(57)【要約】 【課題】液体が基板の裏面に付着することを抑制でき、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、カバー部材を備えている。カバー部材は、基板の表面の周縁領域の少なくとも一部と第１間隙を介して対向する第１面を備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で露光される基板の表面の周縁領域の少なくとも一部と第１間隙を介して対向する第１面を備えたカバー部材。
【請求項２】
前記第１面は、前記液体に対して撥液性である請求項１記載のカバー部材。
【請求項３】
前記第１面は、前記基板の表面の外形に応じた環状である請求項１又は２記載のカバー部材。
【請求項４】
前記基板の表面は、前記液体に対して撥液性の膜の表面を含み、
前記周縁領域は、前記膜が除去された領域を含む請求項１〜３のいずれか一項記載のカバー部材。
【請求項５】
前記第１面は、前記膜の一部と対向する請求項４記載のカバー部材。
【請求項６】
前記基板を保持する基板ステージに保持される請求項１〜５のいずれか一項記載のカバー部材。
【請求項７】
前記基板ステージにリリース可能に保持される請求項６記載のカバー部材。
【請求項８】
前記露光光を射出する光学部材の射出面と対向可能な第２面を備える請求項１〜７のいずれか一項記載のカバー部材。
【請求項９】
前記第２面は、前記液体に対して撥液性である請求項８記載のカバー部材。
【請求項１０】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
請求項１〜９のいずれか一項記載のカバー部材を備えた露光装置。
【請求項１１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する第１保持部を有する基板ステージと、
前記基板ステージに配置され、第１面を有するカバー部材を保持する第２保持部と、を備え、
前記第２保持部は、前記基板の表面の周縁領域の少なくとも一部と前記第１面とが第１間隙を介して対向するように前記カバー部材を保持する露光装置。
【請求項１２】
前記第１面は、前記液体に対して撥液性である請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記基板ステージに配置され、前記第１保持部に対して前記カバー部材を移動する移動装置を備える請求項１１又は１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２保持部は、前記カバー部材をリリース可能に保持する請求項１１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記カバー部材を搬送する搬送装置を備える請求項１４記載の露光装置。
【請求項１６】
前記搬送装置は、前記基板を搬送可能である請求項１５記載の露光装置。
【請求項１７】
前記搬送装置は、前記基板の周縁領域と前記カバー部材の前記第１面とを対向させた状態で、前記基板と前記カバー部材とを一緒に搬送可能である請求項１６記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２保持部は、前記第１保持部の周囲に配置される請求項１１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
前記第１面は、前記基板の表面の外形に応じた環状である請求項１１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第２保持部は、前記第１保持部に保持された前記基板の表面と、前記カバー部材の前記第１面とがほぼ平行となるように、前記カバー部材を保持する請求項１１〜１９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２１】
前記液体の表面張力により前記第１間隙に前記液体が浸入しないように、前記第１間隙のサイズが定められる請求項１１〜２０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第１間隙のサイズは、１ｍｍ以下である請求項１１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記基板ステージに配置され、前記第２保持部に保持された前記カバー部材の周囲にプレート部材を保持する第３保持部を備える請求項１１〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２４】
前記露光光を射出する光学部材をさらに含み、
前記カバー部材は、前記光学部材の射出面と対向可能な第２面を有し、
前記第２保持部に保持された前記カバー部材の前記第２面と前記第３保持部に保持された前記プレート部材の表面との間に第２間隙が形成される請求項２３記載の露光装置。
【請求項２５】
前記液体の表面張力により前記第２間隙に前記液体が浸入しないように、前記第２間隙のサイズが定められる請求項２４記載の露光装置。
【請求項２６】
前記第１保持部に保持された前記基板の表面と前記第３保持部に保持された前記プレート部材の表面とはほぼ同一面内に配置され、
前記第２面の少なくとも一部は、前記プレート部材の表面より高い請求項２４又は２５記載の露光装置。
【請求項２７】
前記第２面の少なくとも一部は、前記プレート部材の表面とほぼ同一面内に配置される請求項２４又は２５記載の露光装置。
【請求項２８】
前記第２面は、前記液体に対して撥液性である請求項２４〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２９】
前記露光光を射出する光学部材をさらに含み、  
前記カバー部材は、前記光学部材の射出面と対向可能な第２面を有し、
前記第２面は、前記液体に対して撥液性である請求項１１〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３０】
請求項１１〜２９のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項３１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
前記基板の表面の周縁領域の少なくとも一部とカバー部材の第１面とを第１間隙を介して対向させることと、
前記周縁領域と前記第１面とを対向させた状態で、前記基板を露光することと、を含む露光方法。
【請求項３２】
前記第１面は、前記液体に対して撥液性である請求項３１記載の露光方法。
【請求項３３】
前記基板の表面は、前記液体に対して撥液性の膜の表面を含み、
前記カバー部材の前記第１面と対向する前記周縁領域の一部は、前記膜が除去された領域を含む請求項３１又は３２記載の露光方法。
【請求項３４】
前記カバー部材の前記第１面と対向する前記周縁領域の一部は、前記膜の一部を含む請求項３３記載の露光方法。
【請求項３５】
前記膜は、感光膜を含む請求項３３又は３４記載の露光方法。
【請求項３６】
請求項３１〜３５のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カバー部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、特許文献１に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。露光装置は、基板の裏面を保持する基板保持部を有し、基板保持部で保持された基板を露光する。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１３９６１４号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００４／０１６０５８２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置において、液体が基板の裏面側の空間に入り込んだり、その液体が基板の裏面に付着したりする可能性がある。例えば、基板の裏面に付着した液体が気化すると、液体の気化熱によって基板が熱変形したり、基板の裏面に液体の付着跡（ウォーターマーク）が形成されたりする可能性がある。そのような不具合が生じると、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００４】
本発明の態様は、液体が基板の裏面側の空間に入り込むことを抑制できるカバー部材を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板の表面の周縁領域の少なくとも一部と第１間隙を介して対向する第１面を備えたカバー部材が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第１の態様のカバー部材を備えた露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、基板を保持する第１保持部を有する基板ステージと、基板ステージに配置され、第１面を有するカバー部材を保持する第２保持部と、を備え、第２保持部は、基板の表面の周縁領域の少なくとも一部と第１面とが第１間隙を介して対向するようにカバー部材を保持する露光装置が提供される。
【０００８】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、基板の表面の周縁領域の少なくとも一部とカバー部材の第１面とを第１間隙を介して対向させることと、周縁領域と第１面とを対向させた状態で、基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。
【００１０】
本発明の第６の態様に従えば、第５の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、液体が基板の裏面に付着することを抑制できる。また本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図、図２は、露光装置ＥＸの一部を拡大した側断面図である。図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１を移動する第１駆動システム３と、基板ステージ２を移動する第２駆動システム４と、各ステージ１、２の位置情報を計測する干渉計システム７と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐを搬送可能な搬送装置４０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８とを備えている。
【００１４】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材Ｗに感光膜Ｒｇが形成されたものを含む。感光膜Ｒｇは、感光材（フォトレジスト）の膜である。
【００１５】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路Ｋの少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材９を備えている。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１６】
本実施形態において、液浸空間ＬＳは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１０から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。終端光学素子１０は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１１を有する。液浸空間ＬＳは、終端光学素子１０とその終端光学素子１０の射出面１１と対向する位置に配置された物体との間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１１と対向する位置は、射出面１１から射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。以下の説明において、終端光学素子１０の射出面１１と対向する位置を適宜、露光位置ＥＰ、と称する。
【００１７】
液浸部材９は、終端光学素子１０の近傍に配置されている。液浸部材９は、下面１２を有する。本実施形態において、射出面１１と対向可能な物体は、下面１２と対向可能である。物体の表面が露光位置ＥＰに配置されたとき、下面１２の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面１１と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子１０は、射出面１１と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。また、下面１２と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材９は、下面１２と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。一方側の射出面１１及び下面１２と他方側の物体の表面との間に保持される液体ＬＱによって、液浸空間ＬＳが形成される。
【００１８】
本実施形態において、射出面１１及び下面１２と対向可能な物体は、露光位置ＥＰを含む所定面内を移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ２、及びその基板ステージ２に保持された基板Ｐの少なくとも一方を含む。本実施形態において、基板ステージ２は、ベース部材６のガイド面５上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面５は、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持して、ガイド面５に沿って、露光位置ＥＰを含むＸＹ平面内を移動可能である。
【００１９】
本実施形態においては、射出面１１及び下面１２と対向する位置に配置された基板Ｐの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成され、その基板Ｐの表面と下面１２との間に液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）が形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。
【００２０】
また、本実施形態においては、基板ステージ２（基板ホルダ）に保持された基板Ｐの近傍には、基板Ｐの表面の周縁領域の少なくとも一部を覆うカバー部材１３が配置される。カバー部材１３は、基板Ｐの表面の周縁領域の少なくとも一部と第１間隙Ｇ１を介して対向する第１面１４を備えている。本実施形態において、カバー部材１３は、基板ステージ２に保持される。
【００２１】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２２】
マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１５を有する。本実施形態において、マスク保持部１５は、マスクＭのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。第１駆動システム３は、リニアモータ等のアクチュエータを含む。マスクステージ１は、第１駆動システム３の作動により、マスクＭを保持してＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスク保持部１５でマスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２３】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒ＰＫで保持される。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２４】
基板ステージ２は、ステージ本体１６と、ステージ本体１６上に配置され、基板Ｐを保持可能な基板テーブル１７とを有する。ステージ本体１６は、気体軸受によって、ガイド面５に非接触で支持されており、ガイド面５上をＸＹ方向に移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、終端光学素子１０の光射出側（投影光学系ＰＬの像面側）において、射出面１１及び下面１２と対向する位置を含むガイド面５の所定領域内を移動可能である。
【００２５】
第２駆動システム４は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体１６をガイド面５上でＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能な粗動システム４Ａと、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体１６に対して基板テーブル１７をＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に移動可能な微動システム４Ｂとを有する。基板テーブル１７は、粗動システム４Ａ及び微動システム４Ｂを含む第２駆動システム４の作動により、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２６】
干渉計システム７は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１及び基板ステージ２のそれぞれの位置情報を計測する。干渉計システム７は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１の位置情報を計測するレーザ干渉計７Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計７Ｂとを備えている。レーザ干渉計７Ａは、マスクステージ１に配置された反射面１Ｒに計測光を照射し、その反射面１Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測する。レーザ干渉計７Ｂは、基板ステージ２（基板テーブル１７）に配置された反射面２Ｒに計測光を照射し、その反射面２Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を計測する。
【００２７】
また、本実施形態においては、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が配置されている。フォーカス・レベリング検出システムは、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置情報を検出する。
【００２８】
基板Ｐの露光時、マスクステージ１の位置情報がレーザ干渉計７Ａで計測され、基板ステージ２の位置情報がレーザ干渉計７Ｂで計測される。制御装置８は、レーザ干渉計７Ａの計測結果に基づいて、第１駆動システム３を作動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を実行する。また、制御装置８は、レーザ干渉計７Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第２駆動システム４を作動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を実行する。
【００２９】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置８は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、露光光ＥＬの光路（光軸ＡＸ）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【００３０】
液浸部材９は、環状の部材である。液浸部材９は、終端光学素子１０の周囲に配置されている。図２に示すように、液浸部材９は、射出面１１と対向する位置に開口９Ｋを有する。液浸部材９は、液体ＬＱを供給可能な供給口２１と、液体ＬＱを回収可能な回収口２２とを備えている。
【００３１】
供給口２１は、液浸空間ＬＳを形成するために、液体ＬＱを供給可能である。供給口２１は、光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように液浸部材９の所定位置に配置されている。供給口２１は、流路２３を介して、液体供給装置２４と接続されている。液体供給装置２４は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路２３は、液浸部材９の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置２４とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置２４から送出された液体ＬＱは、流路２３を介して供給口２１に供給される。
【００３２】
回収口２２は、液浸部材９の下面１２と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口２２は、露光光ＥＬが通過する開口９Ｋの周囲に配置されている。回収口２２は、物体の表面と対向する液浸部材９の所定位置に配置されている。回収口２２には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材２５が配置されている。なお、回収口２２に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材９の下面１２の少なくとも一部は、多孔部材２５の下面を含む。回収口２２は、流路２６を介して、液体回収装置２７と接続されている。液体回収装置２７は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。流路２６は、液浸部材９の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置２７とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口２２から回収された液体ＬＱは、流路２６を介して、液体回収装置２７に回収される。
【００３３】
本実施形態においては、制御装置８は、供給口２１を用いる液体供給動作と並行して、回収口２２を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１０及び液浸部材９と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００３４】
図３は、カバー部材１３の近傍を示す断面図、図４は、基板ステージ２の斜視図である。図２及び図３に示すように、基板テーブル１７は、基板Ｐを保持する第１保持部１８と、カバー部材１３を保持する第２保持部１９とを備えている。本実施形態において、第１保持部１８は、所謂、真空チャック機構を含み、基板Ｐをリリース可能に保持する。第２保持部１９も、例えば真空チャック機構を含み、カバー部材１３をリリース可能に保持する。第２保持部１９は、第１保持部１８の周囲に配置されている。
【００３５】
また、本実施形態においては、カバー部材１３の周囲に、プレート部材Ｔが配置される。基板テーブル１７は、プレート部材Ｔを保持する第３保持部２０を備えている。本実施形態において、第３保持部２０は、真空チャック機構を含み、プレート部材Ｔをリリース可能に保持する。第３保持部２０は、第２保持部１９の周囲に配置されている。第１保持部１８，第２保持部１９，第３保持部２０に用いられるチャック機構は、真空チャック機構に限られず、第１保持部１８，第２保持部１９，第３保持部２０の少なくとも一つに他のチャック機構（例えば静電チャック機構）を用いてもよい。
【００３６】
第１保持部１８は、基板Ｐの裏面と対向し、基板Ｐの裏面を保持する。第１保持部１８は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。なお、図２，図３などにおいては、説明を簡単にするために、基板Ｐの裏面と第１保持部１８の表面とが接触しているように描かれているが、実際には、第１保持部１８の表面に形成された凸部に基板Ｐが保持され、基板Ｐの裏面と第１保持部１８の表面との間には空間が形成され、その空間の気体を排気することによって、基板Ｐが第１保持部１８に保持されている。
【００３７】
カバー部材１３は、基板Ｐの表面の周縁領域の少なくとも一部と対向可能な第１面１４を有するプレート部１３Ａと、第２保持部１９に保持される支持部１３Ｂと、支持部１３Ｂの下面（裏面）に接続されたロッド部１３Ｃとを含む。本実施形態において、カバー部材１３は、基板Ｐの周囲に配置される。図４に示すように、カバー部材１３は、基板Ｐの外形に応じた環状の部材である。第１面１４は、基板Ｐの表面の外形に応じた環状である。
【００３８】
図２及び図３に示すように、第２保持部１９は、基板Ｐの表面の周縁領域と第１面１４とが第１間隙Ｇ１を介して対向するようにカバー部材１３を保持する。第１保持部１８に保持された基板Ｐと、第２保持部１９に保持されたカバー部材１３とは離れている。また、本実施形態においては、第２保持部１９は、第１保持部１８に保持された基板Ｐの表面と、カバー部材１３の第１面１４とがほぼ平行となるように、カバー部材１３を保持する。すなわち、本実施形態において、第１面１４は、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００３９】
本実施形態において、第１面１４は、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、カバー部材１３は、ステンレス等の金属製の基材と、その基材上に形成された撥液性材料の膜とを含む。第１面１４は、撥液性材料の膜で形成されている。撥液性材料としては、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、テフロン（登録商標）等が挙げられる。なお、カバー部材１３自体を撥液性材料で形成することによって、第１面１４を撥液性にしてもよい。本実施形態において、液体ＬＱに対する第１面１４の接触角は、例えば９０度以上である。
【００４０】
図３に示すように、基板Ｐは、基材Ｗと、基材Ｗ上に形成された感光膜Ｒｇとを含む。本実施形態において、基板Ｐの表面は、感光膜Ｒｇの表面を含む。本実施形態において、感光膜Ｒｇは、液体ＬＱに対して撥液性である。液体ＬＱに対する感光膜Ｒｇの表面の接触角は、例えば９０度以上である。
【００４１】
基板Ｐの表面の周縁領域は、感光膜Ｒｇが除去された領域を含む。本実施形態において、基板Ｐは、基材Ｗ上に、例えばスピンコーティング法に基づいて感光膜Ｒｇを形成する処理と、その形成された感光膜Ｒｇの一部を除去するためのエッジリンス処理とを経て形成される。本実施形態において、感光膜Ｒｇが除去された領域は、エッジリンス処理された領域を含む。
【００４２】
本実施形態において、第１面１４は、感光膜Ｒｇの一部と対向する。すなわち、第１面１４は、感光膜Ｒｇが形成された領域、及び感光膜Ｒｇが除去された領域の両方と対向する。換言すれば、第１面１４は、感光膜Ｒｇと基材Ｗとの境界と対向する。
【００４３】
本実施形態においては、基板Ｐの表面の中心に対する放射方向における、感光膜Ｒｇのエッジと基板Ｐ（基材Ｗ）のエッジとの距離Ｈ１、すなわち、感光膜Ｒｇが除去された領域のサイズは、０．５〜３ｍｍ程度である。また、基板Ｐの表面の中心に対する放射方向における、第１面１４の内側のエッジと基板Ｐ（基材Ｗ）のエッジとの距離Ｈ２、すなわち、第１面１４と基板Ｐとが重なり合う部分のサイズは、１〜１０ｍｍ程度である。
【００４４】
本実施形態においては、液体ＬＱの表面張力により第１間隙Ｇ１に液体ＬＱが浸入しないように、第１間隙Ｇ１のサイズが定められている。第１間隙Ｇ１のサイズは、例えば、１ｍｍ以下である。本実施形態において、第１間隙Ｇ１のサイズは、０．２ｍｍ以下である。第１間隙Ｇ１を形成する一方側の第１面１４、及び他方側の感光膜Ｒｇの表面のそれぞれが、液体ＬＱに対して撥液性であり、第１間隙Ｇ１のサイズを最適化することによって、第１間隙Ｇ１への液体ＬＱの浸入を十分に抑制できる。
【００４５】
また、カバー部材１３は、終端光学素子１０の射出面１１と対向可能な第２面２８を有する。第２面２８は、第１面１４とほぼ平行な平坦領域２８Ａと、平坦領域２８Ａに対して傾斜する傾斜領域２８Ｂとを含む。ＸＹ平面内において、平坦領域２８Ａは、環状（輪帯状）の領域である。傾斜領域２８Ｂは、平坦領域２８Ａの周囲に配置されている。
【００４６】
本実施形態において、第２面２８は、液体ＬＱに対して撥液性である。第１面１４と同様、第２面２８は、撥液性材料の膜で形成されている。本実施形態において、液体ＬＱに対する第２面２８の接触角は、例えば９０度以上である。なお、上述したように、カバー部材１３自体を撥液性材料で形成することによって、第２面２８を撥液性にしてもよい。
【００４７】
第３保持部２０は、プレート部材Ｔの裏面と対向し、プレート部材Ｔの裏面を保持する。第３保持部２０は、プレート部材Ｔの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。なお、図２，図３などにおいては、説明を簡単にするために、プレート部材Ｔの裏面と第３保持部２０の表面とが接触しているように描かれているが、実際には、第３保持部２０の表面に形成された凸部にプレート部材Ｔが保持され、プレート部材Ｔの裏面と第３保持部２０の表面との間には空間が形成され、その空間の気体を排気することによって、プレート部材Ｔが第３保持部２０に保持されている。
本実施形態においては、第１保持部１８に保持された基板Ｐの表面と、第３保持部２０に保持されたプレート部材Ｔの表面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。
【００４８】
本実施形態において、カバー部材１３の第２面２８は、基板Ｐの表面及びプレート部材Ｔの表面より高い。すなわち、第２面２８は、基板Ｐの表面及びプレート部材Ｔの表面より＋Ｚ側に配置されている。本実施形態において、Ｚ軸方向に関する基板Ｐの表面（プレート部材Ｔの表面）と第２面２８（平坦領域２８Ａ）との距離Ｈ３は、０．５ｍｍ以下である。
【００４９】
本実施形態において、プレート部材Ｔの表面は、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、プレート部材Ｔは、ステンレス等の金属製の基材と、その基材上に形成された撥液性材料の膜とを含む。プレート部材Ｔの表面は、撥液性材料の膜で形成されている。撥液性材料としては、例えばＰＦＡ、ＰＴＦＥ、ＰＥＥＫ、テフロン（登録商標）等が挙げられる。なお、プレート部材Ｔ自体が撥液性材料で形成されてもよい。本実施形態において、液体ＬＱに対するプレート部材Ｔの表面の接触角は、例えば９０度以上である。
【００５０】
プレート部材Ｔは、カバー部材１３を配置可能な開口ＴＨを有する。第３保持部２０に保持されたプレート部材Ｔは、第２保持部１９に保持されたカバー部材１３の周囲に配置される。傾斜領域２８Ｂは、平坦領域２８Ａの外側のエッジと、プレート部材Ｔの表面の内側のエッジとを結ぶように傾斜している。
【００５１】
図３に示すように、本実施形態において、第２保持部１９に保持されたカバー部材１３の第２面２８（傾斜領域２８Ｂ）と、第３保持部２０に保持されたプレート部材Ｔの表面との間に第２間隙Ｇ２が形成される。
【００５２】
本実施形態においては、液体ＬＱの表面張力により第２間隙Ｇ２に液体ＬＱが浸入しないように、第２間隙Ｇ２のサイズが定められている。第２間隙Ｇ２のサイズは、例えば、１ｍｍ以下である。第２間隙Ｇ２を形成する一方側の第２面２８、及び他方側のプレート部材Ｔの表面のそれぞれが、液体ＬＱに対して撥液性であり、第２間隙Ｇ２のサイズを最適化することによって、第２間隙Ｇ２への液体ＬＱの浸入を十分に抑制できる。
【００５３】
図３に示すように、本実施形態において、基板テーブル１７は、カバー部材１３のロッド部１３Ｃを配置可能な穴２９を有する。ロッド部１３Ｃは、Ｚ軸方向に長い。ロッド部１３Ｃは、穴２９にガイドされつつ、Ｚ軸方向に移動可能である。
【００５４】
また、基板テーブル１７には、第２保持部１９に対してカバー部材１３を移動する移動装置３０を備えている。本実施形態において、移動装置３０は、ロッド部１３Ｃの下方に配置された、Ｚ軸方向に移動可能な移動部材３１と、移動部材３１を移動するアクチュエータ３２とを含む。移動装置３０は、移動部材３１とロッド部１３Ｃとを接触させた状態で、アクチュエータ３２を作動して、移動部材３１をＺ軸方向に移動することにより、カバー部材１３を第２保持部１９に対してＺ軸方向に移動（昇降）することができる。
【００５５】
また、基板テーブル１７は、第１保持部１８に対して、基板ＰをＺ方向に移動する（昇降する）不図示の移動装置を備えている。
【００５６】
図５は、移動装置３０によってカバー部材１３が第１保持部１８及び第２保持部１９に対して上昇した状態を示す図である。図５に示すように、本実施形態において、ロッド部１３Ｃは、３つ配置されている。移動装置３０は、３つのロッド部１３Ｃのそれぞれに対応するように設けられている。制御装置８は、カバー部材１３に対する第２保持部１９の吸着を解除して、カバー部材１３を第２保持部１９からリリース可能にした状態で、移動装置３０を用いてカバー部材１３を上昇する。移動装置３０によってカバー部材１３が上昇することにより、カバー部材１３（支持部１３Ｂ）と第２保持部１９との間に間隙Ｇ３が形成される。搬送装置４０は、間隙Ｇ３を介して、第１保持部１８に基板Ｐを搬入（ロード）可能であり、第１保持部１８から基板Ｐを搬出（アンロード）可能である。搬送装置４０は、基板Ｐの裏面を支持して、その基板Ｐを搬送する。
【００５７】
また、本実施形態において、搬送装置４０は、カバー部材１３を搬送可能である。本実施形態において、搬送装置４０は、基板Ｐとカバー部材１３とを一緒に搬送可能である。図６に示すように、搬送装置４０は、基板Ｐの表面の周縁領域とカバー部材１３の第１面１４とを対向させた状態で、基板Ｐとカバー部材１３とを一緒に搬送可能である。制御装置８は、カバー部材１３に対する第２保持部１９の保持を解除して、カバー部材１３をリリース可能な状態にした後、基板Ｐの表面の周縁領域とカバー部材１３の第１面１４とを接触させた状態で、搬送装置４０を用いて基板Ｐを搬送する。これにより、カバー部材１３は、搬送装置４０に搬送される。また、搬送装置４０は、第２保持部１９に対してカバー部材１３を搬入（ロード）可能であり、第２保持部１９からカバー部材１３を搬出（アンロード）可能である。すなわち、カバー部材１３は、交換可能である。
【００５８】
なお、搬送装置４０は、カバー部材１３のみを搬送することもできる。搬送装置４０は、例えばカバー部材１３の支持部１３Ｂを支持した状態で、カバー部材１３を搬送することができる。また、カバー部材１３を搬送するための搬送装置と、基板Ｐを搬送するための搬送装置とをそれぞれ設けることができる。
【００５９】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。制御装置８は、搬送装置４０を用いて、露光前の基板Ｐを第１保持部１８にロードする。図５を参照して説明したように、基板Ｐを第１保持部１８にロードする際、移動装置３０により、カバー部材１３が上昇する。間隙Ｇ３を介して、搬送装置４０から不図示の移動装置に基板Ｐが渡される。さらに不図示の移動装置により第１保持部１８に基板Ｐが載置され、第１保持部１８に基板Ｐが保持される。第１保持部１８に基板Ｐが保持された後、制御装置８は、移動装置３０を用いて、カバー部材１３を下降し、第２保持部１９で保持する。
【００６０】
制御装置８は、基板ステージ２に保持されている基板Ｐを液浸露光するために、終端光学素子１０及び液浸部材９と露光位置ＥＰに配置された基板ステージ２との間に液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、基板Ｐを露光するために、照明系ＩＬより露光光ＥＬを射出する。照明系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭを照明する。マスクＭを介した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して、基板Ｐに照射される。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
【００６１】
本実施形態においては、液体ＬＱを介して露光される基板Ｐの表面の周縁領域と第１間隙Ｇ１を介してカバー部材１３の第１面１４が配置され、その第１間隙Ｇ１への液体ＬＱの浸入が抑制されている。したがって、基板Ｐを液浸露光した際にも、液体ＬＱが基板Ｐの外側に流出したり、液体ＬＱが基板Ｐの裏面側に回り込んだり、基板Ｐの裏面に付着したりすることを抑制することができる。
【００６２】
また、本実施形態においては、第２面２８が液体ＬＱに対して撥液性なので、液浸空間ＬＳが第２面２８上に形成された際にも、その液浸空間ＬＳの状態を良好に維持できる。また、第２面２８に液体ＬＱが残留することが抑制される。また、本実施形態においては、プレート部材Ｔの表面が液体ＬＱに対して撥液性なので、液浸空間ＬＳがプレート部材Ｔ上に形成された際にも、その液浸空間ＬＳの状態を良好に維持できる。また、プレート部材Ｔの表面に液体ＬＱが残留することが抑制される。なお、液浸空間ＬＳの状態とは、液浸空間ＬＳの大きさ、液体ＬＱの界面の形状などを含む。
【００６３】
また、本実施形態においては、第２間隙Ｇ２に液体ＬＱが浸入しないように、第２間隙Ｇ２のサイズが定められているので、液体ＬＱがカバー部材１３の裏面側に回り込んだり、カバー部材１３の裏面に付着したりすることを抑制することができる。また、液体ＬＱがプレート部材Ｔの裏面側に回り込んだり、プレート部材Ｔの裏面に付着したりすることを抑制することができる。
【００６４】
基板Ｐの露光が終了した後、制御装置８は、図５を参照して説明したように、移動装置３０により、第２保持部１９に対してカバー部材１３を上昇させるとともに、不図示の移動装置を用いて第１保持部１８に対して基板Ｐを上昇させる。第１保持部１８の上方において基板Ｐは搬送装置４０に渡され、間隙Ｇ３を介して搬送される。
【００６５】
カバー部材１３をメンテナンスしたり、交換したりする場合、制御装置８は、搬送装置４０を用いて、カバー部材１３を、第２保持部１９からアンロードする。図６を参照して説明したように、搬送装置４０は、基板Ｐと一緒に、カバー部材１３をアンロード可能である。すなわち、搬送装置４０は、第１保持部１８から基板Ｐをアンロードする動作と並行して、第２保持部１９からカバー部材１３をアンロードする動作を実行できる。
【００６６】
また、メンテナンス後のカバー部材１３、あるいは新たなカバー部材１３を第２保持部１９にロードする場合にも、図６を参照して説明したように、搬送装置４０は、基板Ｐと一緒に、カバー部材１３をロード可能である。すなわち、搬送装置４０は、第１保持部１８へ基板Ｐをロードする動作と並行して、第２保持部１９へカバー部材１３をロードする動作を実行できる。
【００６７】
なお、カバー部材１３を基板Ｐと一緒に搬送せずに、カバー部材１３のみを搬送して、第２保持部１９へのカバー部材１３のロード、及び第２保持部１９からのカバー部材１３のアンロードを実行してもよい。
【００６８】
なお、本実施形態において、カバー部材１３のみならず、プレート部材Ｔを交換することもできる。
【００６９】
以上説明したように、本実施形態によれば、カバー部材１３によって、液体ＬＱが基板Ｐの裏面側の空間に入り込んだり、その液体ＬＱが基板Ｐの裏面に付着したりすることを抑制することができる。したがって、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる。本実施形態においては、第１間隙Ｇ１を介して基板Ｐの表面の周縁領域と撥液性の第１面１４とが対向しており、基板Ｐとカバー部材１３とは接触しない。したがって、基板Ｐに影響を及ぼすことを抑制できる。また、異物の発生を抑制でき、カバー部材１３の汚染を抑制できる。
【００７０】
また、本実施形態によれば、基板Ｐの表面の周縁領域が、撥液性の感光膜Ｒｇが除去された領域を含む場合でも、液体ＬＱが基板Ｐの裏面側の空間に入り込んだり、その液体ＬＱが基板Ｐの裏面に付着したりすることを抑制することができる。撥液性の感光膜Ｒｇが除去された領域、本実施形態においては基材Ｗが露出している領域が液体ＬＱに対して親液性である場合、その感光膜Ｒｇが除去された領域と液体ＬＱとが接触すると、液体ＬＱが基板Ｐの裏面側の空間に入り込んだり、その液体ＬＱが基板Ｐの裏面に付着したりする可能性が高くなる。本実施形態によれば、基板Ｐの表面の周縁領域が、撥液性の感光膜Ｒｇが除去された領域を含む場合でも、第１間隙Ｇ１への液体ＬＱの浸入を抑制することができるので、その感光膜Ｒｇが除去された領域と液体ＬＱとが接触することを抑制できる。
【００７１】
また、エッジリンス処理して感光膜Ｒｇが除去された領域を形成することによって、例えば搬送装置４０等、露光装置ＥＸ内の各部材、機器、あるいはコータ・デベロッパ装置、エッチング装置等の外部装置（周辺装置）が汚染されることを抑制することができる。基板Ｐの周縁領域に形成された感光膜Ｒｇは基板Ｐから剥がれる可能性があるため、エッジリンス処理しない場合、その剥がれた感光膜Ｒｇが各部材、機器等を汚染する可能性がある。本実施形態によれば、エッジリンス処理した基板Ｐを液浸露光しても、液体ＬＱが基板Ｐの裏面側の空間に入り込んだり、基板Ｐの裏面に付着したりすることを抑制することができ、基板Ｐを良好に液浸露光できる。
【００７２】
なお、本実施形態においては、基板Ｐの表面が感光膜Ｒｇで形成されている場合を例にして説明したが、トップコート膜と呼ばれる、感光膜Ｒｇを保護する機能を有する、液体ＬＱに対して撥液性の膜で基板Ｐの表面が形成されてもよい。例えばスピンコーティング法に基づいてトップコート膜が形成された後、エッジリンス処理して、基板Ｐの表面の周縁領域にトップコート膜が除去された領域が形成されても、カバー部材１３の第１面１４と基板Ｐの表面の周縁領域とを対向させた状態で液浸露光することにより、液体ＬＱが基板Ｐの裏面側の空間に入り込んだり、その液体ＬＱが基板Ｐの裏面に付着したりすることを抑制することができる。
【００７３】
なお、本実施形態においては、第１保持部１８に保持された基板Ｐの表面と第３保持部２０に保持されたプレート部材Ｔの表面とがほぼ同一面内に配置され、カバー部材１３の第２面２８が、プレート部材Ｔの表面より高い場合について説明したが、例えば図７に示すように、第２面２８と、プレート部材Ｔの表面とがほぼ同一面内に配置されてもよい。この場合も、基板Ｐの表面の周縁領域と第１間隙Ｇ１を介してカバー部材１３の第１面１４を配置することによって、液体ＬＱが基板Ｐの裏面側の空間に入り込んだり、その液体ＬＱが基板Ｐの裏面に付着したりすることを抑制することができる。
【００７４】
なお、上述の実施形態において、カバー部材１３を保持する第２保持部１９を移動可能に設けることができる。こうすることによって、例えば、第１間隙Ｇ１のサイズを調整することができる。
【００７５】
なお、上述の各実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子１０の射出側（像面側）の光路Ｋを液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１０の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。
【００７６】
なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【００７７】
また、例えば露光光ＥＬがＦ２レーザ光である場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。
【００７８】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００７９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００８０】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００８１】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００８２】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００８３】
更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載し、露光対象の基板を保持しない計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【００８４】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００８５】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計７Ａ、７Ｂを含む干渉計システム７を用いてマスクステージ１及び基板ステージ２の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。
【００８６】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【００８７】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００８８】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
【００８９】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００９０】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００９１】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００９２】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】終端光学素子、液浸部材、及び基板ステージを示す側断面図である。
【図３】カバー部材の近傍を示す側断面図である。
【図４】基板ステージを示す斜視図である。
【図５】本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図６】本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図７】本実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図８】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００９４】
２…基板ステージ、１０…終端光学素子、１１…射出面、１３…カバー部材、１４…第１面、１８…第１保持部、１９…第２保持部、２０…第３保持部、２８…第２面、３０…移動装置、４０…搬送装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｇ１…第１間隙、Ｇ２…第２間隙、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、Ｒｇ…感光膜、Ｔ…プレート部材、Ｗ…基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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