(57)【要約】      （修正有）【課題】導体の脱落を抑制でき、かつ高周波のノイズの遮断が容易なキャパシタ内蔵基板およびキャパシタ内蔵基板の製造方法を提供する。【解決手段】内蔵基板は、導電層１２と基板１３とキャパシタ１４と導体１８とを備え、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する貫通孔１３ｂの深さの比が２／３以上であり、キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体１８の面積が０．０９ｍｍ2以上である。導電層１２は接地電位とする。基板１３は、導電層１２上に形成され、上面１３ａから導電層１２に達する貫通孔１３ｂを有している。キャパシタ１４は上面１３ａ上に形成されている。導体１８は、貫通孔１３ｂの内部に充填され、導電層１２とキャパシタ１４とを電気的に接続している。【選択図】図３
2009188180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地電位とするための導電層と、
前記導電層上に形成され、前記導電層とは反対側の上面を有し、かつ前記上面から前記導電層に達する貫通孔を有する基板と、
前記基板の前記上面上に形成されたキャパシタと、
前記貫通孔の内部に充填され、前記導電層と前記キャパシタとを電気的に接続する導体とを備え、
前記上面における前記貫通孔の開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する前記貫通孔の深さの比が２／３以上であり、
前記キャパシタから前記導電層まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の前記導体の面積が０．０９ｍｍ2以上である、キャパシタ内蔵基板。
【請求項２】
前記開口形状の前記短手方向の寸法は、前記上面における前記貫通孔の開口形状に対する仮想の外接矩形の短辺方向の最も大きい寸法である、請求項１に記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項３】
前記開口形状の前記短手方向の寸法は、前記上面における前記貫通孔の開口形状に沿って伸びる仮想線に対して直交する方向の最も大きい寸法である、請求項１に記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項４】
前記上面における前記貫通孔の前記開口形状が２つの帯状部が交差した十字形状であり、
前記開口形状の前記短手方向の寸法は、それぞれの帯状部の開口形状に沿って伸びる仮想線に対して直交する方向の最も大きい寸法である、請求項１に記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項５】
前記基板は、セラミックス粉末を主成分とするセラミックスグリーンシートの焼結体である、請求項１〜４のいずれかに記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項６】
前記導体は、銀、銀とパラジウムとの混合物、金および銅からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質である、請求項１〜５のいずれかに記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項７】
前記キャパシタは、第１の電極層と、前記第１の電極層上に形成された誘電層と、前記誘電層上に形成された第２の電極層とを含み、
前記誘電体は、チタン酸バリウム、およびチタン酸バリウムの一部をジリコニウムで置換したものの少なくとも一方を含む、請求項１〜６のいずれかに記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項８】
基板に上面から下面に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内部に導体を充填する工程と、
前記基板の前記下面から露出する前記導体と電気的に接続するように接地電位とするための導電層を形成する工程と、
前記基板の上面から露出する前記導体と電気的に接続するようにキャパシタを形成する工程とを備え、
前記貫通孔を形成する工程では、前記上面における前記貫通孔の開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する前記貫通孔の深さの比が２／３以上になるように前記貫通孔を形成し、
前記導体を充填する工程では、前記キャパシタから前記導電層まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の前記導体の面積が０．０９ｍｍ2以上になるように前記導体を充填する、キャパシタ内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
セラミックス粉末を主成分とする複数枚のセラミックスグリーンシートを準備する工程と、
前記複数枚のセラミックスグリーンシートのうちの少なくとも１枚の前記セラミックスグリーンシートに上面から下面に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に導体を充填する工程と、
前記複数枚のセラミックスグリーンシートのうちの少なくとも１枚の他の前記セラミックスグリーンシート上に、接地電位とするための導電層を形成する工程と、
前記導電層上に前記貫通孔が形成されたセラミックスグリーンシートを形成して、前記導体と前記導電層とを電気的に接続する工程と、
前記セラミックスシートの上面上にキャパシタを形成する工程と、
前記セラミックスグリーンシートおよび前記キャパシタを焼結する工程とを備え、
前記貫通孔を形成する工程では、前記上面における前記貫通孔の開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する前記貫通孔の深さの比が２／３以上になるように前記貫通孔を形成し、
前記導体を充填する工程では、前記キャパシタから前記導電層まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の前記導体の面積が０．０９ｍｍ2以上になるように前記導体を充填する、キャパシタ内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記キャパシタを形成する工程は、
前記上面上に第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層上に誘電体を形成する工程と、
前記誘電体上に第２の電極層を形成する工程とを含み、
前記誘電体は、チタン酸バリウム、およびチタン酸バリウムの一部をジリコニウムで置換したものの少なくとも一方を含む、請求項８または９に記載のキャパシタ内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタ内蔵基板およびキャパシタ内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のキャパシタ内蔵基板では、キャパシタと接地面とが絶縁層を介して配置されている。この場合、キャパシタと接地面とを電気的に接続するために、絶縁層にはキャパシタから接地面まで貫通するスルーホールが形成されており、このスルーホールの内部に導体が充填されている（たとえば特許文献１、２）。
【０００３】
また、絶縁層には厚み方向の断面形状を台形状とした２個以上のスルーホールが形成されており、このスルーホールの内部に充填された貫通導体を介してキャパシタと接地面とが接続されている例もある(たとえば特許文献３)。
【特許文献１】特開平６−２６０７７０号公報
【特許文献２】特開２００１−３３２８６２号公報
【特許文献３】特開２００３−４６２４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなキャパシタ内蔵基板を高周波のノイズを遮断する目的で使用した場合、キャパシタから接地面までの導体距離が小さく、導体距離をなす方向と直交する方向の導体面積が大きいと、高周波のノイズを遮断できる。しかし、上記特許文献１、２にはスルーホールの形状が開示されておらず、上記特許文献３には絶縁層の上面におけるスルーホールの開口形状が開示されていない。このため、上記特許文献１〜３の絶縁層の上面におけるスルーホールの開口形状が円形（つまりスルーホールが円形ビア）である場合には、導体面積を大きくするために円形ビア径を大きくすると、導体を充填する際に導体の脱落が顕著となるという問題があった。
【０００５】
ここで、導体の脱落とは、スルーホールの一方端を樹脂などよりなるシートで閉じ、開放している他方端から導体を充填し、その後一方端を閉じているシートを剥離する際に、シートから導体が引きつられてスルーホールの内部から脱落する現象を言う。
【０００６】
また、キャパシタ内蔵基板の単位面積当たりに配置できる円形ビアの数には限度がある。このため、円形ビアを最密に形成して、この円形ビアの内部に充填した導体によりキャパシタと導体とを接続しても、キャパシタから接地面までの導体面積を大きくすることが困難であった。このため、高周波のノイズを十分に遮断することができないという問題があった。
【０００７】
本発明は、導体の脱落を抑制でき、かつ高周波のノイズの遮断が容易なキャパシタ内蔵基板およびキャパシタ内蔵基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のキャパシタ内蔵基板は、導電層と、基板と、キャパシタと、導体とを備え、上面における貫通孔の開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する貫通孔の深さの比が２／３以上であり、キャパシタから導電層までの最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体の面積が０．０９ｍｍ2以上である。導電層は、接地電位とするためのものである。基板は、導電層上に形成され、導電層とは反対側の上面を有し、かつ上面から導電層に達する貫通孔を有している。キャパシタは、基板の上面上に形成されている。導体は、貫通孔の内部に充填され、導電層とキャパシタとを電気的に接続している。
【０００９】
本発明のキャパシタ内蔵基板の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、基板に上面から下面に達する貫通孔が形成される。そして、貫通孔の内部に導体が充填される。そして、基板の下面から露出する導体と電気的に接続するように接地電位とするための導電層が形成される。そして、基板の上面から露出する導体と電気的に接続するようにキャパシタが形成される。貫通孔を形成する工程では、上面における貫通孔の開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する貫通孔の深さの比が２／３以上になるように貫通孔を形成する。導体を充填する工程では、キャパシタから導電層までの最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体の面積が０．０９ｍｍ2以上になるように導体を充填する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のキャパシタ内蔵基板およびキャパシタ内蔵基板の製造方法によれば、基板の貫通孔を上記形状にすることで形成できる形状の自由度が高くなるため、貫通孔の上面における開口形状が円形の場合よりも密に貫通孔を形成できる。このため、この貫通孔に導体が充填されることにより、導体の面積を大きくすることができる。このような導体の面積を０．０９ｍｍ2以上にすることにより、たとえば２０〜４０ＧＨｚでＳパラメータの通過パラメータが−２０ｄＢ以下を達成することができるので、高周波のノイズを容易に遮断することができる。
【００１１】
また貫通孔の短手方向の寸法が１５０μｍ以下で、短手方向の寸法に対する深さが２／３以上であるため、貫通孔に充填された導体は短手方向の対向する側壁面で保持されるので、導体に自重による重力などの外力が加わっても、貫通孔の対向する側壁面と導体との接着力により導体が貫通孔から脱落することを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板を模式的に示す上面図である。図２は、図１における線分ＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。図３は、線分ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。図１〜図３に示すように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ａは、基板１１と、基板１１上に形成された導電層１２と、導電層上に形成された基板１３と、基板１３上に形成されたキャパシタ１４と、基板１３の貫通孔１３ｂに充填された導体１８とを備えている。
【００１３】
本実施の形態では、基板１１、基板１３、基板１３の上面１３ａにおける貫通孔１３ｂおよびキャパシタ１４の長手方向および短手方向がそれぞれ一致するように、それぞれ積層されている。
【００１４】
基板１１は、たとえばセラミックス粉末を主成分とするセラミックスグリーンシートの焼結体である。セラミックス粉末は、たとえばアルミナ（酸化アルミニウム：Ａｌ2Ｏ3）とガラスとの混合物である。
【００１５】
基板１１上に形成されている導電層１２は、接地電位とするために設けられている。導電層１２は、導体であれば特に限定されないが、たとえば銀（Ａｇ）、銀とパラジウム（Ｐｄ）との混合物、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質である。
【００１６】
導電層１２上に形成されている基板１３は、導電層１２と接触する下面１３ｃとは反対側の上面１３ａを有している。また、この基板１３は、上面１３ａから導電層１２に達する貫通孔１３ｂを有している。貫通孔１３ｂは、基板１３の長手方向に沿って１列形成されている。貫通孔１３ｂの深さＨは、基板１３の厚さと同じである。貫通孔１３ｂの形状については、後述する。
【００１７】
基板１３の上面１３ａ上に形成されているキャパシタ１４は、たとえば第１の電極層１５と、第１の電極層１５上に形成された誘電体１６と、誘電体１６上に形成された第２の電極層１７とを含んでいる。第１および第２の電極層１５、１７は、たとえば銀、銀とパラジウムとの混合物、金および銅からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質である。第１の電極層１５および第２の電極層１７は、導電層１２と同様の材料であっても異なる材料であってもよい。誘電体１６は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、およびチタン酸バリウムの一部をジルコニウム（Ｚｒ）で置換したものの少なくとも一方を含む材料を用いることができる。
【００１８】
基板１３の貫通孔１３ｂの内部に充填された導体１８は、キャパシタ１４の第１の電極層１５と導電層１２とを電気的に接続している。導体１８は、たとえば銀、銀とパラジウムとの混合物、金および銅からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質である。導体１８は、導電層１２、第１の電極層１５および第２の電極層１７と同様の材料であっても異なる材料であってもよい。導体１８の粘度は、貫通孔１３ｂの内部に保持されやすいため、１５０Ｐａ・ｓ以上８４０Ｐａ・ｓ以下が好ましく、３７０Ｐａ・ｓ以上８４０Ｐａ・ｓ以下が好ましい。
【００１９】
キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体１８の面積は、０．０９ｍｍ2以上であり、０．３４５ｍｍ2以上であることが好ましい。０．０９ｍｍ2以上の場合には高周波ノイズを容易に遮断でき、０．３４５ｍｍ2以上の場合には、高周波ノイズをより容易に遮断できる。
【００２０】
ここで、上記導体の面積とは、本実施の形態のように断面視において一定である場合にはその面積を、断面視において台形、楕円など一定でない場合には、平均値とする。平均値とする場合には、上面、下面、および、上面と下面との間の３点以上の平均とする。
【００２１】
続いて、基板１３の貫通孔１３ｂの形状について説明する。図４は、本実施の形態における基板１３の上面１３ａの貫通孔１３ｂの開口形状を模式的に示す断面図である。図２〜図４に示すように、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状が長方形である場合には、貫通孔１３ｂの短手方向の寸法は、互いに平行な２組の辺のうちの短い方の辺の長さ（図４における短辺Ｌ１）である。貫通孔１３ｂの長手方向の寸法は、互いに平行な２組の辺のうちの短い方の辺の長さ（図４における長辺Ｌ２）である。
【００２２】
貫通孔１３ｂの短辺Ｌ１は１５０μｍ以下である。なお、短辺Ｌ１は短い程好ましいが、上限は、加工性を維持する観点からたとえば１００μｍである。
【００２３】
短辺Ｌ１に対する長辺Ｌ２の比（Ｌ２／Ｌ１）は４以上３０以下であることが好ましい。４以上の場合、貫通孔１３ｂに充填される導体１８の面積を増加することができる。なお、長辺Ｌ２は長い程好ましいが、貫通孔１３ｂはキャパシタ１４の大きさに制限されるのでキャパシタ１４の大きさを考慮すると、短辺Ｌ１に対する長辺Ｌ２の比は３０以下が好ましい。長辺Ｌ２は、たとえば０．６ｍｍ以上が好ましい。
【００２４】
短手方向の寸法（本実施の形態では短辺Ｌ１）に対する貫通孔１３ｂの深さＨの比（Ｈ／Ｌ１）は、２／３以上であり、２／３以上２以下が好しく、２／３以上４／３倍以下がより好ましい。具体的には、たとえば１００μｍ以上３００μｍ以下であり、１００μｍ以上２００μｍ以下がより好ましい。なお、３００μｍ以下の場合、高周波ノイズを容易に遮断でき、２００μｍ以下の場合、高周波ノイズをより容易に遮断できる。
【００２５】
ここで、上記貫通孔１３ｂの深さＨは、キャパシタ１４（本実施の形態では第１の電極層１５）から導電層１２まで最小の距離である。
【００２６】
キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の貫通孔１３ｂの面積は、０．０９ｍｍ2以上であり、０．３４５ｍｍ2以上であることが好ましい。
【００２７】
ここで、上記貫通孔１３ｂの面積は、本実施の形態のように断面視において一定である場合にはその面積を、断面視において台形、楕円など一定でない場合には、平均値とする。平均値とする場合には、上面、下面、および、上面と下面との間の３点以上の平均とする。
【００２８】
基板１３の上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状は、長方形に限定されない。図５〜図１７は、本実施の形態の変形例における貫通孔１３ｂの開口形状を模式的に示す断面図である。続いて、図５〜図１７を参照して、変形例における上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状を説明する。
【００２９】
上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状は、上面１３ａにおける短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する貫通孔の深さＨの比（Ｈ／Ｌ１）が２／３以上であり、キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の貫通孔１３ｂの面積が０．０９ｍｍ2以上であれば、上記形状に限定されない。上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状は、たとえば、図５に示すような平行四辺形であってよく、図６に示すような台形であってもよく、図７に示すような五角形であってもよく、図８に示すような六角形であってもよく、図９に示すような楕円形であってもよく、図１０〜図１２に示すような矩形であってもよく、図１３に示すような三角形であってもよい。また、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状は、図１４に示すような波型形状であってもよく、図１５に示すような折れ曲がった形状であってもよく、図１６に示すような渦巻き形状であってもよく、図１７に示すような十字形状であってもよい。
【００３０】
上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状が図５〜図１２に示すように後述する内接矩形Ｉを決めることができるような形状である場合には、開口形状の短手方向の寸法は、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状に対する仮想の外接矩形Ｃの短辺方向における開口形状の最も大きい寸法（本実施の形態では短辺Ｌ１）である。なお、外接矩形Ｃとは、貫通孔１３ｂの開口形状に外接する最も小さな正方形または長方形である。
【００３１】
また、開口形状の長手方向の寸法は、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状に対する仮想の内接矩形Ｉの長辺方向における開口形状の最も小さい長辺方向の寸法（本実施の形態では長辺Ｌ２）である。なお、内接矩形Ｉとは、貫通孔１３ｂの開口形状に内接する最も大きな長方形である。図１２および図１３に示すように、面積が最も大きくなる内接矩形が複数ある場合には、長辺Ｌ２が最も長くなるものを本実施の形態における内接矩形Ｉとしている。
【００３２】
なお、貫通孔１３ｂの開口形状は、図４に示す長方形、図５〜図８に示すような長方形の端部に別の矩形（三角形など）が付加されたもの、長方形の端部に別の円形が付加されたもの、図９に示す楕円などの形状が、容易に形成できるため、好適に用いられる。
【００３３】
上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状が図１４〜図１６に示すような帯状または紐状である場合、図４〜図１２に示す貫通孔１３ｂの開口形状の外接矩形をとると、短辺方向において短辺を構成する部分が存在しない（たとえば図１４において外接矩形Ｃをとると、短辺方向において長さＳとなる部分が存在しない）。また、これらの開口形状には、内接矩形Ｉを形成することができない。このような貫通孔１３ｂの開口形状が帯状または紐状の場合には、開口形状の短手方向の寸法は、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状に沿って伸びる仮想線に対して直交する方向の最も大きい寸法（本実施の形態では短辺Ｌ１）である。
【００３４】
また開口形状の長手方向の寸法は、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状に沿って伸びる仮想線のうち最も短い寸法（本実施の形態では長辺Ｌ２）である。
【００３５】
上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状が図１７に示すような２つの帯状部１３ｂ１、１３ｂ２が交差した十字形状の場合には、開口形状の短手方向の寸法は、それぞれの帯状部１３ｂ１、１３ｂ２の開口形状に沿って伸びる仮想線に対して直交する方向の最も大きい寸法（本実施の形態では短辺Ｌ１）である。また開口形状の長手方向の寸法は、それぞれの帯状部１３ｂ１、１３ｂ２の開口部に沿って伸びる仮想線の最も短い寸法の和（本実施の形態ではｌ１＋ｌ２）である。
【００３６】
なお、図１７に示す貫通孔１３ｂの開口形状が２つの帯状部１３ｂ１、１３ｂ２が交差した十字形状において、帯状部１３ｂ１、１３ｂ２の開口形状の外接矩形をとると、短辺方向において短辺を構成する部分が存在する場合には、短手方向の寸法は、それぞれの帯状部１３ｂ１、１３ｂ２に対する仮想の外接矩形の短辺方向における帯状部１３ｂ１、１３ｂ２の最も大きい短辺方向の寸法（本実施の形態では短辺Ｌ１）としてもよい。また長手方向の寸法は、それぞれの帯状部１３ｂ１、１３ｂ２に対する仮想の外接矩形の短辺方向における帯状部１３ｂ１、１３ｂ２の最も大きい短辺方向の寸法の和（本実施の形態ではｌ１＋ｌ２）としてもよい。
【００３７】
続いて、図１〜図３を参照して、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法について説明する。
【００３８】
まず、基板１１、１３を準備する。たとえば基板１３がセラミックス粉末を主成分とする場合には、セラミックス粉末を主成分とする複数枚のセラミックスグリーンシートを基材として準備する。セラミックス粉末は、たとえばアルミナとガラスとの混合物である。
【００３９】
次に、基板１３に上面１３ａから下面１３ｃに達する貫通孔１３ｂを形成する。この貫通孔１３ｂの形状は、上述した通りであり、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状の短手方向の寸法（短辺Ｌ１）が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する貫通孔１３ｂの深さＨの比（Ｈ／Ｌ１）が２／３以上である。また、上面１３ａから下面１３ｃまで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の貫通孔１３ｂの面積は、０．０９ｍｍ2以上である。
【００４０】
たとえば基板１１として複数のセラミックスグリーンシートを準備する場合には、少なくとも１枚のセラミックスグリーンシートに上面１３ａから下面１３ｃに達する貫通孔１３ｂを形成する。貫通孔１３ｂの形成方法は特に限定されず、一般公知の方法を採用できる。
【００４１】
次に、貫通孔１３ｂの内部に導体１８を充填する。貫通孔１３ｂにおいて上面１３ａから下面１３ｃまで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体の面積が０．０９ｍｍ2以上になるように導体１８を充填する。上面１３ａから下面１３ｃまで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の貫通孔１３ｂの面積が０．０９ｍｍ2以上であるので、貫通孔１３ｂに導体１８を隙間を低減して充填することにより実現できる。これにより、後述のキャパシタ１４を形成すると、キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体１８の面積が０．０９ｍｍ2以上になるように導体１８を充填することができる。
【００４２】
充填する方法は、特に限定されないが、たとえば以下の方法により行なわれる。具体的には、たとえば基板１３の下面１３ｃを樹脂などよりなるシート状の部材で閉じる。その後、シート状の部材で閉じられていない上面１３ａから導体１８の材料である導体ペーストを充填する。次いで、下面１３ｃを閉じているシート状の部材を剥離する。このとき、貫通孔１３ｂの形状を上記のように形成することで、導体ペーストは非常に柔らかいものの貫通孔１３ｂの側壁で保持されるので、シート状部材から導体ペーストが引きつられて貫通孔１３ｂの内部から脱落することを抑制できる。これにより、貫通孔１３ｂの内部に導体１８を充填できる。なお、基板１３として、セラミックスグリーンシートを用いる場合についても同様の方法を採用できる。
【００４３】
次に、基板１３の下面１３ｃから露出する導体１８と電気的に接続するように接地電位とするための導電層１２を形成する。これにより、導電層１２上に基板１３が形成され、基板１３の貫通孔１３ｂの内部に充填された導体１８と導電層１２とが電気的に接続される。本実施の形態では、たとえば以下の工程を実施する。
【００４４】
具体的には、基板１１上に導電層１２を形成する。複数枚のセラミックスグリーンシートを準備する場合には、貫通孔１３ｂを形成していない基板１１としてのセラミックスグリーンシート上に、導電層１２を形成する。
【００４５】
次いで、導電層１２上に下面１３ｃから露出している導体１８が接触するように基板１３を形成する。これにより、導電層１２と導体１８とを電気的に接続することができる。
【００４６】
次に、基板１３の上面１３ａから露出する導体１８と電気的に接続するようにキャパシタ１４を形成する。これにより、基板１３上にキャパシタ１４が形成され、基板１３の貫通孔１３ｂの内部に充填された導体１８とキャパシタ１４とが電気的に接続される。本実施の形態では、たとえば以下の工程を実施する。
【００４７】
具体的には、基板１３の上面１３ａ上に第１の電極層１５を形成する。その後、第１の電極層１５上に誘電体１６を形成する。誘電体１６は、チタン酸バリウム、およびチタン酸バリウムの一部をジリコニウムで置換したものの少なくとも一方を含んでいることが好ましい。その後、誘電体１６上に第２の電極層１７を形成する。
【００４８】
次に、基板１３およびキャパシタ１４を焼結する。基板１３およびキャパシタ１４を焼結することにより、隣合う原料粒子を接着させて、粒子間の隙間を小さくすることができる。たとえば基板１１、１３としてセラミックスグリーンシートを用いる場合には、焼結により基板１１、１３はセラミックスグリーンシートの焼結体になる。セラミックスグリーンシートを焼結すると、たとえばアルミナとガラスの混合物であるセラミックス焼結体が得られる。なお、基板１１、１３は、セラミックス粉末を主成分とするセラミックスグリーンシートであってもよいが、セラミックスグリーンシートの焼結体であることが好ましい。
【００４９】
以上の工程を実施することにより、図１〜図３におけるキャパシタ内蔵基板１０ａを製造することができる。
【００５０】
なお、本発明は、上述した製造方法に限定されず、たとえば以下の方法により製造されてもよい。具体的には、まず、接地電位とするための導電層１２を準備する。導電層１２上に、導電層１２とは反対側の上面１３ａから導電層１２に達する貫通孔１３ｂを有する基板１３を形成する。次に、基板１３を焼結する。次に、貫通孔１３ｂの内部に導体１８を充填する。次に、第１の電極層１５上に誘電体１６を形成し、誘電体１６上に第２の電極層１７を形成し、焼結する。次に、基板１３の上面１３ａ上にキャパシタ１４を形成して、導電層１２とキャパシタ１４とを電気的に接続する。
【００５１】
また、本実施の形態では、キャパシタ内蔵基板１０ａは、基板１１、１３を備えているが、基板の枚数は特に限定されず、１枚であっても、３枚以上であってもよい。
【００５２】
以上説明したように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ａは、接地電位とするための導電層１２と、導電層１２上に形成され、導電層１２とは反対側の上面１３ａを有し、かつ上面１３ａから導電層１２に達する貫通孔１３ｂを有する基板１３と、基板１３の上面１３ａ上に形成されたキャパシタ１４と、貫通孔１３ｂの内部に充填され、導電層１２とキャパシタ１４とを電気的に接続する導体１８とを備えている。上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状の短手方向の寸法（短辺Ｌ１）が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法（短辺Ｌ１）に対する貫通孔１３ｂの深さＨの比（Ｈ／Ｌ１）が２／３以上であり、キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体１８の面積が０．０９ｍｍ2以上である。
【００５３】
また本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法は、基板１３に上面１３ａから下面１３ｃに達する貫通孔１３ｂを形成する工程と、貫通孔１３ｂの内部に導体１８を充填する工程と、基板１３の下面１３ｃから露出する導体１８と電気的に接続するように接地電位とするための導電層１２を形成する工程と、基板１３の上面１３ａから露出する導体１８と電気的に接続するようにキャパシタ１４を形成する工程とを備えている。貫通孔１３ｂを形成する工程では、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状の短手方向の寸法（短辺Ｌ１）が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法（短辺Ｌ１）に対する貫通孔１３ｂの深さＨの比（Ｈ／Ｌ１）が２／３以上になるように貫通孔１３ｂを形成する。導体１８を充填する工程では、キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体１８の面積が０．０９ｍｍ2以上になるように導体１８を充填する。
【００５４】
本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ａおよびキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法によれば、基板１３の貫通孔１３ｂを上記形状にすることで基板１３に形成できる形状の自由度が高くなるため、貫通孔１３ｂが円形ビアの場合よりも密に貫通孔１３ｂを形成できる。このため、この貫通孔１３ｂに導体１８を充填することで、少なくとも基板１３の上面１３ａにおける導体１８の面積を大きくすることができる。このように、導体１８の面積を大きくすることができると、高周波ノイズを遮断できる。本発明者は、導体１８の面積をどの程度大きくすれば高周波ノイズを効果的に遮断できるかについて鋭意研究した結果、導体１８の面積を０．０９ｍｍ2以上にすることにより、２０〜４０ＧＨｚでＳパラメータの通過パラメータが−２０ｄＢ以下を達成することができるという知見を得た。このため、貫通孔１３ｂの形状を上記形状として導体１８の面積を０．０９ｍｍ2以上にすることで、高周波のノイズを容易に遮断することができる。
【００５５】
なお、上記通過パラメータは、ネットワークアナライザにより測定した。また上記Ｓパラメータとは、高周波電子回路や高周波電子部品の特性を表すために使用される回路網パラメータの１つであり、回路網の通過・反射電力特性を示す。
【００５６】
ここで、円形ビアなどの従来の貫通孔の形状では、貫通孔１３ｂに導体１８を充填する際の導体１８（本実施の形態では導体ペースト）は非常に柔らかいので、自重による重力などの外力が加わると形状が容易に崩れてしまうため、導体１８の脱落が発生してしまうという問題があった。本発明者は、この問題に対して貫通孔１３ｂの側壁面で導体１８を保持することにより導体１８の脱落を抑制することに着目した。そして導体１８の脱落を抑制できる条件を鋭意研究した結果、貫通孔１３ｂの短手方向の寸法（短辺Ｌ１）が１５０μｍ以下で、短手方向の寸法（短辺Ｌ１）に対する深さＨの比（Ｈ／Ｌ１）を２／３以上にすることを見出した。この条件により、貫通孔１３ｂに充填された導体１８は短手方向の対向する側壁面で保持されるので、導体１８に自重による重力などの外力が加わっても、貫通孔１３ｂの対向する側壁面と導体１８との接着力により導体１８が貫通孔１３ｂから脱落することを抑制できる。
【００５７】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａおよびキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法において好ましくは、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの短手方向の寸法（短辺Ｌ１）に対する長手方向の寸法（長辺Ｌ２）が４以上である。これにより、０．０９ｍｍ2以上の十分な導体１８の面積を確保できる。
【００５８】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａおよびキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法において好ましくは、貫通孔１３ｂの深さＨは短手方向の寸法（短辺Ｌ１）の比（Ｈ／Ｌ１）が２／３以上で、２００μｍ以下である。本発明者は、貫通孔１３ｂから導体１８が脱落することを抑制でき、かつ高周波ノイズをより効果的に遮断できる条件を鋭意研究した結果、上記知見を見出した。２００μｍ以下にすることにより、２０〜４０ＧＨｚでＳパラメータの通過パラメータが−２０ｄＢ以下を確実に達成することができる。
【００５９】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａおよびキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法において好ましくは、開口形状の短手方向の寸法は、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状に対する仮想の外接矩形Ｃの短辺方向の最も大きい寸法（短辺Ｌ１）である。
【００６０】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａおよびキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法において好ましくは、開口形状の短手方向の寸法は、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状に沿って伸びる仮想線に対して直交する方向の最も大きい寸法（短辺Ｌ１）である。
【００６１】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａおよびキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法において好ましくは、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状が２つの帯状部が交差した十字形状であり、開口形状の短手方向の寸法は、それぞれの帯状部１３ｂ１、１３ｂ２の開口形状に沿って伸びる仮想線に対して直交する方向の最も大きい寸法（短辺Ｌ１）である。
【００６２】
貫通孔１３ｂの形状に応じて短手方向の寸法を上記のように規定（短辺Ｌ１に）することにより、短手方向の側壁で導体１８を保持できるので、導体１８の脱落を効果的に抑制することができる。
【００６３】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａにおいて好ましくは、基板１３は、セラミックス粉末を主成分とするセラミックスグリーンシートの焼結体である。
【００６４】
またキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法は、セラミックス粉末を主成分とする複数枚のセラミックスグリーンシートを準備する工程と、複数枚のセラミックスグリーンシートのうちの少なくとも１枚のセラミックスグリーンシートに上面１３ａから下面１３ｃに達する貫通孔１３ｂを形成する工程と、貫通孔１３ｂに導体１８を充填する工程と、複数枚のセラミックスグリーンシートのうちの少なくとも１枚の他のセラミックスグリーンシート上に、接地電位とするための導電層１２を形成する工程と、導電層１２上に貫通孔１３ｂが形成されたセラミックスグリーンシートを形成して、導体１８と導電層１２とを電気的に接続する工程と、セラミックスシートの上面１３ａ上にキャパシタ１４を形成する工程と、セラミックスグリーンシートおよびキャパシタ１４を焼結する工程とを備えている。貫通孔１３ｂを形成する工程では、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状の短手方向の寸法（短辺Ｌ１）が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法（短辺Ｌ１）に対する貫通孔１３ｂの深さＨの比（Ｈ／Ｌ１）が２／３以上になるように貫通孔１３ｂを形成する。導体１８を充填する工程では、キャパシタ１４から導電層１２まで最小の距離をなす方向に対して直交する方向の導体１８の面積が０．０９ｍｍ2以上になるように導体１８を充填する。
【００６５】
これにより、セラミックス粉末を主成分とするセラミックスグリーンシートの焼結体よりなる基板とキャパシタとの形成を同時に行うことができる。このため、簡略化した工程で容易にキャパシタ内蔵基板１０ａが得られる。
【００６６】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａおよびキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法において好ましくは、上記セラミックス粉末は、アルミナとガラスとの混合物である。これにより、セラミックスグリーンシートを容易に形成できる。
【００６７】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａおよびキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法において好ましくは、導体１８は、銀、銀とパラジウムとの混合物、金および銅からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質である。
【００６８】
これにより、導体１８に電気抵抗の小さい金属を用いることができるので、高周波ノイズを効果的に遮断でできる。
【００６９】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａにおいて好ましくは、キャパシタ１４は、第１の電極層１５と、第１の電極層１５上に形成された誘電体１６と、誘電体１６上に形成された第２の電極層１７とを含んでいる。誘電体１６は、チタン酸バリウム、およびチタン酸バリウムの一部をジリコニウムで置換したものの少なくとも一方を含んでいる。
【００７０】
上記キャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法において好ましくは、キャパシタ１４を形成する工程は、上面１３ａ上に第１の電極層１５を形成する工程と、第１の電極層１５上に誘電体１６を形成する工程と、誘電体１６上に第２の電極層１７を形成する工程とを含んでいる。誘電体は、チタン酸バリウム、およびチタン酸バリウムの一部をジリコニウムで置換したものの少なくとも一方を含んでいる。
【００７１】
これにより、比誘電率が数１００〜数１０００の高い静電特性を得るキャパシタ１４を備えたキャパシタ内蔵基板１０ａが実現できる。
【００７２】
（実施の形態２）
図１８は、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板を模式的に示す上面図である。図１９は、図１８における線分ＸＩＸ−ＸＩＸに沿った断面図である。なお、図１８において線分ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図は、図３と同様である。図３、１８および１９に示すように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｂは、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａと同様の構成を備えているが、貫通孔１３ｂおよび導体１８が基板１３の長手方向に沿って複数列形成されている点において異なる。
【００７３】
詳細には、３列の貫通孔１３ｂが互いに略平行に、基板１３の長手方向に沿って、上面１３ａに形成されている。隣り合う貫通孔１３ｂ間の距離は、それぞれの貫通孔１３ｂの形状を維持するために、たとえば３００μｍ程度であることが好ましい。
【００７４】
キャパシタ１４の第１の電極層１５が図１に示す実施の形態１のキャパシタ１４の第１の電極層１５よりも大きい。このため、第１の電極層１５と導電層１２とを結ぶ方向と直交する方向の貫通孔の面積を増加するために、貫通孔１３ｂが複数形成されている。言い換えると、貫通孔１３ｂは、キャパシタ１４と接触するように最密に形成されている。
【００７５】
複数の導体１８は互いに略平行に、複数の貫通孔１３ｂの内部に充填されている。隣り合う導体１８間の距離は、たとえば３００μｍ程度であることが好ましい。キャパシタ１４と導電層１２とを電気的に接続するための導体１８の面積は増加している。
【００７６】
なお、本実施の形態では、貫通孔１３ｂおよび導体１８は、基板１３の長手方向に沿って互いに平行に３列形成されているが、特にこれに限定されず、２列以上であってもよく、たとえば互いに平行でなくてもよい。
【００７７】
本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｂの製造方法は、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法と同様の構成を備えているが、基板１３の長手方向に沿って、複数の列の貫通孔１３ｂを形成する点、および、この複数の貫通孔１３ｂのそれぞれの内部に導体１８を充填する点において異なる。
【００７８】
以上説明したように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｂおよびキャパシタ内蔵基板１０ｂの製造方法は、内部に導体１８が充填された貫通孔１３ｂが最密になるように、キャパシタ１４の長手方向に沿って複数形成されている。
【００７９】
これにより、キャパシタ１４と導電層１２とを電気的に接続する導体１８の面積を増加することができるので、高周波ノイズをより容易に遮断することができる。
【００８０】
（実施の形態３）
図２０は、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板を模式的に示す上面図である。図２１は、図２０における線分ＸＸＩ−ＸＸＩに沿った断面図である。図２２は、図２０における線分ＸＸＩＩ−ＸＸＩＩに沿った断面図である。図２０〜図２２に示すように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｃは、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａと同様の構成を備えているが、貫通孔１３ｂおよび導体１８が基板１３の短手方向に沿って複数列形成されている点において異なる。
【００８１】
詳細には、７列の貫通孔１３ｂが互いに略平行に、基板の１３の短手方向に沿って、上面１３ａに形成されている。隣り合う貫通孔１３ｂの長手方向の寸法は、キャパシタ１４の第１の電極層１５の短手方向の寸法と略同一である。隣り合う貫通孔１３ｂ間の距離は、それぞれの貫通孔１３ｂの形状を維持するために、たとえば３００μｍ程度であることが好ましい。
【００８２】
複数の導体１８が互いに略平行に、基板の短手方向に沿って貫通孔１３ｂの内部に充填されている。隣り合う導体１８間の距離は、たとえば３００μｍ程度であることが好ましい。
【００８３】
なお、本実施の形態では、貫通孔１３ｂおよび導体１８は、基板１３の短手方向に沿って互いに平行に７列形成されているが、特にこれに限定されず、最密に配置できるように複数列形成されていることが好ましい。
【００８４】
本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｃの製造方法は、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法と同様の構成を備えているが、基板１３の短手方向に沿って、複数の列の貫通孔１３ｂを形成する点、および、この複数の貫通孔１３ｂのそれぞれの内部に導体１８を充填する点において異なる。
【００８５】
以上説明したように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｃおよびキャパシタ内蔵基板１０ｃの製造方法は、内部に導体１８が充填された貫通孔１３ｂが最密に配置されるように、キャパシタ１４の長手方向に沿って複数形成されている。
【００８６】
これにより、キャパシタ１４と導電層１２とを電気的に接続する導体１８の面積を増加することができるので、高周波ノイズをより容易に遮断することができる。
【００８７】
また、キャパシタ１４と基板１３とを同時に焼結する時に、それぞれの材料の収縮度合いが異なることに起因して基板１３に反りが生じる場合に、収縮度合いの大きい方向を材料毎に一定の角度をもってずらすことができる。このため、収縮度合いの大きい方向の重畳を防ぐことができるので、基板１３に生じる反りを緩和することができる。
【００８８】
なお、本発明において、貫通孔１３ｂの長手方向および短手方向と、キャパシタ１４の長手方向および短手方向とは、実施の形態１および２のように一致していてもよく、本実施の形態のように一致していなくてもよい。また貫通孔１３ｂおよび導体１８は互いに平行に形成されていなくてもよい。
【００８９】
（実施の形態４）
図２３は、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板においてキャパシタを省略した状態で上方から見たときの模式図である。なお、図２３においてキャパシタ１４が存在する領域には点線を施している。図２３に示すように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｄは、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａと同様の構成を備えているが、貫通孔１３ｂおよび導体１８が基板１３の長手方向から傾斜して複数列形成されている点において異なる。
【００９０】
詳細には、複数列の貫通孔１３ｂが互いに略平行に、基板の１３の長手方向から４５度程度傾斜した状態で、上面１３ａに形成されている。隣り合う貫通孔１３ｂの長手方向の長さは、キャパシタ１４の第１の電極層１５の長手方向から４５度程度傾斜している。
【００９１】
複数の導体１８が互いに略平行に、基板の短手方向に沿って貫通孔１３ｂの内部に充填されている。隣り合う貫通孔１３ｂ間および導体１８間の距離は、たとえばそれぞれ３００μｍ程度であることが好ましい。
【００９２】
本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｄの製造方法は、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法と同様の構成を備えているが、基板１３の長手方向から傾斜した複数の列の貫通孔１３ｂを形成する点、および、この複数の貫通孔１３ｂのそれぞれの内部に導体１８を充填する点において異なる。
【００９３】
以上説明したように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｄおよびキャパシタ内蔵基板１０ｄの製造方法は、キャパシタ１４の長手方向から所定の角度傾斜させて、内部に導体１８が充填された貫通孔が最密に複数形成されている。
【００９４】
これにより、キャパシタ１４と導電層１２とを電気的に接続する導体１８の面積を増加することができるので、高周波ノイズをより容易に遮断することができる。また、キャパシタ１４と基板１３とを同時に焼結する時に、それぞれの材料の収縮度合いが異なることに起因して基板１３に反りが生じる場合に、収縮度合いの大きい方向の重畳を防ぐことができるので、基板１３に生じる反りを緩和することができる。
【００９５】
（実施の形態５）
図２４は、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板においてキャパシタを省略した状態で上方から見たときの模式図である。なお、図２４においてキャパシタ１４が存在する領域には点線を施している。図２４に示すように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｅは、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａと同様の構成を備えているが、貫通孔１３ｂが基板１３の短手方向に沿って形成されている点、および貫通孔１３ｂと異なる形状の貫通孔１３ｄがさらに形成されている点において異なる。
【００９６】
詳細には、基板１３には素子２２がさらに形成されている。素子２２が配置されているため、貫通孔１３ｂをさらに配置することが困難であるが、それ以外の形状の貫通孔を形成することができる領域がある場合には、この領域に実施の形態１で説明した貫通孔１３ｂ以外の形状の貫通孔１３ｄがさらに形成されている。実施の形態１で説明したような形状を有する貫通孔１３ｂと異なる形状の貫通孔１３ｄは、たとえば円形ビアなどが挙げられる。貫通孔１３ｄは、キャパシタ１４と導電層１２とを連結する部分に、最密に配置するように形成されている。
【００９７】
各々の貫通孔１３ｂ、１３ｄの内部には、導体１８、２１が充填されている。隣り合う貫通孔１３ｂ、１３ｄ間および導体１８間の距離は、たとえばそれぞれ３００μｍ程度であることが好ましい。
【００９８】
本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｄの製造方法は、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法と同様の構成を備えているが、基板１３に素子２２を形成する工程をさらに備えている点、複数の貫通孔１３ｂを基板の短手方向に沿って形成する点、貫通孔１３ｂと異なる形状の貫通孔１３ｄをさらに形成する点、および、この貫通孔１３ｂ、１３ｄのそれぞれの内部に導体１８、２１を充填する点において異なる。
【００９９】
以上説明したように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｅおよびキャパシタ内蔵基板１０ｅの製造方法は、基板１３は、上面１３ａに形成され、かつ円形ビアなどの他の形状の貫通孔１３ｄをさらに有し、この貫通孔１３ｄのそれぞれの内部に充填された導体２１をさらに備えている。
【０１００】
このように貫通孔１３ｂ、１３ｄを混在させることができる場合には、このように本発明の貫通孔１３ｂと異なる形状の貫通孔１３ｄをさらに形成することにより、素子２２の配置に制限されることなく、キャパシタ１４の第１の電極層１５の面積を最大限利用することができる。このため、導体１８、２１の面積を増加することができるので、高周波のノイズをより容易に遮断することができる。
【０１０１】
（実施の形態６）
図２５は、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板においてキャパシタを省略した状態で上方から見たときの模式図である。なお、図２５においてキャパシタ１４が存在する領域には点線を施している。図２５に示すように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｆは、基本的には実施の形態１におけるキャパシタ内蔵基板１０ａと同様の構成を備えているが、貫通孔１３ｂが基板１３の短手方向に沿って形成されている点、および貫通孔１３ｂと異なる形状の貫通孔１３ｅがさらに形成されている点において異なる。
【０１０２】
詳細には、基板１３には素子２２がさらに形成されている。素子２２が配置されているため、貫通孔１３ｂをさらに配置することが困難であるが、それ以外の形状の貫通孔を形成することができる領域に、貫通孔１３ｅがさらに形成されている。この貫通孔１３ｅは、実施の形態１で説明した形状であって、貫通孔１３ｂとは異なる形状であってもよく、実施の形態１で説明した形状以外であってもよい。貫通孔１３ｅは、キャパシタ１４と導電層１２とを連結する部分に、最密に配置するように形成されている。
【０１０３】
各々の貫通孔１３ｂ、１３ｅの内部には、導体１８、２３が充填されている。隣り合う貫通孔１３ｂ、１３ｅ間および導体１８、２３間の距離は、たとえばそれぞれ３００μｍ程度であることが好ましい。
【０１０４】
本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｆの製造方法は、基本的には実施の形態１のキャパシタ内蔵基板１０ａの製造方法と同様の構成を備えているが、基板１３に素子２２を形成する工程をさらに備えている点、複数の貫通孔１３ｂを基板の短手方向に沿って形成する点、貫通孔１３ｂと異なる形状の複数の貫通孔１３ｄをさらに形成する点、および、この貫通孔１３ｂ、１３ｄのそれぞれの内部に導体１８、２１を充填する点において異なる。
【０１０５】
以上説明したように、本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板１０ｆおよびキャパシタ内蔵基板１０ｆの製造方法は、基板１３は、上面１３ａに形成され、かつ貫通孔１３ｂと異なる形状の複数の貫通孔１３ｅをさらに有し、この貫通孔１３ｄのそれぞれの内部に充填された導体２３をさらに備えている。
【０１０６】
このように貫通孔１３ｂ、１３ｅの内部に充填する導体１８、２３をキャパシタ１４と最密に接触するように配置することにより、素子２２が配置されていても、素子２２に制限されること無く、キャパシタ１４の第１の電極層１５の面積を最大限利用することができる。このため、導体１８、２１の面積を増加することができるので、高周波のノイズをより容易に遮断することができる。
【実施例】
【０１０７】
本実施例では、貫通孔の形状を、上面における貫通孔の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する貫通孔の深さが２／３以上にすることの効果について調べた。
【０１０８】
（本発明例１〜６）
本発明例１〜６のキャパシタ内蔵基板は、基本的には実施の形態１におけるキャパシタ内蔵基板の製造方法にしたがって製造した。
【０１０９】
具体的には、まず、アルミナおよびガラスよりなる２枚のグリーンシート（基板１１、１３に相当）を準備した。次に、１枚のグリーンシート（基板１３に相当）に上面１３ａから下面１３ｃに達する貫通孔１３ｂを１６０個形成した。上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状は、図４に示すように長方形にした。それぞれの長方形の短手方向の寸法（短辺Ｌ１）は、下記の表１〜表３に記載の通りであり、長方形の長手方向の寸法（長辺Ｌ２）は２．３ｍｍであった。このため、貫通孔１３ｂの開口形状の面積は０．３４５ｍｍ2以上であった。
【０１１０】
次に、貫通孔１３ｂに導体１８を充填した。充填方法は、貫通孔１３ｂを形成したセラミックスグリーンシートの下面１３ｃを樹脂シートで閉じ、樹脂シートから開放している上面１３ａから導体１８の材料である導体ペーストを充填し、下面１３ｃを閉じている樹脂シートを剥離した。導体ペーストとして、銀、セルロース樹脂および溶剤を混合したものを用い、本発明例１、２における導体ペーストのの粘度は１５０Ｐａ・ｓとし、本発明例３、４の導体ペーストの粘度は３７０Ｐａ・ｓとし、本発明例５、６の導体ペーストの粘度を８４０Ｐａ・ｓとした。
【０１１１】
次に、貫通孔を形成しなかったセラミックスグリーンシート（基板１３に相当）上に導電層１２を形成した。次いで、導電層１２上に、下面１３ｃから露出している導体１８が接触するように、貫通孔１３ｂの内部に導体１８が充填されたセラミックスシートを形成した。
【０１１２】
次に、導体１８と電気的に接続されるように基板１３の上面１３ａ上に、導体１８の材料である導体ペーストと同じ材料よりなる第１の電極層１５を形成した。その後、第１の電極層１５上に、チタン酸バリウムよりなる誘電体１６を形成した。その後、誘電体１６上に、導体１８の材料である導体ペーストと同じ材料よりなる第２の電極層１７を形成した。
【０１１３】
次に、基板１３およびキャパシタ１４を焼結した。以上の工程を実施することによって、本発明例１、２のキャパシタ内蔵基板を得た。
【０１１４】
（比較例１〜３０）
比較例１〜３０のキャパシタ内蔵基板は、基本的には本発明例１〜６と同様に製造したが、基板１３の上面１３ａに形成した貫通孔１３ｂの形状を下記の表１〜表３に記載の通りにし、かつ導体ペーストの粘度を下記の表１〜表３に記載の通りにした。
【０１１５】
（測定方法）
本発明例１〜６および比較例１〜３０のキャパシタ内蔵基板において、貫通孔１３ｂに導体１８の材料である導体ペーストを充填する際に、セラミックスシートの下面１３ｃから樹脂シートを剥離したとき、樹脂シートから導体ペーストが引きつられて貫通孔１３ｂの内部から脱落するか否かを目視により確認した。１６０個の貫通孔１３ｂのうち導体ペーストが脱落しなかった確率を算出し、その結果を下記の表１〜表３に示す。
【０１１６】
【表１】
2009188180.tif 000003
【０１１７】
【表２】
2009188180.tif 000004
【０１１８】
【表３】
2009188180.tif 000005
【０１１９】
（測定結果）
表１〜表３に示すように、上面１３ａにおける貫通孔１３ｂの開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下で、短手方向の寸法に対する貫通孔の深さが２／３以上である本発明例１〜６は、導体ペーストの粘度によらず導体ペーストの脱落を８１％以上の確率で抑制できることがわかった。
【０１２０】
一方、貫通孔１３ｂの短手方向の寸法が１５０μｍであっても、短手方向の寸法に対する貫通孔の深さＨが１／３である比較例１、１１、２１では、比較例２１のように８４０Ｐａ・ｓの非常に高い粘度の導体ペーストを充填する場合には導体ペーストの脱落を抑制できたが、比較例１１のように３７０Ｐａ・ｓの粘度の導体ペーストを充填する場合には３８％の抑制に留まり、比較例１のように１５０Ｐａ・ｓのように低い粘度の導体ペーストを充填する場合にはすべて脱落した。
【０１２１】
また貫通孔１３ｂの短手方向の寸法が３００μｍで、短手方向の寸法に対する貫通孔の深さが２／３の比較例４、１４、２４では、比較例１４、２４のように３７０Ｐａ・ｓ以上と粘度が高い場合には導体ペーストの脱落を抑制できるものの、比較例４のように粘度が１５０Ｐａ・ｓの場合にはすべての導体ペーストが脱落した。
【０１２２】
また、貫通孔１３ｂの短手方向の寸法が３００μｍ以上で、短手方向の寸法に対する貫通孔の深さＨが１／３以下の比較例２、３、５〜１０、１２、１３、１５〜２０、２２、２３、２５〜３０については、導体ペーストの粘度によらずすべての導体ペーストが脱落した。
【０１２３】
以上より、本実施例によれば、上面における貫通孔の開口形状の短手方向の寸法が１５０μｍ以下であり、かつ短手方向の寸法に対する貫通孔の深さの比が２／３以上になるように貫通孔を形成することによって、導体ペーストの粘度によらず導体ペーストの脱落を抑制することができることを確認した。
【０１２４】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本実施の形態におけるキャパシタ内蔵基板を模式的に示す上面図である。
【図２】図１における線分ＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図３】線分ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における基板の上面の貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１の変形例における貫通孔の開口形状を模式的に示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２におけるキャパシタ内蔵基板を模式的に示す上面図である。
【図１９】図１８における線分ＸＩＸ−ＸＩＸに沿った断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態３におけるキャパシタ内蔵基板を模式的に示す上面図である。
【図２１】図２０における線分ＸＸＩ−ＸＸＩに沿った断面図である。
【図２２】図２０における線分ＸＸＩＩ−ＸＸＩＩに沿った断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態４におけるキャパシタ内蔵基板においてキャパシタを省略した状態で上方から見たときの模式図である。
【図２４】本発明の実施の形態５におけるキャパシタ内蔵基板においてキャパシタを省略した状態で上方から見たときの模式図である。
【図２５】本発明の実施の形態６におけるキャパシタ内蔵基板においてキャパシタを省略した状態で上方から見たときの模式図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ  キャパシタ内蔵基板、１１，１３  基板、１２  導電層、１３ａ  上面、１３ｂ，１３ｄ，１３ｅ  貫通孔、１３ｂ１，１３ｂ２  帯状部、１３ｃ  下面、１４  キャパシタ、１５  第１の電極層、１６  誘電体、１７  第２の電極層、１８，２１，２３  導体、２２  素子、Ｌ１  短辺、Ｌ２  長辺、Ｃ  外接矩形、Ｉ  内接矩形。
【図１】
2009188180.tif 000006
【図２】
2009188180.tif 000007
【図３】
2009188180.tif 000008
【図４】
2009188180.tif 000009
【図５】
2009188180.tif 000010
【図６】
2009188180.tif 000011
【図７】
2009188180.tif 000012
【図８】
2009188180.tif 000013
【図９】
2009188180.tif 000014
【図１０】
2009188180.tif 000015
【図１１】
2009188180.tif 000016
【図１２】
2009188180.tif 000017
【図１３】
2009188180.tif 000018
【図１４】
2009188180.tif 000019
【図１５】
2009188180.tif 000020
【図１６】
2009188180.tif 000021
【図１７】
2009188180.tif 000022
【図１８】
2009188180.tif 000023
【図１９】
2009188180.tif 000024
【図２０】
2009188180.tif 000025
【図２１】
2009188180.tif 000026
【図２２】
2009188180.tif 000027
【図２３】
2009188180.tif 000028
【図２４】
2009188180.tif 000029
【図２５】
2009188180.tif 000030