(57)【要約】      （修正有）【課題】リソグラフィ投影装置に使用する汚染の源を減少させる基板を提供する。【解決手段】基板Ｗは、基板上の２つの層１００、１０２の間、又は層と基板の間の第一インタフェースの少なくとも一部を覆い、基板の中心部分まで延在しない密封コーティング１０６を含む。この密封コーティングにより、液浸液及びリソグラフィ装置の１つ又は複数のコンポーネントの汚染の危険を軽減するリソグラフィ投影装置に使用する基板、およびデバイス製造方法を提供することが出来る。【選択図】図７
2009117832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置で使用する基板であって、前記基板上の２つの層の間、又は層と前記基板の間にある第一インタフェースの少なくとも一部を覆い、前記基板の中心部分までは延在しない密封コーティングを含む基板。
【請求項２】
前記密封コーティングがさらに、前記基板上の２つの層の間、又は層と前記基板の間の第二インタフェースの少なくとも一部を覆い、前記第二インタフェースが前記第一インタフェースとは異なる、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記基板が外層としてトップコートを備える、請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記第一インタフェースが、前記トップコートと前記トップコートのすぐ下の層の間、又は前記トップコートと前記基板の間にある、請求項３に記載の基板。
【請求項５】
前記層の１つがレジスト層を備える、前記請求項のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
前記第一インタフェースが、前記レジスト層と前記レジスト層のすぐ隣の層の間、又は前記レジスト層と前記基板の間にある、請求項５に記載の基板。
【請求項７】
前記層の１つが下層反射防止膜を備える、前記請求項のいずれか１項に記載の基板。
【請求項８】
前記第一インタフェースが、前記下層反射防止膜と前記基板の間、又は前記下層反射防止膜と前記下層反射防止膜の上にある層との間にある、請求項７に記載の基板。
【請求項９】
前記密封コーティングが、絶縁保護コーティング、アクリル性コーティング、シリコーン系コーティング、変性トップコートコーティング、変性レジストコーティング又はプライマから選択された少なくとも１つの材料を含む、前記請求項のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１０】
前記密封コーティングの縁部が前記基板の縁部まで延在する、前記請求項のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１１】
前記密封コーティングの縁部が前記基板の縁部上まで延在する、請求項１０に記載の基板。
【請求項１２】
前記密封コーティングの縁部が前記基板の縁部を実質的に覆うように延在する、請求項１１に記載の基板。
【請求項１３】
前記密封コーティングが前記基板の断面プロファイルを平滑化する、前記請求項のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１４】
前記密封コーティングが前記基板に対して前記層より良好な接着性を有する、前記請求項のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１５】
前記密封コーティングが前記層を損傷せずに除去可能である、前記請求項のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１６】
リソグラフィの基板を準備する方法であって、
１つ又は複数の層を前記基板に適用し、
前記基板の中心部分まで延在せずに、前記基板上の２つの層の間、又は層と前記基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために、密封コーティングを適用することを含む方法。
【請求項１７】
前記適用することが、不連続的な流体の流れを前記基板に適用することによって実行される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
基板の中心部分まで延在せずに、前記基板上の２つの層の間、又は層と前記基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために、密封コーティングを適用し、
パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影することを含む、
デバイス製造方法。
【請求項１９】
さらに、前記投影する前に、前記密封コーティングの存在及び／又は欠陥を検出することを含む、請求項１８に記載のデバイス製造方法。
【請求項２０】
リソグラフィ投影装置に使用する基板であって、層と前記基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆う密封コーティングを備え、前記密封コーティングが前記基板の縁部まで延在する基板。
【請求項２１】
リソグラフィの基板を準備する方法であって、
前記基板に層を適用し、
前記層と前記基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために密封コーティングを適用することを含み、前記密封コーティングが前記基板の縁部まで延在する方法。
【請求項２２】
層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために密封コーティングを適用することを含み、前記密封コーティングが前記基板の縁部まで延在し、さらに、
パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影することを含む、
デバイス製造方法。
【請求項２３】
密封コーティングが基板の縁部まで延在するように、前記基板と前記基板上の層との間のインタフェースの少なくとも一部を覆う前記密封コーティングを適用する密封コーティングアプリケータであって、
前記密封コーティングを形成するために不連続的な流体の流れを配量するジェットと、
前記基板を動かす基板ハンドラとを備える密封コーティングアプリケータ。
【請求項２４】
基板の密封コーティングの存在及び／又は欠陥を検出する密封コーティング測定装置であって、
前記密封コーティングから反射した放射を検出する検出器と、
前記基板を動かす基板ハンドラとを備える密封コーティング測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィの基板を準備する方法、基板、デバイス製造方法、密封コーティングアプリケータ及び密封コーティング測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本明細書の実施形態は、液体について説明されている。しかし、別の流体が適切なことがある。特に濡れ性の流体、非圧縮性の流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体である。気体を含む流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像する形体の小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子が懸濁している液体（例えば最大寸法が最大１０ｎｍの粒子）などの、他の液浸液も提案されている。懸濁した粒子は、これが懸濁している液体と同様の、又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。他の適切な液体は、芳香族、フッ化炭化水素及び／又は水溶液などの炭化水素を含む。
【０００４】
[0004]  基板を、又は基板と基板支持構造を液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許第ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  液浸装置では、液浸流体を流体処理システム、構造又は装置で処理する。実施形態では、流体処理システムは液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムである。実施形態では、流体処理システムは少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、したがって流体閉じ込めシステムである。実施形態では、流体処理システムは液浸流体にバリアを提供することができ、したがって流体閉じ込め構造などのバリア部材である。実施形態では、流体処理システムは例えば液浸流体の流れ及び／又は位置の制御に役立つために、気体の流れを生成又は使用することができる。気体の流れは、液浸流体を閉じ込めるシールを形成することができ、したがって流体処理構造をシール部材と呼ぶことができ、このようなシール部材は流体閉じ込め構造とすることができる。実施形態では、液浸液が液浸流体として使用される。その場合、流体処理システムは液体処理システムとすることができる。前述した説明に関して、流体に関して規定されたフィーチャに対して本パラグラフで言及した場合、液体に関して規定されたフィーチャを含むものと理解することができる。
【０００６】
[0006]  提案されている解決法の１つは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステム又は構造を使用して、基板の局所区域及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するために提案されている１つの方法が、国際ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムＰＬの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板Ｗが−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００７】
[0007]  局所的液体供給システムがある液浸リソグラフィの解決法が、図４に図示されている。液体は、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給されて、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、これによって投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは不活性である）。
【０００８】
[0008]  提案されている局所的液体供給システムの解決法がある液浸リソグラフィの他の解決法は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造を液体供給システムに設けることである。このような解決法が図５に図示されている。液体閉じ込め構造は、投影システムＰＬに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。実施形態では、液体閉じ込め構造と基板の表面との間にシールを形成することができ、ガスシールなどの非接触シールでよい。
【０００９】
[0009]  液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に少なくとも部分的に液体を閉じ込める。基板Ｗに対するガスシール１６などの非接触シールを、投影システムＰＬの像フィールドの周囲に形成することができ、したがって液体が基板表面と投影システムＰＬの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められる。空間１１は、投影システムＰＬの最終要素の下方に配置され、それを囲む液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３によって、投影システムの下方で、液体閉じ込め構造１２内の空間に運び込まれ、液体出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。液体閉じ込め構造１２は、その上端が実施形態では投影システムＰＬ又はその最終要素の形状に非常に一致することができ、例えば円形でよい内周を有する。下層では、内周は像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。
【００１０】
[0010]  液体は、使用中に液体閉じ込め構造１２の下層と基板Ｗの表面との間に形成されたガスシール１６によって空間１１内に閉じ込められる。ガスシール１６は、空気又は合成空気、すしかし実施形態ではＮ2又は別の不活性ガスなどの気体によって形成され、圧力下で入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板の間のギャップに提供され、出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、出口１４の真空のレベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流があるように構成される。これらの入口／出口は、空間１１を囲む環状溝でよく、気体の流れは液体を空間１１に閉じ込めるのに効果的である。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示されている。
【００１１】
[0011]  欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。テーブルが第一位置にあり、液浸液がない状態でレベリング測定が実行され、テーブルが第二位置にあり、液浸液が存在する状態で、露光が実行される。あるいは、装置に１つしかテーブルがない。
【００１２】
[0012]  液浸液及び／又は液浸リソグラフィ装置内の基板テーブル又は液体供給デバイスなどのコンポーネントの汚染は、特に問題となることがある。このような汚染の源を最小限にするか、減少させねばならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
[0013]  例えば、液浸液及びリソグラフィ装置の１つ又は複数のコンポーネントの汚染の危険を軽減することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
[0014]  本発明の態様によれば、リソグラフィ投影装置で使用する基板が提供される。基板は、基板上の２つの層の間、又は層と基板の間にある第一インタフェースの少なくとも一部を覆い、基板の中心部分までは延在しない密封コーティングを含む。
【００１５】
[0015]  本発明の態様によれば、リソグラフィの基板を準備する方法が提供される。方法は、１つ又は複数の層を基板に適用し、基板の中心部分まで延在せずに、基板上の２つの層の間、又は層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために、密封コーティングを適用することを含む。
【００１６】
[0016]  本発明の態様によれば、デバイス製造方法が提供される。方法は、基板の中心部分まで延在せずに、基板上の２つの層の間、又は層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために、密封コーティングを適用することを含む。方法は、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することも含む。
【００１７】
[0017]  本発明の態様によれば、リソグラフィ投影装置に使用する基板が提供される。基板は、層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆う密封コーティングを備える。密封コーティングは基板の縁部まで延在する。密封コーティングはレジストを備えてよい。
【００１８】
[0018]  本発明の態様によれば、リソグラフィの基板を準備する方法が提供される。方法は、基板に層を適用することを含んでよい。方法は、層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために密封コーティングを適用することを含んでよく、密封コーティングは基板の縁部まで延在する。
【００１９】
[0019]  本発明の態様によれば、デバイス製造方法が提供される。デバイス製造方法は、層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために密封コーティングを適用することを含んでよく、密封コーティングは基板の縁部まで延在する。パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することができる。
【００２０】
[0020]  本発明の態様によれば、密封コーティングが基板の縁部まで延在するように、基板と基板上の層との間のインタフェースの少なくとも一部を覆う密封コーティングを適用する密封コーティングアプリケータが提供され、密封コーティングアプリケータは、密封コーティングを形成するために不連続的な流体の流れを配量するジェットと、基板を動かす基板ハンドラとを備える。
【００２１】
[0021]  本発明の態様によれば、基板の密封コーティングの存在及び／又は欠陥を検出する密封コーティング測定装置が提供され、密封コーティング測定装置は、密封コーティングから反射した放射を検出する検出器と、基板を動かす基板ハンドラとを備える。
【００２２】
[0022]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
[0041]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含み、投影システムはフレームＲＦによって支持される。
【００２４】
[0042]  照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２５】
[0043]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２６】
[0044]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃにおける所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２７】
[0045]  パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２８】
[0046]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２９】
[0047]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００３０】
[0048]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイス支持構造）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル及び／又は支持構造を並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブル及び／又は支持構造を露光に使用している間に１つ又は複数のテーブル及び／又は支持構造で予備工程を実行することができる。
【００３１】
[0049]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００３２】
[0050]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３３】
[0051]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分Ｃを占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３４】
[0052]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３５】
[0053]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３６】
[0054]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３７】
[0055]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３８】
[0056]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３９】
[0057]  液浸リソグラフィ中に、液体は基板の最上面のコーティングと接触する。潜在的な問題は、液体が複数の層の間、又は層と基板の間に広がり得ることである。これは層の剥がれ落ちにつながることがある。その結果、液浸液が汚染することがある。剥がれ落ちは、結像エラー及び／又は基板及び／又は液浸装置のコンポーネントの汚染につながり得る。層の縁部の剥がれ落ちの結果、基板のエッチングが困難になることもある。
【００４０】
[0058]  下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）は通常、シリコン基板への優れた接着力を有する。レジスト層（つまり放射感応性層）又はトップコート層がＢＡＲＣ層上にある場合、通常は良好な接着力が存在する。残念ながら、処理中にトップコート及び／又はレジスト層が、ＢＡＲＣ層上で基板まで延在することがある。この問題は、使用する前に各基板の縁部を検査し、検出された場合は基板を不合格にすることによって軽減することができる。
【００４１】
[0059]  図６は、レジストもトップコートもＢＡＲＣ層の縁部と重ならない基板の縁部を示す。
【００４２】
[0060]  図６では、ＢＡＲＣ層１００を最初に基板Ｗに塗布する。ＢＡＲＣ層１００は、基板の縁部の近くに延在する縁部を有する。基板の縁部とＢＡＲＣ層の縁部との間のギャップは、１．０ｍｍ未満、例えば約０．５ｍｍでよい。基板は円形でよい。これは、様々な層のスピンコーティングに役立つ。
【００４３】
[0061]  ＢＡＲＣ層１００の上には、レジスト層１０２が形成される。レジスト層１０２は、ＢＡＲＣ層１００の縁部の半径方向内側に位置する縁部を有する。図示の実施形態では、レジスト層の縁部は基板の縁部から約２．２ｍｍである。レジスト層の上にはトップコート層１０４がある。この層は、レジスト１０２層を付着させた後に塗布する。ここで見られるように、トップコート１０４は、レジスト層１０２の縁部ばかりでなくレジスト層１０２全体も覆い、したがってトップコート層１０４の一部がＢＡＲＣ層１００の最上部に付着する。トップコート層１０４の縁部は、半径方向でＢＡＲＣ層１００の縁部とレジスト層１０２の縁部の間に、例えば基板Ｗの縁部から約１．４ｍｍにある。代替構成が可能である。実施形態では、トップコート及びレジストは基板上に位置せず、基板の縁部とのギャップは（可能な限り）小さい。本発明の実施形態では、任意又は全ての縁部ビード除去（ＥＢＲ）方法を使用することができる。
【００４４】
[0062]  本発明の実施形態は、図６で述べた構成を有する必要がない。本発明の実施形態では、図７を参照すると密封コーティング１０６が使用される。密封コーティング１０６は、基板Ｗ上の２つの層１００、１０２、１０４の間、又は層１００、１０２、１０４と基板Ｗの間のインタフェースの少なくとも一部を覆う。インタフェースは、１つの層が別の層へと変化する位置を規定する線である。密封コーティングは基板の中心部分（つまりデバイスが結像される部分）まで延在しない。したがって、密封コーティングは環状で、基板Ｗに適用される層１００、１０２、１０４の縁部を覆うだけである。トップコート、レジスト及びＢＡＲＣ層は、基板の中心部分まで延在しない。例えば、密封コーティングは、幅が最大数ミリメートルにすぎなくてよい。例えば、密封コーティングは０．０ｍｍと１０ｍｍの間の幅、望ましくは０．０ｍｍから２ｍｍの幅でよい。つまり、密封コーティングは、基板の縁部分にしか存在しない。密封コーティングが存在する基板の縁部分の幅は、基板の幅（例えば直径）の約１％から５％のみでよい。密封コーティングは、ビームＢからの放射に対して透明であることが望ましい。これは、密封コーティングが幅広い場合に特に当てはまる。
【００４５】
[0063]  実施形態では、密封コーティング１０６は、異なる層の間及び層と基板の間のインタフェース全部を覆ってよい。これは図７に図示されている。しかし、１つのインタフェースを覆っているだけの場合でも、密封コーティング１０６を使用することは有用であり得る。このような例が図９及び図１０に図示されている。
【００４６】
[0064]  密封コーティングの断面での形状は重要ではない。例えば、形状は図７に図示されているか、図８に図示されているようなものでよい、又はこれら２つの図でいかに図示されているかが異なってよい。密封コーティングは、基板Ｗの縁部まで延在しても、していなくてもよい。密封コーティングは、基板Ｗの縁部表面の少なくとも一部を覆っても、覆わなくてもよい。密封コーティング１０６は、基板Ｗの縁部の断面を平滑化することができ、これは液浸リソグラフィ内で基板Ｗの縁部上で液体の流れを促進するのに役立つことができる。この方法で液体の流れを補助すると、層の間及び／又は層と基板の間及び密封コーティングと基板又は層の間のインタフェースにかかる液体の力を減少させることができる。これは、上述した剥がれ落ちの防止に役立つことができる。
【００４７】
[0065]  本発明の実施形態による基板は、非液浸リソグラフィ（つまりドライリソグラフィ）にも使用することができる。
【００４８】
[0066]  密封コーティングの材料は、基板の材料、ＢＡＲＣの材料、トップコートの材料、レジストの材料のうち少なくとも１つに対して良好の接着力を有することが望ましい。密封コーティングの材料は、液浸液（純水であることが多いが、他の流体でもよい）に対して不活性であることが望ましい。密封コーティングの材料は、シリコンに対して良好な接着力を有することが望ましい。密封コーティングの材料は、耐ＵＶ放射性であることが望ましい。密封コーティングの材料は、これが付着した基板及び層の材料から選択的に除去可能であることが望ましい。密封コーティングの材料は、化学ＥＢＲで溶剤を配量するために使用するのと同じノズルで適用することができる。
【００４９】
[0067]  例えば、密封コーティングは、例えば絶縁保護コーティング（アクリル又はシリコーン系）、（例えば接着力を改良するために）変性したトップコート又はレジスト、又はプライマを含んでよい。自動車、航空宇宙又は家庭の領域で一般的に使用されるタイプの材料が適切である。列挙された材料は、プライマを除いて疎液性であり、これは水の場合は疎水性である。このような材料で作成された密封コーティング上の液体は、後退接触角が５０°から９０°の範囲、望ましくは７０°又は８０°より大きく、最も望ましくは８０°と８５°の間である。前進接触角は８０°から１１０°の間、望ましくは９０°から１００°、最も望ましくは約９５°である。これらの接触角は、液浸リソグラフィ装置内の正常な動作温度及び圧力にて規定され、これは通常２０℃である。
【００５０】
[0068]  図６の層は、以下の方法で適用することができる。最初に、ＢＡＲＣ層を基板Ｗに適用する。これは、例えばスピンコーティングによって実行することができる。その後に任意選択で化学的ＥＢＲを実行する。次に、基板の（任意選択で溶剤での）裏側水洗が続く（つまり、ＢＡＲＣ層に覆われていない基板の側部を洗浄する）。次に、基板を熱板に配置する。その後、基板を冷却板に配置する。次に、レジスト層１０２を適用し、上述したように化学的ＥＢＲ、裏側洗浄、熱板及び冷却板が続く。最後に、トップコート１０４を適用し、化学的ＥＢＲ、裏側水洗、熱板及び冷却板が続く。トップコート１０４は、濡れたレジスト層１０２に適用することができる。その場合、硬化後に２つのコーティングが１つの層を形成することができる。
【００５１】
[0069]  実施形態では、トップコート１０４及び化学的ＥＢＲを適用した後、裏側水洗、熱板及び冷却板の前に、密封コーティング１０６を適用する。しかし、別の計測法が適切なことがある。例えば、密封コーティングは、通常のプロセスの最後に適用することができる。密封コーティングを基板とＢＡＲＣ１００の間のインタフェースにのみ適用する場合、これは、ＢＡＲＣコーティングに続いて、又はレジストコーティングの前で、化学的ＥＢＲの後に実行することができる。上述したように、密封コーティングは、化学的ＥＢＲ中に溶剤の適用に使用するのと同じノズルを通して適用することができる。
【００５２】
[0070]  密封コーティング１０６を、例えば化学的ＥＢＲ中に溶剤の適用に使用したものと同じノズルを通して適用することには困難がある。つまり、基板の高い回転速度により液飛びが生じることがある。液飛びの結果、大量の材料が無駄になり、それによって歩留まりが低下することがある。
【００５３】
[0071]  密封コーティング１０６を適用できる別の方法は、ジェット技術を使用することである。ジェット技術では、基板Ｗを回転し、ジェットが小滴を配量して、これが基板Ｗの縁部に載り、それによって乾燥又は硬化時に密封コーティング１０６を形成する。実施形態では、材料は実行中に移動するジェットディスペンサから噴射される。したがって、密封コーティング１０６は不連続の流体の流れを通して適用される。これは、例えば連続流に基づく化学的ＥＢＲ中に溶剤を適用するために使用されるのと同じノズルを通して適用することに匹敵する。実施形態では、ジェットの適用は、インクジェットプリンタの原理で作業するコンピュータのプリンタと同様でよいが、そうである必要はない。ジェットを使用して、基板Ｗを低速で移動させ、例えば化学的ＥＢＲで使用する速度より低い回転速度で回転させる。したがって、液飛びの危険性が低下する。ジェットによって、プロセスの制御を向上させることもでき、上述したような密封コーティング１０６と同じ材料を使用することができる。
【００５４】
[0072]  任意のタイプのジェットノズルを使用することができる。例えば、１つ又は複数の圧電又は機械的ジェットが適切である。１５０μｍと４００μｍの間、望ましくは２００μｍと３００μｍの間の小滴サイズが適切である。基板は、１／２秒から５秒、望ましくは２秒毎に１回、回転することができる。ジェットは通常、１時間に５０，０００個から２００，０００個の小滴を生成する。装置には、小滴が適切に適用されているかを検出するセンサを設けてよい。このセンサからのフィードバックを制御装置に供給することができ、これは基板Ｗの速度（例えば回転速度）又はジェットの処理パラメータを相応に制御することができる。センサは、光学検出器、例えばビデオカメラを備えてよい。以下で述べる図１７及び図１８は、このようなシステムを示す。
【００５５】
[0073]  密封コーティング１０６を適用する他の方法は、刷毛塗り(brushing)、連続ジェットでのニードル分配(needle dispensing)などである。しかし、１つ又は複数の以下の（又は他の）理由により、ジェット技術が有利である。ジェットは、ジェットからの材料が基板Ｗの下面にたどり着けないような方法（角度）で配置することができる。これは、ニードル分配で困難となることがある。基板Ｗと直接接触する必要がなく、これは密封コーティング１０６の刷毛塗り用途での問題となる相互汚染の危険性を低下させる。ジェット技術では使用する材料が少なく、したがって最小量の材料を使用することにより効率を達成することができる。使用される材料が少量で、プロセスの制御が良好であるので、基板Ｗの裏側洗浄ステップを含む必要がないことがある。これは時間と材料をさらに節約する。ジェット技術は高度の精度を有する。また、基板Ｗは、基板の事前位置合わせを補助するために、その外周に切り欠きを有することが多い。切り欠きの周囲の区域は、他の技術でコーティングすることが困難なことがある。しかし、これは良好な制御によりジェットで容易に達成される。
【００５６】
[0074]  図８から図１２は、本発明の態様による密封コーティング１０６の実施形態を示す。特に密封コーティング１０６の形状に関して、他の幾何形状が可能である。図１１は、トップコート１０４が存在しない代替例を示す。レジスト１０２はトップコートがないレジストでよい。本発明は、基板Ｗ上の層１００、１０２、１０４のタイプ又は数に、又は基板Ｗの縁部の詳細に限定されるとは見なされない。例えば、本発明の実施形態は、レジスト１０２上の全体に延在しないトップコート１０４を有してよい。その場合、密封コーティング１００６は、トップコート１０４とレジスト１０２の間のインタフェースでもある、あるいはレジスト１０２とＢＡＲＣ層１００及び／又はＢＡＲＣ層１００と基板Ｗの間のインタフェース上にあってよい。実施形態では、ＢＡＲＣ層１００が存在しなくてよい。また、様々な層の縁部の構成は、基板Ｗの周囲で変化してよい。本発明の実施形態では、トップコート及びレジストがＢＡＲＣ上に載るか、トップコートがレジスト上に延在することが需要ではない。これは、密封コーティングが十分に強力で、ＢＡＲＣに付着していなくても、レジスト又はトップコートの縁部が剥がれ落ちるのを防止できるほど十分に良好な接着力を有するからである。
【００５７】
[0075]  密封コーティング１０６は、以下の２つの要素、つまりＢＡＲＣ／基板、レジスト／基板、トップコート／基板、ＢＡＲＣ／レジスト、ＢＡＲＣ／トップコート、及びレジスト／トップコートのいずれかの間にあるインタフェース上にあってよい。このリストは網羅的ではなく、限定的とは見なされない。
【００５８】
[0076]  図７は、トップコート層がＢＡＲＣ層１００上にあるように、トップコート層１０４の縁部がレジスト層１０２の縁部を越えて延在する実施形態を示す。しかし、トップコート層１０４は、ＢＡＲＣ層１００の縁部を越えて延在しない。この実施形態では、密封コーティング１０６が基板Ｗの縁部に存在する。密封コーティング１０６は、ＢＡＲＣ層１００と基板Ｗのインタフェースを覆う。密封コーティング１０６は、ＢＡＲＣ層１００とトップコート１０４の間のインタフェースも覆う。（単一の帯の形態の）密封コーティング１０６に使用される材料の量は最小限に抑えられる。
【００５９】
[0077]  図７に示すような密封コーティングは、単一の部片又は帯として図示されている（基板の全周に延在する）。そうである必要はない。例えば、基板の周囲に密封コーティングの２つの帯が存在してよい。つまり、一方の帯が基板ＷとＢＡＲＣ層１００の間のインタフェースに存在する。他方の帯は、ＢＡＲＣ層１００とトップコート層１０４の間に存在する。さらに、密封コーティング１０６は、周囲に連続的に存在していなくてよい。例えば、密封層が基板の特定の方向にある必要はない。例えば、層の縁部が非スキャン方向に対して直角である位置に、密封コーティング１０６が存在する必要はない。
【００６０】
[0078]  図８は、密封コーティングの材料の量が図７に示した実施形態より多い実施形態を示す。これによって、基板の縁部の断面プロファイルを滑らかにすることができる。これは、基板上に液浸液が流れるのに役立つことができる。
【００６１】
[0079]  図９は、密封コーティング１０６がトップコート層１０４とＢＡＲＣ層１００の間のインタフェースにのみ存在する実施形態を示す。この実施形態では、密封コーティング１０６が、ＢＡＲＣ層１００とトップコート層１０４の間の段差を滑らかにするようなプロファイルにされる。さらに、密封コーティング１０６は、トップコート層１０４の縁部上に少なくとも部分的に延在する。実際、密封コーティング１０６は、トップコート層１０４の縁部上の全体に延在する。
【００６２】
[0080]  図１０は、密封コーティング１０６がＢＡＲＣ層１００と基板Ｗの間のインタフェースのみを覆う実施形態を示す。密封コーティング１０６は、ＢＡＲＣ層１００の高さと同じ高さを有するように作成される。図１０の実施形態の製造中に、密封コーティング１０６は、ＢＡＲＣ層１００の直後に、又はレジスト層１０２又はトップコート層１０４を適用する直前に適用することができる。密封層１０６は、最終ステップで、又はレジスト層１０２又はトップコート層１０４を適用した直後に適用することができる。
【００６３】
[0081]  図１１は、トップコートが存在せず、したがってレジスト１０２がトップコートのないレジストでよい実施形態を示す。このようなレジストは、液浸液に対して高い疎液性、例えば疎水性を有することができる。この実施形態では、密封コーティング１０６が、ＢＡＲＣ層１００と基板Ｗの間のインタフェース上に存在する。密封コーティング１０６は、レジスト層１０２とＢＡＲＣ層１００の間のインタフェース上にも存在する。ここで見られるように、密封コーティング１０６は、レジスト層１０２の上面を越えて延在する。
【００６４】
[0082]  図１２は、図７及び図８の実施形態と同様の実施形態を示す。図１２に見られるように、密封コーティング１０６は基板Ｗの縁部から下方へ十分延在する。例えば、密封コーティング１０６は基板の縁部を下方に１／１０から１／２だけ延在することができる。実施形態では、密封コーティング１０６は基板Ｗの縁部を下方に１／５から２／５だけ延在する。１つの実施形態では、密封コーティングは実質的に基板Ｗの縁部を覆う、実施形態の密封コーティングは、基板Ｗの縁部を下方に任意の距離を覆うことができ、このような距離は、基板の縁部の全周で同じでも異なってもよい。
【００６５】
[0083]  図１２の実施形態では、密封コーティング１０６の厚さはその断面を通して変化する。さらに、密封コーティング１０６はトップコート層１０４の頂部まで延在せず、レジスト層１０２の頂部ほど高くない。しかし、基板Ｗからトップコート層１０４への遷移は、密封コーティングがない場合に存在する段のプロファイルより滑らかである。
【００６６】
[0084]  以上で検討したように、本発明の実施形態によって理想的ではない層縁部の構成が可能である。図１３に示すように、トップコート層１４はレジスト１０２及びＢＡＲＣ１００層上を基板Ｗまで延在することができる。これは、密封コーティング１０６が基板Ｗとトップコート１０４の間のインタフェースに適用されるので、問題ではない。したがって、ここで見られるように、ＢＡＲＣ１００、レジスト１０２及びトップコート１０４層を適用する場合に、それほど注意を必要としない。層縁部の他の構成も可能である。
【００６７】
[0085]  幾つかの他の構成が、密封コーティング１０６の実施形態を示す図１４から図１６に図示されている。これらの実施形態はそれぞれ、密封コーティングが基板Ｗの縁部へと延在する点で、図１１に示す実施形態の変形である。しかし、図１４に示すように、密封コーティング１０６は、図１４に示すようなレジストの一体部品である。密封コーティング１０６はレジストであり、トップコートがないレジストでよい。密封コーティングは疎液性、例えば疎水性でよい。図１５では、密封コーティング１０６が基板Ｗの縁部上まで延在する。図１６では、密封コーティング１０６が基板Ｗの縁部上まで延在して、縁部全体を実質的に覆う。変形では、縁部の任意の中間の範囲を覆うことができる。図１４から図１６に示す実施形態の１つの変形では、密封コーティングが基板の側部を実質的に覆い、基板の中心部分を覆う。実施形態では、レジストの形態の密封コーティングが、異なるプロセス処理をされた異なる領域を備える。例えば、レジストの中心領域に対して、レジストの密封コーティング領域を処理して、基板Ｗ及び／又はＢＡＲＣ層１００に対するレジストの接着性を上げる。このような処理は、比較的低いベーキング温度でよい。処理は、化学添加剤を添加してもよい。例えば、ベーキングは、レジスト及び／又はトップコートと同じ温度でよく、これは通常、９０℃から１００℃の範囲でよい。
【００６８】
[0086]  図１７及び図１８は、ジェットを使用して密封コーティング１０６を適用できる方法を概略的に示す。図１７及び図１８は、密封コーティング測定装置が密封コーティング１０６の有無をチェックし、存在する場合は、正確に適用されているか（つまり何らかの欠陥の有無）をチェックできる方法も示す。
【００６９】
[0087]  図１７は、独立型密封コーティングアプリケータ及び測定ユニット３０が設けられた独立型（オフライン）の実施形態を示す。トラック３５が基板前処理ユニットからアプリケータ及び測定ユニット３０へと通じる。別のトラック３６が基板Ｗをアプリケータ及び測定ユニット３０からリソグラフィ装置ＬＡへと運ぶ。最終トラック３７は、基板Ｗをリソグラフィ装置ＬＡから運び去る。
【００７０】
[0088]  図１８は、密封コーティングを適用し、リソグラフィ装置ＬＡ内で測定する実施形態を示す。この実施形態はインラインと見なすことができる。
【００７１】
[0089]  他の構成も可能である。例えば、密封コーティング１０６をトラック３５の上流で適用し、リソグラフィ装置ＬＡに入る前に測定するか、リソグラフィ装置ＬＡに入ってから測定することができる。
【００７２】
[0090]  図１７では、基板Ｗを基板ハンドラ５０に装着し、これは制御装置５１の制御下で基板Ｗ（矢印５２で図示）を基板Ｗと同一平面の面で回転するような構成である。ジェット４０は、基板Ｗが基板ハンドラ５０で回転するにつれて、その縁部に材料の小滴を適用し、上述したようなジェット技術を使用して密封コーティング１０６を形成する。ジェット４０は制御装置４１に制御される。制御装置４１は、基板ハンドラ５０の制御装置５１からの制御信号を送信（又は信号を受信）することもできる。ジェット４０の制御装置４１も、センサ４２から情報を受信する。センサ４２は、ジェット４０によって放出された小滴を検出する。放射源４３を設けて、小滴を照明することができる。放射源４３は光源でよい。センサ４２はビデオカメラでよい。センサ４２からの信号は、制御装置４１にフィードバックされる。制御装置４１は、必要に応じてジェット４０を制御するか、基板ハンドラ５０の制御装置５１に命令するか、ジェット４０の制御と基板ハンドラ５０の制御装置５１への命令を両方とも実行して、パラメータを変更することができる。例えば、フィードバックループを使用することができる。代替的又は追加的に、基板ハンドラ５０の制御装置５１が制御装置４１に情報を提供する場合、フィードフォワードループを使用することができる。プロセスの全体的な使用者制御のために、ユーザインタフェース７０を設けることができる。
【００７３】
[0091]  密封コーティングアプリケータ及び測定ユニット３０内には、検出器６０及び放射源６１も存在する。放射源６１は光源でよい。放射源６１は、検出器６０が反射した放射を測定できるように、密封コーティング１０６を照明する。検出器６０は、基板Ｗの縁部上の密封コーティング１０６の存在などを検出する。検出器６０は、密封コーティング１０６の欠陥を検出することができる。例えば、密封コーティング１０６は、基板Ｗの全周で適切な層１００、１０２、１０４の縁部と重ならないように適用されていることがある。制御装置６２を設けて、検出器６０を制御し、検出器６０からの信号を受信する。制御装置６２は、メモリ６３及び処理装置６４を備える。処理装置６４は、密封コーティング１０６が存在する、存在しない、又は欠陥があることを使用者に示すか、密封コーティング１０６の存在が検出されないか、密封コーティング１０６の欠陥が検出された場合に、（基板Ｗを不合格にするなど）他の措置を執ることができる。制御装置６２は、基板ハンドラ５０の制御装置５１との間で制御信号を送信するか、制御信号を受信する。さらに、制御装置６２はユーザインタフェース７０に接続される。検出器６０はビデオカメラを備えてよい。使用可能な別のセンサは、暗／明視野検出器、容量性センサ、ＣＣＤセンサ又は近接センサである。
【００７４】
[0092]  放射源４３及び６１は、レジスト１０２を露光しない任意の波長でよい。例えば、可視光を使用することができる。
【００７５】
[0093]  検出器６０の利点は、適切に処理されなかった基板Ｗを不合格にし、それによってリソグラフィ装置ＬＡの汚染を回避できることである。検出器６０から否定的な結果があると（例えば密封コーティング１０６が存在していない、又は密封コーティング１０６に欠陥がある）、例えば測定中の基板Ｗをリソグラフィ装置ＬＡから再誘導し、新しい基板Ｗを選択することができる。代替的又は追加的に、密封コーティング１０６を適用するために、基板Ｗを密封コーティングアプリケータステーションに誘導することができる。
【００７６】
[0094]  図１８は、リソグラフィ装置ＬＡ自体の中に密封コーティングアプリケータ及び測定ユニット３０を設けた実施形態を示す。検出器６０及びジェット４０は、図１７の実施形態に関して述べたものと同じである。しかし、基板ハンドラ５０は、いかなる場合もリソグラフィ装置ＬＡ内に存在するプレアラインメントユニットでよい。プレアラインメント（及び密封コーティング１０６の適用及び／又は測定）の後、基板Ｗを第一基板テーブルＷＴ１へと搬送する。基板Ｗは、投影システムＰＳの下を運ばれ、液体閉じ込め構造ＩＨが露光される前に、第一基板テーブルＷＴ１から基板Ｗを測定する（レベリングする）測定ユニットＭＳへと運ばれる。例えば露光中に、第二基板テーブルＷＴ２上の測定ステージＭＳで第二基板を測定することができる。
【００７７】
[0095]  実施形態では、密封コーティング１０６の存在の検出がより容易になるように、密封コーティング１０６の材料に添加剤を添加することができる。
【００７８】
[0096]  第一態様では、リソグラフィ投影装置で使用する基板が提供され、基板は、基板上の２つの層の間、又は層と基板の間の第一インタフェースの少なくとも一部を覆い、基板の中心部分まで延在しない密封コーティングを備える。任意選択で、第一態様では、密封コーティングがさらに、基板上の２つの層の間、又は層と基板の間の第二インタフェースの少なくとも一部を覆い、第二インタフェースが第一インタフェースとは異なる。任意選択で、第一態様では基板が外層としてトップコートを備える。第一インタフェースは、トップコートとトップコートのすぐ下の層の間、又はトップコートと基板の間にあることが望ましい。任意選択で、第一態様では層の１つがレジスト層を備える。第一インタフェースは、レジスト層とレジスト層のすぐ隣の層の間、又はレジスト層と基板の間にあることが望ましい。任意選択で、第一態様では層の１つが下層反射防止膜を備える。第一インタフェースは、下層反射防止膜と基板の間、又は下層反射防止膜と下層反射防止膜の上にある層との間にあることが望ましい。任意選択で、第一態様では密封コーティングが絶縁保護コーティング、アクリル性コーティング、シリコーン系コーティング、変性トップコートコーティング、変性レジストコーティング、又はプライマから選択された少なくとも１つの材料を含む。任意選択で、第一態様では密封コーティングの縁部が、基板の縁部まで延在する。密封コーティングの縁部は基板の縁部上まで延在することが望ましい。密封コーティングの縁部は、基板の縁部を実質的に覆うことが望ましい。任意選択で、第一態様では密封コーティングが、基板の断面プロファイルを平滑化する。任意選択で、第一態様では密封コーティングは基板に対して層よりも良好な接着性を有する。任意選択で、第一態様では密封コーティングは、層を損傷せずに除去可能である。
【００７９】
[0097]  第二態様では、リソグラフィの基板を準備する方法が提供され、方法は、１つ又は複数の層を基板に適用し、基板の中心部分に延在せずに、基板上の２つの層の間、又は層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために密封コーティングを適用することを含む。適用することは、不連続的な流体の流れを基板に適用することによって実行することが望ましい。
【００８０】
[0098]  第三態様では、デバイス製造方法が提供され、方法は、基板の中心部分に延在せずに、基板上の２つの層の間、又は層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために密封コーティングを適用し、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することを含む。方法はさらに、投影する前に密封コーティングの存在及び／又は欠陥を検出することを含むことが望ましい。放射ビームは、基板の上面上で液浸液を通過することが望ましい。
【００８１】
[0099]  第四態様では、リソグラフィ投影装置で使用する基板が提供され、基板は、層と基板の間の第一インタフェースの少なくとも一部を覆う密封コーティングを備え、密封コーティングは基板の縁部まで延在する。任意選択で、第四態様では密封コーティングが基板の縁部上まで延在する。密封コーティングは、基板の縁部全部を実質的に覆うように延在することが望ましい。任意選択で、第四態様では密封コーティングはレジストを備える。密封コーティングはトップコートがないレジストを備えることが望ましい。任意選択で、第四態様では密封コーティングが基板の一方側を実質的に覆う。任意選択で、第四態様では密封コーティングが７０°から９０°の後退接触角を有する。後退接触角は８０°と８５°の間であることが望ましい。
【００８２】
[00100]  第五態様では、リソグラフィの基板を準備する方法が提供され、方法は、基板に層を適用し、層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために密封コーティングを適用することを含み、密封コーティングは基板の縁部まで延在する。
【００８３】
[00101]  第六態様では、デバイス製造方法が提供され、方法は、層と基板の間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために、基板の縁部まで延在する密封コーティングを適用し、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することを含む。
【００８４】
[00102]  第七態様では、密封コーティングが基板の縁部まで延在するように、基板と基板上の層との間のインタフェースの少なくとも一部を覆うために、密封コーティングを適用する密封コーティングアプリケータが提供され、密封コーティングアプリケータは、密封コーティングを形成するために不連続的な流体の流れを配量するジェットと、基板を移動させる基板ハンドラとを備える。
【００８５】
[00103]  第八態様では、基板の密封コーティングの存在及び／又は欠陥を検出する密封コーティング測定装置が提供され、密封コーティング測定装置は、密封コーティングによって反射した放射を検出する検出器と、基板を移動させる基板ハンドラとを備える。
【００８６】
[00104]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００８７】
[00105]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍ、あるいはその辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００８８】
[00106]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
【００８９】
[00107]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。装置を制御するために、少なくとも１つの制御装置を設けることができる。本明細書で言及する１つ又は複数の異なる制御装置は、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された少なくとも１つのコンピュータ処理装置が１つ又は複数のコンピュータプログラムを読み取った場合に、動作可能にすることができる。１つ又は複数の処理装置は、制御装置の少なくとも１つと通信するように構成され、それによって制御装置は、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令にしたがって動作する。各制御装置は、本発明を実現するコンピュータプログラムの１つ又は複数に従って、装置の少なくとも１つのコンポーネントを操作することができる。
【００９０】
[00108]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に排他的ではないが以上で言及したタイプに、液浸液を槽の形態で、基板の局所的な表面区域にのみに提供するか、閉じ込められないかにかかわらず適用することができる。閉じ込められない構成では、液浸液は、実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れるように、基板及び／又は基板テーブルの表面上を流れることができる。このような閉じ込められない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めないか、ある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【００９１】
[00109]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造体、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面は、基板及び／又は基板テーブルの一部でよい、又は空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆うことができる、又は空間が基板及び／又は基板テーブルを囲むことができる。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、性質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含んでよい。装置を制御するために、１つ又は複数の制御要素を設けることができる。制御装置は、１つ又は複数のコンピュータプログラムを実行するように動作できる処理装置を有することができる。
【００９２】
[00110]  装置に使用される液浸液は、使用される露光放射の所望の特性及び波長に従って様々な組成を有することができる。１９３ｎｍという露光波長では、超純水又は水性組成を使用することができ、この理由から、液浸液を水と呼ぶことがあり、親水性、疎水性、湿度などの水に関連する用語を使用することができるが、より包括的であると見なされたい。このような用語は、フッ素を含む炭化水素など、使用可能な他の屈折率が高い液体にも拡張されるものとする。
【００９３】
[00111]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】[0023]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0024]  リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。
【図３】[0025]  リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。
【図４】[0026]  リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示した図である。
【図５】[0027]  さらなる液体供給システムを示した図である。
【図６】[0028]  自身上に３つのコーティングがある基板を示した断面図である。
【図７】[0029]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図８】[0030]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図９】[0031]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図１０】[0032]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図１１】[0033]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図１２】[0034]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図１３】[0035]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図１４】[0036]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図１５】[0036]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図１６】[0038]  本発明の実施形態による基板を示した断面図である。
【図１７】[0039]  本発明の実施形態による密封コーティングアプリケータ及び密封コーティング測定装置を示した断面図である。
【図１８】[0040]  本発明の実施形態による密封コーティングアプリケータ及び密封コーティング測定装置を示した断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【外国語明細書】
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