(57)【要約】【課題】電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層とが積層された放射線画像検出器において、半導体層の結晶化や特性の劣化を招くことなく放電破壊を防止する。【解決手段】電圧が印加される電圧印加電極１と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層２と、放射線量に応じた電気信号を検出するための電極８,９が設けられた基板７とが積層された放射線画像検出器において、電圧印加電極１の端部に対向する位置に設けられた電極８,９の上面に電荷注入阻止層１５を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層と、放射線量に応じた電気信号を検出するための信号検出電極が設けられた基板とが積層された放射線画像検出器において、
前記電圧印加電極の端部に対向する位置に設けられた前記信号検出電極の上面に電荷注入阻止層が設けられていることを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項２】
電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層と、放射線量に応じた電気信号を検出するための信号検出電極が設けられた基板とが積層された放射線画像検出器において、
前記基板の上面に電荷注入阻止層が設けられ、
前記電圧印加電極の端部に対向する位置に設けられた前記電荷注入阻止層の厚さが前記電圧印加電極の端部より内側の部分に対向する位置に設けられた前記電荷注入阻止層の厚さよりも厚いことを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項３】
前記電荷注入阻止層が、前記半導体層の端部の外側まで延設されていることを特徴とする請求項１または２記載の放射線画像検出器。
【請求項４】
前記電荷注入阻止層が、絶縁材料から形成されていることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の放射線画像検出器。
【請求項５】
前記絶縁材料が、絶縁性無機膜から形成されていることを特徴とする請求項４記載の放射線画像検出器。
【請求項６】
前記電圧印加電極が、負の電圧が印加されるものであり、
前記電荷注入阻止層が、前記信号検出電極から前記半導体層への正孔の注入を阻止するとともに、電子を輸送するものであることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の放射線画像検出器。
【請求項７】
前記電荷注入阻止層が、有機高分子に電子輸送材料を添加したものから形成されていることを特徴とする請求項６記載の放射線画像検出器。
【請求項８】
前記有機高分子が、ポリカーボネートであることを特徴とする請求項７記載の放射線画像検出器。
【請求項９】
前記電子輸送材料が、カーボンクラスターまたはその誘導体、もしくはカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項７または８記載の放射線画像検出器。
【請求項１０】
前記カーボンクラスターが、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレンまたはそれらの誘導体から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項９記載の放射線画像検出器。
【請求項１１】
前記電圧印加電極が、正の電圧が印加されるものであり、
前記電荷注入阻止層が、前記信号検出電極から前記半導体層への電子の注入を阻止するとともに、正孔を輸送するものであることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の放射線画像検出器。
【請求項１２】
前記電荷注入阻止層が、有機高分子物質に正孔輸送材料を添加したものから形成されていることを特徴とする請求項１１記載の放射線画像検出器。
【請求項１３】
前記有機高分子物質が、ポリカーボネートであることを特徴とする請求項１２記載の放射線画像検出器。
【請求項１４】
前記正孔輸送材料が、TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)であることを特徴とする請求項１２または１３記載の放射線画像検出器。
【請求項１５】
電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層と、放射線量に応じた電気信号を検出するための信号検出電極が設けられた基板とが積層された放射線画像検出器において、
前記信号検出電極の上面全体に前記電圧印加電極に印加される電圧と同じ極性を有する電荷のみを輸送する第１の電荷輸送層が設けられ、
該第１の電荷輸送層の上面の前記電圧印加電極の端部に対向する位置に前記極性と逆の極性を有する電荷のみを輸送する第２の電荷輸送層が設けられていることを特徴とする放射線画像検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の照射を受けて電荷を発生し、その電荷を蓄積することにより放射線画像を記録する放射線画像検出器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射により被写体に関する放射線画像を記録する放射線画像検出器が各種提案、実用化されている。
【０００３】
上記放射線画像検出器としては、たとえば、放射線の照射により電荷を発生するアモルファスセレンを利用した放射線画像検出器があり、そのような放射線画像検出器として、いわゆる光読取方式のものやＴＦＴ読取方式のものが提案されている。
【０００４】
光読取方式の放射線画像検出器としては、たとえば、図１５に示すように、放射線画像を担持した放射線を透過する第１の電極層１０１、第１の電極層１を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層１０２、記録用光導電層１０２において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層１０３、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層１０４、および読取光を透過する透明線状電極１０６と読取光を遮光する遮光線状電極１０７とからなる第２の電極層をこの順に積層してなるものが提案されている。
【０００５】
上記のような光読取方式の放射線画像検出器に放射線画像を記録する際には、まず、高圧電源によって放射線画像検出器の第１の電極層１０１に負の電圧を印加した状態において、被写体を透過して被写体の放射線画像を担持した放射線が放射線画像検出器１０１の第１の電極層１０１側から照射される。
【０００６】
そして、放射線画像検出器に照射された放射線は、第１の電極層１０１を透過し、記録用光導電層１０２に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層１０２において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第１の電極層１０１に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として記録用光導電層１０２と電荷輸送層１０３との界面に形成される蓄電部１０５に蓄積されて放射線画像が記録される（図１２参照）。
【０００７】
そして、次に、第１の電極層１０１が接地された状態において、第２の電極層側から読取光が照射され、読取光は透明線状電極１０６を透過して読取用光導電層１０４に照射される。読取光の照射により読取用光導電層１０４において発生した正の電荷が蓄電部１０５における潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が透明線状電極１０６および遮光線状電極１０７に帯電した正の電荷と結合する際に流れる電流が遮光線状電極に接続されたチャージアンプにより検出されて放射線画像に応じた画像信号の読取りが行われる。
【０００８】
しかしながら、上記のようにして放射線画像検出器に放射線画像を記録する際、第１の電極層１０１に負の電圧が印加されるが、このとき第１の電極層１０１の端縁と透明線状電極１０６および遮光線状電極１０７の露出されている端部との間で記録用光導電層１０２の端縁の表面に沿って沿面放電が生じ、放電破壊を起こすおそれがある。また、第１の電極層１０１の端縁から記録用光導電層１０２などの端縁内部を貫通して透明線状電極１０６および遮光線状電極１０７に至る間で絶縁破壊が起こる場合もある。
【０００９】
一方、ＴＦＴ読取方式の放射線画像検出器としては、たとえば、電圧が印加される上部電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層と、半導体層において発生した電荷を蓄積する蓄積容量と蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチとを有する画素が２次元状に多数配列され、画素のＴＦＴスイッチをＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査配線と画素に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ配線とが直交して格子状に設けられたアクティブマトリクス基板とが積層されたものが提案されている。
【００１０】
そして、上記のようなＴＦＴ読取方式の放射線画像検出器に放射線画像を記録する際には、まず、電圧源によって放射線画像検出器の上部電極に正の電圧を印加した状態において、被写体を透過して被写体の放射線画像を担持した放射線が放射線画像検出器の上部電極側から照射される。
【００１１】
そして、放射線画像検出器に照射された放射線は、上部電極を透過し、半導体層に照射される。そして、その放射線の照射によって半導体層において電荷対が発生し、そのうち負の電荷は上部電極に帯電した正の電荷と結合して消滅し、正の電荷は潜像電荷としてアクティブマトリクス基板の各画素の各収集電極に収集され、各蓄積容量に蓄積されて放射線画像が記録される。
【００１２】
そして、アクティブマトリクス基板のＴＦＴスイッチがゲートドライバから走査配線に出力された制御信号に応じてＯＮされ、蓄積容量に蓄積された電荷がデータ配線に読み出され、その電荷信号がデータ配線に接続されたチャージアンプによって検出されることによって放射線画像に応じた画像信号の読取りが行われる。
【００１３】
しかしながら、ＴＦＴ読取方式の放射線画像検出器においても、上記のようにして上部電極に正の電圧を印加すると、上部電極の端縁と走査配線およびデータ配線の露出されている端部との間で半導体層の端縁の表面に沿って沿面放電が生じ、放電破壊を起こすおそれがある。また、上部電極の端縁から半導体層の端縁内部を貫通して走査配線およびデータ配線に至る間で絶縁破壊が起こる場合もある。
【００１４】
そこで、特許文献１に記載の放射線画像検出器においては、上記のような放電破壊を防止するため、電圧が印加される電圧印加電極の端部と半導体層との間に、高耐圧の絶縁性物質を形成することが提案されている。
【特許文献１】特許第３９３２８５７号公報
【特許文献２】特許第３９１３０３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、特許文献１に記載の放射線画像検出器のように、電圧印加電極の端部と半導体層との間に絶縁性膜を形成するようにすると、半導体層は熱に弱いため、たとえば、スパッタ法などにより熱をかけて絶縁性膜を形成することができず、良質な膜を形成することが困難である。また、半導体層がａ−Ｓｅで形成されている場合には、ａ−Ｓｅの結晶化を促すことになる。
【００１６】
また、特許文献２には、光導電層と電荷収集電極層との間に絶縁性を有するＳｉＯ２からなる下引き層を電荷収集電極層の全面に設けることが記載されている。
【００１７】
しかしながら、特許文献２に記載のように電荷収集電極層の全面に絶縁層を設けたのでは、耐圧は優れるが、光導電層と電荷収集電極との電荷のやり取りに影響を与え、放射線画像検出器としての特性が劣化してしまう。
【００１８】
本発明は、上記の事情に鑑み、良質な絶縁膜を形成することができるとともに、上記のようなａ−Ｓｅの結晶化や特性の劣化を招くことなく放電破壊を防止することができる放射線画像検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の第１の放射線画像検出器は、電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層と、放射線量に応じた電気信号を検出するための信号検出電極が設けられた基板とが積層された放射線画像検出器において、電圧印加電極の端部に対向する位置に設けられた信号検出電極の上面に電荷注入阻止層が設けられていることを特徴とする。
【００２０】
ここで、上記「電圧印加電極の端部に対向する位置に設けられた信号検出電極の上面に」とは、電圧印加電極の端部より内側の範囲に対向する位置に設けられた信号検出電極の上面は含まないことを意味する。また、電圧印加電極の端部に対向する位置に設けられた信号検出電極の上面の全体である必要はなく一部でもよい。
【００２１】
本発明の第２の放射線画像検出器は、電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層と、放射線量に応じた電気信号を検出するための信号検出電極が設けられた基板とが積層された放射線画像検出器において、基板の上面に電荷注入阻止層が設けられ、電圧印加電極の端部に対向する位置に設けられた電荷注入阻止層の厚さが電圧印加電極の端部より内側の部分に対向する位置に設けられた電荷注入阻止層の厚さよりも厚いことを特徴とする。
【００２２】
また、上記第１および第２の放射線画像検出器においては、電荷注入阻止層を、半導体層の端部の外側まで延設するようにすることができる。
【００２３】
また、電荷注入阻止層を、絶縁材料から形成するようにすることができる。
【００２４】
また、絶縁性材料を、絶縁性無機膜から形成するようにすることができる。
【００２５】
また、電圧印加電極を、負の電圧が印加されるものとし、電荷注入阻止層を、信号検出電極から半導体層への正孔の注入を阻止するとともに、電子を輸送するものとすることができる。
【００２６】
また、電荷注入阻止層を、有機高分子に電子輸送材料を添加したものから形成するようにすることができる。
【００２７】
また、有機高分子として、ポリカーボネートを利用することができる。
【００２８】
また、電子輸送材料として、カーボンクラスターまたはその誘導体、もしくはカーボンナノチューブを利用することができる。
【００２９】
また、カーボンクラスターとして、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレンまたはそれらの誘導体から選択される少なくとも１種を利用することができる。
【００３０】
また、電圧印加電極を、正の電圧が印加されるものとし、電荷注入阻止層を、信号検出電極から半導体層への電子の注入を阻止するとともに、正孔を輸送するものとすることができる。
【００３１】
また、電荷注入阻止層を、有機高分子物質に正孔輸送材料を添加したものから形成するようにすることができる。
【００３２】
また、有機高分子物質として、ポリカーボネートを利用することができる。
【００３３】
また、正孔輸送材料として、TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)を利用することができる。
【００３４】
本発明の第３の放射線画像検出器は、電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層と、放射線量に応じた電気信号を検出するための信号検出電極が設けられた基板とが積層された放射線画像検出器において、信号検出電極の上面全体に電圧印加電極に印加される電圧と同じ極性を有する電荷のみを輸送する第１の電荷輸送層が設けられ、第１の電荷輸送層の上面の電圧印加電極の端部に対向する位置に上記極性と逆の極性を有する電荷のみを輸送する第２の電荷輸送層が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
本発明の第１および第２の放射線画像検出器によれば、電圧印加電極の端部に対向する位置に設けられた信号検出電極または基板の上面に電荷注入阻止層を設けるようにしたので、電圧印加電極と放射線量に応じた電気信号を検出するための信号検出電極との間の沿面放電を防止することができ、電圧印加電極の端部における放電破壊を防止することができる。
【００３６】
また、上記第１および第２の放射線画像検出器において、電荷注入阻止層を、半導体層の端部の外側まで延設するようにした場合には、沿面放電の発生をより抑制することができる。
【００３７】
本発明の第３の放射線画像検出器によれば、信号検出電極の上面全体に電圧印加電極に印加される電圧と同じ極性を有する電荷のみを輸送する第１の電荷輸送層を設けるとともに、第１の電荷輸送層の上面の電圧印加電極の端部に対向する位置に上記極性と逆の極性を有する電荷のみを輸送する第２の電荷輸送層を設けるようにしたので、電圧印加電極の端部に対向する位置に配置された層を絶縁層として機能させることができる。したがって、電圧印加電極と放射線量に応じた電気信号を検出するための信号検出電極との間の沿面放電を防止することができ、電圧印加電極の端部における放電破壊を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器の第1の実施形態について説明する。第１の実施形態の放射線画像検出器は、いわゆる光読取方式の放射線画像検出器である（本発明の第１の放射線画像検出器の光読取方式の例）。図１は、同検出器の線状電極の長さ方向に沿った断面図であり、図２は、同検出器の線状電極の長さ方向に直交する方向の断面図である。図３は同検出器の上面図である。
【００３９】
第１の実施形態の放射線画像検出器１０は、図１および図２に示すように、放射線画像を担持した放射線を透過する第１の電極層１、第１の電極層１を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層２、記録用光導電層２において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層３、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層４、および第２の電極層５をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層２と電荷輸送層３との界面近傍には、記録用光導電層２内で発生した電荷を蓄積する蓄電部６が形成される。なお、上記各層は、ガラス基板７上に第２の電極層５から順に形成される。なお、第１の電極層１が請求項における電圧印加電極に相当する。
【００４０】
第１の電極層１としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜（ＳｎＯ2）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））などを５０〜２００ｎｍ厚にして用いることができ、また、１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕなども用いることもできる。
【００４１】
第２の電極層５は、読取光を透過する複数の透明線状電極８と読取光を遮光する複数の遮光線状電極９とを有するものである。図１は、透明線状電極８または遮光線状電極９に沿った断面図（図３のＡ−Ａ線断面図またはＢ−Ｂ線断面図）であり、図２は、透明線状電極８および遮光線状電極９の長さ方向に直交する方向の断面図（図３のＣ−Ｃ線断面図）である。図１および図３に示すように、透明線状電極８および遮光線状電極９は、放射線画像検出器１０の一方の端部から他方の端部まで延設されたものである。そして、透明線状電極８と遮光線状電極９とは、図２に示すように、所定の間隔を空けて交互に平行に配列されている。
【００４２】
透明線状電極８は読取光を透過するとともに、導電性を有する材料から形成されている。上記のような材料であれば如何なるものでもよいが、たとえば、第１の電極層１と同様に、ＩＴＯ、ＩＺＯやＩＤＩＸＯを用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｒなどの金属を用いて読取光を透過する程度の厚さ（たとえば、１０ｎｍ程度）で形成するようにしてもよい。
【００４３】
遮光線状電極９は読取光を遮光するとともに、導電性を有する材料から形成されている。上記のような材料であれば如何なるものでもよいが、たとえば、１００−３００ｎｍ厚のＣｒ、Ｍｏ、Ｗがある。または、予めレジスト材料からなる遮光層をストライプ状にパターニングし、その上に上記透明線状電極と同じ材料をストライプ状にパターニングし、遮光された電極として機能させてもよい。
【００４４】
記録用光導電層２は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているａ−Ｓｅを主成分とするものを使用する。記録用光導電層２の厚さは、ａ−Ｓｅの場合１００μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましい。特にマンモグラフィ用途では１５０μｍ以上２５０μｍ以下、一般撮影用途においては５００μｍ以上１２００μｍ以下の範囲であることが特に好ましい。
【００４５】
電荷輸送層３としては、たとえば、放射線画像の記録の際に第１の電極層１に帯電する電荷の移動度と、その逆極性となる電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０２以上、望ましくは１０３以上）、たとえば、ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＶＫ）分散物，Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ、Ａｓ２Ｓｅ３等の半導体物質が適当である。厚さは０．２〜２μｍ程度が適切である。
【００４６】
読取用光導電層４としては、読取光および消去光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、たとえば、ａ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine）、ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）などのうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。厚さは５〜２０μｍ程度が適切である。
【００４７】
ここで、従来の光読取方式の放射線画像検出器においては、上述したように放射線画像を記録する際、第１の電極層１に高圧電圧が印加されるが、このとき第１の電極層１の端縁と透明線状電極８および遮光線状電極９の露出されている端部との間で記録用光導電層２の端縁の表面に沿って沿面放電が生じ、放電破壊を起こすおそれがある。また、第１の電極層１の端縁から記録用光導電層２などの端縁内部を貫通して透明線状電極８および遮光線状電極９に至る間で絶縁破壊が起こる場合もある。
【００４８】
そこで、本実施形態の放射線画像検出器１０においては、図１から図３に示すように、電荷注入阻止層１５が設けられている。そして、電荷注入阻止層１５は、図１に示すように、第１の電極層１の端部１ａに対向する位置に設けられた透明線状電極８および遮光線状電極９の端部の上面に設けられている。そして、本実施形態においては、電荷注入阻止層１５は、図３の斜線で示すように、第１の電極層１の端部１ａの外周に沿って設けられている。ただし、これに限らず、たとえば、透明線状電極８および遮光線状電極９の端部が露出している側の第１の電極層１の端部１ａの辺に沿ってのみ電荷注入阻止層１５を設けるようにしてもよい。また、電荷注入阻止層１５は、図１〜図３に示すように、その端面１５ａが、第１の電極層１の端面１ｂから第１の電極１の内側に向かって距離ｄ１の位置にくるように設けられている。なお、距離ｄ１は１〜５ｍｍ程度が望ましい。また、電荷注入阻止層１５は、図２および図３に示すように、透明線状電極８および遮光線状電極９の画像信号を検出する範囲（距離ｄ１の範囲を除く第１の電極層１の内側の範囲で、以下、画像形成領域という）には設けられていない。
【００４９】
電荷注入阻止層１５は、上述した沿面放電を阻止するとともに、透明線状電極８から記録用光導電層２などへの電荷の注入を阻止するためのものである。電荷注入阻止層１５の材料としては、たとえば、第１の電極層１に負の電圧が印加される場合には、正孔の注入を阻止するものを利用することができ、たとえば、絶縁材料としてＳｉＯやＳｉＯ２などの酸化ケイ素膜、Ｓｉ３Ｎ４などの窒化ケイ素膜、および酸化窒化ケイ素膜などに代表される絶縁性無機膜や、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリパラキシリレンなどに代表される絶縁性有機膜を利用することができる。絶縁材料を用いることにより、沿面放電および記録用光導電層２への電荷の注入をより確実に阻止することができる。窒化ケイ素膜や酸化ケイ素膜を電荷注入阻止層１５として利用する場合には、たとえば、スパッタ法により３００ｎｍの厚さで形成するようにすればよい。特に、本実施形態においては、ａ−Ｓｅを蒸着する前の透明線状電極８またはガラス基板７の上面に電荷注入阻止層１５を設けるようにしたので、スパッタ法による絶縁性無機膜により、十分な熱をかけて電荷注入阻止層を形成することが可能である（ａ−Ｓｅの熱による結晶化の懸念がない）。これらの態様は良質な膜を形成することができるため好ましい。
【００５０】
また、正孔の注入を阻止するとともに、電子を輸送する材料も利用することができる。これにより、透明線状電極８からの記録用光導電層２などへの正孔の注入を阻止するとともに、読取りの際、読取用光導電層４の中で発生した電子については、透明線状電極８に輸送することができ、電荷注入阻止層１５において電子が蓄積して放電破壊を起こす可能性を低くすることができる。たとえば、有機高分子にカーボンクラスターまたはその誘導体、もしくはカーボンナノチューブを添加したものを利用することができる。有機高分子としては、ポリカーボネートを利用することができる。また、カーボンクラスターとしては、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレンまたはそれらの誘導体から選択される少なくとも１種を利用することができる。
【００５１】
なお、カーボンクラスターまたはその誘導体とは、炭素原子が、炭素−炭素間結合の種類は問わず数個から数百個結合して形成されている集合体であって、必ずしも１００％炭素クラスターのみで構成されているとは限らず、他原子の混在や、置換基を有する場合も含むものである。電荷注入阻止層７３の材料として用いるカーボンクラスターは、例えば、フラーレン類の１種あるいは数種を含有してなるものである。
【００５２】
ここで用いられるフラーレンとは、ｓｐ２炭素よりなる球状あるいはラグビーボール状のカーボンクラスターの総称であり、一般にＣ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等が知られている。本発明では、これらを単独で、あるいは混合物として用いることできる。好適には、Ｃ６０とＣ７０の混合物を用いることができる。また、フラーレンを酸化した酸化フラーレンを好適に用いることができる。酸化フラーレンとしては、Ｃ６０（Ｏ）１、Ｃ６０（Ｏ）２、Ｃ６０（Ｏ）３等の混合物を用いることができる。
【００５３】
また、記録用光導電層２と第１の電極層１との間には、上引き層を設けることができる。記録用光導電層２と第１の電極層１との間に結晶化防止層を設ける場合には、結晶化防止層と第１の電極層との間に設けることが望ましい。上引き層は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有するものであることが望ましい。また、上引き層は、第１の電極層１に正のバイアス電圧が印加される場合には正孔ブロック性を、負のバイアス電圧が印加される場合には電子ブロック性を有するものとすることが望ましい。また、この上引き層は、その低効率が１０８Ωｃｍ以上、膜厚が０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。電子ブロック性を有する層としては、Ｓｂ２Ｓ３、ＳｂＴｅ、ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ、ＳｂＳ、ＡｓＳｅ、Ａｓ２Ｓ３等の組成からなる層、ＰＶＫ等の正孔輸送層、またはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、ＮＰＤ、ＴＰＤを混合した膜を好ましく用いることができる。正孔ブロック性を有する層としては、ＣｄＳ、ＣｅＯ２等の膜、またはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合した膜を好ましく用いることができる。
【００５４】
一方、上引き層として、薄い絶縁性高分子膜も好ましく用いることができ、たとえば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ、ＰＶＢ、ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この時の膜厚としては、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００５５】
また、上引き層と同様に、記録用光導電層２と第２の電極層５との間には、下引き層を設けることができる。記録用光導電層２と第２の電極５との間に結晶化防止層がある場合には、結晶化防止層と第２の電極層５との間に設けることが望ましい。下引き層は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが望ましい。下引き層は、第１の電極層に正のバイアス電圧が印加される場合には電子ブロック性を、負のバイアス電圧が印加される場合には正孔ブロック性を有することが好ましい。電子ブロック性を有する層、正孔ブロック性を有する層としては、上述の材料からなる層を用いることができる。
【００５６】
なお、上記結晶化防止層は、記録用光導電層がａ−Ｓｅからなる場合には、ａ−ＳｅにＡｓを５〜４０重量％含有させたものにより作成することができる。
【００５７】
さらに、記録用光導電層がａ−Ｓｅからなる場合には、第１の電極層または第２の電極層からの電荷注入を阻止する目的で、ａ−ＳｅにＡｓを５〜４０重量％含有させた結晶化防止層に、または結晶化防止層のその近傍にある電極側に設けられたａ−Ｓｅを主成分とする中間層に、特定物質を含有させることが好ましい。上記特定物質を含有させるとは、正孔注入を防止する際には、たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ，Ｃｓ等のアルカリ金属や、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ等の物質を１０ｐｐｍ−５０００ｐｐｍの範囲でドープすることを指す。電子注入を防止する際には、Ｃｌ、Ｉ、Ｂｒ等のハロゲン元素や、Ｉｎ２Ｏ３等の物質を１０ｐｐｍ−５０００ｐｐｍの範囲でドープすることを指す。また、上記結晶化防止層または上記中間層の厚さは、上記目的を十分果たすように０．０５μｍ〜１μｍの間に設定するようにすればよい。
【００５８】
次に、上記第１の実施形態の放射線画像検出器への放射線画像の記録および読取りの作用について、図４および図５を用いて説明する。なお、図４および図５においては、電荷注入阻止層１５については、図示省略している。
【００５９】
まず、図４（Ａ）に示すように、高圧電源２０によって放射線画像検出器１０の第１の電極層１に負の電圧を印加した状態において、被写体を透過して被写体の放射線画像を担持した放射線が放射線画像検出器１０の第１の電極層１側から照射される。
【００６０】
そして、放射線画像検出器１０に照射された放射線は、第１の電極層１を透過し、記録用光導電層２に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層２において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第１の電極層１に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として記録用光導電層２と電荷輸送層３との界面に形成される蓄電部６に蓄積されて放射線画像が記録される（図４（Ｂ）参照）。
【００６１】
そして、次に、図５に示すように、第１の電極層１が接地された状態において、第２の電極層５側から読取光Ｌ１が照射され、読取光Ｌ１は透明線状電極８を透過して読取用光導電層４に照射される。読取光Ｌ１の照射により読取用光導電層４において発生した正の電荷が蓄電部６における潜像電荷と結合するとともに、負の電荷が、透明線状電極８に接続されたチャージアンプ３０を介して遮光線状電極９に帯電した正の電荷と結合する。
【００６２】
そして、読取用光導電層５において発生した負の電荷と遮光線状電極９に帯電した正の電荷との結合によって、チャージアンプ３０に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出され、放射線画像に応じた画像信号の読取りが行われる。
【００６３】
本実施形態の放射線画像検出器１０によれば、図１から図３に示すように、電荷注入阻止層１５を設けるようにしたので、第１の電極層１からの沿面放電による放電破壊を防止することができる。
【００６４】
また、上記第１の実施形態の放射線画像検出器１０においては、上述したように第１の電極層１の端部１ａに対向する位置にのみ電荷注入阻止層１５を設け、画像形成領域には電荷注入阻止層１５を設けないようにしたが、これに限らず、画像形成領域にも電荷注入阻止層１５を設けるようにしてもよい（本発明の第２の放射線画像検出器の光読取方式の例）。ただし、上記のように画像形成領域にも電荷注入阻止層１５を設けるようにする場合には、図６および図７の放射線画像検出器１１に示すように、画像形成領域の電荷注入阻止層１５の厚さについては、透明線状電極８および遮光線状電極９と読取用光導電層４との間の電荷の流れが十分に得られる程度とし、第１の電極層１の端部１ａに対向する位置の電荷注入阻止層１５の厚さについては、画像形成領域の電荷注入阻止層１５の厚さよりも厚く、上述した沿面放電を抑制できる程度の厚さとする必要がある。具体的には、たとえば、第１の電極層１の端部１ａに対向する位置の電荷注入阻止層１５の厚さは、０．１〜０．５μｍ程度、画像形成領域の電荷注入阻止層１５の厚さは、０．０１〜０．２μｍ程度とすることが望ましい。なお、ここでいう電荷注入阻止層１５の厚さとはガラス基板７の表面から電荷注入阻止層１５の読取用光導電層４側の表面までの厚さのことである。また、図６および図７に示す距離ｄ１は１〜５ｍｍ程度が好ましい。
【００６５】
なお、上記第１の実施形態の放射線画像検出器１０は、放射線画像の記録時に第１の電極層に負の電圧が印加されるものであるが、第１の電極層に正の電圧が印加されるものでも本発明を適用することができる。その場合には、電荷注入阻止層の材料としては、絶縁材料を利用できるほか、電子の注入を阻止するとともに、正孔を輸送する材料も利用することができる。電子の注入を阻止するとともに、正孔を輸送する材料の具体例は後述する。
【００６６】
また、第１の実施形態の別の変形例として、図８および図９に示すように、第２の電極層５の上面全体（ただし、透明線状電極８および遮光線状電極９の端部は除く）に第１の電極層１に印加される電圧と同じ極性を有する電荷のみを輸送する第１の電荷輸送層１６を設け、その第１の電荷輸送層１６の上面の第１の電極層１の端部に対向する位置に上記極性と逆の極性を有する電荷のみを輸送する第２の電荷輸送層１７を設けるようにしてもよい（本発明の第３の放射線画像検出器の光読取方式の例）。上記のように２層の電荷輸送層を設けることにより、第１の電極層１の端部に対向する位置に配置された層は絶縁層として機能する。なお、第１の電荷輸送層１６の厚さは、０．０１〜０．２μｍ程度とすることが望ましく、図８および図９に示す距離ｄ１は１〜５ｍｍ程度が望ましい。また、第１の電荷輸送層および第２の電荷輸送層の材料としては、上述した電荷注入阻止層の材料を利用することができる。
【００６７】
次に、本発明の放射線画像検出器の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態の放射線画像検出器は、いわゆるＴＦＴ読取方式の放射線画像検出器である（本発明の第１の放射線画像検出器のＴＦＴ読取方式の例）。図１０は第２の実施形態の放射線画像検出器の一部断面図である。
【００６８】
第２の実施形態の放射線画像検出器５０は、図１０に示すように、アクティブマトリクス基板６０と、このアクティブマトリクス基板６０上に積層された放射線検出部７０とから構成されている。
【００６９】
放射線検出部７０は、アクティブマトリクス基板６０上の略全面に形成された半導体層７１と、半導体層７１上に設けられた上部電極７２とを備えている。なお、上部電極７２が請求項における電圧印加電極に相当する。
【００７０】
半導体層７１は、電磁波導電性を有するものであり、Ｘ線が照射されると膜の内部に電荷を発生するものである。半導体層７１としては、たとえば、セレンを主成分とする膜厚１００〜１０００μｍの非晶質ａ−Ｓｅ膜を用いることができる。上記半導体層７１は、アクティブマトリクス基板６０上に真空蒸着法によって形成される。
【００７１】
上部電極７２は、Ａｕ、Ａｌなどの低抵抗の導電材料で形成されている。
【００７２】
アクティブマトリクス基板６０は、ガラス基板６０ａと、ガラス基板６０ａ上に設けられた、放射線の照射により半導体層７１において発生した電荷を収集するための収集電極と収集電極によって収集された電荷が蓄積される蓄積容量と蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素６４と、画素６４のＴＦＴスイッチをＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査配線６５と、画素６４に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ配線６６とを備えている。なお、図１０は、放射線画像検出器５０の断面を模式的に示したものであり、走査配線６５またはデータ配線６６に沿って切断した断面図（図１２のＤ−Ｄ線断面図またはＥ−Ｅ線断面図）である。また、画素６４は、実際には、図１０に示すように走査配線６５またはデータ配線６６上に設けられるものではなく、後述するように直交する走査配線６５およびデータ配線６６の格子部分に２次元状に配列されるものである。また、走査配線６５およびデータ配線６６はガラス基板６０ａ上に設けられている。
【００７３】
図１１に、アクティブマトリクス基板６０の平面図を示す。アクティブマトリクス基板６０には、図１１に示すように、半導体層７１において発生した電荷を蓄積する蓄積容量６２および蓄積容量６２に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチ６３とを有する画素６４が２次元状に多数設けられており、走査配線６５とデータ配線６６とが、格子状に配置されている。そして、データ配線６６の終端には、データ配線６６に流れ出した信号電荷を検出するアンプからなる読出回路８０が接続され、走査配線６５には、ＴＦＴスイッチ６３をＯＮ/ＯＦＦするための制御信号を出力するゲートドライバ９０が接続されている。
【００７４】
ここで、従来のＴＦＴ読取方式の放射線画像検出器においては、上述したように放射線画像を記録する際、上部電極に電圧が印加されるが、このとき上部電極７２の端縁と走査配線６５およびデータ配線６６の露出されている端部との間で半導体層７１の端縁の表面に沿って沿面放電が生じ、放電破壊を起こすおそれがある。また、上部電極７２の端縁から半導体層７１の端縁内部を貫通して走査配線６５およびデータ配線６６に至る間で絶縁破壊が起こる場合もある。
【００７５】
そこで、本実施形態の放射線画像検出器５０においては、図１０および図１２に示すように、電荷注入阻止層２５が設けられている。そして、電荷注入阻止層２５は、図１０に示すように、上部電極７２の端部７２ａに対向する位置に設けられた走査配線６５およびデータ配線６６の端部の上面に設けられている。そして、本実施形態においては、電荷注入阻止層２５は、図１２の斜線で示すように、上部電極７２の端部７２ａの外周に沿って設けられている。ただし、これに限らず、たとえば、走査配線６５またはデータ配線６６の端部が露出している側の上部電極７２の端部７２ａの辺に沿ってのみ電荷注入阻止層２５を設けるようにしてもよい。また、電荷注入阻止層２５は、図１０および図１２に示すように、その端面２５ａが、上部電極７２の端面７２ｂから上部電極７２の内側に向かって距離ｄ２の位置にくるように設けられている。なお、距離ｄ２は１〜５ｍｍ程度が望ましい。また、電荷注入阻止層２５は、図１０および図１２に示すように、画素６４が設けられている範囲（以下、画像形成領域という）には設けられていない。
【００７６】
電荷注入阻止層２５は、上述した沿面放電を阻止するとともに、走査配線６５およびデータ配線６６から半導体層７１への電荷の注入を阻止するためのものである。電荷注入阻止層２５の材料としては、たとえば、上部電極７２に正の電圧が印加される場合には、電子の注入を阻止するものを利用することができ、たとえば、絶縁材料としてＳｉＯやＳｉＯ２などの酸化ケイ素膜、Ｓｉ３Ｎ４などの窒化ケイ素膜、および酸化窒化ケイ素膜などに代表される絶縁性無機膜や、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリパラキシリレンなどに代表される絶縁性有機膜を利用することができる。絶縁材料を用いることにより、沿面放電および半導体層７１への電荷の注入をより確実に阻止することができる。窒化ケイ素膜や酸化ケイ素膜を電荷注入阻止層２５として利用する場合には、たとえば、スパッタ法により３００ｎｍの厚さで形成するようにすればよい。特に、本実施形態においては、ａ−Ｓｅを蒸着する前の走査配線６５およびデータ配線６６またはガラス基板６０ａの上面に電荷注入阻止層２５を設けるようにしたので、スパッタ法による絶縁性無機膜により、十分な熱をかけて電荷注入阻止層を形成することが可能である（ａ−Ｓｅの熱による結晶化の懸念がない）。これらの態様は良質な膜を形成することができるため好ましい。
【００７７】
また、電子の注入を阻止するとともに、正孔を輸送する材料も利用することができる。これにより、走査配線６５およびデータ配線６６から半導体層７１への電子の注入を阻止するとともに、読取りの際、半導体層７１の中で発生した正孔については走査配線６５およびデータ配線６６に輸送することができ、電荷注入阻止層２５において正孔が蓄積して放電破壊を起こすという可能性を低くすることができる。たとえば、TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)を利用することができる。また、TPDをバルク層として形成して電荷注入阻止層１５としてもよいし、ポリカーボネートにTPDを添加したものを塗布して電荷注入阻止層１５を形成するようにしてもよい。
【００７８】
また、上部電極７２と半導体層７１との界面に上述した上引き層、半導体層７１と走査配線６５およびデータ配線６６との界面に上述した下引き層を設けるようにすることができる。
【００７９】
次に、上記第２の実施形態の放射線画像検出器への放射線画像の記録および読取りの作用について説明する。
【００８０】
まず、電圧源によって放射線画像検出器５０の上部電極に正の電圧を印加した状態において、被写体を透過して被写体の放射線画像を担持した放射線が放射線画像検出器５０の上部電極７２側から照射される。
【００８１】
そして、放射線画像検出器５０に照射された放射線は、上部電極７２を透過し、半導体層７１に照射される。そして、その放射線の照射によって半導体層７１において電荷対が発生し、そのうち負の電荷は上部電極７２に帯電した正の電荷と結合して消滅し、正の電荷は潜像電荷として各画素６４の各収集電極６１に収集され、各蓄積容量６２に蓄積されて放射線画像が記録される。
【００８２】
そして、次に、図１１に示すゲートドライバ９０から各走査配線６５にＴＦＴスイッチ６３をＯＮするための制御信号が順次出力される。そして、各走査配線６５に接続されたＴＦＴスイッチ６３がゲートドライバ９０から出力された制御信号に応じてＯＮし、各画素６４の蓄積容量６２からデータ配線６６に蓄積電荷が読み出される。そして、データ配線６６に流れ出した電荷信号は読出回路８０のチャージアンプにより画像信号として検出され、放射線画像に応じた画像信号の読取りが行われる。
【００８３】
本実施形態の放射線画像検出器５０によれば、図１０に示すように、電荷注入阻止層２５を設けるようにしたので、上部電極７２からの沿面放電による放電破壊を防止することができる。
【００８４】
なお、上記第１の実施形態の放射線画像検出器５０においては、上述したように上部電極７２の端部７２ａに対向する位置にのみ電荷注入阻止層２５を設け、画像形成領域には電荷注入阻止層２５を設けないようにしたが、これに限らず、変形例として、画像形成領域にも電荷注入阻止層２５を設けるようにしてもよい（本発明の第２の放射線画像検出器のＴＦＴ読取方式の例）。ただし、上記のように画像形成領域にも電荷注入阻止層２５を設けるようにする場合には、図１３の放射線画像検出器５５に示すように、画像形成領域の電荷注入阻止層２５の厚さについては、画素６４の収集電極６１と半導体層７１との間の電荷の流れが十分に得られる程度とし、上部電極７２の端部７２ａに対向する位置の電荷注入阻止層２５の厚さについては、画像形成領域の電荷注入阻止層２５の厚さよりも厚く、上述した沿面放電を抑制できる程度の厚さとする必要がある。具体的には、たとえば、上部電極７２の端部７２ａに対向する位置の電荷注入阻止層２５の厚さは、０．１〜０．５μｍ程度、画像形成領域の電荷注入阻止層２５の厚さは、０．０１〜０．２μｍ程度とすることが望ましい。なお、ここでいう電荷注入阻止層２５の厚さとはガラス基板６０ａの表面から電荷注入阻止層２５の半導体層７１側の表面までの厚さのことである。また、図１３に示す距離ｄ２は１〜５ｍｍ程度が望ましい。
【００８５】
なお、上記第２の実施形態の放射線画像検出器５０は、放射線画像の記録時に上部電極に正の電圧が印加されるものであるが、上部電極に負の電圧が印加されるものでも本発明を適用することができる。その場合には、電荷注入阻止層の材料としては、絶縁材料を利用できるほか、正孔の注入を阻止するとともに、電子を輸送する材料も利用することができる。正孔の注入を阻止するとともに、電子を輸送する材料としては、第１の実施形態において説明した材料を利用することができる。
【００８６】
また、第１の実施形態と同様に、上部電極７２と半導体層７１との界面に上述した上引き層、半導体層７１と走査配線６５およびデータ配線６６との界面に上述した下引き層を設けるようにすることができる。
【００８７】
また、第２の実施形態の別の変形例として、図１４に示すように、走査配線６５およびデータ配線６６の上面全体（ただし、走査配線６５およびデータ配線６６の端部は除く）に上部電極７２に印加される電圧と同じ極性を有する電荷のみを輸送する第１の電荷輸送層２６を設け、その第１の電荷輸送層２６の上面の上部電極７２の端部に対向する位置に上記極性と逆の極性を有する電荷のみを輸送する第２の電荷輸送層２７を設けるようにしてもよい（本発明の第３の放射線画像検出器のＴＦＴ読取方式の例）。上記のように２層の電荷輸送層を設けることにより、上部電極７２の端部に対向する位置に配置された層は絶縁層として機能する。なお、第１の電荷輸送層２６の厚さは、０．０１〜０．２μｍ程度とすることが望ましく、図１４に示す距離ｄ２は１〜５ｍｍ程度が望ましい。また、第１の電荷輸送層および第２の電荷輸送層の材料としては、上述した電荷注入阻止層の材料を利用することができる。
【００８８】
また、上記実施形態においては、放射線を直接電荷に変換する、いわゆる直接変換型の放射線画像検出器について説明したが、これに限らず、放射線を蛍光体により一旦光に変換し、その光を電荷に変換する、いわゆる間接変換型の放射線画像検出器に類似する構成の放射線画像検出器にも本発明は適用することができる。なお、間接変換型の放射線画像検出器に類似する構成の放射線画像検出器とは、直接変換型の放射線画像検出器よりもａ
−Ｓｅ層を薄くし、光透過型の第１の電極層を設けるとともに、第１の電極層の上方に蛍光体を設け、その蛍光体からの光を電荷に変換するものである。なお、上記のように構成された放射線画像検出器においては、記録用光導電層や半導体層の厚さは１〜３０μｍ程度となり、ＴＦＴ読取方式の放射線画像検出器の場合には、蓄積容量はなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の放射線画像検出器の第１の実施形態を示す一部断面図
【図２】本発明の放射線画像検出器の第１の実施形態を示す一部断面図
【図３】図１に示す放射線画像検出器の上面図
【図４】第１の実施形態の放射線画像検出器への放射線画像の記録の作用を説明するための図
【図５】第１の実施形態の放射線画像検出器からの放射線画像の読取りの作用を説明するための図
【図６】第１の実施形態の放射線画像検出器の電荷注入阻止層の変形例を示す断面図
【図７】第１の実施形態の放射線画像検出器の電荷注入阻止層の変形例を示す断面図
【図８】第１の実施形態の放射線画像検出器の変形例を示す断面図
【図９】第１の実施形態の放射線画像検出器の変形例を示す断面図
【図１０】本発明の第２の実施形態の放射線画像検出器の一部断面図
【図１１】図１０に示す放射線画像検出器のアクティブマトリクス基板の上面図
【図１２】図１０に示す放射線画像検出器の上面図
【図１３】第２の実施形態の放射線画像検出器の電荷注入阻止層の変形例を示す断面図
【図１４】第２の実施形態の放射線画像検出器の変形例を示す断面図
【図１５】従来の放射線画像検出器への放射線画像の記録および読取りの作用を説明するための図
【符号の説明】
【００９０】
１      第１の電極層（電圧印加電極）
２      記録用光導電層（半導体層）
３      電荷輸送層
４      読取用光導電層
５      第２の電極層
６      蓄電部
７      ガラス基板
８      透明線状電極
９      遮光線状電極
１０，１１，５０,５５    放射線画像検出器
１５，２５    電荷注入阻止層
１６,２６    第１の電荷輸送層
１７,２７    第２の電荷輸送層
２０    高圧電源
３０    チャージアンプ
６０    アクティブマトリクス基板
６０ａ    ガラス基板
６１    収集電極
６２    蓄積容量
６３    ＴＦＴスイッチ
６４    画素
６５    走査配線
６６    データ配線
７０    放射線検出部
７１    半導体層
７２    上部電極（電圧印加電極）
８０    読出回路
９０    ゲートドライバ
１０１  第１の電極層
１０２  記録用光導電層
１０３  電荷輸送層
１０４  読取用光導電層
１０５  蓄電部
１０６  透明線状電極
１０７  遮光線状電極
【図１】
2009135245.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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