチル酸誘導体２用いた以外は実施例４と同様に配合・混練・成形した。混練中の混練物最高温度は３５９℃だった。得られた組成物のＴｃ２は２０３℃だった。
７０ショットの射出成形中、約１／５の１３ショットでスプルー折れやランナー折れが発生し、成形が中断した。この結果を表１に示す。
【００７４】
（比較例３）
実施例４の８５％リン酸添加量を１０ｇとし、加熱温度を７０℃としてリン酸系表面処理した粉末を得た。得られた粉末は、表面が膜厚５ｎｍの皮膜で覆われていたが、均一な燐酸塩皮膜ではなかった。この粉末のラジカル量を評価したところ７８％だった。
この磁石粉末を使って実施例４と同様に、配合・混練・成形した。混練中の混練物最高温度は３４９℃だった。得られた組成物のＴｃ２は１８４℃まで低下しており、７０ショットの射出成形の、殆ど全てのショットでスプルー折れやランナー折れが発生した。この結果を表１に示す。
【００７５】
（比較例４）
５０μｍ以下の微粉末を篩分級除去しなかった平均粒径７４μｍの異方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末１を用いた以外は、実施例４と同様にして配合・混練・成形した。この粉末のラジカル量は８７％だった。混練物最高温度は３５２℃だった。得られた組成物のＴｃ２は１３８℃まで低下していた。
射出成形においては、金型温度１３０℃では金型から成形品を取り出した時、成形品はまだ十分に固化しておらず、板状成形品が変形してしまった。冷却時間を１５秒にしても変形は解消しなかった。金型温度を９０℃まで下げることで変形を緩和できたが、スプルー折れは無くならなかった。この結果を表１に示す。
なお、金型温度９０℃の成形品のＤＳＣ測定で、昇温中の１３７℃でＰＰＳ樹脂の再結晶化に伴う発熱ピークＴｃ１が確認され、結晶化度の低い成形品であることが分かった。この結果を表１に示す。
【００７６】
（実施例６）
磁石粉末１ｋｇに対し、トリアジンチオール誘導体５ｇをエタノール２５０ｇに混合した溶液に、平均粒径８６μｍの異方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末２を混合して、真空中で８０℃に加熱して乾燥することで、トリアジンチオール誘導体で表面処理した磁石粉末を得た。得られた粉末は、表面が膜厚１０ｎｍの均一なトリアジンチオール誘導体皮膜で覆われていた。この粉末のラジカル量を評価したところ７１％だった。
この磁石粉末を８７ｗｔ％、ＰＰＳ樹脂ＬＲ−１Ｇを１２．５ｗｔ％、重金属不活性化剤のヒドラジン誘導体１を０．５ｗｔ％として配合し、プラストミルで混練した。混練物の最高温度は３５２℃だった。回収した試料のＴｃ２は２２４℃だった。
次に、得られた混練物を粉砕してから射出成形機に投入し、ノズル温度３０５℃、金型温度１３０℃の条件で、幅８ｍｍ×厚さ２ｍｍ×長さ４０ｍｍの板状成形体を合計７０ショット射出成形した。スプルーやランナーが折れることもなく、全て安定して成形できた。
【００７７】
（実施例７）
ＰＰＳ樹脂をＨ−１Ｇとした以外は実施例６と同様に配合・混練・成形した。混練中の混練物最高温度は３３９℃だった。得られた組成物のＴｃ２は２３６℃だった。７０ショットの射出成形の全てが安定してできた。この結果を表１に示す。
【００７８】
（比較例５）
平均粒径３２μｍの異方性ＮｄＦｅＢ系磁石粉末２を使った以外は実施例６と同様にして表面処理した磁石粉末を得た。得られた粉末のラジカル量を評価したところ７９％だった。
この粉末を実施例６と同様にして配合・混練・成形した。混練物最高温度は３５７℃だった。得られた組成物のＴｃ２は１９２℃だった。
７０ショットの射出成形の殆ど全てにおいて、スプルー折れとランナー折れが発生し、安定成形できなかった。この結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
2009231673.tif 000002
【００８０】
《評価》  実施例１〜７に見られる通り、本発明の希土類ボンド磁石用組成物は、ラジカル量が７５％以下である希土類−遷移金属系磁石粉末を用いることにより、取り出し強度が高く、７０ショットの射出成形が安定して行えている。
これに対して、本発明から外れる比較例１〜５では、ラジカル量が７５％を超える希土類−遷移金属系磁石粉末を用いているので、取り出し強度が低くなり、７０ショットの殆ど全てにおいて、スプルー折れとランナー折れが発生し、安定成形できていない。特に比較例３を見ると、磁石粉末に表面処理が不完全でラジカル量が７５％を超えると、安定成形できないことが分かる。