(57)【要約】【課題】ゲート配線の断線故障が抑制され、信頼性が高い横電界方式の液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０は、一対の透明基板間に液晶層が挟持されており、前記一対の透明基板の一方の表面には、平行に設けられた複数のゲート配線１２及びコモン配線１３と、前記ゲート配線１２及びコモン配線１３と交差する方向に絶縁膜を介して設けられた複数のソース配線１７と、複数の前記ゲート配線１２及びソース配線１７で区画された画素領域毎に形成された透明導電性材料からなる第１電極１４及び第２電極２１と、が形成されており、前記第１電極１４は前記コモン配線１３に電気的に接続されている横電界方式の液晶表示パネル１０において、前記ゲート配線１２の表面は透明導電性材料からなる層１４ａで被覆されていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の透明基板間に液晶層が挟持されており、前記一対の透明基板の一方の表面には、平行に設けられた複数のゲート配線及びコモン配線と、前記ゲート配線及びコモン配線と交差する方向に絶縁膜を介して設けられた複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線及びソース配線で区画された画素領域毎に形成された透明導電性材料からなる第１電極及び第２電極と、を備え、前記第１電極は前記コモン配線に電気的に接続されている横電界方式の液晶表示パネルにおいて、
前記ゲート配線の表面は透明導電性材料からなる膜で被覆されていることを特徴とする横電界方式の液晶表示パネル。
【請求項２】
前記ゲート配線の表面の透明導電性材料からなる膜は、前記第１電極と同組成のものであることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記第１電極は前記画素領域を被覆するように形成され、前記第２電極は、絶縁膜を介して前記第１電極と平面視で重なるように形成されていると共に、複数の平行に形成されたスリットを備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の横電界方式の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記絶縁膜は複層構造を有し、前記複層構造の絶縁膜の間に前記ソース配線が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の横電界方式の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記第１電極及び第２電極は互いに離間状態で噛み合うくし歯状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の横電界方式の液晶表示パネル
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリンジフィールドスイッチング（Fringe Field Switching：以下、「ＦＦＳ」という。）モード、ＩＰＳ（In-plane Switching）モード等の横電界方式の液晶表示パネルに関し、特にゲート配線の断線故障が抑制された信頼性が高い横電界方式の液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、表面に電極等が形成された一対の透明基板と、この一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、両基板上の電極に電圧を印加することによって液晶を再配列させて種々の情報を表示する縦方向電界方式のものが多く使用されている。このような縦方向電界方式の液晶表示パネルは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードのものが一般的であるが、視野角が狭いという問題点が存在するため、ＶＡ（Vertical Alignment）モードやＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等、種々の改良された縦方向電界方式の液晶表示パネルが開発されている。
【０００３】
一方、上述の縦方向電界方式の液晶表示パネルとは異なり、一方の基板にのみ画素電極及び共通電極からなる一対の電極を備えたＦＦＳモードないしＩＰＳモード等の横方向電界方式の液晶表示パネルも知られている。
【０００４】
このうちＩＰＳモードの液晶表示パネルは、一対の電極を同一層に配置し、液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向として液晶分子を基板に平行な方向に再配列するものである。そのため、このＩＰＳモードの液晶表示パネルは、前述の縦方向電界方式の液晶表示パネルと比すると非常に広視野角であるという利点を有している。しかしながら、ＩＰＳモードの液晶表示パネルは、液晶に電界を印加するための一対の電極が同一層に設けられているため、一対の電極の上側に位置する液晶分子は十分に駆動されず、透過率等の低下を招いてしまうといった問題点が存在している。
【０００５】
このようなＩＰＳモードの液晶表示パネルの問題点を解決するために、ＦＦＳモードの液晶表示パネルが開発されている（下記特許文献１及び２参照）。このＦＦＳモードの液晶表示パネルは液晶層に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異なる層に配置したものである。
【０００６】
このＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルよりも広視野角かつ高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共に、より高透過率であるため、明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルよりも平面視で画素電極と共通電極との重複面積が大きいために、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長所も存在している。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２３５７６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１８２２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のＦＦＳモードの液晶表示パネルのアレイ基板は、透明基板としてのガラス基板上に、それぞれの画素毎に形成された透明導電性材料からなる共通電極と、この共通電極の表面に形成された窒化珪素等からなる絶縁膜と、この共通電極に対応する位置の絶縁膜の表面に形成された複数の互いに平行に形成されたスリットを有する透明電極材料からなる画素電極と、を備えている。このうち、透明電極材料からなる共通電極及び画素電極は、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zink Oxide）から作成されている。このような従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルは、特にゲート配線の断線故障がかなり見受けられた。
【０００９】
発明者等はこのようなゲート配線の断線故障の生成原因を調べるべく種々検討を重ねた結果、
（１）異物等によりゲート配線にパターン欠陥が生じることがあること、
（２）ガラス基板に元から生じていた傷（元傷）が存在していた場合、ガラス元傷をゲート配線の成膜時にカバーできないことがあること、
（３）ガラス基板の表面の元傷にエッチング液や現像液が染み込んでゲート配線を過剰にエッチングしてしまうことがあること、
（４）透明電極材料からなる共通電極の形成時にもエッチング液に触れるために過剰にエッチングされることがあること、
（５）一旦形成されたゲート配線は共通電極形成のフォトレジスト材料の現像液や、エッチング液と接触することがあること、
等が原因であることを見出した。
【００１０】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、ゲート配線表面を透明導電性材料で被覆しておくことにより、上述の（１）〜（５）のような断線理由を克服でき、ゲート配線の断線故障が抑制された信頼性が高い横電界方式の液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の横電界方式の液晶表示パネルは、一対の透明基板間に液晶層が挟持されており、前記一対の透明基板の一方の表面には、平行に設けられた複数のゲート配線及びコモン配線と、前記ゲート配線及びコモン配線と交差する方向に絶縁膜を介して設けられた複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線及びソース配線で区画された画素領域毎に形成された透明導電性材料からなる第１電極及び第２電極と、を備え、前記第１電極は前記コモン配線に電気的に接続されている横電界方式の液晶表示パネルにおいて、前記ゲート配線の表面は透明導電性材料からなる膜で被覆されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の横電界方式の液晶表示パネルにおいては、従来例の横電界方式の液晶表示パネルの場合と同様に、ゲート配線及びコモン配線が平行に形成されているが、ゲート配線の表面は透明導電性材料からなる膜で被覆されている。そのため、たとえ異物等の存在により或いは透明基板の表面に元傷があるためにゲート配線パターンにパターン欠陥ないし断線が生じた場合でも、これらのパターン欠陥部分ないし断線部分は、透明導電性材料によって埋められて修復される。
【００１３】
更に、ゲート配線の表面は透明導電性材料で被覆されているため、透明導電性材料をフォトリソグラフィー法によってパターニングする際、ゲート配線の透明導電性材料で被覆されている部分はエッチング液に触れることがないので、ゲート配線が断線する可能性は大きく抑制される。加えて、透明基板の表面に元傷が存在していた場合、この元傷内にエッチング液やフォトレジストの現像剤が染み込んでゲート配線が過剰にエッチングされても、ゲート配線上の透明導電性材料からなる膜によってゲート配線の電気的導通は確保される。従って、本発明の横電界方式の液晶表示パネルによれば、ゲート配線の断線故障が抑制された信頼性が高い横電界方式の液晶表示パネルが得られる。
【００１４】
なお、フォトリソグラフィー法を適用する際のマスクずれを考慮すると、ゲート配線の表面のみが全て透明導電性材料で被覆されている状態とすることは技術的に困難性が伴う。更に、ゲート配線の表面及び側面の全てが透明導電性材料で被覆されている状態とすることは、透明導電性材料による短絡故障の発生を考慮すると、設計時にマスクずれのマージンを大きく取る必要が生じるため、採用困難である。従って、本発明おける「ゲート配線の表面は透明導電性材料からなる膜で被覆されている」とは、透明導電性材料からなる膜が少なくともゲート配線の長さ方向に亘って連続的に表面を被覆していれば、部分的にゲート配線の表面が露出していても良いことを示すものである。
【００１５】
なお、本発明の横電界方式の液晶表示パネルにおいては、第１電極がコモン配線に電気的に接続されているために共通電極を構成し、第２電極が画素電極を構成する。また、本発明の横電界方式の液晶表示パネルにおいては、各画素間のコモン配線もゲート配線の場合と同様にエッチング液やフォトレジスト材料の現像液に触れることがあるが、この各画素間のコモン配線部分の長さは短いため、ゲート配線ほどの断線故障は生じ難い。ただ、各画素間のコモン配線の表面も透明導電性材料からなる膜で被覆しておいても良い。
【００１６】
本発明の横電界方式の液晶表示パネルにおいては、前記ゲート配線の表面の透明導電性材料からなる膜は、前記第１電極と同組成のものであることが好ましい。
【００１７】
ゲート配線の表面の透明導電性材料からなる膜を第１電極と同組成のものとすれば、ゲート配線の表面の透明導電性材料からなる膜と第１電極とを同時に形成できるため、特にゲート配線の表面の透明導電性材料からなる膜を形成する工程を増やさずに本発明の横電界方式の液晶表示パネルを作製できるようになる。
【００１８】
また、本発明の横電界方式の液晶表示パネルにおいては、前記第１電極は前記画素領域を被覆するように形成され、前記第２電極は、絶縁膜を介して前記第１電極と平面視で重なるように形成されていると共に、複数の平行に形成されたスリットを備えていることが好ましい。
【００１９】
本発明の横電界方式の液晶表示パネルは、第１電極が画素領域を被覆するように形成され、第２電極が、絶縁膜を介して前記第１電極と平面視で重なるように形成されていると共に、複数の平行に形成されたスリットを備えているため、ＦＦＳモードの液晶表示パネルとして作動する。
【００２０】
また、本発明の横電界方式の液晶表示パネルにおいては、前記絶縁膜は複層構造を有し、前記複層構造の絶縁膜の間に前記ソース配線が形成されていることが好ましい。
【００２１】
それぞれの画素領域がスイッチング素子を備える場合、第１電極及びゲート配線の表面はいわゆるゲート絶縁膜及びパッシベーション膜からなる２層構造の絶縁膜で被覆される。従って、ソース配線を前記複層構造の絶縁膜の間に形成すれば、ソース配線と第１電極及び第２電極間の電気的絶縁を確保しながら、ソース配線とスイッチング素子との間の電気的導通を確保し易くなる。
【００２２】
また、本発明の横電界方式の液晶表示パネルにおいては、前記第１電極及び第２電極は互いに離間状態で噛み合うくし歯状に形成されているものとすることができる。
【００２３】
第１電極及び第２電極が互いに離間した状態でくし歯状に形成されていれば、これらの第１電極及び第２電極が共に透明基板の表面に形成されていても、或いは絶縁膜を挟んで形成されていても、実質的にＩＰＳモードの液晶表示パネルとして作動する。なお、本発明の横電界方式の液晶表示パネルによれば、ゲート配線及びコモン配線はＡｌ又はＡｌ合金から形成されるため、光学的に不透明であるが、ゲート配線及びコモン配線上からのびる第１電極及び第２電極を透明導電性材料からなるものとすると、ＩＰＳモードの液晶パネルとして作動する場合であっても、上記本発明の効果が同様に奏されるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、横電界方式の液晶表示パネルのうちＦＦＳモードの液晶表示パネルを例にとり、説明する。しかしながら、以下に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない。また、以下に述べるアレイ基板の「表面」とは各種配線が形成された面ないしは液晶と対向する側の面を示すものとする。
【００２５】
図１は実施形態の液晶表示パネルのアレイ基板の２画素分の概略平面図である。図２は図１のII−II線に沿った概略断面図である。図３は図１のIII−III線に沿った概略断面図である。図４Ａは実施形態の液晶表示パネルのゲート配線及びコモン配線形成工程を示す１画素分の斜視図であり図４Ｂは図４ＡのIVB−IVB線に沿った断面図であり、図４Ｃは図４ＡのIVC−IVC線に沿った断面図である。図５Ａは実施形態の液晶表示パネルの第１電極形成工程を示す１画素分の斜視図であり、図５Ｂは図５ＡのVB−VB線に沿った断面図であり、図５Ｃは図５ＡのVC−VC線に沿った断面図であり、図５Ｄ〜図５Ｆはそれぞれ本発明で採用し得る透明導電性材料からなる膜の被覆形態を示す断面図である。図６Ａ〜図６Ｅは実施形態の液晶表示パネルのゲート絶縁膜形成工程以降の工程を順を追って示す図１のII−II線に沿った部分の断面図である。
【００２６】
［実施形態］
実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネルの構成を、図１〜図６を参照して、製造工程順に説明する。この実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０のアレイ基板は、ガラス基板等の透明基板１１の表面全体に亘って、例えば下部がＡｌ金属からなり、表面がＭｏ金属からなる２層膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって、Ｍｏ／Ａｌの２層配線からなる複数のゲート配線１２及び複数のコモン配線１３を互いに平行になるように形成する（図４Ａ〜図４Ｃ参照））。なお、ここではコモン配線１３を隣接する画素側のゲート配線１２に沿って設けた例を示したが、隣り合うゲート配線１２の中間に設ける場合もある。このとき得られたゲート配線１２及びコモン配線１３はテーパが形成され、断面が台形状となる。ここで、ゲート配線１２及びコモン配線１３とエッチング液との１回目の接触が行われる。
【００２７】
次いで、透明基板１１の表面全体に亘って例えばＩＴＯからなる透明導電性材料からなる膜を成膜し、更に、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって画素毎に所定形状の第１電極１４を形成すると共に、ゲート配線１２の表面にも透明導電性材料からなる層１４ａを形成する（図５Ａ〜図５Ｃ参照）。なお、ゲート電極Ｇの表面にも透明導電性材料からなる層１４ａを形成してもよいが、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）の特性が従来のものとは変わる可能性があるので、ゲート電極Ｇの表面には形成しなくてもよい。この第１電極１４は、コモン配線１３とは電気的に接続されているため、共通電極として機能する。
【００２８】
本実施例において、ゲート配線１２の表面に透明導電性材料からなる層１４ａを形成することの理由は以下のとおりである。ゲート配線１２は、
（１）異物等によりゲート配線にパターン欠陥が生じることがあること、
（２）ガラス基板に元傷が存在していた場合、ガラス元傷をゲート配線の成膜時にカバーできないことがあること、
（３）ガラス基板の表面の元傷にエッチング液や現像液が染み込んでゲート配線を過剰にエッチングしてしまうことがあること、
（４）透明電極材料からなる第１電極の形成時にもエッチング液に触れるために過剰にエッチングされることがあること、
（５）一旦形成されたゲート配線は共通電極形成のフォトレジスト材料の現像液や、エッチング液と接触することがあること、
から、図４Ａ及び図４Ｃの領域Ａ及びＢに示したように、断線が生じることがある。
【００２９】
このうち上記（３）〜（５）の原因が生じる理由は次のとおりである。すなわち、透明導電性材料からなる膜の湿式エッチング開始前は、ゲート配線１２及びコモン配線１３ともに透明導電性材料からなる膜によって被覆されている。しかし、エッチングが進行して所定部分の透明導電性層が全て除かれると、ゲート配線１２及びコモン配線１３の一部が露出してエッチング液に触れるようになる。すなわち、ゲート配線１２及びコモン配線１３はここで２回目のエッチング液と接触する工程を経ることになる。透明導電性材料からなる膜の厚さは、均一であることが望ましいが、ゲート配線１２及びコモン配線１３の形状には凹凸があることもあり、ある程度のバラツキが存在している。加えて、湿式エッチング時の撹拌状態も全体的に均一になるわけではないから、透明導電性材料からなる膜のエッチング速度は場所によってバラツキが生じる。そのため、ゲート配線１２及びコモン配線１３上の透明導電性層がエッチングされて除去される時間には場所によってバラツキが存在する。
【００３０】
従って、ゲート配線１２及びコモン配線１３上の透明導電性材料からなる膜が早くエッチングされて除去された部分は、他の部分の透明導電性材料からなる膜がエッチングされて除去されるまでエッチング液と接触している状態となる。この透明導電性材料からなる膜のエッチング液には酸性エッチング液が使用されるが、この酸性エッチング液はＭｏ、ＡｌないしＡｌ合金も溶解してしまうので、ゲート配線１２及びコモン配線１３の上の透明導電性層が早くエッチングされて除去された部分は透明導電性層用のエッチング液によって更にエッチングが進行してしまう。
【００３１】
加えて、透明基板の表面に形成されていた元傷１１ａ内にはエッチング液や現像液が浸入することがあり、このような場合には、元傷１１ａ内に浸入したエッチング液や現像液によってゲート配線１２がエッチングされることがある。なお、フォトレジスト材料はポジ型のものが多く使用されているが、この現像液にはアルカリ性水溶液が使用される。従って、ＡｌないしＡｌ合金は、アルカリ性水溶液にも可溶性であるため、透明基板１１の表面に元傷１１ａ内に浸入した現像液によってゲート配線１２がエッチングされることがある。このように、透明導電性材料からなる膜を所定のパターンに形成する際、ゲート配線１２は、少なくともエッチング液と２回接触する他、フォトレジスト材料の現像液にも接触することがあるため、断線故障が起こりやすくなっているわけである。
【００３２】
そこで、本実施形態では、透明基板１１の表面全体に亘って透明導電性材料からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって画素毎に所定形状の第１電極１４を形成する際、ゲート配線１２の表面にも透明導電性材料からなる層１４ａが形成されるようにしている。このようにゲート配線１２の表面にも透明導電性材料からなる層１４ａを形成すると、たとえゲート配線１２に、領域Ａにおけるような透明基板１１に存在していた元傷１１ａに起因するパターン欠陥及び領域Ｂにおけるような異物等の存在に起因するパターン欠陥は、透明導電性材料からなる層１４ａによって埋められるので、ゲート配線１２の断線故障は大きく減少する。
【００３３】
加えて、本実施形態では、ゲート配線１２の表面に透明導電性材料からなる層１４ａが形成されるようにしているため、透明基板１１の表面全体に亘って透明導電性材料からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって画素毎に所定形状の第１電極１４を形成する際、ゲート配線１２はエッチング液と接触しない部分が存在している。そのため、本実施形態の液晶表示パネル１０では、ゲート配線１２の断線故障を抑制することが可能となるわけである。なお、本実施形態では、各画素内のコモン配線１３の表面は第１電極１４で被覆されているために断線故障は生じ難いが、各画素間のコモン配線１３は、ゲート配線１２の場合と同様に、エッチング液やフォトレジスト材料の現像液に触れることがある。しかし、各画素間のコモン配線１３部分の長さは短いため、ゲート配線１２ほどの断線故障は生じ難い。ただ、各画素間のコモン配線１３の表面も透明導電性材料からなる膜で被覆しておいても良い。
【００３４】
なお、ゲート配線１２の表面に透明導電性材料からなる膜を被覆する際、隣接する各種パターンとの短絡を防止するためには、図５Ｂに示したように、ゲート配線１２の表面の全てを被覆し、ゲート配線１２の表面以外を被覆しないようにすることが好ましい。しかしながら、マスクずれ等を考慮すると、図５Ｂに示したような状態にゲート配線１２の表面に透明導電性材料からなる膜を被覆することはかなりの技術的困難性を伴う。しかしながら、本発明においては、透明導電性材料からなる層１４ａが少なくともゲート配線１２の長さ方向に亘って連続的に表面を被覆していれば、部分的に表面が露出していたゲート配線１２部分にパターン欠陥が生じることがあっても、透明導電性材料からなる層１４ａによってゲート配線１２の電気的導通は確保される。
【００３５】
従って、本発明の液晶表示パネル１０においては、透明導電性材料からなる層１４ａのゲート配線１２の表面の被覆状態としては、図５Ｄ〜図５Ｆのいずれも許容される。
【００３６】
更に、本発明の液晶表示パネル１０を製造するには、第１電極１４及び透明導電性材料からなる層１４ａを形成した後、透明基板１１の表面全体に例えば窒化硅素層からなるゲート絶縁膜１５を被覆する（図６Ａ）。次いで、例えばアモルファス・シリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。）層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層をゲート絶縁膜１５の表面全体に亘って被覆した後に、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層からなる半導体層１６を形成する（図６Ｂ）。この半導体層１６が形成されている位置のゲート配線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。
【００３７】
次いで、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層を半導体層１６を形成した透明基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ソース配線１７（図１及び図３参照）及びドレイン電極Ｄを形成する（図６Ｃ）。このソース配線１７のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１６の表面に部分的に重なっている。
【００３８】
更に、この基板の表面全体に窒化硅素層からなる絶縁膜１８を被覆した後、ドレイン電極Ｄに対応する位置の絶縁膜１８にコンタクトホール１９を形成してドレイン電極Ｄの一部を露出させる（図６Ｄ）。次いで、この表面全体に亘って例えばＩＴＯからなる透明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、図１に示したパターンとなるように、ゲート配線１２及びソース配線１７で囲まれた領域の絶縁膜１８上に、互いに平行にフリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット２０を有する第２電極２１を形成する（図６Ｅ）。この第２電極２１はコンタクトホール１９を介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されているため、画素電極として機能する。
【００３９】
更に、この表面全体に亘り所定の配向膜（図示せず）を形成することによりアレイ基板が完成される。そして、このようにして製造されたアレイ基板と別途製造されたカラーフィルタ基板とを対向させ、周囲をシール材でシールして両基板間に液晶を注入することにより実施形態に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０が得られる。なお、カラーフィルタ基板は、図示省略したが、ガラス基板等の透明基板の表面に順次カラーフィルタ層、オーバーコート層及び配向膜が設けられており、共通電極が設けられていない外は従来のＴＮ（Twisted Nematic）方式の液晶表示パネル用のものと実質的に同一の構成を備えている。
【００４０】
このようにして作製された実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０によれば、ゲート配線１２の表面に透明導電性材料からなる層１４ａで被覆されているため、たとえ異物等の存在により或いは透明基板の表面に元傷があるためにゲート配線パターンにパターン欠陥ないし断線が生じた場合でも、これらのパターン欠陥部分ないし断線部分は、透明導電性材料によって埋められて修復される。更に、透明導電性材料をフォトリソグラフィー法によってパターニングする際、ゲート配線１２の透明導電性材料からなる層１４ａで被覆されている部分はエッチング液に触れることがないので、ゲート配線１２が断線する可能性は大きく抑制される。加えて、透明基板１１の表面に元傷１１ａが存在していた場合、この元傷内にエッチング液やフォトレジストの現像剤が染み込んでゲート配線１２が過剰にエッチングされても、ゲート配線１２上の透明導電性材料からなる層１４ａによってゲート配線１２の電気的導通は確保される。従って、本発明によれば、ゲート配線１２の断線故障が抑制された信頼性が高い横電界方式の液晶表示パネル１０が得られる。
【００４１】
なお、上記実施形態では第１電極としてＩＴＯを用いた例を示したが、ＩＺＯを用いても同様の作用・効果を奏する。また、ゲート配線材料やソース配線材料としてＭｏ／Ａｌの２層構造ないしＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造のものを用いたが、Ａｌに変えて例えばＮｄ−Ａｌ合金等も使用し得る。また、上記実施形態ではＦＦＳモードの液晶表示パネルの場合を例にとり説明したが、これに限られるものではなく、ＩＰＳモードの液晶表示パネル等、横電界方式の液晶表示パネルであれば等しく適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施形態の液晶表示パネルのアレイ基板の２画素分の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った概略断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿った概略断面図である。
【図４】図４Ａは実施形態の液晶表示パネルのゲート配線及びコモン配線形成工程を示す１画素分の斜視図であり図４Ｂは図４ＡのIVB−IVB線に沿った断面図であり、図４Ｃは図４ＡのIVC−IVC線に沿った断面図である。
【図５】図５Ａは実施形態の液晶表示パネルの第１電極形成工程を示す１画素分の斜視図であり、図５Ｂは図５ＡのVB−VB線に沿った断面図であり、図５Ｃは図５ＡのVC−VC線に沿った断面図であり、図５Ｄ〜図５Ｆはそれぞれ本発明で採用し得る透明導電性材料からなる膜の被覆形態を示す断面図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｅは実施形態の液晶表示パネルのゲート絶縁膜形成工程以降の工程を順を追って示す図１のII−II線に沿った部分の断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０：液晶表示パネル  １１：透明基板  １１ａ：元傷１２：ゲート配線  １３：コモン配線  １４：第１電極  １４ａ：透明導電性材料からなる膜  １５：ゲート絶縁膜  １６：半導体層  １７：信号線  １８：絶縁膜  １９：コンタクトホール  ２０：スリット  ２１：第２電極  
【図１】
2009251070.tif 000003
【図２】
2009251070.tif 000004
【図３】
2009251070.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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