(57)【要約】【課題】無機配向膜を用いた場合であっても基板間の電気的導通を確保することが可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置用基板を提供する。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を挟持する液晶装置１００であって、ＴＦＴアレイ基板１０に設けられた導電端子２０７と対向基板２０に設けられた導電端子２０８とが基板間導通部材２０６を介して接続されており、基板間導通部材２０６と導電端子２０７との接続部２１１では、導通端子２０７の液晶層５０側に設けられた多孔層２０７Ｂおよび、当該多孔層２０７Ｂの液晶層５０側に設けられた無機配向膜３１が、基板間導通部材２０６によって部分的に変形されている。【選択図】図５
2009251003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に液晶層を挟持する液晶装置であって、
前記第１の基板に設けられた第１の端子と前記第２の基板に設けられた第２の端子とが
導通部材を介して接続されており、
前記導通部材と前記第１の端子との接続部では、
前記第１の端子の前記液晶層側に設けられた多孔層および、当該多孔層の前記液晶層側
に設けられた無機材料からなる配向膜が、前記導通部材によって部分的に変形されている
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記導通部材と前記第２の端子との接続部において、
前記第２の端子の前記液晶層側に設けられた多孔層および、当該多孔層の前記液晶層側
に設けられた無機材料からなる配向膜が、前記導通部材によって部分的に変形されている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記多孔層が、前記第１の端子または前記第２の端子に一体に形成されていることを特
徴とする請求項１または２記載の液晶装置。
【請求項４】
前記多孔層が、縞状あるいは格子状の構造物であることを特徴とする請求項１乃至３の
いずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記導通部材に含まれる導電性のフィラーあるいはファイバーが、前記多孔層または前
記第１の端子に接触していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液
晶装置。
【請求項６】
前記多孔層が、前記第２の基板に設けられた前記液晶層に電圧を印加する電極と一体に
形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記多孔層が、アルミニウム、クロム、ＩＴＯあるいは樹脂材料のいずれかから構成さ
れていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記配向膜の膜厚が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか
一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記構造物の凹部または凸部のピッチが４００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
４記載の液晶装置。
【請求項１０】
第１の基板および第２の基板との間に液晶層を挟持する液晶装置の製造方法であって、
第１の基板本体上に、第１の端子、多孔層、および無機材料からなる配向膜をこの順で
形成して第１の基板を作製する工程と、
第２の基板本体上に、前記第１の端子と対向する第２の端子を形成して第２の基板を作
製する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に導通部材を配置して加圧し、前記多孔層およ
び前記配向膜を部分的に変形させて、前記第１の端子と前記第２の端子とを前記導通部材
を介して接続させる工程と、を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
前記多孔層を、２光束干渉露光を用いて縞状あるいは格子状にパターン形成することを
特徴とする請求項１０記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の基板を作製する工程において、
前記基板本体上に、前記第２の端子、多孔層、および無機材料からなる配向膜をこの順
で形成することを特徴とする請求項１０または１１記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
他の基板との間に液晶層を挟持して液晶装置を構成する液晶装置用基板であって、
基板本体上に、前記他の基板との導通を得るための端子と、多孔層と、無機材料からな
る配向膜とがこの順で形成されていることを特徴とする液晶装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶装置の配向膜としてポリイミドなどの有機材料からなる高分子膜をラビング
処理したものが使用されていた。近年では、表示特性やパネル寿命の向上を目指し、無機
材料による配向膜の開発が行われている。下記特許文献１には、無機配向膜を備えた液晶
装置に関する技術の一例が開示されている。
【０００３】
ところで、配向膜を形成する際には、液晶を挟持する第１の基板と第２の基板との導電
端子や、液晶パネルと外部との実装端子などについて、電気的導通が取れるように留意す
る必要がある。近年においては、各基板の四隅に形成された導電端子上に、例えば樹脂に
銀フィラーやグラスファイバーなどを含む導電ペースト（導通部材）を塗布し、この導電
ペーストが塗布された状態で両基板の貼り合わせがなされている。導電端子は、通常、配
向膜の下層に形成されるため、配向膜が有機膜であれば、導電ペーストに含有されている
フィラーやグラスファイバーなどが有機配向膜を突き破って、導電端子に到達することに
よって基板間の導通が得られる。ところが、配向膜が無機膜であった場合には、膜の硬度
が高いため、フィラーやグラスファイバーなどが無機配向膜を突き破ることができずに導
通不良となってしまう。そのため、無機配向膜を用いる場合には、導電端子上に無機配向
膜を形成しない手法が取られている（例えば特許文献２）。
【特許文献１】特開２００６−１１９４０１号公報
【特許文献２】特開２００５−１７３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、無機配向膜をパターン形成する場合、成膜装置や形成方法（斜方蒸着法
）などによっては要件を満たすことができない場合がある。斜方蒸着によって成膜する場
合は、導電端子上にマスクを形成することになるが、蒸着角度によっては影が生じて良好
に成膜を行えないばかりか、マスクの剥離に手間がかかるなどして効率がよくない。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、無機配向膜を用いた場
合であっても基板間の電気的導通を確保することが可能な液晶装置、液晶装置の製造方法
、液晶装置用基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、第１の基板と第２の基板との間に液
晶層を挟持する液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第１の端子と前記第２の
基板に設けられた第２の端子とが導通部材を介して接続されており、前記導通部材と前記
第１の端子との接続部では、前記第１の端子の前記液晶層側に設けられた多孔層および、
当該多孔層の前記液晶層側に設けられた無機材料からなる配向膜が、前記導通部材によっ
て部分的に変形されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、無機材料からなる配向膜（以下、単に無機配向膜という）を用いた場
合であっても基板間の電気的導通を確保することが可能となる。すなわち、導通部材と第
１の端子との接続部では、第１の端子の液晶層側に設けられた多孔層および、多孔層の液
晶層側に設けられた無機材料からなる配向膜が、導通部材によって部分的に変形されてい
ることから、無機材料からなる配向膜を用いた場合であっても基板間の電気的導通を確保
することができる。
【０００８】
また、前記導通部材と前記第２の端子との接続部において、前記第２の端子の前記液晶
層側に設けられた多孔層および、当該多孔層の前記液晶層側に設けられた無機材料からな
る配向膜が、前記導通部材によって部分的に変形されていることが好ましい。
【０００９】
本発明によれば、第１の基板と第２の基板の内側にそれぞれ無機配向膜を設けた場合で
も、基板間の電気的導通を確保することができる。
【００１０】
また、多孔層が、前記第１の端子または前記第２の端子に一体に形成されていることが
好ましい。
本発明によれば、第１の端子または第２の端子と同時に多孔層を形成することができる
ため製造が容易となる。第１の端子あるいは第２の端子と多孔層とが一体なので、多孔層
と導通材が接触していれば導通をとることができる。これにより、接続部の信頼性向上お
よび歩留まりが向上する。
【００１１】
また、多孔層が、縞状あるいは格子状の構造物であることが好ましい。
本発明によれば、多孔層を縞状あるいは格子状とすることによって配向膜の下層に多数
の空間が形成されるので、製造時に多孔層が変形し易くなる。これにより、配向膜を確実
に破断させることができるので接続の確実性が得られる。
【００１２】
また、前記導通部材に含まれる導電性のフィラーあるいはファイバーが、前記多孔層ま
たは前記第１の端子に接触していることが好ましい。
本発明によれば、導通部材に含まれる導電性のフィラーあるいはファイバーを介して導
通部材と第１の端子とが確実に接続される。フィラーあるいはファイバーは、配向膜の破
断部の隙間に入り込み易いため基板間の導通不良が発生するのを防止することが可能であ
る。
【００１３】
また、多孔層が、前記第２の基板に設けられた前記液晶層に電圧を印加する電極と一体
に形成されていることが好ましい。
本発明によれば、第２の基板に設けられる電極と一体に形成することができるので、製
造が容易になる。
【００１４】
また、多孔層が、アルミニウム、クロム、ＩＴＯあるいは樹脂材料のいずれかから構成
されていることが好ましい。
本発明によれば、基板上に設けられる電極や、遮光部、配線などと同時に形成すること
ができる。
【００１５】
また、前記配向膜の膜厚が２００ｎｍ以下であることが好ましい。
本発明によれば、基板同士の貼り合せ時の圧力によって配向膜を確実に破断させること
ができ、無機材料からなる配向膜を用いる構成において導通不良が発生することを回避す
ることができる。
【００１６】
また、構造物の凹部または凸部のピッチが４００ｎｍ以下であることが好ましい。
本発明によれば、配向膜の形成材料が構造物（多孔層）の空隙に入り込むにくくなるた
め、配向膜の下層に多数の空間を有する構造物（多孔層）を容易に形成することができる
。これにより、基板同士の貼り合せ時の圧力によって変形しやすい多孔層が得られ、第１
の端子と第２の端子とを確実に接続できる構成となる。
【００１７】
本発明の液層装置の製造方法は、第１の基板および第２の基板との間に液晶層を挟持す
る液晶装置の製造方法であって、第１の基板本体上に、第１の端子、多孔層、および無機
材料からなる配向膜をこの順で形成して第１の基板を作製する工程と、第２の基板本体上
に、前記第１の端子と対向する第２の端子を形成して第２の基板を作製する工程と、前記
第１の基板と前記第２の基板との間に導通部材を配置して加圧し、前記多孔層および前記
配向膜を部分的に変形させて、前記第１の端子と前記第２の端子とを前記導通部材を介し
て接続させる工程と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、第１の基板と第２の基板とを導通部材を介して貼り合わせる際の圧力
によって、多孔層および配向膜を破損させることができる。すなわち、多孔層が変形する
ことで無機材料からなる配向膜が破断して、第１の端子と導通部材とを接続させることが
可能となる。このように、第１の端子と導通部材との接続部分において、有機膜よりも硬
質な無機配向膜を破損（破断）させることができることから、基板間の導通が確実に得ら
れる。
【００１９】
また、多孔層を、２光束干渉露光を用いて縞状あるいは格子状にパターン形成すること
が好ましい。
本発明によれば、微細なピッチで凹部あるいは凸部を形成することができるので、変形
しやすい多孔層が得られる。
【００２０】
また、第２の基板を作製する工程において、前記基板本体上に、前記第２の端子、多孔
層、および無機材料からなる配向膜をこの順で形成することが好ましい。
本発明によれば、第２の基板側に無機材料からなる配向膜を設けた場合にも多孔層およ
び配向膜を破損させることができるので、基板間の導通を確実に得ることができる。
【００２１】
本発明の液晶装置用基板は、他の基板との間に液晶層を挟持して液晶装置を構成する液
晶装置用基板であって、基板本体上に、前記他の基板との導通を得るための端子と、多孔
層と、無機材料からなる配向膜とがこの順で形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、無機材料からなる配向膜を備える液晶装置を構成する場合に、基板間
の導通不良を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［第１実施形態］
図１は本発明の液晶装置の一実施形態たる液晶装置について、各構成要素とともに示す
対向基板側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は
液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子
、配線等の等価回路図である。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２３】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０（
第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、こ
のシール材５２によって区画された領域内に液晶が封入、保持されている。シール材５２
には、製造時においてＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に液晶を
注入するための液晶注入口５５が形成されており、該液晶注入口５５は液晶注入後に封止
材５４により封止されている。対向基板２０の内面側には対向電極２３が形成され、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の内面側には画素電極９が形成されている。
【００２４】
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り（図示略）が形成され
る一方、シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２が
ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って
走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表
示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５
が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部材２０
６が配設されている。
【００２５】
なお、液晶装置１００においては、使用する液晶の種類、すなわちＴＮ（Twisted Nema
tic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＶＡＮ（Vertical Alignment N
ematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの
別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する
。さらに、液晶装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０におい
て、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極９に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）
、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００２６】
このような構造を有する液晶装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように
、複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されているとともに、これらの画素１００ａ
の各々には、画素スイッチング用の半導体素子、ここではＴＦＴ（Thin Film Transistor
）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦ
Ｔ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２
、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に
対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線
３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号
Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００２７】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子で
あるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される
画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、
図２に示す対向基板２０の対向電極２３との間で一定期間保持される。なお、保持された
画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極との
間に形成される液晶容量と並列に保持容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の
電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持容量６０により保持
される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶装置１００
を実現することができる。
【００２８】
次に、液晶装置の要部構成について説明する。
図４は図１のＧ−Ｇ’断面を拡大して示す模式図であって、この図４を参照しつつ基板
間導通の構成について説明する。
ＴＦＴアレイ基板１０は、厚さ約１．２ｍｍのガラス基材からなる基板本体１０ａと、
ＴＦＴ３０が形成されてなる厚さ約０．３〜０．５μｍ程度の回路層１０ｃを有して構成
されている。
【００２９】
表示領域内の各画素１００ａ（図３参照）には、平面視矩形状の透光性の画素電極９が
形成され、画素電極９の縦横の境界に沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられてお
り、データ線６ａと走査線３ａとの交差部近傍にＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３
０は、図４に示すように、半導体層６２と、半導体層６２とゲート絶縁膜（図示略）を介
して対向するゲート電極（走査線３ａ）と、半導体層６２のソース領域６２ａとコンタク
トホール７２を介して接続されたソース電極（データ線６ａ）と、半導体層６２のドレイ
ン領域６２ｂとコンタクトホール７３を介して接続されたドレイン電極６３と、を備えて
いる。ドレイン電極６３は、コンタクトホール７４を介して画素電極９と接続されている
。また、シール材５２の外側の非表示領域には導電端子２０７（第１の端子）が形成され
ている。なお、これら配線および導電端子２０７は、例えばＡｌ等の導電性金属材料にて
構成することができる。
【００３０】
対向基板２０は、厚さ約１．２ｍｍのガラス基材からなる基板本体２０ａと、その内側
に、画素間領域に対応する遮光部２４と、表示領域全体に対応する対向電極２３とを有し
て構成されている。また、対向電極２３は、所定の配線を通じて非表示領域に形成された
導電端子２０８（第２の端子）に接続されている。対向基板２０側の導電端子２０８は、
遮光部２４と同じクロム（Ｃｒ）等の導電性材料にて構成することができる。
【００３１】
図４に示すように、対向基板２０の液晶層５０側には対向電極２３を覆うようにして無
機配向膜２１（第２の配向膜）がこの順で形成される一方、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶
層５０側には画素電極９を覆うようにして無機配向膜３１（第１の配向膜）が形成されて
いる。ここで、各基板２０，１０の液晶層５０と接する面に形成された無機配向膜２１，
３１は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料にて構成された配向膜で
あって、斜方蒸着法などにて形成された膜である。本実施形態において、無機配向膜２１
，３１の膜厚は２００ｎｍ以下とする。
【００３２】
次に、基板間導通部材２０６と導電端子２０７との接続部２１１、および基板間導通部
材２０６と導電端子２０８との接続部２１２について説明する。図５は、図４の要部を拡
大して示す拡大図である。
本実施形態においては、図５に示すように、各接続部２１１，２１２における無機配向
膜２１，３１の一部が製造時における基板１０，２０同士の貼り合せ圧力によって破断さ
れており、このような破断部２１Ａ，３１Ａにて、各無機配向膜２１，３１の下層に位置
する導電端子２０７，２０８同士が基板間導通部材２０６を介して接続されている。
【００３３】
導電端子２０７は、端子部２０７Ａと多孔層２０７Ｂ（第１の多孔層）とから構成され
、導電端子２０８は、端子部２０８Ａと多孔層２０８Ｂ（第２の多孔層）とから構成され
ており、液晶装置１００として完成した状態においては、多孔層２０７Ｂおよび多孔層２
０８Ｂの形状が、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる前の状態から変
形されている。
【００３４】
これら導電端子２０７（２０８）の原形について述べると、図６に示すように、端子部
２０７Ａ（２０８Ａ）上に形成された多孔層２０７Ｂ（２０８Ｂ）は、互いに平行な複数
の凸条部１７（凸部）および溝部１８（凹部）が所定の高さあるいは溝深さで交互に存在
するスリット状（縞状）を呈したものである。そして、凸条部１７あるいは溝部１８のピ
ッチが４００ｎｍ以下で設定され、本実施形態では凸条部１７の幅Ｗ１あるいは溝部１８
の幅Ｗ２がともに７０ｎｍでそれぞれのピッチが１４０ｎｍとされている。ここで、端子
部２０７Ａの膜厚Ｔが数１０ｎｍ、また凸条部１７の高さＨ１（溝部の深さに相当）が３
０〜４０ｎｍで、全体的な高さＨが４０〜５０ｎｍとなるように形成されている。なお、
多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂ形状はスリット状に限らずその他形状であってもよく、例えば
格子状も好適に採用することができる。
【００３５】
このような導電端子２０７、２０８は、上述したように液晶装置１００として完成した
形状において、上記したような凸条部１７が製造時の外部圧力によって様々な方向に傾倒
したりつぶれた状態となっている（図５）。
【００３６】
導電端子２０７，２０８に接続する基板間導通部材２０６は、シール材５２の外側の非
表示領域に形成され、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との電気的接続を担う導通部
材である。そして、対向基板２０側では対向電極２３に接続する導電端子２０８にされる
一方、ＴＦＴアレイ基板１０側では導電端子２０７に接続されている。基板間導通部材２
０６は、樹脂内に、銀フィラーや、円球形状もしくは円柱形状をなすグラスファイバーな
どの導通材１９が含有された導電ペーストからなり、これら銀フィラーやグラスファイバ
ーなどの導通材１９の一部が無機配向膜２１，３１の破断部２１Ａ，３１Ａから突き出し
て導電端子２０７，２０８に接触する。言い換えれば、導通材１９（銀フィラーやグラス
ファイバー）が無機配向膜２１，３１を貫通した形態とされている。
【００３７】
［液晶装置の製造方法］
次に、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法について説明する。上記液晶装置１０
０の製造プロセスの概略は、各基板１０，２０をそれぞれ製造した後に、両基板１０，２
０を貼り合わせ、その後、液晶を注入する工程を含むものである。本実施形態の製造方法
を用いて形成したＴＦＴアレイ基板１０や対向基板２０は、本発明に係る液晶装置用基板
の一例である。
（ＴＦＴアレイ基板）
まず、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程について図７〜９を参照しつつ説明する。ただ
し、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９を形成するまでの工程は従来の工程と全く変わ
るところはないため、説明を省略する。
【００３８】
まず、石英等からなる基板本体１０ａ上に、図１および図４に示したＴＦＴ３０を含む
回路層１０ｃを形成し、かかる回路層１０ｃ上に画素電極９を形成する。回路層１０ｃの
各構成要素（半導体層６２や走査線３ａ、データ線６ａなど）や画素電極９は、いずれも
従来公知の方法で形成することができる。
【００３９】
なお、本実施形態では、導電端子２０７，２０８を形成するための導電膜１１２ａはデ
ータ線６ａと同一工程により形成するものとしており（図７（ａ））、その後、導電膜１
１２ａに対して２光束露光を行い導電端子２０７（多孔層２０７Ｂおよび端子部２０７Ａ
）を形成する（図７（ｂ））。
【００４０】
具体的には、まず、図８（ａ）に示すように基板本体１０ａの回路層１０ｃ上の基板間
導通部材２０６が配置される領域に対応してスパッタ法等により厚さ１２０ｎｍのアルミ
膜を導電膜１１２ａとして所定の膜厚で形成し、その上に真空蒸着又はスパッタ等により
反射防止膜３３を形成した。反射防止膜３３としては、例えば、ＳｉＣやＳｉＯｘＮｙ：
Ｈ（ｘ、ｙは組成比）が適している。もしくは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いても
良い。また、半導体分野で広く用いられている有機塗布材料を用いても良い。
【００４１】
その後、反射防止膜３３上にスピンコート法などによってレジストＲｅを形成する。続
けて、レジスト膜Ｒｅに対してレーザー干渉露光を用い（図８（ｂ））、多孔層２０７Ｂ
の凸条部１７（図６）の形成位置に相当する領域、すなわちピッチが１４０ｎｍである微
細な線状の領域を選択的に露光して凸条部１７の潜像を形成する。形成する凸条部１７の
ピッチは、本実施形態では１４０ｎｍであることから、微細な縞状パターンを形成可能な
干渉露光法（ここでは２光束干渉露光）を用いる。レーザー干渉露光に用いる光源として
は、波長２６６ｎｍの連続発信ＤＵＶ（Deep Ultra Violet）レーザーを用いることがで
きる。このとき、レジスト膜Ｒｅの下層に反射防止膜３３が形成されていることにより、
レーザー光が導電膜１１２ａ（アルミ膜）によって反射され露光が不完全となる不具合を
防止することができる。
【００４２】
次に、レーザー干渉露光されたレジスト膜Ｒｅの現像を行うことにより、ピッチが１４
０ｎｍの微細な線状のレジストパターンＲｐが得られる（図８（ｃ））。そして、上記レ
ジストパターンＲｐをマスクにしてドライエッチングを行うことにより、反射防止膜３３
及び導電膜１１２ａ（アルミ膜）をパターニングする（図８（ｄ））。続けて、レジスト
パターンＲｐ及び反射防止膜３３を除去し、基板本体１０ａ上に、端子部２０７Ａと多孔
層２０７Ｂとからなる導電端子２０７を出現させる（図８（ｅ））。
このとき、導電端子２０７の端子部２０７Ａの膜厚Ｔ（図６）が数１０ｎｍ、多孔層２
０７Ｂの凸条部１７の高さＨ１（図６）が数４０〜５０ｎｍとなるように形成する。
【００４３】
次に、このような導電端子２０７を含む基板本体１０ａの最表面に対して、所定の方向
から斜方蒸着法（例えば、ＩＢＳ法）によりＡｌ２Ｏ３（アルミナ）などの無機材料を蒸
着して、導電端子２０７上に無機配向膜３１を所定の膜厚で形成する（図８（ｆ））。本
実施形態では、無機配向膜３１を２００ｎｍ以下の膜厚で形成し、後述する貼り合せ工程
において容易に破断可能なものとする。
この結果、図９に示すように、多孔層２０７Ｂの溝部１８が無機配向膜３１によって封
止されて、凸条部１７同士の間に、端子部２０７Ａ、凸条部１７及び無機配向膜３１によ
って囲まれた空間Ｋを形成することができる。
【００４４】
以上のような工程により、無機配向膜３１を備えるＴＦＴアレイ基板１０を得ることが
できる。本実施形態では、凸条部１７あるいは溝部１８がピッチ１４０ｎｍで形成されて
いる。そのため、斜め成膜法による成膜粒子が溝部１８内に入り込むことがなく、図９に
示すように、溝部１８の開口端はスパッタ粒子の堆積物により成膜の早い段階で閉塞され
、無機配向膜３１の下層に多数の空間Ｋが形成される。
【００４５】
（対向基板）
次に、対向基板２０の製造工程について図１０を参照しつつ説明する。ただし、対向基
板２０上に導電端子２０８を形成する工程は上記した導電端子２０７の製造工程と同じで
あることから、説明を省略する。
【００４６】
対向基板２０については、まず、ガラス等からなる基板本体２０ａを用意し、遮光性材
料を成膜、パターニングすることにより画素間領域に対応する遮光部２４を形成するとと
もに、上記導電端子２０７と同様の導電端子２０８を、基板間導通部材２０６（図示略）
が接続される領域に対応してクロム（Ｃｒ）などの導電性材料にて形成する（図１０（ａ
））。本実施形態では、導電端子２０８を形成するための導電膜は、クロム（Ｃｒ）など
から構成される遮光部２４と同一工程により形成するものとしており、その後、この導電
膜に対して２光束露光を行い多孔層２０８Ｂと端子部２０８Ａとを有する導電端子２０８
を形成する（図１０（ｂ））。
そして、このような導電端子２０８を備える基板本体２０ａ上の表示領域全面にスパッ
タリング法等によりＩＴＯ等の透明導電性材料を堆積し、フォトリソグラフィー法を用い
てパターニングすることにより、基板本体２０ａの表示領域に対応する箇所に対向電極２
３を形成する（図１０（ｂ））。その後、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程と同様、斜め
成膜法により無機配向膜２１を形成し、対向基板２０を得る（図１０（ｃ））。
【００４７】
（基板同士の貼り合せ）
次に、基板１０，２０同士の貼り合せ工程について図１１を参照して説明する。
まず、上述したＴＦＴアレイ基板１０あるいは対向基板２０のいずれか一方に基板間導
通部材２０６を形成するための導電ペースト２０６Ａを塗布する（図１１（ａ））。ＴＦ
Ｔアレイ基板１０側に導電ペースト２０６Ａを塗布する場合、無機配向膜３１上の、導電
端子２０７と平面的に重なる領域に、ディスペンサやインクジェット法などを用いて選択
的に塗布する。
なお、導電ペースト２０６Ａを塗布するのと同時に、表示領域を囲むようにしてシール
材５２を描画する。シール材５２の描画と導電ペースト２０６Ａを塗布する順番は適宜選
択される。
【００４８】
その後、ＴＦＴアレイ基板１０上に対向基板２０を対向配置し、シール材５２及び導電
ペースト２０６Ａを介して貼り合わせ、所定の圧力で圧着を行う。ＴＦＴアレイ基板１０
と対向基板２０同士を所定の圧力で押圧すると、基板間導通部材２０６と導電端子２０７
，２０８との接続部２１１，２１２に圧力が加えられて、対応する箇所の無機配向膜２１
，３１や多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂが破損する（図１１（ｂ））。
【００４９】
具体的には、各導電端子２０７，２０８の多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂの凸条部１７が様
々な方向に傾倒したり押しつぶされたりしながら変形することによって無機配向膜２１，
３１が部分的に破断して、その破断部２１Ａ，３１Ａから基板間導通部材２０６内に含ま
れる銀フィラーやグラスファイバー等の導通材１９が差し込まれて導電端子２０７，２０
８の端子部２０７Ａ，２０８Ａに接触する。このように、基板間導通部材２０６に含まれ
る銀フィラーやグラスファイバーが破断部２１Ａ，３１Ａから突き出してその端部が導電
端子２０７，２０８に達することで、導電端子２０７と導電端子２０８とが基板間導通部
材２０６を介して電気的に接続することになる。
【００５０】
その後、真空注入法により両基板１０，２０間のシール材５２によって囲まれた空間に
液晶を注入し、液晶層５０を形成する。このようにして、本実施形態の液晶装置１００が
完成する。
【００５１】
このように、端子部２０７Ａ，２０８Ａおよび多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂからなる導電
端子２０７，２０８を無機配向膜２１，３１の下層に配置することによって端子部２０７
Ａ，２０８Ａと無機配向膜２１，３１との間に多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂが存在するため
、貼り合せ時の押圧によって多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂが変形するのと同時に無機配向膜
２１，３１が破断する。そのため、従来、有機膜とは違って硬質なために銀フィラーやグ
ラスファイバーが突き破ることができなかった無機膜であっても容易に破断させることが
できるので、基板１０，２０間の導通を確実に確保することができる。また、本実施形態
によれば、導電端子２０７，２０８を露出させるために無機配向膜２１，３１をパターン
ニングする必要がなくなるので、手間が省けるとともに良好な成膜が可能となる。
【００５２】
以上述べたように、導電端子２０７，２０８の形状を変形させることによって、無機配
向膜２１，３１の成膜方法やその条件を選択することなく、貼り合せ時の圧着時に無機配
向膜２１，３１を破断させて導電ペースト中の銀フィラーやグラスファイバーなどを介し
て基板１０，２０間の導通が可能な製品を提供することができ、歩留まりが向上する。
以上述べたように、無機配向膜２１，３１を用いる場合であっても基板１０，２０間の
導通不良発生が解消されるため信頼性が向上し、例えばプロジェクタ等のライトバルブに
好適に用いることができる。
【００５３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発
明は係る例に限定されないことは言うまでもなく、上記各実施形態を組み合わせても良い
。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変
更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技
術的範囲に属するものと了解される。
【００５４】
先の実施形態では、端子部２０７Ａ，２０８Ａと多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂとが同じ材
料からなる導電端子２０７，２０８の構成について述べたが、端子部２０７Ａ，２０８Ａ
と多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂとを別々の材料から構成してもよい。例えば、ＴＦＴアレイ
基板１０側の端子部２０７Ａを他の配線と同じＡｌから構成し、その上に形成される多孔
層２０７Ｂを画素電極９と同じＩＴＯで構成してもよい。また、対向基板２０側の端子部
２０８Ａを遮光部２４と同じＣｒから構成し、その上の多孔層２０８Ｂを対向電極２３と
同じＩＴＯで構成してもよい。
【００５５】
また、上記したような導電材料からなる端子部２０７Ａ，２０８Ａ上に樹脂材料からな
る多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂを形成してもよい。しかしながら、樹脂材料からなる多孔層
２０７Ｂ，２０８Ｂに基板間導通部材２０６（銀フィラー等）が接触しても導通を確保す
ることができないことから、導電性を有した多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂの方が基板１０，
２０間の導通不良を解消するためには好ましい。
【００５６】
また、先の実施形態では、対向電極２３とは別に多孔層２０８Ｂを設ける構成としたが
対向電極２３に多孔層２０８Ｂを形成してもよい。例えば、遮光部２４と同時に端子部２
０８Ａを所定の位置にパターン形成した後、これら遮光部２４および端子部２０８Ａを覆
うようにして対向電極２３を表示領域だけでなく非表示領域にまで形成するようにする。
その後、端子部２０８Ａ上の対向電極２３に２光束干渉露光を施して、対向電極２３の一
部に多孔層２０８Ｂを形成してもよい。ＩＴＯからなる多孔層２０８ＢはＣｒに比べて硬
度が低いため変形し易く、多孔層２０８Ｂ上の無機配向膜２１を確実に破断させて基板１
０，２０間の導通を確保することができる。また、端子部２０８Ａを露出させるために対
向電極２３をパターニングする必要がなくなる。
また、ＴＦＴアレイ基板１０側の導電端子２０７においても同様にＩＴＯで形成しても
よい。これにより、画素電極９のパターニングと同時に導電端子２０７を形成することが
できる。
【００５７】
また、導電端子２０７，２０８の多孔層２０７Ｂ，２０８Ｂは、スリット状以外の形状
も適用できるとともにその形成方法も問わず、従来のフォトリソによるパターン形成やイ
オンビームエッチングなども有効である。
【００５８】
また、導電端子２０７，２０８だけでなく、液晶パネルを駆動させるための実装端子２
０２（図１参照）にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本実施形態の液晶装置の全体構成図。
【図２】本実施形態の液晶装置の断面構成図。
【図３】本実施形態の液晶装置の等価回路図。
【図４】図２の要部を拡大した拡大断面図。
【図５】図４の要部を拡大した拡大断面図。
【図６】導電端子の概略構成図。
【図７】本実施形態の液晶装置の製造工程における作用を示す図であって、ＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図。
【図８】ＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図。
【図９】ＴＦＴアレイ基板の要部を示す断面図。
【図１０】対向基板の製造工程を示す断面図。
【図１１】基板同士の貼り合せ工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００６０】
１００…液晶装置、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１の基板）、２０…対向基板（第２の
基板）、１０ａ…基板本体、２０ａ…基板本体、１７…凸条部（凸部）、１８…溝部（凹
部）、１９…導通材（フィラー、グラスファイバー）、２１，３１…無機配向膜、２３…
対向電極、５０…液晶層、２０６…基板間導通部材、２０７…導電端子（第１の端子）、
２０８…導電端子（第２の端子）、２０７Ｂ，２０８Ｂ…多孔層、２１１，２１２…接続
部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009251003.tif 000009
【図８】
2009251003.tif 000010
【図９】
2009251003.tif 000011
【図１０】
2009251003.tif 000012
【図１１】
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