(57)【要約】 【課題】露光された基板のパターン欠陥の解析方法を提供する。【解決手段】パターン欠陥の解析方法は、所定の露光条件で光学部材を介して基板を露光光で露光することと、露光によって基板に形成されたパターンの情報を検出することと、露光条件とパターンの情報とに基づいて、基板に形成されたパターンの欠陥の原因を解析することとを含む。【選択図】図１
2009188062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の露光条件で光学部材を介して基板を露光光で露光することと、
前記露光によって前記基板に形成されたパターンの情報を検出することと、
前記露光条件と前記パターンの情報とに基づいて、前記基板に形成されたパターンの欠陥の原因を解析することと、を含むパターン欠陥の解析方法。
【請求項２】
前記基板の露光は、前記露光光でマスクを所定の照明条件で照明することと、前記光学部材を介して前記マスクの像を前記基板に投影することとを含み、
前記露光条件は、前記照明条件を含む請求項１記載の解析方法。
【請求項３】
前記基板の露光は、前記露光光でマスクを所定の照明条件で照明することと、前記光学部材を介して前記マスクの像を前記基板に投影することとを含み、
前記露光条件は、前記マスクの条件を含む請求項１又は２記載の解析方法。
【請求項４】
前記露光条件は、前記基板に形成された感光膜を保護する保護膜条件を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の解析方法。
【請求項５】
前記パターンの情報は、前記基板上に形成されたパターンの形状を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の解析方法。
【請求項６】
前記解析は、前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路に存在する異物情報の解析を含む請求項１〜５のいずれ一項記載の解析方法。
【請求項７】
前記異物情報は、前記露光光に対する前記異物の吸収率情報を含む請求項６記載の解析方法。
【請求項８】
前記異物情報は、前記基板の表面に対する前記異物の位置情報を含む請求項６又は７記載の解析方法。
【請求項９】
前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路が液体で満たされ、
前記異物情報は、前記液体中での前記異物の位置情報を含む請求項６〜８のいずれか一項記載の解析方法。
【請求項１０】
前記異物情報の解析は、前記異物が前記基板に付着しているか否かを解析することを含む請求項９記載の解析方法。
【請求項１１】
前記解析は、前記欠陥の原因が、前記液体中の異物又は前記基板に付着している異物のいずれに起因するかを判別することを含む請求項９又は１０記載の解析方法。
【請求項１２】
露光条件及び異物情報に応じたパターンの欠陥情報を予め求めることと、
前記求めた情報と前記検出したパターンの情報とに基づいて、前記欠陥を解析することとを含む請求項６〜１１のいずれか一項記載の解析方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項記載の解析方法を使って求められた前記欠陥の原因を排除することと、
前記欠陥の原因が排除された状態で基板を露光光で露光することと、を含む露光方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン欠陥の解析方法、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、パターンが形成されたマスクを露光光で照明し、そのマスクを介した露光光で基板を露光して、基板にパターンを形成する。下記特許文献１には、露光装置の一例として、液体を介して基板を露光する液浸露光装置に関する技術の一例が開示されている。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
露光によって基板に形成されたパターンに欠陥が発生した場合、例えばパターンの欠陥の原因を特定し、適切な処置を講ずることが重要である。そのため、パターン欠陥を的確に解析する方法の案出が望まれる。
【０００４】
本発明の態様は、露光された基板のパターン欠陥の解析方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、その解析結果を利用して、基板を良好に露光する露光方法、並びにその露光方法を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、所定の露光条件で光学部材を介して基板を露光光で露光することと、露光によって基板に形成されたパターンの情報を検出することと、露光条件とパターンの情報とに基づいて、基板に形成されたパターンの欠陥の原因を解析することと、を含むパターン欠陥の解析方法が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の解析方法を使って求められた欠陥の原因を排除することと、欠陥の原因が排除された状態で基板を露光光で露光することと、を含む露光方法が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、第２の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板に形成されたパターン欠陥を的確に解析することができ、その解析結果を用いて基板を良好に露光することができる。したがって、所望のデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸを備えたデバイス製造システムＳＹＳを示す概略構成図である。図１において、デバイス製造システムＳＹＳは、露光装置ＥＸと、露光装置ＥＸに接続されたコータ・デベロッパ装置ＣＤとを備えている。
【００１１】
露光装置ＥＸは、パターンＲＰが形成されたマスクＲを保持して移動可能なマスクステージ１と、感光膜Ｒｇ等、各種の膜が形成された基板Ｃを保持して移動可能な基板ステージ２と、露光光ＥＬを射出する光源装置２１と、光源装置２１からの露光光ＥＬでマスクＲを照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＲの像を基板Ｃに投影する投影光学系ＰＬと、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置情報を計測する干渉計システム３と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４と、制御装置４に接続され、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置４Ｒとを備えている。本実施形態において、マスクＲの像は、マスクＲに形成されているパターンＲＰの像を含む。
【００１２】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｃを露光する液浸露光装置である。露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材５を備えている。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子６から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。終端光学素子６は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面７を有する。液浸空間ＬＳは、終端光学素子６とその終端光学素子６の射出面７と対向する位置に配置された物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面７と対向する位置は、射出面７から射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。本実施形態において、射出面７と対向する位置に配置可能な物体は、基板Ｃ及び基板ステージ２の少なくとも一方を含む。したがって、本実施形態において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子６と基板Ｃ及び基板ステージ２の少なくとも一方との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。
【００１３】
コータ・デベロッパ装置ＣＤは、基板Ｃに膜を形成するコーティング装置、及び露光後の基板Ｃを現象処理するデベロッパ装置を含む。露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとはインターフェースＩＦを介して接続されている。基板Ｃは、不図示の搬送装置によって、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間でインターフェースＩＦを介して搬送される。
【００１４】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＲの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００１５】
マスクステージ１は、マスクＲをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。本実施形態において、マスク保持部１Ｈは、マスクＲのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＲを保持する。マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第１駆動システム１Ｄの作動により、マスクＲを保持してＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスク保持部１ＨでマスクＲを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００１６】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｃの少なくとも一部に、マスクＲの像（パターンＲＰの像）の像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒ＰＫで保持される。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００１７】
基板ステージ２は、基板Ｃをリリース可能に保持する基板保持部２Ｈを有する。本実施形態において、基板保持部２Ｈは、基板Ｃの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｃを保持する。本実施形態において、基板保持部２Ｈは、基板ステージ２の凹部２Ｃに配置されている。基板保持部２Ｈの周囲に配置された基板ステージ２の上面２Ｔは、ＸＹ平面とほぼ平行である。本実施形態においては、基板保持部２Ｈに保持された基板Ｃの表面と基板ステージ２の上面２Ｔとがほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。基板ステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第２駆動システム２Ｄの作動により、基板Ｃを保持してＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２は、ベース部材８のガイド面８Ｇ上を移動する。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板保持部２Ｈで基板Ｃを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００１８】
干渉計システム３は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１及び基板ステージ２のそれぞれの位置情報を計測する。干渉計システム３は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１の位置情報を計測するレーザ干渉計３Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計３Ｂとを備えている。レーザ干渉計３Ａは、マスクステージ１に配置された反射面１Ｒに計測光を照射し、その反射面１Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＲ）の位置情報を計測する。レーザ干渉計３Ｂは、基板ステージ２に配置された反射面２Ｒに計測光を照射し、その反射面２Ｒを介した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｃ）の位置情報を計測する。
【００１９】
また、本実施形態においては、基板ステージ２に保持された基板Ｃの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システム（不図示）が配置されている。フォーカス・レベリング検出システムは、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｃの表面の位置情報を検出する。
【００２０】
基板Ｃの露光時、終端光学素子６と基板Ｃとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされる。また、基板Ｃの露光時、制御装置４は、レーザ干渉計３Ａの計測結果に基づいて、第１駆動システム１Ｄを作動し、マスクステージ１に保持されているマスクＲの位置制御を実行する。また、制御装置４は、レーザ干渉計３Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第２駆動システム２Ｄを作動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｃの位置制御を実行する。
【００２１】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＲと基板Ｃとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＲのパターンＲＰの像を基板Ｃに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｃの露光時、制御装置４は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＲ及び基板Ｃを、露光光ＥＬの光路（光軸ＡＸ）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｃの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＲの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置４は、基板Ｃを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＣのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＲをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｃ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｃに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｃは露光光ＥＬで露光され、マスクＲのパターンＲＰの像が基板Ｃに投影される。
【００２２】
図２は、液浸部材５の近傍を示す側断面図である。液浸部材５は、終端光学素子６の近傍に配置されている。液浸部材５は、射出面７と対向する位置に配置された物体と対向可能な下面９を有する。物体の表面が射出面７と対向する位置に配置されたとき、下面９の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面７と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子６は、射出面７と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。また、下面９と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材５は、下面９と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。射出面７及び下面９と物体の表面との間に保持される液体ＬＱによって、液浸空間ＬＳが形成される。図２には、射出面７及び下面９と基板Ｃの表面とが対向している状態が示されている。
【００２３】
本実施形態においては、射出面７及び下面９と対向する位置に配置された基板Ｃの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成され、その基板Ｃの表面と下面９との間に液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）が形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｃの露光時に、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｃ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。
【００２４】
液浸部材５は、環状の部材である。液浸部材５は、終端光学素子６の周囲に配置されている。液浸部材５は、射出面７と対向する位置に開口５Ｋを有する。液浸部材５は、液体ＬＱを供給可能な供給口１１と、液体ＬＱを回収可能な回収口１２とを備えている。
【００２５】
供給口１１は、液浸空間ＬＳを形成するために、露光光ＥＬの光路に液体ＬＱを供給可能である。供給口１１は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面する液浸部材５の所定位置に配置されている。供給口１１は、流路１３を介して、液体供給装置１４と接続されている。液体供給装置１４は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１３は、液浸部材５の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置１４とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置１４から送出された液体ＬＱは、流路１３を介して供給口１１に供給される。供給口１１は、液体供給装置１４からの液体ＬＱを露光光ＥＬの光路に供給する。
【００２６】
回収口１２は、液浸部材５の下面９と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口１２は、露光光ＥＬが通過する開口５Ｋの周囲に配置されている。回収口１２は、物体の表面と対向する液浸部材５の所定位置に配置されている。回収口１２には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材１５が配置されている。なお、回収口１２に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材５の下面９の少なくとも一部が、多孔部材１５の下面で構成される。回収口１２は、流路１６を介して、液体回収装置１７と接続されている。液体回収装置１７は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。流路１６は、液浸部材５の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置１７とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口１２から回収された液体ＬＱは、流路１６を介して、液体回収装置１７に回収される。
【００２７】
本実施形態においては、制御装置４は、供給口１１を用いる液体供給動作と並行して、回収口１２を用いる液体回収動作を実行することによって、終端光学素子６及び液浸部材５と、終端光学素子６及び液浸部材５と対向する物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００２８】
図３は、本実施形態に係る露光装置ＥＸを模式的に示す図である。図３において、露光装置ＥＸは、光源装置２１と、パターンＲＰが形成されたマスクＲを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＲの像を基板Ｃに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。照明系ＩＬは、所定の照明条件でマスクＲを露光光ＥＬで照明する。露光光ＥＬで照明されたマスクＲの像（パターンＲＰの像）は、投影光学系ＰＬを介して基板Ｃに投影される。本実施形態においては、光源装置２１として、ＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
【００２９】
本実施形態において、照明系ＩＬは、各種照明条件（照明法）でマスクＲを露光光ＥＬで照明することができる。図３においては、一例として、照明系ＩＬは、開口２４Ａ、２４Ｂを有する開口絞り２４を備えており、マスクＲを露光光ＥＬでダイポール照明（二極照明）する。
【００３０】
オプティカルインテグレータ２３は、例えばフライアイレンズを含み、光射出面に二次光源を形成する。開口絞り２４は、オプティカルインテグレータ２３の光射出面の近傍、すなわち二次光源の直後に配置される。露光光ＥＬは、開口絞り２４の開口２４Ａ、２４Ｂを通過可能である。開口２４Ａ、２４Ｂは、照明系ＩＬの光軸を挟んで、Ｙ軸方向に配置されている。オプティカルインテグレータ２３から射出され、開口絞り２４の開口２４Ａ、２４Ｂを通過した露光光ＥＬは、コンデンサ光学系２５等を介して、マスクＲに照射される。
【００３１】
なお、照明系ＩＬとして、例えば米国特許出願公開第２００６／０１７０９０１号公報明細書に開示されている照明系を用いることもできる。この公報に開示されている照明系は、ビームエキスパンダ、偏光状態切換光学系、回折光学素子、アフォーカル光学系（無焦点光学系）、ズーム光学系、偏光変換素子、オプティカルインテグレータ、コンデンサー光学系、及び照明領域を規定するブラインド装置等を含む。
【００３２】
照明系ＩＬより射出され、マスクＲに照射された露光光ＥＬは、マスクＲを介して、投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬに入射し、その投影光学系ＰＬを通過した露光光ＥＬは、終端光学素子６の射出面７より射出される。射出面７より射出された露光光ＥＬは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｃに照射される。これにより、マスクＲの像（パターンＲＰの像）が基板Ｃに投影され、基板Ｃは露光光ＥＬで露光される。このように、本実施形態においては、基板Ｃの露光は、露光光ＥＬでマスクＲを所定の照明条件で照明することと、終端光学素子６を含む投影光学系ＰＬを介してマスクＲの像を基板Ｃに投影することとを含む。
【００３３】
図４は、マスクＲの一例を示す平面図である。マスクＲは、基板Ｃに投影されるパターン（デバイスパターン）ＲＰが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＲは、透過型マスクである。マスクＲは、ガラス板等の透明板Ｇと、透明板Ｇ上にクロム等からなる遮光膜で形成されたライン状の複数の遮光部Ｌとを含む。以下の説明において、遮光部Ｌを適宜、ライン部Ｌ、と称する。
【００３４】
本実施形態において、ライン部Ｌは、Ｘ軸方向を長手方向とする。ライン部Ｌは、Ｙ軸方向に周期的に複数配置されている。ライン部Ｌの間には、遮光膜が形成されていないスペース部Ｓが配置されている。すなわち、本実施形態においては、マスクＲのパターンＲＰは、Ｘ軸方向を長手方向とし、Ｙ軸方向に周期的に配置された複数のライン・アンド・スペースパターンを含む。本実施形態において、マスクＲに形成されているパターンＲＰは、Ｘ軸方向を長手方向とし、Ｙ軸方向に周期的に配置された複数のライン・アンド・スペースパターンを主成分とする。本実施形態において、ライン・アンド・スペースパターンは、ピッチｐで配置されている。以下の説明において、ライン・アンド・スペースパターンを適宜、Ｌ／Ｓパターン、と称する。
【００３５】
図５は、基板Ｃの一例を示す側断面図である。図５において、基板Ｃは、基材Ｗと、基材Ｗ上に形成された反射防止膜（bottom ARC(Anti-Reflective Coating))Ｂａと、反射防止膜Ｂａ上に形成された感光膜Ｒｇと、感光膜Ｒｇ上に形成された保護膜Ｔｃとを含む。
【００３６】
基材Ｗは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハを含む。反射防止膜Ｂａは、基材Ｗの上面の周縁領域を除く大部分の領域を覆うように形成されている。感光膜Ｒｇは、感光材（フォトレジスト）の膜である。感光膜Ｒｇは、反射防止膜Ｂａの上面の大部分の領域を覆うように形成されている。保護膜Ｔｃは、感光膜Ｒｇを液体ＬＱから保護する機能を有し、トップコート膜とも呼ばれる。保護膜Ｔｃは、液体ＬＱに対して撥液性（撥水性）である。また、撥液性の保護膜Ｔｃを設けることにより、液体ＬＱの回収性を高めることもできる。保護膜Ｔｃは、感光膜Ｒｇ及び反射防止膜Ｂａを全て覆うように形成されている。本実施形態において、基板Ｃの表面は、保護膜Ｔｃの表面で形成される。基板Ｃを液浸露光するとき、基板Ｃの保護膜Ｔｃと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとが接触する。すなわち、基板Ｃの保護膜Ｔｃが、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する液体接触面を形成する。
【００３７】
反射防止膜Ｂａは、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置によって形成される。コーティング装置は、例えばスピンコーティング法によって、反射防止膜Ｂａを形成するための材料を基材Ｗ上に塗布する。これにより、反射防止膜Ｂａが形成される。同様に、コーティング装置は、感光膜Ｒｇを形成するための材料を反射防止膜Ｂａ上に塗布し、保護膜Ｔｃを形成するための材料を感光膜Ｒｇ上に塗布する。これにより、感光膜Ｒｇ及び保護膜Ｔｃが形成される。
【００３８】
図６は、露光光ＥＬの照射によってパターンＲＰで生成される回折光の一例を示す模式図である。図６において、例えば光源装置２１から射出され、開口絞り２４の一方の開口２４Ａを通過した露光光ＥＬは、コンデンサ光学系２５等を介して、マスクＲのパターンＲＰに斜め方向から入射する。パターンＲＰに対する露光光ＥＬの照射により、パターンＲＰで回折光が生成される。パターンＲＰで生成される回折光の０次光及び±１次光のうち、０次光及び＋１次光（又は−１次光）のみが投影光学系ＰＬに入射する。基板Ｃは、０次光及び＋１次光（又は−１次光）に基づく二光束干渉法により、露光される。すなわち、開口２４Ａを通過した露光光ＥＬの照射によってパターンＲＰで生成される０次光及び＋１次光（又は−１次光）の二つの光束によって、パターンＲＰの像が形成される。換言すれば、二つの光束によって結像が行われる。
【００３９】
図６に示すように、基板Ｃの表面の所定位置には、０次光及び＋１次光のそれぞれが、所定の入射角θｎで入射する。基板Ｃの表面には、互いに異なる方向から、二つの光束（０次光及び＋１次光）が所定の入射角θｎで入射する。
【００４０】
同様に、開口絞り２４の他方の開口２４Ｂを通過した露光光ＥＬの照射によってパターンＲＰで０次光及び−１次光（又は＋１次光）が生成され、その二つの光束によって、基板Ｃが露光される。基板Ｃの表面の所定位置には、開口２４Ｂを通過した露光光ＥＬの照射によってパターンＲＰで生成された０次光及び−１次光のそれぞれが、所定の入射角θｎで入射する。
【００４１】
以下の説明において、パターンＲＰでの回折によって生成され、投影光学系ＰＬを介して基板Ｃの表面に入射可能な二つの光束のうち、一方の光束を適宜、第１光束Ｂ１、と称し、他方の光束を適宜、第２光束Ｂ２、と称する。第１光束Ｂ１と第２光束Ｂ２とは、互いに異なる方向から所定の入射角θｎで基板Ｃの表面に入射する。図６において、第１光束Ｂ１は、Ｚ軸に対して−Ｙ側から基板Ｃの表面に入射し、第２光束Ｂ２は、Ｚ軸に対して＋Ｙ側から基板Ｃの表面に入射する。
【００４２】
図６において、露光光ＥＬの照射によってパターンＲＰで生成された第１光束Ｂ１と第２光束Ｂ２とがなす角度θｋは、パターンＲＰのピッチｐ、及び露光光ＥＬの波長λに応じて変化する。すなわち、一般に、
ｐ×ｓｉｎθｋ  ＝  ｍ×λ      …（１）
が成り立つ。（１）式において、ｍは回折次数である。以下の説明において、角度θｋを適宜、回折角θｋ、と称する。
【００４３】
基板Ｃの表面の所定位置には、回折角θｋに応じた入射角θｎで、第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が入射する。このように、本実施形態においては、露光光ＥＬの波長λを含む露光光ＥＬの照明条件、及びパターンＲＰのピッチｐを含むマスクＲの条件に応じて、基板Ｃの表面に対する第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２の入射角θｎが変化する。
【００４４】
上述の照明条件、及びマスクＲの条件を含む所定の露光条件で、マスクＲ、投影光学系ＰＬ、及び液体ＬＱを介した露光光ＥＬで基板Ｃを露光することによって、マスクＲのパターンＲＰの像が基板Ｃに投影される。その露光によって、基板Ｃには、マスクＲのパターンＲＰに応じたパターンＣＰが形成される。
【００４５】
基板Ｃに形成されたパターンＣＰに、欠陥が発生する可能性がある。本実施形態においては、所定の露光条件で基板Ｃを露光し、その露光によって基板Ｃに形成されたパターンＣＰの情報を検出し、露光条件とパターンＣＰの情報とに基づいて、基板Ｃに形成されたパターンＣＰの欠陥の原因を解析する。
【００４６】
露光条件は、マスクＲに対する露光光ＥＬの照明条件、マスクＲの条件、及び基板Ｃの保護膜Ｔｃの条件を含む。
【００４７】
照明条件は、露光光ＥＬの波長λの条件を含む。また、照明条件は、照明法のタイプ（開口絞り２４の形状）を含む。照明法は、ダイポール照明（二極照明）、クロスポール照明（四極照明）、コンベンショナル照明、及び輪帯照明等を含む。上述のように、本実施形態では、波長λが１９３ｎｍの露光光ＥＬで、ダイポール照明でマスクＲを照明する。
【００４８】
マスクＲの条件は、マスクＲに形成されているパターンＲＰのピッチｐを含む。また、マスクＲの条件は、マスクＲのパターンＲＰの形状等も含む。上述のように、本実施形態では、ピッチｐのＬ／Ｓパターンを主成分とするパターンＲＰを用いる。
【００４９】
保護膜Ｔｃの条件は、保護膜Ｔｃの厚みを含む。また、保護膜Ｔｃの条件は、露光光ＥＬに対する保護膜Ｔｃの屈折率を含む、保護膜Ｔｃの物性の条件を含む。また、保護膜Ｔｃの条件は、保護膜Ｔｃの有無も含む。本実施形態では、所定の厚みの保護膜Ｔｃが、感光膜Ｒｇを覆うように形成される。
【００５０】
パターンＣＰの欠陥が発生する原因の一つとして、終端光学素子６と基板Ｃとの間の露光光ＥＬの光路に存在する異物（パーティクル、気泡等）が挙げられる。
【００５１】
本実施形態において、パターンＣＰの欠陥の原因の解析は、終端光学素子６と基板Ｃとの間の露光光ＥＬの光路に存在する異物情報の解析を含む。異物情報は、露光光ＥＬに対する異物の吸収率情報、及び基板Ｃの表面に対する異物の位置情報を含む。本実施形態においては、終端光学素子６と基板Ｃとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。異物の位置情報は、液体ＬＱ中での異物の位置情報を含む。
【００５２】
すなわち、本実施形態において、異物情報の解析は、露光光ＥＬに対する異物の吸収率を解析すること、及び基板Ｃの表面に対する異物の位置を解析することを含む。基板Ｃの表面に対する異物の位置の解析は、異物が基板Ｃの表面に付着しているか否かを解析することを含む。また、異物情報の解析は、パターンＣＰの欠陥の原因が、液体ＬＱ中の異物又は基板Ｃに付着している異物のいずれに起因するかを判別することを含む。
【００５３】
異物が存在しない場合、基板Ｃに対する露光光ＥＬの照射状態は、マスクＲ（パターンＲＰ）に応じた照射状態となる。基板Ｃには、マスクＲのパターンＲＰに応じたパターンＣＰが形成される。すなわち、基板Ｃには、Ｘ軸方向を長手方向とし、Ｙ軸方向に周期的に配置された複数のＬ／Ｓパターンを含むパターンＣＰが形成される。
【００５４】
一方、異物が存在する場合、露光光ＥＬの光路が変化したり、基板Ｃに対する露光光ＥＬの照射状態が変化したりして、基材Ｃに形成されるパターンＣＰに欠陥が生じる可能性がある。
【００５５】
そこで、本実施形態においては、パターンＣＰの情報として、基板Ｃ上に形成されたパターンＣＰの形状を検出し、その検出結果と露光条件とに基づいて、パターンＣＰの欠陥の原因を解析する。
【００５６】
以下、異物とその異物に応じて基板Ｃに形成されるパターンＣＰの欠陥との関係について説明する。ここで、本実施形態においては、保護膜Ｔｃは、露光光ＥＬに対してほぼ透明である。すなわち、露光光ＥＬに対する保護膜Ｔｃの吸収率は、ほぼ０％である。また、本実施形態において、露光光ＥＬに対する感光膜Ｒｇの吸収率は、約９％である。また、露光光ＥＬに対する反射防止膜Ｂａの吸収率は、約５９％である。また、本実施形態において、基板Ｃの表面は、保護膜Ｔｃの表面を含む。
【００５７】
また、本実施形態において、感光膜Ｒｇは、ポジ型である。すなわち、露光光ＥＬが照射された部分の感光膜Ｒｇが、現像処理によって除去される。以下の説明においては、露光光ＥＬで露光された基板Ｃを現像処理した後の感光膜Ｒｇの形状を、パターンＣＰとする。
【００５８】
図７は、基板Ｃの表面（保護膜Ｔｃの表面）に異物Ａ１が付着している状態で、基板Ｃに第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されている状態を示す模式図である。図７に示す異物Ａ１は、露光光ＥＬに対してほぼ透明である。すなわち、露光光ＥＬに対する異物Ａ１の吸収率は、ほぼ０％である。第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２は、基板Ｃの表面に所定の入射角θｎで入射する。
【００５９】
図８は、図７に示す状態で第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射された場合の、保護膜Ｔｃと対向する感光膜Ｒｇの表面（保護膜Ｔｃと感光膜Ｒｇとの界面）における、露光光ＥＬの照射状態を示す模式図、図９は、図８に示す照射状態の露光光ＥＬで露光された基板Ｃを現像処理した後の感光膜Ｒｇの形状（パターンＣＰ）を示す模式図である。
【００６０】
異物Ａ１が保護膜Ｔｃの表面に付着している状態で第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されることによって、図８に示すように、感光膜Ｒｇの表面には、異物Ａ１の影響を受けた照度分布を有する第１領域Ｈ１及び第２領域Ｈ２と、異物Ａ１の影響を受けない照度分布を有する基準領域ＨＲとが形成される。また、感光膜Ｒｇの表面には、露光光ＥＬが照射されない未照射部ＮＥと、露光光ＥＬが照射された照射部ＰＥとが生成される。
【００６１】
図８に示すように、基準領域ＨＲにおける露光光ＥＬの照度分布は、マスクＲのパターンＲＰ（Ｌ／Ｓパターン）に応じた照度分布である。基準領域ＨＲにおいて、露光光ＥＬが照射されない未照射部ＮＥは、マスクＲのライン部Ｌに対応し、露光光ＥＬが照射された照射部ＰＥは、マスクＲのスペース部Ｓに対応する。基準領域ＨＲにおいて、未照射部ＮＥの幅、及び照射部ＰＥの幅は、ほぼ一定である。
【００６２】
図９に示すように、基準領域ＨＲに対応する領域でのパターンＣＰの形状（感光膜Ｒｇの形状）は、マスクＲのパターンＲＰ（Ｌ／Ｓパターン）に応じた形状である。本実施形態において、感光膜Ｒｇはポジ型である。したがって、感光膜Ｒｇのうち、露光光ＥＬが照射されない未照射部ＮＥが、現像処理後において残り、露光光ＥＬが照射された照射部ＰＥが、現像処理によって除去される。基準領域ＨＲにおいて、現像処理後に残る感光膜Ｒｇで形成されるライン部ＣＬの幅、及び現像処理によって除去されたスペース部ＣＳの幅は、ほぼ一定である。
【００６３】
図８に示すように、本実施形態において、第１領域Ｈ１は、ＸＹ平面内において、Ｙ軸方向に長いほぼ楕円形状である。具体的には、第１領域Ｈ１は、ＸＹ平面内において、Ｙ軸方向に長い、所謂、まゆ形状である。また、第１領域Ｈ１は、ＸＹ平面内において、異物Ａ１と重なる。また、ＸＹ平面内における第１領域Ｈ１の大きさは、異物Ａ１の大きさより大きい。本実施形態において、Ｙ軸方向に関して第１領域Ｈ１のほぼ中央部分と異物Ａ１とがＸＹ平面内において重なる。また、第１領域Ｈ１における露光光ＥＬの照度は、基準領域ＨＲにおける露光光ＥＬの照度より高い。
【００６４】
このように、第１領域Ｈ１の形状がＹ軸方向に長くなり、第１領域Ｈ１における露光光ＥＬの照度が高くなるのは、透明な異物Ａ１のレンズ作用による、と考えられる。透明な異物Ａ１に斜め方向から第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されることにより、第１領域Ｈ１の形状がＹ軸方向に長くなり、第１領域Ｈ１における露光光ＥＬの照度が高くなると考えられる。
【００６５】
また、図８に示すように、第１領域Ｈ１における照射部ＰＥ（未照射部ＮＥ）の幅は、基準領域ＨＲにおける照射部ＰＥ（未照射部ＮＥ）の幅に対して変化する。また、図９に示すように、第１領域Ｈ１における感光膜Ｒｇのスペース部ＣＳ（ライン部ＣＬ）の幅は、基準領域ＨＲにおける感光膜Ｒｇのスペース部ＣＳ（ライン部ＣＬ）の幅に対して変化する。本実施形態においては、第１領域Ｈ１における大部分のスペース部ＣＳの幅が、基準領域ＨＲにおけるスペース部ＣＳの幅より太い。
【００６６】
また、図９に示すように、第１領域Ｈ１に対応する領域は、感光膜Ｒｇのスペース部ＣＳの幅が最も大きく変化する第１部分Ｊ１及び第２部分Ｊ２を含む。第１領域Ｈ１の中心に対して、第１部分Ｊ１は−Ｙ側に配置され、第２部分Ｊ２は＋Ｙ側に配置されている。第１部分Ｊ１と第２部分Ｊ２とは、Ｙ軸方向に関して距離Ｄ１だけ離れている。
【００６７】
また、図８に示すように、第２領域Ｈ２は、第１領域Ｈ１の周囲に配置される。第２領域Ｈ２における露光光ＥＬの照度は、第１領域Ｈ１における露光光ＥＬの照度より低い。また、図９に示すように、第２領域Ｈ２における感光膜Ｒｇのライン部ＣＬ（スペース部ＣＳ）の幅は、第２領域Ｈ２における露光光ＥＬの照度に応じて変化する。
【００６８】
このように、異物Ａ１が保護膜Ｔｃの表面に付着している状態で、第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されることによって、図９に示すように、特徴的なパターンＣＰが形成される。図９において、パターンＣＰの欠陥は、第１領域Ｈ１及び第２領域Ｈ２に形成されるパターンＣＰを含む。
【００６９】
図１０は、基板Ｃの表面（保護膜Ｔｃの表面）に異物Ａ２が付着している状態で、基板Ｃに第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されている状態を示す模式図である。図１０に示す異物Ａ２は、露光光ＥＬに対してほぼ不透明である。すなわち、露光光ＥＬに対する異物Ａ２の吸収率は、ほぼ１００％である。第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２は、基板Ｃの表面に所定の入射角θｎで入射する。
【００７０】
図１１は、図１０に示す状態で第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射された場合の、保護膜Ｔｃと対向する感光膜Ｒｇの表面（保護膜Ｔｃと感光膜Ｒｇとの界面）における、露光光ＥＬの照射状態を示す模式図、図１２は、図１１に示す照射状態の露光光ＥＬで露光された基板Ｃを現像処理した後の感光膜Ｒｇの形状（パターンＣＰ）を示す模式図である。
【００７１】
異物Ａ２が保護膜Ｔｃの表面に付着している状態で第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されることによって、図１１に示すように、感光膜Ｒｇの表面には、異物Ａ２の影響を受けた照度分布を有する第３領域Ｈ３、第４領域Ｈ４、及び第５領域Ｈ５と、異物Ａ２の影響を受けない照度分布を有する基準領域ＨＲとが形成される。また、感光膜Ｒｇの表面には、露光光ＥＬが照射されない未照射部ＮＥと、露光光ＥＬが照射された照射部ＰＥとが生成される。
【００７２】
図１１において、第３領域Ｈ３は、ＸＹ平面内において、異物Ａ２と重なる。また、ＸＹ平面内における第３領域Ｈ３の大きさは、異物Ａ３の大きさとほぼ同じである。第４領域Ｈ４は、第３領域Ｈ３に対して−Ｙ側に配置され、第５領域Ｈ５は、第３領域Ｈ３に対して＋Ｙ側に配置されている。ＸＹ平面内において、第４領域Ｈ４の大きさ及び第５領域Ｈ５の大きさは、第３領域Ｈ３の大きさより僅かに大きい。第３領域Ｈ３における露光光ＥＬの照度、第４領域Ｈ４における露光光ＥＬの照度、及び第５領域Ｈ５における露光光ＥＬの照度は、基準領域ＨＲにおける露光光ＥＬの照度より低い。また、本実施形態においては、第３領域Ｈ３と第４領域Ｈ４との間に、露光光ＥＬの照度が低い微小領域ＨＢ、ＨＢが形成される。同様に、第３領域Ｈ３と第５領域Ｈ５との間に、露光光ＥＬの照度が低い微小領域ＨＢ、ＨＢが形成される。
【００７３】
このように、照度が低い第３領域Ｈ３、第４領域Ｈ４、及び第５領域Ｈ５がＹ軸方向に形成されるのは、不透明な異物Ａ２によって、感光膜Ｒｇに対する第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２の照射が妨げられるからである、と考えられる。不透明な異物Ａ２に斜め方向から第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されることにより、感光膜Ｒｇ上に影となる部分が生成され、それにより、照度が低い第３領域Ｈ３、第４領域Ｈ４、及び第５領域Ｈ５が形成されると考えられる。
【００７４】
また、図１１に示すように、第３、第４、第５領域Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、及び微小領域ＨＢにおける照射部ＰＥ（未照射部ＮＥ）の幅は、基準領域ＨＲにおける照射部ＰＥ（未照射部ＮＥ）の幅に対して変化する。また、図１２に示すように、第３、第４、第５領域Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、及び微小領域ＨＢにおける感光膜Ｒｇのスペース部ＣＳ（ライン部ＣＬ）の幅は、基準領域ＨＲにおける感光膜Ｒｇのスペース部ＣＳ（ライン部ＣＬ）の幅に対して変化する。本実施形態においては、第３、第４、第５領域Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、及び微小領域ＨＢにおける大部分のライン部ＣＬの幅が、基準領域ＨＲにおけるライン部ＣＬの幅より太い。また、第３領域Ｈ３の中央部分においては、スペース部ＣＳが存在しない。
【００７５】
また、図１２に示すように、第４領域Ｈ４のうち、感光膜Ｒｇのライン部ＣＬの幅が最も大きく変化する第４部分Ｊ４と、第５領域Ｈ５のうち、感光膜Ｒｇのライン部ＣＬの幅が最も大きく変化する第５部分Ｊ５とは、Ｙ軸方向に関して距離Ｄ２だけ離れている。
【００７６】
このように、異物Ａ２が保護膜Ｔｃの表面に付着している状態で、第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されることによって、図１２に示すように、特徴的なパターンＣＰが形成される。図１２において、パターンＣＰの欠陥は、第３、第４、第５領域Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５、及び微小領域ＨＢに形成されるパターンＣＰを含む。
【００７７】
図１３は、液体ＬＱ中に異物Ａ１が存在し、基板Ｃの表面（保護膜Ｔｃの表面）と異物Ａ１とが離れている状態で、基板Ｃに第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されている状態を示す模式図である。図１３に示す異物Ａ１は、図７に示した異物Ａ１と同様、露光光ＥＬに対してほぼ透明である。第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２は、基板Ｃの表面に所定の入射角θｎで入射する。
【００７８】
図１４は、図１３に示す状態で第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射された場合の、保護膜Ｔｃと対向する感光膜Ｒｇの表面（保護膜Ｔｃと感光膜Ｒｇとの界面）における、露光光ＥＬの照射状態を示す模式図、図１５は、図１３に示す照射状態の露光光ＥＬで露光された基板Ｃを現像処理した後の感光膜Ｒｇの形状（パターンＣＰ）を示す模式図である。
【００７９】
異物Ａ１が保護膜Ｔｃの表面に付着していない状態で第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されることによって、図１４に示すように、感光膜Ｒｇの表面には、異物Ａ１の影響を受けた照度分布を有する第６領域Ｈ６と、異物Ａ１の影響を受けない照度分布を有する基準領域ＨＲとが形成される。また、感光膜Ｒｇの表面には、露光光ＥＬが照射されない未照射部ＮＥと、露光光ＥＬが照射された照射部ＰＥとが生成される。
【００８０】
図１４に示すように、本実施形態において、第６領域Ｈ６は、ＸＹ平面内において、Ｙ軸方向に長いほぼ楕円形状である。具体的には、第６領域Ｈ６は、ＸＹ平面内において、Ｙ軸方向に長い、所謂、まゆ形状である。また、第６領域Ｈ６は、ＸＹ平面内において、異物Ａ１と重なる。また、ＸＹ平面内における第６領域Ｈ６の大きさは、異物Ａ１の大きさより大きい。本実施形態において、Ｙ軸方向に関して第６領域Ｈ６のほぼ中央部分と異物Ａ１とがＸＹ平面内において重なる。また、第６領域Ｈ６における露光光ＥＬの照度は、基準領域ＨＲにおける露光光ＥＬの照度より低い。
【００８１】
また、図１４に示すように、第６領域Ｈ６における照射部ＰＥ（未照射部ＮＥ）の幅は、基準領域ＨＲにおける照射部ＰＥ（未照射部ＮＥ）の幅に対して変化する。また、図１５に示すように、第６領域Ｈ６における感光膜Ｒｇのスペース部ＣＳ（ライン部ＣＬ）の幅は、基準領域ＨＲにおける感光膜Ｒｇのスペース部ＣＳ（ライン部ＣＬ）の幅に対して変化する。本実施形態においては、第６領域Ｈ６における大部分のライン部ＣＬの幅が、基準領域ＨＲにおけるライン部ＣＬの幅より太い。また、第６領域Ｈ６の複数の部分においては、スペース部ＣＳが存在しない。
【００８２】
また、図１５に示すように、第６領域Ｈ６に対応する領域は、感光膜Ｒｇのライン部ＣＬの幅が最も大きく変化する第６部分Ｊ６及び第７部分Ｊ７を含む。第６領域Ｈ６の中心に対して、第６部分Ｊ６は−Ｙ側に配置され、第７部分Ｊ７は＋Ｙ側に配置されている。第６部分Ｊ６と第７部分Ｊ７とは、Ｙ軸方向に関して距離Ｄ３だけ離れている。
【００８３】
このように、異物Ａ１が保護膜Ｔｃの表面に付着していない状態で、第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射されることによって、図１５に示すように、特徴的なパターンＣＰが形成される。図１５において、パターンＣＰの欠陥は、第６領域Ｈ６に形成されるパターンＣＰを含む。
【００８４】
以上のように、露光光ＥＬに対する吸収率がほぼ０％の異物Ａ１が基板Ｃの表面に付着している状態、吸収率がほぼ１００％の異物Ａ２が基板Ｃの表面に付着している状態、及び吸収率がほぼ０％の異物Ａ１が基板Ｃの表面に付着していない状態のそれぞれに応じて、基板Ｃに特徴的なパターンＣＰが形成される。また、図示は省略するが、吸収率がほぼ１００％の異物Ａ２が基板Ｃの表面に付着していない状態では、その異物Ａ２の状態に応じた特徴的なパターンＣＰが基板Ｃに形成される。また、ここでは、露光光ＥＬに対する吸収率がほぼ０％の異物Ａ１と１００％の異物Ａ２とについて説明したが、吸収率が０％及び１００％以外の所定値の異物であっても、その異物に応じた特徴的なパターンＣＰが基板Ｃに形成される。
【００８５】
このように、基板Ｃに形成されるパターンＣＰは、露光光ＥＬに対する異物の吸収率、及び基板Ｃの表面に対する異物の位置を含む、異物情報に応じて変化する。例えば、異物の吸収率、あるいは位置に応じて、距離Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が変化したり、各領域Ｈ１〜Ｈ６の大きさが変化したり、照度分布が変化したりする可能性がある。また、異物の大きさに応じて、例えば各領域Ｈ１〜Ｈ６の大きさが変化したり、照度分布が変化したりする可能性がある。これにより、異物に応じた特徴的なパターンＣＰが基板Ｃに形成される。
【００８６】
また、基板Ｃに形成されるパターンＣＰは、マスクＲに対する露光光ＥＬの照明条件、マスクＲの条件、及び保護膜Ｔｃの条件を含む露光条件に応じて変化する。
【００８７】
例えば、照明条件として、露光光ＥＬの波長λが変化することにより、回折角θｋが変化し、その回折角θｋの変化に応じて、入射角θｎが変化する。これにより、異物及び感光膜Ｒｇに対する第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２の照射状態が変化し、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する。また、本実施形態においては、照明系ＩＬでマスクＲを照明する際の照明法の条件として、ダイポール照明を用いているが、例えばマスクＲをクロスポール照明（四極照明）する場合、コンベンショナル照明する場合、及び輪帯照明する場合のそれぞれで、異物が存在するときの感光膜Ｒｇに対する露光光ＥＬの照射状態が変化し、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する。このように、露光光ＥＬの照明条件に応じて、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する。
【００８８】
また、マスクＲの条件として、パターンＲＰのピッチｐが変化することにより、回折角θｋが変化し、その回折角θｋの変化に応じて、入射角θｎが変化する。これにより、異物及び感光膜Ｒｇに対する第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２の照射状態が変化し、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する。また、マスクＲのパターンＲＰの形状によっても、異物が存在するときの感光膜Ｒｇに対する露光光ＥＬの照射状態が変化し、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する可能性がある。このように、マスクＲの条件に応じて、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する。
【００８９】
また、保護膜Ｔｃの条件として、保護膜Ｔｃの厚みが変化することにより、感光膜Ｒｇに対する第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２の照射状態が変化する。例えば、異物が保護膜Ｔｃの表面に付着している状態において、基板Ｃに第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２が照射された場合、保護膜Ｔｃの厚みに応じて、感光膜Ｒｇに対する第１光束Ｂ１及び第２光束Ｂ２の照射状態が変化する。これにより、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する。また、露光光ＥＬに対する保護膜Ｔｃの屈折率等、保護膜Ｔｃの物性に応じて、異物が存在するときの感光膜Ｒｇに対する露光光ＥＬの照射状態が変化する可能性がある。また、保護膜Ｔｃが存在しない場合にも、異物が存在するときの感光膜Ｒｇに対する露光光ＥＬの照射状態が変化する可能性がある。これにより、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する可能性がある。このように、保護膜Ｔｃの条件に応じて、基板Ｃに形成されるパターンＣＰが変化する。
【００９０】
本実施形態においては、露光条件及び異物情報に応じたパターンＣＰの欠陥情報が予め求められている。本実施形態においては、複数の露光条件及び異物情報のそれぞれに応じたパターンＣＰの形状情報が、例えば画像情報（画像テンプレート）として記憶装置４Ｒに記憶されている。パターンＣＰの欠陥情報は、例えば実験及びシミュレーションの少なくとも一方により、予め求めることができる。
【００９１】
したがって、制御装置４は、記憶装置４Ｒに記憶されている、パターンＣＰの欠陥情報（画像テンプレート）と、露光によって基板Ｃに形成されたパターンＣＰの形状の検出結果とに基づいて、異物情報を解析することができる。すなわち、どのような異物が基板Ｃの表面に対してどの位置に存在しているのかを解析することができる。
【００９２】
次に、上述の露光装置ＥＸを用いて基板Ｃを露光する方法について説明する。コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置において、基材Ｗ上に、反射防止膜Ｂａ、感光膜Ｒｇ、及び保護膜Ｔｃを形成する処理が実行される。基材Ｗ上には、予め定められた膜条件で、各膜Ｂａ、Ｒｇ、Ｔｃが形成される。また、必要に応じて、ベーク処理、及びエッジリンス処理が実行される。
【００９３】
その後、基板Ｃは所定の搬送装置によって露光装置ＥＸへ搬送される。制御装置４は、終端光学素子６及び液浸部材５と基板Ｃ（保護膜Ｔｃ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。そして、制御装置４は、予め定められている所定の露光条件で、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して、基板Ｃを露光光ＥＬで露光する処理を開始する。マスクステージ１には、予め定められている条件を有するマスクＲが保持される。制御装置４は、予め定められている所定の照明条件でマスクＲを露光光ＥＬで照明する。マスクＲを照明した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｃに照射される。これにより、マスクＲの像（パターンＲＰの像）が基板Ｃに投影される。
【００９４】
基板Ｃの露光処理が終了した後、その露光後の基板Ｃは、所定の搬送装置によってコーダ・デベロッパ装置ＣＤへ搬送される。コーダ・デベロッパ装置ＣＤへ搬送された基板Ｃは、デベロッパ装置で現像処理される。
【００９５】
現像処理が終了した後、その現像後の基板Ｃに形成されたパターンＣＰの情報を検出する処理が実行される。本実施形態においては、パターンＣＰの形状を検出する処理が実行される。パターンＣＰの形状を検出する処理では、パターンＣＰに欠陥が生じているか否かが検出され、欠陥が生じている位置が特定される。また、欠陥が生じている位置近傍の基板Ｃ（パターンＣＰ）の画像が、所定の検出装置（欠陥検査装置）によって検出される。
【００９６】
図１６は、所定の検出装置５０を用いて基板ＣのパターンＣＰの形状を検出する動作を説明するための模式図である。図１６に示すように、基板Ｃ上には複数のショット領域ＳＨが設定されている。検出装置５０は、現像後の基板Ｃ上の感光膜Ｒｇの形状（パターンＣＰの形状）を検出する。検出装置５０は、所定の検出エリアＭＡを有する。検出装置５０は、検出エリアＭＡ内の基板Ｃの表面（感光膜Ｒｇ）の画像（光学像）を取得する。本実施形態では、検出装置５０は、基板Ｃの表面に座標系（ＸＹ座標系）を設定し、検出エリアＭＡと基板Ｃとを相対的に移動しつつ、基板Ｃ上に設定した座標系の各位置におけるパターンＣＰの画像（光学像）を取得する。そして、例えば隣り合う検出エリアＭＡ内の画像同士を比較し、その比較した結果に基づいて、基板Ｃに形成されたパターンＣＰの欠陥の位置を特定する。検出装置５０は、基板Ｃの表面のほぼ全域を計測する。
【００９７】
なお、検出装置５０として、例えば米国特許第６１３７５７０号明細書に開示されている装置を用いることもできる。
【００９８】
また、本実施形態では、基板Ｃに形成されたパターンＣＰのうち、検出装置５０によって特定された、パターンＣＰの欠陥が生じている位置近傍の画像が、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって更に高精度で取得される。検出装置５０は、基板Ｃ上においてパターンＣＰの欠陥が生じている位置情報を走査型電子顕微鏡に出力する。走査型電子顕微鏡は、検出装置５０から出力された位置情報に基づいて、パターンＣＰに欠陥が生じている位置近傍の画像を効率良く取得することができる。
【００９９】
走査型電子顕微鏡で取得された画像情報は、制御装置４に出力される。制御装置４は、走査型電子顕微鏡で取得された画像情報、すなわち、露光によって基板Ｃに形成されたパターンＣＰの情報と、記憶装置４Ｒに記憶されているパターンＣＰの欠陥情報（画像テンプレート）とを比較する。記憶装置４Ｒには、複数の露光条件及び異物情報のそれぞれに応じた画像テンプレートが記憶されている。また、基板Ｃを露光したときの露光条件は、予め定められており、既知である。したがって、制御装置４は、走査型電子顕微鏡で取得された画像情報と、記憶装置４Ｒに記憶されている画像テンプレートとに基づいて、異物情報を解析することができる。すなわち、基板Ｃに形成されたパターンＣＰの欠陥の原因が、どの位置に存在するどのような異物であるかを解析することができる。このように、本実施形態においては、制御装置４は、既知である露光条件と、検出装置５０及び走査型電子顕微鏡等を用いて検出された基板Ｃに形成されたパターンＣＰの情報とに基づいて、基板Ｃに形成されたパターンＣＰの欠陥の原因を解析し、求めることができる。
【０１００】
例えば、検出された基板Ｃに形成されたパターンＣＰの形状が、図９に示したような形状である場合、制御装置４は、パターンＣＰの欠陥の原因が、基板Ｃの表面に付着した透明な異物Ａ１であると判断する。また、検出された基板Ｃに形成されたパターンＣＰの形状が、図１２に示したような形状である場合、制御装置４は、パターンＣＰの欠陥の原因が、基板Ｃの表面に付着した不透明な異物Ａ２であると判断する。また、検出された基板Ｃに形成されたパターンＣＰの形状が、図１５に示したような形状である場合、制御装置４は、パターンＣＰの欠陥の原因が、基板Ｃの表面に付着せずに、液体ＬＱ中に存在する透明な異物Ａ１であると判断する。
【０１０１】
パターンＣＰの欠陥の原因を求めた後、そのパターンＣＰの欠陥の原因を排除する処理が実行される。例えば、解析の結果、パターンＣＰの欠陥の原因が、基板Ｃの表面に付着した異物であると特定された場合、その異物は、例えば露光処理される前に基板Ｃに付着した異物であると判断される。例えば、その異物は、コータ・デベロッパ装置ＣＤから基板ステージ２への搬送中の基板Ｃに付着した異物であると判断される。その場合、パターンＣＰの欠陥の原因を排除するために、すなわち、搬送中の基板Ｃに対する異物の付着を抑制するために、例えば搬送経路をクリーニングしたり、搬送装置をクリーニングしたり、基板Ｃの搬送条件を変更したりする等、適切な処置を講ずることができる。
【０１０２】
また、解析の結果、パターンＣＰの欠陥の原因が、基板Ｃの表面に付着していない異物であると特定された場合、その異物は、例えば液体ＬＱ中に存在する異物であると判断される。例えば、その異物は、液体供給装置１４から供給される液体ＬＱ中に混入している異物、流路１３、供給口１１に付着している異物、及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する液浸部材５の下面９（多孔部材１５の下面を含む）に付着している異物の少なくとも一つであると判断される。その場合、パターンＣＰの欠陥の原因を排除するために、例えば液体供給装置１４をメンテナンスしたり、流路１３、供給口１１等をクリーニングしたり、液浸部材５の下面９をクリーニングしたりする等、適切な処置を講ずることができる。
【０１０３】
また、解析の結果、パターンＣＰの欠陥の原因が、透明な異物Ａ１であると特定された場合、その異物は、例えば保護膜Ｔｃに起因する異物であると判断される。例えば、その異物は、基板Ｃから剥離した保護膜Ｔｃの一部であると判断される。その場合、パターンＣＰの欠陥の原因を排除するために、すなわち、保護膜Ｔｃの剥離を抑制するために、例えば保護膜Ｔｃの材料の再選定を行ったり、コーティング装置で保護膜Ｔｃを形成するときの形成条件を調整したりする等、適切な処置を講ずることができる。
【０１０４】
また、透明な異物Ａ１が、液体ＬＱ中の気泡である場合もある。その場合、パターンＣＰの欠陥の原因を排除するために、すなわち、液体ＬＱ中の気泡の発生を抑制するために、例えば露光光ＥＬの光路を液体ＬＱで満たすときの液浸条件を調整したり、液体ＬＱで満たされた光路に対する基板Ｃの移動条件を調整したりする等、適切な処置を講ずることができる。具体的には、例えば液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱ中の気泡の発生を抑制するために、液体供給装置１４の脱気装置の脱気能力を高めたり、供給口１１から露光光ＥＬの光路に供給される単位時間当たりの液体供給量を調整したりする。あるいは、液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱ中の気泡の発生を抑制するために、回収口２２を介した単位時間当たりの液体回収量を調整することもできる。また、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに対する基板Ｃの移動速度、加速度等を調整することによって、液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱ中の気泡の発生を抑制することができる。また、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する基板Ｃの液体接触面（本実施形態においては保護膜Ｔｃの表面）と液体ＬＱとの接触角を調整することによって、液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱ中の気泡の発生を抑制することができる。
【０１０５】
また、解析の結果、パターンＣＰの欠陥の原因が、不透明な異物Ａ２であると特定された場合、その異物は、例えば感光膜Ｒｇに起因する異物であると判断される。例えば、その異物は、基板Ｃから剥離した感光膜Ｒｇの一部であると判断される。その場合、パターンＣＰの欠陥の原因を排除するために、すなわち、感光膜Ｒｇの剥離を抑制するために、例えば感光膜Ｒｇの材料の再選定を行ったり、コーティング装置で感光膜Ｒｇを形成するときの形成条件を調整したりする等、適切な処置を講ずることができる。
【０１０６】
また、不透明な異物Ａ２としては、反射防止膜Ｂａに起因する異物である可能性もある。その場合、パターンＣＰの欠陥の原因を排除するために、例えば反射防止膜Ｂａの材料の再選定を行ったり、コーティング装置で反射防止膜Ｂａを形成するときの形成条件を調整したりする等、適切な処置を講ずることができる。
【０１０７】
そして、パターンＣＰの欠陥の原因が排除された状態で、基板Ｃの露光処理を実行する。これにより、パターンＣＰの欠陥の発生を抑制しつつ、基板Ｃを良好に露光することができる。
【０１０８】
以上説明したように、所定の露光条件と、露光によって基板Ｃに形成されたパターンＣＰの情報とに基づいて、基板Ｃに形成されたパターンＣＰの欠陥の原因を解析することができる。また、その解析によって、パターンＣＰの欠陥の原因を特定することができる。したがって、パターンＣＰの欠陥の原因を排除するための適切な処置を講ずることができる。したがって、パターンＣＰの欠陥の発生を抑制し、基板Ｃを良好に露光することができる。
【０１０９】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｃ上に形成されたパターンＣＰの形状の検出処理において、検出装置（欠陥検査装置）で基板ＣのパターンＣＰの形状を検出するとともに、パターンＣＰに欠陥が生じている位置を特定し、その位置近傍の画像を走査型電子顕微鏡で更に高精度に取得しているが、パターンＣＰの欠陥を検出できるのであれば、必ずしも走査型電子顕微鏡を用いる必要はなく、任意の構成を採用することができる。
【０１１０】
なお、上述の実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子６の射出側（像面側）の光路を液体ＬＱで満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子５の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。
【０１１１】
なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１１２】
また、例えば露光光ＥＬがＦ２レーザ光である場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。
【０１１３】
なお、上述の実施形態においては、露光装置ＥＸが液浸露光装置であり、露光光ＥＬの光路の一部が液体ＬＱで満たされる場合を例にして説明したが、露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされず、気体のみで満たされた、ドライ露光装置でもよい。ドライ露光装置においても、投影光学系の終端光学素子と基板Ｃとの間の露光光ＥＬの光路に存在する異物に応じて、基板Ｃに形成されるパターンＣＰの形状が変化する。したがって、基板Ｃを露光したときの露光条件と、露光によって基板Ｃに形成されたパターンＣＰの形状（情報）とに基づいて、基板Ｃに形成されたパターンＣＰの欠陥の原因を解析することができる。
【０１１４】
なお、上述の各実施形態の基板Ｃとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１１５】
露光装置ＥＸとしては、マスクＲと基板Ｃとを同期移動してマスクＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＲと基板Ｃとを静止した状態でマスクＲのパターンを一括露光し、基板Ｃを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１１６】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｃとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｃ上に転写した後、第２パターンと基板Ｃとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｃ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｃ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｃを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１１７】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【０１１８】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１１９】
更に、例えば対応米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【０１２０】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｃに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１２１】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計３Ａ、３Ｂを含む干渉計システム３を用いてマスクステージ１及び基板ステージ２の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。
【０１２２】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【０１２３】
なお、上述の実施形態においては、マスクＲとして、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、反射型マスクを用いることもできる。また、このマスクＲに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【０１２４】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
【０１２５】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｃ上に形成することによって、基板Ｃ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１２６】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１２７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１２８】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本実施形態に係る露光装置を備えたデバイス製造システムの一例を示す概略構成図である。
【図２】液新部材の近傍を示す側断面図である。
【図３】本実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。
【図４】本実施形態に係るマスクの一例を示す平面図である。
【図５】本実施形態に係る基板の一例を示す側断面図である。
【図６】露光光ＥＬの照射によってマスクのパターンで生成される回折光の一例を示す模式図である。
【図７】露光光の光路に存在する異物の一例を示す模式図である。
【図８】感光膜の表面における露光光の照射状態の一例を示す模式図である。
【図９】現像処理後における基板に形成されたパターンの一例を示す模式図である。
【図１０】露光光の光路に存在する異物の一例を示す模式図である。
【図１１】感光膜の表面における露光光の照射状態の一例を示す模式図である。
【図１２】現像処理後における基板に形成されたパターンの一例を示す模式図である。
【図１３】露光光の光路に存在する異物の一例を示す模式図である。
【図１４】感光膜の表面における露光光の照射状態の一例を示す模式図である。
【図１５】現像処理後における基板に形成されたパターンの一例を示す模式図である。
【図１６】パターン欠陥を検出する検出処理の一例を説明するための模式図である。
【図１７】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【０１３０】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、４…制御装置、４Ｒ…記憶装置、２４…開口絞り、Ａ１…異物、Ａ２…異物、Ｂａ…反射防止膜、Ｃ…基板、ＣＬ…ライン部、ＣＳ…スペース部、ＣＰ…パターン、ＥＬ…露光光、ＩＬ…照明系、Ｌ…ライン部、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、ＰＬ…投影光学系、Ｒ…マスク、Ｒｇ…感光膜、ＲＰ…パターン、Ｓ…スペース部、Ｔｃ…保護膜、Ｗ…基材
【図１】
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【図２】
2009188062.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009188062.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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