(57)【要約】【課題】放電発生時、高温プラズマの熱輻射による加熱によって高温プラズマ原料が気化することがないようにし、安定した強度のＥＵＶ光を得ること。【解決手段】放電電極２ｂの外周に、高温プラズマ原料を保持する原料保持容器２０を設ける。この原料保持容器２０は、円盤状の放電電極２ａの周囲を一周する円環状で、支持部材２１により放電電極２ａ，２ｂ間の放電領域外であって、レーザビームが照射されたとき、気化した原料が両電極２ａ，２ｂ間に到達できる位置に支持される。原料保持容器２０に、原料供給ユニット８から液体状または固体状の高温プラズマ原料（スズまたはリチウム）８ａが供給される。原料は、原料保持容器２０が回転することによってレーザ照射位置まで運ばれ、レーザ照射によって気化され、放電電極２ａ，２ｂ間の放電領域に移動し、放電により加熱励起されて高温プラズマとなり、ＥＵＶ光を発生する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器と、
この容器内に極端紫外光を放射させるための、液体または固体の原料を供給する原料供給手段と、
上記供給された原料を保持する原料保持容器と、
上記原料保持容器に保持された原料の一部にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、
上記気化した原料を放電により上記容器内で加熱励起し高温プラズマを発生させるための、円盤状の２つの電極が一定間隔離間してなる一対の放電電極と、
上記一対の放電電極を回転させる放電電極回転機構と、
上記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、
上記放電電極の放電により生成された上記高温プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光光学手段と、
上記集光された極端紫外光を取り出す極端紫外光取出部とを有する極端紫外光光源装置において、
上記エネルギービームを照射する領域は、上記一対の放電電極により放電が生じる放電領域外であり、
上記原料保持容器には保持容器回転機構が設けられ、回転することにより該容器に供給された原料を、上記放電領域の近傍に運搬する
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【請求項２】
上記原料保持容器に供給された原料の表面を整形する整形手段を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項３】
上記原料保持容器は、円環状で上記円盤状の放電電極の周囲に設けられ、上記放電電極の周囲を回転する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項４】
上記放電電極回転機構は、上記原料保持容器回転機構を兼ねている
ことを特徴とする請求項３に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項５】
上記原料保持容器は、上記一対の放電電極の一方の電極の周縁から延びた支持部材により、上記放電電極と電気的に絶縁されて支持されている
ことを特徴とする請求項４に記載の極端紫外光光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光を放出する極端紫外光光源装置に関し、安定した強度の極端紫外光を得ることができる極端紫外光光源装置関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。その要請に応えるため、露光用光源の短波長化が進められ、エキシマレーザ装置に続く次世代の半導体露光用光源として、波長１３〜１４ｎｍ、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏ１ｅｔ）光ともいう）光を放出する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）が開発されている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つにＥＵＶ放射種の加熱励起により高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射されるＥＵＶ光を取り出す方法がある。このような方法を採用するＥＵＶ光源装置の一つとして、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：放電生成プラズマ）方式ＥＵＶ光源装置が知られている。
ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、電流駆動によって生成した高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。
【０００３】
また、近年は、ＥＵＶ発生用高温プラズマ原料（以下、高温プラズマ原料ともいう）に対し、レーザビームの照射による気化と、放電に基づく大電流による加熱とを組み合わせて高温プラズマを生成し、当該高温プラズマからＥＵＶ放射を発生させる方式が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。以下この方式をＬＡＧＤＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｇａｓ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐ１ａｓｍａ）方式と称する。
【０００４】
ＤＰＰ方式やＬＡＧＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置を、量産型の半導体露光装置の光源として用いる場合、放電電極寿命をできるだけ長くする必要がある。このような要請に対応するために、特許文献２、特許文献３では、放電電極を回転させるＥＵＶ光源装置が提案されている。
図６は、上記特許文献３のＦｉｇ．１に記載された光源装置と同型のＥＵＶ光源装置を示す。以下構造について簡単に説明する。
図６に示すＥＵＶ光光源装置は、放電容器であるチャンバ１を有する。チャンバ１内には、ＥＵＶ放射種を加熱して励起する加熱励起手段である放電部２、および、放電部２によりＥＵＶ放射種が加熱励起されて生成した高温プラズマから放出されるＥＵＶ光を集光して、チャンバ１に設けられたＥＵＶ光取出部４より、図示を省略した露光装置の照射光学系へ導くＥＵＶ光集光部３を内部に有する。チャンバ１は排気装置５と接続されていて、チャンバ１内部はこの排気装置５により減圧雰囲気とされる。
【０００５】
放電部２は、金属製の円盤状部材である第１の放電電極２ａと、同じく金属製の円盤状部材である第２の放電電極２ｂとが絶縁材２ｃを挟むように配置された構造である。第１の放電電極２ａの中心と第２の放電電極２ｂの中心とは略同軸上に配置され、第１の放電電極２ａと第２の放電電極２ｂは、絶縁材２ｃの厚みの分だけ離間した位置に固定される。ここで、第２の放電電極２ｂの直径は、第１の放電電極２ａの直径よりも大きい。また、絶縁材２ｃの厚み、すなわち、第１の放電電極２ａと第２の放電電極２ｂの離間距離は１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
第２の放電電極２ｂには、モータ６の回転シャフト６ａが取り付けられている。ここで、回転シャフト６ａは、第１の放電電極２ａの中心と第２の放電電極２ｂの中心が回転軸の略同軸上に位置するように、第２の放電電極２ｂの略中心に取り付けられる。回転シャフト６ａは、例えば、メカニカルシール６ｂを介してチャンバ１内に導入される。メカニカルシール６ｂは、チャンバ１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転シャフト６ａの回転を許容する。
【０００６】
第２の放電電極２ｂの下側には、例えばカーボンブラシ等で構成される第１の摺動子７ａおよび第２の摺動子７ｂが設けられている。
第２の摺動子７ｂは第２の放電電極２ｂと電気的に接続される。一方、第１の摺動子７ａは第２の放電電極を貫通する貫通孔２ｅを介して第１の放電電極２ａと電気的に接続される。なお、図示を省略した絶縁機構により、第１の放電電極２ａと電気的に接続される第１の摺動子７ａと、第２の放電電極２ｂとの間では絶縁破壊が発生しないように構成されている。
第１の摺動子７ａと第２の摺動子７ｂは摺動しながらも電気的接続を維持する電気接点であり、パルス電力発生器７と接続される。
パルス電力発生器７は、第１の摺動子７ａ、第２の摺動子７ｂを介して、第１の放電電極２ａと第２の放電電極２ｂとの間にパルス電力を供給する。すなわち、モータ６が動作して第１の放電電極２ａと第２の放電電極２ｂとが回転していても、第１の放電電極２ａと第２の放電電極２ｂとの間には、第１の摺動子７ａ、第２の摺動子７ｂを介して、パルス電力発生器７よりパルス電力が印加される。
【０００７】
パルス電力発生器７は、コンデンサＣと磁気スイッチＳＲとからなる磁気パルス圧縮回路部を介して、負荷である第１の放電電極２ａと第２の放電電極２ｂとの間にパルス幅の短いパルス電力を印加する。
なお、パルス電力発生器７から第１の摺動子７ａ、第２の摺動子７ｂとの配線は、図示を省略した絶縁性の電流導入端子を介してなされる。電流導入端子は、チャンバ１に取り付けられ、チャンバ１内の減圧雰囲気を維持しつつ、パルス電力発生器７から第１の摺動子７ａ、第２の摺動子７ｂとの電気的接続を可能とする。
【０００８】
金属製の円盤状部材である第１の放電電極２ａ、第２の放電電極２ｂの周辺部は、エッジ形状に構成される。パルス電力発生器７より第１の放電電極２ａ、第２の放電電極２ｂに電力が印加されると、両電極のエッジ形状部分間で放電が発生する。第２の放電電極２ｂの周辺部には溝部２ｄが設けられ、この溝部２ｄに、原料供給ユニット８から、高温プラズマ用原料である固体スズ（Ｓｎ）や固体リチウム（Ｌｉ）が供給される。
原料供給ユニット８を用いる場合、原料供給ユニット８に加熱機構を持たせ、原料となるＳｎやＬｉを加熱により液化させ、この液化した原料を第２の放電電極２ｂの溝部２ｄに供給するように構成してもよい。
【０００９】
モータ６は一方向にのみ回転し、モータ６が動作する事により回転シャフト６ａが回転し、回転シャフト６ａに取り付けられた第２の放電電極２ｂ及び第１の放電電極２ａが一方向に回転する。
第２の放電電極２ｂの溝部２ｄに供給されたＳｎまたはＬｉは、第２の放電電極２ｂの回転により放電部２におけるＥＵＶ光出射側であるＥＵＶ光集光部３側に移動する。
一方、チャンバ１には、上記ＥＵＶ集光部３側に移動したＳｎまたはＬｉに対してレーザ光を照射するレーザ照射機９が設けられる。レーザ照射機９からのレーザ光は、上記ＥＵＶ集光部３側に移動した原料（ＳｎまたはＬｉ）上に照射される。レーザ光が照射された原料は、第１の放電電極２ａ、第２の放電電極２ｂ間で気化し一部は電離する。
このような状態下で、第１、第２の放電電極２ａ，２ｂ間にパルス電力発生器７より電圧が約＋２０ｋＶ〜−２０ｋＶであるようなパルス電力を印加すると、両電極２ａ，２ｂの周辺部に設けられたエッジ形状部分間で放電が発生する。
このとき両電極２ａ，２ｂ間で気化した原料の一部電離した部分にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって、両電極２ａ，２ｂ間の周辺部には、気化した原料による高温プラズマが形成され、この高温プラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
【００１０】
放電部２により放出されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ光集光部３に設けられた斜入射型のＥＵＶ集光鏡３ａにより集光され、チャンバ１に設けられたＥＵＶ光取出部４より図示を省略した露光装置の照射光学系へ導かれる。
ＥＵＶ集光鏡３ａは、例えば、径の異なる回転楕円体、または、回転放物体形状のミラーを複数枚具える。これらのミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置され、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属膜を緻密にコーティングすることで、０°〜２５°の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射できるように構成されている。
【００１１】
上記した放電部２とＥＵＶ光集光部３との間に、ＥＵＶ集光鏡３ａのダメージを防ぐために、ホイルトラップ用隔壁１３にホイルトラップ１１が設置される。ホイルトラップ１１は、第１および第２の放電電極２ａ，２ｂが高温プラズマによってスパッタされて生じる金属粉等のデブリや、原料のＳｎまたはＬｉに起因するデブリを捕捉してＥＵＶ光のみを通過させる。
また、ホイルトラップの光入射側にノズル１４ａを設け、このノズル１４ａにガス供給ユニット１４からガスを供給し、ノズル１４ａによりガスカーテン１２を形成し、上記ホイルトラップ１１とともに上記デブリを捕捉するデブリトラップを形成する。
上記のＥＵＶ光源装置によれば、第１および第２の放電電極２ａ，２ｂが回転しているので、両電極２ａ，２ｂにおいてパルス放電が発生する位置はパルス毎に変化する。よって、第１および第２の放電電極２ａ，２ｂが受ける熱的負荷は小さくなり、放電電極の磨耗スピードが減少し、放電電極２ａ，２ｂの長寿命化が可能となる。
【特許文献１】特表２００７−５１５７４１号公報
【特許文献２】特表２００７−５０５４６０号公報
【特許文献３】国際公開２００５／１０１９２４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、上記したＥＵＶ光源装置においては、放電電極の表面に高温プラズマ用原料が供給されるので、次のような問題がある。
すなわち、レーザ照射により高温プラズマ原料（例えばスズ）が気化し、放電により高温プラズマが発生すると、このプラズマからの熱により放電電極の温度も上昇する。放電電極の温度が上昇すると、その熱により、放電電極の表面の高温プラズマ原料の一部が気化する。
高温プラズマ原料が気化すると、高温プラズマの密度や温度が変化し、これにより放電電流が変化する。放電電流が変化すると、高温プラズマから放射されるＥＵＶ光の強度も変化する。即ち、ＥＵＶ光の強度の制御が難しい。
【００１３】
また特許文献２の図９には、放電電極ではない別個の金属スクリーン３６に金属溶融物（高温プラズマ原料）２４が塗布され、回転することにより、高温プラズマ原料２４が、放電電極間の放電空間（放電が生じている領域、すなわち放電領域）に運ばれる。しかし、このような構造であっても、金属スクリーン３６の先端は放電領域に配置されているため、金属スクリーン３６は高温プラズマからの熱輻射により上昇し、金属スクリーン３６の表面の原料が気化し、上記と同様の問題が生じる。
本発明は以上のような事情によりなされたものであって、その課題は、放電発生時、高温プラズマの熱輻射による加熱によって、高温プラズマ原料が気化することがないようにし、これにより、安定した強度のＥＵＶ光を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を本発明においては、次のように解決する。
（１）原料保持容器に保持された原料の一部にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、気化した原料を放電により上記容器内で加熱励起し高温プラズマを発生させるための円盤状の２つの電極が一定間隔離間してなる一対の放電電極と、一対の放電電極を回転させる放電電極回転機構と、放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、放電電極の放電により生成された上記高温プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光光学手段と、上記集光された極端紫外光を取り出す極端紫外光取出部とを有する極端紫外光光源装置において、上記エネルギービームを照射する領域を、上記一対の放電電極により放電が生じる放電領域外とし、上記原料保持容器に保持容器回転機構を設け、回転することにより該容器に供給された原料を、上記放電領域の近傍に運搬する。
（２）上記（１）において、原料保持容器に供給された原料の表面を整形する整形手段を設ける。
（３）上記（２）において、原料保持容器を円環状とし、上記円盤状の放電電極の周囲に設け、上記放電電極の周囲を回転させる。
（４）上記（３）において、放電電極回転機構が、上記原料保持容器回転機構を兼ねている。
（５）上記（４）において、原料保持容器を、一対の放電電極の一方の電極の周縁から延びた支持部材により支持し、上記放電電極と電気的に絶縁する。
【発明の効果】
【００１５】
（１）放電電極の放電領域外に、高温プラズマ原料を保持する原料保持容器を設け、この中に液体状または固体状の原料を供給しているので、放電電極の温度が上昇しても、その熱は原料に伝わりにくく、気化することはない。したがって、ＥＵＶ光の強度の制御が容易になり、安定した強度のＥＵＶ光を得ることができる。
（２）原料保持容器が回転移動するので、放電空間から遠く離れた位置で原料保持容器に高温プラズマ原料を供給し、それを放電空間近傍にまで運ぶことができ、原料の供給が容易である。
（３）放電により、原料保持容器内の高温プラズマ原料に凹凸が生じても、整形手段により所望の形状に整形すれば、安定して一定量の原料を放電空間近傍に供給することができ、安定した強度のＥＵＶ光を得ることができる。
（４）原料保持容器を、一対の放電電極の一方の電極の周縁から延びた支持部材により支持し、上記放電電極と電気的に絶縁することにより、放電電極の熱が原料保持容器の原料に伝わりにくくすることができ、また、放電電極と原料保持容器の間で放電が生じるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１、図２に第１の実施例を示す。
図１は前記した本実施例の放電部の断面図を示したものであり、前記したＥＵＶ集光鏡などは省略されている。また、図２は第２の電極２ｂとそれに取り付けられた原料保持容器の斜視図である。なお、以下に示す実施例において、図６において示した光源装置の構造と実質的に同一の部分については説明を省略する。
図２に示すように、第２の放電電極２ｂの外周に、高温プラズマ原料を保持する原料保持容器２０を設ける。この原料保持容器２０は、円盤状の放電電極２ａの周囲を一周する円環状であり、第２の電極２ｂの外周から延びる複数の支持部材２１により、放電電極２ａ，２ｂ間の放電空間外（第１と第２の放電電極の間ではない放電領域外の位置）であって、原料保持容器に保持された原料に、後述するエネルギービーム（レーザ）が照射されたとき、気化した原料が両電極間に到達できる位置に支持される。
【００１７】
図１に示すように、原料保持容器２０は断面が樋状で、この中に、原料供給ユニット８から、液体状または固体状の高温プラズマ原料（スズまたはリチウム）８ａが供給される。なお、液体状で供給された高温プラズマ原料は、原料保持容器２０の中では固体状になる。
また、原料保持容器２０を支持する支持部材２１は、第１の電極２ａとの間で放電が生じるのを防ぐために絶縁性の材料で形成される。あるいは、原料保持容器を２０絶縁性の材料で形成してもよい。
また、第２の電極２ｂからの熱が原料に伝わりにくいようにすることが好ましく、例えば、原料保持容器２０を支持する支持部材の数をできる限り少なくしたり、熱が伝わりにくい材料あるいは形状の支持部材を用いる。
【００１８】
第２の電極２ｂが回転することにより原料保持容器２０も回転し、原料供給ユニット８から供給された原料は、ＥＵＶ光集光部３側（図１の左側）に運ばれる。
ＥＵＶ光集光部３側に運ばれた原料は、前記の背景技術と同様に、レーザ照射によって気化され、放電電極２ａ，２ｂ間の放電空間（両電極間）に移動し、放電により加熱励起されて高温プラズマとなり、ＥＵＶ光を発生する。
【００１９】
図３に本発明の第２の実施例を示す。同図は、図１と同様、放電部の断面図である。
第１の実施例と同様に、第２の放電電極２ｂの外周に、高温プラズマ原料を保持する原料保持容器２０を設ける。原料保持容器２０の表面には、溝部２０ａが形成され、この中に高温プラズマ原料が保持される。
しかし、本実施例の場合は、原料保持容器２０は、第１および第２の放電電極２ａ，２ｂを回転させる回転シャフト６ａに、原料保持容器２０を支持する支持構造体２２を設けて支持される。なお、本実施例においても、原料保持容器２０と放電電極２ａ，２ｂの間は電気的に絶縁されている。
【００２０】
第１の実施例と同様に、原料保持容器２０の断面は樋状で、この中に、原料供給ユニット８から、液体状または固体状の原料（スズまたはリチウム）が供給される。
モータ６の回転シャフト６ａが回転することにより放電電極２ａ，２ｂとともに原料保持容器２０も回転する。原料供給ユニット８から供給された原料は、ＥＵＶ光集光部３側に運ばれる。
ＥＵＶ光集光部３側に運ばれた原料は、上記の背景技術と同様に、レーザによって気化され、放電電極２ａ，２ｂ間に移動し、放電により加熱励起されて高温プラズマとなり、ＥＵＶ光を発生する。
本実施例の場合、原料保持容器２０と第２の放電電極２ｂとは離間して設けられ、第２の放電電極２ｂから原料保持容器２０に直接熱が伝わるのを防ぐことができる。
【００２１】
図４に第３の実施例を示す。同図は、図１、図３と同様、放電部の断面図である。
本実施例は、図３の第２の実施例に示した装置において、原料保持容器２０を回転させる機構を、放電電極を回転させる機構とは別に設けたものである。
図４に示すように、放電電極２ａ，２ｂは、モータ６の回転シャフト６ａに接続され、モータ６が回転することにより回転する。
一方、原料保持容器２０は、原料保持容器２０の支持構造体２２により支持されている。この支持構造体２２には、第２のモータ２３の回転シャフト２３ａが接続されている。原料保持容器２０は、第２のモータ２３が回転することにより、第２の放電電極２ｂの周囲を回転する。
【００２２】
放電電極２ａ，２ｂは、熱負荷を小さくするため回転速度を速くすることが望ましい。しかし、原料保持容器２０は早く回転させると、液体状の原料が供給される場合、遠心力により原料が外側に片寄ったり、場合によっては外にこぼれたりすることがある。
第１および第２の実施例では、放電電極２ａ，２ｂの回転機構と原料保持容器２０の回転機構が兼用されている。そのため、放電電極２ａ，２ｂの回転速度が制限されることも考えられる。
これに対して、第３の実施例では、放電電極２ａの回転機構と原料保持容器２０の回転機構が別であり、それぞれ別の回転速度に設定ができる。放電電極２ａ，２ｂは熱負荷を少なくできる高速回転にする一方で、原料保持容器２０の回転速度は、原料の片寄りやこぼれのない、放電電極２ａ，２ｂの回転速度よりも遅い回転速度に設定することができる。
【００２３】
図５に第４の実施例を示す。同図は、図１、図３、図４と同様、放電部の断面図である。同図は、第３の実施例において、供給した高温プラズマ原料の表面形状を整形する整形手段２４を設けたものである。なお、同図において原料供給ユニット８は省略して示したが、原料保持容器の回転に対して整形手段の上流側に存在する。
上記したように、原料保持容器２０に供給された原料はレーザ照射により気化され、放電空間に運ばれる。
【００２４】
レーザが照射された後、放電容器の中は、レーザが照射され原料が気化した部分と、レーザが照射されず原料が残っている部分とが生じることにより、原料に凹凸が形成される。このような凹凸が生じた部分の上に、原料供給ユニット８から原料が供給されると、供給された原料にも凹凸が生じる。
原料に凹凸が生じた状態であると、それが放電空間近傍に運ばれてレーザが照射される際、凸部に照射されると気化する原料の量が多くなり、反対に凹部に照射されると気化する原料の量が少なくなる。これにより、高温プラズマの密度や温度が変化して、放電電流が変化し、高温プラズマから放射されるＥＵＶ光の強度が変化する。
これを防ぐために、原料供給ユニット８の、原料保持容器２０の回転に対して下流側に供給された原料の表面を所望の一定の形状、例えば平面に整形する整形手段２４を設ける。
【００２５】
例えば、原料保持容器２０に保持される高温プラズマ原料が固体のスズである場合、整形手段２４は、加熱（冷却）手段２４ａにより原料保持容器２０内のスズに接する部分が、スズの融点よりもやや高い温度に加熱され、原料保持容器２０内のスズをいったん溶かし、スズ表面の凹凸をなくする。
また、原料保持容器２０内のスズが液状である場合は、スズに接する部分を加熱（冷却）手段２４ａにより融点以下に冷却して、所望の形状に固める、回転する原料保持容器２０からこぼれるのを防ぐこともできる。
原料保持容器２０に供給された原料の表面を、一定の形状に整形することにより、レーザ照射により気化する原料の量を一定にすることができるので、安定した強度のＥＵＶ光を得ることができる。
なお、このような整形手段を、前記第１の実施例や第２の実施例で示した装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施例の放電部の断面構成を示す図である。
【図２】第１の実施例における原料保持容器の構成例を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例の放電部の断面構成を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施例の放電部の断面構成を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施例の放電部の断面構成を示す図である。
【図６】従来のＥＵＶ光源装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００２７】
１      チャンバ
２      放電部
２ａ，２ｂ  放電電極
３      ＥＵＶ集光部
３ａ    ＥＵＶ集光鏡
６      モータ
６ａ    回転シャフト
７      パルス電力発生器
８      原料供給ユニット
９      レーザ照射機
２０    原料保持容器
２１    支持部材
２２    支持構造体
２３    第２のモータ
２３ａ  第２のモータの回転シャフト
２４    整形手段
【図１】
2009224182.tif 000003
【図２】
2009224182.tif 000004
【図３】
2009224182.tif 000005
【図４】
2009224182.tif 000006
【図５】
2009224182.tif 000007
【図６】
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