(57)【要約】【課題】コモン電極１０８の電圧を変化させる構成において、横方向に発生する表示むらを抑える。【解決手段】コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれにおいてＴＦＴ１７１〜１７４、１７９を有する。各走査線は予備書込および本書込のために２回選択される。ここで、ｉ行目の走査線１１２が選択されるとき、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のいずれか一方がオン、他方がオフし、このオンオフ状態は選択の終了後も継続する。また、ｉ行目の走査線１１２が本書込のために選択されるとき、ｉ行目のＴＦＴ１７９のオンによってｉ行目のコモン電極１０８は信号線６１、６２の一方に接続される。このとき、第１コモン信号出力回路３１または第２コモン信号出力回路３２は、ｉ行目のコモン電極が書込極性に応じた電圧ＶslまたはＶshとなるように制御する。【選択図】図１
2009205044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続され
た画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記複数の走査線のうち、１行を予備書込として、他の１行を本書込として、それぞれ
選択するとともに、選択する２行の走査線を順番に移行させる走査線駆動回路と、
前記走査線駆動回路によって一の走査線が本書込として選択されたとき、当該一の走査
線に対応するコモン電極を、所定の給電線に接続するコモン電極駆動回路と、
前記一の走査線が本書込として選択されたとき、
前記一の走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定されたならば、当該一の走査
線に対応するコモン電極が第１電圧となるように制御したコモン信号を、
前記一の走査線に対応する画素に対して負極性書込が指定されたならば、当該一の走査
線に対応するコモン電極が前記第１電圧よりも高位の第２電圧となるように制御したコモ
ン信号を、それぞれ前記所定の給電線に供給するコモン信号出力回路と、
前記一の走査線が本書込として選択されたときに、当該一の走査線に対応する画素に対
し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ
線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記所定の給電線は、第１および第２給電線であり、
前記コモン電極駆動回路は、
前記一の走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定されたならば、当該一の走査
線に対応するコモン電極を前記第１給電線に接続する一方、負極性書込が指定されたなら
ば、当該一の走査線に対応するコモン電極を前記第２給電線に接続し、
前記コモン信号出力回路は、第１および第２コモン信号出力回路を有し、
前記第１コモン信号出力回路は、
本書込として選択された走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定されたときに
、前記選択された走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御したコモ
ン信号を前記第１給電線に供給し、
前記第２コモン信号出力回路は、
本書込として選択された走査線に対応する画素に対して負極性書込が指定されたときに
、前記選択された走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御したコモ
ン信号を前記第２給電線に供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記コモン電極駆動回路は、
前記複数のコモン電極に対応して第１乃至第４トランジスタの組をそれぞれ有し、
前記一のコモン電極に対応する第１乃至第４トランジスタのうち、
前記第１トランジスタのソース電極が前記第１給電線に接続され、
前記第２トランジスタのソース電極が前記第２給電線に接続され、
前記第１トランジスタのドレイン電極および第２トランジスタのドレイン電極が前記一
のコモン電極に接続され、
前記第３トランジスタは、そのゲート電極が前記一のコモン電極に対応する走査線に接
続され、そのソース電極がオン信号またはオフ信号のいずれか一方を供給する第１信号線
に接続され、そのドレイン電極が前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第４トランジスタは、そのゲート電極が前記一のコモン電極に対応する走査線に接
続され、そのソース電極が前記第１信号線と排他的な論理レベルの第２信号線に接続され
、そのドレイン電極が前記第２トランジスタのゲート電極に接続された
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記第１コモン信号出力回路は、
本書込として選択された走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定される期間に
おいて当該走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御し、あるいは該
期間の後半において、当該走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御
し、他の期間では、前記第１電圧をバッファリングした電圧を前記第１給電線に供給し、
前記第２コモン信号出力回路は、
本書込として選択された走査線に対応する画素に対して負極性書込が指定される期間に
おいて当該走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御し、あるいは該
期間の後半において、当該走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御
し、他の期間では、前記第２電圧をバッファリングした電圧を前記第２給電線に供給する
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
前記所定の給電線は、第３給電線であり、
前記コモン電極駆動回路は、
前記一の走査線が本書込として選択されたときに、当該一の走査線に対応するコモン電
極を前記第３給電線に接続し、
前記コモン信号出力回路は、
前記一の走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定されたならば、当該一の走査
線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御したコモン信号を、負極性書込
が指定されたならば、当該一の走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように
制御したコモン信号を、それぞれ前記第３給電線に供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
前記コモン電極駆動回路は、
前記複数のコモン電極に対応して第１乃至第５トランジスタの組をそれぞれ有し、
前記一のコモン電極に対応する第１乃至第５トランジスタのうち、
前記第１トランジスタのソース電極は、前記第１電圧が給電される第１給電線に接続さ
れ、
前記第２トランジスタのソース電極は、前記第２電圧が給電される第２給電線に接続さ
れ、
前記第１トランジスタのドレイン電極および第２トランジスタのドレイン電極が前記一
のコモン電極に接続され、
前記第３トランジスタは、そのゲート電極が前記一のコモン電極に対応する走査線に接
続され、そのソース電極がオン信号またはオフ信号のいずれか一方を供給する第１信号線
に接続され、そのドレイン電極が前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第４トランジスタは、そのゲート電極が前記一のコモン電極に対応する走査線に接
続され、そのソース電極が前記第１信号線と排他的な論理レベルの第２信号線に接続され
、そのドレイン電極が前記第２トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第５トランジスタは、そのゲート電極が前記一のコモン電極に対応する走査線に接
続され、そのソース電極が前記第３給電線に接続され、そのドレイン電極が前記一のコモ
ン電極に接続された
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項７】
前記コモン信号出力回路は、
前記一の走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定されたならば、前記一の走査
線が選択される期間の前半では、前記第１電圧をバッファリングした電圧を前記第３給電
線に供給し、当該期間において当該走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるよ
うに制御し、あるいは該期間の後半において、前記一の走査線に対応するコモン電極が前
記第１電圧となるように制御し、
負極性書込が指定されたならば、前記一の走査線が選択される期間において当該走査線
に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御し、あるいは該期間の前半では、
前記第２電圧をバッファリングした電圧を前記第３給電線に供給し、当該期間の後半にお
いて、前記一の走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項８】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続され
た画素容量と、
を含む画素と、
前記複数の走査線のうち、１行を予備書込として、他の１行を本書込として、それぞれ
選択するとともに、選択する２行の走査線を順番に移行させる走査線駆動回路と、
前記走査線駆動回路によって一の走査線が本書込として選択されたとき、当該一の走査
線に対応するコモン電極を、所定の給電線に接続するコモン電極駆動回路と、
前記一の走査線が本書込として選択されたとき、
前記一の走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定されたならば、当該一の走査
線に対応するコモン電極が第１電圧となるように制御したコモン信号を、
前記一の走査線に対応する画素に対して負極性書込が指定されたならば、当該一の走査
線に対応するコモン電極が前記第１電圧よりも高位の第２電圧となるように制御したコモ
ン信号を、それぞれ前記所定の給電線に供給するコモン信号出力回路と、
前記一の走査線が本書込として選択されたときに、当該一の走査線に対応する画素に対
し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ
線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置においてコモン電極の電圧を変化させる場合に、横
方向に発生する表示むらを抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容
量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する際に、データ線の電圧振幅を抑えるた
めに、コモン電極を走査線毎に個別化するとともに、走査線が選択されるときに、当該選
択走査線に対応するコモン電極を、書込極性に応じた２値電圧のいずれかとする技術が知
られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３００９４８号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この技術では、コモン電極を走査線毎に個別化したことに伴って、横方
向の表示むらが発生しやすい。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、コモン電極を
個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑制する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と
、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、前記
複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記デ
ータ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオ
ン状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続さ
れ、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装
置の駆動回路であって、前記複数の走査線のうち、１行を予備書込として、他の１行を本
書込として、それぞれ選択するとともに、選択する２行の走査線を順番に移行させる走査
線駆動回路と、前記走査線駆動回路によって一の走査線が本書込として選択されたとき、
当該一の走査線に対応するコモン電極を、所定の給電線に接続するコモン電極駆動回路と
、前記一の走査線が本書込として選択されたとき、前記一の走査線に対応する画素に対し
て正極性書込が指定されたならば、当該一の走査線に対応するコモン電極が第１電圧とな
るように制御したコモン信号を、前記一の走査線に対応する画素に対して負極性書込が指
定されたならば、当該一の走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧よりも高位の第２
電圧となるように制御したコモン信号を、それぞれ前記所定の給電線に供給するコモン信
号出力回路と、前記一の走査線が本書込として選択されたときに、当該一の走査線に対応
する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供
給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。
本発明によれば、本書込の前の予備書込によって画素容量が同極性電圧を保持している
ので、本書込時において階調に応じた電圧を書き込む際の負担が減少するとともに、発生
するノイズが低減する。さらに、本書込となる走査線に対応するコモン電極を第１または
第２電圧となるように制御するので、ノイズ低減と相俟って、画素容量に階調に応じた電
圧をより正確に書き込むことが可能となる。
【０００５】
本発明において、前記所定の給電線は、第１および第２給電線であり、前記コモン電極
駆動回路は、前記一の走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定されたならば、当
該一の走査線に対応するコモン電極を前記第１給電線に接続する一方、負極性書込が指定
されたならば、当該一の走査線に対応するコモン電極を前記第２給電線に接続し、前記コ
モン信号出力回路は、第１および第２コモン信号出力回路を有し、前記第１コモン信号出
力回路は、本書込として選択された走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定され
たときに、前記選択された走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御
したコモン信号を前記第１給電線に供給し、前記第２コモン信号出力回路は、本書込とし
て選択された走査線に対応する画素に対して負極性書込が指定されたときに、前記選択さ
れた走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御したコモン信号を前記
第２給電線に供給する構成としても良い。この構成において、前記コモン電極駆動回路は
、前記複数のコモン電極に対応して第１乃至第４トランジスタの組をそれぞれ有し、前記
一のコモン電極に対応する第１乃至第４トランジスタのうち、前記第１トランジスタのソ
ース電極が前記第１給電線に接続され、前記第２トランジスタのソース電極が前記第２給
電線に接続され、前記第１トランジスタのドレイン電極および第２トランジスタのドレイ
ン電極が前記一のコモン電極に接続され、前記第３トランジスタは、そのゲート電極が前
記一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極がオン信号またはオフ信
号のいずれか一方を供給する第１信号線に接続され、そのドレイン電極が前記第１トラン
ジスタのゲート電極に接続され、前記第４トランジスタは、そのゲート電極が前記一のコ
モン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記第１信号線と排他的な論理
レベルの第２信号線に接続され、そのドレイン電極が前記第２トランジスタのゲート電極
に接続されても良い。また、この構成において、前記第１コモン信号出力回路は、本書込
として選択された走査線に対応する画素に対して正極性書込が指定される期間において当
該走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御し、あるいは該期間の後
半において、当該走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御し、他の
期間では、前記第１電圧をバッファリングした電圧を前記第１給電線に供給し、前記第２
コモン信号出力回路は、本書込として選択された走査線に対応する画素に対して負極性書
込が指定される期間において当該走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるよう
に制御し、あるいは該期間の後半において、当該走査線に対応するコモン電極が前記第２
電圧となるように制御し、他の期間では、前記第２電圧をバッファリングした電圧を前記
第２給電線に供給しても良い。
【０００６】
一方、本発明において、前記所定の給電線は、第３給電線であり、前記コモン電極駆動
回路は、前記一の走査線が本書込として選択されたときに、当該一の走査線に対応するコ
モン電極を前記第３給電線に接続し、前記コモン信号出力回路は、前記一の走査線に対応
する画素に対して正極性書込が指定されたならば、当該一の走査線に対応するコモン電極
が前記第１電圧となるように制御したコモン信号を、負極性書込が指定されたならば、当
該一の走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御したコモン信号を、
それぞれ前記第３給電線に供給する構成としても良い。この構成において、前記コモン電
極駆動回路は、前記複数のコモン電極に対応して第１乃至第５トランジスタの組をそれぞ
れ有し、前記一のコモン電極に対応する第１乃至第５トランジスタのうち、前記第１トラ
ンジスタのソース電極は、前記第１電圧が給電される第１給電線に接続され、前記第２ト
ランジスタのソース電極は、前記第２電圧が給電される第２給電線に接続され、前記第１
トランジスタのドレイン電極および第２トランジスタのドレイン電極が前記一のコモン電
極に接続され、前記第３トランジスタは、そのゲート電極が前記一のコモン電極に対応す
る走査線に接続され、そのソース電極がオン信号またはオフ信号のいずれか一方を供給す
る第１信号線に接続され、そのドレイン電極が前記第１トランジスタのゲート電極に接続
され、前記第４トランジスタは、そのゲート電極が前記一のコモン電極に対応する走査線
に接続され、そのソース電極が前記第１信号線と排他的な論理レベルの第２信号線に接続
され、そのドレイン電極が前記第２トランジスタのゲート電極に接続され、前記第５トラ
ンジスタは、そのゲート電極が前記一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソ
ース電極が前記第３給電線に接続され、そのドレイン電極が前記一のコモン電極に接続さ
れても良い。また、上記構成において、前記コモン信号出力回路は、前記一の走査線に対
応する画素に対して正極性書込が指定されたならば、前記一の走査線が選択される期間の
前半では、前記第１電圧をバッファリングした電圧を前記第３給電線に供給し、当該期間
において当該走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御し、あるいは
該期間の後半において、前記一の走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるよう
に制御し、負極性書込が指定されたならば、前記一の走査線が選択される期間において当
該走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御し、あるいは該期間の前
半では、前記第２電圧をバッファリングした電圧を前記第３給電線に供給し、当該期間の
後半において、前記一の走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御し
ても良い。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る
電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００の周辺に、走査線駆動
回路１４０、コモン電極駆動回路１７０、データ線駆動回路１９０が配置するとともに、
制御回路２０が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。
【０００９】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、３２０行の走
査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、２４０列のデータ線１１４
が列（Ｙ）方向に延在するように設けられている。そして、１〜３２０行目の走査線１１
２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列し
ている。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行
×横２４０列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定す
る趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれコモン電極１０８がＸ方向
に延在して設けられている。このため、本実施形態においては、各走査線に対応して１〜
３２０行目のコモン電極１０８がそれぞれ設けられることになる。
【００１０】
画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり
、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（
ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって
、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的
に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャ
ネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１
１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０につ
いては互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行
ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続さ
れ、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素容量
１２０および蓄積容量１３０の一端にそれぞれ接続されている。また、画素容量１２０の
他端および蓄積容量１３０の他端は、それぞれｉ行目のコモン電極１０８に接続されてい
る。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１
１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１
）行目のコモン電極１０８の電圧を示している。
【００１２】
特に図示しないが、本実施形態は、素子基板と対向基板との間に液晶を封入した構成で
あって、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fr
inge field switching）モードとしたものである。
詳細には、素子基板には、コモン電極が帯状の形成されるとともに、絶縁層を介して櫛
歯状の画素電極が形成されるので、画素電極１１８とコモン電極１０８との間には、誘電
体たる液晶を介した構造によって一種の容量となり、この容量成分によって保持される電
圧の実効値に応じて、液晶にかかる電界の大きさが基板面に沿った方向で変化する構成と
なっている。
ここで、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値
がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きく
なるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリ
ーホワイトモードとする。
また、蓄積容量１３０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが絶縁層を介した積層
構造によって生じる容量成分である。
本実施形態では、電気的な等価回路が図２で示されるような回路であれば、ＦＦＳモー
ド以外の他のモードであっても良い。
【００１３】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種制御信号を出力して電気光学装置１０
における各部の制御等をするものである。
例えば、制御回路２０は、図４に示されるように、デューティ比５０％のクロック信号
Ｃlyや、当該クロック信号Ｃlyの半周期に相当するパルスを２発、当該クロック信号Ｃly
の半周期を挟んでスタートパルスＤyとして出力する。
【００１４】
表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、コモン電極駆
動回路１７０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走
査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間におい
て、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、…、３２０行目
の走査線１１２に供給するものである。
詳細には、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyを、図４に示されるようにク
ロック信号Ｃlyの論理レベルが変化する毎に順次シフトして、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３
、Ｙ４、…、Ｙ３２０として出力する。このため、ある走査線への走査信号は、１フレー
ムの期間において１回目のＨレベルを迎えると、次にクロック信号Ｃlyの半周期の期間に
わたってＬレベルとなり、続いて２回目のＨレベルを迎えることになる。
【００１５】
なお、ある走査線でみたとき、当該走査線への走査信号が１フレームにおいて、１回目
にＨレベルとなる期間が予備書込のための期間であり、図４においてハッチングで示した
ように２回目にＨレベルとなる期間が本書込のための期間である。ここで、予備書込とは
、本書込となる前に、予め当該本書込と同極性の電圧を画素容量１２０に書き込んでおく
ことをいい、本書込とは、正極性または負極性であって階調に応じた電圧を画素容量１２
０に書き込むことをいう。このため、１行の走査線に対する本書込期間は、クロック信号
Ｃlyの半周期であり、これが、当該行に対する水平走査期間（Ｈ）に相当する。
なお、当該走査信号がＬレベルとなる期間が非選択期間である。
本実施形態において１フレームの期間には、本書込のために走査信号Ｙ１がＨレベルに
なってから本書込のために走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまでの有効走査期間Ｆaの
ほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。なお、走査信号においてＨレベルは選択電圧
Ｖddであり、Ｌレベルは非選択電圧Ｖssとしている。
【００１６】
制御回路２０が出力する制御信号等のうち、スタートパルスＤy、クロック信号Ｃly以
外の信号について説明する。
まず、ラッチパルスＬpは、図４に示されるように、クロック信号Ｃlyの論理レベルが
変化するタイミングで出力される。上述したように、走査線駆動回路１４０は、スタート
パルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすることによって、走査信号Ｙ１
〜Ｙ３２０を出力するので、ラッチパルスＬpの出力タイミングは、いずれかの走査信号
がＨレベルとなるタイミングと考えて良い。
【００１７】
次に、極性指定信号Ｐolは、Ｈレベルであれば、奇数（１、３、５、…、３１９）行の
画素に対して正極性書込を指定し、偶数（２、４、６、…、３２０）行の画素に対して負
極性書込を指定する一方、Ｌレベルであれば、奇数行の画素に対して負極性書込を指定し
、偶数行の画素に対して正極性書込を指定する信号である。ここで、極性指定信号Ｐolは
、図４に示されるように、ｎフレームにわたってＨレベルとなるので、画素への書込極性
が走査線毎に反転する走査線反転（ライン反転）方式となる。極性指示信号Ｐolは、次の
（ｎ＋１）フレームでは、Ｌレベルとなって、ｎフレームと比較して各行について書込極
性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化
を防止するためである。
なお、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に電圧を保持させる際
に、コモン電極１０８の電位よりも画素電極１１８の電位を高位側とする場合を正極性と
いい、低位側とする場合を負極性という。また、電圧については、特に説明のない限り、
図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
【００１８】
一方、極性指定信号Ｐolは、ＮＯＴ回路５０によって論理反転されて信号／Ｐolとして
出力される。
なお、極性指定信号Ｐolは、信号線１６４ａ（第１信号線）を介して、信号／Ｐolは、
信号線１６４ｂ（第２信号線）を介して、それぞれコモン電極駆動回路１７０に供給され
る。極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）のＨ、Ｌレベルは、後述するＴＦＴ１７１、１７２
のゲート電極に仮に印加されたとき、それぞれＴＦＴ１７１、１７２をオン、オフさせる
。このため、極性指定信号Ｐolは、奇数・偶数行の書込極性を指定する信号であるととも
に、その論理レベルのうち、Ｈレベルがオン信号として、Ｌレベルがオフ信号としても機
能することになる。
【００１９】
信号Ｓ1aは、ｎフレームでは、奇数行のうち、１、５、９、…、３１７行目が本書込と
なる水平走査期間においてＨレベルとなり、他の期間においてＬレベルとなる一方、（ｎ
＋１）フレームでは、偶数行のうち、２、６、１０、…、３１８行目が本書込となる水平
走査期間においてＨレベルとなり、他の期間においてＬレベルとなる信号である。
信号Ｓ2aは、ｎフレームでは、２、６、１０、…、３１８行目が本書込となる水平走査
期間においてＨレベルとなり、他の期間においてＬレベルとなる一方、（ｎ＋１）フレー
ムでは、１、５、９、…、３１７行目が本書込となる水平走査期間においてＨレベルとな
り、他の期間においてＬレベルとなる信号である。なお、信号Ｓ1a、Ｓ2aは、ｎ、（ｎ＋
１）フレーム同士で比較してみたときに真逆の関係にある。
【００２０】
信号Ｓ1bは、ｎフレームでは、奇数行の残りである３、７、１１、…、３１９行目が本
書込となる水平走査期間においてＨレベルとなり、他の期間においてＬレベルとなる一方
、（ｎ＋１）フレームでは、偶数行の残りである４、８、１２、…、３２０行目が本書込
となる水平走査期間においてＨレベルとなり、他の期間においてＬレベルとなる信号であ
る。
信号Ｓ2bは、ｎフレームでは、４、８、１２、…、３２０行目が本書込となる水平走査
期間においてＨレベルとなり、他の期間においてＬレベルとなる一方、（ｎ＋１）フレー
ムでは、３、７、１１、…、３１９行目が本書込となる水平走査期間においてＨレベルと
なり、他の期間においてＬレベルとなる信号である。なお、信号Ｓ1b、Ｓ2bについても、
ｎ、（ｎ＋１）フレーム同士で比較してみたときに真逆の関係となる。
【００２１】
換言すれば、信号Ｓ1aまたはＳ1bがＨレベルとなるのは、ｎフレームにあっては奇数行
目に対して本書込となる期間であり、（ｎ＋１）フレームにあっては偶数行目に対して本
書込となる期間であるから、いずれのフレームにおいても本書込において正極性書込が指
定される水平走査期間である。
一方、信号Ｓ2aまたはＳ2bがＨレベルとなるのは、ｎフレームにあっては偶数行目に対
して本書込となる期間であり、（ｎ＋１）フレームにあっては奇数行目に対して本書込と
なる期間であるから、いずれのフレームにおいても本書込において負極性書込が指定され
る水平走査期間である。
【００２２】
次に、信号Ｈ1は、信号Ｓ1aまたはＳ1bがＨレベルとなる水平走査期間の後半期間にお
いてＬレベルとなり、他の期間においてＨレベルとなる信号である。したがって換言すれ
ば、信号Ｈ1は、本書込において正極性書込が指定される水平走査期間の後半期間におい
てのみＬレベルとなる信号である。
一方、信号Ｈ2は、信号Ｓ2aまたはＳ2bがＨレベルとなる水平走査期間の後半期間にお
いてＬレベルとなり、他の期間においてＨレベルとなる信号である。したがって換言すれ
ば、信号Ｈ2は、本書込において負極性書込が指定される水平走査期間の後半期間におい
てのみＬレベルとなる信号である。
なお、目標信号Ｖc1refは、電圧Ｖslで一定であり、目標信号Ｖc2refは、電圧Ｖshで一
定である。
ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｖss≦）Ｖsl＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関係にあり、電圧
Ｖslが、電圧Ｖshよりも相対的に低い電圧となっている。
【００２３】
第１コモン信号出力回路３１は、第１コモン信号Ｖc1を第１給電線１６１に供給し、同
様に、第２コモン信号出力回路３２は、第２コモン信号Ｖc2を第２給電線１６２に供給す
る。なお、第１コモン信号出力回路３１および第２コモン信号出力回路３２の詳細につい
ては後述する。
【００２４】
コモン電極駆動回路１７０は、本実施形態では、１〜３２０行目のコモン電極１０８に
対応して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１７１〜１７４、１７９の組から構成される。
ｉ行目を例にとって説明すると、当該ｉ行目のＴＦＴ１７１（第１トランジスタ）のソ
ース電極が第１給電線１６１に接続され、当該ｉ行目のＴＦＴ１７２（第２トランジスタ
）のソース電極が第２給電線１６２に接続されて、ＴＦＴ１７１、１７２のドレイン電極
同士がｉ行目のコモン電極１０８に共通接続されている。
一方、ｉ行目のＴＦＴ１７３（第３トランジスタ）は、そのゲート電極がｉ行目の走査
線１１２に接続され、そのドレイン電極がｉ行目のＴＦＴ１７１のゲート電極に接続され
ている。また、ｉ行目のＴＦＴ１７４（第４トランジスタ）は、そのゲート電極がｉ行目
の走査線１１２に接続され、そのドレイン電極がｉ行目のＴＦＴ１７２のゲート電極に接
続されている。
ここで、ｉが奇数であれば、ＴＦＴ１７３のソース電極は信号線１６４ａに接続され、
ＴＦＴ１７４のソース電極は信号線１６４ｂに接続される一方、ｉが偶数であれば、ＴＦ
Ｔ１７３のソース電極は信号線１６４ｂに接続され、ＴＦＴ１７４のソース電極は信号線
１６４ａに接続されている。すなわち、ＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先は、
奇数行と偶数行とで入れ替わった関係にある。
【００２５】
ｉ行目のＴＦＴ１７９は、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソ
ース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。ここで、ＴＦＴ１７９のドレイ
ン電極は、２行毎に検出線１６５ａ、１６５ｂに交互に接続される。詳細には、１、２、
５、６、９、１０、……、３１７、３１８行目のＴＦＴ１７９のドレイン電極は、検出線
１６５ａに接続され、３、４、７、８、１１、１２、……、３１９、３２０行目のＴＦＴ
１７９のドレイン電極は、検出線１６５ｂに接続されている。
【００２６】
検出線１６５ａは、スイッチ４１を介して信号線６１に、スイッチ４３を介して信号線
６２に、それぞれ接続されている。同様に、検出線１６５ｂは、スイッチ４２を介して信
号線６１に、スイッチ４４を介して信号線６２に、それぞれ接続されている。
ここで、スイッチ４１は、信号Ｓ1aがＨレベルのときにオンし、Ｌレベルのときにオフ
するものである。同様に、スイッチ４２、４３、４４は、それぞれ信号Ｓ1b、Ｓ2a、Ｓ2b
がＨレベルのときにオンし、Ｌレベルのときにオフするものである。
【００２７】
次に、第１コモン信号出力回路３１の構成について説明する。図３は、第１コモン信号
出力回路３１の構成を示す図である。
この図に示されるように、第１コモン信号出力回路３１は、オペアンプ３００と、スイ
ッチ３１１、３１２と、ＮＯＴ回路３１５と、抵抗素子３１６とを有する。
オペアンプ３００の出力端は、第１給電線１６１およびスイッチ３１１の一端に接続さ
れ、信号線６１がスイッチ３１２の一端に接続されている。スイッチ３１１、３１２の他
端は、オペアンプ３００の反転入力端（−）にそれぞれ共通接続されている。換言すれば
、スイッチ３１１は、オペアンプ３００の出力端（第１給電線１６１）と反転入力端（−
）との間に電気的に介挿され、スイッチ３１２は、信号線６１と反転入力端（−）との間
に電気的に介挿されている。
【００２８】
一方、第１コモン信号出力回路３１において、オペアンプ３００の非反転入力端（＋）
には、制御回路２０からの目標信号Ｖc1refが供給される。なお、オペアンプ３００の出
力端と反転入力端（−）との間にはスイッチ３１１のほか、抵抗素子３１６が挿入されて
いる。
スイッチ３１１、３１２は、制御回路２０から供給される信号Ｈ1の論理レベルに応じ
て互いに排他的にオンオフする。詳細には、スイッチ３１１、３１２は、信号Ｈ1がＨレ
ベルであれば、それぞれオン、オフし、信号Ｈ1がＬレベルであれば、それぞれオフ、オ
ンする。
【００２９】
このように信号Ｈ1がＨレベルであると、スイッチ３１１、３１２のオン、オフにより
、オペアンプ３００がボルテージフォロワ回路となるので、第１コモン信号出力回路３１
は、目標信号Ｖc1refの電圧をそのままバッファリングして第１コモン信号Ｖc1として、
第１給電線１６１に出力することになる。
一方、信号Ｈ1がＬレベルであると、スイッチ３１１、３１２のオフ、オンにより、信
号線６１の電圧がオペアンプ３００の反転入力端（−）に帰還されるので、第１コモン信
号出力回路３１は、信号線６１の電圧が目標信号Ｖc1refの電圧となるように制御した第
１コモン信号Ｖc 1を出力することになる。
上述したように、信号Ｈ1がＬレベルになるのは、本書込において正極性書込が指定さ
れる水平走査期間の後半期間であるから、第１コモン信号出力回路３１は、当該後半期間
において、信号線６１の電圧が目標信号Ｖc1refの電圧Ｖslとなるように制御した第１コ
モン信号Ｖc1を出力し、他の期間において、目標信号Ｖc1refの電圧Ｖslを単にバッファ
リングした第１コモン信号Ｖc1を出力することになる。
【００３０】
なお、第２コモン信号出力回路３２の構成についても、図３の括弧書で示されるように
、供給される信号や接続先を除けば、第１コモン信号出力回路３１と同様な構成となって
いる。
このため、信号Ｈ2がＨレベルであると、オペアンプ３００がボルテージフォロワ回路
となって、第２コモン信号出力回路３２は、目標信号Ｖc2refの電圧をそのままバッファ
リングして第２コモン信号Ｖc2として、第２給電線１６２に出力する。一方、信号Ｈ2が
Ｌレベルであると、信号線６２の電圧がオペアンプ３００の反転入力端（−）に帰還され
るので、第２コモン信号出力回路３２は、信号線６２の電圧が目標信号Ｖc2refの電圧と
なるように制御した第２コモン信号Ｖc2を出力する。
上述したように、信号Ｈ2がＬレベルになるのは、本書込において負極性書込が指定さ
れる水平走査期間の後半期間であるから、第２コモン信号出力回路３２は、当該後半期間
において、信号線６２の電圧が目標信号Ｖc2refの電圧Ｖshとなるように制御した第２コ
モン信号Ｖc2を出力し、他の期間において、目標信号Ｖc2refの電圧Ｖshを単にバッファ
リングした第２コモン信号Ｖc2を出力することになる。
【００３１】
データ線駆動回路１９０は、原則として、走査線駆動回路１４０によって走査信号がＨ
レベルとなる走査線のうち、本書込期間となる走査線に位置する画素１１０に対して、階
調レベルに応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Ｐolで指定された極性に応じた電圧
のデータ信号をデータ線１１４に供給するものである。
ただし、データ線駆動回路１９０は、例外として１、２行目の走査線の予備書込期間に
おいては、事後の１、２行目の本書込期間における同一の階調レベルおよび同一極性の電
圧信号を、データ信号としてデータ線１１４に供給する。
なお、１、２行目の走査線の予備書込期間においては、事後の本書込期間における他の
階調レベルであって、同一極性の電圧信号をデータ信号としてデータ線１１４に供給して
も良い。
【００３２】
ここで、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応
した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調
レベル（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示
データＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によって変更後の表示デー
タＤaが供給されて記憶領域の内容が書き換えられる。
データ線駆動回路１９０は、選択走査線に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶
領域から１行分読み出すとともに、正極性書込が指定されていれば、当該読み出した表示
データで指定された階調レベルが暗くなるにつれて電圧Ｖslに対して高位側となる電圧の
データ信号に、負極性書込が指定されていれば、当該読み出した表示データで指定された
階調レベルが暗くなるにつれて電圧Ｖshに対して低位側となる電圧のデータ信号に、それ
ぞれ変換して、データ線１１４に供給する。このような動作をデータ線駆動回路１９０は
、本書込となる走査線に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
なお、データ線駆動回路１９０は、ラッチパルスＬpを１フレームの期間にわたってカ
ウントし続けることによって何行目の走査信号がＨレベルとなるのか、および、ラッチパ
ルスＬpの供給タイミングによってＨレベルとなる期間の開始タイミングを知る。
【００３３】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
まず、ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって最初に１行目の予備書込
のために走査信号Ｙ１のみがＨレベルになる。
走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行目のＴＦＴ１７３、１７４がオンになる。ｎフ
レームでは極性指定信号Ｐol、信号／ＰolはそれぞれＨ、Ｌレベルであるので、これらの
電圧が、それぞれＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極に印加される。このため、ＴＦＴ１
７１、１７２がそれぞれオン、オフするので、１行目のコモン電極１０８は、第１給電線
１６１に接続される。
ここで、走査信号Ｙ１が１行目の予備書込のためにＨレベルになるとき、信号Ｈ1はＨ
レベルであるから、第１給電線１６１に出力される第１コモン信号Ｖc1は、目標信号Ｖc1
refの電圧Ｖslをバッファリングした電圧であり、これが１行目のコモン電極１０８に印
加される。
【００３４】
一方、データ線駆動回路１９０は、例外の動作となる。すなわち、データ線駆動回路１
９０は、１行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当
該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖslを基準に高位側とした
正極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１
４に供給する。
走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１
６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０の電圧が印
加される。１行目のコモン電極１０８はバッファリングした電圧Ｖslとなるはずであるか
ら、このため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容
量には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が本書込に先だって書き込まれることになる。
【００３５】
次に、２行目の予備書込のために走査信号Ｙ２のみがＨレベルになる。
走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行目のＴＦＴ１７３、１７４がオンになるが、そ
れらのソース電極は、奇数行と入れ替わった関係にあるので、ＴＦＴ１７１、１７２が、
それぞれオフ、オンする。このため、２行目のコモン電極１０８は、第２給電線１６２に
接続される。
ここで、走査信号Ｙ２が２行目の予備書込のためにＨレベルになるとき、信号Ｈ2はＨ
レベルであるから、第２給電線１６２に出力される第２コモン信号Ｖc2は、目標信号Ｖc2
refの電圧Ｖshをバッファリングした電圧であり、これが２行目のコモン電極１０８に印
加される。
【００３６】
また、データ線駆動回路１９０は、例外の動作となる。すなわち、データ線駆動回路１
９０は、２行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読
み出した表示データＤaを階調に応じた負極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し
、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。
走査信号Ｙ２がＨレベルになることにより、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０の
電圧が印加される。２行目のコモン電極１０８はバッファリングした電圧Ｖshとなるはず
であるから、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量
には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が本書込に先だって書き込まれることになる。
【００３７】
なお、走査信号Ｙ２がＨレベルになると、走査信号Ｙ１がＬレベルになるので、１行目
のＴＦＴ１７３、１７４がいずれもオフする。ただし、１行目のＴＦＴ１７１、１７２の
ゲート電極は、その寄生容量によって、直前状態であるＨ、Ｌレベルを保持しているので
、１行目のＴＦＴ１７１、１７１のオン、オフ状態が維持される結果、１行目のコモン電
極１０８も電圧Ｖslに保たれる。
【００３８】
次に、３行目の予備書込のために走査信号Ｙ３がＨレベルになるとともに、１行目の本
書込のために走査信号Ｙ１がＨレベルになる。
走査信号Ｙ３、Ｙ１がＨレベルになると、３行目および１行目のＴＦＴ１７３、１７４
がそれぞれオンになるので、３行目および１行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオン
、オフする結果、３行目および１行目のコモン電極１０８は、それぞれ電圧Ｖslとなるは
ずである。
特に、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行目のＴＦＴ１７９がオンになるので、１
行目のコモン電極１０８が検出線１６５ａに接続される。ｎフレームにおいて、１行目の
本書込となる水平走査期間では信号Ｓ1aがＨレベルとなってスイッチ４１がオンし、また
、１行目に正極性書込が指定されるので、信号Ｈ1は、当該水平走査期間の後半期間にＬ
レベルとなる。このため、当該水平走査期間の後半期間において、１行目のコモン電極１
０８が第１コモン信号出力回路３１によって目標信号Ｖc1refの電圧Ｖslとなるように負
帰還制御される。このため、１行目のコモン電極１０８は、当該水平走査期間の終了時に
は正確に電圧Ｖslとなる。
なお、３行目のＴＦＴ１７９もオンするので、３行目のコモン電極１０８が検出線１６
５ｂに接続されるが、信号Ｓ1b、Ｓ2bがいずれもＬレベル（スイッチ４２、４４がオフ）
であるので、３行目のコモン電極１０８の電圧が、第１コモン信号出力回路３１および第
２コモン信号出力回路３２の動作に影響を与えることはない。第２コモン信号出力回路３
２が目標信号Ｖc2refの電圧Ｖshをバッファリング動作するのみである。
【００３９】
データ線駆動回路１９０は、原則の動作となる。すなわち、データ線駆動回路１９０は
、１行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読み出し
た表示データＤaを階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それ
ぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。
走査信号Ｙ１がＨレベルになることによって、１行１列〜１行２４０列の画素における
ＴＦＴ１１６がオンして、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０の電
圧が印加される一方、１行目のコモン電極１０８は電圧Ｖslとなるように制御されるので
、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それ
ぞれ階調に応じた正極性電圧が正確に書き込まれることになる。
また、走査信号Ｙ３がＨレベルになることによって、３行１列〜３行２４０列の画素に
おけるＴＦＴ１１６がオンして、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４
０の電圧が印加されるので、３行１列〜３行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１
３０の並列容量には、１行１列〜１行２４０列の画素の階調に応じた正極性電圧が３行目
の本書込に先だって書き込まれることになる。
【００４０】
なお、走査信号Ｙ３がＨレベルになると、走査信号Ｙ２がＬレベルになるので、２行目
のＴＦＴ１７３、１７４がいずれもオフする。ただし、２行目のＴＦＴ１７１、１７４の
ゲート電極は、その寄生容量によって、直前状態であるＬ、Ｈレベルを保持しているので
、２行目のＴＦＴ１７１、１７１のオフ、オン状態が維持される結果、２行目のコモン電
極１０８は電圧Ｖshに保たれる。
【００４１】
続いて、４行目の予備書込のために走査信号Ｙ４がＨレベルになるとともに、２行目の
本書込のために走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
走査信号Ｙ４、Ｙ２がＨレベルになると、４行目および２行目のＴＦＴ１７３、１７４
がそれぞれオンになるので、４行目および２行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオフ
、オンする結果、４行目および２行目のコモン電極１０８は、それぞれ電圧Ｖshとなるは
ずである。
特に、走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行目のＴＦＴ１７９がオンになるので、２
行目のコモン電極１０８が検出線１６５ａに接続される。ｎフレームにおいて、２行目の
本書込となる水平走査期間では信号Ｓ2aがＨレベルとなってスイッチ４３がオンし、また
、２行目に負極性書込が指定されるので、信号Ｈ2は、当該水平走査期間の後半期間にＬ
レベルとなる。このため、当該水平走査期間の後半期間において、２行目のコモン電極１
０８が第２コモン信号出力回路３２によって目標信号Ｖc2refの電圧Ｖshとなるように負
帰還制御される。このため、２行目のコモン電極１０８は、当該水平走査期間の終了時で
は正確に電圧Ｖshとなる。
なお、４行目のＴＦＴ１７９もオンするので、４行目のコモン電極１０８が検出線１６
５ｂに接続されるが、信号Ｓ1b、Ｓ2bがいずれもＬレベルであるので、４行目のコモン電
極１０８の電圧が、第１コモン信号出力回路３１および第２コモン信号出力回路３２の動
作に影響を与えることはない。第１コモン信号出力回路３１が目標信号Ｖc1refの電圧Ｖs
lをバッファリング動作するのみである。
【００４２】
また、データ線駆動回路１９０は、原則の動作となり、２行目であって１〜２４０列目
の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読み出した表示データＤaを階調に応じた負
極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４
に供給する。これにより、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３
０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性電圧が正確に書き込まれ、また、４行１
列〜４行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、２行１列〜２
行２４０列の画素の階調に応じた負極性電圧が４行目の本書込に先だって書き込まれるこ
とになる。
【００４３】
なお、走査信号Ｙ４、Ｙ２がＨレベルになると、走査信号Ｙ３、Ｙ１がＬレベルになる
ので、３行目および１行目のＴＦＴ１７３、１７４がいずれもオフする。ただし、３行目
および１行目のＴＦＴ１７１、１７４のゲート電極は、その寄生容量によって、直前状態
であるＨ、Ｌレベルを保持しているので、１行目のＴＦＴ１７１、１７２のオン、オフ状
態が維持される結果、３行目および１行目のコモン電極１０８は、電圧Ｖslに保たれる。
特に、１行目のコモン電極は、次の（ｎ＋１）フレームにおいて再び走査信号Ｙ１がＨ
レベルとなるまで電圧Ｖslに保たれる。走査信号Ｙ１がＬレベルになることにより、１行
１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするが、１行目のコモン電極１０
８が電圧Ｖslに保たれるので、１行目の画素容量１２０に書き込まれた電圧が変化するこ
とはない。
【００４４】
次に、５行目の予備書込のために走査信号Ｙ５がＨレベルになるとともに、３行目の本
書込のために走査信号Ｙ３がＨレベルになると、５行目および３行目のコモン電極１０８
は、それぞれ電圧Ｖslとなるはずである。
特に、走査信号Ｙ３がＨレベルになると、３行目のＴＦＴ１７９がオンになるので、３
行目のコモン電極１０８が検出線１６５ｂに接続される。また、信号Ｓ1bがＨレベルとな
ってスイッチ４２がオンするので、この水平走査期間の後半期間において、３行目のコモ
ン電極１０８は、第１コモン信号出力回路３１によって目標信号Ｖc1refの電圧Ｖslとな
るように負帰還制御され、当該水平走査期間の終了時では正確に電圧Ｖslとなる。
なお、５行目のＴＦＴ１７９もオンするので、５行目のコモン電極１０８が検出線１６
５ａに接続されるが、信号Ｓ1a、Ｓ2aがいずれもＬレベル（スイッチ４１、４３がオフ）
であるので、５行目のコモン電極１０８の電圧が、第１コモン信号出力回路３１および第
２コモン信号出力回路３２の動作に影響を与えることはない。第２コモン信号出力回路３
２が目標信号Ｖc2refの電圧Ｖshをバッファリング動作するのみである。
【００４５】
また、データ線駆動回路１９０は、原則の動作となり、３行目であって１〜２４０列目
の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読み出した表示データＤaを階調に応じた正
極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４
に供給する。これにより、３行１列〜３行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３
０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が正確に書き込まれ、また、５行１
列〜５行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、３行１列〜３
行２４０列の画素の階調に応じた正極性電圧が５行目の本書込に先だって書き込まれるこ
とになる。
なお、走査信号Ｙ５、Ｙ３がＨレベルになると、走査信号Ｙ４、Ｙ２がＬレベルになる
ので、４行目および２行目のＴＦＴ１７３、１７４がいずれもオフする。ただし、４行目
および２行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極は、その寄生容量によって、直前状態
であるＬ、Ｈレベルを保持しているので、１行目のＴＦＴ１７１、１７２のオフ、オン状
態が維持される結果、４行目および２行目のコモン電極１０８は、電圧Ｖshに保たれる。
特に、２行目のコモン電極は、次の（ｎ＋１）フレームにおいて再び走査信号Ｙ２がＨ
レベルとなるまで電圧Ｖshに保たれる。走査信号Ｙ２がＬレベルになることにより、２行
１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするが、２行目のコモン電極１０
８が電圧Ｖshに保たれるので、２行目の画素容量１２０に書き込まれた電圧が変化するこ
とはない。
【００４６】
そして、６行目の予備書込のために走査信号Ｙ６がＨレベルになるとともに、４行目の
本書込のために走査信号Ｙ４がＨレベルになると、６行目および４行目のコモン電極１０
８は、それぞれ電圧Ｖshとなるはずである。
特に、走査信号Ｙ４がＨレベルになると、４行目のＴＦＴ１７９がオンになるので、３
行目のコモン電極１０８が検出線１６５ｂに接続される。また、信号Ｓ2bがＨレベルとな
ってスイッチ４４がオンするので、この水平走査期間の後半期間において、４行目のコモ
ン電極１０８は、第２コモン信号出力回路３２によって目標信号Ｖc2refの電圧Ｖshとな
るように負帰還制御されるので、当該水平走査期間の終了時では正確に電圧Ｖshとなる。
なお、６行目のＴＦＴ１７９もオンするので、６行目のコモン電極１０８が検出線１６
５ａに接続されるが、信号Ｓ1a、Ｓ2aがいずれもＬレベルであるので、６行目のコモン電
極１０８の電圧が、第１コモン信号出力回路３１および第２コモン信号出力回路３２の動
作に影響を与えることはない。第１コモン信号出力回路３１が目標信号Ｖc1refの電圧Ｖs
lをバッファリング動作するのみである。
【００４７】
また、データ線駆動回路１９０は、原則の動作となり、４行目であって１〜２４０列目
の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読み出した表示データＤaを階調に応じた負
極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４
に供給する。これにより、４行１列〜４行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３
０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性電圧が正確に書き込まれ、また、６行１
列〜６行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、４行１列〜４
行２４０列の画素の階調に応じた負極性電圧が６行目の本書込に先だって書き込まれるこ
とになる。
なお、走査信号Ｙ６、Ｙ４がＨレベルになると、走査信号Ｙ５、Ｙ３がＬレベルになる
ので、５行目および３行目のＴＦＴ１７３、１７４がいずれもオフする。ただし、５行目
および３行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極は、その寄生容量によって、直前状態
であるＨ、Ｌレベルを保持しているので、１行目のＴＦＴ１７１、１７２のオン、オフ状
態が維持される結果、５行目および３行目のコモン電極１０８は、電圧Ｖslに保たれる。
特に、３行目のコモン電極は、次の（ｎ＋１）フレームにおいて再び走査信号Ｙ３がＨ
レベルとなるまで電圧Ｖslに保たれる。走査信号Ｙ３がＬレベルになることにより、３行
１列〜３行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするが、３行目のコモン電極１０
８が電圧Ｖslに保たれるので、３行目の画素容量１２０に書き込まれた電圧が変化するこ
とはない。
【００４８】
ｎフレームでは、以下同様な動作が、３２０行目の本書込のために走査信号Ｙ３２０が
Ｈレベルになるまで繰り返される。
これにより、ｎフレームにおいて、奇数１、３、５、…、３１９行目の画素容量１２０
および蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が保持される一方、偶数２
、４、６、…、３２０行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０には、それぞれ階調に
応じた負極性電圧が保持されることになる。
次の（ｎ＋１）フレームでも同様な動作が繰り返されるが、各行の書込極性が反転され
るので、奇数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた負
極性電圧が保持される一方、偶数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０には、それ
ぞれ階調に応じた正極性電圧が保持されることになる。
【００４９】
図５は、走査信号とコモン電極と画素電極との電圧関係を示す図であり、ｉ行ｊ列の画
素電極１１８の電圧をＰix（i,j)で示し、ｉ行（ｊ＋１）列の画素電極１１８の電圧をＰ
ix（i+1,j)で示している。
この図に示されるように、ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、ｉ行目に正極性書
込が指定されるのであれば、予備書込のために走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、
ＴＦＴ１７１（１７３）のオンによって電圧Ｖslとなり、ＴＦＴ１７１のオン状態の継続
によって電圧Ｖslに維持され、本書込のために再び走査信号ＹｉがＨレベルとなったとき
に同様に電圧Ｖslとなり、以降、ＴＦＴ１７１のオン状態の継続によって電圧Ｖslに維持
される。
【００５０】
また、次のフレームにおいてｉ行目に対しては負極性書込が指定されるので、ｉ行目の
コモン電極１０８の電圧Ｃｉは、予備書込のために走査信号ＹｉがＨレベルとなったとき
に、ＴＦＴ１７２（１７４）のオンによって電圧Ｖshとなり、ＴＦＴ１７２のオン状態の
継続によって電圧Ｖshに維持され、本書込のために再び走査信号ＹｉがＨレベルとなった
ときに同様に電圧Ｖshとなり、以降、ＴＦＴ１７２のオン状態の継続によって電圧Ｖshに
維持される。
したがって、ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、ｉ行目に正極性書込が指定され
るのであれば、予備書込のために走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖshから
電圧Ｖslに切り替わり、反対に、ｉ行目に負極性書込が指定されるのであれば、予備書込
のために走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖslから電圧Ｖshに切り替わる。
【００５１】
一方、ｉ行ｊ列の画素電極１１８の電圧Ｐix（i,j)は、ｉ行目における正極性の予備書
込の際に、２行前の（ｉ−２）行ｊ列の画素の階調に応じた正極性電圧となり、ｉ行目に
おける正極性の本書込の際に、当該行であるｉ行ｊ列の画素の階調に応じた正極性電圧と
なって保持される。また、電圧Ｐix（i,j)は、ｉ行目における負極性の予備書込の際に、
２行前の（ｉ−２）行ｊ列の画素の階調に応じた負極性電圧となり、ｉ行目における負極
性の本書込の際に、当該行であるｉ行ｊ列の画素の階調に応じた負極性電圧となって保持
される。
なお、本実施形態は走査線反転方式であるので、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の
電圧Ｃ（ｉ＋１）は、電圧Ｃｉと比べて水平走査期間だけ遅延したタイミングで、かつ、
反対方向に電圧が切り替わる。
【００５２】
ここで、画素容量１２０において、正極性または負極性の一方の電圧を保持した状態に
おいて、正極性または負極性の他方の電圧を１度に書き込む構成であると、一方から他方
への電圧書き込みの際の差が大きいことから、ノイズの発生源となりやすいが、本実施形
態では、予備書込によって本書込と同極性の電圧を予め書き込んでおき、本書込によって
階調に応じた電圧を書き込むので、本書込における電圧書込量が少なくて済む結果、ノイ
ズが減少する。
また、ｉ行目のコモン電極１０８は、本書込のためにｉ行目の走査線が選択される水平
走査期間の後半期間において負帰還制御されるので、ｉ行目の本書込の終了時に電圧Ｖsl
、Ｖshとなる。このため、本書込のときに画素容量１２０に対して階調に応じた電圧を正
確に書き込むことできるので、表示むらを抑えることができる上に、コモン電極１０８を
第１給電線１６１、第２給電線１６２に接続するＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗が比較
的大きくても構わないので、大きなトランジスタサイズが要求されない結果、表示領域外
の、いわゆる額縁サイズを狭くすることができる。
さらに、ｉ行目のコモン電極１０８は、本書込のためにｉ行目の走査線が選択される水
平走査期間の後半期間において負帰還制御されるが、ｉ行目の予備書込のときに電圧Ｖsl
、Ｖshの一方から他方に切り替わるだけであって、ｉ行目の本書込のときには電圧が切り
替わらない。このため、ノイズの減少も相俟って、第１コモン信号出力回路３１および第
２コモン信号出力回路３２のオペアンプ３００に高い能力が要求されないので、回路規模
の肥大化を防止するとともに、消費電力を抑えることが可能となる。
【００５３】
一方、各列のデータ線１１４に供給されるデータ信号は、水平走査期間の開始タイミン
グで電圧が切り替わる。このため、各列のデータ線１１４と交差して、容量的な結合の度
合いが大きいコモン電極１０８は、水平走査期間の開始タイミングにおいてノイズの影響
を大きく受けると考えられる。このため、ｉ行目でみたときに、走査信号ＹｉがＨレベル
となる期間の全域にわたってｉ行目のコモン電極１０８が電圧Ｖslまたは電圧Ｖshとなる
ように負帰還制御する構成では、走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後において、オペア
ンプ３００で消費される電流が大きくなったり、オペアンプ３００が発振したりする可能
性がある。しかしながら、本実施形態では、走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後の前半
期間では、負帰還制御ではなく、単なるボルテージフォロワ回路として機能するので、そ
のような可能性を小さくすることができる。
なお、多少の消費電流の増加や、微小発振などが無視出来る程度であれば水平走査期間
の全域にわたって負帰還制御を行っても構わない。水平走査期間の全域にわたって負帰還
制御を構成とする場合、負帰還制御とボルテージホロワ機能とを切り替える回路が省略す
れば良い。
【００５４】
＜第２実施形態＞
第１実施形態において、ｎフレームにおいて例えば奇数ｉ行目が本書込となる水平走査
期間において正極性書込が指定されたとき、当該水平走査期間の後半期間において、第１
コモン信号出力回路３１は、ｉ行目のコモン電極１０８が電圧Ｖslとなるように制御した
コモン信号Ｖc1を第１給電線１６１に供給する。このコモン信号Ｖc1は、ｉ行目のコモン
電極１０８が電圧Ｖslとなるように制御した信号であるため、一時的にせよ、電圧Ｖslか
ら離れた電圧をとることがある。
ここで、ｎフレームにおいて、コモン信号Ｖc1を供給する第１給電線１６１は、ｉ行目
以外のコモン電極、例えば本書込の済んだ奇数行のコモン電極や、予備書込が済んでいな
い偶数行のコモン電極にも接続されているので、これらの他の行では、コモン電極が電圧
Ｖslの近辺で変動することになる。
これらの他の行では、非選択期間であり、ＴＦＴ１１６がオフであるので、画素容量１
２０の一端である画素電極１１８および蓄積容量１３０の一端は、電気的にどの部分にも
接続されていない状態にある。したがって、これらの並列容量の保持電圧は、コモン電極
の電圧変動による影響を受けることはない。しかし、これらの他の行におけるコモン電極
による電圧変動は、寄生する容量によって電力を無駄に消費させてしまうので、低消費電
力を図る上で好ましいことではない。
なお、ここでは、第１給電線１６１について着目したが、第２給電線１６２でも同様な
ことが言える。
【００５５】
また、第１実施形態において各行のＴＦＴ１７１、１７２は、１フレームに相当する期
間毎に交代でオンし続けるので、動作期間のうち、オンとなる期間の比率が互いに５０％
となる。他のトランジスタ、例えばＴＦＴ１７３、１７４がオンとなる期間は、１フレー
ムに相当する期間のうち、予備書込と本書込のための選択期間に過ぎないから、ＴＦＴ１
７１、１７２がオンとなる期間の比率は、他のトランジスタと比べると、圧倒的に高い。
ここで、オンとなる期間の比率が高い状態でトランジスタを駆動すると、当該トランジ
スタの特性が劣化する、具体的には、しきい値電圧の上昇によりオン抵抗が徐々に高くな
る。上述したように第１実施形態では、ＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗が比較的大きく
ても良いが、それでも劣化を考慮した方が良いのはいうまでもない。
【００５６】
そこで次に、低消費電力化や、ＴＦＴ１７１、１７２の劣化などを考慮した第２実施形
態について説明する。
【００５７】
図６は、第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。第２実施形
態に係る電気光学装置は、主に次の点において図１に示した第１実施形態と相違する。
すなわち、第２実施形態に係る電気光学装置は、第１に、コモン電極駆動回路１７０の
各行においてＴＦＴ１７５が設けられている点、第２に、コモン信号出力回路３３、スイ
ッチ４５、４６が設けられている点、および、第３に、制御回路２０が目標信号Ｖc1ref
、Ｖc2refを出力しない代わりに、目標信号Ｖc3refを出力するとともに、コモン信号Ｖc1
を第１給電線１６１に、コモン信号Ｖc2を第２給電線１６２に、それぞれ直接出力する点
などにおいて第１実施形態と相違する。
このため、第２実施形態については、これらの相違点を中心に説明することにする。
【００５８】
まず、第１の点について説明すると、１〜３２０行のコモン電極１０８にはそれぞれＴ
ＦＴ１７５が設けられている。ｉ行目で説明すると、当該ｉ行目のＴＦＴ１７５は、その
ゲート電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され、そのソース電極が第３給電線１６３
に接続され、そのドレイン電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。なお、第
２実施形態において、第３給電線１６３には、コモン信号出力回路３３によってコモン信
号Ｖc3が供給される。
【００５９】
次に、第２の点について説明すると、検出線１６５ａはスイッチ４５を介し、検出線１
６５ｂはスイッチ４６を介し、それぞれ信号線６３に接続されている。
ここで、スイッチ４５は、信号Ｓ3aがＨレベルのときにオンし、Ｌレベルのときにオフ
する。同様に、スイッチ４６は、信号Ｓ3bがＨレベルのときにオンし、Ｌレベルのときに
オフする。
信号Ｓ3aは、図７に示されるように、ｎフレームおよび（ｎ＋１）フレームにおいて同
一であり（すなわち、書込極性とは無関係であり）、１、２、５、６、９、１０、……、
３１７、３１８行目が本書込となる水平走査期間においてＨレベルとなる。信号Ｓ3bは、
同図に示されるように、ｎフレームおよび（ｎ＋１）フレームにおいて同一であり、３、
４、７、８、１１、１２、……、３１９、３２０行目が本書込となる水平走査期間におい
てＨレベルとなる。
このため、各行において本書込となる水平走査期間では、検出線１６５ａ、１６５ｂの
うち、本書込となる行のＴＦＴ１７９のドレイン電極に接続された方のものが、信号線６
３に接続される構成となっている。
【００６０】
コモン信号出力回路３３は、図３の括弧書で示されるように、接続先や信号の供給を除
けば、第１コモン信号出力回路３１や、第２コモン信号出力回路３２と同様な構成となっ
ている。
なお、コモン信号出力回路３３におけるスイッチ３１１、３１２のオンオフを規定する
信号Ｈ3は、図７に示されるように、各水平走査期間の前半期間でＨレベルとなり、後半
期間においてＬレベルとなる。
【００６１】
また、第３の点について説明すると、目標信号Ｖc3refは、図７に示されるように、ｎ
フレームにおいて、奇数行が本書込のために選択される水平走査期間で電圧Ｖslとなり、
偶数行が本書込のために選択される水平走査期間で電圧Ｖshとなる一方、（ｎ＋１）フレ
ームにおいて、奇数行が本書込のために選択される水平走査期間で電圧Ｖshとなり、偶数
行が本書込のために選択される水平走査期間で電圧Ｖslとなる。
すなわち、目標信号Ｖc3は、本書込となる行に対し、正極性書込が指定される水平走査
期間において電圧Ｖslとなる一方、本書込となる行に対して負極性書込が指定される水平
走査期間において電圧Ｖshとなる。
【００６２】
このような構成において、ｉが仮に奇数であって、本書込の際に正極性書込が指定され
るのであれば、当該ｉ行目が本書込のために選択される水平走査期間では、当該ｉ行目の
ＴＦＴ１７３、１７４がともにオンするので、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれ
オン、オフして、ｉ行目のコモン電極１０８が第１給電線１６１に接続される。
また、ｉ行目のＴＦＴ１７９がオンするとともに、検出線１６５ａ、１６５ｂのうち、
ｉ行目のＴＦＴ１７９のドレイン電極に接続された方のものが信号線６３に接続される。
ここで、ｉ行目の本書込において正極性書込が指定される水平走査期間では、目標信号
Ｖc3refが電圧Ｖslとなるので、コモン信号出力回路３３は、当該水平走査期間の前半期
間において電圧Ｖslのバッファリング電圧を、後半期間においてｉ行目のコモン電極１０
８が電圧Ｖslとなるように制御した電圧を、それぞれコモン信号Ｖc3として第３給電線１
６３に出力する。
ｉ行目が本書込のために選択される水平走査期間では、当該ｉ行目のＴＦＴ１７５がオ
ンするので、ｉ行目のコモン電極１０８は、第１給電線１６１とともに第３給電線１６３
に接続され、これにより、ｉ行目のコモン電極１０８は電圧Ｖslとなるように制御される
ことになる。
【００６３】
なお、ｉ行目が本書込のために選択される水平走査期間では、同時に（ｉ−２）行目が
予備書込のために選択される。このため、（ｉ−２）行目のＴＦＴ１７１、１７５、１７
９もオンして、電圧Ｖshから電圧Ｖslに切り替わるはずである。ただし、（ｉ−２）行目
のＴＦＴ１７９のドレイン電極に接続された方の検出線は信号線６３に接続されないので
、（ｉ−２）行目のコモン電極１０８に対しては、負帰還のためのループは形成されない
。このため、予備書込となる（ｉ−２）行目のコモン電極は、電圧Ｖslに一致しない可能
性がある。もっとも、予備書込は、その後の本書込において画素容量１２０の電圧書込量
を減らすことが目的であるから、予備書込においてコモン電極が電圧Ｖslに一致しなくて
も、その影響は無視することができる。
【００６４】
一方、奇数にｉに続く偶数（ｉ＋１）行目では、本書込の際に負極性書込が指定される
ので、当該（ｉ＋２）行目が本書込のために選択される水平走査期間では、ｉ行目のＴＦ
Ｔ１７１、１７２がそれぞれオフ、オンして、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８が第２
給電線１６２に接続される。また、検出線１６５ａ、１６５ｂのうち、（ｉ＋１）行目の
ＴＦＴ１７９のドレイン電極に接続された方のものが信号線６３に接続される。
ここで、（ｉ＋１）行目の本書込において負極性書込が指定される水平走査期間では、
目標信号Ｖc3refが電圧Ｖshとなるので、コモン信号出力回路３３は、当該水平走査期間
の前半期間において電圧Ｖshのバッファリング電圧を、後半期間において（ｉ＋１）行目
のコモン電極１０８が電圧Ｖshとなるように制御した電圧を、それぞれコモン信号Ｖc3と
して第３給電線１６３に出力する。このため、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は電圧
Ｖshとなるように制御されることになる。
なお、次のフレームでは、ＴＦＴ１７１、１７２のオンオフが反転するとともに、目標
信号Ｖc3refの電圧Ｖsl、Ｖshも反転することになる。
【００６５】
この第２実施形態では、ｉ行目が本書込のために選択されたときに、コモン信号出力回
路３３によるコモン信号Ｖc3（すなわち、当該ｉ行目のコモン電極１０８が電圧Ｖslまた
はＶshとなるように制御した信号）が供給されるのは、当該ｉ行目のコモン電極のほかに
予備書込がされる（ｉ−２）行目のコモン電極のみである。したがって、ｉ、（ｉ−２）
行目以外のコモン電極は、第１給電線１６１または第２給電線１６２のいずれかに接続さ
れるのみであるので、電圧が変動することはなく、寄生容量によって消費される電力を抑
えることができる。
また、第２実施形態では、本書込のために選択された行のコモン電極に対し、当該行の
ＴＦＴ１７５を介してコモン信号Ｖc3を供給するので、ＴＦＴ１７１、１７２は、ただ単
にコモン電極をＶsl、Ｖshに保持する機能のみで済む。このため、ＴＦＴ１７１、１７２
のオン抵抗が劣化に対処し得ることになる。なお、ＴＦＴ１７５がオンする期間は、予備
書込および本書込のための水平走査期間のみであるから、ＴＦＴ１７１、１７２のように
特性が劣化することもない。
【００６６】
＜実施形態の応用・変形＞
上述した第１および第２実施形態では、ｉ行目を本書込とするときに、それよりも２行
下の（ｉ＋２）行目を予備書込とする構成とした。このような構成とした理由は、走査線
反転方式において、本書込をする行に対し２の倍数分の行だけ下の行が、本書込と同極性
となるためである。
したがって、ｉ行目を本書込とするときに、例えば４行下の（ｉ＋４）行目を予備書込
とする構成としても良い。ただし、本書込の行と予備書込の行との間があくと、予備書込
による電圧を保持する期間、すなわち、その行で表示すべき内容とは無関係な電圧を保持
する期間が長くなる。
【００６７】
実施形態では、１フレームにおいて画素への書込極性を走査線毎に反転させる走査線反
転方式としたので、ＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先を奇数行と偶数行とで入
れ替えたが、例えば１フレームにわたって書込極性を揃えるフレーム反転方式とするので
あれば、ＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先を奇数行と偶数行とで入れ替える必
要がなくなる。
また、面反転方式とするならば、ｉ行目を本書込とするときに、例えば直下の（ｉ＋１
）行目を予備書込とする構成としても良い。ただし、このように互いに隣接するｉ行目と
（ｉ＋１）行目とを選択する構成では、互いに隣接する２行のＴＦＴ１７９が同時にオン
する。図１に示した構成において、例えば１、２行目が同時に選択されたときに、本書込
である１行目のコモン電極の電圧のみを検出することができなくなるので、同時に選択さ
れる２行に対応する検出線を分離するとともに、分離した２行の検出線のうち、本書込と
なるコモン電極に接続された検出線をスイッチ４１〜４４で選択する必要がある。
逆にいえば、第１および第２実施形態のようにｉ行目と（ｉ＋２）行目とを同時に選択
する構成において、ＴＦＴ１７９のドレイン電極を２行毎に検出線１６５ａ、１６５ｂの
交互に接続した理由は、このように２行毎の交互接続によって、同時に選択される２行に
対応する検出線を分離できるとともに、分離した２つの検出線のうち、本書込となるコモ
ン電極に接続された検出線をスイッチ４１〜４４で選択することができるためである。
【００６８】
上述した実施形態では、本書込となる行に対応するコモン電極１０８に、その水平走査
期間の前半期間において電圧Ｖsl、Ｖshのバッファリング電圧を供給したが、本書込にお
いて発生すると予想されるノイズを相殺する方向に振った電圧のバッファリング電圧を供
給しても良い。
いずれにしても、水平走査期間の後半において、本書込となる行に対応するコモン電極
１０８が電圧Ｖsl、Ｖshとなるように負帰還制御する構成が望ましい。
【００６９】
また、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において
暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、画素容量１２０は透過型
に限られず、反射型であっても良いし、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわ
ゆる半透過半反射型としても良い。
くわえて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示
を行うとしても良いし、さらに、例えばＧを、ＹＧ（黄緑）およびＥＧ（エメラルドグリ
ーン）に分けて、これらの４色の画素で１ドットを構成して、広色帯化を図った構成とし
ても良い。
【００７０】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図８は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構
成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については
外観としては現れない。
【００７１】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図８に示される携帯電話の他
にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（ま
たはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、
電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、フォトストレ
ージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電
子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでも
ない。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における第１コモン信号出力回路の構成を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図５】同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図７】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図８】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、３１…第１コモン信号出力回路、３２…第２コモ
ン信号出力回路、５０…ＮＯＴ回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…
画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１４０
…走査線駆動回路、１７０…コモン電極駆動回路、１６１…第１給電線、１６２…第２給
電線、１６４ａ…第１信号線、１６４ｂ…第２信号線、１７１〜１７４、１７９…ＴＦＴ
、１９０…データ線駆動回路、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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