(57)【要約】【課題】酸化物透明導電層のみの場合と比較して表面抵抗が小さく、また、外部からの力学的応力に対して高い耐久性を有するとともに高い耐熱性を有し、かつ、パターニング精度の高い導電性積層体を提供すること。【解決手段】透明高分子フィルム（Ｓ）の少なくとも一方の面に導電層が積層された導電性積層体において、前記導電層を、透明導電層（Ｅ）の表面に金属薄膜層（Ｍ）を有するものとし、前記透明導電層（Ｅ）を、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｆ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｔｅ、ＧｅおよびＷからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む非晶質の酸化物とし、前記金属薄膜層（Ｍ）を、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）を含むものとする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明高分子フィルム（Ｓ）の少なくとも一方の面に導電層が積層された導電性積層体であって、
前記導電層は、透明導電層（Ｅ）の表面に金属薄膜層（Ｍ）を有するものであり、
前記透明導電層（Ｅ）は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｆ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｔｅ、Ｇｅ、およびＷからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む非晶性の酸化物であり、
前記金属薄膜層（Ｍ）は、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）を含むものであり、
表面抵抗が２０Ω／□以下である導電性積層体。
【請求項２】
前記金属薄膜層（Ｍ）が、前記Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）の上に、Ｍｏを含む層（Ｍ−２）が積層されたものである請求項１に記載の導電性積層体。
【請求項３】
前記Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）の膜厚が、１０〜３００ｎｍであり、
前記Ｍｏを含む層（Ｍ−２）層の膜厚が、前記Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）の膜厚に対して１５〜８０％である請求項１または２記載の導電性積層体。
【請求項４】
前記導電層は、パターニングされたものであり、当該パターニングにおいて、前記金属薄膜層（Ｍ）のパターンの面積が、透明導電層（Ｅ）のパターンの面積の半分以下である請求項１から３記載の導電性積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性積層体に関し、さらに詳しくは、高性能で実装信頼性の高いフラットパネルディスプレイが得られる電極基板として有用な、導電性積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子等のフラットパネルディスプレイ分野においては、耐破損性の向上、軽量化、薄型化の要望から、従来のガラス基板に替えて透明高分子基板を用いる検討が進んでいる。そして透明高分子基板には、真空成膜法により、酸化インジウム、酸化錫、あるいは酸化亜鉛等を主成分とする透明導電層が形成され、透明導電性積層体としてディスプレイに適用される。
【０００３】
ここで、ガラス基板を用いて透明導電性積層体を形成する場合には、通常、透明導電層としてＩｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）が用いられる。そして、ＩＴＯ薄膜を結晶化させて表面抵抗を下げるためには、ＩＴＯ成膜時のガラス基板の温度を、１５０℃〜４００℃という高温にする必要がある。
【０００４】
これに対して高分子基板を用いて透明導電性積層体を形成する場合には、ガラス基板と比較して耐熱性が低いため、ＩＴＯ薄膜を成膜する場合の基板温度は、例えば１００℃以下といった比較的低温にしなければならなかった。したがって、高分子基板上に成膜されたＩＴＯ膜は、通常、非晶質なものとなり、ガラス基板上に成膜されたＩＴＯと比較して、表面抵抗が高くなるという問題が存在していた。
【０００５】
また、液晶表示素子等のフラットパネルディスプレイ、特にフレキシブルディスプレイの電極として、ＩＴＯ等の酸化物透明導電層を積層した高分子フィルムを使用する場合には、外部からの力学的応力や熱応力によって発生する微小なクラックや膜剥離等によって、配線の断線、表示むら、低耐久性等の品質劣化を招きやすいという問題が生じていた。
【０００６】
ここで、配線の低抵抗化を目的としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金の利用が広く知られている。さらに、アルミニウムまたはアルミニウム合金のヒロック生成の問題を解決するため、アルミニウムおよびアルミニウム合金の表面を高融点金属で覆って、二層構造の金属薄膜を有する積層体とすることも知られている。
【０００７】
例えば、特許文献１には、第二層として、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａからなる群より選ばれる金属またはそれらの合金によって、アルミニウム合金を覆った表示装置用アレイ基板が記載されている。特許文献１においては、このようなニ層構造の金属薄膜を形成することにより、アルミニウム合金のヒロックを防止するだけでなく、画素電極のドライエッチング時におけるアルミニウム合金膜の腐食を防止することができる。
しかしながら特許文献１においては、金属薄膜そのものを電極として用いるため、マイグレーションによる断線、短絡が発生しやすいという問題が残されていた。
【０００８】
そこで、透明薄膜と金属薄膜とを繰り返し積層することによって、断線や短絡を防止する方法が提案されている（特許文献２参照）。特許文献２においては、透明性が得られる程度にまで金属薄膜が薄くなっているため、得られる積層体は透明電極としても利用可能である。しかしながら、金属薄膜の膜厚が薄すぎるため、低抵抗化に対しては大きな改善はなく、また、繰り返し積層しなければならないという生産性の問題があった。
【０００９】
また、ＥＬ表示素子においては、発光体と透明導電層とが直接接触している場合に、早期より発光輝度が減退するという問題があった。これに対して、透明導電層上に金属膜を積層させることにより、発光輝度の減退を防止することが提案されている（特許文献３および４参照）。
しかしながら、特許文献３および４に記載された積層体においては、配線パターンを精密に加工することが困難であり、このため、マイグレーションによる断線のリスクが高く、信頼性の高い導電性積層体を得ることは未だ困難であった。
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−２５８６３３号公報
【特許文献２】特開２００６−１２０９１６号公報
【特許文献３】特開平０８−１９２４９３号公報
【特許文献４】特開平０９−０１１３９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記の従来技術を背景になされたものであり、酸化物透明導電層のみの場合と比較して表面抵抗が小さく、また、外部からの力学的応力に対して高い耐久性を有するとともに高い耐熱性を有し、かつ、パターニング精度の高い導電性積層体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた。その結果、特定の透明導電層上に特定の金属薄膜層を積層することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
すなわち本発明は、透明高分子フィルム（Ｓ）の少なくとも一方の面に導電層が積層された導電性積層体であって、前記導電層は、透明導電層（Ｅ）の表面に金属薄膜層（Ｍ）を有するものであり、前記透明導電層（Ｅ）は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｆ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｔｅ、Ｇｅ、およびＷからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む非晶性の酸化物であり、前記金属薄膜層（Ｍ）は、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）を含むものであり、表面抵抗が２０Ω／□以下である導電性積層体である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の導電性積層体は、表面抵抗が小さく、また、外部からの応力に対して高い耐久性を有し、かつ、パターニング精度が高いものである。このため、電気特性に優れるとともに、断線リスクを軽減し、高性能かつ高い実装信頼性を確保した導電性積層体となる。したがって、本発明の透明導電性積層体は、電子ペーパー等のフラットパネルディスプレイ用透明導電性基板として、非常に有益な積層体となる。
【００１５】
また、金属薄膜層を、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）とＭｏを含む層（Ｍ−２）との積層体とすることにより、高い湿熱環境信頼性を得ることができる。
【００１６】
加えて、Ｍｏを含む層（Ｍ−２）の膜厚を、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）の膜厚に対して１５〜８０％とすることにより、Ｍｏを含む層（Ｍ−２）のクラック発生を防ぐことができ、かつ、環境信頼性をより高いレベルで確保した導電性積層体を得ることができる。
【００１７】
さらに、導電層のパターニングにおいて、金属薄膜層（Ｍ）のパターンの面積を、透明導電層（Ｅ）のパターンの面積の半分以下とすることにより、透明性を確保した透明導電性積層体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明について詳細に説明する。
＜導電性積層体＞
本発明の導電性積層体は、透明高分子フィルム（Ｓ）の少なくとも一方の面に導電層が積層された導電性積層体であって、導電層は、透明導電層（Ｅ）の表面に金属薄膜層（Ｍ）を有する。なお、透明高分子フィルム（Ｓ）と透明導電層（Ｅ）とは、隣あっていても、あるいは、これらの層の間に他の層が介在していてもよい。
以下、本発明の導電性積層体を構成する各層について説明する。
【００１９】
＜透明高分子フィルム（Ｓ）＞
（材料）
透明高分子フィルム（Ｓ）を形成する材料としては、透明性および耐熱性が良好な高分子であれば特に限定されるものではない。
【００２０】
本発明の導電性積層体を、液晶表示パネル用の透明電極基板として用いる場合には、透明高分子フィルム（Ｓ）は、波長５９０ｎｍにおける複屈折の屈折率の差△ｎと膜厚ｄとの積△ｎ・ｄで表されるリターデーション値が、３０ｎｍ以下、かつ、遅相軸のバラツキが±３０度以内の光学等方性を有するフィルム、さらに好ましくは、リターデーション値が２０ｎｍ以下、かつ、遅相軸のバラツキが±１５度以内の高度な光学等方性を有するフィルムとすることが好ましい。
【００２１】
また、使用に際して十分な耐熱性を確保する目的で、透明高分子フィルム（Ｓ）は、１４０℃以上のガラス転移点温度を有する非晶質ポリマーを主成分とする材料で形成されることが好ましい。
【００２２】
このような透明高分子フィルム（Ｓ）を形成する高分子としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリルスルホン等のポリスルホン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルローストリアセテート等のアセテート系樹脂、ポリアクリレート系樹脂、あるいは、各種熱硬化樹脂等が挙げられる。
【００２３】
なかでは、透明性、耐熱性、および光学異方性が比較的少ない観点から、ポリカーボネート系樹脂を主成分とする材料を用いることが好ましい。ここで「ポリカーボネート系樹脂を主成分とする」とは、ポリカーボネート系樹脂と相溶しうる他の樹脂を、全体の５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下含むことを意味し、特に好ましくはポリカーボネート樹脂１００質量％からなることをいう。また、ポリカーボネート系樹脂を材料として用いる場合には、流延法によってフィルムを成形することが、表面の平坦性に優れ、光学的等方性にも優れることから特に好適である。
【００２４】
ポリカーボネート系樹脂としては、ビスフェノール成分として公知のものを用いることができるが、例えば、ビスフェノール成分がビスフェノールＡであるポリカーボネート樹脂、あるいは、ビスフェノール成分がビスフェノールＡと下記式（Ｉ）からなるポリカーボネート樹脂を用いることが好ましい。なお、ビスフェノール成分がビスフェノールＡと下記式（Ｉ）からなるポリカーボネート樹脂の場合には、共重合体、単独重合体の混合物、あるいは、共重合体同士の混合物のいずれの場合であってもよく、また、式（Ｉ）の化合物としては、一種のみならず二種以上が用いられてもよい。
【００２５】
【化１】
2009245746.tif 000002
【００２６】
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一であっても異なっていてもよく、水素原子あるいはメチル基から選ばれ、Ｘは、炭素数５〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１５のアラアルキレン基、および、炭素数１〜５のハロアルキレン基からなる群より選ばれる基である。
【００２７】
Ｘの具体例としては、シクロアルキレン基の場合には、例えば、１，１−シクロペンチレン、１，１−シクロヘキシレン、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレン、ノルボルナン−２，２−ジイル、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン−８、８’−ジイル等を挙げることができ、特に原料の入手のし易さから、１，１−シクロヘキシレン、または１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレンとすることが好ましい。
【００２８】
また、アラアルキレン基の場合には、例えば、フェニルメチレン、ジフェニルメチレン、１，１−（１−フェニル）エチレン、９，９−フルオレニレン等が挙げられる。また、ハロアルキレン基の場合には、２，２−ヘキサフルオロプロピレン、２，２−（１，１，３，３−テトラフルオロ−１，３−ジシクロ）プロピレン等が挙げられる。
【００２９】
また、本発明の導電性積層体を、光学等方性が特には必要でないディスプレイの基板として用いる場合には、透明高分子フィルム（Ｓ）の材料としては、ポリエステル系樹脂を用いることが好ましい。
【００３０】
ここで「ポリエステル」とは、エステル結合を主鎖の主要な結合鎖とする高分子を意味し、好ましいポリエステルとしては、例えば、エチレンテレフタレート、エチレン−２，６−ナフタレート、ブチレンテレフタレート、エチレン−α，β−ビス（２−クロロフェノキシ）エタン−４，４’−ジカルボキシレート等が挙げられる。本発明においては、これらから選ばれる少なくとも１種を主要構成成分とするポリエステル系樹脂を用いることが好ましい。
【００３１】
なお、これら構成成分は１種のみであっても、２種以上を併用してもよいが、品質、経済性等を総合的に判断すると、エチレンテレフタレートを主要構成成分とするポリエステル系樹脂を用いることが特に好ましい。また、基材に熱が作用する用途においては、耐熱性や剛性に優れたポリエチレン−２，６−ナフタレートを主要構成成分とするポリエステル系樹脂を用いることが好ましい。
【００３２】
また、透明高分子フィルム（Ｓ）を形成するポリエステルとしては、さらに他のジカルボン酸成分やジオール成分が一部、好ましくは全繰り返し単位の２０モル％以下共重合されたものであってもよい。さらに、ポリエステル中には、各種添加剤、例えば、酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、紫外線吸収剤、顔料、染料、有機または無機の微粒子、帯電防止剤等を、透明高分子フィルム（Ｓ）の特性を劣化させない程度に添加してもよい。ただし、微粒子の添加はヘイズ値を上昇させる傾向があるため、特性の悪化を防止するためには、添加する微粒子は、粒径が小さく、好ましくは可視光波長の約１／４以下の粒径で光散乱が生じにくいものを用いることが好ましい。
【００３３】
また、ポリエステル系樹脂を材料として用いる場合には、透明高分子フィルム（Ｓ）は二軸配向されたものとすることが好ましい。二軸配向したポリエステル系樹脂からなる透明高分子フィルム（Ｓ）は、機械的強度に優れることから、ディスプレイ用の基板として好ましく使用することができる。ここで、二軸配向ポリエステルフィルムとは、一般に、未延伸状態のポリエステルシートまたはフィルムを、長手方向および幅方向に各々２〜６倍程度延伸した後に、加熱処理して結晶配向させたものをいう。
【００３４】
（膜厚）
透明高分子フィルム（Ｓ）の厚みは、０．０１〜１．０ｍｍの範囲とすることが好ましい。厚さが０．０１ｍｍよりも小さい場合には、充分な剛性がなく、パネル加工時に変形しやすく取り扱いが難しい。また、１．０ｍｍよりも大きい場合には、変形は生じにくくなるものの、ロール・ツー・ロール方式による透明導電層および金属薄膜層の形成が困難となり、導電性積層体の生産性が低下する。
【００３５】
＜導電層＞
本発明の導電性積層体を構成する導電層は、透明導電層（Ｅ）の表面に金属薄膜層（Ｍ）有するものである。以下に、それぞれの層について説明する。
【００３６】
［透明導電層（Ｅ）］
（材料）
導電層を構成する透明導電層（Ｅ）は、透明性、導電性、機械的特性の点から、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｆ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｔｅ、Ｇｅ、およびＷからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む非晶性の酸化物とする。なかでも酸化インジウムを主成分とする透明導電膜は、透明性、導電性に優れるため好ましく、熱処理等を加えても非晶性を確保できることから、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物が特に好ましい。
【００３７】
（性質）
透明導電層（Ｅ）は、得られる導電性積層体のパターニングの観点から、非晶性の層とする必要がある。非晶性の透明導電層（Ｅ）であれば、後記する特定の金属薄膜層（Ｍ）とエッチングレートが比較的近いことから、パターン加工性に優れ、その結果、マイグレーションによる断線を抑制し、信頼性の高い導電性積層体を得ることができる。
【００３８】
（形成方法）
透明導電層（Ｅ）を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、従来公知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等が挙げられる。なお、透明導電層（Ｅ）の成膜時の加熱温度は、高分子フィルム（Ｓ）の熱変形温度以下とすることが好ましい。
【００３９】
（膜厚）
透明導電層（Ｅ）の膜厚は、目的の表面抵抗に応じて、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）との兼ねあいにより、適宜設定することができる。好ましくは、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）層が１０〜３００ｎｍの範囲のときに、透明導電層（Ｅ）が１０〜３００ｎｍの範囲であり、より好ましくは、（Ｍ−１）層が１０〜１５０ｎｍの範囲のときに、透明導電層（Ｅ）が１０〜１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは、（Ｍ−１）層が２０〜８０ｎｍの範囲でのときに、透明導電層（Ｅ）が１０〜５０ｎｍの範囲である。なお、透明導電層（Ｅ）は、１層のみならず、複数の層の積層体であってもよい。
【００４０】
（表面粗さ）
金属薄膜層（Ｍ）を積層する前の透明導電層（Ｅ）の表面粗さは、Ｒａ値で５ｎｍ未満であることが好ましく、３ｎｍ未満であることがさらに好ましく、１ｎｍ未満であることが特に好ましい。表面が平坦性に優れることにより、透明導電層（Ｅ）の表面に積層する金属薄膜層の特性安定性が向上し断線リスクを低減することができる。
【００４１】
［金属薄膜層（Ｍ）］
導電層を構成する金属薄膜層（Ｍ）は、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）を、少なくとも含む。Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）の１層のみであっても、また、（Ｍ−１）層を含む複数の層の積層体であってもよい。
【００４２】
Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）は、これら金属の純金属で形成される層であっても、あるいは、これら金属の少なくとも１種を含む合金であってもよい。なかでは、耐ヒロック性、耐マイグレーション性、低抵抗の点から、Ａｌ−Ｎｄ合金またはＡｌ−Ｔｉ合金を用いることが好ましく、さらには、耐マイクレーション性が特に優れることから、Ａｌ−Ｎｄ合金を用いることが特に好ましい。
【００４３】
金属薄膜層（Ｍ）の構成は、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）を含み、好ましくは、（Ｍ−１）層とは別の他の層が積層された多層構造を形成していることが好ましい。Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）とは別の層を設けることにより、金属薄膜層（Ｍ）に所望の機能を付与することができる。金属薄膜層（Ｍ）が多層構造となっている場合には、三層構造以上であってもよいが、二層構造であることが最も好ましい。
【００４４】
金属薄膜層（Ｍ）が多層構造の場合に、透明導電層（Ｅ）から最表面側に向かって、第一層、第二層、第三層と呼ぶとすると、二層構造とする場合には、第一層をＡｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）として導電を担う層とし、第ニ層をＭｏを含む層（Ｍ−２）とすることが好ましい。Ｍｏは、Ａｌと比較して酸化還元電位が低く、酸素、水などとの反応性の低い金属であるため、Ｍｏを含む層（Ｍ−２）は環境信頼性の高い層となる。このため、第一層であるＡｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）の腐食を防ぐことが可能となり、その結果、得られる導電性積層体に高い信頼性を付与することができる。なお、Ｍｏを含む層（Ｍ−２）は、Ｍｏ純金属であっても、あるいは、Ｍｏを含む合金であってもよい。
【００４５】
三層構造とする場合には、上記二層構造の際に第一層としたＡｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）と透明導電層（Ｅ）との間に、新たに一層の金属薄膜層を設ける。三層構造とする場合の新たな層の材料としては、第一層となる導電を担うＡｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）と透明導電層（Ｅ）とのコンタクト抵抗を下げる金属を用いることが望ましい。また、パターニングの際のオーバーエッチングによる透明導電層（Ｅ）の膜厚の減少を防ぐ目的で、第一層および第二層と比較してエッチングレートの低い金属を用いることが有効である。
【００４６】
（形成方法）
金属薄膜層（Ｍ）を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、従来公知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等が挙げられる。なお、金属薄膜層（Ｍ）の成膜時の加熱温度は、高分子フィルム（Ｓ）の熱変形温度以下とすることが好ましい。
【００４７】
（膜厚）
Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）の膜厚は、目的の表面抵抗に応じて、透明導電層（Ｅ）との兼ねあいにより適宜設定される。上記した通り、好ましくは、透明導電層（Ｅ）が１０〜３００ｎｍのときに、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）が１０〜３００ｎｍの範囲であり、より好ましくは、透明導電層（Ｅ）が１０〜１００ｎｍのときに、（Ｍ−１）層が１０〜１５０ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは、透明導電層（Ｅ）が１０〜５０ｎｍのときに、（Ｍ−１）層が２０〜８０ｎｍの範囲である。
【００４８】
加えて、Ｍｏを含む層（Ｍ−２）を積層する場合には、環境信頼性の確保と耐クラック性の点から、Ｍｏを含む層（Ｍ−２）の膜厚を、Ａｌ、Ｔｉ、およびＮｄからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む層（Ｍ−１）の膜厚に対して１５〜８０％の範囲とすることが好ましい。より好ましくは、４０〜７０％の範囲である。
【００４９】
［パターニング］
本発明の導電性積層体は、透明導電層（Ｅ）と金属薄膜層（Ｍ）とのパターニング後の線幅の違いにより、透明性を確保することができる。高透明性を得るためには、金属薄膜層（Ｍ）のパターンの面積を透明導電層（Ｅ）のパターンの面積の半分以下とすることが好ましい。五分の一以下とすることがさらに好ましく、十分の一以下とすることが特に好ましい。
【００５０】
パターニングの方法は、特に限定されるものではない。例えば、効率性の観点から、第一段階として透明導電層（Ｅ）と金属薄膜層（Ｍ）の同時エッチングによってスペース部を作製し、第二段階として金属薄膜層（Ｍ）のみのエッチングを行うことが望ましい。このとき、第二段階において、オーバーエッチングにより透明導電層（Ｅ）の膜厚低下が生じ、その結果、ライン抵抗の増加が発生することを防ぐため、取り除くべき金属薄膜層（Ｍ）を、透明性を確保できる程度に極薄く残してもよい。
【００５１】
なお、金属薄膜層（Ｍ）のパターン形状は、透明導電層（Ｅ）のパターン上であれば、直線形状に限られるものではなく、任意の形状を形成することができる。例えば、透明導電層（Ｅ）のパターン上に、ハニカム形状やメッシュ形状の金属薄膜層（Ｍ）のパターンを形成することも可能であり、このようなパターンを形成することにより、金属薄膜層（Ｅ）の断線リスクを低減することが可能である。
実装部分である電極の引き出し部分としては、金属薄膜層（Ｍ）をエッチング等で除去せず残すことにより、応力や衝撃に対する高い耐久性を得ることが可能となる。
【００５２】
＜放射線硬化樹脂層＞
本発明の導電性積層体は、透明高分子フィルム（Ｓ）の少なくとも一方の面に導電層が積層されたものであり、当該導電層は、透明高分子フィルム（Ｓ）側から透明導電層（Ｅ）、そして透明導電層（Ｅ）の表面に少なくとも一層の金属薄膜層（Ｍ）が順次積層された構成であるが、高温高湿環境下においても透明導電層（Ｅ）の下地の表面絶縁抵抗を十分に高く保ち、表面平滑性を向上させる目的で、アルカリ金属、アルカリ土類金属およびハロゲンからなる群から選ばれる少なくとも１種の成分を実質的に含まず、かつ、酸化ケイ素微粒子を含有する放射線硬化樹脂層を、透明高分子フィルム（Ｓ）と透明導電層（Ｅ）との間に設けることが好ましい。
【００５３】
＜ガスバリヤー層＞
さらには、本発明の導電性積層体を液晶表示素子用や電子ペーパー等の高いガスバリアー性が要求される用途の電極基板として用いる場合には、少なくとも１層のガスバリヤー層を、透明高分子フィルム（Ｓ）の少なくとも片側の面に、透明導電層（Ｅ）および金属薄膜層（Ｍ）の表面以外の表面に存在させることが好ましい。
【００５４】
ガスバリヤー層は、公知の材料により公知の方法で作製することができる。なかでは、ガスバリヤー性、透明性、表面平滑性、屈曲性、膜応力、コスト等の点から、珪素酸化物を主成分とする金属酸化物層とすることが好ましい。
【００５５】
＜その他の層＞
なお、本発明の効果を低下させない範囲内で、各層間の密着性を強化するための各種アンダーコート層の積層等の化学処理、あるいは、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ照射等の物理的処理をおこなってもよい。また、本発明の透明導電性基板をフィルムロール状で取り扱う場合には、金属薄膜層（Ｍ）が積層された面とは反対の面に、積層体に滑り性を付与するために十分な表面粗さを有し、かつ、各種フラットパネルディスプレイのプロセス工程で使用される薬品に対して十分な耐久性を有する架橋構造を有する層を備えさせてもよい。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例等を挙げ本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はかかる実施例等に何等限定されるものではない。なお、実施例等において、「部」および「％」は、特に断らない限り質量基準である。
【００５７】
＜測定方法＞
実施例および比較例においては、以下の項目について以下の方法によって測定・評価を実施した。
【００５８】
（１）表面抵抗
導電性積層体を４ｍｍ×８ｍｍにカットし、得られたカット片の中央を、三菱化学株式会社製、商品名：Ｌｏｒｅｓｔａ  ＭＰ  ＭＣＰ−Ｔ３５０を用いて、四探針法にて測定を実施した。なお、カット片は２枚作製し、それぞれについて５回の測定を実施し（ｎ＝１０）、その平均値をＲ０とした。
【００５９】
（２）耐熱性
温度１６０度のオーブン中に、４ｍｍ×８ｍｍにカットした導電性積層体のカット片サンプルを格納し、連続して９０分が経過したときにサンプルを取り出した。サンプル温度が室温に戻るのを待って、上記（１）と同様の装置および方法にて、表面抵抗を測定した。なお、（１）と同様にカット片は２枚作製し、それぞれについて５回の測定を実施し（ｎ＝１０）、その平均値をＲ１とした。耐熱性の評価にあたっては、上記（１）で得られたＲ０とＲ１との比（Ｒ１／Ｒ０）を算出することによって、表面抵抗値の変化率を求めた。
【００６０】
（３）耐屈曲性
導通部が幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍとなるように、導電性積層体の両端にドータイトを塗り、１６０℃で１．５時間の熱処理を行った。処理後のサンプルについてドータイト間の表面抵抗を二端子法を用いて測定し、得られた結果をＲ０’とした。
引き続き、６ｍｍφおよび２ｍｍφのロッドに、導電面が外側となるようにサンプルをそれぞれ巻きつけ、１００ｇの加重をかけたまま１分間放置した。屈曲後のサンプルについて同様の方法で表面抵抗を測定し、得られた結果をＲ１’とした。
さらに、屈曲後のサンプルそれぞれに対して、再度、１６０℃で１．５時間の熱処理を行い、処理後のサンプルについての表面抵抗を測定し、得られた結果をＲ２’とした。
耐屈曲性の評価にあたっては、得られたＲ０’とＲ１’との比（Ｒ１’／Ｒ０’）、および、Ｒ０’とＲ２’との比（Ｒ２’／Ｒ０’）を算出し、表面抵抗値の変化率を求めた。
【００６１】
（４）環境信頼性
温度６０度、湿度９０％ＲＨの恒温恒湿オーブン中に、４ｍｍ×８ｍｍにカットした導電性積層体のカット片サンプルを格納し、連続して２５０時間が経過したときにサンプルを取り出した。サンプル温度が室温に戻るのを待って、上記（１）と同様の装置および方法にて、表面抵抗を測定した。なお、（１）と同様にカット片は２枚作製し、それぞれについて５回の測定を実施し（ｎ＝１０）、その平均値をＲ２とした。環境信頼性の評価にあたっては、上記（２）で得られたＲ１とＲ２との比（Ｒ２／Ｒ１）を算出することによって、表面抵抗値の変化率を求めた。
【００６２】
（５）配線抵抗および透明性
導電性積層体の透明導電層（Ｅ）および金属薄膜層（Ｍ）に、一般的なフォトリソグラフィー法によりパターンを形成することにより電極を形成した。具体的には、エッチング液としてリン酸、硝酸、酢酸からなる混酸を用いて、２段階のパターニングを行った。１段階目は、金属薄膜層（Ｍ）および透明導電層（Ｅ）の両者について、１００μｍ幅になるようにパターンを切り、次いで２段階目として、金属薄膜層（Ｍ）のみについて、５０μｍ幅となるようにパターンを切った。
配線抵抗については、測定する配線幅を１００μｍとし、上記の２段階のパターニングで得られたライン１０ｍｍ長を測定した。
透明性については、パターニング後の導電性積層体につき、分光光度計（ＨＩＴＡＣＨＩ社製、型式：Ｕ−４０００）を用いて、波長５５０ｎｍにおける平行光線の光線透過率を測定した。
【００６３】
＜実施例および比較例に用いた化合物＞
・ＢｉｓＡ  ：２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
・ＢＣＦ    ：９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン
・ＩＺＯ    ：酸化亜鉛添加インジウム酸化物（亜鉛１０％添加）
・ＩＴＯ    ：酸化スズ添加インジウム酸化物（スズ５％添加）
・Ａｌ−Ｎｄ：アルミニウム−ネオジウム合金（ネオジウム２％添加）
・Ｍｏ      ：モリブデン
・ＢＰＥＦＡ：ビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート
・ＤＣＰＡ  ：ジシクロペンタニルジアクリレート
・ＤＰＥＨＡ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
・ＨＣＰＫ  ：１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
【００６４】
＜実施例１＞
［透明高分子フィルム（Ｓ）の作成］
ビスフェノール成分がＢｉｓＡ／ＢＣＦ＝５０／５０（モル比）からなるポリカーボネート樹脂（平均分子量：３７，０００、Ｔｇ：２１１℃）を、メチレンクロライドに２０質量％になるように溶解した。ダイコーティング法により、得られた溶液を厚さ１７５μｍのポリエステルフィルム上に流延し、次いで、乾燥炉で残留溶媒濃度が１３質量％になるまで乾燥し、ポリエステルフィルムから剥離することによりポリカーボネートフィルムを得た。得られたポリカーボネートフィルムを、温度１８０℃の乾燥炉中で縦横の張力にできるだけ差が生じないように、かつ、フィルムを保持しうる最小限の張力でバランスさせながら、該フィルム中の残留溶媒濃度が０．３質量％になるまで乾燥させ、厚み１２０μｍの透明高分子フィルム（Ｓ）を得た。こうして得られた透明高分子フィルム（Ｓ１）は、リターデーション値が１ｎｍ、ＤＳＣ法で測定したガラス転移温度が２１１℃であった。
【００６５】
［放射線硬化性樹脂層（Ａ）の形成］
２リットル三口反応フラスコに、イソプロピルアルコール１．３ｋｇを挿入し、引き続き、脱イオン水２８０ｍＬおよび酢酸７０ｍＬを添加攪拌し、さらにテトラメトキシシラン５３４ｇを添加した。５０℃で３時間攪拌を続け、イソプロピルアルコールに分散したコロイダルシリカ（ａ）を調整した。得られたコロイダルシリカ（ａ）は、固形分が１２％、平均一次粒子径が１３ｎｍであり、Ｎａ、Ｋ、ＣａおよびＣｌのそれぞれのイオン含有率は何れも０．１ｐｐｍ未満であった。
【００６６】
得られたコロイダルシリカ（ａ）１００部、ＢＰＥＦＡ６０部、および、ＤＰＥＨＡ４０部を、キシレン１８０部とシクロヘキサノン１２０部の混合溶媒と混合し、さらにＨＣＰＫを５部添加して攪拌することにより、無機微粒子を含有するコーティング組成物（ａｃ）を調整した。
【００６７】
得られたコーティング組成物（ａｃ）を、上記で得られた透明高分子フィルム（Ｓ）の一方の面上にコーティングし、６０℃で１分間加熱した後、１２０ｍＷ／ｃｍ２の高圧水銀灯を用いて積算光量４５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射して塗膜を硬化させることにより、厚さ２μｍの無機酸化物微粒子を含有する放射線硬化性樹脂層（Ａ）を形成した。
【００６８】
［透明導電層（Ｅ）の形成］
放射線硬化性樹脂層（Ａ）が形成されている面上に、マグネトロンスパッタ法により厚さ２５ｎｍのＩＺＯ膜からなる透明導電層（Ｅ）を設けることにより、透明導電性フィルムを得た。
【００６９】
［金属薄膜層（Ｍ−１）層および（Ｍ−２）層の形成］
透明導電層（Ｅ）上に、マグネトロンスパッタ法により、（Ｍ−１）層として厚さ３０ｎｍのＡｌ−Ｎｄ層を成膜した。形成したＡｌ−Ｎｄ層上に、マグネトロンスパッタ法により、（Ｍ−２）層として厚さ２０ｎｍのＭｏ層を成膜することにより、導電性積層体を得た。
【００７０】
［測定評価］
得られた導電性積層体について、各種の測定評価を行った。結果を表１に示す。
【００７１】
＜実施例２＞
金属薄膜層（Ｍ−１）層を、厚さ２０ｎｍのＡｌ−Ｎｄ膜、さらに、（Ｍ−２）層を厚さ１０ｎｍのＭｏ膜の２層からなるものに変更した以外は、実施例１と同様に導電性積層体を得た。
得られた導電性積層体について、各種の測定評価を行った。結果を表１に示す。
【００７２】
＜実施例３＞
金属薄膜層（Ｍ−２）層を積層しない以外は、実施例１と同様に導電性積層体を得た。
得られた導電性積層体について、各種の測定評価を行った。結果を表１に示す。
【００７３】
＜比較例１＞
透明導電層（Ｅ）を結晶性ＩＴＯ膜に変更した以外は、実施例１と同様に導電性積層体を得た。
得られた導電性積層体について、各種の測定評価を行った。結果を表１に示す。なお、金属層とＩＴＯ膜とのエッチングレートが大きく異なるため、配線抵抗を測定するためのパターンを形成することができず、その結果、配線抵抗の測定は実施できなかった。
【００７４】
＜比較例２＞
金属薄膜層（Ｍ−１）を厚さ３０ｎｍのＣｕ膜とした以外は、実施例３と同様に導電性積層体を得た。
得られた導電性積層体について、各種の測定評価を行った。結果を表１に示す。なお、配線抵抗を測定するためのパターンを形成すると、マイグレーションによる断線が発生した。
【００７５】
＜比較例３＞
金属薄膜層（Ｍ−１）層を積層しない以外は、実施例１と同様に導電性積層体を得た。
得られた導電性積層体について、各種の測定評価を行った。結果を表１に示す。なお、線膨張係数の違いによって熱処理時にクラックが発生し、耐熱性、耐屈曲性、および環境信頼性評価のための表面抵抗値を得ることができなかった。
【００７６】
＜比較例４＞
金属薄膜層（Ｍ）を積層せず、フィルム最表面が透明導電層（Ｅ）のＩＺＯ膜のままとした以外は、実施例１と同様に導電性積層体を得た。
得られた導電性積層体について、各種の測定評価を行った。結果を表１に示す。
【００７７】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明の導電性積層体は、表面抵抗が小さく、また、外部からの力学的応力に対して高い耐久性を有するとともに耐熱性を有し、かつ、パターニング精度の高い積層体である。このため、液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示素子、あるいは、電気泳動型、サーマルリライタブル型、ＰＤＬＣ方式、カイラルネマチック液晶、エレクトロクロミック方式、ツイストボール型、トナー表示方式等を利用した各種表示体に、好適に用いることができる。