(57)【要約】【課題】良好に成膜された担体輸送層を有する発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１１０上に、第１方向及び第１方向に直交する第２方向に沿ってマトリクス状に配置されている下部電極１２０と、第１電極１２０を囲む第１の部位及び第２の部位を有し、第１の部位が第１の方向に沿って設けられ、第２の部位が第２の方向に沿って設けられている、バンク１３０と、を有する。第１の部位を跨ぎながら第２方向に沿って、若しくは、第２の部位を跨ぎながら第１方向に沿って、正孔輸送層形成用塗布液に界面活性剤を含有させた界面活性剤含有塗布液を連続的に塗布することで、担体輸送層を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１方向に沿って配置されている複数の第１電極と、
前記第１電極を囲む第１の部位及び第２の部位を有し、前記第１の部位が前記第１の方向に沿って設けられ、前記第２の部位が前記第１方向に直交する第２の方向に沿って設けられている、バンクと、を有し、
前記第２の部位を跨ぎながら前記第１方向に沿って、または前記第１の部位を跨ぎながら前記第２の方向に沿って、担体輸送層材料及び界面活性剤を含有させた界面活性剤含有塗布液を連続的に塗布することで、担体輸送層を形成する工程を有する、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記担体輸送層は、正孔輸送層である、
ことを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記界面活性剤が、非イオン界面活性剤である、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記バンクは、前記第１の部位が互いに対向して設けられ、前記第２の部位が互いに対向して設けられた矩形の開口部を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に、第１方向に沿って配置されている複数の第１電極と、
前記第１電極を囲む第１の部位及び第２の部位を有し、前記第１の部位が前記第１の方向に沿って設けられ、前記第２の部位が前記第１方向に直交する第２の方向に沿って設けられている、バンクと、
前記第２の部位を跨ぎながら前記第１方向に沿って、または前記第１の部位を跨ぎながら前記第２の方向に沿って、担体輸送層材料及び界面活性剤を含有させた界面活性剤含有塗布液を連続的に塗布することにより、前記複数の第１電極のそれぞれの上に形成された担体輸送層と、
前記担体輸送層のそれぞれの上に形成された第２電極と、を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
前記担体輸送層は、正孔輸送層である、
ことを特徴とする請求項５記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造工程では、例えば特許文献１に開示されるように、基板上に設けられ、各画素領域毎に壁で仕切る格子形状の隔壁に囲まれた複数の画素電極に、正孔輸送材料等の有機材料を連続的に吐出して塗布を行うことにより、正孔輸送層等の有機層を形成することがある。
【０００３】
しかしながら、正孔輸送材料等が隔壁の上面に乗り上げることがあり、隔壁の上面に乗り上げた正孔輸送材料等は、その隔壁の両隣のいずれかの画素領域に不規則に流れ落ちる。
【０００４】
そのため、画素領域を囲む格子形状の隔壁のうちの対向する壁のうち、一方の壁の上面からは比較的多量の正孔輸送材料等が画素電極上に流れ落ち、他方の壁の上面からは比較的少量の正孔輸送材料等が画素電極上に流れ落ちることがある。
【０００５】
そして、壁の上面から流れ落ちた正孔輸送材料等は、一方の壁の付近では比較的多量に堆積され、他方の壁の付近では比較的少量に堆積された正孔輸送層等の有機層を形成する。これでは、正孔輸送層等の膜厚が不均一となることで、膜厚ムラが発生するおそれがある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−７５６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、膜厚ムラが発生しにくい担体輸送層を有する発光装置及びその発光装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、良好に成膜された担体輸送層を有する発光装置及びその発光装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点に係る発光装置の製造方法は、
基板上に、第１方向に沿って配置されている複数の第１電極と、
前記第１電極を囲む第１の部位及び第２の部位を有し、前記第１の部位が前記第１の方向に沿って設けられ、前記第２の部位が前記第１方向に直交する第２の方向に沿って設けられている、バンクと、を有し、
前記第２の部位を跨ぎながら前記第１方向に沿って、または前記第１の部位を跨ぎながら前記第２の方向に沿って、担体輸送層材料及び界面活性剤を含有させた界面活性剤含有塗布液を連続的に塗布することで、担体輸送層を形成する工程を有する、ことを特徴とする。
【０００９】
また、前記担体輸送層は、正孔輸送層である、ことも可能である。
【００１０】
また、前記界面活性剤が、非イオン界面活性剤である、ことも可能である。
【００１１】
また、前記バンクは、前記第１の部位が互いに対向して設けられ、前記第２の部位が互いに対向して設けられた矩形の開口部を有する、ことも可能である。
【００１２】
また、上記目的を達成するため、この発明の第２の観点に係る発光装置は、
基板と、
前記基板上に、第１方向に沿って配置されている複数の第１電極と、
前記第１電極を囲む第１の部位及び第２の部位を有し、前記第１の部位が前記第１の方向に沿って設けられ、前記第２の部位が前記第１方向に直交する第２の方向に沿って設けられている、バンクと、
前記第２の部位を跨ぎながら前記第１方向に沿って、または前記第１の部位を跨ぎながら前記第２の方向に沿って、担体輸送層材料及び界面活性剤を含有させた界面活性剤含有塗布液を連続的に塗布することにより、前記複数の第１電極のそれぞれの上に形成された担体輸送層と、
前記担体輸送層のそれぞれの上に形成された第２電極と、を有する、ことを特徴とする。
【００１３】
また、前記担体輸送層は、正孔輸送層である、ことも可能である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る発光装置の製造方法で形成された発光装置は、良好に成膜された担体輸送層を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［有機エレクトロルミネッセンス発光装置］
まず、実施形態に係る発光装置８００について、図１、図２、図３及び図４を参照しながら説明する。
【００１６】
発光装置８００は、図１に示されるように、絶縁基板１１０と、縦方向及び横方向にそれぞれマトリクス状に複数配列された複数の下部電極（陽極）１２０と、絶縁性のバンク１３０と、各下部電極１２０上にそれぞれ形成された複数の発光層１４０と、上部電極（陰極）１６０と、を有する。絶縁基板１１０は、石英ガラス、無アルカリガラス等からなり、例えば直方体形状である。
【００１７】
バンク１３０は、格子状に形成されている。即ち、バンク１３０は、対向する長手方向の縦壁１３０ａと、縦壁１３０ａと一体的に形成され、対向する短手方向の横壁１３０ｂとを有しており、縦壁１３０ａ及び横壁１３０ｂで囲まれた矩形の開口部１３０ｃを複数有している。各下部電極１２０は、中央部が各開口部１３０ｃから露出しているとともに、周縁部がバンク１３０に埋設されている。ここで長手方向とはバンク１３０の開口部１３０ｃのうちの長手の辺、つまり縦壁１３０ａに沿った方向であり、短手方向とはバンク１３０の開口部１３０ｃのうちの短手の辺、つまり横壁１３０ｂに沿った方向である。
【００１８】
発光装置８００は、図１の２−２断面図である図２及び図３に示されるように、絶縁基板１１０の上には、絶縁基板１１０上に堆積されたゲートメタル層をフォトリソグラフィによって一括してパターニングされたゲート電極２１０、ゲート電極２１１、補償容量Ｃｓの第１容量電極２５１並びにデータラインＬｄが設けられる。ゲートメタル層は、Ｃｒ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＭｏＮｂ、Ｔａ、ＴａＮ、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等で形成される。
絶縁基板１１０の上には、ゲート電極２１０、ゲート電極２１１、補償容量Ｃｓの第１容量電極２５１及びデータラインＬｄを覆って、ゲート絶縁膜２２０が設けられる。ゲート絶縁膜２２０は、窒化シリコンで形成される。
【００１９】
ゲート絶縁膜２２０の上には下部電極１２０（アノード）が設けられる。下部電極１２０は、例えばドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）等の透明導電材料から形成される。発光装置８００の発光方式は、ここでは、ボトムエミッション型である。
【００２０】
ゲート絶縁膜２２０の上には半導体層２６０が設けられる。半導体層２６０は、真性（ノンドープ）アモルファスシリコンで形成される。半導体層２６０は、ゲート電極２１０の両端エッジ部を覆うようにゲート電極２１０よりも幅広く形成されている。半導体層２６０の上には保護層２３０が形成される。
さらに半導体層２６０の上には、半導体不純物層２４０も設けられる。半導体不純物層２４０は、ｎ型若しくはｐ型の不純物を含むアモルファスシリコンから形成される。不純物元素としては、ｎ型のアモルファスシリコンではリンが、ｐ型のモルファスシリコンではホウ素が、それぞれ用いられる。
【００２１】
半導体不純物層２４０の上には、ソース電極２８０とドレイン電極２９０とが設けられる。ソース電極２８０及びドレイン電極２９０、補償容量Ｃｓの第２電極、走査ラインＬｓ、電源ラインＬａは一括して形成され、それぞれゲート電極２１０と同様に、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＭｏＮｂ、Ｔａ、ＴａＮ、ＡｌＴｉ，ＡｌＴｉＮｄ等で形成される。
ゲート電極２１０、ゲート絶縁膜２２０、保護層２３０、半導体層２６０、半導体不純物層２４０、ソース電極２８０及びドレイン電極２９０は、一つの薄膜トランジスタＴｒ１２を構成する。薄膜トランジスタＴｒ１1は、薄膜トランジスタＴｒ１２と同様の構造であり、薄膜トランジスタＴｒ１２と同一プロセスによって形成され、その詳細な説明を省略する。
【００２２】
ソース電極２８０及びドレイン電極２９０の上には、窒化シリコン等の絶縁膜からなるオーバーコート膜１５０が設けられる。オーバーコート膜１５０の上面及び側面を覆うようにバンク１３０が設けられる。つまり、オーバーコート膜１５０の開口部より、バンク１３０の開口部１３０ｃが狭い。なお、オーバーコート膜１５０の開口部より、バンク１３０の開口部１３０ｃが広く構成することも可能である。
【００２３】
バンク１３０の開口部１３０ｃ内に囲まれた下部電極１２０の上に、担体輸送層としての正孔輸送層１９０、発光層１４０、上部電極１６０（カソード）がこの順に積層されている。ここで担体輸送層とは、電圧が印加されることによって電子又は正孔を輸送する層であり、有機材料からなる層である。
【００２４】
正孔輸送層１９０は、後述するように、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸とを含有する正孔輸送材料含有液に、界面活性剤を含有させた正孔輸送層形成用塗布液を、バンクを跨いで連続的に塗布することで形成されたものである。
【００２５】
上部電極１６０は、電子注入をしやすくするため、例えば、１ｎｍ〜１５ｎｍ厚のＡｌＬｉ、ＬiＦ、ＭｇＩｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等の金属を単体であるいは合金からなる低仕事関数の電子注入電極層及び５０〜１０００ｎｍ厚のシート抵抗を下げるためのＡｌ又はＡｌ合金等の導電層の積層構造を用いることができる。ボトムエミッション型の場合、上部電極１６０は、発光層１４０の発光を下部電極１２０の側へ反射する役割も有する。
【００２６】
上部電極１６０の上には、パッシベーション膜２５０が設けられる。パッシベーション膜２５０の上に接着層１８０が設けられる。そして、接着層１８０の上に封止基板１７０が設けられている。
【００２７】
図１の３−３断面図である図３に示すように、薄膜トランジスタＴｒ１１（書込制御手段）は、ドレイン電極２８１と、ゲート電極２１１と、ソース電極２９１と、を有する。また、薄膜トランジスタＴｒ１２（発光制御手段）は、ドレイン電極２９０と、ゲート電極２１０と、ソース電極２８０と、を有する。
【００２８】
発光駆動回路は、図４に示すように、薄膜トランジスタＴｒ１１（書込制御手段）と、薄膜トランジスタＴｒ１２（発光制御手段）と、を備える。走査ラインＬｓとデータラインＬｄとは相互に直交するように配設される。薄膜トランジスタＴｒ１１は、ゲート電極２１１がゲート絶縁膜２２０に設けられた厚さ方向に貫通するコンタクトホールＣＨ１を介して走査ラインＬｓに接続され、ドレイン電極２８１がゲート絶縁膜２２０に設けられた厚さ方向に貫通するコンタクトホールＣＨ２を介してデータラインＬｄに接続され、ソース電極２９１がゲート絶縁膜２２０に設けられた厚さ方向に貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して薄膜トランジスタＴｒ１２のゲート電極２１０及び補償容量Ｃｓの第１容量電極２５１に接続される。薄膜トランジスタＴｒ１２は、ゲート電極２１０が薄膜トランジスタＴｒ１１のソース電極２９１及び補償容量Ｃｓの第１容量電極２５１に接続され、ドレイン電極２９０が電源ラインＬａ（一定電位の高電圧の電源電圧Ｖｄｄ）に接続され、ソース電極２８０が、有機ＥＬ発光素子ＯＥＬの下部電極１２０及び補償容量Ｃｓの第２容量電極２５２に接続される。補償容量Ｃｓは、第１容量電極２５１、第２容量電極２５２、及びこれらに挟まれるゲート絶縁膜を有している。有機ＥＬ発光素子ＯＥＬは、薄膜トランジスタＴｒ１２のソース電極２８０に下部電極１２０のアノードが接続され、上部電極１６０のカソードには接地電位Ｖｓｓが印加されている。
【００２９】
［有機ＥＬ発光装置の製造方法］
次に、上述した発光装置８００の製造方法について、図５及び図６を参照して説明する。なお、薄膜トランジスタＴｒ１１については、薄膜トランジスタＴｒ１２と同様のプロセスによって形成されるので、一部その説明を省略する。
【００３０】
まず、透明な絶縁基板１１０の上に、Ｃｒ、Ｔａ、ＭｏＴａ、ＭｏＷ、ＭｏＮｂ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等の金属薄膜をスパッタ法により成膜することで、ゲートメタル層を形成する。次に、レジスト塗布、マスク露光、現像を行い、ウェットエッチングにより不要部のエッチングを行い、その後レジストを剥離することで、ゲートメタル層をパターニングすることによって、図５（ａ）に示すように、絶縁基板１１０の上にゲート電極２１０、ゲート電極２１１、補償容量Ｃｓの第１容量電極２５１並びにデータラインＬｄを設ける。
【００３１】
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁基板１１０の上に、ゲート電極２１０、ゲート電極２１１を覆うように、絶縁基板１１０の全域に窒化シリコンからなるゲート絶縁膜２２０を設ける。そして、ゲート絶縁膜２２０の上にノンドープのアモルファスシリコンからなる半導体膜２６１を設け、そして半導体膜２６１の上に窒化シリコンからなる絶縁膜層２３１を連続被覆形成する。半導体膜２６１は、プラズマ化学気相成長法にて形成する。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁膜層２３１をエッチング処理してパターニングして、絶縁膜２３０を形成する。そして、半導体層２６０とのオーミック接続をとるための半導体不純物膜２４１を成膜する。半導体不純物膜２４１は、リンのドープを行うことによる、ｎ型のアモルファスシリコンの半導体不純物膜である。なお、ｐ型のアモルファスシリコンの半導体層を形成する場合は、リンの代わりにホウ素をドープする。フォトリソグラフィによるレジストマスクを用いたドライエッチングにて所定の形状にパターニングし、半導体不純物膜２４１と半導体膜２６１を同時にパターニングして半導体不純物層２４０と半導体層２６０を形成する。
次にスパッタ法等で下部電極（アノード）１２０となる透明導電膜を形成する。透明導電膜は、例えばドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）等の透明導電材料から形成される。フォトリソグラフィによるレジストマスクを用いたウェットエッチングにて所定の形状にパターニングし、図５（ｄ）に示すように、下部電極１２０を得る。
ついで、コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ３を、フォトリソグラフィによるレジストマスクを用いたドライエッチングにて所定の形状にパターニングし形成する。
【００３３】
次に、Ｃｒ、Ｔａ、ＭｏＴａ、ＭｏＷ、ＭｏＮｂ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等の金属薄膜をスパッタ法によりそれぞれ成膜した後、フォトリソグラフィによるレジストマスクを用いたウェットエッチングにて所定の形状にパターニングし、薄膜トランジスタＴｒ１１のソース電極２９１及びドレイン電極２８１、図５（ｅ）に示すように、薄膜トランジスタＴｒ１２のソース電極２８０及びドレイン電極２９０、走査ラインＬｓ、並びに補償容量Ｃｓの第２容量電極２５２を形成する。
【００３４】
次に、窒化シリコンで形成されたオーバーコート膜１５０を、プラズマ化学気相成長法にて真空中で成膜する。そして、設けたオーバーコート膜１５０をフォトリソグラフィー処理により、パターニングして開口３２０を設けることで、図５（ｆ）に示すように、下部電極１２０を露出させる。
【００３５】
次に、下部電極１２０を露出する開口部１３０ｃを有するバンク１３０をオーバーコート膜１５０の上に形成する。バンク１３０は、例えばポリスチレン等のネガ型の感光性樹脂を全面に塗布し、フォトマスクを介して光を照射し、現像、焼成することでパターニング形成される。
【００３６】
そして、酸素プラズマ処理若しくはＵＶオゾン処理により下部電極１２０の洗浄及び親液化を行う。
【００３７】
次に、正孔輸送材料含有液に界面活性剤を含有させた正孔輸送層形成用塗布液を下部電極１２０の上に塗布する。
【００３８】
正孔輸送材料含有液に使用される正孔輸送材料としては、例えば化学式１に示される、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が使用される。
【００３９】
【化１】
2009245596.tif 000003
【００４０】
界面活性剤は、臨界ミセル濃度以上でミセルや乳化作用をもたらすものであって、種々のものを使用することができ、例えば、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン界面活性剤等を使用することができる。
【００４１】
中でも、非イオン界面活性剤を好適に使用することができる。非イオン界面活性剤は、水の硬度や電解質の影響を受けにくく使いやすい性質を有するからである。ここで、非イオン界面活性剤とは、水に溶けたとき、イオン化しない親水基を持っている界面活性剤のことである。
【００４２】
非イオン界面活性剤としては、例えば、エステル型、エーテル型、エステル・エーテル型等の種々のものを使用することができる。エステル型としては、例えば、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル等を使用できる。また、エーテル型としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール等を使用できる。また、エステル・エーテル型としては、脂肪酸ポリエチレングリコール、脂肪酸ポリオキシエチレンソルビタン等を使用できる。
【００４３】
正孔輸送層形成用塗布液は、図６に示されるように、ノズルコータ３００の吐出口１８０から連続的に吐出され、バンク１３０の横壁１３０ｂを跨ぐように下部電極１２０の上に塗布される。ノズルコータ３００の吐出方向は、発光装置８００の列方向、つまりバンク１３０の開口部１３０ｃの長手方向となる縦壁１３０ａに沿った方向であり、図１、図６、図７及び図８にて矢印２００で示されるが、列方向と直交する、バンク１３０の開口部１３０ｃの短手方向となる隔壁１３０ｂに沿った方向としてもかまわない。ノズルコータ３００の吐出方向は、ノズルコータ３００を矢印２００の方向に移動するか、ノズルコータ３００の位置を固定し、絶縁基板１１０を載置しているステージを矢印２００と反対方向に移動するか、或いはノズルコータ３００を矢印２００の方向に移動するとともに、絶縁基板１１０を載置しているステージを矢印２００と反対方向に移動すればよい。
【００４４】
ノズルコータ３００から横壁１３０ｂを跨いで連続的な正孔輸送層形成用塗布液３１０が吐出されると、図７（ａ）に示されるように、下部電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃの上には、正孔輸送層形成用塗布液の液体１７１，１７２，１７３がそれぞれ吐出される。また、横壁１３０ｂの上面には、正孔輸送層形成用塗布液の液塊１８２，１８３が吐出される。
【００４５】
通常は正孔輸送層形成用塗布液であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ溶液の表面張力は高いが、本実施形態では界面活性剤が含有されているので、正孔輸送層形成用塗布液の液塊１８２，１８３は表面張力が低い状態で、横壁１３０ｂの上面に存在する。
【００４６】
そのため、図７（ｂ）に示されるように、正孔輸送層形成用塗布液の液塊１８２，１８３は、界面活性剤の作用により、矢印１８４で示すように横壁１３０ｂの上面から左右のいずれかに比較的均等に流れ落ち、バンク１３０上に残りにくいので、界面活性剤が含まれない正孔輸送層形成用塗布液のようにバンク１３０上に残ったり、残らなかったり、というばらつきが少ない。
【００４７】
この結果、図７（ｃ）に示すように、膜厚のムラが少ない正孔輸送層が形成される。
【００４８】
仮に、正孔輸送層形成用塗布液に界面活性剤が含有されていない場合は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは表面張力が高くて凝集性が強い。この凝集性が強いＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの液塊は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ液塊のわずかな位置の違い等の不確定要因により、横壁１３０ｂの上面から左右のいずれかに不規則に流れ落ちるか横壁１３０ｂの上面に残ってしまう。例えば図７（ｄ）に示すように、一方では、正孔輸送層形成用塗布液の液塊は、矢印１７６で示す方へは比較的大きい体積で落下し、矢印１７７に示す方へは比較的小さい体積で落下する。また、他方では、正孔輸送層形成用塗布液の液塊は、矢印１７８で示す方へは比較的大きい体積で落下し、矢印１７９に示す方へは比較的小さい体積で落下する。
【００４９】
そうすると、図７（ｅ）に示すように、矢印１７８で示した正孔輸送層形成用塗布液の液塊が落下したほうでは、正孔輸送層形成用塗布液の量は多くなる。一方、矢印１７７で示した正孔輸送層形成用塗布液の液塊が落下したほうでは、正孔輸送層形成用塗布液の量は、それほど多くならない。これでは、矢印１７８で示した正孔輸送層形成用塗布液の液塊が落下したほうでは膜厚が比較的厚くなり、一方、矢印１７７で示した正孔輸送層形成用塗布液の液塊が落下したほうでは膜厚が比較的薄くなることで、膜厚ムラが発生する。
【００５０】
しかしながら、本実施形態のように、正孔輸送材料含有液に界面活性剤を含有させた正孔輸送層形成用塗布液を塗布する場合は、界面活性剤の作用により図７（ｃ）に示したように、膜厚ムラの発生が起こりにくい。特に、長手方向である縦壁１３０ａに沿った方向のバンク１３０の上面は、隣接する画素間の短手方向の横壁１３０ｂ、１３０ｂ間であるため、比較的面積が小さく、バンク１３０の上の正孔輸送層形成用塗布液の液塊１８２，１８３の量が少ないので、矢印１８４のどちらに落ちてもその量は比較的小さく担体輸送層の厚さのばらつき要因が小さい。逆に、短手方向の横壁１３０ｂに沿った方向のバンク１３０の上面は、隣接する画素間の長手方向である縦壁１３０ａ、１３０ａ間であるため、比較的面積が大きく、仮に矢印２００と直交する方向に正孔輸送材料含有液を塗布すると、バンク１３０の上の正孔輸送層形成用塗布液の液塊の量が多いため、隣接する画素のどちらに落ちてもその量は比較的大きく担体輸送層の厚さのばらつき要因が大きい。
【００５１】
正孔輸送材料の塗布後は、ホットプレート上で１００℃以上の温度条件で乾燥を行うことで、正孔輸送層１９０が形成される。
【００５２】
次に、形成された正孔輸送層１９０の上に、有機ＥＬ発光層形成用塗布液が塗布される。塗布は、ノズルコータから連続的に塗布される。塗布は、窒素ガス雰囲気中で行うことが望ましい。
【００５３】
有機ＥＬ発光層形成用塗布液が塗布された後は、窒素雰囲気中でホットプレートによる乾燥、あるいは、真空中でのシーズヒータによる乾燥を行い、残留液体の除去をすることで、発光層１４０が形成される。
【００５４】
次に、発光層１４０の上に、膜厚が例えば１００ｎｍの上部電極１６０が設けられる。上部電極１６０は、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いて形成することができる。
【００５５】
次に、上部電極１６０の上にパッシベーション膜２５０が設けられる。そして、パッシベーション膜２５０の上に接着層１８０を設け、さらに接着層１８０の上に封止基板１７０を形成する。具体的には、封止基板１７０の一方の面にディスペンサを用いてエポキシ系紫外線硬化樹脂からなる接着剤を塗布する。そして封止基板１７０の接着剤が塗布された面と接着層１８０が配置された面とを位置あわせして貼り合わせて、紫外線を照射させて接着剤を硬化させる。これにより封止基板１７０と接着層１８０が配置された面とが固定される。これにより、図２に示すような、実施形態に係る発光装置８００が形成される。
【００５６】
なお、上述の実施の形態では、担体輸送層として正孔輸送層１９０を設ける構成を示したが、本発明は係る実施形態に限定されることはない。担体輸送層として正孔注入層を設けることも可能であり、さらには、担体輸送層として、正孔輸送層と正孔注入層との双方を形成することも可能である。また、担体輸送層の材料としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ以外の材料であってもよい。
上述の実施の形態の発光装置では、絶縁基板１１０側から光を出射するボトムエミッション型の発光装置であったが、これに限らず下部電極１２０を光反射性電極とし、上部電極１６０を光透過性電極として封止基板１７０側から光を出射するトップエミッション型であってもよい。
【実施例】
【００５７】
以下に、実施例に係る界面活性剤含有塗布液を用いて正孔輸送層を形成した発光装置の発光ムラの少なさを示す実施例を、図８を参照しながら説明する。
【００５８】
実施例１として、純水とＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとを３：７の比率になるように調整して、更に界面活性剤として花王エマルゲン１０９Ｐ（非イオン界面活性剤）を全体の０．０２ｗｔ％となるように添加して界面活性剤含有塗布液を準備した。
実施例２として、純水とＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとを３：７の比率になるように調整して、更に界面活性剤として３Ｍ  ＦＣ−４４３２（非イオン界面活性剤）を全体の０．０２ｗｔ％となるように添加して界面活性剤含有塗布液を準備した。
一方、比較例として、界面活性剤を添加せずに、純水とＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとを３：７の比率になるように調整した。
【００５９】
下部電極１２０の酸素プラズマ処理は、圧力５０〜１００Ｐａ、酸素流量２．５ｓｃｃｍ、陰極電力２５０Ｗ、処理時間１０ｍｉｎで行った。
【００６０】
そして、親液化処理をした下部電極１２０の上にノズルプリント法で界面活性剤含有塗布液を塗布した。塗布条件は、溶液流量が８５μｌ／ｍｉｎ、ヘッドスピードが３．０ｍ／ｓ、絶縁基板１１０を載置するステージの温度が４０℃で行った。
【００６１】
その後は、１００℃以上の温度条件で乾燥を行い、正孔輸送層１９０を形成した。そして形成した正孔輸送層１９０の上に、発光層１４０を形成し、発光させることで発光の状態を観察した。
【００６２】
図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に、順に、実施例１、実施例２、比較例における発光の状態を示す。実施例１においては、破線８４１と破線８４２との比較、及び、破線８４３と破線８４４との比較から理解されるように、発光ムラは少ない。また、実施例２においても、破線８４５と破線８４６との比較、及び、破線８４７と破線８４８との比較から理解されるように、同一画素内の発光ムラ及び隣接する画素同士の発光ムラは少ない。しかしながら、比較例においては、破線８４９と破線８５０との比較、及び、破線８５１と破線８５２との比較から理解されるように、同一画素内での厚さムラによる発光ムラが見られ、また隣接する画素同士で比べても厚さが厚い部分の位置と薄い部分の位置がバラバラで規則性がなく、画素間の発光ムラがあった。この結果から、正孔輸送材料含有液に界面活性剤を含有させた正孔輸送層形成用塗布液を塗布する場合は、発光ムラが少ないことがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態に係る発光装置の概略を説明する図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る発光装置の図１の２−２線における断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る発光装置の図１の３−３線における断面図である。
【図４】発光駆動回路を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造工程を説明する図であり、そのうち（ａ）はゲート電極を設ける図であり、（ｂ）はゲート絶縁膜、半導体膜、保護層膜を連続形成する図であり、（ｃ）は不純物層を成膜する図であり、（ｄ）はソース電極とドレイン電極を形成する図であり、（ｅ）は下部電極を形成する図であり、（ｆ）は下部電極を露出させる開口を形成する図である。
【図６】ノズルコート法により下部電極の上に正孔輸送材料を塗布するようすを説明する図である。
【図７】バンクの壁を跨いで正孔輸送材料を塗布するようすを説明する図であり、そのうち（ａ）（ｂ）（ｃ）は界面活性剤が含有された正孔輸送材料を塗布するようすを説明する図であり、（ｄ）（ｅ）は界面活性剤が含有されていない正孔輸送材料を塗布するようすを説明する図である。
【図８】発光の状態を説明する図であり、そのうち（ａ）（ｂ）は実施例に係る発光の状態を説明する図であり、（ｃ）は比較例に係る発光の状態を説明する図である。
【符号の説明】
【００６４】
１１０…絶縁基板、１２０…下部電極、１３０…バンク、１４０…発光層、１５０…オーバーコート膜、１６０…上部電極、１７０…封止基板、１８０…接着層、２５０…パッシベーション膜、２１０…ゲート電極、２１１…ゲート電極、２２０…ゲート絶縁膜、２３０…絶縁膜、２３１…絶縁膜層、２４０…半導体不純物層、２４１…半導体不純物膜、２６０…半導体層、２６１…半導体膜、２８０…ソース電極、２８１…ドレイン電極、２９０…ドレイン電極、２９１…ソース電極、３２０…開口、８００…発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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