(57)【要約】  【課題】バンプ付き回路配線板を形成するに際して、エッチングによる回路パターンの幅細りをなくすことにより、微細な回路パターンを形成可能にして高密度化を図る。  【解決手段】絶縁ベース材１１の一方の面にシード層１２を有する片面積層板１０を用意し、前記シード層１２の表面の回路形成部１３を除く部分にめっきレジスト層１４を設け、露出したシード層１２の表面にめっき処理にて回路配線パターン１５を形成し、この回路配線パターン１５上のバンプ形成予定部分１６ａにエッチングレジスト層１７を設け、前記バンプ形成予定部分１６ａが所定の高さとなるように前記回路配線パターンの露出した部分をエッチング処理にて薄くし、前記めっきレジスト層１４およびエッチングレジスト層１７を除去した後に、露出したシード層１２をエッチング処理にて除去する。【選択図】図５
2009117600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ベース材の一方の面にシード層を有する片面積層板を用意し、前記シード層の表面の回路形成部を除く部分にめっきレジスト層を設け、露出したシード層の表面にめっき処理にて回路配線パターンを形成し、この回路配線パターン上のバンプ形成予定部分にエッチングレジスト層を設け、前記バンプ形成予定部分が所定の高さとなるように前記回路配線パターンの露出した部分をエッチング処理にて薄くし、前記めっきレジスト層およびエッチングレジスト層を除去した後に、露出したシード層をエッチング処理にて除去することを特徴とするバンプ付き回路配線板の製造方法。
【請求項２】
上記エッチングレジスト層はインクジェット手段にて形成することを特徴とする請求項１記載のバンプ付き回路配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバンプ付き回路配線板の製造方法に関するものであり、特に、セミアディティブ法によって形成される回路の端子部にバンプを設けた回路配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
端子部にバンプを設けた回路配線板としては、テープキャリアが知られている。例えば絶縁フィルム上に任意のパターン構造で、バンプ部分を含む厚みに導体層を被着し、導体層のバンプを設けようとする部分にレジスト層を形成して被覆し、残りの露出した導体層をエッチング処理にてバンプが所望の高さとなるまで除去し、その後レジスト層を除去して所望のバンプを形成する構成が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】実開昭５１−１６１０７３号公報（第５〜６頁、第３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１記載のテープキャリアは、絶縁フィルム上に任意のパターン構造で、バンプ部分を含む厚みに導体層を被着しておき、エッチング処理にて導体層の厚みを除去してバンプを形成する方法が開示されている。この場合、図８に示すように、絶縁フィルム５０の上に、予めパターン構造に形成された導体層５１がバンプ部分を含む厚みに設けられており、バンプ５２を形成する部分に斜線で示すレジスト層５３を被覆し、露出した導体層５１をエッチング処理にてバンプが所望の高さとなるまで除去する。
【０００４】
しかし、実際には、図９に示すように、エッチングにより導体層５１の厚みが除去されるだけではなく、導体層５１の幅方向も細くなる。エッチングによる幅細りの補正量を設計段階で考慮して、最初のパターン幅を補正量だけ太くすることも考えられるが、微細な回路パターンの場合は、すでに設計の段階で隣接する回路パターンに接触するおそれがある。また、この幅細りに対する補正量とともに導体層５１が厚いため、微細な回路パターンを形成するのに支障を来たし、高密度化に対応することが困難となる。
【０００５】
そこで、本発明は、バンプ付き回路配線板を形成するに際して、エッチングによる回路パターンの幅細りをなくすことにより、微細な回路パターンを形成可能にして高密度化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１記載の発明は、絶縁ベース材の一方の面にシード層を有する片面積層板を用意し、前記シード層の表面の回路形成部を除く部分にめっきレジスト層を設け、露出したシード層の表面にめっき処理にて回路配線パターンを形成し、この回路配線パターン上のバンプ形成予定部分にエッチングレジスト層を設け、前記バンプ形成予定部分が所定の高さとなるように前記回路配線パターンの露出した部分をエッチング処理にて薄くし、前記めっきレジスト層およびエッチングレジスト層を除去した後に、露出したシード層をエッチング処理にて除去することを特徴とするバンプ付き回路配線板の製造方法を提供する。
【０００７】
この構成によれば、片面積層板のシード層の回路形成部を除く部分にめっきレジスト層を設け、めっき処理にて回路配線パターンを形成する。この回路配線パターンのめっき厚みは、形成されるバンプの高さを含む厚みに設けられる。その後、バンプ形成予定部分にエッチングレジスト層を設け、それ以外の回路配線パターン部分を所定高さのバンプが形成されるに至るまでエッチング処理にて薄くする。
【０００８】
このとき、回路配線パターン部分の表面はエッチング除去されて、回路配線パターン部分の側面（周縁部）はめっきレジスト層で囲繞されているため、エッチング除去されない。さらに、めっきレジスト層およびエッチングレジスト層を除去した後に、露出したシード層をエッチング除去すれば、回路配線パターンが電気的に独立して、バンプ付き回路配線板が形成される。
【０００９】
請求項２記載の発明は、上記エッチングレジスト層はインクジェット手段にて形成することを特徴とする請求項１記載のバンプ付き回路配線板の製造方法を提供する。
【００１０】
この構成によれば、ノズルから液状のレジストインクを噴射させてバンプ形成予定部分にエッチングレジスト層を設ける。インクジェット手段にてエッチングレジスト層を形成するため、エッチングレジストの塗布またはラミネート、フォトマスクを用いた露光、現像を含む一連の工程が不要となる。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１記載の発明は、セミアディティブ法によって形成される回路の端子部にバンプを設ける際、バンプ以外の回路配線パターン部分の表面のみがエッチング除去されて薄くなり、回路配線パターン部分の側面（周縁部）はエッチング除去されない。したがって、エッチングによる回路パターンの幅細りを防止することができ、エッチングによる幅細りの補正量を考慮して最初のパターン幅を補正量だけ太くする必要がなく、微細な回路パターンを形成可能にして高密度化を図ることできる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、インクジェット手段にてエッチングレジスト層を形成するので、エッチングレジストの塗布またはラミネート、フォトマスクを用いた露光、現像を含む一連の工程が不要となり、工数が削減されてコストダウンに寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造方法について、好適な実施例をあげて説明する。バンプ付き回路配線板を形成するに際して、エッチングによる回路パターンの幅細りをなくすことにより、微細な回路パターンを形成可能にして高密度化を図るという目的を達成するために、本発明は絶縁ベース材の一方の面にシード層を有する片面積層板を用意し、前記シード層の表面の回路形成部を除く部分にめっきレジスト層を設け、露出したシード層の表面にめっき処理にて回路配線パターンを形成し、この回路配線パターン上のバンプ形成予定部分にエッチングレジスト層を設け、前記バンプ形成予定部分が所定の高さとなるように前記回路配線パターンの露出した部分をエッチング処理にて薄くし、前記めっきレジスト層およびエッチングレジスト層を除去した後に、露出したシード層をエッチング処理にて除去することにより実現した。
【実施例１】
【００１４】
図１〜図７は本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図であり、各図（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【００１５】
図１は回路配線板の素材となる片面積層板１０を示し、該片面積層板１０は絶縁ベース材１１の一方の面に、回路配線パターンを形成する際の給電層となる薄膜金属層いわゆるシード層１２を有している。
【００１６】
このシード層１２は、絶縁ベース材１１との密着やマイグレーションを抑制するための下地層であり、いわゆるアンカー層をスパッタリング手法や蒸着手法などの薄膜形成手法によって形成し、続いて導電層となる銅層を同様の薄膜形成手法やめっき手法で形成したものである。あるいは、広く採用されている無接着剤型の銅張積層板の銅層にエッチング処理を施して薄くし、それをシード層としてもよい。また、これらの手法や形態に限られず、セミアディティブ法で採用できる種々のシード層が使用可能である。
【００１７】
次に、図２に示すように、前記シード層１２の表面の回路形成部１３を除く部分に、めっきレジスト層１４を設ける。このめっきレジスト層１４は、めっきレジストの塗布またはラミネート、フォトマスクを用いた露光、現像を含む一連の手法によって形成される。
【００１８】
続いて、図３に示すように、回路形成部１３として露出しているシード層１２の表面に、該シード層１２を給電層として電解銅めっき処理を施し、回路配線パターン１５を形成する。この回路配線パターン１５のめっき厚みは、形成されるバンプの高さを含む厚みに設けられる。
【００１９】
次に、図４に示すように、回路配線パターン１５上のバンプ形成予定部分１６ａにエッチングレジスト層１７を設ける。本発明においては、このエッチングレジスト層１７をインクジェット手段にて形成する。すなわち、ノズルから液状のレジストインクを噴射して、バンプ形成予定部分１６ａへ部分的にレジストインクを塗布し、紫外線もしくは熱によるキュア（硬化）を行う。インクジェット手段にてエッチングレジスト層１７を形成するので、エッチングレジストの塗布またはラミネート、フォトマスクを用いた露光、現像を含む一連の工程が不要となり、工数が削減されてコストダウンに寄与できる。
【００２０】
続いて、図５に示すように、エッチングレジスト層１７が形成されていない露出した回路配線パターン１５部分を、所定高さのバンプ１６が形成されるに至るまでエッチング処理して薄くする。このとき、回路配線パターン１５の表面は、所定のバンプ１６の高さに相当する厚み分だけエッチング除去されるが、回路配線パターン１５の側面（周縁部）はめっきレジスト層１４で囲繞されているため、エッチング除去されない。したがって、エッチングによる回路パターンの幅細りを防止することができる。
【００２１】
次に、図６に示すように、前記めっきレジスト層１４およびエッチングレジスト層１７を除去すると、シード層１２が露出する。
【００２２】
さらに、図７に示すように、不要となったシード層１２の露出部分をエッチング処理にて除去すれば、絶縁ベース材１１の表面が露出して、回路配線パターン１５およびバンプ１６が電気的に独立して、バンプ付き回路配線板２０が形成される。
【００２３】
このように、セミアディティブ法によって形成される回路の端子部にバンプを設ける際、バンプ１６以外の回路配線パターン部１５の表面のみがエッチング除去されて薄くなり、回路配線パターン部１５の側面（周縁部）はエッチング除去されないので、エッチングによる回路パターンの幅細りを防止することができ、幅細りの補正量を考慮して最初のパターン幅を補正量だけ太くする必要がなく、微細な回路パターンを形成可能にして高密度化を図ることできる。
【００２４】
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図２】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図３】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図４】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図５】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図６】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図７】本発明に係るバンプ付き回路配線板の製造工程を示す説明図。
【図８】従来の製造過程を示す説明図。
【図９】従来の製造過程を示す説明図。
【符号の説明】
【００２６】
１０    片面積層板
１１    絶縁ベース材
１２    シード層
１３    回路形成部
１４    めっきレジスト層
１５    回路配線パターン
１６    バンプ
１６ａ  バンプ形成予定部分
１７    エッチングレジスト層
２０    バンプ付き回路配線板 
【図１】
2009117600.tif 000003
【図２】
2009117600.tif 000004
【図３】
2009117600.tif 000005
【図４】
2009117600.tif 000006
【図５】
2009117600.tif 000007
【図６】
2009117600.tif 000008
【図７】
2009117600.tif 000009
【図８】
2009117600.tif 000010
【図９】
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