(57)【要約】【課題】ＣＶＤ法を用いて成膜する層の直前に成膜する層を工夫することで、媒体保護層を成膜された基体の保磁力Ｈｃや電磁気特性のばらつきを低減させることが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、媒体保護層１２６を成膜するＣＶＤチャンバ１５０を複数備え、複数のＣＶＤチャンバ１５０のうち１のＣＶＤチャンバ１５０を選択して媒体保護層１２６を成膜する媒体保護層成膜工程と、選択されたＣＶＤチャンバ１５０に応じて媒体保護層１２６の直前に成膜される層（連続層１２４）の膜厚を、ＣＶＤチャンバごとに予め定められた膜厚に変更する膜厚変更工程と、を含むことを特徴としている。【選択図】図３
2009245482.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体保護層を成膜するＣＶＤチャンバを複数備え、基体上に、磁気記録層と、媒体保護層とをこの順に備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
前記複数のＣＶＤチャンバのうち１のＣＶＤチャンバを選択して前記媒体保護層を成膜する媒体保護層成膜工程と、
前記選択されたＣＶＤチャンバに応じて前記媒体保護層の直前に成膜される層の膜厚を、前記ＣＶＤチャンバごとに予め定められた膜厚に変更する膜厚変更工程と、
を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記ＣＶＤチャンバと、該ＣＶＤチャンバごとに適した、前記媒体保護層の直前に成膜される層の膜厚とを予め関連付けるチャンバ膜厚関連工程をさらに含み、
前記膜厚変更工程は、前記チャンバ膜厚関連工程によって関連付けられた膜厚に前記媒体保護層の直前に成膜される層の膜厚を変更することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記媒体保護層は、ダイヤモンドライクカーボンを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記媒体保護層の直前に成膜される層とは、前記磁気記録層の直後に成膜され、基体の平面方向に磁気的に連続した連続層であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０ＧＢｉｔを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基体面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて磁性粒が微細化するほど反磁界（Ｈｄ）が大きくなって保磁力Ｈｃが向上し、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
また、オーバーライト特性を向上させるために、磁気記録層の上に、面方向に磁気的に連続した連続層（補助記録層またはキャップ層）を設けている。
【０００５】
また、このような情報記録密度の増加に伴い、円周方向の線記録密度（ＢＰＩ:Bit Per Inch）、半径方向のトラック記録密度（ＴＰＩ:Track Per Inch）のいずれも増加の一途を辿っている。さらに、磁気ディスクの磁性層と、磁気ヘッドの記録再生素子との間隙（磁気的スペーシング）を狭くしてシグナルノイズ比（Signal-Noise Ratio：ＳＮＲ）を向上させる技術も検討されている。近年望まれる磁気ヘッドの浮上量は６ｎｍ以下である。
【０００６】
上記のように磁気ヘッドが低浮上量化してきたことに伴い、外部衝撃や飛行の乱れによって磁気ヘッドがディスク表面に接触する可能性が高まっている。このため垂直磁気記録ディスクでは、磁気ヘッドが垂直磁気記録ディスクに衝突した際、磁気記録層の表面が傷つかないように保護する媒体保護層が設けられる。媒体保護層は、カーボンオーバーコート（ＣＯＣ）、即ち、カーボン皮膜によって高硬度な皮膜を形成する。媒体保護層には、カーボンの硬いダイヤモンドライク結合と、柔らかいグラファイト結合とが混在しているものもある（例えば、特許文献１）。また、ダイヤモンドライク結合保護膜を、ＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)法によって製造する技術も開示されている（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開平１０−１１７３４号公報
【特許文献２】特開２００６−１１４１８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したＣＶＤ法を利用するＣＶＤ装置等の真空成膜装置においては、ディスク（基体）に成膜をする際に、装置内に配置され成膜雰囲気に曝される各種部品にも成膜材料が付着してしまう。付着した成膜材料をそのままにしておくと堆積し、やがて各種部品から剥離することとなる。剥離した成膜材料が、成膜中に基体に付着すると不具合を生じ、歩留まりが低下するおそれがある。
【０００８】
したがって、予めＣＶＤ法を利用するチャンバ（以下ＣＶＤチャンバと称する。）を複数設けておき、基体を成膜するＣＶＤチャンバ以外のＣＶＤチャンバを、Ｏ２プラズマを用いてドライエッチングすることにより付着した成膜材料を取り除く（クリーニングする）方法が考えられる。
【０００９】
しかし、上述したＣＶＤチャンバをクリーニングする方法では、ＣＶＤチャンバは媒体保護層の成膜とＣＶＤチャンバのクリーニングを繰り返し行うこととなり、ＣＶＤチャンバごとに基体温度や雰囲気ガス圧等の装置特性が多少なりとも異なってしまっていた。
【００１０】
その結果、媒体保護層を成膜するＣＶＤチャンバによって、基体の保磁力Ｈｃや電磁気特性等がばらついてしまっていた。
【００１１】
本発明は、複数のＣＶＤチャンバを用いた成膜方法が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＣＶＤ法を用いて成膜する層の直前に成膜する層を工夫することで、媒体保護層を成膜された基体の保磁力Ｈｃや電磁気特性のばらつきを低減させることが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の発明者が鋭意検討したところ、ＣＶＤ法によって媒体保護層を成膜する場合、カーボン粒子が高いエネルギーをもって激しく連続層に衝突するため、媒体保護層の直前に成膜されている層が一部破壊されて本来の機能を失っていることを見出した。
【００１３】
さらに、媒体保護層を成膜した後の基体の保磁力Ｈｃや電磁気特性等のばらつきは、ＣＶＤチャンバによって媒体保護層の直前に成膜されている層に与えるダメージ（一部破壊）が異なることに起因することを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、媒体保護層を成膜するＣＶＤチャンバを複数備え、基体上に、磁気記録層と、媒体保護層とをこの順に備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、複数のＣＶＤチャンバのうち１のＣＶＤチャンバを選択して媒体保護層を成膜する媒体保護層成膜工程と、選択されたＣＶＤチャンバに応じて媒体保護層の直前に成膜される層の膜厚を、ＣＶＤチャンバごとに予め定められた膜厚に変更する膜厚変更工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
かかる構成により、ＣＶＤチャンバごとで媒体保護層の直前に成膜される層に与えるダメージにばらつきがあったとしても、媒体保護層を成膜するＣＶＤチャンバに応じて、ダメージが与えられる層の膜厚を適宜変更することができ、有効な膜厚（本来の機能を発揮する部分の膜厚）を一定に保つことができる。したがって、他のＣＶＤチャンバと比較してダメージが大きいと思われるＣＶＤチャンバで成膜する基体においては、媒体保護層の直前に成膜されている層の膜厚を厚くし、ダメージが小さいと思われるＣＶＤチャンバで成膜する基体においては、膜厚を薄くすることで、どのＣＶＤチャンバで成膜したとしてもＣＶＤ後の基体の保磁力Ｈｃおよび電磁気特性を均一にすることが可能となる。
【００１６】
上記ＣＶＤチャンバと、ＣＶＤチャンバごとに適した、媒体保護層の直前に成膜される層の膜厚とを予め関連付けるチャンバ膜厚関連工程をさらに含み、膜厚変更工程は、チャンバ膜厚関連工程によって関連付けられた膜厚に媒体保護層の直前に成膜される層を変更してもよい。
【００１７】
チャンバ膜厚関連工程を含む構成により、予めＣＶＤチャンバと当該ＣＶＤチャンバに適した膜厚を関連付けておくため、膜厚変更工程において、ＣＶＤチャンバに適した膜厚に媒体保護層の直前に成膜される層を変更する。したがって、ＣＶＤチャンバごとに適した膜厚で媒体保護層の直前に成膜される層を成膜することができる。これにより、どのＣＶＤチャンバで成膜したとしてもＣＶＤ後の基体の保磁力Ｈｃおよび電磁気特性を均一にすることが可能となる。
【００１８】
また、媒体保護層は、ダイヤモンドライクカーボンを含んでもよい。これにより、緻密で耐久性のある媒体保護層とすることができる。
【００１９】
また、媒体保護層の直前に成膜される層とは、磁気記録層の直後に成膜され、基体の平面方向に磁気的に連続した連続層であってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法は、ＣＶＤ法を用いて成膜する層の直前に成膜する層の膜厚を工夫することで、媒体保護層を成膜された基体の保磁力Ｈｃや電磁気特性のばらつきを低減させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
【００２２】
（実施形態）
本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の実施形態について説明する。図１は本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録媒体１００は、基体としてのディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非磁性グラニュラー層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ、連続層１２４、媒体保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃは、あわせて軟磁性層１１４を構成する。第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８を構成する。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂとはあわせて磁気記録層１２２を構成する。
【００２３】
ディスク基体１１０は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１１０を得ることができる。
【００２４】
ディスク基体１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて付着層１１２から連続層１２４まで順次成膜を行い、媒体保護層１２６はＣＶＤ法により成膜することができる。この後、潤滑層１２８をディップコート法により形成することができる。
【００２５】
なお、本実施形態では、生産性が高いインライン型成膜方法を用いている。図２は、本実施形態で用いるインライン型成膜方法において各層を成膜するチャンバの配置を説明する配置図である。なお、図２においては本実施形態の特徴であるＣＶＤチャンバの位置について示す。
【００２６】
図２に示すように、まずディスク基体１１０は、図中白抜矢印で示すように付着層１１２を成膜するチャンバに導入される。その後、図中黒矢印で示すように時計回りで各層を成膜するチャンバに導入される。
【００２７】
本実施形態において、媒体保護層１２６を成膜するＣＶＤチャンバ１５０は２つあり（ＣＶＤ１５０ａ、１５０ｂ）、並列に隣接して配置されている。ＣＶＤチャンバ１５０ａおよびＣＶＤチャンバ１５０ｂは、媒体保護層１２６の成膜とＣＶＤチャンバ１５０のクリーニングとを交互に遂行しており、例えば、ＣＶＤチャンバ１５０ａで媒体保護層１２６を成膜している場合、ＣＶＤチャンバ１５０ｂではクリーニングを行っている。
【００２８】
クリーニングとは、ＣＶＤチャンバ１５０内を、Ｏ２プラズマを用いてドライエッチングすることにより付着した成膜材料を取り除くことである。
【００２９】
ＣＶＤチャンバ１５０を複数備え、媒体保護層１２６の成膜とＣＶＤチャンバのクリーニングを交互に行うことにより、ラインを停止することなく、付着した成膜材料による基体の不具合を低減させることができる。
【００３０】
以下、各層の構成および製造方法について説明する。
【００３１】
付着層１１２は非晶質の下地層であって、ディスク基体１１０に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層１１４とディスク基体１１０との剥離強度を高める機能と、この上に成膜される各層の結晶グレインを微細化及び均一化させる機能を備えている。付着層１１２は、ディスク基体１１０がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファスの合金膜とすることが好ましい。
【００３２】
付着層１１２としては、例えばＣｒＴｉ系非晶質層、ＣｏＷ系非晶質層、ＣｒＷ系非晶質層、ＣｒＴａ系非晶質層、ＣｒＮｂ系非晶質層から選択することができる。中でもＣｏＷ系合金膜は、微結晶を含むアモルファス金属膜を形成するので特に好ましい。付着層１１２は単一材料からなる単層でも良いが、複数層を積層して形成してもよい。例えばＣｒＴｉ層の上にＣｏＷ層またはＣｒＷ層を形成してもよい。またこれらの付着層１１２は、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、又は酸素を含む材料によってスパッタを行うか、もしくは表面層をこれらのガスで暴露したものであることが好ましい。
【００３３】
軟磁性層１１４は、垂直磁気記録方式において記録層に垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層１１４は第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層１１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１１４から生じるノイズを低減することができる。第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成としては、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金、ＣｏＣｒＦｅＢなどのＣｏ−Ｆｅ系合金、［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｓｎ］ｎ多層構造のようなＮｉ−Ｆｅ系合金などを用いることができる。
【００３４】
前下地層１１６は非磁性の合金層であり、軟磁性層１１４を防護する作用と、この上に成膜される下地層１１８に含まれる六方細密充填構造（ｈｃｐ構造）の磁化容易軸をディスク垂直方向に配向させる機能を備える。前下地層１１６は面心立方構造（ｆｃｃ構造）の（１１１）面、または体心立方構造（ｂｃｃ構造）の（１１０）面がディスク基体１１０の主表面と平行となっていることが好ましい。また前下地層１１６は、これらの結晶構造とアモルファスとが混在した構成としてもよい。前下地層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばｆｃｃ構造としてはＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒ、ｂｃｃ構造としてはＴａを好適に選択することができる。
【００３５】
下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のＣｏのｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層１１８の結晶の（０００１）面がディスク基体１１０の主表面と平行になっているほど、磁気記録層２２の配向性を向上させることができる。下地層の材質としてはＲｕが代表的であるが、その他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、また結晶の格子間隔がＣｏと近いため、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。
【００３６】
下地層１１８をＲｕとした場合において、スパッタ時のガス圧を変更することによりＲｕからなる２層構造とすることができる。具体的には、上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くする。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
【００３７】
非磁性グラニュラー層１２０は非磁性のグラニュラー層である。下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層１２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。非磁性グラニュラー層１２０の組成は、Ｃｏ系合金からなる非磁性の結晶粒子の間に、非磁性物質を偏析させて粒界を形成することにより、グラニュラー構造とすることができる。特にＣｏＣｒ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＲｕ−ＳｉＯ２を好適に用いることができ、さらにＲｕに代えてＲｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ａｕ（金）も利用することができる。また非磁性物質とは、磁性粒（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
【００３８】
磁気記録層１２２は、Ｃｏ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金から選択される硬磁性体の磁性粒の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有した強磁性層である。この磁性粒は、非磁性グラニュラー層１２０を設けることにより、そのグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長することができる。本実施形態では組成および膜厚の異なる第１磁気記録層１２２ａと、第２磁気記録層１２２ｂとから構成されている。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂは、いずれも非磁性物質としてはＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物や、ＢＮ等の窒化物、Ｂ４Ｃ３等の炭化物を好適に用いることができる。
【００３９】
連続層１２４はグラニュラー構造を有する磁気記録層１２２の上に、面内方向に磁気的に連続した層（連続層とも呼ばれる）である。連続層１２４は必ずしも必要ではないが、これを設けることにより磁気記録層１２２の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上、耐熱揺らぎ特性の改善、オーバーライト特性の改善を図ることができる。
【００４０】
なお連続層１２４として、単一の層ではなく、高い垂直磁気異方性かつ高い飽和磁化ＭＳを示す薄膜（連続層）を形成するＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）としてもよい。なおＣＧＣ構造は、グラニュラー構造を有する磁気記録層と、ＰｄやＰｔなどの非磁性物質からなる薄膜のカップリング制御層と、ＣｏＢとＰｄとの薄膜を積層した交互積層膜からなる交換エネルギー制御層とから構成することができる。
【００４１】
本実施形態において、後述する媒体保護層１２６の直前に成膜される連続層１２４の膜厚は、媒体保護層１２６を成膜するＣＶＤチャンバ１５０ごとに予め定められた膜厚に変更する（膜厚変更工程）。具体的には、まずＣＶＤチャンバ１５０ごとに、予め所定回数、サンプルとしてのディスク基体１１０を成膜し、成膜後の垂直磁気記録媒体１００の保磁力Ｈｃを測定する。ＣＶＤチャンバ１５０ごとに測定した保磁力Ｈｃが所定の目標値からどの程度ずれているかを算出し、目標値に近づけるように連続層１２４の膜厚を変更する。
【００４２】
媒体保護層１２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成することができる（媒体保護層成膜工程）。媒体保護層１２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に磁気記録層１２２を防護することができる。
【００４３】
媒体保護層成膜工程においては、複数のＣＶＤチャンバ１５０のうち１のＣＶＤチャンバを選択して媒体保護層１２６を成膜する。上述したように、本実施形態においてＣＶＤチャンバ１５０は２つあり（ＣＶＤ１５０ａ、１５０ｂ）、並列に隣接して配置されている。ＣＶＤチャンバ１５０ａおよびＣＶＤチャンバ１５０ｂは、媒体保護層１２６の成膜とＣＶＤチャンバのクリーニングとを交互に遂行しており、例えば、ＣＶＤチャンバ１５０ａが選択された場合、ＣＶＤチャンバ１５０ａで媒体保護層１２６を成膜し、ＣＶＤチャンバ１５０ｂではクリーニングを行う。
【００４４】
潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜することができる。ＰＦＰＥは長い鎖状の分子構造を有し、媒体保護層１２６表面のＮ原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層１２８の作用により、垂直磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触しても、媒体保護層１２６の損傷や欠損を防止することができる。
【００４５】
以上の製造工程により、垂直磁気記録媒体１００を得ることができる。以下に、実施例と比較例を用いて本発明の有効性について説明する。
【００４６】
（実施例と評価）
ディスク基体１１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、付着層１１２から連続層１２４まで順次成膜を行った。付着層１１２は、ＣｒＴｉとした。軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成はＣｏＣｒＦｅＢとし、スペーサ層１１４ｂの組成はＲｕとした。前下地層１１６の組成はｆｃｃ構造のＮｉＷ合金とした。下地層１１８は、第１下地層１１８ａは高圧Ａｒ下でＲｕを成膜し、第２下地層１１８ｂは低圧Ａｒ下でＲｕを成膜した。非磁性グラニュラー層１２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。磁気記録層１２２は下記の実施例および比較例の構成で形成した。連続層１２４の組成はＣｏＣｒＰｔＢとした。媒体保護層１２６はＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４およびＣＮを用いて成膜し、潤滑層１２８はディップコート法によりＰＦＰＥを用いて形成した。
【００４７】
図３は、成膜するＣＶＤチャンバに応じて連続層１２４の膜厚を変更した実施例（図３（ｂ））と比較例（図３（ａ））の保磁力Ｈｃのばらつきを説明するための説明図であり、図３中縦軸は保磁力Ｈｃ、横軸はディスク基体１１０ごとの導入順を示す。比較例では、ＣＶＤチャンバ１５０ａ、１５０ｂ両方ともＤＣマグネトロンスパッタリング法におけるプロセスパワーを約４５０Ｗとして媒体保護層１２６の直前に成膜される連続層１２４の膜厚を８ｎｍとし、実施例では、プロセスパワーを４３５ＷとしてＣＶＤチャンバ１５０ａで成膜する連続層１２４の膜厚を８ｎｍとし、プロセスパワーを約４００ＷとしてＣＶＤチャンバ１５０ｂで成膜する連続層１２４の膜厚を７．５ｎｍとした。
【００４８】
図３（ａ）に示すように、比較例において、ＣＶＤチャンバ１５０ａで成膜された媒体保護層１２６を有する垂直磁気記録媒体１００は、ＣＶＤチャンバ１５０ｂで成膜された媒体保護層１２６を有する垂直磁気記録媒体１００よりも保磁力Ｈｃが高い値を示している。これは、ＣＶＤで媒体保護層１２６を成膜する際に、媒体保護層１２６の直前に成膜された連続層１２４にダメージを与えるためである。したがって連続層１２４は、オーバーライト特性を向上させるすなわち保持力Ｈｃを低減させる機能を十分果たせなくなるため、媒体保護層１２６を成膜した後の垂直磁気記録媒体１００は、保磁力Ｈｃが増加することとなる。
【００４９】
したがって、ＣＶＤチャンバ１５０で成膜を行うすべての連続層１２４の膜厚を８ｎｍとした場合、ＣＶＤチャンバ１５０ごとに連続層１２４に与えるダメージにばらつきがあるため、結果として保磁力Ｈｃにばらつきを生じてしまっている。図３（ａ）に示す比較例において、媒体保護層１２６を成膜した垂直磁気記録媒体１００の保磁力Ｈｃの差は１２０Ｏｅとなっている。
【００５０】
一方、図３（ｂ）に示すように、実施例としてＣＶＤチャンバ１５０ａで成膜する連続層１２４の膜厚を８ｎｍとし、ＣＶＤチャンバ１５０ｂで成膜する連続層１２４の膜厚を７．５ｎｍとした場合、媒体保護層１２６を成膜した垂直磁気記録媒体１００の保磁力Ｈｃの差は５０Ｏｅとなり、ばらつきが低減されたことがわかる。
【００５１】
上述した如く、ＣＶＤチャンバ１５０ごとでディスク基体１１０に与えるダメージにばらつきがあったとしても、媒体保護層１２６を成膜するＣＶＤチャンバ１５０に応じて、ダメージが与えられる層（連続層１２４）の膜厚を適宜変更することができる。また、他のＣＶＤチャンバ１５０と比較してダメージが大きいと思われるＣＶＤチャンバ１５０で成膜する基体においては、媒体保護層１２６の直前に成膜されている層（連続層１２４）の膜厚を厚くし、ダメージが小さいと思われるＣＶＤチャンバ１５０で成膜するディスク基体１１０においては、連続層１２４の膜厚を薄くすることで、どのＣＶＤチャンバ１５０で成膜したとしてもＣＶＤ後の垂直磁気記録媒体１００の保磁力Ｈｃおよび電磁気特性を均一にすることが可能となる。
【００５２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５３】
例えば、本実施形態において、媒体保護層の直前に成膜される連続層の膜厚を媒体保護層の成膜を行うＣＶＤチャンバごとで変化させているが、ＣＶＤチャンバに導入する際に用いられるバスケットのＣＶＤチャンバへの導入時間によって変化させてもよい。
【００５４】
なお、本明細書の垂直磁気記録媒体の製造方法における各工程は、必ずしもフローチャートとして記載された順序に沿って時系列に処理する必要はなく、並列的な処理を含んでもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施形態にかかる垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】実施形態で用いるインライン型成膜方法において各層を成膜するチャンバの配置を説明する配置図である。
【図３】実施例と比較例の保磁力Ｈｃの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１００  …垂直磁気記録媒体
１１０  …ディスク基体
１１２  …付着層
１１４ａ  …第１軟磁性層
１１４ｂ  …スペーサ層
１１４ｃ  …第２軟磁性層
１１６  …前下地層
１１８  …下地層
１１８ａ  …第１下地層
１１８ｂ  …第２下地層
１２０  …非磁性グラニュラー層
１２２  …磁気記録層
１２２ａ  …第１磁気記録層
１２２ｂ  …第２磁気記録層
１２４  …連続層
１２６  …媒体保護層
１２８  …潤滑層
１５０  …ＣＶＤチャンバ
【図１】
2009245482.tif 000003
【図２】
2009245482.tif 000004
【図３】
2009245482.tif 000005