(57)【要約】【課題】フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスにより表面処理する際、被処理物の取り替え等で一時停止した後、ガス状態の安定化工程を省き直ちに処理を再開可能にし、タクト時間を短縮する。【解決手段】表面処理の実行時には、複数の生成部１０を用いて所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを生成し、噴出路画成部２０の噴出路２３，２４，２５に通して被処理物Ｗに噴き付ける。選択手段５１にて一時停止モードを選択すると、フッ化水素を生成する生成部１０の数を減らし、表面処理実行時より小さい流量で、かつ表面処理実行時と略同じフッ化水素濃度の処理ガスを噴出路２３〜２５に通す。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスを通す噴出路を有する噴出路画成部を用い、被処理物の表面処理を行なう方法において、
前記表面処理の実行時には、所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを前記噴出路に通して被処理物に噴き付け、
前記表面処理の一時停止時には、前記表面処理実行時より小さい流量で、かつ前記表面処理実行時と略同じフッ化水素濃度の処理ガスを前記噴出路に通して噴出させることを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスを被処理物に噴き付けて表面処理を行なう装置において、
前記処理ガスの供給手段と、
前記被処理物と対向すべき先端面と、前記供給手段に連なるとともに前記先端面に開口された噴出路とを有する噴出路画成部と、
表面処理の実行モードと一時停止モードとを選択する選択手段と、
を備え、前記供給手段が、前記実行モードでは所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを前記噴出路に供給し、前記一時停止モードでは前記実行モードより小さい流量で、かつ前記実行モードと略同じフッ化水素濃度の処理ガスを前記噴出路に供給することを特徴とする表面処理装置。
【請求項３】
前記供給手段が、含フッ素原料と含水素原料とをプラズマ化してフッ化水素を生成する生成部を複数有し、前記実行モードではこれら複数の生成部を稼動し、前記一時停止モードでは、前記実行モードより少ない数の生成部のみを稼動し、他の生成部を停止することを特徴とする請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記噴出路画成部の前記噴出路の内面が、フッ素系樹脂またはセラミックスにて構成されていることを特徴とする請求項２に記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスを噴出路から被処理物に噴き付けて表面処理を行なう装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、成膜やエッチングなどの表面処理では、一般に、処理ガスの供給をオンした後、安定化のため待機し、一定時間経過後、処理を開始する。処理終了後は、処理ガス供給をオフする。その後、被処理物を入れ替える。特に、処理を真空中で行なう場合は、排気の必要性から必然的に上記のシーケンスになる。大気圧下での処理でも一般的には同様のシーケンスが採用されている。
【特許文献１】特開２００７−１１６０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、ＨＦを処理ガス成分とする場合、被処理物の入れ替えなどのために処理ガス供給を一旦停止すると、その後、処理ガス供給を再開したとき、ＨＦ濃度が安定するまで時間がかかり、タクトが圧迫されるという問題が顕在化してきた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
発明者は、上記問題点を解決するために鋭意研究を行なった。
図５は、ＣＦ４及びＨ２Ｏの混合ガスをプラズマ空間に導入し、このプラズマ空間から耐ＨＦ性のテフロン（登録商標）製のノズル管（長さ１．２３ｍ）に通し、このノズル管の出口でのガス成分をフーリエ変換赤外分光装置（ＦＴＩＲ）で分析した結果を示したものである。横軸（経過時間）の０は、プラズマをオンした時点である。プラズマ化によりＨＦとＣＯ２が生成される。そのうちＣＯ２濃度は、プラズマオンと同時に鋭敏に立ち上がり比較的短い時間で飽和に達した。一方、ＨＦ濃度は、立ち上がりが緩やかであり飽和するのに非常に長い時間がかかった。これは、ＨＦがノズルの内壁に吸着されやすい物質であるためと考えられる。吸着が進行している間は、それだけノズル出口からのＨＦ量が少なくなる。吸着が飽和に近づき、脱離と平衡してくるにしたがい、ノズル出口からのＨＦ量が増える。平衡状態の吸着量は、主にガス中のＨＦ濃度に依存する。
したがって、被処理物の入れ替え時にも処理ガス供給を止めることなく、処理実行時と同じ一定量の処理ガスを供給し続けることにすれば、入れ替え終了後、直ちに処理実行を再開できる。しかし、そうすると、処理ガスのロスが大きくなってしまう。
【０００５】
本発明は、かかる考察に基づいてなされたものであり、ＨＦを含む処理ガスを通す噴出路を有する噴出路画成部を用い、被処理物の表面処理を行なう方法において、
前記表面処理の実行時には、所要の流量及びＨＦ濃度の処理ガスを前記噴出路に通して被処理物に噴き付け、
前記表面処理の一時停止時には、前記表面処理実行時より小さい流量で、かつ前記表面処理実行時と略同じフッ化水素濃度の処理ガスを前記噴出路に通して噴出させることを特徴とする。
また、本発明は、ＨＦを含む処理ガスを被処理物に噴き付けて表面処理を行なう装置において、
前記処理ガスの供給手段と、
前記被処理物と対向すべき先端面と、前記供給手段に連なるとともに前記先端面に開口された噴出路とを有する噴出路画成部と、
表面処理の実行モードと一時停止モードとを選択する選択手段と、
を備え、前記供給手段が、前記実行モードでは所要の流量及びＨＦ濃度の処理ガスを前記噴出路に供給し、前記一時停止モードでは前記実行モードより小さい流量で、かつ前記実行モードと略同じフッ化水素濃度の処理ガスを前記噴出路に供給することを特徴とする。
これによって、一時停止モード後の処理実行モードの再選択時にガス状態の安定化のための工程を省くことができ、直ちに処理を再開することができる。ひいては、タクト時間を短縮することができる。また、一時停止モード中に流す処理ガスのロスは、不要になったガス状態安定化工程中の処理ガスのロスと相殺できる。さらに、処理ガスをモードの区別無く常時一定量流すことにした場合より、処理ガスのロスを小さくすることができる。
【０００６】
前記供給手段が、含フッ素原料と含水素原料とをプラズマ化（分解、励起、活性化、ラジカル化、イオン化を含む）してフッ化水素を生成する生成部を複数有し、前記実行モードではこれら複数の生成部を稼動し、前記一時停止モードでは、前記実行モードより少ない数の生成部のみを稼動し、他の生成部を停止することにしてもよい。
含フッ素原料としては、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＯＦ２、Ｆ２などが挙げられる。
含水素原料としては、Ｈ２Ｏ、Ｈ２などが挙げられる。
【０００７】
前記噴出路画成部の前記噴出路の内面が、ポリテトラフルオロエチレン、テフロン（登録商標）などのフッ素系樹脂、またはアルミナなどのセラミックスにて構成されていることが好ましい。これによって、処理ガス中のＨＦに対する耐腐食性を高めることができる。噴出路画成部の本体自体が前記フッ素系樹脂またはセラミックスで構成されていてもよく、噴出路画成部の本体はアルミニウムやステンレスなどの金属で構成され、その内面に前記フッ素系樹脂のコーティングがなされていてもよい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、被処理物の取り替え等で一時停止した後、処理実行を再開する時、ガス状態の安定化工程を省くことができ、直ちに処理を再開することができる。ひいては、タクト時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を説明する。
図１に示すように、表面処理装置は、処理部１と、ステージ２とを備えている。ステージ２に被処理物Ｗが配置されている。被処理物Ｗは、たとえばガラス基板で構成されている。ガラス基板Ｗの表面にエッチングされるべきアモルファスシリコン層（図示省略）が形成されている。
ガラス基板Ｗのサイズに限定はないが、例えば２ｍ×２ｍである。
アモルファスシリコン層の厚さは、例えば２００ｎｍである。
【００１０】
ステージ２には移動機構３が接続されている。この移動機構３によって、ステージ２が図１において左右方向に往復移動（スキャン）されるようになっている。
移動機構３を処理部１に接続し、ステージ２を位置固定し、処理部１を左右に移動可能にしてもよい。
【００１１】
ステージ２の上方に処理部１が配置されている。
図１及び図２に示すように、処理部１は、複数（たとえば５つ）の生成部１０，１０…と、１つの噴出路画成部２０とを備えている。噴出路画成部２０が、前後方向（図１の紙面直交方向、図２の左右方向）に延びている。この噴出路画成部２０の上面に複数の生成部１０，１０…が前後方向に並んで配置されている。
【００１２】
ＨＦ原料ガス源３０からのＨＦ原料供給路３１が複数に分岐して、各生成部１０に連なっている。分岐後の各供給路３１ａには電磁開閉弁からなるＨＦ原料流量調節手段３２が設けられている。
ＨＦ原料ガス源３０は、ＨＦ原料ガスとしてたとえばＡｒ、ＣＦ４（含フッ素原料）、Ｈ２Ｏ（含水素原料）の混合ガスを、ＨＦ原料供給路３１を介して各生成部１０に供給するようになっている。
【００１３】
各生成部１０には、一対の電極１１，１１が設けられている。電極１１は、左右（図２の紙面直交方向）に各々延び、平行平板電極を構成している。
電極１１の左右方向の長さは、例えば約１ｍである。
【００１４】
電源（図示省略）からの電力供給によって電極１１，１１間に大気圧放電が生成され、電極間空間１２がプラズマ空間となるようになっている。供給電力は、たとえば４ｋＷである。
このプラズマ空間１２にＨＦ原料ガスが導入されてプラズマ化され、ＨＦが生成されるようになっている。
【００１５】
各生成部１０の底部にはプラズマ空間１２に連なる導出口１３が形成されている。導出口１３は、左右方向に延びるスリット状をなしている。
【００１６】
噴出路画成部２０は、左右方向（図１において左右方向）の長さが例えば約１ｍ、前後方向（図１において直交方向）の長さが例えば約２ｍの直方体状をなしている。噴出路画成部２０の内部は、隔壁２２で上下に仕切られ、複数段の整流路２３，２３…が形成されている。最上段の整流路２３に各生成部１０の導出口１３が連なっている。
【００１７】
上下の整流路２３，２３どうし間の隔壁２２には、これら整流路２３，２３どうしを連ねる連通孔２４が形成されている。下側の隔壁２２になるほど連通孔２４の数が多くなっている。これにより、ガスが下段の整流路２３に向かって流れるにしたがって前後方向及び左右方向に均一化されるようになっている。
【００１８】
噴出路画成部２０の底部には複数（たとえば５つ）の噴射口２５が形成されている。噴射口２５は、前後方向に延びるスリット状をなし、互いに左右に並んで配置されている。最下段の整流路２３が噴射口２５に連なっている。
各噴射口２５の前後方向の長さは、例えば約２ｍである。
整流路２３と連通孔２４と噴射口２５は、噴出路２３〜２５を構成している。
【００１９】
噴出路画成部２０の外筐２１及び内部の隔壁２２は、アルミニウムやステンレスなどの金属で構成されている。噴出路画成部２０の整流路２３の内面、連通孔２４の内面及び噴射口２５の内面には、テフロン（登録商標）などのフッ素系樹脂のコーティングが施されている。（したがって、噴出路２３〜２５の内面は、フッ素系樹脂で構成されている。）フッ素系樹脂コーティングは、ＨＦに対する耐腐食性が高い。
噴出路画成部２０の本体を金属に代えてフッ素系樹脂にて構成してもよく、アルミナなどのセラミックで構成してもよい。アルミナなどのセラミックもＨＦに対する耐腐食性が高い。
整流路２３となる凹部や連通孔２４や噴射口２５を形成したセラミックの板を積層し、噴出路画成部２０としてもよい。
【００２０】
生成部１０からのＨＦ含有ガスが、導出口１３から最上段の整流路２３に導入される。
別途、オゾナイザー４０からのオゾン供給路４１が、１段目の整流路２３に連なっている。オゾン供給路４１には、電磁流量制御弁からなるオゾン流量調節手段４２が設けられている。
【００２１】
さらに、表面処理装置には、制御手段５０と、この制御手段５０に付設されたモード選択スイッチ５１（選択手段）が設けられている。モード選択スイッチ５１により表面処理の実行モードと一時停止モードを選択できるようになっている。
制御手段５０は、選択されたモードに応じて、開閉弁３２、流量制御弁４２、図示しない電源、移動機構３などを操作するようになっている。
【００２２】
上記構成の表面処理装置において、モード選択スイッチ５１により表面処理の実行モードが選択されると、制御手段５０が、各分岐供給路３１ａの開閉弁３２を開き、ＨＦ原料ガス源３０から複数（５つ）の生成部１０のすべてにＨＦ原料ガス（Ａｒ＋ＣＦ４＋Ｈ２Ｏ）を供給する。
ＨＦ原料ガスの各成分の流量は、１つの生成部１０あたり、たとえばＡｒ  ９ｓｌｍ、ＣＦ４  １ｓｌｍ、  Ｈ２Ｏ  ０．１ｓｌｍになるように設定する。
これにより、各生成部１０でＨＦ原料ガスがプラズマ化されてＨＦ含有ガスが生成され、噴出路画成部２０に導入される。
【００２３】
また、制御手段５０は、流量制御弁４２を操作し、オゾナイザー４０で生成したオゾン含有ガス（Ｏ２＋Ｏ３）を噴出路画成部２０に導入する。オゾン含有ガスの供給流量は、たとえば３０ｓｌｍに設定し、オゾン含有ガス中のオゾン濃度Ｏ３／（Ｏ２＋Ｏ３）は、たとえば約８％になるように設定する。
これにより、噴出路画成部２０の内部で上記ＨＦ含有ガスとオゾン含有ガスとが混合して、ＨＦとＯ３を反応性成分として含む処理ガスが生成される。
混合後の処理ガスの流量は、８０．５ｓｌｍになる。この処理ガス中のＨＦ濃度は、約０．４ｖｏｌ％になる。
【００２４】
この所要流量及び所要ＨＦ濃度の処理ガスが、噴出路画成部２０の複数段の整流路２３及び連通孔２４を通過することにより前後方向及び左右方向に均一化され、複数の噴射口２５から均等に噴き出される。
この時、噴出路２３〜２５の内面には、ＨＦの吸着が起きる。この吸着量は、処理ガスのＨＦ濃度に応じた大きさで飽和し平衡状態に達する。
噴射口２５から噴き出された処理ガスは、下方のガラス基板Ｗに吹き付けられ、Ｏ３及びＨＦがアモルファスシリコンに接触して反応が起き、アモルファスシリコンがエッチングされる。
【００２５】
併行して、制御手段５０は、移動機構３を操作し、ステージ２を左右にスキャンさせる。ステージ２の移動速度は、たとえば１０ｍ／ｍｉｎに設定する。ステージ２の１回のスキャン（右方向への１回の移動、または左方向への１回の移動）でアモルファスシリコンを例えば約２０ｎｍエッチングできる。スキャン１回分の移動距離は、ガラス基板Ｗの左右方向の寸法（２ｍ）と噴出路画成部２０の左右方向の寸法（１ｍ）との合計であり、ここでは３ｍである。ステージ２を１０回スキャン（５往復）することにより、２００ｎｍのアモルファスシリコン層をエッチングでき、１つのガラス基板Ｗに対する処理が終了する。所要時間は、約３ｍｉｎになる。
【００２６】
図３に示すように、処理終了後、モード選択スイッチ５１で一時停止モードを選択する。スキャンが所定回数になると制御手段５０によって自動的に一時停止モードになるようにしてもよい。この場合、制御手段５０が「選択手段」の機能を兼ねる。
【００２７】
一時停止モードが選択されると、ステージ２が処理部１から退避した位置に停止される。このステージ２上の処理済みのガラス基板Ｗを取り出し、新たに処理すべきガラス基板Ｗに取り替える。取り替えは手作業で行なってもよく、マニピュレータ（図示せず）などで自動的に行なってもよい。取り替えには例えば約０．５ｍｉｎを要する。
【００２８】
図３に示すように、制御手段５０は、一時停止モードに入ると、５つの開閉弁３２うちの４つを閉じ、対応する４つの生成部１０へのＨＦ原料ガスの供給を停止するとともに、電源からこれら４つの生成部１０への電力供給を停止しプラズマ生成を停止する。
【００２９】
一方、開閉弁３２のうち１つについては開状態を維持し、対応する１つの生成部１０へのＨＦ原料ガスの供給を継続するとともに、この１つの生成部１０への電力供給を継続する。これにより、１つの生成部１０ではプラズマ生成が継続され、ＨＦ含有ガスが生成される。この１つの生成部１０における供給ガス条件及びプラズマ生成条件は、処理実行時と同じにする。したがって、処理実行時と同じ濃度のＨＦが生成される。噴出路画成部２０に導入されるＨＦ含有ガスの流量は処理実行時の５分の１に低下する。
【００３０】
図３においては、ＨＦ生成を継続する生成部１０は、処理部１の長手方向の一端部に配置されたものであるが、これに限定されるものではなく、５つ（複数）の生成部１０のうち何れか１つでよく、１つに限られず複数でもよく、例えば両端部の２つの生成部１０にしてもよく、一時停止のたびに異なる生成部１０にしてもよい。
【００３１】
さらに、制御手段５０は、上記開閉弁３２の操作と併行して流量制御弁４２を絞り、オゾナイザー４０のオゾン含有ガスの流量を処理実行時の５分の１にする。この５分の１の流量のオゾン含有ガスが、噴出路画成部２０の最上段の整流路２３に導入され、上記１つの生成部１０からのＨＦ含有ガスと混合される。
【００３２】
したがって、処理実行時より少ない５分の１の流量で、かつ処理実行時と略等しいＨＦ濃度の処理ガスが生成される。この処理ガスが噴出路２３〜２５を流通し、噴出される。よって、一時停止モードになっても、噴出路２３〜２５の内面のＨＦの吸着量が減少することはなく、吸着と脱離の平衡状態が処理実行時から引き続いて維持される。
【００３３】
ガラス基板Ｗの取り替え終了後、モード選択スイッチ５１にて処理実行モードを再選択する。これに応じて、制御手段５０が、閉止していた４つの開閉弁３２を開くとともに４つの生成部１０への電力供給を再開し、これら４つの生成部１０でのＨＦ生成を再開する。また、流量制御弁４２を操作して、オゾナイザー４０からのオゾン含有ガスの供給量を元の大きさに戻す。これにより、一時停止時の５倍の流量で、かつ一時停止時と等しいＨＦ濃度の処理ガスが生成される。ＨＦ濃度が不変であるため、噴出路２３〜２５の内面のＨＦの吸着量は平衡状態を維持し続ける。したがって、処理ガス中のＨＦ濃度が噴出路２３〜２５内の通過時に低下することない。よって、噴射口２５から噴射されるガス中のＨＦ濃度が安定するまで待つ必要はなく、新たなガラス基板Ｗに対し直ちに表面処理を実行することができる。
これによって、ガス安定化に要する時間（２ｍｉｎ以上）が不要になり、タクト時間を短縮することができる。
また、上記一時停止時においても処理実行時と同様に５つすべての生成部１０にガスを供給しＨＦ生成を行なった場合と比べると、約１７％のガス量を削減することができる。
【００３４】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
この実施形態では、処理部１のプラズマ生成部１０が省略され、処理部１が噴出路画成部２０だけで構成されている。プラズマ生成部１０に代えて、ＨＦ供給源として貯留タンク６０が設けられている。このタンク６０に液相のＨＦが蓄えられている。ＨＦ貯留タンク６０にはキャリア路６１を介して窒素供給源６２が接続されている。キャリア路６１にキャリア流量制御弁６３が設けられている。タンク６０からＨＦ含有ガス供給路６４が延びている。
【００３５】
窒素供給源６２からの窒素（Ｎ２）ガスが、キャリア路６１を経てＨＦ貯留タンク６０に導入され、これにＨＦが気化、混合されることにより、Ｎ２とＨＦの混合ガスからなるＨＦ含有ガスが生成される。このＨＦ含有ガスが、タンク６０から供給路６４へ導出される。
キャリア流量制御弁６３（ＨＦ含有ガス流量制御手段）によってＮ２ひいてはＨＦ含有ガスの流量を制御することができる。
【００３６】
また、オゾナイザー４０からオゾン供給路４１が延び、ＨＦ含有ガス供給路６４に合流されている。オゾン供給路４１には、オゾン流量制御弁４２が設けられている。
オゾナイザー４０で生成されたオゾン含有ガス（Ｏ２＋Ｏ３）が、オゾン供給路４１を経てＨＦ含有ガス供給路６４からのＨＦ含有ガス（Ｎ２＋ＨＦ）と混合され、処理ガス（Ｎ２＋ＨＦ＋Ｏ２＋Ｏ３）が生成される。
【００３７】
ＨＦ含有ガス供給路６４とオゾン供給路４１の合流部から処理ガス供給路６５が延びている。処理ガス供給路６５は、例えば二手に分岐して噴出路画成部２０の最上段の整流路２３の長手方向の両端部に連なっている。
【００３８】
処理実行モードにおけるＨＦ含有ガスの流量は、たとえば５０ｓｌｍであり、ＨＦ濃度は、たとえばＨＦ／Ｎ２＝１ｖｏｌ％である。また、オゾン含有ガスの流量は、たとえば３０ｓｌｍであり、Ｏ３濃度は、たとえばＯ３／（Ｏ２＋Ｏ３）＝８ｖｏｌ％である。したがって、処理ガスの処理実行モードにおける流量は、８０ｓｌｍである。
【００３９】
モード選択スイッチ５１にて一時停止モードが選択されると、制御手段５０が、キャリア流量制御弁６３及びオゾン流量制御弁４２を操作し、処理ガスの流量を処理実行モードより小さくする。好ましくは、処理実行モードの５分の１〜１００分の１にする。処理実行モードでの流量が８０ｓｌｍの場合、一時停止モードでは０．８〜１６ｓｌｍ程度にするのが好ましい。処理ガス中のＨＦ濃度については処理実行モードと等しくする。
これによって、第１実施形態と同様に、処理実行モードの再選択時には、ガス安定化工程を省くことができ、直ちに処理を再開することができる。
【００４０】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変をなすことができる。
例えば、第１実施形態において、一時停止モードで運転を継続する１つの生成部１０への供給流量を、処理実行モードにおける当該１つの生成部１０への供給流量より小さくしてもよく、処理実行モードにおけるすべての生成部１０への供給流量の合計以上にならない限り大きくしてもよい。
生成部１０の数は５つに限られず、１〜４つでもよく、６つ以上でもよい。生成部１０が１つしかない場合、その１つの生成部１０へのガス供給流量をモードに応じて調節するとよい。
本発明は、エッチングだけでなく、アッシング、成膜、洗浄、表面改質等の種々のプラズマ表面処理に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、例えば半導体基板の製造やフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す正面断面図である。
【図２】処理実行モードにおける上記表面処理装置を示す側面断面図である。
【図３】一時停止モードにおける上記表面処理装置を示す側面断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図５】本発明をなす過程で行なった、ノズル出口でのプラズマ生成成分の濃度変化の実験結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４３】
Ｗ        ガラス基板（被処理物）
１        処理部
１０      生成部
２０      噴出路画成部
２１      外筐
２２      隔壁
２３      整流路（噴出路）
２４      連通孔（噴出路）
２５      噴射口（噴出路）
３０      ＨＦ原料ガス源
３２      電磁開閉弁（原料流量調節手段）
４０      オゾナイザー
４１      オゾン供給路
４２      流量制御弁（オゾン流量調節手段）
５０      制御手段
５１      モード選択スイッチ（選択手段）
６０      ＨＦ貯留タンク
６３      キャリア流量制御弁（ＨＦ含有ガス流量制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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