(57)【要約】【課題】切断歩留りの低下を抑制することが可能なモジュールの製造方法を提供する。【解決手段】このモジュールの製造方法は、切断線１０２で囲まれた複数の実装領域１０３を上面に有する配線基板１０１の実装領域１０３上に、それぞれ、電子部品１０を実装する工程と、切断線１０２に沿って配線基板１０１を切断する工程と、電子部品１０を封止するとともに、切断された配線基板１０１の上面と側面の少なくとも一部とを覆うように封止樹脂層１２０を形成する工程と、切断された配線基板１０１の切断部分（切断線１０２）に沿って封止樹脂層１２０を切断する工程とを備えている。【選択図】図１０
2009117450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断線で囲まれた複数の実装領域を上面に有するセラミックス基板の前記実装領域上に、それぞれ、電子部品を実装する工程と、
切断線に沿って前記基板を切断する工程と、
前記電子部品を封止するとともに、前記切断されたセラミックス基板の上面と側面の少なくとも一部とを覆うように封止樹脂層を形成する工程と、
前記切断されたセラミックス基板の切断部分に沿って前記封止樹脂層を切断する工程とを備えることを特徴とする、モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記電子部品を実装する工程に先だって、前記セラミックス基板を支持部材上に固定する工程をさらに備え、
前記セラミックス基板を切断する工程は、ダイシングソーを用いて、前記セラミックス基板の厚み方向に前記セラミックス基板の表面から前記支持部材の途中の深さまで、前記セラミックス基板と前記支持部材の一部とを切削する工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載のモジュールの製造方法。
【請求項３】
前記セラミックス基板を切断する工程は、第１の切断幅で前記セラミックス基板を切断する工程を含み、
前記封止樹脂層を切断する工程は、前記第１の切断幅よりも狭い第２の切断幅で前記封止樹脂層を切断する工程を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のモジュールの製造方法。
【請求項４】
前記セラミックス基板を切断する工程は、第１の切断幅で前記セラミックス基板を切断する工程を含み、
前記封止樹脂層を切断する工程は、前記第１の切断幅と同等以上の第２の切断幅で前記封止樹脂層を切断する工程を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のモジュールの製造方法。
【請求項５】
前記電子部品を実装する工程は、前記複数の実装領域の各々に、前記電子部品を複数実装する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記複数の電子部品は、少なくとも、半導体集積回路素子、抵抗素子、インダクタ素子、および、コンデンサ素子のいずれかを含むことを特徴とする、請求項５に記載のモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記セラミックス基板は、セラミックス多層基板から構成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記封止樹脂層は、エポキシ系の樹脂材料から構成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
【請求項９】
配線層が形成されたセラミックス基板と、
前記基板部の上面上に実装された電子部品と、
前記電子部品を封止するように前記セラミックス基板の上面を覆うとともに、前記セラミックス基板の側面の少なくとも一部を覆う封止樹脂層とを備えることを特徴とする、モジュール。
【請求項１０】
前記セラミックス基板の上面上には、前記電子部品が複数実装されており、
前記複数の電子部品は、前記配線層を介して互いに電気的に接続されることにより、集積回路として機能するように構成されていることを特徴とする、請求項９に記載のモジュール。
【請求項１１】
前記複数の電子部品は、少なくとも、半導体集積回路素子、抵抗素子、インダクタ素子、および、コンデンサ素子のいずれかを含むことを特徴とする、請求項１０に記載のモジュール。
【請求項１２】
前記セラミックス基板は、セラミックス多層基板から構成されていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか１項に記載のモジュール。
【請求項１３】
前記封止樹脂層は、エポキシ系の樹脂材料から構成されていることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか１項に記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品が実装されたモジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、抵抗やコンデンサなどの電子部品が実装され、一種の集積回路として利用されるモジュール基板（モジュール）が知られている。このようなモジュール基板は、他の半導体装置などとともに配線基板に実装されて電子機器に搭載されている。また、近年、電子機器の軽量化に伴い、それに用いられるモジュール基板の小型化が要求されている。このため、モジュール基板の製造方法においては、小さいサイズでの取り扱いの良さなどの観点から、従来、同一基板上に複数個のモジュールを形成した後、モジュール毎に分割して一度に複数個のモジュール基板を得る方法が用いられている。
【０００３】
上記したモジュール基板の具体的な製造方法としては、まず、所定の配線パターンが複数形成された基板上に、各々の配線パターンに対応するように電子部品を実装する。次に、実装した電子部品を封止するように基板上面のほぼ全面を封止樹脂層でコーティングする。そして、ダイシングソーを用いて封止樹脂層および基板を切断することにより、封止樹脂層が形成された基板をモジュール毎に分割する。これにより、複数個のモジュール基板が得られる。このようなモジュール基板（モジュール）の製造方法は、たとえば、特許文献１に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１６４６５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した従来の製造方法では、基板上面を封止樹脂層でコーティングした際に、封止樹脂層の硬化時の収縮または膨張などに起因して、基板に反りが発生するおそれがある。このため、基板に反りが発生した場合には、その後の切断工程において、モジュール毎の切断がし難くなるという不都合がある。これにより、切断歩留りが低下するという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、切断歩留りの低下を抑制することが可能なモジュールの製造方法を提供することである。
【０００７】
この発明の他の目的は、良好な切断面を有するとともに、セラミックス基板の反りが抑制されたモジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面によるモジュールの製造方法は、切断線で囲まれた複数の実装領域を上面に有するセラミックス基板の実装領域上に、それぞれ、電子部品を実装する工程と、切断線に沿ってセラミックス基板を切断する工程と、電子部品を封止するとともに、切断されたセラミックス基板の上面と側面の少なくとも一部とを覆うように封止樹脂層を形成する工程と、切断されたセラミックス基板の切断部分に沿って封止樹脂層を切断する工程とを備えている。
【０００９】
この第１の局面によるモジュールの製造方法では、上記のように、セラミックス基板の実装領域上に電子部品を実装するとともに、切断線に沿ってセラミックス基板を切断し、その後、切断されたセラミックス基板の上面と側面の少なくとも一部とを覆うように封止樹脂層を形成することによって、封止樹脂層が硬化する際に、封止樹脂層の収縮（または、膨張）などに起因してセラミックス基板に応力が加わったとしても、その応力に起因する反りを切断されたセラミックス基板毎に分散することができるので、セラミックス基板全体の反りを低減することができる。このため、切断されたセラミックス基板の切断部分に沿って封止樹脂層を切断する際に、容易に、封止樹脂層を切断することができるので、切断歩留りの低下を抑制することができる。なお、上記した製造方法を用いることによって、モジュールの小型化を図ることができる。
【００１０】
上記第１の局面によるモジュールの製造方法において、好ましくは、電子部品を実装する工程に先だって、セラミックス基板を支持部材上に固定する工程をさらに備え、セラミックス基板を切断する工程は、ダイシングソーを用いて、セラミックス基板の厚み方向にセラミックス基板の表面から支持部材の途中の深さまで、セラミックス基板と支持部材の一部とを切削する工程を含む。このように構成すれば、支持部材が分割するのを抑制することができるので、封止樹脂層で電子部品を封止する前にセラミックス基板を切断したとしても、切断されたセラミックス基板が分散するのを抑制することができる。このため、セラミックス基板を切断した後に、切断されたセラミックス基板の上面および側面を覆うように封止樹脂層を容易に形成することができる。
【００１１】
上記第１の局面によるモジュールの製造方法において、セラミックス基板を切断する工程は、第１の切断幅でセラミックス基板を切断する工程を含み、封止樹脂層を切断する工程は、第１の切断幅よりも狭い第２の切断幅で封止樹脂層を切断する工程を含むように構成してもよい。
【００１２】
上記第１の局面によるモジュールの製造方法において、セラミックス基板を切断する工程は、第１の切断幅でセラミックス基板を切断する工程を含み、封止樹脂層を切断する工程は、第１の切断幅と同等以上の第２の切断幅で封止樹脂層を切断する工程を含むように構成してもよい。
【００１３】
上記第１の局面によるモジュールの製造方法において、好ましくは、電子部品を実装する工程は、複数の実装領域の各々に、電子部品を複数実装する工程を含む。このように構成すれば、切断歩留りの低下を抑制しながら、高機能なモジュールを得ることができる。
【００１４】
この場合において、複数の電子部品は、少なくとも、半導体集積回路素子、抵抗素子、インダクタ素子、および、コンデンサ素子のいずれかを含むように構成することができる。
【００１５】
上記第１の局面によるモジュールの製造方法において、好ましくは、セラミックス基板は、セラミックス多層基板から構成されている。このように構成すれば、切断歩留りの低下を抑制することが可能であることに加えて、高周波数集積回路素子を実装した際に、良好な素子特性を得ることができる。
【００１６】
上記第１の局面によるモジュールの製造方法において、封止樹脂層は、エポキシ系の樹脂材料から構成されているのが好ましい。
【００１７】
この発明の第２の局面によるモジュールは、配線層が形成されたセラミックス基板と、セラミックス基板の上面上に実装された電子部品と、電子部品を封止するようにセラミックス基板の上面を覆うとともに、セラミックス基板の側面の少なくとも一部を覆う封止樹脂層とを備えている。
【００１８】
この第２の局面によるモジュールは、上記した第１の局面によるモジュールの製造方法を用いて製造することができるので、セラミックス基板の反りを抑制することができるとともに、良好な切断面を得ることができる。なお、上記した構成では、封止樹脂層は、電子部品を封止するようにセラミックス基板の上面を覆うとともに、セラミックス基板の側面の少なくとも一部を覆うように形成されているので、封止樹脂層の剥離を効果的に抑制することもできる。
【００１９】
上記第２の局面によるモジュールにおいて、好ましくは、セラミックス基板の上面上には、電子部品が複数実装されており、これら複数の電子部品は、配線層を介して互いに電気的に接続されることにより、集積回路として機能するように構成されている。このように構成すれば、セラミックス基板の反りを抑制することができるとともに、良好な切断面を得ることができ、かつ、モジュールの高機能化を図ることができる。
【００２０】
この場合において、複数の電子部品は、少なくとも、半導体集積回路素子、抵抗素子、インダクタ素子、および、コンデンサ素子のいずれかを含むように構成することができる。
【００２１】
上記第２の局面によるモジュールにおいて、好ましくは、セラミックス基板は、セラミックス多層基板から構成されている。このように構成すれば、上記した効果に加えて、高周波数集積回路素子を実装した際に、良好な素子特性を得ることができる。
【００２２】
上記第２の局面によるモジュールにおいて、封止樹脂層は、エポキシ系の樹脂材料から構成されているのが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明によれば、切断歩留りの低下を抑制することが可能なモジュールの製造方法を容易に得ることができる。
【００２４】
また、本発明によれば、良好な切断面を有するとともに、セラミックス基板の反りが抑制されたモジュールを容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態によるモジュールを一部透視して示した全体斜視図である。図２は、本発明の第１実施形態によるモジュールの封止樹脂層を省略して示した平面図である。図３は、本発明の第１実施形態によるモジュールの一部を透視して示した断面斜視図である。まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態によるモジュールの構造について説明する。
【００２７】
第１実施形態によるモジュールは、図１および図２に示すように、配線基板１の上面上に複数の電子部品１０が実装され、その電子部品１０を保護する封止樹脂層２０が配線基板１の上面上に形成された構造を有している。
【００２８】
また、配線基板１は、図３に示すように、複数のセラミックス絶縁層２が積層されたセラミックス多層基板から構成されている。このセラミックス絶縁層２の表面上には、所定の配線パターンに形成されたＡｇ（銀）やＣｕ（銅）などからなる配線層（導体）３が設けられている。そして、上層側の配線層３と下層側の配線層３とは、所定の位置において、ヴィアホール４を介して互いに電気的に接続されている。また、配線基板１の表面（上面）上には、実装される電子部品１０と電気的に接続される表面配線層（表面導体）３ａ（３）が形成されている。一方、配線基板１の裏面（下面）上には、外部との接続電極となる端子電極３ｂ（３）が形成されている。また、表面配線層３ａおよび端子電極３ｂの表面には、Ａｕ（金）メッキ処理などが施されている。なお、配線基板１は、本発明の「セラミックス基板」の一例である。
【００２９】
配線基板１上に実装される複数の電子部品１０は、フリップチップＩＣ１１やベアチップＩＣ１２などの半導体集積回路素子、および、抵抗素子、インダクタ素子、コンデンサ素子などの受動素子１３等を含んでいる。これらの電子部品１０は、配線基板１上の所定領域に実装されることによって、配線層３およびヴィアホール４を介して互いに電気的に接続されている。これにより、上記した複数の電子部品１０によって一種の集積回路が構成されている。また、集積回路を構成する電子部品１０は、配線層３およびヴィアホール４を介して、配線基板１の裏面上に形成された端子電極３ｂと電気的に接続されている。なお、図１〜図３に示すように、フリップチップＩＣ１１は、表面配線層３ａ上にフリップチップ実装されているとともに、ベアチップＩＣ１２は、ボンディングワイヤ１４を介して表面配線層３ａと電気的に接続されている。また、受動素子１３は、半田層１５を介して表面配線層３ａと電気的に接続されている。
【００３０】
また、封止樹脂層２０は、たとえば、エポキシ樹脂系の熱硬化性樹脂によって構成されている。この封止樹脂層２０は、電子部品１０や表面配線層３ａを樹脂封止することにより、電子部品１０や表面配線層３ａを保護する機能を有している。
【００３１】
図４〜図１０は、本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための図である。なお、図５および図７〜図１０については、図面を簡略化するために、構成部材の一部を省略して記載している。次に、図１および図４〜図１０を参照して、本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法について説明する。
【００３２】
まず、図４に示すような配線基板１０１を用意する。この配線基板１０１は、Ｘ方向に沿った切断線１０２（１０２ｘ）とＸ方向に直交するＹ方向に沿った切断線１０２（１０２ｙ）とによって囲まれた複数の実装領域１０３を上面に有している。なお、上記した配線基板１０１は、切断線１０２に囲まれた実装領域１０３部分と対応している。すなわち、切断線１０２に沿って配線基板１０１を切断することにより実装領域１０３毎に分割した際に、上記したセラミックス多層基板からなる複数の配線基板１（図１参照）が得られる。
【００３３】
次に、図５に示すように、この配線基板１０１を所定の厚みを有するフィルム部材１３０上に固定する。そして、図６および図７に示すように、配線基板１０１の実装領域１０３の各々に、電子部品１０を複数実装する。その際、複数の電子部品１０の各々は、半田層１５やボンディングワイヤ１４などを介して、配線基板１０１の表面配線層３ａ（図４参照）と電気的に接続する。なお、配線基板１０１は、本発明の「セラミックス基板」および「セラミックス多層基板」の一例であり、フィルム部材１３０は、本発明の「支持部材」の一例である。
【００３４】
ここで、第１実施形態では、図８に示すように、配線基板１０１上に後述する封止樹脂層１２０を形成する前に、ダイシングソー１４０を用いて切断線１０２に沿って配線基板１０１を切断しておく。この際、配線基板１０１が固定されているフィルム部材１３０を切断（分割）しないために、ダイシングソー１４０は、配線基板１０１の厚み方向にフィルム部材１３０の途中の深さまで切り込んだ状態を保持する。これにより、配線基板１０１は、フィルム部材１３０に固定された状態で実装領域１０３毎に分割される。また、配線基板１０１が切断された後の状態は、上記した配線基板１が格子状に配列された状態となる。
【００３５】
また、第１実施形態では、ダイシングソー１４０による配線基板１０１の切断は、切断後において互いに隣り合う配線基板１間の間隔が距離ｗ１となるように、所定の切断幅（第１の切断幅）ｗ１で行う。
【００３６】
続いて、図９に示すように、切断された配線基板１０１の上面および側面を覆うように、エポキシ系の熱硬化性樹脂からなる封止樹脂層１２０を全面に形成（コーティング）し、所定の温度に加熱することによって、封止樹脂層１２０を硬化させる。これにより、封止樹脂層１２０によって、電子部品１０および表面配線層３ａが樹脂封止される。
【００３７】
その後、図１０に示すように、ダイシングソー１５０を用いて、切断された配線基板１０１の切断部分（切断線１０２）に沿って封止樹脂層１２０を切断する。この際、ダイシングソー１５０は、配線基板１０１の厚み方向にフィルム部材１３０の途中の深さまで切り込んだ状態を保持する。また、ダイシングソー１５０による封止樹脂層１２０の切断は、配線基板１０１の切断部分の切断幅（第１の切断幅）ｗ１よりも大きい切断幅（第２の切断幅）ｗ２で行う。このため、封止樹脂層１２０の切断時に配線基板１０１（１）の側面の一部が切削されて、封止樹脂層１２０が配線基板１０１（１）の上面上にのみ形成された状態で個片化される。なお、個片化された封止樹脂層１２０は、上記した封止樹脂層２０（図１参照）となる。
【００３８】
このようにして、図１に示した本発明の第１実施形態によるモジュールが製造される。
【００３９】
第１実施形態によるモジュールの製造方法では、上記のように、配線基板１０１の実装領域１０３上に電子部品１０を実装するとともに、切断線１０２に沿って配線基板１０１を切断し、その後、配線基板１０１の上面と側面とを覆うように封止樹脂層１２０を形成することによって、封止樹脂層１２０が硬化する際に配線基板１０１の熱膨張率と封止樹脂層１２０の収縮率との差に起因して配線基板１０１に応力が加わったとしても、その応力に起因する反りを切断された配線基板１０１（１）毎に分散することができるので、配線基板１０１全体の反りを低減することができる。このため、後の工程である配線基板１０１の切断部分（切断線１０２）に沿って封止樹脂層１２０を切断する工程において、容易に、封止樹脂層１２０を切断することができるので、切断歩留りの低下を抑制することができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、ダイシングソー１４０を用いて配線基板１０１を切断する際に、ダイシングソー１４０をフィルム部材１３０の途中の深さまで切り込んだ状態を保持することによって、フィルム部材１３０が分割するのを抑制することができるので、封止樹脂層１２０で電子部品１０を封止する前に配線基板１０１を切断したとしても、切断された配線基板１０１が分散するのを抑制することができる。このため、配線基板１０１を切断した後に、配線基板１０１の上面および側面を覆うように封止樹脂層１２０を容易に形成することができる。
【００４１】
また、第１実施形態では、上記した製造方法を用いてモジュールを製造することによって、良好な切断面を有するとともに、配線基板１の反りが抑制されたモジュールを容易に得ることができる。
【００４２】
また、第１実施形態では、モジュールの配線基板１をセラミックス多層基板から構成することによって、切断歩留りの低下を抑制することが可能であることに加えて、高周波数集積回路素子を実装した際に、良好な素子特性を得ることができる。
【００４３】
（第２実施形態）
図１１は、本発明の第２実施形態によるモジュールを一部透視して示した全体斜視図である。図１２は、図１１の２００−２００線に沿った断面図である。次に、図１１および図１２を参照して、本発明の第２実施形態によるモジュールの構造について説明する。
【００４４】
この第２実施形態によるモジュールでは、図１１および図１２に示すように、上記した第１実施形態の構成において、封止樹脂層２２０が配線基板１の側面をも覆うように形成されている。
【００４５】
第２実施形態では、上記のように、封止樹脂層２２０を、電子部品１０を封止するように配線基板１の上面を覆うとともに、配線基板１の側面をも覆うように形成することによって、封止樹脂層２２０の剥離を効果的に抑制することができる。
【００４６】
なお、第２実施形態によるモジュールのその他の構成および効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００４７】
図１３〜図１６は、本発明の第２実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。なお、図１３〜図１６については、図面を簡略化するために、構成部材の一部を省略して記載している。続いて、図４〜図７、図１１および図１３〜図１６を参照して、本発明の第２実施形態によるモジュールの製造方法について説明する。
【００４８】
まず、図４〜図７に示した第１実施形態と同様の製造方法を用いて、配線基板１０１をフィルム部材１３０上に固定するとともに、配線基板１０１の上面上に電子部品１０を実装する。
【００４９】
次に、図１３に示すように、ダイシングソー２４０を用いて切断線１０２に沿って配線基板１０１を切断する。この際、配線基板１０１が固定されているフィルム部材１３０を切断しないために、ダイシングソー２４０は、配線基板１０１の厚み方向にフィルム部材１３０の途中の深さまで切り込んだ状態を保持する。これにより、配線基板１０１は、フィルム部材１３０に固定された状態で実装領域１０３毎に分割される。また、上記第１実施形態と同様、配線基板１０１が切断された後の状態は、上記した配線基板１が格子状に配列された状態となる。
【００５０】
また、ダイシングソー２４０による配線基板１０１の切断は、互いに隣り合う配線基板１間の間隔が距離ｗ１１となるように、所定の切断幅（第１の切断幅）ｗ１１で行う。
【００５１】
続いて、図１４に示すように、切断された配線基板１０１の上面および側面を覆うように、エポキシ系の熱硬化性樹脂からなる封止樹脂層１２０を全面に形成し、封止樹脂層１２０を硬化させる。これにより、封止樹脂層１２０によって、電子部品１０が樹脂封止される。
【００５２】
その後、図１５に示すように、ダイシングソー２５０を用いて、切断された配線基板１０１の切断部分（切断線１０２）に沿って封止樹脂層１２０を切断する。この際、ダイシングソー２５０は、配線基板１０１の厚み方向にフィルム部材１３０の途中の深さまで切り込んだ状態を保持する。また、図１６に示すように、ダイシングソー２５０による封止樹脂層１２０の切断は、配線基板１０１の切断部分の切断幅（第１の切断幅）ｗ１１よりも小さい切断幅（第２の切断幅）ｗ１２で行う。これにより、封止樹脂層１２０とともに配線基板１０１が個片化されるとともに、配線基板１０１（１）の側面が封止樹脂層１２０（２２０）で覆われた状態となる。なお、個片化された封止樹脂層１２０は、上記した封止樹脂層２２０（図１１参照）となる。
【００５３】
このようにして、図１１に示した本発明の第２実施形態によるモジュールが製造される。
【００５４】
第２実施形態によるモジュールの製造方法の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５５】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５６】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、配線基板にセラミックス多層基板を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、セラミックス多層基板以外のセラミックス基板を用いてもよい。たとえば、片面基板や両面基板を用いてもよい。
【００５７】
また、上記第１および第２実施形態では、支持部材の一例としてフィルム部材を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、フィルム部材以外の支持部材を用いてもよい。
【００５８】
また、上記第１および第２実施形態では、エポキシ系の熱硬化性樹脂からなる封止樹脂層を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、エポキシ系以外の樹脂材料からなる封止樹脂層を用いてもよい。
【００５９】
また、上記第１および第２実施形態では、ダイシングソーを用いて、配線基板および封止樹脂層を切断した例を示したが、本発明はこれに限らず、配線基板および封止樹脂層の切断は、ダイシングソー以外の例えばレーザ加工法を用いて行ってもよい。
【００６０】
また、上記第１および第２実施形態では、配線基板上に、電子部品として、フリップチップＩＣやベアチップＩＣなどの半導体集積回路素子、および、抵抗素子、インダクタ素子、コンデンサ素子などの受動素子を実装した例を示したが、本発明はこれに限らず、配線基板上にトランジスタなどの能動素子が実装されていてもよい。
【００６１】
また、上記第１および第２実施形態では、モジュールの製造方法において、配線基板をフィルム部材に固定した後に、その配線基板上に電子部品を実装するように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、配線基板上に電子部品を実装した後、その配線基板をフィルム部材に固定するように構成してもよい。
【００６２】
また、上記第１実施形態では、配線基板の切断幅（第１の切断幅）よりも大きい切断幅（第２の切断幅）で封止樹脂層を切断するように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、第１の切断幅と第２の切断幅とは同じであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１実施形態によるモジュールを一部透視して示した全体斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるモジュールの封止樹脂層を省略して示した平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態によるモジュールの一部を透視して示した断面斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図７】本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態によるモジュールを一部透視して示した全体斜視図である。
【図１２】図１２は、図１１の２００−２００線に沿った断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の第２実施形態によるモジュールの製造方法を説明するための一部を拡大して示した断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１                                          配線基板（セラミックス基板）
２                                          セラミックス絶縁層
３                                          配線層
３ｂ                                        端子電極
３ａ                                        表面配線層
４                                          ヴィアホール
１０                                        電子部品
１１                                        フリップチップＩＣ（電子部品）
１２                                        ベアチップＩＣ（電子部品）
１３                                        受動素子（電子部品）
１４                                        ボンディングワイヤ
１５                                        半田層
２０、１２０、２２０                        封止樹脂層
１０１                                      配線基板（セラミックス基板、
セラミックス多層基板）
１０２、１０２ｘ、１０２ｙ                  切断線
１０３                                      実装領域
１３０                                      フィルム部材（支持部材）
１４０、１５０、２４０、２５０              ダイシングソー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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