(57)【要約】【課題】配向処理装置全体を小型化し、さらには、基板を含む平面で切った場合の荷電粒子ビームの断面における短辺幅を小さくすることによって、基板が荷電粒子ビーム中を通過するのに必要な距離を小さくし、配向処理にかかる時間を短縮できるようにすること所期課題とする。【解決手段】射出時における荷電粒子ビームＢＭの進行方向が、前記基板３に対して垂直となるように前記荷電粒子源１を設置するとともに、前記荷電粒子源１と基板との間に一様な磁場Ｂ又は電場Ｅを形成して前記荷電粒子ビームＢＭを偏向させ、前記基板３に所定の角度θで入射させる荷電粒子ビーム偏向部２を設けた。【選択図】図１
2009251062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを射出する荷電粒子源を具備し、基板に略長方形状の荷電粒子ビームを照射して、該基板を被覆する配向膜に対する配向処理を行う配向処理装置であって、
射出時における荷電粒子ビームの進行方向が、前記基板に対して垂直となるように前記荷電粒子源を設置するとともに、
前記荷電粒子源と基板との間に一様な磁場又は電場を形成して前記荷電粒子ビームを偏向させ、前記基板に所定の角度で入射させる荷電粒子ビーム偏向部を設けていることを特徴とする配向処理装置。
【請求項２】
前記荷電粒子ビーム偏向部が、１対の荷電粒子ビーム偏向手段を具備したものであり、
前記荷電粒子ビーム偏向手段が、荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における短辺方向に荷電粒子ビームを挟むように対向して設けられ、その荷電粒子ビーム偏向手段間に磁場を形成することによって荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における長辺方向に荷電粒子ビームを偏向させるものである請求項１記載の配向処理装置。
【請求項３】
前記荷電粒子ビーム偏向部が、１対の荷電粒子ビーム偏向手段を具備したものであり、
前記荷電粒子ビーム偏向手段が、荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における短辺方向に荷電粒子ビームを挟むように対向して設けられ、その荷電粒子ビーム偏向手段間に電場を形成することによって荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における短辺方向に荷電粒子ビームを偏向させるものである請求項１記載の配向処理装置。
【請求項４】
前記荷電粒子ビーム偏向部によって形成される前記磁場又は電場は、その向きが、前記基板に平行で、かつ、荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における長辺方向と垂直又は平行となるような磁場又は電場であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の配向処理装置。
【請求項５】
前記略長方形状の荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における短辺方向に前記基板を移動させる搬送機構を備えた請求項１、２、３又は４記載の配向処理装置。
【請求項６】
前記基板と前記荷電粒子ビーム偏向部との間に、前記荷電粒子ビームの照射範囲を制限するスリットが形成されたスリット部を、前記基板に接触しないように設けている請求項１、２、３、４又は５記載の配向処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に形成された配向膜に、荷電粒子ビームを照射することによって配向膜を形成する配向処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶分子を基板の表面において所定方向に配向させるために、基板の表面に配向膜が設けられている。配向膜は、基板の表面にポリイミド等の高分子化合物を塗布したものである。その配向膜には、荷電粒子ビームを照射する配向処理が行われている。このとき、荷電粒子ビームの基板に対する入射角を７０度程度にする必要がある。
【０００３】
このため、特許文献１に示される配向処理装置Ａ１００では、図１２に示すように、荷電粒子ビームであるイオンビームＢＭを射出するイオン源Ａ１は、基板Ａ３に対して斜め上方に傾けて固定することによって、イオンビームＢＭの基板Ａ３に対する入射角度θが７０度程度になるようにしている。また、配向膜Ａ３１の配向方向を均一にするためには、基板Ａ３に均一にイオンビームＢＭを照射する必要がある。そこで、この配向処理装置Ａ１００は、搬送機構Ａ４によって基板Ａ３をイオンビームＢＭが照射されていない始動位置から水平方向に一定速度で移動させて、配向膜Ａ３１の全面にイオンビームＢＭを照射させる。
【０００４】
しかしながら、図１３に示すように、イオンビームＢＭの基板Ａ３に対する入射角度θが大きいため、イオンビームＢＭを斜めから入射させると、基板Ａ３を含む平面で切った場合の断面におけるイオンビームＢＭの短辺幅Ｌ／ｃｏｓθは、射出時のイオンビームの短辺幅Ｌに比べて非常に大きくなる。このため、基板Ａ３がイオンビームＢＭ中を完全に通過するのに必要な距離が大きくなり、それに伴って搬送機構Ａ４の可動距離を大きくする必要があり、配向処理にかかる時間も長くなってしまう。また、イオン源Ａ１を基板Ａ３に対して傾けて固定しているため、イオンビーム射出面を基板Ａ３に近接させることができないので、イオンビームＢＭが基板Ａ３に到達するまでの距離が長くなり、配向処理装置Ａ１００全体が大型化してしまう。
【特許文献１】特許第３７３１８８３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明は、上述したような問題を鑑みて成されたものであり、配向処理装置全体を小型化し、さらには、基板を含む平面で切った場合の荷電粒子ビームの断面における短辺幅を小さくすることによって、基板が荷電粒子ビーム中を通過するのに必要な距離を小さくし、配向処理にかかる時間を短縮できるようにすること所期課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
すなわち、本発明に係る配向処理装置は、略長方形状の荷電粒子ビームを射出する荷電粒子源を具備し、基板に荷電粒子ビームを照射して、該基板を被覆する配向膜に対する配向処理を行う配向処理装置であって、射出時における荷電粒子ビームの進行方向が、前記基板に対して垂直となるように前記荷電粒子源を設置するとともに、前記荷電粒子源と基板との間に一様な磁場又は電場を形成して前記荷電粒子ビームを偏向させ、前記基板に所定の角度で入射させる荷電粒子ビーム偏向部を設けていることを特徴とする。
【０００７】
このようなものであれば、荷電粒子源が射出時における荷電粒子ビームの向きが前記基板を含む平面に対して垂直となるように設けられているので、荷電粒子源を基板に対して傾斜させて設ける場合に比べて、荷電粒子源を基板に近接させて設置することができ、配向処理装置全体を小型化することができる。また、荷電粒子ビームは、空間電荷効果によって進行距離が伸びるほどビームの発散が生じてしまうが、本発明に係る配向処理装置は、荷電粒子源を基板に対して近接させることにより、荷電粒子ビームが荷電粒子源から基板に到達するまでの距離を短くすることができるので、荷電粒子ビームの発散を抑えることができる。従って、荷電粒子ビームの進行方向の均一性を精密に制御しなくても、均質な配向膜を形成することができるようになる。
【０００８】
平行で一様な磁場又は電場を容易に形成するには、前記荷電粒子ビーム偏向部が、１対の荷電粒子ビーム偏向手段を具備し、前記荷電粒子ビーム偏向手段が、荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における短辺方向に荷電粒子ビームを挟むように対向して設けられ、その荷電粒子ビーム偏向手段間に磁場を形成することによって荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における長辺方向に荷電粒子ビームを偏向させるものが好ましい。
【０００９】
平行で一様な磁場又は電場を容易に形成する別の態様としては、前記荷電粒子ビーム偏向部が、１対の荷電粒子ビーム偏向手段を具備し、前記荷電粒子ビーム偏向手段が、荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における短辺方向に荷電粒子ビームを挟むように対向して設けられ、その荷電粒子ビーム偏向手段間に電場を形成することによって荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における短辺方向に荷電粒子ビームを偏向させるものを挙げることができる。
【００１０】
前記磁場又は電場によって荷電粒子ビームを偏向する効率を最も良くし、前記荷電粒子ビームが前記基板に所定の角度で入射するように容易に制御できるようにするには、前記荷電粒子ビーム偏向部によって形成される前記磁場又は電場の向きが、前記基板に平行で、かつ、荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における長辺方向と垂直又は平行となるような磁場又は電場であることが好ましい。
【００１１】
前記荷電粒子源から射出された荷電粒子ビームは、基板に対して垂直に射出されるので、基板と平行な平面で切った場合の荷電粒子ビームの断面での短辺幅が最も小さく、磁場又は電場によって荷電粒子ビームをこの短辺幅を保ったまま偏向されて、前記基板に所定の角度で入射する。この結果、前記基板を含む平面で切った場合の荷電粒子ビームの断面での短辺幅も最小となる。従って、略長方形状の荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における短辺方向に、前記基板を移動させ搬送機構を備えたものであれば、前記基板の全面に略長方形状の荷電粒子ビームを照射するために必要な移動距離を従来に比べて短縮することができる。また、移動距離が短縮されるので、配向処理を行うのにかかる時間も短縮することができる。
【００１２】
荷電粒子ビーム中の発散していく成分をカットし、基板への照射方向が揃った均一性の優れた部分のみを選別して、基板に照射させることができ、配向膜全体に亘って、その配向方向を揃えることができるようにするには、前記基板と前記荷電粒子ビーム偏向部との間に、前記荷電粒子ビームの照射範囲を制限するスリットが形成されたスリット部が前記基板に接触しないように設けてあればよい。
【発明の効果】
【００１３】
このように本発明によれば、荷電粒子源と基板を近づけることができるので、配向処理装置全体を小型化することができる。また、一様な磁場又は電場によって荷電粒子ビームを偏向させることによって、基板を含む平面で切った場合の荷電粒子ビームの断面における短辺幅を射出時の短辺幅とほぼ同じにしつつ、所定の角度で基板に入射させることができる。従って、基板が荷電粒子ビーム中を通過するのに必要な距離を低減でき、配向処理にかかる時間を短縮することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
本実施形態に係る配向処理装置１００は、ガラス基板３２上に配向膜３１を被覆させた配向膜付基板３に略長方形状の荷電粒子ビームたるイオンビームＢＭを照射して配向処理を行うものである。より具体的には、前記イオンビームＢＭと交差する方向に移動する配向膜付基板３にイオンビームＢＭを照射することによって、配向膜３１の全面にイオンビームＢＭを照射するものである。図１に示すように、配向膜付基板３に対してイオンビームＢＭを照射する荷電粒子源たるイオン源１と、射出されたイオンビームＢＭを偏向し、配向膜付基板３に所定の角度θで入射させる荷電粒子ビーム偏向部たるイオンビーム偏向部２と、配向処理を施そうとする配向膜付基板３を載置して所定の方向に移送する搬送機構４と、を備えており、図示しない真空容器内に設けられているものである。なお説明の便宜上、各図には、イオンビームＢＭ照射時に配向膜付基板３が移動する方向をＸ軸負方向、配向膜付基板３に垂直な方向でイオン源１側をＺ軸正方向として右手系をなすように座標軸を設定してある。
【００１６】
以下に、各部を説明する。前記イオン源１は、配向膜付基板３の配向膜３１表面にイオンビームＢＭを照射するものであり、搬送機構４の上方に固定されている。本実施形態では、イオン源１の向きは、イオンビームＢＭの射出時におけるイオンビームＢＭの向きが前記配向膜付基板３を含む平面に垂直にとなるように構成してある。すなわち、イオンビームＢＭは、最初Ｚ軸負方向に射出される。前記イオンビームＢＭは、その進行方向に垂直な断面が略長方形状のビームであり、そのイオンの密度分布が均一になるように調節してある。イオンビームＢＭとしては特に限定されないが、本実施形態では、例えば、正の電荷を持つイオンを用いている。
【００１７】
前記イオンビーム偏向部２は、一対の荷電粒子ビーム偏向手段である平行板電極２１を具備し、平行板電極２１間に形成されるＸ軸正方向向きの平行電場Ｅによって、イオン源１から射出されたイオンビームＢＭを偏向し、前記配向膜付基板３に所定の角度θで入射させるものである。このときの入射角度θは、配向膜３１の配向処理を行うのに適した入射角度であり、通常、７０度程度に設定される。ここで、所定の角度θで入射させるとは、荷電粒子ビームを構成する略全ての粒子が所定の角度θで同じ向きに入射することを言う。イオンビームＢＭの入射角度平行板電極２１は、その法線方向がイオンビームＢＭの射出時における短辺方向に一致させてあり、かつ、イオンビームＢＭを挟むように図示しない保持機構によって対向支持させてある。また、それぞれの電極は、前記配向膜付基板３を含む平面に対して一定距離離間して垂直に設けてある。従って、平行板電極２１間に形成される平行電場Ｅは、その電場の向きが薄膜付基板３に平行であり、かつ、イオンビームＢＭの長辺方向に対して垂直なものとなる。ここで、説明の簡単のために、本明細書中では、平行磁場又は平行電場とは、一様な磁場又は電場のうち、その向きが、前記基板に平行で、かつ、荷電粒子ビームの前記基板と平行な断面における長辺方向と垂直又は平行となるようなものを指すこととする。
【００１８】
搬送機構４は、配向処理を施そうとする配向膜付基板３を載置してＸ軸方向に一定速度で移送するものである。本実施形態では、略長方形状のイオンビームＢＭの短辺方向に平行移動するように構成してある。
【００１９】
次に、本実施形態の配向処理の動作について説明する。
【００２０】
まず、配向膜付基板３を搬送機構４によって、イオンビームＢＭが照射されない移動開始位置にセットし、イオン源１からのイオンビームＢＭの射出を開始する。イオンビームＢＭは、イオンビーム偏向部２にて形成された平行電場Ｅを通過する際に、正の電荷を持つので、平行板電極２１の負極方向に曲げられる。イオンビームＢＭの偏向の様子をイオンビームＢＭの長辺方向から見た図２に示すように、イオン源１から鉛直方向に射出されたイオンビームＢＭは、イオン偏向部にて形成されている平行電場Ｅに垂直に入射し、その配向膜付基板３に平行な面で切った時の短辺幅Ｌを保ったまま曲げられる。
【００２１】
イオンビームＢＭはイオンビーム偏向部２を通過した後、平行電場Ｅの影響を受けなくなるのでそのまま直進し、前記配向膜付基板３を含む平面に入射する。従って、配向膜付基板３に平行な面で切った時のイオンビームＢＭの断面における短辺幅Ｌが保たれたまま前記配向膜付基板３を含む平面に所定の角度θで入射する。
【００２２】
前記配向膜付基板３は搬送機構４によってイオンビームＢＭ中を完全に通過し配向膜３１の全面にイオンビームＢＭが照射されたのちに、イオンビームＢＭが照射されていない停止位置にて停止する。上記のように配向膜３１にイオンビームＢＭを照射することによって、配向膜３１の表面が改質され、配向膜３１を構成する高分子がイオンビームＢＭの照射方向に沿って並び、それに沿って液晶分子が配向するようになる。
【００２３】
このように構成した本実施形態によれば、イオン源１から射出された略長方形状のイオンビームＢＭをイオンビーム偏向部２にて形成される平行電場Ｅによって偏向させて、射出時のイオンビームＢＭの幅で前記配向膜付基板３に所定の角度θで入射させることができる。しかも、イオンビームＢＭの配向膜付基板３を含む平面に対する入射角度θによらずに、射出時における配向膜付基板３に平行な面で切った時の短辺幅Ｌで基板３に入射させることができる。従って、入射角度θが大きい場合でも、イオンビームＢＭが照射されていない位置からイオンビームＢＭ中を完全に通過させるのに必要な移動距離は、配向膜付基板３の移動方向の長さとイオンビームＢＭの配向膜付基板３に平行な面で切った時の短辺幅Ｌだけになり、従来に比べて移動距離を大幅に短くすることができる。
【００２４】
さらに、イオン源１が、配向膜付基板３を含む平面に対して垂直な方向に略長方形状のイオンビームＢＭを射出するように設けてあるので、従来のようにイオン源が傾斜させて設けられている場合と比べて、イオン源１のイオンビーム射出面と配向膜付基板３とを非常に近接させることができる。従って、イオンビームＢＭが配向膜付基板３に到達するまでの距離を短くすることができるので、イオンビームＢＭの発散を厳密に制御しなくても均一にイオンビームＢＭを配向膜付基板３に照射することができる。加えて、イオン源１と配向膜付基板３とを近接することができるので、配向処理装置１００をコンパクトにすることができる。
【００２５】
また、移動距離が短くなるので、配向膜付基板３の全面にイオンビームＢＭを照射するのにかかっていた時間も短縮されることから、配向処理にかかる時間も短縮することができる。加えて、搬送機構４の可動距離を大きくする必要が無くなるので、配向処理装置１００を小型化することもできるようになる。
【００２６】
さらに、イオンビーム偏向部２にて形成される平行電場ＥによってイオンビームＢＭを偏向して、所望の角度θで配向膜付基板３に入射させているので、平行電場Ｅの強さを調節することによって入射角度θを容易に調節することができる。
【００２７】
加えて、イオンビーム偏向手段である平行板電極２１は、略長方形状のイオンビームＢＭの短辺を挟むように対向して設けられているので、その平行板電極２１間のギャップを小さくすることができる。ギャップを小さくすることにより、平行板電極２１間には、一様で平行な電場Ｅを形成することが容易になる。
【００２８】
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００２９】
例えば、前記実施形態の配向処理装置は、搬送機構を備えたものであったが、配向処理装置が搬送機構を備えないものであっても構わない。例えば、イオン源１から射出されるイオンビームＢＭの大きさに対して基板寸法が十分に小さい場合には、基板３を移動させずとも基板３の全面にイオンビームＢＭを照射することができるので、搬送機構４を備える必要は無い。
【００３０】
図３に示すように、前記実施形態において、イオンビーム偏向手段として一対のコイル２２が、略長方形状のイオンビームＢＭの長辺方向に向かい合っており、イオンビームＢＭを挟むように設けてあるものでも構わない。この一対のコイル２２によってイオンビーム偏向部２にＹ軸方向に平行な磁場Ｂを形成させ、イオンビームＢＭをＸ軸方向に偏向し、所定の入射角度θで配向膜付基板３に入射させることができる。この場合でも前記実施形態と同様に、イオン源１から射出されたときのイオンビームＢＭの幅で、イオンビームＢＭを前記配向膜付基板３に所定の角度θで入射させることができる。従って、配向膜付基板３がイオンビームＢＭ中を完全に通過するのに必要な距離を短縮することができ、配向処理にかかる時間を短くし、搬送機構４及び配向処理装置１００の小型を図ることができる。
【００３１】
図４に示すように、イオンビーム偏向手段である一対のコイル２２がイオンビームＢＭの短辺方向に向かい合っており、イオンビームＢＭを挟むように設けられるものであって、搬送機構４がイオンビームＢＭの短辺方向と平行に移動するものであっても構わない。この場合、イオンビームＢＭは、イオンビームＢＭの長辺方向であるＹ軸方向に偏向し、所定の角度θで配向膜付基板３を含む平面に入射する。配向膜付基板３は、搬送機構４によってイオンビームＢＭの短辺方向であるＸ軸方向に移動し、イオンビームＢＭ中を通過するようにしているので、図４に示す実施形態の場合でも図３に示す実施形態と同様に、イオン源１から射出されたときのイオンビームの幅で、イオンビームＢＭを前記配向膜付基板３に所定の角度θで入射させることができる。従って、配向膜付基板３がイオンビームＢＭ中を完全に通過するのに必要な距離を短縮することができ、配向処理にかかる時間を短くし、搬送機構４及び配向処理装置１００の小型化を図ることができる。
【００３２】
図５に示すように、図４で示した実施形態において、さらに、イオン偏向部と配向膜付基板３との間に、イオンビームＢＭの照射範囲、特に、イオンビームＢＭの短辺側の幅を制限するスリットが形成されたスリット部をさらに備えたものであっても構わない。このようなものであれば、イオン源１から射出されたイオンビームＢＭの発散していく成分をカットすることができ、照射方向が揃ったイオンビームＢＭの部分のみを配向膜付基板３に照射することができる。ひいては、配向膜３１の配向方向をより均一にそろえることができるようになる。
【００３３】
以下の説明では、説明の便宜上、平行板電極２１をイオンビームＢＭの長辺方向を挟むように対向して設けた実施形態をもとにして説明する。
【００３４】
図６に示すように、配向処理装置１００が、イオンビームＢＭの配向膜付基板３を含む平面への入射角度θを測定する入射角度測定機構を備えたものであっても構わない。入射角度検出機構６は、片方の端面が開口し、もう片方の端面が閉口した筒状体６１と、前記筒状体６１の閉口した端面の内面側に設けられたイオン検出部６２と、を備えたものであり、前記筒状体６１は、略長方形状のイオンビームＢＭの長辺が延伸する方向とイオンビームＢＭが進行する方向によって形成される平面内を回転可能に取り付けられている。イオン検出部６２はイオンを検出するとその数に応じて、電流を出力するものである。
【００３５】
イオンビームＢＭ中において筒状体６１を回転させ、その取り付け角度を変化させると、筒状体が延伸する方向と、イオンビームＢＭの進行方向とが一致するにしたがって、筒状体６１の内部に入るイオンの数が増加する。従って、イオン検出部によってイオンの数を検出しながら筒状体６１の取り付け角度変化させていくことにより、最もイオンが検出されたときの筒状体６１の取り付け角度から、イオンビームＢＭの入射角度θを知ることができる。その入射角度θの測定結果からイオンビームＢＭの入射角度θを適切な角度になるように、平行磁場Ｂ又は平行電場Ｅを調節することができる。その結果、イオンビームＢＭを所定の角度θで入射させることができ、配向膜３１の配向方向を揃えることができるようになる。
【００３６】
図７に示すように、配向処理装置１００が、イオンビームＢＭの照射面の電流密度を計測する電流密度計測機構７を備えたものであっても構わない。電流密度計測機構７は、平板上に凹部７１を格子状に並べて形成してあり、その凹部７１の底面７２にイオンが入射したときの電流を計測するものである。イオンが入射して発生した２次電子が凹部７１から出てしまうことによる測定誤差を小さくするために、前記凹部７１の側面７２から磁場または電場が形成されている。
【００３７】
それぞれの凹部７１の位置と、凹部７１で検出された電流とからイオンビームＢＭの照射面における密度分布を計測することができる。従って、その計測結果を用いて、イオンビームＢＭの密度分布が均一になるように調節を行うことができるようになり、配向膜３１の配向方向を揃えることができる。
【００３８】
図８及び図９に示すように、配向処理装置１００がイオンビームＢＭの進行方向からの発散角及びイオンビームＢＭを偏向したときの偏向角の分布を測定する発散角及び偏向角分布検出機構８を備えたものであってもよい。
【００３９】
前記発散角及び偏向角分布検出機構８は、イオンビームＢＭの進行方向に対して垂直な平面に設けられたスリット８１と、スリット８１を含む平面から一定距離離間して設けられて、スリットを通過したイオンを検出する発散角及び偏向角検出部８２とを備え、前記発散角及び偏向角検出部８２は、スリット８１を含む平面と平行な平面内において、スリット８１が延伸する方向に対して垂直な方向に平行移動するものである。
【００４０】
イオンビームＢＭが進行方向に対して均一ではない場合には、スリット８１に対して垂直に入射するだけでなく、斜めからも入射する成分が存在する。前記偏向角検出部８２は、スリットを含む平面と平行な平面内において、スリット８１が延伸する方向に対して垂直な方向に平行移動することによって、垂直に入射したイオン及び斜めから入射したイオンの量をその位置と電流量から測定する。このようにして、イオンビームＢＭの発散角及び偏向角の分布を測定することができ、イオンビームＢＭの均一性を調節するのに用いることができる。ひいては、配向膜３１の配向方向をより揃えることができるようになる。
【００４１】
なお、入射角度測定機構６、電流密度計測機構７、発散角及び偏向角分布検出機構８は配向処理を行う前の調整作業に用いられるものであり、それぞれの調整作業や配向処理作業の邪魔にならない位置に退避できるように構成してある。
【００４２】
図１０に示すように、一対の平行板電極２１が互いの面を平行に保ったまま、前記基板３からの垂直方向の距離が異なるように設けられ、平行板電極２１間に形成される電場Ｅの向きが前記基板３に対して傾いているものであっても構わない。このようなものであっても、電場Ｅの水平方向の成分Ｅｙがイオンビームを偏向し、所定の角度θで基板に入射させることができる。
【００４３】
図１１に示すように、一対のコイル２２自体が前記基板３に対して傾けて設けてあるものであっても構わない。このような場合でも磁場ＢのイオンビームＢＭの進行方向に垂直な水平方向成分Ｂｙが、イオンビームＢＭを短辺方向であるＸ軸方向に偏向する。以上より、イオンビームＢＭの射出時における進行方向を前記基板３に垂直な向きにしておき、その進行方向に交差するように、磁場Ｂ又は電場Ｅを設けておけば、イオンビームＢＭを偏向して所定の角度θで前記基板３に入射させることができ、配向処理装置を小型化することができる。
【００４４】
各実施形態では荷電粒子ビームとして正の電荷を持つイオンビームを用いているが、電荷を有するビームであり、磁場又は電場によって偏向することができる粒子ビームであっても構わない。例えば、電子ビームであってもよい。また、荷電粒子ビームが正方形状のビームの場合には、荷電粒子偏向手段を荷電粒子ビームを挟んで対向して設けるのは、どちらの辺方向であっても構わない。
【００４５】
その他、前述した実施形態や変形実施形態の一部又は前部を適宜組み合わせてもよく、その趣旨を逸脱しない範囲において様々な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に係る模式的斜視図
【図２】同実施形態に係るイオンビームの偏向を示した模式図。
【図３】本発明の別の実施形態に係る模式的斜視図。
【図４】本発明のさらに別の実施形態に係る模式的斜視図。
【図５】本発明のさらに別の実施形態においてスリット部を備えた場合を示す模式図。
【図６】配向処理装置が入射角度測定機構を備えたものを示す模式図。
【図７】配向処理装置が電流密度計測機構を備えたものを示す模式図。
【図８】配向処理装置が発散角及び偏向角分布検出機構を備えたものを示す模式図。
【図９】発散角及び偏向角分布検出機構の拡大図。
【図１０】一対の荷電粒子ビーム偏向手段が基板に対して垂直な方向にずれて向かい合っている構成を示す模式図。
【図１１】一対の荷電粒子ビーム偏向手段が基板に対して傾けて設けてある構成を示す模式図。
【図１２】従来の配向処理装置の模式的斜視図。
【図１３】従来の配向処理装置におけるイオンビームの照射の様子を示す模式図。
【符号の説明】
【００４７】
１００…配向処理装置
１…荷電粒子源（イオン源）
２…荷電粒子ビーム偏向部（イオンビーム偏向部）
２１、２２…荷電粒子ビーム偏向手段（平行板電極、コイル）
３…基板
ＢＭ…荷電粒子ビーム（イオンビーム）
Ｂ…磁場
Ｅ…電場
【図１】
2009251062.tif 000003
【図２】
2009251062.tif 000004
【図３】
2009251062.tif 000005
【図４】
2009251062.tif 000006
【図５】
2009251062.tif 000007
【図６】
2009251062.tif 000008
【図７】
2009251062.tif 000009
【図８】
2009251062.tif 000010
【図９】
2009251062.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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