(57)【要約】【課題】封止用の金型の内壁を被覆する封止シートを不要にすることにより製造コストを低減可能な回路装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の回路装置の製造方法では、樹脂封止に使用される上金型５２に均等に押圧手段５２を設けている。具体的には、本発明では、封止用金型の上金型５２に押圧手段５１を設け、押圧手段５１で封止樹脂３６の上面を下方に押圧することにより、封止樹脂３６を上金型５２の内壁から離型している。従って、樹脂封止の工程に於いて封止樹脂３６が上金型５２の内壁に強固に密着したとしても、均等に配置された押圧手段５１による押圧力により封止樹脂３６が離型される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユニットから構成されるブロックをリードフレームに設ける工程と、
前記ユニットに回路素子を配置する工程と、
封止用金型のキャビティに前記ブロックを収納させ、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより、前記ブロックに含まれる前記ユニットおよび前記回路素子を前記封止樹脂により一体的に封止する工程と、
前記ユニット同士の境界で前記封止樹脂を分離することにより、前記ユニットを個別に分離する工程と、を具備し、
前記回路素子を封止する工程では、前記封止用金型に均等に配置した押圧手段により、硬化した前記封止樹脂を押圧することで、前記封止樹脂を前記封止用金型から離形させることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記押圧手段は、前記ユニットが設けられていない前記ブロックの周辺部に対応する部分の前記封止樹脂を上面から押圧することを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止する工程では、
複数の前記ブロックを１つの前記キャビティに収納させて前記封止樹脂による封止を行い、
前記押圧手段は、前記ブロック同士の境界に設けられることを特徴とする請求項２記載の回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記封止用金型は、前記リードフレームが載置される下金型と、前記キャビティを構成する凹部が設けられた上金型とから構成され、
前記回路素子を封止する工程では、前記上金型に設けた前記押圧手段により前記封止樹脂を前記上金型から分離させることを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記回路素子を封止する工程では、前記リードフレームは裏面が接着シートにより被覆された状態で前記下金型に載置されることを特徴とする請求項１記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つのリードフレームから多数個の回路装置が製造される回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は年々大容量化されており、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が４方向より導出されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置およびＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようになってきている。その一方で、半導体装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。そのため、実装面積の低減を求められる半導体装置では、樹脂封止体裏面からリードを露出させ、その実装面積をチップサイズと同等あるいはわずかに大きくするＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型のパッケージが利用されている。
【０００３】
従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法では、半導体素子が固着されたリードフレームの対向面全体に封止シートを貼り付け、封止シートの貼り付けられたリードフレームを樹脂封止金型内に設置し、樹脂モールドを行う技術が知られている（例えば、特許文献１。）。
【０００４】
以下に、図１０から図１２を参照して、従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法に関し簡単に説明する。図１０は封止シートを貼り付けたリードフレームを説明するための断面図であり、図１１はリードフレームを樹脂封止金型に設置した状況を説明するための断面図であり、図１２は樹脂パッケージ形成後の状況を説明するための断面図である。
【０００５】
図１０に示すように、先ず、リードフレーム１０１に少なくとも信号接続用端子１０２、半導体チップ１０４を搭載するダイパッド１０３から成る搭載部を複数形成する。そして、リードフレーム１０１の裏面に封止シート１０６を貼り合わせた後、ダイパッド１０３の上面に接着剤により半導体チップ１０４を接合する。その後、ダイパッド１０３上に接合された半導体チップ１０４と信号接続用端子１０２とを金属細線１０５により電気的に接合する。
【０００６】
図１１に示すように、次に、封止シート１０６を貼り合わせ、半導体チップ１０４を接合したリードフレーム１０１を上金型１０７及び下金型１０８から成る樹脂封止金型のキャビティ１０９内に設置する。このとき、リードフレーム１０１及び封止シート１０６の端部を上金型１０７及び下金型１０８で狭持することで、キャビティ１０９を構成する。そして、図示していないが、樹脂封止金型に設けられた樹脂注入ゲートから封止樹脂を注入し、樹脂モールドを行う。
【０００７】
更に本工程では、上金型１０７の内壁は、封止シート１１１により被覆されている。この様にすることで、後の工程にてキャビティ１０９に注入される封止樹脂が、上金型１０７の内壁に密着しないので、封止樹脂の上金型１０７からの離形が容易になる。
【０００８】
図１２に示すように、次に、樹脂封止金型内を封止樹脂で充填し、樹脂パッケージ１１０を形成した後、共通の樹脂パッケージ１１０が形成されたリードフレーム１０１を樹脂封止金型から離型する。本工程が終了した後に、封止シート１０６、１１１は樹脂パッケージ１１０から剥離される。更にその後、図示していないが、共通の樹脂パッケージ１１０を、ダイシングにより個々の搭載部毎に切断し、半導体装置が完成する。
【特許文献１】特開２００４−１７２５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図１１を参照して、上記した半導体装置の製造方法では、リードフレーム１０１の裏面を封止シート１０６の裏面に貼着させると共に、封止シート１１１の内壁を封止シート１１１により被覆していた。ここで、封止シート１０６は、封止樹脂のリードフレーム１０１の裏面への回り込みを防止させるものである。また、封止シート１１１は、キャビティ１０９に封入される封止樹脂が上金型１０７の内壁に密着することを防止して、封止樹脂の上金型１０７からの離形を良好にするためのものである。ところが、封止シート１１１、１０６は、繰り返し使用することができないので、これらの樹脂シート１１１、１０６を用いることにより、回路装置の製造コストが上昇してしまう問題があった。
【００１０】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、封止用の金型の内壁を被覆する封止シートを不要にすることにより、製造コストを低減可能な回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の回路装置の製造方法は、複数のユニットから構成されるブロックをリードフレームに設ける工程と、前記ユニットに回路素子を配置する工程と、封止用金型のキャビティに前記ブロックを収納させ、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより、前記ブロックに含まれる前記ユニットおよび前記回路素子を前記封止樹脂により一体的に封止する工程と、前記ユニット同士の境界で前記封止樹脂を分離することにより、前記ユニットを個別に分離する工程と、を具備し、前記回路素子を封止する工程では、前記封止用金型に均等に配置した押圧手段により、硬化した前記封止樹脂を押圧することで、前記封止樹脂を前記封止用金型から離形させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、先ず、硬化した封止樹脂を離形させる押圧手段を封止用金型に設けている。このことにより、背景技術にて用いていた封止シート１１１が不必要となるので、回路装置の製造に係るコストが低減される。
【００１３】
また、本発明では、上記した押圧手段を封止用金型に均等に配置している。従って、硬化した大型の封止樹脂を封止用金型から離形させる際に、封止樹脂が変形することが抑制される。
【００１４】
更に本発明では、封止樹脂を押圧する押圧手段を、回路素子が固着されるユニットが配置されていないブロックの周辺部に対応する箇所に設けている。従って、この押圧手段が封止樹脂に与える外力に起因した押圧手段の破損が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、図を参照して、本発明の回路装置の製造方法を説明する。
【００１６】
図１を参照して、先ず、本発明の回路装置の製造方法に用いられるリードフレーム１０の構成を説明する。ここで、図１（Ａ）はリードフレーム１０を全体的に示す平面図であり、図１（Ｂ）はリードフレーム１０に配置されるブロック１２を拡大した平面図である。また、図１（Ｃ）はブロック１２に含まれるユニット２６の構成を示す平面図である。
【００１７】
図１（Ａ）を参照して、リードフレーム１０は、例えば厚みが０．２ｍｍ程度の銅等の金属から成る導電箔に対して、エッチング加工またはパンチング加工を施して所定の形状に成形されている。また、リードフレーム１０は短冊型の形状を呈し、平面的なサイズは例えば縦×横＝６０ｍｍ×１４０ｍｍ程度である。更に、リードフレーム１０の表面は、例えばニッケル、パラジューム、金をこの順番で順次積層させたメッキ膜により被覆されている。
【００１８】
リードフレーム１０には、多数個のユニットから成るブロック１２が複数個離間して配置されている。ここでは、リードフレーム１０の長手方向に沿って２個のブロック１２が配置されているが、配置されるブロック１２の個数は３個以上の多数個でも良い。
【００１９】
ブロック１２の周辺部には、ブロック１２が形成されない残余の領域である第１支持部１４と第２支持部１６が設けられており、これらでリードフレーム１０を全体的に支持する外枠が構成されている。第１支持部１４は、リードフレーム１０の長手方向に対向する周辺部に位置している。第２支持部１６は、リードフレーム１０の短手方向に対向する周辺部に位置している。更に、第２支持部１６は、各ブロック１２の間にも設けられている。
【００２０】
図１（Ｂ）を参照して、リードフレーム１０に設けられるブロック１２の構成を詳細に説明する。ブロック１２の内部には、マトリックス状に配置された複数のユニット２６が形成されている。ここで、ユニット２６とは、１つの回路装置を構成する単位要素である。この図を参照すると、１つのブロック１２に、５行×５列で合計２５個のユニット２６が設けられているが、更に多数個のユニット２６をブロック１２に設けることも可能である。
【００２１】
この図では、ブロック１２の内部に設けられた各ユニット２６同士の間に規定される分割線を点線にて示している。ここでは、ユニット２６がマトリックス状に配置されているので、分割線は格子状に規定されている。分割線２０は紙面上にて縦方向に規定されており、分割線１８は紙面上にて横方向に規定されている。
【００２２】
分割線２０は、リードフレーム１０の下端から上端まで延長して規定されており、このことは回路装置の製造工程に於いて、リードフレーム１０が分割線２０に沿って上端から下端まで切断されることを示している。
【００２３】
分割線１８は、リードフレーム１０の左端から右端まで連続して規定されている。このことも、回路装置の製造工程に於いて、リードフレーム１０が分割線１８に沿って左端から右端まで切断されることを示している。更に、分割線１８は、リードフレーム１０に設けられたブロック１２に共通して規定されている。即ち、製造工程に於いて、分割線１８に沿ってダイシングを行うと、複数のブロック１２に含まれるユニット２６の分離を一括して行うことができる。
【００２４】
本発明では、上記した分割線１８、２０に対応する箇所のリードフレーム１０の切断を容易にするために、等間隔にハーフ溝２２および貫通溝２４を設けている。
【００２５】
ハーフ溝２２は、分割線２０に対応する箇所の第１支持部１４を部分的に肉薄に形成した部位である。ハーフ溝２２は、第１支持部１４を例えば０．１ｍｍ程度ハーフエッチングして肉薄にすることで形成されている。この様に分割線２０が規定された箇所にハーフ溝２２を設けることで、この部分の第１支持部１４を容易に分割することができるので、ダイシングに用いるダイシングソーの摩耗を低減させることができる。更には、ハーフ溝２２はリードフレーム１０を貫通するものではないので、ハーフ溝２２を設けることによる第１支持部１４の機械的強度の低下が抑制される。
【００２６】
貫通溝２４は、分割線１８が規定された領域の第２支持部１６を、部分的に貫通して設けられた部位である。貫通溝２４が設けられた部位では、リードフレーム１０を構成する金属材料が位置していないので、分割線１８に沿うダイシングによるユニット２６の分離が容易に行える。更に、このダイシングによるダイシングソーの摩耗も抑制される。
【００２７】
ここで、上記したハーフ溝２２および貫通溝２４の幅Ｗ１は、例えば０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。更に、分割線２０が通過する部分の第１支持部１４、分割線１８が通過する部分の第２支持部１６の両方にハーフ溝２２が設けられても良い。更には、これらの領域の両方に貫通溝２４が設けられても良い。
【００２８】
また、分割線２０により区画される各第１支持部１４には、第１支持部１４を貫通する円形の貫通孔３４が形成されている。更に、第２支持部１６にも同様に貫通孔３４が設けられている。この貫通孔３４は、製造工程にて塗布される封止樹脂とリードフレーム１０との密着性を向上させるためのものである。
【００２９】
図１（Ｃ）を参照して、上記したブロック１２に含まれるユニット２６の構成を説明する。ユニット２６は、上述したように１つの回路装置を構成する単位要素であり、ここでは、１つのアイランド２８と、このアイランド２８の四方を囲むように配置された複数個のリード３０から構成されている。
【００３０】
各ユニット２６同士の間には、格子状にタイバー３２が形成されている。そして、各ユニット２６のリード３０は、タイバー３２から連続してユニット２６の内側に延出している。更に、アイランド２８は、吊りリードを経由してタイバー３２に連結されている。
【００３１】
また、各タイバー３２の位置は、図１（Ｂ）を参照して説明した分割線１８、２０に正確に対応している。従って、製造工程に於いて、分割線１８、２０にてダイシングを行うと、タイバー３２は除去される。
【００３２】
更に、上記した除去を確実に行うために、タイバー３２は細く形成されており、その幅Ｗ２は例えば０．２ｍｍ程度である。即ち、タイバー３２の幅Ｗ２は、図１（Ｂ）を参照して説明した貫通溝２４やハーフ溝２２の幅よりも狭く形成され、更には製造工程にて使用されるダイシングブレードの幅よりも狭く形成される。
【００３３】
次に、図２から図８を参照して、上記した構成のリードフレーム１０を使用した回路装置の製造方法を説明する。
【００３４】
図２および図３を参照して、先ず、リードフレーム１０の所定の箇所に半導体素子４４を固着する。図２（Ａ）は１つのユニット２６を示す平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＢ-Ｂ’線に於ける断面図である。更に、図３は、本工程を経たリードフレーム１０を示す平面図である。
【００３５】
本工程では、図１に示した構成のリードフレーム１０を、パンチング加工またはエッチング加工により用意する。そして、このリードフレーム１０の各ブロック１２（図１参照）に対して、半導体素子４４のダイボンディングおよびワイヤボンディングを行う。本工程では、図１に示すリードフレーム１０に配置された全てのブロックに対して、一括してダイボンディングおよびワイヤボンディングを行っている。
【００３６】
図２（Ａ）を参照して、先ず、半田等の導電性接着材またはエポキシ樹脂等の絶縁性の接着材を介して、アイランド２８の上面に半導体素子４４を実装する。そして、半導体素子４４の上面に設けられた電極とリード３０とを、金属細線４６を経由して接続する。
【００３７】
図２（Ｂ）を参照して、本工程では、リードフレーム１０の下面は、ほぼ全面的に接着シート４８の上面に貼着させている。接着シート４８は、上面に薄く接着樹脂が塗布された樹脂製のシートであり、その材料としては例えばポリイミドまたはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）が採用される。リードフレーム１０の裏面を接着シート４８に接着させる理由は、次工程の樹脂封止の工程に於いて、リードフレーム１０の裏面に封止樹脂が回り込むことを防止するためである。またここで、後の封止の工程に於いて、リードフレーム１０の下面に封止樹脂が回り込む危険性がなければ、接着シート４８を省略することも可能である。
【００３８】
図３は、ダイボンディングおよびワイヤボンディングが終了したリードフレーム１０の平面図である。この平面図を参照して、ブロック１２に含まれる全てのユニット２６は、半導体素子４４が実装されて電気的に接続されている。
【００３９】
図４から図６を参照して、次に、図２に示したアイランド２８、リード３０、金属細線４６および半導体素子４４が被覆されるように封止樹脂３６を形成する。
【００４０】
図４（Ａ）を参照して、本工程では、２つのリードフレーム１０に対して、ポット６４およびランナー６６が共通して用いられる。具体的には、不図示のモールド金型に２つのリードフレーム１０が載置される。各リードフレーム１０に構成された各ブロック１２は、それぞれが１つのキャビティ５６の内部に収納される。
【００４１】
更に、紙面上にて上部に位置する各リードフレーム１０のブロック１２が収納されるキャビティ５６は、ランナー６６を経由してポット６４と連続している。従って、ポット６４の内部で加熱されて液状となった封止樹脂３６は、ランナー６６およびゲート６０を経由して、キャビティ５６に供給される。キャビティ５６に封止樹脂が封入された後は、封止樹脂を加熱硬化させる。
【００４２】
図４（Ｂ）を参照して、本工程では、上金型５２および下金型５４から構成される樹脂封止用の金型５０を使用して樹脂封止を行う。本工程では、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたはポリエチレン等の熱可塑性樹脂を使用するインジェクションモールドが採用される。
【００４３】
本工程では、接着シート４８が下面に貼着されたリードフレーム１０を下金型５４の平坦な上面に載置し、上金型５２と下金型５４とを当接させることで、各ブロック１２を１つのキャビティ５６に収納させて樹脂封止を行っている。
【００４４】
金型５０は、上金型５２と下金型５４とからなり、ブロック１２の周辺部に対応する領域にゲート６０が設けられており、ゲート６０に対向するブロック１２の周辺部にエアベント５８が形成されている。ゲート６０を経由して、液状または半固形状の封止樹脂がキャビティ５６に注入される。そして、ゲート６０から注入された封止樹脂に対応した量のキャビティ５６内の空気が、エアベント５８を経由して外部に放出される。更に、上金型５２には、多数の押圧手段５１が設けられている。
【００４５】
図５を参照して、次に、硬化された封止樹脂３６を金型５０から離型する。図５（Ａ）は押圧手段５１の配置を示す平面図であり、図５（Ｂ）は封止樹脂３６が離型される状態を示す断面図である。
【００４６】
本実施の形態では、背景技術にて示したような封止シート１１１を使用しない。更に、キャビティ５６の内部の側壁は、微細な凹凸が形成される梨地面と成っているので、封止樹脂３６はキャビティ５６の内壁に強固に密着している。従って、金型５０の内壁から封止樹脂３６を離形させることは容易ではない。このことから、本工程では、硬化した封止樹脂３６を押圧する押圧手段５１（イジェクタ・ピン）をモールド用の金型５０に設けている。
【００４７】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して、押圧手段５１は、キャビティ５６を構成する上金型５２に備えられている。更に、上金型５２と下金型５４とを当接させてキャビティ５６に封止樹脂３６を注入するときには、押圧手段５１は上金型５２の内部に収納されている。そして、キャビティ５６に注入されて加熱硬化された封止樹脂３６を金型５０から離形させるときに、押圧手段５１が下方に突出して封止樹脂３６を押圧する。ここでは、複数の押圧手段５１が同時に下方に移動して、封止樹脂３６の上面が押圧されている。このことにより、封止樹脂３６の表面は上金型５２の内壁から剥離される。
【００４８】
更に、図５（Ａ）を参照して、押圧手段５１は、各キャビティ５６の周辺部に対応する領域に多数個が均等に配置されている。従って、封止樹脂３６はバランス良く上金型５２から離型されるので、離型の段階に於ける封止樹脂３６の破損等が防止されている。更に、本形態では、押圧手段５１は、ユニット２６が配置された領域よりも外側の領域に押圧手段５１を配置している。このことにより本工程では、押圧手段５１にて封止樹脂３６を押圧した際に、ユニット２６に配置された回路素子が破壊することが防止される。
【００４９】
具体的には、図５（Ａ）を参照して、ブロック１２に含まれる各ユニット２６には先工程にて半導体素子等の回路素子が配置されている。従って、図５（Ｂ）に示すように押圧手段５１が押圧する箇所の下方に半導体素子が配置されていると、押圧手段５１により局所的に封止樹脂３６が変形し、その変形に伴い半導体素子が破壊される恐れがある。そこで、本実施の形態では、押圧手段５１をユニット２６が設けられていないブロック１２の周辺部に対応する部分に配置している。このことにより、押圧手段５１の押圧力により封止樹脂３６が部分的に変形しても、変形する領域の封止樹脂３６には半導体素子が内蔵されていないので、その変形に伴う半導体素子の破壊が防止される。
【００５０】
図６を参照して次に、１つのリードフレーム１０に配置された複数のブロック１２を、一括して封止樹脂３６により封止する場合に関して説明する。図６（Ａ）はリードフレーム１０のブロック１２が樹脂封止される状態を示す平面図であり、図６（Ｂ）は封止樹脂３６を上金型５２から離型する工程の断面図である。ここで、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面に対応している。
【００５１】
上記した封止方法では、リードフレーム１０に配置されたブロック１２を個々に封止樹脂３６により封止していたが、ここではリードフレーム１０に配置された２つのブロック１２を１つの一体化した封止樹脂３６により封止している。
【００５２】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照して、ここでは、上金型５２のキャビティ５６に２つのブロック１２を収納させた後に樹脂封止を行い、１つの一体化した封止樹脂３６により２つのブロック１２を共通してモールドしている。基本的なモールドの方法は、図４および図５を参照して説明した方法と同様である。
【００５３】
図６（Ａ）を参照して、ここでは、キャビティ５６の周辺部および中央部付近に、押圧手段５１を設けている。図５に示した例では、各ブロック１２の周辺部（各キャビティ５６の周辺部）のみに押圧手段５１を設けていたが、ここではキャビティ５６の周辺部に加えて中央部にも複数の押圧手段５１を設けている。
【００５４】
周辺部に設けられる押圧手段５１は、各ブロック１２にユニット２６が配置される領域よりも外側に配置されている。更に、キャビティ５６の中央部に配置される押圧手段５１は、ブロック１２同士の間に一列に配置されており、この部分にもユニット２６は配置されていない。この様に押圧手段５１を配置することにより、押圧手段５１により局所的に封止樹脂３６が湾曲しても、半導体素子が実装されるユニット２６が湾曲する部分に配置されていないので、押圧手段５１の押圧力に伴う半導体素子の破壊が防止される。
【００５５】
図７および図８を参照して、次に、上記した各ブロック１２のユニットを個別に分離する。図７はダイシングの工程を示す図であり、図８はブロック１２が個別に分離される状態を示す図である。
【００５６】
図７を参照して、先ず本工程では、樹脂封止が終了したリードフレーム１０をダイシングシート４２に貼着する。ダイシングシート４２は、上面に接着層が形成された樹脂シートであり、ステンレス等の金属を円環状に形成した金属枠３８により周囲が支持されている。
【００５７】
ここで、先工程では、リードフレーム１０の下面には接着シート４８が貼着されていたが（図４（Ｂ）参照）、この接着シート４８は予め除去されても良いし、そのままリードフレーム１０と共にダイシングシート４２に貼着されても良い。ここで、リードフレーム１０は、封止樹脂３６が形成された面がダイシングシート４２に貼着されても良いし、封止樹脂３６が形成された面に対向する面が貼着されても良い。
【００５８】
ダイシングシート４２にリードフレーム１０を貼着させた後は、高速で回転するダイシングブレード４０を使用して、リードフレーム１０に形成された各ブロック１２を一括してダイシングする。本工程では、各ブロック１２の封止樹脂３６をダイシングすると共に、金属から成るリードフレーム１０の外枠（支持部）もダイシングにより分割している。
【００５９】
具体的には、紙面方向で横方向に行われるダイシングにより、リードフレーム１０に形成される全てのブロック１２を横方向に分離すると共に、リードフレーム１０の短手方向の支持部である第２支持部１６が分割される。更に、紙面上にて縦方向にダイシングを行うことにより、各ブロック１２が縦方向に分割されると共に、リードフレーム１０の長手方向の支持部である第１支持部１４が分割される。
【００６０】
図８を参照して、上記したダイシングの詳細を説明する。先ず、封止樹脂３６により一体に封止される１つのブロック１２には、マトリックス状に多数個のユニット２６が配置されている。そして、各ユニット２６同士の間に格子状に分割線が規定されている。ここでは、紙面上にて横方向に分割線１８が規定されており、縦方向に分割線２０が規定されている。
【００６１】
更に、分割線１８に沿って、リードフレーム１０の第２支持部１６を貫通して設けた貫通溝２４が形成されている。そして、この貫通溝２４が形成された箇所ではリードフレーム１０を構成する金属材料は除去されており、封止樹脂３６のみが位置している。ここで、リードフレーム１０を構成する銅などの金属材料は、エポキシ樹脂等から成る封止樹脂３６よりも切断されにくい材料である。従って、貫通溝２４を設けることにより、分割線１８に沿ってダイシングを行ったときの、ダイシングブレード４０により切断される金属材料が減少する。このことにより、ダイシングに伴うダイシングブレード４０の摩耗が抑制される。
【００６２】
一方、紙面上にて縦方向に規定された分割線２０に沿って、リードフレーム１０の第１支持部１４を部分的に肉薄にしたハーフ溝２２が設けられている。そして、ハーフ溝２２が設けられた部分は、他の領域よりもダイシングブレード４０によるダイシングが行いやすい条件にある。従って、分割線２０が規定された部分にハーフ溝２２を設けることにより、分割線２０に沿って封止樹脂３６および第１支持部１４を分離した際の、ダイシングブレード４０の摩耗が抑制されている。
【００６３】
更に、図８（Ｂ）を参照して、分割線１８および分割線２０に沿って上記したダイシングを行うことにより、各ユニット２６同士の間に位置しているタイバー３２が除去される。従って、本工程によりタイバー３２が除去されることにより、各ユニット２６同士が電気的に分離される。更に、各ユニット２６の内部に位置するリード３０およびアイランド２８も電気的に分離される。
【００６４】
以上の工程により、半導体素子が樹脂パッケージされた回路装置が製造される。
【００６５】
図９を参照して、次に、上記工程により製造される回路装置６２の構成を説明する。図９（Ａ）は実装される状態の回路装置６２を上方から見た斜視図であり、図９（Ｂ）はその状態の回路装置６２を下方から見た斜視図である。更に、図９（Ｃ）は回路装置６２の部分的な断面図である。
【００６６】
図９（Ａ）を参照して、回路装置６２の外形形状は薄型の６面体であり、具体的な大きさの一例としては、縦×横×厚み＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ程度である。回路装置６２の外面の大部分は封止樹脂３６から構成される。そして、封止樹脂３６の側面にはリード３０の端部が露出しており、封止樹脂３６の側面とリード３０の露出面とは同一平面上に位置する。
【００６７】
図９（Ｂ）を参照すると、回路装置６２の上面（実装される面）の中央部には、アイランド２８が露出しており、このアイランド２８の四方を囲む位置に複数のリード３０が露出している。製造方法の説明にて上記したように、アイランド２８は半導体素子が実装される部位であり、リード３０は金属細線を介して半導体素子の電極と電気的に接続される。
【００６８】
上記構成の回路装置６２が実装基板等に実装されるときは、回路装置６２の実装面（図８（Ｂ）に示す上面）から露出するリード３０に半田等のロウ材が溶着させる。
【００６９】
図９（Ｃ）を参照して、アイランド２８およびリード３０の下面は、封止樹脂３６の下面よりも内側（上方）に窪んで露出している。アイランド２８およびリード３０の下面が、封止樹脂３６の下面よりも内側に窪む距離Ｗ３は、例えば１μｍ〜２μｍ程度である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の回路装置の製造方法に用いられるリードフレームを示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は拡大された平面図である。
【図２】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図１０】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】背景技術の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０      リードフレーム
１２      ブロック
１４      第１支持部
１６      第２支持部
１８      分割線
２０      分割線
２２      ハーフ溝
２４      貫通溝
２６、２６Ａ      ユニット
２８      アイランド
３０      リード
３２      タイバー
３４      貫通孔
３６      封止樹脂
３８      金属枠
４０      ダイシングブレード
４２      ダイシングシート
４４      半導体素子
４６      金属細線
４８      接着シート
５０      金型
５１      押圧手段
５２      上金型
５４      下金型
５６      キャビティ
５８      エアベント
６０      ゲート
６２      回路装置
６４      ポット
６６      ランナー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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