(57)【要約】【課題】表面処理の均一性を確保しながら処理ヘッドの先端構成部の長尺化を図る。【解決手段】被処理物Ｗを、表面処理装置１の移動手段２によって処理ヘッド２０に対しＡ方向に相対移動させる。処理ヘッド２０の被処理物Ｗを向くべき側には先端構成部２３を設け、この先端構成部２３に移動方向Ａと交差する長手方向に延在する処理ガス噴出口を形成する。先端構成部２３を、長手方向に複数の先端構成部材２５に分割する。隣接する先端構成部材２５，２５どうしの継ぎ目２５ａを移動方向Ａに対し斜めにする。【選択図】図１
2009182016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを被処理物に接触させ、前記被処理物を表面処理する装置であって、
処理ガスを噴き出す処理ヘッドと、
被処理物を、前記処理ヘッドに対し移動方向に相対移動させる移動手段と、を備え、
前記処理ヘッドの前記被処理物を向くべき側部には、前記移動方向と交差する長手方向に延在された処理ガス噴出口を有する先端構成部が設けられ、この先端構成部が、前記長手方向に複数の先端構成部材に分割され、隣接する先端構成部材どうしの継ぎ目が、前記移動方向に対し斜めになっていることを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
少なくとも１つの先端構成部材の前記被処理物を向くべき面には、前記継ぎ目と並行して延びる１又は複数の溝が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処置装置。
【請求項３】
前記先端構成部に前記溝が多数、等ピッチで設けられていることを特徴とする請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記処理ヘッドには、前記長手方向に延びるとともに前記処理ガスを前記長手方向に均一化する整流部が、前記先端構成部の前記被処理物を向くべき側とは反対側に当接するように設けられており、前記整流部が、前記長手方向に複数の整流部材に分割され、隣接する整流部材どうしの継ぎ目が、前記先端構成部材どうしの継ぎ目と並行して延びていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項５】
前記整流部材どうしの継ぎ目が、前記先端構成部材どうしの継ぎ目に対し前記長手方向にずれていることを特徴とする請求項４に記載の表面処理装置。
【請求項６】
前記先端構成部材が、セラミックにて構成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理ガスを被処理物に接触させ、前記被処理物を表面処理する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の表面処理装置は、処理ヘッドを有している。この処理ヘッドの先端構成部に噴出口が設けられている。先端構成部を被処理物に対向させ、噴出口から処理ガスを噴出する。これにより、処理ガスが被処理物に接触し、表面処理がなされる。被処理物は、処理ヘッドに対し相対移動される。これにより、被処理部が拡張される。
近年、液晶ディスプレイ等の分野では、被処理物となるガラス基板が大型化する傾向にあり、これに対応して表面処理装置の処理ヘッドも長尺化が求められている。
特許文献１では、ヘッドの電極が長手方向に複数に分割されている。
【特許文献１】特開２００５−３０２６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
処理ガスは、腐食性を有していることが多い。このため、処理ヘッドにおいて被処理物と対向すべき先端面を構成する部材は、セラミックなどの耐食性の高い材料で形成される場合がある。しかし、セラミックを長尺化するのは困難である。
【０００４】
そこで、図９に示すように、上記先端面を構成する部材Ｍを長手方向に複数に分割することが考えられる。しかし、これら先端構成部材Ｍ，Ｍどうしの継ぎ目Ｍａが処理ヘッドのちょうど短手方向すなわち被処理物Ｗの移動方向Ａに延びていると、この継ぎ目Ｍａに対応する箇所及びその周辺での処理が不均一になってしまう（図６（ｂ）参照）。
【０００５】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、処理ヘッドの先端構成部を長手方向に分割しても継ぎ目に対応する箇所及びその周辺での処理が不均一になるのを抑えることのできるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題点を解決するために、本発明は、処理ガスを被処理物に接触させ、前記被処理物を表面処理する装置であって、
処理ガスを噴き出す処理ヘッドと、
被処理物を、前記処理ヘッドに対し移動方向に相対移動させる移動手段と、を備え、
前記処理ヘッドの前記被処理物を向くべき側部には、前記移動方向と交差する長手方向に延在された処理ガス噴出口を有する先端構成部が設けられ、この先端構成部が、前記長手方向に複数の先端構成部材に分割され、隣接する先端構成部材どうしの継ぎ目が、前記移動方向に対し斜めになっていることを特徴とする。
これによって、継ぎ目によって生じる不均一性を継ぎ目の周辺に分散させ、被処理物の各位置での不均一の度合いを小さくすることができる。したがって、処理の均一性を確保しながら先端構成部を長尺化することができる。
【０００７】
少なくとも１つの先端構成部材の前記被処理物を向くべき面には、前記継ぎ目と並行する１又は複数の溝が形成されていてもよい。各先端構成部材に溝を形成するのが好ましい。  前記先端構成部に前記溝が多数、等ピッチで設けられていることが好ましい。
これによって、継ぎ目によるガス流の乱れと同様の乱れを生じさせることができる。溝を多数、等ピッチで形成することにより、全体として一様なガス流状態を作ることができ、均一性を確保することができる。
【０００８】
前記処理ヘッドには、前記長手方向に延びるとともに前記処理ガスを前記長手方向に均一化する整流部が、前記先端構成部の前記被処理物を向くべき側とは反対側に当接するように設けられており、前記整流部が、前記長手方向に複数の整流部材に分割されていてもよい。前記整流部材の隣接するものどうしの継ぎ目が、前記先端構成部材どうしの継ぎ目と並行して延びていることが好ましい。
これによって、処理の均一性を確保しながら整流部を容易に長尺化できる。
【０００９】
前記整流部材どうしの継ぎ目が、前記先端構成部材どうしの継ぎ目に対し前記長手方向にずれていることが好ましい。
これによって、継ぎ目のコンダクタンスが増大するのを防止でき、継ぎ目からのガス漏れを防止することができる。
【００１０】
前記先端構成部材が、セラミックにて構成されていることが好ましい。
これによって、先端構成部の耐食性を確保することができる。
【００１１】
前記先端構成部には、前記噴出口から前記移動方向に離れて吸引口が形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、処理ヘッドの先端構成部を長手方向に分割しても継ぎ目に対応する箇所の処理が不均一になるのを抑えることができ、処理の均一性を確保しながら先端構成部の長尺化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を説明する。
図１〜図５は、本発明の第１実施形態を示したものである。図２に示すように、表面処理装置１は、ステージ１０と、処理ヘッド２０とを備えている。ステージ１０の上面に被処理物Ｗが配置されている。被処理物Ｗは、例えば大型液晶パネル用のガラス基板である。ガラス基板Ｗの幅寸法（図１において左右）は、例えば２ｍ程度である。
【００１４】
ステージ１０は、移動手段２に接続されている。移動手段２は、モータ等の駆動部とこの駆動部とステージ１０を連結するシリンダ、ベルト、ギア列等の動力伝達部とを含んでいる。この移動手段２によって、ステージ１０ひいては被処理物Ｗが図１の白抜き矢印Ａで示す前後方向（図２において左右）に往復移動（スキャン）されるようになっている。移動手段２がステージ１０に代えて処理ヘッド２０に接続され、被処理物Ｗが位置固定される一方、処理ヘッド２０がＡ方向に移動されるようになっていてもよい。
【００１５】
処理ヘッド２０は、一対をなす電極２１，２１と、整流部２２と、先端構成部２３とを備えている。
一対の電極２１，２１のうち一方は、電源３に接続され、他方は電気的に接地されている。
電極２１，２１どうしの間に狭いギャップ２１ａが形成されている。電源３からの電圧印加によってギャップ２１ａ内が略大気圧の放電空間となる。少なくとも一方の１２の対向面には固体誘電体の層（図示せず）が形成されている。
ここで、略大気圧（大気圧近傍）とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化の観点からは１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａが好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａがより好ましい。
【００１６】
放電空間２１ａの上端部に原料ガス供給源４から原料ガスが供給される。原料ガスの組成は、処理内容に応じて適宜選択される。例えば、被処理物Ｗの表面のアモルファスシリコンをエッチング処理する場合、ＨＦの原料となるＣＦ４及びＨ２Ｏを成分として含むガスを用いる。これらガス成分が放電空間２１ａ内においてプラズマ化（分解、励起、活性化、ラジカル化、イオン化を含む）され、ＨＦが生成される。放電空間２１ａより下流のガス路４ｂには、オゾナイザー６からのオゾンが混合される。これにより、ＨＦとオゾンを含む処理ガスが生成される。ＨＦやオゾンは腐食性を有している。
【００１７】
図２及び図３に示すように、整流部２２は、例えば四角形断面をなして左右に長く延びている。整流部２２の上面には長手方向に離れて複数のポート２４が設けられている。これらポート２４に、ギャップ２１ａからのガス路４ｂが連なっている。
【００１８】
整流部２２は、耐食性の高い樹脂やセラミックで構成されている。
整流部２２の内部には、左右に延びるチャンバーや、左右に延びるスリットや、左右に一列に並べられた小孔等（図ではチャンバーのみ二点鎖線で図示）を含む整流路２２ａが形成されている。この整流路２２ａにおいて、ポート２４からの処理ガスが左右方向（整流部２２の長手方向）に均一化されるようになっている。整流部２２の底部には、整流路２２ａの下流端に連なる噴出導路２２ｂが形成されている。噴出導路２２ｂは、スリット状をなして整流部２２の長手方向に延びている。
【００１９】
図１〜図３に示すように、処理ヘッド２０の底部（先端部）には、先端構成部２３が配置されている。先端構成部２３は、アルミナ等のセラミックで構成されている。先端構成部２３は、薄い平板状をなし、左右に長く延びている。先端構成部２３の上面（被処理物Ｗを向くべき側とは反対側の面）に整流部２２が当接されている。
【００２０】
図１及び図２に示すように、先端構成部２３には、３条のスリット２３ａ，２３ｂ，２３ｂが形成されている。これらスリット２３ａ，２３ｂ，２３ｂは、それぞれ先端構成部２３の長手方向に延びるとともに先端構成部２３の上面から下面に貫通している。３つのスリット２３ａ，２３ｂ，２３ｂは、互いに前後（図１において上下）に平行に並べられている。
【００２１】
図２に示すように、中央のスリット２３ａの上端部は、噴出導路２２ｂに連なり、処理ガス噴出口を構成している。
両側のスリット２３ｂの上端部は、吸引経路５ｂを介して排気手段５に連なり、吸引口を構成している。排気手段５は、真空ポンプ等の吸引設備の他、処理ガスの無毒化設備等を含む。
なお、処理ガス供給側整流部２２の両側にそれぞれ整流路２２ａと同様の整流路を有する吸引側整流部を設け、この吸引側整流部の整流路が吸引経路５ｂの一部を構成するようにしてもよい。
【００２２】
図１及び図４に示すように、先端構成部２３は、長手方向に２つの先端構成部材２５，２５に分割されている。この先端構成部２３の分割線すなわち先端構成部材２５，２５どうしの継ぎ目２５ａは、被処理物Ｗの移動方向Ａに対し斜めになっている。先端構成部材２５，２５の継ぎ目２５ａ側の端面どうしは僅かに離れており、継ぎ目２５ａが微小な隙間になっている。継ぎ目２５ａの幅は、例えば０．５ｍｍ程度である。図５に示すように、継ぎ目２５ａのＡ方向に対する角度θは、例えば２０〜７０°である。噴出口２３ａと継ぎ目２５ａの交差部ｐ１は、吸引口２３ｂと継ぎ目２５ａの交差部ｐ２を前後方向Ａに沿って噴出口２３ａ上に投影した点ｐ３に対し左右にずれている。
【００２３】
図４に示すように、同様に、整流部２２は、長手方向に２つの整流部材２６，２６に分割されている。整流部２２の分割線すなわち整流部材２６，２６どうしの継ぎ目２６ａは、被処理物Ｗの移動方向Ａに対し斜めになり、継ぎ目２５ａと並行に延びている。図１に示すように、継ぎ目２６ａは、継ぎ目２５ａに対し左右方向（整流部２２及び先端構成部２３の長手方向）にずれている。整流部２２，２２の継ぎ目２６ａ側の端面どうしは当接されているが、僅かに離れていてもよい。継ぎ目２６ａにはシール部材を介在させてもよい。
【００２４】
上記構成の表面処理装置１によれば、整流路２２ａ内で左右方向（整流部２２の長手方向）に均一化された処理ガスが、噴出導路２２ｂ、噴出口２３ａを順次経て、下方に噴出される。併行して、移動手段２によって被処理物Ｗが処理ヘッド２０の下方を横切るようにＡ方向に移動される。この被処理物Ｗにおける噴出口２３ａの直下部分で噴出口２３ａからの処理ガスが前後２方向に分かれ、それぞれ前後の吸引口２３ｂに向けてＡ方向の前側（図１において下側）又は後側（図１において上側）に流れて行く。この流通過程で処理ガスが被処理物Ｗに接触し、表面処理がなされる。その後、処理ガスは、吸引口２３ｂに達して吸引され、吸引経路５ｂを経て、排気手段５で無毒化等の処理を施された後、排出される。
【００２５】
図５に示すように、噴出口２３ａから吸引口２３ｂへ向って流れる処理ガス流ｇのうち継ぎ目２５ａを横切るガス流ｇ１は、継ぎ目２５ａによって流れが乱される。これにより処理の均一性が損なわれる可能性がある。継ぎ目２５ａを横切るガス流ｇ１は、噴出口２３ａ上の２つの点ｐ１，ｐ３間の領域Ｒ１から噴出されたものである。領域Ｒ１は、継ぎ目２５ａの傾斜分だけ継ぎ目２５ａの幅より充分に大きくなっている。一方、ガス流ｇ１の各部分が継ぎ目２５ａを横切る距離及び期間は、ガス流ｇ１の噴出口２３ａから吸引口２３ｂまでの行程に比して極めて短い。したがって、ガス流ｇ１の乱れの度合いは非常に小さい。よって、被処理物Ｗの領域Ｒ１に対応する部分の各ポイントにおける処理の不均一の度合いも非常に小さい。
言い換えると、継ぎ目２５ａを斜めにすることによって、不均一性を分散させることができ、被処理物Ｗ上の各ポイントでの不均一の度合いを小さくすることができる。
【００２６】
各先端構成部材２５は、先端構成部２３全体より十分に短いため、容易にアルミナ等のセラミック製にすることができる。したがって、処理ガスがＨＦやオゾン等の腐食性の成分を含んでいても、先端構成部２３の耐食性を確保することができる。
【００２７】
同様に、整流部材２６は、整流部２２全体より十分に短いため、アルミナ等のセラミック製にするのが容易であり、整流部２２の耐食性を容易に確保できる。勿論、整流部材２６を耐食性の高い樹脂で構成してもよい。
整流部２２の継ぎ目２６ａもＡ方向に対し斜めになり先端構成部２３の継ぎ目２５ａと平行になっているため、継ぎ目２６ａ，２５ａ間の距離がＡ方向のどの位置でも一定になり、万が一、整流部２２の継ぎ目２６ａからガス流の漏れが生じたとしても、均一性を確保することができる。
整流部２２の継ぎ目２６ａが先端構成部２３の継ぎ目２５ａに対しずれていることによって、継ぎ目２６ａ，２５ａにおけるガス流通のコンダクタンスが増大するのを防止でき、処理ガスが継ぎ目２６ａを経て継ぎ目２５ａから漏れるのを防止することができる。
【００２８】
発明者は、第１実施形態（図１〜図５）の表面処理装置１において、先端構成部材どうしの継ぎ目に起因してガウス型の不均一性（ピーク値０．２、標準偏差２ｍｍ（図６（ｂ）参照））が生じると仮定し、継ぎ目２５ａを斜めにしたときの不均一量を計算した。標準偏差は、ピークの１／√ｅの高さにおける片側幅に相当する。継ぎ目２５ａのＡ方向に対してなす角度θは、ｔａｎθ＝１００／４０とした。不均一性は加算的であるとした。
結果を図６（ａ）に示す。同図の横軸は、被処理物Ｗの左右方向の位置を示し、原点０は、噴出口２３ａと継ぎ目２５ａとの交点ｐ１に対応する位置に設定されている。この原点０を中心として左右にそれぞれ約５０〜６０ｍｍの範囲で不均一な部分が出来た。不均一の度合いは、不均一になる範囲の略全体にわたって０．０１であった。これは、例えばトータルのエッチング量を１０ｎｍとすると、０．１ｎｍのバラツキが生じることを意味している。
【００２９】
比較例として、図９に示すように継ぎ目Ｍａが真っ直ぐ前後方向（同図において上下）に向いている装置を想定し、シミュレーションを行なった。
その結果を図６（ｂ）に示す。同図の原点０は、継ぎ目Ｍａに対応する位置であり、この原点０を中心にして左右にそれぞれ約２ｍｍ（標準偏差１／√ｅ幅）の範囲で不均一な領域が出るとした。この不均一な領域の不均一性の分布はガウス分布とし、原点０においてピークを示すとし、ピーク値を０．２とした。
以上より、第１実施形態によれば、不均一性を分散させて被処理物Ｗの各ポイントでの不均一の度合いを小さくすることができることが確認された。
【００３０】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図７は、第２実施形態を示したものである。この実施形態では、先端構成部２３が３つの先端構成部材２５に分割されている。これにより、先端構成部２３の一層の長尺化を図ることができる。整流部２２についても３つの整流部材２６に分割されている。
【００３１】
図８は、第３実施形態を示したものである。この実施形態では、先端構成部２３の各先端構成部材２５の底面（被処理物Ｗを向くべき先端面）に多数（複数）の溝２３ｃが形成されている。各溝２３ｃは、前後方向Ａに対し斜めになり、継ぎ目２５ａと平行に延びている。溝２３ｃは、噴出口２３ａ及び吸引口２３ｂと交差し、その両端は、先端構成部材２５の外縁に達している。溝２３ｃの幅は、継ぎ目２５ａの幅と略等しくなっているが、継ぎ目２５ａの幅より小さくしてもよく大きくしてもよい。
【００３２】
複数の溝２３ｃは、互いに左右に等ピッチで配置されている。このピッチｐｔは、左右に隣り合う２つの溝２３ｃ，２３ｃが前後方向Ａから見て互いに重なり合う大きさになっている。左側の最右端の溝２３ｃと継ぎ目２５ａとの間隔は、溝２３ｃどうしのピッチｐｔと等しくなっている。同様に、右側の最左端の溝２３ｃと継ぎ目２５ａとの間隔も上記ピッチｐｔと等しくなっている。
【００３３】
第３実施形態によれば、噴出口２３ａから吸引口２３ｂに向かう処理ガス流ｇを溝２３ｃによって継ぎ目２５ａと同程度に乱し、全体として一様な流れを形成することができる。これによって、表面処理の一層の均一化を図ることができる。
【００３４】
発明者は、第３実施形態の表面処理装置１において、溝２３ｃのピッチｐｔをｐｔ＝２０ｍｍと設定し、不均一性のシミュレーションを行なった。
その結果、図６（ａ）及び（ｂ）のような不均一のピークはほとんど現れず、全体にわたって一定の処理量が得られ、均一な表面処理を行うことができることが確認された。
【００３５】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変をなすことができる。
例えば、先端構成部２３は、複数に分割されていればよく、２つ（図１等）又は３つ（図７）に分割されているのに限られず、４つ以上の整流部材２６に分割されていてもよい。
同様に、整流部２２は、２つ又は３つの整流部材２６に限られず、４つ以上の整流部材２６に分割されていてもよい。
先端構成部２３の分割数と整流部２２の分割数が一致しているのに限られず、互いに異なっていてもよい。例えば、先端構成部２３は３つに分割され、整流部２２は２つに分割されていてもよい。
整流部２２は、分割されていなくてもよい。
電極２１についても長手方向に複数の電極部材に分割してもよい。
電極２１、整流部２２、先端構成部２３以外の処理ヘッド構成部材についても長手方向に分割されていてもよい。
【００３６】
電極間ギャップ２１ａが整流部２２を介することなく噴出路２３ａに直接的に連なっていてもよい。
整流部２２が、電極２１と先端構成部２３の間に代えて、電極間ギャップ２１ａの上流側に配置されていてもよい。
【００３７】
先端構成部材２５，２５の継ぎ目２５ａ側の端面どうしが隙間無くぴったり当接され、継ぎ目２５ａの幅がゼロになっていてもよい。
継ぎ目２５ａは、基本的に直線状であるが、許容可能な範囲で曲線状でもよい。
【００３８】
第１〜第３実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、第２実施形態の３つの先端構成部材２５に分割された先端構成部２３の底面に第３実施形態の溝２３ｃを形成してもよい。４つ以上に分割された先端構成部２３の底面に溝２３ｃを形成してもよい。
溝２３ｃは、先端構成部２３に少なくとも１つ形成されていればよく、少なくとも１つの先端構成部材２５に形成されていればよい。
溝２３ｃは、噴出口２３ａと吸引口２３ｂとの間にだけ設けられていればよく、吸引口２３ｂと先端構成部材２５の外端縁との間には設けられていなくてもよい。
【００３９】
整流部２２の継ぎ目２６ａと先端構成部２３の継ぎ目２５ａがずれていなくてもよく、ちょうど重なっていてもよい。
整流部２２の継ぎ目２６ａは、先端構成部２３の継ぎ目２５ａと並行するように配置されていなくてもよく、ヘッド２０の短手方向Ａに延びていてもよく、継ぎ目２５ａと交差していてもよい。
【００４０】
噴出口２３ａは、処理ヘッド２０の長手方向に延在していればよく、上記長手方向に延びるスリットに代えて、上記長手方向に一列に並べられた複数の小孔であってもよい。ただし、穴のピッチは十分小さく、ピッチ周期の不均一性を生じないようにするのが好ましい。
吸引口２３ｂは、処理ヘッド２０の長手方向に延在していればよく、上記長手方向に延びるスリットに代えて、上記長手方向に一列に並べられた複数の小孔であってもよい。
処理ヘッドの長手方向と被処理物の移動方向Ａは交差していればよく、必ずしも直交していなくてもよく、互いに斜めに交差していてもよい。
【００４１】
先端構成部材２５はセラミックに限られず、樹脂や金属で構成されていてもよい。本発明は、処理ガスが腐食性を有していない場合にも適用可能である。
本発明は、エッチング、アッシング、成膜、洗浄、表面改質等の種々の表面処理に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、例えば液晶等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置の処理ヘッドの底部を、図３のI-I線に沿って矢視した底面図である。
【図２】図１のII-II線に沿う、上記表面処理装置の側面断面図である。
【図３】図１のIII-III線に沿う、上記表面処理装置の正面断面図である。
【図４】上記処理ヘッドの整流部と先端構成部の分解斜視図である。
【図５】上記処理ヘッドの底部の継ぎ目の周辺を拡大して示す底面図である。
【図６】（ａ）は、第１実施形態に係る不均一性のシミュレーションの結果を示すグラフである。（ｂ）は、比較例に係る不均一性のシミュレーションの結果を示すグラフである。
【図７】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置の処理ヘッドの底部を示す底面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る表面処理装置の処理ヘッドの底部を示す底面図である。
【図９】上記比較例に係る表面処理装置の処理ヘッドの底部を示す底面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１      表面処理装置
２      移動手段
３      電源
４      原料ガス供給源
４ｂ    ガス路
５      排気手段
５ｂ    吸引経路
７      オゾナイザー
１０    ステージ
２０    処理ヘッド
２１    電極
２１ａ  ギャップ（放電空間）
２２    整流部
２２ａ  整流路
２２ｂ  噴出導路
２３    先端構成部
２３ａ  処理ガス噴出口
２３ｂ  吸引口
２３ｃ  溝
２４    ポート
２５    先端構成部材
２５ａ  継ぎ目
２６    整流部材
２６ａ  継ぎ目
Ａ      被処理物の移動方向
ｇ      処理ガス流
ｇ１    継ぎ目を横切るガス流
Ｒ１    継ぎ目と前後方向に重なる領域
Ｗ      被処理物
【図１】
2009182016.tif 000003
【図２】
2009182016.tif 000004
【図３】
2009182016.tif 000005
【図４】
2009182016.tif 000006
【図５】
2009182016.tif 000007
【図６】
2009182016.tif 000008
【図７】
2009182016.tif 000009
【図８】
2009182016.tif 000010
【図９】
2009182016.tif 000011