(57)【要約】【課題】接着剤への気泡の混入が生じにくい薄膜電子デバイスの製造方法及び薄膜電子デバイスの製造装置を提供すること。【解決手段】薄膜電子デバイスの製造方法は、転写元基板３０上に被転写体を形成する工程と、転写元基板３０上の枠状の領域に囲み部材を形成する工程と、囲み部材に囲まれた領域に接着剤を配置する工程と、減圧環境下で、転写元基板３０と転写先基板４０とを接着剤を介して貼り合わせる工程と、被転写体を転写元基板３０から転写先基板４０に転写する工程と、を有する。上記方法に用いる貼り合わせ装置は、転写元基板３０上に接着剤を配置する吐出機構と、内部を減圧可能なチャンバ２２と、チャンバ２２内に配置され、転写先基板４０を保持して転写元基板３０へ貼り合わせるアーム２８及び昇降機構２６と、を備える。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に被転写体を形成する工程と、
前記第１基板上、又は第２基板上の枠状の領域に囲み部材を形成する工程と、
前記第１基板上又は前記第２基板上のうち前記囲み部材に囲まれた領域に接着剤を配置する工程と、
減圧環境下で、前記第１基板と前記第２基板とを前記接着剤を介して貼り合わせる工程と、
前記被転写体を前記第１基板から前記第２基板に転写する工程と、を有することを特徴とする薄膜電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
第１基板上に形成された被転写体を第２基板上に転写して得られる薄膜電子デバイスの製造に用いる薄膜電子デバイスの製造装置であって、
前記被転写体が形成された前記第１基板上、又は前記第２基板上に接着剤を配置する吐出機構と、
内部を減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、前記第１基板又は前記第２基板の一方を保持して他方へ貼り合わせる貼り合わせ機構と、を備えることを特徴とする薄膜電子デバイスの製造装置。
【請求項３】
請求項２に記載の薄膜電子デバイスの製造装置であって、
前記第１基板上又は前記第２基板上には、枠状の囲み部材が形成されており、
前記吐出機構は、前記第１基板上又は前記第２基板上のうち前記囲み部材に囲まれた領域に前記接着剤を配置することを特徴とする薄膜電子デバイスの製造装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の薄膜電子デバイスの製造装置であって、
前記接着剤は紫外線硬化型であり、
前記チャンバは、前記接着剤に紫外線を照射する紫外線照射部を備えることを特徴とする薄膜電子デバイスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に係る一態様は、薄膜電子デバイスの製造方法及び薄膜電子デバイスの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ等を含んで構成される薄膜電子デバイスの製造方法の１つに、転写元基板上に形成された被転写体（薄膜電子デバイス）を、転写先基板に転写する工程を含むものが知られている。このような製造方法によれば、薄膜電子デバイスを形成する際のプロセス温度に耐えられないような種々の基板上に薄膜電子デバイスを形成することができ、例えばフレキシブルな基板上にも薄膜電子デバイスを形成することが可能となる。
【０００３】
上記薄膜電子デバイスの製造方法は、例えば、被転写体が形成された転写元基板と転写先基板とを、枠状の囲み部材を介して貼り合わせる工程と、転写元基板、転写先基板、及び囲み部材に囲まれた領域に接着剤を注入し、接着剤を硬化させる工程と、被転写体を転写元基板から転写先基板に転写する工程とを含む。このうち接着剤の注入方法について、特許文献１には、囲み部材に開口を設けておき、この開口から接着剤を注入する方法が開示されている。また、特許文献２には、転写元基板又は転写先基板に孔を空けておき、この孔から接着剤を注入する方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３２７８３６号公報
【特許文献２】特開２００５−２２８８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の製造方法では、あらかじめ囲み部材に開口を設けたり、転写元基板又は転写先基板に穿孔加工を施したりする必要があり、工程が複雑になるという課題がある。また、上記製造方法はいずれも、閉じた空間に後から接着剤を注入する方法であるため、接着剤に気泡が混入しやすいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］第１基板上に被転写体を形成する工程と、前記第１基板上、又は第２基板上の枠状の領域に囲み部材を形成する工程と、前記第１基板上又は前記第２基板上のうち前記囲み部材に囲まれた領域に接着剤を配置する工程と、減圧環境下で、前記第１基板と前記第２基板とを前記接着剤を介して貼り合わせる工程と、前記被転写体を前記第１基板から前記第２基板に転写する工程と、を有する薄膜電子デバイスの製造方法。
【０００８】
このような方法によれば、減圧環境下で第１基板と第２基板とを接着剤を介して貼り合わせるため、接着剤への気泡の混入を抑えることができる。また、貼り合わせと同時に、接着剤を、第１基板、第２基板、囲み部材に囲まれた領域に封入することができる。このため、貼り合わせ後に接着剤を注入する方法と比較して、短時間で接着剤を基板間に封入することができる。さらには、囲み部材に接着剤注入のための開口を設けたり、あるいは第１基板又は第２基板に接着剤注入のための穿孔加工を行ったりする必要がない。また、接着剤の注入封止工程を別途設ける必要がない。このように、上記方法によれば、接着剤に気泡の混入の少ない高品位な薄膜電子デバイスを製造することができ、また、薄膜電子デバイスの製造工程を短縮することができる。
【０００９】
［適用例２］第１基板上に形成された被転写体を第２基板上に転写して得られる薄膜電子デバイスの製造に用いる薄膜電子デバイスの製造装置であって、前記被転写体が形成された前記第１基板上、又は前記第２基板上に接着剤を配置する吐出機構と、内部を減圧可能なチャンバと、前記チャンバ内に配置され、前記第１基板又は前記第２基板の一方を保持して他方へ貼り合わせる貼り合わせ機構と、を備える薄膜電子デバイスの製造装置。
【００１０】
このような構成によれば、チャンバ内において、減圧環境下で第１基板と第２基板とを接着剤を介して貼り合わせることができる。このため、第１基板と第２基板とを貼り合わせる際に、接着剤への気泡の混入を抑えることができる。また、貼り合わせと同時に、接着剤を、第１基板、第２基板、囲み部材に囲まれた領域に封入することができる。このため、貼り合わせ後に接着剤を注入する方法と比較して、短時間で接着剤を基板間に封入することができる。さらには、囲み部材に接着剤注入のための開口を設けたり、あるいは第１基板又は第２基板に接着剤注入のための穿孔加工を行ったりする必要がない。このように、上記構成の製造装置によれば、接着剤に気泡の混入の少ない高品位な薄膜電子デバイスを製造することができ、また、薄膜電子デバイスの製造工程のうち、第１基板と第２基板との貼り合わせ、及び接着剤の封入を一度に行うことができる。
【００１１】
［適用例３］上記薄膜電子デバイスの製造装置であって、前記第１基板上又は前記第２基板上には、枠状の囲み部材が形成されており、前記吐出機構は、前記第１基板上又は前記第２基板上のうち前記囲み部材に囲まれた領域に前記接着剤を配置する薄膜電子デバイスの製造装置。
【００１２】
このような構成によれば、第１基板と第２基板とを貼り合わせた後の接着剤の配置領域を、囲み部材によって規定することができる。これにより、接着剤を、所望の領域に所望の厚さで形成することができる。
【００１３】
［適用例４］上記薄膜電子デバイスの製造装置であって、前記接着剤は紫外線硬化型であり、前記チャンバは、前記接着剤に紫外線を照射する紫外線照射部を備える薄膜電子デバイスの製造装置。
【００１４】
このような構成によれば、第１基板と第２基板とを貼り合わせた後、又は貼り合わせと並行して、接着剤の硬化を行うことができる。これにより、薄膜電子デバイスの製造工程をより短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照し、薄膜電子デバイスの製造方法及び薄膜電子デバイスの製造装置の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１６】
図１は、本実施形態に係る薄膜電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図２から図７は、薄膜電子デバイスの製造工程を示す模式図であり、各図（ａ）は斜視図、各図（ｂ）は各図（ａ）中のＡ−Ａ線ないしＦ−Ｆ線における断面図である。本実施形態の薄膜電子デバイスの製造方法は、第１基板としての転写元基板３０上に形成された被転写体３４（図２）を、第２基板としての転写先基板４０（図７）に転写する工程を有している。転写先基板４０上に転写された被転写体３４が、上記薄膜電子デバイスに対応する。以下、図１のフローチャートに沿って詳述する。
【００１７】
工程Ｓ１では、第１基板としての転写元基板３０上に、剥離層３２、被転写体３４をこの順に形成する（図２）。
【００１８】
より詳しくは、まず転写元基板３０上に剥離層３２を形成する。転写元基板３０としては、例えば石英基板やガラス基板を用いることができる。転写元基板３０は、被転写体３４を転写前後で変わらず維持できるものであれば良く、可撓性を有するフィルムのように剛性を有しないものでもよい。ただし、被転写体３４のプロセス温度に耐え得るような耐熱性を備えていることが必要である。例えば、被転写体３４を形成する際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点（ガラス転移温度Ｔｇ又は軟化点）がＴｍａｘ以上のものを用いることが望ましい。低温ポリシリコン半導体層を備えた被転写体３４を形成する場合には、歪点が３５０℃以上であることが好ましく、５００℃以上であることがより好ましい。
【００１９】
剥離層３２は、エネルギーの付与によって層内又は界面において剥離（以下、「層内剥離」又は「界面剥離」という）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により剥離層３２を構成する物質の原子間又は分子間の結合力が消失又は減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離又は界面剥離に至るものがよい。光の照射により剥離層３２から気体が放出され、分離効果が発現されるものであってもよい。剥離層３２としては、アモルファスシリコン、酸化ケイ素又はケイ酸化合物、水素含有アモルファスシリコン、窒素含有アモルファスシリコン、水素含有合金、窒素含有合金、多層膜、酸化チタン又はチタン酸化合物、酸化ジルコニウム又はジルコン酸化合物、酸化ランタン又はランタン酸化合物等の各種酸化合物セラミックス、金属、有機高分子材料等の材料を用いることができる。アモルファスシリコンに水素が含有されていると、光の照射により水素が放出され内圧を生じ、これが剥離力となって剥離が進行する。
【００２０】
続いて、剥離層３２に重ねて被転写体３４を形成する。被転写体３４は、薄膜電子デバイスとして完成した後に適用する電子デバイスの大きさに合わせた領域に形成する。本実施形態では、転写元基板３０上に４つの被転写体３４を形成する。被転写体３４と同層には、薄膜電子デバイスとしての機能を持たない枠部３５も同時に形成される。本実施形態では、隣り合う被転写体３４の間の領域と、転写元基板３０の周辺部に枠部３５が形成されている。被転写体３４及び枠部３５の厚さは略同一となっており、一繋がりに結合していてもよく、互いに分離していてもよい。
【００２１】
ここで、被転写体３４は、例えば薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、シリコンＰＩＮ接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）、シリコン抵抗素子、電極、スイッチング素子、メモリ、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス等）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクタ、抵抗、キャパシタ、薄膜高透磁材料及びそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルタ、反射膜、ダイクロイックミラー、その他の能動素子、受動素子を問わない単体の素子、一定の機能を奏するように素子が集積され配線された集積回路等の回路（チップ）、複数の素子の組み合わせからなる回路の一部、集積回路等の回路を１以上組み合わせて一定の機能を奏するように構成された装置の全部又は一部とすることができる。
【００２２】
被転写体３４及び枠部３５の表面に対しては、後述の接着剤３８（図４）との密着性を向上させるために、あらかじめプラズマ処理、コロナ処理等の方法で表面処理を行ってもよい。また、被転写体３４及び枠部３５と、剥離層３２との間には、それぞれの特性に合わせて、密着性向上を目的とした中間層を設けてもよい。この中間層は、例えば製造時又は使用時において被転写体３４を物理的、化学的に保護する保護層、絶縁層、あるいは被転写体３４へのガス、水分等の侵入を阻止するバリア層、反射層としての機能の少なくとも１つを有するものである。
【００２３】
次に、工程Ｓ２では、転写元基板３０のうち、被転写体３４が形成された側の面に、囲み部材３６を形成する（図３）。より詳しくは、転写元基板３０上のうち、平面視で被転写体３４と重なる領域を除いた枠状の領域（すなわち枠部３５上）に囲み部材３６を形成する。本明細書で平面視とは、転写元基板３０の法線方向から見ることをいう。
【００２４】
囲み部材３６の形成は、接着剤３８（図４）を囲み部材３６内に保持できる十分な強さと高さを維持できればどのような方法、部材を用いて行っても構わない。工程Ｓ２は、例えば、囲み部材３６の形成材料を、ディスペンサ塗布法、スクリーン印刷法、液滴吐出法等によって転写元基板３０上に塗布する工程と、囲み部材３６の形成材料を硬化させて囲み部材３６を形成する工程とを含む。囲み部材３６の高さは、被転写体３４の凹凸を十分に埋める接着剤３８を保持可能な高さであればよい。また、囲み部材３６の高さは、後述の転写工程（工程Ｓ５）における剥離の際に、くさび形状のものを差し込み、剥離する場合には、くさびの挿入を容易にするためにくさびの先端から十分な長さが差し込めるようにする必要がある。この場合には、例えば約５０〜２００μｍの高さにすることが好ましい。また、くさびの進入をより容易にするためには、囲み部材３６の材質、転写先基板４０及び転写元基板３０との接着性等に依存するが、囲み部材３６の幅をできうる限り細く形成することが好ましい。この場合には、囲み部材３６の幅は、例えば５ｍｍ以下、より好適には１ｍｍ以下とする。
【００２５】
囲み部材３６の形成材料は、紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等、硬化後に適度な強度を持つものであれば任意の材料を用いることができ、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン系紫外線硬化型樹脂、湿熱紫外線併用硬化型樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は、粘度が低いと塗布後直ちに形状が変化してしまうため、ある程度の粘度を有していることが好ましい。また、ディスペンサを用いて塗布する場合には、吐出に要する圧力が高くなりすぎないよう、粘度を一定の値以下とすることが好ましい。これらの観点から、容易に精度良く塗布可能で、かつ形状変化が少ない粘度範囲としては、１０〜１００Ｐａ・Ｓ、好ましくは２０〜５０Ｐａ・ｓを選択することができる。
【００２６】
囲み部材３６には、転写元基板３０と転写先基板４０とを貼り合わせる際（図５）に基板間ギャップを均一化するために、スペーサーを混合してもよい。スペーサーとしては、シリカ微粒子やプラスチック微粒子等の粒径の整ったものが用いられる。
【００２７】
次に、工程Ｓ３では、転写元基板３０上のうち囲み部材３６に囲まれた領域に接着剤３８を塗布する（図４）。その後、工程Ｓ４では、転写元基板３０と転写先基板４０とを、囲み部材３６及び接着剤３８を介して貼り合わせる（図５）。ここで、転写先基板４０は、最終的に被転写体３４が配置される基板であり、ガラス、石英、樹脂、金属等、被転写体３４を転写したい任意の材質の基板とすることができ、可撓性を有する基板としてもよい。
【００２８】
工程Ｓ３及び工程Ｓ４は、図８に示す、薄膜電子デバイスの製造装置としての貼り合わせ装置１を用いて行われる。図８は、貼り合わせ装置１の斜視図である。また、図９（ａ）から（ｄ）は、薄膜電子デバイスの製造工程における図８中のＧ−Ｇの断面図である。
【００２９】
貼り合わせ装置１は、基部１２上に取り付けられたディスペンサ１１、ディスペンサロボット２０、チャンバ２２を備えている。ディスペンサロボット２０は、Ｘ方向に沿って配置されている。ディスペンサロボット２０には、Ｘ方向に走査可能な、接着剤３８を吐出する吐出機構としてのディスペンサシリンジ１８が取り付けられており、ディスペンサ１１により接着剤３８の吐出量が制御される。ディスペンサ１１としては、流量制御方式と容積計量方式とがあるが、目的、用途に合わせて適宜選択することができる。所望の量の接着剤３８を精度良く塗布するためには、容積計量方式が好ましい。
【００３０】
チャンバ２２は、図９（ｃ）に示すように、基体２４と蓋部２３とによって構成されている。このうち蓋部２３は、Ｚ方向（鉛直方向）に伸縮可能な支持柱２５によって支持されており、支持柱２５の伸縮に応じて、基部１２上をＺ方向に昇降する。以下では、蓋部２３がＺ方向に上昇した状態のチャンバ２２を「開状態」と呼び、蓋部２３がＺ方向に最下点まで降下した状態のチャンバ２２を「閉状態」と呼ぶ。図９（ａ），（ｂ）に示すチャンバ２２は開状態であり、図９（ｃ），（ｄ）に示すチャンバ２２は閉状態である。チャンバ２２が閉状態となって、基体２４と蓋部２３とが密着した状態において、真空ポンプ（不図示）によってチャンバ２２内を排気することにより、チャンバ２２の内部を減圧環境下におくことができる。チャンバ２２は、減圧環境下でも耐えられる堅牢な強度をもつ。真空ポンプは、大きく分けてウェットポンプ、ドライポンプに分けられるが、薄膜電子デバイスを製造することから、汚染の少ないドライポンプを使用することが好ましい。また、ドライポンプとしては、ソープションポンプ、ターボ分子ポンプ、イオンポンプ、ゲッターポンプ、クライオポンプ、メカニカルブースターポンプ、ダイアフラムポンプ等が挙げられるが、貼り合わせ時に接着剤３８中に気泡が混入しない程度に減圧できればよく、これらのうちの１つ又は２つ以上を組み合わせて用いることができる。チャンバ２２は、チャンバ２２の内部に配置され、転写先基板４０を保持可能なアーム２８と、アーム２８をＺ方向に昇降させることが可能な昇降機構２６とをさらに備えている。アーム２８と昇降機構２６とによって、貼り合わせ機構が構成される。
【００３１】
図８に戻り、基部１２上には、ディスペンサロボット２０の下部を通りチャンバ２２内までＹ方向に沿って延設されたレール１６が配置されている。また、基部１２上には、レール１６に沿ってＹ方向に移動可能な基体２４及びステージ１４が配置されている。ステージ１４は、基体２４上に固定されており、転写元基板３０又は転写先基板４０をピン等によって保持、固定することができる。
【００３２】
工程Ｓ３、工程Ｓ４に先立って、転写先基板４０をチャンバ２２内のアーム２８に保持させておく。より詳しくは、まずチャンバ２２は、開状態（図９（ａ））としておき、アーム２８をチャンバ２２下部まで降下させておく。そして、転写先基板４０を、貼り合わせ面（後に転写元基板３０が貼り合わされる面）を下側にして基体２４上のステージ１４に載置し、レール１６に沿って基体２４（ステージ１４）をチャンバ２２内までＹ方向に移動させる。このとき、貼り合わせ面がステージ１４に接触しないように治具を用いることが好ましい。続いて、チャンバ２２内に移動した転写先基板４０をアーム２８により保持し、アーム２８を昇降機構２６によってＺ方向上方に上昇させる（図９（ｂ））。アーム２８の形状及び機構は、図９に示したものに限定されず、基板の貼り合わせに不具合なく使用できればどのようなものであってもよい。例えば、開閉機構の付いた爪を有するものや、静電チャックで固定可能なもの等が挙げられる。転写先基板４０のセットが終了したら、基体２４及びステージ１４は開始位置（図８に示す位置）に戻しておく。
【００３３】
次に、工程Ｓ３（接着剤塗布工程）を行う。工程Ｓ３は、貼り合わせ装置１を用いて次のようにして行われる。すなわち、まず基体２４上のステージ１４に、枠状の囲み部材３６が形成された転写元基板３０を載置し、基体２４（ステージ１４）をレール１６に沿ってディスペンサシリンジ１８の鉛直下方まで移動させる。より詳しくは、ディスペンサシリンジ１８が、平面視で囲み部材３６の内部に重なるような位置に、基体２４（ステージ１４）を移動させる。この状態で、ディスペンサシリンジ１８から転写元基板３０上へ接着剤３８を塗布する。塗布の際には、必要に応じて基体２４（ステージ１４）のＹ方向の走査、及びディスペンサシリンジ１８のＸ方向の走査を行ってもよい。これにより、囲み部材３６内の全体に接着剤３８を塗布することができ、後の貼り合わせ時に接着剤３８中に気泡が混入する不具合を抑制することができる。このようにして、転写元基板３０上の囲み部材３６の内部に、接着剤３８が塗布される（図４）。
【００３４】
ディスペンサシリンジ１８及びディスペンサシリンジ１８に取り付けられるノズルは、精度良く囲み部材３６内全体に接着剤３８を塗布できればどのようなものでもよく、転写元基板３０にノズルが接触しないよう調整されていることが好ましい。ディスペンサシリンジ１８及びディスペンサシリンジ１８に取り付けられるノズルは、塗布する材料及び塗布形状等に応じて適宜選択することができる。ノズルは、塗布量の調整が可能であれば塗布時間短縮のために２以上の吐出口を持つようなものとしてもよい。
【００３５】
塗布される接着剤３８の量は、転写元基板３０と転写先基板４０とを貼り合わせた際に生じるギャップの体積分となるように、減圧下におく際の揮発量を考慮して調整する。量が多すぎると接着剤３８が貼り合わせ後に漏れる等の不具合が生じ、少なすぎると貼り合わせを行った後に基板が均一な厚みにならない等の不具合が生じる。囲み部材３６内の全体に接着剤３８を塗布する方法としては、塗布後に接着剤３８がある程度広がることを利用して、多数の点を塗布し、あるいは線を多数、細かく描くように塗布し、あるいは縦横に格子状に塗布することが好ましい。又は、スプレー状に接着剤３８を塗布する等の方法を採用してもよい。
【００３６】
接着剤３８の種類としては、反応性硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（紫外線硬化型接着剤等）、嫌気硬化型接着剤、その他の各種硬化型接着剤を用いることができる。具体的には、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、天然ゴム系接着剤、ポリウレタン系接着剤、フェノール系接着剤、酢酸ビニル系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、ポリビニルアルコール系接着剤、ポリイミド系接着剤、ポリアミド系接着剤等を用いることができ、これらを目的に合わせて変性する等してもよい。また、工程Ｓ４（後述）における減圧の際に接着剤３８が揮発しにくくするために、粘度、接着性に問題が出ない程度まであらかじめ重合を行ってもよい。
【００３７】
次に、工程Ｓ４では、転写元基板３０と転写先基板４０とを、囲み部材３６及び接着剤３８を介して貼り合わせる（図５）。より詳しくは、まず接着剤３８が塗布された転写元基板３０を、基体２４（ステージ１４）によりチャンバ２２下部の位置まで移動させ、チャンバ２２内に載置する。この後、蓋部２３を降下させてチャンバ２２を閉状態とし、蓋部２３と基体２４とを密着させて密閉空間を形成する（図９（ｃ））。この状態で真空ポンプを作動させて、チャンバ２２内を減圧する。チャンバ２２内の圧力は、接着剤３８の種類及び塗布面積等の条件にもよるが、接着剤３８への空気の混入を防止する観点から、おおよそ１００Ｐａ程度以下まで減圧するのが好ましい。一方、接着剤３８の構成物質の揮発を防止する観点から、できうる限り減圧後短時間で貼り合わせを行うことが好ましい。
【００３８】
チャンバ２２内が減圧されたところで、アーム２８を昇降機構２６によって降下させて、転写先基板４０と転写元基板３０とを接着剤３８を介して貼り合わせる（図９（ｄ））。換言すれば、アーム２８及び昇降機構２６から構成される貼り合わせ機構は、転写先基板４０を保持して転写元基板３０へ貼り合わせる動作を行う。ここで、転写先基板４０は、転写元基板３０に対してＸ方向に延在する辺を例えば２〜４ｍｍ程度大きくする。これにより、転写先基板４０の一部がアーム２８により保持されていても、その状態のまま転写元基板３０に貼り合わせることができる。この貼り合わせの際には、転写元基板３０上の被転写体３４と、転写先基板４０とが、囲み部材３６及び接着剤３８を介して対向した状態となる。このとき囲み部材３６は、被転写体３４と転写先基板４０との間隔を均一にする役割を果たす。貼り合わせ時に圧力は特に必要ないが、基板のずれ等が後の工程に影響する場合は、囲み部材３６が決壊しない程度に圧力をかけてもよい。このように減圧環境下で貼り合わせを行うことにより、転写不良の原因となる、接着剤３８への気泡の混入を抑えることができる。また、貼り合わせと同時に、接着剤３８を、転写元基板３０、転写先基板４０、囲み部材３６に囲まれた領域に封入することができる。貼り合わせが終了した後に、チャンバ２２内に空気をリークさせてチャンバ２２内を大気圧に戻す。
【００３９】
貼り合わせ後には、接着剤３８を所定の方法で硬化させる。接着剤３８の硬化方法としては、例えば熱硬化型の接着剤３８を使用している場合においては基板全体の温度を上げたり、レーザー光やμ波を照射したりして一部の温度を上昇させて接着剤３８を順次硬化させる。この場合には、例えばチャンバ２２のステージ１４又はアーム２８に加熱機構を設けて、チャンバ２２内において接着剤３８の熱硬化を実施してもよい。光硬化型（紫外線硬化型）の接着剤３８を使用している場合には転写先基板４０側から紫外線を照射して硬化させる。したがって、接着剤３８が光硬化型である場合には、転写先基板４０は透明であることが望ましい。紫外線硬化型接着剤を使用した場合には、チャンバ２２内に紫外線照射部を設けて、チャンバ２２内において接着剤３８の光硬化を実施してもよい。このようにすれば、貼り合わせの直後に、又は貼り合わせと並行して接着剤３８の硬化を行うことができる。これにより製造工程を短縮することができる。
【００４０】
最後に、工程Ｓ５では、転写元基板３０から転写先基板４０へ、被転写体３４を転写する。この工程では、まず、転写元基板３０の剥離層３２に対して光Ｌを照射する（図６）。ここで、剥離層３２は、上述のようにエネルギーの付与によって層内又は界面において剥離を生じる物質が用いられているため、光Ｌの照射によって転写元基板３０との間で剥離が生じる。照射する光Ｌとしては、剥離層３２に層内剥離又は界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザー光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等を用いることができる。
【００４１】
その後、転写元基板３０と転写先基板４０とを引き離す力を加えて、転写元基板３０を転写先基板４０から剥離する（図７）。これにより、被転写体３４は、接着剤３８を介して貼り合わされた状態で転写先基板４０側に残る。すなわち、被転写体３４は転写先基板４０に転写されたことになる。
【００４２】
転写後の被転写体３４の表面には、剥離層３２の残渣が付着していることがある。この残渣は、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法、又はこれらの組み合わせにより除去することができる。転写終了後には、被転写体３４の外形に合わせて、適宜転写先基板４０を切断する。
【００４３】
以上の工程を経て、転写先基板４０上に被転写体３４を有する薄膜電子デバイスが製造される。このような製造方法によれば、減圧環境下で転写元基板３０と転写先基板４０とを接着剤３８を介して貼り合わせるため、接着剤３８への気泡の混入を抑えることができる。また、貼り合わせと同時に、接着剤３８を、転写元基板３０、転写先基板４０、囲み部材３６に囲まれた領域に封入することができる。このため、接着剤３８の注入封止工程を別途設ける必要がなく、また注入に要する時間より短い時間で接着剤３８の封入を行うことができる。また、囲み部材３６に接着剤３８を注入するための開口を設けたり、転写元基板３０又は転写先基板４０に接着剤３８を注入するための穿孔加工を行ったりする必要がない。このように、上記方法によれば、接着剤３８に気泡の混入の少ない高品位な薄膜電子デバイスを製造することができ、また、薄膜電子デバイスの製造工程を短縮することができる。
【００４４】
上記実施形態に対しては、様々な変形を加えることが可能である。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００４５】
（変形例１）
上記実施形態では、第１基板としての転写元基板３０上に囲み部材３６及び接着剤３８を配置してから貼り合わせを行っているが、これに代えて、第２基板としての転写先基板４０上に囲み部材３６及び接着剤３８を配置してから貼り合わせを行ってもよい。転写先基板４０に囲み部材３６を形成する場合には、後に転写元基板３０と貼り合わされたときに被転写体３４を取り囲むような領域に囲み部材３６を形成する。また、貼り合わせ工程（工程Ｓ４）においては、転写元基板３０をチャンバ２２のアーム２８に保持させた後にステージ１４に転写先基板４０を載置し、転写元基板３０と転写先基板４０とを貼り合わせればよい。
【００４６】
（変形例２）
上記実施形態では、転写元基板３０には複数の被転写体３４が形成され、また囲み部材３６は個々の被転写体３４を取り囲むように形成されているが、この構成に限定する趣旨ではない。例えば図１０（ａ）に示すように、転写元基板３０に単一の被転写体３４を形成し、当該被転写体３４を取り囲むように囲み部材３６を形成してもよい。また、図１０（ｂ）に示すように、転写元基板３０に複数の被転写体３４を形成した上で、これらすべての被転写体３４を１つの囲み部材３６で取り囲むような構成としてもよい。
【００４７】
（変形例３）
上記実施形態は、１回の転写工程を含むものであるが、複数回の転写を行ってもよい。例えば、転写先基板４０の表面にあらかじめ剥離層を形成しておき、転写先基板４０への転写が終了した後に第２の転写先基板と貼り合わせを行う。その後に、転写先基板４０へ形成しておいた剥離層に光を照射して、転写先基板４０から第２の転写先基板へ、２回目の転写を行うようにしてもよい。このようにすれば、第２の転写先基板上には、転写元基板３０に形成された状態と同様の状態の被転写体３４を形成することができる。この方法を用いる場合には、２回目の転写の後に、接着剤３８を取り除く必要があるので、接着剤３８には水溶性の材料を用いることが好ましい。水溶性の材料としては、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、又はこれらの混合物等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】薄膜電子デバイスの製造方法を示すフローチャート。
【図２】薄膜電子デバイスの製造工程を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】薄膜電子デバイスの製造工程を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図。
【図４】薄膜電子デバイスの製造工程を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図５】薄膜電子デバイスの製造工程を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図６】薄膜電子デバイスの製造工程を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＥ−Ｅ線における断面図。
【図７】薄膜電子デバイスの製造工程を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図８】貼り合わせ装置の斜視図。
【図９】（ａ）から（ｄ）は、製造工程における図８中のＧ−Ｇの断面図。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、変形例２に係る転写元基板の構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４９】
１…薄膜電子デバイスの製造装置としての貼り合わせ装置、１２…基部、１４…ステージ、１６…レール、１８…ディスペンサシリンジ、２０…ディスペンサロボット、２２…チャンバ、２３…蓋部、２４…基体、２５…支持柱、２６…昇降機構、２８…アーム、３０…転写元基板、３２…剥離層、３４…被転写体、３５…枠部、３６…囲み部材、３８…接着剤、４０…転写先基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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