(57)【要約】【課題】良好な特性と高い信頼性を確保することができる半導体光素子の製造方法を得る。【解決手段】ｐ型ＩｎＰクラッド層１２（第１の半導体層）に溝１４を形成する。溝１４内に、Ａｌ元素を含有する活性層１５（第２の半導体層）を形成する。ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上にｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、活性層１５の上方を覆うように絶縁膜１７を形成する。絶縁膜１７をマスクとして、活性層１５を露出させずにｐ型ＩｎＰクラッド層１２およびｎ型ＩｎＰクラッド層１６をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層に溝を形成する工程と、
前記溝内に、Ａｌ元素を含有する第２の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層および前記第２の半導体層上に第３の半導体層を形成する工程と、
前記第３の半導体層上に、前記第２の半導体層の上方を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして、前記第２の半導体層を露出させずに前記第１の半導体層および第３の半導体層をエッチングしてストライプ構造を形成する工程と、
前記ストライプ構造を埋込層で埋め込む工程とを備えることを特徴とする半導体光素子の製造方法。
【請求項２】
前記ストライプ構造を形成した後、前記埋込層を形成する前に、前記埋込層を形成するための結晶成長装置内において、ハロゲン系ガスによるドライエッチングにより前記第２の半導体層の側面を露出させる工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ａｌ元素を含有する半導体層を有する埋込型半導体光素子の製造方法に関し、特に良好な特性と高い信頼性を確保することができる半導体光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マスクを用いて半導体積層構造をエッチングしてストライプ構造を形成し、このストライプ構造を埋込層で埋め込んだ埋込型半導体光素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−５３３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
埋込型半導体光素子を製造するための参考例１に係る製造方法について説明する。まず、図３１に示すように、ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、Ａｌ元素を含有する活性層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６を順番に形成する。そして、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、フォトリソグラフィによりパターニングした絶縁膜１７を形成する。
【０００５】
次に、図３２に示すように、絶縁膜１７をマスクとして、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６および活性層１５をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。そして、埋込層を形成するための結晶成長装置内において、図３３に示すように、ハロゲン元素を含むガス等でストライプ構造１８をエッチングする。
【０００６】
次に、図３４に示すように、ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。そして、図３５に示すように、絶縁膜１７を除去し、ｎ型ＩｎＰ層２２、絶縁膜２３、表面電極２４および裏面電極２５を形成する。
【０００７】
参考例１では、ストライプ構造１８の側壁において、Ａｌ元素を含有する活性層１５が酸素などのガスや不純物が付着する雰囲気に晒される。このため、活性層１５の表面に不純物が付着し、反応生成物やＡｌ酸化物などが形成される。この化合物は、その後の埋込層の結晶成長を妨げる。また、この化合物により無効電流や光の損失が大きくなるため、半導体光素子の初期特性や長期信頼性が悪化する。従って、埋込層の形成前に、ハロゲン元素を含むガス等でストライプ構造１８をエッチングする。しかし、ストライプ構造１８の表面に形成されたＡｌ酸化物などは非常に強固であるため、安定して除去することができなかった。
【０００８】
この問題を解決するための参考例２に係る製造方法について説明する。まず、図３６に示すように、ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、Ａｌ元素を含有する活性層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６を順番に形成する。そして、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、フォトリソグラフィによりパターニングした絶縁膜１７を形成する。
【０００９】
次に、埋込層を形成するための結晶成長装置内において、図３７に示すように、絶縁膜１７をマスクとして、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６および活性層１５をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。その後、図３８に示すように、ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。そして、図３９に示すように、絶縁膜１７を除去し、ｎ型ＩｎＰ層２２、絶縁膜２３、表面電極２４および裏面電極２５を形成する。
【００１０】
このように埋込層を形成するための結晶成長装置内でのエッチングのみでストライプ構造１８を形成することで、ストライプ構造１８は酸素などのガスや不純物が付着する雰囲気に晒されない。しかし、ストライプ構造１８の側壁が４５度の傾斜を持つため、ストライプ頂上部が細くなり素子の抵抗が増加してしまう。これに対して、ストライプ頂上部の幅を確保するためにｎ型ＩｎＰクラッド層１６を薄くすると、光閉込層を十分に確保できない。また、ストライプ頂上部の幅を確保するために活性層１５の幅を広げると、基本モードでのレーザ発振が不安定になってしまう。また、長時間のエッチングが必要となり、良好なエッチング性を得ることが困難である。
【００１１】
以上より、参考例１および２の何れの製造方法でも、半導体光素子の良好な特性と高い信頼性を確保することができなかった。
【００１２】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、良好な特性と高い信頼性を確保することができる半導体光素子の製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る半導体光素子の製造方法は、第１の半導体層に溝を形成する工程と、溝内に、Ａｌ元素を含有する第２の半導体層を形成する工程と、第１の半導体層および第２の半導体層上に第３の半導体層を形成する工程と、第３の半導体層上に、第２の半導体層の上方を覆うように絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜をマスクとして、第２の半導体層を露出させずに第１の半導体層および第３の半導体層をエッチングしてストライプ構造を形成する工程と、ストライプ構造を埋込層で埋め込む工程とを備える。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、半導体光素子の良好な特性と高い信頼性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法について図面を用いて説明する。ここでは、半導体光素子の一例として半導体レーザの場合について説明する。
【００１６】
まず、図１に示すように、ｐ型ＩｎＰ基板１１上にｐ型ＩｎＰクラッド層１２（第１の半導体層）を形成する。そして、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２上に、フォトリソグラフィによりパターニングしたＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜１３を形成する。
【００１７】
次に、図２に示すように、絶縁膜１３をマスクとして、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２をエッチングして溝１４を形成する。このエッチングとして、薬液によるウェットエッチング、または、ＨＣｌなどのハロゲン系ガスを含むガスによるドライエッチングを行う。また、溝１４の幅は、完成後の半導体レーザが基本モードで発振するためのカットオフ条件を満たす値にする。具体的には１．０〜２．０μｍ程度にする。
【００１８】
次に、図３に示すように、溝１４内に、Ａｌ元素を含有するＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸の活性層１５（第２の半導体層）を形成する。なお、活性層１５の最表面はＡｌを含まないＩｎＰ層とする。
【００１９】
次に、図４に示すように、絶縁膜１３を除去する。そして、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。
【００２０】
次に、図５に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、活性層１５の上方を覆うように、フォトリソグラフィによりパターニングしたＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜１７を形成する。絶縁膜１７の幅は、活性層１５の幅よりも広くするが、完成後の半導体レーザの特性が漏れ電流により低下しない値にする。具体的には、活性層１５の幅よりも０．２〜１．０μｍ程度広くする。
【００２１】
次に、図６に示すように、絶縁膜１７をマスクとして、活性層１５を露出させずに活性層１５の横側にあるｎ型ＩｎＰクラッド層１６およびｐ型ＩｎＰクラッド層１２をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。このエッチングとして、薬液によるウェットエッチング、または、ＨＣｌなどのハロゲン系ガス以外のガスによるドライエッチングを行う。
【００２２】
次に、図７に示すように、ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。これらの層は、完成後の半導体レーザにおいて電流狭窄を行う埋込層である。
【００２３】
次に、図８に示すように、絶縁膜１７を除去する。そして、電極形成用のｎ型ＩｎＰ層２２を形成する。このｎ型ＩｎＰ層２２上に、電流注入のためのＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜２３およびＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ、ＡｕＧｅ、ＡｕＺｎなどの表面電極２４を形成する。ｐ型ＩｎＰ基板１１を裏面研削して厚さを１００μｍ程度に薄くして、ｐ型ＩｎＰ基板１１の裏面に裏面電極２５を形成する。その後、半導体レーザをへき開などで所望の長さに切り出し、所望の反射率を得るためにレーザ端面にＡｌ２Ｏ３、α−Ｓｉ、ＳｉＯ２などの反射膜を形成する。以上の工程により、本実施の形態に係る半導体光素子が製造される。
【００２４】
上記のように、ストライプ構造１８を形成する際に活性層１５を露出させないため、Ａｌ元素を含有する活性層１５が外気及び薬液に晒されない。このため、半導体光素子の良好な特性と高い信頼性を確保することができる。
【００２５】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体光素子の製造方法について図面を用いて説明する。ここでは、半導体光素子の一例として半導体レーザの場合について説明する。
【００２６】
まず、実施の形態１と同様に図１〜６の工程を行う。次に、図９に示すように、埋込層を形成するための結晶成長装置内において、ＨＣｌなどのハロゲン系ガスによるドライエッチングにより活性層１５の側面を覆っているｐ型ＩｎＰクラッド層１２を取り除いて、活性層１５の側面を露出させる。この際に、活性層１５の側面の一部までエッチングすることが好ましい。
【００２７】
次に、図１０に示すように、ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。そして、図１１に示すように、絶縁膜１７を除去し、ｎ型ＩｎＰ層２２、絶縁膜２３、表面電極２４および裏面電極２５を形成する。
【００２８】
上記のように活性層１５の側面を露出させることにより、特性を低下させる漏れ電流を実施の形態１よりも低減することができる。また、活性層１５の側面の一部までエッチングすることにより、活性層１５の成長時に活性層１５の側面に光やキャリアの損失を引き起こす箇所が形成されていた場合でも、当該箇所を除去することができる。また、埋込層を形成するための結晶成長装置内でエッチングを行うため、Ａｌ元素を含有する活性層１５は外気及び薬液に晒されない。
【００２９】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る半導体光素子の製造方法について図面を用いて説明する。本実施の形態は、活性層の上に回折格子を形成した分布帰還型の半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）に実施の形態１を適用したものである。
【００３０】
まず、実施の形態１と同様に図１〜３の工程を行う。次に、図１２に示すように、絶縁膜１３を除去する。そして、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上にｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。そして、公知の結晶成長と写真製版を組み合わせた工程により、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６中に回折格子２６を形成する。
【００３１】
次に、図１３に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、活性層１５の上方を覆うように、フォトリソグラフィによりパターニングしたＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜１７を形成する。絶縁膜１７の幅は、活性層１５の幅よりも広くするが、完成後の半導体レーザの特性が漏れ電流により低下しない値にする。具体的には、活性層１５の幅よりも０．２〜１．０μｍ程度広くする。
【００３２】
次に、図１４に示すように、絶縁膜１７をマスクとして、活性層１５を露出させずに活性層１５の横側にあるｎ型ＩｎＰクラッド層１６およびｐ型ＩｎＰクラッド層１２をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。このエッチングとして、薬液によるウェットエッチング、または、ＨＣｌなどのハロゲン系ガス以外のガスによるドライエッチングを行う。
【００３３】
次に、図１５に示すように、ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。そして、図１６に示すように、絶縁膜１７を除去し、ｎ型ＩｎＰ層２２、絶縁膜２３、表面電極２４および裏面電極２５を形成する。
【００３４】
上記のように活性層１５の上に回折格子２６を形成する点以外は実施の形態１と同様であるため、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００３５】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る半導体光素子の製造方法について図面を用いて説明する。本実施の形態は、活性層の上に回折格子を形成した分布帰還型の半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）に実施の形態２を適用したものである。
【００３６】
まず、実施の形態１と同様に図１〜３の工程を行い、実施の形態３と同様に図１２〜１４の工程を行う。
【００３７】
次に、図１７に示すように、埋込層を形成するための結晶成長装置内において、ＨＣｌなどのハロゲン系ガスによるドライエッチングにより活性層１５の側面を覆っているｐ型ＩｎＰクラッド層１２を取り除いて、活性層１５の側面を露出させる。この際に、活性層１５の側面の一部までエッチングすることが好ましい。
【００３８】
次に、図１８に示すように、ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。そして、図１９に示すように、絶縁膜１７を除去し、ｎ型ＩｎＰ層２２、絶縁膜２３、表面電極２４および裏面電極２５を形成する。
【００３９】
上記のように活性層１５の上に回折格子２６を形成する点以外は実施の形態２と同様であるため、実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法について図面を用いて説明する。本実施の形態は、活性層の下に回折格子を形成した分布帰還型の半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）に実施の形態１を適用したものである。
【００４１】
まず、図２０に示すように、ｐ型ＩｎＰ基板１１上にｐ型ＩｎＰクラッド層１２（第１の半導体層）を形成する。そして、公知の結晶成長と写真製版を組み合わせた工程により、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６中に回折格子２６を形成する。また、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２上に、フォトリソグラフィによりパターニングしたＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜１３を形成する。
【００４２】
次に、図２１に示すように、絶縁膜１３をマスクとして、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２をエッチングして溝１４を形成する。このエッチングとして、薬液によるウェットエッチング、または、ＨＣｌなどのハロゲン系ガスを含むガスによるドライエッチングを行う。また、溝１４の幅は、完成後の半導体レーザが基本モードで発振するためのカットオフ条件を満たす値にする。具体的には１．０〜２．０μｍ程度にする。
【００４３】
次に、図２２に示すように、溝１４内に、Ａｌ元素を含有するＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸の活性層１５（第２の半導体層）を形成する。なお、活性層１５の最表面はＡｌを含まないＩｎＰ層とする。
【００４４】
次に、図２３に示すように、絶縁膜１３を除去する。そして、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。
【００４５】
次に、図２４に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、活性層１５の上方を覆うように、フォトリソグラフィによりパターニングしたＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜１７を形成する。絶縁膜１７の幅は、活性層１５の幅よりも広くするが、完成後の半導体レーザの特性が漏れ電流により低下しない値にする。具体的には、活性層１５の幅よりも０．２〜１．０μｍ程度広くする。
【００４６】
次に、図２５に示すように、絶縁膜１７をマスクとして、活性層１５を露出させずに活性層１５の横側にあるｎ型ＩｎＰクラッド層１６およびｐ型ＩｎＰクラッド層１２をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。このエッチングとして、薬液によるウェットエッチング、または、ＨＣｌなどのハロゲン系ガス以外のガスによるドライエッチングを行う。
【００４７】
次に、図２６に示すように、ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。そして、図２７に示すように、絶縁膜１７を除去し、ｎ型ＩｎＰ層２２、絶縁膜２３、表面電極２４および裏面電極２５を形成する。
【００４８】
上記のように活性層１５の下に回折格子２６を形成する点以外は実施の形態１と同様であるため、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
実施の形態６．
本発明の実施の形態６に係る半導体光素子の製造方法について図面を用いて説明する。本実施の形態は、活性層の下に回折格子を形成した分布帰還型の半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）に実施の形態２を適用したものである。
【００５０】
まず、実施の形態５と同様に図２０〜２５の工程を行う。次に、図２８に示すように、埋込層を形成するための結晶成長装置内において、ＨＣｌなどのハロゲン系ガスによるドライエッチングにより活性層１５の側面を覆っているｐ型ＩｎＰクラッド層１２を取り除いて、活性層１５の側面を露出させる。この際に、活性層１５の側面の一部までエッチングすることが好ましい。
【００５１】
次に、図２９に示すように、ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。そして、図３０に示すように、絶縁膜１７を除去し、ｎ型ＩｎＰ層２２、絶縁膜２３、表面電極２４および裏面電極２５を形成する。
【００５２】
上記のように活性層１５の下に回折格子２６を形成する点以外は実施の形態２と同様であるため、実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
なお、上記の実施の形態１〜６では、埋込層としてｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１の積層構造を用いているが、これに限らず、ＩｎＰ以外のＡｌＩｎＡｓなどの半導体層や、ＦｅドープＩｎＰなどの半絶縁性半導体層を用いてもよい。また、半導体基板としてｐ型ＩｎＰ基板１１を用いているが、これに限らずｎ−ＩｎＰ基板や半絶縁性基板を用いてもよい。また、半導体光素子の一例として半導体レーザの場合について説明しているが、半導体変調器、半導体光増幅器、またはこれらの複合素子でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態３に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態３に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態４に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態４に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態４に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態５に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２８】本発明の実施の形態６に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態６に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態６に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３１】参考例１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３２】参考例１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３３】参考例１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３４】参考例１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３５】参考例１に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３６】参考例２に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３７】参考例２に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３８】参考例２に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３９】参考例２に係る半導体光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１２  ｐ型ＩｎＰクラッド層（第１の半導体層）
１４  溝
１５  活性層（第２の半導体層）
１６  ｎ型ＩｎＰクラッド層（第３の半導体層）
１７  絶縁膜
１８  ストライプ構造
１９  ｐ型ＩｎＰ埋込層（埋込層）
２０  ｎ型ＩｎＰ埋込層（埋込層）
２１  ｐ型ＩｎＰ埋込層（埋込層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2009182249.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2009182249.tif 000016
【図１５】
2009182249.tif 000017
【図１６】
2009182249.tif 000018
【図１７】
2009182249.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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