(57)【要約】【課題】  レーザ光を用いる露光装置を用いて、微細な凹凸形状を有する光ディスク原盤を形成する。【解決手段】基板１上にアモルファス構造の遷移金属酸化物からなるレジスト膜２を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト膜２に対して、レーザ光で露光する露光工程と、露光されたレジスト膜２を、アルカリ性の現像液で現像し凹凸形状のレジストパターン４を形成する現像工程と、レジストパターン４をマスクとして基板に対してエッチングを行い、凹凸形状のエッチングパターン５を形成するエッチング工程とを有し、レジスト膜２は、少なくともタングステンの酸化物を含む遷移金属酸化物であって、露光工程により、露光された露光部は、現像液に不溶なアモルファス構造の遷移金属酸化物から、可溶な結晶構造の遷移金属酸化物となり、現像工程により、露光部が現像液で除去され、レジスト膜２からレジストパターン４が形成される【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスク原盤の製造方法において、
基板上にアモルファス構造の遷移金属酸化物からなるレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記基板上に形成された前記レジスト膜に対して、レーザ光で露光する露光工程と、
露光された前記レジスト膜を、アルカリ性の現像液で現像し凹凸形状のレジストパターンを形成する現像工程と、
現像された前記レジストパターンをマスクとして前記基板に対してエッチングを行い、凹凸形状のエッチングパターンを形成するエッチング工程と、
を有し、
前記レジスト膜は、少なくともタングステンの酸化物を含む遷移金属酸化物であって、
前記露光工程により、前記レジスト膜における露光された露光部は、前記現像液に不溶な前記アモルファス構造の遷移金属酸化物から、可溶な結晶構造の遷移金属酸化物となり、
前記現像工程により、前記露光部が前記現像液で除去され、前記レジスト膜から前記レジストパターンが形成されることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程は、エッチングガスとしてフロロカーボン系ガスを用いたことを特徴とする請求項１記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程の後に、フロロカーボン系ガスを用いてアッシング及びトリミングを行うアッシング工程を有したことを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光ディスク原盤の製造方法で作製された前記凹凸形状のエッチングパターンを有する前記光ディスク原盤を用いて、前記凹凸形状が転写された、スタンパを形成するスタンパ作成工程と、
形成された前記スタンパを用いて、透明樹脂を原料として前記凹凸形状を有する透明基板を形成する透明基板作製工程と、
形成された前記透明基板に反射層を成膜し前記凹凸形状上に反射層を形成する反射層形成工程と、
を有して光ディスクを形成することを特徴とする光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，記録密度が高い光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルハイビジョン放送の開始やフルハイビジョン型の映像機器の登場により、高精細の映像を記録再生可能な次世代ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）の規格が制定され、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ）及びＨＤ−ＤＶＤ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ−Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）の２種類の光ディスクが市場に投入された。これらの光ディスクは、その直径はＤＶＤと同じ１２ｃｍでありながら、ＤＶＤに対して３倍〜５倍の記録容量を持つ。
次世代ＤＶＤは、ＤＶＤに比較して記録容量が増加しており、これは透明基板上に形成される凹凸形状であるピットやグルーブが微細化されていることによる。
【０００３】
このような次世代ＤＶＤを製造する際に従来のＤＶＤ用光ディスク原盤を製造するための露光装置を利用して、次世代ＤＶＤの微細なピットやグルーブを形成する光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法が特許文献１に記載されている。
【０００４】
特許文献1には、概ね以下のように記載されている。
まず、シリコン基板の上に、スパッタリング法によりアモルファスシリコンからなる中間層を８０ｎｍの厚さで均一に成膜する。
次に、成膜された中間層上に、遷移金属の不完全酸化物である無機系のレジスト材料からなる無機レジスト層を５５ｎｍの厚さで均一に成膜する。
次に、既存のＤＶＤの製造に用いられる４０５ｎｍのレーザ波長を有するレーザ装置と開口数ＮＡ０．９５の対物レンズとを備えた露光装置を利用して、無機レジスト層対し入力信号パターンに応じてレーザ光を照射し選択的に露光をする。
更に、露光された無機レジスト層を現像することによって、トラックピッチが０．３２μｍの入力信号パターンに応じた凹凸形状が形成された光ディスク原盤を得る。
【０００５】
この光ディスク原盤から光ディスクを形成する工程は、公知の技術を用いる。
初めに、光ディスク原盤の凹凸形状面上に電鋳法によって金属ニッケル膜を析出させ、析出した金属ニッケル膜を光ディスク原盤から剥離させた後に所定の加工を施し、光ディスク原盤の凹凸形状が転写されたスタンパを得る。
このスタンパを用い、射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる光ディスク基板を成形する。
次に、成形された光ディスク基板の凹凸面にＡｌ合金などからなる反射膜を成膜し、更に、反射膜上に膜厚０．１ｍｍ程度の保護膜を塗布することにより光ディスクを得る。
【０００６】
ここで、遷移金属としては、タングステン等を用い、遷移金属の酸化状態は、遷移金属の取り得る価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より少ない、不完全酸化物の状態である
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１５２４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、解像度が４Ｋ×２Ｋのようなフルハイビジョンの４倍の高精細である映像を表示することが可能な映像装置が開発されてきている。
そのような映像装置に映像を供給するため、フルハイビジョンより高精細な映像を録画し、再生するため、ＢＤやＨＤ−ＤＶＤに比べ大記録容量で、高密度な光ディスクの必要性が高まってきた。そのような高密度な光ディスクは、ピットやグルーブがＢＤやＨＤ−ＤＶＤに比べ一段と微細する必要性がある。
特に、光ディスクの円周方向の高密度化については、変調方式の検討によりピット長の短縮に若干の改善が見込めるが、光ディスクの半径方向の高密度化については、特許文献１に記載の光ディスク原盤の製造方法では、露光に用いる対物レンズの開口数高く、無機レジスト層の膜厚が厚いため、ＢＤのトラックピッチである０．３２μｍより狭いトラックピッチの凹凸形状を形成することは困難であった。
【０００９】
また、特許文献１に記載された光ディスク原盤は、無機レジスト層に対し、信号パターンに対応した選択的な露光を行い現像することで、ガラス基板上に無機レジスト層からなる信号パターンに対応した凹凸形状を形成したものである。その露光時に用いられる光学系の開口数ＮＡは、０．９５と大きいため、無機レジスト層の膜厚が５５ｎｍと厚い特許文献１に記載の光ディスク原盤の場合、トラックピッチに占める凹凸形状の側壁部の傾斜領域の割合が大きく、トラックピッチを狭くすることが難しかった。
【００１０】
また、特許文献１に記載の無機レジスト層は、遷移金属の非化学量論組成の酸化物であり、化学量論組成の酸化物に比較して酸素が欠乏した状態のものである。
そのため、光や熱などが無機レジスト層に加わった場合に酸化が促進されて、酸化の状態が変化してしまう。それに伴い露光条件が変化するので、安定した露光が行えない場合があった。
また、特許文献１に記載の光ディスク原盤は、化学量論組成から外れた遷移金属酸化物から凹凸形状が形成されているため、化学的に不安定であり光ディスク原盤の状態で保存することが困難であった。
【００１１】
また、特許文献１に記載の光ディスク原盤に形成された凹凸形状の溝深さは、無機レジスト層の膜厚によって決められる。そのため、凹凸形状の溝深さを深くする場合、レジスト層の膜厚が厚くって側壁部の傾斜領域が大きくなるので、その分トラックピッチが広なってしまう。したがって、凹凸形状の溝深さを任意に変更することができなかった。
【００１２】
本発明によれば、従来のＤＶＤの露光設備を用いてＢＤやＨＤ−ＤＶＤより高密度の記録が可能な光ディスク原盤及び光ディスクを簡便に製造することができる、光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
また、形成された凹凸形状の側壁部の傾斜が少なく垂直に近くすることで、トラックピッチを狭くできる光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
また、光ディスク原盤の材料として化学量論組成から外れた遷移金属酸化物を含むことが無く、その表面の粗度が低減した光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
また、光ディスク原盤に形成された凹凸形状の溝深さを、任意に変更できる光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明は、次の１）乃至６）の手順を有する。
１）光ディスク原盤６の製造方法において、基板１上にアモルファス構造の遷移金属酸化物からなるレジスト膜２を形成するレジスト膜形成工程と、基板１上に形成されたレジスト膜２に対して、レーザ光で露光する露光工程と、露光されたレジスト膜２を、アルカリ性の現像液で現像し凹凸形状のレジストパターン４を形成する現像工程と、現像されたレジストパターン４をマスクとして基板に対してエッチングを行い、凹凸形状のエッチングパターン５を形成するエッチング工程とを有し、レジスト膜２は、少なくともタングステンの酸化物を含む遷移金属酸化物であって、露光工程により、レジスト膜２における露光された露光部は、現像液に不溶なアモルファス構造の遷移金属酸化物から、可溶な結晶構造の遷移金属酸化物となり、現像工程により、露光部が現像液で除去され、レジスト膜２からレジストパターン４が形成されることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
２）エッチング工程は、エッチングガスとしてフロロカーボン系ガスを用いたことを特徴とする１）記載の光ディスク原盤の製造方法。
３）エッチング工程の後に、フロロカーボン系ガスを用いてアッシング及びトリミングを行うアッシング工程を有したことを特徴とする１）または２）に記載の光ディスク原盤の製造方法。
４）１）乃至３）のいずれか１項に記載の光ディスク原盤の製造方法で作製された凹凸形状のエッチングパターン５を有する光ディスク原盤６を用いて、凹凸形状が転写された、スタンパ７を形成するスタンパ作成工程と、形成されたスタンパ７を用いて、透明樹脂を原料として凹凸形状を有する透明基板８を形成する透明基板作製工程と、形成された透明基板８に反射層を成膜し凹凸形状上に反射層９を形成する反射層形成工程とを有して光ディスクを形成することを特徴とする光ディスクの製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、従来のＤＶＤの露光設備を用いてＢＤやＨＤ−ＤＶＤより高密度な光ディスク原盤及び光ディスクを簡便に製造することができる、光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を提供できる。
また、形成された凹凸形状の側壁部の傾斜が少なく、トラックピッチが狭い光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を提供することができる。
また、光ディスク原盤の材料として化学量論組成から外れた遷移金属酸化物を含むことが無く、その表面の粗度が低減した光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を提供できる。
また、光ディスク原盤に形成された凹凸形状の溝深さを、任意に変更できる光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明に係る光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法の実施例について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る光ディスク原盤の製造に用いる基板の斜視図である。図２は、本発明に係る光ディスク原盤の製造方法を示す製造工程図である。図３は、本発明に係る光ディスク原盤における潜像パターンを示す断面図である。図４は、本発明に係る光ディスク原盤を用いた光ディスクの製造方法を示す製造工程図である。図５は、本発明に係る光ディスク原盤の凹凸形状を示すＳＥＭの断面写真である。
また、図２及び図４は、図１に示すように円盤状である基板をＡ−Ａ’断面で切断した場合の、光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法を示す製造工程図である。
なお、全図において、共通な機能を有する部品には同一符号を付して示し、一度説明したものに関しては、繰り返した説明を省略する。
【００１６】
初めに、図２及び図３を用いて光ディスク用原盤の製造工程について説明する。
（レジスト膜形成工程）
図２（Ａ）に示すように、光学研磨を施し洗浄し十分に乾燥させた円盤状の基板１に対し、マグネトロンスパッタ等により、膜厚が１０ｎｍ〜３０ｎｍの無機レジスト膜２を成膜する。この無機レジスト膜２の膜厚は、従来例の無機レジストの膜厚（５５ｎｍ）に比較して半分程度である。
基板１としては、石英ガラス基板またはシリコンウエハー基板を使用することができる。
特にシリコンウエハー基板は、半導体分野で使用されており、十分に研磨及び洗浄された状態で入手が可能であり、石英ガラスに比べ表面が平滑性と洗浄度とが高く、それに加えて、導電性を有するためスタンパを作製する際に別途導電膜を形成する必要が無いため好適である。
【００１７】
（潜像形成工程）
次に、図２（Ｂ）に示すように、基板１上に形成された無機レジスト膜２に対し、ＤＶＤ等の既存の露光装置等で用いられるような波長４００ｎｍ程度のレーザ光を開口数ＮＡが０．９程度の対物レンズで集光させて、入力情報信号に基づき露光を行い、所望の潜像パターン３を形成する。
図３に示すように、円盤状の基板１のディスク半径方向における潜像パターン３の断面は、対物レンズにより集光されたレーザ光のコーンアングルの形状に基づきレーザ光の入射側である上部１０１側の幅が広く、基板１との界面である下部１０２側の幅が狭い逆台形の形状をしている。
そのため、対物レンズの開口数が大きくなると、コーンアングルも広がり潜像パターン３の下部１０２と潜像パターン３の側面１０３の成す角度Ｃ１は、小さくなる。その結果、無機レジスト膜２の露光されない台形状の非露光領域１０４は小さくなり、場合によっては隣接する潜像パターン３が連結してしまうことがある。
【００１８】
本発明では、無機レジスト膜２の膜厚が１０ｎｍ〜３０ｎｍと従来例の５５ｎｍに比較して薄いため、従来例よりも露光感度が上がり、上部の幅１０１及び下部１０２の幅をＢＤのトラックピッチである０．３２μｍより狭くすることができる。
【００１９】
（レジストパターン形成工程）
次に、図２（Ｃ）に示すように、基板１上の無機レジスト膜２に形成された潜像パターン３に対し現像を行って、潜像パターン３を除去しレジストパターン４を形成する。
レジストパターン４は、潜像パターン３に基づき円盤状の基板１のディスク半径方向に対する断面が逆台形の形状をしており、基板１との界面である下部１０２の幅が狭い形状になっている。
ここで、現像の際に用いられる現像液として、アルカリ性であるアルカリ現像液を用いる。
【００２０】
無機レジスト膜２としては、レーザ光での露光感度が高いタングステン（Ｗ）の酸化物が用いられる。
タングステン（Ｗ）の酸化物の一種であるＷＯ２は室温で安定であり、過熱することによりＷＯ３となる。
スパッタリング法で形成されたＷＯ２はアモルファス構造であり、レーザ光で露光されることにより加熱され結晶構造のＷＯ３となることで、現像液に用いられるアルカリ溶液に可溶となる。
更に、ＷＯ２に対してモリブデン（Ｍｏ）の酸化物であるＭｏＯ２を添加すると、露光感度は下がるものの、図３に示す潜像パターン３の側面１０３の形状の乱れを減少させることができる。
結果として、スパッタリング法で形成されたＷＯ２の無機レジスト膜２の膜厚を１０ｎｍ〜３０ｎｍと従来例の５５ｎｍに比較して薄くすることにより、トラックピッチが狭く微細な潜像パターン３が形成でき、ＷＯ２にＭｏＯ２とを添加することで潜像パターン３を形状の乱れを減少できる。
【００２１】
（エッチング工程）
次に、図２（Ｄ）に示すように、基板１上に形成されたレジストパターン４をマスクとして、基板１の露出部をドライエッチングすることにより基板１に直接エッチングパターン５を形成する。
エッチングガスとして、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８等のフロロカーボン系ガスを用いることにより、レジストパターン４に対して基板１のエッチングレートが大きな高くすることができ、選択比の大きなエッチングかできる。
エッチングパターン５の形状は、レジストパターン４と基板１との界面である図３に示す潜像パターン３の下部１０２の幅に応じた形状になっている。
【００２２】
特に、フロロカーボン系ガスとしてＣＨＦ３を用いたエッチングは、図２（Ｄ）における下方向へのエッチングレートが、左右方向へのエッチングレート比べ大きな異方性エッチングを行うことができるため、円盤状の基板１のディスク半径方向におけるエッチングパターン５の断面形状は矩形に近い形となり、凹凸形状の側面は円盤状の基板１の板面に対して概ね直交した状態となる。
更に、エッチングによって凹凸形状を形成するため、従来レジスト膜の膜厚で規定されていた凹凸形状の深さが、エッチング条件により制御可能であり、深い溝の形成も可能である。
【００２３】
（アッシング処理工程）
次に、図２（Ｅ）に示すように、基板１上に形成されたレジストパターン４に対して、フロロカーボン系ガスを用いて、フロロカーボン系ガス雰囲気下で電圧を印加して等方的にレジストパターンのアッシングおよびトリミングを行い、レジストパターンマスク４の除去、及び表面の粗度を低減し、入力情報信号に基づいたエッチングパターン５を有する円盤状の光ディスク原盤６を得る。
ここで、フロロカーボン系ガスとしては、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８等が用いる。特に、ＣＦ4は、等方性エッチングを行いやすいため、エッチングガスとして好適である。
【００２４】
このようにして円盤状の石英ガラスまたはシリコンウエハーからなる基板１から形成された円盤状の光ディスク原盤６は、トラックピッチが狭く微細でトラック形状の乱れが少ないエッチングパターン５を有する。
更に、光ディスク原盤６は、基板１の構成材料からのみ構成されるため、長期間放置した場合でも、エッチングパターン５形状が変化することがない。
更に、エッチングパターン５の溝深さが、エッチング条件を最適化することで調整可能となった。
【００２５】
次に、図４を用いて、上記手順により形成された円盤状の光ディスク原盤６から光ディスクを製造する工程について説明する。
（スタンパの作製工程）
図４（Ａ）に示すように、円盤状の光ディスク原盤６の凹凸形状が形成された面に対してスパッタリング法により厚さ５０〜２００ｎｍのＮｉ膜を形成した後、電鋳法により、厚さ１００〜５００μｍのＮｉメッキ膜を形成することにより、光ディスク原盤６に形成されているエッチングパターン５を転写して凸凹形状を有する円盤状のスタンパ７を作製する。
スタンパ７に形成される凸凹形状は、光ディスク原盤６に形成されているエッチングパターン５と凹凸が逆の関係になる。
【００２６】
（透明基板の作製工程）
次に、図４（Ｂ）に示すように、凸凹形状を有する円盤状のスタンパ７を射出成型機（図示せず）に装着して、射出成型法により、内周から外周に向かって、或いは外周から内周に向かって入力情報信号に基づいたグルーブまたはピットが螺旋状に形成された凹凸形状を有する円盤状の透明基板８を成形する。
【００２７】
（反射層の形成工程）
次に、図４（Ｃ）に示すように、スパッタリング法或いは真空蒸着法により、透明基板８のグルーブまたはピットが形成された側の表面に所定の厚みの金属反射層９を形成する。
ここで、金属反射層９を形成する材料としては、Ａｕ，Ａｇ及びＡｌ等の、信号の読み出しレーザ光線の波長において高い反射率を有する金属元素及びその化合物が用いられる。
【００２８】
（保護層の形成工程）
次に、図４（Ｄ）に示すように、透明基板８の金属反射層９が形成された側に紫外線硬化樹脂を塗布し、その後、その紫外線硬化樹脂が塗布された透明基板８を回転させ紫外線硬化樹脂をレベリングしたのち、紫外線を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させ保護層１０を形成する。
上記の工程を経て、光ディスク１１が形成される。
【００２９】
以下に具体的な実施例をもって本発明を詳細に説明するが、本発明はその主旨を逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例）
図２（Ａ）に示すように、表面研磨を施し、洗浄及び乾燥を行った石英ガラス基板１に対し、マグネトロンスパッ夕方式によりタングステン（Ｗ）とモリブデン（Ｍｏ）との合金ターゲットを用いて、アルゴン４４ｓｃｃｍ、酸素６ｓｃｃｍを導入して反応性スパッタリングを行った。ここで、ＷとＭｏとの合金の組成比は、９：１（ｗｔ％）とした。
【００３０】
ＷとＭｏとの合金ターゲットを用いての反応性スパッタにより、膜厚が２０ｎｍである遷移金属酸化物のＷＯ２とＭｏＯ２とからなるアモルファス無機レジスト膜２を形成した。
このときの到達真空度は２×１０−６Ｔｏｒｒであり、成膜中の真空度は２．７×１０−３Ｔｏｒｒであった。
【００３１】
次に、図２（Ｂ）に示すように、石英ガラス基板１上に形成されたアモルファス無機レジスト膜２に対し、波長４０５ｎｍの半導体レーザと、ＮＡ＝０．９０の対物レンズを有する露光装置を用いて、線速度３．５ｍ／ｓの速さで露光を行い、トラックピッチ０．２０μmの等幅の山（ライン）と谷（スペース）が連続したパターンであるラインアンドスペース形状の潜像パターン３を形成した。
ＷＯ２とＭｏＯ２とからなるアモルファス無機レジスト膜２の露光された潜像パターン３の領域は結晶化し、ＷＯ３とＭｏＯ２とに変化する。
【００３２】
次に、図２（Ｃ）に示すように、石英ガラス基板１上に形成されたＷＯ３とＭｏＯ２とからなる潜像パターン３に対し、現像をおこなった。
現像は、アルカリ性であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液（濃度２．３８ｗｔ％）を現像液として用い、潜像パターン３が形成された石英ガラス基板１を室温で２０分間液侵して、潜像パターン３を除去することによりレジストパターン４を形成した。
【００３３】
次に、図２（Ｄ）に示すように、石英ガラス基板１上に形成されたレジストパターン４をマスクとして、ＣＨＦ３ガスを用いて、石英ガラス基板1の露出部に対してドライエッチングを行なった。
ドライエッチングは、異方性を高めるため４Ｐａの雰囲気下で１００Ｗの電力を６分間印加することにより行ない、石英ガラス基板１にラインアンドスペース形状のエッチングパターン５を形成した。エッチングパターンは、深さ１８０ｎｍであり、グルーブ幅は１００ｎｍであり、エッチングパターン５のアスペクト比は、エッチングパターン５の底面にて１．８：１であった。
また、マスクとなるレジストパターン４の厚みは２０ｎｍと薄いため、ＣＨＦ３ガスでのドライエッチングにて、レジストパターン４の大部分も除去されてしまう。
【００３４】
次に、図２（Ｅ）に示すように、石英ガラス基板１上に形成されたエッチングパターン５に対し、ＣＦ4ガスを用いてアッシングをおこなった。
アッシングは、ＣＦ4と０２との混合比５：２のガスを用い１５Ｐａの雰囲気下で３０ｍＷの電力を印加することによって行い、レジストパターン４の除去を行うと同時に、石英ガラス基板の表面の荒れの低減を行った。
これによって、図５に示すエッチングパターン５を有する光ディスク原盤６が形成された。
【００３５】
次に、図３（Ａ）に示すように、光ディスク原盤６上にスパッタリング法により厚さ５０〜２００ｎｍのＮｉ膜を形成した後、電鋳法により、厚さ１００〜５００μｍのＮｉメッキ膜を形成することにより、光ディスク原盤６に形成されているエッチングパターン５を転写してスタンパ７を作製した。
スタンパ７に形成されるパターンは、光ディスク原盤６に形成されているエッチングパターン５と逆の関係になる。
【００３６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、スタンパ７を射出成型機（図示せず）に装着して、射出成型法により、内周から外周に向かって、螺旋状のラインアンドスペース形状が形成された透明基板８を成形した。
成形された透明基板８の形状は、厚さは１．１ｍｍであり、トラックピッチが０．２μｍ、深さ１８０ｎｍであり、グルーブ幅は１００ｎｍであった。
【００３７】
次に、図３（Ｃ）に示すように、スパッタリング法或いは真空蒸着法により、透明基板８上に厚さ３０ｎｍのＡｌ合金からなる金属反射層８を形成した。
最後に、図３（Ｄ）に示すように、スピンコート法により、金属反射層８上に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射することにより硬化させて膜厚は１００μｎｍの保護層１０を形成し、光ディスク１１を得た。
【００３８】
（再生特性評価）
上述の方法で作製した光ディスク１１を、線速度３．０ｍ／ｓｅｃで回転させ、発振波長４０５ｎｍの半導体レーザ及び開口数０．８５の対物レンズを搭載した光ディスク再生評価機を用いて、再生特性の評価を行った。
光ディスク再生評価機での検査の結果ノイズレベルが−６５ｄｂであった。
【００３９】
（比較例）
比較例としてＢｌｕ−ｒａｙディスクと同様のトラックピッチ（０．３２μｍ）を有する光ディスクを従来の技術を用いて作製し、再生特性を評価した。
再生特性の評価は、実施例と同様の発振波長４０５ｎｍの半導体レーザ及び開口数０．８５の対物レンズを搭載した光ディスク再生評価機を用いて、線速度３．０ｍ／ｓｅｃで回転させ、ノイズレベルを測定した。
光ディスク再生評価機での検査の結果ノイズレベルが−４５ｄｂであり、本実施例によりノイズレベルを低下させることができた。
これは、実施例において形成されたラインアンドスペース形状のアスペクト比が高く、また、アッシング処理工程でのトリミングによりラインアンドスペース形状の表面の粗度が低減したためである。
【００４０】
以上、説明したように、本発明の光ディスク原盤の製造方法及びそれを用いた光ディスクの製造方法によれば、波長４０５ｎｍの半導体レーザを露光用の光源とする既存の露光装置を用い、２０ｎｍと薄い膜厚の遷移金属酸化物をレジスト膜として露光を行うことにより、基板１上にトラックピッチが０．２μｍ（従来例０．３２μｍ）で、あるようなラインアンドスペース形状のレジストパターン４を形成することができる。
更に、この基板１上のレジストパターン４を利用して、フロロカーボン系ガスをエッチングガスとして等方性エッチングを行うことにより、溝深さが１８０ｎｍ（従来例５５ｎｍ）、グルーブ幅が１００ｎｍ（従来例１６０ｎｍ）、アスペクト比が１．８：１であるようなアスペクト比の高いエッチングパターン５を有する光ディスク原盤６を形成することができる。
また、光ディスク原盤６に形成されたエッチングパターン５の表面を、フロロカーボン系ガスをエッチングガスとしてアッシング処理及びトリミング処理を行うことにより、エッチングパターン５の表面粗度が低減することができ、この光ディスク原盤６から再生時のノイズレベルの低い光ディスク１１を形成することができる。
【００４１】
本実施例においては、アッシング工程を行って光ディスク原盤の表面性を向上したが、エッチング工程の条件によってはアッシング工程を省くことができる。
また、本実施例においては、再生専用光ディスクの製造方法について説明したが、透明基板と反射膜の間に少なくとも記録膜を形成することにより、記録可能な光ディスクを得ることができることは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明に係る光ディスク原盤の製造に用いる基板の斜視図である。
【図２】本発明に係る光ディスク原盤の製造方法を示す製造工程図である。
【図３】本発明に係る光ディスク原盤における潜像パターンを示す断面図である。
【図４】本発明に係る光ディスク原盤を用いた光ディスクの製造方法を示す製造工程図である。
【図５】本発明に係る光ディスク原盤の凹凸形状を示すＳＥＭの断面写真である。
【符号の説明】
【００４３】
１…基板（石英ガラス基板）、２…無機レジスト膜、３…潜像パターン、４…レジストパターン、５…エッチングパターン、６…光ディスク原盤、７…スタンパ、８…透明基板、９…金属反射層、１１…光ディスク、１０１…潜像パターンの上部、１０２…潜像パターンの下部、１０３…潜像パターンの側面部、１０４…未露光部、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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