(57)【要約】【課題】加熱時に破壊するのを十分に抑制することが可能なプリント配線基板を提供する。【解決手段】このプリント配線基板１は、可撓性を有するフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０の上面上および下面上に形成され、絶縁層２２および導体層２３が積層されたリジッド基板２０と、フレキシブル基板１０およびリジッド基板２０の間に配置され、リジッド基板２０の絶縁層２２よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層３０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板の少なくとも一方面上に形成され、絶縁層および導体層が積層された積層部と、
前記フレキシブル基板および前記積層部の間、または、前記積層部の前記絶縁層および前記導体層の間に配置され、前記積層部の絶縁層よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層とを備えることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記遮断層は、前記フレキシブル基板の一方面側および他方面側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記積層部が形成されていない可撓領域と、前記積層部が形成された硬質領域とにより構成され、
前記遮断層は、前記可撓領域において、前記フレキシブル基板の表面上に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
前記積層部の導体層が１つの層からなる場合、前記遮断層は、前記フレキシブル基板と、前記積層部の絶縁層との間に配置され、
前記積層部の絶縁層および導体層が、それぞれ、複数の層からなる場合、前記遮断層は、前記積層部の複数の導体層のうちの外側から２つ目の導体層と、前記積層部の複数の絶縁層のうちの最も外側の絶縁層との間に配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
前記遮断層は、酸化膜からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
前記遮断層は、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜および酸化マグネシウム膜のいずれかからなることを特徴とする請求項５に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
前記遮断層は、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法のいずれかを用いて形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載のプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プリント配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、樹脂などからなる絶縁層と、導体層とが積層されることにより形成されたプリント配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、２つのガラスエポキシ両面銅張積層板と、２つのガラスエポキシ両面銅張積層板の間に配置される接着用のエポキシ樹脂プリプレグとを備えた多層プリント配線板（プリント配線基板）が開示されている。この多層プリント配線板では、ガラスエポキシ両面銅張積層板は、ガラスクロスおよびエポキシ樹脂からなる基材と、基材の両面に形成された銅からなる２つの導体パターンとにより構成されている。
【０００４】
上記特許文献１では、ガラスエポキシ両面銅張積層板の基材として、５ｍｌ／ｃｍ2／ｓ以下の通気度を有するガラスクロスが用いられている。これにより、２つのガラスエポキシ両面銅張積層板の間に配置されるエポキシ樹脂プリプレグが吸湿するのを抑制している。
【０００５】
また、従来、リジッドフレックス（フレックスリジッドまたはリジッドフレキシブルとも言う）基板やフレキシブル基板などの少なくとも一部に可撓性を有するプリント配線基板が知られている。
【０００６】
図４は、従来の可撓性を有するプリント配線基板の構造を示した断面図である。従来の可撓性を有するプリント配線基板１０１は、図４に示すように、可撓性を有するフレキシブル基板１１０と、フレキシブル基板１１０の両面上に形成されたリジッド基板１２０とを備えている。また、プリント配線基板１０１は、リジッド基板１２０が形成されていない可撓領域１０１ａと、リジッド基板１２０が形成された硬質領域１０１ｂとにより構成されている。
【０００７】
フレキシブル基板１１０は、ベースフィルム１１１と、ベースフィルム１１１の両面上の所定領域に形成された銅などからなる導体層１１２と、ベースフィルム１１１および導体層１１２の表面（上面または下面）上に配置された接着層１１３と、接着層１１３の表面上に配置された樹脂フィルム層１１４とによって構成されている。このベースフィルム１１１、接着層１１３および樹脂フィルム層１１４は、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーまたはビスマレイミドトリアジンなどの樹脂により構成されている。
【０００８】
リジッド基板１２０は、フレキシブル基板１１０の硬質領域１０１ｂの両面上に配置された接着層１２１と、接着層１２１の表面（上面または下面）上に配置された絶縁層１２２と、絶縁層１２２の表面上の所定領域に形成された銅などからなる導体層１２３とによって構成されている。また、接着層１２１および絶縁層１２２は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂などにより構成されている。
【０００９】
また、プリント配線基板１０１には、フレキシブル基板１１０の上面側または下面側に配置され、フレキシブル基板１１０の導体層１１２とリジッド基板１２０の導体層１２３とを接続する複数のバイアホール１０２が形成されている。また、プリント配線基板１０１には、フレキシブル基板１１０（ベースフィルム１１１）を貫通するとともに、フレキシブル基板１１０の上面側に形成された導体層１１２および１２３と、フレキシブル基板１１０の下面側に形成された導体層１１２および１２３とを接続する複数のスルーホール１０３も形成されている。このバイアホール１０２およびスルーホール１０３には、銅などからなる導電体１０４が充填されている。
【００１０】
上記特許文献１に開示された多層プリント配線板（プリント配線基板）や、従来の可撓性を有するプリント配線基板１０１に電子部品を実装したり、電子部品を取り外したりする場合、プリント配線基板（多層プリント配線板およびプリント配線基板１０１）は、約２００℃〜約２６０℃の温度に加熱される。プリント配線基板は、大気中に放置しておくと吸湿するので、プリント配線基板を吸湿した状態で加熱した場合、吸湿された水分が膨張し、層間剥離や膨れなどが発生してプリント配線基板が破壊する場合がある。
【００１１】
このため、通常、プリント配線基板に電子部品を実装したり、電子部品を取り外したりする場合、事前に、約８０℃〜約１３０℃の温度で数十分から数時間程度、プリント配線基板の排湿処理（ベーキング）を行う。このようにして、加熱時にプリント配線基板が破壊するのを抑制している。
【特許文献１】特開平８−２３６９４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、近年、鉛フリー半田を用いることによる加熱温度の上昇や加熱時間の増加などにより、従来のような排湿処理（ベーキング）を行うだけでは、加熱時に層間剥離や膨れなどが発生してプリント配線基板が破壊するのを抑制するのが困難であるという問題点がある。
【００１３】
特に、プリント配線基板１０１のように、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーまたはビスマレイミドトリアジンなどの樹脂からなる可撓性を有するベースフィルム１１１を用いる場合、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーおよびビスマレイミドトリアジンなどの樹脂は吸湿性が比較的高いので、加熱時にプリント配線基板１０１が特に破壊しやすくなる。
【００１４】
なお、ポリイミド樹脂は、比較的接着しにくい材料であるので、ベースフィルム１１１がポリイミド樹脂からなる場合、ベースフィルム１１１と接着層１１３との界面において層間剥離や膨れが特に発生しやすくなる。
【００１５】
また、プリント配線基板の導体層、接着層および絶縁層などが複数回積層している場合、一旦ベースフィルムなどが吸湿すると、排湿処理を行っても十分に排湿するのが困難である。このため、加熱時にプリント配線基板が、より破壊しやすくなる。
【００１６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、加熱時に破壊するのを十分に抑制することが可能なプリント配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面によるプリント配線基板は、可撓性を有するフレキシブル基板と、フレキシブル基板の少なくとも一方面上に形成され、絶縁層および導体層が積層された積層部と、フレキシブル基板および積層部の間、または、積層部の絶縁層および導体層の間に配置され、積層部の絶縁層よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層とを備える。
【００１８】
この第１の局面によるプリント配線基板では、上記のように、フレキシブル基板および積層部の間、または、積層部の絶縁層および導体層の間に、積層部の絶縁層よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層を設けることによって、水分がプリント配線基板の表面側から内側（フレキシブル基板側）に移動するのを十分に抑制することができる。すなわち、フレキシブル基板や、積層部の絶縁層などが吸湿するのを十分に抑制することができる。これにより、例えば、プリント配線基板に電子部品を実装したり、電子部品を取り外したりするための加熱時に、層間剥離や膨れなどが発生してプリント配線基板が破壊するのを十分に抑制することができる。
【００１９】
この場合、フレキシブル基板が、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーまたはビスマレイミドトリアジンなどの吸湿性が比較的高い樹脂により構成されていても、フレキシブル基板が吸湿するのを十分に抑制することができるので、加熱時にプリント配線基板が破壊するのを十分に抑制することができる。
【００２０】
上記第１の局面によるプリント配線基板において、好ましくは、遮断層は、フレキシブル基板の一方面側および他方面側に形成されている。このように構成すれば、フレキシブル基板や積層部の絶縁層などが吸湿するのを効果的に抑制することができるので、加熱時に層間剥離や膨れなどが発生してプリント配線基板が破壊するのを効果的に抑制することができる。
【００２１】
上記第１の局面によるプリント配線基板において、好ましくは、積層部が形成されていない可撓領域と、積層部が形成された硬質領域とにより構成され、遮断層は、可撓領域において、フレキシブル基板の表面上に形成されている。このように構成すれば、可撓領域において、フレキシブル基板が吸湿するのを、容易に抑制することができる。また、遮断層を、可撓領域において、フレキシブル基板の表面上に形成することによって、遮断層を硬質領域においてフレキシブル基板および積層部の間、または、積層部の絶縁層および導体層の間に形成する際に、遮断層を可撓領域および硬質領域の全面（全域）に形成することができる。これにより、遮断層を形成する際に、マスクなどを用いる必要がないので、容易に、遮断層を形成することができる。
【００２２】
上記第１の局面によるプリント配線基板において、好ましくは、積層部の導体層が１つの層からなる場合、遮断層は、フレキシブル基板と、積層部の絶縁層との間に配置され、積層部の絶縁層および導体層が、それぞれ、複数の層からなる場合、遮断層は、積層部の複数の導体層のうちの外側から２つ目の導体層と、積層部の複数の絶縁層のうちの最も外側の絶縁層との間に配置されている。このように構成すれば、積層部の導体層が１つの層からなる場合、フレキシブル基板が吸湿するのを、十分に抑制することができる。また、積層部の絶縁層および導体層が、それぞれ、複数の層からなる場合、外側から２つ目の導体層よりも内側の絶縁層や、フレキシブル基板が吸湿するのを十分に抑制することができる。また、積層部の絶縁層および導体層が、それぞれ、複数の層からなる場合、遮断層を、積層部の複数の導体層のうちの外側から２つ目の導体層と、積層部の複数の絶縁層のうちの最も外側の絶縁層との間に配置することによって、外側から２つ目の導体層の外側に配置される絶縁層および導体層などを、例えば１層ずつにすることができる。これにより、排湿処理（ベーキング）の際に、２つ目の導体層の外側の層（絶縁層など）を排湿しやすくすることができる。その結果、加熱時にプリント配線基板が破壊するのをより抑制することができる。
【００２３】
上記第１の局面によるプリント配線基板において、好ましくは、遮断層は、酸化膜からなる。このように構成すれば、遮断層の水蒸気透過度を、積層部の絶縁層の水蒸気透過度よりも、容易に、小さくすることができる。
【００２４】
上記遮断層が酸化膜からなるプリント配線基板において、好ましくは、遮断層は、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜および酸化マグネシウム膜のいずれかからなる。このように構成すれば、遮断層の水蒸気透過度を、積層部の絶縁層の水蒸気透過度よりも、十分に小さくすることができる。
【００２５】
上記遮断層が酸化膜からなるプリント配線基板において、好ましくは、遮断層は、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法のいずれかを用いて形成されている。このように構成すれば、酸化膜からなる遮断層を、容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上のように、本発明によれば、加熱時に破壊するのを十分に抑制することが可能なプリント配線基板を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態によるプリント配線基板の構造を示した断面図である。図２は、図１に示した本発明の第１実施形態によるプリント配線基板のフレキシブル基板の構造を示した断面図である。まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態によるプリント配線基板１の構造について説明する。
【００２８】
本発明の第１実施形態によるプリント配線基板１は、図１に示すように、可撓性を有するとともに、プリント配線基板１のコアとなるフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０の両面（上面および下面）上に形成されたリジッド基板２０と、フレキシブル基板１０およびリジッド基板２０の間に配置された遮断層３０とを備えている。また、プリント配線基板１は、リジッド基板２０が形成されていない可撓性を有する可撓領域１ａと、リジッド基板２０が形成された硬質領域１ｂとにより構成されている。なお、リジッド基板２０は、本発明の「積層部」の一例である。また、上面は、本発明の「一方面」の一例であり、下面は、本発明の「他方面」の一例である。
【００２９】
この可撓領域１ａは、一方の硬質領域１ｂと他方の硬質領域１ｂとを電気的に接続したり、硬質領域１ｂと他の配線板や電子機器（図示せず）とを電気的に接続するように形成されている。また、硬質領域１ｂは、電子部品（図示せず）が実装されたり、電子部品間を電気的に接続するように形成されている。
【００３０】
フレキシブル基板１０は、図２に示すように、ベースフィルム１１と、ベースフィルム１１の両面（上面および下面）上の所定領域に形成された銅などからなる導体層１２と、ベースフィルム１１および導体層１２の表面（上面または下面）上に配置された接着層１３と、接着層１３の表面（上面または下面）上に配置された樹脂フィルム層１４とによって構成されている。このベースフィルム１１、接着層１３および樹脂フィルム層１４は、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーまたはビスマレイミドトリアジンなどの樹脂により構成されている。これにより、フレキシブル基板１０は、良好な耐屈曲性、耐熱性および電気特性などを有する。
【００３１】
ここで、第１実施形態では、遮断層３０は、フレキシブル基板１０の上面側および下面側に形成されている。具体的には、この遮断層３０は、フレキシブル基板１０の上面側に配置された樹脂フィルム層１４の上面上、および、フレキシブル基板１０の下面側に配置された樹脂フィルム層１４の下面上の両方に形成されている。また、遮断層３０は、可撓領域１ａおよび硬質領域１ｂの両方の領域において、フレキシブル基板１０（樹脂フィルム層１４）の表面上に形成されている。
【００３２】
また、第１実施形態では、遮断層３０は、リジッド基板２０の後述する接着層２１および絶縁層２２よりも小さい水蒸気透過度を有するとともに、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜または酸化マグネシウム膜などの酸化膜により構成されている。また、遮断層３０は、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法により形成されている。
【００３３】
また、遮断層３０は、約１０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚みを有する。このように、遮断層３０を約１０ｎｍ以上の厚みに形成することによって、遮断層３０の水蒸気（水分）の遮断性能が低下するのを抑制することが可能である。また、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜または酸化マグネシウム膜などの酸化膜からなる遮断層３０は、ベースフィルム１１、接着層１３、樹脂フィルム層１４や、接着層２１、絶縁層２２などと比べて、柔軟性および延性が低く脆い。このため、遮断層３０を約２００ｎｍ以下の厚みに形成することによって、プリント配線基板１を湾曲させた場合に、遮断層３０にクラックなどが生じるのを抑制することが可能であるとともに、遮断層３０が引き剥がしの応力を受けた場合に、遮断層３０が破壊するのを抑制することが可能である。
【００３４】
リジッド基板２０は、フレキシブル基板１０の硬質領域１ｂの両面（上面および下面）上に、遮断層３０を介して配置された接着層２１と、接着層２１の表面（上面または下面）上に配置された絶縁層２２と、絶縁層２２の表面（上面または下面）上の所定領域に形成された銅などからなる導体層２３とによって構成されている。接着層２１および絶縁層２２は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂などにより構成されている。導体層２３は、プリント配線基板１全体を加熱した状態で、電子部品（図示せず）などが実装される。
【００３５】
また、プリント配線基板１には、フレキシブル基板１０の上面側または下面側に配置され、フレキシブル基板１０の導体層１２とリジッド基板２０の導体層２３とを接続する複数のバイアホール２が形成されている。また、プリント配線基板１には、フレキシブル基板１０（ベースフィルム１１）を貫通するとともに、フレキシブル基板１０の上面側に形成された導体層１２および２３と、フレキシブル基板１０の下面側に形成された導体層１２および２３とを接続する複数のスルーホール３も形成されている。このバイアホール２およびスルーホール３には、銅などからなる導電体４が充填されている。これらバイアホール２、スルーホール３および導電体４は、導体層２３に実装される電子部品（図示せず）間を電気的に接続する機能を有する。
【００３６】
次に、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態によるプリント配線基板１の製造方法について説明する。
【００３７】
まず、図２に示したベースフィルム１１、所定のパターンに形成された導体層１２、接着層１３および樹脂フィルム層１４によって構成されたフレキシブル基板１０を準備する。そして、フレキシブル基板１０を約９０℃以上の温度で約３０分間以上保持することにより、フレキシブル基板１０の排湿処理（ベーキング）を十分に行う。このとき、水の沸点である１００℃以上の温度で行うことが望ましい。なお、第１実施形態では、約１３０℃の温度で約１時間、排湿処理（ベーキング）を行う。
【００３８】
その後、フレキシブル基板１０の両面（上面および下面）の全面を、１００％の酸素雰囲気下で、かつ、約１０Ｗ／ｃｍ2〜約５０Ｗ／ｃｍ2の強度でプラズマ処理する。
【００３９】
そして、図１に示すように、フレキシブル基板１０の両面（上面および下面）上の全面に、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法などを用いて、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜または酸化マグネシウム膜などの酸化膜からなる遮断層３０を形成する。このとき、遮断層３０を約１０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚みに形成する。
【００４０】
なお、例えば酸化ケイ素膜からなる遮断層３０を、スパッタ法を用いて形成する場合には、酸化ケイ素をターゲットとし、アルゴンガスなどを放電ガスとすればよい。
【００４１】
また、遮断層３０を形成する前に、フレキシブル基板１０の両面の全面をプラズマ処理することにより、遮断層３０とフレキシブル基板１０（樹脂フィルム層１４）との接着性を向上させることが可能となる。
【００４２】
次に、遮断層３０の表面（上面および下面）上の硬質領域１ｂとなる領域に、遮断層３０側から順に、接着層２１、絶縁層２２および導体層２３を積層して熱圧着（接着）する。この場合、遮断層３０の表面上に接着層２１、絶縁層２２および導体層２３を積層して熱圧着する前に、遮断層３０の表面の全面をプラズマ処理するのが望ましい。このようにすれば、遮断層３０の表面（上面および下面）を活性化させた状態で、遮断層３０と接着層２１とを接着させることが可能であるので、遮断層３０と接着層２１との接着性をより向上させることが可能である。
【００４３】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いて、導体層２３のパターン形成を行う。そして、レーザ加工などによりバイアホール２およびスルーホール３を形成した後、めっき法などを用いてバイアホール２およびスルーホール３に導電体４を充填する。
【００４４】
以上のようにして、第１実施形態によるプリント配線基板１が製造される。
【００４５】
なお、プリント配線基板１のその他の製造方法は、従来から知られている方法と同様である。
【００４６】
第１実施形態では、上記のように、フレキシブル基板１０とリジッド基板２０との間に、リジッド基板２０の接着層２１および絶縁層２２よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層３０を設けることによって、水分がリジッド基板２０側からフレキシブル基板１０側に移動するのを十分に抑制することができるので、フレキシブル基板１０が吸湿するのを十分に抑制することができる。これにより、例えばプリント配線基板１に電子部品（図示せず）を実装したり、電子部品を取り外したりするための加熱時に、フレキシブル基板１０の内部において、層間剥離や膨れなどが発生してプリント配線基板１が破壊するのを十分に抑制することができる。
【００４７】
この場合、第１実施形態のように、フレキシブル基板１０が、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーまたはビスマレイミドトリアジンなどの吸湿性が比較的高い樹脂により構成されていても、フレキシブル基板１０が吸湿するのを十分に抑制することができるので、加熱時にプリント配線基板１が破壊するのを十分に抑制することができる。
【００４８】
また、フレキシブル基板１０が、比較的接着しにくいポリイミド樹脂により構成されていても、フレキシブル基板１０が吸湿するのを十分に抑制することができるので、フレキシブル基板１０を構成するベースフィルム１１と接着層１３との界面において層間剥離や膨れが発生するのを十分に抑制することができる。
【００４９】
また、第１実施形態では、遮断層３０を、フレキシブル基板１０の上面側および下面側に形成することによって、フレキシブル基板１０が吸湿するのをより効果的に抑制することができるので、加熱時に層間剥離や膨れなどが発生してプリント配線基板１が破壊するのを効果的に抑制することができる。
【００５０】
また、第１実施形態では、遮断層３０を、可撓領域１ａにおいて、フレキシブル基板１０の表面上に形成することによって、可撓領域１ａにおいて、フレキシブル基板１０が吸湿するのを、容易に抑制することができる。また、遮断層３０を、可撓領域１ａにおいて、フレキシブル基板１０の表面上に形成することによって、遮断層３０を硬質領域１ｂにおいてフレキシブル基板１０の表面上に形成する際に、遮断層３０を可撓領域１ａおよび硬質領域１ｂの全面（全域）に形成することができる。これにより、遮断層３０を形成する際に、マスクなどを用いる必要がないので、容易に、遮断層３０を形成することができる。
【００５１】
また、第１実施形態では、遮断層３０を、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜および酸化マグネシウム膜などの酸化膜により形成することによって、遮断層３０の水蒸気透過度を、リジッド基板２０の接着層２１および絶縁層２２の水蒸気透過度よりも、容易に、十分に小さくすることができる。
【００５２】
また、第１実施形態では、遮断層３０を、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法などを用いて形成することによって、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜および酸化マグネシウム膜などの酸化膜からなる遮断層３０を、容易に形成することができる。
【００５３】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態によるプリント配線基板の構造を示した断面図である。図３を参照して、この第２実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、遮断層の一部を、リジッド基板の内部に配置した場合について説明する。
【００５４】
本発明の第２実施形態によるプリント配線基板４１は、図３に示すように、上記第１実施形態と同様の構造を有するフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０の両面（上面および下面）上に形成されたリジッド基板５０と、リジッド基板５０の内部に一部が配置された遮断層６０とを備えている。また、プリント配線基板４１は、リジッド基板５０が形成されていない可撓性を有する可撓領域４１ａと、リジッド基板５０が形成された硬質領域４１ｂとにより構成されている。なお、リジッド基板５０は、本発明の「積層部」の一例である。
【００５５】
第２実施形態では、リジッド基板５０は、上記第１実施形態とは異なり、２つの接着層５１および５４と、２つの絶縁層５２および５５と、２つの導体層５３および５６とを含んでいる。具体的には、リジッド基板５０は、フレキシブル基板１０の硬質領域４１ｂの両面（上面および下面）上に積層された接着層５１、絶縁層５２、導体層５３、接着層５４、絶縁層５５および導体層５６によって構成されている。なお、導体層５３は、本発明の「外側から２つ目の導体層」の一例であり、絶縁層５５は、本発明の「最も外側の絶縁層」の一例である。
【００５６】
また、上記第１実施形態と同様、接着層５１、絶縁層５２、接着層５４および絶縁層５５は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂などにより構成されている。また、導体層５６は、プリント配線基板４１全体を加熱した状態で、電子部品（図示せず）などが実装される。
【００５７】
ここで、第２実施形態では、遮断層６０は、可撓領域４１ａにおいて、フレキシブル基板１０（樹脂フィルム層１４）の表面上に形成されている。その一方、遮断層６０は、硬質領域４１ｂにおいては、リジッド基板５０の絶縁層５２および導体層５３と接着層５４との間に形成されている。すなわち、遮断層６０は、硬質領域４１ｂにおいて、リジッド基板５０の２つの導体層５３および５６のうちの外側から２つ目の層（導体層５３）と、リジッド基板５０の２つの絶縁層５２および５５のうちの最も外側の層（絶縁層５５）との間に配置されている。
【００５８】
また、第２実施形態では、遮断層６０は、上記第１実施形態と同様、接着層５１、絶縁層５２、接着層５４および絶縁層５５よりも小さい水蒸気透過度を有する。
【００５９】
また、プリント配線基板４１には、複数のバイアホール４２および４３と、複数のスルーホール４４とが形成されている。このバイアホール４２は、フレキシブル基板１０の上面側および下面側に配置されているとともに、フレキシブル基板１０の導体層１２と、リジッド基板５０の導体層５３とを接続している。また、バイアホール４３は、フレキシブル基板１０の上面側および下面側に配置されているとともに、リジッド基板５０の導体層５３と導体層５６とを接続している。また、スルーホール４３は、フレキシブル基板１０（ベースフィルム１１）を貫通するとともに、フレキシブル基板１０の上面側に形成された導体層１２、５３および５６と、フレキシブル基板１０の下面側に形成された導体層１２、５３および５６とを接続している。このバイアホール４２、４３およびスルーホール４４には、銅などからなる導電体４５が充填されている。
【００６０】
なお、プリント配線基板４１のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００６１】
次に、図３を参照して、本発明の第２実施形態によるプリント配線基板４１の製造方法について説明する。
【００６２】
まず、フレキシブル基板１０を準備する。そして、フレキシブル基板１０（樹脂フィルム層１４）の表面（上面および下面）上の硬質領域４１ｂとなる領域に、フレキシブル基板１０側から順に、接着層５１、絶縁層５２および導体層５３を積層して熱圧着（接着）する。
【００６３】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いて、導体層５３のパターン形成を行う。そして、レーザ加工などによりバイアホール４２を形成した後、めっき法などを用いてバイアホール４２に導電体４５を充填する。
【００６４】
その後、プリント配線基板４１を約１３０℃の温度で約１時間保持することにより、プリント配線基板４１（フレキシブル基板１０、リジッド基板５０の接着層５１および絶縁層５２）の排湿処理（ベーキング）を十分に行う。
【００６５】
そして、絶縁層５２および導体層５３の両面（上面および下面）の全面と、フレキシブル基板１０の可撓領域４１ａの両面の全面とを、１００％の酸素雰囲気下で、かつ、約１０Ｗ／ｃｍ2〜約５０Ｗ／ｃｍ2の強度でプラズマ処理する。
【００６６】
その後、絶縁層５２および導体層５３の両面の全面と、フレキシブル基板１０の可撓領域４１ａの両面の全面とに、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法などを用いて、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜または酸化マグネシウム膜などの酸化膜からなる遮断層６０を形成する。
【００６７】
次に、遮断層６０の表面（上面および下面）上の硬質領域４１ｂに、遮断層６０側から順に、接着層５４、絶縁層５５および導体層５６を積層して熱圧着（接着）する。この場合、遮断層６０の表面上に接着層５４、絶縁層５５および導体層５６を積層して熱圧着する前に、遮断層６０の表面の全面をプラズマ処理するのが望ましい。
【００６８】
その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを用いて、導体層５６のパターン形成を行う。そして、レーザ加工などによりバイアホール４３およびスルーホール４４を形成した後、めっき法などを用いてバイアホール４３およびスルーホール４４に導電体４５を充填する。
【００６９】
以上のようにして、第２実施形態によるプリント配線基板４１が製造される。
【００７０】
なお、プリント配線基板４１のその他の製造方法は、上記第１実施形態と同様である。
【００７１】
第２実施形態では、上記のように、リジッド基板５０の導体層５３と接着層５４（絶縁層５５）との間に、リジッド基板５０の接着層５１、５３、絶縁層５２および５５よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層６０を設けることによって、水分がリジッド基板５０の外側（絶縁層５５および接着層５４）からリジッド基板５０の内側（絶縁層５２、接着層５１およびフレキシブル基板１０）に移動するのを抑制することができる。すなわち、リジッド基板５０の接着層５１および絶縁層５２や、フレキシブル基板１０が吸湿するのを十分に抑制することができる。これにより、プリント配線基板４１に電子部品（図示せず）を実装したり、電子部品を取り外したりするための加熱時に、フレキシブル基板１０やリジッド基板５０の接着層５１および絶縁層５２において、層間剥離や膨れなどが発生してプリント配線基板４１が破壊するのを十分に抑制することができる。
【００７２】
また、第２実施形態では、遮断層６０を、可撓領域４１ａにおいて、フレキシブル基板１０（樹脂フィルム層１４）の表面（上面および下面）上に形成することによって、可撓領域４１ａにおいて、フレキシブル基板１０が吸湿するのを、容易に抑制することができる。また、遮断層６０を硬質領域４１ｂにおいて絶縁層５２および導体層５３の表面上に形成する際に、遮断層６０を、可撓領域４１ａおよび硬質領域４１ｂの全面に形成することができる。これにより、遮断層６０を形成する際に、マスクなどを用いる必要がないので、容易に、遮断層６０を形成することができる。
【００７３】
また、第２実施形態では、遮断層６０を、リジッド基板５０の導体層５３および５６のうちの外側から２つ目の層（導体層５３）と、リジッド基板５０の絶縁層５２および５５のうちの最も外側の層（絶縁層５５）との間に配置している。これにより、遮断層６０の内側に配置された絶縁層５２、接着層５１およびフレキシブル基板１０が吸湿するのを、十分に抑制することができる。また、遮断層６０の外側に配置される接着層、絶縁層および導体層を、１層ずつにすることができるので、加熱前の排湿処理（ベーキング）の際に、遮断層６０の外側の層（接着層５４および絶縁層５５）を排湿しやすくすることができる。その結果、加熱時にプリント配線基板４１が破壊するのをより抑制することができる。
【００７４】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７５】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００７６】
たとえば、上記実施形態では、本発明を、可撓領域および硬質領域が設けられたプリント配線基板に適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、例えば硬質領域が設けられていない多層フレキシブル基板からなるプリント配線基板に適用してもよい。
【００７７】
また、上記実施形態では、遮断層を、フレキシブル基板の上面側および下面側に形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、遮断層を、フレキシブル基板の例えば上面側のみに形成してもよい。この場合にも、フレキシブル基板の下面側の略全面に金属層などが形成されていれば、フレキシブル基板が吸湿するのを十分に抑制することができる。
【００７８】
また、上記実施形態では、フレキシブル基板の上面側および下面側に、それぞれ、１つの層からなる遮断層を設けた例について示したが、本発明はこれに限らず、フレキシブル基板の例えば上面側のみに、２つの層からなる遮断層を設けてもよい。この場合、２つの遮断層に挟まれた層が吸湿するのを十分に抑制することができる。
【００７９】
また、上記実施形態では、遮断層を、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法を用いて形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、遮断層を、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法以外の方法を用いて形成してもよい。
【００８０】
また、上記第２実施形態では、リジッド基板（積層部）が、複数の導体層および複数の絶縁層により構成されている場合に、遮断層を、複数の導体層のうちの外側から２つ目の導体層と、複数の絶縁層のうちの最も外側の絶縁層との間に配置した例について示したが、本発明はこれに限らず、リジッド基板が、複数の導体層および複数の絶縁層により構成されている場合にも、上記第１実施形態と同様、遮断層を、フレキシブル基板とリジッド基板との間に配置してもよい。
【００８１】
また、上記実施形態では、リジッド基板（積層部）の導体層が１つの層または２つの層により構成されている例について示したが、本発明はこれに限らず、リジッド基板の導体層が３つ以上の層により構成されていてもよい。すなわち、８層以上の導体層を有するプリント配線基板にも適用可能である。
【００８２】
また、上記実施形態によるプリント配線基板に電子部品を実装したり、取り外したりする場合、事前に、プリント配線基板の排湿処理（ベーキング）を行ってもよいし、行わなくてもよいが、排湿処理を行う方が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１実施形態によるプリント配線基板の構造を示した断面図である。
【図２】図１に示した本発明の第１実施形態によるプリント配線基板のフレキシブル基板の構造を示した断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態によるプリント配線基板の構造を示した断面図である。
【図４】従来の可撓性を有するプリント配線基板の構造を示した断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１、４１  プリント配線基板
１ａ、４１ａ  可撓領域
１ｂ、４１ｂ  硬質領域
１０  フレキシブル基板
２０、５０  リジッド基板（積層部）
２２  絶縁層
２３  導体層
３０、６０  遮断層
５２  絶縁層
５３  導体層（外側から２つ目の導体層）
５５  絶縁層（最も外側の絶縁層）
５６  導体層
【図１】
2009117560.tif 000003
【図２】
2009117560.tif 000004
【図３】
2009117560.tif 000005
【図４】
2009117560.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板の少なくとも一方面上に形成され、絶縁層および導体層が積層された積層部と、
前記フレキシブル基板および前記積層部の間、または、前記積層部の前記絶縁層および前記導体層の間に配置され、前記積層部の絶縁層よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層とを備えることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記遮断層は、前記フレキシブル基板の一方面側および他方面側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記積層部が形成されていない可撓領域と、前記積層部が形成された硬質領域とにより構成され、
前記遮断層は、前記可撓領域において、前記フレキシブル基板の表面上に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
前記積層部の導体層が１つの層からなる場合、前記遮断層は、前記フレキシブル基板と、前記積層部の絶縁層との間に配置され、
前記積層部の絶縁層および導体層が、それぞれ、複数の層からなる場合、前記遮断層は、前記積層部の複数の導体層のうちの外側から２つ目の導体層と、前記積層部の複数の絶縁層のうちの最も外側の絶縁層との間に配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
前記遮断層は、酸化膜からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
前記遮断層は、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜および酸化マグネシウム膜のいずれかからなることを特徴とする請求項５に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
前記遮断層は、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法のいずれかを用いて形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載のプリント配線基板。
【請求項８】
前記遮断層は、１０ｎｍ以上の厚みを有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項９】
前記遮断層は、２００ｎｍ以下の厚みを有することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項１０】
前記フレキシブル基板は、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーおよびビスマレイミドトリアジンのいずれかからなる樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項１１】
前記積層部の絶縁層は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項１２】
前記積層部が形成されていない可撓領域と、前記積層部が形成された硬質領域とにより構成され、
前記遮断層は、前記可撓領域および前記硬質領域の全域に形成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項１３】
前記フレキシブル基板の少なくとも一方面は、プラズマ処理されており、
前記遮断層は、前記フレキシブル基板のプラズマ処理された一方面上に配置されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載のプリント配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記遮断層が酸化膜からなるプリント配線基板において、好ましくは、遮断層は、真空蒸着法、スパッタ法および化学気相成長法のいずれかを用いて形成されている。このように構成すれば、酸化膜からなる遮断層を、容易に形成することができる。
上記遮断層が酸化膜からなるプリント配線基板において、好ましくは、遮断層は、１０ｎｍ以上の厚みを有する。このように構成すれば、遮断層の水蒸気（水分）の遮断性能が低下するのを抑制することができる。
上記遮断層が酸化膜からなるプリント配線基板において、好ましくは、遮断層は、２００ｎｍ以下の厚みを有する。このように構成すれば、プリント配線基板を湾曲させた場合に、遮断層にクラックなどが生じるのを抑制することができるとともに、遮断層が引き剥がしの応力を受けた場合に、遮断層が破壊するのを抑制することができる。
上記第１の局面によるプリント配線基板において、フレキシブル基板を、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーおよびビスマレイミドトリアジンのいずれかからなる樹脂を含むように構成してもよい。
上記第１の局面によるプリント配線基板において、積層部の絶縁層は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂を含むように構成してもよい。
上記第１の局面によるプリント配線基板において、好ましくは、積層部が形成されていない可撓領域と、積層部が形成された硬質領域とにより構成され、遮断層は、可撓領域および硬質領域の全域に形成されている。このように構成すれば、遮断層を形成する際に、マスクなどを用いる必要がないので、容易に、遮断層を形成することができる。
上記第１の局面によるプリント配線基板において、好ましくは、フレキシブル基板の少なくとも一方面は、プラズマ処理されており、遮断層は、フレキシブル基板のプラズマ処理された一方面上に配置されている。このように構成すれば、遮断層とフレキシブル基板との接着性を向上させることができる。