(57)【要約】【課題】放電管の両端に逆位相の電圧を出力でき、簡単な構成で且つ安価な放電管点灯装置。【解決手段】１枚の基板に搭載され、直流を交流に変換し放電管３の両端に逆位相の電圧を出力して放電管を点灯させる放電管点灯装置であって、一次巻線Ｐと二次巻線Ｓとを有するトランスＴａ，Ｔｂと共振リアクトルＬ１，Ｌ２と共振コンデンサＣ９ａ，Ｃ４ａ，Ｃ９ｂ，Ｃ４ｂとを有しその出力に放電管が接続され放電管の両端に逆位相の電圧を出力する２つの共振回路１５，１６を有し、２つの共振回路の共振特性が一致するように、共振回路から放電管までの高圧出力配線の長さの差に基づく浮遊容量Ｃｓ１，Ｃｓ２の値に応じて２つの共振回路の共振リアクトルの値に差を持たせる。【選択図】図２
2009224062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１枚の基板に搭載され、直流を交流に変換し放電管の両端に逆位相の電圧を出力して放電管を点灯させる放電管点灯装置であって、
一次巻線と二次巻線とを有するトランスと共振リアクトルと共振コンデンサとを有しその出力に前記放電管が接続され前記放電管の両端に逆位相の電圧を出力する２つの共振回路を有し、
前記２つの共振回路の共振特性が一致するように、前記共振回路から前記放電管までの高圧出力配線の長さの差に基づく浮遊容量の値に応じて、前記２つの共振回路の前記共振リアクトルの値に差を持たせることを特徴とする放電管点灯装置。
【請求項２】
１枚の基板に搭載され、直流を交流に変換し放電管の両端に逆位相の電圧を出力して放電管を点灯させる放電管点灯装置であって、
一次巻線と二次巻線とを有するトランスと共振リアクトルと共振コンデンサとを有しその出力に前記放電管が接続され前記放電管の両端に逆位相の電圧を出力する２つの共振回路を有し、
前記２つの共振回路の共振特性が一致するように、前記共振回路から前記放電管までの高圧出力配線の長さの差に基づく浮遊容量の値に応じて、前記２つの共振回路の前記共振コンデンサの値に差を持たせることを特徴とする放電管点灯装置。
【請求項３】
前記共振コンデンサは、前記基板の表側の導体パターンと前記基板の裏側の導体パターンとで形成されるコンデンサを含むことを特徴とする請求項２記載の放電管点灯装置。
【請求項４】
前記高圧出力配線は、前記コンデンサを含むフレキシブル基板からなることを特徴とする請求項３記載の放電管点灯装置。
【請求項５】
前記共振回路の共振特性は、前記共振リアクトルと前記共振コンデンサと前記浮遊容量とにより決定される共振周波数であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の放電管点灯装置。
【請求項６】
前記共振リアクトルは、前記トランスの一次巻線及び二次巻線間のリーケージインダクタンスからなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の放電管点灯装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電管の点灯、特に冷陰極管（ＣＣＦＬ）を用いた液晶表示機器等に使用される放電管点灯装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ストレート型の放電管の両端に、逆位相の電圧を印加して放電管を点灯させる放電管点灯装置としては、特許文献１に記載されたものが知られている。この放電管点灯装置は、マスタ点灯装置から出力される電圧とスレーブ点灯装置から出力される電圧とを逆位相で、ストレート型の放電管の両端に印加することで、放電管を点灯させる。
【０００３】
図５は従来のこの種の放電管点灯装置の構成図である。図６は図５に示す放電管点灯装置の回路図である。
【０００４】
図５において、パネル裏面１の中央部には、電源部１１ａが設けられ、この電源部１１ａの左側にはインバータからなるマスタ点灯装置１２ａが配置され、電源部１１ａの右側にはインバータからなるスレーブ点灯装置１２ｂが配置されている。電源部１１ａは、電源電圧Ｖｃｃをマスタ点灯装置１２ａとスレーブ点灯装置１２ｂに供給している。
【０００５】
マスタ点灯装置１２ａは、コントローラＩＣからなる制御回路１３ａ（１３ａ−１，１３ａ−２）、ブリッジ構成のスイッチ素子としての４つのＭＯＳ ＦＥＴからなるＳＷ  ＭＯＳ群１４ａ、トランスＴａを有する共振回路１５を有し、共振回路１５からの交流電圧を高圧出力配線２２ａを介して放電管３の一端に電圧を印加する。
【０００６】
スレーブ点灯装置１２ｂは、マスタ点灯装置１２ａの制御回路１３ａ−１からの信号により動作する制御回路１３ｂ、ブリッジ構成のスイッチング素子としての４つのＭＯＳＦＥＴからなるＳＷ  ＭＯＳ群１４ｂ、トランスＴｂを有する共振回路１６を有し、共振回路１６からの交流電圧を高圧出力配線２２ｂを介して放電管３の他端に電圧を印加する。
【０００７】
ＳＷ  ＭＯＳ群１４ａ，１４ｂは、ブリッジ構成のスイッチング素子としての４つのＭＯＳＦＥＴからなり、Ｐ型ＦＥＴＱｐ１とＮ型ＦＥＴＱｎ１との直列回路とＰ型ＦＥＴＱｐ２とＮ型ＦＥＴＱｎ２との直列回路とからなる。
【０００８】
制御回路１３ａ−１は、トランスＴａの二次巻線Ｓの電圧をダイオードで整流した電圧及びトランスＴｂの二次巻線Ｓの電圧をダイオードで整流した電圧と基準電圧とを比較し、誤差電圧を求め、この誤差電圧と三角波信号とを比較し、誤差電圧に応じたパルス幅を有するパルス信号を生成して制御回路１３ａ−２に出力するとともに、端子１７ａ，１７ｂ及び信号線１８を介して制御回路１３ｂに出力する。
【０００９】
制御回路１３ａ−２，１３ｂは、制御回路１３ａ−１からのパルス信号に基づき第１乃至第４ドライブ信号を生成し、第１乃至第４ドライブ信号をＰ型ＦＥＴＱｐ１，Ｎ型ＦＥＴＱｎ１，Ｐ型ＦＥＴＱｐ２，Ｎ型ＦＥＴＱｎ２に印加し、Ｐ型ＦＥＴＱｐ１とＮ型ＦＥＴＱｎ２が同時にオンする期間と、Ｐ型ＦＥＴＱｐ２とＮ型ＦＥＴＱｎ１が同時にオンする期間とを交互に形成して、トランスＴａ，Ｔｂの一次巻線Ｐに交流電圧を生成する。
【００１０】
トランスＴｂは、トランスＴａの極性に対して逆極性となっているため、マスタ点灯装置１２ａから出力される電圧とスレーブ点灯装置１２ｂから出力される電圧とを逆位相で、放電管３の両端に印加でき、放電管を点灯させることができる。
【特許文献１】特開２００６−２２１９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に記載された放電管点灯装置では、第１の基板に実装されたマスタ点灯装置１２ａと第２の基板に実装されたスレーブ点灯装置１２ｂとが放電管３の両端近傍に配置されている。即ち、２つの点灯装置が２つの基板から構成されるため、放電管点灯装置が高価になってしまう。
【００１２】
本発明は、放電管の両端に逆位相の電圧を出力でき、簡単な構成で且つ安価な放電管点灯装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、１枚の基板に搭載され、直流を交流に変換し放電管の両端に逆位相の電圧を出力して放電管を点灯させる放電管点灯装置であって、一次巻線と二次巻線とを有するトランスと共振リアクトルと共振コンデンサとを有しその出力に前記放電管が接続され前記放電管の両端に逆位相の電圧を出力する２つの共振回路を有し、前記２つの共振回路の共振特性が一致するように、前記共振回路から前記放電管までの高圧出力配線の長さの差に基づく浮遊容量の値に応じて、前記２つの共振回路の前記共振リアクトルの値に差を持たせることを特徴とする。
【００１４】
請求項２の発明は、１枚の基板に搭載され、直流を交流に変換し放電管の両端に逆位相の電圧を出力して放電管を点灯させる放電管点灯装置であって、一次巻線と二次巻線とを有するトランスと共振リアクトルと共振コンデンサとを有しその出力に前記放電管が接続され前記放電管の両端に逆位相の電圧を出力する２つの共振回路を有し、前記２つの共振回路の共振特性が一致するように、前記共振回路から前記放電管までの高圧出力配線の長さの差に基づく浮遊容量の値に応じて、前記２つの共振回路の前記共振コンデンサの値に差を持たせることを特徴とする。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項２記載の放電管点灯装置において、前記共振コンデンサは、前記基板の表側の導体パターンと前記基板の裏側の導体パターンとで形成されるコンデンサを含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項３記載の放電管点灯装置において、前記高圧出力配線は、前記コンデンサを含むフレキシブル基板からなることを特徴とする。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の放電管点灯装置において、前記共振回路の共振特性は、前記共振リアクトルと前記共振コンデンサと前記浮遊容量とにより決定される共振周波数であることを特徴とする。
【００１８】
請求項６の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の放電管点灯装置において、前記共振リアクトルは、前記トランスの一次巻線及び二次巻線間のリーケージインダクタンスからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、放電管点灯装置を１枚の基板に搭載し、２つの共振回路の共振特性が一致するように、共振回路から放電管までの高圧出力配線の長さの差に基づく浮遊容量の値に応じて、２つの共振回路の共振リアクトル又は共振コンデンサの値に差を持たせたので、放電管の両端に逆位相の電圧を出力でき、簡単な構成で且つ安価な放電管点灯装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の放電管点灯装置の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の放電管点灯装置は、パネル裏面の左右いずれかの一方に（放電管の一端に）配置された１枚の基板に搭載することで、放電管の両端に逆位相の電圧を出力でき、簡単な構成で且つ安価にすることを特徴とする。
【実施例１】
【００２１】
図１は本発明の実施例１の放電管点灯装置の構成図である。図２は本発明の施例１の放電管点灯装置の回路図である。
【００２２】
図１において、パネル裏面１の中央部には、電源部１１が設けられ、この電源部１１の左側にはインバータからなる放電管点灯装置を実装した１枚の基板１２が配置されている。電源部１１は、電源電圧Ｖｃｃを基板１２上の放電管点灯装置に供給している。
【００２３】
放電管点灯装置は、コントローラＩＣからなる制御回路１３（１３−１，１３−２）、ＳＷ  ＭＯＳ群１４、トランスＴａを有する共振回路１５、トランスＴｂを有する共振回路１６を有し、共振回路１５からの交流電圧を高圧出力配線２１ａを介して放電管３の一端に電圧を印加し、共振回路１６からの交流電圧を高圧出力配線２１ｂを介して放電管３の他端に電圧を印加する。放電管３は、ＣＣＦＬからなる。
【００２４】
ＳＷ  ＭＯＳ群１４は、ブリッジ構成のスイッチング素子としての４つのＭＯＳＦＥＴからなる。電源電圧Ｖｃｃとグランドとの間には、ハイサイドのＰ型ＦＥＴＱｐ１とローサイドのＮ型ＦＥＴＱｎ１との直列回路が接続されている。電源電圧Ｖｃｃとグランドとの間には、ハイサイドのＰ型ＦＥＴＱｐ２とローサイドのＮ型ＦＥＴＱｎ１との直列回路が接続されている。
【００２５】
Ｐ型ＦＥＴＱｐ１とＮ型ＦＥＴＱｎ１との接続点とＰ型ＦＥＴＱｐ２とＮ型ＦＥＴＱｎ２との接続点との間には、コンデンサＣ３ａとトランスＴａの一次巻線Ｐとの直列回路が接続されている。コンデンサＣ３ａとトランスＴａの一次巻線Ｐとの直列回路には、コンデンサＣ３ｂとトランスＴｂの一次巻線Ｐとの直列回路が並列に接続されている。トランスＴａの一次巻線Ｐの巻き始めにコンデンサＣ３ａが接続され、トランスＴｂの一次巻線Ｐの巻き終わりにコンデンサＣ３ｂが接続されている。
【００２６】
Ｐ型ＦＥＴＱｐ１，Ｑｐ２のソースに電源電圧Ｖｃｃが供給され、Ｐ型ＦＥＴＱｐ１のゲートは制御回路部１３−２のＨＤＲＶ１端子に接続され、Ｐ型ＦＥＴＱｐ２のゲートは制御回路部１３−２のＨＤＲＶ２端子に接続されている。Ｎ型ＦＥＴＱｎ１のゲートは制御回路部１３−２のＬＤＲＶ１端子に接続され、Ｎ型ＦＥＴＱｎ２のゲートは制御回路部１３−２のＬＤＲＶ２端子に接続されている。
【００２７】
トランスＴａの二次巻線Ｓの一端は高圧出力配線２１ａを介して放電管３の一方の電極に接続されている。なお、共振リアクトルＬ１はトランスＴａのリーケージインダクタンス成分を示している。トランスＴａの二次巻線Ｓの他端はダイオードＤ１ａのカソード及びダイオードＤ２ａのアノードに接続される。ダイオードＤ１ａ，Ｄ２ａ及び抵抗Ｒ３ａは、管電流検出回路を構成し、二次巻線Ｓに流れる電流を検出し、検出された電流に比例した電圧を制御回路１３−２の端子ＦＢに出力する。
【００２８】
放電管３の一端とグランドとの間にはコンデンサＣ９ａとコンデンサＣ４ａの直列回路が接続され、コンデンサＣ９ａとコンデンサＣ４ａとの接続点にはダイオードＤ６ａのカソード及びダイオードＤ７ａのアノードに接続される。ダイオードＤ６ａ，Ｄ７ａ及び抵抗Ｒ１０，コンデンサＣ１０は、整流平滑回路を構成し、出力電圧に比例した電圧を検出し、検出された電圧を制御回路部１３−２の端子ＯＶＰに出力する。コンデンサＣ９ａとコンデンサＣ４ａとは、共振コンデンサを構成する。
【００２９】
また、トランスＴｂの二次巻線Ｓの一端は高圧出力配線２１ｂを介して放電管３の他方の電極に接続されている。なお、共振リアクトルＬ２はトランスＴｂのリーケージインダクタンス成分を示している。トランスＴｂの二次巻線Ｓの他端はダイオードＤ１ｂのカソード及びダイオードＤ２ｂのアノードに接続される。ダイオードＤ１ｂ，Ｄ２ｂ及び抵抗Ｒ３ｂは、管電流検出回路を構成し、二次巻線Ｓに流れる電流を検出し、検出された電流に比例した電圧を制御回路部１３−１の端子ＦＢに出力する。前記ダイオードＤ１ａ，Ｄ２ａ及び抵抗Ｒ３ａによる管電流検出回路出力と接続する。
【００３０】
放電管３の一端とグランドとの間にはコンデンサＣ９ｂとコンデンサＣ４ｂの直列回路が接続され、コンデンサＣ９ｂとコンデンサＣ４ｂとの接続点にはダイオードＤ６ｂのカソード及びダイオードＤ７ｂのアノードに接続される。ダイオードＤ６ｂ，Ｄ７ｂ及び抵抗Ｒ１０，コンデンサＣ１０は、整流平滑回路を構成し、出力電圧に比例した電圧を検出し、検出された電圧を制御回路部１３−１の端子ＯＶＰに出力する。前記ダイオードＤ６ａ，Ｄ７ａによる整流平滑回路の出力と接続し、出力は合成される。コンデンサＣ９ｂとコンデンサＣ４ｂとは、共振コンデンサを構成する。
【００３１】
制御回路１３−１は、トランスＴａの二次巻線Ｓの電圧をダイオードで整流した電圧及びトランスＴｂの二次巻線Ｓの電圧をダイオードで整流した電圧と基準電圧とを比較し、誤差電圧を求め、この誤差電圧と三角波信号とを比較し、誤差電圧に応じたパルス幅を有するパルス信号を生成して制御回路１３−２に出力する。
【００３２】
制御回路１３−２は、制御回路１３−１からのパルス信号に基づき第１乃至第４ドライブ信号を生成し、第１乃至第４ドライブ信号をＰ型ＦＥＴＱｐ１，Ｎ型ＦＥＴＱｎ１，Ｐ型ＦＥＴＱｐ２，Ｎ型ＦＥＴＱｎ２に印加し、Ｐ型ＦＥＴＱｐ１とＮ型ＦＥＴＱｎ２が同時にオンする期間と、Ｐ型ＦＥＴＱｐ２とＮ型ＦＥＴＱｎ１が同時にオンする期間とを交互に形成して、トランスＴａ，Ｔｂの一次巻線Ｐに交流電圧を生成する。
【００３３】
Ｐ型ＦＥＴＱｐ１のソースとＮ型ＦＥＴＱｎ１のドレインとの接続点にコンデンサＣ３ａを介してトランスＴａの一次巻線Ｐの巻き始めが接続され、また、前記接続点にはコンデンサＣ３ｂを介してトランスＴｂの一次巻線Ｐの巻き終わりが接続されているため、トランスＴａとトランスＴｂとは互いに逆位相の電圧が発生する。このため、共振回路１５から出力される電圧と共振回路１６から出力される電圧とを逆位相で、放電管３の両端に印加でき、放電管を点灯させることができる。
【００３４】
実施例１では、放電管３の両端に逆位相の電圧を出力するための２つの共振回路１５，１６の共振特性が一致するように、共振回路１５から放電管３の一端までの高圧出力配線２１ａの長さと共振回路１６から放電管３の他端までの高圧出力配線２１ｂの長さとの差に基づく浮遊容量Ｃｓ１，Ｃｓ２の値に応じて、２つの共振回路１５，１６の共振リアクトルＬ１，Ｌ２の値に差を持たせることを特徴とする。
【００３５】
ここで、浮遊容量Ｃｓ１は、高圧出力配線２１ａとグランドとの間の容量である。浮遊容量Ｃｓ２は、高圧出力配線２１ｂとグランドとの間の容量である。
【００３６】
共振回路の共振特性とは、例えば共振リアクトルＬ１と共振コンデンサＣ９ａ，Ｃ４ａと浮遊容量Ｃｓ１とにより決定される共振周波数ｆ１、共振リアクトルＬ２と共振コンデンサＣ９ｂ，Ｃ４ｂと浮遊容量Ｃｓ２とにより決定される共振周波数ｆ２である。
【００３７】
具体的には、共振回路１５の共振周波数ｆ１は、（１）式で表される。
【００３８】
ｆ１＝１／｛２π√(Ｌ１×(Ｃａ＋Ｃｓ１)｝        ‥（１）
共振回路１６の共振周波数ｆ２は、（２）式で表される。
【００３９】
ｆ２＝１／｛２π√(Ｌ２×(Ｃｂ＋Ｃｓ２)｝        ‥（２）
ここで、Ｃａ＝（Ｃ４ａ×Ｃ９ａ）／（Ｃ４ａ＋Ｃ９ａ）である。Ｃｂ＝（Ｃ４ｂ×Ｃ９ｂ）／（Ｃ４ｂ＋Ｃ９ｂ）である。
【００４０】
共振周波数ｆ１と共振周波数ｆ２とを同じ値とするとともに、共振コンデンサＣａと共振コンデンサＣｂとを同じ値とした場合には、共振リアクトルＬ２の値は、（３）式で表される値に設定すれば良い。
【００４１】
Ｌ２＝Ｌ１×(Ｃａ＋Ｃｓ１)／(Ｃａ＋Ｃｓ２)        ‥（３）
高圧出力配線２１ｂが長い場合には浮遊容量Ｃｓ２は大きく、高圧出力配線２１ｂが短い場合には浮遊容量Ｃｓ２は小さい。このため、共振回路１５の共振リアクトルＬ１の値と共振回路１６の共振リアクトルＬ２の値とに差を持たせるには、長い方の高圧出力配線２１ｂの共振リアクトルＬ２を小さく、短い方の高圧出力配線２１ａの共振リアクトルＬ１を大きくすれば良い。
【００４２】
また、上述した共振リアクトルＬ１，Ｌ２の値に差を持たせる方法に代えて、放電管３の両端に逆位相の電圧を出力するための２つの共振回路１５，１６の共振特性が一致するように、共振回路１５から放電管３の一端までの高圧出力配線２１ａの長さと共振回路１６から放電管３の他端までの高圧出力配線２１ｂの長さとの差に基づく浮遊容量Ｃｓ１，Ｃｓ２の値に応じて、２つの共振回路１５，１６の共振コンデンサＣａ，Ｃｂの値に差を持たせても良い。
【００４３】
この場合、共振周波数ｆ１と共振周波数ｆ２とを同じ値とするとともに、共振リアクトルＬ１と共振リアクトルＬ２とを同じ値とした場合には、共振コンデンサＣｂの値は、（４）式で表される値に設定すれば良い。
【００４４】
Ｃｂ＝Ｃａ＋(Ｃｓ１−Ｃｓ２)        ‥（４）
高圧出力配線２１ｂが長い場合には浮遊容量Ｃｓ２は大きく、高圧出力配線２１ｂが短い場合には浮遊容量Ｃｓ２は小さい。このため、共振回路１５の共振コンデンサＣａの値と共振回路１６の共振コンデンサＣｂの値とに差を持たせるには、共振コンデンサＣｂを小さく、共振コンデンサＣａを大きくすれば良い。
【００４５】
このように実施例１の放電管店頭装置によれば、放電管点灯装置を１枚の基板１２に搭載し、２つの共振回路１５，１６の共振特性が一致するように、共振回路１５，１６から放電管３までの高圧出力配線２１ａ，２１ｂの長さの差に基づく浮遊容量Ｃｓ１，Ｃｓ２の値に応じて、２つの共振回路１５，１６の共振リアクトルＬ１，Ｌ２又は共振コンデンサＣａ，Ｃｂの値に差を持たせたので、放電管３の両端に逆位相の電圧を正確に出力でき、簡単な構成で且つ安価な放電管点灯装置を提供できる。
【実施例２】
【００４６】
図３は本発明の実施例２の放電管点灯装置の共振回路から放電管までの高圧出力配線用基板の例１を示す図である。
【００４７】
高圧出力配線２１ａ，２１ｂは、図３（ａ）に示すように、折り曲げ自在なフレキシブルプリント基板２１からなる。このフレキシブルプリント基板２１は、図３（ｂ）の断面図（図３（ａ）の点線部分の断面図）に示すように、ベース（基板）３２と、ベース３２の表側の導体パターン３３ａと、ベース３２の裏側の導体パターン３３ｂと、導体パターン３３ａ，３３ｂを覆うカバー３１ａ，３１ｂとからなる。
【００４８】
ベース３２の表側の導体パターン３３ａとベース３２の裏側の導体パターン３３ｂとで、コンデンサＣｃが形成されている。このコンデンサＣｃを、実施例１の共振コンデンサＣａ，Ｃｂとして用いることもできる。
【００４９】
図４は本発明の実施例２の放電管点灯装置の共振回路から放電管までの高圧出力配線用基板の例２を示す図である。
【００５０】
図４に示す例２では、図４（ａ）に示すように、トランスＴａとトランスＴｂとを実装する基板４２には、各トランスＴａ，Ｔｂ毎に、表側に略正方形の導体パターン４３ａが設けられ、裏側に略正方形の導体パターン４３ｂが設けられている。図示していないが、トランスＴａ，Ｔｂの出力線は、一方の導体パターン（例えば導体パターン４３ａ）に接続されている。
【００５１】
基板４２の表側の導体パターン４３ａと基板４２の裏側の導体パターン４３ｂとで、コンデンサが形成されている。このコンデンサを、実施例１の共振コンデンサＣａ，Ｃｂとして用いることもできる。
【００５２】
なお、本発明は、実施例１及び実施例２の放電管点灯装置に限定されるものではない。実施例１及び実施例２では、放電管３としてＣＣＦＬを例示したが、放電管は、ＣＣＦＬに限定されることなく、並列接続されたＥＥＦＬ（External Electrode Fluorescent Lamp、外部電極蛍光ランプ）であっても良い。
【００５３】
また、本発明は、図示はしないが、ＣＣＦＬの両端に直列にコンデンサを接続した等価ＥＥＦＬ等を用いても良い。さらに、負荷が正インピーダンス特性を示す放電管である場合には、これら複数の放電管を並列に接続したものを、まとめて１つの放電管と見なしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１の放電管点灯装置の構成図である。
【図２】本発明の実施例１の放電管点灯装置の回路図である。
【図３】本発明の実施例２の放電管点灯装置の共振回路から放電管までの高圧出力配線用基板の例１を示す図である。
【図４】本発明の実施例２の放電管点灯装置の共振回路から放電管までの高圧出力配線用基板の例２を示す図である。
【図５】従来のこの種の放電管点灯装置の構成図である。
【図６】図５に示す従来の放電管点灯装置の回路図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  パネル裏面
３  放電管
１１，１１ａ  電源部
１２，４２  基板
１２ａ  マスタ点灯装置
１２ｂ  スレーブ点灯装置
１３−１，１３−２，１３ａ−１，１３ａ−２，１３ｂ−１  制御回路
１４，１４ａ，１４ｂ  ＳＷ  ＭＯＳ群
１５，１６  共振回路
１８  検出信号線
２１  フレキシブルプリント基板
２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ  高圧出力配線
３１ａ，３１ｂ
Ｔａ，Ｔｂ  トランス
Ｑｐ１，Ｑｐ２  Ｐ型ＦＥＴ
Ｑｎ１，Ｑｎ２  Ｎ型ＦＥＴ
【図１】
2009224062.tif 000003
【図２】
2009224062.tif 000004
【図３】
2009224062.tif 000005
【図４】
2009224062.tif 000006
【図５】
2009224062.tif 000007
【図６】
2009224062.tif 000008