(57)【要約】【課題】第１処理装置から非定常状態の基板が供給された場合でも、第２処理装置にダメージが及ぶことを防止する。【解決手段】基板Ｗに第１処理を行う第１処理装置５０と、第１処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で第２処理を行う第２処理装置１０とを備える。第１処理装置と第２処理装置とを接続し、第１処理に関する情報を第２処理装置に受信させる通信装置ＣＳ２と、第１処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、非定常状態の基板に対する第２処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第２処理経路に変更する制御装置１２０とを有する。【選択図】図１
2009049060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に第１処理を行う第１処理装置と、前記第１処理が行われて供給された前記基板に所定の処理経路で第２処理を行う第２処理装置とを備えた基板処理システムであって、
前記第１処理装置と前記第２処理装置とを接続し、前記第１処理に関する情報を前記第２処理装置に受信させる通信装置と、
前記第１処理に関する情報が、前記基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する前記第２処理を非処理とすべく、前記所定の処理経路を第２処理経路に変更する制御装置とを有することを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理システムにおいて、
前記所定の処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第２処理を行う処理位置と、前記第２処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第２載置位置とを含み、
前記第２処理経路には、前記載置位置と前記第２載置位置とが順次設定されていることを特徴とする基板処理システム。
【請求項３】
請求項１記載の基板処理システムにおいて、
前記所定の処理経路及び前記第２処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第２処理を行う処理位置と、前記第２処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第２載置位置とをそれぞれ含み、
前記制御装置は、前記処理位置にある前記非定常状態の基板に対して、前記第２処理に関する第３処理を非実施とすることを特徴とする基板処理システム。（第３処理；液体供給・回収処理を想定）
【請求項４】
請求項３記載の基板処理システムにおいて、
前記第３処理は、前記基板の表面に液体を満たす処理であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項５】
請求項１記載の基板処理システムにおいて、
前記第２処理経路には、前記非定常状態の基板を待機させる待機部が設けられることを特徴とする基板処理システム。
【請求項６】
請求項５記載の基板処理システムにおいて、
前記制御装置は、前記第２処理装置に複数の前記基板が順次供給されたときの前記非定常状態の基板の順番を記憶し、前記待機部で待機する前記非定常状態の基板を、前記第２処理が行われた前記複数の基板とともに前記順番を維持して搬出させることを特徴とする基板処理システム。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第２処理は、露光処理であり、
前記基板が非定常状態である情報は、当該非定常状態の基板が前記露光処理にダメージを与えることに関する情報であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項８】
請求項７記載の基板処理システムにおいて、
前記第２処理は、液体を介してパターンを露光する液浸露光処理であり、
前記第１処理は、前記基板の表面に感光材を塗布する処理と、前記感光剤を含む基板の表面に撥液性を付与する処理との少なくとも一方であることを特徴とする基板処理システム。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記通信装置は、基板受け渡し情報を通信する信号線と同じ信号線で、前記第１処理に関する情報を前記第２処理装置に受信させることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第１処理の処理状況と、前記第２処理の処理状況との少なくとも一方を表示する表示装置を有することを特徴とする基板処理システム。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板の搬送状況を表示する第２表示装置を有することを特徴とする基板処理システム。
【請求項１２】
所定の基板処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で露光処理を行う露光装置であって、
前記所定の基板処理に関する情報を受信する通信装置と、
前記所定の基板処理に関する情報が、前記基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する前記露光処理を非処理とすべく、前記所定の処理経路を第２処理経路に変更する制御装置とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の露光装置において、
前記所定の処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記露光処理を行う処理位置と、前記露光処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第２載置位置とを含み、
前記第２処理経路には、前記載置位置と前記第２載置位置とが順次設定されていることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求項１２記載の露光装置において、
前記所定の処理経路及び前記第２処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記露光処理を行う処理位置と、前記露光処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第２載置位置とをそれぞれ含み、
前記制御装置は、前記処理位置にある前記非定常状態の基板に対して、前記露光処理に関する第３処理を非実施とすることを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の露光装置において、
前記第３処理は、前記基板の表面に液体を満たす処理であることを特徴とする露光装置。
【請求項１６】
請求項１２記載の露光装置において、
前記第２処理経路には、前記非定常状態の基板を待機させる待機部が設けられることを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の露光装置において、
前記制御装置は、複数の前記基板が順次供給されたときの前記非定常状態の基板の順番を記憶し、前記待機部で待機する前記非定常状態の基板を、前記露光処理が行われた前記複数の基板とともに前記順番を維持して搬出させることを特徴とする露光装置。
【請求項１８】
請求項１２から１７のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記露光処理は、液体を介してパターンを露光する液浸露光処理であり、
前記所定の基板処理は、前記基板の表面に感光材を塗布する処理と、前記感光剤を含む基板の表面に撥液性を付与する処理との少なくとも一方であることを特徴とする露光装置。
【請求項１９】
請求項１２から１８のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記露光処理の処理状況を表示する表示装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２０】
第１処理装置で第１処理が行われた基板が第２処理装置に供給されて、所定の処理経路で第２処理が行われる基板処理方法であって、
前記第１処理に関する情報を前記第２処理装置に受信させる工程と、
前記第１処理に関する情報が、前記基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する前記第２処理を非処理とすべく、前記所定の処理経路を第２処理経路に変更する工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の基板処理方法において、
前記所定の処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第２処理を行う処理位置と、前記第２処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第２載置位置とを含み、
前記第２処理経路には、前記載置位置と前記第２載置位置とが順次設定されていることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２２】
請求項２０記載の基板処理方法において、
前記所定の処理経路及び前記第２処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第２処理を行う処理位置と、前記第２処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第２載置位置とをそれぞれ含み、
前記第２処理経路では、前記処理位置にある前記非定常状態の基板に対して、前記第２処理に関する第３処理を非実施とすることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２３】
請求項２１記載の基板処理方法において、
前記第３処理は、前記基板の表面に液体を満たす処理であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２４】
請求項２０記載の基板処理方法において、
前記第２処理経路では、前記非定常状態の基板を待機部で待機させる工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の基板処理方法において、
前記第２処理装置に複数の前記基板が順次供給されたときの前記非定常状態の基板の順番を記憶する工程と、
前記待機部で待機する前記非定常状態の基板を、前記第２処理が行われた前記複数の基板とともに前記順番を維持して搬出させる工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２６】
請求項２０から２５のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第２処理は、露光処理であり、
前記基板が非定常状態である情報は、当該非定常状態の基板が前記露光処理にダメージを与えることに関する情報であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２７】
請求項２４記載の基板処理方法において、
前記第２処理は、液体を介してパターンを露光する液浸露光処理であり、
前記第１処理は、前記基板の表面に感光材を塗布する処理と、前記感光剤を含む基板の表面に撥液性を付与する処理との少なくとも一方であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２８】
請求項２０から２７のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
基板受け渡し情報を通信する信号線と同じ信号線で、前記第１処理に関する情報を前記第２処理装置に受信させることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２９】
請求項２０から２８のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第１処理の処理状況と、前記第２処理の処理状況との少なくとも一方を表示する表示工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３０】
請求項２０から２９のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記基板の搬送状況を表示する第２表示工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３１】
所定の基板処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で露光処理を行う露光方法であって、
前記所定の基板処理に関する情報を受信する工程と、
前記所定の基板処理に関する情報が、前記基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する前記露光処理を非処理とすべく、前記所定の処理経路を第２処理経路に変更する工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項３２】
請求項３１記載の露光方法において、
前記所定の処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記露光処理を行う処理位置と、前記第２処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第２載置位置とを含み、
前記第２処理経路には、前記載置位置と前記第２載置位置とが順次設定されていることを特徴とする露光方法。
【請求項３３】
請求項３１記載の露光方法において、
前記所定の処理経路及び前記第２処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第２処理を行う処理位置と、前記第２処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第２載置位置とをそれぞれ含み、
前記第２処理経路では、前記処理位置にある前記非定常状態の基板に対して、前記露光処理に関する第３処理を非実施とすることを特徴とする露光方法。
【請求項３４】
請求項３３記載の露光方法において、
前記第３処理は、前記基板の表面に液体を満たす処理であることを特徴とする露光方法。
【請求項３５】
請求項３１記載の露光方法において、
前記第２処理経路では、前記非定常状態の基板を待機部で待機させる工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項３６】
請求項３５記載の露光方法において、
複数の前記基板が順次供給されたときの前記非定常状態の基板の順番を記憶する工程と、
前記待機部で待機する前記非定常状態の基板を、前記第２処理が行われた前記複数の基板とともに前記順番を維持して搬出させる工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項３７】
請求項３１から３６のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記露光処理は、液体を介してパターンを露光する液浸露光処理であり、
前記所定の基板処理は、前記基板の表面に感光材を塗布する処理と、前記感光剤を含む基板の表面に撥液性を付与する処理との少なくとも一方であることを特徴とする露光方法。
【請求項３８】
請求項３１から３７のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記露光処理の処理状況を表示する表示工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項３９】
請求項２０から３０のいずれか一項に記載の基板処理方法と、請求項３１から３８のいずれか一項に記載の露光方法とのいずれか一項を用いることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４０】
請求項３９記載の電子部品の製造方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等の物体の製造工程では、複数の処理装置を用いた処理が行われることがある。このような複数の処理装置を用いて処理が行われる電子部品の製造工程の一例として、半導体のリソグラフィ工程では、例えば基板（物体）上に感光材を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置（以下Ｃ／Ｄ装置）を露光装置にインラインで接続したインライン・リソグラフィシステムを用いることがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この種のインライン・リソグラフィシステムでは、Ｃ／Ｄ装置において定期的なメンテナンス、部品交換等、運転を停止した場合に露光装置の運転も停止しなければならないことから、露光装置の稼働率を低下させる要因が露光装置単体の場合に比べて、明らかに多くなる。
【特許文献１】特開２００５−４５１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
上記リソグラフィシステムにおける一方の装置、例えばＣ／Ｄ装置において基板に対する感光材塗布処理またはこれに関連する処理で不測の事態が生じてしまい、正常な処理が施された定常状態に基板がならない可能性がある。
このような非定常状態の基板に対して、リソグラフィシステムにおける他方の装置（第２処理装置）、例えば露光装置において、基板が定常状態であることを前提として所定の処理経路を辿って露光処理を施すと、経路途中に設けられた基板処理機器にダメージを与える可能性がある。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、第１処理装置から非定常状態の基板が供給された場合でも、第２処理装置にダメージが及ぶことを防止できる基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図５に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板処理システムは、基板（Ｗ）に第１処理を行う第１処理装置（５０）と、第１処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で第２処理を行う第２処理装置（１０）とを備えた基板処理システム（１００）であって、第１処理装置と第２処理装置とを接続し、第１処理に関する情報を第２処理装置に受信させる通信装置（ＣＳ２）と、第１処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する第２処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第２処理経路に変更する制御装置（１２０）とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の基板処理システムでは、第１処理装置（５０）における第１処理で不測の事態が生じて基板（Ｗ）が非定常状態となった場合、制御装置（１２０）が通信装置（ＣＳ２）を介して基板（Ｗ）が非定常状態である情報を受信する。
そして、制御装置は、この情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、第２処理を非処理とする第２処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に第２処理を行うことにより、第２処理装置にダメージが及ぶことを防止できる。
【０００７】
また、本発明の露光装置は、所定の基板処理が行われて供給された基板（Ｗ）に所定の処理経路で露光処理を行う露光装置（１０）であって、所定の基板処理に関する情報を受信する通信装置（ＣＳ２）と、所定の基板処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する露光処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第２処理経路に変更する制御装置（１２０）とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光装置では、制御装置（１２０）が通信装置（ＣＳ２）を介して基板（Ｗ）が非定常状態である情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、露光処理を非処理とする第２処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に露光処理を行うことにより、露光装置にダメージが及ぶことを防止できる。
【０００８】
そして、本発明の基板処理方法は、第１処理装置（５０）で第１処理が行われた基板（Ｗ）が第２処理装置（１０）に供給されて、所定の処理経路で第２処理が行われる基板処理方法であって、第１処理に関する情報を第２処理装置に受信させる工程と、第１処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する第２処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第２処理経路に変更する工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の基板処理方法では、第１処理装置（５０）における第１処理で不測の事態が生じて基板（Ｗ）が非定常状態となった場合、基板が非定常状態である情報を受信する。
そして、この情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、第２処理を非処理とする第２処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に第２処理を行うことにより、第２処理装置にダメージが及ぶことを防止できる。
【０００９】
また、本発明の露光方法は、所定の基板処理が行われて供給された基板（Ｗ）に所定の処理経路で露光処理を行う露光方法であって、所定の基板処理に関する情報を受信する工程と、所定の基板処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する露光処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第２処理経路に変更する工程とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光方法では、基板（Ｗ）が非定常状態である情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、露光処理を非処理とする第２処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に露光処理を行うことにより、露光装置にダメージが及ぶことを防止できる。
【００１０】
また、本発明の電子部品の製造方法は、先に記載の基板処理方法と、先に記載の露光方法とのいずれか一項を用いることを特徴とするものである。
そして、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の電子部品の製造方法を用いることを特徴とするものである。
従って、本発明の電子部品の製造方法及びデバイス製造方法では、装置にダメージが及ぶことなく、基板に対する処理を実施でき、安定した電子部品製造及びデバイス製造が可能になる。
なお、本発明に係る基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法は、半導体デバイス製造用に限られず、例えば液晶露光用など他の各種デバイス製造用露光装置を含んだ基板処理システムにも適用可能である。
【００１１】
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、第１処理装置から非定常状態の基板が供給された場合でも、第２処理装置にダメージが及ぶことを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図５を参照して説明する。
ここでは、例えば、第１処理装置として、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ（基板）に対して撥液性が付与された感光材の塗布処理を第１処理として行うとともに、露光処理が施されたウエハに現像処理を施すコータデベロッパ装置（以下、Ｃ／Ｄ装置と称する）を用い、第２処理装置として、Ｃ／Ｄ装置から搬送されたウエハに対して、第２処理として、液体を介して露光処理（液浸露光処理）を施す露光装置を用いる場合について説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１４】
（第１実施形態）
図１には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成された第１実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。
この図１に示されるリソグラフィシステム（基板処理システム）１００は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム１００は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置（第２処理装置）１０と、該露光装置１０の−Ｙ側（図１における紙面左側）に、インライン・インタフェース部（以下、「インラインＩ／Ｆ部」と呼ぶ）１１０を介して接続された第１処理装置としてのＣ／Ｄ装置５０とを備えている。
【００１５】
露光装置１０は、図１におけるＹ軸方向の中央やや−Ｙ側寄りの位置に仕切り壁１４が設けられたチャンバ１６と、該チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向一側（−Ｘ側）の大部屋１２Ａの内部に収容された露光装置本体１０Ａ（図１では、ウエハステージＷＳＴ及び投影光学系ＰＬ以外の部分は図示省略）と、チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向他側（＋Ｘ側）の小部屋１２Ｂの内部にその大部分が収容された基板搬送系としてのウエハローダ系４０とを備えている。露光装置本体１０Ａには、チャンバ１６の外部に配置された光源としてのレーザ装置１が、引き回し光学系ＢＭＵを介して接続されている。
【００１６】
図２には、露光装置１０の構成が正面図にて概略的に示されている。但し、この図２では、チャンバ１６が仮想線（二点鎖線）にて示されている。この露光装置１０は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置、すなわちいわゆるスキャナ（スキャニング・ステッパとも呼ばれる）である。
【００１７】
前記レーザ装置１としては、ＫｒＦエキシマレーザ（発振波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザ（発振波長１９３ｎｍ）などの遠紫外域のパルス光を発振するパルスレーザが用いられている。なお、レーザ装置１として、Ｆ２レーザ（発振波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光源を用いても良い。
【００１８】
前記露光装置本体１０Ａは、照明ユニットＩＬＵ、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持してＸＹ平面内を自在に移動可能なウエハステージＷＳＴ、前記レチクルステージＲＳＴ及び投影光学系ＰＬなどが搭載されたボディＢＤ、並びに装置全体を統括的に制御する主制御装置１２０等を備えている。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
また、本実施形態では、露光装置本体１０ＡとしてレチクルＲとウエハＷとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつレチクルＲに形成されたパターンをウエハＷに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。
【００１９】
また、露光装置本体１０Ａは、本実施形態では露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、不図示の液体供給・回収機構を用いて、投影光学系ＰＬの直下の露光位置（処理位置）ＥＰに位置するウエハステージＷＳＴに保持されたウエハＷ上に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を形成し、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱを介してウエハＷ上に露光光ＩＬを照射してウエハＷを露光する。
なお、本発明は、上記液浸法が適用されな露光装置にも用いることができる。
【００２０】
前記照明ユニットＩＬＵは、照明系ハウジング１１１と、該照明系ハウジング１１１内に所定の位置関係で配置されたビーム整形光学系、エネルギ粗調器、オプティカルインテグレータ、照明系開口絞り板、ビームスプリッタ及びリレー光学系等（いずれも図示せず）から成る照明光学系と、を備えている。また、照明光学系のリレー光学系の内部には、不図示の固定ブラインド及び可動ブラインドから成る視野絞り（レチクルブラインド又はマスキングブレードとも呼ばれる）が配置されている。なお、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッド型（内面反射型）インテグレータ、あるいは回折光学素子などが用いられる。
【００２１】
この照明ユニットＩＬＵの入射端部、すなわち照明光学系の入射端部に設けられた上記ビーム整形光学系に、送光光学系ＢＭＵを介してレーザ装置１が接続されている。
この照明ユニットＩＬＵは、レチクルステージＲＳＴ上に保持されたレチクルＲ上でＸ軸方向に細長く延びる矩形（例えば長方形）スリット状の照明領域ＩＡＲ（固定ブラインドの開口で規定される）を均一な照度分布で照明する。本実施形態と同様の照明ユニットの内部構成は、例えば特開平６−３４９７０１号公報などに詳細に開示されている。
【００２２】
前記レチクルステージＲＳＴは、ボディＢＤを構成する第２コラム１３４の天板部であるレチクルベース１３６の上面の上方に設けられている。このレチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、例えば真空吸着（又は静電吸着など）により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部１１２により、照明光学系の光軸（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂直なＸＹ平面内で２次元的に（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＸＹ平面に直交するＺ軸回りの回転方向（θｚ方向）に）微少駆動可能であるとともに、レチクルベース１３６上をＹ軸方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。
【００２３】
レチクルステージＲＳＴのＸＹ面内の位置（Ｚ軸回りの回転方向であるθｚ方向の回転を含む）は、移動鏡１５（及びＸ軸方向計測用のＸ移動鏡（不図示））を介してレチクルベース１３６に固定されたレチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１３によって常時検出されている。
レチクルステージＲＳＴの位置情報（又は速度情報）は、主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では該位置情報（又は速度情報）に基づいてレチクルステージ駆動部１１２を介してレチクルステージＲＳＴを駆動する。レチクルステージＲＳＴのレチクルＲの載置領域の−Ｙ側の位置には、不図示のレチクルフィデューシャルマーク板（ＲＦＭ板）が設けられている。このＲＦＭ板には、複数種類の計測用マークが形成されている。本実施形態と同様の、ＲＦＭ板については、例えば特開２００２−１９８３０３号公報などに詳細に開示されている。
【００２４】
前記ボディＢＤは、第１コラム１３２と、この第１コラム１３２上に配置された第２コラム１３４とを備えている。第１コラム１３２は、３本の脚部１３７Ａ、１３７Ｂ、１３７Ｃ（但し、図２における紙面奥側の脚部１３７Ｃは図示省略）と、これらの脚部１３７Ａ〜１３７Ｃによって支持され、第１コラム１３２の天板を構成する鏡筒定盤（メインフレームとも呼ばれる）１３８とを備えている。脚部１３７Ａ〜１３７Ｃのそれぞれは、支柱１４０と、該支柱１４０の上部に固定された防振ユニット１３９とを備えている。各防振ユニット１３９によって、床面からの微振動ができるだけ絶縁され、鏡筒定盤１３８に殆ど伝達されないようになっている。鏡筒定盤１３８には、そのほぼ中央部に、不図示の円形開口が形成され、この開口内に投影光学系ＰＬが上方から挿入されている。この投影光学系ＰＬの鏡筒には、フランジＦＬＧが設けられ、該フランジＦＬＧを介して投影光学系ＰＬが鏡筒定盤１３８によって支持されている。前記第２コラム１３４は、鏡筒定盤１３８の上面に、投影光学系ＰＬを取り囲んで設けられ、上下方向にそれぞれ延びる複数本、例えば３本の脚４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ（但し、図２における紙面奥側の脚４１Ｃは図示省略）と、これらの脚４１Ａ〜４１Ｃの上端面相互間を連結するとともに、これらの脚４１Ａ〜４１Ｃによって支持された前述のレチクルベース１３６とを備えている。
【００２５】
前記投影光学系ＰＬとしては、ここでは両側テレセントリックな縮小系であり、共通のＺ軸方向の光軸ＡＸを有する複数枚のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬとしては投影倍率βが、一例として１／４の縮小光学系が用いられている。このため、照明ユニットＩＬＵ（照明光学系）からの照明光ＩＬによってレチクルＲ上のスリット状照明領域ＩＡＲが照明されると、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、そのスリット状照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの投影光学系ＰＬを介した縮小像（部分倒立像）が表面にフォトレジストが塗布されたウエハ（基板）Ｗ上の前記照明領域ＩＡＲに共役な露光領域に形成される。
【００２６】
前記ウエハステージＷＳＴは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってＸＹ２次元面内（θｚ回転を含む）でステージベースＳＢ上面に沿って自在に駆動されるＸＹステージ１４１と、該ＸＹステージ１４１上に搭載されたウエハテーブルＴＢとを含んで構成されている。前記ステージベースＳＢは、定盤とも呼ばれ、本実施形態では、床面上に設置された複数、例えば３つ又は４つの防振ユニット４３を介して支持されている。なお、実際には露光装置本体１０Ａには、各種較正処理を行うための計測マークや計測装置を有してステージベースＳＢ上面をウエハステージＷＳＴとは独立して移動する計測ステージが設けられているが、本実施形態では図示を省略している。
【００２７】
ウエハテーブルＴＢ上には、ウエハホルダ２５を介してウエハＷが真空吸着（又は静電吸着）によって保持されている。また、ウエハテーブルＴＢには、鏡筒定盤１３８から吊り下げ支持されたウエハレーザ干渉計（以下、「ウエハ干渉計」という）３１からレーザビームが照射され、その反射光に基づいてウエハテーブルＴＢ（ウエハＷ）のＸＹ面内の位置が常時検出されている。以下の説明ではウエハ干渉計３１によって、ウエハテーブルＴＢのＸ、Ｙ、θｚ、θｙ、θｘの５自由度方向の位置が計測されるものとする。ウエハテーブルＴＢの位置情報（又は速度情報）は主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では前記位置情報（又は速度情報）に基づいてウエハステージ駆動部１２８を介してウエハテーブルＴＢを制御する。
【００２８】
ウエハステージ駆動部１２８はリニアモータあるいは平面モータ、ボイスコイルモータなどを含んで構成されるが、図２では図示の便宜上から単なるブロックとして示されている。ウエハテーブルＴＢ上には、その表面がウエハＷの表面とほぼ同一の高さとされた基準マーク板ＦＭ及び基準平面板（いずれも不図示）が固定されている。
【００２９】
基準平面板の一部には、スリット開口が形成されており、このスリット開口を除く部分は、反射膜が成膜された反射面とされている。スリット開口下方のウエハテーブルＴＢの内部には、フォトマルチプライヤチューブ（ＰＭＴ）などの不図示の光電変換素子が配置されている。この光電変換素子からの光電変換信号が主制御装置１２０に供給されている。主制御装置１２０は、前述のＲＦＭ板を投影光学系ＰＬの視野内に位置させ、ウエハテーブルＴＢをＹ軸方向又はＸ軸方向に移動しつつ、光電変換素子からの光電変換信号を受信することで、投影光学系ＰＬによって像面に形成された各種計測用マークの空間像をスリットスキャン方式で計測できるようになっている。すなわち、本実施形態では、基準平面板１４３に形成されたスリット開口及びウエハテーブルＴＢ内の光電変換素子等を含んで、前述の特開２００２−１９８３０３号公報などに開示される空間像計測器が構成されている。
【００３０】
さらに、本実施形態の露光装置本体１０Ａには、送光系１６０ａ及び受光系１６０ｂを有し、ウエハＷ表面の光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に関する位置及びＸＹ面に対する傾斜を検出する斜入射方式の多点焦点位置検出系（以下、適宜「多点ＡＦ系」と呼ぶ）が設けられている。本実施形態の多点ＡＦ系と同様の多点ＡＦ系は、例えば特開平６−２８３４０３号公報などに詳細に開示されている。主制御装置１２０では、走査露光時等に、多点ＡＦ系１６０ａ，１６０ｂからのフォーカス信号に基づいてウエハステージ駆動部１２８を介してウエハステージＷＳＴのＺ軸方向への移動に加え、２次元的な傾斜（すなわち、θｘ，θｙ方向の回転）をも制御する、すなわち多点ＡＦ系を用いてウエハステージＷＳＴの移動を制御することにより、照明光ＩＬの照射領域（前述の露光領域ＩＡ）内で投影光学系ＰＬの結像面とウエハＷの表面とを実質的に合致させるオートフォーカス（自動焦点合わせ）及びオートレベリングを実行する。
【００３１】
また、露光装置本体１０Ａでは、ウエハＷ上のアライメントマーク、基準マーク板ＦＭ上の基準マークなどを検出するオフアクシス方式のアライメント系ＡＬＧが投影光学系ＰＬの鏡筒の側面に配置されている。このアライメント系ＡＬＧとしては、例えばウエハＷ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子（ＣＣＤ等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系のセンサが用いられる。なお、ＦＩＡ系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出したり、その対象マークから発生する２つの回折光（例えば同次数）を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせてもよい。
【００３２】
また、図１に戻って、ローダ室１２Ｂ内には、温調・アライメントユニットＰＳＵが設けられている。温調・アライメントユニットＰＳＵには、不図示のウエハエッジセンサ及びターンテーブルが配置されていると共に、ウエハステージＷＳＴに搬送されるウエハＷに対して当該ウエハステージＷＳＴの温度（露光装置本体１０Ａの雰囲気温度）に温度調整する例えばクールプレートなどの温調ユニットが設けられている。また、ローダ室１２Ｂ内には、ウエハローダ系４０の各部を制御するとともに、後述するＣ／Ｄ側の制御装置との間で通信回線を介して搬送中のウエハに関する情報の交換、すなわち通信を行うローダ制御装置３４が設けられている。
【００３３】
インラインＩ／Ｆ部１１０は、インライン受け渡し部１１４、キャリア台１１８及び水平多関節型ロボット１１６等を備えている。なお、インライン受け渡し部１１４には、供給用テーブル１１４Ａと回収用テーブル１１４Ｂとが設けられている。
【００３４】
前記Ｃ／Ｄ装置５０は、Ｃ／Ｄ装置５０の構成各部を統括的に制御する制御用コンピュータとしての塗布・現像制御装置６２、ウエハ受け渡し部６４、Ｙ軸方向に延びるＹガイド６６、Ｙガイド６６に沿って移動する水平多関節型のロボット６８、Ｙガイド６６に対向配置された第１現像部７０、第２現像部７２、及びベーク部７４、第１塗布部７６、第２塗布部７８、冷却部８０を有している。第１現像部７０、第２現像部７２は、露光装置本体１０Ａで露光処理が施されたウエハＷ（に塗布されたレジスト（感光材））に対して現像処理を行うものである。また、第１塗布部７６、第２塗布部７８は、露光装置本体１０Ａで露光処理が施されるウエハＷ上にレジストを塗布するとともに、当該レジストに液体ＬＱに対する撥液性を付与するものである。撥液性の付与としては、撥液性を有するレジストをウエハＷ上に塗布したり、ウエハＷに塗布されたレジストの表面をフッ素樹脂等の撥液材でコーティングする方法等を選択できる。
【００３５】
塗布・現像制御装置６２は、Ｃ／Ｄ装置５０内のウエハの搬送系等の他、前述したインラインＩ／Ｆ部１１０内のスカラーロボット１１６等をも制御する。Ｙガイド６６の端部近傍には、インラインＩ／Ｆ部１１０との境界部分にウエハ受け渡し部８２が設けられている。
【００３６】
図３には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成されたリソグラフィシステムの搬送系の概略構成が示されている。  
図１及び図３に示すように、当該ウエハローダ系４０は、搬送アームＨ１、Ｈ３、Ｈ４を備えている。搬送アームＨ１は、Ｙガイド１８に沿って移動し、インラインＩ／Ｆ部１１０における供給用テーブル１１４Ａ、回収用テーブル１１４Ｂとの間、温調・アライメントユニットＰＳＵとの間、及び搬送アームＨ３、Ｈ４との間でそれぞれウエハＷを搬送するものである。搬送アームＨ３は、Ｘガイド２０に沿って移動して温調・アライメントユニットＰＳＵから露光装置本体１０Ａにおけるローディングポジション（載置位置）ＬＰに位置するウエハステージ（ステージ）ＷＳＴにウエハＷを受け渡し、載置するものである。搬送アームＨ４は、Ｘガイド２０に沿って移動して、ローディングポジションと略同位置のアンローディングポジション（第２載置位置）ＵＰでウエハステージＷＳＴから受け渡されたウエハＷを搬送アームＨ１に受け渡すものである。
なお、仕切り壁１４には、搬送アームＨ３、Ｈ４がそれぞれ通過可能な開口が形成されている。
【００３７】
また、本実施形態では、露光装置１０側のローダ制御装置３４とＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２との間、及び主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間で、それぞれに接続された通信装置ＣＳ１を介してそれぞれデータ通信が可能な構成となっている。また、ローダ制御装置３４と塗布・現像制御装置６２との間にも通信装置ＣＳ２が設けられている。通信装置ＣＳ１は、例えばＬＡＮで構成され、コマンド指令を用いてウエハＷに対する塗布処理・現像処理・露光処理に関する情報（処理条件等）、ウエハＷのロット情報等が通信される。また、通信装置ＣＳ２は、例えばパラレルＩ／Ｏの信号線で構成され、フラグ信号を用いてＣ／Ｄ装置５０と露光装置１０との間におけるウエハＷの受け渡しに関する情報が通信される。
【００３８】
また、本実施形態では、露光装置１０の主制御装置１２０に表示装置２００が接続されている。この表示装置２００は、露光装置１０における処理状況及びＣ／Ｄ装置５０における処理状況を表示可能になっている。露光装置１０における処理状況の情報は、例えば主制御装置１２０を介して表示装置２００に供給されるようになっている。また、Ｃ／Ｄ装置５０における処理状況の情報は、例えば塗布・現像制御装置６２から通信装置ＣＳ及び主制御装置１２０を介して表示装置２００に供給されるようになっている。この表示装置２００は、塗布・現像制御装置６２に接続されていても良いし、主制御装置１２０及び塗布・現像制御装置６２の両方にそれぞれ接続されていても良い。また、露光装置１０における処理状況及びＣ／Ｄ装置５０における処理状況のいずれか一方のみを表示可能になっている構成であっても構わない。
【００３９】
次に、リソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作について説明する。  
まず、Ｃ／Ｄ装置５０でウエハＷに所定の塗布処理が行われて、定常状態のウエハＷが露光装置１０に供給される場合について説明する。
ここでは、基板としての第１枚目のウエハＷがウエハ受け渡し部６４上に載置されているものとする。そこで、スカラーロボット６８は、ウエハ受け渡し部６４上からウエハＷを例えば第１塗布部７６内に搬入する。これにより、ウエハＷは、第１塗布部７６内でレジスト（感光材）の塗布処理及び上記撥液性付与処理が開始される。そして、ウエハＷのレジスト塗布及び撥液性付与が終了すると、ロボット６８は、ウエハＷを第１塗布部７６からベーク部７４に搬入する。これにより、ウエハＷは、ベーク部７４内で加熱処理（ＰＢ）される。
【００４０】
そして、加熱処理されたウエハＷは、冷却部８０内に搬入されて、露光室１２Ａ内に搬入された際に、その露光室１２Ａ内の各部に影響を与えない温度、例えば２０〜２５℃の範囲で定められた温度に冷却される。そして、冷却部８０内での冷却が終了すると、ウエハＷは、ロボット６８によりウエハ受け渡し部８２上に載置された後、ロボット１１６によってインライン受け渡し部１１４の供給用テーブル１１４Ａ上に載置される。
【００４１】
このとき、塗布・現像制御装置６２からは、通信装置ＣＳ２を介してウエハＷの供給が可能になった（すなわち、搬送アームＨ１によるウエハＷの受け取りが可能になった）ことを示すフラグ信号がローダ制御装置３４に送信されるとともに、当該ウエハＷに対する感光材塗布処理及び撥液性付与処理が定常状態で行われたことを示すフラグ信号がそれぞれ同じ信号線で送信される。なお、ウエハＷに対する感光材塗布処理及び撥液性付与処理が定常状態に行われずに非定常状態であった場合にフラグ信号が送信される設定の場合には、ローダ制御装置３４は、ウエハＷの受け取りが可能であることを信号を受信し、且つ、ウエハＷの処理状態に関するフラグ信号を受信しないことにより、ウエハＷが定常状態であることを認識することができる。
【００４２】
このように、ウエハＷの受け取りが可能になると、露光装置１０側では、定常状態のウエハＷに対する所定の処理経路で露光処理を行う。
具体的には、まず、搬送アームＨ１が、供給用テーブル１１４ＡからウエハＷを受け取り、温調・アライメントユニットＰＳＵのターンテーブル上に載置する。ここでウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行われ、その検出信号に基づいてローダ制御装置３４によってターンテーブルを回転させてウエハＷのノッチ部の方向を所定方向に合わせる。また、ウエハステージＷＳＴに搬送されるウエハＷが当該ウエハステージＷＳＴの温度に温度調整される。温度調整が終了したら、搬送アームＨ１が搬送アームＨ３にウエハＷを受け渡し、搬送アームＨ３によってウエハＷをローディングポジションＬＰに位置するウエハステージＷＳＴに搬送し載置する。
なお、ウエハステージＷＳＴがローディングポジションＬＰ（またはアンローディングポジションＵＰ）に位置する際には、ウエハステージＷＳＴと入れ代わって不図示の計測ステージが投影光学系ＰＬの直下の露光位置ＥＰに位置し当該計測ステージ上に、液体ＬＱが供給されて液浸領域ＡＲ２が保持されている。
【００４３】
ウエハＷが載置されると、ウエハステージＷＳＴが移動してウエハＷを露光位置ＥＰに位置決めする。露光位置ＥＰに搬送されたウエハＷに対しては、レチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）とウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルＲとウエハＷとを同期移動しつつレチクルＲ上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介してウエハＷ上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを、繰り返すことにより液浸露光処理が行われる。上記の液浸露光処理が終了すると、ウエハステージＷＳＴがアンローディングポジションＵＰに移動し、搬送アームＨ４が、露光済みのウエハＷをウエハステージＷＳＴから受け取り、搬送アームＨ１に渡す。搬送アームＨ１は、ウエハＷを受け取った後、当該ウエハＷをインライン受け渡し部１１４の回収用テーブル１１４Ｂに搬送する。
【００４４】
このように、露光装置１０においては、定常状態のウエハＷに対して、供給用テーブル１１４Ａ→温調・アライメントユニットＰＳＵ→ローディングポジションＬＰ→露光位置ＥＰ→アンローディングポジションＵＰ→回収用テーブル１１４Ｂと順次設定された処理経路で露光処理が行われる。
【００４５】
この後、露光済みのウエハＷは、ロボット１１６により回収用テーブル１１４Ｂからウエハ受け渡し部８２上に搬送され、さらにロボット６８によりベーク部７４内に搬入され、該ベーク部７４内でＰＥＢ（ポストベーク）が行われる。
一方、ＰＥＢが終了したウエハＷは、ロボット６８によりベーク部７４から取り出され、例えば第１現像部７０内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハＷは、ロボット６８によりウエハ受け渡し部６４上に載置される。  
このように、リソグラフィシステム１００における一連の処理が完了する。
【００４６】
次に、Ｃ／Ｄ装置５０におけるレジストの塗布処理及び撥液性付与処理に何らかの不具合が生じ、撥液性が十分に付与されなかった非定常状態のウエハＷ（以下、非定常ウエハと称する）が露光装置１０に供給される場合について説明する。
【００４７】
上記と同様の手順で非定常ウエハＷがインライン受け渡し部１１４の供給用テーブル１１４Ａ上に載置されると、塗布・現像制御装置６２からは、通信装置ＣＳ２を介してウエハＷの供給が可能になったことを示すフラグ信号がローダ制御装置３４に送信されるとともに、当該ウエハＷに対する感光材塗布処理及び撥液性付与処理が定常状態で行われず、ウエハが非定常状態であることを示すフラグ信号が送信される。なお、ウエハＷに対する感光材塗布処理及び撥液性付与処理が定常状態であった場合にフラグ信号が送信される設定の場合には、ローダ制御装置３４は、ウエハＷの受け取りが可能であることを信号を受信し、且つ、ウエハＷの処理状態に関するフラグ信号を受信しないことにより、ウエハＷが非定常状態であることを認識することができる。
【００４８】
このように、非定常ウエハが供給される信号をローダ制御装置３４が受信すると、露光装置１０側では、主制御装置１２０が定常状態のウエハＷとは異なる第２処理経路に切り換えて非定常ウエハＷを処理する。
具体的には、まず、定常状態のウエハと同様に、搬送アームＨ１により非定常ウエハＷを温調・アライメントユニットＰＳＵのターンテーブル上に載置した後に、搬送アームＨ３にウエハＷを受け渡し、搬送アームＨ３によってウエハＷをローディングポジションＬＰに位置するウエハステージＷＳＴに搬送し載置する。
【００４９】
ここで、非定常ウエハＷをローディングポジションＬＰから露光位置ＥＰに移動させると、撥液性が十分ではないウエハ上に供給された液体ＬＱがウエハ上で保持されずにウエハステージＷＳＴから漏れ出す可能性がある。そのため、第２処理経路としてはウエハステージＷＳＴを露光位置ＥＰに移動させずに、ローディングポジションＬＰ（すなわちアンローディングポジションＵＰ）に位置させる。そして、定常状態のウエハＷをローディングポジションＬＰのウエハステージＷＳＴに載置してから露光位置ＥＰにおける露光処理を行い、アンローディングポジションＵＰに移動させるまでに要する時間が経過した後に、搬送アームＨ４が、非定常ウエハＷをウエハステージＷＳＴから受け取り、搬送アームＨ１に渡す。搬送アームＨ１は、非定常ウエハＷを受け取った後、当該非定常ウエハＷをインライン受け渡し部１１４の回収用テーブル１１４Ｂに搬送する。
【００５０】
このように、露光装置１０においては、非定常ウエハＷに対して、供給用テーブル１１４Ａ→温調・アライメントユニットＰＳＵ→ローディングポジションＬＰ→アンローディングポジションＵＰ→回収用テーブル１１４Ｂと順次設定された、露光処理を非処理とする第２処理経路に切り換えて搬送処理が行われる。
なお、上記通信装置ＣＳ２による通信工程及び処理工程を含めた一連のリソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作は、露光装置１０における処理状況、Ｃ／Ｄ装置５０における処理状況を表示装置２００によって表示しながら行われる。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態では、塗布・現像制御装置６２から通信装置ＣＳ２を介してウエハＷが非定常状態である情報を受信すると、非定常ウエハＷ上に液体ＬＱを供給する露光処理を非処理とする第２処理経路に切り換えるため、液体ＬＱが非定常ウエハＷが漏れだして露光装置本体１０Ａにダメージが及ぶことを防止できる。また、本実施形態では、第２処理経路ではローディングポジションＬＰで非定常ウエハＷを待機させるため、非定常ウエハＷの後に露光処理を行う定常状態のウエハＷを温調・アライメントユニットＰＳＵにおいてプリアライメント処理及び温調処理を実施でき、スループットが低下することを回避できる。
【００５２】
加えて、本実施形態では、ローディングポジションＬＰにおいて非定常ウエハＷを待機させる時間を、定常状態のウエハＷをローディングポジションＬＰのウエハステージＷＳＴに載置してから露光位置ＥＰにおける露光処理を行い、アンローディングポジションＵＰに移動させるまでに要する時間と同一としているため、ウエハＷが露光装置１０に搬入され、露光処理を行った後に露光装置１０から搬出されるまでの時間（すなわちウエハＷに感光材が塗布されてから、現像処理が施されるまでの時間）を一定に維持することができ、ウエハＷに形成されるパターン品質を安定させることが可能になる。さらに、本実施形態では、露光装置１０に搬入された非定常ウエハＷを排出せず、定常状態のウエハＷとの搬入順序を維持するため、露光装置１０（主制御装置１２０）で想定していたウエハＷと露光条件との組み合わせ関係を狂わせることなく維持することが可能になる。
また、本実施形態では、非定常ウエハＷに対して露光処理を実施しないという待機状況が表示装置２００に表示されるため、オペレータ等の作業者が処理状況を容易に把握することが可能となっている。
【００５３】
（第２実施形態）
続いて、第２実施形態に係るリソグラフィシステムについて説明する。
第２実施形態では、図１及び図３に二点鎖線で示すように、搬送アームＨ１によるウエハＷの搬送経路上に、非定常ウエハＷを待機させるための待機部３００が設けられており、搬送アームＨ１はこの待機部３００との間でウエハＷを受け渡し可能となっている。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００５４】
上記構成のリソグラフィシステム１００においては、通信装置ＣＳ２を介してウエハＷが非定常状態であることを示す情報が送信され、当該非定常ウエハＷが搬入されると、搬送アームＨ１は供給用テーブル１１４Ａから受け取った非定常ウエハＷを待機部３００に載置するとともに、この非定常ウエハＷが含まれるロットにおける当該非定常ウエハＷが搬送された順番（例えば、ｎ番目）を記憶しておく。
そして、露光装置１０においては、非定常ウエハＷを待機させた状態で、Ｃ／Ｄ装置５０から順次供給される定常状態のウエハＷに対して上述した所定の経路で露光処理を行う。
【００５５】
露光装置１０において、正常に露光処理が行われた定常状態のウエハＷは、搬送アームＨ１によって順次回収用テーブル１１４Ｂに搬出されるが、（ｎ−１）番目のウエハＷが搬出された後には、（ｎ＋１）番目のウエハを搬出する前に、待機部３００に待機させた非定常ウエハＷを回収用テーブル１１４Ｂに搬出する。これにより、Ｃ／Ｄ装置５０に対しては、Ｃ／Ｄ装置５０から搬出された順番を保持した状態で複数枚のウエハを搬送することができる。また、本実施形態でも、ウエハＷが露光装置１０に搬入され、露光処理を行った後に露光装置１０から搬出されるまでの時間が一定になるように搬送される。
【００５６】
このように、本実施形態では、上記第１実施形態と同様の効果が得られることに加えて、非定常ウエハＷが供給された場合でも、非定常ウエハＷを待機部３００で待機させることにより、定常状態のウエハＷに対する露光処理を停滞させることなく、円滑に実施することが可能になり、よりスループットを向上させることができる。
なお、露光装置１０に非定常のウエハＷが複数枚搬入された場合でも対応可能なように、上記待機部３００としては、複数枚の非定常ウエハが載置可能なように、複数段で設けられる構成や、ウエハポッドのように複数の収容部を有する構成とすることが好ましい。
【００５７】
（第３実施形態）
続いて、第２実施形態に係るリソグラフィシステムについて、図４を参照して説明する。この図において、図１に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記実施形態では、インラインＩ／Ｆ部１１０と露光装置１０とＣ／Ｄ装置５０とがそれぞれ独立して設けられる構成としたが、本実施形態では、Ｉ／Ｆ部１１０を構成していたインライン受け渡し部１１４が露光装置１０に収納して設けられ、Ｉ／Ｆ部１１０を構成していたキャリア台１１８及び水平多関節型ロボット１１６がＣ／Ｄ装置５０に収納して設けられている。
【００５８】
すなわち、本実施形態におけるＣ／Ｄ装置５０には、露光装置１０側に位置してキャリア台１１８及び水平多関節型ロボット１１６が設置されている。また、露光装置１０には、小部屋１２Ｂの内部にウエハローダ系４０とともに、当該ウエハローダ系４０とＣ／Ｄ装置５０との間に位置して、インライン受け渡し部１１４（供給用テーブル１１４Ａ及び回収用テーブル１１４Ｂ）が設置されている。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００５９】
上記構成のリソグラフィシステム１００において、例えば（ｎ−１）番目に定常状態のウエハＷが露光装置１０に搬入された後に、通信装置ＣＳ２を介してｎ番目のウエハＷが非定常状態であることを示す情報が送信され、当該非定常ウエハＷがウエハ受け渡し部８２に載置されると、まず、ロボット１１６がウエハ受け渡し部８２から受け取った非定常ウエハＷを露光装置１０内の供給用テーブル１１４Ａに載置して待機させるとともに、この非定常ウエハＷが含まれるロットにおける当該非定常ウエハＷが搬送された順番（ｎ番目）を記憶しておく。
【００６０】
そして、露光装置１０においては、非定常ウエハＷを供給用テーブル１１４Ａで待機させた状態で、上記（ｎ−１）番目の定常状態のウエハＷに対して上述した所定の経路で露光処理を行う。なお、このようにｎ番目の非定常ウエハＷが供給用テーブル１１４Ａで待機している間は、露光装置１０に（ｎ＋１）番目以降のウエハＷを搬入することはできない。
【００６１】
そして、露光処理が行われた上記（ｎ−１）番目の定常状態のウエハＷは、搬送アームＨ１によって回収用テーブル１１４Ｂに載置された後に、ロボット１１６によってウエハ受け渡し部８２へ載置された後に、ロボット６８によりＣ／Ｄ装置５０に搬送される。
一方、ロボット１１６は、（ｎ−１）番目の定常状態のウエハＷを回収用テーブル１１４Ｂから搬出すると、供給用テーブル１１４Ａに載置されているｎ番目の非定常ウエハＷを回収用テーブル１１４Ｂに移送した後に、ウエハ受け渡し部８２に搬送する。なお、供給用テーブル１１４Ａに載置されているｎ番目の非定常ウエハＷを直接ウエハ受け渡し部８２に搬送する手順としてもよいが、ウエハＷをウエハ受け渡し部８２（すなわちＣ／Ｄ装置５０）に搬送する時間を一定にするためには、さらに供給用テーブル１１４Ａで待機させる時間が長くなり、その分、（ｎ＋１）番目のウエハＷを供給用テーブル１１４Ａに搬入するまでの時間が遅くなるため、上述したように、（ｎ−１）番目の定常状態のウエハＷを回収用テーブル１１４Ｂから搬出した後に直ちにｎ番目の非定常ウエハＷを回収用テーブル１１４Ｂに移送することが好ましい。
【００６２】
そして、ｎ番目の非定常ウエハＷが供給用テーブル１１４Ａから搬出されると、（ｎ＋１）番目以降のウエハＷをロボット１１６により順次露光装置１０に搬入するが、搬入するウエハが定常状態であれば上記（ｎ−１）番目のウエハＷと同様の手順（経路）で露光処理が行われ、搬入するウエハが非定常状態であれば上記ｎ番目のウエハＷと同様の手順（経路）で搬送処理が行われる。
【００６３】
上記第２実施形態では、非定常ウエハＷを待機部３００で待機させることで、定常状態のウエハＷに対する露光処理を停滞させることを防止できるが、非定常ウエハＷが待機部３００で待機している状態で、さらに非定常ウエハＷがＣ／Ｄ装置５０から供給されると、待機部３００で待機させることができないことから、通常の経路で露光処理が行われる可能性があるが、本実施形態では、定常状態のウエハＷに対する処理経路に位置する供給用テーブル１１４Ａで非定常ウエハＷを待機させるため、さらなる非定常ウエハＷが供給されようとしている場合でも、この非定常ウエハＷが露光装置１０に搬入されて露光処理が行われてしまうことを回避できる。
【００６４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００６５】
例えば、上記第１実施形態では、非定常ウエハＷをローディングポジションＬＰ（アンローディングポジションＵＰ）で待機させる構成としたが、これに限定されるものではなく、定常状態のウエハＷと同様に、露光位置ＥＰで待機させる構成としてもよい。この場合、非定常ウエハＷから液体ＬＱの漏れ出しを防ぐために、非定常ウエハＷの表面に液体ＬＱを供給して満たす液体供給処理（第３処理）を非処理とすることが肝要である。
この場合、ウエハステージＷＳＴ及び計測ステージについては、別途、非定常ウエハＷに対応した移動シーケンスを設定する必要がなくなり、シーケンス設定を容易に作成することができる。
【００６６】
また、上記実施形態では、通信装置ＣＳ２を介して非定常ウエハＷに関する情報を通信する構成としたが、これに限定されるものではなく、通信装置ＣＳ１を用いてコマンド指令により情報を通信する構成としてもよい。
【００６７】
また、上記実施形態では、表示装置２００がウエハＷに関する通信処理、現像・撥液性付与処理及び露光処理に関する情報を表示する構成としたが、さらに非定常ウエハＷの待機状態を含めたウエハＷの搬送状況も表示する構成としてもよい。さらに、ウエハＷの搬送状況を表示する第２表示装置を別途設ける構成としてもよい。これにより、ウエハＷの搬送状況を容易に視認することが可能になる。
【００６８】
また、上記実施形態では、露光装置１０にダメージを与える場合として、ウエハＷに対する撥液性付与が十分に行われない場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばウエハに塵埃が付着した場合にも同様に適用可能である。具体的には、露光装置１０に搬送されるウエハＷに付着した塵埃を検出する検出装置を設け、その検出結果に応じてウエハを非定常ウエハと定常のウエハとに区分し、非定常ウエハについては露光処理や上記液体供給処理を非実施とする第２処理経路を選択すればよい。
【００６９】
なお、上記各実施形態の基板（物体）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。すなわち、本発明に係る基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法は、半導体デバイス製造用に限られず、例えば液晶露光用など他の各種デバイス製造用露光装置を含んだ基板処理システムにも適用可能である。
【００７０】
露光装置１０としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００７１】
露光装置１０の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００７２】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００７３】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００７４】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００７５】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７６】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図５は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７７】
図６は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７８】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るリソグラフィシステムの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１の露光装置の構成を示す図である。
【図３】本実施形態に係るリソグラフィシステムの搬送系の概略構成を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係るリソグラフィシステムの構成を概略的に示す平面図である。
【図５】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図６】図４におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０…露光装置（第２処理装置）、  ５０…Ｃ／Ｄ装置（第１処理装置）、  １００…リソグラフィシステム（基板処理システム）、  １２０…主制御装置（制御装置）、  ２００…表示装置、  ＣＳ２…通信装置、  ＥＰ…露光位置（処理位置）、  ＬＰ…ローディングポジション（載置位置）、  ＵＰ…アンローディングポジション（第２載置位置）、  Ｗ…ウエハ（基板）、  ＷＳＴ…ウエハステージ（ステージ）
【図１】
2009049060.tif 000003
【図２】
2009049060.tif 000004
【図３】
2009049060.tif 000005
【図４】
2009049060.tif 000006
【図５】
2009049060.tif 000007
【図６】
2009049060.tif 000008