(57)【要約】【課題】  加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体を提供することを課題とする。【解決手段】  基材の一方の面に薄膜積層体を備える光学薄膜積層体であって、該薄膜積層体が高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも１層以上積層した積層構造であり、且つ、前記基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層が形成されていることを特徴とする光学薄膜積層体とした。また、前記導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率が１．００×１０−４Ω／□未満であることを特徴とする光学薄膜積層体とした。【選択図】図１
2009092913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の一方の面に薄膜積層体を備える光学薄膜積層体であって、
該薄膜積層体が高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも１層以上積層した積層構造であり、且つ、
前記基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層が形成されていることを特徴とする光学薄膜積層体。
【請求項２】
前記導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率が１．００×１０−４Ω／□未満であることを特徴とする請求項１記載の光学薄膜積層体。
【請求項３】
前記導電性薄膜層が、三酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、二酸化錫（ＳｎＯ２）、一酸化亜鉛（ＺｎＯ）、一酸化カドミウム（ＣｄＯ）、カドミウム錫の三酸化物（ＣｄＳｎＯ３）、カドミウム錫の四酸化物（Ｃｄ２ＳｎＯ４）のいずれの化合物も含まないことを特徴とする請求項１または請求項２記載の光学薄膜積層体。
【請求項４】
前記薄膜積層体における高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層が、真空成膜法により形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光学薄膜積層体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の光学薄膜積層体を具備してなることを特徴とする成形品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車部材、車両部材、家電用品部材、携帯電話部材、携帯ゲーム機部材、パーソナルコンピューター部材、ＰＤＡ部材、オーディオ製品部材、カーナビゲーション部材、事務用品部材、スポーツ用品部材、雑貨部材、メガネ・サングラス部材、カメラ部材、光学用品部材、計測機器部材等に用いられる光学薄膜積層体であって、加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、各種部材を彩色する手段として塗料による塗装が一般的に行われている。しかし、塗装は基材により塗料を適宜選択する必要があるため面倒であること、均一な膜厚で塗装することが困難で熟練した技術が必要なこと、曲面への塗装では平面と異なる仕上がりになり易いこと、塗料の塗装ムラや異物の混入により塗膜の欠陥が生じること等の問題がある。
【０００３】
加えて、塗装は多数の工程を要すること、塗装を行うための特殊な専用ブースが必要なこと、塗装ブースおよび塗料の乾燥室の設置には広い面積を占有すること、塗装は必要以上に塗料を消費するためエネルギー効率が悪いこと、一旦塗装された塗膜は回収が困難なためリサイクル性に乏しいこと、塗料の溶剤による作業環境・安全衛生環境の悪化・汚染が付きまとうこと等の問題もある。
【０００４】
金属光沢を有する彩色を行う方法としては、塗装による方法、着色フィルムに金属材料を蒸着する方法がある。前者としては塗料の中にアルミニウムなどの金属フレーク、あるいは雲母フレークを混ぜて行うことができる。しかし、塗料に金属や雲母のフレークを混ぜる方法は、塗料中へのフレークの混入割合に限度があること、ある程度の金属光沢性および光反射性を得るためには３μｍ程度の厚膜に塗装する必要があること、金属光沢感が不十分なため違和感のある見た目になること、更には、乾燥手段に時間を要するため生産性に劣るという問題がある。
【０００５】
一方、後者は金属材料の薄膜が緻密に形成されるため十分な金属光沢が得られる（特許文献１参照）。金属材料の一例としてはアルミニウムが用いられている。アルミニウムの蒸着は比較的容易であり、蒸着レートは速く、安価であり、何より容易に白金色が出せるため一般に利用されている。しかし、この方法によって所望の色の金属光沢を持つフィルムを得るためには色毎の着色フィルムを用意する必要があるため工程管理が面倒になる。更には、着色フィルムに色ムラがあると、着色フィルム上に形成される金属薄膜層の反射により色ムラが拡大されて目立ってしまうという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１３９０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明にあっては、加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために請求項１に係る発明としては、基材の一方の面に薄膜積層体を備える光学薄膜積層体であって、該薄膜積層体が高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも１層以上積層した積層構造であり、且つ、前記基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層が形成されていることを特徴とする光学薄膜積層体とした。
【０００９】
また、請求項２に係る発明としては、前記導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率が１．００×１０−４Ω／□未満であることを特徴とする請求項１記載の光学薄膜積層体とした。
【００１０】
また、請求項３に係る発明としては、前記導電性薄膜層が、三酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、二酸化錫（ＳｎＯ２）、一酸化亜鉛（ＺｎＯ）、一酸化カドミウム（ＣｄＯ）、カドミウム錫の三酸化物（ＣｄＳｎＯ３）、カドミウム錫の四酸化物（Ｃｄ２ＳｎＯ４）のいずれの化合物も含まないことを特徴とする請求項１または請求項２記載の光学薄膜積層体とした。
【００１１】
また、請求項４に係る発明としては、前記薄膜積層体における高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層が、真空成膜法により形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光学薄膜積層体とした。
【００１２】
また、請求項５に係る発明としては、請求項１乃至４のいずれかに記載の光学薄膜積層体を具備してなることを特徴とする成形品とした。
【発明の効果】
【００１３】
上記構成の光学薄膜積層体とすることにより、加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体とすることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の光学薄膜積層体について説明する。
本発明の光学薄膜積層体は、基材の一方の面に高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも１層以上積層した薄膜積層体を備え、基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層を備える。
【００１５】
図１は、本発明の光学薄膜積層体の一例の断面模式図を示した。この光学薄膜積層体１は、基材２と、基材２の一方の面上に設けられた薄膜積層体３と、基材２のもう一方の面上に設けられた導電性薄膜層４から構成される。
【００１６】
図１の光学薄膜積層体にあっては、薄膜積層体３が基材２に近い側から順に高屈折率薄膜層５、低屈折率薄膜層６、高屈折率薄膜層７の３層が順次積層された積層構造をもつ。本発明にあって光学薄膜積層体は、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも１層以上備えていれば良く、図１に限定されるものではない。
【００１７】
本発明の光学薄膜積層体にあっては、薄膜積層体の高屈折率薄膜層及び／または低屈折率薄膜層の光学干渉により、彩色を備える。また、本発明の光学薄膜積層体にあっては、薄膜積層体の高屈折率薄膜層及び／または低屈折率薄膜層を形成する材料により金属光沢を備える。
【００１８】
また、本発明にあっては、薄膜積層体３が設けられた側の反対側の基材上に導電性薄膜層を備える。導電性薄膜層を備えることにより、光学薄膜積層体の導電性薄膜層表面は導電性を備えることが可能となる。導電性薄膜層は、電極層、帯電防止層、もしくは電波吸収層として機能させることができる。導電性薄膜層を、薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に設けることによって他の層に挟まれずに表出した構造となるため、表面抵抗率がより低減でき、更には、製造時の表面抵抗率の制御及び再現性も容易になる。
【００１９】
なお、本発明の光学薄膜積層体の導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率は１．００×１０−４Ω／□以下であることが好ましい。導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率を１．００×１０−４Ω／□以下とすることにより、低抵抗な導電性機能が必要とされる、タッチパネル、無機・有機ＥＬの陽極、液晶パネルの電極、電波吸収体等の電子機器部材に適用することができる。
【００２０】
なお、本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成する高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層、また、導電性薄膜層の形成材料及び各層の膜厚を変更することにより、光透過性と光吸収性を両立することができる。
【００２１】
また、本発明の光学薄膜積層体において導電性薄膜層は、三酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、二酸化錫（ＳｎＯ２）、一酸化亜鉛（ＺｎＯ）、一酸化カドミウム（ＣｄＯ）、カドミウム錫の三酸化物（ＣｄＳｎＯ３）、カドミウム錫の四酸化物（Ｃｄ２ＳｎＯ４）のいずれも含まないことが好ましい。
【００２２】
理由は次のようになる。すなわち、三酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に関しては、希少金属であるインジウムが世界的に供給不足のため価格が高騰しており、問題となっている。インジウムの市場価格は、２００４年以降価格が急激に上昇しており、２００２年には８０〜９５ＵＳドル／ｋｇであったものが、２００４年には２００ＵＳドル／ｋｇを超え、２００５年には１０００ＵＳドル／ｋｇを突破するまでに達している。２００６年以降は価格が下降基調にあるものの未だ高水準であり、今後も当面、高値で推移するものと予測されている。更に、二酸化錫（ＳｎＯ２）に関しては、ある程度の厚膜にしないと低抵抗にならない、ウェットエッチングによるパターンニングが困難であるといった問題がある。一酸化亜鉛（ＺｎＯ）に関しては、大気中での抵抗率が経時的に不安定であり、温度の上昇により抵抗率が変化し易いといった問題がある。一酸化カドミウム（ＣｄＯ）、カドミウム錫の三酸化物（ＣｄＳｎＯ３）、カドミウム錫の四酸化物（Ｃｄ２ＳｎＯ４）に関しては、毒性を有するカドミウムの化合物であるといった問題がある。
【００２３】
導電性薄膜層を、三酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、二酸化錫（ＳｎＯ２）、一酸化亜鉛（ＺｎＯ）、一酸化カドミウム（ＣｄＯ）、カドミウム錫の三酸化物（ＣｄＳｎＯ３）、カドミウム錫の四酸化物（Ｃｄ２ＳｎＯ４）のいずれも含まないとすることにより、上記の問題を回避した導電性を有する光学薄膜積層体を提供することができる。
【００２４】
また、本発明の光学薄膜積層体の薄膜積層体において、高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層は真空成膜法により形成されることが好ましい。本発明の光学薄膜積層体にあっては、薄膜積層体の高屈折率薄膜層及び／または低屈折率薄膜層の光学干渉により、彩色を備える。したがって、高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層は面内において膜厚が均一であることが求められる。
【００２５】
真空成膜法では基材表面の形状を保持したまま薄膜を形成することが可能であり、真空成膜法で堆積していく薄膜形成材料のサイズはオングストロームオーダーの原子・分子であるため、例えば、マイクロメーターオーダーの微細な凹凸を有する基材上に成膜しても表面に均一の厚さで堆積して凹部分を埋めずに元の凹凸形状を保持する。したがって、高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層を真空成膜法により形成することにより、得られる光学薄膜積層体は色ムラのない表面加飾性を得ることができる。
【００２６】
本発明の光学薄膜積層体は、具体的には、液晶ディスプレイ部材、自動車部材、車両部材、家電用品部材、携帯電話部材、パーソナルコンピューター部材、オーディオ製品部材、カーナビゲーション部材、事務用品部材、スポーツ用品部材、雑貨部材、メガネ・サングラス部材、カメラ部材、光学用品部材、計測機器部材等に適用され、成形品として用いることができる。
【００２７】
特に、本発明の光学薄膜積層体は携帯電話、ＰＤＡ、スマートフォン、携帯ゲーム機等の薄型携帯端末機の部材の成形品として用いることができる。薄型携帯端末機は液晶ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の間に溝、あるいは段差を有している場合が多い。溝、あるいは段差が存在することによってディスプレイ部が額縁のように縁取られるため形状デザインが醜くなり好ましくない。
【００２８】
本発明の光学薄膜積層体を筐体及び液晶ディスプレイ表面に貼り合わせることによって、ディスプレイ点灯時はカラーフィルムを通して画像を視認でき、一方、ディスプレイ消灯時はディスプレイを囲う筐体部をカラーフィルムと同じ色調の部材で構成すればディスプレイ部と筐体部の色調が同じになってカラーデザインの統一感を演出できる。
【００２９】
液晶ディスプレイ消灯時の液晶素子の色は濃い灰色をしているが、液晶素子の色自体を彩色することは出来ず、液晶ディスプレイとその回りを囲む筐体に色彩デザイン上の統一感を喪失しており好ましくない。本発明の光学薄膜積層体を用いることにより、消灯時に液晶ディスプレイと筐体の色調が一体となり、ディスプレイ部の存在を意識させないように隠すことができる。一方、点灯時はディスプレイ部が明るくなって画面を浮き上がらせることができる。
【００３０】
また、本発明の光学薄膜積層体は、タッチパネル部材の成形品として用いることができる。本発明の光学薄膜積層体は、加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有するため、液晶ディスプレイの視認側に貼り合わせることにより、種々の機能の選択をディスプレイ上で展開することが可能になり、多彩なエンターテイメント性を演出できる。
【００３１】
以下に本発明の光学薄膜積層体の製造方法について説明する。
【００３２】
（基材）
本発明における基材としては、透明性を有しているものであれば特に限定されるものではなく、プラスチック、ガラス、あるいはこれらを複合した素材が挙げられる。
プラスチック素材としては、例えば、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリウレタン、ポリエチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイト、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルフォン、ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリパラキシレン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニルオキサイド、トリアセチルセルロース、セルロースアセテート、珪素樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＢＳアロイ等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ガラス素材としては、例えば、ソーダライムガラス、硼珪酸ガラス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、無アルカリガラス、鉛ガラス等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、これらプラスチック素材、ガラス素材を各種複合した素材でも構わない。
【００３３】
基材の形状としては、表面が平滑であれば特に限定されず、板状、ロール状等が挙げられる。
【００３４】
基材の表面は薄膜積層体を形成する前に、目的に応じて表面処理を施してもよい。表面処理法としては、例えば、コロナ処理法、蒸着処理法、電子ビーム処理法、高周波放電プラズマ処理法、スパッタリング処理法、イオンビーム処理法、大気圧グロー放電プラズマ処理法、アルカリ処理法、酸処理法等が挙げられる。
【００３５】
基材の厚さは、目的の用途に応じて適宜選択され、通常５μｍ以上１０ｍｍ以下である。プラスチック素材には、公知の添加剤、例えば、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、着色剤、酸化防止剤、難燃剤等が含有されていてもよい。
【００３６】
（薄膜積層体）
本発明における薄膜積層体は、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層の少なくとも１層以上の薄膜層を積層して形成されたものである。
【００３７】
図１には、基材２に近い側から高屈折率薄膜層５、低屈折率薄膜層６、高屈折率薄膜層７の３層が順次積層してなる薄膜積層体３が示されているが、これは一実施例にすぎず、基材２の一方の面上に、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層の少なくとも一層以上を積層していれば、１層であっても、２層以上であってもよく、層数に制限はない。
【００３８】
（高屈折率薄膜層）
本発明における高屈折率薄膜層とは、光の波長５５０ｎｍでの屈折率が１．７５以上の層である。
光の透過性に優れた高屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数を０．０１未満にすれば良く、一方、光吸収性を有する高屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数を０．０１以上にすれば良い。
【００３９】
高屈折率薄膜層の材料としては、例えば、
テルル化鉛（ＰｂＴｅ）（屈折率  １．７５、消衰係数  ２．９０）、
三酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）（屈折率  １．７９、消衰係数  ０）、
二酸化トリウム（ＴｈＯ２）（屈折率  １．８０、消衰係数  ０）、
ニッケル（Ｎｉ）（屈折率  １．８７、消衰係数  ３．３２）、
三酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）（屈折率  １．９１、消衰係数  ０）、
三酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３）（屈折率  １．９３、消衰係数  ０）、
三酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）（屈折率  １．９５、消衰係数  ０）、
十一酸化プラセオジム（Ｐｒ６Ｏ１１）（屈折率  １．９５、消衰係数  ０）、
ロジウム（Ｒｈ）（屈折率  １．９７、消衰係数  ５．０２）、
二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）（屈折率  １．９９、消衰係数  ０）、
三酸化ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）（屈折率  ２．００、消衰係数  ０）、
一酸化珪素（ＳｉＯ）（屈折率  ２．００、消衰係数  ０．０３）、
三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）（屈折率  ２．０４、消衰係数  ０）、
一窒化珪素（ＳｉＮ）（屈折率  ２．０６、消衰係数  ０）、
二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）（屈折率  ２．０６、消衰係数  ０）、
白金（Ｐｔ）（屈折率  ２．１３、消衰係数  ３．７１）、
五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）（屈折率  ２．１４、消衰係数  ０）、
二酸化セリウム（ＣｅＯ２）（屈折率  ２．２０、消衰係数  ０）、
三酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）（屈折率  ２．２４、消衰係数  ０．０７）、
五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）（屈折率  ２．２７、消衰係数  ０）、
二酸化チタン（ＴｉＯ２）（屈折率  ２．３２、消衰係数  ０）、
一硫化亜鉛（ＺｎＳ）（屈折率  ２．３５、消衰係数  ０）、
タンタル（Ｔａ）（屈折率  ２．４８、消衰係数  １．８３）、
チタン（Ｔｉ）（屈折率  ２．５４、消衰係数  ３．３４）、
一炭化珪素（ＳｉＣ）（屈折率  ２．６６、消衰係数  ０）、
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）（屈折率  ２．６９、消衰係数  ０．０２）、
鉄（Ｆｅ）（屈折率  ２．８９、消衰係数  ３．３５）、
三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）（屈折率  ３．００、消衰係数  ０）、
クロム（Ｃｒ）（屈折率  ３．１２、消衰係数  ４．４２）、
タングステン（Ｗ）（屈折率  ３．２４、消衰係数  ２．４９）、
モリブデン（Ｍｏ）（屈折率  ３．７９、消衰係数  ３．５１）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）（屈折率  ３．９５、消衰係数  １．９８）、
珪素（Ｓｉ）（屈折率  ４．０８、消衰係数  ０．０４）、
または、これら材料の混合物が挙げられる。屈折率、消衰係数は光の波長５５０ｎｍのときの値である。
【００４０】
光吸収性を有する高屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数が０．０１以上の材料を使用すればよいが、可視光領域の光透過性を有する程度の膜厚とする必要がある。膜厚が厚過ぎると光透過性のない層になり、逆に、膜厚が薄過ぎると光吸収性が不十分な層になる。光透過性と光吸収性を両立させる好ましい膜厚は０．３ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００４１】
ここで、図１に示す高屈折率薄膜層５、および７とは、必ずしも同一の材料でなくてもよく、目的に合わせて適宜選択されるものである。
【００４２】
（低屈折率薄膜層）
本発明における低屈折率薄膜層とは、光の波長５５０ｎｍでの屈折率が１．７５未満の層である。光の透過性に優れた低屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数を０．０１未満にすれば良く、一方、光吸収性を有する低屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数を０．０１以上にすれば良い。
【００４３】
低屈折率薄膜層の材料としては、例えば、
銀（Ａｇ）（屈折率  ０．０５５、消衰係数  ３．３２）、
金（Ａｕ）（屈折率  ０．３３１、消衰係数  ２．３２）、
銅（Ｃｕ）（屈折率  ０．６７０、消衰係数  ２．８６）、
アルミニウム（Ａｌ）（屈折率  ０．８３４、消衰係数  ６．０３）、
一窒化チタン（ＴｉＮ）（屈折率  １．２５、消衰係数  ２．１０）、
クライオライト（Ｎａ３ＡｌＦ６）（屈折率  １．３５、消衰係数  ０）、
二弗化マグネシウム（ＭｇＦ２）（屈折率  １．３８、消衰係数  ０）、
一弗化リチウム（ＬｉＦ）（屈折率  １．３９、消衰係数  ０）、
二弗化カルシウム（ＣａＦ２）（屈折率  １．４３、消衰係数  ０）、
二酸化珪素（ＳｉＯ２）（屈折率  １．４６、消衰係数  ０）、
二弗化ストロンチウム（ＳｒＦ２）（屈折率  １．４６、消衰係数  ０）、
二弗化バリウム（ＢａＦ２）（屈折率  １．４８、消衰係数  ０）、
三弗化イッテルビウム（ＹｂＦ３）（屈折率  １．５２、消衰係数  ０）、
タングステンとチタンの窒化物（ＴｉＮｘＷｙ）（屈折率  １．５４、消衰係数  １．５２）、
四弗化トリウム（ＴｈＦ４）（屈折率  １．５６、消衰係数  ０）、
四弗化ハフニウム（ＨｆＦ４）（屈折率  １．５７、消衰係数  ０）、
三弗化ランタン（ＬａＦ３）（屈折率  １．５８、消衰係数  ０）、
三弗化ネオジウム（ＮｄＦ３）（屈折率  １．６０、消衰係数  ０）、
三弗化セリウム（ＣｅＦ３）（屈折率  １．６４、消衰係数  ０）、
パラジウム（Ｐｄ）（屈折率  １．６４、消衰係数  ３．８５）、
三酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）（屈折率  １．６７、消衰係数  ０）、
一酸化マグネシウム（ＭｇＯ）（屈折率  １．７４、消衰係数  ０）、
または、これら材料の混合物が挙げられる。屈折率、消衰係数は光の波長５５０ｎｍのときの値である。
【００４４】
光吸収性を有する低屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数が０．０１以上の材料を使用すればよいが、可視光領域の光透過性を有する程度の膜厚とする必要がある。膜厚が厚過ぎると光透過性のない層になり、逆に、膜厚が薄過ぎると光吸収性が不十分な層になる。光透過性と光吸収性を両立させる好ましい膜厚は０．３ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００４５】
本発明における薄膜積層体の高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層は、蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等の真空成膜法により形成することが好ましい。
【００４６】
真空成膜法では基材表面の形状を保持したまま薄膜を形成することが可能である。真空成膜法で堆積していく薄膜形成材料のサイズはオングストロームオーダーの原子・分子であるため、例えば、マイクロメーターオーダーの微細な凹凸を有する基材上に成膜しても表面に均一の厚さで堆積して凹部分を埋めずに元の凹凸形状を保持するため、色ムラのない表面加飾性を得ることができる。
【００４７】
高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層に腐食、劣化性の金属材料を用いる場合は、腐食、劣化を防止するために高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層に隣接して保護層を形成してもよい。ＪＩＳ  Ｚ０１０３−２００４は腐食を「金属がそれをとり囲む環境物質によって、化学的または電気化学的に浸食されるか若しくは材質的に劣化する現象。」と定義している。更に、耐食性を「金属が腐食に耐える性質。」、防食を「金属が腐食するのを防止すること。」としている。従って、保護層に使用する防食剤としては金属を防食する性能を有するものであれば如何なる材料でも構わない。
【００４８】
防食剤としては、例えば、アミン類およびその誘導体、ピロール環を有する物、トリアゾール環を有する物、ピラゾール環を有する物、チアゾール環を有する物、イミダゾール環を有する物、インダゾール環を有する物、銅キレート化合物類、チオ尿素類、メルカプト基を有する物、ナフタレン系の少なくとも一種またはこれらの混合物が挙げられる。
【００４９】
防食剤を塗布する方法としては、スプレー法、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等のウェットプロセスに加えて、蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマ重合法等の真空ドライプロセスにより成膜することができる。防食剤の成分の有効範囲に関しては、防食剤を成膜した箇所の表面に成分が存在する場合のみならず、成分が内部に浸透して表面以外の箇所でも存在する場合も含む。
【００５０】
本発明における薄膜積層体は、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも１層以上積層して形成されたものである。これによると、彩色、金属光沢、光透過性、及び光吸収性を有する光学薄膜積層体を得ることができる。
【００５１】
本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊が１５以上７５以下、ａ＊が１０以上８０以下、ｂ＊が−８０以上８０以下であることが好ましい。これによると、金属光沢と赤色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。
【００５２】
本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊を１５以上６０以下、ａ＊を−２０以上７０以下、ｂ＊を−８０以上−１０以下とすることが好ましい。これによると、金属光沢と青色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。
【００５３】
本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊を１５以上８０以下、ａ＊を−３５以上３５以下、ｂ＊を−２０以上２０以下とすることが好ましい。これによると、金属光沢と銀色、または黒色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。
【００５４】
本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊を１５以上８０以下、ａ＊を−３０以上３０以下、ｂ＊を５以上７０以下とすることが好ましい。これによると、金属光沢と黄色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。
【００５５】
本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊を１５以上８０以下、ａ＊を−７５以上−５以下、ｂ＊を−４５以上４５以下とすることが好ましい。これによると、金属光沢と緑色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。
【００５６】
なお、本発明の光学薄膜積層体におけるＣＩＥＬＡＢの明度Ｌ＊、色相・彩度ａ＊、ｂ＊は、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光を用いて、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠して測定したものであり、薄膜積層体４を形成した側と反対側の導電性薄膜層表面を黒く塗り、測定光源は基材の薄膜積層体を形成した側に設置している。
【００５７】
（導電性薄膜層）
本発明おける導電性薄膜層は、薄膜積層体を形成した側と反対の基材の面上に、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層から選ばれる１層の薄膜層を形成したものである。
【００５８】
導電性薄膜層は、三酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、二酸化錫（ＳｎＯ２）、一酸化亜鉛（ＺｎＯ）、一酸化カドミウム（ＣｄＯ）、カドミウム錫の三酸化物（ＣｄＳｎＯ３）、カドミウム錫の四酸化物（Ｃｄ２ＳｎＯ４）のいずれも含まないことが好ましい。
【００５９】
導電性薄膜層の材料としては、例えば、
銀（Ａｇ）（屈折率  ０．０５５、消衰係数  ３．３２）、
金（Ａｕ）（屈折率  ０．３３１、消衰係数  ２．３２）、
銅（Ｃｕ）（屈折率  ０．６７０、消衰係数  ２．８６）、
アルミニウム（Ａｌ）（屈折率  ０．８３４、消衰係数  ６．０３）、
一窒化チタン（ＴｉＮ）（屈折率  １．２５、消衰係数  ２．１０）、
タングステンとチタンの窒化物（ＴｉＮｘＷｙ）（屈折率  １．５４、消衰係数  １．５２）、
パラジウム（Ｐｄ）（屈折率  １．６４、消衰係数  ３．８５）、
ニッケル（Ｎｉ）（屈折率  １．８７、消衰係数  ３．３２）、
ロジウム（Ｒｈ）（屈折率  １．９７、消衰係数  ５．０２）、
白金（Ｐｔ）（屈折率  ２．１３、消衰係数  ３．７１）、
タンタル（Ｔａ）（屈折率  ２．４８、消衰係数  １．８３）、
チタン（Ｔｉ）（屈折率  ２．５４、消衰係数  ３．３４）、
クロム（Ｃｒ）（屈折率  ３．１２、消衰係数  ４．４２）、
タングステン（Ｗ）（屈折率  ３．２４、消衰係数  ２．４９）、
モリブデン（Ｍｏ）（屈折率  ３．７９、消衰係数  ３．５１）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）（屈折率  ３．９５、消衰係数  １．９８）、
または、これら材料の混合物が挙げられる。屈折率、消衰係数は光の波長５５０ｎｍのときの値である。
【００６０】
光吸収性を有する導電性薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数が０．０１以上の材料を使用すればよいが、可視光領域の光透過性を有する程度の膜厚とする必要がある。膜厚が厚過ぎると光透過性のない層になり、逆に、膜厚が薄過ぎると光吸収性が不十分な層になる。光透過性と光吸収性を両立させる好ましい膜厚は０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００６１】
導電性薄膜層は、ドライプロセスやウェットプロセスにより形成が可能である。ドライプロセスの場合、例えば、蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等で成膜することができる。
【００６２】
ウェットプロセスの場合、透明樹脂中に導電性材料を分散させた溶液を用いて、例えば、スプレー法、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等で成膜することができる。勿論、導電性材料を分散させた溶液を真空蒸着法によって飛散させて成膜してもよい。
【００６３】
導電性薄膜層に腐食、劣化性の金属材料を用いる場合は、腐食、劣化を防止するために導電性薄膜層に隣接して保護層を形成してもよい。保護層に使用する防食剤としては金属を防食する性能を有するものであれば如何なる材料でもよく、例えば、上記で記載した材料、あるいは混合物が挙げられる。
【００６４】
防食剤を塗布する方法としては、スプレー法、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等のウェットプロセスに加えて、蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマ重合法等の真空ドライプロセスにより成膜することができる。導電性薄膜層をウェットプロセスによって形成する場合は、導電性薄膜層を形成する溶液中に防食剤を添加してもよい。防食剤の成分の有効範囲に関しては、防食剤を成膜した箇所の表面に成分が存在する場合のみならず、成分が内部に浸透して表面以外の箇所でも存在する場合も含む。
【００６５】
屈折率、および、消衰係数の光学定数に関しては、分光エリプソメトリー法を用いて、薄膜層試料の表面から反射してくる光の偏光状態の変化を測定することで求めることが可能である。消衰係数に関しては、０．０１以上になると光の吸収が大きくなり、一方、０．０１未満では光の吸収が小さくなるため、光吸収性を有する光吸収薄膜と光透過性に優れた透明薄膜を消衰係数の値で使い分けることが可能である。
【００６６】
本発明の光学薄膜積層体は、以下の式で定義される５°入射、正反射光における波長５５０ｎｍの光での吸収率が２％以上７０％以下であることが好ましい。
（式）    吸収率（％）＝１００％−透過率（％）−反射率（％）
光学薄膜積層体の吸収率を２％以上７０％以下とすることにより、光吸収性と光透過性を両立させた性能を付与することができる。光学薄膜積層体の吸収率が７０％を超えるような場合、光透過性が不十分となってしまい、例えば、液晶ディスプレイ部材に適用した場合、ディスプレイ画面の画像の視認性が悪くなり問題になる。一方、光学薄膜積層体の吸収率が２％を満たない場合、光吸収性が不十分となってしまい、例えば、本発明の光学薄膜積層体を薄型携帯端末機の液晶ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の全面を覆うように貼り合わせた場合、ディスプレイ部と筐体部の色調が異なり、カラーデザインの統一感を演出できなくなり問題になる。
【００６７】
本発明の光学薄膜積層体は、具体的には、自動車部材、車両部材、家電用品部材、携帯電話部材、携帯ゲーム機部材、パーソナルコンピューター部材、ＰＤＡ部材、オーディオ製品部材、カーナビゲーション部材、事務用品部材、スポーツ用品部材、雑貨部材、メガネ・サングラス部材、カメラ部材、光学用品部材、計測機器部材等に適用される。
【００６８】
本発明の光学薄膜積層体を、携帯電話、ＰＤＡ、スマートフォン、携帯ゲーム機等の薄型携帯端末機の液晶ディスプレイ部上に貼り合わせることにより、ディスプレイ消灯時は液晶素子を見えなくして隠し、一方、ディスプレイ点灯時は光学薄膜積層体を通してディスプレイ画面の画像が視認できるようになる。更に、液晶ディスプレイ部のみならず、ディスプレイ部の周囲にある筐体をディスプレイ部も含めて本発明の光学薄膜積層体で被覆することによって、ディスプレイ消灯時にディスプレイ部と筐体の見た目の質感を一体にすることが可能になる。つまり、ディスプレイ点灯時だけディスプレイ部の画像が浮かび上がって視認できるようになるため、ディスプレイ部と周囲の筐体部のデザインに統一感を持たせることができるようになる。
【００６９】
加えて、本発明の光学薄膜積層体を、薄型携帯端末機の液晶ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の全面を覆うように貼り合わせれば、液晶ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の間に溝、あるいは段差が無く滑らかになり、形状デザインがすっきりとした統一感のあるものになる。ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の形状が一体となることで構造上の容積を減らせるため薄型携帯端末機をより一層薄型化することも可能になる。
【００７０】
更に、本発明の光学薄膜積層体は、導電性を有しているためタッチパネル部材として使用することができる。特に、導電性材料に三酸化インジウム、二酸化錫、一酸化亜鉛、一酸化カドミウム、カドミウム錫の三酸化物、カドミウム錫の四酸化物を使用しない場合には、安価でかつ生産供給が安定した、ウェットエッチングによるパターンニングが容易で、大気中での抵抗率が安定した、毒性の無い、加飾性、金属光沢性、光透過性、光吸収性を兼備した導電性部材を提供することが可能である。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００７２】
［実施例１］
図２に示すように、基材２である、厚さ１００μｍの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層５、低屈折率薄膜層６、高屈折率薄膜層７、低屈折率薄膜層８、高屈折率薄膜層９からなる薄膜積層体３を以下のように形成した。
【００７３】
まず、基材２上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚３０ｎｍの高屈折率薄膜層５を形成した。
【００７４】
高屈折率薄膜層５の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１５ｎｍの低屈折率薄膜層６を形成した。
【００７５】
低屈折率薄膜層６の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚５５ｎｍの高屈折率薄膜層７を形成した。
【００７６】
高屈折率薄膜層７の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚６５ｎｍの低屈折率薄膜層８を形成した。
【００７７】
低屈折率薄膜層８の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１０ｎｍの高屈折率薄膜層９を形成し、薄膜積層体３を完成させた。
【００７８】
次に、基材２の薄膜積層体３を形成した面と反対の面上に、１層の薄膜層からなる導電性薄膜層４を以下のように形成した。
【００７９】
基材２上に、ニッケル（Ｎｉ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚７ｎｍの導電性薄膜層４を形成し、光学薄膜積層体１を完成させた。
【００８０】
得られた光学薄膜積層体１について、薄膜積層体３を形成した側と反対側の導電性薄膜層４表面を黒く塗り、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊が３５．９、ａ＊が０．６、ｂ＊が０．２であった。
【００８１】
得られた光学薄膜積層体１について、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、透過光における視感平均透過率Ｙは４６．６％であった。
【００８２】
以下の式で定義される５°入射、波長５５０ｎｍの光における光学薄膜積層体１の吸収率は４８．１％であった。
（式）    吸収率（％）＝１００％−透過率（％）−反射率（％）
【００８３】
得られた光学薄膜積層体１を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、銀色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体１を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。
【００８４】
上記した分光測定は、Ｕ−４０００形  自記分光光度計（株式会社  日立製作所製）を用いて行った。測定手順は次に示すとおりである。まず、反射明度、および反射色相・彩度の場合、光学薄膜積層体１の薄膜積層体３を形成した側と反対側の導電性薄膜層４表面全面を黒い塗料でムラの出ないように塗りつぶした。黒い塗料で塗りつぶした基材２を太陽光の自然光あるいは蛍光灯などの人工光にかざして、基材２を通して光が漏れていないか確認した。基材２の黒塗りしなかった面側をＵ−４０００形  自記分光光度計の測定光源に向けて設置した。このとき、薄膜積層体を形成した基材２表面における鉛直線に対して測定光が５°の角度を持って基材２表面に入射するように設置した。基材２表面で正反射される光の方向で、かつ、２°視野になる位置に測光器を設置して可視光領域（３８０〜７８０ｎｍ）における分光反射率を測定し、ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１に規定される三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚを求めた。三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚの計算は５ｎｍ間隔で実施した。続いて、三刺激値を用いてＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に規定されるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系の明度Ｌ＊、色相・彩度ａ＊、ｂ＊を求めた。
【００８５】
次に、視感平均透過率Ｙの場合、光学薄膜積層体１の薄膜積層体３を形成した側をＵ−４０００形  自記分光光度計の測定光源に向けて設置した。このとき、薄膜積層体を形成した基材２表面における鉛直線に対して測定光が５°の角度を持って基材２表面に入射するように設置した。基材２を透過した光の方向で、かつ、２°視野になる位置に測光器を設置して可視光領域（３８０〜７８０ｎｍ）における分光透過率を測定し、ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１に規定される三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚを求めた。三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚの計算は５ｎｍ間隔で実施した。
【００８６】
更に、吸収率に関しては、予め測定した可視光領域（３８０〜７８０ｎｍ）における分光反射率、および分光透過率のうち波長５５０ｎｍのときのそれぞれの値を百分率から引いて求めた。吸収率を求める際の分光反射率の測定に関しては、光学薄膜積層体１の薄膜積層体３を形成した側と反対側の導電性薄膜層４表面を黒く塗らずに、光学薄膜積層体１の薄膜積層体３を形成した側をＵ−４０００形  自記分光光度計の測定光源に向けて設置して行った。
【００８７】
なお、本発明におけるＣＩＥＬＡＢの明度Ｌ＊、色相・彩度ａ＊、ｂ＊は、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野の条件でＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠して測定したものである。
【００８８】
また、得られた光学薄膜積層体１の導電性薄膜層４側の表面抵抗率を測定したところ６．９３×１０＋１Ω／□であった。
【００８９】
上記した表面抵抗率の測定は、ロレスタ−ＨＰ（三菱化学株式会社製）を用いて行った。プローブには四探針プローブ（プローブのピン間隔  ５ｍｍ）を使用した。測定手順に関しては、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４−１９９４に準拠した。
【００９０】
［実施例２］
図３に示すように、基材２である、厚さ１００μｍの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層５、高屈折率薄膜層７、低屈折率薄膜層６、高屈折率薄膜層９からなる薄膜積層体３を以下のように形成した。
【００９１】
基材２上に、ニッケル（Ｎｉ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１．５ｎｍの高屈折率薄膜層５を形成した。
【００９２】
高屈折率薄膜層５の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの高屈折率薄膜層７を形成した。
【００９３】
高屈折率薄膜層７の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚５０ｎｍの低屈折率薄膜層６を形成した。
【００９４】
低屈折率薄膜層６の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１５ｎｍの高屈折率薄膜層９を形成し、薄膜積層体３を完成させた。
【００９５】
次に、基材２の薄膜積層体３を形成した面と反対の面上に、１層の薄膜層からなる導電性薄膜層４を以下のように形成した。
【００９６】
基材２上に、クロム（Ｃｒ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１０ｎｍの導電性薄膜層４を形成し、光学薄膜積層体１を完成させた。
【００９７】
薄膜積層体３を形成した側と反対側の導電性薄膜層４表面を黒く塗り、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊が５４．５、ａ＊が−０．５、ｂ＊が−０．９であった。
【００９８】
得られた光学薄膜積層体１について、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、透過光における視感平均透過率Ｙは１５．５％であった。
【００９９】
５°入射、波長５５０ｎｍの光における光学薄膜積層体１の吸収率は６５．６％であった。
【０１００】
得られた光学薄膜積層体１を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、黒色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体１を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。
【０１０１】
得られた光学薄膜積層体１の導電性薄膜層４側の表面抵抗率を測定したところ１．１７×１０＋３Ω／□であった。
【０１０２】
［実施例３］
図４に示すように、基材２である、厚さ１００μｍの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層５、低屈折率薄膜層６、高屈折率薄膜層７、低屈折率薄膜層８、高屈折率薄膜層９からなる薄膜積層体３を以下のように形成した。
【０１０３】
まず、基材２上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚７０ｎｍの高屈折率薄膜層５を形成した。
【０１０４】
高屈折率薄膜層５の上に、一窒化チタン（ＴｉＮ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１５ｎｍの低屈折率薄膜層６を形成した。
【０１０５】
低屈折率薄膜層６の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚５５ｎｍの高屈折率薄膜層７を形成した。
【０１０６】
高屈折率薄膜層７の上に、一窒化チタン（ＴｉＮ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１５ｎｍの低屈折率薄膜層８を形成した。
【０１０７】
低屈折率薄膜層８の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚３５ｎｍの高屈折率薄膜層９を形成し、薄膜積層体３を完成させた。
【０１０８】
次に、基材２の薄膜積層体３を形成した面と反対の面上に、１層の薄膜層からなる導電性薄膜層４を以下のように形成した。
【０１０９】
基材２上に、銀（Ａｇ）中に金（Ａｕ）を２．５原子パーセント含有させた合金を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚９ｎｍの導電性薄膜層４を形成した。
【０１１０】
更に、導電性薄膜層４の上に、防食剤の２‐ヘプタデシルイミダゾールをメタノールの溶媒に溶解した溶液をマイクログラビア法で塗布して保護層１０を形成し、光学薄膜積層体１を完成させた。
【０１１１】
得られた光学薄膜積層体１について、薄膜積層体３を形成した側と反対側の導電性薄膜層４表面を黒く塗り、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊が３８．５、ａ＊が−２９．５、ｂ＊が０．４であった。
【０１１２】
得られた光学薄膜積層体１について、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、透過光における視感平均透過率Ｙは２５．０％であった。
【０１１３】
５°入射、波長５５０ｎｍの光における光学薄膜積層体１の吸収率は６２．２％であった。
【０１１４】
得られた光学薄膜積層体１を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、緑色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体１を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。
【０１１５】
得られた光学薄膜積層体１の導電性薄膜層４側の表面抵抗率を測定したところ１．１５×１０＋１Ω／□であった。
【０１１６】
［実施例４］
図３に示すように、基材２である、厚さ１００μｍの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層５、高屈折率薄膜層７、低屈折率薄膜層６、高屈折率薄膜層９からなる薄膜積層体３を以下のように形成した。
【０１１７】
基材２上に、ニッケル（Ｎｉ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚２．０ｎｍの高屈折率薄膜層５を形成した。
【０１１８】
高屈折率薄膜層５の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚６５ｎｍの高屈折率薄膜層７を形成した。
【０１１９】
高屈折率薄膜層７の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚６５ｎｍの低屈折率薄膜層６を形成した。
【０１２０】
低屈折率薄膜層６の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚３０ｎｍの高屈折率薄膜層９を形成し、薄膜積層体３を完成させた。
【０１２１】
次に、基材２の薄膜積層体３を形成した面と反対の面上に、１層の薄膜層からなる導電性薄膜層４を以下のように形成した。
【０１２２】
基材２上に、ニッケル（Ｎｉ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚５ｎｍの導電性薄膜層４を形成し、光学薄膜積層体１を完成させた。
【０１２３】
薄膜積層体３を形成した側と反対側の導電性薄膜層４表面を黒く塗り、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊が４７．５、ａ＊が０．７、ｂ＊が−４０．０であった。
【０１２４】
得られた光学薄膜積層体１について、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、透過光における視感平均透過率Ｙは４１．２％であった。
【０１２５】
５°入射、波長５５０ｎｍの光における光学薄膜積層体１の吸収率は４４．０％であった。
【０１２６】
得られた光学薄膜積層体１を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、青色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体１を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。
【０１２７】
得られた光学薄膜積層体１の導電性薄膜層４側の表面抵抗率を測定したところ２．６７×１０＋２Ω／□であった。
【０１２８】
［実施例５］
図２に示すように、基材２である、厚さ１００μｍの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層５、低屈折率薄膜層６、高屈折率薄膜層７、低屈折率薄膜層８、高屈折率薄膜層９からなる薄膜積層体３を以下のように形成した。
【０１２９】
基材２上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚８５ｎｍの高屈折率薄膜層５を形成した。
【０１３０】
高屈折率薄膜層５の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚９０ｎｍの低屈折率薄膜層６を形成した。
【０１３１】
低屈折率薄膜層６の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚２５ｎｍの高屈折率薄膜層７を形成した。
【０１３２】
高屈折率薄膜層７の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率薄膜層８を形成した。
【０１３３】
低屈折率薄膜層８の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚２０ｎｍの高屈折率薄膜層９を形成し、薄膜積層体３を完成させた。
【０１３４】
次に、基材２の薄膜積層体３を形成した面と反対の面上に、１層の薄膜層からなる導電性薄膜層４を以下のように形成した。
【０１３５】
基材２上に、タングステン（Ｗ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚７ｎｍの導電性薄膜層４を形成し、光学薄膜積層体１を完成させた。
【０１３６】
得られた光学薄膜積層体１について、薄膜積層体３を形成した側と反対側の導電性薄膜層４表面を黒く塗り、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、
Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊が３２．６、ａ＊が−０．７、ｂ＊が４３．０であった。
【０１３７】
得られた光学薄膜積層体１について、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、透過光における視感平均透過率Ｙは３０．２％であった。
【０１３８】
５°入射、波長５５０ｎｍの光における光学薄膜積層体１の吸収率は３９．０％であった。
【０１３９】
得られた光学薄膜積層体１を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、黄色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体１を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。
【０１４０】
得られた光学薄膜積層体１の導電性薄膜層４側の表面抵抗率を測定したところ３．５０×１０＋１Ω／□であった。
【０１４１】
［実施例６］
図２に示すように、基材２である、厚さ１００μｍの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層５、低屈折率薄膜層６、高屈折率薄膜層７、低屈折率薄膜層８、高屈折率薄膜層９からなる薄膜積層体３を以下のように形成した。
【０１４２】
基材２上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１００ｎｍの高屈折率薄膜層５を形成した。
【０１４３】
高屈折率薄膜層５の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１１５ｎｍの低屈折率薄膜層６を形成した。
【０１４４】
低屈折率薄膜層６の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚６０ｎｍの高屈折率薄膜層７を形成した。
【０１４５】
高屈折率薄膜層７の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚１５０ｎｍの低屈折率薄膜層８を形成した。
【０１４６】
低屈折率薄膜層８の上に、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚８５ｎｍの高屈折率薄膜層９を形成し、薄膜積層体３を完成させた。
【０１４７】
次に、基材２の薄膜積層体３を形成した面と反対の面上に、１層の薄膜層からなる導電性薄膜層４を以下のように形成した。
【０１４８】
基材２上に、ニッケル（Ｎｉ）を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚７．５ｎｍの導電性薄膜層４を形成し、光学薄膜積層体１を完成させた。
【０１４９】
得られた光学薄膜積層体１について、薄膜積層体３を形成した側と反対側の導電性薄膜層４表面を黒く塗り、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、正反射光におけるＣＩＥＬＡＢ（ＪＩＳ  Ｚ  ８７２９に準拠）のＬ＊が６０．５、ａ＊が４８．６、ｂ＊が−０．１であった。
【０１５０】
得られた光学薄膜積層体１について、基材２の薄膜積層体３を形成した側に測定光源を設置したとき、Ｄ６５光源、５°入射、２°視野、透過光における視感平均透過率Ｙが３４．８％であった。
【０１５１】
５°入射、波長５５０ｎｍの光における光学薄膜積層体１の吸収率は４５．４％であった。
【０１５２】
得られた光学薄膜積層体１を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、赤色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体１を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。
【０１５３】
得られた光学薄膜積層体１の導電性薄膜層４側の表面抵抗率を測定したところ４．８４×１０＋１Ω／□であった。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本発明の光学薄膜積層体の一例の断面模式図である。
【図２】実施例１、５、６の光学薄膜積層体を示す断面模式図である。
【図３】実施例２、４の光学薄膜積層体を示す断面模式図である。
【図４】実施例３の光学薄膜積層体を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【０１５５】
１      光学薄膜積層体
２      基材
３      薄膜積層体
４      導電性薄膜層
５      高屈折率薄膜層
６      低屈折率薄膜層
７      高屈折率薄膜層
８      低屈折率薄膜層
９      高屈折率薄膜層
１０    保護層
【図１】
2009092913.tif 000003
【図２】
2009092913.tif 000004
【図３】
2009092913.tif 000005
【図４】
2009092913.tif 000006