(57)【要約】  【課題】  光反射部材を成形して作製する際に光反射性金属層に傷が付くこと、及び成形して延伸する時に光反射性金属層に破損等が生じることを大幅に軽減することによって、十分な光電変換効率を維持することが可能な光電変換装置を得ること。  【解決手段】導電性基板１と、該導電性基板の上面に互いに間隔をあけて複数個接合された結晶半導体粒子２と、該結晶半導体粒子２間に配置された凹面鏡形状の光反射部材７と、を備え、光反射部材７は、凹面鏡形状の基体１４と、基体１４の光反射面に順次形成された樹脂から成る第１の透明保護層１３、光反射性金属層１２、樹脂から成る第２の透明保護層１１及び樹脂から成る表面透明保護層１０と、を有しており、第１及び前記第２の透明保護層は、軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも低く、かつ変形可能温度での伸び率が表面透明保護層１０の変形可能温度での伸び率よりも大きい。【選択図】  図１
2009224757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板と、
該導電性基板の上面に互いに間隔をあけて複数個接合された結晶半導体粒子と、
該結晶半導体粒子間に配置された凹面鏡形状の光反射部材と、を備え、
前記光反射部材は、凹面鏡形状の基体と、前記基体の光反射面に順次形成された樹脂から成る第１の透明保護層、光反射性金属層、樹脂から成る第２の透明保護層及び樹脂から成る表面透明保護層と、を有しており、
前記第１及び前記第２の透明保護層は、軟化点が前記表面透明保護層の軟化点よりも低く、かつ変形可能温度での伸び率が前記表面透明保護層の変形可能温度での伸び率よりも大きい光電変換装置。
【請求項２】
前記第１及び前記第２の透明保護層は、軟化点が前記表面透明保護層の軟化点よりも６０℃以上低く、かつ変形可能温度での伸び率が７００％以上である請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記表面透明保護層はポリエチレンテレフタレートから成る請求項１または２記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１及び前記第２の透明保護層の少なくとも一方はアクリル樹脂から成る請求項１乃至３のいずれか記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記アクリル樹脂のガラス転移点が６０℃乃至８０℃である請求項４記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記光反射性金属層は銀及びアルミニウムの少なくとも一方を含む請求項１乃至５のいずれか記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記基体はポリカーボネートから成る請求項１乃至６のいずれか記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記光反射性金属層は、縦断面において凹面鏡同士の間の境界部が鋭角状の尖頭部となっている請求項１乃至７のいずれか記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記表面透明保護層は、縦断面において凹面鏡同士の間の境界部が凸曲面となっている請求項１乃至８のいずれか記載の光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光発電等に使用される光電変換装置に関し、特に結晶シリコン粒子等の結晶半導体粒子を用いた光電変換装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の太陽電池として用いられる集光型の光電変換装置は、結晶シリコン板等の結晶半導体板から成る光電変換素子を切断して小面積の光電変換素子を作製し、間隔を置いてそれらの光電変換素子を配置し、各光電変換素子上に集光レンズを設けた構成のものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来の結晶半導体粒子を用いた光電変換装置として、第１のアルミニウム箔に開口を形成し、その開口に、ｐ型中心核の上にｎ型外殻を持つシリコン球を挿入し、シリコン球の裏側のｎ型外殻を除去し、第１のアルミニウム箔及びｎ型外殻を除去したシリコン球の表面に、絶縁層を形成し、シリコン球の裏側頂上部の絶縁層を除去した後に、シリコン球と第２のアルミニウム箔とを、金属接合部を介して接合して成るものが提案されている（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
なお、この光電変換装置は、シリコン球上に集光させるための球状レンズを有している。この光電変換装置のように結晶半導体粒子を用いた場合、結晶半導体粒子間に隙間が生じてしまい、結果として光電変換ロスとなるため、結晶半導体粒子間の隙間に入射した光エネルギーを隙間に隣接する結晶半導体粒子の側に入力させるために、結晶半導体粒子上に結晶半導体粒子の表面の曲面に平行に球状レンズを形成している。
【０００５】
また、従来の他の光電変換装置として、凹面鏡に形成された基板によって光を反射させてシリコン球に集光させる構成が知られている。
【特許文献１】特開平８−３３０６１９号公報
【特許文献２】米国特許第５４１９７８２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に示された光電変換装置は、結晶シリコン板等からなる結晶半導体板を切断して小面積の光電変換素子を作製し、光電変換素子同士の間を接続タブ等で接続していく必要があり、製造工程数が多くなり製造が煩雑になり、十分に低コスト化することができなかった。
【０００７】
また、凹面鏡形状の光反射部材は、主として銀等の金属により構成されるものであるため、空気中の硫化ガス，酸素ガス等と反応して劣化（銀の場合黒化）して光の反射性が低下するために、長期にわたって安定した光電変換性能を維持するには不十分なものであった。加えて、上記した光反射部材は、光電変換装置を作製する工程において、金属製の凹面鏡を成形して形成する際に金属に傷がつくため、光電変換装置の作製直後から光の反射性は十分に大きいものではなかった。
【０００８】
従って、本発明は上記従来の技術における問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、光反射部材を成形して作製する際に金属層（光反射層）に傷が付くこと、及び成形して延伸する時に金属層に破損等が生じることを大幅に軽減することによって、十分な光電変換効率を維持することが可能な光反射部材を有する光電変換装置を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光電変換装置は、導電性基板と、該導電性基板の上面に互いに間隔をあけて複数個接合された結晶半導体粒子と、該結晶半導体粒子間に配置された凹面鏡形状の光反射部材と、を備え、前記光反射部材は、凹面鏡形状の基体と、前記基体の光反射面に順次形成された樹脂から成る第１の透明保護層、光反射性金属層、樹脂から成る第２の透明保護層及び樹脂から成る表面透明保護層と、を有しており、前記第１及び前記第２の透明保護層は、軟化点が前記表面透明保護層の軟化点よりも低く、かつ変形可能温度での伸び率が前記表面透明保護層の変形可能温度での伸び率よりも大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光電変換装置によれば、光反射部材が、凹面鏡形状の基体と、基体の光反射面に順次形成された樹脂から成る第１の透明保護層、光反射性金属層、樹脂から成る第２の透明保護層及び樹脂から成る表面透明保護層と、を有しており、第１及び第２の透明保護層は、軟化点が表面透明保護層の軟化点よりも低く、かつ変形可能温度での伸び率が表面透明保護層の変形可能温度での伸び率よりも大きいことから、光電変換装置の作製時における光反射部材の光反射性金属層に生じる破損、傷等を抑制することができる。
【００１１】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、第１及び第２の透明保護層は、軟化点が表面透明保護層の軟化点よりも６０℃以上低く、かつ変形可能温度での伸び率が７００％以上であることから、上記の作用効果が一層高いものとなる。
【００１２】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、表面透明保護層はポリエチレンテレフタレートから成ることから、光反射部材の成形時の１９０℃程度の温度において流動せずにある程度の厚みを維持して成形金型に光反射性金属層が接触しないように保護することができる。
【００１３】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、第１及び第２の透明保護層の少なくとも一方はアクリル樹脂から成ることから、光反射部材の成形時に、第１及び第２の透明保護層が、表面透明保護層よりも流動性が高い状態となり、また表面透明保護層よりも伸び率（延伸性）が高くなるため、破断部が生じることがなくなるという効果が高いものとなる。
【００１４】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、光反射性金属層は銀及びアルミニウムの少なくとも一方を含むことから、高い光反射性を有するものとなる。また、光反射性金属層は第１及び第２の透明保護層に挟まれて保護されているために、光反射性金属層が空気中の硫化ガス，酸素ガス等と反応して劣化（銀の場合黒化）して光の反射性が低下することを防ぐことができる。また、光反射性金属層の剥がれ等を防ぐことができる。また、光反射性金属層が導電性の異物によって透光性導電層と導通し、透光性導電層の集電性が低下するのを防ぐことができる。
【００１５】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、基体はポリカーボネートから成ることから、光反射部材を成形して作製する際に成形金型によって凹面鏡形状に容易に変形させることができる。
【００１６】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、光反射性金属層は透光性導電層と電気的に絶縁されていることから、透光性導電層から光反射性金属層に対して余分な電気的な導通がないため、集電極としての役割を果たす導電性電極層などに十分に集電されることになり、集電効果が向上する。
【００１７】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、光反射性金属層は、縦断面において凹面鏡同士の間の境界部が鋭角状の尖頭部となっていることから、光反射部材の凹面鏡同士の間の境界部において入射光の上方への反射を抑制し、入射光を効率的に結晶半導体粒子に集光させることができる。
【００１８】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、表面透明保護層は、縦断面において凹面鏡同士の間の境界部が凸曲面となっていることから、表面透明保護層が外側から光反射性金属層を押さえ込むことによって光反射性金属層が凹面鏡同士の間の境界部において切断されることなく鋭角に形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本実施の形態の光電変換装置について図面に基づいて以下に詳細に説明する。なお、以下の記載はあくまで実施の形態の一例に過ぎず、光電変換装置は図１〜図４の構成に限定されるものではない。
【００２０】
図１は、本実施の形態の光電変換装置を示す断面図であり、図２は本実施の形態の光電変換装置における光反射部材の断面図であり、図３は本実施の形態の光電変換装置の平面図であり、図４は本実施の形態の光電変換装置を用いた光電変換モジュールの断面図である。
【００２１】
図１〜図４において、１は導電性基板、２は粒状光電変換体を構成する結晶半導体粒子、３は粒状光電変換体を構成する半導体部（半導体層）、４は絶縁層、５は透光性導電層、６は導電性基板１を成す例えばアルミニウムと結晶半導体粒子を成す例えばシリコンとの合金層、７は透明樹脂等からなる光反射部材、８は電極層、９は導電性接着層である。１０は光反射部材７の表面透明保護層、１１は光反射部材７の第２の透明保護層、１２は光反射部材７の光反射性金属層、１３は光反射部材７の第１の透明保護層、１４は光反射部材７の基体、１５は表面充填層、１６は表面保護体、１７は裏面充填層、１８は裏面保護層ある。
【００２２】
本実施の形態の光電変換装置は、導電性基板１と、表層に第２導電型の半導体部３が形成され、導電性基板１の上面に互いに間隔をあけて多数個接合された球状の第１導電型の結晶半導体粒子２と、導電性基板１の上面の結晶半導体粒子２間に形成された絶縁層４と、絶縁層４上及び結晶半導体粒子２の上に形成された透光性導電層５と、絶縁層４上の透光性導電層５上に形成された、結晶半導体粒子２に集光させる凹面鏡形状の光反射部材７と、を具備している。そして、光反射部材７は、凹面鏡形状の基体１４と、基体１４の光反射面に順次形成された第１の透明保護層１３、光反射性金属層１２、第２の透明保護層１１及び表面透明保護層１０と、を有しており、第１及び第２の透明保護層１３，１１は、軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも低く、かつ変形可能温度での伸び率が表面透明保護層１０の変形可能温度での伸び率よりも大きい。
【００２３】
上記の構成により、光電変換装置の作製時における光反射部材７の光反射性金属層１２に生じる破損、傷等を抑制することができる。光反射部材７は、最初にそれぞれシート状とされた、基体１４、第１の透明保護層１３、光反射性金属層１２、第２の透明保護層１１及び表面透明保護層１０を積層して多層積層シートを作製し、その多層積層シートを金型によって凹面鏡形状に成形することにより作製されるが、成形時に第１及び第２の透明保護層１３，１１の少なくとも一方が一部破断され、その影響によって反射性金属層１２に皺等が発生して光反射率が低下するのを効果的に抑制できる。具体的には、成形時に、第１及び第２の透明保護層１３，１１が、表面透明保護層１０よりも流動性が高い状態となり、また表面透明保護層１０よりも伸び率（延伸性）が高くなるため、破断部が生じることがなくなる。その結果、反射性金属層１２に皺等が発生せず、高い光反射性が維持され、光電変換装置の作製後においても長期にわたり光反射性金属層を保護することができ、十分な光電変換効率を維持することが可能となる。
【００２４】
本実施の形態で述べている軟化点とは、物質が顕著な流動性をもった軟らかい状態になる温度であり、具体的には粘性率が１０１１〜１０１２Ｐ（ポアズ）になる温度である。また、この軟化点は、例えば、熱機械分析装置で測定できる。具体的には、測定する試料にプローブを接触させた状態で温度を上昇させて、そのプローブが試料に埋まる過程を計測することによって軟化点を測定する。
【００２５】
本実施の形態でいう変形可能温度とは、第１の透明保護層１３、第２の透明保護層１１及び表面透明保護層１０が塑性変形可能な温度であり、より具体的には第１の透明保護層１３、第２の透明保護層１１及び表面透明保護層１０が金型等により成形可能な成形温度（１８０℃〜２４０℃程度）である。
【００２６】
また、伸び率は、ＪＩＳＫ７１１３等によって定義される。具体的には、引張試験を試験時の温度で行った際の初期長さ（伸ばす前の長さ）と引張試験後の伸びた長さとの比率によって測定することができる。
【００２７】
また、本発明の光電変換装置は好ましくは、第１及び第２の透明保護層１３，１１は、軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも６０℃以上低く、かつ変形可能温度での伸び率が７００％以上であれば、上記の作用効果が一層高いものとなる。
【００２８】
また、光反射性金属層１２が銀，アルミニウム等の金属から成る場合、第１及び第２の透明保護層１３，１１によって挟まれて保護されているため、金属が空気中の硫化ガス，酸素ガス等と反応して劣化（銀の場合黒化）して光の反射性が低下することを防ぐことができる。また、光反射性金属層１２の剥がれ等を防ぐことができる。また、光反射性金属層１２が導電性の異物によって透光性導電層５と導通し、透光性導電層５の集電性が低下するのを防ぐことができる。
【００２９】
以下に、本実施の形態の光電変換装置を構成するそれぞれの部位について説明する。
【００３０】
＜導電性基板＞
導電性基板１は、アルミニウム基板、アルミニウムの融点以上の融点を有する金属基板、表面に導電層が形成されたセラミック基板等から成ればよい。例えば、アルミニウム，アルミニウム合金，鉄，ステンレススチール，ニッケル合金，アルミナセラミックス等から成る基板が用いられる。導電性基板１の材料がアルミニウム以外のものを用いた場合、アルミニウム以外の材料からなる基板上にアルミニウムから成る導電層を形成してもよい。
【００３１】
＜結晶半導体粒子＞
本発明における結晶半導体粒子２の形状は球状である。結晶半導体粒子２が球状であることによって、結晶半導体粒子２が凸曲面を有することになり、入射光の光線角度の依存性を小さくできる。球状としては特に真球状が好ましく、その場合、入射光の光線角度の依存性をより小さくでき、また導電性基板１に対する結晶半導体粒子２の接合性を向上させるとともに各結晶半導体粒子２の接合力を均一化することができるという効果が得られる。
【００３２】
また、結晶半導体粒子２の表面を粗面にすることにより結晶半導体粒子２の表面での光反射率を低減し、結晶半導体粒子２における光の吸収性を向上させることができる。この粗面を形成するには、結晶半導体粒子２をアルカリ溶液中に浸漬し、結晶半導体粒子２の表面をエッチングしても良いし、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置等を用いて結晶半導体粒子２の表面を微細加工してもよい。
【００３３】
結晶半導体粒子２の粒子径は、０．２〜０．８ｍｍが好ましく、特に、半導体（シリコン等）の使用量を少なくするうえで０．２〜０．６ｍｍがより好ましい。粒子径が０．２ｍｍ未満では、導電性基板１への結晶半導体粒子２のアッセンブルが困難となる傾向がある。また、粒子径が０．８ｍｍを超えると、シリコン等から成る結晶半導体母板（ウエハ）から切り出して製造する従来の結晶半導体板タイプの光電変換装置における切削部も含めた半導体の使用量と変わらなくなり、結晶半導体粒子２を用いるメリットがなくなる傾向がある。
【００３４】
なお、結晶半導体粒子２の粒子径とは、平均粒子径であって、導電性基板１に接合する前の平均粒子径であり、かつ、透光性導電層５の形成前における結晶半導体粒子２の平均粒子径である。この平均粒子径は、レーザ光による粒度分布測定装置等によって測定できる。
【００３５】
結晶半導体粒子２は第１導電型（例えばｐ型）を示すものであり、ｐ型の場合、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ等のドーパントを、結晶半導体粒子２をジェット法（溶融落下法）等により製造する際に原料中に含有させること等により得られる。
【００３６】
結晶半導体粒子２は、半導体の単結晶または多結晶から成るが、特に、光電流を効率的に取り出せることから、単結晶であることが好ましい。多結晶の場合、結晶粒界において電子と空孔の再結合が生じ、結果として光電流の出力が低下する。
【００３７】
結晶半導体粒子２は、例えば溶融落下法（ジェット法）等により粒状に形成され、リメルト（再溶融）法等の方法により単結晶化される。また、製造条件によってはジェット法のみにより、粒界の少ないほぼ単結晶化された結晶半導体粒子２を得ることもでき、それをそのまま光電変換装置に使用してもよい。
【００３８】
結晶半導体粒子２の表層には、第２導電型（例えばｎ型）の半導体部３が形成されている。第２導電型の半導体部３は、例えば、熱拡散法、気相成長法等により形成される。
【００３９】
熱拡散法においては、例えば、オキシ塩化リン等のリン系化合物を拡散剤として、高温の石英管内に一定時間、結晶半導体粒子２を挿入することにより、半導体部３がｎ型であれば結晶半導体粒子２の表面にｎ型の半導体部３を形成できる。一例として、９００℃の石英管内に３０分間、結晶半導体粒子２を挿入することにより、その表面に１μｍ厚みのｎ型の半導体部３を形成できる。ただしこの場合、図１に示すように、半導体部３と合金層（共晶層）６とを電気的に分離するために、合金層６の近傍を除いて半導体部３の表面を耐酸レジスト等で被覆し、非被覆部分の半導体部３をエッチング液で除去することにより、取り除くことが必要である。
【００４０】
熱拡散法の場合、結晶半導体粒子２と導電性基板１との接合前に行うことができる。
【００４１】
また、気相成長法等では、例えば、シラン化合物の気相に、ｎ型のドーパントとなるリン系化合物の気相を微量導入して、ｎ型の半導体部３を形成することができる。
【００４２】
半導体部（半導体層）３の膜質としては、結晶質、非晶質、結晶質と非晶質とが混在するもののいずれでもよいが、光線透過率を考慮すると、結晶質または結晶質と非晶質とが混在するものがよい。
【００４３】
半導体部３中の微量元素の濃度は、例えば１×１０16〜１×１０21ａｔｍ／ｃｍ3程度が好ましい。さらに、半導体部３は、結晶半導体粒子２の表面の凸形曲面に沿って形成されることが好ましい。結晶半導体粒子２の凸形曲面の表面に沿って形成されることによって、ｐｎ接合の面積を広く稼ぐことができ、結晶半導体粒子２の内部で生成したキャリアを効率よく収集することが可能となる。
【００４４】
＜絶縁層＞
結晶半導体粒子２間の導電性基板１上に形成された絶縁層４は、正極と負極の分離を行うための絶縁材料から成る。即ち、絶縁層４は、その上面側に配設される透光性導電層５と下面側の導電性基板１とが接触しないように設けられる。絶縁層４を成す絶縁材料としては、ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｐ2Ｏ5，Ｌｉ2Ｏ，ＳｎＯ，ＺｎＯ，ＢａＯ，ＴｉＯ2等を任意成分とする材料からなる低温焼成用ガラス（ガラスフリット
）材料、上記材料の１種または複数種から成るフィラーを含有したガラス組成物、ポリイミド或いはシリコーン樹脂等の有機系の材料等が挙げられる。絶縁材料の分量にはとくに限定はなく、絶縁層４上に設けられる透光性導電層５が均一に設けられればよい。
【００４５】
絶縁層４は、さらに、ガラス，セラミックス，樹脂等の絶縁材料から成る絶縁体粒子を分散させて含有していてもよい。絶縁体粒子の平均粒子径は４〜２０μｍであることが好ましく、絶縁体粒子の平均粒子径がその範囲内にあることにより、絶縁体粒子を絶縁層４中に十分に分散させることができる。
【００４６】
＜透光性導電層＞
透光性導電層５は、結晶半導体粒子２上および絶縁層４上に被覆される。ここで、透光性導電層５は、導電性基板１を一方の電極とすると、他方の電極としての機能をはたす。
【００４７】
透光性導電層５は、ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＩＴＯ，ＺｎＯ，ＴｉＯ2等から選ばれる１種または複数種の酸化物系膜等からなり、スパッタリング法、気相成長法、あるいは塗布焼成法等によって形成される。透光性導電層５は、適切な膜厚を選択することにより、反射防止膜としての効果も付与できる。
【００４８】
透光性導電層５は透明であるため、結晶半導体粒子２がない部分で入射光の一部が透光性導電層５を透過し、下部の導電性基板１で反射して結晶半導体粒子２に照射されるという効果が得られ、光電変換装置全体に照射される光エネルギーを効率よく結晶半導体粒子２に導いて照射させることが可能となる。
【００４９】
透光性導電層５は、半導体部３または結晶半導体粒子２の表面に沿って形成され、結晶半導体粒子２の凸形曲面に沿って形成されることが好ましい。この場合、結晶半導体粒子２の内部で生成したキャリアを効率よく収集することが可能となる。
【００５０】
＜光反射部材＞
光反射部材７は、結晶半導体粒子２に集光させるための凹面状の光反射性金属層１２を有する。集光性を向上させる点で、光反射性金属層１２は球面や回転楕円体面等の曲面の部分曲面から成る凹面鏡構造であることが好ましい。なかでも好ましくは、光の入射角依存性を小さくするために凹型の曲面形状が楕円回転体の曲面形状であることが好ましい。コンピュータシミュレーションによると、太陽のように入射角度が経時的に変化していくときに、球の曲面形状よりも楕円回転体の曲面形状の方がより効率よく光を集光することができる。球の曲面と回転楕円体の曲面について光の利用効率を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2009224757.tif 000003
【００５２】
光反射性金属層１２はＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｃｒ等の高反射率を有する金属層により形成されることが好ましく、なかでも、高反射率を有する点でＡｇ及びＡｌの少なくとも一方を含む金属、またはＡｇ及びＡｌの少なくとも一方から成る金属により形成されることが好ましい。
【００５３】
光反射性金属層１２は、真空蒸着法、スパッタリング法、無電解メッキ法、電解メッキ法等の方法により、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｃｒ等の高反射率を有する金属でもって略均一な厚みで薄く形成することができる。
【００５４】
光反射性金属層１２の厚みは０．０４〜０．２μｍが好ましい。この範囲とすることにより、光反射性金属層１２の反射率を保持して光の透過率が増加するのを抑え、また、厚みが厚くなって表面が凹凸となり反射光が散乱されるのを低減できる。
【００５５】
光反射部材７は、それが有する下端部の開口部から結晶半導体粒子２が露出するように、隣接する結晶半導体粒子２間の透光性導電層５上に載せて、そのまま接着する。あるいは、図４に示すように、光反射部材７を透光性導電層５上に載せて、表面充填層１５および表面保護体１６を順次積層して真空加熱装置等で封止する方法などにより、所定の部位に設置される。これにより、従来の製造方法のように、結晶半導体粒子２を１個ずつアルミニウム箔の開口部に挿入する作業を行う必要がなくなり、光反射部材７を一挙に安定して容易に設置することができる。
【００５６】
また、図１に示すように、光反射部材７は、その下面に電極層８を一体に形成した後、導電性接着層１６で透光性導電層５上に接着することが好ましく、これにより光反射部材７を更に安定して容易に設置することができる。なお、光反射部材７と電極層８を一体に形成せず、電極層８上に接着剤等（不図示）を介して光反射部材７を固定しても良い。
【００５７】
光反射部材７は、凹面鏡形状を維持できる樹脂、金属等の材料から形成され、凹面鏡形状の底部には結晶半導体粒子２が入る程度の開口部が設けられている。
【００５８】
例えば、光反射部材７のうち光反射性金属層１２を除く部位は、ポリカーボネート，ポリエチレンテフタレート，アクリル樹脂，フッ素樹脂，オレフィン樹脂等の樹脂等によって形成される。このような樹脂を設ける場合、光反射性金属層１２は、上述した高反射率を有する金属の箔を上記樹脂のシートと重ねて一体成形して形成してもよい。
【００５９】
上記の樹脂としては、大気圧力で容易に変形できる柔軟性を有する樹脂であることが好ましい。そうすることにより、光反射部材７の透光性導電層５からの浮き上がりが周辺に波及することなく、反射効率が向上する。また、導電性基板１、電極層８または絶縁層４に凹凸があったとしても、それに沿うようにして光反射部材７がそれらの上部に載置される。
【００６０】
光反射部材７は、縦断面において頂上部（凹面鏡同士の境界部）が鋭角状の尖頭部となっていることが好ましい。従来、特許文献３に示されるような境界が広い場合は、境界部に水平な部分が広くあり、そのために境界部において入射光が上方へ反射されていた。本実施の形態においては、光反射部材７の頂上部が鋭角状の尖頭部であることにより、頂上部における入射光の上方への反射を抑制し、入射光を効率的に結晶半導体粒子２に集光させることができる。上記の鋭角状の尖頭部の角度は５°〜６０°程度である。
【００６１】
多層積層構造の樹脂等から成る光反射部材７は、金属等の耐熱材料により形成された凹面鏡形状のネガ形状（凸形状）を多数有する成形型によって成形される。
【００６２】
＜表面透明保護層＞
表面透明保護層１０は第２の透明保護層１１上に被覆され、間接的に光反射性金属層１２を保護している。表面透明保護層１０は、例えば、光反射性金属層１２を有する光反射部材７となる樹脂製の多層積層シートを成形する際に、成形型の表面粗度によって光反射性金属層１２の表面が損傷するなどの不具合が発生することを抑制することができる。
【００６３】
そして、表面透明保護層１０によって光反射性金属層１２が直接成形型に接触しないように保護することにより、光電変換装置の製造工程における光反射性金属層１２の反射率の低下を防ぐことができる。さらに、長期にわたり使用することによって硫化ガス、酸素などにより光反射性金属層１２が劣化し易いという不具合が発生することを抑制することができる。
【００６４】
表面透明保護層１０は、ポリエチレンテフタレート，ポリカーボネート，フッ素樹脂，オレフィン樹脂等の樹脂から成り、光反射部材７の成形時に流動せずにある程度の厚みを維持して成形金型に光反射性金属層１２が接触しないように保護する。特に、上記の理由で表面透明保護層１０はポリエチレンテフタレートから成ることが良い。
【００６５】
また、これらの樹脂は、表面充填層１５（図４）との屈折率差が０．２以下であることが好ましく、０．１以下であることがより好ましく、屈折率差が無いことが最も好ましい。そうすることにより、表面透明保護層１０に成形金型の表面粗度がある程度転写されたとしても、光学的ロスが小さくなる。
【００６６】
表面透明保護層１０の厚みとしては成形金型の表面粗度にもよるが、１μｍ〜５０μｍ程度であればよい。１μｍ〜５０μｍ程度とすることにより、成形金型の表面粗度によって光反射性金属層１２に傷が発生するのを抑制し、また、成形後の光反射性金属層１２の凹面鏡同士の間の境界部（頂上部）に丸みが生じて集光性が低下するのを抑制することができる。
【００６７】
表面透明保護層１０を設けることによって、光反射性金属層１２の耐腐食性も向上させることができ、より高い信頼性が得られる。なお、光反射性金属層１２と表面透明保護層１０との間に別途耐腐食性コートを設けても良い。
【００６８】
光反射性金属層１２は透光性導電層５に対して電気的に絶縁していることが好ましい。そうすることにより、透光性導電層５から光反射性金属層１２に対して電気的な導通がないため、電極層８のような集電極に対して十分に集電されることになり、集電効果が向上する傾向がある。
【００６９】
表面透明保護層１０の凹面鏡同士の間の境界部（頂上部）は、図１，図２に示すように、縦断面において凸曲面から構成されていることが好ましい。表面透明保護層１０の頂上部が凸曲面であることにより、表面透明保護層１０が外側から光反射性金属層１２を押さえ込むことによって、光反射性金属層１２が光反射部材７の頂上部において切断されることなく、鋭角に形成される。さらに、表面透明保護層１０の頂上部が縦断面において凸曲面から形成されているとともに、光反射部材７の頂上部が縦断面において鋭角状の尖頭部となっていることにより、頂上部に入射した光が上方に反射されずに隣接する結晶半導体粒子２に反射されて、光電変換効果に寄与するという相乗効果が得られる。
【００７０】
＜第１及び第２の透明保護層＞
本実施の形態の光電変換装置は、光反射性金属層１２と表面透明保護層１０との間に第２の透明保護層１１を有し、光反射性金属層１２と基体１４との間に第１の透明保護層１３を有する。
【００７１】
第１の透明保護層１３及び第２の透明保護層１１は、光反射部材７となる多層積層シートを圧縮成形する際に、成形時の温度で第１の透明保護層１３及び第２の透明保護層１１が軟化することによって、表面透明保護層１０が延伸する時の応力を緩和して、光反射性金属層１２を保護する。
【００７２】
第１及び第２の透明保護層１３，１１は、軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも６０℃以上低く、かつ変形可能温度での伸び率が７００％以上であることが好ましい。
【００７３】
一方、例えば、第１の透明保護層１３及び第２の透明保護層１１が、それらの軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも６０℃以上低く、成形温度（変形可能温度）での伸び率が７００％未満である場合、具体的には、表面透明保護層１０がポリエチレンテレフタレート（軟化点２５０℃程度、成形温度（１９０℃程度）での伸び率約２００％）からなり、第１の透明保護層１３及び第２の透明保護層１１がポリエステル樹脂（軟化点２００〜２４０℃程度、成形温度（１９０℃程度）での伸び率約２００％）を用いた場合、多層積層シートを圧縮成形する際に、表面透明保護層１０が延伸する時の応力がそのまま第１の透明保護層１３、第２の透明保護層１１及び光反射性金属層１２に伝わりやすくなる。
【００７４】
そこで、表面透明保護層１０が延伸する時の応力を緩和させるために、好ましくは、第１及び第２の透明保護層１３，１１は、軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも６０℃以上低く、かつ変形可能温度での伸び率が７００％以上であることとする。
【００７５】
具体的には、例えば表面透明保護層１０がポリエチレンテレフタレート（軟化点２５０℃程度、成形温度（１９０℃程度）での伸び率約２００％）からなる場合、第１の透明保護層１３及び第２の透明保護層１１の少なくとも一方は、ウレタン系樹脂（軟化点１８０〜１９０℃、成形温度（１９０℃程度）での伸び率約７００％）、アクリル系樹脂（軟化点１６０〜１８０℃、成形温度（１９０℃程度）での伸び率約１０００％）等からなることがよい。
【００７６】
更には、ガラス転移点（Ｔｇ）が６０〜８０℃であるアクリル樹脂等（軟化点１２０〜１６０℃程度、成形温度（１９０℃程度）での伸び率約１５００％）がより好ましい。
【００７７】
更には、第２の透明保護層１１及び第１の透明保護層１３の両方が、軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも６０℃以上低く、かつ変形可能温度での伸び率が７００％以上であることが好ましい。
【００７８】
また、第１の透明保護層１３の厚みは１〜１０μｍ程度であれば良い。１〜１０μｍ程度とすることによって、光反射性金属層１２を被覆して十分な耐腐食性を得ることができ、また、また、表面透明保護層１０との材質の違いに起因して多層積層シートが曲がって取り扱いが難しくなるのを抑えることができる。なお、第１の透明保護層１３は単層でも良いが、複層であれば更に耐腐食性を高めるのに有利である。
【００７９】
第２の透明保護層１１の厚みは０．１〜１μｍ程度であれば良い。０．１〜１μｍ程度とすることによって、光反射部材７となる多層積層シートを圧縮成形する際に光反射性金属層１２に亀裂が発生し光電変換効率が低下することを抑制でき、また、表面透明保護層１０との材質の違いに起因して多層積層シートが曲がって取り扱いが難しくなるのを抑えることができる。なお、第２の透明保護層１１は単層でも良いが、複層であれば更に耐腐食性を高めるのに有利である。
【００８０】
光反射部材７を成形する成形温度としては、表面透明保護層１０の軟化点と第２の透明保護層１１の軟化点との間の温度範囲が好ましい。この場合、成形温度において表面透明保護層１０は流動を開始せず、第２の透明保護層１１の流動が開始している状態となる。
【００８１】
更に、光の経路となる第２の透明保護層１１の樹脂は、表面充填層１５（図４）との屈折率差が０．２以下であることが好ましく、０．１以下であることがより好ましく、屈折率差が無いことが最も好ましい。そうすることにより光学的界面が軽減されて光学的ロスが小さくなる。
【００８２】
＜基体＞
光反射部材７は、結晶半導体粒子２に集光させるための凹面鏡形状のベース体である基体１４を有する。基体１４は、凹面形状に成形する際に変形し易い材料から成るものであれば良く、ポリカーボネート，オレフィン樹脂等の樹脂から成る。
【００８３】
基体１４の厚みは特に限定されないが、成形後の光反射部材７における結晶半導体粒子２を貫通させるための開口部の厚みが数μｍから数十μｍとなる厚みであれば良い。基体１４は光反射性金属層１２の裏面側に位置するため、色調は特に問わず、例えば透明或いは白色系であれば良く、光反射性金属層１２のわずかな透過光を考慮すれば白色がより好ましい。
【００８４】
＜電極層＞
電極層８は、透光性導電層５と外部端子との間の直列抵抗値を低くするために、隣接する結晶半導体粒子２間の透光性導電層５の上に、導電性接着層１６を介して、集電極として設けられる。電極層８は、結晶半導体粒子２で発電された光電流を抵抗損失させることなく、光電変換装置から取り出すための低抵抗導体として利用される。
【００８５】
この電極層８は、結晶半導体粒子２に相当する部分が開口された金属板から成るのが好ましく、例えば、Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｇやこれらの合金が適している。電極層８の厚みは２０〜２００μｍが好ましい。金属板から成る電極層８の使用は、この上部に形成される光反射部材７をしっかり支える基板ともなる点で好ましい。
【００８６】
また、導電性接着層１６は、導電性粒子を含む熱硬化型の樹脂等から成る接着剤から成るものであり、電極層８と透光性導電層５とを電気的に接続し、また機械的に固着させる役割をはたすものである。導電性粒子としてはＡｇ，Ｎｉ，Ａｕ或いはこれらの複合粒子が適しており、それにより、透光性導電層５は、発電電流を電極層８に対して効率よく集電させることができる。更に図２に示す様に、結晶半導体粒子２上を避けるようにして導電性接着層１６を円形状（ドット状）に形成して、結晶半導体粒子２に隣接するように多数配列することによって、直接陰となる領域ができるのをなくすことができる。それとともに、上述した光反射部材７によって、電極層８や導電性接着層１６を覆うことができ、外観上の向上を図ることができる。更に、導電性接着層１６によって比較的導電性が低い透光性導電層５の電気的経路を短くでき、結晶半導体粒子２で発生した電流を電極層８により効率よく集電させることができる。
【００８７】
＜保護層＞
透光性導電層５上に保護層（不図示）が形成されていてもよい。このような保護層としては、透明誘電体の特性を有するものがよく、ＣＶＤ法やＰＶＤ法等によって、例えば、酸化珪素，酸化セシウム，酸化アルミニウム，窒化珪素，酸化チタン，酸化タンタル，酸化イットリウム等を単一組成または複数組成で単層または組み合わせて、透光性導電層５上に形成されたものが挙げられる。
【００８８】
保護層は、光の入射面側にあるために、透明性が必要であり、また半導体部３または透光性導電層５と外部との間の電流リークを防止するために、誘電体であることが必要である。なお、保護層の膜厚を最適化すれば、反射防止膜としての機能も付与できる。
【００８９】
＜光電変換モジュール＞
次に、本実施の形態の光電変換装置を用いて、光電変換モジュール（図４）を形成する。光電変換モジュールは、複数の光電変換素子が直列または並列に接続されて、発生する電気出力が向上し、実用的な電気出力を取り出せるものをいう。光電変換モジュールは、光電変換素子１つでは得られなかった十分な電気出力を得ることが可能となる。
【００９０】
光反射部材７上の表面充填層１５は光学的に透明な材料であればよく、その構成材料としては、エチレン酢酸ビニル重合体（ＥＶＡ），ポリオレフィン，フッ素系樹脂，シリコーン樹脂等がある。
【００９１】
表面充填層１５上の表面保護体１６は光学的に透明で耐候性のある材料からなり、ガラス、シリコーン樹脂、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ），エチレン−４フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ），ポリ４フッ化エチレン（ＰＴＦＥ），４フッ化エチレン−パーフロロアルコキシ共重合体（ＰＦＡ），４フッ化エチレン−６フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ），ポリ３フッ化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）等のフッ素樹脂を用いることができる。
【００９２】
また、導電性基板１の裏面には、裏面充填層１７を表面充填層１５の材料と同様の材料を使って設けることができ、さらに裏面透明保護層を積層してもよい。裏面透明保護層の材料としては、例えばポリフッ化ビニル（ＰＶＦ），エチレン−４フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ），ポリ３フッ化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂がよい。また裏面透明保護層としては、これらの樹脂を使ってアルミ箔や金属酸化膜を挟んで張り合わせたシート、ガラス、ステンレス等の金属シート等がある。
【００９３】
本実施の形態の光電変換装置の周囲部において、光反射部材７が間隔保持部材となっている。間隔保持部材は光反射部材７を形成するときの金型の周縁部に付加しておくことにより、容易に形成することができる。間隔保持部材は表面保護体１６と絶縁層４との間の間隔分の厚みとなっており、表面保護体１６、表面充填層１５と光電変換装置とを合わせて真空加熱するときに、光電変換装置上の光反射部材７が破壊されないように、間隔を確保する役割を持つ。
【００９４】
さらに、この間隔保持部材は光電変換装置の内部に形成されていてもよい。光電変換装置が大きい場合は、この内部に形成され間隔保持部材が効果的である。このとき、間隔保持部材は結晶半導体粒子１個分の領域に１個設けても良く、あるいは多数個配置しても良い。
【００９５】
なお、上述した構成の光電変換素子（１個の結晶半導体粒子２を有する光電変換の単位体）を１つ設けるか、または複数を接続（直列、並列または直並列に接続）した光電変換装置とする。さらに、光電変換装置を１つ設けるか、または複数を接続（直列、並列または直並列に接続）したものを発電手段として用い、この発電手段から直接直流負荷へ発電電力を供給するようにしてもよい。また、その発電手段をインバータ等の電力変換手段を介して発電電力を適当な交流電力に変換した後、この発電電力を商用電源系統や各種の電気機器等の交流負荷に供給することが可能な発電装置としてもよい。さらに、このような発電装置を日当たりのよい建物の屋根や壁面に設置する等して、各種態様の太陽光発電システム等の光発電装置として利用することも可能である。
【実施例】
【００９６】
次に、本発明の光電変換装置の実施例について説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００９７】
実施例の光電変換装置を以下に示すように作製した。
【００９８】
まず、結晶半導体粒子２として多数の直径約０．３ｍｍのｐ型の結晶シリコン粒子を用い、それらにリン熱拡散処理を施すことによって外郭部をｎ＋の半導体部として、ｐｎ接合部を形成した。
【００９９】
次に、アルミニウム製の導電性基板の主面上に、多数個（３万個）の結晶シリコン粒子を、互いにその直径の約０．６倍の間隔を空けて配置し、アルミニウムとシリコンの共晶温度である５７７℃以上の温度（６３０℃）で約１０分加熱して、多数の結晶シリコン粒子を導電性基板上に接合した。
【０１００】
導電性基板に接合された結晶シリコン粒子の根元の周囲をエッチングしてｐｎ分離を行った後、導電性基板上の多数の結晶シリコン粒子の間に、ポリイミドからなる絶縁層を充填し形成した。その後、結晶シリコン粒子の上部表面を洗浄し、透光性導電層としてＩＴＯ層を、８０ｎｍの厚みで形成した。
【０１０１】
更に電極層（集電極）として、結晶シリコン粒子の直径程度の貫通穴を具備した厚み５０μｍのアルミニウム箔を用い、図３に示す様に、アルミニウム箔の下面の３個の結晶シリコン粒子で囲まれた部位に、Ａｇペースト（Ａｇ粒子含有樹脂ペースト）をスクリ−ン印刷で円形状（ドット状）に塗布した。そして、結晶シリコン粒子が電極層の貫通穴から突出する様に、ＩＴＯ層上に押しつけながら１５０℃で３０分間加熱処理することで電極層を形成した。
【０１０２】
次に、光反射部材を以下のようにして形成した。結晶シリコン粒子の直径の１．６倍の幅で縦長の半回転楕円体形状が多数並んだ金型を用いて、以下の材料を用いて真空成形法によって光反射部材を作製した。
【０１０３】
表面透明保護層としての厚み１２μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート、軟化点２５０℃）フィルム上に、表３の実施例に示す材料から成る第２の透明保護層を厚み０．３μｍで形成し、第２の透明保護層上に光反射性金属層としての厚み１００ｎｍの銀層を真空蒸着で形成し、銀層上に表３の実施例に示す材料から成る第１の透明保護層を２層で３μｍの厚みで形成した多層積層シートを作製した。
【０１０４】
この多層積層シートを、基体としての厚み５０μｍのポリカーボネートフィルム上に積層して、金型で凹面鏡形状に圧縮成形し、凹面鏡形状の底部に結晶半導体粒子２が通る開口部を開けて、光反射部材を作製した。
【０１０５】
そして、光電変換素子としての結晶シリコン粒子がそれぞれ光反射部材の開口部から突出する様に、絶縁層上の透光性導電層上に光反射部材を配置した。また、導電性基板の下面に、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）からなる厚み約０．４ｍｍの裏面充填層と、ＰＥＴフィルム，ＳｉＯ２層，ＰＥＴフィルムを積層して成る厚み約０．１ｍｍの裏面保護層を積層した。また、導電性基板の上面側に、光反射部材を覆うようにＥＶＡからなる厚み約０．６ｍｍの表面充填層と、ガラスからなる厚み約３ｍｍの表面保護体を順次積層した。これらを真空ラミネーターによってラミネートすることにより、光電変換装置を作製した。
【０１０６】
なお、表面透明保護層１０としてのＰＥＴフィルム（屈折率：１．６）、及び第２の透明保護層としてのポリエステル系樹脂（屈折率：１．６）・ウレタン系樹脂（屈折率：１．６）・アクリル系樹脂（屈折率：１．６）と、表面充填層１７としてのＥＶＡ（屈折率：１．５）との屈折率差は０．１であった。
【０１０７】
（比較例）
第１の透明保護層及び第２の透明保護層として表３の比較例１および比較例２に示す材料を用いた以外は実施例と同様の構成として、比較例の光電変換装置を作製した。
【０１０８】
上記の実施例及び比較例の光電変換装置について、光電変換装置に組み込む前の光反射部材７の凹面鏡の光反射面の反射率を測定した結果を表２に示す。また、光反射部材を組み込んだ光電変換装置について、光電変換効率を測定した結果を表３に示す。なお、表２、表３において、Ｔｇはガラス転移点を意味する。また、「ウレタン系樹脂／アクリル系樹脂」という表記は、光反射性金属層１２側からウレタン系樹脂層、アクリル系樹脂層を積層したことを意味する。
【０１０９】
【表２】
2009224757.tif 000004
【０１１０】
【表３】
2009224757.tif 000005
【０１１１】
表２により、第１の透明保護層及び第２の透明保護層がポリエステル系樹脂（軟化点２００〜２４０℃程度、伸び率は成形温度例えば１９０℃では約２００％）から成る場合、反射率は８２％しかなかった。また、シリコーン系樹脂（軟化点約２６０℃程度、伸び率は成形温度例えば１９０℃では約４００％）から成る場合、反射率は８５．１％しかなかった。透過光による顕微鏡観察によると、光反射性金属層に無数の亀裂が発生していた。
【０１１２】
第１の透明保護層がウレタン系（軟化点１８０〜１９０℃、成形温度１９０℃程度での伸び率約７００％）／アクリル系樹脂であり、第２の透明保護層がポリエステル系樹脂である場合、反射率は８７．３％と５％向上した。透過光による顕微鏡観察によると、光反射性金属層に生じた亀裂は極端に少なかった。
【０１１３】
第１の透明保護層及び第２の透明保護層がアクリル系樹脂（軟化点１６０〜１８０℃、成形温度１９０℃程度での伸び率約１０００％）では、反射率９０．７％となった。
【０１１４】
第１の透明保護層及び第２の透明保護層が低Ｔｇアクリル系樹脂（ガラス転移点６０〜８０℃、軟化点１２０〜１６０℃程度、成形温度１９０℃での伸び率約１５００％）では、反射率が９３．５％であった。透過光による顕微鏡観察によると、光反射性金属層の亀裂は見られなくなった。
【０１１５】
以上より、第１の透明保護層及び第２の透明保護層の少なくとも一方の軟化点が、表面透明保護層（ＰＥＴ、軟化点２５０℃）の軟化点よりも６０℃低い材料を用いることによって、光反射性金属層に生ずる破損等を軽減あるいは皆無として、反射率の低下を抑制する効果があることが分かった。
【０１１６】
また、表３より、第１の透明保護層がウレタン系樹脂（軟化点１８０〜１９０℃、成形温度１９０℃程度での伸び率約７００％）／アクリル系樹脂であり、第２の透明保護層がポリエステル系樹脂である実施例１では、光電変換効率は１１．６％であった。
【０１１７】
第１の透明保護層及び第２の透明保護層がアクリル系樹脂である実施例３では、光電変換効率は１２．２％であった。
【０１１８】
第１の透明保護層及び第２の透明保護層が低Ｔｇアクリル系樹脂である実施例５では、光電変換効率は１２．８％であった。
【０１１９】
一方比較例１の第１の透明保護層及び第２の透明保護層がポリエステル系樹脂（軟化点２００〜２４０℃程度、成形温度１９０℃程度での伸び率約２００％）である場合は、光電変換効率が１１．１％であり、比較例２の第１の透明保護層シリコーン系樹脂（軟化点約２６０℃程度、成形温度１９０℃程度での伸び率約４００％）である場合は、光電変換効率が１１．４％であり、いずれも実施例よりも低くなった。
【０１２０】
第１の透明保護層及び第２の透明保護層が、軟化点が表面透明保護層（ＰＥＴ、軟化点２５０℃）の軟化点よりも６０℃低い材料であり、かつ成形温度での伸び率が約７００％以上であることによって、反射率の低下による光電変換効率の低下を軽減させる効果があることが分かった。
【０１２１】
更に、第１の透明保護層及び第２の透明保護層として軟化点が低い低Ｔｇアクリル系樹脂を用いれば、更に光電変換効率の低下が小さい光電変換装置を作製することができることが分かった。
【０１２２】
なお、本発明は、上記の実施の形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】本実施の形態の光電変換装置を示す断面図である。
【図２】本実施の形態の光電変換装置における光反射部材の断面図である。
【図３】本実施の形態の光電変換装置の透視平面図である。
【図４】本実施の形態の光電変換モジュールの断面図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１：導電性基板
２：結晶半導体粒子
３：半導体部
４：絶縁層
５：透光性導電層
７：光反射部材
１０：表面透明保護層
１１：第２の透明保護層
１２：光反射性金属層
１３：第１の透明保護層
１４：基体
【図１】
2009224757.tif 000006
【図２】
2009224757.tif 000007
【図３】
2009224757.tif 000008
【図４】
2009224757.tif 000009