(57)【要約】【課題】近年、LSIは少量多品種生産が主流であり、不良解析でも寿命の短い多品種の製品に対応して各種の解析用治具を準備する必要がある。ケーブル、コネクタ、マザーボード、ロードモジュールまでは汎用的な解析用ボード類であるが、ソケットは製品毎に異なっており、これを接続したDUTボードは製品毎に準備する必要がある。【解決手段】本発明では上記課題を解決するため、解析用の汎用ソケットを製作した。これは、下面に敷き詰められた一定ピッチのBGAを持つDUTの最大寸法に対応するように、それに対応できるだけの数のポゴコンタクトを配置しており、各種寸法のDUT用汎用ソケットとしている。【選択図】図１
2009058237.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む半導体集積回路装置の不良解析用治具：
（ａ）第１の主面上にマトリクス状の多数のパッド状電極を有する配線基板；
（ｂ）前記配線基板の前記第１の主面上に配置され、上側主面と下側主面を有するソケット；
（ｃ）前記ソケットの前記上側主面と前記下側主面間を貫通し、それらの下側プランジャが前記多数のパッド状電極に接触するように埋め込まれた多数のポゴ・コンタクト・ピン；
（ｄ）前記多数のポゴ・コンタクト・ピンの上側プランジャ上に置かれ、前記下側にマトリクス状の多数のバンプ電極を有する被検査板状体を、収容する開口部を有するスペーサ；
（ｅ）前記スペーサと前記被検査板状体の上にあって、前記多数のポゴ・コンタクト・ピンの前記上側プランジャに、前記被検査板状体を押し付ける被検査板状体押さえ、
ここで、前記被検査板状体押さえは、そこを通して前記被検査板状体からの発光を光学観測系により検出するか、または、そこを通して光学励起系により光を用いて前記被検査板状体を励起する窓部を有する。
【請求項２】
前記１項の半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえの構造は、前記光学観測系または前記光学励起系の対物レンズの動作距離が０．５ミリ・メートル以下でも使用できるようにされている。
【請求項３】
前記１項の半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえの前記窓部の面積は、前記被検査板状体の半導体集積回路チップの面積の５０％以下である。
【請求項４】
前記１項の半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえと前記被検査板状体間には、これらよりも剛性が低く、前記窓部よりも開口部の面積が小さい中間体が挿入されている。
【請求項５】
前記４項の半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえはアルミニウムを主要な成分とする部材を主要な構成要素とし、前記半導体集積回路チップはシリコンを主要な成分とする部材を主要な構成要素とし、前記中間体は樹脂部材を主要な成分とする部材を主要な構成要素とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置（または半導体装置）の製造プロセスにおける不良解析技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２００６−０１７５２７号公報（特許文献１）には、各種のＢＧＡパッケージを試験するために、ボール配置の異なるパッケージに対応して、ソケット本体に多数のポゴピンを共通に配列し、複数のソケットカバーをそれぞれのパッケージタイプに合わせて用意することで多様なボール配置に対応したテストボードが開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０１７５２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、LSIは少量多品種生産が主流であり、不良解析でも寿命の短い多品種の製品に対応して各種の解析用治具を準備する必要がある。実際の解析において、発光顕微鏡やOBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change)解析装置、あるいは、時間分解発光解析装置等の不良解析装置の光学鏡筒先に解析対象のサンプル：DUT(Device Under Test)を載置する。この状態でテスタからの信号をケーブルからコネクタへ伝え、さらにマザーボードを介してロードモジュールのような内部にポゴコンタクトを有する接続治具、さらに、DUTボード、ソケットを介して、DUTに印加する。これによって、DUTをスタンバイ状態、あるいは、ファンクションパターン走行状態に保持して、各種の解析を実行する。ケーブル、コネクタ、マザーボード、ロードモジュールまでは汎用的な解析用ボード類であるが、ソケットは製品毎に異なっており、これを接続したDUTボードは製品毎に準備する必要がある。しかし、DUTのピン数は増加の傾向にあり、DUTボードを設計・製作するの、費用と時間を要する。そこで、一定ピッチのBGA(Ball Grid Allay)を配置した製品全てに対して対応可能な解析用治具として汎用DUTを固定したボードを製作し、解析TAT(Turn Around Time)の向上を図ろうと考えた。
【０００５】
従来は上記の通り、製品毎に異なるソケットに対応して、それぞれにDUTボードを設計・製作し、ソケットを接続していた。また、この種のソケットでは、ソケットの上面からDUT上面までに距離があり、解析装置の対物レンズの作動距離の関係で解析対象を高倍率で観察できず、ソケットを適用できない場合もある。そのような場合には、DUTボードの上に中間ボードを設け、そこに実装ボードと呼ぶDUTを直接実装する方式を採用することもある。
【０００６】
しかし、これらの技術においては、以下のような問題があることが本願発明者らによって、明らかにされた。すなわち、ソケットを使用した場合には、上記の対物レンズの作動距離の範囲内での解析しかできないことと共に、ソケット毎に接続するDUTボードを製作し、そこにソケットを実装する必要があり、この治具の製作に費用と時間を要することになる。最近のLSIでは接続ピン数が多くなっており、製作費用の負担が大きく、さらに製作時間が長くなるために、解析のTAT延長という問題が生ずる。
【０００７】
一方、実装ボードを採用した場合、LSIチップが最上面に露出しているため、解析装置の対物レンズの作動距離により解析倍率の制限を受けることは無い。（ここで最近のLSIは多層化と上層に電源/GND配線を敷設されている関係上、表面からの解析が困難であるため、本明細書に記載の事例はシリコン基板側、すなわち裏面からの解析を主な対象としている。）この場合（実装ボードを採用した場合）、対物レンズ作動距離の制限を受けない替わりに、DUTの交換は、一度、DUTを加熱して半田を溶融して取り外し、接続面のクリーニング後、次の解析対象DUTを載せてリフローし、実装する工程を取っている。このため、現状、DUTの取り外し、取り付けに１週間を要し、その間は解析を待つことになる。また、当然、この作業のための費用も発生する。
【０００８】
本発明の目的は、半導体集積回路装置の製造プロセスまたはデバイスに関する不良解析の効率化を図ることにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１１】
すなわち、本発明では上記課題を解決するため、解析用の汎用ソケットを製作した。これは、下面に敷き詰められた一定ピッチのBGAを持つDUTの最大寸法に対応するように、それに対応できるだけの数のポゴコンタクトを配置しており、各種寸法のDUT用汎用ソケットとしている。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明の汎用DUTボードを採用することで、異なる寸法のDUTに対して一つのボードを準備するだけで各種の解析が可能となり、解析のためのボード製作の費用を削減でき、また、解析のための準備時間、さらには、解析全体のTATを短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１５】
１．以下を含む半導体集積回路装置の不良解析用治具：
（ａ）第１の主面上にマトリクス状の多数のパッド状電極を有する配線基板；
（ｂ）前記配線基板の前記第１の主面上に配置され、上側主面と下側主面を有するソケット；
（ｃ）前記ソケットの前記上側主面と前記下側主面間を貫通し、それらの下側プランジャが前記多数のパッド状電極に接触するように埋め込まれた多数のポゴ・コンタクト・ピン；
（ｄ）前記多数のポゴ・コンタクト・ピンの上側プランジャ上に置かれ、前記下側にマトリクス状の多数のバンプ電極を有する被検査板状体を、収容する開口部を有するスペーサ；
（ｅ）前記スペーサと前記被検査板状体の上にあって、前記多数のポゴ・コンタクト・ピンの前記上側プランジャに、前記被検査板状体を押し付ける被検査板状体押さえ、
ここで、前記被検査板状体押さえは、そこを通して前記被検査板状体からの発光を光学観測系により検出するか、または、そこを通して光学励起系により光を用いて前記被検査板状体を励起する窓部を有する。
【００１６】
２．前記１項の半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえの構造は、前記光学観測系または前記光学励起系の対物レンズの動作距離が０．５ミリ・メートル以下でも使用できるようにされている。
【００１７】
３．前記１または２項の半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえの前記窓部の面積は、前記被検査板状体の半導体集積回路チップの面積の５０％以下である。
【００１８】
４．前記１から３項のいずれか一つの半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえと前記被検査板状体間には、これらよりも剛性が低く、前記窓部よりも開口部の面積が小さい中間体が挿入されている。
【００１９】
５．前記４項の半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえはアルミニウムを主要な成分とする部材を主要な構成要素とし、前記半導体集積回路チップはシリコンを主要な成分とする部材を主要な構成要素とし、前記中間体は樹脂部材を主要な成分とする部材を主要な構成要素とする。
【００２０】
６．前記１から５項のいずれか一つの半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえと前記ソケット間の固定と、前記前記ソケットと前記配線基板間の固定を別個に行う。
【００２１】
次に、本願において開示される発明のその他の実施の形態について概要を説明する。
【００２２】
７．以下の工程を含む半導体集積回路装置の不良解析方法：
（ｘ）不良解析用治具に設置された被検査板状体に静的または動的な電圧を印加する工程；
（ｙ）前記静的または動的な電圧を印加した状態で、前記被検査板状体からの発光を光学観測系により検出するか、または、光学励起系により光を用いて前記被検査板状体を励起する工程、
ここで、前記不良解析用治具は以下を含む：
（ａ）前記被検査板状体に前記静的または動的な電圧を印加するために、第１の主面上にマトリクス状に設けられた多数のパッド状電極を有する配線基板；
（ｂ）前記配線基板の前記第１の主面上に配置され、上側主面と下側主面を有するソケット；
（ｃ）前記ソケットの前記上側主面と前記下側主面間を貫通し、それらの下側プランジャが前記多数のパッド状電極に接触するように埋め込まれた多数のポゴ・コンタクト・ピン；
（ｄ）前記多数のポゴ・コンタクト・ピンの上側プランジャ上に置かれ、前記下側にマトリクス状の多数のバンプ電極を有する前記被検査板状体を、収容する開口部を有するスペーサ；
（ｅ）前記スペーサと前記被検査板状体の上にあって、前記多数のポゴ・コンタクト・ピンの前記上側プランジャに、前記被検査板状体を押し付ける被検査板状体押さえ、
更にここで、前記工程（ｙ）の前記被検査板状体からの発光を光学観測系により検出するか、または、光学励起系により光を用いて前記被検査板状体を励起することは、前記被検査板状体押さえに設けられた窓部を通して行われる。
【００２３】
８．前記７項の半導体集積回路装置の不良解析方法において、前記被検査板状体押さえの構造は、前記光学観測系または前記光学励起系の対物レンズの動作距離が０．５ミリ・メートル以下でも使用できるようにされている。
【００２４】
９．前記７または８項の半導体集積回路装置の不良解析方法において、前記被検査板状体押さえの前記窓部の面積は、前記被検査板状体の半導体集積回路チップの面積の５０％以下である。
【００２５】
１０．前記７から９項のいずれか一つの半導体集積回路装置の不良解析方法において、前記被検査板状体押さえと前記被検査板状体間には、これらよりも剛性が低く、前記窓部よりも開口部の面積が小さい中間体が挿入されている。
【００２６】
１１．前記１０項の半導体集積回路装置の不良解析方法において、前記被検査板状体押さえはアルミニウムを主要な成分とする部材を主要な構成要素とし、前記半導体集積回路チップはシリコンを主要な成分とする部材を主要な構成要素とし、前記中間体は樹脂部材を主要な成分とする部材を主要な構成要素とする。
【００２７】
１２．前記７から１１項のいずれか一つの半導体集積回路装置の不良解析用治具において、前記被検査板状体押さえと前記ソケット間の固定と、前記前記ソケットと前記配線基板間の固定を別個に行う。
【００２８】
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数の部分に分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００２９】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。
【００３０】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００３１】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００３２】
５．不良解析用治具とは、一般に被検査板状体である半導体集積回路装置または半導体装置をその上に収容して、不良解析を実行する際に用いる中継体を指すが、ここでは主に静的または動的な電圧パターンを印加した状態で、不良解析装置にセットするためのDUTボード等の試料保持・中継体を言う。
【００３３】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００３４】
（実施の形態）
１．汎用DUTボードの基本的構造の説明（主に図１から３）
図１が汎用DUTボード（不良解析用治具）の断面図である。また、図２はその要部拡大図（図１の要部１０）である。DUTボード（配線基板５）上にソケット４を実装しているが、このソケット４には対象とするBGAピッチの最大ピン数のポゴコンタクト６（ポゴ・ピンまたはポゴ・コンタクト・ピン）を埋め込んである。この中央にDUT（被検査板状体１）を載置して、DUT押さえ３（被検査板状体押さえ）でDUT１を押し込むことで、DUT１のBGA１５（半田バンプ電極）とポゴコンタクト先端６aとの電気的接触を確保するようになっている。この時、DUT１の各種寸法に対しては、図３のようにそれぞれの寸法の外周を決めるスペーサ２を載置してDUT１をソケット４の中央に配置する。DUT１とスペーサ２との高さ方向の関係は図２のDUT押さえ部拡大断面図の通り、DUT押さえ３がDUT１を押さえ込んでおり、スペーサ２はDUT１より僅かに薄く製作しており、ポゴコンタクト６がDUT１の下のBGA１５分だけDUT１が高くなっていることで、電気的接触を確保している。被検査板状体押さえ３と配線基板５はネジ止め部８でネジ止めされている。
【００３５】
また、窓部７は被検査板状体１を光やエネルギー線により励起したり、被検査板状体１からの発光等を観測するために設けられている。
【００３６】
２．現実のDUTとその平坦性を確保した汎用DUTボードの説明（主に図４から８）
セクション１に説明したものが基本的な汎用ソケットの形状と機能であるが、さらに幾つかの改良を加えている。
【００３７】
解析するDUT１は図４(a)のように解析対象のチップ２１と解析非対象チップ２２とがパッケージ２３内で積層されたSIP(= System In Package)であることが多くなっている。この場合、解析対象チップ２１はパッケージ２３内で半田バンプ２５（図４(d)）を介して有機配線基板２４にフリップチップ実装（図４(d)）されているBGA１５側に近いSOC(= System On Chip)であることが多い。そこで、切削工具３１を用いて上側のパッケージと解析非対象チップ２２を除去して、解析対象チップ２１のシリコン基板を露出させて薄膜化、鏡面化して（図４(b）、(c)）解析することになる（チップ裏面からの解析である）。パッケージ２３の寸法は最大10mmであり、研磨後のDUT厚さは0.2mm弱となる。従って、極めて薄いDUT１となっている。図４(d)に示すように、解析対象チップ２１は再配線層２６を有するＷＬＰ（Wafer Level Package）である場合が多い。
【００３８】
実際には図５に示すようにDUTボード５上に配置し、DUTボード５内の積層配線に接続されているポゴ座３２（パッド状電極）に、ソケット４に挿入したポゴピン６の下側プランジャ６bを押しつけて電気的接触を確保し、上側プランジャ６aにパッケージ２３の上面に解析対象チップ２１の裏面が露出したDUT１のBGA１５を押しつけて導通を取る。それらを押しつける力は図６のようにDUT押さえ３を使う設計で汎用DUTボードを製作した。このようにDUTボード５、ソケット４、DUT押さえ３を一括してネジ止めする設計の場合、DUTボード上で場所を取らない。DUTの寸法が５mm□以下の場合には、この構造で充分に解析が可能である。しかし、DUT寸法が大きな場合には問題が生じることが判明した。
【００３９】
この構造の場合、ポゴピン６の下側プランジャ６bを一括してネジ止めしている（図６のネジ止め部８）が、下側プランジャ６bの電気的接触を確保する状態までDUT押さえ３を締め付けると、先端突起が鋭く作られており、比較的弱めでも電気的接触の確保が可能な上側プランジャ６aにも同等な力が印加されることになる。DUT１は図４に示したように薄く研磨されているため、単一ポゴピン当たりの力が比較的弱くてもピン数が多く、加算されると大きな力となり、図７のようにDUT１が変形する。実際に10mm□近いDUTの場合にはDUT１が破損して解析不能となることがある。
【００４０】
従って、このような場合は図８のように一括ネジ止めを止め、ソケット４とDUTボード５とをまず固定（ネジ止め部８b）し、下側プランジャ６bとポゴ座３２とを確実に接続した後、別のネジ（ネジ止め部８a）を用いて、必要充分な力でDUT１を押さえ、DUT１のBGA１５とポゴピン６とを電気的に接続するようにしている。ただし、やはり大きなDUTの場合には変形がすることがあり、その対策が必要な場合がある。
【００４１】
３．大面積のDUTとその平坦性を確保した汎用DUTボードの説明（主に図９から１２）
このためには、図９に示すように、DUT押さえの形状を変更すると有効である。これは解析のために開口している部分（窓部７）を縮小し、DUT１（または対象チップ２１）をより広い面で押さえるようにしたものである。ここで、窓部７の面積は、対象チップ２１の面積の５０％以下に設定することが有効である。また、図１０のように、元々はDUT外形１の直ぐ内側を押さえ込んでいたタイプに対して、中央、上方ずらし、斜方ずらしの３種類のDUT押さえ３を準備することも有効である。４隅の止めネジはＸＹの線対称であるので、必要に応じて、90℃単位で回転して固定して、解析領域を窓部７の中に含めるようにしている。実際の解析でLSIチップ全面から反応を検出することが必要な場合もあるが、通常はこのような全面的な解析の前に、テスタのフェイル・ログを使った局所的な診断を実施することが多くなっており、不良箇所の候補が抽出されており、予め狙う領域がある程度分かっているので、それに合わせて窓部７の位置を選択することが有効である。この方式が比較的簡単な構造で機能として充分であるが、３種類の押さえを作製する必要があるため、少し構造が複雑になるが、図１１のような方式も採用可能である。これは全体（固定DUT押さえ３bの開口部３３）の中心軸廻りで回転する偏芯ディスク３aの偏芯位置に解析用の窓部７を設けたものである。ディスク３aを適当に回転させることでDUT１の任意の位置へのアクセスを可能としており、さらにディスク３aがDUT押さえ３も兼ねており、これでDUT１を押さえて、ポゴピン６とBGA１５との間の電気的接触を確保するようになっている。この方式でも比較的少ない部品点数で、自由度の高い位置設定が可能である。
【００４２】
また、DUT１が特に薄く、割れやすい場合には、剛性の低い中間体を介在させることが有効である。図１２は、このような中間体を介在させるDUTボードの模式上面図および断面図である。図１２(a)、(b)に示すように、被検査板状体１の面積よりも、十分に狭い開口部３７を有する中間体４３を被検査板状体１と被検査板状体押さえ３の間に介在させることで、押さえによる力を分散することができ、割れが低減する。また、ポゴピンの圧力により変形する部分が、開口部３７に限定されるので、変形に起因する割れ、各種の不具合の解消することができる。また図１２(c)に示すように、動作距離が実質的にゼロである光学系を使用する場合においても、被検査板状体押さえ３自体の窓部７を小さくするよりもレンズ８１および鏡筒８２の動作性を確保する上で有利である。
【００４３】
なお、一般に被検査板状体押さえ３はアルミニウムを主要な成分とする部材（金属部材）を主要な構成要素とし、前記半導体集積回路チップ２１はシリコンを主要な成分とする部材を主要な構成要素とし、前記中間体４３は樹脂部材（テフロン（登録商標）、ポリイミド、その他の有機樹脂）を主要な成分とする部材を主要な構成要素としている。
【００４４】
前記実施の形態によれば、位置決め用スペーサ２を準備するだけで一定ピッチのBGA１５を持つ各種寸法のパッケージ２３に対して電気的接触を確保することが可能となる。従って、製品毎に異なるパッケージを装着したDUTボード５を製作する必要が無く、製作費用の削減と解析準備期間の短縮が図れる。また、LSIチップを実装するタイプの解析準備に比べても、チップの取り外し、再ボンディングを考慮すると、より短い時間で解析準備が可能となる。最近の不良解析では解析自体よりも解析準備に時間を要することが多く、準備時間の短縮は解析TATを向上させる上で重要である。解析TATの向上は、不良要因の特定の早期化から開発期間の短縮、歩留りの早期立ち上げ、顧客満足度の向上等、半導体メーカでの価値を高める活動に繋がっていく。
【００４５】
４．本実施の形態の汎用ＤＵＴボードを用いた不良解析の説明（主に図１３から１６）
図１３は本実施の形態の汎用ＤＵＴボードを用いた一般的な不良解析装置の要部を示す正面図である。同図に示すように、ＤＵＴ１はＤＵＴボード５上のソケット４に収容されており、信号ケーブル５４、コネクタ５３、マザーボード５２およびロードモジュール５１を介して、テスタ５５からテスト信号パターンが供給される。不良解析装置には一般に観測用の光学鏡筒（顕微鏡）８３が装備されている。次に、各不良解析装置を説明する。
【００４６】
図１４は発光解析装置（Emission Microscope）による不良解析の模式的断面図である。同図に示すように、ＤＵＴ１にはプローブ機構８５（実際には先に説明したように半田バンプを介して供給される）を通して、スタンバイ状態の静的な電圧パターンが供給される。このとき不良箇所から放射される微弱な発光８６をマイクロチャネル・プレート８３等（光検出器）で受けて、増幅する。これは、たとえば配線の故障箇所、ゲート破壊箇所等の特定に活用される。
【００４７】
図１５はＯＢＩＲＣＨ（Optical Beam Induced Resistance Change）解析装置による不良解析の模式的断面図である。同図に示すように、ＤＵＴ１にはプローブ機構８５（実際には先に説明したように半田バンプを介して供給される）を通して、スタンバイ状態の静的な電圧パターンが供給され、出力はアンプ８８で増幅される。このとき、裏面から赤外線レーザー・ビーム８７で走査して励起すると、励起部において、抵抗が変化する。この抵抗の変化の分布を見て、故障箇所を特定する。これは、たとえばショート箇所、高抵抗箇所、ゲート破壊箇所、形状異常個所等の特定に活用される。
【００４８】
図１６は時間分解発光（Time Resolved Emission）解析装置による不良解析の模式的断面図である。同図(a)に示すように、ＤＵＴ１にはプローブ機構８５（実際には先に説明したように半田バンプを介して供給される）を通して、図示のような動的な電圧繰り返しパターンが供給され、中間電位領域におけるトランジスタからのホット・エレクトロン発光９１，９２，９３，９４が積算観測される。
【００４９】
５．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５０】
不良解析における治具はできる限りの汎用化を図っているが、本発明により、DUTボードまで汎用化できる。従って、発明の対象は不良解析全般であると共に、不良解析に限らず、新製品開発においても、汎用治具を保有していることで、専用治具製作前に特性を前もって検証しておくことにも適用可能となり、LSI全般への適用拡大も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施の形態の汎用ＤＵＴボード（解析用治具）の断面図である。
【図２】本実施の形態の汎用ＤＵＴボードの要部拡大断面図である。
【図３】本実施の形態の汎用DUTボードにおけるDUTとスペーサの関係を示すソケット上面説明図である（一部側断面図含む）。
【図４】本実施の形態におけるDUT（ＳＩＰ製品）の試料加工の様子を示す模式断面図である。
【図５】本実施の形態におけるDUT（ＳＩＰ製品）のDUTボードへの実装前の状態を示す模式断面図である。
【図６】本実施の形態におけるDUT（ＳＩＰ製品）のDUTボードへ実装した状態を示す模式断面図である。
【図７】本実施の形態において、DUT（ＳＩＰ製品）が大きい場合の問題点を説明するためのDUTボードの模式断面図である。
【図８】本実施の形態において、DUT（ＳＩＰ製品）が大きい場合の一つの対策を説明するためのDUTボードの模式断面図である。
【図９】本実施の形態において、DUT（ＳＩＰ製品）が大きい場合の他の一つの対策を説明するためのDUTボードの模式断面図である。
【図１０】本実施の形態において、DUT（ＳＩＰ製品）が大きい場合の更に他の一つの対策を説明するためのDUT押さえ部の上面図である。
【図１１】本実施の形態において、DUT（ＳＩＰ製品）が大きい場合の変心機構を有するDUT押さえ部の上面図である。
【図１２】本実施の形態において、DUT（ＳＩＰ製品）が大きい場合等で、資料が割れやすい場合に剛性の低い中間体を介在させた例を示す模式上面図および断面図である。
【図１３】本実施の形態の汎用ＤＵＴボード（解析用治具）を用いた不良解析（顕微鏡観察を含むもの）の様子を示す模式断面図である。
【図１４】本実施の形態の汎用ＤＵＴボード（解析用治具）を用いた不良解析（発光解析）の様子を示す模式断面図である。
【図１５】本実施の形態の汎用ＤＵＴボード（解析用治具）を用いた不良解析（ＯＢＩＲＣＨ解析）の様子を示す模式断面図である。
【図１６】本実施の形態の汎用ＤＵＴボード（解析用治具）を用いた不良解析（時間分解発光解析）の様子を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  被検査板状体（ＤＵＴ）
２  スペーサ
３  被検査板状体押さえ（ＤＵＴ押さえ）
４  ソケット
５  配線基板（ＤＵＴボード）
６  ポゴ・コンタクト・ピン（全体）
６ａ  上側プランジャ
６ｂ  下側プランジャ
７  窓部
１５  バンプ電極
３２  パッド状電極（ポゴ座）
８３  光学観測系
８７  光学励起系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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