(57)【要約】【課題】防汚層の防汚性と耐擦傷性に優れた光学物品およびその製造方法を提供すること。【解決手段】光学物品１０は、プラスチック基板１１を備え、このプラスチック基板１１の両面にハードコート層１２と、反射防止層１３と、防汚層１４が設けられている。防汚層１４を構成する化合物は、プラスチック基板と反応する反応基を有する反応性化合物と、プラスチック基板と反応しない非反応性化合物と、を含有している。また、反応性化合物および非反応性化合物は、フッ素含有有機ケイ素化合物であることが好ましい。【選択図】図１
2009251008.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基板上に防汚層を備えた光学物品であって、
前記防汚層は、前記プラスチック基板と反応する反応基を有する反応性化合物と、前記
プラスチック基板と反応しない非反応性化合物とから形成されていることを特徴とする光
学物品。
【請求項２】
請求項１に記載の光学物品において、
前記反応性化合物および前記非反応性化合物は、フッ素含有有機ケイ素化合物であるこ
とを特徴とする光学物品。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光学物品において、
前記非反応性化合物は、前記反応性化合物の前記反応基を失活させたことを特徴とする
光学物品。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光学物品において、
前記防汚層は、前記反応性化合物と前記非反応性化合物とを、固形分質量比で８：２〜
２：８の割合で配合されてなる組成物から形成されていることを特徴とする光学物品。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光学物品において、
前記反応性化合物は、以下の式（１）で表される化合物であることを特徴とする光学物
品。
【化１】
2009251008.tif 000008
（式中、Ｒｆ１はパーフルオロアルキル基、Ｘ１は水素、臭素、またはヨウ素、Ｙは水
素または低級アルキル基、Ｚはフッ素またはトリフルオロメチル基、Ｒ１は水酸基または
加水分解可能な基、Ｒ２は水素または一価の炭化水素を表す。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ
は０または１以上の整数で、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅは少なくとも１以上であり、ａ、ｂ、ｃ
、ｄ、ｅでくくられた各繰り返し単位の存在順位は、一般式（１）において限定されない
。ｆは０、１または２を表す。ｇは１、２または３を表す。ｈは１以上の整数を表す。）
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光学物品において、
前記反応性化合物は、以下の式（２）で表される化合物であることを特徴とする光学物
品。
【化２】
2009251008.tif 000009
（式中、Ｒｆ２は、−（ＣｋＦ２ｋ）Ｏ−（ｋは１〜６の整数）で表される単位を含み
、分岐を有しない直鎖状のパーフルオロポリアルキレンエーテル構造を有する二価の基を
表す。Ｒ３は炭素原子数１〜８の一価の炭化水素基であり、Ｘ２は加水分解性基またはハ
ロゲン原子を表す。ｐは０、１または２を表す。ｎは１〜５の整数を表す。ｍおよびｒは
、２または３を表す。）
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光学物品において、
前記反応性化合物は、以下の式（３）で表される化合物であることを特徴とする光学物
品。
Ｆ１７Ｃ８−Ｃ２Ｈ４−Ｓｉ（ＮＨ）３／２      …（３）
【請求項８】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光学物品において、
前記反応性化合物は、以下の式（４）で表される化合物であることを特徴とする光学物
品。
Ｆ3Ｃ−（ＣＦ2）n−（ＣＨ2）m−Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）3      …（４）
（式中、ｎは１〜１１の整数であり、ｍは１〜４の整数であり、Ｒは炭素数１以上のアル
キル基である。）
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の光学物品において、
前記非反応性化合物は、前記反応性化合物と以下の式（５）で表される化合物とを反応
させて得られる組成物であることを特徴とする光学物品。
Ｆ１７Ｃ８−Ｃ２Ｈ４−Ｓｉ（ＮＨ）３／２      …（５）
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の光学物品において、
前記非反応性化合物は、前記反応性化合物と以下の式（６）で表される化合物とを反応
させて得られる組成物であることを特徴とする光学物品。
Ｆ3Ｃ−（ＣＦ2）n−（ＣＨ2）m−Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）3      …（６）
（式中、ｎは１〜１１の整数であり、ｍは１〜４の整数であり、Ｒは炭素数１以上のアル
キル基である。）
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光学物品において、
前記防汚層は、反射防止層の上に形成されることを特徴とする光学物品。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の光学物品は眼鏡レンズであることを特徴と
する光学物品。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の光学物品の製造方法であって、
前記反応性化合物と前記非反応性化合物とを混合して防汚処理液を調製する防汚処理液
調製工程と、
前記防汚処理液を前記プラスチック基材の表面に塗布する防汚層形成工程と、を実施す
ることを特徴とする光学物品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の光学物品の製造方法において、
前記防汚層形成工程は、乾式法により実施されることを特徴とする光学物品の製造方法
。
【請求項１５】
請求項１３に記載の光学物品の製造方法において、
前記防汚層形成工程は、湿式法により実施されることを特徴とする光学物品の製造方法
。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面層として防汚層を備えた光学物品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
眼鏡レンズ等の光学物品の表面には、その付加価値を高めるために種々の膜や層が形成
される。例えば、表面での反射を低減するための反射防止層が形成され、さらにその表面
には撥水撥油性を備えた表面層として防汚層が設けられる。この防汚層は、光学物品を使
用する際に付着する手垢、汗または化粧品など汚れの付着を防ぎ、これらの汚れが付着し
たとしても、拭取りやすくするために設けられている。
防汚層の形成には、防汚剤分子として主にフッ素含有の有機化合物が用いられている（
例えば、特許文献１参照）。
このような有機化合物は反応基を有しており、この反応基が基材表面や基材表面に形成
された膜と反応することにより、基材表面と結合している。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２５８００３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、有機化合物の反応基が全て基材表面と結
合するため、結合が強固となる。したがって、基材表面に摺動力が働いた場合、例えば、
メガネレンズの表面を布等でふき取る場合など、その摺動力が直接結合部分に加わるため
、防汚剤分子が脱落して、基材表面に傷がつきやすいという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、防汚層の防汚性と耐擦傷性に優れた光学物品およびその製造
方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光学物品は、プラスチック基板上に防汚層を備えた光学物品であって、前記防
汚層は、前記プラスチック基板と反応する反応基を有する反応性化合物と、前記プラスチ
ック基板と反応しない非反応性化合物とから形成されていることを特徴とする。
【０００７】
ここで、プラスチック基板とは、ハードコート層および反射防止層のうち少なくとも一
方が積層されたものをも含むものである。例えば、プラスチック基板のみのもの、プラス
チック基板にハードコート層のみが積層されたもの、プラスチック基板にハードコート層
と反射防止層とが積層されたものなどがある。なお、防汚層との反応性が良好であるとい
う点から最上層に反射防止層が形成されたものがより好ましい。
また、防汚層がプラスチック基板と反応するとは、例えば、防汚層とプラスチック基板
の双方がアルコキシシリル基やアミノシリル基のような互いに結合（縮合）可能な反応基
を有する化合物を含有しており、これらを介して結合することを言う。
【０００８】
この発明によれば、防汚層内に、反応性化合物と非反応性化合物とが混在する。反応性
化合物はその反応基がプラスチック基板（反射防止層）と反応して強固に結合する一方、
非反応性化合物はプラスチック基板（反射防止層）とは反応しないため、非反応性化合物
の分子が自由度を持って防汚層内に存在している。
したがって、この光学物品の表面に摺動力が働いた場合（例えば、眼鏡レンズなどの光
学物品の表面を布等でふき取る場合など）に、この非反応性化合物の分子が自由に運動す
ることにより、加わった摺動力を防汚層内で吸収することができる。これにより、反応性
化合物とプラスチック基板（反射防止層）との結合部分に加わる力を低減させることがで
きるため防汚層が脱落しにくくなり、耐擦傷性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の光学物品において、前記反応性化合物および前記非反応性化合物は、フッ素含
有有機ケイ素化合物であることが好ましい。
この発明によれば、フッ素含有有機ケイ素化合物は撥水撥油性に優れているため、優れ
た防汚性を発揮することができる。
【００１０】
本発明の光学物品において、前記非反応性化合物は、前記反応性化合物の前記反応基を
失活させたものであることが好ましい。
この発明では、反応性化合物を自己縮合などにより末端封止して非反応性化合物とした
ものを用いる。このように同じ化合物を用いることにより、本来の撥水撥油性を維持した
まま、耐擦傷性にも優れた光学物品を提供することができる。
【００１１】
本発明の光学物品において、前記防汚層は、前記反応性化合物と前記非反応性化合物と
を、固形分質量比で８：２〜２：８の割合で配合されてなる組成物から形成されているこ
とが好ましい。
【００１２】
ここで、反応性化合物の割合が固形分質量比で２よりも少ないと、プラスチック基材（
反射防止層）と結合する防汚剤分子の量が少なくなり、防汚層が剥がれやすくなってしま
う。また、反応性化合物の割合が固形分質量比で８よりも多いと、自由度を持った分子が
少なくなるため、数少ない反応性化合物とプラスチック基材（反射防止層）との結合部分
に摺動力がかかりやすくなり、反応性化合物が脱落して防汚層が剥がれやすくなってしま
う。
なお、反応性化合物と非反応性化合物との配合比は、固形分質量比で６：４〜４：６の
範囲であることがより好ましい。
【００１３】
本発明の光学物品において、前記反応性化合物は、以下の式（１）で表される化合物で
あることが好ましい。
【００１４】
【化１】
2009251008.tif 000003
【００１５】
式中、Ｒｆ１はパーフルオロアルキル基、Ｘ１は水素、臭素、またはヨウ素、Ｙは水素
または低級アルキル基、Ｚはフッ素またはトリフルオロメチル基、Ｒ１は水酸基または加
水分解可能な基、Ｒ２は水素または一価の炭化水素を表す。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは
０または１以上の整数で、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅは少なくとも１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｅでくくられた各繰り返し単位の存在順位は、一般式（１）において限定されない。
ｆは０、１または２を表す。ｇは１、２または３を表す。ｈは１以上の整数を表す。
【００１６】
この発明では、式（１）で表されるフッ素含有有機ケイ素化合物は、フッ素原子の含有
率が高く、分子量数千でパーフルオロアルキル基の鎖長が長いために、臨界表面張力が低
い。そのためこれを含む防汚層の表面は、より低エネルギーとなり防汚性が向上する。
【００１７】
本発明の光学物品において、前記反応性化合物は、以下の式（２）で表される化合物で
あることが好ましい。
【００１８】
【化２】
2009251008.tif 000004
【００１９】
式中、Ｒｆ２は、−（ＣｋＦ２ｋ）Ｏ−（ｋは１〜６の整数）で表される単位を含み、
分岐を有しない直鎖状のパーフルオロポリアルキレンエーテル構造を有する二価の基を表
す。Ｒ３は炭素原子数１〜８の一価の炭化水素基であり、Ｘ２は加水分解性基またはハロ
ゲン原子を表す。ｐは０、１または２を表す。ｎは１〜５の整数を表す。ｍおよびｒは、
２または３を表す。
【００２０】
この発明では、式（２）で表されるフッ素含有有機ケイ素化合物は、フッ素原子の含有
率が高く、分子量数千でパーフルオロアルキル基の鎖長が長いために、臨界表面張力が低
い。そのためこれを含む防汚層の表面は、より低エネルギーとなり防汚性が向上する。
【００２１】
本発明の光学物品において、前記反応性化合物は、以下の式（３）で表される化合物で
あることが好ましい。
Ｆ１７Ｃ８−Ｃ２Ｈ４−Ｓｉ（ＮＨ）３／２      …（３）
【００２２】
この発明によれば、式（３）で表されるフッ素含有有機ケイ素化合物は、防汚性を発揮
するので、光学物品の表面に防汚性を付与することができる。
【００２３】
本発明の光学物品において、前記反応性化合物は、以下の式（４）で表される化合物で
あることが好ましい。
Ｆ3Ｃ−（ＣＦ2）n−（ＣＨ2）m−Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）3      …（４）
式中、ｎは１〜１１の整数であり、ｍは１〜４の整数であり、Ｒは炭素数１以上のアル
キル基である。
【００２４】
この発明によれば、式（４）で表されるフッ素含有有機ケイ素化合物は、防汚性を発揮
するので、光学物品の表面に防汚性を付与することができる。
【００２５】
本発明の光学物品において、前記非反応性化合物は、前記反応性化合物と以下の式（５
）で表される化合物とを反応させて得られる組成物であることが好ましい。
Ｆ１７Ｃ８−Ｃ２Ｈ４−Ｓｉ（ＮＨ）３／２      …（５）
【００２６】
この発明によれば、（ＮＨ）３／２が反応基となり、防汚剤である反応性化合物と反応
する。これにより、反応性化合物の末端を封止して非反応性化合物とすることができる。
そして、反応性化合物と、上記（５）式で表される化合物と反応した非反応性化合物と、
が混在するので、光学物品の表面に摺動力が働いた場合（例えば、眼鏡レンズなどの光学
物品の表面を布等でふき取る場合など）に、非反応性化合物の分子が自由に運動すること
により、加わった摺動力を防汚層内で吸収することができる。したがって、耐擦傷性を向
上させることができる。
【００２７】
本発明の光学物品において、前記非反応性化合物は、前記反応性化合物と以下の式（６
）で表される化合物とを反応させて得られる組成物であることが好ましい。
Ｆ3Ｃ−（ＣＦ2）n−（ＣＨ2）m−Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）3      …（６）
式中、ｎは１〜１１の整数であり、ｍは１〜４の整数であり、Ｒは炭素数１以上のアル
キル基である。
【００２８】
式（６）の具体例としては、ＣＦ3(ＣＦ2)4ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)3、ＣＦ3(ＣＦ2)
4ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3(ＯＣ2Ｈ5)2、ＣＦ3(ＣＦ2)7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)3、ＣＦ3Ｃ
Ｆ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ(ＯＣ3Ｈ7)3、ＣＦ3(ＣＦ2)2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ(ＯＣ3Ｈ7)3、ＣＦ3(ＣＦ
2)4ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3(ＯＣ3Ｈ7)2、ＣＦ3(ＣＦ2)5ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3(ＯＣ3Ｈ7)2、
ＣＦ3(ＣＦ2)7ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3(ＯＣ3Ｈ7)2などのパーフルオロアルキルアルキレン
アルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００２９】
上記式（６）で表される化合物は、Ｒが反応基となり、防汚剤である反応性化合物の反
応基と反応する。すなわち、上記式（６）で表される化合物で反応性化合物の末端を封止
して非反応性化合物とする。そして、反応性化合物と非反応性化合物が混在するので、光
学物品の表面に摺動力が働いた場合（例えば、眼鏡レンズなどの光学物品の表面を布等で
ふき取る場合など）に、非反応性化合物の分子が自由に運動することにより、加わった摺
動力を防汚層内で吸収することができる。したがって、耐擦傷性を向上させることができ
る。
【００３０】
本発明の光学物品において、前記防汚層は、反射防止層の上に形成されることが好まし
い。
反射防止層は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した多層で形成される。これら
の層は、例えば、ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2，ＴｉＯ，Ｔｉ2Ｏ3，Ｔｉ2Ｏ5，
Ａｌ2Ｏ3，ＴａＯ2，Ｔａ2Ｏ5，ＮｂＯ，Ｎｂ２Ｏ３，ＮｂＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＣｅＯ2，
ＭｇＯ，Ｙ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＭｇＦ2，ＷＯ3などで形成されるが、最上層を形成する層に
は、ＳｉＯ2が含有されるのがよい。
この発明では、反射防止層の構成成分と、防汚層を構成する成分の反応基とが反応しや
すいため、反射防止層と防汚層とが強固に結合する。したがって、防汚層が剥がれにくく
なるため、防汚性の耐久性に優れた光学物品を提供することができる。
【００３１】
本発明の光学物品は、眼鏡レンズであることが好ましい。
この発明では、前述の効果を達成できる眼鏡レンズを提供できる。眼鏡レンズでは、特
に汚れが目立ちやすいので前述の効果がさらに大きくなる。
【００３２】
本発明の光学物品の製造方法は、前記反応性化合物と前記非反応性化合物とを混合して
防汚処理液を調製する防汚処理液調製工程と、前記防汚処理液を前記プラスチック基材の
表面に塗布する防汚層形成工程と、を実施することを特徴とする。
【００３３】
この発明によれば、防汚液を調整した後、この防汚液をプラスチック基材に塗布して防
汚層を形成する。防汚液には、反応性化合物と非反応性化合物とが混在しているため、反
応性化合物とプラスチック基材（反射防止層）との密着性に優れるとともに、非反応性化
合物の自由な運動により耐擦傷性に優れた光学物品を提供することができる。
反応性化合物および非反応性化合物としては、前述のとおりフッ素含有有機ケイ素化合
物が用いられることが好ましい。また、非反応性化合物は、反応性化合物の反応基を失活
させたものが用いられてもよい。
【００３４】
本発明の光学物品の製造方法において、前記防汚層形成工程は、乾式法により実施され
ることが好ましい。
乾式法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
この発明によれば、溶剤を用いないので環境負荷が低い。また、防汚層形成工程におけ
る条件を変更することが容易なので防汚層の膜厚制御も簡便である。さらに繊維状または
多孔質の媒体を用いているのでフッ素含有有機ケイ素化合物の加熱効率が高い。なお、媒
体としては熱伝導率の高い物質が好ましく、金属のような導電性物質が好適である。
【００３５】
本発明の光学物品の製造方法において、前記防汚層形成工程は、湿式法により実施され
ることが好ましい。
湿式法としては、例えば、浸漬法などが挙げられる。
湿式法で行うことにより、真空装置等の大型設備が不要となり、製造にかかるコストを
低減させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本実施形態の光学物品１０の概略断面図が示されている。この光学物品１０
は、例えば眼鏡レンズである。
〔光学物品の構成〕
光学物品１０は、プラスチック基板１１を備え、このプラスチック基板１１の両面にハ
ードコート層１２と、反射防止層１３と、防汚層１４が設けられている。
プラスチック基板１１としては、特に限定されないが、（メタ）アクリル樹脂をはじめ
としてスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アリル樹脂、ジエチレングリコールビスア
リルカーボネート樹脂（ＣＲ−３９）等のアリルカーボネート樹脂、ビニル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリエーテル樹脂、イソシアネート化合物とジエチレングリコールなどのヒ
ドロキシ化合物との反応で得られたウレタン樹脂、イソシアネート化合物とポリチオール
化合物とを反応させたチオウレタン樹脂、分子内に１つ以上のジスルフィド結合を有する
（チオ）エポキシ化合物を含有する重合性組成物を硬化して得られる透明樹脂等を例示す
ることができる。
【００３７】
ハードコート層１２としては、本来の機能である耐擦傷性を向上するものであればよい
。例えば、ハードコート層１２として、メラミン系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系
樹脂、アクリル系樹脂等を用いたハードコート層が挙げられるが、シリコーン系樹脂を用
いたハードコートが最も好ましい。例えば、金属酸化物微粒子、シラン化合物からなるコ
ーティング組成物を塗布し硬化させてハードコート層を設ける。このコーティング組成物
にはコロイダルシリカ、および多官能性エポキシ化合物等の成分を含んでいてもよい。
金属酸化物微粒子の具体例としてはＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＳｎＯ2，Ｓｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5
，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＷＯ3，ＺｒＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＴｉＯ2等の金属
酸化物からなる微粒子または２種以上の金属の金属酸化物からなる複合微粒子を、分散媒
たとえば水、アルコール系もしくはその他の有機溶媒にコロイド状に分散させたものがあ
げられる。なお、本実施形態では、プラスチック基板１１上にハードコート層１２を設け
ずに直接、反射防止層１３を設けることも可能である。
このようなハードコート層１２を形成する方法としては、ディッピング法、スピンナー
法、スプレー法、フロー法により、ハードコート層１２の組成物を塗布した後、４０〜２
００℃の温度で数時間加熱乾燥する方法が例示できる。
【００３８】
反射防止層１３は、低屈折率層と高屈折率層とを順に積層したものである。この反射防
止層１３は、プラスチック基板１１側から外側に向けて順に配置された第１層１３１、第
２層１３２、第３層１３３、第４層１３４及び第５層１３５から構成され、このうち、第
１層１３１、第３層１３３及び第５層１３５が低屈折層であり、第２層１３２及び第４層
１３４が高屈折層である。
反射防止層１３の各層１３１〜１３５に使用される無機物の例としては、ＳｉＯ2，Ｓ
ｉＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、ＴａＯ2、Ｔａ2Ｏ5
、ＮｂＯ、Ｎｂ２Ｏ３、ＮｂＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ2、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｍ
ｇＦ2、ＷＯ3などが挙げられる。これらの無機物は単独で用いるかもしくは２種以上の混
合物を用いる。
例えば、第１層１３１、第３層１３３及び第５層１３５をＳｉＯ2の層とし、第２層１
３２及び第４層１３４をＺｒＯ2の層としてもよい。
【００３９】
防汚層１４は、撥水撥油性を有する層である。防汚層１４には、反射防止層１３と反応
する反応性化合物と、反射防止層１３と反応しない非反応性化合物が混在している。
反応性化合物と非反応性化合物は、フッ素含有有機ケイ素化合物を用いることが好まし
い。例えば、以下の式（１）〜（４）で表される化合物を用いることができる。
【００４０】
【化３】
2009251008.tif 000005
【００４１】
式中、Ｒｆ１はパーフルオロアルキル基、Ｘ１は水素、臭素、またはヨウ素、Ｙは水素
または低級アルキル基、Ｚはフッ素またはトリフルオロメチル基、Ｒ１は水酸基または加
水分解可能な基、Ｒ２は水素または一価の炭化水素を表す。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは
０または１以上の整数で、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅは少なくとも１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｅでくくられた各繰り返し単位の存在順位は、一般式（１）において限定されない。
ｆは０、１または２を表す。ｇは１、２または３を表す。ｈは１以上の整数を表す。
【００４２】
【化４】
2009251008.tif 000006
【００４３】
式中、Ｒｆ２は、−（ＣｋＦ２ｋ）Ｏ−（ｋは１〜６の整数）で表される単位を含み、
分岐を有しない直鎖状のパーフルオロポリアルキレンエーテル構造を有する二価の基を表
す。Ｒ３は炭素原子数１〜８の一価の炭化水素基であり、Ｘ２は加水分解性基またはハロ
ゲン原子を表す。ｐは０、１または２を表す。ｎは１〜５の整数を表す。ｍおよびｒは、
２または３を表す。
【００４４】
Ｆ１７Ｃ８−Ｃ２Ｈ４−Ｓｉ（ＮＨ）３／２      …（３）
【００４５】
Ｆ3Ｃ−（ＣＦ2）n−（ＣＨ2）m−Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）3      …（４）
式中、ｎは１〜１１の整数であり、ｍは１〜４の整数であり、Ｒは炭素数１以上のアル
キル基である。
【００４６】
反応性化合物には、上記式（１）〜（４）で表される化合物のいずれも用いることがで
き、これらは単独で用いてもよいが、混合して用いることもできる。
反応性化合物としては上記式（１）または（２）で表される化合物を用いることが好ま
しい。これらのフッ素含有有機ケイ素化合物の具体例としては、信越化学工業株式会社製
ＫＹ−１３０、ＫＰ−８０１などが挙げられる。
【００４７】
非反応性化合物には、上記式（１）〜（４）で表される化合物のいずれも用いることが
でき、これらは単独で用いてもよいが、混合して用いることもできる。
非反応性化合物としては、上記式（１）または（２）で表される反応性化合物に、上記
式（３）または（４）で表される化合物を反応させて非反応性化合物としたものを用いる
ことが好ましい。また、上記（１）〜（４）で表される化合物を自己縮合させて非反応性
化合物としたものでもよい。
【００４８】
このような化合物で形成される防汚層１４は、乾式法と湿式法のいずれで形成されても
よい。乾式法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。湿式
法としては、例えば、浸漬法などが挙げられる。
【００４９】
〔光学物品の製造装置〕
次に、光学物品１０の製造方法を図２に基づいて説明する。ここでは、真空蒸着法によ
る成膜方法について説明する。
図２には、光学物品のプラスチック基板へのコーティングおよび表面処理を行なう成膜
装置の概略図が示されている。
【００５０】
成膜装置１００は、図２において、プラスチック基板１１が支持装置２０に複数保持さ
れている。プラスチック基板１１には、ハードコート層１２が予め設けられている。この
支持装置２０が成膜装置１００の内部を工程ごとに移動して、プラスチック基板１１への
コーティングおよび表面処理が行なわれる。支持装置２０は、各プラスチック基板１１へ
の処理が均一になるように、図示しない回転機構によって回転させられている。
【００５１】
成膜装置１００は、支持装置２０が内部を通過可能な三つのチャンバ３０、４０および
５０を備えている。これらのチャンバは連結され、支持装置２０はプラスチック基板１１
を保持した状態で通過可能となっている。また、各チャンバは、各チャンバ間の図示しな
いシャッタによって相互に密封できるようになっており、各チャンバの内圧は真空生成装
置３１、４１および５１によりそれぞれ制御されている。
【００５２】
チャンバ３０は、エントランスまたはゲートチャンバであり、外部から支持装置２０を
導入した後、一定時間、一定の圧力下にチャンバ３０の内部を加熱することにより、プラ
スチック基板１１および支持装置２０に吸着したガスの脱ガスが行なわれる。チャンバ３
０の真空生成装置３１は、ロータリーポンプ３２、ルーツポンプ３３およびクライオポン
プ３４を備えている。
【００５３】
チャンバ４０は、真空蒸着による薄膜の形成やプラズマ等による表面処理を行なうチャ
ンバである。チャンバ４０の真空生成装置４１もチャンバ３０の真空生成装置３１と同様
に、ロータリーポンプ４２、ルーツポンプ４３およびクライオポンプ４４を備えている。
【００５４】
チャンバ４０の内部には、屈折率の異なる蒸着物質を組み合わせて反射防止層１３を効
率よく形成するために、蒸発源６１および蒸発源６２が設けられている。そして、これら
二つの蒸発源６１、６２に配置された蒸着物質６３、６４を蒸発させる電子銃６５、６６
および蒸着量を調整する開閉可能なシャッタ６７、６８が一対設けられている。
屈折率の異なる蒸着物質の例として、低屈折率物質として酸化ケイ素が、高屈折率物質
としては、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウムが挙げられる。
【００５５】
また、チャンバ４０には、プラズマ処理を行なうために、高周波プラズマ発生装置７０
が設置されている。高周波プラズマ発生装置７０は、チャンバ内に設置されたＲＦコイル
７１と、チャンバ外でこれに接続されているマッチングボックス７２と高周波発信器７３
とから構成されている。
【００５６】
さらに、チャンバ４０には、イオンアシスト蒸着および表面処理を行なうためのイオン
ガン８０が設置されている。イオンガン８０には、導入ガスをプラズマ化し、正イオンを
発生するためのＲＦ電源８１と正イオンを加速するためのＤＣ電源８２が接続されている
。
プラズマ処理およびイオン照射に使用されるガスである酸素７４とアルゴン７５は、オ
ートプレシャーコントローラ７７で所定の圧力になるように、マスフローコントローラ７
８、８３で流量が制御されて導入される。
【００５７】
チャンバ５０は、フッ素含有有機ケイ素化合物を蒸着することにより防汚層１４を形成
するチャンバである。チャンバ内部には、フッ素含有有機ケイ素化合物が含浸された蒸発
源９０と、加熱ヒータ（ハロゲンランプ）９１と、補正板９２とが設置されている。補正
板９２は固定式であり、開度を調整する事により、支持装置２０の場所に対する蒸着量を
調整できるようになっている。チャンバ５０は、ロータリーポンプ５２、ルーツポンプ５
３およびターボ分子ポンプ５４を備えた真空生成装置５１により適当な圧力に保持されて
いる。
【００５８】
〔光学物品の製造方法〕
以下、図３に基づいて本実施形態のプラスチック基板１１への処理工程を説明する。
工程（Ａ）は、プラスチック基板１１にハードコート層１２を形成する工程である。ハ
ードコート層１２は、無機微粒子を有するゾルゲルをプラスチック基板１１に塗布し、そ
の後硬化する方法によって得られる。この方法によれば、無機微粒子をプラスチック基板
１１の屈折率に合わせて選択することが可能で、プラスチック基板１１とハードコート層
１２との界面の反射が抑えられる。ハードコート層１２は、必要に応じて、片面および両
面に形成される。眼鏡レンズの場合は、両面に形成する。
【００５９】
工程（Ｂ）は、反射防止層１３を形成する工程である。図３では、反射防止層１３が片
面のみに形成されているが、後で表裏反転して両面に形成されるものである。
プラスチック基板１１は、支持装置２０に保持された状態でチャンバ３０に導入され、
脱ガスされる。次に支持装置２０は、チャンバ４０に導入され、ハードコート層１２の表
面に反射防止層１３が成膜される。この過程では、高屈折率と低屈折率の複数の層が交互
に積層され、反射防止層１３の最上層には、酸化ケイ素層である二酸化ケイ素層が形成さ
れる。
【００６０】
次に、反射防止層１３とフッ素含有有機ケイ素化合物との反応性を高めるため、反射防
止層１３の表面にシラノール基を生成するためのプラズマ処理を行なう。
チャンバ４０に酸素７４またはアルゴン７５が導入され、オートプレシャーコントロー
ラ７７とマスフローコントローラ７８によって、チャンバ４０内は一定圧力に制御される
。高周波プラズマはおよそ１０−３から１０３Ｐａで発生可能であるが、１×１０−２Ｐ
ａ〜１×１０−１Ｐａが好適である。高周波周波数は、１３．５６ＭＨｚとした。処理時
間は、０．５〜３分間で、この処理で反射防止層１３の表面にシラノール基が生成される
。
【００６１】
その他、シラノール基を生成するための処理として、イオンガン８０を使用することも
できる。
イオンガン８０には、酸素７４またはアルゴン７５がマスフローコントローラ８３で一
定流量に制御されて導入される。導入されたガスは、イオンガン８０内部でプラズマ化さ
れる。プラズマは高周波プラズマであり、ＲＦ電源８１の周波数は通常１３．５６ＭＨｚ
である。生成した正イオンは、ＤＣ電源８２で電圧印加された加速電極によって引き出さ
れ、反射防止層１３の表面に照射される。
なお、プラスチック基板１１上で絶縁破壊が起き、異常放電が発生するのを防止するた
め、内蔵されたニュートライザーから電子を供給し中和している。処理時間は、０．５〜
３分間で、この処理で、反射防止層１３表面にシラノール基が生成される。
【００６２】
工程（Ｃ）は、防汚層１４を形成する工程である。支持装置２０は、チャンバ５０に導
かれる。ここで、蒸発源９０を加熱ヒータ９１で加熱することで、反射防止層１３の表面
に前述の化合物による防汚層１４が蒸着により形成される。
防汚層１４が形成された後、チャンバ５０は徐々に大気圧に戻され、プラスチック基板
１１が支持装置２０ごと取り出される。
【００６３】
片面に防汚層１４まで形成されたプラスチック基板１１は、表裏反転して再度支持装置
２０にセットされ、工程（Ｂ）（Ｃ）と同様な処理を行なう。これによって、プラスチッ
ク基板１１の両面に反射防止層１３および防汚層１４が形成される。
【００６４】
防汚層１４まで形成されたプラスチック基板１１は、支持装置２０から取り外された後
、図示しない恒温恒湿槽に投入され、適当な湿度と温度の雰囲気でアニールされる。また
は、室内に所定時間放置してエージングが行なわれる。その後、防汚層１４の厚みを調整
する必要があれば、過剰分を溶剤で拭き取るなどの除去作業が行なわれる。
【００６５】
以上の本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
（１）本実施形態では、防汚層１４に反応性化合物と非反応性化合物が混在している。
このため、反応性化合物の反応基は反射防止層１３と強固に結合する一方、非反応性化
合物は自由度をもった一分子として防汚層１４内に存在している。したがって、光学物品
の表面に摺動力が働いた場合（例えば、眼鏡レンズの表面を布でふき取る場合）に、この
摺動力を防汚層１４内で吸収することができる。すなわち、摺動力が、反応性化合物と反
射防止層１３との結合部分に直接かかることが少ないため、防汚剤分子の脱落を防止でき
、耐擦傷性に優れた光学物品を提供することができる。
【００６６】
（２）防汚層１４の反応性化合物または非反応性化合物として、フッ素含有有機ケイ素化
合物を用いた。フッ素含有有機ケイ素化合物は分子量が大きいので、防汚層１４に含まれ
るフッ素の量が多く、より撥水撥油性を向上でき、汚れの拭取り性も向上できる。
特に、上記式（１）で表される化合物は、フッ素原子の含有率が高く、分子量数千でパ
ーフルオロアルキル基の鎖長が長いために、臨界表面張力が低い。そのためこれを含む防
汚層１４の表面は、より低エネルギーとなり防汚性を向上することができる。
【００６７】
（３）防汚層１４の反応性化合物と非反応性化合物は、固形分質量比で８：２〜２：８の
割合で配合されている。
このような範囲で配合することにより、耐擦傷性と耐久性の両方に優れた光学物品を提
供することができる。
【００６８】
（４）防汚層１４は、反射防止層１３の上に形成される。しかも、反射防止層１３の最上
層はＳｉＯ２で形成されている。したがって、防汚層１４を構成する防汚剤分子とＳｉＯ
２とが強固に結合する。したがって、防汚剤分子が脱落しにくく、耐久性に優れている。
【００６９】
（５）前述の作用効果を有する光学物品１０は眼鏡レンズとして使用される。眼鏡レンズ
では、特に汚れが目立ちやすいので前述の効果をさらに大きくすることができる。
【００７０】
（６）前述の光学物品１０を、乾式法により製造した。
乾式法では、溶剤を用いないので環境負荷が低い。また、防汚層形成工程における条件
を変更することが容易なので防汚層の膜厚制御も簡便である。
また、乾式法によれば、前述の効果を達成できる光学物品１０を製造することができる
。
【００７１】
［本発明の変形例］
本発明は、以上述べた実施形態には限定されず、本発明の目的を達成できる範囲で種々
の改良および変形を行うことが可能である。
【００７２】
例えば、前記実施形態では、乾式法により防汚層１４を形成したが、湿式法で防汚層１
４を形成してもよい。湿式法の場合、前述したいずれかのフッ素含有有機ケイ素化合物を
有機溶剤に溶解させ、所定の濃度となるように調整し、プラスチック基板１１の表面に塗
布する方法を採用することができる。有機溶剤としては、フッ素含有有機ケイ素化合物の
溶解性に優れるパーフルオロ基を有し、炭素数が４以上の有機化合物が好ましく、例えば
、パーフルオロヘキサン、パーフルオロシクロブタン、パーフルオロオクタン、パーフル
オロデカン、パーフルオロメチルシクロヘキサン、パーフルオロ−１，３−ジメチルシク
ロヘキサン、パーフルオロ−４−メトキシブタン、パーフルオロ−４−エトキシブタン、
メタキシレンヘキサフロライドを挙げることができる。また、パーフルオロエーテル油、
クロロトリフルオロエチレンオリゴマー油を使用することができる。その他に、フロン２
２５（ＣＦ3ＣＦ2ＣＨＣｌ2とＣＣｌＦ2ＣＦ2ＣＨＣｌＦの混合物）を例示することがで
きる。これらの有機溶剤の１種を単独でまたは２種以上を混合して用いることができる。
【００７３】
有機溶剤で希釈するときの濃度は、０．０３質量％以上１質量％以下の範囲が好ましい
。０．０３質量％より低すぎると十分な厚さを有する防汚層１４の形成が困難であり、十
分な撥水・撥油効果、さらには十分な滑り性が得られない場合がある。一方、１質量％よ
り濃すぎると防汚層１４が厚くなり過ぎるおそれがあり、塗布後に塗りむらをなくすため
のリンス作業の負担が増すおそれがある。
【００７４】
また、前記実施形態では、式（１）で表される反応性化合物と式（３）で表される化合
物を反応させて非反応性化合物を生成したが、反応性化合物の反応基を失活させたものを
非反応性化合物として用いてもよい。この場合、反応性化合物に触媒（例えば、エステル
交換触媒（ＣＨ3（ＣＨ2）3-Ｓｎ-（ＯＣＣＨ3））を固形分比で０．１％）を添加するこ
とにより、反応性化合物を縮合させることができる。
【実施例】
【００７５】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの
実施例に何ら限定されるものではない。
【００７６】
本実施例では、光学物品としての眼鏡レンズを作製する。
［実施例１］
以下のＡ１液およびＢ液を固形分質量比で８：２となるように混合し、さらに有機溶媒
「ＨＦＥ−７２００」（商品名、住友スリーエム株式会社製）を加えて固形分濃度０．１
％となるように調製し、ディッピング用処理液とした。
また、以下のＡ１液とＢ液を固形分質量比で８：２となるように混合し、多孔質ペレッ
トに滴下含浸後、乾燥し、固形分質量が３０ｍｇとなるように調製した。これを蒸着用ペ
レットとして用いた。
【００７７】
（Ａ１液）前述の一般式（１）で表される化合物（ダイキン工業株式会社製「オプツール
ＤＳＸ」（商品名）、化合物ｘ）
（Ｂ液）Ａ１液で使用した化合物（化合物ｘ）と、前述の一般式（４）で表される化合物
（東芝シリコーン株式会社製「ＴＳＬ８２５７」、化合物ｙ）と、を固形分質量比で１：
１２となるように混合した。この比率は、モル比でおよそ１：１となる混合比である。こ
こで、化合物ｘと化合物ｙは双方とも分子鎖の片末端に反応基が存在する構造である。
そして、この液にエステル交換触媒としてＣＨ3（ＣＨ2）3-Ｓｎ-（ＯＣＣＨ3）を対固
形分比で０．１％添加した。その後、常温で２４時間撹拌した。これによって、防汚剤分
子同士が縮合する。なお、縮合の組み合わせは、化合物ｘと化合物ｙ、化合物ｘ同士、化
合物ｙ同士の３つのパターンが考えられる。
【００７８】
［実施例２］
Ａ１液および以下のＡ２液を固形分質量比で８：２となるように混合し、さらに有機溶
媒「ＨＦＥ−７２００」（商品名、住友スリーエム株式会社製）を加えて固形分濃度０．
１％となるように調製し、ディッピング用処理液とした。
また、Ａ１液と以下のＡ２液を固形分質量比で８：２となるように混合し、多孔質ペレ
ットに滴下含浸後、乾燥し、固形分質量が３０ｍｇとなるように調製した。これを蒸着用
ペレットとして用いた。
【００７９】
（Ａ２液）化合物ｘに、エステル交換触媒としてＣＨ3（ＣＨ2）3-Ｓｎ-（ＯＣＣＨ3）を
対固形分比で０．１％添加した。その後、常温で２４時間撹拌した。これによって、防汚
剤分子同士が縮合する。
【００８０】
［実施例３］
実施例２において、Ａ１液とＡ２液との混合固形分質量比を７：３とした。
【００８１】
［実施例４］
実施例２において、Ａ１液とＡ２液との混合固形分質量比を６：４とした。
【００８２】
［実施例５］
実施例２において、Ａ１液とＡ２液との混合固形分質量比を５：５とした。
【００８３】
［実施例６］
実施例２において、Ａ１液とＡ２液との混合固形分質量比を４：６とした。
【００８４】
［実施例７］
実施例２において、Ａ１液とＡ２液との混合固形分質量比を３：７とした。
【００８５】
［実施例８］
実施例２において、Ａ１液とＡ２液との混合固形分質量比を２：８とした。
【００８６】
［実施例９］
以下のＣ液およびＤ液を固形分質量比で８：２となるように混合し、さらに有機溶媒「
ＨＦＥ−７２００」（商品名、住友スリーエム株式会社製）を加えて固形分濃度０．１％
となるように調製し、ディッピング用処理液とした。
また、以下のＣ液とＤ液を固形分質量比で８：２となるように混合し、多孔質ペレット
に滴下含浸後、乾燥し、固形分質量が３０ｍｇとなるように調製した。これを蒸着用ペレ
ットとして用いた。
【００８７】
（Ｃ液）前述の一般式（２）で表される化合物、信越化学工業株式会社製防汚剤「ＫＹ-
１３０」（化合物ｚ）
（Ｄ液）化合物ｚと、前述の一般式（３）で表される化合物（信越化学工業株式会社製「
ＫＰ-８０１Ｍ」、化合物ｖ）と、を固形分質量比で３：１となるように混合した。この
比率はモル比でおよそ１：２となる混合比である。ここで、化合物ｚは分子鎖の両末端に
反応基が存在し、化合物ｖは片末端に反応基が存在する構造である。
そして、この液にエステル交換触媒としてＣＨ3（ＣＨ2）3-Ｓｎ-（ＯＣＣＨ3）を対固
形分比で０．１％添加した。その後、常温で２４時間撹拌した。これによって、防汚剤分
子同士が縮合する。なお、縮合の組み合わせは、化合物ｚと化合物ｖ、化合物ｚ同士、化
合物ｖ同士の３つのパターンが考えられる。
また、化合物ｚは両末端に反応基が存在するため、両方封止された場合と、片方のみ封
止された場合が想定される。
【００８８】
［比較例１］
実施例１で使用したＡ１液のみを使用した。
【００８９】
［比較例２］
実施例９で使用したＣ液のみを使用した。
【００９０】
［防汚層の形成］
次に、上記の実施例１〜９および比較例１および２で調整した蒸着用ペレットを用いて
、乾式法によって防汚層を形成した。
基板１０として、プラスチック基板１１の上にハードコート層１２が形成された眼鏡用
プラスチックレンズ（セイコーエプソン株式会社製「セイコースーパーソブリン」）を支
持装置２０にセットし、チャンバ３０で脱ガスした後、チャンバ４０において、ＳｉＯ2
とＺｒＯ2の層を交互に蒸着し、これらの層からなる反射防止層１３を成形した。この反
射防止層１３の最上層は、ＳｉＯ2層である。
引き続き、チャンバ４０内に酸素１００％ガスを導入し、圧力を４．０×１０-2Ｐａに
制御しつつ、高周波プラズマ発生装置でプラズマを発生させた。プラズマ発生条件は、１
３．５６ＭＨｚ、０．４ｋＷで、１分間処理を行った。
【００９１】
その後、チャンバ５０に支持装置２０を移動して防汚層１４を形成した。蒸発源９０と
して、実施例１〜９および比較例１および２で作製した蒸着用ペレットを用いた。
成膜中は、ハロゲンランプを加熱ヒータ９１として使用し、蒸発源９０のペレットを６
００℃に加熱して、フッ素含有有機ケイ素化合物を蒸発させた。蒸着時間は３分である。
防汚層形成後、支持装置２０をチャンバ５０から取り出し、レンズを反転して支持装置
２０にセットし直し、再び上記と同様の処理を行うことによって、レンズ両面に防汚層１
４を形成した。その後、光学物品１０を取り出し、６０℃，６０％ＲＨに設定した高温高
湿槽に投入して２時間保持し、防汚剤とレンズ表面との反応を進行させた。
【００９２】
なお、本実施例では乾式法により防汚層を形成したが、前述のディッピング用処理液を
使用した湿式法により防汚層を形成することもできる。具体的には、以下のように実施す
る。
処理用基板として、ハードコート層、反射防止層（最外層がＳｉＯ２膜）を有する眼鏡
用プラスチックレンズ（「セイコースーパーソブリン」セイコーエプソン株式会社製）を
用意し、基板表面を洗浄するためにプラズマ処理（処理圧力：０．１Ｔｏｒｒ、導入ガス
：乾燥ａｉｒ、電極間距離：２４ｃｍ、電源出力：ＤＣ１ＫＶ、処理時間：１５秒）を行
う。そして、プラズマ処理したレンズを、前述の反応性化合物と非反応性化合物とを含有
するディッピング用処理液に浸漬して１分保持した後１５０ｍｍ／分にて引き上げ、防汚
処理液を塗布する。その後、アニール工程として、６０℃、６０％ＲＨに設定した恒温恒
湿槽に投入し、２時間保持することで防汚層を形成することができる。
【００９３】
［評価］
以上のようにして作成した眼鏡レンズについて、スチールウールによる耐擦傷性、アル
カリ浸漬試験での接触角とインク拭取性で防汚層の性能を評価した。
（１）耐擦傷性
眼鏡レンズ表面を、スチールウール（日本スチールウール（株）製ボンスター＃０００
０）に荷重１ｋｇを加え、約３０ｍｍの距離を１０往復擦ったのち、目視でレンズ表面に
入った傷の状態を下記のＡ〜Ｄの基準で評価した。
Ａ：全く傷がない。
Ｂ：１〜２本の傷が確認される。
Ｃ：３〜５本の傷が確認される。
Ｄ：６本以上の傷が確認される。
【００９４】
（２）アルカリ浸漬試験
０．１Ｎに調整した水酸化ナトリウム水溶液中に試験片を３時間浸漬し、浸漬後の試験
片を水でよく洗う。アルカリ浸漬試験前後の防汚性能を、接触角と油性インクの拭取性に
よって評価した。
（２−１）接触角測定
接触角計（「ＣＡ−Ｄ型」協和界面科学株式会社製）を使用し、液滴法による純水の接
触角を測定した。
（２−２）油性インクの拭取性
レンズの凸面に、黒色油性マーカー（「ハイマッキーケア」ゼブラ株式会社製）により
約４ｃｍの直線を引き、５分間放置後、該マーク部をワイプ紙（クレシア製：ケイドライ
）によって拭き取りを行い、その拭き取りやすさを下記の基準にて判定した。
○：１０回以下の拭き取りで完全に除去できる
△：１１回〜２０回の拭き取りで完全に除去できる
×：２０回の拭き取り後も除去されない部分が残る
上記の評価結果を以下の表１に示す。
【００９５】
【表１】
2009251008.tif 000007
【００９６】
表１に示すように、実施例１は末端封止成分であるＢ液を混合しているため、比較例１
に比べて耐擦傷性が優れている。
また、実施例９は、末端封止成分であるＤ液を混合しているため、比較例２に比べて耐
擦傷性が優れている。
そして、実施例２から実施例８に示すように、末端封止成分であるＡ２液の混合比が増
加すると、耐擦傷性が向上する一方で、耐アルカリ性が低下する傾向にあるが、実用的に
問題なかった。
このように、種々の混合系によって最適混合比を設定すれば、耐擦傷性と耐アルカリ性
に代表される耐薬品性を兼ね備えた基板の表面処理が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明は、プラスチック眼鏡レンズに利用できる他、プラスチック製の液晶表示パネル
、光学機器用レンズ等にも利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の実施形態にかかる光学物品の断面を示す模式図。
【図２】本発明の実施形態にかかる成膜装置を示す概略図。
【図３】本発明の実施形態にかかる処理工程を示す図。
【符号の説明】
【００９９】
１０・・・光学物品、１１・・・プラスチック基材、１２・・・ハードコート層、１３・
・・反射防止層、１４・・・防汚層、１００・・・成膜装置
【図１】
2009251008.tif 000010
【図２】
2009251008.tif 000011
【図３】
2009251008.tif 000012