(57)【要約】【課題】横電界方式の液晶装置において、黒表示時の視角特性を向上させる。【解決手段】この液晶装置は、横電界方式であり、第１及び第２の偏光板の間に、液晶表示パネル、第１の位相差層、第２の位相差層を有する。第１の偏光板と第２の偏光板は透過軸が相対的に略直交しており、第１の偏光板の透過軸は液晶表示パネルの液晶層の液晶分子の初期配向軸と略直交している。第１及び第２の位相差層は光学的に正の一軸性を有する。第１の位相差層は、その層面に対して略平行な且つ初期配向軸に対し略直交する第１の遅相軸を有する。第２の位相差層は、その層面に対して略垂直な第２の遅相軸を有する。第１の位相差層の位相差値Ｒａと、第２の位相差層の位相差値Ｒｃの関係は、１０５ｎｍ≦Ｒａ≦１６５ｎｍ、５５ｎｍ≦Ｒｃ≦１１５ｎｍを満たしている。これにより、黒表示時の輝度を全方位に亘って抑制でき、黒表示時の視角特性を向上させることができる。【選択図】図５
2009020488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透過軸を有する第１の偏光板と、
前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある第２の透過軸を有する第２の偏光板と、
前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、
前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備え、
前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側には、第１の電極と、前記第１の電極との間で前記基板に平行な成分を有する電界を発生させる第２の電極とが形成され、
前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある第１の遅相軸を有し、
前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある第２の遅相軸を有し、
前記第１の位相差層の位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の位相差値をＲｃとした場合、
前記Ｒａと前記Ｒｃの関係は、
１０５［ｎｍ］≦Ｒａ≦１６５［ｎｍ］、５５［ｎｍ］≦Ｒｃ≦１１５［ｎｍ］を満たしていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
第１の透過軸を有する第１の偏光板と、
前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある第２の透過軸を有する第２の偏光板と、
前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、
前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備え、
前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり、
前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある第１の遅相軸を有し、
前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある第２の遅相軸を有し、
前記一対の基板のうち一方の基板は、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記第１の電極との間で前記基板に平行な成分を有する電界を発生させる第２の電極と、を有し、
前記第１の位相差層の位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の位相差値をＲｃとした場合、
前記Ｒａと前記Ｒｃの関係は、
１１０［ｎｍ］＜Ｒａ＜１６０［ｎｍ］、５０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１１５［ｎｍ］を満たしていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
第１の透過軸を有する第１の偏光板と、
前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある第２の透過軸を有する第２の偏光板と、
前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、
前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備え、
前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側には、第１の電極と、前記第１の電極との間で前記基板に平行な成分を有する電界を発生させる第２の電極とが形成され、
前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある第１の遅相軸を有し、
前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある第２の遅相軸を有し、
前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間であって、前記液晶表示パネル、前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層を挟む位置には、一対の第３の位相差層が配置されており、
前記第１の位相差層の位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の位相差値をＲｃとし、前記第３の位相差層の位相差値をＲｔとした場合、
前記Ｒａと前記Ｒｃと前記Ｒｔとの関係は、
１００［ｎｍ］＋Ｒｔ［ｎｍ］≦Ｒａ≦１５０［ｎｍ］＋Ｒｔ［ｎｍ］、８０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１２０［ｎｍ］を満たしていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層の少なくとも一方は液晶高分子よりなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層の少なくとも一方は前記一対の基板の液晶層側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第２の偏光板の前記第２の透過軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸に対して直交し、
前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方と平行であり、
前記第１の位相差層の前記第１の遅相軸は、当該第１の位相差層の面に対して平行であり且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交し、
前記第２の位相差層の前記第２の遅相軸は、当該第２の位相差層の面に対して垂直であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＩＰＳ（In−Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式などに代表される横電界方式の液晶装置が携帯機器などの各種の表示装置として好適に用いられている。この方式は、液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする方式であり、ＴＮ（Twisted Nematic）方式などに比べて高透過率及び高視角特性を得ることができるという利点がある。
【０００３】
しかしながら、この種の横電界方式の液晶装置では、観察方向によって表示に色付きが生じてしまうといった課題がある（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載の横電界方式の液晶装置は、一対の偏光板と、一対の偏光板の間に設けられ、基板面に平行な電界により配向方向が変化する液晶層と、正の一軸性の光学異方性を有し、且つ基板面に垂直な方向に光軸を有する補償層とから構成され、その補償層は、その複屈折量の変化によって、視角変化による液晶層の複屈折量の変化を補償するようにしている。これにより、視角変化による液晶層の複屈折量の変化を補償し、視角方向の変化による色付きを抑制することが可能とされている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１３３４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような横電界方式の液晶装置では、観察方向によって黒表示時の輝度が高くなってしまい、黒表示時における視角特性が低下してしまうといった課題がある。
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、黒表示時における輝度を全方位に亘って抑制することで、黒表示時における視角特性を向上させることが可能な横電界方式の液晶装置及びそれを用いた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］第１の透過軸を有する第１の偏光板と、前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある第２の透過軸を有する第２の偏光板と、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備え、前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり、前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側には、第１の電極と、前記第１の電極との間で前記基板に平行な成分を有する電界を発生させる第２の電極とが形成され、前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある第１の遅相軸を有し、前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある第２の遅相軸を有し、前記第１の位相差層の位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の位相差値をＲｃとした場合、前記Ｒａと前記Ｒｃの関係は、１０５［ｎｍ］≦Ｒａ≦１６５［ｎｍ］、５５［ｎｍ］≦Ｒｃ≦１１５［ｎｍ］を満たしている液晶装置。
【００１０】
上記の液晶装置は、第１の透過軸を有する第１の偏光板と、前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある（直交から±１度の範囲内であることがより好ましい）第２の透過軸を有する第２の偏光板と、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に、例えばホモジニアス配向を呈する液晶分子を備える液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備える。そして、前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり（平行から±１度の範囲内であることがより好ましい）、前記液晶分子は、前記一対の基板の面に平行な成分を有する電界により表示の切り替えがなされる（液晶分子の配向方向が制御される）。これにより、横電界方式の液晶装置を構成することができる。
【００１１】
また、前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり（平行から±１度の範囲内であることがより好ましい）且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある（直交から±１度の範囲内であることがより好ましい）第１の遅相軸を有する。一方、前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある（垂直から±１度の範囲内であることがより好ましい）第２の遅相軸を有する。ここで、前記第１の位相差層は、その厚さｄ１方向をＺ軸としてその軸方向における屈折率をｎz1、Ｚ軸に垂直な面内の一方向をＸ軸としてその軸方向における屈折率をｎx1、Ｚ軸とＸ軸に垂直な方向をＹ軸としてその軸方向における屈折率をｎy1としたとき、ｎx1＞ｎy1＝ｎz1を満たしている。また、前記第１の位相差層の位相差値Ｒａは、ｄ１×（ｎx1−ｎy1）である。一方、前記第２の位相差層は、その厚さｄ２方向をＺ軸としてその軸方向における屈折率をｎz2、Ｚ軸に垂直な面内の一方向をＸ軸としてその軸方向における屈折率をｎx2、Ｚ軸とＸ軸に垂直な方向をＹ軸としてその軸方向における屈折率をｎy2としたとき、ｎx2＝ｎy2＜ｎz2を満たしている。また、前記第２の位相差層の位相差値Ｒｃは、ｄ２×（ｎz2−ｎx2）である。
【００１２】
特に、前記第１の位相差層の前記位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の前記位相差値をＲｃとした場合、前記Ｒａと前記Ｒｃの関係は、１０５［ｎｍ］≦Ｒａ≦１６５［ｎｍ］、５５［ｎｍ］≦Ｒｃ≦１１５［ｎｍ］を満たしている。
【００１３】
これにより、後述の第１実施形態を参照して分かるように、仰角β＝６０［°］付近の領域の平均的な輝度を０．１％より小さくすることができ、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができる。その結果、黒表示時における視角特性を向上させることができる。
【００１４】
［適用例２］第１の透過軸を有する第１の偏光板と、前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある第２の透過軸を有する第２の偏光板と、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備え、前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり、前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある第１の遅相軸を有し、前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある第２の遅相軸を有し、前記一対の基板のうち一方の基板は、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記第１の電極との間で前記基板に平行な成分を有する電界を発生させる第２の電極と、を有し、前記第１の位相差層の位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の位相差値をＲｃとした場合、前記Ｒａと前記Ｒｃの関係は、１１０［ｎｍ］＜Ｒａ＜１６０［ｎｍ］、５０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１１５［ｎｍ］を満たしている液晶装置。
【００１５】
上記の液晶装置は、第１の透過軸を有する第１の偏光板と、前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある（直交から±１度の範囲内であることがより好ましい）第２の透過軸を有する第２の偏光板と、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に、例えばホモジニアス配向を呈する液晶分子を備える液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備える。そして、前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり（平行から±１度の範囲内であることがより好ましい）、前記液晶分子は、前記一対の基板の面に平行な成分を有する電界により表示の切り替えがなされる（液晶分子の配向方向が制御される）。
【００１６】
また、前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり（平行から±１度の範囲内であることがより好ましいを含む）且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある（直交から±１度の範囲内であることがより好ましい）第１の遅相軸を有する。一方、前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある（垂直から±１度の範囲内であることがより好ましい）第２の遅相軸を有する。ここで、前記第１の位相差層は、その厚さｄ１方向をＺ軸としてその軸方向における屈折率をｎz1、Ｚ軸に垂直な面内の一方向をＸ軸としてその軸方向における屈折率をｎx1、Ｚ軸とＸ軸に垂直な方向をＹ軸としてその軸方向における屈折率をｎy1としたとき、ｎx1＞ｎy1＝ｎz1を満たしている。また、前記第１の位相差層の位相差値Ｒａは、ｄ１×（ｎx1−ｎy1）である。一方、前記第２の位相差層は、その厚さｄ２方向をＺ軸としてその軸方向における屈折率をｎz2、Ｚ軸に垂直な面内の一方向をＸ軸としてその軸方向における屈折率をｎx2、Ｚ軸とＸ軸に垂直な方向をＹ軸としてその軸方向における屈折率をｎy2としたとき、ｎx2＝ｎy2＜ｎz2を満たしている。また、前記第２の位相差層の位相差値Ｒｃは、ｄ２×（ｎz2−ｎx2）である。
【００１７】
また、前記一対の基板のうち一方の基板は、第１の電極（例えば、画素電極又は共通電極）と、前記第１の電極上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記第１の電極との間で前記電界を発生させる第２の電極（例えば、第１の電極が画素電極である場合には共通電極又は第１の電極が共通電極である場合には画素電極）と、を有し、横電界方式の一例としてのＦＦＳ方式の液晶装置を構成することができる。
【００１８】
特に、前記第１の位相差層の前記位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の前記位相差値をＲｃとした場合、前記Ｒａと前記Ｒｃの関係は、１１０［ｎｍ］＜Ｒａ＜１６０［ｎｍ］、５０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１１５［ｎｍ］を満たしている。これにより、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができ、黒表示時における視角特性を向上させることができる。加えて、階調度の低い表示を行った場合でも、後述の第３実施形態を参照して分かるように、階調反転現象が生じることを低減できる。
【００１９】
［適用例３］第１の透過軸を有する第１の偏光板と、前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある第２の透過軸を有する第２の偏光板と、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備え、前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり、前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側には、第１の電極と、前記第１の電極との間で前記基板に平行な成分を有する電界を発生させる第２の電極とが形成され、前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある第１の遅相軸を有し、前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある第２の遅相軸を有し、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間であって、前記液晶表示パネル、前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層を挟む位置には、一対の第３の位相差層が配置されており、前記第１の位相差層の位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の位相差値をＲｃとし、前記第３の位相差層の位相差値をＲｔとした場合、前記Ｒａと前記Ｒｃと前記Ｒｔとの関係は、１００［ｎｍ］＋Ｒｔ［ｎｍ］≦Ｒａ≦１５０［ｎｍ］＋Ｒｔ［ｎｍ］、８０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１２０［ｎｍ］を満たしている液晶装置。
【００２０】
上記の液晶装置は、第１の透過軸を有する第１の偏光板と、前記第１の偏光板に対向するように配置され、前記第１の透過軸に対して直交から±５度の範囲内にある（直交から±１度の範囲内であることがより好ましい）第２の透過軸を有する第２の偏光板と、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置され、一対の基板間に、例えばホモジニアス配向を呈する液晶分子を備える液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に配置された第１及び第２の位相差層と、を備える。そして、前記液晶表示パネルの前記液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方の透過軸と平行から±５度の範囲内にあり（平行から±１度の範囲内であることがより好ましい）、前記液晶分子は、前記一対の基板の面に平行な成分を有する電界成分により表示の切り替えがなされる（液晶分子の配向方向が制御される）。これにより、横電界方式の液晶装置を構成することができる。
【００２１】
また、前記第１の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第１の位相差層の面に対して平行から±５度の範囲内にあり（平行から±１度の範囲内であることがより好ましい）且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交から±５度の範囲内にある（直交から±１度の範囲内であることがより好ましい）第１の遅相軸を有する。一方、前記第２の位相差層は、光学的に正の一軸性を有すると共に、当該第２の位相差層の面に対して垂直から±５度の範囲内にある（垂直から±１度の範囲内であることがより好ましい）第２の遅相軸を有する。ここで、前記第１の位相差層は、その厚さｄ１方向をＺ軸としてその軸方向における屈折率をｎz1、Ｚ軸に垂直な面内の一方向をＸ軸としてその軸方向における屈折率をｎx1、Ｚ軸とＸ軸に垂直な方向をＹ軸としてその軸方向における屈折率をｎy1としたとき、ｎx1＞ｎy1＝ｎz1を満たしている。また、前記第１の位相差層の位相差値Ｒａは、ｄ１×（ｎx1−ｎy1）である。一方、前記第２の位相差層は、その厚さｄ２方向をＺ軸としてその軸方向における屈折率をｎz2、Ｚ軸に垂直な面内の一方向をＸ軸としてその軸方向における屈折率をｎx2、Ｚ軸とＸ軸に垂直な方向をＹ軸としてその軸方向における屈折率をｎy2としたとき、ｎx2＝ｎy2＜ｎz2を満たしている。また、前記第２の位相差層の位相差値Ｒｃは、ｄ２×（ｎz2−ｎx2）である。
【００２２】
また、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間であって、前記液晶表示パネル、前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層を挟む位置には、一対の第３の位相差層（例えば、前記第１の偏光板及び前記第２の偏光板の要素となる偏光層を保持する基材）が配置されており、前記第１の位相差層の前記位相差値をＲａとし、前記第２の位相差層の前記位相差値をＲｃとし、前記第３の位相差層の位相差値をＲｔとした場合、前記Ｒａと前記Ｒｃと前記Ｒｔとの関係は、１００［ｎｍ］＋Ｒｔ［ｎｍ］≦Ｒａ≦１５０［ｎｍ］＋Ｒｔ［ｎｍ］、８０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１２０［ｎｍ］を満たしている。
【００２３】
これにより、前記第１の偏光板と前記第２の偏光板の間に前記一対の第３の位相差層が存在する構成の下においても、後述の第２実施形態を参照して分かるように、仰角β＝６０［°］付近の領域の平均的な輝度を０．１％より小さくすることができ、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができる。その結果、黒表示時における視角特性を向上させることができる。
【００２４】
［適用例４］上記液晶装置であって、前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層の少なくとも一方は液晶高分子よりなる液晶装置。
【００２５】
これにより、有機高分子フィルムを延伸して作製した前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層の少なくとも一方の厚さと比較して、前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層の少なくとも一方の厚さをより薄くすることができる。その結果、横電界方式の液晶装置の薄型化を図ることができる。
【００２６】
［適用例５］上記液晶装置であって、前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層の少なくとも一方は前記一対の基板の液晶層側に配置（又は形成）されている液晶装置。
【００２７】
これにより、前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層の少なくとも一方を液晶層の外側に配置（又は形成）したものと比較して、前記第１の位相差層及び前記第２の位相差層の少なくとも一方の厚さをより薄くすることができる。その結果、横電界方式の液晶装置の薄型化を図ることができる。
【００２８】
［適用例６］上記液晶装置であって、前記第２の偏光板の前記第２の透過軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸に対して直交し、前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸は、前記第１の偏光板の前記第１の透過軸及び前記第２の偏光板の前記第２の透過軸のいずれか一方と平行であり、前記第１の位相差層の前記第１の遅相軸は、当該第１の位相差層の面に対して平行であり且つ前記液晶分子の前記初期配向方向の前記軸に対して直交し、前記第２の位相差層の前記第２の遅相軸は、当該第２の位相差層の面に対して垂直である液晶装置。
【００２９】
このような構成によれば、より好適な光学補償を行うことができ、液晶装置の表示品位をさらに高めることができる。
【００３０】
［適用例７］上記液晶装置を表示部として備える電子機器。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照しながら液晶装置及び電子機器の実施形態について説明する。
【００３２】
［第１実施形態］
（液晶装置の構成）
まず、図１等を参照して、第１実施形態に係る液晶装置の構成について説明する。
【００３３】
図１は、第１実施形態に係る液晶装置の構成を模式的に示す平面図である。図１では、紙面手前側（観察側）に液晶表示パネル８０の要素であるカラーフィルタ基板９２が、また、紙面奥側に液晶表示パネル８０の要素であるアレイ基板９１が夫々配置されている。但し、カラーフィルタ基板９２とアレイ基板９１の配置関係は図１の構成と逆でも構わない。また、図１において、カラーフィルタ基板９２側に設けられた矩形状の平面形状を有するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色層４の各々に対応する領域と、アレイ基板９１側に設けられた各共通電極３及び各画素電極９との重なり合う領域は、表示の最小単位となる１つのサブ画素領域ＳＧを示していると共に、１行３列に配置されたＲ、Ｇ、Ｂの各色のサブ画素領域ＳＧを含む領域は１つの画素領域Ｇを示している。サブ画素領域ＳＧ又は画素領域Ｇがマトリクス状に配列された領域が、文字、数字、図形等の画像が表示される有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。有効表示領域Ｖの外側の領域は表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００３４】
第１実施形態に係る液晶装置１００は、アレイ基板９１と、そのアレイ基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール材４３を介して貼り合わされ、そのシール材４３で区画される領域に、ホモジニアス配向を呈する液晶が封入されて液晶層１５（図３）が形成されてなる。
【００３５】
ここで、この液晶装置１００は、電極が形成されたアレイ基板９１側において、当該アレイ基板９１の基板面に対して略平行なフリンジフィールド（電界）Ｅ成分により液晶分子の配向を制御する（表示の切り替えがなされる）、横電界方式の一例としてのＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の液晶装置である。また、この液晶装置１００は、バックライトなどの光源を利用して透過表示を行う透過表示モードを有する透過型の液晶装置でもある。さらに、この液晶装置１００は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色層４を用いて構成されるカラー表示用の液晶装置であると共に、スイッチング素子の一例としてのα−Ｓｉ型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２２を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。
【００３６】
但し、液晶装置１００の構成は、ＦＦＳ方式に限定されず、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式など様々な横電界方式とすることもできる。また、液晶装置１００は、透過型のみならず、外光を利用して反射表示を行う反射表示モードを有する反射型の液晶装置、又は、明所では外光を利用して反射表示を行う反射表示モードと、暗所ではバックライトなどの光源を利用して透過表示を行う透過表示モードとを有する半透過反射型の液晶装置とすることもできる。また、着色層４はＲ、Ｇ、Ｂの３色に限定されず、２色以下又は４色以上の着色層４を有して構成されていてもよい。さらに、α−Ｓｉ型のＴＦＴ素子２２に代えて、ＬＴＰＳ（Low-Temperature Poly-Silicon）型のＴＦＴ素子を含むその他の三端子素子、或いは二端子素子などの各種のスイッチング素子を用いてもよい。
【００３７】
第１実施形態に係る液晶装置１００は、液晶層１５を介して相互に対向して配置されたアレイ基板９１及びカラーフィルタ基板９２を有する液晶表示パネル８０と、液晶表示パネル８０を挟持する位置に配置された一対の第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６（図３を参照）と、第１の偏光板１３と第２の偏光板１６の間であって、液晶表示パネル８０に隣接する位置に配置された第１の位相差層１２（図３を参照）と、第１の偏光板１３と第２の偏光板１６の間であって、第１の位相差層１２に隣接する位置に配置された第２の位相差層１４（図３を参照）と、その他の要素と、を備える。なお、液晶表示パネル８０は横電界方式であればよく、その具体的な構成に限定はない。
【００３８】
まず、アレイ基板９１の平面構成について説明する。
【００３９】
アレイ基板９１は、主として、複数のソース線３２、複数のゲート線７、引き回し配線２５、複数の共通配線１９、複数のα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子２２、複数の第１の電極としての共通電極３、複数の第２の電極としての画素電極９、ドライバＩＣ４１、複数の外部接続用配線３５、及びＦＰＣ４２を有する。
【００４０】
アレイ基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側へ張り出してなる張り出し領域３６を有しており、その張り出し領域３６上には、液晶を駆動するためのドライバＩＣ４１が実装されている。ドライバＩＣ４１の入力側の各端子（図示略）は、各外部接続用配線３５の一端側と電気的に接続されていると共に、各外部接続用配線３５の他端側はＦＰＣ４２の出力側の各端子（図示略）と電気的に接続されている。ＦＰＣ４２の入力側の各端子（図示略）は、例えば電子機器の出力側の各端子（図示略）と電気的に接続される。
【００４１】
各ソース線３２は、張り出し領域３６から有効表示領域Ｖにかけて延在するように形成されている。各ソース線３２の一端側は、アドレス番号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎ−１、Ｓｎ（ｎ：自然数）の各々に対応するドライバＩＣ４１の出力側の各端子（図示略）に電気的に接続されている。各ソース線３２には、ドライバＩＣ４１側から画像信号が印加される。
【００４２】
各ゲート線７は、ソース線３２の延在方向と略平行（平行を含む）な方向に延在する直線状の第１のゲート配線７ａと、第１のゲート配線７ａの一端側から有効表示領域Ｖ側へ略直角に折れ曲がる第２のゲート配線７ｂと、を備える。各第１のゲート配線７ａの一端側は、アドレス番号Ｇ１、Ｇ２・・Ｇｍ−１、Ｇｍ（ｍ：自然数）の各々に対応するドライバＩＣ４１の出力側の各端子（図示略）に電気的に接続されている。各ゲート線７には、ドライバＩＣ４１側からゲート信号（走査信号）が印加される。
【００４３】
引き回し配線２５は、有効表示領域Ｖを取り囲むように引き回されている。引き回し配線２５の一端側は、ドライバＩＣ４１の出力側のＣＯＭ端子｛共通電位（基準電位）が印加される端子｝に電気的に接続されていると共に、引き回し配線２５の他端側は、図示を省略するが電気的に接地された接地用端子に電気的に接続されている。
【００４４】
各共通配線１９は、各第２のゲート配線７ｂに対応して設けられている。各共通配線１９は、各第２のゲート配線７ｂと一定の間隔をおいて且つ当該第２のゲート配線７ｂの延在方向と略平行（平行を含む）な方向に延在するように形成されている。各共通配線１９は、図示を省略するが、引き回し配線２５に電気的に接続されている。
【００４５】
各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２は、各ソース線３２と各第２のゲート配線７ｂの交差位置及び各サブ画素領域ＳＧに対応して設けられ、各ソース線３２及び各ゲート線７に電気的に接続されている。
【００４６】
各共通電極３は、各サブ画素領域ＳＧに対応して設けられ、対応する各共通配線１９と電気的に接続されている。このため、各共通電極３には、ドライバＩＣ４１側から引き回し配線２５及び各共通配線１９を介して共通電位が印加される。
【００４７】
各画素電極９は、各共通電極３と平面的に重なる位置に且つ各サブ画素領域Ｇに対応して設けられ、対応する各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２に電気的に接続されている。各画素電極９は、対応する各共通電極３との間でフリンジフィールド（電界）Ｅを発生させる。
【００４８】
次に、カラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。
【００４９】
カラーフィルタ基板９２は、光を遮光する黒色樹脂又は金属膜などからなる遮光層（一般に「ブラックマトリクス」と呼ばれ、以下では、単に「ＢＭ」と略記する）、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂなどを備える。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層４」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層４Ｒ」などと記す。
【００５０】
ＢＭは、図示を省略するが、各サブ画素領域ＳＧを区画する位置や、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２に対応する位置などに配置されている。Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の着色層４は、サブ画素領域ＳＧの各々に対応して設けられていると共に、対応する各画素電極９及び各共通電極３と平面的に重なる位置に設けられている。第１実施形態では、着色層４は、各共通配線１９及び各第２のゲート配線７ｂの延在方向に向かってＲ、Ｇ、Ｂの順に配列されているが、その配列順序に特に限定はない。
【００５１】
以上の構成を有する液晶装置１００は、その駆動時に次のようにして動作を行う。
【００５２】
まず、画像信号を供給するソース線３２はα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２のソース電極２２ｓ（図２及び図３を参照）に電気的に接続されており、画素電極９は、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２のドレイン電極２２ｄ（図２及び図３を参照）に電気的に接続されている。そして、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２のゲート電極２２ｇにはゲート線７が電気的に接続されており、スイッチング素子であるα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、ソース線３２から供給される、アドレス番号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに対応する画像信号を所定のタイミングで書き込む。このアドレス番号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに対応する画像信号は、この順に線順次に供給しても構わないし、或いは、相隣接する複数のゲート線７同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、アドレス番号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍに対応するゲート信号は、ゲート線７に所定のタイミングでパルス的に、この順に線順次で印加される。これにより、液晶層１５の液晶分子の配向方向が制御され、表示画像が観察者により視認される。
【００５３】
（画素構成）
次に、第１実施形態に係る液晶装置１００の画素構成について説明する。
【００５４】
まず、図２を参照して、アレイ基板９１における複数のサブ画素領域ＳＧを含む画素の平面構成について説明する。図２は、第１実施形態に係るアレイ基板９１における複数のサブ画素領域ＳＧを含む画素構成を示す平面図である。
【００５５】
図２において、ソース線３２と、ゲート線７の第２のゲート配線７ｂ及び共通配線１９とは相互に略直交する方向に延在している。ソース線３２と、ゲート線７の第２のゲート配線７ｂ及び共通配線１９との交差位置には、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２が対応して設けられている。α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２は、第２のゲート配線７ｂの一部をなすゲート電極２２ｇと、ゲート電極２２ｇ上に形成されたゲート絶縁膜５（図３を参照）と、ゲート絶縁膜５上に形成された半導体層の一例としてのアモルファスシリコン層（α−Ｓｉ層）２２ａと、ソース線３２の本線からα−Ｓｉ層２２ａ側へ分岐して、α−Ｓｉ層２２ａと電気的に接続されたソース電極２２ｓと、ソース電極２２ｓと一定の間隔をおいて配置され、且つα−Ｓｉ層２２ａと電気的に接続されたドレイン電極２２ｄと、を有する。
【００５６】
各共通電極３は、各サブ画素領域ＳＧに対応して設けられ、対応する各共通配線１９と電気的に接続されている。各画素電極９は、各サブ画素領域ＳＧ内に対応して設けられ、ゲート絶縁膜５及びパシベーション層（反応防止層）８（図３を参照）を介して、対応する各共通電極３と平面的に重なり合っている。各画素電極９は、ソース線３２と交差する方向に延在する複数の矩形状のスリット９ｓを有し、スリット９ｓの各々は、ソース線３２の延在方向に対して一定の間隔をおいて設けられている。各画素電極９は、パシベーション層８に設けられたコンタクトホール８ａを通じて、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２のドレイン電極２２ｄに電気的に接続されている（図３も参照）。
【００５７】
次に、図３を参照して、サブ画素領域ＳＧの断面構成について説明する。図３は、図２の切断線Ａ−Ａ'に沿ったサブ画素領域ＳＧの断面構成を示す断面図である。
【００５８】
液晶装置１００は、背面側に配置されたアレイ基板９１と、そのアレイ基板９１に対向して配置されたカラーフィルタ基板９２との間にホモジニアス配向を呈する液晶分子を備える液晶層１５を挟持した構成を有する。
【００５９】
まず、図３に対応するアレイ基板９１の断面構成は次の通りである。
【００６０】
アレイ基板９１は、ガラスなどの透光性材料により形成された第１の基板１と、第１の基板１の液晶層１５側に形成された複数の構成要素と、を備える。
【００６１】
具体的には、第１の基板１の液晶層１５側の内面上には、ゲート線７の要素であるゲート電極２２ｇ、共通配線１９、共通電極３及びゲート絶縁膜５などが形成されている。共通電極３は、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）などの透明導電材料により形成されている。共通電極３の一端側は、例えば、ＩＴＯ、クロム、アルミニウムなどの金属により形成された共通配線１９を覆っている。これにより、共通電極３と共通配線１９は電気的に接続されている。ゲート絶縁膜５は、絶縁性及び透光性を有する材料にて形成され、ゲート電極２２ｇ及び共通電極３を覆っている。ここで、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２に着目すると、その層構造は次の通りである。α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２は、第１の基板１の液晶層１５側の内面上に形成されたゲート電極２２ｇと、ゲート電極２２ｇの内面上に形成されたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５の内面上であって、ゲート電極２２ｇと部分的に重なる位置に設けられたα−Ｓｉ層２２ａと、α−Ｓｉ層２２ａの内面上の一端側から、ゲート絶縁膜５の内面上であって且つ画素電極９の一端側にかけて延在するように設けられたドレイン電極２２ｄと、α−Ｓｉ層２２ａの内面上の他端側から、ゲート絶縁膜５の内面上であって且つソース線３２側にかけて延在するように設けられたソース電極２２ｓと、を備える。α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２の内面上には、絶縁性及び透光性を有する材料にて形成されたパシベーション層８が形成され、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２は、当該パシベーション層８により覆われている。
【００６２】
また、共通電極３と平面的に重なる位置に存在するゲート絶縁膜５の内面上には、パシベーション層８が形成されている。共通電極３と平面的に重なる位置に存在するパシベーション層８の内面上等には、ＩＴＯなどの透明導電膜により形成された画素電極９が形成されている。このため、画素電極９と共通電極３とは相互に平面的に重なり合っている。α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２側に位置する、画素電極９の一端側は、パシベーション層８に設けられたコンタクトホール（開口）８ａ内まで入り込んでおり、ドレイン電極２２ｄと電気的に接続されている。このため、画素電極９は、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２と電気的に接続されている。なお、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２を覆うパシベーション層８の内面上及び画素電極９等の内面上には、水平配向性のポリイミド樹脂などの有機材料により形成された配向膜（図示略）が形成されている。
【００６３】
一方、アレイ基板９１の液晶層１５側に対して反対側の外面上には、第１の偏光板１３、及び照明装置としてのバックライト４５がこの順に配置されている。第１の偏光板１３は、第１の透過軸（図示略）を有する。第１の偏光板１３の前記第１の透過軸は、液晶層１５の液晶分子の初期配向方向の軸（図示略）と直交している。なお、第１の透過軸と液晶分子の初期配向方向とは、必ずしも完全に直交していなくともよく、直交から±５度の範囲にあればよいが、直交から±１度の範囲内であることが好ましい。バックライト４５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。
【００６４】
次に、図３に対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成は次の通りである。
【００６５】
カラーフィルタ基板９２は、ガラスなどの透光性材料により形成された第２の基板２と、第２の基板２の液晶層１５側に形成された複数の構成要素と、を備える。
【００６６】
具体的には、第２の基板２の液晶層１５側の内面上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ（図３では着色層４Ｒ）、及び遮光性を有するＢＭが夫々形成されている。
【００６７】
各着色層４は、共通電極３及び画素電極９と平面的に重なる位置に対応して設けられており、ＢＭは、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２等に対応する位置に設けられている。各着色層４及びＢＭの内面上には、アクリル樹脂などの絶縁性及び透光性を有する材料にて形成されたオーバーコート層６が形成されている。このオーバーコート層６は、カラーフィルタ基板９２の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から着色層４を保護する機能を有する。オーバーコート層６の内面上には、水平配向性のポリイミド樹脂などの有機材料により形成された配向膜（図示略）が形成されている。
【００６８】
一方、カラーフィルタ基板９２の液晶層１５側に対して反対側の外面上には、第１の位相差層１２、第２の位相差層１４、第２の偏光板１６がこの順に配置されている。
【００６９】
第１の位相差層１２は、光学的に正の一軸性を有し、その厚さｄ１（図示略）方向をＺ軸としてその軸方向における屈折率をｎz1、Ｚ軸に垂直な面内の一方向をＸ軸としてその軸方向における屈折率をｎx1、Ｚ軸とＸ軸に垂直な方向をＹ軸としてその軸方向における屈折率をｎy1としたとき、ｎx1＞ｎy1＝ｎz1を満たしている。また、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａは、ｄ１×（ｎx1−ｎy1）である。第１の位相差層１２は、当該第１の位相差層１２の面に対して平行且つ液晶層１５の液晶分子の初期配向方向の軸（図示略）に対して直交する第１の遅相軸（図示略）を有する。なお、第１の遅相軸と液晶分子の初期配向方向とは、必ずしも完全に直交していなくともよく、直交から±５度の範囲にあればよいが、直交から±１度の範囲内であることが好ましい。同様に、第１の遅相軸は、第１の位相差層１２の面に対して完全に平行となっていなくてもよい。
【００７０】
第２の位相差層１４は、光学的に正の一軸性を有し、その厚さｄ２（図示略）方向をＺ軸としてその軸方向における屈折率をｎz2、Ｚ軸に垂直な面内の一方向をＸ軸としてその軸方向における屈折率をｎx2、Ｚ軸とＸ軸に垂直な方向をＹ軸としてその軸方向における屈折率をｎy2としたとき、ｎx2＝ｎy2＜ｎz2を満たしている。また、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃは、ｄ２×（ｎz2−ｎx2）である。第２の位相差層１４は、当該第２の位相差層１４の面に対して垂直な第２の遅相軸を有する。なお、第２の遅相軸は、第２の位相差層１４の面に対して必ずしも完全に垂直でなくともよく、例えば垂直からの傾斜角が±５度の範囲にあればよい。
【００７１】
第２の偏光板１６は、第１の偏光板１３の前記第１の透過軸に対して直交する第２の透過軸（図示略）を有する。したがって、第２の偏光板１６の前記第２の透過軸は、液晶層１５の液晶分子の初期配向方向の軸（図示略）と平行である。なお、第２の透過軸と液晶分子の初期配向方向とは、必ずしも完全に平行でなくともよく、平行から±５度の範囲にあればよいが、平行から±１度の範囲内であることが好ましい。
【００７２】
以上の構成を有する液晶装置１００では、液晶表示パネル８０における液晶層１５に対する電圧印加時に、共通電極３と画素電極９との間でスリット９ｓを通じて電界Ｅが形成されるが、電界Ｅはゲート絶縁膜５及びパシベーション層８によりアーチ状に歪められて液晶層１５中を通過し、液晶分子の配向方向が制御される。換言すれば、画素電極９は、共通電極３との間で第１の基板１に平行な成分を有する電界Ｅを発生させる。より詳しくは、図２に示すように、電圧非印加時の液晶分子（符号１５ａ）は、ゲート配線７ｂと平行に配向している。すなわち、液晶分子の初期配向方向は、ゲート配線７ｂに平行な方向である。この液晶分子は、電界Ｅの印加により、アレイ基板９１に平行な面内で電界Ｅの大きさに応じた角度だけ回転し、配向方向を変える（符号１５ｂ）。このとき、バックライト４５から出射した照明光は、図３に示す経路Ｌに沿って進行し、共通電極３、画素電極９、着色層４等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、その着色層４等を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００７３】
（黒表示時における輝度抑制方法）
次に、第１実施形態に係る液晶装置１００の黒表示時における輝度抑制方法について説明する。
【００７４】
まず、その説明に先立って、図６を参照して、比較例に係る横電界方式の液晶装置７００の構成及びその課題について説明する。図６（ａ）は、比較例に係る横電界方式の液晶装置７００の構成を模式的に示す断面図である。
【００７５】
比較例に係る横電界方式の液晶装置７００は、第１の偏光板７０１と、第１の偏光板７０１と対向するように配置された第２の偏光板７０２と、第１の偏光板７０１と第２の偏光板７０２の間に配置された横電界方式の液晶表示パネル７０３と、を備える。液晶表示パネル７０３は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる。第１の偏光板７０１の透過軸と、第２の偏光板７０２の透過軸とは略直交しており、第１の偏光板７０１の透過軸及び第２の偏光板７０２の透過軸のうち、いずれか一方の透過軸は、液晶表示パネル７０３の液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向の軸と略平行である。かかる液晶装置７００の黒表示時における視角特性は図６（ｂ）に示す円グラフとして表される。
【００７６】
図６（ｂ）は、比較例に係る横電界方式の液晶装置７００の視野角特性を示す円グラフであり、特に、黒表示時における輝度分布状態を示す円グラフである。図６（ｂ）の円グラフでは、周方向に方位角αを、その円グラフの中心を基準として半径方向に仰角βを夫々示している。即ち、前記円グラフの右（時計方向で３時）方向を基準方向（方位角α＝０）とし、その位置から反時計回りに方位角αを示している。方位角αは、図６（ｃ）に示すように、液晶装置７００に対する観察者の視線の上下左右方向のずれ角を示す。また、仰角βは、図６（ｄ）に示すように、液晶装置７００の法線ＮＬに対して観察者の視線がなす角を示す。具体的には、図６（ｂ）の円グラフ中の破線で示す同心円は、内周側から外周側にかけて２０［°］、４０［°］、６０［°］、８０［°］を夫々示している。図６（ｂ）の円グラフ中において太い黒の実線で示す曲線は、０．０２０３％の輝度（白を１００％としたときの光透過率、以下同様）を示す等輝度曲線である。
【００７７】
図６（ｂ）の円グラフより、等輝度曲線を基準に明るい側の領域Ａ１〜Ａ４は、０．１％の輝度となっている。つまり、比較例に係る液晶装置７００では、横電界方式の液晶表示パネル７０３を、単に、一対の第１の偏光板７０１及び第２の偏光板７０２によって挟持しただけの構成であるので、観察方向によって（特に、当該円グラフの領域Ａ１〜Ａ４において）黒表示時における輝度が異なってしまい、このため黒表示時における視角特性が低下してしまうといった課題がある。
【００７８】
そこで、このような課題を改善するために、第１実施形態に係る横電界方式の液晶装置１００では、一対の第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６の間に、さらに、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４を配置して、その両者の位相差値を最適化することにより、黒表示時における輝度を抑制して、黒表示時における視角特性を向上させる。
【００７９】
ここで、図４は、図６（ｂ）に対応する黒表示時における輝度分布状態を示す円グラフを示し、特に、第１実施形態に係る横電界方式の液晶装置１００において、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａ＝１３６［ｎｍ］、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃ＝８６［ｎｍ］に夫々設定したときの当該液晶装置１００の黒表示時における視野角特性を示す円グラフである。また、図４の円グラフ中において太い黒の実線で示す曲線は、０．０２０３％の輝度を示す等輝度曲線である。なお、この例では、液晶層１５のリタデーションΔｎｄ（液晶層１５の屈折率異方性Δｎと液晶層１５の厚さｄとの積）は３５０［ｎｍ］に設定している。また、この例では、第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６を観察方向から見たときに、それらの面の中心（法線方向）の正面輝度が０．０２０４％となる第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６を用いている。
【００８０】
図４の円グラフより、仰角β＝４０［°］の範囲内では、全方位（方位角α）に亘って正面（前記の中心）よりも輝度が低下していることが理解される。ここで、前記正面より暗くなるのは光路長が長くなり見かけ上、偏光度が上がるためである。また、図４の円グラフより、仰角β＝４０［°］以上の前記正面より輝度が高い領域（仰角β＝６０［°］付近の領域）でも、その領域の最大輝度は０．０２８９％である。このことから、全方位に亘って黒表示時における輝度が抑制されていることが分かる。よって、黒表示時における視角特性を向上させることができる。
【００８１】
このように、黒表示時における輝度を全方位に亘って抑えることができる理由は、一対の第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６の間に、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４を配置して、さらに、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係を最適化した為である。このような効果は、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａ＝１３６［ｎｍ］、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃ＝８６［ｎｍ］の各値から幾らかずれても得られる。そこで、図４の円グラフにおいては、仰角β＝６０［°］付近の領域が最も輝度が高くなる傾向にあるので、この領域の平均的な輝度が０．１％より小さくなるように最適化すると、そのときの第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係は図５に示すグラフ中の領域Ａ１０の範囲に収まる。図５において、横軸は第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃ［ｎｍ］を、また、縦軸は第１の位相差層１２の位相差値Ｒａ［ｎｍ］を夫々示す。
【００８２】
図５のグラフ中の領域Ａ１０より、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係は、１０５［ｎｍ］≦Ｒａ≦１６５［ｎｍ］、５５［ｎｍ］≦Ｒｃ≦１１５［ｎｍ］を満たしていることが望ましいと言える。これにより、仰角β＝６０［°］付近の領域の平均的な輝度を０．１％より小さくすることができる。なお、この関係は、液晶層１５のリタデーションΔｎｄに依存しない。
【００８３】
以上より、第１実施形態では、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係は、１０５［ｎｍ］≦Ｒａ≦１６５［ｎｍ］、５５［ｎｍ］≦Ｒｃ≦１１５［ｎｍ］を満たしていることが望ましい。なお、この関係は、液晶層１５のリタデーションΔｎｄに依存しない。これにより、仰角β＝６０［°］付近の領域の平均的な輝度を０．１％より小さくすることができ、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができる。その結果、黒表示時における視角特性を向上させることができる。
【００８４】
［第２実施形態］
（液晶装置の構成）
次に、図７を参照して、第２実施形態に係る液晶装置２００の構成について説明する。図７は、図３に対応する、第２実施形態に係る液晶装置２００の構成を示す断面図である。なお、以下では、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００８５】
第２実施形態に係る液晶装置２００は、第１実施形態と同様に、横電界方式の一例としてのＦＦＳ方式の液晶装置である。第２実施形態と第１実施形態とを比較した場合、第２実施形態では、第１の偏光板１３と第２の偏光板１６の間であって、液晶表示パネル８０、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４を挟む位置に、さらに一対の第３の位相差層１７及び１８が配置されている点が第１実施形態と構成上相違し、それ以外の構成は第１実施形態と同様である。
【００８６】
（黒表示時における輝度抑制方法）
第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６は、図示しない偏光層や、前記偏光層を保持する基材｛例えば、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）｝などを含んで構成される。但し、前記基材は、第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６の構成要素でない場合もある。前記基材たる一対の第３の位相差層１７及び１８は位相差値を持つため、第２実施形態では、このような構成の下においても、一対の第３の位相差層１７及び１８との関係で、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係を最適化し、これにより黒表示時における輝度を抑制して、黒表示時における視角特性を向上させる。
【００８７】
ここで、図８は、図４に対応する黒表示時における輝度分布状態を示す円グラフを示し、特に、第２実施形態に係る横電界方式の液晶装置２００において、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａ＝１６０［ｎｍ］、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃ＝１００［ｎｍ］、第３の位相差層１１８の位相差値Ｒｔ＝４０［ｎｍ］に夫々設定したときの当該液晶装置２００の黒表示時における視野角特性を示す円グラフである。但し、図８の円グラフ中に示される実際の輝度と、図４の円グラフ中に示される実際の輝度とは同じではない点に留意されたい。また、図８の円グラフ中において太い灰色の実線で示す曲線は、０．０２０３％の輝度を示す等輝度曲線である。なお、この例では、液晶層１５のリタデーションΔｎｄは３５０［ｎｍ］に設定している。また、この例では、第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６を観察方向から見たときに、それらの面の中心（法線方向）の正面輝度が０．０２０４％となる第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６を用いている。
【００８８】
図８の円グラフより、第１実施形態と比較して正面（前記の中心）よりも輝度が小さくなる範囲が狭まっており、最も輝度の高い領域（仰角β＝６０［°］付近の領域）では、その領域の最大輝度は０．０６７５％である。このことから、このような構成の下においても、全方位に亘って黒表示時における輝度が抑制されていることが分かる。よって、黒表示時における視角特性を向上させることができる。
【００８９】
このように、黒表示時における輝度を全方位に亘って抑えることができる理由は、一対の第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６の間に、一対の第３の位相差層１７及び１８が配置される構成の下においても、一対の第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６の間に第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４を配置して、さらに、一対の第３の位相差層１７及び１８の位相差値Ｒｔとの関係で、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係を最適化した為である。このような効果は、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａ＝１６０［ｎｍ］、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃ＝１００の各値から幾らかずれても得られる。そこで、図８の円グラフにおいても、仰角β＝６０［°］付近の領域が最も輝度が高くなる傾向にあるので、第１実施形態と同様に、この領域の平均的な輝度が０．１％より小さくなるように最適化すると、そのときの第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係は図９に示すグラフ中の菱形の点にて示される範囲に収まる。図９において、横軸は第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃ［ｎｍ］を、また、縦軸は第１の位相差層１２の位相差値Ｒａ［ｎｍ］を夫々示す。なお、この例では、一対の第３の位相差層１７及び１８の位相差値Ｒｔは４０［ｎｍ］としている。
【００９０】
図９のグラフより、一対の第３の位相差層１７及び１８の位相差値Ｒｔとの関係で、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの望ましい関係は、１４０［ｎｍ］≦Ｒａ≦１９０［ｎｍ］、８０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１２０［ｎｍ］となる。ここで、第１実施形態に係る図５のグラフと、第２実施形態に係る図９のグラフを比較した場合、第２実施形態では、第１実施形態と比較して第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃの最適な範囲が狭くなっており、一対の第３の位相差層１７及び１８の位相差値Ｒｔの分だけ、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａが大きくなっていることが分かる。
【００９１】
このことから、一対の第３の位相差層１７及び１８の位相差値Ｒｔと、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係は、１００［ｎｍ］＋Ｒｔ［ｎｍ］≦Ｒａ≦１５０［ｎｍ］＋Ｒｔ［ｎｍ］、８０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１２０［ｎｍ］を満たしていることが望ましいと言える。なお、この関係は、液晶層１５のリタデーションΔｎｄに依存しない。これにより、一対の第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６の間に一対の第３の位相差層１７及び１８が存在する構成の下においても、仰角β＝６０［°］付近の領域の平均的な輝度を０．１％より小さくすることができ、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができる。その結果、黒表示時における視角特性を向上させることができる。
【００９２】
［第３実施形態］
一般的に、ＦＦＳ方式の場合、ＩＰＳ方式と異なりアレイ基板９１の液晶層１５側の界面近傍とカラーフィルタ基板９２の液晶層１５側の界面近傍とで液晶分子の動きが大きく異なる。このために、低い中間調において視角方向により階調反転が起きてしまうといった課題がある。ここで、図１０は、ＦＦＳ方式の液晶装置において、階調度の低い表示、具体的には０階調から第１階調への表示を行った場合に、０階調と第１階調間において視角方向により階調反転が起きている様子を示す円グラフである。
【００９３】
即ち、図１０のグラフ中において、黒表示で示される領域は暗状態から明状態に正常に遷移して第１階調表示となっているのに対して、白表示で示される領域は階調が反転して暗状態となり０階調となっている。なお、第１階調表示以上の階調になると、白表示で示される領域は明状態になる。
【００９４】
このような階調反転現象も、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係を最適化することにより低減することが可能である。
【００９５】
ここで、図１１は、図５に対応する、第３実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶装置に係るグラフである。なお、第３実施形態は、第１実施形態と同様の構成を有し、その両者は、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係が異なる。図１１において、横軸は第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃ［ｎｍ］を、また、縦軸は第１の位相差層１２の位相差値Ｒａ［ｎｍ］を夫々示す。また、図１１において、菱形の点は、前記の階調反転現象がなくなると共に、コントラスト（ＣＲ）＞４を確保できる、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａ及び第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃを示す。また、図１１において、領域Ａ２０は、第１実施形態と同等以上に全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制できる領域である。
【００９６】
図１１のグラフ中の領域Ａ２０及び菱形の点より、第３実施形態では、第１の位相差層１２の位相差値Ｒａと、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃとの関係は、１１０［ｎｍ］＜Ｒａ＜１６０［ｎｍ］、５０［ｎｍ］＜Ｒｃ＜１１５［ｎｍ］を満たしていることが望ましいと言える。このことから、第３実施形態は、第１実施形態と比べて、第２の位相差層１４の位相差値Ｒｃが若干小さい値で黒表示時における輝度を抑制できることが分かる。これにより、第１実施形態と同様に、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができ、黒表示時における視角特性を向上させることができる。加えて、階調度の低い表示を行った場合でも階調反転現象が生じることを低減できる。
【００９７】
［変形例１］
上記の第１乃至第３実施形態では、一対の第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６の間において、第１の位相差層１２は液晶表示パネル８０の観察側に隣接する位置に配置され、第２の位相差層１４は第１の位相差層１２の観察側に隣接する位置に配置されていた。これに限らず、一対の第１の偏光板１３及び第２の偏光板１６の間において、第１の位相差層１２は液晶表示パネル８０に隣接する位置に配置され、第２の位相差層１４は第１の位相差層１２に隣接する位置に配置されていてもよい。
【００９８】
ここで、図１２は、図３に対応する、変形例に係る横電界方式の液晶装置１００ｘの構成を示す断面図である。変形例に係る液晶装置１００ｘでは、第１の位相差層１２は液晶表示パネル８０の観察側と逆側に隣接する位置に配置され、第２の位相差層１４は第１の位相差層１２の観察側と逆側に隣接する位置に配置されている。かかる構成の下では、第１の偏光板１３の第１の透過軸は、液晶層１５の液晶分子の初期配向方向の軸（図示略）と平行であることが好ましく、また、第２の偏光板１６の第２の透過軸は、液晶層１５の液晶分子の初期配向方向の軸（図示略）と直交していることが好ましい。ここで、平行又は直交とあるのは、完全に平行又は直交となっている構成に限られず、平行又は直交から±５度の範囲内にある角度であってもよい。ただし、平行又は直交から±１度の範囲内にあることが好ましい。これらの構成によっても、上記した作用効果を得ることが出来るのに加えて、仕様に応じて、液晶装置を構成する材料選択の自由度を向上させることができる。
【００９９】
また、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４の少なくとも一方は、光学的に正の一軸性を有する液晶高分子を用いて形成されていてもよい。これにより、有機高分子フィルムを延伸して作製した第１の位相差層及び第２の位相差層の少なくとも一方の厚さと比較して、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４の少なくとも一方の厚さをより薄くすることができる。その結果、第１乃至第３実施形態並びに上記した変形例に係る横電界方式の液晶装置の薄型化を図ることができる。
【０１００】
また、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４の少なくとも一方は、一対の第１の基板１及び第２の基板２の液晶層１５側に配置（又は形成）されていても構わない。これにより、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４の少なくとも一方を液晶層１５の外側に形成したものと比較して、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４の少なくとも一方の厚さをより薄くすることができる。その結果、横電界方式の液晶装置の薄型化を図ることができる。
【０１０１】
［変形例２］
上記各実施形態及び変形例は、ＦＦＳモードの液晶装置を例に説明しているが、ＩＰＳモードを採用することもできる。図１３は、ＩＰＳモードを採用した場合のアレイ基板９１の画素構成を示す平面図であり、図１４は、図１３中のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【０１０２】
図１３に示すように、各サブ画素領域ＳＧには、いずれも櫛歯状の部分を有する、第１の電極としての共通電極３、及び第２の電極としての画素電極９が形成されている。共通電極３及び画素電極９の櫛歯部分は、ソース線３２に沿う方向に延在しており、共通電極３及び画素電極９は、櫛歯部分が互い違いに入り込むように対向して配置されている。画素電極９は、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２２のドレイン電極２２ｄとコンタクトホール８ａを介して電気的に接続されている。行方向に隣り合う共通電極３は、共通電極３と一体で形成された共通配線１９により互いに電気的に接続されている。
【０１０３】
図１４に示すように、共通電極３及び画素電極９は、同一の層に形成されており、いずれもＩＴＯから構成される。共通電極３と画素電極９との間に電圧が印加されると、液晶層１５に、第１の基板１の面に平行な成分を有する電界Ｅ（横電界）が生じ、液晶層１５の液晶分子はこの電界Ｅにより駆動される。換言すれば、画素電極９は、共通電極３との間で第１の基板１に平行な成分を有する電界Ｅを発生させる。より詳しくは、図１３に示すように、電圧非印加時の液晶分子（符号１５ａ）は、ゲート配線７ｂに対して例えば−８５度の角度に配向している。すなわち、液晶分子の初期配向方向は、ゲート配線７ｂに対して−８５度の方向である。この液晶分子は、電界Ｅの印加により、アレイ基板９１に平行な面内で電界Ｅの大きさに応じた角度だけ回転し、配向方向を変える（符号１５ｂ）。本変形例においても、第１の偏光板１３の第１の透過軸、及び第１の位相差層１２の第１の遅相軸は、液晶層１５の液晶分子の初期配向方向と直交するように配置し、第２の偏光板１６の第２の透過軸は、液晶層１５の液晶分子の初期配向方向と平行になるように配置する。
【０１０４】
本変形例に係るＩＰＳモードの液晶装置１００も横電界方式の液晶装置であり、電界Ｅにより液晶分子が回転し、その回転角度に応じた偏光変換機能を用いて表示を行う点で、ＦＦＳモードの液晶装置１００と共通する。本変形例の構成によっても、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができ、その結果、黒表示時における視角特性を向上させることができる。
【０１０５】
［変形例３］
上記各実施形態及び変形例は、カラーフィルタ基板９２と第２の偏光板１６との間に第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４が配置された構成であるが、これに限定する趣旨ではなく、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４は、第１の偏光板１３と第２の偏光板１６との間の種々の層に配置することができる。
【０１０６】
例えば、図１５に示すように、第１の位相差層１２を、カラーフィルタ基板９２を構成する第２の基板２の液晶層１５側に形成してもよい。より詳しくは、第１の位相差層１２は、着色層４Ｒ，４Ｇ，４Ｂとオーバーコート層６との間に、第２の基板２上の略全面に形成されている。この場合、第１の位相差層１２は、まず下地として配向膜を形成し、この配向膜にラビング処理や光配向処理により配向規制力を付与した上で、当該配向膜上に高分子液晶層を固定化することによって形成することができる。第１の位相差層１２の下地となる配向膜は、斜方蒸着法により形成した無機材料層であってもよい。このような構成によっても、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４の作用により、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができ、その結果、黒表示時における視角特性を向上させることができる。また、この構成によれば、第１の位相差層１２を薄く形成することができるため、液晶装置１００を薄型化することが可能となる。
【０１０７】
また、図１６に示すように、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４をいずれも第２の基板２の液晶層１５側に形成してもよい。この場合は、着色層４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ上に、高分子液晶層の固定化工程を２回繰り返すことによって第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４を形成することができる。このような構成によれば、液晶装置１００をより薄くすることができる。
【０１０８】
さらに、第１の偏光板１３を第１の基板１の液晶層１５側に形成してもよく、また第２の偏光板１６を第２の基板２の液晶層１５側に形成してもよい。
【０１０９】
また、必要に応じて、図１７に示すように、第１の位相差層１２をアレイ基板９１と第１の偏光板１３との間に配置し、第２の位相差層１４をカラーフィルタ基板９２と第２の偏光板１６との間に配置してもよい。このような構成によっても、第１の位相差層１２及び第２の位相差層１４の作用により、全方位に亘って黒表示時における輝度を抑制することができる。
【０１１０】
その他、本発明では、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形をすることができる。
【０１１１】
［電子機器］
次に、第１乃至第３実施形態並びに変形例に係る液晶装置１００等（以下、代表して「液晶装置１００」と称する）を適用可能な電子機器の具体例について図１８を参照して説明する。
【０１１２】
まず、液晶装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１８（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、液晶装置１００をパネルとして適用した表示部７１３とを備えている。
【０１１３】
続いて、液晶装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１８（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、液晶装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【０１１４】
なお、上記実施形態に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器としては、図１８（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１８（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図。
【図２】第１実施形態に係るアレイ基板の画素構成を示す平面図。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置のサブ画素領域の構成を示す断面図。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の黒表示時における視角特性を示す円グラフ。
【図５】第１実施形態に係る液晶装置における黒表示時の輝度を抑制することが可能な第１の位相差層の位相差値と第２の位相差層の位相差値の関係を示すグラフ。
【図６】比較例に係る液晶装置の構成及び黒表示時における視角特性を示す円グラフ。
【図７】第２実施形態に係る液晶装置のサブ画素領域の構成を示す断面図。
【図８】第２実施形態に係る液晶装置の黒表示時における視角特性を示す円グラフ。
【図９】第２実施形態に係る液晶装置における黒表示時の輝度を抑制することが可能な第１の位相差層の位相差値と第２の位相差層の位相差値の関係を示すグラフ。
【図１０】一般的なＦＦＳ方式に係る液晶装置の黒表示時の視角特性を示す円グラフ。
【図１１】第３実施形態に係る液晶装置における黒表示時の輝度を抑制することが可能な第１の位相差層の位相差値と第２の位相差層の位相差値の関係を示すグラフ。
【図１２】変形例に係る液晶装置のサブ画素領域の構成を示す断面図。
【図１３】ＩＰＳモードを採用した場合のアレイ基板の画素構成を示す平面図。
【図１４】図１３中のＢ−Ｂ’線における断面図。
【図１５】変形例３に係る液晶装置のサブ画素領域の構成を示す断面図。
【図１６】変形例３に係る液晶装置のサブ画素領域の構成を示す断面図。
【図１７】変形例３に係る液晶装置のサブ画素領域の構成を示す断面図。
【図１８】液晶装置を適用した電子機器の例を示す。
【符号の説明】
【０１１６】
３  共通電極、  ５  ゲート絶縁膜、  ８  パシベーション層、  ９  画素電極、  １２  第１の位相差層、  １３  第１の偏光板、  １４  第２の位相差層、  １５  液晶層、  １６  第２の偏光板、  １７、１８  第３の位相差層、  ２２  α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子、  ８０  液晶表示パネル、  ９１  アレイ基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００、１００ｘ、２００  液晶装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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