(57)【要約】【課題】半導体素子、ボンディングワイヤ等を覆う封止樹脂に未充填部を生じさせない。【解決手段】基板（図１では、「配線基板１０１」）と、基板上に接着剤（図１では、「ダイボンドフィルム１０３」）を介して形成された半導体素子１０２と、半導体素子１０２の上方に配置される放熱板（図１では、「放熱板部１０５ａ」）と、半導体素子１０２を包囲して配置され、放熱板を支持する側面支持部１０５ｂとを有するヒートスプレッダ１０５と、半導体素子１０２と放熱板との間に配置される封止樹脂１０６と、を含み、側面支持部１０５ｂは、半導体素子１０２の両側に、切り欠き部（図１では、「スリット１０７Ａ」）と、切り欠き部より小さい切り欠き部（図１では、「スリット１０７Ｂ」）とを有する半導体装置１００によれば、半導体素子１０２等を覆う封止樹脂１０６に未充填部が生じない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に接着剤を介して形成された半導体素子と、
前記半導体素子の上方に配置される放熱板と、前記半導体素子を包囲して配置され、前記放熱板を支持する側面支持部とを有するヒートスプレッダと、
前記半導体素子と前記放熱板との間に配置される封止樹脂と、を含み、
前記側面支持部は、前記半導体素子の両側に、第１の切り欠き部と、前記第１の切り欠き部より小さい第２の切り欠き部とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記接着剤は、ダイボンドフィルムであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記切り欠き部の開口角度は、前記半導体素子の中心を基準として５０度〜９０度であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ヒートスプレッダは、前記基板に固定され、且つ、前記支持部に連結されるフレーム板を有し、
前記フレーム板は、前記半導体素子よりも前記第１の切り欠き部側の位置に第３の切り欠き部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３の切り欠き部の下方では、前記封止樹脂が前記基板に密着していることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に基板上に接着剤を介して搭載した半導体素子、ならびに当該半導体素子から発生する熱を放散する放熱部材を、封止樹脂により封止してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化、高速動作化、小型化に伴い、当該電子機器に搭載される半導体集積回路装置等の半導体装置についても、より高集積化、高速動作化、ならびにより小型化が要求されている。
【０００３】
かかる高集積化、信号処理の高速化、ならびに小型化に伴って、半導体集積回路素子に於ける発熱量が増加する傾向にある。この為、半導体集積回路装置に於いては、放熱性の改善が求められ、例えば所謂ＢＧＡ（Ball Grid Array）型半導体装置にあっても、半導体集積回路素子が搭載された配線基板上に、放熱部材（ヒートスプレッダ）を配設する構造が用いられる場合がある（特許文献１参照）。
【０００４】
当該ヒートスプレッダが適用された、従来のＢＧＡ型半導体装置の構成を、図６に示す。
図６は、従来の半導体装置の構成を示す平面図ならびに断面図である。
【０００５】
当該半導体装置の平面を図６（Ａ）に、また当該半導体装置の断面構造を図６（Ｂ）に示している。当該図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に於けるＡ−Ａ’断面を示す。
尚、図６（Ａ）に於いては、ヒートスプレッダの周囲側面を覆って配設される封止樹脂については図示せず、その矩形状の被覆範囲を点線で示している。
【０００６】
同図に示される様に、かかる半導体装置にあっては、配線基板１１の一方の主面上に、半導体集積回路素子（以下、「半導体素子」と称する）１２が所謂ダイボンドフィルム等のダイボンドフィルム１３を介して搭載され、当該半導体素子１２の電極（図示せず）と前記配線基板１１表面に設けられた電極（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ１４により接続されている。
【０００７】
そして、当該半導体素子１２ならびにボンディングワイヤ１４を覆ってヒートスプレッダ１５が配設され、更に当該ヒートスプレッダ１５の側面、ならびに前記配線基板１１の一方の主面は封止樹脂１６により被覆されている。
【０００８】
当該封止樹脂１６は、ヒートスプレッダ１５の側面に設けられたスリット１７Ａを介して当該ヒートスプレッダ１５により覆われた空間にも流入し、前記半導体素子１２ならびにボンディングワイヤ１４等をも被覆している。
【０００９】
一方、前記配線基板１１の他方の主面には、当該半導体装置の外部接続用端子１８として、半田ボール端子が格子状に配置されている。
かかる構成に於いて、ヒートスプレッダ１５は、前記半導体素子１２上に位置して前記封止樹脂１６には被覆されずに表出する放熱板部１５ａと、当該放熱板部１５ａの周囲に互いに離間して配設された複数の側面支持部１５ｂ、ならびに当該側面支持部１５ｂの他端を一体に支持して前記配線基板１１の一方の主面上に固着された枠状フレーム部１５ｃとから構成されている。複数の側面支持部１５ｂ相互間には、前記スリット１７が形成されている。
【００１０】
そして、当該半導体装置の形成の際には、前記配線基板１１の一方の主面上への半導体素子１２の搭載、ボンディングワイヤ１４の接続が行われた後、当該半導体素子１２、ボンディングワイヤ１４等を覆って、ヒートスプレッダ１５が配設される。
【００１１】
しかる後、当該配線基板１１の一方の主面上を覆って樹脂封止処理がなされる。当該樹脂封止処理法としては所謂トランスファーモールド法が適用され、封止樹脂１６は、図６（Ａ）に於いて、矢印ＲＴにて示される方向から注入される。
【００１２】
この時、当該封止樹脂１６は、スリット１７Ａを介して、ヒートスプレッダ１５により覆われた空間内にも流入し、半導体素子１２、ボンディングワイヤ１４等をも被覆する。
【特許文献１】特開平８−１３９２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前記樹脂封止工程に於いて、封止樹脂１６を、ヒートスプレッダ１５に於けるスリット１７Ａから、当該ヒートスプレッダ１５により覆われた空間内に注入すると、封止樹脂１６は、ヒートスプレッダ１５に於いてスリット１７Ａから最も遠い位置にあるスリット１７Ｂ方向へ流れつつ、前記空間内に充填される。
【００１４】
ところが、この時、当該封止樹脂１６の流動の下流に位置するところの半導体素子１２の端部に対しては封止樹脂１６の回り込みが十分に行われず、図７に示すように、当該半導体素子１２の端部に、封止樹脂１６の未充填部１６ｓが生じてしまうことがある。
【００１５】
かかる封止樹脂１６の未充填部１６ｓに於いては、半導体素子１２ならびにダイボンドフィルム１３の側面部に対する樹脂被覆がなされないことから、半導体素子１２ならびに当該半導体素子１２と配線基板１１との間に在るダイボンドフィルム１３に対し、樹脂被覆圧が及ばない。
【００１６】
この為、当該半導体装置の製造工程或いは当該半導体装置の動作時に、半導体素子１２自体の発熱或いは外部からの加熱によって、ダイボンドフィルム１３が配線基板１１から剥離し、もって半導体素子１２が配線基板１１から剥離してしまう。
【００１７】
この結果、半導体素子１２に於いて発生した熱が、配線基板１１を通して外部接続用端子１８へ伝導される面積が減少してしまい十分な熱放散が困難となる。
この為、当該半導体素子１２の温度上昇を招き、半導体装置としての信頼性が低下してしまう。
【００１８】
尚、当該半導体素子１２に於いて発生した熱は、前記ヒートスプレッダ１５の外表面からも放出されるが、配線基板１１を通して外部接続用端子１８へ伝導して、電子機器などへ放出されることも必要である。
【００１９】
本発明は、この様にヒートスプレッダを具備しつつ樹脂封止される半導体装置に於いて、半導体素子、ボンディングワイヤ等を覆う封止樹脂に未充填部を生じない半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、基板と、前記基板上に接着剤を介して形成された半導体素子と、前記半導体素子の上方に配置される放熱板と、前記半導体素子を包囲して配置され、前記放熱板を支持する側面支持部とを有するヒートスプレッダと、前記半導体素子と前記放熱板との間に配置される封止樹脂と、を含み、前記側面支持部は、前記半導体素子の両側に、第１の切り欠き部と、前記第１の切り欠き部より小さい第２の切り欠き部とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２１】
この半導体装置は、基板上に接着剤を介して形成された半導体素子と、半導体素子の上方に配置される放熱板と、半導体素子を包囲して配置され、放熱板を支持し、側面支持部とを有するヒートスプレッダと、を有し、側面支持部に、半導体素子の両側に切り欠き部が形成されるようになる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ヒートスプレッダを具備しつつ樹脂封止される半導体装置に於いて、半導体素子、ボンディングワイヤ等を覆う封止樹脂に未充填部を有しない半導体装置構造を得ることができ、もって当該半導体装置の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明による半導体装置について、実施の形態をもって詳細に説明する。
尚、以下の実施の形態にあっては、半導体装置として、所謂ＢＧＡ型半導体装置を掲げて説明するが、本発明の特徴的構成は、当該ＢＧＡ型半導体装置に於いて適用されることに限られるものではない。
【００２４】
例えば、所謂ＬＧＡ（Land Grid Array）型半導体装置にも適用することができる。
＜実施の形態その１＞
本発明の実施の形態その１にかかる、ヒートスプレッダが適用されたＢＧＡ型半導体装置１００の構成を、図１に示す。
【００２５】
当該半導体装置１００の平面を図１（Ａ）に、また当該半導体装置１００の断面構造を図１（Ｂ）に示している。当該図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に於けるＡ−Ａ’断面を示す。
尚、図１（Ａ）に於いては、放熱部材であるヒートスプレッダの周囲側面を覆って配設される封止樹脂については図示せず、その略矩形状の被覆範囲を点線で示している。
【００２６】
同図に示される様に、かかる半導体装置１００にあっては、配線基板１０１の一方の主面上に、半導体集積回路素子（以下、「半導体素子」と称する）１０２がダイボンドフィルム等のダイボンドフィルム１０３を介して搭載され、当該半導体素子１０２の電極（図示せず）と前記配線基板１０１表面に設けられた電極（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ１０４により接続されている。
【００２７】
そして、当該半導体素子１０２ならびにボンディングワイヤ１０４を覆ってヒートスプレッダ１０５が配設され、更に当該ヒートスプレッダ１０５の側面、ならびに前記配線基板１０１の一方の主面は封止樹脂１０６により被覆されている。
【００２８】
当該封止樹脂１０６は、ヒートスプレッダ１０５の側面に設けられたスリット１０７Ａを介して当該ヒートスプレッダ１０５により覆われた空間にも流入し、前記半導体素子１０２ならびにボンディングワイヤ１０４等をも被覆している。
【００２９】
一方、前記配線基板１０１の他方の主面（裏面）には、当該半導体装置の外部接続用端子１０８として、半田ボール端子が格子状に配置されている。
かかる構成に於いて、ヒートスプレッダ１０５は、前記半導体素子１０２上に位置して前記封止樹脂１０６には被覆されずに表出する放熱板部１０５ａと、当該放熱板部１０５ａの周囲に互いに離間して配設された複数の側面支持部１０５ｂ、ならびに当該側面支持部１０５ｂの他端を一体に支持して前記配線基板１０１の一方の主面上に固着された枠状フレーム部１０５ｃとから構成されている。複数の側面支持部１０５ｂ相互間には、前記スリット１０７が形成されている。
【００３０】
そして、当該半導体装置１００の形成の際には、前記配線基板１０１の一方の主面上への半導体素子１０２の搭載、ボンディングワイヤ１０４の接続が行われた後、当該半導体素子１０２、ボンディングワイヤ１０４等を覆って、ヒートスプレッダ１０５が配設される。
【００３１】
しかる後、当該配線基板１０１の一方の主面上を覆って樹脂封止処理がなされる。当該樹脂封止処理法としては所謂トランスファーモールド法が適用され、封止樹脂１０６は、図１（Ａ）に於いて、矢印ＲＴにて示される方向から注入される。尚、配線基板１０１の表面に配設された金属層１０９は、封止樹脂の注入の際、注入ゲートを構成していたものである。
【００３２】
この時、当該封止樹脂１０６は、スリット１０７Ａを介して、ヒートスプレッダ１０５により覆われた空間内にも流入し、半導体素子１０２、ボンディングワイヤ１０４等をも被覆する。
【００３３】
かかる実施の形態その１にあっては、図１（Ａ）に示される如く、一つに、ヒートスプレッダ１０５の側面支持部１０５ｂの配置位置を選択し、封止樹脂１０６が注入されるスリット１０７Ａの開口角θ１が９０度となる位置に配置している。当該開口角θ１は、少なくとも５０度とされる。即ち、当該開口角θ１は、５０度乃至９０度とされる。
【００３４】
また、当該封止樹脂１０６が注入されるスリット１０７Ａに対応する部位に於ける、枠状フレーム部１０５ｃｚを選択的に除去している（除去された枠状フレーム部１０５ｃｚを、破線で示している。）。
【００３５】
更に、前記封止樹脂１０６が注入されるスリット１０７Ａに対向する位置にある、即ち封止樹脂１０６が流出する位置に於けるスリット１０７Ｂの開口角θ２も５０度乃至９０度となるよう、側面支持部１０５ｂの配置位置を選択している。
【００３６】
尚、「開口角」とは、ヒートスプレッダ１０５の中心から、スリット１０７Ａ、スリット１０７Ｂそれぞれに於ける開口の両端を結ぶ線がなす角度であり、より大きい角度であれば、封止樹脂１０６の流動を阻害しない。
【００３７】
因みに、図６に示した従来技術にあっては、スリット１７Ａに於ける開口角θは４０度以下であった。
この様に、封止樹脂１０６が注入されるスリット１０７Ａ、封止樹脂１０６が流出する位置に於けるスリット１０７Ｂに於ける開口角θを大きく設定することにより、また、樹脂注入部に於ける枠状フレーム部１０５ｃｚが選択的に除去されることにより、当該封止樹脂１０６の流動は速やかになされ、ヒートスプレッダ１０５により覆われた空間内は当該封止樹脂１０６により速やかに充填される。
【００３８】
従って、封止樹脂１０６の流動に於ける下流側に位置する半導体素子１０２の端部に於いても、当該封止樹脂１０６の未充填部を生じない。
未充填部が生じないことにより、前記半導体素子１０２ならびに当該半導体素子１０２と配線基板１０１との間に在るダイボンドフィルム１０３に対し、十分な樹脂被覆圧が印加される。
【００３９】
従って、当該半導体装置の製造工程或いは当該半導体装置の動作時に、半導体素子１０２自体の発熱或いは外部からの加熱がなされても、当該半導体素子１０２が配線基板１０１から剥離する現象は生じない。
【００４０】
よって、半導体素子１０２に於いて発生した熱は、配線基板１０１を通して外部接続用端子１０８へ有効に伝導・放出され、当該半導体素子１０２に不要な温度上昇を招くこともなく、半導体装置として高い信頼性が得られる。
【００４１】
尚、前記構成に於いて、配線基板１０１は、支持基板、回路基板或いはインターポーザーとも称され、ガラスエポキシ等の有機系材料、或いはセラミック等の無機材料からなる板材を基材とし、その表面及び／或いは内部に銅（Ｃｕ）を主体とする配線層が配設されて形成されている。
【００４２】
また、半導体素子１０２は、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体材料から形成された半導体基板を用い、所謂ウエハープロセスが適用されて、当該半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、容量領素子及び／或いは抵抗素子等の受動素子、Ｃｕ或いはアルミニウム（Ａｌ）を主体とする配線層、ならびに酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の絶縁層をもって電子回路が形成されている。
【００４３】
また、ダイボンドフィルム１０３としては、フィルム状又はテープ状のものが適用される。
また、ボンディングワイヤ１０４としては、金（Ａｕ）或いはＡｌを主体とする細線が適用される。
【００４４】
そして、ヒートスプレッダ１０５としては、Ｃｕなど熱伝導性の高い金属の板材が用いられ、プレス加工などにより整形される。
この時、放熱板部１０５ａは、例えば半径１０ｍｍ乃至２０ｍｍの円形状とされる。また側面支持部１０５ｂは、対象となる半導体素子１０２の外形寸法、ならびに配線基板１０１の外形寸法に対応して、放熱板部１０５ａの高さ（配線基板１０１の上面からの距離）が、例えば１．１ｍｍ乃至１．４ｍｍとなるよう、その長さが選択される。
【００４５】
更に、封止樹脂１０６としては、エボキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられ、シリカ等のフィラー材が添加されている。
＜実施の形態その２＞
本発明の実施の形態その２にかかる、ヒートスプレッダが適用されたＢＧＡ型半導体装置２００の構成を、図２に示す。
【００４６】
当該半導体装置２００の平面を図２（Ａ）に、また当該半導体装置２００の断面構造を図２（Ｂ）に示している。当該図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に於けるＡ−Ａ’断面を示す。
尚、図２（Ａ）に於いては、放熱部材であるヒートスプレッダの周囲側面を覆って配設される封止樹脂については図示せず、その略矩形状の被覆範囲を点線で示している。
【００４７】
同図に示される様に、かかる半導体装置２００にあっては、配線基板２０１の一方の主面上に、半導体素子２０２が所謂ダイボンドフィルム等のダイボンドフィルム２０３を介して搭載され、当該半導体素子２０２の電極（図示せず）と前記配線基板２０１表面に設けられた電極（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ２０４により接続されている。
【００４８】
そして、当該半導体素子２０２ならびにボンディングワイヤ２０４を覆ってヒートスプレッダ２０５が配設され、更に当該ヒートスプレッダ２０５の側面、ならびに前記配線基板２０１の一方の主面は封止樹脂２０６により被覆されている。
【００４９】
当該封止樹脂２０６は、ヒートスプレッダ２０５の側面に設けられたスリット２０７Ａを介して当該ヒートスプレッダ２０５により覆われた空間にも流入し、前記半導体素子２０２ならびにボンディングワイヤ２０４等をも被覆している。
【００５０】
一方、前記配線基板２０１の他方の主面には、当該半導体装置の外部接続用端子２０８として、半田ボール端子が格子状に配置されている。
かかる構成に於いて、ヒートスプレッダ２０５は、前記半導体素子２０２上に位置して前記封止樹脂２０６には被覆されずに表出する放熱板部２０５ａと、当該放熱板部２０５ａの周囲に互いに離間して配設された複数の側面支持部２０５ｂ、ならびに当該側面支持部２０５ｂの他端を一体に支持して前記配線基板２０１の一方の主面上に固着された枠状フレーム部２０５ｃとから構成されている。複数の側面支持部２０５ｂ相互間には、前記スリット２０７が形成されている。
【００５１】
そして、当該半導体装置２００の形成の際（製造工程の詳細は後述）には、前記配線基板２０１の一方の主面上への半導体素子２０２の搭載、ボンディングワイヤ２０４の接続が行われた後、当該半導体素子２０２、ボンディングワイヤ２０４等を覆って、ヒートスプレッダ２０５が配設される。
【００５２】
しかる後、当該配線基板２０１の一方の主面上を覆って樹脂封止処理がなされる。当該樹脂封止処理法としては所謂トランスファーモールド法が適用され、封止樹脂２０６は、図２（Ａ）に於いて、矢印ＲＴにて示される方向から注入される。尚、配線基板２０１の表面に配設された金属層２０９は、封止樹脂の注入の際、注入ゲートを構成していたものである。
【００５３】
この時、当該封止樹脂２０６は、スリット２０７Ａを介して、ヒートスプレッダ２０５により覆われた空間内にも流入し、半導体素子２０２、ボンディングワイヤ２０４等をも被覆する。
【００５４】
かかる実施の形態その２にあっては、図２（Ａ）に示される如く、一つに、ヒートスプレッダ２０５の側面支持部２０５ｂの配置位置を選択し、封止樹脂２０６が注入されるスリット２０７Ａの開口角θ１が、前記実施の形態その１と同様に５０度乃至９０度となる位置に配置している。
【００５５】
また、当該封止樹脂２０６が注入されるスリット２０７Ａに対応する部位に於ける、枠状フレーム部２０５ｃを選択的に除去している（除去された枠状フレーム部２０５ｃｚ１を破線で示している。）。
【００５６】
また、前記封止樹脂２０６が注入されるスリット２０７Ａに対向する位置ある、即ち封止樹脂２０６が流出する位置に於けるスリット２０７Ｂの開口角θ２も５０度乃至９０度となるよう、側面支持部２０５ｂの配置位置を選択している。
【００５７】
更に、当該封止樹脂２０６が流出するスリット２０７Ｂに対応する部位に於ける、枠状フレーム部２０５ｃを選択的に除去している（除去された枠状フレーム部２０５ｃｚ２を破線で示している。）。
【００５８】
この様に、封止樹脂２０６が注入されるスリット２０７Ａ、ならびに封止樹脂２０６が流出する位置に於けるスリット２０７Ｂそれぞれに於ける開口角θが大きく設定されると共に、枠状フレーム部２０５ｃｚ１ならびに枠状フレーム部２０５ｃｚ２が選択的に除去されることにより、封止樹脂２０６の流動はより速やかになされ、ヒートスプレッダ２０５により覆われた空間内は当該封止樹脂２０６により速やかに充填される。
【００５９】
従って、封止樹脂２０６の流動に於ける下流側に位置する半導体素子２０２の端部に於いても、当該封止樹脂２０６の未充填部を生じない。
未充填部が生じないことにより、前記半導体素子２０２ならびに当該半導体素子２０２と配線基板２０１との間に在るダイボンドフィルム２０３に対し、十分な樹脂被覆圧が印加される。
【００６０】
従って、当該半導体装置の製造工程或いは当該半導体装置の動作時に、半導体素子２０２自体の発熱或いは外部からの加熱がなされても、当該半導体素子２０２が配線基板２０１から剥離する現象は生じない。
【００６１】
よって、半導体素子２０２に於いて発生した熱は、配線基板２０１を通して外部接続用端子２０８へ有効に伝導・放出され、当該半導体素子２０２に不要な温度上昇を招くこともなく、半導体装置として高い信頼性が得られる。
【００６２】
尚、当該半導体装置２００を構成する各部材の材料は、前記実施の形態その１に於ける半導体装置１００と同様であることから、説明を省略する。
ここで、本実施の形態その２に於ける半導体装置２００の製造方法について、説明する。
【００６３】
尚、本製造方法は、前記実施の形態その１に於ける半導体装置１００、ならびに後述する実施の形態その３に於ける半導体装置３００の製造にも適用できるものである。
かかる半導体装置２００の製造工程の概略を図３に示す。また、かかる工程に適用される配線基板の形態を図４に示す。
【００６４】
図３に示される工程にあっては、図４（Ａ）に示される長尺状の配線基板２０１Ａの一方の主面に、２個の半導体素子が搭載され、ヒートスプレッダの配設、樹脂封止がなされる工程を例示している。
【００６５】
尚、個々の半導体装置に於ける断面は、前記図３に於けるＡ−Ａ’断面に対応するものである。
ここで、前記長尺状配線基板２０１Ａは、図４（Ａ）に示される様に、枠体４０１に吊り状態に保持され、且つスリット４０２により相互に分離された配線基板２０１が、例えば６個連なった長尺状を有する。６個の配線基板２０１のそれぞれに、半導体素子２０２が搭載・固着される。
【００６６】
尚、６個の配線基板２０１のそれぞれの隅部には、封止樹脂の注入ゲート部となる金属層２０９が配設されている。
図３にあっては、スリット４０２を介して隣接する２個の配線基板２０１上に、半導体素子２０２を搭載する工程を示している。
【００６７】
先ず、一方の主面に複数個の半導体素子が形成された半導体基板２０２Ａの他方の主面（裏面）に、ボリイミド系ダイボンドフィルムからなるダイボンドフィルム２０３を貼り付ける（図３（Ａ）参照）。
【００６８】
しかる後、当該半導体基板２０２Ａに対しダイシング処理を施し、当該半導体基板２０２Ａを個々の半導体素子２０２に分離（個片化）する。
即ち、個々の半導体素子２０２の裏面には、前記ダイボンドフィルム２０３が貼り付けられている。
【００６９】
次いで、当該半導体素子２０２を、配線基板２０１の一方の主面に於ける半導体素子搭載部に、前記ダイボンドフィルム２０３を介して固着する（図３（Ｂ）参照）。
この時、１５０℃乃至１６０℃の加熱を伴う。
【００７０】
次いで、当該半導体素子２０２の電極と、配線基板２０１に配設されている電極との間を、ボンディングワイヤ２０４により接続する。
しかる後、当該半導体素子２０２、ボンディングワイヤ２０４等を覆って、配線基板２０１上にヒートスプレッダ２０５を配置し、当該ヒートスプレッダ２０５の枠状フレーム部２０５ｃを、接着剤（図示せず）を介して配線基板２０１に固着する（図３（Ｃ）参照）。
【００７１】
この時、当該ヒートスプレッダ２０５の放熱板部２０５ａは半導体素子２０２の直上に位置し、またスリット２０７Ａは前記封止樹脂の注入ゲート部となる金属層２０９に対応するように位置、方向が設定される。
【００７２】
かかる状態を、図４（Ｂ）に示す。
同図にあっては、前記長尺状配線基板２０１Ａに於ける一つの配線基板２０１に於いて、ヒートスプレッダ２０５が搭載され、固着された状態が示されている。
【００７３】
尚、当該ヒートスプレッダ２０５にあっては、前述の如く、側面支持部２０５ｂの配置位置が選択され、前記スリット２０７Ａの開口角θ１が５０度乃至９０度となる位置に配置されている。また、当該スリット２０７Ａに対応する部位に於ける、枠状フレーム部２０５ｃｚ１が選択的に除去されている。
【００７４】
一方、前記スリット２０７Ａに対向する位置にある、即ち封止樹脂２０６が流出する位置に於けるスリット２０７Ｂの開口角θ２も５０度乃至９０度となるよう、側面支持部２０５ｂの配置位置が選択されている。更に、当該スリット２０７Ｂに対応する部位に於ける、枠状フレーム部２０５ｃｚ２も選択的に除去されている。
【００７５】
そして、当該ヒートスプレッダ２０５は、枠状フレーム部２０５ｃに於ける凸部に於いて、接着剤（図示せず）を介して配線基板２０１に固着されている。
次いで、前記長尺状配線基板２０１Ａを、樹脂封止用金型（図示せず）に装着し、個々の半導体素子搭載部に対し、樹脂封止処理を施す。
【００７６】
即ち、各配線基板２０１に於いてそれぞれ、前記注入ゲート部となる金属層２０９を介して封止樹脂２０６を圧入し、前記ヒートスプレッダ２０５により覆われた半導体素子２０２ならびにボンディングワイヤ２０４等を樹脂封止すると共に、当該ヒートスプレッダ２０５の外周部も当該封止樹脂２０６により被覆する（図３（Ｄ）参照）。
【００７７】
樹脂封止方法としては、周知のトランスファーモールド法が適用される。
尚、封止樹脂としては、フィラー材としてのシリカを約９０重量％、ならびに硬化材を含むエポキシ樹脂が用いられる。そして、フィラー材の他に微量の添加材が適用される場合もある。
【００７８】
かかる樹脂封止工程にあっては、前述の如く、封止樹脂２０６が注入されるスリット２０７Ａ、ならびに封止樹脂２０６が流出する位置に於けるスリット２０７Ｂに於ける開口角が大きく設定され、更に、枠状フレーム部２０５ｃｚ１ならびに枠状フレーム部２０５ｃｚ２が選択的に除去されていることにより、封止樹脂２０６はより速やか流動し、ヒートスプレッダ２０５により覆われた空間内は当該封止樹脂２０６によって速やかに充填される。
【００７９】
従って、封止樹脂２０６の流動に於ける下流側に位置する半導体素子２０２の端部に於いて、当該封止樹脂２０６の未充填部を生じない。
次いで、前記配線基板２０１の他方の主面に於ける電極端子（図示せず）に、外部接続用端子２０８としての半田ボール端子を、格子状に配置する（図３（Ｅ）参照）。
【００８０】
しかる後、前記長尺状配線基板２０１Ａのスリット４０２を対象に切断分離処理を施し、個々の配線基板２０１を含む半導体装置２００を形成する。
個片化された半導体装置２００は、トレイなどに収容されて、試験工程などに搬送される。
＜実施の形態その３＞
本発明の実施の形態その３にかかる、ヒートスプレッダが適用されたＢＧＡ型半導体装置３００の構成を、図５に示す。
【００８１】
当該半導体装置３００の平面を図５（Ａ）に、また当該半導体装置３００の断面構造を図５（Ｂ）に示している。当該図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に於けるＡ−Ａ’断面を示す。
尚、図５（Ａ）に於いては、放熱部材であるヒートスプレッダの周囲側面を覆って配設される封止樹脂については図示せず、その略矩形状の被覆範囲を点線で示している。
【００８２】
同図に示される様に、かかる半導体装置３００にあっては、配線基板３０１の一方の主面上に、半導体素子３０２が所謂ダイボンドフィルム等のダイボンドフィルム３０３を介して搭載され、当該半導体素子３０２の電極（図示せず）と前記配線基板３０１表面に設けられた電極（図示せず）との間は、ボンディングワイヤ３０４により接続されている。
【００８３】
そして、当該半導体素子３０２ならびにボンディングワイヤ３０４を覆ってヒートスプレッダ３０５が配設され、更に当該ヒートスプレッダ３０５の側面、ならびに前記配線基板３０１の一方の主面は封止樹脂３０６により被覆されている。
【００８４】
当該封止樹脂３０６は、ヒートスプレッダ３０５の側面に設けられたスリット３０７Ａを介して当該ヒートスプレッダ３０５により覆われた空間にも流入し、前記半導体素子３０２ならびにボンディングワイヤ３０４等をも被覆している。
【００８５】
一方、前記配線基板３０１の他方の主面には、当該半導体装置の外部接続用端子３０８として、半田ボール端子が格子状に配置されている。
かかる構成に於いて、ヒートスプレッダ３０５は、前記半導体素子３０２上に位置して前記封止樹脂３０６には被覆されずに表出する放熱板部３０５ａと、当該放熱板部３０５ａの周囲に互いに離間して配設された複数の側面支持部３０５ｂ、ならびに当該側面支持部３０５ｂの他端を一体に支持して前記配線基板３０１の一方の主面上に固着された枠状フレーム部３０５ｃとから構成されている。複数の側面支持部３０５ｂ相互間には、前記スリット３０７が形成されている。
【００８６】
そして、当該半導体装置３００の形成の際には、前記配線基板３０１の一方の主面上への半導体素子３０２の搭載、ボンディングワイヤ３０４の接続が行われた後、当該半導体素子３０２、ボンディングワイヤ３０４等を覆って、ヒートスプレッダ３０５が配設される。
【００８７】
しかる後、当該配線基板３０１の一方の主面上を覆って樹脂封止処理がなされる。当該樹脂封止処理法としては所謂トランスファーモールド法が適用され、封止樹脂３０６は、図５（Ａ）に於いて、矢印ＲＴにて示される方向から注入される。尚、配線基板３０１の表面に配設された金属層３０９は、封止樹脂の注入の際、注入ゲートを構成していたものである。
【００８８】
この時、当該封止樹脂３０６は、スリット３０７Ａを介して、ヒートスプレッダ３０５により覆われた空間内にも流入し、半導体素子３０２、ボンディングワイヤ３０４等をも被覆する。
【００８９】
かかる実施の形態その３にあっては、図５（Ａ）に示される如く、一つに、ヒートスプレッダ３０５の側面支持部３０５ｂの配置位置を選択し、封止樹脂３０６が注入されるスリット３０７Ａの開口角θ１が、略１８０度となる位置に配置している。
【００９０】
この様に、封止樹脂３０６が注入されるスリット３０７Ａに於ける開口角θ１を、１８０度と極めて大きく設定することにより、当該封止樹脂３０６の流動はより速やかになされ、ヒートスプレッダ３０５により覆われた空間内は当該封止樹脂３０６により速やかに充填される。
【００９１】
従って、封止樹脂３０６の流動に於ける下流側に位置する半導体素子３０２の端部に於いても、当該封止樹脂３０６の未充填部を生じない。
未充填部が生じないことにより、前記半導体素子３０２ならびに当該半導体素子３０２と配線基板３０１との間に在るダイボンドフィルム３０３に対し、十分な樹脂被覆圧が印加される。
【００９２】
従って、当該半導体装置の製造工程或いは当該半導体装置の動作時に、半導体素子３０２自体の発熱或いは外部からの加熱がなされても、当該半導体素子３０２が配線基板３０１から剥離する現象は生じない。
【００９３】
よって、半導体素子３０２に於いて発生した熱は、配線基板３０１を通して外部接続用端子３０８へ有効に伝導・放出され、当該半導体素子３０２に不要な温度上昇を招くこともなく、半導体装置として高い信頼性が得られる。
【００９４】
尚、当該半導体装置３００を構成する各部材の材料は、前記実施の形態その１に於ける半導体装置１００と同様であることから、説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明による半導体装置の、第１の実施の形態を示す平面図ならびに断面図。
【図２】本発明による半導体装置の、第２の実施の形態を示す平面図ならびに断面図。
【図３】前記第２の実施の形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図４】前記第２の実施の形態に於ける半導体装置を製造する際に適用される配線基板の構成を示す平面図。
【図５】本発明による半導体装置の、第３の実施の形態を示す平面図ならびに断面図。
【図６】従来の半導体装置の構成を示す平面図（その１）ならびに断面図。
【図７】従来の半導体装置の構成を示す平面図（その２）。
【符号の説明】
【００９６】
１０１  配線基板
１０２  半導体素子
１０３  ダイボンドフィルム
１０４  ボンディングワイヤ
１０５  ヒートスプレッダ
１０５ａ  放熱板部
１０５ｂ  側面支持部
１０５ｃ，１０５ｃｚ  枠状フレーム部
１０６  封止樹脂
１０７，１０７Ａ，１０７Ｂ  スリット
１０８  外部接続用端子
１０９  金属層
【図１】
2009224719.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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