(57)【要約】【課題】液晶装置の製造工程における局所的なエッチング残りの発生を防止する。【解決手段】液晶を挟持する一対の基板（１０、２０）と、該一対の基板の少なくとも一方の基板上に配設された導電性パターンとを備える液晶装置の製造方法である。該液晶装置の製造方法は、一方の基板上に、第１金属層（２０３）を積層する第１積層工程と、第１金属層の上に、少なくとも部分的に、第１金属層とは材質の異なる第２金属層（２０４）を積層する第２積層工程と、第２金属層の上に、レジストパターン（３００ａ）を形成するレジスト形成工程と、レジストパターンをマスクとして、第１金属層と第２金属層とをパターニングするエッチング工程と、第２金属層とレジストパターンとを除去して、導電性パターンを形成する除去工程とを備える。第２金属層は、異物（３００ｂ）により変質される度合いが、前記異物により第１金属層が変質される度合いに比べて小さい。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持する一対の基板と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に配設された導電性パターンと
を備える液晶装置の製造方法であって、
前記一方の基板上に、第１金属層を積層する第１積層工程と、
前記積層された第１金属層の上に、少なくとも部分的に、前記第１金属層とは材質の異なる第２金属層を積層する第２積層工程と、
前記積層された第２金属層の上に、レジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記形成されたレジストパターンをマスクとして、前記積層された第１金属層と前記積層された第２金属層とをパターニングするエッチング工程と、
前記パターニングされた第２金属層と前記形成されたレジストパターンとを除去して、前記導電性パターンを形成する除去工程と
を備え、
前記第２金属層は、前記工程のいずれかにおいて、前記第２金属層に異物が付着した場合に、前記異物により前記第２金属層が変質される度合いが、前記第１金属層に前記異物が付着した場合に、前記異物により前記第１金属層が変質される度合いに比べて小さい
ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記異物は、前記形成されたレジストパターンと同一の材料を含んでなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程において用いられるエッチング液は、リン酸、硝酸、酢酸及び水を含んでなることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１金属層を形成する第１金属は、モリブデンであり、
前記第２金属層を形成する第２金属は、アルミニウム又はアルミニウム合金である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記除去工程において、前記パターニングされた第２金属層と前記形成されたレジストパターンとは、アミン及び水を含む剥離液により除去されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電性パターンは、前記一方の基板上の画素領域に配列された複数の画素の少なくとも一部に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電性パターンは、前記一方の基板に入射する光の少なくとも一部を遮光することを特徴する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法により製造されたことを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば各種情報等の表示に好適な液晶装置の製造方法、及び該製造方法により製造された液晶装置、並びに該液晶装置を備える、例えば携帯電話機、携帯情報端末機等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の製造方法として、例えば、トランジスタのソース・ドレイン電極の引き出し配線をアルミニウム系合金で形成する際に、該アルミニウム系合金の上面にレジスト現像液のバリア材としてモリブデン膜を形成して、レジスト現像液によるアルミニウム系合金と画素電極との間の電池反応を防止する技術が提案されている（特許文献１参照）。或いは、例えば、表面に酸化物層を有するモリブデン系合金膜をウェットエッチングする際に、ウェットエッチングを２回に分けて行い、ウェットエッチング完了後のモリブデン系合金膜からなる配線パターンの側面を順テーパー形状とする技術が提案されている（特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−８６３０２号公報
【特許文献２】特開２００２−９０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１及び２記載の技術のように、モリブデン膜上にレジストパターンを形成して、ウェットエッチングを行う場合、レジストパターンを形成する際に、意図しない極薄のレジストがモリブデン膜上に残存すると、該残存した極薄のレジストに起因してモリブデン膜が変質し、局所的なエッチング残りが発生する可能性があるという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、局所的なエッチング残りの発生を防止することができる液晶装置の製造方法及び液晶装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置の製造方法は、上記課題を解決するために、液晶を挟持する一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に配設された導電性パターンとを備える液晶装置の製造方法であって、前記一方の基板上に、第１金属層を積層する第１積層工程と、前記積層された第１金属層の上に、少なくとも部分的に、前記第１金属層とは材質の異なる第２金属層を積層する第２積層工程と、前記積層された第２金属層の上に、レジストパターンを形成するレジスト形成工程と、前記形成されたレジストパターンをマスクとして、前記積層された第１金属層と前記積層された第２金属層とをパターニングするエッチング工程と、前記パターニングされた第２金属層と前記形成されたレジストパターンとを除去して、前記導電性パターンを形成する除去工程とを備え、前記第２金属層は、前記工程のいずれかにおいて、前記第２金属層に異物が付着した場合に、前記異物により前記第２金属層が変質される度合いが、前記第１金属層に前記異物が付着した場合に、前記異物により前記第１金属層が変質される度合いに比べて小さい。
【０００７】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、液晶を挟持する一対の基板と、該一対の基板の少なくとも一方の基板上に配設された導電性パターンとを備える液晶装置を製造することができる。ここで、導電性パターンは、一又は複数の金属膜からなり、例えば、当該液晶装置に供給される各種信号等が入力される配線の少なくとも一部を構成する、或いは、遮光膜の少なくとも一部を構成する。
【０００８】
尚、一対の基板の少なくとも一方の基板上における液晶と対向する側には、所定方位にラビングが施された有機配向膜、又はＳｉＯやＳｉＯ２等の無機材料からなる無機配向膜を有している。他方の基板上における液晶と対向する側にも、同様に、有機配向膜又は無機配向膜が設けられていてよい。
【０００９】
第１積層工程において、一対の基板の少なくとも一方の基板上に、例えばモリブデン等を含んでなる第１金属層が積層される。次に、第２積層工程において、積層された第１金属層の上に、少なくとも部分的に、第１金属層とは材質のことなる、例えばアルミニウム等を含んでなる第２金属層が積層される。
【００１０】
次に、レジスト形成工程において、積層された第２金属層の上に、レジストパターンが形成される。続いて、エッチング工程において、形成されたレジストパターンをマスクとして、積層された第１金属層と積層された第２金属層とが、エッチング液を用いてパターニングされる。次に、除去工程において、パターニングされた第２金属層と形成されたレジストパターンとが剥離液を用いて除去され、導電性パターンが形成される。
【００１１】
第２金属層は、上記工程のいずれかにおいて、第２金属層に異物が付着した場合に、該異物により第２金属層が変質される度合いが、第１金属層に前記異物が付着した場合に、前記異物により第１金属層が変質される度合いに比べて小さい。好ましくは、第２金属層は、異物により全く又は殆ど変質しない。
【００１２】
ここに、本発明に係る「遺物」とは、典型的には、レジスト形成工程、又はその後の工程において、第２金属層の上に付着した物であって、例えばゴミ、埃、レジストの現像カス等、製品にとって望ましくない影響を与える物を意味する。また、「異物により変質する」とは、異物に起因して、例えばエッチング速度等の物性が変化することを意味する。
【００１３】
本願発明者の研究によれば、例えばモリブデン等を含んでなる第１金属層の上に、フォトリソグラフィー（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）によりレジスト現像液を用いてレジストパターンを形成した際に、例えばレジストの現像カス等の異物が、第１金属層に付着すると、異物が付着した部分の第１金属層が変質してしまう。すると、レジストパターンをマスクとして、第１金属層に対しエッチングを施すと、異物が付着した部分が完全には除去されず、局所的なエッチング残りが生じる可能性がある。特に、レジスタパターンを形成後に、酸雰囲気に晒したり、長時間放置したりすると、このような変質はより顕著となることが判明している。
【００１４】
しかるに、本発明では、第１金属層の上に第２金属層が積層されているので、該第２金属層が、第1金属層の異物による変質を食い止める層として機能し、仮に異物が付着したとしても、第1金属層は変質することがないため、局所的なエッチング残りの発生を防止することができる。この結果、例えば配線の短絡、透過率の低下等を防止することができ、実用上非常に有利である。
【００１５】
特に、レジスタパターンを形成後に、酸雰囲気に晒したり、長時間放置したりすることも可能となり、製造工程や製造装置の自由度も大幅に増大する。この観点から、第２金属は、異物により全く又は殆ど変質しない金属であることが好ましいが、多少なりとも第1金属と比べて異物により変質し難い金属であれば、上述の如きエッチング残りを低減する機能は、その変質のし難さに応じて相応に得られる。
【００１６】
加えて、本発明では、導電性パターンを金属材料から形成するが、本発明の応用として、第1層上に積層された第２金属層をバリア層として利用することで、第1層として金属材料以外の導電性材料から、導電性パターンを形成することも可能である。更に、非導電性或いは半導電性材料のパターンを形成することも可能である。更にまた、異物に対して第1層よりも変質し難い限りにおいて、非金属材料を含んでなる第２層を第２金属層に代えて、第1層膜上に積層して利用することも可能である。また、液晶装置以外への応用も可能である。
【００１７】
また、本発明では、除去工程において、例えば剥離液（即ち、レジスト剥離液）を用いて、形成されたレジストパターンが剥離されると共に、パターニングされた第２金属層が除去される。これにより、工程数を増加させることなく（即ち、レジストパターンが剥離された後に、別工程を設けて第２金属層を除去することなく）、第１金属層を最上層とすることができ、実用上非常に有利である。
【００１８】
本発明の液晶装置の製造方法の一態様では、前記異物は、前記形成されたレジストパターンと同一の材料を含んでなる。
【００１９】
この態様によれば、異物は、典型的には、レジストの現像カス、又は意図しない部分に
形成されたレジストである。尚、「形成されたレジストパターンと同一の材料」は、典型的には、有機物である。
【００２０】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記エッチング工程において用いられるエッチング液は、リン酸、硝酸、酢酸及び水を含んでなる。
【００２１】
この態様によれば、第１及び第２金属層を同時にエッチングすることができ、実用上非常に有利である。
【００２２】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記第１金属層を形成する第１金属は、モリブデンであり、前記第２金属層を形成する第２金属は、アルミニウム又はアルミニウム合金である。
【００２３】
この態様によれば、例えば導電性パターンを、当該液晶装置の画素をスイッチング制御するスイッチング素子に電気的に接続される配線の少なくとも一部として用いる場合に、スイッチング素子等への悪影響を防止することができ、実用上非常に有利である。
【００２４】
仮に、第１金属層を積層せずに、アルミニウム又はアルミニウム合金を含んでなる第２金属層を積層すると、レジストパターンを形成する際に、第２金属層と画素電極であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）との間で電池反応が生じ、腐食が発生してしまう。或いは、スイッチング素子を構成する半導体中にアルミニウムが拡散してしまうことが本願発明者の研究により判明している。
【００２５】
この態様では、前記除去工程において、前記パターニングされた第２金属層と前記形成されたレジストパターンとは、アミン及び水を含む剥離液により除去されてよい。
【００２６】
このように構成すれば、比較的容易にして、形成されたレジストパターン及びパターニングされた第２金属層を、同一工程において除去することができる。
【００２７】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記導電性パターンは、前記一方の基板上の画素領域に配列された複数の画素の少なくとも一部に電気的に接続されている。
【００２８】
この態様によれば、導電性パターンは、一方の基板上の画素領域に、マトリクス状に配列された複数の画素に電気的に接続された配線の少なくとも一部を構成している。上述の如く、導電性パターンが形成されることにより、配線の短絡を防止して、歩留りを向上させることができ、実用上非常に有利である。尚、「画素領域」とは、個々の画素の領域を意味するのではなく、複数の画素が平面配列された領域全体を意味し、典型的には、「画像表示領域」或いは「表示領域」に相当する。
【００２９】
本発明の液晶装置の製造方法の他の態様では、前記導電性パターンは、前記一方の基板に入射する光の少なくとも一部を遮光する。
【００３０】
この態様によれば、導電性パターンは、例えば、画素の開口領域を規定する遮光膜（即ち、ブラックマトリクス）、及び画素領域の周囲を規定する額縁領域に配置される額縁遮光膜の少なくとも一部を構成している。上述の如く、導電性パターンが形成されることにより、例えば本来開口領域となるべき部分に、局所的なエッチング残りが発生することに起因する透過率の低下を防止することができ、実用上非常に有利である。尚、遮光膜は、当該液晶装置に供給される各種信号等が入力される配線を兼ねていてもよい。
【００３１】
本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、上述した液晶装置の製造方法（但し、その各種態様を含む）により製造されている。
【００３２】
本発明の液晶装置によれば、上述の液晶装置の製造方法を用いて製造されているので、信頼性を向上させつつ、高品質の画像を表示することができる。
【００３３】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の液晶装置を備えてなる。
【００３４】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の液晶装置を備えてなるので、信頼性が高く、高品質の画像を表示可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。
【００３５】
また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ及びＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００３６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明に係る液晶装置及び電子機器の各実施形態を図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、以下の実施形態では、液晶装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００３８】
＜液晶装置＞
（液晶装置の製造方法）
先ず、本実施形態に係る液晶装置の製造方法を図１乃至図６を参照して説明する。ここに、図１は、本実施形態に係る液晶装置の製造工程の一部を示す工程断面図である。
【００３９】
図１において、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層されたバッファー絶縁膜４１の上に、複数のＴＦＴ７１が配置されている。ＴＦＴ７１の上にはゲート電極７２が、層間絶縁膜４２を介して配置されている。ゲート電極７２を覆うように積層された層間絶縁膜４３の上に、モリブデンからなる導電層２０１が積層されている。導電層２０１は、コンタクトホール４３ａを介して、ＴＦＴ７１のソース領域及びドレイン領域に電気的に接続されている。導電層２０１の上に、アルミニウムからなる導電層２０２が積層されている。該導電層２０２の上に、モリブデンからなる導電層２０３が積層されている。
【００４０】
ここに、本実施形態に係る「モリブデン」及び「導電層２０３」は、夫々、本発明に係る「第１金属」及び「第１金属層」の一例である。尚、導電層２０１、２０２及び２０３は、例えばスパッタリングにより夫々形成される。
【００４１】
次に、図２に示すように、導電層２０３の上に、アルミニウムからなる導電層２０４が、例えばスパッタリングにより形成される。ここに、図２は、図１の工程に続く工程を示す工程断面図である。尚、本実施形態に係る「アルミニウム」及び「導電層２０４」は、夫々、本発明に係る「第２金属」及び「第２金属層」の一例である。また、導電層２０４の厚さは、例えば１０ｎｍ（ナノメートル）である。続いて、図３に示すように、導電層２０４の上に、有機物からなるレジスト層３００が形成される。ここに、図３は、図２の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００４２】
次に、図４に示すように、レジスト現像液を用いて、所定のレジストパターン３００ａが形成される。ここに、図４は、図３の工程に続く工程を示す工程断面図である。本実施形態では、レジストパターン３００ａが形成される際に、本発明に係る「異物」の一例としての意図しないレジスト３００ｂが、導電層２０４上に付着しているとする。尚、本願発明者の研究によれば、このようなレジスト３００ｂは、極めて薄いため肉眼で発見することは極めて困難であることが判明している。
【００４３】
次に、図５に示すように、リン酸、硝酸、酢酸及び水を含む混酸からなるエッチング液を用い、レジストパターン３００ａをマスクとして、導電層２０１乃至２０４に対し、エッチングが施される。ここに、図５は、図４の工程に続く工程を示す工程断面図である。尚、上述の如く、導電層２０４の上に意図しないレジスト３００ｂが付着しているが、該意図しないレジスト３００ｂの厚さが極めて薄いため、導電層２０１乃至２０４に対するエッチングには、何らの影響もないことが本願発明者の研究により判明している。
【００４４】
次に、図６に示すように、アミン及び水を含んでなる剥離液を用いて、レジストパターン３００ａが剥離されると共に、エッチングを施された導電層２０４ａが除去される。これにより、本発明に係る「導電性パターン」の一例としての配線が形成される。尚、図６は、図５の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【００４５】
（比較例）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の比較例について、図７乃至図９を参照して説明する。ここに、図７は、本実施形態の比較例に係る液晶装置の製造工程の一部を示す工程断面図である。尚、図７乃至図９では、図１乃至図６で示した、詳細な部材については適宜省略し、直接関連する部材のみを示す。
【００４６】
図７において、層間絶縁膜４１０の上に、モリブデンからなる導電層４２０が積層されている。該導電層４２０の上には、レジスト現像液を用いて形成されたレジストパターン４３０ａが積層されると共に、意図しないレジスト４３０ｂが付着している。
【００４７】
本願発明者の研究によれば、酸雰囲気で、導電層４２０の上に意図しないレジスト４３０ｂが付着していると、導電層４２０及び意図しないレジスト４３０間において反応が生じ、図８に示すように、導電層４２０の一部が変質し、エッチング速度の遅い変質部分４２１が生成されることが判明している。ここに、図８は、図７の工程に続く工程を示す工程断面図である。尚、導電層４２０及び意図しないレジスト４３０間における反応は、短時間でも起こり、時間が長くなるほど顕著になることが本願発明者の研究により判明している。
【００４８】
次に、リン酸、硝酸、酢酸及び水を含む混酸からなるエッチング液を用い、レジストパターン４３０ａをマスクとして、導電層４２０（変質部分４２１を含む）に対し、エッチングが施される。この際、変質部分４２１が存在するため、局所的にエッチングの進行が遅れ、図９に示すように、意図しないエッチング残り４２０ｂが発生する。このため、比較例に係る液晶装置では、例えば配線の短絡等が生じる可能性がある。
【００４９】
しかるに本実施形態に係る液晶装置の製造方法では、モリブデンからなる導電層２０３の上に、異物により変質しないアルミニウムからなる導電層２０４を積層した後に、レジストパターン３００ａを形成している。従って、意図しないエッチング残りの発生を防止することができる。
【００５０】
言い換えれば、図４に示したレジストをパターンニングした後に、例えば真空雰囲気や不活性ガス雰囲気を破って酸雰囲気に晒すことも可能となり、或いはこれに代えて又は加えて、図４に示したレジストをパターンニングした状態で、長時間放置することも可能となる。比較例の場合、図７に示したレジストをパターンニングした後に、例えば真空雰囲気や不活性ガス雰囲気を破って酸雰囲気に晒すと、図８に示した変質が顕在化してしまう。或いはこれに代えて又は加えて、図７に示したレジストをパターンニングした状態で、長時間放置すると、図８に示した変質が顕在化してしまうのである。
【００５１】
（液晶装置の構成）
次に、上述した液晶装置の製造方法により製造された液晶装置の構成について、図１０及び図１１を参照して説明する。ここに、図１０は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図１１は、図１０のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００５２】
図１０及び図１１において、液晶装置１００では、本発明に係る「一対の基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに配置されたシール材５２により相互に接着されている。
【００５３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造工程においてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。画像表示領域１０ａ及び画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が配置されている。尚、ギャップ材を、画像表示領域１０ａ等に配置されるものに加えて若しくは代えて、シール材５２に混入するようにしてもよい。
【００５４】
図１０において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５５】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側の額縁領域５３ａに、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００５６】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００５７】
図１１において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ７１や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。複数の走査線及び複数のデータ線は、相互に交差して配線され、これら交差に対応して画素に対応する画素部がマトリクス状に設けられている。この積層構造の詳細な構成については図１１では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００５８】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００５９】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えば直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。また、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、カラーフィルタが形成されていてもよい。
【００６０】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００６１】
尚、図１０及び図１１に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６２】
尚、本実施形態では、ＴＦＴ７１に電気的に接続される、本発明に係る「導電性パターン」としての配線の少なくとも一部を形成する場合について説明したが、同様の製造方法により、開口領域を規定する遮光膜２３の少なくとも一部を形成してもよい。即ち、本発明に係る「導電性パターン」が、遮光膜２３の少なくとも一部を構成するようにしてもよい。
【００６３】
＜電子機器＞
続いて、図１２及び図１３を参照しながら、上述の液晶装置１００を具備してなる電子機器の例を説明する。
【００６４】
図１２は、上述した液晶装置１００が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図１２において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、表示画面１００５として上述した液晶装置１を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶装置１００の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００６５】
次に、上述した液晶装置１００を携帯電話に適用した例について説明する。図１３は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図１３において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、半透過反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置１と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。
【００６６】
これらの電子機器においても、上述した液晶装置１００を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００６７】
尚、図１２及び図１３を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた直視型の表示装置や、液晶プロジェクタ等の投射型の表示装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００６８】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の製造方法及び液晶装置、並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の製造工程の一部を示す工程断面図である。
【図２】図１の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図３】図２の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図４】図３の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図５】図４の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図６】図５の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施形態の比較例に係る液晶装置の製造工程の一部を示す工程断面図である。
【図８】図７の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図９】図８の工程に続く工程を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１１】図１０のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図１２】液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図１３】液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、４１…バッファー絶縁膜、４２、４３、４１０…層間絶縁膜、４３ａ…コンタクトホール、７１…ＴＦＴ、７２…ゲート電極、１００…液晶装置、２０１、２０２、２０３、２０４、４２０…導電層、３００…レジスト層、３００ａ、４３０ａ…レジストパターン、３００ｂ、４３０ｂ…意図しないレジスト、４２１…変質部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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