(57)【要約】【課題】  横方向の力に対する強度を低下させることなく、接触性及び導通性を向上させることができるコンタクトプローブの製造方法を提供する。【解決手段】  ビーム部上に柱状の第１の金属層を形成する第１金属層形成ステップと、第１の金属層上に標準電極電位が第１の金属層よりも高い高電位金属層を形成する高電位金属層形成ステップと、高電位金属層及び第１の金属層間における電池作用を利用して第１の金属層の側面をテーパー状に浸食させる第１金属層溶解ステップと、高電位金属層を除去する高電位金属層除去ステップとからなる。【選択図】  図６
2009229087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム部と、上記ビーム部上に積層された金属層からなり、検査対象物に接触させるためのコンタクト部とを有するコンタクトプローブの製造方法において、
上記ビーム部上に柱状の第１の金属層を形成する第１金属層形成ステップと、
第１の金属層上に標準電極電位が第１の金属層よりも高い高電位金属層を形成する高電位金属層形成ステップと、
上記高電位金属層及び第１の金属層間における電池作用を利用して第１の金属層の側面をテーパー状に浸食させる第１金属層溶解ステップと、
上記高電位金属層を除去する高電位金属層除去ステップとからなることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項２】
上記ビーム部上にレジスト層を形成し、上記コンタクト部を形成するために上記レジスト層の一部を除去するレジストパターニングステップと、
上記レジストパターニングステップでレジスト層の一部を除去することによって形成された開口部における入り口付近の幅を拡げる開口部拡幅ステップとを備えたことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項３】
上記開口部拡幅ステップが、プラズマアッシングによって上記開口部の幅を拡げるステップであることを特徴とする請求項２に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項４】
上記高電位金属層の除去後の第１の金属層上に、第１の金属層よりも硬い金属からなる第２の金属層を形成する第２金属層形成ステップを備えたことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブの製造方法に係り、さらに詳しくは、半導体ウエハなどの検査対象物上の微細な電極パッドに接触して導通させることにより検査対象物の電気的特性試験を行うためのコンタクトプローブの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ上に形成された電子回路に対して電気的特性試験が行われている。この様な検査対象物に対する電気的特性試験は、検査対象物上の電極パッドに接触して導通させるコンタクトプローブを用いて行われる。コンタクトプローブは、例えば、片持ち梁構造を有するビーム部を備え、このビーム部上には、検査対象物に接触させるためのコンタクト部が形成されている。このコンタクト部は、検査対象物に繰返し接触させる必要があることから、耐摩耗性の高い金属、例えば、ロジウム（Ｒｈ）などの硬い金属により形成される。一般に、コンタクト部は、接触性、導通性、コスト、製造の容易性などを考慮して、２種類の金属層を積層することによって形成される。例えば、ニッケル（Ｎｉ）などの金属からなる第１の金属層と、ロジウムなどの金属からなる第２の金属層とを積層して形成される。通常、コンタクト部を構成するこれらの金属層は、電気メッキによって形成される。
【０００３】
一般に、コンタクト部を検査対象物に接触させた際の接触部分の面圧を上げれば、コンタクトプローブの接触性や導通性が向上するということは従来から知られている。また、接触部分の面積を小さくすれば、接触部分の面圧を増加させることができる。しかし、接触部分の面積を小さくするために、単純に、コンタクト部を細くしたのでは、横方向の力に対する強度が低下してしまうこととなる。そこで、強度を持たせるためにコンタクト部におけるビーム部側を太くし、さらに、接触性及び導通性を良くするために先端部側を細くすることが考えられる。この様なコンタクト部は、パターンを変更しながら２回以上の工程に分けて金属層を積層しなければならないので、製造工程が増大してしまうという問題があった。しかも、上述した方法で形成されたコンタクト部は、径が段々に細くなった構造体として形成されるので、横方向の力に対して金属層が剥がれ易くなってしまうという問題もあった。
【０００４】
また、コンタクト部がビーム部上に金属層を積層することによって形成されるコンタクトプローブでは、パターニングの精度に限界があることから、コンタクト部を一定レベル以上に細くすることができないという問題があった。具体的には、ビーム部上に金属層を積層してコンタクト部を形成する場合、まず、ビーム部上にレジスト層が形成される。そして、レジスト層の一部を除去し、レジスト層が除去されたビーム部上の領域に金属層が積層される。その際、コンタクト部を形成するためのレジスト層のパターニングにフォトリソグラフィー（写真製版）の技術が利用される。このため、レジスト層をパターニングする際の精度が露光装置の分解能によって制限されることから、コンタクト部を一定レベル以上に細くすることができなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ビーム部と、ビーム部上に積層された金属層からなるコンタクト部とを有するコンタクトプローブの接触性及び導通性を向上させることを目的としている。特に、横方向の力に対する強度を低下させることなく、また、製造工程を増大させることなく、接触性及び導通性を向上させることができるコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的としている。また、コンタクト部を従来のものよりも細くすることができるコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、ビーム部と、上記ビーム部上に積層された金属層からなり、検査対象物に接触させるためのコンタクト部とを有するコンタクトプローブの製造方法であって、上記ビーム部上に柱状の第１の金属層を形成する第１金属層形成ステップと、第１の金属層上に標準電極電位が第１の金属層よりも高い高電位金属層を形成する高電位金属層形成ステップと、上記高電位金属層及び第１の金属層間における電池作用を利用して第１の金属層の側面をテーパー状に浸食させる第１金属層溶解ステップと、上記高電位金属層を除去する高電位金属層除去ステップとからなる。
【０００７】
この製造方法では、第１の金属層上に標準電極電位が第１の金属層よりも高い高電位金属層を形成し、その後、第１の金属層上から高電位金属層を除去してコンタクト部が形成される。本発明によるコンタクトプローブの製造方法によれば、電池作用を利用して第１の金属層の側面を高電位金属層との境界付近においてテーパー状に浸食させるので、ビーム部側に比べて先端部側が細くなったコンタクト部を得ることができる。その際、パターンを変更しながら２回以上の工程に分けて金属層を積層する必要がないので、製造工程を増大させることなく、接触性及び導通性を向上させることができる。また、高電位金属層との境界付近の第１の金属層が溶解するという現象を利用することによって、コンタクト部をパターニングの精度を越えて細くすることができる。従って、コンタクト部の先端部だけを細くすることができるので、横方向の力に対する強度を低下させることなく、接触性や導通性を向上させることができる。
【０００８】
第２の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記構成に加え、上記ビーム部上にレジスト層を形成し、上記コンタクト部を形成するために上記レジスト層の一部を除去するレジストパターニングステップと、上記レジストパターニングステップでレジスト層の一部を除去することによって形成された開口部における入り口付近の幅を拡げる開口部拡幅ステップとを備えて構成される。この様な構成によれば、第１の金属層及び高電位金属層が形成される開口部の入り口付近の幅を拡げることによって、電池作用を促す電解溶液が高電位金属層及び第１の金属層の境界付近に回り込み易くなるので、第１の金属層の側面を効果的に溶解させることができる。
【０００９】
第３の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記構成に加え、上記開口部拡幅ステップが、プラズマアッシングによって上記開口部の幅を拡げるステップであるように構成される。この様な構成によれば、レジストを塗布してパターニングするなどの他の方法に比べて、開口部の入り口付近の幅を容易に拡げることができるので、製造コストの増大を抑制することができる。
【００１０】
第４の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記構成に加え、上記高電位金属層の除去後の第１の金属層上に、第１の金属層よりも硬い金属からなる第２の金属層を形成する第２金属層形成ステップを備えて構成される。この様な構成によれば、検査対象物に接触させるコンタクト部が第１の金属層上に硬い金属からなる第２の金属層を形成することによって構成されるので、コンタクト部の耐摩耗性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によるコンタクトプローブの製造方法によれば、電池作用を利用して第１の金属層の側面を高電位金属層との境界付近においてテーパー状に浸食させるので、ビーム部側に比べて先端部側が細くなったコンタクト部を得ることができる。その際、パターンを変更しながら２回以上の工程に分けて金属層を積層する必要がないので、製造工程を増大させることなく、接触性及び導通性を向上させることができる。従って、コンタクト部の先端部だけを細くすることができるので、横方向の力に対する強度を低下させることなく、また、製造工程を増大させることなく、接触性及び導通性を向上させることができる。また、高電位金属層との境界付近の第１の金属層が溶解するという現象を利用することによって、コンタクト部をパターニングの精度を越えて細くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
<プローブカード>
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態によるプローブカード１０の一例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物側から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。プローブカード１０は、シリコンなどで形成された配線基板１２と、配線基板１２上に固着された複数のコンタクトプローブ１１により構成される。各コンタクトプローブ１１は、配線基板１２における一方の主面上に設けられている。
【００１３】
このプローブカード１０では、コンタクトプローブ１１が直線上に所定のピッチで配置され、その様なコンタクトプローブ１１の列が、ビーム先端を対向させて２つ形成されている。通常、プローブカード１０は、水平に保持され、コンタクトプローブ１１が形成されている配線基板１２の主面を鉛直方向の下側に向けて配置されている。
【００１４】
検査対象物の電気的特性試験を行う際には、各コンタクトプローブ１１がそれぞれ検査対象物上の電極パッドと対向するように、検査対象物及びプローブカード１０のアライメント、すなわち、検査対象物に対する配線基板１２の位置合わせが行われる。検査対象物及びプローブカード１０が適切に位置合わせされた状態で、配線基板１２及び検査対象物を互いに近づけることにより、コンタクトプローブ１１の先端を当該検査対象物上の電極パッド１に当接させることができる。
【００１５】
配線基板１２は、円形形状からなり、テスター装置との間で信号入出力を行うための多数の外部端子１３が周縁部に形成されている。この配線基板１２は、その周辺部がプローブ装置の筐体によって把持され、筐体内において水平となるように支持される。
【００１６】
コンタクトプローブ１１は、検査対象物上に形成された微細な電極パッドに対し、弾性的に接触させるプローブ（探針）であり、配線基板１２上には、多数のコンタクトプローブ１１が整列配置されている。各コンタクトプローブ１１は、配線基板１２の各配線を介して外部端子１３と導通しており、コンタクトプローブ１１を当接させることによって、微小な電極パッドをテスター装置と導通させることができる。
【００１７】
<コンタクトプローブ>
図２は、図１のプローブカード１０におけるコンタクトプローブ１１の構成例を示した側面図である。このコンタクトプローブ１１は、片持ち梁構造を有するビーム部１と、検査対象物上の電極パッドに接触させるためのコンタクト部３により構成される。
【００１８】
ビーム部１は、図２の左右方向を延伸方向とする構造体からなり、一方の端部が固定端２として配線基板１２上に固着される。コンタクト部３は、この様なビーム部１の先端部上に形成され、ビーム部１における検査対象物に対向する面から突出した構造体からなる。
【００１９】
<コンタクト部>
図３は、図２のコンタクトプローブ１１の要部における構成例を示した図であり、ビーム部１上に形成されたコンタクト部３が示されている。コンタクト部３は、ビーム部１上に形成された第１の金属層３１と、検査対象物に接触させるための第２の金属層３２により構成されている。これらの金属層３１及び３２は、いずれも電気メッキにより積層される。
【００２０】
この例では、ビーム部１が、細長い平板状の構造体からなり、検査対象物に対向する主面上にコンタクト部３が形成されている。また、コンタクト部３は、端面形状が略円形状の細長い柱状体となっている。ビーム部１は、例えば、ニッケル及びコバルト（Ｃｏ）を主成分とする導電性の金属層、すなわち、ニッケル−コバルト合金層からなる。
【００２１】
第１の金属層３１は、例えば、ニッケルを主成分とするメッキ層（ニッケルメッキ層）からなる。第２の金属層３２は、第１の金属層３１に比べて、硬くて耐摩耗性が高く、また、耐腐食性が高い導電性金属、例えば、ロジウムを主成分とするメッキ層（ロジウムメッキ層）からなる。
【００２２】
このコンタクト部３は、ビーム部１側に比べて先端部側が細くなっている。具体的には、第１の金属層３１におけるビーム部１側が、径が一定の円柱形状からなり、先端部側が、検査対象物に近づくほど径が細くなっている円錐台形状からなる。この様な第１の金属層３１の先端面上に第２の金属層３２が形成されている。
【００２３】
本願の出願人らによる実験によれば、コンタクト部がニッケルメッキ層上にロジウムメッキ層を積層することによって形成される場合に、周縁部から中心部に向けてニッケルメッキが浸食されて、ニッケルメッキ層に欠落部が生じることが確認された。そして、ニッケルメッキの溶出による欠落部は、ニッケルメッキ層の周縁部から中心部に向けてロジウムメッキ層との界面に沿って生じ、界面からの距離が近いほど溶出量が大きくなることが確認された。
【００２４】
図４（ａ）及び（ｂ）は、従来のコンタクトプローブを示した断面図である。図４（ａ）には、レジストで囲まれたビーム部上の領域にコンタクト部が形成される様子が示されている。また、図４（ｂ）には、ニッケルメッキの溶出によってニッケル層に生じた欠落部の様子が示されている。このコンタクトプローブは、ニッケル及びコバルトの合金層からなるビーム部上にコンタクト部が形成される。コンタクト部は、ビーム部上に塗布されたフォトレジストの一部を除去し、そして、レジストが除去されたビーム部上の領域に電気メッキにより金属層を積層することによって形成される。具体的には、まず、ニッケルイオンを含む電解溶液をメッキ液として用いて、ビーム部上にニッケル層が形成される。次に、ロジウムイオンを含む電解溶液をメッキ液として用いて、ニッケル層上にロジウム層が形成される。
【００２５】
一般に、ロジウムのメッキ液は、レジストを浸透し、或いは、レジストとロジウム層との間に入り込んでロジウム層及びニッケル層の境界付近に達すると考えられる。ロジウムとニッケルとでは、標準電極電位が大きく異なることから、ロジウム層及びニッケル層の境界付近にメッキ液が存在すると、メッキ液を介して局部電池が形成され、標準電極電位の小さなニッケルがメッキ液中に溶出することとなる。このため、この様な従来のコンタクトプローブでは、コンタクト部を構成するニッケル層に、ニッケルの溶出によって欠落部が生じることになる。
【００２６】
このニッケルの溶出による欠落部は、ニッケル層の周縁部から中心部に向けてロジウム層との界面に沿って生じ、界面からの距離が近いほど溶出量が大きくなっている。この様な欠落部がニッケル層に生じると、強度が低下するので、横方向の力に対してコンタクト部が折れ易くなってしまう。特に、欠落部の存在によってロジウム層が剥がれ易くなり、脱落した金属片が検査対象物に付着してしまうということが考えられる。
【００２７】
そこで、本願の出願人らは、第１の金属層上に標準電極電位が第１の金属層よりも高い高電位金属層を電気メッキによって形成する際に、第１の金属層が高電位金属層との界面に沿って周縁部から中心部に向けて浸食されるという現象を利用することで、ビーム部１側に比べて先端部側が細くなったコンタクト部３を得ることができることを見出した。ここで、標準電極電位は、標準電位、或いは、標準還元電位とも呼ばれ、標準水素電極の電位を基準（０ボルト）として、標準水素電極と測定対象の電極とを組み合わせて作った電池の標準状態における起電力のことである。
【００２８】
第１の金属層３１を構成するニッケルの標準電極電位は、−０．２５７Ｖである。従って、第１の金属層３１を溶解させるための高電位金属層としては、標準電極電位が−０．２５７Ｖよりも高い範囲内にある金属からなるメッキ層が考えられる。例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、ロジウムの標準電極電位は、それぞれ＋１．４９８Ｖ、＋１．１１８Ｖ、＋０．８００Ｖ、＋０．７９９Ｖであり、これらの金属単体を主成分とするメッキ層が高電位金属層として形成される。ここでは、製造コストの増大を抑制するという観点から、金、白金及びロジウムなどに比べて安価な銀を用いて高電位金属層（銀メッキ層）が形成されるものとする。
【００２９】
第２の金属層３２は、表面を研磨し、或いは、エッチングすることによって、高電位金属層が除去された第１の金属層３１上に形成される。ここでは、第２の金属層３２の厚みを第１の金属層３１よりも薄くすることにより、コンタクト部３におけるロジウムメッキ層の割合をニッケルメッキ層よりも小さくしている。これにより、コンタクト部３の接触性や導通性を向上させることができるとともに、製造コストを低減させることができる。
【００３０】
具体的には、ビーム部１の厚みが、２７μｍであるのに対して、第１の金属層３１の厚みは、３０μｍ程度であり、第２の金属層３２の厚みは、１５μｍとなっている。
【００３１】
<コンタクトプローブの形成過程>
図５〜図７は、図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図である。図５（ａ）には、コンタクトプローブ１１を形成するための台座となる導電性の基板４０が示されている。この様な基板４０としては、例えば、銅板が用いられる。
【００３２】
図５（ｂ）には、図５（ａ）の基板４０に対し、犠牲層４１が形成され、その後、犠牲層４１の一部が除去された様子が示されている。基板４０上に積層される犠牲層４１としては、例えば、銅などの導電層が電気メッキにより形成される。基板４０上に犠牲層４１を形成した後、フォトリソグラフィー（写真製版）によるマスキング工程を経て、ビーム部１の固定端２を形成するために、エッチングなどにより犠牲層４１の一部が除去される。
【００３３】
図５（ｃ）には、図５（ｂ）の基板４０に対し、導電層４２が形成され、その後、導電層４２及び犠牲層４１の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層４１の一部を除去した後の基板４０上に積層される導電層４２としては、ニッケル−コバルト合金層が電気メッキによって形成される。余分に形成された導電層４２は、表面を研磨することによって除去される。
【００３４】
図５（ｄ）には、図５（ｃ）の基板４０に対し、犠牲層４３が形成され、その後、犠牲層４３の一部が除去された様子が示されている。犠牲層４１及び導電層４２上に積層される犠牲層４３として、犠牲層４１と同一の導電層が電気メッキにより形成される。犠牲層４３を形成した後、マスキング工程を経て、ビーム部１を形成するために、犠牲層４３の一部が除去される。
【００３５】
図５（ｅ）には、図５（ｄ）の基板４０に対し、導電層４４が形成され、その後、導電層４４及び犠牲層４３の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層４３の一部を除去した後に積層される導電層４４として、導電層４２と同一の金属からなる層が電気メッキによって形成される。余分に形成された導電層４４は、表面を研磨することによって除去され、固定端２に接合されたビーム部１の梁部分が形成される。
【００３６】
図６（ａ）には、図５（ｅ）の基板４０に対し、レジスト層４５を形成し、その後、コンタクト部３の形成のためにレジスト層４５の一部を除去するレジストパターニングステップが示されている。犠牲層４３及び導電層４４上に積層されるレジスト層４５は、フォトレジストを塗布することによって形成される。レジスト層４５を形成した後、マスキング工程を経て、コンタクト部３を形成するために、レジスト層４５の一部が除去される。
【００３７】
レジスト層４５の一部を除去することによって形成される開口部は、径に比べて深さ方向の長さが長いので、上記開口部における底部には、レジストの残渣４５ａが発生する。
【００３８】
図６（ｂ）には、図６（ａ）の基板４０に対して、プラズマアッシングを行うことにより、レジストの残渣４５ａを除去する工程が示されている。プラズマアッシングは、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：高周波誘導結合型プラズマ）などの高密度プラズマ源によって得られるプラズマを用いてレジストをアッシング（灰化）することにより、残渣４５ａが剥離し除去される。
【００３９】
このとき、上記開口部の周縁部について、表面側から内部に向けてレジスト層４５の一部が除去される。つまり、この工程は、レジストパターニングステップでレジスト層４５の一部を除去することによって形成された開口部の入り口付近４８の幅を拡げる開口部拡幅ステップとなっている。
【００４０】
図６（ｃ）には、図６（ｂ）の基板４０に対し、レジスト層４５の一部を除去して形成された開口部における導電層４４上の領域に第１の金属層４６を形成する第１金属層形成ステップが示されている。上記開口部における導電層４４上の領域に積層される第１の金属層４６として、ニッケルメッキ層が電気メッキによって形成される。この電気メッキ処理は、ニッケルイオンを含む電解溶液、例えば、硫酸ニッケル溶液をメッキ液として用い、導電層４４及びメッキ液間に電圧を印加することによって行われる。
【００４１】
図６（ｄ）には、図６（ｃ）の基板４０に対し、高電位金属層４７を形成する高電位金属層形成ステップが示されている。第１の金属層４６上に積層される高電位金属層４７として、標準電極電位が−０．２５７Ｖよりも高い金属からなるメッキ層が積層される。ここでは、その様な金属として、安価な銀がメッキされ、銀メッキ層が形成される。この電気メッキ処理は、銀イオンを含む電解溶液をメッキ液として用い、第１の金属層４６及びメッキ液間に電圧を印加することによって行われる。
【００４２】
図６（ｅ）には、図６（ｄ）の基板４０に対し、高電位金属層４７及び第１の金属層４６間における電池作用を利用して第１の金属層４６の側面をテーパー状に浸食させる第１金属層溶解ステップが示されている。高電位金属層４７の形成後、高電位金属層４７及び第１の金属層４６間における標準電極電位の差を利用した電池作用によって、第１の金属層４６を構成するニッケルが一部溶解する。このニッケルメッキ層の溶解は、高電位金属層４７との界面に沿って生じることから、第１の金属層４６の側面がテーパー状に浸食されることとなる。
【００４３】
第１の金属層４６は、高電位金属層４７との界面に沿って周縁部から中心部にかけてニッケルメッキが浸食されている。
【００４４】
図６（ｆ）には、図６（ｅ）の基板４０表面を研磨することによって高電位金属層４７を除去する高電位金属層除去ステップが示されている。第１の金属層４６の一部溶解後、第１の金属層４６の表面が完全に露出するまで基板表面を研磨することによって、高電位金属層４７が第１の金属層４６上から除去される。
【００４５】
図７（ａ）には、図６（ｆ）の基板４０に対し、レジスト層４５を完全に除去した後、第２の金属層を形成するために、再度、レジスト層５１を形成してその一部を除去するレジストパターニングステップが示されている。犠牲層４３、導電層４４及び第１の金属層４６上に積層されるレジスト層５１は、フォトレジストを塗布することによって形成される。レジスト層５１を形成した後、マスキング工程を経て、第２の金属層を形成するために、レジスト層５１の一部が除去される。
【００４６】
図７（ｂ）には、図７（ａ）の基板４０に対し、レジスト層５１が除去された第１の金属層４６上の領域に第２の金属層５２を形成する第２金属層形成ステップが示されている。レジスト層５１の一部を除去した後に、レジストが除去された第１の金属層４６上の領域に積層される第２の金属層５２として、ロジウムメッキ層が電気メッキによって形成される。この電気メッキ処理は、ロジウムイオンを含む電解溶液をメッキ液として用い、第１の金属層４６及びメッキ液間に電圧を印加することによって行われる。
【００４７】
図７（ｃ）には、レジスト層５１除去後の基板４０が示されている。第２の金属層５２の形成後、レジスト層５１及び犠牲層４１，４３を完全に除去すれば、コンタクトプローブ１１が完成する。
【００４８】
本実施の形態によれば、電池作用を利用して第１の金属層の側面を高電位金属層との境界付近においてテーパー状に浸食させるので、ビーム部１側に比べて先端部側が細くなったコンタクト部３を得ることができる。その際、パターンを変更しながら２回以上の工程に分けて金属層を積層する必要がないので、製造工程を増大させることなく、接触性及び導通性を向上させることができる。また、第１の金属層４６が周縁部から中心部に向けて高電位金属層４７との界面に沿って浸食されるという現象を利用することによって、コンタクト部３をパターニングの精度を越えて細くすることができる。従って、コンタクト部３の先端部だけを細くすることができるので、横方向の力に対する強度を低下させることなく、接触性や導通性を向上させることができる。
【００４９】
本実施の形態では、第２の金属層５２が高電位金属層除去後の第１の金属層４６の先端面上に形成される場合の例について説明したが、高電位金属層４７との境界付近における第１の金属層４６が電池作用によって溶解するという現象を利用すれば、パターニングの精度を越えて第１の金属層４６における先端部を細くすることができる。すなわち、レジスト層４５をパターニングする際の露光装置の分解能よりもコンタクト部３の先端部を細くすることができる。この様な場合には、第１の金属層の先端部の径が露光装置の分解能よりも小さくなるので、第２の金属層を第１の金属層における先端面上から側面にかけて形成することが考えられる。すなわち、第１の金属層における先端面の一部と、浸食によって生じた第１の金属層における傾斜面の一部とを少なくとも含む領域に第２の金属層を形成することが考えられる。この様にレジスト層４５をパターニングする際の露光装置の分解能よりもコンタクト部３の先端部を細くした場合には、第１の金属層における先端面及び傾斜面と、第２の金属層とを重複させてコンタクト部３が形成される。
【００５０】
図８は、本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１１の他の構成例を示した断面図であり、第１の金属層４６における先端面及び側面上に第２の金属層６１が形成されたコンタクト部３が示されている。レジスト層４５を完全に除去した後、第２の金属層を形成するために、再度、レジスト層５１を形成してその一部が除去される。この例では、レジスト層５１の開口部が、ビーム部１上における第１の金属層４６の全体を含む領域となっている。この領域に第２の金属層６１を積層することにより、第１の金属層４６における先端面上と、浸食によって生じた傾斜面を含む側面上とに一定の厚さを有する金属層として、第２の金属層６１を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態によるプローブカード１０の一例を示した図である。
【図２】図１のプローブカード１０におけるコンタクトプローブ１１の構成例を示した側面図である。
【図３】図２のコンタクトプローブ１１の要部における構成例を示した図であり、ビーム部１上に形成されたコンタクト部３が示されている。
【図４】従来のコンタクトプローブを示した断面図である。
【図５】図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図であり、基板４０上にビーム部１の梁部分が形成されるまでの工程が示されている。
【図６】図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図であり、ニッケルメッキ層の溶解工程を経て高電位金属層４７が除去されるまでが示されている。
【図７】図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図であり、高電位金属層４７の除去後、第２の金属層５２が形成されるまでの工程が示されている。
【図８】本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１１の他の構成例を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  ビーム部
２  固定端
３  コンタクト部
１０  プローブカード
１１  コンタクトプローブ
１２  配線基板
３１，４６  第１の金属層
３２，５２  第２の金属層
４５，５１  レジスト層
４７  高電位金属層
４８  開口部の入り口付近
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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