(57)【要約】【課題】  研削加工時にチップ飛びを起こさず、保護膜からチップを剥離する際にチップにダメージを与えないワークの分割方法を提供することである。【解決手段】  表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたワークを個々のチップに分割するワークの分割方法であって、ワークの前記分割予定ラインを切削してチップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成し、無溶剤の親水性樹脂を液体又は粘弾性体の状態で前記ワークの前記切削溝が形成されている表面に塗布し、前記親水性樹脂を硬化させ、前記ワークの裏面を研削して該ワークの表面に形成された前記切削溝を裏面に表出させて該ワークを個々のチップに分割し、前記親水性樹脂を４０℃以上の温水に接触させることにより、前記各チップから除去する、各工程を具備したことを特徴とする。【選択図】図５
2009224659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたワークを個々のチップに分割するワークの分割方法であって、
ワークの前記分割予定ラインを切削してチップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成し、
無溶剤の親水性樹脂を液体又は粘弾性体の状態で前記ワークの前記切削溝が形成されている表面に塗布し、
前記親水性樹脂を硬化させ、
前記ワークの裏面を研削して該ワークの表面に形成された前記切削溝を裏面に表出させて該ワークを個々のチップに分割し、
前記親水性樹脂を４０℃以上の温水に接触させることにより、該親水性樹脂を前記各チップから除去する、
各工程を具備したことを特徴とするワークの分割方法。
【請求項２】
前記親水性樹脂は４０℃以上で液化する水溶性の熱可塑性樹脂であり、
前記樹脂を塗布する工程は、該熱可塑性樹脂が４０℃以上の状態で行い、
前記樹脂を硬化させる工程は、該熱可塑性樹脂を４０℃未満にすることによって行い、
前記樹脂を各チップから除去する工程は、該熱可塑性樹脂を液化させて除去することを特徴とする請求項１記載のワークの分割方法。
【請求項３】
前記親水性樹脂は、紫外線により硬化する水膨潤性の紫外線硬化樹脂であり、
前記樹脂を塗布する工程は、該紫外線硬化樹脂に紫外線を照射する前に行い、
前記樹脂を硬化させる工程は、該紫外線硬化樹脂に紫外線を照射することによって行い、
前記樹脂を各チップから除去する工程は、該紫外線硬化樹脂を水膨潤により該各チップから剥離して除去することを特徴とする請求項１記載のワークの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハ（ワーク）を分割予定ラインに沿って個々のチップ（デバイス）に分割するウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円盤形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、各デバイスが形成された各領域を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のチップを製造している。
【０００３】
半導体ウエーハを個々のチップに分割する分割装置としては、一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は非常に薄い切刃を有する切削ブレードによって半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削する。このようにして分割されたチップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００４】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いチップが要求されている。ウエーハをより薄いチップに分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が開発され、実用化されている（例えば、特開昭６２−４３４１号公報及び特開昭６４−３８２０９号公報参照）。
【０００５】
この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って所定の深さ（チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々のチップに分割する技術であり、チップの厚さを１００μｍ以下に加工することが可能である。
【０００６】
このような先ダイシング法に関連して、特開平６―８５０５５号公報は、ウエーハの表面に形成された切削溝中に紫外線硬化樹脂を充填し、更に裏面研削時にウエーハの表面に保護テープを貼着する技術を開示している。
【０００７】
特開平１０−５０６４２号公報は、特に先ダイシング法に限定した技術ではないが、ウエーハの裏面研削時にウエーハの表面に貼着する三層構造からなる保護部材を開示している。
【０００８】
また、特開２００３−３３２２８０号公報は、ウエーハの裏面研削時に使用する保護部材を４０℃〜９５℃の融解温度を有する接着剤を使用してウエーハの表面に貼着し、ウエーハの常温加工を可能にした半導体ウエーハの支持方法を開示している。
【特許文献１】特開昭６２−４３４１号公報
【特許文献２】特開昭６４−３８２０９号公報
【特許文献３】特開平６−８５０５５号公報
【特許文献４】特開平１０−５０６４２号公報
【特許文献５】特開２００３−３３２２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の先ダイシング方法では、すなわち、ウエーハの表面に切削溝を形成後、ウエーハの表面に保護粘着テープを貼付してウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させる方法では、半導体ウエーハの固定強度が弱くチップ飛びが起こる場合があった。
【００１０】
また、ウエーハを個々のチップに分割後に保護粘着テープからチップを剥離する際に、残留接着力による損傷や糊残りによる汚染などで半導体チップにダメージを与える場合があった。
【００１１】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、研削加工時にチップ飛びを起こさず、保護膜からチップを剥離する際にチップにダメージを与えることのないワークの分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によると、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたワークを個々のチップに分割するワークの分割方法であって、ワークの前記分割予定ラインを切削してチップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成し、無溶剤の親水性樹脂を液体又は粘弾性体の状態で前記ワークの前記切削溝が形成されている前記表面に塗布し、前記親水性樹脂を硬化させ、前記ワークの裏面を研削して該ワークの表面に形成された前記切削溝を裏面に表出させて該ワークを個々のチップに分割し、前記親水性樹脂を４０℃以上の温水に接触させることにより、該親水性樹脂を前記各チップから除去する、各工程を具備したことを特徴とするワークの分割方法が提供される。
【００１３】
好ましくは、前記親水性樹脂は４０℃以上で液化する水溶性の熱可塑性樹脂であり、前記樹脂を塗布する工程は、該熱可塑性樹脂が４０℃以上の状態で行い、前記樹脂を硬化させる工程は、該熱可塑性樹脂を４０℃未満にすることによって行い、前記樹脂を各チップから除去する工程は、該熱可塑性樹脂を液化させて除去する。
【００１４】
代替案として、前記親水性樹脂は、紫外線により硬化する水膨潤性の紫外線硬化樹脂であり、前記樹脂を塗布する工程は、該紫外線硬化樹脂に紫外線を照射する前に行い、前記樹脂を硬化させる工程は、該紫外線硬化樹脂に紫外線を照射することによって行い、前記樹脂を各チップから除去する工程は、該紫外線硬化樹脂を水膨潤により該各チップから剥離して除去する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、ワークの裏面研削時に親水性樹脂によってワークを固定する際に、切削溝の中にも樹脂が入り込んで固定される。これにより、ワークの表面側に保護テープを貼付してワークを固定していた従来の方式よりも強固にワークを固定することができ、チップ飛びの発生を防止することができる。
【００１６】
また、樹脂が親水性樹脂であり、４０℃以上の温水に接触させることにより容易に完全にワークから除去することができるため、残留接着力によりチップに応力を与えることがなく、また糊残りによりチップを汚染することもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明によるワークの分割方法の好ましい実施形態について添付図面を参照して詳細に説明する。図１には、ワークとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。
【００１８】
図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば、厚さが６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数の分割予定ライン４が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２ａには、格子状に形成された複数の分割予定ライン４によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス（チップ）６が形成されている。
【００１９】
本発明実施形態のワーク（ウエーハ）の分割方法では、まず第１工程として切削溝形成工程を実施する。すなわち、所謂先ダイシング法によりウエーハ２の表面２ａに形成された分割予定ライン４に沿って所定深さ（各チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の切削溝を形成する。
【００２０】
この切削溝形成工程は、図２（Ａ）に示す切削装置１０を用いて実施する。図２（Ａ）に示す切削装置１０は、吸引保持手段を備えＸ軸方向に移動可能なチャックテーブル８と、切削ユニット１２と、切削ユニット１２と一体的にＹ軸方向及びＺ軸方向に移動可能なアライメントユニット１４を含んでいる。
【００２１】
切削ユニット１２は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル１６と、スピンドル１６の先端部に装着された切削ブレード１８を備えている。アライメントユニット１４は、ＣＣＤカメラ等の撮像手段２０を備えている。
【００２２】
切削溝形成工程を実施するには、チャックテーブル８上に半導体ウエーハ２をその表面２ａを上にして載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ２をチャックテーブル８上に保持する。
【００２３】
このようにして、ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル８は、図示しない切削送り機構によって撮像手段２０の直下に位置付けられる。チャックテーブル８が撮像手段２０の直下に位置付けられると、撮像手段２０及び図示しない制御手段によって、ウエーハ２に切削溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実施する。
【００２４】
すなわち、撮像手段２０及び図示しない制御手段は、ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン４と、切削ブレード１８との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する。更に、ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角方向に伸びる分割予定ライン４に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００２５】
このようなアライメント実施後、ウエーハ２を保持したチャックテーブル８を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード１８を図２（Ａ）において矢印２１で示す方向に回転しつつ下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。
【００２６】
この切り込み送り位置は、切削ブレード１８の外周縁がウエーハ２の表面２ａからデバイス（チップ）の仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば１００μｍ）に設定される。
【００２７】
このようにして、切削ブレード１８の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード１８を回転しつつチャックテーブル８を図２（Ａ）においてＸ軸方向、すなわち矢印Ｘ１で示す方向に切削送りすることによって、図２（Ｂ）に示すように、分割予定ライン４に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば１００μｍ）の切削溝２２が形成される（切削溝形成工程）。この切削溝形成工程をウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン４に沿って実施する。その結果得られたウエーハ２の上面側斜視図が図３に示されている。
【００２８】
このように、ウエーハ２の表面２ａに所定深さの切削溝２２を形成したならば、ウエーハ２の表面２ａに無溶剤の親水性樹脂を塗布する樹脂塗布工程を実施する。すなわち、図４に示すように、スピンナテーブル７上にウエーハ２をその表面２ａ側を上にして搭載し、スピンナテーブル７によりウエーハ２を吸引保持する。そして、スピンナテーブル７を回転しながらウエーハ２上に無溶剤の親水性樹脂９を滴下し、ウエーハ２の表面２ａ上に一様な厚さの樹脂膜２４を形成する。
【００２９】
樹脂の塗布方法はスピンコート法に限定されるものではなく、例えばロールコート法、ディップコート法、バーコート法、スプレーコート法等を採用することができる。ウエーハ２に直接樹脂を塗布しても、フィルムに樹脂を塗布してからウエーハに貼り付けても良い。
【００３０】
ここで、「無溶剤」とは、樹脂を生成する際に溶剤を使用しないことを言う。本発明の親水性樹脂は、親水性熱可塑性樹脂と、親水性紫外線硬化樹脂を含んでいる。親水性熱可塑性樹脂（水溶性ホットメルト）としては、ポリビニルアルコール樹脂、或いはその誘導体、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等を含むジオール、有機酸或いは有機酸塩、炭酸エステル、アルコール類、界面活性剤類等を単独或いは混合物として使用することができる。
【００３１】
水溶性熱可塑性樹脂単体で使用する場合には、その融点或いは軟化点が４０℃以上である必要があり、混合物として使用する場合は融点或いは軟化点が４０℃以上である物質を１０重量パーセント以上含むことが好ましい。
【００３２】
ポリビニルアルコールとしては、被着体に対する接着強度、塗工性などを損わない範囲で各種の重合度、ケン化度のＰＶＡが使用できる。
ポリエーテルポリオールとしては、例えば、プロピレンオキシドやエチレンオキシドを付加して得られるポリオキシプロピレングリコール，ポリオキシプロピレン化グリセリン，ポリオキシテトラメチレングリコール，ポリオキシアルキレントリオール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等があげられる。
【００３３】
ポリエステルポリオールとは一種類または二種類以上のポリカルボン酸と、一種類または二種類以上のポリオールの反応生成物である。
【００３４】
上記のポリカルボン酸としては、例えばシュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタミン酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ノナメチレンジカルボン酸、デカメチレンジカルボン酸、ウンデカメチレンジカルボン酸、ドデカメチレンジカルボン酸等があげられる。
【００３５】
上記のジオールとは、例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール等があげられる。
【００３６】
炭酸エステルとしては炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸エチレン（エチレンカーボネート）、炭酸プロピレン（プロピレンカーボネート）等があげられる。
【００３７】
有機酸あるいは有機酸塩としては、ガムロジン、ウッドロジン、トールオイルロジン、不均化ロジン、水添ロジン、重合ロジンなど、これらのロジンから誘導されるロジン誘導体などが含まれる。ロジン誘導体には、カルボキシル基が残存又は導入された化合物、例えば、ロジンと多価アルコールとのエステル、ロジンと多塩基酸との反応生成物、ロジン−無水マレイン酸付加体と多価アルコールとのエステル、多価アルコールの存在下でロジンと無水マレイン酸とを反応させて生成したエステル等があげられる。
【００３８】
また、一般式 ＣｎＨｍＣＯＯＨで表わせるカルボン酸である脂肪酸あるいはその塩等があげられる。アルコール類としては、高級アルコール、エトキシ化およびプロポキシ化アルコール等の脂肪族アルコール、フェノール、フェノールオリゴマー、あるいは誘導体等の芳香族アルコールがあげられる。
【００３９】
界面活性剤類としてはアニオン活性剤、カチオン活性剤、ノニオン活性剤、両性活性剤等があげられる。
【００４０】
また、紫外線により硬化する水膨潤性の紫外線硬化樹脂としては、以下に列挙するような樹脂を採用可能である。
【００４１】
（２官能）としては、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレ−ト、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジ（メタ）アクリロイルイソシアヌレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチル−プロパンジオール（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシプロポキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシテトラエトキシフェニル）プロパン、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等。
【００４２】
（３官能）としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート等。
【００４３】
（４官能以上）としては、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等。
【００４４】
親水性樹脂として水溶性の熱可塑性樹脂を使用した場合には、樹脂の塗布工程を熱可塑性樹脂を４０℃以上に加熱して実施し、４０℃未満に冷却することによりウエーハ２の表面２ａ上に塗布した樹脂を硬化させる。
【００４５】
一方、親水性樹脂として水膨潤性の紫外線硬化樹脂を使用する場合には、ウエーハ２の表面２ａ上に紫外線硬化樹脂を塗布してから、紫外線を照射することにより樹脂を硬化させる。
【００４６】
ウエーハ２の表面２ａ上に塗布する樹脂として、４０℃以上で液化する水溶性の熱可塑性樹脂を採用した場合、或いは水膨潤性の紫外線硬化樹脂を採用した場合でも、樹脂がウエーハ２の切削溝２２中に入り込んで硬化されるため、ウエーハ２の裏面２ｂ研削時にチャックテーブルで樹脂膜２４側を下にしてウエーハ２を吸引保持する際、ウエーハ２を強固に固定することができる。
【００４７】
ウエーハ２の表面２ａ上に樹脂膜２４を形成した後は、ウエーハ２の裏面２ｂを研削し、切削溝２２を裏面２ｂに表出させてウエーハ２を個々のチップ６に分割する切削溝表出工程を実施する。この切削溝表出工程は、図５（Ａ）に示すように、チャックテーブル２８と研削ユニット３０を備えた研削装置２６によって実施する。
【００４８】
研削ユニット３０は、スピンドル３３の先端部に固定されたマウンタ３２と、このマウンタ３２にボルト３４により固定された研削砥石３６とから構成される。
【００４９】
この切削溝表出工程は、チャックテーブル２８上にウエーハ２の裏面２ｂを上にして保持し、例えば、チャックテーブル２８を矢印２９で示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削砥石３６を矢印３１で示す方向に６０００ｒｐｍで回転して、ウエーハ２の裏面２ｂに研削砥石３６を接触させることによりウエーハ２の裏面２ｂを研削して実施する。この研削は、図５（Ｂ）に示すように、切削溝２２がウエーハ２の裏面２ｂに表出するまで実施する。
【００５０】
このように切削溝２２が表出するまで研削することによって、図５（Ｃ）に示すように、ウエーハ２は個々のチップ６に分割される。尚、分割された複数のチップ６は、その表面２ａに樹脂膜２４が貼着されているので、ばらばらにはならずウエーハ２の形態が維持される。
【００５１】
研削装置２６によりウエーハ２の裏面２ｂを研削して、ウエーハ２を個々のチップ６に分割する切削溝表出工程を実施した後には、チップ６から樹脂膜２４を剥離する樹脂膜剥離工程を実施する。
【００５２】
この樹脂膜剥離工程は、例えば図６に示すようなチャックテーブル４０と吸引ヘッド４６を使用して実施する。図６（Ａ）に示すように、チャックテーブル４０はポーラス吸着部４２と凹部４４を有している。
【００５３】
樹脂膜２４をチャックテーブル４０のポーラス吸着部４２で吸引保持しながら、図６（Ｂ）に示すように凹部４４中に４０℃以上の温水を充填する。この時、各チップ６に対応する吸引口４８を有する吸引ヘッド４６により、各チップ６を吸引しながら樹脂膜２４を４０℃以上の温水につけることにより、樹脂膜２４が剥離された後の各チップ６を吸引ヘッド４６により確実に保持することができる。
【００５４】
次に、保護膜として本発明の水膨潤性紫外線硬化樹脂又は水溶性熱可塑性樹脂（水溶性ホットメルト）を使用した場合と、従来のＵＶテープを使用した場合のウエーハの裏面研削時の比較結果を以下に示す。
【００５５】
実施例１
それぞれの保護膜を使用してのウエーハの裏面研削後の切削溝幅（カーフ幅）を測定した結果を表１に示す。研削前のカーフ幅２０μｍ、研削後のチップサイズは１０×１０ｍｍである。
【００５６】
【表１】
2009224659.tif 000003
【００５７】
表１より、本発明の紫外線硬化樹脂と水溶性ホットメルトは、従来ＵＶテープよりもチップずれが少なくチップを強力に固定できることを確認した。
【００５８】
実施例２
ウエーハ２の表面２ａをハーフカットダイシング後、本発明の樹脂からなる保護膜及び従来のＵＶテープからなる保護膜をウエーハの表面に貼り付け、ウエーハの裏面を研削し、ウエーハをチップに分割後の剥離工程でのそれぞれのウエーハ及びチップの状態を観察した。その結果を表２に示す。
【００５９】
【表２】
2009224659.tif 000004
【００６０】
表２より、保護膜として本発明の紫外線硬化樹脂又は水溶性ホットメルトを採用することにより、裏面研削でのチップ飛びを起こすことなく、保護膜剥離時の糊残りを起こすことなく、ウエーハを個々のチップに分割できることを確認した。
【００６１】
実施例３
剥離工程における紫外線硬化型樹脂と水溶性ホットメルトの水温に応じた剥離性と溶解性を測定した。その結果を表３に示す。
【００６２】
【表３】
2009224659.tif 000005
【００６３】
表３より、水温を４０℃以上とすることで、保護膜（樹脂膜）を容易に剥離及び溶解できることを確認した。このことより、保護膜を４０℃以上の温水に浸漬することによりチップにストレスをかけずに保護膜を取り除くことができた。
【００６４】
ウエーハ２の表面に貼付する保護膜として本発明の樹脂膜を採用した場合には、以下のような効果も期待できる。
（１）  本発明の樹脂膜は有機溶剤を使用しないので環境に対する負荷が小さい、すなわち環境に優しいということができる。
（２）  表面にバンプ等を有する面一でないワークに対しても形状に合わせて固定できるので有効である。
（３）  密着性が高いため、ワークと樹脂との間に加工屑が入るのを防止できる。更に、気泡の混入も防止することができる。
（４）  切削溝の中にダイシングの際の切削屑が残ったとしても、樹脂で固めてしまうために研削後に切削屑が外に出てくることはない。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は切削溝形成工程の説明図であり、図２（Ｂ）は切削溝が形成されたウエーハの断面図である。
【図３】切削溝が形成されたウエーハの表面側斜視図である。
【図４】樹脂塗布工程の説明図である。
【図５】図５（Ａ）はウエーハの裏面を研削する切削溝表出工程の説明図、図５（Ｂ）は研削によりウエーハの裏面に切削溝が表出された状態の断面図、図５（ｃ）はウエーハの裏面に切削溝が表出された状態のウエーハの斜視図である。
【図６】樹脂膜剥離工程の説明図である。
【符号の説明】
【００６６】
２    半導体ウエーハ
４    分割予定ライン
６    チップ（デバイス）
８    チャックテーブル
９    親水性樹脂
１０    切削装置
１２    切削ユニット
１４    アライメントユニット
１８    切削ブレード
２０    撮像手段
２２    切削溝
２４    樹脂テープ（保護テープ）
２６    研削装置
３６    研削砥石
４０    チャックテーブル
４６    吸引ヘッド
【図１】
2009224659.tif 000006
【図２】
2009224659.tif 000007
【図３】
2009224659.tif 000008
【図４】
2009224659.tif 000009
【図５】
2009224659.tif 000010
【図６】
2009224659.tif 000011