(57)【要約】      （修正有）【課題】イオン拡散の発生を防止でき、さらにガラス基板との密着性の良い膜を形成する半導体デバイス、半導体製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置に、半導体基材上に設けられた絶縁膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の窒化膜を形成する手段５と、前記窒化膜に１２００ＧＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段６，７と、前記窒化膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の別の窒化膜を形成する手段５と、前記別の窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段６，７と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基材上に設けられた絶縁膜上に、各々が１５ｎｍ以下の膜厚の窒化膜が複数設けられている半導体デバイス。
【請求項２】
前記各窒化膜は、１５００ＭＰａ以上の引っ張り力を有する、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
半導体基材上に設けられた絶縁膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の窒化膜を形成する手段と、
前記窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段と、
前記窒化膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の別の窒化膜を形成する手段と、
前記別の窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段と、
を備える半導体製造装置。
【請求項４】
前記各処理する手段は、４００℃以上の温度下で１７２ｎｍ以上の波長の光を照射する手段である、請求項３記載の半導体製造装置。
【請求項５】
同一又は異なる波長の光を同時又は順次照射する、請求項３記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記各処理する手段は、３００ｎｍ以上の波長を含む光と、３００ｎｍ以下の光を照射する、請求項３記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記各処理する手段は、赤外線による閃光手段を含む、請求項３記載の半導体製造装置。
【請求項８】
半導体基材上に設けられた絶縁膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の窒化膜を形成するステップと、
前記窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理するステップと、
前記窒化膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の別の窒化膜を形成するステップと、
前記別の窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理するステップと、
を含む半導体製造方法。
【請求項９】
半導体基材上に設けられたトランジスター上にサイドウォール絶縁膜を形成し、
前記サイドウォール絶縁膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の窒化膜を形成するステップと、
前記窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理するステップと、
前記窒化膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の別の窒化膜を形成するステップと、
前記別の窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理するステップと、
を含む半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、半導体製造装置及び半導体製造方法に関し、特に、歪シリコン用窒化膜に係る半導体デバイス、半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、歪シリコン用ＳｉＮ膜を形成する際に、Ｎチャントランジスター上にはテンスルストレスが大きいＳｉＮ膜をＰチャントランジスター上にはコンプレッシブストレスの大きいＳｉＮ膜を形成していた。テンスルストレスは膜厚が３０ｎｍであれば、ストレスの値は１．５ＧＰａ以上は必要とされていた。従来はテンスルストレスを大ききするためにＳｉＮ膜に単に紫外光を照射していた。
【０００３】
ここで、特許文献１には、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第１の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、前記被処理体を前記第１の温度よりも高い第２の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程と、を有する成膜方法が開示されている。特許文献１によれば、アニール温度が４００〜４５０℃の範囲内の場合には、少なくとも１０分以上紫外線アニール処理を行うことにより、ストレスを十分に大きな値である１ＧＰａ以上まで増大できることが確認できた、とされている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３５７４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に開示されている成膜方法では、ＳｉＮ膜の膜厚が例えば３０ｎｍ必要であるとした場合に、３０ｎｍの膜厚のＳｉＮ膜を成厚してから紫外線照射をしたのでは、ＳｉＮ膜のストレス増加は限定的でしかない。具体的には、ＳｉＮ膜のごく表面部分のみ、ストレスが大きくなるだけである。
【０００６】
この点につき詳細に検証したところ、低圧Ｈｇランプの波長２５４ｎｍでもＳｉＮ膜厚３０ｎｍの底部分では２４％程度の光量しか到達していなかった。また、この波長ではＳｉ−ＨまたはＮ−Ｈ結合を解除できないことがわかった。
【０００７】
そこで、本発明は、ＳｉＮ膜の処理手法を工夫して、ＳｉＮ膜全体にわたって強ストレスとすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の半導体製造装置は、
半導体基材上に設けられた絶縁膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の窒化膜を形成する手段と、
前記窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段と、
前記窒化膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の別の窒化膜を形成する手段と、
前記別の窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段と、
を備える。
【０００９】
本発明者は、例えば、窒化膜であるところのＳｉＮ膜を１０ｎｍ〜１５ｎｍ程度と薄くした状態で、所定時間、紫外線等を照射すれば、ＳｉＮ膜のストレスが急激に大きくなることを見出した。また、ＳｉＮ膜中の水素を除去することにより、ＳｉＮ膜をさらに強ストレスとすることができることも見出した。
【発明の実施の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、各図において、同様の部分には、同一の符号を付している。
図１は、本発明の実施形態の半導体製造装置の模式的な構成図である。図１には、ウェハが収容されるフープ１と、フープ１から取り出されたウェハの位置決めを行うウェハアライメント２と、ロードロック機構を有するロードロックチャンバー３と、ＳｉＮ膜形成用の第一チャンバー５と、アニール用の第二チャンバー６と、第二チャンバー６とは別のアニール用の第三チャンバー７と、ロードロックチャンバー３と第一チャンバー５と第二チャンバー６と第三チャンバー７との間でウェハを搬送するロボットアームを有するトランスファーチャンバー４とを示している。なお、第二チャンバー６は、紫外線、可視線、赤外線アニールチャンバーであり、第三チャンバー７は、紫外線アニールチャンバーである。
【００１１】
図２は、図１の第一チャンバー５付近の模式的な構成図である。図２には、Ｎ２ガスのガス供給管１１と、ガス供給管１１に接続されているマスフローコントローラー１２と、マスフローコントローラー１２を通過したＮ２ガスの流量を制御するバルブ１３と、第一チャンバー５におけるＮ２ガスの導入口付近に設けられていて連続的・定期的・間歇的にメタルハライドランプ１０１からの照射光の照度を測定するセンサー１０４と、第一チャンバー５内上部に設けられている例えば３００ｎｍ以上の波長の光を照射するランプであるところのメタルハライドランプ１０１と、メタルハライドランプ１０１間に設けられていて照射光を効率よくウェハ４１に向けるための反射板２１と、メタルハライドランプ１０１近傍に設けられていてメタルハライドランプ１０１を冷却するための空気口１４と、ウェハ４１とメタルハライドランプ１０１との間を仕切る石英板１１０と、ウェハ４１を加熱する絶縁物（ＡｌＮ）から成るヒーター５１と、トランスファーチャンバー４によって搬送されてきたウェハ４１を受けるリフトピン５２と、第一チャンバー５内のガスを排気する排気バルブ６２と、排気バルブ６２に接続されている排気ポンプ６１とが接続されている。なお、メタルハライドランプ１０１に代えて、赤外線を例えば０．１〜１秒間、出射するフラッシュアニール用ランプ（閃光手段）を設けてもよい。
【００１２】
図３は、図１の第二チャンバー６付近の模式的な構成図である。図３には、図２に示す第一チャンバー５と対比すると、メタルハライドランプ１０１及び石英板１１０に代えて、紫外光を照射する低圧水銀ランプ又はキセノンエキシマランプなどの紫外線ランプ２０１と、紫外線ランプ２０１を覆う石英パイプ２０２と、紫外線ランプ２０１を冷却するとともに紫外線ランプ２０１内に酸素が混入することを防止する窒素ガスまたは不活性ガス２０３とを設けている点が異なる。
【００１３】
つぎに、図１に示す半導体製造装置による処理手順について説明する。本実施形態では、まず、図示しないクリーンルーム内の洗浄装置からフープ１に収容された状態で例えばウェハ４１が搬送されてくる。その後、ウェハ４１は、フープ１から取り出され、ウェハアライメント２側へ搬送される。
【００１４】
ウェハアライメント２では、ウェハ４１の位置決めが行われる。その後、ウェハ４１は、第一チャンバー５に搬送されるのに先立って、ロードロックチャンバー３に搬送される。
【００１５】
つぎに、ロードロックチャンバー３内が減圧される。そして、ロードロックチャンバー３内が所望の圧力になると、ロードロックチャンバー３とトランスファーチャンバー４との間を仕切っているゲートバルブが開かれる。
【００１６】
その後、ウェハ４１は、トランスファーチャンバー４内に搬送される。つづいて、トランスファーチャンバー４内のロボットアームによって、ロードロックチャンバー３内から第一チャンバー５内へ、ウェハ４１が搬送されていく。
【００１７】
第一チャンバー５では、既知の手法によって（例えばテンするストレスであればアノードカップリング法など）、ウェハ４１上にＳｉＮ膜が形成される。ＳｉＮ膜の厚さは１０ｎｍ〜１５ｎｍ程度とする。その後、ウェハ４１が、トランスファーチャンバー４内のロボットアームによって、第一チャンバー５から第二チャンバー６に搬送される。
【００１８】
なお、第一チャンバー５は、ウェハ４１の取り出し後に、クリーニングされる。クリーニングの手法は不問であるが、一例としては、第一チャンバー５内に、約５００ｃｃ／ｍｉｎの流量のＡｒガスと、約１０００ｃｃ／ｍｉｎの流量のＯ２ガスと、約２０００ｃｃ／ｍｉｎの流量のＮＦ３ガスとの混合ガスを、図示しないリモートプラズマ装置に向けて出力する。そして、そのリモートプラズマ装置をオンして、各ガスをプラズマ化させて、リモートプラズマ装置に導入する。この際、排気ポンプをオンし、かつ、排気バルブを開くことで、第一チャンバー５内を排気する。排気時の第一チャンバー５内の圧力は、６７〜１３３Ｐａ程度とすればよい。
【００１９】
第二チャンバー６では、ヒーター５１が３５０〜５００℃の範囲（例えば、４００℃）に加熱される。つぎに、固定式のヒーター５１に対して予め上方に位置するリフトピン５２の上にウェハ４１を載置させてから、図示しない駆動機構によってリフトピン５２を下降させて、ウェハ４１をヒーター５１上に載置させる。或いは、可動式のヒーター５１を予め下降させておき、リフトピン５２の上にウェハ４１を載置させてから、ヒーター５１を上昇させて、ウェハ４１をヒーター５１上に載置させてもよい。
【００２０】
第二チャンバー６では、すでに排気ポンプ６１がオンし、かつ、排気バルブ６２を開き、第二チャンバー６内の圧力を１００〜３００Ｐａ（例えば、１３３Ｐａ）となる条件で排気する。この状態で、マスフローコントローラー１２の制御によって内蔵されているバルブを開き、かつ、バルブ１３を開くと、ガス供給管１１を通じてＮ２ガスが第二チャンバー６に導入される。
【００２１】
そして、Ｎ２ガスを１００〜３００ｃｃ／ｍｉｎ（例えば、２００ｃｃ／ｍｉｎ）を流し、かつ、メタルハライドランプ１０１から、例えば、波長１８５＋２５４ｎｍ、パワー４００ｍＷ／ｃｍ２の光（３６５ｎｍで測定）を、スループットが低下しない範囲で、数分程度（例えば５分）照射することによって、ウェハ４１の紫外線アニール処理を行う。
【００２２】
その後、ウェハ４１が、トランスファーチャンバー４内のロボットアームによって、第二チャンバー６から第三チャンバー７に搬送される。第三チャンバー７では、ヒーター５１が３００〜５５０℃（例えば、４５０℃）に加熱されていて、紫外線ランプ２０１から、パワー２２ｍＷ／ｃｍ２の光（２５４ｎｍで測定）を５〜１５分照射することによって、紫外線アニール処理を行う。
【００２３】
紫外線アニール処理を行ったウェハ４１を第三チャンバー７から取り出して、ＳｉＮ膜のストレスを計測してみたところ、ＳｉＮ膜のストレスの増加は、約１３００ＭＰａとなった。
【００２４】
その後、ウェハ４１が、トランスファーチャンバー４内のロボットアームによって、第三チャンバー７から第一チャンバー５に搬送され、以下、第一チャンバー５での処理と第二チャンバー６での処理と第三チャンバー７での処理とを、ＳｉＮ膜の厚さが３０ｎｍ程度になるまで数回繰り返す。
【００２５】
最後の紫外線アニール処理を行ったウェハ４１を第三チャンバー７から取り出して、ＳｉＮ膜のストレスを調べてみたところ、ＳｉＮ膜の厚さが増加しても、ＳｉＮ膜のストレスの増加は、約１３００ＭＰａで変わらなかった。また、ＳｉＮ膜の膜厚を４０ｎｍとしたところ、３０ｎｍの場合に比して、約１．３倍の力が加わることになる。
【００２６】
なお、実験では、紫外線アニール処理前のＳｉＮ膜はストレスがコンプレッシブで約−４００ＭＰａであったので、ＳｉＮ膜のストレスが約１３００ＭＰａ増加したことによって、紫外線アニール処理後のＳｉＮ膜は約９００ＭＰａとなった。
【００２７】
また、第二チャンバー６での処理を行うことなく、第一チャンバー５での処理と第三チャンバー７での処理とを数回繰り返したところ、ＳｉＮ膜のストレスの増加は、約１１００ＭＰａであった。この測定結果も従来のものよりは優れていることがわかるが、この点について、以下、図４，図５を用いて説明する。
【００２８】
図４は、ＳｉＮ膜の厚さとストレスの増加と透過率との関係を示すグラフである。図４には、紫外線ランプ２０１であるところの低圧Ｈｇランプを用いて実験した測定値と計算上求めた算出値とを示している。図４に示すように、実験時の条件は、以下の通りである。
【００２９】
温度    ：４００℃
パワー  ：２．７ｍＷ／ｃｍ２
波長    ：１８５ｎｍ，２５４ｎｍ
時間    ：３０分
この条件下での実験結果に示すように、ＳｉＮ膜の膜厚が増加するにつれて、ＳｉＮ膜のストレスの増加が低下し、かつ、ＳｉＮ膜の透過率が減少する。
【００３０】
図５は、紫外ランプ２０１であるところの低圧ＨｇランプでＳｉＮ膜を照射したときのＳｉＮ膜の吸収スペクトラムと処理時間の関係を示す実験結果である。図５に示すように、
３３００ｃｍ−１付近の波長は、Ｎ−Ｈ結合に対応する波長である。３３００ｃｍ−１付近では吸収度が減少していないことから明らかなように切断されない。同様に、２３００ｃｍ−１付近のＳｉ−Ｈ結合も低圧Ｈｇランプででは切断されないことがわかる。一方、１８００〜１５００ｃｍ−１付近の波長は−ＯＨ結合に対応する波長であり、吸収度が増加しているが、これは測定時の雰囲気の影響である。また、１２５０ｃｍ−１程度のＳｉ−ＮＨ２結合、さらに、９００ｃｍ−１程度のＳｉ−Ｎ結合は低圧Ｈｇランプによって影響を受けない。要するに低圧Ｈｇランプの波長２５４ｎｍはＳｉ−ＨまたはＮ−Ｈ結合を切断するエネルギーを持っているが、ＳｉＮ膜中のＨを除去できないことがわかる。
【００３１】
つまり、紫外線ランプ２０１であるところの低圧水銀ランプを用いてアニール処理を行ってもＳｉ−Ｈ結合，Ｎ−Ｈ結合は切断されない。これらの結合を切断するためには、メタルハライドランプ１０１のように、長波長ランプを用いることが必要である。したがって、第二チャンバー６での処理を行うことによってＳｉＮ膜から水素（Ｈ）を脱離させれば、ＳｉＮ膜のストレスをさらに強くすることが可能となるのである。
【００３２】
図６は、紫外線照射時間とＳｉＮ膜のストレスの増加との関係を示す図である。図６には、紫外線ランプ２０１であるところの低圧Ｈｇランプを用いる場合の算出値を示している。図６に示すように、実験時の条件は、以下の通りである。
【００３３】
温度    ：４５０℃
パワー  ：２２ｍＷ／ｃｍ２
波長    ：１８５ｎｍ，２５４ｎｍ
膜厚    ：５ｎｍ，１０ｎｍ，１５ｎｍ，３０ｎｍ
図６に示すように、ＳｉＮ膜の膜厚の差があっても紫外線照射時間が５分を超えるあたりまで、急激にＳｉＮ膜のストレスが増加し、その後は緩やかな増加となる。また、膜厚のみ変化させ、他の条件を同一とした場合には、膜厚が薄ければ薄いほど、紫外線照射時間が少なくてもＳｉＮ膜のストレスが増加する。
【００３４】
ここで注目すべきは、ＳｉＮ膜のストレスの増加量を例えば１２００ＭＰａとしたい場合には、
ＳｉＮ膜の膜厚が３０ｎｍの場合、紫外線照射時間が３０分であっても到達せず、
ＳｉＮ膜の膜厚が１５ｎｍの場合、紫外線照射時間が約２０分必要であり、
ＳｉＮ膜の膜厚が１０ｎｍの場合、紫外線照射時間が約８分で済み、
ＳｉＮ膜の膜厚が５ｎｍの場合、紫外線照射時間が５分もかからない、という点である。つまり、ＳｉＮ膜の膜厚を３０ｎｍとし、かつ、ＳｉＮ膜のストレスの増加量を例えば１２００ＭＰａとしたい場合には、一度に３０ｎｍの膜厚のＳｉＮ膜を形成してから、これをアニール処理しようとすると、実際にはそのような実験はしていないが、図６に示す算出値から予想すると、数時間かかることになろう。
【実施例】
【００３５】
（実施例１）
図７は、本発明の実施例１に係るウェハ４１の一部の模式的な断面図である。図７には、いわゆる歪シリコン構造のウェハ４１を示している。ウェハ４１は、Ｐ型シリコン基板３０１と、Ｐ型シリコン基板３０１内に設けられたＮ型ウェル領域３０２と、Ｐ型シリコン基板３０１内であってＮ型ウェル領域３０２の内外に設けられたシリコン−ゲルマンなどを材料としたソースドレイン３０３とを備える。
【００３６】
Ｐ型シリコン基板３０１上には、Ｐチャネルトランジスター４０１と、Ｎチャネルトランジスター４０２とが形成されている。各トランジスター４０１，４０２は、Ｐ型シリコン基板３０１上に設けられたゲート酸化膜３２０と、ゲート酸化膜３２０上に設けられたゲート電極３２１と、ゲート電極３２１を覆う酸化膜３２２とが設けられている。
【００３７】
Ｐチャネルトランジスター４０１は、コンプレッシブ膜３０７によって覆われていて、Ｎチャネルトランジスター４０２は、順次形成されたＳｉＮ膜３０８〜３１０によって覆われている。ＳｉＮ膜３０８〜３１０の各膜厚は、１０ｎｍとしている。
【００３８】
ＳｉＮ膜３０８〜３１０の形成及び処理を、実施形態で示した条件で行なったところ、ＳｉＮ膜３０８〜３１０の各々及び全体のストレス増加は、約１３００ＭＰａとなった。
【００３９】
ＳｉＮ膜のストレスを４００ＭＰａとするとこの膜のストレスは１７００ＭＰａとなる。
【００４０】
（実施例２）
図８は、本発明の実施例２に係るウェハ４１の一部の模式的な断面図である。図８には、いわゆる歪シリコン構造のウェハ４１を示している。図８に示すウェハ４１は、図７に示すものから酸化膜３２２の形状を変えて、サイドウォール３２３としている。この結果、ＳｉＮ膜３０８〜３１０が斜面を有する形状となり、ウェハ４１にストレスがかかりやすくなるというメリットがある。
【００４１】
（実施例３）
図９は、本発明の実施例３に係るウェハ４１の一部の模式的な断面図である。図９には、ＳＯＮＯＳ（silicon-oxide-nitride-oxide-silicon）型のフラッシュメモリー用トランジスター６０１を示している。このフラッシュメモリー用トランジスター６０１は、Ｐ型シリコン基板５０１と、Ｐ型シリコン基板５０１内に設けられたソースドレイン５０３とを備える。
【００４２】
Ｐ型シリコン基板５０１上には、ソースドレイン５０３間に設けられたトンネル酸化膜５０４と、トンネル酸化膜５０４上に設けられたＳｉＮ膜５０５と、ＳｉＮ膜５０５上に設けられた酸化膜５０６と、酸化膜５０６上に設けられたポリシリコンのコントロールゲート５０７と、コントロールゲート５０７を覆う絶縁膜５１１と、絶縁膜５１１上に順次形成されたＳｉＮ膜５０８〜５１０によって覆われている。ＳｉＮ膜５０８〜５１０の各膜厚は、１０ｎｍとしている。
【００４３】
ＳｉＮ膜５０８〜５１０の形成及び処理を、実施形態で示した条件で行なったところ、ＳｉＮ膜５０８〜５１０の各々及び全体のストレス増加は、約１３００ＭＰａとなった。
【００４４】
ＳｉＮ膜のストレスを４００ＭＰａとするとこの膜のストレスは１７００ＭＰａとなる。
【００４５】
（実施例４）
図１０は、本発明の実施例４の半導体製造装置の模式的な構成図である。本実施例では、第二チャンバー６の位置を、ウェハアライメント２とロードロックチャンバー３との間に設けた点が、図１に示す半導体製造装置とは異なる。
【００４６】
ここで、メタルハライドランプ１０１は、空冷が必要である。このため、石英板１１０で仕切りをしている。そして、既述のように、ロードロックチャンバー３内は減圧されるため、メタルハライドランプ１０１周辺は真空状態となる。とすると、石英板１１０は、これに耐えうるようにすべく通常３ｃｍくらいの厚さとなる。このため、第二チャンバー６の設計、製作は困難である。
【００４７】
これに対して、図１０に示すように、ロードロックチャンバー３の上流に第二チャンバー６を配置すると、石英板１１０は、常圧下で要求される程度の強度で済むため、０．３〜５ｃｍ程度と薄くてすることが可能となる。
【００４８】
実施形態等で説明した半導体製造装置を用いて製造した半導体デバイスは、液晶・プラズマ・ＥＬ（electroluminescence）などの表示装置に好適に用いることができる。この他にも、ディジタルカメラ・ディジタルスチルカメラなどの撮像装置、ファクシミリ、プリンタ、スキャナなどの画像形成装置、ＣＬＣ素子、発光型レーザ装置等の光学装置、携帯電話機などの通信装置、パーソナルコンピュータなどの情報処理装置に内蔵されている或いは着脱可能なメモリのように、電子部品の素子等を形成するためのものであれば、好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態の半導体製造装置の模式的な構成図である。
【図２】図１の第一チャンバー５付近の模式的な構成図である。
【図３】図１の第二チャンバー６付近の模式的な構成図である。
【図４】ＳｉＮ膜の厚さとストレスの増加と透過率との関係を示すグラフである。
【図５】紫外線ランプ２０１の波長と吸収スペクトラムとの関係を示す実験結果である。
【図６】紫外線照射時間とＳｉＮ膜のストレスの増加との関係を示す図である。
【図７】本発明の実施例１に係るウェハ４１の一部の模式的な断面図である。
【図８】本発明の実施例２に係るウェハ４１の一部の模式的な断面図である。
【図９】本発明の実施例３に係るウェハ４１の一部の模式的な断面図である。
【図１０】本発明の実施例４の半導体製造装置の模式的な構成図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  フープ
２  ウェハアライメント
３  ロードロックチャンバー
４  トランスファーチャンバー
５  第一チャンバー
６  第二チャンバー
７  第三チャンバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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