(57)【要約】【課題】回路規模を大型化せずに耐電力性能を向上させることが可能な終端器を提供する。【解決手段】内部に接続導体を有する第１のスルーホール４を備える誘電体層１と、誘電体層１の内部に設けられ、接続導体と電気的に接続する中心導体３と、誘電体層１に設けられ、接続導体に接触しないように誘電体層１を露出させた欠損部８を有する第１の地導体２，２’と、誘電体層１の表面の欠損部８の内部に第１の地導体２，２’と接触せず、接続導体と電気的に接触するように設けられた導体パターン６と、導体パターン６と第１の地導体２，２’とを接続する抵抗体７と、を設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に接続導体を有する第１のスルーホールを備える誘電体層と、
前記誘電体層の内部に設けられ、前記接続導体と電気的に接続された中心導体と、
前記誘電体層の表面に設けられ、前記接続導体に接触しないように前記誘電体層を露出させた欠損部を有する第１の地導体と、
前記誘電体層の表面の前記欠損部の内部に前記第１の地導体と接触せず、前記接続導体と電気的に接触するように設けられた導体パターンと、
前記導体パターンと前記第１の地導体とを接続する抵抗体と、
を備えることを特徴とする終端器。
【請求項２】
内部に接続導体を有する第１のスルーホールを備える誘電体層と、
前記誘電体層の内部に設けられ、前記接続導体と電気的に接続された中心導体と、
前記誘電体層の表面に設けられ、前記接続導体に接触しないように前記誘電体層を露出させた欠損部を有する第１の地導体と、
前記誘電体層の表面の前記欠損部の内部に前記第１の地導体と接触せず、前記接続導体と電気的に接触するように設けられた導体パターンと、
前記導体パターンと前記地導体とを接続する抵抗体と、
前記中心導体と前記第１の地導体との間に設けられた第２の地導体と、
前記地導体と前記第２の地導体とを電気的に接続する第２のスルーホールと、
を備えることを特徴とする終端器。
【請求項３】
前記欠損部を有する第１の地導体と前記導体パターンと前記抵抗体とを前記誘電体層の両面に有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の終端器。
【請求項４】
前記抵抗体がチップ型抵抗体であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の終端器。
【請求項５】
前記抵抗体が印刷によって形成される抵抗体であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の終端器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、終端の耐電力性能を向上させた高周波用の終端器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の終端器はマイクロストリップ線路の末端の幅を広くし、幅を広げた薄膜抵抗体をこの末端に接続させて耐電力性能を向上させていた（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−２６０４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１に記載の技術においては、大型の抵抗器を取り付けることが必要となり、回路規模が大型化するという問題点があった。
【０００４】
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、回路規模を大型化せずに耐電力性能を向上させることが可能な終端器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するために本発明は、内部に接続導体を有するスルーホールを備える誘電体層と、誘電体層の内部に設けられ、接続導体と電気的に接続する中心導体と、誘電体層の表面に設けられ、前記接続導体に接触しないように誘電体層を露出させた欠損部を有する第１の地導体と、誘電体層の表面の欠損部の内部に第１の地導体と接触せず、接続導体と電気的に接触するように設けられた導体パターンと、導体パターンと第１の地導体とを接続する抵抗体と、を備えることを特徴とする終端器を提供する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、回路規模を大きくせずに耐電力性能を高めることが可能となるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明による終端器の一実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。なお、各図において同一箇所については同一の符号を付すとともに、重複した説明は省略する。
【０００８】
図１は本実施形態の終端器の上面図である。また、図２は図１におけるＡＡ線断面図である。図１及び図２に示すように、本実施形態の終端器は、誘電体層１と、この誘電体層１の両面に設けられた第１の地導体２，２’と、誘電体層１の内部に設けられた中心導体３とを有する。
【０００９】
誘電体層１は、内部に接続導体を有する第１のスルーホール４を備える。この接続導体は導体によって形成されていても、導体をメッキすることによって形成されていてもよい。
【００１０】
中心導体３は、この接続導体と電気的に接続する。すなわち、第１のスルーホール４は誘電体層１の内部において中心導体３に達しており、第１のスルーホール４に設けられた設置導体が中心導体３と電気的に接続している。
【００１１】
第１の地導体２，２’は、誘電体層１の表面に設けられ、接続導体に電気的に接触しないように誘電体層１を露出させた欠損部８を有する。なお、本実施形態の終端器は第１の地導体２，２’の他に、誘電体層１の内部に誘電体層内の第２の地導体２Ａ，２Ａ’を一つ以上有していてもよい。この場合、内部に接続導体を設けた第２のスルーホール５が設けられ、この第２のスルーホール５の接続導体によって第１の地導体２，２’と電気的に接続される。
【００１２】
第１のスルーホール４と第２のスルーホール５との距離ｒは中心導体３の特性インピーダンスによって定まる。このため、第２のスルーホールは第１のスルーホールの周囲に距離ｒを半径とする円周上に設けられる。
【００１３】
この第２の地導体２Ａ，２Ａ’は中心導体３と電位がそろう位置に設けられる。この位置に誘電体層１に誘電体層内の第２の地導体２Ａ，２Ａ’が設けられた場合、中心導体３と誘電体層内の第２の地導体２Ａ，２Ａ’とはストリップ線路をなす。
【００１４】
第２のスルーホール５は複数設けられていてもよい。また、第２のスルーホール５の接続導体は中心導体３には電気的に接続していない。
【００１５】
さらに、本実施形態の終端器は、誘電体層１の表面の地導体２，２’の欠損部８の内部に第１の地導体２，２’と接触せず、第１のスルーホール４の接続導体と電気的に接触するように設けられた導体パターン６と、導体パターン６と第１の地導体２，２’とを接続する抵抗体７と、を備える。
【００１６】
欠損部８は、誘電体層１に第１の地導体２，２’を形成するときに、第１の地導体２，２’が接続導体に電気的に接触しないように誘電体層１を露出させるようにして同時に形成することができる。また、欠損部８は、第１の地導体２，２’が接続導体に電気的に接触しないように誘電体層１を露出させるように、第１の地導体２，２’をエッチングして形成することもできる。
【００１７】
導体パターン６は導体により形成される。導体パターン６は、欠損部８をエッチングするときに、第１の地導体２，２’をエッチングしないで残して形成することができる。また、欠損部８をエッチングした後に、導体薄膜を形成することにより設けることもできる。
【００１８】
抵抗体７は、炭素皮膜あるいは金属皮膜を用いたチップ型抵抗を用いることができる。チップ型抵抗はハンダなどにより導体パターン６と第１の地導体２，２’とに接続される。
【００１９】
また、抵抗体７は印刷によって形成されていてもよい。印刷による場合は、例えばスクリーン印刷によって抵抗体インクを印刷して形成する。抵抗体インクは例えば有機溶剤を含有するポリエステル樹脂にカーボンを分散させて調製する。
【００２０】
ストリップ線路の特性インピーダンスをＺ、抵抗体７の数をｎとすると、抵抗体７の抵抗値はｎ×Ｚとなるように、すなわち、抵抗体７の等価抵抗がストリップ線路の特性インピーダンスと一致するように定める。例えば、ストリップ線路の特性インピーダンスＺが５０Ω、抵抗体７の個数ｎを４とすると、抵抗体７の抵抗値は２００Ωとする。
【００２１】
抵抗体７は導体パターン６を中心に略等間隔に放射状に配置することが、作業工程を簡略化するうえで望ましい。なお、抵抗体７の形状は問わない。
【００２２】
本実施形態の終端器は、欠損部８を有する第１の地導体２，２’と導体パターン６と抵抗体７とを誘電体層１の両面に有する。このように構成することにより、従来の終端器に比較してより少ない面積により、より多くの抵抗体の接続が可能となり、吸収可能な電力量がより大きくなるという効果がある。
【００２３】
図３は、欠損部８を有する第１の地導体２と導体パターン６と抵抗体７とを誘電体層１の片面に有する終端器のＡＡ線断面図である。図３に示すように、欠損部８を有する第１の地導体２と導体パターン６と抵抗体７とを誘電体層１の第１の面だけに有するように構成することもできる。この場合、誘電体層１の第１の面に対向する面には、欠損部８を有しない第１の地導体２が設けられる。このとき第１のスルーホール４は第２の面の第１の地導体２に達しないように構成することができる。
【００２４】
このように構成することにより、終端器の構造をより簡単にし、かつ吸収可能な電力量を大きくすることが可能となるという効果がある。
【００２５】
次に、作用について説明する。中心導体３を伝わってきた高周波信号は、第１のスルーホール４に設けられた接続導体を介して導体パターン６に伝わる。導体パターン６に伝わった高周波信号は第１の地導体２，２’に伝わる前に抵抗体７によって熱エネルギーに変換され、吸収される。
【００２６】
このように、高周波信号はストリップ線路の中心導体３上を伝わり、第１のスルーホール４の中の接続導体及び導体パターン６を介して伝わり、導体パターン６と第１の地導体２，２’に接続された抵抗体７に吸収される。
【００２７】
ここで、ストリップ線路の特性インピーダンスと抵抗体７の等価抵抗は一致しているため、高周波信号は反射することなく抵抗体７に吸収される。
【００２８】
次に、第２の設置導体２，２Ａが設けられた場合について説明する。中心導体３を伝わってきた高周波信号は、第１のスルーホール４に設けられた接続導体を介して導体パターン６に伝わる。導体パターン６に伝わった高周波信号は第１の地導体２，２’に伝わる前に抵抗体７によって熱エネルギーに変換され、吸収される。吸収されなかった高周波は第２のスルーホール５を介して第２の地導体２Ａ，２Ａ’に伝わる。
【００２９】
ここで、ストリップ線路の特性インピーダンスと抵抗体７の等価抵抗は一致しているため、高周波信号は反射することなく抵抗体７に吸収される。
【００３０】
このように、第２のスルーホール５を設けて第１の地導体２，２’と第２の地導体２Ａ，２Ａ’とを電気的に接続することにより、第２の地導体２Ａ，２Ａ’と中心導体３とがマイクロストリップ線路をなす場合にも、高周波を第１のスルーホール４と導体パターン６とを介して抵抗体７に吸収させることが可能となる。
【００３１】
以上述べたように、本実施形態の終端器は、欠損部８を有する第１の地導体２，２’とこの第１の地導体２，２’に電気的に接続しない導体パターン６とこの導体パターン６及び中心導体３に電気的に接続する接続導体と導体パターン６及び第１の地導体２，２’に接続する抵抗体７とを備える。このため、本実施形態の終端器は、抵抗体７を複数設けることができるため、回路規模を大きくせずに耐電力性能を高めることが可能となるという効果がある。
【００３２】
また、本実施形態の終端器は多数の抵抗体７を並列に接続することが可能となり、終端できる電力を増加させることができるという効果がある。また、抵抗体７が第１のスルーホール４の周囲の導体パターン６と第１の地導体２，２’に接続されるため、従来抵抗器の接続に必要であったマイクロストリップ線路を用いずにすみ、回路規模を小型化できるという効果がある。
【００３３】
さらに、抵抗体７の数を増やすことにより、回路規模を大きくすることなく、吸収可能な電力量を増やすことが可能となるという効果がある。
【００３４】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本実施形態の終端器の上面図である。
【図２】図１におけるＡＡ線断面図である。
【図３】欠損部８を有する第１の地導体２，２’と導体パターン６と抵抗体７とを誘電体層１の片面に有する終端器のＡＡ線断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１：誘電体層、
２：地導体、
２Ａ：誘電体層内の地導体、
３：中心導体、
４：第１のスルーホール、
５：第２のスルーホール、
６：導体パターン、
７：抵抗体、
８：欠損部。
【図１】
2009290676.tif 000003
【図２】
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【図３】
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