(57)【要約】【課題】ペリクル膜の再貼付を要さず、ペリクル膜に悪影響を及ぼすことなく容易且つ確実に、フォトマスクに発生した異物を除去し、又はフォトマスクにおける異物の生成を当該異物が微小な段階で抑止して、フォトマスクを信頼性の高い露光に供する。【解決手段】光出射部２は、干渉フィルタ１２を介して、異物１０の主成分となる硫酸アンモニウムは吸収し、且つレチクル２０の構成要素であるペリクル膜２２ｂ（例えばフッ素系樹脂を材料とする。）及び基板２１（例えば石英を材料とする。）が吸収しない波長３．２μｍ付近（３．２μｍを中心として３．０μｍ〜３．４μｍ程度の波長）の赤外線を異物１０に照射する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にマスクパターンを備え、前記マスクパターンを覆う保護膜が設けられてなるフォトマスクの処理方法であって、
前記基板の所定部位に、異物は吸収し且つ前記保護膜は吸収しない波長の光を照射することを特徴とするフォトマスクの処理方法。
【請求項２】
前記異物が硫酸アンモニウムからなり、前記光が３．２μｍを中心とする３．０μｍ〜３．４μｍの範囲内の波長の赤外線であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの処理方法。
【請求項３】
前記基板の表面に生成された前記異物に対して、前記光を局所的に照射することを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクの処理方法。
【請求項４】
前記基板の表面の少なくとも一部の領域に対して、前記光を走査して照射することを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクの処理方法。
【請求項５】
フォトマスクを載置する基台と、
前記フォトマスクに発生する異物は吸収し且つ前記保護膜は吸収しない波長の光を出射する光出射部と
を含むことを特徴とするフォトマスクの処理装置。
【請求項６】
前記異物が硫酸アンモニウムからなり、
前記光出射部は、３．２μｍを中心とする３．０μｍ〜３．４μｍの範囲内の波長の赤外線を出射することを特徴とする請求項５に記載のフォトマスクの処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、半導体デバイス等を製造する際に用いるフォトマスクの処理方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の超微細化半導体集積回路や磁気ヘッド等の磁気素子の製造においては、非常に微細なデバイスパターンの形成が要求されている。微細なデバイスパターンを基板上のレジストに露光するためには、例えば２００ｎｍ以下の短波長光を出射し、且つ大きな開口数の光学系を使用する。このような光学系としては、例えばＡｒＦエキシマレーザ（レーザ光波長：１９３ｎｍ）が用いられる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１６６９７０号公報
【特許文献２】特開２００６−１１０４８号公報
【特許文献３】特開平６−２０２２４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＡｒＦエキシマレーザ光のような短波長の光は高いエネルギーを有するため、フォトマスクであるレチクルの基板表面或いは基板周辺の環境に存在する硫酸系物質及びアンモニア系物質の化学反応を引き起こす。この化学反応により、レチクルの表面に、いわゆるヘイズ（Haze）と呼ばれる硫酸アンモニウムを主成分とする結晶性の異物が生成される。
【０００５】
従来より、レチクルの基板表面及び基板周辺の環境に存在する、異物発生の原因物質を減少させる対策が採られてきたが、先端微細品種のウェーハ露光で使用するＡｒＦ光はエネルギーが高いため、異物の発生を完全に抑えることが出来ずに問題となっている。この異物は大きいものでは数μｍサイズに成長するため、デバイスパターンと共にレジストに転写されてしまうという問題がある。これは、半導体デバイス等における不良発生の主因の１つとされている。
【０００６】
この異物は、ペリクルフレーム及びペリクル膜からなるペリクル部で外界と隔てられた基板表面のパターン形成部にも、基板裏面等にも発生する。どちらの場合でも異物を除去するには、一旦ペリクル膜を剥離し、レチクルを洗浄して異物を除去した後に再度ペリクル膜を貼付している。そのため、ペリクル膜の再貼付に要する手間や費用、当該再貼付作業の間には、そのレチクルを使用できなくなること等が問題となっている。
【０００７】
この問題に対処すべく、以下のようないくつかの技術が案出されている。
特許文献１には、真空或いは減圧チャンバーへ搬送時に、フォトマスクに付着したパーティクル（塵芥）にマイクロ波又は赤外線を照射し、パーティクルを燃焼させる技術が開示されている。
しかしながらこの場合、異物のみならずにペリクル膜も加熱され、ペリクル膜に深刻な影響を与えるため、ペリクル膜が設けられたレチクルには適用することはできない。
【０００８】
特許文献２には、フォトマスクの製造時において、熱処理、光照射処理、及び表面酸化処理の１種又は２種以上の処理を組み合せて、フォトマスクのアンモニウムイオンの生成防止処理を行う技術が開示されている。
特許文献２のように、フォトマスクの製造時に異物発生を防止することも有効であろうが、この手法では、製造されたフォトマスクを用いて露光を行う際に、フォトマスクの周辺環境から供給される物質によって発生する異物には対処できない。
【０００９】
特許文献３には、二硫化硫黄の吸収する波長をバンドパスフィルタ及びミラー部材の反射率により低下させ、硫酸アンモニウムの白色粉末を発生させる化学反応を抑制する開示されている。
しかしながら、この手法は露光装置の波長を制限して異物発生を抑制する方法であり、ＡｒＦエキシマレーザ光のような短波長の光を用いる露光には適用できない。
【００１０】
本件は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、ペリクル膜の再貼付を要さず、ペリクル膜に悪影響を及ぼすことなく容易且つ確実に、フォトマスクに発生した異物を除去し、又はフォトマスクにおける異物の生成を当該異物が微小な段階で抑止して、フォトマスクを信頼性の高い露光に供することを可能とするフォトマスクの処理方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本件のフォトマスクの処理方法は、基板の表面にマスクパターンを備え、前記マスクパターンを覆う保護膜が設けられてなるフォトマスクの処理方法であって、前記基板の所定部位に、異物は吸収し且つ前記保護膜は吸収しない波長の光を照射する。
【００１２】
本件のフォトマスクの処理装置は、フォトマスクを載置する基台と、前記フォトマスクに発生する異物は吸収し且つ前記保護膜は吸収しない波長の光を出射する光出射部とを含む。
【発明の効果】
【００１３】
本件によれば、ペリクル膜の再貼付を要さず、ペリクル膜に悪影響を及ぼすことなく容易且つ確実に、フォトマスクに発生した異物を除去し、又はフォトマスクにおける異物の生成を当該異物が微小な段階で抑止して、フォトマスクを信頼性の高い露光に供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
―本件の基本骨子―
本件では、基板にペリクル膜が貼付された状態で、ペリクル膜に影響を与えることなくフォトマスクに発生した異物を除去すべく、異物は吸収し且つペリクル膜は吸収しない波長の光を、当該異物に照射する。フォトマスクに発生する異物は、硫酸アンモニウムを主成分とするものが多い。この場合、硫酸アンモニウムが吸収するが、ペリクル膜等の他の物質が吸収しない波長の光、例えば赤外線を異物に照射して加熱分解し、異物を消散除去する。
上記のような特定域の波長の赤外線は、波長変換レーザ又は赤外線ランプ等を光源とし、この光源から特定域の波長のみの光を透過させる干渉フィルタを介して出射される。
【００１５】
図１に示すように、異物の主成分となる硫酸アンモニウムは（ａ）の波数３１００ｃｍ-1及び（ｂ）の１０００ｃｍ-1付近、波長としては３．２μｍ及び１０μｍ付近に赤外線を吸収するピークを持つ。波長１０μｍ付近の赤外線はペリクル膜が吸収する。そのため、ペリクル膜（例えばフッ素系樹脂を材料とする。）及び基板（例えば石英を材料とする。）が吸収しない波長３．２μｍ付近（３．２μｍを中心として３．０μｍ〜３．４μｍ程度の波長）の赤外線を、フォトマスク上の異物に照射する。この赤外線の照射により、ペリクル膜には影響を与えずに硫酸アンモニウムを選択的に効率良く加熱することができる。硫酸アンモニウムは、１２０℃〜１５０℃、乃至は１５０℃以上に加熱することで分解し、最終的には硫黄化合物、窒素酸化物、アンモニア等の気体に分解されて消散除去される。
【００１６】
硫酸アンモニウムの熱による分解反応の一例を図２に示す。
硫酸アンモニウムの加熱により、硫酸水素アンモニウム及びアンモニアが生成され、アンモニアは気体となって除去される。
次に、硫酸水素アンモニウムの加熱により、亜硫酸水素アンモニウム、窒素、二硫化硫黄及び水が生成され、窒素、二硫化硫黄及び水は気体となって除去される。
そして、亜硫酸水素アンモニウムの加熱により、硫黄酸化物、窒素酸化物及びアンモニア等が生成され、これらは全て気体となって除去される。
【００１７】
本件では、生成された異物を除去するのみならず、走査型電子顕微鏡や高倍率の光学顕微鏡を備えた検査装置による検査により異物が確認されない場合でも、将来的に異物が生成されるか、或いは未だ確認できない程度の微細な異物が生成されているものとして、基板の表面の少なくとも一部の領域、例えばパターン形成領域に上記の光を照射する。この場合、当該領域内を走査するように照射することが好適である。この走査工程は、フォトマスクを用いた露光工程が終了した後に、適当なタイミングで行うことが好ましい。
【００１８】
この走査工程により、異物が当該異物として確認される程度のサイズに成長する前の微細発生段階で予防的に除去され、異物が転写に影響する大きさに成長することなく、常に異物の存在しない良好なフォトマスクとして露光工程に供することができる。
【００１９】
―本件を適用した好適な諸実施形態―
以下、本件を適用した具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
図３は、第１の実施形態によるフォトマスクの処理装置の概略構成を示す模式図である。
この処理装置は、フォトマスクであるレチクルが載置固定されるレチクルステージ１と、所定の波長の赤外線を出射する光出射部２と、レチクルステージ１に載置固定されたレチクルの位置調節を行うための制御部３とを備えている。
【００２１】
レチクルステージ１は、レチクルが載置固定される固定部１ａが設けられており、固定部１ａが位置決め可能に移動自在とされている。レチクルステージ１には、レチクルをその基板裏面を下面としペリクル膜を上面として載置することも、そのペリクル膜を下面とし基板裏面を上面として載置することも、いずれも可能とされている。
【００２２】
光出射部２は、波長変換レーザ又は赤外線ランプ等を有する光源１１と、光源１１から特定域の波長のみの光を透過させる干渉フィルタ（不図示）を含む照射レンズ１２とを備えている。
光源１１として用いられる波長変換レーザは、相異なる２種類の波長のレーザ光を出射する各レーザ機構と、非線形光学結晶とを有している。各レーザ機構から出射された２種類の波長λ1，λ2のレーザ光は、非線形光学結晶内で和周波又は差周波により第３の波長λ3（（１／λ3）＝（１／λ1）±（１／λ2））のレーザ光が生成される。光源１１の照射レンズ１２は、レチクルのペリクルフレームの厚み、例えば６．３ｍｍ以上のワーキングディスタンスを有している。
【００２３】
光出射部２は、干渉フィルタ１２を介して、異物の主成分となる硫酸アンモニウムは吸収し、且つフォトマスクの構成要素であるペリクル膜（例えばフッ素系樹脂を材料とする。）及び基板（例えば石英を材料とする。）が吸収しない波長３．２μｍ付近（３．２μｍを中心として３．０μｍ〜３．４μｍ程度の波長）の赤外線を出射することができる。光出射部２から出射する赤外線のスポットサイズは、異物の大きさに適合させるため、最大で例えば１０μｍ程度とされている。
【００２４】
制御部３は、レチクルステージ１の位置制御及び光出射部２の赤外線出射制御をそれぞれ行う。
レチクルステージ１の位置制御を行うには、制御部３は、レチクルステージ１の固定部１ａを移動制御し、固定部１ａに載置固定されたレチクルを、載置平面内のＸ，Ｙ方向で移動させて位置調節する。ここで、レチクルステージ１は、走査型電子顕微鏡や高倍率の光学顕微鏡を備えた検査装置からのレチクル上の異物の位置を示す情報に基づき、当該位置に光出射部２からの赤外線が照射されるように、レチクルステージ１に載置固定されたレチクルの位置調節を行う。
【００２５】
光出射部２の赤外線出射制御を行うには、制御部３は、レチクルステージ１の位置制御が完了した後の所定のタイミングで赤外線を出射する。ここで、制御部３は、異物のサイズ等に適合させて、光源１１からの光照射条件（照射パワー、照射時間、光出射部２から出射させる赤外線の波長等）を、例えば予め規定された所定の条件基準に従って設定するようにしても良い。
【００２６】
なお、制御部３は、上記のようにレチクルステージ１の位置調節に代わり、或いはこれと共に、検査装置からのレチクル上の異物の位置を示す情報に基づき、当該位置に光出射部２からの赤外線が照射されるように、光出射部２の位置調節を行うようにしても良い。
また、制御部３が光出射部２の赤外線出射制御を行うことなく、ユーザが光照射条件の設定や赤外線の出射のタイミング等を適宜調節するようにしても良い。
【００２７】
以下、上記の処理装置を用いた、レチクルに生成された異物の除去方法について説明する。
レチクルに発生する異物の生成部位としては、主に、ペリクル部により外界から隔てられた基板表面、特にパターン形成領域と、基板の裏面とが考えられる。
【００２８】
（１）レチクルのパターン形成領域に異物が生成された場合
図４は、第１の実施形態において、レチクルのパターン形成領域に生成された異物に赤外線照射を行う処理工程をステップ順に示すフロー図である。
図５は、レチクルのパターン形成領域に生成された異物に赤外線照射を行う様子を示す模式図である。
【００２９】
レチクル２０は、石英等からなり、表面にパターン形成領域２１ａを有する基板２１と、基板２１の表面を覆い外界から隔てるペリクル部２２とを備えている。
ペリクル部２２は、側壁を構成するペリクルフレーム２２ａと、フッ素系樹脂等からなり、ペリクルフレーム２２ａ上に貼付され、基板２１の表面からペリクルフレーム２２ａにより規制された距離を保ち基板２１の表面を覆うペリクル膜２２ｂとを備えている。ここでは、ペリクルフレーム２２ａには、ペリクル部２２の内部の雰囲気を外気と通気するための通気孔（不図示）が形成されている。
【００３０】
この場合、先ず、レチクルステージ１の固定部１ａに、フォトマスクであるレチクル２０を、基板２１の裏面を下面としペリクル膜２２ｂを上面として載置固定する（ステップＳ１）。
続いて、制御部３は、検査装置からのパターン形成領域２１ａ上の異物１０の位置を示す情報に基づいて固定部１ａを移動制御し、異物１０に光出射部２からの赤外線が照射される位置となるようにレチクルステージ１上のレチクル２０の位置調節を行う（ステップＳ２）。
【００３１】
続いて、制御部３によるレチクル２０の位置調節が完了したならば（ステップＳ３）、制御部３は、光出射部２の赤外線出射制御を行い、所定の光照射条件で赤外線をペリクル膜２２ｂを透過させて異物１０に照射する（ステップＳ４）。この赤外線は、異物の主成分となる硫酸アンモニウムは吸収し、且つ基板２１及びペリクル膜２２ｂが吸収しない波長３．２μｍ付近（３．２μｍを中心として３．０μｍ〜３．４μｍ程度の波長）の光である。この赤外線照射により、基板２１及びペリクル膜２２ｂには影響を与えずに硫酸アンモニウムからなる異物１０を選択的に効率良く加熱することができる。異物１０は、この赤外線照射により１５０℃以上に加熱されて分解し、最終的には硫黄化合物、窒素酸化物、アンモニア等の気体に分解されて、例えばペリクルフレーム２２ａに形成された通気孔から外気と置換されて外部へ消散除去される。
【００３２】
そして、異物１０の消散除去が終了したならば、制御部３は、光出射部２の赤外線照射を停止する（ステップＳ５）。
【００３３】
（２）基板の裏面に異物が生成された場合
図６は、第１の実施形態において、基板の裏面に生成された異物に赤外線照射を行う様子を示す模式図である。
この場合、上記のステップＳ１において、レチクルステージ１の固定部１ａに、フォトマスクであるレチクル２０を、ペリクル膜２２ｂを下面とし基板２１の裏面を上面として載置固定する
そして、上記のステップＳ２〜Ｓ５を順次実行し、基板２１の裏面に生成された異物１０を赤外線照射により消散除去する。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態によれば、ペリクル膜２２ｂの再貼付を要さず、基板２１及びペリクル膜２２等に悪影響を及ぼすことなく容易且つ確実に、レチクル２０に発生した異物１０を除去し、レチクル２０を信頼性の高い露光に供することが可能となる。
【００３５】
（第２の実施形態）
本実施形態では、検査装置による検査により異物が確認されない場合でも、将来的に異物が生成されるか、或いは未だ確認できない程度の微細な異物（例えば数１０ｎｍ以下のサイズのもの）が生成されているものとして、基板２１の表面の少なくとも一部の領域、例えばパターン形成領域２１ａに、パターン形成領域２１ａを走査するように上記の赤外線を照射（走査照射）する。
【００３６】
ここでは、図３に示したものと同様の処理装置を用いて、基板２１の表面のパターン形成領域２１ａに赤外線照射を行う。以下の走査工程は、レチクル２０を用いた露光工程が終了した後に、適当なタイミングで行うことが好ましい。
【００３７】
制御部３は、レチクルステージ１の固定部１ａを移動制御し、固定部１ａに載置固定されたレチクルを、ステップ・アンド・リピート方式で載置平面内のＸ，Ｙ方向で移動させる。
図７は、第２の実施形態において、レチクルのパターン形成領域を走査するように赤外線照射を行う処理工程をステップ順に示すフロー図である。図８は、パターン形成領域を赤外線で走査する様子を示す概略平面図である。
【００３８】
この場合、先ず、レチクルステージ１の固定部１ａに、フォトマスクであるレチクル２０を、基板２１の裏面を下面としペリクル膜２２ｂを上面として載置固定する（ステップＳ１１）。
続いて、制御部３は、レチクルステージ１の固定部１ａを移動制御し、固定部１ａに載置固定されたレチクルを、基板２１の表面のパターン形成領域２１ａにおける走査開始位置３１が、光出射部２からの赤外線の照射位置となるようにレチクルステージ１上のレチクル２０の位置調節を行う（ステップＳ１２）。
【００３９】
続いて、制御部３は、光出射部２の赤外線出射制御と、レチクルステージ１の固定部１ａの移動制御とを同時に行う（ステップＳ１３）。
詳細には、制御部３は、光出射部２の赤外線出射制御を行い、所定の光照射条件でペリクル膜２２ｂを透過させて赤外線の照射を開始する。ここでは、初期状態として走査開始位置３１に赤外線が照射される。
そして、レチクルステージ１の固定部１ａの移動制御を行い、固定部１ａに載置固定されたレチクルを、ステップ・アンド・リピート方式で載置平面内のＸ，Ｙ方向で移動させながら赤外線を照射する。例えば、図９の矢印Ａのように赤外線のスポットを蛇行するように移動させながら、パターン形成領域２１ａの全面に亘って走査照射する。
【００４０】
続いて、制御部３によるパターン形成領域２１ａの全面に亘る赤外線の走査照射制御が終了したならば（赤外線が走査終了位置３２に到達したことが制御部３により確認されたならば）（ステップＳ１４）、ステップＳ１５へ進む。ステップＳ１５では、制御部３は、走査照射制御を終了し、光出射部２の赤外線照射を停止すると共に、レチクルステージ１の固定部１ａの移動を停止する。
【００４１】
この走査工程により、異物が当該異物として確認される程度のサイズに成長する前の微細発生段階で予防的に除去され、異物が転写に影響する大きさに成長することなく、常に異物の存在しない良好なレチクル２０として露光工程に供することができる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態によれば、ペリクル膜２２ｂの再貼付を要さず、基板２１及びペリクル膜２２ｂ等に悪影響を及ぼすことなく容易且つ確実に、フォトマスクにおける異物の生成を当該異物が微小な段階で抑止して、レチクル２０を信頼性の高い露光に供することが可能となる。
【００４３】
なお、本実施形態では、上記の走査工程を基板２１の表面のパターン形成領域２１ａに対して行う場合について説明したが、本件はこれに限定されるものではない。例えば、パターン形成領域２１ａを含む基板２１の表面の全面を上記の赤外線で走査照射するようにしても良い。更には、基板２１の表面のみならず、基板２１の裏面に上記の赤外線を走査照射するようにしても好適である。
【００４４】
（本発明を適用した他の実施形態）
上述した処理方法の各ステップ（図４のステップＳ１〜Ｓ５、図７のステップＳ１１〜Ｓ１５等）は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭ等に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明に含まれる。
【００４５】
具体的に、前記プログラムは、例えばＣＤ−ＲＯＭのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、前記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワークシステムにおける通信媒体を用いることができる。ここで、コンピュータネットワークとは、ＬＡＮ、インターネットの等のＷＡＮ、無線通信ネットワーク等であり、通信媒体とは、光ファイバ等の有線回線や無線回線等である。
【００４６】
また、本発明に含まれるプログラムとしては、供給されたプログラムをコンピュータが実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるようなもののみではない。例えば、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）或いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。
【００４７】
例えば、図９は、パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。この図９において、１２００はＣＰＵ１２０１を備えたパーソナルコンピュータ（ＰＣ）である。ＰＣ１２００は、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶された、又はフレキシブルディスクドライブ（ＦＤ）１２１２より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行する。このＰＣ１２００は、システムバス１２０４に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【００４８】
ＰＣ１２００のＣＰＵ１２０１、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶されたプログラムにより、本実施形態の図４のステップＳ１〜Ｓ５、図７のステップＳ１１〜Ｓ１５の手順等が実現される。
【００４９】
１２０３はＲＡＭであり、ＣＰＵ１２０１の主メモリ、ワークエリア等として機能する。１２０５はキーボードコントローラ（ＫＢＣ）であり、キーボード（ＫＢ）１２０９や不図示のデバイス等からの指示入力を制御する。
【００５０】
１２０６はＣＲＴコントローラ（ＣＲＴＣ）であり、ＣＲＴディスプレイ（ＣＲＴ）１２１０の表示を制御する。１２０７はディスクコントローラ（ＤＫＣ）である。ＤＫＣ１２０７は、ブートプログラム、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶するハードディスク（ＨＤ）１２１１、及びフレキシブルディスク（ＦＤ）１２１２とのアクセスを制御する。ここで、ブートプログラムとは、起動プログラム：パソコンのハードやソフトの実行（動作）を開始するプログラムである。
【００５１】
１２０８はネットワーク・インターフェースカード（ＮＩＣ）で、ＬＡＮ１２２０を介して、ネットワークプリンタ、他のネットワーク機器、或いは他のＰＣと双方向のデータのやり取りを行う。
【００５２】
以下、本件の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５３】
（付記１）基板の表面にマスクパターンを備え、前記マスクパターンを覆う保護膜が設けられてなるフォトマスクの処理方法であって、
前記基板の所定部位に、異物は吸収し且つ前記保護膜は吸収しない波長の光を照射することを特徴とするフォトマスクの処理方法。
【００５４】
（付記２）前記異物が硫酸アンモニウムからなり、前記光が３．２μｍを中心とする３．０μｍ〜３．４μｍの範囲内の波長の赤外線であることを特徴とする付記１に記載のフォトマスクの処理方法。
【００５５】
（付記３）前記基板の表面に生成された前記異物に対して、前記光を局所的に照射することを特徴とする付記１又は２に記載のフォトマスクの処理方法。
【００５６】
（付記４）前記基板の表面の少なくとも一部の領域に対して、前記光を走査して照射することを特徴とする付記１又は２に記載のフォトマスクの処理方法。
【００５７】
（付記５）フォトマスクを載置する基台と、
前記フォトマスクに発生する異物は吸収し且つ前記保護膜は吸収しない波長の光を出射する光出射部と
を含むことを特徴とするフォトマスクの処理装置。
【００５８】
（付記６）前記異物が硫酸アンモニウムからなり、
前記光出射部は、３．２μｍを中心とする３．０μｍ〜３．４μｍの範囲内の波長の赤外線を出射することを特徴とする付記５に記載のフォトマスクの処理装置。
【００５９】
（付記７）前記基台に載置された前記フォトマスクを前記基台上で移動制御する制御部を更に含むことを特徴とする付記５又は６に記載のフォトマスクの処理装置。
【００６０】
（付記８）前記制御部は、前記光出射部から出射された前記光が、前記基台に載置された前記フォトマスクに発生した前記異物に照射するように、前記移動制御を行うことを特徴とする付記７に記載のフォトマスクの処理装置。
【００６１】
（付記９）前記制御部は、前記光出射部から出射された前記光が、前記基台に載置された前記フォトマスクの少なくとも一部の領域を走査照射するように、前記移動制御を行うことを特徴とする付記７に記載のフォトマスクの処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】異物の主成分となる硫酸アンモニウムの赤外線吸収スペクトルを示す特性図である。
【図２】硫酸アンモニウムの熱による分解反応の一例を示す説明図である。
【図３】第１の実施形態によるフォトマスクの処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図４】第１の実施形態において、レチクルのパターン形成領域に生成された異物に赤外線照射を行う処理工程をステップ順に示すフロー図である。
【図５】レチクルのパターン形成領域に生成された異物に赤外線照射を行う様子を示す模式図である。
【図６】第１の実施形態において、基板の裏面に生成された異物に赤外線照射を行う様子を示す模式図である。
【図７】第２の実施形態において、レチクルのパターン形成領域を走査するように赤外線照射を行う処理工程をステップ順に示すフロー図である。
【図８】第２の実施形態において、パターン形成領域を赤外線で走査する様子を示す概略平面図である。
【図９】パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  レチクルステージ
１ａ  固定部
２  光出射部
３  制御部
１０  異物
１１  光源
１２  照射レンズ
２０  レチクル
２１  基板
２１ａ  パターン形成領域
２２  ペリクル部
２２ａ  ペリクルフレーム
２２ｂ  ペリクル膜
３１  走査開始位置
３２  走査終了位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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