(57)【要約】【課題】光源数を半減することができ、光路切り換えを高速且つ高精度に行え、さらにゴーストの発生を抑制できる光走査装置を提供する。【解決手段】光源１からの光ビームの光路を切り換えながら該光ビームを異なるタイミングで偏向することにより、複数の異なる被走査面１２Ｋ、１２Ｍを走査する光走査装置において、光路切り換え手段が、電気光学効果を有する偏光切り換え素子２（ＰＬＺＴ）と、偏光分離素子としてのからなる偏向プリズム４から構成されている。位相差がついた２段ポリゴンミラー７の上段７ａからの反射光が走査光学系をへて感光体１２Ｋに書き込み中は、下段７ｂのポリゴンミラー面の反射光は遮光板１４にあたり感光体にゴースト像をつくることはない。【選択図】図１
2009092943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、光路切り換え手段と、光ビームを偏向する偏向手段と、該偏向手段によって偏向された光ビームを被走査面上に結像する走査光学系とを有し、前記光源からの光ビームの光路を切り換えながら該光ビームを異なるタイミングで偏向することにより、複数の異なる被走査面を走査する光走査装置において、
前記光路切り換え手段が、電気光学効果を有する偏光切り換え素子と、偏光分離素子からなることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
請求項１記載の光走査装置において、
前記光路切り換え手段から前記偏向手段までの間にλ／２板又はλ／４板が配置されていることを特徴とする光走査装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の光走査装置において、
前記偏向手段が、共通の回転軸を有し且つ副走査方向に２段の構成を有する多面反射鏡であることを特徴とする光走査装置。
【請求項４】
請求項３記載の光走査装置において、
前記多面反射鏡の各段が位相差を有していることを特徴とする光走査装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の光走査装置において、
前記偏光切り換え素子と前記偏光分離素子との間にコリメートレンズを配置したことを特徴とする光走査装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の光走査装置において、
前記光源と前記偏光切り換え素子との間にコリメートレンズを配置したことを特徴とする光走査装置。
【請求項７】
請求項６記載の光走査装置において、
前記コリメートレンズと前記偏光切り換え素子との間に矩形アパーチャを配置したことを特徴とする光走査装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の光走査装置において、
前記光源がアレイ光源であって、前記偏光切り換え素子は、光の進行方向に順に、λ／２板と、カー効果を有する光学材料からなる光変調器と、λ／２板とを有していることを特徴とする光走査装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の光走査装置において、
前記光源がアレイ光源であって、前記偏光切り換え素子は、光の進行方向に順に、λ／２板と、ポッケルス効果を有する光学材料からなる光変調器と、λ／４板と、λ／２板とを有していることを特徴とする光走査装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の光走査装置において、
前記光源が２次元アレイで、前記偏光切り換え素子が１次元アレイであることを特徴とする光走査装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の光走査装置において、
前記偏光切り換え素子の電極が、隣接するアレイ電極と共通化されていることを特徴とする光走査装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載の光走査装置を有する画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光走査装置、該光走査装置を有するプリンタ、ファクシミリ、プロッタ、ＭＦＰ、これらのうち少なくとも１つを備えた複合機等の画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、偏光方向変更手段（ＰＬＺＴ素子４）で走査ごとに光源からの出射光の偏光面を切り換え、光路切り換え手段（ＰＢＳ９）で光路を振り分ける多ビーム走査装置が開示されている。
一つのレーザ光の偏光状態をスイッチングし、偏光状態に応じて２つの光路のどちらかに分離するもので、その実施例ではＰＢＳは感光体手前のミラー直前に配置されている。この方式によれば光源数を半減することができる。
しかしながら、ＰＢＳの偏光分離面への入射ビームはポリゴンミラーによる偏向角によっては、ｐ偏光とｓ偏光が混じるため、一方の感光体に書き込み中にもう一方の感光体に光漏れが生じる。
特許文献２には、特許文献１の不具合（１走査中内で、ＰＢＳに対する入射角に応じて偏光座標系が変化して分離比が変わること）を解決するために、ビームスプリッタ等で構成される分光手段へ入射するレーザビームを、その入射角度に応じて旋光制御する光走査装置が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平２−１７９６０３号公報
【特許文献２】特開平７−１４４４３４号公報
【特許文献３】特開昭５９−１９３４１３号公報
【特許文献４】特開２００５−０９２１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献２記載の発明では、旋光制御手段によってＰＢＳの偏光分離面での入射面に対してビームの偏光面を水平もしくは垂直に補正をかけるものである。
このためには、１走査期間中に旋光制御手段により高速かつ厳密に偏光面の制御をする必要がある。
しかしながら、レーザ光の波長変動など外乱に対しては旋光制御手段の厳密な制御が極めて困難であり、光路切り換えを高速且つ高精度に行う観点から問題があった。
また、一走査期間中はＰＢＳに対してｐ偏光のみ、もしくはｓ偏光のみを照射する必要があり、両成分が混じるとゴーストが生じる欠点を有する。
本発明者らは、特願２００７−１４８３６５号にて、例えば強誘電性液晶による偏光スイッチング素子にて光路を切り換える光走査装置を提案したが、スイッチング速度は１０μ秒が限界であり、さらなる高速化に対応できなかった。
【０００５】
本発明は、光源数を半減することができ、光路切り換えを高速且つ高精度に行える光走査装置、該光走査装置を有する画像形成装置の提供を、その目的とする。
また、本発明は、さらにゴーストの発生を抑制できる光走査装置、該光走査装置を有する画像形成装置の提供を、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、さらなる高速化を図るために、電気光学効果を有する偏光切り換え素子を用いることとした。
また、多段ポリゴンミラーを使用する方式では一方の感光体に書き込んでいるときには、もう一方に光漏れが生じたとしても遮光板でカットされゴーストは原理的に生じない。本発明ではこの方式を利用してゴースト発生を抑制することとした。
【０００７】
具体的には、請求項１記載の発明では、光源と、光路切り換え手段と、光ビームを偏向する偏向手段と、該偏向手段によって偏向された光ビームを被走査面上に結像する走査光学系とを有し、前記光源からの光ビームの光路を切り換えながら該光ビームを異なるタイミングで偏向することにより、複数の異なる被走査面を走査する光走査装置において、前記光路切り換え手段が、電気光学効果を有する偏光切り換え素子と、偏光分離素子からなることを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の発明では、請求項１記載の光走査装置において、前記光路切り換え手段から前記偏向手段までの間にλ／２板又はλ／４板が配置されていることを特徴とする。
ここではさらに、各光路での光利用効率をそろえることを目的とする。
請求項３記載の発明では、請求項１又は２記載の光走査装置において、前記偏向手段が、共通の回転軸を有し且つ副走査方向に２段の構成を有する多面反射鏡であることを特徴とする。
ここではさらに、ゴーストの発生を防止することを目的とする。ここで、「２段の構成」とは、別部材の反射鏡を重ねた構成だけでなく、１つの反射鏡が２段の反射面（反射領域）を有する構成を含む意味である。
【０００９】
請求項４記載の発明では、請求項３記載の光走査装置において、前記多面反射鏡の各段が位相差を有していることを特徴とする。
ここではさらに、ゴーストの発生を厳密に抑えることを目的とする。
請求項５記載の発明では、請求項１〜４のいずれか１つに記載の光走査装置において、前記偏光切り換え素子と前記偏光分離素子との間にコリメートレンズを配置したことを特徴とする。
ここではさらに、偏光切り換え素子の低電圧駆動を目的とする。
【００１０】
請求項６記載の発明では、請求項１〜４のいずれか１つに記載の光走査装置において、前記光源と前記偏光切り換え素子との間にコリメートレンズを配置したことを特徴とする。
ここではさらに、偏光切り換え素子のビーム内の偏光制御の均一化を目的とする。
請求項７記載の発明では、請求項６記載の光走査装置において、前記コリメートレンズと前記偏光切り換え素子との間に矩形アパーチャを配置したことを特徴とする。
ここではさらに、偏光切り換え素子の低電圧駆動と、設置しやすさを目的とする。
【００１１】
請求項８記載の発明では、請求項１〜７のいずれか１つに記載の光走査装置において、前記光源がアレイ光源であって、前記偏光切り換え素子は、光の進行方向に順に、λ／２板と、カー効果を有する光学材料からなる光変調器と、λ／２板とを有していることを特徴とする。
ここではさらに、低電圧駆動に適した構成の提供を目的とする。
請求項９記載の発明では、請求項１〜７のいずれか１つに記載の光走査装置において、前記光源がアレイ光源であって、前記偏光切り換え素子は、光の進行方向に順に、λ／２板と、ポッケルス効果を有する光学材料からなる光変調器と、λ／４板と、λ／２板とを有していることを特徴とする。
ここではさらに、自然複屈折を有する光変調器に対応することを目的とする。
【００１２】
請求項１０記載の発明では、請求項１〜９のいずれか１つに記載の光走査装置において、前記光源が２次元アレイで、前記偏光切り換え素子が１次元アレイであることを特徴とする。
ここではさらに、２次元アレイ光源の場合の低電圧駆動を目的とする。
請求項１１記載の発明では、請求項１０記載の光走査装置において、前記偏光切り換え素子の電極が、隣接するアレイ電極と共通化されていることを特徴とする。
ここではさらに、配線の簡略化を図ることを目的とする。
請求項１２記載の発明では、画像形成装置において、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の光走査装置を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、光源数を半減することができ、電気光学効果を有する光学材料による光変調器を用いることで高速にビームをスイッチングし光利用効率を向上できる。
ポリゴンミラーへの入射光のｐ偏光成分とｓ偏光成分の大きさを揃えることによって上段、下段のポリゴンミラーでの光利用効率を同じにでき、表示品質の向上を図ることができる。
２段ポリゴンミラーを利用する光走査装置で高速化に対応でき、および、位相差を有する２段ポリゴンミラーによってゴーストを厳密に抑えることができる。
偏光切り換え素子の低電圧駆動が可能となる。
ポリゴンミラーの上段と下段のビームの光利用効率をそろえることができ、表示品質の向上を図ることができる。
偏光切り換え素子の低電圧駆動と、設置しやすさが可能となる。
さらに高速化が可能な光学材料で自然複屈折による動作を改善することができる。
２段ポリゴンミラーを利用する光走査装置で高速化に対応すること、および、２次元アレイ光源の場合の低電圧駆動が可能となる。
配線の簡略化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図を参照して説明する。
図１乃至図３に基づいて第１の実施形態を説明する。図１は本実施形態に係る光走査装置３０の構成の概要を説明するための斜視図である。
同図において符号１は光源、２は電気光学効果を有する偏光切り換え素子としての光変調器、３はコリメートレンズ、４は偏光分離素子としての偏向プリズム、５ａ、５ｂはシリンドリカルレンズ、６は防音ガラス、７は偏向手段としての２段ポリゴンミラー、８ａ、８ｂは第１走査レンズ（ｆθレンズ）、９はミラー、１０は第２走査レンズ、１２Ｋ、１２Ｍは被走査面としての感光体（像担持体）、１４は遮光板をそれぞれ示している。
第１走査レンズ８、ミラー９、第２走査レンズ１０は走査光学系を構成する。
光変調器２と偏向プリズム４は本実施形態における光路切り換え手段を構成する。
なお、図１では２つの感光体１２Ｋ、１２Ｍに対応する構成のみ示しているが、実際には偏向手段７を挟んで、図示された光学系と同様の光学系を配備することにより、４つの感光体を走査するようになっている。
図２は光源１から２段ポリゴンミラー７までの側面図である。
【００１５】
光源１は半導体レーザで、コリメートレンズ３までの発散光路中に光変調器２が配置されている。光変調器２の詳細は図３を用いて詳細に説明する。
光変調器２は印加電圧によって出射光の偏光を図１の縦方向、または水平方向にスイッチングさせる。偏向プリズム４はＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）と全反射プリズム（またはミラー）からなり、縦偏光（ｐ偏光）が入射されるとＰＢＳで透過し、上段のシリンドリカルレンズ５ａを介して２段ポリゴンミラー７の上段７ａに集光される。
光変調器２で水平方向（ｓ偏光）に変調された光はＰＢＳで反射し、全反射ミラーで偏向され下段のシリンドリカルレンズ５ｂを介して下段のポリゴンミラー７ｂに集光される。
２段ポリゴンミラー７は位相差がついた２つのポリゴンミラー７ａ、７ｂで構成されており、上段７ａからの反射光が走査光学系をへて感光体１２Ｋに書き込み中は、下段７ｂのポリゴンミラー面の反射光は遮光板１４にあたる。後述の光変調器２のスイッチング動作のため、２段ポリゴンミラー７の上段、または、下段にビームが時間ごとに振り分けられるが、レーザ光の波長変動など外乱に対して他方への漏れ光が生じたとしても遮光板１４でカットされるため、感光体にゴースト像をつくることはない。
【００１６】
図３は本実施形態に用いる光変調器２を説明するための図である。レーザ光源１からの出射光は図の縦方向に振動する直線偏光とする。発散光路中に直方体形状のＰＬＺＴ（ランタン置換チタン酸ジルコン酸鉛）をレーザ光軸に対して４５°回転させ配置される。以下、光変調器２をＰＬＺＴともいう。
ＰＬＺＴの対向する二つの面には電極が設置される。電源１５からの電圧信号を電極に印加し、変調速度によっては電圧信号の反射が起こるため、伝送インピーダンスと同じ抵抗Ｒを並列に接続しておく。入射偏光に対して電圧印加方向を４５°傾くように配置させる。
ただし光源からの偏光面が縦方向から４５°傾いている場合はＰＬＺＴの設置角は０°で良い。
レーザ光源１とＰＬＺＴとの間隔を１ｍｍとして、レーザ光の広がり角を１０°とすると、ＰＬＺＴの光が伝搬する方向の長さ１ｍｍの場合、出射端面でビームは０．４ｍｍ程度に広がる。ただし、ＰＬＺＴの屈折率を２．５とする。ＰＬＺＴの厚さが０．５ｍｍだとレーザ光はＰＬＺＴの側面でけられない。
【００１７】
レーザ波長を７８０ｎｍ、ＰＬＺＴのカー定数１０＾（−１６）［ｍ２／Ｖ２］とすると、入射光の偏光状態を水平方向に変換するのに要する電圧、いわゆる半波長電圧は、
Ｖ＝０．５ｍｍ×√（７８０ｎｍ／２．５＾３／８×１０＾（−１６）／１［ｍｍ］）＝１２５［Ｖ］
が必要となる。縦偏光のままにするには印加電圧を０にすればよい。このＰＬＺＴサイズの変調帯域の上限を見積もる。電極の静電容量Ｃと並列抵抗Ｒから変調帯域は
Ｃ＝εＳ／ｄ＝５０００×８．８５４×１０＾（−１２）×１［ｍｍ］×０．５［ｍｍ］／０．５［ｍｍ］＝４４［ｐＦ］
（εは比誘電率と真空中の誘電率の積、Ｓは片面の電極の面積、ｄはＰＬＺＴの厚さ）
Ｒ＝５０［Ω］
ｆ＝１／π／Ｃ／Ｒ≒１４０ＭＨｚ
と高速変調が可能である。
【００１８】
光変調器２にポッケルス効果を有する電気光学結晶、例えば、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）を用いる場合には、印加電圧０Ｖのときにも複屈折がある。いわゆる自然複屈折があるため、ＬｉＮｂＯ３結晶とコリメートレンズ３の間にλ／４板を配置し、回転調整することによってＶ＝０で出射偏光は入射偏光と同じ偏光で出射される。
λ／４板の調整後にＶπの電圧を印加すると９０°直交した偏光が出力される。自然複屈折があってもλ／４板を使わない方法としては、偏光が変わらない印加電圧Ｖ１と、偏光を変えるときにはＶ１＋Ｖπ（Ｖπは半波長電圧）を印加する方法がある。
また、ＬｉＮｂＯ３を使用すると、電極の静電容量は比誘電率２７程度なので、Ｃ＝０．２４［ｐＦ］となり、計算上、変調帯域は２６ＧＨｚとＰＬＺＴよりも高速にスイッチングが可能になる。
【００１９】
一つの光源に対して感光体が２個対応し、所定の時間ごとに（シーケンシャルに）光路を切り分ける従来技術として、特許文献１、２、３記載の技術がある。
しかし、これらの従来例では偏光切り換え素子（または、旋光制御手段、光サーキュレータ）で偏光を切り換えたときの偏光度が高くないと画像にゴーストが発生する。
例えば、外乱などの要因で光変調器の動作点がずれ、縦偏光と横偏光の強度比が２０：１になったとすると、その走査期間中は縦偏光による感光体への正常な書き込みに加えて、１／２０の強度でもう一方の感光体に不要な画像がゴーストとして書き込まれてしまう。
本実施形態では、どのような強度比であっても、位相差付きの２段ポリゴンミラー７を用いており、不要光は感光体から外れた場所（図１の遮蔽板１４）にあるため、原理的にゴーストを発生させない。
【００２０】
図４に基づいて第２の実施形態を説明する。
なお、上記実施形態と同一部分は同一符号で示し、特に必要がない限り既にした構成上及び機能上の説明は省略して要部のみ説明する（以下、の他の実施形態において同じ）。
光源１からの広がり角が大きい場合には、光変調器２が発散光路中に配置されると光利用効率の低下が発生する。例えば、光軸からの広がりが３０°（全角で６０°）を想定する。
光学結晶ＬｉＮｂＯ３の長さ１０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍとする。電圧０と４２０Ｖでの光学結晶中のｘ方向屈折率ｎｘ、ｚ方向屈折率ｎｚ、および、０°入射と３０°入射による自然複屈折と４２０Ｖ時の変調量を計算し、両リタデーションを比較した。その結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
2009092943.tif 000003
【００２２】
垂直入射ではπ（すなわち垂直偏光を１００％水平方向に変換する）のリタデーションが得られるが、３０°入射では０．９２π、変換されるのは９８％となる。
したがって、入射角が大きいほど変換ロスが生じる。図３の構成の場合には上段のビームと下段ビームで差が生じることを意味する。
そこで、本実施形態では、光源１から順に、コリメートレンズ３、光変調器２、λ／４板、偏光分離素子４と配置させる。
この構成によって光変調器２には平行ビームを入射することができ、上段と下段ビームの光量変動を抑えることができる。なお、光変調器２にカー効果の光学材料を用いたときにはλ／４板は不要である。
さらに、ポリゴンミラー上のビーム形状を所望の値にするためにコリメートレンズ３とシリンドリカルレンズ５との間に図示しない矩形アパーチャを配置する走査光学系が使われる。
例えば特許文献４に開示のカップリングレンズ（本明細書ではコリメートレンズと記載）の後に矩形アパーチャを配置する走査光学系である。本実施形態の場合には矩形アパーチャの後に光変調器２を配置すると所定の形状にカットされたコリメート光を光変調器２に入射できるため、ビーム形状に合わせて厚さ方向を薄くでき、かつ、組み付けが容易になる。
【００２３】
図５乃至図９に基づいて第３の実施形態を説明する。
２次元に配列されたアレイ光源１６と、光変調器２'と、コリメートレンズ３、偏光分離素子４と、その後は１対のシリンドリカルレンズ５、位相差を有する２段ポリゴンミラー７、走査光学系で構成される。
光変調器２'と偏向プリズム４は本実施形態における光路切り換え手段を構成する。
光変調器２'はアレイ光源１６側から第一のλ／２板１７、ＰＬＺＴ、第二のλ／２板１８からなる。ＰＬＺＴの二つの面には電極が成膜され電源１５と接続され、インピーダンス整合用の並列抵抗Ｒも接続される。
図６は光変調器部分の動作を説明するための図である。アレイ光源１６は４×４の光源数とする。各光源は主走査方向（図の破線）に対してθの配列角で配置され、副走査方向には角度差無しで配列される（図６（ａ））。
ＰＬＺＴは図７に示すような溝加工が施され、各溝の側面に電極１５が設置される。この凹凸の方向はアレイ光源１６の配列角θに合わせる。このため、図７で印加された電圧によってＰＬＺＴ内に発生する電界Ｅの方向は副走査方向からθ傾いている。
【００２４】
光源の偏光方向は図６（ａ）に示すように、副走査方向、もしくは、主走査方向であるため、遅相軸を（θ＋４５°）／２または（θ−４５°）／２とした第一のλ／２板１７で副走査方向からθ＋４５°（またはθ−４５°）の振動面に変換させる。
ＰＬＺＴに電圧を印加しないときには、図８に示すように、ＰＬＺＴ２ｂを出射した光の偏光はそのまま副走査方向からθ＋４５°（またはθ−４５°）である。これが第二のλ／２板１８の遅相軸を副走査方向から（θ＋４５°）／２と（または（θ−４５°）／２と）することで偏光面は副走査方向に変換される。
一方、ＰＬＺＴに切り換え用の電圧（いわゆる半波長電圧）が印加されたときは、図９に示すように、ＰＬＺＴ出射後の偏光はθ＋１３５°（またはθ−１３５°）となる。第二のλ／２板１８によって副走査方向から−９０°（または９０°）に変換される。
したがって、電圧０で偏光分離素子４を介して上段のポリゴンミラー７ａに、半波長電圧印加で下段ポリゴンミラー７ｂに切り換えられる。
本実施形態ではアレイ光源１６の角偏光方向とアレイ方向が平行でも垂直でもない場合でも、偏光分離素子（ＰＢＳ＋ミラー）４で効率良く、上段と下段にビームをスイッチングすることができる。
【００２５】
次に、第４の実施形態を説明する。
第３の実施形態の変形例として、ＰＬＺＴ（カー効果を有する光学材料）をＬｉＮｂＯ３（ポッケルス効果を有する光学材料）に置き換えると、ポッケルス効果を有する光学材料では印加電圧０の時にも複屈折（いわゆる自然複屈折）を有するため、これを補正するためにＬｉＮｂＯ３と第一のλ／２板（または第二のλ／２板）との間にλ／４板を配置させる。このλ／４板を回転調整し印加電圧０で上段もしくは下段ポリゴンミラーのみに光が出力されるようにする。
ＬｉＮｂＯ３を用いる場合には、前述のように、ＰＬＺＴにくらべて比誘電率が低いため高速応答が可能となる。このため、プリンタの高速化に伴って偏光スイッチに要求される速度の対応が容易となる。
第３の実施形態および第４の実施形態では１次元の変調器アレイ構造であり、アレイ光源１６に近接させアレイ光同士が重なり合う前に変調器アレイで偏光を切り換えることを特徴とする。
例えばＰＬＺＴの場合に、アレイ光源とＰＬＺＴ入射面までの距離を０．２ｍｍとするとＰＬＺＴの溝は５０μｍ、山の幅は６０μｍとすることでビームがけられることは無い。
ただし、レーザアレイ光の角ビームの広がり角を７°とする。この場合、ＰＬＺＴの電極間に印加する半波長電圧は約７０Ｖと低電圧駆動できる。
【００２６】
１次元アレイの変調器構造では光源に接近させる配置によって低電圧駆動を可能とするが、光学材料の溝加工が必要となり、光源のアレイピッチが狭くなったり、広がり角が大きい光源ではビーム間の重なりが発生する。その場合には、１次元変調器アレイまでにアレイ光源に対応したマイクロレンズアレイを設置することが望ましい（図示せず）。
また、アレイ光源であっても、第１の実施形態、第２の実施形態で記載した直方体形状による光変調器２で構成することも可能である（図示せず）。その場合には駆動電圧は高くなるが光学材料の加工は非常に容易になり、また、ビーム間の重なりは問題にならない。
【００２７】
図１０及び図１１に基づいて第５の実施形態を説明する。
本実施形態は第３の実施形態の変形例であり、ＰＬＺＴ光変調器部分を図１０に示す。光変調器部分以外は第３の実施形態と同様のため、図示を省略する。
光変調器１９の電極は谷の側面と底面が電位的に共通となるように形成される。図１０に示すように一つおきに共通電位となるように配線する。電圧を印加すると上から順に−Ｅ、Ｅ、−Ｅ、Ｅのように正負交互に電界が印加される。電圧の極性が反転すると電界は上から順にＥ、−Ｅ、Ｅ、−Ｅと印加される。
本実施形態では回線が簡略されるメリットを有する。また、本実施形態のＰＬＺＴのようにカー効果を有する光学材料を使用すると印加電界の２乗で屈折率変調されるため、電界印加正負が逆転していても光学的な特性は光変調器のアレイごとで差は生じない。
また、光変調器１９の光学材料をＬｉＮｂＯ３のような電界の１次で屈折率変調される、ポッケルス効果を用いる場合には、図１１に示すように光変調器の直後、または直前にλ／４板２０を配置し、自然複屈折の量をｍπ（ただしｍは整数）となるようにλ／４板２０を回転調整しておくことで、図１０に示すような電界印加で光変調器２'の各アレイの光学特性を同じにすることができる。
また、ＬｉＮｂＯ３はＰＬＺＴにくらべて比誘電率が低いため、静電容量を小さくすることができるのでＰＬＺＴよりもさらに高速応答できる。
【００２８】
図１２に基づいて、上述した光走査装置３０を用いたタンデム型のカラー画像形成装置（第６の実施形態）を説明する。
カラー画像形成装置は、転写ベルト３１の移動方向に沿って並置された４つの感光体１２Ｙ、１２Ｃ、１２Ｍ、１２Ｋを有している。イエロー画像形成用の感光体１２Ｙの周りには、その矢印で示す回転方向において順に、帯電器３２Ｙ、現像器３３Ｙ、転写手段３４Ｙ、クリーニング手段３５Ｙが配置されている。他の色についても同様の構成を有しており、色別の欧文字（Ｃ：シアン、Ｍ：マゼンダ、Ｋ：ブラック）を付して区別し、説明は省略する。
帯電器３２は、感光体表面を均一に帯電するための帯電装置を構成する帯電部材である。帯電器３２と現像器３３の間において感光体表面に光走査装置３０によりビームが照射され、感光体１２に静電潜像が形成されるようになっている。
そして、静電潜像に基づき、現像器３３により感光体面上にトナー像が形成される。転写手段３４により、転写ベルト３１で搬送される記録媒体（転写紙）に各色の転写トナー像が順次転写され、最終的に定着手段３６により重ね合わせ画像が転写紙に定着される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光走査装置要部斜視図である。
【図２】光源からポリゴンミラーまでの概要側面図である。
【図３】光路切り換え手段を説明するための斜視図である。
【図４】第２の実施形態における、光変調器の光利用効率の低下を説明するための図である。
【図５】第３の実施形態における光路切り換え手段を説明するための斜視図である。
【図６】アレイ光の偏光状態を示す図である。
【図７】光変調器（ＰＬＺＴ）の電圧印加構造を示す斜視図である。
【図８】電圧０のときの偏光状態を示す図である。
【図９】半波長電圧のときの偏光状態を示す図である。
【図１０】第５の実施形態における光変調器（ＰＬＺＴ）の電圧印加構造を示す斜視図である。
【図１１】第５の実施形態の変形例における光路切り換え手段周辺の概要側面図である。
【図１２】第６の実施形態における画像形成装置の概要構成図である。
【符号の説明】
【００３０】
１  光源
２  電気光学効果を有する偏光切り換え素子としての光変調器
３  コリメートレンズ
４  偏光分離素子としての偏向プリズム
７  偏向手段としての２段ポリゴンミラー
１２Ｋ、１２Ｍ  被走査面としての感光体
１６  アレイ光源
【図１】
2009092943.tif 000004
【図２】
2009092943.tif 000005
【図３】
2009092943.tif 000006
【図４】
2009092943.tif 000007
【図５】
2009092943.tif 000008
【図６】
2009092943.tif 000009
【図７】
2009092943.tif 000010
【図８】
2009092943.tif 000011
【図９】
2009092943.tif 000012
【図１０】
2009092943.tif 000013
【図１１】
2009092943.tif 000014
【図１２】
2009092943.tif 000015