(57)【要約】【課題】本発明は、電子部品を内蔵した電子部品内蔵基板及びその製造方法、及び半導体装置に関し、電子部品内蔵基板の電気的接続信頼性が向上できると共に、電子部品内蔵基板の厚さ方向のサイズを小型化することができる。【解決手段】電極４５，４６を有する電子部品３５と、電子部品３５と同一平面上に配置された導電部材３６と、電極４５，４６の上端及び下端、及び導電部材３６の上端及び下端を露出するように、電子部品３５及び導電部材３６を支持する樹脂部材３７と、を設けた。【選択図】図２
2009224616.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する電子部品と、
前記電子部品と同一平面上に配置された導電部材と、
前記電極の上端及び下端、及び前記導電部材の上端及び下端を露出するように、前記電子部品及び前記導電部材を支持する樹脂部材と、を備えたことを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記樹脂部材は、板状とされており、
前記樹脂部材の厚さの値を、前記電子部品及び前記導電部材の高さの値よりも小さくしたことを特徴とする請求項１記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記樹脂部材の材料は、モールド樹脂であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記電極の上端及び下端、及び前記導電部材の上端及び下端に外部接続端子を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記外部接続端子は、Ａｕバンプと、前記Ａｕバンプを覆うはんだを有することを特徴とする請求項４記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記樹脂部材の上面に前記電極の上部と接続される第１の上部パッドと、前記樹脂部材の下面に前記電極の下部と接続される第１の下部パッドと、を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
前記樹脂部材の上面に前記導電部材の上部と接続される第２の上部パッドと、前記樹脂部材の下面に前記導電部材の下部と接続される第２の下部パッドと、を設けたことを特徴とする請求項１ないし３、６のうち、いずれか１項記載の電子部品内蔵基板。
【請求項８】
前記電極の上端、又は前記第１の上部パッドの上面、或いは、前記電極の上端及び前記第１の上部パッドの上面に接触するように配置された第１の外部接続端子と、
前記導電部材の上端、又は、前記第２の上部パッドの上面、或いは、前記導電部材の上端及び前記第２の上部パッドの上面に接触するように配置された第２の外部接続端子と、
前記電極の下端、又は前記第１の下部パッドの下面、或いは、前記電極の下端及び前記第１の下部パッドの下面に接触するように配置された第３の外部接続端子と、
前記導電部材の下端、又は、前記第２の下部パッドの下面、或いは、前記導電部材の下端及び前記第２の下部パッドの下面に接触するように配置された第４の外部接続端子と、を設けたことを特徴とする請求項７記載の電子部品内蔵基板。
【請求項９】
前記第１乃至第４の外部接続端子は、Ａｕバンプと、前記Ａｕバンプを覆うはんだとを有することを特徴とする請求項８記載の電子部品内蔵基板。
【請求項１０】
請求項１ないし９のうち、いずれか１項記載の前記電子部品内蔵基板と、
半導体チップと、
前記半導体チップと接続されるチップ接続用パッドと、前記電子部品内蔵基板と接続される基板接続用パッドとを有する配線基板と、を備え、
前記配線基板の主面に前記チップ接続用パッドを配置し、前記主面とは反対側に位置する前記配線基板の面に前記基板接続用パッドを配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
電極を有する電子部品と、前記電子部品と同一平面上に配置された導電部材と、前記電子部品及び前記導電部材を支持する樹脂部材と、を備えた電子部品内蔵基板の製造方法であって、
支持体上に前記電子部品及び前記導電部材を配置する電子部品及び導電部材配置工程と、
少なくとも前記電子部品の側面及び前記導電部材の側面を覆うように前記樹脂部材を形成する樹脂部材形成工程と、
前記電極の上端及び前記導電部材の上端を前記樹脂部材から露出させる樹脂部材除去工程と、
前記樹脂部材除去工程後に前記支持体を除去する支持体除去工程と、を含むことを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂部材除去工程では、アッシング処理により、前記電極の上端及び前記導電部材の上端を覆う部分の前記樹脂部材を除去することを特徴とする請求項１１記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂部材の上面に前記電極の上部と接続される第１の上部パッド、及び前記樹脂部材の上面に前記導電部材の上部と接続される第２の上部パッドのうち、少なくとも一方を形成する上部パッド形成工程を設けたことを特徴とする請求項１１又は１２記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂部材の下面に前記電極の下部と接続される第１の下部パッド、及び前記樹脂部材の下面に前記導電部材の下部と接続される第２の下部パッドのうち、少なくとも一方を形成する下部パッド形成工程を設けたことを特徴とする請求項１１ないし１３のうち、いずれか１項記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵基板及びその製造方法、及び半導体装置に関し、特に、電子部品を内蔵した電子部品内蔵基板及びその製造方法、及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体チップ（例えば、ＣＰＵ用半導体チップ）の微細化及び多端子化に伴い、半導体チップが実装される配線基板と、電子部品を内蔵すると共に、マザーボード等の実装基板と接続される配線基板（図１に示す電子部品内蔵基板３０３）とを別体とし、これら２つの配線基板を積み重ねた構成とされた半導体装置（図１参照）がある。
【０００３】
図１は、従来の半導体装置の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の半導体装置３００は、配線基板３０１と、半導体チップ３０２と、電子部品内蔵基板３０３とを有する。
【０００５】
配線基板３０１は、半導体チップ３０２と電子部品内蔵基板３０３との間に配置されている。配線基板３０１は、複数の絶縁層が積層された絶縁層積層体３１１と、絶縁層積層体３１１の上面３１１Ａに設けられたチップ接続用パッド３１２と、絶縁層積層体３１１の下面３１１Ｂに設けられた基板接続用パッド３１３と、絶縁層積層体３１１に内設され、チップ接続用パッド３１２と基板接続用パッド３１３とを電気的に接続する配線パターン３１４とを有する。
【０００６】
配線基板３０１は、半導体チップ３０２及び電子部品内蔵基板３０３と電気的に接続されている。配線基板３０１は、基板接続用パッド３１３と電子部品内蔵基板３０３を構成するパッド３２９及びパッド部３４３とが対向するように、基板接続用パッド３１３の配設ピッチを調整するための基板である。
【０００７】
半導体チップ３０２は、電極パッド３１６を有する。電極パッド３１６は、バンプ３０５を介して、チップ接続用パッド３１２と電気的に接続されている。半導体チップ３０２としては、例えば、ＣＰＵ用半導体チップを用いることができる。
【０００８】
電子部品内蔵基板３０３は、配線基板３０１の下方に配置されている。電子部品内蔵基板３０３は、絶縁層３１８，３２０，３２７と、電子部品３１９と、電子部品接続用パッド３２１と、配線パターン３２２，３２８と、パッド３２４，３２９と、外部接続端子３２５，３３３と、貫通電極３３１とを有する。
【０００９】
絶縁層３１８は、貫通部３３５を有する。電子部品３１９は、貫通部３３５に収容されている。電子部品３１９は、電極３３７を有する。電極３３７は、はんだ３３８により電子部品接続用パッド３２１と電気的に接続されている。
【００１０】
絶縁層３２０は、絶縁層３１８の下面３１８Ｂに設けられている。電子部品接続用パッド３２１は、貫通部３３５に露出された部分の絶縁層３２０の上面に設けられている。配線パターン３２２は、絶縁層３２０に設けられている。配線パターン３２２の一部は、絶縁層３２０を貫通している。絶縁層３２０を貫通する部分の配線パターン３２２は、電子部品接続用パッド３２１と接続されている。配線パターン３２２は、外部接続端子３２５が配設されるパッド部３４１を有する。
【００１１】
パッド３２４は、絶縁層３２０の下面に設けられている。パッド３２４には、外部接続端子３２５が配設されている。絶縁層３２７は、絶縁層３１８の上面３１８Ａに設けられている。
【００１２】
配線パターン３２８は、絶縁層３２７に設けられている。配線パターン３２８の一部は、絶縁層３２７を貫通している。絶縁層３２７を貫通する部分の配線パターン３２８は、電極３３７と接続されている。配線パターン３２８は、外部接続端子３３３が配設されるパッド部３４３を有する。パッド部３４３は、外部接続端子３３３を介して、基板接続用パッド３１３と電気的に接続されている。
【００１３】
パッド３２９は、絶縁層３２７の上面に設けられている。パッド３２９は、貫通電極３３１を介して、パッド３２４と電気的に接続されている。また、パッド３２９は、外部接続端子３３３を介して、基板接続用パッド３１３と電気的に接続されている。
【００１４】
貫通電極３３１は、絶縁層３１８，３２０，３２７を貫通するように配設されている。貫通電極３３１の上端は、パッド３２９と接続されており、貫通電極３３１の下端は、パッド３２４と接続されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−２１７３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、従来の電子部品内蔵基板３０３では、電子部品３１９と絶縁層３１８，３２０，３２７との熱膨張係数の差により、パッド３２１と電子部品３１９の電極３３７との間の電気的接続信頼性、及び配線パターン３２８と電子部品３１９の電極３３７との間の電気的接続信頼性が低下してしまうという問題があった。
【００１６】
また、従来の電子部品内蔵基板３０３では、電子部品３１９の上下に絶縁層３２０，３２７や配線パターン３２２，３２８等を設けていたため、電子部品内蔵基板３０３の厚さ方向のサイズを小型化することができないという問題があった。
【００１７】
また、上記電子部品内蔵基板３０３を備えた従来の半導体装置３００では、半導体装置３００の電気的接続信頼性が低下してしまうという問題や、半導体装置３００の厚さ方向のサイズを小型化できないという問題が発生する。
【００１８】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、電気的接続信頼性を向上できると共に、厚さ方向のサイズを小型化することのできる電子部品内蔵基板及びその製造方法、及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一観点によれば、電極を有する電子部品と、前記電子部品と同一平面上に配置された導電部材と、前記電極の上端及び下端、及び前記導電部材の上端及び下端を露出するように、前記電子部品及び前記導電部材を支持する樹脂部材と、を備えたことを特徴とする電子部品内蔵基板が提供される。
【００２０】
本発明によれば、電子部品内蔵基板を、電極を有する電子部品と、電子部品と同一平面上に配置された導電部材と、電極の上端及び下端、及び導電部材の上端及び下端を露出するように、電子部品及び導電部材を支持する樹脂部材と、を備えた構成にすることにより、電子部品の上下に絶縁層や電子部品と電気的に接続される配線パターン等を設けた従来の電子部品内蔵基板と比較して、電子部品内蔵基板の電気的接続信頼性を向上できると共に、電子部品内蔵基板の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【００２１】
本発明の他の観点によれば、請求項１ないし９のうち、いずれか１項記載の前記電子部品内蔵基板と、半導体チップと、前記半導体チップと接続されるチップ接続用パッドと、前記電子部品内蔵基板と接続される基板接続用パッドとを有する配線基板と、を備え、前記配線基板の主面に前記チップ接続用パッドを配置し、前記主面とは反対側に位置する前記配線基板の面に前記基板接続用パッドを配置したことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２２】
本発明によれば、半導体装置の電気的接続信頼性を向上できると共に、半導体装置の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【００２３】
本発明のその他の観点によれば、電極を有する電子部品と、前記電子部品と同一平面上に配置された導電部材と、前記電子部品及び前記導電部材を支持する樹脂部材と、を備えた電子部品内蔵基板の製造方法であって、支持体上に前記電子部品及び前記導電部材を配置する電子部品及び導電部材配置工程と、少なくとも前記電子部品の側面及び前記導電部材の側面を覆うように前記樹脂部材を形成する樹脂部材形成工程と、前記電極の上端及び前記導電部材の上端を前記樹脂部材から露出させる樹脂部材除去工程と、前記樹脂部材除去工程後に前記支持体を除去する支持体除去工程と、を含むことを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法が提供される。
【００２４】
本発明によれば、支持体上に電子部品及び導電部材を配置し、次いで、少なくとも電子部品の側面及び導電部材の側面を覆うように樹脂部材を形成し、次いで、電極の上端及び導電部材の上端を樹脂部材から露出させ、その後、支持体を除去することで電子部品内蔵基板を製造することにより、電子部品内蔵基板の電気的接続信頼性が向上できると共に、電子部品内蔵基板の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電子部品内蔵基板の電気的接続信頼性が向上できると共に、電子部品内蔵基板の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２７】
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００２８】
図２を参照するに、本実施の形態の半導体装置１０は、配線基板１１と、半導体チップ１２と、電子部品内蔵基板１３と、アンダーフィル樹脂１７とを有する。
【００２９】
配線基板１１は、半導体チップ１２と電子部品内蔵基板１３との間に配置されている。配線基板１１は、絶縁層積層体２１と、チップ接続用パッド２２と、基板接続用パッド２３と、配線パターン２４と、ソルダーレジスト層２６，２７とを有する。絶縁層積層体２１は、複数の絶縁層が積層された構成とされている。絶縁層積層体２１を構成する絶縁層としては、例えば、樹脂層（具体的には、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる樹脂層）を用いることができる。
【００３０】
チップ接続用パッド２２は、半導体チップ１２の実装領域に対応する部分の絶縁層積層体２１の上面２１Ａ（配線基板１１の主面）に設けられている。チップ接続用パッド２２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００３１】
基板接続用パッド２３は、絶縁層積層体２１の下面２１Ｂ（配線基板１１の主面とは反対側の面）に設けられている。基板接続用パッド２３は、後述する電子部品３５の電極４５，４６の上端又は導電部材３６の上端と対向するように配置されている。基板接続用パッド２３は、配線パターン２４を介して、チップ接続用パッド２２と電気的に接続されている。基板接続用パッド２３は、電子部品内蔵基板１３に設けられた後述する外部接続端子４１と接続されるパッドである。
【００３２】
配線パターン２４は、絶縁層積層体２１に内設されている。配線パターン２４は、その一方の端部がチップ接続用パッド２２と接続されており、他方の端部が基板接続用パッド２３と接続されている。
【００３３】
ソルダーレジスト層２６は、絶縁層積層体２１の上面２１Ａに設けられている。ソルダーレジスト層２６は、チップ接続用パッド２２の上面を露出する開口部を有する。
【００３４】
ソルダーレジスト層２７は、絶縁層積層体２１の下面２１Ｂに設けられている。ソルダーレジスト層２７は、基板接続用パッド２３の下面を露出する開口部を有する。
【００３５】
上記構成とされた配線基板１１は、基板接続用パッド２３が電子部品内蔵基板１３に設けられた後述する電極４５，４６の上端又は導電部材３６の上端と対向するように、基板接続用パッド２３の配設ピッチを調整するための基板である。
【００３６】
半導体チップ１２は、配線基板１１上に配置されている。半導体チップ１２は、電極パッド３１を有する。電極パッド３１は、バンプ１５を介して、チップ接続用パッド２２と電気的に接続されている。つまり、半導体チップ１２は、チップ接続用パッド２２にフリップチップ接続されている。また、半導体チップ１２と配線基板１１との隙間には、アンダーフィル樹脂１６が充填されている。半導体チップ１２は、微細化されると共に、多端子化された半導体チップである。半導体チップ１２としては、例えば、ＣＰＵ用半導体チップを用いることができる。
【００３７】
電子部品内蔵基板１３は、配線基板１１の下方に配置されている。電子部品内蔵基板１３は、電子部品３５と、導電部材３６と、樹脂部材３７と、外部接続端子４１，４３とを有する。
【００３８】
電子部品３５は、一対の電極４５，４６を有する。電極４５は、電源用の電極であり、電極４６は、接地用の電極である。電極４５，４６の上端及び下端は、樹脂部材３７から露出されている。電極４５，４６の上端には、外部接続端子４１が配設されている。電極４５，４６は、外部接続端子４１を介して、配線基板１１と電気的に接続されている。電極４５，４６の下端には、外部接続端子４３が配設されている。電子部品３５の側面は、樹脂部材３７により支持されている。電子部品３５としては、例えば、受動素子を用いることができる。受動素子としては、例えば、チップキャパシタやチップ抵抗やチップインダクタ等を用いることができる。
【００３９】
導電部材３６は、電子部品３５と同一平面上に配置されている。導電部材３６は、金属コアボールであり、金属ボール４８（例えば、Ｃｕボール）と、金属ボール４８を覆うはんだ４９とを有する。導電部材３６の上端及び下端は、樹脂部材３７から露出されている。導電部材３６は、半導体チップ１２に信号を供給するための信号用の端子である。
【００４０】
樹脂部材３７は、板状とされた部材である。樹脂部材３７は、電子部品３５の側面及び導電部材３６の側面と接触することで、電子部品３５及び導電部材３６を支持している。樹脂部材３７は、電子部品３５の上端及び下端、及び導電部材３６の上端及び下端を露出している。
【００４１】
このように、電子部品３５の電極４５，４６の上端及び下端、及び導電部材３６の上端及び下端を露出するように、電子部品３５及び導電部材３６を支持する樹脂部材３７を設けることにより、電子部品３１９の上下に絶縁層３２０，３２７や電子部品３５と電気的に接続される配線パターン３２２，３２８等を有した従来の電子部品内蔵基板３０３（図１参照）と比較して、電子部品内蔵基板１３の電気的接続信頼性を向上できると共に、電子部品内蔵基板１３の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【００４２】
また、電子部品内蔵基板１３の電気的接続信頼性が向上することで、電子部品内蔵基板１３を備えた半導体装置１０の電気的接続信頼性を向上させることができる。さらに、電子部品内蔵基板１３の厚さ方向のサイズが小型化することにより、半導体装置１０の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【００４３】
樹脂部材３７の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やモールド樹脂等を用いることができる。一般的にモールド樹脂に含まれるシリコンのフィラー（或いは、アルミのフィラー）の含有率が高い（具体的には、７０〜８０ｗｔ％）ため、樹脂部材３７の材料としてモールド樹脂を用いた場合、電子部品３５と樹脂部材３７との間の熱膨張係数の差を小さくすることができる。
【００４４】
また、樹脂部材３７の厚さの値は、電子部品３５及び導電部材３６の高さの値よりも小さくするとよい。具体的には、電子部品３５の高さが０．５ｍｍ、導電部材３６の高さが０．３５ｍｍの場合、樹脂部材３７の厚さは、例えば、０．３ｍｍにすることができる。
【００４５】
このように、樹脂部材３７の厚さの値を、電子部品３５及び導電部材３６の高さの値よりも小さくすることにより、電子部品内蔵基板１３の厚さ方向のサイズをさらに小型化することができる。
【００４６】
外部接続端子４１は、電子部品３５の電極４５，４６の上端と配線基板１１に設けられた基板接続用パッド２３との間、及び導電部材３６の上端と基板接続用パッド２３との間に設けられている。外部接続端子４１は、電子部品３５と基板接続用パッド２３とを電気的に接続すると共に、導電部材３６と基板接続用パッド２３とを電気的に接続する端子である。外部接続端子４１としては、例えば、はんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ）を用いることができる。
【００４７】
なお、図２では、外部接続端子４１としてはんだを用いた場合を例に挙げて図示したが、図２に示すはんだの内部に配置され、電極４５，４６の上端又は導電部材３６の上端と接触するＡｕバンプ（図示せず）と、Ａｕバンプを覆うはんだとを有した外部接続端子（図示せず）を外部接続端子４１の代わりに用いてもよい。
【００４８】
このように、外部接続端子４１の代わりとして、はんだの内部に配置され、電極４５，４６の上端又は導電部材３６の上端と接触するＡｕバンプと、Ａｕバンプを覆うはんだとを有した外部接続端子を設けることにより、基板接続用パッド２３と電極４５，４６及び導電部材３６との間の接続強度を向上させることができる。
【００４９】
外部接続端子４３は、電子部品３５の電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端に設けられている。外部接続端子４３は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電子部品内蔵基板１３とを電気的に接続するための端子である。外部接続端子４３としては、例えば、はんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ）を用いることができる。
【００５０】
なお、図２では、外部接続端子４３としてはんだを用いた場合を例に挙げて図示したが、図２に示すはんだの内部に配置され、電極４５，４６の下端又は導電部材３６の下端と接触するＡｕバンプと、Ａｕバンプを覆うはんだとを有した外部接続端子（図示せず）を外部接続端子４３の代わりに用いてもよい。
【００５１】
このように、外部接続端子４３の代わりとして、はんだの内部に配置され、電極４５，４６の下端又は導電部材３６の下端と接触するＡｕバンプと、Ａｕバンプを覆うはんだとを有した外部接続端子を設けることにより、電子部品内蔵基板１３が実装基板（図示せず）に実装された際、電極４５，４６及び導電部材３６と実装基板に設けられたパッドとの間の接続強度を向上させることができる。
【００５２】
アンダーフィル樹脂１７は、配線基板１１と電子部品内蔵基板１３との隙間を充填するように配置されている。アンダーフィル樹脂１７は、配線基板１１と電子部品内蔵基板１３との間の接続強度を向上させるための樹脂である。
【００５３】
本実施の形態の電子部品内蔵基板によれば、板状とされた樹脂部材３７により、電子部品３５の電極４５，４６の上端及び下端、及び導電部材３６の上端及び下端を露出するように電子部品３５及び導電部材３６を支持することにより、電子部品３１９の上下に絶縁層３２０，３２７や電子部品３５と電気的に接続される配線パターン３２２，３２８等を設けた従来の電子部品内蔵基板３００（図１参照）と比較して、電子部品内蔵基板１３の電気的接続信頼性を向上できると共に、電子部品内蔵基板１３の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【００５４】
本実施の形態の半導体装置によれば、厚さ方向のサイズが小型化されると共に、電気的接続信頼性の向上した電子部品内蔵基板１３を備えることにより、半導体装置１０の電気的接続信頼性を向上できると共に、半導体装置１０の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【００５５】
図３は、本発明の第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。図３において、図２に示す第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５６】
図３を参照するに、第１の実施の形態の第１変形例の半導体装置５０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた電子部品内蔵基板１３（図２参照）の代わりに電子部品内蔵基板５１を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００５７】
電子部品内蔵基板５１は、電子部品内蔵基板１３に設けられた導電部材３６の代わりに導電部材５３を設けた以外は電子部品内蔵基板１３と同様に構成される。
【００５８】
導電部材５３は、半導体チップ１２に信号を供給するための信号用の端子である。導電部材５３は、柱状形状とされている。導電部材５３は、導電性を有した柱状部材５４と、柱状部材５４を覆う金属膜５５とを有した構成とされている。柱状部材５４の材料としては、例えば、コバール（Ｎｉ−Ｃｏ合金）を用いることができる。金属膜５５としては、例えば、Ａｕ膜を用いることができる。
【００５９】
このように、導電性を有した柱状部材５４と、柱状部材５４を覆う金属膜５５とを備えた導電部材５３を、半導体チップ１２に信号を供給するための信号用の端子として用いることにより、先に説明した導電部材３６（具体的には、金属コアボール）よりも高さ方向のサイズを大きくすることが可能となる。これにより、電子部品３５の高さに応じて導電部材５３の高さを調整することができる。
【００６０】
図４は、本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。図４において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６１】
図４を参照するに、第１の実施の形態の第２変形例の半導体装置６０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた電子部品内蔵基板１３の代わりに電子部品内蔵基板６１を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００６２】
電子部品内蔵基板６１は、電子部品内蔵基板１３に設けられた樹脂部材３７の代わりに樹脂部材６２を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００６３】
樹脂部材６２は、電子部品３５の側面と、電極４５，４６を除いた部分の電子部品３５の上下面と、導電部材３６の側面とを覆うように設けられている。樹脂部材６２の厚さは、樹脂部材３７の厚さよりも厚くなるように設定されている。具体的には、電子部品３５の高さが０．５ｍｍ、導電部材３６の高さが０．３５ｍｍの場合、樹脂部材６２の厚さは、例えば、０．７ｍｍにすることができる。
【００６４】
樹脂部材６２は、外部接続端子４１の一部を収容する開口部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃと、外部接続端子４３の一部を収容する開口部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃとを有する。開口部６３Ａは、導電部材３６の上端を露出するように形成されている。開口部６３Ｂは、電極４５の上端を露出するように形成されている。開口部６３Ｃは、電極４６の上端を露出するように形成されている。開口部６４Ａは、導電部材３６の下端を露出するように形成されている。開口部６４Ｂは、電極４５の下端を露出するように形成されている。開口部６４Ｃは、電極４６の下端を露出するように形成されている。
【００６５】
このように、樹脂部材３７よりも厚さの厚い樹脂部材６２に外部接続端子４１の一部を収容する開口部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃを設けることにより、開口部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃを構成する部分の樹脂部材６２が外部接続端子４１の位置を規制するため、隣接する外部接続端子４１がショートすることを防止できる。
【００６６】
また、樹脂部材３７よりも厚さの厚い樹脂部材６２に外部接続端子４１の一部を収容する開口部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃを設けることにより、開口部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃを構成する部分の樹脂部材６２が外部接続端子４３の位置を規制するため、隣接する外部接続端子４３がショートすることを防止できる。
【００６７】
なお、先に説明した電子部品内蔵基板５１（図３参照）に設けられた樹脂部材３５の代わりに、電子部品内蔵基板５１の樹脂部材として図４に示す樹脂部材６２を設けてもよい。
【００６８】
図５〜図１１は、本発明の第１の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図である。図５〜図１１において、第１の実施の形態の電子部品内蔵基板１３と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６９】
図５〜図１１を参照して、第１の実施の形態の電子部品内蔵基板１３の製造方法について説明する。始めに、図５に示す工程では、支持体本体７２と、支持体本体７２上に積層された粘着層７３とを備えた支持体７１を準備する。支持体本体７２としては、例えば、金属箔（例えば、Ｃｕ箔）や金属層（例えば、Ｃｕ層）等を用いることができる。支持体本体７２としてＣｕ箔を用いた場合、支持体本体７２の厚さは、例えば、０．８ｍｍにすることができる。粘着層７３は、電子部品３５及び導電部材３６を仮固定するためのものである。粘着層７３としては、例えば、半硬化状態の樹脂層（例えば、エポキシ樹脂層）を用いることができる。粘着層７３として半硬化状態の樹脂層を用いた場合、粘着層７３の厚さは、例えば、２０μｍとすることができる。
【００７０】
次いで、図６に示す工程では、粘着層７３上に電子部品３５及び導電部材３６を配置する（電子部品及び導電部材配置工程）。これにより、電子部品３５及び導電部材３６は、同一平面上に配置されると共に、粘着層７３上により仮固定される。
【００７１】
次いで、図７に示す工程では、粘着層７３の上面に、少なくとも電子部品３５の側面及び導電部材３６の側面を覆うように樹脂部材３７を形成する（樹脂部材形成工程）。具体的には、図６に示す構造体上に樹脂タブレット（図示せず）を載置し、その後、平坦な金属板により、樹脂タブレットを押し潰すことで樹脂部材３７を形成する。この段階では、電子部品３５の上端及び導電部材３６の上端は、樹脂部材３７により覆われており、図７に示す樹脂部材３７の厚さは、図２に示す樹脂部材３７の厚さよりも厚い。本実施の形態では、電子部品３５の上端及び導電部材３６の上端を覆うように、樹脂部材３７を形成した場合を例に挙げて、以下の説明を行う。なお、樹脂部材形成工程では、電子部品３５の上端及び導電部材３６の上端を露出するように樹脂部材３７を形成してもよい。
【００７２】
樹脂タブレットの材料としては、例えば、エポキシ樹脂やモールド樹脂等を用いることができる。樹脂部材３７の材料としてモールド樹脂（シリコンのフィラー（或いはアルミのフィラー）の含有率が高い（具体的には、７０〜８０ｗｔ％）樹脂）を用いた場合、電子部品３５と樹脂部材３７との間の熱膨張係数の差を小さくすることができる。
【００７３】
次いで、図８に示す工程では、図７に示す樹脂部材３７の上部全体を除去することで、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端を樹脂部材３７から露出させる（樹脂部材除去工程）。具体的には、図７に示す樹脂部材３７の上面側から樹脂部材３７をアッシング処理することで、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端が露出するまで樹脂部材３７を除去する。上記アッシングは、例えば、ガスが純度９９．９９％のＯ２ガス（Ｏ２ガスにＡｒガスやＣＦ４ガスを混合したガスでもよい）、ガス流量が５００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力が３５０Ｗ、発振周波数が１３．５６ＭＨｚ、圧力が１３３Ｐａ、処理室の温度が９０℃〜１２０℃の条件で行うことができる。また、この場合の処理時間は、例えば、１５分とすることができる。
【００７４】
このように、アッシングを用いて樹脂部材３７を除去することにより、電子部品３５及び導電部材３６にダメージを与えることなく、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端を樹脂部材３７から露出させることができる。
【００７５】
次いで、図９に示す工程では、図８に示す支持体７１を除去する（支持体除去工程）。具体的には、例えば、樹脂部材３７から支持体７１を剥がす。
【００７６】
次いで、図１０に示す工程では、図９に示す樹脂部材３７の下部全体を除去することで、電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端を樹脂部材３７から確実に露出させる。具体的には、図９に示す樹脂部材３７の下面側から樹脂部材３７をアッシング処理することで、樹脂部材３７の下部全体を除去する。上記アッシングは、例えば、ガスが純度９９．９９％のＯ２ガス（Ｏ２ガスにＡｒガスやＣＦ４ガスを混合したガスでもよい）、ガス流量が５００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力が３５０Ｗ、発振周波数が１３．５６ＭＨｚ、圧力が１３３Ｐａ、処理室の温度が９０℃〜１２０℃の条件で行うことができる。また、この場合の処理時間は、例えば、１５分とすることができる。
【００７７】
このように、アッシングを用いて樹脂部材３７の下部全体を除去することにより、電子部品３５及び導電部材３６にダメージを与えることなく、電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端を樹脂部材３７から確実に露出させることができる。
【００７８】
なお、図９に示す構造体に設けられた電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端が樹脂部材３７から十分に露出されている場合、図１０に示す工程の処理は行わなくてもよい。
【００７９】
次いで、図１１に示す工程では、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端に外部接続端子４１を形成すると共に、電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端に外部接続端子４３を形成する。これにより、電子部品内蔵基板１３が製造される。外部接続端子４１，４３としては、例えば、はんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ）を用いることができる。なお、図１１では、外部接続端子４１，４３としてはんだを用いた場合を例に挙げて図示したが、図１１に示すはんだの内部に電極４５，４６又は導電部材３６と接触するＡｕバンプ（図示せず）を形成して、Ａｕバンプと、Ａｕバンプを覆うはんだとを備えた外部接続端子を形成してもよい。
【００８０】
本実施の形態の電子部品内蔵基板の製造方法によれば、支持体７１上に電極４５，４６を有した電子部品３５と導電部材３６とを同一平面上に配置し、次いで、少なくとも電子部品３５の側面及び導電部材３６の側面を覆うように樹脂部材３７を形成し、次いで、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端を樹脂部材３７から露出させ、その後、支持体７１を除去し、次いで、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端に外部接続端子４１を形成すると共に、電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端に外部接続端子４３を形成することにより、電子部品内蔵基板１３の電気的接続信頼性が向上できると共に、電子部品内蔵基板１３の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
【００８１】
なお、第１の実施の形態の第１変形例に係る電子部品内蔵基板５１は、上記説明した電子部品内蔵基板１３と同様な手法により製造できる。
【００８２】
図１２〜図１５は、本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図である。図１２〜図１５において、第１の実施の形態の第２変形例の電子部品内蔵基板６１と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８３】
図１２〜図１５を参照して、第１の実施の形態の第２変形例の電子部品内蔵基板６１の製造方法について説明する。始めに、先に説明した図５〜図７に示す工程と同様な処理を行うことで、図７に示す構造体を形成する。
【００８４】
次いで、図１２に示す工程では、図１１に示す構造体の上方に貫通部７７〜７９を有したマスク７６を配置し、マスク７６を介したアッシングにより、貫通部７７〜７９と対向する部分の樹脂部材３７を除去して、樹脂部材３７に開口部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃを形成する（樹脂部材除去工程）。貫通部７７は、導電部材３６の上端と対向する部分のマスク７６に形成されており、貫通部７８は、電極４５の上端と対向する部分のマスク７６に形成されている。また、貫通部７９は、電極４６の上端と対向する部分のマスク７６に形成されている。
【００８５】
次いで、図１３に示す工程では、図１２に示す構造体に設けられた支持体本体７２を除去する。具体的には、支持体本体７２がＣｕ箔の場合、エッチングにより支持体本体７２を除去する。
【００８６】
次いで、図１４に示す工程では、図１３に示す構造体の下方に貫通部８２〜８４を有したマスク８１を配置し、マスク８１を介したアッシングにより、貫通部８２〜８４と対向する部分の樹脂部材３７を除去して、粘着層７３（この場合、具体的には、硬化状態の樹脂層）に開口部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃを形成する。これにより、開口部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃを有した樹脂部材３７と、開口部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃを有した樹脂部材６２が形成される。
【００８７】
貫通部８２は、導電部材３６の下端と対向する部分のマスク８１に形成されており、貫通部８３は、電極４５の下端と対向する部分のマスク８１に形成されている。また、貫通部８４は、電極４６の下端と対向する部分のマスク８１に形成されている。
【００８８】
次いで、図１５に示す工程では、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端に外部接続端子４１を形成すると共に、電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端に外部接続端子４３を形成する。これにより、電子部品内蔵基板６１が製造される。外部接続端子４１，４３としては、例えば、はんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ）を用いることができる。なお、図１５では、外部接続端子４１，４３としてはんだを用いた場合を例に挙げて図示したが、図１５に示すはんだの内部に電極４５，４６又は導電部材３６と接触するＡｕバンプを配置して、Ａｕバンプと、Ａｕバンプを覆うはんだとを有した外部接続端子を形成してもよい。
【００８９】
（第２の実施の形態）
図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図１６において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号をに付す。
【００９０】
図１６を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置９０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた電子部品内蔵基板１３の代わりに電子部品内蔵基板９１を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００９１】
電子部品内蔵基板９１は、第１の実施の形態で説明した電子部品内蔵基板１３の構成に、さらに電子部品９２、配線９３と、パッド９４とを設けた以外は電子部品内蔵基板１３と同様に構成される。
【００９２】
電子部品９２は、電子部品９２の側面が樹脂部３７と接触することで、樹脂部材３７により支持されている。電子部品９２は、電極パッド９６を備えた能動素子である。能動素子としては、例えば、電極パッド９６の数の少ない半導体チップ（例えば、メモリー用半導体チップ）を用いることができる。
【００９３】
配線９３は、電極パッド９６が形成された側の電子部品９２の面に設けられている。配線９３は、パッド９４及び電極パッド９６と接続されている。配線９３は、電極パッド９６とパッド９４とを電気的に接続するための配線（再配線）である。配線９３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００９４】
パッド９４は、外部接続端子４３の配設領域に対応する部分の配線９３に設けられている。パッド９４は、外部接続端子４３を配設するためのパッドである。外部接続端子４３が接続される部分のパッド９４の面は、樹脂部材３７から露出されている。パッド９４の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００９５】
本実施の形態の電子部品内蔵基板によれば、受動素子である電子部品３５と、能動素子である電子部品９２とを樹脂部材３７に内設することにより、電子部品内蔵基板９１の実装密度を向上させることができる。
【００９６】
なお、本実施の形態の半導体装置９０は、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００９７】
また、電子部品内蔵基板９１に設けられた導電部材３６の代わりとして、図３に示す導電部材５３を設けてもよい。さらに、電子部品内蔵基板９１に設けられた樹脂部材３７の代わりとして、図４に示す樹脂部材６２を設けてもよい。
【００９８】
図１７は、本発明の第２の実施の形態に係る電子部品内蔵基板を製造する際に使用する構造体の断面図である。図１７において、第２の実施の形態の電子部品内蔵基板９１と同一構成部分には同一符号を付す。
【００９９】
上記説明した電子部品内蔵基板９１は、予め図１７に示す構造体９８を作成し、次いで、第１の実施の形態で説明した図６に示す工程において、電子部品３５及び導電部材３６と共に、構造体９８を粘着層７３上に配置し、その後、第１の実施の形態で説明した図７〜図１１示す工程と同様な処理を行うことで製造する。
【０１００】
ここで、図１７を参照して、構造体９８の形成方法について説明する。始めに、電極パッド９６を有した電子部品９２を準備し、次いで、電極パッド９６が形成された側の電子部品９２の面９２Ａに配線９３を形成する。次いで、配線９３にパッド９４を形成する。次いで、配線９３及びパッド９４を覆うように、電子部品９２の面９２Ａに樹脂層９９を形成する。その後、パッド９４と対向する部分の樹脂層９９を除去（例えば、研磨により除去）することで、構造体９８を形成する。樹脂層９９の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やモールド樹脂等を用いることができる。
【０１０１】
なお、樹脂層９９は、樹脂部材３７，６２を形成する際に樹脂部材３７，６２と同時に形成してもよい。
【０１０２】
図１８は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。図１８において、第２の実施の形態の半導体装置９０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１０３】
図１８を参照するに、第２の実施の形態の変形例の半導体装置１６０は、第２の実施の形態の半導体装置９０に設けられた電子部品内蔵基板９１の代わりに、電子部品内蔵基板１６１を設けた以外は、第２の実施の形態の半導体装置９０と同様に構成される。
【０１０４】
電子部品内蔵基板１６１は、電子部品内蔵基板９１に設けられた電子部品３５と電子部品９２の配設位置を入れ替えると共に、電子部品９２の電極パッド９６と電気的に接続されたパッド９４と基板接続用パッド２３とを対向配置させ、外部接続端子４１を介して、パッド９４と基板接続用パッド２３とを電気的に接続させた以外は電子部品内蔵基板９１と同様に構成される。
【０１０５】
このように、外部接続端子４１を介して、電子部品９２の電極パッド９６と電気的に接続されたパッド９４と基板接続用パッド２３とを電気的に接続することにより、半導体チップ１２と電子部品９２との間の配線長が短くなるため、半導体チップ１２と電子部品９２との間の信号のやり取りを高速で行うことができる。
【０１０６】
（第３の実施の形態）
図１９は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図１９において、第１の実施の形態の第１変形例の半導体装置５０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１０７】
図１９を参照するに、第３の実施の形態の半導体装置１００は、第１の実施の形態の第１変形例の半導体装置５０に設けられた電子部品内蔵基板５１の代わりに電子部品内蔵基板１０１を設けた以外は半導体装置５０と同様に構成される。
【０１０８】
電子部品内蔵基板１０１は、電子部品内蔵基板５１（図３参照）の構成に、さらに電子部品１０３と、接着性を有した非導電材１０４，１０９と、導電材１０６，１０７とを設けた以外は電子部品内蔵基板５１と同様に構成される。
【０１０９】
電子部品１０３は、接着性を有した非導電材１０４により、電極４５，４６を除いた部分の電子部品３５上に接着されている。電子部品１０３は、電子部品３５よりもサイズ（具体的には、高さや平面視した際の面積）の小さい部品である。電子部品１０３は、一対の電極１１２，１１３を有する。電極１１２は、導電材１０６と接触している。電極１１２は、電極４５の上端に設けられた導電材１０６を介して、電極４５及び外部接続端子４１と電気的に接続されている。電極１１３は、電極４６の上端に設けられた導電材１０６を介して、電極４６及び外部接続端子４１と電気的に接続されている。これにより、電子部品１０３は、電子部品３５と電気的に接続されると共に、配線基板１１を介して、半導体チップ１２と電気的に接続される。
【０１１０】
このように、電子部品３５上に電子部品１０３を積み重ねることにより、電子部品内蔵基板１０１の実装密度を向上させることができる。
【０１１１】
電子部品１０３としては、例えば、受動素子を用いることができる。電子部品３５としてチップキャパシタを用いた場合、電子部品１０３としては、例えば、チップキャパシタを用いることができる。
【０１１２】
このように、電子部品３５，１０３としてチップキャパシタを用いると共に、電子部品１０３を電子部品３５上に積み重ね、電子部品１０３と電子部品３５とを電気的に接続することにより、キャパシタの容量を大きくすることができる。
【０１１３】
非導電材１０４は、電子部品３５と電子部品１０３との間に設けられている。非導電材１０４は、電子部品３５上に電子部品１０３を接着するためのものである。非導電材１０４としては、例えば、アンダーフィル樹脂を用いることができる。
【０１１４】
導電材１０６は、電極４５，４６の上端及び導電部材５３の上端に設けられている。導電材１０６の上面には、外部接続端子４１が設けられている。電極４５の上端に設けられた導電材１０６は、外部接続端子４１及び電子部品１０３の電極１１２と電極４５とを電気的に接続している。電極４６の上端に設けられた導電材１０６は、外部接続端子４１及び電子部品１０３の電極１１３と電極４６とを電気的に接続している。導電部材５３の上端に設けられた導電材１０６は、外部接続端子４１と導電部材５３とを電気的に接続している。導電材１０６としては、例えば、導電性ペーストやはんだ等を用いることができる。導電性ペーストとしては、例えば、Ａｇペーストを用いることができる。はんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだを用いることができる。導電材１０６としてはんだを用いた場合、導電材１０６の厚さは、例えば、３０μｍとすることができる。
【０１１５】
導電材１０７は、電極４５，４６の下端及び導電部材５３の下端に設けられている。導電材１０７の下面には、外部接続端子４３が設けられている。導電材１０７は、外部接続端子４３と電気的に接続されている。導電材１０７としては、例えば、導電性ペーストやはんだ等を用いることができる。導電性ペーストとしては、例えば、Ａｇペーストを用いることができる。はんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだを用いることができる。導電材１０７としてはんだを用いた場合、導電材１０７の厚さは、例えば、３０μｍとすることができる。
【０１１６】
非導電材１０９は、導電部材５３の下部側面を覆うように、樹脂部材３７に内設されている。非導電材１０９の下面１０９Ａは、樹脂部材３７の下面３７Ａと略面一となるように構成されている。非導電材１０９としては、例えば、アンダーフィル樹脂を用いることができる。
【０１１７】
本実施の形態の電子部品内蔵基板によれば、電子部品３５上に電子部品１０３を積み重ねることにより、電子部品内蔵基板１０１の実装密度を向上させることができる。
【０１１８】
また、本実施の形態の半導体装置によれば、実装密度が向上した電子部品内蔵基板１０１を備えることにより、半導体装置１００の実装密度を向上させるこができる。なお、本実施の形態の半導体装置１００は、第１の実施の形態の第１変形例の半導体装置５０と同様な効果を得ることができる。
【０１１９】
図２０〜図２７は、本発明の第３の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図である。図２０〜図２７において、第３の実施の形態の電子部品内蔵基板１０１と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１２０】
図２０〜図２７を参照して、第３の実施の形態の電子部品内蔵基板１０１の製造方法について説明する。始めに、図２０に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図５に示す支持体７１上に電子部品３５を配置する。
【０１２１】
次いで、図２１に示す工程では、電子部品３５上に非導電材１０４を形成すると共に、導電部材５３の配設領域に対応する部分の粘着層７３上に非導電材１０９を形成する。非導電材１０４，１０９としては、例えば、アンダーフィル樹脂を用いることができる。
【０１２２】
次いで、図２２に示す工程では、非導電材１０４により、電子部品３５上に電子部品１０３を接着すると共に、導電部材５３の下面が粘着層７３の上面と接触するように、粘着層７３上に導電部材５３を配置する。なお、本実施の形態の場合、図２０〜図２２に示す工程が電子部品及び導電部材配置工程に相当する。
【０１２３】
次いで、図２３に示す工程では、粘着層７３の上面に、少なくとも電子部品３５の側面及び導電部材５３の側面を覆うように樹脂部材３７を形成する（樹脂部材形成工程）。具体的には、図２２に示す構造体上に樹脂タブレット（図示せず）を載置し、その後、平坦な金属板（図示せず）により、樹脂タブレットを押し潰すことで樹脂部材３７を形成する。この段階では、電子部品３５，１０３の上端及び導電部材５３の上端は、樹脂部材３７により覆われている。また、図２３に示す樹脂部材３７の厚さは、図１９に示す樹脂部材３７の厚さよりも厚い。本実施の形態では、電子部品３５，１０３及び導電部材５３を覆うように、樹脂部材３７を形成した場合を例に挙げて、以下の説明を行う。なお、図２３に示す工程では、電子部品１０３、電極４５，４６の上端、及び導電部材５３の上端を露出するように樹脂部材３７を形成してもよい。
【０１２４】
上記樹脂タブレットの材料としては、例えば、エポキシ樹脂やモールド樹脂等を用いることができる。樹脂部材３７の材料としてモールド樹脂（シリコンのフィラー（或いはアルミのフィラー）の含有率が高い（具体的には、７０〜８０ｗｔ％）樹脂）を用いた場合、電子部品３５と樹脂部材３７との間の熱膨張係数の差を小さくすることができる。
【０１２５】
次いで、図２４に示す工程では、図２３に示す樹脂部材３７の上部全体を除去することで、電子部品１０３、電極４５，４６の上端、及び導電部材３６の上端を樹脂部材３７から露出させる（樹脂部材除去工程）。具体的には、図２３に示す樹脂部材３７の上面側から樹脂部材３７をアッシング処理することで、電子部品１０３、電極４５，４６の上端、及び導電部材５３の上端を樹脂部材３７から露出させる。
【０１２６】
上記アッシングは、例えば、ガスが純度９９．９９％のＯ２ガス（Ｏ２ガスにＡｒガスやＣＦ４ガスを混合したガスでもよい）、ガス流量が５００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力が３５０Ｗ、発振周波数が１３．５６ＭＨｚ、圧力が１３３Ｐａ、処理室の温度が９０℃〜１２０℃の条件で行うことができる。また、この場合の処理時間は、例えば、１５分とすることができる。
【０１２７】
このように、アッシングを用いて樹脂部材３７の上部全体を除去することにより、電子部品３５，１０３及び導電部材５３にダメージを与えることなく、電子部品１０３、電極４５，４６の上端、及び導電部材３６の上端を樹脂部材３７から露出させることができる。
【０１２８】
次いで、図２５に示す工程では、図２４に示す支持体７１を除去する（支持体除去工程）。具体的には、例えば、樹脂部材３７から支持体７１を剥がす。
【０１２９】
次いで、図２６に示す工程では、電極４５，４６の上端、及び導電部材３６の上端を覆うように導電材１０６を形成すると共に、電極４５，４６の下端、及び導電部材３６の下端を覆うように導電材１０７を形成する。導電材１０６，１０７としては、例えば、導電性ペーストやはんだ等を用いることができる。導電性ペーストとしては、例えば、Ａｇペーストを用いることができる。はんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだを用いることができる。導電材１０６，１０７としてＡｇペーストを用いた場合、導電材１０６，１０７の厚さは、例えば、３０μｍとすることができる。
【０１３０】
次いで、図２７に示す工程では、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端に外部接続端子４１を形成すると共に、電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端に外部接続端子４３を形成する。これにより、電子部品内蔵基板１０１が製造される。外部接続端子４１，４３としては、例えば、はんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ）を用いることができる。なお、図２７では、外部接続端子４１，４３としてはんだを用いた場合を例に挙げて図示したが、図２７に示すはんだの内部に電極４５，４６又は導電部材３６と接触するＡｕバンプを配置して、Ａｕバンプと、Ａｕバンプを覆うはんだとを有した外部接続端子を形成してもよい。
【０１３１】
本実施の形態の電子部品内蔵基板の製造方法によれば、支持体７１上に配置した電子部品３５上に電子部品１０３を接着し、次いで、支持体７１上に導電部材３６を配置し、その後、少なくとも電子部品３５の側面及び導電部材３６の側面を覆うように樹脂部材３７を形成し、次いで、電子部品１０３、電極４５，４６の上端、及び導電部材３６の上端を樹脂部材３７から露出させ、その後、支持体７１を除去し、次いで、電極４５，４６の上端及び導電部材３６の上端に導電材１０６を形成し、電極４５，４６の下端及び導電部材３６の下端に導電材１０７を形成し、その後、導電材１０６に外部接続端子４１を形成すると共に、導電材１０７に外部接続端子４３を形成することにより、電子部品内蔵基板１０１の電気的接続信頼性が向上できると共に、電子部品内蔵基板１０１の厚さ方向のサイズを小型化でき、さらに電子部品内蔵基板１０１の実装密度を向上させることができる。
【０１３２】
（第４の実施の形態）
図２８は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図２８において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１３３】
図２８を参照するに、第４の実施の形態の半導体装置１２０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた電子部品内蔵基板１３（図２参照）の代わりに電子部品内蔵基板１２１を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【０１３４】
電子部品内蔵基板１２１は、電子部品内蔵基板１３の構成に、さらに上部パッド１２３，１２４（第１の上部パッド）と、上部パッド１２５（第２の上部パッド）と、下部パッド１２７，１２８（第１の下部パッド）と、下部パッド１２９（第２の下部パッド）とを設けた以外は電子部品内蔵基板１３と同様に構成される。
【０１３５】
上部パッド１２３は、電極４５の上部と接触するように、電極４５と電極４６との間に位置する部分の電子部品３５の上面に設けられている。
【０１３６】
このように、電子部品３５の上面に電極４５の上部と接触する上部パッド１２３を設けることにより、基板接続用パッド２３と電極４５との間に相対的な位置ずれ（例えば、電子部品３５の形状ばらつきに起因する位置ずれ）が発生した際、基板接続用パッド２３と電極４５との間の電気的な接続信頼性が低下することを防止できる。
【０１３７】
なお、図２８では、電極４５の上端と上部パッド１２３の上面とに接触するように、外部接続端子４１（この場合、第１の外部接続端子）を配置した場合を例に挙げて図示したが、外部接続端子４１は、電極４５の上端のみと接触するように配置してもよいし、上部パッド１２３の上面のみと接触するように配置してもよい。
【０１３８】
上部パッド１２４は、電極４６の上部と接触するように、樹脂部材３７の上面３７Ｂに設けられている。
【０１３９】
このように、樹脂部材３７の上面３７Ｂに電極４６の上部と接触する上部パッド１２４を設けることにより、基板接続用パッド２３と電極４６との間に相対的な位置ずれ（例えば、電子部品３５の形状ばらつきに起因する位置ずれ）が発生した際、基板接続用パッド２３と電極４６との間の電気的な接続信頼性が低下することを防止できる。
【０１４０】
また、図２８では、電極４６の上端と上部パッド１２４の上面とに接触するように、外部接続端子４１（この場合、第１の外部接続端子）を配置した場合を例に挙げて図示したが、外部接続端子４１は、電極４６の上端のみと接触するように配置してもよいし、上部パッド１２４の上面のみと接触するように配置してもよい。
【０１４１】
上部パッド１２５は、導電部材３６の上部と接触するように、樹脂部材３７の上面３７Ｂに設けられている。
【０１４２】
このように、樹脂部材３７の上面３７Ｂに導電部材３６の上部と接触する上部パッド１２５を設けることにより、基板接続用パッド２３と導電部材３６との間に相対的な位置ずれが発生した際（例えば、電子部品内蔵基板１２１を形成する際に所定の位置から導電部材３６の位置がずれた際）、基板接続用パッド２３と導電部材３６との間の電気的な接続信頼性が低下することを防止できる。
【０１４３】
また、図２８では、導電部材３６の上端と上部パッド１２５の上面とに接触するように、外部接続端子４１（この場合、第２の外部接続端子）を配置した場合を例に挙げて図示したが、外部接続端子４１は、導電部材３６の上端のみと接触するように配置してもよいし、上部パッド１２５の上面のみと接触するように配置してもよい。
【０１４４】
上部パッド１２３〜１２５としては、例えば、Ｎｉ層と、Ｃｕ層とを順次積層したＮｉ／Ｃｕ積層膜や、Ｔｉ層と、Ｃｕ層とを順次積層させたＴｉ／Ｃｕ積層膜や、Ｃｒ層と、Ｃｕ層とを順次積層させたＣｒ／Ｃｕ積層膜等を用いることができる。
【０１４５】
下部パッド１２７は、電極４５の下部と接触するように、電極４５と電極４６との間に位置する部分の電子部品３５の下面に設けられている。
【０１４６】
このように、電子部品３５の下面に電極４５の下部と接触する下部パッド１２７を設けることにより、図示していない実装基板（例えば、マザーボード）のパッドと電極４５との間に相対的な位置ずれ（例えば、電子部品３５の形状ばらつきに起因する位置ずれ）が発生した際、実装基板のパッドと電極４５との間の電気的な接続信頼性が低下することを防止できる。
【０１４７】
また、図２８では、電極４５の下端と下部パッド１２７の下面とに接触するように、外部接続端子４３（この場合、第３の外部接続端子）を配置した場合を例に挙げて図示したが、外部接続端子４３は、電極４５の下端のみと接触するように配置してもよいし、下部パッド１２７の下面のみと接触するように配置してもよい。
【０１４８】
下部パッド１２８は、電極４６の下部と接触するように、樹脂部材３７の下面３７Ａに設けられている。
【０１４９】
このように、樹脂部材３７の下面３７Ａに電極４６の下部と接触する下部パッド１２８を設けることにより、図示していない実装基板（例えば、マザーボード）のパッドと電極４６との間に相対的な位置ずれ（例えば、電子部品３５の形状ばらつきに起因する位置ずれ）が発生した際、実装基板のパッドと電極４６との間の電気的な接続信頼性が低下することを防止できる。
【０１５０】
また、図２８では、電極４６の下端と下部パッド１２８の下面とに接触するように、外部接続端子４３（この場合、第３の外部接続端子）を配置した場合を例に挙げて図示したが、外部接続端子４３は、電極４６の下端のみと接触するように配置してもよいし、下部パッド１２８の下面のみと接触するように配置してもよい。
【０１５１】
下部パッド１２９は、導電部材３６の下部と接触するように、樹脂部材３７の下面３７Ａに設けられている。
【０１５２】
このように、樹脂部材３７の下面３７Ａに導電部材３６の下部と接触する下部パッド１２９を設けることにより、図示していない実装基板（例えば、マザーボード）のパッドと導電部材３６との間に相対的な位置ずれが発生した際（例えば、電子部品内蔵基板１２１を形成する際に所定の位置から導電部材３６の位置がずれた際）、実装基板のパッドと導電部材３６との間の電気的な接続信頼性が低下することを防止できる。
【０１５３】
また、図２８では、導電部材３６の下端と下部パッド１２９の下面とに接触するように、外部接続端子４３を配置した場合を例に挙げて図示したが、外部接続端子４３（この場合、第４の外部接続端子）は、導電部材３６の下端のみと接触するように配置してもよいし、下部パッド１２９の下面のみと接触するように配置してもよい。
【０１５４】
下部パッド１２７〜１２９としては、例えば、Ｎｉ層と、Ｃｕ層とを順次積層したＮｉ／Ｃｕ積層膜や、Ｔｉ層と、Ｃｕ層とを順次積層させたＴｉ／Ｃｕ積層膜や、Ｃｒ層と、Ｃｕ層とを順次積層させたＣｒ／Ｃｕ積層膜等を用いることができる。
【０１５５】
本実施の形態の電子部品内蔵基板によれば、電子部品３５の上面に電極４５の上部と接触する上部パッド１２３と、樹脂部材３７の上面３７Ｂに電極４６の上部と接触する上部パッド１２４と、樹脂部材３７の上面３７Ｂに導電部材３６の上部と接触する上部パッド１２５とを設けることにより、基板接続用パッド２３と電極４５，４６との間の相対的な位置ずれや、基板接続用パッド２３と導電部材３６との間の相対的な位置ずれが発生した場合でも、基板接続用パッド２３と電極４５，４６及び導電部材３６との間の電気的な接続信頼性が低下することを防止できる。
【０１５６】
また、電子部品３５の下面に電極４５の下部と接触する下部パッド１２７と、樹脂部材３７の下面３７Ａに電極４６の下部と接触する下部パッド１２８と、樹脂部材３７の下面３７Ａに導電部材３６の下部と接触する下部パッド１２９とを設けることにより、図示していない実装基板（例えば、マザーボード）のパッドと電極４５との間の相対的な位置ずれや、図示していない実装基板（例えば、マザーボード）のパッドと導電部材３６との間の相対的な位置ずれが発生した場合でも、実装基板のパッドと電極４５，４６及び導電部材３６との間の電気的な接続信頼性が低下することを防止できる。
【０１５７】
本実施の形態の半導体装置によれば、上記構成とされた電子部品内蔵基板１２１を備えることにより、半導体装置１２０の電気的接続信頼性を向上できると共に、半導体装置１２０と半導体装置１２０が電気的に接続される図示していない実装基板（例えば、マザーボード）との電気的接続信頼性を向上することができる。
【０１５８】
なお、本実施の形態の電子部品内蔵基板１２１に設けられた導電部材３６の代わりに、先に説明した導電部材５３（図１９参照）を設けてもよい。
【０１５９】
図２９は、本発明の第４の実施の形態の変形例に係る電子部品内蔵基板の断面図である。
【０１６０】
図２９を参照するに、第４の実施の形態の変形例の電子部品内蔵基板１３５は、第４の実施の形態の電子部品内蔵基板１２１に設けられた樹脂部材３７の代わりに樹脂部材１３６を設けた以外は電子部品内蔵基板１２１と同様に構成される。
【０１６１】
樹脂部材１３６は、開口部１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃ，１３８Ａ，１３８Ｂ，１３８Ｃを設けると共に、その厚さを樹脂部材３７よりも厚くした以外は樹脂部材３７と同様に構成される。
【０１６２】
開口部１３７Ａは、上部パッド１２５の上面と、導電部材３６の上端の一部とを露出するように形成されている。開口部１３７Ｂは、上部パッド１２３の上面と、電極４５の上端の一部とを露出するように形成されている。開口部１３７Ｃは、上部パッド１２４の上面と、電極４６の上端の一部とを露出するように形成されている。開口部１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃは、外部接続端子４１の一部を収容するための開口部である。
【０１６３】
開口部１３８Ａは、下部パッド１２９の上面と、導電部材３６の下端の一部とを露出するように形成されている。開口部１３８Ｂは、下部パッド１２７の下面と、電極４５の下端の一部とを露出するように形成されている。開口部１３８Ｃは、下部パッド１２８の下面と、電極４６の下端の一部とを露出するように形成されている。開口部１３８Ａ，１３８Ｂ，１３８Ｃは、外部接続端子４３の一部を収容するための開口部である。
【０１６４】
本実施の形態の変形例の電子部品内蔵基板によれば、樹脂部材３７よりも厚さの厚い樹脂部材１３６に、外部接続端子４１の一部を収容する開口部１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃを設けることにより、開口部１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃを構成する部分の樹脂部材１３６が外部接続端子４１の位置を規制するため、隣接する外部接続端子４１がショートすることを防止できる。
【０１６５】
また、樹脂部材３７よりも厚さの厚い樹脂部材１３６に、外部接続端子４３の一部を収容する開口部１３８Ａ，１３８Ｂ，１３８Ｃを設けることにより、開口部１３８Ａ，１３８Ｂ，１３８Ｃを構成する部分の樹脂部材１３６が外部接続端子４３の位置を規制するため、隣接する外部接続端子４３がショートすることを防止できる。
【０１６６】
なお、本実施の形態の電子部品内蔵基板１３５に設けられた導電部材３６の代わりに、図１９で説明した導電部材５３を設けてもよい。
【０１６７】
図３０及び図３１は、本発明の第４の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図である。図３０及び図３１において、第４の実施の形態の電子部品内蔵基板１２１と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１６８】
図３０及び図３１を参照して、第４の実施の形態の電子部品内蔵基板１２１の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図５〜図１０に示す工程と同様な処理を行うことにより、図１０に示す構造体を形成する。
【０１６９】
次いで、図３０に示す工程では、上部パッド１２３〜１２５及び下部パッド１２７〜１２９を形成する（上部パッド形成工程及び下部パッド形成工程）。具体的には、例えば、セミアディティブ法により、上部パッド１２３〜１２５及び下部パッド１２７〜１２９を形成する。この場合、上部パッド１２３〜１２５及び下部パッド１２７〜１２９としては、例えば、Ｎｉ層（厚さは、例えば、５μｍ）と、Ｃｕ層（厚さは、例えば、３μｍ）とを順次積層させたＮｉ／Ｃｕ積層膜を用いることができる。
【０１７０】
また、上部パッド１２３〜１２５及び下部パッド１２７〜１２９は、例えば、成膜した金属膜をエッチングすることで形成してもよい。この場合、上部パッド１２３〜１２５及び下部パッド１２７〜１２９としては、例えば、Ｔｉ層（厚さは、例えば、０．１μｍ）と、Ｃｕ層（厚さは、例えば、０．５μｍ）とを順次積層させたＴｉ／Ｃｕ積層膜や、Ｃｒ層（厚さは、例えば、０．１μｍ）と、Ｃｕ層（厚さは、例えば、０．５μｍ）とを順次積層させたＣｒ／Ｃｕ積層膜等を用いることができる。
【０１７１】
さらに、図３０に示す工程では、上部パッド１２３〜１２５及び下部パッド１２７〜１２９のうち、少なくとも１つの上部パッドと下部パッドとを形成してもよい。
【０１７２】
次いで、図３１に示す工程では、外部接続端子４１，４３を形成する。これにより、電子部品内蔵基板１３５が製造される。
【０１７３】
本実施の形態の電子部品内蔵基板の製造方法によれば、外部接続端子４１を形成する前に、上部パッド１２３〜１２５を形成することにより、外部接続端子４１の配設位置がずれた場合でも、外部接続端子４１の一部、或いは全部を上部パッド１２３〜１２５に載置することが可能となるため、電子部品内蔵基板１３５の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１７４】
また、外部接続端子４３を形成する前に、下部パッド１２７〜１２９を形成することにより、外部接続端子４３の配設位置がずれた場合でも、外部接続端子４３の一部、或いは全部を下部パッド１２７〜１２９に載置することが可能となるため、電子部品内蔵基板１３５の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１７５】
（第５の実施の形態）
図３２は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図３２において、第４の実施の形態の半導体装置１２０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１７６】
図３２を参照するに、第５の実施の形態の半導体装置１４０は、第４の実施の形態の半導体装置１２０に設けられた電子部品内蔵基板１２１の代わりに電子部品内蔵基板１４１を設けた以外は半導体装置１２０と同様に構成される。
【０１７７】
電子部品内蔵基板１４１は、電子部品内蔵基板１２１に設けられた外部接続端子４１，４３の代わりに、外部接続端子１４３，１４４を設けた以外は電子部品内蔵基板１２１と同様に構成される。
【０１７８】
本実施の形態の場合、電極４５の上端と上部パッド１２３の上面とに接触するように配置された外部接続端子１４３と、電極４６の上端と上部パッド１２４の上面とに接触するように配置された外部接続端子１４３とが第１の外部接続端子であり、導電部材３６の上端と上部パッド１２５の上面とに接触するように配置された外部接続端子１４３が第２の外部接続端子である。
【０１７９】
また、電極４５の下端と下部パッド１２７の下面とに接触するように配置された外部接続端子１４４と、電極４６の下端と下部パッド１２８の下面とに接触するように配置された外部接続端子１４４とが第３の外部接続端子であり、導電部材３６の下端と下部パッド１２９の下面とに接触するように配置された外部接続端子１４４が第４の外部接続端子である。
【０１８０】
外部接続端子１４３は、Ａｕバンプ１４６と、はんだ１４７とを有した構成とされている。Ａｕバンプ１４６は、上部パッド１２３〜１２５上に配置されている。Ａｕバンプ１４６の上端は、基板接続用パッド２３と接続されている。はんだ１４７は、Ａｕバンプ１４６の側面を覆うように、基板接続用パッド２３と上部パッド１２３〜１２５との間に設けられている。はんだ１４７としては、例えば、はんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ）を用いることができる。
【０１８１】
外部接続端子１４４は、Ａｕバンプ１４８と、はんだ１４９とを有した構成とされている。Ａｕバンプ１４８は、下部パッド１２７〜１２９上に配置されている。Ａｕバンプ１４８の下端は、図示していない実装基板（例えば、マザーボード）のパッドと接続される部分である。はんだ１４９は、Ａｕバンプ１４８を覆うように、下部パッド１２７〜１２９に設けられている。はんだ１４９としては、例えば、はんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ）を用いることができる。
【０１８２】
本実施の形態の電子部品内蔵基板によれば、Ａｕバンプ１４６と、はんだ１４７とを有した外部接続端子１４３を設け、Ａｕバンプ１４６の上端を基板接続用パッド２３に接続することにより、外部接続端子１４３を介して、電気的に接続される配線基板１１と電子部品内蔵基板１４１との間の電気的に接続信頼性を向上させることができる。
【０１８３】
また、Ａｕバンプ１４８と、はんだ１４９とを有した外部接続端子１４４を設け、外部接続端子１４４を介して、図示していない実装基板（例えば、マザーボード）と電子部品内蔵基板１４１とを電気的に接続することにより、図示していない実装基板と電子部品内蔵基板１４１との間の電気的に接続信頼性を向上させることができる。
【０１８４】
図３３は、本発明の第５の実施の形態の変形例に係る電子部品内蔵基板の断面図である。図３３において、第５の実施の形態の電子部品内蔵基板１４１と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１８５】
図３３を参照するに、第５の実施の形態の変形例の電子部品内蔵基板１５５は、第５の実施の形態の電子部品内蔵基板１４１に設けられた樹脂部材３７の代わりに、第４の実施の形態の変形例の電子部品内蔵基板１３５（図２９参照）に設けられた樹脂部材１３６を設けた以外は電子部品内蔵基板１４１と同様に構成される。
【０１８６】
このような構成とされた電子部品内蔵基板１５５は、第５の実施の形態の電子部品内蔵基板１４１と同様な効果を得ることができる。
【０１８７】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１８８】
例えば、電子部品３５の電極４５，４６上及び導電部材３５，５３上にＡｇペースト又ははんだを設けてもよい。これにより、Ａｇペーストを介して、様々な直径とされた外部接続端子４１を電子部品３５の電極４５，４６上及び導電部材３５，５３上に搭載することができる。
【０１８９】
なお、導電部材３６，５３は、必要に応じて電力線として用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１９０】
本発明は、電子部品を内蔵した電子部品内蔵基板及びその製造方法、及び半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１９１】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その７）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品内蔵基板を製造する際に使用する構造体の断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図２５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図２７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図２８】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２９】本発明の第４の実施の形態の変形例に係る電子部品内蔵基板の断面図である。
【図３０】本発明の第４の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図３１】本発明の第４の実施の形態に係る電子部品内蔵基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図３２】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３３】本発明の第５の実施の形態の変形例に係る電子部品内蔵基板の断面図である。
【符号の説明】
【０１９２】
１０，５０，６０，９０，１００，１２０，１４０，１６０  半導体装置
１１  配線基板
１２  半導体チップ
１３，５１，６１，９１，１０１，１２１，１３５，１４１，１５５，１６１  電子部品内蔵基板
１５  バンプ
１６，１７  アンダーフィル樹脂
２１  絶縁層積層体
２１Ａ，３７Ｂ  上面
２１Ｂ，３７Ａ，１０９Ａ  下面
２２  チップ接続用パッド
２３  基板接続用パッド
２４  配線パターン
２６，２７  ソルダーレジスト層
３１，９６  電極パッド
３５，９２，１０３  電子部品
３６，５３  導電部材
３７，６２，１３６  樹脂部材
４１，４３，１４３，１４４  外部接続端子
４５，４６，１１２，１１３  電極
４８  金属ボール
４９  はんだ
５４  柱状部材
５５  金属膜
６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ，６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃ，１３８Ａ，１３８Ｂ，１３８Ｃ  開口部
７１  支持体
７２  支持体本体
７３  粘着層
７６，８１  マスク
７７〜７９，８２〜８４  貫通部
９２Ａ  面
９３  配線
９４  パッド
９８  構造体
９９  樹脂層
１０４，１０９  非導電材
１０６，１０７  導電材
１２３，１２４，１２５  上部パッド
１２７，１２８，１２９  下部パッド
１４６，１４８  Ａｕバンプ
１４７，１４９  はんだ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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