(57)【要約】【課題】サブ画素直下の絶縁膜の膜厚をなるべく厚く保って寄生容量の低減を図りつつ、接続電極の断線発生率を低減した液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、互いに離間した複数のサブピクセル１・２を有する絵素電極と、サブピクセル１・２よりも幅が狭く、隣接するサブピクセル１・２を電気的に接続する接続電極４と、サブピクセル１・２の直下に設けられた第１の層間絶縁膜１２と、接続電極４の直下に設けられた第２の層間絶縁膜１３と、を備えた液晶表示装置であって、第１層間絶縁膜の最大膜厚をＡ、第２層間絶縁膜の膜厚をＢとしたとき、２．５≦Ａ、かつ、Ｂ＜２．５μｍの関係を満たしている。【選択図】図１
2009020300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに離間した複数のサブ画素を有する画素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、
上記第１の層間絶縁膜の最大膜厚をＡ、上記第２の層間絶縁膜の膜厚をＢとしたとき、
２．５≦Ａ、かつ、Ｂ＜２．５μｍの関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
上記接続電極の下層には、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、少なくともいずれか２層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
互いに離間した複数のサブ画素を有する絵素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、
上記接続電極の下層には、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、少なくともいずれか２層が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
互いに離間した複数のサブ画素を有する絵素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、
上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
上記第１の層間絶縁膜および上記第２の層間絶縁膜は、アクリル系樹脂から成っていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のサブ画素を有する液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６は、特許文献１に記載のＴＦＴアレイ基板の平面構造であり、図７は、図６のｂ−ｂ’断面図である。
【０００３】
図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板上にデータ線５０と走査線５１との交差部に対応してＴＦＴ５２と画素電極５３が複数形成され、画素電極５３がマトリクス状に設けられている。ここで、画素電極５３は複数の島状のサブピクセル（５４、５５、５６）で構成され、各サブピクセル（５４、５５、５６）は、この順に配置され、電気的に接続されている。
【０００４】
ここで、サブピクセル５４とサブピクセル５６は、透明電極で形成されており、透過表示領域Ｔとされている。一方、サブピクセル５４とサブピクセル５６との間に配置されている、サブピクセル５５は反射性を有する金属によって形成された反射電極となっている（反射領域Ｒ）。これにより、液晶表示装置を実現している。
【０００５】
画素電極５３とＴＦＴ５２との電気的な接続は、ドレイン領域から導出された配線部６０とコンタクトホール６１とを介して傾斜面を備えた傾斜領域Ｓに配置されるサブピクセルの接続部６２において実現されている。配線部６０は、平面的に透過表示領域Ｔに配置されたサブピクセル５６の略中心を縫って配線されている。さらに、配線部６０は、接続部６２の下まで配線されている。また、配線部６０は、傾斜面を備えた傾斜領域Ｓにおいて、画素電極５３のサブピクセルの接続部とコンタクトホール６１を介して電気的に接続されている。
【０００６】
つまり、特許文献１には、複数のサブピクセル（５４、５５、５６）を持ち、これらのサブピクセル（５４、５５、５６）の接続部６２下に導電膜（配線部６０）が存在する構成が開示されており、液晶表示装置において、明るくコントラストが高く、さらには広視野角の表示を得ることを課題としている。
【０００７】
図８は、従来の一般的なサブピクセルの平面図であり、図９は、図８のｃ−ｃ’断面図である。
【０００８】
図８に示すように、液晶表示装置の画素部には、サブピクセル７１・７２・７３が一列にこの順に並んで配置されており、サブピクセル７１とサブピクセル７２とは、接続電極７４にて電気的に接続されており、サブピクセル７２とサブピクセル７３とは、接続電極７５にて電気的に接続されている。これら接続電極７４・７５が接続部を構成している。
【０００９】
図９に示すように、サブピクセル７１・７２、および接続電極７４は、下層に、絶縁膜８１、Ｐａｓ層８２、有機絶縁膜８３を備えている。
【特許文献１】特開２００５−２５８１８３号公報（２００５年９月２２日  公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
例えばソースバスラインと重なる部分に生じる寄生容量を低減するために、サブピクセル直下の絶縁膜の膜厚をなるべく厚くしたい、という要望がある。
【００１１】
従来サブピクセル下の有機絶縁膜の膜厚と、接続電極下の有機絶縁膜の膜厚が同一であったため、上記要望に応える場合、図９に示すように、サブピクセル７１・７２・７３の直下だけでなく、接続電極７４の直下における有機絶縁膜８３の膜厚Ｄも大きくなっていた。
【００１２】
一方、サブピクセル７１・７２・７３間の接続部の平面形状は、図８に示すようにくびれた形状となっている。そのため、有機絶縁膜８３は、膨張収縮の影響を受けて断線し易く、膜厚を厚くすることによる断線の可能性は、サブピクセル７１・７２・７３よりも接続電極７４の方が大きい。すなわち、寄生容量を低減しようとして、絶縁膜の膜厚を大きくすればするほど、接続電極７４では、膨張により断線が起こる可能性が大きくなる、という問題がある。
【００１３】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、サブ画素直下の絶縁膜の膜厚をなるべく厚く保って寄生容量の低減を図りつつ、接続電極の断線発生率を低減した液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、互いに離間した複数のサブ画素を有する絵素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、上記第１の層間絶縁膜の最大膜厚をＡ、上記第２の層間絶縁膜の膜厚をＢとしたとき、２．５≦Ａ、かつ、Ｂ＜２．５μｍの関係を満たすことを特徴としている。
【００１５】
複数のサブ画素を有する絵素電極を備えた液晶表示装置には、互いに隣接するサブ画素同士を電気的に接続するために接続電極が設けられている。また、この接続電極の幅は、サブ画素の幅よりも狭くなっている。さらに、サブ画素および接続電極の直下には、これらの電極と他の部材とを電気的に絶縁するために、層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜）が設けられている。
【００１６】
この層間絶縁膜は、膨張収縮する。この層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が大きければ大きいほど、電極の断線が起こる可能性が高くなる。また、接続電極は、サブ画素よりも幅が狭いため、層間絶縁膜の膨張収縮の変化の影響を受けやすく、断線が起こりやすい。
【００１７】
さらに、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は、層間絶縁膜の膜厚に比例する。つまり、層間絶縁膜の膜厚が大きいほど、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は大きくなる一方、層間絶縁膜の膜厚が小さいほど、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は小さくなる。
【００１８】
さらに、サブ画素では、例えばソースバスラインとが重なる部分に生じる寄生容量を低減するために、サブ画素直下の第１の層間絶縁膜の膜厚をなるべく大きくしたいという要請がある。
【００１９】
上記構成によれば、上記第１の層間絶縁膜の膜厚をＡ、上記第２の層間絶縁膜の膜厚をＢとしたとき、２．５≦Ａ、かつＢ＜２．５μｍの関係を満たしている。このように、第１の層間絶縁膜の最大膜厚を２．５μｍ以上にする（ある程度大きく設定する）とともに、より断線の起こりやすい第２の層間絶縁膜の膜厚Ｂをより小さくすることにより、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が小さくなり、断線発生率を低減することができる。また、２．５μｍは、本発明者らが、より断線の発生率を低減することができることを、実験により求めた値である。
【００２０】
また、本発明の液晶表示装置では、上記接続電極の下層には、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、少なくともいずれか２層が設けられていることが好ましい。
【００２１】
上記構成によれば、接続電極の下層に、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、少なくともいずれか２層が設けられている。そのため、この２層分または３層分、第２の層間絶縁膜の膜厚が第１の層間絶縁膜の膜厚よりも小さくなり、その分、第２の層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が小さくなり、断線発生率を低減することができる。
【００２２】
また、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、接続電極の下層に設けた層を補助容量電極として兼用することができる。
【００２３】
また、本発明の液晶表示装置では、上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいることが好ましい。上記構成によれば、上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいる。そのため、この凹み分、第２の層間絶縁膜の膜厚が第１の層間絶縁膜の膜厚よりも小さくなり、その分、第２の層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が小さくなり、断線発生率を低減することができる。
【００２４】
また、本発明の液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、互いに離間した複数のサブ画素を有する絵素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、
上記接続電極の下層には、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、少なくともいずれか２層が設けられていることを特徴としている。
【００２５】
複数のサブ画素を有する絵素電極を備えた液晶表示装置には、互いに隣接するサブ画素同士を電気的に接続するために接続電極が設けられている。また、この接続電極の幅は、サブ画素の幅よりも狭くなっている。さらに、サブ画素および接続電極の直下には、これらの電極と他の部材とを電気的に絶縁するために、層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜）が設けられている。
【００２６】
この層間絶縁膜は、膨張収縮する。この層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が大きければ大きいほど、電極の断線が起こる可能性が高くなる。また、接続電極は、サブ画素よりも幅が狭いため、層間絶縁膜の膨張収縮の変化の影響を受けやすく、断線が起こりやすい。
【００２７】
さらに、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は、層間絶縁膜の膜厚に比例する。つまり、層間絶縁膜の膜厚が大きいほど、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は大きくなる一方、層間絶縁膜の膜厚が小さいほど、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は小さくなる。
【００２８】
上記構成によれば、接続電極の下層に、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、少なくともいずれか２層が設けられている。そのため、この２層分または３層分、第２の層間絶縁膜の膜厚が第１の層間絶縁膜の膜厚よりも小さくなり、その分、第２の層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が小さくなり、断線発生率を低減することができる。
【００２９】
また、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、接続電極の下層に設けた層を補助容量電極として兼用することができる。
【００３０】
また、本発明の液晶表示装置では、上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいることが好ましい。上記構成によれば、上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいる。そのため、この凹み分、第２の層間絶縁膜の膜厚が第１の層間絶縁膜の膜厚よりも小さくなり、その分、第２の層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が小さくなり、断線発生率を低減することができる。
【００３１】
また、本発明の液晶表示装置では、上記課題を解決するために、互いに離間した複数のサブ画素を有する絵素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいることを特徴としている。
【００３２】
ここで、「第２の層間絶縁膜は、第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいる」とは、連続して設けられた層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜）における、第２の層間絶縁膜に対応する部分が凹んでいることを意味する。
【００３３】
複数のサブ画素を有する絵素電極を備えた液晶表示装置には、互いに隣接するサブ画素同士を電気的に接続するために接続電極が設けられている。また、この接続電極の幅は、サブ画素の幅よりも狭くなっている。さらに、サブ画素および接続電極の直下には、これらの電極と他の部材とを電気的に絶縁するために、層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜）が設けられている。
【００３４】
この層間絶縁膜は、膨張収縮する。この層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が大きければ大きいほど、電極の断線が起こる可能性が高くなる。また、接続電極は、サブ画素よりも幅が狭いため、層間絶縁膜の膨張収縮の変化の影響を受けやすく、断線が起こりやすい。
【００３５】
さらに、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は、層間絶縁膜の膜厚に比例する。つまり、層間絶縁膜の膜厚が大きいほど、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は大きくなる一方、層間絶縁膜の膜厚が小さいほど、層間絶縁膜の膨張収縮の変化量は小さくなる。
【００３６】
上記構成によれば、上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいる。そのため、この凹み分、第２の層間絶縁膜の膜厚が第１の層間絶縁膜の膜厚よりも小さくなり、その分、第２の層間絶縁膜の膨張収縮の変化量が小さくなり、断線発生率を低減することができる。
【００３７】
本発明の液晶表示装置では、上記第１の層間絶縁膜および上記第２の層間絶縁膜は、アクリル系樹脂から成っていることが好ましい。第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜をアクリル系樹脂とすることにより、より一層接続電極の断線発生率を低減できる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明の液晶表示装置は、以上のように、互いに離間した複数のサブ画素を有する画素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、上記第１の層間絶縁膜の膜厚をＡ、上記第２の層間絶縁膜の膜厚をＢとしたとき、Ｂ＜Ａ、かつＢ＜２．５μｍの関係を満たしている。
【００３９】
また、本発明の液晶表示装置は、以上のように、互いに離間した複数のサブ画素を有する絵素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、上記接続電極の下層には、走査配線と同一の材料から成る導電膜層、半導体層、および信号配線と同一の材料から成る導電膜層のうち、少なくともいずれか２層が設けられている。
【００４０】
また、本発明の液晶表示装置は、以上のように、互いに離間した複数のサブ画素を有する絵素電極と、上記サブ画素よりも幅が狭く、隣接するサブ画素を電気的に接続する接続電極と、上記サブ画素の直下に設けられた第１の層間絶縁膜と、上記接続電極の直下に設けられた第２の層間絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、上記第２の層間絶縁膜は、上記第１の層間絶縁膜よりも上面が下方へ凹んでいる。従って、サブ画素直下の絶縁膜の膜厚をなるべく厚く保って寄生容量の低減を図りつつ、接続電極の断線発生率を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
〔実施の形態１〕
（概略説明）
図２は、本実施の形態の液晶表示装置の絵素部を示す平面図である。図１は、図２に示すａ−ａ’概略断面図である。
【００４２】
図２に示すように、絵素部は、互いにこの順に接続されたサプピクセル（サブ画素）１・２・３と、各サブピクセル１・２間に設けられた接続電極（接続部）４と、サブピクセル２・３間に設けられた接続電極５と、を有している。接続電極４は、サブピクセル１とサブピクセル２とを電気的に接続し、接続電極５は、サブピクセル２とサブピクセル３とを電気的に接続している。絵素部は、互いに離間した複数のサブピクセルから成る絵素電極（画素電極）を備えている、と表現することもできる。
【００４３】
また、図２に示すように、接続電極４・５は、サブピクセル１・２・３よりも幅が狭くなっている。つまり、絵素部は、サブピクセル１とサブピクセル２との間およびサブピクセル２とサブピクセル３との間がくびれた形状となっている。
【００４４】
図１は、サブピクセル１・２の下層の断面構造および接続電極４の下層の断面構造を示している。
【００４５】
また、サブピクセル１・２・３全て透明導電膜として透過型液晶表示装置を形成することができる。また、サブピクセル１・２・３全てを反射電極として反射型液晶表示装置とすることも可能であるし、サブピクセル１・２・３のうち一部、例えば２のみを反射電極とすることによって、半透過型（反射・透過型）液晶表示装置とすることも可能である。
【００４６】
（サブピクセル１・２の下層の構造）
サブピクセル１・２の下層には、図１に示すように、下から順に、ＴＦＴ基板（不図示）、絶縁膜（ＧＩ）１０、Ｐａｓ層１１、および層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜）１２としての有機絶縁膜が積層されている。ここで、図１に示す通り、第１の層間絶縁膜１２の最大膜厚をＡとする。
【００４７】
（接続電極４の構造）
接続電極４の下層には、図１に示すように、下から順に、ＴＦＴ基板（不図示）、ゲート配線材料からなる導電膜層１５、絶縁膜１０、半導体層１６、ソース配線材料からなる導電膜層１７、Ｐａｓ層１１、および層間絶縁膜（第２の層間絶縁膜）１３としての有機絶縁膜が積層されている。ここで、図１に示す通り、第２の層間絶縁膜１３の膜厚を膜厚Ｂとする。
【００４８】
また、図１に示すように、サブピクセル１・２の下層に設けられた絶縁膜１０と接続電極４の下層に設けられた絶縁膜１０とは、連続的に設けられており、同一の膜厚を有している。同様に、サブピクセル１・２の下層に設けられたＰａｓ層１１と接続電極４の下層に設けられたＰａｓ層１１とは、連続的に設けられており、同一の膜厚を有している。
【００４９】
さらに、図１に示すように、接続電極４の下層には、ゲート配線（走査配線）材料からなる導電膜層（ＧＴ材料膜）１５、半導体層１６、およびソース配線（信号配線）材料からなる導電膜層（ＳＤ材料膜）１７が設けられている。そのため、図１に示すように、サブピクセル１・２の下層に設けられた第１の層間絶縁膜１２の最大膜厚Ａよりも、接続電極４の下層に設けられた第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｂの方が、（ゲート配線材料からなる導電膜層１５、半導体層１６、およびソース配線材料からなる導電膜層１７の合計の厚み分）小さくなっている。さらに、図示しないが、層間絶縁膜１３の膜厚Ｂが、２．５μｍより小さくなっているとともに、第１の層間絶縁膜１２の最大膜厚Ａが２．５μｍ以上となっている。この２．５μｍという数値の根拠については、後述する。
【００５０】
（作用・効果）
以上の構成により、次のような作用効果を奏する。
【００５１】
有機絶縁膜（第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜）は、膨張収縮により断線を起こしやすい。特に、図２に示すように、接続電極４・５は、くびれた形状となっているため、有機絶縁膜の膨張収縮による影響を受けやすく、断線しやすいという問題がある。
【００５２】
さらに、サブピクセル１・２・３は、図示しないソースバスラインなどとの交差部において生じる寄生容量を低減するために、第１の層間絶縁膜１２の膜厚はなるべく厚くしたいという要請がある。
【００５３】
一方で、有機絶縁膜の膨張収縮率（膨張収縮の度合い）は、有機絶縁膜の膜厚に比例する。つまり、有機絶縁膜の膜厚が小さいほど、有機絶縁膜の膨張収縮率は小さくなる一方、有機絶縁膜の膜厚が大きいほど、有機絶縁膜の膨張収縮率が大きくなる。
【００５４】
これに対して、本実施の形態では、図１に示す通り、くびれがあるためにより断線の起こりやすい接続電極４の下層に設けられた第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｂを、サブピクセル１・２の下層に設けられた第１の層間絶縁膜１２の最大膜厚Ａよりも小さくしている。また、第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｂを２．５μｍより小さくしている。さらに、第１の層間絶縁膜１２の最大膜厚Ａを２．５μｍ以上としている。
【００５５】
従って、サブピクセル下で発生する寄生容量を低減しつつ、接続電極の断線発生率を軽減することができる。なお、ここで示す２．５μｍというパラメータの意義については、後述するが、本発明者らが、寄生容量を低減しつつ、断線が起こりにくいことを実験により見出したパラメータである。
【００５６】
さらに、本実施の形態では、図１に示す通り、第２の層間絶縁膜１３の下層に、ゲート配線材料からなる導電膜層１５、半導体層１６、およびソース配線材料からなる導電膜層１７を設けている。
【００５７】
ゲート配線材料からなる導電膜層１５およびソース配線材料からなる導電膜層１７を有機絶縁膜の下層に設けることにより、補助容量電極として兼用することができる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、第２の層間絶縁膜１３の下層に、ゲート配線材料からなる導電膜層１５、半導体層１６、およびソース配線材料からなる導電膜層１７を設けたが、必ずしもこれらを３つとも設ける必要はなく、いずれか２つでもよい。
【００５９】
さらに、第２の層間絶縁膜１３の下層に、ゲート配線材料からなる導電膜層１５、半導体層１６、およびソース配線材料からなる導電膜層１７のいずれをも設けない構成についても本発明の技術的範囲に含まれる。この場合でも、最大膜厚Ａ≧２．５μｍ、かつ、膜厚Ｂ＜２．５μｍとすることにより、上記した効果を奏する。つまり、最大膜厚Ａ≧２．５μｍ、かつ、膜厚Ｂ＜２．５μｍを実現するための構成は、第２の層間絶縁膜１３の下層に、ゲート配線材料からなる導電膜層１５、半導体層１６、およびソース配線材料からなる導電膜層１７を設ける構成に限られるものではない（一例については、実施の形態２で説明する）。
【００６０】
また、第２の層間絶縁膜１３の下層に、ゲート配線材料からなる導電膜層１５、半導体層１６、またはソース配線材料からなる導電膜層１７などを設けた場合、層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜１２および第２の層間絶縁膜１３）は、段差（２層以上の層による段差）を吸収するための補償膜となる。
【００６１】
このように補償膜として働きをする場合、段差を吸収するために、溶媒を溶かした液体として粘度調整したものを滴下・スピンコートさせる方法にて補償膜の膜形成を行うことができる。
【００６２】
（実験例）
図３は、有機絶縁膜（第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜）をアクリル系樹脂とした場合の第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｂと、第２の層間絶縁膜１３の膨張量と、ＩＴＯ（透明電極）浮きの度合いとの関係を示す、実験結果である。
【００６３】
ＩＴＯの浮きの度合いは、同図において、「○」、「△」、または「×」にて示す。「○」は浮きが無いことを示しており、「△」は浮きが一部発生することを示しており、「×」は浮きがほぼ全絵素にて発生することを示している。
【００６４】
なお、反射電極を使用とした場合にも、接続電極をＩＴＯで形成することができる。
【００６５】
ここで、「ＩＴＯ浮き」とは、ＩＴＯにて形成された接続部が、下地の膨張によって、断線が引き起こされることをいう。
【００６６】
同図に示すように、本発明者らは、第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｂを約２．５μｍより小さくすれば、ＩＴＯの浮きが発生しないことを見出した。このようなＩＴＯ浮きの発生を防止することにより、接続電極４の断線を低減することができる。
【００６７】
そのため、上記した図１に示す、第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｂは、第２の層間絶縁膜１３がアクリル系樹脂の場合、２．５μｍより小さくすることが好ましい。
【００６８】
なお、ここでは、第２の層間絶縁膜１３がアクリル系樹脂の場合としたが、必ずしもアクリル系樹脂に限られず、他の材料であってもよい。
【００６９】
〔実施の形態２〕
次に、他の実施の形態について説明する。なお、上記の実施の形態１と同一の部材については、同じ部材を付し、その説明を省略する。また、本実施の形態と上記の実施の形態１とは適宜組み合わせることができる。
【００７０】
図４に示すように、第２の層間絶縁膜１３の上面２７を、第１の層間絶縁膜１２の上面２８よりも下方へ凹ませてもよい。つまり、接続部の第２の層間絶縁膜１３部分に窪み３０を設けてもよい。なお、サブピクセル１・２の下層部分の断面構造は、図１に示す断面構造と同じであるため、その説明を省略する。
【００７１】
図４のように、接続電極４はコ字状に設けられているため、同図に示す第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｃ（特許請求の範囲に記載の「膜厚Ｂ」）は、図１に示す第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｂよりもさらに小さくなる。そのため、第２の層間絶縁膜１３の膨張収縮率を、図１に示す第２の層間絶縁膜１３の膨張収縮率よりも小さくすることができる。これにより、接続電極４の断線発生率を、実施の形態１よりも低減することができる。
【００７２】
このような窪み３０は、有機絶縁膜（第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜）を形成する際に、露光量を調整することにより形成することができる。つまり、凹みは、有機絶縁膜の形成時に、第１の層間絶縁膜１２と第２の層間絶縁膜１３とで露光量を変えることにより形成することができる。
【００７３】
さらに、図５に示すように、図４に示す接続部分のゲート配線材料からなる導電膜層１５、半導体層１６、およびソース配線材料からなる導電膜層１７を除去し、さらに、第２の層間絶縁膜１３に設けた凹み量（窪み３０の大きさ）を大きくしてもよい。
【００７４】
図５に示すように、第２の層間絶縁膜１３に凹み量を図４に示す第２の層間絶縁膜１３の凹み量よりも大きくすることにより、いちいちゲート配線材料からなる導電膜層１５、半導体層１６、およびソース配線材料からなる導電膜層１７を設けることなく、第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｃを、図４に示す第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｃとほぼ等しくすることができ、第２の層間絶縁膜１３の膨張伸縮による断線を低減することができる。
【００７５】
但し、必ずしも図５に示す構成における第２の層間絶縁膜１３の膜厚を、図４に示す構成における第２の層間絶縁膜１３の膜厚とを同じにする必要はない。
【００７６】
なお、本実施の形態においても、第２の層間絶縁膜１３の厚みを２．５μｍより小さくなっているとともに、第１の層間絶縁膜１２の最大膜厚Ａが２．５μｍ以上となっている。
【００７７】
但し、図４に示す第２の層間絶縁膜１３の膜厚Ｃが２．５μｍより小さくなること、第１の層間絶縁膜１２の最大膜厚Ａが２．５μｍ以上となること、はいずれも本発明の必須の要件ではなく、同じく図５に示す第２の層間絶縁膜１３の膜厚が２．５μｍより小さくなることは本発明の必須の要件ではない。
【００７８】
また、本実施形態においても、サブピクセルの直下に設けた第１の層間絶縁膜の膜厚を２．５μｍ以上に設定することが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、液晶表示装置に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施の形態の絵素部の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態の絵素部の概略構成を示す平面図である。
【図３】第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜をアクリル系樹脂とした場合の第２の層間絶縁膜の膜厚と、第２の層間絶縁膜の膨張量と、ＩＴＯ浮きの度合いとの関係を示す、実験結果の図である。
【図４】本発明の一実施の形態を示すものであり、図１の他の実施形態を示す絵素部の断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態を示すものであり、図１のさらに他の実施形態を示す絵素部の断面図である。
【図６】従来のＴＦＴアレイ基板のドット領域の構造を示す平面図である。
【図７】図６のｂ−ｂ’断面図である。
【図８】従来の絵素部の構成を示す平面図である。
【図９】図８のｃ−ｃ’断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１      サブピクセル（サブ画素）
２      サブピクセル（サブ画素）
３      サブピクセル（サブ画素）
４      接続電極
５      接続電極
１２    第１の層間絶縁膜
１３    第２の層間絶縁膜
１５    ゲート配線材料からなる導電膜層（走査配線材料からなる導電膜層）
１６    半導体層
１７    ソース配線材料からなる導電膜層（信号配線材料からなる導電膜層）
２７    第１の層間絶縁膜の上面
２８    第２の層間絶縁膜の上面
Ａ      第１の層間絶縁膜の膜厚（膜厚Ａ）
Ｂ      第２の層間絶縁膜の膜厚（膜厚Ｂ）
Ｃ      第２の層間絶縁膜の膜厚（膜厚Ｂ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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