(57)【要約】【課題】リッドレスであり信頼性の高いフリップチップ構造の半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】基板と半導体チップとの隙間にアンダーフィル樹脂が充填された半導体装置の製造方法は、前記隙間に第１の塗布条件でアンダーフィル樹脂を注入する第１注入工程と、前記半導体チップの側面に形成されたアンダーフィル樹脂のフィレット高さが所定の基準に満たない箇所を特定する特定工程と、前記フィレット高さが所定の基準に満たない箇所に対して第２の塗布条件でアンダーフィル樹脂を注入する第２注入工程とを有する。フィレット高さが所定の基準に揃えられるため、応力の集中が避けられ、リッドレスであり信頼性の高いフリップチップ構造の半導体装置を製造することが可能となる。【選択図】図１２
2009188011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と半導体チップとの隙間にアンダーフィル樹脂が充填された半導体装置の製造方法であって、
前記隙間に第１の塗布条件でアンダーフィル樹脂を注入する第１注入工程と、
前記半導体チップの側面に形成されたアンダーフィル樹脂のフィレット高さが所定の基準に満たない箇所を特定する特定工程と、
前記フィレット高さが所定の基準に満たない箇所に対して第２の塗布条件でアンダーフィル樹脂を注入する第２注入工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体装置と同型の他の半導体装置の基板と半導体チップとの隙間に、前記第１の塗布条件でアンダーフィル樹脂を注入する工程、をさらに含み、
前記特定工程において、前記箇所は、前記他の半導体装置の前記半導体チップの側面に形成されたアンダーフィル樹脂のフィレット高さに基づいて特定される
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記所定の基準には、前記フィレット高さが前記半導体チップの上面の高さよりも低く設定された所定の高さ以下であるという基準が含まれる
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体チップは前記第１注入工程よりも前に前記基板上にフリップチップ実装され、
前記半導体装置は、前記半導体チップの上面にリッドを有しない
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板と半導体チップとの隙間にアンダーフィル樹脂が充填された半導体装置の製造装置であって、
前記半導体チップの側面に形成されたアンダーフィル樹脂のフィレット高さを検出する検出部と、
前記フィレット高さが所定の基準に満たない箇所を特定する特定部と、
特定された前記箇所に対して、前記フィレット高さが前記所定の基準を満たすために前記アンダーフィル樹脂を追加的に注入するときの塗布条件を、検出された前記フィレット高さに応じて選択する追加塗布条件選択部とを具備する半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフリップチップ構造を有する半導体装置の製造方法と製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の価格競争の激化に伴ってコストダウンが強く求められている。このため、従来フリップチップ構造の半導体装置に取り付けられていたリッド１８とスティフナー１７を省略した構造（以後リッドレス構造と呼称する）のフリップチップ構造半導体装置が開発された。図１に従来のフリップチップ構造半導体装置の、図２にリッドレス構造半導体装置の模式図を示す。
【０００３】
［先行技術文献］
以下に、フリップチップ実装に関する先行技術文献を記載する。特許文献１には、フリップチップ実装において、半導体素子とパッケージなどの配線基板との実装部に充填剤を充填した実装構造の一例が開示されている。この技術では、半導体素子の周囲に形成される充填剤のフィレット部の下部に位置する配線基板に溝を形成することにより、配線基板に対する充填剤の接着強度が高められる。
【０００４】
特許文献２には、フリップチップ実装において、ベアＩＣチップと配線基板が異方性導電接着剤の絶縁性樹脂に混在した導電粒子で接続される例が開示されている。この技術では、ベアＩＣチップの外周に食み出した異方性導電接着剤のフィレットの外表面に多数の瘤（凹凸）を形成することにより、配線基板の電子部品との機械的接合強度の低下や電気的接続の不良の発生を未然に防止することが提案されている。
【０００５】
特許文献３には、基板とフェイスダウン実装された半導体素子との間にアンダーフィル樹脂を塗布するための樹脂塗布装置が開示されている。この装置は、アンダーフィル樹脂を注入するためのノズルと、そのノズルが半導体素子と基板との境界近傍に沿って移動するように設けられたノズル移動手段とを備え、ノズルの移動に連動して基板を固定する固定台全体が遥動されることを特徴とする。この構成により、樹脂を半導体チップ全体に均一に、かつ短時間に塗布することが目的とされている。
【０００６】
特許文献４には、半導体チップと実装基板との間隙にアンダーフィル剤が充填された電子デバイスを製造する装置が開示されている。この装置は、半導体チップの側端においてアンダーフィル剤に形成されたフィレット部を検出する検出手段と、検出されたフィレット部の幅が正規のフィレット幅よりも小さい場合にはアンダーフィル剤の吐出を追加して行う制御手段とを備える。
【０００７】
特許文献５には、半導体チップをフェースダウンで配線基板に接続する半導体実装方法が開示されている。この技術では、半導体チップと配線基板との間隙が大きくなるように、半導体チップ実装部位にソルダレジストが塗布されておらず、その周囲がソルダレジストによって覆われた配線基板を用いることにより、間隙へ絶縁性樹脂が侵入しやすくなり、絶縁性樹脂の注入性が向上する。
【特許文献１】特開２０００−１８８３６２号公報
【特許文献２】特開２０００−２７７５６６号公報
【特許文献３】特開２００５−２１７００５号公報
【特許文献４】特開２００７−１９４４０３号公報
【特許文献５】特開平１０−０９８０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
リッドレス構造はコスト面で従来よりも有利である。一方、補強の役割を担っていたリッド１８とスティフナー１７がないため物理的な変形などに対しては比較的脆弱である。このため特定の条件において半導体チップ１１や半導体バンプ１２が割れて破壊される現象（以後クラックと呼称する）が発生し故障する可能性がある。こうした原因で発生する故障を抑制して半導体装置の信頼性を高めることが望まれる。
【０００９】
本発明に関係する課題について更に詳細に説明する。フリップチップ構造半導体装置は配線基板１３上に電子回路面を下側にした半導体チップ１１を配置した構造を持つ。図３に、リッドレス構造の半導体装置の模式図を示す。半導体チップ１１と配線基板１３ははんだバンプ１２によって電気的に接続されている。半導体チップ１１と配線基板１３の間はアンダーフィル樹脂１４によって封止されている。アンダーフィル樹脂１４は半導体チップ１１と配線基板１３の間を充填する部分（以後チップ下樹脂１４ａと呼称する）と半導体チップ１１の側面に付着した部分（以後フィレット１４ｂと呼称する）に分けられる。
【００１０】
半導体装置の温度が変化すると、配線基板１３と半導体チップ１１の熱膨張係数の違いによって図４のような歪みと応力が発生する。アンダーフィル樹脂１４は熱膨張係数を調整した熱硬化性有機樹脂で、発生する歪みと応力を樹脂の弾性によって軽減してはんだバンプ１２を保護する。
【００１１】
アンダーフィル樹脂１４は、以下のような手順によって半導体チップ１１と配線基板１３の間に注入される。一定速度で樹脂を吐出する能力を備えた装置を使用し、図５の矢印で示したように樹脂の吐出先となるニードル１６を半導体チップ１１の任意の一辺に沿うように移動させて樹脂を注入する（この手順を以後Ｉパスと呼称する）。注入したアンダーフィル樹脂１４は毛細管現象によって図６に示すように半導体チップ１１と配線基板１３の間に充填される。チップ下樹脂１４ａを完全に注入した後、ニードル１６を図７の矢印に示すように半導体チップ１１の全辺に沿うように連続して移動させて樹脂を注入する（この手順を以後Ｏパスと呼称する）。この手順によってチップ下樹脂１４ａを確実に注入し、かつ半導体チップ１１の全辺に均一なフィレット１４ｂを形成することができる。
【００１２】
このような手順によって製造されたリッドレス構造を持つ半導体装置は、特に対策を施さなければ、半導体チップ１１やフィレット１４にクラックが発生し電気的故障の原因となって歩留まりの低下の原因となる可能性がある。
【００１３】
半導体装置の温度を変化させると、半導体チップ１１と配線基板１３の熱膨張係数の違いによって図８のような歪みと応力が発生する。リッドレス構造半導体装置では変形を抑制するリッド１８やスティフナー１７がないために大きな応力が発生する。特に半導体チップ１１とフィレット１４ｂの境界面１９ではｃのように大きな応力がかかり、クラックが発生しやすい。図９に発生するクラック１５の模式図を示す。  
【００１４】
アンダーフィル樹脂１４の材料を変更して引っ張り応力ｃを小さくすることにより、この問題を緩和することができる。また、図１０のようにフィレット１４ｂを半導体チップ１１のはんだボールが設けられた面と反対面である上面よりも低くする（この構造を以後、低フィレット１４ｃと呼称する）ことで、境界面１９にかかる応力は図８、９の構造で発生する応力よりも小さくなり、クラック１５の発生を抑制することができる。
【００１５】
低フィレット１４ｃを形成するためには注入するアンダーフィル樹脂１４の量を少なくする必要がある。しかしＩパスによるチップ下樹脂１４ａを充填する手順のため、単に注入する樹脂量を少なくした場合にはフィレット１４ｂの形状が図１１に示すように非対称・不均一なものとなってしまう。特許文献１及び５には少なくとも左右が対称な低フィレットの図が描かれているが、現実には非対称な構造となっている可能性が高い。
【００１６】
また半導体チップ１１の装着後にアンダーフィル樹脂１４を注入するのではなく、特許文献２にある配線基板１３上に塗布したアンダーフィル樹脂１４の上からチップを装着する技術を用いれば、アンダーフィル樹脂１４の量を調整することによってフィレット１４ｂの高さを調整できる。しかしこの方法でははんだバンプ１２と配線基板１３の接着性が低くなり信頼性が悪化する傾向にある。
【００１７】
リッドレスであり信頼性の高いフリップチップ構造の半導体装置の製造方法と製造装置が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１９】
本発明による半導体装置の製造方法は、基板（１３）と半導体チップ（１１）との隙間にアンダーフィル樹脂（１４）が充填された半導体装置の製造方法であって、隙間に第１の塗布条件でアンダーフィル樹脂を注入する第１注入工程と、半導体チップの側面に形成されたアンダーフィル樹脂のフィレット高さ（ｂ）が所定の基準に満たない箇所を特定する特定工程と、フィレット高さ（ｂ）が所定の基準に満たない箇所に対して第２の塗布条件でアンダーフィル樹脂を注入する第２注入工程と、を有する。
【００２０】
本発明による半導体装置の製造装置は、基板（１３）と半導体チップ（１１）との隙間にアンダーフィル樹脂（１４）が充填された半導体装置の製造装置（３０）であって、半導体チップの側面に形成されたアンダーフィル樹脂のフィレット高さ（ｂ）を検出する検出部（３３）と、フィレット高さ（ｂ）が所定の基準に満たない箇所を特定する特定部（３８）と、特定された箇所に対して、フィレット高さ（ｂ）が所定の基準を満たすためにアンダーフィル樹脂を追加的に注入するときの塗布条件を、検出されたフィレット高さ（ｂ）に応じて選択する追加塗布条件選択部（３９）とを備える。
【００２１】
本発明によれば、アンダーフィル樹脂のフィレット高さが所定の基準を満たすように調整された半導体装置が製造されるため、半導体チップと配線基板の熱膨張係数の違いに起因する応力の集中を抑制し、リッドレス構造で信頼性の高いフリップチップ構造の半導体装置の製造方法と製造装置が提供される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明により、リッドレスであり信頼性の高いフリップチップ構造の半導体装置の製造方法と製造装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２４】
［実施の第１形態］
図１２は、本実施の形態における半導体装置を側面から見た断面図である。この半導体装置は、フリップチップ構造とリッドレス構造を持つ。配線基板１３の裏面には電気的接続に用いられるはんだボール２２が取り付けられている。配線基板１３の表面には、半導体チップ１１がはんだバンプ１２を介してフリップチップ接続される。配線基板１３の表面と半導体チップ１１の裏面との間に、はんだバンプ１２の保護を目的としてアンダーフィル樹脂１４が注入されている。アンダーフィル樹脂１４は、半導体チップ１１の側面を覆う。その上端は、半導体チップ１１の上面よりも低い。即ち、アンダーフィル樹脂１４が半導体チップ１１の側面で形成するフィレットは低フィレット１４ｃである。低フィレット１４ｃの高さｂは半導体チップ１１の高さａの８０％以下で半導体チップ１１の全辺（平面形状が四角形の半導体チップが有する４つの側面）で均一に制御されている。
【００２５】
半導体装置の温度が変化すると、その材料の熱膨張係数が異なることによって装置が変形して歪みと応力が発生する。低フィレット１４ｃは高フィレット（図８に示されるフィレット１４ｂ）よりも低く小さく形成されているため、低フィレット１４ｃと半導体チップ１１の間に発生する応力ｃは、高フィレット構造の半導体装置で発生する応力よりも小さくなる。これによってチップとフィレットの間にクラックが発生する可能性が軽減され、半導体装置が電気的破壊に至る可能性が抑制される。これらの結果として半導体装置の信頼性を向上することが可能である。
【００２６】
本実施の形態によって達成される効果を以下に説明する。アンダーフィル樹脂１４は半導体チップ１１を構成するシリコンに近い熱膨張係数を持つように調製されているが、流動性の確保などのためにシリコンよりも高い熱膨張係数を持つ。このため、半導体装置が高温になると半導体チップ１１には図１３に示される位置に圧縮応力ｅが発生する。一方、低温では図８に示される位置に引張り応力ｃが発生する。これらの応力は半導体チップ１１が大きくなるほど増加し、また半導体チップ１１の角の部分で特に高くなる。
【００２７】
クラック１５が発生するのは主に低温時であり、引張り応力ｃによって図１４に示すように破断が発生してクラック１５となる。発生したクラック１５は電子回路面２０まで拡大し、発生位置によってははんだバンプ１２・配線基板１３にも到達する可能性がある。このような事態が発生すると、半導体装置は電気的に破壊され故障する。
【００２８】
半導体チップ１１にかかる引張り応力ｃはフィレットの高さに依存する。本願の発明者らが応力のシミュレーションを行った結果、フィレットの高さｂをチップの高さａよりも１７％低くすることで応力が２％小さくなることが明らかとなった。
【００２９】
［実施の第２形態］
図１５を参照して、実施の第２形態について説明する。本実施の形態において、半導体装置はフリップチップ構造とリッドレス構造を持つ。半導体チップ１１と配線基板１３ははんだバンプ１２によって電気的に接続されている。はんだバンプ１２を保護するため以下の手順でアンダーフィル樹脂１４を注入する。
【００３０】
Ｉパスで樹脂を注入しチップ下樹脂１４ａを注入する。図２に示したアンダーフィル樹脂１４が十分な低フィレット１４ｃを形成していない部分（以後、樹脂不足部分２１と呼称する）に限定してアンダーフィル樹脂１４を注入して半導体チップ１１の全辺において均一な低フィレット１４ｃを形成する。
【００３１】
Ｉパスで毛細管現象によりチップ下樹脂１４ａを注入する。この時アンダーフィル樹脂１４の一部は半導体チップ１１の側面に低フィレット１４ｃを形成する。その結果、図１５のように十分な低フィレット１４ｃが形成された部分と形成が十分ではない部分（以後、樹脂不足部分２１と呼称する）が混在した非対称な構造が形成される。
【００３２】
そこで、樹脂不足部分２１に限定してアンダーフィル樹脂１４を注入することで、樹脂不足部分２１に選択的に低フィレット１４ｃを形成して半導体チップ１１の全辺において均一な低フィレット１４ｃを形成することができる。また、ニードル１６ではなくインクジェット方式を用いてアンダーフィル樹脂１４を注入する手法を併用することで、樹脂不足部分２１へのアンダーフィル樹脂１４の注入がニードル１６を用いるよりも精密に制御できるようになり、より高品質な低フィレット１４ｃを形成することが可能となる。
【００３３】
アンダーフィル樹脂１４をＩパスで注入した場合、チップ下樹脂１４ａが注入されるとともに半導体チップ１１の側面の一部で低フィレット１４ｃが形成される。低フィレット１４ｃはアンダーフィル樹脂１４を注入した辺で形成されやすく、その対辺やチップの角部分では形成されにくい。
【００３４】
フィレット１４ｂの形成を目的とする場合、チップ下樹脂１４ａの注入後にＯパスでアンダーフィル樹脂を注入することによって半導体チップ１１の全辺で均一なフィレット１４ｂが形成される。しかし低フィレット１４ｃの形成のためにＯパスのアンダーフィル樹脂１４の量を減らすと、樹脂不足部分２１に低フィレット１４ｃが形成されるとともに、既に形成されていた低フィレット１４ｃは高さを増してフィレット１４ｂとなってしまい、全体としてはフィレット１４ｂと低フィレット１４ｃが混在する不均一な構造となってしまう。
【００３５】
Ｏパスによって半導体チップ１１の全体にアンダーフィル樹脂１４を注入するのではなく、樹脂不足部分２１に限定した注入を行うことによって、すでに形成されている低フィレット１４ｃを維持したまま樹脂不足部分２１に選択的に低フィレット１４ｃを形成し、半導体チップ１１の全辺で均一なフィレット１４ｃを形成することができる。
【００３６】
実施の第２形態の製造方法を用いることにより、実施の第１形態の半導体装置を容易に作製することができる。
【００３７】
実施の第１形態、第２形態により、以下の効果が達成される。
１．温度変化に伴って半導体チップ１１やフィレット１４ｂに加わる応力を軽減することでクラック１５の発生を防止し半導体装置の品質を向上させる  
２．上記の目的を実現する半導体チップ１１の全辺で均一な低フィレット１４ｃを容易に形成することができる。
３．アンダーフィル樹脂の注入量を最小限に抑え、材料コストの軽減を可能にする。
【００３８】
［実施の第３形態］
図１６〜図２０を参照して、実施の第３形態について説明する。図１６は、実施の第３形態においてアンダーフィル樹脂が塗布される対象である塗布ワーク２２を示す。塗布ワーク２２は、半導体チップ１１が配線基板１３上にはんだバンプ１２を介して接続されることにより形成される。
【００３９】
図１７に、本実施の形態における半導体装置の製造装置３０の構成を示す。製造装置３０は、設定されたパスに沿って移動しながら半導体チップ１１の側面端部から半導体チップ１１と配線基板１３との間にアンダーフィル樹脂１４を供給する塗布部３２と、アンダーフィル樹脂１４のフィレット１４ｂの配線基板１３からの高さを検出する検出部３３と、パス及び塗布条件を設定して塗布部３２を制御するコンピュータとを備える。
【００４０】
図１８に示すように塗布ワーク２２にアンダーフィル樹脂１４を塗布する。この時、塗布条件として暫定的な条件（塗布条件Ａ）が塗布条件３５として設定される。塗布条件Ａには、均一な低フィレット１４ｃの形成を目的として設定された１回、または複数回の樹脂塗布が設定されている。制御部３１は、塗布条件Ａに従って塗布部３２を制御する。樹脂の塗布完了後、塗布ワーク２２に熱処理が行われてアンダーフィル樹脂１４が硬化することにより図１９のようにフィレット１４ｂを完成させる。
【００４１】
アンダーフィル樹脂１４が硬化された後、検出部３３は塗布ワーク２２を側面から観察し、フィレット１４ｂの高さを測定する。特定部３８はフィレットの高さの特性を特定する機能ブロックであり、測定されたフィレット１４ｂの高さと予め設定された半導体チップ１１の高さから、高さ基準３６として予め登録された基準に基づいて、フィレット１４ｂを図２０（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ示すような通常フィレット１４ｄ、均一な低フィレット１４ｃ、不均一な低フィレット１４ｅのいずれかに分類する。
【００４２】
通常フィレット１４ｄは、フィレット１４の一部、または全体が半導体チップ１１の高さ以上となっていることを特徴とする。この場合、塗布条件Ａに設定されたアンダーフィル樹脂１４の量が過多のため、特定部３８は樹脂量を減らすように塗布条件Ａを変更して塗布条件３５として登録する。
【００４３】
均一な低フィレット１４ｃは、フィレット１４ｂの全体が半導体チップ１１の高さ未満となっており、かつフィレット１４ｂの高さが全体で均一な高さとなっていることを特徴とする。
【００４４】
不均一な低フィレット１４ｅは、フィレット１４ｂの全体が半導体チップ１１の高さ未満となっており、かつフィレット１４ｂの高さが全体で均一な高さとなっていないことを特徴とする。この場合、特定部位において樹脂が不足しているため、追加塗布条件選択部３９は、樹脂の不足する部位と不足している量を推測し、不足の樹脂を補う塗布条件（塗布条件Ｂ）を新たに設定、または変更して追加塗布条件３７として登録する。塗布条件Ｂには、塗布条件Ａでの樹脂不足部位を補うことを目的として設定された１回、または複数回の樹脂塗布が設定される。
【００４５】
塗布条件Ｂの設定、または変更を行った場合、制御部３１は、アンダーフィル樹脂１４注入前の塗布ワーク２２を用いて、再度図１８に示すようにアンダーフィル樹脂１４を注入するように塗布部３２を制御する。この時、塗布条件Ａを用いた注入後に塗布条件Ｂを用いた注入を行う。塗布完了後、熱処理を行って樹脂を硬化させ、フィレット１４ｂの高さを測定する。測定の結果、フィレット１４ｂが通常フィレット１４ｄ、または不均一な低フィレット１４ｅに分類された場合、塗布条件Ａと塗布条件Ｂを変更する。
【００４６】
上記の手順を、均一な低フィレット１４ｃが完成するまで繰り返す。均一な低フィレット１４ｃを形成した際の塗布条件Ａと塗布条件Ｂの組み合わせを、塗布条件Ｃとする。塗布ワーク２２へ塗布条件Ｃを用いてアンダーフィル樹脂１４を塗布することによって、均一な低フィレット１４ｃを連続して形成することができる。
【００４７】
［実施の第４形態］
本実施の形態における製造方法は、実施の第３形態と同様の製造装置３０を適用して実現可能である。図１８での説明と同様に塗布ワーク２２にアンダーフィル樹脂１４を塗布する。この時、塗布条件として暫定的な条件（塗布条件Ａ）を用いる。塗布条件Ａには、均一な低フィレット１４ｃの形成を目的として設定された１回、または複数回の樹脂塗布が設定される。
【００４８】
樹脂の塗布完了後、塗布ワーク２２に塗布されたアンダーフィル樹脂１４の量を、図２１に示すように測定装置２３を用いて測定する。測定装置２３は塗布ワーク２２を側面から観察し、一点以上の箇所でアンダーフィル樹脂１４の到達している高さを測定する機能を備えた装置である。
【００４９】
測定装置２３は、アンダーフィル樹脂１４の高さの測定結果から、塗布ワーク２２の樹脂量を過多・不足・適量に自動的に分類する。
【００５０】
樹脂量が過多である場合、通常フィレット１４ｄの形成が予想される。本実施の形態による処理では通常フィレット１４ｂに対して自動的に対応することはできないため、測定装置２３は所定の出力により作業者へ報告する。作業者は報告を受けて樹脂量が不足、または適量となるように塗布設定Ａを変更し、再度図１８の樹脂塗布を実施する。
【００５１】
樹脂量が不足である場合、不均一な低フィレット１４ｅの形成が予想される。この場合、測定結果から樹脂の不足している領域、および不足している量を判断し、不足している樹脂を補うための樹脂塗布条件（塗布条件Ｂ）を選択する。判断の結果をもとに樹脂の不足している領域に図２２のように塗布条件Ｂを用いてアンダーフィル樹脂１４を塗布する。この判断および追加の樹脂塗布は自動的処理によって行う。この処理を１回以上行うことによって樹脂量を適量とする。
【００５２】
樹脂量が適量である場合、均一な低フィレット１４ｃの形成が予想される。この場合は追加の塗布を行わずに次工程へと送る。
【００５３】
樹脂量が過多とならないように塗布条件Ａをあらかじめ設定しておくことで、上記の処理によって均一な低フィレット１４ｃを自動的に連続して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】背景技術におけるフリップチップ構造半導体装置の模式図。
【図２】背景技術におけるフリップチップ構造半導体装置（リッドレス）の模式図。
【図３】リッドレス構造の半導体装置の模式図。
【図４】フリップチップ構造半導体装置の温度変化による変形。
【図５】Ｉパスによるアンダーフィル樹脂１４注入の模式図。
【図６】Ｉパスによって注入されるチップ下樹脂１４ａ。
【図７】Ｏパスによるアンダーフィル樹脂１４注入の模式図。
【図８】背景技術における半導体装置の温度変化による変形によって発生する応力。
【図９】応力ｃによって発生したクラック１５の模式図。
【図１０】半導体装置の温度変化による変形によって発生する応力。
【図１１】不均一な低フィレット１４ｃ。
【図１２】低フィレット構造を持つフリップチップ構造半導体装置の構造模式図。
【図１３】半導体装置の温度変化による変形によって発生する応力ｅ。
【図１４】応力ｃによって発生したクラック１５の模式図（変形時）。
【図１５】均一なフィレット形状を形成するための追加樹脂注入。
【図１６】塗布ワーク。
【図１７】半導体装置の製造装置の構成。
【図１８】塗布条件Ａでのアンダーフィル樹脂の塗布。
【図１９】フィレットが完成した状態。
【図２０】フィレットの態様。
【図２１】フィレット高さの測定。
【図２２】塗布条件Ｂでのアンダーフィル樹脂の塗布。
【符号の説明】
【００５５】
１１    半導体チップ
１２    はんだバンプ
１３    配線基板
１４    アンダーフィル樹脂
１４ａ  チップ下樹脂
１４ｂ  フィレット
１４ｃ  低フィレット
１５    半導体チップに発生したクラック
１６    樹脂注入ニードル
１７    スティフナー
１８    リッド
１９    半導体チップとフィレットの境界面
２０    半導体チップの電子回路面
２１    樹脂不足部位
２２    塗布ワーク
２３    高さ測定装置
ａ      半導体チップの高さ
ｂ      フィレットの高さ
ｃ      温度変化による変形によって従来技術のフィレットに発生する応力
ｄ      温度変化による変形によって本発明の低フィレットに発生する応力
【図１】
2009188011.tif 000003
【図２】
2009188011.tif 000004
【図３】
2009188011.tif 000005
【図４】
2009188011.tif 000006
【図５】
2009188011.tif 000007
【図６】
2009188011.tif 000008
【図７】
2009188011.tif 000009
【図８】
2009188011.tif 000010
【図９】
2009188011.tif 000011
【図１０】
2009188011.tif 000012
【図１１】
2009188011.tif 000013
【図１２】
2009188011.tif 000014
【図１３】
2009188011.tif 000015
【図１４】
2009188011.tif 000016
【図１５】
2009188011.tif 000017
【図１６】
2009188011.tif 000018
【図１７】
2009188011.tif 000019
【図１８】
2009188011.tif 000020
【図１９】
2009188011.tif 000021
【図２０】
2009188011.tif 000022
【図２１】
2009188011.tif 000023
【図２２】
2009188011.tif 000024