(57)【要約】【課題】抗折強度が高い液晶表示装置を安定して製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の液晶表示装置３０が区画形成された、一対のガラス基板１・１１が貼合わされてなる母基板を形成する。このとき、一対のガラス基板１・１１を貼合わせる前に、レーザ光の照射領域にレーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜が存在しないように各ガラス基板１・１１上の膜をパターン形成する。このようにして形成された母基板に、母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射して母基板を複数の液晶表示装置３０に分断する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の液晶表示装置が区画形成された、一対のガラス基板が貼合わされてなる母基板を形成する母基板形成工程と、
上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射することにより、上記母基板を複数の液晶表示装置に分断する母基板分断工程とを備え、
上記母基板形成工程は、上記一対のガラス基板を貼合わせる前に、上記レーザ光の照射領域に、上記レーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜が存在しないように各ガラス基板上の膜をパターン形成するパターン形成工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
複数の液晶表示装置が区画形成された、一対のガラス基板が貼合わされてなる母基板を形成する母基板形成工程と、
上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射することにより、上記母基板を複数の液晶表示装置に分断する母基板分断工程とを備え、
上記母基板形成工程は、上記一対のガラス基板を貼合わせる前に、上記レーザ光の照射領域に金属膜および樹脂膜が存在しないように各ガラス基板上の膜をパターン形成するパターン形成工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
上記レーザ光が、２００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長領域のレーザであることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法によって製造された液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の液晶表示装置が区画形成された、一対のガラス基板が貼合わされてなる母基板を、レーザ光によって複数の液晶表示装置に分断する液晶表示装置の製造方法および該製造方法によって製造される液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶表示装置のように表示に必要な電子回路が形成された一対のガラス基板をシール材によって貼合わせてなる表示装置の製造方法としては、生産性向上のため、まず、表示に必要な電子回路が複数区画形成された一対の基板を貼合わせることにより、これら一対の基板に表示装置が複数区画形成された母基板を作成し、この母基板を分断することで個々の表示装置を形成するのが一般的である。
【０００３】
母基板の分断は、母基板を構成する各々のガラス基板を、機械的分断方法あるいはレーザスクライブ法により分断することで行われている。
【０００４】
ガラス基板の機械的分断方法は、例えばカッターホイール等の切断刃によりガラス基板の一方の面にスクライブ溝を形成した後、このスクライブ溝に応力を加えることによりガラス基板を割断（折断）する方法である(例えば、特許文献１参照)。
【０００５】
一方、レーザスクライブ法は、いわゆるＣＯ２レーザ（炭酸レーザ）等のレーザスクライバを用いてスクライブ溝を形成後、応力を加えてガラス基板を割断（折断）する方法である（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
レーザスクライブ法では、ＣＯ２レーザのように、分断すべきガラス基板に対して吸収率が高いレーザを使用し、分断箇所を熱膨張させた後、例えば水冷して収縮させることにより局部的に歪みを発生させて基板表面にスクライブ溝を形成し、その後、このスクライブ溝に応力を加えてガラス基板を割断する。
【特許文献１】特開２０００−２１９５２７号公報（公開日：２０００年８月８日）
【特許文献２】特表平８−５０９９４７号公報（公開日：１９９６年１０月２２日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のカッターホイール等を用いた機械的分断では、分断される基板の端面にクラックが残り、それが抗折強度低下の原因となっていた。
【０００８】
また、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザスクライブ法についても、スクライブ溝形成後、このスクライブ溝に応力を加えてスクライブ溝に沿ってガラスを割断するブレイク工程を必要とするため、この分断工程で、分割される基板の端面同士が接触し、結果として高い抗折強度で安定的に液晶表示装置を生産するのは困難であった。
【０００９】
つまり、上記基板を分断する際に、できるだけ傷がない綺麗な状態となるようにガラス基板を割っておかないと、この傷が原因で後に基板にクラックが生じ、簡単に割れてしまうという問題が生じる。特に、携帯電話機等のモバイル機器用の液晶表示装置や曲面パネルを用いた液晶表示装置においては、強度の確保が重要であり、高い抗折強度が要求される。
【００１０】
また、これらの分断方法は、一枚のガラス基板を分断する方法であり、一対のガラス基板を貼合わせてなる母基板の分断においては、一方のガラス基板と他方のガラス基板の両方に上記スクライブ溝を形成する必要がある。このため、分断効率が悪いのみならず、ブレイク工程において、スクライブ溝から生じるクラックが、一方のガラス基板と他方のガラス基板とでずれると、高い抗折強度で安定的に液晶表示装置を生産することができなくなる。
【００１１】
なお、ブレイク工程を必要としないガラス基板の分断方法として、近年、Ｎｄ：ＹＡＧ（neodymium-doped yttrium aluminium garnet）レーザのレーザ光をガラス基板に照射することによりガラス基板を分断する方法が提案されている。
【００１２】
しかしながら、本願発明者らが鋭意検討した結果、上記方法は、ガラス基板の分断には適しているが、母基板、特に液晶表示装置が複数区画形成された液晶表示装置の分断には適さないことが判った。
【００１３】
つまり、本願発明者らが検討した結果、上記方法では、上記母基板を安定的に分断することができない、あるいは、分断そのものができないという問題があることが判った。
【００１４】
本願発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、抗折強度が高い液晶表示装置を安定して製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、複数の液晶表示装置が区画形成された、一対のガラス基板が貼合わされてなる母基板を形成する母基板形成工程と、上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射することにより、上記母基板を複数の液晶表示装置に分断する母基板分断工程とを備え、上記母基板形成工程は、上記一対のガラス基板を貼合わせる前に、上記レーザ光の照射領域に、上記レーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜が存在しないように各ガラス基板上の膜をパターン形成するパターン形成工程を含むことを特徴としている。
【００１６】
また、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、複数の液晶表示装置が区画形成された、一対のガラス基板が貼合わされてなる母基板を形成する母基板形成工程と、上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射することにより、上記母基板を複数の液晶表示装置に分断する母基板分断工程とを備え、上記母基板形成工程は、上記一対のガラス基板を貼合わせる前に、上記レーザ光の照射領域に金属膜および樹脂膜が存在しないように各ガラス基板上の膜をパターン形成するパターン形成工程を含むことを特徴としている。
【００１７】
上記レーザ光としては、２００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長領域のレーザを使用することができる。２００〜１２００ｎｍの波長領域のレーザ光は、ガラスに対して吸収され難く、例えば数％しか吸収されない。残りは透過する。このため、レーザの出力を高めると、上記一対の基板の厚み方向に、局部的に温度が高い領域が形成される。
【００１８】
このように、上記母基板、つまり、貼合わされた一対のガラス基板に対して透過性を有するレーザ光を用いれば、従来のように一方のガラス基板の表面だけでなく、貼合わされた一対のガラス基板の厚み方向全体に同時に熱をかけることができる。
【００１９】
そして、このとき、上記レーザ光の照射領域に、上記レーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜、特に、金属膜および樹脂膜が存在しないことで、これらの膜による発熱の影響を抑え、上記母基板の厚み方向（垂直方向）にクラックを伸長させることが可能となる。この結果、上記母基板を安定的に分断することが可能になる。
【００２０】
なお、「上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射する」とは、上記母基板に、該母基板に照射された光の一部が透過するレーザ光（つまり、上記母基板に全ては吸収されないレーザ光）を照射することを示す。上記レーザ光としては、上記波長領域のレーザ光のように、その大部分（殆ど）が母基板を透過するレーザ光であることが好ましい。
【００２１】
本発明によれば、上記母基板を、ブレイク工程なしにレーザ光によって分断することができる。このため、上記母基板の分断面は、機械的分断方法並びにレーザスクライブ法を用いた従来の分断方法で分断された母基板の分断面と比較して滑らかである。したがって、本発明によれば、高い抗折強度を有する液晶表示装置を、効率的かつ安定して製造することができる。
【００２２】
上記液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置は、抗折強度が高く、携帯電話機等のモバイル機器用の液晶表示装置に好適に使用することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、以上のように、複数の液晶表示装置が区画形成された、一対のガラス基板が貼合わされてなる母基板を形成する母基板形成工程と、上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射することにより、上記母基板を複数の液晶表示装置に分断する母基板分断工程とを備え、上記母基板形成工程は、上記一対のガラス基板を貼合わせる前に、上記レーザ光の照射領域に、上記レーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜が存在しないように各ガラス基板上の膜をパターン形成するパターン形成工程を含む方法である。
【００２４】
また、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、以上のように、複数の液晶表示装置が区画形成された、一対のガラス基板が貼合わされてなる母基板を形成する母基板形成工程と、上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射することにより、上記母基板を複数の液晶表示装置に分断する母基板分断工程とを備え、上記母基板形成工程は、上記一対のガラス基板を貼合わせる前に、上記レーザ光の照射領域に金属膜および樹脂膜が存在しないように各ガラス基板上の膜をパターン形成するパターン形成工程を含む方法である。
【００２５】
このように、上記母基板、つまり、貼合わされた一対のガラス基板に対して透過性を有するレーザ光を用いれば、従来のように一方のガラス基板の表面だけでなく、貼合わされた一対のガラス基板の厚み方向全体に同時に熱をかけることができる。
【００２６】
そして、このとき、上記レーザ光の照射領域に、上記レーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜、特に、金属膜および樹脂膜が存在しないことで、これらの膜による発熱の影響を抑え、上記母基板の厚み方向（垂直方向）にクラックを伸長させることが可能となる。この結果、上記母基板を安定的に分断することができる。したがって、上記の方法によれば、高い抗折強度を有する液晶表示装置を、効率的かつ安定して製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の実施の一形態について図１（ａ）・（ｂ）および図２（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００２８】
本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法は、複数の液晶表示装置（液晶表示パネル）が区画形成された、一対のガラス基板が貼合わされてなる母基板を形成する母基板形成工程と、上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射することにより、上記母基板を複数の液晶表示装置に分断する母基板分断工程とを備えている。
【００２９】
より具体的には、上記母基板は、互いに貼合わされた一対のガラス基板を備え、これら一対のガラス基板間に複数の液晶表示装置が区画形成された構成を有している。上記母基板形成工程において、上記液晶表示装置は、分断予定線、すなわち、上記レーザ光の照射領域を挟んで互いに独立して区画形成される。上記母基板分断工程において、上記母基板は、複数の個別の液晶表示装置に分断される。
【００３０】
また、上記母基板形成工程は、上記ガラス基板を含み、上記液晶表示装置を構成する、表示に必要な複数の電子回路が互いに独立して区画形成されたアレイ基板および対向基板を形成する基板形成工程と、上記アレイ基板と対向基板とを貼合わせる基板貼合工程とを備えている。
【００３１】
上記基板形成工程は、上記レーザ光の照射領域に、上記レーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜、特に金属膜および樹脂膜が存在しないように、上記アレイ基板および対向基板における膜（すなわち、上記各ガラス基板上の膜）をパターン形成するパターン形成工程を含んでいる。
【００３２】
つまり、上記母基板形成工程において、各ガラス基板上の各膜、具体的には、各液晶表示装置における金属膜および樹脂膜は、分断予定線上を跨がないように、分断予定線で区画される領域の内側に、隣り合う液晶表示装置における上記各膜（金属膜および樹脂膜）とは離間したパターンに形成される。
【００３３】
さらに、上記母基板分断工程は、上記母基板の分断開始位置（具体的には、各ガラス基板における上記分断予定線における分断開始側の端部）に初期クラックを形成する初期クラック形成工程と、上記初期クラックを起点（分断開始点、照射開始点）として上記母基板に上記レーザ光を照射することにより、上記母基板を複数の液晶表示装置に分断するレーザ光照射工程とを備えている。
【００３４】
上記レーザ光照射工程では、上記母基板に上記レーザ光を照射することにより、初期クラックを上記母基板の厚み方向に伸長させて、上記母基板を貫通するクラックを形成する。したがって、上記レーザ光照射工程では、上記分断予定線に沿って上記母基板に上記レーザ光を照射することにより、上記母基板を貫通するクラックが上記分断予定線に沿って形成される。これにより、上記母基板の分断が行われる。
【００３５】
また、本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法は、さらに、上記アレイ基板と対向基板との間（すなわち、上記一対のガラス基板間）に、表示に使用される媒質として液晶を注入する液晶注入工程を備えている。なお、液晶注入工程は、液晶滴下方式を用いることで、基板形成工程と基板貼合工程との間で行われてもよく、毛細管現象等を利用した注入方式を用いることにより、基板貼合工程の後で行われてもよい。また、液晶注入工程を、基板貼合工程の後で行う場合、液晶注入工程は、母基板分断工程の前に行われてもよく、母基板分断工程の後に行われてもよい。つまり、上記母基板を分断後に、個々に分断された一対の基板間に液晶を注入しても構わない。但し、製造効率の点からすれば、上記液晶注入工程は、液晶滴下方式を用いることにより、基板形成工程と基板貼合工程との間で行われることが好ましい。
【００３６】
また、本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法は、さらに、上記液晶表示装置の端子部（端子領域）を露出させる端子部露出工程等のその他の工程を備えていてもよい。これらの工程については後で詳述する。
【００３７】
〔母基板形成工程〕
以下に、まず、本実施の形態で分断される上記母基板について、図１（ａ）・（ｂ）を参照してより詳細に説明する。
【００３８】
図１（ａ）は、上記母基板の要部の概略構成を模式的に示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す母基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。なお、図１（ａ）・（ｂ）は、上記母基板に形成された各構成要素と分断予定線との位置関係を示すものであり、分断予定線上に存在する構成要素以外の構成要素については、図示を省略または簡略化している。
【００３９】
以下、本実施の形態では、図１（ｂ）に示すように、上記母基板として、アレイ基板に薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す）基板１０を使用し、対向基板にカラーフィルタ（以下、「ＣＦ基板」と記す）基板２０を使用し、これらＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とが貼合わされてなる貼合基板を例に挙げて説明するが、上記アレイ基板および対向基板は、これに限定されるものではない。
【００４０】
図１（ｂ）に示すように、本実施の形態で分断される母基板は、ＴＦＴ（図示せず）を含む、表示に必要な電子回路が複数区画形成された大判のＴＦＴ基板１０（アレイ基板、第１の基板）と、ＣＦ１２を含む、表示に必要な電子回路が複数区画形成された大判のＣＦ基板２０（対向基板、第２の基板）とで構成されている。これら一対の基板間には、図１（ａ）に示すように、母基板を個々の液晶表示装置３０に分断するための分断予定線５１（レーザ光照射領域）、つまり、上記母基板を分断したときに分断線上に相当する領域を挟んで、液晶表示装置３０が、例えばマトリクス状に複数区画形成されている。
【００４１】
図１（ｂ）に示すように、上記ＴＦＴ基板１０における上記ＣＦ基板２０との対向面には、液晶表示装置形成領域毎、つまり、上記分断予定線５１で区画された各領域５０毎に、表示に必要な電子回路の一部として、ＴＦＴアレイ配線２、層間絶縁膜３、配向膜としてのポリイミド膜４が、ガラス基板１上に、ガラス基板１側からこの順に区画形成されている。すなわち、上記各領域５０内には、ＴＦＴアレイ配線２、層間絶縁膜３、およびポリイミド膜４が、隣り合う領域５０に設けられたＴＦＴアレイ配線２、層間絶縁膜３、およびポリイミド膜４とは独立して区画形成されている。
【００４２】
一方、上記ＣＦ基板２０におけるＴＦＴ基板１０との対向面には、上記液晶表示装置形成領域毎に、上記電子回路として、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色のＣＦ１２、遮光膜１３、対向電極としてのＩＴＯ膜１４、配向膜としてのポリイミド膜１５が、ガラス基板１１上に、ガラス基板１１側からこの順に区画形成されている。つまり、上記ＣＦ基板２０においても、上記各領域５０内には、ＣＦ１２、遮光膜１３、ＩＴＯ膜１４、およびポリイミド膜１５が、隣り合う領域５０に設けられたＣＦ１２、遮光膜１３、ＩＴＯ膜１４、およびポリイミド膜１５とは独立して区画形成されている。
【００４３】
上記ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とは、図１（ａ）・（ｂ）に示すように、区画形成された上記電子回路の周囲を囲むように、液晶表示装置３０毎に、シール材３１を介して互いに貼合わされている。
【００４４】
上記シール材３１は、上記母基板を個々の液晶表示装置３０に分断したときに、各々、表示領域３２の周囲の額縁領域となる部分に配置されている。上記シール材３１よりも内側には表示領域３２が形成されており、シール材３１によって貼合わされた上記一対の基板間には、表示に使用される媒質として、液晶表示装置３０毎に、液晶４１が封止されている。なお、前記したように、液晶４１は、上記一対の基板を分断後に封入（封止）されてもよく、必ずしも分断前の母基板に液晶４１が封止されている必要はない。
【００４５】
また、図１（ａ）に示すように、上記ＴＦＴ基板１０における各領域５０の内側の周縁部には、表示に必要な電子回路の一部として、上記表示領域３２の外側の領域に、上記表示領域３２に信号を伝えるための金属配線３３ａが設けられた回路領域３３および端子領域３４（端子部）が、上記分断予定線５１から離間して設けられている。なお、上記シール材３１は、上記金属配線３３ａの一部を覆っている。また、上記端子領域３４に設けられた各端子３４ａは、上記回路領域３３に設けられた金属配線３３ａを介して、上記ＴＦＴアレイ配線２と接続されている。
【００４６】
上記金属配線３３ａは、個々の液晶表示装置３０に分断後、上記端子領域３４に設けられた各端子３４ａを介して、図示しない外部回路と電気的に接続される。上記金属配線３３ａは、例えば、上記表示領域３２における各画素と外部回路とを電気的に接続し、かつ電気信号の入出力を行うために設けられている。なお、上記層間絶縁膜３は、上記表示領域３２におけるコンタクトホール等を除く上記ＴＦＴアレイ配線２全体を被覆するとともに、上記金属配線３３ａを被覆するように配置されていてもよい。
【００４７】
上記母基板において、各液晶表示装置３０を構成するこれら樹脂膜および金属膜（具体的には、各液晶表示装置３０を構成する、表示に必要な電子回路およびシール材３１）は、各分断予定線５１によって区画された領域５０内に、各々、独立して設けられている。すなわち、上記ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０には、各液晶表示装置３０を構成する樹脂膜および金属膜が、ガラス基板１・１１上に、上記分断予定線５１上を避けてパターン形成されており、上記母基板における上記分断予定線５１上（すなわち、レーザ光照射領域）には、各液晶表示装置３０を構成する金属膜および樹脂膜は存在していない。
【００４８】
なお、本実施の形態では、一例として、上記アレイ基板にＴＦＴ基板を使用していることから、上記ガラス基板１には、無アルカリガラスを使用している。しかしながら、上記母基板は必ずしもＴＦＴ基板を備えている必要はなく、上記母基板に用いられるガラス基板１・１１としては、液晶表示装置の製造に一般的に用いられるガラス基板であれば、特に限定されるものではない。上記母基板に用いられるガラス基板としては、例えば、硼珪酸ガラス、アルカリ土類−アルミノ硼珪酸ガラス、アルカリ土類−亜鉛−鉛−アルミノ硼珪酸ガラス、アルカリ土類−亜鉛−アルミノ硼珪酸ガラス等、多種のガラスを用いることができる。
【００４９】
次に、上記母基板の形成方法の一例を、上記ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０の具体的な構成と併せて以下に説明する。
【００５０】
但し、上記したように、本実施の形態にかかる母基板の構成は、ガラス基板１・１１における上記分断予定線５１上を除く領域に金属膜および樹脂膜がパターン形成されており、上記分断予定線５１上に金属膜および樹脂膜が設けられていないことを除けば、従来の液晶表示装置の構成（一般的な液晶パネルの構成）と同様である。このため、以下の説明においては、具体的な構成要素の図示並びに設計事項については省略するものとする。また、以下の説明で用いられる各材料は、何れも一例であって、以下の例示にのみ限定されるものではない。
【００５１】
〔ＴＦＴ基板１０〕
上記ＴＦＴ基板１０は、図１（ｂ）に示すＴＦＴアレイ配線２として、複数のゲート配線と、該ゲート配線に直交する複数のデータ配線とを備えている。また、これらゲート配線とデータ配線との各交点には、図示しないＴＦＴが設けられているとともに、層間絶縁膜３を介して、図示しない画素電極が設けられている。
【００５２】
上記ＴＦＴでは、ソース電極およびドレイン電極が、複数の半導体層とゲート絶縁膜とを介してゲート電極と部分的に重なり合うように配置されている。このゲート電極はゲート配線と、ソース電極はソース配線と、一体的に形成されている。ドレイン電極はソース電極と隣り合って同じ層に形成されており、ドレイン配線を介して補助用量電極に接続され、さらにコンタクトホールを介して画素電極に接続されている。また、上記ゲート配線およびデータ配線は、表示領域３２に信号を伝えるための金属配線３３ａを介して各端子３４ａに各々電気的に接続されている。
【００５３】
また、上記画素電極上には、配向膜として、配向処理が施された前記ポリイミド膜４が設けられている。
【００５４】
次に、上記ＴＦＴ基板１０の製造工程の一例について説明する。
【００５５】
本実施の形態では、基本的には、金属パターンの場合はスパッタリング法、半導体層についてはプラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法で成膜を行った後、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを介してフォトレジストを露光・現像して、所定のパターンのフォトレジストを形成し、その後、エッチングすることにより所要のパターンを形成する。
【００５６】
また、絶縁膜（絶縁パターン）の場合には、例えば無機材料の場合はプラズマＣＶＤ法で成膜を行った後、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを介してフォトレジストを露光・現像して、所定のパターンのフォトレジストを形成し、その後、エッチングすることにより所要のパターンを形成する。一方、絶縁膜（絶縁パターン）が有機材料からなる場合は、例えば、上記絶縁材料として、絶縁性を有する透明な感光性樹脂を使用し、該感光性樹脂を例えばスピンコートによって塗布した後、紫外光をマスク照射して露光・現像することにより所要のパターンを形成する。但し、本願発明者らが鋭意検討した結果、ゲート絶縁膜のような半導体層（無機膜）は、分断予定線５１上にあっても問題はないことが判った。したがって、無機膜については、パターン形成は必ずしも必要ではない。
【００５７】
まず、大判のガラス基板１上に、前記領域５０毎に、図示しないゲート電極を備えたゲート配線が設けられる。また、このとき、同時に、上記補助容量配線、金属配線３３ａおよび端子３４ａが設けられる。これら電極および配線は、例えば、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅等の金属膜、これらの合金膜、または、これらの積層膜等の導電性薄膜（金属膜）からなる。
【００５８】
これら導電性薄膜は、例えばスパッタリング法等により、例えば上記ガラス基板１の一面全体に成膜される。その後、この導電性薄膜を必要な形状にパターン形成することで、上記ゲート電極を有するゲート配線等の上記した各種電極および配線が形成される。
【００５９】
上記導電性薄膜のパターン形成には、例えばフォトリソグラフィ法等が適用される。具体的には、まず、上記導電性薄膜上にフォトレジストを塗布し、上記ガラス基板１上に、所定の遮光パターンを有するフォトマスクを配置する。一例として、例えば、前記領域５０毎に、上記ゲート電極を備えたゲート配線、補助容量配線、金属配線３３ａおよび端子３４ａのパターンが形成されたフォトマスクが適用される。このフォトマスクを介してフォトレジストを選択的に露光、現像して、フォトレジストにフォトマスクの遮光パターンを転写する。そして、この導電性薄膜上に形成されたフォトレジストのパターンを介して導電性薄膜を選択的にエッチングする。
【００６０】
続いてゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜を、各領域５０毎に独立したパターンとなるようにパターン形成する。具体的には、まず、プラズマＣＶＤ法等により、上記ガラス基板１における上記ＣＦ基板２０との対向面全面に窒化シリコン膜を成膜する。続いて、上記窒化シリコン膜上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介してフォトレジストを露光、現像することにより、各領域５０に、上記ゲート配線を覆うようにゲート絶縁膜を例えばマトリクス状にパターン形成する。
【００６１】
次いで、上記ゲート絶縁膜上に、ＴＦＴとなるアモルファスシリコンやポリシリコン等からなる高抵抗半導体層、ｎ＋アモルファスシリコン等の低抵抗半導体層を、プラズマＣＶＤ法等により連続して成膜する。
【００６２】
次に、これら高抵抗半導体層および低抵抗半導体層を所要の形状にパターン形成する。このパターン形成工程にも、例えば、フォトリソグラフィ法を適用することができる。
【００６３】
具体的には、例えば、ゲート絶縁膜上に形成された低抵抗半導体層上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介してフォトレジストを露光、現像することにより、低抵抗半導体層上に、所定のパターンのフォトレジストを形成する。ここでは、高抵抗半導体層のパターンが形成されたフォトマスクが適用される。そして、ＴＦＴを形成する所定の領域にだけ低抵抗半導体層と高抵抗半導体層とが残るように同時にエッチングする。
【００６４】
さらに、ソース電極、ソース配線およびドレイン電極が、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅等の金属膜、これらの合金膜、または、これらの積層膜等の導電性薄膜（金属膜）から形成される。これら導電性薄膜は、例えばスパッタリング法等の方法により、上記ガラス基板１における上記ＣＦ基板２０との対向面全面に成膜される。そして、この導電性薄膜を必要な形状にパターン形成することで、各領域５０における表示領域３２内に、ソース電極、ソース配線、ドレイン電極、およびドレイン配線が同時に形成される。なお、上記パターン形成工程にも、例えば、前記したフォトリソグラフィ法等が適用される。このとき、上記補助容量電極上のゲート絶縁膜に予めコンタクトホールを形成し、上記補助容量電極と電気的に接続するように、上記ドレイン配線を所要の形状にパターン形成することで、上記補助容量電極と電気的に接続されたドレイン配線が形成される。
【００６５】
次いで、上記したように形成されたソース電極およびドレイン電極をマスクにして、前記低抵抗半導体層を、ドライエッチングによりチャネルエッチングする。このようにしてゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と接続されたＴＦＴが形成される。
【００６６】
続いて、上記各パターン形成工程で形成された各パターンを覆うように、各領域５０に層間絶縁膜３を形成する。上記層間絶縁膜３は、例えば、絶縁性を有する透明な感光性樹脂を、上記ガラス基板１における上記ＣＦ基板２０との対向面全面にスピンコートによって塗布し、例えば紫外光をマスク照射して露光・現像することにより、所要の領域にパターン形成することができる。
【００６７】
上記層間絶縁膜３の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂等の透明なネガ型感光性樹脂を用いることができる。しかし、これに限定されるものではなく、上記層間絶縁膜３の材料としては、例えば、前記ゲート絶縁膜と同様、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン等、所望の誘電率、透過率が得られる材料を用いることもできる。
【００６８】
続いて、上記層間絶縁膜３にコンタクトホールを形成し、上記ドレイン電極と電気的に接続するように、画素電極となるＩＴＯ膜を、所要の形状にパターン形成する。なお、上記ＩＴＯ膜の成膜並びにパターン形成には、常用の方法を用いることができる。例えば、上記ＩＴＯ膜の成膜には蒸着方法もしくはスパッタリング法等を用いることができる。また、パターン形成には、所定のパターンのフォトレジストを用いた前記フォトリソグラフィ法等を用いることができる。
【００６９】
配向膜としてのポリイミド膜４は、例えば、上記画素電極上に、例えばポリイミドからなる配向膜材料を塗布し、配向処理を行うことで形成することができる。これにより、上記ＴＦＴ基板１０が形成される。
【００７０】
〔ＣＦ基板２０〕
ＣＦ基板２０には、図１（ｂ）に示したように、ガラス基板１１上に、各画素に対応する例えば、赤、緑、青等のＣＦ１２と、画素間の光漏れを遮光する遮光膜１３と、画素電極と対向して液晶４１を駆動する共通電極（対向電極）としてのＩＴＯ膜１４と、配向膜としてのポリイミド膜１５とが設けられている。
【００７１】
なお、上記ＣＦ基板２０としては、従来、母基板に使用されている大判のＣＦ基板と同様のＣＦ基板をそのまま適用できる場合もあるため、構造、製法等の詳細な説明は省略するが、大略的には以下の通りである。
【００７２】
なお、上記ＣＦ基板２０においても、基本的には、金属パターンの場合はスパッタリング法等で成膜を行った後、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを介してフォトレジストを露光・現像して、所定のパターンのフォトレジストを形成し、その後、エッチングすることにより所要のパターンを形成する。また、ＣＦ１２以外の樹脂膜の場合には、例えば無機材料の場合はプラズマＣＶＤ法で成膜を行った後、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを介してフォトレジストを露光・現像して、所定のパターンのフォトレジストを形成し、その後、エッチングすることにより所要のパターンを形成する。一方、樹脂膜が有機材料からなる場合は、例えば、上記絶縁材料として、絶縁性を有する透明な感光性樹脂を使用し、該感光性樹脂を例えばスピンコートによって塗布した後、紫外光をマスク照射して露光・現像することにより所要のパターンを形成する。
【００７３】
まず、ガラス基板１１上に、ＴＦＴ基板１０における、ＴＦＴやＴＦＴアレイ配線２等の非表示領域に対向する領域に、アルミニウム等の金属材料あるいは黒色樹脂等の、遮光性を有する材料からなる遮光膜１３を、フォトリソグラフィ法等の常用の方法によりパターン形成する。
【００７４】
次に、上記ＴＦＴ基板１０における画素電極に対向する領域に、ＣＦ１２として、各色の着色層（着色樹脂膜）を、染色法、顔料分散法、電着法、印刷法、インクジェット法等の常用の方法によりパターン形成する。
【００７５】
その後、上記ＣＦ１２および遮光膜１３を覆うように、共通電極（対向電極）としてのＩＴＯ膜１４を、常用の方法によりパターン形成する。例えば、上記ＩＴＯ膜１４の成膜には蒸着方法もしくはスパッタリング法等を用いることができる。また、パターン形成には、所定のパターンのフォトレジストを用いた前記フォトリソグラフィ法等を用いることができる。
【００７６】
配向膜としてのポリイミド膜１５は、上記ＩＴＯ膜１４上に、例えばポリイミドからなる配向膜材料を塗布し、配向処理を行うことで形成することができる。これにより、上記ＣＦ基板２０が形成される。
【００７７】
なお、上記ＣＦ基板２０は、上記ガラス基板１１と上記ＣＦ１２および遮光膜１３からなる層との間に、例えば、上記ＣＦ１２を形成するための材料の濡れ性を向上させるために、アンダーコート層等の図示しない機能性膜が形成されていてもよい。また、上記ＣＦ１２および遮光膜１３からなる層の上には、樹脂材料等からなる図示しないオーバーコート層（平坦化膜）が設けられていてもよい。これらの膜を設ける場合には、本実施の形態では、従来とは異なり、上記分断予定線５１上（すなわち、レーザ光照射領域）には金属膜および樹脂膜が存在しないように、上記ＣＦ１２、遮光膜１３、ＩＴＯ膜１４、ポリイミド膜１５がそうであるように、これらの膜もまた、ガラス基板１１における上記分断予定線５１上を除く領域にパターン形成する。
【００７８】
なお、上記製造例では、上記した各種金属膜および樹脂膜のパターン形成に、フォトリソグラフィ法を用いる場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。これら金属膜および樹脂膜は、上記分断予定線５１上にこれら金属膜および樹脂膜が存在しないように上記ガラス基板１・１１上にパターン形成されていればよく、例えば、印刷法、インクジェット法等によりパターン形成することもできる。
【００７９】
また、その他にも、一旦各膜、例えば、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜３等を、従来通りガラス基板１の一面全面に形成し、その後、分断予定線５１上のパターンを除去してもよい。すなわち、本実施の形態で分断される上記母基板は、既存のＴＦＴ基板およびＣＦ基板を用いて形成することもできる。
【００８０】
図２（ａ）は、既存の方法で形成されたＴＦＴ基板とＣＦ基板とが貼合わされた一対の基板間に液晶表示装置が複数形成された従来の母基板の要部の概略構成の一例を模式的に示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す従来の母基板のＢ−Ｂ線矢視断面図である。なお、図２（ａ）・（ｂ）でも、上記母基板に形成された各構成要素の図示を一部省略または簡略化している。
【００８１】
図２（ｂ）に示すように、従来の母基板、特に、表示装置として液晶表示装置が複数形成された母基板では、図示しないゲート絶縁膜や層間絶縁膜３等の絶縁膜あるいは図示しないアンダーコート膜や平坦化膜等の樹脂膜は、各々の基板における他方の基板との対向面全面に形成されることが一般的である。
【００８２】
しかしながら、本願発明者らの検討によれば、分断予定線５１上に、ガラス基板１・１１よりも後述する分断用レーザに対する吸収係数が高い膜、特に金属膜および樹脂膜が形成されている場合、本実施の形態にかかる母基板分断工程では、上記母基板を安定して切断できない、あるいは、場合によっては切断そのものができないという問題があることが判った。なお、樹脂膜および金属膜は、基本的に、後述する分断用レーザに対する吸収係数が高く、このような樹脂膜もしくは金属膜が形成されている場合、本実施の形態にかかる母基板分断工程では、上記母基板を安定して切断できない、あるいは、場合によっては切断そのものができないという問題が生じる。
【００８３】
そこで、本実施の形態にかかる母基板分断工程で分断される母基板の形成に、図２（ｂ）に示すような、従来法により形成された既存のＴＦＴ基板１００およびＣＦ基板２００を使用する場合、分断予定線５１上を除く領域に金属膜および樹脂膜がパターン形成されたＴＦＴ基板およびＣＦ基板を得るためには、これらＴＦＴ基板１００およびＣＦ基板２００を貼合わせる前に、これらＴＦＴ基板１００およびＣＦ基板２００における分断予定線５１上のパターン（少なくとも金属膜および樹脂膜）を除去する必要がある。
【００８４】
つまり、本実施の形態においては、従来法により形成された既存のＴＦＴ基板１００およびＣＦ基板２００における分断予定線５１上のパターンを、これらＴＦＴ基板１００およびＣＦ基板２００を貼合わせる前に除去することにより、分断予定線５１上を除く領域に金属膜および樹脂膜がパターン形成されたＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０を形成しても構わない。
【００８５】
上記分断予定線５１上のパターンを除去する方法としては、例えば、ダイシングブレードを用いて分断予定線５１上のパターンを削って除去し、その後水洗を行う機械的な除去方法、あるいは、上記パターンに、上記パターンのみを溶融もしくは切断可能なレーザ光を照射することで上記分断予定線５１上のパターンを除去する方法が挙げられる。
【００８６】
なお、レーザ光を用いたパターン除去方法としては、例えば、波長２００ｎｍ〜１２００ｎｍのレーザ光を、上記ガラス基板１・１１を分断しない弱い出力にて照射する方法が挙げられる。
【００８７】
但し、上記したように既存の方法で形成されたＴＦＴ基板およびＣＦ基板等のアレイ基板および対向基板に対し、上記したようにダイシングブレード等を用いて機械的にパターン除去を行うと、ガラスカレット等により基板に傷が入るおそれがある。したがって、前記したように、予め、上記分断予定線５１上に金属膜および樹脂膜が存在しないように、上記ガラス基板１・１１上に、金属膜および樹脂膜を、隣り合う領域５０に形成される金属膜および樹脂膜とは独立（離間）してパターン形成することにより、上記ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０等のアレイ基板および対向基板を形成することが望ましい。
【００８８】
また、従来の母基板は、図２（ａ）に示すように、分断予定線５１上に、分断位置確認用のマーカ２０１が形成されることが一般的である。このようなマーカ２０１は、通常、金属材料によって少なくとも一方の基板上にパターン形成されている。
【００８９】
しかしながら、本実施の形態にかかる母基板の形成工程では、このようなマーカは形成されない。分断位置確認用のマーカも含め、本実施形態で分断される母基板における分断予定線５１上には、金属膜および樹脂膜は形成されていない。
【００９０】
前記したように、レーザ光を用いた従来の分断方法では、一対の基板が貼合わされた貼合基板を母基板として用いる場合、各々の基板、すなわち、母基板の表裏両面にＣＯ２レーザ等のレーザ光を照射する必要あり、分断位置の位置ずれを防止するためには、両基板で分断位置を精度良く位置合わせする必要があった。
【００９１】
しかしながら、本実施の形態にかかる分断方法によれば、後述するように、レーザ光の照射は基板の一方側からのみ行われ、また、分断予定線５１上には上記した各膜（ガラス基板以外の液晶表示装置３０の構成要素、特に金属膜および樹脂膜）が存在しておらず、各液晶表示装置３０は、ガラス基板１・１１が連結されていることを除けば、隣り合う液晶表示装置３０とは完全に独立した状態で区画形成されている。また、レーザ光の照射に際しては、レーザ光を用いた従来の分断方法と同様に、レーザ光の照射開始位置には、初期クラックが予め形成される。したがって、上記マーカがないことは、特に問題にはならない。
【００９２】
なお、レーザ光が上記各膜に接触しないためには、照射位置精度を考慮し、分断予定線５１の左右に、０．０１ｍｍ〜１ｍｍ離間して上記膜がパターン形成されていることが好ましい。したがって、上記分断予定線５１の左右０．０１ｍｍ〜１ｍｍの領域内には、図１（ａ）に示すように、金属膜および樹脂膜等の各膜が設けられていないパターン抜き領域５２が設けられていることが好ましい。言い換えれば、レーザ光照射領域の周囲には、レーザ光の移動方向に沿って、レーザ光照射領域を中心としてレーザ光のビーム径（例えば０．０１ｍｍ〜１ｍｍ）＋左右のパターン離間分（０．０２ｍｍ〜２ｍｍ）のパターン抜き領域５２が設けられていることが好ましい。レーザ光のビーム径（レーザ光照射領域の幅）は、必要に応じて適宜設定すればよく、分断位置によって異なっていても構わない。
【００９３】
なお、本実施の形態において、上記ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０の大きさは特に限定されるものではなく、これら一対の基板に形成される液晶表示装置３０の個数も特に限定されるものではない。
【００９４】
また、本実施の形態では、上記したように、上記分断予定線５１上に金属膜および樹脂膜が設けられていない場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記分断予定線５１上、好適には、上記分断予定線５１の左右０．０１ｍｍ〜１ｍｍの領域内に、後述する母基板分断工程で使用される、上記一対のガラス基板に対して透過性を有するレーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜、例えば、少なくとも金属膜および樹脂膜が存在しなければよい。
【００９５】
このような膜としては、例えば、ＩＴＯ膜、層間絶縁膜、ポリイミド膜、遮光膜、ＴＦＴ配線に用いられているアルミニウム等の金属膜、シール材等が挙げられる。
【００９６】
なお、吸収係数の測定には、一般的な方法を用いればよいが、より正確な測定を行うためには、測定する物質に対してレーザ光を照射し、透過した光の強度と入射した光の強度との差を求めるに際し、この測定を、測定する物質の厚みを変更して複数回行い、厚みによって生じる差分を求め、この差分を吸収係数の測定（算出）に使用することが望ましい。
【００９７】
本実施の形態で分断される母基板は、上記ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを、所定の間隔で離間させた状態で対向させてシール材３１により貼合わせることにより形成される。例えば、上記ＴＦＴ基板１０もしくはＣＦ基板２０における表示領域３２の周縁部に上記シール材３１を塗布し、上記シール材３１で囲まれた領域に液晶４１を滴下し、上記ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを貼合わせる。これにより、液晶表示装置３０が複数区画形成された、分断すべき母基板が製造される。
【００９８】
〔母基板分断工程〕
次に、上記母基板の分断方法について以下に説明する。
【００９９】
上記母基板分断工程では、上記母基板に対し、上記母基板に対して透過性を有するレーザ光を、分断予定線５１に沿って照射することにより、上記母基板を複数の個別の液晶表示装置３０に分断する。
【０１００】
なお、本実施の形態において、「上記母基板に、該母基板に対して透過性を有するレーザ光を照射する」とは、上記母基板に、該母基板に照射された光の一部が透過するレーザ光を照射することを示す。つまり、本実施の形態において、レーザ光が母基板に対して透過性を有するとは、レーザ光が、母基板に全ては吸収されず、その一部（好適にはその大部分、より好適にはその殆ど）が、母基板、すなわち貼り合わされた一対のガラス基板を透過することを示す。
【０１０１】
上記母基板分断工程は、前記したように、初期クラック形成工程と、レーザ光照射工程とを備えている。以下、上記の各工程について説明する。
【０１０２】
〔初期クラック形成工程〕
上記初期クラック形成工程で形成される初期クラックは、例えば、レーザ照射による従来のガラス基板の分断方法で用いられる初期クラックの形成方法と同様の方法により形成することができる。
【０１０３】
初期クラックは、上記母基板の分断開始位置（各ガラス基板における分断開始位置）に形成される。例えば、前記したように、上記母基板に複数の液晶表示装置３０がマトリクス状に形成されている場合には、各ガラス基板１・１１の隣り合う二辺における各分断予定線５１の端部、並びに、各分断予定線５１が交差する各交点に形成される。これは、先に形成された分断線による隙間で、基板の水平方向へのクラックの伸長が一旦停止するためである。
【０１０４】
上記初期クラックは、既存の方法、例えばカッターホイールあるいは針等で、上記一方の基板の角を欠けさせる等することにより容易に形成することができる。
【０１０５】
〔レーザ光照射工程〕
レーザ加工用の載置台上に載置された母基板は、レーザ光に対し上記母基板を相対的に移動させながらレーザ光を照射するか、あるいは、上記母基板に対してレーザ光を相対的に移動させることで、上記移動方向に沿って分断される。
【０１０６】
上記レーザ光照射工程では、母基板における何れか一方のガラス基板側から上記母基板を構成する一対のガラス基板１・１１に、上記したように、これらガラス基板１・１１に照射された光の一部が吸収され、残りが透過するレーザ光を照射することで、上記一対のガラス基板１・１１（より具体的には、ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０）が同時に分断される。
【０１０７】
本実施の形態では、レーザとして、波長２００〜１２００ｎｍのレーザを使用する。上記レーザとしては、例えば、（１）Ｎｄ：ＹＡＧ（neodymium-doped yttrium aluminium garnet）レーザの基本波、２倍高調波、３倍高調波、４倍高調波；（２）Ｎｄ：ＹＶＯ４（neodymium-doped yttrium vanadate）レーザの基本波、２倍高調波、３倍高調波、４倍高調波；（３）フェムト秒レーザ；等が挙げられる。
【０１０８】
以下に、本実施の形態にかかるレーザ分断の原理について説明する。
【０１０９】
前記したように、従来、ガラス基板を貼合わせてなる母基板の分断には、ＣＯ２レーザのように、分断すべきガラス基板に対して非常に吸収率が高い波長領域のレーザが使用されている。
【０１１０】
このようにガラス基板に対し、吸収率が高いレーザ光を照射すると、ガラス基板の表面のみが加熱され、ガラス基板の表面近傍にだけ水平方向に引っ張ろうとする力がかかる。また、ガラス基板の表面に冷媒を接触させると、ガラス基板の表面近傍にだけ水平方向に収縮しようとする力がかかる。このため、上記従来の方法は、ガラス基板表面にのみスクライブ溝が発生する。
【０１１１】
これに対し、２００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長領域のレーザ光は、ガラスに対して吸収され難く、数％しか吸収されない。残りはほぼ透過する。例えば、液晶表示装置用ガラス基板の一つであり、０．７ｍｍ厚のガラス基板である旭硝子株式会社製の「ＡＮ１００」を使用した場合、波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザの透過率は９０％であり、吸収率は２％である。
【０１１２】
このように、上記したようなレーザ光は、ガラス基板における吸収率が低いことから、ＣＯ２レーザとは異なり、ガラス基板に水平方向に対しては熱が広がらず、レーザ照射領域に対して局部的に熱がかかる。一方、ガラス基板に垂直方向に対しては、ガラス基板の厚み方向全体に同時に熱をかけることができる。
【０１１３】
このため、上記レーザ光をガラス基板の分断が可能な高い出力に設定することで、ガラス基板の垂直方向には、ガラス基板の厚み方向全体に、局部的に温度が高い領域が形成される。なお、本実施の形態において、上記レーザ光の照射強度は、レーザ光の種類に応じて、上記ガラス基板を分断することができる強度に適宜設定されていればよく、特に限定されるものではない。一例として、ビーム径（φ）０．１ｍｍのＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）による分断では、出力１ｋＷとした。
【０１１４】
そして、このように、上記母基板に上記レーザ光を照射したときに、上記レーザ光の照射領域に、上記レーザ光に対する吸収係数がガラス基板よりも高い膜、特に、金属膜および樹脂膜が存在しないことで、これらの膜による発熱の影響を抑え、上記母基板の厚み方向（垂直方向）に初期クラックを伸長させて上記母基板を貫通するクラックを形成することが可能となる。この結果、上記母基板を安定的に分断することが可能になる。
【０１１５】
近年、前記したように、ブレイク工程を必要としないガラス基板の分断方法として、近年、２００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長領域のレーザの一種であるＮｄ：ＹＡＧレーザのレーザ光をガラス基板に照射することによりガラス基板を分断する新たなガラス基板の分断方法が提案された。
【０１１６】
しかしながら、上記方法もまた、ガラス基板の分断を対象としたものであり、これを母基板の分断に適用しようとすると、安定して分断することができない、あるいは、場合によっては、分断そのものを行うことができない。
【０１１７】
すなわち、上記波長領域のレーザ光の照射領域に、上記レーザ光に対する吸収係数が高い膜、特に金属膜および樹脂膜が設けられている場合、上記波長領域のレーザ光を垂直方向に透過させることができない。本願発明者らが検討した結果、この傾向は、レーザ光の出力が高いほど顕著であり、また、膜の吸収率が高いほど顕著であることが判った。
【０１１８】
つまり、上記波長領域のレーザ光は、ガラスに対する吸収率が低いため、例えばガラス基板１・１１よりも１０倍程度吸収率が高いパターンが上記レーザ光の照射領域に存在すると、単純にクラックを伸長するのに必要な熱量の１０倍程度高い熱量が上記膜の形成領域において発生する。このため、このような場合、上記パターンが急加熱されてしまい、ガラス基板１・１１に垂直方向にうまく熱を伝えることができない。
【０１１９】
このように、上記波長領域のレーザ光の照射領域に上記膜が形成されていると、上記膜にレーザ光が吸収されて上記膜が熱源となり、この膜面からの発熱の影響で上記母基板の分断そのものができない、あるいは、この熱源が存在する箇所でレーザ光の進行方向が曲げられる、あるいは、レーザ光の透過が阻害される等の問題が生じる。
【０１２０】
本願発明者らは、上記問題点を見出すとともに、波長２００〜１２００ｎｍの分断用レーザに対して吸収率の高いパターンを、上記レーザ光の照射領域、好適には、上記レーザ光の照射領域およびその近傍に対して意図的に空けることで、上記波長領域のレーザ光を用いて液晶表示装置３０の分断を行う際に問題となる膜面からの発熱を抑え、安定的な分断を可能とすることを見出して本発明を完成させるに至った。
【０１２１】
なお、一例として、前記したように、出力１ｋＷ、ビーム径（φ）０．１ｍｍのＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）を照射する場合、分断予定線５１と各パターンとの間の距離は、少なくとも０．０１ｍｍ（具体的には、前記したように０．０１ｍｍ〜１ｍｍの範囲内）とすることが好ましい。例えば、分断予定線５１の左右０．３ｍｍの層間絶縁膜３を除いた構造とし、従来ＩＴＯで形成されていた分断予定線５１上の位置確認用マーカも形成しないことが望ましい。
【０１２２】
以上のように、本実施の形態によれば、上記一対のガラス基板１・１１を貼合わせる前に、上記レーザ光の照射領域に上記の膜が存在しないように各ガラス基板１・１１上の膜をパターン形成し（つまり、各ガラス基板１・１１上の膜を上記レーザ光の照射領域を避けてパターン形成し）、上記一対のガラス基板１・１１を貼合わせた状態で、上記膜が存在しない領域に、上記一対のガラス基板１・１１に対して透過性を有するレーザ光を照射して上記一対のガラス基板１・１１を分断することで、ブレイク工程なしに、かつ、安定してレーザ光によって分断することができる。このため、上記の方法で分断された母基板の分断面は、機械的分断方法並びにレーザスクライブ法を用いた従来の分断方法で分断された母基板の分断面と比較して滑らかである。また、機械的加工を行う場合のように、発生したダストによって母基板が汚染されるおそれもない。したがって、上記の方法によれば、高い抗折強度を有する液晶表示装置を安定して製造することができる。
【０１２３】
また、上記したように、本実施の形態によれば、ＣＯ２レーザを用いた場合のように、一対のガラス基板を片側ずつ分断する必要があった従来方式に比べ、複数枚重ね合わされたガラス基板を同時に分断することができる。したがって、上記の方法によれば、ガラス基板１・１１が貼合わされた母基板を、一度に分断することができる。
【０１２４】
なお、液晶表示装置３０の端子領域３４は、外部の回路と接続するために露出させる必要がある。
【０１２５】
したがって、本実施の形態にかかる液晶表示装置の分断方法は、上記液晶表示装置３０の端子領域３４（端子部）を露出させるために、上記ＴＦＴ基板１０の端子領域３４上のＣＦ基板２０を分断して上記端子領域３４を露出させる端子部露出工程を備えていることが望ましい。
【０１２６】
より具体的には、上記端子部露出工程は、上記端子領域３４に交差し、上記端子領域３４を露出させるための分断予定線５３に沿って、上記端子領域３４を覆うＣＦ基板２０（対向基板）にスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成工程と、上記ＣＦ基板２０を上記スクライブ溝に沿って分断（割断、折断）することで上記端子領域３４を露出させる対向基板分断工程とを備えている。
【０１２７】
上記端子部露出工程には、従来公知の方法を適用することができる。すなわち、上記端子部露出工程では、上記ＣＦ基板２０のみを分断するために、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ等の、ガラス基板を照射光の一部が透過する波長領域のレーザではなく、カッターホイール等の機械的分断もしくはＣＯ２レーザを用いたレーザスクライバ等により分断を行う。
【０１２８】
なお、上記ＣＦ基板２０の分断、つまり、上記スクライバ溝の形成にレーザ光を使用する場合、上記スクライバ溝の形成のための初期クラックは、母基板を複数の液晶表示装置３０に分断するための母基板分断工程における初期クラックの形成と同じ工程にて行うことができる。勿論、別工程で行っても構わない。しかしながら、前記した初期クラック形成工程において、分断予定線５１上の分断開始位置と、分断予定線５３上の分断開始位置とに各々初期クラックを形成することで、上記端子部露出工程を含めた液晶表示装置の製造にかかる工程を簡略化し、処理時間を短縮化することができる。
【０１２９】
上記スクライブ溝形成工程は、前記母基板分断工程におけるレーザ光照射工程後に行われてもよく、上記レーザ光照射工程の前、つまり、初期クラック形成工程とレーザ光照射工程との間で行われてもよい。何れの場合においても、母基板分断工程の後に上記対向基板分断工程を行うことで、分断された各液晶表示装置３０から、上記端子領域３４を覆う、ＣＦ基板２０の一部を除去し、上記端子領域３４を露出させることができる。
【０１３０】
また、分断された上記液晶表示装置３０には、上記ガラス基板１・１１の外側（つまり、上記ガラス基板１・１１における液晶層４１との対向面とは反対側の面）に、必要に応じて位相差板、偏光板等が設けられる。すなわち、上記液晶表示装置の製造方法は、上記母基板分断工程の後に、例えば、上記母基板を構成する少なくとも一方のガラス基板上に偏光板を形成する偏光板形成工程（あるいは位相差板形成工程および偏光板形成工程）を含んでいてもよい。なお、これら位相差板形成工程、偏光板形成工程は、端子部露出工程の後、より具体的には対向基板分断工程の後で行われることが好ましい。
【０１３１】
以上のように、本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法によれば、高い抗折強度を有する液晶表示装置を安定して製造することができる。従って、上記液晶表示装置の製造方法は、曲面パネルあるいは高強度パネルの製造に特に適している。上記液晶表示装置の製造方法によって得られた液晶表示装置は、抗折強度が高く、携帯電話機等のモバイル機器用の液晶表示装置に好適に使用することができる。なお、上記液晶装置装置が本実施の形態にかかる方法を用いて製造されたものか否かは、上記母基板の分断面の形状および各膜のパターンを観察することで、容易に検証することができる。
【０１３２】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い抗折強度を有する液晶表示装置を安定して製造することができる。上記液晶表示装置の製造方法によって得られた液晶表示装置は、高い抗折強度が必要とされる携帯電話機等のモバイル機器用の液晶表示装置に好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の一形態で分断される母基板の要部の概略構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す母基板のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図２】（ａ）は、既存の方法で形成されたＴＦＴ基板とＣＦ基板とが貼合わされた一対の基板間に液晶表示装置が複数形成された従来の母基板の要部の概略構成の一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す従来の母基板のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【符号の説明】
【０１３５】
１    ガラス基板
２    ＴＦＴアレイ配線
３    層間絶縁膜
４    ポリイミド膜
１０    ＴＦＴ基板
１１    ガラス基板
１２    ＣＦ
１３    遮光膜
１４    ＩＴＯ膜
１５    ポリイミド膜
２０    ＣＦ基板
３０    液晶表示装置
３１    シール材
３２    表示領域
３３    回路領域
３３ａ  金属配線
３４    端子領域
３４ａ  端子
４１    液晶
５０    領域
５１    分断予定線
５２  パターン抜き領域
５３  分断予定線
１００  ＴＦＴ基板
２００  ＣＦ基板
２０１  マーカ
【図１】
2009244597.tif 000003
【図２】
2009244597.tif 000004