(57)【要約】【課題】接続パッド部の面積が小さくなっても、ピンが接続パッド部に信頼性よく取り付けられる配線基板を提供する。【解決手段】絶縁層２２の上に形成された配線層１６の接続パッド部Ｐにピン４０が立設して取り付けられた構造を有する配線基板であり、接続パッド部Ｐに対応する絶縁層２２の領域に一括した凹部Ｃが設けられており、接続パッド部Ｐの表面は絶縁層２２の凹部Ｃに対応する凹面Ｃａになっている。【選択図】図５
2009224461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の上に形成された配線層の接続パッド部にピンが立設して取り付けられた構造を有する配線基板であって、
前記接続パッド部に対応する前記絶縁層の領域に一括した凹部が設けられており、前記接続パッド部の表面は前記絶縁層の凹部に対応する凹面になっていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記接続パッド部の凹面は、外周側から中央部になるにつれて深さが深くなる御椀状となっていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ピンは円錐状のヘッド部を備えており、前記ヘッド部がはんだによって前記接続パッド部の凹面に固着されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層にビアホールが設けられており、前記接続パッド部は前記ビアホールを介して下側配線層に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁層の上に形成された配線層の接続パッド部にピンが立設して取り付けられた構造を有する配線基板であって、
前記接続パッド部に対応する前記絶縁層の領域に複数の凹部が設けられており、前記接続パッド部は前記凹部を埋め込んで形成されており、かつ前記接続パッド部の表面は平坦面又は一括した凹面になっていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記凹部はホール形状であることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
絶縁層の上に形成された上側配線層の接続パッド部にピンが立設して取り付けられた構造を有する配線基板の製造方法であって、
下側配線層の上に前記絶縁層を形成する工程と、
前記接続パッド部に対応する前記絶縁層の領域に一括する凹部を形成すると共に、前記絶縁層に、前記下側配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内から前記絶縁層の凹部を含む上面に繋がり、表面が前記凹部に対応する凹面となった前記接続パッド部が前記絶縁層の凹部上に配置された前記上側配線層を形成する工程と、
前記接続パッド部の凹面に前記ピンを取り付ける工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記接続パッド部の凹面は、外周側から中央部になるにつれて深さが深くなる御椀状となっていることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁層の上に形成された上側配線層の接続パッド部にピンが立設して取り付けられた構造を有する配線基板の製造方法であって、
下側配線層の上に前記絶縁層を形成する工程と、
前記接続パッド部に対応する前記絶縁層の領域に複数の凹部を形成すると共に、前記絶縁層に、前記下側配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内から前記絶縁層の複数の凹部を含む上面に繋がり、前記絶縁層の複数の凹部が形成された領域に前記凹部を埋め込んで表面が平坦面となる前記接続パッド部が配置された前記上側配線層を形成する工程と、
前記接続パッド部に前記ピンを取り付ける工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記上側配線層を形成する工程の後に、前記接続パッド部の表面を凹面にする工程をさらに有することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、接続端子としてピンを使用するＰＧＡ（Pin Grid Array）型などの配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、接続端子としてピンを使用するＰＧＡ型の配線基板がある。図１には、従来技術のＰＧＡ型の配線基板におけるピンの周辺部が部分的に示されている。図１に示すように、従来技術のＰＧＡ型の配線基板では、層間絶縁層１００の上下に形成された配線層２００，２２０がビアホールＶＨを介して相互接続されている。
【０００３】
最下の配線層２２０の接続パッド部Ｐに開口部４２０が設けられたソルダレジスト４００が形成されている。さらに、最下の配線層２２０の接続パッド部Ｐにはんだ５００によってピン６００が取り付けられている。そして、配線基板のピン６００がマザーボードのソケットに挿入されて電気接続される。
【０００４】
特許文献１には、ＰＧＡ型電子部品用基板において、パッド部を形成する領域の絶縁層に凹凸を設けることでその上に形成されるパッド配線の表面を凹凸にすることにより、ピンの取り付け強度を高めることが記載されている。
【０００５】
また、特許文献２には、ＰＧＡ型の配線基板において、ピンの径大部にＳｎ−Ａｇはんだより融点の高い共晶銀ロウ材からなる球面状当接部を設け、配線基板のピンパッドにピンの球面状当接部をはんだ付けすることが記載されている。
【０００６】
また、特許文献３には、配線基板の電極パッドの表面を加工して中央部に向かって窪んだ形状とすることにより、電極パッド上に形成するバンプの密着性を向上させることが記載されている。
【特許文献１】特開２０００−２００８４９号公報
【特許文献２】特開２０００−４９２５２号公報
【特許文献３】特開平９−１６２２４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年では、半導体チップの高性能化に伴って配線基板の高密度化が要求されている。ＰＧＡ型の配線基板では、ピンを取り付ける接続パッド部の面積が小さくなってきており、接続パッド部とピンとの接続強度が十分に得られない場合がある。
【０００８】
このため、配線基板のピンをマザーボードのソケットに挿入して接続する際に、ピンが取れたりすることがあり、信頼性よくピンを挿入できないことがある。
【０００９】
さらには、配線基板の接続パッド部の面積が小さくなると、接続パッド部と層間絶縁層との密着性が十分に得られない問題がある。このため、配線基板のピンの引っ張り試験を行う際に、接続パッド部が層間絶縁層から剥がれることがあり、歩留り低下の要因になる。
【００１０】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、接続パッド部の面積が小さくなっても、ピンが接続パッド部に信頼性よく取り付けられる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、絶縁層の上に形成された配線層の接続パッド部にピンが立設して取り付けられた構造を有する配線基板であって、前記接続パッド部に対応する前記絶縁層の領域に一括した凹部が設けられており、前記接続パッド部の表面は前記絶縁層の凹部に対応する凹面になっていることを特徴とする。
【００１２】
本発明では、接続パッド部の下の絶縁層の領域に一括した凹部が設けられており、接続パッド部の表面が絶縁層の凹部に対応する凹面となっている。そして、接続パッド部の凹面にはんだなどによってピンが取り付けられている。
【００１３】
接続パッド部の下の絶縁層に一括した凹部を設けることにより、接続パッド部を平坦な絶縁層の上に配置する場合よりも、接続パッド部と絶縁層との接触面積を大きく設定することができる。これにより、接続パッド部の面積が小さくなる場合であっても、接続パッド部と絶縁層との密着強度を高くすることができる。
【００１４】
また、本発明では、接続パッド部の表面が凹面となって窪んでいることから、ピンのヘッド部の周りにより多くのはんだを充填することができる。これにより、ピンと接続パッド部との接続強度を高めることができ、接続の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
本発明の一つの好適な態様では、接続パッド部の凹面は、外周側から中央部になるにつれて深さが深くなる御椀状となっている。さらに、ピンは円錐状のヘッド部を備えており、円錐状のヘッド部がはんだによって接続パッド部に固着されている。
【００１６】
この態様では、接続パッド部の表面を御椀状の凹面にして窪ませることにより、接続パッド部の表面がピンの円錐状のヘッド部に対応するようになるので、ピンを取り付ける際に十分な搭載安定性が得られる。これにより、ピン取り付けの信頼性を向上させることができる。
【００１７】
また、上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、絶縁層の上に形成された配線層の接続パッド部にピンが立設して取り付けられた構造を有する配線基板であって、前記接続パッド部に対応する前記絶縁層の領域に複数の凹部が設けられており、前記接続パッド部は前記凹部を埋め込んで形成されており、かつ前記接続パッド部の表面は平坦面又は一括した凹面になっていることを特徴とする。
【００１８】
本発明においても、接続パッド部の下の絶縁層に複数の凹部を設けることにより、接続パッド部を平坦な絶縁層の上に配置する場合よりも、接続パッド部と絶縁層との接触面積を大きく設定することができる。これにより、接続パッド部の面積が小さくなる場合であっても、接続パッド部と絶縁層との密着強度を高くすることができる。
【００１９】
また、円錐状のヘッド部を備えたピンを取り付ける場合は、接続パッド部の表面を一括した凹面にすることにより、上記した発明と同様に、ピンを取り付ける際に十分な搭載安定性が得られる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明の配線基板では、接続パッド部の面積が小さくなっても、接続パッド部に信頼性よくピンを取り付けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２２】
（第１の実施の形態）
図２は本発明の第１実施形態の配線基板を示す断面図である。図２に示すように、第１実施形態の配線基板１では、コア基板１０の両面側に第１配線層１２がそれぞれ形成されている。コア基板１０にはその厚み方向に貫通するスルーホールＴＨが設けられており、スルーホールＴＨ内には貫通電極１１が充填されている。そして、コア基板１０の両面側の第１配線層１２は貫通電極１１を介して相互接続されている。
【００２３】
あるいは、コア基板１０のスーホールＴＨの内面にスルーホールめっき層が設けられ、その内部の孔に樹脂が充填され、コア基板１０の両面側の第１配線層１２がスルーホールめっき層を介して相互接続されていてもよい。
【００２４】
コア基板１０の両面側には、第１配線層１２を被覆する第１層間絶縁層２０がそれぞれ形成されており、それらには第１配線層１２に到達する深さの第１ビアホールＶＨ１がそれぞれ設けられている。コア基板１０の両面側の第１層間絶縁層２０の上には、第１ビアホールＶＨ１を介して第１配線層１２に接続される第２配線層１４がそれぞれ形成されている。
【００２５】
さらに、コア基板１０の両面側の第２配線層１４の上に第２層間絶縁層２２がそれぞれ形成されており、それらには第２配線層１４に到達する深さの第２ビアホールＶＨ２がそれぞれ設けられている。また、コア基板１０の両面側の第２層間絶縁層２２の上に第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層１４に接続される第３配線層１６がそれぞれ形成されている。
【００２６】
コア基板１０の下面側の第３配線層１６の接続パッド部Ｐの下（図２では上）に対応する第２層間絶縁層２２の領域には、外周側から中央部になるにつれて深さが深くなる御椀状の凹部Ｃが設けられている。第３配線層１６の接続パッド部Ｐは、第２層間絶縁層２２の凹部Ｃの上にほぼ同一な膜厚で形成されている。これによって、第３配線層１６の接続パッド部Ｐの表面は、第２層間絶縁層２２の凹部Ｃに対応する凹面Ｃａになっており、凹部Ｃと同様に外周側から中央部になるにつれて深さが深くなる御椀状になっている。
【００２７】
第３配線層１６の接続パッド部Ｐの下の第２層間絶縁層２２の領域に一括した凹部Ｃを設けることにより、接続パッド部Ｐを平坦な第２層間絶縁層２２の上に配置する場合よりも、接続パッド部Ｐと第２層間絶縁層２２との接触面積を大きく設定することができる。これにより、接続パッド部Ｐの面積が小さくなる場合であっても、接続パッド部Ｐと第２層間絶縁層２２との密着強度を高めることができる。
【００２８】
さらに、コア基板１０の両面側には、第３配線層１６の接続パッド部Ｐの上に開口部１８ａが設けられたソルダレジスト１８がそれぞれ形成されている。
【００２９】
また、コア基板１０の下面側の第３配線層１６の接続パッド部Ｐにはピン４０が取り付けられている。ピン４０は円錐状の径大部となるヘッド部４０ａを備えている。そして、ピン４０のヘッド部４０ａがソルダレジスト１８の開口部１８ａ内の接続パッド部Ｐに配置されて、はんだ４２によって接続パッド部Ｐに固着されている。ピン４０は、例えば、コバールなどからなる金属ピンの表面にニッケルめっき及び金めっきが施されて構成される。ピン４０は配線基板の下面側の全体又は周縁部などの部分的な領域に格子状に並んで設けられている。
【００３０】
本実施形態では、接続パッド部Ｐの表面が凹面Ｃａとなって窪んでいることから、ピン４０のヘッド部４０ａの周りにより多くのはんだ４２を充填することができる。これにより、ピン４０と接続パッド部Ｐとの接続強度を高めることができ、ピン接続の信頼性を向上させることができる。
【００３１】
また、接続パッド部Ｐの表面を御椀状の凹面Ｃａにして窪ませることにより、接続パッド部Ｐの表面がピン４０の円錐状のヘッド部４０ａに対応するようになるので、ピン４０を取り付ける際に十分な搭載安定性が得られるようになり、ピン取り付けの歩留りを向上させることができる。
【００３２】
コア基板１０の上面側の第３配線層１６の接続パッド部Ｐには半導体チップ３０のバンプ３２がフリップチップ接続されている。半導体チップ３０の下側の隙間にはアンダーフィル樹脂３４が充填されている。そして、半導体チップ３０が実装された配線基板１のピン４０がマザーボードのソケットに挿入されて電気接続される。
【００３３】
本実施形態の配線基板１では、前述したように、接続パッド部Ｐの表面を凹面Ｃａにすることでピン４０のヘッド部４０ａを多量のはんだ４２で接続パッド部Ｐに固着できるので、ピン４０の接続強度を高めることができる。従って、マザーボードなどのソケットに配線基板１のピン４０を挿入する際にピン４０が取れたりする不具合が解消され、配線基板１を信頼性よくマザーボードなどに接続することができる。
【００３４】
また、本実施形態の配線基板１では、前述したように第２層間絶縁層２２の凹部Ｃの上に接続パッド部Ｐを配置してその表面を凹面Ｃａとすることにより、平坦な第２層間絶縁層２２の上に接続パッド部Ｐを配置する場合よりもそれらの接触面積を大きくしている。
【００３５】
これにより、接続パッド部Ｐと第２層間絶縁層２２との密着性を向上させることできるので、設計スペックのピン引っ張り強度でピン４０を引っ張っても接続パッド部Ｐが第２層間絶縁層２２から剥がれにくくなり、引っ張りストレスに耐えることができる。
【００３６】
次に、上述した表面が凹面Ｃａとなって窪んだ第３配線層１６の接続パッド部Ｐを形成する方法について説明する。図３（ａ）に示すように、まず、前述した図２においてコア基板１０の下面側の第２配線層１４（下側配線層）の上に第２層間絶縁層２２を形成した状態の構造体を用意する。第１、第２層間絶縁層２０，２２は、例えば、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂などの半硬化の樹脂フィルムが貼着された後に、樹脂フィルムが熱処理されて硬化することにより形成される。
【００３７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２２の接続パッド部Ｐが配置される領域をレーザによって加工することにより御椀状の凹部Ｃを形成する。凹部Ｃの深さｄは、第２層間絶縁層２２の厚みが３０μｍの場合、５〜１０μｍに設定される。なお、レーザで加工する方法以外に、接続パッド部Ｐが配置される領域に開口部が設けられたマスク（レジストなど）を形成し、その開口部を通して第２層間絶縁層２２をエッチングして凹部Ｃを形成することも可能である。
【００３８】
続いて、図３（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層２２の凹部Ｃ内のビアホールが配置される部分をレーザなどで加工することにより、第２配線層１４に到達する深さの第２ビアホールＶＨ２を形成する。なお、第２層間絶縁層２２に第２ビアホールＶＨ２を形成した後に、その周りに凹部Ｃを形成してもよい。
【００３９】
次いで、図４（ａ）に示すように、第２ビアホールＶＨ２内から第２層間絶縁層２２の凹部Ｃの内面を含む上面に、無電解めっき又はスパッタ法により銅などからなるシード層１６ａを形成する。続いて、図４（ｂ）に示すように、第３配線層が配置される部分に開口部１７ａが設けられためっきレジスト１７を形成する。さらに、シード層１６ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、第２ビアホールＶＨ２内からめっきレジスト１７の開口部１７ａに銅などからなる金属めっき層１６ｂを形成する。
【００４０】
このとき、金属めっき層１６ｂは、第２ビアホールＶＨ２を埋め込んで形成され、第２層間絶縁層２２の凹部Ｃの内面上ではほぼ同一の膜厚で形成される。これにより、金属めっき層１６ｂは、第２層間絶縁層２２の凹部Ｃの内面上では凹部Ｃに対応してその表面が御椀状の凹面Ｃａとなって窪んで形成される。
【００４１】
次いで、図４（ｃ）に示すように、めっきレジスト１７を除去した後に、金属めっき層１６ｂをマスクにしてシード層１６ａをウェットエッチングすることにより、シード層１６ａと金属めっき層１６ｂとにより構成される第３配線層１６（上側配線層）を得る。このようにして、第２層間絶縁層２２の凹部Ｃの上に表面が凹面Ｃａとなった接続パッド部Ｐが配置される。なお、第３配線層１６の形成方法として、セミアディティブ法を例示したが、サブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を採用することができる。
【００４２】
次いで、図５（ａ）に示すように、第３配線層１６の接続パッド部Ｐ上に開口部１８ａが設けられたソルダレジスト１８を第２層間絶縁層２２の上に形成する。
【００４３】
その後に、図５（ｂ）に示すように、円錐状のヘッド部４０ａを備えたピン４０を用意し、はんだペーストを介してピン４０のヘッド部４０ａを接続パッド部Ｐに配置し、リフロー加熱することによりピン４０をはんだ４２によって接続パッド部Ｐに固着する。このとき、前述したように、接続パッド部Ｐの凹面Ｃａがピン４０のヘッド部４０ａに対応するので、ピン４０が安定して接続パッド部Ｐに取り付けられる。以上により、図２に示した配線基板１が得られる。
【００４４】
このような製造方法により、表面が凹面Ｃａとなった接続パッド部Ｐを容易に形成できると共に、ピン４０を接続パッド部Ｐの凹面Ｃａに信頼性よく取り付けることができる。
【００４５】
図６には、本発明の第１実施形態の第１変形例の配線基板１ａが示されている。前述した配線基板１（図５（ｂ））では、第３配線層１６の接続パッド部Ｐの下に第２ビアホールＶＨ２が配置されている。図６に示す第１変形例の配線基板１ａのように、第３配線層１６を第２ビアホールＶＨ２から第２層間絶縁層２２の上面に引き出し、第２ビアホールＶＨ２から離れた位置に表面が御椀状の凹面Ｃａとなった接続パッド部Ｐが配置されるようにしてもよい。
【００４６】
図７には、本発明の第１実施形態の第２変形例の配線基板１ｂが示されている。前述した配線基板１（図５（ｂ））では、第３配線層１６の接続パッド部Ｐの表面を御椀状の凹面Ｃａにしている。図７に示す第２変形例の配線基板１ｂのように、接続パッド部Ｐに対応する第２層間絶縁層２２の領域に、複数の段差を有して中央部に向けて深さが深くなるような階段状の凹部Ｃを形成し、接続パッド部Ｐの表面がそれに対応する階段状の凹部になるようにしてもよい。
【００４７】
このように、第１実施形態では、第３層間絶縁層２２に形成される凹部として、一括した（内部が連通する）凹部（凹面）であれば各種の形状を採用することができ、接続パッド部Ｐと第３層間絶縁層２２との接触面積が大きくなるようにすればよい。第１、第２変形例においても、図５（ｂ）の配線基板１と同様な効果を奏する。
【００４８】
（第２の実施の形態）
図８及び図９は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。第２実施形態の特徴は接続パッド部の下の層間絶縁層に複数の凹部を形成することにより、接続パッド部の密着性を向上させることにある。第１実施形態と同一工程については、その詳細な説明を省略する。
【００４９】
本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法は、図８（ａ）に示すように、まず、第１実施形態の図３（ａ）と同様に、前述した図２の配線基板においてコア基板１０の下面側の第２配線層１４（下側配線層）の上に第２層間絶縁層２２を形成した状態の構造体を用意する。次いで、図８（ｂ）に示すように、接続パッド部が配置される第２層間絶縁層２２の領域にレーザによりホール状の複数の凹部Ｃｘを形成する。
【００５０】
例えば、第２層間絶縁層２２の厚みが３０μｍの場合、各凹部Ｃｘの深さｄは５〜１０μｍに設定される。また、接続パッド部が配置される面積が８００×８００μｍ2の場合、その領域内に径が６０μｍ程度の凹部Ｃｘが複数個（例えば５〜１０個）配置される。凹部Ｃｘは、接続パッド部と第３層間絶縁層２２との接触面積を大きくするために設けられるので、ホール形状の他に溝などから形成してもよいし、形状や数は任意に設定することができる。
【００５１】
レーザを使用する方法の他に、凹部Ｃｘが配置される部分に開口部が設けられたマスク（レジストなど）を形成し、その開口部を通して第２層間絶縁層２２をエッチングして凹部Ｃｘを形成することも可能である。ホール形状以外の溝などの凹部Ｃｘを形成する場合は、エッチングを採用することにより容易に形成することができる。
【００５２】
続いて、図８（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層２２の凹部Ｃｘが形成された領域の中央部をレーザなどによって加工することにより、第２配線層１４に到達する深さの第２ビアホールＶＨ２を形成する。
【００５３】
次いで、図８（ｄ）に示すように、第１実施形態で説明したセミアディティブ法などにより、第２層間絶縁層２２の上に第３配線層１６（上側配線層）を形成する。これにより、第３配線層１６の接続パッド部Ｐが第２層間絶縁層２２の複数の凹部Ｃｘが形成された領域の上に配置される。第３配線層１６の接続パッド部Ｐは第２層間絶縁層２２の複数の凹部Ｃｘを埋め込んで形成され、接続パッド部Ｐはその下の凹部Ｃｘに影響されることなくその表面が平坦面Ｓとなって形成される。
【００５４】
セミアディティブ法を採用することにより、金属めっき層が第２層間絶縁層２２の凹部Ｃｘを埋め込みながら第２層間絶縁層２２の上に形成されるので、凹部Ｃｘを埋め込んで表面が平坦面Ｓとなる第３配線層１６を容易に形成することができる。
【００５５】
さらに、図９（ａ）に示すように、第３配線層１６の接続パッド部Ｐ上に開口部１８ａが設けられたソルダレジスト１８を第２層間絶縁層２２の上に形成する。
【００５６】
その後に、図９（ｂ）に示すように、円錐状のヘッド部４０ａを備えたピン４０を用意し、ピン４０のヘッド部４０ａをはんだ４２によって接続パッド部Ｐに固着する。
【００５７】
以上により、第２実施形態の配線基板２が製造される。
【００５８】
第２実施形態の配線基板２では、第３配線層１６の接続パッド部Ｐの下の第２層間絶縁層２２に複数の凹部Ｃｘを形成するので、接続パッド部Ｐと第２層間絶縁層２２との接触面積が大きくなり、接続パッド部Ｐの密着性を向上させることができる。これにより、第１実施形態と同様に、設計スペックのピン引っ張り強度でピン４０を引っ張っても接続パッド部Ｐが下の第２層間絶縁層２２から剥がれにくくなり、引っ張りストレスに耐えることができる。
【００５９】
図１０には、第２実施形態の第１変形例の配線基板２ａが示されている。図１０に示すように、第１変形例では、第３配線層１６を第２ビアホールＶＨ２から第２層間絶縁層２２の上面に引き出し、第２ビアホールＶＨ２から離れた位置に同様な接続パッド部Ｐが設けられるようにしてもよい。第１変形例においても、図９（ｂ）の配線基板２と同様な効果を奏する。
【００６０】
また、図１１には、第２実施形態の第２変形例の配線基板２ｂが示されている。第２実施形態の配線基板２（図９（ｂ））では、複数の凹部Ｃｘが接続パッド部Ｐによって完全に埋め込まれるため、接続パッド部Ｐの表面が平坦面Ｓとなって形成される。
【００６１】
円錐状のヘッド部４０ａを備えたピン４０の十分な搭載安定性を確保する必要がある場合は、図１１に示す第２変形例の配線基板２ｂのように、接続パッド部Ｐの表面を加工して御椀状の凹面Ｃａとしてもよい。第３配線層１６を形成した後（ソルダレジスト１８を形成する前）に、第３配線層１６の表面が凹面Ｃａに加工される。例えば、接続パッド部Ｐの上に開口部が設けられたマスク（レジストなど）を形成した後に、マスクの開口部を通して接続パッド部Ｐの表層部をウェットエッチングすることにより凹面Ｃａを得ることができる。
【００６２】
接続パッド部Ｐの凹面Ｃａは、図１１のように接続パッド部Ｐの中央側（ピン４０のヘッド部４０ａに対応する部分）に部分的に設けてよいし、接続パッド部Ｐの全体に一括して設けてもよい。
【００６３】
接続パッド部Ｐの全体に一括して凹面Ｃａを設ける場合は、ソルダレジスト１８の開口部１８ａを通して接続パッド部Ｐの表面をウェットエッチングすることにより凹面Ｃａを形成してもよい。この場合は、ソルダレジスト１８がそのまま残される。
【００６４】
これにより、第１実施形態と同様に、円錐状のヘッド部４０ａを備えたピン４０を取り付ける場合であっても、接続パッド部Ｐの表面形状がピン４０のヘッド部４０ａに対応するようになるので、ピン４０の十分な搭載安定性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１は従来技術のＰＧＡ型の配線基板のピンの周辺部を示す部分断面図である。
【図２】図２は本発明の第１実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す部分断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す部分断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す部分断面図（その３）である。
【図６】図６は本発明の第１実施形態の第１変形例の配線基板を示す部分断面図である。
【図７】図７は本発明の第１実施形態の第２変形例の配線基板を示す部分断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す部分断面図（その１）である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す部分断面図（その２）である。
【図１０】図１０は本発明の第２実施形態の第１変形例の配線基板を示す部分断面図である。
【図１１】図１１は本発明の第２実施形態の第２変形例の配線基板を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１，１ａ，１ｂ，２，２ａ，２ｂ…配線基板、１０…コア基板、１１…貫通電極、１２…第１配線層、１４…第２配線層、１６…第３配線層、１６ａ…シード層、１６ｂ…金属めっき層、１７…めっきレジスト、１７ａ，１８ａ…開口部、１８…ソルダレジスト、２０…第１層間絶縁層、２２…第２層間絶縁層、３０…半導体チップ、３２…バンプ、３４…アンダーフィル樹脂、４０…ピン、４０ａ…ヘッド部、４２…はんだ、Ｃ，Ｃｘ…凹部、Ｃａ…凹面、Ｐ…接続パッド部、Ｓ…平坦面、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ…ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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