(57)【要約】【課題】プラズマ分布の不均一を解消することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されて基板を載置するサセプタ１２と、チャンバ１１内に配置されてサセプタ１２と対向するシャワーヘッド２９とを備え、該シャワーヘッド２９の上部電極板３２は硼素がドープされたシリコンからなり且つ上部高周波電源３１に接続され、該基板処理装置１０では、ウエハＷにプラズマエッチング処理が施される間、上部電極板３２の中央部３２ａの温度が測定され、該測定された温度に基づいて中央部３２ａの温度がシリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度（３００℃）よりも低く維持される。【選択図】図４
2009188173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置における基板処理方法であって、
前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理ステップを有し、
前記プラズマ処理ステップは、前記電極板の温度を測定する温度測定ステップと、前記測定された温度に基づいて前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記温度測定ステップでは、少なくとも前記電極板の中央部の温度を測定し、前記温度制御ステップでは、少なくとも前記電極板の中央部の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記臨界温度は３００℃であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理方法。
【請求項４】
基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置であって、前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、
前記電極板の温度を測定する温度測定ユニットと、
前記測定された温度に基づいて前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ユニットとを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置における基板処理方法であって、
前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理ステップを有し、
前記プラズマ処理ステップは、前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ステップを有し、
前記電極板の中央部は、前記電極板が前記基板処理装置に組み込まれた後且つ前記プラズマ処理の前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って前記臨界温度以上に維持されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
前記温度制御ステップでは、前記電極板の温度の測定結果に基づいて前記電極板の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記温度制御ステップでは、少なくとも前記電極板の中央部の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする請求項５又は６記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記臨界温度は３００℃であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置であって、前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、
前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ユニットを備え、
前記電極板の中央部は、前記電極板が前記基板処理装置に組み込まれた後且つ前記プラズマ処理の前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って前記臨界温度以上に維持されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置における基板処理方法であって、
前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理ステップを有し、
前記プラズマ処理ステップは、前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ステップを有し、
前記電極板の中央部は、前記電極板が前記基板処理装置に組み込まれる前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って前記臨界温度以上に維持されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
前記温度制御ステップでは、前記電極板の温度の測定結果に基づいて前記電極板の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする請求項１０記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記温度制御ステップでは、少なくとも前記電極板の中央部の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする請求項１０又は１１記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記臨界温度は３００℃であることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置であって、前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、
前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ユニットを備え、
前記電極板の中央部は、前記電極板が前記基板処理装置に組み込まれる前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って前記臨界温度以上に維持されることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関し、特に、シリコンからなる上部電極板を備える基板処理装置における基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）にプラズマ処理を施す基板処理装置は、ウエハを収容するとともに内部が減圧されるチャンバと、該チャンバ内の下部に配置されてウエハを載置するサセプタと、チャンバ内の上部に配置されてチャンバ内に処理ガスを供給するシャワーヘッドとを備え、該シャワーヘッドはサセプタと対向し且つ平行に配された上部電極板を有する。
【０００３】
この基板処理装置では、サセプタに高周波電源が接続されるので該サセプタは下部電極ユニットとして機能し、上部電極板にも別の高周波電源が接続されるのでシャワーヘッドは上部電極ユニットとして機能する。サセプタ及びシャワーヘッドはチャンバ内に電界を生じさせ、チャンバ内に供給された処理ガスからプラズマを発生させる。
【０００４】
ところで、上部電極板に高周波電力を印加する場合、高周波電力の周波数が高くなると、上部電極板が生じさせる電界に対する上部電極板のインダクタンスの影響を無視することができなくなる。その結果、上部電極板の中央部から生じる電界が強くなり、上部電極板の中央部に対向する部分のプラズマ密度が高くなる。すなわち、チャンバ内におけるプラズマ分布が不均一となり、ウエハにおけるエッチレート分布が不均一となる等の問題があった。
【０００５】
そこで、上部電極板の中央部においてプラズマと対向する面（以下、「プラズマ面」という。）とは反対面側に空洞部を設け、該空洞部において共振を生じさせることによって上部電極板と直交する電界を生じさせることが本出願人によって提案されている（例えば、特許文献１参照。）。これにより、空洞部の電界と上部電極板の電界とを結合させて上部電極板の中央部の電界を制御することが可能となり、チャンバ内におけるプラズマ分布の不均一を解消することができる。
【０００６】
また、近年、プラズマ処理としてのエッチング処理において、より一層の微細加工が求められている。微細加工を実現するためには高密度のプラズマを発生させる必要があるが、そのためには、高周波電力の周波数を高くする、及び／又は高周波電力の電力量を大きくしてプラズマの良好な解離状態を維持する必要がある。
【特許文献１】特開２００１−２９８０１５号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、高周波電力の周波数を高くし、高周波電力の電力量を大きくするとプラズマの密度を高めることができるが、同時に上部電極ユニット（シャワーヘッド）へ照射されるイオンフラックスが増加するため、上部電極板の温度が上昇する。
【０００８】
基板処理装置のシャワーヘッドは従来から上部電極板に接し且つ該上部電極板を冷却するクーリングプレートを有するが、上述した空洞部は上部電極板の中央部とクーリングプレートとの間に存在するため、上部電極板の中央部を効率よく冷却するのは困難であり、クーリングプレートによってただ漫然と冷却するだけでは上部電極板の中央部が高温となることがある。
【０００９】
一方、上部電極板は硼素等がドープされたＰ型シリコンからなる（初期比抵抗値は約７５Ω・ｃｍ）が、Ｐ型シリコンの比抵抗値は該Ｐ型シリコンが長時間高温に維持されると変化することが知られている。特に、Ｐ型シリコンからなる上部電極板の中央部が長時間高温に維持されると、Ｐ型シリコンに不純物として混在する酸素がドナーとして自由電子を供給し、硼素が生じる正孔を打ち消していくため、まず、上部電極板の中央部の比抵抗値が上昇し、その後正孔が完全に打ち消されると（Ｐ型シリコンがＮ型シリコンに変化すると）比抵抗値が低下する。上部電極板の中央部の比抵抗値が低下すると、上部電極板の中央部から生じる電界が強くなり、上記空洞部を設ける効果を打ち消し、結果として、やはり上部電極板の中央部に対向する部分のプラズマ密度が高くなる。
【００１０】
したがって、上部電極板の中央部をクーリングプレートによってただ漫然と冷却するだけではチャンバ内のプラズマ分布が安定せず、プラズマ分布の不均一が解消されない。
【００１１】
本発明の目的は、プラズマ分布の不均一を解消することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理方法は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置における基板処理方法であって、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理ステップを有し、前記プラズマ処理ステップは、前記電極板の温度を測定する温度測定ステップと、前記測定された温度に基づいて前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ステップとを有することを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の基板処理方法は、請求項１記載の基板処理方法において、前記温度測定ステップでは、少なくとも前記電極板の中央部の温度を測定し、前記温度制御ステップでは、少なくとも前記電極板の中央部の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載の基板処理方法は、請求項１又は２記載の基板処理方法において、前記臨界温度は３００℃であることを特徴とする。
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項４記載の基板処理装置は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置であって、前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、前記電極板の温度を測定する温度測定ユニットと、前記測定された温度に基づいて前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ユニットとを備えることを特徴とする。
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項５記載の基板処理方法は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置における基板処理方法であって、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理ステップを有し、前記プラズマ処理ステップは、前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ステップを有し、前記電極板の中央部は、前記電極板が前記基板処理装置に組み込まれた後且つ前記プラズマ処理の前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って前記臨界温度以上に維持されることを特徴とする。
【００１７】
請求項６記載の基板処理方法は、請求項５記載の基板処理方法において、前記温度制御ステップでは、前記電極板の温度の測定結果に基づいて前記電極板の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする。
【００１８】
請求項７記載の基板処理方法は、請求項５又は６記載の基板処理方法において、前記温度制御ステップでは、少なくとも前記電極板の中央部の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする。
【００１９】
請求項８記載の基板処理方法は、請求項５乃至７のいずれか１項に記載の基板処理方法において、前記臨界温度は３００℃であることを特徴とする。
【００２０】
上記目的を達成するために、請求項９記載の基板処理装置は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置であって、前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ユニットを備え、前記電極板の中央部は、前記電極板が前記基板処理装置に組み込まれた後且つ前記プラズマ処理の前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って前記臨界温度以上に維持されることを特徴とする。
【００２１】
上記目的を達成するために、請求項１０記載の基板処理方法は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置における基板処理方法であって、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理ステップを有し、前記プラズマ処理ステップは、前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ステップを有し、前記電極板の中央部は、前記電極板が前記基板処理装置に組み込まれる前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って前記臨界温度以上に維持されることを特徴とする。
【００２２】
請求項１１記載の基板処理方法は、請求項１０記載の基板処理方法において、前記温度制御ステップでは、前記電極板の温度の測定結果に基づいて前記電極板の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする。
【００２３】
請求項１２記載の基板処理方法は、請求項１０又は１１記載の基板処理方法において、前記温度制御ステップでは、少なくとも前記電極板の中央部の温度を前記臨界温度よりも低く維持することを特徴とする。
【００２４】
請求項１３記載の基板処理方法は、請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の基板処理方法において、前記臨界温度は３００℃であることを特徴とする。
【００２５】
上記目的を達成するために、請求項１４記載の基板処理装置は、基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記収容室内に配置されて前記載置台と対向する電極板とを備え、該電極板はシリコンからなり且つ高周波電源に接続される基板処理装置であって、前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、前記電極板の温度を前記シリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持する温度制御ユニットを備え、前記電極板の中央部は、前記電極板が前記基板処理装置に組み込まれる前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って前記臨界温度以上に維持されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１記載の基板処理方法及び請求項４記載の基板処理装置によれば、基板にプラズマ処理が施される間、電極板の温度が測定され、該測定された温度に基づいて該電極板の温度がシリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持されるので、電極板の温度が臨界温度以上で維持されるのを確実に防止することができる。その結果、電極板の比抵抗値が変化するのを防止することができ、もって、プラズマ分布の不均一を解消することができる。
【００２７】
請求項２記載の基板処理方法によれば、基板にプラズマ処理が施される間、少なくとも電極板の中央部の温度が測定され、少なくとも電極板の中央部の温度が臨界温度よりも低く維持されるので、電極板の中央部の比抵抗値が変化するのを防止することができ、もって、プラズマ分布の不均一を確実に解消することができる。
【００２８】
請求項５記載の基板処理方法及び請求項９記載の基板処理装置によれば、電極板の中央部は、該電極板が基板処理装置に組み込まれた後且つプラズマ処理の前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘ってシリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度以上に維持されるので、電極板の中央部の比抵抗値を電極板の周縁部の比抵抗値よりも高くすることができ、上部電極板の中央部から生じる電界が強くなるのを防止することができる。また、基板にプラズマ処理が施される間、電極板の温度が臨界温度よりも低く維持されるので、電極板の比抵抗値が変化するのを防止することができ、これにより、基板にプラズマ処理が施される間、電極板の中央部の比抵抗値が電極板の周縁部の比抵抗値よりも高い状態を維持することができる。その結果、プラズマ分布の不均一を解消することができる。
【００２９】
請求項６記載の基板処理方法によれば、基板にプラズマ処理が施される間、電極板の温度の測定結果に基づいて電極板の温度が臨界温度よりも低く維持されるので、電極板の温度が臨界温度以上で維持されるのを確実に防止することができる。その結果、基板にプラズマ処理が施される間、電極板の比抵抗値が変化するのを確実に防止することができる。
【００３０】
請求項７記載の基板処理方法によれば、基板にプラズマ処理が施される間、少なくとも電極板の中央部の温度が臨界温度よりも低く維持されるので、電極板の中央部の比抵抗値が変化するのを防止することができ、もって、プラズマ分布の不均一を確実に解消することができる。
【００３１】
請求項１０記載の基板処理方法及び請求項１４記載の基板処理装置によれば、電極板の中央部は、電極板が基板処理装置に組み込まれる前に、その温度が所定の加熱必要時間以上に亘って臨界温度以上に維持されるので、電極板の中央部の比抵抗値を電極板の周縁部の比抵抗値よりも高くすることができ、上部電極板の中央部から生じる電界が強くなるのを防止することができる。また、基板にプラズマ処理が施される間、電極板の温度がシリコンの比抵抗値が変化し始める臨界温度よりも低く維持されるので、電極板の比抵抗値が変化するのを防止することができ、これにより、基板にプラズマ処理が施される間、電極板の中央部の比抵抗値が電極板の周縁部の比抵抗値よりも高い状態を維持することができる。その結果、プラズマ分布の不均一を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３３】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【００３４】
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。この基板処理装置は基板としての半導体ウエハにプラズマエッチング処理を施すように構成されている。
【００３５】
図１において、基板処理装置１０は、例えば、直径が３００ｍｍの半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを収容するチャンバ１１（収容室）を有し、該チャンバ１１内にはウエハＷを載置する円柱状のサセプタ１２（載置台）が配置されている。また、基板処理装置１０では、チャンバ１１の内側壁とサセプタ１２の側面とによって、サセプタ１２上方のガスをチャンバ１１の外へ排出する流路として機能する側方排気路１３が形成される。この側方排気路１３の途中には排気プレート１４が配置される。
【００３６】
排気プレート１４は多数の孔を有する板状部材であり、チャンバ１１を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート１４によって仕切られたチャンバ１１の上部（以下、「処理室」という。）１７には後述するようにプラズマが発生する。また、チャンバ１１の下部（以下、「排気室（マニホールド）」という。）１８にはチャンバ１１内のガスを排出する排気管１５が接続される。排気プレート１４は処理室１７に発生するプラズマを捕捉又は反射してマニホールド１８への漏洩を防止する。
【００３７】
排気管１５にはＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）及びＤＰ（Dry Pump）（ともに図示しない）が接続され、これらのポンプはチャンバ１１内を真空引きして減圧する。具体的には、ＤＰはチャンバ１１内を大気圧から中真空状態（例えば、１．３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧し、ＴＭＰはＤＰと協働してチャンバ１１内を中真空状態より低い圧力である高真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１．０×１０−５Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。なお、チャンバ１１内の圧力はＡＰＣバルブ（図示しない）によって制御される。
【００３８】
チャンバ１１内のサセプタ１２には下部高周波電源１９が下部整合器２０を介して接続されており、該下部高周波電源１９は所定の高周波電力をサセプタ１２に印加する。これにより、サセプタ１２は処理室１７内に高周波電力を印加する下部電極ユニットとして機能する。また、下部整合器２０は、サセプタ１２からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ１２への印加効率を最大にする。
【００３９】
サセプタ１２の上部には、静電電極板２１を内部に有する静電チャック２２が配置されている。静電チャック２２はセラミックからなり、或る直径を有する下部円板状部材の上に、該下部円板状部材より直径の小さい上部円板状部材を重ねた形状を呈する。サセプタ１２にウエハＷを載置するとき、該ウエハＷは静電チャック２２における上部円板状部材の上に配される。
【００４０】
また、静電チャック２２では、静電電極板２１に直流電源２３が電気的に接続されている。静電電極板２１に正の直流電圧が印加されると、ウエハＷにおける静電チャック２２側の面（以下、「裏面」という。）には負電位が発生して静電電極板２１及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により、ウエハＷは上部円板状部材の上において吸着保持される。
【００４１】
また、静電チャック２２には、吸着保持されたウエハＷを囲うように、円環状のフォーカスリング２４が載置される。フォーカスリング２４は、導電性部材、例えば、シリコンからなり、処理室１７においてプラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、プラズマエッチング処理の効率を向上させる。
【００４２】
また、サセプタ１２の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室２５が設けられる。この冷媒室２５には、チラーユニット（図示しない）から冷媒用配管２６を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン（登録商標）が循環供給される。該低温の冷媒によって冷却されたサセプタ１２は静電チャック２２を介してウエハＷ及びフォーカスリング２４を冷却する。
【００４３】
静電チャック２２における上部円板状部材上面のウエハＷが吸着保持される部分（以下、「吸着面」という。）には、複数の伝熱ガス供給孔２７が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔２７は伝熱ガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）ガスを、伝熱ガス供給孔２７を介して吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハＷの熱を静電チャック２２に効果的に伝達する。
【００４４】
チャンバ１１の天井部には、サセプタ１２と対向するようにシャワーヘッド２９が配置されている。シャワーヘッド２９には上部整合器３０を介して上部高周波電源３１が接続されており、上部高周波電源３１は所定の高周波電力をシャワーヘッド２９に印加するので、シャワーヘッド２９は処理室１７内に高周波電力を印加する上部電極ユニットとして機能する。なお、上部整合器３０の機能は上述した下部整合器２０の機能と同じである。
【００４５】
図２は、図１におけるシャワーヘッドの構成を示す拡大断面図である。
【００４６】
図２において、シャワーヘッド２９は、硼素がドープされたシリコンからなる円板状の上部電極板３２と、アルマイトで被覆されたアルミニウムからなる円板状のクーリングプレート３３と、電極支持体３４とを有する。上部電極板３２は処理室１７内に暴露され、上部電極板３２及びクーリングプレート３３はこの順で処理室１７側から配置され、上部電極板３２及びクーリングプレート３３は電極支持体３４によって釣支される。なお、シャワーヘッド２９では上部電極板３２に上部高周波電源３１が接続されている。
【００４７】
クーリングプレート３３は冷却媒体が流れる中央部冷却路３５及び周縁部冷却路３６を内蔵する。中央部冷却路３５は上部電極板３２の中央部３２ａに対向するように配置されて該中央部３２ａを冷却し、周縁部冷却路３６は上部電極板３２の周縁部３２ｂに対向するように配置されて該周縁部３２ｂを冷却する。これにより、上部電極板３２の中央部３２ａと周縁部３２ｂは個別に温度が制御される。
【００４８】
電極支持体３４はバッファ室３７を内蔵し、該バッファ室３７にはプロセスガス導入管３８が接続されている。バッファ室３７は、クーリングプレート３３に設けられた複数のガス穴（図示しない）及び上部電極板３２に設けられた複数のガス穴３９を介して処理室１７内と連通する。そして、シャワーヘッド２９は、プロセスガス導入管３８からバッファ室３７へ供給されたプロセスガスを、ガス穴３９等を介して処理室１７内へ供給する。
【００４９】
また、シャワーヘッド２９は、クーリングプレート３３の中央部を凹状に陥没させて形成した空洞部４０を有する。該空洞部４０はクーリングプレート３３及び上部電極板３２の中央部３２ａの間に存在し、上部電極板３２に高周波電力が印加されるときに該上部電極板３２と直交する電界を生じさせる。
【００５０】
さらに、シャワーヘッド２９は、上部電極板３２の温度、より具体的には中央部３２ａの温度を測定する測温ユニット４１を有する。該測温ユニット４１は、クーリングプレート３３及び電極支持体３４を貫通し、且つ上部電極板３２へ垂直に当接する管状のガイド４１ａと、該ガイド４１ａ内に収容保持されて上部電極板３２に対向する光ファイバ端４１ｂと、不図示のコントローラとを有する。光ファイバ端４１ｂは上部電極板３２へ向けて低コヒーレンス光を上部電極板３２へ照射すると共に該上部電極板３２からの反射光を受光する。コントローラはマイケルソン干渉計の構造を基本構造とした低コヒーレンス干渉計（図示しない）を用いて受光した反射光から上部電極板３２の中央部３２ａの温度を算出する。なお、測温ユニットとしては、上述した低コヒーレンス干渉計を用いるものに限られず、上部電極板３２から放射される赤外線に基づいて温度を測定する放射温度計を用いるものであってもよい。
【００５１】
図１の基板処理装置１０では、サセプタ１２及びシャワーヘッド２９に高周波電力を印加して、処理室１７内に高周波電力を印加することにより、該処理室１７内においてシャワーヘッド２９から供給されたプロセスガスを高密度のプラズマにしてウエハＷにプラズマエッチング処理を施す。
【００５２】
なお、基板処理装置１０の各構成部品の動作は、基板処理装置１０が備える制御部（図示しない）のＣＰＵが制御する。
【００５３】
ところで、上述したように、上部電極板３２に用いる硼素がドープされたシリコンの比抵抗値は該シリコンが長時間に亘ってその温度が３００℃（臨界温度）以上に維持されると変化することが知られている。以下、この変化について図３を用いて説明する。
【００５４】
まず、シリコンが３００℃以上に維持され始めた時点Ｔ０において、硼素がドープされたシリコンの結晶中では、一部のシリコン原子が硼素原子と入れ替わり、シリコン原子と硼素原子が電子を介して電気的に結合する。このとき、硼素の価電子数がシリコンの価電子数より１つ少ないため、硼素原子は正孔を生じさせるアクセプタとして機能し、１つの硼素原子はシリコン原子と硼素原子との間に１つの正孔を生じさせる。その結果、シリコンでは正のキャリアとして機能する正孔の数が自由電子の数を上回り、該シリコンはＰ型シリコンとして機能し、該シリコンの比抵抗値は低くなる（ＲＩΩ・ｃｍ）。
【００５５】
次いで、シリコンが３００℃以上に維持され続けると、シリコン中に不純物として混入している酸素原子とシリコン原子とが結合して酸化珪素（ＳｉＯ４）がシリコンの結晶中に形成される。ＳｉＯ４の形成において酸素原子は２価のドナーとして機能し、自由電子をシリコン中に供給する。そして、該供給された自由電子は正孔を打ち消していくため、シリコンの比抵抗値は増大していく（図３における時間Ｔ０〜Ｔ１）。
【００５６】
その後もシリコンが３００℃以上に維持され続けると、ＳｉＯ４の形成が促進され続けるため、自由電子が供給され、やがてシリコン中の正孔の数と自由電子の数とが同数になる。このとき、全ての正孔が自由電子によって打ち消される。その結果、シリコンは非導電性を呈し、その比抵抗値は理論上無限大（∞）となる（図３における時間Ｔ１）。
【００５７】
そして、さらにシリコンが３００℃以上に維持され続けると自由電子も供給され続けるため、シリコン中の自由電子の数が正孔の数を上回り、正孔に電気的に拘束されない自由電子が負のキャリアとして機能し、Ｐ型シリコンがＮ型シリコンに変化する。そして、シリコンの比抵抗値が減少し（図３における時間Ｔ１〜Ｔ２）、例えば、最終的には時点Ｔ０の比抵抗値であるＲＩΩ・ｃｍを下回るＲＦΩ・ｃｍとなる（図３における時間Ｔ２）。なお、上述したシリコンの比抵抗値の変化は非可逆性変化である。
【００５８】
また、本発明者により、従来の基板処理装置において、硼素がドープされたシリコンからなる上部電極板の中央部の比抵抗値が高温維持によって変化すると、チャンバ内に異常放電が発生することが確認されている。そして、異常放電が発生した上部電極板（高周波電力の印加時間が積算で２９７時間）ではＰ型シリコンがＮ型シリコンに変化し、比抵抗値も中央部のプラズマ面において数Ω・ｃｍまで低下していたことが確認された。一方、異常放電が発生しなかった上部電極板（高周波電力の印加時間が積算で２００時間）ではＰ型シリコンがＮ型シリコンに変化せず、比抵抗値も中央部のプラズマ面において約８０Ω・ｃｍであった。
【００５９】
本実施の形態では、これに対応して、ウエハＷにプラズマエッチングを施す間、上部電極板３２の中央部の温度を、シリコンの比抵抗値が変化し始める温度である３００℃（臨界温度）よりも低く維持する。
【００６０】
図４は、基板処理装置１０において実行される、本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマエッチング処理のフローチャートである。
【００６１】
図４において、まず、ウエハＷをチャンバ１１内に搬入してサセプタ１２に載置する（ステップＳ４１）。
【００６２】
次いで、処理室１７内にプロセスガスを供給し、処理室１７内に高周波電力を印加してプロセスガスから高密度のプラズマを発生させる（ステップＳ４２）。そして、このプラズマによってウエハＷにプラズマエッチング処理を施す（プラズマ処理ステップ）。
【００６３】
次いで、ウエハＷにプラズマエッチング処理を施している間、測温ユニット４１によって上部電極板３２の中央部３２ａの温度を測定し（ステップＳ４３）（温度測定ステップ）、該中央部３２ａの温度が臨界温度（３００℃）以上であるか否かを判別する（ステップＳ４４）。
【００６４】
ステップＳ４４の判別の結果、中央部３２ａの温度が臨界温度以上である場合には、中央部冷却路３５を流れる冷却媒体の流量を増加させ、及び/又は該冷却媒体の温度を低下させて中央部３２ａをより効果的に冷却し（ステップＳ４５）、中央部３２ａの温度を臨界温度よりも低く維持する（温度制御ステップ）一方、中央部３２ａの温度が臨界温度よりも低い場合には、そのままステップＳ４６に進む。
【００６５】
ステップＳ４６では、ウエハＷにプラズマエッチング処理を施した時間が予め定められた処理必要時間を越えたか否かを判別し、処理必要時間を経過していない場合にはステップＳ４３に戻り、処理必要時間を超えている場合には、ステップＳ４７に進み、処理室１７内への高周波電力の印加を停止してプラズマを消滅させ、プラズマエッチング処理を終了する。
【００６６】
次いで、プラズマエッチング処理が施されたウエハＷをチャンバ１１から搬出し、本処理を終了する（ステップＳ４８）。
【００６７】
図４の処理によれば、ウエハＷにプラズマエッチング処理が施される間、上部電極板３２の中央部３２ａの温度が測定され、該測定された温度に基づいて該中央部３２ａの温度が臨界温度（３００℃）よりも低く維持されるので、上部電極板３２の中央部３２ａの温度が臨界温度以上で維持されるのを確実に防止することができる。その結果、上部電極板３２の中央部３２ａの比抵抗値が変化するのを防止することができ、もって、処理室１７内に発生するプラズマ分布の不均一を解消することができるとともに、処理室１７内における異常放電の発生も防止することができる。
【００６８】
上述した図４の処理では、特に上部電極板３２の中央部３２ａを積極的に冷却したが、中央部冷却路３５を流れる冷却媒体だけでなく、周縁部冷却路３６を流れる冷却媒体の流量も増加させ、及び/又は該冷却媒体の温度も低下させて中央部３２ａだけでなく周縁部３２ｂも積極的に冷却してもよい。
【００６９】
また、上述した図４の処理では、プラズマエッチング処理の間、上部電極板３２の中央部３２ａの温度を測定したが、比抵抗計等を用いて中央部３２ａの比抵抗値を測定してもよい。この場合、中央部３２ａの比抵抗値が変化し始めたときに、該中央部３２ａを積極的に冷却すればよい。これによっても、中央部３２ａの比抵抗値が変化するのを防止することができる。
【００７０】
さらに、上述した基板処理装置１０では、クーリングプレート３３が上部電極板３２に単に重ねられているだけであり、密着していないため、上部電極板３２からクーリングプレート３３への伝熱効率は低いが、クーリングプレート３３に静電チャックを設けて上部電極板３２をクーリングプレート３３に吸着させてもよい。これにより、上記伝熱効率を改善することができる。また、クーリングプレート３３及び上部電極板３２の微小間隙に伝熱ガスを供給し、若しくは伝熱シートを配置してもよく、これによっても上記伝熱効率を改善することができる。
【００７１】
次いで、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【００７２】
従来の基板処理装置や図１の基板処理装置１０では、プラズマエッチング処理の間、上部電極板（３２）に直交する電界を生じさせるために、シャワーヘッド（２９）が空洞部（４０）を有する。しかしながら、上述したように、空洞部は上部電極板の中央部とクーリングプレートとの間に存在するため、該中央部の冷却効率を低下させる。また、空洞部は高周波電力が印加される上部電極板の側に局所的な空間を存在させることになるため、異常放電が発生しやすくなる。
【００７３】
一方、本実施の形態ではシャワーヘッドに空洞部を設けることがない。なお、本実施の形態は、その構成、作用がシャワーヘッドの構造を除いて第１の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００７４】
図５は、本実施の形態に係る基板処理装置が備えるシャワーヘッドの構成を示す断面図である。
【００７５】
図５において、シャワーヘッド４２は、円板状の上部電極板３２と、アルマイトで被覆されたアルミニウムからなる円板状のクーリングプレート４３と、電極支持体３４とを有する。クーリングプレート４３の中央部は凹状に陥没していないため、シャワーヘッド４２では、空洞部がクーリングプレート４３及び上部電極板３２の中央部３２ａの間に存在しない。
【００７６】
また、上部電極板３２は、第１の実施の形態と同様に、硼素がドープされたシリコンからなるが、基板処理装置１０の組立後又は上部電極板３２の交換後（すなわち、上部電極板３２が基板処理装置１０に組み込まれた後）であって基板処理装置１０が一度もウエハＷにプラズマエッチング処理を施していない場合には、上記上部電極板３２を構成するシリコンは全てＰ型シリコンであり、上部電極板３２の中央部３２ａ及び周縁部３２ｂのいずれも比抵抗値は低く、また、互いの比抵抗値は同じ値である。
【００７７】
ところで、上部電極板３２の中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値と同じ、或いは中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値よりも低いと、該中央部３２ａから生じる電界が強くなり、結果として処理室１７における中央部３２ａに対向する部分のプラズマ密度が高くなる。本実施の形態では、これに対応して、ウエハＷにプラズマエッチング処理を施す前に上部電極板３２の中央部３２ａの比抵抗値を周縁部３２ｂの比抵抗値よりも高くする。
【００７８】
図６は、本実施の形態に係る基板処理装置において実行される基板処理方法としてのプラズマエッチング処理のフローチャートである。
【００７９】
図６において、上部電極板３２が基板処理装置１０に組み込まれた後に、まず、ウエハＷをチャンバ１１に搬入することなく、処理室１７内にプロセスガスを供給し、処理室１７内に高周波電力を印加してプロセスガスから高密度のプラズマを発生させる（ステップＳ６１）。高密度のプラズマが発生すると、同時に上部電極板３２へ照射されるイオンフラックスが増加するため、上部電極板３２の温度が上昇する。このとき、上部電極板３２の中央部３２ａ及び周縁部３２ｂの比抵抗値は互いに同じ値であるため、中央部３２ａに対向する部分のプラズマ密度が高くなり、中央部３２ａへ照射されるイオンフラックスが周縁部３２ｂへ照射されるイオンフラックスよりも多くなる。これにより、中央部３２ａの温度が周縁部３２ｂの温度よりも高くなり、やがて臨界温度以上となる。その後、上部電極板３２へイオンフラックスが照射されている限り、中央部３２ａの温度は臨界温度以上に維持される。
【００８０】
次いで、中央部３２ａの温度が臨界温度を超えた時点から予め定められた加熱必要時間を経過したか否かを判別し（ステップＳ６２）、処理必要時間を経過していない場合にはステップＳ６２に戻り、処理必要時間を経過している場合にはステップＳ６３に進み、処理室１７内への高周波電力の印加を停止してプラズマを消滅させる。
【００８１】
ステップＳ６１において温度が臨界温度以上となった中央部３２ａの比抵抗値は時間の経過とともに上昇する（図３参照。）。ここで、本実施の形態における加熱必要時間は、中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値に対して十分に高くなるのに必要な時間であって、且つ中央部３２ａの比抵抗値が低下し始める前の時間である。したがって、ステップＳ６２以後における中央部３２ａの比抵抗値は周縁部３２ｂの比抵抗値に対して十分高くなっている。
【００８２】
次いで、ステップＳ４１乃至Ｓ４４を実行し、ステップＳ４４の判別の結果、中央部３２ａの温度が臨界温度以上である場合には、中央部冷却路３５及び周縁部冷却路３６を流れる冷却媒体の流量を増加させ、及び/又は該冷却媒体の温度を低下させて上部電極板３２全体をより効果的に冷却し（ステップＳ６４）、上部電極板３２全体の温度を臨界温度よりも低く維持する（温度制御ステップ）。これにより、上部電極板３２において中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値に対して十分高い状態が維持される。
【００８３】
また、ステップＳ４４の判別の結果、中央部３２ａの温度が臨界温度よりも低い場合には、そのままステップＳ４６に進む。
【００８４】
次いで、ステップＳ４６乃至Ｓ４８を実行し、本処理を終了する。
【００８５】
図６の処理によれば、上部電極板３２の中央部３２ａは、上部電極板３２が基板処理装置１０に組み込まれた後且つプラズマエッチング処理の前に、その温度が加熱必要時間以上に亘って臨界温度以上に維持されるので、中央部３２ａの比抵抗値を周縁部３２ｂの比抵抗値よりも十分高くすることができ、ウエハＷにプラズマエッチング処理が施される間、上部電極板３２の中央部３２ａから生じる電界が強くなるのを防止することができる。また、ウエハＷにプラズマエッチング処理が施される間、上部電極板３２全体の温度が臨界温度よりも低く維持されるので、上部電極板３２全体の比抵抗値が変化するのを防止することができ、これにより、上部電極板３２の中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値に対して十分高い状態を維持することができる。その結果、プラズマ分布の不均一を解消することができる。また、シャワーヘッド４２に空洞部を設ける必要がないので、異常放電の発生を抑制することができる。
【００８６】
また、上述した図６の処理におけるステップＳ６１において、中央部冷却路３５を流れる冷却媒体の流量を減少させ、及び/又は該冷却媒体の温度を上昇させてもよい。これにより、上部電極板３２の中央部３２ａの比抵抗値の変化を促進することができ、加熱必要時間を短縮することができる。
【００８７】
なお、上部電極板３２の中央部３２ａの比抵抗値は、少なくともプラズマ面において、周縁部３２ｂの比抵抗値よりも高ければ、該中央部３２ａから生じる電界が強くなるのを防止することができるため、中央部３２ａのプラズマ面とは反対面側における比抵抗値が周縁部３２のプラズマ面とは反対面側における比抵抗値よりも高い必要はない。
【００８８】
次いで、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【００８９】
本実施の形態は、その構成、作用が第２の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００９０】
本実施の形態に係る基板処理装置が備えるシャワーヘッドの構成は、第２の実施の形態におけるシャワーヘッド４２と同じであるが、基板処理装置１０の組立前や上部電極板３２の交換前（すなわち、上部電極板３２が基板処理装置１０に組み込まれる前）から上部電極板３２において中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値に対して十分に高く設定されている点（抵抗分布が発生している点）で異なる。
【００９１】
図７は、本実施の形態に係る基板処理装置が備えるシャワーヘッドが有する上部電極板の抵抗分布発生方法を説明するための図である。
【００９２】
図７では、基板処理装置１０に組み込まれる前の上部電極板３２のプラズマ面に向けて放射ヒータ等によって熱が放射される。一方、上部電極板３２におけるプラズマ面とは反対面側の面へ周縁部３２ｂを覆うように環状の抜熱体４４が当接する。該抜熱体４４は上部電極板３２の熱エネルギを吸収する。これにより、上部電極板３２の中央部３２ａと周縁部３２ｂとの間に温度差を発生させることができる。その結果、中央部３２ａの温度が周縁部３２ｂの温度よりも高くなり、やがて臨界温度以上となる。
【００９３】
その後も、上部電極板３２のプラズマ面に向けて熱が放射され続けるため、中央部３２ａの比抵抗値は時間の経過とともに上昇するが（図３参照。）、中央部３２ａの温度が臨界温度を超えた時点から予め定められた加熱必要時間を経過した後、プラズマ面に向けての熱の放射が中止される。これにより、中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値に対して十分高い上部電極板３２を得ることができる。
【００９４】
なお、本実施の形態は第２の実施の形態と上部電極板３２の加熱方法が異なるため、本実施の形態における加熱必要時間は、第２の実施の形態における加熱必要時間と異なっていてもよい。
【００９５】
また、図７の抵抗分布発生方法では、上部電極板３２の中央部３２ａと周縁部３２ｂとの間に温度差を確実に発生させるために、中央部３２ａ及び周縁部３２ｂの温度を、上述した測温ユニット４１と同様の構成を有する測温ユニット４５によって測定し、該測定された中央部３２ａ及び周縁部３２ｂの温度に基づいて、中央部３２ａや周縁部３２ｂに向けて放射される熱量を調整する。
【００９６】
図７の抵抗分布発生方法によって得られた上部電極板３２を基板処理装置１０に組み込んだ後、該基板処理装置１０はウエハＷに本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマエッチング処理を施す。該プラズマエッチング処理は、図４のプラズマエッチング処理と基本的に同じであり、プラズマエッチング処理がウエハＷに施されている間、中央部３２ａだけでなく周縁部３２ｂも効果的に冷却し、上部電極板３２全体の温度を臨界温度よりも低く維持する点で異なるが、これにより、本実施の形態においても、ウエハＷにプラズマエッチング処理が施されている間、上部電極板３２において中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値に対して十分高い状態が維持される。
【００９７】
本実施の形態のプラズマエッチング処理によれば、上部電極板３２の中央部３２ａは、上部電極板３２が基板処理装置１０に組み込まれる前に、その温度が加熱必要時間以上に亘って臨界温度以上に維持されるので、中央部３２ａの比抵抗値を周縁部３２ｂの比抵抗値よりも十分高くすることができる。また、ウエハＷにプラズマエッチング処理が施される間、上部電極板３２全体の温度が臨界温度よりも低く維持されるので、上部電極板３２の中央部３２ａの比抵抗値が周縁部３２ｂの比抵抗値に対して十分高い状態を維持することができる。
【００９８】
なお、上述した各実施の形態では、プラズマエッチング処理が施される基板が半導体ウエハＷであったが、プラズマエッチング処理が施される基板はこれに限られず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。
【００９９】
また、本発明の目的は、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、コンピュータ（例えば、コントローラ２９）に供給し、コンピュータのＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
【０１００】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【０１０１】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。
【０１０２】
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記各実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【０１０３】
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【０１０４】
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１におけるシャワーヘッドの構成を示す拡大断面図である。
【図３】硼素がドープされたシリコンが高温に維持された場合における該シリコンの比抵抗値の変化を示すグラフである。
【図４】本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマエッチング処理のフローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置が備えるシャワーヘッドの構成を示す断面図である。
【図６】本実施の形態に係る基板処理方法としてのプラズマエッチング処理のフローチャートである。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置が備えるシャワーヘッドが有する上部電極板の抵抗分布発生方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０６】
Ｗ  ウエハ
１０  基板処理装置
１１  チャンバ
２９  シャワーヘッド
３２  上部電極板
３２ａ  中央部
３２ｂ  周縁部３２ｂ
３３  クーリングプレート  
【図１】
2009188173.tif 000003
【図２】
2009188173.tif 000004
【図３】
2009188173.tif 000005
【図４】
2009188173.tif 000006
【図５】
2009188173.tif 000007
【図６】
2009188173.tif 000008
【図７】
2009188173.tif 000009