(57)【要約】【課題】パッケージが不要で安価な半導体発光装置を提供する。【解決手段】支持体及び配線を備える配線基板１と、複数の発光部２とを有する半導体発光装置１００において、発光部２を、配線基板１上に配置された１つ以上の半導体発光素子２１と、配線基板１上に半導体発光素子２１を取り囲むように形成された絶縁性の堰２２と、配線基板１上の堰２２に囲われた領域に形成され半導体発光素子２１を封止する封止部２３とから構成し、堰２２の配線基板１からの高さが封止部２３の配線基板１からの高さと略等しいか高くなるようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体及び配線を備える配線基板と、複数の発光部とを有する半導体発光装置であって、
前記発光部は、前記配線基板上に配置された１つ以上の半導体発光素子と、前記配線基板上に前記半導体発光素子を取り囲むように形成された絶縁性の堰と、前記配線基板上の前記堰に囲われた領域に形成され前記半導体発光素子を封止する封止部とを備え、
前記堰の前記配線基板からの高さが前記封止部の前記配線基板からの高さと略等しいか高い
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記配線基板の支持体の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記配線基板の支持体が、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、Ｃｕ及びＡｌのいずれか１以上からなる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子は、その発光面が前記配線基板と対向するように設置された
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記堰が稜線を有さない
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法であって、
前記配線基板上に前記堰を設ける工程と、
前記封止部を該配線基板上に塗設する工程とを有する
ことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記堰を設ける工程において、堰を設ける手段が、予め成形された前記堰の実装、ディスペンサーによる描画法、スクリーン印刷法、およびレジスト法のいずれか１以上であることを特徴とする、請求項６記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
支持体及び配線を備える配線基板と、複数の発光部とを有する半導体発光装置であって、
前記発光部は、前記配線基板上に配置された１つ以上の半導体発光素子と、前記配線基板上に前記半導体発光素子を取り囲むように形成された絶縁性の堰と、前記配線基板上の前記堰に囲われた領域に形成され前記半導体発光素子を封止する封止部とを備え、
前記配線基板の支持体の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
前記配線基板の支持体がベースメタルで形成され、
前記ベースメタルと前記配線との間に絶縁層を有する
ことを特徴とする請求項１〜５及び８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記配線基板の配線が、白色コーティング層で被覆されている、
ことを特徴とする請求項１〜５、８及び９のいずれか１項に半導体発光装置。
【請求項１１】
前記絶縁層及び／又は前記白色コーティング層がポリエーテルエーテルケトン樹脂を含有する
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子を備えて構成された半導体発光装置の構成型の一つとして、従来、表面実装型（Surface Mount Device。ＳＭＤ）が知られている。このＳＭＤ型の半導体発光装置は、半導体発光素子を備えたパッケージを用意し、このパッケージを配線基板に設置することで構成されたもので、小型化および薄膜化の観点から利点を有しているとされていた。
【０００３】
しかしながら、ＳＭＤ型の半導体発光装置はパッケージの実装（即ち、パッケージを配線基板に設置する工程）が煩雑であり、また、パッケージが高価であるという課題を有していた。そこで、パッケージを用いず、半導体発光素子を直接、配線基板に実装する型（いわゆるチップ・オン・ボード型）が提唱されている（特許文献１）。
【０００４】
一方、ＳＭＤ型の半導体発光装置として、半導体発光素子を取り囲む樹脂体を設けたものも提案されている（特許文献２）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１５２２２５号公報
【特許文献２】特開２００６−３２４５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１記載の技術では半導体発光素子を封止材で封止しているが、この際、形状保持に優れる封止材を選択しないと封止材が流出して他の構成部品に影響を与えることがあった。
また、特許文献２記載の技術では、半導体発光素子を取り囲む樹脂体および封止材の粘度・チキソ性などの制御を要し、依然として樹脂体及び封止材の物性制御が困難で、実用に供するには課題があった。
さらに、前記特許文献１，２記載の技術では、封止材及び樹脂体の粘度が高く、レベリング性と形状との両立が難しいため、ポッティングなどの操作も煩雑であり、封止材及び樹脂体の制御が困難であった。また、前記特許文献１，２記載の技術ではレンズ面が不均一となる場合があり、個々のばらつきが大きかった。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みて創案されたもので、パッケージが不要で安価な半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は上記課題を解決するべく鋭意検討した結果、半導体発光素子の周囲を取り囲むように堰を設けることにより配線基板に半導体発光素子を直接実装した半導体発光装置を安価に製造できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００９】
即ち、本発明の要旨は、支持体及び配線を備える配線基板と、複数の発光部とを有する半導体発光装置であって、前記発光部は、前記配線基板上に配置された１つ以上の半導体発光素子と、前記配線基板上に前記半導体発光素子を取り囲むように形成された絶縁性の堰と、前記配線基板上の前記堰に囲われた領域に形成され前記半導体発光素子を封止する封止部とを備え、前記堰の前記基板からの高さが前記封止部の前記基板からの高さと略等しいか高いことを特徴とする半導体発光装置に存する（請求項１）。
【００１０】
このとき、前記配線基板の支持体の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい（請求項２）。
【００１１】
また、前記配線基板の支持体が、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、Ｃｕ及びＡｌのいずれか１以上からなることが好ましい（請求項３）。
【００１２】
さらに、前記半導体発光素子は、その発光面が前記配線基板と対向するように設置されることが好ましい（請求項４）。
【００１３】
また、前記堰が稜線を有さないことが好ましい（請求項５）。
【００１４】
本発明の別の要旨は、本発明の半導体発光装置の製造方法であって、前記配線基板上に前記堰を設ける工程と、前記封止部を該基板上に塗設する工程とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法に存する（請求項６）。
【００１５】
このとき、前記堰を設ける工程において、堰を設ける手段が、予め成形された前記堰の実装、ディスペンサーによる描画法、スクリーン印刷法、およびレジスト法のいずれか１以上であることが好ましい（請求項７）。
【００１６】
本発明の更に別の要旨は、支持体及び配線を備える配線基板と、複数の発光部とを有する半導体発光装置であって、前記発光部は、前記配線基板上に配置された１つ以上の半導体発光素子と、前記配線基板上に前記半導体発光素子を取り囲むように形成された絶縁性の堰と、前記配線基板上の前記堰に囲われた領域に形成され前記半導体発光素子を封止する封止部とを備え、前記配線基板の支持体の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする半導体発光装置に存する（請求項８）。
【００１７】
さらに、上述した本発明の半導体発光装置においては、前記配線基板の支持体がベースメタルで形成され、ベースメタルと配線との間に絶縁層を有することが好ましい（請求項９）。
【００１８】
また、配線基板の配線が、白色コーティング層で被覆されていることが好ましい（請求項１０）。
【００１９】
さらに、前記絶縁層及び／又は前記白色コーティング層は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂を含有することが好ましい（請求項１１）。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、パッケージが不要で安価な半導体発光装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明について実施形態を示して説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において任意に変更して実施することができる。
【００２２】
〔実施形態〕
図１〜図３は本発明の一実施形態の半導体発光装置１００を説明するもので、図１は半導体発光装置を模式的に示す平面図であり、図２は半導体発光装置の発光部の一つを拡大して模式的に示す平面図であり、図３は半導体発光装置の発光部の一つの縦断面を模式的に示す断面図である。
【００２３】
図１示すように、本実施形態の半導体発光装置１００は、配線基板１と、複数（本実施形態では４つ）の発光部２とを有する。また、図２，３に示すように、発光部２は、配線基板１上に配置された１つ以上の半導体発光素子２１と、配線基板１上に半導体発光素子２１を取り囲むように形成された絶縁性の堰２２と、配線基板１上の堰２２に囲われた領域に形成され半導体発光素子２１を封止する封止部２３とを備えて構成されている。
【００２４】
（１．配線基板）
配線基板１は図１〜３に示すように半導体発光装置１００を支持するとともに、半導体発光素子２１へ電力を供給するための配線（図示省略）を支持体の表層に備えた基板である。本実施形態では、平板状の支持体の表面に配線がプリントされたプリント配線基板を配線基板１として用い、図示しない外部電力から電力を供給されるようになっているものとする（後述する図４，５参照）。本実施形態では配線基板１の片面に直接半導体発光素子２１を設けるため、配線も前記の片面にのみ設置すればよい。このように片面のみに配線を設置すればよいことは、通常は配線基板の両面に配線を要するＳＭＤ型の半導体発光装置と比較してコスト面で有利であり、好ましい。ただし、配線基板１の形状及び配線の設置手段等は半導体発光装置１００の用途等に応じて任意に設定できる。
【００２５】
配線基板１の支持体は、その熱伝導率が、通常５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。配線基板１の支持体の熱伝導率を前記のように高く設定することにより、半導体発光素子２１から発せられる熱を外部に効率よく放熱することができる。特に、本実施形態の半導体発光装置１００では、配線基板１の裏面に配線を設ける必要が無いため、配線基板１の裏面に直接ヒートシンクを設けるダイレクトヒートシンクが可能であり、従来のようにパッケージが介在していた場合と比較して、優れた放熱性が得られる。この際、ヒートシンクと配線基板１とは一体型になっていてもよい。また、発光部２が蛍光体（後述する）を備える場合は、蛍光体は一般に温度変化により輝度が変動する傾向があることから、前記の良好な放熱性は大きな利点となる。なお、熱伝導率は、例えばレーザーフラッシュ法により測定できる。
【００２６】
前記のように配線基板１の支持体の熱伝導率を高くする観点から、配線基板１の支持体は、熱伝導率が高い材料により形成することが好ましく、具体例を挙げるとＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、Ｃｕ及びＡｌのいずれか１以上からなることが好ましい。なお、配線基板１の支持体を形成する材料は１種のみでもよく、２種以上でもよい。さらに、必ずしも熱伝導率が高い材料のみにより形成されていなくてもよく、例えば、前記熱伝導率が高い材料で形成された基板表面に別の材料でコーティング及び配線形成を施す等、多様な材料を組み合わせて構成することも可能である。
【００２７】
配線基板１の上面は、その上または近傍に形成される発光部２の発光に対する反射率の高い材料で覆われていることが好ましい。このため、配線基板１の上面に露出する電極部（図示せず）の表層は、例えば銀やアルミニウム系の素材とすると、広い波長範囲にわたり高い反射率を有するので好ましい。
【００２８】
必要に応じ、封止されず露出した配線の上に白色コーティング層（後述する図４，５を参照）を設けることで配線を保護することができる。この白色コーティング層も、例えば白色ソルダーレジストや白色セラミックスなどの反射率の高いもので形成することが好ましい。白色ソルダーレジストとしては、例えば太陽インキ製造株式会社の高反射率白色現像型ソルダーレジスト「ＰＳＲ−４０００」などを好適に使用することができる。
また、白色コーティング層として、ポリエーテルエーテルケトン（polyetheretherketone。以下、適宜「ＰＥＥＫ」と略称する。）樹脂を好適に使用することができる。さらに、白色フィラーを含有する白色ＰＥＥＫ樹脂を用いると、半導体発光素子２１の光が効率よく反射されるため高輝度の半導体発光装置を提供することができる。
ＰＥＥＫ樹脂としては、例えば、Ｖｉｃｔｒｅｘ（ビクトレックス）社製「ＶｉｃｔｒｅｘＰＥＥＫ」（登録商標）、ＰＥＥＫ樹脂フィルム及び片面銅張りＰＥＥＫ樹脂フィルムとしては三菱樹脂社製「ＩＢＵＫＩ」（登録商標）などが好適に挙げられる。
一方、白色フィラーとしては、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等を好適に使用することができる。
【００２９】
本発明の半導体発光装置においては、前記配線基板１の支持体が、Ｃｕ及びＡｌ等のベースメタルで形成されている場合は、支持体を形成するベースメタルと配線との間に絶縁層を有することが好ましい（図４参照）。
上記の絶縁層は樹脂により形成することもできる。絶縁層用樹脂は様々なものを使用できるが、例えば後述する発光部２が多くの熱を放出する場合、絶縁層用樹脂としては、融点が通常３００℃以上、好ましくは３１５℃以上、より好ましくは３２０℃以上の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。このように融点が高い熱可塑性樹脂を絶縁層に含有させることにより、半導体発光装置１００の耐熱性を向上させることができる。具体例を挙げると、エポキシ樹脂などの比較的低融点の樹脂で絶縁層を形成すると、変色、亀裂、剥離、変形収縮などの熱劣化が顕著に生じる場合があるが、このような場合であっても絶縁層用樹脂として融点が高いものを用いると、耐熱性を向上させて前記のような熱劣化を抑制できる。
さらに、例えば配線基板１をリフロー工程に提供する場合は、熱可塑性樹脂がリフロー耐性を有することが好ましく、その熱分解温度は通常２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは２８０℃以上が好ましい。また特に３００℃以上であれば高融点樹脂である観点から熱分解温度と融点の差が小さく特に好ましい。
なお、樹脂は単独で用いても良いが、耐熱性や難燃性、機械的特性の向上を目的として、例えばポリマーアロイとしたもの、ガラス繊維などの無機系フィラーにより強化されたものであっても良い。
【００３０】
上記の絶縁層用樹脂として好適なものの例を挙げると、ＰＥＥＫ樹脂が挙げられる。ＰＥＥＫ樹脂は、射出成形可能な熱可塑性樹脂としては特に高い耐熱性を有する芳香族系の樹脂であり、融点が３３４℃で、通常は２５０℃でも連続使用できる。またＰＥＥＫ樹脂は、半導体発光素子２１をＡｕ−Ｓｎ共晶はんだ等の鉛フリーはんだで配線基板１に接合する際に絶縁層を形成する樹脂の劣化が少ない点でも好ましい。
【００３１】
ＰＥＥＫ樹脂は機械的強度、強靭性及び成形性にも優れるため、例えば、各種一般照明の他、携帯機器用や車載用の照明及び表示機器の光源部を構成する配線基板用の絶縁層用樹脂として好ましく使用することができる。中でも、白色フィラーを含有する白色ＰＥＥＫ樹脂を用いると、半導体発光素子２１の光が効率よく反射されるため高輝度の半導体発光装置を提供することができる。
ＰＥＥＫ樹脂としては、例えば、Ｖｉｃｔｒｅｘ（ビクトレックス）社製「ＶｉｃｔｒｅｘＰＥＥＫ」（登録商標）、ＰＥＥＫ樹脂フィルム及び片面銅張りＰＥＥＫ樹脂フィルムとしては三菱樹脂社製「ＩＢＵＫＩ」（登録商標）などが好適に挙げられる。
【００３２】
また、後述する発光部２は通常は多くの熱や光を放出するので、前記の絶縁層を形成する素材は高熱伝導性（高放熱性）および紫外耐光性を兼ね備えたものがさらに好ましい。このような素材の例を挙げると、例えば高熱伝導フィラーを高密度に分散した高放熱性の樹脂系絶縁材料が挙げられる。高熱伝導性フィラーとしては、例えば、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化イットリウムなどの無機酸化物粒子やダイヤモンド粒子が挙げられるが、目的に応じて他の物質を選択することもでき、これらに限定されるものではない。なお、高熱伝導性フィラーは１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００３３】
または、半導体発光素子２１の発光波長が近紫外〜紫外領域である場合や、多数個の半導体発光素子２１を使用して光出力が大きい場合などには白色コーティング層用樹脂や絶縁層用樹脂の紫外耐光性が不十分となる可能性があるが、白色コーティング層用樹脂や絶縁層用樹脂の表面に、さらに、隠蔽性及び反射効率の高い無機の白色顔料（前記白色フィラー）を含有した白色コーティング材で被覆された樹脂系絶縁材料を用いることにより、白色コーティング層用樹脂又は絶縁層用樹脂の光劣化を抑制し、長期使用時にも着色やクラックの無い絶縁層とすることができると期待される。
【００３４】
さらに、配線基板１の積層構造は、配線基板１の片面のみに配線を設置すればよい。この場合、片面回路積層構造であってもよく、プリプレグによる片面多層回路積層構造であってもよい。
【００３５】
前記の説明に沿った配線基板１の構成の例を挙げると、図４及び図５に示すような構成が挙げられる。なお、図４はいわゆるメタルベースの配線基板の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図５はいわゆるセラミックスベースの配線基板の構成の一例を模式的に示す断面図である。図４において、配線基板１はＡｌ及びＣｕ等のベースメタルからなる支持体の表面に高い放熱性を有する絶縁層を設け、この絶縁層の表層にＣｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属層、又は前述の金属などの導体材料をインク化して印刷した印刷層によって配線を形成した構成となっている。配線材料は、中でも熱及び電気伝導率に優れ安価である観点からＣｕが好ましい。また、図５において、配線基板１はＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等のセラミックスからなる支持体の表層にＣｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属層、又は前述の金属やタングステンなどの導体材料をインク化して印刷した印刷層によって配線を形成した構成となっている。また、図４，５の両構成において、配線の表面は白色もしくは白色に近い色の白色コーティング層により保護されている。また、図５において白色コーティング層は配線基板１を構成するＡｌＮやＡｌ２Ｏ３などのセラミックスで形成してもよいし、白色フィラーを含有する白色ＰＥＥＫ樹脂で形成してもよい。さらに、図４，５の両構成において、反射率の向上を目的として露出する配線の表面はＡｇ又はＡｇ含有合金などでメッキされていてもよい。また、電極マイグレーション耐性を向上させる目的や、はんだとの接着性を向上させる目的のために、露出する配線の表面は全部又は一部が金メッキされていても良い。
【００３６】
（２．発光部）
発光部２は、図１〜３に示すように配線基板１上に設けられたものである。この発光部２は、半導体発光素子２１と、堰２２と、封止部２３とを備えている。
【００３７】
（２−１．半導体発光素子）
半導体発光素子２１は図１〜３に示すように配線基板１上に配置される。この際、図３に示すように、ＳＭＤ型の半導体発光装置のようにパッケージによるサブマウントを行うことなく、半導体発光素子２１を配線基板１に直接設置する。
【００３８】
半導体発光素子２１としては、発光ダイオード（以下適宜、「ＬＥＤ」という）、レーザーダイオード（semiconductor laser diode。以下、適宜「ＬＤ」と略称する。）等が使用できる。中でも、半導体発光素子２１としては、ＧａＮ系化合物半導体を使用したＧａＮ系ＬＥＤ及びＬＤが好ましい。なぜなら、ＧａＮ系ＬＥＤ及びＬＤは、この領域の光を発するＳｉＣ系ＬＥＤ等に比し発光出力や外部量子効率が格段に大きく、蛍光体と組み合わせることによって非常に低電力で非常に明るい発光が得られるからである。例えば、２０ｍＡの電流負荷に対し、通常ＧａＮ系ＬＥＤ及びＬＤはＳｉＣ系の１００倍以上の発光強度を有する。ＧａＮ系ＬＥＤ及びＬＤにおいては、ＡｌＸＧａＹＮ発光層、ＧａＮ発光層、またはＩｎＸＧａＹＮ発光層を有しているものが好ましい。ＧａＮ系ＬＥＤにおいてはそれらの中でＩｎＸＧａＹＮ発光層を有するものが、発光強度が非常に強いので特に好ましく、ＧａＮ系ＬＤにおいてはＩｎＸＧａＹＮ層とＧａＮ層の多重量子井戸構造のものが、発光強度が非常に強いので特に好ましい。
なお、上記においてＸ＋Ｙの値は通常０．８〜１．２の範囲の値である。ＧａＮ系ＬＥＤにおいて、これら発光層にＺｎやＳｉをドープしたものやドーパント無しのものが発光特性を調節する上で好ましいものである。
ＧａＮ系ＬＥＤはこれら発光層、ｐ層、ｎ層、電極、及び基板を基本構成要素としたものであり、発光層をｎ型とｐ型のＡｌＸＧａＹＮ層、ＧａＮ層、又はＩｎＸＧａＹＮ層などでサンドイッチにしたヘテロ構造を有しているものが、発光効率が高く好ましく、更にヘテロ構造を量子井戸構造にしたものが、発光効率がさらに高くより好ましい。
【００３９】
本発明においては、通常、近紫外領域から青色領域までの発光波長を有する半導体発光素子を使用する。具体的には、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３３０ｎｍ以上、更に好ましくは３５０ｎｍ以上、また、通常４８０ｎｍ以下のピーク発光波長を有する半導体発光素子が使用される。短波長すぎると封止部２３で発光波長の光が吸収されて高輝度の半導体発光装置を得ることができない可能性があり、また発熱による半導体発光装置の熱劣化の原因となる可能性がある。長波長すぎると蛍光体を用いた波長変換を行うことができず、照明用途として有用な白色光を得ることが出来ない可能性がある。
【００４０】
半導体発光素子２１は、いわゆるフリップチップにより配置することが好ましい。半導体発光素子２１をフリップチップにより接続すれば、半導体発光素子２１から発せられる熱を効率よく放熱することが可能だからである。
また、従来の技術では封止材として高粘度のものを使用していたために、半導体発光素子２１をフリップチップにより配置した場合には配線基板と半導体発光素子との間の隙間に封止材が十分に充填できないことがあった。しかし、本実施形態では封止材として低粘度のものを使用できるため隙間に対しても十分な封止が可能であり、フリップチップを良好に適用できる。
【００４１】
ここでフリップチップとは、半導体発光素子２１（チップ）の回路面を配線基板１に対向する向きに設置し、半導体発光素子２１と配線基板１とを両者の間に設けられた導電性材料からなるバンプ２４により電気的に接続する技術である。半導体発光素子２１においては、フリップチップを適用すれば半導体発光素子２１がその発光面を配線基板１と対向するようになる。この場合、半導体発光素子２１から発せられる光は図３では半導体発光素子２１の下側の面及び側面から発せられることになり、通常は配線基板１の表面で反射してから外部に発せられるようになっている。また、半導体発光素子２１が透明である場合、当該光は配線基板１で反射する以外に、半導体発光素子２１を透過して外部に発せられることもある。
本実施形態においても、図３に示すように、半導体発光素子２１はフリップチップにより設置され、その発光面が配線基板１と対向するようになっているものとする。
【００４２】
また、半導体発光素子２１は、一つの発光部２当たり、１個を単独で設けてもよく、２個以上を設けてもよい。なかでも、堰２２を設けたり、封止を行なったりする工程を簡略化できる点、並びに、複数の半導体発光素子を用いることにより異なる発光部２の間で輝度及び発光波長のばらつきを平均化できる点から、一つの発光部２には２個以上の半導体発光素子２１を設けることが好ましい。本実施形態においては、一つの発光部２につき９個の半導体発光素子２１を設けた例を示す。
また、半導体発光素子２１の設置位置は、後述する堰２２の内側であれば特に制限はないが、通常は発光部２から発せられる光についてレンズ効果にばらつきが生じないようにする観点から、対称性を有する位置に設置することが好ましい。
【００４３】
（２−２．堰）
堰２２は、図１〜３に示すように配線基板１上に形成されるものであり、前記の半導体発光素子２１を取り囲むように形成されている。発光部２を形成する際、後述する封止部２３はこの堰２２に堰き止められるようにして形成される。したがって、堰２２が形成された寸法、形状、位置等に応じて封止部２３の寸法、形状、位置等が設定され、これにより、発光部２の位置、大きさ、デザイン等を決定付けることになる。
【００４４】
堰２２の形状に特に制限は無い。ただし、その断面形状は、通常、配線基板１表面に延在する凸状の部材として形成される。この際、堰２２は稜線を有していても良いが、稜線を有さない形状に形成することが好ましい。ここで稜線とは、堰２２の表面に長手方向に連続的に形成された角のことをいう。したがって、稜線を有さない形状とは、堰２２を長手方向に交差する面で切った場合に、当該断面が角を有さない形状を言う。したがって、堰２２は、例えば、図３に示すように表面が曲面のみで形成された断面略半円状（いわゆる、かまぼこ状）の部材として形成することが好ましい。堰２２の表面を滑らかな凸曲面のみで形成すれば、断面多角形状に形成した場合よりも堰２２における光取り出し効果が優れるからである。これは、堰２２の表面を滑らかな面で形成することにより、封止部２３内で導光されてきた光が堰２２に当たって反射する際、堰２２と封止部２３との接触部の上端から配線基板１等との接着面まで連続する滑らかな光を取り出すことができ、半導体発光装置１００を照明用光源とした時にホットスポットを解消することができる。さらに、堰２２は通常は封止部２３からの光をほとんど取り込まないように構成されるが、堰２２が透明であったり光散乱剤の濃度が低かったりする場合には封止部２３から堰２２にわずかに光が漏れこむことがある。この場合には堰２２内を導波した光は堰２２の稜線部から漏れ出し、堰２２の稜線部が光る現象が起きるため、この点からも堰２２は稜線を有さない構造とすることが好ましい。
一方、堰２２の平面形状は、通常、堰２２が半導体発光素子２１に接触することなく半導体発光素子２１を取り囲むように形成される。具体的な形状の例を挙げると、通常は図１，２に示すように円形であるが、楕円形状または多角形状であってもよい。
【００４５】
堰２２の寸法は、発光部２のデザインに応じて任意に設定することができる。ただし、中でも堰２２の高さ（図３の高さＨ１を参照）は、通常３００μｍ以上、好ましくは４００μｍ以上、より好ましくは５００μｍ以上、また、通常５ｍｍ以下、好ましくは２ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下である。堰２２が低すぎると半導体発光素子２１を十分に封止することができなくなる傾向があり、高すぎると機械的強度が不足したり堰２２により光が遮蔽され光取り出し効率が低下したりする傾向がある。
【００４６】
また、堰２２の幅（図３の幅Ｗを参照）は、通常２００μｍ以上、好ましくは３００μｍ以上、より好ましくは４００μｍ以上、また、通常２ｍｍ以下、好ましくは１．５ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下である。堰２２の幅が狭すぎると機械的強度が不足する可能性があり、広すぎると無駄となる可能性がある。
【００４７】
堰２２は絶縁性の部材として形成する。仮に堰２２を導電性の部材として形成すると、配線基板１に形成された配線と短絡を生じる可能性があるためである。
【００４８】
堰２２の色に制限は無いが、通常は透明又は白色に形成する。堰２２の表面における光の反射効率を高め、光を効率的に取り出すためである。
【００４９】
堰２２は、光散乱剤を含有することが好ましい。光散乱剤を含有する材料によって堰２２を形成することにより、半導体発光素子２１から堰２２が存在する方向に発せられた光は、堰２２によって散乱、反射されるため、半導体発光装置１００から配線基板１に平行な方向または平行に近い方向への光の放射を抑制することができるとともに、半導体発光素子２１から配線基板１に垂直に近い方向への光の取り出し効率を高めることができる。
【００５０】
また、半導体発光装置１００においては、堰２２は、封止部２３より屈折率が高いことが好ましい。封止部２３より屈折率の高い堰２２を用いることにより、半導体発光装置１００から堰２２が存在する方向に発せられた光は、堰２２によって反射されるため、半導体発光素子２１から配線基板１に平行な方向または平行に近い方向への光の放射を抑制することができるとともに、半導体発光素子２１から配線基板１に垂直な方向または垂直に近い方向の光の取り出し効率を高めることができる。
さらに、堰２２の表面における反射効率を高める観点からは、堰２２と封止部２３との屈折率の差は大きいことが好ましい。
【００５１】
堰２２の材料の好適な例を挙げると、絶縁性を有する観点から樹脂又はセラミックが挙げられ、中でも、低透湿、光伝送または遮断特性、並びに配線基板１に対する密着性などの観点から樹脂が好ましい。樹脂の中でも好適な例を挙げると、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。また、配線基板１、封止部２３に対する密着性などの観点から、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂が特に好ましい。中でも透明である点から、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂が好ましい。なお、堰２２の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００５２】
中でも、堰２２を塗布等の手段により形成する場合、堰２２の材料としては、流体状の材料であって、何らかの硬化処理を施すことにより硬化する材料（硬化性材料）が好ましく、塗布操作時に硬化せず硬化操作時に硬化する材料が好ましい。この観点からは、硬化性材料としては、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などが好ましい。そのうち熱硬化性樹脂の中でも、できるだけ低温で硬化するものが、配線基板１や半導体発光素子２１などへの変質の影響が少なく、好ましい。
【００５３】
硬化性材料の硬化速度に制限は無いが、速いほど好ましい。塗布時の形状保持特性及び生産性に優れるからである。具体的な範囲を挙げると、通常１０時間以内、中でも５時間以内、特には３時間以内に硬化するものが好ましい。
また、硬化性材料によっては、硬化途中に粘度が一旦低下するものもある。しかし、形状保持特性が悪化することを防ぐ観点から、前記の粘度低下は小さく抑制することが好ましい。その実現のためには、極性や粘度等の硬化性材料の特性を改良するほか、チキソ性を付加する無機粒子を活用することも有効である。
【００５４】
硬化性材料の例としては、封止部２３の材料（封止材）として後で説明するものと同様のものを挙げることができる。ただし、堰２２と封止部２３とは前記のように光散乱剤を含有すること及び屈折率に差があることが好ましいため、封止部２３との関係で堰２２の材料は適切なものを選択することが好ましい。
【００５５】
また、堰２２は熱可塑性樹脂を用いて形成しても良い。この場合、熱可塑性樹脂としては耐熱性に優れ、反射率高く、強靭で、機械的強度及び加工性にも優れる樹脂が好ましい。その具体例を挙げると、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などのナイロン樹脂や芳香族ポリエステルなどの液晶ポリマー、ＰＥＥＫ樹脂などが挙げられる。中でも高融点で耐熱性高いポリフタルアミド樹脂及びＰＥＥＫ樹脂などが好ましく、ＰＥＥＫ樹脂が特に好ましい。ＰＥＥＫ樹脂としては、例えば、Ｖｉｃｔｒｅｘ（ビクトレックス）社製「ＶｉｃｔｒｅｘＰＥＥＫ」（登録商標）、ＰＥＥＫ樹脂フィルム及び片面銅張りＰＥＥＫ樹脂フィルムとしては三菱樹脂社製「ＩＢＵＫＩ」（登録商標）などが好適に挙げられる。
なお、熱可塑性樹脂により形成された堰２２も、熱硬化性樹脂を用いる場合と同様、稜線を有していても良いが、前述の理由により稜線を有さない形状にすることが好ましい。
【００５６】
また、堰２２には、本発明の効果を著しく損なわない限り、上記の樹脂などに、更にその他の成分を混合して用いることも可能である。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。その他の成分の例を挙げると、蛍光体、無機粒子などが挙げられる。なお、これらの蛍光体及び無機粒子については、封止部２３の項で後述する（２−３−２−１．蛍光体の項、及び、２−３−２−２．無機粒子の項を参照）。ただし、通常、堰２２は光を導波させにくいため、後述する蛍光体は堰２２には含有させないことが多い。
【００５７】
本実施形態では、透明の樹脂に無機粒子を分散させて屈折率が封止部２３よりも高くなるように調整した材料により堰２２が形成されているものとして説明を行う。
【００５８】
（２−３．封止部）
封止部２３は、図１〜３に示すように配線基板１上の堰２２に囲われた領域に形成される部材であり、半導体発光素子２１を封止するものである。封止部２３は、半導体発光素子２１を封止するとともに、半導体発光素子２１からの光を所定の位置に導光する導光部の役割を担保するものである。半導体発光素子２１から発せられた光は、この封止部２３内を導光されて外部に発せられるようになっている。
【００５９】
ただし半導体発光装置１００においては、図３に示すように、堰２２の配線基板１からの高さＨ１が、封止部２３の配線基板１からの高さＨ２と略等しいか高く形成されている。ここで略等しいとは、当該封止部２３の一部が堰２２よりも高く形成されていても、封止部２３がレンズ効果を発揮しない程度のものであれば、それを許容できる意味である。ただし、封止部２３の高さＨ２は堰２２の高さＨ１以下に形成することがより好ましい。封止部２３には可撓性、透明性などが要求されるのに加え、従来は形状保持性能を担保するために高粘度、高レベリング性を有する封止材を使用していた。ところが、封止材の物性を前記のように制御することは困難で実用化が困難であり、また、高粘度及び高レベリング性の封止材はポッティング等の操作が煩雑であった。これに対し、本発明では前記のように堰２２の高さＨ１と封止部２３の高さＨ２とを調整することで、封止部２３の形成材料である封止材の選択の幅を広げ、物性によらず広範な封止材により半導体発光素子２１を適切に封止できる。したがって、形状保持性能が高くない封止材を使用しても、封止材が流出して他の構成部品に影響を与えることはない。また、封止材の粘度・チキソ性などの物性の精密な制御が不要である。さらに、封止材として粘度が低いものを使用することが可能であるため、レベリング性と形状との両立が容易であり、このため封止部２３の形状を容易に制御でき、また、形成時の操作も容易である。また、特許文献２記載の従来技術のように粘度・チキソ性が高い封止材を使用すると、半導体発光素子を配線基板に実装した場合に半導体発光素子と配線基板との隙間に封止材が十分に充填しないことがあったが、本実施形態によれば粘度及びチキソ性が低い封止材を使用できるため、前記のように充填が不十分となることを防止できる。
【００６０】
封止部２３の表面２３ａは、平面又は凹面であることが好ましい。表面２３ａを凸面に形成すると当該凸面により形成されるレンズ面が形成されるが、通常はこのレンズ面は発光部２毎に不均一に形成されるため、各発光部２からの発光にばらつきが生じることが多いからである。また、半導体発光素子２１の位置により前記レンズ面が不均一となり、レンズ効果にばらつきが生じる傾向があるからである。これに対し、表面２３ａを平面又は凹面に形成すれば、このようなばらつきは生じず半導体発光装置１００から発せられる光を的確に制御できる。
なお、本実施形態では封止部２３の表面２３ａは、その中央部が窪んだ凹面として形成されているものとする。
【００６１】
さらに、封止部２３は均一に形成されていてもよいが、２以上の部分に区分されて形成されていてもよい。例えば、封止部２３を２層以上の層からなる多層構造に形成することも可能である。封止部２３を多層構造とする場合、各層の厚みを面内で均一とするために封止部２３の表面２３ａはできるだけ平面に近いことが好ましい。ただし、通常は生産性などの点から、封止部２３は均一に形成する。
【００６２】
また、封止材に関して言えば、半導体発光装置１００においては、半導体発光素子２１を封止している封止部２３は、光透過率が高い封止材により形成されていることが、半導体発光装置１００からの光取り出し効率を高める観点から、好ましい。中でも、以下に説明する硬化性材料を用いることが好ましい。
【００６３】
（２−３−１．硬化性材料）
硬化性材料は、流体状の材料であって、何らかの硬化処理を施すことにより硬化する材料のことをいう。また、流体状とは、例えば液状又はゲル状のことをいう。また、硬化性材料は、半導体発光素子２１からの光を所定の位置に導光する封止部２３の役割を担保するものである。さらに、硬化性材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。このような硬化性材料としては、無機系材料及び有機系材料並びに両者の混合物のいずれを用いることも可能である。
【００６４】
無機系材料としては、例えば、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液、またはこれらの組み合わせを固化した無機系材料（例えばシロキサン結合を有する無機系材料）等を挙げることができる。
【００６５】
一方、有機系材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等が挙げられる。具体例を挙げると、ポリメタアクリル酸メチル等のメタアクリル樹脂；ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体等のスチレン樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリエステル樹脂；フェノキシ樹脂；ブチラール樹脂；ポリビニルアルコール；エチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂；エポキシ樹脂；フェノール樹脂；シリコーン樹脂等が挙げられる。
【００６６】
これら硬化性材料の中では、特に大出力の半導体発光素子２１を用いる場合、耐熱性や耐光性等を目的として珪素含有化合物を使用することが好ましい。珪素含有化合物とは分子中に珪素原子を有する化合物をいい、ポリオルガノシロキサン等の有機材料（シリコーン系材料）、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等の無機材料、及びホウケイ酸塩、ホスホケイ酸塩、アルカリケイ酸塩等のガラス材料を挙げることができる。中でも、透明性、接着性、ハンドリングの容易さ、機械的、熱適応力の緩和特性に優れる等の点から、シリコーン系材料が好ましい。
【００６７】
シリコーン系材料とは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい、例えば、下記の一般組成式（１）で表わされる化合物及び／又はそれらの混合物が挙げられる。(R1R2R3SiO1/2)M(R4R5SiO2/2)D(R6SiO3/2)T(SiO4/2)Q・・・式（１）
【００６８】
一般組成式（１）において、Ｒ１からＲ６は、有機官能基、水酸基及び水素原子よりなる群から選択されるものを表わす。なお、Ｒ１からＲ６は、同じであってもよく、異なってもよい。
また、一般組成式（１）において、Ｍ、Ｄ、Ｔ及びＱは、０以上１未満の数を表わす。ただし、Ｍ＋Ｄ＋Ｔ＋Ｑ＝１を満足する数である。
なお、前記のシリコーン系材料を硬化性材料として用いる場合、その塗布に際しては、液状のシリコーン系材料を用いて封止した後、熱や光によって硬化させればよい。
【００６９】
シリコーン系材料を硬化のメカニズムにより分類すると、通常、付加重合硬化タイプ、縮重合硬化タイプ、紫外線硬化タイプ、パーオキサイド架硫タイプなどのシリコーン系材料を挙げることができる。これらの中では、付加重合硬化タイプ（付加型シリコーン系材料）、縮合硬化タイプ（縮合型シリコーン系材料）、紫外線硬化タイプが好適である。以下、付加型シリコーン系材料、及び縮合型シリコーン系材料について説明する。
【００７０】
付加型シリコーン系材料とは、ポリオルガノシロキサン鎖が、有機付加結合により架橋されたものをいう。代表的なものとしては、例えばビニルシランとヒドロシランとをＰｔ触媒などの付加型触媒の存在下で反応させて得られる、Ｓｉ−Ｃ−Ｃ−Ｓｉ結合を架橋点に有する化合物等を挙げることができる。これらは市販のものを使用することができ、例えば付加重合硬化タイプの具体的商品名としては信越化学工業社製「ＬＰＳ−１４００」「ＬＰＳ−２４１０」「ＬＰＳ−３４００」等が挙げられる。
【００７１】
上記付加型シリコーン系材料は、具体的には、例えば下記平均組成式（２）で表される（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサンと、下記平均組成式（３）で表される（Ｂ）ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサンとを、（Ａ）の総アルケニル基に対して（Ｂ）の総ヒドロシリル基量が０．５〜２．０倍となる量比で混合し、触媒量の（Ｃ）付加反応触媒の存在下反応させて得ることが出来る。
【００７２】
（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、下記組成式（２）で示される１分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合したアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。
ＲｎＳｉＯ〔（４−ｎ）／２〕          （２）
（但し、式（２）中、Ｒは同一又は異種の置換又は非置換の１価炭化水素基、アルコキシ基、又は水酸基であり、ｎは１≦ｎ＜２を満たす正数である。ただし、Ｒのうち少なくとも１つはアルケニル基である。）
【００７３】
（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンは、下記組成式（３）で示される１分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。
Ｒ’ａＨｂＳｉＯ〔（４−ａ−ｂ）／２〕            （３）
（但し、式（３）中、Ｒ’はアルケニル基を除く同一又は異種の置換又は非置換の１価の炭化水素基であり、ａ及びｂは０．７≦ａ≦２．１、０．００１≦ｂ≦１．０かつ、０．８≦ａ＋ｂ≦２．６を満たす正数である。）
【００７４】
以下、付加型シリコーン樹脂につき更に詳しく説明する。
上記式（２）のＲにおいて、アルケニル基とはビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基などの炭素数２〜８のアルケニル基であることが好ましい。また、Ｒが炭化水素基である場合は、メチル基、エチル基などのアルキル基、ビニル基、フェニル基等の炭素数１〜２０の１価炭化水素基から選択されるものが好ましく、より好ましくは、メチル基、エチル基、フェニル基である。Ｒはそれぞれ異なっても良いが、耐ＵＶ性が要求される場合にはＲの８０％以上はメチル基であることが好ましい。Ｒが炭素数１〜８のアルコキシ基や水酸基であってもよいが、アルコキシ基や水酸基の含有率は（Ａ）の重量の３％以下であることが好ましい。
上記組成式（２）において、ｎは１≦ｎ＜２を満たす正数であるが、この値が２以上であると封止材としての十分な強度が得られなくなり、１未満であると合成上このオルガノポリシロキサンの合成が困難になる。
なお、（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、１種のみを用いても良く、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００７５】
次に、（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンは、（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサンとヒドロシリル化反応をすることにより、組成物を硬化させる架橋剤として作用するものである。
組成式（３）において、Ｒ’はアルケニル基を除く一価の炭化水素基を表わす。ここで、Ｒ’としては、組成式（２）中のＲと同様の基（ただし、アルケニル基を除く）を挙げることができる。また、耐ＵＶ性要求される用途に用いる場合には少なくとも８０％以上はメチル基であることが好ましい。
組成式（３）において、ａは、通常０．７以上、好ましくは０．８以上であり、通常２．１以下、好ましくは２以下の正の数である。また、ｂは、通常０．００１以上、好ましくは０．０１以上であり、通常１．０以下の正の数である。ただし、ａ＋ｂは、０．８以上、好ましくは１以上であり、２．６以下、好ましくは２．４以下である。
さらに、（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンは、１分子中に少なくとも２個、好ましくは３個以上のＳｉＨ結合を有する。
この（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分岐状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、１分子中のケイ素原子の数（又は重合度）は、３〜１０００、特に３〜３００のものを使用することができる。
なお、（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンは、１種のみを用いても良く、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００７６】
上記（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンの配合量は、（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの総アルケニル基量に依存する。具体的には、（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの総アルケニル基に対して、（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンの総ＳｉＨ量が、通常０．５モル倍以上、好ましくは０．８モル倍以上、また、通常２．０モル倍以下、好ましくは１．５モル倍以下となる量とすればよい。
【００７７】
（Ｃ）付加反応触媒は、（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサン中のＳｉＨ基とのヒドロシリル化付加反応を促進するための触媒である。この（Ｃ）付加反応触媒としては、例えば、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。
なお、（Ｃ）付加反応触媒は、１種のみを用いても良く、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
この付加反応触媒の配合量は触媒量とすることができるが、通常、白金族金属として、（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン及び（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンの合計重量に対して、１ｐｐｍ以上、特に２ｐｐｍ以上、また、５００ｐｐｍ以下、特に１００ｐｐｍ以下配合することが好ましい。
【００７８】
付加型シリコーン系材料を得るための組成物には、上記（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン、（Ｂ）ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサン及び（Ｃ）付加反応触媒に加え、任意成分として硬化性、ポットライフを与えるための付加反応制御剤、硬度・粘度を調節するための例えばアルケニル基を有する直鎖状のジオルガノポリシロキサンの他にも直鎖状の非反応性オルガノポリシロキサン、ケイ素原子数が２〜１０個程度の直鎖状又は環状の低分子オルガノポリシロキサンなどを本発明の効果を損なわない範囲で含有させても良い。
【００７９】
上記組成物の硬化条件は特に制限されないが、１２０〜１８０℃、３０〜１８０分の条件とすることが好ましい。得られる硬化物が硬化後にも柔らかいゲル状である場合には、ゴム状や硬質プラスチック状のシリコーン樹脂と比較して線膨張係数大きいため、室温付近の低温にて１０〜３０時間硬化することにより内部応力の発生を抑制することができる。
【００８０】
付加型シリコーン系材料は公知のものを使用することができ、さらには金属やセラミックスへの密着性を向上させる添加剤や有機基を導入しても良い。例えば、特許３９０９８２６号公報、特許３９１００８０号公報、特開２００３−１２８９２２号公報、特開２００４−２２１３０８号公報、特開２００４−１８６１６８号公報に記載のシリコーン材料が好適である。
【００８１】
一方、縮合型シリコーン系材料とは、例えば、アルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合で得られるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を架橋点に有する化合物を挙げることができる。具体的には、下記一般式（４）及び／又は（５）で表わされる化合物、及び／又はそのオリゴマーを加水分解・重縮合して得られる重縮合物（加水分解・重縮合物）が挙げられる。
【００８２】
Ｍｍ＋ＸｎＹ１ｍ−ｎ        （４）
（式（４）中、Ｍはケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、及びチタンからなる群より選択される少なくとも１種の元素を表わし、Ｘは加水分解性基を表わし、Ｙ１は１価の有機
基を表わし、ｍはＭの価数を表わす１以上の整数を表わし、ｎはＸ基の数を表わす１以上の整数を表わす。但し、ｍ≧ｎである。）
【００８３】
（Ｍｓ＋ＸｔＹ１ｓ−ｔ−１）ｕＹ２        （５）
（式（５）中、Ｍはケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、及びチタンからなる群より選択される少なくとも１種の元素を表わし、Ｘは加水分解性基を表わし、Ｙ１は１価の有機基を表わし、Ｙ２はｕ価の有機基を表わし、ｓはＭの価数を表わす１以上の整数を表わし、ｔは１以上ｓ−１以下の整数を表わし、ｕは２以上の整数を表わす。）
【００８４】
また、縮合型シリコーン系材料には硬化触媒を含有させておいても良い。硬化触媒としては、本発明の効果を著しく損なわない限り任意のものを用いることができ、例えば、金属キレート化合物などを好適に用いることができる。金属キレート化合物は、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、スズ、亜鉛、チタン及びタンタルからなる群より選ばれるいずれか１以上を含むものが好ましく、Ｚｒを含むものがさらに好ましい。なお、硬化触媒は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００８５】
このような縮合型シリコーン系材料としては、例えば、特願２００６−４７２７４号〜４７２７７号明細書（例えば特開２００７−１１２９７３号〜１１２９７５号公報、特開２００７−１９４５９号公報）及び特願２００６−１７６４６８号明細書に記載の半導体発光デバイス用部材が好適である。
縮合型シリコーン系材料の中で、特に好ましい材料について、以下に説明する。
【００８６】
シリコーン系材料は、一般に半導体発光素子２１及び当該素子２１を配置する配線基板１等との接着性が弱いことが多い。そこで、本発明に係る硬化性材料としては密着性が高いシリコーン系材料を用いることが好ましく、特に、以下の特徴〈１〉〜〈３〉のうち、１つ以上を有する縮合型シリコーン系材料を用いることがより好ましい。
〈１〉ケイ素含有率が２０重量％以上である。
〈２〉後に詳述する方法によって測定した固体Ｓｉ−核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルにおいて、下記（ａ）及び／又は（ｂ）のＳｉに由来するピークを少なくとも１つ有する。
（ａ）ピークトップの位置がシリコーンゴム（ポリジメチルシロキサン）を基準としてケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上、０ｐｐｍ以下の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上、３．０ｐｐｍ以下であるピーク。
（ｂ）ピークトップの位置がシリコーンゴム（ポリジメチルシロキサン）を基準としてケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上、−４０ｐｐｍ未満の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上５．０ｐｐｍ以下であるピーク。
〈３〉シラノール含有率が０．０１重量％以上、１０重量％以下である。
【００８７】
本発明に係る硬化性材料としては、上記の特徴〈１〉〜〈３〉のうち、特徴〈１〉を有するシリコーン系材料が好ましい。さらに好ましくは、上記の特徴〈１〉及び〈２〉を有するシリコーン系材料が好ましい。特に好ましくは、上記の特徴〈１〉〜〈３〉を全て有するシリコーン系材料が好ましい。以下、上記の特徴〈１〉〜〈３〉について説明する。
【００８８】
・特徴〈１〉（ケイ素含有率）
本発明に係る硬化性材料として好適なシリコーン系材料のケイ素含有率は、通常２０重量％以上であるが、中でも２５重量％以上が好ましく、３０重量％以上がより好ましい。一方、上限としては、ＳｉＯ２のみからなるガラスのケイ素含有率が４７重量％であるという理由から、通常４７重量％以下の範囲である。
【００８９】
なお、シリコーン系材料のケイ素含有率は、例えば以下の方法を用いて誘導結合高周波プラズマ分光（inductively coupled plasma spectrometry：以下適宜「ＩＣＰ」と略する。）分析を行ない、その結果に基づいて算出することができる。
【００９０】
｛ケイ素含有率の測定｝
シリコーン系材料を白金るつぼ中にて大気中、４５０℃で１時間、次いで７５０℃で１時間、９５０℃で１．５時間保持して焼成し、炭素成分を除去した後、得られた残渣少量に１０倍量以上の炭酸ナトリウムを加えてバーナー加熱し溶融させ、これを冷却して脱塩水を加え、更に塩酸にてｐＨを中性程度に調整しつつケイ素として数ｐｐｍ程度になるよう定容し、ＩＣＰ分析を行なう。
【００９１】
・特徴〈２〉（固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル）
本発明に係る硬化性材料として好適なシリコーン系材料の固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルを測定すると、有機基の炭素原子が直接結合したケイ素原子に由来する前記（ａ）及び／又は（ｂ）のピーク領域に少なくとも１本、好ましくは複数本のピークが観測される。
【００９２】
ケミカルシフト毎に整理すると、本発明に係る硬化性材料として好適なシリコーン系材料において、前記（ａ）に記載のピークの半値幅は、分子運動の拘束が小さいために全般に前記（ｂ）に記載のピークの場合より小さく、通常３．０ｐｐｍ以下、好ましくは２．０ｐｐｍ以下、また、通常０．３ｐｐｍ以上の範囲である。
一方、前記（ｂ）に記載のピークの半値幅は、通常５．０ｐｐｍ以下、好ましくは４．０ｐｐｍ以下、また、通常０．３ｐｐｍ以上、好ましくは０．４ｐｐｍ以上の範囲である。
【００９３】
上記のケミカルシフト領域において観測されるピークの半値幅が大きすぎると、分子運動の拘束が大きくひずみの大きな状態となり、クラックが発生し易く、耐熱・耐候耐久性に劣る部材となる場合がある。例えば、四官能シランを多用した場合や、乾燥工程において急速な乾燥を行ない大きな内部応力を蓄えた状態などにおいて、半値幅範囲が上記の範囲より大きくなることがある。また、ピークの半値幅が小さすぎると、その環境にあるＳｉ原子はシロキサン架橋に関わらないことになり、三官能シランが未架橋状態で残留する例など、シロキサン結合主体で形成される物質より耐熱・耐候耐久性に劣る部材となる場合がある。但し、大量の有機成分中に少量のＳｉ成分が含まれるシリコーン系材料においては、−８０ｐｐｍ以上に上述の半値幅範囲のピークが認められても、良好な耐熱・耐光性及び塗布性能は得られない場合がある。
【００９４】
本発明に係る硬化性材料として好適なシリコーン系材料のケミカルシフトの値は、例えば、以下の方法を用いて固体Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ない、その結果に基づいて算出することができる。また、測定データの解析（半値幅やシラノール量解析）は、例えばガウス関数やローレンツ関数を使用した波形分離解析等により、各ピークを分割して抽出する方法で行なう。
【００９５】
｛固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定及びシラノール含有率の算出｝
シリコーン系材料について固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルを行なう場合、以下の条件で固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定及び波形分離解析を行なう。また、得られた波形データより、シリコーン系材料について、各々のピークの半値幅を求める。また、全ピーク面積に対するシラノール由来のピーク面積の比率より、全ケイ素原子中のシラノールとなっているケイ素原子の比率（％）を求め、別に分析したケイ素含有率と比較することによりシラノール含有率を求める。
【００９６】
｛装置条件｝
装置：Chemagnetics社 Infinity CMX-400  核磁気共鳴分光装置
２９Ｓｉ共鳴周波数：７９．４３６ＭＨｚ
プローブ：７．５ｍｍφＣＰ／ＭＡＳ用プローブ
測定温度：室温
試料回転数：４ｋＨｚ
測定法：シングルパルス法
１Ｈデカップリング周波数：５０ｋＨｚ
２９Ｓｉフリップ角：９０゜
２９Ｓｉ９０゜パルス幅：５．０μｓ
繰り返し時間：６００ｓ
積算回数：１２８回
観測幅：３０ｋＨｚ
ブロードニングファクター：２０Ｈｚ
基準試料  固体２９Ｓｉ基準試料用シリコーンゴム（ポリジメチルシロキサン）
【００９７】
｛データ処理例｝
シリコーン系材料については、５１２ポイントを測定データとして取り込み、８１９２ポイントにゼロフィリングしてフーリエ変換する。
｛波形分離解析法｝
フーリエ変換後のスペクトルの各ピークについてローレンツ波形及びガウス波形或いは両者の混合により作成したピーク形状の中心位置、高さ、半値幅を可変パラメータとして、非線形最小二乗法により最適化計算を行なう。
なお、ピークの同定は、AIChE Journal, 44(5), p.1141, 1998年等を参考にする。
【００９８】
・特徴〈３〉（シラノール含有率）
本発明に係る硬化性材料として好適なシリコーン系材料は、硬化物中のシラノール含有率が、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．３重量％以上、また、通常１０重量％以下、好ましくは８重量％以下、更に好ましくは５重量％以下の範囲である。シラノール含有率を低くすることにより、シラノール系材料は経時変化が少なく、長期の性能安定性に優れ、吸湿性の低い優れた性能を有する。但し、シラノールが全く含まれない部材は密着性に劣るため、シラノール含有率に上記のごとく最適な範囲が存在する。
【００９９】
なお、シリコーン系材料のシラノール含有率は、例えば、前記の｛固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定及びシラノール含有率の算出｝の項において説明した方法を用いて固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定を行ない、全ピーク面積に対するシラノール由来のピーク面積の比率より、全ケイ素原子中のシラノールとなっているケイ素原子の比率（％）を求め、別に分析したケイ素含有率と比較することにより算出することができる。
【０１００】
また、本発明に係る硬化性材料として好適なシリコーン系材料は、適当量のシラノールを含有しているため、配線基板１、堰２２及び封止部２３等の表面に存在する極性部分にシラノールが水素結合し、密着性が発現する。極性部分としては、例えば、水酸基やメタロキサン結合の酸素等が挙げられる。
さらに、本発明に係る硬化性材料として好適なシリコーン系材料は、適切な触媒の存在下で加熱することにより、配線基板１、堰２２及び封止部２３等の部材の表面の水酸基との間に脱水縮合による共有結合を形成し、更に強固な密着性を発現することができる。
【０１０１】
一方、シラノールが多過ぎると、系内が増粘して塗布が困難になったり、活性が高くなり加熱により軽沸分が揮発する前に固化したりすることによって、発泡や内部応力の増大が生じ、クラックなどを誘起する場合がある。
【０１０２】
ところで、硬化性材料として前記のアルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合物を用いる場合には、当該加水分解・重縮合物はエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの他の硬化性材料と比較して低粘度であり、かつ後述する蛍光体や無機粒子とのなじみが良く、高濃度の無機粒子を分散しても十分に塗布性能を維持することが出来る利点を有する。また、必要に応じて重合度の調整やアエロジル等のチキソ材を含有させることにより高粘度にすることも可能であり、目的の蛍光体含有量及び／又は無機粒子含有量に応じた粘度の調整幅が大きく、塗布対象物の種類や形状さらにはポッティング、スピンコート、印刷などの各種塗布方法に柔軟に対応できる。
【０１０３】
（２−３−２．その他の成分）
封止材には、本発明の効果を著しく損なわない限り、上記の無機系材料及び／又は有機系材料などに、更にその他の成分を混合して用いることも可能である。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。その他の成分の例を挙げると、蛍光体、無機粒子などが挙げられる。
【０１０４】
（２−３−２−１．蛍光体）
封止材に蛍光体を含有させることにより、封止部２３を、蛍光体を含有する部材（以下適宜、「蛍光体含有部」という）として形成することができる。この場合には、半導体発光素子２１から発せられた光を封止部２３内で蛍光体により波長変換し、その波長変換した光を発光部２から発することができる。通常、発光部２から発せられる光は半導体発光素子２１から発せられた光と蛍光体が波長変換して発する蛍光との混色となるので、これを利用して、発光部２の発光の色を調整することが可能である。
なお、蛍光体は１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても良い。
【０１０５】
蛍光体の組成には特に制限はないが、結晶母体であるＹ２Ｏ３、Ｚｎ２ＳｉＯ４等に代表される金属酸化物、Ｃａ５（ＰＯ４）３Ｃｌ等に代表されるリン酸塩及びＺｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳ等に代表される硫化物に、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類金属のイオンやＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｂ等の金属のイオンを付活剤または共付活剤として組み合わせたものが好ましい。
【０１０６】
結晶母体の好ましい例としては、例えば、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ、ＳｒＧａ２Ｓ４、ＳｒＳ、ＺｎＳ等の硫化物、Ｙ２Ｏ２Ｓ等の酸硫化物、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２、ＹＡｌＯ３、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７、（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、ＢａＡｌ１２Ｏ１９、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・Ａｌ２Ｏ３、ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８、ＳｒＡｌ２Ｏ４、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２等のアルミン酸塩、Ｙ２ＳｉＯ５、Ｚｎ２ＳｉＯ４等の珪酸塩、ＳｎＯ２、Ｙ２Ｏ３等の酸化物、ＧｄＭｇＢ５Ｏ１０、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３等の硼酸塩、Ｃａ１０（ＰＯ４）６（Ｆ，Ｃｌ）２、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２等のハロリン酸塩、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７、（Ｌａ，Ｃｅ）ＰＯ４等のリン酸塩等を挙げることができる。
【０１０７】
ただし、上記の結晶母体及び付活剤または共付活剤は、元素組成には特に制限はなく、同族の元素と一部置き換えることもでき、得られた蛍光体は近紫外から可視領域の光を吸収して可視光を発するものであれば用いることが可能である。
具体的には、蛍光体として以下に挙げるものを用いることが可能であるが、これらはあくまでも例示であり、本発明で使用できる蛍光体はこれらに限られるものではない。なお、本明細書における蛍光体の例示では、構造の一部のみが異なる蛍光体を、適宜省略して示している。例えば、「Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ３＋」、「Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ３＋」及び「Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋」を「Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋」と、「Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ」、「Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ」及び「（Ｌａ，Ｙ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ」を「（Ｌａ，Ｙ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ」とまとめて示している。省略箇所はカンマ（，）で区切って示す。
【０１０８】
・赤色蛍光体
赤色の蛍光を発する蛍光体（以下適宜、「赤色蛍光体」という）が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、ピーク波長が、通常５７０ｎｍ以上、好ましくは５８０ｎｍ以上、また、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６８０ｎｍ以下が望ましい。
【０１０９】
このような赤色蛍光体としては、例えば、赤色破断面を有する破断粒子から構成され、赤色領域の発光を行なう（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、赤色領域の発光を行なう（Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活希土類オキシカルコゲナイド系蛍光体等が挙げられる。
【０１１０】
さらに、特開２００４−３００２４７号公報に記載された、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、及びＭｏよりなる群から選ばれる少なくも１種の元素を含有する酸窒化物及び／又は酸硫化物を含有する蛍光体であって、Ａｌ元素の一部又は全てがＧａ元素で置換されたアルファサイアロン構造をもつ酸窒化物を含有する蛍光体も用いることができる。なお、これらは酸窒化物及び／又は酸硫化物を含有する蛍光体である。
【０１１１】
また、そのほか、赤色蛍光体としては、（Ｌａ，Ｙ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ等のＥｕ付活酸硫化物蛍光体、Ｙ（Ｖ，Ｐ）Ｏ４：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ等のＥｕ付活酸化物蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｂａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活珪酸塩蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ等のＥｕ付活硫化物蛍光体、ＹＡｌＯ３：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、ＬｉＹ９（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ、Ｃａ２Ｙ８（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ、Ｓｒ２ＢａＳｉＯ５：Ｅｕ等のＥｕ付活珪酸塩蛍光体、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｔｂ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ等のＣｅ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＳｉＮ２：Ｅｕ、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ等のＥｕ付活窒化物蛍光体、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｃｅ等のＣｅ付活窒化物蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロリン酸塩蛍光体、（Ｂａ３Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）３（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活珪酸塩蛍光体、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ等のＭｎ付活ゲルマン酸塩蛍光体、Ｅｕ付活αサイアロン等のＥｕ付活酸窒化物蛍光体、（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）２Ｏ３：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活酸化物蛍光体、（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活酸硫化物蛍光体、（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）ＶＯ４：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活バナジン酸塩蛍光体、ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕ，Ｃｅ等のＥｕ，Ｃｅ付活硫化物蛍光体、ＣａＬａ２Ｓ４：Ｃｅ等のＣｅ付活硫化物蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＰ２Ｏ７：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活リン酸塩蛍光体、（Ｙ，Ｌｕ）２ＷＯ６：Ｅｕ，Ｍｏ等のＥｕ，Ｍｏ付活タングステン酸塩蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ｘＳｉｙＮｚ：Ｅｕ，Ｃｅ（但し、ｘ、ｙ、ｚは、１以上の整数）等のＥｕ，Ｃｅ付活窒化物蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＨ）：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロリン酸塩蛍光体、（（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ，Ｔｂ）１−ｘＳｃｘＣｅｙ）２（Ｃａ，Ｍｇ）１−ｒ（Ｍｇ，Ｚｎ）２＋ｒＳｉｚ−ｑＧｅｑＯ１２＋δ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体等を用いることも可能である。
【０１１２】
赤色蛍光体としては、β−ジケトネート、β−ジケトン、芳香族カルボン酸、又は、ブレンステッド酸等のアニオンを配位子とする希土類元素イオン錯体からなる赤色有機蛍光体、ペリレン系顔料（例えば、ジベンゾ｛［ｆ，ｆ’］−４，４’，７，７’−テトラフェニル｝ジインデノ［１，２，３−ｃｄ：１’，２’，３’−ｌｍ］ペリレン）、アントラキノン系顔料、レーキ系顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラセン系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料、フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系塩基性染料、インダンスロン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料、ジオキサジン系顔料を用いることも可能である。
【０１１３】
また、赤色蛍光体のうち、ピーク波長が５８０ｎｍ以上、好ましくは５９０ｎｍ以上、また、６２０ｎｍ以下、好ましくは６１０ｎｍ以下の範囲内にあるものは、橙色蛍光体として好適に用いることができる。このような橙色蛍光体の例としては、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｍｇ）３（ＰＯ４）２：Ｓｎ２＋、ＳｒＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｅｕ付活αサイアロン等のＥｕ付活酸窒化物蛍光体等が挙げられる。
【０１１４】
・緑色蛍光体
緑色の蛍光を発する蛍光体（以下適宜、「緑色蛍光体」という）が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、ピーク波長が、通常４９０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、また、通常５７０ｎｍ以下、好ましくは５５０ｎｍ以下が望ましい。
【０１１５】
このような緑色蛍光体として、例えば、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行なう（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行なう（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類シリケート系蛍光体等が挙げられる。
【０１１６】
また、そのほか、緑色蛍光体としては、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）Ａｌ２Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２（Ｍｇ，Ｚｎ）Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕ等のＥｕ付活珪酸塩蛍光体、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活珪酸塩蛍光体、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７−Ｓｒ２Ｂ２Ｏ５：Ｅｕ等のＥｕ付活硼酸リン酸塩蛍光体、Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８−２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ等のＥｕ付活ハロ珪酸塩蛍光体、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ等のＭｎ付活珪酸塩蛍光体、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ等のＴｂ付活アルミン酸塩蛍光体、Ｃａ２Ｙ８（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｔｂ、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４：Ｔｂ等のＴｂ付活珪酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ，Ｔｂ，Ｓｍ等のＥｕ，Ｔｂ，Ｓｍ付活チオガレート蛍光体、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇａ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ等のＣｅ付活アルミン酸塩蛍光体、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｃａ３（Ｓｃ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｌｉ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ等のＣｅ付活酸化物蛍光体、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、Ｅｕ付活βサイアロン等のＥｕ付活酸窒化物蛍光体、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活アルミン酸塩蛍光体、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ等のＴｂ付活酸硫化物蛍光体、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活リン酸塩蛍光体、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ等の硫化物蛍光体、（Ｙ，Ｇａ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ）ＢＯ３：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｎａ２Ｇｄ２Ｂ２Ｏ７：Ｃｅ，Ｔｂ、（Ｂａ，Ｓｒ）２（Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）Ｂ２Ｏ６：Ｋ，Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活硼酸塩蛍光体、Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロ珪酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）２Ｓ４：Ｅｕ等のＥｕ付活チオアルミネート蛍光体やチオガレート蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ）８（Ｍｇ，Ｚｎ）（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロ珪酸塩蛍光体等を用いることも可能である。
【０１１７】
また、緑色蛍光体としては、ピリジン−フタルイミド縮合誘導体、ベンゾオキサジノン系、キナゾリノン系、クマリン系、キノフタロン系、ナルタル酸イミド系等の蛍光色素、ヘキシルサリチレートを配位子として有するテルビウム錯体等の有機蛍光体を用いることも可能である。
【０１１８】
・青色蛍光体
青色の蛍光を発する蛍光体（以下適宜、「青色蛍光体」という）が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、ピーク波長が、通常４２０ｎｍ以上、好ましくは４４０ｎｍ以上、また、通常４８０ｎｍ以下、好ましくは４７０ｎｍ以下が望ましい。
【０１１９】
このような青色蛍光体としては、規則的な結晶成長形状としてほぼ六角形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行なうＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活バリウムマグネシウムアルミネート系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行なう（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活ハロリン酸カルシウム系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ立方体形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行なう（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２Ｂ５Ｏ９Ｃｌ：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類クロロボレート系蛍光体、破断面を有する破断粒子から構成され、青緑色領域の発光を行なう（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕまたは（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類アルミネート系蛍光体等が挙げられる。
【０１２０】
また、そのほか、青色蛍光体としては、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ等のＳｎ付活リン酸塩蛍光体、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、ＢａＡｌ８Ｏ１３：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｃｅ等のＣｅ付活チオガレート蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｔｂ，Ｓｍ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，ＯＨ）：Ｅｕ，Ｍｎ，Ｓｂ等のＥｕ付活ハロリン酸塩蛍光体、ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ等のＥｕ付活珪酸塩蛍光体、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ等のＥｕ付活リン酸塩蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等の硫化物蛍光体、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体、ＣａＷＯ４等のタングステン酸塩蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＢＰＯ５：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｓｒ，Ｃａ）１０（ＰＯ４）６・ｎＢ２Ｏ３：Ｅｕ、２ＳｒＯ・０．８４Ｐ２Ｏ５・０．１６Ｂ２Ｏ３：Ｅｕ等のＥｕ，Ｍｎ付活硼酸リン酸塩蛍光体、Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８・２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ等のＥｕ付活ハロ珪酸塩蛍光体等を用いることも可能である。
また、青色蛍光体としては、例えば、ナフタル酸イミド系、ベンゾオキサゾール系、スチリル系、クマリン系、ピラゾリン系、トリアゾール系化合物の蛍光色素、ツリウム錯体等の有機蛍光体等を用いることも可能である。
【０１２１】
・黄色蛍光体
黄色の蛍光を発する蛍光体（以下適宜、「黄色蛍光体」という。）が発する蛍光の具体的な波長の範囲を例示すると、通常５３０ｎｍ以上、好ましくは５４０ｎｍ以上、より好ましくは５５０ｎｍ以上、また、通常６２０ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲にあることが好適である。黄色蛍光体の発光ピーク波長が短すぎると黄色成分が少なくなり演色性が劣ることとなる可能性があり、長すぎると封止部２３から発せられる光の輝度が低下する可能性がある。
【０１２２】
このような黄色蛍光体としては、例えば、各種の酸化物系、窒化物系、酸窒化物系、硫化物系、酸硫化物系等の蛍光体が挙げられる。特に、ＲＥ３Ｍ５Ｏ１２：Ｃｅ（ここで、ＲＥは、Ｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍの少なくとも１種類の元素を表わし、Ｍは、Ａｌ，Ｇａ，Ｓｃの少なくとも１種類の元素を表わす。）やＭ２３Ｍ３２Ｍ４３Ｏ１２：Ｃｅ（ここで、Ｍ２は２価の金属元素、Ｍ３は３価の金属元素、Ｍ４は４価の金属元素）等で表わされるガーネット構造を有するガーネット系蛍光体、ＡＥ２Ｍ５Ｏ４：Ｅｕ（ここで、ＡＥは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎの少なくとも１種類の元素を表わし、Ｍ５は、Ｓｉ，Ｇｅの少なくとも１種類の元素を表わす。）等で表わされるオルソシリケート系蛍光体、これらの系の蛍光体の構成元素の酸素の一部を窒素で置換した酸窒化物系蛍光体、ＡＥＡｌＳｉＮ３：Ｃｅ（ここで、ＡＥは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎの少なくとも１種類の元素を表わす。）等のＣａＡｌＳｉＮ３構造を有する窒化物系蛍光体等のＣｅで付活した蛍光体などが挙げられる。
また、そのほか、黄色蛍光体としては、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ（Ｃａ，Ｓｒ）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）（Ｇａ，Ａｌ）２Ｓ４：Ｅｕ等の硫化物系蛍光体、Ｃａｘ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ等のＳｉＡｌＯＮ構造を有する酸窒化物系蛍光体等のＥｕで付活した蛍光体を用いることも可能である。
【０１２３】
・その他の蛍光体
蛍光体としては、上述したもの以外の蛍光体を含有させることも可能である。例えば、封止部２３自体をイオン状の蛍光物質や有機・無機の蛍光成分を均一・透明に溶解・分散させた蛍光ガラスで形成することもできる。
【０１２４】
・蛍光体の粒径
蛍光体の粒径は特に制限はないが、中央粒径（Ｄ５０）で、通常０．１μｍ以上、好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。また、通常１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。蛍光体の中央粒径（Ｄ５０）が上記範囲にある場合は、蛍光体含有部において、半導体発光素子２１から発せられた光が充分に散乱される。また、半導体発光素子２１から発せられた光が充分に蛍光体粒子に吸収されるため、波長変換が高効率に行なわれると共に、蛍光体から発せられる光が全方向に照射される。これにより、複数種類の蛍光体を使用した場合には、各蛍光体からの一次光を混色して所望の色（例えば、白色）にすることができると共に、均一な色と照度が得られる。一方、蛍光体の中央粒径（Ｄ５０）が上記範囲より大きい場合は、蛍光体が封止部２３の空間を充分に埋めることができないため、半導体発光素子２１から伝達された光が充分に蛍光体に吸収されない可能性がある。また、蛍光体の中央粒径（Ｄ５０）が、上記範囲より小さい場合は、蛍光体の発光効率が低下するため、照度が低下する可能性がある。
【０１２５】
蛍光体粒子の粒度分布（ＱＤ）は、蛍光体含有部での粒子の分散状態をそろえるために小さい方が好ましいが、小さくするためには分級収率が下がってコストアップにつながるので、通常０．０３以上、好ましくは０．０５以上、更に好ましくは０．０７以上である。また、通常０．４以下、好ましくは０．３以下、更に好ましくは０．２以下である。
なお、中央粒径（Ｄ５０）および粒度分布（ＱＤ）は、重量基準粒度分布曲線から求めることが出来る。前記重量基準粒度分布曲線は、レーザ回折・散乱法により粒度分布を測定し得られるもので、具体的には、例えば以下のように測定することが出来る。
【０１２６】
｛重量基準粒度分布曲線の測定方法｝
（１）気温２５℃、湿度７０％の環境下において、エチレングリコールなどの溶媒に蛍光体を分散させる。
（２）レーザ回折式粒度分布測定装置（堀場製作所  ＬＡ−３００）により、粒径範囲０．１μｍ〜６００μｍにて測定する。
（３）この重量基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値を中央粒径Ｄ５０と表記する。また、積算値が２５％及び７５％の時の粒径値をそれぞれＤ２５、Ｄ７５と表記し、ＱＤ＝（Ｄ７５−Ｄ２５）／（Ｄ７５＋Ｄ２５）と定義する。ＱＤが小さいことは粒度分布が狭いことを意味する。
【０１２７】
また、蛍光体粒子の形状も、蛍光体含有部の形成に影響を与えない限り、任意である。例えば、封止部２３の形成のための封止材の流動性等に影響を与えない限り、特に限定されない。
【０１２８】
・蛍光体の表面処理
蛍光体は、耐水性を高める目的で、または封止部２３中で蛍光体の不要な凝集を防ぐ目的で、表面処理が行なわれていてもよい。かかる表面処理の例としては、特開２００２−２２３００８号公報に記載の有機材料、無機材料、ガラス材料などを用いた表面処理、特開２０００−９６０４５号公報等に記載の金属リン酸塩による被覆処理、金属酸化物による被覆処理、シリカコート等の公知の表面処理などが挙げられる。
【０１２９】
表面処理の具体例を挙げると、例えば蛍光体の表面に上記金属リン酸塩を被覆させるには、以下の（ｉ）〜（iii）の表面処理を行なう。
（ｉ）所定量のリン酸カリウム、リン酸ナトリウムなどの水溶性のリン酸塩と、塩化カルシウム、硫酸ストロンチウム、塩化マンガン、硝酸亜鉛等のアルカリ土類金属、Ｚｎ及びＭｎの中の少なくとも１種の水溶性の金属塩化合物とを蛍光体懸濁液中に混合し、攪拌する。
（ii）アルカリ土類金属、Ｚｎ及びＭｎの中の少なくとも１種の金属のリン酸塩を懸濁液中で生成させると共に、生成したこれらの金属リン酸塩を蛍光体表面に沈積させる。
（iii）水分を除去する。
【０１３０】
また、表面処理の他の例のうち好適な例を挙げると、シリカコートとしては、水ガラスを中和してＳｉＯ２を析出させる方法、アルコキシシランを加水分解したものを表面処理する方法（例えば、特開平３−２３１９８７号公報）等が挙げられ、分散性を高める点においてはアルコキシシランを加水分解したものを表面処理する方法が好ましい。
【０１３１】
・蛍光体の混合方法
蛍光体粒子を封止材に含有させる際の混合方法は特に制限されない。例えば封止材として硬化性材料を用いる場合、蛍光体粒子の分散状態が良好であれば、上述の硬化性材料に後混合するだけでよい。即ち、硬化性材料と蛍光体とを混合し、この蛍光体を含有する硬化性材料を用意して、この蛍光体を含有する硬化性材料を塗布して封止部２３等の蛍光体含有部を作製すればよい。また、例えばアルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合を硬化性材料として用いる場合、その硬化性材料中で蛍光体粒子の凝集が起こりやすいのであれば、加水分解前の原料化合物を含む反応用溶液に蛍光体粒子を前もって混合し、蛍光体粒子の存在下で加水分解・重縮合を行なうと、粒子の表面が一部シランカップリング処理され、蛍光体粒子の分散状態が改善される。
【０１３２】
なお、蛍光体の中には加水分解性のものもあるが、前記のアルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合物を硬化性材料として用いた場合には、塗布前の流体状態において、水分はシラノール体として潜在的に存在し、遊離の水分はほとんど存在しないので、そのような蛍光体でも加水分解してしまうことなく使用することが可能である。また、加水分解・重縮合後の硬化性材料を脱水・脱アルコール処理を行なってから使用すれば、そのような蛍光体との併用が容易となる利点もある。
【０１３３】
また、前記のアルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合物を硬化性材料として用い、さらに、蛍光体粒子や無機粒子を硬化性材料に含有させる場合には、粒子表面に分散性改善のため有機配位子による修飾を行なうことも可能である。他の付加型シリコーン樹脂は、このような有機配位子により硬化阻害を受けやすく、このような表面処理を行なった粒子を混合・硬化することができない場合がある。これは、付加反応型シリコーン樹脂に使用されている白金系の硬化触媒が、これらの有機配位子と強い相互作用を持ち、ヒドロシリル化の能力を失い、硬化不良を起こすためである。このような被毒物質としてはＮ、Ｐ、Ｓ等を含む有機化合物の他、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｂｉ、Ａｓ等の重金属のイオン性化合物、アセチレン基等、多重結合を含む有機化合物（フラックス、アミン類、塩ビ、硫黄加硫ゴム）などが挙げられる。これに対し、前記のアルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合物は、これらの被毒物質による硬化阻害を起こしにくい縮合型の硬化機構によるものである。このため、前記のアルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合物は、有機配位子により表面改質した蛍光体粒子や無機粒子、さらには錯体蛍光体などの蛍光成分との混合使用の自由度が大きく、蛍光体バインダや高屈折率ナノ粒子導入透明材料として優れた特徴を備えるものである。
【０１３４】
・蛍光体の含有率
封止部２３中における蛍光体の含有率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であり、その適用形態により自由に選定できる。ただし、蛍光体を用いる場合、封止部２３中の蛍光体総量として、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、また、通常３５重量％以下、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２８重量％以下である。
一般に、半導体発光素子２１から導光される光の発光色と蛍光体の発光色とを混色して発光部２において所望の発光色を得る場合、半導体発光素子２１から発せられる光に封止部２３を一部透過させることになるため、蛍光体含有率は低濃度となり、上記範囲の下限近くの領域となる。一方、半導体発光素子２１から発せられる光を全て蛍光体発光色に変換して発光部２において所望の発光色を得る場合には、高濃度の蛍光体が好ましいため、蛍光体含有率は上記範囲の上限近くの領域となる。蛍光体含有率がこの範囲より多いと塗布性能が悪化したり、光学的な干渉作用により蛍光体の利用効率が低くなり、輝度が低くなったりする可能性がある。また、蛍光体含有率がこの範囲より少ないと、蛍光体による波長変換が不十分となり、発光部２において目的とする発光色を得られなくなる可能性がある。
【０１３５】
ただし、前記の蛍光体の含有率は、特に白色の光を得る場合に好適なものである。したがって、封止部２３における具体的な蛍光体含有率は目的色、蛍光体の発光効率、混色形式、蛍光体比重、塗布膜厚、封止部２３の形状により多様であり、この限りではない。
【０１３６】
なお、前記の蛍光体の含有率は、蛍光体組成が特定出来ていれば、蛍光体含有試料を粉砕後予備焼成し炭素成分を除いた後にフッ酸処理によりケイ素成分をケイフッ酸として除去し、残渣を希硫酸に溶解して主成分の金属元素を水溶液化し、ＩＣＰや炎光分析、蛍光Ｘ線分析などの公知の元素分析方法により主成分金属元素を定量し、計算により蛍光体含有率を求めることが出来る。また、蛍光体形状や粒径が均一で比重が既知であれば塗布物断面の画像解析により単位面積あたりの粒子個数を求め蛍光体含有率に換算する簡易法も用いることが出来る。
【０１３７】
（２−３−２−２．無機粒子）
封止材には、光学的特性や作業性を向上させるため、また、以下の〔１〕〜〔５〕の何れかの効果を得ることを目的として、更に無機粒子を含有させても良い。なお、無機粒子は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１３８】
〔１〕封止材に無機粒子を光散乱剤として含有させることにより、当該封止部２３を散乱部とすることができる。この場合、半導体発光素子２１から伝送された光を散乱部となった封止部２３において散乱させることができ、封止部２３から外部に発せられる光の指向角を広げることが可能となる。また、蛍光体と組み合わせて無機粒子を光散乱剤として含有させれば、蛍光体に当たる光量を増加させ、波長変換効率を向上させることが可能となる。
〔２〕封止材に無機粒子を結合剤として含有させることにより、封止部２３においてクラックの発生を防止することができる。
〔３〕封止材に無機粒子を粘度調整剤として含有させることにより、当該封止材の粘度を高くすることができる。
〔４〕封止材に無機粒子を含有させることにより、封止部２３の収縮を低減することができる。
〔５〕封止材に無機粒子を含有させることにより、封止部２３の屈折率を調整して、光取り出し効率を向上させることができる。
【０１３９】
ただし、封止材に無機粒子を含有させる場合、その無機粒子の種類及び量によって得られる効果が異なる。
例えば、無機粒子が粒径約１０ｎｍの超微粒子状シリカ、ヒュームドシリカ（乾式シリカ。例えば、「日本アエロジル株式会社製、商品名：ＡＥＲＯＳＩＬ＃２００」、「トクヤマ社製、商品名：レオロシール」等）の場合、封止材のチクソトロピック性が増大するため、上記〔３〕の効果が大きい。
また、例えば、無機粒子が粒径約数μｍの破砕シリカ若しくは真球状シリカの場合、チクソトロピック性の増加はほとんど無く、当該無機粒子を含む部材の骨材としての働きが中心となるので、上記〔２〕及び〔４〕の効果が大きい。
また、例えば、封止材に用いられる他の化合物（前記の無機系材料及び／又は有機系材料などの硬化性材料）とは屈折率が異なる粒径約１μｍの無機粒子を用いると、前記化合物と無機粒子との界面における光散乱が大きくなるので、上記〔１〕の効果が大きい。
また、例えば、封止材に用いられる他の化合物より屈折率の大きな、中央粒径が通常１ｎｍ以上、好ましくは３ｎｍ以上、また、通常１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下、具体的には発光波長以下の粒径をもつ無機粒子を用いると、当該無機粒子を含む部材の透明性を保ったまま屈折率を向上させることができるので、上記〔５〕の効果が大きい。
【０１４０】
従って、混合する無機粒子の種類は目的に応じて選択すれば良い。また、その種類は単一でも良く、複数種を組み合わせてもよい。また、分散性を改善するためにシランカップリング剤などの表面処理剤で表面処理されていても良い。
【０１４１】
・無機粒子の種類
使用する無機粒子の種類としては、例えば、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化イットリウムなどの無機酸化物粒子やダイヤモンド粒子が挙げられるが、目的に応じて他の物質を選択することもでき、これらに限定されるものではない。
【０１４２】
無機粒子の形態は粉体状、スラリー状等、目的に応じいかなる形態でもよいが、透明性を保つ必要がある場合は、当該無機粒子を含有させる部材に含有されるその他の材料と屈折率を同等としたり、水系・溶媒系の透明ゾルとして封止材に加えたりすることが好ましい。
【０１４３】
・無機粒子の中央粒径
これらの無機粒子（一次粒子）の中央粒径は特に限定されないが、通常、蛍光体粒子の１／１０以下程度である。具体的には、目的に応じて以下の中央粒径のものが用いられる。例えば、無機粒子を光散乱材として用いるのであれば、その中央粒径は通常０．０５μｍ以上、好ましくは０．１μｍ以上、また、通常５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下である。また、例えば、無機粒子を骨材として用いるのであれば、その中央粒径は１μｍ〜１０μｍが好適である。また、例えば、無機粒子を増粘剤（チキソ剤）として用いるのであれば、その中央粒径は１０〜１００ｎｍが好適である。また、例えば、無機粒子を屈折率調整剤として用いるのであれば、その中央粒径は１〜１０ｎｍが好適である。
【０１４４】
・無機粒子の混合方法
無機粒子を混合する方法は特に制限されない。通常は、蛍光体と同様に遊星攪拌ミキサー等を用いて脱泡しつつ混合することが推奨される。例えばアエロジルのような凝集しやすい小粒子を混合する場合には、粒子混合後必要に応じビーズミルや三本ロールなどを用いて凝集粒子の解砕を行なってから蛍光体等の混合容易な大粒子成分を混合しても良い。
【０１４５】
・無機粒子の含有率
封止材中における無機粒子の含有率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であり、その適用形態により自由に選定できる。ただし、当該無機粒子を含有する部材における無機粒子の含有率は、その適用形態により選定することが好ましい。例えば、無機粒子を光散乱剤として用いる場合は、その部材内における含有率は０．０１〜１０重量％が好適である。また、例えば、無機粒子を骨材として用いる場合は、その部材内における含有率は１〜５０重量％が好適である。また、例えば、無機粒子を増粘剤（チキソ剤）として用いる場合は、その部材内における含有率は０．１〜２０重量％が好適である。また、例えば、無機粒子を屈折率調整剤として用いる場合は、その部材内における含有率は１０〜８０重量％が好適である。無機粒子の量が少なすぎると所望の効果が得られなくなる可能性があり、多すぎると硬化物の密着性、透明性、硬度等の諸特性に悪影響を及ぼす可能性がある。
【０１４６】
なお、無機粒子の含有率は、前出の蛍光体の含有率と同様に測定することが出来る。
【０１４７】
本実施形態においては、封止部２３は透明の封止材に蛍光体を分散させて構成されているものとする。
【０１４８】
（２−４．発光部に関するその他の事項）
半導体発光装置１００においては、発光部２は複数設けられる。本実施形態では図１に示すように発光部２を４つ設けた例を挙げているが、発光部２の数は２以上であれば４つに限定されるものではない。このように発光部２を複数設けることにより、照明用途に適した面発光体を得ることが出来る。
【０１４９】
また、複数設けられた発光部２から発せられる光は同じであってもよく、異なっていてもよい。例えば、半導体発光装置１００を青色、緑色又は赤色の発光装置として構成する場合は、それぞれ、全ての発光部２から青色、緑色又は赤色の光が発せられるように半導体発光素子２１及び蛍光体を選択すればよい。また、半導体発光装置１００を白色の発光装置として構成する場合は、発光部２のいずれかが青色、いずれかが緑色、残りが赤色の光を発するように半導体発光素子２１及び蛍光体を選択し、その光の混色が白色となるようにすればよい。前記のように複数ある発光部２の色が互いに異なる場合は、外部の調光回路によりこれらの発光部２の発光強度を独立に調節し、半導体発光装置１００から発せられる光の色調を可変とすることができる利点がある。また例えば、複数ある発光部２のいずれかが白色で、他が赤、青、緑、電球色の何れかから選択される組み合わせとなるように白色の発光装置を構成しても良い。この場合には、半導体発光装置１００から発せられる光が単色のみを混色するより短い距離で混色可能となり、より薄型の調光可能照明装置とすることができる。
本実施形態では、前記混色により半導体発光装置１００から白色の光が発せられるように構成されているものとする。
【０１５０】
配線基板１のどの位置に発光部２を設けるかについても制限はなく、半導体発光装置１００の用途等に応じて任意に設定できる。本実施形態の半導体発光装置１００においてはパッケージを使用することなく発光部２を構成しているため、発光部２間の距離を小さくすることができ、これに伴って半導体発光素子２１間の距離も小さくすることができるため、半導体発光装置１００から発せられる光の輝度むらを抑制できる。
【０１５１】
（３．作用）
以上のような半導体発光装置１００によれば、半導体発光素子２１から発せられた光は封止部２３内の蛍光体により波長変換され、発光部２から半導体発光装置１００の外部に発せられる。この際、各発光部２から発せられた光が異なっている場合には、各発光部２から発せられた光が混色された色（本実施形態では白色）の光が半導体発光装置１００から発せられることになる。
【０１５２】
また、本実施形態の半導体発光装置１００は、発光部２を複数備えるとともに、それぞれの発光部２から発せられる光の色が異なっている。このため、半導体発光素子２１から発せられる光の強さを発光部２毎に制御することで、半導体発光装置１００から発せられる光の色調を調整することができる。例えば、赤みを帯びた白色の光を半導体発光装置１００から発するようにしたい場合には、赤色の光に対応する発光部２内の半導体発光素子２１に供給する電力を、それ以外の発光部２内の半導体発光素子２１に供給する電力に比べて大きくなるように制御すればよい。これにより長期使用時の蛍光体劣化等に伴う半導体発光装置１００の色ずれの補正や、生活リズムや使用環境に合わせた色調の調整を簡便に行なうことができ、より快適な照明光源とすることが可能となる。
【０１５３】
ところで、白色光源としての用途に注目すると、半導体発光装置１００を一般照明用途や色調可変の照明用白色光源として使用する場合には、半導体発光素子２１の発光波長は近紫外から紫外の光であることが特に好ましい。この場合、半導体発光素子２１が発する光のピーク発光波長の具体的数値としては、通常３５０ｎｍ以上、好ましくは３８０ｎｍ以上、また、通常４３０ｎｍ以下、好ましくは４２０ｎｍ以下である。また、蛍光体は近紫外から紫外の光を赤、青、緑に変換するものを各々選択することが特に好ましい。これらの組み合わせにより得られる白色光源は、色調を変化させた際に平均演色性指数Ｒａの変動及び発光効率の変動が少なく、特に赤みの強い電球色など色温度が低い領域において青励起の白色光源より発光効率の低下が少ない。この結果調光による不要な輝度の変化や駆動電圧変動、演色指数の低下が起きにくく調光回路設計に対する負荷が小さくなり、安価で高品質の照明装置を構成することが可能となる。
【０１５４】
（４．製造方法）
半導体発光装置１００の製造を行うためには、例えば、配線基板１上に堰２２を設ける堰形成工程と、封止部２３を配線基板１上に塗設する封止部塗設工程とを行えばよい。以下、この製造方法について説明する。
【０１５５】
（４−１．堰形成工程）
半導体発光装置１００の形成には、まず配線基板１を用意する。通常、この配線基板１に半導体発光素子２１を配置した後、当該配線基板１上に堰２２を設ける。ただし、半導体発光素子２１は、堰２２を設けた後、封止部２３を塗設する前に配線基板１に配置してもよい。
【０１５６】
堰２２を設ける手段に制限は無いが、通常は、堰２２の材料を配線基板１上の所望の部位に配置することで、当該材料により所望の形状を描画して、堰２２を形成する。この場合、描画の方法に制限は無いが、例えば、インクジェット、ディスペンサー等による描画法；凹版印刷、凸版印刷、平板印刷、孔版印刷（スクリーン印刷等）等の印刷法；レジスト法などを用いることができる。中でも、ディスペンサーによる描画法、スクリーン印刷、レジスト法が好ましい。
【０１５７】
ディスペンサーとは、液状の材料を定量計量し、定量吐出する装置である。この装置は通常、高精度に圧力、時間等を制御されたエアパルスを作り出し、これがシリンジ等の容器に注入された材料を様々なサイズ、形状のノズル先端から押し出すものである。この場合の温度、湿度、圧力などに制限は無いが、通常、０℃以上１００℃以下、湿度５ＲＨ％以上９０ＲＨ％以下、圧力１Ｐａ以上２００ｋＰａ以下で行なう。
【０１５８】
また、ディスペンサーでは、ノズル先端より吐出する材料を対象に滴下し、描画する。この描画は、手動、自動のいずれでも可能である。しかし、寸法の安定性の面から、自動のディスペンシングステージ（二次元の動きを記憶させたり、コンピュータにより制御させたりすることで、電子図面を直接描画させることができる装置）等を用いることが好ましい。
【０１５９】
また、シリンジ等の容器に材料を注入した後には、十分に泡抜き操作（脱泡操作）を行なうことが好ましい。材料に泡が混入すると、描画中にノズルからの吐出が断続的になり、描画精度の低下を招く可能性がある。また、肉眼では見えにくいような１００μｍ以下程度の泡も除去することが望ましい。
泡抜き操作の方法に制限は無いが、例えば、真空下で材料を遠心させ（自転、公転タイプ）、または、超音波をかけて泡抜きすることができる。また、シリンジ等の容器に注入する前、及び／又は、シリンジ等に注入した後に処理することが好ましい。更に、シリンジにノズルを接続するときに泡が混入することがあるので、描画前に十分にノズルからの吐出を行ない、吐出を安定させることも好ましい。
【０１６０】
ディスペンサーの操作条件と材料の特性とによって、堰２２の寸法をコントロールすることができる。例えば、堰２２の高さは、材料の粘度が高いほど、材料のチキソ性が高いほど、ノズル径が大きいほど、描画速度が遅いほど、硬化時の粘度低下が小さいほど、高くすることができる。また、重ね塗りを行なうことにより、更に高くすることも可能である。また、例えば、堰２２の幅は、材料の粘度が低いほど、チキソ性が低いほど、ノズル径が大きいほど、速度が遅いほど、粘度低下が大きいほど、広くできる。また、水平方向に隣接した多重描画を行なうことにより、更に広くすることができる。さらに、隣接する複数のノズルを備えたディスペンサーを用いると、一度の描画で水平方向に隣接した多重描画を行なうことが可能である。
【０１６１】
また、スクリーン印刷とは、孔版と呼ばれる印刷技術の一種であり、版に微細な孔を多数設け、圧力によって孔を通過した液状の材料を転写する印刷方法である。具体的には、メッシュとマスクで構成するスクリーンを印刷対象に重ねておき、上から材料を供給しながらステージでスクリーンを押し当てる。これにより、マスクの開口部に当たるメッシュから材料が吐出され、マスク開口部と同じ画像が形成される。
【０１６２】
スクリーン印刷の操作条件によって、堰２２の寸法をコントロールすることができる。例えば、堰２２の高さは、メッシュスクリーンの厚みが厚いほど、開口率が大きいほど、高くすることができる。また、繰り返し印刷することにより、更に高くすることも可能である。なお、堰２２の幅は、通常はマスクの寸法に従う。
【０１６３】
また、レジスト法とは、堰２２の材料としてレジスト材料を用いて、このレジスト材料を配線基板１へ塗布し、現像により所望の画像を形成させる方法である。レジスト材料としては、ポジ型、ネガ型のいずれのものを用いることもできる。ポジ型のレジスト材料としては、例えば感光性ポジ型樹脂または樹脂組成物を使用することができる。一方、ネガ型のレジスト材料としては、例えば光重合性及び／又は熱重合性の樹脂または樹脂組成物を使用することができる。配線基板１へのレジスト材料の塗布方法としては、従来公知の方法、例えば、スピナー法、ワイヤーバー法、フローコート法、スリット・アンド・スピン法、ダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法等によって行なうことができる。配線基板１へのレジスト材料の塗布後は、例えば感光性レジスト材料を用いる場合は、レジスト塗布の後、露光工程、現像工程、熱処理工程等を経て、所望の画像を形成することができる。
【０１６４】
また、堰２２を配線基板１の表面で硬化させるのではなく、予め成形した堰２２を用意し、用意した堰２２を配線基板１に実装することによって配線基板１上に堰２２を設けるようにしてもよい。成形方法としては、例えば、トランスファー成型法、射出成型法、インプリント法、スタンピング法など公知の成型法が挙げられる。特に、堰２２を熱可塑性樹脂等で形成する場合、前記のような成形方法を採用することが好ましい。ただし、熱可塑性樹脂により堰２２を形成する場合であっても、配線基板１の耐熱性が十分確保できるのであれば、高温のノズルから溶融した熱可塑性樹脂を配線基板１上に押し出して堰２２を描いても良い。しかし、熱可塑性樹脂は、通常２００℃を超える高融点であるので、配線基板１と堰２２との間に不要な応力が生じないようにまず目的の堰２２の形状に成型した後に配線基板１に熱融着又は接着させる方法が好ましい。
【０１６５】
上述した方法の中でも、ディスペンサーにより堰２２を設けることが好ましい。ディスペンサーを用いる場合、工程が複雑でないため、オーダーに応じた多種のデザイン設計が容易であり、また、堰２２を稜線を有さない形状にしてその表面を滑らかな凸曲面のみで形成できるため、封止部２３と堰２２との境界における光取り出し効果も優れるためである。
また、前記の方法は、２以上の方法を組み合わせて実施することもできる。
【０１６６】
なお、前記のように堰２２を稜線を有さない形状に形成する場合には、例えば、前記の方法により堰２２を形成した後、当該堰２２を熱溶融させる等の方法により、その表面を曲面状にする処理を行なうことが好ましい。
【０１６７】
（４−２．封止部塗設工程）
堰形成工程の後、封止材の塗布により、封止部２３を配線基板１上に塗設する封止部塗設工程を行なう。
前記の封止部２３を塗設する場合、封止材の塗布方法に制限はない。塗布方法の例を挙げると、キャスト法、スピン法、ディップ法などを用いることができる。キャスト法とは
、所定量の液状の封止材を塗布面にのせ、自動的に又は刷毛などにより塗り広げる方法である。また、スピン法とは、遠心力により塗布面に載せた液状の封止材を均一膜厚にする方法である。さらに、ディップ法とは、液状の封止材に塗布面を浸し、一定速度で引き上げることにより、塗布面に所定量の封止材を付着させる方法である。中でも、堰２２で囲まれた範囲に均一膜厚で封止材を塗布するにはキャスト法が好ましい。他の方法では、堰２２に液溜りが生じやすく、均一な膜厚を実現しにくいので、封止部２３における導光特性の悪化を招く可能性がある。
【０１６８】
キャスト法の塗布条件に制限は無いが、通常は、ディスペンサーを用いて所定量の封止材を所定の位置に吐出する。この際、粘性を低く調節した液状の封止材をディスペンサーで計量吐出し、時間をおいたり、振動を与えたりして、膜面を均一化（レベリング）させることが好ましい。また、膜面の均一化のためには、ディスペンサーのマルチノズルを用いることも有用である。
キャスト法で封止材の塗布を行なう場合の温度、湿度、圧力等の条件に制限は無いが、通常は、温度０℃以上１００℃以下、相対湿度５％以上９０％以下、圧力１Ｐａ以上２００ｋＰａ以下が好ましい。また、結露を生じるような環境は、好ましくない。
【０１６９】
封止材の塗布の際、形成する塗膜の厚さに制限は無いが、通常３００μｍ以上、中でも４００μｍ以上、特には５００μｍ以上が好ましく、また、通常５ｍｍ以下、中でも２ｍｍ以下、特には１ｍｍ以下が好ましい。塗膜が薄すぎると光の導光量が制限され、暗くなったり、蛍光体を分散した場合には波長変換が不十分となったりする可能性があり、厚すぎると重く大きくなるため、小型部品としての魅力が薄れる可能性がある。
【０１７０】
ただし、封止部２３の塗設の際、封止材は、通常、前記の堰２２を利用してその塗膜の各領域の形成位置を制御される。即ち、封止材が前記の堰２２によって堰き止められるようにして塗布される結果、形成される塗膜の平面形状（即ち、塗設される封止部２３の平面形状）は、堰２２により描画された形状に応じて堰２２に区画された領域ごとにその平面形状を制御される。
このように、堰形成工程の後で封止部塗設工程を行なうことで、予め設けておいた堰２２によって封止材の塗膜の平面形状（即ち、封止部２３の平面形状）を容易に且つ自由に設計できる。また、堰２２を利用して、堰２２により区画された領域毎に異なる封止材で、塗膜を容易且つ自由に設計できる。このため、大幅な形状及び規格の変更を行なわなくとも、封止部２３のデザインを自由に設計することが可能になっている。
【０１７１】
封止材を塗布した後、配線基板１上に塗布した封止材を硬化させて封止部２３を形成する。硬化の方法は、封止材の種類に応じて適切な条件を任意に選択すればよい。封止材は、通常、光硬化性、熱硬化性及び光熱硬化性のいずれかに分類されるため、各封止材のタイプに応じた条件を設定すればよい。
【０１７２】
例えば封止材が光硬化性である場合には、硬化に適した波長の光を照射すればよい。以下、具体例を挙げて説明する。
光硬化性の封止材には、重合して硬化に係る部分の構造に応じて、アクリル系、メタクリル系、エポキシ系などの種類がある。このうち、アクリル系及びメタクリル系のものは、通常、ラジカル発生型の重合開始剤を併用する。したがって、重合開始剤のラジカル発生に適した波長の光（例えば、紫外線）を照射して、当該アクリル系及びメタクリル系の封止材を硬化させればよい。このラジカル発生型の重合開始剤の例としては、アルキルフェノン系、アシルフォスフィンオキサイド系、チタノセン系、オキシムエステル系などが挙げられ、これらは１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。さらに、例えばアミノベンゾエート系等の重合促進剤を併用することもある。
【０１７３】
また、エポキシ系の封止材は、光のみで硬化するもの、及び、光と熱とのいずれでも硬化するものがある。通常、このエポキシ系の封止材を硬化させる場合には、カチオン発生型の重合開始剤を併用し、重合開始剤のカチオン発生に適した波長の光及び／又は熱を加えて硬化させる。このカチオン発生型の重合開始剤の例としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩などが挙げられ、これらは１種のみでも、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してでも用いられる。中でも、主に光のみで硬化させる場合には、ＰＦ６（ヘキサフルオロフォスフェート）の塩等が好適であり、また、光及び熱で硬化させる場合には、ＳｂＦ６（ヘキサフルオロアンチモン）の塩等が好適である。
【０１７４】
一方、封止材が熱硬化性である場合には、封止材を塗布後、加熱することにより硬化を行なう。加熱の方式に制限は無いが、例えば、熱風を当てる、ヒートブロックからの電熱を利用する、マイクロウェーブを利用する、輻射熱を利用する、などの方式が挙げられる。通常は、定置式の箱型オーブン、ホットプレート、電子レンジ、遠赤炉などを用いることが好ましい。
【０１７５】
封止材が重縮合型の硬化メカニズムをもつ場合には、通常、封止材中には重合に伴って揮発する成分が存在する。これらの揮発成分を除去することによって重合を更に促進できるため、硬化に用いる装置は、硬化の際の雰囲気を新鮮なガスで置換する手段を有することが好ましい。特に脱水縮合型の封止材の場合、例えば、定期的に硬化還流ガスの置換を行なったり、ガスの流通下で硬化を行なったり、流通ガスの乾燥を行なったり、硬化還流乾燥剤を配置したりすることが好ましい。ただし、硬化速度の制御により封止材の硬化物の表面性状又は内部応力を調節するときには、適宜、雰囲気ガスの置換量を制御することが好ましい。
【０１７６】
また、加熱炉を用いて加熱を行なう場合には、枚様処理、回分処理、移動ベルト、炉内を通過させる連続処理、担当数をまとめて炉に入れる処理のいずれを用いてもよく、生産性により選択できる。また、加熱炉としては、例えばトンネル炉、箱型炉などが好適に用いられる。
【０１７７】
ところで、堰２２及び封止部２３の材料の中には、硬化により収縮することがある。したがって、これらの材料は、圧縮や引張りに対して耐性を有していることが好ましい。以下、この点を、例を挙げて説明する。
通常、堰２２及び封止部２３に対して配線基板１は異なる熱膨張係数を有する。例えば、熱硬化時に熱によって硬化されると、当該硬化した封止部２３は室温に冷却される際に収縮することがある。その収縮の傾向が配線基板１の構成材料よりも封止部２３の構成材料の方が大きいと、大きな引っ張り応力が封止部２３に加わる。その際、応力を緩和できなくなると接着力の弱い部分に力が集中するため、剥離や割れが生じることがある。また、剥離や割れが生じない場合でも、配線基板１が変形することがある。剥離、破壊、変形等が生じると、そこで導光された光が遮断され、封止部２３が導光部材として機能しなくなる可能性がある。また、通常は半導体発光素子２１が発熱する。このため、半導体発光素子２１の直近では、半導体発光素子２１を構成する材料と封止部２３の構成材料との間での熱膨張係数の差により大きな応力が発生し、接着不良などが起きやすくなる。
以上のような観点から、封止部２３の材料自身が、大きく応力緩和するものが好ましい。具体的には、硬度が低いもの、及び／又は、ゴム性を有しているものが好ましい。
【０１７８】
具体的な物性値を挙げると、封止部２３の材料は、デュロメータタイプＡによる硬度測定値（ショアＡ）が、通常５以上、好ましくは７以上、より好ましくは１０以上、また、通常９０以下、好ましくは８０以下、より好ましくは７０以下である。上記範囲の硬度測定値を有することにより、半導体発光装置１００は、封止部２３にクラックが発生しにくく、耐リフロー性及び耐温度サイクル性に優れるという利点を得ることができる。
【０１７９】
また、半導体発光装置１００が直接露出する状態で使用される場合には、封止部２３の材料は外力によるワイヤの切断や半導体発光素子の破損を防止するに足りる機械的強度を有することが好ましい。この場合は、デュロメータタイプＤによる硬度測定値（ショアＤ）が、通常５以上、好ましくは７以上、より好ましくは１０以上、また、通常８０以下、好ましくは７０以下、より好ましくは６０以下である。ただしこのような高硬度の部材は前述の低硬度の部材と比較すると耐リフロー性や耐温度サイクル性に劣る場合があるので、半導体発光素子や配線の近傍に低硬度、外周部に高硬度の部材を用いて層構造としても良い。例えば上述した特徴〈１〉〜〈３〉のうち１つ以上を有する縮合型シリコーン系材料は、接着性に優れるため、層構造としても層間剥離することなく長期にわたり使用することができる。
【０１８０】
（４−３．その他の工程）
上述した堰形成工程および封止部塗設工程の工程前、工程中及び工程後のいずれかにおいて、その他の工程を行なうようにしてもよい。
例えば、封止部２３を２層以上の層により構成する場合は、前記の封止部塗設工程を繰
り返し行うようにしてもよい。
また、例えば、堰２２及び封止部２３を形成する前に、配線基板１に、表面処理を行なうようにしてもよい。そのような表面処理の例としては、例えばプライマーやシランカップリング剤を用いた密着改善層の形成、酸やアルカリなどの薬品を用いた化学的表面処理、プラズマ照射やイオン照射・電子線照射を用いた物理的表面処理、サンドブラストやエッチング・微粒子塗布などによる粗面化処理等が挙げられる。また、密着性改善のための表面処理としては、その他に例えば、特開平５−２５３００号公報、稲垣訓宏著「表面化学」Vol.18 No.9、pp21-26、黒崎和夫著「表面化学」Vol.19 No.2、pp44-51(1998)等に開示される公知の表面処理方法が挙げられる。さらに、オゾン処理を行なうことも可能である。
【０１８１】
（５．本実施形態の主要な利点）
上述したように、本実施形態の半導体発光装置１００は、パッケージを用いることなく安価に製造することが可能である。
また、本実施形態の半導体発光装置１００は、パッケージが不要であることから、薄型化が容易であり、薄型の発光デバイスに対して良好に適用できる。
【０１８２】
さらに、本実施形態の半導体発光装置１００は堰２２を有しており、且つ堰２２の高さＨ１が封止部２３の高さＨ２と略等しいか高いため、製造の際に封止材の粘度、チキソ性などの物性の精密な制御が不要であり、広範な封止材を用いて半導体発光素子２１を適切に封止することが可能である。
【０１８３】
また、本実施形態の半導体発光装置１００は、配線基板１の支持体として熱伝導率が高いものを備えているため、半導体発光素子２１から発せられる熱を外部に効率よく放熱することが可能である。特に、半導体発光素子２１を配線基板１に直接設けているため、配線基板１の裏側には基本的には配線を形成する必要が無く、このため配線基板１の裏面に直接にヒートシンクを設けることが可能となり、前記放熱の効率をより一層高めることが可能である。
【０１８４】
さらに、特許文献２記載の技術のように封止部を凸面形状に形成した場合、複数の半導体発光素子を用いると半導体発光素子の位置によりレンズ面が不均一となり、レンズ効果にばらつきが生じていたが、本実施形態のように封止部２３を平面又は凹面に形成すればこのようなばらつきは生じず、発光部２から発せられる光を的確に制御できる。
【０１８５】
また、本実施形態の半導体発光装置１００における堰２２は稜線を有さない形状に形成されているため、堰２２で反射して発光部２から出てくる光の光取り出し効果を向上させることができる。
【０１８６】
［その他の実施形態］
本発明の半導体発光装置及びその製造方法は、上述した実施形態におけるものに限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変更して実施できる。
例えば、堰２２は発光部２毎に独立して設けず、各発光部２に共有されるよう形成してもよい。具体例を挙げると、図６に示すように、堰２２を格子状に形成し、その堰２２に囲まれた領域に封止部２３を設けるようにしてもよい。なお、図６は本発明の別の実施形態としての半導体発光装置を模式的に表す平面図であり、図１〜３と同様の符号は、図１〜３と同様のものを示す。
【０１８７】
また、例えば、半導体発光装置１００に配線基板１及び発光部２以外の部材を備えさせてもよい。具体例を挙げると、図７に示すように、発光部２の上部、即ち、発光部２から光が発せられる部分に、レンズシート等の配向素子２５を設けてもよい。なお、図７は本発明の別の実施形態としての半導体発光装置の発光部の一つの縦断面を模式的に示す断面図であり、図３と同様の符号は、図３と同様のものを示す。
【０１８８】
また、例えば、封止部２３に蛍光体を含有させず、半導体発光素子２１が発する光を波長変換せずに発光部２から発せられるようにしてもよい。
また、半導体発光素子２１が備える複数の発光部のうち、少なくとも一つが上述した発光部２の構成を有していれば他の発光部はその他の構成となっていてもよいが、前記実施形態のように、複数の発光部がいずれも発光部２の構成を有していることが好ましい。
【実施例】
【０１８９】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変更して実施することができる。
【０１９０】
［１．封止材液の用意］
［１−１］合成例１
モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製両末端シラノールジメチルシリコーンオイルＸＣ９６−７２３を３９０ｇ、メチルトリメトキシシランを１０．４１ｇ、及び、触媒としてジルコニウムテトラアセチルアセトネート粉末を０．２８０ｇを、攪拌翼と、分留管、ジムロートコンデンサ及びリービッヒコンデンサとを取り付けた５００ｍｌ三つ口コルベン中に計量し、室温にて１５分触媒の粗大粒子が溶解するまで攪拌した。この後、反応液を１００℃まで昇温して触媒を完全溶解し、１００℃全還流下で３０分間５００ｒｐｍで攪拌しつつ初期加水分解を行った。
【０１９１】
続いて留出をリービッヒコンデンサ側に接続し、窒素をＳＶ２０で液中に吹き込み生成メタノール及び水分、副生物の低沸ケイ素成分を窒素に随伴させて留去しつつ１００℃、５００ｒｐｍにて１時間攪拌した。続いて窒素流量をＳＶ４０に増やし液中に吹き込みながらさらに１３０℃に昇温、保持しつつ４．７時間重合反応を継続し、粘度１５８．７ｍＰａ・ｓの反応液を得た。なお、ここで「ＳＶ」とは「Ｓｐａｃｅ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ」の略称であり、単位時間当たりの吹き込み体積量を指す。よって、ＳＶ２０とは、１時間に反応液の２０倍の体積のＮ２を吹き込むことをいう。
【０１９２】
窒素の吹き込みを停止し反応液をいったん室温まで冷却した後、ナス型フラスコに反応液を移し、ロータリーエバポレーターを用いてオイルバス上１２０℃、１ｋＰａで２０分間微量に残留しているメタノール及び水分、低沸ケイ素成分を留去し、粘度２６０ｍＰａ・ｓの無溶剤の液状の封止材として封止材液を得た。
【０１９３】
上述の封止材液２ｇを直径５ｃｍのテフロン（登録商標）シャーレに入れ、防爆炉中、微風下、１１０℃で１時間保持し、次いで１５０℃で３時間保持したところ、厚さ約１ｍｍの独立した円形透明エラストマー状膜が得られた。
【０１９４】
＜蛍光体含有部用の封止材液の調液＞
前述の合成例１で合成した封止材液を使用し、下記表１の配合比を参考に合計量２ｇスケールにて封止材液及び蛍光体を計量した後、シンキー社製攪拌脱泡装置「泡取り錬太郎ＡＲ−１００」にて混合し、蛍光体含有部を形成するための液状材料（以下、蛍光体含有部形成液Ａという）を得た。
また、封止材液として信越化学工業株式会社製シリコーン樹脂ＬＰＳ２４１０を使用し、封止材液１ｇに対するアエロジルＲＸ２００の使用量を０．０５ｇの配合比とした他は同様にして合計量２ｇスケールにて、蛍光体含有部を形成するための液状材料（以下、蛍光体含有部形成液Ｂという）を得た。
【表１】
2009135485.tif 000003
【０１９５】
［１−２］堰（高屈折率透明）形成液Ａの調液
東レダウコーニングシリコーン株式会社製高屈折率シリコーン樹脂ＪＣＲ６１７５を４ｇ、日本アエロジル株式会社製ヒュームドシリカ  ＲＸ２００を０．８ｇ混合用容器に計量し、自転・公転方式ミキサー脱泡装置を使用し、遠心脱泡・混合を行なった。その後、容器を真空としてさらに脱泡・混合を行い、屈折率が高く透明な堰を形成するための液状の材料として、堰形成液Ａを得た。
【０１９６】
［１−３］堰形成液Ｂ（光散乱剤含有）の調液
東レダウコーニングシリコーン株式会社製低屈折率シリコーン樹脂ＯＥ６３３６を４ｇ、Ａｌ２Ｏ３微粉「ＣＲ１（中央粒径４００ｎｍ）」を０．８ｇ、日本アエロジル株式会社製ヒュームドシリカ  ＲＸ２００を０．７ｇ混合用容器に計量し、自転・公転方式ミキサー脱泡装置を使用し、遠心脱泡・混合を行なった。その後、容器を真空としてさらに脱泡・混合を行い、光散乱剤を含有した堰を形成するための液状の材料として、白色の堰形成液Ｂを得た。
【０１９７】
［２．具体的な実施例の操作及び評価の説明］
以下に、堰を設け、蛍光体含有部を備えた模擬発光装置の作製例を示す。なおここで示す例は半導体発光素子を封止しない模擬例であるが、実施例の封止材はいずれも好適に半導体発光素子を封止し得るものであり、熱や光に対する耐久性にも優れるため、一つ或いは複数の半導体発光素子を搭載した配線基板上でも好適に本発明の半導体発光装置を形成することができると考えられる。また、本発明では配線基板を高熱伝導性のメタルベース基板やセラミックスベース基板とすることにより、発光部の温度上昇を抑制し、高輝度長寿命の半導体発光装置を得ることが期待される。
【０１９８】
［実施例１］
［堰の塗設と封止部の形成］
白色ソルダーペーストを塗布したガラス繊維強化エポキシ積層板に、ドリルにて３ｍｍφの穴を開け、この穴をＬＥＤ実装部に見立ててこの穴を取り囲むように前述の堰形成液Ａを用いて外径１ｃｍの円弧を描くように堰を描画した。描画には自動ディスペンサーを使用し、ノズル径２９０μｍのシリンジを用いて行なった。この際、当該シリンジのノズルから基板表面までの距離は５００μｍとした。また、描画速度は１０ｃｍ／秒とした。さらに、シリンジから堰形成液Ａを押し出す際の圧力は、１．５ＭＰａに設定した。
【０１９９】
その後、これを空気雰囲気中、１５０℃、大気圧で１．０時間保持し、堰を硬化させた。これにより、高さ５００μｍ、幅１ｍｍの、稜線のない形状の高屈折透明な堰が得られた。
穴の裏側から耐薬テープを貼り穴を塞いだ後、表側から穴を含む堰の中に蛍光体含有部形成液Ａ  ４０μｌを注入し、１５０℃で３時間保持して硬化させて、堰の内側に厚さ４５０μｍの蛍光体含有部を形成した。この際、堰の内側にのみ蛍光体含有部形成液Ａが塗布され、堰及び穴の外側には漏れ出さなかった。その後、耐薬テープを剥がし、穴を露出させた。
【０２００】
［評価］
穴の直下に発光波長４０５ｎｍ、駆動電圧３５０ｍＡ、３８０〜７８０ｎｍの積分発光強度５５０ｍＷの近紫外ＬＥＤを密着させて設置し、このＬＥＤから発せられる光を前記の穴を通じて蛍光体含有部に入射させ、蛍光体含有部の上面から蛍光体含有部と堰の発光の様子を観察した。
さらに、以下に説明する要領で、封止材液（合成例１で調製した蛍光体を含まない封止材液）の単独硬化物について、固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定、シラノール含有率の測定、ケイ素含有率の測定を行なった。結果を表２に示す。
【０２０１】
［封止部を形成する樹脂単独硬化物の分析方法］
［固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定及びシラノール含有率の算出］
実施例１の封止材液（合成例１で調製した蛍光体を含まない封止材液）の単独硬化物について、以下の条件で固体Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル測定及び波形分離解析を行なった。得られた波形データより、各々のピークの半値幅を求めた。また、全ピーク面積に対するシラノール由来のピーク面積の比率より、全ケイ素原子中のシラノールとなっているケイ素原子の比率（％）を求め、別に分析したケイ素含有率と比較することによりシラノール含有率を求めた。
【０２０２】
＜装置条件＞
装置：Chemagnetics社 Infinity CMX-400  核磁気共鳴分光装置
２９Ｓｉ共鳴周波数：７９．４３６ＭＨｚ
プローブ：７．５ｍｍφＣＰ／ＭＡＳ用プローブ
測定温度：室温
試料回転数：４ｋＨｚ
測定法：シングルパルス法
１Ｈデカップリング周波数：５０ｋＨｚ
２９Ｓｉフリップ角：９０゜
２９Ｓｉ９０゜パルス幅：５．０μｓ
くり返し時間：６００ｓ
積算回数：１２８回
観測幅：３０ｋＨｚ
ブロードニングファクター：２０Ｈｚ
基準物質：  固体２９Ｓｉ基準試料用シリコーンゴム
【０２０３】
＜データ処理法＞
５１２ポイントを測定データとして取り込み、８１９２ポイントにゼロフィリングしてフーリエ変換した。
【０２０４】
＜波形分離解析法＞
フーリエ変換後のスペクトルの各ピークについてローレンツ波形及びガウス波形或いは両者の混合により作成したピーク形状の中心位置、高さ、半値幅を可変パラメータとして、非線形最小二乗法により最適化計算を行なった。
なお、ピークの同定はAIChE Journal,44(5),p.1141,1998年等を参考にした。
【０２０５】
［ケイ素含有率の測定］
封止材液（合成例１で調製した蛍光体を含まない封止材液）の単独硬化物を１００μｍ程度に粉砕し、白金るつぼ中にて大気中、４５０℃で１時間、ついで７５０℃で１時間、９５０℃で１．５時間保持して焼成し、炭素成分を除去した後、得られた残渣少量に１０倍量以上の炭酸ナトリウムを加えてバーナー加熱し溶融させ、これを冷却して脱塩水を加え、更に塩酸にてｐＨを中性程度に調整しつつケイ素として数ｐｐｍ程度になるよう定容し、セイコー電子社製「ＳＰＳ１７００ＨＶＲ」を用いてＩＣＰ分析を行なった。
【０２０６】
［実施例２］
堰を形成する材料として、光散乱剤を含有する白色の堰形成液Ｂを用いたこと以外は実施例１と同様にして、堰及び蛍光体含有部を製造した。得られた模擬発光装置について、実施例１と同様にして評価を行なった。結果を表２に示す。
【０２０７】
［実施例３］
蛍光体含有部の形成材料として蛍光体含有部形成液Ｂを使用し、硬化条件を１５０℃１時間としたこと以外は実施例１と同様にして、堰及び蛍光体含有部を形成した。得られた模擬発光装置について、実施例１と同様にして評価を行なった。また、蛍光体含有部形成液Ｂの調製に用いた封止材液（シリコーン樹脂ＬＰＳ２４１０）の単独硬化物について、実施例１と同様の測定を行なった。結果を表２に示す。
【０２０８】
［参考例１］
表面実装型６ｍｍ径  窒化アルミパッケージ（リフレクタ部分は銀メッキ）底面の銀メッキ電極に４０５ｎｍの発光波長を有するフリップチップ型ＧａＮ系半導体発光素子１２個を金バンプにてフリップボンド実装し、半導体発光装置を作製した。この半導体発光装置にディスペンサーを用いて実施例１と同様の蛍光体含有部形成液Ａ  ３０μｌを滴下し、減圧できるデシケーターボックス中で２５℃、１ｋＰａの条件下５分保持して注液時に生じた巻き込み気泡や溶存空気・水分を除去した。この後９０℃で２時間次いで１１０℃で１時間、１５０℃で３時間保持して形成液を硬化させ、半導体発光装置を得た。得られた半導体発光装置にチップ（半導体発光素子）１個あたり２０ｍＡの電流を印加し点灯を行なって、実施例の模擬発光装置との比較を行なった。結果を表２に示す。
【０２０９】
【表２】
2009135485.tif 000004
【０２１０】
［参考例２］
白色コーティング層又は絶縁層の材料としてのＰＥＥＫ樹脂の耐熱耐光性を調べるため、前述の合成例１で得られた封止材液を用いて半導体発光装置を作製し、以下の連続点灯試験を行なった。
【０２１１】
［１］半導体発光装置の作製
半導体発光素子であるクリー社製の９００μｍ角チップ「Ｃ４６０−ＸＢ９００」を、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田シートを介してエムシーオー社製メタルパッケージ上に固着させた。半導体発光素子上の電極から金線にてメタルパッケージ上のピンにワイヤボンディングした。メタルパッケージとしてはエムシーオー株式会社製の「３ＰＩＮＭＥＴＡＬ」（リフレクタは銀メッキ付き銅製９ｍｍΦ、電極ピンまわりのハーメチックシールは低融点ガラス製）を使用した。
半導体発光素子直近のパッケージ底面に三菱樹脂性ＰＥＥＫ樹脂フィルム「ＩＢＵＫＩ（登録商標）」を２ｍｍ角に切った白色のＰＥＥＫ樹脂シートを戴置し、その上から前述の合成例１で得られた封止材液４０μｌを注液して通風乾燥機中で微風下９０℃で２時間、次いで１１０℃で１時間、１５０℃で３時間保持して封止材液を硬化させ、ＰＥＥＫ樹脂シートを透明の封止材で封入し、波長４６０ｎｍで発光する半導体発光装置Ａを作製した。
【０２１２】
また、半導体発光素子を「Ｃ４０５−ＸＢ４０５」とした他は同じ条件で、波長４０５ｎｍで発光する半導体発光装置Ｂを作製した。
【０２１３】
さらに、封止材による封止を行わない他は上記と同様として、波長４６０ｎｍで発光する封止材無しの半導体発光装置Ｃと、波長４０５ｎｍで発光する封止材無しの半導体発光装置Ｄとを作製した。
【０２１４】
さらに、ＰＥＥＫ樹脂シートの表面に下記の白色フィラー入りペーストを塗布・硬化し、２ｍｍ角に切ったものを用いた他は上記半導体発光装置Ｃ及びＤとそれぞれ同様として、波長４６０ｎｍで発光する封止材無しの半導体発光装置Ｅ（アルミナコート）及び半導体発光装置Ｆ（チタニアコート）、並びに、４０５ｎｍで発光する封止材無しの半導体発光装置Ｇ（アルミナコート）及び半導体発光装置Ｈ（チタニアコート）を作製した。
【０２１５】
＜アルミナコート＞
混合容器に前述の合成例１で得られた封止材液２ｇ、非凝集タイプアルミナ（Ｂａｉｋｏｗｓｋｉ社製、商品名：ＣＲ１、中央粒径０．９５ミクロン）０．８ｇ、及び超微粒子状シリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名：ＡＥＲＯＳＩＬ＃ＲＸ２００）０．２ｇを入れて混合し、自転・公転方式ミキサー脱泡装置を使用し、遠心脱泡混合を行ない白色のペーストを調製した。
三菱樹脂性ＰＥＥＫ樹脂フィルム「ＩＢＵＫＩ（登録商標）」の表面に混合後の白色ペーストをアプリケーター塗布し、通風乾燥機中微風下１５０℃１時間硬化させ、厚さ５０μｍのコート層を形成した。
【０２１６】
＜チタニアコート＞
前述の非凝集タイプアルミナ０．８ｇの代わりにルチル型チタニア（富士チタン工業株式会社製、商品名ＴＲ７００）を０．６ｇ用いた他は上記アルミナコート用の白色ペーストと同様にしてペーストを調製し、同様の塗布膜製法で厚さ５０μｍのコート層を形成した。
【０２１７】
［２］連続点灯試験
チップ（半導体発光素子）に、発光面の温度が１００±１０℃となるように維持しながら３５０ｍＡの駆動電流を通電して、温度２５℃相対湿度５０％にて２０００時間連続点灯を行った。２０００時間後の封止材中のＰＥＥＫ樹脂シートの外観を目視観察し、点灯直後と比較した。
【０２１８】
この結果、半導体発光装置Ａ、Ｂいずれも試験前後においてＰＥＥＫ樹脂シートに着色などの変化は見られなかった。
一方、封止材を用いず直接にＰＥＥＫ樹脂シートに光照射した半導体発光装置では、波長４６０ｎｍの光を照射した半導体発光装置Ｃ（コート無し）、半導体発光装置Ｅ（アルミナコート）、及び半導体発光装置Ｆ（チタニアコート）のいずれもシート外観に変化が無かった。一方、波長４０５ｎｍの光を照射した半導体発光装置Ｄ（コート無し）は一部変色が見られたが、半導体発光装置Ｇ（アルミナコート）、及び半導体発光装置Ｈ（チタニアコート）はいずれも外観に変化無かった。結果を表３に示す。
【０２１９】
【表３】
2009135485.tif 000005
【０２２０】
＜実施例よりわかること＞
実施例１〜３のパッケージを使用しない模擬発光装置は、表面実装型パッケージを使用した参考例１の半導体発光素子と同様に何れも均一な白色に発光した。このことから、実施例１〜３の模擬発光装置に参考例１のように半導体発光素子を直接封止すれば、光取り出し効率高くなりさらに輝度向上すると期待される。
【０２２１】
また、上記実施例１〜３では付加型シリコーン樹脂、縮合型シリコーン樹脂のいずれも封止材として好適に使用可能であった。蛍光体含有部の積層が必要である場合には、硬化物にシラノールを含有する縮合型樹脂は層間密着性が高く、封止材としてより好適に使用可能と考えられる。
【０２２２】
半導体発光装置において配線基板を高熱伝導性とし、半導体発光素子を複数搭載し、複数の発光部を設けることにより、低コストで高輝度・高信頼性の面発光光源を得ることが出来ると期待される。さらに半導体発光装置において互いに色の異なる発光部を設け、外部調光回路にて各色独立に光量制御し別途設けた拡散板などを用いてこれらの光を混色させることにより、目的に応じた色調に調光可能と考えられる。
【０２２３】
さらに配線基板の白色コーティング層又はメタルベース基板の絶縁層としてＰＥＥＫ樹脂を用いた場合、参考例２の結果より、耐熱性に富むため着色などの劣化が起きることなく、長期にわたり輝度を維持することができると期待される。
【０２２４】
ＰＥＥＫ樹脂は封止材とともに使用すれば、半導体発光素子の発光波長によらず配線基板の白色コーティング材又はメタルベース基板の絶縁材、及び堰の材料として好適に使用できることが期待される。
また、紫外〜近紫外半導体発光素子と共に使用する場合、封止材を介さず直接に半導体発光素子からの強い近紫外光が照射されるとＰＥＥＫ樹脂シートは着色したが、これは封止材が無いために光照射面が酸素と接触しやすく光酸化が進んだためと考えられる。この場合、耐光耐熱性及び隠蔽製の高い白色コーティング材による被覆により光を遮断するとＰＥＥＫ樹脂の光劣化を抑制することができる。白色コーティング材としては、例えば耐久性が高い無機粒子やシリコーン系バインダを選択することができ、これにより、白色コーティング層の劣化も抑制され、低コストで長期点灯耐久性に優れる半導体発光装置を提供することができると考えられる。さらに、必要に応じて熱伝導性の高い無機フィラーを絶縁層や堰材料となる樹脂に含有させることにより、さらに好適な構成とすることができると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０２２５】
本発明は、半導体発光装置を用いる任意の分野で用いることが出来る。特に液晶ディスプレイのバックライト、住宅や店舗用照明、写真撮像用照明などに用いることにより高演色性・色再現性が要求され、長時間連続して見つめていても眼の疲れや体の不調を起こしにくい高品質の色調可変照明を低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２２６】
【図１】本発明の一実施形態としての半導体発光装置を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態としての半導体発光装置の発光部の一つを拡大して模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態としての半導体発光装置の発光部の一つの縦断面を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態としての半導体発光装置を説明するための図であって、いわゆるメタルベースの配線基板の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態としての半導体発光装置を説明するための図であって、いわゆるセラミックスベースの配線基板の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の別の実施形態としての半導体発光装置を模式的に示す平面図である。
【図７】本発明の別の実施形態としての半導体発光装置の発光部の一つの縦断面を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０２２７】
１  配線基板
２  発光部
２１  半導体発光素子
２２  堰
２３  封止部
２３ａ  封止部の表面
２４  バンプ
２５  配向素子
１００  半導体発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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