(57)【要約】【課題】ＰＣＶＤ法によるＳｉＮ膜の成膜後の表面平坦性を向上させる手段を提供する。【解決手段】反応室内に投入した半導体ウェハに、ＰＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の製造方法において、反応室内に、酸素を残留させた状態で、窒化シリコン膜を成膜するための半導体ウェハを投入する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に投入した半導体ウェハに、プラズマＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の製造方法において、
前記反応室内に、酸素を残留させた状態で、前記半導体ウェハを投入することを特徴とする窒化シリコン膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体ウェハの投入前に、同じ反応室を用いて、他の半導体ウェハに一酸化窒化シリコン膜を成膜し、前記反応室内に、前記酸素を残留させることを特徴とする窒化シリコン膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記半導体ウェハの投入前に、同じ反応室を用いて、他の半導体ウェハに二酸化シリコン膜を成膜し、前記反応室内に、前記酸素を残留させることを特徴とする窒化シリコン膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項において、
前記半導体ウェハが、シリコン半導体層を備えていることを特徴とする窒化シリコン膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程において、ＰＣＶＤ法を用いて半導体ウェハ上に窒化シリコン膜を成膜するときの窒化シリコン膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体ウェハ上に窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）からなる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜という。）を形成する場合には、プラズマ誘起化学気相成長法（ＰＣＶＤ法という。）により、ＳｉＮ膜の構成元素であるシリコン（Ｓｉ）および窒素（Ｎ）の供給源として、例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）およびアンモニア（ＮＨ３）ガスを用い、キャリアガスを窒素（Ｎ２）として反応室中に導入し、基板温度３００℃、反応室真空度８００ｍＴｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨｚ、高周波出力１５０Ｗの高電界中でプラズマ状態を発生させ、所定の成膜速度で半導体ウェハ上にＳｉＮ膜を成膜している（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００３】
このようなＳｉＮ膜等の各種絶縁性層間膜の膜応力、屈折率（誘電率）等の膜特性は半導体装置の電気特性に直接影響を及ぼすために、製造工程、素子設計の観点から種々の検討がなされ、所定の電気特性を得られる様に膜特性の改善がなされてきており、実際のＳｉＮ膜の製造工程では、所定の膜応力、屈折率（誘電率）等を得るために、供給ガス構成比、プラズマパワー等の上記の成膜条件を適宜に変更することが行われている。
【０００４】
上記のＰＣＶＤ法によるＳｉＮ膜は、半導体装置におけるＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）キャパシタのキャパシタ膜に適用され、半導体装置の大きさの縮小に伴うキャパシタ容量向上の必要性から、キャパシタ膜の高誘電率化という手法の他に、キャパシタ膜として用いるＳｉＮ膜の膜厚を薄くすることが提案されており、ＭＩＭキャパシタのメタル１上に形成したＳｉＮ膜を６０ｎｍに薄膜化したときに、その表面粗さの標準偏差（ＲＭＳ）は２．６ｎｍであるとしている（例えば、非特許文献２参照。）
また、上記のＰＣＶＤ法によるＳｉＮ膜は、半導体ウェハにダマシン構造の配線を形成する際のハードマスクとして適用され、膜厚を５０ｎｍとしたＳｉＮ膜でハードマスクを形成し、これらをマスクとしてビアホールを形成した後に、エッチングにより除去している（例えば、特許文献１参照。）
【非特許文献１】菅野卓雄 編著、「集積回路プロセス技術シリーズ  半導体プラズマプロセス技術」、第６版、株式会社産業図書、１９９０年６月８日、ｐ．３３６−３４９
【非特許文献２】Jiro Yota  他７名、：「Development and Characterization of a 600 A PECVD Si3N4 High-Density MIM Capacitor for InGaP/GaAs HBT Applications」、2003 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology、２００３年、2003 On-line Digest Table of Contentsの中の４．３
【特許文献１】特開２００６−１７９５１５号公報（第１０頁段落００２１−第１１頁段落００２９、第５図、第６図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した非特許文献２および特許文献１の技術においては、ＳｉＮ膜の膜厚が５０〜６０ｎｍであるので、ＳｉＮ膜の成膜後の表面粗さが問題となることはないが、例えば、半導体装置の小型化を図るために、キャパシタ容量を維持しながらＭＩＭキャパシタを小型化するためには、キャパシタ膜として用いるＳｉＮ膜を更に薄膜化することが必要になり、更なる薄膜化を目指したＳｉＮ膜においては、膜厚に対する表面粗さの影響が相対的に大きくなり、膜厚が不均一になると、膜厚の薄い部分では電界が集中するため、キャパシタのメタル間でリークが発生することが懸念され、ＳｉＮ膜の表面平坦性の向上に対する期待が高まっている。
【０００６】
また、ハードマスクとして用いるＳｉＮ膜においても、ＳｉＮ膜を薄膜化すると、ビアホール等の形成における精度の向上や、ハードマスクのエッチング除去における除去時間の短縮等を図ることが可能になるので、ＳｉＮ膜の表面平坦性の向上に対する期待が高まっている。
そこで、本発明は、ＰＣＶＤ法によるＳｉＮ膜の成膜後の表面平坦性を向上させる手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために、反応室内に投入した半導体ウェハに、ＰＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の製造方法において、前記反応室内に、酸素を残留させた状態で、前記半導体ウェハを投入することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
このように、本発明は、ＰＣＶＤ法の成膜装置の反応室内に残留させた酸素（Ｏ）により、成膜の初期段階の窒化シリコン膜の表面を改質することができ、成膜後の窒化シリコン膜の表面平坦性を向上させることができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、図面を参照して本発明による窒化シリコン膜の製造方法の実施例について説明する。
【実施例】
【００１０】
図１は実施例の窒化シリコン膜の製造方法を示す説明図、図２は実施例の窒化シリコン膜の作用の確認方法を示す説明図である。
本実施例のＳｉＮ膜は、図１に示すように、まず、ＰＣＶＤ法の成膜装置の反応室に一の半導体ウェハを投入し、Ｎ２Ｏ（一酸化二窒素）ガスを原料ガスとするＰＣＶＤ法によりダミーＳｉＯＮ（一酸化窒化シリコン）膜を成膜する（ステップＳ１）。
【００１１】
本実施例では、ダミーＳｉＯＮ膜を２μｍ程度の膜厚で成膜する。
なお、本実施例で用いる半導体ウェハは、シリコン半導体層としてのシリコン基板からなるバルク基板である。
この場合のＳｉＯＮ膜の成膜条件は、基板温度３００℃、ＲＦパワー４５Ｗ、反応室圧力９００ｍＴｏｒｒ、Ｎ２ガス流量１５００ｓｃｃｍ、２０％希釈ＳｉＨ４ガス流量２５ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス流量１５ｓｃｃｍ、Ｎ２Ｏガス流量４５ｓｃｃｍであり、この成膜条件で約２０ｎｍ／分の成長速度が得られる。
【００１２】
そして、ステップＳ１でダミーＳｉＯＮ膜を成膜した半導体ウェハを反応室から取出し、その取出し後に連続して、他の半導体ウェハを同じ反応室に投入し、本実施例のＳｉＮ膜をＰＣＶＤ法により所定の膜厚（本実施例では、１０ｎｍ程度）に成膜する（ステップＳ２）。
この場合のＳｉＮ膜の成膜条件は、基板温度３００℃、ＲＦパワー１５０Ｗ、反応室圧力８００ｍＴｏｒｒ、Ｎ２ガス流量３００ｓｃｃｍ、２０％希釈ＳｉＨ４ガス流量４５ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス流量２３ｓｃｃｍであり、この成膜条件で約２５ｎｍ／分の成長速度が得られる。
【００１３】
上記の２つのステップ、つまりＮ２Ｏガスを用いたダミー成膜プロセス（本実施例では、ダミーＳｉＯＮ膜の成膜）の実施後に、通常のＳｉＮ膜の成膜プロセスを行うことによって、表面平坦性が改善された本実施例のＳｉＮ膜が得られる。
本実施例のＳｉＮ膜の表面平坦性の作用および効果を確認するために、図２にＳＡで示すステップに従って、以下に示す３つのＳｉＮ膜を形成した。
【００１４】
ステップＳＡ１、ＰＣＶＤ法の成膜装置の反応室に第１の半導体ウェハを投入し、上記ステップＳ２のＳｉＮ膜の成膜条件と同じ成膜条件で、ＰＣＶＤ法により、表面粗さを比較する基準とする膜厚１０ｎｍの基準ＳｉＮ膜を形成する。
ステップＳＡ２、反応室から基準ＳｉＮ膜を形成した第１の半導体ウェハを取出し、同じ反応室に第２の半導体ウェハを投入し、上記ステップＳ１のＳｉＯＮ膜の成膜条件と同じ成膜条件で、ＰＣＶＤ法により、膜厚２μｍのダミーＳｉＯＮ膜を形成する。
【００１５】
ステップＳＡ３、反応室からダミーＳｉＯＮ膜を形成した第２の半導体ウェハを取出し、同じ反応室に第３の半導体ウェハを投入し、上記ステップＳ２のＳｉＮ膜の成膜条件と同じ成膜条件で、ＰＣＶＤ法により、膜厚１０ｎｍの本実施例のＳｉＮ膜を形成する。
ステップＳＡ４、反応室から本実施例のＳｉＮ膜を形成した第３の半導体ウェハを取出し、同じ反応室に第４の半導体ウェハを投入し、上記ステップＳ２のＳｉＮ膜の成膜条件と同じ成膜条件で、ＰＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍのダミーＳｉＮ膜を形成する。
【００１６】
ステップＳＡ５、反応室からダミーＳｉＮ膜を形成した第４の半導体ウェハを取出し、同じ反応室に第５の半導体ウェハを投入し、上記ステップＳ２のＳｉＮ膜の成膜条件と同じ成膜条件で、ＰＣＶＤ法により、表面粗さのモニタ用として膜厚１０ｎｍのモニタＳｉＮ膜を形成する。
なお、上記ステップＳＡ１〜ＳＡ５の各ステップにおける膜厚の調整は、上記の各成膜条件での成膜時間を、膜厚に応じて変更して行った。
【００１７】
このようにして形成した３つのＳｉＮ膜、つまり第１の半導体ウェハに形成した膜厚１０ｎｍの基準ＳｉＮ膜、第３の半導体ウェハに形成した膜厚１０ｎｍの本実施例のＳｉＮ膜、第５の半導体ウェハに形成した膜厚１０ｎｍのモニタＳｉＮ膜をサンプルとして、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いてそれぞれのＳｉＮ膜の表面粗さを測定した。
図３は膜厚１０ｎｍの基準ＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像である。これを解析して得られた表面粗さの標準偏差（ＲＭＳ）は０．１９８ｎｍであった。
【００１８】
図４は本実施例の膜厚１０ｎｍのＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像である。これを解析して得られた表面粗さの標準偏差（ＲＭＳ）は０．１７４ｎｍであった。
このように、Ｎ２Ｏガスを原料ガスに用いたダミーＳｉＯＮ膜の成膜後に、同じ反応室に新たな半導体ウェハを投入して成膜した本実施例の膜厚１０ｎｍのＳｉＮ膜の表面粗さは、同じ膜厚の基準ＳｉＮ膜の０．１９８ｎｍから０．１７４ｎｍへ、明らかに小さくなることが確認できる。
【００１９】
また、本実施例のＳｉＮ膜の形成後に、膜厚１００ｎｍのダミーＳｉＮ膜の形成プロセスを挟んで形成した膜厚１０ｎｍのモニタＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像を図５に示す。
これを解析して得られた表面粗さの標準偏差（ＲＭＳ）は０．１８６ｎｍとなり、本実施例のＳｉＮ膜の表面粗さの標準偏差（ＲＭＳ）０．１７４ｎｍよりも大きくなっており、モニタＳｉＮ膜の表面粗さが悪化していることが確認された。
【００２０】
これは、ＰＣＶＤ法によるＳｉＮ膜の形成において、Ｎ２Ｏガスを原料ガスに用いたダミーＳｉＯＮ膜の成膜の直後にＳｉＮ膜を成膜すると、その表面粗さの改善効果は顕著に現れるが、その後に引続いて行うＳｉＮ膜の表面粗さは、ダミーＳｉＯＮ膜の成膜を行う前の基準ＳｉＮ膜の表面粗さに漸近的に近づいていくためと考えられる。
また、本実施例の効果に装置依存性がないことを確認するために、他のＰＣＶＤ法の成膜装置を用いて、同様の効果が得られることを確認した。
【００２１】
すなわち、上記ステップＳＡ２と同様にして、Ｎ２Ｏガスを原料ガスに用いた膜厚２μｍ程度のダミーＳｉＯＮ膜の成膜を行った後に、所定の膜厚を２０ｎｍとして本実施例のＳｉＮ膜の成膜を行い、その後に膜厚５００ｎｍ程度のダミーＳｉＮ膜の形成を挟んで、膜厚２０ｎｍのモニタＳｉＮ膜を成膜した。
この場合の膜厚２０ｎｍの本実施例のＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像を図６に、膜厚２０ｎｍのモニタＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像を図７に示す。
【００２２】
これらを解析して得られた膜厚２０ｎｍの本実施例のＳｉＮ膜の表面粗さの標準偏差（ＲＭＳ）は０．３５ｎｍ、同じ膜厚のモニタＳｉＮ膜の表面粗さの標準偏差（ＲＭＳ）は０．９５ｎｍになり、上記したＮ２Ｏガスを原料ガスに用いたダミーＳｉＯＮ膜の成膜の直後に、同じ反応室内で成膜したＳｉＮ膜の表面粗さが最も小さくなるという効果が同様に確認された。
【００２３】
上記のように、所定の膜厚のＳｉＮ膜の成膜を行う直前に、Ｎ２Ｏガスを原料ガスに用いたダミーＳｉＯＮ膜の成膜を行うことにより、そのＳｉＮ膜の表面粗さは、通常のＳｉＮ膜の表面粗さに比べて改善される。
これは、ダミーＳｉＯＮ膜の成膜時に、Ｎ２Ｏガスが分解して生成された酸素（Ｏ）の一部が、ＰＣＶＤ法の成膜装置の反応室内に残留し、極微量の酸素（Ｏ）が反応室内の成膜雰囲気中に残留していることが、その後に成膜されるＳｉＮ膜の平坦化に作用して、成膜後のＳｉＮ膜の表面粗さを向上させるものと考えられる。
【００２４】
この表面粗さの変化による膜特性への影響を確認するために、上記の基準ＳｉＮ膜およびダミーＳｉＯＮ膜の成膜後の本実施例のＳｉＮ膜について、屈折率、膜応力、ＢＨＦ（バッファーフッ酸）に対するエッチレートを測定した。その確認結果を図８に示す。
図８に示すように、屈折率、膜応力、エッチレートについて両者に有意な差異はないと判断でき、Ｎ２Ｏガスを原料ガスに用いたダミーＳｉＯＮ膜の成膜後に成膜したＳｉＮ膜の膜特性は、基準ＳｉＮ膜とほとんど変わらないことが確認された。
【００２５】
なお、基準ＳｉＮ膜および本実施例のＳｉＮ膜のエッチレートについて約１５％の差異が見られるが、下記２つの理由によりこれら両者に本質的な差異はないと判断した。
（１）これまでの実験結果から屈折率とエッチレートは相関があることが判っており、両屈折率に差異はない。
（２）これまでの実績値から設定したエッチレートの管理値は、１７００±４００Åであり、この管理値のバラツキ範囲内の値であり十分許容できる。
【００２６】
更に詳細にＳｉＮ膜の膜質を調べるために、フーリエ変換赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）測定を行った結果を図９に示す。
図９に示すように、基準ＳｉＮ膜と、ダミーＳｉＯＮ膜の成膜後の本実施例のＳｉＮ膜とのスペクトルを比較すると、両者に顕著な差異は見られないものの、図９に丸印で示した波数１０５０ｃｍ−１付近で両者が交差しており、僅かな差異がありそうなことが推察されるが、断定するには非常に微小な変化量である。
【００２７】
なお、ＳｉＯＮ膜のスペクトルを重ねて見ても、ＳｉＯＮ膜のメインピーク位置のＳｉＮ膜のスペクトルに対応するピークは存在しない。
この僅かな変化を詳しく調べるために、ＦＴ−ＩＲスペクトルの微分解析を行った。
図１０は、基準ＳｉＮ膜、およびダミーＳｉＯＮ膜の成膜後の本実施例のＳｉＮ膜、比較のためのＳｉＯＮ膜の合計３種類のサンプルのＦＴ−ＩＲ微分スペクトルを示し、図１１は、図１０のＡ部付近のダミーＳｉＯＮ膜の成膜後の本実施例のＳｉＮ膜、比較のためのＳｉＯＮ膜のＦＴ−ＩＲ微分スペクトルを拡大して示したものである。
【００２８】
図１０に示すように、基準ＳｉＮ膜と本実施例のＳｉＮ膜との２つのＳｉＮ膜の微分スペクトルの間には、図９のＦＴ−ＩＲスペクトルで示した交差部である波数１０５０ｃｍ−１付近に顕著な相違が見られ、これら２つのＳｉＮ膜には、図１０に丸印（Ａ部）で示した波数１０５０ｃｍ−１を中心とした１０００〜１１００ｃｍ−１の範囲に、鋭い微細構造があるか否かの相違があることが判る（本実施例のＳｉＮ膜については図１１参照）。
【００２９】
比較のために、図１０、図１１に示したＳｉＯＮ膜の微分スペクトルには、波数１０５０ｃｍ−１付近にこのような微細構造は存在せず、波数１０５０ｃｍ−１付近の微細構造はＳｉＮ膜に特有のものであり、ＳｉＯＮ膜には存在しないことが判る。
このことから、ＳｉＮ膜の屈折率や膜応力等のマクロな膜特性に相違が現れない範囲で、直前のダミーＳｉＯＮ膜の成膜時の原料ガスであるＮ２Ｏガスにより、ＳｉＮ膜の成膜の初期段階で表面が改質され、これがＳｉＮ膜の平坦化に作用したものと考えられる。
【００３０】
ＰＣＶＤ法による成膜プロセスおける原料ガスは、ＳｉＮ膜の成膜時にはＳｉＨ４、ＮＨ３を、ＳｉＯＮ膜の成膜時にはＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｏを、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる二酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜という。）の成膜時にはＳｉＨ４、Ｎ２Ｏを用いるのが一般的である。
この場合に、ＳｉＯ２あるいはＳｉＯＮ系の膜への酸素（Ｏ）の供給源としてＮ２Ｏガスが働いていることは良く知られている。
【００３１】
このことからも、ダミーＳｉＯＮ膜の成膜時に、Ｎ２Ｏガスが分解して生成された酸素（Ｏ）の一部が、ＰＣＶＤ法の成膜装置の反応室内に残留し、極微量の酸素（Ｏ）が反応室内の成膜雰囲気中に残留していることが、その後に成膜されるＳｉＮ膜の平坦化に作用して、成膜後のＳｉＮ膜の表面粗さを向上させることが裏付けられたと考えられる。
以上説明したように、本実施例では、ＰＣＶＤ法をによる窒化シリコン膜の製造方法において、半導体ウェハの投入前に、同じ反応室を用いて他の半導体ウェハに一酸化窒化シリコン膜を成膜し、反応室内に一酸化二窒素ガスによる酸素を残留させた状態で半導体ウェハを投入して窒化シリコン膜を成膜するようにしたことによって、ＰＣＶＤ法の成膜装置の反応室内に、一酸化窒化シリコン膜の成膜時に供給された一酸化二窒素ガスが分解して生成された極微量の酸素（Ｏ）を反応室内の成膜雰囲気中に残留させることができ、反応室内に残留している酸素（Ｏ）により、窒化シリコン膜の成膜の初期段階の表面を改質して、成膜後の窒化シリコン膜の表面平坦性を向上させることができる。
【００３２】
なお、上記実施例においては、ＳｉＮ膜を形成する前に行う、Ｎ２Ｏガスを原料ガスに用いるＰＣＶＤ法によるダミー成膜の成膜プロセスを、ＳｉＯＮ膜の成膜プロセスとして説明したが、ＳｉＯＮ膜の代わりにＳｉＯ２膜の成膜プロセス等をダミー成膜として行っうようにしてもよい。要は、酸素の供給源となる原料ガスの種類や、ＰＣＶＤ法の成膜装置の反応室内の状態、ダミー成膜の膜種等に関らず、屈折率、膜応力、エッチレート等による膜特性の評価において、基準ＳｉＮ膜の膜特性と異ならない程度の酸素の残留量を実現することができるものであれば、前記の原料ガスやダミー成膜の膜種等に限定されるものではない。
【００３３】
前記のＳｉＯ２膜をダミー成膜として行う場合の成膜条件は、基板温度３００℃、ＲＦパワー３０Ｗ、反応室圧力８００ｍＴｏｒｒ、Ｎ２ガス流量４００ｓｃｃｍ、２０％希釈ＳｉＨ４ガス流量４０ｓｃｃｍ、Ｎ２Ｏガス流量７００ｓｃｃｍにするとよい。この成膜条件で４５ｎｍ／分程度の成長速度が得られる。
また、上記実施例においては、Ｎ２Ｏガスを原料ガスに用いたダミーＳｉＯＮ膜の成膜時の膜厚は２μｍ程度であるとして説明したが、例えば１００ｎｍのＳｉＯＮ膜の成膜プロセスを連続的に繰り返して積算合計の膜厚が２μｍ相当になるようにしてもよい。
【００３４】
更に、上記実施例においては、ＳｉＮ膜の所定の膜厚は１０ｎｍ〜２０ｎｍとして説明したが、これより薄い、あるいは厚いＳｉＮ膜の成膜においても本発明を適用すれば、同様の効果を得ることできる。
更に、上記実施例においては、半導体ウェハは、シリコン半導体層としてのシリコン基板からなるバルク基板であるとして説明したが、半導体ウェハは前記に限らず、シリコンからなる支持基板に埋込み酸化膜を挟んでシリコン半導体層としてのシリコン薄膜層を形成したＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造の半導体ウェハであってもよく、サファイア基板上にシリコン半導体層としてのシリコン薄膜層を形成したＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板や、クオーツ基板上にシリコン半導体層としてのシリコン薄膜層を形成したＳＯＱ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｑｕａｒｔｚ）基板等の半導体ウェハであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施例の窒化シリコン膜の製造方法を示す説明図
【図２】実施例の窒化シリコン膜の作用の確認方法を示す説明図
【図３】膜厚１０ｎｍの基準ＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像
【図４】膜厚１０ｎｍの実施例のＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像
【図５】膜厚１０ｎｍのモニタＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像
【図６】膜厚２０ｎｍの実施例のＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像
【図７】膜厚２０ｎｍのモニタＳｉＮ膜の測定結果を示すＡＦＭ像
【図８】実施例のＳｉＮ膜の膜特性を示す説明図
【図９】実施例のＳｉＮ膜のフーリエ変換赤外分光による測定結果を示すグラフ
【図１０】実施例のＳｉＮ膜の微分スペクトルを示すグラフ
【図１１】図１０のＡ部付近を拡大したＳｉＮ膜の微分スペクトルを示すグラフ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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