(57)【要約】【課題】工程数を大幅に増加させることなく、上部リターンヨークの上面を含む平坦化された平面を形成すると共に、該平面上に段差部の無い低熱膨張材層を形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録ヘッド部の基体上に平面螺旋状のコイル層を形成する工程と、螺旋中央部を除くコイル層の巻線間および巻線上に第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層の上に浮上面位置から少なくともコイル層の反浮上面側の一部に掛かる位置までに対応させて上部リターンヨークを形成する工程と、上部リターンヨークおよび第１の絶縁層の上に第２の絶縁層を形成する工程と、上部リターンヨークの上面と第２の絶縁層の上面とが連続する同一平面となるように平坦化を行う工程と、該平面上にスパッタリングにより低熱膨張材層を形成する工程とを備える。【選択図】図１
2009224003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に所定の薄膜を順次積層して、記録ヘッド部を形成した後、積層面と直交する一面を浮上面に形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記記録ヘッド部の基体上に平面螺旋状のコイル層を形成する工程と、
螺旋中央部を除く前記コイル層の巻線間および巻線上に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の上に、前記浮上面位置から少なくとも前記コイル層の反浮上面側の一部に掛かる位置までに対応させて上部リターンヨークを形成する工程と、
前記上部リターンヨークおよび前記第１の絶縁層の上に、第２の絶縁層を形成する工程と、
前記上部リターンヨークの上面と、前記第２の絶縁層の上面とが連続する同一平面となるように平坦化を行う工程と、
前記同一平面の上に、スパッタリングにより低熱膨張材層を形成する工程と、を備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記上部リターンヨークを形成する工程は、
前記基体の上面を基準として、該上部リターンヨークの最小高さが、次工程である前記平坦化を行う工程により形成される平面の高さ以上となるまで、鍍金により形成すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記上部リターンヨークを形成する工程は、
前記基体の上面を基準として、該上部リターンヨークの最小高さが、次工程である前記平坦化を行う工程により形成される平面と略同一の高さとなるまで、鍍金により形成すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記上部リターンヨークの最小高さは、前記コイル層の螺旋中央部位置における該上部リターンヨークの最小高さであること
を特徴とする請求項２または請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記上部磁極を形成する工程は、
前記第１の絶縁層および前記基体の上に、鍍金により上部リターンヨーク第１層を形成する工程と、
前記コイル層よりも浮上面側の前記上部リターンヨーク第１層の上にマスク層を形成する工程と
前記上部リターンヨーク第１層の上に、鍍金により上部リターンヨーク第２層を形成する工程と
前記マスク層を除去する工程と、を備えること
を特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、さらに詳細には、低熱膨張材層を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の性能向上と共に、薄膜磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。現在、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型再生素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型の記録ヘッドが開発されている。例えば、磁気ディスク装置には、上記の再生ヘッドと記録ヘッドとを一体に形成した複合型の薄膜磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
ところで、磁気ディスク装置の記録密度向上のために、記録媒体上での薄膜磁気ヘッドの浮上量を少なくして磁気抵抗効果型再生素子の再生信号におけるＳ／Ｎ比（信号対雑音比）をできる限り大きくすることが必要となってきている。しかし、記録媒体と磁気ヘッドの浮上面との浮上量が減少するに伴い、磁気ディスク装置を高温環境下で使用する場合に薄膜磁気ヘッドの浮上面が熱膨張のために突出する現象が問題となっている。この現象は、高温環境下で熱膨張係数の大きい薄膜磁気ヘッド中の金属部分およびレジスト等の有機物が熱膨張し、熱膨張係数の小さい基板等よりも浮上面において突出することにより生ずるものである。このような突出現象が顕著な場合には、薄膜磁気ヘッドの先端が記録媒体に接触して、当該記録媒体あるいは薄膜磁気ヘッドを摩耗、損傷するという可能性がある。実際の装置では高温環境下で接触が生じないよう室温において浮上量を高く設定するために、室温あるいは低温環境下で記録再生特性が劣化し、記録密度を増加できないという問題を生ずる。したがって、磁気ディスク装置の高記録密度化を達成する上で、上記突出現象を防止することが課題となっている。
【０００４】
ここで、環境温度に起因する薄膜磁気ヘッド浮上面の突出現象を防止する従来技術の一例として、特許文献１記載の薄膜磁気ヘッドが提案されている（図１８参照）。それによれば、記録媒体からの磁気情報を電気信号に変換する再生機能部１１１と、記録媒体へ磁気情報を書き込む電磁変換作用を有する書き込み機能部１１０と、再生機能部と書き込み機能部上に形成された第１の保護膜１３０と、を備えた磁気ヘッドであって、第１の保護膜１３０上に第２の保護膜１３１を形成し、且つ第２の保護膜１３１の線膨張係数を第１の保護膜１３０の線膨張係数に比べて小さくする構成を備えて、前記突出現象が低減されるというものである。当該第２の保護膜１３１がいわゆる「低熱膨張材層」である。なお、図中、符号１１２はコイル、１１４、１１５は書き込み用磁極、１１６はトラック幅規定用磁極、１１７、１１８は再生用上部磁極、下部磁極、１１９は磁気抵抗効果膜、１２０は電極、１２４は下地膜、１２５は基板である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１９２６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般的に、低熱膨張材層は、薄膜磁気ヘッド内における熱膨張係数の大きい金属材料層にできる限り近接させて設けることが突出防止の効果を高める観点から有効である。
ここで、本願出願人が従来より実施を行っている、低熱膨張材層を備える薄膜磁気ヘッドの例を図１９に示す。当該薄膜磁気ヘッド２０１のように、低熱膨張材層２５２の配設位置を、熱膨張係数が大きく且つ記録特性に大きな影響を与える上部リターンヨーク２４７上に直接積層させる構成とすることで、突出防止効果を向上させることが可能となる。しかし、その一方で、低熱膨張材層は層厚を１〜３μｍ程度と厚く形成する必要があるため、図に示すような段差部を有する上部リターンヨーク２４７上に成膜すると、その後のパターン形成においてエッチング残や変質層２６０が発生し、形状異常、あるいは変質層２６０が分離して記録媒体を損傷させる等の課題が生じ得る。
この課題を解決するために、上部コイル層形成後に、磁性膜接続層を形成し、上面の平坦化後に上部リターンヨークを形成する方法も考えられなくはないが、工程数が大幅に増加（単純工程数の比較で５０工程以上増加）し、かつ上部リターンヨーク段差が改善できない点で、有効性に欠ける。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、工程数を大幅に増加させることなく、上部リターンヨークの上面を含む平坦化された平面を形成すると共に、該平面上に段差部の無い低熱膨張材層を形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。  
【０００９】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に所定の薄膜を順次積層して、記録ヘッド部を形成した後、積層面と直交する一面を浮上面に形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記記録ヘッド部の基体上に平面螺旋状のコイル層を形成する工程と、螺旋中央部を除く前記コイル層の巻線間および巻線上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に、前記浮上面位置から少なくとも前記コイル層の反浮上面側の一部に掛かる位置までに対応させて上部リターンヨークを形成する工程と、前記上部リターンヨークおよび前記第１の絶縁層の上に、第２の絶縁層を形成する工程と、前記上部リターンヨークの上面と、前記第２の絶縁層の上面とが連続する同一平面となるように平坦化を行う工程と、前記同一平面の上に、スパッタリングにより低熱膨張材層を形成する工程と、を備えることを要件とする。
【００１０】
また、前記上部リターンヨークを形成する工程は、前記基体の上面を基準として、該上部リターンヨークの最小高さが、次工程である前記平坦化を行う工程により形成される平面の高さ以上となるまで、もしくは、該平面と略同一の高さとなるまで、鍍金により形成することを要件とする。
【００１１】
また、前記上部リターンヨークの最小高さは、前記コイル層の螺旋中央部位置における該上部リターンヨークの最小高さであることを要件とする。
【００１２】
また、前記上部磁極を形成する工程は、前記第１の絶縁層および前記基体の上に、鍍金により上部リターンヨーク第１層を形成する工程と、前記コイル層よりも浮上面側の前記上部リターンヨーク第１層の上にマスク層を形成する工程と前記上部リターンヨーク第１層の上に、鍍金により上部リターンヨーク第２層を形成する工程と前記マスク層を除去する工程と、を備えることを要件とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの製造に関し、上部リターンヨークの上面を含む平坦化された平面を形成すると共に、該平面上に段差部の無い低熱膨張材層を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の第一の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド１の構成例を示す概略図である。図２〜図７は、その薄膜磁気ヘッド１の製造方法を説明するための説明図である。図８は、その薄膜磁気ヘッド１の上面図（低熱膨張材層５２上面から基板１１へ向かう方向の図）である。図９〜図１１は、本発明の第二の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。図１２〜図１５は、本発明の第三の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。図１６、図１７は、本発明の第三の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である（上部リターンヨーク４７の形成工程についての変形例）。
【００１５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド１は、ハードディスクなどの磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッド部３を有する薄膜磁気ヘッドである。
記録ヘッド部３が積層され、その積層面に直交する面に浮上面５が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面５によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
【００１６】
薄膜磁気ヘッド１の構成について、垂直記録型の薄膜磁気ヘッドを例にとり説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
例えば、図１に示すように、薄膜磁気ヘッド１は、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備えて構成される。なお、符合５は浮上面を表すが、本来、浮上面は、下記の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、以下に説明する途中工程においては、厳密には浮上面形成予定位置と考えるべきものである。また、図中、無ハッチングで無符号の層は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される絶縁層である（他の図において同様）。
【００１７】
再生ヘッド部２の構成に関して、より具体的には、当該多層構造として、基板１１上に、下部シールド層１３、磁気抵抗効果型再生素子１４、上部シールド層１５が積層される。例えば、基板１２は、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等の絶縁材料を用いて構成される。
【００１８】
ここで、磁気抵抗効果型再生素子１４は、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子を用いて構成される。これらＴＭＲ素子およびＧＭＲ素子の膜構成としては、種々の構成を採用することができる。
【００１９】
下部シールド層１３は、磁性材料（軟磁性材）であるパーマロイ等を用いて構成される。また、上部シールド層１５も、下部シールド層１３と同様にパーマロイ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。
【００２０】
本実施の形態においては、上部シールド層１５の上層には、絶縁材料からなる磁性分離層１６が設けられて、その上に記録ヘッド部３が設けられる。
【００２１】
記録ヘッド部３の構成に関して、より具体的には、パーマロイ等の磁性材料からなる下部リターンヨーク１８が設けられる。また、下部リターンヨーク１８上には、コイル下部絶縁層２０が設けられる。コイル下部絶縁層２０は、一例として、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。
なお、コイル下部絶縁層２０中に、記録ヘッド部３の浮上面方向への意図的な突き出し量制御を行うためのＤＦＨヒータ（不図示）を設ける構成としてもよい。
【００２２】
コイル下絶縁層２０上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に下部コイル層２２が形成される。
また、下部コイル層２２の層間および層上に下部コイル絶縁層２４が設けられる。下部コイル絶縁層２４は、一例として、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。
【００２３】
下部コイル層２２、下部コイル絶縁層２４の上には、一部に絶縁層２６を介しつつ、補助磁極２８が設けられる。なお、一例として、補助磁極２８はパーマロイ等の磁性材料により構成され、絶縁層２６はＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。
【００２４】
補助磁極２８の上には主磁極３０が設けられる。一例として、パーマロイ等の磁性材料により構成される。
【００２５】
また、主磁極３０の上には、トレーリングギャップ３２および接続部３６が設けられ、トレーリングギャップ３２の一部の上に、トレーリングシールド３４が設けられる。一例として、トレーリングギャップ３２はＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成され、トレーリングシールド３４および接続部３６はパーマロイ等の磁性材料により構成される。
なお、トレーリングシールド３４および接続部３６の周囲は、Ａｌ２Ｏ３等を用いた絶縁層３８が積層される。本実施の形態においては、この段階で、トレーリングシールド３４、接続部３６、絶縁層３８の上面が同一平面に平坦化されて構成される。
【００２６】
本実施の形態においては、基板１１から、トレーリングシールド３４、接続部３６、絶縁層３８で構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という（図中、符号６）。
なお、基体６については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
【００２７】
さらに、基体６の上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に上部コイル層４２が形成される。
また、螺旋中央部４０を除く上部コイル層４２の巻線間および巻線上に上部コイル絶縁層４４が設けられる。上部コイル絶縁層４４は、一例として、レジスト等の絶縁材料により構成される。
【００２８】
上部コイル絶縁層４４、および上部コイル絶縁層４４で被覆されていない基体６の上には、上部リターンヨーク４７が設けられる。一例として、上部リターンヨーク４７はパーマロイ等の磁性材料により構成される。
なお、上部リターンヨーク４７は、浮上面５の位置から少なくとも上部コイル層４２の反浮上面側４２ａの一部（直接的には上部コイル絶縁層４４の反浮上面側４４ａの一部）に掛かる位置までに対応させて形成される。本実施の形態においては、上部コイル層４２の反浮上面側４２ａのヘッドハイト方向（浮上面に直交する方向）の中間部辺りまで設ける構成としている。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、上部コイル層４２の反浮上面側４２ａの一部にしか掛からない構成、あるいは全部を覆う構成等、種々の構成が考えられる。
【００２９】
上部リターンヨーク４７、および上部リターンヨーク４７で被覆されていない上部コイル絶縁層４４の上には、Ａｌ２Ｏ３等を用いた絶縁層４８が積層され、さらに、それらの上層として、低熱膨張材層５２が積層される。なお、この部分の構成に関しては、以下の製造方法の説明の中で詳述する。
【００３０】
続いて、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１の製造方法について、図を用いて説明する。
当該製造方法の概要として、再生ヘッド部２を形成した後、磁性分離層１６を設けて、その上に前記構成を備える記録ヘッド部３を形成することとなるが、本実施の形態に特徴的な工程から説明を行う。
【００３１】
まず、前記トレーリングシールド３４、接続部３６、絶縁層３８で構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体６を形成した後、それらの上面が連続する同一平面となるようにラッピングによって平坦化した状態を図２（ａ）に示す。
【００３２】
次いで、図２（ｂ）に示すように、基体６の上に、電解鍍金法により上部コイル層４２を形成する。
【００３３】
次いで、螺旋中央部４０を除く上部コイル層４２の巻線間および巻線上に、レジスト材料を用いて上部コイル絶縁層４４’を形成し（図３（ａ）参照）、その後、当該上部コイル絶縁層４４’をハードベイクする工程を実施して、上部コイル絶縁層４４として形成する。
当該ハードベイク工程は、レジスト材料の材質、厚さ等によって異なるが、一例として、２００度超の高温下で、数時間行われる。この工程において、上部コイル絶縁層４４’の端部は、熱により収縮しながら変形することによって、断面が蒲鉾状の上部コイル絶縁層４４に形成される（図３（ｂ）参照）。このとき、当該断面形状はレジスト材料の材質、初期形状とハードベイク条件に応じた形状となる。
【００３４】
次いで、全面に鍍金ベース４６を成膜後（図４（ａ）参照）、上部リターンヨーク４７を設けない領域にレジスト材料を用いてマスク層４５を形成し（図４（ｂ）参照）、鍍金により鍍金ベース４６上に上部リターンヨーク４７を形成後（図５（ａ）参照）、レジスト（マスク層４５）を除去し、さらにイオンミリングにより不要な鍍金ベース４６の除去を行う（図５（ｂ）参照）。
【００３５】
ここで、本実施の形態に特徴的な構成として、鍍金の盛り上げ高さに関し、基体６の上面を基準として、上部リターンヨーク４７の最小高さｘを、後工程である平坦化を行う工程（図６（ｂ）参照）により形成されることとなる平面の高さをｙとするとき、ｘ≧ｙとなるように鍍金形成する（第一の実施形態）。
なお、前記最小高さｘは、上部コイル層４２の螺旋中央部位置における上部リターンヨーク４７の最小高さとする。これは、基体６の上面が平坦化されている場合には、基準となる基体６上面は位置に関わらずに同一高さであるため、最小高さは一義的に定まるが、前述の通り、基体６は種々の構成を取り得るものであり、上面が必ずしも平坦化されていない場合も想定されるため、そのような場合に、最小高さが例えば浮上面付近に生じたり、あるいは、反浮上面側の再奥部に生じたりする可能性があるため、本実施の形態の構成を一義的に規定し得る位置に定めるためである。
【００３６】
次いで、スパッタ法によって、上部リターンヨーク４７、ならびに上部リターンヨーク４７で被覆されていない上部コイル絶縁層４４および基体６の上に、Ａｌ２Ｏ３を用いて絶縁層４８を積層する（図６（ａ）参照）。
【００３７】
次いで、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法によって、絶縁層４８の上面（さらには上部リターンヨーク４７の上面に至る）の研磨を行う。このとき、図６（ｂ）に示すように、上部リターンヨーク４７の上面が平面状となるように、基体６の上面を基準として、平面高さｙの位置まで研磨を行う。これにより、上部リターンヨーク４７の上面と、絶縁層４８の上面とが連続する同一平面５０として構成される。
【００３８】
次いで、スパッタ法によって、平面５０の上に低熱膨張材層５２を形成する（図７参照）。なお、低熱膨張材層５２形成後の薄膜磁気ヘッド１の上面図、すなわち低熱膨張材層５２の上面を基板１１方向に視た場合の図を図８に示す。
ここで、低熱膨張材層５２は、絶縁性材料であって、Ａｌ２Ｏ３の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する素材から構成するのが好適である。例えば、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、Ａｌ３Ｓ４、Ｗ等を用いて構成することが考えられる。
この低熱膨張材層５２を設けることにより、環境温度の上昇に起因して、記録ヘッド部３（特に、上部リターンヨーク４７）が記録媒体に向けて突出することの防止が可能となる。また、このことは、前記ＤＦＨヒータを用いる記録ヘッド部３の意図的な突き出し量制御を行う際にも、当該突き出し量の基準位置が所定位置に維持されることとなるため、当該突き出し量制御を高い精度で実現することを可能とするものである。  その結果、記録・再生精度の高精度化（特に記録精度）および安定化、ならびに記録媒体と薄膜磁気ヘッド１（特に記録ヘッド部３）との衝突回避が可能となる。
【００３９】
本実施の形態においては、低熱膨張材層５２はスパッタ法によって形成されるが、その平面５０の上に形成される構成を備えることによって、低熱膨張材層５２の層内に段差を生じさせること無く、断面長方形の均質な層として形成することが可能となる。
前述の通り、スパッタ法により成膜される低熱膨張材層５２は、層内に段差部が存在すると、当該段差部に変質層が生じてしまう問題が発生し得る。しかし、上記構成によれば、低熱膨張材層５２内に段差部が形成されない構成が実現できるため、当該問題の解決が可能となる。
さらに、低熱膨張材層５２が上部リターンヨーク４７の上面全体と接触（接合）する構成となることによって、環境温度の変化によって熱膨張を生じる当該上部リターンヨーク４７の突出動作を抑制する作用を顕著に生じさせることが可能となる。
【００４０】
上記工程を経て、図１に示す薄膜磁気ヘッド１に形成される。
【００４１】
続いて、第二の実施形態について説明する。
本実施の形態は、前述の第一の実施形態において、図４（ｂ）で示される工程、つまり、全面に鍍金ベース４６を成膜後、上部リターンヨーク４７を設けない領域にレジスト材料を用いてマスク層４５の形成を行う工程まで共通である。
その後に続く工程、つまり、電解鍍金法によって、上部リターンヨーク４７を鍍金ベース４６上で所定の厚さに盛り上げて形成する工程において相違点が生じる。
より具体的には、その際の盛り上げ高さ、もしくはその後の平面形成高さに関して第一の実施形態と相違し、本実施の形態に特徴的な構成として、鍍金の盛り上げ高さに関し、基体６の上面を基準として、上部リターンヨーク４７の最小高さｘを、後工程である平坦化を行う工程（図１０（ａ）参照）により形成されることとなる平面の高さをｙとするとき、ｘとｙとが略同一となるように鍍金形成し、レジスト（マスク層４５）を除去し、さらにイオンミリングにより不要な鍍金ベース４６の除去を行う（図９（ａ）参照）。なお、ｘ＞ｙの場合は、前記第一の実施形態に包含されることから、ここでは、ｘ＜ｙの場合について説明する。
【００４２】
鍍金形成後は、第一の実施形態と同様に、絶縁層４８の積層がなされ（図９（ｂ）参照）、その後、ＣＭＰ法による平坦化工程（図１０（ａ）参照）と、低熱膨張材層５２の積層工程（図１０（ｂ）参照）が行われることとなるが、ここで、ｘ＜ｙである場合には、ＣＭＰ法によって、絶縁層４８の上面の研磨を行うと、図１０（ａ）に示すように、上部リターンヨーク４７の上面４７ａは平面状となるが、上部リターンヨーク４７のみからなる平面ではなく、当該平面（上面４７ａ）内に絶縁層４８の一部残留箇所４８ａが略逆円錐（もしくは逆半円錐）状に形成される構成となる。
これが、第一の実施形態との相違点となるが、ｘとｙとが略同一である場合には、一部残留箇所４８ａが微小形状となるため、本実施の形態における効果は、前記第一の実施形態と同様であるということができる。逆に言えば、一部残留箇所４８ａの形状が大きくなればなる程、後工程で積層される低熱膨張材５２と上部リターンヨーク４７との接触（接合）面積が減少するため、当該上部リターンヨーク４７の突き出し量を抑制する力が低下してしまう恐れがある。
したがって、上部リターンヨーク４７の鍍金形成時（図９（ａ）参照）における上面４７ｂの傾斜形状によっても異なるが、一つの目安として、一部残留箇所４８ａの高さ（すなわちｘとｙとの差）ｚが１μｍ以内であることが好適である。
【００４３】
上記工程を経て、図１１に示す薄膜磁気ヘッド１に形成される。
【００４４】
続いて、第三の実施形態について説明する。
本実施の形態は、前述の第一の実施形態において、図４（ｂ）で示される工程、つまり、全面に鍍金ベース４６の成膜後、上部リターンヨーク４７を設けない領域にレジスト材料を用いてマスク層４５の形成を行う工程まで共通である。
その後に続く工程、つまり、電解鍍金法によって、上部リターンヨーク４７を鍍金ベース４６上で所定の厚さに盛り上げて形成する工程において相違点が生じる。
【００４５】
より具体的には、鍍金形成を２段階で行う点で第一の実施形態と相違し、本実施の形態に特徴的な構成として、まず、図１２（ａ）に示すように、電解鍍金法によって、上部リターンヨーク第１層４７Ａを鍍金ベース４６上で所定の厚さに盛り上げて形成する。一例として、鍍金の盛り上げ高さに関し、基体６の上面を基準として、浮上面５近傍位置での上部リターンヨーク第１層４７Ａが、所定厚さｗとなるように鍍金形成する。
【００４６】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、上部コイル層４２よりも浮上面５側の前記上部リターンヨーク第１層４７Ａの上に、レジスト材料を用いてマスク層５４を形成する。
【００４７】
次いで、図１３（ａ）に示すように、電解鍍金法によって、上部リターンヨーク第２層４７Ｂを、上部リターンヨーク第１層４７Ａ上で所定の厚さに盛り上げて形成する。なお、上部リターンヨーク第２層４７Ｂを形成する際にも下地として鍍金ベースを成膜してから行い、その後不要な部分の鍍金ベースを除去する（図示省略）。
【００４８】
次いで、図１３（ｂ）に示すように、マスク層５４の除去を行う。
【００４９】
ここで、上部リターンヨーク４７を形成するプロセスの変形例として、上記同様に所定厚さｗの上部リターンヨーク第１層４７Ａを鍍金形成後（図１２（ａ）参照）、図１６（ａ）に示すように、電解鍍金法によって、上部リターンヨーク第２層４７Ｂを、上部リターンヨーク第１層４７Ａ上で所定の厚さに盛り上げて形成する。なお、その際の鍍金ベース成膜・除去工程については図示を省略している。
次いで、図１６（ｂ）に示すように、上部リターンヨーク第２層４７Ｂを残す領域にレジスト材料を用いてマスク層４９を形成する。
次いで、図１７に示すように、イオンミリングによってマスク層４９で覆われていない上部リターンヨーク第２層４７Ｂを除去し、所定厚さｗの上部リターンヨーク第１層４７Ａを露出させる。
次いで、当該レジスト（マスク層４９）の除去を行うことによって、図１３（ｂ）に示す状態と同様の構成が形成される。
【００５０】
例えば上記のように上部リターンヨーク４７を形成した後は、第一の実施形態と同様に、絶縁層４８の積層がなされ（図１４（ａ）参照）、その後、ＣＭＰ法による平坦化工程（図１４（ｂ）参照）と、低熱膨張材層５２の積層工程（図１５（ａ）参照）が行われることとなるが、ここで、ｘ≧ｙである場合には、前記第一の実施形態と同様に、上部リターンヨーク４７の上面４７ａ内に絶縁層４８の一部残留箇所が発生せず、ｘ＜ｙであって、ｘとｙとが略同一である場合には、前記第二の実施形態と同様に、上部リターンヨーク４７の上面４７ａ内に絶縁層４８の一部残留箇所が発生する。
【００５１】
本実施の形態では、特に、上部リターンヨーク４７が図１５（ｂ）に示す形状に形成される。すなわち、上部リターンヨーク４７の先端部４７ｃを、所望の厚さに形成することが可能となり、要求される記録特性に合わせて最適な先端部形状とすることが可能となる。
【００５２】
上記工程を経て、図１５（ｂ）に示す薄膜磁気ヘッド１に形成される。
【００５３】
以上説明した通り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、上部リターンヨークの上面を含む平坦化された平面を形成すると共に、該平面上に段差部の無い低熱膨張材層を形成することが可能となる。その結果、低熱膨張材層によるヘッド突出防止効果を最大限発揮させることが可能になり、記録特性の高精度化が可能になると共に、低熱膨張材層におけるエッチング残や変質層の発生が防止できるため、形状異常、あるいは変質層が分離して記録媒体を損傷させる課題の解決が可能となる。
なお、従来方法に対して、単純工程数の比較で２０工程程度の増加に止めることが可能である。
【００５４】
なお、垂直記録型薄膜磁気ヘッドを例にとり説明を行ったが、これに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの構成例を示す概略図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図３】本発明の第一の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図５】本発明の第一の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図６】本発明の第一の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図７】本発明の第一の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図８】図１の薄膜磁気ヘッドの上面図（概略図）である。
【図９】本発明の第二の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１０】本発明の第二の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１１】本発明の第二の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１２】本発明の第三の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１３】本発明の第三の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１４】本発明の第三の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１５】本発明の第三の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図１６】本発明の第三の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である（上部リターンヨーク形成についての変形例）。
【図１７】本発明の第三の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である（上部リターンヨーク形成についての変形例）。
【図１８】従来の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの例を示す概略図である。
【図１９】従来の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの他の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００５６】
１、２０１  薄膜磁気ヘッド
２、２０２  再生ヘッド部
３、２０３  記録ヘッド部
５、２０５  浮上面
６、２０６  基体
１１、２１１  基板
１３、２１３  下部シールド層
１４、２１４  磁気抵抗効果型再生素子
１５、２１５  上部シールド層
１６、２１６  磁性分離層
１８、２１８  下部リターンヨーク
２０、２２０  コイル下部絶縁層
２２、２２２  下部コイル層
２４、２２４  下部コイル絶縁層
２６、３８、４８、２２６、２３８  絶縁層
２８、２２８  補助磁極
３０、２３０  主磁極
３２、２３２  トレーリングギャップ
３４、２３４  トレーリングシールド
３６、２３６  接続部
４２、２４２  上部コイル層
４４、２４４  上部コイル絶縁層
４７、２４７  上部リターンヨーク
４７Ａ  上部リターンヨーク第１層
４７Ｂ  上部リターンヨーク第２層
５２、２５２  低熱膨張材層
２６０  変質層
【図１】
2009224003.tif 000003
【図２】
2009224003.tif 000004
【図３】
2009224003.tif 000005
【図４】
2009224003.tif 000006
【図５】
2009224003.tif 000007
【図６】
2009224003.tif 000008
【図７】
2009224003.tif 000009
【図８】
2009224003.tif 000010
【図９】
2009224003.tif 000011
【図１０】
2009224003.tif 000012
【図１１】
2009224003.tif 000013
【図１２】
2009224003.tif 000014
【図１３】
2009224003.tif 000015
【図１４】
2009224003.tif 000016
【図１５】
2009224003.tif 000017
【図１６】
2009224003.tif 000018
【図１７】
2009224003.tif 000019
【図１８】
2009224003.tif 000020
【図１９】
2009224003.tif 000021