(57)【要約】【課題】回路電極が狭接続面積化及び狭ピッチ化されても、安定した電気的接合の確保を低コストで実現可能な回路接続方法を提供する。【解決手段】本発明に係る回路接続方法は、  チップ本体１２の主面Ｓ上にバンプ１６が形成された半導体チップ１０を用意する工程と、バンプ１６に対応する電極が基板の主面に設けられた回路部材を用意する工程と、チップ本体１０の主面Ｓと基板の主面とが対向するように半導体チップ１０及び回路部材を配置する工程と、半導体チップ１０及び回路部材によって異方導電材料を加圧しつつ挟持することで、バンプ１６と電極とを接合する工程とを備える。バンプ１６は、主面Ｓの周縁近傍に複数設けられており、主面Ｓの中央寄りの側から主面Ｓの周縁寄りの側に向かうにつれて主面Ｓからの高さが高くなるような傾斜面１６ａを有している。【選択図】図２
2009135447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の第１主面上に第１回路電極が形成された第１回路部材を用意する第１工程と、
第２基板の第２主面上に第２回路電極が形成された第２回路部材を用意する第２工程と、
前記第１主面と前記第２主面とが対向するように前記第１回路部材及び前記第２回路部材を配置する第３工程と、
接着剤に導電性粒子が分散されてなる異方導電材料を前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に配置し、前記第１回路部材及び前記第２回路部材によって前記異方導電材料を加圧しつつ挟持することで、前記第１回路部材の前記第１回路電極と前記第２回路部材の前記第２回路電極とを接合すると共に前記第１回路電極と前記第２回路電極とを電気的に接続する第４工程とを備え、
前記第１回路電極は、前記第３工程において前記異方導電材料が加圧されることによる前記異方導電材料の流動方向に向かうにつれて前記第１基板の前記第１主面からの高さが高くなるような傾斜面を有することを特徴とする回路接続方法。
【請求項２】
第１基板の第１主面上に第１回路電極が形成された第１回路部材を用意する第１工程と、
第２基板の第２主面上に第２回路電極が形成された第２回路部材を用意する第２工程と、
前記第１主面と前記第２主面とが対向するように前記第１回路部材及び前記第２回路部材を配置する第３工程と、
接着剤に導電性粒子が分散されてなる異方導電材料を前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に配置し、前記第１回路部材及び前記第２回路部材によって前記異方導電材料を加圧しつつ挟持することで、前記第１回路部材の前記第１回路電極と前記第２回路部材の前記第２回路電極とを接合すると共に前記第１回路電極と前記第２回路電極とを電気的に接続する第４工程とを備え、
前記第１回路電極は、
前記第１主面の周縁近傍に複数設けられており、
前記第１主面の中央寄りの側から前記第１主面の周縁寄りの側に向かうにつれて前記第１主面からの高さが高くなるような傾斜面を有していることを特徴とする回路接続方法。
【請求項３】
前記傾斜面は平面状であり、
前記第１主面と前記傾斜面とがなす角θが０°＜θ＜９０°を満たすことを特徴とする、請求項２に記載された回路接続方法。
【請求項４】
前記傾斜面は仮想平面であり、
前記第１回路電極は、前記傾斜面よりも前記第１主面側に向けて窪む湾曲面を有し、
前記湾曲面は、その周縁のうちの少なくとも一部が前記傾斜面に含まれており、
前記第１主面と前記傾斜面とがなす角θが０°＜θ＜９０°を満たすことを特徴とする、請求項２に記載された回路接続方法。
【請求項５】
前記傾斜面の高さをＸとし、前記導電性粒子の粒子径をＬとしたときに、Ｘ≦Ｌの関係を満たすことを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載された回路接続方法。
【請求項６】
第１基板の第１主面上に第１回路電極が形成された第１回路部材を用意する第１工程と、
第２基板の第２主面上に第２回路電極が形成された第２回路部材を用意する第２工程と、
前記第１主面と前記第２主面とが対向するように前記第１回路部材及び前記第２回路部材を配置する第３工程と、
接着剤に導電性粒子が分散されてなる異方導電材料を前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に配置し、前記第１回路部材及び前記第２回路部材によって前記異方導電材料を加圧しつつ挟持することで、前記第１回路部材の前記第１回路電極と前記第２回路部材の前記第２回路電極とを接合すると共に前記第１回路電極と前記第２回路電極とを電気的に接続する第４工程とを備え、
前記第１主面は、一対の縁部を有し、
前記第１回路電極は、
前記一対の縁部の対向方向に延在すると共に前記一対の縁部の対向方向と交差する方向に沿って並ぶように、前記第１主面上に複数設けられ、
中央近傍から前記一対の縁部のうち一方の縁部に向かうにつれて前記第１主面からの高さが高くなるような第１傾斜面を有していると共に、中央近傍から前記一対の縁部のうち他方の縁部に向かうにつれて前記第１主面からの高さが高くなるような第２傾斜面を有していることを特徴とする回路接続方法。
【請求項７】
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面は、それぞれ平面状であり、
前記第１主面と前記第１傾斜面とがなす角θ１が０°＜θ１＜９０°を満たすと共に、前記第１主面と前記第２傾斜面とがなす角θ２が０°＜θ２＜９０°を満たすことを特徴とする、請求項６に記載された回路接続方法。
【請求項８】
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面は、それぞれ仮想平面であり、
前記第１回路電極は、前記第１傾斜面よりも前記第１主面側に向けて窪む第１湾曲面と、前記第２傾斜面よりも前記第１主面側に向けて窪む第２湾曲面とを有し、
前記第１湾曲面は、その周縁のうちの少なくとも一部が前記第１傾斜面に含まれ、
前記第２湾曲面は、その周縁のうちの少なくとも一部が前記第２傾斜面に含まれており、
前記第１主面と前記第１傾斜面とがなす角θ１が０°＜θ１＜９０°を満たすと共に、前記第１主面と前記第２傾斜面とがなす角θ２が０°＜θ２＜９０°を満たすことを特徴とする、請求項６に記載された回路接続方法。
【請求項９】
前記第１傾斜面の高さをＸ１とし、前記第２傾斜面の高さをＸ２とし、前記導電性粒子の粒子径をＬとしたときに、Ｘ１≦Ｌ及びＸ２≦Ｌの関係を満たすことを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載された回路接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路部材の回路接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、多数の回路電極を有する回路部材同士を接合するにあたり、回路電極同士の電気的接合及び機械的接合を一括して行うことが可能な異方導電性接着剤（ＡＣＡ：Anisotropic Conductive Adhesive）の使用が広まっている。ＡＣＡは、接着剤中に、粒子径１００μｍ以下で且つ少なくとも表面が金属である微粒子（導電性粒子）を分散させてなるものである。導電性粒子の材質、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の接着剤に対する充填量は、回路電極の材質、面積、ピッチ（隣接電極間の間隔）に応じて、適宜選択される。
【０００３】
ところで、近年、回路部材の高密度実装化に伴い、回路電極の狭接続面積化及び狭ピッチ化が進んでいる。回路電極の狭接続面積化には、導電性粒子の接着剤に対する充填量を増やすことで対応できるが、この場合、隣接電極間においてショートの発生確率が高まってしまう。また、ＡＣＡに使用される導電性粒子は径が均一である必要があり、ＡＣＡに使用される樹脂に比べ高価であるので、導電性粒子の充填量を増やすと材料コストが高くなる弊害もある。一方、回路電極の狭ピッチ化には、導電性粒子の粒子径が小さいものを用いることで対応できるが、この場合、導電性粒子によって回路電極の高さのばらつきを吸収することが困難となり、安定した電気的接合が確保されない虞がある。
【０００４】
このような状況に鑑み、従来、導電性粒子の表面に絶縁性の微小粒子を形成した複合粒子によって隣接電極間におけるショートの確率を低下させる手法が知られている（下記特許文献１参照）。また、フィルム状ＡＣＡにおいて導電性粒子を含有しない絶縁性接着層を設けることで隣接電極間におけるショートの確率を低下させる手法も知られている（下記特許文献２参照）。
【特許文献１】特許第２７４８７０５号公報
【特許文献２】特許第３６５６７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のような手法では、導電性粒子の表面に絶縁性の微小粒子を形成して得られる複合粒子を用いており、このような複合粒子は、導電性粒子と比較して製造コストが大きく、接着剤に対する充填量を増やした場合にはこの傾向が顕著となるという問題があった。また、上記特許文献２のような手法では、液状のＡＣＡには使用できないという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、回路電極が狭接続面積化及び狭ピッチ化されても、安定した電気的接合の確保を低コストで実現可能な回路接続方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る回路接続方法は、第１基板の第１主面上に第１回路電極が形成された第１回路部材を用意する第１工程と、第２基板の第２主面上に第２回路電極が形成された第２回路部材を用意する第２工程と、第１主面と第２主面とが対向するように第１回路部材及び第２回路部材を配置する第３工程と、接着剤に導電性粒子が分散されてなる異方導電材料を第１回路部材と第２回路部材との間に配置し、第１回路部材及び第２回路部材によって異方導電材料を加圧しつつ挟持することで、第１回路部材の第１回路電極と第２回路部材の第２回路電極とを接合すると共に第１回路電極と第２回路電極とを電気的に接続する第４工程とを備え、第１回路電極は、第３工程において異方導電材料が加圧されることにより異方導電材料が流動する流動方向に向かうにつれて第１基板の第１主面からの高さが高くなるような傾斜面を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る回路接続方法では、第１回路電極が、第３工程において異方導電材料が加圧されることによる異方導電材料の流動方向に向かうにつれて第１基板の第１主面からの高さが高くなるような傾斜面を有している。ここで、異方導電材料に分散されている導電性粒子も異方導電材料の流動方向と同じ方向に流動する。また、傾斜面は、異方導電材料の流動方向に向かうにつれて第１基板の第１主面からの高さが高くなっていることから、異方導電材料の流動方向に向かうように傾斜している。そのため、傾斜面において導電性粒子が補足されやすくなっており、従来の導電性粒子を用いても電気的接続を図ることができる。その結果、導電性粒子の接着剤に対する充填量を増やす必要がなくなることとなり、また、導電性粒子の粒子径が小さいものを用いる必要がなくなることとなるので、回路電極が狭接続面積化及び狭ピッチ化されても、安定した電気的接合の確保を低コストで実現可能となっている。
【０００９】
また、本発明に係る回路接続方法は、第１基板の第１主面上に第１回路電極が形成された第１回路部材を用意する第１工程と、第２基板の第２主面上に第２回路電極が形成された第２回路部材を用意する第２工程と、第１主面と第２主面とが対向するように第１回路部材及び第２回路部材を配置する第３工程と、接着剤に導電性粒子が分散されてなる異方導電材料を第１回路部材と第２回路部材との間に配置し、第１回路部材及び第２回路部材によって異方導電材料を加圧しつつ挟持することで、第１回路部材の第１回路電極と第２回路部材の第２回路電極とを接合すると共に第１回路電極と第２回路電極とを電気的に接続する第４工程とを備え、第１回路電極は、第１主面の周縁近傍に複数設けられており、第１主面の中央寄りの側から第１主面の周縁寄りの側に向かうにつれて第１主面からの高さが高くなるような傾斜面を有していることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る回路接続方法では、第１回路電極が第１主面の周縁近傍に複数設けられている。そのため、第１回路部材及び第２回路部材によって異方導電材料を加圧しつつ挟持する第４工程において、第１回路部材と第２回路部材との間に配置されている異方導電材料は、主として第１主面の中央から第１主面の周縁に向けて放射状に流動することとなる。そして、本発明に係る回路接続方法では、第１回路電極が、第１主面の中央寄りの側から第１主面の周縁寄りの側に向かうにつれて第１主面からの高さが高くなるような傾斜面を有している。つまり、傾斜面は、異方導電材料の流動方向に向かうにつれて第１主面からの高さが高くなっていることから、異方導電材料の流動方向に向かうように傾斜している。そのため、傾斜面において導電性粒子が補足されやすくなっており、従来の導電性粒子を用いても電気的接続を十分に図ることができる。その結果、導電性粒子の接着剤に対する充填量を増やす必要がなくなることとなり、また、導電性粒子の粒子径が小さいものを用いる必要がなくなることとなるので、回路電極が狭接続面積化及び狭ピッチ化されても、安定した電気的接合の確保を低コストで実現可能となっている。
【００１１】
好ましくは、傾斜面は平面状であり、第１主面と傾斜面とがなす角θが０°＜θ＜９０°を満たす。
【００１２】
好ましくは、傾斜面は仮想平面であり、第１回路電極は、傾斜面よりも第１主面側に向けて窪む湾曲面を有し、湾曲面は、その周縁のうちの少なくとも一部が傾斜面に含まれており、第１主面と傾斜面とがなす角θが０°＜θ＜９０°を満たす。
【００１３】
好ましくは、傾斜面の高さをＸとし、導電性粒子の粒子径をＬとしたときに、Ｘ≦Ｌの関係を満たす。このようにすると、傾斜面において捕集された導電性粒子が扁平しやすくなる。その結果、低い接続抵抗を得ることが可能となる。
【００１４】
また、本発明に係る回路接続方法は、第１基板の第１主面上に第１回路電極が形成された第１回路部材を用意する第１工程と、第２基板の第２主面上に第２回路電極が形成された第２回路部材を用意する第２工程と、第１主面と第２主面とが対向するように第１回路部材及び第２回路部材を配置する第３工程と、接着剤に導電性粒子が分散されてなる異方導電材料を第１回路部材と第２回路部材との間に配置し、第１回路部材及び第２回路部材によって異方導電材料を加圧しつつ挟持することで、第１回路部材の第１回路電極と第２回路部材の第２回路電極とを接合すると共に第１回路電極と第２回路電極とを電気的に接続する第４工程とを備え、第１主面は、一対の縁部を有し、第１回路電極は、一対の縁部の対向方向に延在すると共に一対の縁部の対向方向と交差する方向に沿って並ぶように、第１主面上に複数設けられ、中央近傍から一対の縁部のうち一方の縁部に向かうにつれて第１主面からの高さが高くなるような第１傾斜面を有していると共に、中央近傍から前記一対の縁部のうち他方の縁部に向かうにつれて第１主面からの高さが高くなるような第２傾斜面を有していることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る回路接続方法では、第１回路電極が、一対の縁部の対向方向に延在すると共に一対の縁部の対向方向と交差する方向に沿って並ぶように、第１主面上に複数設けられている。そのため、第１回路部材及び第２回路部材によって異方導電材料を加圧しつつ挟持する第４工程において、第１回路部材と第２回路部材との間に配置されている異方導電材料は、主として第１回路電極の延在方向（一対の縁部の対向方向）に沿うように流動することとなる。そして、本発明に係る回路接続方法では、第１回路電極が、中央近傍から一対の縁部のうち一方の縁部に向かうにつれて第１主面からの高さが高くなるような第１傾斜面を有していると共に、中央近傍から前記一対の縁部のうち他方の縁部に向かうにつれて第１主面からの高さが高くなるような第２傾斜面を有している。つまり、第１傾斜面及び第２傾斜面は、共に、第１回路電極の中央近傍から異方導電材料の流動方向に向かうにつれて第１主面からの高さが高くなっていることから、異方導電材料の流動方向に向かうように傾斜している。そのため、第１傾斜面及び第２傾斜面において導電性粒子が補足されやすくなっており、従来の導電性粒子を用いても電気的接続を十分に図ることができる。その結果、導電性粒子の接着剤に対する充填量を増やす必要がなくなることとなり、また、導電性粒子の粒子径が小さいものを用いる必要がなくなることとなるので、回路電極が狭接続面積化及び狭ピッチ化されても、安定した電気的接合の確保を低コストで実現可能となっている。
【００１６】
好ましくは、第１傾斜面及び第２傾斜面は、それぞれ平面状であり、第１主面と第１傾斜面とがなす角θ１が０°＜θ１＜９０°を満たすと共に、第１主面と第２傾斜面とがなす角θ２が０°＜θ２＜９０°を満たす。
【００１７】
好ましくは、第１傾斜面及び第２傾斜面は、それぞれ仮想平面であり、第１回路電極は、第１傾斜面よりも第１主面側に向けて窪む第１湾曲面と、第２傾斜面よりも第１主面側に向けて窪む第２湾曲面とを有し、第１湾曲面は、その周縁のうちの少なくとも一部が第１傾斜面に含まれ、第２湾曲面は、その周縁のうちの少なくとも一部が第２傾斜面に含まれており、第１主面と第１傾斜面とがなす角θ１が０°＜θ１＜９０°を満たすと共に、第１主面と第２傾斜面とがなす角θ２が０°＜θ２＜９０°を満たす。
【００１８】
好ましくは、第１傾斜面の高さをＸ１とし、第２傾斜面の高さをＸ２とし、導電性粒子の粒子径をＬとしたときに、Ｘ１≦Ｌ及びＸ２≦Ｌの関係を満たす。このようにすると、第１傾斜面及び第２傾斜面において捕集された導電性粒子が扁平しやすくなる。その結果、低い接続抵抗を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、回路電極が狭接続面積化及び狭ピッチ化されても、安定した電気的接合の確保を低コストで実現可能な回路接続方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２１】
（１）第１実施形態
（１．１）半導体チップの構成
まず、図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る回路接続方法において用いられる半導体チップ１０の構成について説明する。半導体チップ１０は、チップ本体１２と、バンプ列１４Ａ〜１４Ｄとを有する。半導体チップ１０は例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）用のドライバとして用いられる。
【００２２】
チップ本体１２は、略直方体形状を呈しており、図示しないドライバ回路が形成された主面Ｓを有している。主面Ｓは、矩形状を呈しており、対向する一対の長辺１２ａ，１２ｂ及び対向する一対の短辺１２ｃ，１２ｄを有している。
【００２３】
バンプ列１４Ａは、主面Ｓ上であって長辺１２ａ近傍に設けられている。バンプ列１４Ａは、長辺１２ａに沿って配列された複数のバンプ（回路電極）１６によって構成されている。なお、図１においては、複数のバンプ１６が二列に並んでバンプ列１４Ａを構成しているが、一列でも、三列以上であってもよい。
【００２４】
バンプ列１４Ｂは、主面Ｓ上であって長辺１２ｂ近傍に設けられている。バンプ列１４Ｂは、長辺１２ｂに沿って配列された複数のバンプ（回路電極）１６によって構成されている。なお、図１においては、複数のバンプ１６が二列に並んでバンプ列１４Ｂを構成しているが、一列でも、三列以上であってもよい。
【００２５】
バンプ列１４Ｃは、主面Ｓ上であって短辺１２ｃ近傍に設けられている。バンプ列１４Ｃは、短辺１２ｃに沿って配列された複数のバンプ（回路電極）１６によって構成されている。なお、図１においては、複数のバンプ１６が一列に並んでバンプ列１４Ｃを構成しているが、二列以上であってもよい。
【００２６】
バンプ列１４Ｄは、主面Ｓ上であって短辺１２ｄ近傍に設けられている。バンプ列１４Ｄは、短辺１２ｄに沿って配列された複数のバンプ（回路電極）１６によって構成されている。なお、図１においては、複数のバンプ１６が一列に並んでバンプ列１４Ｄを構成しているが、二列以上であってもよい。
【００２７】
バンプ列１４Ａ，１４Ｂを構成するバンプ１６は、例えば信号の入出力のために用いられ、バンプ列１６Ｃ，１６Ｄを構成するバンプ１６は、例えば半導体チップ１０への電力の供給のために用いられる。
【００２８】
ここで、バンプ１６は、図２に示されるように、チップ本体１２の主面Ｓの中央に向かう平面状の傾斜面１６ａを有している。そのため、バンプ１６の傾斜面１６ａは、主面Ｓの中央寄りの側から主面Ｓの周縁寄りの側（図２では短辺１２ｄ側）に向かうにつれて主面Ｓからの高さが漸次高くなっている。
【００２９】
主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θは、０°＜θ＜９０°であると好ましく、０°＜θ≦３０°であると、導電性粒子Ｐ（詳しくは後述する）の補足数が増加すると共に接続抵抗が低くなる傾向にあるため、より好ましい。
【００３０】
傾斜面１６ａの高さ（傾斜面１６ａのうち最も主面Ｓに遠い部分の主面Ｓからの高さと傾斜面１６ａのうち最も主面Ｓに近い部分の主面Ｓからの高さとの差）Ｘは、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌ（図９参照）以下（Ｘ≦Ｌ）であると好ましく、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌの１／２以下（Ｘ≦０．５×Ｌ）であるとより好ましい。傾斜面１６ａの高さＸが導電性粒子Ｐの粒子径Ｌ以下であると、傾斜面１６ａにおいて捕集された導電性粒子Ｐが扁平しやすくなるので、低い接続抵抗を得ることが可能となる。また、傾斜面１６ａの高さＸが導電性粒子Ｐの粒子径Ｌの１／２以下であると、傾斜面１６ａにおいて捕集された導電性粒子Ｐが適切に扁平し、より低い接続抵抗を得ることが可能となる。なお、傾斜面１６ａの高さＸが導電性粒子Ｐの粒子径Ｌの３倍以上（Ｘ≧３×Ｌ）であると、バンプ１６のうち傾斜面１６ａを含む上面に導電性粒子Ｐが存在していても、半導体チップ１０の接続対象である他の回路部材（図示せず）の主面上に設けられた回路電極（図示せず）に導電性粒子Ｐが接触しなくなってしまうこととなる。
【００３１】
導電性粒子Ｐが傾斜面１６ａと直接接触する機会が増加することとなるので、傾斜面１６ａの面積は広いほど好ましい。
【００３２】
（１．２）回路接続方法
続いて、上述の半導体チップ１０を他の回路部材（図示せず）に搭載し、半導体チップ１０のバンプ１６と他の回路部材の回路電極とを接続する方法について説明する。
【００３３】
まず、上述した構成を有する半導体チップ１０を用意する。また、半導体チップ１０のチップ本体１２に設けられている複数のバンプ１６にそれぞれ対応する電極が基板の主面に設けられた回路部材を用意する。
【００３４】
続いて、異方導電性接着剤を回路部材の主面に配置する。ここで用いられる異方導電性接着剤としては、少なくとも表面が金属である微粒子を接着剤（樹脂）中に分散したものであれば、特に限定されない。異方導電性接着剤に使用される接着剤としては、例えば、接着ハンドブック（第２版、日刊工業新聞社刊、日本接着協会編）ＩＩ．接着剤編に記載されている接着剤を好適に用いることができる。異方導電性接着剤に使用される導電性粒子Ｐとしては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、はんだ等の金属粒子や、カーボン粒子がある。また、ガラス、セラミック、プラスチック等からなる非導電性粒子の表面に、導電性材料（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、はんだ等の金属）を被覆して導電層を形成し、最外層を貴金属類とした場合や、熱溶融金属粒子の場合、加熱加圧により変形性を有するので、接続時に電極との接触面積が増加し信頼性が向上するので好ましい。ここで、貴金属類の被覆層の厚みを１００オングストローム以上とすると、良好な抵抗を得ることができるため好ましい。ただし、Ｎｉ等の遷移金属の上に貴金属類の層を設ける場合には、貴金属類層の欠損や導電性粒子の混合分散時に生じる貴金属類層の欠損等により生じる酸化還元作用で遊離ラジカルが発生し、保存性低下を引き起こすため、貴金属類の被覆層の厚みを３００オングストローム以上とすることが好ましい。導電性粒子は、接着剤樹脂成分１００体積部に対して、通常、０．１〜３０体積部の範囲であり、用途により使い分ける。過剰な導電性粒子による隣接回路の短絡等を防止するためには０．１〜１０体積部とするのがより好ましい。
【００３５】
続いて、回路部材の主面に半導体チップ１０を搭載し、図示しない圧着手段によって半導体チップ１０を回路部材に所定の温度で熱圧着する。これにより、半導体チップ１０と回路部材との回路の接続が完了する。
【００３６】
（１．３）作用
以上のような第１実施形態においては、バンプ１６が主面Ｓの周縁（長辺１２ａ，１２ｂ及び短辺１２ｃ，１２ｄ）近傍に複数設けられている。そのため、半導体チップ１０と回路部材とを熱圧着する際、半導体チップ１０と回路部材との間に配置されている異方導電性接着剤は、主として主面Ｓの中央から主面Ｓの周縁（長辺１２ａ，１２ｂ及び短辺１２ｃ，１２ｄ）に向けて放射状に流動することとなる（図１及び図２参照）。そして、第１実施形態においては、バンプ１６が、主面Ｓの中央寄りの側から主面Ｓの周縁（長辺１２ａ，１２ｂ及び短辺１２ｃ，１２ｄ）寄りの側に向かうにつれて主面Ｓからの高さが高くなるような傾斜面１６ａを有している。つまり、傾斜面１６ａは、異方導電性接着剤の流動方向に向かうにつれて主面Ｓからの高さが高くなっていることから、異方導電性接着剤の流動方向に向かうように傾斜している。そのため、傾斜面１６ａにおいて導電性粒子Ｐが補足されやすくなっており、従来の導電性粒子Ｐを用いても電気的接続を十分に図ることができる。その結果、導電性粒子Ｐの接着剤に対する充填量を増やす必要がなくなることとなり、また、導電性粒子Ｐの粒子径が小さいものを用いる必要がなくなることとなるので、回路電極が狭接続面積化及び狭ピッチ化されても、安定した電気的接合の確保を低コストで実現可能となっている。
【００３７】
（２）第２実施形態
（２．１）フレキシブルプリント基板の構成
次に、図４〜図６を参照して、第２実施形態に係る回路接続方法において用いられるフレキシブルプリント（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）基板２０の構成について説明する。第２実施形態に係る回路接続方法において用いられるフレキシブルプリント基板２０は、電極の形状及び配列の点で、上述した第１実施形態に係る回路接続方法において用いられる半導体チップ１０と相違する。
【００３８】
フレキシブルプリント基板２０は、図４及び図５に示されるように、基材２２と、主面Ｓ上に設けられた複数の電極２８とを有する。
【００３９】
基材２２は、略直方体形状を呈しており、図示しないドライバ回路が形成された主面Ｓを有している。主面Ｓは、矩形状を呈しており、対向する一対の長辺２２ａ，２２ｂ及び対向する一対の短辺２２ｃ，２２ｄを有している。
【００４０】
複数の電極２８は、一対の長辺２２ａ，２２ｂの対向方向（一対の短辺２２ｃ，２２ｄの延在方向）に沿うように延びている。また、複数の電極２８は、一対の短辺２２ｃ，２２ｄの対向方向（一対の長辺２２ａ，２２ｂの延在方向）に沿って所定の間隔をもって並んでいる。
【００４１】
ここで、電極２８は、図６に示されるように、平面状の傾斜面２８ａ，２８ｂを有している。傾斜面２８ａは、電極２８の長手方向における中央近傍から主面Ｓの周縁寄りの側（図６では長辺２２ａ側）に向かうにつれて主面Ｓからの高さが漸次高くなっている。傾斜面２８ｂは、電極２８の長手方向における中央近傍から主面Ｓの周縁寄りの側（図６では長辺２２ｂ側）に向かうにつれて主面Ｓからの高さが漸次高くなっている。なお、第２実施形態において、傾斜面２８ａ，２８ｂの下縁は、共通しており、電極２８の長手方向における中央に位置している。
【００４２】
主面Ｓと傾斜面２８ａとがなす角θ１は、０°＜θ１＜９０°であると好ましく、０°＜θ１≦３０°であるとより好ましい。同様に、主面Ｓと傾斜面２８ｂとがなす角θ２は、０°＜θ２＜９０°であると好ましく、０°＜θ２≦３０°であるとより好ましい。
【００４３】
傾斜面２８ａの高さ（傾斜面２８ａのうち最も主面Ｓに遠い部分の主面Ｓからの高さと傾斜面２８ａのうち最も主面Ｓに近い部分の主面Ｓからの高さとの差）Ｘ１は、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌ（図９参照）以下（Ｘ１≦Ｌ）であると好ましく、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌの１／２以下（Ｘ１≦０．５×Ｌ）であるとより好ましい。傾斜面２８ｂの高さ（傾斜面２８ｂのうち最も主面Ｓに遠い部分の主面Ｓからの高さと傾斜面２８ｂのうち最も主面Ｓに近い部分の主面Ｓからの高さとの差）Ｘ２は、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌ（図９参照）以下（Ｘ２≦Ｌ）であると好ましく、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌの１／２以下（Ｘ２≦０．５×Ｌ）であるとより好ましい。なお、傾斜面２８ａの高さＸ１が導電性粒子Ｐの粒子径Ｌの３倍以上（Ｘ１≧３×Ｌ）、又は、傾斜面２８ｂの高さＸ２が導電性粒子Ｐの粒子径Ｌの３倍以上（Ｘ２≧３×Ｌ）であると、電極２８のうち傾斜面２８ａ，２８ｂを含む上面に導電性粒子Ｐが存在していても、フレキシブルプリント基板２０の接続対象である他の回路部材（図示せず）の主面上に設けられた回路電極（図示せず）に導電性粒子Ｐが接触しなくなってしまうこととなる。
【００４４】
導電性粒子Ｐが傾斜面２８ａ，２８ｂと直接接触する機会が増加することとなるので、傾斜面２８ａ，２８ｂの面積は広いほど好ましい。
【００４５】
（２．２）作用
以上のようなフレキシブルプリント基板２０を用いて回路の接続を行った場合でも、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００４６】
（３）変形例
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、第１実施形態では、傾斜面１６ａが平面状であったが、図３に示されるように、傾斜面１６ａを仮想平面とし、この仮想平面（傾斜面１６ａ）よりも主面Ｓ側に向けて窪む湾曲面１６ｂをバンプ１６が有していてもよい。特に、図３に示されるように、湾曲面１６ｂの上端部が導電性接着剤の流動方向に向けて突出していると、良好な接続抵抗が得られることとなるため好ましい。なお、図３において、湾曲面１６ｂの上縁と下縁が仮想平面（傾斜面１６ａ）に含まれている。
【００４７】
また、第２実施形態では、傾斜面２８ａ，２８ｂが平面状であったが、図７及び図８に示されるように、傾斜面２８ａ，２８ｂを仮想平面とし、この仮想平面（傾斜面２８ａ，２８ｂ）よりも主面Ｓ側に向けて窪む湾曲面２８ｃ，２８ｄを電極２８が有していてもよい。なお、図７及び図８において、湾曲面２８ｃ，２８ｄは連続した一の湾曲面を構成しており、当該一の湾曲面のうち最も主面Ｓに近い部分（最も窪んだ部分）は、電極２８の長手方向における中央に位置し、傾斜面２８ａ，２８ｂの下縁として共通している。
【実施例１】
【００４８】
以下、実施例１−１〜１−３及び比較例１並びに図１、図２及び図１０に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４９】
（実施例１−１）
まず、図１及び図２に示されるような、チップ本体１２と、バンプ列１４Ａ〜１４Ｄとを有する半導体チップ１０を用意した。具体的には、チップ本体１２は、１．７ｍｍ×１．７ｍｍの正方形状であり、その厚みが０．５μｍであった。チップ本体１２の主面Ｓ上に設けられたバンプ１６の数は、３６２個であった。バンプ１６は、その幅が３０μｍであり、その長さが１００μｍであり、主面Ｓからの高さＨ（図２参照）が１５μｍであった。傾斜面１６ａの高さＸは１０μｍであり、主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θは３０°であった。隣り合うバンプ１６同士の間隔は、１０μｍであった。
【００５０】
次に、導電性粒子Ｐが接着フィルム中に分散された異方導電性接着フィルムを用意した。具体的には、異方導電性接着フィルムは、２ｍｍ×１９ｍｍであった。導電性粒子Ｐの粒子径Ｌは、３．２５μｍであった。なお、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌは、マイクロトラック粒度分布測定装置（日機装株式会社製、ＨＲＡ９３２０−Ｘ１００型）を用いて測定した。
【００５１】
次に、異方導電性接着フィルムを、温度を８０℃、圧力を０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）として、厚みが０．７ｍｍのＡｌ回路付きガラス基板に貼り付けた後、異方導電性接着フィルムのセパレータを剥離し、半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との位置合わせを行った。そして、温度を１９０℃、圧力を４０ｇ／バンプ（１つのバンプ１６にかかる加重が４０ｇ）、時間を１０秒として、半導体チップ１０の上方から加熱及び加圧を行い、半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続を行った。その後、バンプ１６上（傾斜面１６ａを含むバンプ１６の表面上）に存在する導電性粒子Ｐの数を１０個のバンプ１６について測定し、その値を１０で割ることで、導電性粒子Ｐの平均捕捉数（１バンプあたりの導電性粒子Ｐの捕捉数）を算出した。
【００５２】
なお、実施例１−１では、異方導電性接着フィルムとして、接着フィルム中における導電性粒子Ｐの密度が６２６００個／ｍｍ２、７２３００個／ｍｍ２及び８３５００個／ｍｍ２の三種類を用いて、半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００５３】
（実施例１−２）
主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θを４５°とした以外は、実施例１−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００５４】
（実施例１−３）
主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θを６０°とした以外は、実施例１−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００５５】
（比較例１）
傾斜面１６ａを有しない直方体形状のバンプとした以外は、実施例１−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップとＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００５６】
（評価結果）
導電性粒子Ｐの平均捕捉数の測定結果を図１０に示す。図１０に示されるように、実施例１−１〜１−３における導電性粒子Ｐの平均捕捉数は、比較例１における導電性粒子Ｐの平均捕捉数よりも向上した。特に、主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θが３０°であるときに最も導電性粒子Ｐの平均捕捉数が多くなった。
【実施例２】
【００５７】
以下、実施例２−１〜２−３及び比較例２並びに図１、図２及び図１１に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５８】
（実施例２−１）
導電性粒子Ｐの粒子径Ｌを３．７５μｍとし、接着フィルム中における導電性粒子Ｐの密度が４６７００個／ｍｍ２、５２２００個／ｍｍ２及び６５７００個／ｍｍ２の三種類を用いた以外は、実施例１−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００５９】
（実施例２−２）
主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θを４５°とした以外は、実施例２−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００６０】
（実施例２−３）
主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θを６０°とした以外は、実施例２−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００６１】
（比較例２）
傾斜面１６ａを有しない直方体形状のバンプとした以外は、実施例２−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップとＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００６２】
（評価結果）
導電性粒子Ｐの平均捕捉数の測定結果を図１１に示す。図１１に示されるように、実施例２−１〜２−３における導電性粒子Ｐの平均捕捉数は、比較例２における導電性粒子Ｐの平均捕捉数よりも向上した。特に、主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θが３０°であるときに最も導電性粒子Ｐの平均捕捉数が多くなった。
【実施例３】
【００６３】
以下、実施例３−１〜３−３及び比較例２並びに図１、図２及び図１２に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６４】
（実施例３−１）
導電性粒子Ｐの粒子径Ｌを４．００μｍとし、接着フィルム中における導電性粒子Ｐの密度が３８５００個／ｍｍ２、４７０００個／ｍｍ２及び５３０００個／ｍｍ２の三種類を用いた以外は、実施例１−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００６５】
（実施例３−２）
主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θを４５°とした以外は、実施例３−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００６６】
（実施例３−３）
主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θを６０°とした以外は、実施例３−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップ１０とＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００６７】
（比較例３）
傾斜面１６ａを有しない直方体形状のバンプとした以外は、実施例３−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いて半導体チップとＡｌ回路付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００６８】
（評価結果）
導電性粒子Ｐの平均捕捉数の測定結果を図１２に示す。図１２に示されるように、実施例３−１〜３−３における導電性粒子Ｐの平均捕捉数は、比較例３における導電性粒子Ｐの平均捕捉数よりも向上した。特に、主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θが３０°であるときに最も導電性粒子Ｐの平均捕捉数が多くなった。なお、実施例１〜３より、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌ及び接着フィルム中における導電性粒子Ｐの密度に関係なく、導電性粒子Ｐの平均捕捉数は、主面Ｓと傾斜面１６ａとがなす角θが３０°のときに最大３０％向上した。
【実施例４】
【００６９】
以下、実施例４−１〜４−３及び比較例４並びに図４〜図６及び図１３に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００７０】
（実施例４−１）
まず、図４〜図６に示されるような、基材２２と、基材２２の主面Ｓ上に設けられた複数の電極２８とを有するフレキシブルプリント基板２０を用意した。具体的には、基材２２は、その厚みが３８μｍであった。基材２２の主面Ｓ上に設けられた電極２８の数は、６０個であった。電極２８は、その幅が２５μｍであり、その長さが２ｍｍであり、主面Ｓからの高さＨ（図６参照）が１８μｍであった。傾斜面２８ａ，２８ｂの高さＸ１，Ｘ２は共に１０μｍであり、主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２は共に３０°であった。隣り合う電極２８同士の間隔は、２５μｍであった。
【００７１】
次に、導電性粒子Ｐが接着フィルム中に分散された異方導電性接着フィルムを用意した。具体的には、異方導電性接着フィルムは、２．０ｍｍ×３０ｍｍであった。導電性粒子Ｐの粒子径Ｌは、３．００μｍであった。なお、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌは、マイクロトラック粒度分布測定装置（日機装株式会社製、ＨＲＡ９３２０−Ｘ１００型）を用いて測定した。
【００７２】
次に、異方導電性接着フィルムを、温度を８０℃、圧力を０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）として、厚みが０．７ｍｍのＩＴＯ付きガラス基板に貼り付けた後、異方導電性接着フィルムのセパレータを剥離し、フレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との位置合わせを行った。そして、温度を１９０℃、圧力を３０ｇ／電極（１つの電極２８にかかる加重が３０ｇ）、時間を１０秒として、フレキシブルプリント基板２０の上方から加熱及び加圧を行い、フレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続を行った。その後、電極２８上（傾斜面２８ａ，２８ｂを含む電極２８の表面上）に存在する導電性粒子Ｐの数を１０個の電極２８について測定し、その値を１０で割ることで、導電性粒子Ｐの平均捕捉数（１バンプあたりの導電性粒子Ｐの捕捉数）を算出した。
【００７３】
なお、実施例４−１では、異方導電性接着フィルムとして、接着フィルム中における導電性粒子Ｐの密度が５００個／ｍｍ２、１００００個／ｍｍ２及び１５０００個／ｍｍ２の三種類を用いて、フレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００７４】
（実施例４−２）
主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２を４５°とした以外は、実施例４−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００７５】
（実施例４−３）
主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２を６０°とした以外は、実施例４−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００７６】
（比較例４）
傾斜面２８ａ，２８ｂを有しない直方体形状のバンプとした以外は、実施例４−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００７７】
（評価結果）
導電性粒子Ｐの平均捕捉数の測定結果を図１３に示す。図１３に示されるように、実施例４−１〜４−３における導電性粒子Ｐの平均捕捉数は、比較例４における導電性粒子Ｐの平均捕捉数よりも向上した。特に、主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２が３０°であるときに最も導電性粒子Ｐの平均捕捉数が多くなった。
【実施例５】
【００７８】
以下、実施例５−１〜５−３及び比較例５並びに図４〜図６及び図１４に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００７９】
（実施例５−１）
導電性粒子Ｐの粒子径Ｌを３．８０μｍとした以外は、実施例４−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００８０】
（実施例５−２）
主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２を４５°とした以外は、実施例５−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００８１】
（実施例５−３）
主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２を６０°とした以外は、実施例５−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００８２】
（比較例５）
傾斜面２８ａ，２８ｂを有しない直方体形状のバンプとした以外は、実施例５−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００８３】
（評価結果）
導電性粒子Ｐの平均捕捉数の測定結果を図１４に示す。図１４に示されるように、実施例５−１〜５−３における導電性粒子Ｐの平均捕捉数は、比較例５における導電性粒子Ｐの平均捕捉数よりも向上した。特に、主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２が３０°であるときに最も導電性粒子Ｐの平均捕捉数が多くなった。
【実施例６】
【００８４】
以下、実施例６−１〜６−３及び比較例６並びに図４〜図６及び図１５に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００８５】
（実施例６−１）
導電性粒子Ｐの粒子径Ｌを５．００μｍとした以外は、実施例４−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００８６】
（実施例６−２）
主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２を４５°とした以外は、実施例６−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００８７】
（実施例６−３）
主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２を６０°とした以外は、実施例６−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板２０とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００８８】
（比較例６）
傾斜面２８ａ，２８ｂを有しない直方体形状のバンプとした以外は、実施例６−１と同様にして、三種類の異方導電性接着フィルムを用いてフレキシブルプリント基板とＩＴＯ付きガラス基板との回路接続をそれぞれ行い、それぞれについて導電性粒子Ｐの平均捕捉数を算出した。
【００８９】
（評価結果）
導電性粒子Ｐの平均捕捉数の測定結果を図１５に示す。図１５に示されるように、実施例６−１〜６−３における導電性粒子Ｐの平均捕捉数は、比較例６における導電性粒子Ｐの平均捕捉数よりも向上した。特に、主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２が３０°であるときに最も導電性粒子Ｐの平均捕捉数が多くなった。なお、実施例４〜６より、導電性粒子Ｐの粒子径Ｌ及び接着フィルム中における導電性粒子Ｐの密度に関係なく、導電性粒子Ｐの平均捕捉数は、主面Ｓと傾斜面２８ａ，２８ｂとがなす角θ１，θ２が３０°のときに最大３０％向上した。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】図１は、第１実施形態に係る回路接続方法において用いられる半導体チップを示す上面図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る回路接続方法において用いられる半導体チップの他の例を示す断面図である。
【図４】図４は、第２実施形態に係る回路接続方法において用いられるフレキシブルプリント基板を示す上面図である。
【図５】図５は、第２実施形態に係る回路接続方法において用いられるフレキシブルプリント基板の一部を示す斜視図である。
【図６】図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【図７】図７は、第２実施形態に係る回路接続方法において用いられるフレキシブルプリント基板の他の例の一部を示す斜視図である。
【図８】図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
【図９】図９は、導電性粒子を示す図である。
【図１０】図１０は、実施例１−１〜１−３及び比較例１の各実施条件及びそれらの測定結果を示す表である。
【図１１】図１１は、実施例２−１〜２−３及び比較例２の各実施条件及びそれらの測定結果を示す表である。
【図１２】図１２は、実施例３−１〜３−３及び比較例３の各実施条件及びそれらの測定結果を示す表である。
【図１３】図１３は、実施例４−１〜４−３及び比較例４の各実施条件及びそれらの測定結果を示す表である。
【図１４】図１４は、実施例５−１〜５−３及び比較例５の各実施条件及びそれらの測定結果を示す表である。
【図１５】図１５は、実施例６−１〜６−３及び比較例６の各実施条件及びそれらの測定結果を示す表である。
【符号の説明】
【００９１】
１０…半導体チップ、１２…チップ本体、１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂ…長辺、１２ｃ，１２ｄ，２２ｃ，２２ｄ…短辺、１４Ａ〜１４Ｄ…バンプ列、１６…バンプ、１６ａ…傾斜面、１６ｂ…湾曲面、２０…フレキシブルプリント基板、２８…電極、２８ａ，２８ｂ…傾斜面、２８ｃ，２８ｄ…湾曲面、Ｓ…主面。
【図１】
2009135447.tif 000003
【図２】
2009135447.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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