(57)【要約】【課題】レーザダイオードに適正なバイアス電流を供給することにより、立ち上がりの応答性を高める。【解決手段】画像データの階調値に対応した電力をレーザダイオードＬＤに供給する電力制御回路Ｓを備える。この電力制御回路Ｓにおいて計測階調値を順次増大させ、レーザダイオードＬＤに流れる電流値を計測するバイアス電流設定モジュール７０を備えた。このバイアス電流設定モジュール７０は、計測した電流値が低下傾向に切り換わるＬＤ領域閾値を判定し、このＬＤ領域閾値を基準にして露光調整値を加算したバイアス階調値を設定し、バイアス電流供給部６７に与える。そして、バイアス電流供給部６７がレーザダイオードＬＤにバイアス電流を供給する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードの駆動電流の制御によりレーザビームの光量を制御する電力制御手段と、レーザビームを走査する形態で感光材料に対する露光を実現する走査光学部と、前記レーザダイオードにバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段とを備えているレーザ露光装置であって、
前記バイアス電流供給手段は、レーザダイオードに供給する電流を増大した際に光量の増大率が急激に変化する境界となるＬＤ領域閾値を基準にして、このＬＤ領域閾値に調整電流値を加算した電流値をバイアス電流値に設定しているレーザ露光装置。
【請求項２】
前記調整電流値が、前記レーザダイオードからのレーザビームにより前記感光材料が感光しない範囲の値に設定される請求項１記載のレーザ露光装置。
【請求項３】
前記電力制御手段が、画像データの階調値に対応した電力を前記レーザダイオードに供給する電力制御回路を備えると共に、
この電力制御回路に与える階調値を順次増大させる状況下で前記レーザダイオードに流れる電流値が低下傾向に変化する階調値を前記ＬＤ領域閾値として判定し、この判定時の階調値に対して前記調整電流値に対応する階調値が加算されたバイアス階調値を設定するバイアス電流設定手段を備え、
前記バイアス電流供給手段は前記バイアス階調値に基づいて前記バイアス電流を供給するバイアス電流供給部を備えている請求項１又は２記載のレーザ露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードの駆動電流の制御によりレーザビームの光量を制御する電力制御手段と、レーザビームを走査する形態で感光材料に対する露光を実現する走査光学部と、前記レーザダイオードにバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段とを備えているレーザ露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のように構成されたレーザ露光装置が特許文献１及び特許文献２に記載されている。特許文献１では、駆動電流の制御により半導体レーザの強度変調を行い、この半導体レーザからの光ビームの強度に対応する帰還信号をフィードバックして光出力を安定させる光出力安定化手段を備えており、半導体レーザからの光ビームを走査する形態で記録を行うレーザ記録装置が示されている。
【０００３】
このレーザ記録装置では、感光材料を感光させ得る設定強度（感光させ得る最低限の強度）の光ビームを発生させる駆動電流より小さな値のバイアス電流を常に供給することにより半導体レーザの立ち上がりの応答性を高め、これにより、照射光量の不足による露光ラインが細くなる現象や、記録開始位置のズレによって記録画像に段差を生ずる不都合を解消している。
【０００４】
特許文献２では、画像の濃度情報に基づいてパルス変調が行われる光源として半導体レーザを備え、感光材料の最低発色濃度に対応する露光量の半分以下の露光量に対応するバイアス電流を半導体レーザに流し続ける駆動手段を備えることにより光源をプレヒート状態に維持する画像露光装置が示されている。この画像露光装置ではバイアス電流を流し続けることにより、光源の自己発熱による発光効率の変化、すなわち、ドループによる発光量の変動を低減し、発色濃度変動が視認できない高画質の露光を行えるようにしている。
【０００５】
【特許文献１】特公平７−７１１７６号
【特許文献２】特許第３１１０１３４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レーザビームを走査して露光を行うレーザ露光装置では、特許文献１あるいは特許文献２にも記載されるように、レーザダイオードにバイアス電流を供給しておくことにより、この駆動電流を供給しない状態から、駆動電流を供給したタイミングにおける立ち上がり応答を向上させるものである。また、バイアス電流を供給するものであっても、従来からのレーザ露光装置ではバイアス電流を決まった値に設定している。
【０００７】
しかしながら、レーザ露光装置を製造する際に、複数のレーザ露光装置におけるバイアス電流を決まった値に一律に設定した場合には、レーザダイオードには個体差があるため、必要とする応答性が得られないこともあった。
【０００８】
本発明の目的は、レーザダイオードに適正なバイアス電流を供給することにより、立ち上がりの応答性を高めたレーザ露光装置を合理的に構成する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の特徴は、レーザダイオードの駆動電流の制御によりレーザビームの光量を制御する電力制御手段と、レーザビームを走査する形態で感光材料に対する露光を実現する走査光学部と、前記レーザダイオードにバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段とを備えているレーザ露光装置であって、
前記バイアス電流供給手段は、レーザダイオードに供給する電流を増大した際に光量の増大率が急激に変化する境界となるＬＤ領域閾値を基準にして、このＬＤ領域閾値に調整電流値を加算した電流値をバイアス電流値に設定した点にある。
【００１０】
この構成によると、ＬＤ領域閾値に対して予め決められた調整電流値を加算した電流値をバイアス電流値に設定できる。つまり、ＬＤ領域閾値はレーザダイオード毎に決まる特性であり、このＬＤ領域閾値における発光量は極めて低く、感光材料を感光させることは考えられない。従って、このＬＤ領域閾値を基準にして設定値だけ電流値を増大させるようにバイアス電流を設定することにより、非駆動状態から駆動を開始した際のレーザダイオードの立ち上がり応答性を高くしたレーザ露光装置が構成された。
【００１１】
本発明は、前記調整電流値が、前記レーザダイオードからのレーザビームにより前記感光材料が感光しない範囲の値に設定している。これによると、バイアス電流を供給することによっても感光材料を感光させることがなく、レーザダイオードの立ち上がり特性を一層良好なものにできる。
【００１２】
本発明は、前記電力制御手段が、画像データの階調値に対応した電力を前記レーザダイオードに供給する電力制御回路を備えると共に、この電力制御回路に与える階調値を順次増大させる状況下で前記レーザダイオードに流れる電流値が低下傾向に変化する階調値を前記ＬＤ領域閾値として判定し、この判定時の階調値に対して前記調整電流値に対応する階調値が加算されたバイアス階調値を設定するバイアス電流設定手段を備え、前記バイアス電流供給手段は前記バイアス階調値に基づいて前記バイアス電流を供給するバイアス電流供給部を備えても良い。
【００１３】
つまり、電力制御手段は、露光時にプリントを行うべき画像データの各画素の階調値を電力制御回路に与えることで、レーザダイオードは、その階調値に対応した光量のレーザビームを照射する。この発明では、階調値を順次増大しながら、レーザダイオードに流れる電流値を計測し、この電流値が低下傾向に変化する階調値をＬＤ領域閾値に判定できる。この判定時の階調値に対して前記設定値に対応した階調値を加算したバイアス階調値をバイアス電流設定手段が設定する。そして、バイアス電流供給手段はバイアス階調値に対応した電流をレーザダイオードに供給することで必要とするバイアス電流の供給が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
〔全体構成〕
図１及び図２に示すように、筐体１０の内部に印画紙Ｐ（感光材料の一例）に露光を行う露光処理部Ｅｘと、露光済みの印画紙Ｐの現像処理を行う現像処理部Ｄｅと、この現像処理部Ｄｅからの印画紙Ｐを乾燥する乾燥処理部Ｄｒとを備えると共に、この乾燥処理部Ｄｒで乾燥された印画紙Ｐを筐体１０の端部の排出部１１から送り出し、搬送ベルト１２により複数のトレイ１３Ａの何れかにオーダ単位で回収可能なソータ１３を備えて写真プリント装置が構成されている。
【００１５】
露光処理部Ｅｘと現像処理部Ｄｅとの間には、露光処理部Ｅｘから送り出された印画紙Ｐを反転することで表裏を入れ換えた状態で現像処理部Ｄｅに受け渡す縦搬送部ＣＶが設けられている。また、筐体１０の外部には、オペレータが画像データの取得と、プリント処理に必要な操作とを行う操作端末として機能するオペレート部Ａが設置されている。
【００１６】
〔オペレート部Ａ〕
オペレート部Ａには、操作テーブル２０に設置された汎用コンピュータで成る画像処理装置２１と、画像処理装置２１の上面に設置されたディスプレイ２２と、現像処理後の写真フィルムＦのコマ画像から画像データを取得するフィルムスキャナ２３と、２つのキーボード２４と１つのマウス２５とを備えている。画像処理装置２１の前面にはフラッシュメモリ等の各種の半導体型の記憶媒体（不図示）、あるいは、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、ＭＯ等の磁気式や光学式の記憶媒体（不図示）等から画像データを取得する複数のメディアドライブ２６を備えている。
【００１７】
〔縦搬送部ＣＶ〕
縦搬送部ＣＶは、露光処理部Ｅｘで露光された印画紙Ｐを圧着型のローラ対１５で受け取り、この圧着型のローラ対１５の姿勢変換によって表裏を入れ換え、ガイドレール１６に沿って上方に搬送し、現像処理部Ｄｅに送り出す動作を行う。
【００１８】
〔現像処理部Ｄｅ・乾燥処理部Ｄｒ〕
現像処理部Ｄｅは、発色現像槽と漂白定着槽と安定槽とで成る複数の処理槽を合成樹脂によって一体形成した現像処理槽３０を備え、露光処理部Ｅｘから供給された印画紙Ｐを夫々の現像処理槽３０に搬送するように複数の圧着型の複数のローラ対を有した搬送機構３１を備えている。また、乾燥処理部Ｄｒは、現像処理部Ｄｅから送り出された印画紙Ｐを搬送する複数の圧着ローラ対３２と、この圧着ローラ対３２で搬送される印画紙Ｐに対して加熱された乾燥空気を供給するブロワ３３とを備えている。
【００１９】
〔露光処理部Ｅｘ〕
露光処理部Ｅｘは、印画紙マガジンＭにロール状に巻き取られた印画紙Ｐを搬送する供給搬送ユニットＣと、この搬送ユニットからの印画紙を露光位置において水平方向に搬送する露光搬送ユニットＧと、露光搬送ユニットＧで搬送される印画紙Ｐに対してレーザビームを照射して走査露光を行う露光ユニットＨ（本発明のレーザ露光装置の一例）とを備えている。
【００２０】
供給搬送ユニットＣは、印画紙マガジンＭから印画紙Ｐ引き出して、水平方向に送り出す圧着型の供給搬送ローラ４１と、印画紙Ｐをプリントサイズに切断するカッター４２と、供給搬送ローラ４１から送られた印画紙Ｐを受け取って送り出す排出搬送ローラ４３と、排出搬送ローラ４３から印画紙Ｐの先端付近を挟持して水平に移動するチャッカー４４とを備えている。
【００２１】
露光搬送ユニットＧは、印画紙Ｐの搬送方向での上流側位置に圧着・非圧着切換型に構成された受入ローラ４６と、この下流側に圧着・非圧着切換型に構成された第１露光搬送ローラ４７と、圧着・非圧着切換型に構成された第２露光搬送ローラ４８とを備え、印画紙Ｐを水平方向に搬送する。
【００２２】
受入ローラ４６と、第１露光搬送ローラ４７と、第２露光搬送ローラ４８とは夫々とも下側に駆動ローラを配置し、上側に上下移動可能なチャックローラを配置した構造を有している。
【００２３】
つまり、図３に示すように、受入ローラ４６は受入搬送モータＭ１で駆動される下側の駆動ローラ４６ａと上側のチャックローラ４６ｂとで構成されている。第１露光搬送ローラ４７は露光搬送モータＭ２で駆動される下側の駆動ローラ４７ａと上側のチャックローラ４７ｂとで構成され、第２露光搬送ローラ４８は前記露光搬送モータＭ２で駆動される下側の駆動ローラ４８ａと下側のチャックローラ４８ｂとで構成されている。
【００２４】
受入ローラ４６と、第１露光搬送ローラ４７と、第２露光搬送ローラ４８とは夫々とも、印画紙Ｐの先端を受け入れるタイミングでチャックローラを上方に移動させ、印画紙Ｐの先端が圧着可能な位置に達した後に、チャックローラを圧着位置まで下降させることで印画紙Ｐを圧着状態に切り換えて搬送するように作動シーケンスが設定されている。図面には示していないが、夫々のチャックローラは、モータの駆動力によって回転する偏心カムの外周に接触するカムフォロアーからの力で上下作動する。
【００２５】
この露光搬送ユニットＧは、第１露光搬送ローラ４７と、第２露光搬送ローラ４８との中間位置に露光位置Ｌが設定され、この露光位置Ｌに対して露光ユニットＨからのレーザビームが照射される。
【００２６】
〔露光ユニット〕
露光ユニットＨは、アルミニウム合金等の軽金属合金のハウジング５０に光源部Ｈａと、走査光学部Ｈｂとを収容した構造を有している。
【００２７】
光源部Ｈａは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三原色のレーザ光源５１ｒ、５１ｇ、５１ｂを備えると共に、Ｇ（緑）のレーザ光源５１ｇからのレーザビームの強度変調を行う音響光学変換素子（ＡＯＭ）で成る光量調節機構５２ｇを備え、レーザビームを反射するビームミラー５３ｒ、５３ｇ、５３ｂを備えている。
【００２８】
また、この光源部Ｈａでは、Ｒ（赤）とＢ（青）とのレーザ光源５１ｒ、５１ｂにレーザダイオード（半導体レーザ）が用いられ、Ｇ（緑）のレーザ光源５１ｂに固体レーザが用いられている。尚、Ｒ（赤）とＢ（青）とのレーザ光源５１ｒ、５１ｂにレーザダイオードは供給される電力によってレーザビームの強度変調が行われる。
【００２９】
走査光学部Ｈｂは、ビームミラー５３ｒ、５３ｇ、５３ｂからのレーザビームが導かれるポリゴンミラー５５と、このポリゴンミラー５５を軸芯Ｙ周りで駆動回転するポリゴンモータ５５Ｍとを備えている。また、この走査光学部Ｈｂは、ポリゴンミラー５５で反射されたレーザビームを導くｆθレンズ群５６と、ポリゴンミラー５５で反射されたレーザビームが走査端に達したことをタイミングミラー５７で反射されたレーザビームから検出する同期センサ５８と、横向きのレーザビームを下向きに変更するための偏向ミラー５９とを備えている。
【００３０】
ポリゴンミラー５５は、軸芯Ｙに沿う方向視で正多角形となる外周面を平坦な鏡面に仕上ることにより複数のミラー面が形成されている。ポリゴンモータ５５Ｍは駆動信号の周波数に対応した回転数で回転する構造のものが使用され、また、前記ｆθレンズ群５６は複数のシリンドリカルレンズで成り、ポリゴンミラー５５の回転によって主走査方向に等角度走査（一定の角速度で走査）されるレーザビームを、印画紙Ｐの感光面上で等速走査（一定の線速度で走査）するレーザビームに変換する。
【００３１】
本発明は、レーザ光源５１ｒ、５１ｇ、５１ｂのうち、Ｒ（赤）のレーザ光源５１ｒとＧ（緑）のレーザ光源５１ｇに供給されるバイアス電流の設定に特徴を有するものであり、この設定について以下に説明する。
【００３２】
〔電力制御系〕
図５には、Ｒ（赤）及びＢ（青）のレーザ光源５１ｒ、５１ｂに電力を供給する電力制御手段としての電力制御回路Ｓと、バイアス電流供給手段としてのバイアス電流供給回路Ｔを模式的に示し、このレーザ光源５１ｒ、５１ｂをレーザダイオードＬＤとして示している。
【００３３】
同図においては電力制御回路Ｓ及びバイアス電流供給回路Ｔ（バイアス電流供給手段の一例）は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）や、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、あるいは、ＣＰＬＤ （ Complex Programmable Logic Device ）で成るデバイスで構成されるものを想定しており、同図に示したブロック回路は機能の概念を示し、回路の具体例を示すものではない。尚、このブロック図における各構成要素はハードウエアだけで構成されるものではなく、ソフトウエアのみによって構成されるもの、あるいは、ハードウエアとソフトウエアとの組み合わせで構成されるものが含まれる。
【００３４】
電力制御回路Ｓは、画像データ保存部６１にプリント対象として保存されている画像データのピクセル（画素）の階調値（濃度データ）を露光データ出力部６２が取得し、Ｄ／Ａ変換器６３で電圧信号に変換し、オフセット調整回路６４で電圧のオフセットの調整を行い、この電圧信号で露光トランジスタ６５を制御することでレーザダイオードＬＤに駆動電流を供給し、階調値に対応した光量のレーザビームの照射を行うように基本的な信号処理系が構成されている。
【００３５】
画像データは８ビットあるいは１４ビットの等のビットマップ形式であり、画像データ保存部６１においてＲＡＭ等の半導体メモリに保存されている。露光データ出力部６２は、同期センサ５８がレーザビームを検出したタイミングを基準として、ピクセルクロック発生回路６６で発生させたピクセルクロックと同期して画像データから主走査方向に沿った１ライン分のピクセルのアドレスを指定して濃度データ（階調値）を取得し、取得した画像データ（階調値）を連続的に出力する。
【００３６】
オフセット調整回路６４は、レーザダイオードＬＤの性能のバラツキや、電力制御回路Ｓの性能のバラツキに起因して、階調値に対する露光トランジスタ６５の制御電圧のズレを調整するための電圧印加回路として機能する。このオフセット調整回路６４はズレに基づいてプラスの任意の電圧又はマイナスの任意の電圧を印加することになる。このように印加する電圧値はオフセット調整手段７６で設定される。
【００３７】
バイアス電流供給回路Ｔは、バイアス電流供給部６７と、このバイアス電流供給部６７の信号を電圧信号に変換するＤ／Ａ変換器６８と、レーザダイオードＬＤにバイアス電流を供給するバイアストランジスタ６９とを備えている。
【００３８】
バイアス電流供給部６７は、バイアス階調値を保存するためのＥＥＰＲＯＭ等の記憶手段に記憶し、記憶したバイアス階調値をＤ／Ａ変換器６８に出力するものを想定しているが、この露光ユニットＨの起動時にバイアス階調値がロードされ、このバイアス階調値を記憶するレジスタで構成されるものでも良い。
【００３９】
尚、バイアス電流供給回路Ｔは、露光データ出力部６２から濃度データ（階調値）が出力されない状況において、特許文献１、特許文献２と同様にレーザダイオードＬＤに対してバイアス電流を供給すことにより、応答性を向上させるように機能する。
【００４０】
この写真プリント装置において、バイアス電流の値としては、レーザダイオードＬＤの個体差に対応できるように露光ユニットＨ毎に設定される。この設定を実現するために、バイアス電流設定手段としてのバイアス電流設定モジュール７０を備えている。
【００４１】
バイアス電流設定モジュール７０は、露光トランジスタ６５から抵抗器Ｒｘに流れる電流に起因して抵抗器Ｒｘで生ずる電圧値を取得するＡ／Ｄ変換部７１を備えると共に、このＡ／Ｄ変換部７１で取得した信号を保存するレジスタ７２と、このレジスタ７２で保存した情報に基づいてＬＤ領域閾値の判定を行い、バイアス階調値を出力するＬＤ領域閾値判定手段７３と、これらを制御する計測処理手段７４と、計測処理手段７４からの制御信号によって計測階調値を出力する計測階調値出力部７５とを備えている。
【００４２】
尚、抵抗器Ｒｘに電流が流れる場合には、電流値と抵抗器Ｒｘの抵抗値とを乗じた値の電圧が発生するため（オームの法則）、この抵抗器Ｒｘに発生する電圧値を計測することによりレーザダイオードＬＤに流れる電流値を取得している。
【００４３】
〔バイアス電流の設定〕
このバイアス電流設定モジュール７０を機能させて、バイアス電流値を設定する際の処理の概要を図４のフローチャートのように示すことが可能である。
【００４４】
つまり、オペレータがバイアス電流設定するモードを選択することにより、バイアス電流設定モジュール７０を機能させるイニシャライズの後に、計測処理手段７４が計測階調値出力部７５を制御して階調値（例えば１４ビットの信号）を設定ステップで増大させながら露光データの出力系に与えると共に、露光トランジスタ６５に流れる電流値を取得する（＃１０１〜＃１０４ステップ）。
【００４５】
具体的に説明すると、電流値を取得する際には、計測処理手段７４が初期値として「０」又は「０」に近い階調値を設定する。そして、計測処理手段７４が計測階調値出力部７５を制御して、この初期値に対し設定された階調値を順次加算した（積算した）計測階調値（電流値を計測するために出力される階調値）を一定のインターバルで出力する。
【００４６】
この一定のインターバルで計測階調値が出力されたタイミングで、計測処理手段７４がＡ／Ｄ変換部７１とレジスタ７２とを制御することにより、Ａ／Ｄ変換部７１が電圧信号（電流値に対応した値となる）をデジタル信号に変換し、このデジタル信号が電流値としてレジスタ７２に保存される。
【００４７】
この取得と保存処理とを設定回数だけ行った後に計測処理手段７４は、計測階調値の出力を停止し、この計測処理手段７４がレジスタ７２に保存されている電流値の変化を判定する。この判定より設定値を超える変化を判定した場合には、図６に示す如く、電流値Ｉｎが最も大きく変化した領域において、計測階調値出力部７５から出力されていた計測階調値をＬＤ領域閾値Ｘｎ（階調値基準のＬＤ領域閾値）に設定すると共に、印画紙Ｐが感光しないように余裕をもって設定された固定値Ｑ１を設定する。この後に、テストプリントを行うことや、レーザダイオードＬＤの僅かな光量を計測すること等の露光検査を行うことにより、レーザダイオードＬＤに対して最も適正な階調値を設定するための調整値Ｑ２が設定され、この調整値Ｑ２を固定値Ｑ１に加算することで、バイアス階調値Ｙｎ（バイアス電流値に対応する）が設定される（＃１０５〜＃１０８ステップ）。
【００４８】
このように固定値Ｑ１と調整値Ｑ２とを加算した値が、本発明の露光調整値（調整電流値の具体例）であり、調整値Ｑ２は「０」の値、又は、プラスの値、又は、マイナスの値をとる。
【００４９】
そして、＃１０６ステップで判定が不能である場合には、判定不能情報がディスプレイ２２等に出力される。このように判定不能情報が出力された場合に必要な対応をとることができる（＃１０９ステップ）。
【００５０】
つまり、Ｄ／Ａ変換器６３に与える階調値が低い値から順次増大した場合には、レーザダイオードＬＤに流れる電流値Ｉｎが、図６の上段のグラフに示す如く、境界領域Ｆｎにおいて大きく低下する現象（低下傾向）として現れる。この境界領域ＦｎはレーザダイオードＬＤ毎に異なるものであり、この境界領域Ｆｎにおいて最も大きく電流値Ｉｎが変化する点の判定は、図６の中段のグラフに示すように、電流値Ｉｎの変化を関数化して微分し、傾き（勾配）から容易に行えるものである。
【００５１】
これを利用して、計測処理手段７４では微分を行うことにより最も大きい傾き（勾配）に対応する階調値を、そのレーザダイオードＬＤのＬＤ領域閾値Ｘｎに設定する処理を行っている。尚、この処理は必ずしも微分を行う必要はなく、レジスタ７２に保存した信号値の比較処理によっても簡単に行える。
【００５２】
このように判定されたＬＤ領域閾値Ｘｎ（階調値基準のＬＤ領域閾値）は、図６の下段のグラフに示すように、消灯状態のレーザダイオードＬＤに供給する電流を徐々に増大させた場合に、低照度の発光の光量Ｌｑの増大率が、急激に増大するＬＤ領域閾値Ｘｉ（電流値基準のＬＤ領域閾値）に対応するものである。
【００５３】
尚、ＬＤ領域閾値Ｘｎ（階調値基準のＬＤ領域閾値）に対応する階調値に対応する電流が供給されたレーザダイオードＬＤの光量では印画紙Ｐを感光させるものではない。また、印画紙Ｐが感光する光量を得る階調値を感光階調値Ｚｎとした場合、ＬＤ領域閾値Ｘｎと感光階調値Ｚｎとの中間の階調となる値となるように露光調整値Ｑが設定されている。
【００５４】
このように設定されたバイアス階調値Ｙｎは、バイアス電流供給部６７に与えられ、保存される。この後、印画紙Ｐに対して画像データの露光を行う際には、バイアス電流供給部６７に保存されたバイアス階調値が、Ｄ／Ａ変換器６８で電圧信号に変換され、バイアストランジスタ６９を制御し、レーザダイオードＬＤにバイアス電流を供給することになる。
【００５５】
また、オフセット調整手段７６は、レーザダイオードＬＤの性能のバラツキや、電力制御回路Ｓの性能のバラツキ等に起因して出力階調値が「０」であっても、レーザダイオードＬＤに流れる電流値をＬＤ領域閾値より小さくできない不都合を解消するために、出力階調値に対する電圧（変調電圧）にマイナス電圧を印加するようにオフセット調整を実現する。このオフセット調整手段７６による調整は、レーザ露光装置の組み立て時に行うことが可能である。具体的には、出力階調値が「０」でレーザダイオードＬＤに流れる電流値がＬＤ領域閾値を超える場合には、階調値が「０」でマイナスの電圧値が出力されるように所定のマイナス電圧のオフセット調整を行うことになる。
【００５６】
また、レーザ露光装置の組み立て時にオフセット調整を行ったものであっても、オフセット調整を行ったものでなくとも、計測処理手段７４においてＬＤ領域閾値Ｘｎを判別できない場合には、この計測処理手段７４が計測不能情報が出力されるため（＃１０８ステップ）、このような状況では、オペレータがオフセット調整手段７６を介して露光トランジスタ６５にマイナス電圧を印加するオフセット調整を行うことも可能である。
【００５７】
このバイアス階調値Ｙｎ（バイアス電流値）の設定は、レーザダイオードＬＤの立ち上がりの応答性を向上させるので、この設定の後に、露光ユニットＨで印画紙Ｐに対して設定パターンの露光を行うことで得られたテストチャートには、発光の応答に起因する濃度不足がない。このような理由から、テストチャートに基づいてブラックバランス等の調整も可能となる。
【００５８】
〔別実施形態〕
（ａ）前記実施形態では、バイアス電流供給回路ＴによってレーザダイオードＬＤに流す電流を制御する構成であったが、これに代えて、図７に示すように、Ｄ／Ａ変換器６３に対してバイアス電流に対応するバイアス階調値を与えることによりレーザダイオードＬＤにバイアス電流を流すようにバイアス電流供給手段を構成しても良い。
【００５９】
具体的には、実施形態と同様のバイアス電流設定モジュール７０を備えると共に、バイアス電流供給部６７（バイアス電流供給手段として機能する）から出力するバイアス階調値を、露光データ出力部６２とＤ／Ａ変換器６３との中間の信号経路に与えるように構成する。
【００６０】
このように構成することにより、実施形態と同様に、計測階調値出力部７５から計測階調値を順次出力し、この出力時にレーザダイオードＬＤに流れる電流値をレジスタ７２に保存し、計測処理手段７４においてＬＤ領域閾値Ｘｎを判別し、この判別に基づいてバイアス階調値Ｙｎを設定し、このバイアス階調値Ｙｎがバイアス電流供給部６７に与えられる。これにより、バイアス電流供給部６７に記憶されたバイアス階調値に対応したバイアス電流をレーザダイオードＬＤに供給することが可能となり、バイアス電流を供給するための専用の回路を備えずに済む。
【００６１】
（ｂ）前記実施形態では、ＬＤ領域閾値を設定するために、レーザダイオードＬＤに流れる電流値を計測したが、これに代えて、レーザダイオードＬＤの光量を計測する光量センサを備え、この光量センサで計測する光量に基づいてＬＤ領域閾値を設定しても良い。
【００６２】
つまり、バイアス電流設定手段が、レーザダイオードＬＤに供給する電流を増大させた際のレーザダイオードＬＤの光量を光量センサで計測することにより、電流値と光量との関係を取得し、これに基づいてＬＤ領域閾値の判定を行い、この判定結果に基づいてバイアス階調値を設定する処理を行うのである。
【００６３】
（ｃ）前記実施形態では、バイアス電流供給回路Ｔが、バイアス階調値に対応した電流値をレーザダイオードＬＤに供給するように構成されていたが、このバイアス電流供給回路Ｔはバイアス電流値に対応したＰＷＭ信号でバイアストランジスタ６９に直接制御するように構成されるものでも良い。
【００６４】
〔実施形態の効果〕
このように本発明では、露光ユニットＨのレーザダイオードＬＤ毎に特有のＬＤ領域閾値を判定し、このＬＤ領域閾値に基づいて最適なバイアス電流値を供給し得る階調値（バイアス階調値）を設定するので、レーザダイオードＬＤに特性のバラツキがあっても、レーザダイオードＬＤの立ち上がりの応答性を良好なものにできる。具体的には、印画紙Ｐにおいて非露光の領域を構成する画素に隣接する画素の濃度が最高値である場合でも、この最高値の濃度の画素が露光不足の状態に陥ることがなく必要とする濃度を得るものにする。
【００６５】
特に、ＬＤ領域閾値に対し、印画紙Ｐのカブリを発生させない程度の露光調整値を加算しているので、カブリを招くことなくレーザダイオードＬＤの立ち上がりの応答性が一層良好なものとなる。
【００６６】
また、本発明では、オフセット調整回路６４によってレーザダイオードＬＤの性能のバラツキや、電力制御回路Ｓの性能のバラツキに対応して適正な露光基準を設定できるばかりでなく、このオフセット調整回路６４によってＬＤ領域閾値の判定も行えるようにして、必要とするバイアス電流値の設定を実現しているのである。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】写真プリント装置の斜視図
【図２】写真プリント装置の縦断正面図
【図３】露光ユニットの斜視図
【図４】バイアス電流設定ルーチンのフローチャート
【図５】電力制御回路のブロック回路部
【図６】階調値と電流値との関係を示すグラフ、電流値の微分値を示すグラフ、電流値と光量との関係を示すグラフ
【図７】別実施形態（ａ）の電力制御回路のブロック回路部
【符号の説明】
【００６８】
６７          バイアス電流供給部
７０          バイアス電流設定部（バイアス電流設定モジュール）
Ｈｂ          走査光学部
ＬＤ          レーザダイオード
Ｓ            電力制御手段・電力制御回路
Ｔ            バイアス電流供給手段（バイアス電流供給回路）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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