(57)【要約】【課題】高い処理能力を備えることができ、処理ガスの使用量を削減できるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理基材の搬入口および搬出口を有する筐体と、前記筐体内に設けられプラズマを発生させて前記被処理基材を処理するプラズマ処理部と、前記搬入口とプラズマ処理部とを接続する搬入路と、プラズマ処理部と前記搬出口とを接続する搬出路と、前記被処理基材を前記搬入路と搬出路を通って搬送する搬送部と、前記搬入路および搬出路の少なくとも一方に吸引口が露出しプラズマ処理部から気体を吸引する吸引部と、プラズマ処理部に設けられ前記被処理基材の搬送方向に沿って配列された複数対の対向電極と、プラズマ処理部に設けられ処理ガスを各対向電極間へ供給する処理ガス吹き出し部と、処理ガス吹き出し部の処理ガス供給量を設定する設定部とを備え、前記設定部は前記吸引口に近い処理ガス吹き出し部ほど処理ガス供給量が少なくなるように処理ガス供給量を設定する。【選択図】図1
2009188334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基材の搬入口および搬出口を有する筐体と、前記筐体内に設けられプラズマを発生させて前記被処理基材を処理するプラズマ処理部と、前記搬入口とプラズマ処理部とを接続する搬入路と、プラズマ処理部と前記搬出口とを接続する搬出路と、前記被処理基材を前記搬入路と搬出路を通って搬送する搬送部と、前記搬入路および搬出路の少なくとも一方に吸引口が露出しプラズマ処理部から気体を吸引する吸引部と、プラズマ処理部に設けられ前記被処理基材の搬送方向に沿って配列された複数対の対向電極と、プラズマ処理部に設けられ処理ガスを各対向電極間へ供給する処理ガス吹き出し部と、処理ガス吹き出し部の処理ガス供給量を設定する設定部とを備え、前記設定部は前記吸引口に近い処理ガス吹き出し部ほど処理ガス供給量が少なくなるように処理ガス供給量を設定するプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記吸引口は、前記搬出路に露出する請求項1記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記吸引口は、前記搬入路に露出する請求項1記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記吸引口は、前記搬入路および搬出路に露出する請求項1記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記筐体は、気体吹き出し部を前記搬入口および搬出口の少なくとも一方の近傍に備える請求項1から4いずれか1項記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
補助吸引口を有する補助吸引部をさらに備え、前記補助吸引口は、
前記搬入口および搬出口の少なくとも一方の近傍に設けられる請求項1から5いずれか1項記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマ処理装置に関し、詳しくは、常圧下つまり大気圧近傍の圧力下で改質、洗浄、加工、薄膜の成膜などの処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
1対の電極と、処理ガス供給手段とを備えたプラズマ処理部を収納する筐体を備え、この筐体にガスを供給し、筐体内の被処理基材用入口および出口の近傍にカーテン状にガスを噴き出すガスカーテン部材を設けることにより、筐体からの処理ガスの流出および筐体内への外気の流入を防止し、処理ガスの使用量を低減する装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【０００３】
【特許文献１】特開2006-140051号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなガスカーテン部材が設けられた大気圧プラズマ処理装置においては、一対の電極が設けられ、電極付近から処理ガスが供給される。そして、被処理基材用入口および出口近傍にガスカーテン部材が設けられている。このため、外気の流入を防止し、処理ガスの流出を防止して処理ガス使用量を低減することができる。
しかし、電極が一対であるので処理能力が低いという問題点があった。
また、複数対の電極を使用すると、電極対間に処理ガスの淀みが生じるため、それぞれの電極付近から供給された処理ガスが一様な流れを形成できない。このため、プラズマの生成に寄与しない処理ガスが発生し、処理ガス使用量が増加するという問題点があった。
【０００５】
この発明は、このような事情を考慮してなされたものであり、高い処理能力を備えることができ、処理ガスの使用量も削減できるプラズマ処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、被処理基材の搬入口および搬出口を有する筐体と、前記筐体内に設けられプラズマを発生させて前記被処理基材を処理するプラズマ処理部と、前記搬入口とプラズマ処理部とを接続する搬入路と、プラズマ処理部と前記搬出口とを接続する搬出路と、前記被処理基材を前記搬入路と搬出路を通って搬送する搬送部と、前記搬入路および搬出路の少なくとも一方に吸引口が露出しプラズマ処理部から気体を吸引する吸引部と、プラズマ処理部に設けられ前記被処理基材の搬送方向に沿って配列された複数対の対向電極と、プラズマ処理部に設けられ処理ガスを各対向電極間へ供給する処理ガス吹き出し部と、処理ガス吹き出し部の処理ガス供給量を設定する設定部とを備え、前記設定部は前記吸引口に近い処理ガス吹き出し部ほど処理ガス供給量が少なくなるように処理ガス供給量を設定するプラズマ処理装置を提供するものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明のプラズマ処理装置によれば、搬入路および搬出路の少なくとも一方に吸引口が露出しプラズマ処理部から気体を吸引する吸引部と、プラズマ処理部に設けられ被処理基材の搬送方向に沿って配列された複数対の対向電極と、プラズマ処理部に設けられ処理ガスを各対向電極間へ供給する処理ガス吹き出し部と、処理ガス吹き出し部の処理ガス供給量を設定する設定部が備えられる。従って、プラズマ処理部における気体の流れが、淀みを生じることなく電極の配列方向に沿うように一様に流れるので、一方の電極間でプラズマの生成に寄与しない処理ガスを他方の電極間で利用することができる。また、設定部は吸引口に近い処理ガス吹き出し部ほど処理ガス供給量が少なくなるように処理ガス供給量が設定されるので、処理ガス使用量を削減することが可能となる。
また、複数対の対向電極を備えているので、高い処理能力を備えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
この発明によるプラズマ処理装置は、被処理基材の搬入口および搬出口を有する筐体と、前記筐体内に設けられプラズマを発生させて前記被処理基材を処理するプラズマ処理部と、前記搬入口とプラズマ処理部とを接続する搬入路と、プラズマ処理部と前記搬出口とを接続する搬出路と、前記被処理基材を前記搬入路と搬出路を通って搬送する搬送部と、前記搬入路および搬出路の少なくとも一方に吸引口が露出しプラズマ処理部から気体を吸引する吸引部と、プラズマ処理部に設けられ前記被処理基材の搬送方向に沿って配列された複数対の対向電極と、プラズマ処理部に設けられ処理ガスを各対向電極間へ供給する処理ガス吹き出し部と、処理ガス吹き出し部の処理ガス供給量を設定する設定部とを備え、前記設定部は前記吸引口に近い処理ガス吹き出し部ほど処理ガス供給量が少なくなるように処理ガス供給量を設定することを特徴とする。
【０００９】
この発明によるプラズマ処理装置において、被処理基材としては、改質、洗浄、加工、薄膜の成膜などの処理が行われるガラスやポリイミドフィルムなどを挙げることができる。
【００１０】
筐体は、上部筐体と下部筐体により構成されてもよい。具体例としては、アルミニウムやステンレスなどで形成された金属製の筐体を挙げることができる。
【００１１】
プラズマ処理部は、筐体内部の中央付近に備えられることが好ましいが、筐体内部のどこに備えられてもよい。
【００１２】
搬入路および搬出路は、直線であることが好ましいが、曲線であってもよいし、勾配がつけられていてもよい。
【００１３】
搬送部は、被処理基材を搬入口から搬入路を通ってプラズマ処理部へ搬入し、プラズマ処理部から搬出路を通って搬出口へ搬送するものである。具体例としては、搬送部は、モータのような駆動源により駆動されるコロ(ローラー)や耐プラズマ性に優れた材質をベルトに用いたコンベアなどが挙げられる。
【００１４】
吸引部は、ノズル状の吸引口を有し、吸引口から吸引した気体を筐体外へ排気する構造を有していてもよい。
ここで、気体は、処理ガスや処理によって生成されたガスを含む。
【００１５】
複数対の対向電極は、それぞれ導電体で形成される。具体例としては、銅、真鍮またはアルミニウムなどで形成されたものを挙げることができる。
また、電極は、処理ガス、プラズマ中で生成された活性種、または、反応後の生成物などによって表面が侵されないようにアルマイト処理のような表面処理が施されることが好ましい。または、固体誘電体によって被覆されてもよい。このようにすることによって、電極の放電によるダメージを防ぐことができる。
【００１６】
処理ガスは、処理の目的によってガス種や混合比を変えればよく、特に限定されるものではない。処理ガスとしては、例えば、He,Arなどの希ガス、フッ素化合物や塩素化合物などのハロゲンを含むガス、酸素や窒素などのガスを適宜選択することができる。
例えば、He,Arはプラズマ生成時の活性種の励起用に、フッ素化合物、塩素化合物、はエッチング用に、酸素はアッシング用に主に使用することができる。
【００１７】
設定部は、処理ガスの供給量を調整できるものであればよく、特に限定されるものではない。設定部としては、例えば、浮子式流量計のようなものであってもよい。そして、処理ガスの供給量は、例えば、ニードルバルブ、ゲートバルブ、バタフライバルブなどによって調整することができる。
【００１８】
この発明によるプラズマ処理装置において、前記吸引口は、前記搬入路または搬出路に露出していてもよい。
【００１９】
この発明によるプラズマ処理装置において、前記吸引口は、前記搬入路および搬出路に露出していることが好ましい。
このような構成によれば、搬入路および搬出路に吸引部が露出しているので、外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止することもできる。従って、処理ガスの使用量を削減することができ、また、周辺環境の汚染も防止することができる。
【００２０】
この発明によるプラズマ処理装置において、筐体は、気体吹き出し部を前記搬入口および搬出口の少なくとも一方の近傍に備えることが好ましい。
気体吹き出し部は、ノズル状の吹き出し口を有し、吹き出し口からガスを吹き出す構造を備えてもよい。
【００２１】
この発明によるプラズマ処理装置において、補助吸引口を有する補助吸引部をさらに備え、前記補助吸引口は、前記搬入口および搬出口の少なくとも一方の近傍に設けられていてもよい。
【００２２】
以下、図面に示す実施形態を用いてこの発明をさらに詳述する。この発明はこれに限定されるものではなく、種々の変更が可能である。なお、共通する部材には同じ符号を付して説明する。
実施形態1
図1は、この発明の実施形態1の構成説明図である。図2は、図1の要部の側面図である。図3は、図1の要部の断面図である。図4は、図1の要部の平面図である。
【００２３】
<プラズマ処理装置の構成>
図1に示すように、プラズマ処理装置100は、筐体1とガス供給部20a,20bと、プラズマ生成用高周波電源40とを備える。
【００２４】
筐体1は、上部筐体1aと、下部筐体1bとを備え、それぞれアルミニウム製で表面にアルマイト処理が施されている。
【００２５】
上部筐体1aには、上壁1pが設けられ、上壁1pの両端には、側壁1c,1dが下向きに設けられ、さらに、側壁1e,1f(図2)が下向きに設けられている。つまり、上壁1pの周囲には、下向きの側壁1c〜1fが形成されている。
また、上部筐体1aには、内部の空間を仕切る仕切り板1r,1sが側壁1c,1dと平行に設けられている。
【００２６】
同様に、下部筐体1bには、上壁1pと平行に下壁1qが設けられ、下壁1qの両端には、側壁1g,1hが上向きに設けられ、さらに側壁1i,1j(図2)が上向きに設けられている。つまり、下壁1qの周囲には、側壁1g〜1jが形成されている。
また、下部筐体1bには、内部の空間を仕切る仕切り板1t,1uが側壁1g,1hと平行に設けられている。
【００２７】
そして、上部筐体1aと下部筐体1bは、図1および図2に示すように、対向するカバー15a,15bを有している。
カバー15a,15bは、アルミニウム製で表面にアルマイト処理が施されている。
また、上部筐体1aと下部筐体1bは、図2に示すようにスペーサ80a,80bによって所定の間隔があけられ、対向するように配置されている。スペーサ80a,80bは、図1の側壁1c,1gから側壁1d,1hまで延びている。
【００２８】
また、上部筐体1aと下部筐体1bによって、基板2を矢印Aの方向に搬入する搬入口3が側壁1cと側壁1gとの間に形成されている。一方、基板2を搬出する搬出口4が側壁1dと側壁1hとの間に形成されている。
【００２９】
そして、筐体1内部の中央部付近には、基板2を処理するプラズマ処理部5が設けられている。
また、プラズマ処理部5には、電極ユニット10a〜14aがカバー15aから一部露出するように下向きに設けられている。
一方、プラズマ処理部5には、電極ユニット10b〜14bがカバー15bから一部露出するように上向きに設けられている。
【００３０】
また、5対の電極ユニット(10a,10b),(11a,11b),(12a,12b),(13a,13b),(14a,14b)は、それぞれ対向している。
【００３１】
そして、搬入口3とプラズマ処理部5とを接続する搬入路6と、プラズマ処理部5と搬出口4とを接続する搬出路7とがカバー15aとカバー15bとの間に形成されている。
【００３２】
そして、下部筐体1bには、基板2を搬入口3から搬入路6を通ってプラズマ処理部5へ搬入し、プラズマ処理部5から搬出路7を通って搬出口4へ搬出する搬送部8が備えられている。搬送部8は、カバー15bから一部露出し、それには図示しないモータのような駆動源によって駆動されるコロが用いられている。
【００３３】
電極ユニット10a〜14a,10b〜14bの各々は、図3に示すように、主電極70と、側方電極72と、ガス供給部材73とを備える。主電極70は、固体誘電体71によって被覆され、固体誘電体71と側方電極72は、図示しないねじによって固定され、側方電極72とガス供給部材73が図示しないねじによって固定されている。
【００３４】
そして、固体誘電体71とガス供給部材73との間には、処理ガスが溜められる処理ガス溜め部77が設けられている。また、処理ガスは、処理ガス吹き出し部74a,74bを通して供給される。
【００３５】
また、ガス供給部材73には、処理ガスを処理ガス溜め部７7へ導入する処理ガス導入口75が設けられている。そして、処理ガス導入口75と後述の処理ガスライン34a(,34b)は、結合部材76によって接続されている。
【００３６】
また、図1に示すように、仕切り板1s,1uにおいて、1対の吸引部9a,9bが対向するように設けられている。
吸引部9aは、下部にノズル状の吸引口を有し、吸引口から吸引した気体を上部から筐体1外へ排気する構造を有している。
一方、吸引部9bは、上部にノズル状の吸引口を有し、吸引口から吸引した気体を下部から筐体1外へ排気する構造を有している。
【００３７】
図4に示すように、カバー15bは、下部筐体1b(図1)の電極ユニット10b〜14bの一部をカバー15bから露出させるための電極ユニット用貫通孔50〜54を備えている。
そして、カバー15bは、下部筐体1b(図1)の吸引部9b(図1)の吸引口をカバー15bから露出させるための吸引部用貫通孔55を備えている。
電極ユニット用貫通孔50〜54および吸引部用貫通孔55は、基板2(図1)の搬送方向(矢印A)に対して直角方向に延びている。
【００３８】
さらに、カバー15bは、搬送部8(図1)の一部をカバー15bから露出させるための搬送部用貫通孔60を備えている。搬送部用貫通孔60は、基板2(図1)の搬送方向(矢印A)に平行に設けられている。
【００３９】
同様に、カバー15aも上部筐体1aの電極ユニット10a〜14aと、吸引部9aの吸引口とを露出させるための貫通孔をそれぞれ備えている。
【００４０】
また、吸引部9a,9bの吸引口の形状は、長方形であり、この長方形は、基板2の搬送方向(矢印A)と直交する向きに長辺を有し、この長辺は、側壁1e(図2)から側壁1fまで延びている。
また、吸引部9a,9b(図1)は、図示しない吸引ポンプと接続される。
【００４１】
また、ガス供給部20aにおいて、処理ガスライン31a〜33aが混合室21a〜25aに接続される。
そして、混合室21a〜25aは、処理ガスの供給量を設定する設定部35a〜39aを介して上部筐体1aの電極ユニット10a〜14aにそれぞれ接続される。
【００４２】
また、ガス供給部20bにおいて、処理ガスライン31b〜33bが混合室21b〜25bに接続される。
そして、混合室21b〜25bは、処理ガスの供給量を設定する設定部35b〜39bを介して下部筐体1bの電極ユニット10b〜14bにそれぞれ接続される。
【００４３】
さらに、電極ユニット10a〜14aと、電極ユニット10b〜14bとに電源40が電気的に接続されている。
【００４４】
<プラズマ処理装置による処理方法>
まず、処理ガスライン31a,31b,32a,32b,33a,33bからそれぞれのガスラインにHe、N2、O2などのガスが供給される。そして、図示しない減圧弁とフィルタによって、ガス圧が調整されるとともに、ガス中の有機質や水分が吸着されガスの純度が高められる。そして、混合室21a〜25a,21b〜25bにこれらのガスが集められ混合される。この混合されたガスが処理ガスとして用いられる。
【００４５】
処理ガスは、混合室21a〜25aから処理ガスライン34aを流れ、設定部35a〜39aによって所望の流量に調整され、上部筐体1aの電極ユニット10a〜14aに供給される。
【００４６】
同様に、処理ガスは、混合室21b〜25bから処理ガスライン34bを流れ、設定部35b〜39bによって所望の流量に調整され、下部筐体1bの電極ユニット10b〜14bに供給される。
【００４７】
電極ユニット10a〜14a,10b〜14bにおいて、処理ガスは、図3に示すように、処理ガス導入口75を通って処理ガス溜め部77に導入される。そして、この処理ガスは、処理ガス供給部74a,74bを通って上部筐体1a(図1)と下部筐体1b(図1)の間の空間へ導入される。
この処理ガス溜め部77によって、基板２の幅に沿うように均一な処理ガスの流れを提供することができる。
【００４８】
ここで、吸引部9a,9bによる気体吸引量はQ0である。そして、5対の電極ユニット(10a,10b),(11a,11b),(12a,12b),(13a,13b),
(14a,14b)によって供給される処理ガス流量は、それぞれQ1,Q2,Q3,Q4,Q5である。
【００４９】
そして、気体吸引量と処理ガス流量とのバランスが取られるように次式のように調整される。
Q0≦Q1+Q2+Q3+Q4+Q5  ・・・(1)
【００５０】
さらに、吸引部9a,9bの吸引口に近い電極ユニット10a〜14a,10b〜14bほど処理ガスの流量が少なくなるように次のように調整される。
Q1≧Q2≧Q3≧Q4≧Q5  ・・・(2)
【００５１】
次に、上部筐体1aと下部筐体1bの間の空間に処理ガスが導入されると、電源40によって、電極ユニット10a〜14aと電極ユニット10b〜14bとの間に高周波電圧が印加される。それによって、電極ユニット10a〜14a(図1)と、電極ユニット10b〜14bとの間に放電が生じ、プラズマが生成される。次に、搬送部8が駆動され、基板2が搬入口3から搬入路6を通ってプラズマ処理部5に搬入され、プラズマ処理が行われる。処理時において、基板2は、矢印Aの方向へ搬送される。
また、基板2は、一辺が１ｍ以上の大型の基板である。
【００５２】
電極ユニット10a(図1)と電極ユニット10bの間において、プラズマの生成に寄与しなかった処理ガスは、吸引部9a,9bによって基板2の搬送方向(矢印A)に吸引される。つまり、この処理ガスは、電極ユニット10a〜14a,10b〜14bの配列方向に吸引され、電極ユニット11aと電極ユニット11bから供給された処理ガスと混ざり合い、プラズマの生成に寄与する。
【００５３】
次に、電極ユニット11aと電極ユニット11bにおいて、プラズマの生成に寄与しなかった処理ガスは、吸引部9a,9bによって基板2の搬送方向(矢印A)に吸引される。そして、この処理ガスは、電極ユニット12aと電極ユニット12bから供給された処理ガスと混ざり合う。次に、この処理ガスは、電極ユニット12aと電極ユニット12bにおいて、プラズマの生成に寄与する。
この後、同様のことが電極ユニット14a,14bまで順次繰り返される。
そして、吸引部9a,9bによって吸引された処理ガスは、筐体外へと排出される。
【００５４】
このように、基板2の搬送方向に沿って5対の電極ユニット(10a,10b),(11a,11b),(12a,12b),(13a,13b),(14a,14b)が備えられているので、高い処理能力で処理することができる。
【００５５】
そして、プラズマ処理部5における気体の流れが電極ユニットの配列方向に沿うように流れるので、処理ガスは淀みを生じることなく一様に流れる。従って、吸引部9a,9bの吸引口から離れた電極ユニット間でプラズマの生成に寄与しない処理ガスを吸引部9a,9bの吸引口に近い電極ユニット間のプラズマの生成に利用することができる。
それによって、設定部35a〜39a,35b〜39bは、吸引部9a,9bに近い電極ユニットほど処理ガス供給量が少なくなるようにその供給量を設定することができる。従って、処理ガス使用量を削減することができる。
【００５６】
実施形態2
図5は、実施形態1において、搬入口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図1対応図である。
【００５７】
図5に示すように、プラズマ処理装置101には側壁1c,1gに気体吹き出し部90a,90bが追加されている。その他の構成についてはプラズマ処理装置100(図1)と同じである。
【００５８】
気体吹き出し部90a,90bは、図示しないガスラインにそれぞれ接続されている。
そして、気体吹き出し部90aは、吹き出し口が下向きに開口し、気体吹き出し部90bは、吹き出し口が上向きに開口している。
それらは、互いに対向してガスを吹き出すようになっている。
【００５９】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００６０】
実施形態3
図6は、実施形態1において、搬出口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図1対応図である。
【００６１】
図６に示すように、プラズマ処理装置102には側壁1d,1hに気体吹き出し部90c,90dが追加されている。その他の構成についてはプラズマ処理装置100(図1)と同じである。
【００６２】
気体吹き出し部90c,90dは、図示しないガスラインにそれぞれ接続されている。
そして、気体吹き出し部90cは、吹き出し口が下向きに開口し、気体吹き出し部90dは、吹き出し口が上向きに開口している。それらは、互いに対向してガスを吹き出すようになっている。
【００６３】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００６４】
実施形態4
図7は、実施形態３において、搬入口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図6対応図である。
【００６５】
図７に示すように、プラズマ処理装置103には側壁1c,1gに気体吹き出し部90a,90bが追加されている。その他の構成についてはプラズマ処理装置102(図6)と同じである。
【００６６】
気体吹き出し部90aは、吹き出し口が下向きに開口し、気体吹き出し部90bは、吹き出し口が上向きに開口している。それらは、互いに対向してガスを吹き出すようになっている。
【００６７】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００６８】
実施形態5
図8は、実施形態1において、搬入路近傍に吸引部を追加した場合の図１対応図である。
【００６９】
図8に示すように、プラズマ処理装置１０４には仕切り板1r,1tに吸引部9c,9dが追加されている。そして、吸引部9c,9dは、吸引部9a,9bと同等の構造を備えている。その他の構成についてはプラズマ処理装置100(図1)と同じである。
【００７０】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００７１】
ここで、吸引部9c,9dによる気体吸引量はQ6である。
そして、気体吸引量と処理ガス流量とのバランスが取られるように式(1)のQ0がQ0+ Q6になるように次のように調整される。
Q0+ Q6≦Q1+Q2+Q3+Q4+Q5  ・・・(3)
【００７２】
さらに、吸引部9a,9bの吸引口および吸引部9c,9dの吸引口に近い電極ユニット10a〜14a,10b〜14bほど処理ガスの流量が少なくなるように次のように調整される。
Q1≦Q2≦Q3/2, Q3/2≧Q4≧Q5  ・・・(4)
【００７３】
また、電極ユニット12aと電極ユニット12bの間において、プラズマの生成に寄与しなかった処理ガスの一部は、吸引部9a,9bによって基板2(図1)の搬送方向(矢印A)に吸引される。つまり、この処理ガスは、電極ユニット10a〜14a,10b〜14bの配列方向に吸引され、電極ユニット13aと電極ユニット13bから供給された処理ガスと混ざり合い、プラズマの生成に寄与する。
【００７４】
次に、電極ユニット13aと電極ユニット13bにおいて、プラズマの生成に寄与しなかった処理ガスは、吸引部9a,9bによって基板2(図1)の搬送方向(矢印A)に吸引される。そして、この処理ガスは、電極ユニット14aと電極ユニット14bから供給された処理ガスと混ざり合う。次に、この処理ガスは、電極ユニット14aと電極ユニット14bにおいて、プラズマの生成に寄与する。
【００７５】
一方、電極ユニット12aと電極ユニット12bの間において、プラズマの生成に寄与しなかった処理ガスの一部は、吸引部9c,9dによって基板2(図1)の搬送方向(矢印A)と反対方向に吸引される。
この処理ガスは、電極ユニット10a〜14a,10b〜14bの配列方向に吸引され、電極ユニット11aと電極ユニット11bから供給された処理ガスと混ざり合い、プラズマの生成に寄与する。
【００７６】
次に、電極ユニット11aと電極ユニット11bにおいて、プラズマの生成に寄与しなかった処理ガスは、吸引部9c,9dによって基板2(図1)の搬送方向(矢印A)と反対方向に吸引される。そして、この処理ガスは、電極ユニット10aと電極ユニット10bから供給された処理ガスと混ざり合う。次に、この処理ガスは、電極ユニット10aと電極ユニット10bにおいて、プラズマの生成に寄与する。
【００７７】
このように、吸引部9c,9dが追加されると、処理ガスは、電極ユニット12a,12bから2方向に分かれ、基板2の搬送方向と、その反対方向とに流れ、淀みを生じない。従って、吸引部9a〜9dの吸引口から離れた電極ユニット間でプラズマの生成に寄与しない処理ガスをそれらの吸引口に近い電極ユニット間のプラズマ生成に利用することができる。
従って、設定部35a〜39a,35b〜39b(図1)は、吸引部9a〜9dの吸引口に近い電極ユニットほど処理ガス供給量が少なくなるようにその供給量を設定することができる。それによって、処理ガス使用量を削減することができる。
【００７８】
実施形態6
図9は、実施形態1において、搬出口近傍に補助吸引部を追加した場合の図1対応図である。
【００７９】
図9に示すように、プラズマ処理装置105には側壁1d,1hに補助吸引部95c,95dが追加されている。その他の構成についてはプラズマ処理装置100(図1)と同じである。
【００８０】
そして、補助吸引部95cは、吸引部9aと同様の構造を有し、下部にノズル状の吸引口を有し、吸引口から吸引した気体を上部から筐体1外へ排気する構造を有している。
一方、補助吸引部95dは、吸引部9bと同様の構造を有し、上部にノズル状の吸引口を有し、吸引口から吸引した気体を下部から筐体1(図9)外へ排気する構造を有している。
【００８１】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００８２】
実施形態7
図10は、実施形態6において、搬入口近傍に補助吸引部を追加した場合の図9対応図である。
【００８３】
図10に示すように、プラズマ処理装置106には側壁1c, 1gに補助吸引部95a,95bが追加されている。
その他の構成についてはプラズマ処理装置105(図9)と同じである。
【００８４】
そして、補助吸引部95aは、吸引部9aと同様の構造を有し、下部にノズル状の吸引口を有し、吸引口から吸引した気体を上部から筐体1外へ排気する構造を有している。
一方、補助吸引部95bは、吸引部9bと同様の構造を有し、上部にノズル状の吸引口を有し、吸引口から吸引した気体を下部から筐体1外へ排気する構造を有している。
【００８５】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００８６】
実施形態8
図11は、実施形態1において、搬出路の吸引部を搬入路に移動した場合の図1対応図である。
【００８７】
図11に示すように、プラズマ処理装置107には仕切り板1r,1tに吸引部9c,9dが備えられている。そして、吸引部9c,9dは、実施形態5(図8)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置100(図1)と同じである。
【００８８】
ここで、吸引部9c,9dによる気体吸引量はQ7である。
そして、気体吸引量と処理ガス流量とのバランスが取られるように式(1)においてQ0がQ7になるように次のように調整される。
Q7≦Q1+Q2+Q3+Q4+Q5  ・・・(5)
【００８９】
さらに、吸引部9c,9dの吸引口に近い電極ユニット10a〜14a,10b〜14bほど処理ガスの流量が少なくなるように次のように調整される。
Q1≦Q2≦Q3≦Q4≦Q5  ・・・(6)
このような構成であっても、プラズマ処理部5内の気流が逆になるだけであり、プラズマ処理装置100(図1)と同様の効果を得ることができる。
【００９０】
実施形態9
図12は、実施形態8において、搬入口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図11対応図である。
【００９１】
図12に示すように、プラズマ処理装置108には側壁1c,1gに気体吹き出し部90a,90bが追加されている。そして、気体吹き出し部90a,90bは、実施形態2(図5)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置107(図11)と同じである。
【００９２】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００９３】
実施形態10
図13は、実施形態8において、搬出口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図11対応図である。
【００９４】
図13に示すように、プラズマ処理装置109には側壁1d,1hに気体吹き出し部90c,90dが追加されている。そして、気体吹き出し部90c,90dは、実施形態3(図6)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置107(図11)と同じである。
【００９５】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００９６】
実施形態11
図14は、実施形態10において、搬入口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図13対応図である。
【００９７】
図14に示すように、プラズマ処理装置110には側壁1c,1gに気体吹き出し部90a,90bが追加されている。そして、気体吹き出し部90a,90bは、実施形態2(図5)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置109(図13)と同じである。
【００９８】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【００９９】
実施形態12
図15は、実施形態8において、搬入口近傍に補助吸引部を追加した場合の図11対応図である。
【０１００】
図15に示すように、プラズマ処理装置111には側壁1c,1gに補助吸引部95a,95bが追加されている。そして、補助吸引部95a,95bは、実施形態7(図10)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置107(図11)と同じである。
【０１０１】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１０２】
実施形態13
図16は、実施形態8において、搬出口近傍に補助吸引部を追加した場合の図11対応図である。
【０１０３】
図16に示すように、プラズマ処理装置112には、側壁1d,1hに補助吸引部95c,95dが備えられている。そして、補助吸引部95c,95dは、実施形態6(図9)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置107(図11)と同じである。
【０１０４】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１０５】
実施形態14
図17は、実施形態13において、搬入口近傍に補助吸引部を追加した場合の図16対応図である。
【０１０６】
図17に示すように、プラズマ処理装置113には側壁1c,1gに補助吸引部95a,95bが追加されている。そして、補助吸引部95a,95bは、実施形態7(図10)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置112(図16)と同じである。
【０１０７】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１０８】
実施形態15
図18は、実施形態1において、搬入口に補助吸引部を追加した場合の図1対応図である。
【０１０９】
図18に示すように、プラズマ処理装置114には側壁1c,1gに補助吸引部95a,95bが追加されている。そして、補助吸引部95a,95bは、実施形態7(図10)のものと同様である。
その他の構成については、プラズマ処理装置100(図1)と同じである。
【０１１０】
このような構成によれば、実施形態5(図8)と構造が類似しているので同様の効果を得ることができる。従って、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１１１】
実施形態16
図19は、実施形態5において、搬入口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図8対応図である。
【０１１２】
図19に示すように、プラズマ処理装置115には側壁1c,1gに気体吹き出し部90a,90bが追加されている。そして、気体吹き出し部90a,90bは、実施形態2(図5)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置104(図8)と同じである。
【０１１３】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１１４】
実施形態17
図20は、実施形態5において、搬出口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図8対応図である。
【０１１５】
図20に示すように、プラズマ処理装置116には、側壁1d,1hに気体吹き出し部90c,90dが追加されている。そして、気体吹き出し部90c,90dは、実施形態3(図6)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置104(図8)と同じである。
【０１１６】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１１７】
実施形態18
図21は、実施形態17において、搬入口近傍に気体吹き出し部を追加した場合の図20対応図である。
【０１１８】
図21に示すように、プラズマ処理装置117には側壁1c,1gに気体吹き出し部90a,90bが追加されている。そして、気体吹き出し部90a,90bは、実施形態2(図5)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置116(図20)と同じである。
【０１１９】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１２０】
実施形態19
図22は、実施形態5において、搬入口近傍に補助吸引部を追加した場合の図8対応図である。
【０１２１】
図22に示すように、プラズマ処理装置118には側壁1c,1gに補助吸引部95a,95bが追加されている。そして、補助吸引部95a,95bは、実施形態7(図10)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置104(図8)と同じである。
【０１２２】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１２３】
実施形態20
図23は、実施形態5において、搬出口近傍に補助吸引部を追加した場合の図8対応図である。
【０１２４】
図23に示すように、プラズマ処理装置119には、側壁1d,1hに補助吸引部95c,95dが追加されている。そして、補助吸引部95c,95dは、実施形態6(図9)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置104(図8)と同じである。
【０１２５】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【０１２６】
実施形態21
図24は、実施形態20において、搬入口近傍に補助吸引部を追加した場合の図23対応図である。
【０１２７】
図24に示すように、プラズマ処理装置120には側壁1c, 1gに補助吸引部95a,95bが追加されている。そして、補助吸引部95a,95bは、実施形態7(図10)のものと同様である。
その他の構成についてはプラズマ処理装置119(図23)と同じである。
【０１２８】
このため、プラズマ処理部5への外気の流入および処理ガスや処理過程で生成されるガスの流出を防止でき、処理ガスの使用量を削減でき、また、周辺環境の汚染も防止できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】この発明の実施形態1のプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図２】この発明の実施形態1のプラズマ処理装置の要部の側面図である。
【図３】この発明の実施形態1のプラズマ処理装置の要部の断面図である。
【図４】この発明の実施形態1のプラズマ処理装置の要部の平面図である。
【図５】この発明の実施形態2のプラズマ処理装置を示す図1対応図である。
【図６】この発明の実施形態3のプラズマ処理装置を示す図1対応図である。
【図７】この発明の実施形態4のプラズマ処理装置を示す図6対応図である。
【図８】この発明の実施形態5のプラズマ処理装置を示す図1対応図である。
【図９】この発明の実施形態6のプラズマ処理装置を示す図1対応図である。
【図１０】この発明の実施形態7のプラズマ処理装置を示す図9対応図である。
【図１１】この発明の実施形態8のプラズマ処理装置を示す図1対応図である。
【図１２】この発明の実施形態9のプラズマ処理装置を示す図11対応図である。
【図１３】この発明の実施形態10のプラズマ処理装置を示す図11対応図である。
【図１４】この発明の実施形態11のプラズマ処理装置を示す図13対応図である。
【図１５】この発明の実施形態12のプラズマ処理装置を示す図11対応図である。
【図１６】この発明の実施形態13のプラズマ処理装置を示す図11対応図である。
【図１７】この発明の実施形態14のプラズマ処理装置を示す図16対応図である。
【図１８】この発明の実施形態15のプラズマ処理装置を示す図1対応図である。
【図１９】この発明の実施形態16のプラズマ処理装置を示す図8対応図である。
【図２０】この発明の実施形態17のプラズマ処理装置を示す図8対応図である。
【図２１】この発明の実施形態18のプラズマ処理装置を示す図20対応図である。
【図２２】この発明の実施形態19のプラズマ処理装置を示す図8対応図である。
【図２３】この発明の実施形態20のプラズマ処理装置を示す図8対応図である。
【図２４】この発明の実施形態21のプラズマ処理装置を示す図23対応図である。
【符号の説明】
【０１３０】
1・・・筐体
1a・・・上部筐体
1b・・・下部筐体
1c,1d,1e,1f,1g,1h,1i,1j・・・側壁
1r,1s,1t,1u・・・仕切り板
1p・・・上壁
1q・・・下壁
2・・・基板
3・・・搬入口
4・・・搬出口
5・・・プラズマ処理部
6・・・搬入路
7・・・搬出路
8・・・搬送部
9a,9b,9c,9d・・・吸引部
10a,10b,11a,11b,12a,12b,13a,13b,14a,14b・・・電極ユニット
15a,15b・・・カバー
20a,20b・・・ガス供給部
21a,21b,22a,22b,23a,23b,24a,24b,25a,25b・・・混合室
31a,31b,32a,32b,33a,33b,34a,34b・・・処理ガスライン
35a,35b,36a,36b,37a,37b,38a,38b,39a,39b・・・設定部
40・・・高周波電源
50,51,52,53,54・・・電極ユニット用貫通孔
55・・・吸引部用貫通孔
60・・・搬送部用貫通孔
70・・・主電極
71・・・固体誘電体
72・・・側方電極
73・・・ガス供給部材
74a,74b・・・処理ガス吹き出し部
75・・・処理ガス導入口
76・・・結合部材
77・・・処理ガス溜め部
80a,80b・・・スペーサ
90a,90b,90c,90d・・気体吹き出し部
95a,95b,95c,95d・・・補助吸引部
100,101,102,103,104,105,106,107,108,109,110,111,112,113,114,115,116,117,118,119,120・・・プラズマ処理装置
【図１】
2009188334.tif 000003
【図２】
2009188334.tif 000004
【図３】
2009188334.tif 000005
【図４】
2009188334.tif 000006
【図５】
2009188334.tif 000007
【図６】
2009188334.tif 000008
【図７】
2009188334.tif 000009
【図８】
2009188334.tif 000010
【図９】
2009188334.tif 000011
【図１０】
2009188334.tif 000012
【図１１】
2009188334.tif 000013
【図１２】
2009188334.tif 000014
【図１３】
2009188334.tif 000015
【図１４】
2009188334.tif 000016
【図１５】
2009188334.tif 000017
【図１６】
2009188334.tif 000018
【図１７】
2009188334.tif 000019
【図１８】
2009188334.tif 000020
【図１９】
2009188334.tif 000021
【図２０】
2009188334.tif 000022
【図２１】
2009188334.tif 000023
【図２２】
2009188334.tif 000024
【図２３】
2009188334.tif 000025
【図２４】
2009188334.tif 000026