(57)【要約】【課題】均一な照度で照明することが可能な半導体発光モジュールを提供すること。【解決手段】ＬＥＤチップ２と、ＬＥＤチップ２が搭載されたリード１Ａと、を備える、半導体発光モジュールＡであって、リード１Ａのうち少なくともＬＥＤチップ２を囲う部分には、光沢度が０〜０．３である無光沢メッキ１３が施されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、
上記半導体発光素子が搭載された導通部材と、
を備える、半導体発光モジュールであって、
上記導通部材のうち少なくとも上記半導体発光素子を囲う部分には、光沢度が０〜０．３である無光沢メッキが施されていることを特徴とする、半導体発光モジュール。
【請求項２】
上記導通部材には、上記半導体発光素子が搭載された底面、および上記半導体発光素子を囲い、かつ上記底面から離れるほど断面寸法が大となる環状傾斜面が形成されており、
上記底面および上記環状傾斜面に、上記無光沢メッキが施されている、請求項１に記載の半導体発光モジュール。
【請求項３】
上記半導体発光素子は、赤外線を発する、請求項１または２に記載の半導体発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば暗所撮影の照明に用いられる半導体発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図２は、従来の半導体発光モジュールを示している。同図に示された半導体発光モジュールＸは、リード９１Ａ，９１Ｂ、ＬＥＤチップ９２、および樹脂パッケージ９４を備えている。リード９１Ａ，９１Ｂは、ＬＥＤチップ９２を外部に導通させるためのものである。リード９１Ａには、底面９１ａおよび環状傾斜面９１ｂが形成されている。底面９１ａには、Ａｇペースト９２ａによってＬＥＤチップ９２がダイボンディングされている。ＬＥＤチップ９２は、たとえば赤外線を発光する。ＬＥＤチップ９２は、環状傾斜面９１ｂによって囲われている。ＬＥＤチップ９２の上面は、ワイヤ９３によってリード９１Ｂに接続されている。樹脂パッケージ９４は、ＬＥＤチップ９２から発せられるたとえば赤外線を透過させる樹脂からなり、リード９１Ａ，９１Ｂの一部ずつとＬＥＤチップ９２とを覆っている。樹脂パッケージ９４には、レンズ９４ａが形成されている。半導体発光モジュールＸは、たとえば暗所撮影を行う際に赤外線を照射する照明器具に用いられる。
【０００３】
しかしながら、底面９１ａおよび環状傾斜面９１ｂは、鏡面状態とされることが一般的である。ＬＥＤチップ９２から発せられた赤外線の一部は、底面９１ａおよび環状傾斜面９１ｂによってほとんど散乱されることなく反射される。一方、ＬＥＤチップ９２から発せられた赤外線のうちＡｇペースト９２ａに到達した光は、Ａｇペースト９２ａによってほとんど吸収されてしまう。このため、半導体発光モジュールＸの照射範囲における照度分布に、底面９１ａと環状傾斜面９１ｂとの境界部分やＡｇペースト９２ａの形状が投影されたかのような低輝度部分が発生していた。このような照明条件で暗所撮影を行うと、得られた画像に過度なムラが生じるという不都合があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２２２９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、均一な照度で照明することが可能な半導体発光モジュールを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供される半導体発光モジュールは、半導体発光素子と、上記半導体発光素子が搭載された導通部材と、を備える、半導体発光モジュールであって、上記導通部材のうち少なくとも上記半導体発光素子を囲う部分には、光沢度が０〜０．３である無光沢メッキが施されていることを特徴としている。なお、本発明で言う光沢度をＤとすると、光沢度Ｄは、Ｄ＝ｌｏｇ（１／Ｒ）で定義される（ただし、Ｒは、４５度方向への反射率（＝反射光量／入射光量）である。）。
【０００７】
このような構成によれば、上記半導体発光素子からの光の一部は、上記無光沢メッキによって散乱される。この散乱された光によって、上記半導体発光モジュールの照射範囲を比較的均一に照射することができる。光沢度が０〜０．３であれば、照度分布のバラツキを肉眼で視認できない程度に十分に低減することができる。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記導通部材には、上記半導体発光素子が搭載された底面、および上記半導体発光素子を囲い、かつ上記底面から離れるほど断面寸法が大となる環状傾斜面が形成されており、上記底面および上記環状傾斜面に、上記無光沢メッキが施されている。このような構成によれば、上記無光沢メッキによって散乱された光が一方向に進行する傾向を高めることが可能である。これにより、過度に散乱されることによって全体的に照度が不足することを防止することができる。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体発光素子は、赤外線を発する。このような構成によれば、暗所撮影の照明に用いるのに好ましい。
【００１０】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１２】
図１は、本発明に係る半導体発光モジュールの一例を示している。本実施形態の半導体発光モジュールＡは、リード１Ａ，１Ｂ、ＬＥＤチップ２および樹脂パッケージ４を備えている。半導体発光モジュールＡは、たとえば暗所撮影を行う際に赤外線を照射する照明器具に用いられる。
【００１３】
リード１Ａ，１Ｂは、ＬＥＤチップ２を支持するとともに、ＬＥＤチップ２を外部のたとえば電源に導通させるためのものである。リード１Ａ，１Ｂは、たとえばＦｅ，Ｃｕ，Ｎｉなどの合金からなるプレートに対して切断加工やプレス加工を施すことによって形成される。リード１Ａ，１Ｂのうち樹脂パッケージ４から露出した部分は、半導体発光モジュールＡを回路基板などに実装するための端子として用いられる。
【００１４】
リード１Ａには、底面１１および環状傾斜面１２が形成されている。底面１１は、たとえば円形状であり、これを囲う部分よりも低位に位置している。環状傾斜面１２は、底面１１を囲っており、たとえばドーナツ状とされている。環状傾斜面１２は、底面１１から離れるほど断面寸法が大となる傾斜とされている。底面１１および環状傾斜面１２には、無光沢メッキ１３が施されている。無光沢メッキ１３は、光沢度が０〜０．３となるように処理されたたとえばＮｉメッキである。
【００１５】
ＬＥＤチップ２は、本発明で言う半導体発光素子の一例であり、たとえば活性層とこれを挟むｎ型半導体層およびｐ型半導体層を有している。ＬＥＤチップ２は、Ａｇペースト２１を介して無光沢メッキ１３が施された底面１１にダイボンディングされている。ＬＥＤチップ２の上面には、ワイヤ３の一端がボンディングされている。ワイヤ３の他端は、リード１Ｂにボンディングされている。本実施形態においては、ＬＥＤチップ２は、赤外線を発光可能に構成されている。
【００１６】
樹脂パッケージ４は、ＬＥＤチップ２から発せられるたとえば赤外線を透過させる樹脂からなり、リード１Ａ，１Ｂの一部ずつとＬＥＤチップ２とを覆っている。樹脂パッケージ４には、レンズ４１が形成されている。レンズ４１は、ＬＥＤチップ２からの赤外線を屈折させることにより、指向性を高めるためのものである。
【００１７】
次に、半導体発光モジュールＡの作用について説明する。
【００１８】
本実施形態によれば、ＬＥＤチップ２から底面１１および環状傾斜面１２に進行した光は、無光沢メッキ１３によって散乱される。この散乱された光は、樹脂パッケージ４内を広がりつつ、互いに交差しながら、レンズ４１から出射される。このため、半導体発光モジュールＡの照射範囲においては、たとえばＡｇペースト２１の形状が投影されたような低輝度部分が発生しにくい。したがって、半導体発光モジュールＡによれば、均一な照度で照明することが可能であり、たとえば暗所撮影によって明りょうな画像を撮影するのに適している。上述した光沢度が０〜０．３であれば、照度分布のバラツキを肉眼で視認できない程度に十分に低減することができる。
【００１９】
環状傾斜面１２を設けることにより、無光沢メッキ１３によって散乱された光がレンズ４１に向かう傾向を強めることが可能である。これにより、過度に散乱されることによって全体的に照度が不足することを防止することができる。
【００２０】
本発明に係る半導体発光モジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光モジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００２１】
ＬＥＤチップ２として赤外線を発するものを用いれば暗所撮影の照明用途に適しているが、本発明はこれに限定されず、さまざまな波長の光を発する半導体発光素子を用いてもよい。無光沢メッキ１３を施す領域は、底面１１および環状傾斜面１２に限定されず、ＬＥＤチップ２を囲う領域であって、たとえばＡｇペースト２１による吸収の影響を打ち消すという効果を奏し得る部分に施せばよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る半導体発光モジュールの一例を示す断面図である。
【図２】従来の半導体発光モジュールの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
Ａ      半導体発光モジュール
１Ａ，１Ｂ  リード
２      ＬＥＤチップ（半導体素子）
３      ワイヤ
４      樹脂パッケージ
１１      底面
１２      環状傾斜面
１３    無光沢メッキ
２１    Ａｇペースト
４１    レンズ
【図１】
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【図２】
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