(57)【要約】      （修正有）【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。【選択図】図１
2009229620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスクを形成する工程と、
前記感光性樹脂のマスクが形成された面に撥水処理を施す工程と、
前記撥水処理後、前記感光性樹脂のマスクをポストベークする工程と、
前記ポストベーク後、前記感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより前記被エッチング部材をパターニングする工程と、
を含むことを特徴とするドライエッチングによるパターニング方法。
【請求項２】
前記被エッチング部材が、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものであることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチングによるパターニング方法。
【請求項３】
前記撥水処理として、前記感光性樹脂のマスクが形成された面に撥水剤を蒸着させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のドライエッチングによるパターニング方法。
【請求項４】
前記被エッチング部材のドライエッチングを施す面に酸化膜を設け、該酸化膜を介して前記撥水処理を施すことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のドライエッチングによるパターニング方法。
【請求項５】
インクジェットヘッドを製造する方法であって、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のパターニング方法を用いることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電体等をドライエッチングによりパターニングするためにはエッチング用のマスクが必要である。このようなエッチング用のマスクとして、酸化膜や金属などのハードマスクや、エッチングする面にレジストをパターニングしたマスクが用いられる。
例えば、ＦｅＲＡＭや圧電素子、インクジェットヘッドに用いられる圧電膜やその電極に用いる貴金属など、硬質であり、エッチングによる加工が難しい材料（難エッチング材）をドライエッチングにより加工する場合、金属などのハードマスクを用いてドライエッチング法によりパターニング（個別化）を行う方法がある。しかし、ハードマスクを用いてドライエッチングを行う場合、工程が増えるため、コストダウンなどの観点から、レジストをマスクとすることが望ましい。
【０００３】
エッチングする面にレジストをパターニングしてマスクとして用いれば、工程が簡略化されるので有用であるが、この場合、低温でドライエッチングを行う一方、圧電膜やその電極に用いられる貴金属などの難エッチング材は、エッチング時に発生する反応生成物の沸点が高く、不揮発性であるため、マスクを構成するレジストパターンの側面の形状が基板表面に対して垂直に近いと、不揮発性の反応生成物がマスク側面に付着し易い。
【０００４】
このような反応生成物のマスク側面への付着を防ぐため、フォトリソ条件の工夫などによりその対策が行われている。例えば、レジストのマスク側面をテーパー形状にする方法（プロキシ露光条件制御、デフォーカス、ポストベーク温度制御等）があるが、テーパー形状の形成と耐プラズマ性の両立が困難である。
【０００５】
また、スパッタエッチングにより被エッチング膜のレジストマスク側面への再付着を防ぐため、レジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークすることでレジストをリフローさせてテーパー形状とし、これをマスクとして被エッチング膜をスパッタエッチングする方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３１１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
パターニングしたレジストマスクをリフローさせてテーパー形状とする際には高温での加熱処理が必要となる。リフローでは、フォトリソ後の凸形状のレジストが丸みを帯びることになるが、このときレジストは融点以上の温度に加熱されているため、流動化する。そのため、図５（Ａ）に示すような凸形状のレジスト２４ａがダレて横に広がるとともに接触角θ０が小さくなり、パターンサイズのサイズシフトが発生し易い（図５（Ｂ））。このように広がったレジスト２４ａをマスクとして基板１２上の圧電膜２０のドライエッチングを行うと、エッチング後の圧電膜２０ａの幅も広がり、圧電膜２０ａの形状が悪化し易い（図５（Ｃ）。
【０００８】
本発明は、難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明では以下のドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法が提供される。
【００１０】
＜１＞  被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスクを形成する工程と、
前記感光性樹脂のマスクが形成された面に撥水処理を施す工程と、
前記撥水処理後、前記感光性樹脂のマスクをポストベークする工程と、
前記ポストベーク後、前記感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより前記被エッチング部材をパターニングする工程と、
を含むことを特徴とするドライエッチングによるパターニング方法。
【００１１】
＜２＞  前記被エッチング部材が、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものであることを特徴とする＜１＞に記載のドライエッチングによるパターニング方法。
【００１２】
＜３＞  前記撥水処理として、前記感光性樹脂のマスクが形成された面に撥水剤を蒸着させることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載のドライエッチングによるパターニング方法。
【００１３】
＜４＞  前記被エッチング部材のドライエッチングを施す面に酸化膜を設け、該酸化膜を介して前記撥水処理を施すことを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載のドライエッチングによるパターニング方法。
＜５＞  インクジェットヘッドを製造する方法であって、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載のパターニング方法を用いることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明について説明する。
本発明では、図１（Ａ）に示すように、例えば圧電膜２０をドライエッチングによってパターニングする場合、マスクとなるレジスト２４ａを露光現像等により形成した後、撥水剤２８で処理する。次いで、ポストベークを行うが、流動化したレジスト２４ａは、適度に丸みを帯びて側面が傾斜する一方、撥水剤２８によって接触角θ１が高い角度に保たれ、サイズシフトとレジスト形状の変化が抑制される（図１（Ｂ））。このようにポストベーク時におけるレジスト２４ａのサイズシフトとレジスト形状の変化が抑制されるため、これをマスクとして圧電膜２０をドライエッチングすれば、設計値に近い形状にパターニングされた圧電膜２０ａを得ることができる（図１（Ｃ））。
【００１６】
−第１実施形態−
図１は、第１実施形態に係るドライエッチングによるパターニング方法の工程を示す図である。
【００１７】
＜被エッチング部材＞
まず、ドライエッチングを施してパターニングを行う部材（被エッチング部材）を用意する（図２（Ａ））。被エッチング部材は特に限定されないが、本発明では、ドライエッチングによる加工が難しい材料（難エッチング材）、例えば、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有する部材を好適に用いることができる。具体的には、以下のような難エッチング材料を含む部材を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【００１８】
磁性体（磁気ディスク、ＭＲＡＭなど）：Ｆｅ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｎｉなど
貴金属（各種電極など）：Ｐｔ，Ｒｕ，ＲｕＯ２，Ｉｒ，ＩｒＯ２，Ａｕなど
高誘電体（ＤＲＡＭキャパシタ）：ＢＳＴ：（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３、ＳＲＯ：ＳｒＴｉＯ３、ＢＴＯ：ＢａＴｉＯ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２
強誘電体（ＦｅＲＡＭ、アクチュエータ等）：ＰＺＴ：Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、ＰＺＴＮ：Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｎｂ２Ｏ８、ＰＬＺＴ：（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３
【００１９】
本実施形態における被エッチング部材１０は、シリコン基板１２上に、絶縁膜１４、Ｔｉ等の密着層１６、下部電極に相当する貴金属膜１８が順次形成されている。さらに、下部電極１８上に圧電膜２０が形成された後、上部電極に相当する貴金属膜２２が形成されている。上部電極２２はパターニングされている。絶縁膜１４は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をスパッタ法、ＣＶＤ法、熱酸化法等により形成する。また、下部電極１８及び上部電極２２は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕやその酸化物を用いれば良く、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成する。圧電膜２０は、ＰＺＴ等を用いれば良く、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成すれば良い。
このような被エッチング部材１０（以下、単に「基板」という場合がある。）に対し、圧電膜２０であるＰＺＴをドライエッチングによりパターニングする方法について説明する。
【００２０】
＜感光性樹脂層の形成＞
被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成する（図２（Ｂ）、（Ｃ））。
被エッチング部材１０上に形成する感光性樹脂のマスク（レジストマスク）２４ａは、後にドライエッチングを行う際にマスクとして用いるものであり、ネガ型レジスト、ポジ型レジストなどの感光性樹脂を用いて形成する。具体的には、東京応化工業社のＯＦＰＲシリーズ、ＡＺ社の１５００シリーズ、１０ＸＴなどを用いることができる。
【００２１】
例えば、基板１０のドライエッチングを施す側に、スピンコート法、スプレーコート法などによりレジストを塗布した後、ソフトベーク（プリベーク）を行う（図２（Ｂ））。感光性樹脂層２４の厚みは、その材質や、ドライエッチングによりパターニングすべき層（本実施形態ではＰＺＴ圧電膜２０）の材質及び厚みなどにもよるが、ドライエッチング時にマスクとして機能し、かつ、ドライエッチング後は容易に除去するため、ソフトベーク後の厚みが、例えば、０．１μｍ〜２０μｍ程度となるように形成する。
【００２２】
ソフトベークは、ホットプレートやオーブンなどの加熱装置を用い、レジスト材料に応じて適温で行う。塗膜中の溶剤を蒸発させ、塗布膜の硬化、基板との密着性の強化を図るため、通常は、例えば９０〜１２０℃で、１〜５分間ソフトベークを行う。
【００２３】
感光性樹脂層２４を形成した後、フォトリソグラフィ（露光及び現像）によりマスク形状にパターニングする（図２（Ｃ））。
露光は、現像後のレジストマスク２４ａが、ドライエッチング後の圧電膜２０ａのパターン形状に対応した形状に残留するように行う。アライナーやステッパーを用い、感光性樹脂層２４の一部が所望の位置にレジストマスク２４ａとして残留するようにフォトマスクを介してレジスト材料に応じた露光量で露光を行う。例えば、ＯＦＰＲ−８００により膜厚１μｍの感光性樹脂層を形成した場合は、１２０ｍＪ／ｃｍ２で露光すればよい。
【００２４】
露光後、現像を行う。使用するレジストによっては、現像する前に露光後ベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行ってもよい。ＰＥＢもレジスト材料に応じて行えば良く、通常は、例えば６０〜１５０℃で、１〜１０分間ＰＥＢを行う。露光後、現像前にＰＥＢを施すことで、露光量不足を補うことや定在波の影響を解消することができる。
【００２５】
現像は、露光後の基板１０を現像液につけた後、純水でリンスし、その後、基板１０を乾燥させる。例えば、露光後の基板１０をＮＭＤ−３（東京応化工業社製）等のアルカリ性現像液に６０秒程度浸漬した後、純水リンス６０秒を２回行い、その後、スピンドライヤ等で基板１０に付着している水分を取り除く。
【００２６】
＜撥水処理＞
次に、感光性樹脂のマスク２４ａが形成された面に撥水処理を施す（図２（Ｅ））。
撥水処理としては、例えば、サイトップ、テフロン（登録商標）ＡＦ、フルオロアルキルシラン、オプツール等、フッ素系又はシリコーン系の撥水剤を用い、公知のコーティング方法、例えばスピンコート法、ディップコート法、蒸着法、ＣＶＤ法などによりコーティングする方法や、基板の表面をフッ素プラズマにより処理する方法などが挙げられる。
【００２７】
ここで、本実施形態に係る撥水処理とは、レジストマスク２４ａをポストベークにより流動化させるとき、撥水処理を施していない場合の接触角をθ０、撥水処理を施してある場合の接触角をθ１とすると、θ０＜θ１となる処理を意味し、特に、θ１＞９０°となる処理を施すことが好ましい。
以下、接触角θについて具体的に説明する。
【００２８】
図３は、固体上の液滴の様子を概略的に示している。固体、液体の表面張力、液体と固定の界面張力をそれぞれγＳ，γＬ，γＳＬ、接触角をθとすると、以下の関係式（Ｙｏｕｎｇ−Ｄｕｐｒｅの関係式）が成り立つ。
【００２９】
【数１】
2009229620.tif 000003
【００３０】
また、表面張力及び界面張力は次式（２）のような成分の力の和として表される。
【００３１】
【数２】
2009229620.tif 000004
【００３２】
ここで、添え字ｄは分散力（ファンデルワールス力）、ｐは双極子間力、ｈは水素結合力、ｍは金属結合力である。さらに、界面張力は液体、固体の表面張力の各成分の幾何平均で下記のように表される。
【００３３】
【数３】
2009229620.tif 000005
【００３４】
レジストなどの溶剤系薬品を考えた場合、分散成分のみで他の成分を無視できるとすると、（３）式を（１）式へ代入して下記（４）式が得られる。
【００３５】
【数４】
2009229620.tif 000006
【００３６】
そして、下記（５）式の関係を満たす時にθ＞９０°となって、撥水性（撥液性）を示すことになる。
【００３７】
【数５】
2009229620.tif 000007
【００３８】
例えば、レジストの表面エネルギーが３０であるとすると、撥水剤（撥液剤）の表面エネルギーは８程度必要となる。
撥液材料として、例えば、フルオロアルキルシラン（１０）、フッ化カーボン（〜１０）、パーフルオロアルカン（６．７）、パーフルオロラウリック酸（６）を用いれば、接触角が９０°以上となる撥水性を得る事が出来る（カッコ内は、撥水材料の表面エネルギーを表す。）。
【００３９】
撥水剤の種類によっては、部材１０との密着性を高めるため、スパッタ法やＣＶＤ法等により、被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に酸化膜２６を設け（図２（Ｄ））、該酸化膜２６を介して撥水処理を施してもよい。例えば、フルオロアルキルシラン、オプツール等の撥水剤は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）に対し、シロキサン結合を介して付着し易い。従って、予めシリコン酸化膜を形成した後、シロキサン結合で結合する撥水剤を用いれば、撥水剤を確実に付着させることができる。
【００４０】
また、撥水処理として、感光性樹脂のマスク２４ａが形成されている面に撥水剤を蒸着させることで、マスク２４ａの側面には撥水剤が付着しないようにしてもよい（図２（Ｆ））。例えば、レジストマスク２４ａが形成されている面に、その対向する位置から撥水剤を気化させれば、レジストマスク２４ａの周りの基板表面には撥水剤２８が付着するが、レジストマスク２４ａの側面には撥水剤が付着し難い。このように撥水剤２８が成膜されていれば、後のポストベーク工程においてレジストマスク２４ａが軟化したときでも、レジスト２４ａの境界部分における表面エネルギーの違いが大きくなり、レジスト２４ａは外側に広がり難くなり、マスク２４ａのサイズシフトを一層小さく抑えることができる。
【００４１】
＜ポストベーク＞
撥水処理後、感光性樹脂のマスク２４ａをポストベークする（図２（Ｇ））。
例えば、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いて基板１０を加熱する。レジスト２４ａのポストベークにより、残留した現像液やリンス液を蒸発させて除去し、さらに、レジスト２４ａを硬化させてドライエッチング時のプラズマ性を向上させるとともに基板１０との密着性を向上させる。ポストベークの温度及び時間は、レジスト材料に応じて設定すればよく、通常は、ホットプレートを用いた場合、１００〜２００℃程度で、１〜１５分間行う。また、オーブンを用いた場合、１００〜２００℃程度で、１０〜６０分間程度行う。
【００４２】
ポストベークによりレジストマスク２４ａは軟化して丸みを帯びた形状となるが、レジストマスク２４ａの周囲にはレジストが広がる方向に撥水剤が付着しているので、表面エネルギーの違いにより外側に広がらずに固化する。このようにレジスト２４ａの周囲に付着している撥水剤２８により、ポストベーク工程時に発生するレジスト形状のダレやサイズシフトの発生が抑えられ、設計値に近いマスク形状が維持されるとともに、断面のダレ（広がり）が抑えられる。
また、ポスベークによりプラズマに対する耐性が向上するとともに、ポストベーク後のレジストマスク２４ａは、適度なテーパー形状、すなわち、側面が適度に傾斜しているため、ドライエッチング時における反応性生成物の付着が抑制されることになる。
【００４３】
＜ドライエッチング＞
ポストベーク後、感光性樹脂のマスク２４ａを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材１０（ＰＺＴ膜２０）をパターニングする（図２（Ｈ））。
ドライエッチングの方法はエッチングによりパターニングすべき材料に応じて選択すればよく、例えば、誘電結合プラズマ（ＩＣＰ）、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）、磁場強化型ＩＣＰなどの各エッチング装置によりドライエッチングを施すことができる。
【００４４】
ＰＺＴ膜２０のドライエッチングでは、例えば、図６に示すようなアンテナ３２、誘電体窓３４等を備えた装置３０によってプラズマエッチングを施すことができる。チャンバー３６内にプロセスガスとして例えば塩素とアルゴンの混合ガスを導入する。プロセスガスとしては、塩素に代えてＢＣｌ３、ＨＢｒ、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８を用いても良く、酸素や窒素などを添加しても良い。更に塩素とＣ４Ｆ８、Ａｒ、酸素の混合ガスなどのようにガスを複数混合して使用しても良い。アンテナ３２にＲＦを印加してプラズマを生成し、ステージ３８へバイアス用のＲＦを印加する事でエッチングを行う。例えばアンテナ３２用のＲＦ電源４０には１３．５６ＭＨｚを使用し、バイアス用のＲＦ電源４２には低周波帯を使用する。アンテナ３２用のＲＦ周波数は、１３．５６〜６０ＭＨｚなどを用いても良い。低周波電源としては、３５０ｋＨｚ〜２ＭＨｚを使用すれば良い。代表的なエッチング条件は、以下のとおりである。
【００４５】
プロセスガスは、塩素を１０％〜６０％とアルゴン４０％〜９０％の混合ガスを用いる。例えば塩素の流量を２０ｓｃｃｍ、アルゴンを８０ｓｃｃｍとすれば良い。プロセスガスの圧力は、０．１〜５Ｐａ、例えば１．０Ｐａにすれば良い。アンテナＲＦ電力は、３５０〜１０００Ｗ、例えば５００Ｗとする。基板バイアス電力は、５０〜５００Ｗ、例えば１５０Ｗにする。ステージ３８の温度は、−２０〜１５０℃、例えば５℃にすれば良い。
ドライエッチングの際、基板１０に形成したレジストマスク２４ａは、設計値に近い形状が維持されているとともに、テーパー断面のダレ（広がり）が抑えられているため、圧電膜２０が良好にパターニングされ、ドライエッチング後の圧電膜２０ａの断面形状は設計値に近いものとなる。
【００４６】
＜マスクの除去＞
ドライエッチング後、必要に応じ、東京応化工業社製剥離液５０２ＡやＡＺ社製のＡＺリムーバー１００などの剥離液等を用いてレジストマスク２４ａを剥離する。あるいは、酸素プラズマ等によりアッシングを行ってレジストマスク２４ａを除去しても良い。酸素プラズマを用いたアッシング処理では、ＩＣＰ、マイクロ波アッシャー、バレル式のアッシャーを用いれば良い。アッシング処理条件は、例えば、マイクロ波を用いたＳＷＰ（Surface  Wave  Plasma）などで酸素ガスを２００ｓｃｃｍ、３０Ｐａ、マイクロ波出力１ｋＷで行えばよい。
【００４７】
なお、撥水剤２８は、通常はドライエッチング時に除去されるが、レジスト２４ａを剥離液や酸素プラズマによって除去すれば、レジスト２４ａとともに残留している撥水剤２８も除去されるので、デバイス性能に影響することはない。
以上のような工程を経て、ドライエッチングにより良好な形状にパターニングされた圧電膜２０ａを有する圧電デバイスが得られる。
【００４８】
−第２実施形態−
図４は、第２実施形態に係るパターニング方法を示している。
ここでは、まず、被エッチング部材１０の上面（上部電極２２及び圧電膜２０上）に酸化膜（ＳｉＯ２）２６を形成する（図４（Ａ））。酸化膜２６は、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法で１０ｎｍ〜１μｍの厚みとなるように成膜すればよい。ここで酸化膜２６をある程度厚く（例えば、１〜５μｍ）成膜しておけば、圧電膜２０のドライエッチングの際に、酸化膜２６をマスクとして用いることも出来る。
【００４９】
次いで、酸化膜２６上に感光性樹脂層２４を形成する（図４（Ｂ））。第１実施形態の場合と同様、スピンコート法、スプレーコート法などによりレジストを塗布した後、ソフトベーク（プリベーク）を行えばよい。
【００５０】
さらに、感光性樹脂層２４をフォトリソグラフィ（露光及び現像）によってマスク形状にパターニングする（図４（Ｃ））。第１実施形態の場合と同様、現像後に残留させるべき感光性樹脂層（レジストマスク）２４ａの形状に応じて、フォトマスクを介して露光を行った後、アルカリ性現像液による現像、純水によるリンス、スピンドライヤ等による乾燥を順次行う。
【００５１】
次いで、感光性樹脂のマスク２４ａが形成された面に撥水処理を施す。撥水処理も、第１実施形態の場合と同様、スピンコート法、ディップコート法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより撥水剤をコーティングすればよい。なお、現像によって感光性樹脂層２４が除去された部分では酸化膜２６が露出しているため、酸化膜２６とシロキサン結合で結合する撥水剤（例えば、フルオロアルキルシラン、オプツール等）を用いれば、撥水剤２８が酸化膜２６上のみにコーティングするとが可能となる（図４（Ｄ））。これにより、レジストマスク２４ａと、撥水剤２８が設けられたマスク２４ａの周囲との間で表面エネルギーの差をより大きくすることが可能となる。撥水処理後、必要に応じて洗浄を行う。
【００５２】
撥水処理後、感光性樹脂のマスク２４ａをポストベークする（図４（Ｅ））。
ポストベークも第１実施形態と同様に行えばよい。ここで、酸化膜２６上に形成された撥水膜２８とレジストマスク２４ａとの表面エネルギーの差により、ポストベークにおけるレジスト形状のダレ（広がり）やサイズシフトの発生が効果的に抑えられる。
【００５３】
ポストベーク後、感光性樹脂２４ａのマスクを介して、ドライエッチングにより被エッチング部材１０（圧電膜２０）をパターニングする（図４（Ｆ））。
第１実施形態と同様にドライエッチングを行えばよい。撥水処理により設計値に近いマスク形状が維持されているとともに、レジストマスク２４ａのダレ（広がり）が抑えられているため、圧電膜２０を良好にパターニングすることができる。
【００５４】
＜マスクの除去＞
ドライエッチング後、必要に応じ、剥離液等を用いて残留しているレジストマスク２４ａを剥離する。あるいは、酸素プラズマ等によりアッシングを行ってレジストマスク２４ａを除去する。
以上のような工程を経て、ドライエッチングにより良好な形状にパターニングされた圧電膜２０ａを有する圧電デバイスが得られる。
本発明では、圧電体などの難エッチング材を含む部材を高精度にパターニングすることができるため、特にピエゾ方式などのインクジェットヘッドを製造する場合に有利に適用することができる。
【００５５】
以上、本発明について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、ドライエッチングによりパターニングを行う部材は例示した難エッチング材に限定されず、適宜選択することができる。また、マスクを形成するための感光性樹脂も例示したものに限定されず、適宜選択すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係るドライエッチングによるパターニング方法の一例を示す概略図である。
【図２】第１実施形態におけるドライエッチングによるパターニング工程を示す図である。
【図３】接触角を説明する概略図である。
【図４】第２実施形態におけるドライエッチングによるパターニング工程を示す図である。
【図５】従来のレジストマスクを用いたドライエッチングによるパターニング方法の一例を示す図である。
【図６】ドライエッチング装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０   被エッチング部材
１２   シリコン基板
１４   絶縁膜
１６   密着層
１８   下部電極
２０   圧電膜
２０ａ 圧電膜（パターニング後）
２２   上部電極
２４   感光性樹脂層
２４ａ レジストマスク
２６   酸化膜
２８   撥水剤
【図１】
2009229620.tif 000008
【図２】
2009229620.tif 000009
【図３】
2009229620.tif 000010
【図４】
2009229620.tif 000011
【図５】
2009229620.tif 000012
【図６】
2009229620.tif 000013