(57)【要約】【課題】  放射能の低減化が図られると共に高い動作の信頼性が得られ、検知対象ガスを高い精度で検出可能なイオン化式ガスセンサの提供。【解決手段】  放射線による気体の電離作用により生ずる電離電流がガス粒子の存在により減少するその変化量に応じてガス濃度を検出するイオン化式ガスセンサであって、放射線源および集電極がチャンバ内に配設される共に、集電極とチャンバとの間に電位差を与える電圧印加手段が設けられた検知部と、濃度算出部と、温度検知手段とを有し、濃度算出部は、検知部からの検出出力値を、予め記録された互いに温度が異なる少なくとも２本の検量線データから選択した２本のうちの一方に対照して得られるガス濃度値を、当該２つの検量線データに係る温度値間の温度領域における出力変化量に基づいて、実測ガス温度値と一方の検量線データに係る温度値との温度差に応じた濃度補正量で、温度補正してガス濃度を算出する。【選択図】  図１
2009244073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線による気体の電離作用によって生ずる電離電流が検知対象ガスのガス粒子の存在により減少するその電流変化量に応じて検知対象ガスの濃度を検出するイオン化式ガスセンサにおいて、
被検ガスが導入される測定室を画成する導電性を有するチャンバを備え、このチャンバ内に、放射線源および集電極が配設されると共に、チャンバと集電極との間に電位差を与える電圧印加手段が設けられてなる検知部と、当該検知部からの検出信号に基づいて検知対象ガスのガス濃度を算出する濃度算出部と、被検ガスの温度を検知する温度検知手段とを有してなり、
当該濃度算出部には、予め取得しておいた、互いに温度が異なる少なくとも２本のガス濃度値と検知部において得られる検出出力値との関係を示す検量線データが記録されており、
検知部において得られる検出出力値を前記検量線データのうちから選択される２つの検量線データの一方に対照することにより得られるガス濃度値が、選択された２つの検量線データに係る温度値の間の温度領域における出力変化量に基づいて、被検ガスの実測温度値と当該一方の検量線データに係る温度値との温度差に応じた濃度補正量で、温度補正されることにより、検知対象ガスのガス濃度が算出されることを特徴とするイオン化式ガスセンサ。
【請求項２】
互いに温度が異なる３本以上の検量線データが記録されており、各々の検量線データに係る温度値は、均一な大きさの温度幅で設定されていることを特徴とする請求項１に記載のイオン化式ガスセンサ。
【請求項３】
チャンバが両端が気密に密閉された円筒型のものであって、当該チャンバの一方の端壁に放射線源が設けられており、線材よりなる集電極がチャンバの中心軸と同軸上の位置にチャンバの軸方向に伸びるよう配設されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のイオン化式ガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイオン化式ガスセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体製造プロセスにおける有機金属ガスや、オフィスや工場などにおける火災の発生を示す煙粒子を検出するためのセンサとして、放射線による気体の電離作用を利用した電離箱の原理を利用したイオン化式ガスセンサが広く用いられている。
イオン化式ガスセンサのある種のものは、図６に示すように、例えば板状の集電極７５によって互いに気密に区画された、被検ガスが導入される測定室７３および環境条件の変化の影響を補償するための補償室７４を有するチャンバ７２を備え、測定室７３内および補償室７４内のそれぞれに例えばアメリシウム２４１などの放射線源７６，７７が配設されて構成された検知部７１と、集電極７５からの検出信号としての電流信号（測定室７３の電離電流と補償室７４の電離電流との差分に応じたもの）が、絶縁部材７９を介してチャンバ７２の壁を気密に貫通して外部に導出された集電極７５の一端がオペアンプ８３の非反転入力端子（Ｖｉｎ+ ）に接続されると共にオペアンプ８３の出力端子（Ｖｏｕｔ）が反転入力端子（Ｖｉｎ- ）に接続されて負帰還がかけられた状態で構成された、いわゆる「高入力インピーダンス回路」により構成された増幅回路８２およびＣＰＵ８５を含む濃度算出部８１とにより構成されている（例えば特許文献１参照）。図６における７２Ａはガス導入管、７２Ｂはガス排出管である。
【０００３】
このような構成のイオン化式ガスセンサ７０においては、チャンバ７２に適正な大きさの電圧が電圧印加手段７８によって印加されることにより放射線源７６，７７から放射された放射線（α線）によって測定室７３内および補償室７４内の空気が電離されて電離電流が生じており、例えば補償室７４内において流れる電離電流の方向を逆さにして測定室７３内において流れる電離電流と加算することにより、これらの電離電流が相殺されて検出される電流（出力）がゼロとなる状態、すなわち、測定室７３と補償室７４との間で平衡状態が維持された状態とされている。
而して、測定室７３内に導入される被検ガスに、例えば煙粒子やガス粒子などの微粒子が含まれている場合には、この微粒子によって放射線が吸収されて測定室７３の電離電流が減少して補償室７４との平衡状態が崩れるので、測定室７３の電離電流の変化量を検出することにより被検ガス中に含まれる検知対象ガスの濃度が検出される。
【０００４】
そして、このようなイオン化式ガスセンサ７０においては、例えば、濃度が既知であり、しかも互いに検知対象ガス（特定成分）の濃度が異なる複数の標準ガスを用いて、基準となる検量線データを予め取得しておき、この検量線データを実際の測定条件（例えば温度条件等）に即したものに補正することにより補正ガス濃度値を算出する温度補正が行われる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３６５２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記構成のイオン化式ガスセンサ７０においては、測定室７３および補償室７４の各々に放射線源７６，７７を備えることが必須構成要件となっており、放射線源７６，７７の管理および取扱いに十分に注意を払うことが必要であり、放射能が低減されたものが望まれている。
【０００７】
また、イオン化式ガスセンサ７０における検量線データは、図７に示すように、温度依存性を有し、ガス濃度と出力変化量との関係が温度によって異なるため、単に、温度差に基づいて一義的に設定される補正係数によって補正するのでは、得られるガス濃度値は信頼性の低いものとなるという、問題がある。
【０００８】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、放射能の低減化が図られた構成のものでありながら、高い動作の信頼性が得られ、しかも、検知対象ガスを高い精度で検出することのできるイオン化式ガスセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のイオン化式ガスセンサは、放射線による気体の電離作用によって生ずる電離電流が検知対象ガスのガス粒子の存在により減少するその電流変化量に応じて検知対象ガスの濃度を検出するイオン化式ガスセンサにおいて、
被検ガスが導入される測定室を画成する導電性を有するチャンバを備え、このチャンバ内に、放射線源および集電極が配設されると共に、チャンバと集電極との間に電位差を与える電圧印加手段が設けられてなる検知部と、当該検知部からの検出信号に基づいて検知対象ガスのガス濃度を算出する濃度算出部と、被検ガスの温度を検知する温度検知手段とを有してなり、
当該濃度算出部には、予め取得しておいた、互いに温度が異なる少なくとも２本のガス濃度値と検知部において得られる検出出力値との関係を示す検量線データが記録されており、
検知部において得られる検出出力値を前記検量線データのうちから選択される２つの検量線データの一方に対照することにより得られるガス濃度値が、選択された２つの検量線データに係る温度値の間の温度領域における出力変化量に基づいて、被検ガスの実測温度値と当該一方の検量線データに係る温度値との温度差に応じた濃度補正量で、温度補正されることにより、検知対象ガスのガス濃度が算出されることを特徴とする。
【００１０】
本発明のイオン化式ガスセンサにおいては、互いに温度が異なる３本以上の検量線データが記録されており、各々の検量線データに係る温度値は、均一な大きさの温度幅で設定された構成とされていることが好ましい。
【００１１】
また、本発明のイオン化式ガスセンサにおいては、両端が気密に密閉された円筒型のチャンバが用いられ、当該チャンバの一方の端壁に放射線源が配設されると共に、線材よりなる集電極がチャンバの中心軸と同軸上の位置にチャンバの軸方向に伸びるよう配設された構成とされていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のイオン化式ガスセンサによれば、基本的には、チャンバ内に配設される放射線源が一であることにより、放射能の低減化が図られたものとして構成することができ、しかも、検知部において得られる検出出力値を被検ガスの実測温度が含まれる温度領域に係る２つの検量線データの一方に対照することにより得られるガス濃度値が、当該温度領域における出力変化量に基づいて、被検ガスの実測温度と当該一方の検量線データに係る温度との温度差に応じた濃度補正量で、温度補正されることにより、被検ガスの温度が変化した際に、検量線が選択し直されることによる出力指示値の急激な変動を防ぐことができるので、被検ガス中に含まれる検知対象ガスの濃度を精確に検出することができる。特に、従来においては高い精度で測定を行うことが困難であった低濃度域のガス検知を行う場合であっても、精度よく測定を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明のイオン化式ガスセンサの一例における構成の概略を示す説明図、図２は、図１に示すイオン化式ガスセンサの検知部の構成を示す断面図である。
このイオン化式ガスセンサ（以下、単に「ガスセンサ」という。）１０は、放射線による気体の電離作用を利用した電離箱の原理を利用した検知部１１と、検知部１１からの検出信号に基づいて検知対象ガスの濃度を算出する濃度算出部３０とを備えている。
【００１４】
検知部１１は、円筒状の基体１３の一端側開口部に集電極２１を備えた電極構造体２０が気密に装着されると共に他端側開口部に放射線源１５を保持するホルダー１６が気密に装着され、内部に被検ガスが導入される測定室１４を画成する円筒型のチャンバ１２と、集電極２１とチャンバ１２との間に電位差を与える電圧印加手段１８とを備えている。図２における１２Ａはガス導入管、１２Ｂはガス排出管である。
【００１５】
チャンバ１２を構成する基体１３は、導電性材料例えばステンレス鋼よりなり、集電極２１に対する対電極として機能する。
【００１６】
電極構造体２０は、線径が小さくて硬い金属よりなる線材により構成された集電極２１と、この集電極２１が内部に挿入された状態でこれを保持する、例えばステンレス鋼よりなる円筒状の集電極ホルダー２２と、この集電極ホルダー２２を例えばフッ素樹脂よりなる円筒状の内側絶縁部材２３Ａを介して保持する、例えばステンレス鋼よりなるガードリング２４と、このガードリング２４における集電極ホルダー保持部分が内部に挿入された状態で装着された例えばフッ素樹脂よりなる円筒状の外側絶縁部材２３Ｂとにより構成されており、この電極構造体２０が基体１３に装着された状態において、集電極２１は、基体１３の中心軸と同軸上に位置されると共にガードリング２４の一端面より軸方向外方に突出して伸びる状態とされている。
【００１７】
集電極２１を構成する材料としては、例えばステンレス鋼、タングステン、鉄、モリブデン等を例示することができ、また、これらの素線の表面に例えばＮｉ−Ａｕメッキ処理がなされたものであってもよい。
集電極２１の線径は、例えばφ１．０ｍｍ以下であることが好ましく、φ０．４〜φ０．８ｍｍであることがより好ましい。集電極２１の線径が過大である場合には、所定のガス測定を行うに際して必要とされる印加電圧が高いものとなり、一方、集電極２１の線径が過小である場合には、自己保形性が小さくなって振動などによる影響を受けやすくなる。
【００１８】
放射線源１５は、例えばアメリシウム２４１の塊状体よりなり、例えばステンレス鋼よりなるホルダー１６の内面における中央位置（チャンバ１２の中心軸および集電極２１と同軸上の位置）に形成された凹所によって保持、固定されている。
放射線源１５は、その放射能が１０ｋＢｑ（キロベクレル）以下、例えば８ｋＢｑ（キロベクレル）程度のものが用いられている。
【００１９】
このガスセンサ１０における電圧印加手段１８は、例えば直流電源により構成されていおり、例えばチャンバ１２の基体１３に対して負の電圧を印加する。
一方、集電極２１は例えば接地電位状態に維持されており、従って、電離作用によって生ずる正イオンがチャンバ１２に集められると共に易動度の高い電子が集電極２１に集電されるよう、測定室１４内に電場が形成される。
【００２０】
濃度算出部３０は、例えばオペアンプＯＰを含む積分回路３２と、ローパスフィルタ回路３３と、ゲイン回路３４と、ガス濃度を算出する演算部３７を有するＣＰＵ３５とを有する。図１における３８ＡはＡ／Ｄ変換器、３８ＢはＤ／Ａ変換器である。
この積分回路３２においては、コンデンサＣに充電された電荷を放電するためのスイッチ（リセットスイッチ）ＳＷがコンデンサＣに対して並列に接続されている。
図１における符号６５は、検知部１１の周辺温度（検知部１１に導入される被検ガスの温度）を検出するための温度検知手段である例えばサーミスタである。
【００２１】
このガスセンサ１０におけるＣＰＵ３５は記録部３９を有し、この記録部３９には、当該ガスセンサ１０について予め取得しておいた互いに異なる温度値における少なくとも２本以上の検量線データが設定されている。
これらの検量線データに係る温度値は、製品の使用温度範囲内において、均一な大きさの温度幅例えば１０℃で設定されており、この実施例においては、例えば０℃、１０℃、２０℃、３０℃および４０℃の５つの温度値に係る５本の検量線データが設定されている。なお、温度値は、特に限定されるものではなく、例えばガスセンサ１０が使用される環境条件などによって適宜に設定することができる。
また、検量線データは、例えばＳｉＨ4 ガスやＴＥＯＳガスなどの検知対象ガスの各々について設定されている。
【００２２】
以下、上記ガスセンサ１０によるガス検知動作について説明する。
上記ガスセンサ１０は、熱分解器やポンプと共にガス検知システムを構成して使用される。ガス検知システムの構成について、図３を参照して説明すると、被検ガスを例えば８００〜９００℃程度に加熱することにより粒子状の酸化物を生成する熱分解器４１がガスセンサ１０のチャンバ１２に設けられたガス導入管１２Ａに接続されると共に、例えば吸引ポンプ４８よりなるガス導入手段がガス流量調整バルブ４７およびバッファ４６を含むガス流量調整手段を介してガスセンサ１０のチャンバ１２に設けられたガス排出管１２Ｂに接続されている。ここに、図３における４２はガスセンサ、４３はデータロガ、４４は粒子除去フィルター、４５は流量計、４６はバッファ、４９は排気ダクトである。
【００２３】
このガス検知システム４０においては、被検ガスが適正な大きさに調整されたガス流量でチャンバ１２の測定室１４に導入されると共に、電圧印加手段１８によって、適正な大きさに制御された例えば負（−）の電圧がチャンバ１２を構成する基体１３に印加されることにより、測定室１４内の空気が放射線源１５からの放射線（α線）の作用によって電離され、これにより生ずる電子および陰イオンが陽極として機能する集電極２１に引き付けられることにより陰極として機能するチャンバ１２の壁と集電極２１との間に電離電流が流れ、当該電離電流の大きさに応じた入力電流信号が積分回路３２に入力され、その出力信号がローパスフィルタ回路３３およびゲイン回路３４を介してＣＰＵ３５に入力されることにより当該出力信号に基づいて検知対象ガスの濃度が算出されるが、検知対象ガスに係るガス粒子が被検ガスに含まれている場合には、放射線源１５からの放射線（α線）がガス粒子に吸収されることに伴って電離電流が減少されることとなり、当該電離電流の変化量（減少の程度）に応じて検知対象ガスの濃度が算出される。
【００２４】
以上において、検知対象ガスの濃度を算出するに際しては、検知部１１において得られる検出出力値Ｖを、サーミスタ（温度検知手段）６５より得られる実測温度値（Ｔ）が含まれる温度領域（ｔ１＜Ｔ＜ｔ２）に係る２つの検量線のうちの一方に対照することにより得られるガス濃度値（ｚ１，ｚ２）を、当該温度領域における出力変化率αに基づいて、当該実測温度値（Ｔ）と当該検量線の一方に係る温度値（ｔ１またはｔ２）との温度差（Δｔ）に応じた濃度補正量（Ｒ）で温度補正され、補正ガス濃度値が得られる。ここに、濃度補正量（Ｒ）は、（式１）Ｒ＝α×Δｔ＝｛（ｚ２−ｚ１）／（ｔ２−ｔ１）｝×Δｔ、Δｔ＝Ｔ−ｔ１またはΔｔ＝ｔ２−Ｔにより取得される。
以下、本発明に係る温度補正方法について具体的な数値例を挙げて説明する。
【００２５】
以下に示す仕様を有するガスセンサ１０を用いて、図３に示すガス検知システムを構成し、チャンバに対する印加電圧を−５Ｖとし、被検ガスとしてのシランガス（ＳｉＨ4 ガス）を０．３リットル／ｍｉｎのガス流量で測定室内に導入することによるガス粒子検知テストをシランガスの濃度を適宜に変更して行うことにより、図４に示すような、シランガスの温度が０℃、２０℃および４０℃である場合の基準となる検量線が予め取得されているとき、３０℃（温度検知手段により検知される実測値）のシランガスについて、同様のガス粒子検知テストを行ったところ、センサ出力値が例えば２．２５Ｖであった場合には、図５に示すように、当該センサ出力値を２０℃の基準検量線に対照することにより得られるガス濃度値が例えば５．６ｐｐｍ、４０℃の基準検量線に対照することにより得られるガス濃度値が例えば７．５ｐｐｍであることから、３０℃のシランガスにおけるセンサの検出出力値に対応するガス濃度値は、５．６〜７．５ｐｐｍの濃度範囲内であることが想定される。
従って、２０〜４０℃の温度領域における出力変化率に基づいて、シランガスの実測温度値と基準検量線に係る温度との温度差に応じた、上記式１により算出される濃度補正量（Ｒ＝０．９５）で温度補正することにより、３０℃のシランガスにおけるセンサ出力値２．２５Ｖに対応するガス濃度値が６．５５ｐｐｍと算出される。
【００２６】
〔ガスセンサ仕様〕
チャンバ（１２）：材質；ステンレス鋼，外径；φ２０ｍｍ，内径；φ１５ｍｍ，長さ；５５ｍｍ、
集電極（２１）：材質；表面にＮｉ−Ａｕメッキが施されたタングステン，線径；φ０．３ｍｍ，測定室内における配置位置；チャンバの中心軸と同軸上の位置、
放射線源（１５）：材質；アメリシウム２４１，放射能；８ｋＢｑ（キロベクレル）、
【００２７】
而して、上記ガスセンサ１０によれば、検知部１１からの検出信号として入力電流信号が得られるが、この入力電流信号がオペアンプＯＰを含む積分回路３２によって積分されることにより検知対象ガスの濃度を算出することができる。具体的には、下記式（２）に基づいて出力Ｖｏｕｔが算出され、これにより得られる出力Ｖｏｕｔに応じた検知対象ガスの濃度が予め取得されていた検量線データに基づいて算出される。
【００２８】
【数１】
2009244073.tif 000003
【００２９】
従って、チャンバ構造を測定室１４のみを有し、単一の放射線源１５を備えたものとして構成することができるので、測定室および補償室の電離電流の差に基づいてガス濃度を検出する構成のものと同等の動作の信頼性を有するものでありながら、放射能の低減化を図ることができる。
【００３０】
しかも、検知部１１において得られる検出出力値を被検ガスの実測温度が含まれる温度領域に係る２つの検量線データの一方に対照することにより得られる（参照）ガス濃度値が、当該温度領域における出力変化量に基づいて、被検ガスの実測温度と当該一方の検量線データに係る温度との温度差に応じた濃度補正量で、温度補正されることにより、被検ガスの温度が変化した際に、検量線が選択し直されることによる出力指示値の急激な変動を防ぐことができるので、被検ガス中に含まれる検知対象ガスの濃度を精確に検出することができる。特に、従来においては高い精度で測定を行うことが困難であった低濃度域のガス検知を行う場合であっても、精度よく測定を行うことができる。
【００３１】
さらにまた、検知部１１が両端が気密に密閉されて内部に被検ガスが導入される測定室１４を画成する円筒型のチャンバ１２を備え、このチャンバ１２の一方の端壁における中央位置に放射線源１５が配設されていると共に線材よりなる集電極２１がチャンバ１２の中心軸と同軸上に位置されて他方の端壁を気密に貫通して外部に導出されるよう配設された構成とされていることにより、適正な大きさの電圧がチャンバ１２に印加されることにより測定室１４内に形成される電場の強度を軸方向において均一に形成することができるので、放射線による気体の電離作用によって生ずる電離電流を確実に検出することができる。
【００３２】
さらにまた、集電極２１が接地電位状態に維持されると共にチャンバ１２に負の電圧が印加されることにより、正極とされる集電極２１に易動度の高い電子が集電されるので、高い効率を得ることができる。
【００３３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
例えば、本発明においては、集電極とチャンバとの間に所定の電位差が得られるよう電圧印加手段が設けられた構成とされていればよく、例えば、集電極およびチャンバの両方に電圧が印加される構成、あるいは、集電極に正の電圧が印加される構成とされていてもよい。
また、チャンバに対する電圧印加手段を可変電圧電源により構成することができ、このような構成とされている場合には、チャンバに対する印加電圧の大きさが検知対象ガスの種類および／または濃度に基づいて設定されることにより、測定室内に形成される電場の強度が調整されて例えば検知対象ガスの種類に応じた感度調整を行うことができ検知対象ガスを高い精度で検出することができる。
さらにまた、予め取得しておくべき検量線データ（温度）の数は、特に制限されるものではないが、実際上、３〜５本であることが好ましい。
さらにまた、集電極それ自体がチャンバの外部に導出された構成である必要はなく、例えば集電極の基端部分に給電用の外部リードを接続して当該外部リードがチャンバの外部に導出される構成とされていてもよい。
さらにまた、本発明のガスセンサは、一酸化炭素、硫化水素、炭化水素、二酸化炭素、メタン、ブタンなどを感知するための煙感知器に適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のイオン化式ガスセンサの一例における構成の概略を示す説明図である。
【図２】図１に示すイオン化式ガスセンサの検知部の構成を示す断面図である。
【図３】図１および図２に示すイオン化式ガスセンサを用いたガス検知システムの一例における構成の概略を示す説明図である。
【図４】本発明のイオン化式ガスセンサにおける検量線データの一例を示す説明図である。
【図５】本発明のイオン化式ガスセンサにおける検知対象ガスの濃度の算出方法を説明するためのするための説明図である。
【図６】従来のイオン化式ガスセンサの一例における構成の概略を示す説明図である。
【図７】イオン化式ガスセンサにおけるＳｉＨ4 ガスについての出力特性の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  イオン化式ガスセンサ（ガスセンサ）
１１  検知部
１２  チャンバ
１２Ａ  ガス導入管
１２Ｂ  ガス排出管
１３  基体
１４  測定室
１５  放射線源
１６  ホルダー
１８  電圧印加手段
２０  電極構造体
２１  集電極
２２  集電極ホルダー
２３Ａ  内側絶縁部材
２３Ｂ  外側絶縁部材
２４  ガードリング
３０  濃度算出部
３２  積分回路
３３  ローパスフィルタ回路
３４  ゲイン回路
３５  ＣＰＵ
３７  演算部
３８Ａ  Ａ／Ｄ変換器
３８Ｂ  Ｄ／Ａ変換器
３９  記録部
４０  ガス検知システム
４１  熱分解器
４２  ガスセンサ
４３  データロガ
４４  粒子除去フィルター
４５  流量計
４６  バッファ
４７  ガス流量調整バルブ
４８  吸引ポンプ
４９  排気ダクト
６５  サーミスタ
７０  イオン化式ガスセンサ
７１  検知部
７２  チャンバ
７２Ａ  ガス導入管
７２Ｂ  ガス排出管
７３  測定室
７４  補償室
７５  集電極
７６，７７  放射線源
７８  電圧印加手段
７９  絶縁部材
８１  濃度算出部
８２  増幅回路
８３  オペアンプ
８５  ＣＰＵ
ＯＰ  オペアンプ
Ｃ  コンデンサ
ＳＷ  スイッチ（リセットスイッチ）
【図１】
2009244073.tif 000004
【図２】
2009244073.tif 000005
【図３】
2009244073.tif 000006
【図４】
2009244073.tif 000007
【図５】
2009244073.tif 000008
【図６】
2009244073.tif 000009
【図７】
2009244073.tif 000010