(57)【要約】【課題】最外周部より最内周部にかけて導体幅を小さくしてコイルの直流抵抗を低下させるとともに、高インダクタンスの平面コイル及びその製造方法を提供すること。【解決手段】電解銅めっきによりスパイラル形状に形成された導体３を備えた平面コイルである。導体３は、スパイラル形状の最外周部から最内周部に向けて導体幅が小さくなっており、外部端子に接続されたスパイラル形状の平面コイルの最外周部の導体幅Ｗａが最大であり、中心にいくに従って徐々に導体幅が小さくなっており、最内周部の導体幅Ｗｂが最小である。最外周部の導体幅Ｗａに対する最内周部の導体幅Ｗｂの比が、０．０１以上０．５未満である。導体３は、絶縁体に埋め込まれるように構成されている。さらに、導体３の表層に磁性めっき処理を施しているのでコイルのインダクタンス値を向上させることができる。【選択図】図１
2009117546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解銅めっきによりスパイラル形状に形成された導体を備えた平面コイルにおいて、前記導体は、前記スパイラル形状の最外側部から最内側部に向けて導体幅が小さくなっていることを特徴とする平面コイル。
【請求項２】
前記最外側部の導体幅に対する前記最内側部の導体幅の比が、０．０１以上０．５未満であることを特徴とする請求項１に記載の平面コイル。
【請求項３】
前記導体幅は、前記最外側部から前記最内側部に向けて連続的に小さくなっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の平面コイル。
【請求項４】
前記導体幅は、前記最外側部から前記最内側部に向けて段階的に小さくなっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の平面コイル。
【請求項５】
前記導体は、絶縁体に埋め込まれていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の平面コイル。
【請求項６】
前記導体は、磁性めっき処理されていることを特徴とする請求項1乃至５のいずれかに記載の平面コイル。
【請求項７】
前記スパイラル形状が、円形又は矩形であることを特徴とする請求項1乃至６のいずれかに記載の平面コイル。
【請求項８】
電解銅めっきによりスパイラル形状に形成される電解銅めっき層を備えた平面コイルの製造方法において、
基板の表面に感光性フォトレジストをコーティングする工程と、
次に、導体形成部分の最外側部から最内側部に向けて導体幅を小さくするような形状のレジストパターンを有するフォトマスクを用いて前記感光性フォトレジストを露光する工程と、
次に、前記レジストパターンの開口部に前記電解銅めっき層を形成する工程と
を有することを特徴とする平面コイルの製造方法。
【請求項９】
前記最外側部の導体幅に対する前記最内側部の導体幅の比が、０．０１以上０．５未満になるように形成することを特徴とする請求項８に記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１０】
前記導体幅を、前記最外側部から前記最内側部に向けて連続的に小さくなるように形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１１】
前記導体幅を、前記最外側部から前記最内側部に向けて段階的に小さくなるように形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１２】
前記電解銅めっき層を絶縁体に埋め込む工程を有することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１３】
前記電解銅めっき層の表面を磁性めっき処理する工程を有することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれかに記載の平面コイルの製造方法。
【請求項１４】
前記スパイラル形状が、円形又は矩形となるように形成することを特徴とする請求項８乃至１３のいずれかに記載の平面コイルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面コイル及びその製造方法に関し、より詳細には、絶縁体に埋め込まれた電解銅めっきにより形成された導体からなる平面コイルに係り、特に、平面コイルの最外側部より最内側部に向けて導体幅を小さくすることによりコイルの直流抵抗を低下させるようにするとともに、高インダクタンスの平面コイル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のデジタル家電機器及び携帯電話機においては、高機能化や高品質化とともに、さらなる小型化や薄型化、そして省電力化の要求がますます強くなっている。そのためには、基幹電子部品であるインダクタの小サイズ化や薄型化、そして低抵抗化の実現が必要となってきている。
【０００３】
本発明の平面コイルに係る従来技術を記載した特許文献としては、例えば、特許文献１及び２がある。特許文献１に記載のものは、外側脚部を有するフェライトコアと中央脚部を有するフェライトコアとを外側脚部で突き合わせてなるコア構造体と、中央部にスルーホールを有する絶縁樹脂フィルムの両面にスパイラル状コイル導体を形成し、スルーホール部を介して両面のスパイラル状コイル導体を相互に接続したコイル基板と、コイル導体に接続する外部電極とを備え、コイル導体のスパイラル状の導体部間の隙間を２０μｍ以下としたもので、これによりインダクタンスが高く、低抵抗のコイル導体を有する表面実装型コイル素子を実現したものである。
【０００４】
また、特許文献２に記載のものは、第１の絶縁層上に少なくとも１箇所を周囲と電気的に接続された比較的膜厚の薄い第１のコイルを形成した後に、コイル導体間に有機又は無機からなる第２の絶縁層を形成し、この第２の絶縁層上に比較的膜厚が厚い第２のコイルをめっきにより形成することにより、有機又は無機の絶縁膜でコイル間を絶縁し、高密度低抵抗のコイルを実現したものである。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２１００１０号公報
【特許文献２】特開平６−１７６３１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に知られている巻き線コイルでは、薄く巻くことができず、また、巻き位置が一定しないというデメリットがあり、量産品としての適用は困難であった。また、銅貼り基板にエッチング法によりパターニングしていくプロセスでは、アンダーエッチングのため厚膜銅箔では導体間のギャップを狭くすることはできず、また、導体間のギャップを狭くするためには銅箔を薄くしなくてはならないため低抵抗化は困難であった。
【０００７】
したがって、導体間ギャップを狭くして占績率を高め、低抵抗化を実現させるためには、めっき法が最適である。例えば、絶縁樹脂フィルムの両面にコイル導体を形成させ、そのコイル導体間のギャップを２０μｍ以下とすることで低抵抗コイルを実現させようとする方法が提案されている（上述した特許文献１参照）。
【０００８】
また、第１のコイル導体を形成する工程の後に、第１のコイル導体の間隙に絶縁層を形成し、この絶縁層をマスクとして第２のコイル導体層をめっき法により形成する方法が提案されている（上述した特許文献２参照）。
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の方法においては、導体間ギャップを１μｍ以下にすることは品質が安定しないため量産技術としての適用は困難であり、また、コイル導体幅が広いケースでは導体間ギャップを狭めても低抵抗化にはあまり効果が得られないという問題があった。
【００１０】
また、特許文献２に記載の方法においては、低抵抗化のために１回目のめっきをした後に絶縁層マスクをあらたに形成し、その後に第２回目のめっきをしなくてはならず、プロセスが長くなり、製造コストが増大するという問題があった。
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、コイル外周部より内周部にかけて導体幅を小さくすることによりコイルの直流抵抗を低下させるようにするとともに、高インダクタンスの平面コイル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、電解銅めっきによりスパイラル形状に形成された導体を備えた平面コイルにおいて、前記導体は、前記スパイラル形状の最外側部から最内側部に向けて導体幅が小さくなっていることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記最外側部の導体幅に対する前記最内側部の導体幅の比が、０．０１以上０．５未満であることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記導体幅は、前記最外側部から前記最内側部に向けて連続的に小さくなっていることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記導体幅は、前記最外側部から前記最内側部に向けて段階的に小さくなっていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の発明において、前記導体は、絶縁体に埋め込まれていることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の発明において、前記導体は、磁性めっき処理されていることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の発明において、前記スパイラル形状が、円形又は矩形であることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項８に記載の発明は、電解銅めっきによりスパイラル形状に形成される電解銅めっき層を備えた平面コイルの製造方法において、基板の表面に感光性フォトレジストをコーティングする工程と、次に、導体形成部分の最外側部から最内側部に向けて導体幅を小さくするような形状のレジストパターンを有するフォトマスクを用いて前記感光性フォトレジストを露光する工程と、次に、前記レジストパターンの開口部に前記電解銅めっき層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
また、請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記最外側部の導体幅に対する前記最内側部の導体幅の比が、０．０１以上０．５未満になるように形成することを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項８又は９に記載の発明において、前記導体幅を、前記最外側部から前記最内側部に向けて連続的に小さくなるように形成することを特徴とする。
【００２２】
また、請求項１１に記載の発明は、請求項８又は９に記載の発明において、前記導体幅を、前記最外側部から前記最内側部に向けて段階的に小さくなるように形成することを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項８乃至１１のいずれかに記載の発明において、前記電解銅めっき層を絶縁体に埋め込む工程を有することを特徴とする。
【００２４】
また、請求項１３に記載の発明は、請求項８乃至１２のいずれかに記載の発明において、前記電解銅めっき層の表面を磁性めっき処理する工程を有することを特徴とする。
【００２５】
また、請求項１４に記載の発明は、請求項８乃至１３のいずれかに記載の発明において、前記スパイラル形状が、円形又は矩形となるように形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、コイルの抵抗は導体の体積率を一定として、導体の線長に比例し、導体断面積に反比例するため、導体幅一定のコイルと比較して低抵抗化が可能である。また、磁性めっきによる高インダクタンスを実現することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。  
＜実施形態１＞
図１は、本発明に係る平面コイルの実施形態１を説明するための導体部分を示す平面図で、図中符号３は導体、５ａ，５ｂはスルーホールを示している。また、Ｗａは最外周部の導体幅、Ｗｂは最内周部の導体幅を示し、Ｗａ＞Ｗｂの関係を有している。
【００２８】
本発明の平面コイルは、電解銅めっきによりスパイラル形状に形成された導体３を備えた平面コイルであって、この導体３は、スパイラル形状の最外周部から最内周部に向けて導体幅が小さくなっている。つまり、外部端子に接続されたスパイラル形状の平面コイルの最外周部の導体幅Ｗａが最大であり、中心にいくに従って徐々に導体幅が小さくなっており最内周部の導体幅Ｗｂが最小である。また、最内周部でスルーホール３ｂを介して外部端子に接続されている。なお、後述する平面コイルの製造方法で形成されるため導体高さは一定である。
【００２９】
また、最外側部の導体幅Ｗａに対する最内側部の導体幅Ｗｂの比が、０．０１以上０．５未満である。導体幅は、最外側部から最内側部に向けて連続的に小さくなっている。
【００３０】
また、導体３は、絶縁体に埋め込まれるように構成されている。また、導体３は、磁性めっき処理することも可能である。また、図１に示した平面コイルは、スパイラル形状として円形のものを示しているが、これ以外にも、図７に示すように、矩形とすることも可能である。
【００３１】
表１は、実施形態１における具体例のコイル抵抗及びインダクタンスの測定値を示している。  
【００３２】
【表１】
2009117546.tif 000003
【００３３】
比較例に示す従来の平面コイルでは、最外周部から最内周部にかけて導体幅は一定であり（最内周／最外周＝１．００）、このときの平面コイルの直線抵抗値は０．２０Ωである。これに対し、実施例１は最内周／最外周＝０．０７とした場合で、直流抵抗値は０．１８Ω、実施例２は最内周／最外周＝０．１４とした場合で、直流抵抗値は０．１７Ω、実施例３は最内周／最外周＝０．２５とした場合で、直流抵抗値は０．１６４Ωとなり、いずれも直流抵抗値が低下している。
【００３４】
図２及び図３は、本発明が従来に比べ抵抗値が低下する理由を説明するための図である。図２は、コイルピッチと最外周部からのターン別抵抗を示す図であり、図３は、コイルピッチと最外周部からのコイル抵抗累計を示す図である。
【００３５】
ここで比較例は導体幅が一定であり、実施例は導体幅が最外周部の導体幅Ｗａが大きく、最内周部で導体幅Ｗｂが小さくなっているものである。導体幅が一定の比較例では、最外周部からのコイルピッチ累計、すなわち、最外周部から最内周部への距離に応じて、ターン別抵抗は小さくなる。これは、最外周部は円周の長さが大きく、最内周部の円周の長さが小さいからであり、コイルピッチ累計に比例して抵抗が小さくなっている。つまり、最外周部の抵抗が大きくなっている。
【００３６】
これに対し、本実施例では、最外周部の導体幅Ｗａが大きいために、比較例に比べ抵抗は小さくなっている。また、最内周部の導体幅Ｗｂは小さいため、比較例に比べ抵抗は大きくなっているが、円周の長さが小さいため、抵抗値は導体幅の減少による抵抗の低下よりは小さく、導体幅の減少の影響は少ない。
【００３７】
平面コイルとしての抵抗値は、図２に示すように、各ターンの抵抗値の累計であり、これを図３に示すように、最外周部からのコイル抵抗累計、すなわち、平面コイルの抵抗で表に表すと、最外周部のターンの抵抗は低いため、抵抗累計も比較例に比べ大幅に低抵抗化が図れている。最内周部にいくに従って、導体幅が小さくなり、抵抗が大きくなるが、円周の長さが小さいので、高抵抗化の影響が少なく、全体として、比較例に比べ、抵抗値は小さい。
【００３８】
図４Ａ（ａ）〜（ｆ）及び図４Ｂ（ａ）〜（ｅ）は、本発明の平面コイルの実施形態１の製造方法を説明するための工程図である。なお、図４Ａと図４Ｂは図面の作成上便宜的に分けたもので、工程としては連続しているものである。
【００３９】
図中符号１は基板、２はレジストパターン、３は電解銅めっき層（導体）、４は絶縁体、５はスルーホール、６は金属触媒、７はオーバーコート層、８は絶縁層、９は金属下地層、１０は電解めっき層、１１はレジストパターンを示している。
【００４０】
まず、図４Ａ（ａ）において、下地層として、例えば、銅やアルミ等を有する基板１の表面に感光性フォトレジストをコーティングする。基板1は周辺部を超音波で溶着するか、接着剤で貼り合わせることにより両面のパターンを同時に形成することが可能となる。
【００４１】
感光性フォトレジストとしては、例えば、ネガ型の液状レジストやポジ型の液状レジストを用いることができ、液状レジストに基板１を浸漬したり、基板１の表面に液状レジストをスピンコートして塗布される。或いは、感光性フォトレジストがフィルム表面に塗布されたドライフィルムレジストを基板１にラミネートして表面に塗工する。
【００４２】
次に、フォトマスクを通して紫外線を照射して感光性フォトレジストを露光する。この時のフォトマスクとしては、ガラス又はＰＥＴフィルムを基材としてＣｒやＡｇ塩をパターンとし、表面に乳剤を塗布したものが一般的に用いられる。また、レーザー描画装置で直接レジストに紫外線を照射して微細なパターンを描く方式も可能である。この時に、所望の抵抗値を得るために、平面コイルの最外周部から最内周部にかけて導体幅を狭くするべく、感光性フォトフォトレジストの開口幅を適切に設計しておく。つまり、導体形成部分の最外周部から最内周部に向けて導体幅を小さくするような形状のレジストパターン２を有するフォトマスクを用いて感光性フォトレジストを露光する。
【００４３】
露光された基板１は、現像して平面コイルの導体形成部分がパターン状に開口したレジストパターン２を形成する。現像液は弱アルカリ性の水溶液、例えば、１〜５％炭酸ソーダ溶液や３〜１５％トリエタノールアミン水溶液を用いて行うが、有機溶剤を用いることもできる。現像は基板を浸漬揺動したり、シャワー装置を通すことで実施される。
【００４４】
次に、図４Ａ（ｂ）に示すように、電解銅めっき法によりレジストパターン２の開口部に電解銅めっき層３を析出させて、平面コイルの配線を形成する。電解銅めっき液として一般的な硫酸銅を含む薬液やピロ燐酸銅を含む薬液を用いて処理される。例えば、硫酸銅めっき薬液の組成として、ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏは３０〜２００ｇ／ｌ（リットル）、Ｈ2ＳＯ4は１００〜２００ｇ／ｌ（リットル）、Ｃｌ-は３０〜８０ｍｇ／ｌ（リットル）、０〜１０ｐｐｍ程度の微量な有機硫黄化合物（例えば、ビス（３−プロパンスルホンサン）ジスルフィド）や有機窒素化合物（例えば、分子量千程度の四級ポリアミン）、界面活性剤（例えば、ポリプロピレングリコールやポリエチレングリコールを含む混合物）から成る。好ましくは、ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏは１００〜１８０ｇ／ｌ（リットル）、Ｈ2ＳＯ4は１２０〜２００ｇ／ｌ（リットル）、Ｃｌ-は４０〜７０ｍｇ／ｌ（リットル）の範囲内で使用されると良い。
【００４５】
次に、図４Ａ（ｃ）に示すように、基板１を分離して、複数のコイルパターンの基板同士で絶縁体４を挟み込むようにして接着する。この絶縁体４として、ガラスクロスにエポキシやアクリレート、フェノール等の官能基を持つ接着樹脂を塗工したものやこれらの接着剤をアラミドフィルム表面の塗布したもの、或いはイミドフィルム表面にこれらの接着剤やイミドワニス等を塗工したものが用いられる。また、これらの絶縁体４は高温高圧下、例えば、１５０℃以上、５ｋｇｆ／ｃｍ2以上の環境下で接着される。
【００４６】
次に、図４Ａ（ｄ）に示すように、下地層をエッチングして除去し、更に上下層に絶縁体８を介して金属下地層９を接着（積層）する。
【００４７】
次に、図４Ａ（ｅ）に示すように、パターン上下層の接続部にスルーホール５を形成する。このスルーホール５は、ドリル、パンチ、レーザー等の機械装置を用いることができるが、積層材に応じて方式を選定することが好ましい。
【００４８】
次に、図４Ａ（ｆ）に示すように、パラジウム塩等の金属触媒を含む薬液に基板１を浸漬して、スルーホール５の内壁に金属触媒６を吸着させる。
【００４９】
次に、図４Ｂ（ａ）に示すように、電解銅めっきを施して電解銅めっき層１０を形成する。銅めっきとして電気を必要としない無電解めっきと組み合わせた電解めっき法を用いることもできる。銅めっきとしては任意に厚みを調整できるが、スルーホール５の信頼性を考慮し５μｍ以上の厚みを形成することが好ましい。
【００５０】
次に、図４Ｂ（ｂ）に示すように、形成した電解銅めっき層１０上にフォトレジストを用いたリソグラフィー法を利用して、例えば、スルーホール等の必要な箇所にレジストパターン１１を残して電解銅めっき層１０をエッチング除去することにより、複数の導体層間の電気接続を得る（図４Ｂ（ｃ））。電解銅めっき層１０のエッチングは、塩化鉄、塩化銅、硫酸／過酸化水素水、過硫酸塩類等を含む水溶液を用いることができ、エッチング速度に合わせて薬液を適宜選定し処理を行う。
【００５１】
レジストパターン１１を剥離後（図４Ｂ（ｄ））、図４Ｂ（ｅ）に示すように、電気絶縁のために任意の箇所にオーバーコート層７を印刷して覆う。このオーバーコート層７として熱により硬化する熱硬化性樹脂や、光硬化性の樹脂、又は光でパターン状に硬化するフォトソルダーレジスト等を用いることができる。かかる平面コイルの配線の端子部へはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内Ｓｎとその他少なくとも１種以上の金属を含有する半田材料やＡｕ／Ｎｉ等の電子部品と接続信頼性の高い材料で処理し、低抵抗の平面コイルを得ることができる。
【００５２】
＜実施形態２＞
図５Ａ（ａ）〜（ｄ）及び図５Ｂ（ａ）〜（ｃ）は、本発明の平面コイルの実施形態２の製造方法を説明するための工程図である。なお、図５Ａと図５Ｂは図面の作成上便宜的に分けたもので、工程としては連続しているものである。
【００５３】
図５Ａ（ａ）〜（ｃ）は、図４Ａ（ａ）〜（ｃ）と同じ工程である。  
次に、図５Ａ（ｄ）に示すように、パターン上下層の接続部にスルーホール５を形成する。このスルーホール５は、ドリル、パンチ、レーザー等の機械装置を用いることができるが、積層材に応じて方式を選定することが好ましい。
【００５４】
次に、図５Ｂ（ａ）に示すように、パラジウム塩等の金属触媒を含む薬液に基板を浸漬して、スルーホール内壁に金属触媒６を吸着させた後、下地層をエッチングにより除去する。
【００５５】
次に、図５Ｂ（ｂ）に示すように、再度、電解銅めっきを施して電解パターン銅めっき層１２を形成する。この工程は、図５Ａ（ａ）で形成したレジストパターン２をそのまま利用し、かつスルーホール５の電気的接続も同時に行っているため、短いプロセスでさらなる低抵抗化を実現できるメリットがある。
【００５６】
次に、図５Ｂ（ｃ）に示すように、電気絶縁のために任意の箇所にオーバーコート層７を印刷して覆う。このオーバーコート層７として熱により硬化する熱硬化性樹脂や、光硬化性の樹脂、又は光でパターン状に硬化するフォトソルダーレジスト等を用いることができる。かかる平面コイルの配線の端子部へはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内Ｓｎとその他少なくとも１種以上の金属を含有する半田材料やＡｕ／Ｎｉ等の電子部品と接続信頼性の高い材料で処理し、低抵抗の平面コイルを得ることができる。
【００５７】
＜実施形態３＞
図６Ａ（ａ）〜（ｅ）及び図６Ｂ（ａ）〜（ｄ）は、本発明の平面コイルの実施形態３の製造方法を説明するための工程図である。なお、図６Ａと図６Ｂは図面の作成上便宜的に分けたもので、工程としては連続しているものである。
【００５８】
図６Ａ（ａ）〜（ｂ）は、図５Ａ（ａ）〜（ｂ）と同じ工程である。  
次に、図６Ａ（ｃ）に示すように、電解銅めっき層３の表面にＦｅ、Ｎｉ、又はＣｏの内少なくとも１種以上を含む磁性を有する金属材料の電解磁性体めっき層１３を形成する。例えば、磁性めっき液として硫酸第一鉄、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、ホウ酸、塩化ナトリウム、サッカッリンナトリウムからなる磁性材料のめっき液を用い、硫酸第一鉄７水和物は１〜１０ｇ／ｌ（リットル）、塩化ニッケル６水和物は３０〜１００ｇ／ｌ（リットル）、硫酸ニッケル６水和物は１０〜５０ｇ／ｌ（リットル）、ホウ酸は１０〜５０ｇ／ｌ（リットル）、塩化トリウムは１０〜５０ｇ／ｌ（リットル）、サッカリンナトリウムは０．５〜５ｇ／ｌ（リットル）の範囲内で処理する。
【００５９】
次に、図６Ａ（ｄ）に示すように、基板１を分離して、複数のコイルパターンの基板同士で絶縁体４を挟み込むようにして接着する。この絶縁体４として、ガラスクロスにエポキシやアクリレート、フェノール等の官能基を持つ接着樹脂を塗工したものやこれらの接着剤をアラミドフィルム表面の塗布したもの、或いはイミドフィルム表面にこれらの接着剤やイミドワニス等を塗工したものが用いられる。また、これらの絶縁体は高温高圧下、例えば、１５０℃以上、５ｋｇｆ／ｃｍ2以上の環境下で接着される。
【００６０】
また、パターン上下層の接続部にスルーホール５を形成する。このスルーホール５は、ドリル、パンチ、レーザー等の機械装置を用いることができるが、積層材に応じて方式を選定することが好ましい。
【００６１】
次に、図６Ａ（ｅ）に示すように、パラジウム塩等の金属触媒を含む薬液に基板を浸漬して、スルーホール５の内壁に金属触媒６を吸着させる。
【００６２】
次に、図６Ｂ（ａ）に示すように、スルーホール５の内壁に金属触媒６を吸着させた後、下地層をエッチングにより除去する。
【００６３】
次に、図６Ｂ（ｂ）に示すように、再度、電解銅めっきを施して電解パターン銅めっき層１２を形成する。この工程は、図５Ａ（ａ）で形成したレジストパターン２をそのまま利用し、かつスルーホール５の電気的接続も同時に行っているため、短いプロセスでさらなる低抵抗化を実現できるメリットがある。
【００６４】
次に、図６Ｂ（ｃ）に示すように、電解銅めっき層１２の表面に再度電解磁性めき層１４を形成する。このときにスルーホール５の表面にも電解磁性めっき層１４が形成される。
【００６５】
次に、図６Ｂ（ｄ）に示すように、電気絶縁のために任意の箇所にオーバーコート層７を印刷して覆う。オーバーコート層７として熱により硬化する熱硬化性樹脂や、光硬化性の樹脂、又は光でパターン状に硬化するフォトソルダーレジスト等を用いることができる。かかる平面コイルの配線の端子部へはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内Ｓｎとその他少なくとも１種以上の金属を含有する半田材料やＡｕ／Ｎｉ等の電子部品と接続信頼性の高い材料で処理し、低抵抗かつ高インダクタンスの平面コイルを得ることができる。
【００６６】
表２は、実施形態３における具体例のコイル抵抗及びインダクタンスの測定値を示している。
【００６７】
【表２】
2009117546.tif 000004
【００６８】
比較例に示す従来の平面コイルでは、磁性めっき厚さは０で、インダクタンスは９．５０μＨであったが、実施例４では４μｍ、実施例５では６μｍ、実施例６では８μｍとした場合のインダクタンスは、それぞれ実施例４では１２．３０μＨ、実施例５では１３．４０Ｈ、実施例６では１４．５０μＨになっていることが分かる。つまり、従来の平面コイルよりも高インダクタンスの平面コイルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係る平面コイルの実施形態１を説明するための導体部分を示す平面図である。
【図２】本発明が従来に比べ抵抗値が低下する理由を説明するための図で、コイルピッチと最外周部からのターン別抵抗を示す図である。
【図３】本発明が従来に比べ抵抗値が低下する理由を説明するための図で、コイルピッチと最外周部からのコイル抵抗累計を示す図である。
【図４Ａ】本発明に係る平面コイルの実施形態１の製造方法を説明するための工程図である。
【図４Ｂ】本発明に係る平面コイルの実施形態１の製造方法を説明するための工程図で、図４Ａに続く工程を示す図である。
【図５Ａ】本発明に係る平面コイルの実施形態２の製造方法を説明するための工程図である。
【図５Ｂ】本発明に係る平面コイルの実施形態２の製造方法を説明するための工程図で、図５Ａに続く工程を示す図である。
【図６Ａ】本発明に係る平面コイルの実施形態３の製造方法を説明するための工程図である。
【図６Ｂ】本発明に係る平面コイルの実施形態３の製造方法を説明するための工程図で、図６Ａに続く工程を示す図である。
【図７】本発明に係る平面コイルの他の実施形態を説明するための導体部分を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  基板
２，１１  レジストパターン
３，１０  電解銅めっき層
４  絶縁体
５  スルーホール
５ａ，５ｂ  スルーホール
６  金属触媒
７  オーバーコート層
８  絶縁層
９  金属下地層
１２  電解パターン銅めっき層
１３，１４  電解磁性体めっき層
Ｗａ  最外周部の導体幅
Ｗｂ  最内周部の導体幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
2009117546.tif 000008
【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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