(57)【要約】【課題】データ領域内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマーク（ＤＡＭ）を凹凸パターンで設けることにより、熱揺らぎや欠陥による読み出し不良、及び書き込み時の位置ずれ不良を回避することができるインプリント用モールド構造体、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体の提供。【解決手段】サーボデータが記録されるサーボ領域と、ユーザデータを書き込むためのデータ領域とを有する磁気記録媒体を製造するためのインプリント用モールド構造体であって、前記サーボ領域に対応するパターンと、前記データ領域に対応するパターンとを有し、前記データ領域に対応するパターン内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマークに対応する形状を有するインプリント用モールド構造体である。【選択図】図２
2009245534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーボデータが記録されるサーボ領域と、ユーザデータを書き込むためのデータ領域とを有する磁気記録媒体を製造するためのインプリント用モールド構造体であって、
前記サーボ領域に対応するパターンと、前記データ領域に対応するパターンとを有し、
前記データ領域に対応するパターン内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマークに対応する形状を有することを特徴とするインプリント用モールド構造体。
【請求項２】
パターンが、ディスクリートパターン及びドットパターンのいずれかである請求項１に記載のインプリント用モールド構造体。
【請求項３】
データアドレスマークに対応する形状が、サーボ領域に対応するパターンとサーボ領域に対応するパターンの間に配置されている請求項１から２のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。
【請求項４】
データアドレスマークに対応するパターンが、モールド構造体の半径方向の内周部から外周部まで配置されている請求項１から３のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかのインプリント用モールド構造体を用いたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用モールド構造体、並びに磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速性及びコストに優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
従来よりハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。
【０００３】
そこで、クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１〜２参照）。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減させたものである。
【０００４】
上記ディスクリートトラックメディアを製造する際には、特許文献３に開示されたように、レジストパターン形成用モールドを用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリントリソグラフィー法がある。
【０００５】
前記インプリントリソグラフィー法では、以下のような方法により、磁気記録媒体上の磁性体パターンと逆パターンの凸部を有するインプリント用モールド構造体を作製する。まず、Ｓｉ基板上に電子線レジストを塗布し、電子線により所定のパターンを描画し、現像して電子線レジストの凹凸パターンを形成する。次いで、電子線レジストの凹凸パターンを形成したＳｉ基板に対して電鋳処理を行い、電鋳により形成された金属ディスクを剥離してインプリント用モールド構造体を作製する。次に、例えば、以下のようなインプリントリソグラフィー法により磁気記録媒体を作製する。基板上に磁性膜を製膜し、レジストを塗布する。レジストにインプリント用モールド構造体を押し付けて、インプリント用モールド構造体の表面の凹凸をレジスト表面に転写する。インプリント用モールド構造体を取り外した後、凹凸が転写されたレジストをマスクとして磁性膜を加工し、所望の磁性体パターンが形成された磁気記録媒体を製造する。
【０００６】
例えばサーボ領域と、ディスクリートデータ領域とを有するインプリント用モールド構造体を用いてインプリント法により形成された磁気記録媒体では、物理的に形成されたデータ領域に磁気ヘッドを使用してユーザデータを記録していくことになる。このため、同一トラックのデータセクター間については連続であり、熱揺らぎや欠陥による影響を受けることになる。
ここで、データセクターにはユーザデータ以外にも該ユーザデータの開始位置を示す同期用のマーク（データアドレスマーク；ＤＡＭ）などを有している。このＤＡＭは、通常磁気ヘッドにより書かれている。該ＤＡＭを確実に検出できないとデータセクターを読み出すことができず、磁気記録装置の性能及び品質に重大な影響を与えてしまうおそれがあるが、上述した熱揺らぎや欠陥により、ＤＡＭの読み出し不良、及び書き込み時の位置ずれ不良が生じるおそれがあり、その対応が望まれているのが現状である。
【０００７】
【特許文献１】特開昭５６−１１９９３４号公報
【特許文献２】特開平２−２０１７３０号公報
【特許文献３】特開２００４−２２１４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、データ領域内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマーク（ＤＡＭ）を凹凸パターンで設けることができ、熱揺らぎや欠陥による読み出し不良、及び書き込み時の位置ずれ不良を回避することができるインプリント用モールド構造体、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、（１）ディスクリートトラックメディアにおいて、予め、インプリント用モールド構造体の溝部にデータ開始部を検出するデータアドレスマークに対応する凹凸パターンを形成しておくことで、インプリント後の磁気記録媒体のデータ領域において磁気特性の影響による読み出し不良を改良できることを知見した。また、（２）磁気記録媒体をドライブに組み込んだ後にヘッドで磁気フォーマットされたトラックではなく、予め形成されたトラックであるため偏心、位置ずれの影響で正確にトラックの中心にヘッドを位置決めすることが困難になる場合、予めデータアドレスマークを凹凸パターンで形成しておくことで書き込み不良のリスクを軽減できることを知見した。
【００１０】
本発明は、本発明者による前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  サーボデータが記録されるサーボ領域と、ユーザデータを書き込むためのデータ領域とを有する磁気記録媒体を製造するためのインプリント用モールド構造体であって、
前記サーボ領域に対応するパターンと、前記データ領域に対応するパターンとを有し、
前記データ領域に対応するパターン内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマークに対応する形状を有することを特徴とするインプリント用モールド構造体である。
＜２＞  パターンが、ディスクリートパターン及びドットパターンのいずれかである前記＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体である。
＜３＞  データアドレスマークに対応する形状が、サーボ領域に対応するパターンとサーボ領域に対応するパターンの間に配置されている前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
＜４＞  データアドレスマークに対応するパターンが、モールド構造体の半径方向の内周部から外周部まで配置されている前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
＜５＞  前記＜１＞から＜４＞のいずれかのインプリント用モールド構造体を用いたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜６＞  前記＜５＞に記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、従来における諸問題を解決でき、データ領域内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマーク（ＤＡＭ）を凹凸パターンで設けることができ、熱揺らぎや欠陥による読み出し不良、及び書き込み時の位置ずれ不良を回避することができるインプリント用モールド構造体、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（インプリント用モールド構造体）
本発明のインプリント用モールド構造体は、サーボデータが記録されるサーボ領域と、ユーザデータを書き込むデータ領域とを有する磁気記録媒体を製造するものである。
前記サーボ領域に対応するパターンと、前記データ領域に対応するパターンと、前記データ領域に対応するパターン内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマークに対応する形状とを有する。
【００１３】
＜データ領域に対応するパターン＞
前記データ領域は、ユーザデータを書き込むためのパターンを有する領域である。
前記パターンとしては、ディスクリートパターン及びドットパターンのいずれかであることが好ましい。即ち、本発明のインプリント用モールド構造体は、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）及びビットパターンドメディア（ＢＰＭ）のいずれにも適用することができる。
【００１４】
本発明のインプリント用モールド構造体においては、前記データ領域に対応するパターン内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマークに対応する形状を有する。これにより、データ領域の磁気ノイズによる読み出しエラーを回避することができる。
前記データアドレスマークに対応する凹凸パターンは、サーボ領域に対応する凹凸パターンとサーボ領域に対応する凹凸パターンの間に配置されていることが、データセクターのトリガーを現す観点から好ましい。
また、前記データアドレスマークに対応する凹凸パターンが、モールド構造体の半径方向の内周部から外周部まで配置されていることが好ましい。
【００１５】
前記データアドレスマークに対応する形状としては、その形状、大きさ、数、位置などは、対応するデータセクターに応じて異なるが、前記形状は凹凸パターン、直方体形状、又は円柱形状であることが好ましい。前記大きさは、半径方向はデータトラック幅と同じ、円周方向は１つの凸、凹がデータの１ビット以上であることが好ましい。前記数は数バイト程度、例えば８バイトなどであることが好ましい。前記位置は各データセクターのプリアンブルとユーザデータ部の間、又は前のデータセクター終わりと次のデータセクター始めのプリアンブルの間であることが好ましい。
【００１６】
ここで、前記データセクターは、図１に示すような構成からなり、プリアンブルと、データアドレスマーク（ＤＡＭ）と、ユーザデータと、ＥＣＣ（エラーコレクトコード）とを有している。
前記プリアンブルは、再生時に使用するＰＬＬ回路の同期信号であり、１０〜２０バイト程度のデータで構成されている。
前記データアドレスマーク（ＤＡＭ）は、再生時にユーザデータの先頭を見つけるためのコードであり、ＤＡＭが検出されないとユーザデータを再生できないので、ＤＡＭに１ビット誤りがあっても認識できるように、複数のマッチングが可能なコード（エラー・トレラント・コード）を使用している。
前記ユーザデータは、ユーザが任意に作成したデータであり、ＨＤＤでは現状５１２バイトの固定である。
前記ＥＣＣは、エラー訂正用のデータであり、３０〜４０バイト程度である。
【００１７】
なお、各トラック間、又は同一トラック内でも、各マーク間で凹凸パターンの形状が異なっていても構わない。
また、１つのデータセクター内に１つ以上のデータアドレスマークに対応する形状があっても構わない。その場合、複数の周期間隔が存在しても構わない。
前記データアドレスマーク（ＤＡＭ）に対応する形状の単一ビット長は、データプリアンブルのビット長と同等以上であることが信号読み出しの観点で好ましい。
【００１８】
＜サーボ領域に対応するパターン＞
前記サーボ領域は、プリアンブル部、アドレス部、及びバースト部に分けられる。
前記プリアンブル部は、再生信号のクロックを同期させるための情報が記録された領域である。
前記アドレス部は、サーボマークと呼ばれるサーボ信号認識コード、セクター情報、シリンダ情報等が、前記プリアンブル部の円周方向におけるピッチと同一のピッチで、マンチェスタコードにより形成された領域である。前記シリンダ情報は、サーボトラック毎にその情報が変化するパターンとなる。そのため、ヘッドシーク動作時のアドレス判読ミスの影響が小さくなる様に、グレイコードと呼ばれる隣接トラックとの変化が最小となるコード変換をしてから、マンチェスタコード化して記録されている。
前記バースト部は、シリンダアドレスのオントラック状態からのオフトラック量を検出するためのオフトラック検出用領域で、更にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄバーストと呼ばれる４つの径方向にパターン位相をずらしたマークが形成されている。各バーストには、周方向に複数個のマークがプリアンブル部と同一のピッチ周期で配置され、径方向周期は、アドレスパターンの変化周期に比例、換言すれば、サーボトラック周期に比例した周期で設けられている。本発明においては、各バーストは、周方向に１０周期分形成され、径方向に、サーボトラック周期の２倍長周期で繰返すパターンを取っている。
【００１９】
ここで、図２は、本発明の磁気記録媒体の一例を示す部分概略図であり、データ領域の各トラックには、ＤＡＭが形成されている。このＤＡＭはサーボ領域とサーボ領域との間に位置している。
また、図３は、本発明の磁気記録媒体の概略構成の一例を示す平面図である。
この図３において、磁気記録媒体１は、同心円上に設けられた複数のトラック１００と、略放射状に形成された複数のサーボ領域１２０と、サーボ領域１２０により分断された複数のデータ領域１１０とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
前記データ領域１１０内には、データセクターを検出するためのデータアドレスマーク１３０が形成されている。
なお、図３におけるＡ方向は円周方向、Ｂ方向は半径方向である。
【００２０】
図４は、図３の磁気記録媒体のデータ領域１１０と、サーボ領域１２０との拡大図である。
図４において、磁気記録媒体１は、各サーボ領域１２０のトラック方向にデータ領域１１０が並列配置された構造となっている。
【００２１】
−データ領域−
データ領域１１０は、磁気記録再生装置の磁気ヘッドによってユーザデータを書き込み可能な領域である。
データ領域１１０は、磁気ヘッドによってユーザデータの書き込み可能な磁性帯１１２を有する複数のトラックが設けられ、隣接するトラック間にはユーザデータの書き込み不能な非磁性帯１１１が設けられている。即ち、磁気記録媒体は、磁性帯１１２が非磁性帯１１１によって物理的に分離されたディスクリートトラック型の記録媒体となっている。
データ領域１１０内には、データセクターを検出するためのデータアドレスマーク１３０が形成されている。
前記データアドレスマーク１３０は、データ領域１１０内であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、サーボ領域１２０とサーボ領域１２０との間に設けられている。また、データアドレスマーク１３０が、磁気記録媒体の半径方向の内周部から外周部まで配置されている。
データアドレスマークは１データセクターに１個以上配置されるため、データセクター数に応じ変化する。例えば一般的に内周よりも外周の方がデータセクター数多いため、データアドレスマークは外周のほうが多くなる。１つのデータセクターがサーボで分割されるとき、分割された後ろのデータセクターの開始位置にデータアドレスマークが配置されることもある。データアドレスマークとしては、例えば図６に示すような、“００１００１００１００１００１００１”のパターンなどが挙げられる。
【００２２】
前記磁気記録媒体におけるデータアドレスマーク（ＤＡＭ）は、所望の凹凸パターンに加工したインプリント用モールド構造体を用いてインプリントし、磁気記録媒体をエッチングすることで形状加工することができる。
【００２３】
−サーボ領域−
サーボ領域１２０は、磁気記録再生装置の磁気ヘッドを磁気記録媒体上の位置検出を行
うためのサーボデータが事前に記録される領域である。
サーボ領域１２０は、磁気記録媒体製造時においてインプリント用モールド構造体（スタンパ）による全面転写により磁性部１２１、１２３と非磁性部１２２、１２４が形成されており、非磁性部１２２、１２４は非磁性体を充填した構造となっている。磁気記録再生装置の磁気ヘッドによりサーボ領域１２０のサーボデータを再生する場合、非磁性部１２２、１２４は２進値「０」、各磁性部１２１、１２３は２進値「１」として再生される。
【００２４】
サーボ領域１２０は、図４に示すように、プリアンブル領域１２０ａとアドレス領域１２０ｂとバースト領域１２０ｃとから構成されている。
なお、磁気記録媒体１では、磁性部１２１、１２３及び磁性帯１１２において磁性膜を垂直方向（媒体厚み方向）に磁化した垂直磁気記録方式を採用している。また、磁気記録媒体１において、非磁性帯１１１及び非磁性部１２２、１２４は非磁性体を充填した構成しているが、非磁性体を充填する代わりに非磁性帯１１１及び非磁性部１２２、１２４を空隙とした構造としてもよい。
【００２５】
プリアンブル領域１２０ａは、信号アンプの増幅率を調整して振幅を一定にするためのサーボデータが記録される領域であり、かかるサーボデータのコード「１」に対応した磁性部１２１とコード「０」に対応した非磁性部１２２が形成されている。プリアンブル領域１２０ａは、アドレス領域１２０ｂ及びバースト領域１２０ｃよりも先に磁気ヘッドによって読み出される。
【００２６】
アドレス領域１２０ｂは、サーボマーク１２０ｄというコードや、セクタ情報１２０ｅ、シリンダ情報１２０ｆ等（図５参照）を有するサーボデータが記録される領域であって、２進値「０」をコード「０１」で、２進値「１」をコード「１０」で表すマンチェスタ符号化方式でサーボデータが記録される領域である。アドレス領域１２０ｂには、かかるサーボデータのマンチェスタ符号化方式のコード「１」に対応した磁性部１２３とコード「０」に対応した非磁性部１２４が形成されている。
【００２７】
バースト領域１２０ｃは、トラック中心位置に対する磁気ヘッドの相対位置である位置偏差情報を求めるためのサーボデータが記録される領域である。
【００２８】
−その他の部材−
前記その他の部材としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２９】
ここで、図７は、本発明のインプリント用モールド構造体の概略構成を示す平面図である。また、図８は、本発明のインプリント用モールド構造体の部分構成を示す平面図である。
【００３０】
図７及び図８に示すように、インプリント用モールド構造体４００は、上述した磁気記録媒体１を製造するために用いられ、データ領域１１０に対応する凹凸パターン４１０と、サーボ領域１２０に対応する凹凸パターン４２０とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
【００３１】
−データ領域に対応するパターン−
データ領域１１０に対応する凹凸パターン４１０は、磁性帯１１２に対応する凹部４１１と、非磁性帯１１１に対応する凸部４１２とを有する。
データ領域１１０に対応する凹凸パターン４１０中には、データアドレスマーク１３０に対応する凹凸パターン４３０を有している。
【００３２】
−サーボ領域に対応するパターン−
サーボ領域１２０に対応する凹凸パターン４２０は、プリアンブル領域１２０ａに対応する凹凸パターン４２０ａと、アドレス領域１２０ｂに対応する凹凸パターン４２０ｂと、バースト領域１２０ｃに対応する凹凸パターン４２０ｃとからなる。
凹凸パターン４２０ａは、磁性部１２１に対応する凹部４２１と、非磁性部１２２に対応する凸部４２２とを有する。凹凸パターン４２０ｂは、磁性部１２３に対応する凹部４２３と、非磁性部１２４に対応する凸部４２４とを有する。
【００３３】
−その他の部材−
前記その他の部材としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、インプリントレジスト層に対して剥離機能を備えたモールド表層、保護膜として付与されたカーボン膜等が挙げられる。
【００３４】
＜インプリント用モールド構造体の作製方法＞
以下、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体４００の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体４００は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
【００３５】
−原盤の作製−
図９Ａ及び図９Ｂは、インプリント用モールド構造体の製造方法を示す断面図である。図９Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどで電子線レジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームを照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
【００３６】
−インプリント用モールド構造体の作製−
次に、図９Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一の面に形成された被加工基板としての石英基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１に形成された凹凸パターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
【００３７】
ここで、前記被加工基板の材料は、光透過性を有し、モールド構造体として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英（ＳｉＯ２）等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板にインプリントレジスト層が形成される一の面から出射するように、前記被加工基板の他方の面から光を入射させた場合に、インプリントレジストが十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一の面への光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件で押し当て、加圧しても耐えられるような強度を意味する。
【００３８】
−−硬化工程−−
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線を照射して転写されたパターンを硬化させる。
【００３９】
−−パターン形成工程−−
その後、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸パターンが形成されたインプリント用モールド構造体４００を得る。
なお、上述したインプリント用モールド構造体４００は、紫外線を利用したナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）の場合を示しているが、これに限定されるものではなく、例えば、凹凸形状を有する原盤１１に、Ｎｉ導電膜層を付与し、Ｎｉ電鋳を行い、原盤１１から剥離してＮｉモールドを得る熱を利用したナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）であってもよい。
【００４０】
（磁気記録媒体の製造方法）
以下、インプリント用モールド構造体４００を用いて製造する磁気記録媒体１（ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなど）の製造方法を、図面を参照して説明する。ただし、本発明に係る磁気記録媒体１の製造方法は、インプリント用モールド構造体４００を用いていれば、下記の製造方法以外であってもよい。
【００４１】
図１０に示すように、磁性層５０と、インプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４とがこの順に形成された磁気記録媒体１の基板４０に対して、インプリント用モールド構造体４００を押し当て、加圧することにより、インプリント用モールド構造体４００に形成された凹凸パターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
【００４２】
その後、インプリント用モールド構造体４００に形成された凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層２４をマスクにして、ＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、インプリント用モールド構造体４００に形成された凹凸パターンを磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１を得る。
【００４３】
本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体は、ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかであることが好適である。
【００４４】
以上、本発明のインプリント用モールド構造体、並びに磁気記録媒体及びその製造方法について詳細に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更しても差し支えない。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
＜＜原盤の作製＞＞
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚さに塗布した。
その後、回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成した。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成した。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
【００４７】
ここで、前記凹凸パターンは、データ領域における凹凸パターンと、サーボ領域における凹凸パターンとに大別される。
データ領域は、凸部の巾：１２０ｎｍ、凹部の巾：３０ｎｍ（トラックピッチ＝１５０ｎｍ）の凹凸パターンとした。
データ領域内に、データセクターを検出するためのデータアドレスマークに対応する凹凸パターンを電子線露光プロセスでデータ部にパターンニングし、現像、エッチングからＳｉ基板上に凸凹形状を形成した。これにより、データアドレスマークとして、ビット長４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍで「００１００１・・・」を８バイトの長さで作製した。
サーボ領域に関しては、基準信号長を９０ｎｍとし、総セクタ数を５０とし、プリアンブル部（４５ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（１０ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００００１０１０１１”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な位相バースト信号（１６ｂｉｔ）であり、マンチェスタ変換を用いて形成される。
【００４８】
その後、石英基板上にノボラック系レジスト（マイクロレジスト社製、ｍｒ−Ｉ  ７０００Ｅ）を１００ｎｍ、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）によって形成した。
そして、原盤をモールドとして使用し、ナノインプリントを行った。ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元にエッチャントとしてＣＨＦ３を用いたＲＩＥでインプリント用モールド構造体１を得た。なお、作製したインプリント用モールド構造体１の表面（レジストに押し当てる側の面）には、ウェット法により剥離層を形成した。該剥離層を構成する剥離剤としては、ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ株式会社製）を用いた。
【００４９】
＜磁気記録媒体の作製＞
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
【００５０】
＜＜軟磁性層の形成＞＞
前記軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を２０ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガス圧を０．１５Ｐａになるように流入させ、ＤＣスパッタで成膜した。
【００５１】
＜＜第１の非磁性配向層の形成＞＞
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚さのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．１Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣスパッタで、５ｎｍの厚さになるようにＴｉシード層を成膜した。
【００５２】
＜＜第２の非磁性配向層の形成＞＞
その後、第２の非磁性配向層として、１ｎｍの厚さのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣスパッタし、１ｎｍの厚さになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
【００５３】
＜＜磁気記録層の形成＞
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を２５ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．１Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣスパッタし、磁気記録層を形成した。
【００５４】
＜＜保護層の形成＞＞
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣスパッタし、Ｃ保護層を２ｎｍの厚さで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、例えば、ＰｔＯである。
【００５５】
＜＜インプリントレジスト層の形成＞＞
前記保護層上に、インプリントレジスト組成物として、アクリル系レジスト（ＰＡＫ−０１−５００、東洋合成工業株式会社製）を用いて、１００ｎｍの厚さになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、インプリントレジスト層を形成した。
【００５６】
＜＜転写工程＞＞
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
【００５７】
＜＜磁性パターン部形成工程＞＞
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層上に残存したレジストを除去する。
【００５８】
＜＜非磁性パターン部形成工程＞＞
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚さが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。その後Ｃ保護膜を再び厚さ４ｎｍになるまで製膜し、その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに塗布した。
【００５９】
（比較例１）
実施例１において、データ領域は、凸部の巾：１２０ｎｍ、凹部の巾：３０ｎｍ（トラックピッチ＝１５０ｎｍ）の凹凸パターンのみとし、Ｃ保護層を４ｎｍの厚さで形成し、データアドレスマークとして、ビット長４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍで「００１００１・・・」を８バイトの長さで磁気ヘッドで磁気パターンとして記録した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の磁気記録媒体を作製した。
【００６０】
＜評価＞
実施例１及び比較例１について、ＳＮ比の相対値をスピンスダンドを用いて測定した。具体的には、ヘッドはＧＭＲ素子Ｒｅａｄ幅１４０ｎｍのＰｉｃｏサイズ負圧スライダーを用い測定を行った。波形をオシロスコープで取り込み、周波数分解して一次成分の強度とノイズの強度との比を測定し、実施例１と比較例１との比を求めた。結果を表１に示す
【００６１】
また、比較例１について、実施例１のデータセクターと同じビット長をヘッドで磁気記録して「０」と「１」のビット端部の波形の遷移時間幅をオシロスコープで測定し、実施例１と比較例１との遷移時間幅比を求めた。結果を表２に示す。
【００６２】
【表１】
2009245534.tif 000003
【００６３】
【表２】
2009245534.tif 000004
【００６４】
表１及び表２の結果から、データアドレスマークを凹凸パターンで形成することで、比較例１の連続膜と比較してＳＮ比が良好となり、遷移時間幅が短くなることから隣接ビット間の干渉を減らすことができるので、読み出し不良に対し有効であることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明のインプリント用モールド構造体は、データセクターを検出するためのデータアドレスマーク（ＤＡＭ）を凹凸パターンで設けることにより、熱揺らぎや欠陥による読み出し不良、及び書き込み時の位置ずれ不良を回避することができるので、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】図１は、データセクターの構成を示す模式図である。
【図２】図２は、磁気記録媒体のデータ領域内にデータアドレスマークを設けた状態を示す図である。
【図３】図３は、本発明の磁気記録媒体の概略構成の一例を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の磁気記録媒体の部分構成の一例を示す図である。
【図５】図５は、本発明の磁気記録媒体の部分構成の他の一例を示す図である。
【図６】図６は、データアドレスマークの具体的を示す模式図である。
【図７】図７は、本発明のインプリント用モールド構造体の概略構成の一例を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明のインプリント用モールド構造体の部分構成の一例を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明のインプリント用モールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本発明のインプリント用モールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明のインプリント用モールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１      磁気記録媒体
１０      Ｓｉ基板
１１      原盤
２１      フォトレジスト層
２４      インプリントレジスト層
３０      石英基板
４０      基板
５０      磁性層
７０      非磁性材料
１００      トラック
１１０      データ領域
１１１      磁性帯
１１２      磁性帯
１２０      サーボ領域
１２０ａ      プリアンブル領域
１２０ｂ      アドレス領域
１２０ｃ      バースト領域
１２０ｄ      サーボマーク
１２０ｅ      セクタ情報
１２０ｆ      シリンダ情報
１２１      磁性部
１２２      非磁性部
１２３      磁性部
１２４      非磁性部
１３０      データアドレスマーク
４００      インプリント用モールド構造体
４１０      凹凸パターン
４１１      凹部
４１２      凸部
４２０      凹凸パターン
４２０ａ      凹凸パターン
４２０ｂ      凹凸パターン
４２０ｃ      凹凸パターン
４２１      凹部
４２２      凸部
４２３      凹部
４２４      凸部
４３０      データアドレスマークに対応する凹凸パターン
【図１】
2009245534.tif 000005
【図２】
2009245534.tif 000006
【図３】
2009245534.tif 000007
【図４】
2009245534.tif 000008
【図５】
2009245534.tif 000009
【図７】
2009245534.tif 000010
【図８】
2009245534.tif 000011
【図９Ａ】
2009245534.tif 000012
【図６】
2009245534.tif 000013
【図９Ｂ】
2009245534.tif 000014
【図１０】
2009245534.tif 000015