(57)【要約】【課題】光吸収損失を低減することで高いエネルギー効率を得る照明装置、及び液晶表示装置を提供する。【解決手段】導光板３と、導光板３の端面にＲ，Ｇ，Ｂ各色の色光を含む光を入射させる光源２と、を備えた照明装置１である。導光板３の光出射面側に、各色光それぞれに対して波長選択性を有する波長選択部材５を備える。【選択図】図１
2009245915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導光板と、該導光板の端面にＲ，Ｇ，Ｂ各色の色光を含む光を入射させる光源と、を備えた照明装置において、
前記導光板の光出射面側に、前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する波長選択部材を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記波長選択部材は、有機フィルムを複数積層することで構成されることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
導光板と、該導光板の端面にＲ，Ｇ，Ｂ各色の色光を含む光を入射させる光源と、前記導光板の光出射面側に設けられて前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する波長選択部材と、を備えた照明装置の製造方法であって、
支持基板上に剥離層を介して前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する有機積層体を形成する工程と、
該有機積層体をパターニングして前記剥離層上に前記波長選択部材を形成する工程と、
該波長選択部材の上面に接着層を塗布するとともに、該接着層を介して基材上に前記波長選択部材を転写する工程と、
前記波長選択部材が転写された基材を前記導光板と貼り合わせる工程と、を備えることを特徴とする照明装置の製造方法。
【請求項４】
導光板と、該導光板の端面にＲ，Ｇ，Ｂ各色の色光を含む光を入射させる光源と、前記導光板の光出射面側に設けられて前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する波長選択部材と、を備えた照明装置の製造方法であって、
支持基板上に剥離層を介して前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する有機積層体を形成する工程と、
該有機積層体をパターニングして前記剥離層上に前記波長選択部材を形成する工程と、
該波長選択部材の上面に接着層を塗布するとともに、該接着層を介して前記導光板上に前記波長選択部材を転写する工程と、を備えることを特徴とする照明装置の製造方法。
【請求項５】
前記波長選択部材を前記導光板上に転写する工程の後に、該波長選択部材の上面に絶縁材料を塗布して平坦化膜を形成する工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の照明装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の照明装置或いは請求項３に記載の方法により製造された照明装置と、一対の基板間に液晶層が挟持される液晶パネルとを備える液晶表示装置であって、
前記液晶パネルのサブ画素領域には前記波長選択部材により波長選択された前記Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の色光がそれぞれ入射されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記一対の基板の外側に偏光素子がそれぞれ設けられ、該一対の偏光素子のうち、少なくとも前記照明装置からの光が入射する側の偏光素子は、基材上に互いに間隔をおいて配置された複数の金属細線を含み、所定方向の偏光成分を透過させ、その他の偏光成分を前記照明装置内に反射させる偏光層を有することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１又は２に記載の照明装置或いは請求項４又は５に記載の方法により製造された照明装置と、一対の基板間に液晶層が挟持される液晶パネルとを備える液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうち前記導光板からの光が入射する側の基板の前記液晶層側の面に前記波長選択部材が形成され、
前記波長選択部材上に、複数の金属細線を含み、所定方向の偏光成分を透過させ、その他の偏光成分を前記導光板に反射させる偏光層が形成され、
前記偏光層上に絶縁膜を介して薄膜トランジスタ層が形成され、
前記液晶パネルのサブ画素領域には前記波長選択部材により波長選択された前記Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の色光がそれぞれ入射されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記薄膜トランジスタ層は、予め暫定基板に薄膜トランジスタを形成した後、前記薄膜トランジスタを前記暫定基板から剥離し、接着剤によって前記絶縁膜上に転写することにより形成されたものであることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記一対の基板のうち、光射出側の基板が光拡散部材を備えることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記光拡散部材が、前記各サブ画素領域に対応して設けられる複数のマイクロレンズから構成されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記一対の基板におけるいずれか一方の基板の前記液晶層側に、前記照明装置から前記サブ画素領域に入射される光の色光に対応するカラーフィルタが設けられることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明装置、その製造方法、及びこれを用いた液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置においては、バックライト（照明装置）の白色光を液晶パネルで変調する。このとき、バックライトの光は、液晶パネルの各サブ画素に設けられたカラーフィルタを透過することでＲＧＢ各色の光として視認され、液晶表示装置はカラーの画像を表示することができる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３１２９１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、バックライトから液晶パネルに入射される白色光は、カラーフィルタによりＲ、Ｇ、Ｂのいずれか一色の光とされ、それ以外の二色の光はカラーフィルタで吸収されてしまい、バックライトの光を有効に利用しているとは言い難かった。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、光吸収損失を低減することで高いエネルギー効率を得る照明装置、その製造方法、及びこれを用いた液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の照明装置は、導光板と、該導光板の端面にＲ，Ｇ，Ｂ各色の色光を含む光を入射させる光源と、を備えた照明装置において、前記導光板の光出射面側に、前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する波長選択部材を備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明の照明装置によれば、導光板の光出射面側に波長選択部材を備えているので、光源の光のうち所望の色光だけを取り出し、その他の色光を導光板内部へ反射させることができる。よって、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の光を取り出すことができるので、例えば本発明を液晶パネルに組み合わせる場合、カラーフィルタを用いることなくカラー表示を行うことができ、カラーフィルタによる光の吸収が防止されてエネルギー効率を向上させることができる。
【０００７】
また、上記照明装置においては、前記波長選択部材は、有機フィルムを複数積層することで構成されるのが好ましい。
この構成によれば、積層する有機フィルムの枚数、及び屈折率等を適宜変更することで、所望の波長選択性を得ることが可能となる。また、蒸着等により無機薄膜を積層することで構成される場合に比較して低コスト化が可能となる。
【０００８】
本発明の照明装置の製造方法は、導光板と、該導光板の端面にＲ，Ｇ，Ｂ各色の色光を含む光を入射させる光源と、前記導光板の光出射面側に設けられて前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する波長選択部材と、を備えた照明装置の製造方法であって、支持基板上に剥離層を介して前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する有機積層体を形成する工程と、該有機積層体をパターニングして前記剥離層上に前記波長選択部材を形成する工程と、該波長選択部材の上面に接着層を塗布するとともに、該接着層を介して基材上に前記波長選択部材を転写する工程と、前記波長選択部材が転写された基材を前記導光板と貼り合わせる工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の照明装置の製造方法によれば、光出射面側に波長選択部材を備えた照明装置を製造できるので、光源の光のうち所望の色光だけを取り出し、その他の色光を導光板内部へ反射させることが可能となる。よって、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の光を取り出すことができるので、例えば本発明と液晶パネルとを組み合わせることでカラーフィルタを用いることなくカラー表示を行うことができ、カラーフィルタによる光の吸収が防止されてエネルギー効率を向上させることができる。
【００１０】
本発明の照明装置の製造方法は、導光板と、該導光板の端面にＲ，Ｇ，Ｂ各色の色光を含む光を入射させる光源と、前記導光板の光出射面側に設けられて前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する波長選択部材と、を備えた照明装置の製造方法であって、支持基板上に剥離層を介して前記各色光それぞれに対して波長選択反射性を有する有機積層体を形成する工程と、該有機積層体をパターニングして前記剥離層上に前記波長選択部材を形成する工程と、該波長選択部材の上面に接着層を塗布するとともに、該接着層を介して前記導光板上に前記波長選択部材を転写する工程と、を備えることを特徴とする。
この製造方法によれば、導光板上に波長選択部材を転写しているので、より薄い波長選択部材を備えた照明装置を製造できる。よって、液晶層までの光路長（層厚）が短くなり、各サブ画素領域に所望の色光が入射される割合がより大きくなるので、光の混色を防止するとともにより光利用効率を向上させることができる。
【００１１】
本発明の照明装置の製造方法は、前記波長選択部材を前記導光板上に転写する工程の後に、該波長選択部材の上面に絶縁材料を塗布して平坦化層を形成する工程を備えることが好ましい
この製造方法によれば、低温形成できる絶縁材料を塗布することにより平坦化層を形成しているので、波長選択部材の温度による膨張や収縮を防ぐことができる。よって、波長選択部材の高い信頼性を得るとともにエネルギー効率を向上させることができる。
【００１２】
本発明の液晶表示装置は、上記照明装置と、一対の基板間に液晶層が挟持される液晶パネルとを備える液晶表示装置であって、前記液晶パネルのサブ画素領域には前記波長選択部材により波長選択された前記Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の色光がそれぞれ入射されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の液晶表示装置によれば、各サブ画素領域に波長選択された所望の色光が入射されるので、液晶パネル内においてカラーフィルタによる光吸収損失が生じるのを防止することができ、高いエネルギー効率を備えたものとなる。よって、液晶表示装置の消費電力を低減することができる。
【００１４】
また、上記液晶表示装置においては、前記一対の基板の外側に偏光素子がそれぞれ設けられ、該一対の偏光素子のうち、少なくとも前記照明装置からの光が入射する側の偏光素子は、基材上に互いに間隔をおいて配置された複数の金属細線を含み、所定方向の偏光成分を透過させ、その他の偏光成分を前記照明装置内に反射させる偏光層を有するのが好ましい。
この構成によれば、照明装置から射出される光のうち所定方向の偏光成分のみが透過されて、その他の偏光成分を照明装置内に反射させるため、照明装置の光利用効率を向上させることができる。よって、液晶表示装置におけるエネルギー効率をより向上させることができる。
【００１５】
本発明の液晶表示装置は、上記証明装置と、一対の基板間に液晶層が挟持される液晶パネルとを備える液晶表示装置であって、前記一対の基板のうち前記導光板からの光が入射する側の基板の前記液晶層側の面に前記波長選択部材が形成され、前記波長選択部材上に、複数の金属細線を含み、所定方向の偏光成分を透過させ、その他の偏光成分を前記導光板に反射させる偏光層が形成され、前記偏光層上に絶縁膜を介して薄膜トランジスタ層が形成され、前記液晶パネルのサブ画素領域には前記波長選択部材により波長選択された前記Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の色光がそれぞれ入射されることを特徴とする。
この構成によれば、薄膜トランジスタ基板よりも薄い薄膜トランジスタ層を備えるので、液晶層までの光路長（層厚）が短くなり、各サブ画素領域に所望の色光が入射される割合がより大きくなる。よって、液晶表示装置における光の混色を防止するとともに光利用効率をより向上させることができる。
【００１６】
また、上記液晶表示装置においては、前記薄膜トランジスタ層は、予め暫定基板に薄膜トランジスタを形成した後、前記薄膜トランジスタを前記暫定基板から剥離し、接着剤によって前記絶縁膜上に転写することにより形成されたものであることが好ましい。
この構成によれば、薄膜トランジスタ層は波長選択部材上に形成されるのではなく予め暫定基板上に形成されるので、トランジスタ特性を高めることができるとともに波長選択部材の温度による膨張や収縮を防ぐことができる。よって、波長選択部材の高い信頼性を得るとともにエネルギー効率を向上させることができる。
【００１７】
また、上記液晶表示装置においては、前記一対の基板のうち、光射出側の基板が光拡散部材を備えるのが好ましい。
例えば照明装置からサブ画素領域内に入射される光の平行性が高過ぎると液晶表示装置の視野角が狭くなる可能性があるが、本発明を採用すれば光出射側に光拡散手段を備えることで上記問題を解消することができ、広視野角化を実現することができる。
【００１８】
また、上記液晶表示装置においては、前記光拡散部材が、前記各サブ画素領域に対応して設けられる複数のマイクロレンズから構成されるのが好ましい。
この構成によれば、上述したような広視野角化を簡便且つ確実に実現することができる。
【００１９】
また、上記液晶表示装置においては、前記一対の基板におけるいずれか一方の基板の前記液晶層側に、前記照明装置から前記サブ画素領域に入射される光の色光に対応するカラーフィルタが設けられるのが好ましい。
この構成によれば、波長選択部材から射出された光が隣のサブ画素領域に入り込んだ際においても、漏れ光をカラーフィルタによって吸収することができ、所謂クロストークの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係る照明装置、及び液晶表示装置の実施形態について、図を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２１】
（第１実施形態）
まず、図１を用いて、一実施形態に係る照明装置の構成について説明する。図１に示されるように、照明装置１は光源２と導光板３とを備えている。光源２は赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）の各色に対応するＬＥＤを備えて構成される。また、光源２は、その出射光が導光板３の端面に入射される位置に設けられている。ただし、広く用いられている青色ＬＥＤと黄色蛍光体の組み合わせによる疑似白色でも本発明の効果が変わるものではない。
【００２２】
導光板３としては、例えばアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂等の透明性に優れた樹脂又はガラスを所定の形状に加工したものを用いることができる。なかでもアクリル樹脂を用いるのが軽量性、透明性の点で好ましい。本実施形態では、アクリル樹脂を用いた。
【００２３】
また、導光板３における光出射面側には、光源２のＲ，Ｇ，Ｂ各色光それぞれに対する波長選択性を有する波長選択膜（波長選択部材）５が設けられている。また、導光板３に対向する位置にガラス基板４が設けられており、このガラス基板４上に上記波長選択膜５が設けられている。また、波長選択膜５における導光板３と対向する側の面には、マイクロレンズＭＡが複数配置されている。マイクロレンズＭＡは、その表面形状が導光板３に対して凸球面をなすように波長選択膜５上に形成されている。
【００２４】
マイクロレンズＭＡの表面形状は、例えばスタンパ又は雌金型などを用いて、熱プレス法、紫外線硬化法による２Ｐ法、熱硬化によるキャスト法、射出形成法、押し出し形成等により形成することができる。また、マイクロレンズＭＡの構成材料としては、上記導光板３と同様、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂等の透明性に優れた樹脂又はガラスが用いられる。本実施形態では、導光板３の構成材料であるアクリル樹脂を用いた。したがって、導光板３とマイクロレンズＭＡとは同一の屈折率を備えたものとなっている。
【００２５】
照明装置１はマイクロレンズＭＡを備えることで光源２の光を、ガラス基板４を介して外部に良好に取り出すことが可能となっている。すなわち、ガラス基板４における一方の面は照明装置１の光出射面を構成している。
【００２６】
波長選択膜５は、光源２からの光のうち、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色光それぞれに対し、波長選択性を有する膜である。具体的に本実施形態においては、波長選択膜５は有機フィルムを複数積層することで構成される。
【００２７】
ここで、波長選択膜５の構造について説明する。波長選択膜５は、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色光を反射し、Ｒ（赤）の色光を透過させる赤色用波長選択膜５Ｒと、Ｒ（赤）、Ｂ（青）の色光を反射し、Ｇ（緑）の色光を透過させる緑色用波長選択膜５Ｇと、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）の色光を反射し、Ｂ（青）の色光を透過させる青色用波長選択膜５Ｂと、を含む。
【００２８】
赤色用波長選択膜５Ｒは、Ｇ（緑）の色光を反射する積層膜と、Ｂ（青）の色光を反射する積層膜とを組み合わせることで構成されている。
また、緑色用波長選択膜５Ｇは、Ｒ（赤）の色光を反射する積層膜と、Ｂ（青）の色光を反射する積層膜とを組み合わせることで構成されている。
また、青色用波長選択膜５Ｂは、Ｒ（赤）の色光を反射する積層膜と、Ｇ（緑）の色光を反射する積層膜とを組み合わせることで構成されている。
【００２９】
ここで、Ｂ（青）色の光を反射可能とする積層膜を例に挙げ、図２を用いてその構成について説明する。本説明では、例えば屈折率が異なる２つの有機フィルム（フィルムＡ；屈折率＝１．４２、フィルムＢ；屈折率＝１．５６）を１ペアとし、１５ペア（３０層）、又は２０ペア（４０層）の積層膜を例に挙げる。図２（ａ）は３０層の高分子膜から構成される青色反射膜（積層膜）の分光反射率を示すグラフであり、図２（ｂ）は４０層の高分子膜から構成される青色反射膜（積層膜）の分光反射率を示すグラフであり、図２（ｃ）は図２（ｂ）における一方の有機フィルム（フィルムＡ）の屈折率を１．５６から１．６０に変更した青色反射膜（積層膜）の分光反射率を示すグラフである。各グラフは所定波長に対する反射、透過、損失の割合を示すものである。
【００３０】
青色反射膜としての性能が最も高いのは図２（ｃ）に示される膜であるが、図２（ｂ）に示される青色反射膜は有効帯域幅が３０ｎｍ以上あるため、実使用上問題ない。以上、青色反射膜の構成について説明したが、赤色反射膜、緑色反射膜についても上記フィルムＡ、フィルムＢの屈折率を適宜変更し、３０層又は４０層積層することで同様に製造可能である。
【００３１】
したがって、Ｒ（赤）色の光を選択的に透過させる上記赤色用波長選択膜５Ｒは、Ｇ（緑）の色光を反射させる緑色反射膜と、Ｂ（青）の色光を反射させる上記青色反射膜とを積層する事で形成される。本実施形態では、緑色反射膜及び青色反射膜としてそれぞれ４０層のフィルムから構成される積層体を用いたため、合計８０層のフィルムから構成した（図２（ｂ）又は図２（ｃ）参照）。また、本実施形態においては、上記緑色用波長選択膜５Ｇ及び青色用波長選択膜５Ｂについても同様に、合計８０層のフィルムから構成した。
【００３２】
波長選択膜５は、上記ガラス基板４上に規則的に配置されている。具体的には、赤色用波長選択膜５Ｒ、緑色用波長選択膜５Ｇ、及び青色用波長選択膜５Ｂが平面視した状態で（ガラス基板４の垂直方向から視て）マトリクス状に配置されている。また、各波長選択膜５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは後述する液晶表示装置（液晶パネル）におけるサブ画素領域に対応して形成される。したがって、照明装置１は、液晶表示装置のサブ画素領域に対し、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光をそれぞれ入射させることが可能となっている。
【００３３】
ここで、図３を用いて、導光板３から光源２の光が取り出されるプロセスについて説明する。図３は照明装置１における光取り出し部分の拡大図を示すものである。なお、図３においては、Ｒ（赤）の色光を取り出す場合を例示する。
【００３４】
図３に示されるように、光源２から射出された光は全反射しながら導光板３内を進行する。そして、上記マイクロレンズＭＡとの界面部分にて全反射条件がくずされることで、光源２の光はマイクロレンズＭＡ内に入り込む。なお、マイクロレンズＭＡと導光板３とは同一の部材（アクリル樹脂）から構成されるため、同一の屈折率となり、上記界面部で光の屈折が生じることはない。
【００３５】
マイクロレンズＭＡ内に入り込んだ光源２の光は、マイクロレンズＭＡの曲面部で全反射されることで赤色用波長選択膜５Ｒに対し略垂直に入射する。なお、光源２からは白色光が射出されている。よって、図３に示されるように赤色用波長選択膜５Ｒは、Ｒ（赤）の色光を透過させ、その他の色光（Ｇ（緑）、Ｂ（青））を反射させる。赤色用波長選択膜５Ｒによって反射されたＧ（緑）、Ｂ（青）の色光は、マイクロレンズＭＡ内で再度全反射された後、導光板３内へと向かい、導光板３内で全反射を繰り返し、他のマイクロレンズＭＡ内へと入り込む。すなわち、Ｇ（緑）の色光は緑色用波長選択膜５Ｇに対応するマイクロレンズＭＡに入り込んだ際に外部に取り出し可能とされ、Ｂ（青）の色光は青色用波長選択膜５Ｂに対応するマイクロレンズＭＡに入り込んだ際に外部に取り出し可能とされる。
【００３６】
以上述べたように、本実施形態に係る照明装置１によれば、導光板３の光出射面側に波長選択膜５を備えているので、光源２の光のうち所望の色光だけを取り出し、その他の色光を導光板３内に反射させることができる。このように、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の光を取り出すことができるので、液晶パネルと組み合わせることで後述する液晶表示装置を構成した場合、カラーフィルタにより光源２の光が吸収されてしまうといった不具合が防止されてエネルギー効率の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００３７】
（照明装置の製造方法）
続いて、上記照明装置１の製造方法について図面を用いて説明する。図４は照明装置１の製造工程を示す図である。なお、照明装置１の製造方法は、転写工程を用いることでガラス基板４上に波長選択膜５を形成するものである。
【００３８】
まず、図４（ａ）に示すように支持基板４０上に剥離層４１を塗布する。この剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。すなわち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。なお、上記支持基板４０はガラス等の光透過性部材から形成されており、裏面側からも上記剥離層４１に対して光照射が可能となっている。
【００３９】
続いて、図４（ｂ）に示すように剥離層４１上に複数層の有機フィルムが積層されてできている赤色用波長選択膜積層体（有機積層体）４２を接着する。続いて、フォトリソグラフィ工程を用いて、上記赤色用波長選択膜積層体４２をパターニングする。具体的には、図４（ｃ）に示すように赤色用波長選択膜積層体４２上にレジストパターンＲを形成する。そして、図４（ｄ）に示すように、エッチングにより赤色用波長選択膜積層体４２を分断することで、剥離層４１上に赤色用波長選択膜５Ｒが複数形成される。なお、赤色用波長選択膜積層体４２を分断することができる方法であれば、前記の方法に限らず使用可能である。
【００４０】
続いて、図５（ａ）に示すように赤色用波長選択膜５Ｒ上に例えばスクリーン印刷によって接着層４３を選択的に形成する。
続いて、ガラス基板４上への赤色用波長選択膜５Ｒの転写工程を行う。具体的には、図５（ｂ）に示すように赤色用波長選択膜５Ｒ上における接着層４３と、ガラス基板４とを対向配置するとともに両方の基板４，４０を押圧する。この際に、接着層４３を硬化させる目的で、熱を加えてもよい。そして、支持基板４０の裏面側（剥離層４１が形成されていない側の面）から上述したような一定強度の光を照射することで剥離層４１を赤色用波長選択膜５Ｒから剥離させる。
以上の工程により、図５（ｃ）に示されるように、赤色用波長選択膜５Ｒは接着層４３を介してガラス基板４に貼着されることとなる。
【００４１】
以下、同様のプロセスを繰り返すことでガラス基板４上に緑色用波長選択膜５Ｇ、青色用波長選択膜５Ｂを形成することができる。続いて、マイクロレンズＭＡを形成する。図５（ｄ）に示されるように、雌型を形成した基板にＵＶ硬化樹脂を用いた２Ｐ法によりマイクロレンズＭＬＡを形成することで、上記赤色用波長選択膜５Ｒ、緑色用波長選択膜５Ｇ、及び青色用波長選択膜５Ｂ上に容易に転写可能となる。その後、波長選択膜５、マイクロレンズＭＡを形成したガラス基板４と導光板３とを貼り合せる。以上の工程により、照明装置１を製造することができる。
【００４２】
（液晶表示装置）
次に本発明に係る液晶表示装置の一実施形態として、上記照明装置１を備えた液晶表示装置の構成について図面を参照しながら説明する。図６は液晶表示装置１０の概略断面構成を示す模式図である。
【００４３】
図６に示されるように、液晶パネル１０Ａは、２枚の基板（ＴＦＴ基板１１，対向基板２０）を含んで構成され、これら一対の基板１１，２０間に液晶層５０が挟持されている。
【００４４】
これら一対の基板１１，２０は、シール材（図示略）を介して貼り合わせられ、その内部に液晶層５０が封入されたものとなっている。液晶層５０の液晶モードとしてＴＮ（Twisted Nematic）モードが採用されているが、その他にもＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モード等を採用することができる。
【００４５】
ＴＦＴ基板１１は、ガラスや石英等の透光性の基板１１Ａから構成され、画素電極９に対する電圧印加をスイッチング駆動するＴＦＴ素子（図示略）を備えている。
ＴＦＴ基板１１上に形成される画素電極９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性且つ導電性の材料にて構成されており、膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度（例えば８５ｎｍ）とされている。また、配向膜１２はＳｉＯ２の斜方蒸着材料から構成されており、液晶分子の配向を規制している。なお、配向膜１２の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍ程度（例えば５ｎｍ）とされている。
【００４６】
一方、対向基板２０は、ＴＦＴ基板１１と同様、ガラスや石英等の透光性の基板２０Ａから構成されており、その液晶層５０側に、カラーフィルタ２１と、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性且つ導電性の材料にて構成された共通電極２２と、配向膜２３とが順に積層されている。
【００４７】
上記共通電極２２は、その膜厚が５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度（例えば１４０ｎｍ）に形成される。また、配向膜２３は、ＳｉＯ２の斜方蒸着材料から構成されており、その膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍ程度（例えば５ｎｍ）とされている。
【００４８】
また、一対の基板１１，２０の外側（液晶層５０と反対側）には、それぞれ偏光素子（例えば、偏光板）１３、２４が設けられている。これら偏光素子１３，２４は互いの光透過軸が略直交した状態に形成されている。
【００４９】
液晶パネル１０Ａは、複数の画素を含む画像表示領域を有しており、各画素は３つのサブ画素領域から構成されている。上記画素電極９はサブ画素領域毎に形成されている。すなわち、液晶パネル１０Ａ、ＴＦＴ素子をスイッチングすることでサブ画素領域毎に液晶分子の配向状態を変化させて、各サブ画素領域で赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の光を変調可能となっている。
【００５０】
具体的に本実施形態に係る液晶表示装置１０は、液晶パネル１０ＡのＴＦＴ基板１１側の偏光素子１３の外側に、光源２の光を導光板３の光出射面側にＲ，Ｇ，Ｂの色光毎に取り出し可能とする上記照明装置１を備えている。また、波長選択膜５は、液晶表示装置１０のサブ画素領域に対応して形成されている。ここで、波長選択膜５とサブ画素領域とが対応するとは、赤色用波長選択膜５Ｒ、緑色用波長選択膜５Ｇ、及び青色用波長選択膜５Ｂを透過した光が１画素を構成する３つのサブ画素領域にそれぞれ入射されることを意味する。
【００５１】
また、上記カラーフィルタ２１は、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色に対応する赤色用カラーフィルタ２１Ｒ、緑色用カラーフィルタ２１Ｇ、及び青色用カラーフィルタ２１Ｂの３つを含む。これらカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、各サブ画素領域にそれぞれ配置される。なお、各カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが透過可能とする色光は、サブ画素領域で変調される光の色と一致する。すなわち、液晶表示装置１０においては、赤色用波長選択膜５Ｒと赤色用カラーフィルタ２１Ｒ、緑色用波長選択膜５Ｇと緑色用カラーフィルタ２１Ｇ、及び青色用波長選択膜５Ｂと青色用カラーフィルタ２１Ｂが平面視した状態で重なるように同一のサブ画素領域に設けられている。
【００５２】
照明装置１は、マイクロレンズＭＡの働きにより波長選択膜５から光が略垂直に射出されるものの、液晶層５０を透過する際に隣のサブ画素領域に漏れ光が入り込んだ場合においても、カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂによって吸収することができる。よって、隣接するサブ画素への光の入り込み、所謂クロストークの発生を防止することができる。
【００５３】
また、本実施形態に係る液晶表示装置１０は、対向基板２０側（光出射側の基板）がマイクロレンズアレイＭＬＡ（光拡散手段）を備えている。このマイクロレンズアレイＭＬＡは、複数のマイクロレンズＭＡから構成されている。各サブ画素領域に対応して複数のマイクロレンズＭＡが設けられている。なお、サブ画素領域にマイクロレンズＭＡが一つだけ設けられた構成でもよい。
【００５４】
照明装置１は、上述したように波長選択膜５上に設けられたマイクロレンズＭＡの働きにより、サブ画素領域内に入射される光の平行度が高くなり過ぎてしまい、液晶表示装置１０の視野角を狭めるおそれがある。そこで、本実施形態に係る液晶表示装置１０は、上述したように各サブ画素領域に対応して設けられる複数のマイクロレンズＭＡからなるマイクロレンズアレイＭＬＡを備えているので、対向基板２０側の偏光素子２４から出射される光はマイクロレンズアレイＭＬＡにより拡散させることができる。したがって、液晶表示装置１０は広い視野角を得ることができる。
【００５５】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶表示装置１０によれば、照明装置１から各サブ画素領域に波長選択された所望の色光が入射されるので、液晶パネル１０Ａ内で生じる光吸収損失を防止することができ、高いエネルギー効率を得ることができる。よって、液晶表示装置１０の消費電力を低減することができる。
【００５６】
（液晶表示装置に係る第２実施形態）
続いて、本発明の液晶表示装置に係る第２実施形態について説明する。図７は本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、照明装置１の光入射面側（ＴＦＴ基板１１側）の偏光素子６０が、アクリル基板やガラス基板等の誘電材料からなる透光性の基板（基材）上に、互いに間隔をおいて縞状（以下、ストライプ状ともいう）に配置された複数の導電材料からなる格子（金属細線）を備えて構成されている。本実施形態では、格子を構成する材料として、アルミを用いている。このような偏光素子６０をワイヤーグリッド型の偏光素子と呼ぶこともできる。なお、本実施形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１１側の偏光素子が上記ワイヤーグリッド型偏光素子である以外の構成は上記第１実施形態に係る構成と同一となっている。したがって、偏光素子６０以外の構成については、その詳細な説明を省略する。
【００５７】
ここで、偏光素子６０の構成について説明する。図８は偏光素子６０の概略構成を示す斜視図、図９は偏光素子６０の平面模式図、図１０は偏光素子６０を光が透過する際の作用を示す説明図である。
【００５８】
図８、９に示すように、偏光素子６０は、平面視した状態（基板６１を上面側から見た際の状態）で、基板６１上にストライプ状の格子６２を複数備えた構造となっている。この格子６２は、入射光の波長よりも小さい値となる、例えば１４０ｎｍ程度のピッチＰで基板６１上に配置されている。また、各格子６２の幅は、例えば７０ｎｍ程度に設定されていることから、各格子６２間には７０ｎｍの隙間６３が空いた状態となっている。また、格子６２の高さは１５０ｎｍ程度で、この格子６２のアスペクト比は、２．１程度となっている。なお、製造上の都合もあるが、格子６２の幅は、入射光の波長の１／１０程度にするのが望ましい。
【００５９】
このような偏光素子６０は、図１０に示すように、格子６２の屈折率ｎＡと、格子６２間に介在する隙間６３の屈折率ｎＢとが異なるため、偏光素子６０に入射した光の偏光方向により、偏光選択が行なわれる。具体的には、格子６２の延在方向と垂直な方向に偏光軸を有する直線偏光Ｘを透過させ、格子６２の延在方向と平行な方向に偏光軸を有する直線偏光Ｙを反射する。したがって、本実施形態の偏光素子６０は、光反射型偏光子と同じ作用、すなわち光軸（透過軸）と平行な偏光を透過させ、垂直な偏光に対しては反射させる作用を有している。なお、本実施形態においては、対向基板２０側の偏光素子６０の光透過軸が直線偏光Ｙに一致している。
【００６０】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶表示装置１０によれば、照明装置１の光入射面側にワイヤーグリッド型偏光素子（光反射型偏光素子）を備えることで、照明装置１から射出される光のうち、所定方向の偏光（直線偏光Ｘ）のみが透過されて、その他の偏光成分を照明装置１内に反射させ再利用できるため、照明装置１の光利用効率を向上させることができる。
【００６１】
（変形例）
図１１は、液晶表示装置１０の他の概略構成例を示す模式断面図である。なお、図７に示した液晶表示装置１０と同様の構成については、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６２】
本変形例では、波長選択膜５は複数のマイクロレンズＭＡの上面ではなく、ＴＦＴ素子を備える基板１１Ａの上面に配置されている。また、波長選択膜５の上面に平坦化膜７０を介して画素電極９が形成されている。そして、画素電極９上に配向膜１２を介して液晶層５０が配置されている。なお、波長選択膜５は、導光板３と液晶層５０との間にあれば良く、画素電極９から液晶層５０への電圧のかかり具合を考慮しながら、適宜順序を変えて所望の位置に配置することができる。
【００６３】
（液晶表示装置に係る第３実施形態）
続いて、本発明の液晶表示装置に係る第３実施形態について説明する。図１２は本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置では、波長選択膜５上に図７に示したようなガラス基板４が配置されていない。本実施形態に係る液晶表示装置の照明装置１Ａは、光源２と導光板３と複数のマイクロレンズＭＡと波長選択膜５とを備えており、図７において波長選択膜５上に配置されたガラス基板４が省略された構成となっている。
【００６４】
（照明装置の第２の製造方法）
続いて、上記照明装置１Ａの製造方法について図面を用いて説明する。図１３は照明装置１Ａの製造工程を示す図である。なお、照明装置１Ａの製造方法は、波長選択膜５の上面に塗布された接着層４３を介して、導光板３上に複数のマイクロレンズＭＡを支持体として波長選択膜５を転写して形成するものである。
【００６５】
まず、図１３（ａ）に示すように複数のマイクロレンズＭＡを支持体とする。ここで、複数のマイクロレンズＭＡの下には、複数のマイクロレンズＭＡを支持するために支持型８０が配置されている。なお、支持型８０は、複数のマイクロレンズＭＡを離型できるように複数のマイクロレンズＭＡとは接着されていない。
【００６６】
続いて、図１３（ｂ）に示すように複数のマイクロレンズＭＡ上への赤色用波長選択膜５Ｒの転写工程を行う。具体的には、赤色用波長選択膜５Ｒ上における接着層４３と、支持型８０とを対向配置するとともに支持基板４０と支持型８０を押圧する。この際に、接着層４３を硬化させる目的で、熱を加えてもよい。なお、赤色用波長選択膜５Ｒの転写工程の前工程は、上記第１の製造方法（図４〜図５）と同一となっているので、その詳細な説明を省略する。
【００６７】
そして、支持基板４０の裏面側（剥離層４１が形成されていない側の面）から上述したような一定強度の光を照射することで剥離層４１を赤色用波長選択膜５Ｒから剥離させる。以上の工程により、図１３（ｃ）に示されるように、赤色用波長選択膜５Ｒは接着層４３を介して支持型８０上の複数のマイクロレンズＭＡ上に貼着されることとなる。
【００６８】
以下、同様のプロセスを繰り返すことで、図１３（ｄ）に示されるように、複数のマイクロレンズＭＡ上に、緑色用波長選択膜５Ｇ、青色用波長選択膜５Ｂを形成することができる。その後、図１３（ｅ）に示されるように、複数のマイクロレンズＭＡを支持型８０から離型して、複数のマイクロレンズＭＡの波長選択膜５が形成されている側とは反対側に導光板３を貼り合わせる。以上の工程により、照明装置１Ａを製造することができる。
【００６９】
本実施形態に係る製造方法によれば、複数のマイクロレンズＭＡを介して、導光板３上に波長選択膜５を転写しているので、より薄い波長選択膜５を備えた照明装置１Ａを製造することができる。よって、液晶層５０までの光路長（層厚）が短くなり、各サブ画素領域に所望の色光が入射される割合がより大きくなるので、光の混色を防止するとともにより光利用効率を向上させることができる。
【００７０】
（液晶表示装置に係る第４実施形態）
続いて、本発明の液晶表示装置に係る第４実施形態について説明する。図１４は本実施形態に係る液晶表示装置１０Ｔの概略構成を示す模式断面図である。液晶表示装置１０Ｔは、照明装置１Ａの波長選択層５上に平坦化膜７１を介して偏光素子６０が形成され、偏光素子６０上に絶縁膜６５を介して薄膜トランジスタ層１１Ｔが設けられている。また、薄膜トランジスタ層１１Ｔは、画素電極及び画素電極に対する電圧印加をスイッチング駆動するＴＦＴ素子（図示略）を備え、図１２に示したようなガラスや石英などの透光性の基板１１Ａを構成に含まない。なお、本実施形態の液晶表示装置１０Ｔは、薄膜トランジスタ層１１Ｔ、薄膜トランジスタ層１１Ｔの下地の絶縁膜６５及び偏光素子６０の下地の平坦化膜７１以外の構成は上記第３実施形態に係る構成と同一となっている。
【００７１】
（液晶表示装置の製造方法）
続いて、上記液晶表示装置１０Ｔの製造方法について図面を用いて説明する。図１５は液晶表示装置１０Ｔの製造工程を示す図である。なお、液晶表示装置１０Ｔの製造方法は、波長選択膜５の上面に平坦化膜７１を形成して、この平坦化膜７１上に偏光素子６０を配置する。そして、偏光素子６０の上面に絶縁膜６５を形成して、この絶縁膜６５上に薄膜トランジスタ層１１Ｔを設けることで形成するものである。
【００７２】
まず、図１５（ａ）に示すように、波長選択膜５が転写された複数のマイクロレンズＭＡを支持体とし、波長選択膜５の上面に平坦化膜７１を形成する。なお、波長選択膜５の転写工程の前工程は、上記第２の製造方法（図１３）と同一となっているので、その詳細な説明を省略する。
【００７３】
ここで、平坦化膜７１は絶縁材料を塗布して形成される。より具体的には、平坦化膜７１は、有機溶媒に溶けたガラス溶液を波長選択膜５上の全面に回転塗布する方法（ＳＯＧ）を用いて、表面が平らになるように形成される。例えば、有機液媒に溶かす材料としては、パーヒドロポロシラザン（ＳｉＨ２ＮＨ）を好適に用いることができる。このパーヒドロポロシラザンは、大気中の水分と反応してシリカガラス（ＳｉＯ２）に転化する性質がある。
【００７４】
続いて、図１５（ｂ）に示すように平坦化膜７１上に偏光素子６０を配置する。そして、偏光素子６０上に絶縁膜６５を例えばＣＶＤ法により形成する。ここで、偏光素子６０はワイヤーグリッド型の偏光素子であり、上記第２実施形態（図７）と同一となっているので、その詳細な説明は省略する。
【００７５】
そして、図１５（ｃ）に示すように、絶縁膜６５上に薄膜トランジスタ層１１Ｔを配置する。薄膜トランジスタ層１１Ｔとしては、例えばＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Annealing/Ablation）（登録商標）技術を用いて形成される薄膜トランジスタ層や、基板上に直接インクジェット技術や蒸着技術などの低温プロセスを用いて形成された有機トランジスタを含む薄膜トランジスタ層などを好適に用いることができる。ここで、ＳＵＦＴＬＡ及び有機トランジスタについては後述する。
【００７６】
次に、図１５（ｄ）に示されるように、複数のマイクロレンズＭＡを支持型８０から離型して、複数のマイクロレンズＭＡの波長選択膜５が形成されている側とは反対側に導光板３を貼り合わせる。そして、対向基板２０とシール材（図示略）を介して貼り合わせられ、その内部に液晶層５０が封入されることにより、液晶表示装置１０Ｔを製造することができる。
【００７７】
（ＳＵＦＴＬＡ）
続いて、上記ＳＵＦＴＬＡ技術を用いて形成される薄膜トランジスタ層の構造の一例について図面を用いて説明する。図１６は薄膜トランジスタ層の概略断面構成を示す模式図である。本例では、暫定基板１１０の上に剥離層１１２を形成し、更にその上に下地層１２０を介して薄膜トランジスタを形成している。
【００７８】
暫定基板１１０は、照射光が透過し得る透光性を有するものであって、薄膜トランジスタの製造プロセスに対する耐熱性、耐食性を備えるものであれば良い。具体的な材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等の耐熱性ガラスが挙げられる。
【００７９】
剥離層１１２は、照射光の照射により、当該層内や界面において剥離を生じる、または剥離し易くなるものを使用する。剥離層１１２として特定の物質を使用した場合、当該剥離層に一定の強度の光を照射することにより、前記剥離層を構成する原子または分子の結合力が消失または減少し、アブレーション等を生じて剥離に至る。また、照射光の照射によって、あるいは照射された光を吸収して当該物質が発熱することによって、前記剥離層を構成する物質が相変態を起こす場合がある。それに伴う体積変化、界面形状の変化、含有物質の析出や偏析等は、前記剥離層とそれに隣接する層（例えば図１６では、暫定基板１１０または下地層１２０）との間の密着性及び／または結合力を変化させ、前記剥離層の界面における剥離が生じ易くなる。また、照射光の照射によって放出された気体により、剥離に至る場合もある。これには、前記剥離層に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、前記剥離層を構成する物質が前記照射光を吸収して気体に変化し、その蒸気が放出される場合とがある。
【００８０】
剥離層１１２の具体的な組成としては、例えば、非晶質シリコン、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、酸化チタンもしくはチタン酸化合物、酸化ジルコニウムもしくはジルコン酸化合物、酸化ランタンもしくはランタン酸化合物の各種酸化物セラミックス、または誘電体あるいは半導体、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス、有機高分子材料、金属等が考えられる。
【００８１】
本例では、剥離層１１２として非晶質シリコンを用いる。なぜなら、非晶質シリコンはＴＦＴの活性層であるポリシリコンを形成する際に用いられる材料であるため、剥離層からＴＦＴへの不純物元素の移行（換言すれば、活性ポリシリコン層の汚染）、ＴＦＴのプロセス温度に対する剥離層の耐熱性等を改めて考慮する必要がないからである。
【００８２】
下地層１２０は、絶縁性があり、前記薄膜デバイスを物理的、化学的に保護することができる材料で構成するのが好ましい。本例では、ＴＦＴの製造プロセスと同一のプロセスで形成可能な絶縁膜である酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等を用いる。
【００８３】
下地層１２０の厚さは、前述の保護機能が果たせる程度であれば良い。また、下地層１２０の形成方法としては、熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法等、を用いることができる。
【００８４】
下地層１２０の上にアモルファスシリコン層を形成し、当該アモルファスシリコン層の全面に上方からレーザ光を照射してレーザアニール処理を施す。これにより、当該アモルファスシリコン層は溶融・再結晶化してポリシリコン層となる。その後、当該ポリシリコン層を所望の形状にパターニングして、活性シリコン層１３０を形成する。
【００８５】
続いて、活性シリコン層１３０を覆うゲート絶縁膜１２２を、例えばＣＶＤ法により形成する。ゲート絶縁膜１２２の組成としては、ＳｉＯ２ 、ＳｉＮ等が好ましく用いられる。また、ゲート絶縁膜１２２は、活性シリコン層１３０を高温で酸化することにより得られる熱酸化膜であっても構わない。
【００８６】
次に、ゲート絶縁膜１２２の上に、ポリシリコン膜または金属膜を形成し、これをパターニングすることによりゲート電極１４０を形成する。
【００８７】
次に、活性シリコン層１３０にマスクを施し、全面にリン（Ｐ）等をイオン注入することにより、ソース領域１３４及びドレイン領域１３６を形成する。このとき、活性シリコン領域１３２の上にはゲート絶縁膜１２２を介してゲート電極１４０が形成されているため、活性シリコン領域１３２には前記リン等の添加元素は導入されず、活性シリコン領域１３２、ソース領域１３４、及びドレイン領域１３６を自己整合的に形成することができる。
【００８８】
次に、ＳｉＯ２ 、ＳｉＮ等で構成される層間絶縁膜１２４を、例えばＣＶＤ法により形成し、ソース領域１３４及びドレイン領域１３６に到達するコンタクトホールを、当該層間絶縁膜１２４に設ける。続いて、アルミニウム等で構成された金属膜を、例えばスパッタリング法により形成し、その後、当該金属膜をパターニングすることにより、ソース電極１４１及びドレイン電極１４２を形成する。
【００８９】
続いて、第二層間絶縁膜１２６を、例えばＣＶＤ法により形成し、ソース電極１４１及びドレイン電極１４２上にコンタクトホールを設ける。次に、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の、透明導電性材料から成る薄膜を形成し、これをパターニングすることにより、画素電極１４６を形成する。
【００９０】
本工程の最後に、薄膜トランジスタの表面を平坦化するための、絶縁性の平坦化膜１２８を、例えばＣＶＤ法やスピンコート法等により形成する。以上のような工程を経て、暫定基板１１０上に剥離層１１２を介して形成された薄膜トランジスタを製造することができる。そして、剥離層１１２に、暫定基板１１０側から照射光を照射して当該剥離層１１２に剥離を生じさせて、暫定基板１１０を薄膜トランジスタ層から分離することができる。このようにして、分離して得られた薄膜トランジスタ層を所望の基板上に転写することが可能となる。
【００９１】
（有機トランジスタ）
続いて、上記有機トランジスタの構造について図面を用いて説明する。図１７は有機トランジスタの製造方法の一例を示す概略断面構成図である。本例では、支持型８０（図示略）上に複数のマイクロレンズＭＡ（図示略）、波長選択膜５（図示略）、平坦化膜７１、偏光素子６０を介して形成された絶縁膜６５上に、有機トランジスタを形成している。
【００９２】
まず、絶縁膜６５が形成された支持体を抵抗加熱式蒸着装置にセットして、成膜室を真空排気した後に金を成膜する。加熱によって上方に飛散した金はメタルスルーマスクＭに設けられた開口部を通って絶縁膜６５に蒸着される。このようにして、図１７（ａ）に示すように、ソース電極２３０、ドレイン電極２６０の形状に対応する電極パターンを形成する。
【００９３】
次に、ソース電極２３０及びドレイン電極２６０が形成された絶縁膜６５の表面の洗浄を行う為に酸素プラズマによる表面処理を行う。次に、有機半導体材料であるＰ３ＨＴ（ポリ（３ − ヘキシルチオフェン））を所定の濃度でキシレンに溶解させた塗布溶液を調整する。そして、図１７（ｂ）に示すように、少なくとも絶縁膜６５におけるソース電極２３０とドレイン電極２６０の間のチャネル領域２４５となる部分に、前記塗布溶液をインクジェット塗布装置で塗布する。そして、乾燥させて溶媒のキシレンを除去し、有機半導体層２４０の形成を行う。
【００９４】
次に、ポリイミド溶液を絶縁膜６５にスピンコート法で塗布し、これをホットプレート上に放置して加熱し溶媒を除去する。このようにして、図１７（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜２２０を有機半導体層２４０を覆うように絶縁膜６５上に一様に形成する。
【００９５】
次に、ゲート絶縁層２２０上におけるチャネル領域２４５上に対応する部分に、銀微粒子の水分散液をインクジェット塗布装置で塗布した後、ホットプレート上に放置して前記水分散液の分散媒を乾燥する。このようにして、図１７（ｄ）に示すように、ゲート電極２５０を形成する。
【００９６】
次に、図１８（ａ）に示すように、保護膜２２６を、例えばＣＶＤ法やスピンコート法等によりゲート電極２５０を覆うようにゲート絶縁層２２０上に一様に形成する。そして、図１８（ｂ）に示すように、ソース電極２３０及びドレイン電極２６０上にコンタクトホール２２７をレーザー照射によって形成する。そして、コンタクトホール２２７内を含む保護膜２２６上の所定位置にインクジェット銀微粒子の水分散液をインクジェット塗布装置で塗布し、画素電極２０９を形成する。
【００９７】
そして、図１８（ｃ）に示すように、画素電極２０９、保護膜２２６を覆って有機トランジスタの表面を平坦化するための、絶縁性の平坦化膜２２８を、例えばＣＶＤ法やスピンコート法等により形成する。以上のような工程を経て、絶縁膜６５上に有機トランジスタを形成することができる。
【００９８】
有機トランジスタはポリシリコンやアモルファスシリコンを用いた無機トランジスタに比べて低温で形成することができるので、導光板３上に配置される波長選択層５の温度による膨張や収縮を防ぐことができる。また、下地基板としては、偏光板３上の絶縁膜６５を用いて形成しているので、ガラス基板を用いて形成されるよりも薄いものを得ることができる。
【００９９】
本実施形態に係る製造方法によれば、低温形成できる絶縁材料を塗布することにより平坦化膜７１を形成しているので、波長選択層５の温度による膨張や収縮を防ぐことができる。よって、波長選択層５の高い信頼性を得るとともにエネルギー効率を向上させることができる。
【０１００】
また、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、薄膜トランジスタ基板１１Ａよりも薄い薄膜トランジスタ層１１Ｔを備えるので、導光板３から液晶層５０までの光路長（層厚）が短くなり、各サブ画素領域に所望の色光が入射される割合がより大きくなる。よって、液晶表示装置における光の混色を防止するとともに光利用効率をより向上させることができる。
【０１０１】
また、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、薄膜トランジスタ層１１Ｔは波長選択層５上に形成されるのではなく予め暫定基板１１０上に形成されるので、トランジスタ特性を高めることができるとともに波長選択層５の温度による膨張や収縮を防ぐことができる。よって、波長選択層５の高い信頼性を得るとともにエネルギー効率を向上させることができる。
【０１０２】
本発明は、上述した実施形態の内容に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能である。
例えば、上述の照明装置１は各サブ画素領域内に反射領域と透過領域が形成された半透過反射型の液晶パネルに組み合わせることで、半透過反射型の液晶表示装置を構成するようにしてもよい。
【０１０３】
この場合、波長選択膜５はサブ画素領域の透過領域のみに対応するようにパターニングすればよい。そして、サブ画素領域の反射領域に入射される光を照明装置１内に反射させ再利用することで、反射領域半透過反射型の液晶表示装置においても高い光利用効率を得ることができる。
【０１０４】
（電子機器）
次に、本発明に係る液晶表示装置を用いた表示部を備えた電子機器の実施形態について、携帯電話を例に挙げて説明する。図１９は、携帯電話６００の全体構成を示す斜視図である。携帯電話６００は、筺体６０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部６０２、画像や動画、文字等を表示する表示部６０３を有する。表示部６０３には、本発明に係る液晶表示装置１０が搭載される。
このように、波長選択反射性を有する波長選択膜５を備えた信頼性の高い液晶表示装置１０を備えているので、高信頼性かつ高いエネルギー効率を有する電子機器（携帯電話）６００を得ることができる。
【０１０５】
図２０は、本発明の電子機器の一実施形態である単板投射型のプロジェクタ５００の概略構成を示す模式図である。図２０に示すように、プロジェクタ５００は、液晶表示装置１０、投射手段（投射レンズ）５７０等を備えている。液晶表示装置１０により発せられた光は投射レンズ５７０によってスクリーン５８０に拡大投射されるようになっている。
このように、波長選択反射性を有する波長選択膜５を備えた信頼性の高い液晶表示装置１０を備えているので、高信頼性かつ高いエネルギー効率を有する電子機器（プロジェクタ）５００を得ることができる。
【０１０６】
なお、電子機器としては、前記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】照明装置の構成を示す模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は波長選択膜の構成を説明するための図である。
【図３】導光板から光源の光を取り出すプロセスを説明するための図である。
【図４】照明装置の製造工程説明図である。
【図５】図４に続く照明装置の製造工程説明図である。
【図６】液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図８】偏光素子の概略構成を示す斜視図である。
【図９】偏光素子の平面模式図である。
【図１０】偏光素子を光が透過する際の作用を示す説明図である。
【図１１】液晶表示装置の変形例の概略構成を示す図である。
【図１２】第３実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図１３】照明装置の製造工程説明図である。
【図１４】第４実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図１５】液晶表示装置の製造工程説明図である。
【図１６】ＳＵＦＴＬＡ技術を用いた薄膜トランジスタ層の概略構成図である。
【図１７】有機トランジスタの製造工程説明図である。
【図１８】図１７に続く有機トランジスタの製造工程説明図である。
【図１９】電子機器の実施形態である携帯電話の概略構成を示す模式図である。
【図２０】電子機器の実施形態であるプロジェクタの概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１，１Ａ…照明装置、２…光源、３…導光板、５，５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ…波長選択膜（波長選択部材）、１０，１０Ｔ…液晶表示装置、１０Ａ…液晶パネル、１１Ｔ…薄膜トランジスタ層、１３…偏光素子、２１…カラーフィルタ、６０…偏光素子、６２…格子（金属細線）、６５…絶縁膜、７１…平坦化膜、１１０…暫定基板、ＭＡ…マイクロレンズ
【図１】
2009245915.tif 000003
【図２】
2009245915.tif 000004
【図３】
2009245915.tif 000005
【図４】
2009245915.tif 000006
【図５】
2009245915.tif 000007
【図６】
2009245915.tif 000008
【図７】
2009245915.tif 000009
【図８】
2009245915.tif 000010
【図９】
2009245915.tif 000011
【図１０】
2009245915.tif 000012
【図１１】
2009245915.tif 000013
【図１２】
2009245915.tif 000014
【図１３】
2009245915.tif 000015
【図１４】
2009245915.tif 000016
【図１５】
2009245915.tif 000017
【図１６】
2009245915.tif 000018
【図１７】
2009245915.tif 000019
【図１８】
2009245915.tif 000020
【図１９】
2009245915.tif 000021
【図２０】
2009245915.tif 000022