(57)【要約】【課題】  磁気ヘッドの製造方法に関し、磁気抵抗効果素子の狭コア幅化と狭ギャップ化を実現する。【解決手段】  基板の上方に磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、磁気抵抗効果膜上にキャップ層兼嵩上げ層を成膜する工程と、キャップ層兼嵩上げ層上に金属膜を成膜する工程と、金属膜上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングして第１のパターンを形成する工程と、サイドウォール用膜を全面に覆うように形成する工程と、サイドウォール用膜をエッチバックにより第１のパターンの側壁のみに残して傘状パターンを形成する工程と、傘状パターンをエッチングマスクにして磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、絶縁膜をスパッタ形成する工程と、磁区制御膜を成膜する工程と、傘状パターンをリフトオフさせる工程と、素子全体をイオンミリングを用いてエッチバックさせてキャップ層兼嵩上げ層を除去するイオンミリング工程と、磁気抵抗効果素子上に上部磁気シールドを形成する工程とを設ける。【選択図】          図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、前記磁気抵抗効果膜上にキャップ層兼嵩上げ層を成膜する工程と、前記キャップ層兼嵩上げ層上に金属膜を成膜する工程と、前記金属膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングして第１のパターンを形成する工程と、サイドウォール用膜を全面に覆うように形成する工程と、前記サイドウォール用膜をエッチバックにより前記第１のパターンの側壁のみに残して傘状パターンを形成する工程と、前記傘状パターンをエッチングマスクにして前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、絶縁膜をスパッタ形成する工程と、磁区制御膜を成膜する工程と、前記傘状パターンをリフトオフさせる工程と、素子全体をイオンミリングを用いてエッチバックさせて前記キャップ層兼嵩上げ層を除去するイオンミリング工程と、前記磁気抵抗効果素子上に上部磁気シールドを形成する工程を有する磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記磁気抵抗効果膜のエッチング工程において、前記磁気抵抗効果膜の幅が前記傘状パターンの幅より小さくなるようにしてＴ字型パターンを形成する請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記リフトオフ工程の前に、垂直入射時のミリングレートが前記キャップ層兼嵩上げ層より小さな非磁性膜を成膜する工程を有する請求項１または２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記イオンミリング工程において、ミリングレートの角度依存を利用して前記キャップ層兼嵩上げ層のミリングレートが前記非磁性膜のミリングレートより大きくなる角度でイオンミオリングを行う請求項３記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記イオンミリング工程において、前記キャップ層兼嵩上げ層がＲｕからなり、且つ、前記非磁性膜がＴａからなるとともに、前記イオンの照射角度を前記基板の法線方向から４５°〜５５°傾いた角度とする請求項４記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドの製造方法に関し、特に、磁気抵抗効果膜を用いた再生磁気ヘッドをリフトオフ法を用いて狭コア幅化及び狭ギャップ化するための構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の情報処理機器における記憶手段として、ハードディスクドライブ装置が用いられているが、このようなハードディスクドライブ装置における再生用の磁気ヘッドにはＧＭＲ素子或いはＴＭＲ素子等が用いられている。
【０００３】
このＧＭＲ素子或いはＴＭＲ素子は、外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗センサであり、検出感度が良好であるため、磁気記録装置の高密度記録化に寄与している。
【０００４】
このようなＧＭＲ素子或いはＴＭＲ素子を用いた再生磁気ヘッドを狭コア幅化するために、括れ部を有するレジストパターンを利用したリフトオフ法で形成されているので（例えば、特許文献１或いは特許文献２参照）、ここで、図７及び図８を参照して従来のリフトオフ法を用いた再生磁気ヘッドの製造工程を説明する。
【０００５】
まず、図７（ａ）に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板（図示は省略）上に設けた下部磁気シールド層６１上に磁気抵抗効果膜６２を設け、この磁気抵抗効果膜６２上に反射防止膜兼二層レジストの下層部分にあたる底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）６３をスピンコートにて塗布する。
【０００６】
次いで、耐酸素ドライエッチング性のあるＳｉ含有レジストをスピンコートにて塗布したのち、エキシマレーザー（ＫｒＦ）露光を用いて、リードコア幅を決める露光を行い、現像することによってレジストパターン６４を形成する。
【０００７】
次いで、図７（ｂ）に示すように、レジストパターン６４をマスクとして酸素を用いたドライエッチングで底部反射防止膜６３を選択除去して括れ部を有する二層レジストパターン６５を形成する。
この時、上層部分のＳｉ含有レジストからなるレジストパターン６４は、耐酸素ドライエッチング性を持つため、膜減りおよびシュリンクは起こらない。
【０００８】
次いで、図７（ｃ）に示すように、二層レジストパターン６５をエッチングマスクとして、イオンミリングを用いて磁気抵抗効果膜６２の露出部ををエッチングして磁気抵抗効果素子部６６を形成する。
この時、二層レジストパターン６５の側壁等にミリング残渣６７が再付着する。
【０００９】
次いで、図８（ｄ）に示すように、ＡＬＤ（原子層堆積）法或いはスパッタリング法を用いて絶縁分離用のＡｌ2 Ｏ3 膜６８を全面に成膜する。
次いで、スパッタリング法を用いて磁区制御膜６９を成膜する。
【００１０】
次いで、図８（ｅ）に示すように、リフトオフ法を用いて二層レジストパターン６５とともに、二層レジストパターン６５の表面に堆積したＡｌ2 Ｏ3 膜６８及び磁区制御膜６９等を除去する。
【００１１】
次いで、図８（ｆ）に示すように、めっきシード層７０を設けたのち、電解めっき法により上部磁気シールド層７１を成膜することによって、磁気抵抗効果素子の基本構造が完成する。
【特許文献１】特開２００３−２０３３１３号公報
【特許文献２】特開平１１−２７３０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、近年の更なる高密度記録化の要請に応えるためには、上述の括れ部を有するレジストパターンを用いたリフトオフ法では対応が困難になってきている。
即ち、更なる狭コア幅化が必要になるが、そのためには二層レジストパターンの幅も狭くする必要がある。
【００１３】
しかし、この二層レジストパターンの幅を狭くしていくと、二層レジストパターンが倒れてしまい、マスクパターンとして機能しなくなるため、狭コア幅化には限界があるという問題がある。
【００１４】
また、磁気抵抗効果膜を加工するために、通常は磁気抵抗効果膜の表面にＲｕ等のキャップ層を設けているが、このキャップ層の存在が高密度記録化のための障害になるため、キャップ層も精度良く除去して狭ギャップ化する必要がある。
【００１５】
したがって、本発明は、磁気抵抗効果素子の製造に関して、磁気抵抗効果素子の狭コア幅化と狭ギャップ化を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一観点によれば、基板の上方に磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、前記磁気抵抗効果膜上にキャップ層兼嵩上げ層を成膜する工程と、前記キャップ層兼嵩上げ層上に金属膜を成膜する工程と、前記金属膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングして第１のパターンを形成する工程と、サイドウォール用膜を全面に覆うように形成する工程と、前記サイドウォール用膜をエッチバックにより前記第１のパターンの側壁のみに残して傘状パターンを形成する工程と、前記傘状パターンをエッチングマスクにして前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、絶縁膜膜をスパッタ形成する工程と、磁区制御膜を成膜する工程と、前記傘状パターンをリフトオフさせる工程と、素子全体をイオンミリングを用いてエッチバックさせて前記キャップ層兼嵩上げ層を除去するイオンミリング工程と、前記磁気抵抗効果素子上に上部磁気シールドを形成する工程を有する磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
開示の磁気ヘッドの製造方法によれば、単層レジストを用いて形成したパターンを含む傘状パターンを利用して磁気抵抗効果膜をエッチングしているので、狭コア幅化する際に、パターンの倒れ込みが発生することがない。
【００１８】
また、キャップ層兼嵩上げ層を除去する際に、イオンミリングのビーム入射角度依存によるレート差を利用しているので、平坦なリード素子の仕上げを行うことができ、それによって、狭ギャップ化も可能になる。
この結果、高記録密度のハードディスクドライブ装置の普及に寄与するところが大きく、工業的価値は大なるものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
ここで、図１乃至図５を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１（ａ）に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板（図示は省略）上に設けた下部磁気シールド層１１上に、例えば、スパッタリング法を用いてＴＭＲ膜１２、キャップ層兼嵩上げ層となる厚さが、例えば、１５ｎｍＲｕ膜１３、及び、傘状パターンを形成するための材料膜、例えば、厚さが、１０ｎｍのＴｉ膜１４を順次堆積させる。
【００２０】
このＴＭＲ膜１２は、例えば、５ｎｍのＴａ下地層、８ｎｍのＩｒＭｎ反強磁性層、２ｎｍのＣｏＦｅＢピンド層、ＭｇＯからなるトンネル絶縁膜、１．５ｎｍのＣｏＦｅＢフリー層、及び、２ｎｍのＮｉＦｅフリー層からなる。
【００２１】
次いで、Ｔｉ膜１４のエッチングマスクとなる単層レジストからなるレジストパターン１５を、エキシマレーザー露光を用いてパターニングすることにより再生磁気ヘッドのコア幅と同程度、例えば、７０ｎｍになるように形成する。
【００２２】
次いで、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン１５をエッチングマスクとして、例えば、ＳＦ6 系などのフッ素系ドライエッチングを用いてＴｉ膜１４をエッチングする。
次いで、図１（ｃ）に示すように、全面に、絶縁膜１６、特に、ＳｉＯ2 等の酸化膜を厚く成膜する。
【００２３】
次いで、図２（ｄ）に示すように、ＣＦ4 及びＣＨＦ3 等のフッ素系ドライエッチングを用いて、絶縁膜１６をＴｉ膜１４が露出するまでエッチバックしてサイドウォール１７を形成することによって、Ｔｉ膜１４と合わせて傘状パターン１８を構成する。
【００２４】
次いで、図２（ｅ）に示すように、傘状パターン１８をエッチングマスクとして、メタノール系ガスまたはＣＯ／ＮＨ3 の混合ガスを用いて異方性エッチングする。
この時のガス圧は、例えば、４．５ｍＴｏｒｒとする。
引き続いて、図２（ｆ）に示すように、同じエッチングガスを用いてガス圧を高くして等方性エッチングすることによって、Ｒｕ膜１３及びＴＭＲ膜１２の幅をＴｉ膜１４の幅程度に狭くしてＴ字状パターンを形成する。
この時のガス圧は、例えば、７．５ｍＴｏｒｒとする。
【００２５】
次いで、図３（ｇ）に示すように、スパッタリング法を用いて絶縁分離用のＡｌ2 Ｏ3 膜１９を例えば、８ｎｍの厚さに成膜する。
この時、ガス圧を上げることによって、Ｔ字状パターンの縦棒部の側面にもＡｌ2 Ｏ3 膜１９を成膜することができる。
なお、ＡＬＤ法等を用いると、傘状パターン１８の底面側にもＡｌ2 Ｏ3 膜が回り込むので望ましくない。
【００２６】
次いで、図３（ｈ）に示すように、スパッタリング法を用いて例えば、ＣｏＣｒＰｔ膜からなる磁区制御膜２０を成膜する。
この時、Ｔ字状パターンの側面においてＴＭＲ膜１２の高さとほぼ等しくなるように磁区制御膜２０を堆積する。
【００２７】
次いで、図３（ｉ）に示すように、Ｒｕ膜１３の除去工程において磁区制御膜２０を保護するための非磁性膜、例えば、Ｔａ膜２１を例えば、５ｎｍの厚さに成膜する。
【００２８】
次いで、図４（ｊ）に示すように、例えば、弗化水素酸を用いて、Ｔｉ膜１４及びサイドウォール１７からなる傘状パターン１８をエッチング除去する。
この時に、傘状パターン１８の表面に堆積したＡｌ2 Ｏ3 膜１９、磁区制御膜２０及びＴａ膜２１も同時にリフトオフされる。
【００２９】
次いで、図４（ｋ）に示すように、Ａｒイオンを用いたイオンミリングにより、ＴＭＲ膜１２上に設けたＲｕ膜１３を除去する。
この時、イオンミリングレートの角度依存性を利用することによって、ＴａのミリングレートがＲｕ及びＡｌ2 Ｏ3 のミリングレートより小さくなる角度でＡｒイオンを照射することによって、Ｒｕ膜１３及びＲｕ膜１３の側面に付着したＡｌ2 Ｏ3 膜１９を除去して表面を平坦化する。
【００３０】
図５は、ミリングレートの角度依存性の説明図であり、入射角は基板の法線に対する傾斜を意味する。
図から明らかなように、約５０°の角度において、ＲｕとＡｌ2 Ｏ3 のミリングレートが等しくなるとともに、ＴａのミリングレートがＲｕとＡｌ2 Ｏ3 のミリングレートの２／３程度となる。
【００３１】
したがって、５０°近傍、例えば、４５°〜５５°程度の入射角でイオンを照射することによって、Ｒｕ膜１３及びＲｕ膜１３の側面に付着したＡｌ2 Ｏ3 膜１９をほぼ同じレートで除去することができるとともに、ＴａのＲｕに対する選択比を大きくすることができる。
【００３２】
この時、ミリングレートの大きな磁区制御膜２０はミリングレートの小さなＴａ膜２１で覆われているので、不所望に除去されることはない。
なお、磁区制御膜２０上のＴａ膜２１も同時に消失するように、ミリングレート及びＴａ膜２１の膜厚を制御することが望ましいが、Ｔａ膜２１は多少残存しても問題はない。
【００３３】
次いで、図４（ｌ）に示すように、めっきシード層２２を設けたのち、電解めっき法により上部磁気シールド層２３を成膜することによって、再生磁気ヘッドの基本構造が完成する。
【００３４】
このように、本発明の実施の形態においては、コア幅形成用パターンとリフトオフ用パターンを別個に構成しているので括れ部を有する二層レジストパターンを用いることなく、狭コア幅化が可能になる。
【００３５】
なお、Ｔｉ膜１４及びサイドウォール１７からなる傘状パターン１８の代わりにサイズの大きな単一のＴｉパターンを用いてもエッチング時のガス圧及びエッチング時間を制御することによってリフトオフ用のＴ字パターンを形成することは可能である。
それによって、狭コア幅化も可能である。
【００３６】
しかし、この場合の単一のＴｉパターンの側面の形状は垂直或いは若干順テーパ状の矩形パターンとなるため、Ｔｉパターンの側面の側面においてＡｌ2 Ｏ3 膜を介して成膜する磁区制御膜の密着性が悪く、膜剥がれが発生する虞がある。
膜剥がれが発生すると、膜剥がれ残渣はリフトオフ工程で除去されずにそのまま残存して、ＴＭＲ膜上に設けたＲｕ膜と接触してショートする原因となる。
【００３７】
しかし、本発明のようにサイドウォール１７を利用した傘状パターン１８の場合には、傘状パターン１８の側端部が曲面状になっているので、磁区制御膜は傘状パターン１８上に安定して成膜されて剥離が生ずることがない。
それによって、膜剥がれ残渣によるショートをなくすことができる。
【００３８】
また、キャップ層兼嵩上げ層をイオンミリングで除去する際に、ミリングレートの角度依存性を利用しているので、磁区制御膜にダメージを与えることなくキャップ層兼嵩上げ層と同時にＡｌ2 Ｏ3 膜を除去することができる。
したがって、平坦なリード素子の仕上げを行うことができるため、狭ギャップ化も可能になる。
【実施例１】
【００３９】
以上を前提として、次に、図６を参照して本発明の実施例１の垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する。
図６は、本発明の実施例１の垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの概略的構成説明図であり、まず、上記の実施例１と全く同様の工程によって、スライダーの母体となる、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上にＡｌ2 Ｏ3 膜（いずれも図示を省略）を介して下部電極を兼ねる下部磁気シールド層１１、ＴＭＲ膜１２、磁区制御膜２０、上部電極を兼ねる上部磁気シールド層２３、及び、Ａｌ2 Ｏ3 膜２４を設ける。
【００４０】
このＡｌ2 Ｏ3 膜２４は、磁気抵抗効果素子部を所定のパターンに加工したのち、平坦化のために埋め込むものであり、実際には、上記の図４（ｋ）と図４（ｌ）の間に行われる。
なお、ＴＭＲ膜１２と磁区制御膜２０との間に設けるＡｌ2 Ｏ3 膜１９は図示を省略する。
【００４１】
次いで、上部磁気シールド層２３上にＡｌ2 Ｏ3 膜２５を全面に設けたのち、選択電解メッキ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 膜２５上に厚さが１〜３μｍ、例えば、１．０μｍのＮｉＦｅからなる主磁極補助層２６を設ける。
なお、電解メッキ工程におけるメッキベース層については説明を省略する。
【００４２】
次いで、スパッタリング法を用いて全面にＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させたのち、ＣＭＰを用いて平坦化することによって、ヘッド媒体対向面側の凹部をＡｌ2 Ｏ3 埋込層２７で埋め込み、次いで、選択電解メッキ法を用いて全面に厚さが０．１５〜０．３０μｍ、例えば、０．２５μｍのＣｏＮｉＦｅ層２８を形成する。
次いで、スパッタリング法を用いて全面に厚さが３０〜１００ｎｍ、例えば、６０ｎｍで、非磁性体、例えば、Ｒｕからなるギャップ層２９を設ける。
【００４３】
次いで、選択電解メッキ法を用いてヘッド媒体対向面側に厚さが０．３〜０．５μｍ、例えば、０．５μｍのＣｏＮｉＦｅ層を堆積させたのち、レジストパターン（図示を省略）をマスクとして傾斜方向からＡｒイオンを用いたイオンミリングを施すことによってＣｏＮｉＦｅ層２８乃至Ａｌ2 Ｏ3 埋込層２７の先端部を選択的に除去して主磁極３０及び突出部３１を形成する。
【００４４】
次いで、再び、スパッタリング法を用いて全面にＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させたのち、ＣＭＰを用いて平坦化することによって、Ａｌ2 Ｏ3 埋込層３２を形成したのち、再び、選択電解メッキ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 埋込層３２上にＣｕを選択的に成膜して平面スパイラル状のライトコイル３３を形成する。
【００４５】
次いで、ライトコイル３３を覆うようにフォトレジストを設け、このフォトレジストを被覆絶縁膜３４としたのち、再び、選択電解メッキ法を用いてＮｉＦｅ層を堆積させ、被覆絶縁膜３４上に堆積したＮｉＦｅ層をリターンヨーク３５とし、被覆絶縁膜３４のヘッド媒体対向面側の側面に堆積したＮｉＦｅ層をシールド層３６とする。
なお、ライトコイル３３は主磁極３０とリターンヨーク３５とを磁気的に接続するリターンヨーク３５と一体に形成された接続部３７を中心として巻回した構造となっている。  最後に、ヘッド媒体対向面側を切断し、素子高さを調整するようにＡＢＳ面を研磨することによって、本発明の実施例１の垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの基本構成が得られる。
【００４６】
以上、本発明の実施の形態及び各実施例を説明してきたが、本発明は実施の形態及び各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能である。例えば、上記の実施の形態においては、コア幅を規定するパターンとしてＴｉ膜を用いているが、Ｔｉ膜に限られるものではなく、サイドウォールと同時に他の部材に対して選択エッチング可能な金属であれば良い。
【００４７】
また、上記の実施の形態においては、磁気抵抗効果膜としてＴＭＲ膜を用いているが、ＴＭＲ膜に限られるものではなく、ＧＭＲ膜等の他の磁気抵抗効果膜を用いても良いものである。
【００４８】
また、上記の実施の形態においては、サイドウォール用膜としてＳｉＯ2 膜を用いているがＳｉＯ2 膜に限られるものではなく、例えば、ＳｉＮ膜等の他の絶縁膜を用いても良いものである。
【００４９】
以上の実施例１を含む本発明の実施の形態に関し、以下の付記を開示する。
（付記１）  基板の上方に磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、前記磁気抵抗効果膜上にキャップ層兼嵩上げ層を成膜する工程と、前記キャップ層兼嵩上げ層上に金属膜を成膜する工程と、前記金属膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングして第１のパターンを形成する工程と、サイドウォール用膜を全面に覆うように形成する工程と、前記サイドウォール用膜をエッチバックにより前記第１のパターンの側壁のみに残して傘状パターンを形成する工程と、前記傘状パターンをエッチングマスクにして前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、絶縁膜をスパッタ形成する工程と、磁区制御膜を成膜する工程と、前記傘状パターンをリフトオフさせる工程と、素子全体をイオンミリングを用いてエッチバックさせて前記キャップ層兼嵩上げ層を除去するイオンミリング工程と、前記磁気抵抗効果素子上に上部磁気シールドを形成する工程を有する磁気ヘッドの製造方法。
（付記２）  前記レジストパターンが、矩形状の単層レジストからなる付記１記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記３）  前記磁気抵抗効果膜のエッチング工程において、前記磁気抵抗効果膜の幅が前記傘状パターンの幅より小さくなるようにしてＴ字型パターンを形成する付記１または２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記４）  前記リフトオフ工程の前に、垂直入射時のミリングレートが前記キャップ層兼嵩上げ層より小さな非磁性膜を成膜する工程を有する付記１乃至３のいずれか１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記５）  前記イオンミリング工程において、ミリングレートの角度依存を利用して前記キャップ層兼嵩上げ層のミリングレートが前記非磁性膜のミリングレートより大きくなる角度でイオンミオリングを行う付記５記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記６）  前記絶縁膜がアルミナ膜であり、前記イオンミリング工程において、ミリングレートの角度依存を利用して前記アルミナ膜のミリングレートが前記非磁性膜のミリングレートより大きくなる角度でイオンミオリングを行う付記５記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記７）  前記イオンミリング工程において、前記キャップ層兼嵩上げ層がＲｕからなり、且つ、前記非磁性膜がＴａからなるとともに、前記イオンの照射角度を前記基板の法線方向から４５°〜５５°傾いた角度とする付記６記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）  前記サイドウォール用膜が酸化膜であり、且つ、前記金属膜がＴｉであり、前記リフトオフ工程において、弗化水素酸を用いる付記１乃至７のいずれか１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記９）  前記上部磁気シールド上に誘導型ライトヘッドを設ける工程を有する付記１乃至８のいずれか１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態の再生磁気ヘッドの途中までの製造工程の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態の再生磁気ヘッドの図１以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施の形態の再生磁気ヘッドの図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態の再生磁気ヘッドの図３以降の製造工程の説明図である。
【図５】ミリングレートの角度依存性の説明図である。
【図６】本発明の実施例１の垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの概略的構成説明図である。
【図７】従来のリフトオフ法を用いた再生磁気ヘッドの途中までの製造工程の説明図である。
【図８】従来のリフトオフ法を用いた再生磁気ヘッドの図７以降の製造工程の説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１１  下部磁気シールド層
１２  ＴＭＲ膜
１３  Ｒｕ膜
１４  Ｔｉ膜
１５  レジストパターン
１６  絶縁膜
１７  サイドウォール
１８  傘状パターン
１９  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２０  磁区制御膜
２１  Ｔａ膜
２２  めっきシード層
２３  上部磁気シールド層
２４  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２５  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２６  主磁極補助層
２７  Ａｌ2 Ｏ3 埋込層
２８  ＣｏＮｉＦｅ層
２９  ギャップ層
３０  主磁極
３１  突出部
３２  Ａｌ2 Ｏ3 埋込層
３３  ライトコイル
３４  被覆絶縁膜
３５  リターンヨーク
３６  シールド層
３７  接続部
６１  下部磁気シールド層
６２  磁気抵抗効果膜
６３  底部反射防止膜
６４  レジストパターン
６５  二層レジストパターン
６６  磁気抵抗効果素子部
６７  ミリング残渣
６８  Ａｌ2 Ｏ3 膜
６９  磁区制御膜
７０  めっきシード層
７１  上部磁気シールド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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