(57)【要約】【課題】電子部品との接続を良好に維持しつつ放熱性が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層１の一面の略中央部には、実装領域Ｓが設けられる。実装領域Ｓの内側から外側に延びるように導体パターン２が形成される。実装領域Ｓの周囲において、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層４が形成される。実装領域Ｓ上には、導体パターン２の端子部２１が配置され、その端子部２１に電子部品５のバンプがボンディングされる。絶縁層１の他面には例えば銅からなる金属層３が設けられる。金属層３には、電子部品５に対向する領域を挟むように一対のスリット３ａが形成される。各スリット３ａは、金属層３を複数の領域に分断しないように形成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される実装領域を有する配線回路基板であって、
絶縁層と、
前記絶縁層の一面に形成され、前記電子部品に電気的に接続されるべき導体パターンと、
前記絶縁層の他面に形成され、開口部を有する金属層とを備え、
前記開口部は、前記実装領域よりも外側における前記金属層の領域に配置されるとともに、前記金属層が分断されないように形成されたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記開口部は、前記実装領域に重なる前記金属層の領域を挟むように形成されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記開口部は線状のスリットを含み、前記スリットの一端部および他端部のうち少なくとも一方は前記金属層の縁部から離間することを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記実装領域は矩形状を有し、
前記スリットは、前記実装領域の互いに平行な一対の辺の一方および他方に沿って直線状にそれぞれ延びる第１および第２のスリットを含むことを特徴とする請求項３記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記第１および第２のスリットの幅は、０．１ｍｍよりも大きく２ｍｍよりも小さいことを特徴とする請求項４記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記第１および第２のスリットの長さは、前記実装領域の前記一対の辺の長さよりも１ｍｍ以上長いことを特徴とする請求項４または５記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記第１および第２のスリットの長さは、前記実装領域の前記一対の辺に平行な方向における前記金属層の長さの３分の２以下であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項８】
前記第１および第２のスリットと前記実装領域に重なる前記金属層の領域との距離は、それぞれ２ｍｍより大きく５ｍｍより小さいことを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項９】
電子部品が実装される実装領域を有する配線回路基板の製造方法であって、
絶縁層の一面に、前記電子部品に電気的に接続されるべき導体パターンを形成する工程と、
前記絶縁層の他面に、開口部を有する金属層を形成する工程とを備え、
前記開口部は、前記実装領域よりも外側における前記金属層の領域に配置されるとともに、前記金属層が分断されないように形成されることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＳＩ（Large scale integration）等の電子部品をフィルム状の基板に実装する技術として、ＣＯＦ（chip on film）実装技術がある。一般的に、ＣＯＦ用の基板（以下、ＣＯＦ基板と呼ぶ）は、ポリイミドからなる絶縁層と銅からなる導体パターンとの２層構造を有する。導体パターンには、端子部が形成される。導体パターンの端子部に電子部品の端子部（バンプ）がボンディングされる。
【０００３】
ところで、ＣＯＦ基板のファインピッチ化および電子部品の高性能化に伴い、駆動時の発熱量が多くなる。それにより、電子部品の誤動作等の不具合が発生することがある。そのため、放熱を十分に行うことが重要になる。そこで、ＣＯＦ基板の裏面（電子部品がボンディングされない側の面）に、放熱のための金属層を設けることが提案されている。
【特許文献１】特開２００７−２７６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば特許文献１に開示されるテープ配線基板では、チップ実装領域の下部において、ベースフィルムの下部面に金属層が形成されている。
【０００５】
図７は、金属層を備えた従来のＣＯＦ基板の模式的断面図である。図７のＣＯＦ基板２００においては、絶縁層３１の一面に導体パターン３２が設けられ、他面に金属層３３が設けられている。導体パターン３２の端子部には、電子部品３５のバンプ３５ａがボンディングされる。
【０００６】
このような構成により、金属層３３を通して電子部品３５の熱が放散される。しかしながら、ＣＯＦ基板２００上に電子部品３５を実装する際、またはＣＯＦ基板２００を折り曲げて使用する際に、金属層３３の一部に局所的に加わる応力が金属層３３を通してＣＯＦ基板２００の全体に伝播する。その結果、ＣＯＦ基板２００が全体的に湾曲した状態になる。それにより、図７（ｂ）に示すように、導体パターン３２の一部が絶縁層３１から剥離して断線したり、電子部品３５の端子部３５ａが導体パターン３２から離間したりする。それにより、電子部品３５とＣＯＦ基板２００の導体パターン３２との接続を良好に維持することができない。
【０００７】
本発明の目的は、電子部品との接続を良好に維持しつつ放熱性が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、電子部品が実装される実装領域を有する配線回路基板であって、絶縁層と、絶縁層の一面に形成され、電子部品に電気的に接続されるべき導体パターンと、絶縁層の他面に形成され、開口部を有する金属層とを備え、開口部は、実装領域よりも外側における金属層の領域に配置されるとともに、金属層が分断されないように形成されたものである。
【０００９】
この配線回路基板においては、絶縁層の一面に形成された導体パターンに電子部品が接続される。電子部品の熱は、絶縁層の他面に形成された金属層を通して放散される。それにより、電子部品の誤動作の発生を防止することができる。
【００１０】
また、実装領域よりも外側における金属層の領域に開口部が形成されることにより、電子部品の実装時等に配線回路基板の一部に局所的に加わる応力が、金属層を通して配線回路基板の全体に伝播することが抑制される。それにより、導体パターンの一部が絶縁層から剥離して断線すること、および電子部品が導体パターンから離間することが防止される。その結果、導体パターンと電子部品との間で接続不良が発生することが防止される。
【００１１】
また、金属層が分断されないように開口部が形成されることにより、金属層内における熱の伝達効率の低下が抑制される。それにより、金属層による放熱性を十分に確保しつつ導体パターンと電子部品との接続を良好に維持することができる。
【００１２】
（２）開口部は、実装領域に重なる金属層の領域を挟むように形成されてもよい。
【００１３】
この場合、実装領域に加わる応力が金属層を通して実装領域の外側の領域に伝播することが抑制される。また、実装領域の外側に加わる応力が金属層を通して実装領域に伝播することが抑制される。これにより、簡単な構成で効率良く金属層内での応力の伝播を抑制することができる。
【００１４】
（３）開口部は線状のスリットを含み、スリットの一端部および他端部のうち少なくとも一方は金属層の縁部から離間してもよい。
【００１５】
この場合、開口部が線状のスリットであることにより、金属層の面積を十分に確保することができる。また、スリットの一端部および他端部のうち少なくとも一方は金属層の縁部から離間するので、スリットによって金属層が分断されない。したがって、金属層による放熱性を十分に確保しつつスリットにより金属層内での応力の伝播を十分に抑制することができる。
【００１６】
（４）実装領域は矩形状を有し、スリットは、実装領域の互いに平行な一対の辺の一方および他方に沿って直線状にそれぞれ延びる第１および第２のスリットを含んでもよい。
【００１７】
この場合、簡単な構成で金属層による放熱性を確保しつつ金属層内での応力の伝播を十分に抑制することができる。
【００１８】
（５）第１および第２のスリットの幅は、０．１ｍｍよりも大きく２ｍｍよりも小さくてもよい。この場合、金属層内での応力の伝播をより十分に抑制することができる。
【００１９】
（６）第１および第２のスリットの長さは、実装領域の一対の辺の長さよりも１ｍｍ以上長くてもよい。この場合、金属層内での応力の伝播をより十分に抑制することができる。
【００２０】
（７）第１および第２のスリットの長さは、実装領域の一対の辺に平行な方向における金属層の長さの３分の２以下であってもよい。この場合、金属層による放熱性をより十分に確保することができる。
【００２１】
（８）第１および第２のスリットと実装領域に重なる金属層の領域との距離は、それぞれ２ｍｍより大きく５ｍｍより小さくてもよい。この場合、金属層による放熱性を十分に確保しつつ金属層内での応力の伝播を十分に抑制することができる。
【００２２】
（９）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、電子部品が実装される実装領域を有する配線回路基板の製造方法であって、絶縁層の一面に、電子部品に電気的に接続されるべき導体パターンを形成する工程と、絶縁層の他面に、開口部を有する金属層を形成する工程とを備え、開口部は、実装領域よりも外側における金属層の領域に配置されるとともに、金属層が分断されないように形成されるものである。
【００２３】
この配線回路基板の製造方法においては、絶縁層の一面に導体パターンが形成され、絶縁層の他面に金属層が形成される。この場合、導体パターンに接続された電子部品の熱が、金属層を通して放散される。それにより、電子部品の誤動作の発生を防止することができる。
【００２４】
また、実装領域よりも外側における金属層の領域に開口部が形成されることにより、電子部品の実装時等に配線回路基板の一部に局所的に加わる応力が、金属層を通して配線回路基板の全体に伝播することが抑制される。それにより、導体パターンの一部が絶縁層から剥離して断線すること、および電子部品が導体パターンから離間することが防止される。その結果、導体パターンと電子部品との間で接続不良が発生することが防止される。
【００２５】
また、金属層が分断されないように開口部が形成されることにより、金属層内における熱の伝達効率の低下が抑制される。それにより、金属層による放熱性を十分に確保しつつ導体パターンと電子部品との接続を良好に維持することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、電子部品の熱が、絶縁層の他面に形成された金属層を通して放散されるので、電子部品の誤動作の発生を防止することができる。また、金属層による放熱性を十分に確保しつつ導体パターンと電子部品との接続を良好に維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本実施の形態では、配線回路基板の一例としてＣＯＦ（chip on film）用の基板（以下、ＣＯＦ基板と呼ぶ）について説明する。
【００２８】
（１）構成
図１は本実施の形態に係るＣＯＦ基板の断面図であり、図２は本実施の形態に係るＣＯＦ基板の平面図である。なお、図２（ａ）は図１におけるＣＯＦ基板の上面を示し、図２（ｂ）は図１におけるＣＯＦ基板の下面を示す。また、図２（ａ）および図２（ｂ）のＡ−Ａ線断面が図１の断面に相当する。
【００２９】
図１および図２に示すように、ＣＯＦ基板１００は例えばポリイミドからなる絶縁層１を有する。絶縁層１の一面の略中央部には、実装領域Ｓが設けられる。実装領域Ｓの内側から外側に延びるように導体パターン２が形成される。なお、導体パターン２は、電気信号を伝送するための信号線と、電気信号を伝送しないダミー線とを含む。実装領域Ｓの周囲において、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層４が形成される。実装領域Ｓ上には、導体パターン２の端子部２１が配置される。
【００３０】
実装領域Ｓに重なるように、絶縁層１上に電子部品５（例えばＬＳＩ（Large scale integration））が実装される。具体的には、電子部品５のバンプ５ａ（図１）が導体パターン２の端子部２１にボンディングされる。実装領域Ｓの形状は、平面視における電子部品５の形状と等しく設定される。本例では、長方形状を有する電子部品５が用いられる。
【００３１】
図２（ｂ）に示すように、絶縁層１の他面には例えば銅からなる金属層３が設けられる。金属層３には、電子部品５に対向する領域を挟むように一対のスリット３ａが形成される。
【００３２】
各スリット３ａは、金属層３を複数の領域に分断しないように形成される。すなわち、各スリット３ａの一端および他端の少なくとも一方は、金属層３の四辺から離間する。
【００３３】
このＣＯＦ基板１００においては、電子部品５から発生する熱が絶縁層１を介して金属層３に伝達されて放散される。そのため、電子部品５およびその周囲に熱が滞留しないので、電子部品５の誤作動が発生することが防止される。
【００３４】
（２）スリットの詳細な形状
図３は、金属層３に形成されるスリット３ａの詳細な形状について説明するための平面図である。以下の説明において、電子部品５に対向する金属層３の矩形の領域（図３に一点鎖線で示す領域）を対向領域Ｓａと称し、対向領域Ｓａの短辺Ｂ１に平行な方向を短辺方向と称し、対向領域Ｓａの長辺Ｂ２に平行な方向を長辺方向と称する。なお、対向領域Ｓａの形状は平面視における電子部品５の形状と同じである。
【００３５】
図３において、各スリット３ａの幅Ｗ１は０．１ｍｍよりも大きく２ｍｍよりも小さいことが好ましい。また、各スリット３ａは短辺方向に平行であることが好ましく、各スリット３ａの長さＬ１は対向領域Ｓａの短辺Ｂ１の長さＬ２よりも１ｍｍ以上大きいことが好ましい。また、各スリット３ａの長さＬ１は短辺方向における金属層３の長さＬ３の３分の２以下であることが好ましい。
【００３６】
また、短辺方向における各スリット３ａの一端部と対向領域Ｓａとの距離Ｄ１、および短辺方向における各スリット３ａの他端部と対向領域Ｓａとの距離Ｄ２は、それぞれ０．５ｍｍ以上であることが好ましい。また、各スリット３ａと対向領域Ｓａとの長辺方向における距離Ｄ３は２ｍｍよりも大きく５ｍｍよりも小さいことが好ましい。
【００３７】
（３）製造方法
次に、本実施の形態に係るＣＯＦ基板１００の製造方法の一例を説明する。図４および図５は、本実施の形態に係るＣＯＦ基板１００の製造方法について説明するための工程断面図である。なお、図４および図５に示す断面は、図２のＢ−Ｂ線断面に相当する。
【００３８】
図４（ａ）に示すように、ポリイミドおよび銅からなる２層基材を用意する。この２層基材は、ＣＯＦ基板１００の絶縁層１および金属層３に相当する。
【００３９】
まず、絶縁層１の上面にスパッタリングにより金属薄膜（図示せず）を形成する。そして、図４（ｂ）に示すように、金属薄膜上に導体パターン２（図１）の反転パターンを有するドライフィルムレジスト１２を形成する。反転パターンは、ドライフィルムレジスト１２に露光および現像を行うことにより形成される。
【００４０】
次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁層１の露出部分（金属薄膜の露出部分）に電解めっきにより導体パターン２を形成する。そして、図４（ｄ）に示すように、ドライフィルムレジスト１２を剥離液によって除去するとともに、ドライフィルムレジスト１２下の金属薄膜の領域をエッチングにより除去する。
【００４１】
続いて、電子部品５との接続のための表面処理として、導体パターン２の表面に錫の無電解めっきを行う。その後、図５（ｅ）に示すように、導体パターン２の所定の領域を覆うようにカバー絶縁層４を形成する。
【００４２】
次に、図５（ｆ）に示すように、スリットを形成する領域を除いて金属層の下面にドライフィルムレジスト１３を形成する。そして、図５（ｇ）に示すように、露出する金属層３の部分をエッチングし、スリット３ａを形成する。その後、図５（ｈ）に示すように、剥離液によってドライフィルムレジスト１３を除去する。このようにして、本実施の形態に係るＣＯＦ基板１００が完成する。
【００４３】
なお、ここでは導体パターン２をセミアディティブ法により形成する例を示したが、導体パターン２をサブトラクティブ法により形成してもよい。
【００４４】
（４）実施の形態の効果
本実施の形態では、電子部品５に対向する領域を挟むように金属層２に一対のスリット３ａが形成される。それにより、電子部品３５の実装時またはＣＯＦ基板１００の折曲時等において、ＣＯＦ基板１００の一部に局所的に加わる応力が金属層２を通してＣＯＦ基板１００の全体に伝播することが防止される。
【００４５】
具体的には、一対のスリット３ａの外側におけるＣＯＦ基板１００の領域に加わる応力が一対のスリット３ａの内側におけるＣＯＦ基板１００の領域に伝播することが防止される。また、一対のスリット３ａの内側におけるＣＯＦ基板１００の領域に加わる応力が一対のスリット３ａの外側におけるＣＯＦ基板１００の領域に伝播することが防止される。それにより、導体パターン２の一部が絶縁層１から剥離して断線すること、および電子部品５のバンプ５ａが導体パターン２の端子部２１ａから離間することが防止される。
【００４６】
なお、スリット３ａによって金属層３が分断されると、金属層２における熱の伝達効率が低下し、放熱性が悪化する。そこで、本実施の形態では、金属層２が分断されないようにスリット３ａが形成される。そのため、放熱性を悪化させることなく、応力の伝播を抑制することができる。
【００４７】
これらにより、電子部品５と配線パターン２１との接続を良好に維持しつつ放熱性を十分に向上させることができる。
【００４８】
（５）実施例および比較例
上記のＣＯＦ基板１００において、スリット３ａの幅Ｗ１および長さＬ１、ならびに各スリット３ａと対向領域Ｓａとの長辺方向における距離Ｄ３を種々の値に設定し（図３参照）、ＣＯＦ基板１００と電子部品５との接続性およびＣＯＦ基板１００の放熱性を調べた。
【００４９】
なお、絶縁層１の材料としてポリイミドを用い、導体層２および金属層３の材料として銅を用いた。また、絶縁層１の厚さを３５μｍをとし、金属層３の厚さを１５μｍとした。また、導体パターン２の各信号線の幅を８μｍとし、実装領域Ｓにおいて隣接する信号線間の距離を１２μｍとした。また、対向領域Ｓａの短辺Ｂ１の長さＬ２を１．６ｍｍとし、対向領域Ｓａの長辺Ｂ２の長さＬ４を１５．１ｍｍとした。すなわち、平面視において１．６ｍｍの短辺および１５．１ｍｍの長辺を有する電子部品５を用いた。また、短辺方向における金属層３の長さＬ３を１５ｍｍとした。
【００５０】
（５−１）実施例
実施例１〜１０における幅Ｗ１、長さＬ１，Ｌ２，Ｌ３および距離Ｄ３（図３参照）の設定値を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2009182228.tif 000003
【００５２】
表１に示すように、実施例１〜４では、長さＬ１および距離Ｄ３をそれぞれ７ｍｍおよび３ｍｍに設定し、幅Ｗ１を０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、１ｍｍまたは１．５ｍｍに設定した。実施例５〜８では、幅Ｗ１および距離Ｄ３をそれぞれ１ｍｍおよび３ｍｍに設定し、長さＬ１を１ｍｍ、３ｍｍ、１０ｍｍまたは１３ｍｍに設定した。実施例９，１０では、幅Ｗ１および長さＬ１をそれぞれ１ｍｍおよび７ｍｍに設定し、距離Ｄ３を３ｍｍまたは４ｍｍに設定した。
【００５３】
（５−２）比較例
比較例１，２における幅Ｗ１、長さＬ１，Ｌ２，L３および距離Ｄ３（図３参照）の設定値を表２に示す。
【００５４】
【表２】
2009182228.tif 000004
【００５５】
表２に示すように、比較例１では、金属層３にスリット３ａを形成しなかった。また、比較例２では、幅Ｗ１および距離Ｄ３をそれぞれ１ｍｍおよび３ｍｍに設定するとともに、金属層３を分断するようにスリット３ａを形成した。
【００５６】
（５−３）評価
実施例１〜８および比較例１，２のＣＯＦ基板１００において、電子部品５の実装時における導体パターン２の断線率および放熱性の良否を調べた。
【００５７】
なお、実装時のツール温度を４３０℃とし、ステージ温度を１００℃とし、実装荷重を３０Ｎとした。ここで、ツール温度は、導体層２の端子部２１ａまたは電子部品５の端子部２１の加熱温度であり、ステージ温度は、電子部品５の実装時にＣＯＦ基板１００が載置されるステージの温度である。
【００５８】
表３に、実施例１〜８および比較例１，２における導体パターン２の断線率を示す。
【００５９】
【表３】
2009182228.tif 000005
【００６０】
表３に示すように、実施例１〜１０においては、比較例１に比べて断線率が低かった。これにより、金属層３にスリット３ａが形成されている場合には、スリット３ａが形成されてない場合に比べて導体パターン２と電子部品５との接続が良好に維持されることがわかった。
【００６１】
また、実施例１〜８においては電子部品５の熱が適度に放散されたが、比較例２においては電子部品５の熱が放散されなかった。これにより、金属層３がスリット３ａによって分断されない場合には、金属層３がスリット３ａによって分断される場合に比べて良好な放熱性が確保されることがわかった。
【００６２】
また、実施例１〜４により、スリット３ａの幅Ｗ１が０．２〜１．５ｍｍの範囲で設定された場合には、スリット３ａの幅Ｗ１が１ｍｍに設定された場合に比べて導体パターン２と電子部品５との接続がより良好に維持されることがわかった。
【００６３】
また、実施例５〜８により、スリット３ａの長さＬ１が３〜１３ｍｍの範囲で設定された場合には、スリット３ａの長さＬ１が１ｍｍに設定された場合に比べて導体パターン２と電子部品５との接続がより良好に維持されることがわかった。
【００６４】
また、実施例９，１０により、各スリット３ａと対向領域Ｓａとの長辺方向における距離Ｄ３が３〜４ｍｍの範囲で設定された場合には、導体パターン２と電子部品５との接続が良好に維持されることがわかった。
【００６５】
（６）スリットの変形例
金属層３に形成されるスリット３ａの配置および形状は上記の例に限定されない。図６は、金属層３に形成されるスリット３ａの変形例を示す図である。
【００６６】
図６（ａ）の例では、対向領域Ｓａを挟む一方および他方の領域において、金属層３の一方の長辺から複数のスリット６ａが短辺方向に所定の長さで延び、金属層３の他方の長辺から複数のスリット６ｂが短辺方向に所定の長さで延びている。スリット６ａとスリット６ｂとは、互いに連続しないように交互に配置されている。本例においても、スリット６ａ，６ｂにより、金属層３内での応力の伝播を十分に抑制することができる。また、スリット６ａ，６ｂによって金属層３が分断されないので、放熱性を良好に維持することができる。
【００６７】
図６（ｂ）の例では、対向領域Ｓａを挟む一方および他方の領域において、金属層３の一方の長辺から複数のスリット７ａが短辺方向に所定の長さで延び、複数のスリット７ａに対応するように金属層３の他方の長辺から複数のスリット７ｂが短辺方向に所定の長さで延びている。各スリット７ａとそれに対応するスリット７ｂとは、共通の直線上で互いに離間するように配置されている。隣接する２対のスリット７ａ，７ｂの間でかつ短辺方向の中央部の領域には、スリット７ｃが形成されている。本例においても、スリット７ａ，７ｂ，７ｃにより、金属層３内での応力の伝播を十分に抑制することができる。また、スリット７ａ，７ｂ，７ｃによって金属層３が分断されないので、放熱性を良好に維持することができる。
【００６８】
図４（ｃ）の例では、対向領域Ｓａを挟む一方および他方の領域に複数の略円弧状のスリット８ａおよびスリット８ｂがそれぞれ形成されている。スリット８ａとスリット８ｂとは対向領域Ｓａに関して互いに対称に形成されている。本例においても、スリット８ａ，８ｂにより、金属層３内での応力の伝播を十分に抑制することができる。また、スリット８ａ，８ｂによって金属層３が分断されないので、放熱性を良好に維持することができる。
【００６９】
スリットの位置、数および形状はこれらに限定されず、電子部品５の形状または大きさ等に応じて、適宜変更してもよい。また、線状のスリットの代わりに、円形状または三角形状等の他の形状を有する開口部が金属層３に形成されてもよい。
【００７０】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００７１】
上記実施の形態では、ＣＯＦ基板１００が配線回路基板の例であり、スリット３ａ，６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，７ｃ，８ａ，８ｂが開口部の例であり、スリット３ａが第１および第２のスリットの例である。
【００７２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００７３】
（８）他の実施の形態
絶縁層１の材料は、ポリイミドに限らず、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルフォン等の他の絶縁材料を用いてもよい。また、導体パターン２の材料は、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。
【００７４】
金属層３の材料は、銅に限らない。ただし、例えば銅、金、銀またはアルミニウム等の熱伝導率が高い金属を用いることが好ましい。
【００７５】
本発明は、フレキシブル配線回路基板、リジッド配線回路基板等の種々の配線回路基板に適用することができる。また、電子部品６０としては、ＬＳＩに限らず、コンデンサ等の他の電子部品を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、電子部品が実装される種々の配線回路基板に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本実施の形態に係るＣＯＦ基板の断面図である。
【図２】本実施の形態に係るＣＯＦ基板の平面図である。
【図３】金属層３に形成されるスリットの詳細な形状について説明するための平面図である。
【図４】本実施の形態に係るＣＯＦ基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図５】本実施の形態に係るＣＯＦ基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図６】金属層に形成されるスリットの変形例を示す図である。
【図７】金属層を備えた従来のＣＯＦ基板の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１，３１  絶縁層  
２，３２  導体パターン  
３，３３  金属層  
３ａ，６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，７ｃ，８ａ，８ｂ  スリット
４  カバー絶縁層
５，３５  電子部品
５ａ，３５ａ  バンプ
２１  端子部
Ｓ  実装領域
Ｓａ  対向領域
１００  ＣＯＦ基板
【図１】
2009182228.tif 000006
【図２】
2009182228.tif 000007
【図３】
2009182228.tif 000008
【図４】
2009182228.tif 000009
【図５】
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【図６】
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【図７】
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