(57)【要約】【課題】落下耐性の高い配線板とその製造方法を提供する。【解決手段】配線板は、基板２１と、該基板２１上に形成された銅配線パターン２２と、これらをカバーするソルダレジスト層２３と、半田バンプ２７とを備える。ソルダレジスト層２３には、その表面から銅配線パターン２２に至るコンタクトホール２４が形成されている。コンタクトホール２４には、アンダーカット２９が形成されている。コンタクトホール２４内には、銅配線パターン２２に接続されたＮｉ層２５が形成されている。Ｎｉ層２５の上面は、アンダーカット２９の先端２９ａから６〜３０μｍ、望ましくは、１０μｍ以上離れた位置にある。Ｎｉ層２５と半田バンプ２７との界面には、ＮｉとＳｎとの合金層２６が形成されている。【選択図】図１
2009117839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された導体層と、
前記基板上及び前記導体層上に形成され、前記導体層に至り且つアンダーカットが形成された開口を有する絶縁層と、
前記絶縁層の開口内に形成され、前記導体層に接続された金属層と、
前記絶縁層の開口内と該開口の外部に形成された半田層と、
前記絶縁層の開口内で前記金属層と前記半田層との境界領域に形成され、前記金属層を構成する金属と前記半田層の組成物から形成され、前記金属層よりも脆く、前記絶縁層に形成されている開口のアンダーカットの端部からずれた位置に形成されている合金層と、
を備えることを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記導体層は、銅パターンから構成され、
前記絶縁層は、ソルダレジストから構成され、
前記金属層は、Ｎｉから構成され、
前記半田層は、Ｓｎを含む鉛フリー半田から構成され、
前記合金層はＮｉとＳｎの合金を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記アンダーカットの先端と前記合金層との距離は、６〜３０μｍである、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線板。
【請求項４】
前記アンダーカットの先端と前記合金層との距離は、１０μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項３に記載の配線板。
【請求項５】
前記アンダーカットの端部は、ソルダレジストの厚みの１／４以下の位置に形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項６】
前記アンダーカットの先端と前記合金層との距離（Ｈ１）と前記開口の径（Ｄ）の比（Ｈ１／Ｄ）は、１〜０．０１の範囲にある、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項７】
基板上に導体パターンを形成する工程と、
前記基板及び導体パターン上にソルダレジスト層を形成する工程と、
前記ソルダレジスト層に、前記導体パターンに至り、アンダーカットを有する開口を形成する工程と、
前記ソルダレジスト層の開口内に、前記導体パターンに接続された金属層を、その先端が前記アンダーカットの先端からずれた位置となるように形成する工程と、
前記開口内と該開口の外部に半田層を形成する工程と、
前記半田層を加熱し、半田バンプを形成すると共に前記金属層と前記半田バンプとの境界に金属（Ｎｉ）と半田層の成分（Ｓｎ）との合金層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項８】
前記金属層は、Ｎｉを含み、
前記半田層は、Ｓｎを含む鉛フリー半田から構成され、
前記合金層はＮｉとＳｎの合金を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の配線板の製造方法。
【請求項９】
前記金属層を形成する工程は、前記金属層の上面が前記アンダーカットの先端から６〜３０μｍ離れた位置となるように金属層を形成する、
ことを特徴とする請求項７または８に記載の配線板の製造方法。
【請求項１０】
前記アンダーカットの先端と前記合金層との距離は、１０μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項９に記載の配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記アンダーカットの端部は、ソルダレジストの厚みの１／４以下の位置に形成されている、
ことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記アンダーカットの先端と前記合金層との距離（Ｈ１）と前記開口の径（Ｄ）の比の値（Ｈ１／Ｄ）は、１〜０．０１の範囲にある、
ことを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板に関し、特に、耐落耐性に優れた電極構造を備えた配線板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ(Ball Grid Array)を備えた配線板が様々な分野で利用されている。
【０００３】
ＢＧＡの電極構造として、導体層（回路の電極パッド）と半田パッド（半田ボール）との間に、ニッケル（Ｎｉ）層を備えるものが、特許文献１に開示されている。さらに、ニッケル層と半田バンプとの間に、Ｎｉ−Ｓｎ等のニッケル合金層を備える電極構造が特許文献２に開示されている。
【０００４】
ＢＧＡを備える回路基板は、様々な機器に組み込まれて使用されており、携帯型の電子機器、例えば、携帯電話に使用されるものもある。携帯型の装置に使用される回路基板は、耐落下特性に優れていることが要求されている。これは、携帯型機器自体が使用中に落とされたりすることが多いからである。
【０００５】
従来のＢＧＡは通常に使用される限りは、十分な強度を有する。しかし、携帯型電子機器等に使用される配線板については、落下耐性をより向上することが望まれる。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５４８７６号公報
【特許文献２】特開２００６−１１４７０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、落下耐性の高い配線板とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る配線板は、基板と、該基板上に形成された導体層と、前記基板上及び前記導体層上に形成され、前記導体層に至り且つアンダーカットが形成された開口を有する絶縁層と、前記絶縁層の開口内に形成され、前記導体層に接続された金属層と、前記絶縁層の開口内と該開口の外部に形成された半田層と、前記絶縁層の開口内で、前記金属層と前記半田層との境界領域に形成され、前記金属層を構成する金属と前記半田層の組成物（Ｓｎ）から形成され、前記金属層よりも脆く、前記絶縁層に形成されている開口のアンダーカットの端部からずれた（シフトした）位置に形成されている合金層と、を備える。
【０００９】
例えば、前記導体層は、銅パターンから構成され、前記絶縁層は、ソルダレジストから構成され、前記金属層は、Ｎｉから構成され、前記半田層は、Ｓｎを含む鉛フリー半田から構成され、前記合金層はＮｉとＳｎの合金を含む。
【００１０】
前記アンダーカットの先端と前記合金層との距離は、例えば、６〜３０μｍであり、１０μｍ以上が望ましい。
【００１１】
前記アンダーカットの端部は、ソルダレジストの厚みの１／４以下の位置に形成されることが望ましい。
【００１２】
前記アンダーカットの先端と前記合金層との距離（Ｈ１）と前記開口の径（Ｄ）の比（Ｈ１／Ｄ）は、１〜０．０１の範囲にあることが望ましい。
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、基板上に導体パターンを形成する工程と、前記基板及び導体パターン上にソルダレジスト層を形成する工程と、前記ソルダレジスト層に、前記導体パターンに至り、アンダーカットを有する開口を形成する工程と、前記ソルダレジスト層の開口内に、前記導体パターンに接続された金属層を、その先端が前記アンダーカットの先端からずれた位置となるように形成する工程と、前記開口内と該開口の外部に半田層を形成する工程と、前記半田層を加熱し、半田バンプを形成すると共に前記金属層と前記半田バンプとの境界に金属（Ｎｉ）と半田層（Ｓｎ）の成分との合金層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
例えば、前記金属層はＮｉを含み、前記半田層は、Ｓｎを含む鉛フリー半田から構成され、前記合金層はＮｉとＳｎの合金を含む。
【００１５】
前記金属層を形成する工程は、例えば、前記金属層の上面が前記アンダーカットの先端から６〜３０μｍ離れた位置、望ましくは、１０μｍ以上離れた位置になるように、金属層を形成する。
【００１６】
前記開口を形成する工程は、例えば、前記アンダーカットの端部が、ソルダレジストの厚みの１／４以下の位置となるように、前記開口を形成する。
【００１７】
前記アンダーカットの先端と前記合金層との距離（Ｈ１）と前記開口の径（Ｄ）の比の値は、１〜０．０１の範囲にあることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、落下耐性の高い配線板とその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施例に係る配線板及びその電極構造について説明する。
【００２０】
本実施例の配線板１１は、図１（ａ）に示すように、基板２１と、基板２１上に形成された配線パターン２２と、基板２１と配線パターン２２上に形成され、コンタクトホール２４を備えた半田レジスト層２３と、コンタクトホール２４内に形成されたニッケル（Ｎｉ）層２５と、コンタクトホール層内でニッケル（Ｎｉ）層２５上に形成された合金層２６と、合金層２６上に形成された半田バンプ（半田ボール）２７と、を備える。
【００２１】
基板２１は、例えば、厚さ０．５〜２．０ｍｍ程度の合成樹脂板から構成された絶縁性の平板から構成される。
【００２２】
配線パターン２２は、銅（Ｃｕ）から構成され、基板２１の両主面に形成され、回路パターンを構成する。図１（ｂ）に示すように、配線パターン２２の接続パッドのＮｉ層２５との接触部分は、エッチングされて窪んだ状態となっている。
【００２３】
基板２１の一面に形成された配線パターン２２と基板２１の他面に形成された配線パターン２２とは、必要に応じて、基板２１に形成されたビアホール２８を介して相互に接続されている。
【００２４】
半田レジスト層２３は、半田をはじく性質を有し、厚さ１０〜７０μｍ程度に形成されている。
【００２５】
コンタクトホール２４は、半田バンプ２７と配線パターン２２とを接続するために、半田レジスト層２３の配線パターン２２の接続パッド上の部分に、直径３０〜５００μｍに形成されている。
【００２６】
図１（ｂ）に拡大して示すようにコンタクトホール２４には、下（奥）に行くほどその径が大きくなるアンダーカット２９が形成されている。アンダーカット２９の先端(拡底部から徐々に細くなって最も細くなった部分）２９ａは、半田レジスト層２３の厚さの１／４以下の位置に位置し、アンダーカット２９の末端２９ｂは配線パターン２２の表面近傍に位置する。
【００２７】
ニッケル（Ｎｉ）層２５は、コンタクトホール２４内で、配線パターン２２の電極パッド上に６〜３０μｍ、望ましくは１０μｍ以上の厚さに形成され、アンダーカット２９の先端（上端）２９ａより高い位置にまで充填されている。
【００２８】
合金層２６は、Ｎｉ層２５を形成するニッケルと、半田バンプ２７に含まれているＳｎ，Ｃｕ等の合金の層であり、例えば、Ｎｉ−Ｓｎ合金から構成されており、１μｍ程度に薄く形成されている。
【００２９】
半田バンプ２７は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ（４Ａｇ−０．５Ｃｕ）等の鉛フリー半田から構成された半球形の半田ボールである。
【００３０】
上記構成の配線板１１においては、半田バンプ２７とＮｉ層２５の界面に形成されたＳｎ−Ｎｉ合金から構成される合金層２６は、比較的脆いという特性を有する。
一方、配線板１１の落下による衝撃（応力）は、主に、アンダーカット２９の先端２９ａの近傍部に集中する。このため、仮に、合金層２６がアンダーカット２９の先端２９ａと同じ位置にあると、合金層２６に落下による強い応力が、脆い合金層２６に加わってしまう。
【００３１】
本実施の形態では、合金層２６が、アンダーカット２９の先端２９ａからずれた位置に配置されている。したがって、落下衝撃があっても、その応力が合金層２６に加わりにくいので、その合金層２６界面でのはがれが起きにくい。
【００３２】
この効果を確認するため、図２に示す平均的サイズを有する試料群１〜試料群４を生成し、ボールシェア強度を求めた。また、実際に、配線板を１ｍの高さから落下させるテストを行った。
【００３３】
ボールシェア強度を測定した結果、図２に示すように、各試料は約７０４ｇ〜７５５ｇという、高いボールシェア強度を示す。
【００３４】
次に、試料の耐落下特性を測定した。
即ち、各試料を１ｍの高さから実際に落下し、落下回数（Ｎ）と欠陥の発生した半田バンプの割合との関係を求めた。この結果を図３（ａ）に示す。なお、図３（ａ）の横軸は落下回数（Ｎ）の対数、縦軸は欠陥の発生した半田バンプの割合（パーセント）の対数を示す。
図３（ａ）から、落下回数の増加に従って欠陥率が増加するが、試料４、試料２，試料３，試料１の順に欠陥率が低いことが確認できる。
【００３５】
図２に示すように、アンダーカット２９の先端２９ａから合金層２６までの距離Ｈ１の大小と、衝撃耐性の大小は対応している。したがって、アンダーカット２９の先端２９ａから合金層２６までの距離Ｈ１と衝撃耐性との間に相関があると推定される。
【００３６】
一方、アンダーカット２９の高さＨ２（配線パターン２２の上面からアンダーカット２９の先端２９ａまでの距離）Ｈ２の大小と、衝撃耐性との間に相関は見られない。
【００３７】
また、試料３の耐落下特性＞試料１の耐落下特性
試料４の耐落下特性＞試料２の耐落下特性  である。
一方、試料３と４のエッチング深さ（オーバーエッチング量）Ｈ３はほぼ等しく、試料１と２のエッチング深さＨ３はほぼ等しい。
従って、エッチング深さＨ３が大きい方ほど耐落下特性が優れていると推定できる。
【００３８】
また、試料２の耐落下特性＞試料１の耐落下特性
試料４の耐落下特性＞試料３の耐落下特性  である。
一方、試料２と４のＮｉ層の厚さＨ５はほぼ等しくて相対的に大きく、試料１と３のＮｉ層の厚さＨ５はほぼ等しくて相対的に小さい。
従って、Ｎｉ層の厚さＨ５が大きい方ほど耐落下特性が優れていると推定できる。
【００３９】
アンダーカット２９の長さ（アンダーカット２９の横方向の広がり）Ｌの大小と、衝撃耐性との間に、直接の相関は見られない。
【００４０】
以上の分析より、アンダーカット２９の先端２９ａから合金層２６までの距離Ｈ１の大小と、衝撃耐性の大小は何らかの対応関係にあるものと推定された。さらに、分析すると、アンダーカット２９の先端２９ａから合金層２６までの距離Ｈ１の対数と、衝撃耐性の大小の対数とは、図３（ｂ）に示すようにほぼ一次関数の関係にあることが判明した。
【００４１】
また、コンタクトホール２４の径Ｄが大きすぎたり、小さすぎたりすると、耐落下性と距離Ｈ１との関係が薄れることが分かった。これは、コンタクトホール２４の径Ｄが大きすぎたり、小さすぎたりすると、耐落下性に対するアンダーカット２９の影響が小さくなるためであると推定される。
【００４２】
そこで、距離Ｈ１とコンタクトホール２４の径Ｄとの比と耐落下性との関係を調べた。図４に示すように、ずれ量Ｈ１／直径Ｄが大きくなるに従って、落下試験における欠陥の発生率は、低下するものの、徐々に飽和することが判明した。このため、距離Ｈ１とコンタクトホール２４の径Ｄとの比の値Ｈ１／Ｄは１〜０．０１程度が望ましいことがわかった。
【００４３】
次に、図１（ｂ）に示す電極構造を実際に形成し、半田バンプ２７を１０Ｎの力で引いた。
このときの、応力の係る箇所を図５に示す。
図５に示すように、応力は、アンダーカット２９の先端部分２９ａや半田バンプ２７と合金層２６の近傍に収集することが確認された。
【００４４】
これらの実験から、合金層２６が、コンタクトホール２４内の、アンダーカット２９の先端２９ａと同一又は近傍に位置すると、脆い合金層２６に強い応力が加わり、界面でのはがれが発生してしまう確率が高くなると、推定される。
【００４５】
これに対し、この実施の形態によれば、脆い合金層２６が、応力の加わるエリアから離れて形成されているため、欠陥が発生しにくいものと推察される。
【００４６】
以上の分析、さらに、追加の分析により、
１．  コンタクトホール２４内にアンダーカット２９が形成されている場合には、アンダーカット２９の先端２９ａと合金層２６の位置をずらすことが望ましい。ずらす量（距離）は、６〜３０μｍ、さらに、望ましくは１０μｍ以上が望ましい。
２．  パッド電極のエッチング深さＨ３は、小さい方が望ましい。
３．  アンダーカット２９の先端２９ａは、半田レジスト層２３の厚さの１／４以下の位置にあるのが望ましい。
４．距離Ｈ１：コンタクトホール２４の径は、１〜０．０１の範囲にあることが望ましい。
ことが判明した。
【００４７】
次に、上記構成を有する配線板の製造方法について図６（ａ）〜図６（ｊ）を参照して説明する。
【００４８】
（１）図６（ａ）に示すような、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂等から構成される絶縁性の基板２１を用意する。
（２）図６（ｂ）に示すように、基板２１の二面（上面と下面）に銅箔３１を形成する。
（３）基板２１を一方の面側から、レーザで穿孔することにより、図６（ｃ）に示すように、ビアホール２８を形成する。このとき、他方の面上の銅箔３１は残存させる。
【００４９】
（４）以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、触媒を付与した基板２１を浸漬して、図６（ｄ）に示すように、全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜３２を形成する。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４０分
【００５０】
（５）無電解銅めっき膜３２が形成された基板２１に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、図６（ｅ）に示すように、厚さ２０μｍのめっきレジスト３３を形成する。
【００５１】
（６）基板２１を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施す。
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
これにより、図６（ｆ）に示すように、めっきレジスト３３の形成されていない部分に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３４を形成した。
【００５２】
（７）次に、図６（ｇ）に示すように、めっきレジスト３３を５％ＫＯＨで剥離除去する。続いて、図６（ｈ）に示すように、めっきレジスト３３下の銅箔３１と無電解銅めっき膜３２とを硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、互いに独立した複数の配線パターン２２を形成した。
【００５３】
（８）次に、基板２１の両面に、図６（ｉ）に示すように、ソルダレジスト組成物を３００〜４００μｍの厚さでスクリーン印刷などにより塗布し、ソルダレジスト膜３５を形成する。ソルダレジスト組成物は任意であるが、例えば、ＬＰＳＲ（太陽インクＰＳＲ４０００−ＡＵＳ３０３）を使用できる。続いて、所定温度で所定時間の乾燥処理を行う。なお、図６（ｉ）では、配線パターン２２を一層で表している。
【００５４】
（９）続いて、コンタクトホール（ソルダレジスト開口）２９のパターンが描画されたフォトマスクをソルダレジスト層３５に密着させて８００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、図６（ｊ）示すように、１５０μｍの直径のコンタクトホール２４を形成する。
このパターニング処理により、図７（ａ）に拡大して示すように、コンタクトホール２４には、アンダーカット２９が形成される。
【００５５】
ソルダレジスト組成部の組成、塗布条件、乾燥条件、露光条件、エッチング（現像）条件などを変更しながら、実験を行い、適切な形状及びサイズのアンダーカット２９が形成されるように条件を設定する。
【００５６】
続いて、所定温度、例えば、１００℃で所定時間加熱処理を行ってソルダレジスト層３５を硬化させ、コンタクトホール２４を有し、その厚さが３００μｍ程度の半田レジスト層２３を形成した。
【００５７】
（１０）次に、半田レジスト層２３を形成した基板２１を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に４５分間浸漬して、図７（ｂ）に拡大して示すように、コンタクトホール２４に厚さ１２μｍのニッケル層２５を形成する。
この工程により、上面がアンダーカット２９の先端２９ａを超える位置に来るように、Ｎｉ層２５を成長する。
【００５８】
（１１）基板２１をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、図７（ｃ）に拡大して示すように、Ｎｉ層２５上に、厚さ０．０３μｍの金層３６を形成する。
【００５９】
（１２）次に、図７（ｄ）に拡大して示すように、半田レジスト層２３のコンタクトホール２４とその近傍に半田ペースト３７を印刷する。半田ペースト３７は、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ（４Ａｇ−０．５Ｃｕ−Ｓｎ）等から構成される。
【００６０】
（１３）次に、窒素雰囲気中に２５０℃でリフローすることにより、図８に拡大して示すように、半田バンプ２７を形成した。このリフローの際に、金層３６は、半田バンプ２７に拡散されて消失する。一方、図１（ａ），１（ｂ）を参照して上述したように、Ｎｉ層２５と半田バンプ２７との界面に、半田ペースト３７の主成分であるＳｎとＮｉ層２５の主成分であるＮｉの合金層であるＮｉ−Ｓｎ合金層２６が形成される。Ｎｉ層２５の上面がアンダーカット２９の先端２９ａからシフトした位置に形成されているので、合金層２６の位置も先端２９ａからシフトした位置となる。
【００６１】
このようにして、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した構成の配線板１１が形成される。
【００６２】
以上説明したように、上記実施の形態に係る配線板及びその製造方法によれば、脆い合金層２６が、落下衝撃による応力が集中するアンダーカット２９の先端２９ａの位置からずれて形成されている。従って、落下衝撃が発生し、その衝撃が合金層２６に集中して、合金層２６が破壊され、半田バンプ２７が取れる等の欠陥がおこりにくい。従って、信頼性及び歩留まりが高い。
【００６３】
なお、この発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。
【００６４】
例えば、上記実施の形態においては、配線パターン２２を銅で形成し、コンタクトホール２４内にＮｉ層２５を配置し、さらに、半田バンプ２７をＳｎを含む鉛フリー半田としたが、これらの材質は適宜変更可能である。
例えば、Ｎｉ層２５に代えて、Ｎｉ層とＮｉ層上のＰｄ層の２層を配置し、半田バンプ２７としてＳｎを主成分とする鉛フリー半田を使用してもよい。
また、これ以外にも、任意の金属層と任意の材質の半田を使用する場合に応用可能である。ただし、この発明は、コンタクトホール内に配置される金属層よりも、金属層と半田との合金層が脆い場合に有効である。
【００６５】
上記実施の形態においては、Ｎｉ層２５の上面（合金層２６）がアンダーカット２９の先端２９ａの上（開口側）に位置する例を示したが、Ｎｉ層２５の上面はアンダーカット２９の先端２９ａの下（コンタクトホール２４の奥側）に位置してもよい。ただし、耐衝撃性上は、合金層２６がアンダーカット２９の先端２９ａより上にある方が望ましい。
【００６６】
また、上記実施の形態において、コンタクトホール２４の形状は一例であり、適宜変更可能である。例えば、図９（ａ）に示すようにコンタクトホール２４全体がテーパー状に形成されていてもよい。また、図９（ｂ）に示すように、コンタクトホール２４全体が、奥に行くに従って拡大するようなテーパー状に形成されていてもよい。いずれの場合であっても、基板に衝撃が加わったときに、応力が最も加わる位置から合金層の位置をずらすようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】（ａ）は本発明の一実施例に係る配線板の断面図、（ｂ）は（ａ）に示す配線板のバンプ電極部分の拡大図である。
【図２】試料の構造と特性とを示す図である。
【図３】（ａ）は試料の落下回数と故障率との実験結果を示す両対数グラフ、（ｂ）はアンダーカットの先端から合金層までの距離と故障率との関係を示す両対数グラフである。
【図４】アンダーカットの先端から合金層までの距離とコンタクトホールの径との比と落下耐性との関係を示す両対数グラフである。
【図５】半田バンプを引っ張った場合の、ストレスの分布を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｊ）は本発明の一実施例に係る配線板の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例に係る配線板の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】本発明の他の実施例に係る電極構造を示す断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）はコンタクトホールの形状の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
２１    基板
２２    配線パターン
２３    半田レジスト層
２４    コンタクトホール
２５    ニッケル（Ｎｉ）層
２６    合金層
２７    半田バンプ（半田ボール）
２８    ビアホール
２９    アンダーカット
２９ａ  先端
２９ｂ  末端
３１    銅箔
３２    無電解銅めっき膜
３３    めっきレジスト
３４    電解銅めっき膜
３５    ソルダレジスト層
３６    金層
３７    半田ペースト
Ｈ１    アンダーカット２９の先端２９ａから合金層２６までの距離
Ｈ２    アンダーカット２９の高さ
Ｈ３    エッチング深さ（オーバーエッチング量）
Ｈ４    アンダーカット２９下端から合金層２６までの距離
Ｈ５    Ｎｉ層の厚さ
Ｄ      コンタクトホール２４の径
Ｌ      アンダーカット２９の長さ
【図１】
2009117839.tif 000003
【図２】
2009117839.tif 000004
【図３】
2009117839.tif 000005
【図４】
2009117839.tif 000006
【図５】
2009117839.tif 000007
【図６】
2009117839.tif 000008
【図７】
2009117839.tif 000009
【図８】
2009117839.tif 000010
【図９】
2009117839.tif 000011