(57)【要約】【課題】光の変換効率が高い波長変換素子の製造方法、波長変換素子、光源装置、照明装置、プロジェクタ及びモニタ装置を提供すること。【解決手段】分極反転領域１６ｂと非分極反転領域１６ｂとが交互に配置されてなる分極反転周期構造を有する波長変換素子の製造方法であって、非線形光学部材１０の一方の面１０ａの分極反転領域１６ｂとなる領域の一部に所定の間隔で開口部１１ｅを有する絶縁層１１を形成する工程と、開口部１１ｅの内部を含む絶縁層１１上に第１電極１２を形成し、非線形光学部材１０の一方の面１０ａと反対の他方の面１０ｂに第２電極１３を形成する工程と、第１電極１２と第２電極１３との間に非線形光学部材１０を分極反転させる電圧を印加する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分極反転領域と非分極反転領域とが交互に配置されてなる分極反転周期構造を有する波長変換素子の製造方法であって、
非線形光学部材の一方の面の前記分極反転領域となる領域の一部に所定の間隔で開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
前記開口部の内部を含む前記絶縁層上に第１電極を設け、前記非線形光学部材の前記一方の面と反対の他方の面に第２電極を設ける工程と、
前記第１電極と前記第２電極との間に前記非線形光学部材を分極反転させる電圧を印加する工程とを備えることを特徴とする波長変換素子の製造方法。
【請求項２】
前記開口部を前記非線形光学部材の分極反転周期方向と交差する方向の１つの前記分極反転領域内に複数形成することを特徴とする請求項１に記載の波長変換素子の製造方法。
【請求項３】
分極反転周期方向に交差する方向に、隣接する前記開口部内に形成された前記第１電極の間隔が、前記第１電極の分極反転周期方向の寸法より小さく、かつ、前記第１電極のピッチの半分の寸法より小さいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の波長変換素子の製造方法。
【請求項４】
分極反転周期方向に交差する方向に配列された前記開口部内に形成された前記第１電極は、分極反転周期方向の１列ごとに前記開口部の配列方向にずれていることを特徴とする請求項２または請求項３のいずれか１項に記載の波長変換素子の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層を形成する工程においては、前記非線形光学部材の分極反転周期方向に、前記非分極反転領域に第１絶縁層を形成するとともに前記分極反転領域に第２絶縁層を所定の間隔をあけて形成し、
前記第１絶縁層の分極反転周期方向の寸法は、前記第２絶縁層の分極反転周期方向の寸法より大きく、かつ、分極反転周期のピッチの半分の寸法より大きいことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の波長変換素子の製造方法。
【請求項６】
分極反転領域と非分極反転領域とが交互に配置されてなる分極反転周期構造を有する波長変換素子の製造方法であって、
非線形光学部材の一方の面の分極反転周期方向に、前記分極反転領域となる領域に前記非分極反転領域の膜厚より薄い膜厚の絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に第１電極を形成し、前記非線形光学部材の前記一方の面と反対の他方の面に第２電極を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極との間に前記非線形光学部材を分極反転させる電圧を印加する工程とを備えることを特徴とする波長変換素子の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層の材料として樹脂材料を用い、
前記絶縁層を形成する工程が、前記絶縁層を加熱し溶融させるリフロー工程を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の波長変換素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の波長変換素子の製造方法により製造されたことを特徴とする波長変換素子。
【請求項９】
光を射出する光源と、
該光源から射出された光の波長を所定の波長に変換する請求項８に記載の波長変換素子とを備えることを特徴とする光源装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の光源装置を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の光源装置と、
該光源装置から射出される光を変調する光変調手段と、
該光変調手段によって変調された光を投射する投射装置とを備えることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項１２】
請求項９に記載の光源装置と、
該光源装置から射出された光により被写体を撮像する撮像手段とを備えることを特徴とするモニタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換素子の製造方法、波長変換素子、光源装置、照明装置、プロジェクタ及びモニタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コヒーレント光源は、画像表示装置、光通信分野、医療分野や顕微鏡などの計測分野においても欠かせないものとなっている。そして、コヒーレント光の波長もその目的によって様々な波長が使用される。
そこで、非線形光学効果を利用した波長変換素子は、周期的なピッチを持つ分極反転構造により光の波長を効率的に変換することでレーザ光源の使用波長の拡大が図れるため多くの分野で利用されている。
このような波長変換素子の製造方法としては、分極反転させる際に分極反転領域のピッチを決めるために、基板の上下面に電極を形成し、その電極に高電圧を印加して分極反転構造を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載の非線形強誘電体光学材料に対するドメイン制御方法では、ＬｉＴａＯ３の基板の＋Ｃ面に、例えば、Ｔａ（タンタル）からなる金属膜を被着したマスクを形成する。そして、マスク上にレジストを塗布し、＋Ｃ面側から露光して現像を行い、このレジストの上に、蒸着によりＴｉ膜を形成する。その後、レジスト上のＴｉ膜及びレジストを除去し、マスクをエッチングすることによりＴｉ膜の電極を分極反転させる領域に形成する。また、−Ｃ面には全体にＴｉ膜を蒸着し電極を形成する。そして、＋Ｃ面上の電極と−Ｃ面上の電極との間に２００ｋＶ／ｃｍの電界を印加することにより、ＬｉＴａＯ３の基板に分極反転領域が形成される。
【０００４】
また、特許文献２に記載の強誘電体の分極反転方法は、ＭｇＯ−ＬＮ基板の−Ｚ面上にＣｒを蒸着あるいはスパッタして分極反転させる領域に周期電極を形成する。この周期電極は、電荷の集中を規則的に与えるために、波型に繰り返す屈曲した形状が、一定の周期で繰り返すように形成されている。また、＋Ｚ面に向かう位置にはコロナワイヤーが設けられており、コロナワイヤーを接続線を介して高圧電源に接続する。これにより、ＭｇＯ−ＬＮ基板にコロナ帯電により電場が印加され、分極反転領域が形成される。
【特許文献１】特開平４−１９７１９号公報
【特許文献２】特開２００３−５２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、分極を反転させる領域の全面にストライプ状の電極を形成しているため、分極反転させる領域に電荷の分布が生じ、均一な分極反転周期構造を得ることが難しい。すなわち、不均一な分極反転周期構造では、光の変換効率を低下させてしまう。
また、特許文献２に記載の技術では、波型の電極形状を反映して分極反転開始位置が波型になるため、ＭｇＯ−ＬＮ基板の入射端面の光の通過位置により２次高調波の位相整合ロスが発生してしまう。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、光の変換効率が高い波長変換素子の製造方法、波長変換素子、光源装置、照明装置、プロジェクタ及びモニタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の波長変換素子の製造方法は、分極反転領域と非分極反転領域とが交互に配置されてなる分極反転周期構造を有する波長変換素子の製造方法であって、非線形光学部材の一方の面の前記分極反転領域となる領域の一部に所定の間隔で開口部を有する絶縁層を形成する工程と、前記開口部の内部を含む前記絶縁層上に第１電極を設け、前記非線形光学部材の前記一方の面と反対の他方の面に第２電極を設ける工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に前記非線形光学部材を分極反転させる電圧を印加する工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る波長変換素子の製造方法では、非線形光学部材の一方の面の分極反転領域となる領域の一部に所定の間隔で開口部を有する絶縁層を形成する。その後、非線形光学部材の一方の面の開口部の内部を含む絶縁上に第１電極を形成し、非線形光学部材の一方の面と反対の他方の面に第２電極を形成し、第１電極と第２電極との間に電圧を印加する。これにより、非線形光学部材に分極反転周期構造が形成される。
このとき、非線形光学部材の分極反転領域の一部に、所定の間隔で絶縁層に開口部を形成するため、従来のように分極反転領域に全面に電極を形成する場合に比べて、第１電極と非線形光学部材との接触面積が少なくなる。さらに、第１電極と絶縁層との境界部が増える。これにより、第１電極と非線形光学部材とが接触している部分に電荷が集中し、境界部から分極反転領域が第１電極側から第２電極側に進行する。そして、隣接した境界部から発生した分極反転領域がつながる。このように、分極反転領域には、電荷密度が上昇するため、非線形光学部材の分極反転される領域に安定的に電圧を印加することができる。したがって、例えば、波長変換素子のデューティー比（分極反転周期に対する分極反転している領域の割合）が５０％の均一な分極反転周期構造を得ることが可能となる。
また、絶縁層に所定の間隔で開口部を形成する方法は、フォトリソグラフィ法により形成することができるため、簡易な製造方法により波長変換素子を製造することが可能である。
【０００９】
また、本発明の波長変換素子の製造方法は、前記開口部を前記非線形光学部材の分極反転周期方向と交差する方向の１つの前記分極反転領域内の複数形成することが好ましい。
【００１０】
本発明に係る波長変換素子の製造方法では、開口部を非線形光学部材の分極反転周期方向と交差する方向の１つの分極反転領域内に複数形成する。これにより、分極反転領域において、開口部を複数設けない場合に比べて、非線形光学部材と第１電極との接触面積が小さくなる。すなわち、第１電極と絶縁層との電界密度が高い境界部が、分極反転周期方向及び分極反転周期方向と交差する方向に増える。したがって、非線形光学部材の分極反転領域の内部に、より均一な分極反転周期構造を形成することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の波長変換素子の製造方法は、分極反転周期方向に交差する方向に、隣接する前記開口部内に形成された前記第１電極の間隔が、前記第１電極の分極反転周期方向の幅より小さく、かつ、前記第１電極のピッチの半分の寸法より小さいことが好ましい。
【００１２】
本発明に係る波長変換素子の製造方法では、分極反転周期方向に交差する方向に、隣接する第１電極の間隔が、第１電極の分極反転方向の寸法より小さく、かつ、第１電極のピッチの半分の寸法より小さい。これにより、隣接する第１電極から発生した分極反転領域がつながり易くなるため、確実に分極反転領域を得ることが可能となる。
【００１３】
また、本発明の波長変換素子の製造方法は、分極反転周期方向に交差する方向に配列された前記開口部内に形成された前記第１電極は、分極反転周期方向に１列ごとに前記開口部の配列方向にずれていることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る波長変換素子の製造方法では、分極反転周期方向に交差する方向に配列された第１電極から発生した分極反転領域がつながったときに、分極反転周期方向と交差する方向の分極反転領域が直線にならないときに効果的である。すなわち、隣接する開口部内に形成された第１電極は、分極反転周期方向に１列ごとに開口部の配列方向にずれている。これにより、非分極反転領域の分極反転周期方向の幅は分極反転周期方向と交差する方向に一定であり、分極反転領域の分極反転周期方向の幅は分極反転周期方向と交差する方向に一定ではない。これにより、波長変換素子に入射させる光の入射位置を調整することにより、位相整合を満たす領域に比較的効率良く光を入射させ易くなる。詳細については図面を用いて後で説明する。
【００１５】
また、本発明の波長変換素子の製造方法は、前記開口部を形成する工程においては、前記非線形光学部材の分極反転周期方向に形成し、前記絶縁層を形成する工程においては、前記非分極反転領域に第１絶縁層を形成するとともに、前記分極反転領域に第２絶縁層を所定の間隔をあけて形成し、前記第１絶縁層の分極反転周期方向の寸法は、前記第２絶縁層の分極反転周期方向の寸法より大きく、かつ、分極反転周期のピッチの半分の寸法より大きいことが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る波長変換素子の製造方法では、第１電極と非線形光学部材との接触面積が従来に比べて少ないため、非線形光学部材に接触している第１電極に電荷が集中するので、分極反転領域が分極反転周期方向に広がる。このとき、第１絶縁層の分極反転周期方向の幅が、第２絶縁層の分極反転周期方向の幅より大きく、かつ、分極反転周期のピッチの半分の寸法より大きくなるように形成されているため、分極反転領域が分極反転周期方向に広がってもデューティー比が、例えば、５０％の均一な分極反転周期構造を効率良く得ることが可能となる。
【００１７】
また、本発明の波長変換素子の製造方法は、分極反転領域と非分極反転領域とが交互に配置されてなる分極反転周期構造を有する波長変換素子の製造方法であって、非線形光学部材の一方の面の分極反転周期方向に、前記分極反転領域となる領域に前記非分極反転領域の膜厚より薄い膜厚の絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に第１電極を形成し、前記非線形光学部材の前記一方の面と反対の他方の面に第２電極を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に前記非線形光学部材を分極反転させる電圧を印加する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る波長変換素子の製造方法では、非線形光学部材の一方の面に分極反転領域となる領域の膜厚が、非分極反転領域の膜厚より薄くなるように絶縁層を形成する。その後、非線形光学部材の一方の面に第１電極を形成し、非線形光学部材の一方の面と反対の他方の面に第２電極を形成し、第１電極と第２電極との間に電圧を印加する。これにより、非線形光学部材に分極反転周期が形成される。
このとき、非線形光学部材と第１電極とが線接触するように、例えば、断面視波型の絶縁層を形成することにより、従来のように分極反転領域に全面に電極を形成する場合に比べて、第１電極と非線形光学部材との部分が少なくなる。これにより、第１電極と非線形光学部材とが接触している部分に電荷が集中する。このように、分極反転領域には、電荷密度が上昇するため、非線形光学部材の分極反転領域に安定的に電圧を印加することができる。また、非線形光学部材と第１電極とが線接触であるため、分極反転領域と非分極反転領域との電界のコントラストを向上させることが可能である。したがって、波長変換素子のデューティー比（分極反転周期に対する分極反転している領域の割合）が、例えば、５０％の均一な分極反転周期構造を得ることが可能となる。
また、絶縁層の膜厚を変えて形成する方法は、フォトリソグラフィ法により形成することができるため、簡易な製造方法により波長変換素子を製造することが可能である。
【００１９】
また、本発明の波長変換素子の製造方法は、前記絶縁層の材料として樹脂材料を用い、前記絶縁層を形成する工程が、前記絶縁層を加熱し溶融させるリフロー工程を含むことが好ましい。
【００２０】
本発明に係る波長変換素子の製造方法では、絶縁層の材料として樹脂材料を用い、リフロー処理工程を備えることにより、非線形部材の一方の面に対して絶縁層が開口部あるいは膜厚の薄い部分に向かってゆるやかに傾斜する。このように、第１絶縁層及び第２絶縁層を非線形光学部材の上方側に曲面を有するように形成することにより、第１絶縁層及び第２絶縁層が第１電極の成膜時の影にならない。これにより、絶縁層の開口部や膜厚分布を有する絶縁層の窪んだ領域内に均一に第１電極を形成し易くなるため、断線等が生じることなく、膜厚が比較的均一になる。したがって、第１電極と第２電極との間に、確実に電圧を印加することができるため、精度良く分極反転領域を形成することができる。
また、絶縁層が第１絶縁層及び第２絶縁層を有する場合に適用すると、リフロー処理条件によって第１絶縁層と第２絶縁層との間の開口部の大きさを調整することができるため、第１電極と非線光学形部材の一方の面との接触面積を調整することが可能となる。したがって、非線形部材の材質等に応じて、非線形光学部材の分極反転領域の電荷密度を調整することができるため、精度の良い分極反転周期構造を得ることが可能となる。
また、リフロー処理工程により、第１絶縁層と第２絶縁層とを非線形光学部材上で接触させることが可能となるため、第１絶縁層と第１電極との境界部と、第２絶縁層と第１電極との境界部とを同一の箇所にすることができる。これにより、分極反転領域と非分極反転領域との電界のコントラストを向上させることが可能である。
【００２１】
また、本発明の波長変換素子は、上記の波長変換素子の製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係る波長変換素子では、上述した波長変換素子の製造方法により、非線形光学部材の光を入射させる方向に均一な分極反転周期を形成すること可能となる。したがって、光の変換効率が高い波長変換素子を提供することが可能となる。
【００２２】
また、本発明の光源装置は、光を射出する光源と、該光源から射出された光の波長を所定の波長に変換する上記の波長変換素子とを備えることを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る光源装置では、光源から射出された光のうち一部の光は、波長変換素子により所定の波長に変換される。ここで、波長変換素子は、光の変換効率が高いため、装置全体の光の利用効率を向上させることが可能となる。
【００２４】
また、本発明の照明装置は、上記光源装置を備えることを特徴とする。
本発明に係る照明装置では、光の利用効率が高い光源装置を備えているため、明るい光を射出することが可能となる。
【００２５】
本発明のプロジェクタは、上記の光源装置と、該光源装置から射出される光を変調する光変調手段と、該光変調手段によって変調された光を投射する投射装置とを備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係るプロジェクタでは、光源装置から射出された光は、光変調手段により変調される。そして、変調された光は、投射装置により投射される。ここで、プロジェクタは、光の利用効率が高い光源装置を備えているので、明るく鮮明な画像を投射することが可能となる。
【００２７】
本発明のモニタ装置は、上記の光源装置と、該光源装置から射出された光により被写体を撮像する撮像手段とを備えることを特徴とする。
【００２８】
本発明に係るモニタ装置では、光源装置より射出された光は被写体を照射し、撮像手段により被写体を撮像する。このとき、上述したように、光の利用効率が高い光源装置を備えているので、明るい光により被写体が照射される。したがって、撮像手段により被写体を鮮明に撮像することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照して、本発明に係る波長変換素子の製造方法、波長変換素子、光源装置、照明装置、プロジェクタ及びモニタ装置の実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
図１は、本実施形態の波長変換素子の分極反転周期構造を示す斜視図であり、図２は、非線形光学部材に絶縁層を成膜した状態を示す要部断面図であり、図３は、絶縁層をフォトリソグラフィ法により所定の形状に形成した状態を示す斜視図であり、図４（ａ），（ｂ）は、リフロー処理を施した状態を示す要部断面図であり、図５は、電極を蒸着した状態を示す要部断面図であり、図６は、電極に電圧を印加する状態を示す要部断面図であり、図７（ａ），（ｂ）は、非線形光学部材の分極反転領域を示す要部断面図であり、図８は、分極反転領域の進行状態を示す要部断面図であり、図９は、分極反転周期構造を示す要部断面図である。
【００３０】
［第１実施形態］
本発明に係る波長変換素子の製造方法により製造される波長変換素子１は、図１に示すように、非分極反転領域１６ａと分極反転領域１６ｂとが交互に形成されたドメインの繰り返し構造を有する。波長変換素子１の非分極反転領域１６ａと分極反転領域１６ｂとが交互に形成された方向（分極反転周期方向）をＸ方向とし、このＸ方向に光を入射する。この波長変換素子１のＸ方向の非分極反転領域１６ａの幅をＰ１とし、分極反転領域１６ｂの幅をＰ２とする。この幅Ｐ１と幅Ｐ２とは略同じであり、分極反転周期のピッチはΛである（Λ＝Ｐ１＋Ｐ２）。また、非分極反転領域１６ａとは、非線形光学部材の元々の自発分極方向を有する領域を示し、分極反転領域１６ｂとは、元々の自発分極方向を反転させた領域を示す。
また、Ｙ方向は、分極反転領域１６ｂの長手方向であり、Ｚ方向は、非線形光学部材に電圧を印加する方向である。
なお、分極反転周期のピッチΛは、変換する波長によって決められており、青色の光を射出させるためには、分極反転周期のピッチＰは４．３μｍであり、緑色の光を射出させるためには、分極反転周期のピッチＰは６．８μｍであり、赤色の光を射出させるためには、分極反転周期のピッチＰは１０．２μｍである。なお、この値は一例に過ぎない。
【００３１】
次に、本発明に係る波長変換素子１の製造方法について、図２から図９を参照して説明する。
まず、図２に示すように、真空チャンバ（図示略）内にＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）基板（非線形光学部材）１０を準備し、真空ポンプにより真空チャンバ内の真空引きを行う。真空チャンバ内が真空引きされた後、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面（一方の面）１０ａの全面にレジスト（絶縁層）１１を塗布する。本実施形態では、樹脂材料の一例としてレジストを用いる。
そして、フォトリソグラフィ法を用いて、図３に示すように、後に分極反転領域１６ｂとなる領域に対応するレジスト１１に所定の間隔で開口部１１ｅを形成する。ここで、説明の都合上、レジスト層１１は、ＬｉＮｂＯ３基板１０の非分極反転領域１６ａに対応して形成された第１レジスト（第１絶縁層）１１ａと呼び、ＬｉＮｂＯ３基板１０の分極反転領域１６ｂに対応して形成された第２レジスト（第２絶縁層）１１ｂと呼ぶ。この第１レジスト１１ａ及び第２レジスト１１ｂは、１つの分極反転領域１６ｂ，非分極反転領域１６ａを見るとＹ方向に延びており、全体的にはＸ方向にストライプ状に所定の間隔をあけて形成される。また、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂの膜厚Ｌは３μｍ程度である。
【００３２】
その後、８０℃、３０分のリフロー処理により第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂを軟化させる。これにより、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂが、図４（ａ）に示すように、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａの上方側に曲面を有する形状となる。このとき、図４（ｂ）に示すように、第２レジスト１１ｂの膜厚Ｌ２に比べて、第１レジスト１１ａの膜厚Ｌ１の方が厚く（Ｌ１＞Ｌ２）、第２レジスト１１ｂのＸ方向の幅Ｑ２に比べて、第１レジスト１１ａの幅Ｑ１の方が長い（Ｑ１＞Ｑ２）。また、第１レジスト１１ａの幅Ｑ１は、分極反転周期のピッチΛの半分より長い（Ｑ１＞Λ／２）。
このとき、リフロー処理の温度，時間等により、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂの間の開口部１１ｅの大きさや、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂのそれぞれの幅を調整することができる。そして、図５に示すように、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａ側から全面に膜厚１μｍ程度の金属膜を蒸着法により成膜し、第１電極１２を形成する。電極としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｎｉ等導電性を有する材質を用いる。また、ＬｉＮｂＯ３基板１０の下面（他方の面）１０ｂにも、金属膜を蒸着法により成膜し第２電極１３を形成する。これにより、第１電極１２は、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂ上及び開口部１１ｅ内に形成され、開口部１１ｅ内の第１電極１２とＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａとが接触する。すなわち、分極反転領域１６ｂの長手方向（Ｙ方向）に沿う方向に第１電極１２とＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａとが接触する。
【００３３】
そして、図６に示すように、電源１５により第１電極１２と第２電極１３との間にパルス状の電圧を印加する。また、印加電圧としては、例えば、１８ｋＶ／ｍｍの電圧である。
電圧印加により、図７（ａ）に示すように、開口部１１ｅ内の第１電極１２（第２レジスト１１ｂの両側）から分極反転が開始する。詳細には、図７（ｂ）に示すように、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂ間の第１電極１２の端部、すなわち、第１電極１２と第１レジスト１１ａとの境界部（以下、エッジ部と称す）をＥ１とし、第１電極１２と第２レジスト１１ｂとのエッジ部をＥ２とすると、エッジ部Ｅ１，Ｅ２に電荷が集中する。そして、１つの分極反転領域１６ｂにおいて、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂ間のエッジ部Ｅ１，Ｅ２の４箇所から分極反転部ＡがＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａから下面１０ｂ（Ｚ方向）に向かって進行する。
そして、図８に示すように、分極反転部ＡがＬｉＮｂＯ３基板１０の下面１０ｂまで進行するだけの時間が経過した後、電源１５により第１電極１２と第２電極１３との間に、例えば、２１ｋＶ／ｍｍの電圧を印加する。これにより、分極反転部Ａは、図９に示すように、横方向（Ｘ方向）に広がり、分極反転領域１６ｂが埋まり、ＬｉＮｂＯ３基板１０には、非分極反転領域１６ａと分極反転領域１６ｂとが交互に形成される。このとき、非分極反転領域１６ａの幅Ｐ１と分極反転領域１６ｂの幅Ｐ２とが同じであり、すなわち、分極反転周期のピッチΛに対する分極反転している領域の割合（デューティー比）が、例えば、約５０％となる。
なお、分極反転後は、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂを取り除いても、そのまま残しておいても良い。
【００３４】
本実施形態に係る波長変換素子１の製造方法では、従来のように分極反転領域１６ｂに全面に電極を形成する場合に比べて、第１電極１２とＬｉＮｂＯ３基板１０との接触面積が少なくなるため、ＬｉＮｂＯ３基板１０と接触する第１電極１２に電荷が集中する。このように、分極反転領域１６ｂにおける電荷密度が上昇するため、ＬｉＮｂＯ３基板１０の面内に、デューティー比が５０％の均一な分極反転周期構造を安定して得ることが可能となる。
【００３５】
また、一般的に、第２レジスト１１ｂを設けず、分極反転領域１６ｂの全面に第１電極１２を形成し、エッジ部Ｅ１だけから分極反転部Ａが形成されるのに対して、本実施形態のように、分極反転領域１６ｂにも第２レジスト１１ｂを設けて開口部１１ｅを形成することにより、エッジ部Ｅ１，Ｅ２から分極反転部Ａが形成される。このように、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａにエッジ部Ｅ１，Ｅ２から分極反転部Ａが形成されることにより、非分極反転領域１６ａと分極反転領域１６ｂとが形成される方向（Ｘ方向）に分極反転部Ａの広がる量を少なくすることができる。したがって、Ｘ方向の分極反転部Ａの不均一性を最小限に抑えることが可能となる。
このような、製造方法により製造された波長変換素子１は、非分極反転領域１６ａの幅Ｐ１と分極反転領域１６ｂの幅Ｐ２との分極反転周期のピッチΛを均一に形成されたものとなるため、光の変換効率の高いものとなる。
つまり、本実施形態の波長変換素子１の製造方法は、ＬｉＮｂＯ３基板１０の面内の分極反転領域１６ｂに安定的に電圧を印加することができるため、光の変換効率が高い波長変換素子１を製造することが可能である。
【００３６】
また、分極反転部ＡはＸ方向に広がり、第１レジスト１１ａの下方まで分極反転領域Ａが進行するため、第２レジスト１１ｂのＸ方向の幅Ｑ２に比べて、第１レジスト１１ａの幅Ｑ１の方を長く、第１レジスト１１ａの幅Ｑ１を分極反転周期のピッチΛの半分より長くすることにより、デューティー比が５０％の均一な分極反転周期構造を得ることが可能となる。
また、フォトリソグラフィ法により第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂを形成し、その後、第１電極１２を形成するため、簡易な方法で、分極反転領域１６ｂに第１電極１２を形成することができる。
また、第１レジスト１１ａの幅Ｑ１に比べて、幅Ｑ２の短い第２レジスト１１ｂの膜厚Ｌ２を薄くすることにより、第１レジスト１１ａと第２レジスト１１ｂとの間の開口部１１ｅに第１電極１２が蒸着し易くなる。これにより、開口部１１ｅ内に正確に第１電極１２が蒸着されるため、第１電極１２と第２電極１３との間により安定的に電圧を印加することが可能となる。
【００３７】
また、リフロー処理により第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂを軟化した後、第１電極１２を蒸着しているため、開口部１１ｅに向かって第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂが傾斜する。これにより、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂが、第１電極１２の成膜時の影にならないので、開口部１１ｅ内に第１電極１２を蒸着し易くなる。
さらに、フォトリソグラフィ法によりレジスト１１を所定の形状に形成する工程、あるいは、リフロー処理工程により第１レジスト１１ａと第２レジスト１１ｂとの間の開口部１１ｅの大きさを調整することができる。これにより、第１電極１２とＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａとの接触面積を調整することが可能となる。
【００３８】
なお、リフロー処理の工程で、非分極反転領域１６ａと分極反転領域１６ｂとに形成された第１，第２レジスト１１ａ、１１ｂの厚みを代えたが、リフロー処理の工程ではなく、図３に示すフォトリソグラフィ法の条件を調整することにより、第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂの高さを調整しても良い。
さらに、非分極反転領域１６ａと分極反転領域１６ｂとの第１，第２レジスト１１ａ，１１ｂの膜厚Ｌ１，Ｌ２は必ずしも異なる必要はなく、同じであっても良い。
【００３９】
また、図４に示すリフロー処理の工程後、図１０に示すように、ＮａＣｌ（塩化ナトリウム）を有する液体電極を用いても良い。すなわち、第１，第２レジスト１１ａ、１１ｂを含む第１空間を形成する第１収容部１７と、ＬｉＮｂＯ３基板１０の下面１０ｂを含む空間を形成する第２収容部１８とを有している。第１，第２収容部１７，１８のそれぞれの空間には、第１ＮａＣｌ溶液１９ａ，第２ＮａＣｌ溶液１９ｂがそれぞれ充填されている。また、第１ＮａＣｌ溶液１９ａは、第１収容部１７と上面１０ａとが対向する面に設けられたＯリング１４ａにより、第１収容部１７の外部に漏れないようになっている。また、第２ＮａＣｌ溶液１９ｂは、第２収容部１８と下面１０ｂとが対向する面に設けられたＯリング１４ｂにより、第２収容部１８の外部に漏れないようになっている。
さらに、第１収容部１７の内面１７ａには第１電極２０ａが設けられており、第２収容部１８の内面１８ａには第２電極２０ｂが設けられている。
この構成により、電源１５により第１電極２０ａと第２電極２０ｂとの間にパルス状の電圧を印加することで、ＬｉＮｂＯ３基板１０の開口部１１ｅが形成された上面１０ａには、第１ＮａＣｌ溶液１９ａを介して電圧が印加され、ＬｉＮｂＯ３基板１０の下面１０ｂには、第２ＮａＣｌ溶液１９ｂを介して電圧が印加される。このようにして、図９に示すように、非分極反転領域１６ａと分極反転領域１６ｂとが交互に形成される。
【００４０】
［第１実施形態の変形例］
図４に示す第１実施形態では、第１，第２レジスト１１ａ、１１ｂを完全に分離してＸ方向にストライプ状になるように形成したが、図１１に示すように、第１，第２レジスト２１ａ，２１ｂが連続的に形成された膜厚分布を有する断面視波型の構成であっても良い。このような変形例について、図１１を参照して説明する。
【００４１】
この構成では、レジストの膜厚分布は、分極反転領域１６ｂの第２レジスト２１ｂの膜厚が、非分極反転領域１６ａの第１レジスト２１ａの膜厚より薄い分布である。具体的には、膜厚分布の中で、最も膜厚の薄いところがＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａに接触している。これにより、図１１に示すように、第１電極１２の端部、すなわち、第１電極１２と第１レジスト２１ａとのエッジ部（境界部）Ｅａと、第１電極１２と第２レジスト２１ｂとのエッジ部（境界部）Ｅａとは同じ位置となる。このような第１，第２レジスト２１ａ，２１ｂは、隣接するレジスト２１ａ，２１ｂがリフロー処理時に接触するように、第１，第２レジスト２１ａ，２１ｂの間隔やリフロー処理の条件を最適化することで形成される。例えば、フォトリソグラフィ法により、隣接する第１，第２レジスト２１ａ，２１ｂの間隔を０．３μｍ〜０．５μｍにすることにより、リフロー処理を行うことで、隣接する第１，第２レジスト２１ａ，２１ｂを接触させることができる。そして、このようにして形成された凹部１１ｆ内及び第１，第２レジスト２１ａ，２１ｂ上に第１電極１２を形成する。
【００４２】
したがって、上述した実施形態では、４箇所のエッジ部Ｅ１，Ｅ２から分極反転領域１６ｂに分極反転領域１６ｂを形成したが、図１１に示す構成では、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａと第１電極１２とは線接触であるため、２箇所のエッジ部Ｅａから分極反転領域１６ｂに分極反転領域１６ｂを形成する。これにより、分極反転領域１６ｂと非分極反転領域１６ａとの電界のコントラストを向上させることが可能であるため、分極反転領域１６ｂを容易に形成することができる。
なお、第１電極１２は、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａに必ずしも接触していなくても良い。この構成では、第１電極１２と第２電極１３との間に印加する電圧を上げることにより、分極反転領域１６ｂを得ることが可能となる。
【００４３】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について、図１２から図１６を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態の図面において、上述した第１実施形態に係る波長変換素子１の製造方法と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る波長変換素子１の製造方法では、開口部３２が、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａの分極反転周期方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）に沿って複数形成されている点において、第１実施形態と異なる。その他の構成においては第１実施形態と同様である。
【００４４】
次に、本発明に係る波長変換素子１の製造方法について、図１２から図１６を参照して説明する。
図１２は、非線形光学部材に絶縁層を成膜した状態を示す要部断面図であり、図１３は、絶縁層をフォトリソグラフィ法により所定の形状に形成した状態を示す要部断面図であり、図１４（ａ）がリフロー処理を施した状態を示す上面図であり、図１４（ｂ）が図１４（ａ）のＢ−Ｂ線矢視における断面図であり、図１５（ａ）が非線形光学部材の分極反転領域を示す上面図であり、図１５（ｂ）が図１５（ａ）のＢ−Ｂ線矢視における断面図であり、図１６は、分極反転周期構造を示す上面図である。また、図１５（ａ）は、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａと接触した第１電極４１のみを示す。
【００４５】
まず、第１実施形態と同様に、図１２に示すように、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａにレジスト（絶縁層）３１を塗布する。
そして、フォトリソグラフィ法を用いて、図１３に示すように、レジスト３１を分極反転領域３６ｂのＹ方向に沿って間隔をあけて開口部３２を形成する。
その後、８０℃、３０分のリフロー処理によりレジスト３１を軟化し、図１４に示すように、開口部３２間のレジスト３１を山状に形成する。このとき、図１４に示すように、隣接する開口部３２の間隔をｉ（レジスト３１のＹ方向の長さ）とし、開口部３２のＸ方向の幅をｗとすると、ｗ＞ｉの関係が成り立つ。また、レジスト３１の開口部３２の形状は、Ｙ方向に長い楕円状である。
【００４６】
そして、図１５（ａ）に示すように、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａの全面に第１電極４１の蒸着を行うことにより、開口部３２内に形成された第１電極４１がＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａと接触する。すなわち、開口部３２の配列方向（Ｙ方向）に第１電極４１が所定の間隔をあけて飛び石状に複数列形成される。このような第１電極４１は、Ｘ方向及びＹ方向の２次元方向に同一直線上にそれぞれ配列されている。
また、開口部３２の幅ｗは第１電極４１の幅であり、開口部３２の間隔ｉは第１電極４１の間隔となる。また、ＬｉＮｂＯ３基板１０の下面１０ｂにも第２電極４２の蒸着を行う。
その後、電源（図示略）により、第１電極４１と第２電極４２との間にパルス状の電圧を印加する。これにより、図１５（ａ），図１５（ｂ）に示すように、第１電極４１の端部、すなわち、第１電極４１とレジスト３１との境界部がエッジ部Ｅ１となり、このエッジ部Ｅ１に電荷が集中する。そして、図１５（ｂ）に示すように、分極反転領域３６ｂに、エッジ部Ｅ１から分極反転部Ａが、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａから下面１０ｂに向かって進行する。そして、分極反転部ＡがＬｉＮｂＯ３基板１０の下面１０ｂまで進行すると、ＬｉＮｂＯ３基板１０の面内方向、すなわち、第１電極４１の配列方向（Ｙ方向）に広がる。これにより、エッジ部Ｅ１から発生し隣接する分極反転部Ａはつながり、図１６に示すように、第１電極４１の配列方向に分極反転領域１６ｂが形成される。
【００４７】
本実施形態に係る波長変換素子１の製造方法では、分極反転領域３６ｂに飛び石状に第１電極４１を設けることにより、従来のように分極反転領域３６ｂに全面に電極を形成する場合に比べて、第１電極４１とＬｉＮｂＯ３基板１０との接触面積が少なくなる。これにより、第１電極４１とレジスト３１との境界部、すなわち、エッジ部Ｅ１に電荷が集中する。また、第１実施形態に比べて、Ｘ方向及びＹ方向にエッジ部が増えるため、分極反転領域３６ｂには、電荷密度が上昇するため、ＬｉＮｂＯ３基板１０の面内に、デューティー比が５０％の均一な分極反転周期構造を得ることが可能となる。
また、リフロー処理によりレジスト３１を溶解した後、第１電極４１を蒸着しているため、開口部３２に向かってレジスト３１が傾斜するので、レジスト３１が第１電極４１の成膜時の影にならず、開口部３２内に第１電極４１を蒸着し易くなる。
【００４８】
［第２実施形態の変形例］
図１５（ａ）に示す第２実施形態では、第１電極４１は、Ｘ方向及びＹ方向の２次元方向に同一直線上にそれぞれ配列されている構成であったが、第１電極４１がＹ方向にずれて配置された千鳥配置であっても良い。このような変形例について、図１７から図１９を参照して説明する。本変形例は、第１電極４１と第２電極４２との間に電圧を印加し、エッジ部Ｅ１から発生し隣接する分極反転部Ａがつながったときに、Ｙ方向に直線にならないときに有効である。
【００４９】
本変形例の第１電極４１は、図１７に示すように、Ｘ方向に複数配列された第１電極４１が一列ごとに隣接する第１電極４１に対してＹ方向にずれて配置されている。具体的には、隣接する第１電極４１は、第１電極４１の分極反転方向に交差する方向のピッチの半分だけＹ方向にずれて配置されている。なお、図１７は、ＬｉＮｂＯ３基板１０の上面１０ａと接触した第１電極４１のみを示す。
本変形例は、第１電極４１と第２電極４２との間に電圧を印加すると、図１８に示すように、第２実施形態と同様に、分極反転部Ａが、第１電極４１の端部、すなわち、第１電極４１とレジスト３１との境界部であるエッジ部Ｅ１から発生する。そして、分極反転部ＡがＸＹ平面からＺ方向に進行した後、図１９に示すように、隣接する分極反転部Ａがつながる。このとき、非分極反転領域１６ａと分極反転領域１６ｂとの境界部Ｄが第１電極４１の楕円形状に沿って曲線を描いている。
【００５０】
ここで、第２実施形態のように、第１電極４１がＸ方向及びＹ方向に同一直線上に形成されていて、第１電極４１の形状に沿って分極反転が進行した場合、Ｘ方向の非分極反転領域１６ａの幅Ｔ１及び分極反転領域１６ｂの幅Ｔ２がＹ方向に一定ではなくなってしまう。
このとき、本変形例のように、第１電極４１を千鳥配列に形成することにより、分極反転領域１６ｂのＸ方向の幅Ｔ２はＹ方向に大きくなったり小さくなったりするが、非分極反転領域１６ａのＸ方向の幅Ｔ１はＹ方向に一定となる。これにより、分極反転領域１６ｂのＸ方向の幅Ｔ２が、非分極反転領域１６ａの幅Ｔ１と同じになる位置に光を入射させることにより、同一周期が確保される。すなわち、本変形例では、分極反転領域１６ｂの幅Ｔ２がＹ方向に異なる場合でも、波長変換素子１に光を入射させる入射位置を調整することにより、位相整合を満たす領域に比較的効率良く光を入射させ易くなる。
【００５１】
［第３実施形態：光源装置］
次に、第３実施形態について説明する。本実施形態では、上述の各実施形態で説明した波長変換素子の製造方法により製造された波長変換素子を備えた光源装置の一例について説明する。
図２０は、本実施形態に係る光源装置１００を示す概略構成図である。図２０に示すように、光源装置１００は、赤外光を射出する光源１０１と、第１実施形態の波長変換素子の製造方法により製造された波長変換素子１と、波長選択素子１０２とを備えている。
波長変換素子１（第２高調波発生素子、ＳＨＧ：Ｓｅｃｏｎｄ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）は、光源１０１から射出された光Ｗ１（図２０に示す実線）を所定の波長に変換する素子であり、入射光をほぼ半分の波長に変換する非線形光学素子である。
また、波長選択素子１０２は、図２０に示すように、波長変換素子１から射出された所定の選択波長のレーザ光Ｗ２（図２０に示す鎖線）を選択して光源１０１に向かって反射させることによって光源１０１の共振器ミラーとして機能するとともに、変換されたレーザ光Ｗ３（図２０に示す二点鎖線）を透過させるものである。波長選択素子１０２としては、例えば、周期格子を有するホログラムのような光学素子を用いることができる。
以上のように構成された光源装置１００によれば、光の変換効率の高い波長変換素子１を備えているため、装置全体の光の利用効率を向上させることが可能となる。
なお、本実施形態の光源装置１００において、波長選択素子１０２を備えた構成としたが、光源１０１の内部に共振器構造を有する場合は、波長選択素子１０２を必ずしも備える必要はない。
【００５２】
［第４実施形態：照明装置］
次に、第４実施形態について説明する。本実施形態では、上述の実施形態で説明した光源装置を応用した照明装置の一例について説明する。
図２１は、本実施形態に係る照明装置２００を示す概略構成図である。図２１に示すように、照明装置２００は、上述の第３実施形態で説明した光源装置１００を備えている。この光源装置１００は、光源１０１と、波長変換素子１と、波長選択素子１０２と、拡散板２１０とを備えている。
以上のように構成された照明装置２００によれば、シンチレーションの発生を軽減することが可能な光源装置１００を備えているので、照明装置２００自体もシンチレーションの発生が軽減されるものとなる。
【００５３】
［第５実施形態：プロジェクタ］
次に、第５実施形態について説明する。本実施形態では、上述の実施形態で説明した光源装置を応用したプロジェクタの一例について説明する。
本実施形態のプロジェクタ３００では、図２２に示すように、反射型のスクリーン３５０を用い、スクリーン３５０の正面側からスクリーン３５０上に画像情報を含む光を投射する。
プロジェクタ３００は、図２２に示すように、光源装置１００と、光変調装置（光変調手段）３２０と、ダイクロイックプリズム（色合成手段）３３０と、投射装置３４０とを備えている。
光源装置１００は、赤色光を射出する赤色光源装置（光源）１００Ｒと、緑色光を射出する第３実施形態の緑色光源装置（光源）１００Ｇと、青色光を射出する第３実施形態の青色光源装置（光源）１００Ｂとからなる。
【００５４】
また、液晶ライトバルブ３２０は、赤色光源装置１００Ｒから射出された光を画像情報に応じて光変調する２次元の赤色用光変調装置３２０Ｒと、緑色光源装置１００Ｇから射出された光を画像情報に応じて光変調する２次元の緑色用光変調装置３２０Ｇと、青色光源装置１００Ｂから射出された光を画像情報に応じて光変調する２次元の青色用光変調装置３２０Ｂとからなる。さらに、ダイクロイックプリズム３３０は、各光変調装置３２０Ｒ，３２０Ｇ，３２０Ｂにより変調された各色光を合成するものである。
また、各光源装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂから射出された光の照度分布を均一化させるため、各光源装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系３０２Ｒ，３０２Ｇ，３０２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ３２０Ｒ，３２０Ｇ，３２０Ｂを照明している。例えば、均一化光学系３０２Ｒ，３０２Ｇ、３０２Ｂは、例えば、ホログラム３０２ａ及びフィールドレンズ３０３ｂによって構成される。
また、投射装置３４０は、ダイクロイックプリズム３３０で合成された光をスクリーン３５０上に投射するものである。
【００５５】
以上のように構成されたプロジェクタ３００によれば、光の利用効率が高い光源装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂを備えているので、明るく鮮明な画像をスクリーン３５０に投射することが可能となる。
なお、赤色光源装置１００Ｒは、光源１０１が赤色光（可視光）を射出する光源装置を用いたが、第３実施形態で示した光源装置１００のように、赤外光を射出する光源１０１を備え、光源１０１から射出された光の波長を変換する光源装置を用いても良い。
また、第３実施形態の光源装置１００をプロジェクタ３００に限らず、走査型の画像表示装置にも適用することが可能である。
【００５６】
［第６実施形態：モニタ装置］
次に、第３実施形態に係る光源装置１００を応用したモニタ装置４００の構成例について説明する。図２３は、モニタ装置の概略を示す模式図である。モニタ装置４００は、装置本体４１０と、光伝送部４２０とを備える。
【００５７】
光伝送部４２０は、光を送る側と受ける側の２本のライトガイド４２１，４２２を備える。各ライトガイド４２１，４２２は、多数本の光ファイバを束ねたもので、レーザ光を遠方に送ることができる。光を送る側のライトガイド４２１の入射側には光源装置１００が配設され、その出射側には拡散板４２３が配設されている。光源装置１００から出射したレーザ光は、ライトガイド４２１を伝って光伝送部４２０の先端に設けられた拡散板４２３に送られ、拡散板４２３により拡散されて被写体を照射する。
【００５８】
光伝送部４２０の先端には、結像レンズ４２４も設けられており、被写体からの反射光を結像レンズ４２４で受けることができる。その受けた反射光は、受け側のライトガイド４２２を伝って、装置本体４１０内に設けられた撮像手段としてのカメラ４１１に送られる。この結果、光源装置１００により出射したレーザ光により被写体を照射したことで得られる反射光に基づく画像をカメラ４１１で撮像することができる。
【００５９】
以上のように構成されたモニタ装置４００によれば、光の利用効率の高い光源装置１００により被写体を照射することができることから、カメラ４１１により得られる撮像画像の明るさを高めることができる。
【００６０】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、色光合成手段として、クロスダイクロイックプリズムを用いたが、これに限るものではない。色光合成手段としては、例えば、ダイクロイックミラーをクロス配置とし色光を合成するもの、ダイクロイックミラーを平行に配置し色光を合成するものを用いることができる。
また、ＬｉＮｂＯ３基板の下面に全面に第２電極を形成したが、ＬｉＮｂＯ３基板の下面の第１電極と対応する位置に、第１電極と同一形状の電極を設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る波長変換素子を示す斜視図である。
【図２】図１の波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図３】図１の波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図４】図１の波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図５】図１の波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図６】図１の波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図７】図１の波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図８】図１の波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図９】図１の波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図１０】図１の波長変換素子の製造方法の変形例を示す図である。
【図１１】図５に示す絶縁層の形状の変形例を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図１３】波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図１４】波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図１５】波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図１６】波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係る波長変換素子の製造方法の変形例を示す図である。
【図１８】波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図１９】波長変換素子の製造方法を示す図である。
【図２０】本発明の第３実施形態に係る光源装置を示す平面図である。
【図２１】本発明の第４実施形態に係る照明装置を示す斜視図である。
【図２２】本発明の第５実施形態に係るプロジェクタを示す平面図である。
【図２３】本発明の第６実施形態に係るモニタ装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１…波長変換素子、１０…ＬｉＮｂＯ３基板（非線形光学部材）、１０ａ…上面（一方の面）、１０ｂ…下面（他方の面）、１１…レジスト（絶縁層）、１１ａ…第１レジスト（第１絶縁層）、１１ｂ…第２レジスト（第２絶縁層）、１２…第１電極、１３…第２電極、１００…光源装置、１０２…波長選択素子、２００…照明装置、３００…プロジェクタ、３２０…光変調装置（光変調手段）、４００…モニタ装置、４１１…カメラ（撮像手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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