(57)【要約】【課題】光出力の高い光半導体装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子１１と、半導体発光素子１１の周りを覆い、半導体発光素子１１の発光波長に対して透光性を有する第１樹脂モールド層１２と、第１樹脂モールド層１２の外側を覆い、半導体発光素子１１の発光波長に対して透光性を有する第２樹脂モールド層１３とを具備する。第１樹脂モールド層１２の屈折率が第２樹脂モールド層３１の屈折率より大きく、第１樹脂モールド層１２の形状と第２樹脂モールド層１３の形状とが異なり、第１樹脂モールド層１２は、半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層１１に入射した光が第１樹脂モールド層１１と第２樹脂モールド層１２との境界面で全反射されにくい形状であり、第２樹脂モールド層１３は、第１樹脂モールド層１１から第２樹脂モールド層１２に入射した光を半導体発光素子１１の発光上面方向に集光する形状である。【選択図】図１
2009188185.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の周りを覆い、前記半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有する第１樹脂モールド層と、
前記第１樹脂モールド層の外側を覆い、前記半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有する第２樹脂モールド層と、
を具備し、
前記第１樹脂モールド層の屈折率が前記第２樹脂モールド層の屈折率より大きく、前記第１樹脂モールド層の形状と前記第２樹脂モールド層の形状とが異なり、前記第１樹脂モールド層は、前記半導体発光素子から前記第１樹脂モールド層に入射した光が前記第１樹脂モールド層と前記第２樹脂モールド層との境界面で全反射されにくい形状であり、前記第２樹脂モールド層は、前記第１樹脂モールド層から前記第２樹脂モールド層に入射した光を前記半導体発光素子の発光上面方向に集光する形状であることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の周りを覆い、前記半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有する第１樹脂モールド層と、
前記第１樹脂モールド層の外側を覆い、前記半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有する第２樹脂モールド層と、
を具備し、
前記第１樹脂モールド層の屈折率が前記第２樹脂モールド層の屈折率より大きく、前記第１樹脂モールド層の形状と前記第２樹脂モールド層の形状とが異なり、前記第１樹脂モールド層の形状が半球状であり、前記第２樹脂モールド層の形状が凸レンズ状であることを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
前記第１樹脂モールド層の屈折率が１．９以上であり、前記半導体発光素子の屈折率より小さいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子の発光上面方向において、前記第２樹脂モールド層の厚さが、前記第１樹脂モールド層の厚さより大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の光半導体装置。
【請求項５】
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から放射された光を受光する半導体受光素子と、
前記半導体発光素子および前記半導体受光素子の周りを一体に覆うとともに、前記半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有し、屈折率が１．９以上の第１樹脂モールド層と、
前記第１樹脂モールド層の外側を覆い、前記半導体発光素子の発光波長に対して不透明な第２樹脂モールド層と、
を具備することを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光を外部に放射する光半導体装置においては、半導体発光素子を外部から保護するとともに、半導体発光素子と空気との境界面での全反射の臨界角を大きくして半導体発光素子からの光取り出し効率を高めるために、半導体発光素子を、透光性を有する樹脂でモールドしていた。
【０００３】
然しながら、半導体発光素子とモールド樹脂との屈折率の差が依然として大きいため、半導体発光素子からの光取り出し効率が不十分で、光出力の高い光半導体装置が得られないという問題がある。
【０００４】
これに対して、半導体発光素子を覆うモールド樹脂からの光取り出し効率を高めるために、モールド樹脂の外表面を、モールド樹脂と空気の中間の屈折率を有する樹脂で被覆した光半導体装置が知られている（例えば特許文献１参照。）。
【０００５】
特許文献１に開示された光半導体装置は、発光層部を有した発光素子チップと、発光素子チップの周囲空間を覆う屈折率が１．４５以上であって、発光素子チップの最表層部をなす化合物半導体の屈折率よりも小さい第１モールド層と、第１モールド層の外側を覆う屈折率が１．０より大きく１．４５未満のフッ素系樹脂からなる第２モールド層とを具備している。第２モールド層は第１モールド層にフッ素系樹脂を塗布・乾燥することにより形成されている。
【０００６】
然しながら、特許文献１に開示された光半導体装置においては、第１モールド層に塗布された第２モールド層の形状と第１モールド層の形状とは同じであり、光出力と配光特性を別々にコントロールすることが難しいという問題がある。
【特許文献１】特開２００５−２６３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、光出力の高い光半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の光半導体装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子の周りを覆い、前記半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有する第１樹脂モールド層と、前記第１樹脂モールド層の外側を覆い、前記半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有する第２樹脂モールド層と、を具備し、前記第１樹脂モールド層の屈折率が前記第２樹脂モールド層の屈折率より大きく、前記第１樹脂モールド層の形状と前記第２樹脂モールド層の形状とが異なり、前記第１樹脂モールド層は、前記半導体発光素子から前記第１樹脂モールド層に入射した光が前記第１樹脂モールド層と前記第２樹脂モールド層との境界面で全反射されにくい形状であり、前記第２樹脂モールド層は、前記第１樹脂モールド層から前記第２樹脂モールド層に入射した光を前記半導体発光素子の発光上面方向に集光する形状であることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の別態様の光半導体装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子から放射された光を受光する半導体受光素子と、前記半導体発光素子および前記半導体受光素子の周りを一体に覆うとともに、前記半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有し、屈折率が１．９以上の第１樹脂モールド層と、前記第１樹脂モールド層の外側を覆い、前記半導体発光素子の発光波長に対して不透明な第２樹脂モールド層と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、光出力の高い光半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１２】
本発明の実施例１に係る光半導体装置について、図１および図２を用いて説明する。図１は光半導体装置を示す断面図、図２は光半導体装置の配光パターンを比較例と対比して示す図で、図３（ａ）が本実施例を示す図、図３（ｂ）が比較例を示す図である。
【００１３】
図１に示すように、本実施例の光半導体装置１０は、半導体発光素子１１と、半導体発光素子１１の周りを覆い、半導体発光素子１１の発光波長に対して透光性を有する第１樹脂モールド層１２と、第１樹脂モールド層１２の外側を覆い、半導体発光素子１１の発光波長に対して透光性を有する第２樹脂モールド層１３と、を具備している。
【００１４】
半導体発光素子１１は、例えばＧａＡｓ基板上に形成されたＧａＡｌＡｓ系の赤外発光素子であり、擂り鉢状の反射カップ１４の底面に載置されている。  
半導体発光素子１１のＮ側電極１５は、導電性ペースト（図示せず）を介してリード端子１６に電気的に接続されている。  
半導体発光素子１１のＰ側電極１７は、ワイヤ１８を介してリード端子１９に電気的に接続されている。
【００１５】
半導体発光素子１１のＧａＡｓ基板の屈折率ｎ０は、３．６程度であり、第２樹脂モールド層は、例えばエポキシ樹脂で、その屈折率ｎ２は１．５〜１．６程度である。  
第１樹脂モールド層１２の屈折率ｎ１は１．９以上であり、半導体発光素子１１の屈折率ｎ０より小さく、第２樹脂モールド層１３の屈折率ｎ２より大きく設定されている。即ち、ｎ１≧１．９、ｎ０＞ｎ１＞ｎ２の関係に設定されている。
【００１６】
第２樹脂モールド層１３は、例えばＴｉＯ２の微粒子を含有するポリイミド系樹脂で、微粒子の平均直径、含有量をコントロールすることにより、屈折率が１．９以上の高屈折率樹脂とすることができる。  
例えば、ＴｉＯ２の微粒子の平均直径が５ｎｍ程度、添加量が５０ｗｔ％程度のとき、屈折率ｎ２として〜２．０１が得られた。更に、添加量を６０Ｗｔ％程度にすると、屈折率ｎ２として〜２．０８が得られた。
【００１７】
これにより、半導体発光素子１１の活性層（図示せず）から放射された光が、半導体発光素子１１と第１樹脂モールド層１２との境界面で全反射される臨界角（境界面の垂線からの角度）が３４°程度に増加するので、光半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層１２への光取出し効率が大幅に向上する。
【００１８】
第２樹脂モールド層１３のみを有する光半導体装置では、光半導体発光素子１１と第２樹脂モールド層１３との境界面で全反射される臨界角が２５°程度であることから、第１樹脂モールド層１２により、光半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層１２への光取出し効率は２倍程度の向上が見込まれる。
【００１９】
更に、光半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層１２に入射した光が、第１樹脂モールド層１２と第２樹脂モールド層１３との境界面で全反射される臨界角は５０°程度に増加するので、第１樹脂モールド層１２から第２樹脂モールド層１３への光取出し効率が向上する。
【００２０】
第１樹脂モールド層１２の形状と第２樹脂モールド層１３の形状とは、大きく異なっている。  
第１樹脂モールド層１２は、半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層１２に入射した光が第１樹脂モールド層１２と第２樹脂モールド層１３との境界面で全反射しにくい形状の全周が凸状湾曲面で、例えば半球状である。  
一方、第２樹脂モールド層１３は、第１樹脂モールド層１２から第２樹脂モールド層１３に入射した光を半導体発光素子１１の発光上面方向（紙面の矢印で示すＹ方向）に集光する形状、例えば砲弾型の凸レンズ状である。
【００２１】
半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層１２に入射した光は、第１樹脂モールド層１２が半球状で、光半導体発光素子１１が半球の中心近傍に配置されているので、第１樹脂モールド層１２と第２樹脂モールド層１３の境界面に全反射の臨界角度５０°以下で入射する確率が高まり、即ち全反射が抑制され、第１樹脂モールド層１２から第２樹脂モールド層１３へ入射する光束が増大する。
【００２２】
更に、半導体発光素子１１から反射カップ１４側の第１樹脂モールド層１２に入射し、反射カップ１４によりＹ方向に反射されて、第１樹脂モールド層１２から第２樹脂モールド層１３へ入射する光束が加算される。
【００２３】
第１樹脂モールド層１２から第２樹脂モールド層１３に入射した光は、第２樹脂モールド層１３が砲弾型の凸レンズ状なので、半導体発光素子１１のＹ方向に集光される。
【００２４】
更に、第２樹脂モールド層１３のＹ方向の厚さＬ２が、第１樹脂モールド層１２のＹ方向の厚さＬ１より大きく形成されているので、第２樹脂モールド層１３の下方の傾斜側壁に入射した光が、Ｙ方向に全反射され、第２樹脂モールド層１３の上方に導波される割合が増加する。
【００２５】
これにより、第１樹脂モールド層１２から第２樹脂モールド層１３に入射する光束が増加し、増加した光束が第２樹脂モールド層１３により集光されるので、高い光出力と、Ｙ方向に集光した配光特性を得ることが可能である。
【００２６】
図２は光半導体装置１０の配光特性を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）が本実施例を示す図、図２（ｂ）が比較例を示す図である。  
ここで比較例とは、第１樹脂モールド層１２を有せず、半導体発光素子１１が直接第２樹脂モールド層１３で覆われている光半導体装置を意味している。始めに、比較例について説明する。
【００２７】
図２（ｂ）に示すように、比較例では、半導体発光素子１１の中央部から９０°方向に放射された光はＰ側電極１７により遮光されるので、９０°方向に放射される光の強度が低下する。その結果、配光特性３１は、中心部の光出力が周辺部より低い双峰性を示している。
【００２８】
一方、図２（ａ）に示すように本実施例では、半導体発光素子１１の中央部から９０°方向に放射された光はＰ側電極１７により遮光されるが、屈折率が高い第１樹脂モールド層１２内で多重反射してＰ側電極１７に入射する光の割合が増加する。  
Ｐ側電極１７で反射された光は、第２樹脂モールド層１３の凸レンズに導かれるので、９０°方向に出射される光の強度が増加し、配光特性３０は中心部の光出力が周辺部より高い単峰性を示している。  
このような特性は、特にＤＳＣ（デジタルスチルカメラ）のオートフォーカスに用いる照射光源として必須の特性である。
【００２９】
更に、第２樹脂モールド層１３のＹ方向の厚さＬ２と、第１樹脂モールド層１２のＹ方向の厚さＬ１を変えることにより、光半導体装置１０の配光特性をコントロールすることが可能である。
【００３０】
次に、光半導体装置１０の製造方法について図３を用いて説明する。図３は光半導体装置１０の製造工程を示す断面図である。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、半導体発光素子１１を、リード端子１６の一端に形成された反射カップ１４内に導電性ペーストまたはＡｕ−Ｓｎ共晶を用いて固定し、ワイヤボンディングにより、ワイヤ１８をＰ側電極１７とリード端子１９にボンディンクする。
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、ディスペンサ４０を用いて、ＴｉＯ２微粒子を含有するポリイミド系の液状樹脂４１をピストン４２で押し出し、液滴４３を反射カップ１４内に滴下させる。
【００３３】
次に、リード端子１６、１９を回転して、反射カップ１４に滴下した液滴４３を反転させた後、液滴４３をキュアし、例えば複数段の熱処理を施して熱硬化させる。液滴４３は、反射カップ１４の側壁４４の端部から突出した部分が、自重と表面張力が釣り合うように凸状になる。  
この工程を適宜繰り返すことにより、半導体発光素子１１の周りを覆い、半球状の第１樹脂モールド層１２が形成される。
【００３４】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１金型４５および２金型４６を用いて、インジェクションモールド法により第１樹脂モールド層１２の外側を覆う第２樹脂モールド層１３を形成する。  
具体的には、第１金型４５と第２金型４６とを重ね合わせて形成される空洞内に第１樹脂モールド層１２を配置し、容器４７に貯留された液状樹脂４８を、ノズル４９を通して空洞内に注入し、注入された液状樹脂４８を熱硬化させる。
【００３５】
これにより、図１に示す半導体発光素子１１と、半導体発光素子１１の周りを覆い、半導体発光素子１１の発光波長に対して透光性を有する第１樹脂モールド層１２と、第１樹脂モールド層１２の外側を覆い、半導体発光素子１１の発光波長に対して透光性を有する第２樹脂モールド層１３とを具備する光半導体装置１０が完成する。
【００３６】
以上説明したように、本実施例の光半導体装置１０は、半導体発光素子１１の周りを覆第１樹脂モールド層１２と、第１樹脂モールド層１２の外側を覆う第２樹脂モールド層１３とを具備し、第１樹脂モールド層１２の屈折率を１．９以上とし、第１樹脂モールド層１２の形状を半球状に形成し、第１樹脂モールド層１２より厚い第２樹脂モールド層１３を砲弾型の凸レンズ状に形成している。
【００３７】
その結果、半導体発光素子１１と第１樹脂モールド層１２との境界面での全反射の臨界角が大きくなり、半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層１２への光取り出し効率を向上させることができる。  
第１樹脂モールド層１２から第２樹脂モールド層１３に入射した光を、第２樹脂モールド層１３の凸レンズによりＹ方向に集光することができる。  
従って、光出力が高く、Ｙ方向に集光した配光特性を有する光半導体装置１０が得られる。
【実施例２】
【００３８】
本発明の実施例２に係る光半導体装置について、図４を用いて説明する。図４は光半導体装置を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、半導体発光素子が反射カップを有さないリード端子の一端に載置されていることにある。
【００３９】
即ち、図４に示すように、本実施例の光半導体装置６０は、導体発光素子１１がリード端子６１の一端に載置され、半球状の第１樹脂モールド層６２で覆われている。第１樹脂モールド層６２の外側は、第２樹脂モールド層１３で覆われている。
【００４０】
反射カップ１４がないため、第１樹脂モールド層６２と反射カップ１４との熱膨張係数の差に起因して、第１樹脂モールド層６２の自由な熱膨張が反射カップ１４で拘束されることにより発生する応力が生じない。  
その結果、反射カップ１４内に充填された第１樹脂モールド層１２に比べて、第１樹脂モールド層６２が半導体発光素子１１に及ぼす応力を低減させることが可能である。
【００４１】
但し、反射カップ１４によりＹ方向に反射される光が無くなるので、反射カップ１４がある場合に比べて光出力は低下する。
【００４２】
以上説明したように、本実施例の光半導体装置６０は半導体発光素子１１が、反射カップを有さないリード端子６１の一端にマウントされている。  
その結果、第１樹脂モールド層６２による半導体発光素子１１への応力を低減することができる利点がある。信頼性が要求される場合に適した構造である。
【実施例３】
【００４３】
本発明の実施例３に係る光半導体装置について、図５を用いて説明する。図５は光半導体装置を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、第２樹脂モールド層の外側に配置された反射面を有することにある。
【００４４】
即ち、図５に示すように、本実施例の光半導体装置７０は、反射面７１ａを有する擂り鉢状の凹部７１ｂが形成された白色樹脂７１を具備している。  
半導体発光素子１１は凹部７１ｂの底面に載置され、半球状の第１樹脂モールド層６２で覆われている。凸レンズ状の第２樹脂モールド層７２は、第１樹脂モールド層６２の外側を覆い、凹部７１ｂを充填している。
【００４５】
第１樹脂モールド層６２から反射面７１ａ側の第２樹脂モールド層７２に入射した光は、反射面７１ａによりＹ方向に反射され、第２樹脂モールド層７２の凸レンズにより集光される。
【００４６】
これにより、反射カップ１４を有する場合と同程度の光出力を維持しつつ、第１樹脂モールド層６２による半導体発光素子１１への応力を低減することが可能である。
【００４７】
以上説明したように、本実施例の光半導体装置７０は、第２樹脂モールド層７２の外側に配置された反射面７１ａを有する白色樹脂７１を具備している。  
その結果、光出力を維持しつつ、第１樹脂モールド層６２による半導体発光素子１１への応力を低減することができる利点がある。高い光出力および信頼性が要求される場合に適した構造である。
【実施例４】
【００４８】
本発明の実施例４に係る光半導体装置について、図６を用いて説明する。図６は光半導体装置を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、光半導体装置を半導体発光素子と半導体受光素子とを有する反射型フォトカプラとしたことにある。
【００４９】
即ち、図６に示すように、本実施例の光半導体装置８０は、半導体発光素子１１と、半導体発光素子１１から放射された光を受光する半導体受光素子８１と、半導体発光素子１１および半導体受光素子８１の周りを一体に覆うとともに、半導体発光素子１１の発光波長に対して透光性を有し、屈折率が１．９以上の第１樹脂モールド層８２と、第１樹脂モールド層８２の外側を覆い、半導体発光素子１１の発光波長に対して不透明な第２樹脂モールド層８３と、を具備している。
【００５０】
半導体発光素子１１はリード端子８４の一端に載置され、ワイヤ１８を介してリード端子８４に近接して配置された別のリード端子（図示せず）に接続されている。  
同様に、半導体受光素子８１は、リード端子８５の一端に載置され、ワイヤ８６を介してリード端子８５に近接して配置された別のリード端子（図示せず）に接続されている。
【００５１】
半導体受光素子８１は、例えばシリコンＰＮ接合を有するフォトダイオード、またはフォトダイオードとフォトダイオードで受光した信号を処理する信号処理回路を有する受光ＩＣである。第２樹脂モールド層８３は、例えば白色樹脂である。
【００５２】
これにより、半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層８２への光取り出し効率が大幅に向上するとともに、白色の第２樹脂モールド層８３の内壁で反射した光が、第１樹脂モールド層８２から半導体受光素子８１へ取り込まれる効率を向上させることが可能である。
【００５３】
光半導体装置８０をリフローにより基板に実装したとき、および光半導体装置８０のヒートサイクル試験を行ったときに、第１樹脂モールド層８２と第２樹脂モールド層８３との線膨張係数差に起因して、第１樹脂モールド層８２と第２樹脂モールド層８３の境界面に剥離が生じる場合がある。
【００５４】
境界面に剥離が生じると、光が第２樹脂モールド層８３の内壁で反射されなくなるので、半導体受光素子８１に入射する光が減少することは避けられない。  
然し、第１樹脂モールド層８２の屈折率が１．９以上と高いので、光が第１樹脂モールド層８２と剥離により生じた空洞との境界面で全反射される割合が高まり、半導体受光素子８１に入射する光量を補填することが可能である。
【００５５】
これにより、光半導体装置８０の出力の低下が抑制されるので、信頼性の高いフォトカップラを提供することができる。
【００５６】
フォトカプラの特性として、入力順電流（Ｉｆ）に対する出力電流（Ｉｃ）の比率（Ｉｃ／Ｉｆ×１００％）で定義されるＣＴＲ（Current Transfer Ratio）がある。  
ＣＴＲは、繰り返しリフロー（２６０℃）やヒートサイクル（−４０〜１００℃）を経ることにより変動する。
【００５７】
半導体発光素子１１および半導体受光素子８１が、屈折率が１．５〜１．６程度の球状のエポキシ樹脂で覆われたフォトカプラでは、ヒートサイクルを３００回経たときのＣＴＲ変動は通常±２０％程度である。  
一方本実施例の光半導体装置８０では、ヒートサイクルを３００回経たときのＣＴＲ変動は±１０％程度に収まっていた。
【００５８】
次に、光半導体装置８０の製造方法の要部について説明する。始めに、半導体発光素子１１および半導体受光素子８１を、リード端子８４、８５にそれぞれマウント、ボンディングする。
【００５９】
次に、半球状の凹部を有する第１および第２金型を用いて、インジェクションモールド法により半導体発光素子１１および半導体受光素子８１の周りを一体に覆う第１樹脂モールド層８２を形成する。
【００６０】
次に、図３（ｃ）と同様にして、インジェクションモールド法により第１樹脂モールド層８２の外側を覆う第２樹脂モールド層８３を白色樹脂で形成する。
【００６１】
これにより、図７に示す半導体発光素子１１および半導体受光素子８１の周りを一体に覆う第１樹脂モールド層８２と、第１樹脂モールド層８２の外側を覆う第２樹脂モールド層８３とを具備する光半導体装置８０が完成する。
【００６２】
以上説明したように、本実施例の光半導体装置８０は、半導体発光素子１１および半導体受光素子８１の周りを一体に覆うとともに、半導体発光素子１１の発光波長に対して透光性を有し、屈折率が１．９以上の第１樹脂モールド層８２を具備している。
【００６３】
その結果、半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層８２への光取り出し効率が大幅に向上するとともに、白色の第２樹脂モールド層８３の内壁で反射した光が、第１樹脂モールド層８２から半導体受光素子８１へ取り込まれる効率が向上する利点がある。
【００６４】
更に、第１樹脂モールド層８２と第２樹脂モールド層８３の境界面に剥離が生じた場合でも、半導体受光素子８１に入射する光量を補填することができる利点がある。  
従って、高い出力が得られるとともに、剥離が生じたときの出力の低下が抑制され、信頼性の高い光半導体装置８０が得られる。
【００６５】
ここでは、第１樹脂モールド層８２が球形上である場合について説明したが、全周が凸状の湾曲面であればよい。  
原理的には、第１樹脂モールド層８２の形状は、半導体発光素子１１が一方の焦点に配置され、半導体受光素子８１が他方の焦点に配置された楕円形状が理想であることは言うまでもない。
【００６６】
光半導体装置８０が反射型フォトカプラである場合について説明したが、対向型フォトカプラであっても構わない。  
図７は対向型フォトカプラを示す断面図である。図７に示すように、光半導体装置９０は、半導体発光素子１１と半導体受光素子８１とか対向して配置され、半導体発光素子１１と半導体受光素子８１の周りが第１樹脂モールド層８２で覆われ、第１樹脂モールド層８２の外側が第２樹脂モールド層８３で覆われている。
【００６７】
半導体発光素子１１は、クランク状に折り曲げられたリード端子９１の一端に載置され、ワイヤ１８を介してリード端子９１に近接して配置された別のリード端子（図示せず）に接続されている。  
同様に、半導体受光素子８１は、クランク状に折り曲げられたリード端子９２の一端に載置され、ワイヤ８６を介してリード端子９２に近接して配置された別のリード端子（図示せず）に接続されている。
【００６８】
対向型フォトカプラでは、半導体発光素子１１から第１樹脂モールド層８２に取り出された光の多くは半導体受光素子８１に直接入射する。  
従って、第１樹脂モールド層８２と第２樹脂モールド層８３の境界面に剥離が生じても、反射型フォトカプラに比べて半導体受光素子８１に入射する光の減少量は少ないが、光半導体装置９０の出力を安定して維持できる利点があり、さらに信頼性の高い光半導体装置９０を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施例１に係る光半導体装置を示す断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る光半導体装置の配光パターンを比較例と対比して示す図で、図２（ａ）が本実施例を示す図、図２（ｂ）が比較例を示す図。
【図３】本発明の実施例１に係る光半導体装置の製造工程を順に示す断面図。
【図４】本発明の実施例２に係る光半導体装置を示す断面図。
【図５】本発明の実施例３に係る光半導体装置を示す断面図。
【図６】本発明の実施例４に係る光半導体装置を示す断面図。
【図７】本発明の実施例４に係る別の光半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００７０】
１０、６０、７０、８０、９０  半導体発光装置
１１  半導体発光素子
１２、６２、８２  第１樹脂モールド層
１３、７２、８３  第２樹脂モールド層
１４  反射カップ
１５  Ｎ側電極
１６、１９、６１、８４、８５、９１、９２  リード端子
１７  Ｐ側電極
１８、８６  ワイヤ
３０、３１  配光特性
４０  ディスペンサ
４１、４８  液状樹脂
４２  ピストン
４３  液滴
４４  側壁
４５  第１金型
４６  第２金型
４７  容器
４９  ノズル
６１  リード端子
７１  白色樹脂
７１ａ  反射面
８１  半導体受光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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