(57)【要約】【課題】ベースへのフィードスルーの接合を効率化する。【解決手段】本発明の一形態は、ＨＤＤの密閉筐体に使用するベースの製造方法である。この製造方法は、インサート・モールドによりインサート金属２５１を有するベース１０２を製造する。インサート金属にフィードスルーが接合される。図７に示すように、第１金型７０１、第２金型７０２、インサート金属２５１を用意する。予めインサート金属の母体表面を、母体よりも半田濡れ性及び耐食性が高い金属でメッキしておく。インサート金属を第１金型内に配置し、さらに、第２金型を第１金型に固定する。第１金型と第２金型との間の開口から、それらの間に形成されている内部空間内に、圧力をかけて溶融金属を流し込む。最後に、金型から鋳造されたベースを取り出す。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク・ドライブ装置の密閉された筐体の一部を構成するベースの製造方法であって、
第２の金属材料で形成された母体を有し、気密接続端子と接合されるインサート金属を型内に配置し、
前記型内に、前記第２の金属材料よりも融点が低い第１の金属材料の液体を流し込み、
前記型内において、前記インサート金属と前記第１の金属材料で形成されたベース本体とを有するベースを鋳造する、
ベースの製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属材料はアルミニウムを主成分とする金属材料である、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の金属材料は鉄を主成分とする金属材料である、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記インサート金属は、前記型内に配置される前に、前記母体の表面に前記第２の金属材料よりも半田濡れ性及び耐食性が高い金属でメッキされている、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ベース本体に接合されている前記インサート金属に、前記気密接続端子を半田接合する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ベース本体に接合されている前記インサート金属に、前記気密接続端子を溶接接合する、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
密閉された筐体内に実装されているディスクと、
前記ディスクにアクセスするヘッドと、
前記ヘッドを支持し、そのヘッドを前記ディスク上で移動する移動機構と、
前記筐体の一部を構成し、アルミニウムを主成分とする第１の金属材料で形成されているベースと、
前記第１の金属材料よりも融点が高い第２の金属材料で形成されており、前記ベースの孔の内側において前記ベースの一部が溶着されているインサート金属と、
前記インサート金属に接合されている気密接続端子と、
を有するディスク・ドライブ装置。
【請求項８】
前記インサート金属部と前記気密接続端子とは半田接合されている、
請求項７に記載のディスク・ドライブ装置。
【請求項９】
前記気密接続端子は、前記インサート金属に接合されており鉄を主成分とする合金で形成されている母体を有するヘッダと、前記ヘッダの孔内に固定され信号伝送する導体と、前記導体の周囲に形成されている絶縁封止材と、を有し、
前記ヘッダは前記母体よりも耐食性と半田濡れ性が高い金属でメッキされており、
前記インサート金属は、鉄を主成分とする合金で形成されている母体とその母体表面に形成され前記母体よりも耐食性と半田濡れ性が高いメッキ金属層とを有する、
請求項８に記載のディスク・ドライブ装置。
【請求項１０】
前記インサート金属と前記気密接続端子とは溶接されている、
請求項７に記載のディスク・ドライブ装置。
【請求項１１】
前記気密接続端子は、前記インサート金属に接合されており鉄を主成分とする合金で形成されている母体を有するヘッダと、前記ヘッダの孔内に固定され信号伝送する導体と、前記導体の周囲に形成されている絶縁封止材と、を有し、
前記インサート金属は、鉄を主成分とする合金で形成されている母体を有する、
請求項１０に記載のディスク・ドライブ装置。
【請求項１２】
前記気密接続端子は、前記インサート金属に接合されており、前記インサート金属の母体と同一の金属材料で形成されているヘッダと、前記ヘッダの孔内に固定され信号伝送する導体と、前記導体の周囲に形成されている絶縁封止材と、を有する、
請求項７に記載のディスク・ドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、密閉された筐体を有するディスク・ドライブ装置及びその筐体の一部を構成するベースの製造方法に関し、特に、ベースへの気密接続端子の接合に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）は、大容量・高記録密度、さらには高速アクセスに対する要求から、磁気ディスクを高速回転させ、ヘッド・スタック・アセンブリ（ＨＳＡ）を高速駆動させている。このため、少なからず、空気の乱れ（風乱）が生じ、磁気ディスクやＨＳＡに振動が発生する。この風乱振動は、高密度に記録された磁気ディスク上のデータにヘッドを位置決めする際の大きな障害となる。風乱の発生はランダムであり、その大きさや周期を予測することは難しく、迅速かつ正確な位置決め制御は、複雑・困難になるためである。また、風乱振動は騒音の要因ともなり装置の静粛性を損なう要因ともなる。
【０００３】
高速回転に伴う装置内の空気の作用で発生する問題としては、上記以外に消費電力の増加がある。磁気ディスクを高速で回転させると、その近傍の空気も一緒に引きずられて回転する。一方、磁気ディスクから離れた空気は静止しているため、この間にせん断力が発生し、ディスク回転を止めようとする負荷となる。これは風損と呼ばれ、高速回転になればなるほど大きくなる。この風損に逆らって高速回転を行うには、モータは大きな出力を必要とし、大きな電力を必要とする。
【０００４】
ここで、前記風乱及び風損は装置内部の気体の密度に比例することに着目し、密封されたＨＤＤ内において、空気の代わりに低密度の気体を封入して風乱や風損を低減しようとするアイデアがある。低密度の気体としては、水素やヘリウムなどが考えられるが、実使用を考慮すると、効果が大きく、安定していて安全性の高いヘリウムが最適と考えられる。ヘリウム・ガスを封入したＨＤＤでは、上記問題を解決し、迅速かつ正確な位置決め制御、省電力、良好な静粛性を実現できる。
【０００５】
しかし、ヘリウムは、その分子がきわめて小さく、拡散係数は大きいため、通常のＨＤＤに用いられている筐体では、密閉性が低く、通常使用中に、ヘリウムが簡単に漏出してしまうという課題があった。そこで、ヘリウム・ガスなどの低密度の気体を封入可能にすべく、例えば、下記特許文献１のような従来例が提案されている。
【０００６】
この従来例では、筐体内のＦＰＣアセンブリと筐体外の回路基板をつなぐフィードスルー（気密接続端子）がベースの開口部に取り付けられ、カバーにより密閉筐体とされる磁気ディスク装置が示されている。そして、筐体内のヘリウムが漏れる可能性が高い箇所である、ベースとカバーの接合部分については、該接合部分を完全に密閉すべく、アルミダイカストで成型されたアルミニウム合金のベースとアルミニウム合金のカバーとをレーザ溶接するようにしている。
【０００７】
また、筐体内のヘリウムが漏れる可能性が高い箇所である、フィードスルーの取り付け部については、該取り付け部を完全に密閉すべく、フィードスルーをヘッダとヘッダにガラス絶縁封止材で固定された複数のピンとで構成し、ヘッダをベースの底面の開口部周縁に半田接合している。密閉された筐体の内外をつなぐ他のコネクタ構造は、例えば、特許文献２に開示されている。特許文献２は、密閉筐体をガラスで形成し、その筐体に直接封着された金属端子を開示している。金属端子が、筐体内外の装置間の信号を伝送する。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／００６８６６６号明細書
【特許文献２】特開平６−１７６５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
金属筐体にフィードスルーを半田接合するためには、多くの工程を必要とする。フィードスルーはＨＤＤのベースに半田接合されるが、そのベースの多くはアルミニウム合金で形成されている。アルミニウムは半田濡れ性が低いため、フィードスルーを直接にベース表面に半田接合することはできない。そのため、ベースをダイカスト及び切削加工により形成した後、フィードスルーと半田接合される領域にニッケル・メッキを施す。これ以外の部分では、ニッケル・メッキが悪影響を及ぼすため、ニッケル・メッキを半田接合部のみに限定する固定が必要である。
【０００９】
このように、アルミニウム合金のベースにフィードスルーを半田接合するためには、多くの付加的な工程が必要となる。上記特許文献２に開示されたＨＤＤのように、ガラス筐体に金属端子を封着する場合には、このような工程は不要であるが、ＨＤＤの筐体をガラスで形成することは、ＨＤＤの用途を限定することになり現実的ではない。
【００１０】
フィードスルーをベースに溶接すれば、半田接合工程よりも少ない工程でフィードスルーをベースに接合することができる。しかし、フィードスルーのヘッダはガラス絶縁封止材の破損を防ぐため、ガラスにできるだけ近い熱膨張率の金属で形成することが要求される。アルミニウムは熱膨張率が大きく、ヘッダの材料として使用することは難しい。そのため、通常は、ヘッダの材料としては鉄系の合金が使用される。鉄系材料とアルミニウム系材料との溶接は困難であるため、フィードスルーをアルミニウム合金のベースに溶接することは困難である。
【００１１】
あるいは、ガラス筐体に金属端子を埋め込むように、アルミニウム合金で形成されるベースに金属端子あるいはフィードスルーをインサート・モールドすれば、上記半田接合工程及びそれに付随する付加的な工程を省略することはできる。しかし、フィードスルーの金属端子の周囲には絶縁封止材が必要であり、ヘリウムなどの低密度気体に対して気密性を確保することができる絶縁封止材として、ガラスが用いられている。一方、インサート・モールドにおいては、溶融されたアルミニウムが高圧で金型内に流し込まれる。従って、衝撃に弱いガラスは、モールド工程において破損する可能性がある。
【００１２】
従って、アルミニウム合金で形成されているベースに、より効率的にフィードスルーを接合することができる手法が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、ディスク・ドライブ装置の密閉された筐体の一部を構成するベースの製造方法である。この製造方法は、第２の金属材料で形成された母体を有し、気密接続端子と接合されるインサート金属を型内に配置する。前記型内に、前記第２の金属材料よりも融点が低い第１の金属材料の液体を流し込む。前記型内において、前記インサート金属と前記第１の金属材料で形成されたベース本体とを有するベースを鋳造する。ベース本体と異なる金属材料で形成されたインサート金属をインサート・モールドすることで、気密接続端子の接合を容易化することができる。
【００１４】
好ましい例において、前記第１の金属材料はアルミニウムを主成分とする金属材料である。これにより、所望形状のベースを容易に製造することができる。また、前記第２の金属材料は鉄を主成分とする金属材料であることが好ましい。これにより、気密接続端子の破損を防ぐと共に、容易に気密接続端子と接合することができる。
【００１５】
前記インサート金属は、前記型内に配置される前に、前記母体の表面に前記第２の金属材料よりも半田濡れ性及び耐食性が高い金属でメッキされていることが好ましい。これにより、インサート金属の信頼性と気密接続端子の接合工程を容易化すると共に、インサート金属の表面に容易にメッキを行うことができる。
【００１６】
好ましい方法として、前記ベース本体に接合されている前記インサート金属に、前記気密接続端子を半田接合する。これにより容易に機密性の高い接合をえることができる。他の好ましい方法として、前記ベース本体に接合されている前記インサート金属に前記気密接続端子を溶接接合する。これにより、より気密性の高い接合を実現することができる。
【００１７】
本発明の他の態様に係るディスク・ドライブ装置は、密閉された筐体内に実装されているディスクと、前記ディスクにアクセスするヘッドと、前記ヘッドを支持しそのヘッドを前記ディスク上で移動する移動機構と、前記筐体の一部を構成しアルミニウムを主成分とする第１の金属材料で形成されているベースと、前記第１の金属材料よりも融点が高い第２の金属材料で形成されており前記ベースの孔の内側において前記ベースの一部が溶着されているインサート金属と、前記インサート金属に接合されている気密接続端子とを有する。
【００１８】
好ましい例において前記インサート金属と前記気密接続端子とは半田接合されている。これにより容易に機密性の高い接合をえることができる。さらに好ましくは、前記気密接続端子は、前記インサート金属に接合されており鉄を主成分とする合金で形成されている母体を有するヘッダと、前記ヘッダの孔内に固定され信号伝送する導体と、前記導体の周囲に形成されている絶縁封止材と、を有し、前記ヘッダは前記母体よりも耐食性と半田濡れ性が高い金属でメッキされており、前記インサート金属は、鉄を主成分とする合金で形成されている母体とその母体表面に形成され前記母体よりも耐食性と半田濡れ性が高いメッキ金属層とを有する。これにより、ヘッダとインサート金属の母体材料として熱膨張率に基づいた材料選択が可能となると共に、半田接合を容易に行うことができる。
【００１９】
好ましい例において前記インサート金属と前記気密接続端子とは溶接されている。これにより、より気密性の高い接合を実現することができる。さらに好ましくは、前記気密接続端子は、前記インサート金属に接合されており鉄を主成分とする合金で形成されている母体を有するヘッダと、前記ヘッダの孔内に固定され信号伝送する導体と、前記導体の周囲に形成されている絶縁封止材とを有し、前記インサート金属は、鉄を主成分とする合金で形成されている母体を有する。これにより、応力による気密接続端子の破損を抑制すると共に、容易に溶接を行うことができる。
【００２０】
好ましくは、前記気密接続端子は、前記インサート金属に接合されており、前記インサート金属の母体と同一の金属材料で形成されているヘッダと、前記ヘッダの孔内に固定され信号伝送する導体と、前記導体の周囲に形成されている絶縁封止材とを有する。これにより、ヘッダとインサート金属の接合を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ベースに対して効率的に気密接続端子を接合することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のために必要に応じて重複説明は省略されている。本実施形態においては、ディスク・ドライブ装置を一例として、ハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）について説明する。本形態のＨＤＤは密閉された筐体を有し、その内部には低密度気体が封入されている。本実施形態は、ＨＤＤの密閉筐体の一部を構成するベースへの気密接続端子（フィードスルー）の接合手法に特徴を有している。
【００２３】
まず、本形態のＨＤＤの全体構成について説明する。図１は、本実施形態に係る密閉型ＨＤＤ１の構成を模式的に示す斜視図である。ＨＤＤ１は、ヘッド・ディスク・アセンブリ１０（ＨＤＡ）と、ＨＤＡ１０の外部底面に固定された制御回路基板５０とを有している。制御回路基板５０は、外部ホストとのインターフェース・コネクタ５０１とインターフェース・コネクタ５０１及び各種ＩＣが実装された基板５０２とを有している。ＨＤＡ１０は、ベース１０２及びトップ・カバー２０１を有している。ベース１０２及びトップ・カバー２０１が筐体の主要部品である。ベース１０２とトップ・カバー２０１とが形成する内部の空間内には、ＨＤＡ１０を構成する各構成部品が収容されている。
【００２４】
図２に示される筐体内の各構成要素の動作は、制御回路基板５０上の制御回路が行う。図２は、密封型ＨＤＤ１の内部構造を示す上面図である。ヘッドの一例である磁気ヘッド１０５は、磁気ディスク１０１への磁気情報の書き込み及び／又は読み出しを行う。磁気ヘッド１０５の移動機構であるアクチュエータ１０６は、磁気ヘッド１０５を保持し、それを移動する。アクチュエータ１０６は回動軸１０７に回動自在に保持されており、駆動機構としてのボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）１０９を備え、これによって駆動される。
【００２５】
磁気ディスク１０１はベース１０２に固定されたスピンドル・モータ（ＳＰＭ）１０３に保持され、所定の角速度で回転される。アクチュエータ１０６は回転している磁気ディスク１０１の上で磁気ヘッド１０５を任意のディスク位置に移動させ、磁気ヘッド１０５は、磁気ディスク１０１上の必要なデータの読み取り／書き込みを行う。
【００２６】
制御回路基板５０上の制御回路と磁気ヘッド１０５との間の信号伝送、制御回路からＶＣＭ１０９への駆動電力（駆動信号）の伝送、及び制御回路からＳＰＭ１０３へ駆動電力（駆動信号）の伝送は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１２２とＦＰＣアセンブリ１２１とを介して行われる。ＦＰＣ１２２及びＦＰＣアセンブリ１２１は、ベース１０２内の信号伝送配線である、ＦＰＣアセンブリ１２１は、気密接続端子であるフィードスルー１５０に接続されている。図３におけるＨＤＤ１の斜視図に示すように、ベース１０２の底面に形成された開口を塞ぐようにベース１０２に接合され、ＦＰＣアセンブリ１２１と制御回路基板５０とを電気的に接続している。特に、本形態のベース１０２には、フィードスルー１５０と接合するためのインサート金属２５１が埋め込まれおり、フィードスルー１５０はそのインサート金属２５１に接合される。
【００２７】
図１に戻って、本形態のＨＤＡ１０の筐体は、上記各構成部品を収容するベース１０２、ベース１０２の上部開口を塞ぐトップ・カバー２０１を有している。本形態のＨＤＤ１は、収容空間内に空気よりも質量密度が小さい気体が封入される。使用する低密度気体は、水素やヘリウムが考えられるが、効果が大きく、安定していて安全性の高いヘリウムが最適であり、以下においてはヘリウムを例として説明する。
【００２８】
ＨＤＤ１の製造工程は、まず、ベース１０２をダイカストと切削を使用して製造する。本形態のベース１０２製造は、インサート・モールドによって、開口の内周にリング状のインサート金属２１１を埋め込む。インサート金属２１１の開口を塞ぐようにフィードスルー１５０を配置し、半田あるいは溶接などの接合方法によってフィードスルー１５０をインサート金属２５１に接合する。この点については後述する。
【００２９】
次にアクチュエータ１０６とヘッド・スライダ１０５とのアセンブリであるヘッド・スタック・アセンブリ（ＨＳＡ）の他、ＳＰＭ１０３、磁気ディスク１０１などを、フィードスルー１５０を接合したベース１０２内に実装し、その後、トップ・カバー２０１をベース１０２に固定する。典型的には、レーザ溶接あるいは半田接合を使用して、トップ・カバー２０１をベース１０２に固定する。その後、トップ・カバー２０１とベース１０２とが構成する収容空間２１３内にヘリウム・ガスを封入する。最後に、制御回路基板５０をＨＤＡ１０に実装し、ＨＤＤ１が完成する。
【００３０】
ここで、トップ・カバー２０１の固定にレーザ溶接あるいは半田接合を行う場合は、その耐久性・信頼性やコストの観点から、ベース１０２とトップ・カバー２０１の材料を選定する必要があり、アルミニウム・ダイカストで成型したベース１０２に対しては、プレスあるいは切削により形成されたアルミニウム合金のトップ・カバー２０１が選定されるのが好ましい。
【００３１】
図４は、フィードスルー１５０の構造を模式的に示す斜視図である。図４に示すように、フィードスルー１５０は、ヘッダ１５１と、ヘッダ１５１を貫通し、ヘッダ１５１に垂直に保持された複数のピン１５２とを有している。ピン１５２の周囲にはガラスもしくはセラミック等の絶縁封止材料１５３が充填され、ピン１５２とヘッダ１５１の間が封止されている。収容空間内において、ピン１５２はＦＰＣアセンブリ１２１に電気的かつ物理的に接続され、ベース１０２の外部において制御回路基板５０に電気的かつ物理的に接続される。
【００３２】
図５は、ベース１０２、トップ・カバー２０１及びベース１０２の底面に接合されたフィードスルー１５０を模式的に示す断面図である。図２及び３に示すように、フィードスルー１５０はＦＰＣアセンブリ１２１付近のベース１０２の底面に設置される。図５において、筐体の内部空間２１３内の各構成要素は省略してある。ベース１０２の本体２１２は、その底に貫通した孔である開口を有しており、また、その孔の内周に沿ってインサート金属２１１が固定されている。インサート金属２５１はリング状の形状を有しており、その中央に開口２５２を有している。その開口２５２を塞ぐように、フィードスルー１５０が配置されている。
【００３３】
フィードスルー１５０は、インサート金属２５１に形成された凹部２５３内に配置されている。密閉型ＨＤＤ１においては、封入された低密度気体のヘリウムを保持する必要があるため、インサート金属２１１とベース１０２との間の接合は高い気密性能が要求される。本形態において、インサート金属２５１を有するベース１０２は、インサート・モールドで製造される。具体的な製造工程は後述するが、金型内にインサート金属２１１を配置し、その金型内に溶融したアルミニウム合金を高圧下で流し込むことで、インサート金属２５１を有するベース１０２が製造される。従って、インサート金属２５１に対してベース１０２の本体２１２が溶着している。これにより、インサート金属２５１とベース本体２１２との間に高い気密性が確保される。
【００３４】
また、同様に、フィードスルー１５０とインサート金属２５１との間の接合も、高い気密性能が要求される。そのため、フィードスルー１５０とインサート金属２５１との間は、半田接合あるいは溶接により接合される。図５の断面図は、フィードスルー１５０とインサート金属２５１との間を半田接合部２５４にて絶縁封止する例を示している。材料選択の広さなどから、半田を使用してフィードスルー１５０をインサート金属２５１に接合することが好ましい。以下においては、半田によりフィードスルー１５０とインサート金属２５１とを接合する態様を主に説明する。
【００３５】
図６（ａ）は、ベース１０２のインサート金属２５１に固定されたフィードスルー１５０及びその近傍の構造を模式的に示す平面図であり、ＨＤＤ１の外側からベース１０２の底面を見た状態を示している。図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＢ−Ｂ切断線における断面にピン１５２を追加した図である。図６（ｂ）において、下側がＨＤＤ１の内部空間２１３である。図６（ａ）に示すように、フィードスルー１５０は配列されたピン１５２を有しており、各列が延びる方向が長手方向であり、その長手方向の垂直方向であって、各列が並ぶ方向が短手方向となっている。フィードスルー１５０の外形、つまりヘッダ１５１の外形は長円形であり、長手方向に延びる平行直線状の２辺と、これら各辺端を結合する２つの半円状の２辺とを有している。
【００３６】
図６（ｂ）に示すように、ベース１０２の底面に接合されているインサート金属２５１の中央には、インサート金属２５１（ベース１０２）を貫通する開口２５２が設けられ、開口２５２の外部側周辺にはフィードスルー１５０の搭載面２５５が形成されている。開口２５２の外形とヘッダ１５１の外形とは略相似形である。フィードスルー１５０はベース１０２外部から、インサート金属２５１の開口２５２を密閉するように、インサート金属２５１に半田接合されている。フィードスルー１０５のヘッダ１５０は開口２５２より大きな外形を有し、その周縁部がインサート金属２５１との間の半田接合部２５４で半田付けされて接合される。
【００３７】
フィードスルー１５０のヘッダ１５１の外形は開口２５２よりも大きく、ヘッダ１５１の周縁部をインサート金属２５１のフィードスルー搭載面２５５にベース１０２の外部側から載置し、ヘッダ１５１の周縁部をインサート金属２５１の凹部２５３に半田付けにて接合し、半田接合部２５４を形成する。典型的には、半田接合部２５４は、ヘッダ１５１側面と凹部２５３内面との間の他、ヘッダ１５１底面とフィードスルー１５０搭載面２５５との間にも形成される。
【００３８】
ヘッダ１５１及びインサート金属２５１の材料は、ガラスあるいはセラミックの絶縁封止材料１５３及びベース本体２１２の材料に適合し、絶縁封止材料１５３及び半田接合部２５４にかかる応力を低減するように選択することが重要である。本形態において、ベース本体２１２はアルミニウムを主成分とする金属で形成される。アルミニウムを主成分とする金属は純アルミニウムも含む。典型的には、アルミニウムと他の金属の合金であるアルミニウム合金でベース本体２１２を形成する。アルミダイカストは寸法精度に優れているうえ、軽量で耐食性に優れており、ベース１０２の材料及び製造方法として好ましいものである。
【００３９】
アルミニウムは比較的熱膨張係数の大きい金属であり、その熱膨張係数は２０(ｐｐｍ/ｄｅｇ．Ｃ)程度である。これに対して、フィードスルー１５０の絶縁封止材１５３に使用されるガラスあるいはセラミックは、熱膨張係数が小さい材料であり、絶縁封止材１５３の熱膨張係数は１０(ｐｐｍ/ｄｅｇ．Ｃ)程度である。
【００４０】
熱膨張率が大きくことなる二つの部材を接合すると大きな応力が発生し、強度の低い部分に破損が生ずる。そのため、ヘッダ１５１及びインサート金属２５１を構成する金属材の熱膨張率は、絶縁封止材１５３とベース本体２１２の熱膨張率のそれぞれの間にあることが好ましい。このような材料の内、好ましい材料は、鉄を主成分とする金属である。その熱膨張係数は組成に依存するが、１５(ｐｐｍ/ｄｅｇ．Ｃ)程度である。鉄を主成分とする金属は純鉄も含む。ヘッダ１５１及びインサート金属２５１の材料として特に好ましい材料は、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）あるいはステンレス鋼（ＳＵＳ）である。これらは鉄を主成分とする合金である。好ましくは、ヘッダ１５１及びインサート金属２５１は同一の金属で形成されるが、これらを異なる金属で形成してもよい。
【００４１】
ヘッダ１５１及びインサート金属２５１は、半田により接合される。鉄を主成分とする金属は耐食性が悪いため、その表面をコーティングすることが必要となる。好ましくは、ヘッダ１５１及びインサート金属２５１の露出表面にメッキ層を形成する。メッキ層、内部の母体材料（上記例においてＳＵＳもしくはＳＰＣＣ）よりも耐食性が高く半田濡れ性が高い金属で形成される。好ましいメッキ材料はニッケルあるいは金であり、製造の容易性からニッケルが好ましい。
【００４２】
本形態のインサート金属２５１は、インサート・モールドによりベース１０２に接合されている。予めニッケル・メッキされたリング状のインサート金属２５１を用意し、それをインサート・モールドによりベース１０２に埋め込むことで、ベース１０２の必要な部分（インサート金属２５１の露出表面）を容易にニッケル・メッキ層で被服することができる。
【００４３】
インサート金属２５１をベース本体２１２にインサート・モールドすることで、フィードスルー１５０とベース１０２とを溶接により容易に接合することができる。ベース本体２１２はアルミニウム合金であるため、それと異なる金属材料のヘッダ１５１を溶接することは困難である。しかし、ヘッダ１５１及びインサート金属２５１を同一の金属材料あるいは属性の近い金属材料（例えばＳＵＳとＳＰＣＣ）で形成することで、これらを溶接による接合することができる。
【００４４】
図７を参照して、インサート・モールドによりベース１０２を製造する製造工程を説明する。ベース１０２の製造は、まず、図７（ａ）に示すように、第１金型７０１、第２金型７０２そしてインサート金属２５１を用意する。インサート金属２５１とフィードスルー１５０を半田接合する場合は、予めインサート金属２５１の母体表面を、母体よりも半田濡れ性及び耐食性が高い金属でメッキしておく。
【００４５】
次に、図７（ｂ）に示すように、インサート金属２５１を第１金型７０１内に配置し、さらに、第２金型７０２を第１金型７０１に固定する。続いて、図７（ｃ）に示すように、第１金型７０１と第２金型７０２との間の開口から、それらの間に形成されている内部空間内に、圧力をかけて溶融金属を流し込む。最後に、図７（ｄ）に示すように、金型７０１、７０２から鋳造されたベース１０２を取り出す。
【００４６】
インサート金属２５１をベース１０２内にモールドするためには、インサート金属２５１（メッキ層を含む）の融点がベース本体２１２の融点よりも高いことが必要である。好ましい材料として例示したＳＵＳ、ＳＰＣＣ、ニッケル、そしてアルミニウム合金はこの条件を満足する。しかし、この条件を満足するのでれば、他の材料を使用して、ベース本体２１２、インサート金属２５１、そしてフィードスルー１５０のヘッダ１５１を形成することができる。
【００４７】
以上、本発明を好ましい実施形態を例として説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加することが可能である。例えば、本発明はＨＤＤに特に有用であるが、それ以外のディスク・ドライブ装置に適用してもよい。また、フィードスルーは、磁気ヘッド信号とＶＣＭの駆動電力及びＳＰＭの駆動電力の全て、あるいはそれらの内の一つあるいは二つのみを伝送するように構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本実施形態において、密閉型ＨＤＤの構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】本実施形態において、ＨＤＤの収容空間内の構造を模式的に示す上面図である。
【図３】本実施形態において、ベースの底面及びそこに接合されたフィードスルーを模式的に示す斜視図である。
【図４】本実施形態において、フィードスルーの構造を示す斜視図である。
【図５】本実施形態において、フィードスルーとベースとの接合状態を模式的に示す断面図である。
【図６】本実施形態において、フィードスルーとインサート金属との接合状態を模式的に示す図である。
【図７】本実施形態において、インサート・モールドによるベースの製造方法を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  ハードディスク・ドライブ、１０  ヘッド・ディスク・アセンブリ
５０  制御回路基板、１０１  磁気ディスク、１０２  ベース
１０３  スピンドル・モータ、１０５  ヘッド・スライダ、１０６  アクチュエータ
１０７  回動軸、１０９  ボイス・コイル・モータ、１２１  ＦＰＣアセンブリ
１２２  ＦＰＣ、１５０  フィードスルー、１５１  ヘッダ、１５２  ピン
１５３  絶縁封止材、２０１  トップ・カバー、２１３  内部空間
２５１  インサート金属、２５２  孔、２５３  凹部、２５４  半田接合部
２５５  フィードスルー載置面、５０１  インターフェース・コネクタ
５０２  制御回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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