(57)【要約】【課題】表示に影響を与えることなく視認性に優れたマークを得る。【解決手段】第１の基板と第２の基板との間に電気光学物質が介在されて構成された電気光学パネル１００と、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に取り付けられる第３の基板１５０，２５０と、前記第３の基板に設けられるマーク７７とを具備したことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に電気光学物質が介在されて構成された電気光学パネルと、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に取り付けられる第３の基板と、
前記第３の基板に設けられるマークと
を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記マークは、文字又は情報を含む模様であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記マークは、２次元コードであることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記マークは、前記電気光学パネルの有効表示領域以外の領域に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記マークは、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方と前記第３の基板とが対向する面側に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記マークは、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方と前記第３の基板とが対向する面の反対側の面側に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記マークは、前記第３の面に形成した凹部又は凸部によって構成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、製品の管理を容易にする電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、一対の基板のうちの一方は、縦横に夫々配列された多数の走査線（ゲート線）及びデータ線（ソース線）の各交点に対応して、画素電極及びスイッチング素子が配列されたアクティブマトリクス基板であり、他方は、共通電極が形成された対向基板である。
【０００３】
ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。
【０００４】
次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させるのである。こうして液晶装置が製造される。なお、液晶装置をプロジェクタ等に用いる場合には、液晶装置の表面へのゴミの付着による投影画像の品質低下を防止するために、液晶装置の表面に防塵ガラスを貼り付けて用いることが一般的である。
【０００５】
ところで、液晶装置製造後、投影検査等の各種検査が行われる。しかしながら、検査の結果、液晶パネルに不良が発生していた場合、例えばトランジスタ特性に異常が発生していた場合には、トランジスタが形成されたＴＦＴ基板の製造Ｎｏ（以下、チップＮｏという）や、ＴＦＴ基板が構成されていた大板の製造Ｎｏ（以下、ウエハＮｏという）や、複数枚、例えば２０枚の大板を１組にした組毎の製造Ｎｏ（以下、ロットＮｏという）等の情報から、不良解析を行う必要が生じる。なお、不良解析は、製造後の検査に限らず、液晶装置を用いてプロジェクタを製造、販売した後、製品不良が発生した戻入品であっても同様に行う必要が生じる。
【０００６】
また、不良解析に留まらず、製造後の液晶パネルに用いるＴＦＴ基板のチップＮｏやウエハＮｏ、ロットＮｏ等の情報を管理する、所謂トレーサビリティ管理を行うことは、液晶装置の製造を管理し、製造の歩留まりを向上させる上で重要である。
【０００７】
このような事情に鑑み、特許文献１においては、半導体チップに用いる基板の各種薄膜が形成される面側と反対側の面に、ロットＮｏや、機種名等の情報を表すバーコード表示を、印刷やレーザ加工により形成する技術が開示されている。これらの各種Ｎｏを観察することにより、製造者は、装置製造後であっても、不良解析や、トレーサビリティ管理を容易に行うことができる。
【特許文献１】特開２０００−２２８４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１は半導体チップを対象としており裏面に各種表示を形成しても問題は生じない。しかしながら、完成後の液晶パネルに適用した場合、印字等のためのレーザ照射によって、液晶に気泡が生じたり、積層された各種薄膜に剥がれが生じたりすることがあるという問題があった。
【０００９】
また、露光パターニングの工程を利用して、各種表示を形成する技術も考えられている。しかしながら、この技術を実現するためには、各種表示を形成するための露光装置を別途用意する必要があり、システムの規模が増大するという欠点がある。
【００１０】
本発明は、表示パネルについての情報を、表示パネルに取り付ける防塵ガラス等にマークを形成することによって、表示に悪影響を受けることなく、視認性に優れたマークを得ることができる電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る電気光学装置は、第１の基板と第２の基板との間に電気光学物質が介在されて構成された電気光学パネルと、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に取り付けられる第３の基板と、前記第３の基板に設けられるマークとを具備したことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、第１及び第２の基板によって構成される電気光学パネルに第３の基板が取り付けられ、この第３の基板にマークが設けられる。マークによって、例えば、電気光学パネルに関する情報を提示可能である。マークは第３の基板に設けられており、マーク形成のために第１及び第２の基板が何らかの処理を受けることはなく、電気光学パネルに対する悪影響を防止することができる。
【００１３】
また、前記マークは、文字又は情報を含む模様であることを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、マークによって、例えば電気光学パネルに関する情報を提示することができる。
【００１５】
また、前記マークは、２次元コードであることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、比較的小さい占有面積で、文字情報よりも多くの情報を提示可能である。
【００１７】
また、前記マークは、前記電気光学パネルの有効表示領域以外の領域に形成されることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、マークによって電気光学パネルの視認性が悪化することを防止することができる。
【００１９】
また、前記マークは、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方と前記第３の基板とが対向する面側に設けられることを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、第３の基板の表面にゴミ等が付着している場合でも、デフォーカス作用によって、マークの視認性に優れている。
【００２１】
また、前記マークは、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方と前記第３の基板とが対向する面の反対側の面側に設けられることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、電気光学パネルと第３の基板との貼り合わせの影響を受けないので、マークの厚みの自由度が高い。また、マークによって第１及び第２の基板に対するＵＶ硬化接着材への光の入射が遮られることがないので、ＵＶ硬化を確実に行うことが可能である。
【００２３】
また、前記マークは、前記第３の面に形成した凹部又は凸部によって構成されることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、例えば、レーザやインクジェット等を用いて簡単にマークを形成することができるので、比較的小さいシステム規模で製造可能である。
【００２５】
本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を具備したことを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、マーク形成時の悪影響を受けていない電気光学パネルを有するので、表示性能に優れた機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２８】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を示す平面図である。本実施の形態は電気光学装置として液晶装置に適用した例を示している。図２は図１のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図であり、素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を示している。また、図３は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図４はマーキングの一例を示す平面図である。
【００２９】
液晶装置１は、図１及び図２に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いたＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、各対向面１０ｆ，２０ｆ同士が端部においてシール材５２によって貼り合わされている。
【００３０】
ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。この表示領域１０ｈには、ＴＦＴ基板１０の対向面１０ｆ側において、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する、透明電極、例えばＩＴＯ膜から構成された画素電極９がマトリクス状に配置されている。
【００３１】
また、対向基板２０の対向面２０ｆには、液晶５０と接する領域に、液晶５０に画素電極９とともに駆動電圧を印加する透明電極、例えばＩＴＯ膜から構成された対向電極２１が全面に亘って設けられており、表示領域１０ｈに対向する対向電極２１の領域には、液晶パネル１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００３２】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。なお、各配向膜１６、２６は、斜方蒸着されることによりラビング処理が不要な、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された複数本の柱状構造を有する無機配向膜から構成されていても構わない。
【００３３】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、対向面１０ｆ側において、複数本の走査線１１ａ（図３参照）と複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９がマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９が電気的に接続されている。
【００３４】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９に供給される。この画素電極９と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００３５】
対向基板２０に、液晶パネル１００の表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。シール材５２の欠落した箇所は、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間のシール材５２により囲まれた領域に液晶５０を注入するための切り欠きである液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止剤１０９によって封止されている。
【００３６】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線６ａを駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１と外部回路との接続のための外部接続端子１０２とが、ＴＦＴ基板１０の液晶注入口１０８が位置する１辺に沿って設けられている。なお、外部接続端子１０２は、対向基板２０に設けられていても構わない。
【００３７】
外部接続端子１０２に、液晶パネル１００を、他の機器であるプロジェクタ等の電子機器と電気的に接続する、図示しない特定の長さを有する柔軟なフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits、以下ＦＰＣという）の一端が接続される。ＦＰＣの他端がプロジェクタ等の電子機器に接続されることにより、液晶パネル１００と電子機器とは電気的に接続される。
【００３８】
外部接続端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の１辺に隣接する２辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａ及びゲート電極３ａに、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバである走査線駆動回路１０３、１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３、１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００３９】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３、１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４０】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０の対向面１０ｆ側に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４１】
このようにＴＦＴ基板１０と対向基板２０とが貼り合わされて構成された液晶パネル１００の両面、即ち、ＴＦＴ基板１０の対向面１０ｆの反対側の表面１０ｒ及び対向基板２０の対向面２０ｆの反対側の表面２０ｒには夫々第３の基板としての防塵用基板１５０，２５０が設けられている。防塵用基板１５０，２５０は、夫々表面１０ｒ，２０ｒを保護するために、表面１０ｒ，２０ｒに貼着されている。防塵用基板１５０，２５０としては、石英やガラス等の透明基板を用いることができる。液晶パネル１００に防塵用基板１５０，２５０が貼り合わされて液晶装置１１０が構成される。
【００４２】
本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の表面１０ｒに対向する防塵用基板１５０の面（以下、内側面という）１５０ｆ及び対向基板２０の表面２０ｒに対向する防塵用基板２５０の面（以下、内側面という）２５０ｆの少なくとも一方の内側面に、マーク７７が形成されている。図２では防塵用基板１５０の内側面にのみマーク７７を形成した例を示している。マーク７７は、表示領域４０以外の領域に形成される。なお、表示領域４０内に有効表示領域だけでなく無効表示領域が存在する場合には、この無効表示領域にもマーク７７を形成可能である。図２においては領域１８０はマーク７７の形成可能領域を示し、領域１７０はマーク７７の形成が禁止される領域を示している。図２の例では、マーク７７は、防塵用基板１５０の内側面１５０ｆにおいて、平面的には領域１８０内のデータ線駆動回路１０１と重なる位置に、形成されている。
【００４３】
図４はマーク７７の一例を示す説明図である。
【００４４】
マーク７７は、液晶パネル１００の製品についての情報を示すものである。マーク７７としては、情報を提示可能なものであれば、どのようなものでもよく、例えば文字情報でもよく、１次元コード或いは２次元コード等の模様でもよい。或いは、マーク７７として色彩を用いたものでもよい。図４は２次元コードの一例として、既知のマトリックス式の２次元バーコードを示している。
【００４５】
マーク７７は、レーザガラスダイレクトマーキングによる手法、インクジェットを用いた手法又はレーザによる金属箔転写法等の手法によって形成可能である。マーク７７は、例えば５００μｍ角程度の平面サイズで、厚さが５０μｍ程度で形成されている。
【００４６】
マーク７７をレーザガラスダイレクトマーキングによって形成する場合には、図４の塗り潰し部分は、レーザによって基板表面が削られて形成された凹部を示している。また、マーク７７をインクジェットを用いて形成する場合には、図４の塗り潰し部分は、基板表面にインクが吐出されて形成された凸部を示している。また、マーク７７を金属箔転写法を用いて形成する場合には、図４の塗り潰し部分は、基板表面に金属箔が転写されて形成された凸部を示している。なお、図２の例は、マーク７７を、防塵用基板１５０から突出した凸部によって構成した例を示している。なお、マーク７７を、防止用基板１５０の表面を削って形成した凹部によって構成してもよい。
【００４７】
例えば、マーク７７は、英数で１５〜２０桁くらいの文字情報を含むことができる。これにより、マーク７７は、液晶パネル１００についての各種情報、例えば、機種、チップＮｏ、ロットＮｏ、ウエハＮｏ、アドレス等の情報を含む。なお、マーク７７は、図４に示すようなマトリックス式に限らず、既知のスタック式の２次元バーコード等によって構成されていても構わない。
【００４８】
なお、このように形成されたマーク７７は、防塵用基板１５０の内側面１５０ｆの反対側の面（以下、外側面という）１５０ｒ側から、既知の読み取り機等によって読み取り可能である。なお、防塵用基板２５０の内側面２５０ｆに形成されたマークについては、防塵用基板２５０の内側面２５０ｆの反対側の面（以下、外側面という）２５０ｒ側から読み取り可能である。
【００４９】
次に、このように構成された電気光学装置の組立工程を図５のフローチャート及び図６の説明図を参照して説明する。なお、図５は本実施の形態の電気光学装置をアレイ製造によって製造する場合の例を示している。また、図６はアレイ製造時の組立工程を示している。
【００５０】
生産性及び歩留まりの観点から、ＴＦＴ基板については、ＴＦＴマザー基板投入時のサイズのままで処理を進めるアレイ製造を採用すると共に、ＴＦＴマザー基板上に配列された各ＴＦＴ基板に、単体に分断した対向基板を各ＴＦＴ基板毎に貼り合わせ、液晶封入後に各ＴＦＴ基板を分断することで、単体の液晶装置を得るチップマウント方式が採用されることがある。
【００５１】
図５のステップＳ１，Ｓ２においては、このように対向基板が夫々各ＴＦＴ基板に貼り合わされたＴＦＴ基板アレイ８０と防塵用マザー基板８４とを用意する。ＴＦＴ基板アレイ８０は、製造時に投入したＴＦＴマザー基板８１を分断することなく成膜及びフォトリソグラフィ工程を繰返して形成される。複数のＴＦＴ基板用の各素子をＴＦＴマザー基板８１上に同時に形成してＴＦＴ基板アレイ８０が得られる。そして、ＴＦＴ基板アレイ８０上の各ＴＦＴ基板に対向させて、各対向基板８２を貼り付けることにより、組立後のＴＦＴ基板アレイ８０が得られる。また、防塵用マザー基板８４としては、石英又はガラス基板を採用することができる。
【００５２】
本実施の形態においては、ステップＳ３において、防塵用マザー基板８４にマーク８５（図２のマーク７７）を形成する。各ＴＦＴ基板毎の非表示領域に対応した位置に、夫々マーク８５が形成される。マーク８５は、例えば、インクジェット、レーザを用いた金属箔転写法又はレーザによるガラスダイレクトマーキング等の手法によって形成される。
【００５３】
マーク８５としては、ＴＦＴ基板アレイ８０との接着を考慮すると、膜厚を比較的薄い、例えば５０μｍ程度に形成した方がよい。また、視認性及びＴＦＴ基板の非表示領域に形成することを考慮して平面サイズを例えば５００μｍ程度に形成する。マーク８５のサイズ及び情報量を考慮すると、マーク８５としては２次元コードが適している。マーク８５によって、例えば、機種、チップＮｏ、ロットＮｏ、ウエハＮｏ、アドレス等の情報を識別可能である。
【００５４】
次に、ステップＳ４において、マーク８５が形成された防塵用マザー基板８４とＴＦＴ基板アレイ８０とを貼り合わせる。この場合には、防塵用マザー基板８４のマーク８６の形成面側がＴＦＴマザー基板８１と対向するように、ＴＦＴマザー基板８１と防塵用マザー基板８４とを接着材８３によって貼り合わせる。
【００５５】
最後に、ＴＦＴマザー基板８０を分断することで、液晶パネル１００に防塵用基板１５０が貼り付けられて構成された液晶装置１１０を得る（ステップＳ５）。
【００５６】
このように構成された電気光学装置においては、各液晶パネルに貼り付けられた防塵用基板にマーク８５（７７）が形成されている。防塵用基板は透明であり、防塵用基板の外側面の外部から防塵用基板を通してマークを視認可能である。各液晶パネルに対応してマーク８５（７７）が設けられており、このマーク８５（７７）を確認することで、マーク８５（７７）に含まれる各液晶パネルの情報を取得することができる。
【００５７】
また、マーク８５（７７）は防塵用基板の内側面に形成されており、少なくとも防塵用基板の厚み分以上離間した位置からマーク８５（７７）の読み取りを行うことになる。従って、防塵用基板の外側面にゴミ等が付着している場合でも、マーク８５（７７）の形成面（内側面）はデフォーカスされ、ゴミの影響等を受けることなく、確実な読み取りが可能である。
【００５８】
このように本実施の形態においては、液晶パネルについての情報含むマークを、液晶パネルに取り付ける防塵用基板に形成するようになっている。そして、貼り合わせ前の防塵用基板に対して液晶パネルの情報を有するマークを形成しており、液晶パネルに対してマーク形成のためのレーザ照射等を施す必要が無く、液晶に気泡が生じたり、積層された各種薄膜に剥がれが生じたりすることを防止することができる。また、防塵用基板に対してレーザやインクジェット等を用いて簡単にマークを形成することができるので、液晶パネルの情報の印字に必要なシステム規模は比較的小さくて済む。また、マークは、素子形成部分であっても液晶パネルの有効表示領域以外の部分であれば自由に設けることができ、マーク配置の自由度が高く、比較的平面サイズが大きいマークを形成可能であるという利点もある。このように、本実施の形態では、簡単な装置で、表示に悪影響を受けることなく、視認性に優れたマークを得ることができる。
【００５９】
（第２の実施の形態）
図７は本発明の第２の実施の形態を示す断面図である。図７において図２と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００６０】
本実施の形態は防塵用基板と液晶パネルとの対向面である内側面にマークを形成するのではなく、外側面にマークを形成する点が第１の実施の形態と異なる。例えば、マークをガラスダイレクトマーキングを用いて形成する場合等のように、防塵用基板の表面に凹部を形成してマーキングを行う場合には、防塵用基板と液晶パネルとの接着に際してマークの凹部に接着材が充填される。一般的に、視認性を考慮して、防塵用基板と接着材との屈折率は略同一である。従って、マークの凹部に接着材が充填されると、防塵用基板の外部から凹部によるマークを視認しにくくなってしまう。この理由から、ガラスダイレクトマーキングの手法は内側面には適用しにくい。従って、ガラスダイレクトマーキングの手法を採用する場合等においては、防塵用基板の外側面にマークの凹部を形成した方がよい。
【００６１】
図７において、液晶パネル１００には、防塵用基板１５１，２５０が貼り付けられている。本実施の形態の防塵用基板１５１は、マーク７７に代えてマーク８６を設けた点が第１の実施の形態と異なる。マーク８６は、液晶パネル１００の有効表示領域以外の部分に形成される。マーク８６は、防塵用基板１５１の外側面１５０ｒにおいて、平面的には領域１８０内のデータ線駆動回路１０１と重なる位置に、形成されている。マーク８６は、配置される位置が第１の実施の形態と異なるのみであり、形成方法、マークの形状及び情報の内容等は第１の実施の形態におけるマーク７７と同様である。
【００６２】
図８はチップマウント方式のアレイ製造を採用した場合における組立工程を説明するための説明図である。
【００６３】
図８に示すように、防塵用マザー基板８４にマーク８７（図７のマーク８６）を形成する。各ＴＦＴ基板毎の非表示領域に対応した位置に、夫々マーク８７が形成される。マーク８７が形成された防塵用マザー基板８４とＴＦＴ基板アレイ８０とを貼り合わせる。この場合には、防塵用マザー基板８４のマーク非形成面側がＴＦＴマザー基板８１と対向するように、ＴＦＴマザー基板８１と防塵用マザー基板８４とを接着材８３によって貼り合わせる。最後に、ＴＦＴマザー基板８０を分断することで、液晶パネル１００に防塵用基板１５１が貼り付けられて構成された液晶装置１１１を得る。
【００６４】
なお、マーク８７は、例えば、インクジェット、レーザを用いた金属箔転写法又はレーザによるガラスダイレクトマーキング等の手法によって形成することができる。ガラスダイレクトマーキングの手法を採用する場合には、短波長、例えば、波長が１０６４ｎｍ又はその１／４波長の２６６ｎｍのＹＡＧレーザを用いたレーザダイレクトマーキング処理が行われる。このように形成されたマーク８７は、防塵基板１５１の外側から視認可能である。
【００６５】
このように構成された実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。即ち、マークは、各液晶パネルに貼り付けられた防塵用基板に形成されており、防塵用基板の外側面側の外部からマークを視認可能である。また、マークは防塵基板の外側面に設けられていることから、防塵ガラスの接着に用いるＵＶ硬化接着剤のＵＶ硬化時に、マークが接着材へのＵＶ光の入射を阻止することがない。従って、本実施の形態においては、確実なＵＶ硬化が可能であるという利点がある。また、マークとして凹部を有するマークを採用した場合でも、この凹部に接着材が充填されることがないので、マークの確実な視認が可能である。また、液晶パネルと防塵基板との貼り合わせの影響を受けないので、マークの厚みの自由度が高い。
【００６６】
更に、マークを防塵基板の外側面に設ける場合には、このマークを防塵基板とＴＦＴ基板との貼り付け時のアライメントマークとして利用することができるという利点もある。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
また、液晶パネルは、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【００６８】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００６９】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【００７０】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【００７１】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図９は図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【００７２】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶パネル１００を具備する液晶装置は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’）配設されている。
【００７３】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’に各々導かれる。
【００７４】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００７５】
そして、ライトバルブ１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’により各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図３】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図４】マーキングの一例を示す平面図。
【図５】本実施の形態の電気光学装置をアレイ製造によって製造する場合の例を示すフローチャート。
【図６】アレイ製造時の組立工程を示す説明図。
【図７】本発明の第２の実施の形態を示す断面図。
【図８】チップマウント方式のアレイ製造を採用した場合における組立工程を説明するための説明図。
【図９】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【符号の説明】
【００７７】
１…液晶装置、１０…素子基板、１０ａ…画素領域、２０…対向基板、５２…シール材、５３…遮光膜、７７…識別マーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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