(57)【要約】【課題】バーンイン試験により高温に曝された後においても検査用電極と被検査電極との接続安定性が良好で、繰り返し使用後においても検査用電極と導通部との接触や、導通部とプローブ接触針または被検査電極との接触に位置ずれが生じにくいプローブカードの提供。【解決手段】被検査電極と対応するように検査用電極が形成された検査用回路基板と、  前記被検査電極と前記検査用電極とを電気的に接続する異方導電性部材と、を具備し、  前記検査用電極が、その少なくとも先端部が前記検査用回路基板の表面から突出して設けられており、  前記異方導電性部材が、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路を互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通して設けられる部材であるプローブカード。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体の被検査電極と接触して被検査体の電気的特性を検査するプローブカードであって、
前記被検査電極と対応するように検査用電極が形成された検査用回路基板と、
前記被検査電極と前記検査用電極とを電気的に接続する異方導電性部材と、を具備し、
前記検査用電極が、その少なくとも先端部が前記検査用回路基板の表面から突出して設けられており、
前記異方導電性部材が、絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路を互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられる部材であって、前記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である、プローブカード。
【請求項２】
更に、前記被検査電極と電気的に接触する電気的接点を具備し、
前記被検査電極と前記異方導電性部材との接続が、前記電気的接点を介して行われる請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
前記電気的接点が、プローブ接触針である請求項２に記載のプローブカード。
【請求項４】
前記プローブ接触針の両先端部が表面から突出するように前記プローブ接触針を固定する固定ホルダを具備する請求項３に記載のプローブカード。
【請求項５】
前記検査用回路基板が、熱膨張率が２．５×１０-6〜１０×１０-6Ｋ-1の材料からなる請求項１〜４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項６】
熱膨張率が２．５×１０-6〜１０×１０-6Ｋ-1の材料からなる前記被検査体に用いる、請求項１〜５のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項７】
前記固定ホルダが、熱膨張率が２．５×１０-6〜１０×１０-6Ｋ-1の材料からなる請求項４〜６のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項８】
前記被検査体の電気的特性を検査する前に、前記被検査電極と接触する側の前記導通路の突出部分をアルカリ性水溶液または酸性水溶液に接触させる前処理工程と、
前記前処理工程後の前記突出部分を前記被検査電極と接触させて前記被検査体の電気的特性を検査する検査工程とを有する請求項１に記載のプローブカードの検査方法。
【請求項９】
前記被検査体の電気的特性を検査する前に、前記電気的接点をアルカリ性水溶液または酸性水溶液に接触させる前処理工程と、
前記前処理工程後の前記電気的接点を前記被検査電極と接触させて前記被検査体の電気的特性を検査する検査工程とを有する請求項２〜７のいずれかに記載のプローブカードの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの被検査体の電気的特性を検査するために用いられるプローブカード、および、プローブカードを具備するプローブ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路装置の製造工程においては、ウエハ上に多数の集積回路を形成した後、このウエハを切断することによって、半導体チップが形成されている。
そして、この半導体チップは、電気的特性を検査するために、ウエハの状態、個々の半導体チップに切断された状態、または、パッケージ内に収納されて樹脂封止する前の状態において、プローブ試験、バーンイン試験が行われている。
【０００３】
このような検査のため、特許文献１では、「被検査体の被検査電極と接触して、被検査体の電気的特性を検査するために用いられるプローブカードであって、被検査体の被検査電極と電気的に接触するプローブ接触針と、前記プローブ接触針の先端部分近傍が表面から露出するように、プローブ接触針の基端部を固定するプローブ接触針固定用ホルダーと、前記被検査体の被検査電極と対応するように、検査用電極が形成された検査用回路基板と、前記プローブ接触針固定用ホルダーの裏面側から露出するプローブ接触針の基端部と、検査用回路基板の検査用電極との間を電気的に接続する異方導電性シートと、を備え、
前記異方導電性シートが、面方向に沿って互いに離間して配置された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部と、これらの接続用導電部の間に形成された絶縁部とを備えた弾性異方導電膜と、この弾性異方導電膜を支持するフレーム板とから構成されていることを特徴とするプローブカード。カンチレバー型プローブカード」が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２では、「下方に位置する被検査体の電気的特性を検査するためのプローブカードであって、回路基板と、回路基板と被検査体との間に設けられ、前記被検査体と前記回路基板との間を通電させるための検査用接触構造体と、を有し、
前記検査用接触構造体は、平板状の基板と、前記基板を挟むように基板の上下の両面に取り付けられ、弾性を有する複数の導電部と前記導電部相互間を接続する絶縁部から構成されるシートと、を有し、
前記導電部は、前記各シートを貫通し、各シートの上下の両面から突出するように形成され、
前記基板には、上面から下面に通じる複数の通電路が形成され、前記基板の両面のシートの導電部は、対応する前記基板の通電路に電気的に接続されており、
前記基板の両面の各シートは、前記基板に対して固定され、
前記基板の上面側のシートは、前記回路基板に対して固定されていることを特徴とする、プローブカード。」が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２２５５０１公報
【特許文献２】特開２００８−３９７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、特許文献１および２に記載のプローブカードでは、シート（異方導電性シート）における導電部（接続用導電部）が絶縁性の弾性高分子物質内に導電性粒子を充填したものであるため、この導電部は、上下方向に圧縮されたときに電気的に導通可能となるものである。
そこで、本発明者は、特許文献１および２に記載のプローブカードについて検討した結果、これらのプローブカードでは、上述したように導電部が弾性高分子物質で構成されているため、バーンイン試験で高温に曝されることにより導電部が脆くなり、検査用回路基板の検査用電極（以下、単に「検査用電極」ともいう。）と被検査体の被検査電極（以下、単に「被検査電極」ともいう。）との接続安定性が不十分になる場合があることが分かった。また、上述したように導電部が上下方向に圧縮されたときに電気的に導通可能となるため、検査用電極と導通部との接触や、導通部とプローブ接触針または被検査電極との接触を圧縮した状態で繰り返すうちに、これらの接触に位置ずれが起こる場合があることが分かった。
【０００７】
一方、特許文献１に記載のプローブカードは、導電部に充填する導電性粒子の数平均粒子径が２０〜８０μｍであることから、導電部のピッチはそれ以上に大きいものである。同様に、特許文献２に記載のプローブカードについては、導通部間のピッチは１８０μｍ程度である。
これに対し、近年の半導体素子等の電子部品は、高集積化が一層進むことに伴い、電極（端子）サイズはより小さくなり、電極（端子）数はより増加し、端子間の距離もより狭くなってきている。
そのため、これらのプローブカードでは、被検査電極の電気特性の評価に十分に対応できない場合があることが分かった。
【０００８】
したがって、本発明は、バーンイン試験により高温に曝された後においても検査用電極と被検査電極との接続安定性が良好で、繰り返し使用後においても検査用電極と導通部（以下、本発明においては「導通路」ともいう。）との接触や、導通部とプローブ接触針または被検査電極との接触に位置ずれが生じにくいプローブカードを提供することを第１の目的とする。
【０００９】
また、本発明は、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品にも十分に対応できるプローブカードを備えたプローブ検査装置を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記第１の目的を達成すべく鋭意研究した結果、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路を互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられる特定部材を異方導電性部材としてを用いたプローブカードが、バーンイン試験により高温に曝された後においても検査用電極と被検査電極との接続安定性が良好で、繰り返し使用後においても検査用電極と導通部との接触や、導通部とプローブ接触針または被検査電極との接触に位置ずれが生じにくいことを見出し、本発明を完成させた。
【００１１】
また、本発明者は、上記第２の目的を達成すべく鋭意研究した結果、上述した特定部材の異方導電性部材のうち、皮膜内に存在するマイクロポアの規則性と周期を適宜調整することにより、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品にも十分に対応できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１２】
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（９）を提供する。
【００１３】
（１）被検査体の被検査電極と接触して被検査体の電気的特性を検査するプローブカードであって、
上記被検査電極と対応するように検査用電極が形成された検査用回路基板と、
上記被検査電極と上記検査用電極とを電気的に接続する異方導電性部材と、を具備し、
上記検査用電極が、その少なくとも先端部が上記検査用回路基板の表面から突出して設けられており、
上記異方導電性部材が、絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路を互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において突出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられる部材であって、上記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である、プローブカード。
【００１４】
（２）更に、上記被検査電極と電気的に接触する電気的接点を具備し、
上記被検査電極と上記異方導電性部材との接続が、上記電気的接点を介して行われる上記（１）に記載のプローブカード。
【００１５】
（３）上記電気的接点が、プローブ接触針である上記（２）に記載のプローブカード。
【００１６】
（４）上記プローブ接触針の両先端部が表面から突出するように上記プローブ接触針を固定する固定ホルダを具備する上記（３）に記載のプローブカード。
【００１７】
（５）上記検査用回路基板が、熱膨張率が２．５×１０-6〜１０×１０-6Ｋ-1の材料からなる上記（１）〜（４）のいずれかに記載のプローブカード。
【００１８】
（６）熱膨張率が２．５×１０-6〜１０×１０-6Ｋ-1の材料からなる上記被検査体に用いる、上記（１）〜（５）のいずれかに記載のプローブカード。
【００１９】
（７）上記固定ホルダが、熱膨張率が２．５×１０-6〜１０×１０-6Ｋ-1の材料からなる上記（４）〜（６）のいずれかに記載のプローブカード。
【００２０】
（８）上記被検査体の電気的特性を検査する前に、上記被検査電極と接触する側の上記導通路の突出部分をアルカリ性水溶液または酸性水溶液に接触させる前処理工程と、
上記前処理工程後の上記突出部分を上記被検査電極と接触させて上記被検査体の電気的特性を検査する検査工程とを有する上記（１）に記載のプローブカードの検査方法。
【００２１】
（９）上記被検査体の電気的特性を検査する前に、上記電気的接点をアルカリ性水溶液または酸性水溶液に接触させる前処理工程と、
上記前処理工程後の上記電気的接点を上記被検査電極と接触させて上記被検査体の電気的特性を検査する検査工程とを有する上記（２）〜（７）のいずれかに記載のプローブカードの検査方法。
【発明の効果】
【００２２】
以下に示すように、本発明によれば、バーンイン試験により高温に曝された後においても検査用電極と被検査電極との接続安定性が良好で、繰り返し使用後においても検査用電極と導通路との接触や、導通部とプローブ接触針または被検査電極との接触に位置ずれが生じにくいプローブカードを提供することができる。
【００２３】
また、本発明によれば、マイクロポアの周期（導通路のピッチ）および導通路の密度を適宜調整することにより、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品にも十分に対応できるプローブカードを提供することができる。
【００２４】
更に、本発明のプローブカードは、異方導電性部材とともにプローブ接触針を併用する場合であっても、これらの接触が容易となるばかりでなく、これらが接触していれば、位置ずれが生じにくいことから接合までさせる必要がないため、被検査体の種類や被検査電極のサイズに応じて、適宜プローブ接触針を交換することもできるため、非常に有用である。
【００２５】
更にまた、本発明のプローブカードの検査方法によれば、被検査体の電気的特性を検査する前に、被検査電極との接触部位（導通路の突出部分、電気的接点）をアルカリ性水溶液または酸性水溶液と接触させるため、この接触部位の付着物や酸化皮膜等を除去することができ、安定した検査を行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明のプローブカードを詳細に説明する。
本発明のプローブカードは、被検査体の被検査電極と接触して被検査体の電気的特性を検査するプローブカードであって、
上記被検査電極と対応するように検査用電極が形成された検査用回路基板と、
上記被検査電極と上記検査用電極とを電気的に接続する異方導電性部材と、を具備し、
上記検査用電極が、その少なくとも先端部が上記検査用回路基板の表面から突出して設けられており、
上記異方導電性部材が、絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路を互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において突出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられる部材であって、上記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である、プローブカードである。
次に、本発明のプローブカードについて、図１〜図５を用いて説明する。
【００２７】
図１は、本発明のプローブカードの好適な実施態様の概略構成を示す断面図である。
本発明のプローブカード１は、図１に示すように、被検査体２の被検査電極３と接触して被検査体２の電気的特性を検査する目的で、被検査電極３と対応するように検査用電極４が形成された検査用回路基板５と、被検査電極３と検査用電極４とを電気的に接続する異方導電性部材６と、を具備するプローブカードである。
【００２８】
また、本発明のプローブカード１における異方導電性部材６は、図１に示すように、絶縁性基材７中に、導電性部材からなる複数の導通路８を互いに絶縁された状態で絶縁性基材７を厚み方向に貫通し、かつ、各導通路８の一端が絶縁性基材７の一方の面において突出し、各導通路８の他端が絶縁性基材７の他方の面において突出した状態で設けられる部材である。以下に、検査用回路基板５および異方導電性部材６について詳述する。
【００２９】
［検査回路用基板］
上記検査用回路基板は、被検査体の被検査電極と対応するように検査用電極が形成された回路基板である。
また、上記検査用回路基板は、いわゆるパフォーマンスボードと呼ばれる基板であり、従来公知のプローブカードと同様、プリント配線基板を使用することができる。
【００３０】
本発明においては、上記検査用回路基板の材質は特に限定されないが、熱膨張率が２．５〜１０×１０-6Ｋ-1の材料からなるものであるのが好ましく、その具体例としては、シリコン基板（熱膨張率：２．６×１０-6〜３．５×１０-6Ｋ-1）、アルミナセラミック基板（熱膨張率：７．５×１０-6Ｋ-1）、炭化ケイ素（セラミック）基板（熱膨張率：４．０×１０-6Ｋ-1）等が好適に挙げられる。
熱膨張率が上記範囲であると、繰り返し使用後においても検査用電極と導通部との接触に位置ずれがより生じにくくなり、その結果、バーンイン試験により高温に曝された後においても検査用電極と被検査電極との接続安定性がより良好となり、また、繰り返し使用後における導通部とプローブ接触針または被検査電極との接触に位置ずれがより生じにくくなる。
中でも、耐熱性や高温での耐反り性にも優れるアルミナ基板、セラミック基板であるのが好ましい。
【００３１】
また、本発明においては、図１に示すように、上記検査用電極は、その少なくとも先端部が上記検査用回路基板の表面から突出して設けられている。
このように上記検査用電極を突出して設けることにより、後述する本発明のプローブカードの製造方法において述べるように、被検査体の被検査電極と異方導電性部材の導通路とを、熱融着等により接合することが容易となる。
【００３２】
ここで、上記検査用電極を突出させる方法は特に限定されず、以下に示すように公知の方法により突出させることができる。
具体的には、例えば、「プリント配線板製造入門」（第８版、２００４年、日刊工業新聞）の１５１〜１５７頁に記載されているように、銅張り積層板（ＪＩＳ規格）に対して、露光、現像後、エッチング処理を施すことにより、銅（Ｃｕ）配線の一部を凸部電極（突出部）として残存させる方法で形成することができる。また、凸部電極は、無電解メッキ法等によってＮｉを被覆し、更に最表面をＡｕ被覆し、自然酸化を抑止することが好ましい。
【００３３】
また、同文献の１５８〜１６６頁に記載されているように、ソルダーレジスト層を設けて、半田により突出部を形成する方法も好適に例示される。この方法においては、半田は溶融状態での表面張力で形状が決まり、ほぼ半球状となる。そのため、突出部の高さは、電極パターンの大きさに比例し、一般に電極パターンの大きさの１／８〜１／２（半球）となる。
【００３４】
更に、銅張り積層板から作成したプリント配線基板のＣｕ電極部分に、金（Ａｕ）による突出部分を形成する態様が、圧着性向上の観点から好ましい。
Ａｕによる突出部分の形成は、例えば、市販のＡｕ配線用インク（例えば、ハリマ化成製の微細配線用金属ペースト（ＮＰＧ-Ｊ）など）をインクジェット法でパターン形成する方法や、公知の形成方法（例えば、特開平２−９０６２２、特開平２−９８１３９、特開平５−１７５２００、特開２００４−２８９１３５など参照）等が挙げられる。
【００３５】
このような方法により形成できる突出部の高さは、被検査体の被検査電極と異方導電性部材の導通路との接合の容易性の観点から、そのばらつきが±３０μｍ以下であるのが好ましく、±１０μｍ以下であるのがより好ましく、±１μｍ以下であるのが更に好ましい。
【００３６】
また、本発明においては、上記検査用回路基板が、略円盤状に形成されているのが好ましく、その外周部をホルダ（図１においては符号９）により保持されているのが好ましい。
【００３７】
なお、このような検査用回路基板を具備する本発明のプローブカードは、熱膨張率が２．５〜１０×１０-6Ｋ-1の材料からなる被検査体に用いるのが好ましく、具体的には、シリコン基板（熱膨張率：２．６×１０-6〜３．５×１０-6Ｋ-1）等を好適に用いることができる。
【００３８】
［異方導電性部材］
図２は、異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す簡略図であり、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断面線ＩＢ−ＩＢからみた断面図である。
異方導電性部材６は、絶縁性基材７および導電性部材からなる複数の導通路８を具備するものである。
この導通路８は、軸線方向の長さが絶縁性基材７の厚み方向Ｚ（Ｚ１、Ｚ２）の長さ（厚み）以上で、かつ、互いに絶縁された状態で絶縁性基材７を貫通して設けられる。
また、この導通路８は、各導通路８の一端が絶縁性基材７の一方の面において突出し、各導通路８の他端が絶縁性基材７の他方の面において突出した状態で設けられる。即ち、各導通路８の両端は、絶縁性基材７の主面である７ａおよび７ｂから突出する各突出部１０ａおよび１０ｂを有する。
更に、この導通路８は、少なくとも絶縁性基材７内の部分（以下、「基材内導通部１１」ともいう。）が、該絶縁性基材７の厚み方向Ｚ（Ｚ１、Ｚ２）と略平行（図２においては平行）となるように設けられるのが好ましい。具体的には、上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さ（長さ／厚み）が、１．０〜１．２であるのが好ましく、１．０〜１．０５であるのがより好ましい。
次に、絶縁性基材および導通路のぞれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について説明する。
【００３９】
＜絶縁性基材＞
上記異方導電性部材を構成する上記絶縁性基材は、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である。
このような構造体を用いることにより、バーンイン試験により高温に曝された後においても検査用電極と被検査電極との接続安定性が良好となり、繰り返し使用後においても検査用電極と導通部との接触や、導通部とプローブ接触針または被検査電極との接触に位置ずれが生じにくくなる。
これは、上記絶縁性基材が、無機材料であるアルミナ（熱膨張率：４．５×１０-6Ｋ-1）を主成分とするものとなるため、耐熱性に優れ、かつ、一般的な検査用回路基板の材質（セラミック等）と熱膨張率が近いためであると考えられる。
【００４０】
本発明においては、上記マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が４０％以上であるのが好ましく、７０％以上であるのがより好ましく、８０％以上であるのが更に好ましい。
規則化度が上記範囲であると、特に１００ｋＨｚ以上の高周波信号での上記絶縁性基材の平面方向の絶縁性をより確実に担保することができる。
【００４１】
規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００    （ｉ）
【００４２】
上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。
【００４３】
図３は、ポアの規則化度を算出する方法の説明図である。図３を用いて、上記式（ｉ）をより具体的に説明する。
図３（Ａ）に示されるマイクロポア１０１は、マイクロポア１０１の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０３（マイクロポア１０２に内接している。）を描いた場合に、円１０３の内部にマイクロポア１０１以外のマイクロポアの重心を６個含んでいる。したがって、マイクロポア１０１は、Ｂに算入される。
図３（Ｂ）に示されるマイクロポア１０４は、マイクロポア１０４の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０６（マイクロポア１０５に内接している。）を描いた場合に、円１０６の内部にマイクロポア１０４以外のマイクロポアの重心を５個含んでいる。したがって、マイクロポア１０４は、Ｂに算入されない。
また、図３（Ｂ）に示されるマイクロポア１０７は、マイクロポア１０７の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０９（マイクロポア１０８に内接している。）を描いた場合に、円１０９の内部にマイクロポア１０７以外のマイクロポアの重心を７個含んでいる。したがって、マイクロポア１０７は、Ｂに算入されない。
【００４４】
また、上記マイクロポアの周期が０．１〜０．６μｍであるのが好ましく、０．２〜０．６μｍであるのがより好ましく、０．４〜０．６μｍであるのが更に好ましい。
周期が上記範囲であると、後述する各導通路の直径と導通路間の幅（絶縁性の隔壁厚）とのバランスがとりやすいため接続信頼性が良好となり、特に１００ｋＨｚ以上の高周波信号での伝送（高周波特性）に優れ、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品にも十分に対応できる。
ここで、周期とは、隣接する各マイクロポアの中心間距離をいう。
【００４５】
更に、後述する導通路を直管構造とする観点から、上記マイクロポアが分岐構造を有しないこと、即ち、陽極酸化皮膜の一方の表面の単位面積あたりのマイクロポア数Ｘと、別表面の単位面積あたりのマイクロポア数Ｙの比率が、Ｘ／Ｙ＝０．９０〜１．１０であるのが好ましく、Ｘ／Ｙ＝０．９５〜１．０５であるのがより好ましく、Ｘ／Ｙ＝０．９８〜１．０２であるのが特に好ましい。
【００４６】
更にまた、アルミニウムの陽極酸化皮膜の素材であるアルミナは、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材（例えば、熱可塑性エラストマー等）と同様、電気抵抗率は１０14Ω・ｃｍ程度である。
【００４７】
本発明においては、上記絶縁性基材の厚み（図２（Ｂ）においては符号１２で表される部分）は、１〜１０００μｍであるのが好ましく、５〜５００μｍであるのがより好ましく、１０〜３００μｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
【００４８】
また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記導通路間の幅（図２（Ｂ）においては符号１３で表される部分）は、１０ｎｍ以上であるのが好ましく、２０〜４００ｎｍであるのがより好ましい。絶縁性基材における導通路間の幅がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。
【００４９】
本発明においては、上記絶縁性基材は、例えば、アルミニウム基板を陽極酸化し、陽極酸化により生じたマイクロポアを貫通化することにより製造することができる。
ここで、陽極酸化および貫通化の処理工程については、後述する異方導電性部材の製造方法において詳述する。
【００５０】
＜導通路＞
上記異方導電性部材を構成する上記導通路は導電性部材からなるものである。
上記導電性部材は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、Ｐｄ（パラジウム）、ベリリウム（Ｂｅ）、レニウム（Ｒｅ）、これらの金属を主成分とする合金等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、ニッケルおよび金からなる群から選択されるいずれか１種の金属、または、これらの金属を主成分とする合金からなるのが好ましい。
また、コストの観点から、導通路の上記絶縁性基材の両面から突出した面（以下、「端面」ともいう。）の表面だけが金で形成されるのがより好ましい。
【００５１】
このような導電性部材を用いることにより、バーンイン試験により高温に曝された後においても検査用電極と被検査電極との接続安定性が良好で、繰り返し使用後においても検査用電極と導通部との接触や、導通部とプローブ接触針または被検査電極との接触に位置ずれが生じにくいプローブカード、および、プローブカードを備えたプローブ検査装置を提供することができる。
これは、上述した特許文献１および２に記載の導電部と異なり、上下方向の圧縮とは無関係に導通可能となるため、繰り返し使用における異方導電性部材への圧縮が軽減とたためであると考えられる。
【００５２】
本発明においては、上記導通路は柱状であり、その直径（図２（Ｂ）においては符号１４で表される部分）は５〜５００ｎｍであるのが好ましく、２０〜４００ｎｍであるのがより好ましく、２６０〜３８０ｎｍであるのが更に好ましく、３００〜３５０ｎｍであるのが特に好ましい。導通路の直径がこの範囲であると、高周波の電気信号を流した際に十分な応答が得ることができるため、プローブカードとしてより好適に用いることができる。
また、上述したように、上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さ（長さ／厚み）は１．０〜１．２であるのが好ましく、１．０〜１．０５であるのがより好ましい。上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さがこの範囲であると、上記導通路が直管構造であると評価でき、電気信号を流した際に１対１の応答を確実に得ることができるため、プローブカードとしてより好適に用いることができる。
【００５３】
また、本発明においては、上記導通路の両端が上記絶縁性基材の両面から突出している場合、その突出した部分（図２（Ｂ）においては符号１０ａおよび１０ｂで表される部分。以下、「突出部分」ともいう。）の高さは、１０〜５００ｎｍであるのが好ましく、１０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。突出部分の高さがこの範囲であると、電子部品の電極(パッド）部分との接合性が向上する。
【００５４】
本発明においては、上記導通路は上記絶縁性基材によって互いに絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は２００万個／ｍｍ2以上であるのが好ましく、３００万個／ｍｍ2以上であるのが特に好ましい。
上記導通路の密度がこの範囲にあることにより、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品にも十分に対応できる。
【００５５】
また、本発明においては、隣接する各導通路の中心間距離（図２においては符号１５で表される部分。以下、「ピッチ」ともいう。）は、０．１〜０．６μｍであるのが好ましく、０．２〜０．６μｍであるのがより好ましく、０．４〜０．６μｍであるのが更に好ましい。ピッチがこの範囲であると、導通路直径と導通路間の幅（絶縁性の隔壁厚）とのバランスがとりやすいため接続信頼性が良好となり、特に１００ｋＨｚ以上の高周波信号での伝送（高周波特性）に優れ、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品にも十分に対応できる。
【００５６】
更に、本発明においては、上記導通路は、例えば、上記絶縁性基材における貫通化したマイクロポアによる孔の内部に導電性部材である金属を充填することにより製造することができる。
ここで、金属を充填する処理工程については、後述する異方導電性部材の製造方法において詳述する。
【００５７】
このような絶縁性基材と導通路を具備する上記異方導電性部材は、上述したように、上記絶縁性基材の厚みが１〜１０００μｍ、であり、かつ、上記導通路の直径が５〜５００ｎｍであるのが、高い絶縁性を維持しつつ、かつ、高密度で導通が確認できる理由から好ましい。
【００５８】
［電気的接点］
本発明のプローブカードは、上記被検査電極と上記異方導電性部材とを接続する電気的接点を具備しているのが好ましい。
【００５９】
＜プローブ接触針＞
図４は、本発明のプローブカードにおける電気的接点の一の好適な実施態様の概略構成を示す断面図である。
本発明のプローブカードは、図４に示すように、プローブ接触針１６を具備しているのが好ましい。
【００６０】
ここで、上記プローブ接触針は、上記導通路と同様、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、Ｐｄ（パラジウム）、ベリリウム（Ｂｅ）、レニウム（Ｒｅ）、これらの金属を主成分とする合金等が好適に例示される。
中でも、電気的接点としての硬度、自然酸化のし難さ等の観点から、ニッケル、タングステンおよびコバルトからなる群から選択されるいずれか１種の金属、または、これらの金属を主成分とする合金からなるのが好ましい。
【００６１】
本発明においては、上記プローブ接触針は、その材質がニッケル、タングステンおよびコバルトからなる群から選択されるいずれか１種の金属、または、これらの金属を主成分とする合金で形成されていない場合、少なくとも上記プローブ接触針の基端部１７は、これらの金属または合金で形成されているのが好ましい。
この形成方法は特に限定されず、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法などの真空装置を使った形成方法や、無電解メッキによる形成方法等が挙げられる。
また、上記プローブ接触針は、表面の硬度、耐摩耗性を向上させる観点から、ＤＬＣコーティング、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等のイオンプレーティングなど公知の表面硬化処理を施していてもよい。
【００６２】
また、図４に示すように、プローブ接触針１６を具備する場合、その基端部１７は、異方導電性部材６の導通路８に接触するように設けられ、その先端部１８は、プローブカード１をウエハに形成された集積回路に対して押圧する際に被検査電極３に接触するように設けられる。
これにより、被検査電極３と検査用電極４とが、プローブ接触針１６および異方導電性部材６の導通路８を介して電気的に接続することになる。
ここで、プローブ接触針１６の固定方法としては、例えば、支持リングに接着剤で固定する方法（例えば、特開平３−１３９８５３号公報等参照）、ＭＥＭＳ法やＶＬＳ法でＳｉウエハーを加工して、プローブ針アレイを作成する方法（例えば、特開平１１−１９０７４８号公報参照）等が挙げられる。
【００６３】
このようなプローブ接触針を有することにより、図１に示す態様とは異なり、被検査電極がウエハ本体表面よりも奥まった位置にある表面構造の被検査体についても電気的特性を検査することができる。
【００６４】
本発明においては、上記プローブ接触針は、ウエハ本体の表面が凹凸形状である場合であっても各被検査電極への接触が容易となる観点から、垂直スプリング型の接触針であるのが好ましい。
【００６５】
また、本発明においては、上記プローブ接触針の形状は特に限定されないが、針状であるのが好ましく、その先端部における直径は０．２〜２００μｍであるのが好ましく、０．８〜１００μｍであるのがより好ましく、１〜５０μｍであるのが更に好ましい。プローブ接触針の直径がこの範囲であると、電気信号を流した際に十分な応答が得ることができるため、プローブカードとしてより好適に用いることができる。
【００６６】
更に、本発明においては、上記プローブ接触針は、導通部とプローブ接触針との接触の位置ずれをより生じにくくする観点から、その基端部の表面（導通部との接触面をいう。以下、同様。）に窪みを形成させるのが好ましい。このような窪みの深さは、１０〜５００ｎｍであるのが好ましく、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を使って、プローブ接触針の鋳型のプローブ接触針の基端部に相当する部分に予め窪みを設けておき、電鋳法によって、プローブ接触針を形成する方法や、レーザーアブレーション法で窪みとなる部分を除去する方法等により形成することができる。
同様の観点から、上記プローブ接触針の基端部の表面は、算術平均粗さＲａが０．００１〜０．５μｍであり、最大高さＲｚが０．０１〜０．９μｍであり、最大高さＲｚ／算術平均粗さＲａが２〜１５であるのが好ましい。
これらは、上述したように上記導通路の柱状の直径は５〜５００ｎｍと極めて細いため、導通部とプローブ接触針とが接触した際に、導通部の一端（先端）がプローブ接触針の基端部の表面に引っ掛かるように規定したものである。
【００６７】
本発明のプローブカードは、図４に示すように、プローブ接触針１６の両先端部（１７、１８）が表面から突出するようにプローブ接触針１６を固定する固定ホルダ１９を具備しているのがより好ましい。
【００６８】
ここで、上記固定ホルダは、例えば、エポキシ樹脂（熱膨張率：１８×１０-6Ｋ-1）、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂（熱膨張率：１３×１０-6〜１６×１０-6Ｋ-1）、ガラス繊維補強型フェノール樹脂（熱膨張率：１３×１０-6〜１６×１０-6Ｋ-1）、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂（熱膨張率：１３×１０-6〜１６×１０-6Ｋ-1）、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂（熱膨張率：１３×１０-6〜１６×１０-6Ｋ-1）などの樹脂；アルミナ（熱膨張率：４．５×１０-6〜７×１０-6Ｋ-1）、ベリリア（熱膨張率：７×１０-6〜８×１０-6Ｋ-1）、炭化ケイ素（熱膨張率：４．０×１０-6Ｋ-1）、窒化アルミニウム（熱膨張率：４．５×１０-6Ｋ-1）、窒化ホウ素（熱膨張率：３×１０-6Ｋ-1）などのセラミック；等の材料で構成されるのが好ましい。
中でも、熱膨張率が２．５×１０-6〜１０×１０-6Ｋ-1の材料であるのが好ましく、具体的には、炭化ケイ素であるのが、繰り返し使用後においても検査用電極と導通部との接触に位置ずれが更に生じにくくなるため好ましい。
【００６９】
また、本発明のプローブカードは、固定ホルダ１９が異方導電性部材６を検査用回路基板５に固定する機能も有しているのが更に好ましい。例えば、図４に示すように、ステンレスなどの金属材料からなるネジなどで締結するように構成した固定部材２０によって、検査用回路基板５に固定されるのが好ましい。
【００７０】
更に、本発明のプローブカードは、固定ホルダ１９の表面（異方導電性部材６側の表面）が、樹脂材料２１で被覆されているのが好ましい。
上記樹脂材料としては、耐熱性を有する材料であるのが好ましく、弾性ゴム（例えば、フッ素系ＦＫＭ、シリコンゴム、アクリルゴムなど）、熱可塑性ポリエステルエラストマー等が好適に例示される。
【００７１】
上記樹脂材料としては、薄膜シリコーンシート（Ｓμ−５０−５０、２００℃耐熱、サンシンエンタープライズ社製）、熱可塑性ポリエステルエラストマー（ペルプレン（登録商標）Ｃタイプ、１７５℃耐熱：東洋紡績社製）、アンダーフィル樹脂（２２７４Ｂ、熱膨張率：７．４×１０-6Ｋ-1、スリーボンド社製）等の市販品を用いることができる。
【００７２】
上記樹脂材料における被覆厚は、プローブ接触針１６の基端部１７の固定ホルダ１９表面からの突出高さと同様であるのが好ましく、１μｍ〜１０ｍｍであるのがより好ましい。
【００７３】
このような樹脂材料を使用することで、固定ホルダーと異方性導電材料を接触させる際に、圧力が分散するので、締め付け過多による過加重に起因した異方導電性部材の割れの発生を防止できる。また、バーンイン試験の際に、異方導電性部材と固定ホルダとの位置ずれに伴う異方導電性部材と固定ホルダとの平行性が損なわれるのを防止することができる。
【００７４】
本発明においては、このようなプローブ接触針を具備する場合であっても、上記導通路と上記プローブ接触針との接触は容易であり、また、位置ずれが生じにくいことから接合までさせる必要がないため、被検査体の種類や被検査電極のサイズに応じて、適宜プローブ接触針を交換することもできる。
【００７５】
＜バンプ状接点＞
図５は、本発明のプローブカードにおける電気的接点の他の好適な実施態様の概略構成を示す断面図である。
本発明のプローブカードは、図５に示すように、バンプ状接点２１を具備しているのが好ましい。
【００７６】
ここで、上記バンプ状接点は、上記導通路と同様、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、Ｐｄ（パラジウム）、ベリリウム（Ｂｅ）、レニウム（Ｒｅ）、これらの金属を主成分とする合金等が好適に例示される。
中でも、電気的接点としての硬度、自然酸化のし難さ等の観点から、ニッケル、タングステンおよびコバルトからなる群から選択されるいずれか１種の金属、または、これらの金属を主成分とする合金からなるのが好ましい。
【００７７】
図５に示すように、バンプ状接点２２を具備する場合、その基端部２３は、異方導電性部材６の導通路８に接触するように設けられ、その先端部２４は、プローブカード１をウエハに形成された集積回路に対して押圧する際に被検査電極３に接触するように設けられる。
これにより、被検査電極３と検査用電極４とが、バンプ状接点２２および異方導電性部材６の導通路８を介して電気的に接続することになる。
【００７８】
このようなバンプ状接点を有することにより、図１に示す態様とは異なり、被検査電極がウエハ本体表面よりも奥まった位置にある表面構造の被検査体についても電気的特性を検査することができる。
【００７９】
本発明においては、上記バンプ状接点は、上記異方導電性部材の裏面（図２における７ｂおよび１０ｂ側の表面）に対して、例えば、無電解メッキ法、蒸着法、スパッタリング法等の方法により金属（例えば、銅等）層を形成した後、例えば、特開平４−１２６３０７号公報に記載されているような、フォトエッチングまたはレーザー露光によりパターン化する方法により、異方導電性部材の導通路と被検査体の被検査電極に対応した位置にバンプ状の接点（導電部）を形成することができる。
この方法においては、接点の高さは、表面に形成した金属層の厚みにほぼ等しいので、金属層の厚みを制御することで任意の高さにすることができる。
なお、この方法は、後述する金属充填工程や表面平滑化処理の後に施すのが好ましい。
【００８０】
また、本発明においては、上記バンプ状接点は、後述する突出部形成工程におけるトリミング処理や電着処理によっても形成することができる。
また、上記バンプ状接点は、表面の硬度、耐摩耗性を向上させる観点から、ＤＬＣコーティング、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等のイオンプレーティングなど公知の表面硬化処理を施していてもよい。
【００８１】
本発明においては、上記バンプ状接点の形状は特に限定されないが、柱状または半球状であるのが好ましく、その直径は０．０５〜２００μｍであるのが好ましく、０．１〜１００μｍであるのがより好ましく、１〜５０μｍであるのが更に好ましい。また、その高さは０．０５〜５０μｍであるのが好ましく、０．１〜２０μｍであるのがより好ましく、１〜５μｍであるのが更に好ましい。更に、その大きさは、電極の大きさの１／５００〜１／２程度であるのが好ましい。
バンプ状接点の直径、高さおよび大きさがこの範囲であると、電気信号を流した際に十分な応答が得ることができるため、プローブカードとしてより好適に用いることができる。
【００８２】
以下に、上述した検査用回路基板および異方導電性部材を具備する本発明のプローブカードの製造方法について詳細に説明する。
【００８３】
まず、上記異方導電性部材を製造する方法（以下、単に「異方導電部材製法」ともいう。）について詳述する。
異方導電部材製法は特に限定されないが、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、
上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、
上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填し、上記導通路を形成する金属充填工程、および、
上記金属充填工程の後に、形成された上記導通路の端部を上記絶縁性基材の表面から突出させて上記異方導電性部材を得る突出部形成工程を具備する方法が好適に例示される。
次に、この異方導電部材製法に用いられるアルミニウム基板ならびに該アルミニウム基板に施す各処理工程について詳述する。
【００８４】
［アルミニウム基板］
異方導電部材製法に用いられるアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
【００８５】
本発明においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理工程により陽極酸化皮膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であるのが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポア配列の規則性が十分となる。
【００８６】
また、本発明においては、アルミニウム基板のうち後述する陽極酸化処理工程を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
【００８７】
＜熱処理＞
熱処理を施す場合は、２００〜３５０℃で３０秒〜２分程度施すのが好ましい。これにより、後述する陽極酸化処理工程により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法が挙げられる。
【００８８】
＜脱脂処理＞
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
【００８９】
脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０〜２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５〜２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０〜２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０〜５０℃でアルミニウム基板表面に１５〜６０秒間接触させ、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。
【００９０】
これらのうち、アルミニウム表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。
【００９１】
また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
【００９２】
＜鏡面仕上げ処理＞
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸をなくして、電着法等による粒子形成処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。アルミニウム基板の表面の凹凸としては、例えば、アルミニウム基板が圧延を経て製造されたものである場合における、圧延時に発生した圧延筋が挙げられる。
本発明において、鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
【００９３】
機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤（例えば、ダイヤ、アルミナ）とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、＃１５００のものが好ましい。これにより、光沢度を５０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに５０％以上）とすることができる。
【００９４】
化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法等が挙げられる。
また、リン酸−硝酸法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｉ法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｖ法、Ａｌｃｏａ  Ｒ５法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好適に例示される。中でも、リン酸−硝酸法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好ましい。
化学研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
【００９５】
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２−３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
電解研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
【００９６】
これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。
【００９７】
鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さＲa０．１μｍ以下、光沢度５０％以上の表面を得ることができる。平均表面粗さＲaは、０．０３μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以下であるのがより好ましい。また、光沢度は７０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましい。
なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、ＪＩＳ  Ｚ８７４１−１９９７の「方法３  ６０度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計（例えば、ＶＧ−１Ｄ、日本電色工業社製）を用いて、正反射率７０％以下の場合には入反射角度６０度で、正反射率７０％を超える場合には入反射角度２０度で、測定する。
【００９８】
［陽極酸化処理工程］
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板に陽極酸化処理を施すことにより、該アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する酸化皮膜を形成する工程である。
異方導電部材製法における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、上記絶縁性基材が上記式（ｉ）により定義される規則化度が４０％以上となるように配列するマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜であるのが好ましいため、後述する自己規則化法や定電圧処理を用いるのが好ましい。
【００９９】
自己規則化法は、陽極酸化皮膜のマイクロポアが規則的に配列する性質を利用し、規則的な配列をかく乱する要因を取り除くことで、規則性を向上させる方法である。具体的には、高純度のアルミニウムを使用し、電解液の種類に応じた電圧で、長時間（例えば、数時間から十数時間）かけて、低速で陽極酸化皮膜を形成させる。
この方法においては、マイクロポアの径（ポア径）は電圧に依存するので、電圧を制御することにより、ある程度所望のポア径を得ることができる。
【０１００】
自己規則化法によりマイクロポアを形成するには、少なくとも後述する陽極酸化処理（Ａ）を施せばよいが、後述する陽極酸化処理（Ａ）、脱膜処理（Ｂ）および再陽極酸化処理（Ｃ）をこの順に施す方法（自己規則化方法Ｉ）や、後述する陽極酸化処理（Ｄ）と酸化皮膜溶解処理（Ｅ）とをこの順に少なくとも１回施す方法（自己規則化方法ＩＩ）等により形成するのが好ましい。
次に、好適態様である自己規則化方法Ｉおよび自己規則化方法ＩＩの各処理について詳述する。
【０１０１】
〔自己規則化方法Ｉ〕
＜陽極酸化処理（Ａ）＞
陽極酸化処理（Ａ）における電解液の平均流速は、０．５〜２０．０ｍ／ｍｉｎであるのが好ましく、１．０〜１５．０ｍ／ｍｉｎであるのがより好ましく、２．０〜１０．０ｍ／ｍｉｎであるのが更に好ましい。上記範囲の流速で陽極酸化処理（Ａ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため好ましい。このようなかくはん装置としては、例えば、「マグネティックスターラーＨＳ−５０Ｄ（ＡＳ  ＯＮＥ製）」等が挙げられる。
【０１０２】
陽極酸化処理（Ａ）は、例えば、酸濃度１〜１０質量％の溶液中で、アルミニウム基板を陽極として通電する方法を用いることができる。
陽極酸化処理（Ａ）に用いられる溶液としては、酸溶液であることが好ましく、塩酸、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０３】
陽極酸化処理（Ａ）の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度０．１〜２０質量％、液温−１０〜３０℃、電流密度０．０１〜２０Ａ／ｄｍ2、電圧３〜５００Ｖ、電解時間０．５〜３０時間であるのが好ましく、電解液濃度０．５〜１５質量％、液温−５〜２５℃、電流密度０．０５〜１５Ａ／ｄｍ2、電圧５〜２５０Ｖ、電解時間１〜２５時間であるのがより好ましく、電解液濃度１〜１０質量％、液温０〜２０℃、電流密度０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、電圧１０〜２００Ｖ、電解時間２〜２０時間であるのが更に好ましい。
【０１０４】
陽極酸化処理（Ａ）の処理時間は、０．５分〜１６時間であるのが好ましく、１分〜１２時間であるのがより好ましく、２分〜８時間であるのが更に好ましい。
【０１０５】
陽極酸化処理（Ａ）は、一定電圧下で行う以外に、電圧を断続的または連続的に変化させる方法も用いることができる。この場合は電圧を順次低くしていくのが好ましい。これにより、陽極酸化皮膜の抵抗を下げることが可能になり、陽極酸化皮膜に微細なマイクロポアが生成するため、特に電着処理により封孔処理する際に、均一性が向上する点で、好ましい。
【０１０６】
本発明においては、このような陽極酸化処理（Ａ）により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、１〜１０００μｍであるのが好ましく、５〜５００μｍであるのがより好ましく、１０〜３００μｍであるのが更に好ましい。
【０１０７】
また、本発明においては、このような陽極酸化処理（Ａ）により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアの平均ポア密度は５０〜１５００個／μｍ2であるのが好ましい。
また、マイクロポアの占める面積率は、２０〜５０％であるのが好ましい。
ここで、マイクロポアの占める面積率は、アルミニウム表面の面積に対するマイクロポアの開口部の面積の合計の割合で定義される。
【０１０８】
＜脱膜処理（Ｂ）＞
脱膜処理（Ｂ）は、上記陽極酸化処理（Ａ）によりアルミニウム基板表面に形成した陽極酸化皮膜を溶解させて除去する処理である。
上記陽極酸化処理（Ａ）によりアルミニウム基板表面に陽極酸化皮膜を形成した後、後述する貫通化処理工程を直ちに施してもよいが、上記陽極酸化処理（Ａ）の後、更に脱膜処理（Ｂ）および後述する再陽極酸化処理（Ｃ）をこの順で施した後に、後述する貫通化処理工程を施すのが好ましい。
【０１０９】
陽極酸化皮膜は、アルミニウム基板に近くなるほど規則性が高くなっているので、この脱膜処理（Ｂ）により、一度陽極酸化皮膜を除去して、アルミニウム基板の表面に残存した陽極酸化皮膜の底部分を表面に露出させて、規則的な窪みを得ることができる。したがって、脱膜処理（Ｂ）では、アルミニウムは溶解させず、アルミナ（酸化アルミニウム）からなる陽極酸化皮膜のみを溶解させる。
【０１１０】
アルミナ溶解液は、クロム化合物、硝酸、リン酸、ジルコニウム系化合物、チタン系化合物、リチウム塩、セリウム塩、マグネシウム塩、ケイフッ化ナトリウム、フッ化亜鉛、マンガン化合物、モリブデン化合物、マグネシウム化合物、バリウム化合物およびハロゲン単体からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有した水溶液が好ましい。
【０１１１】
具体的なクロム化合物としては、例えば、酸化クロム（ＩＩＩ）、無水クロム（ＶＩ）酸等が挙げられる。
ジルコニウム系化合物としては、例えば、フッ化ジルコンアンモニウム、フッ化ジルコニウム、塩化ジルコニウムが挙げられる。
チタン化合物としては、例えば、酸化チタン、硫化チタンが挙げられる。
リチウム塩としては、例えば、フッ化リチウム、塩化リチウムが挙げられる。
セリウム塩としては、例えば、フッ化セリウム、塩化セリウムが挙げられる。
マグネシウム塩としては、例えば、硫化マグネシウムが挙げられる。
マンガン化合物としては、例えば、過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カルシウムが挙げられる。
モリブデン化合物としては、例えば、モリブデン酸ナトリウムが挙げられる。
マグネシウム化合物としては、例えば、フッ化マグネシウム・五水和物が挙げられる。
バリウム化合物としては、例えば、酸化バリウム、酢酸バリウム、炭酸バリウム、塩素酸バリウム、塩化バリウム、フッ化バリウム、ヨウ化バリウム、乳酸バリウム、シュウ酸バリウム、過塩素酸バリウム、セレン酸バリウム、亜セレン酸バリウム、ステアリン酸バリウム、亜硫酸バリウム、チタン酸バリウム、水酸化バリウム、硝酸バリウム、あるいはこれらの水和物等が挙げられる。
上記バリウム化合物の中でも、酸化バリウム、酢酸バリウム、炭酸バリウムが好ましく、酸化バリウムが特に好ましい。
ハロゲン単体としては、例えば、塩素、フッ素、臭素が挙げられる。
【０１１２】
中でも、上記アルミナ溶解液が、酸を含有する水溶液であるのが好ましく、酸として、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等が挙げられ、２種以上の酸の混合物であってもよい。
酸濃度としては、０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であるのが好ましく、０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であるのがより好ましく、０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であるのが更に好ましい。上限は特にないが、一般的には１０ｍｏｌ／Ｌ以下であるのが好ましく、５ｍｏｌ／Ｌ以下であるのがより好ましい。不要に高い濃度は経済的でないし、より高いとアルミニウム基板が溶解するおそれがある。
【０１１３】
アルミナ溶解液は、−１０℃以上であるのが好ましく、−５℃以上であるのがより好ましく、０℃以上であるのが更に好ましい。なお、沸騰したアルミナ溶解液を用いて処理すると、規則化の起点が破壊され、乱れるので、沸騰させないで用いるのが好ましい。
【０１１４】
アルミナ溶解液は、アルミナを溶解し、アルミニウムを溶解しない。ここで、アルミナ溶解液は、アルミニウムを実質的に溶解させなければよく、わずかに溶解させるものであってもよい。
【０１１５】
脱膜処理（Ｂ）は、陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板を上述したアルミナ溶解液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。
【０１１６】
浸せき法は、陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板を上述したアルミナ溶解液に浸せきさせる処理である。浸せき処理の際にかくはんを行うと、ムラのない処理が行われるため、好ましい。
浸せき処理の時間は、１０分以上であるのが好ましく、１時間以上であるのがより好ましく、３時間以上、５時間以上であるのが更に好ましい。
【０１１７】
＜再陽極酸化処理（Ｃ）＞
上記脱膜処理（Ｂ）により陽極酸化皮膜を除去して、アルミニウム基板の表面に規則的な窪みを形成した後、再び陽極酸化処理を施すことで、マイクロポアの規則化度がより高い陽極酸化皮膜を形成することができる。
再陽極酸化処理（Ｃ）における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同一の条件で行われるのが好ましい。
また、直流電圧を一定としつつ、断続的に電流のオンおよびオフを繰り返す方法、直流電圧を断続的に変化させつつ、電流のオンおよびオフを繰り返す方法も好適に用いることができる。これらの方法によれば、陽極酸化皮膜に微細なマイクロポアが生成するため、特に電着処理により封孔処理する際に、均一性が向上する点で、好ましい。
【０１１８】
また、再陽極酸化処理（Ｃ）を低温で行うと、マイクロポアの配列が規則的になり、また、ポア径が均一になる。
一方、再陽極酸化処理（Ｃ）を比較的高温で行うことにより、マイクロポアの配列を乱し、また、ポア径のばらつきを所定の範囲にすることができる。また、処理時間によっても、ポア径のばらつきを制御することができる。
【０１１９】
本発明においては、このような再陽極酸化処理（Ｃ）により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、３０〜１０００μｍであるのが好ましく、５０〜５００μｍであるのが更に好ましい。
【０１２０】
また、本発明においては、このような陽極酸化処理（Ｃ）により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアのポア径は０．０１〜０．５μｍであるのが好ましく、０．０２〜０．１μｍであるのがより好ましい。
平均ポア密度は、１０００万個／ｍｍ2以上であるのが好ましい。
【０１２１】
自己規則化方法Ｉにおいては、上述した陽極酸化処理（Ａ）および脱膜処理（Ｂ）に代えて、例えば、物理的方法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法等により、上述した再陽極酸化処理（Ｃ）によるマイクロポア生成の起点となる窪みを形成させてもよい。
【０１２２】
＜物理的方法＞
例えば、インプリント法（突起を有する基板またはロールをアルミニウム板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法）を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平１０−１２１２９２号公報に記載されている方法を用いることができる。
また、アルミニウム表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からＳｉＯ2を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたＳｉＯ2をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。
【０１２３】
＜粒子線法＞
粒子線法は、アルミニウム表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）、電子ビームが挙げられる。
粒子線法としては、例えば、特開２００１−１０５４００号公報に記載されている方法を用いることもできる。
【０１２４】
＜ブロックコポリマー法＞
ブロックコポリマー法は、アルミニウム表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
ブロックコポリマー法としては、例えば、特開２００３−１２９２８８号公報に記載されている方法を用いることができる。
【０１２５】
＜レジストパターン・露光・エッチング法＞
レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法によりアルミニウム板表面のレジストに露光および現像を施し、レジストパタンを形成した後これをエッチングする。レジストを設け、エッチングしてアルミニウム表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。
【０１２６】
〔自己規則化方法ＩＩ〕
＜第１の工程：陽極酸化処理（Ｄ）＞
陽極酸化処理（Ｄ）は、従来公知の電解液を用いることができるが、直流定電圧条件下にて、通電時の皮膜形成速度Ａと、非通電時の皮膜溶解速度Ｂとした時、以下一般式（ｉｉ）で表されるパラメータＲが、１６０≦Ｒ≦２００、好ましくは１７０≦Ｒ≦１９０、特に好ましくは１７５≦Ｒ≦１８５を満たす電解液を用いて処理を施すことで、孔の規則配列性を大幅に向上することができる。
【０１２７】
Ｒ＝Ａ［ｎｍ／ｓ］÷（Ｂ［ｎｍ／ｓ］×加電圧［Ｖ］）  ・・・  （ｉｉ）
【０１２８】
陽極酸化処理（Ｄ）における電解液の平均流速は、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、０．５〜２０．０ｍ／ｍｉｎであるのが好ましく、１．０〜１５．０ｍ／ｍｉｎであるのがより好ましく、２．０〜１０．０ｍ／ｍｉｎであるのが更に好ましい。上記範囲の流速で陽極酸化処理（Ｄ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため、好ましい。そのようなかくはん装置としては、例えば、「マグネティックスターラーＨＳ−５０Ｄ（ＡＳ  ＯＮＥ製）」等が挙げられる。
また、陽極酸化処理液の粘度としては、２５℃１気圧下における粘度が０．０００１〜１００．０Ｐａ・ｓが好ましく、０．０００５〜８０．０Ｐａ・ｓが更に好ましい。上記範囲の粘度を有する電解液で陽極酸化処理（Ｄ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
【０１２９】
陽極酸化処理（Ｄ）で用いる電解液には、酸性、アルカリ性いずれも使用することができるが、孔の真円性を高める観点から酸性の電解液が好適に用いられる。
具体的には、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、塩酸、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは２種以上を組み合わせて、上記一般式（ｉｉ）の計算式より所望のパラメータに調整して用いることができる。
【０１３０】
陽極酸化処理（Ｄ）の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、一般的には電解液濃度０．１〜２０質量％、液温−１０〜３０℃、電流密度０．０１〜２０Ａ／ｄｍ2、電圧３〜５００Ｖ、電解時間０．５〜３０時間であるのが好ましく、電解液濃度０．５〜１５質量％、液温−５〜２５℃、電流密度０．０５〜１５Ａ／ｄｍ2、電圧５〜２５０Ｖ、電解時間１〜２５時間であるのがより好ましく、電解液濃度１〜１０質量％、液温０〜２０℃、電流密度０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、電圧１０〜２００Ｖ、電解時間２〜２０時間であるのが更に好ましい。
【０１３１】
本発明においては、このような陽極酸化処理（Ｄ）により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、０．１〜３００μｍであるのが好ましく、０．５〜１５０μｍであるのがより好ましく、１〜１００μｍであるのが更に好ましい。
【０１３２】
また、本発明においては、このような陽極酸化処理（Ｄ）により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアの平均ポア密度は５０〜１５００個／μｍ2であるのが好ましい。
また、マイクロポアの占める面積率は、２０〜５０％であるのが好ましい。
ここで、マイクロポアの占める面積率は、アルミニウム表面の面積に対するマイクロポアの開口部の面積の合計の割合で定義される。
【０１３３】
この陽極酸化処理（Ｄ）により、図６（Ａ）に示されるように、アルミニウム基板３２の表面に、マイクロポア３６ａを有する陽極酸化皮膜３４ａが形成される。なお、陽極酸化皮膜４４ａのアルミニウム基板３２側には、バリア層３８ａが存在している。
【０１３４】
＜第２の工程：酸化皮膜溶解処理（Ｅ）＞
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）は、上記陽極酸化処理（Ｄ）により形成された陽極酸化皮膜に存在するポア径を拡大させる処理（孔径拡大処理）である。
【０１３５】
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）は、上記陽極酸化処理（Ｄ）後のアルミニウム基板を酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。
【０１３６】
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜６０℃であるのが好ましい。
一方、酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜３５℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。
【０１３７】
また、酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、ポア径の拡大量は陽極酸化処理（Ｄ）の条件により異なるが、処理前後の拡大比が１．０５倍〜１００倍が好ましく、１．１倍〜７５倍がより好ましく、１．２倍〜５０倍が特に好ましい。
【０１３８】
この酸化皮膜溶解処理（Ｅ）により、図６（Ｂ）に示されるように、図６（Ａ）に示される陽極酸化皮膜３４ａの表面およびマイクロポア３６ａの内部（バリア層３８ａおよび多孔質層）が溶解し、アルミニウム基板３２上に、マイクロポア３６ｂを有する陽極酸化皮膜３４ｂを有するアルミニウム部材が得られる。なお、図６（Ａ）と同様、陽極酸化皮膜３４ｂのアルミニウム基板３２側には、バリア層３８ｂが存在している。
【０１３９】
＜第３の工程：陽極酸化処理（Ｄ）＞
自己規則化方法ＩＩにおいては、上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）の後に、再度上記陽極酸化処理（Ｄ）を施すのが好ましい。
【０１４０】
再度の陽極酸化処理（Ｄ）により、図６（Ｃ）に示されるように、図６（Ｂ）に示されるアルミニウム基板３２の酸化反応が進行し、アルミニウム基板３２上に、マイクロポア３６ｂよりも深くなったマイクロポア３６ｃを有する陽極酸化皮膜３４ｃを有するアルミニウム部材が得られる。なお、図６（Ａ）と同様、陽極酸化皮膜３４ｃのアルミニウム基板３２側には、バリア層３８ｃが存在している。
【０１４１】
＜第４の工程：酸化皮膜溶解処理（Ｅ）＞
また、自己規則化方法ＩＩにおいては、上記陽極酸化処理（Ｄ）、上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）および上記陽極酸化処理（Ｄ）をこの順に施した後に、更に上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）を施すのが好ましい。
【０１４２】
この処理により、マイクロポアの中に処理液が入るため、第３の工程で施した陽極酸化処理（Ｄ）で形成された陽極酸化皮膜を全て溶解し、第３の工程で施した陽極酸化処理（Ｄ）で形成されたマイクロポアのポア径を広げることができる。
即ち、再度の酸化皮膜溶解処理（Ｅ）により、図６（Ｄ）に示されるように、図６（Ｃ）に示される陽極酸化皮膜３４ｃの変曲点より表面側のマイクロポア３６ｃの内部が溶解し、アルミニウム基板３２上に、直管状のマイクロポア３６ｄを有する陽極酸化皮膜３４ｄを有するアルミニウム部材が得られる。なお、図６（Ａ）と同様、陽極酸化皮膜３４ｄのアルミニウム基板３２側には、バリア層３８ｄが存在している。
【０１４３】
ここで、マイクロポアのポア径の拡大量は、第３の工程で施した陽極酸化処理（Ｄ）の処理条件により異なるが、処理前後の拡大比が１．０５倍〜１００倍が好ましく、１．１倍〜７５倍がより好ましく、１．２倍〜５０倍が特に好ましい。
【０１４４】
自己規則化方法ＩＩは、上述した陽極酸化処理（Ｄ）と酸化皮膜溶解処理（Ｅ）のサイクルを１回以上行うものである。繰り返しの回数が多いほど、上述したポアの配列の規則性が高くなる。
また、直前の陽極酸化処理（Ｄ）で形成された陽極酸化皮膜を酸化皮膜溶解処理（Ｅ）で全て溶解することにより、皮膜表面から見たマイクロポアの真円性が飛躍的に向上するため、上記サイクルを２回以上繰り返して行うのが好ましく、３回以上繰り返して行うのがより好ましく、４回以上繰り返して行うのが更に好ましい。
また、上記サイクルを２回以上繰り返して行う場合、各回の酸化皮膜溶解処理および陽極酸化処理の条件は、それぞれ同じであっても、異なっていてもよく、また、最後の処理を陽極酸化処理で終えてもよい。
【０１４５】
〔定電圧処理〕
定電圧処理は、長時間（例えば、数時間から十数時間）かけて、低速で陽極酸化皮膜を形成させる処理方法である。この処理方法においては、ポア径が電圧に依存するため、マイクロポアの分岐を防ぐ観点から、電圧を一定に制御することが必須となる。
【０１４６】
陽極酸化処理における電解液の平均流速は、０．５〜２０．０ｍ／ｍｉｎであるのが好ましく、１．０〜１５．０ｍ／ｍｉｎであるのがより好ましく、２．０〜１０．０ｍ／ｍｉｎであるのが更に好ましい。上記範囲の流速で陽極酸化処理を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため好ましい。このようなかくはん装置としては、例えば、「マグネティックスターラーＨＳ−５０Ｄ（ＡＳ  ＯＮＥ製）」等が挙げられる。
【０１４７】
陽極酸化処理は、例えば、酸濃度１〜１０質量％の溶液中で、アルミニウム基板を陽極として通電する方法を用いることができる。
陽極酸化処理に用いられる溶液としては、酸溶液であることが好ましく、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１４８】
陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度０．１〜２０質量％、液温−１０〜３０℃、電流密度０．０１〜２０Ａ／ｄｍ2、電圧３〜３００Ｖ、電解時間０．５〜５０時間であるのが好ましく、電解液濃度０．５〜１５質量％、液温−５〜２５℃、電流密度０．０５〜１５Ａ／ｄｍ2、電圧５〜２５０Ｖ、電解時間１〜２５時間であるのがより好ましく、電解液
濃度１〜１０質量％、液温０〜２０℃、電流密度０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、電圧１０〜２
００Ｖ、電解時間２〜２０時間であるのが更に好ましい。
【０１４９】
陽極酸化処理の処理時間は、０．５分〜１６時間であるのが好ましく、１分〜１２時間であるのがより好ましく、２分〜８時間であるのが更に好ましい。
【０１５０】
本発明においては、このような陽極酸化処理により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、１〜１０００μｍであるのが好ましく、５〜５００μｍであるのがより好ましく、１０〜３００μｍであるのが更に好ましい。
【０１５１】
また、本発明においては、このような陽極酸化処理により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアの平均ポア密度は５０〜１５００個／μｍ2であるのが好ましい。
また、マイクロポアの占める面積率は、２０〜５０％であるのが好ましい。
ここで、マイクロポアの占める面積率は、アルミニウム表面の面積に対するマイクロポアの開口部の面積の合計の割合で定義される。
【０１５２】
［貫通化処理工程］
上記貫通化処理工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る工程である。
上記貫通化処理工程としては、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板（図６（Ｄ）においては符号３２で表される部分）を溶解し、陽極酸化皮膜の底部（図６（Ｄ）においては符号３８ｄで表される部分）を除去する方法；上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板およびアルミニウム基板近傍の陽極酸化皮膜を切断する方法；等が挙げれる。
次に、好適態様である前者の方法について詳述する。
【０１５３】
＜アルミニウム基板の溶解＞
上記陽極酸化処理工程の後のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化皮膜（アルミナ）は溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いる。
即ち、アルミニウム溶解速度１μｍ／分以上、好ましくは３μｍ／分以上、より好ましくは５μｍ／分以上、および、陽極酸化皮膜溶解速度０．１ｎｍ／分以下、好ましくは０．０５ｎｍ／分以下、より好ましくは０．０１ｎｍ／分以下の条件を有する処理液を用いる。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨが４以下８以上、好ましくは３以下９以上、より好ましくは２以下１０以上の処理液を使用して浸漬処理を行う。
【０１５４】
このような処理液としては、酸またはアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物（例えば、塩化白金酸）、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであるのが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドするのが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、このような処理液の組成は特に限定されず、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水等を用いることができる。
【０１５５】
また、このような処理液の酸またはアルカリ濃度は、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
【０１５６】
更に、このような処理液を用いた処理温度は、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃がより好ましい。
【０１５７】
本発明においては、アルミニウム基板の溶解は、上記陽極酸化処理工程の後のアルミニウム基板を上述した処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒〜５時間が好ましく、１分〜３時間がより好ましい。
【０１５８】
＜陽極酸化皮膜の底部の除去＞
アルミニウム基板を溶解した後の陽極酸化皮膜の底部の除去は、酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸せきさせることにより行う。底部の陽極酸化皮膜が除去されることにより、マイクロポアによる孔が貫通する。
【０１５９】
陽極酸化皮膜の底部の除去は、予めｐＨ緩衝液に浸漬させてマイクロポアによる孔の開口側から孔内にｐＨ緩衝液を充填した後に、開口部の逆面、即ち、陽極酸化皮膜の底部に酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させる方法により行うのが好ましい。
【０１６０】
酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜４０℃であるのが好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜３５℃であるのが好ましい。
【０１６１】
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液や、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
【０１６２】
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。
また、予めｐＨ緩衝液に浸漬させる場合は、上述した酸／アルカリに適宜対応した緩衝液を使用する。
【０１６３】
この貫通化処理工程により、図６（Ｄ）に示されるアルミニウム基板３２およびバリア層３８ｄがなくなった状態の構造物、即ち、図７（Ａ）に示される絶縁性基材４０が得られる。
【０１６４】
一方、後者のアルミニウム基板およびアルミニウム基板近傍の陽極酸化皮膜を切断する方法としては、アルミニウム基板（図６（Ｄ）においては符号３２で表される部分）および陽極酸化皮膜の底部（図６（Ｄ）においては符号３８ｄで表される部分）を、レーザー等による切削処理や種々の研磨処理等を用いて物理的に除去する方法が好適に例示される。
【０１６５】
［金属充填工程］
上記金属充填工程は、上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填して上記異方導電性部材を得る工程である。
【０１６６】
ここで、充填する金属は、異方導電性部材の導通路を構成するものであり、異方導電性部材において説明したものと同様、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）、これらの金属を主成分とする合金等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性および充填の容易性の観点から、銅、ニッケルおよび金からなる群から選択されるいずれか１種の金属、または、これらの金属を主成分とする合金からなるのが好ましい。
【０１６７】
異方導電部材製法においては、金属の充填方法として、電解メッキ法または無電解メッキ法を用いることができる。
ここで、着色などに用いられる従来公知の電解メッキ法では、選択的に孔中に金属を高アスペクトで析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が孔内で消費され一定時間以上電解を行なってもメッキが成長しないためと考えられる。
【０１６８】
そのため、異方導電部材製法においては、電解メッキ法により金属を充填する場合は、時間経時に従って一定速度で電位を走査する電位走査法（電位走査電解）、常に一定の電流値となるように電解する定電流法（定電位電解）による電解メッキが好ましい。
ここで、電解の途中で、適宜、休止時間をもうけることができ、その場合の休止時間は、数秒〜１０秒以上で１０分以内であるのが好ましく、３０〜６０秒以上で１０分以内であるのが好ましい。このように休止時間を適宜もうけることで、貫通孔内に発生した水素ガスの脱ガスが十分になり、貫通孔内の電気化学反応を円滑に進行させることができる。特に、１０分以内の休止時間であるのが、上記絶縁性基材を構成する陽極酸化皮膜に与えるダメージ（例えば、化学溶解等）が少ないため好ましい。
また、電解液のかくはんと貫通孔内に発生した水素ガスの脱ガスを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
更に、電解電圧は、通常、−２０Ｖ以下であって望ましくは−５Ｖ以下であるが、０Ｖを開始電位とした電位走査電解を行なうことが好ましい。なお、電位走査電解を行なう際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社、ＢＡＳ社、北斗電工社、ＩＶＩＵＭ社等のポテンショスタット装置を用いることができる。一方、定電流電解の場合は、その電流密度は、０．１〜５Ａ/ｄｍ2であるのが好ましく、０．５〜３Ａ/ｄｍ2であるのがより好ましい。
【０１６９】
メッキ液は、従来公知のメッキ液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、１〜６００ｇ／Ｌであるのが好ましく、飽和溶液であるのがより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０〜２０ｇ／Ｌであるのが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、直流電解でメッキを行なうのが望ましい。
【０１７０】
一方、無電解メッキ法では、アスペクトの高いマイクロポアからなる孔中に金属を完全に充填には長時間を要するので、異方導電部材製法においては、電解メッキ法により金属を充填するのが望ましい。
なお、無電解メッキ法の条件としては、例えば、特開平３−２６６３０６号公報に記載の方法、具体的には、上記貫通化処理工程により得られた上記絶縁性基材を６０℃のシアン化金メッキ浴に浸漬し、貫通孔内部の壁面に金属を析出させる方法が挙げられる。
【０１７１】
また、金属を充填するその他の方法としては、例えば、特開平４−１７００３６号公報に記載の方法、具体的には、電析用電極上に上記貫通化処理工程により得られた上記絶縁性基材を設置し、電析用電極を陰極として電析する方法が挙げられる（同公報第１図（ｄ）参照。）。
【０１７２】
この金属充填工程により、図７（Ｂ）に示される異方導電性部材の前駆体４１が得られる。
【０１７３】
［表面平滑化処理］
異方導電部材製法においては、上記金属充填工程の後に、機械研磨、特に、化学機械研磨処理によって異方導電性部材の表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程を具備するのが好ましい。
化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理を行うことにより、金属を充填させた後の絶縁性基材（即ち、異方導電性部材）の表面および裏面の平滑化と表面に付着した余分な金属を除去することができる。
ＣＭＰ処理には、フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００、日立化成社製のＧＰＸ ＨＳＣ８００、旭硝子（セイミケミカル）社製のＣＬ−１０００等のＣＭＰスラリーを用いることができる。
【０１７４】
［突出部形成工程］
上記突出部形成工程は、上記金属充填工程（上記ＣＭＰ処理を施した場合は上記表面平滑処理工程。以下、本工程において同様。）の後に、形成された上記導通路の端部を上記絶縁性基材の表面から突出させて上記異方導電性部材を得る工程である。
具体的には、以下に示すトリミング処理および／または電着処理を施すことにより、上記導通路の端部を上記絶縁性基材の表面から突出させることができるが、上記導通路のピッチや径によっては、上記導通路の端部に塗布により半田を形成させてもよい。
【０１７５】
＜トリミング処理＞
トリミング処理は、上記金属充填工程の後に、異方導電性部材表面の絶縁性基材のみを一部除去し、導通路を突出させる処理である。
ここで、トリミング処理は、導通路を構成する金属を溶解しない条件であれば、上述した酸化皮膜溶解処理（Ｅ）と同様の処理条件で施すことができる。特に、溶解速度を管理しやすいリン酸を用いるのが好ましい。
このトリミング処理により、図７（Ｃ）に示される異方導電性部材４２が得られる。
【０１７６】
＜電着処理＞
異方導電部材製法においては、上記トリミング処理工程に代えてまたは上記トリミング処理工程の後に、図７（Ｂ）に示される導通路８の表面にのみ、更に同一のまたは異なる導電性金属を析出させる電着処理を施してもよい（図７（Ｄ））。
本発明においては、電着処理は、異種金属の電気陰性度の差異を利用した無電解メッキ処理も含む処理である。
ここで、無電解メッキ処理は、無電解メッキ処理液（例えば、ｐＨが１〜９の貴金属含有処理液に、ｐＨが６〜１３の還元剤処理液を適宜混合した液）に浸漬させる工程である。
この電着処理により、図７（Ｄ）に示される異方導電性部材４２が得られる。
【０１７７】
本発明においては、以下に示すように、上記導通路の検査電極側との接合面と、被検査電極（電気的接点を有する場合は電気的接点）側の接触面とを異なる材質で形成できる理由から、突出部形成工程としては、電着処理が好ましい。
具体的には、電着処理により導通路の突出部を形成する場合、検査電極側と接合する側の突出部としては、接合性の容易性の観点から、貴金属、例えば、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）、これらの金属を主成分とする合金を析出させるのが好ましい。
また、非検査電極（電気的接点を有する場合は電気的接点）と接触する側の突出部としては、繰り返しの接触に対する耐久性の観点から、高硬度の金属、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはコバルト（Ｃｏ）、これらの金属を主成分とする合金を析出させるのが好ましい。
【０１７８】
また、本発明においては、後述する、上記検査用回路基板と上記異方導電性部材との接合を考慮して、被検査電極（電気的接点を有する場合は電気的接点）側の接触面については、かかる接合の後に突出部を形成するのが好ましい。
具体的には、上記検査用回路基板と上記異方導電性部材との接合が後述する加圧ヘッドを使用する態様である場合、被検査電極側の導通路（突出部）を加圧ヘッドから保護する観点から、かかる接合の後まで、被検査電極（電気的接点を有する場合は電気的接点）側の接触面に対してはトリミング処理、電着処理を施さないのが好ましい。
【０１７９】
更に、本発明においては、被検査電極側の導通路（突出部）を加圧ヘッドから保護する観点から、トリミング処理、電着処理を施した後であっても、上記導通路の被検査電極（電気的接点を有する場合は電気的接点）側の接触面を易剥離性樹脂層（例えば、テフロン（登録商標）、ポリイミド、ラミネート層など）を、被検査電極側の導通路（突出部）の高さと同程度の高さで設ける態様も好ましい。
【０１８０】
［表面硬化処理］
異方導電部材製法においては、上記突出部形成工程により形成された突出部の表面の硬度、耐摩耗性を向上させる観点から、ＤＬＣコーティング、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等のイオンプレーティングなど公知の表面硬化処理を施すことができる。
【０１８１】
［保護膜形成処理］
一方、異方導電部材製法においては、アルミナで形成された絶縁性基材が、空気中の水分との水和により、経時により孔径が変化してしまうことから、上記金属充填工程前に、保護膜形成処理を施すことが好ましい。
【０１８２】
保護膜としては、Ｚｒ元素および／またはＳｉ元素を含有する無機保護膜、あるいは、水不溶性ポリマーを含有する有機保護膜が挙げられる。
【０１８３】
Ｚｒ元素を有する保護膜の形成方法は特に限定されないが、例えば、ジルコニウム化合物が溶解している水溶液に直接浸せきして処理する方法が一般的である。また、保護膜の強固性と安定性の観点から、リン化合物をあわせて溶解させた水溶液を用いることが好ましい。
【０１８４】
ここで、ジルコニウム化合物としては、具体的には、例えば、ジルコニウム、フッ化ジルコニウム、フッ化ジルコン酸ナトリウム、フッ化ジルコン酸カルシウム、塩化ジルコニウム、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、硫酸ジルコニウム、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムプロポキシド、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセチルアセトナート、テトラクロロビス（テトラヒドロフラン）ジルコニウム、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ジシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド、エチレンビス（インデニル）ジルコニウム（ＩＶ）ジクロリド等が挙げられ、中でも、フッ化ジルコン酸ナトリウムが好ましい。
また、水溶液におけるジルコニウム化合物の濃度としては、保護膜厚の均一性の観点から、０．０１〜１０ｗｔ％が好ましく、０．０５〜５ｗｔ％がより好ましい。
【０１８５】
リン化合物としては、リン酸、リン酸ナトリウム、リン酸カルシウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カルシウム等が挙げられ、中でも、リン酸水素ナトリウムが好ましい。
また、水溶液におけるリン化合物の濃度としては、保護膜厚の均一性の観点から、０．１〜２０ｗｔ％が好ましく、０．５〜１０ｗｔ％がより好ましい。
【０１８６】
また、処理温度としては、０〜１２０℃が好ましく、２０〜１００℃がより好ましい。
【０１８７】
一方、Ｓｉ元素を有する保護膜の形成方法は特に限定されないが、例えば、アルカリ金属ケイ酸塩が溶解している水溶液に直接浸せきして処理する方法が一般的である。
アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液は、ケイ酸塩の成分である酸化ケイ素ＳｉＯ2とアルカリ金属酸化物Ｍ2Ｏの比率（一般に〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕のモル比で表す。）と濃度によって保護膜厚の調節が可能である。
ここで、Ｍとしては、特にナトリウム、カリウムが好適に用いられる。
また、モル比は、〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕が０．１〜５．０が好ましく、０．５〜３．０がより好ましい。
更に、ＳｉＯ2の含有量は、０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１０質量％がより好ましい。
【０１８８】
有機保護膜としては、水不溶性ポリマーが溶解している有機溶剤に、直接浸せきしたのち、加熱処理により溶剤のみを揮発させる方法が好ましい。
水不溶性ポリマーとしては、例えば、ポリ塩化ビニリデン、ポリ（メタ）アクリロニトリル、ポリサルホン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、セロハン等が挙げられる。
また、有機溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノール、２−メトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウレア、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、トルエン等が挙げられる。
濃度としては、０．１〜５０ｗｔ％が好ましく、１〜３０ｗｔ％がより好ましい。
また、溶剤揮発時の加熱温度としては、３０〜３００℃が好ましく、５０〜２００℃がより好ましい。
【０１８９】
保護膜形成処理後において、保護膜を含めた陽極酸化皮膜の膜厚は、０．１〜１０００μｍであるのが好ましく、１〜５００μｍであるのが更に好ましい。
【０１９０】
異方導電部材製法においては、加熱処理を施すことにより、硬度および耐ヒートサイクル性を制御することができる。
例えば、１００℃以上で加熱することが好ましく、２００℃以上がより好ましく、４００℃以上が特に好ましい。また加熱時間としては、１０秒〜２４時間が好ましく、１分〜１２時間がより好ましく、３０分〜８時間が特に好ましい。このような加熱処理により硬度が向上し、半導体製造工程等における加熱および冷却のヒートサイクル時においても伸縮が抑制される。
【０１９１】
次に、このような製法により得られる異方導電性部材を用いて本発明のプローブカードを製造する方法を詳述する。
本発明のプローブカードは、上記検査用回路基板と上記異方導電性部材とを接合、即ち、上記検査用回路基板の検査用電極と上記異方導電性部材の上記導通路とを接合することにより製造することができる。
また、本発明のプローブカードが電気的接点として上記プローブ接触針を具備する場合は、例えば、上記検査用回路基板と上記異方導電性部材との接合の後、上記異方導電性部材の上記導通路と上記プローブ接触針とを接触することにより製造することができる。
以下に、この接合および接触の方法について具体的に説明する。
【０１９２】
［接合］
上記検査用回路基板と上記異方導電性部材とを接合する方法としては、以下に示す熱圧着法、超音波接続法等が好適に挙げられる。
【０１９３】
＜熱圧着＞
熱圧着とは、上記検査用回路基板の検査用電極と上記異方導電性部材の上記導通路との金属同士の拡散接合を利用し、金属の融点以下の温度で、所定の圧力を加えて接合する方法である。
上記温度は、上記検査用電極および上記導通路に使用する金属により異なるため特に限定されないが、１５０℃以上であるのが好ましく、１８０〜３００℃であるのがより好ましい。
同様に、上記圧力は、上記検査用電極および上記導通路に使用する金属により異なるため特に限定されないが、０．２〜１．０ＭＰａであるのが好ましく、０．４〜０．８ＭＰａであるのがより好ましい。
また、熱圧着接合には、市販の熱圧着接合装置（ＭＯＤＥＬ６０００、ハイソル社製）等を使用することができる。
【０１９４】
図８は、熱圧着による上記検査用回路基板と上記異方導電性部材との接合方法の好適態様を説明する概略図である。
本発明においては、上記検査用回路基板と上記異方導電性部材との接合は、図８に示すように、所定の加圧ヘッド４５を用いて、異方導電性部材６を検査用回路基板５の検査用電極４が設けられた面に対して、加熱条件下で押し付ける態様が好ましい。
ここで、加圧ヘッド４５は、その裏面（異方導電性部材６と接触する側の面）が、型枠となっているヘッド４５ａや、メッシュ枠となっているヘッド４５ｂを用いるのが好ましい。
【０１９５】
＜超音波接合＞
超音波接合とは、上記検査用回路基板の検査用電極と上記異方導電性部材の上記導通路とを、加圧ヘッドを用いて超音波振動を与え、適宜、所定の荷重を加えて接合する方法である。
上記振幅は２〜１０μｍの範囲であって接合電極面積の１０〜２０％に設定するのが好ましい。
同様に、上記荷重は、電極１個当たり０．１〜１０ｇであって接合電極単位面積当たり１００ｇ〜１1ｋｇ／ｍｍ2に設定するのが好ましい。
また、超音波接合には、市販の超音波接合装置（ＦＣ２０００、東レ社製）等を使用することができる。
【０１９６】
［接触］
上記異方導電性部材の上記導通路と上記プローブ接触針との接触は、上記プローブ接触針を固定する上記固定ホルダを有しない場合は、上記導通路と上記プローブ接触針とを容易に外れないように接合することにより接触させるのが好ましいが、上記固定ホルダを有する場合は、図４に示すように上記固定フォルダと上記検査用基板とで挟み込むようにして上記導通路と上記プローブ接触針とを適宜取り外し可能なように接触させるのが好ましい。
【０１９７】
上述した本発明のプローブカードを用いた検査方法においては、上記被検査体の電気的特性を検査する前に、被検査電極との接触部位（導通路の突出部分、電気的接点）をアルカリ性水溶液または酸性水溶液と接触させるのが好ましい。
具体的には、本発明の検査方法は、上記被検査電極と接触する側の上記導通路の突出部分をアルカリ性水溶液または酸性水溶液に接触させる前処理工程と、上記前処理工程後の上記突出部分を上記被検査電極と接触させて上記被検査体の電気的特性を検査する検査工程とを有する態様であるのが好ましい。
また、本発明のプローブカードが上述した電気的接点を有する場合、本発明の検査方法は、上記被検査体の電気的特性を検査する前に、上記電気的接点をアルカリ性水溶液または酸性水溶液に接触させる前処理工程と、上記前処理工程後の上記電気的接点を上記被検査電極と接触させて上記被検査体の電気的特性を検査する検査工程とを有する態様であるのが好ましい。
【０１９８】
ここで、被検査電極との接触部位（導通路の突出部分、電気的接点）を接触させるアルカリ性水溶液または酸性水溶液としては、上述したトリミング処理および酸化皮膜溶解処理において例示した溶液が挙げられる。
アルカリ性水溶液としては、具体的には、例えば、１〜３５質量％の水酸化ナトリウム水溶液、１〜３５質量％の水酸化カリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液が好適に用いられる。また、その水溶液のｐＨは、１２以上であるのが好ましく、１３以上であるのがより好ましい。
一方、酸性水溶液としては、具体的には、例えば、０．０１〜０．０５質量％の過酸化水素水、５〜３０質量％の硫酸水溶液、１〜１０質量％のりん酸水溶液が好適に用いられる。
本発明においては、これらの水溶液は、メタノール、イソプロパノール等のアルコール類を５〜２０質量％程度含有していてもよく、水溶液用の脱脂剤を含有していてもよい。また、塩化亜鉛等の塩化物を０．５〜５質量％程度含有していてもよい。
【０１９９】
本発明においては、被検査電極との接触部位（導通路の突出部分、電気的接点）をアルカリ性水溶液または酸性水溶液に接触させる処理条件、処理方法は特に限定されない。
【０２００】
処理温度としては、溶液の種類によって大きく異なるが、概ね３０〜８５℃であるのが好ましい。
また、処理時間も溶液の種類によって大きく異なるが、概ね１〜６００秒であるのが好ましく、３０〜３００秒であるのがより好ましい。
【０２０１】
一方、処理方法としては、接触効率の観点から、アルカリ性水溶液または酸性水溶液を含浸させた吸収体を用いるのが好ましい。
このような吸収体としては、液体を含浸させることができる部材であれば特に限定されないが、薬液吸収剤、ゲル状物質、ガラス繊維フィルタ、不織布、スポンジ等が挙げられる。
薬液吸収剤としては、具体的には、例えば、３Ｍ社製の液体吸収材のうち、シートタイプ（Ｐ−１１０）、フォールデッド（Ｃ−ＦＬ５５０ＤＤ）が好適に用いられる。
ゲル状物質としては、具体的には、例えば、ポリアクリルアミドゲルのようなシート状ゲルが好適に例示に用いられる。なお、ゲル状物質は、２０〜３０質量％程度の水酸化ナトリウムまたは１５〜２５質量％程度の水酸化カリウムを含有するのが好ましい。
ガラス繊維フィルタとしては、例えば、有機バインダ処理をされたガラス繊維フィルタが好適に用いられ、具体的には、アクリル樹脂処理をされたガラス繊維フィルタを用いることができる。なお、ガラス繊維フィルタとしては、アドバンテック東洋社製のＧＣ−９０、ＧＳ−２５等の市販品も用いることができる。
不織布としては、具体的には、例えば、ポリオレフィン系不織布を好適に用いることができる。
これらの吸収体のうち、薬液吸収材、ゲル状物質、ガラス繊維フィルタが好ましく、特に、薬液吸収材が好ましい。
【０２０２】
また、処理方法としては、上述したアルカリ性水溶液または酸性水溶液を収容した容器に、被検査電極との接触部位（導通路の突出部分、電気的接点）を浸漬させる方法であってもよい。
この場合、浸漬後の接触部位は、水をかけて洗浄してもよいが、上述したアルカリ性水溶液または酸性水溶液を含浸（吸水）することができる洗浄部材（例えば、上述した吸収体）に、水、特に純水を含浸させたものを用いて、洗浄することができる。
【０２０３】
本発明の検査方法においては、被検査電極との接触部位、特に、導通路の突出部分をアルカリ性水溶液または酸性水溶液と接触させる前に、必要に応じて、研磨処理を施すのが好ましい。
研磨処理としては、上述した表面平滑化処理と同様の処理を施すことができる。
このような研磨処理を施した後にアルカリ性水溶液または酸性水溶液と接触させることにより、導通路の突出部分が磨耗などにより滅失した場合であっても、上述した表面平滑化処理およびトリミング処理を施すことと同様の効果、即ち、導通路の突出部分を再生することができる。
【０２０４】
このような態様による検査方法により、被検査体の電気的特性を検査する前に、被検査電極との接触部位（導通路の突出部分、電気的接点）をアルカリ性水溶液または酸性水溶液と接触させるため、この接触部位の付着物や酸化皮膜等を除去することができ、安定した検査を行なうことができる。
また、このような態様による検査方法により、被検査電極との接触部位を電気的に活性な状態に維持できるので、加圧荷重が低い使用態様であっても、電気的特性を検査することができる。
【０２０５】
本発明は、上述した本発明のプローブカードを具備するプローブ検査装置を提供することもできる。
図９は、プローブ検査装置の好適な実施態様の概略構成を示す模式図である。
プローブ装置は、従来公知のプローブカードに代えて本発明のプローブカードを具備するものであれば特に限定されないが、例えば、図９に示すように、本発明のプローブ装置７０は、本発明のプローブカード１、被検査電極が設置された被検査体２、被検査体２を収納するプローバー７１、プローバー７１と接続してインターフェースリング７２、および、テスターヘッド７３を具備するものが好ましい。
【実施例】
【０２０６】
＜異方導電性部材の製造＞
（Ａ）鏡面仕上げ処理（電解研磨処理）
高純度アルミニウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚さ０．４ｍｍ）を１０ｃｍ四方の面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下組成の電解研磨液を用い、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【０２０７】
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ
【０２０８】
（Ｂ）陽極酸化処理工程（自己規則化法Ｉ）
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１０時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１５時間の再陽極酸化処理を施した。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ  ＢＤ３６（ヤマト科学社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー  ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【０２０９】
（Ｃ）貫通化処理工程
次いで、２０％塩酸水溶液に０．１ｍｏｌ／Ｌの塩化銅をブレンドした処理液を用い、液温１５℃で、目視によりアルミニウムが除去されるまで浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させることにより陽極酸化皮膜の底部を除去し、ポア径を拡大したマイクロポアを有する陽極酸化皮膜からなる構造体（絶縁性基材）を作製した。貫通化処理後の構造体の厚みは１２０μｍであった。
【０２１０】
（Ｄ）加熱処理
次いで、上記で得られた構造体に、温度４００℃で１時間の加熱処理を施した。
【０２１１】
（Ｅ）金属充填処理工程
次いで、上記加熱処理後の構造体の一方の表面に金を０．１μｍ厚で蒸着して金電極を形成した。この金電極を陰極にし、銅を正極にして電解メッキを行なった。
６００ｇ／Ｌの硫酸銅飽和溶液を６０℃に保った状態で電解液として使用し、直流電解を実施することにより、マイクロポアからなる孔に銅が充填された構造体を製造した。
ここで、直流電解には、山本鍍金社製のメッキ装置を使用し、ＡＭＥＬ社製のポテンショスタット／ガルバノスタット（Ｍｏｄｅｌ ７０６０）を使用した。また、標準電極はＡｇ／ＡｇＣｌタイプを使用した。
電解は、Ｃｕ：０Ｖから負側に１ｍＶ／ｓｅｃの走査速度で走査し、電気量が４０００Ｃ／ｄｍ2になるまで行った。
金属充填処理後の構造体の破断面を光学顕微鏡にて観察したところ、マイクロポアの内部に銅が金電極側からの高さが約７０μｍとなる量で充填されていた。
【０２１２】
（Ｆ）表面平滑化処理
次いで、金属充填処理後の構造体の金電極側の表面を１０μｍ研磨し、その反対の面を６０μｍ研磨する表面平滑化処理を施した。
具体的には、研磨剤の種類がシリコンカーバイトのシート（＃1200）でラッピング研磨を行なった後、粒子径２μｍのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行い、さらに、粒子径０．２５μｍのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行なって鏡面状態とした。
表面平滑化処理後の構造体の破断面を光学顕微鏡で観察したところ、導通路（銅）および絶縁性基材（陽極酸化皮膜）の厚さがいずれも５０μｍとなる平滑な構造体であることが分かった。
【０２１３】
（Ｇ）突出部形成工程
次いで、表面平滑化処理後の構造体に４０℃の５％リン酸水溶液を用いて１０分間トリミング処理を施した。
その後、構造体を水洗し、０．９ｍｏｌ／Ｌ硫酸ニッケル、０．９９ｍｏｌ／Ｌ塩化ニッケルおよび０．５ｍｏｌ／Ｌホウ酸の混合水溶液を用い、４０℃、５Ａ／ｄｍ2、電気量２Ｃの条件で電解処理を施した。
これらの処理後の構造体の破断面をＦＥ−ＳＥＭにて観察したところ、銅上に厚さ０．１μｍのニッケルが析出しており、導通路としてニッケルからなる突出部が形成された異方導電性部材であることが分かった。
さらに、無電解ロジウムめっき液（ＲＨ−１、奥野製薬社製）を用い、液度８０℃で、１分間浸漬処理を施した。処理後のＥＳＣＡ分析の結果、析出したニッケルがロジウムで被覆されていることが分かった。
【０２１４】
なお、上記金属充填処理工程（Ｅ）から上記突出部形成工程（Ｇ）までの処理は、銅のメッキ開始からロジウムのメッキ終了までの間、そのメッキ部分を大気に触れさせることなく施し、時間を開けず連続にて処理を行った。
【０２１５】
次いで、水洗し、乾燥した後に、ＦＥ−ＳＥＭで観察した。
その結果、下記第１表にも示すように、導通路の突出部の高さが０．１μｍであり、電極部サイズである導通路の直径が６０ｎｍであり、部材の厚みが５０μｍであることを確認した。また、部材の厚みに対する導通路の中心線の長さ（長さ／厚み）は１．０１であることを確認した。
【０２１６】
また、得られた異方導電性部材の形状を下記第１表に示す。
ここで、規則化度は、得られた異方銅導電性部材についてＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、２μｍ×２μｍの視野で、マイクロポアについて上記式（ｉ）により定義される規則化度を測定した。なお、規則化度の測定は、１０箇所において行い、平均値を算出した。
また、周期とは、導通路の中心間距離（ピッチ）をいい、得られた異方銅導電性部材（フィルム）についてＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値である。
また、密度は、図１０に示すように、上記式（ｉ）により定義される規則化度が５０％以上となるように配列するマイクロポアの単位格子５１中に１／２個の導電性電極部５２があるとして、下記式により計算した。ここで、下記式中、Ｐｐは周期を表す。
【０２１７】
密度（個/μｍ2）＝（１/２個）／｛Ｐｐ（μｍ）×Ｐｐ（μｍ）×√３×（１/２）｝
【０２１８】
【表１】
2009244244.tif 000003
【０２１９】
（実施例１〜１２）
上記で得られた異方導電性部材と、下記第２表に示す検査用回路基板とを、熱圧着接合装置（ＭＯＤＥＬ６０００、ハイソル社製）を用い、３００℃の温度で、０．６ＭＰａの圧力を加えて熱圧着させた。
次いで、異方導電性部材に対して、下記第２表に示す固定ホルダにより固定されたプローブ接触針（本数：５０本、領域：１０ｃｍ、隣接する先端部のピッチ：２ｍｍ、基端部の表面サイズ：５００μｍφ）を接触させることにより、プローブカードを作製した。
【０２２０】
（比較例１〜４）
市販品である異方導電性部材（アニソルム ＡＣ−４０００、日立化成社製）と、下記第２表に示す検査用回路基板とを、熱圧着接合装置（ＭＯＤＥＬ６０００、ハイソル社製）を用い、１８０℃の温度で、０．４ＭＰａの圧力を加えて熱圧着させた。
次いで、異方導電性部材に対して、下記第２表に示す固定ホルダにより固定されたプローブ接触針（本数：５０本、領域：１０ｃｍ、隣接する先端部のピッチ：２ｍｍ、基端部の表面サイズ：５００μｍφ）を接触させることにより、プローブカードを作製した。
【０２２１】
図１１は、実施例および比較例で用いたプローブカードの検査用電極と異方導電性部材とプローブ接触針との接触（接合）状態を説明する模式的な断面図である。
図１１に示すように、実施例および比較例では、片側を固定部材２０で検査用回路基板５と接続した固定ホルダ１９により固定されたプローブ接触針１６を５０本等間隔で配置し、最も外側に設けられたプローブ接触針同士の間隔が１０ｃｍとなるように配置したものを用いた。
【０２２２】
＜導電性＞
作製した各プローブカードについて、被検査体の電気的特性を調べる前に、導電性を調べた。
具体的には、作製した各プローブカードの接触針の先端と、金リボン（ＡＵ−１７０３２４、サイズ：０．１０ｍｍ×２．０ｍｍ×５００ｍｍ、純度：９９．９５％、ニラコ社製）とを接触させて、導電性試験を行った。
導電性の測定は、４端子法による電気抵抗をミリオームメーターにより計測し、金リボンの大きさと最も外側に設けられたプローブ接触針同士の距離（１０ｃｍ）から、比抵抗に換算した。
ここで、「電気電子材料ハンドブック」（初版、１９８７年、朝倉書店）の５９７頁によれば、金の比抵抗（ρ）は下記の通りである。
ρ＝２．２１×１０-8［Ω・ｍ］（２０℃）
ρ＝３．５７×１０-8［Ω・ｍ］（１５０℃）
そこで、比抵抗の値が、文献値から１倍以上５倍以下であるものを○と評価し、文献値から５倍超１０倍以下であるものを△と評価し、文献値から１０倍超であるものを×と評価した。その結果を下記第２表に示す。
【０２２３】
＜位置ずれ＞
作製した各プローブカードについて、検査用電極と異方導電性部材の導通路との位置ずれ（図１１のＡ−Ｂ間）、および、異方導電性部材の導通路とプローブ接触針との位置ずれ（図１１のＢ−Ｃ間）を調べた。
具体的には、各プローブカードをホットプレート（ＨＴＰ４５２ＡＡ、アズワン社製）に載せ、加熱前（２５℃）の接点間隔ｄｒ［μｍ］と加熱時（１２５℃）の接点間隔ｄｈ［μｍ］を測定し、その差から接点ずれ量を算出した。
接点ずれ量［ｍｍ］＝ｄｈ-ｄｒ
ここで、接点間隔は、デジタル式読取顕微鏡（ＮＲＭ−Ｄ−２ＸＺ、測定範囲：Ｘ軸０〜２００ｍｍ、Ｚ軸：０〜１５０ｍｍ、最小読取値：液晶デジタル０．０１ｍｍ）を用いて測定した。
【０２２４】
【表２】
2009244244.tif 000004
【０２２５】
上記第２表中、検査用回路基板と固定ホルダに使用したものの材料、熱膨張率を下記第３表に示す。
【０２２６】
【表３】
2009244244.tif 000005
【０２２７】
実施例１および比較例４で製造したプローブカードについて、−４０℃と１２５℃との温度下でヒートサイクル試験（１２５時間で１８６サイクル）を行った。
その結果、実施例１のプローブカードについては、比抵抗の増加率は１０％に留まったのに対し、比較例４のプローブカードについては、比抵抗の増加率は８０％であった。
【０２２８】
これらの結果から、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路を互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられる特定部材を異方導電性部材を用いることにより、バーンイン試験により高温に曝された後においても検査用電極と被検査電極との接続安定性が良好で、繰り返し使用後においても検査用電極と導通部との接触や、導通部とプローブ接触針との接触に位置ずれが生じにくいことが分かった。
【０２２９】
実施例１で製造したプローブカードについて、−４０℃と１２５℃との温度下でヒートサイクル試験（１２５時間で１８６サイクル）を行った。
ヒートサイクル試験前後の抵抗値を上述した導電性試験により測定した結果、ヒートサイクル試験後の抵抗値がヒートサイクル試験前の抵抗値に比べて１０％大きい値となった。
次いで、このヒートサイクル試験後のプローブカードのプローブ接触針を、０．１Ｎの水酸化カリウム水溶液を含漬させた３Ｍ社製の液体吸収材（シートタイプ（Ｐ−１１０）に、２５℃下、５分間接触させた。
この接触後の比抵抗を上述した導電性試験により測定した結果、ヒートサイクル試験後の抵抗値の増大は５％にまで減少し、プローブ接触針の電気的な活性が回復していることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０２３０】
本発明においては、上述したプローブ接触針は、上記被検査電極と上記異方導電性部材とを接続する電気的接点として記載しているが、例えば、特開２００２−２５７８９８号公報に記載の半導体装置検査用プローブ構造におけるプローブピンの使用態様で用いる場合は、特許請求の範囲の請求項１に係るプローブカードに包含する使用態様として、上記異方導電性部材は、上記被検査電極とプローブピンとの間の接触子としても使用することができる。
【０２３１】
同様に、上述したプローブ接触針が、例えば、特開平１１−１９０７４８号公報に記載のプローブカードにおけるプローブピンの使用態様で用いる場合は、特許請求の範囲の請求項１に係るプローブカードに包含する使用態様として、上記異方導電性部材は、コンタクター上の回路と基板上の配線回路（ＦＰＣ）とを接触するコネクターとしても使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２３２】
【図１】図１は、本発明のプローブカードの好適な実施態様の概略構成を示す断面図である。
【図２】図２は、異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す簡略図である。
【図３】図３は、ポアの規則化度を算出する方法の説明図である。
【図４】図４は、本発明のプローブカードにおける電気的接点の一の好適な実施態様の概略構成を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明のプローブカードにおける電気的接点の他の好適な実施態様の概略構成を示す断面図である。
【図６】図６は、異方導電部材製法における陽極酸化処理工程の一例を説明する模式的な端面図である。
【図７】図７は、異方導電部材製法における金属充填工程等の一例を説明する模式的な端面図である。
【図８】図８は、熱圧着による上記検査用回路基板と上記異方導電性部材との接合方法の好適態様を説明する概略図である。
【図９】図９は、本発明のプローブ検査装置の好適な実施態様の概略構成を示す模式図である。
【図１０】図１０は、導電性部材の導通路の密度を計算するための説明図である。
【図１１】図１１は、実施例および比較例で用いたプローブカードの検査用電極と異方導電性部材とプローブ接触針との接触（接合）状態を説明する模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０２３３】
１  プローブカード
２  被検査体
３  被検査電極
４  検査用電極
５  検査用回路基板
６  異方導電性部材
７  絶縁性基材
８  導通路
９  ホルダ
１０ａ，１０ｂ  突出部
１１  基材内導通部
１２  絶縁性基材の厚み
１３  導通路間の幅
１４  導通路の直径
１５  導通路の中心間距離（ピッチ）
１６  プローブ接触針
１７  基端部
１８  先端部
１９  固定ホルダ
２０  固定部材
２１  樹脂材料
２２  バンプ状接点
２３  基端部
２４  先端部
３２  アルミニウム基板
３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ  陽極酸化皮膜
３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄ  マイクロポア
３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、３８ｄ  バリア層
４０  絶縁性基材
４１  異方導電性部材の前駆体
４２  異方導電性部材
４５、４５ａ、４５ｂ  加圧ヘッド
５１  マイクロポアの単位格子
５２  導電性電極部
７０  プローブ装置
７１  プローブカード
７２  インターフェースリング
７３  テスターヘッド
１０１、１０２、１０４、１０５、１０７、１０８  マイクロポア
１０３、１０６、１０９  円
【図１】
2009244244.tif 000006
【図２】
2009244244.tif 000007
【図３】
2009244244.tif 000008
【図４】
2009244244.tif 000009
【図５】
2009244244.tif 000010
【図６】
2009244244.tif 000011
【図７】
2009244244.tif 000012
【図８】
2009244244.tif 000013
【図９】
2009244244.tif 000014
【図１０】
2009244244.tif 000015
【図１１】
2009244244.tif 000016