(57)【要約】【課題】セラミック基体に形成され狭エリア化および細幅化した表面導体層や裏面導体層とビア導体との導通が確実に取れ、且つ該ビア導体の端面がセラミック基体の表・裏面に露出せず、しかも該ビア導体が他の導体層と不用意に短絡しない配線基板を提供する。【解決手段】表面３を有するセラミック層Ｓと、かかるセラミック層Ｓの表面３に形成された表面導体層６ａ〜６ｃと、上記セラミック層Ｓを貫通し、両端面７，８の径ｄ１，ｄ２が異なるビア導体Ｖと、を備え、かかるビア導体Ｖの両端面７，８のうち、小径ｄ１側の端面７は、上記表面導体層６ａ〜６ｃの端部６に覆われるように該表面導体層６ａ〜６ｃの端部６付近に接続されている、配線基板１。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有するセラミック層と、
上記セラミック層の表面に形成された表面導体層と、
上記セラミック層を貫通し、両端面の径が異なるビア導体と、を備え、
上記ビア導体の両端面のうち、小径側の端面は、上記表面導体層の端部に覆われるように該表面導体層の端部付近に接続されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ビア導体の小径側の端面は、前記表面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で、該表面配線層と接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ビア導体の小径側の端面は、前記表面導体層の端部から１００μｍ以下の位置で、該表面配線層と接続されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
複数のセラミック層で構成され、表面および裏面を有するセラミック基体と、
上記セラミック基体の表面および裏面に形成された表面導体層および裏面導体層と、
上記セラミック基体を構成する上記複数のセラミック層間に形成された内部導体層と、
上記セラミック基体の内部に形成され、両端面の径が異なる複数のビア導体と、を備え、
上記ビア導体の小径側の端面は、上記表面導体層の端部に覆われるように、該表面導体層の端部付近に接続され、
上記ビア導体の大径側の端面は、上記内部導体層に接続されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
前記ビア導体の小径側の端面は、前記表面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で、該表面導体層と接続されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記ビア導体の小径側の端面は、前記表面導体層の端部から１００μｍ以下の位置で、該表面導体層と接続されている、
ことを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記セラミック基体の内部には、両端面の径が異なり、且つ前記ビア導体とは別のビア導体が形成され、
上記別のビア導体の小径側の端面は、上記セラミック基体の裏面導体層の端部に覆われるように、該裏面導体層の端部付近に接続され、
上記別のビア導体の大径側の端面は、上記セラミック基体の内部に形成された前記内部導体層とは別の内部導体層と接続されている、
ことを特徴とする請求項４乃至６の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
複数のセラミック層で構成され、表面および裏面を有するセラミック基体と、
上記セラミック基体の表面および裏面に形成された表面導体層および裏面導体層と、
上記セラミック基体を構成する上記複数のセラミック層間に形成された内部導体層と、
上記セラミック基体の内部に形成され、両端面の径が異なる複数のビア導体と、を備え、
上記ビア導体の小径側の端面は、上記裏面導体層の端部に覆われるように、該裏面導体層の端部付近に接続され、
上記ビア導体の大径側の端面は、上記内部導体層に接続されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項９】
前記ビア導体の小径側の端面は、前記裏面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で、該裏面導体層と接続されている、
ことを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記ビア導体の小径側の端面は、前記裏面導体層の端部から１００μｍ以下の位置で、該裏面導体層と接続されている、
ことを特徴とする請求項８または９に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単層または複層のセラミック層からなるセラミック基体の表面に形成された表面導体層および裏面に形成された裏面導体層の少なくとも一方の導体層の端部付近からセラミック基体の内部に導通するためのビア導体を含む配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、セラミック層を貫通するようにビア導体を形成する場合、かかるセラミック層となるグリーンシートに打ち抜き加工またはレーザ加工を施して、所定の位置に所要の内径を有するビアホールを形成し、該ビアホール内に充填した導電性ペーストを上記グリーンシートと共に焼成する、いわゆる同時焼成することによって行われている。
上記ビアホールは、打ち抜き加工やレーザ加工の条件を調整することで、両端の内径が異なり全体がほぼ円錐形やほぼラッパ形などになるため、かかるビアホール内に追って形成されるビア導体も上記と相似形のほぼ円錐形などになる。
【０００３】
前記全体がほぼ円錐形などを呈するビア導体を活用し、セラミック層の表面にビア導体における大径側の端面を露出させ、かかる端面にフリップチップ用のパッドを接続すると共に、上記セラミック層の内部側に上記ビア導体における小径側の端面を配置して、内部導体層との干渉を容易に回避可能としたフリップチップ用セラミック多層配線基板が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１２７３６号公報 （第１〜９頁、図２，３）
【０００４】
ところで、セラミック基体を有する配線基板では、近年、そのセラミック基体自体の小型化に伴って、例えば、該セラミック基体の表面に形成する表面導体層も狭エリア化および細幅化する傾向にある。そのため、かかる表面導体層とセラミック基体の内部に形成される内部導体層とを電気的に接続するビア導体の接続位置を、上記表面導体層の端部付近にせざるを得なくなる場合がある。
かかる場合では、表面導体層の印刷ずれや、ビア導体の位置ずれに起因して、ビア導体の端面が上記表面導体層の端部からはみ出し、甚だしくは、セラミック基体の表面に露出したり、かかる表面で上記表面導体層と隣り合って形成された別の表面導体層の端部との間で不用意な短絡を生じる、などの不具合を生じるおそれがある、という問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、セラミック基体に形成され狭エリア化および細幅化した表面導体層や裏面導体層とビア導体との導通が確実に取れ、且つ該ビア導体の端面がセラミック基体の表面もしくは裏面に露出せず、しかも該ビア導体が他の導体層と不用意に短絡しない配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、両端面の径が異なるビア導体を活用し、かかるビア導体における小径側の端面と表面導体層や裏面導体層の端部付近とを接続させる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による第１の配線基板（請求項１）は、表面を有するセラミック層と、かかるセラミック層の表面に形成された表面導体層と、前記セラミック層を貫通し、両端面の径が異なるビア導体と、を備え、前記ビア導体の両端面のうち、小径側の端面は、上記表面導体層の端部に覆われるように該表面導体層の端部付近に接続されている、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記セラミック層の表面に形成された表面導体層とビア導体とは、かかるビア導体における小径側の端面が表面導体層の端部に覆われつつ、かかる端部付近に接続されている。従って、表面導体層が狭エリア化や細幅化しても、かかる表面導体層とビア導体との導通が確実に取れる共に、該ビア導体の小径側の端面がセラミック層の表面に露出したり、別の表面導体層と不用意に短絡する事態を防ぐことができる。
尚、前記「端部」とは、前記表面導体層の端縁のうち、前記ビア導体が接続される位置に最接近する端縁（端面）を指す。
また、前記セラミック層（セラミック基体）は、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス成分を４０〜６０ｗｔ％含む低温焼成セラミックからなる。
更に、前記表面導体層および前記ビア導体は、セラミック層が高温焼成セラミックの場合には、ＷまたはＭｏなどからなり、セラミック層が低温焼成セラミックの場合には、ＣｕまたはＡｇなどからなる。
加えて、前記ビア導体は、両端面の直径が異なり、例えば、全体がほぼ円錐形、あるいは、ほぼラッパ形を呈している。
【０００８】
また、本発明には、前記ビア導体の小径側の端面は、前記表面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で、該表面配線層と接続されている、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記ビア導体は、その小径側の端面が前記表面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で該表面配線層と接続されているため、該表面配線層の端部に覆われつつ、かかる端部付近と接続し、且つ該表面配線層との導通を確保することができる。
更に、本発明には、前記ビア導体の小径側の端面は、前記表面導体層の端部から１００μｍ以下の位置で、該表面配線層と接続されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記ビア導体は、その小径側の端面が前記表面導体層の端部から１００μｍ以下の位置にて該表面配線層と接続されているため、狭エリア化および細幅化した該表面導体層の端部に覆われつつ、かかる端部付近と接続されて導通を確保することができる。
換言すれば、前記ビア導体は、その小径側の端面が前記表面導体層の端部から５０μｍ以上離れ、且つ該端部から１００μｍ以下の範囲に含まれる位置で、該表面配線層と接続される。更に、前記ビア導体の小径側の端面は、その直径が５０μｍ以下でもある。
【０００９】
一方、本発明による第２の配線基板（請求項４）は、複数のセラミック層で構成され、表面および裏面を有するセラミック基体と、かかるセラミック基体の表面および裏面に形成された表面導体層および裏面導体層と、上記セラミック基体を構成する上記複数のセラミック層間に形成された内部導体層と、上記セラミック基体の内部に形成され、両端面の径が異なる複数のビア導体と、を備え、上記ビア導体の小径側の端面は、上記表面導体層の端部に覆われるように、該表面導体層の端部付近に接続され、上記ビア導体の大径側の端面は、上記内部導体層に接続されている、ことを特徴とする。
【００１０】
これによれば、前記セラミック基体の表面に形成された表面導体層とビア導体とは、該ビア導体における小径側の端面が表面導体層の端部に覆われつつ、かかる端部付近に接続され、上記ビア導体における大径側の端面が内部導体層に接続されている。従って、表面導体層が狭エリア化や細幅化しても、かかる表面導体層とビア導体との導通が確実に取れ、且つ該ビア導体の小径側の端面がセラミック層の表面に露出する事態を防げる共に、該ビア導体が別の表面導体層と不用意に短絡する事態も防止できる。しかも、該ビア導体を介して、表面導体層と内部導体層との導通も確実に取ることができる。
尚、前記裏面導体層および内部導体層は、前記セラミック基体を構成する複数のセラミック層が高温焼成セラミックの場合、ＷまたはＭｏなどからなり、前記セラミック層が低温焼成セラミックの場合、ＣｕまたはＡｇなどからなる。
【００１１】
また、本発明には、前記ビア導体の小径側の端面は、前記表面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で、該表面導体層と接続されている、配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記ビア導体は、その小径側の端面が前記表面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で該表面配線層と接続されるため、該表面配線層の端部に覆われつつ、かかる端部付近と接続し、且つ該表面配線層との導通を確保することができる。
更に、本発明には、前記ビア導体の小径側の端面は、前記表面導体層の端部から１００μｍ以下の位置で、該表面導体層と接続されている、配線基板（請求項６）も含まれる。
これによれば、前記ビア導体は、その小径側の端面が前記表面導体層の端部から１００μｍ以下の位置にて該表面配線層と接続されているため、狭エリア化および細幅化した該表面導体層の端部に覆われつつ、かかる端部付近と接続されて導通を確保することができる。
【００１２】
加えて、本発明には、前記セラミック基体の内部には、両端面の径が異なり、且つ前記ビア導体とは別のビア導体が形成され、かかる別のビア導体の小径側の端面は、上記セラミック基体の裏面導体層の端部に覆われるように、該裏面導体層の端部付近に接続され、上記別のビア導体の大径側の端面は、上記セラミック基体の内部に形成された前記内部導体層とは別の内部導体層と接続されている、配線基板（請求項７）も含まれる。
これによれば、前記ビア導体とは別のビア導体は、その小径側の端面が前記セラミック基体の裏面導体層の端部に覆われつつ、かかる端部付近と接続され、且つ別のビア導体の小径側の端面が内部導体層と接続される。このため、セラミック基体の表面に形成した表面導体層と内部導体層との間を前記ビア導体によって確実に導通が取れると共に、セラミック基体の裏面に形成した裏面導体層と内部導体層との間を別のビア導体によって確実に導通が取れる。従って、狭エリア化および細幅化した表・裏面導体層が形成されても、これらを前記ビア導体、別のビア導体、および内部導体層を介して、確実に導通させた配線基板となる。
【００１３】
更に、本発明による第３の配線基板（請求項８）は、複数のセラミック層で構成され、表面および裏面を有するセラミック基体と、かかるセラミック基体の表面および裏面に形成された表面導体層および裏面導体層と、上記セラミック基体を構成する上記複数のセラミック層間に形成された内部導体層と、上記セラミック基体の内部に形成され、両端面の径が異なる複数のビア導体と、を備え、前記ビア導体の小径側の端面は、上記裏面導体層の端部に覆われるように、該裏面導体層の端部付近に接続され、上記ビア導体の大径側の端面は、上記内部導体層に接続されている、ことを特徴とする。
【００１４】
これによれば、前記セラミック基体の裏面に形成された裏面導体層とビア導体とは、該ビア導体における小径側の端面が裏面導体層の端部に覆われつつ、かかる端部付近に接続され、上記ビア導体における大径側の端面が内部導体層に接続されている。従って、裏面導体層が狭エリア化や細幅化しても、かかる裏面導体層とビア導体との導通が確実に取れ、且つ該ビア導体の小径側の端面がセラミック層の裏面に露出する事態を防げる共に、該ビア導体が別の裏面導体層と不用意に短絡する事態も防止できる。しかも、該ビア導体を介して、裏面導体層と内部導体層との導通も確実に取ることができる。
【００１５】
また、本発明には、前記ビア導体の小径側の端面は、前記裏面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で、該裏面導体層と接続されている、配線基板（請求項９）も含まれる。
これによれば、前記ビア導体は、その小径側の端面が前記裏面導体層の端部から５０μｍ以上離れた位置で該裏面配線層と接続されるため、該裏面配線層の端部に覆われつつ、かかる端部付近と接続し、且つ該裏面配線層との導通を確保することができる。
更に、本発明には、前記ビア導体の小径側の端面は、前記裏面導体層の端部から１００μｍ以下の位置で、該裏面導体層と接続されている、配線基板（請求項１０）も含まれる。
これによれば、前記ビア導体は、その小径側の端面が前記裏面導体層の端部から１００μｍ以下の位置にて該裏面配線層と接続されているため、小エリア化および細幅化した該裏面導体層の端部に覆われつつ、かかる端部付近と接続されて、該裏面導体層との導通を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における第１の配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図である。
配線基板１は、図１，図２に示すように、表面３および裏面４を有するセラミック層Ｓからなるセラミック基体２と、前記セラミック層Ｓの表面３で所要のパターンごとに形成された表面導体層６ａ〜６ｄと、上記セラミック層Ｓを貫通し、且つ両端面７，８の径ｄ１，ｄ２が異なるビア導体Ｖと、を備えている。
更に、図２に示すように、前記セラミック層Ｓの裏面４には、例えば、電極パッドである複数の裏面導体層９が形成されている。
前記セラミック層Ｓは、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミックからなる。
また、前記表面導体層６ａ〜６ｄ、ビア導体Ｖ、および裏面導体層９は、ＷあるいはＭｏからなる。尚、表面導体層６ａ〜６ｄは、配線基板１のセラミック基体２の小型化の要望に応じて、狭エリア化および細幅化される傾向にある。
【００１７】
図２に示すように、ビア導体Ｖは、小径ｄ１側の端面７および大径ｄ２側の端面８を備え、全体がほぼラッパ形を呈しており、セラミック層Ｓを貫通する相似形のビアホールＨ内に形成されている。
該ビア導体Ｖは、小径ｄ１側の端面７が表面導体層６ａ〜６ｃの端部６付近に接続されると共に、大径ｄ２側の端面８が裏面導体層９に接続されている。尚、上記端部６は、表面導体層６ａ〜６ｃの端縁のうち、各ビア導体Ｖが接続される位置に最接近する端縁（端面）を指す。
各ビア導体Ｖにおける小径ｄ１側の端面７は、図１，図２に示すように、表面導体層６ａ〜６ｃの端部６ごとから５０μｍ以上離れた位置（距離）ｎで、且つ該端部６ごとから１００μｍ以下の位置（距離）ｆの範囲（距離：ｎ〜ｆ）内における表面導体層６ａ〜６ｃの端部６の付近に接続されている。即ち、各ビア導体Ｖにおける小径ｄ１側の端面７の直径は、５０μｍ以下である。
尚、図１中で右上の表面導体層６ｄに対し、ビア導体Ｖの小径ｄ１側の端面７は、かかる表面導体層６ｄの中心部と接続されている。
【００１８】
図３は、前記配線基板１の変形形態である配線基板１ａを示す図２と同様な断面図である。
図３に示すように、配線基板１ａは、前記同様のセラミック層Ｓ、表面導体層６ａ〜６ｃ、および裏面導体層９を備えている。かかる配線基板１ａが前記配線基板１と相違するのは、前記ビア導体Ｖに替えて、小径ｄ１側の端面７および大径ｄ２側の端面８を備え、全体がほぼ円錐形を呈し、且つセラミック層Ｓを貫通する相似形のビアホールｈ内に形成されたビア導体ｖを備えていることである。
配線基板１ａの各ビア導体ｖも、図３に示すように、小径ｄ１側の端面７を、表面導体層６ａ〜６ｃの端部６ごとから５０μｍ以上離れた位置ｎで、且つ該端部６ごとから１００μｍ以下の位置ｆの範囲（ｎ〜ｆ）内における表面導体層６ａ〜６ｃの端部６の付近に接続されている。即ち、各ビア導体ｖにおける小径ｄ１側の端面７の直径も、５０μｍ以下である。
【００１９】
前記配線基板１は、以下のようにして製造した。
予め、所要量のアルミナ粉末、バインダ、および溶剤を混合して得たセラミックスラリを、ドクターブレード法によりシート状としたグリーンシートｓを得た。
次いで、図４の左側に示すように、追って前記セラミック層Ｓとなるグリーンシートｓを、内径が前記大径ｄ２とほぼ同じ受入孔ｇを有するダイＤの上に載置し、該グリーンシートｓの上方に、上記受入孔ｇの中心付近の位置に直径が前記小径ｄ１とほぼ同じパンチＰを配置した。かかるパンチＰの直径と上記受入孔ｇの内径との間には、大径ｄ２と小径ｄ１との差の半分に相当するクリアランスが予め設定されている。
次に、図４左側中の矢印で示すように、パンチＰをグリーンシートｓの厚み方向に沿って、該グリーンシートｓを貫通させて打ち抜き、該パンチＰの先端部がダイＤの受入孔ｇを貫通した時点で停止した後、該パンチＰを上方に引き上げた。
【００２０】
その結果、図４中で白抜き矢印の右側に示すように、グリーンシートｓを貫通し、両端の開口部の内径がｄ１，ｄ２と相違しており、全体がほぼラッパ形を呈するビアホールＨが形成された。
尚、上記パンチＰおよびダイＤによる打ち抜き加工の条件を替えることで、グリーンシートｓに、次述するほぼ円錐形のビアホールｈを形成することもできる。
あるいは、前記打ち抜き加工に替えて、図５の左側に示すように、追って前記セラミック層Ｓとなるグリーンシートｓの表面に対し、凸レンズｒを介して炭酸ガスレーザあるいはＹＡＧレーザなどのレーザＬを集束させつつ照射するレーザ加工を行っても良い。かかるレーザ加工の条件（パワー、パルス数、ショット数など）を調整することで、図５中で白抜き矢印の右側に示すように、グリーンシートｓを貫通し、両端の開口部の内径がｄ１，ｄ２と相違し、全体がほぼ円錐形のビアホールｈを形成したり、あるいは、ほぼラッパ形の前記ビアホールＨを形成することもできる。
【００２１】
更に、前記グリーンシートｓの各ビアホールＨ内に、Ｗ粉末を含む図示しない導電性ペーストを充填し、該グリーンシートｓの表・裏面における所定の位置に、所要のパターンで前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷した後、これらを所要の温度帯で焼成した。
その結果、前記図１，図２に示したように、セラミック層Ｓ、表面導体層６ａ〜６ｄ、ビア導体Ｖ、および裏面導体層９を備えた前記配線基板１が得られた。
尚、グリーンシートｓに前記ビアホールｈを形成した場合には、前記図３で示した配線基板１ａを製造することができる。
【００２２】
前記のような第１の配線基板１，１ａによれば、前記セラミック層Ｓの表面に形成された表面導体層６ａ〜６ｃとビア導体Ｖ，ｖとは、かかるビア導体Ｖ，ｖにおける小径ｄ１側の端面７が表面導体層６ａ〜６ｃの端部６に覆われつつ、かかる端部６付近に接続されている。しかも、前記ビア導体Ｖ，ｖは、その小径ｄ１側の端面７が表面導体層６ａ〜６ｃの端部６から５０μｍ以上離れ、且つ該端部６から１００μｍ以下の範囲（距離：ｎ〜ｆ≦５０μｍ）に含まれる位置で、該表面配線層６ａ〜６ｃと接続される。
従って、表面導体層６ａ〜６ｃが狭エリア化や細幅化しても、かかる表面導体層６ａ〜６ｃとビア導体Ｖ，ｖとの導通が確実に取れる共に、該ビア導体Ｖ，ｖにおける小径側の端面７がセラミック層Ｓの表面３に露出したり、該ビア導体Ｖ，ｖが別の表面導体層と不用意に短絡する事態を防ぐことができる。
【００２３】
図６は、本発明による第２および第３の配線基板１０を示す垂直断面図である。
配線基板１０は、図６に示すように、複数のセラミック層Ｓ１〜Ｓ３で構成され、表面１３および裏面１４を有するセラミック基体１２と、該セラミック基体１２の表面１３および裏面１４に形成された表面導体層１６ａ〜１６ｃないし裏面導体層１９ａ〜１９ｃと、セラミック基体１２を構成するセラミック層Ｓ１〜Ｓ３間に形成された内部導体層１７，１８と、を備えている。
上記セラミック基体１２の内部には、最上層のセラミック層Ｓ１あるいは最下層のセラミック層Ｓ３を貫通するほぼラッパ形のビアホールＨ内に、前記同様に両端面７，８の径ｄ１，ｄ２が異なり、ほぼラッパ形を呈する複数のビア導体Ｖが形成されている。尚、中層のセラミック層Ｓ２にも、上記同様のビアホールＨ内に上記と同様なビア導体Ｖが形成されている。
【００２４】
図６に示すように、最上層のセラミック層Ｓ１を貫通するビア導体Ｖは、その小径ｄ１側の端面７が表面導体層１６ａ〜１６ｃの端部１６付近に接続されると共に、大径ｄ２側の端面８が内部導体層１７と接続されている。該ビア導体Ｖにおける小径ｄ１側の端面７は、図６に示すように、表面導体層１６ａ〜１６ｃの端部１６から５０μｍ以上離れた位置（距離）ｎで、且つ該端部１６から１００μｍ以下の位置（距離）ｆの範囲（距離：ｎ〜ｆ）内における表面導体層１６ａ〜１６ｃの端部１６の付近に接続されている。尚、かかる構成は、本発明による第２の配線基板（請求項４〜６）に相当する。
一方、図６に示すように、最下層のセラミック層Ｓ３を貫通するビア導体Ｖは、その小径ｄ１側の端面７が裏面導体層１９ａ〜１９ｃの端部１９付近に接続されると共に、大径ｄ２側の端面８が内部導体層１８と接続されている。該ビア導体Ｖにおける小径ｄ１側の端面７は、図６に示すように、裏面導体層１９ａ〜１９ｃの端部１９から５０μｍ以上離れた位置（距離）ｎで、且つ該端部１９から１００μｍ以下の位置（距離）ｆの範囲（距離：ｎ〜ｆ）内における裏面導体層１９ａ〜１９ｃの端部１９の付近に接続されている。尚、かかる構成は、本発明による第３の配線基板（請求項８〜１０）に相当する。
【００２５】
尚、前記端部１６，１９は、表面導体層１６ａ〜１６ｃ、あるいは裏面導体層１９ａ〜１９ｃの端縁のうち、各ビア導体Ｖが接続される位置に最接近する端縁（端面）を指す。
また、図６に示すように、中層のセラミック層Ｓ２を貫通して形成されるビア導体Ｖは、内部導体層１７，１８の間を接続している。
更に、本発明による第２の配線基板に含まれる形態（請求項７）において、最下層のセラミック層Ｓ３を貫通するビア導体Ｖは、図６に示すように、最上層のセラミック層Ｓ１を貫通するビア導体Ｖに対し、別のビア導体に相当し、該ビア導体Ｖは、内部導体層１８に接続されている。
加えて、前記配線基板１０は、追ってセラミック層Ｓ１〜Ｓ３となるグリーンシートの所定の位置に対し、前記同様の打ち抜き加工あるいはレーザ加工を施して、ビアホールＨを形成し、そ内側に前記同様の導電性ペーストを充填し、更に、各グリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に所定パターンで導電性ペーストをスクリーン印刷した後、これらのグリーンシートを積層・圧着し、更に焼成することで、容易に製造することができる。
【００２６】
図７は、前記配線基板１０の変形形態である配線基板１１を示す垂直断面図である。
配線基板１１は、図７に示すように、前記同様のセラミック基体１２、表面導体層１６ａ〜１６ｃ、および裏面導体層１９ａ〜１９ｃを備えている。
かかる配線基板１１が前記配線基板１０と相違するのは、前記ビア導体Ｖに替えて、図７に示すように、最上層のセラミック層Ｓ１を貫通するほぼ円錐形のビアホールｈ内にこれと相似形のビア導体ｖが形成され、最下層のセラミック層Ｓ３を貫通するほぼ円錐形のビアホールｈ内にこれと相似形のビア導体ｖが形成されている点である。
【００２７】
最上層のセラミック層Ｓ１を貫通するビア導体ｖは、その小径ｄ１側の端面７が表面導体層１６ａ〜１６ｃの端部１６付近に接続されると共に、大径ｄ２側の端面８が内部導体層１７と接続されている。該ビア導体ｖにおける小径ｄ１側の端面７は、図７に示すように、表面導体層１６ａ〜１６ｃの端部１６から５０μｍ以上離れた位置ｎで、且つ該端部１６から１００μｍ以下の位置ｆの範囲（ｎ〜ｆ）内における表面導体層１６ａ〜１６ｃの端部１６の付近に接続されている。尚、かかる構成は、本発明による第２の配線基板（請求項４〜６）に相当する。
【００２８】
一方、図７に示すように、最下層のセラミック層Ｓ３を貫通するビア導体ｖは、その小径ｄ１側の端面７が裏面導体層１９ａ〜１９ｃの端部１９付近に接続されると共に、大径ｄ２側の端面８が内部導体層１８と接続されている。該ビア導体ｖにおける小径ｄ１側の端面７は、図７に示すように、裏面導体層１９ａ〜１９ｃの端部１９から５０μｍ以上離れた位置ｎで、且つ該端部１９から１００μｍ以下の位置ｆの範囲（ｎ〜ｆ）内における裏面導体層１９ａ〜１９ｃの端部１９付近に接続されている。尚、かかる構成も、本発明による第３の配線基板（請求項８〜１０）に相当する。
更に、図７に示すように、中層のセラミック層Ｓ２を貫通するビア導体ｖは、内部導体層１７，１８の間を接続している。
かかる配線基板１１も、前記配線基板１０と同様にして製造される。
【００２９】
以上のような本発明による第２および第３の配線基板１０，１１によれば、前記セラミック基体１２の表面１３および裏面１４に形成された表面導体層１６ａ〜１６ｃないし裏面導体層１９ａ〜１９ｃとビア導体Ｖ，ｖとは、該ビア導体Ｖ，ｖにおける小径ｄ１側の端面７が表面導体層１６ａ〜１６ｃまたは裏面導体層１９ａ〜１９ｃの端部１６，１９に覆われつつ、かかる端部１６，１９付近に接続され、該ビア導体Ｖ，ｖにおける大径ｄ２側の端面８が内部導体層１７，１８に接続されている。
従って、表面導体層１６ａ〜１６ｃおよび裏面導体層１９ａ〜１９ｃの何れかまたは双方が狭エリア化や細幅化しても、かかる表面導体層１６ａ〜１６ｃないし裏面導体層１９ａ〜１９ｃとビア導体Ｖ，ｖとの導通が確実に取れ、且つ該ビア導体Ｖ，ｖの小径ｄ１側の端面７がセラミック層Ｓ１，Ｓ３の表面１３あるいは裏面１４に露出する事態を防げる。更に、該ビア導体Ｖ，ｖを介して、表面導体層１６ａ〜１６ｃおよび裏面導体層１９ａ〜１９ｃと内部導体層１７，１８との導通も確実に取ることができる。しかも、前記ビア導体Ｖ，ｖが異なる表面導体層や裏面導体層と不用意に短絡する事態も防止できる。
【００３０】
本発明は、前述したような各形態に限定されるものではない。
例えば、前記セラミック層Ｓやセラミック層Ｓ１〜Ｓ３は、ガラス成分を４０〜６０ｗｔ％含む低温焼成セラミックからなるものとしても良い。かかる形態の場合、前記ビア導体Ｖ，ｖ、表面導体層１６ａ〜１６ｃ、および裏面導体層１９ａ〜１９ｃなどは、ＣｕまたはＡｇなどにて形成される。
また、第１の前記配線基板１，１ａのセラミック層Ｓにおける表面３と裏面４とは、説明する上での便宜上の名称であり、両者を入れ替えることで、前記表面導体層６ａ〜６ｃを裏面導体層と称することも可能である。
更に、前記第２・第３の配線基板１０，１１のセラミック基体は、２層のセラミック層あるいは４層以上のセラミック層を積層した形態としても良い。
加えて、第２の配線基板１０，１１のセラミック基体１２の裏面１４側、あるいは第３の配線基板１０，１１のセラミック基体１２の表面１３側に、これら開口するキャビティを形成し、該キャビティ内に電子部品を実装しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明における第１の配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図３】上記配線基板の変形形態を示す図２と同様な断面図。
【図４】第１の配線基板における一製造工程を示す概略図。
【図５】第１の配線基板における異なる形態の製造工程を示す概略図。
【図６】本発明における第２，第３の配線基板を示す図２と同様な断面図。
【図７】第２，第３の配線基板の変形形態を示す図６と同様な断面図。
【符号の説明】
【００３２】
１，１ａ…………………………第１の配線基板
２，１２…………………………セラミック基体
３，１３…………………………表面
４，１４…………………………裏面
６ａ〜６ｃ，１６ａ〜１６ｃ…表面導体層
６，１６，１９…………………端部
７，８……………………………ビア導体の端面
１０，１１………………………第２，第３の配線基板
１７，１８………………………中間導体層
Ｓ，Ｓ１〜Ｓ３…………………セラミック層
ｄ１，ｄ２………………………径
Ｖ，ｖ……………………………ビア導体
ｎ，ｆ……………………………位置（距離）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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