(57)【要約】【課題】半導体装置の封止樹脂側又は基板側から見たときに、半導体装置の方向を視覚的に識別可能な半導体装置を提供する。【解決手段】基板１０上に第１樹脂部１２と第２樹脂部１４が設けられ、第１樹脂部１２が半導体装置１００の側部に設けられ、第２樹脂部１４が半導体装置１００の中央部に設けられた半導体装置１００であって、半導体装置１００を第１樹脂部１２側又は基板１０側から見たときに、半導体装置１００における特定の一辺側の外周縁部が、他辺側の外周縁部と外観上識別可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１樹脂部と第２樹脂部が設けられ、当該第１樹脂部が半導体装置の側部に設けられ、当該第２樹脂部が半導体装置の中央部に設けられた半導体装置であって、
前記半導体装置を前記第２樹脂部側又は前記基板側から見たときに、前記半導体装置における第１樹脂部を含む特定の一辺側の外周縁部が、他辺側の外周縁部と外観上識別可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記特定の一辺側の外周縁部と前記他辺側の外周縁部とが色差で識別可能であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記特定の一辺側の外周縁部と前記他辺側の外周縁部とが輝度の差で識別可能であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記特定の一辺側の外周縁部と前記他辺側の外周縁部とが粗度の差で識別可能であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記特定の一辺側の外周縁部の幅が前記他辺側の外周縁部の幅より広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とが色差で識別可能であることを特徴とする請求項１〜５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とが輝度の差で識別可能であることを特徴とする請求項１〜５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とが粗度の差で識別可能であることを特徴とする請求項１〜５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関するものであり、特に、ＣＳＰ（チップ・スケール。パッケージ）に代表される小型の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路などの半導体素子をパッケージングした集積回路パッケージでは、小型化及び薄型化に対応する要求が高まってきている。近年、特に薄型化を要求される分野の半導体集積回路パッケージを中心に、半導体素子の表面に球状の端子を格子状に配置したＣ・Ｓ・Ｐ（Ｃｈｉｐ・Ｓｃａｌｅ・Ｐａｃｋａｇｅ）が提唱されている。
【０００３】
このような半導体素子を実装基板に実装する際、当該基板と半導体素子の端子との接続位置を認識した上で実装する必要がある。このためには、半導体素子自体の方向を検知する必要があり、半導体素子の方向を外観上認識することが要求されている。
例えば、半導体素子の封止樹脂部や裏面にレーザマーク又はインクマークする方法（例えば、特許文献１参照）や、半導体素子表面の樹脂層又は裏面に位置決め溝を形成して半導体素子の方向を認識する方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１００５３５公報
【特許文献２】特開平１０−７９３６２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、レーザマークやインクマーク等で行われる捺印による方向性表示（インディックス表示）を省くことが可能となる。従って、判読可能な捺印文字サイズにした場合の文字数の制限が著しく、特に半導体素子の外形が一辺１ｍｍ以下の極小半導体装置において問題となっていた。
また、特許文献２に記載の方法では、半導体素子の中央部（端部以外の箇所）に位置決め溝が形成されるようにハーフスクライブを行うため、半導体素子の端子位置が制限されることが問題となっていた。
【０００６】
本発明は、前記問題点に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、半導体装置の封止樹脂側又は基板側から見たときに、半導体装置の方向を視覚的に識別可能な半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は鋭意検討した結果、下記の半導体装置を用いることにより、上記問題を解決できることを見出し、上記目的を達成するに至った。
【０００８】
即ち、請求項１に記載の半導体装置は、基板上に第１樹脂部と第２樹脂部が設けられ、当該第１樹脂部が半導体装置の側部に設けられ、当該第２樹脂部が半導体装置の中央部に設けられた半導体装置であって、前記半導体装置を前記第１樹脂部側又は前記基板側から見たときに、前記半導体装置における特定の一辺側の外周縁部が、他辺側の外周縁部と外観上識別可能であることを特徴とする。
請求項１に記載の半導体装置によると、半導体装置における特定の一辺側の外周縁部が他辺側の外周縁部と視覚的に識別することができるため、半導体装置の方向を瞬時に見極められ、実装基板に半導体装置を実装する際に誤った方向にて実装することがない。
また、特定の一辺側の外周縁部と他辺側の外周縁部との識別方法としては、例えば請求項２〜４に記載のように、色差、輝度の差、若しくは粗度の差で識別することが挙げられる。
【０００９】
請求項５に記載の半導体装置は前記特定の一辺側の外周縁部の幅が前記他辺側の外周縁部の幅より広いことを特徴とする。
請求項５に記載の半導体装置によると、請求項１〜４に記載の発明の効果に加え、半導体装置を視覚的に識別するための箇所である特定の一辺側の外周縁部の幅が広くなっていることから、瞬時に半導体装置の方向を検知することができる。
【００１０】
請求項６に記載の半導体装置は、前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とが色差で識別可能であることを特徴とする。
請求項７に記載の半導体装置は、前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とが輝度の差で識別可能であることを特徴とする。
請求項８に記載の半導体装置は前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とが粗度の差で識別可能であることを特徴とする。
請求項６〜８に記載の半導体装置によると、請求項１〜５に記載の発明の効果に加え、半導体装置の中央部と側部とで色差、輝度の差、若しくは粗度の差で識別可能であるため、より確実に半導体装置の方向を探知することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体装置の封止樹脂側又は基板側から見たときに、半導体装置の方向を視覚的に識別可能な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図面には、この
発明が理解できる程度に各構成部位の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されている
にすぎず、これによりこの発明が特に限定されるものではない。
【００１３】
本発明の半導体装置は、基板上に第１樹脂部と第２樹脂部が設けられ、当該第１樹脂部が半導体装置の側部に設けられ、当該第２樹脂部が半導体装置の中央部に設けられた半導体装置であって、前記半導体装置を前記第２樹脂部側又は前記基板側から見たときに、前記半導体装置における第１樹脂部を含む特定の一辺側の外周縁部が、他辺側の外周縁部と外観上識別可能である。
ここで、本発明における「半導体装置における第１樹脂部を含む特定の一辺側の外周縁部」とは、後述する第１〜７の実施形態のように、第１樹脂部のみで構成させる態様や、第８〜１０の実施形態のように、第１樹脂部と第２樹脂部とで構成される態様を含むことを表す。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態における半導体装置１００の第２樹脂部側から見た図であり、図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態における半導体装置１００の基板側から見た図である。このように、半導体装置１００の特定の一辺側の外周縁部１２が他辺側の外周縁部と外観上識別可能となり、半導体装置１００の方向を瞬時に目視にて識別することができる。従って、実装基板に半導体装置１００を実装する際に実装方向を誤って搭載することがない。
また、特定の一辺側の外周縁部１２（第１樹脂部）の幅ｘは、第２樹脂部１４側から見たときに、外部端子１６と接触することがない領域であれば特に限定されることはない。外部端子１６と接触する領域と特定の一辺の外周縁部１２とが接触するような領域にまで達していると、例えば粗度の差を設けるためにブラスト等を用いる場合に、外部端子１６もブラストにより粗くなってしまい、実装基板と半導体装置との接続不良の原因となってしまう。なお、図１における特定の一辺側の外周縁部１２は、半導体装置１００の任意の一辺に形成されているか、もしくは３辺に形成されていてもよい。また、外部端子１６は、半導体装置１００の中心側領域に配置されており、各外部端子１６から半導体装置１００の端部までの最短距離はいずれも同一であることが好ましい。また、隣接する外部端子１６同士の間隔が同一となるように設けられていることが好ましい。なお、以下に示す半導体装置２００、３００、４００、５００、６００についても、外部端子の位置は同様である。
特定の一辺側の外周縁部１２の長さｙは、半導体装置１００の方向を容易に識別する観点から、図１（Ａ）のように半導体装置の幅と同一であることが好ましい。
この特定の一辺側の外周縁部１２の識別方法としては、色差、輝度の差、又は粗度の差で識別したりすることが好ましい。
以下に、色差、輝度の差、粗度の差、及び樹脂部について詳述する。
【００１５】
〔色差〕
色差とは、色の知覚的な違いの定量的な差を表す。例えば、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系では，ΔＥ＊ａｂ（デルタ・イースター・エイ・ビー）の次式で定義される数値で表わす。
ΔＥ＊ａｂ＝［（ΔＬ＊）２＋（Δａ＊）２＋（Δｂ＊）２］１／２
この式により、各種の色度図上での距離が対応する。
本発明における特定の一辺側の外周縁部は、他辺側の外周縁部と色差で外観上識別することが好ましい。この色差を定量的に評価する方法として、例えば色差計にて評価することができる。例えば、色差計でのＬ＊値が２０〜５０、ａ＊値が−１０〜＋１０、ｂ＊値が−１０〜＋１０にあることが好ましい。これによって、特定の一辺側の外周縁部の視認性を定量的なものとして管理することができる。色差計は市販されているものを用いてよく、たとえば日本電色工業（株）製「ＳＥ２０００」の分光式色差計が挙げられる。そして、この色差計を用いて、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で色が定量化される。ここで、Ｌ＊値は明度を表し、ａ＊値、ｂ＊値は色相と彩度を示す色度を表している。ａ＊値のマイナス側が緑領域、プラス側が赤領域であり、ｂ＊値のマイナス側が青領域、プラス側が黄領域であり、数値がプラス方向とマイナス方向に大きくなるにつれて色あざやかになり、数値が小さくなるにつれてくすんだ色になる。
【００１６】
〔輝度の差〕
輝度とは、明るさの度合いのことである。本発明の半導体装置は、主に室内で実装基板に実装するため、室内での輝度の差が視覚的に認識することができるものであればよい。輝度の測定としては、例えば、トプコン社の輝度計ＢＭ−８を用いて測定することができる。
【００１７】
〔粗度の差〕
本発明における粗度とは、第１樹脂部と第２樹脂部の表面に存在する凹凸の大きさを表す。表面粗度（Ｒａ、Ｒｍａｘ）の測定は、表面粗度計、Ｐｅｒｔｈｏｍｅｔｅｒ  Ｃ５Ｄ（Ｐｅｒｔｈｅｎ）を用いて、針先端径２μｍの針で、スキャン速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ、測定長１．０ｍｍ、測定ピッチ１μｍ、カットオフ０．８ｍｍの条件でＲａｉ，Ｒｍａｘｉを求め、スキャンと垂直方向に測定ピッチ５μｍで０．２５ｍｍの領域を５０回測定して、その平均値をＲａ，Ｒｍａｘとする。Ｒａｉ，Ｒｍａｘｉ、平均値の算出には画像解析装置ＳＡＳ−２０１０（明伸工機製）を用いる。
【００１８】
〔樹脂部〕
本発明の半導体装置は、半導体装置の側部に第１樹脂部が設けられ、半導体装置の中央部に第２樹脂部が設けられている。これらの樹脂部に用いられている樹脂は、絶縁性であり、尚且つ密着性が良好であることが好ましい。
本発明において、色差を設けるためには、例えば、樹脂中に顔料や染料を含有させる方法が挙げられる。これらの中でも、色差の経時変化や後述する粗度の差を設ける観点から、顔料であることが好ましい。
輝度の差を設けるためには、例えば、第２樹脂部のみを別途研磨して輝度を向上させる方法や、トーチなどに拠る局部的な火炎焙り加工（一般的には「バーニング」と称される）により処理する手法などが考えられる。
また、粗度に差を設ける方法としては、第２樹脂部表面をブラストにより凹凸を設ける方法や、樹脂中に当該樹脂より比重の小さいフィラーを含有させ、樹脂を充填させた後にフィラーを樹脂部の表面に析出させる方法が挙げられる。
【００１９】
〔第１の実施形態における半導体装置の製造方法〕
以下に、本発明の第１の実施形態における半導体装置１００の製造工程断面図を図１１、及び図１２に沿って説明する。
まず、図１１（Ａ）のように、基板１０の表面に例えばポリイミド等の絶縁層１８をスピンコート等により形成する。次に、図１１（Ｂ）のように、絶縁層１８上に再配線１１及び柱状電極１３を形成し、絶縁層１８、再配線１１、及び柱状電極１３を覆うように第２の樹脂層１５で被覆する。この際、柱状電極１３の表面が露出するようにＣＭＰ等で第２の樹脂層１５を研削する。その後、図１１（Ｃ）に示すように、ダイシングソーにて溝１７を形成する。続いて、図１１（Ｄ）に示すように、溝１７に第１の樹脂を充填し、第１樹脂部１２を形成する。最後に、外部端子１６を搭載した後、溝１７の端をダイシングソーにてダイシングし、図１２（Ａ）のように半導体素子を個変に分割して、第１の実施形態における半導体装置を製造する。
図１１（Ｃ）で形成した溝１７の深さとしては、図１１（Ｃ）のように絶縁層１８に達しないような深さや、基板１０にも溝が形成されるような深さが挙げられる。これらの中でも、個変に分割する際のダイシング時におけるカケや基板に加わる応力を緩和する観点から、基板１０にも溝が形成されるような深さであることが好ましい。また、溝１７の幅は、前述のように、個片に分割する際のダイシングの幅よりも広く、基板上の配線部（不図示）に達しないような幅であることが好ましい。個片に分割する際のダイシングの幅より狭いと、当該ダイシング時に第１樹脂部１２が失われてしまう場合がある。また、配線部（不図示）に達してしまうと、配線が損なわれてしまう場合がある。
溝１７への樹脂の充填方法は、スリットから樹脂を押し出して充填する印刷方法であってもよく、ノズルで樹脂を所定の位置に吐出するディスペンス方式であってもよい。
なお、図１２（Ａ）に示す第１樹脂部１２と第２樹脂部１４とを外観上識別可能とするために、例えば、前述のように、樹脂に顔料や染料を含有させておけば、別途工程を追加することなく識別可能となる。また、半導体装置は概ね数ｍｍ角の大きさであるため、よりはっきりと識別可能となり、さらに、第１樹脂部を別途研磨して輝度に差を設ける工程や、第１樹脂部をブラスト等により凹凸をつけることにより粗度の差を設ける工程を、図１１（Ｄ）の個変に分割する前に行ってもよい。
【００２０】
＜第２の実施形態＞
図２（Ａ）は、本発明の第２の実施形態における半導体装置２００の第２樹脂部側から見た図であり、図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態における半導体装置２００の基板側から見た図である。このように、半導体装置２００の特定の一辺側の外周縁部２２が基板側に配置されている。このような形態であっても他辺側の外周縁部と外観上識別可能となり、半導体装置２００の方向を瞬時に目視にて識別することができる。
第２の実施形態では、第１樹脂部２２と第２樹脂部２４とが異なる面に形成されていることから、第１樹脂部２２と第２樹脂部２４とが外観上識別することができなくても半導体装置２００の方向を識別することができる。すなわち、第１樹脂部２２と第２樹脂部２４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であってもよい。
【００２１】
〔第２の実施形態における半導体装置の製造方法〕
以下に、本発明の第２の実施形態における半導体装置２００の製造工程断面図を図１３、及び図１４に沿って説明する。
まず、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）と同様に基板２０上に再配線２１及び柱状電極２３を形成する。その後、図１３（Ｃ）のように、基板２０に溝２７を形成する。そして、図１３（Ｄ）に示すように、溝２７に第１の樹脂を充填して第１樹脂部２２を形成し、外部端子２６を接続後、溝２７の端をダイシングソーにてダイシングし、図１４（Ａ）のように半導体素子を個変に分割して、第２の実施形態における半導体装置を製造する。
溝２７の深さは、基板２０上の配線（不図示）に達しない深さであれば特に限定されないが、基板２０の強度の観点から、基板２０の厚さの１／２程度であればよい。また、溝２７の幅は、目視にて第１樹脂部２２が第２樹脂部２４と識別可能な程度の幅であれば特に限定されない。
【００２２】
＜第３の実施形態＞
図３は、本発明の第３の実施形態における半導体装置３００の第２樹脂部側から見た図である。図３のように、半導体装置３００の特定の一辺側の外周縁部３２に凹部３８が設けられていることから、半導体装置３００の方向を視覚的に認識しやすい。また、特定の一辺側の外周縁部３２（第１樹脂部）と第２樹脂部３４との接触面積が増加するため、第１樹脂部３２と第２樹脂部３４との剥離を抑制することができる。
第３の実施形態において、凹部３８の幅及び深さは、視覚的に識別することができるものであれば特に限定されることはない。
なお、特定の一辺側の外周縁部３２は、第２の実施形態のように、基板側に位置していてもよい。従って、第１樹脂部３２と第２樹脂部３４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であっても半導体装置３００の方向を識別することができる。
【００２３】
＜第４の実施形態＞
図４は、本発明の第４の実施形態における半導体装置４００の第２樹脂部側から見た図である。このように、特定の一辺側の外周縁部４２に複数の凹部４８を設けることにより、半導体装置４００の方向をより視覚的に認識しやすくするばかりでなく、特定の一辺側の外周縁部４２（第１樹脂部）と第２樹脂部４４との剥離の抑制をさらに抑制することができる。
なお、特定の一辺側の外周縁部４２は、第２の実施形態のように、基板側に位置していてもよい。従って、第１樹脂部４２と第２樹脂部４４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であっても半導体装置４００の方向を識別することができる。
【００２４】
〔第３、及び４の実施形態における半導体装置の製造方法〕
本発明の第３、及び４の実施形態における半導体装置３００、４００の製造方法は、図１１（Ｃ）の溝を形成する工程において、切刃等に拠る切削をして凹部を形成した以外は第１の実施形態における半導体装置の製造方法と同様にして半導体装置３００、４００を製造する。
【００２５】
＜第５の実施形態＞
図５は、本発明の第５の実施形態における半導体装置５００の第２樹脂部側から見た図である。図５のように、第１樹脂部５２が半導体装置５００の外周縁部のすべてに設けられ、尚且つ第１樹脂部の特定の一辺側の外周縁部に凹部５８が設けられている形態であってもよい。この形態にすることにより、第１樹脂部５２と第２樹脂部５４との接触面積はさらに増加し、剥離を抑制することができる。
なお、特定の一辺側の外周縁部（第１樹脂部）５２は、第２の実施形態のように、基板側に位置していてもよい。従って、第１樹脂部５２と第２樹脂部５４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であっても半導体装置５００の方向を識別することができる。
【００２６】
＜第６の実施形態＞
図６は、本発明の第６の実施形態における半導体装置６００の第２樹脂部側から見た図である。図６に示すように、第１樹脂部６２に多数の凹部６８を設けることができるため、第１樹脂部６２と第２樹脂部６４との剥離を更に抑制することができる。なお、凹部６８の個数については、特定の一辺側の外周縁部が他辺側の外周縁部より多くても少なくてもよい。すなわち、特定の一辺側の外周縁部と他辺側の外周縁部との個数が異なれば、半導体装置６００の方向を外観上識別することができる。
なお、特定の一辺側の外周縁部６２は、第２の実施形態のように、基板側に位置していてもよい。従って、第１樹脂部６２と第２樹脂部６４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であっても半導体装置６００の方向を識別することができる。
【００２７】
〔第５、及び６の実施形態における半導体装置の製造方法〕
本発明の第５、及び６の実施形態における半導体装置５００、６００の製造方法は、溝を半導体装置の４辺の外周縁部に形成し、尚且つ前述した第３、及び４の実施形態における半導体装置の製造方法のように、切刃等に拠る切削回数を増して特定の一辺側の外周縁部と他辺側の外周縁部とで凹部の数を異なるようにした以外は第１の実施形態における半導体装置の製造方法と同様にして半導体装置５００、６００を製造する。
【００２８】
＜第７の実施形態＞
図７は、本発明の第７の実施形態における半導体装置７００の第２樹脂部側から見た図である。図７のように、第１樹脂部７２における特定の一辺側の外周縁部が他辺側の外周縁部より幅が広くなるように設けられている。すなわち、前記特定の一辺では幅が広がっており、その広がった幅だけ外部端子７６が前記特定の一辺とは反対側に移動した位置に設けられている。従って、特定の一辺側の外周縁部を基準として半導体装置７００の方向を容易に識別することができる。なお、当該幅の広い辺は、半導体装置１００のように、任意の一辺に形成されているか、もしくは３辺に形成されていてもよい。また、外部端子７６の位置については、以下で説明する半導体装置８００、９００、１０００においても同様である。
第１樹脂部７２は、第２の実施形態のように、外部端子２６側ではなく基板２０側に位置していてもよい。従って、第１樹脂部７２と第２樹脂部７４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であっても半導体装置７００の方向を識別することができる。
【００２９】
〔第７の実施形態の半導体装置の製造方法〕
以下に、本発明の第７の実施形態における半導体装置７００の製造工程断面図を図１５、及び図１６に沿って説明する。
まず、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）と同様に基板７０上に再配線７１及び柱状電極７３を形成し、第２の樹脂層７５を研削する。その後、図１５（Ｃ）のように、ダイシングソーにて溝７７を形成する。次いで、図１５（Ｄ）のように、溝７７に第１の樹脂を充填し第１樹脂部７２を形成し、外部端子７６を接続する。その後、半導体装置を個片に分割する際、溝７７の中央部からずれた位置でダイシングして、図１６（Ａ）のように、左右非対称の特定の一辺側の外周縁部が備わった半導体装置７００を製造する。
溝７７の幅は、基板７０上の配線（不図示）に達しない幅であれば特に限定されないが、目視にて第１樹脂部７２が識別可能な程度の幅であれば特に限定されない。
溝７７の深さは、第１の実施形態における半導体装置１００と同様に、基板７０に達しないような深さであってもよく、また、図１５（Ｃ）のように、基板７０に達するような深さであってもよい。これらの中でも、第１樹脂部７２、第２樹脂部７４、及び基板７０との剥離を抑制し、アンカー効果を奏する観点から、図１５（Ｃ）のように基板７０の厚さの１／２程度に達するような深さであることが好ましい。
また、溝７７を形成する際に既に第１の樹脂層７５にて再配線７１や柱状電極７１が被覆されているため、ダイシング時における削りカス等が再配線７１等に付着することを抑制することができる。さらに、第１の樹脂層７５が形成されていることから基板７０の強度を補強していることになるため、溝７７を形成しても基板７０に亀裂が発生することがない。さらに、半導体装置の側部を保護する構成となっていることにより、外部環境の影響を直接受けることを抑制することができる。この他にも、ハンドリング装置により半導体装置の側部を把持する際、当該ハンドリング装置によりシリコン基板に傷がつくことを防止することができる。
【００３０】
＜第８の実施形態＞
図８は、本発明の第８の実施形態における半導体装置８００の第２樹脂部側から見た図である。図８のように、特定の一辺側の外周縁部８２が他辺側の外周縁部より幅が広くなるように設けられ、更にこの広い領域に第２樹脂部８４と外観上識別可能な方向表示部８９が設けられている。方向表示部８９を設けることにより、第７の実施形態における半導体装置７００と比較してさらに半導体装置の方向が識別しやすくなる。
方向表示部８９は、第１樹脂部８２の領域に形成されるため、第１樹脂部とは外観上識別可能であることが好ましく、例えば、第２樹脂部８４で用いた樹脂で方向表示部８９を構成することが挙げられる。
なお、第１樹脂部８２は、第２の実施形態のように、基板８０側に位置していてもよい。従って、第１樹脂部８２と第２樹脂部８４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であっても半導体装置８００の方向を識別することができる。
【００３１】
〔第８の実施形態の半導体装置の製造方法〕
以下に、本発明の第８の実施形態における半導体装置８００の製造工程断面図を図１７、及び図１８に沿って説明する。
まず、図１５（Ａ）〜（Ｄ）と同様に、溝に樹脂を充填して第１樹脂部８２及び第２樹脂部８４を形成した後、図１７（Ａ）のように、第１樹脂部８２の特定の一辺側の外周縁部にダイシングソーにて溝８７を形成する。この後、図１７（Ｂ）のように、溝８７に樹脂を充填し第１樹脂部８４をダイシングソーにて個片に分割し、図１８（Ａ）に示す半導体装置８００を製造する。
ここで、溝８７は、ダイシングソーにて、個片に分割するためのダイシングする箇所に接触しないような位置に形成する必要がある。また、溝８７に樹脂を充填して形成された方向表示部８９は、外観上識別しやすくするため、図１７（Ａ）のように、第１樹脂部８２で覆われるような箇所に形成することが好ましい。
【００３２】
＜第９の実施形態＞
図９は、本発明の第９の実施形態における半導体装置９００の第２樹脂部側から見た図である。図９のように、第２樹脂部９４における特定の一辺側の外周縁部第１樹脂部近傍領域が他辺側の外周縁部より広いため、半導体装置９００の方向を識別することができる。
なお、特定の一辺側の外周縁部９２は、第２の実施形態のように、基板側に位置していてもよい。従って、第１樹脂部９２と第２樹脂部９４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であっても半導体装置９００の方向を識別することができる。
【００３３】
〔第９の実施形態の半導体装置の製造方法〕
以下に、本発明の第９の実施形態における半導体装置９００の製造工程断面図を図１９、及び図２０に沿って説明する。
まず、図１９（Ａ）、（Ｂ）のように、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）と同様に基板９０上に再配線９１ａ及び柱状電極９３を形成する。その後、図１９（Ｃ）のように、溝９７を再配線９１ａからの距離が互いに異なる位置となるように形成する。具体的には、図１９（Ｃ）に示すように、一方の再配線９１ａと溝９７ａとの距離ｘが他方の再配線９１ｂと溝９７ｂとの距離ｙより大きくなるように溝９７ａ及び９７ｂを形成する。次いで、溝９７ａ、９７ｂに樹脂を充填し、ダイシングソーにて個片分割した後、図２０（Ａ）のように半導体装置９００を製造する。
前記ｘとｙとの差は、外観上識別可能な程度の差を有していればよく、例えば、ｘ：ｙ＝２：１、若しくはそれ以上であることが好ましい。
【００３４】
＜第１０の実施形態＞
図１０は、本発明の第１０の実施形態における半導体装置１０００の第２樹脂部側から見た図である。図１０のように、第９の実施形態における近傍領域に、第２樹脂部１０４を構成する樹脂とは外観上識別可能な方向表示部１０９が設けられている。方向表示部１０９を設けることにより、第９の実施形態における半導体装置９００と比較してさらに半導体装置の方向が識別しやすくなる。
方向表示部１０９は、第２樹脂部１０４の領域に形成されるため、第２樹脂部１０４とは外観上識別可能であることが好ましく、例えば、第１樹脂部１０２で用いた樹脂で方向表示部１０９を構成することが挙げられる。
なお、特定の一辺側の外周縁部１０２は、第２の実施形態のように、基板側に位置していてもよい。従って、第１樹脂部１０２と第２樹脂部１０４との色差、輝度の差、若しくは粗度の差がなく視覚的に同一であっても半導体装置１０００の方向を識別することができる。
【００３５】
〔第１０の実施形態の半導体装置の製造方法〕
まず、図１９（Ａ）〜（Ｄ）と同様に、第２樹脂部１０４を形成し、溝に樹脂を充填して第１樹脂部１０２を形成した後、図２１（Ａ）のように、第２樹脂部１０４の特定の一辺側の外周縁部にダイシングソーにて溝１０７を形成する。この後、図２０（Ｂ）のように、溝１０７に樹脂を充填し、深さが基板１００ａに達するような溝に樹脂が充填された箇所の中央部をダイシングソーにて個片に分割し、図２２（Ａ）に示す半導体装置１０００を製造する。
ここで、溝１０７は、図２１（Ａ）に示すように、第２樹脂部１０４の再配線１０１と第１樹脂部１０２とにより挟まれた領域に形成することが好ましい。
【００３６】
なお、第３〜１０の実施形態における半導体装置の製造方法では、第１樹脂部を基板側に形成する工程を、第２の実施形態における半導体装置の製造方法と同様にして行うことにより形成することができる。
【００３７】
本実施形態は、限定的に解釈されるものではなく、本発明の要件を満足する範囲内で実現可能であることは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態における半導体装置の上面図（第２樹脂部側）と裏面図（基板側）である。
【図２】本発明の第２の実施形態における半導体装置の上面図（第２樹脂部側）と裏面図（基板側）である。
【図３】本発明の第３の実施形態における半導体装置の上面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態における半導体装置の上面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態における半導体装置の上面図である。
【図６】本発明の第６の実施形態における半導体装置の上面図である。
【図７】本発明の第７の実施形態における半導体装置の上面図である。
【図８】本発明の第８の実施形態における半導体装置の上面図である。
【図９】本発明の第９の実施形態における半導体装置の上面図である。
【図１０】本発明の第１０の実施形態における半導体装置の上面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第１の実施形態における半導体装置の製造方法の、基板に絶縁層を形成する工程から半導体装置を個片に分割する工程までの工程断面図である。
【図１２】（Ａ）は、本発明の第１の実施形態における半導体装置の断面図であり、（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態における半導体装置の上面図（第２樹脂側）である。
【図１３】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造方法の、基板に絶縁層を形成する工程から半導体装置を個片に分割する工程までの工程断面図である。
【図１４】（Ａ）は、本発明の第２の実施形態における半導体装置の断面図であり、（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態における半導体装置の上面図（第２樹脂側）であり、（Ｃ）は、本発明の第２の実施形態における半導体装置の裏面図（基板側）である。
【図１５】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第７の実施形態における半導体装置の製造方法の、基板に絶縁層を形成する工程から半導体装置を個片に分割する工程までの工程断面図である。
【図１６】（Ａ）は、本発明の第７の実施形態における半導体装置の断面図であり、（Ｂ）は、本発明の第７の実施形態における半導体装置の上面図（第２樹脂側）である。
【図１７】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第８の実施形態における半導体装置の製造方法の、第１樹脂部に溝を形成する工程から半導体装置を個片に分割するまでの工程断面図である。
【図１８】（Ａ）は、本発明の第８の実施形態における半導体装置の断面図であり、（Ｂ）は、本発明の第８の実施形態における半導体装置の上面図（第２樹脂側）である。
【図１９】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第９の実施形態における半導体装置の製造方法の、基板に絶縁層を形成する工程から半導体装置を個片に分割する工程までの工程断面図である。
【図２０】（Ａ）は、本発明の第９の実施形態における半導体装置の断面図であり、（Ｂ）は、本発明の第９の実施形態における半導体装置の上面図（第２樹脂側）である。
【図２１】本発明の第１０の実施形態における半導体装置の製造方法の、第１樹脂部に溝を形成する工程から半導体装置を個片に分割するまでの工程断面図である。
【図２２】（Ａ）は、本発明の第１０の実施形態における半導体装置の断面図であり、（Ｂ）は、本発明の第１０の実施形態における半導体装置の上面図（第２樹脂側）である。
【符号の説明】
【００３９】
１０、２０、７０、８０、９０、１００ａ  基板
１１、２１、７１、８１、９１ａ、９１ｂ、１０１  再配線
１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、１０２  特定の一辺側の外周縁部（第１樹脂部）
１３、２３、７３、８３、９３、１０３  柱状電極
１４、２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４、９４、１０４  第２樹脂部
１５、２５、７５、９５  第２の樹脂層
１６、２６、３６、４６、５６、６６、７６、８６、９６、１０６  外部端子
１７、２７、７７、８７、９７ａ、９７ｂ、１０７  溝
１８、２８、７８、８８、９８、１０８  絶縁層
３８、４８、５８、６８  凹部
８９、１０９  方向表示部
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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