(57)【要約】【課題】コンデンサの吸湿を抑制し、電流リークを低減した多層プリント配線板等を提供する。【解決手段】多層プリント配線板１０は、コア基板２１と、第１の層間樹脂絶縁層３６ａと、高誘電体層４３と第１及び第２層状電極４１，４２とを有する層状コンデンサ部４０と、第２の層間樹脂絶縁層３６ｂと、電源プレーン層５２Ｐと、最外の層間樹脂絶縁層３６ｄと、各層間樹脂絶縁層を貫通する複数のビア導体と、半導体素子を実装するグランド用パッド６１及び電源用パッド６２を有する実装部６０とを備え、ビア導体はグランドビア導体６１ａと電源ビア導体６２ａとを有し、第１層状電極４１はグランドビア導体６１ａを介してグランド用パッド６１に接続され、第２層状電極４２は電源ビア導体６２ａを介して電源用パッド６２に接続される。【選択図】図１
2009135492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される第１の層間樹脂絶縁層と、
前記第１の層間樹脂絶縁層に形成され、高誘電体層と当該高誘電体層を挟む第１及び第２層状電極とを有する層状コンデンサ部と、
前記第１の層間樹脂絶縁層と前記層状コンデンサ部の上に形成される第２の層間樹脂絶縁層と、
前記第２の層間樹脂絶縁層を介して前記層状コンデンサ部上に形成される金属薄膜層と、
前記第２の層間樹脂絶縁層と前記金属薄膜層の上に形成される最外の層間樹脂絶縁層と、
前記各層間樹脂絶縁層を貫通する複数のビア導体と、
前記最外の層間樹脂絶縁層上に形成され、半導体素子を実装するための第１及び第２の外部端子を有する実装部と
を備え、
前記ビア導体は、第１のビア導体と第２のビア導体とを有し、
前記層状コンデンサ部の前記第１層状電極は、前記第１のビア導体を介して前記実装部の前記第１の外部端子に電気的に接続され、
前記層状コンデンサ部の前記第２層状電極は、前記第２のビア導体を介して前記実装部の前記第２の外部端子に電気的に接続される多層プリント配線板。
【請求項２】
前記絶縁層は、当該絶縁層上にグランド用の導体回路と、電源用の導体回路と、位置合わせの基準となる第１アライメントマークとを有し、
前記層状コンデンサ部は、位置合わせに用いられる第２アライメントマークを更に有し、
前記層状コンデンサ部は、当該層状コンデンサ部が有する前記第２アライメントマークが前記絶縁層に形成された前記第１アライメントマークに対して所定の位置関係となるように位置合わせされる請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記層状コンデンサ部の前記第１層状電極は、前記第１のビア導体を介して前記絶縁層に形成された前記グランド用の導体回路に電気的に接続され、
前記層状コンデンサ部の前記第２層状電極は、前記第２のビア導体を介して前記絶縁層に形成された前記電源用の導体回路に電気的に接続され、
前記第１のビア導体及び前記第２のビア導体は、前記絶縁層に形成された前記第１アライメントマーク及び前記層状コンデンサ部の前記第２アライメントマークのいずれか一方を基準にして形成される請求項２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
前記絶縁層と前記第１の層間樹脂絶縁層との間に第３の層間樹脂絶縁層を更に有し、
前記第３の層間樹脂絶縁層は、当該第３の層間樹脂絶縁層上にグランド用の導体回路と電源用の導体回路と位置合わせの基準となる第１アライメントマークとが形成され、
前記層状コンデンサ部は、位置合わせに用いられる第２アライメントマークを有し、
前記層状コンデンサ部は、当該層状コンデンサ部が有する前記第２アライメントマークが前記第３の層間樹脂絶縁層に形成された前記第１アライメントマークに対して所定の位置関係となるように位置合わせされる請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項５】
前記層状コンデンサ部の前記第１層状電極は、前記第１のビア導体を介して前記第３の層間樹脂絶縁層に形成された前記グランド用の導体回路に電気的に接続され、
前記層状コンデンサ部の前記第２層状電極は、前記第２のビア導体を介して前記第３の層間樹脂絶縁層に形成された前記電源用の導体回路に電気的に接続され、
前記第１のビア導体及び前記第２のビア導体は、前記第３の層間樹脂絶縁層に形成された前記第１アライメントマーク及び前記層状コンデンサ部の前記第２アライメントマークのいずれか一方を基準にして形成される請求項４に記載の多層プリント配線板。
【請求項６】
前記金属薄膜層は、前記実装部の側から見て少なくとも前記層状コンデンサ部を含む領域を有する請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項７】
前記金属薄膜層は、前記層状コンデンサ部の前記第１及び第２層状電極のいずれか一方と同電位に保たれている請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項８】
前記各層間樹脂絶縁層は、０．０２ｍｍから０．０８ｍｍの厚さを有する請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項９】
前記絶縁層は、ガラスクロス又はアラミド不織布に樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板であって、当該樹脂基板の厚さは０．４ｍｍから１．０ｍｍである請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項１０】
前記絶縁層は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなっている請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項１１】
前記絶縁層は、ガラスクロスやアラミド不織布からなる心材を有しない請求項１０に記載の多層プリント配線板。
【請求項１２】
前記絶縁層は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とからなっている請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項１３】
前記絶縁層は、ガラスクロスやアラミド不織布からなる心材を有しない請求項１２に記載の多層プリント配線板。
【請求項１４】
高誘電体層と当該高誘電体層を挟む第１及び第２層状電極とを有し、当該第１及び第２層状電極の一方が電源ラインに接続され他方が接地ラインに接続されて所定の電荷を蓄える層状コンデンサ部と、
層間樹脂絶縁層を介して前記層状コンデンサ部上に形成され、当該層状コンデンサ部の前記第１及び第２層状電極のいずれか一方と同電位に保たれた金属薄膜層と、
層間樹脂絶縁層を介して前記金属薄膜層上に形成され、ビアホールを介して前記層状コンデンサ部に電気的に接続される半導体素子を表面に実装する実装部と
を備えることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項１５】
絶縁層上に導体回路を形成し、
前記絶縁層と前記導体回路の上に第１の層間樹脂絶縁層を形成し、
高誘電体層と当該高誘電体層を挟む第１及び第２層状電極とを有する層状コンデンサ部を前記第１の層間樹脂絶縁層を介して前記絶縁層上に積層し、
前記層状コンデンサ部上に第２の層間樹脂絶縁層を形成し、
前記第２の層間樹脂絶縁層上に金属薄膜層を形成し、
前記第２の層間樹脂絶縁層と前記金属薄膜層の上に最外の層間樹脂絶縁層を形成し、
前記最外の層間樹脂絶縁層上に半導体素子を実装するための外部端子を形成する多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１６】
前記層状コンデンサ部は、位置合わせに用いられるアライメントマークを有しており、
前記多層プリント配線板の製造方法は、
前記絶縁層上に位置合わせの基準となるアライメントマークを形成し、
前記絶縁層上に形成された前記アライメントマーク及び前記層状コンデンサ部に形成された前記アライメントマークを基準として、当該絶縁層上に形成された前記導体回路に対して当該層状コンデンサ部を位置合わせし、
前記層状コンデンサ部と前記第１の層間樹脂絶縁層とを貫通して前記絶縁層上に形成された前記導体回路に到達するビアホールを形成し、
前記ビアホール内にビア導体を形成する請求項１５に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記層状コンデンサ部は、位置合わせに用いられるアライメントマークを有しており、
前記多層プリント配線板の製造方法は、
前記絶縁層と当該絶縁層上に形成された前記導体回路上に第３の層間樹脂絶縁層を形成し、
前記第３の層間樹脂絶縁層上に導体回路と位置合わせの基準となるアライメントマークとを形成し、
前記第３の層間樹脂絶縁層上に形成された前記アライメントマーク及び前記層状コンデンサ部に形成された前記アライメントマークを基準として、当該第３の層間樹脂絶縁層上に形成された前記導体回路に対して当該層状コンデンサ部を位置合わせし、
前記層状コンデンサ部と前記第１の層間樹脂絶縁層とを貫通して前記第３の層間樹脂絶縁層上に形成された前記導体回路に到達するビアホールを形成し、
前記ビアホール内にビア導体を形成する請求項１５に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体素子を実装するコンデンサ内蔵型の多層プリント配線板等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁層を介して複数の配線層が積層され、表面に抵抗等の各種の電子部品や半導体素子が実装された多層プリント配線板が多数提案されている。そして、実装される半導体素子に対して外部から供給される電力（外部電力）に瞬間的な電圧低下が生じた場合に備えて、外部電力以外から半導体素子へ安定した電力の供給を行う技術も提案されている。
公報開示の技術として、例えば、特許文献１には、半導体素子を表面に実装する実装部と、セラミック製の高誘電体層と該高誘電体層を挟む第１及び第２層状電極とを有し第１及び第２層状電極のいずれか一方が半導体素子の電源ラインに接続され他方がグランドラインに接続される層状コンデンサ部と複数の絶縁層と、絶縁層上に形成された導体回路と、複数の異なる絶縁層上に形成された導体回路を接続するビアホール導体とを備え、層状コンデンサ部が絶縁層と絶縁層の間に配置されているプリント配線板が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９１５５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、多層プリント配線板に実装される半導体素子への安定的な電力の供給を行うには、例えば、多層プリント配線板がコンデンサ等の蓄電素子を備える構成とすればよい。半導体素子に供給される外部電力に瞬間的な電圧の低下が生じたときに、低下した外部電圧を補うように蓄電素子から給電すれば、安定的な電力の供給を実現できる。特に、実装される半導体素子の近くに蓄電素子を配置して、低下した外部電圧を補うように電力を供給できれば、安定した電力供給を実現できて好ましい。
【０００５】
しかし、コンデンサの高誘電体層に、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム等のセラミック系材料を採用し、薄膜化する場合、これらの材料は高温高湿下での過電圧印加でリークが起こり、耐ＨＡＳＴ性に問題が発生することがある。その場合、コンデンサにリークパスが形成され、電流のリークが生じて、ひいては信頼性の低下を招く恐れがある。
【０００６】
本発明は、コンデンサの吸湿を抑制し、電流リークを低減した多層プリント配線板等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明にかかる多層プリント配線板は、絶縁層と、絶縁層上に形成される第１の層間樹脂絶縁層と、第１の層間樹脂絶縁層に形成され、高誘電体層と高誘電体層を挟む第１及び第２層状電極とを有する層状コンデンサ部と、第１の層間樹脂絶縁層と層状コンデンサ部の上に形成される第２の層間樹脂絶縁層と、第２の層間樹脂絶縁層を介して層状コンデンサ部上に形成される金属薄膜層と、第２の層間樹脂絶縁層と金属薄膜層の上に形成される最外の層間樹脂絶縁層と、各層間樹脂絶縁層を貫通する複数のビア導体と、最外の層間樹脂絶縁層上に形成され、半導体素子を実装するための第１及び第２の外部端子を有する実装部とを備え、ビア導体は、第１のビア導体と第２のビア導体とを有し、層状コンデンサ部の第１層状電極は、第１のビア導体を介して実装部の第１の外部端子に電気的に接続され、層状コンデンサ部の第２層状電極は、第２のビア導体を介して実装部の第２の外部端子に電気的に接続される。
【０００８】
ここで、絶縁層は、絶縁層上にグランド用の導体回路と、電源用の導体回路と、位置合わせの基準となる第１アライメントマークとを有し、層状コンデンサ部は、位置合わせに用いられる第２アライメントマークを更に有し、層状コンデンサ部は、層状コンデンサ部が有する第２アライメントマークが絶縁層に形成された第１アライメントマークに対して所定の位置関係となるように位置合わせされることを特徴とすれば、第１及び第２アライメントマークを基準にして層状コンデンサ部を適切な位置に形成することができる。
また、層状コンデンサ部の第１層状電極は、第１のビア導体を介して絶縁層に形成されたグランド用の導体回路に電気的に接続され、層状コンデンサ部の第２層状電極は、第２のビア導体を介して絶縁層に形成された電源用の導体回路に電気的に接続され、第１のビア導体及び第２のビア導体は、絶縁層に形成された第１アライメントマーク及び層状コンデンサ部の第２アライメントマークのいずれか一方を基準にして形成されることを特徴とすれば、第１及び第２アライメントマークを基準にして層状コンデンサ部と絶縁層に形成されたグランド用又は電源用の導体回路とを適切に結線することができる。
更に、絶縁層と第１の層間樹脂絶縁層との間に第３の層間樹脂絶縁層を更に有し、第３の層間樹脂絶縁層は、第３の層間樹脂絶縁層上にグランド用の導体回路と電源用の導体回路と位置合わせの基準となる第１アライメントマークとが形成され、層状コンデンサ部は、位置合わせに用いられる第２アライメントマークを有し、層状コンデンサ部は、層状コンデンサ部が有する第２アライメントマークが第３の層間樹脂絶縁層に形成された第１アライメントマークに対して所定の位置関係となるように位置合わせされることを特徴とすれば、絶縁層と第１の層間樹脂絶縁層との間に第３の層間樹脂絶縁層を形成しても、第１及び第２アライメントマークを基準にして層状コンデンサ部を適切な位置に形成することができる。
更にまた、層状コンデンサ部の第１層状電極は、第１のビア導体を介して第３の層間樹脂絶縁層に形成されたグランド用の導体回路に電気的に接続され、層状コンデンサ部の第２層状電極は、第２のビア導体を介して第３の層間樹脂絶縁層に形成された電源用の導体回路に電気的に接続され、第１のビア導体及び第２のビア導体は、第３の層間樹脂絶縁層に形成された第１アライメントマーク及び層状コンデンサ部の第２アライメントマークのいずれか一方を基準にして形成されることを特徴とすれば、第１及び第２アライメントマークを基準にして層状コンデンサ部と第３の層間樹脂絶縁層に形成されたグランド用又は電源用の導体回路とを適切に結線することができる。
更にまた、金属薄膜層は、実装部の側から見て少なくとも層状コンデンサ部を含む領域を有することを特徴とすれば、層状コンデンサへの湿気の浸入をより確実に防ぐことができる。
更にまた、金属薄膜層は、層状コンデンサ部の第１及び第２層状電極のいずれか一方と同電位に保たれていることを特徴とすれば、層状コンデンサ部又は半導体素子は金属薄膜層の電位による影響を抑えることができる。
更にまた、各層間樹脂絶縁層は、０．０２ｍｍから０．０８ｍｍの厚さを有することを特徴とすれば、層間樹脂絶縁層の上下の層を適切に絶縁することができる。
更にまた、絶縁層は、ガラスクロス又はアラミド不織布に樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板であって、樹脂基板の厚さは０．４ｍｍから１．０ｍｍである。
更にまた、絶縁層は、無機フィラーと熱硬化性樹脂からなる。
更にまた、絶縁層は、ガラスクロスやアラミド不織布からなる心材を有しない。
更にまた、絶縁層は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂からなる。
更にまた、絶縁層は、ガラスクロスやアラミド不織布からなる心材を有しない。
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明にかかる多層プリント配線板は、高誘電体層と高誘電体層を挟む第１及び第２層状電極とを有し、第１及び第２層状電極の一方が電源ラインに接続され他方が接地ラインに接続されて所定の電荷を蓄える層状コンデンサ部と、層間樹脂絶縁層を介して層状コンデンサ部上に形成され、層状コンデンサ部の第１及び第２層状電極のいずれか一方と同電位に保たれた金属薄膜層と、層間樹脂絶縁層を介して金属薄膜層上に形成され、ビアホールを介して層状コンデンサ部に電気的に接続される半導体素子を表面に実装する実装部とを備える。
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明にかかる多層プリント配線板の製造方法は、絶縁層上に導体回路を形成し、絶縁層と導体回路の上に第１の層間樹脂絶縁層を形成し、高誘電体層と高誘電体層を挟む第１及び第２層状電極とを有する層状コンデンサ部を第１の層間樹脂絶縁層を介して絶縁層上に積層し、層状コンデンサ部上に第２の層間樹脂絶縁層を形成し、第２の層間樹脂絶縁層上に金属薄膜層を形成し、第２の層間樹脂絶縁層と金属薄膜層の上に最外の層間樹脂絶縁層を形成し、最外の層間樹脂絶縁層上に半導体素子を実装するための外部端子を形成する。
【００１１】
ここで、層状コンデンサ部は、位置合わせに用いられるアライメントマークを有しており、多層プリント配線板の製造方法は、絶縁層上に位置合わせの基準となるアライメントマークを形成し、絶縁層上に形成されたアライメントマーク及び層状コンデンサ部に形成されたアライメントマークを基準として、絶縁層上に形成された導体回路に対して層状コンデンサ部を位置合わせし、層状コンデンサ部と第１の層間樹脂絶縁層とを貫通して絶縁層上に形成された導体回路に到達するビアホールを形成し、ビアホール内にビア導体を形成することを特徴とすれば、アライメントマークを基準にして層状コンデンサ部を適切な位置に配置し、層状コンデンサ部と絶縁層に形成されたグランド用又は電源用の導体回路とを適切に結線することができる。
また、層状コンデンサ部は、位置合わせに用いられるアライメントマークを有しており、多層プリント配線板の製造方法は、絶縁層と絶縁層上に形成された導体回路上に第３の層間樹脂絶縁層を形成し、第３の層間樹脂絶縁層上に導体回路と位置合わせの基準となるアライメントマークとを形成し、第３の層間樹脂絶縁層上に形成されたアライメントマーク及び層状コンデンサ部に形成されたアライメントマークを基準として、第３の層間樹脂絶縁層上に形成された導体回路に対して層状コンデンサ部を位置合わせし、層状コンデンサ部と第１の層間樹脂絶縁層とを貫通して第３の層間樹脂絶縁層上に形成された導体回路に到達するビアホールを形成し、ビアホール内にビア導体を形成することを特徴とすれば、絶縁層と第１の層間樹脂絶縁層との間に第３の層間樹脂絶縁層を形成しても、第１及び第２アライメントマークを基準にして層状コンデンサ部を適切な位置に形成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、層状コンデンサ部の吸湿を抑制し、電流リークを低減した多層プリント配線板等を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる多層プリント配線板１０の縦断面図である。
図１に示すように、多層プリント配線板１０は、スルーホール導体２４を有する絶縁層の一例としてのコア基板２１と、コア基板２１の表裏面に形成された配線パターン（導体回路）２２と、コア基板２１上に層間樹脂絶縁層３６を介して複数積層された配線パターン（導体回路）３２と、異なる層間樹脂絶縁層に形成されている配線パターン同士を電気的に接続するビア導体３４とを有するビルドアップ部３０とを備えている。コア基板２１の表裏面に形成された配線パターン２２同士は、コア基板２１を貫通するスルーホール導体２４で電気的に接続されている。
【００１４】
コア基板（絶縁層）２１は、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板やガラスエポキシ基板等のガラスクロス又はアラミド不織布に熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板であって、厚さは０．４ｍｍから１．０ｍｍである。
また、コア基板２１は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなる樹脂絶縁層や、無機フィラーと熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とからなる樹脂絶縁層であってもよい。このような樹脂絶縁層の場合、樹脂絶縁層はガラスクロスやアラミド不織布などのガラス繊維を有しないことが好ましい。
【００１５】
コア基板２１の表面には、第１アライメントマーク２６が設けられている。第１アライメントマーク２６は、コア基板２１上の層間樹脂絶縁層（第１の層間樹脂絶縁層）３６ａに層状コンデンサ部４０を積層する際の位置合わせの基準として用いられる。第１アライメントマーク２６は、配線パターン２２と同じく銅等の導電体を用いて、配線パターン２２と同時に形成される。第１アライメントマーク２６は、位置合わせの際に目印となるように、例えば、十字状のマークとして形成される。
尚、第１アライメントマーク２６は、必ずしもコア基板２１の表面に形成される必要はない。図２は、コア基板２１の表面以外の層に第１アライメントマーク２６を形成した例を示す。例えば、層状コンデンサ部４０が形成される層間樹脂絶縁層３６ａの１つ下に第３の層間樹脂絶縁層３６ｅ（コア基板２１側の層）を形成し、その上に第１アライメントマーク２６を形成してもよい。
【００１６】
図１に戻って説明を続ける。
ビルドアップ部３０は、コア基板２１の表裏面（簡略化のため、図１では表面のみを図示した）に層間樹脂絶縁層３６と配線パターン３２とを交互に積層したものであり、各配線パターン３２は層間樹脂絶縁層３６を貫通するビア導体３４を介して電気的に接続されている。ここで、ビア導体３４は、層間樹脂絶縁層３６を貫通するスルーホールの内周もしくは内部に銅等の導電体をめっき処理して形成される導電体層である。層間樹脂絶縁層３６は、０．０２ｍｍから０．０８ｍｍの厚さを有している。層間樹脂絶縁層３６は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなる層間樹脂絶縁層や、無機フィラーと熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とからなる層間樹脂絶縁層であって、ガラスクロスやアラミド不織布などのガラス繊維を有しないことが好ましい。
【００１７】
また、多層プリント配線板１０は、高誘電体層４３とこの高誘電体層４３を挟む第１層状電極４１及び第２層状電極４２とで構成された層状コンデンサ部４０と、層状コンデンサ部４０上に層間樹脂絶縁層３６を介して形成された金属薄膜層５２Ｐ，５２Ｇと、半導体素子（図示省略）が実装される実装部６０とを備えている。
層状コンデンサ部４０は、セラミック系の高誘電体材料を高温で焼成した高誘電体層４３と、この高誘電体層４３を挟む第１層状電極４１及び第２層状電極４２とで構成されている。第１層状電極４１はニッケル（Ｎｉ）電極であり、実装部６０のグランド用パッド（第１の外部端子）６１に電気的に接続される。第２層状電極４２は銅電極であり、実装部６０の電源用パッド（第２の外部端子）６２に接続される。
【００１８】
層状コンデンサ部４０は、層間樹脂絶縁層３６（３６ａ）を介してコア基板２１上に配される。第１層状電極４１はグランドライン（接地ライン）（図示省略）に接続され、第２層状電極４２は電源ライン（図示省略）に接続されて、層状コンデンサ部４０は所定の電荷を蓄える。また、層状コンデンサ部４０は、ビア導体３４を介して実装部６０に実装される半導体素子（図示省略）に接続される。図示しない電源ラインから半導体素子に供給される電力（外部電力）が一時的に電圧低下を生じた際に、層状コンデンサ部４０は電荷を放出して半導体素子に電力を供給する。
【００１９】
第１層状電極４１は、高誘電体層４３の下面に形成されたプレーンパターンであって、グランド用のビア導体（グランドビア導体）６１ｂを介してグランド用パッド６１に電気的に接続している。また、第１層状電極４１は、グランドビア導体（第１のビア導体）６１ａを介して、コア基板２１上に形成されたグランド用の導体回路の一例としてのグランド配線２２Ｇに接続している。層状コンデンサ部４０の第１層状電極４１側の面には開口部（第１層状電極４１の非形成部）４１ａが形成されている。電源用パッド６２に電気的に接続する電源用のビア導体（電源ビア導体）（第２のビア導体）６２ａが第１層状電極４１と非接触な状態で開口部４１ａ内を通過して、コア基板２１上に形成された電源用の導体回路の一例としての電源配線２２Ｐに接続している。
【００２０】
第２層状電極４２は、高誘電体層４３の上面に形成されたプレーンパターンであって、電源ビア導体６２ｂを介して電源用パッド６２に接続している。また、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２側の面には開口部（第２層状電極４２の非形成部）４２ａが形成されている。グランド用パッド６１に接続するグランドビア導体６１ａが、非接触な状態でこの開口部４２ａ内を通過して、グランド用パッド６１に接続している。
高誘電体層４３は、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＴａＯ3、Ｔａ2Ｏ5、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＮＺＴ、ＰＣＺＴ、ＰＳＺＴからなる群より選ばれた１種又は２種以上の金属酸化物を含んでなる高誘電体材料で構成される。この高誘電体材料を０．３〜１μｍの薄膜状にした後、焼成してセラミックにして、高誘電体層４３は形成されている。高誘電体層４３がこの厚さを有していることにより、第１層状電極４１及び第２層状電極４２の間は実質的に短絡しない。なお、層状コンデンサ部４０の製造方法については後述する。
【００２１】
層状コンデンサ部４０上には第２の層間樹脂絶縁層３６ｂを介して金属薄膜層５２Ｐが形成され、金属薄膜層５２Ｐ上には層間樹脂絶縁層３６ｃを介して金属薄膜層５２Ｇが形成されている。
金属薄膜層５２Ｐは、ビア導体３４（電源ビア導体６２ａ）を介して第２層状電極４２に接続している。また、金属薄膜層５２Ｐは、ビア導体３４（電源ビア導体６２ｂ）を介して電源用パッド６２に接続している。金属薄膜層５２Ｇは、ビア導体３４（グランドビア導体６１ａ）を介して第１層状電極４１に接続している。また、金属薄膜層５２Ｇは、ビア導体３４（グランドビア導体６１ｂ）を介してグランド用パッド６１に接続している。ここで、第１層状電極４１はグランドラインと電気的に接続しているので、金属薄膜層５２Ｇはグランドプレーン層５２Ｇと称される。第２層状電極４２は電源ラインと電気的に接続しているので、金属薄膜層５２Ｐは電源プレーン層５２Ｐと称される。
【００２２】
電源プレーン層５２Ｐ及びグランドプレーン層５２Ｇは、層間樹脂絶縁層３６を介して層状コンデンサ部４０と実装部６０との間の層に形成される。電源プレーン層５２Ｐは、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２に接続されて第２層状電極４２と同電位に保たれ、グランドプレーン層５２Ｇは、第１層状電極４１に接続されて同電位に保たれている。そのため、層状コンデンサ部４０または半導体素子は、金属薄膜層の電位による影響を抑えることができる。
【００２３】
図３は、電源プレーン層５２Ｐを上から（後述する実装部６０の側から）見た図である。
電源プレーン層５２Ｐは、第２の層間樹脂絶縁層３６ｂのほぼ全面を覆っている銅等の金属薄膜層である。図３には、電源プレーン層５２Ｐが第２の層間樹脂絶縁層３６ｂのほぼ全面を覆っている状態を示しているが、電源プレーン層５２Ｐは、層状コンデンサ部４０の直上であって、少なくとも層状コンデンサ部４０の外形より大きければよい。つまり、電源プレーン層５２Ｐは、層状コンデンサ部４０の直上であって、図３の点線で囲まれる領域よりその外形が大きければよい。電源プレーン層５２Ｐの中には、グランド配線とグランド用のランド（グランドランド）６１ｃ、信号用の導体回路（信号配線）６３ｄと信号用のランド（信号ランド）６３ｃの少なくとも１つが形成されている。
【００２４】
また、グランド配線とグランドランド６１ｃ、信号配線６３ｄと信号ランド６３ｃの周りには、導体が形成されていないスペース５２ｓが形成されていて、電源プレーン層５２Ｐとグランド配線やグランドランド６１ｃとの間、電源プレーン層５２Ｐと信号配線６３ｄや信号ランド６３ｃとの間のショートを防止している。
電源プレーン層５２Ｐは、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２と同電位に保たれていることを特徴とすれば、層状コンデンサ部４０、又は、実装部６０に実装されている半導体素子（図示省略）は、電源プレーン層５２Ｐの電位による影響を抑えることができる。
【００２５】
図１に戻って説明を続ける。
信号用のビア導体（信号ビア導体）６３ｂ（６３ａ）、信号ランド６３ｃ、信号配線６３ｄは、信号用パッド６３に電気的に接続している。信号ランド６３ｃは、その上に信号ビア導体６３ｂが形成されるか、或いは、信号配線６３ｄに接続している。グランドビア導体６１ｂ（６１ａ）、グランドランド６１ｃ、及び、グランド配線２２Ｇは、グランド用パッド６１に接続している。グランドランド６１ｃは、グランドビア導体６１ｂとグランド配線２２Ｇの少なくとも一方と接続している。
ビア導体３４の直上にビア導体３４を形成する場合や、ビア導体３４が層間樹脂絶縁層の２層（３６ａ，３６ｂ）を同時に貫通する場合、電源プレーン層５２Ｐと同一の層にランドが形成される。
【００２６】
層状コンデンサ部４０は、実装部６０からみて、電源プレーン層５２Ｐより内層であって、図３の点線で囲まれる領域の直下に形成されている。つまり、電源プレーン層５２Ｐは、実装部６０の側から見て少なくとも層状コンデンサ部４０を含む領域を有している（図３参照）。層状コンデンサ部４０の直上の領域に、電源プレーン層５２Ｐが形成されているので、電源プレーン層５２Ｐは多層プリント配線板１０の表面から浸入する湿気が層状コンデンサ部４０へ届くのを防ぐ働きをしている。
図３に示すように、電源プレーン層５２Ｐが形成されている層において、層状コンデンサ部４０の直上に位置している領域（図３の点線で囲まれる領域）に形成されている導体の上面の面積を合算した累積面積（図３の点線で囲まれる領域内の導体の面積）は、層状コンデンサ部４０が形成されている面積（図３の点線で囲まれる面積）に対して８０％以上が好ましい。ここで、累積面積はスペース５２ｓを除く面積であって、電源プレーン層５２Ｐ以外に、電源プレーン層５２Ｐの内部に形成されている配線やランド、ビア導体３４の上面の面積を含む。
また、層状コンデンサ部４０の直上の電源プレーン層５２Ｐの中（点線で囲まれる領域）には、信号に対するノイズの影響を極力排除するため、或いは、スペース５２ｓによる導体面積の減少を極力少なくするために、信号配線６３ｄや信号ビア導体６３ｂ、信号ランド６３ｃが形成されていないことが好ましい。
【００２７】
多層プリント配線板１０の説明に戻る。
実装部６０は、層間樹脂絶縁層３６（３６ｃ又は３６ｄ）を介して電源プレーン層５２Ｐ及びグランドプレーン層５２Ｇ上に形成され、ビア導体３４を介して層状コンデンサ部４０の第１層状電極４１及び第２層状電極４２に電気的に接続されている。また、実装部６０は、半導体素子を表面に実装する（図示省略）。
【００２８】
実装部６０は、半導体素子（図示省略）が実装される領域である。多層プリント配線板１０の表面に、グランド用パッド６１、電源用パッド６２、及び、信号用パッド６３が配列されて、実装部６０が形成される。グランド用パッド６１は層状コンデンサ部４０の第１層状電極４１に接続され、電源用パッド６２は第２層状電極４２に接続される。
第１の実施形態では、信号用パッド６３に電気的に接続している信号ビア導体６３ａは、層状コンデンサ部４０を貫通することなく、層状コンデンサ部４０が設けられている領域の外に形成されている。但し、信号ビア導体６３ａは、層状コンデンサ部４０を貫通する配置としてもよい。その場合は、信号ビア導体６３ａは、第１層状電極４１及び第２層状電極４２の開口部４１ａ，４２ａ内に形成されて、第１層状電極４１と第２層状電極４２に非接触な状態で層状コンデンサ部４０を貫通する。
【００２９】
実装部６０と層状コンデンサ部４０の間には、電源プレーン層５２Ｐ及びグランドプレーン層５２Ｇが設けられているので、多層プリント配線板１０の表面から浸入する湿気が層状コンデンサ部４０へ届くのを防いでいる。これに対して、層状コンデンサ部４０の第１層状電極４１側（実装部６０とは反対側）にはコア基板２１がある。よって、湿気の浸入防止のために金属薄膜層を必ずしも設ける必要はない。但し、実装部６０とは反対側の多層プリント配線板１０の表面と層状コンデンサ部４０の間に、金属薄膜層を設けてもよい。
【００３０】
次に、第１の実施形態の多層プリント配線板１０の製造方法について説明する。
コア基板２１にスルーホール導体２４を形成する作成手順とコア基板２１に配線パターン２２を形成する作成手順は周知であるため、ここではビルドアップ部３０及び層状コンデンサ部４０の製造方法を中心に説明する。
図４は、多層プリント配線板１０の製造工程を表す説明図である。
図４（ａ）に示すように、コア基板２１は、表裏面を貫通して形成された貫通穴（スルーホール）の内壁面に形成された銅からなるスルーホール導体２４を有している。また、コア基板２１の表裏面（絶縁層上）には、銅で構成される配線パターン２２が形成される。この表裏面の配線パターン２２は、スルーホール導体２４を介して電気的に接続されている。配線パターン（導体回路）２２は、信号用の導体回路の一例としての信号配線２２Ｓと電源配線２２Ｐとグランド配線２２Ｇとを有している。
【００３１】
コア基板（絶縁層）２１上には、配線パターン２２以外に、位置合わせの基準となる第１アライメントマーク２６が形成されている。第１アライメントマーク２６は銅で構成され、配線パターン２２と同じ工程で同時に形成される。第１アライメントマーク２６は、後述する層状コンデンサ部４０を所定位置に配置する際の位置合わせの基準として用いられる。
そして、図４（ｂ）に示すように、第１の層間樹脂絶縁層３６ａとなる樹脂シートが真空ラミネータを用いてコア基板２１に貼り付けられる。ここで、樹脂シートは、変成エポキシ系樹脂シート、ポリフェニレンエーテル系樹脂シート、ポリイミド系樹脂シート、シアノエステル系樹脂シートなどで形成され、約２０〜８０μｍ厚である。樹脂シートは、常温でヤング率２〜７ＧＰａである。なお、樹脂シートは、シリカ、アルミナ、ジルコニア等の無機粒子を含んでもよい。
【００３２】
ここで、層状コンデンサ部４０は次のようにして製造される。
図５は、層状コンデンサ部４０の製造工程を表す説明図である。
約１００μｍ厚のニッケル（Ｎｉ）箔（後にグランド電極である第１層状電極４１となる）を約１０００℃にて熱処理した後、１０〜９０μｍ厚まで両面を表面研磨して電極４２２とする。
【００３３】
その後、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＴａＯ3、Ｔａ2Ｏ5、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＮＺＴ、ＰＣＺＴ、ＰＳＺＴからなる群より選ばれた１種又は２種以上の金属酸化物を含んでなるゾル・ゲル液をスピンコーターで電極４２２上に塗布して、電極４２２上に未焼成層のゾル・ゲル膜を形成する。塗布後、この未焼成層を真空中またはＮ2ガス等の非酸化雰囲気で６００〜９５０℃の温度範囲で焼成し、Ｎｉ箔上に厚さ０．３〜１μｍの高誘電体層４２４を形成する（図５（ａ）参照）。
【００３４】
ここで、ゾル・ゲル液の一例を説明する。
まず、ジエトキシバリウムとビテトライソプロポキシドチタンを、脱水したメタノールと２−メトキシエタノールとの混合溶媒に溶解し、室温の窒素雰囲気下で３日間攪拌してバリウムとチタンのアルコキシド前駆体組成物溶液を調整する。次いで、この前駆体組成物溶液を０℃に保ちながら攪拌し、予め脱炭酸した水を０．５マイクロリットル／分の速度で窒素気流中で噴霧して加水分解する。このようにして作成されたゾル・ゲル液をフィルターを通して、析出物等をろ過する。ろ過後のゾル・ゲル前駆体液を電極４２２に塗布する。尚、焼成後の高誘電体層４２４の厚さは、スピンコーターの回転速度、ゾル・ゲル液の粘土・濃度、塗布回数などを調整して制御する。
【００３５】
スパッタ等の真空蒸着装置を用いて高誘電体層４２４の上に銅のシード層を形成し、更にこのシード層上に電解めっき等で銅を１０μｍ程度足すことにより、電極４２６（後に電源電極である第２層状電極４２となる）を形成して層状コンデンサ部４０を得る（図５（ｂ）参照）。
その後、電極４２２をパターニングする。このとき、位置合わせの基準となるアライメントマーク（第２アライメントマーク）４６と開口部４１ａとを電極４２２に同時に形成する（図５（ｃ）参照）。ここで、開口部４１ａの形成位置は、第１層状電極４１と非接触な状態で貫通するビア導体３４（図１参照）が形成される位置であって、その大きさは、そのビア導体３４より大きな開口径である。尚、第２アライメントマーク４６は、例えば、十字状のマークとして形成される。
【００３６】
ここで、第１アライメントマーク２６は、層状コンデンサ部４０を内蔵、若しくは、積層している層間樹脂絶縁層３６（図１参照）よりもコア基板２１側（実装部６０とは反対側）の層間樹脂絶縁層（例えば３６ａ）または絶縁層に形成されていることが好ましい。また、層状コンデンサ部４０は、位置合わせに用いられる第２アライメントマーク４６を有することが好ましい。層状コンデンサ部４０が第２アライメントマーク４６を有すると、層状コンデンサ部４０は、絶縁層上に形成された第１アライメントマーク２６と層状コンデンサ部４０に形成された第２アライメントマーク４６とを基準にして、層間樹脂絶縁層３６上に積層することができる。そのため、層状コンデンサ部４０を層間樹脂絶縁層３６の所望とする位置に形成できる。
【００３７】
このように、コア基板２１に第１アライメントマーク２６が形成され、層状コンデンサ部４０に第２アライメントマーク４６が形成されていると、層状コンデンサ部４０が有している第２アライメントマーク４６がコア基板２１に形成された第１アライメントマーク２６に対して所定の位置関係となるように位置合わせすることができる。その結果、第１及び第２アライメントマーク２６，４６を基準にして、層状コンデンサ部４０は層間樹脂絶縁層３６の適切な位置に形成されることとなる。
また、コア基板２１上に形成されている第１アライメントマーク２６は、コア基板２１上のグランド配線２２Ｇ、電源配線２２Ｐと同時に形成されている。そのため、第１アライメントマーク２６と層状コンデンサ部４０に形成された第２アライメントマーク４６とを基準にして、両者を位置あわせすることで、コア基板２１上のグランド配線２２Ｇ、電源配線２２Ｐと層状コンデンサ部４０とは、精度良く位置合わせされることとなる。
【００３８】
図２に示すように、層状コンデンサ部４０を内蔵、若しくは、積層している層間樹脂絶縁層３６（３６ａ）よりもコア基板２１側（実装部６０とは反対側）の第３の層間樹脂絶縁層３６ｅ（第３の層間樹脂絶縁層３６ｅはコア基板２１と第１の層間樹脂絶縁層３６ａとの間に配置されている）に第１アライメントマーク２６が形成されていても、コア基板２１に第１アライメントマーク２６が形成されているとき（図１参照）と同様である。層状コンデンサ部４０は、第１及び第２アライメントマーク２６，４６を基準にして第３の層間樹脂絶縁層３６ｅの適切な位置に形成されることができる。
【００３９】
また、第３の層間樹脂絶縁層３６ｅ上に形成されている第１アライメントマーク２６は、第３の層間樹脂絶縁層３６ｅ上の配線パターン２２（電源配線２２Ｐとグランド配線２２Ｇと信号配線２２Ｓを含む）と同時に形成されている。そのため、第１アライメントマーク２６と層状コンデンサ部４０に形成された第２アライメントマーク４６とを基準にして、両者を位置あわせすることで、第３の層間樹脂絶縁層３６ｅ上の配線パターン２２と層状コンデンサ部４０とは、精度良く位置合わせされることとなる。
【００４０】
多層プリント配線板１０の製造方法の説明に戻る。
図６〜１０は、多層プリント配線板１０の製造工程を表す説明図である。
次に、コア基板２１に形成された第１アライメントマーク２６と層状コンデンサ部４０に形成された第２アライメントマーク４６とを基準として、層状コンデンサ部４０がコア基板２１上の所定位置に位置合わせされる（図６（ａ）参照）。その後、層状コンデンサ部４０が、真空ラミネータにより層間樹脂絶縁層３６上に貼り付けられる（図６（ｂ）参照）。
【００４１】
次に、第１アライメントマーク２６及び第２アライメントマーク４６の少なくとも一方を基準として、層状コンデンサ部４０の電極４２６をパターニングする。電極４２６のパターニングは、電極４２６上にドライフィルムを貼り付け、多層プリント配線板１０のパターン形成時に通常行われる露光・現像、エッチング及びフィルム剥離により行われる。
図７（ａ）に示すように、このパターニングと同時に、高誘電体層４３上に、第３アライメントマーク６６を形成する。第１アライメント２６及び第２アライメントマーク４６の少なくとも一方を基準として電極４２６（図６（ｂ）参照）のパターニングを行うので、形成される配線パターンの配置とコア基板２１に形成されている配線パターン２２のパターン位置とが適切な位置関係となる。このパターニング工程において、層状コンデンサ部４０を貫通する貫通孔の位置４２ａは、予めに銅（電極４２６（図６（ｂ）参照））を除去しておく。
次に、図７（ｂ）に示すように、層状コンデンサ部４０上に絶縁シートを貼り付けて、第２の層間樹脂絶縁層３６ｂを形成する。
【００４２】
次に、第２の層間樹脂絶縁層３６ｂを貼り付けた作成途中の基板に、第１アライメントマーク２６、第２アライメントマーク４６、第３アライメントマーク６６のいずれか１つを基準として、ＣＯ2レーザやＵＶレーザにてビアホール５６０を形成する（図８（ａ）参照）。ビアホール５６０は、層状コンデンサ部４０上の第２の層間樹脂絶縁層３６ｂと層状コンデンサ部４０、層状コンデンサ部４０下の第１の層間樹脂絶縁層３６ａを貫通してコア基板２１上の配線パターン２２に到達している。ビアホール５６０は、３つのアライメントマーク２６，４６，６６のいずれかを基準にして形成されているので、コア基板２１上の配線パターン２２や層状コンデンサ部４０の開口部４１ａ，４２ａに対して、精度よく形成できる。尚、誤差の累積を避けるため、第１アライメントマーク２６を基準としてビアホール５６０を形成することが好ましい。
【００４３】
続いて、図８（ｂ）に示すように、化学銅めっき、めっきレジスト形成、電気銅めっき、めっきレジスト剥離、化学銅めっき膜除去の工程を施すことにより、ビアホール５６０を銅で充填してビア導体（グランドビア導体６１ａ、電源ビア導体６２ａ、信号ビア導体６３ａ）を形成するとともに、電源プレーン層５２Ｐを形成する。
層状コンデンサ部４０の第１層状電極４１は、第１のビア導体６１ａを介してコア基板２１に形成されたグランド配線２２Ｇに電気的に接続される。また、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２は、電源ビア導体６２ａを介してコア基板２１に形成された電源配線２２Ｐに電気的に接続される。ここで、グランドビア導体６１ａ及び電源ビア導体６２ａは、第１アライメントマーク２６、第２アライメントマーク４６、第３アライメントマーク６６のいずれか１つを基準にして形成されたビアホール５６０（図８（ａ）参照）内に形成されたビア導体である。そのため、層状コンデンサ部４０の第１層状電極４１とコア基板２１に形成されたグランド配線２２Ｇ及び層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２とコア基板２１に形成された電源配線２２Ｐは、それぞれビア導体６１ａ，６２ａを介して適切に結線されることとなる。
【００４４】
図２のように、コア基板２１と第１の層間樹脂絶縁層３６ａの間に第３の層間樹脂絶縁層３６ｅを設け、第３の層間樹脂絶縁層３６ｅに第１アライメントマーク２６、電源配線２２Ｐ、グランド配線２２Ｇを形成した場合も同様である。この場合も、第１アライメントマーク２６、第２アライメントマーク４６、第３アライメントマーク６６のいずれか１つを基準にしてビアホールを形成しているので、層状コンデンサ部４０の第１層状電極４１と第３の層間樹脂絶縁層３６ｅに形成されたグランド配線２２Ｇ及び層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２と第３の層間樹脂絶縁層３６ｅに形成された電源配線２２Ｐは、ビア導体６１ａ，６２ａを介して適切に結線される。
【００４５】
多層プリント配線板１０の製造方法の説明に戻る。
図８（ａ）を用いて説明した工程と同様に、ＣＯ2レーザ等を用いて電源プレーン層５２Ｐ上に形成された層間樹脂絶縁層３６（３６ｃ）にビアホールを形成し、化学銅めっき、めっきレジスト形成、電気銅めっき、めっきレジスト剥離、化学銅めっき膜除去の工程を施し、銅で充填してビア導体６１ｂ，６２ｂ，６３ｂとグランドプレーン層５２Ｇを形成する（図９（ａ））。
グランドプレーン層５２Ｇと同一の層に、信号ビア導体６３ｂ、信号ランド６３ｃ、信号配線６３ｄ、電源ビア導体６２ｂ、電源用のランド（電源ランド）６２ｃ、電源配線の少なくとも１つが形成されている。信号ビア導体６３ｂ、信号ランド６３ｃ、信号配線６３ｄ、電源ビア導体６２ｂ、電源ランド６２ｃ、電源配線の周りは、導体のない領域（スペース）５２ｓが形成されている。信号ビア導体６３ｂ、信号ランド６３ｃ、信号配線６３ｄは、信号用パッド６３（図１参照）に電気的に接続している。信号ランド６３ｃは、その上に信号ビア導体６３ｂが形成されるか、或いは、信号配線６３ｄに接続している。電源ビア導体６２ｂ、電源ランド６２ｃ、電源配線は、電源用パッド６２（図１参照）に接続している。電源ランド６２ｃは、後の工程でその上に電源ビア導体が形成されるか、或いは、電源配線に接続している。
【００４６】
続いて、上述と同様の工程により、グランドプレーン層５２Ｇ上に最外の層間樹脂絶縁層３６ｄを形成し、最外の層間樹脂絶縁層３６ｄを貫通するビア導体３４（６１ｂ，６２ｂ，６３ｂ）を形成するとともに、最外の層間樹脂絶縁層３６ｄ上に、グランド用パッド６１、電源用パッド６２、信号用パッド６３を形成する。ここで、グランド用パッド６１、電源用パッド６２、信号用パッド６３が実装部６０を構成する（図９（ｂ）参照）。
その後、市販のソルダーレジスト組成物を塗布した後、グランド用パッド６１、電源用パッド６２、信号用パッド６３の上面を露出する開口部を有するソルダーレジスト層５８を形成する（図１０参照）。続いて、３つのパッド６１，６２，６３上であって、ソルダーレジストの開口部に半田バンプを形成する（図１参照）。以上により、多層プリント配線板１０が完成する。
【００４７】
また、第１の実施形態では、金属薄膜層として、電源プレーン層５２Ｐとグランドプレーン層５２Ｇの２層を設けたが、金属薄膜層を１層とすることも可能である。金属薄膜層は、電源もしくはグランドと接続することなくダミーパターンとすることも可能であるが、層状コンデンサ部４０の第１及び第２層状電極４１，４２のいずれか一方と同電位に保たれていることが好ましい。層状コンデンサ部４０又は半導体素子は金属薄膜層の電位による影響を抑えることができる。
【００４８】
（第１の実施形態の改変例）
図１１から図１４は、第１の実施形態の改変例の製造工程を示す説明図である。これらの図にはアライメントマークが図示されていないが、層状コンデンサ部４０やコア基板２１には、第１の実施形態と同様、各種のアライメントマークが形成されている。
上記した第１の実施形態では、層状コンデンサ部４０が第１の層間樹脂絶縁層３６ａ上に積層され、層状コンデンサ部４０上に第２の層間樹脂絶縁層３６ｂを介して金属薄膜層５２が形成されていた。それに対して、以下に説明する改変例では、層状コンデンサ部４０は第１の層間樹脂絶縁層３６ａに埋設され、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２上で埋設されている第１の層間樹脂絶縁層３６ａ上に金属薄膜層が形成される点で、上記した第１の実施形態と相違する。
図１１（ａ）は、第１の実施形態の図７に示したように、層状コンデンサ部４０を第１の層間樹脂絶縁層３６ａ上に貼り付けた後の状態を示している。それ以前の工程は、第１の実施形態とほぼ同様であるから、説明を省略する。
【００４９】
第１の層間樹脂絶縁層３６ａ上に層状コンデンサ部４０を積層後、０．４ＭＰａ、１７０℃、２時間のプレス条件で真空プレスして、層状コンデンサ部４０を第１の層間樹脂絶縁層３６ａに埋設させるとともに、第１の層間樹脂絶縁層３６ａを硬化させる。
図１１（ｂ）は、第１の層間樹脂絶縁層３６ａに層状コンデンサ部４０を埋設した後の状態を示す図である。
図７（ａ）を用いて説明したと同様の方法により、図示しないアライメントマークを基準として層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２をパターニングする。このとき、層状コンデンサ部４０を貫通するビアホール（開口部）の位置は、予めに第２層状電極４２を除去しておく。
【００５０】
図１２（ａ）は、コア基板２１上のアライメントマーク（図示省略）を利用して、第２層状電極４２に開口部４２ａを形成した後の状態を示す図である。開口部４２ａの直下には、コア基板２１上の配線パターン２２（２２Ｓ，２２Ｐ，２２Ｇ）が位置している。
次に、図１２（ｂ）に示すように、貫通孔４７０（４７０Ｓ，４７０Ｐ，４７０Ｇ）を形成する。貫通孔４７０Ｓは、コア基板２１上の信号配線２２Ｓに到達している。貫通孔４７０Ｐは、コア基板２１上の電源配線２２Ｐに到達している。貫通孔４７０Ｇは、コア基板２１上のグランド配線２２Ｇに到達している。そして、貫通孔４７０を形成した第１の層間樹脂絶縁層３６ａの表面に、触媒により表面処理を行う。
【００５１】
次に、図１３（ａ）に示すように、テンティング法で、ビア導体４１４（信号ビア導体４１４Ｓ、グランドビア導体４１４Ｇ、電源ビア導体４１４Ｐ）と、配線パターン４２３（信号用の導体回路４２３Ｓ、電源用の導体回路４２３Ｐ、グランド用の導体回路４２３Ｇ）を形成する。
電源用の導体回路４２３Ｐは、無電解メッキ膜と無電解メッキ膜上の電解メッキ膜とから形成される（図示省略）。電源用の導体回路４２３Ｐは、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２に接触して形成されて、金属薄膜層の一例としての機能を果たしている。
【００５２】
グランドビア導体４１４Ｇは、第１層状電極４１と接続している。また、グランドビア導体４１４Ｇは、コア基板２１上のグランド配線２２Ｇと第１の層間樹脂絶縁層３６ａ上のグランド用の導体回路４２３Ｇとを接続している。
電源ビア導体４１４Ｐは、第２層状電極４２と接続している。また、電源ビア導体４１４Ｐは、コア基板２１上の電源用の導体回路２２Ｐと第１の層間樹脂絶縁層３６ａ上の電源用の導体回路４２３Ｐとを接続している。
【００５３】
次に、図１３（ｂ）に示すように、第１の層間樹脂絶縁層３６ａ、層状コンデンサ部４０及び導体回路４２３上に、第２の層間樹脂絶縁層３６ｂを形成する。
続いて、第２の層間樹脂絶縁層３６ｂに貫通孔形成後、テンティング法で、第２の層間樹脂絶縁層３６ｂ上に、電源プレーン層５２Ｐを形成する（図１４（ａ）参照）。同時に、第２の層間樹脂絶縁層３６ｂを貫通するビア導体４２４（信号ビア導体４２４Ｓ、電源ビア導体４２４Ｐ、グランドビア導体４２４Ｇ）を形成する。電源プレーン層５２Ｐ内には、信号ビア導体、信号ランド、信号配線４３３Ｓ、グランドビア導体、グランドランド４３３Ｇ、グランド配線の少なくとも１つが形成される。
【００５４】
その後、図１４（ｂ）に示すように、第１の実施形態の図９（ｂ）、図１０と同様の工程を経て、第１の実施形態と同様に、層間樹脂絶縁層３６ｃ上に、グランド用パッド６１、電源用パッド６２、信号用パッド６３で構成される実装部６０を形成する。
次に、市販のソルダーレジスト組成物を塗布した後、グランド用パッド６１、電源用パッド６２、信号用パッド６３の上面を露出する開口部を有するソルダーレジスト層５８を形成する。続いて、３つのパッド６１，６２，６３上であって、ソルダーレジストの開口部に半田バンプを形成する。
【００５５】
改変例によれば、２層の層間絶縁層３６（第１の層間樹脂絶縁層３６ａと第２の層間樹脂絶縁層３６ｂ）を貫通するビア導体を形成することなく、多層プリント配線板３００を製造できるので、第１の実施形態に比べ、層間樹脂絶縁層３６を１層少なくできる。
また、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２が、第２層状電極４２と第２層状電極４２上の無電解メッキ膜とその無電解メッキ膜上の電解メッキ膜とからなるので、内蔵される層状コンデンサ部４０の強度が増す。その結果、層状コンデンサ部４０にクラックが入りにくくなる。
【００５６】
（効果の検証）
第１の実施形態にかかる多層プリント配線板１０の効果を確認するために、多層プリント配線板１０を摂氏８５℃湿度８５％の雰囲気に１００時間晒し、その後、印加電圧２Ｖ印加時間６０秒の条件で、層状コンデンサ部４０の絶縁抵抗を測定した。絶縁抵抗値は１０の１０乗オーダー以上であった。
効果の比較例として、層状コンデンサ部４０より外側（上側）に金属薄膜層を形成しない多層プリント配線板を製作し、上記測定と同じ条件で層状コンデンサ部４０の絶縁抵抗を測定した。層状コンデンサ部４０の絶縁抵抗は、１０の５乗オーダーであった。
このことから、層状コンデンサ部４０よりも外側に金属薄膜層を形成すれば、層状コンデンサ部４０の吸湿を防ぎ、電流リークを抑制できることが確認できた。
【００５７】
第１の実施形態にかかる多層プリント配線板１０は、多層プリント配線板１０の内部に層状コンデンサ部４０を配置し、その上方（外側）に金属薄膜層の一例としての電源プレーン層５２Ｐ及びグランドプレーン層５２Ｇを形成したので、層状コンデンサ部４０の吸湿を防ぎ、電流リークを抑制できる。
第１の実施形態によれば、配線パターンの形成と同じ工程において、位置合わせのための第１及び第２アライメントマーク２６，４６を形成した。よって、製造コストを上昇させることなく、位置合わせ作業のための指標を形成できた。また、第１及び第２アライメントマーク２６，４６を用いて層状コンデンサ部４０のパターン形成や各層の配置を決定するので、適切な位置関係を実現できた。
【００５８】
尚、多層プリント配線板１０において、グランドプレーン層５２Ｇに対して電源プレーン層５２Ｐを下層側に配置した構成としたが、本発明はこれに限定されるものではない。電源プレーン層５２Ｐとグランドプレーン層５２Ｇとが入れ替わっても良い。
層状コンデンサ部４０の吸湿を防ぐ観点から、層状コンデンサ部４０の上方には、２層以上の配線パターン層が形成されることが好ましい。或いは、層状コンデンサ部４０から最外層までが１００μｍ以上あることが好ましい。
【００５９】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、コア基板２１は、心材であるガラスクロスやアラミド不織布に熱硬化性樹脂等を含浸させて硬化させた基板（ＢＴ基板やガラスエポキシ基板等）であったのに対し、第２の実施形態は、絶縁層がコア基板を有しない多層プリント配線板である。
図１５〜２５は、多層プリント配線板８００の製造工程を表す説明図である。
【００６０】
まず、図１５（ａ）に示すように、支持板１５０を準備する。支持板１５０は例えば銅板である。なお、支持板１５０の材質は、銅板以外に、ニッケル板、アルミニウム板、鉄板等の金属板を用いることも可能である。
次に、図１５（ｂ）に示すように、メッキレジスト１６０を支持板１５０の上に形成する。
次に、図１５（ｃ）に示すように、露光・現像工程を行って、メッキレジスト１６０をパターニングすることにより、メッキレジスト１６０に複数の開口部１６０ａを設ける。
【００６１】
次に、図１６（ａ）に示すように、メッキレジスト１６０の開口部１６０ａ（図１５（ｃ）参照）に金メッキ膜９１１、ニッケルメッキ膜９１２、銅メッキ膜９１３の順で電解メッキを行い、第１の外部端子６００（グランド用の第１の外部端子６００Ｇ、電源用の第１の外部端子６００Ｐ、信号用の第１の外部端子６００Ｓ）と、アライメントマーク６２１とを形成する。尚、金メッキ膜９１１とニッケルメッキ膜９１２との間にパラジウム膜を形成することも可能である（図示省略）。
次に、図１６（ｂ）に示すように、メッキレジスト１６０を剥離し、第１の層間樹脂絶縁層４００ａを形成する。
次に、図１６（ｃ）に示すように、アライメントマーク６２１を基準にして第１の外部端子６００（６００Ｇ，６００Ｐ，６００Ｓ）に到達する複数の貫通孔４２０を第１の層間樹脂絶縁層４００ａに形成する。
【００６２】
次に、図１７（ａ）に示すように、テンティング法で、第１の層間樹脂絶縁層４００ａの貫通孔４２０（図１６（ｃ）参照）の位置に第１のビア導体６１１（グランド用の第１のビア導体６１１Ｇ、電源用の第１のビア導体６１１Ｐ、信号用の第１のビア導体６１１Ｓ）を形成する。同時に、第１の層間樹脂絶縁層４００ａの上面に、電源プレーン層５２Ｐ（電源用の第１の導体回路６１０Ｐ）と第１の導体回路６１０（グランド用の第１の導体回路６１０Ｇ、信号用の第１の導体回路６１０Ｓ）とを形成する。このとき、第１アライメントマーク６２２も同時に形成する。
グランド用の第１のビア導体６１１Ｇは、グランド用の第１の外部端子６００Ｇとグランド用の第１の導体回路６１０Ｇとを接続している。電源用の第１のビア導体６１１Ｐは、電源用の第１の外部端子６００Ｐと電源プレーン層５２Ｐとを接続している。信号用の第１のビア導体６１１Ｓは、信号用の第１の外部端子６００Ｓと信号用の第１の導体回路６１０Ｓとを接続している。
【００６３】
次に、図１７（ｂ）に示すように、電源プレーン層５２Ｐ、第１の導体回路６１０（６１０Ｇ，６１０Ｓ）と第１の層間樹脂絶縁層４００ａの上に第２の層間樹脂絶縁層４００ｂを形成する。第２の層間樹脂絶縁層４００ｂの形成には、例えば味の素社製のＡＢＦ−４５ＳＨを２枚重ねて積層することができる。
【００６４】
次に、図１８（ａ）に示すように、層状コンデンサ部４０を第２の層間樹脂絶縁層４００ｂ上に位置合わせして積層する。層状コンデンサ部４０の第１層状電極４１は、積層前にパターニングされていて、第１層状電極４１は、開口部４１ａと第２アライメントマーク４６を有している。層状コンデンサ部４０の積層位置は、例えば第１の層間樹脂絶縁層４００ａ上に形成された第１アライメントマーク６２２と層状コンデンサ部４０の第２アライメントマーク４６を用いて決定することができる。なお、層状コンデンサ部４０は、図５にて説明した第１の実施形態と同様な作成方法で形成できる。
次に、図１８（ｂ）に示すように、層状コンデンサ部４０を、真空プレスにて、第２の層間樹脂絶縁層４００ｂに埋設する。
【００６５】
次に、図１９（ａ）に示すように、第２層状電極４２をパターニングして、開口部４２ａと第３アライメントマーク６６を形成する。パターニングは、第１アライメントマーク６２２を基準にして形成されている。
次に、図１９（ｂ）に示すように、３つのアライメントマーク６２２，４６，６６のいずれかを基準にして、第２の層間樹脂絶縁層４００ｂに貫通孔４０４を形成する。
【００６６】
次に、図２０（ａ）に示すように、第２の層間樹脂絶縁層４００ｂに形成された貫通孔４０４（図１９（ｂ）参照）の位置に、第２のビア導体６５１（グランド用の第２のビア導体６５１Ｇ、電源用の第２のビア導体６５１Ｐ、信号用の第２のビア導体６５１Ｓ）を形成する。また、同時に、第２の導体回路６５０（グランド用の第２の導体回路６５０Ｇ、電源用の第２の導体回路６５０Ｐ、信号用の第２の導体回路６５０Ｓ）を作成する。電源用の第２の導体回路６５０Ｐは第２層状電極４２に密着して形成されており、その一部は第２層状電極４２と同一の回路パターンを有している（図２０（ａ）中の６５０Ｐ）。
電源用の第２のビア導体６５１Ｐは、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２と接続している。また、電源用の第２のビア導体６５１Ｐは、第１層状電極４１と非接触な状態で開口部４１ａを貫通して、電源プレーン層５２Ｐと接続している。
【００６７】
グランド用の第２のビア導体６５１Ｇは、層状コンデンサ部４０の第２層状電極４２の開口部４２ａに形成されているグランド用の第２の導体回路６５０Ｇと接続している。また、グランド用の第２のビア導体６５１Ｇは、第１層状電極４１と接続して、グランド用の第１の導体回路６１０Ｇと接続している。グランド用の第２の導体回路６５０Ｇと第２層状電極４２とは、開口部４２ａがあるので、絶縁状態を保っている。
信号用の第２のビア導体６５１Ｓは、信号用の第２の導体回路６５０Ｓと信号用の第１の導体回路６１０Ｓとを接続している。
【００６８】
電源用の第１のビア導体６１１Ｐと電源プレーン層５２Ｐと電源用の第２のビア導体６５１Ｐとを介して、第２層状電極４２と電源用の第１の外部端子６００Ｐとは電気的に接続している。また、グランド用の第１のビア導体６１１Ｇとグランド用の第１の導体回路６１０Ｇとグランド用の第２のビア導体６５１Ｇとを介して、第１層状電極４１とグランド用の第１の外部端子６００Ｇとは電気的に接続している。
【００６９】
次に、図２０（ｂ）に示すように、第２の導体回路６５０（６５０Ｇ，６５０Ｐ，６５０Ｓ）と第２の層間樹脂絶縁層４００ｂとの上に層間樹脂絶縁層４００ｃを形成する。
【００７０】
次に、図２１（ａ）に示すように、第３アライメントマーク６６を基準にして、層間樹脂絶縁層４００ｃに貫通孔４０６を形成する。
次に、図２１（ｂ）に示すように、層間樹脂絶縁層４００ｃの貫通孔４０６（図２１（ａ）参照）の位置に、第３のビア導体６６１（グランド用の第３のビア導体６６１Ｇ、電源用の第３のビア導体６６１Ｐ、信号用の第３のビア導体６６１Ｓ）を形成する。同時に、層間樹脂絶縁層４００ｃ上にグランドプレーン層５２Ｇ（グランド用の導体回路６６０Ｇ）と、第３の導体回路６６０（電源用の第３の導体回路６６０Ｐ、信号用の第３の導体回路６６０Ｓ）とを形成する。
第３のビア導体６６１（電源用の第３のビア導体６６１Ｐ、信号用の第３のビア導体６６１Ｓ）は、第２の導体回路６５０（６５０Ｐ，６５０Ｓ）と第３の導体回路６６０（６６０Ｐ，６６０Ｓ）とをそれぞれ接続する。また、グランド用の第３のビア導体６６１Ｇは、グランド用の第２の導体回路６５０Ｇとグランドプレーン層５２Ｇとを接続する。
【００７１】
次に、図２２（ａ）に示すように、第３の導体回路６６０（６６０Ｐ，６６０Ｓ）、グランドプレーン層５２Ｇ、層間樹脂絶縁層４００ｃの上に、層間樹脂絶縁層４００ｄを形成する。
次に、図２２（ｂ）に示すように、層間樹脂絶縁層４００ｄに貫通孔４０８を形成する。
【００７２】
次に、図２３（ａ）に示すように、層間樹脂絶縁層４００ｄの貫通孔４０８（図２２（ｂ）参照）の位置に、グランド用の第４のビア導体６７１Ｇ、電源用の第４のビア導体６７１Ｐ、信号用の第４のビア導体６７１Ｓを形成する。同時に、層間樹脂絶縁層４００ｄ上に第４の導体回路６７０（グランド用の第４の導体回路６７０Ｇ、電源用の第４の導体回路６７０Ｐ、信号用の第４の導体回路６７０Ｓ）を形成する。
【００７３】
グランド用の第４のビア導体６７１Ｇは、グランド用の第４の導体回路６７０Ｇとグランドプレーン層５２Ｇとを接続する。電源用の第４のビア導体６７１Ｐは、電源用の第３の導体回路６６０Ｐと電源用の第４の導体回路６７０Ｐとを接続する。信号用の第４のビア導体６７１Ｓは、信号用の第３の導体回路６６０Ｓと信号用の第４の導体回路６７０Ｓとを接続する。
次に、図２３（ｂ）に示すように、層間樹脂絶縁層４００ｄと第４の導体回路６７０（６７０Ｇ，６７０Ｐ，６７０Ｓ）の上に、ソルダーレジスト７００を形成する。
【００７４】
次に、図２４（ａ）に示すように、ソルダーレジスト７００に複数の開口部６８０ａを設ける。その開口部６８０ａは、第４の導体回路６７０（６７０Ｇ，６７０Ｐ，６７０Ｓ）（図２３（ｂ）参照）を部分的に開口している。開口部６８０ａに、ニッケルメッキ膜９２１、パラジウムメッキ膜９２２、金メッキ膜９２３の順でメッキを行い、３層からなる金属膜を形成する。形成された金属膜が、第２の外部端子６８０（グランド用の第２の外部端子６８０Ｇ、電源用の第２の外部端子６８０Ｐ、信号用の第２の外部端子６８０Ｓ）となる。ここで、金属膜は、金メッキ膜１層でも、ニッケルメッキ膜とニッケルメッキ膜上の金メッキ膜２層でもよい。
【００７５】
次に、図２４（ｂ）に示すように、支持板１５０を塩化第２銅エッチング液でエッチング除去する。このとき、第２の外部端子６８０（６８０Ｇ，６８０Ｐ，６８０Ｓ）及び第１の外部端子６００（６００Ｇ，６００Ｐ，６００Ｓ）は、最外層がエッチング液に耐性を有する金属膜（金メッキ膜）で形成されているので、２つの外部端子６８０，６００はエッチング除去されることなく、支持板１５０だけを除去できる。
その後、第２の外部端子６８０（６８０Ｇ，６８０Ｐ，６８０Ｓ）に第２の半田バンプを形成し、第１の外部端子６００（６００Ｇ，６００Ｐ，６００Ｓ）に第１の半田バンプを形成することで、図２５に示した多層プリント配線板８００が得られる。
【００７６】
尚、第１の半田バンプを介して、ＩＣチップなどの電子部品を搭載してもよい。第２の半田バンプを介して、他の基板（マザーボード）と接続してもよい。また、図２５では、第１の外部端子６００と第２の外部端子６８０との両方に半田バンプが形成されているが、第２の外部端子６８０に半田バンプ、第１の外部端子６００に半田を介して、導電性ピンを搭載（実装）してもよい（図示省略）。第１の外部端子６００に半田バンプ、第２の外部端子６８０に半田を介して、導電性ピンを搭載（実装）してもよい（図示省略）。ＩＣチップの搭載は、多層プリント配線板８００の上面側でも下面側でも構わないが、ＩＣチップは、外部端子からコンデンサまでの距離（基板の断面方向の距離）が短い側のコンデンサ内蔵基板の表面に搭載することが好ましい。
【００７７】
第２の実施形態では、層間樹脂絶縁層（樹脂フィルム）は４００ｂ〜４００ｄの３層であるが、図２０（ｂ）から図２１（ｂ）の工程を繰り返すことで４層以上の多層化は可能である。
第２の実施形態の多層プリント配線板８００はコア基板を有していないので、第１の実施形態の多層プリント配線板１０より薄くすることができる。その結果、外部の電源から、層状コンデンサ部４０までの距離や層状コンデンサ部４０から実装部までの距離が短くなる。そして、層状コンデンサ部４０が２つのプレーン層５２Ｐ，５２Ｇで挟まれているので、層状コンデンサ部４０は絶縁劣化され難い。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】第１の実施形態にかかる多層プリント配線板の縦断面図である。
【図２】図１に示す多層プリント配線板の変形例を示す図である。
【図３】図１に示す多層プリント配線板の電源プレーン層を上から見た図である。
【図４】図１に示す多層プリント配線板の製造工程を表す説明図である。
【図５】図１に示す多層プリント配線板の層状コンデンサ部の製造工程を表す説明図である。
【図６】図１に示す多層プリント配線板の製造工程を表す説明図である。
【図７】図１に示す多層プリント配線板の製造工程を表す説明図である。
【図８】図１に示す多層プリント配線板の製造工程を表す説明図である。
【図９】図１に示す多層プリント配線板の製造工程を表す説明図である。
【図１０】図１に示す多層プリント配線板の製造工程を表す説明図である。
【図１１】図１に示す多層プリント配線板の改変例の製造工程を示す説明図である。
【図１２】図１に示す多層プリント配線板の改変例の製造工程を示す説明図である。
【図１３】図１に示す多層プリント配線板の改変例の製造工程を示す説明図である。
【図１４】図１に示す多層プリント配線板の改変例の製造工程を示す説明図である。
【図１５】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図１６】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図１７】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図１８】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図１９】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図２０】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図２１】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図２２】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図２３】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図２４】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の製造工程を示す説明図である。
【図２５】第２の実施形態にかかる多層プリント配線板の縦断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０，３００，８００…多層プリント配線板、２１…コア基板（絶縁層）、２２…配線パターン（導体回路）、２２Ｇ…グランド配線（グランド用の導体回路）、２２Ｐ…電源配線（電源用の導体回路）、２２Ｓ…信号配線（信号用の導体回路）、２６…第１アライメントマーク、３４…ビア導体、３６…層間樹脂絶縁層、３６ａ…第１の層間樹脂絶縁層、３６ｂ…第２の層間樹脂絶縁層、３６ｄ…最外の層間樹脂絶縁層、３６ｅ…第３の層間樹脂絶縁層、４０…層状コンデンサ部、４１…第１層状電極、４２…第２層状電極、４３…高誘電体層、４６…第２アライメントマーク、５２Ｐ…電源プレーン層（金属薄膜層）、５２Ｇ…グランドプレーン層（金属薄膜層）、６０…実装部、６１…グランド用パッド（第１の外部端子）、６１ａ…グランドビア導体（第１のビア導体）、６２…電源用パッド（第２の外部端子）、６２ａ…電源ビア導体（第２のビア導体）、１５０…支持板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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