(57)【要約】【課題】有機半導体層を保護膜で十分に保護しつつも、保護膜界面での剥がれを防止することが可能で、これにより特性が良好であり、かつ機械的信頼性の向上による歩留まりの向上が図られた半導体装置を提供する。【解決手段】基板３上にパターン形成された有機半導体層１３と、有機半導体層１３の側壁を含む露出面を覆う状態で基板３上にパターン形成された保護膜１５とを備えた半導体装置１ａである。基板３上には、開口１１ａを備えた絶縁性の隔壁１１が設けられ、有機半導体層１３は、隔壁１１によって分離された状態で隔壁１１の開口１１ａ下部にパターン形成されている。また保護膜１５は、隔壁１１の開口１１ａ内部を埋め込む状態で設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターン形成された有機半導体層と、
前記有機半導体層の側壁を含む露出面を覆う状態で前記基板上にパターン形成された保護膜とを備えた半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記基板上には、開口を備えた絶縁性の隔壁が設けられ、
前記有機半導体層は、前記隔壁によって分離された状態で当該隔壁の開口底部にパターン形成され、
前記保護膜は、前記隔壁の開口内部を埋め込む状態で設けられている半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記隔壁上に前記保護膜の周縁部分が配置されている半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記有機半導体層は、前記隔壁上からの成膜によって形成されたもので、当該隔壁上においては前記保護膜と同一形状にパターニングされている半導体装置。
【請求項５】
請求項1記載の半導体装置において、
前記有機半導体層に端部を接続させた形状で前記保護膜の下層にパターン形成されたソース電極およびドレイン電極と、
絶縁膜を介して前記有機半導体層と保護膜との積層部に一部を重ねて配置されたゲート電極とをさらに備えた半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記保護膜が形成された前記基板上を覆う絶縁膜を備えた半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記絶縁膜は、感光性レジスト材料を用いて構成されている半導体装置。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置において、
前記絶縁膜上に導電性パターンを設けた半導体装置。
【請求項９】
請求項1記載の半導体装置において、
前記保護膜は、フッ素系樹脂、水溶性樹脂、またはポリパラキシリレン誘導体を用いて構成されている半導体装置。
【請求項１０】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
当該ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極およびドレイン電極間における前記ゲート絶縁膜に達する開口を備えて当該ゲート絶縁膜上に設けられた絶縁性の隔壁と、
前記隔壁で分離された状態で当該隔壁の開口底部における前記ゲート電極の上方に形成された有機半導体層と、
前記有機半導体層の側壁を含む露出面を覆うと共に、前記隔壁の開口内部を埋め込む状態でパターン形成された保護膜と、
前記保護膜上および隔壁上に成膜された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられると共に、当該層間絶縁膜及び前記隔壁に設けた接続孔を介して前記ソース電極またはドレイン電極に接続された画素電極とを有する表示装置。
【請求項１１】
基板上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極間に前記基板に達する開口を有して前記基板上に設けられた絶縁性の隔壁と、
前記隔壁で分離された状態で当該隔壁の開口底部における前記ソース電極から前記ドレイン電極間にわたって形成された有機半導体層と、
前記有機半導体層の側壁を含む露出面を覆うと共に、前記隔壁の開口内部を埋め込む状態でパターン形成された保護膜と、
前記保護膜上および隔壁上に成膜された絶縁膜と
前記有機半導体層上に重ねる状態で前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜およびゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられると共に、当該層間絶縁膜及び前記隔壁に設けた接続孔を介して前記ソース電極またはドレイン電極に接続された画素電極とを有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および表示装置に関し、特には有機半導体層を用いた半導体装置およびこの半導体装置を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（thin film transistor）は、電子回路、特にはアクティブマトリックス駆動のフラット型表示装置における画素トランジスタとして広く用いられている。近年、このような薄型の半導体装置に用いる半導体層として、有機材料を用いることが注目されている。有機材料を半導体層に用いた薄膜トランジスタ、すなわち有機薄膜トランジスタ（Organic Thin Film Transistor：ＯＴＦＴ）は、無機材料を半導体層に用いた構成と比較して、半導体層を低温で成膜することが可能である。このため、大面積化に有利であると共に、プラスチック等の耐熱性のないフレキシブルな基板上への形成も可能であり、多機能化と共に低コスト化も期待されている。
【０００３】
図１４には、有機薄膜トランジスタの一構成例を示す。この図に示す有機薄膜トランジスタは、基板１０１上のゲート電極１０２を覆う状態でゲート絶縁膜１０３が設けられている。このゲート絶縁膜１０３上には、ゲート電極１０２の両脇となる位置にソース１０４ｓおよびドレイン１０４ｄが形成され、さらにソース１０４ｓ−ドレイン１０４ｄ間のゲート電極１０４に積層される位置に、チャネル部を構成する有機半導体層１０５が設けられている。この有機半導体層１０５は、有機半導体材料に対して低ダメージな水溶性樹脂（例えばポリビニルアルコール樹脂）やフッ素系樹脂等からなる保護膜１０６で覆われている(以上、例えば下記非特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、保護膜１０６を構成する水溶性樹脂やフッ素系樹脂は、有機半導体材料に対して低ダメージではあるが、他の層に対する密着性が低い。したがって、保護膜１０６と、その下地であるソース１０４ｓ／ドレイン１０４ｄやゲート絶縁膜１０３との界面で容易に剥離が生じたり、また保護膜１０６上に直接配線を設けた場合には配線剥がれが発生し、機械的な信頼性が低下して十分な歩留まりを得ることができなかった。
【０００５】
そこで、図１５に示すように、有機半導体層１０６と同一パターンで保護膜１０６をパターニングすることによって保護膜１０６の面積を小さくし、保護膜１０６とその下地であるソース１０４ｓ／ドレイン１０４ｄやゲート絶縁膜１０３との界面を最小限に抑えることにより、保護膜１０６とこれに接する層との間の剥がれを防止する構成が提案されている。
【０００６】
【非特許文献１】C. D. Sheraw 他、「Applied Physics Letters」、2002年、VOLUME80、NUMBER6、p.1088〜p.1090
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図１５に示したように、単に有機半導体層１０５の上部だけに保護膜１０６を設けた構成では、有機半導体層の側端縁が露出した状態となる。このため、その後の絶縁膜の形成プロセスにおいて用いられる溶剤によって、チャネル部を構成する有機半導体層１０５がダメージを受け、有機薄膜トランジスタの特性を劣化させる要因となる。
【０００８】
そこで本発明は、有機半導体層を保護膜で十分に保護しつつも、保護膜と保護膜が接する下地（ソース／ドレイン、ゲート絶縁膜、または基板等）と界面での剥がれを防止することが可能で、これにより特性が良好であり、かつ機械的信頼性の向上による歩留まりの向上が図られた半導体装置および表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するための本発明は、基板上にパターン形成された有機半導体層と、有機半導体層の側壁を含む露出面を覆う状態で前記基板上にパターン形成された保護膜とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、上記構成の半導体装置を用いた表示装置でもある。この表示装置は、有機半導体層をチャネル部半導体層として用いた薄膜トランジスタに画素電極を接続させた構成となっている。
【００１１】
このような構成の半導体装置およびこの半導体装置を用いた表示装置では、有機半導体層の側壁を含む露出面が保護膜で覆われているため、この保護膜によって有機半導体層が確実に保護される。一方、保護膜は、パターニングされた構成であるため他の層と接する界面の面積が縮小され、保護膜界面での剥がれが防止される。
【００１２】
また本発明は上述した構成において、さらに基板上に、開口を備えた絶縁性の隔壁を設け、この隔壁によって分離された状態で当該隔壁の開口下部に有機半導体層を設けた構成とし、隔壁の開口内部を埋め込む状態で上記保護膜を設けても良い。これにより、隔壁とこの開口を埋め込む保護膜とによって、より確実に有機半導体層が保護される。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように本発明によれば、有機半導体層を保護膜で十分に保護しつつも、保護膜界面での剥がれを防止することが可能で、これにより装置特性が良好でありながらも、機械的信頼性の向上による歩留まりの向上を図ることが可能な半導体装置および表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、各実施の形態においては、半導体装置の構成、半導体装置の製造方法、半導体装置を用いた表示装置の順に実施形態を説明する。
【００１５】
≪第１実施形態≫
＜半導体装置の構成＞
図１に示す半導体装置１ａは、ボトムゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを備えている。この図に示す半導体装置１ａは、基板３上に導電性材料からなるゲート電極５がパターン形成されている。このゲート電極５を覆う状態で、基板３の上方にはゲート絶縁膜７が成膜されている。ゲート絶縁膜７上には、ゲート電極５を挟んだ両脇に導電性材料からなるソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ対がパターン形成されている。
【００１６】
ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが形成された基板３の上方には、絶縁性材料からなる隔壁１１が設けられている。この隔壁１１には、ソース電極９Ｓ−ドレイン電極９ｄ間のゲート絶縁膜７表面および、その両脇のソース電極９Ｓおよびドレイン電極９ｄの端部を露出する開口１１ａが設けられている。
【００１７】
また隔壁１１が設けられた基板３上には、隔壁１１の側壁段差によって分離された有機半導体層１３が、隔壁１１の開口１１ａ底部にパターン形成されている。この有機半導体層１３は、開口１１ａ底部においてソース電極９Ｓおよびドレイン電極９ｄ上に端縁が積層された状態で設けられている。そして、この有機半導体層１３をチャネル部半導体層１３ｃｈとした薄膜トランジスタＴｒが構成されている。
【００１８】
尚、このような有機半導体層１３（チャネル部半導体層１３ｃｈ）は、次の製造工程において詳細に説明するように、隔壁１１の上部からの成膜によってパターニングされたものであることとする。このため隔壁１１の上部にも、有機半導体層１３が残されている場合もある。
【００１９】
そして、有機半導体層１３が設けられた基板３上には、隔壁１１の開口１１ａ内を埋め込む状態で、保護膜１５が設けられている。この保護膜１５は、有機材料からなるものであり、特にはフッ素系樹脂、水溶性樹脂、またはポリパラキシリレン誘導体などの、有機半導体層１３を構成する有機半導体材料に対して影響を及ぼすことなく成膜可能な材料を用いて構成されている。また保護膜１５は、隔壁１１上に周端部が配置され、隔壁１１の開口１１ａ縁を完全に塞ぐ状態で設けられていることが好ましい。尚、隔壁１１上に有機半導体層１３が残されている場合には、この保護膜１５と同一の外周形状にパターニングされた状態で有機半導体層１３が残されていることとする。
【００２０】
以上のような保護膜１５が設けられた基板３上は、層間絶縁膜１７で覆われ、この層間絶縁膜１７上に配線等の導電性パターン１９が設けられた構成となっている。
【００２１】
＜半導体装置の製造方法＞
図２〜図３は、上述した構成の半導体装置１ａを作製する手順を示す製造工程図である。次に、これらの図面にしたがって、半導体装置１ａの製造手順を説明する。
【００２２】
先ず図２（１）に示すように、絶縁性の基板３を用意する。この基板１は、最表面が絶縁性であれば特に材料が限定されることはなく、ガラスまたはフレキシブルに屈曲するプラスチック材料であっても良い。
【００２３】
次に、この基板３上に、Ａｕからなるゲート電極５をパターン形成する。ここでは例えば、リソグラフィー法によって形成したレジストパターンを用いたリフトオフ法によって、ゲート電極５のパターン形成を行う。尚、ここで形成するゲート電極５は、Ａｕからなるものに限定されることはなく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｔなどの他の金属材料、銀ペーストなどの金属分散材料、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ［ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレンスルホナート)］やポリアニリンなどの導電性高分子でも良い。またゲート電極５のパターン形成は、リフトオフ法に限定されることはなく、シャドウマスクを用いた蒸着法、リソグラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにして導電性膜をパターンエッチングする方法、さらには印刷法を適用して行っても良い。尚、リソグラフィー法は、フォトリソグラフィーまたは電子線リソグラフィーであって良い。
【００２４】
次に、図２（２）に示すように、ゲート電極５を覆う状態でゲート絶縁膜７を成膜する。ここでは、例えばスピンコート法によって、ポリビニルフェノールからなるゲート絶縁膜７を成膜する。尚、ゲート絶縁膜７を構成する材料は、ポリビニルフェノールにとどまらず、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート等の他の有機絶縁材料や、ＳｉＯ2やＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機絶縁膜、さらには有機材料と無機材料との複合材料等、絶縁性を有する材料であれば良い。またゲート絶縁膜５の形成はスピンコート法にとどまらず、スタンプ、インクジェット、スリットコート、キャップコート、スクリーン印刷等のプリンティング技術、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などから、材料に合わせた適宜の成膜方法を適用選択すれば良い。
【００２５】
次いで、図２（３）に示すように、ゲート絶縁膜７上に、Ａｕからなるソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄをパターン形成する。ここでは、例えばリソグラフィー法によって形成したレジストパターンを用いたリフトオフ法により、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄのパターン形成を行う。尚、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄがＡｕからなるものに限定されないことは、ゲート電極５と同様であり、同様の材料を用いることができる。さらに、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄのパターン形成が、リフトオフ法に限定されないこともゲート電極５と同様であり、同様の方法を適用することができる。
【００２６】
その後、図２（４）に示すように、基板３の上方に開口１１ａを有する絶縁性の隔壁１１を形成する。ここでは、例えばスピンコート法によって成膜した絶縁膜をリソグラフィー法によってパターニングすることにより、隔壁１１の形成を行う。この隔壁１１は、次に成膜する有機半導体層が隔壁１１における開口１１ａの側壁段差によって分離されてパターニングできる構成であることが重要である。
【００２７】
そこで、次に成膜する有機半導体層が蒸着膜である場合には、開口１１ａの側壁を逆テーパ形状となるように形成する。この場合、上記スピンコート法によって成膜する絶縁膜として、ネガ型レジスト（例えばTELR-N101PM：東京応化工業社製商品名）を用いてリソグラフィー処理を行うことにより、開口１１ａの逆テーパ形状を実現する。
【００２８】
また、次に成膜する有機半導体層が塗布膜である場合、用いる塗布に用いる塗工液によって、撥水性絶縁材料もしくは發油性絶縁材料からなる隔壁１１を形成することにより、開口１１ａ内のみに有機半導体層がパターン形成されることになる。この場合には、開口１１ａは側壁が順テーパ形状であっても逆テーパ形状であっても良い。
【００２９】
尚、開口１１ａの形成位置は、図１を用いて説明したように、ソース電極９Ｓ−ドレイン電極９ｄ間のゲート絶縁膜７表面および、その両脇のソース電極９Ｓおよびドレイン電極９ｄの端部を露出する位置である。また、ここでの図示は省略したが、隔壁１１には、ソース電極９Ｓやドレイン電極９ｄに達する第２の開口および第３の開口など、必要に応じて複数の開口を設けて良い。これにより、これらの第２の開口および第３の開口などを、上部配線に対する接続孔として用いることが可能になる。
【００３０】
以上の後、図２（５）に示すように、隔壁１１の開口１１ａ内に、両端がソース電極９Ｓおよびドレイン電極９ｄｔに接続される形状で、有機半導体層１３をパターン形成してなるチャネル部半導体層１３ａを形成する。ここでは、例えば側壁が逆テーパ形状の開口１１ａを有する隔壁１１に対応させて、蒸着成膜によってペンタセンからなる有機半導体層１３の成膜を行い、隔壁１１の側壁段差によって分離された有機半導体層１３を形成する。これにより、隔壁１１の上部にも有機半導体層１３が成膜されることになる。
【００３１】
尚、有機半導体層１３を構成する有機半導体材料はペンタセンにとどまらず、アントラセンやフタロシアニン、ポルフィリン、チオフェン系ポリマー、及びそれらの誘導体などでもよい。またここでは、有機半導体層１３の成膜は真空蒸着法にとどまらず、隔壁１１の開口１１ａ内にチャネル部半導体層１３ａとなる有機半導体層１３がパターン形成されれば良く、スタンプ、スクリーン印刷、キャップコート、インクジェット、スリットコート、スピンコート法などの、塗布液を用いた方法であっても良い。
【００３２】
以上により、開口１１ａの底部にチャネル部半導体層１３ｃｈを設けたボトムゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒが形成される。
【００３３】
次に、図３（１）に示すように、有機半導体層１３が形成された基板３上に、有機材料かなる保護膜１５を成膜する。ここでは、隔壁１１の開口１１ａに設けられた有機半導体層１３（１３ｃｈ）の側壁を含む露出面が、全て保護膜１５で覆われるように、保護膜１５の成膜を行うことが重要である。
【００３４】
また、保護膜１５を構成する材料は、有機半導体層１３を構成する有機半導体材料に対して影響を及ぼすことなく成膜可能な有機材料を用いることが重要である。
【００３５】
このため、塗布液を用いた成膜方法によって保護膜１５を成膜する場合であれば、溶剤が有機半導体材料に対して影響を与えることのない、サイトップ（Cytop809Ｍ：旭硝子株式会社製商品名）などのフッ素系樹脂、ＰＶＡなどの水溶性樹脂を、保護膜１５を構成する材料として用いることができる。尚、塗布液を用いた成膜方法としては、スピンコート法、スタンプ、インクジェット、スリットコート、キャップコート、スクリーン印刷等のプリンティング技術が行われる。
【００３６】
また、塗布液を用いない成膜法、すなわち蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法によって保護膜１５を成膜する場合であれば、有機半導体層１３への半導体溶剤の影響を考慮する必要はない。このような成膜法が可能な有機材料としてポリパラキシリレン誘導体が例示される。
【００３７】
次に、図３（２）に示すように、保護膜１５を必要最小限の大きさにパターニングする。この際、例えば保護膜１５の周端部が隔壁１１の上部に配置され、隔壁１１の開口１１ａ縁を完全に塞ぐ状態となるように保護膜１５をパターニングする。ここでは、例えばリソグラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにした保護膜１５のＲＩＥにより、保護膜１５をパターニングする。この際、保護膜１５がサイトップからなるものであれば、レジストパターンとしてＡｚ１５００（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製商品名）が用いられる。また、隔壁１１の上部に有機半導体層１３が成膜されている場合、このエッチング（ＲＩＥ）によって隔壁１１上部の有機半導体層１３も同時にパターニングする。
【００３８】
尚、図３（１）で説明した保護膜１５の成膜がスタンプ法、インクジェット法、スクリーン印刷法などの予めパターニングされた状態で塗布（印刷を含む）形成されている場合、この工程は省略することができる。ただし、隔壁１１の上部に有機半導体層１３が成膜されている場合、保護膜１５をマスクにして隔壁１１上部の有機半導体層１３をエッチング除去する工程を行うことが好ましい。
【００３９】
以上の後、図３（３）に示すように、パターニングされた保護膜１５を覆う状態で、層間絶縁膜１７を成膜する。ここでは、例えば感光性のレジスト材料（ＴＥＬＲ−Ｐ００３ＰＭ：東京応化工業社製商品名)を用いたリソグラフィー法により、所定部分に接続孔（図示省略）を設けた層間絶縁膜１７を形成しても良い。接続孔を設ける場合は、隔壁１１に形成した第２の開口や第３の開口内に設けることとする。また、この場合レジスト材料の塗布には、例えばスピンコート法が適用される。
【００４０】
尚、層間絶縁膜１７は、感光性のレジスト材料に限定されることはなく、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート等の他の有機絶縁材料や、ＳｉＯ2やＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機絶縁膜、さらには有機材料と無機材料との複合材料等、絶縁性を有する材料であれば良い。またこのような層間絶縁膜１７の成膜はスピンコート法にとどまらず、スタンプ、インクジェット、スリットコート、キャップコート、スクリーン印刷等のプリンティング技術、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などから、材料に合わせた適宜の成膜方法を適用選択すれば良い。この場合、層間絶縁膜１７の成膜に必要に応じて接続孔を形成するか、またはスタンプ法、インクジェット法、スクリーン印刷法などの予めパターニングされた状態で塗布（印刷を含む）形成される方法であれば、必要に応じて接続孔を有する形状で層間絶縁膜１７を成膜すれば良い。
【００４１】
以上の後には、図１に示したように、層間絶縁膜1７上に、Ｃｕからなる導電性パターン１９を形成する。ここでは、例えば真空蒸着法によって成膜したＣｕ膜を、リソグラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにしたエッチング方によって導電性パターン１９を形成する。尚、導電性パターン１９はＣｕからなるものに限定されることはなく、ゲート電極５、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄと同様に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔなどの他の金属材料、銀ペーストなどの金属分散材料、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ［ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレンスルホナート)］やポリアニリンなどの導電性高分子でも良い。また導電性パターン１９のパターン形成は、シャドウマスクを用いた蒸着法、さらには印刷法を適用して行っても良い。尚、リソグラフィー法は、フォトリソグラフィーまたは電子線リソグラフィーであって良い。
【００４２】
以上のようにして、図１を用いて説明したボトムゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒを備えた半導体装置１ａが得られる。
【００４３】
このようにして得られた半導体装置１ａは、チャネル部半導体層１３ｃｈが、隔壁１１とこの開口１１ａを埋め込む保護膜１３とによって、より確実に保護される。このため、この上部に層間絶縁膜１７やさらに上層の導電性パターンン１９を形成する際の影響がチャネル部半導体層１３ｃに及ぶことが無く、チャネル部半導体層１３ｃの膜質が確保されて特性の良好な薄膜トランジスタＴｒを得ることが可能になる。しかも、保護膜１５は、パターニングされた構成であるため、他の層と接する界面の面積が抑えられており、保護膜１５の界面での剥がれが防止され、機械的な信頼性も確保されている。
【００４４】
この結果、この半導体装置１ａは、装置特性が良好でありながらも、機械的信頼性が向上し、歩留まりの向上を図ることが可能なものとなる。
【００４５】
＜表示装置＞
図４は、図１の半導体装置１ａを用いて構成される表示装置２０ａの一構成例を示す１画素分の概略断面図である。次にこの図を用いて表示装置２０ａの構成を説明する。
【００４６】
この図に示す表示装置２０ａは、各画素に有機電界発光素子ＥＬを設けてなる有機ＥＬ表示装置である。この場合、基板３上に形成した薄膜トランジスタＴｒは、有機電界発光素子ＥＬを駆動するための画素回路を構成するものとして各画素に設けられていることとする。また、半導体装置１ａの導電性パターン１９は、画素電極１９として各画素毎にパターン形成されていることとする。
【００４７】
ここで画素電極１９は、例えば陽極（または陰極）として用いられるものであって、反射性を有する材料で構成されていることが好ましい。これらの各画素電極１９は、隔壁１１に設けられた第２の開口１１ｂの内側において層間絶縁膜１７に形成された接続孔１７ａを介してドレイン電極９ｄに接続されている。尚、層間絶縁膜１７は平坦化絶縁膜として形成されていることが好ましい。
【００４８】
また層間絶縁膜１７の上部には、画素電極１９の周縁を覆う形状の絶縁性パターン２１が設けられており、この絶縁性パターン２１から露出している画素電極１９部分が画素開口となる。この画素開口内の画素電極１９の露出面上を完全に覆う状態で、有機ＥＬ層がパター形成されている。この有機ＥＬ層２３は、少なくとも発光層を含み、必要に応じて発光層の陽極側に正孔輸送層や正孔注入層などを設ける一方、発光性の陰極側に必要に応じて電子輸送層や電子注入層などを設けた積層構造として構成されている。また、この有機ＥＬ層２３上には、全画素に共通の対向電極２５が陰極（または陽極）としてベタ膜状に設けられており、画素電極１９と対向電極２５との間に有機ＥＬ層２３を挟持した部分に、有機電界発光素子ＥＬが形成されている。
【００４９】
このような構成の表示装置２０ａでは、上述したように保護膜１５が設けられた構成の半導体装置１ａを用いていることにより、特性の良好な半導体装置１ａ（薄膜トランジスタＴｒ）によって特性の良好な表示が実現され、かつ機械的な信頼性を大幅に向上させることができる。
【００５０】
≪第２実施形態≫
＜半導体装置の構成＞
図５に示す第２実施形態の半導体装置１ｂは、トップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒ’を備えている。この図に示す半導体装置１ｂが、図１を用いて説明した第１実施形態の半導体装置１ａと異なるところは、ゲート電極５が、保護膜１５上を覆う絶縁膜１６の上方に設けられているところにあり、他の構成は第１実施形態と同様である。
【００５１】
すなわち、保護膜１５を覆う状態で絶縁膜１６が設けられ、この保護膜１５と絶縁膜１６とでゲート絶縁膜７’が構成されており、このゲート絶縁膜７’上に導電性パターンからなるゲート電極５が設けられているのである。
【００５２】
このため、基板３の上方にソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ対がパターン形成されていること、この上部に隔壁１１が設けられていること、隔壁１１の側壁段差によって分離された有機半導体層１３が隔壁１１の開口１１ａ底部にパターン形成されていて、この有機半導体層１３をチャネル部半導体層１３ｃｈとした薄膜トランジスタＴｒが構成されていることは、第１実施形態と同様である。
【００５３】
またさらに、有機半導体層１３が設けられた基板３上には、隔壁１１の開口１１ａ内を埋め込む状態で、保護膜１５が設けられていることも第１実施形態と同様である。すなわち、この保護膜１５は、有機材料からなるものであり、特にはフッ素系樹脂、水溶性樹脂、またはポリパラキシリレン誘導体などの、有機半導体層１３を構成する有機半導体材料に対して影響を及ぼすことなく成膜可能な材料を用いて構成されている。また保護膜１５は、隔壁１１上に周端部が配置され、隔壁１１の開口１１ａ縁を完全に塞ぐ状態で設けられていることが好ましい。尚、隔壁１１上に有機半導体層１３が残されている場合には、この保護膜１５と同一の外周形状にパターニングされた状態で有機半導体層１３が残されていることとする。
【００５４】
そして、以上のような保護膜１５が設けられた基板３上が、保護膜１５と共にゲート絶縁膜７’の一部を構成する絶縁膜１６で覆われ、この絶縁膜１７’上に導電性パターンからなるゲート電極５が設けられた構成となっているのである。
【００５５】
＜半導体装置の製造方法＞
図６は、上述した構成の半導体装置１ｂを作製する手順を示す製造工程図である。次に、これらの図面にしたがって、半導体装置１ｂの製造手順を説明する。なおここでは、第１実施形態において図２（３）〜図３（３）を用いて説明した工程を、同様に行えば良い。
【００５６】
すなわち、先ず図６（１）に示すように、絶縁性の基板３を用意する。この基板１は、最表面が絶縁性であれば特に材料が限定されることはなく、ガラスまたはフレキシブルに屈曲するプラスチック材料であっても良い。
【００５７】
次に、この基板３上に、Ａｕからなるソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄをパターン形成する。この工程は、第１実施形態において図２（３）を用いて説明したと同様に行われ、例えばリソグラフィー法によって形成したレジストパターンを用いたリフトオフ法により、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄのパターン形成を行う。尚、ここで形成されるソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄは、Ａｕからなるものに限定されることはなく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｔなどの他の金属材料、銀ペーストなどの金属分散材料、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ［ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレンスルホナート)］やポリアニリンなどの導電性高分子でも良い。またソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄのパターン形成は、リフトオフ法に限定されることはなく、シャドウマスクを用いた蒸着法、リソグラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにして導電性膜をパターンエッチングする方法、さらには印刷法を適用して行っても良い。尚、リソグラフィー法は、フォトリソグラフィーまたは電子線リソグラフィーであって良い。
【００５８】
その後、図６（２）に示すように、基板３の上方に開口１１ａを有する絶縁性の隔壁１１を形成する。この工程は、第１実施形態において図２（４）を用いて説明したと同様に行われ、次に成膜する有機半導体層が隔壁１１における開口１１ａの側壁段差によって分離されてパターニングできる構成であることが重要である。また隔壁１１に設ける開口１１ａの形成位置、さらにはここでの図示は省略したソース電極９Ｓやドレイン電極９ｄに達する第２の開口および第３の開口など、必要に応じて複数の開口を設けて良いことも、第１実施形態と同様である。
【００５９】
次に、図６（３）に示すように、隔壁１１の開口１１ａ内に、両端がソース電極９Ｓおよびドレイン電極９ｄｔに接続される形状で、有機半導体層１３をパターン形成してなるチャネル部半導体層１３ａを形成する。この工程は、第１実施形態において図２（５）を用いて説明したと同様に行われる。
【００６０】
次に、図６（４）に示すように、有機半導体層１３が形成された基板３上に、有機材料かなる保護膜１５を成膜する。この工程は、第１実施形態において図３（１）を用いて説明したと同様に行われる。すなわち、ここでは、隔壁１１の開口１１ａに設けられた有機半導体層１３（１３ｃｈ）の側壁を含む露出面が、全て保護膜１５で覆われるように、保護膜１５の成膜を行うことが重要である。また、保護膜１５を構成する材料は、有機半導体層１３を構成する有機半導体材料に対して影響を及ぼすことなく成膜可能な有機材料を用いることが重要である。
【００６１】
次に、図６（５）に示すように、保護膜１５を必要最小限の大きさにパターニングする。この工程は、第１実施形態において図３（２）を用いて説明したと同様に行われる。すなわち、例えば保護膜１５の周端部が隔壁１１の上部に配置され、隔壁１１の開口１１ａ縁を完全に塞ぐ状態となるように保護膜１５をパターニングする。尚、図６（４）で説明した保護膜１５の成膜が予めパターニングされた状態で塗布（印刷を含む）形成されている場合、この工程を省略することができることも第１実施形態と同様である。
【００６２】
次いで、図６（６）に示すように、パターニングされた保護膜１５を覆う状態で、絶縁膜６を成膜する。この工程は、第１実施形態において図３（３）を用いて説明したと同様に行われる。ただし、ここで形成される絶縁膜１６は、保護膜１５と共にゲート絶縁膜７’を構成するものとなる。したがって、絶縁膜１６は、ゲート絶縁膜７’の一部を構成するものとして適切な材料および膜厚で形成されることとする。
【００６３】
以上の後には、図５に示したように、絶縁膜1６(ゲート絶縁膜７’）上に、Ｃｕからなる導電性パターンをゲート電極５として形成する。ここでは、例えば真空蒸着法によって成膜したＣｕ膜を、リソグラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクにしたエッチング方によってゲート電極５を形成する。尚、ゲート電極５は、Ｃｕからなるものに限定されることはなく、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔなどの他の金属材料、銀ペーストなどの金属分散材料、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ［ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレンスルホナート)］やポリアニリンなどの導電性高分子でも良い。またゲート電極５のパターン形成は、シャドウマスクを用いた蒸着法、さらには印刷法を適用して行っても良い。尚、リソグラフィー法は、フォトリソグラフィーまたは電子線リソグラフィーであって良い。
【００６４】
以上により、開口１１ａの底部にチャネル部半導体層１３ｃｈを設けたトップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒ’を有する半導体装置１ｂが得られる。
【００６５】
このようにして得られた第２実施形態の半導体装置１ｂであっても、チャネル部半導体層１３ｃｈが、隔壁１１とこの開口１１ａを埋め込む状態でパターニングされた保護膜１３とによって、より確実に保護される。このため、第１実施形態と同様に、この半導体装置１ｂは、装置特性が良好でありながらも、機械的信頼性の向上によって歩留まりの向上が図られたものとなる。
【００６６】
＜表示装置＞
図７は、図１の半導体装置１ｂを用いて構成される表示装置２０ｂの一構成例を示す１画素分の概略断面図である。次にこの図を用いて表示装置２０ｂの構成を説明する。
【００６７】
この図に示す表示装置２０ｂは、各画素に有機電界発光素子ＥＬを設けてなる有機ＥＬ表示装置である。この場合、基板３上に形成した薄膜トランジスタＴｒ’は、有機電界発光素子ＥＬを駆動するための画素回路を構成するものとして各画素に設けられていることとする。
【００６８】
そして、この薄膜トランジスタＴｒ’を覆う状態で層間絶縁膜１７が設けられており、この層間絶縁膜１７上に、画素電極１９が各画素毎にパターン形成されていることとする。
【００６９】
ここで画素電極１９は、例えば陽極（または陰極）として用いられるものであって、反射性を有する材料で構成されていることが好ましい。これらの各画素電極１９は、隔壁１１に設けられた第２の開口１１ｂの内側において層間絶縁膜１７および絶縁膜１６に形成された接続孔１７ａを介してドレイン電極９ｄに接続されている。尚、層間絶縁膜１７は平坦化絶縁膜として形成されていることが好ましい。
【００７０】
また層間絶縁膜１７の上部には、画素電極１９の周縁を覆う形状の絶縁性パターン２１が設けられており、この絶縁性パターン２１から露出している画素電極１９部分が画素開口となる。この画素開口内の画素電極１９の露出面上を完全に覆う状態で、有機ＥＬ層がパター形成されている。この有機ＥＬ層２３は、少なくとも発光層を含み、必要に応じて発光層の陽極側に正孔輸送層や正孔注入層などを設ける一方、発光性の陰極側に必要に応じて電子輸送層や電子注入層などを設けた積層構造として構成されている。また、この有機ＥＬ層２３上には、全画素に共通の対向電極２５が陰極（または陽極）としてベタ膜状に設けられており、画素電極１９と対向電極２５との間に有機ＥＬ層２３を挟持した部分に、有機電界発光素子ＥＬが形成されている。
【００７１】
このような構成の表示装置２０ｂでも、上述したように保護膜１５が設けられた構成の半導体装置１ｂを用いていることにより、特性の良好な半導体装置１ｂ（薄膜トランジスタＴｒ）によって特性の良好な表示が実現され、かつ機械的な信頼性を大幅に向上させることができる。
【００７２】
≪第３実施形態≫
＜半導体装置の構成＞
図８に第３実施形態の示す半導体装置１ｃは、ボトムゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒを備えている。この図に示す半導体装置１ｃが、図１を用いて説明した第１実施形態の半導体装置１ａと異なるところは、隔壁１１を設けていないところにあり、他の構成は第１実施形態と同様である。
【００７３】
すなわち、図１に示す半導体装置１ｃは、ボトムゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタｔｒを備えている。この図に示す半導体装置１ｃは、基板３上に導電性材料からなるゲート電極５がパターン形成されている。このゲート電極５を覆う状態で、基板３の上方にはゲート絶縁膜７が成膜されている。ゲート絶縁膜７上には、ゲート電極５を挟んだ両脇に導電性材料からなるソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ対がパターン形成されている。
【００７４】
ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが形成された基板３の上方には、有機半導体層１３がパターン形成されている。この有機半導体層１３は、ソース電極９Ｓおよびドレイン電極９ｄ上に端縁が積層された状態で設けられている。そして、この有機半導体層１３をチャネル部半導体層１３ｃｈとした薄膜トランジスタＴｒが構成されている。
【００７５】
そして、有機半導体層１３が設けられた基板３上には、有機半導体層１３の側壁を含む露出面を完全に覆う状態で保護膜１５がパターンン形成されている。この保護膜１５は、有機材料からなるものであり、特にはフッ素系樹脂、水溶性樹脂、またはポリパラキシリレン誘導体などの、有機半導体層１３を構成する有機半導体材料に対して影響を及ぼすことなく成膜可能な材料を用いて構成されている。
【００７６】
以上のような保護膜１５が設けられた基板３上は、層間絶縁膜１７で覆われ、この層間絶縁膜１７上に配線等の導電性パターン１９が設けられた構成となっている。
【００７７】
＜半導体装置の製造方法＞
上述した構成の半導体装置１ｃの作製は、第１実施形態において図２（１）〜図３（３）を用いて説明した手順において、図２（４）を用いて説明した隔壁の形成を除いた手順を行えば良い。
【００７８】
ただし、図２（５）を用いて説明した有機半導体層１３の形成においては、隔壁の側壁段差や撥水性または疎水性を利用して有機半導体層１３をパターニングすることはできない。このため、有機半導体層１３を成膜した後にパターニングするか、または印刷法などを適用いして予めパターニングされた有機半導体層１３を形成することとする。
【００７９】
このようにして得られた第３実施形態の半導体装置１ｃであっても、チャネル部半導体層１３ｃｈの側壁を含む露出面が、パターニングによって界面を小さく抑えられた保護膜１３によって保護されている。このため、第１実施形態と同様に、この半導体装置１ｃも、装置特性が良好でありながらも、機械的信頼性の向上によって歩留まりの向上が図られたものとなる。
【００８０】
＜表示装置＞
図９は、図８の半導体装置１ｃを用いて構成される表示装置２０ｃの一構成例を示す１画素分の概略断面図である。この図に示す表示装置２０ｃが図４を用いて説明した第１実施形態の表示装置２０ａと異なるところは、平坦化絶縁膜として構成される層間絶縁膜１７の下部に隔壁が設けられていないところにあり、他の構成は第１実施形態と同様である。すなわち、表示装置２０ｃは、各画素に有機電界発光素子ＥＬを設けてなる有機ＥＬ表示装置であり、基板３上に形成した薄膜トランジスタＴｒは、有機電界発光素子ＥＬを駆動するための画素回路を構成するものとして各画素に設けられ、また、半導体装置１ａの導電性パターン１９は、画素電極１９として各画素毎にパターン形成されている。そして、この画素電極１９上は、層間絶縁膜１７に形成された接続孔１７ａを介してドレイン電極９ｄに接続され、さらに画素電極１９上に有機ＥＬ層２３および対向電極２５を積層させて有機電界発光素子ＥＬが形成されている。
【００８１】
このような構成の第３実施形態の表示装置２０ｃであっても、上述したように保護膜１５が設けられた構成の半導体装置１ｃを用いていることにより、特性の良好な半導体装置１ｃ（薄膜トランジスタＴｒ）によって特性の良好な表示が実現され、かつ機械的な信頼性を大幅に向上させることができる。
【００８２】
＜変形例＞
図１０に半導体装置１ｄは、第３実施形態の変形例であり、ボトムゲートトップコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒ”を備えている。この図に示す半導体装置１ｄが、図８を用いて説明した第３実施形態の半導体装置１ｃと異なるところは、有機半導体層１３上に重ねてソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが設けられているところにあり、他の構成は第４実施形態と同様である。
【００８３】
このような半導体装置１ｄの形成は、第３実施形態の手順において、有機半導体層１３を形成した後に、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄを形成すれば良い。
【００８４】
またこのような半導体装置１ｄを用いた表示装置の構成は、図９を用いて説明した表示装置における半導体装置１ｃを半導体装置１ｄに置き換えれば良い。
【００８５】
以上のような変形例の構成であっても、第３実施形態と同様の効果が得られる。
【００８６】
≪第４実施形態≫
＜半導体装置の構成＞
図１１に第４実施形態の示す半導体装置１ｅは、トップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒを備えている。この図に示す半導体装置１ｅは、図５を用いて説明した第２実施形態の半導体装置１ｂにおいて隔壁１１を設けていないものであり、他の構成は第２実施形態と同様である。
【００８７】
すなわち、図１１に示す半導体装置１ｅは、トップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタｔｒを備えている。この図に示す半導体装置１ｅは、基板３上に導電性材料からなるソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ対がパターン形成されている。ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが形成された基板３の上方には、有機半導体層１３がパターン形成されている。この有機半導体層１３は、ソース電極９Ｓおよびドレイン電極９ｄ上に端縁が積層された状態で設けられている。
【００８８】
そして、有機半導体層１３が設けられた基板３上には、有機半導体層１３の側壁を含む露出面を完全に覆う状態で保護膜１５がパターンン形成されている。この保護膜１５は、有機材料からなるものであり、特にはフッ素系樹脂、水溶性樹脂、またはポリパラキシリレン誘導体などの、有機半導体層１３を構成する有機半導体材料に対して影響を及ぼすことなく成膜可能な材料を用いて構成されている。
【００８９】
また保護膜１５が形成された基板３上は、絶縁膜１６でおおわれている。この絶縁膜１６は、保護膜１５とともにゲート絶縁膜７'を構成するものとなる。そしてこのような積層構造のゲート絶縁膜７’上に、導電性パターンからなるゲート電極５が設けられているのである。
【００９０】
＜半導体装置の製造方法＞
上述した構成の半導体装置１ｅの作製は、第２実施形態において図６（１）〜図６（６）を用いて説明した手順において、図６（２）を用いて説明した隔壁の形成を除いた手順を行えば良い。
【００９１】
ただし、図６（３）を用いて説明した有機半導体層１３の形成においては、隔壁の側壁段差や撥水性または疎水性を利用して有機半導体層１３をパターニングすることはできない。このため、有機半導体層１３を成膜した後にパターニングするか、または印刷法などを適用いして予めパターニングされた有機半導体層１３を形成することとする。
【００９２】
このようにして得られた第４実施形態の半導体装置１ｅであっても、チャネル部半導体層１３ｃｈの側壁を含む露出面が、パターニングによって界面を小さく抑えられた保護膜１３によって保護されている。このため、第１実施形態と同様に、この半導体装置１ｅも、装置特性が良好でありながらも、機械的信頼性の向上によって歩留まりの向上が図られたものとなる。
【００９３】
＜表示装置＞
図１２は、図１１の半導体装置１ｅを用いて構成される表示装置２０ｅの一構成例を示す１画素分の概略断面図である。この図に示す表示装置２０eが図７を用いて説明した第１実施形態の表示装置２０ｂと異なるところは、平坦化絶縁膜として構成される層間絶縁膜１７の下部に隔壁が設けられていないところにあり、他の構成は第２実施形態と同様である。すなわち、表示装置２０ｅは、各画素に有機電界発光素子ＥＬを設けてなる有機ＥＬ表示装置であり、基板３上に形成した薄膜トランジスタＴｒは、有機電界発光素子ＥＬを駆動するための画素回路を構成するものとして各画素に設けられ、また、半導体装置１ａの導電性パターン１９は、画素電極１９として各画素毎にパターン形成されている。そして、この画素電極１９上は、層間絶縁膜１７に形成された接続孔１７ａを介してドレイン電極９ｄに接続され、さらに画素電極１９上に有機ＥＬ層２３および対向電極２５を積層させて有機電界発光素子ＥＬが形成されている。
【００９４】
このような構成の第４実施形態の表示装置２０ｅであっても、上述したように保護膜１５が設けられた構成の半導体装置１ｅを用いていることにより、特性の良好な半導体装置１ｅ（薄膜トランジスタＴｒ）によって特性の良好な表示が実現され、かつ機械的な信頼性を大幅に向上させることができる。
【００９５】
＜変形例＞
図１３に半導体装置１ｆは、第４実施形態の変形例であり、トップゲートトップコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒ”を備えている。この図に示す半導体装置１ｆが、図１１を用いて説明した第４実施形態の半導体装置１ｃと異なるところは、有機半導体層１３上に重ねてソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが設けられているところにあり、他の構成は第４実施形態と同様である。
【００９６】
このような半導体装置１ｆの形成は、第４実施形態の手順において、有機半導体層１３を形成した後に、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄを形成すれば良い。
【００９７】
またこのような半導体装置１ｆを用いた表示装置の構成は、図１２を用いて説明した表示装置における半導体装置１ｅを半導体装置１ｆに置き換えれば良い。
【００９８】
以上のような変形例の構成であっても、第４実施形態と同様の効果が得られる。
【００９９】
尚、上述した第１実施形態〜第４実施形態においては、有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した構成を説明した。しかしながら本発明の表示装置は、例えば液晶表示装置のような薄膜トランジスタを用いて駆動される表示装置に広く適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】第１実施形態の半導体装置を説明する断面図である。
【図２】第１実施形態の半導体装置の製造方法を説明する断面工程図（その１）である。
【図３】第１実施形態の半導体装置の製造方法を説明する断面工程図（その２）である。
【図４】第１実施形態の半導体装置を用いた表示装置を説明する断面図である。
【図５】第２実施形態の半導体装置を説明する断面図である。
【図６】第２実施形態の半導体装置の製造方法を説明する断面工程図である。
【図７】第２実施形態の半導体装置を用いた表示装置を説明する断面図である。
【図８】第３実施形態の半導体装置を説明する断面図である。
【図９】第３実施形態の半導体装置を用いた表示装置を説明する断面図である。
【図１０】第３実施形態の半導体装置の変形例を説明する断面図である。
【図１１】第４実施形態の半導体装置を説明する断面図である。
【図１２】第４実施形態の半導体装置を用いた表示装置を説明する断面図である。
【図１３】第４実施形態の半導体装置の変形例を説明する断面図である。
【図１４】従来の半導体装置を説明する断面図である。
【図１５】従来の半導体装置の他の例を説明する断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１ａ〜１ｆ…半導体装置、３…基板、５…ゲート電極、７，７’…ゲート絶縁膜、９ｓ…ソース電極、９ｄ…ドレイン電極、１１…隔壁、１１ａ…開口、１３…有機半導体層、１３ｃｈ…チャネル部半導体層、１５…保護膜、１６…絶縁膜、１９…導電性パターン(画素電極）、１７…層間絶縁膜、１７ａ…接続孔、２０ａ〜２０ｅ…表示装置
【図１】
2009224542.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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