(57)【要約】【課題】受光センサ素子等を封止して実装してなる半導体装置に於いて、レンズの焦点が安定し、更に、高い製造歩留りと、高い信頼性を備えた半導体装置を実現させる。【解決手段】半導体装置１は、配線基板１０と、前記配線基板１０上に搭載された、受光部２０ａを有する半導体素子２０と、前記半導体素子２０の前記受光部２０ａの領域外に配置された接着部材３１を介し、前記半導体素子２０上に搭載された、透光部材６０からなる平板部と、を備え、前記平板部が前記配線基板１０の両端にまで延在されている。このような半導体装置１によれば、装着するレンズの焦点が安定し、更に、半導体装置１の製造歩留りが向上し、信頼性が向上する。【選択図】図１
2009188191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に搭載された、受光部を有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記受光部の領域外に配置された接着部材と、
前記接着部材を介し、前記半導体素子上に搭載された透光部材と、
を備え、前記透光部材が前記配線基板の外周縁にまで延在されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記透光部材の前記半導体素子と対向する主面に、少なくとも一つの第１の切欠きが設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線基板と前記半導体素子とを電気的に接続するボンディングワイヤを備え、
前記ボンディングワイヤの頂点は、前記第１の切欠きに対応する位置に配置されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
配線基板上に、受光部を有する複数の半導体素子を搭載する工程と、
前記複数の半導体素子の前記受光部上に、それぞれの半導体素子の前記受光部の領域外に配置された接着部材を介して透光部材を接合する工程と、
前記複数の半導体素子を樹脂により封止する工程と、
前記複数の半導体素子を前記樹脂により封止した後に、前記複数の半導体素子を前記透光部材及び前記樹脂と共に個片化する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の半導体素子を前記樹脂により封止する前に、前記透光部材の外周に第２の切欠きを形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の半導体素子を樹脂により封止する工程では、
前記配線基板、前記複数の半導体素子、及び前記透光部材を金型内に配置するとともに、前記透光部材と前記金型との間にシートを挟みこむことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に受光センサ素子が封止されて構成される半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報端末等に搭載されるカメラモジュールとして、固体半導体素子等の受光センサ素子を封止して実装してなる半導体装置が注目されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
当該半導体装置は、例えば、図１３に例示されるような構成が一般的である。この図では、当該半導体装置の基本構成に係る要部断面が示されている。
図示する半導体装置にあっては、配線基板１０の一方の主面に、受光部２０ａを備えた半導体素子（固体撮像素子）２０が搭載されている。当該半導体素子２０と配線基板１０の間には、接着部材３０が配置され、当該接着部材３０により、半導体素子２０が上記配線基板１０に固定されている。
【０００４】
また、半導体素子２０の主面に配設された複数の電極パッド（図示しない）と、配線基板１０上に配設された電極端子（図示しない）の間には、ボンディングワイヤ４０が配置され、当該ボンディングワイヤ４０を通じての半導体素子２０と、配線基板１０との電気的な接続が確保されている。
【０００５】
更に、当該半導体素子２０の一部、並びに上記ボンディングワイヤ４０は、封止用樹脂１００により、封止されている。
そして、上記受光部２０ａを有する半導体素子２０の主面上には、接着部材３１を介して、透光部材２００が配置され、当該透光部材２００の側面に、上記封止用樹脂１００が接触してなる構成をしている。
【０００６】
一方、配線基板１０の他方の主面には、外部接続端子を構成する、複数の半田ボール１１が配設されている。
ところで、図示する半導体装置は、図１４に示す如く、製造される。
【０００７】
例えば、複数の半導体素子２０を、接着部材３０を介して、大判の配線基板１０ａ上に搭載する。大判の配線基板１０ａには、複数の上記配線基板１０が配置されている。そして半導体素子２０の電極パッドと配線基板１０ａに配設された電極端子とをボンディングワイヤ４０により導通させる。
【０００８】
次いで、半導体素子２０の受光部２０ａを開口する程度に、当該受光部２０ａの周辺に、上記接着部材３１を形成する。そして、透光部材２００を接着部材３１を介して、半導体素子２０の主面に接着させる。尚、この状態の半導体素子２０、並びに透光部材２００をチップと称する。
【０００９】
そして、透光部材２００の表面が表出するように、上記封止用樹脂１００によって、半導体素子２０の一部、ボンディングワイヤ４０、並びに透光部材２００の側面をモールド成形により封止する。更に、このような封止体に、上記半田ボール１１を配設した後、ダイシングにより、複数の半導体素子２０、並びに配線基板１０ａ等の個片化を行う。このような工程により、図１３に例示する半導体装置が形成される。
【特許文献１】特許第３８８０２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、図１３に示す半導体装置は、透光部材２００の主面の面積が半導体素子２０の主面の面積より小さく、透光部材２００の側面にまで、封止用樹脂１００が配置されている。このため半導体装置の上面に、レンズを装着する場合には、封止用樹脂１００の表面を台座（ステージ）にする必要がある。
【００１１】
封止用樹脂１００は、透光部材２００を半導体素子２０上に配置してからモールド成形により形成していることから、透光部材２００と封止用樹脂１００に段差が生じたり、その表面が均一に形成しない場合がある。このため、半導体装置に装着するレンズの焦点が安定しないという問題があった。
【００１２】
また、上記の製造方法では、上述した如く、個片化された透光部材２００を半導体素子２０上に配置してから、モールド成形を行っている。しかし、このような透光部材２００を半導体素子２０に接着する際には、接着条件のばらつきにより、個々のチップの高さにばらつきが生じる場合がある。また、透光部材２００に於いては、製造ロットによって、その厚みにばらつきが生じる場合がある。
【００１３】
このため、樹脂封止の際に使用する、モールド成形用の金型内では、配線基板１０ａ上に配置された、各々のチップの高さにばらつきが生じる場合がある。
そして、図１５に示す如く、半導体素子２０の一部、ボンディングワイヤ４０、並びに透光部材２００の側面をモールド成形により封止すると、配線基板１０ａ上に配置されたチップ中、チップの高さがより高いチップに於いては、上金型７０並びに下金型７１による荷重が過剰に印加され、半導体素子２０、あるいは透光部材２００の一部に割れ３００が生じたりする。
【００１４】
また、このようなチップに於いては、接着部材３１が押圧されることにより、接着部材３１が受光部２０ａにまで達し、異物映り込みによる画像不良になってしまう。
その逆に、チップの高さがより低いチップに於いては、上金型７０と透光部材２００との間に隙間が生じ、透光部材２００上に封止用樹脂１００ａが浸入してしまう。これにより、透光部材２００の透過度が減少してしまい、異物映り込みによる画像不良になってしまうという現象が生じていた。
【００１５】
このように、受光センサ素子等を封止して実装してなる半導体装置に於いては、高い製造歩留りをもって形成することができず、高い信頼性が得られないという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、受光センサ素子等を封止して実装してなる半導体装置に於いて、装着するレンズの焦点が安定し、更に、製造歩留りが高く、信頼性が高い半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、配線基板と、前記配線基板上に搭載された、受光部を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記受光部の領域外に配置された接着部材と、前記接着部材を介し、前記半導体素子上に搭載された透光部材と、を備え、前記透光部材が前記配線基板の外周縁にまで延在されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１７】
また、配線基板上に、受光部を有する複数の半導体素子を搭載する工程と、前記複数の半導体素子の前記受光部上に、それぞれの半導体素子の前記受光部の領域外に配置された接着部材を介して透光部材を接合する工程と、前記複数の半導体素子を樹脂により封止する工程と、前記複数の半導体素子を前記樹脂により封止した後に、前記複数の半導体素子を前記透光部材及び前記樹脂と共に個片化する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
上記手段によれば、受光センサ素子等を封止して実装してなる半導体装置に於いて、装着するレンズの焦点が安定し、更に、高い製造歩留りと、高い信頼性を備えた半導体装置が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
第１の実施の形態である、受光センサ素子等を封止して実装してなる半導体装置１を、図１に示す。この図では、当該半導体装置１の要部断面が示されている。
【００２０】
半導体装置１にあっては、配線基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して、受光部２０ａを備えた半導体素子２０が搭載・固着されている。当該受光部２０ａは、半導体素子２０の中央部分に設けられている。
【００２１】
そして、半導体素子２０の主面に配設された電極パッド（図示しない）と配線基板１０の上記主面上に配設された電極端子（図示しない）との間はボンディングワイヤ４０によって接続されている。
【００２２】
また、半導体装置１にあっては、受光部２０ａの領域外に配置され、受光部２０ａの外周を包囲するように配置された接着部材３１を介して、半導体素子２０上に、平板状の透光部材６０が搭載・固定されている。このような透光部材６０の幅は、上記配線基板１０と同幅とし、透光部材６０の外周縁６０ｅを、上記配線基板１０の外周縁１０ｅにまで延在させた構成としている。
【００２３】
また、配線基板１０の上記主面、半導体素子２０、接着部材３０，３１、並びに透光部材６０で囲まれた空間には、封止用樹脂５０が充填されている。これにより、半導体素子２０の外周部、並びにボンディングワイヤ４０等は、封止用樹脂５０により被覆・封止されている。
【００２４】
一方、配線基板１０の他方の主面には、電極ランド（図示しない）上に外部接続端子となる半田ボール１１が配設されている。
かかる構成に於いて、半導体素子２０は、シリコン（Ｓｉ）あるいはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基材の一方の主面に、所謂ウェハプロセスが適用されて、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子、並びにこれらの機能素子を接続する配線層を含む活性領域（電子回路形成領域）が形成されて構成されている。
【００２５】
また、半導体素子２０は、上述した如く、その中央部分に受光部２０ａを備え、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサ、あるいはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の固体撮像素子として機能する。
【００２６】
また、配線基板１０は、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、あるいはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、あるいはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材とし、その表面及び／あるいは裏面、更には必要に応じて内部（内層）に配設された導電層を具備している。
【００２７】
当該導電層は、銅（Ｃｕ）を主体とし、配線基板の表面及び／あるいは裏面に配設された前記電極端子及び前記電極ランドに接続されている。尚、前記電極端子及び前記電極ランドは、当該導電層の一部として形成されてもよく、また、前記電極端子の表面は下層よりニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっきが形成されてもよい。
【００２８】
当該配線基板１０は、支持基板、回路基板あるいはインターポーザとも称される。
また、接着部材３０，３１は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂、あるいはエポキシ系の熱硬化性樹脂を主体として構成される。
【００２９】
また、ボンディングワイヤ４０は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいはこれらの何れかを含む合金からなる金属細線をもって形成される。
また、半導体装置１にあっては、上述のワイヤボンディングに依らず、所謂、フリップチップ接合にて、半導体素子２０を配線基板１０上に搭載してもよい。
【００３０】
また、封止用樹脂５０としては、シリカ（ＳｉＯ２）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなる無機フィラーを含有するエポキシ系樹脂が適用され、封止方法としては所謂トランスファーモールド法が適用される。
【００３１】
更に、透光部材６０としては、ガラスまたは石英等の無機材で構成される透明板、あるいは、有機樹脂からなる透明部材が適用される。
次に、上述した半導体装置１の製造方法を、図２〜図８を用いて説明する。尚、図２〜図８に於いては、図１に於いて説明した部材と同一の部材には同一の符号を付している。
【００３２】
当該半導体装置１の製造方法にあっては、生産性を向上させるために、上記半導体素子２０を複数個搭載・固着できる、大判の配線基板１０ａを予め準備する。そして、当該配線基板１０ａの主面に、複数の半導体素子２０等を搭載してから、ダイシングにより、個片化された上記半導体装置１を形成するという工程を経る。
【００３３】
先ず、半導体素子２０の裏面に、接着部材３０を配設しておく。当該半導体素子２０は、ウエハ状態の半導体素子をダイシング装置により、予め個片化されている。また、接着部材３０の半導体素子２０への配設は、例えば、シート状の接着部材３０の貼り合わせ、あるいは接着材の塗布により実施する。ここで、当該接着部材３０は、例えばポリイミド系樹脂あるいはエポキシ系樹脂を主成分としている。
【００３４】
しかる後、複数個の半導体素子２０を、その半導体素子形成部を上側として、配線基板１０ａにマウントし、複数個の半導体素子２０を、配線基板１０ａの所定の位置に固定する。
【００３５】
尚、ここでは接着部材３０を予め、半導体素子２０の裏面に配設する方法を例示したが、これに代えて、接着部材３０を予め配線基板１０ａ上に、貼付けあるいは塗布等により配設しておき、半導体素子２０を配線基板１０ａ上に搭載してもよい。
【００３６】
この結果、複数の半導体素子２０は、その受光部２０ａを上として、配線基板１０ａ上に固着される。
次に、複数の半導体素子２０並びに配線基板１０ａに於いては、夫々の表面に配設されている電極パッド（図示しない）と配線基板１０ａ上の電極端子（図示しない）とが、ボンディングワイヤ４０により接続される。
【００３７】
かかる状態を図２に示す。尚、この図に於いて、図２（ａ）には、配線基板１０ａ上に、複数の半導体素子２０が搭載され、上記ワイヤボンディングが施された状態の要部平面が示され、図２（ｂ）には、図２（ａ）のＸ−Ｙに沿った要部断面が示されている。
【００３８】
一方、図２に例示して説明した工程と同時、またはその前後に於いて、上記透光部材６０が連続する、大判の透光部材６０ａを予め準備し、当該透光部材６０ａの主面に、複数の接着部材３１を印刷法等により配設する。
【００３９】
ここで、複数の接着部材３１を透光部材６０ａに配置する位置または形状は、後述するように、透光部材６０ａを半導体素子２０の主面に貼りあわせる際に、上記受光部２０ａに、接着部材３１が付着しない程度に配設される。
【００４０】
例えば、透光部材６０ａを半導体素子２０の主面に貼りあわせた後（後述）、受光部２０ａの領域外に、接着部材３１が位置するように、接着部材３１を配置する。
このように、接着部材３１は、上記配線基板１０ａに配置された、夫々の半導体素子２０の受光部２０ａを、完全に開口するように形成される。
【００４１】
尚、透光部材６０ａの接着部材３１が形成された主面側の周辺部には、凹部６０ａａが形成されている。
かかる状態を図３に示す。尚、この図に於いて、図３（ａ）には、透光部材６０ａ上に、複数の接着部材３１が配設された状態の要部平面が示され、図３（ｂ）には、図３（ａ）のＸ−Ｙに沿った要部断面が示されている。
【００４２】
図示する如く、接着部材３１は、内部に開口部３１ａを有し、その外形を矩形状としている。ここで、接着部材３１の幅は、０．１〜１．０ｍｍ程度に構成されている。そして、この開口部３１ａ内に、上記受光部２０ａが位置する（後述）。
【００４３】
続いて、複数の接着部材３１が配設された透光部材６０ａの主面を、複数の半導体素子２０が配置された配線基板１０ａの主面に対向させ、位置あわせを行う。そして、複数の半導体素子２０の主面に、透光部材６０ａを接着部材３１を介し、貼りあわせる。即ち、複数の半導体素子２０の受光部２０ａ上に、それぞれの半導体素子２０の受光部２０ａの領域外に配置された接着部材３１を介して透光部材６０ａを接合する。
【００４４】
この際、透光部材６０ａと配線基板１０ａ上の半導体素子２０とは、接着装置により透光部材６０ａが平行に加圧されながら、接着される。
尚、接着部材３１のタック性（粘着性）を向上させるために、必要に応じて、透光部材６０ａを通しての加熱により、そのタック性を発現させてもよい。
【００４５】
また、このような接着部材３１は、透光部材６０ａ側に形成しなくてもよく、例えば、半導体素子２０の主面にディスペンス法等により形成してもよい。
かかる状態を図４に示す。
【００４６】
しかる後、図５に示す如く、配線基板１０ａ、半導体素子２０、並びに透光部材６０ａ等を、上金型７０と下金型７１との間に挟持して、上金型７０と下金型７１とを型締めする。尚、上金型７０の内面には、樹脂製のリリースフィルム７２を配置してもよい。また、このようなリリースフィルム７２の配置により、上金型７０と透光部材６０ａとの直接的な接触が解除され、透光部材６０ａの傷、汚れの発生、あるいは透光部材６０ａ上面への封止用樹脂の浸入が抑制される。
【００４７】
続いて、型締めされた上金型７０と下金型７１で構成されるキャビティ内に、封止用樹脂５０ａを充填する。即ち、封止用樹脂５０ａを、透光部材６０ａと配線基板１０ａの間に注入して、配線基板１０ａの一方の主面に搭載・固定された半導体素子２０、並びにボンディングワイヤ４０等を封止用樹脂５０ａにより被覆する。尚、当該封止用樹脂５０ａの被覆方法として、所謂、トランスファーモールド法を適用する。
【００４８】
尚、上述した如く、リリースフィルム７２と接する透光部材６０ａの主面の周辺部に於いて、凹部（切欠き）６０ａａが設けられている。このような凹部６０ａａの形成により、透光部材６０ａの周辺部で封止用樹脂５０ａが浸入しても、当該凹部６０ａａにて、浸入した封止用樹脂５０ａが塞き止められ、透光部材６０ａ上面への封止用樹脂５０ａの浸入を確実に防止することができる。前述のリリースフィルム７２を使用する場合には、リリースフィルム７２の一部が凹部６０ａａに食い込むことにより、透光部材６０ａ上面への封止用樹脂５０ａの浸入をより確実に防止することができる。
【００４９】
尚、透光部材６０ａの周辺部での封止用樹脂５０ａの浸入が発生しない場合は、透光部材６０ａに上記凹部６０ａａを設けなくてもよい。
かかる状態を図６に示す。
【００５０】
次に、上記樹脂モールド工程の後、上金型７０と下金型７１による型締めを解除し、一体となった配線基板１０ａ、半導体素子２０、透光部材６０ａ、並びに封止用樹脂５０ａ等をリリースフィルム７２から離反させる。次いで、前記一体となった封止体を上金型７０並びに下金型７１から取り出し、配線基板１０ａの裏面側に、外部接続端子を構成する半田ボール１１をリフロー法により形成する。
【００５１】
かかる状態を図７に示す。
次いで、図８に示す如く、半田ボール１１を配設した配線基板１０ａ、半導体素子２０、透光部材６０ａ、並びに封止用樹脂５０ａ等を、ダイシングラインＤＬに沿ってダイシングを行い、個々の半導体装置１に切断・分離する。
【００５２】
このような製造工程により、図１に示すところの、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージ構造を有する半導体装置１が形成される。
尚、当該半導体装置１に於いては、半田ボール１１の配設を省略したＬＧＡ（Land Grid Array）パッケージ構造としてもよい。
【００５３】
このように、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法に於いては、上記トランスファーモールド法を適用しても、本実施の形態の特徴的構成、即ち、大判の透光部材６０ａを、複数個の半導体素子２０に平行に接着させた後に、封止用樹脂５０ａを形成している。従って、個片化された、夫々の半導体装置１に於いては、夫々の半導体素子２０上の接着部材３１の高さが均一に制御され、半導体装置１の厚みが均一になる。また、透光部材６０ａと配線基板１０ａとを平行に接合させ、個々の半導体装置１に個片化したことから、透光部材６０と配線基板１０とは、平行状態にある。
【００５４】
次に、上記透光部材６０を備えた半導体装置１にもたらされる効果について説明する。
第１の実施の形態に係る半導体装置１にあっては、上述した如く、透光部材６０の幅を、上記配線基板１０と同幅とし、透光部材６０の外周縁６０ｅを、上記配線基板１０の外周縁１０ｅにまで延在させた構成としている。
【００５５】
このような半導体装置１に、レンズホルダ８０内に支持されたレンズ８１を搭載した状態を図９に示す。
図示するように、半導体装置１の透光部材６０の主面に、接着部材８２を介して、レンズ８１を固定・支持したレンズホルダ８０が搭載されている。当該接着部材８２は、例えば、湿気硬化型、熱硬化型、ＵＶ硬化型等の接着材が適用される。
【００５６】
上述した如く、透光部材６０の外周縁６０ｅを、上記配線基板１０の外周縁１０ｅにまで延在させ、透光部材６０と配線基板１０とが平行状態にあることから、レンズ８１の軸８１ａが、半導体素子２０の受光部２０ａに垂直になるように、レンズホルダ８０が配置される。これにより、半導体装置１は、レンズ８１の軸ずれが生じ難い構成を有している。
【００５７】
また、透光部材６０の外周縁６０ｅを、上記配線基板１０の外周縁１０ｅにまで延在させ、受光部２０ａより充分に大きい面積の透光部材６０を半導体素子２０上に備えた構成としていることから、受光部２０ａ上が充分に開口されている。これにより、受光部２０ａに充分な光量の光を引き込むことができる。また、受光部２０ａ上が充分に開口されていることから、受光部２０ａ上での光の乱反射も生じ難くなる。
【００５８】
また、個片化された、夫々の半導体装置１に於いては、受光部２０ａの表面から、透光部材６０の表面までの距離が、同じ厚みに調整されている。これにより、固定焦点型のレンズを半導体装置１に備えても、個々のレンズと当該レンズに対向して配置された半導体素子２０の受光部２０ａとの間に、焦点のずれが生じることがない。
【００５９】
また、焦点調整が可能なレンズを半導体装置１に備えても、半導体素子２０に平行に配置されている透光部材６０を台座にできることから、当該レンズの軸は、受光部２０ａに垂直に配置される。従って、焦点調整が可能なレンズを装着しても、上記のずれが発生することはない。
【００６０】
また、１枚の平板で構成される、大判の透光部材６０ａを複数個の半導体素子２０の主面に、接着部材３１を介して、平行に接着することにより、各々の半導体素子２０上の接着部材３１で高さが制御され、個片化後の半導体装置１の厚みを均一にすることができる。これにより、透光部材６０、あるいは半導体素子２０の割れ、透光部材６０上への封止用樹脂５０の回り込みが抑制される。その結果、高い製造歩留りと、高い信頼性を備えた半導体装置１が実現する。
【００６１】
更に、透光部材６０ａと配線基板１０ａを１回のみのダイシングにより個片化して、半導体装置１を製造するので、半導体装置１が安価になる。
＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態である、受光センサ素子等を封止して実装してなる半導体装置２を、図１０に示す。この図では、当該半導体装置２の要部断面が示されている。
【００６２】
半導体装置２にあっては、配線基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して、受光部２０ａを備えた半導体素子２０が搭載・固着されている。当該受光部２０ａは、半導体素子２０の中央部分に設けられている。
【００６３】
そして、半導体素子２０の主面に配設された電極パッド（図示しない）と配線基板１０の上記主面上に配設された電極端子（図示しない）との間はボンディングワイヤ４０によって接続されている。
【００６４】
また、半導体装置２にあっては、受光部２０ａの外周に配設された接着部材３１を介して、半導体素子２０上に透光部材６０が搭載・固定されている。このような透光部材６０の幅は、上記配線基板１０と同幅とし、透光部材６０の外周縁６０ｅを、上記配線基板１０の外周縁１０ｅにまで延在させた構成としている。
【００６５】
そして、ボンディングワイヤ４０のループの最も高い位置から上方の透光部材６０に於いては、矩形状の切欠き６０ｈａが設けられている。
即ち、半導体装置２にあっては、半導体素子２０と対向する主面に、少なくとも一つの切欠き６０ｈａが設けられ、配線基板１０と半導体素子２０とを電気的に接続するボンディングワイヤ４０を備え、ボンディングワイヤ４０の頂点が切欠き６０ｈａに対応する位置に配置されている。
【００６６】
尚、当該切欠き６０ｈａの断面形状は、図示する矩形状の他、逆Ｕ字状、逆Ｖ字状等であってもよい。
また、配線基板１０の上記主面、半導体素子２０、接着部材３０，３１、並びに透光部材６０で囲まれた空間には、封止用樹脂５０が充填されている。これにより、半導体素子２０の外周部、並びにボンディングワイヤ４０等は、封止用樹脂５０により被覆・封止されている。
【００６７】
一方、配線基板１０の他方の主面には、電極ランド（図示しない）上に外部接続端子となる半田ボール１１が配設されている。
また、半導体装置２にあっては、上述のワイヤボンディングに依らず、所謂、フリップチップ接合にて、半導体素子２０を配線基板１０上に搭載してもよい。
【００６８】
尚、切欠き６０ｈａは、上記透光部材６０ａを半導体素子２０に接着する前に、ダイシングにより形成する。
このような半導体装置２によれば、上述した第１の実施の形態に係る半導体装置１の効果に加え、更に、次のような効果がもたらされる。
【００６９】
半導体装置２にあっては、上述した如く、ボンディングワイヤ４０のループの最も高い位置から上方の透光部材６０に於いて、切欠き６０ｈａが設けられている。これにより、半導体装置２を製造する際に、透光部材６０とボンディングワイヤ４０との接触を確実に回避することができる。
【００７０】
特に、切欠き６０ｈａ内に、上記ボンディングワイヤ４０の一部を挿入させる構成とすることにより、半導体装置２の厚みを低減させ、半導体装置の薄型化・小型化を図ることができる。
【００７１】
また、当該切欠き６０ｈａに、封止用樹脂５０が埋め込まれることにより、アンカー効果が促進し、封止用樹脂５０と透光部材６０とが強固に密着する。
これにより、高い製造歩留りと、高い信頼性を備えた半導体装置２が実現する。
【００７２】
＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態である、受光センサ素子等を封止して実装してなる半導体装置３を、図１１に示す。この図では、当該半導体装置３の要部断面が示されている。
【００７３】
半導体装置３にあっては、配線基板１０の一方の主面上に、接着部材３０を介して、受光部２０ａを備えた半導体素子２０が搭載・固着されている。当該受光部２０ａは、半導体素子２０の中央部分に設けられている。
【００７４】
そして、半導体素子２０の主面に配設された電極パッド（図示しない）と配線基板１０の上記主面上に配設された電極端子（図示しない）との間はボンディングワイヤ４０によって接続されている。
【００７５】
また、半導体装置３にあっては、受光部２０ａの外周に配設された接着部材３１を介して、半導体素子２０上に透光部材６０が搭載・固定されている。このような透光部材６０の幅は、上記配線基板１０と同幅とし、透光部材６０の外周縁６０ｅを、上記配線基板１０の外周縁１０ｅにまで延在させた構成としている。
【００７６】
そして、透光部材６０の外周部に於いては、矩形状の切欠き６０ｈｂが設けられている。
尚、当該切欠き６０ｈｂの断面形状は、図示する矩形状の他、Ｕ字状、Ｖ字状等であってもよい。
【００７７】
また、配線基板１０の上記主面、半導体素子２０、接着部材３０，３１、並びに透光部材６０で囲まれた空間には、封止用樹脂５０が充填されている。これにより、半導体素子２０の外周部、並びにボンディングワイヤ４０等は、封止用樹脂５０により被覆・封止されている。
【００７８】
一方、配線基板１０の他方の主面には、電極ランド（図示しない）上に外部接続端子となる半田ボール１１が配設されている。
また、半導体装置３にあっては、上述のワイヤボンディングに依らず、所謂、フリップチップ接合にて、半導体素子２０を配線基板１０上に搭載してもよい。
【００７９】
尚、切欠き６０ｈｂは、上記透光部材６０ａを半導体素子２０に接着する前に、ダイシングにより形成する。
このような半導体装置３によれば、上述した第１の実施の形態に係る半導体装置１の効果に加え、更に、次のような効果がもたらされる。
【００８０】
例えば、半導体装置３に、レンズホルダ８０内に支持されたレンズ８１を搭載した状態を図１２に示す。
図示するように、透光部材６０の主面に形成された切欠き６０ｈｂ上に、接着部材８２を介して、レンズ８１を固定・支持したレンズホルダ８０が搭載されている。
【００８１】
このように、切欠き６０ｈｂにレンズホルダ８０を嵌合させることにより、半導体装置３に、配置されるレンズホルダ８０の位置が安定する。レンズホルダ８０を半導体装置３に装着する際の位置合わせ、並びに接着が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の要部断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その１）。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その２）。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その３）。
【図５】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その４）。
【図６】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その５）。
【図７】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その６）。
【図８】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その７）。
【図９】第１の実施の形態に係る半導体装置にレンズホルダ及びレンズを装着した状態の要部図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る半導体装置の要部断面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係る半導体装置の要部断面図である。
【図１２】第３の実施の形態に係る半導体装置にレンズホルダ及びレンズを装着した状態の要部図である。
【図１３】受光センサ素子を封止して実装してなる半導体装置の要部図である。
【図１４】受光センサ素子を封止して実装してなる半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その１）。
【図１５】受光センサ素子を封止して実装してなる半導体装置の製造方法を説明するための要部図である（その２）。
【符号の説明】
【００８３】
１，２，３  半導体装置
１０，１０ａ  配線基板
１０ｅ  外周縁
１１  半田ボール
２０  半導体素子
２０ａ  受光部
３０，３１，８２  接着部材
３１ａ  開口部
４０  ボンディングワイヤ
５０，５０ａ，１００，１００ａ  封止用樹脂
６０，６０ａ，２００  透光部材
６０ａａ  凹部
６０ｅ  外周縁
７０  上金型
７１  下金型
７２  リリースフィルム
８０  レンズホルダ
８１  レンズ
８１ａ  軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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