(57)【要約】【課題】光反射部および光透過部におけるそれぞれの配向膜の膜厚をほぼ等しくした液晶表示装置の提供。【解決手段】液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板とを備え、  前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、  前記第１基板および前記第２基板は、前記液晶と接触する配向膜を備え、  前記光反射部における前記第２画素電極が前記光透過部における前記第１画素電極よりも前記第１基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、  前記第１基板は、前記光反射部の前記配向膜の下面が接する表面に、前記光反射部と前記光透過部との境界部に前記反射部の外周を囲うように形成された突起部を有する。【選択図】図１
2009047900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板とを備え、
前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、
前記第１基板および前記第２基板は、前記液晶と接触する配向膜を備え、
前記光反射部における前記第２画素電極が前記光透過部における前記第１画素電極よりも前記第１基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、
前記第１基板は、前記光反射部の前記配向膜の下面が接する表面に、前記光反射部と前記光透過部との境界部に前記反射部の外周を囲うように形成された突起部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板とを備え、
前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、
前記第１基板および第２基板は、前記益しようと接触する前記画素領域の表面に配向膜を備え、
前記光反射部における前記第２画素電極が前記光透過部における前記第１画素電極よりも前記第１基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、
前記第１基板は、前記光透過部の前記配向膜の下面が接する表面に、前記光透過部と前記光反射部との境界部に、少なくとも一部が該境界部に沿って形成された凹陥部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記凹陥部は前記光透過部を囲んで形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
液晶を介して配置される第１基板と第２基板とを備え、
前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、
前記第１基板および前記第２基板は、前記液晶と接触する配向膜を備え、
前記第２基板の前記液晶側の面の前記画素領域に、対向電極と、前記光反射部における前記対向電極が前記光透過部における前記対向電極よりも前記第２基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、
前記第２基板は、前記光反射部の前記配向膜の下面が接する裏面に、前記光反射部と前記光透過部との境界部に、前記光反射部の外周を囲うように形成された突起部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板とを備え、
前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、
前記第１基板および前記第２基板は、前記液晶と接触する前記画素領域の表面に配向膜を備え、
前記第２基板の前記液晶側の面の前記画素領域に、対向電極と、前記光反射部における前記対向電極が前記光透過部における前記対向電極よりも前記第２基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、
前記第２基板は、前記光透過部の前記配向膜の下面が接する表面に、前記光透過部と前記光反射部との境界部に、少なくとも一部が該境界部に沿って形成された凹陥部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記凹陥部は前記光透過部を囲んで形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、いわゆる部分透過型と称される液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブ・マトリックス型の液晶表示装置において、部分透過型と称されるものは、その各画素の領域に、背面に配置されたバックライトからの光が透過できる領域となる光透過部と、太陽等の外来光が反射される領域となる光反射部とを備えて構成されている。
【０００３】
前記光透過部は、その領域において透光性の導電層による画素電極が形成され、光反射部は、その領域において光反射機能を有する非透光性の導電層による画素電極が形成されるようになっている。
【０００４】
この場合、光反射部における液晶を通過する光の光学的距離は、光透過部における液晶を通過する光の光学的距離よりも約２倍となってしまい、光反射モードとして使用される場合に表示のコントラストが低下してしまうことになる。
【０００５】
このため、液晶を挟持して対向配置される一対の基板のうち少なくとも一方の基板の該液晶側の光反射部において光透過部よりも高さが高くなるように絶縁材層（段差層）を形成し、これにより、光反射部における液晶を通過する光の光学的距離を光透過部における液晶を通過する光の光学的距離とほぼ等しく構成したものが知られている。
【０００６】
このような構成からなる液晶表示装置としては、たとえば、下記特許文献１に開示がなされている。
【特許文献１】特開２００２−３１１４２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、このような液晶表示装置は、前記段差層の存在によって、たとえば樹脂材の塗布等で配向膜を形成する場合に、該樹脂材が高さの高い方から低い方へ流動してしまい、光反射部および光透過部にあって配向膜の膜厚が異なってしまうという不都合が生じる。
【０００８】
すなわち、配向膜の膜厚は光透過部において大きくなり、この光透過部での液晶の駆動におけるしきい値電圧は、光反射部における場合よりも大きくなってしまう等の弊害を惹き起こすことになる。
【０００９】
また、配向膜形成用の樹脂の膜厚において均一化が図れなくなり、たとえば膜厚が薄く形成された領域でいわゆるディスクリネーションを発生させる等の弊害を惹き起こすことになる。
【００１０】
本発明の目的は、光反射部および光透過部にあってそれぞれ膜厚をほぼ等しくした配向膜を備える液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１２】
（１）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板とを備え、
前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、
前記第１基板および前記第２基板は、前記液晶と接触する配向膜を備え、
前記光反射部における前記第２画素電極が前記光透過部における前記第１画素電極よりも前記第１基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、
前記第１基板は、前記光反射部の前記配向膜の下面が接する表面に、前記光反射部と前記光透過部との境界部に前記反射部の外周を囲うように形成された突起部を有することを特徴とする。
【００１３】
（２）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板とを備え、
前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、
前記第１基板および第２基板は、前記益しようと接触する前記画素領域の表面に配向膜を備え、
前記光反射部における前記第２画素電極が前記光透過部における前記第１画素電極よりも前記第１基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、
前記第１基板は、前記光透過部の前記配向膜の下面が接する表面に、前記光透過部と前記光反射部との境界部に、少なくとも一部が該境界部に沿って形成された凹陥部を有することを特徴とする。
【００１４】
（３）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（２）の構成を前提とし、前記凹陥部は前記光透過部を囲んで形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（４）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して配置される第１基板と第２基板とを備え、
前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、
前記第１基板および前記第２基板は、前記液晶と接触する配向膜を備え、
前記第２基板の前記液晶側の面の前記画素領域に、対向電極と、前記光反射部における前記対向電極が前記光透過部における前記対向電極よりも前記第２基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、
前記第２基板は、前記光反射部の前記配向膜の下面が接する裏面に、前記光反射部と前記光透過部との境界部に、前記光反射部の外周を囲うように形成された突起部を有することを特徴とする。
【００１６】
（５）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板とを備え、
前記第１基板の前記液晶側の面の画素領域に、透光性の第１画素電極を備える光透過部と非透光性の第２画素電極を備える光反射部とが区分されて形成され、
前記第１基板および前記第２基板は、前記液晶と接触する前記画素領域の表面に配向膜を備え、
前記第２基板の前記液晶側の面の前記画素領域に、対向電極と、前記光反射部における前記対向電極が前記光透過部における前記対向電極よりも前記第２基板に対して高い位置に形成させる段差層を備え、
前記第２基板は、前記光透過部の前記配向膜の下面が接する表面に、前記光透過部と前記光反射部との境界部に、少なくとも一部が該境界部に沿って形成された凹陥部を有することを特徴とする。
【００１７】
（６）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（５）の構成を前提とし、前記凹陥部は前記光透過部を囲んで形成されていることを特徴とする。
【００１８】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明による液晶表示装置によれば、光反射部および光透過部にあってそれぞれ膜厚をほぼ等しくした配向膜を具備させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
【００２１】
〔第１実施形態〕
〈全体の等価回路〉
図２は、本発明による液晶表示装置の全体の等価回路の一実施例を示す平面図である。
【００２２】
同図において、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００２３】
シール剤ＳＬによって囲まれた前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
【００２４】
隣合う一対のゲート信号線ＧＬと隣り合う一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成し、これら各画素領域のマトリックス状の集合体は液晶表示領域ＡＲを構成するようになっている。
【００２５】
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって動作される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
【００２６】
この画素電極ＰＸは、前記薄膜トランジスタＴＦＴを動作させるためのゲート信号線ＧＬと当該画素領域を間にして配置される他のゲート信号線ＧＬとの間に容量素子Ｃａｄｄを構成するようになっており、この容量素子Ｃａｄｄによって、前記画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させるようになっている。
【００２７】
この画素電極ＰＸは、他方の透明基板ＳＵＢ２側に各画素領域に共通に形成された対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００２８】
ここで、図２に示す液晶表示装置は部分透過型のものを対象としており、後に詳述するように、各画素領域は光透過領域と光反射領域とに区分され、前記画素電極ＰＸは、前記光透過領域において形成された透光性の導電層からなる第１画素電極ＰＸ１と、前記光反射領域において形成された非透光性の導電層からなる第２画素電極ＰＸ２とからなり、これらは互いに電気的に接続されて構成されている。
【００２９】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、透明基板ＳＵＢ１に搭載された走査信号駆動回路Ｖの出力端子に接続されるようになっている。走査信号駆動回路Ｖは複数の半導体装置から構成され、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３０】
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端も前記シール材ＳＬを超えて延在され、透明基板ＳＵＢ１に搭載された映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子に接続されるようになっている。映像信号駆動回路Ｈｅも複数の半導体装置から構成され、互いに隣接する複数のドレイン信号線ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３１】
このように構成された液晶表示パネルの背面にはバックライトＢＬが配置され、該液晶表示パネルを透過型のモードとして使用する場合には該バックライトＢＬの光源を点灯させるようになっている。なお、図中、偏光板は省略して示している。
【００３２】
〈画素の構成〉
図１は、液晶表示装置の各画素のうち一の画素の実施例を示した平面図である。また、図３は、図１のIII−III線における断面を示した図であり、図４は、図１のVI−VI線における断面を示した図である。
【００３３】
当該画素は、概略的に示すと、図１に示すように、その領域が図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとによって画されるようになっている。
【００３４】
そして、このようにゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬによって囲まれる画素領域は、たとえば図中ｙ方向において区分される光透過領域ＴＲＳと光反射領域ＲＦＬとを備える。
【００３５】
薄膜トランジスタＴＦＴは、図中下側のゲート信号線ＧＬの一部に重畳されて形成され、そのソース電極ＳＴは、前記光透過領域ＴＲＳを含んでたとえば画素領域のほぼ全域（８０％以上が望ましい）にわたって形成された透光性の導電膜からなる画素電極ＰＸ１、および前記光反射領域ＲＦＬに形成された非透光性の導電膜からなる画素電極ＰＸ２に接続されている。
【００３６】
以下、前記画素の構成を、透明基板ＳＵＢ１および透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に積層される材料を積層順に説明することによって詳細に示す。
【００３７】
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に絶縁膜ＩＮが形成され、この絶縁膜ＩＮは光透過領域ＴＲＳにおいて凹陥部ＣＮがたとえば選択エッチングによって形成されている（図１、図４参照）。この凹陥部ＣＮは前記光透過領域ＴＲＳのうち後述のブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭの開口領域となる実質的な光透過領域（以下、この明細書では光透過部と称する）を囲むようにして形成されている。この凹陥部ＣＮは、後の説明で明らかとなるように、配向膜ＯＲＩ１の材料の溜まり部とするために形成されるようになっている。
【００３８】
次に、前記絶縁膜ＩＮの上面に、図１中ｘ方向に延在しｙ方向に並設さるゲート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬはたとえばＡｌからなりその表面は陽極酸化膜ＡＯＦが形成されている。
【００３９】
そして、前記画素領域の周辺を除く中央の大部分の領域（画素領域の８０％以上が望ましい）にたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性の画素電極ＰＸ１が形成されている。この画素電極ＰＸ１は光透過領域ＴＲＳにおける画素電極ＰＸとして機能し、前記絶縁膜ＩＮに形成された凹陥部ＣＮを被って形成されるとともに、該画素電極ＰＸ１の表面に前記凹陥部ＣＮによる凹陥部が顕れるように構成されている（図４参照）。
【００４０】
そして、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において、すなわち、ゲート信号線ＧＬと重畳される一部の領域において、たとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩ、たとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが順次積層されて形成されている。このような構成において、前記半導体層ＡＳの上面に互いに対向配置されたドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴを形成することによって、前記絶縁膜ＧＩをゲート絶縁膜とする逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型の薄膜トランジスタＴＦＴが形成されることになる。なお、前記絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの順次積層体は、それに近接する前記ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部にも至って形成されている。該ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの間の層間絶縁膜として機能させるためである。そして、前記絶縁膜ＧＩ、半導体層ＡＳは、透明基板ＳＵＢ１の表面に形成された絶縁膜および半導体層をたとえば一括エッチングをすることによって形成される。
【００４１】
この場合、前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴは、たとえばドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００４２】
すなわち、図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＤＴが形成され、このドレイン電極ＤＴと薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＴが形成されている。
【００４３】
ソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの上面から画素領域側へ至るようにして延在され、この延在部において前記画素電極ＰＸ１との直接の接続が図れるとともに、後述の画素電極ＰＸ２との接続のためのパッド部ＰＤが形成されている。
【００４４】
そして、前記ドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴが形成された基板ＳＵＢ１の表面には、該ドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴ等をも被ってたとえばＳｉＮからなる保護膜（絶縁膜）ＰＳＶが形成されている。この保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶ＬＣとの直接の接触を回避し該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止する機能を有する。
【００４５】
なお、保護膜ＰＳＶは無機絶縁膜ではなく有機絶縁膜で形成してもよい。さらに、保護膜ＰＳＶは無機絶縁膜と有機絶縁膜の積層体で構成するようにしてもよい。
【００４６】
さらに、前記光透過部ＴＲＳの領域における保護膜ＰＳＶには開口部ＯＭが形成され、この開口部ＯＭを通して前記画素電極ＰＸ１が露出されるようになっている。この場合、該開口部ＯＭの保護膜ＰＳＶの底面側の輪郭は、前記絶縁膜ＩＮの前記凹陥部ＣＮの外側に位置づけられるようになっており、これにより、該開口部ＯＭからは前記凹陥部ＣＮ（該凹陥部ＣＮが前記画素電極ＰＸ１によって被われる場合は、前記画素電極ＰＸ１に顕れる凹陥部）も露呈されているようになっている。このように保護膜ＰＳＶにおいてその光透過部ＴＲＳの領域に開口部ＯＭを形成することにより、該保護膜ＰＳＶは段差層として機能し、後の説明でも明らかとなるように、光反射部ＲＦＬにおける液晶を通過する光の光学的距離と光透過部ＴＲＳにおける液晶を通過する光の光学的距離をほぼ等しく構成することができるようになる。
【００４７】
さらに、この実施例では、該保護膜ＰＳＶの光反射領域ＲＦＬの表面に、該光反射領域ＲＦＬのうち後述のブラックマトリックスＢＭの開口領域となる実質的な光反射領域（以下、この明細書では光反射部と称する）の外周を囲むようにして突起部ＰＪが形成されている（図１、図４参照）。この突起部ＰＪは、後の説明で明らかとなるように、配向膜ＯＲＩ１の材料の堰き止め部とするために形成されるようになっている。この突起部ＰＪは後述の配向膜ＯＲＩ１の厚さの約２〜３倍程度の高さ（約２００〜３００ｎｍ）、および約０．３〜１．０μｍの幅を有して形成することが好ましい。突起部ＰＪの凹凸はその上に画素電極ＰＸ２がある場合には該画素電極ＰＸ２にも凹凸が反映されるようになる。
【００４８】
このように開口部ＯＭと突起部ＰＪが形成された保護膜ＰＳＶは、たとえばハーフトーン露光によるフォトレジスト膜をマスクとすることにより、一回のフォトエッチング工程で形成することができる。
【００４９】
そして、前記開口部ＯＭを除く保護膜ＰＳＶの上面には反射電極を兼ねる画素電極ＰＸ２が形成されている。この画素電極ＰＸ２はたとえばＣｒおよびＡｌの順次積層体からなる非透光性の導電膜から構成されている。そして、該画素電極ＰＸ２の一部は、保護膜ＰＳＶにおいてたとえば前記開口部ＯＭの形成と同時に形成されたスルーホールＴＨを通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴに接続されるパッド部ＰＤと電気的に接続されている。
【００５０】
また、前記画素電極ＰＸ２は、前記開口部ＯＭの両脇を通って延在され、当該画素の薄膜トランジスタＴＦＴを駆動させるゲート信号線ＧＬに対して当該画素を間に挟んで配置される他のゲート信号線ＧＬの一部に重畳するように形成されている。該画素電極ＰＸ２の前記他のゲート信号線ＧＬとの重畳部には、前記保護膜ＰＳＶを誘電体膜とする容量素子Ｃａｄｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄによって画素電極ＰＸ（ＰＸ１、ＰＸ２）に供給された映像信号を比較的長く蓄積させるようになっている。
【００５１】
そして、このように画素電極ＰＸ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１はたとえば表面にラビング処理がなされた樹脂膜で構成され、樹脂材を透明基板ＳＵＢ１の表面にたとえばオフセット印刷あるいはインクジェット法によって塗布したあとにラビング処理を行うことが形成される。
【００５２】
この場合、光反射領域ＲＦＬにおいて塗布された配向膜の樹脂材は、保護膜ＰＳＶの表面に形成された突起部ＰＪ（該突起部ＰＪが前記画素電極ＰＸ２によって被われ場合は、前記画素電極ＰＸ２によって顕れる突起部）によって堰き止められ、たとえば該光反射領域ＲＦＬよりも低い位置にある光透過領域ＴＲＳ側へ過剰に流動してしまうことを回避できるようになる。すなわち、配向膜の下面が接する表面に形成された突起部で配向膜を堰き止めることができる。
【００５３】
そして、光反射領域ＲＦＬにおいて塗布された樹脂材がたとえ突起部ＰＪを超えて光透過領域ＴＲＳ側に流動しても、該開口部ＯＭの底面側の輪郭に近接して配置される前記絶縁膜ＩＮの前記凹陥部ＣＮ（該凹陥部ＣＮが画素電極ＰＸ１によって被われる場合は、前記画素電極ＰＸ１によって顕れる凹陥部）が位置づけられ、該樹脂材は該凹陥部ＣＮ内に溜まり、該凹陥部ＣＮの内側の領域（光透過部）にまで至ってしまうのを回避できるようになる。すなわち、配向膜の下面が接する表面に形成された凹陥部ＣＮ内に余分な配向膜を溜めることができる。
【００５４】
このことから、光反射領域ＲＦＬと光透過領域ＴＲＳにおいてたとえ保護膜ＰＳＶによる段差があっても、それぞれに形成される配向膜ＯＲＩ１の膜厚をほぼ等しく形成できる。また、このようにして形成される配向膜ＯＲＩ１は少なくとも光反射部ＲＦＬおよび光透過部ＴＲＳにおいて膜厚の薄い個所を形成することがないことから、いわゆるディスクリネーションを低減させることができる。
【００５５】
このように構成された透明基板ＳＵＢ１に、図３、図４に示すように、液晶ＬＣを介して透明基板ＳＵＢ２が対向配置されている。なお、図３から明らかとなるように、透明基板ＳＵＢ１側に形成した保護膜ＰＳＶ（段差層）によって、光反射領域ＲＦＬにおける液晶の層厚は光透過領域ＴＲＳにおける液晶の層厚の約半分にでき、これにより、光反射領域ＲＦＬおよび光透過領域ＴＲＳにおける液晶を通過する光のそれぞれの光学的距離をほぼ等しくしている。
【００５６】
該透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、たとえばその各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭが形成されている。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは画素領域の周辺を除く領域に開口が形成されたパターンをなして形成されている。図１では一点鎖線枠ＢＭをブラックマトリクスＢＭの開口として示し、たとえば該一点鎖線枠ＢＭの外方に前記突起部ＰＪおよび凹陥部ＣＮの大部分が位置づけられるようになっている。
【００５７】
このため、光反射領域ＲＦＬおよび光透過領域ＴＲＳにおいて、少なくともブラックマトリクスＢＭの開口内における各領域（光反射部、光透過部）の配向膜ＯＲＩ１の膜厚をほぼ等しくすることができる。
【００５８】
ブラックマトリクスＢＭが形成された透明基板ＳＵＢ２の面には該ブラックマトリクスＢＭの開口を被ってカラーフィルタＦＩＬが形成されている。この画素のカラーフィルタＦＩＬは赤、緑、青のうちのいずれかの色からなり、他の異なる色のカラーフィルタＦＩＬを有する他の２つの隣接画素ととともに、カラー表示における一画素を構成するようになっている。
【００５９】
ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面の全域には平坦化膜ＯＣが形成されている。この平坦化膜ＯＣは塗布によって形成される樹脂膜からなり、前記ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬの形成によって生じる段差をなくすために設けられている。
【００６０】
この平坦化膜ＯＣの上面には、たとえばＩＴＯ膜からなる透光性の導電膜が形成され、この導電膜によつて各画素領域に共通の対向電極ＣＴが形成されている。
【００６１】
この対向電極ＣＴの表面には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜ＯＲＩ２はたとえば前記配向膜ＯＲＩ１と同様に塗布された樹脂材から形成し、その形成面は平坦であることから画素領域の全域にわたって膜厚を均一にすることができる。
【００６２】
〔第２実施形態〕
図５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、図１に対応した図となっている。図６は、図５のVI−VI線における断面図である。
【００６３】
図５において、図１の場合と比較して異なる構成は、光透過部ＴＲＳにおいて前記凹陥部ＣＮが形成されていないことにある。
【００６４】
前記凹陥部ＣＮは、たとえば、光反射部ＲＦＬにて塗布された配向膜ＯＲＩ１の形成のための樹脂材のうち突起部ＰＪを越えて流動したものを止める溜まり部として機能させ、光透過部ＴＲＳ（実質的な光透過部）の側へ流動してしまうのを防ぐようにしたものである。
【００６５】
この場合、樹脂材が突起部ＰＪを越えない場合もあり、たとえ越えた場合でもその量が少なく光透過部ＴＲＳに形成される配向膜ＯＲＩ１の厚さに大きな影響を与えない場合には、前記凹陥部ＣＮを設けることのない構成としたものである。
【００６６】
このようにした場合、図６に示すように、たとえば透明基板ＳＵＢ１の表面に前記凹陥部ＣＮを形成するための絶縁膜（図１に示す絶縁膜ＩＮ）を形成する工程を無くすことができる効果を有する。
【００６７】
また、図１に対応して描いた図７に示すように、前記凹陥部ＣＮを残存させ、光反射領域ＲＦＬ上の突起部ＰＪを無くすように構成してもよいことはいうまでもない。光反射領域ＲＦＬに塗布された配向膜ＯＲＩ１形成用の樹脂材がたとえ光透過領域ＴＲＳ側へ流動しても、その量がわずかであり、前記凹陥部ＣＮによって溜められるようになれば、光反射領域ＲＦＬおよび光透過領域ＴＲＳにおける配向膜ＯＲＩ１の厚さをほぼ等しくすることができるからである。
【００６８】
〔第３実施形態〕
図８は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、図１に対応した図となっている。
【００６９】
図１に示したように、光透過領域ＴＲＳの凹陥部ＣＮおよび光反射領域ＲＦＬの突起部ＰＪは、それぞれ、実質的な光透過領域（光透過部）および実質的な光反射領域（光反射部）を囲むようにして形成したものである。
【００７０】
しかし、本実施形態では、光反射領域ＲＦＬから光透過領域ＴＲＳへの配向膜ＯＲＩ１形成用の樹脂材の流動する量が比較的大きい個所は光反射領域ＲＦＬと光透過領域ＴＲＳの境界部である場合には、必要最小限の範囲で前記凹陥部ＣＮおよび突起部ＰＪを設けた。
【００７１】
すなわち、図８に示すように、光反射領域ＲＦＬのうち実質的な光反射領域（光反射部）を囲むようにして形成される突起部ＰＪのうち光透過領域ＴＲＳ側の突起部ＰＪ１を残して他を無くす構成とするとともに、光透過領域ＲＦＬのうち実質的な光透過領域（光透過部）を囲むようにして形成される凹陥部ＣＮのうち光反射領域ＲＦＬ側の突起部ＣＮ１を残して他を無くす構成としている。すなわち、境界に沿って形成した。
【００７２】
また、上述したように、樹脂材が突起部ＰＪ１を越えない場合もあり、たとえ越えた場合でもその量が少なく光透過部ＴＲＳに形成される配向膜ＯＲＩ１の厚さに大きな影響を与えない場合には、図９に示すように、突起部ＰＪ１を残し前記凹陥部ＣＮ１を設けることのない構成とするようにしてもよい。
【００７３】
図示しないが、凹陥部ＣＮ１を残し突起部ＰＪ１を設けない構成でもよい。図示しないが、囲む毛市場の突起部ＰＪと境界に沿った凹陥部ＣＮ１の組み合わせでもよい。図示しないが、境界に沿った突起部ＰＪ１と、囲む形状の凹陥部ＣＮの組み合わせでもよい。樹脂材は高い所から低い所へ流動するので、突起部ＰＪについては囲う形状の方が望ましい。凹陥部ＣＮは凹陥部ＣＮでも凹陥部ＣＮ１でもどちらでもよいが、凹陥部ＣＮの方が効果が大きいので望ましい。
【００７４】
〔第４実施形態〕
図１０は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、たとえば図６に対応した図となっている。
【００７５】
これまでに説明した実施例は、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成した保護膜ＰＳＶに開口部ＯＭを設けることによって段差部を形成し、これにより、光透過部ＴＲＳおよび光反射部ＲＦＬにおける液晶の層厚を異ならしめるように構成したものである。
【００７６】
しかし、これに限らず、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に前記保護膜ＰＳＶと同様な段差層を形成し、光透過部ＴＲＳおよび光反射部ＲＦＬにおける液晶の層厚を異ならしめるように構成するようにしてもよい。この場合、前記凹陥部ＣＮあるいは突起部ＰＪは前記基板ＳＵＢ２側に形成することになる。
【００７７】
図１０において、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に、ブラックマトリックスＢＭ、カラーフィルタＦＩＬ、平坦化膜ＯＣが順次形成されている。そして、この平坦化膜ＯＣの上面にたとえば有機絶縁膜または無機絶縁膜またはその積層体からなる層を形成し、この層の光透過部ＴＲＳに開口部ＯＭを形成することによって段差層ＤＬＬを形成する。透明基板ＳＵＢ２側に該段差層ＤＬＬを形成することによって、たとえば、透明基板ＳＵＢ１側の前記保護膜ＰＳＶはその表面を平坦化する構成とすることができる。
【００７８】
そして、このような構成において、たとえば図５に示したように光反射部すＦＬに突起部ＰＪを形成する場合において、前記段差層ＤＬＬの光反射部ＲＦＬの表面に前記突起部ＰＪを形成すればよい。このように開口部ＯＭと突起部ＰＪが形成される段差層ＤＬＬは、たとえばハーフ露光によるフォトレジスト膜をマスクとすることにより、一回のフォトエッチング工程で形成することができる。
【００７９】
対向電極ＣＴは突起部ＰＪの形状を反映する配向膜ＯＲＩ２の下面が接する表面に突起部が形成されるので、配向膜ＯＲＩ２を堰き止めることができる。凹陥部ＣＮの場合は平坦化膜ＯＣに形成してもよい。対向電極ＣＴは凹陥部ＣＮを反映する。突起部ＰＪ１や凹陥部ＣＮ１のような形状であってもかまわない。さらに、突起部ＰＪと凹陥部ＣＮ１、突起部ＰＪ１と凹陥部ＣＮの組み合わせであってもよい。さらに、突起部ＰＪ、凹陥部ＣＮ、突起部ＰＪ１、凹陥部ＣＮ１のいずれか一つのみであってもよい。
【００８０】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。
【図３】図１のIII−III線における断面図である。
【図４】図１のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図６】図５のVI−VI線における断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
ＳＵＢ……透明基板、ＳＬ……シール材、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ、ＰＸ１、ＰＸ２……画素電極、Ｃａｄｄ……容量素子、ＡＲ……液晶表示領域、Ｖ……走査信号駆動回路、Ｈｅ……映像信号駆動回路、ＢＬ……バックライト、ＴＲＳ……光透過領域、ＲＦＬ……光反射領域、ＩＮ、ＧＩ……絶縁膜、ＣＮ……凹陥部、ＡＳ……半導体層、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＤ……パッド部、ＰＳＶ……保護膜、ＯＲＩ……配向膜、ＰＪ……突起部、ＬＣ……液晶、ＢＭ……ブラックマトリクス、ＦＩＬ……カラーフィルタ、ＯＣ……平坦化膜、ＣＴ……対向電極、ＤＬＬ……段差層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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