(57)【要約】【課題】高感度かつ高速に静止画像又は動画像を撮像することのできる撮像装置を提供することを課題とする。【解決手段】円筒状のレンズと、前記円筒状のレンズと同軸状に配設され、内部を真空に保持する円筒状の真空容器と、前記真空容器の内部で当該真空容器と同軸状に配設され、前記レンズ及び前記真空容器を通じて入射する入射光によって発生される電荷を蓄積する円筒状の光電変換部と、前記真空容器の内部において、当該真空容器と同軸状に配設され、前記光電変換部に蓄積される電荷を読み出すための電子を前記光電変換部の内周面に電子を出射する電子放出源とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状のレンズと、
前記円筒状のレンズと同軸状に配設され、内部を真空に保持する円筒状の真空容器と、
前記真空容器の内部で当該真空容器と同軸状に配設され、前記レンズ及び前記真空容器を通じて入射する入射光によって発生される電荷を蓄積する円筒状の光電変換部と、
前記真空容器の内部において、当該真空容器と同軸状に配設され、前記光電変換部に蓄積される電荷を読み出すための電子を前記光電変換部の内周面に出射する電子放出源と
を含む、撮像装置。
【請求項２】
前記電子放出源は、前記真空容器の少なくとも一端側において、前記真空容器の中心軸上に配設される電子銃である、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記電子放出源は、前記光電変換部の内周面に対向する円周面上でマトリクス状に配列される複数の冷陰極である、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記光電変換部は、アモルファスセレン膜を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３６０度の画角を有し、高感度に静止画像又は動画像を撮像することのできる撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、広角レンズを用いて画角が１８０度以上の静止画像あるいは動画像を撮像する撮像装置が提案されている。
【０００３】
このような広画角の画像の撮像は、広角レンズを用いるだけでは実現が困難であるため、例えば、複数のカメラ（撮像装置）を配置して撮像を行い、別々の撮像装置で得られる画像を繋ぎ合わせる撮像手法が考えられる。
【０００４】
また、このように複数の撮像装置を用いることなく、特殊なレンズを用いることにより、撮像した画像を繋ぎ合わせて一つの画像にする手法（例えば、特許文献１）や、カメラ（撮像装置）を機械的に回転させて広画角の画像を得る手法（例えば、特許文献２）が提案されている。
【特許文献１】特開２００７−１１６３９５号公報
【特許文献２】特開２００７−２７１６９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、広画角の画像を得るために様々な撮像装置が提案されているが、それぞれ下記のような課題がある。
【０００６】
複数のカメラ（撮像装置）を用いる手法では、コストの増大を避けられないという課題がある。このため、カメラ（撮像装置）の台数を減らすことが求められ、一台で実現することが望まれていた。
【０００７】
一台のカメラ（撮像装置）を用いる手法では、カメラ（撮像装置）を機械的に回転させる機構が必要になるため、画像の精度の低下が課題であった。特に、被写体が高速で移動する場合には、カメラを高速で回転させることが困難なため、撮像が極めて困難であった。このため、回転機構のような動作を伴うものは用いないことが望まれていた。
【０００８】
特殊なレンズを用いて画角３６０度の画像を撮像する手法では、画像処理等の電子的な処理が複雑になるという課題があった。特に被写体が移動する場合は、撮像と同時に画像処理を行う必要が生じていた。このため、画像処理等の工程はできるだけ簡略化することが望まれていた。
【０００９】
また、特に民生用のような一般的なカメラによる撮像では、感度不足の場合にはフラッシュランプによって被写体に照明を当てるか、あるいは露光時間を長時間化することによって感度不足を補うことが行われる。しかし、広画角の撮像を行う場合には、被写体を均等に照明する必要が生じるため、大出力の照明器具が必要になる、あるいは瞬時での撮像が困難であるという課題があった。
さらに、民生用のカメラで遠景の撮像を行う場合は、照明が行き渡らずに照度不足となり、ノイズの多い画像となってしまうという課題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、３６０度の画角を有し、高感度かつ高速に静止画像又は動画像を撮像することのできる撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一局面の撮像装置は、円筒状のレンズと、前記円筒状のレンズと同軸状に配設され、内部を真空に保持する円筒状の真空容器と、前記真空容器の内部で当該真空容器と同軸状に配設され、前記レンズ及び前記真空容器を通じて入射する入射光によって発生される電荷を蓄積する円筒状の光電変換部と、前記真空容器の内部において、当該真空容器と同軸状に配設され、前記光電変換部に蓄積される電荷を読み出すための電子を前記光電変換部の内周面に出射する電子放出源とを含む。
【００１２】
また、前記電子放出源は、前記真空容器の少なくとも一端側において、前記真空容器の中心軸上に配設される電子銃であってもよい。
【００１３】
また、前記電子放出源は、前記光電変換部の内周面に対向する円周面上でマトリクス状に配列される複数の冷陰極であってもよい。
【００１４】
また、前記光電変換部は、アモルファスセレン膜を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、３６０度の画角を有し、高感度かつ高速に静止画像又は動画像を撮像することのできる撮像装置を提供できるという特有の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の撮像装置を適用した実施の形態について説明する。
【００１７】
［実施の形態１］
図１は、実施の形態１の撮像装置の構成を示す斜視図である。
【００１８】
実施の形態１の撮像装置１０は、円筒状のレンズ１１、円筒状の真空容器１２、円筒状の光電変換部１３、電子銃１４及び１５を含む。これらはすべて、円筒状のレンズ１１の中心軸ｌと同軸状に配設されている。
【００１９】
レンズ１１は、円筒状であるとともに、径方向断面の厚さ（断面１１ａの幅）は、中心軸方向における中点において最も厚くなるように構成されており、断面１１ａは菱形状の形状を有する。このレンズ１１はガラス製であり、径方向外側から入射する光を集光して真空容器１２内の光電変換部１３に誘導する光学部材である。レンズ１１は、全周方向（周方向における３６０度の方向）から入射する光を内部に集光し、光電変換部１３に結像するように構成されている。
【００２０】
真空容器１２は、内部に光電変換部１３が配設されるとともに、上下端側に電子銃１４及び１５が配設された状態で密封されている。この真空容器１２は、円筒状のガラス製の容器であり、レンズ１１と同軸状に配設されるように、図示しない治具によって固定されている。
【００２１】
光電変換部１３は、透明で平板状の樹脂製の基板上に光電変換膜が形成された光電変換部であり、円筒状に丸められた状態で、真空容器１２の内面に当接された状態で固定されている。光電変換膜は入射光のエネルギを利用して電子正孔対を生成する膜であり、ここでは、ＨＡＲＰ(High-gain Avalanche Rushing amorphous Photoconductor)膜を用いる。
【００２２】
ＨＡＲＰ膜は、低温で作製できるアモルファスセレンを用いており、アバランシェ増倍を利用することにより超高感度な光電変換膜を実現することができる。ＨＡＲＰ膜を用いることによって、全周方向にわたって感度不足を補うための補助照明が必要でなくなり、特に夜間のように極度に暗い場合にも全周方向における撮像が可能となる。また、樹脂製の基板上に形成するため、低温で形成可能なＨＡＲＰ膜は光電変換膜として好適である。
【００２３】
ここで、各部の寸法は、例えば、レンズ１１は、中心軸方向の長さが２００ｍｍ、上端及び下端の内径が１５０ｍｍ、断面１１ａの厚さが５〜１５ｍｍである。真空容器１２は、中心軸方向の長さが２００ｍｍ、直径が１００ｍｍ、厚さ２ｍｍである。光電変換部１３は、中心軸方向の長さが５０ｍｍ、厚さ１ｍｍである。電子銃１４及び１５は、中心軸方向の長さが１００ｍｍ、直径２０ｍｍであり、真空容器１２内に突出する中心軸方向の長さは４０ｍｍである。
【００２４】
なお、光電変換部１３には、電子銃１４及び１５から出射される電子ビームによって読み出される撮像信号を検出する回路が接続されるが、説明の便宜上、図１では図示を省き、図２を用いて後述する。
【００２５】
図２は、実施の形態１の撮像装置の光電変換部１３の断面構造を示す図である。光電変換部１３は、樹脂製の基板１３Ａの上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）製の透明電極１３Ｂを形成し、さらに正孔注入阻止層１３Ｃ、アモルファスセレン膜１３Ｄ、及び電子注入阻止層１３Ｅを積層した構造を有する。
【００２６】
これらのうち、正孔注入阻止層１３Ｃ、アモルファスセレン膜１３Ｄ、及び電子注入阻止層１３Ｅは、ＨＡＲＰ膜を構成する。ＨＡＲＰ膜は、低温で形成可能であることから、樹脂等の耐熱性が比較的低い基板上に形成する光電変換膜に適しており、また、電子放出の均一性が確保できる材料であることから超高感度の撮像装置に適している。
【００２７】
透明電極１３Ｂは、スピンコート法により基板１３Ａの表面上に形成することができる。この透明電極１３Ｂには、信号読み出し回路１６が接続されており、光電変換部１３に発生する電荷が電子銃１４及び１５によって読み出されると、信号読み出し回路１６によって電流値が検出され、画像を表す撮像信号が得られるように構成されている。
【００２８】
正孔注入阻止層１３Ｃは、膜厚１０〜３０ｎｍの酸化セリウム（ＣｅＯ２）で構成され、透明電極１３Ｂ上に真空蒸着法により形成される。
【００２９】
アモルファスセレン膜１３Ｄは、膜厚２〜５０μｍのセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体層（ａ−Ｓｅ）として真空蒸着法により形成される。
【００３０】
電子注入阻止層１３Ｅは、膜厚０．１μｍの三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）層として、例えば、圧力０．１〜０．４Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中で蒸着される。
【００３１】
このように、ＨＡＲＰ膜は真空蒸着法で形成することができる。ＨＡＲＰ膜を形成する基板１３Ａは板状であるが、ＨＡＲＰ膜が形成された後は、真空容器１２内に配設するために真空容器１２の内径に合わせて丸められ、円筒状の光電変換部１３が作製される。
【００３２】
ＨＡＲＰ膜は、光電変換膜内で電荷のアバランシェ増倍が生じる程の高電圧を印加することにより、画像不良現象を抑制して超高感度、高解像度、低残像の極めて高品質な画質を実現することができる光電変換膜である。
【００３３】
電子銃１４及び１５は、レンズ１１の中心軸ｌ上に同軸状に配設される電子銃であり、ブラウン管に用いられる電子銃と同様に偏向ヨークを備え、照射する電子ビームを走査可能に構成されている。電子銃１４及び１５は、真空容器１２の両端において、電子放出部が真空空間内に位置するように封止されている。
【００３４】
電子銃１４及び１５は、熱電子を発生する熱陰極、又は電界で電子を引き出す冷陰極を含み、図示しない偏向ヨークを駆動制御することにより、出射される電子ビームが真空空間１２内に配設される円筒状の光電変換部１３の内周面を走査するように駆動される。電子ビームの走査については図３を用いて後述する。
【００３５】
電子銃１４及び１５は、光電変換部１３の内周面を走査するために、光電変換部１３とは中心軸方向にずらされた位置に配設されており、広角の走査を行なう。実施の形態１では、円筒状の光電変換部１３の上下に電子銃１４及び１５を配設しているため、電子銃１４又は１５のいずれか一方だけを含む撮像装置に比べて、画素数を２倍に増大させることができる。
図３は、実施の形態１の撮像装置の動作原理を説明するための部分斜視図である。この図には、入射光や電子ビームの軌跡を説明する便宜上、図１に示す全体構成の一部を表す。
【００３６】
レンズ１１には被写体で反射した光、又は被写体が発する光が入射する。図３には図中左方向から入射する光のみを矢印で示すが、実際には、レンズ１１の全周方向（周方向における３６０度の方向）から光が入射する。これにより、画角３６０度が実現される。
【００３７】
レンズ１１を透過する入射光は、断面１１ａの形状が菱形状の両凸レンズによって集光され、ガラス製の真空容器１２を透過して光電変換部１３のアモルファスセレン膜上に結像する。入射光の照射により、ＨＡＲＰ膜には電子正孔対が生成される。
【００３８】
電子銃１４から出射される電子ビーム１４ａは、まず、図示しない偏向ヨークが駆動制御されることにより、光電変換部１３の上端の内周１３ａに沿って走査される。このときの走査角α（円筒状の光電変換部１３の直径を含む面内における走査角）は、例えば、１１０度という広角に設定される。
【００３９】
偏向ヨークを駆動制御することにより、電子銃１４から出射される電子銃１４ａは、光電変換部１３の上端の内周１３ａから中央の内周１３ｂまで、内周面に沿って円を描きながら螺旋状に下降するように走査される。この螺旋状の走査は所定の周期で繰り返し行われる。
【００４０】
これと同様に、電子銃１５から出射される電子ビーム１５ａは、まず、図示しない偏向ヨークが駆動制御されることにより、光電変換部１３の下端の内周１３ｃに沿って走査される。このときの走査角β（円筒状の光電変換部１３の直径を含む面内における走査角）は、例えば、１１０度という広角に設定される。
【００４１】
偏向ヨークを駆動制御することにより、電子銃１５から出射される電子銃１５ａは、光電変換部１３の下端の内周１３ｃから中央の内周１３ｂまで、内周面に沿って円を描きながら螺旋状に上昇するように走査される。この螺旋状の走査は所定の周期で繰り返し行われる。
【００４２】
このように電子銃１４及び１５から出射される電子ビーム１４ａ及び１５ａが走査されることにより、光電変換部１３のＨＡＲＰ膜に生成された電荷が読み出される。読み出された電流を図２に示す信号読み出し回路１６で検出することにより、画角３６０度の画像を表す撮像信号を得ることができる。
【００４３】
実施の形態１の撮像装置によれば、同軸状に配設される円筒状のレンズ１１、真空容器１２、及び光電変換部１３を用いることにより、レンズ１１の全周方向から入射する光によって得られる画像を撮像することができる。これにより、通常の静止画や動画と同様に、特別な画像処理（例えば、複数画像の繋ぎ合わせ等）を要することなく、画角３６０度の画像を高速に得ることができる。
【００４４】
また、実施の形態１では、光電変換部１３にＨＡＲＰ膜を用いているので、超高感度の撮像が可能であり、高速かつ超高感度に画角３６０度の静止画又は動画を撮像できる撮像装置を提供することができる。
【００４５】
ＨＡＲＰ膜のように超高感度の光電変換膜を用いていない一般的な撮像装置において広画角の撮像を行う場合には、被写体を均等に照明する必要が生じるため、大出力の照明器具が必要になり、高速での撮像が困難であるという課題があった。このため、広画角の撮影を行う場合には、補助光は用いないことが望ましい。
【００４６】
この点、実施の形態１の撮像装置のようにＨＡＲＰ膜を光電変換膜として用いる撮像装置によれば、夜間など照度の極めて低い場合でも補助光を用いることなく、超高感度の撮像が可能であり、高速かつ超高感度に画角３６０度の静止画又は動画を撮像できる撮像装置を提供することができる。
【００４７】
なお、以上では、レンズ１１の焦点距離が固定されている形態について説明したが、焦点距離を調整するために、焦点距離を無段階に変更可能なレンズを用いてもよいし、また、焦点距離の異なる（焦点距離が固定式の別の）レンズに交換するようにしてもよい。前者の場合は、後者よりもレンズの構成が複雑になるため、状況に応じて使い分ければよい。
【００４８】
また、以上では、レンズ１１の断面１１ａが菱形状である形態について説明したが、断面形状は菱形上に限られず、入射光を光電変換部１３に結像できるレンズであればよく、例えば、丸みを帯びた両凸レンズ又は片凸レンズ、あるいはその他の断面形状のレンズを用いてもよい。
【００４９】
また、以上では、光電変換部１３に含まれる光電変換膜としてＨＡＲＰ膜を用いる形態について説明したが、シリコン系やカルコゲナイド系の材料で作製された光電変換膜を用いてもよい。
【００５０】
また、以上では、電子銃１４及び１５として熱陰極を含む電子銃を用いる形態について説明したが、電子銃の構成は熱陰極を用いるものに限られず、針状のスピント型の冷陰極のカソードを含むものを用いてもよい。
また、以上では、光電変換部１３の上下に、一対の電子銃１４及び１５を用いることによって多画素化に対応できる形態について説明したが、電子銃は上下のいずれか一方（すなわち、電子銃１４又は１５のいずれか一方）だけであってもよい。この場合は、一つの電子銃で光電変換部１３の上端の内周１３ａ側から下端の内周１３ｃ側まで走査することになる。
【００５１】
［実施の形態２］
図４は、実施の形態２の撮像装置２０の動作原理を説明するための部分斜視図である。実施の形態２の撮像装置は、電子放出源として、実施の形態１における電子銃１４及び１５の代わりに、冷陰極がマトリクス状に配列されたアレイ状の電子ビーム源２４を用いる点が実施の形態１と異なる。その他の構成要素は、すべて実施の形態１の撮像装置１０に準ずるため、同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５２】
なお、説明の便宜上、図４ではレンズ１１を省くが、実際には実施の形態１の撮像装置１０と同様に真空容器１２の外側に配設されており、真空容器１２、光電変換部１３、及び電子ビーム源２４は、レンズ１１の中心軸ｌと同軸状に配設されている。
【００５３】
電子ビーム源２４は、光電変換部１３の内周面に対向する円周面上でマトリクス状に配列される複数の冷陰極を含む円筒状の電子放出源である。上述のように、電子ビーム源２４は、レンズ１１の中心軸ｌと同軸状に配設されるため、真空容器１２及び光電変換部１３とも同軸状に配設された状態で図示しない治具によって固定される。
【００５４】
図５は、実施の形態２の撮像装置２０の電子ビーム源２４の断面構造を示す図である。実施の形態２の電子ビーム源２４は、光電変換膜１３と同様に、平板状の基板の上に複数の冷陰極をマトリクス状に配列したものを円筒状に丸めて作製されるものであり、図５には円筒状に丸める前の状態の平板状の電子ビーム源２４の一部の断面を示す。
【００５５】
図５に示すように、電子ビーム源２４は、樹脂フィルム製の基板２４Ａの上に、下部金属電極２４Ｂ、絶縁層２４Ｃ、電子加速層２４Ｄ、及び上部金属電極２４Ｅを積層した平板状の構造を有する。
【００５６】
基板２４Ａは、樹脂フィルム製の基板であり、円筒状の光電変換部１３の内側に円筒状に丸めて配設するため、可撓性を有する材料で構成される必要がある。この基板２４Ａは、例えば、厚さ２００μｍのポリイミド製のフィルムで構成される。
【００５７】
下部金属電極２４Ｂは、基板２４の上に形成される金属製の電極であり、電子ビームを放出するカソードとして機能する電極である。この下部金属電極２４Ｂは、例えば、厚さ０．２μｍのアルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）製の薄膜電極で構成される。
【００５８】
絶縁層２４Ｃは、下部金属電極２４Ｂと上部金属電極２４Ｅとを絶縁するための絶縁層であり、例えば、厚さ０．５μｍの五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で構成される。
【００５９】
電子加速層２４Ｄは、下部金属電極２４Ｂと上部金属電極２４Ｅとの間で電子を加速させるための層であり、例えば、厚さ０．５μｍの硫化亜鉛（ＺｎＳ）で構成される。
【００６０】
上部金属電極２４Ｅは、下部金属電極２４Ｂとの間に電子を加速させるための電位差を形成するためのアノード電極である。この上部金属電極２４Ｅは、電子がトンネリングによって透過するため、その厚さは電子の平均自由行程以下の厚さに設定する必要がある。この上部金属電極２４Ｅは、例えば、厚さ１０ｎｍの金（Ａｕ）製の薄膜電極で構成される。
【００６１】
下部金属電極２４Ｂと上部金属電極２４Ｅは、それぞれ走査ラインと選択ラインを構成するストライプ状の電極であり、平面視においてマトリクス状に交差するように配設されている。下部金属電極２４Ｂと上部金属電極２４Ｅには、パルス発生電源２７が接続されている。
【００６２】
パルス発生電源２７は、複数の下部金属電極２４Ｂ及び上部金属電極２４Ｅから任意の電極を選択してパルス電圧を印加できるように構成されており、選択された下部電極２４Ｂと選択された上部電極２４Ｅが交差する点にある下部金属電極２４Ｂから電子ビーム２４ａが出射される。
【００６３】
電子ビーム源２４は、円筒状に丸められた状態で、径方向外側に電子ビーム２４ａを出射するように構成されているため、走査ラインと選択ラインを選択することにより、所望の下部金属電極２４Ｂから光電変換部１３の内周面に電子ビーム２４ａを出射することができる。
【００６４】
電子ビーム源２４から出射される電子ビーム２４ａは、光電変換部１３の上端の内周１３ａに沿って走査され、光電変換部１３の下端の内周１３ｃまで、内周面に沿って円を描きながら螺旋状に下降するように走査される。この螺旋状の走査は所定の周期で繰り返し行われる。
【００６５】
このように電子ビーム源２４から出射される電子ビーム２４ａが走査されることにより、光電変換部１３のＨＡＲＰ膜に生成された電荷が読み出される。読み出された電流は、実施の形態１の撮像装置と同様に、信号読み出し回路１６で検出され、画角３６０度の画像を表す撮像信号が得られる。
【００６６】
実施の形態２の撮像装置によれば、同軸状に配設される円筒状のレンズ１１、真空容器１２、及び光電変換部１３を用いることにより、レンズ１１の全周方向から入射する光によって得られる画像を撮像することができる。これにより、通常の静止画や動画と同様に、特別な画像処理（例えば、複数画像の繋ぎ合わせ等）を要することなく、画角３６０度の画像を高速に得ることができる。
【００６７】
また、実施の形態２では、光電変換部１３にＨＡＲＰ膜を用いているので、超高感度の撮像が可能であり、高速かつ超高感度に画角３６０度の静止画又は動画を撮像できる撮像装置を提供することができる。
【００６８】
以上では、電子ビーム源２４として、マトリクス状に配列された冷陰極が形成された樹脂フィルム製の基板を円筒状に丸めて作製した電子放出源を用いる形態について説明した。円筒状の電子ビーム源２４は、電子ビーム２４ａの位置を正確に決められるという利点がある。しかしながら、電子放出源の構成はこれに限られるものではなく、スピント型やカーボンナノチューブ、あるいはグラファイトナノファイバーなどの冷陰極を用いてもよい。
【００６９】
また、電子ビーム源２４に用いる基板２４Ａは、樹脂フィルム製のものに限られず、円筒状に丸めることの可能なフレキシブルガラス基板を用いてもよい。
【００７０】
以上、本発明の例示的な実施の形態の撮像装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施の形態１の撮像装置の構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態１の撮像装置の光電変換部１３の断面構造を示す図である。
【図３】実施の形態１の撮像装置の動作原理を説明するための部分斜視図である。
【図４】実施の形態２の撮像装置２０の動作原理を説明するための部分斜視図である。
【図５】実施の形態２の撮像装置２０の電子ビーム源２４の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０、２０  撮像装置
１１  レンズ
１１ａ  断面
１２  真空容器
１３  光電変換部
１３ａ  上端の内周
１３ｂ  中央の内周
１３ｃ  下端の内周
１３Ａ  基板
１３Ｂ  透明電極
１３Ｃ  正孔注入阻止層
１３Ｄ  アモルファスセレン膜
１３Ｅ  電子注入阻止層
１４、１５  電子銃
１６  信号読み出し回路
２４  電子ビーム源
２４Ａ  基板
２４Ｂ  下部金属電極
２４Ｃ  絶縁層
２４Ｄ  電子加速層
２４Ｅ  上部金属電極
２７  パルス発生電源
【図１】
2009224192.tif 000003
【図２】
2009224192.tif 000004
【図３】
2009224192.tif 000005
【図４】
2009224192.tif 000006
【図５】
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