(57)【要約】【課題】周波数の大きいスイッチングデバイスの高温化を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】パワーモジュール（半導体装置）１は、スイッチングデバイス３２、３６を有し、それぞれが異なる位相を出力する３個の出力部２〜４と、スイッチングデバイス９２、９６を有し、出力部２〜４に印加される電圧を昇圧するための昇圧部５とを備えている。パワーモジュール１は、出力部２〜４及び昇圧部５が配置される４つの側面を有する直方体の中空形状に構成されている。昇圧部５においては、スイッチングデバイス９６のオン・オフ切り換えの周波数が、スイッチングデバイス９２のオン・オフ切り換えの周波数よりも大きい。スイッチングデバイス９６は、スイッチングデバイス９２よりも空気の流れの上流側に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチングデバイスを有し、それぞれが異なる位相を出力する複数の出力部と、
スイッチングデバイスを有し、前記外部から印加される電圧を調節するための電圧調節部とを備え、
前記出力部及び前記電圧調節部が配置される複数の側面を有する中空構造を有し、
第１周波数でオン・オフ切り換えが行われる第１スイッチングデバイスと、前記第１周波数よりも大きい第２周波数でオン・オフ切り換えが行われる第２スイッチングデバイスとを含み、
前記第２スイッチングデバイスは、前記第１スイッチングデバイスよりも空気の流れの上流側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電圧調節部は、
前記第１スイッチングデバイスを有する高圧部と、
前記高圧部と同じ側面に配置され、前記第２スイッチングデバイスを有し、前記高圧部よりも低い電圧が印加される低圧部とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記いずれかの出力部は、前記電圧調節部と同じ側面に配置され、前記第１スイッチングデバイスを有し、
前記電圧調節部は、前記第２スイッチングデバイスを有することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる周波数でオン・オフ切り換えされる複数のスイッチングデバイスを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の異なる相を出力するパワーモジュール等の半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体装置は、異なる相を出力する複数の出力部と、外部の電源から供給される電力を昇圧する昇圧部と、出力部及び昇圧部を制御する制御部とを備えている。各出力部及び昇圧部は、通常、少なくとも２つのスイッチングデバイスを備えている。これらの各スイッチングデバイスは、制御部によって所定の周波数でオン・オフ切り換えて制御されている。
【特許文献１】特開２００５−１４２２２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した半導体装置では、各部に設けられた各スイッチングデバイスのオン・オフ切り換えのための周波数は異なり、周波数の大きいスイッチングデバイスの高温化が課題となっている。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、周波数の大きいスイッチングデバイスの高温化を抑制できる半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、スイッチングデバイスを有し、それぞれが異なる位相を出力する複数の出力部と、スイッチングデバイスを有し、前記外部から印加される電圧を調節するための電圧調節部とを備え、前記出力部及び前記電圧調節部が配置される複数の側面を有する中空構造を有し、第１周波数でオン・オフ切り換えが行われる第１スイッチングデバイスと、前記第１周波数よりも大きい第２周波数でオン・オフ切り換えが行われる第２スイッチングデバイスとを含み、前記第２スイッチングデバイスは、前記第１スイッチングデバイスよりも空気の流れの上流側に配置されていることを特徴とする半導体装置である。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、前記電圧調節部は、前記第１スイッチングデバイスを有する高圧部と、前記高圧部と同じ側面に配置され、前記第２スイッチングデバイスを有し、前記高圧部よりも低い電圧が印加される低圧部とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置である。
【０００８】
また、請求項３に記載の発明は、前記いずれかの出力部は、前記電圧調節部と同じ側面に配置され、前記第１スイッチングデバイスを有し、前記電圧調節部は、前記第２スイッチングデバイスを有することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の半導体装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第１スイッチングデバイスのオン・オフ切り換えの第１周波数よりも、第２スイッチングデバイスのオン・オフ切り換えの第２周波数が大きい。即ち、第１スイッチングデバイスの発熱量よりも第２スイッチングデバイスの発熱量の方が大きい。ここで、本発明では第２スイッチングデバイスは第１スイッチングデバイスよりも空気の流れの上流側に配置されている。従って、第１スイッチングデバイスから第２スイッチングデバイスへの熱の伝達を抑制できる。この結果、第２スイッチングデバイスの高温化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下、図面を参照して本発明の半導体装置をパワーモジュールに適用した第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態によるパワーモジュールの全体斜視図である。図２は、Ｕ相出力部の平面図である。図３は、昇圧部の平面図である。図４は、パワーモジュールの回路図である。図５は、スイッチングデバイスの斜視図である。図６は、ダイオードの斜視図である。
【００１１】
図１〜図４に示すように、第１実施形態によるパワーモジュール１は、Ｕ相出力部２と、Ｖ相出力部３と、Ｗ相出力部４と、昇圧部（請求項の電圧調節部に相当）５とを備えている。各出力部２〜４と昇圧部５は、互いに交差する異なる面である直方体の側面に配置された中空構造を有する。パワーモジュール１は、設置基板６に設置される。また、パワーモジュール１の一方の面には、ゲートドライブ４４〜４８、５６、５７が設けられた制御部７が配置される。
【００１２】
図２に示すように、Ｕ相出力部２は、高圧部１１と、低圧部１２と、基板１３と、放熱板１４と、７つのバスバー１５〜２１と、複数のＡｌワイヤ２２と、ケース２３とを備えている。
【００１３】
高圧部１１には、昇圧部５から高電圧の電力が供給される。高圧部１１は、ｎｐｎ型のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）またはＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ等からなるスイッチングデバイス３２と、逆流防止用の転流ダイオード（以下、ダイオード）３３と、基板１３上に形成されたＡｌ配線３４とを備えている。
【００１４】
図５に示すように、スイッチングデバイス３２の上面には、ゲート３２ｇと、ソース３２ｓが形成されている。スイッチングデバイス３２の下面には、半田を介してＡｌ配線３４に接続されるドレイン３２ｄが形成されている。尚、以下の説明において、他のスイッチングデバイスのドレイン、ゲート、ソースを説明する際にも、当該スイッチングデバイスの番号に符号ｄ、ｇ、ｓを付与して説明する。図２に示すように、スイッチングデバイス３２のドレイン３２ｄは、Ａｌ配線３４とＡｌワイヤ２２を介してＰ側電力供給用のバスバー１６に接続されている。スイッチングデバイス３２のソース３２ｓは、Ａｌワイヤ２２を介してＵ相出力用のバスバー１５に接続されている。また、スイッチングデバイス３２のソース３２ｓは、昇圧部５へ接続するためのバスバー１９にもＡｌワイヤ２２を介して接続されている。スイッチングデバイス３２のゲート３２ｇは、Ａｌワイヤ２２を介してゲートドライバ接続用のバスバー１８に接続されている。
【００１５】
また、スイッチングデバイス３２を構成する材料は、特に限定されるものではなく、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ダイヤモンド等を用途や目的に応じて適宜変更可能である。例えば、スイッチング損失や電力損失を抑制したい場合には、ＳｉＣやＧａＮが好ましい。尚、ＳｉＣは高温（約３００℃）で動作させる場合にも有効である。また、高周波で駆動させたい場合には、ＧａＮが好ましい。尚、ＧａＮを採用した場合には、更に、不要なインダクタンス成分（Ｌ成分）及び容量成分（Ｃ成分）を抑制でき、小型化も可能となる。また、絶縁破壊係数を上げて耐圧を向上させたい場合には、ＡｌＮが好ましい。尚、ＡｌＮを採用し、基板１３を同じＡｌＮにより構成した場合には、熱膨張係数の違いに起因する熱応力の発生を抑制できる。また、ダイヤモンドを採用する場合には、上述した材料の物性値を全て越えており、パワーモジュール１の小型化を実現し、電力損失やスイッチング損失を大幅に低減することができる。
【００１６】
ダイオード３３は、スイッチングデバイス３２に電流が逆流することを防ぐためのものである。図６に示すように、ダイオード３３の上面には、アノード３３ａが形成されている。ダイオード３３の下面には、半田を介してＡｌ配線３４に接続されるカソード３３ｋが形成されている。尚、以下の説明において、他のダイオードのアノード、カソードを説明する際にも、当該ダイオードの番号に符号ａ、ｋを付与して説明する。図２に示すように、ダイオード３３のアノード３３ａは、Ａｌワイヤ２２を介してＵ相出力用のバスバー１５に接続されている。ダイオード３３のカソード３３ｋは、Ａｌ配線３４とＡｌワイヤ２２とを介して、Ｐ側電力供給用のバスバー１６に接続されている。即ち、ダイオード３３は、スイッチングデバイス３２のソース３２ｓからドレイン３２ｄ方向が順方向となるように接続されている。また、ダイオード３３を構成する材料は、特に限定されるものではなく、スイッチングデバイス３２と同様に、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ダイヤモンド等を用途や目的に応じて適宜変更可能である。
【００１７】
低圧部１２には、高圧部１１に供給される電力よりも低い電圧（負の電圧）を有する電力が昇圧部５から供給される。図２に示すように、低圧部１２は、ｎｐｎ型のＩＧＢＴまたはＭＯＳトランジスタ等からなるスイッチングデバイス３６と、逆流防止用の転流ダイオード（以下、ダイオード）３７と、基板１３上に形成されたＡｌ配線３８とを備えている。
【００１８】
スイッチングデバイス３６のドレイン３６ｄは、Ａｌ配線３８及びＡｌワイヤ２２を介してＵ相出力用のバスバー１５に接続されている。スイッチングデバイス３６のソース３６ｓは、Ａｌワイヤ２２を介してＮ側電力供給用のバスバー１７に接続されている。また、スイッチングデバイス３６のソース３６ｓは、Ａｌワイヤ２２を介して昇圧部５に接続するためのバスバー２０にも接続されている。スイッチングデバイス３６のゲート３６ｇは、ゲートドライバ接続用のバスバー２１に接続されている。
【００１９】
ダイオード３７のアノード３７ａは、Ａｌワイヤ２２を介してＮ側電力供給用のバスバー１７に接続されている。ダイオード３７のカソード３７ｋは、Ａｌ配線３８及びＡｌワイヤ２２を介してＵ相出力用のバスバー１５に接続されている。
【００２０】
基板１３は、絶縁性のＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４またはＳｉＯ２からなる。基板１３の外面には、Ａｌ配線３４、３８が形成される（ＤＢＡ（Direct Brazed Aluminum））。Ａｌ配線３４、３８の代わりに、Ｃｕ配線を形成してもよい（ＤＢＣ（Direct Bonding Copper））。一方、基板１３の内面には、熱伝導性の良い金属（例えば、ＡｌまたはＣｕ等）からなる接合剤（図示略）により放熱板１４が接合されている。
【００２１】
放熱板１４は、基板１３を介して伝導する高圧部１１及び低圧部１２から発生した熱を外部へ放熱するためのものである。放熱板１４は、絶縁性の基板１３により高圧部１１及び低圧部１２と絶縁されている。放熱板１４は、面に垂直な方向（水平方向）、即ち、制御部７が配置された方向とは異なる方向への熱伝導率が高い熱伝導異方性材料により構成されている。熱伝導異方性材料とは、例えば、方向が揃えられた炭素繊維をアルミニウムに埋設させたもの等を適用することができる。放熱板１４の外周部は、接着剤によりケース２３の内面に接着される。
【００２２】
バスバー１５〜２１は、ケース２３に中央部が埋設されて固定されている。これにより、バスバー１５〜２１の一端部はケース２３の凹部２３ｄ側に、他端部がケース２３外側に配置される。バスバー１５〜２１は、導電性のＣｕまたはＡｌにより板状に形成されている。バスバー１５は、Ｕ相を出力するためのものである。バスバー１６は、Ｐ側電力を供給するためのものである。バスバー１７は、Ｎ側電力を供給するためのものである。即ち、バスバー１６には、バスバー１７とは逆方向の電流が流れる。バスバー１８、２１は、後述する制御部７のゲートドライブ４３、４４に接続されている。また、バスバー１９、２０は、ゲートドライブ４３、４４を介して昇圧部５に接続されている。
【００２３】
ケース２３は、合成樹脂からなり、長方形の板状に形成されている。ケース２３の中央部には、窓２３ａが形成されている。窓２３ａには、基板１３が嵌め込まれる。ケース２３の一方の側部には、ネジ溝を有する一対のネジ孔２３ｂが、窓２３ａへ延びるように形成されている。ケース２３の他方の側部には、外側から内側へと嵌通された挿通孔２３ｃが形成されている。ケース２３の挿通孔２３ｃに挿通されたネジ（図示略）を、隣接するケース２３のネジ孔２３ｂに螺合させることによって、ケース２３を互いに固定する。
【００２４】
Ｖ相出力部３及びＷ相出力部４は、Ｕ相出力部２と略同じ構成を有するので異なる点のみ説明する。Ｖ相出力部３は、出力用のバスバー１５からＵ相と位相が異なるＶ相を出力する。Ｗ相出力部４は、出力用のバスバー１５からＵ相及びＶ相と位相が異なるＶ相を出力する。Ｖ相出力部３のバスバー１８、２１は、制御部７のゲートドライブ４５、４６に接続されている。また、Ｖ相出力部３のバスバー１９、２０は、ゲートドライブ４５、４６を介して昇圧部５に接続されている。Ｗ相出力部４のバスバー１８、２１は、制御部７のゲートドライブ４７、４８に接続されている。また、Ｗ相出力部４のバスバー１９、２０は、ゲートドライブ４７、４８を介して昇圧部５に接続されている。
【００２５】
図３に示すように、昇圧部５は、高圧部７１と、低圧部７２と、コイル７３と、コンデンサ７４と、基板７５と、放熱板７６と、ＣｕまたはＡｌからなる５つの板状のバスバー７７〜８１と、複数のＡｌワイヤ８２と、ケース８３と、Ａｌ配線８４、８５とを備えている。
【００２６】
図３及び図４に示すように、高圧部７１は、オン・オフ切り換え可能なトランジスタからなるスイッチングデバイス９２と、逆流防止用のダイオード９３と、Ａｌ配線９４とを備えている。スイッチングデバイス９２のソース９２ｓは、Ａｌ配線８４を介してコイル７３に接続されている。スイッチングデバイス９２のドレイン９２ｄは、Ａｌ配線９４を介してコンデンサ７４の一端が接続されるＰ側電力供給用のバスバー７８に接続されている。スイッチングデバイス９２のゲート９２ｇは、バスバー８０を介して制御部７のゲートドライバ５６に接続されている。ダイオード９３のアノード９３ａは、Ａｌ配線８４を介してコイル７３の一端及びスイッチングデバイス９２のソース９２ｓに接続されている。ダイオード９３のカソード９３ｋは、Ａｌ配線９４を介してコンデンサ７４の一端が接続されるバスバー７８に接続されている。
【００２７】
低圧部７２は、オン・オフ切り換え可能なトランジスタからなるスイッチングデバイス９６と、逆流防止用のダイオード９７と、Ａｌ配線９８とを備えている。尚、低圧部７２には、高圧部７１に印加される電圧よりも低い電圧が外部の電源２００により印加される。スイッチングデバイス９６のソース９６ｓは、電源２００の負極及びコンデンサ７４の一端に接続されているＮ側電力供給用のバスバー７９に接続されている。スイッチングデバイス９６のドレイン９６ｄは、Ａｌ配線９８を介してコイル７３の一端に接続されている。スイッチングデバイス９６のゲート９６ｇは、バスバー８１を介して制御部７のゲートドライバ５７に接続されている。ダイオード９７のアノード９７ａは、Ｎ側電力供給用のバスバー７９に接続されている。ダイオード９７のカソード９７ｋは、Ａｌ配線９８を介してコイル７３の一端に接続されている。
【００２８】
コイル７３の一端は、Ａｌ配線８４を介して、スイッチングデバイス９２のソース９２ｓ、ダイオード９３のアノード９３ａ、スイッチングデバイス９６のドレイン９６ｄ、及び、ダイオード９７のカソード９７ｋに接続されている。コイル７３の他端は、バスバー７７を介して電源２００の正極に接続されている。
【００２９】
コンデンサ７４の一端は、各出力部２〜４にＰ側電力を供給するためのバスバー７８に接続されている。コンデンサ７４の他端は、Ａｌ配線８５を介して各出力部２〜４にＮ側電力を供給するためのバスバー７９に接続されている。
【００３０】
基板７５は、出力部２〜４の基板１３と同様の構成である。放熱板７６は、出力部２〜４の放熱板１４と同様の構成である。ケース８３は、出力部２〜４のケース２３と同様の構成である。
【００３１】
次に、設置基板６及び制御部７について簡潔に説明する。
【００３２】
設置基板６は、パワーモジュール１を設置するためのものである。設置基板６の中央部には、四角形状の穴６ａが形成されている。穴６ａの外周部には、バスバー１８〜２１、８０、８１が挿通される挿通穴６ｂが形成されている。穴６ａが、パワーモジュール１の中空部と略一致するように、パワーモジュール１は、設置基板６に設置される。
【００３３】
制御部７は、各出力部２〜４及び昇圧部５に設置されたスイッチングデバイス９２〜９６のゲートを制御するためのものである。制御部７は、配線基板４１と、複数のゲートドライブ（図４参照）４３〜４８、５６、５７が設置されたゲートドライブ部４２とを備えている。配線基板４１の中央部には、パワーモジュール１からの対流を上方へ流すための穴４１ａが形成されている。穴４１ａの外周部には、バスバー１５〜１７、７７〜７９が挿通される複数の挿通穴４１ｂが形成されている。
【００３４】
次に、上述したパワーモジュール１の動作説明を行う。
【００３５】
まず、パワーモジュール１の昇圧部５に電源２００から２００Ｖの電圧が印加される。ここで、低圧部７２のスイッチングデバイス９６がオンのときは、コイル７３及びスイッチングデバイス９６に電流が流れる。この状態から、低圧部７２のスイッチングデバイス９６がオフに切り換わると、コイル７３では流れる電流が遮断されて起電力が生じる。このコイル７３に起電力が生じている状態で、高圧部７１のスイッチングデバイス９２がオフになると、コイル７３から高圧部７１を介してコンデンサ７４に電荷が供給される。これにより、コンデンサ７４には、電源２００の電圧とコイル７３の起電力による電荷が蓄えられる。この結果、電源２００の電圧がコンデンサ７４により昇圧されて、各出力部２〜４に印加される。
【００３６】
ここで、昇圧部５の各スイッチングデバイス９２、９６のオン・オフ切り換えの周波数は、各出力部２〜４のスイッチングデバイス３２、３６のオン・オフ切り換えの周波数に比べて大きい。更に、昇圧部５の低圧部７２のスイッチングデバイス９６のオン・オフ切り換えの周波数は、昇圧部５の高圧部７１のスイッチングデバイス９２のオン・オフ切り換えの周波数よりも大きい。従って、各出力部２〜４よりも昇圧部５の方が高温になる。更に、昇圧部５においては、高圧部７１よりも低圧部７２の方が高温になる。
【００３７】
このように、昇圧部５により６００Ｖに昇圧された電圧が各出力部２〜４に印加された状態で、ゲートドライブ４３〜４８により各スイッチングデバイス３２、３６のゲート３２ｇ、３６ｇが制御されつつ、Ｐ側電力供給用のバスバー１６及びＮ側電力供給用のバスバー１７から電力が供給されると、各相の出力部２〜４により異なる位相を有する三相の交流電力が出力される。
【００３８】
上述したように第１実施形態によるパワーモジュール１では、低圧部７２を高圧部７１よりも空気の流れの上流である下方に配置した昇圧部５を備えている。ここで、低圧部７２のスイッチングデバイス９６の周波数は、高圧部７１のスイッチングデバイス９２の周波数よりも大きい。このため、パワーモジュール１の動作中において、低圧部７２は、高圧部７１よりも高温になる。このように、高温になる低圧部７２を高圧部７１よりも下方に配置することにより、低圧部７２から高圧部７１へと空気が流れる。従って、低圧部を高圧部よりも上方に配置する場合に比べて、低圧部７２のスイッチングデバイス９６が、高温になることを抑制することができる。この結果、スイッチングデバイス９６の劣化を抑制できるので、信頼性の向上を実現できる。
【００３９】
また、昇圧部５の温度上昇を抑制できることにより、昇圧部５の出力を大きくすることができる。これにより、従来の温度上昇が大きい昇圧部の場合、各出力部に１個ずつ昇圧部を設ける必要があったが、パワーモジュール１では、全ての出力部２〜４に対して１個の昇圧部５により対応できる。この結果、パワーモジュール１を小型化できる。更に、昇圧部５を１個にすることにより、制御部７も小型化することができる。
【００４０】
（実験）
次に、上述した第１実施形態の効果を証明するために行った実験について説明する。本実験は、第１実施形態によるパワーモジュールにドレイン電圧Ｖｄ＝５．１８［Ｖ］、ゲート電圧Ｖｇ＝１０．６４［Ｖ］を印加した。このときのドレイン電流は、Ｉｄ＝１２．５０［Ａ］であり、パワーモジュールの発熱量は、６２．７５［Ｗ］であった。この状態を温度上昇が略停止するまで続けた。この際のパワーモジュールの上部と下部の温度上昇の結果を図７に示す。
【００４１】
図７に示すように、約１５分間動作させると、パワーモジュールの下部は約５０℃まで温度が上昇した。一方、パワーモジュールの上部は、約７０℃まで温度が上昇した。最初の温度が約２５℃であることを考慮すると、約１５分間の動作で、パワーモジュールの上部は、下部よりも約２倍温度が上昇したことになる。この結果、昇圧部の低圧部を高圧部よりも下に配置することにより、パワーモジュールの温度上昇を抑制できることがわかった。
【００４２】
（第２実施形態）
次に、上述した第１実施形態を一部変更した第２実施形態によるパワーモジュールについて、図面を参照して説明する。図８は、第２実施形態によるパワーモジュールの全体斜視図である。尚、第１実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
【００４３】
図８に示すように、第２実施形態によるパワーモジュール１Ａは、中空の直方体形状に構成されている。パワーモジュール１Ａの４つの側面には、出力部２〜４及び３個の昇圧部５と、制御部７Ａとが配置されている。
【００４４】
各側面において、昇圧部５は、出力部２〜４よりも下に配置されている。ここで、昇圧部５のスイッチングデバイス９２、９６の周波数は、出力部２〜４のスイッチングデバイス３２、３６の周波数よりも大きい。即ち、動作中において、昇圧部５は、出力部２〜４よりも高温になりやすい。また、昇圧部５内においては、第１実施形態と同様に、低圧部７２が高圧部７１よりも下に配置されている。
【００４５】
上述したように、第２実施形態によるパワーモジュール１Ａでは、出力部２〜４よりも高温になる昇圧部５を出力部２〜４よりも下に配置している。従って、動作中においては、昇圧部５から出力部２〜４へと空気が流れる。これにより、出力部２〜４で発熱された熱が昇圧部５に伝達されることを抑制できる。この結果、昇圧部５の温度上昇を抑制することができる。
【００４６】
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００４７】
上述した実施形態における各構成に関する材料、形状、配置、数値等は適宜変更可能である。
【００４８】
また、上述した実施形態では、電圧調節部の一例として昇圧部を例に挙げたが、外部から供給された電圧を下げるための降圧部等の電圧を調節可能なものに適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１実施形態によるパワーモジュールの全体斜視図である。
【図２】Ｕ相出力部の平面図である。
【図３】昇圧部の平面図である。
【図４】パワーモジュールの回路図である。
【図５】スイッチングデバイスの斜視図である。
【図６】ダイオードの斜視図である。
【図７】パワーモジュールの温度上昇の実験結果を示すグラフである。
【図８】第２実施形態によるパワーモジュールの全体斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
１、１Ａ      パワーモジュール
２〜４ 出力部
５     昇圧部
６     設置基板
７、７Ａ      制御部
１１   高圧部
１２   低圧部
１３   基板
３２、３６    スイッチングデバイス
３２ｇ、３６ｇ             ゲート
３２ｓ、３６ｓ             ソース
３２ｄ、３６ｄ             ドレイン
３３、３７    ダイオード
３３ａ、３７ａ             アノード
３３ｋ、３７ｋ             カソード
４２   ゲートドライブ部
４３〜５７    ゲートドライブ
７１   高圧部
７２   低圧部
７３   コイル
７４   コンデンサ
９２、９６    スイッチングデバイス
９２ｇ、９６ｇ             ゲート
９２ｓ、９６ｓ             ソース
９２ｄ、９６ｄ             ドレイン
９３、９７    ダイオード
９３ａ、９７ａ             アノード
９３ｋ、９７ｋ             カソード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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