(57)【要約】【課題】接続不良を防止することで、高い接続信頼性が得られる表面実装型半導体装置を提供する。【解決手段】発光装置１は、２個搭載された発光素子と、発光素子が搭載面に搭載された絶縁基板２１と、絶縁基板２１のそれぞれの側面２１ａ，２１ｂに設けられた第１端子２２４、第２端子２２５および第３端子２２６とを備え、この第１端子２２４、第２端子２２５および第３端子２２６のうち最も下に位置する第１端子の下側端子２２４ｃと第２端子２２５とは、同じ面積で、かつ絶縁基板２１の下端から同じ高さに形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、前記半導体素子が搭載面に搭載された絶縁基板と、絶縁基板の両側面に設けられた合計が３つ以上の奇数の端子とを備え、
前記３つ以上の奇数の端子のうち、前記両側面にそれぞれ設けられた最も下に位置する２つの最下端子は、同じ面積に形成されている表面実装型半導体装置。
【請求項２】
前記２つの最下端子は、同じ高さに形成されている請求項１記載の表面実装型半導体装置。
【請求項３】
前記２つの最下端子は、前記搭載面とは反対側となる裏面へ、前記絶縁基板の下端から同じ高さで延設されている請求項１または２記載の表面実装型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子が搭載面に搭載された絶縁基板と、絶縁基板の両側面に設けられた合計が３つ以上の奇数の端子とを備えた表面実装型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表面実装型半導体装置として、例えば、特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載のチップ型発光ダイオードは、大きな基板をダイシングマシンなどでカットラインに沿って一つ一つのチップに切断して形成されたサイドビュータイプのもので、絶縁基板の両側部に、断面コ字状の端子がそれぞれ一つずつ設けられている。
【０００３】
特許文献１に記載のチップ型発光ダイオードは、発光素子が１個のみ搭載されているので、端子はアノードとカソードの２端子である。例えば、絶縁基板に発光素子を２個搭載して、別々に点灯をさせようとすると、それぞれの発光素子のアノードまたはカソードを共通とすることで端子の合計が３端子必要である。
【０００４】
図４（Ａ）および同図（Ｂ）に示す従来の発光装置１００は、絶縁基板１０１の一方の側面１０１ａに第１アノード端子１０２ａが設けられ、他方の側面１０１ｂの上部に、端子を共通させてカソード端子１０２ｂが設けられ、他方の側面１０１ｂの下部に第２アノード端子１０２ｃが設けられている。カソード端子１０２ｂは、他方の側面１０１ｂから裏面（発光素子（図示せず）を搭載している搭載面とは反対側の面）の中央部まで延びると共に、中央部で下方に曲がり下端まで延びている。
【特許文献１】特開平８−２４２０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の発光装置１００を実装基板に搭載する場合には、まず、実装基板に設けられた接続端子にクリーム半田を塗布し、その上に従来の発光装置１００を載置してリフロー処理を行うことで従来の発光装置１００を配線パターンに固着させる。
【０００６】
しかし、一方の側面１０１ａに設けられた第１アノード端子１０２ａに付着するクリーム半田の量が多くなることで、従来の発光装置１００全体が一方の側面１０１ａ側の方向に引っ張られてしまう。そうなると、他方の側面１０１ｂの下部に設けられた第２アノード端子１０２ｃに付着するクリーム半田の量が通常より少なくなることで、実装基板との接続不良などが発生するおそれがある。
【０００７】
そこで本発明は、接続不良を防止することで、高い接続信頼性が得られる表面実装型半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の表面実装型半導体装置は、絶縁基板の両側面に設けられた合計が３つ以上の奇数の端子のうち、前記両側面にそれぞれ設けられた最も下に位置する２つの最下端子が、同じ面積に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、両側面に設けられた最下端子に付着するクリーム半田の量を同じ量とすることができるので、いずれの方向へも引っ張られることがない。従って、接続不良を防止することができるので、接続信頼性の高い表面実装型半導体装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本願の第１の発明は、半導体素子と、半導体素子が搭載面に搭載された絶縁基板と、絶縁基板の両側面に設けられた合計が３つ以上の奇数の端子とを備え、３つ以上の奇数の端子のうち、両側面にそれぞれ設けられた最も下に位置する２つの最下端子は、同じ面積に形成されていることを特徴としたものである。
【００１１】
本発明の表面実装型半導体装置は、絶縁基板の両側面に設けられた合計が３つ以上の奇数の端子を有している。この３つ以上の奇数の端子のうち、両側面にそれぞれ設けられた最も下に位置する２つの最下端子は、同じ面積に形成されている。従って、本発明の表面実装型半導体装置をクリーム半田により実装基板に実装するときに、両側面に設けられた最下端子に付着するクリーム半田の量を同じ量とすることができるので、いずれの方向へも引っ張られることがない。
【００１２】
本願の第２の発明は、第１の発明において、２つの最下端子は、同じ高さに形成されていることを特徴としたものである。
【００１３】
本願の第２の発明においては、２つの最下端子を、同じ高さに形成することで、より確実に、最下端子へのクリーム半田の付着量を同じとすることができる。
【００１４】
本願の第３の発明は、２つの最下端子は、搭載面とは反対側となる裏面へ、絶縁基板の下端から同じ高さで延設されていることを特徴としたものである。
【００１５】
本願の第３の発明においては、側面だけでなく、裏面に延設された最下端子を、絶縁基板の下端から同じ高さとすることで、クリーム半田の付着量を裏面側でも均一に保つことができる。
【００１６】
（実施の形態）
本発明の実施の形態に係る実装型半導体装置の一例である発光装置を、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置を示す図であり、（Ａ）は一方の側面側から見た斜視図、（Ｂ）は他方の側面側から見た斜視図である。図２は、図１に示す発光装置の平面図である。
【００１７】
図１および図２に示すように、発光装置１は、プリント配線基板２と、プリント配線基板２の表面である搭載面に２個搭載された発光素子３，３と、発光素子３を封止する樹脂パッケージ４とを備えたサイドビュー型のＬＥＤである。
【００１８】
プリント配線基板２には、絶縁基板２１と、この絶縁基板２１に設けられ、銅箔膜などの金属薄膜に金属めっきを施した配線パターン２２と、レジスト膜２３とが形成されている。
【００１９】
配線パターン２２は、発光素子３，３が搭載された搭載部２２１と、ワイヤボンディング部２２２，２２３と、一方のワイヤボンディング部２２２に接続された第１端子（アノード端子）２２４と、他方のワイヤボンディング部２２３に接続された第２端子（アノード端子）２２５と、搭載部２２１に接続された第３端子２２６（カソード端子）とを備えている。
【００２０】
搭載部２２１は、矩形状に形成され、発光素子３，３が搭載されることでｎ電極と導通している。ワイヤボンディング部２２２，２２３は、ワイヤ５により発光素子３，３のｐ電極と導通している。
【００２１】
第１端子２２４は、絶縁基板２１の一方の側面２１ａに断面コ字状に形成され、表面から裏面にかけて中央に空洞部２２４ａが設けられていることで、側面２１ａの上部を通る上側端子２２４ｂと、側面２１ａの下部を通る下側端子２２４ｃと、裏面側で上側端子２２４ｂと下側端子２２４ｃとを接続する接続部２２４ｄとが形成されている。
【００２２】
第２端子２２５は、絶縁基板２１の他方の側面２１ｂに断面コ字状に形成され、下側端子２２４ｃと絶縁基板２１の下端から同じ高さＨで形成されていることで、下側端子２２４ｃの側面２１ａ部分と第２端子２２５の側面２１ｂ部分とが同じ面積となるように形成されている（図１（Ａ）および同図（Ｂ）においては、斜線で示される部分）。
【００２３】
側面２１ａ部分から延設された下側端子２２４ｃは、裏面部分において、絶縁基板２１の下端から高さＨとなるように形成され、側面２１ｂ部分から延設された下側端子２２４ｃの裏面部分においても、絶縁基板２１の下端から高さＨとなるように形成されている。
【００２４】
第３端子２２６は、表面から裏面中央まで延設された配線部２２６ａと、中央部に略矩形状に形成された接続部２２６ｂとが形成されている。
【００２５】
樹脂パッケージ４は、光透過性樹脂で形成され、プリント配線基板２の搭載面全体を覆うように形成されている。
【００２６】
この発光装置１は、次のようにして作製される。まず、配線パターン２２が列状に連続的に形成された集合基板を準備する。配線パターン２２の搭載部２２１に発光素子３，３を搭載しワイヤ５を発光素子３，３からワイヤボンディング部２２２，２２３へそれぞれ接続する。そして、樹脂パッケージ４を形成した後に、集合基板を分割箇所でダイシングして個片化することで、発光装置１が得られる。従って、集合基板に連続的に形成された配線パターン２２をダイシングして隣接する他の発光装置１と分割されることで、それぞれの第１端子２２４，第２端子２２５および第３端子２２６が形成される。また、発光装置１が実装基板などに実装されるときには、集合基板を切断したときの切断面を実装面として実装基板側に向けて搭載される。
【００２７】
以上のように構成された本発明の実施の形態に係る発光装置の使用状態を、図３に基づいて説明する。図３は、図１に示す発光装置の使用状態を示す図である。
【００２８】
図３に示すように、本実施の形態では、発光装置１を実装基板１０へ搭載する場合を説明する。
【００２９】
実装基板１０は、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁基板１１に接続端子１２ａ〜１２ｃが設けられている。接続端子１２ａは、一方の側面２１ａ側に設けられた最も下に位置する最下端子である第１端子２２４の下側端子２２４ｃと導通接続されるパターンである。接続端子１２ｂは、他方の側面２１ｂ側に設けられた最下端子である第２端子２２５と導通接続されるパターンである。接続端子１２ｃは、第３端子２２６の接続部２２６ｂと導通接続されるパターンである。
【００３０】
この実装基板１０に発光装置１を実装する場合には、まず、接続端子１２ａ〜１２ｃにクリーム半田を適量塗布する。次に、発光装置１を、接続端子１２ａ〜１２ｃのそれぞれに各端子の位置を合わせて載置する。そして、発光装置１を載置した状態の実装基板１０をリフロー炉に入れ、加熱処理を行う。加熱処理を行うことでクリーム半田が溶融し、半田フィレットとなって、下側端子２２４ｃ、第２端子２２５および接続部２２６ｂに山の裾野のように広がる。
【００３１】
下側端子２２４ｃと第２端子２２５とは、それぞれの側面２１ａ，２１ｂで同じ面積であり、かつ下端から同じ高さに形成されているので、下側端子２２４ｃと第２端子２２５に付着する半田フィレットは高さに制限されて水平方向に広がることで、付着する半田量が同じとなる。従って、半田フィレットにより引っ張られる応力が、一方の側面２１ａ側への方向と他方の側面２１ｂ側への方向とで同じとなるので、どちらかへ発光装置１が引っ張られてしまい、下側端子２２４ｃの側面２１ａ部分と第２端子２２５の側面２１ｂ部分とに付着する半田フィレットの量に偏りが発生してしまうことが防止できる。
【００３２】
また、下側端子２２４ｃと第２端子２２５とは、裏面部分で同じ高さに延設されているので、下側端子２２４ｃの裏面部分と第２端子２２５の裏面部分とにそれぞれ付着する半田量を均等とすることができる。従って、裏面側方向へも下側端子２２４ｃと第２端子２２５とに作用する応力を均等とすることができる。
【００３３】
このように、半田フィレットにより引っ張られる応力を、一方の側面２１ａ側と他方の側面２１ｂ側とで偏りの発生を防止することで、半田の濡れ不良を防止できるので、接続不良などの発生を防止することができる。
【００３４】
また、発光装置１が横ずれしたり、実装基板１０上を回転する方向に移動したりすることが防止できるので、光軸のずれを防止できる。
【００３５】
なお、本実施の形態では、プリント配線基板２に２個の発光素子３，３（図２参照）を搭載し、カソードを共通とすることで、一方の側面２１ａに１端子、他方の側面２１ｂに２端子を設けた３端子の発光装置１であるが、合計が３つ以上の奇数端子を、一方の側面と他方の側面とにそれぞれに設けられた表面実装型半導体装置であれば、本発明を適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、接続不良を防止することで、高い接続信頼性が得られるので、半導体素子が搭載面に搭載された絶縁基板と、絶縁基板の両側面に設けられた合計が３つ以上の奇数の端子とを備えた表面実装型半導体装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施の形態に係る発光装置を示す図であり、（Ａ）は一方の側面側から見た斜視図、（Ｂ）は他方の側面側から見た斜視図
【図２】図１に示す発光装置の平面図
【図３】図１に示す発光装置の使用状態を示す図
【図４】従来の発光装置を示す斜視図
【符号の説明】
【００３８】
１  発光装置
２  プリント配線基板
３  発光素子
４  樹脂パッケージ
５  ワイヤ
１０  実装基板
１１  絶縁基板
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ  接続端子
２１  絶縁基板
２１ａ，２１ｂ  側面
２２  配線パターン
２３  レジスト膜
２２１  搭載部
２２２，２２３  ワイヤボンディング部
２２４  第１端子（アノード端子）
２２４ａ  空洞部
２２４ｂ  上側端子
２２４ｃ  下側端子
２２４ｄ  接続部
２２５  第２端子（アノード端子）
２２６  第３端子（カソード端子）
２２６ａ  配線部
２２６ｂ  接続部
【図１】
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【図２】
2009188005.tif 000004
【図３】
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【図４】
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