(57)【要約】【課題】輝点欠陥画素のリペアを向上させる。【解決手段】輝点欠陥画素２６にレーザ光を照射し、その内部に光透過性を減じる加工痕を形成するリペア工程を有する液晶表示装置の製造方法において、レーザ光スポットＳの照射位置を輝点欠陥画素の一端辺に平行に照射スポットの半径より少ないずれ量で順次移動させ、レーザ光を照射する第１のレーザ光照射工程と、レーザ光の照射スポットの照射位置が輝点欠陥画素の前記一端辺に連なる他端辺近傍に到達した後、レーザ光スポットの照射位置を照射スポットの半径より大きいずれ量でずらして折り返しレーザ光を照射する第２のレーザ光照射工程と、を備える。【選択図】    図５
2009047850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示装置の輝点欠陥画素の光透過方向からレーザ光を照射し、その輝点欠陥画素の内部に光透過性を減じる加工痕を形成するリペア工程を有する液晶表示装置の製造方法において、
前記レーザ光の照射スポットの照射位置を前記輝点欠陥画素の一端辺に平行に照射スポットの半径より少ないずれ量で順次移動させ、レーザ光を照射する第１のレーザ光照射工程と、
前記レーザ光の照射スポットの照射位置が前記輝点欠陥画素の前記一端辺に連なる他端辺近傍に到達した後、レーザ光の照射スポットの照射位置を照射スポットの半径より大きいずれ量でずらして折り返し、前記第１のレーザ光照射工程により移動する前記レーザ光の照射スポットの照射位置の移動方向と平行に順次移動させ、レーザ光を照射する第２のレーザ光照射工程と
を具備することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１及び第２のレーザ光照射工程により移動する前記レーザ光の照射スポットの照射位置を、前記輝点欠陥画素の前記一端辺に対向する端辺まで移動させる第３のレーザ光照射工程を具備することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２のレーザ光照射工程では、前記レーザ光の照射スポットの照射位置を１スポットの直径分前記移動方向に平行にずらした後、折り返して前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の液晶表示装置の製造方法により、輝点欠陥画素内の周縁部を除く領域に輝点となる非加工領域が生じないように形成された加工痕を有する輝点欠陥画素を具備することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
主面に配向膜が形成された第１の基板と、主面に電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とが所定の間隙を有して対向配置され、前記間隙に液晶が封入されている液晶表示装置であって、
前記電極に対向配置される前記配向膜の一部は除去加工領域を有し、この除去加工領域と前記配向膜の非加工領域との境界が、この境界を形成する形状を包絡する仮想の線が凹凸状となるように形成されていること、を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置に関し、特に、液晶表示装置内に輝点欠陥画素が生じた場合、その輝点欠陥画素の光透過方向からレーザ光を照射し、その輝点欠陥画素の内部に光透過性を減じる加工痕を形成するリペア工程を有する液晶表示装置の製造方法及び輝点欠陥画素をリペアした画素を有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１に記載されているように、液晶表示装置の輝点欠陥画素の光透過方向からレーザ光を照射し、その輝点欠陥画素の内部に光透過性を減じる加工痕を形成し、輝点欠陥を目立たなくする（以下、「リペアする」という。）ようにした液晶表示装置の製造方法が知られている。輝点欠陥画素とは、光透過率が周囲の画素より高く、光を遮断して黒色表示しようとする場合に輝点となる画素である。
【０００３】
図９は、下記特許文献１に記載された液晶表示装置における輝点欠陥画素をリペアした画素１００を示す模式図である。画素１００内には、液晶の配向（液晶の分子の初期配列）を光が透過しにくい方向に変化させる帯状の加工痕１０１が複数形成されている。複数の帯状の加工痕１０１は、互いに平行に配列されている。
【０００４】
帯状の加工痕１０１の形成は、図１０に示す輝点欠陥画素１０２にレーザ光を照射し、レーザ光スポットＳを図１０に示す矢印方向に移動させることにより行われる。
【０００５】
すなわち、輝点欠陥画素１０２にレーザ光を照射することにより輝点欠陥画素１０２の領域内の液晶が加熱されて液晶内に気泡が発生し、さらに、輝点欠陥画素１０２内の配向膜やＩＴＯ膜（画素電極膜）が加熱されて溶融若しくは破裂する。破裂した配向膜やＩＴＯ膜は微粒子となって気泡内で飛散し、溶融した配向膜の上若しくは破裂した配向膜の痕に飛散した微粒子が付着堆積することにより輝点欠陥画素１０２内に平面視円形の加工痕１０３が形成される。そして、レーザ光を点滅させながらレーザ光スポットＳを矢印方向に移動させることにより、移動方向に沿って複数の円形の加工痕１０３が順次形成される。円形の加工痕１０３は、互いに隣接して位置する円形の加工痕１０３の一部が重なるように形成され、これらの円形の加工痕１０３が集合することにより帯状の加工痕１０１が形成されている。  
【特許文献１】特開２００５−２７５１３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した液晶表示装置の製造方法及び製造された液晶表示装置においては、以下の点について配慮がなされていない。
【０００７】
図９に示すように、隣接して位置する帯状の加工痕１０１の間には、レーザ光が照射されず、加工痕が形成されない非加工領域Ａが存在する。
【０００８】
非加工領域Ａでは、配向膜やＩＴＯ膜の溶融や破裂が行われず、飛散した微粒子の付着堆積のみが行われている。このため、非加工領域Ａは、レーザ光が照射された加工痕１０１の領域に比べて、光を透過しにくい方向への液晶の配向の変化が少なく、光が透過しやすくなっている。したがって、レーザ光が照射されない非加工領域Ａでは、レーザ光が照射された加工痕１０１の領域に比べて輝度の低下が少なく、光を遮断して黒色表示する状態に画素１００を制御した場合、非加工領域Ａが微輝点となる傾向がある。
【０００９】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的は、輝点欠陥画素のリペアを向上させることができる液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、液晶表示装置の製造方法において、レーザ光の照射スポットの照射位置を前記輝点欠陥画素の一端辺に平行に照射スポットの半径より少ないずれ量で順次移動させ、レーザ光を照射する第１のレーザ光照射工程と、
前記レーザ光の照射スポットの照射位置が前記輝点欠陥画素の前記一端辺に連なる他端辺近傍に到達した後、レーザ光の照射スポットの照射位置を照射スポットの半径より大きいずれ量でずらして折り返し、前記第１のレーザ光照射工程により移動する前記レーザ光の照射スポットの照射位置の移動方向と平行に順次移動させ、レーザ光を照射する第２のレーザ光照射工程と、を備えることである。
【００１１】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、主面に配向膜が形成された第１の基板と、主面に電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とが所定の間隙を有して対向配置され、前記間隙に液晶が封入されている液晶表示装置であって、前記電極に対向配置される前記配向膜の一部は除去加工領域を有し、この除去加工領域と前記配向膜の非加工領域との境界が、この境界を形成する形状を包絡する仮想の線が凹凸状となるように形成されていることである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、輝点欠陥画素のリペアを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置１は、図１に示すように、平行に対向させて配置される２枚のガラス基板２、３を有している。これらのガラス基板２、３の外側面には偏光フィルム４、５が貼り付けられている。ガラス基板２、３の間には、液晶６が封入されている。
【００１５】
一方のガラス基板２の内側面には、ＩＴＯ膜（画素電極膜）７が形成され、ＩＴＯ膜７の上に配向膜８が形成されている。
【００１６】
他方のガラス基板３の内側面には、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のカラーフィルタ９が形成されている。カラーフィルタ９の上には、ＩＴＯ膜（共通電極膜）１０と配向膜１１とが順次形成されている。
【００１７】
この液晶表示装置１においては、ＩＴＯ膜７、１０への通電状態を制御することにより液晶６の分子の配列状態が変更され、光の透過と遮断とが制御される。
【００１８】
液晶表示装置１に輝点欠陥画素が発生した場合、この輝点欠陥画素を目立たなくするリペア作業がリペア装置１３を用いて行われる。リペア装置１３は図２に示すように、リペア対象となる液晶表示装置１を保持する第１ステージ１４を有している。この第１ステージ１４には制御装置１５が接続され、この制御装置１５から指令信号を与えることで第１ステージ１４が駆動される。第１ステージ１４に保持された液晶表示装置１は、水平方向で直交する２方向に移動可能となっている。
【００１９】
第１ステージ１４の上面側には、高倍率の集光レンズ１６が配置されている。この集光レンズ１６は円柱状に形成され、その軸心線は略垂直方向に向けられている。この集光レンズ１６の上方からパルスレーザ光Ｌが導入されることで、集光レンズ１６の下方にレーザ光スポットＳが形成される。
【００２０】
集光レンズ１６は、電動式のレボルバ１９に保持されている。このレボルバ１９には、集光レンズ１６の他に輝点欠陥画素を観察するための低倍率の観察用レンズ２０が保持されており、レボルバ１９を回転駆動することで、集光レンズ１６と観察用レンズ２０とを切り替えることができる。
【００２１】
レボルバ１９は、レーザ光Ｌが通過可能な開口を有する第２ステージ２１に保持されている。この第２ステージ２１には制御装置１５が接続され、制御装置１５から指令信号が与えられることで第２ステージ２１が駆動され、集光レンズ１６をレボルバ１９ごと水平方向で直交する２方向に移動させることができる。
【００２２】
集光レンズ１６に導入されるパルスレーザ光Ｌは、レーザ光出射部１８から出射される。レーザ光出射部１８は、レーザ発振器２２、アッテネータ２３、パワーモニタ２４、反射ミラー２５を備えている。レーザ発振器２２から出射した光はアッテネータ２３を通過することによって加工対象について適正なパワーレベルになるまで減衰され、第２ステージ２１に設けられた開口の直上に配置する反射ミラー２５に入射する。反射ミラー２５はレーザ光を第２ステージ２１に設けられた開口に向けて反射し、この反射されたレーザ光Ｌは集光レンズ１６によって集光され、焦点位置に配設される被加工物に対して照射され、レーザ光スポットＳを形成する。パワーモニタ２４は、アッテネータ２３から出射した光の一部を取り出してパワーを計測する。計測されたパワーに基づいてレーザ発振器２２の出力レベルを安定させるようフィードバック制御を行う。
【００２３】
図３は、図４及び図５に示す輝点欠陥画素２６をリペアした画素２７を示す模式図である。画素２７内には、液晶６の配向を光が透過しにくい方向に変化させる加工痕２８がその周縁部を除く領域に形成されている。液晶６の配向を光が透過しにくい方向に変化させることは、液晶の分子の配列をランダムにしたり、液晶の位相を１８０度ずらすことにより行われている。この加工痕２８は、輝点欠陥画素２６の光透過方向からレーザ光を照射し、そのレーザ光スポットＳを図４において矢印で示す方向、すなわち前記輝点欠陥画素の一端辺に平行に折り返しながら順次移動させることにより形成される。
【００２４】
まず、レーザ光を輝点欠陥画素２６に照射することにより、図５に示すように、輝点欠陥画素２６内に平面視円形の単位加工領域２９が形成される。この円形の単位加工領域２９は、点滅しながら移動するレーザ光スポットＳの移動軌跡に沿って順次形成され、レーザ光スポットＳの移動方向に沿って隣接して位置する各々の円形の単位加工領域２９は、互いに一部が重なっている。そして、一部が重なって直線方向に連なる複数の円形の単位加工領域２９が集合し、帯状の単位加工領域３０が形成されている。この帯状の単位加工領域３０は複数形成され、一つの帯状の単位加工領域３０とこの帯状の単位加工領域３０に隣接して位置する他の帯状の単位加工領域３０とが、単位加工領域３０の長手方向に沿って隙間無く重なっている。尚、複数の帯状の単位加工領域３０については、必要に応じて３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、…と表わす。
【００２５】
隙間無く重なるように形成された複数の帯状の単位加工領域３０が集合することにより、図３に示す加工痕２８が形成されている。この加工痕２８は、画素２７における少なくとも画素領域内の周縁部２７ａを除く全領域に形成されている。画素２７における画素領域内の周縁部２７ａは、たとえ加工されなくとも、輝点欠陥が比較的目立たない領域に設定される。
【００２６】
レーザ光スポットＳの照射位置に形成される円形の単位加工領域２９は、図６に示すように、直径ａが３μｍ、隣接する２つの円形の単位加工領域２９の重なり寸法ｂが２．８μｍに設定されている。照射スポットＳの中心間のずれ量で言い換えると、照射スポットＳの半径より少ない寸法となっている。また、隣接する帯状の単位加工領域３０の重なり寸法ｃは０．５μｍに設定されている。照射スポットの中心間のずれ量で言い換えると、照射スポットの半径より大きく直径より小さいずれ量となっている。このように同一の帯状の単位加工領域３０内及びこの帯状の単位加工領域３０に隣接する他の円形の単位加工領域２９との距離（あるいはオーバーラップ率）を適正に組み合わせることにより、隣接する円形の単位加工領域２９が互いに隙間無く重なる。このような条件で加工することにより、加工痕内部に輝点となる非加工領域が無い加工痕２８が形成される。帯状の単位加工領域３０間の距離を縮めると加工領域の行数が増加して加工時間が長くなり、以下に説明する第一段階目で形成した気泡が消滅してしまうおそれがあるので、加工条件は被加工物の加工特性に応じて適宜決定される。
【００２７】
輝点欠陥画素２６をリペアするリペア工程の手順について、以下に説明する。リペア工程では、輝点欠陥画素２６内へのレーザ光の照射が二段階に行われる。
【００２８】
一段階目のレーザ光の照射により、輝点欠陥画素２６内の液晶６が加熱され、液晶６内に気泡が発生する。液晶６内に気泡を発生させるためのレーザ光の照射は、輝点欠陥画素２６内の一箇所又は複数箇所に対して行われ、輝点欠陥画素２６の画素領域の全域が液晶の液体成分が気化した気泡で満たされるようにスポット径とエネルギー量が設定されて照射される。
【００２９】
二段階目のレーザ光の照射は、液晶６内に気泡を発生させた後に、この気泡が存在している間に行われ、レーザ光スポットＳを図４及び図５の矢印で示す方向に輝点欠陥画素２６上を所定のオーバーラップ率を保って移動させる。
【００３０】
二段階目のレーザ光が照射されることにより、輝点欠陥画素２６内の配向膜８、１１やＩＴＯ膜７、１０が加熱されて溶融若しくは破裂し、レーザ光スポットＳの照射位置に円形の単位加工領域２９が形成される。そして、レーザ光スポットＳが輝点欠陥画素２６上を移動することにより、複数の円形の単位加工領域２９がレーザ光スポットＳの移動方向に沿って直線方向に連なった一つの帯状の単位加工領域３０が形成される。さらに、一つの帯状の単位加工領域３０の長手方向に沿って重なるように他の帯状の単位加工領域３０が順次形成され、順次形成された複数の帯状の単位加工領域３０が集合して加工痕２８が形成されている。
【００３１】
また、二段階目のレーザ光がが照射されることにより、破裂した配向膜８、１１やＩＴＯ膜７、１０が微粒子となって気泡内で飛散する。
【００３２】
このようにして、レーザ光が輝点欠陥画素２６上に照射されることにより配向膜８、１１やＩＴＯ膜７、１０が溶融若しくは破裂し、溶融した配向膜８、１１の上若しくは破裂した配向膜８、１１の痕に、飛散した微粒子が付着堆積することにより加工痕２８が形成される。加工痕２８が形成された領域内では、液晶の分子の配列がランダムになったり、液晶の位相が１８０度ずれた状態となったりし、液晶の配向が光を透過しにくい方向に変化している。
【００３３】
なお、加工痕２８を形成する複数の帯状の単位加工領域３０において、互いに隣接する２つの帯状の単位加工領域３０に着目すると、先に形成された帯状の単位加工領域３０が第１の帯状の単位加工領域３０となり、後から形成された帯状の単位加工領域３０が第２の帯状の単位加工領域３０となる。例えば、互いに隣接する２つの帯状の単位加工領域３０ａ、３０ｂに着目した場合には、先に形成された帯状の単位加工領域３０ａが第１の帯状の単位加工領域となり、後から形成された帯状の単位加工領域３０ｂが第２の帯状の単位加工領域となる。同様に、互いに隣接する２つの帯状の単位加工領域３０ｂ、３０ｃに着目した場合には、先に形成された帯状の単位加工領域３０ｂが第１の帯状の単位加工領域となり、後から形成された帯状の単位加工領域３０ｃが第２の帯状の単位加工領域となる。
【００３４】
このような構成において、輝点欠陥画素２６内にレーザ光が照射されることにより、レーザ光スポットＳの照射位置に円形の単位加工領域２９が形成され、複数の円形の単位加工領域２９が連なることにより帯状の単位加工領域３０が形成されている。さらに、隣接する帯状の単位加工領域３０の一方が他方に沿って隙間無く重なるように複数の帯状の単位加工領域３０が順次形成され、順次形成された複数の帯状の単位加工領域３０が集合した加工痕２８が輝点欠陥画素２６内に形成されている。そして、輝点欠陥画素２６内に加工痕２８が形成されることにより、輝点欠陥画素２６がリペアされた画素２７が形成されている。加工痕２８は、画素２７における画素領域の周縁部２７ａを除く全領域に形成されている。
【００３５】
このため、加工痕２８内にレーザ光が照射されない部分が生ずることがなく、加工痕２８が形成された領域の全域で、液晶６の配向の変化が光を透過しにくくする方向へ大きくなり、輝点欠陥画素２６のリペアを向上させることができる。また、画素２７における画素領域の周縁部２７ａを除く全領域にレーザ光が照射されることにより、レーザ光の照射に伴って発生する微粒子の飛散量を増やすことができる。このため、溶融した配向膜８、１１の上若しくは破裂した配向膜８、１１の痕に付着堆積する微粒子の量を増やすことができ、輝点欠陥画素２６のリペアをより一層向上させることができる。
【００３６】
なお、第１の実施の形態では、画素２７の画素領域内の周縁部２７ａを除いた領域に加工痕２８を形成した場合を例に挙げて説明したが、周縁部２７ａを含む画素領域の全領域に加工痕２８を形成してもよい。加工痕２８を画素領域内の全領域に形成した場合には、輝点欠陥画素２６のリペアがさらに向上する。
【００３７】
また、第１の実施の形態では、輝点欠陥画素２６内におけるレーザ光の移動について、レーザ光を点滅させながら行う場合を例に挙げて説明したが、レーザ光を連続照射しながら移動させてもよい。
【００３８】
また、第１の実施の形態では、複数の帯状の単位加工領域３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、…を配列順に順次形成する場合を例に挙げて説明したが、複数の帯状の単位加工領域３０の形成順は配列順でなくともよい。例えば、帯状の単位加工領域３０ａを形成した後に隙間を開けて帯状の単位加工領域３０ｃを形成し、帯状の単位加工領域３０ａと帯状の単位加工領域３０ｃとの間に帯状の単位加工領域３０ｂを形成してもよい。この場合は、帯状の単位加工領域３０ａ、３０ｃに対して隙間無く重なるように帯状の単位加工領域３０ｂを形成する。さらにこの場合は、帯状の単位加工領域３０ａと帯状の単位加工領域３０ｃとが第１の帯状の単位加工領域に相当し、帯状の単位加工領域３０ｂが第２の帯状の単位加工領域に相当する。
【００３９】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置を図７及び図８に基づいて説明する。なお、第１の実施の形態において説明した構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４０】
第２の実施の形態の液晶表示装置の基本的な構成は、第１の実施の形態の液晶表示装置１と同じである。第１の実施の形態と第２の実施の形態とにおいて異なる部分は、リペア工程で輝点欠陥画素２６内に形成される加工痕２８Ａの形状である。
【００４１】
加工痕２８Ａは、第１の実施の形態と同様に、輝点欠陥画素２６上にレーザ光を照射し、レーザ光スポットＳを矢印で示す方向に輝点欠陥画素２６上で移動させることにより形成される。
【００４２】
レーザ光が輝点欠陥画素２６上に照射されることにより、図８に示すように、レーザ光スポットＳの照射位置に平面視円形の単位加工領域２９が形成される。円形の単位加工領域２９は、点滅しながら移動するレーザ光スポットＳの移動方向に沿って順次形成され、レーザ光スポットＳの移動方向に沿って隣接して位置する複数の円形の単位加工領域２９は、互いに一部が重なっている。そして、一部が重なって直線方向に連なる複数の円形の単位加工領域２９が集合し、帯状の単位加工領域３０が形成されている。この帯状の単位加工領域３０は複数形成され、一つの帯状の単位加工領域３０とこの帯状の単位加工領域３０に隣接して位置する他の帯状の単位加工領域３０とが、帯状の単位加工領域３０の長手方向に沿って隙間無く重なっている。そして、隣接する帯状の単位加工領域３０の一方が他方に沿って隙間無く重なるように順次形成された複数の帯状の単位加工領域３０が集合し、図７に示す輝点となる非加工領域が存在しない加工痕２８Ａが形成されている。この加工痕２８Ａは、画素３１における画素領域内の周縁部３１ａを除く全領域に形成されている。各照射スポットＳのオーバーラップ量は、第一の実施の形態の際のオーバーラップ量と同じである。
【００４３】
このように形成された加工痕２８Ａ内にレーザ光が照射されない部分が生ずることがなく、加工痕２８Ａが形成された領域の全域で、液晶６の配向の変化が光を透過しにくくする方向へ大きくなり、輝点欠陥画素２６のリペアを向上させることができる。また、画素３１における画素領域の周縁部３１ａを除く全領域にレーザ光が照射されることにより、レーザ光の照射に伴って発生する微粒子の飛散量を増やすことができる。このため、溶融した配向膜８、１１の上若しくは破裂した配向膜８、１１の痕に付着堆積する微粒子の量を増やすことができ、輝点欠陥画素２６のリペアをより一層向上させることができる。
【００４４】
ところで、輝点欠陥画素２６内にレーザ光を照射して輝点欠陥画素２６をリペアした場合、レーザ光スポットＳの照射領域が遷移する方向となる帯状の単位加工領域３０の長手方向の端部に位置する加工領域と非加工領域との境界部分が、配向膜８、１１やＩＴＯ膜７、１０が盛り上がった断面形状に変形されやすい。このような盛り上がり変形が形成された部分では端面での液晶の配向を制御しきれず漏れ光が発生する場合がある。このような盛り上がり変形領域が連なって直線状の稜線が形成されると、異常輝線が形成される。点では目立たない漏れ光でも、線状になることによって人間の視覚にとっては目立つ存在になる。
【００４５】
この為,第二の実施の形態では、加工痕２８Ａの辺縁の稜線が直線状とならないよう、辺縁において互いに隣接して位置する二つの円形の単位加工領域２９について見るとき、単位加工領域２９の中心の相対位置を、帯状の単位加工領域３０の長手方向にずらして設定する。この際のずらし量は、円形の単位加工領域２９の略一つ分の寸法とされている。すなわち、第二段階目の加工において、第１の帯状の単位加工領域３０から隣接する第２の帯状の単位加工領域３０にレーザ光スポットＳを遷移させる際、第２の帯状の加工領域の打ち始めのレーザ光スポットの照射位置を、第１の帯状の単位加工領域３０の辺縁に位置する円形の単位加工領域２９の直径分、第２の帯状の単位加工領域３０の長手方向に平行にずらして照射を開始するとともに、帯状の単位加工領域３０の終点においては、隣接する第１の帯状の単位加工領域３０の端部に位置する円形の単位加工領域２９から見て、第１の帯状の単位加工領域３０の辺縁に位置する円形の単位加工領域２９の直径分、第２の帯状の単位加工領域３０の長手方向に平行にずらされた位置において加工領域の端部を形成する。
【００４６】
第３の帯状の単位加工領域３０を、第２の帯状の単位加工領域３０に隣接して設定する場合、その始点または終点となる端部の円形の単位加工領域２９の位置は、第１の帯状の単位加工領域３０の端部と第２の帯状の単位加工領域３０の端部との位置関係に対応し、最終的に形成される加工痕２８Ａの包絡線が直線部を形成しない方向に前後させて設定することが好ましい。
【００４７】
すなわち、隣り合う３つ以上の帯状の単位加工領域３０の端部の包絡線が非直線状となるように各々の帯状の単位加工領域３０の始点と終点が定義されることが望ましい。
【００４８】
加工痕２８Ａの縁の一部であって帯状の単位加工領域３０の長手方向の端部は、円形の単位加工領域２９の１つ分ずつ出入りする凸凹状に形成される。なお、この凸凹状の端部は、円形の単位加工領域２９の一つ分ずつが出入りする凸凹状に限定されるものではなく、例えば、円形の単位加工領域２９の二つ分以上が出入りする凸凹状であってもよい。仮想包絡線の凹凸の大きさの絶対値や反復周期は人間の目視検査により実験的に求められ、適宜設定されうる。
【００４９】
このように、加工痕２８Ａの長手方向の端部の包絡線が凸凹状となるように形成されているため、加工領域と非加工領域との境界部分における配向膜８、１１やＩＴＯ膜７、１０の盛り上がり変形が直線状に連なる稜線とはならず、この境界部分における線状の漏れ光放出が防止される。これにより、リペアされた画素３１においては、加工痕２８Ａにおける凸凹状に形成された端部において輝度が上昇するということが発生せず、輝点欠陥画素２６のリペア品質をより一層向上させることができる。
【００５０】
なお、第２の実施の形態では、隣接する帯状の単位加工領域３０を同じ長さとし、隣接する帯状の単位加工領域３０を長手方向に交互に位置をずらすことにより凸凹状に形成している。しかし、他の方法により凸凹状に形成してもよく、例えば、長い帯状の単位加工領域と短い帯状の単位加工領域を順次交互に形成することにより、加工痕２８Ａの端部を凸凹状に形成してもよい。
【００５１】
また、第２の実施の形態では、加工痕２８Ａの対向端部を凸凹状に形成した場合を例に挙げて説明したが、加工痕２８Ａの全端部を凸凹状としても良いことはもちろんである。この場合には、加工領域と非加工領域との境界部分の輝度が上昇するということが発生せず、輝点欠陥画素２６のリペア品質をより一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の一部を示す縦断側面図である。
【図２】液晶表示装置の輝点欠陥画素をリペアするリペア装置の概略図である。
【図３】加工痕が形成されてリペアされた画素を示す模式図である。
【図４】輝点欠陥画素内のレーザ光スポットの移動方向を示す模式図である。
【図５】レーザ光が照射されて帯状の単位加工領域が順次形成される工程を示す模式図である。
【図６】一つの帯状の単位加工領域内で隣接して位置する円形の単位加工領域の位置関係、及び、隣接して位置する帯状の単位加工領域の位置関係を示す模式図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置における加工痕が形成されてリペアされた画素を示す模式図である。
【図８】レーザ光が照射されて帯状の単位加工領域が順次形成される工程を示す模式図である。
【図９】従来例における、帯状の加工痕が形成されてリペアされた画素を示す模式図である。
【図１０】輝点欠陥画素内のレーザ光スポットの移動方向を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
６…液晶、２６…輝点欠陥画素、２７…画素、２７ａ…周縁部、２８…加工痕、２８Ａ…加工痕、３１…画素、３１ａ…周縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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