(57)【要約】【課題】処理の制御性を向上させることが可能な気相処理装置、気相処理方法および基板を提供する。【解決手段】気相処理装置１は、図１に示すように、処理室４と、反応ガス供給部（反応ガス供給部材９）と、ガス導入部（導入部２）と、温度制御部３とを備える。反応ガス供給部材９は、温度制御された配管５を介して処理室４に反応ガスを供給する。導入部２は、処理室４に接続され、配管５からの反応ガスを受入れる。温度制御部３は、導入部２の温度を制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
温度制御された配管を介して前記処理室に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
前記処理室に接続され、前記配管からの反応ガスを受入れるガス導入部と、
前記ガス導入部の温度を制御する温度制御部とを備える、気相処理装置。
【請求項２】
前記温度制御部は、前記配管の温度より高い温度となるように、前記ガス導入部の温度を制御することが可能である、請求項１に記載の気相処理装置。
【請求項３】
処理室の内部に処理対象物を配置する工程と、
前記処理室の内部に、配管および前記処理室に接続されたガス導入部を介して反応ガスを供給して、前記処理対象物に対する処理を行なう工程とを備え、
前記処理を行なう工程では、ガス導入部の温度が前記配管の温度より高い温度に制御されている、気相処理方法。
【請求項４】
前記処理を行なう工程では、前記ガス導入部の温度が前記反応ガスの分解温度より低い温度に制御されている、請求項３に記載の気相処理方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の気相処理方法を用いて製造された基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、気相処理装置、気相処理方法および基板に関し、より特定的には、処理の制御性を向上させることが可能な気相処理装置、気相処理方法および基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板などの処理対象物の表面に膜を形成するといった処理を行なうための気相処理装置が知られている（たとえば、特開２００５−００５５９４号公報（以下、特許文献１と呼ぶ）参照）。特許文献１のたとえば図１などに開示された気相処理装置では、処理室の上流側に設置された複数のノズルから反応ガスを処理室内部に供給している。このようなノズルには、反応ガスの供給源から配管を介して反応ガスが供給される。
【特許文献１】特開２００５−００５５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した従来の気相処理装置では、以下のような問題があった。すなわち、反応ガスとして、室温などの通常の温度条件では配管の内壁に吸着しやすいようなガスを用いる場合、このような反応ガスの吸着を防止するため配管を加熱しておく場合がある。このようにある程度加熱された温度条件で配管中を移送された反応ガスが、たとえば特許文献１の気相処理装置におけるノズルのような処理室への導入部に到達したとき、当該導入部の表面に吸着する場合があった。これは、従来の気相処理装置では当該導入部について特に温度制御などを行なっていないため、当該導入部の温度が配管の温度より低くなることにより、導入部において反応ガスの温度が配管中での温度より下がり、導入部への吸着が起きやすくなるためであると考えられる。
【０００４】
このような反応ガスの吸着が起こると、たとえば気相処理として成膜などを行なっているときに、形成される膜のドーパント濃度などを変更するため反応ガスの流量を変更しても、導入部において当該反応ガスが吸着されるため、処理対象物（基板）にまで当該反応ガスが十分到達しないことになる。このため、形成される膜のドーパント濃度などの組成が設定値どおりに変更できない（つまり、形成される膜の厚み方向における組成の変更といった処理の正確な制御が困難になる）という問題があった。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、処理の制御性を向上させることが可能な気相処理装置、気相処理方法を提供することである。
【０００６】
また、この発明のもう一つの目的は、上記気相処理方法を用いることで、組成などが正確に制御された高品質の基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に従った気相処理装置は、処理室と、反応ガス供給部と、ガス導入部と、温度制御部とを備える。反応ガス供給部は、温度制御された配管を介して処理室に反応ガスを供給する。ガス導入部は、処理室に接続され、配管からの反応ガスを受入れる。温度制御部は、ガス導入部の温度を制御する。
【０００８】
このようにすれば、供給される反応ガスの吸着などが発生ないような温度に予めガス導入部の温度を制御することができるので、温度制御された配管を介してガス導入部に受入れられた反応ガスがガス導入部において吸着することを抑制できる。このため、処理条件を制御するために反応ガスの組成や流量を変更した場合に、ガス導入部に当該反応ガスが吸着することで制御条件の変更がスムーズに行なえない（制御条件の変更を急峻に行なうことができない）といった問題の発生を抑制できる。
【０００９】
この発明に従った気相処理方法は、処理室の内部に処理対象物を配置する工程と、処理室の内部に、配管および処理室に接続されたガス導入部を介して反応ガスを供給して、処理対象物に対する処理を行なう工程とを備える。処理を行なう工程では、ガス導入部の温度が配管の温度より高い温度に制御されている。
【００１０】
このようにすれば、ガス導入部において反応ガスの温度が低下することを防止できるので、温度制御された配管を介してガス導入部に受入れられた反応ガスがガス導入部において吸着することを抑制できる。このため、処理条件を制御するために反応ガスの組成や流量を変更した場合に、ガス導入部に当該反応ガスが吸着するため制御条件の変更を急峻に行なうことができないといった問題の発生を抑制できる。
【００１１】
この発明に従った基板は、上記気相処理方法を用いて製造される。このようにすれば、制御性のよい気相処理方法を用いて製造されることにより、基板の表面層の品質が良好な基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００１２】
このように、本発明によれば、制御性に優れた処理を行なうことが可能になり、結果的に優れた品質の基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００１４】
図１は、本発明に従った気相処理装置を示す模式図である。図１を参照して、本発明による気相処理装置の実施の形態を説明する。
【００１５】
図１に示した気相処理装置１は、気相成長装置であって、処理室４と、この処理室に反応ガスを供給するための反応ガス供給部材９と、反応ガス供給部材９から配管５を介して供給される反応ガスを処理室４へ受入れるための導入部２と、導入部２の温度を調整するための温度制御部３と、処理室４の内部から処理済みのガスなどを排気するためのガス排気部材１０とを備える。反応ガス供給部材９は、配管５を介して導入部２と接続されている。配管５は、配管内を流通する反応ガスの温度を制御するための配管加熱部材６により加熱可能になっている。また、導入部２は、温度制御部３によってその温度が制御される。導入部２は処理室４に接続されている。処理室４には、配管７を介してガス排気部材１０が接続される。
【００１６】
反応ガス供給部材９から矢印１１に示すように配管５を介して導入部２に反応ガスが供給される。処理室４には、矢印１２に示すように導入部２側から反応ガスが供給される。処理室４の内部には図示しないサセプタが配置され、当該サセプタ上に処理対象物としての基板８が搭載される。この基板８は、図示しないヒータなどによって所定の反応温度に加熱される。また、上述したサセプタは回転可能になっていてもよい。
【００１７】
なお、温度制御部３の構成は、任意の構成を採用することができる。たとえば、温度制御部３として電熱ヒータ、温水チラー、あるいはペルチェ素子などを配置してもよい。
【００１８】
図１に示した気相処理装置１においては、反応ガス供給部材９から配管５を介して矢印１１に示すように導入部２に反応ガスが供給される。そして、導入部２から矢印１２に示すように処理室４の内部へと反応ガスが供給される。処理室４の内部において成膜など所定の反応が実施された後、当該処理に用いられたガスは矢印１３に示すように配管７を介してガス排気部材１０により処理室４の内部から排気される。
【００１９】
図１に示した気相処理装置１では、温度制御部３によって導入部２の温度を制御することができる。そのため、後述する気相処理方法において明らかになるが、温度制御部３によって導入部２の温度を十分高く設定しておけば、配管５を介して供給された反応ガスが導入部２の内部に吸着することを防止できる。
【００２０】
図２は、図１に示した気相処理装置を用いた気相処理方法を説明するためのフローチャートである。図２を参照して、本発明による気相処理方法を説明する。
【００２１】
図２に示すように、本発明による気相処理方法では、まず準備工程（Ｓ１０）を図示する。この準備工程（Ｓ１０）においては、処理室４の内部に処理対象物である基板８を配置する。
【００２２】
次に、処理工程（Ｓ２０）を実施する。この処理工程（Ｓ２０）においては、始めにガス排気部材１０を用いて処理室４の内部を所定の圧力にまで減圧した後、反応ガス供給部材９から配管５を介して導入部２へと反応ガスを供給する。この導入部２から矢印１２に示すように処理室４の内部へと反応ガスが供給される。このとき、予め基板８は上述したヒータなどによって所定の処理温度にまで加熱されている。また、配管５も、原料ガスが配管５内壁などに付着することを防止するため配管加熱部材６によって所定の温度に加熱されている。そして、導入部２は、配管５を介して矢印１１に示されたように供給された原料ガスが導入部２の内部に吸着することを防止するため、温度制御部３によって所定の温度に制御される。
【００２３】
この導入部２の制御される温度は、具体的には配管５の加熱温度よりも高く、かつ供給される原料ガスの分解温度よりも低い温度に制御されることが好ましい。このようにすれば、原料ガスが導入部２において分解し、不必要な反応が起きることを防止すると同時に、配管５を介して導入部２に供給された原料ガスが急に冷却され導入部２の内部に吸着するといった問題の発生を抑制できる。
【００２４】
そして、このように導入部２から処理室４の内部に供給された反応ガスは、基板８と対向する領域において加熱されることにより分解する。この結果、基板８の表面に成膜処理などの所定の処理を行なうことができる。そして、所定の反応が起きた後の反応ガスは、ガス排気部材１０を用いて矢印１３に示すように配管７を介して処理室４の内部から排出される。このようにして、基板８に対して所定の処理（たとえば基板８の表面にエピタキシャル膜を形成する処理）を行なうことができる。
【００２５】
たとえば、上述した気相処理方法として、基板８としてＧａＮ基板を用い、当該ＧａＮ基板上にｐ型のドーパントを含むＧａＮエピタキシャル層を形成する場合を考える。この場合、原料ガスとしては、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスやアンモニアガス、さらにｐ型ドーパントとしてのＭｇを供給するためのガスを用いる。ここで上記アンモニアガスやＴＭＧガスを供給する場合は大きな問題にはならないが、ｐ型ドーパントの供給源としてたとえばシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を用いる場合、従来は以下のような問題が発生する可能性があった。
【００２６】
すなわち、上述したシクロペンタジエニルマグネシウムは、水素などのキャリアガスに飽和蒸気圧の状態で含有され導入部２へと供給される。そして、このシクロペンタジエニルマグネシウムは、温度が室温近傍では配管の内壁に吸着しやすい。このため、配管５は配管加熱部材６によってたとえば５０℃前後に加熱された状態に維持される。一方、従来導入部２については特に温度制御などは行なわれていなかった。そのため、加熱された配管５を介して供給されたシクロペンタジエニルマグネシウムが、特に温度を制御されていない導入部２に到達すると、導入部２の内部にシクロペンタジエニルマグネシウムが吸着し、所定量のシクロペンタジエニルマグネシウム（反応ガス）を処理室４の内部へと供給できないといった問題が発生することが考えられる。しかし、本発明による気相処理装置１においては、配管５の温度を制御する配管加熱部材６とは独立した温度制御部３によって導入部２の温度制御を行なっているため、導入部２の温度を配管５の加熱温度よりも高く維持することが可能である。このため、導入部２の内部において反応ガスが吸着するといった問題の発生を抑制できる。この場合、たとえば、導入部２の温度を５０℃以上３００℃以下、より好ましくは５０℃以上９０℃以下の範囲に制御しておくことが好ましい。なお、上記温度範囲の下限を５０℃とした理由は、配管５の加熱温度と少なくとも同じ温度にしておけば、導入部２での反応ガスの吸着を防止できるためである。また、上限を３００℃としたのは、反応ガスとしてのＴＭＧやシクロペンタジエニルマグネシウムなどの有機金属の分解を避けるためである。また、より好ましい上限温度を９０℃としたのは、導入部２全体を加熱された温水を用いて温度制御することができるため、導入部２に設置されるＯリングなどの真空シール部にも安全と考えられるためである。
【００２７】
すなわち、本発明による気相処理装置では、シクロペンタジエニルマグネシウムなどのようなｐ型ドーパントとしてマグネシウム（Ｍｇ）を、反応ガス供給部材９からの供給開始タイミングとほとんどタイムラグを発生させることなく十分な量だけ処理室４へと供給することができる。このため、形成されるエピタキシャル膜においては、厚み方向においてｐ型ドーパントの供給源のガスの供給の開始および停止、あるいは流量の変更に基づき、ｐ型ドーパントの濃度を急峻に変更することができる。すなわち、形成されるエピタキシャル膜の組成の制御性を向上させることができる。
【００２８】
図２に示した気相処理方法によって製造された基板は、図３に示すように、基板８上にエピタキシャル層４８が形成されたエピタキシャル層付き基板４９である。ここで、図３は、図２に示した気相処理方法を用いて形成されたエピタキシャル層付き基板を示す斜視模式図である。
【００２９】
図３に示した本発明による気相処理方法によって形成されたエピタキシャル層付き基板４９は、エピタキシャル層４８内のｐ型ドーパントの一例であるＭｇの濃度プロファイルが急峻になる。たとえば、本発明によるエピタキシャル層付き基板４９により窒化物系発光ダイオードを構成する場合を考える。具体的には、基板８としてｎ型ＧａＮ基板を用いる。そして、エピタキシャル層４８として、ｎ型ＧａＮ基板側からＳｉ（ケイ素）ドープＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とを交互に積層した量子井戸層（活性層）／ＭｇドープＡｌＧａＮ層／ＭｇドープＧａＮ層を順次積層する。このとき、上述した本発明による気相処理方法を用いて当該エピタキシャル層４８を形成すれば、特に活性層とＭｇドープＡｌＧａＮ層との境界部において、ＭｇドープＡｌＧａＮ層中のＭｇ濃度は従来より急峻に立ち上る。
【００３０】
上述した本発明による効果を確認するため、以下のようにエピタキシャル層付き基板の試料を作成し、当該試料におけるエピタキシャル層のｐ型ドーパントであるＭｇの濃度プロファイルを測定した。以下、具体的に説明する。
【００３１】
（用いた成膜装置）
図１に示した本発明による気相処理装置を用いた。ただし、後述するように比較例の試料の作成時には、導入部２の温度制御を行なわず、従来の気相処理装置と実質的に同様の条件で成膜処理を行なうようにしている。
【００３２】
（試料の作成）
まず、ｎ型ＧａＮ基板を２枚準備した。当該ＧａＮ基板のサイズは２インチであり、厚みは３００μｍとした。次に、当該ＧａＮ基板の表面上に、上記気相処理装置を用いて、Ｓｉ（ケイ素）ドープＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とを交互に積層した量子井戸層（活性層）／ＭｇドープＡｌＧａＮ層／ＭｇドープＧａＮ層を順次積層した。具体的な成膜条件としては、以下のような条件で各層を形成した。
【００３３】
Ｓｉ（ケイ素）ドープＧａＮ層：
原料ガスとして、トリメチルガリウム、アンモニア、モノメチルシラン、水素、窒素を用いた。また、Ｖ／ＩＩＩ＝１１００とした。なお、ここでＶ／ＩＩＩとは、Ｖ族原料（アンモニア）の単位時間当たりの供給モル量を、ＩＩＩ族原料（トリメチルガリウム等）の単位時間当たりの総供給モル量で割った値である。また、成膜時の基板温度は１１５０℃とし、成膜厚みを２μｍとした。
【００３４】
活性層を構成するＩｎＧａＮ層：
原料ガスとして、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、アンモニア、窒素を用いた。また、Ｖ／ＩＩＩ＝１７０００とした。また、成膜時の基板温度を７９０℃、成膜厚みを３ｎｍとした。
【００３５】
活性層を構成するとＧａＮ層：
原料ガスとして、トリメチルガリウム、アンモニア、窒素を用いた。また、Ｖ／ＩＩＩ＝１００００とした。また、成膜時の基板温度を８８０℃、成膜厚みを１５ｎｍとした。なお、活性層を構成するＩｎＧａＮ層とＧａＮ層との繰返し数は３とした。
【００３６】
ＭｇドープＡｌＧａＮ層：
原料ガスとして、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、アンモニア、水素、窒素を用いた。また、Ｖ／ＩＩＩ＝１１００とした。また、成膜時の基板温度を１０５０℃、成膜厚みを２０ｎｍとした。なお、上記ＡｌＧａＮ層での設定Ｍｇ濃度は２．５Ｅ１９ｃｍ−３とした。
【００３７】
ＭｇドープＧａＮ層：
原料ガスとして、トリメチルガリウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、アンモニア、水素、窒素を用いた。また、Ｖ／ＩＩＩ＝１１００とした。また、成膜時の基板温度を１０５０℃、成膜厚みを７５ｎｍとした。また上記ＧａＮ層での設定Ｍｇ濃度は７Ｅ１９ｃｍ−３とした。
【００３８】
また、本発明の実施例の試料については、処理室に原料ガスを供給する配管５の温度を５０℃とし、導入部２の温度を７５℃とした。一方、比較例の試料については、配管５の温度を上記実施例の製造時条件と同様とする一方、導入部２については温度制御部３による温度制御を行なわなかった。
【００３９】
（測定）
作成した実施例および比較例の試料（エピタキシャル層付き基板）について、エピタキシャル層表面から深さ方向におけるドーピング元素の濃度分布を測定した。測定方法としては、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いた。
【００４０】
（結果）
上述した測定の結果を図４に示す。図４は、測定結果を示すグラフであって、縦軸が元素の濃度（単位：原子数／ｃｍ３）を示し、横軸がエピタキシャル層表面からの深さ（単位：μｍ）を示す。ただしＩｎおよびＡｌはマトリックス元素なので縦軸は任意単位である。また、グラフにおける実線のデータは本発明の実施例についての測定データであり、点線のデータは比較例についての測定データである。また、図４においては、ｐ型ドーパントの一例であるマグネシウム（Ｍｇ）、Ｍｇが含まれる層の構成元素の１つであるアルミニウム（Ａｌ）、および活性層に含まれるインジウム（Ｉｎ）の濃度について、エピタキシャル層表面からの深さ方向での測定結果を示している。
【００４１】
図４からも分かるように、比較例の試料については、活性層からＭｇドープＡｌＧａＮ層へ切り替る領域（深さが０．１μｍ前後の領域）において、Ａｌの濃度の立ち上りとＭｇの濃度の立ち上りとにずれがある。具体的には、Ａｌの濃度がほぼ設定値になる（ほぼ一定になる）深さより、Ｍｇの濃度がほぼ設定値になる（ほぼ一定になる）深さが５ｎｍ程度浅くなっている。一方、本発明の実施例の試料については、上記領域におけるＡｌの濃度の立ち上りとＭｇの濃度の立ち上りとにはほとんどずれが無い。
【００４２】
より具体的に言えば、本発明の実施例については、Ａｌの濃度がほぼ設定値になる深さとＭｇの濃度がほぼ設定値になる深さとの差の絶対値は３ｎｍ以下（−３ｎｍ以上３ｎｍ以下）である。ここで、ＡｌまたはＭｇの濃度がほぼ設定値になる深さとは、ＡｌまたはＭｇの濃度の測定値が、当該濃度の設定値を中心として所定の許容濃度範囲に入った深さを言う。また、ここでは、許容濃度範囲とは、当該設定値の−２５％以上２５％以下の範囲をいう。
【００４３】
なお、上記のように許容濃度範囲を±２５％以内としたのはＳＩＭＳの測定精度からほぼ設定通りとみなせる数値範囲であるという理由による。また、上記のようにＡｌの濃度がほぼ設定値になる深さとＭｇの濃度がほぼ設定値になる深さとの差の絶対値が３ｎｍ以下であれば、ＭｇドープＡｌＧａＮ層からのホールが供給されやすくなり、発光ダイオードの発光強度が向上する。
【００４４】
上述した実施の形態と一部重複する部分もあるが、本発明の特徴的な構成を列挙する。この発明に従った気相処理装置１は、図１に示すように、処理室４と、反応ガス供給部（反応ガス供給部材９）と、ガス導入部（導入部２）と、温度制御部３とを備える。反応ガス供給部材９は、温度制御された配管５を介して処理室４に反応ガスを供給する。導入部２は、処理室４に接続され、配管５からの反応ガスを受入れる。温度制御部３は、導入部２の温度を制御する。
【００４５】
このようにすれば、供給される反応ガス、たとえばシクロペンタジエニルマグネシウム、の吸着などが発生ないような温度に予め導入部２の温度を制御することができるので、温度制御された配管５を介して導入部２に受入れられたシクロペンタジエニルマグネシウム（反応ガス）が導入部２において吸着することを抑制できる。このため、処理条件を制御するために反応ガスの組成や流量を変更した場合に、導入部２に当該反応ガスが吸着することで制御条件の変更がスムーズに行なえないといった問題の発生を抑制できる。
【００４６】
上記気相処理装置１において、温度制御部３は、配管５の温度より高い温度となるように、導入部２の温度を制御することが可能である。この場合、導入部２の温度を配管５の温度より高くしておくことで、導入部２における反応ガスの吸着を確実に防止できる。
【００４７】
この発明に従った気相処理方法は、図２に示すように、処理室４の内部に処理対象物としての基板８を配置する工程（準備工程（Ｓ１０））と、処理室４の内部に、配管５および処理室４に接続された導入部２を介して反応ガスを供給して、基板８に対する処理を行なう工程（処理工程（Ｓ２０））とを備える。処理工程（Ｓ２０）では、導入部２の温度が配管５の温度より高い温度に制御されている。
【００４８】
このようにすれば、配管５中での反応ガスの温度よりも導入部２において反応ガスの温度が低下することを防止できるので、温度制御された配管５を介して導入部２に受入れられた反応ガスが導入部２に吸着することを抑制できる。このため、処理条件を制御するために反応ガスの組成や流量を変更した場合に、導入部２に当該反応ガスが吸着するため制御条件の変更を急峻に行なうことができないといった問題の発生を抑制できる。
【００４９】
上記気相処理方法において、処理工程（Ｓ２０）では、導入部２の温度が反応ガスの分解温度より低い温度に制御されていてもよい。この場合、導入部２において反応ガスが分解されることを防止できる。したがって、供給された反応ガスが導入部２において分解されることなく基板８にまで到達できるので、反応ガスの供給量などを変更することで処理条件の変更を精度良く確実に行なうことができる。
【００５０】
この発明に従った基板は、図３に示すように、上記気相処理方法を用いて製造された基板（エピタキシャル層付き基板４９）である。このようにすれば、制御性のよい上記気相処理方法を用いて製造されることにより、基板の表面層（エピタキシャル層４８）の品質が良好な（つまりエピタキシャル層４８における成分の濃度分布が精度良くなされた）エピタキシャル層付き基板４９を得ることができる。
【００５１】
なお、上述した実施の形態では、気相処理装置の例として気相成長装置を用いて説明したが、本発明は気相成長装置に限られず、温度によって吸着のおきやすいガスを反応ガスとして用いる任意の気相処理装置に用いることができる。たとえば、ドライエッチング装置などにも本発明を適用することができる。
【００５２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
この発明は、気相成長装置やドライエッチング装置等、気相処理装置および当該気相処理装置を用いた気相処理方法に有利に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に従った気相処理装置を示す模式図である。
【図２】図１に示した気相処理装置を用いた気相処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】図２に示した気相処理方法を用いて形成されたエピタキシャル層付き基板を示す斜視模式図である。
【図４】測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５５】
１  気相処理装置、２  導入部、３  温度制御部、４  処理室、５，７  配管、６  配管加熱部材、８  基板、９  反応ガス供給部材、１０  ガス排気部材、１１〜１３  矢印、４８  エピタキシャル層、４９  エピタキシャル層付き基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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