(57)【要約】【課題】熱を逃がし易くかつ耐湿性に優れる光モジュール、および、かかる光モジュールを備える電子機器を提供すること。【解決手段】光モジュール１は、基板２と、この基板２に設けられた面発光レーザ（レーザ光源）４と、基板２に接合されたパッケージ（封止部材）５と、基板２とパッケージ５とを接合する接合膜３とを有し、基板２およびパッケージ５の少なくとも一方は、金属系材料を主材料として構成されている。接合膜３は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、この接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合している。【選択図】図１
2009135347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の一方の面側に設けられたレーザ光源と、
前記レーザ光源を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料を主材料として構成されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項５】
前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし４のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項６】
基板と、
該基板の一方の面側に設けられたレーザ光源と、
前記レーザ光源を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料を主材料として構成されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする光モジュール。
【請求項７】
前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項６に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項７に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項７または８に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項７ないし９のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記脱離基は、アルキル基である請求項１０に記載の光モジュール。
【請求項１２】
前記有機金属材料は、金属錯体である請求項７ないし１１のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項１３】
前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種である請求項６ないし１２のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項１４】
前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項６ないし１３のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項１５】
前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１４のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項１６】
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項１５に記載の光モジュール。
【請求項１７】
前記接合膜の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍである請求項１ないし１６のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項１８】
前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし１７のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項１９】
前記基板の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１８のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項２０】
前記封止部材の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１９のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項２１】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項１９または２０に記載の光モジュール。
【請求項２２】
前記基板と前記接合膜との間に、中間層が介挿されている請求項１ないし２１のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項２３】
前記封止部材と前記接合膜との間に、中間層が介挿されている請求項１ないし２２のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項２４】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項２２または２３に記載の光モジュール。
【請求項２５】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし２４のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項２６】
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２５に記載の光モジュール。
【請求項２７】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項２５または２６に記載の光モジュール。
【請求項２８】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２５ないし２７のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項２９】
前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項２５ないし２８のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項３０】
前記基板が金属材料で構成されており、
前記レーザ光源は、平板状の基部と、該基部の一方の面側に設けられたレーザ発振部および端子とを備え、該レーザ発振部が前記封止部材側を向くようにして、その他方の面が第２の接合膜を介して前記基板に接合されている請求項１ないし２９のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項３１】
前記第２の接合膜と前記接合膜とは、一括して形成されたものである請求項３０に記載の光モジュール。
【請求項３２】
前記基板は、前記封止部材が設けられた面側に、前記レーザ光源の前記端子と電気的に接続される基板側端子を備え、
該基板側端子と前記接合膜とは、一括して形成されたものである請求項１ないし３１のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項３３】
前記封止部材が金属材料で構成されており、
前記レーザ光源は、平板状の基部と、該基部の一方の面側に設けられたレーザ発振部および端子とを備え、該レーザ発振部が前記基板側を向くようにして、前記端子が前記基板側端子に直接接合されている請求項３２に記載の光モジュール。
【請求項３４】
前記基板は、透光性を有する請求項３３に記載の光モジュール。
【請求項３５】
前記レーザ光源は、半導体レーザである請求項１ないし３４のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項３６】
請求項１ないし３５のいずれかに記載の光モジュールを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線や回路が形成された基板上に、発光部（レーザ光源）を設けて、封止用樹脂（封止部）で封止した発光素子（光モジュール）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
この発光素子では、封止用樹脂で発光部を封止するため、発光部の発熱による熱が発光素子内に蓄積し易いという問題がある。
また、封止用樹脂を介して、水分がレーザ素子内に浸入して、発光素子が劣化するという問題もある。特に、この現象は、高温高湿環境下で顕著である。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２９４９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、熱を逃がし易くかつ耐湿性に優れる光モジュール、および、かかる光モジュールを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光モジュールは、基板と、
該基板の一方の面側に設けられたレーザ光源と、
前記レーザ光源を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料を主材料として構成されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、熱を逃がし易くかつ耐湿性に優れる光モジュールが得られる。
【０００６】
本発明の光モジュールでは、前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性と伝熱性とを発揮するものとなる。
本発明の光モジュールでは、前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。
【０００７】
本発明の光モジュールでは、前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
かかる構成の接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜は、基板に対して特に強固に接着するとともに、封止部材に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板と封止部材とを強固に接合することができる。また、かかる構成の接合膜は、優れた伝熱性を有するため、レーザ光源で生じた熱を、間接的に、パッケージおよび接合膜を介して効率よく基板に伝えることができる。その結果、より効果的に光モジュール外に廃熱することができ、レーザ光源が熱によって劣化するのを防止することができる。
本発明の光モジュールでは、前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜と封止部材とをより強固に接合することができるようになる。
【０００８】
本発明の光モジュールは、基板と、
該基板の一方の面側に設けられたレーザ光源と、
前記レーザ光源を封止するように、前記基板に接合された封止部材と、
前記基板と前記封止部材とを接合する接合膜とを有し、
前記基板および前記封止部材の少なくとも一方は、金属系材料を主材料として構成されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記基板と前記封止部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、熱を逃がし易くかつ耐湿性に優れる光モジュールが得られる。
【０００９】
本発明の光モジュールでは、前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜を成膜することができる。
本発明の光モジュールでは、前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜として、純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。
【００１０】
本発明の光モジュールでは、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。
【００１１】
本発明の光モジュールでは、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。
【００１２】
本発明の光モジュールでは、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を備える接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の光モジュールでは、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いて接合膜を成膜することにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、確実に接合膜を形成することができる。
【００１３】
本発明の光モジュールでは、前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性および伝熱性を発揮するものとなる。特に、接合膜が優れた伝熱性を有することにより、レーザ光源で生じた熱を、間接的に、パッケージおよび接合膜を介して効率よく基板に伝えることができる。その結果、より効果的に光モジュール外に廃熱することができ、レーザ光源が熱によって劣化するのを防止することができる。
【００１４】
本発明の光モジュールでは、前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜の安定性が高くなり、基板と封止部材とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜を優れた導電性および伝熱性を発揮するものとすることができる。
【００１５】
本発明の光モジュールでは、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、基板や封止部材等の被着体に対して、化学的結合に基づいて強固に接合可能な接合膜が得られる。
本発明の光モジュールでは、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、基板や封止部材等の被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
【００１６】
本発明の光モジュールでは、前記接合膜の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、接合膜と基板や封止部材等の被着体とを接合した光モジュールの寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
本発明の光モジュールでは、前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜を用いて得られた光モジュールの寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。また、従来に比べ、短時間で強固な接合が可能になる。
【００１７】
本発明の光モジュールでは、前記基板の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、基板の表面を清浄化および活性化し、接合膜と基板との接合強度を高めることができる。
本発明の光モジュールでは、前記封止部材の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、封止部材の表面を清浄化および活性化し、接合膜と封止部材との接合強度を高めることができる。
【００１８】
本発明の光モジュールでは、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、基板や封止部材の表面を特に最適化することができる。
本発明の光モジュールでは、前記基板と前記接合膜との間に、中間層が介挿されていることが好ましい。
これにより、信頼性の高い光モジュールを得ることができる。
【００１９】
本発明の光モジュールでは、前記封止部材と前記接合膜との間に、中間層が介挿されていることが好ましい。
これにより、信頼性の高い光モジュールを得ることができる。
本発明の光モジュールでは、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、基板や封止部材と接合膜との間の接合強度を特に高めることができる。
【００２０】
本発明の光モジュールでは、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
【００２１】
本発明の光モジュールでは、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００２２】
本発明の光モジュールでは、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
本発明の光モジュールでは、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて基板や封止部材に損傷等が生じるのを防止しつつ、光モジュールの接合強度を確実に高めることができる。
【００２３】
本発明の光モジュールでは、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の光モジュールでは、前記基板が金属材料で構成されており、
前記レーザ光源は、平板状の基部と、該基部の一方の面側に設けられたレーザ発振部および端子とを備え、該レーザ発振部が前記封止部材側を向くようにして、その他方の面が第２の接合膜を介して前記基板に接合されていることが好ましい。
これにより、熱膨張によって基板およびレーザ光源が変形等した場合であっても、レーザ光源が基板から剥離するのを好適に防止することができる。
【００２４】
本発明の光モジュールでは、前記第２の接合膜と前記接合膜とは、一括して形成されたものであることが好ましい。
これにより、光モジュールの製造コストを低減することがでる。
本発明の光モジュールでは、前記基板は、前記封止部材が設けられた面側に、前記レーザ光源の前記端子と電気的に接続される基板側端子を備え、
該基板側端子と前記接合膜とは、一括して形成されたものであることが好ましい。
これにより、光モジュールの製造コストを低減することがでる。
【００２５】
本発明の光モジュールでは、前記封止部材が金属材料で構成されており、
前記レーザ光源は、平板状の基部と、該基部の一方の面側に設けられたレーザ発振部および端子とを備え、該レーザ発振部が前記基板側を向くようにして、前記端子が前記基板側端子に直接接合されていることが好ましい。
これにより、熱膨張によって基板およびレーザ光源が変形等した場合であっても、レーザ光源が基板から剥離するのを好適に防止することができる。
【００２６】
本発明の光モジュールでは、前記基板は、透光性を有することが好ましい。
これにより、確実にレーザ光を発振（出射）することができる。
本発明の光モジュールでは、前記レーザ光源は、半導体レーザであることが好ましい。
各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは、発光特性が高いものであることから好ましい。また、半導体レーザは、特に水分の影響を受け易いため、本発明を適用するのが好ましい。
本発明の電子機器は、本発明の光モジュールを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の光モジュールおよび電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜光モジュール＞
まず、本発明の光モジュールについて説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の光モジュールの第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の光モジュールの第１実施形態を示す図（（ａ）は一部切り欠いて示す平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）、図２は、図１に示す光モジュールにおける接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図３は、図１に示す光モジュールにおける接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図４は、Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図５は、図４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図６は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図７は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図８は、IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図９〜図１０は、それぞれ、図１に示す光モジュールの製造方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図１（ｂ）および図２〜図７中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００２８】
図１に示す光モジュール１は、基板２と、基板２の上面側に設けられた半導体レーザの一種である面発光レーザ（レーザ光源）４と、面発光レーザ４を封止するパッケージ（封止部材）５と、基板２とパッケージ５および面発光レーザ４とを接合する接合膜３とを有している。以下、各部の構成について説明する。
本実施形態において、基板２は、金属系材料を主材料として構成されている。これにより、面発光レーザ４の発熱による熱を、基板２を介して光モジュール１の外部に効率よく放熱することができるようになる。その結果、面発光レーザ４の熱による悪影響（例えば、変形、劣化等）を好適に防止することができる。
【００２９】
このような金属系材料としては、特に限定されないが、ステンレス鋼や、チタン、アルミニウム、モリブテン、クロム、タンタルまたはこれらの合金等が挙げられる。
基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．３〜３ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１．５ｍｍ程度であるのがより好ましい。かかる厚さ基板２を用いることにより、基板２の機械的強度および放熱効果を十分に維持することができる。
【００３０】
基板２の上面（一方の面）には、複数の基板側端子２２がそれぞれ絶縁膜２１を介して設けられている。基板側端子２２には、後述するように、面発光レーザ４が備える端子４２がワイヤ６を介して電気的に接続されている。
絶縁膜２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート等の樹脂系材料、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、アルミナ、シリコンカーバイド等のセラミックス系材料等が挙げられる。
【００３１】
本実施形態において、基板側端子２２は、導電性を有するものであればよいが、接合膜３（第１の接合膜および第２の接合膜）と、一括して形成されたものであるが好ましい。この場合、これらの材料は、導電性を有するのが選択され、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものとすることができる。
【００３２】
このように、基板側端子２２および接合膜３を一括して形成することにより、光モジュール１の製造コストを低減することがでる。また、後述するように、接合膜３は、所定の処理を施すことにより、その表面に接着性を発現するが、基板側端子２２が接合膜３と同様の性質を有すれば、ワイヤ（ボンディングワイヤ）６との接合強度を向上させることができる。
なお、基板側端子２２は、必要に応じて、接合膜３と個別に形成する（設ける）ようにしてもよい。
基板２の上面には、面発光レーザ４が接合膜３（第２の接合膜）を介して接合されている。
【００３３】
図１（ｂ）に示すように、面発光レーザ４は、平板状の基部４０と、この基部４０の一方の面側に設けられたレーザ発振部４１および端子４２とを備えている。そして、本実施形態では、レーザ発振部４１が上側（パッケージ５側）を向くようにして、その下側の面（他方の面）が接合膜３を介して基板２に接合されている。
面発光レーザ４を、接合膜３を介して基板２に接合することにより、接合膜３が後述するように優れた接着性を有するものであることから、熱膨張によって基板２および面発光レーザ４が変形等した場合であっても、面発光レーザ４が基板２から剥離するのを好適に防止することができる。
【００３４】
基部４０は、例えば、ガリウム砒素等の半導体材料で構成された活性層４０ａと、この活性層４０ａの両側の面に設けられた多層反射膜４０ｂ、４０ｃとを備えている。各多層反射膜４０ｂ、４０ｃは、屈折率の異なる材料を交互に積み重ねて形成された多層構造を有する。
かかる面発光レーザ４では、活性層４０ａで、電気エネルギーを光エネルギーに変換してレーザ光を生成し、生成したレーザ光を、各多層反射膜４０ｂ、４０ｃ間で反射して増幅した後、レーザ発振部４１から発振（出射）する。
【００３５】
レーザ発振部４１は、図１（ａ）に示すように、面発光レーザ４の平面視で、ほぼ中央部に設けられ、端子４２は、レーザ発振部４１の周囲に複数（本実施形態では、６個）設けられている。端子４２を介して外部（図示しない半導体素子）から電気信号が、面発光レーザ４に入力される。
端子４２と、対応する基板側端子２２とは、ワイヤ６により接続（ワイヤボンディング）されている。このワイヤ６は、例えば、金線やアルミニウム線で構成される。
【００３６】
基部４０は、図示のように、平面視が四角形状をなしている場合、縦および横方向の長さが、それぞれ、３００〜５００μｍ程度であるのが好ましい。また、基部４０の厚さ（高さ）は、２５０〜３５０μｍ程度であるのが好ましい。
また、基板２上には、面発光レーザ４以外にも、面発光レーザ４を駆動するための半導体素子（図示せず）が実装（搭載）されている。本実施形態では、パッケージ５外に設けられている。そして、この半導体素子と基板側端子２２とが、図示しない配線により電気的に接続されている。
このように基板２上に設けられた（搭載された）面発光レーザ４を覆うように、基板２にパッケージ５が接合されている。これにより、面発光レーザ４が基板２とパッケージ５とで画成される空間内に封止されている。
【００３７】
このパッケージ５は、天板部５１と天板部５１の周囲に沿って設けられた周壁部５２とを備え、その全体として枡状をなしている。パッケージ５の構成材料には、耐湿性を有する材料が好適に用いられる。パッケージ５を耐湿性を有する材料で構成することにより、光モジュール１の吸湿による特性（面発光レーザ４の特性）の低下をより確実に防止することができる。
【００３８】
かかる材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼のような金属系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、ハイドロキシアパタイト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂のような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を用いることができる。
【００３９】
特に、パッケージ５は、金属系材料やセラミックス系材料を主材料として構成するのが好ましい。これにより、面発光レーザ４から生じる熱をより効率よく光モジュール１から放熱することができる。
本実施形態のパッケージ５は、本体部５０の天板部５１の中央部に、開口部５１０が形成されており、この開口部５１０を塞ぐように設けられた透光性部材５３を備えている。これにより、レーザ光は、開口部５１０を介して光モジュール１から出射される。
【００４０】
かかる構成においては、本体部５０を金属系材料またはセラミックス系材料を主材料として構成し、透光性部材５３をガラス系材料を主材料として構成するのが好ましい。これにより、レーザ光の発振強度が低下するのを防止しつつ、光モジュール１の気密性を確実に確保することができる。
パッケージ５の平均厚さは、特に限定されないが、基板２と同程度とするのが好ましい。
なお、透光性部材５３の本体部５０への接合にも、後述する接合膜３を適用するのが好ましい。これにより、光モジュール１の気密性を十分に確保することができる。
【００４１】
本実施形態では、このようなパッケージ５および前記面発光レーザ４が、接合膜３（第１の接合膜および第２の接合膜）を介して基板２に接合されている。
パッケージ５を基板２に接合する第１の接合膜と面発光レーザ４を基板２に接合する第２の接合膜とは、互いに異なるもであってよいが、本実施形態では、第１の接合膜と第２の接合膜とが、同一の膜すなわち接合膜３として一括して形成され、さらに、基板側端子２２も接合膜３と一括して形成されている。これにより、これらを個別に形成する場合と比較して、光モジュール１の製造コストを大幅に削減することができる。
【００４２】
なお、本実施形態では、接合膜３と基板側端子２２とを一括して形成するため、接合膜３について代表して説明する。
本発明では、この接合膜３の構成に特徴を有しており、具体的には、接合膜３としては、次のようなＩまたはIIの構成のものが用いられる。
以下、ＩおよびIIの構成の接合膜３について、それぞれ、詳述する。また、本実施形態では、基板２側に設けられた接合膜３について説明した後、この接合膜３でパッケージ５および面発光レーザ４を基板２に接合する場合について説明する。
【００４３】
Ｉ：まず、Ｉの構成の接合膜３は、基板２上に設けられ、金属原子と、この金属原子結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである（図２参照。）。換言すれば、接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したものと言うことができる。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図３に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５の付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３を備えた基板２は、面発光レーザ４およびパッケージ５に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
【００４４】
また、接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち主として金属酸化物で構成されるものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、光モジュール１では、面発光レーザ４およびパッケージ５の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３を用いて得られる光モジュール１の寸法精度は、接着剤を用いる場合に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００４５】
また、本実施形態では、接合膜３は、導電性および伝熱性を有するものであるのが好ましい。これにより、接合膜３および基板側端子２２を一括して形成することが可能となり、光モジュール１の製造コストを低減することができる。また、面発光レーザ４で生じた熱を直接、面発光レーザ４直下の接合膜３（第２の接合膜）を介して、あるいは、間接的に、パッケージ５およびその直下の接合膜３（第１の接合膜）を介して効率よく基板２に伝えることができる。その結果、より効果的に光モジュール１外に廃熱することができ、面発光レーザ４が熱によって劣化するのを防止することができる。
【００４６】
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜３の表面３５付近に存在していればよく、接合膜３のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３の表面３５付近に偏在していてもよい。なお、脱離基３０３が表面３５付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３に、接合膜としての機能の他に、導電性および伝熱性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。
【００４７】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた導電性および伝熱性を発揮するものとなる。なお、かかる接合膜３は、高い透明性も有する。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
【００４８】
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５とをより強固に接合することができるようになる。
【００４９】
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００５０】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
【００５１】
以上のような各原子および原子団の中でも、Ｉの構成の接合膜３では、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
【００５２】
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、基板２に対して特に強固に接着するとともに、面発光レーザ４およびパッケージ５に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５とを強固に接合することができる。
【００５３】
また、かかる構成の接合膜３は、優れた伝熱性を有するため、面発光レーザ４で生じた熱を直接、面発光レーザ４直下の接合膜３（第２の接合膜）を介して、あるいは、間接的に、パッケージ５およびその直下の接合膜３（第１の接合膜）を介して効率よく基板２に伝えることができる。その結果、より効果的に光モジュール１外に廃熱することができ、面発光レーザ４が熱によって劣化するのを防止することができる。
【００５４】
また、接合膜３の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、光モジュール１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、基板２とパッケージ５とを接合する際の接合条件等によっては、光モジュール１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００５５】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５とを接合した際に、接合膜３の面発光レーザ４およびパッケージ５に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合条件等によって生じ得る光モジュール１の寸法精度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００５６】
以上説明したような接合膜３は、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ｉ−Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、接合膜３の表面３５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｉ−Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【００５７】
以下、Ｉ−ＡおよびＩ−Ｂの方法を用いて、接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
Ｉ−Ａ：Ｉ−Ａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を基板２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができるため、接合膜３のほぼ全体に亘って脱離基３０３を導入することができる。
【００５８】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、面発光レーザ４およびパッケージ５に対して特に強固に接合し得るものとなる。また、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、基板２に対しても高い密着性を示す。このため、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５との間に高い接合強度が得られる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、光モジュール１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００５９】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【００６０】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、基板２上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図４に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【００６１】
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【００６２】
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、基板２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【００６３】
イオン源（イオン銃）２１５は、図５に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図４に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
【００６４】
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
【００６５】
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【００６６】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【００６７】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、基板２および接合膜３が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【００６８】
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
【００６９】
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして基板２上に接合膜３が形成される。
まず、基板２を用意し、この基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００７０】
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【００７１】
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【００７２】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が基板２上に被着することにより、接合膜３が形成される。
【００７３】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
【００７４】
Ｉ−Ｂ：また、Ｉ−Ｂの方法では、接合膜３は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【００７５】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【００７６】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、基板２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【００７７】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ−Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法、Ｉ−Ｂ２：イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉ−Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｉ−Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【００７８】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｉ−Ｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、Ｉ−Ａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【００７９】
まず、基板２を用意する。そして、この基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００８０】
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
【００８１】
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、基板２上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【００８２】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【００８３】
次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、基板２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【００８４】
次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
【００８５】
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００８６】
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
【００８７】
II：次に、IIの構成の接合膜３は、基板２上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである（図６参照。）。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図７に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３を備えた基板２は、面発光レーザ４およびパッケージ５に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
【００８８】
また、接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、光モジュール１では、面発光レーザ４およびパッケージ５の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
このような接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、光モジュール１の寸法精度は、接着剤を用いる場合に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００８９】
また、本実施形態では、接合膜３は、導電性および伝熱性を有するものであるのが好ましい。これにより、接合膜３および基板側端子２２を一括して形成することが可能となり、光モジュール１の製造コストを低減することができる。また、面発光レーザ４で生じた熱を直接、面発光レーザ４直下の接合膜３（第２の接合膜）を介して、あるいは、間接的に、パッケージ５およびその直下の接合膜３（第１の接合膜）を介して効率よく基板２に伝えることができる。その結果、より効果的に光モジュール１外に廃熱することができ、面発光レーザ４が熱によって劣化するのを防止することができる。
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
【００９０】
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【００９１】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の導電性および伝熱性をより高めることができる。
【００９２】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、優れた導電性および伝熱性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【００９３】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００９４】
具体的には、IIの構成の接合膜３では、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
【００９５】
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３を優れた導電性および伝熱性を発揮するものとすることができる。
【００９６】
また、接合膜３の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、光モジュール１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３の材料等によっては、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、基板２とパッケージ５とを接合する際の接合条件等によっては、光モジュール１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００９７】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２とパッケージ５とを接合した際に、接合膜３のパッケージ５に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合条件等によって生じ得る光モジュール１の寸法精度の低下が認められない範囲で、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００９８】
以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、II−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜３を形成する方法、II−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、II−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、II−Ｃの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【００９９】
以下、II−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。
【０１００】
図８に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０１０１】
基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、基板２上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、基板２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１０２】
有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
【０１０３】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０４】
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１０５】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして基板２上に接合膜３が形成される。
【０１０６】
まず、基板２を用意する。そして、この基板２を成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。
次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０１０７】
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１０８】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
【０１０９】
次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０１１０】
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、基板２上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、基板２上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を基板２上に形成することができる。
【０１１１】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０１１２】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、基板２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【０１１３】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
【０１１４】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、基板２上に接合膜３を成膜すること、さらに、本実施形態では、基板２上に絶縁膜２１を介して基板側端子２２を成膜することができる。
【０１１５】
なお、基板２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、上記の方法により接合膜３を形成するのに先立って、基板２の構成材料に応じて、予め、基板２と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基板２の接合膜３を形成すべき領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、接合膜３と基板２との接合強度を高めることができる。
【０１１６】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３を形成するために、基板２の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す基板２の表面が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、基板２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる基板２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【０１１７】
このような材料で構成された基板２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された基板２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、基板２に強固に接合した接合膜３を形成することができる。なお、本実施形態では、基板２が金属系材料を主材料として構成されるため、前記表面処理を省略することができる。
【０１１８】
また、表面処理に代えて、基板２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、あらかじめ、中間層を形成するようにしてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、特に限定されるものではないが、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能、接合膜３を成膜する際に接合膜３の膜成長を促進する機能（シード層）、接合膜３を保護する機能（バリア層）等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基板２と接合膜３とを接合することになり、信頼性の高い光モジュール１を得ることができる。
【０１１９】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、銅およびその合金等の金属系材料、金属酸化物、金属窒化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各種材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基板２と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。
以上のようにして、基板２の一方の面に接合膜３を設けることができる。
【０１２０】
なお、上記では、接合膜３を基板２に設ける構成について説明したが、接合膜３は、面発光レーザ４およびパッケージ５に設けるようにしてもよい。この場合、面発光レーザ４およびパッケージ５の少なくとも接合膜３を形成すべき領域に、予め、前述したような表面処理を施したり、前述した中間層を設けるようにすればよい。
さらに、接合膜３は、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５との双方に設けるようにしてもよい。この場合には、表面処理や中間層の形成は、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行うようにしてもよい。
【０１２１】
次に、本実施形態の光モジュール１の製造方法、すなわち、接合膜３を介した基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５との接合方法について説明する。
［１］まず、基板２を用意し、その後、基板側端子２２を形成する領域に、絶縁膜２１を形成し、さらに、その上に基板側端子２２、および、所定の領域に接合膜３を形成する（図９（ａ）参照）。
【０１２２】
ここで、絶縁膜２１は、基板２の上面全体に、例えば気相または液相成膜法等により絶縁膜形成用材料を供給して被膜を形成した後、この被膜の不要な部分を除去（エッチング）することにより形成することができる。
さらに、前述したような方法で、絶縁膜２１が形成された基板２の上面に接合膜を形成した後、所定の形状にパターニングする。これにより、接合膜３（第１の接合膜および第２の接合膜）、および、絶縁膜２１上に基板側端子２２が形成される。以下、前述と同様に、接合膜３について代表して説明する。
【０１２３】
［２］次に、接合膜３の表面３５に対してエネルギーを付与する。なお、表面３５へのエネルギーの付与は、基板２の上面全体にわたってエネルギーを付与することにより行われてもよいし、表面３５に選択的にエネルギーを付与することにより行われてもよい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与すると、接合膜３では、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の表面３５付近から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手が接合膜３の表面３５付近に生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、面発光レーザ４およびパッケージ５との接着性（基板側端子２２の場合、その表面にワイヤ６との接着性）が発現する。
【０１２４】
このような状態の接合膜３は、面発光レーザ４およびパッケージ５と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。同様に、基板側端子２２は、ワイヤ６と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【０１２５】
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図９（ｂ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
【０１２６】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１２７】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１２８】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【０１２９】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１３０】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。
【０１３１】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。
【０１３２】
また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による基板２および接合膜３（および基板側端子２２）の変質・劣化、すなわち得られる光モジュール１の変質・劣化を防止することができる。
【０１３３】
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３と面発光レーザ４およびパッケージ５との間の接合強度を容易に制御することができる。
【０１３４】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【０１３５】
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図２および図６に示すように、その表面３５付近に脱離基３０３を有している。かかる接合膜３にエネルギーを付与すると、脱離基３０３（図２では、水素原子、図６では、メチル基）が接合膜３から脱離する。これにより、図３および図７に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【０１３６】
ここで、本明細書中において、接合膜３が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１３７】
したがって、活性手３０４とは、図３および図７に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、面発光レーザ４およびパッケージ５に対して（基板側端子２２の場合、ワイヤ６に対して）、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
【０１３８】
また、本実施形態では、接合膜３と面発光レーザ４およびパッケージ５（基板側端子２２とワイヤ６）とを接着する（貼り合わせる）前に、予め、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜３と面発光レーザ４およびパッケージ５とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行うようにしてもよい。
【０１３９】
［３］次に、面発光レーザ４を用意する。そして、図９（ｃ）に示すように、活性化させた接合膜３（第２の接合膜）と面発光レーザ４の多層反射膜４０ｃ（レーザ発振部４１が設けられていない他方の面）とが密着するようにして、接合膜３を面発光レーザ４に接触させる。これにより、前記工程［２］において、接合膜３が面発光レーザ４（被着体）に対する接着性が発現していることから、接合膜３と面発光レーザ４とが化学的に結合することとなり、接合膜３が面発光レーザ４に接着して、図９（ｄ）に示すように、面発光レーザ４が基板２に実装（搭載）されて、面発光レーザ搭載基板が得られる。
【０１４０】
このようにして得られた面発光レーザ搭載基板では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜３と面発光レーザ４とが接合されている。このため、面発光レーザ搭載基板は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
【０１４１】
また、このような面発光レーザ搭載基板を得る方法によれば、従来の固体接合のように、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された基板２および面発光レーザ４をも、接合に供することができる。
また、接合膜３を介して基板２と面発光レーザ４とを接合しているため、基板２や面発光レーザ４の構成材料に制約がないという利点もある。
以上のことから、基板２および面発光レーザ４の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
【０１４２】
また、固体接合では、接合膜を介していないため、基板２と面発光レーザ４との間の熱膨張率に大きな差がある場合、その差に基づく応力が接合界面に集中し易く、剥離等が生じるおそれがあったが、面発光レーザ搭載基板では、接合膜３によって応力の集中が緩和され、剥離の発生を的確に抑制または防止することができる。
また、後に詳述するが、基板２および面発光レーザ４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、接合膜３と面発光レーザ４とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化するのがよい。これにより、接合膜３と面発光レーザ４とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
【０１４３】
例えば、基板２と面発光レーザ４の熱膨張率が互いに異なっている場合、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
具体的には、基板２と面発光レーザ４との熱膨張率の差にもよるが、基板２および面発光レーザ４の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、接合膜３を面発光レーザ４に貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板２と面発光レーザ４との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、光モジュール１における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
【０１４４】
また、この場合、具体的な基板２と面発光レーザ４との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
さらに、基板２と面発光レーザ４は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、接合界面に熱応力が発生したとしても、この熱応力を接合膜３および面発光レーザ４のいずれか一方で吸収して、接合膜３と面発光レーザ４とをより強固に接合することができる。
【０１４５】
また、基板２および面発光レーザ４の各熱膨張率が互いに異なる場合には、例えば、接合膜３の熱膨張係数を、基板２の熱膨張係数と面発光レーザ４の熱膨張係数との間に調整するようにしてもよい。これにより、光モジュール１が熱膨張した場合でも、面発光レーザ４の基板２からの剥離をより確実に防止することができる。
かかる接合膜３の熱膨張係数は、その成膜時の原料の比率、成膜条件等を適宜設定することにより調整可能である。
【０１４６】
以上説明したような面発光レーザ４の接合膜３との接合に供される領域には、基板２と同様に、面発光レーザ４の基部４０（多層反射膜４０ｃ）の構成材料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ、多層反射膜４０ｃと接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜３と多層反射膜４０ｃ（面発光レーザ４）との接合強度をより高めることができる。
【０１４７】
なお、表面処理としては、基板２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
また、多層反射膜４０ｃ（基部４０）の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３と多層反射膜４０ｃとの接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる多層反射膜４０ｃの構成材料には、前述した基板２の構成材料と同様のもの（すなわち、各種金属系材料）の他、例えば、各種セラミックス系材料等が挙げられる。
【０１４８】
さらに、多層反射膜４０ｃ（基部４０）の接合膜３との接合に供される領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３と多層反射膜４０ｃ（面発光レーザ４）との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水素原子、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。
【０１４９】
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜３と特に強固に接合可能な面発光レーザ４が得られる。
また、表面処理に代えて、面発光レーザ４の接合膜３との接合に供される領域には、予め、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておいてもよい。これにより、かかる中間層を介して接合膜３と面発光レーザ４とを接合することになり、より接合強度の面発光レーザ搭載基板が得られるようになる。
【０１５０】
かかる中間層の構成材料には、前述の基板２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、接合膜３と面発光レーザ４とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、面発光レーザ４の接合膜３との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３と面発光レーザ４とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、面発光レーザ４の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３と面発光レーザ４とが接合されると推察される。
【０１５１】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と面発光レーザ４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と面発光レーザ４とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を面発光レーザ４に貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１５２】
換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、脱離基３０３を備えた状態で化学的に比較的安定な膜であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた基板２を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［２］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、光モジュール１の製造効率の観点から有効である。
【０１５３】
［４］次に、図１０（ｅ）に示すように、面発光レーザ４の端子４２と、基板２の基板側端子２２とをワイヤ６で接続（ワイヤボンディング）する。
基板側端子２２は、前述した接合膜３と同一の構成をなし、前記工程［２］により、その表面（３５）に接着性を発現している。このため、ワイヤ６の端部との高い接合強度が得られる。
【０１５４】
［５］次に、パッケージ５を用意する。そして、図１０（ｆ）に示すように、活性化させた接合膜３（第１の接合膜）とパッケージ５の下面（底面）とが密着するようにして、接合膜３をパッケージ５に接触させる。これにより、前記工程［２］において、接合膜３がパッケージ５（被着体）に対する接着性が発現していることから、接合膜３とパッケージ５とが化学的に結合することとなり、接合膜３がパッケージ５に接着して、図１０（ｇ）に示すように、パッケージ５が面発光レーザ搭載基板に接合され、光モジュール１が得られる。
【０１５５】
パッケージ５は、前述したような面発光レーザ４と同様に、基板２に接合される。なお、この際の接合処理における条件等は、前記面発光レーザ４の接合処理における条件等と同様とすることができる。
また、パッケージ５と基板２とを接合膜３を介して接合することにより、面発光レーザ４と基板２とを接合膜３を介して接合する場合と同様の効果が得られる他、パッケージ５に蓄積された熱を接合膜３および基板２を介して、光モジュール１の外部に放出することができる。
【０１５６】
さらに、形成される接合膜３は、その密度が高いものとなる。このため、接合膜３を介して水分が光モジュール１内に浸入するのをより確実に防止することができる。その結果、光モジュール１（面発光レーザ４）の特性の劣化を好適に防止することができる。かかる効果は、高温多湿環境下において特に顕著に発揮される。
以上のようにして、光モジュール１を得ることができる。
【０１５７】
このようにして得られた光モジュール１は、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する光モジュール１は、各部の剥離を十分に防止し得るものとなる。すなわち、得られる光モジュール１は、耐久性に優れたものとなる。また、本発明によれば、基板２と面発光レーザ４およびパッケージ５とが上記のような大きな接合強度で接合された光モジュール１を効率よく作製することができる。
【０１５８】
なお、従来のシリコン基板同士を直接接合するような固体接合では、接合に供される基板の表面を活性化させても、その活性状態は、大気中で数秒〜数十秒程度の極めて短時間しか維持することができなかった。このため、表面の活性化を行った後、接合する２つの基板を貼り合わせる等の作業に要する時間を、十分に確保することができないという問題があった。
【０１５９】
これに対し、本発明によれば、比較的長時間に亘って活性状態を維持することができる。このため、貼り合わせ作業に要する時間を十分に確保することができ、接合作業の効率化を高めることができる。なお、比較的長時間に亘って活性状態を維持し得ることは、有機成分で構成される脱離基３０３が脱離した活性化状態が安定化していることに起因しているものと推察される。
なお、光モジュール１を得る際、または、光モジュール１を得た後に、この光モジュール１に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［６Ａ］、［６Ｂ］および［６Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（光モジュール１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、光モジュール１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１６０】
［６Ａ］  本工程では、得られた光モジュール１を、基板２とパッケージ５とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、基板２の表面およびパッケージ５の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、光モジュール１における接合強度をより高めることができる。
また、光モジュール１を加圧することにより、光モジュール１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、光モジュール１における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、光モジュール１を加圧する際の圧力は、光モジュール１が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して光モジュール１における接合強度を高めることができる。
【０１６１】
なお、この圧力は、基板２およびパッケージ５の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、基板２およびパッケージ５の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、光モジュール１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板２およびパッケージ５の各構成材料によっては、基板２およびパッケージ５に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、パッケージ５を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１６２】
［６Ｂ］  本工程では、得られた光モジュール１を加熱する。
これにより、光モジュール１における接合強度をより高めることができる。
このとき、光モジュール１を加熱する際の温度は、室温より高く、光モジュール１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、光モジュール１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【０１６３】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［６Ａ］、［６Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、光モジュール１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、光モジュール１の接合強度を特に高めることができる。
【０１６４】
［６Ｃ］  本工程では、得られた光モジュール１に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と基板２およびパッケージ５との間に形成される化学結合を増加させ、基板２およびパッケージ５と接合膜３との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、光モジュール１の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
【０１６５】
また、本工程［６Ｃ］を行う場合、基板２およびパッケージ５のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板側から、紫外線を照射することにより、接合膜３に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、光モジュール１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、以上の工程は、必要に応じて、面発光レーザ４を基板２に実装（搭載）する際、または、実装した後に、適用することもできる。すなわち、以上の工程を、面発光レーザ搭載基板に対して施してもよい。これにより、面発光レーザ４の基板２に対する接合強度を向上させることができる。
【０１６６】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の光モジュールの第２実施形態について説明する。
図１１は、本発明の光モジュールの第２実施形態を示す断面図、図１２〜図１３は、それぞれ、図１１に示す光モジュールの製造方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図１１〜図１３中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【０１６７】
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態では、面発光レーザ４の搭載（配置）する向きが異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、図１１に示す光モジュール１’は、面発光レーザ４がレーザ発振部４１を基板２側にして、基板２上に実装（搭載）されている。
【０１６８】
したがって、本実施形態では、基板２が、例えば、ガラス系材料や樹脂系材料等を主材料として構成され、透光性を有している。これにより、確実にレーザ光を光モジュール１から発振（出射）し得るようになっている。一方、パッケージ５が金属系材料を主材料として構成されている。
また、面発光レーザ４の端子４２と、基板側端子２２とは、例えば、異方性導電ペースト（ＡＣＰ）、異方性導電膜（ＡＣＦ）等の金属粒子７１を含有する樹脂組成物７を介して接合されている。これにより、端子４２と基板側端子２２との接合を確実に行うことができる。
【０１６９】
また、このような構成により、光モジュール１’の小型化を図ることもできる。
かかる光モジュール１’は、前記第１実施形態と同様にして製造することができるが、本実施形態では、面発光レーザ４が搭載（実装）された基板２（面発光レーザ搭載基板）にパッケージ５を重ね合わせた（接触させた）後に、接合膜３にエネルギーを付与して、パッケージ５を基板２に接合する。
すなわち、本実施形態では、基板２をパッケージ５が備える接合膜３とが密着するように、これらを重ね合わせた後、基板２側から接合膜３に対してエネルギーを付与して、接合膜３を活性化させ、これにより、接合膜３を介して基板２とパッケージ５とを接合してなる光モジュール１’を得る。
【０１７０】
以下、第２実施形態の光モジュール１’の製造方法について説明する。
［１’］まず、前記第１実施形態と同様にして、基板側端子２２を設けた基板２を用意する（図１２（ａ）参照）。
［２’］次に、図１２（ｂ）に示すように、導電性粒子７１を含有する樹脂組成物７を基板２上に供給した後、面発光レーザ４を載置する。その後、面発光レーザ４を基板２に向かって加圧した状態で、加熱する。これにより、図１２（ｃ）に示すように、導電性粒子７１を介して端子４２と基板側端子２２とが接触して導通するとともに、樹脂組成物７が硬化して面発光レーザ４が基板２に固定される。
なお、基板側端子２２を前記第１実施形態と同様の構成として、端子４２と基板側端子２２とを直接接合するようにしてもよい。この構成については、第３実施形態に示す。
【０１７１】
［３’］一方、図１２（ｄ）に示すように、パッケージ５を用意し、このパッケージ５の周壁部５２の端面（底面）に、前記第１実施形態と同様にして、接合膜３を形成する。  ［４’］次に、図１３（ｅ）に示すように、接合膜３の表面３５と基板２の所定の部位とが密着（接触）するように、パッケージ５の接合膜３と基板２とを重ね合わせる。なお、この状態では、パッケージ５と基板２との間は接合されていないので、パッケージ５の基板２に対する相対位置を調整することができる。これにより、パッケージ５を基板２に重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができる。その結果、接合膜３の表面３５方向における位置精度を高めることができる。
【０１７２】
［５’］次に、図１３（ｆ）に示すように、透光性を有する基板２側から接合膜３に対してエネルギーを付与する。接合膜３にエネルギーが付与されると、接合膜３の表面３５に、基板２との接着性が発現する。これにより、接合膜３を介してパッケージ５と基板２とが接合される。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。
【０１７３】
また、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法としては、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、および接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
このうち、接合膜３にエネルギー線を照射する方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
【０１７４】
一方、接合膜３を加熱することにより、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合には、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、基板２およびパッケージ５が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３を確実に活性化させることができる。
【０１７５】
また、加熱時間は、接合膜３の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間とすればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、接合膜３は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種方法で加熱することができる。
なお、赤外線を照射する方法を用いる場合には、基板２およびパッケージ５の少なくとも一方は、光吸収性を有する材料で構成されているのが好ましい。これにより、赤外線を照射された基板２またはパッケージ５は、効率よく発熱する。その結果、接合膜３を効率よく加熱することができる。
【０１７６】
また、ヒータを用いる方法または火炎に接触させる方法を用いる場合には、基板２またはパッケージ５のうちヒータまたは火炎を接触させる側の基板は、熱伝導性に優れた材料で構成されているのが好ましい。これにより、基板２またはパッケージ５を介して、接合膜３に対して効率よく熱を伝えることができ、接合膜３を効率よく加熱することができる。
【０１７７】
また、接合膜３に圧縮力を付与することにより、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合には、基板２とパッケージ５とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜３に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜３に、基板２との十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板２とパッケージ５の各構成材料によっては、基板２およびパッケージ５に損傷等が生じるおそれがある。
【０１７８】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
以上のようにして、接合膜３を介してパッケージ５を基板２に接着して、図１３（ｇ）に示すように、光モジュール１’を得ることができる。
【０１７９】
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の光モジュールの第３実施形態について説明する。
図１４は、本発明の光モジュールの第３実施形態を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１４中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【０１８０】
以下、第３実施形態について説明するが、前記第１および第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態では、主に、面発光レーザ４の他に、面発光レーザ４を駆動するための半導体素子（駆動素子）８がパッケージ５内に封止（封入）されている点以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１８１】
すなわち、図１４に示す光モジュール１”では、第２実施形態と同様にして、面発光レーザ４および半導体素子８が基板２上に実装され、これらがパッケージ５により封止されている。
これにより、面発光レーザ４のみならず、半導体素子８が気密的に封止されるため、面発光レーザ４および半導体素子８の劣化を確実に防止することができる。その結果、光モジュール１”の更なる耐久性の向上を図ることができる。
【０１８２】
なお、半導体素子８は、例えば、シリコン基板上に、面発光レーザ４の駆動用回路が形成されて構成されている。また、半導体素子８は、端子８１を有しており、この端子８１が、前述した樹脂組成物７により基板２上の基板側端子２２’に接続されている。
また、本実施形態では、基板側端子２２の構成が、前記第１実施形態と同様、すなわち、接合膜３と同様の構成とされている。そして、基板側端子２２の表面に発現した接着性により、面発光レーザ４の端子４２に接合されている。
【０１８３】
＜電子機器＞
次に、上述した光モジュール１、１’または１”を備える本発明の電子機器について説明する。
なお、以下では、本発明の電子機器の一例として、携帯電話を代表に説明する。
図１５は、携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
【０１８４】
図１５に示す携帯電話は、表示部１００１を備える携帯電話本体１０００を有している。携帯電話本体１０００には、上述した光モジュール１、１’または１”が内蔵されており、これらは、携帯電話機本体１０００において光信号出力手段などとして用いられる。
なお、光モジュール１、１’または１”は、図１５で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。
【０１８５】
例えば光ファイバ通信モジュール、レーザプリンタ、レーザビーム投射器、レーザビームスキャナ、リニアエンコーダ、ロータリエンコーダ、変位センサ、圧力センサ、ガスセンサ、血液血流センサ、指紋センサ、高速電気変調回路、無線ＲＦ回路、無線ＬＡＮ等にも適用できる。
光モジュール１、１’または１”を電子機器に搭載することにより、面発光レーザ４が湿度の高い環境にあっても吸湿により劣化することが防止されるので、この面発光レーザ４からの出力が安定した、良質の電子機器を得ることができる。
【０１８６】
以上、本発明の光モジュールおよび電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、光モジュールおよび電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
例えば、本発明の光モジュールおよび電子機器は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０１８７】
また、レーザ光源としては、面発光レーザ（半導体レーザ）に代えて、例えば、固体レーザ、ガスレーザ、端面発光レーザのような半導体レーザ、フォトダイオード等を用いることもできる。なお、各種レーザ光源の中でも、本発明では、半導体レーザを用いるのが好ましい。半導体レーザは、発光特性が高いものである一方で、特に水分の影響を受け易いため、本発明を適用するのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１８８】
【図１】本発明の光モジュールの第１実施形態を示す図（（ａ）は一部切り欠いて示す平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。
【図２】図１に示す光モジュールにおける接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図３】図１に示す光モジュールにおける接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図４】Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図５】図４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図６】IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図７】IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図８】IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図９】図１に示す光モジュールの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１０】図１に示す光モジュールの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１１】本発明の光モジュールの第２実施形態を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す光モジュールの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１３】図１１に示す光モジュールの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図１４】本発明の光モジュールの第３実施形態を示す断面図である。
【図１５】携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１８９】
１、１’、１”……光モジュール  ２……基板  ２１……絶縁膜  ２２、２２’……基板側端子  ３……接合膜  ３０３……脱離基  ３０４……活性手  ３５……表面  ４……面発光レーザ  ４０……基部  ４０ａ……活性層  ４０ｂ、４０ｃ……多層反射膜  ４１……レーザ発振部  ４２……端子  ５……パッケージ  ５０……本体部  ５１……天板部  ５１０……開口部  ５２……周壁部  ５３……透光性部材  ６……ワイヤ  ７……樹脂組成物  ７１……導電性粒子  ８……半導体素子  ８１……端子  ２００……成膜装置  ２１１……チャンバー  ２１２……基板ホルダー  ２１５……イオン源  ２１６……ターゲット  ２１７……ターゲットホルダー  ２１９……ガス供給源  ２２０……第１のシャッター  ２２１……第２のシャッター  ２３０……排気手段  ２３１……排気ライン  ２３２……ポンプ  ２３３……バルブ  ２５０……開口  ２５３……グリッド  ２５４……グリッド  ２５５……磁石  ２５６……イオン発生室  ２５７……フィラメント  ２６０……ガス供給手段  ２６１……ガス供給ライン  ２６２……ポンプ  ２６３……バルブ  ２６４……ガスボンベ  ４１０……配線基板  ４１２……電極  ４１３……絶縁基板  ４１４……リード  ４１５……電極  ４１６……導電層  ５００……成膜装置  ５１１……チャンバー  ５１２……基板ホルダー  ５２１……シャッター  ５３０……排気手段  ５３１……排気ライン  ５３２……ポンプ  ５３３……バルブ  ５６０……有機金属材料供給手段  ５６１……ガス供給ライン  ５６２……貯留槽  ５６３……バルブ  ５６４……ポンプ  ５６５……ガスボンベ  ５７０……ガス供給手段  ５７１……ガス供給ライン  ５７３……バルブ  ５７４……ポンプ  ５７５……ガスボンベ  １０００……携帯電話本体  １００１……表示部
【図１】
2009135347.tif 000003
【図２】
2009135347.tif 000004
【図３】
2009135347.tif 000005
【図４】
2009135347.tif 000006
【図５】
2009135347.tif 000007
【図６】
2009135347.tif 000008
【図７】
2009135347.tif 000009
【図８】
2009135347.tif 000010
【図９】
2009135347.tif 000011
【図１０】
2009135347.tif 000012
【図１１】
2009135347.tif 000013
【図１２】
2009135347.tif 000014
【図１３】
2009135347.tif 000015
【図１４】
2009135347.tif 000016
【図１５】
2009135347.tif 000017