(57)【要約】【課題】スルーホールメッキと樹脂との線膨張係数が異なる場合でも、スルーホールメッキと配線パターンとの接合部における破断を防止することが可能な多層基板を提供する。【解決手段】本発明に係る多層基板は、複数の金属層５０を誘電体層４０を挟んで積層させてなり、前記複数の金属層５０のうち互いに異なる金属層それぞれに形成される配線パターン２０，３０間に、これらを電気的に接続するスルーホール１０を備える。このとき、スルーホール１０は、多段の太鼓状の断面形状をしている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の金属層を誘電体層を挟んで積層してなる多層基板において、
前記複数の金属層のうち互いに異なる金属層それぞれに形成される配線パターン間に、内径が変化するスルーホールを形成したことを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記スルーホールの前記誘電体層に接する部分の内径は、前記金属層に対向する部分の内径よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の多層基板。
【請求項３】
前記スルーホールの前記誘電体層に接する部分の内径は、最大で前記スルーホールのメッキ厚の２倍分大きいことを特徴とする請求項２記載の多層基板。
【請求項４】
前記スルーホールの前記配線パターンと接続される部分の内径は、当該部位を除く前記スルーホールの内径よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の多層基板。
【請求項５】
前記スルーホールの前記配線パターンと接続される部分の内径は、最大で前記スルーホールのメッキ厚の２倍分小さいことを特徴とする請求項４記載の多層基板。
【請求項６】
複数の金属層を誘電体層を挟んで積層してなる多層基板において、
前記金属層のうち互いに異なる金属層それぞれに形成される配線パターン間に形成されるスルーホールの内径を変化させることを特徴とする多層基板のスルーホール形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高周波信号を伝搬する多層基板及びそのスルーホール形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、多層基板における内層の配線パターン間、もしくは内層の配線パターンと表層の配線パターンとの間の電気的接続を行なう際には、ドリル穴加工とメッキ処理とによるスルーホール穴加工が多く使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、基板の断面方向で見た場合、基板の誘電体層を形成する樹脂の線膨張係数は、メッキ処理によってドリル穴内側に形成されるスルーホールメッキの線膨張係数よりも大きい。この線膨張係数の相違により、特に熱的なストレスによって、スルーホールメッキと配線パターンとの接合部で破断等が生じることがあった。この問題は、近年基板の高多層化や防衛製品など一部の高い信頼性を要求される分野では、基板設計の自由度を大きく制限する大きな問題である。
【特許文献１】特開２００３−１６８９０３号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以上のように、従来の多層基板では、熱的なストレス等によりスルーホールメッキと配線パターンとの接合部で破断が生じる場合があった。
【０００５】
本発明は上記事情によりなされたもので、その目的は、スルーホールメッキと樹脂との線膨張係数が異なる場合でも、スルーホールメッキと配線パターンとの接合部における破断を防止することが可能な多層基板及びそのスルーホール形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、複数の金属層を誘電体層を挟んで積層してなる多層基板において、前記複数の金属層のうち互いに異なる金属層それぞれに形成される配線パターン間に、内径が変化するスルーホールを形成するようにしている。
【０００７】
また、本発明に係る多層基板のスルーホール形成方法は、複数の金属層を誘電体層を挟んで積層してなる多層基板において、前記金属層のうち互いに異なる金属層それぞれに形成される配線パターン間に形成されるスルーホールの内径を変化させることを特徴とする。
【０００８】
上記構成による多層基板及びそのスルーホール形成方法は、誘電体層を形成する樹脂の線膨張係数が、金属層を形成する金属の線膨張係数よりも大きい場合でも、スルーホールメッキと配線パターンとの接合部における漸断加重を軽減することが可能となる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、スルーホールメッキと樹脂との線膨張係数が異なる場合でも、スルーホールメッキと配線パターンとの接合部における破断を防止することが可能な多層基板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら本発明に係る多層基板を詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態に係る多層基板の断面図である。図１における多層基板は、複数の金属層５０を誘電体層４０を挟んで積層してなる６層基板である。金属層５０は、上面の金属層から順に第１層、第２層、第３層、第４層、第５層、第６層となっている。
【００１２】
スルーホール１０は、第１層の金属層５０に形成される配線パターン２０と第５層の金属層５０に形成される配線パターン３０とを電気的に接続する。スルーホール１０は、ホールの長さ方向に多段の太鼓状の断面を有している。スルーホール１０の誘電体層４０における内径は、金属層５０における内径よりも大きい。この断面形状は、誘電体層４０を形成する樹脂を侵食処理し、その侵食部にメッキ処理を施すことにより得られる。
【００１３】
図２は、本発明の一実施形態に係るスルーホール１０の断面の拡大図を示す。誘電体層４０に接するスルーホール１０の最大内径はｄ１であり、金属層５０に対向するスルーホール１０の内径はｄ２である。このとき、誘電体層４０に接するスルーホール１０の内径ｄ１は、金属層５０に対向するスルーホール１０の内径ｄ２よりもメッキ層の厚さの２倍分だけ大きくなっている。
【００１４】
以上のように、上記実施形態の多層基板は、断面が多段の太鼓状であるスルーホール１０を有している。これにより、誘電体層４０を形成する樹脂の線膨張係数が、金属層５０を形成する金属の線膨張係数よりも大きい場合でも、基板断面方向の伸縮によるスルーホールメッキと内層配線パターン３０との接合部における漸断加重を軽減することが可能となる。
【００１５】
したがって、本発明に係る多層基板及びそのスルーホール形成方法によれば、スルーホールメッキと樹脂との線膨張係数が異なる場合でも、スルーホールメッキと配線パターン３０との接合部における破断を防止することができる。
【００１６】
また、本発明に係る多層基板は、スルーホールメッキと配線パターン３０との接合部における破断を防止できるため、高い信頼性を伴うことができる。さらに、この多層基板を用いることにより高密度な電気製品が実現可能となる。
【００１７】
なお、本発明に係る多層基板は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、金属層に対向するスルーホール１０の全ての内径が、誘電体層に接するスルーホール１０の内径よりも小さい例について説明したが、図３に示すように、配線パターンと接続する部分の内径のみが誘電体層におけるスルーホールの内径よりも小さい場合でも同様に実施可能である。なお、この際においても、誘電体層に接するスルーホールの内径は、配線パターンと接続するスルーホールの内径よりも最大でメッキ層の厚さの２倍分だけ大きくなっている。
【００１８】
また、上記実施形態では、第１層の配線パターン２０と第５層の配線パターン３０とを接続する例について説明したが、スルーホールにより接続される配線パターンは、第１層及び第５層の金属層それぞれに形成される配線パターンに限定されるわけではなく、これ以外の層の金属層に形成される配線パターンを接続する場合であっても同様に実施可能である。
【００１９】
さらに、本発明は、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る多層基板の断面図。
【図２】図１のスルーホールの拡大断面図。
【図３】本発明に係る多層基板の異なる例による断面図。
【符号の説明】
【００２１】
１０…スルーホール
２０…第１層の配線パターン
３０…第５層の配線パターン
４０…誘電体層
５０…金属層
ｄ１，ｄ２…スルーホールの内径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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