(57)【要約】【課題】粒子の凝集を起こすことなく、安定的に単層粒子層のエッチングマスクを形成して、このマスクを用いてエッチングを行うことのできる基板の粗面化方法を得る。【解決手段】基板１上に第１の粘着層２を形成する第１の工程（ａ）と、第１の粘着層２上に耐エッチング性の粒子３を乾式で被着させる第２の工程（ｂ）と、転圧用ローラ４を用いて粒子３を第１の粘着層２上に加圧する第３の工程（ｃ）と、最下層の単層粒子層３ａを残して粒子３を除去する第４の工程（ｄ）と、最下層の粒子層３ａをマスクとして基板１をエッチングする第５の工程（ｅ）と、基板１から第１の粘着層２を除去するとともに、最下層の粒子層３ａを除去する第６の工程（ｆ）とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の粘着層を形成する第１の工程と、
前記第１の粘着層上に耐エッチング性の粒子を乾式で被着させる第２の工程と、
転圧用ローラを用いて前記粒子を前記第１の粘着層上に加圧する第３の工程と、
最下層の単層粒子層を残して前記粒子を除去する第４の工程と、
前記単層粒子層をマスクとして前記基板をエッチングする第５の工程と、
前記基板から前記第１の粘着層を除去するとともに、前記単層粒子層を除去する第６の工程と
を備えた基板の粗面化方法。
【請求項２】
基板上に第１の粘着層を形成する第１の工程と、
前記第１の粘着層よりも粘着力の弱い第２の粘着層が形成された被着用ローラを準備する第２の工程と、
前記被着用ローラ上の前記第２の粘着層に耐エッチング性の粒子を乾式で被着させるとともに、前記第２の粘着層上に転写された前記粒子のうち、最下層の単層粒子層を残して前記粒子を除去する第３の工程と、
前記第２の粘着層に被着した前記単層粒子層を前記第１の粘着層上に転写する第４の工程と、
前記単層粒子層をマスクとして前記基板をエッチングする第５の工程と、
前記基板から前記第１の粘着層を除去するとともに、前記単層粒子層を除去する第６の工程と
を備えた基板の粗面化方法。
【請求項３】
前記第１の粘着層の膜厚は、前記粒子の半径よりも小さい値に設定されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板の粗面化方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の方法を用いた光起電力装置の製造方法であって、
シリコン基板に対して前記方法を適用して、前記シリコン基板の表面に粗面を形成する第１の工程と、
粗面化された前記シリコン基板の表面にＰＮ接合を形成する第２の工程と、
前記ＰＮ接合の表面に反射防止膜を形成する第３の工程と、
前記反射防止膜の表面および前記シリコン基板の裏面に集電極を形成する第４の工程と
を備えた光起電力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の粗面化方法およびその方法を用いた光起電力装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、太陽電池などの光電変換装置の性能を向上させるためには、太陽電池を構成する基板内部に効率よく太陽光を取り込むことが重要である。このため、光入射側の基板表面を粗面化して、表面で一度反射した光を再度表面に入射させることで、より多くの太陽光を基板内部に取込む方法が採用されている。ここで、粗面化とは、基板表面に意図的に数１０［ｎｍ］〜数１０［μｍ］の寸法の微細凹凸、いわゆるテクスチャ構造を形成することを指す。
【０００３】
太陽電池用基板を粗面化する従来方法としては、基板が単結晶基板の場合には、エッチング速度に結晶方位依存性を持つ水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液による異方性エッチング処理が広く用いられている。たとえば、（１００）基板の表面に異方性エッチング処理を行うと、（１１１）面が露出したピラミッド状のテクスチャ構造が形成される。
【０００４】
しかし、上記アルカリ水溶液を用いて異方性エッチングする方法によれば、多結晶基板を用いた場合には、基板表面にさまざまな結晶面方位が混在していることから、テクスチャ構造を部分的にしか作製することができない。したがって、反射率を低減させるという目的を達成するのに限界が生じるという問題があった。
【０００５】
そこで、結晶面方位によらず全面を粗面化する従来方法として、基板面にリソグラフィなどを用いてエッチングマスク形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により窪み状の凹凸を形成する方法が採用されている。この場合に問題になるのは、マスクの形成方法である。すなわち、半導体分野で用いられているリソグラフィでは、多結晶太陽電池基板のように結晶面方位に応じた段差がある場合、基板全面で良好なマスクパターンを得ることが困難になる。
【０００６】
そこで、上記マスク形成問題を解決するために、微粒子の単粒子層をマスクとする方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の方法は、液体分散媒中に粒子が分散された粒子分散液を作製し、基板上に高分子を含有する捕捉層を形成し、粒子分散液を捕捉層に塗布した後、捕捉層のガラス転移温度以上に加熱して、粒子の最下層のみを捕捉層に埋め込み、捕捉層に埋め込まれていない粒子は除去することにより、単層の粒子マスクを形成し、その後、ＲＩＥ法などを用いて基板にテクスチャ構造を形成するものである。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２３０９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の基板の粗面化方法では、特許文献１の場合、粒子を液体分散液として湿式で塗布するので、粒子サイズが１［μｍ］を超えると、安定的な粒子分散液を調製することが困難になるという課題があった。
また、湿式塗布の場合には、乾燥時に分散媒が部分的（すなわち、島状）に乾燥し、分散粒子が凝集するという課題があった。
さらに、捕捉層上に塗布する際に、捕捉層が分散媒中に溶出する場合には、捕捉層に塗布した時点で粒子どうしが捕捉層成分で凝集して、単層の粒子層を得ることができないという課題があった。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、粒子の凝集を起こすことなく、安定的に単層粒子層のエッチングマスクを形成して、このマスクを用いてエッチングを行うことのできる基板の粗面化方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明による基板の粗面化方法は、基板上に第１の粘着層を形成する第１の工程と、第１の粘着層上に耐エッチング性の粒子を乾式で被着させる第２の工程と、転圧用ローラを用いて粒子を第１の粘着層上に加圧する第３の工程と、最下層の単層粒子層を残して粒子を除去する第４の工程と、単層粒子層をマスクとして基板をエッチングする第５の工程と、基板から第１の粘着層を除去するとともに、単層粒子層を除去する第６の工程とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明に係る基板の粗面化方法によれば、粒子を乾式で被着させることにより、粒子が凝集することがないので、均質な単層の粒子層が形成されて、エッチングにより均質なテクスチャ構造を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
以下、図１を参照しながら、この発明の実施の形態１について説明する。
図１はこの発明の実施の形態１に係る基板の粗面化方法を示す側面図であり、多結晶シリコン太陽電池の製造工程に適用した場合での、第１〜第６の工程（ａ）〜（ｆ）を示している。
【００１３】
図１において、基板１は、民生用太陽電池向けとして最も多く使用されている多結晶シリコン基板からなり、多結晶シリコンインゴットからマルチワイヤソーでスライスした後に、酸またはアルカリ溶液を用いたウェットエッチングで、スライス時のダメージを除去したものである。ダメージ除去後の基板１は、たとえば、厚みが２５０［μｍ］であり、寸法が１５６［ｍｍ］×１５６［ｍｍ］である。
【００１４】
まず、第１の工程（ａ）において、基板１上に第１の粘着性薄膜（以下、「粘着層」という）２を形成する。ここで、第１の粘着層２は、アクリル系の粘着材をトルエンで希釈して回転塗布により形成したものであり、乾燥後の膜厚は、たとえば０．８［μｍ］に設定されている。
【００１５】
仮に、第１の粘着層２の膜厚が、後工程で第１の粘着層２上に被着される耐エッチング性の微粒子（以下、単に「粒子」という）の半径以上であった場合には、後工程で第１の粘着層２に粒子を埋め込む際に、粒子に押しのけられた第１の粘着層２の成分が粒子の間隙からあふれ上がり、２層目の粒子にまで粘着してしまうので、単層の粒子層が得られなくなる。
【００１６】
逆に、第１の粘着層２の膜厚が薄すぎた場合には、粘着力が所要量以下に弱まるので、最下層を除く２層目以上の粒子を除去する後工程において、残すべき最下層の粒子をも脱落させてしまい、均質な単層の粒子層が得られなくなる。
【００１７】
したがって、後工程で均質な単層粒子層を得るために、ここでは、第１の粘着層２の膜厚が０．８［μｍ］に設定されている。
なお、第１の粘着層２を形成する粘着材として、ここではアクリル系の材料を使用したが、シリコン系、ゴム系などを用いてもよい。また、図１では基板１の表面は平坦であるように表現しているが、凹凸があってもよい。
【００１８】
続いて、第２の工程（ｂ）において、第１の粘着層２上に乾式で耐エッチング性の粒子３を被着させて粒子層を形成する。
このとき、粒子３を被着させる方法として、まず、十分な量の粒子３を第１の粘着層２上に盛り付け、その後、基板１の表面に対する間隙を０．５［ｍｍ］に設定したナイフエッジを基板１の表面に沿って平行に移動させる方法を適用する。これにより、盛り付けられた粒子３を、基板１の全面に薄く広げつつ、余分な粒子３を擦り切ることができる。
【００１９】
ここでは、耐エッチング性の粒子３として、たとえば直径３［μｍ］の球状シリカ粒子を用いている。
なお、粒子３の材料は、シリカ以外の無機粒子でもよく、また、ＰＭＭＡやポリスチレンなどの樹脂粒子、または金属粒子でもよく、目的に応じて選択され得ることは言うまでもない。また、粒子３の直径も、目的に応じて選択され得る。
【００２０】
また、粒子３を第１の粘着層２に被着させる方法としては、上記ナイフエッジによるものに限らず、ノズルから気体の流れとともに粒子３を噴出させ、第１の粘着層２上に被着させる方法を適用してもよい。
また、別の方法として、容器（図示せず）内に粒子３を盛り付けた上に、第１の粘着層２を押し付けて粒子３を被着させる方法、あるいは、容器内に粒子３を盛り付けた中に、第１の粘着層２を形成した基板１をくぐらせて被着させる方法を適用してもよい。
【００２１】
第２の工程（ｂ）のように粒子３を被着させた時点では、最下層の粒子３ａは、第１の粘着層２に対して最密配置されていない。なぜなら、第１の粘着層２の性質上、粒子３は、第１の粘着層２に到達した時点で、到達時の位置で固定され、最密配置となるように再配列されないからである。
【００２２】
そこで、続く第３の工程（ｃ）において、基板１を平坦な定板（図示せず）上に設置し、多層に被着された粒子３の上から転圧用ローラ４を押圧し、転圧用ローラ４を矢印方向に移動させながら転圧することにより、最下層の粒子３ａを最密配置となるように再配置させる。
【００２３】
ここで、転圧用ローラ４による転圧により、粒子３を最密配置へと再配置させる機構について説明する。
まず、最下層が最密配置ではない状態の粒子３において、第１の粘着層２上で最下層を形成する最下層の粒子３ａと、最下層の直上の２層目を形成する２層目の粒子３ｂとに着目し、２層目の粒子３ｂに最下層の粒子３ａに向かう力が印加された場合を考える。
【００２４】
このとき、２層目の粒子３ｂに対して、基板１の表面に向かう力が印加されることにより、最下層の粒子３ａに対しては、２層目の粒子３ｂとの接触点から力が印加されるが、この応力方向は、２層目の粒子３ｂの中心点に向かう方向とは反対方向である。
しかし、基板１の表面の垂直方向に対しては、第１の粘着層２に阻害されて移動できないので、最下層の粒子３ａは、基板１の面内方向への移動のみが可能となる。
【００２５】
また、最下層の粒子３ａは、第１の粘着層２に固定されているが、第１の粘着層２の性質上、一旦固定された被着物であっても、一定以上の力を受けると第１の粘着層２から離脱、あるいは第１の粘着層２上を移動することが可能である。
したがって、２層目の粒子３ｂとの接触点からの面内方向の力によって、最下層の粒子３ａの再配置が起こる。
【００２６】
仮に、最下層の粒子３ａと２層目の粒子３ｂの中心とを結ぶ直線が、応力方向と平行であれば、基板１の面内方向の力は印加されず、最下層の粒子３ａの再配置は起こらない。
しかし、第３の工程（ｃ）のように、転圧用ローラ４で転圧する場合には、２層目の粒子３ｂおよび３層目以上の粒子３にかかる力の方向は、１方向のみではなく、転圧用ローラ４の移動（矢印参照）により逐次変化するので、最下層の粒子３ａの再配置が起こり得る。
【００２７】
次に、第４の工程（ｄ）において、最下層の粒子３ａのみを残して、２層目の粒子３ｂおよび３層目以上の粒子３を、脱イオン水中で超音波洗浄により除去する。
このとき、最下層の粒子３ａは粘着により基板面に固定されているので、離脱されることがなく、結果的に、ほぼ最密に配置された最下層の粒子３ａのみを粒子層として残すことができる。
なお、２層目の粒子３ｂおよび３層目以上の粒子３を除去する方法としては、高圧エアを吹き付ける方法を採用することができる。
【００２８】
続いて、第５の工程（ｅ）において、ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング法）により、基板１をエッチングしてテクスチャ構造を形成する。
たとえば、ＲＩＥのエッチングガスとしては、ＳＦ６とＯ２の混合ガスを用い、反応室圧力を５０［Ｐａ］、ＲＦ出力を２０００［Ｗ］に設定して、エッチングを行うことができる。
【００２９】
さらに、第６の工程（ｆ）において、酸素のみを導入して圧力１００［Ｐａ］でエッチングすることにより、最下層の粒子３ａの下側の第１の粘着層２を基板１から除去するとともに、基板１をＨＦ水溶液でウェットエッチングして、最下層の粒子３ａ（粒子層）を除去する。
【００３０】
これにより、最下層の粒子３ａが存在していた真下箇所が山形状となり、最下層の粒子３ａの間に位置していた箇所が谷形状となるテクスチャ構造が形成され、基板１の表面に均一で安定な粗面１ｓが形成される。
【００３１】
反射低減効果を確認するために、図１に示す方法でテクスチャ処理を施した基板１の反射率を評価実験したところ、前述の従来方法（アルカリ溶液）で形成されたテクスチャの反射率と比較して、広い波長域にわたって、１２ｐｔの反射低減効果を得ることを確認することができた。
【００３２】
また、図１の粗面化工程を施した基板１を用いて太陽電池セルを試作し、粗面化が太陽電池性能にもたらす効果についても調査した。
以下、図２を参照しながら、図１の粗面化方法を適用した太陽電池セルの製造工程について説明する。
【００３３】
図２はこの発明の実施の形態１（図１）の方法を用いた太陽電池セルの製造方法を示す側面図であり、第１〜第４の工程（ａ）〜（ｄ）を示している。
図２において、ｐ型シリコン基板（以下、単に「シリコン基板」という）１０は、図１と同様の方法を適用することにより、表面に粗面１０ｓが形成されている。
まず、第１の工程（ａ）において、表面が粗面化されたシリコン基板１０を準備する。
【００３４】
続いて、第２の工程（ｂ）において、シリコン基板１０にリン拡散を施してｎ層１１を形成し、粗面化を施したシリコン基板１０の表面にｐｎ接合を形成する。
さらに、第３の工程（ｃ）において、粗面化を施したシリコン基板１０上のｎ層１１の表面に、反射防止膜としてＳｉＮ膜１２をプラズマＣＶＤにより形成する。
【００３５】
最後に、第４の工程（ｄ）において、ＳｉＮ膜１２の表面およびシリコン基板１０の裏面に、集電極としてＡｇ電極１３およびＡｌ電極１４をそれぞれスクリーン印刷技術で形成する。
すなわち、ＳｉＮ膜１２の表面にはクシ型のＡｇ電極１３を形成し、シリコン基板１０の裏面にはベタ膜のＡｌ電極１４を形成し、熱処理で各集電極を焼結することにより、太陽電池セルが完成する。
【００３６】
図２の工程（ａ）〜（ｄ）を経て完成した太陽電池セルに関して、太陽光シミュレータ下で電流電圧特性を評価したところ、従来のアルカリテクスチャによる基板を用いたものと比較して、短絡電流で１．６［ｍＡ／ｃｍ２］の改善、変換効率で０．９［ｐｔ］の改善を確認することができた。
【００３７】
以上のように、この発明の実施の形態１に係る基板の粗面化方法（図１）は、基板１上に第１の粘着層２を形成する第１の工程（ａ）と、第１の粘着層２上に耐エッチング性の粒子３を乾式で被着させる第２の工程（ｂ）と、転圧用ローラ４を用いて粒子３を第１の粘着層２上に加圧する第３の工程（ｃ）と、最下層の単層粒子層を残して粒子３を除去する第４の工程（ｄ）と、最下層の粒子３ａからなる粒子層をマスクとして基板１をエッチングする第５の工程（ｅ）と、基板１から第１の粘着層２を除去するとともに、最下層の粒子層を除去する第６の工程（ｆ）とを備えている。
【００３８】
このように、乾式で耐エッチング性の粒子３を第１の粘着層２上に被着させることにより、凝集のない均質な単層の粒子層（最下層の粒子３ａ）を基板１上に形成することができ、したがって、基板１を均質に粗面化することができる。
また、第１の粘着層２の膜厚は、前述のように、粒子３の半径よりも小さい値（０．８［μｍ］）に設定されているので、第４の工程（ｄ）において、均質な単層の粒子層（粒子３ａ）を確実に形成することができる。
【００３９】
また、この発明の実施の形態１に係る光起電力装置の製造方法（図２）は、シリコン基板１０に対して図１の方法を適用して、シリコン基板１０の表面に粗面１０ｓを形成する第１の工程（ａ）と、粗面化されたシリコン基板１０の表面にＰＮ接合（ｎ層１１）を形成する第２の工程（ｂ）と、ＰＮ接合（ｎ層１１）の表面に反射防止膜（ＳｉＮ層１２）を形成する第３の工程（ｃ）と、反射防止膜（ＳｉＮ層１２）の表面およびシリコン基板１０の裏面に集電極（Ａｇ電極１３、Ａｌ電極１４）を形成する第４の工程（ｄ）とを備えている。
これにより、上述した通り、均質に粗面化されたシリコン基板１０を用いて、高効率の太陽電池セルを構成することができる。
【００４０】
実施の形態２．
なお、上記実施の形態１では、基板１上の第１の粘着層２に多量の粒子３を被着させた後に、不要な粒子３を除去して最下層の粒子３ａのみを粒子層として形成したが、図３に示すように、被着用ローラ５を用いて、最下層に相当する必要量の粒子３ａを基板１上の第１の粘着層２に被着させてもよい。
【００４１】
以下、図３の側面図を参照しながら、この発明の実施の形態２に係る基板の粗面化方法について、前述と同様に、多結晶シリコン太陽電池の製造工程に適用した場合を例にとって説明する。
図３はこの発明の実施の形態２に係る第１〜第４の工程（ａ）〜（ｄ）を示している。
【００４２】
図３において、前述（図１参照）と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
なお、図３内の第１の工程（ａ）は、前述（図１参照）の第１の工程（ａ）と同様である。また、この発明の実施の形態２に係る第５、第６の工程については、図示を省略するが、前述（図１参照）の第５、第６の工程（ｅ）、（ｆ）と同様である。
【００４３】
まず、前述と同様に、第１の工程（ａ）において、基板１の表面に第１の粘着層２を形成する。
続いて、第２の工程（ｂ）において、被着用ローラ５の表面に、第１の粘着層２よりも粘着力の弱い第２の粘着層６を形成する。
具体的には、図示したように、アクリル系粘着剤のトルエン希釈液７を、底面が平坦な粘着材用バット８上に溜めておき、被着用ローラ５をバット底面で矢印方向に転がすことにより、均一な膜厚の第２の粘着層６を被着用ローラ５の表面に付着させる。また、その後、１２０［℃］、１０分間の乾燥工程を経ることにより、安定な第２の粘着層６が得られる。
【００４４】
次に、第３の工程（ｃ）において、被着用ローラ５の表面の第２の粘着層６に、耐エッチング性の粒子３を乾式で被着させる。
具体的には、図示したように、粒子用バット９に粒子３を収納しておき、粒子３の上で被着用ローラ５を矢印方向に転がすことにより、被着用ローラ５上の第２の粘着層６に粒子３を被着させる。
【００４５】
このとき、粒子３は、第２の粘着層６上に多層で被着されるので、被着用ローラ５を脱イオン水中で超音波洗浄することにより、最下層の粒子３ａのみを残して、２層目以上の不要な粒子３を除去し、単層の粒子層を形成する。
【００４６】
続いて、第４の工程において、被着用ローラ５上の第２の粘着層６に被着した粒子３ａ（単層の粒子層）を、基板１に形成された第１の粘着層２上に転写する。
このとき、基板１の端部から被着用ローラ５を矢印方向に転がすことにより、粒子３ａが第１の粘着層２に被着するので、単層の粒子層を形成することができる。
【００４７】
なお、第２の粘着層６上の粒子３ａを確実に第１の粘着層２上に転写するためには、前述のように、第２の粘着層６の粘着力が第１の粘着層２の粘着力を下回らなければならない。
したがって、第２の工程（ｂ）で第２の粘着層６を形成する際には、第２の粘着層６の膜厚が第１の粘着層２よりも薄くなるように調整することにより、粘着力を低減させるための調整が行われる。
【００４８】
また、被着用ローラ５の幅および円周サイズは、基板１のサイズ（幅および長さ）以上でなければ、基板１の全面に粒子３ａを被着させることはできないので、十分な大きさに設定されている。
【００４９】
以下、ここでは、図示および説明を省略するが、前述（図１）と同様の第５、第６の工程（ｅ）、（ｆ）が行われる。
また、図３に示した方法を適用して、前述（図２参照）と同様の方法により、高効率の光起電力装置（態様電池セル）を構成することができる。
のものである。
【００５０】
以上のように、この発明の実施の形態２に係る基板の粗面化方法（図３）は、基板１上に第１の粘着層２を形成する第１の工程（ａ）と、第１の粘着層２よりも粘着力の弱い第２の粘着層６が形成された被着用ローラ５を準備する第２の工程（ｂ）と、被着用ローラ５上の第２の粘着層６に耐エッチング性の粒子３を乾式で被着させるとともに、第２の粘着層６上に転写された粒子３のうち、最下層の単層粒子層３ａを残して粒子３を除去する第３の工程（ｃ）と、第２の粘着層６に被着した最下層の粒子層（粒子３ａ）を第１の粘着層２上に転写する第４の工程（ｄ）と、最下層の粒子層をマスクとして基板１をエッチングする第５の工程（図１内の（ｅ））と、基板１から第１の粘着層２を除去するとともに、最下層の粒子層（３ａ）を除去する第６の工程（図１内の（ｆ））とを備えている。
【００５１】
このように、耐エッチング性の粒子３を乾式で第１の粘着層２上に被着させることにより、凝集のない均質な単層粒子層を形成することができ、基板１上に均質に粗面１ｓを形成することができる。
また、第４の工程（図３内の（ｄ））において、基板１上に単層の粒子層を直接形成することにより、余分な粒子３で基板１を汚染することを回避することができ、さらに均一で安定な粗面１ｓを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明の実施の形態１に係る基板の粗面化方法の各工程を一部簡略化して示す側面図である。
【図２】この発明の実施の形態１および２に係る光起電力装置の製造方法の各工程を一部簡略化して示す側面図である。
【図３】この発明の実施の形態２に係る基板の粗面化方法の各工程を一部簡略化して示す側面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  基板、２  第１の粘着層、３  粒子、３ａ  最下層の粒子（単層粒子層）、３ｂ  ２層目の粒子、４  転圧用ローラ、５  被着用ローラ、６  第２の粘着層、１０  シリコン基板（ｐ型シリコン基板）、１１  ｎ層（ＰＮ接合）、１２  ＳｉＮ膜（反射防止膜）、１３  Ａｇ電極（集電極）、１４  Ａｌ電極（集電極）。
【図１】
2009117503.tif 000003
【図２】
2009117503.tif 000004
【図３】
2009117503.tif 000005