(57)【要約】【課題】本発明は、半導体ウェハを均一に加熱することができる半導体ウェハ加熱装置及び半導体ウェハの加熱方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ１０４の反りを検知する複数のセンサ１０５〜１０７、２５０〜２５３と、これらのセンサにより検知された半導体ウェハの反りに応じて半導体ウェハの異なる位置に独立して異なる熱量を供給する複数の加熱ゾーン２０１〜２１５と、センサの検知結果に基づいて複数の加熱ゾーンを制御するコントローラ１０８を具備する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに対して第１の熱量を供給する第１の加熱ゾーン及び第２の熱量を供給する第２の加熱ゾーンを有する加熱面と、
前記半導体ウェハに対する接近状態に基づいて第１の信号を生成する第１のセンサと、
前記半導体ウェハに対する接近状態に基づいて第２の信号を生成する第２のセンサと、
前記第１の信号に基づいて前記第１の加熱ゾーンにより前記第１の熱量が供給されるように制御すると共に前記第２の信号に基づいて前記第２の加熱ゾーンにより前記第２の熱量が供給されるように制御するコントローラ
とを具備したことを特徴する半導体ウェハ加熱装置。
【請求項２】
半導体ウェハの反りを検知する検知手段と、
前記検知手段で検知された前記反りに応じて前記半導体ウェハに対し熱量を供給する加熱手段
とを具備したことを特徴する半導体ウェハ加熱装置。
【請求項３】
前記加熱手段は、互いに異なる熱量を生成する複数の加熱ゾーンを有することを特徴する請求項２記載の半導体ウェハ加熱装置。
【請求項４】
前記複数の加熱ゾーンは、前記半導体ウェハの異なる位置に熱を供給することを特徴する請求項３記載の半導体ウェハ加熱装置。
【請求項５】
半導体ウェハに第１の熱量を供給する第１供給ステップと、
前記半導体ウェハに反りが生じているか否かを検知する検知ステップと、
前記半導体ウェハに反りが生じていることが検知された際は前記半導体ウェハに前記第１の熱量とは異なる第２の熱量を供給し、前記半導体ウェハに反りが生じていないことが検知された際は前記半導体ウェハに前記第１の熱量を供給する第２供給ステップ
とを具備したことを特徴する半導体ウェハの加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハを加熱する半導体ウェハ加熱装置及び半導体ウェハの加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフのための露光が行われた後、半導体ウェハは、通常、ベークのためにオーブン内に設置される。ポスト露光後のベークの際に、半導体ウェハが一様に加熱されないと、種々の問題が引き起こされる。ベーク中、半導体ウェハには、予測不能な反りがしばしば生じる。半導体ウェハのいくつかの部分は他の部分よりも加熱素子に対して接近する可能性があるので、半導体ウェハの反りにより不均一な加熱がもたらされる。半導体ウェハの不均一な加熱は、回路性能にばらつきが生じる等、最終製品に種々の問題をもたらす。
【０００３】
従って、加熱中、半導体ウェハに反りが生じたとしても、半導体ウェハを均等に加熱できるオーブンが必要とされる。このようなオーブンによれば、反りの状態及び発生位置が予測不能な半導体ウェハにおいても、均一に加熱することができる。例えば、反りは凹状あるいは凸状である可能性があり、１箇所あるいは複数個所に発生する。より均一に加熱することに加え、ウェハの複数個所に対してさらに加熱することにより、少なくとも部分的にウェハの反りを矯正して平坦に戻すことができる。このようなオーブンにより、より多くのウェハが最終製品として利用でき、これにより製造コスト及び製造効率の低減を図ることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、半導体ウェハを均一に加熱することができる半導体ウェハ加熱装置及び半導体ウェハの加熱方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体ウェハ加熱装置は、半導体ウェハに対して第１の熱量を供給する第１の加熱ゾーン及び第２の熱量を供給する第２の加熱ゾーンを有する加熱面と、前記半導体ウェハに対する接近状態に基づいて第１の信号を生成する第１のセンサと、前記半導体ウェハに対する接近状態に基づいて第２の信号を生成する第２のセンサと、前記第１の信号に基づいて前記第１の加熱ゾーンにより前記第１の熱量が供給されるように制御すると共に前記第２の信号に基づいて前記第２の加熱ゾーンにより前記第２の熱量が供給されるように制御するコントローラとを具備したことを特徴する。
【０００６】
本発明の半導体ウェハ加熱装置は、半導体ウェハの反りを検知する検知手段と、前記検知手段で検知された前記反りに応じて前記半導体ウェハに対し熱量を供給する加熱手段とを具備したことを特徴する。
【０００７】
本発明の半導体ウェハの加熱方法は、半導体ウェハに第１の熱量を供給する第１供給ステップと、前記半導体ウェハに反りが生じているか否かを検知する検知ステップと、前記半導体ウェハに反りが生じていることが検知された際は前記半導体ウェハに前記第１の熱量とは異なる第２の熱量を供給し、前記半導体ウェハに反りが生じていないことが検知された際は前記半導体ウェハに前記第１の熱量を供給する第２供給ステップとを具備したことを特徴する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体ウェハを均一に加熱することができる半導体ウェハ加熱装置及び半導体ウェハの加熱方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
まず、本発明の実施形態の説明の前に、本発明の概要を説明する。
【００１０】
本発明による半導体ウェハ加熱装置は、複数の加熱ゾーンに分割され、各加熱ゾーンはウェハに対して所望する熱量で独立して加熱する加熱面を有する。各加熱ゾーンによる熱量は、ウェハの反りを検知するセンサからの信号により決定される。実時間において、１つ以上の加熱ゾーンにおける熱量は、ウェハの反りを矯正するために調整される。例えば、ウェハがある加熱ゾーンから遠ざかるように移動することが検知された場合、その加熱ゾーンの表面とウェハとの間の増加したギャップが戻されるように、その加熱ゾーンの熱量が増加される。
【００１１】
どれだけの熱量が各加熱ゾーンによって供給されるかを制御するために、コントローラが導入される。コントローラは、センサからの信号を受けて、所望する熱量を供給するために、各加熱ゾーンに指令信号を出力する。これらの信号はアナログ信号あるいはデジタル信号であってもよく、さらに、個別の導体または１つ以上の共有導体により多重的に転送されてもよい。各加熱ゾーンにより供給される熱量は、他の加熱ゾーンによって供給される熱量に完全に独立しているか、あるいは隣接する加熱ゾーンのように他のゾーンの発熱量に依存してもよい。
【００１２】
以下、図面を参照して本発明を実施の形態により詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に係る半導体ウェハ加熱装置、つまりオーブンの側面図であり、図２は図１のオーブンの上面図である。本実施形態のオーブン１００は、ベース１０１とカバー１０２を有する。図示のようにベース１０１とカバー１０２が組み合わされることにより、半導体ウェハ１０４が載置される窪んだ空洞１１３が形成される。図示しないが、空洞１１３内に半導体ウェハ１０４を設置するために、扉もしくは他の開閉部材を設けるようにしてもよい。
【００１３】
空洞１１３内に設置される半導体ウェハ１０４は、加熱部１０３の表面上もしくは表面近傍に静止するように配置される。加熱部１０３は半導体ウェハ１０４を加熱するように構成されている。加熱部１０３は複数の加熱ゾーン２０１〜２１５に分割されており、それぞれの加熱ゾーンは互いに異なる熱量を独立して供給することが可能にされている。複数の加熱ゾーン２０１〜２１５はコントローラ１０８により制御される。コントローラ１０８は、配線等の信号伝達経路１０９を介して、複数の加熱ゾーン２０１〜２１５に加熱指令信号を供給する。コントローラ１０８は、予め決定されている設定値に従って、あるいは１個以上のセンサ１０５、１０６、１０７、２５０、２５１、２５２、２５３によって得られる信号に従って、各加熱ゾーン２０１〜２１５によって供給される熱量を制御する。複数のセンサ１０５〜１０７、２５０〜２５３によって得られる信号は、配線等の信号伝達経路１１０を介して、コントローラ１０８に伝えられる。
【００１４】
コントローラ１０８は、マイクロプロセッサ、デジタル回路、アナログ回路のような任意のタイプのコントローラで構成される。さらに、コントローラ１０８は、個別の集積回路チップとして構成してもよく、個別部品を組み合わせて構成してもよく、あるいは、より大きな回路の一部として構成してもよい。
【００１５】
複数の加熱ゾーン２０１〜２１５は、例えば抵抗性加熱素子もしくは既知のタイプの加熱素子等、種々のタイプの加熱素子によって構成される。抵抗性加熱素子の場合、抵抗に電流を流すことによって熱が発生する。図２では、オーブン１００は、１５箇所の加熱ゾーン２０１〜２１５を有する場合を示している。しかし、加熱ゾーンの数はこれに限定されるものではない。また、図２では、複数の加熱ゾーン２０１〜２１５は、独自の配置状態を有している。つまり、１つの加熱ゾーン２０１は円の中心に配置されており、他の加熱ゾーン２０２〜２１５は中央の加熱ゾーン２０１の周囲に同心円状に配置されている。さらに、これら複数の加熱ゾーン２０１〜２１５は、循環的な対照パターンとなるように配置されている。これは、一般的に半導体ウェハ１０４が対称的な円板だからである。しかし、複数の加熱ゾーンはどのように配置されていてもよく、また、どのような形状の半導体ウェハが使用されてもよい。
【００１６】
複数の止め具１１１、１１２、２６０、２６１、２６１、２６３は、ベース１０１から上方に飛び出でるように設けられており、加熱中に半導体ウェハ１０４が置かれるべき領域の境界を定義する作用を有する。この場合、複数の止め具１１１、１１２、２６０〜２６３は、半導体ウェハ１０４の円形の形状に適合するように、円形状のパターンとなるように、つまりこの円形状のパターンにより規定される領域内に半導体ウェハ１０４がジャストフィットするように配置されている。また、これら複数の止め具１１１、１１２、２６０〜２６３は、半導体ウェハ１０４の加熱により生じる可能性がある反りにより、半導体ウェハ１０４がスライドすることを防止する作用を有する。
【００１７】
複数のセンサ１０５〜１０７、２５０〜２５３は、加熱中に半導体ウェハ１０４に反りが発生するかどうか、またどこで発生するかを判断するために使用される。例えば、センサ１０５の位置上もしくは近傍で、半導体ウェハ１０４に上方の反り（加熱部１０３から遠ざかる方向）が発生した場合、センサ１０５は、その場所で半導体ウェハ１０４と加熱部１０３との間の反りによるギャップＤ（例えば、図８に示す）の存在、あるいはギャップＤが増加していることを検知する。もし、半導体ウェハ１０４がその後、同じ場所で緩むか、下方に反りが生じると、センサ１０５は、ギャップＤがもはや存在しないか、減少したことを検知する。以下に説明するように、このような反りを検知することにより、加熱部１０３による熱分布をカスタマイズし、半導体ウェハ１０４の反りを減少させる、もしくは最小化するためのフィードバック情報をオーブン１００に与える。
【００１８】
次に、半導体ウェハ１０４の反りに関する種々の状態を以下に説明する。図３には、加熱中、半導体ウェハ１０４の一部３０１が、加熱部１０３から上方に反った状態が示されている。つまり、半導体ウェハ１０４には凹状の反りが発生している。この場合、反り部分３０１は、図３中の右側（半導体ウェハ１０４の上面図）に大まかに示すように、円形の半導体ウェハ１０４の概略１／４を占めている。なお、図３では実際の寸法は必ずしも反映されておらず、また、図中に示されている反りは実際よりは誇張されている。
【００１９】
図３に示すような反りが半導体ウェハ１０４に発生すると、センサ１０７は半導体ウェハ１０４の反り部分３０１が離れたことを検知する。センサ１０７（及び他のセンサ１０５、１０６、２５０〜２５３）は、種々の方法でこれを検出することができる。例えば、センサ１０５〜１０７、２５０〜２５３として、光センサ、バキュームセンサ、圧力センサ等、半導体ウェハ１０４の反りが検知できる種々のセンサを用いることができる。
【００２０】
図４に示すように、半導体ウェハ１０４の反り部分３０１が上方へものであることがセンサ１０７により検知されると、この状態を示す検知信号がセンサ１０７からコントローラ１０８に送られる。この信号に応答して、コントローラ１０８は１個以上の加熱ゾーン２０１〜２１５で生成される熱量が適切となるように調整する。この場合、センサ１０７からの信号は、反り部分３０１がセンサ１０７から離れたことを示している。従って、コントローラ１０８は、このセンサ１０７に対応した位置の加熱ゾーン２０５、２１１で生成される熱量が増加するように加熱ゾーン２０５、２１１を調整する。センサ１０７は半導体ウェハ１０４の周辺に近いので、半導体ウェハ１０４と周辺の加熱ゾーン２１１との間のギャップが、半導体ウェハ１０４と中心に対してより内側に位置している加熱ゾーン２０５との間のギャップよりもわずかに大きいと推測できる。従って、加熱ゾーン２０５により生成される熱に対して、より多くの熱が生成されるように加熱ゾーン２１１が調整される。この発熱量の差は、図４に施された斜線の方向により示されている。図４において、斜線が施されていない加熱ゾーンは通常の加熱量を示し、右下がりの斜線が施されている加熱ゾーン２０５は通常の加熱量よりも大きな第１の加熱量を示し、左下がりの斜線が施されている加熱ゾーン２１１は第１の加熱量よりもさらに大きな第２の加熱量を示している。図４中に示した斜線は、図３の側面図においても同様に施されている。
【００２１】
半導体ウェハ１０４の反りに関する他の例を図５及び図６に示す。ここでは、半導体ウェハ１０４には凸状の反りが発生しており、半導体ウェハ１０４の中心部分５０１が加熱ゾーン２０１〜２１５から上方に反っている。このような反りの発生により、少なくともセンサ１０６は、半導体ウェハ１０４との間に比較的大きなギャップが発生したことを検知し、加熱ゾーン２０１、２０２、２０３により生成される熱が増加するような信号を生成する。この信号により、各加熱ゾーンとこれに重なり合う半導体ウェハ１０４の部分との間の増加したギャップが調整される。この場合、中心に近い位置で（センサ１０５〜１０７、２５０〜２５３で測定されるように）大きなギャップＤを有するように、半導体ウェハ１０４が反っているので、加熱ゾーン２０１、２０２、２０３の熱出力は以前の量から増加しない。この場合、加熱ゾーン２０１、２０２でのギャップがより大きいので、図５及び図６中に左下がりの斜線で示すように、加熱ゾーン２０１、２０２の熱出力が最も大きくなるように調整される。加熱ゾーン２０３におけるギャップは比較的小さいので、図５及び図６中に右下がりの斜線で示すように、加熱ゾーン２０３は熱出力が比較的少量増加するように調整される。この場合、残りの加熱ゾーンではギャップＤが比較的小さいか、もしくは存在しないので、これら残りの加熱ゾーンはデフォルトの熱量を出力し続けるようにしてもよいし、あるいは通常の熱量を出力し続けるようにしてもよい。
【００２２】
このように、加熱ゾーンから遠ざかるように反りが発生した半導体ウェハ１０４の種々の部分に応じて、より多い（あるいはより少ない）熱が供給されるように加熱ゾーンを調整することができる。加えるに、調整量は、反りの量及び発生位置に依存する。例えば、センサ１０５〜１０７、２５０〜２５３は、ギャップ（またはギャップの増加）が存在しているか否かのみではなく、ギャップの範囲を決定できる。この場合、与えられたゾーンの熱量増加は、より小さなギャップでは小さく、より大きなギャップでは大きくされる。加えるに、検知されたギャップのパターンに関連付けて熱出力パターンが決定される。例えば、第１群のセンサにより適切なギャップが検知され、第２群のセンサにより適切なギャップが検知されなかった時、予め与えられたセンス入力に対する参照テーブルに従って、複数の加熱ゾーン２０１〜２１５に対する熱出力が決定される。
【００２３】
図７は、図１及び図２に示すオーブン１００を用いて半導体ウェハ１０４をベークする半導体ウェハの加熱方法を示すフローチャートである。以下、図７を参照してこの方法を順次説明する。ステップ７０１では、レジスト材が半導体ウェハ１０４上に塗布される。ステップ７０２では、レジスト材に作用するパターン化された光、または他の放射により半導体ウェハ１０４が露光される。さらに、レジスト材の露光された部分、または非露光部分が除去される等の他の処理が行われる。ステップ７０３では、露光された半導体ウェハ１０４が図１及び図２に示すオーブン１００内に設置され、ベークが開始される。ステップ７０４では、半導体ウェハ１０４に反りが生じているか否かかが検知される。反りが生じていれば、ステップ７０５で、加熱ゾーン２０１〜２１５の１個以上がより多い、または少ない熱を供給するように調整され、従来のオーブン内での場合と比べて半導体ウェハ１０４がより均一に加熱される。ステップ７０６では、ベークが完了したか否かが判定され、完了していなければ、ベークが完了するまでステップ７０４〜７０６が繰り返される。なお、ここではステップ７０４〜７０６は離散的なステップとして示されているが、これらのステップは連続的にかつ互いに同時に行われるようにしてもよい。ベークが完了すると、ステップ７０７で、オーブンが切られ、半導体ウェハ１０４がオーブンから取り出される。
【００２４】
図８乃至図１０は、オーブン１００内で使用可能な種々のタイプのセンサを示している。ここに示される各センサ１０５は一例である。センサは以下に説明するような種々のもので構成されている。図８に示すセンサ１０５は光センサである場合が示されている。この光センサは、光受光部８０１と光照射部８０２とを有する。この場合、光照射部８０２から絞られた光として、または拡散した光として発射された光は、半導体ウェハ１０４に対して照射される。この照射光は、センサ１０５に対する半導体ウェハ１０４の位置に依存して、その一部量が反射されるか、または全く反射されない。
【００２５】
図９に示すセンサ１０５はバキュームセンサである場合が示されている。このバキュームセンサは、開口部９０１、この開口部９０１に対して、図示しないポンプにより発生されるバキュームを供給するチューブ９０２、及び開口部９０１の周囲に設けられたガスケット９０３を有する。半導体ウェハ１０４が開口部９０１に接触している時、ガスケット９０３の働きにより開口部９０１が封止され、それによってバキュームが維持される。これに対し、半導体ウェハ１０４が開口部９０１の上方に移動すると、図示のように、バキュームが維持できなくなり、このときの圧力変化がセンスされる。
【００２６】
図１０に示すセンサ１０５は圧力センサである場合が示されている。この圧力センサは、ボタン１００１、または下方向に作用する圧力の有無をセンスする他の表面を有する。センサ１０５は、ボタン１００１上に半導体ウェハ１０４が置かれている場合とそうでない場合との間の圧力差を検知する。
【００２７】
このように、本実施形態のオーブンは、半導体ウェハのポスト露光用ベークに使用することができる。このような自動的に加熱ゾーンを調整できるオーブンの使用により、従来のオーブンよる場合と比べて、半導体ウェハをより均一に加熱することができる。これにより、より多くの半導体ウェハが最終製品として利用でき、これにより製造コスト及び製造効率の低減を図ることができる。
【００２８】
この発明は以下のような態様を取り得る。
【００２９】
第１の態様の半導体ウェハ加熱装置は、半導体ウェハに対して第１の熱量を供給する第１の加熱ゾーン及び第２の熱量を供給する第２の加熱ゾーンを有する加熱面と、前記半導体ウェハに対する接近状態に基づいて第１の信号を生成する第１のセンサと、前記半導体ウェハに対する接近状態に基づいて第２の信号を生成する第２のセンサと、前記第１の信号に基づいて前記第１の加熱ゾーンにより前記第１の熱量が供給されるように制御すると共に前記第２の信号に基づいて前記第２の加熱ゾーンにより前記第２の熱量が供給されるように制御するコントローラとを具備する。
【００３０】
また、第１の態様において、前記コントローラは、前記第１の信号の変化に基づいて前記第１の熱量を調整すると共に、前記第２の信号の変化に基づいて前記第２の熱量を調整する。
【００３１】
さらに第１の態様において、前記加熱面は、前記半導体ウェハに対して第３の熱量を供給する第３の加熱ゾーンをさらに有し、前記第１のセンサに対する前記半導体ウェハの接近状態に基づいて第３の信号を生成する第３のセンサをさらに具備し、前記第３のセンサは、前記第１のセンサ及び前記第２のセンサとの間に設けられ、前記コントローラは、前記第３の信号に基づいて前記第３の加熱ゾーンにより前記第３の熱量が供給されるように制御する。
【００３２】
さらに第１の態様において、前記加熱面は、前記半導体ウェハに対して第３の熱量を供給する第３の加熱ゾーン及び第４の熱量を供給する第４の加熱ゾーンをさらに有し、前記コントローラは、前記第１の信号に基づいて前記第３の熱量を制御し、かつ前記第２の信号に基づいて前記第４の熱量を制御し、前記第３の熱量は前記第１の熱量と異なり、かつ前記第４の熱量は前記第２の熱量と異なる。
【００３３】
さらに第１の態様において、前記第１、第２のセンサのそれぞれが圧力センサである。
【００３４】
さらに第１の態様において、前記第１、第２のセンサのそれぞれが光センサである。
【００３５】
さらに第１の態様において、前記第１、第２のセンサのそれぞれがバキュームセンサである。
【００３６】
第２の態様の半導体ウェハ加熱装置は、半導体ウェハの反りを検知する検知手段と、前記検知手段で検知された前記反りに応じて前記半導体ウェハに対し熱量を供給する加熱手段とを具備する。
【００３７】
また、第２の態様において、前記加熱手段は、互いに異なる熱量を生成する複数の加熱ゾーンを有する。
【００３８】
さらに、第２の態様において、前記複数の加熱ゾーンは、前記半導体ウェハの異なる位置に熱を供給する。
【００３９】
さらに、第２の態様において、前記加熱手段は、前記検知手段により得られる情報に基づいて、前記複数の加熱ゾーンにより供給される熱量を決定するコントローラを含む。
【００４０】
さらに、第２の態様において、前記検知手段は、前記半導体ウェハの異なる位置に対する接近状態を検知する複数のセンサを有する。
【００４１】
さらに、第２の態様において、前記複数のセンサが円形状に配置されている。
【００４２】
さらに、第２の態様において、前記検知手段は、前記円形の中心に配置されたセンサをさらに含む。
【００４３】
さらに、第２の態様において、前記加熱手段は、前記検知手段による前記半導体ウェハの凸状の反りの検知に応答して第１の熱分布を前記半導体ウェハに与え、かつ、前記検知手段による前記半導体ウェハの凹状の反りの検知に応答して、前記第１の熱分布とは異なる第２の熱分布を前記半導体ウェハに与える。
【００４４】
第３の態様の半導体ウェハの加熱方法は、半導体ウェハに第１の熱量を供給する第１供給ステップと、前記半導体ウェハに反りが生じているか否かを検知する検知ステップと、前記半導体ウェハに反りが生じていることが検知された際は前記半導体ウェハに前記第１の熱量とは異なる第２の熱量を供給し、前記半導体ウェハに反りが生じていないことが検知された際は前記半導体ウェハに前記第１の熱量を供給する第２供給ステップとを具備する。
【００４５】
また、第３の態様において、前記第２供給ステップは、前記半導体ウェハの第１の位置に前記第２の熱量を供給すると同時に、前記半導体ウェハの前記第１の位置とは異なる第２の位置に前記第１の熱量を供給するステップを含む。
【００４６】
さらに、第３の態様において、前記第１及び第２の熱量を供給すると同時に、前記半導体ウェハの前記第１及び第２の位置とは異なる第３の位置に第３の熱量を供給する。
【００４７】
さらに、第３の態様において、前記反りの位置に基づいて前記第１の位置が決定される。
【００４８】
さらに、第３の態様において、前記検知ステップは、前記半導体ウェハと加熱面との間にギャップが存在するか否かを検知するステップを含む。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施形態に係るオーブンの側面図。
【図２】図１のオーブンの上面図。
【図３】図１のオーブンを用いてウェハを加熱する状態を示す側面図、及び加熱されるウェハの上面図。
【図４】図３のオーブンの上面図。
【図５】図１のオーブンを用いてウェハを加熱する状態を示す側面図、及び加熱されるウェハの上面図。
【図６】図５のオーブンの上面図。
【図７】図１のオーブンを用いてウェハを加熱する際の方法の一例を示すフローチャート。
【図８】図１のオーブンのセンサ近傍を拡大して示す断面図。
【図９】図１のオーブンのセンサ近傍を拡大して示す断面図。
【図１０】図１のオーブンのセンサ近傍を拡大して示す断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１００…オーブン、１０１…ベース、１０２…カバー、１０３…加熱部、１０４…半導体ウェハ、１１１、１１２、２６０〜２６３…止め具、１１３…窪んだ空洞、１０５、１０６、１０７、２５０、２５１、２５２、２５３…センサ、１０８…コントローラ、１０９、１１０…信号伝達経路、２０１〜２１５…加熱ゾーン、３０１…反り部分、５０１…中心部分、８０１…光受光部、８０２…光照射部、９０１…開口部、９０２…チューブ、９０３…ガスケット、１００１…ボタン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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