(57)【要約】【課題】共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板からなる支持基板１の一表面側に下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３が形成されるとともに、各共振子３を取り囲む絶縁層４が形成され、支持基板１の上記一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４を露出させる複数の断面逆台形状の空洞１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。空洞１ａを絶縁層４の１つの仮想エッチングホール４０を通した上記異方性エッチングにより形成すると仮定したときの絶縁層４における上記仮想エッチングホール４０の仮想形成領域に上記仮想エッチングホール４０よりも開口サイズの小さな複数のエッチングホール４１の群が形成されている。【選択図】      図１
2009290367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板からなる支持基板と、支持基板の一表面側に形成され下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を取り囲んで共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板の前記一表面に、共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の表面を露出させる空洞がエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されてなり、空洞を絶縁層の１つの仮想エッチングホールを通した前記異方性エッチングにより形成すると仮定したときの絶縁層における前記仮想エッチングホールの仮想形成領域に前記仮想エッチングホールよりも開口サイズの小さな複数のエッチングホールの群が形成されてなることを特徴とするＢＡＷ共振装置。
【請求項２】
単結晶基板は、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳｒＴｉＯ３基板であり、圧電層は、鉛系圧電材料により形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項３】
エッチングホールの群は、４つのエッチングホールにより構成され、絶縁層における仮想形成領域に平面視十字状の部分が残るように形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置の製造方法であって、空洞を形成するにあたって、支持基板の前記一表面側の絶縁層にエッチングホールの群を形成するエッチングホール群形成工程と、エッチングホール群形成工程の後でエッチングホールの群を通してエッチング液を導入して支持基板を異方性エッチングすることにより支持基板の前記一表面に空洞を形成する空洞形成工程とを備えることを特徴とするＢＡＷ共振装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する共振子を備えたＢＡＷ（Bulk  Acoustic  Wave）共振装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話機などの移動体通信機器の分野において、２ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタに適用可能なＢＡＷ共振装置として、例えば、図７に示すように、単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１’と、支持基板１’の一表面側に形成され下部電極３１’、圧電層３２’、上部電極３３’の積層構造を有する共振子３’と、支持基板１’の上記一表面側に形成されて支持基板１’に支持され共振子３’を保持した支持層７’とを備え、支持基板１’の上記一表面側に、共振子３’下の支持層７’における支持基板１’側の表面を露出させ圧電層３２’を物理的に振動可能とするための凹所１ａ’が形成されるとともに、支持層７’における共振子３’の周辺部に、凹所１ａ’に連通する凹所形成用の４つのスリット状のエッチングホール５’が平面視矩形状の圧電層３２’の外周縁の各辺に沿って形成されてなるＦＢＡＲ（Film  Bulk  Acoustic  Resonator）型のＢＡＷ共振装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここにおいて、支持層７’は、支持基板１’の基礎となるＳｉ基板にボロンを高濃度ドーピングして形成した高濃度ボロンドーピング層と、支持基板１’の上記一表面側に形成したＳｉＯ２膜からなる絶縁層とで構成されている。要するに、支持層７’は、凹所１ａ’形成時にエッチングホール５’を通してＳｉ基板からなる支持基板１’をエッチングするためのアルカリ系のエッチング液（例えば、エチレンジアミンピロカテコール水溶液など）に対して耐性を有する材料により形成されている。
【０００３】
なお、上記特許文献１には、支持基板１’の上記一表面側に共振子３’を複数個形成してフィルタ（ＢＡＷフィルタ）を構成することも記載されている。
【０００４】
上述のＢＡＷ共振装置では、圧電層３２’の圧電材料としてＰＴ、ＰＺＴ、ＡｌＮなどを採用し、支持基板１’の材料としてＳｉなどを採用しているが、ＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）用フィルタに応用する場合、圧電層３２’の圧電材料として、帯域幅が中心周波数に対して４〜５％しか広帯域化できないＡｌＮに比べて中心周波数に対して１０％程度の帯域幅を得ることが可能な鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴなど）を採用し、圧電層３２’の結晶性を向上させるために支持基板１’の材料としてＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３を採用することが考えられる。
【特許文献１】特開平９−１３０１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図７に示した構成のＢＡＷ共振装置では、共振子３’下に支持層７’が形成されているので、当該支持層７’に起因してバルク弾性波のエネルギ損失が生じ、共振子全体の機械的品質係数（Ｑ値）が低下してしまうという問題があった。また、図７に示した構成のＢＡＷ共振装置では、支持層７’における共振子３’の周辺部に、凹所１ａ’に連通する凹所１ａ’形成用の４つのスリット状のエッチングホール５’が平面視矩形状の圧電層３２’の外周縁の各辺に沿って形成されているので、脆弱になってしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、単結晶基板からなる支持基板と、支持基板の一表面側に形成され下部電極と上部電極との間に圧電層を有する共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を取り囲んで共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板の前記一表面に、共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の表面を露出させる空洞がエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されてなり、空洞を絶縁層の１つの仮想エッチングホールを通した前記異方性エッチングにより形成すると仮定したときの絶縁層における前記仮想エッチングホールの仮想形成領域に前記仮想エッチングホールよりも開口サイズの小さな複数のエッチングホールの群が形成されてなることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を取り囲んで共振子を保持した絶縁層を備え、支持基板の前記一表面に、共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の表面を露出させる空洞がエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されているので、バルク弾性波のエネルギ損失を低減できて、共振子全体の機械的品質係数を向上でき、しかも、空洞を絶縁層の１つの仮想エッチングホールを通した前記異方性エッチングにより形成すると仮定したときの絶縁層における前記仮想エッチングホールの仮想形成領域に前記仮想エッチングホールよりも開口サイズの小さな複数のエッチングホールの群が形成されているので、堅牢化が可能となる。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、単結晶基板は、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳｒＴｉＯ３基板であり、圧電層は、鉛系圧電材料により形成されてなることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、前記圧電層が鉛系圧電材料により形成されているので、前記圧電層がＡｌＮにより形成されている場合に比べて電気機械結合係数を大きくすることができ、前記支持基板が単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳｒＴｉＯ３基板により形成されているので、前記支持基板が単結晶Ｓｉ基板により形成されている場合に比べて、前記圧電層の結晶性を向上させることができ、共振子全体の機械的品質係数を向上させることが可能となる。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、エッチングホールの群は、４つのエッチングホールにより構成され、絶縁層における仮想形成領域に平面視十字状の部分が残るように形成されてなることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、各エッチングホールの開口サイズを比較的小さくするにも関わらず、前記空洞の形成に要するエッチング時間を短くでき、且つ堅牢化を図ることができる。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置の製造方法であって、空洞を形成するにあたって、支持基板の前記一表面側の絶縁層にエッチングホールの群を形成するエッチングホール群形成工程と、エッチングホール群形成工程の後でエッチングホールの群を通してエッチング液を導入して支持基板を異方性エッチングすることにより支持基板の前記一表面に空洞を形成する空洞形成工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、空洞の形成にあたっては、支持基板の前記一表面側の絶縁層にエッチングホールの群を形成するエッチングホール群形成工程を行い、その後、エッチングホールの群を通してエッチング液を導入して支持基板を異方性エッチングすることにより支持基板の前記一表面に空洞を形成する空洞形成工程を行うので、共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１の発明では、共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能になるという効果がある。
【００１６】
請求項４の発明では、共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置を提供することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、図１に示すように、単結晶基板からなる支持基板１の一表面側に下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する複数個の共振子３が形成されるとともに、平面視において各共振子３を取り囲む絶縁層４が形成され、支持基板１の上記一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる複数（本実施形態では、５つ）の断面逆台形状の空洞１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、絶縁層４の厚み方向に貫通した複数（本実施形態では、４つ）のエッチングホール４１の群が絶縁層４における各空洞１ａそれぞれの投影領域における中心部に対応する部位に形成されており、各エッチングホール４１が空洞１ａに連通している。なお、絶縁層４には、上部電極３３と圧電層３２との接触面積を規定するための開孔部４ａが形成されている。
【００１８】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述の複数個の共振子３が図２に示すラダー型フィルタを構成するように接続されており、２ＧＨｚ以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、ＵＷＢ用フィルタとして用いることができる。
【００１９】
各共振子３は、支持基板１の上記一表面側に形成された下部電極３１と、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に形成された圧電層３２と、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３とを有しており、下部電極３１と下部電極３１直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板１側へバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしてある。要するに、本実施形態のＢＡＷフィルタは、支持基板１に空洞１ａが形成されているＦＢＡＲにより構成されている。
【００２０】
図２に示した例では、下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組（図示例では、４組）備えており、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離されるようにパターニングされている。ここにおいて、隣り合う組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が上部電極３３と連続して形成された金属配線３４を介して電気的に接続されている。また、各組の２個の共振子３に跨って形成された圧電層３２のうち下部電極３１と上部電極３３との両方と接する領域が各共振領域を構成している。
【００２１】
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しており、支持基板１としては、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＭｇＯ基板を用いているが、主表面が（００１）面の単結晶ＳｒＴｉＯ３基板を用いてもよい。
【００２２】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、下部電極３１および上部電極３３の金属材料としてＰｔを採用しているが、これらの金属材料は特に限定するものではなく、例えば、Ａｌや他の金属材料を採用してもよく、例えば、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕの群から選択される少なくとも一種を採用すれば、下部電極３１および上部電極３３それぞれの金属材料が代表的な電極材料であるＡｕの場合に比べて、下部電極３１および上部電極３３それぞれの機械的品質係数を高めることができ、共振子３全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。なお、下部電極３１と上部電極３３とは必ずしも同じ金属材料を採用する必要はなく、下部電極３１の金属材料は、圧電層３２の格子歪を抑制するために圧電層３２の圧電材料との格子定数差の小さな金属材料を採用することが望ましい。
【００２３】
また、圧電層３２は、（００１）配向のＰＺＴ薄膜からなる圧電薄膜により構成されている。ここで、図１には図示していないが、下部電極３１と圧電層３２との間に、圧電層３２の配向を制御するためのシード層としてＳＲＯ層を形成することが望ましい。また、本実施形態では、圧電層３２の圧電材料として、ＰＺＴを採用しているが、ＰＺＴに限らず、不純物を添加したＰＺＴやＰＭＮ−ＰＺＴなどの鉛系圧電材料であればよく、圧電材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。なお、圧電層３２の圧電材料としては、鉛系圧電材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（Ｋ０．５Ｎａ０．５ＮｂＯ３）や、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）、ＮＮ（ＮａＮｂＯ３）、ＫＮＮに不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したものを用いることもできる。
【００２４】
ここで、本実施形態では、単結晶基板からなる支持基板１が、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳｒＴｉＯ３基板により構成されているので、支持基板１が単結晶Ｓｉ基板からなる場合に比べて、圧電層３２の結晶性を向上させることができ、共振子３全体の機械的品質係数を向上させることが可能となる。
【００２５】
また、絶縁層４の材料としては、ＳｉＯ２を採用しているが、ＳｉＯ２に限らず、例えば、Ｓｉ３Ｎ４を採用してもよい。また、絶縁層４は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、ＳｉＯ２からなる第１の絶縁膜とＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の絶縁膜との積層膜でもよい。
【００２６】
なお、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、共振子３の共振周波数を４ＧＨｚに設定してあり、下部電極３１の厚みを１００ｎｍ、圧電層３２の厚みを３００ｎｍ、上部電極３３の厚みを１００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。
【００２７】
ところで、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述のように、支持基板１の上記一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる断面逆台形状の空洞１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されており、空洞１ａを形成するために、空洞１ａを絶縁層４の１つの仮想エッチングホール４０（図１（ｄ）参照）を通した上記異方性エッチングにより形成すると仮定したときの絶縁層４における上記仮想エッチングホール４０の仮想形成領域に上記仮想エッチングホール４０よりも開口サイズの小さな複数（４つ）のエッチングホール４１の群が形成されている（複数のエッチングホール４１が密集して形成されている）。ここにおいて、上記仮想形成領域は正方形状であり、エッチングホール４１の群は、開口形状が正方形状の４つのエッチングホール４１により構成され、絶縁層４における上記仮想形成領域に平面視十字状の部分が残るように形成されている。なお、各エッチングホール４１の開口サイズは、上記仮想エッチングホール４０の開口サイズの９分の１に設定してあるが、各エッチングホール４１の開口サイズは特に限定するものではない。また、エッチングホール４１の群におけるエッチングホール４１の数は４つに限らず、例えば、９つでもよく、この場合は仮想形成領域に平面格子状の部分が残るように形成すればよい。
【００２８】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置によれば、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において共振子３を取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４を備え、支持基板１の上記一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる断面逆台形状の空洞１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されているので、バルク弾性波のエネルギ損失を低減できて、共振子３全体の機械的品質係数を向上でき、しかも、空洞１ａを絶縁層４の１つの仮想エッチングホール４０を通した上記異方性エッチングにより形成すると仮定したときの絶縁層４における上記仮想エッチングホール４０の仮想形成領域に上記仮想エッチングホール４０よりも開口サイズの小さな複数のエッチングホール４１の群が形成されているので、堅牢化が可能となる。
【００２９】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、エッチングホール４１の群が、４つのエッチングホール４１により構成され、絶縁層４における上記仮想形成領域に平面視十字状の部分が残るように形成されているので、各エッチングホール４１の開口サイズを比較的小さくするにも関わらず、空洞１ａの形成に要するエッチング時間を短くでき、且つ堅牢化を図ることができる。
【００３０】
以下、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法について図３〜図６を参照しながら説明するが、図３〜図６それぞれにおいて左側は図１（ａ）のＢ−Ｂ’断面に対応する概略工程断面図、右側は図１（ａ）のＡ−Ａ’に対応する概略工程断面図を示している。
【００３１】
まず、単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の上記一表面側の全面に下部電極３１の基礎となる第１の金属膜（例えば、Ｐｔ膜など）３１ａをスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する第１の金属膜形成工程を行うことによって、図３（ａ）に示す構造を得る。
【００３２】
その後、支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２の基礎となるＰＺＴ薄膜からなる圧電材料層３２ａをスパッタ法やＣＶＤ法やゾルゲル法などにより形成する圧電材料層形成工程を行うことによって、図３（ｂ）に示す構造を得る。なお、第１の金属膜形成工程と圧電材料層形成工程との間に、圧電材料層３２ａの配向を制御するためのシード層としてＳＲＯ層を形成するシード層形成工程を設けてもよい。
【００３３】
圧電材料層形成工程の後、圧電材料層３２ａの一部からなる圧電層３２を形成するためにパターニングされたレジスト層（以下、第１のレジスト層と称する）６１をフォトリソグラフィ技術を利用して圧電材料層３２ａ上に形成する第１のレジスト層形成工程を行うことによって図３（ｃ）に示す構造を得る。
【００３４】
その後、第１のレジスト層６１をマスクとして、圧電材料層３２ａをエッチングすることで圧電材料層３２ａの一部からなる圧電層３２を形成する圧電材料層パターニング工程を行うことによって、図３（ｄ）に示す構造を得て、続いて、第１のレジスト層６１を除去することによって、図３（ｅ）に示す構造を得る。
【００３５】
その後、第１の金属膜３１ａの一部からなる下部電極３１を形成するためにパターニングされたレジスト層（以下、第２のレジスト層と称する）６２をフォトリソグラフィ技術を利用して支持基板１の上記一表面側に形成する第２のレジスト層形成工程を行うことによって図４（ａ）に示す構造を得る。
【００３６】
その後、第２のレジスト層６２をマスクとして、第１の金属膜３１ａをエッチングすることで第１の金属膜３１ａの一部からなる下部電極３１を形成する第１金属膜パターニング工程を行うことによって、図４（ｂ）に示す構造を得て、続いて、第２のレジスト層６２を除去することによって、図４（ｃ）に示す構造を得る。
【００３７】
その後、支持基板１の上記一表面側の全面に例えばＳｉＯ２膜からなる絶縁層４をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図４（ｄ）に示す構造を得る。
【００３８】
その後、絶縁層４に開孔部４ａを形成するためにパターニングされたレジスト層（以下、第３のレジスト層と称する）６３をフォトリソグラフィ技術を利用して支持基板１の上記一表面側に形成する第３のレジスト層形成工程を行うことによって、図４（ｅ）に示す構造を得る。
【００３９】
その後、ドライエッチング技術を利用して絶縁層４に開孔部４ａを形成する開孔部形成工程を行うことによって図５（ａ）に示す構造を得てから、第３のレジスト層６３を除去することによって、図５（ｂ）に示す構造を得る。
【００４０】
その後、支持基板１の上記一表面側の全面に上部電極３３および金属配線３４の基礎となる第２の金属膜（例えば、Ｐｔ膜など）３３ａをスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する第２の金属膜形成工程を行うことによって、図５（ｃ）に示す構造を得る。
【００４１】
その後、それぞれ第２の金属膜３３ａの一部からなる上部電極３３および金属配線３４を形成するためにパターニングされたレジスト層（以下、第４のレジスト層と称する）６４をフォトリソグラフィ技術を利用して支持基板１の上記一表面側に形成する第４のレジスト層形成工程を行うことによって、図５（ｄ）に示す構造を得る。
【００４２】
その後、第４のレジスト層６４をマスクとして、第２の金属膜３３ａをエッチングすることで第２の金属膜３３ａの一部からなる上部電極３３および金属配線３４を形成する第２金属膜パターニング工程を行うことによって、図５（ｅ）に示す構造を得て、続いて、第４のレジスト層６４を除去することによって、図６（ａ）に示す構造を得る。
【００４３】
その後、支持基板１の上記一表面側に絶縁層４のエッチングホール４１の群を形成するためにパターニングされたレジスト層（以下、第５のレジスト層と称する）６５をフォトリソグラフィ技術を利用して形成する第５のレジスト層形成工程を行うことによって、図６（ｂ）に示す構造を得る。
【００４４】
その後、第５のレジスト層６５をマスクとして、絶縁層４をドライエッチング技術によりエッチング（ドライエッチング）することによりエッチングホール４１の群を形成するエッチングホール群形成工程を行うことによって、図６（ｃ）に示す構造を得る。
【００４５】
その後、第５のレジスト層６５をマスクとして、エッチングホール４１の群を通して所定のエッチング液を導入して支持基板１を異方性エッチングすることにより支持基板１の上記一表面に空洞１ａを形成する空洞形成工程を行うことによって、図６（ｄ）に示す構造を得る。なお、支持基板１としてＭｇＯ基板を採用している場合には、所定のエッチング液として燐酸酸系溶液（例えば、燐酸水溶液など）を用いればよい。
【００４６】
その後、第５のレジスト層６５を除去する第６のレジスト層除去工程を行うことによって、図６（ｅ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。
【００４７】
上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。ところで、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、空洞形成工程において各組の２個の共振子３ごとに支持基板１に空洞１ａを形成するようにしているので、空洞１ａを各共振子３ごとに１つずつ形成する場合に比べて、ＢＡＷ共振装置全体の小型化を図れる。また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、２個の共振子３を複数組備えているが、共振子３の組は１組でもよく、また、ＢＡＷ共振装置は、１個の共振子３のみを備えたものでもよい。
【００４８】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、空洞１ａの形成にあたっては、支持基板１の上記一表面側の絶縁層４にエッチングホール４１の群を形成するエッチングホール群形成工程を行い、その後、エッチングホール４１の群を通してエッチング液を導入して支持基板１を異方性エッチングすることにより支持基板１の上記一表面に空洞１ａを形成する空洞形成工程を行うので、共振子３の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置を提供することができる。また、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳｒＴｉＯ３基板からなる支持基板１の上記一表面側に下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３３を有する共振子３を直接形成することができるから、図７に示した構成のように支持層７’上に共振子３’を形成する製造方法を採用する場合に比べて、下部電極３１の結晶性を向上できて圧電層３２の結晶性を向上できるから、共振子３の機械的品質係数を向上できる。
【００４９】
なお、上述の実施形態では、空洞１ａの形状が断面逆台形状となっているが、空洞１ａの形状は、断面逆台形状に限らず、例えば、断面Ｖ字状でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施形態のＢＡＷ共振装置を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’概略断面図、（ｄ）は（ａ）の要部拡大図である。
【図２】同上のＢＡＷ共振装置の回路図である。
【図３】同上のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図４】同上のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図５】同上のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図６】同上のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図７】従来例のＢＡＷ共振装置を示し、（ａ）は概略平面図、（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  支持基板
１ａ  空洞
３  共振子
４  絶縁層
３１  下部電極
３２  圧電層
３３  上部電極
４０  仮想エッチングホール
４１  エッチングホール
【図１】
2009290367.tif 000003
【図２】
2009290367.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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