(57)【要約】【課題】高温はんだリフロー工程において、大型の表面実装型光半導体搭載用パッケージ基板と透明封止樹脂の界面剥離を抑制した、光半導体装置を提供する。【解決手段】底面と側面とからなる凹部が形成されたパッケージ成形体と、前記凹部の底面に載置された発光素子と、前記発光素子を覆って前記凹部に充填された透光性の封止樹脂とを含む光半導体装置であって、前記透光性の封止樹脂と空気との界面から光を取り出す発光装置であり、前記凹部底面の面積が７ｍｍ２以上であり、前記凹部の側面が底面と接する部分と水平面との角度が４５°以下である光半導体装置。【選択図】図１
2009135484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面と側面とからなる凹部が形成されたパッケージ成形体と
前記凹部の底面に載置された発光素子と
前記発光素子を覆って前記凹部に充填された透光性の封止樹脂と
を含む光半導体装置であって、
前記透光性の封止樹脂と空気との界面から光を取り出す発光装置であり、
前記凹部底面の面積が７ｍｍ２以上であり、
前記凹部の側面が底面と接する部分と水平面との角度が４５°以下である光半導体装置。
【請求項２】
パッケージ成形体の凹部上端または底面の形状が、円形、楕円形、正方形、長方形、ひし形、五角形以上の多角形のいずれかの形状である請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
パッケージ成形体の凹部の縦断面の側面部の線分形状が、円、楕円、長円、卵型および放物線のうちのいずれかの曲線の一部であるか、もしくは前記凹部の縦断面の形状が、三角形以上の多角形のいずれかの形状である請求項１または２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
パッケージ成形体の凹部の深さが０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲にある請求項１から３いずれかに記載の光半導体装置。
【請求項５】
発光素子を覆う透光性の封止樹脂の弾性率が１ＭＰａ以下である請求項１から４いずれかに記載の光半導体装置。
【請求項６】
発光素子を覆う透光性の封止樹脂がシリコーン樹脂またはアクリル樹脂である請求項１から５いずれかに記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記パッケージ成形体は樹脂部を含み、前記樹脂部が熱可塑性または熱硬化性の樹脂である請求項１から６いずれかに記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と発光素子を収納するとともに外部への光取出しのためのリフレクター機能を備えた凹部を形成したパッケージ成形体からなる光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は安価で長寿命な発光装置として注目され、各種のインジケータ、光源、平面型表示装置、液晶ディスプレイのバックライトなどに広く使用されている。このような発光装置の典型例として、半導体発光素子を樹脂成形体に搭載したものがある。図５は光半導体装置の一例の斜視図であり、図６は、従来の発光装置の典型例である光半導体装置の要部構成を表す縦断面模式図である。
【０００３】
図６に例示した発光装置は、「表面実装型」などと称されるものであり、パッケージ成形体（樹脂成形体）１００と、半導体発光素子１０２と、透明封止樹脂１０１の封止体を有する。樹脂成形体１００は、リードフレームから成形した一対のリード（金属配線）１０５、１０６を熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂からなる樹脂部１０３によりモールドした構造を有する。そして、樹脂部１０３には光半導体素子搭載領域として凹部（開口部）が形成されており、その中に半導体発光素子１０２が載置されている。そして、半導体発光素子１０２を包含するように透明封止樹脂１０１により封止されている（特許文献１参照）。
【０００４】
半導体発光素子１０２は、リード１０６の上にマウントされている。そして、半導体発光素子１０２の電極（図示せず）とリード１０５とが、ワイア１０９により接続されている。２本のリード１０５、１０６を通して半導体発光素子１０２に電力を供給すると発光が生じ、その発光が透明封止樹脂１０１を通して光取り出し面（出射面）１１２から取り出される。近年の高輝度化の流れから、０．３ｍｍ角から１ｍｍ角程度の素子サイズへ大型化が進み、さらに液晶バックライト用にＲＧＢの３種類の素子を搭載する要求から、パッケージサイズは大型化の傾向にある。
【特許文献１】特開２００２−３１４１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、本発明者らの検討の結果、図６に例示したような従来の発光装置は、凹部の大きさが７ｍｍ２以上の大型パッケージになると信頼性の点で改善の余地があることが判明した。すなわちこのような発光装置に対して、鉛フリーはんだのリフロー条件である高温リフロー処理において、熱応力による透明封止樹脂とパッケージ成形体の界面で剥離が発生する現象が見出された。
【０００６】
本発明者らは、故障のメカニズムを詳細に調査した結果、透明封止樹脂の室温での弾性率が１ＭＰａを超える場合で、凹部底面の面積が７ｍｍ２以上のパッケージにおいて凹部底面に接する側面と水平面との成す角度が４５°を超える場合に透明封止樹脂とパッケージ成形体との間にストレスが発生し剥離が発生することが明らかになった。
【０００７】
以上説明したように、従来の発光装置は大型のチップや複数のチップを搭載した大型パッケージは信頼性の点で適用が困難であった。本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、その目的は、鉛フリーはんだリフロー条件において、パッケージ成形体と透明封止樹脂界面の剥離が発生しない信頼性に優れた大型の光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の１．〜７．に関する。
【０００９】
１．  底面と側面とからなる凹部が形成されたパッケージ成形体と、前記凹部の底面に載置された発光素子と、前記発光素子を覆って前記凹部に充填された透光性の封止樹脂とを含む光半導体装置であって、
前記透光性の封止樹脂と空気との界面から光を取り出す発光装置であり、前記凹部底面の面積が７ｍｍ２以上であり、前記凹部の側面が底面と接する部分と水平面との角度が４５°以下である光半導体装置。
【００１０】
２．  パッケージ成形体の凹部上端または底面の形状が、円形、楕円形、正方形、長方形、ひし形、五角形以上の多角形のいずれかの形状である前記１に記載の光半導体装置。
【００１１】
３．  パッケージ成形体の凹部の縦断面の側面部の線分形状が、円、楕円、長円、卵型および放物線のうちのいずれかの曲線の一部であるか、もしくは前記凹部の縦断面の形状が、三角形以上の多角形のいずれかの形状である前記１または２に記載の光半導体装置。
【００１２】
４．  パッケージ成形体の凹部の深さが０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲にある前記１から３いずれかに記載の光半導体装置。
【００１３】
５．  発光素子を覆う透光性の封止樹脂の弾性率が１ＭＰａ以下である前記１から４いずれかに記載の光半導体装置。
【００１４】
６．  発光素子を覆う透光性の封止樹脂がシリコーン樹脂またはアクリル樹脂である前記１から５いずれかに記載の光半導体装置。
【００１５】
７．  前記パッケージ成形体は樹脂部を含み、前記樹脂部が熱可塑性または熱硬化性の樹脂である前記１から６いずれかに記載の光半導体装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の構成によれば、高温はんだリフロー工程において、大型の表面実装型光半導体搭載用パッケージ基板と透明封止樹脂の界面剥離を抑制した、光半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の光半導体装置は、発光素子と、凹部底面において発光素子を載置し収納するパッケージ成形体と透光性の封止樹脂とを含む光半導体装置である。本発明の光半導体装置は、前記凹部底面の面積が７ｍｍ２以上であり、前記凹部に前記発光素子を覆う透光性の封止樹脂を充填し、前記封止樹脂と空気の界面を出射面とし、前記出射面から光を取り出す発光装置（光半導体装置）であり、前記凹部の側面が底面と接する部分と水平面との成す角度が４５°以下である。
【００１８】
以下、本発明の詳細について図面を参照して説明する。
【００１９】
（凹部断面形状）
図１に、（ａ）本発明の光半導体装置の縦断面模式図、（ｂ）本発明の光半導体装置の凹部の別の一例を表す縦断面拡大図および（ｃ）凹部のさらに別の一例を表す縦断面拡大図を示す。パッケージ成形体１００の凹部縦断面の側面部の線分が、図１（ｃ）のように放物線、円、楕円およびオーバルと呼ばれる長円、卵型等のうちいずれかの曲線の一部であるのが好ましい。または、図１（ａ）、（ｂ）の樹脂部１０３のように、前記凹部縦断面の形状が、三角形以上の多角形の形状であるのが好ましい。断面形状は左右対称であるのが更に好ましい。
【００２０】
また、凹部側面が底面と接する部分と水平面との角度θは、図１（ａ）に示すように４５°以下であり、凹部側面の縦断面の形状は底面に近づくにつれ側面の傾斜が水平に近づくのが好ましい。
【００２１】
上記縦断面の側面部は、直線であるか、または図１（ｂ）に示すように複数の直線で底面に向けて段階的に傾斜角θが小さくなる折れ線形状や図１（ｃ）に示すように円弧または放物線の一部のように連続的に変化する曲線形状、もしくはその複合とすることができる。
【００２２】
なお、前記側面が底面と接する際に図１（ｃ）のように放物線等の曲線である場合は、底面と放物線等が接した点から接線を引き底面となす角をθとする。
【００２３】
（凹部底面形状）
図２（ａ）〜（ｆ）に、本発明に用いる成形体成形後のパッケージ上面模式図の例を示す。
【００２４】
パッケージ成形体凹部の上端または底面の形状は、図２（ａ）〜（ｆ）に示すように円形、楕円形、正方形、長方形、六角形、八角形等例示することができるが、これら以外のひし形、五角形以上の多角形についても適用可能である。凹部の上端と底面とは、図２（ａ）〜（ｆ）に示すように相似形であること、また、凹部の側面の傾斜は、全周にわたり同じ傾斜であることが、成形性や光反射特性の均一化の点で好ましい。
【００２５】
（成形材料）
本発明でパッケージ成形体１００は樹脂部１０３を含むのが好ましく、凹部側面は樹脂部により形成されているのが好ましい。樹脂部１０３として実施できる成形材料（光反射用樹脂組成物）としては、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の組成物を適用することができる。熱可塑性樹脂としては、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート等、従来から知られているあらゆる熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、液晶ポリマーやポリフタルアミド樹脂のように高融点結晶が含有されてなる半結晶性ポリマー樹脂を用いると、表面自由エネルギーが大きく、開口内部に設ける透明封止樹脂との密着性が良好なパッケージが得られる。これにより鉛フリーリフロー工程において、冷却過程でのパッケージと封止樹脂との界面に剥離が発生することを抑制しやすくできる。また、発光素子からの光を効率よく反射させるために、パッケージ成形部材中に酸化チタンなどの白色顔料等を混合することができる。
【００２６】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂等種々のものを用いることができる。特に、エポキシ樹脂は種々の材料に対する接着性が優れるため好ましい。本発明で使用できるエポキシ樹脂としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているものを用いることができ、それを例示すればフェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂等があり、これらを適宜何種類でも併用することができる。また、これらのうち比較的着色のないものが好ましく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレートを挙げることができる。他に、電子部品封止用熱硬化性樹脂成形材料で一般に使用されている各種材料を配合することができる。
【００２７】
熱硬化性樹脂にエポキシ樹脂を含む場合、硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に制限なく用いることができるが、比較的着色のないものが好ましい。例えば、酸無水物硬化剤、イソシアヌル酸誘導体、フェノール系硬化剤などが挙げられる。酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸が挙げられ、イソシアヌル酸誘導体としては、１，３，５−トリス（１−カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３−ビス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレートなどが挙げられる。これらの硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレートを用いることが好ましい。硬化剤は、その分子量が１００〜４００のものが好ましく、また、無色ないし淡黄色のものが好ましい。
【００２８】
硬化促進剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールなどの３級アミン類、２−エチル−４メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートなどのリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、あるいは、併用してもよい。これらの硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。
【００２９】
硬化促進剤の含有率は、エポキシ樹脂に対して、０．０１〜８．０質量％であることが好ましく、より好ましくは、０．１〜３．０質量％である。硬化促進剤の含有率が、０．０１質量％未満では、十分な硬化促進効果を得られない場合があり、また、８．０質量％を超えると、得られる成形体に変色が見られる場合がある。
【００３０】
無機の充填材としては、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも１種以上を用いることができるが、熱伝導性、光反射特性、成型性、難燃性の点からシリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムの混合物が好ましい。また無機の充填材の粒径は特に限定されるものではないが、白色顔料とのパッキングが効率良くなるように１〜１００μｍの範囲のものを用いることが好ましい。
【００３１】
難燃効果の観点からは水酸化アルミニウム及び水酸化マグネシウムが好ましい。また、これらの難燃剤は、白色で反射率に与える影響が無い点で好ましい。また、耐湿信頼性の観点からは、イオン性不純物の少ない水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムが好ましく、例えば、Ｎａ化合物の含有量は、０．２質量％以下が好ましい。水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムの平均粒径は、特に制限はないが、難燃性及び流動性の観点から０．１〜５０μｍが好ましい。水酸化アルミニウム及び水酸化マグネシウムの配合量は、１０質量％〜３０質量％が好ましい。１０質量％未満では難燃効果が十分に得ることができなくなり、３０質量％を超えると流動性や硬化性に悪影響を与えることがある。
【００３２】
白色顔料としては、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子を用いることができる。無機中空粒子は、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラス等が挙げられる。白色顔料の粒径は、中心粒径が０．１〜５０μｍの範囲にあるのが好ましく、０．１μｍ未満では粒子が凝集しやすく分散性が悪くなり、５０μｍを超えると反射特性が十分に得られなくなる傾向がある。無機の充填材の充填量は、充填量が１０体積％〜８５体積％の範囲が好ましく、１０体積％未満であると光反射特性が十分でなく８５体積％を超えると成型性が悪くなり基板の作製が困難となる傾向がある。
【００３３】
カップリング剤としては、シランカップリング剤やチタネート系カップリング剤等があるが、着色の観点から、一般にエポキシシラン系が優れており、具体例として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどがある。カップリング剤の付着量は５質量％以下が好ましい。
【００３４】
その他、光反射用樹脂組成物には添加剤として、酸化防止剤、離型剤、イオン捕捉剤等を添加してもよい。
【００３５】
（透光性の封止樹脂）
透光性の透明封止樹脂１０１は、硬化後の弾性率が室温において１ＭＰａ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．５ＭＰａ以下である。下限は０．０１ＭＰａ以上が好ましい。透明性の点からシリコーン樹脂やアクリル樹脂が好ましい。また、透明封止樹脂に必要に応じて光を拡散する無機充填材や青色光を励起源として白色光とする目的で蛍光体を添加しても良い。
【００３６】
（成形方法）
光半導体装置のうち、パッケージ成形体の成形方法は、熱可塑性樹脂の場合射出成形法を用いることができ、熱硬化性樹脂の場合はトランスファ成形法を用いることができる。図３（ａ）〜（ｄ）にパッケージ成形体の成形工程を縦断面図で示す。金属箔から打ち抜きやエッチング等の公知の方法により金属配線２０５を形成し（図３（ａ））、電気めっきによりＮｉ／銀めっきを施す。ついで、該金属配線２０５を所定形状の金型３０１に配置し（図３（ｂ））、金型３０１の樹脂注入口３００から樹脂組成物を注入し、これを好ましくは金型温度１８０℃で９０秒、アフターキュア温度１２０℃〜１８０℃で１〜３時間の条件にて熱硬化させた後、金型３０１を外してパッケージ成形体を得る。
【００３７】
パッケージ成形体の、硬化した樹脂組成物からなる樹脂部１０３に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域（凹部）２００の所定位置に（図３（ｃ））、半導体発光素子１０２を載置し、実装する（図３（ｄ））。
【００３８】
凹部の深さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍが好ましく、より好ましくは０．５ｍｍ〜２．０ｍｍである。
【００３９】
図４（ａ）、（ｂ）に、本発明の光半導体装置の一例を縦断面模式図で示す。本発明の光半導体装置は、上記のように光半導体素子搭載領域（凹部）の所定位置に光半導体素子１０２を搭載し、該光半導体素子１０２と金属配線１０５及び１０６とをボンディングワイヤ１０９やはんだバンプ３１０などの公知の方法により電気的に接続した後、パッケージ成形体の凹部へ透明封止樹脂１０１を充填することにより該光半導体素子１０２を覆うことで製造することができる。
【００４０】
また、図４（ａ）、（ｂ）に示すように透明封止樹脂１０１に蛍光体３０６を含有する光半導体装置を得るには、公知の蛍光体３０６を添加した透明封止樹脂１０１を用いればよい。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明を実施例により詳述するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４２】
実施例１〜８、比較例１の光半導体装置の作製条件を表１に示す。
【００４３】
（樹脂組成）
エポキシ樹脂：トリグリシジルイソシアヌレート  １００質量部（エポキシ当量１００）
硬化剤：ヘキサヒドロ無水フタル酸              １４０質量部
硬化促進剤：テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート
２．４質量部
無機充填剤：溶融シリカ（平均粒径２０μｍ）    ６００質量部
アルミナ（平均粒径１μｍ）        ８９０質量部
白色顔料：中空粒子（平均粒径２７μｍ）        １８５質量部
カップリング剤：エポキシシラン                  １９質量部
酸化防止剤：９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシド
１質量部
上記組成の材料を混練温度２０〜３０℃、混練時間１０分の条件でロール混練し光反射用樹脂組成物を作製した。
【００４４】
（パッケージ成形体の作製）
パッケージ成形体の作製は、前記組成の熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いトランスファ成形で行った。
【００４５】
なお、表１の「凹部斜面形状」とは、凹部縦断面の樹脂部の側面部の線分形状または、樹脂部の多角形の形状である。
【００４６】
リードフレームは金属箔から打ち抜きやエッチング等の公知の方法により金属配線２０５を形成し、電気めっきによりＮｉ／銀めっきを施したものを用いた。金型３０１の樹脂注入口３００から上記の樹脂組成物を注入し、金型温度１８０℃で９０秒、アフターキュア温度１５０℃で３時間の条件にて熱硬化させた後、金型３０１を外してパッケージ成形体を得た。
【００４７】
（光半導体装置の作製）
上記パッケージ成形体の樹脂部１０３に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域（凹部）２００の所定位置に、半導体発光素子を実装した（図３（ａ）〜（ｄ）参照）。
【００４８】
上記実装後、透明封止樹脂を凹部へ充填し、硬化させて光半導体装置を得た。透明封止樹脂の硬化は、弾性率の違いによらず、軟質シリコーン樹脂が１００℃１時間、１２５℃１時間、１５０℃１時間、アクリル樹脂は、窒素雰囲気下、６０℃、１時間、８０℃１時間、１００℃１時間、１２５℃１時間、１５０℃１時間の硬化条件で行った。
【００４９】
（評価）
作製した光半導体装置（１０個）を最高温度２６０℃１０秒の温度条件におけるリフロー試験を行い透明樹脂とパッケージ成形体の間の剥離の有無を評価し、表１に示した。
【００５０】
また、上記作製した光半導体装置の透明封止樹脂の弾性率を株式会社山電製CREEP METER RE2-33005Sで測定した。
【表１】
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【００５１】
本発明の光半導体装置によれば鉛フリーはんだの高温リフローにおける剥離が抑制され信頼性に優れた光半導体装置を提供することが可能となり産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）は本発明の光半導体装置の縦断面模式図であり、（ｂ）は本発明の光半導体装置の凹部の別の一例を表す縦断面拡大図であり、（ｃ）は本発明の光半導体装置の凹部のさらに別の一例を表す縦断面拡大図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明の光半導体装置の底面及び凹部形状を示す模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明のパッケージ成形体を作製する工程図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は透明樹脂に蛍光体を添加した本発明の光半導体装置を示す縦断面模式図である。
【図５】光半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図６】従来の光半導体装置の要部構成を表す縦断面模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
１００・・・・・パッケージ成形体（樹脂成形体）
１０１・・・・・透明封止樹脂
１０２・・・・・半導体発光素子
１０３・・・・・樹脂部（熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂）
１０５・・・・・リード（金属配線）
１０６・・・・・リード（金属配線）
１０９・・・・・ワイア（ボンディングワイヤ）
１１２・・・・・光取出し面
２００・・・・・光半導体搭載領域（凹部）
２０５・・・・・金属配線
３００・・・・・樹脂注入口
３０１・・・・・金型
３０６・・・・・蛍光体
３１０・・・・・はんだバンプ
θ・・・・・・・パッケージ成形体の凹部側面が底面と接する部分と水平面との角  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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