(57)【要約】【課題】組み立て工程中は基材とめっき層とが剥離等することなく、組み立て完了後は該基材とめっき層とが極めて容易に剥離等する半導体素子搭載用基板の製造方法を提供する。【解決手段】  金属製薄板からなる基材の両面にレジストを貼付すると共に、一方の面のレジストをめっき用マスキングとすることにより、所定のレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンから露出している基材上の所定の位置にエッチング加工を施す工程、エッチング加工が施された前記基材上に下側、中間および上側の３層以上からなるめっき層を形成する工程、基材の両面に貼付された前記レジストを剥離する工程、前記中間のめっき層にエッチング加工を施して上下のめっき層より狭くする工程、からなる半導体素子搭載用基板の製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製薄板からなる基材の両面にレジストを貼付すると共に、一方の面のレジストをめっき用マスキングとすることにより、所定のレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンから露出している基材上の所定の位置にエッチング加工を施す工程、エッチング加工が施された前記基材上に下側、中間および上側の３層以上からなるめっき層を形成する工程、基材の両面に貼付された前記レジストを剥離する工程、前記中間のめっき層にエッチング加工を施して上下のめっき層より中間のめっき層を狭くする工程、からなることを特徴とする半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属製薄板が板厚０．０５〜０．５ｍｍのステンレス鋼であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項３】
基材上の所定の位置に施される前記エッチング加工が、深さ３〜１０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項４】
基材上の所定の位置に施される前記エッチング加工に代えて、強酸性浴を用いて金めっき層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項５】
前記中間のめっき層に、その側面から中心方向に片側２〜１０μｍの範囲でエッチング加工が施され、その面積が下側のめっき層並びに上側のめっき層のそれぞれの面積に比較して、狭められることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項６】
前記下側のめっき層が金および／またはニッケルめっき、中間のめっき層が銅および／またはニッケルめっき、上側のめっき層がニッケル、金、銀、パラジウム並びにそれらの合金めっきであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
前記上側のめっき層の厚さが５μｍ以上の厚さで形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項８】
前記中間のめっき層に前記側面から中心方向へのエッチング加工が施されないめっき層を含むことで、上下めっき層より狭い中間のめっき層の中に凸部を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子搭載用基板の製造方法に係り、詳しくは金属製薄板からなる基材上に多層のめっき層を形成してなる半導体素子搭載用基板の製造方法において、組み立て工程中は基材とめっき層との密着性に優れ、組み立て完了後は該基材とめっき層の剥離が極めて容易な半導体素子搭載用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型・薄型化は年々進み、封止樹脂の裏面に外部との接続部（端子部）を有する半導体装置が増えてきた。このような半導体装置におけるパッド部や端子部は、銅系合金若しくは鉄・ニッケル合金に対してエッチング加工やプレス加工を施すことによって、所定のパターンに形成したリードフレームを用いることが一般的だった。然しながらこのようなリードフレームは、主として板厚０．１２５〜０．２０ｍｍの金属性薄板が使用され、これが半導体装置の薄型化を妨げる要因の一つとなっていた。
【０００３】
そこで近年、このリードフレームに代えて金属製薄板からなる基材の表面に０．１ｍｍ以下の厚さのめっき層を形成し、該めっき層をパッド部や端子部とする半導体素子搭載用基板が開発され、該半導体素子搭載用基板を用いて半導体装置を組み立てる製品が市場に出回っている。このめっき層によって基材上にパッド部や端子部を形成する半導体搭載用基板の一例として、予めエッチング可能な金属材料からなる基材を選択し、該基材上に金めっき層、ニッケルめっき層、金めっき層からなるパッド部および端子部を形成した半導体素子搭載用基板を得、前記パッド部に半導体素子を搭載すると共に、該半導体素子と前記端子部をワイヤボンディングにより連結し、樹脂封止等の組み立て工程を経た後、基材のみをエッチングによって取除く方法が提案（例えば、特許文献１参照）されている。
【０００４】
また、基材となる金属製薄板を樹脂封止体から引き剥がすことによって取除き、封止樹脂の裏面にめっき層によって形成された接続部を有する半導体素子搭載用基板についても数多くの提案がなされている。然しながらこのような半導体措置搭載用基板においては、基材となる金属製薄板と生成されためっき層との剥離性が悪く、例えば基材として銅系合金を用いた場合、機械的手段によっては容易に引き剥がすことができないため、樹脂封止後に金属製薄板である銅系合金を取除く手段としてエッチング処理が必要となり、これが製造工程を複雑にする要因となり経済性も悪かった。さらに、形成されたパッド部や端子部が引き剥がし除去した金属製薄板側に残ってしまうという問題が生じ、この剥離性を改善するために金属性薄板の表面に、予めブラスト処理を施して凹凸を設けた後にめっき処理する方法も提案（例えば、特許文献２参照）されている。ところが金属性薄板に対して凹凸を設けるという表面処理により、基材に反りが生じるという新たな問題が生じると共に、表面処理工程と剥離処理工程が加わって製造工程をより煩雑にするという問題が残されていた。
【０００５】
一方、基材となる金属製薄板としてステンレス鋼を採用し、樹脂封止後に該ステンレス鋼製薄板を引き剥がす場合においては、一般的に端子部を形成するめっき層のステンレス鋼に対する密着性が不十分となる上に、封止樹脂がステンレス鋼製薄板とめっき層の間に回りこむという問題があり、また、樹脂封止後にはパッド部や端子部となるめっき層が封止樹脂と密着し、封止樹脂から浮いた状態や剥離する事態が生じないようにすることが重要となるが、この封止樹脂とめっき層の密着性を向上させる手段として、めっき層の上端部周縁を庇状に張り出す方法（例えば、特許文献３参照）が開示されている。ところがこの方法によるとレジストの高さ以上にめっき層をオーバーハングさせて形成するため、庇状に張り出させるための長さのコントロールが容易でなく、隣接する端子部と繋がるという虞が生じる。封止樹脂と生成されためっき層の密着性を改善する他の手段として、端子部断面形状がエの字型となる基板を用いた半導体装置とその製造方法が開示（例えば、特許文献４参照）されている。より具体的には、金属箔の両面に所定のパターンで導電部を形成し、接着剤層を介して基材に貼り付けた後、導電部をエッチングマスクとして金属箔をエッチング処理することによって、断面形状がエの字型となる半導体素子搭載用基板を製造する方法であるが、新たな製造工程が加わることとなり、結果としては製造工程の煩雑化を招きコスト面において課題が残されていた。
【特許文献１】特開昭５９−２０８７５６号公報
【特許文献２】特開平１０−５０８８５号公報
【特許文献３】特開２００３−１７４１２１号公報
【特許文献４】特開２００４−２５３６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように基材として金属製薄板を用い、樹脂封止後に当該金属製薄板を引き剥がすことによって取除いて得られる上記の半導体素子搭載用基板においては、組み立て工程中はめっき層が金属製薄板から剥離せず、加えて封止樹脂が金属製薄板とめっき層の間に回りこむこと無く密着している必要があり、かつ、金属製薄板を引き剥がした後は、引き剥がした金属製薄板にパッド部や端子部となるめっき層が残らず、封止樹脂と密着して封止樹脂から浮いた状態や剥離する事態が生じないようにすることが重要な課題となる。即ち、金属製薄板とめっき層は組み立て工程が完了するまでは強固に密着し、金属製薄板の引き剥がしに際しては、当該金属製薄板とめっき層とが容易に剥離するという、相反する機能が要求されているが、本発明は基材を引き剥がす方法に用いる半導体素子搭載用基板の製造方法であって、上記の課題を併せて解決することを目的とするものであり、組み立て工程中は基材とめっき層とが剥離することなく、加えて封止樹脂が基材とめっき層の間に回りこむこともなくその密着性が強固に維持され、組み立て完了後は該基材とめっき層とが極めて容易に剥離し、取除かれた基材側にめっき層が残ることなく、封止樹脂と密着して該封止樹脂から浮いた状態や剥離する事態が生ずることのない半導体素子搭載用基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明による半導体素子搭載用基板の製造方法は、金属製薄板からなる基材の両面にレジストを貼付すると共に、一方の面のレジストをめっき用マスキングとすることにより、所定のレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンから露出している基材上の所定の位置にエッチング加工を施す工程、エッチング加工が施された前記基材上に、下側、中間および上側の３層以上からなるめっき層を形成する工程、基材の両面に貼付された前記レジストを剥離する工程、前記中間のめっき層にエッチング加工を施して上下のめっき層より狭くする工程、からなることを特徴的構成要件とする半導体素子搭載用基板の製造方法を要旨とするものである。
【０００８】
また、本発明による上記の半導体素子搭載用基板の製造方法において、前記金属製薄板が板厚０．０５〜０．５ｍｍのステンレス鋼であることを好ましい態様とするものである。
【０００９】
さらに、本発明による上記の半導体素子搭載用基板の製造方法において、基材上の所定の位置に施される前記エッチング加工が、深さ３〜１０μｍの範囲内であることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明による上記の半導体素子搭載用基板の製造方法はまた、基材上の所定の位置に施される前記エッチング加工に代えて、強酸性浴を用いて金めっき層を最初に形成することを特徴とするものである。
【００１１】
本発明による上記の半導体素子搭載用基板の製造方法はさらに、前記中間のめっき層に、その側面から中心方向に片側２〜１０μｍの範囲でエッチング加工が施され、その面積が下側のめっき層並びに上側のめっき層のそれぞれの面積に比較して、狭められることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明による上記の半導体素子搭載用基板の製造方法において、前記下側のめっき層が金および／またはニッケルめっき、中間のめっき層が銅および／またはニッケルめっき、上側のめっき層がニッケル、金、銀、パラジウム並びにそれらの合金めっきであることを特徴とするものである。
【００１３】
さらに、本発明による上記の半導体素子搭載用基板の製造方法において、前記上側のめっき層の厚さが５μｍ以上厚く形成されることを特徴とするものである。
【００１４】
また、中間のめっき層に側面から中心方向へのエッチング加工が施されないめっき層を含むことで、上下めっき層より狭い中間のめっき層の中に凸部を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の製造方法により製造された半導体素子搭載用基板を用いて半導体装置を組み立てた際、基板に生成されためっき層は、上側のめっき層が５μｍ以上の厚さを有し、かつ中間のめっき層が上下のめっき層より狭く形成されていることで、封止樹脂とめっき層とが優れた密着性を示し、基材を引き剥がした後に該めっき層が封止樹脂から浮いた状態や剥離する事態を生じることがなく、また、基材上に最初に形成されるめっき層は、特に通常使用されている弱酸性〜中性の浴に代えて強酸性浴による金めっき層であることで、基板との密着性が向上し、封止樹脂が基材とめっき層の間に回りこむことが無くなった。また、基材上の所定の位置に３〜１０μｍの深さでエッチング加工を施し、その部分にめっき層を形成することによって、封止樹脂が基材とめっき層の間に回りこむことをより一層防いでいる。このように本発明方法によって得られる半導体素子搭載用基板は、その製造方法が簡略な工程であるにも拘らず、生成されためっき層と封止樹脂との密着性に優れ、基材を引き剥がした後に引き剥がされた基材側にパッド部や端子部となるめっき層が残ることが無く、半導体素子搭載用基板として極めて優れた効果を奏するものであった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を添付した図面並びに実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれによって拘束されるものではなく、本発明の主旨の範囲内において自由に設計変更が可能である。
図１は本発明に基づく一実施例によって得られた半導体素子搭載用基板であって、（ａ）は基板上に３層のめっき層が施された状態を示す要部断面図、（ｂ）は５層のめっき層が形成された状態を示す要部断面図、（ｃ）は７層のめっき層で、中間のめっき層が凸部を有する複数のめっき層からなる状態の要部断面図である。
図２は基板上に複数組のめっき層を形成した状態を示し、（ａ）はその要部平面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大平面図である。
図３は本発明に基づく半導体素子搭載用基板の製造方法において、基板上に３層のめっき層を形成する手段を工程別に説明するための断面図で、（ａ）はレジストよりパターンを形成した状態、（ｂ）は基材にエッチング加工を施した状態、（ｃ）は基材上に３層のめっき層を施した状態、（ｄ）はレジストパターンを剥離した状態、（ｅ）は中間のめっき層にエッチング加工を施した状態をそれぞれ示す要部断面図である。
図４は本発明に基づく半導体素子搭載用基板の製造方法における樹脂封止後の基板の状態を示し、（ａ）は実施例１によって得られた基板であり、（ｂ）は同じく実施例２によって得られた基板を示す要部拡大断面図である。
図５は本発明に基づく半導体素子搭載用基板の製造方法における本発明のめっき層を説明する模式断面図であり、（ａ）は３種類のめっき層による５層構造の模式断面図、（ｂ）は３種類のめっき層による７層構造の模式断面図である。
【００１７】
本発明による半導体素子搭載用基板の製造方法の好ましい実施の形態を、工程順に従って説明すると、金属製薄板からなる基材としては、板厚が０．０５〜０．５ｍｍ、好ましくは０．１〜０．３ｍｍのステンレス鋼（ＳＵＳ４３０）からなる板材を基材として採用し、該基材の両面に感光性ドライフィルムからなるレジストを貼り付け、その後一方の面のレジストをめっきマスクとする処理を行い、基材上に所定のパターンを作製する。その後鉄液を用いて基材のめっきエリア部分に対して３〜１０μｍエッチング加工を施すが、このエッチング処理が３μより浅い場合は、封止樹脂が基材とめっき層の間に回り込むことがあり、また１０μｍより深いエッチング加工の場合は、基材を引き剥がした後に、基材側にパッド部や端子部となるめっき層が残ることがあるため、３〜１０μｍの深さでエッチング加工を行うことが望ましい。
【００１８】
エッチング加工された上記基材に、先ず一般的な弱酸性〜中性の浴の金めっきを施した後、その上にニッケルめっきを施し、さらにその上に銅めっき、ニッケルめっき、金めっきの順でめっき層を重ねて生成させることにより、金めっきとニッケルめっきとからなる下側のめっき層、銅めっきからなる中間のめっき層、ニッケルめっきと金めっきとからなる上側のめっき層による５層のめっき層、若しくは中間のめっき層が銅めっきとニッケルめっきを順次施した層からなる７層以上のめっき層が形成される。
【００１９】
次いで基材の両面に予め貼付されていたレジストを剥離し、中間のめっき層である銅めっき層の部分のみに片側２〜１０μｍエッチング加工を施すことで、図５に示される模式断面のめっき層が形成される。この側面のエッチング加工が２μｍより浅い場合には樹脂との密着性が不十分となり、逆に１０μｍより深い場合には上側のめっき層が部分的に下がり、その形状に崩れを生ずることが懸念されるところから、片側２〜１０μｍの範囲内でエッチング加工が施されることが望ましい。なお、上記のように中間のめっき層に対してエッチング加工が施されることにより、上側のめっき層を５μｍ以上の厚さとすることが必要となる。
【００２０】
また、本発明における半導体素子搭載用基板において、上記下側のめっき層における基材面側は、半導体装置をマザーボードなどに接続する部分となることから、はんだ付けが可能なめっきであることが必要であり、一方、上側のめっき層の最上層はワイヤボンディングされる部分となることから、ワイヤボンディングが可能なめっきであることが必要条件となる。上記のような条件を満たすために本発明による基板上のめっき層は、基材側から順番に、下側のめっき層を金めっき若しくはパラジウムめっき、中間のめっき層を銅めっき若しくはニッケルめっき、上側のめっき層をパラジウムめっき若しくは金めっきとすることなどが可能であり、下側、中間および上側のそれぞれの層は、単独または複数のめっき層で形成される。
【実施例１】
【００２１】
基材１１となる金属製薄板として、板厚が０．２ｍｍのステンレス鋼（ＳＵＳ４３０）を採用して、脱脂・酸洗浄処理を行った後、厚さ０．０２５ｍｍの感光性ドライフィルムレジスト１２をラミネートロールによって基材１１の両面に貼り付けた後、めっきマスク用のガラスマスクを基材１１の一方の面におけるドライフィルムレジスト１２の上から被せ、さらにその上から紫外光を照射することで露光して現像処理を行い、ドライフィルムレジスト１２による所定のパターンを作製した。
尚、このときのパターンは、めっき層を形成するめっきエリア４０として、図２に示すように３ｍｍ角のパッド部４１とその周囲に０．５ｍｍ角の端子部４２を１６個配置したものを準備し、このようなものを幅４０ｍｍの基材の中央付近に６×６個が一組になるように複数組みを並べて作製した。
【００２２】
次いで、基材上のめっきエリア４０に対してめっき前処理を施した後、ｐＨ０．１〜１．０の強酸性浴により金めっきを約０．１μｍ施し、その上からニッケルめっきを約１０μｍ施し、その上に銅めっきを約１０μｍ施し、さらにその上にニッケルめっきを約５μｍ施し、その上に弱酸性〜中性の浴により金めっきを約０．１μｍ施すことにより、基材側から順に薄い金めっき層と１０μｍのニッケルめっき層とからなる下側のめっき層２１、１０μｍの銅めっき層からなる中間のめっき層２２、５μｍのニッケルめっき層と０．１μｍの金めっき層とからなる上側のめっき層２３によって、基材上に実質的に３層のめっき層を形成した（金めっき層が薄いためカウントしていない）。
【００２３】
次に、基材１１の両面に予め貼付されていたドライフィルムレジスト１２を剥離し、水洗と乾燥を行った後、鉄液により中間のめっき層である銅めっき層に対し、その側面から中心部分に向かって片側約７μｍのエッチング加工を施した。これら一連の加工工程により上記のように基材上に金めっき層３１とニッケルめっき層３２の下側のめっき層２１と、銅めっき層３３の中間のめっき層２２とニッケルめっき層３４と金めっき層３５の上側のめっき層２３となるめっき層が形成され、中間のめっき層２２である銅めっき層３３が上下のめっき層より片側約７μｍ狭い、図１（ｂ）の要部断面を示す半導体素子搭載用基板を得た。
【００２４】
得られた本実施例による半導体素子搭載用基板を用いて、パッド部５４に半導体素子５１をダイボンド用ペーストを用いて搭載し、半導体素子５１の電極と端子部５２をワイヤボンディング５３した後、図４（ａ）に示すように３組が一つに封止されるように封止樹脂５５を用いた樹脂封止を行い（樹脂封止後の半導体素子搭載用基板５０参照）、樹脂硬化後に基材１１であるステンレス鋼を樹脂封止された部分から引き剥がし、引き剥がされたステンレス鋼側を詳細に観察した結果、めっき層が残っている部分は皆無であり、また、樹脂封止された部分でステンレス鋼と接していた金めっきの側には、封止樹脂５５の回り込みの痕跡や、封止樹脂５５からめっき層が浮いたり剥離することもなく、緊密に保持されていることが確認された。
【実施例２】
【００２５】
実施例１と同様基材の表面にドライフィルムレジストにより所定のパターンを形成した基材１１を用い、最初に基材１１のめっきエリア部分４０に対して鉄液によって深さ７μｍ程度のエッチング加工を施し、当該部分にエッチング部１３を形成した以外は、実質的に実施例１と同様の手段によって半導体素子搭載用基板を得た。得られた半導体素子搭載用基板を用い、パッド部５４に半導体素子５１をダイボンド用ペーストを用いて搭載し、半導体素子５１の電極と端子部５２をワイヤボンディングした後、図４（ｂ）に示すように３組が一つに封止されるように樹脂封止を行い（樹脂封止後の半導体素子搭載用基板５０参照）、樹脂硬化後に基材１１であるステンレス鋼を樹脂封止された部分から引き剥がした。引き剥がされたステンレス鋼側の表面を詳細に観察した結果、めっき層が残っている部分は皆無であり、また、樹脂封止された部分でステンレス鋼と接していた金めっきの側には、封止樹脂の回り込みの痕跡や、樹脂からめっき層が浮いたり剥離したりすることもなく、緊密に保持されていることが確認された。
【実施例３】
【００２６】
実施例１のステンレス鋼を銅合金に替えて同様のドライフィルムレジストによる所定のパターンを作製した基材１１を用いて、最初に基材１１のめっきエリア部分４０に対して鉄液によって深さ７μｍ程度のエッチング加工を施し、めっき前処理を行った後に、中性浴により金めっきを約３μｍ施し、その上にニッケルめっきを約６μｍ施し、さらにその上に銀めっきを約６μｍ施して、基材上に全体で約１５μｍのめっき層を形成し、その後基材表面に残されたドライフィルムレジストを剥離し、選択エッチングによりニッケルめっき層に対して約５μｍエッチング加工を施すことにより、本実施例による半導体素子搭載用基板を得た。得られた半導体素子搭載用基板を用いて、実施例１と同様にして樹脂封止を行い、樹脂硬化後に基材１１である銅合金をエッチング液にて溶解処理を行って形成しためっき層を含む樹脂を残した。その樹脂側のめっき層で銅合金と接していた金めっき部分には、封止樹脂の回り込みの痕跡もなく、樹脂からめっき層が浮いたり剥離したりする様子も見られず、緊密な状態で保持されていることが確認された。
【実施例４】
【００２７】
実施例１と同様のドライフィルムレジストによる所定のパターンを作製した基材１１を用いて、最初に基材１１のめっきエリア部分４０に対してめっき前処理を行った後に、ｐＨ０．１〜１．０の強酸性浴により金めっきを約０．１μｍ施し、その上からニッケルめっきを約５μｍ施し、その上に銅めっきを約５μｍ施し、さらにその上にニッケルめっきを約５μｍ施し、さらにその上に銅めっきを約５μｍ施し、さらにその上にニッケルめっきを約５μｍ施し、その上に弱酸性〜中性の浴により金めっきを約０．１μｍ施すことにより、めっき層が基材側から、金めっき層３１、ニッケルめっき層３２の下側のめっき層２１、中間のめっき層２２が銅めっき層３３ａ、ニッケルめっき層３３ｂ、銅めっき層３３ａという３層、その上にニッケルめっき層３４、金めっき層３５の上側のめっき層２３となる半導体素子搭載用基板を得た。
【００２８】
次に、ドライフィルムレジストを剥離し、アルカリエッチャントによって深さ６μｍ程度のエッチング加工を銅めっき層に施し、図１（ｃ）の要部断面とした。この得られた半導体素子搭載用基板を用いて、実施例１と同様にして樹脂封止を行い、樹脂硬化後に基材１１であるステンレス鋼を樹脂封止された部分から引き剥がした。引き剥がされたステンレス鋼側を観察した結果、めっき層が残っている部分は皆無であり、また、樹脂封止された部分でステンレス鋼と接していた金めっき層側には、封止樹脂の回り込みの痕跡もなく、樹脂からめっき層が浮いたり剥離したりする様子も見られず、緊密な状態で保持されていることが確認された。またリフローにてはんだ接合した後、破壊試験にて封止樹脂とめっき金属端子の固着強度を測定すると、実施例１、２、３の場合よりも高い強度が得られていた。
【００２９】
一方、さらに中間のめっき層を多層化すると、工程が煩雑となるし、生産性を落とさないようにするには各めっき層が薄くなり、エッチング加工した部分に封止樹脂が回り込みにくくなり、保持する効果が落ちるため、多くても本実施例の層数までが好適と考えられる。
このように、形成するめっき層の総合厚みを厚くする場合は、中間のめっき層を厚くする方法や、上下のめっき層を厚くする方法などがあるが、中間のめっき層の中にエッチング加工が施されないめっき層を含むことで、上下のめっき層と中間のめっき層の中の凸部形状を利用して、封止樹脂に保持される効果を向上させることができる。
【００３０】
本発明の半導体素子搭載用基板の製造方法において、基材上に形成される３層以上のめっき層としては、上記実施例の他に基材側から順番にして例えば、金めっき、銅めっき、金めっき（または金合金めっき）、または金めっき、パラジウムめっき、ニッケルめっき、パラジウムめっき、金めっき（または金合金めっき）、あるいは金めっき、パラジウムめっき、ニッケルめっき、金めっき、銀めっき（または銀合金めっき）、若しくは金めっき、パラジウムめっき、ニッケルめっき、パラジウムめっき（またはパラジウム合金めっき）など、適宜に組み合わせることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明方法によって得られる半導体素子搭載用基板は、その製造方法が簡略な工程であるにも拘らず、生成されためっき層と封止樹脂との密着性に優れ、基材を引き剥がした後に引き剥がされた基材側にパッド部や端子部となるめっき層が残ることが無く、半導体素子搭載用基板として極めて優れた効果を奏するものであるところから、当該産業分野において幅広く用いられることが期待される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に基づく一実施例によって得られた半導体素子搭載用基板であって、（ａ）は基板上に３層のめっき層が施された状態を示す要部断面図、（ｂ）は５層のめっき層が形成された状態を示す要部断面図、（ｃ）は７層のめっき層で、中間のめっき層が凸部を有する複数のめっき層からなる状態の要部断面図である。
【図２】基板上にレジストパターンによって複数組のめっき層を形成した状態を示し、（ａ）はその要部平面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大平面図である。
【図３】本発明に基づく半導体素子搭載用基板の製造方法において、基板上に３層のめっき層を形成する手段を工程別に説明するための断面図で、（ａ）はレジストよりパターンを形成した状態、（ｂ）は基材にエッチング加工を施した状態、（ｃ）は基材上に３層のめっき層を施した状態、（ｄ）はレジストパターンを剥離した状態、（ｅ）は中間のめっき層にエッチング加工を施した状態をそれぞれ示す要部断面図である。
【図４】本発明に基づく半導体素子搭載用基板の製造方法における樹脂封止後の基板の状態を示し、（ａ）は実施例１によって得られた基板であり、（ｂ）は同じく実施例２、３によって得られた基板を用いた要部拡大断面図である。
【図５】本発明に基づく半導体素子搭載用基板の製造方法における本発明のめっき層を説明する模式断面図で、（ａ）は３種類のめっき層による５層構造の模式断面図、（ｂ）は３種類のめっき層による７層構造の断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１１      基材
１２      ドライフィルムレジスト
１３      エッチング部
２１      下側のめっき層
２２      中間のめっき層
２３      上側のめっき層
３１，３５  金めっき層
３２，３３ｂ，３４  ニッケルめっき層
３３ａ      銅めっき層
４０      めっきエリア
４１      パッド部
４２      端子部
５０      樹脂封止後の半導体素子搭載用基板
５１      半導体素子
５２      端子部
５３      ワイヤボンディング
５４      パッド部
５５      封止樹脂
【図１】
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【図２】
2009135417.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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