(57)【要約】【課題】高感度及び高Ｓ／Ｎの固体撮像装置を実現する。【解決手段】 撮像領域と撮像領域の外周部に形成された周辺回路領域とを備えた固体撮像装置は、主面上に撮像領域及び周辺回路領域を有する第１導電型の半導体基板１と、半導体基板１内に形成された第２導電型の第１の半導体層２と、第１の半導体層２内に形成された第１導電型の第２の半導体層３と、半導体基板１の厚み方向に半導体基板１を貫通して設けられた貫通孔６内に形成された貫通電極８と、半導体基板１上に形成され、貫通電極８に接続するパッド部５とを備える。貫通孔６は、半導体基板１の第１導電型の領域を貫通して設けられている。【選択図】図１
2009135432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元状に配列され且つ光電変換により信号電荷を発生させる複数の受光部を有する撮像領域と前記撮像領域の外周部に形成された周辺回路領域とを備えた固体撮像装置であって、
主面上に前記撮像領域及び前記周辺回路領域を有する第１導電型の半導体基板と、
前記第１導電型の半導体基板内に形成された第２導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層内に形成された第１導電型の第２の半導体層と、
前記半導体基板の厚み方向に前記半導体基板を貫通して設けられた貫通孔内に形成された貫通電極と、
前記半導体基板上に形成され、前記貫通電極に接続するパッド部とを備え、
前記貫通孔は、前記半導体基板の第１導電型の領域を貫通して設けられている、固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像装置において、
前記半導体基板の表層部であって、前記パッド部を介して前記貫通電極に電気的に接続する前記第２の半導体層を覆う前記第１の半導体層と隣接して前記貫通孔との間の領域に少なくとも形成された第１導電型の第３の半導体層をさらに備え、
前記第３の半導体層は、前記半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域である、固体撮像装置。
【請求項３】
請求項２に記載の固体撮像装置において、
前記第３の半導体層は、前記貫通孔の縁部とは間隔を置いて形成されている、固体撮像装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の固体撮像装置において、
前記パッド部を介して前記貫通電極に電気的に接続する前記第２の半導体層を覆う前記第１の半導体層と対向する前記貫通孔の側壁部に少なくとも形成された第１導電型の第４の半導体層をさらに備え、
前記第４の半導体層は、前記半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域である、固体撮像装置。
【請求項５】
請求項１に記載の固体撮像装置において、
前記半導体基板内に形成された第２導電型の第５の半導体層をさらに備え、
前記貫通孔は、前記半導体基板の第１導電型の領域と前記第５の半導体層の第２導電型の領域とを貫通して設けられており、
前記貫通孔が貫通する前記第５の半導体層は、前記第１の半導体層と分離していると共に、前記半導体基板と電気的に接続している、固体撮像装置。
【請求項６】
請求項５に記載の固体撮像装置において、
前記半導体基板の表層部であって、前記パッド部を介して前記貫通電極に電気的に接続する前記第２の半導体層を覆う前記第１の半導体層と隣接して前記第５の半導体層との間の領域に少なくとも形成された第１導電型の第６の半導体層をさらに備え、
前記第６の半導体層は、前記半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域である、固体撮像装置。
【請求項７】
請求項１に記載の固体撮像装置において、
前記貫通孔は、前記半導体基板の第１導電型の領域と前記第１の半導体層の第２導電型の領域とを貫通するように設けられており、
前記貫通孔の側壁部であって、前記パッド部を介して前記貫通電極に電気的に接続する前記第２の半導体層を覆う前記第１の半導体層と隣接して前記貫通孔と対向する領域に少なくとも形成された第１導電型の第７の半導体層をさらに備え、
前記第７の半導体層は、前記半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域である、固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の固体撮像装置において、
前記第１導電型はＮ型であり、
前記第２導電型はＰ型である、固体撮像装置。
【請求項９】
請求項１〜８に記載の固体撮像装置を製造するための固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域を形成する工程と、前記受光部を形成する工程とは、同一の工程で行う、固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８に記載の固体撮像装置を製造するための固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域を形成する工程と、前記周辺回路領域におけるＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン領域を形成する工程とは、同一の工程で行う、固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型固体撮像装置及びＭＯＳ（Metal Oxide
Semiconductor）型固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラの撮像装置として需要が拡大している。また、携帯電話に代表される携帯端末装置では、カメラ機能を付加することが求められており、このような携帯端末装置の撮像装置としても、固体撮像装置の需要は拡大している。更に、高画質の画像を得るため、固体撮像装置の画素数は年々上昇する傾向にある。また、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、携帯端末装置の高感度化の要請に伴い、固体撮像装置の高感度化及び高Ｓ／Ｎ化も求められている。
【０００３】
ここで、ＣＣＤ型及びＭＯＳ型固体撮像装置に共通する従来の固体撮像装置の構造について、図面を参照しながら説明する。
【０００４】
図１２は、従来の固体撮像装置の概略構造を示す平面図である。
【０００５】
図１２に示すように、半導体基板１００の中央部には、受光部及び駆動回路部を有する内部回路領域１０１が設けられており、半導体基板１００の周辺部には、パッド部及び保護回路部を有する周辺回路領域１０２が設けられている。また、内部回路領域１０１と周辺回路領域１０２とは配線Ｌによって接続されている。
【０００６】
図１３（ａ）及び（ｂ）は、上記従来の固体撮像装置の要部であって図１２の領域ａに対応する構造図であって、具体的には、（ａ）は（ｂ）におけるXIIIa-XIIIa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXIIIb-XIIIb線に対応する断面図である。
【０００７】
図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、Ｎ型シリコンからなる半導体基板１１１には、Ｐ型半導体層１１２が形成されており、該Ｐ型半導体層１１２中の表層部にはＮ＋型半導体層１１３が形成されている。半導体基板１１１の表面には、Ｐ型半導体層１１２及びＮ＋型半導体層１１３を覆い、Ｎ＋型半導体層１１３の一部を露出する開口部を有する絶縁膜１１４が形成されている。なお、Ｐ型半導体層１１２には、２次元状に配列された複数の受光部、該受光部の垂直方向の列に沿って列毎に配置された垂直転送部（垂直ＣＣＤ）、及び、該受光部の最終行に隣接するように設けられた水平転送部（水平ＣＣＤ）とが設けられている。また、受光部は、Ｐ型半導体層１１２中に形成されたＮ＋型半導体層１１３のフォトダイオードであって、受光した光の強度に応じて電荷を蓄積する。また、周辺回路及び保護回路などもＰ型半導体層１１２に形成されている。
【０００８】
絶縁膜１１４及び半導体基板１１１には、該絶縁膜１１４、半導体基板１１１及びＰ型半導体層１１２を貫通する貫通孔１１６が形成されており、該貫通孔１１６の側壁部及び半導体基板１１１の裏面上には、絶縁膜１１７が形成されており、該絶縁膜１１７の内側を充填するように貫通電極１１８が形成されている。また、半導体基板１１１の表面側には、絶縁膜１１４及び絶縁膜１１７の上に、絶縁膜１１４の開口部を介してＮ＋型半導体層１１３と接続すると共に貫通電極１１８と接続するパッド部１１５が形成されている。パッド部１１５は、配線Ｌを介して内部回路領域１０１（図１２参照）と接続している。一方、半導体基板１１１の裏面側には、絶縁膜１１７の上に貫通電極１１８と接続する裏面電極１１９が形成されており、該裏面電極１１９を覆うと共にその一部を露出する開口部を有する絶縁樹脂層１２０が形成されている。絶縁樹脂層１２０の開口部には、裏面電極１１９と接続する突起電極１２１が形成されている。
【非特許文献１】T.Ghani et.al., IEDM Technol. Dig., pp. 978-980, 2003
【非特許文献２】T.K.W.Ang et.al., Symp. VLSI Technol., pp. 42-43, 2007
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記従来の固体撮像装置の構造では、エッチングによって貫通孔１１６を形成する際に、半導体基板１１１におけるＰＮ接合領域を貫通することになる。このため、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層とで結晶面によるエッチングレートが異なることからエッチングダメージが生じたり、基板荒れが生じたりすることで、ＰＮ接合のリーク電流が増大するという問題や、高温動作時においてさらに顕著となる暗電流の増加を招くという問題、受光部及び駆動回路部が配置される位置にもよるが、暗電流が増大することで駆動回路部の回路動作に支障が出るという問題があった。
【００１０】
具体的には、パッド部１１５はＴｉ／ＴｉＮ／アルミの積層構造で形成されており、貫通孔１１６を形成するときにパッド部１１５のＴｉ／ＴｉＮ／アルミの一部を削ることになる。これらの金属が金属汚染となり、ＰＮ接合の露出面に混入し、ＰＮ接合のリーク電流を増大させたり、暗電流の増加を招くこととなる。
【００１１】
これらリーク電流や暗電流によって、駆動回路部の回路動作に支障が出たり、さらに暗電流の増大は、回路動作の支障に留まらず、撮像装置として致命的な、白キズなどの画像欠陥を引き起こすという問題がある。
【００１２】
そして、これらの問題は、長年の使用により大きく顕在化する可能性のある問題でもある。
【００１３】
前記に鑑み、本発明の目的は、ＰＮ接合のリーク電流や暗電流の増加を抑制できる構造を備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、２次元状に配列され且つ光電変換により信号電荷を発生させる複数の受光部を有する撮像領域と撮像領域の外周部に形成された周辺回路領域とを備えた固体撮像装置であって、主面上に撮像領域及び周辺回路領域を有する第１導電型の半導体基板と、第１導電型の半導体基板内に形成された第２導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層内に形成された第１導電型の第２の半導体層と、半導体基板の厚み方向に半導体基板を貫通して設けられた貫通孔内に形成された貫通電極と、半導体基板上に形成され、貫通電極に接続するパッド部とを備え、貫通孔は、半導体基板の第１導電型の領域を貫通して設けられている。
【００１５】
本発明の一形態に係る固体撮像装置において、半導体基板の表層部であって、パッド部を介して貫通電極に電気的に接続する第２の半導体層を覆う第１の半導体層と隣接して貫通孔との間の領域に少なくとも形成された第１導電型の第３の半導体層をさらに備え、第３の半導体層は、半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域である。
【００１６】
本発明の一形態に係る固体撮像装置において、第３の半導体層は、貫通孔の縁部とは間隔を置いて形成されている。
【００１７】
本発明の一形態に係る固体撮像装置において、パッド部を介して貫通電極に電気的に接続する第２の半導体層を覆う第１の半導体層と対向する貫通孔の側壁部に少なくとも形成された第１導電型の第４の半導体層をさらに備え、第４の半導体層は、半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域である。
【００１８】
本発明の一形態に係る固体撮像装置において、半導体基板内に形成された第２導電型の第５の半導体層をさらに備え、貫通孔は、半導体基板の第１導電型の領域と第５の半導体層の第２導電型の領域とを貫通して設けられており、貫通孔が貫通する第５の半導体層は、第１の半導体層と分離していると共に、半導体基板と電気的に接続している。
【００１９】
本発明の一形態に係る固体撮像装置において、半導体基板の表層部であって、パッド部を介して貫通電極に電気的に接続する第２の半導体層を覆う第１の半導体層と隣接して第５の半導体層との間の領域に少なくとも形成された第１導電型の第６の半導体層をさらに備え、第６の半導体層は、半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域である、固体撮像装置。
【００２０】
本発明の一形態に係る固体撮像装置において、貫通孔は、半導体基板の第１導電型の領域と第１の半導体層の第２導電型の領域とを貫通するように設けられており、貫通孔の側壁部であって、パッド部を介して貫通電極に電気的に接続する第２の半導体層を覆う第１の半導体層と隣接して貫通孔と対向する領域に少なくとも形成された第１導電型の第７の半導体層をさらに備え、第７の半導体層は、半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域である。
【００２１】
本発明の一形態に係る固体撮像装置において、第１導電型はＮ型であり、第２導電型はＰ型である。
【００２２】
本発明の一形態に係る固体撮像装置を製造するための固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域を形成する工程と、受光部を形成する工程とは、同一の工程で行うことが好ましい。また、半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度領域を形成する工程と、周辺回路領域におけるＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン領域を形成する工程とは、同一の工程で行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の固体撮像装置及びその製造方法によると、ＰＮ接合のリーク電流や暗電流の増加を抑制して、高感度化及び高Ｓ／Ｎ化を実現できる。これにより、例えば、暗いシーンでの撮像を可能にすると共に、小型化及び薄型化を可能にするカメラを実現できる。その結果、使いやすいカメラを実現し、また、カメラのデザインの自由度が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の各実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２５】
（第１の実施形態）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の構造図であって、従来の図１２の領域ａに対応する部分の構造図である。具体的には、（ａ）は（ｂ）におけるIa-Ia線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIb-Ib線に対応する断面図である。
【００２６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、Ｎ型シリコンからなり、不純物濃度が１．０×１０１５個／ｃｍ３程度の半導体基板１には、不純物濃度が２．０×１０１５個／ｃｍ３程度のＰ型半導体層２が形成されており、該Ｐ型半導体層２中の表層部には、不純物濃度が１０×１０２０個／ｃｍ３程度のＮ＋型半導体層３が形成されている。半導体基板１の表面には、Ｐ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３を覆い、Ｎ＋型半導体層３の一部を露出する開口部を有する絶縁膜４が形成されている。
【００２７】
このＰ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３が周辺回路領域（図１２の符号１０２参照）においては保護回路を構成しており、Ｐ型半導体層２は電荷を逃がすために接地されていることが好ましい。Ｐ型半導体層２を接地するには、Ｎ＋型半導体層３を形成せずに、配線や貫通電極を介して外部との接続を行えばよい（図示せず）。さらには、Ｐ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３共に形成せずに配線や貫通電極を介して外部との接続を行えば、半導体基板１への接続が可能となる（図示せず）。このような接続により、半導体基板１への電圧を印加することもでき、ＣＣＤ型の固体撮像装置においては、電荷のリセットなどが可能となる。
【００２８】
また、内部回路領域（図１２の符号１０１参照）においては、Ｐ型半導体層２には、２次元状に配列され且つ光電変換により信号電荷を発生させる複数の受光部を有する撮像領域、該受光部の垂直方向の列に沿って列毎に配置された垂直転送部（垂直ＣＣＤ）、該受光部の最終行に隣接するように設けられた水平転送部（水平ＣＣＤ）、さらに、撮像領域の外周部に形成された周辺回路領域が設けられている。なお、内部回路領域においての受光部は、Ｐ型半導体層２中に形成されたＮ＋型半導体層３のフォトダイオードであって、受光した光の強度に応じて電荷を蓄積する。
【００２９】
これらＰ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３は内部回路領域と周辺回路領域において、同一の工程にて形成することで工程の削減を図ることも可能であり、また、別々の工程にて形成することで、それぞれの特性を最大限に生かすような濃度や形状とすることが可能である。
【００３０】
絶縁膜４及び半導体基板１には、該絶縁膜４及び半導体基板１を貫通し、開口径が７０μｍ程度であって深さが２００μｍ程度の貫通孔６が形成されており、該貫通孔６の側壁部及び半導体基板１の裏面上には、絶縁膜７が形成されており、該絶縁膜７の内側を充填するように貫通電極８が形成されている。この貫通電極８との接触面積を増やすため、また、確実にコンタクトを取るためにパッド部５は凹形状で接続されていることが好ましい。
【００３１】
また、半導体基板１の表面側には、絶縁膜４及び絶縁膜７の上に、絶縁膜４の開口部を介してＮ＋型半導体層３と接続すると共に貫通電極８と接続する導電膜からなるパッド部５が形成されている。パッド部５は、配線Ｌを介して内部回路領域と接続している。一方、半導体基板１の裏面側には、絶縁膜７の上に貫通電極８と接続する導電膜からなる裏面電極９が形成されており、該裏面電極９を覆うと共にその一部を露出する開口部を有する絶縁樹脂層１０が形成されている。絶縁樹脂層１０の開口部には、裏面電極９と接続する導電膜からなる突起電極１１が形成されている。
【００３２】
なお、周辺回路領域における絶縁膜４は単一の符号を用いて説明しているが、絶縁膜４は内部回路領域においては、内部回路の駆動に必要な電極、多層配線などが形成されているものもあり、それに伴い、絶縁膜４は複数の膜および複数種の膜からなっている場合もある。
【００３３】
上記図１（ａ）及び（ｂ）に示す構造を備えた本実施形態に係る固体撮像装置によると、Ｐ型半導体層２の形成領域を従来例に比べて縮小されて形成されており、貫通孔６は、従来例のようにＰＮ接合領域を貫通することなく、単一の導電型の領域を貫通して形成されて、その内部に貫通電極８が形成されている。このため、従来例のようにＰＮ接合領域を貫通する際のエッチングダメージ等によるＰＮ接合のリーク電流と高温動作時にさらに顕著となる暗電流の低減及び抑制して、高感度及び高Ｓ／Ｎの固体撮像装置、ひいては、それを備えたカメラを実現することができる。
【００３４】
−第１の実施形態の変形例１−
図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の変形例１に係る固体撮像装置の構造図であって、具体的には、（ａ）は（ｂ）におけるIIa-IIa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIIb-IIb線に対応する断面図である。
【００３５】
図２（ａ）及び（ｂ）に示す本変形例１に係る固体撮像装置は、上述の図１（ａ）及び（ｂ）に示した固体撮像装置と比較すると明らかなように、半導体基板１の表層部であって貫通孔６の周縁部に、パッド部５の下部に位置するＰ型半導体層２（紙面に向かって左側のもの）と隣接し、不純物濃度が１０×１０１5〜１０２０個／ｃｍ３程度のＮ＋型半導体層２１がさらに形成されている点に構造上の特徴を有している。なお、その他の構成要素は、上述の図１（ａ）及び（ｂ）を用いた説明と同様である。
【００３６】
上記図２（ａ）及び（ｂ）に示す構造を備えた本変形例１に係る固体撮像装置によると、半導体基板１の不純物濃度が上述のように低濃度であると、パッド部５の下部に位置する半導体基板１の表層部にチャネルが形成されてリークパスとなる可能性があるところ、上述のように、半導体基板１の表層部にＮ＋型半導体層２１を備えたことで、反転を防止してリークパスの形成を遮断している。その結果、より高感度及びより高Ｓ／Ｎの固体撮像装置を実現できる。
【００３７】
なお、本変形例１では、図２（ａ）に示すように、Ｎ＋型半導体層２１が貫通孔６の周囲を囲むように形成されている構造の場合について説明したが、リークパスの形成を遮断するためには、貫通孔６を囲むことなく、少なくともパッド部５の下部に位置するＰ型半導体層２（紙面に向かって左側のもの）における貫通孔６と対向する側の縁部に隣接する領域にのみに、Ｎ＋型半導体層２１を形成する構造であればよい。
【００３８】
また、Ｎ＋型半導体層２１はＮ＋型半導体層２と同一の工程にて形成することで工程の削減が図ることも可能であり、また、別々の工程にて形成することで、それぞれの特性を最大限に生かすような濃度や形状とすることが可能である。
【００３９】
−第１の実施形態の変形例２−
図３は、本発明の第１の実施形態の変形例２に係る固体撮像装置の構造図であって、具体的には、上記図２（ｂ）の断面と同様の断面における断面図である。なお、当該図３の断面構造に対応する平面図は、上記図２（ａ）と同様である。
【００４０】
図３に示す本変形例２に係る固体撮像装置は、上述の図２（ｂ）に示した固体撮像装置と比較すると明らかなように、半導体基板１の表層部であって貫通孔６の周縁部に形成されたＮ＋型半導体層２１ａの領域が、上述の図２（ｂ）に示したＮ＋型半導体層２１の領域よりも大きく（特に深さ方向に大きく）形成されている点に構造上の特徴を有している。すなわち、図３に示す本変形例２におけるＮ＋型半導体層２１ａの不純物濃度は、１０×１０２０個／ｃｍ３程度であり、図２（ｂ）示す上記変形例１におけるＮ＋型半導体層２１の不純物濃度は、それよりも低い不純物濃度となる。なお、その他の構成要素は、上述の図１（ａ）及び（ｂ）を用いた説明と同様である。
【００４１】
上記図３に示す構造を備えた本変形例２に係る固体撮像装置によると、半導体基板１の表層部に形成されたＮ＋型半導体層２１ａの領域が、上記変形例１のＮ＋型半導体層２１の領域に比べて大きく形成されていることで、パッド部５下の上記リークパスの形成をより確実に遮断して、より高感度及びより高Ｓ／Ｎの固体撮像装置を実現できる。
【００４２】
なお、本変形例２においても上記変形例１と同様に、Ｎ＋型半導体層２１ａは貫通孔６を取り囲むように形成される構造に限定されるものではない。
【００４３】
−第１の実施形態の変形例３−
図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の変形例３に係る固体撮像装置の構造図であって、具体的には、（ａ）は（ｂ）におけるIVa-IVa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIVb-IVb線に対応する断面図である。
【００４４】
図４（ａ）及び（ｂ）に示す本変形例３に係る固体撮像装置は、上述の図２（ｂ）に示した固体撮像装置と比較すると明らかなように、半導体基板１の表層部であって貫通孔６の周縁部に形成されたＮ＋型半導体層４１が、貫通孔６の縁部と隣接することなく間隔を置いて形成されている点に構造上の特徴を有している。なお、その他の構成要素は、上述の図１（ａ）及び（ｂ）を用いた説明と同様である。
【００４５】
上記図４（ａ）及び（ｂ）に示す構造を備えた本変形例３に係る固体撮像装置によると、上述した変形例１及び２のようにＮ＋型半導体層２１及び２１ａが貫通孔６の縁部に隣接する構造であると、貫通孔６は互いに異なる不純物濃度を有するＮ＋型半導体層（２１、２１ａ）及び半導体基板１を貫通して形成されるために、エッチングレートに差があることで貫通孔６の形状異常が生じる可能性があるところ、上述のように、Ｎ＋型半導体層４１を貫通孔６の縁部と隣接することなく間隔を置いて形成したことで、貫通孔６の形状を容易に制御することができる。
【００４６】
また、図５に示すように、図４（ａ）及び（ｂ）に示したＮ＋型半導体層４１の代わりに、上記変形例２での説明と同様の不純物濃度及び大きな領域を有するＮ＋型半導体層４１ａが形成される構造でもかまわない。
【００４７】
なお、本変形例４においても上記変形例１と同様に、貫通孔６の縁部と隣接することなく間隔を置いて形成されるＮ＋型半導体層４１は、貫通孔６を取り囲むように形成される構造に限定されるものではない。
【００４８】
本変形例４では、貫通孔６は不純物濃度が異なるＮ＋型半導体層２１と半導体基板１の界面を貫通することもなく、さらにパッド部５の下のリークパスを抑制でき、より高感度、高Ｓ／Ｎ比の固体撮像装置が可能となる。
【００４９】
−第１の実施形態の変形例４−
図６は、本発明の第１の実施形態の変形例４に係る固体撮像装置の構造図であって、具体的には、上記図２（ｂ）の断面と同様の断面における断面図である。なお、当該図６の断面構造に対応する平面図は、上記図２（ａ）と同様である。
【００５０】
図４（ａ）及び（ｂ）に示す本変形例４に係る固体撮像装置は、上述の図２（ｂ）に示した固体撮像装置と比較すると明らかなように、半導体基板１の表層部であって貫通孔６の周縁部に形成されたＮ＋型半導体層２１に加えて、貫通孔６の側壁部に不純物濃度が１０×１０２０個／ｃｍ３程度のＮ＋型半導体層６１がさらに形成されている点に構造上の特徴を有している。ここで、Ｎ＋型半導体層６１の形成は、貫通孔６形成後に、熱拡散、プラズマイオン注入、又は斜めイオン注入などの方法を用いて形成することができる。また、貫通孔６形成前に、後に貫通孔６の側壁部に残存するように、半導体基板１の裏面に到達するようにＮ＋イオンを注入する方法でもよい。また、Ｎ＋型半導体層６１の形成領域は、上記ＰＮ接合領域の広がりの影響を抑制できればよいので、必ずしも裏面にまで到達させる必要はない。なお、その他の構成要素は、上述の図１（ａ）及び（ｂ）を用いた説明と同様である。
【００５１】
上記図６に示す構造を備えた本変形例４に係る固体撮像装置によると、上述した変形例１のようにＮ＋型半導体層２１が半導体基板１の表層部のみに形成されている構造であると、装置の微細化によってＰ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３のＰＮ接合領域と貫通孔６までの距離が１０μｍ程度である場合には、ＰＮ接合領域の広がりによってＰＮ接合領域が貫通されてリーク電流が生じる可能性があるところ、上述のように、Ｎ＋型半導体層６１を貫通孔６の側壁部に形成したことで、上述したＮ＋型半導体層２１によるパッド部５下のリークパスの遮断に加えて、微細化によるＰＮ接合領域の広がりの影響を防止することができる。
【００５２】
また、本変形例４においても上記変形例３と同様に、Ｎ＋型半導体層２１の代わりに、貫通孔６の縁部と隣接することなく間隔を置いて形成されるＮ＋型半導体層４１を設けた構造に、さらに、上記Ｎ＋型半導体層６１が形成される構造でもかまわない。
【００５３】
なお、本変形例４においても、上記変形例１で説明したように、Ｎ＋型半導体層２１は、貫通孔６を取り囲むように形成される構造に限定されるものではない。
【００５４】
−各変形例１〜４における製造方法上の特徴−
上述した各変形例に係る固体撮像装置は、半導体基板１の表層部において、Ｎ＋型半導体層（２１、２１ａ、４１、４１ａ）を備える構造、さらには、貫通孔６の側壁部において、Ｎ＋型半導体層６１を備える構造に特徴を有するが、これらのＮ＋型半導体層の形成は、その領域を比較的深く形成する場合（不純物濃度が１０×１０１5個／ｃｍ３程度）
には、受光部におけるフォトダイオードのＮ型領域の形成と同時に行うことができ、また、その領域を比較的浅く形成する場合（不純物濃度が１０×１０２０個／ｃｍ３程度）には、周辺回路領域におけるＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散領域の形成又はダイオードのカソードの形成と同時に行うことができる。なお、上記本実施形態に係る各固体撮像装置の製造方法におけるその他の工程は、上述した構造上の特徴を有するように公知の製造方法を適宜変更して適用すれば実現可能である。
【００５５】
（第２の実施形態）
図７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の構造図であって、従来の図１２の領域ａに対応する部分の構造図である。具体的には、（ａ）は（ｂ）におけるVIIa-VIIa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるVIIb-VIIb線に対応する断面図である。
【００５６】
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、Ｎ型シリコンからなり、不純物濃度が１．０×１０１５個／ｃｍ３程度の半導体基板１には、不純物濃度が２．０×１０１５個／ｃｍ３程度のＰ型半導体層２及び７１が形成されており、該Ｐ型半導体層２中の表層部には、不純物濃度が１０×１０２０個／ｃｍ３程度のＮ＋型半導体層３が形成されている。また、Ｐ型半導体層７１は、隣り合うＰ型半導体２とは分離して形成されており、シリコン基板１と配線７２を介して接続されている。半導体基板１の表面には、Ｐ型半導体層２及び７１並びにＮ＋型半導体層３を覆い、Ｎ＋型半導体層３の一部を露出する開口部を有する絶縁膜４が形成されている。
【００５７】
このＰ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３が周辺回路領域（図１２の符号１０２参照）においては保護回路を構成しており、Ｐ型半導体層２は電荷を逃がすために接地されていることが好ましい。Ｐ型半導体層２を接地するには、Ｎ＋型半導体層３を形成せずに、配線や貫通電極を介して外部との接続を行えばよい（図示せず）。さらには、Ｐ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３共に形成せずに配線や貫通電極を介して外部との接続を行えば、半導体基板１への接続が可能となる（図示せず）。このような接続により、半導体基板１への電圧を印加することもでき、ＣＣＤ型の固体撮像装置においては、電荷のリセットなどが可能となる。
【００５８】
また、内部回路領域（図１２の符号１０１参照）においては、Ｐ型半導体層２には、２次元状に配列され且つ光電変換により信号電荷を発生させる複数の受光部を有する撮像領域、該受光部の垂直方向の列に沿って列毎に配置された垂直転送部（垂直ＣＣＤ）、該受光部の最終行に隣接するように設けられた水平転送部（水平ＣＣＤ）、さらに、撮像領域の外周部に形成された周辺回路領域が設けられている。なお、内部回路領域においての受光部は、Ｐ型半導体層２中に形成されたＮ＋型半導体層３のフォトダイオードであって、受光した光の強度に応じて電荷を蓄積する。
【００５９】
これらＰ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３は内部回路領域と周辺回路領域において、同一の工程にて形成することで工程の削減を図ることも可能であり、また、別々の工程にて形成することで、それぞれの特性を最大限に生かすような濃度や形状とすることが可能である。
【００６０】
絶縁膜４、半導体基板１及びＰ型半導体層７１には、該絶縁膜４、半導体基板１及びＰ型半導体層７１を貫通し、開口径が７０μｍ程度であって深さが２００μｍ程度の貫通孔６が形成されており、該貫通孔６の側壁部及び半導体基板１の裏面上には、絶縁膜７が形成されており、該絶縁膜７の内側を充填するように貫通電極８が形成されている。この貫通電極８との接触面積を増やすため、また、確実にコンタクトを取るためにパッド部５は凹形状で接続されていることが好ましい。
【００６１】
また、半導体基板１の表面側には、絶縁膜４及び絶縁膜７の上に、絶縁膜４の開口部を介してＮ＋型半導体層３と接続すると共に貫通電極８と接続する導電膜からなるパッド部５が形成されている。パッド部５は、配線Ｌを介して内部回路領域と接続している。一方、半導体基板１の裏面側には、絶縁膜７の上に貫通電極８と接続する導電膜からなる裏面電極９が形成されており、該裏面電極９を覆うと共にその一部を露出する開口部を有する絶縁樹脂層１０が形成されている。絶縁樹脂層１０の開口部には、裏面電極９と接続する導電膜からなる突起電極１１が形成されている。
【００６２】
なお、周辺回路領域における絶縁膜４は単一の符号を用いて説明しているが、絶縁膜４は内部回路領域においては、内部回路の駆動に必要な電極、多層配線などが形成されているものもあり、それに伴い、絶縁膜４は複数の膜および複数種の膜からなっている場合もある。
【００６３】
上記図７（ａ）及び（ｂ）に示す構造を備えた本実施形態に係る固体撮像装置によると、貫通孔６の周囲を取り囲むように、隣り合うＰ型半導体層２とは分離したＰ型半導体層７１が形成されており、且つ、Ｐ型半導体層７１はシリコン基板１と配線７２を介して接続されている。このため、貫通孔６は従来例のようにＰＮ接合領域を貫通することになるが、Ｐ型半導体層７１がシリコン基板１と接続されていることより、エッチングダメージ等によるＰＮ接合のリーク電流と高温動作時にさらに顕著となる暗電流の低減及び抑制ができる。また、Ｐ型半導体層７１は独立して形成されているため、隣り合う素子への影響を遮断できる。その結果、高感度及び高Ｓ／Ｎの固体撮像装置、ひいては、それを備えたカメラを実現することができる。
【００６４】
なお、この配線７２はパッド部５と同一の工程にて形成すると工程数を削減できるという効果があり、また、パッド部５を避けるように形成する必要があるため、同一の工程にて形成すれば、マスクあわせズレによりショートなどを防ぐことができる。
【００６５】
−第２の実施形態の変形例１−
図８（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態の変形例１に係る固体撮像装置の構造図であって、具体的には、（ａ）は（ｂ）におけるVIIIa-VIIIa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるVIIIb-VIIIb線に対応する断面図である。
【００６６】
図８（ａ）及び（ｂ）に示す本変形例１に係る固体撮像装置は、上述の図７（ａ）及び（ｂ）に示した固体撮像装置と比較すると明らかなように、半導体基板１の表層部であってＰ型半導体層７１とＰ型半導体層２との間の領域に、不純物濃度が１０×１０１5〜１０２０個／ｃｍ３程度のＮ＋型半導体層８１がさらに形成されている点に構造上の特徴を有している。なお、その他の構成要素は、上述の図７（ａ）及び（ｂ）を用いた説明と同様である。
【００６７】
上記図８（ａ）及び（ｂ）に示す構造を備えた本変形例１に係る固体撮像装置によると、半導体基板１の不純物濃度が上述のように低濃度であると、パッド部５の下部に位置する半導体基板１の表層部にチャネルが形成されてリークパスとなる可能性があるところ、上述のように、半導体基板１の表層部にＮ＋型半導体層８１を備えたことで、反転を防止してリークパスの形成を遮断している。その結果、より高感度及びより高Ｓ／Ｎの固体撮像装置を実現できる。
【００６８】
なお、本変形例１では、図８（ａ）に示すように、Ｎ＋型半導体層８１が貫通孔６の紙面に向かって左右に形成されている構造の場合について説明したが、リークパスの形成を遮断するためには、貫通孔６の左右両側ではなく、少なくともパッド部５の下部に位置するＰ型半導体層２（紙面に向かって左側のもの）における貫通孔６と対向する側の縁部に隣接する領域にのみに、Ｎ＋型半導体層８１を形成する構造であればよい。
【００６９】
また、Ｎ＋型半導体層８１をＮ＋型半導体層２と同一の工程にて形成することで工程の削減を図ることも可能であり、また、別々の工程にて形成することで、それぞれの特性を最大限に生かすような濃度や形状とすることが可能である。
【００７０】
−第２の実施形態の変形例２−
図９は、本発明の第２の実施形態の変形例２に係る固体撮像装置の構造図であって、具体的には、上記図８（ｂ）の断面と同様の断面における断面図である。なお、当該図９の断面構造に対応する平面図は、上記図８（ａ）と同様である。
【００７１】
図９に示す本変形例２に係る固体撮像装置は、上述の図８（ｂ）に示した固体撮像装置と比較すると明らかなように、半導体基板１の表層部であってＰ型半導体層７１とＰ型半導体層２との間の領域に形成されたＮ＋型半導体層８１ａの領域が、上述の図８（ｂ）に示したＮ＋型半導体層８１の領域よりも大きく（特に深さ方向に大きく）形成されている点に構造上の特徴を有している。すなわち、図９に示す本変形例２におけるＮ＋型半導体層８１ａの不純物濃度は、１０×１０２０個／ｃｍ３程度であり、図８（ｂ）示す上記変形例１におけるＮ＋型半導体層８１の不純物濃度は、それよりも低い不純物濃度となる。なお、その他の構成要素は、上述の図８（ａ）及び（ｂ）を用いた説明と同様である。
【００７２】
上記図９に示す構造を備えた本変形例２に係る固体撮像装置によると、半導体基板１の表層部に形成されたＮ＋型半導体層８１ａの領域が、上記変形例１のＮ＋型半導体層８１の領域に比べて大きく形成されていることで、パッド部５下の上記リークパスの形成をより確実に遮断して、より高感度及びより高Ｓ／Ｎの固体撮像装置を実現できる。
【００７３】
なお、本変形例２においても上記変形例１と同様に、Ｎ＋型半導体層８１ａは貫通孔６における紙面に向かって左側にのみ形成される構造であってもよい。
【００７４】
−各変形例１及び２における製造方法上の特徴−
上述した各変形例に係る固体撮像装置は、半導体基板１の表層部において、Ｎ＋型半導体層（８１、８１ａ）を備える構造に特徴を有するが、これらのＮ＋型半導体層の形成は、その領域を比較的深く形成する場合（不純物濃度が１０×１０１5個／ｃｍ３程度）には、受光部におけるフォトダイオードのＮ型領域の形成又はダイオードのカソードの形成と同時に行うことができ、また、その領域を比較的浅く形成する場合（不純物濃度が１０×１０２０個／ｃｍ３程度）には、周辺回路領域におけるＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散領域の形成と同時に行うことができる。なお、上記本実施形態に係る各固体撮像装置の製造方法におけるその他の工程は、上述した構造上の特徴を有するように公知の製造方法を適宜変更して適用すれば実現可能である。
【００７５】
（第３の実施形態）
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の構造図であって、従来の図１２の領域ａに対応する部分の構造図である。
【００７６】
図１０に示すように、Ｎ型シリコンからなり、不純物濃度が１．０×１０１５個／ｃｍ３程度の半導体基板１には、不純物濃度が２．０×１０１５個／ｃｍ３程度のＰ型半導体層２及び７１が形成されており、該Ｐ型半導体層２中の表層部には、不純物濃度が１０×１０２０個／ｃｍ３程度のＮ＋型半導体層３が形成されている。また、Ｐ型半導体層２は、パッド部５下から連続して後述する貫通孔６を取り囲むように形成されており、貫通孔６の側壁部には、不純物濃度が１０×１０１5〜１０２０個／ｃｍ３程度のＮ＋型半導体層３が半導体基板１の主面から裏面に到達するように形成されている。半導体基板１の表面には、Ｐ型半導体層２、Ｎ＋型半導体層３及び９１を覆い、Ｎ＋型半導体層３の一部を露出する開口部を有する絶縁膜４が形成されている。
【００７７】
このＰ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３が周辺回路領域（図１２の符号１０２参照）においては保護回路を構成しており、Ｐ型半導体層２は電荷を逃がすために接地されていることが好ましい。Ｐ型半導体層２を接地するには、Ｎ＋型半導体層３を形成せずに、配線や貫通電極を介して外部との接続を行えばよい（図示せず）。さらには、Ｐ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３共に形成せずに配線や貫通電極を介して外部との接続を行えば、半導体基板１への接続が可能となる（図示せず）。このような接続により、半導体基板１への電圧を印加することもでき、ＣＣＤ型の固体撮像装置においては、電荷のリセットなどが可能となる。
【００７８】
また、内部回路領域（図１２の符号１０１参照）においては、Ｐ型半導体層２には、２次元状に配列され且つ光電変換により信号電荷を発生させる複数の受光部を有する撮像領域、該受光部の垂直方向の列に沿って列毎に配置された垂直転送部（垂直ＣＣＤ）、該受光部の最終行に隣接するように設けられた水平転送部（水平ＣＣＤ）、さらに、撮像領域の外周部に形成された周辺回路領域が設けられている。なお、内部回路領域においての受光部は、Ｐ型半導体層２中に形成されたＮ＋型半導体層３のフォトダイオードであって、受光した光の強度に応じて電荷を蓄積する。
【００７９】
これらＰ型半導体層２及びＮ＋型半導体層３は内部回路領域と周辺回路領域において、同一の工程にて形成することで工程の削減を図ることも可能であり、また、別々の工程にて形成することで、それぞれの特性を最大限に生かすような濃度や形状とすることが可能である。
【００８０】
絶縁膜４及びＮ＋型半導体層９１には、該絶縁膜４及びＮ＋型半導体層９１を貫通し、開口径が７０μｍ程度であって深さが２００μｍ程度の貫通孔６が形成されており、該貫通孔６の側壁部及び半導体基板１の裏面上には、絶縁膜７が形成されており、該絶縁膜７の内側を充填するように貫通電極８が形成されている。この貫通電極８との接触面積を増やすため、また、確実にコンタクトを取るためにパッド部５は凹形状で接続されていることが好ましい。
【００８１】
また、半導体基板１の表面側には、絶縁膜４及び絶縁膜７の上に、絶縁膜４の開口部を介してＮ＋型半導体層３と接続すると共に貫通電極８と接続する導電膜からなるパッド部５が形成されている。パッド部５は、配線Ｌを介して内部回路領域と接続している。一方、半導体基板１の裏面側には、絶縁膜７の上に貫通電極８と接続する導電膜からなる裏面電極９が形成されており、該裏面電極９を覆うと共にその一部を露出する開口部を有する絶縁樹脂層１０が形成されている。絶縁樹脂層１０の開口部には、裏面電極９と接続する導電膜からなる突起電極１１が形成されている。
【００８２】
なお、周辺回路領域における絶縁膜４は単一の符号を用いて説明しているが、絶縁膜４は内部回路領域においては、内部回路の駆動に必要な電極、多層配線などが形成されているものもあり、それに伴い、絶縁膜４は複数の膜および複数種の膜からなっている場合もある。
【００８３】
ここで、Ｎ＋型半導体層９１の形成は、貫通孔６形成後に、熱拡散、プラズマイオン注入、又は斜めイオン注入などの方法を用いて形成することができる。また、貫通孔６形成前に、後に貫通孔６の側壁部に残存するように、半導体基板１の裏面に到達するようにＮ＋イオンを注入する方法でもよい。また、Ｎ＋型半導体層９１の形成領域は、上記ＰＮ接合領域の広がりの影響を抑制できればよいので、必ずしも裏面にまで到達させる必要はない。なお、このように形成するため、図示は省略しているが、図１０に対応する平面図としては、例えば従来例の図１３（ａ）において貫通孔１１６の周縁部にＮ＋型半導体層９１の形成領域が存在する図となる。
【００８４】
上記図１０に示す構造を備えた本実施形態に係る固体撮像装置によると、上記従来例の図１３に示す構造に加えて貫通孔６の側壁部にＮ＋型半導体層９１を新たに設ける構造とするだけで、Ｐ型半導体層２及びシリコン基板１のＰＮ接合のリーク電流と高温動作時にさらに顕著となる暗電流の低減及び抑制ができる。その結果、高感度及び高Ｓ／Ｎの固体撮像装置、ひいては、それを備えたカメラを実現することができる。
【００８５】
なお、Ｎ＋型半導体層９１の形成は、第１及び第２の実施形態と同様に、受光部におけるフォトダイオードのＮ型領域の形成と同時に、また、周辺回路領域におけるＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散領域の形成と同時に行うことができる。なお、上記本実施形態に係る各固体撮像装置の製造方法におけるその他の工程は、上述した構造上の特徴を有するように公知の製造方法を適宜変更して適用すれば実現可能である。
【００８６】
（第４の実施形態）
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の構造図であって、従来の図１２の領域ａに対応する部分の構造図である。
【００８７】
ここで、本実施形態に係る固体撮像装置は、上記第１〜第３の実施形態のいずれにも適用可能な構造上の特徴を有するものであって、具体的には、貫通孔６内の構造に特徴を有し、その他の構造は上記各実施形態で上述した通りである。したがって、以下では、その特徴部分を中心に説明する。
【００８８】
図１１に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置では、貫通孔６内の構造として、絶縁膜７の内側に形成される貫通電極８ａの内部に、導電膜とは異なる埋め込み材料が充填されている構造を有している。すなわち、上記第１〜第３の実施形態のように、絶縁膜７の内部を完全に金属で埋め込むことなく、本実施形態では、電気的接続に必要な部分だけを導電膜からなる貫通電極８ａとして形成し、その内部は例えば樹脂などの他の材料を充填した構造である。このような構造を貫通電極が形成される貫通孔６内の構造とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明の構造及びその製造方法は、固体撮像装置及びそれを備えたカメラにとって有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の構造図であって、（ａ）は（ｂ）におけるIa-Ia線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIb-Ib線に対応する断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の変形例１に係る固体撮像装置の構造図であって、（ａ）は（ｂ）におけるIIa-IIa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIIb-IIb線に対応する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の変形例２に係る固体撮像装置の構造図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の変形例３に係る固体撮像装置の構造図であって、具体的には、（ａ）は（ｂ）におけるIVa-IVa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIVb-IVb線に対応する断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の変形例３に係る固体撮像装置の構造図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の変形例４に係る固体撮像装置の構造図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の構造図であって、（ａ）は（ｂ）におけるVIIa-VIIa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるVIIb-VIIb線に対応する断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態の変形例１に係る固体撮像装置の構造図であって、（ａ）は（ｂ）におけるVIIIa-VIIIa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるVIIIb-VIIIb線に対応する断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の変形例２に係る固体撮像装置の構造図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の構造図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の構造図である。
【図１２】従来の固体撮像装置の概略構造を示す平面図である。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は、上記従来の固体撮像装置の構造図であって、（ａ）は（ｂ）におけるXIIIa-XIIIa線に対応する平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXIIIb-XIIIb線に対応する断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１  半導体基板
２、７１  Ｐ型半導体層
３、２１、２１ａ、４１、４１ａ、６１、８１、８１ａ、９１  Ｎ＋型半導体層
４  絶縁膜
５  パッド部
６  貫通孔
７  絶縁膜
８ａ  貫通電極
８ｂ  埋め込む材料
９  裏面電極
１０  絶縁樹脂層
１１  突起電極
【図１】
2009135432.tif 000003
【図２】
2009135432.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009135432.tif 000009
【図８】
2009135432.tif 000010
【図９】
2009135432.tif 000011
【図１０】
2009135432.tif 000012
【図１１】
2009135432.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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