(57)【要約】【課題】簡単な構成、ダイヤフラム部の厚さの制御等も容易で、高歩留まり、低コスト、かつ温度依存性が低い半導体圧力センサを提供する。【解決手段】半導体圧力センサは、バリア膜１、電極膜２、ｎ型半導体基板３からなるショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４とで構成されている。ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。このショットキー接合部分が、ｎ型半導体基板３におけるダイヤフラム部５に含まれており、圧力を感知する領域となる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤフラムの歪みにより圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、前記ダイヤフラムにはｎ型又はｐ型の半導体層とバリア膜とを接触させて形成されたショットキー接合部が含まれていることを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項２】
前記ｎ型又はｐ型の半導体層上に形成された電極膜と、前記バリア膜と、前記ｎ型又はｐ型の半導体層とでショットキーバリアダイオードを構成していることを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ。
【請求項３】
前記電極膜とバリア膜との間に順方向電流を流し、前記ショットキー接合部の抵抗値の変化により圧力を検出することを特徴とする請求項２記載の半導体圧力センサ。
【請求項４】
前記バリア膜の周囲を囲むように前記電極膜が形成されていることを特徴とする請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の半導体圧力センサ。
【請求項５】
前記バリア膜は、前記ｎ型又はｐ型の半導体層上の中央部に形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力を感知するために用いられる半導体圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の製作に用いられる半導体微細加工技術を生かして、物理的な動きをする超小型の機械（マイクロマシン）を製作する、マイクロマシニングと呼ばれる技術が脚光を浴びており、このマイクロマシニングを生かして半導体圧力センサ等の半導体センサの開発が進んでいる。半導体圧力センサは、自動車、家庭電化製品、工業計測機器等に広範囲に使用されている。
【０００３】
半導体圧力センサでは、主にシリコンダイヤフラム型圧力センサが用いられている。この圧力センサでは、シリコンにホウ素を選択的に拡散させ、拡散抵抗体を形成し、拡散抵抗体のピエゾ抵抗効果を利用して圧力を検出している。図１３は、従来のピエゾ抵抗効果型の半導体圧力センサの構造を示すものであり、（ａ）は縦断面構造、（ｂ）は平面構造を示す。
【０００４】
図１３の半導体チップ５０は、シリコン（Ｓｉ）からなり、略平板状の形状を有する。半導体チップ５０は、台座５２を残して、テーパー部５３が形成されるように中央部に円錐台形状の開口穴が作成され、半導体チップ５０の中央部分には、薄肉化した直径Ｗのダイヤフラム部（弾性部）５４が形成されている。ダイヤフラム部５４の上面には、ピエゾ効果を有する拡散抵抗体５１が形成されている。
【０００５】
この半導体圧力センサで圧力を検出する際には、半導体チップ５０の下部からダイヤフラム部５４に向けて圧力を導入する。この圧力により、ダイヤフラム部５４に凹凸変形が生じ、この凹凸変形により拡散抵抗体５１が伸縮し（歪み）、シリコン結晶の原子間距離が変化して拡散抵抗体５１の抵抗値が変わるという、いわゆるピエゾ効果を利用して抵抗値の変化から圧力を検出している。
【特許文献１】特開平６−１６３９４１号公報
【特許文献２】特開平５−３４０８２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の半導体圧力センサでは、ピエゾ抵抗効果は微小であるのに対し、シリコンは温度変化による抵抗変化も大きいため、４つの拡散抵抗体５１をブリッジ結合して信号を取り出す方式を用いている。また、ダイヤフラム部５４の厚さｔは、上下の圧力差により敏感に凹凸変形するように、通常約２０μｍ以下の薄膜としており、このダイヤフラム部５４を形成するためにアルカリエッチング等を行うが、一定の精度に制御することが難しいので、歩留まりが悪く、コストもかかっていた。
【０００７】
さらに、温度変化による零点のずれ補償や出力感知のずれ補償、ダイヤフラム部の厚さのバラツキから生ずる出力感度の差異調整を行うために、外付け抵抗を設ける必要があった。以上の理由により、製造工程数が増え、リードタイムやコストが増大していた。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、簡単な構成、ダイヤフラム部の厚さの制御等も容易で、高歩留まり、低コスト、かつ温度依存性が低い半導体圧力センサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、ダイヤフラムの歪みにより圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、前記ダイヤフラムにはｎ型又はｐ型の半導体層とバリア膜とを接触させて形成されたショットキー接合部が含まれていることを特徴とする半導体圧力センサである。
【００１０】
また、請求項２記載の発明は、前記ｎ型又はｐ型の半導体層上に形成された電極膜と、前記バリア膜と、前記ｎ型又はｐ型の半導体層とでショットキーバリアダイオードを構成していることを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサである。
【００１１】
また、請求項３記載の発明は、前記電極膜とバリア膜との間に順方向電流を流し、前記ショットキー接合部の抵抗値の変化により圧力を検出することを特徴とする請求項２記載の半導体圧力センサである。
【００１２】
また、請求項４記載の発明は、前記バリア膜の周囲を囲むように前記電極膜が形成されていることを特徴とする請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の半導体圧力センサである。
【００１３】
また、請求項５記載の発明は、前記バリア膜が、前記ｎ型又はｐ型の半導体層上の中央部に形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体圧力センサである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、圧力の検出にショットキーバリアダイオードの順方向特性を用いていため、温度依存性が低いセンサとすることができ、圧力の感知部分にショットキー接合を用いることで高感度にすることができる。また、半導体圧力センサの構成として台座を設ける場合は、圧力を導入する穴が形成された台座と、弾性変形できるように薄く研磨されたダイヤフラムとを接合するようにしているので、ダイヤフラムの厚さをエッチングにより制御する必要がなく、さらに、拡散抵抗によるブリッジ回路、温度補償回路、感度補償回路等を設ける必要もないので、高歩留まり、低コストで製造することができるとともに、高精度のセンサを構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は本発明による第１の半導体圧力センサの構造を示し、図１（ａ）は平面構造を、図１（ｂ）は縦断面を示す。
【００１６】
第１の半導体圧力センサは、バリア膜１、電極膜２、ｎ型半導体基板３からなるショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４とで構成されている。ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。
【００１７】
このショットキー接合部分が、ｎ型半導体基板３におけるダイヤフラム部５（図の斜線部）に含まれており、圧力を感知する領域となる。ショットキー接合を生じさせるためには、バリア膜１の仕事関数がｎ型半導体基板３の仕事関数よりも大きくなるように、バリア膜１、ｎ型半導体基板３の材料を選ぶようにする必要がある。例えば、バリア膜１は、Ｐｔ等のバリアメタルとＡｌ等の金属の複合膜が用いられ、ｎ型半導体基板３にはｎ型不純物がドープされたシリコン基板等が用いられる。なお、バリアメタルとなる材料としては、Ｐｔ以外に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｖ、Ｐｄ、Ａｕ等がある。
【００１８】
台座部４はシリコン基板等を用い、バリア膜１とｎ型半導体基板３とのショットキー接合部が配置される位置を中心としてテーパ−状にくり貫かれて開口部６を形成しており、台座部４とショッキーバリアダイオード素子１０とは接合されている。開口部６の形状は、バリア膜１の形状に合わせて正方形状としている。カソード電極としての電極膜２と、アノード電極としてのバリア膜１との間を導通させて定電流源により順方向電流を流し、順方向電圧を取り出すようにしている。
【００１９】
台座部４における開口部６から圧力が導入されると、ショッキーバリアダイオード素子１０のダイヤフラム部５に歪みが生じて、バリア膜１とｎ型半導体基板３とのショットキー接合部にも歪みが生じるので、ｎ型半導体基板３の抵抗が変化して順方向電圧が変化し、導入された圧力と順方向電圧の変化との関係から圧力を検知することができる。
【００２０】
図１の半導体圧力センサの寸法は、例えば、Ｗ１が１．７ｍｍ、Ｗ２が３．４ｍｍ、Ｗ３が５０μｍ、Ｗ４が２６０μｍとすることができ、比較的薄型で小さい圧力センサに形成することができる。また、ショッキーバリアダイオード素子１０としては、ｎ型半導体基板３の替りにｐ型半導体基板を用いても良く、この場合にはｐ型半導体基板の仕事関数がバリア膜の仕事関数よりも大きくなるように材料を選んでショットキー接合を形成するようにする。
【００２１】
次に上記半導体圧力センサの製造方法を以下に説明する。まず、ショッキーバリアダイオード素子１０の形成方法を説明すると、ｎ型半導体基板（第１導電型半導体基板）３上に厚さ３．３３〜４．０７μｍ、抵抗率０．６３〜０．７７Ω・ｃｍのエピタキシャル層を成長させ、熱酸化膜を９５００Å成長させる。フォトレジスト技術とフッ酸によるエッチングにより選択的に熱酸化膜を除去し、ＰｏＣｌ拡散を１０５０℃で１２０分行い、カソード領域電極を形成する。リンの供給はＰｏＣｌ以外にリンイオン注入で行ってもよい。
【００２２】
次に可動イオンをゲッタリングするのに適度なリンを含むＣＶＤ膜を堆積させ、１０００℃、３０分熱処理して平坦化させる。もちろんリンを含まなくても良い。再びフォトレジスト技術とフッ酸によるエッチングにより選択的にＣＶＤ及び、熱酸化膜を除去する。ショットキーのバリアメタルとなる、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｖ、Ｐｄ、Ａｕ等をスパッタまたは蒸着により堆積させ適当な温度で熱処理し、シリサイドを形成する。バリアメタルの上に互いの拡散バリアとなる適当なメタル層を何層か設け、最上部厚さ２４〜２６ｋÅのＡｌの層を設けてアノード電極となるバリア膜１を形成する。カソード電極膜２もアノードバリア膜１と同じメタルで上記同様に形成されるが、カソード領域は不純物濃度を非常に高くしているので、ショットキー障壁は形成されずオーミック接触となる。
【００２３】
その上に８０００Åの窒化シリコン膜を減圧、常時またはプラズマＣＶＤ機で堆積させ、フォトリソグラフィーとドライエッチャーでバリア膜１及び電極膜２の領域と素子周辺を選択的に除去する。表面を傷つけない様にテープ等で保護しながら裏面から研磨し、厚さ２０〜１２０μｍにする。仕上げは２０００番仕上げとした。
【００２４】
次に台座部４の形成方法を説明すると、１×１０１８ｃｍ−３以下のＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等のｎ型不純物を含む（１００）面のシリコンウェハーに８０００Åの窒化シリコン膜を堆積し、フォトリソグラフィーとドライエッチングによって開口部６の上側面積に相当する領域を選択的に除去する。表面パターンをテープ等で保護し、裏面から研磨して、厚さ２００〜３００μｍにする。２４ｗｔ％ＫＯＨ水溶液に浸し、開孔部６が形成されるまでエッチングする。
【００２５】
最後に、上記ショッキーバリアダイオード素子１０と台座部４を熱硬化性高弾性テープを用い、１８０〜２００℃の熱を加えて接合すると、図１の半導体圧力センサが完成する。なお、接合は高強度の接着剤や、ＳＯＩ技術を応用した接合であっても構わない。
【００２６】
図２は、本発明による第２の半導体圧力センサの構造例を示し、図２（ａ）は平面構造を、図２（ｂ）は縦断面を示す。ｎ型半導体基板１３上にアノード電極としてのバリア膜１１が中央部分に形成されており、このバリア膜１１を囲むようにしてカソード電極としての電極膜１２が設けられている。ｎ型半導体基板１３におけるダイヤフラム部１５は、図の斜線で示すように、ｎ型半導体基板１３とバリア膜１１とがショットキー接合している領域が相当する。図２の半導体圧力センサの大きさとしては、例えば、ｎ型半導体基板１３の大きさを縦横ともに、１．６ｍｍの正方形とし、ｎ型半導体基板１３の厚さや台座部１４の高さは、図１のＷ３、Ｗ４と同様、各々５０μｍ、２６０μｍとすることができる。動作や製造方法については、図１の半導体圧力センサの場合と同様である。
【００２７】
図１の半導体圧力センサの場合、バリア膜１と電極膜２を並べてｎ型半導体基板３上に設けているために、センサ面積が大きくなり、形状も長方形となってしまい、後述するパッケージ化する場合に、コンパクトに収めることができない。一方、図２のように、バリア膜１１を囲むようにして電極膜１２を形成することで、図１よりもセンサ面積を小さくすることができるとともに、ダイヤフラム部１５を中央部に設けることができ、センサ形状を正方形状に形成することができる。
【００２８】
また、センサの感度を上げるために、ダイヤフラム部１５の面積を広げる場合でも、四方を均等に広げることができ、開口部１６の面積も、ｎ型半導体基板１３の面積に近い領域まで広げることができるので、図１の半導体圧力センサよりも面積が小さくても、同等の精度、感度を有する半導体圧力センサを構成することができ、小型化することができる。さらに、センサの形状を正方形にして、中央部にダイヤフラム部１５を設けた場合には、開口部１６から導入された圧力が均等にダイヤフラム部１５に加わり、圧力測定の精度が向上する。
【００２９】
図３は、本発明の半導体圧力センサにおける順方向電流と順方向出力電圧の特性を示す。
【００３０】
バリア膜としては、ショットキーのバリアメタルとしてＰｔを用い、この上にＡｌの膜を形成した複合金属膜を用いた。実線は半導体圧力センサの素子温度が−２５℃の場合、破線は２５℃の場合、一点鎖線は７５℃の場合を示す。順方向電流ＩＦを増加させていくと、出力電圧ＶＦも増加していき、最初の立ち上がり部分では、特性は異なっているが、順方向電流ＩＦが１０００ｍＡの前後で、曲線はほぼ一致し、素子温度が異なっていてもほぼ一致した軌跡を描く。
【００３１】
このように高電流密度域での温度依存性が非常に小さいことがわかる。高電流密度域で半導体圧力センサを動作させることで、温度の変化にかかわらず、精度の良い測定を行うことができる。例えば、順方向電流ＩＦ＝１０００ｍＡにおける素子温度２５℃の出力電圧ＶＦ（７５２ｍＶ）を基準として、同じ順方向電流値での変動を測定した結果、−２５℃で変化率＋０．６％（ＶＦ＝７５６．２ｍＶ）、７５℃で−０．５％（ＶＦ＝７４８．２ｍＶ）という非常に温度依存性が少ない結果を得た。素子温度が−２５℃、２５℃、７５℃と変化した場合に、出力電圧ＶＦの変化率が最も小さい順方向電流ＩＦの値、図３の例ではＩＦ＝１０００ｍＡと基準となった素子温度２５℃の曲線との交点を動作点とすると、この動作点を中心として約±５ｍＶの範囲（斜線部分）がセンサとして使用可能な動作領域となる。
【００３２】
図４は、実際に圧力を導入したときの圧力の変化に対する出力電圧の変化を示す。図３に示す温度依存性が非常に小さい高電流密度域において、本発明の半導体圧力センサのダイヤフラム部（ショットキー接合部分）に圧力を加え、その圧力を変化させた場合の出力電圧の変化を示す。高密度電流域における順方向電流ＩＦ＝１０００ｍＡとし、定電流源でこの順方向電流を一定にし、大気圧下における出力電圧を基準とした場合の加圧下における出力電圧変化量ΔＶＦを縦軸に示す。素子温度が−２５℃、２５℃、７５℃と変化しても、ΔＶＦ−圧力の曲線に大きな違いは見られない。
【００３３】
ところで、バリア膜１のバリアメタルとｎ型半導体基板３との接合面積を小さくすることで順方向出力電圧の温度依存性が小さい領域を順方向電流の小さい領域にシフトすることができる。実用的な駆動順方向定電流は、１０ｍＡ以下の場合が多い。
【００３４】
図５は、図３と同じバリアメタルＰｔを用い、バリアメタルとｎ型半導体基板３との接合面積を図３よりも小さくした場合の半導体圧力センサにおける順方向電流と順方向出力電圧の特性を示す。バリア膜としては、ショットキーのバリアメタルＰｔの上にＡｌの膜を形成した複合金属膜を用いた。実線は半導体圧力センサの素子温度が０℃の場合、破線は２５℃の場合、一点鎖線は４０℃の場合を示す。順方向電流ＩＦを増加させていくと、出力電圧ＶＦも増加していき、最初の立ち上がり部分では、特性は異なっているが、順方向電流ＩＦが２ｍＡの前後で、曲線はほぼ一致し、素子温度が異なっていてもほぼ一致した軌跡を描く。動作点は、順方向電流ＩＦ＝２ｍＡと基準となる素子温度２５℃の曲線との交点であり、この動作点を中心として約±５ｍＶの範囲（斜線部分）がセンサとして使用可能な動作領域となる。ＩＦ＝２ｍＡにおける素子温度２５℃の出力電圧ＶＦ（６８６ｍＶ）を基準として、同じ順方向電流値での変動を測定した結果、０℃で変化率＋０．５８％（ＶＦ＝６９０ｍＶ）、４０℃で−０．８７％（ＶＦ＝６８０ｍＶ）という非常に温度依存性が少ない結果を得た。
【００３５】
図６は、図５の特性を示す半導体圧力センサに、実際に圧力を導入したときの圧力の変化に対する出力電圧の変化を示す。高密度電流域における順方向電流ＩＦ＝２ｍＡとし、定電流源でこの順方向電流を一定にし、大気圧下における出力電圧を基準とした場合の加圧下における出力電圧変化量ΔＶＦを縦軸に示す。素子温度が０℃、２５℃、４０℃と変化しても、ΔＶＦ−圧力の曲線に大きな違いは見られない。また、０℃、２５℃、４０℃の各素子温度に対する曲線が２本描かれているのは、各温度でのバラツキの範囲を示す。
【００３６】
図７は、バリアメタルとｎ型半導体基板３との接合面積を図５と同じ条件にしてバリアメタルにＴｉを用いた場合の半導体圧力センサにおける順方向電流と順方向出力電圧の特性を示す。バリア膜としては、ショットキーのバリアメタルＴｉの上にＡｌの膜を形成した複合金属膜を用いた。図５と同様に、実線は半導体圧力センサの素子温度が０℃の場合、破線は２５℃の場合、一点鎖線は４０℃の場合を示す。順方向電流ＩＦを増加させていくと、出力電圧ＶＦも増加していき、最初の立ち上がり部分では、特性は異なっているが、順方向電流ＩＦが２ｍＡの前後で、曲線はほぼ一致し、素子温度が異なっていてもほぼ一致した軌跡を描く。動作点は、順方向電流ＩＦ＝２ｍＡと基準となる素子温度２５℃の曲線との交点であり、この動作点を中心として約±５ｍＶの範囲（斜線部分）がセンサとして使用可能な動作領域となる。動作点は、素子温度が０℃、２５℃、４０℃と変化した場合に、出力電圧ＶＦの変化率が最も小さい点であるが、ＩＦ＝２ｍＡにおける素子温度２５℃の出力電圧ＶＦ（６３３ｍＶ）を基準として、同じ順方向電流値での変動を測定した結果、０℃で変化率＋０．３２％（ＶＦ＝６３５ｍＶ）、４０℃で−０．３２％（ＶＦ＝６３１ｍＶ）という非常に温度依存性が少ない結果を得た。
【００３７】
図８は、図７の特性を示す半導体圧力センサに、実際に圧力を導入したときの圧力の変化に対する出力電圧の変化を示す。高密度電流域における順方向電流ＩＦ＝２ｍＡとし、定電流源でこの順方向電流を一定にし、大気圧下における出力電圧を基準とした場合の加圧下における出力電圧変化量ΔＶＦを縦軸に示す。素子温度が０℃、２５℃、４０℃と変化しても、ΔＶＦ−圧力の曲線に大きな違いは見られない。また、０℃、２５℃、４０℃の各素子温度に対する曲線が２本描かれているのは、各温度でのバラツキの範囲を示す。
【００３８】
以上のように、半導体圧力センサに用いるバリアメタルの種類や、バリアメタルと半導体との接合面積を変化させることで、使用したい温度範囲や駆動順方向定電流、検出圧力範囲等に適合させることができる。
【００３９】
次に、図１の第１の半導体圧力センサを用いてキャンタイプとした圧力センサユニットを図９に示す。圧力が導入される圧力導入管３１の上に支持台３２を介して第１の半導体圧力センサが取り付けられている。支持台３２は第１の半導体圧力センサとの接着性を良くするために、シリコンやガラス等で構成されている。また、支持台３２の圧力導入孔３５は、第１の半導体圧力センサのダイヤフラム部５の大きさとほぼ同じになるように形成され、圧力導入管３１の圧力導入孔３４の径を変換する役割を有する。リードピン３３で基台や基板に固定する。
【００４０】
図１０は、第１の半導体圧力センサの台座４を取り除いてショットキーバリアダイオード素子１０を直接支持台３２に取り付けた構造となっており、図９のユニットよりも高さを低くすることができる。
【００４１】
上記、図９、１０のいずれの場合にも、図１の半導体圧力センサのダイヤフラム部５が素子の中央部分になく、片側に偏っており、また、素子形状が長方形となっているので、パッケージとする場合に、配置位置が中央から片側に偏ったり、コンパクトな形にすることができない。
【００４２】
そこで、図２の第２の半導体圧力センサを用いたモールドタイプとした圧力センサユニットを図１１に示す。圧力が導入される圧力導入管４１に形成されているガラス等の支持台４２の上に第２の半導体圧力センサが取り付けられている。第２の半導体圧力センサは正方形状で中央部分に圧力感知部であるダイヤフラム部１３が設けられているので、アライメントしやすい。また、開口部１６の大きさも適切に形成できるので、圧力導入管４１の圧力導入孔４３との整合性が良く、コンパクトに形成することができる。第２の半導体圧力センサや支持台４２は中空部４６を除いて樹脂モールド４４で覆われており、リードピン４５により基台や基板に固定される。中空部４６を設けているのは、仮にセンサ内部がすべて樹脂モールド４４で充填されているとすると、ダイヤフラム部１３の弾性変形が発生しなくなり、圧力測定ができなくなってしまうからである。
【００４３】
図１２は、第２の半導体圧力センサの台座部１４を形成せずに、ショットキーバリアダイオード２０を直接支持台４２の上に陽極接合により取り付けて樹脂モールド４４で中空部４６を除いて覆うようにしたものである。これにより、図１１のタイプよりもより小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の半導体圧力センサの構造を示す図である。
【図２】本発明の第２の半導体圧力センサの構造を示す図である。
【図３】半導体圧力センサの素子温度別の順方向電流−順方向電圧特性を示す図である。
【図４】半導体圧力センサの圧力―出力電圧変化特性を示す図である。
【図５】半導体圧力センサの素子温度別の順方向電流−順方向電圧特性を示す図である。
【図６】半導体圧力センサの圧力―出力電圧変化特性を示す図である。
【図７】半導体圧力センサの素子温度別の順方向電流−順方向電圧特性を示す図である。
【図８】半導体圧力センサの圧力―出力電圧変化特性を示す図である。
【図９】第１の半導体圧力センサを用いたキャンタイプの圧力センサの構造を示す図である。
【図１０】第１の半導体圧力センサのショットキーバリアダイオード素子部分を用いたキャンタイプの圧力センサの構造を示す図である。
【図１１】第２の半導体圧力センサを用いたキャンタイプの圧力センサの構造を示す図である。
【図１２】第２の半導体圧力センサのショットキーバリアダイオード素子部分を用いたキャンタイプの圧力センサの構造を示す図である。
【図１３】従来のピエゾ抵抗効果型の半導体圧力センサの構造を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１    バリア膜
２    電極膜
３    ｎ型半導体基板
４    台座部
５    ダイヤフラム部
１０  ショットキーバリアダイオード素子
１１  バリア膜
１２  電極膜
１３  ｎ型半導体基板
１４  台座部
１５  ダイヤフラム部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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