(57)【要約】【課題】洗浄効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、処理液を噴射して基板を乾燥する噴射ノズルを備える。噴射ノズルは処理液を基板に排出すると同時に、処理ガスの気流を調節して処理ガスを噴射ノズルから排出される処理液側に噴射する。これにより、基板処理装置は、処理液の液滴の大きさを最小化できるので、洗浄効率及び製品の収率を向上させることができる。【選択図】図１
2009117826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板がローディングされる保持部材と、
前記保持部材の上部に備えられ、前記基板を処理する処理液を前記保持部材にローディングされた基板に微細粒子形態に噴射して、前記基板を乾燥する処理液供給部と、を含み、
前記処理液供給部は、
前記処理液が供給される第１供給ノズルと、
処理ガスが供給される第２供給ノズルと、
前記第１及び第２供給ノズルと連結され、前記処理ガスの気流を調節して排出すると同時に前記処理液を排出して、前記処理ガスにより前記処理液を微細粒子形態に分解する噴射ノズルと、を含み、
前記噴射ノズルは、
前記第１供給ノズルと連結され、内部に前記第１供給ノズルから前記処理液が流入する薬液流路が提供され、前記処理液を排出する第１噴射口が形成された第１ノズル部と、
前記第１ノズル部を取り囲み、前記第２供給ノズルと連結され、前記第１ノズル部との間に前記第２供給ノズルから前記処理ガスが流入するガス流路が提供され、前記第１噴射口を取り囲む第２噴射口が形成されて前記処理ガスを排出する第２ノズル部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第２ノズル部は、前記第２噴射口が形成された下端部が前記第１ノズル部側に折曲されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
第１ノズル部は、
前記薬液流路が形成されて前記第１供給ノズルと連結され、円筒形状を有する本体部と、
前記本体部の外壁に形成され、前記第２ノズル部の内壁と結合し、前記第２噴射口と隣接して位置し、前記処理ガスの気流を変更させる多数の案内孔が形成されたガスガイド部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記案内孔は互いに離隔して位置し、前記本体部を中心に螺旋構造に配置されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記案内孔は互いに離隔して位置し、前記本体部を中心に放射状に配置されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板がローディングされる保持部材と、
前記保持部材の上部に備えられ、前記基板を処理する処理液を前記保持部材にローディングされた基板に微細粒子形態に噴射して、前記基板を乾燥する処理液供給部と、を含み、
前記処理液供給部は、
前記処理液が供給される第１供給ノズルと、
処理ガスが供給される第２供給ノズルと、
前記第１及び第２供給ノズルと連結され、前記第１供給ノズルから前記処理液が流入する薬液流路及び前記薬液流路を取り囲んで前記第２供給ノズルから前記処理ガスが流入するガス流路が提供され、前記処理ガスの気流を調節して排出すると同時に前記処理液を排出して、前記処理ガスにより前記処理液を微細粒子形態に分解する噴射ノズルと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
保持部材に基板をローディングするステップと、
前記保持部材の上部に噴射ノズルを配置するステップと、
前記保持部材にローディングされた基板に、前記噴射ノズルを介して処理液を微細粒子形態に噴射して、前記基板を乾燥するステップと、を含み、
前記基板を乾燥するステップは、
前記噴射ノズルの薬液流路に前記処理液が流入すると同時に、前記薬液流路を取り囲む前記噴射ノズルのガス流路に処理ガスが流入するステップと、
前記ガス流路に流入した処理ガスの気流を調節して前記基板に排出すると同時に、前記薬液流路に流入した処理液を前記基板に排出して、前記噴射ノズルから排出された処理液を前記噴射ノズルから排出された処理ガスを利用して微細粒子形態に分解するステップと、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記処理ガスは、前記ガス流路の形状による気流調節によって、前記噴射ノズルから排出される処理液側に噴射されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
保持部材に基板をローディングするステップと、
前記保持部材にローディングされた基板にイソプロピルアルコールを提供して前記基板を乾燥し、処理ガスを利用して前記イソプロピルアルコールをスプレー方式で前記基板に提供するステップと、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板を乾燥するステップは、
前記保持部材の上部に噴射ノズルを配置するステップと、
前記噴射ノズルの薬液流路に前記イソプロピルアルコールを流入させると同時に、前記薬液流路を取り囲む前記噴射ノズルのガス流路に前記処理ガスを流入させるステップと、
前記ガス流路に流入した処理ガスの気流を調節して前記保持部材にローディングされた基板に排出すると同時に、前記薬液流路に流入したイソプロピルアルコールを前記保持部材にローディングされた基板に排出して、記噴射ノズルから排出されたイソプロピルアルコールを前記噴射ノズルから排出された処理ガスを利用して微細粒子形態に分解するステップと、を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板を製造する装置に関し、さらに詳細には、半導体基板処理用薬液を供給する薬液処理装置及びその洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体基板の製造工程は、薄膜蒸着工程、エッチング工程及び洗浄工程などを含む。特に、ウェットエッチング工程と洗浄工程は薬液を用いて半導体基板を処理する工程であって、様々な薬液を用いて行われる。
【０００３】
洗浄工程でイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏl）を用いて半導体基板を乾燥する場合、イソプロピルアルコールを噴射する薬液ノズルと窒素ガスを噴射するガスノズルが、それぞれ半導体基板の上部に配置される。薬液ノズルから排出されたイソプロピルアルコールとガスノズルから排出された窒素ガスは半導体基板に提供される。しかし、薬液ノズルとガスノズルが互いに分離されて備えられ、イソプロピルアルコールと窒素ガスは該当のノズルからそれぞれ半導体基板に直線噴射されるので、イソプロピルアルコールと窒素ガスが互いに混合され難い。これにより、半導体基板の洗浄効率が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、洗浄効率を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
【０００５】
また、本発明の他の目的は、前記基板処理装置を用いて基板を処理する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の本発明の目的を実現するための一特徴による基板処理装置は、保持部材及び処理液供給部からなる。
【０００７】
保持部材には基板がローディングされる。処理液供給部は前記保持部材の上部に備えられ、前記基板を処理する処理液を前記保持部材にローディングされた基板に微細粒子形態に噴射して、前記基板を乾燥する。
【０００８】
具体的に、前記処理液供給部は、第１供給ノズルと第２供給ノズル及び噴射ノズルを備える。第１供給ノズルには前記処理液が供給される。第２供給ノズルには処理ガスが供給される。噴射ノズルは、前記第１供給ノズルから前記処理液が流入する薬液流路、及び前記薬液流路を取り囲み、前記第２供給ノズルから前記処理ガスが流入するガス流路が形成される。噴射ノズルは前記第１及び第２供給ノズルと連結され、前記処理ガスの気流を調節して排出すると同時に前記処理液を排出して、前記処理ガスにより前記処理液を微細粒子形態に分解する。噴射ノズルは第１及び第２ノズル部を備える。第１ノズル部は前記第１供給ノズルと連結され、内部に前記第１供給ノズルから前記処理液が流入する薬液流路が提供され、前記処理液を排出する第１噴射口が形成される。第２ノズル部は前記第１ノズル部を取り囲み、前記第２供給ノズルと連結され、前記第１ノズル部との間に前記第２供給ノズルから前記処理ガスが流入するガス流路が提供され、前記第１噴射口を取り囲む第２噴射口が形成されて前記処理ガスを排出する。
【０００９】
一例として、前記第２ノズル部は、前記第２噴射口が形成された下端部が前記第１ノズル部側に折り曲がった形状を有することもできる。
【００１０】
また、一例として、第１ノズル部は、本体部及びガスガイド部からなることもできる。本体部は、前記薬液流路が形成されて前記第１供給ノズルと連結され、円筒形状を有する。ガスガイド部は前記本体部の外壁に形成され、前記第２ノズル部の内壁と結合し、前記第２噴射口と隣接して位置し、前記処理ガスの気流を変更する多数の案内孔が形成される。
【００１１】
尚、上記の本発明の目的を実現するための一特徴による基板処理方法は次の通りである。先ず、保持部材に基板をローディングし、前記保持部材の上部に噴射ノズルを配置する。次に、前記保持部材にローディングされた基板に、前記噴射ノズルを介して微細粒子形態に処理液を噴射して、前記基板を乾燥する。
【００１２】
ここで、基板を乾燥する過程を説明する。先ず、前記噴射ノズルの薬液流路に前記処理液が流入すると同時に、前記薬液流路を取り囲む前記噴射ノズルのガス流路に処理ガスが流入する。前記ガス流路に流入した処理ガスの気流を調節して前記基板に排出すると同時に、前記薬液流路に流入した処理液を前記基板に排出して、前記噴射ノズルから排出された処理液を前記噴射ノズルから排出された処理ガスを利用して微細粒子形態に分解する。
【００１３】
尚、上記の本発明の目的を実現するための一特徴による基板処理方法は次の通りである。先ず、保持部材に基板をローディングする。前記保持部材にローディングされた基板にイソプロピルアルコールを提供して前記基板を乾燥するが、処理ガスを利用して前記イソプロピルアルコールをスプレー方式で前記基板に提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板処理装置は、処理ガスの気流を調節して、処理ガスを噴射ノズルから基板に提供される処理液側に誘導する。これによって、基板処理装置は処理液の液滴の大きさを最小化できるので、洗浄効率及び製品の収率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付の図面に基づいて本発明の好ましい実施の形態をより詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施の形態による基板処理装置を示す図である。
【００１７】
図１を参照すると、本発明の基板処理装置６００は、処理容器１００、保持部材２００、垂直移動部材３１０、回転モータ３２０及び処理液供給部４００を含む。
【００１８】
前記処理容器１００は、円柱形状を有する第１、第２及び第３回収筒１１０、１２０、１３０を備える。本実施の形態において、前記処理容器１００は三つの回収筒１１０、１２０、１３０から成るが、前記回収筒１１０、１２０、１３０の個数は増加または減少し得る。
【００１９】
前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０は、ウェハ１０の処理工程時にウェハ１０に供給される処理液を回収する。即ち、前記基板処理装置６００は、前記ウェハ１０を前記保持部材２００によって回転させながら、前記処理液を利用して前記ウェハ１０を処理する。これにより、前記ウェハ１０に供給された処理液が飛散し、前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０は前記ウェハ１０から飛散した処理液を回収する。
【００２０】
具体的に、前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０は、それぞれ環状リング形状を有する底面及び前記底面から延長されて円筒形状を有する側壁を備える。前記第２回収筒１２０は前記第１回収筒１１０を取り囲み、前記第１回収筒１１０から離隔して位置する。前記第３回収筒１３０は、前記第２回収筒１２０を取り囲み、前記第２回収筒１２０から離隔して位置する。
【００２１】
第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０は、前記ウェハ１０から飛散した処理液が流入する第１乃至第３回収空間ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３を形成する。前記第１回収空間ＲＳ１は前記第１回収筒１１０によって定義され、前記ウェハ１０を１次的に処理する第１処理液を回収する。前記第２回収空間ＲＳ２は、前記第１回収筒１１０と前記第２回収筒１２０の間の離隔空間によって定義され、前記ウェハ１０を２次的に処理する第２処理液を回収する。前記第３回収空間ＲＳ３は、前記第２回収筒１２０と前記第３回収筒１３０の間の離隔空間によって定義され、前記ウェハ１０を３次的に処理する第３処理液を回収する。ここで、前記第３処理液は前記ウェハ１０をリンス処理するリンス液でありうる。
【００２２】
以上では、前記ウェハ１０の処理手順によって前記第１回収筒１１０から第３回収筒１３０の順番で各処理液を回収することを一例に取り上げて説明したが、前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の処理液回収順番は、前記ウェハ１０の処理工程及びその位置によって変更されることもできる。
【００２３】
前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の各上面は、中央部が開口され、連結された側壁から開口部側に向かって対応する底面との距離が次第に増加する傾斜面からなる。これによって、前記ウェハ１０から飛散した処理液が前記第１乃至第３回収筒１１０、１２０、１３０の上面に沿って前記回収空間ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３内にガイドされる。
【００２４】
前記第１回収筒１１０は第１回収ライン１４１と連結される。前記第１回収空間ＲＳ１に流入した前記第１処理液は、前記第１回収ライン１４１を介して外部に排出される。前記第２回収筒１２０は第２回収ライン１４３と連結される。前記第２回収空間ＲＳ２に流入した前記第２処理液は、前記第２回収ライン１４３を介して外部に排出される。前記第３回収筒１３０は第３回収ライン１４５と連結される。前記第３回収空間ＲＳ３に流入した前記第３処理液は、前記第３回収ライン１４５を介して外部に排出される。
【００２５】
一方、前記処理容器１００は、前記処理容器１００の垂直位置を変更する垂直移動部材３１０と結合される。前記垂直移動部材３１０は前記第３回収筒１３０の外側壁に備えられ、前記保持部材２００の垂直位置が固定された状態で、前記処理容器１００を上／下に移動させる。これにより、前記処理容器１００と前記ウェハ１０との相対的な垂直位置が変更される。従って、前記処理容器１００は前記各回収空間ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３別に異なる種類の処理液と汚染ガスを回収することができる。
【００２６】
本実施の形態において、前記基板処理装置６００は、前記処理容器１００を垂直移動させて、前記処理容器１００と前記保持部材２００との相対的な垂直位置を変更する。ところが、前記基板処理装置６００は、前記保持部材２００を垂直移動させて、前記処理容器１００と前記保持部材２００との相対的な垂直位置を変更させることもできる。
【００２７】
前記処理容器１００内には前記保持部材２００が収容される。前記保持部材２００は、スピンヘッド２１０、回転軸２２０及び固定軸２３０を含む。
【００２８】
前記スピンヘッド２１０は円板形状を有し、上面が前記ウェハ１０と対向する。前記スピンヘッド２１０の上面には前記ウェハ１０を保持する多数のチャックピン２１１が備えられる。前記チャックピンドを２１１は前記ウェハ１０をチャッキングして前記スピンヘッド２１０上に前記ウェハ１０を固定する。
【００２９】
前記回転軸２２０は前記スピンヘッド２１０の下面に結合される。前記回転軸２２０は回転モータ３２０と連結され、前記回転モータ３２０の回転力によって中心軸を基準に回転する。前記回転軸２２０の回転力は前記スピンヘッド２１０に伝達されて前記スピンヘッド２１０が回転し、これにより、前記スピンヘッド２１０に固定されたウェハ１０が回転する。
【００３０】
前記回転軸２２０は前記固定軸２３０と結合される。前記固定軸２３０は、一端部が前記回転軸２２０内に挿入され、多数の軸受（図示せず）を利用して前記回転軸２２０と結合する。これによって、前記固定軸２３０は回転せず、前記回転軸２２０だけ回転する。
【００３１】
一方、前記処理液供給部４００は、前記ウェハ１０に前記処理液を提供して前記ウェハ１０を乾燥する。前記処理液供給部４００は、前記処理液を前記ウェハ１０に噴射する処理液噴射部４１０、前記処理液噴射部４１０を水平移動させる第１移動部４５０、前記処理液噴射部４１０と前記第１移動部４５０を連結する連結部４６０、及び前記処理液噴射部４１０を垂直移動させる第２移動部４７０を含む。前記第１移動部４５０は、前記処理容器１００の上部に備えられ、前記処理液噴射部４１０の上部に位置する。前記第１移動部４５０の第１端部には前記連結部４６０が結合し、前記連結部４６０は前記第１移動部４５０の下面から下に延長されて前記処理液噴射部４１０と結合する。前記第２移動部４７０は前記第１移動部４５０の第２端部から前記連結部４６０と対向するように延長され、前記処理容器１００の外側に設けられる。前記第２移動部４７０は、上／下に移動して前記処理液噴射部４１０と前記ウェハ１０の間の離隔距離を調節する。
【００３２】
前記処理液噴射部４１０は、薬液供給部５１０と連結されて前記処理液を供給され、前記ガス供給部５２０と連結されて処理ガスを供給される。ここで、前記処理液はイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）からなり、前記処理ガスは窒素ガスからなる。前記処理液噴射部４１０は、前記処理ガスと前記処理液を同時に排出して、前記ウェハ１０を洗浄する。この時、前記処理液噴射部４１０と前記ウェハ１０との離隔距離及び相対的位置は、前記第１及び第２移動部４５０、４７０により調節されて、噴射位置が調節される。
【００３３】
以下、図面を参照して、前記処理液噴射部４１０について具体的に説明する。
【００３４】
図２は、図１に図示された処理液噴射部４１０を示す斜視図であり、図３は、図２に図示された噴射ノズル４４０を示す断面図である。
【００３５】
図１及び図２を参照すると、前記処理液噴射部４１０は、第１供給ノズル４２０、第２供給ノズル４３０及び噴射ノズル４４０を含む。
【００３６】
前記第１供給ノズル４２０は前記噴射ノズル４４０の上面に結合し、前記薬液供給部５１０と連結される。前記第１供給ノズル４２０は前記薬液供給部５１０からの前記処理液ＣＬを前記噴射ノズル４４０に提供する。
【００３７】
前記第２供給ノズル４３０は前記噴射ノズル４４０の一側に結合し、前記ガス供給部５２０と連結される。前記第２供給ノズル４３０は前記ガス供給部５２０からの前記処理ガスＣＧを前記噴射ノズル４４０に提供する。
【００３８】
図２及び図３を参照すると、前記噴射ノズル４４０は、前記処理液ＣＬが提供される第１ノズル部４４１と前記処理ガスＣＧが提供される第２ノズル部４４３からなる。前記第１ノズル部４４１は円筒形状を有し、前記第１供給ノズル４２０と連結される。前記第１ノズル部４４１の内部には、前記第１供給ノズル４２０から提供された前記処理液ＣＬが移動する薬液流路４４１ａが形成される。前記第１ノズル部４４１の下端部には第１噴射口４４１ｂが形成される。前記第１噴射口４４１ｂは、前記薬液流路４４１ａに流入した前記処理液ＣＬを外部に排出する。
【００３９】
前記第２ノズル部４４３は前記第１ノズル部４４１を取り囲み、円筒形状を有する。前記第２ノズル部４４３の上端部は前記第１ノズル部４４１と結合する。前記第２ノズル部４４３の一側は前記第２供給ノズル４３０と連結され、前記第２供給ノズル４３０から前記処理ガスＣＧが提供される。また、前記第２ノズル部４４３は前記第１ノズル部４４１から部分的に離隔して、前記第１ノズル部４４１との間に前記処理ガスＣＧが流入するガス流路４４３ａが形成される。前記第２ノズル部４４３の下端部には第２噴射口４４３ｂが形成される。前記第２噴射口４４３ｂは、前記第１噴射口４４１ｂを取り囲むリング形状に形成され、前記第２供給ノズル４３０から前記ガス流路４４３ａに流入した前記処理ガスＣＧを外部に排出する。
【００４０】
特に、前記第２ノズル部４４３は、前記第２噴射口４４３ｂを定義する下端部が前記第１噴射口４４１ｂ側に折り曲がる。これによって、前記第２噴射口４４３ｂの幅が前記ガス流路４４３ａの幅より狭く形成されるので、前記処理ガスＣＧの圧力が前記ガス流路４４３ａより前記第２噴射口４４３ｂで高くなる。また、前記第２ノズル部４４３の下端部が内側に折り曲がっているため、前記第２噴射口４４３ｂから排出された処理ガスＣＧが前記第１噴射口４４１ｂ側にガイドされる。
【００４１】
これによって、前記第２噴射口４４３ｂから排出された処理ガスＣＧが前記第１噴射口４４１ｂから排出された処理液ＣＬに提供され、前記第１噴射口４４１ｂから排出された処理液ＣＬが前記処理ガスＣＧによって微細粒子（液滴）形態に分解される。前記処理液ＣＬの液滴は、前記ウェハ１０の表面に提供されて前記ウェハ１０を乾燥する。
【００４２】
図４は、図３に図示された噴射ノズル４４０から処理液が噴射される過程を示す図である。
【００４３】
図１及び図４を参照すると、先ず、前記ウェハ１０を前記スピンヘッド２１０上にローディングして固定し、前記ウェハ１０の上部に前記処理液噴射部４１０を配置させる。
【００４４】
前記回転モータ３２０を駆動して前記回転軸２２０を回転させると、前記回転軸２２０の回転力により前記スピンヘッド２１０が回転して前記ウェハ１０が回転する。
【００４５】
前記処理液噴射部４１０の第１供給ノズル４２０は、前記薬液供給部５１０から前記処理液ＣＬを供給されて前記噴射ノズル４４０に提供する。前記処理液噴射部４１０の第２供給ノズル４３０は、前記ガス供給部５２０から前記処理ガスＣＧを供給されて前記噴射ノズル４４０に提供する。
【００４６】
前記噴射ノズル４４０は、前記処理ガスＣＧと前記処理液ＣＬを同時に排出して、回転するウェハ１０に前記処理液ＣＬを液滴形態に噴射し、これによって、前記ウェハ１０が乾燥される。
【００４７】
即ち、前記噴射ノズル４４０から前記処理液ＣＬと前記処理ガスＣＧが噴射される過程を具体的に説明すると次の通りである。先ず、前記薬液供給部５１０から排出された前記処理液ＣＬは、前記噴射ノズル４４０の第１ノズル部４４１に提供されて、前記第１ノズル部４４１の薬液流路４４１ａに流入する。
【００４８】
前記ガス供給部５２０から排出された前記処理ガスＣＧは、前記噴射ノズル４４０の第２ノズル部４４３に提供されて、前記第２ノズル部４４３のガス流路４４３ａに流入する。
【００４９】
前記薬液流路４４１ａに流入した処理液ＣＬは、前記第１噴射口４４１ｂを介して外部に排出される。これと同時に、前記ガス流路４４３ａに流入した前記処理ガスＣＧは、前記第２噴射口４４３ｂを介して外部に排出される。前記第１噴射口４４１ｂから排出された前記処理液ＣＬは、前記処理ガスＣＧの圧力によって微細粒子形態、即ち、液滴（ＣＬＤ）形態に分解されて、前記ウェハ１０に提供される。これにより、前記ウェハ１０が洗浄される。
【００５０】
前記第２ノズル部４４３は、下端部が内側に折り曲がった形状を有するので、前記処理ガスＣＧの排出時、前記第１噴射口４４１ｂから前記処理液ＣＬが排出される経路側に前記処理ガスＣＧを噴射する。これによって、前記処理ガスＣＧが前記第１噴射口４４１ｂから排出された処理液ＣＬに十分提供されるので、前記処理液ＣＬの液滴（ＣＬＤ）の大きさ及び使用量が減少し、前記処理液ＣＬの拡散率が増加する。従って、前記ウェハ１０の洗浄効率及び生産性が向上し、製造原価を節減することができる。
【００５１】
図５は、図２に図示された処理液噴射部の他の一例を示す断面図であり、図６及び図７は、図５に図示された第１ノズル部を示す平面図である。ここで、図６は、第１ノズル部４８１を側面から見た平面図であり、図７は、第１ノズル部４８１を下側から見た平面図である。
【００５２】
図５及び図６を参照すると、本発明の処理液噴射部４９０は、第１及び第２供給ノズル４２０、４３０及び噴射ノズル４８０を含む。
【００５３】
前記第１供給ノズル４２０は、前記薬液供給部５１０（図１参照）から前記処理液ＣＬを供給されて前記噴射ノズル４８０に提供する。前記第２供給ノズル４３０は、前記ガス供給部５２０（図１参照）から前記処理ガスＣＧを供給されて前記噴射ノズル４８０に提供する。
【００５４】
前記噴射ノズル４８０は、前記処理液ＣＬを噴射する第１ノズル部４８１及び前記処理ガスＣＧを噴射する第２ノズル部４８３からなる。
【００５５】
具体的に、前記第１ノズル部４８１は、本体部４８１ａ及びガスガイド部４８１ｂからなる。前記本体部４８１ａは円筒形状を有し、上端部が前記第１供給ノズル４２０に連結されて、前記第１供給ノズル４２０から前記処理液ＣＬが供給される。前記本体部４８１ａの内部には、前記第１供給ノズル４２０から提供された前記処理液ＣＬが移動する薬液流路８１ａが形成される。また、前記本体部４８１ａの下端部には、第１噴射口８１ｂが形成される。前記第１噴射口８１ｂは、前記薬液流路８１ａに流入した前記処理液ＣＬを外部に排出する。
【００５６】
前記ガスガイド部４８１ｂは前記本体部４８１ａの下端部に形成される。前記ガスガイド部４８１ｂは前記本体部４８１ａの外壁から突出形成され、前記処理ガスＣＧの気流を調節する多数の案内孔８１ｃが形成される。
【００５７】
前記第２ノズル部４８３は前記第１ノズル部４８１を取り囲み、円筒形状を有する。前記第２ノズル部４８３の上端部は前記第１ノズル部４８１と結合する。前記第２ノズル部４８３の一側は前記第２供給ノズル４３０と連結されて、前記第２供給ノズル４２０から前記処理ガスＣＧが提供される。
【００５８】
また、前記第２ノズル部４８３は、前記第１ノズル部４８１から部分的に離隔して、前記第１ノズル部４８１との間に前記処理ガスＣＧが流入するガス流路８３ａが形成される。前記第２ノズル部４８３の下端部には第２噴射口８３ｂが形成される。前記第２噴射口８３ｂは、前記第１噴射口８１ｂを取り囲むリング形状に形成され、前記第２供給ノズル４３０から前記ガス流路８３ａに流入した前記処理ガスＣＧを外部に排出する。
【００５９】
前記ガスガイド部４８１ｂは前記第２噴射口８３ｂと隣接して位置し、前記第２ノズル部４８３の内壁と結合する。前記ガス流路８３ａに流入した前記処理ガスＣＧは、前記ガスガイド部４８１ｂの複数案内孔８１ｃを経由した後、前記第２噴射口８３ｂを介して外部に排出される。
【００６０】
図６及び図７を参照すると、前記案内孔８１ｃは互いに離隔して位置し、前記処理ガスＣＧは前記案内孔８１ｃに沿って移動しながら前記第２噴射口８３ｂを介して噴射される。ここで、前記案内孔８１ｃは前記本体部４８１ａを中心に螺旋構造に配置されるので、前記処理ガスＣＧの気流が前記案内孔８１ｃの形状によって螺旋形に形成される。
【００６１】
これによって、前記第２噴射口８３ｂから排出された処理ガスＣＧが前記処理液ＣＬが排出される経路側に誘導されるので、前記処理液ＣＬが微細粒子（液滴）形態に分解される。前記処理液ＣＬの液滴は、前記ウェハ１０の表面に提供されて前記ウェハ１０を乾燥する。
【００６２】
特に、前記噴射ノズル４８０は、前記処理ガスＣＧの気流が前記案内孔８１ｃによって螺旋形に形成されるので、前記処理液ＣＬの液滴の大きさを最小化することができ、前記処理液ＣＬの拡散率が向上する。これによって、前記噴射ノズル４８０は、前記ウェハ１０の洗浄効率及び生産性を向上させ、製造原価を節減する。
【００６３】
本実施の形態において、前記案内孔８１ｃは螺旋構造に配置されているが、前記本体部４８１ａを中心に放射状に配置されることもできる。
【００６４】
以上では、前記基板処理装置６００が処理する基板として前記ウェハ１０を一例に取り上げているが、本発明はこれに限定されず、ガラス基板のような様々な種類の基板にも適用されることができる。
【００６５】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施の形態による基板処理装置を示す図である。
【図２】図１に図示された処理液噴射部を示す斜視図である。
【図３】図２に図示された噴射ノズルを示す断面図である。
【図４】図３に図示された噴射ノズルから処理液が噴射される過程を示す図である。
【図５】図２に図示された処理液噴射部の他の一例を示す断面図である。
【図６】図５に図示された第１ノズル部を示す平面図である。
【図７】図５に図示された第１ノズル部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１００  処理容器
２００  保持部材
３１０  垂直移動部材
３２０  回転モータ
４００  処理液供給部
４１０、４９０  処理液噴射部
４２０  第１供給ノズル
４３０  第２供給ノズル
４４０、４８０  噴射ノズル
５１０  薬液供給部
５２０  ガス供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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