(57)【要約】【課題】低い転移電圧で短時間にベンド配向への転移を行うことが可能な液晶装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置は、対向して配置された基板１１，３１と、基板１１，３１の間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうる液晶層４０とを備える。基板１１の液晶層４０側には、複数のゲート線１２と、複数のソース線１４と、ゲート線１２とソース線１４との交差に対応して形成されたＴＦＴ素子２０と、ＴＦＴ素子２０に電気的に接続された画素電極１６と、が形成されている。画素電極１６は、ゲート線１２の一部と平面視で重なる重複領域を有して形成され、重複領域と、重複領域を除いた領域との間に段差部を有する。段差部の高さｄは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下とする。【選択図】図５
2009251489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向の
いずれの配向状態をも取りうる液晶層と、
前記第１の基板の前記液晶層側に形成された複数のゲート線と、
前記第１の基板の前記液晶層側に、平面視で前記ゲート線に交差するように形成された
複数のソース線と、
前記第１の基板の前記液晶層側に、前記ゲート線と前記ソース線との交差に対応して形
成されたスイッチング素子と、
前記第１の基板の前記液晶層側に形成され、前記スイッチング素子に電気的に接続され
た画素電極と、を備え、
前記画素電極は、前記ゲート線又は前記ソース線の一部と平面視で重なる重複領域を有
して形成され、前記重複領域と、前記重複領域を除いた領域との間に段差部を有すること
を特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記段差部の高さは、０．１μｍ以上２．０μｍ以下であることを特徴とする液晶装置
。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶装置であって、
前記重複領域は、平面視で前記ゲート線の一部と重なっており、
平面視で前記重複領域の少なくとも一部と重なる領域に、前記ソース線と同一の層に形
成された補助電極を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の液晶装置であって、
前記重複領域は、平面視で前記ソース線の一部と重なっており、
平面視で前記重複領域の少なくとも一部と重なる領域に、前記ゲート線と同一の層に形
成された補助電極を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記ゲート線又は前記ソース線は屈曲部を有し、
前記画素電極の辺は、前記屈曲部に沿って屈曲しており、
前記画素電極の前記重複領域は、屈曲した前記辺に沿って設けられていることを特徴と
する液晶装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記画素電極は、隣り合う２本の前記ゲート線に沿って延在する２つの辺と、隣り合う
２本の前記ソース線に沿って延在する２つの辺とを有して形成されており、
前記画素電極の前記重複領域は、前記２本のゲート線及び前記２本のソース線のうち、
前記スイッチング素子を介して当該画素電極と電気的に接続されていない前記ゲート線及
び前記ソース線の少なくとも一方の一部に平面視で重なっていることを特徴とする液晶装
置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第１の基板の前記液晶層側のうち、平面視で前記屈曲部に沿った領域に少なくとも
形成された反射膜と、
前記第２の基板の前記液晶層側のうち、平面視で前記反射膜と重なる領域に形成された
液晶層厚調整層と、を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に係る一態様は、液晶装置及び電子機器に関し、特にＯＣＢ（Optically Compen
sated Birefringence）モードを用いた液晶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＣＢモードの液晶装置においては、一対の基板間に封入された液晶層は、スプレイ配
向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうるように構成される。そして、この液晶
層は、初期状態ではスプレイ配向となっており、表示を行う際には、転移電圧を印加する
ことによってベンド配向に転移させて使用する。このようなＯＣＢモードの液晶装置は、
表示動作時にはベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することによって表示を行う
ため、高速応答性を有するという利点がある。
【０００３】
図１５は、ＯＣＢモードの液晶装置の画素構造の例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）中のＨ−Ｈ線における断面図である。この液晶装置は、素子基板１０と、対向基板
３０と、素子基板１０及び対向基板３０の間に配置された液晶層４０とを有している。素
子基板１０には、平行に配置された複数のゲート線１２と、複数のソース線１４とが形成
され、ゲート線１２とソース線１４との交差に対応して、ＴＦＴ（Thin Film Transistor
）素子２０が形成されている。また、ＴＦＴ素子２０には、画素電極１６が電気的に接続
されている。画素電極１６は、２本のゲート線１２と２本のソース線１４とに囲まれた領
域に形成されている。画素電極１６と、ゲート線１２及びソース線１４との間には、平面
視で間隔が設けられている。
【０００４】
液晶層４０をスプレイ配向からベンド配向へ転移させる場合には、まずゲート線１２と
画素電極１６との間に転移電圧を印加する。このとき、液晶層４０には、ゲート線１２と
画素電極１６とを結ぶ電気力線を有する、図１５（ｂ）に示すような電界Ｆが生じる。液
晶層４０に含まれる液晶分子４０ａは、電界Ｆに従って配向方向を変え、ベンド配向へ転
移しようとする。初期的には、ゲート線１２と画素電極１６との間の凹部６０又はその近
傍に、ベンド配向の転移核が生じる。その後、画素電極１６と、対向基板３０上の共通電
極３６との間で転移電圧を印加することにより、転移核を起点として画素電極１６上にベ
ンド配向領域を広げることができる。こうして、スプレイ配向からベンド配向への転移が
行われる。このような転移の方法は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２９６５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような液晶装置の場合、ゲート線１２と画素電極１６とが平面視
で離れているため、転移電圧の印加により生じる電界Ｆの強度が得られにくく、転移核が
生じにくいという課題がある。また、ゲート線１２と画素電極１６との間に距離があるた
め、画素電極１６の外側の凹部６０に生じた転移核から、ベンド配向領域が画素電極１６
上まで拡大しにくいという課題がある。これらに起因して、ベンド配向領域を画素電極１
６上に拡大させるために高い転移電圧が必要となり、ベンド配向への転移動作の際の消費
電力が大きくなる、あるいは転移動作に時間がかかる、という課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形
態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記
第１の基板と前記第２の基板との間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれ
の配向状態をも取りうる液晶層と、前記第１の基板の前記液晶層側に形成された複数のゲ
ート線と、前記第１の基板の前記液晶層側に、平面視で前記ゲート線に交差するように形
成された複数のソース線と、前記第１の基板の前記液晶層側に、前記ゲート線と前記ソー
ス線との交差に対応して形成されたスイッチング素子と、前記第１の基板の前記液晶層側
に形成され、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、を備え、前記画素
電極は、前記ゲート線又は前記ソース線の一部と平面視で重なる重複領域を有して形成さ
れ、前記重複領域と、前記重複領域を除いた領域との間に段差部を有する液晶装置。
【０００９】
このような構成によれば、ゲート線又はソース線と、画素電極との間に転移電圧を印加
すると、画素電極のうちゲート線又はソース線と重なる重複領域においては、液晶分子は
横電界により捻れながら立ち上がる。一方、重複領域と、重複領域を除いた領域との間の
段差部のテーパーにおいては、第１の基板の面に対する液晶のチルト角が大きくなってい
る。このため、転移電圧を印加することにより、重複領域における液晶分子配向の捻れと
、段差部の液晶分子のチルト角との相乗効果により容易にベンド配向の転移核を発生させ
ることができる。また、上記構成によれば、画素電極は、重複領域においてゲート線又は
ソース線と重なるため、この重複領域においては、ゲート線又はソース線と、画素電極と
の間に平面的な隙間ができず、凹部が形成されることがない。このため、転移電圧を印加
した際に転移核を起点としてベンド配向領域を画素電極上に容易に広げることができる。
なお、本明細書において、「転移電圧」とは、液晶層をスプレイ配向からベンド配向へ転
移させるための電圧をいう。また、「平面視」とは、第１の基板の法線方向から見ること
をいう。
【００１０】
［適用例２］上記液晶装置であって、前記段差部の高さは、０．１μｍ以上２．０μｍ
以下である液晶装置。
【００１１】
段差部の高さを０．１μｍ以上とすることで、段差部において十分なテーパー角度が得
られるため、段差部のテーパーにおける液晶分子のチルト角を、ベンド核発生に寄与する
大きさとすることができる。また、段差部の高さを２．０μｍ以下とすることで、ゲート
線又はソース線と、画素電極の重複領域との間に十分な大きさの電界を生じさせることが
可能となり、重複領域における液晶分子配向の捻れの程度を、ベンド核発生に寄与する大
きさとすることができる。以上から、段差部の高さを０．１μｍ以上２．０μｍ以下とす
ることで、転移電圧印加時に、転移核発生のための、重複領域における液晶分子配向の捻
れと段差部の液晶分子のチルト角との相乗効果を得ることができる。
【００１２】
［適用例３］上記液晶装置であって、前記重複領域は、平面視で前記ゲート線の一部と
重なっており、平面視で前記重複領域の少なくとも一部と重なる領域に、前記ソース線と
同一の層に形成された補助電極を備える液晶装置。
【００１３】
このような構成によれば、補助電極がない構成と比べて、段差部の高さを補助電極の厚
さの分だけ大きくすることができる。また、補助電極の厚さを調整することにより、段差
部の高さを所望の値とすることができる。さらに、転移電圧を印加した際に、補助電極と
画素電極との間に、強度の大きな電界を生じさせることができ、転移核を容易に生じさせ
ることができる。
【００１４】
［適用例４］上記液晶装置であって、前記重複領域は、平面視で前記ソース線の一部と
重なっており、平面視で前記重複領域の少なくとも一部と重なる領域に、前記ゲート線と
同一の層に形成された補助電極を備える液晶装置。
【００１５】
このような構成によれば、補助電極がない構成と比べて、段差部の高さを補助電極の厚
さの分だけ大きくすることができる。また、補助電極の厚さを調整することにより、段差
部の高さを所望の値とすることができる。
【００１６】
［適用例５］上記液晶装置であって、前記ゲート線又は前記ソース線は屈曲部を有し、
前記画素電極の辺は、前記屈曲部に沿って屈曲しており、前記画素電極の前記重複領域は
、屈曲した前記辺に沿って設けられている液晶装置。
【００１７】
このような構成によれば、画素電極の重複領域は、ゲート線又はソース線と屈曲部にお
いて重なることとなる。このため、転移電圧を印加した際に、重複領域に、方向の異なる
横電界を生じさせることができる。よって、より容易に転移核を発生させることができる
。
【００１８】
［適用例６］上記液晶装置であって、前記画素電極は、隣り合う２本の前記ゲート線に
沿って延在する２つの辺と、隣り合う２本の前記ソース線に沿って延在する２つの辺とを
有して形成されており、前記画素電極の前記重複領域は、前記２本のゲート線及び前記２
本のソース線のうち、前記スイッチング素子を介して当該画素電極と電気的に接続されて
いない前記ゲート線及び前記ソース線の少なくとも一方の一部に平面視で重なっている液
晶装置。
【００１９】
このような構成によれば、画素電極の重複領域は、当該画素電極自身と電気的に接続さ
れていないゲート線又はソース線に一部が重なる。このため、ゲート線又はソース線との
重なりによって寄生容量が生じたとしても、表示に与える影響を低く抑えることができる
。また、画素電極と重なるゲート線又はソース線の数、又は重なる面積を限定することと
なるため、重なりによって生じる寄生容量を低減させることができる。
【００２０】
［適用例７］上記液晶装置であって、前記第１の基板の前記液晶層側のうち、平面視で
前記屈曲部に沿った領域に少なくとも形成された反射膜と、前記第２の基板の前記液晶層
側のうち、平面視で前記反射膜と重なる領域に形成された液晶層厚調整層と、を備える液
晶装置。
【００２１】
このような構成によれば、転移電圧の印加により、反射膜及び液晶層厚調整層の形成さ
れた領域、又はその近傍に転移核が発生する。ここで、反射膜が形成された領域の液晶層
の厚さは、反射膜の形成されない領域の液晶層の厚さより、液晶層厚調整層の厚さの分だ
け小さくなる。このため、反射膜が形成された領域では、転移電圧による電界強度が大き
くなり、ベンド配向領域が短時間に拡大する。よって、上記構成によれば、反射膜形成領
域に沿って短時間でベンド配向領域を拡大することができる。
【００２２】
［適用例８］上記液晶装置を備える電子機器。
【００２３】
このような構成によれば、液晶装置を、短時間で、又は低い消費電力でベンド配向モー
ドへ転移させることが可能な電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照し、液晶装置及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下
に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各
構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２５】
（第１の実施形態）
＜Ａ．液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置１の構成を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ
線における断面図である。液晶装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子２０（図４
）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置であるとともに、ＯＣＢモードの液晶装置
である。液晶装置１は、枠状のシール剤４１を介して対向して貼り合わされた素子基板１
０及び対向基板３０を有している。素子基板１０、対向基板３０、シール剤４１によって
囲まれた空間には、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうる液晶層
４０が封入されている。素子基板１０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板５１が配
置されており、対向基板３０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板５３が配置されて
いる。素子基板１０は、対向基板３０より大きく、一部が対向基板３０に対して張り出し
た状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層４０を駆動するためのド
ライバＩＣ４２が実装されている。
【００２６】
液晶装置１は、液晶層４０が封入された表示領域４３において表示を行う。液晶層４０
は、初期的には図２（ａ）に示すようなスプレイ配向となっており、表示を行う際には、
図２（ｂ）に示すようなベンド配向に転移させて使用する。スプレイ配向からベンド配向
への転移は、液晶層４０に転移電圧を印加することによって行う。ベンド配向においては
、液晶層４０に含まれる液晶分子４０ａが弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がり
の度合いを変えることで透過率を変調して表示を行う。
【００２７】
図３は、表示領域４３の拡大平面図である。この図に示すように、液晶装置１は、赤、
緑、青に対応した画素４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ（以下では、対応する色を区別しない場合
には単に画素４４とも呼ぶ）を多数有している。画素４４は、マトリクス状に配置されて
おり、ある列に配置される画素４４の色はすべて同一である。換言すれば、画素４４は、
対応する色がストライプ状に並ぶように配置されている。隣り合う画素４４の間の領域に
は、遮光層３４が形成されている。また、行方向に並んだ隣り合う３つの画素４４Ｒ，４
４Ｇ，４４Ｂからなる画素群が、表示の最小単位（ピクセル）となる。液晶装置１は、各
画素群において、画素４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの輝度バランスを調節することによって、
種々の色の表示を行うことができる。
【００２８】
＜Ｂ．等価回路＞
図４は、液晶装置１の表示領域４３における各種素子、配線等の等価回路図である。表
示領域４３においては、複数のゲート線１２と複数のソース線１４とが交差するように形
成されている。画素４４は、ゲート線１２とソース線１４との交差に対応して設けられて
おり、画素４４ごとに画素電極１６が形成されている。また、ゲート線１２に沿って、容
量線１５が形成されており、画素電極１６と容量線１５との間に補助容量１５ａが形成さ
れている。
【００２９】
ゲート線１２とソース線１４との交差に対応する位置には、画素電極１６への通電制御
を行うための、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子２０が形成されている。ＴＦＴ素子
２０のソース端子には、ソース線１４が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２０のゲー
ト端子には、ゲート線１２が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２０のドレイン端子に
は、画素電極１６が電気的に接続されている。
【００３０】
＜Ｃ．画素構造＞
図５は、画素４４の構成を示す図であり、（ａ）は対向基板３０側から見たときの平面
図、（ｂ）は（ａ）中のＢ１−Ｂ１線における断面図である。図６は、図５（ａ）中のＣ
−Ｃ線における断面図である。以下では、これらの図を参照して、画素４４の構成につい
て説明する。
【００３１】
図５（ａ）には、画素４４を構成する要素のうち素子基板１０上に形成された要素が描
かれている。素子基板１０上には、略平行に配置された複数のゲート線１２と、平面視で
ゲート線１２に交差するように形成された複数のソース線１４と、ゲート線１２とソース
線１４との交差に対応して形成されたＴＦＴ素子２０と、ＴＦＴ素子２０に電気的に接続
された画素電極１６とが形成されている。本実施形態では、ゲート線１２とソース線１４
とは、互いに直交するように配置されている。また、ゲート線１２に沿って容量線１５が
形成されている。ＴＦＴ素子２０及び画素電極１６は、画素４４ごとに形成されている。
【００３２】
画素電極１６は、隣り合う２本のゲート線１２に沿って延在する２つの辺と、隣り合う
２本のソース線１４に沿って延在する２つの辺とを有して形成されている。画素電極１６
は、隣り合う２本のゲート線１２と隣り合う２本のソース線１４とによって囲まれた領域
に配置されている。また、画素電極１６は、画素電極１６を挟んで延在する２つのゲート
線１２のそれぞれに、平面視で一部が重なっている。画素電極１６のうち、ゲート線１２
の一部と平面視で重なる領域を重複領域とも呼ぶ。図１３は、画素電極１６の重複領域を
示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＧ−Ｇ線における断面図である。図
１３は、図５の拡大図でもある。図１３における符号ＯＬは、画素電極１６の重複領域を
示している。
【００３３】
ゲート線１２は、Ｖ字形状の屈曲部５２を有している。また、画素電極１６の辺のうち
、ゲート線１２に沿う辺は、ゲート線１２の屈曲部５２に沿ってＶ字形状に屈曲している
。そして、画素電極１６のうち上述した重複領域は、屈曲した辺に沿って設けられている
。すなわち、画素電極１６は、平面視でゲート線１２の屈曲部５２の一部に重なるように
、端部がゲート線１２の方向に張り出すように形成されている。
【００３４】
続いて、画素４４の断面構造について説明する。図６に示すように、素子基板１０は、
第１の基板としての基板１１を基体として構成される。基板１１としては、ガラス基板や
石英基板等を用いることができる。基板１１の液晶層４０側には、ゲート線１２と容量線
１５が形成されている。基板１１と、ゲート線１２及び容量線１５との間には、さらに酸
化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる絶縁層が設けられていてもよい。ゲート線１２の上層
には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる層間絶縁層２３を挟んで半導体層２０ａが形
成されている。半導体層２０ａは、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等から構
成することができる。また、半導体層２０ａに一部が重なる状態で、ソース電極２０ｓと
ドレイン電極２０ｄが形成されている。ソース電極２０ｓは、ソース線１４（図５（ａ）
）と一体で形成することができる。半導体層２０ａ、ソース電極２０ｓ、ドレイン電極２
０ｄ、ゲート線１２等からＴＦＴ素子２０が構成される。ゲート線１２は、ＴＦＴ素子２
０のゲート電極２０ｇの役割を兼ねる。ゲート線１２（ゲート電極２０ｇ）、ソース電極
２０ｓ、ドレイン電極２０ｄ、ソース線１４、容量線１５は、例えば、チタン（Ｔｉ）、
クロム（ＣＲ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融
点金属のうちの少なくとも１つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイ
ド、これらを積層したもの、あるいは導電性ポリシリコン等から構成することができる。
【００３５】
ＴＦＴ素子２０の上層には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる層間絶縁層２４を挟
んで画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、層間絶縁層２４に設けられたコン
タクトホール２１を介してＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄに電気的に接続されてい
る。画素電極１６は、例えば透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から構成するこ
とができる。画素電極１６は、容量線１５と対向しており、容量線１５との間で補助容量
１５ａ（図４）を構成する。
【００３６】
また、図５（ｂ）及び図１３（ｂ）に示すように、画素電極１６は、平面視でゲート線
１２と重なる重複領域（図１３（ｂ）における符号ＯＬ）を有して形成されている。画素
電極１６とゲート線１２との重なりの幅ｗ（すなわち、重複領域の、ゲート線１２の延在
方向と直交する方向についての幅）は、約２μｍである。また、画素電極１６は、この重
複領域と、重複領域を除いた領域（ゲート線１２と重なっていない領域）との間に段差部
Ｄ（図１３（ｂ））を有する。段差部の高さ（段差）ｄは、０．１μｍ以上２．０μｍ以
下とすることが好ましい。本実施形態では、高さｄは０．８μｍとしている。
【００３７】
画素電極１６上には、ポリイミドからなる配向膜（不図示）が形成されている。素子基
板１０は、基板１１から配向膜までの要素により構成される。
【００３８】
対向基板３０は、第２の基板としての基板３１を基体として構成される。基板３１とし
ては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。基板３１の液晶層４０側には、遮
光性を有する樹脂からなる遮光層３４が形成されている。遮光層３４は、平面視で隣り合
う画素電極１６の間の領域、及びＴＦＴ素子２０や容量線１５と平面的に重なる領域を覆
う位置に形成されている。遮光層３４は、画素間の光漏れを防止し、またＴＦＴ素子２０
、容量線１５による反射光を遮光することにより、表示コントラストの向上に寄与する。
また、基板３１の液晶層４０側には、カラーフィルタ３２が形成されている。カラーフィ
ルタ３２は、赤、緑、青の各色に対応する３種の色要素を含んで構成され、これらの色要
素はそれぞれ画素４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂに配置されている。各画素４４からは、カラー
フィルタ３２の色に応じた色の光が射出され、カラー表示が可能となる。カラーフィルタ
３２は、遮光層３４上にも形成されている。
【００３９】
カラーフィルタ３２上には、ＩＴＯからなる共通電極３６が形成されている。共通電極
３６は、表示領域４３（図１）の略全体にわたって形成されている。共通電極３６上には
、ポリイミドからなる配向膜（不図示）が形成されている。対向基板３０は、基板３１か
ら配向膜までの要素により構成される。
【００４０】
素子基板１０と対向基板３０との間には、上述のように液晶層４０が配置されている。
素子基板１０及び対向基板３０の配向膜は、いずれも平面視でゲート線１２に沿う方向（
図５（ａ）における横方向）にラビング処理がなされている。これにより、液晶層４０に
含まれる液晶分子４０ａは、電圧非印加時にはゲート線１２に沿う方向に配向する。した
がって、液晶層４０は電圧非印加時には平行配向となっている。液晶層４０には、一般的
なネマチック液晶を用いることができる。例えば、液晶層４０の厚さは５μｍ、液晶分子
４０ａのΔｎ（複屈折率）は０．１５とすることができる。
【００４１】
素子基板１０、対向基板３０の外側には、それぞれ偏光板５１，５３が配置されている
（図１）。この２つの偏光板５１，５３の透過軸は、相互に略直交するように配置される
とともに、配向膜のラビング処理の方向（すなわちゲート線１２の延在方向）と略４５度
の角度をなすように配置されている。なお、偏光板５１，５３と、素子基板１０、対向基
板３０との間に、必要に応じて位相差板や光学補償フィルムを配置してもよい。光学補償
フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向
させてなる負の一軸性媒体（例えば、富士写真フィルム製のＷＶフィルム）、屈折率異方
性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させてなる正の一軸性媒体（例えば、
新日本石油製のＮＨフィルム）等を使用可能であり、また負の一軸性媒体と正の一軸性媒
体とを組み合わせて使用することも可能である。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞
ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等を使用してもよい。
【００４２】
さらに、素子基板１０の外側には、光源、リフレクタ、導光板等を有するバックライト
（不図示）が設置されている。
【００４３】
＜Ｄ．転移動作＞
以上の構成を有する液晶装置１は、次のように動作させることによって、液晶層４０を
スプレイ配向からベンド配向へ転移させることができる。
【００４４】
まず、第１の工程では、ゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。こ
の転移電圧は、例えば５Ｖの交流の矩形波とすることができ、印加時間は例えば０．５秒
とする。この工程は、ゲート線１２へ転移のための信号を印加するとともに、ＴＦＴ素子
２０をオン状態とした状態でソース線１４に転移のための信号を印加することで当該信号
を画素電極１６へ供給することにより行われる。
【００４５】
図５（ｂ）には、このときに液晶層４０に生じる電界Ｅ及び液晶分子４０ａの挙動が示
されている。この図のように、ゲート線１２と画素電極１６とが重なっていることにより
、重複領域の近傍においては、ゲート線１２と画素電極１６との間に、基板１１の法線方
向（以下では縦方向とも呼ぶ）の成分を多く有する電界Ｅが生じる。例えば、電界Ｅは、
ゲート線１２と画素電極１６との間に重なりのない従来の液晶装置における電界Ｆ（図１
５）に比べて、縦方向の成分を多く有している。そして、液晶分子４０ａは、電界Ｅの方
向に沿って配向方向を変える。この際、電界Ｅが縦方向の成分を多く有しているため、液
晶分子４０ａも縦方向に配向方向を変えようとする。液晶分子４０ａがこうした挙動をと
るときには、スプレイ配向からベンド配向への転移が起こりやすい。このため、電界Ｅが
生じることにより、液晶層４０に容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。
また、ゲート線１２と画素電極１６とが一部重なっている結果、重複領域の近傍では、ゲ
ート線１２と画素電極１６との距離が近くなり、液晶層４０により強い電界Ｅを生じさせ
ることができる。これらにより、第１の工程において、低い転移電圧でベンド配向の転移
核を発生させることができる。
【００４６】
より詳しくは、ゲート線１２線と画素電極１６との間に転移電圧を印加すると、画素電
極１６上のうちゲート線１２と重なる重複領域においては、液晶分子４０ａは横電界によ
り捻れながら立ち上がる。一方、図１３（ｂ）に示すように重複領域ＯＬと、重複領域Ｏ
Ｌを除いた領域との間の段差部Ｄのテーパーにおいては、基板１１の面に対する液晶分子
４０ａのチルト角が大きくなっている。このため、転移電圧を印加することにより、重複
領域ＯＬにおける液晶分子４０ａの配向の捻れと、段差部Ｄの液晶分子４０ａのチルト角
との相乗効果により容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。ここで、転移
核が発生する位置（図５（ａ），（ｂ）中の転移核発生位置５０）は、平面視でゲート線
１２と画素電極１６の境界の近傍に分布する。
【００４７】
表１及び図７に、段差部の高さｄと、転移核形成時間Ｔとの関係を示す。転移核形成時
間Ｔは、転移電圧を印加してから転移核が形成されるまでにかかる時間である。
【００４８】
【表１】
2009251489.tif 000003
段差部の高さｄを０．１μｍ以上とすることで、段差部において十分なテーパー角度が
得られるため、段差部のテーパーにおける液晶分子４０ａのチルト角を、転移核発生に寄
与する大きさとすることができる。表１及び図７に示すように、段差部の高さｄを０．１
μｍとすることで、段差部がない場合（ｄ＝０）に８２３μｓであった転移核形成時間Ｔ
が７５０μｓとなり、転移核形成時間Ｔを一割近く短縮することができる。
【００４９】
段差部の高さｄを大きくしていくことで、段差部のテーパー角度及びその近傍の液晶分
子４０ａのチルト角が大きくなり、これらによる転移核発生への寄与は大きくなるが、一
方でゲート線１２と画素電極１６との距離が大きくなるため電界強度が弱くなっていく。
この観点では、段差部の高さｄを２．０μｍ以下とすることで、ゲート線１２と画素電極
１６との間に十分な大きさの電界を生じさせることが可能となり、重複領域における液晶
分子４０ａの配向の捻れの程度を、ベンド核発生に寄与する大きさとすることができる。
表１及び図７に示すように、段差部の高さｄを２．０μｍまで大きくした場合でも転移核
形成時間Ｔは７２５μｓであり、段差部がない場合（ｄ＝０）と比較して転移核形成時間
Ｔを約一割短縮することができる。
【００５０】
このように、段差部の高さを０．１μｍ以上２．０μｍ以下とすることで、転移電圧印
加時に、転移核発生のための、重複領域における液晶分子４０ａの配向の捻れと段差部の
液晶分子４０ａのチルト角との相乗効果を得ることができる。特に段差部の高さを１．０
μｍとすると、これら２つの効果が最もよく得られ、転移核形成時間Ｔは１０３μｓと、
段差部がない場合の１５％以下にまで短縮される。また、段差部の高さを０．７μｍ以上
１．３μｍ以下とすれば、転移核形成時間Ｔを、段差部がない場合の４０％以下に短縮す
ることができる。本実施形態では、段差部の高さｄは０．８μｍであり、段差部がない場
合に対して転移核形成時間Ｔは３０％以下（約２２０μｓ）に短縮されている。
【００５１】
続く第２の工程では、画素電極１６と共通電極３６との間に転移電圧を印加する。この
転移電圧は、例えば５Ｖの交流の矩形波とすることができる。この工程においては、画素
電極１６上の液晶層４０に、基板１１の法線方向の成分を有する電界（縦電界）が生じる
。この電界により画素電極１６上の広い範囲で液晶分子４０ａが駆動される。この結果、
第１の工程において発生した転移核を起点として、ベンド配向領域が画素電極１６上に広
がっていく。ベンド配向領域は、例えば図５（ａ），（ｂ）中で転移核発生位置５０を起
点にして描かれた矢印で示した方向に沿って広がっていく。
【００５２】
ここで、転移核発生位置５０は、上記したように平面視でゲート線１２と画素電極１６
の境界の近傍に位置するため、転移核の少なくとも一部は画素電極１６上にかかって発生
する。よって、転移核を起点としてベンド配向領域が画素電極１６上へ広がる際に、ベン
ド配向領域は大きな段差を越える必要がない。このため、ベンド配向領域を容易に広げる
ことができ、ひいては低い転移電圧でベンド配向領域を画素電極１６上に広げることがで
きる。
【００５３】
また、ゲート線１２と画素電極１６とが重なっている領域においては、ゲート線１２と
画素電極１６との間に平面視で隙間ができず、ゲート線１２と画素電極１６との間に凹部
が形成されることがない。このため、転移核がこのような凹部に嵌って当該凹部の外に広
がりにくくなるようなことがない。よって、ベンド配向領域を容易に広げることができ、
ひいてはより低い転移電圧でベンド配向領域を画素電極１６上に広げることができる。
【００５４】
以上のように、本実施形態によれば、第１の工程において、低い転移電圧で短時間にベ
ンド配向の転移核を発生させることができ、第２の工程において、低い転移電圧で短時間
にベンド配向領域を広げることができる。このため、液晶装置１において、スプレイ配向
からベンド配向への転移に要する消費電力及び時間を低減させることができる。また、表
示動作に用いる駆動回路として、より低耐圧仕様の駆動回路を利用することができる。
【００５５】
＜Ｅ．表示動作＞
液晶層４０をベンド配向へ転移させた後は、次のような表示動作により表示を行うこと
ができる。
【００５６】
図４に示すように、各ゲート線１２には、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎが供給される
。また、各ソース線１４には、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが供給される。ゲート線１
２が選択電位となると、当該ゲート線１２に接続されたＴＦＴ素子２０がオン状態となる
。ＴＦＴ素子２０がオン状態となっている期間においては、ソース線１４に供給された画
像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが、ＴＦＴ素子２０を介して画素電極１６に印加される。画
素電極１６に印加された所定のレベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍと、共通電極３６
（図５（ｂ））の共通電位とで定まる電圧が駆動電圧となり、液晶層４０に印加される。
上記駆動電圧は、液晶層４０の容量及び補助容量１５ａにより一定時間保持される。液晶
層４０に駆動電圧が印加されると、印加された電圧レベルに応じて液晶分子４０ａの配向
状態が変化する。これによって、液晶層４０に入射された光が変調されて階調表示が可能
となる。
【００５７】
ここで、上記駆動電圧の実効値は、液晶層４０がベンド配向を維持するための臨界電圧
より大きくなるように設定される。駆動電圧の実効値が臨界電圧より小さくなると、液晶
層４０の一部がスプレイ配向へ逆転移してしまい、その部位の表示が乱れて輝点不具合が
生じてしまうためである。ベンド配向の維持のために、黒表示を挿入する「擬似インパル
ス表示方式」が採用することもできる。
【００５８】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、ゲート線１２と画素電極１
６の平面視での相対的な位置関係が第１の実施形態と異なり、その他の点は第１の実施形
態と同様である。以下では、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００５９】
図８は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ２−Ｂ２線における断面図である。図８においては、あ
る画素電極１６を画素電極１６ａとも呼び、画素電極１６ａとゲート線１２を挟んで隣り
合う画素電極１６を画素電極１６ｂとも呼ぶ。また、画素電極１６ａ，１６ｂとＴＦＴ素
子２０を介して接続されたゲート線１２をそれぞれゲート線１２ａ，１２ｂとも呼ぶ。画
素電極１６ａは、画素電極１６ａを挟んで配置されている２本のゲート線１２ａ，１２ｂ
のうち、ＴＦＴ素子２０を介して画素電極１６ａと電気的に接続されていないゲート線１
２ｂの一部にのみ平面視で重なっている。すなわち、本実施形態では、画素電極１６ａの
重複領域は、ゲート線１２ｂに重なっている一方でゲート線１２ａには重なっていない。
画素電極１６ａと重なっているゲート線１２ｂは、当該画素電極１６ａとは電気的に接続
されていないため、重複領域における重なりによって寄生容量が生じたとしても、表示に
与える影響を低く抑えることができる。
【００６０】
なお、画素電極１６ｂに着目する場合には、上記の符号中のａとｂとを入れ替えればよ
い。すなわち、画素電極１６ｂの一部はゲート線１２ａにのみ重なり、ゲート線１２ｂに
は重なっていない。
【００６１】
また、図８（ｂ）に示すように、ゲート線１２ａは、このゲート線１２ａを挟む２つの
画素電極１６ａ，１６ｂのうち、片方の画素電極１６ｂにのみ平面視で重なっている。こ
のように、ゲート線１２と画素電極１６とが重なる面積を限定することで、当該重なりに
よって生じる寄生容量を低減させることができる。
【００６２】
そして、画素電極１６（画素電極１６ａ又は画素電極１６ｂを指す。以下同じ。）がゲ
ート線１２（ゲート線１２ａ又はゲート線１２ｂを指す。以下同じ。）と重なっている重
複領域においては、第１の実施形態と同様に、低い転移電圧で短時間にベンド配向の転移
核を発生させることができ、また低い転移電圧でベンド配向領域を広げることができる。
【００６３】
ゲート線１２と画素電極１６とを平面視で重ねることは、寄生容量の増加を招くという
作用ももたらすため従来行われてこなかったが、本実施形態の構成によれば、寄生容量の
影響を抑えながら、当該重なりによる利点、すなわちベンド配向への転移の容易化という
効果を享受することができる。
【００６４】
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態について説明する。本実施形態は、各画素４４に補助電極１３
が設けられている点が第２の実施形態と異なる。以下では、第２の実施形態との相違点を
中心に説明する。
【００６５】
図９は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ３−Ｂ３線における断面図である。図９（ａ）に示すよ
うに、ゲート線１２のうち屈曲部５２を含む部分には、平面視でゲート線１２と重なる領
域に補助電極１３が形成されている。したがって、画素電極１６のうちゲート線１２と重
なる重複領域は、補助電極１３とも重なっている。換言すれば、補助電極１３は、平面視
で画素電極１６の重複領域の少なくとも一部と重なる領域に形成されている。補助電極１
３の幅は、図９（ｂ）に示すように、ゲート線１２の幅より広くなっている。また、補助
電極１３は、層間絶縁層２３と層間絶縁層２４の間の層に形成されており、ソース線１４
と同一の材料で、同一の工程によって形成される。このようにすれば、新たな製造工程を
追加することなく補助電極１３を設けることができる。
【００６６】
また、補助電極１３は、層間絶縁層２３に設けられたコンタクトホール６１を介してゲ
ート線１２と電気的に接続されており、ゲート線１２と等電位となっている。このため、
転移動作時にゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加することにより、補助
電極１３と画素電極１６との間にも当該転移電圧が印加される。補助電極１３と画素電極
１６との間には層間絶縁層２４しか存在しないため、補助電極１３と画素電極１６との間
隔は、ゲート線１２と画素電極１６との間隔より小さい。このため、転移電圧印加時に、
補助電極１３と画素電極１６との間により強い電界を生じさせることができ、ベンド配向
への転移をより容易に行うことができる。
【００６７】
そして、平面視で画素電極１６とゲート線１２のいずれにも重なる領域に補助電極１３
が配置されていることによって、画素電極１６のうちの重複領域と、その他の領域との間
の段差部の高さｄを、補助電極１３の厚さに応じて大きくすることができる。本実施形態
では、段差部の高さｄは１．０μｍである。図７に示すように、段差部の高さｄを１．０
μｍとすることで、転移核形成時間Ｔを１０３μｓにまで短縮することができる。
【００６８】
なお、補助電極１３は、画素電極１６のうちゲート線１２との重複領域と平面視で重な
る領域に形成されていればよく、必ずしもゲート線１２の幅方向の全体に重なっていなく
てもよい。また、補助電極１３は、必要に応じてソース線１４とは異なる材料を用いて形
成してもよい。また、補助電極１３を有する上記構成は、第１の実施形態と組み合わせて
実施することもできる。
【００６９】
（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態について説明する。本実施形態は、第３の実施形態に変更を加
えたものであり、以下では、主に第３の実施形態と異なる部分を説明する。
【００７０】
図１０は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ
）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ４−Ｂ４線における断面図である。図１０（ａ）に示
すように、ゲート線１２は、Ｖ字状の屈曲部５２を有している。そして、基板１１の液晶
層４０側のうち、平面視で屈曲部５２に沿った領域に、アルミニウムからなる反射膜１８
ａ，１８ｂが形成されている。反射膜１８ａ，１８ｂは、画素電極１６ａ，１６ｂと同層
に形成されており、それぞれ画素電極１６ａ，１６ｂと電気的に接続されている。したが
って、反射膜１８（反射膜１８ａ又は反射膜１８ｂを指す。以下同じ。）も画素電極の一
部として機能する。換言すれば、本実施形態の画素電極は、透光性を有する透過電極とし
ての画素電極１６と、反射電極としての反射膜１８とを含んで構成される。
【００７１】
反射膜１８が配置された領域は、反射表示に寄与する反射表示領域となり、反射膜１８
が配置されずに画素電極１６が配置された領域は、透過表示に寄与する透過表示領域とな
る。反射表示領域では、対向基板３０側から入射した光を反射膜１８で反射させて表示を
行う。透過表示領域では、素子基板１０側から入射した光を対向基板３０側へ透過させて
表示を行う。容量線１５は、反射領域に配置されている。これにより、透過領域の開口率
を向上させることができる。本実施形態では、基板３１と偏光板５３（図１）との間に位
相差板としてλ／４板を配置する。偏光板５３とλ／４板との間にさらにλ／２板を配置
して広帯域の円偏光板を形成してもよい。また、必要に応じて視野角拡大のための光学補
償板を配置してもよい。
【００７２】
反射膜１８ａは、反射膜１８ａと電気的に接続されていないゲート線１２ｂの一部にの
み平面視で重なっている。同様に、反射膜１８ｂは、ゲート線１２ａの一部にのみ平面視
で重なっている。このため、重複領域における重なりによって生じる寄生容量を低減する
ことができ、また寄生容量が生じたとしても、表示に与える影響を低く抑えることができ
る。ゲート線１２の屈曲部５２を含む部分に平面視で重なる領域には、第３の実施形態と
同様に補助電極１３が配置されている。本実施形態においても、補助電極１３の幅は、ゲ
ート線１２の幅より広くなっている（図９（ｂ））。
【００７３】
また、図１０（ｂ）に示すように、基板３１の液晶層４０側のうち、平面視で反射膜１
８と重なる領域には、液晶層厚調整層３５が形成されている。したがって、液晶層厚調整
層３５は、反射表示領域に配置されている。液晶層厚調整層３５は、透光性を有する樹脂
等から構成することができ、例えばカラーフィルタ３２と共通電極３６との間の層に形成
することができる。液晶層厚調整層３５は、反射表示領域における液晶層４０の厚さが、
透過表示領域における液晶層４０の厚さよりも小さくなるように厚さが調整されている。
反射表示領域における液晶層４０の厚さを透過表示領域における液晶層４０の厚さの２分
の１にした場合、反射表示領域における液晶層４０の厚さは、約２．５μｍとなる。こう
することにより、反射表示領域と透過表示領域との間で、入射光が液晶層４０内を通過す
る距離を略等しくすることができる。このため、反射表示と透過表示の光学条件を、高品
位な表示が得られる状態に設定することができる。
【００７４】
このような構成において転移動作を行う場合には、まず第１の工程において、ゲート線
１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。これにより、ゲート線１２の屈曲部５
２の近傍のうち、平面視でゲート線１２と画素電極１６との境界に相当する位置又はその
近傍に、ベンド配向の転移核が発生する。その後、第２の工程において、画素電極１６と
共通電極３６との間に転移電圧を印加することにより、転移核を画素電極１６上の全体に
広げていく。ここで、ゲート線１２の屈曲部５２の近傍は反射領域となっているため、転
移核は液晶層４０の厚さの小さい反射領域で発生し、反射領域に沿ってベンド配向領域が
広がっていく。反射領域においては、画素電極１６と共通電極３６との間隔が透過領域と
比較して小さくなっているため、上記第２の工程において液晶層４０に生じる電界強度が
大きくなる。このため、第２の工程において、反射領域に沿ってベンド配向領域を速く広
げることができる。あるいは、低い転移電圧でベンド配向領域を広げることができる。こ
のため、スプレイ配向からベンド配向への転移に要する消費電力を低減させることができ
る。ベンド配向領域を画素電極１６上により速く広げるためには、反射膜１８及び液晶層
厚調整層３５を画素電極１６の中央付近にまで延設することが好ましい。
【００７５】
なお、反射膜１８は、層間絶縁層２４と画素電極１６との間に形成してもよい。この場
合には、反射領域においては反射膜１８上に画素電極１６が積層された構造となる。この
ような構成によっても、反射膜１８を用いた反射表示を行うことができる。反射膜１８及
び液晶層厚調整層３５を有する上記構成は、第１の実施形態又は第２の実施形態と組み合
わせて実施することもできる。
【００７６】
（第５の実施形態）
続いて、第５の実施形態について説明する。本実施形態は、ゲート線１２、ソース線１
４、画素電極１６の平面視での形状及びこれらの相対的な位置関係が第２の実施形態と異
なり、その他の点は第２の実施形態と同様である。
【００７７】
図１１は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ
）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ５−Ｂ５線における断面図である。図１１においては
、画素電極１６ａ，１６ｂとＴＦＴ素子２０を介して接続されたソース線１４をそれぞれ
ソース線１４ａ，１４ｂとも呼ぶ。
【００７８】
図１１（ａ）に示すように、本実施形態では、ゲート線１２に屈曲部がなく、ソース線
１４ａ，１４ｂにＶ字状の屈曲部５２が設けられている。画素電極１６ａは、ソース線１
４ａ，１４ｂに沿う辺がソース線１４ａ，１４ｂの屈曲部５２に沿ってＶ字状に屈曲して
おり、ゲート線１２に沿う辺は屈曲していない。また、ソース線１４ａ，１４ｂは、画素
電極１６ａの１つの辺に対して２つの屈曲部５２を有している。転移動作の際には、第１
の工程において、ソース線１４ａと画素電極１６ａとの間に転移電圧を印加する。
【００７９】
画素電極１６ａは、画素電極１６ａを挟んで配置されている２本のソース線１４ａ，１
４ｂのうち、ＴＦＴ素子２０を介して画素電極１６ａと電気的に接続されていないソース
線１４ｂの一部にのみ平面視で重なっている。本実施形態では、画素電極１６ａのうちソ
ース線１４ｂに重なっている領域が重複領域に相当する。画素電極１６ａの重複領域は、
ソース線１４ｂに重なっている一方でソース線１４ａには重なっていない。また、画素電
極１６ａと重なっているソース線１４ｂは、当該画素電極１６ａとは電気的に接続されて
いないため、当該重なりによって寄生容量が生じたとしても、表示に与える影響を低く抑
えることができる。
【００８０】
なお、画素電極１６ｂに着目する場合には、上記の符号中のａとｂとを入れ替えればよ
い。すなわち、画素電極１６ｂの一部はソース線１４ａにのみ重なり、ソース線１４ｂに
は重なっていない。
【００８１】
また、図１１（ｂ）に示すように、ソース線１４ｂは、当該ソース線１４ｂを挟む２つ
の画素電極１６ａ，１６ｂのうち、片方の画素電極１６ａにのみ平面視で重なっている。
このように、ソース線１４と画素電極１６とが重なる面積を限定することで、当該重なり
によって生じる寄生容量を低減させることができる。
【００８２】
そして、画素電極１６がソース線１４（ソース線１４ａ又はソース線１４ｂを指す。以
下同じ。）と重なっている重複領域においては、第１の実施形態と同様に、低い転移電圧
でベンド配向の転移核を発生させることができ、また低い転移電圧でベンド配向領域を広
げることができる。このため、スプレイ配向からベンド配向への転移に要する消費電力を
低減させることができる。また、表示動作に用いる駆動回路として、より低耐圧仕様の駆
動回路を利用することができる。
【００８３】
ソース線１４と画素電極１６とが重なる上記構成は、第１乃至第４の実施形態と組み合
わせて実施することができる。
【００８４】
（第６の実施形態）
続いて、第６の実施形態について説明する。本実施形態は、各画素４４に補助電極１７
が設けられている点が第５の実施形態と異なる。以下では、第５の実施形態との相違点を
中心に説明する。
【００８５】
図１２は、本実施形態に係る液晶装置１における画素４４の構成を示す図であり、（ａ
）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ６−Ｂ６線における断面図である。図１２（ａ）に示
すように、ソース線１４のうち屈曲部５２を含む部分には、平面視でソース線１４と重な
る領域に補助電極１７が形成されている。したがって、画素電極１６のうちソース線１４
と重なる重複領域は、補助電極１７とも重なっている。換言すれば、補助電極１７は、平
面視で画素電極１６の重複領域の少なくとも一部と重なる領域に形成されている。補助電
極１７の幅は、図１２（ｂ）に示すように、ソース線１４の幅より狭くなっている。また
、補助電極１７は、基板１１と層間絶縁層２３との間の層に形成されており、ゲート線１
２と同一の材料で、同一の工程によって形成される。このようにすれば、新たな製造工程
を追加することなく補助電極１７を設けることができる。
【００８６】
また、平面視で画素電極１６とソース線１４のいずれにも重なる領域に補助電極１７が
配置されていることによって、画素電極１６のうちの重複領域と、その他の領域との間の
段差部の高さｄを、補助電極１７の厚さに応じて大きくすることができる。本実施形態で
は、段差部の高さｄは１．０μｍである。図７に示すように、段差部の高さｄを１．０μ
ｍとすることで、転移核形成時間Ｔを１０３μｓにまで短縮することができる。
【００８７】
なお、補助電極１７は、画素電極１６のうちソース線１４との重複領域と平面視で重な
る領域に形成されていればよく、必ずしもソース線１４の幅方向の全体に重なっていなく
てもよい。また、補助電極１７は、必要に応じてゲート線１２とは異なる材料を用いて形
成してもよい。また、ソース線１４と画素電極１６とが重なり、かつ補助電極１７を有す
る上記構成は、第１乃至第４の実施形態と組み合わせて実施することもできる。
【００８８】
（電子機器）
上述した液晶装置１は、例えば、携帯電話機等の電子機器に搭載して用いることができ
る。図１４は、電子機器としての携帯電話機１００の斜視図である。携帯電話機１００は
、表示部１１０及び操作ボタン１２０を有している。表示部１１０は、内部に組み込まれ
た液晶装置１によって、操作ボタン１２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な
情報について、表示を行うことができる。このような構成の電子機器は、液晶装置１を、
短時間で、かつ低い消費電力でベンド配向モードへ転移させることができる。また、表示
動作に用いる駆動回路として、より低耐圧仕様の駆動回路を利用することができる。
【００８９】
なお、液晶装置１は、上記携帯電話機１００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカ
メラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器等の各種電子機器に用いること
ができる。また、液晶装置１は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして
組み込んで用いることができる。
【００９０】
以上、種々の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、例えば以下のよ
うな変形を加えることが可能である。
【００９１】
（変形例）
ゲート線１２又はソース線１４に設けられる屈曲部５２の形状は、Ｖ字形状に限られず
、例えば矩形波状の部分を含んでいてもよい。このような構成によっても、ゲート線１２
又はソース線１４と画素電極１６との間に転移電圧を印加した際に、屈曲部５２の近傍に
おいて、容易に転移核を発生させることができる。
【００９２】
また、ゲート線１２及びソース線１４に屈曲部がない構成とすることもできる。この場
合でも、ゲート線１２又はソース線１４と画素電極１６とが一部重なっていることにより
、ベンド配向への転移をより低い転移電圧で行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】液晶装置の構成を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図。
【図２】スプレイ配向及びベンド配向における液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図３】表示領域の拡大平面図。
【図４】液晶装置の表示領域における各種素子、配線等の等価回路図。
【図５】第１の実施形態に係る液晶装置における画素の構成を示す図であり、（ａ）は対向基板側から見たときの平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ１−Ｂ１線における断面図。
【図６】図５（ａ）中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図７】段差部の高さと、転移核形成時間との関係を示すグラフ。
【図８】第２の実施形態に係る液晶装置における画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ２−Ｂ２線における断面図。
【図９】第３の実施形態に係る液晶装置における画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ３−Ｂ３線における断面図。
【図１０】第４の実施形態に係る液晶装置における画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ４−Ｂ４線における断面図。
【図１１】第５の実施形態に係る液晶装置における画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ５−Ｂ５線における断面図。
【図１２】第６の実施形態に係る液晶装置における画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ６−Ｂ６線における断面図。
【図１３】画素電極の重複領域を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＧ−Ｇ線における断面図。
【図１４】電子機器としての携帯電話機の斜視図。
【図１５】ＯＣＢモードの液晶装置の画素構造の例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＨ−Ｈ線における断面図。
【符号の説明】
【００９４】
１…液晶装置、１０…素子基板、１１…第１の基板、１２…ゲート線、１３，１７…補
助電極、１４…ソース線、１５…容量線、１５ａ…補助容量、１６…画素電極、１８…反
射膜、２０…スイッチング素子としてのＴＦＴ素子、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイ
ン電極、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、２１，６１…コンタクトホール、２
３，２４…層間絶縁層、３０…対向基板、３１…第２の基板、３２…カラーフィルタ、３
４…遮光層、３５…液晶層厚調整層、３６…共通電極、４０…液晶層、４０ａ…液晶分子
、４１…シール剤、４２…ドライバＩＣ、４３…表示領域、４４…画素、５０…転移核発
生位置、５１，５３…偏光板、５２…屈曲部、１００…電子機器としての携帯電話機、１
１０…表示部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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