(57)【要約】【課題】反射面の傾斜角度や平坦度を所定の範囲内にすることができ、従来よりも生産性を向上できる、マイクロミラー、マイクロミラーの製造方法、及びマイクロミラーを用いた光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を反射面Ａ２５とするマイクロミラー２５である。また、この反射面上に形成され反射面よりも平坦度の小さい表面を有する平坦化層３０，４０と、この平坦化層の上記表面上に形成された反射膜２０と、を有するマイクロミラー３５，４５である。また、反射面とは異なる面に位置合わせ用パターン８２が形成されたマイクロミラー８５である。また、これらマイクロミラー２５，３５，４５，８５のいずれかを用いた光ピックアップ装置１００である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を反射面とするミラー。
【請求項２】
前記反射面上に形成され、前記反射面よりも平坦度の小さい表面を有する平坦化層と、
前記平坦化層の前記表面上に形成された反射膜と、
を有する請求項１記載のミラー。
【請求項３】
前記反射面とは異なる他の面を有し、前記他の面に位置合わせ用パターンが形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のミラー。
【請求項４】
単結晶シリコンからなるインゴットを、その結晶面である（１００）面に対して（１１０）面の方向に９．７°傾斜した角度で、所定の間隔で切断して、シリコンウエハを作製する第１の切断工程と、
前記第１の切断工程後に、前記シリコンウエハを部分的に異方性エッチングすることにより、前記シリコンウエハに、前記単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を内面とするＶ溝部を、ストライプ状に複数形成するＶ溝部形成工程と、
前記Ｖ溝部形成工程後に、前記（１１１）面に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記反射膜形成工程後に、前記シリコンウエハを切断して、前記反射膜が形成された前記（１１１）面を反射面とするミラーを作製する第２の切断工程と、
を有するミラーの製造方法。
【請求項５】
前記Ｖ溝部形成工程と前記反射膜形成工程との間に、前記（１１１）面を研磨または電界エッチングする工程を有する手順としたことを特徴とする請求項４記載のミラーの製造方法。
【請求項６】
単結晶シリコンからなるインゴットを、その結晶面である（１００）面に対して（１１０）面の方向に９．７°傾斜した角度で、所定の間隔で切断して、シリコンウエハを作製する第１の切断工程と、
前記第１の切断工程後に、前記シリコンウエハを部分的に異方性エッチングすることにより、前記シリコンウエハに、前記単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を内面とするＶ溝部を、ストライプ状に複数形成するＶ溝部形成工程と、
前記Ｖ溝部形成工程後に、前記（１１１）面上に、前記（１１１）面の平坦度よりも小さい平坦度を有する平坦化層を形成する平坦化層形成工程と、
前記平坦化層形成工程後に、前記平坦化層上に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記反射膜形成工程後に、前記シリコンウエハを切断して、前記平坦化層及び前記反射膜が形成された前記（１１１）面を反射面とするミラーを作製する第２の切断工程と、
を有するミラーの製造方法。
【請求項７】
単結晶シリコンからなるインゴットを、その結晶面である（１００）面に対して（１１０）面の方向に９．７°傾斜した角度で、所定の間隔で切断して、シリコンウエハを作製する第１の切断工程と、
前記第１の切断工程後に、前記シリコンウエハを部分的に異方性エッチングすることにより、前記シリコンウエハに、前記単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を内面とするＶ溝部をストライプ状に複数形成すると共に、前記（１１１）面を内面とし前記Ｖ溝部よりも広い開口部を有する凹状の評価用パターンを形成するＶ溝部及び評価用パターン形成工程と、
前記Ｖ溝部及び評価用パターン形成工程後に、前記評価用パターンの（１１１）面を評価することにより、前記Ｖ溝部の（１１１）面を間接的に評価する評価工程と、
前記評価工程後に、前記Ｖ溝部の（１１１）面に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記反射膜形成工程後に、前記シリコンウエハを切断して、前記反射膜が形成された前記Ｖ溝部の（１１１）面を反射面とするミラーを作製する第２の切断工程と、
を有するミラーの製造方法。
【請求項８】
単結晶シリコンからなるインゴットを、その結晶面である（１００）面に対して（１１０）面の方向に９．７°傾斜した角度で、所定の間隔で切断して、シリコンウエハを作製する第１の切断工程と、
前記第１の切断工程後に、前記シリコンウエハを部分的に異方性エッチングすることにより、前記シリコンウエハに、前記単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を内面とするＶ溝部をストライプ状に複数形成すると共に、前記Ｖ溝部よりも狭い開口部を有する凹状の位置合わせ用パターンを形成するＶ溝部及び位置合わせ用パターン形成工程と、
前記Ｖ溝部及び位置合わせ用パターン形成工程後に、前記（１１１）面に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記反射膜形成工程後に、前記シリコンウエハを切断して、前記位置合わせ用パターンを有すると共に前記反射膜が形成された前記（１１１）面を反射面とするミラーを作製する第２の切断工程と、
を有するミラーの製造方法。
【請求項９】
レーザ光を所定の情報が記録されている光ディスクに向けて出射し、前記光ディスクで反射した前記レーザ光を受光して光電変換することにより、前記情報を再生する光ピックアップ装置において、
前記レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子から出射された前記レーザ光を、前記光ディスクに向けて反射する反射面を有するミラーと、
前記光ディスクで反射した前記レーザ光を受光して光電変換する受光部と、
を有し、
前記ミラーは、請求項１〜３のいずれか１項に記載のミラーであることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１０】
レーザ光を所定の情報が記録されている光ディスクに向けて出射し、前記光ディスクで反射した前記レーザ光を受光して光電変換することにより、前記情報を再生する光ピックアップ装置において、
前記レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子から出射された前記レーザ光を、前記光ディスクに向けて反射する反射面を有するミラーと、
前記光ディスクで反射した前記レーザ光を受光して光電変換する受光部と、
を有し、
前記ミラーは、請求項４〜８のいずれか１項に記載のミラーの製造方法によって製造されてなることを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミラー、ミラーの製造方法、及びミラーを用いた光ピックアップ装置に係り、特に、ミラーの母材として単結晶シリコンからなるウエハを用いた、マイクロミラー、マイクロミラーの製造方法、及びマイクロミラーを用いた光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体として、ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等の光ディスクが普及している。そして、この光ディスクに記録されている情報を再生するための光ピックアップ装置として、レーザ光を出射する半導体レーザ素子，出射されたレーザ光を光ディスクに向けて反射させるマイクロミラー（単に“ミラー”と称する場合がある），及びこれら半導体レーザ素子とマイクロミラーとが固定されると共に光ディスクからの反射光を受光する受光領域を有する基板を備えた光集積デバイスが広く用いられている。
このような光集積デバイスが用いられている光ピックアップ装置の一例が特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開平１１−２９６８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで、上述したような光ピックアップ装置に用いられるマイクロミラーの一般的な製造方法について、図１４を用いて説明する。
図１４は、従来の一般的なマイクロミラーの製造方法を説明するための斜視図であり、同図中の（ａ）〜（ｄ）は、マイクロミラーを製造する過程をそれぞれ示すものである。
【０００４】
まず、図１４（ａ）に示すように、後述するマイクロミラー３２０の母材であるガラス板３００を所定の間隔（例えば０．５ｍｍ）で切断して、ガラスバー３０２を複数形成する。
次に、図１４（ｂ）に示すように、ガラスバー３０２の縁部を研磨して、ガラスバー３０２に、底面Ｂ３０２に対して４５°の傾斜角度θ３０６を有する傾斜面３０６を形成する。
その後、図１４（ｃ）に示すように、少なくとも傾斜面３０６に、金属膜または多層誘電体膜からなる反射膜３０８を成膜する。
さらに、図１４（ｄ）に示すように、上記工程を経たガラスバー３０２を所定の間隔で切断することにより、反射膜３０８が成膜された傾斜面３０６を反射面Ａ３２０とするマイクロミラー３２０を複数得る。
【０００５】
マイクロミラー３２０の反射面Ａ３２０は、光ピックアップ装置において、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を光ディスクに向けて反射する面である。
【０００６】
ところで、光ピックアップ装置の光軸精度の要求から、マイクロミラー３２０の反射面３１０の傾斜角度θ３０６は、４５°±０．１°以内の精度が必要であり、また、上記反射面Ａ３２０は、光学的収差を無視できる波面収差８／λ（λはレーザ光の波長）以下、換言すれば、１００ｎｍ以下の平坦度を有することが必要であり、平坦度が５０ｎｍ以下であればより好ましい。
【０００７】
しかしながら、上述したマイクロミラー及びその製造方法では、マイクロミラー３２０を製造する過程で形成されるガラスバー３０２が非常に細長い形状を有するため、研磨加工がしにくく、反射面３１０の傾斜角度及び平坦度を上記精度で加工することが難しい。
光ピックアップ装置において、マイクロミラーの反射面の傾斜角度や平坦度の精度が悪いと、レーザ光の光軸がずれたり散乱したりするため、レーザ光を光ディスクの所定の位置に所定の強度で照射することができなくなる。そのため、信号強度が弱まりＳＮ比を低下させる要因となる。
また、ガラスバー３０２毎に研磨加工を行うため、生産性が悪く、その改善が望まれている。
【０００８】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、反射面の傾斜角度や平坦度を所定の範囲内にすることができ、従来よりも生産性を向上できる、マイクロミラー、マイクロミラーの製造方法、及びマイクロミラーを用いた光ピックアップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を反射面（Ａ２５）とするミラー（２５）である。
２）前記反射面上に形成され、前記反射面よりも平坦度の小さい表面を有する平坦化層（３０，４０）と、前記平坦化層の前記表面上に形成された反射膜（２０）と、を有する１）記載のミラー（３５，４５）である。
３）前記反射面とは異なる他の面を有し、前記他の面に位置合わせ用パターン（８２）が形成されていることを特徴とする１）または２）に記載のミラー（８５）である。
４）単結晶シリコンからなるインゴット（１）を、その結晶面である（１００）面に対して（１１０）面の方向に９．７°傾斜した角度で、所定の間隔で切断して、シリコンウエハ（１０）を作製する第１の切断工程と、前記第１の切断工程後に、前記シリコンウエハを部分的に異方性エッチングすることにより、前記シリコンウエハに、前記単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を内面（Ａ１８）とするＶ溝部（１８）を、ストライプ状に複数形成するＶ溝部形成工程と、前記Ｖ溝部形成工程後に、前記（１１１）面に反射膜（２０）を形成する反射膜形成工程と、前記反射膜形成工程後に、前記シリコンウエハを切断して、前記反射膜が形成された前記（１１１）面を反射面（Ａ２５）とするミラー（２５）を作製する第２の切断工程と、を有するミラーの製造方法である。
５）前記Ｖ溝部形成工程と前記反射膜形成工程との間に、前記（１１１）面を研磨または電界エッチングする工程を有する手順としたことを特徴とする４）記載のミラーの製造方法である。
６）単結晶シリコンからなるインゴット（１）を、その結晶面である（１００）面に対して（１１０）面の方向に９．７°傾斜した角度で、所定の間隔で切断して、シリコンウエハ（１０）を作製する第１の切断工程と、前記第１の切断工程後に、前記シリコンウエハを部分的に異方性エッチングすることにより、前記シリコンウエハに、前記単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を内面（Ａ１８）とするＶ溝部（１８）を、ストライプ状に複数形成するＶ溝部形成工程と、前記Ｖ溝部形成工程後に、前記（１１１）面上に、前記（１１１）面の平坦度よりも小さい平坦度を有する平坦化層（３０，４０）を形成する平坦化層形成工程と、前記平坦化層形成工程後に、前記平坦化層上に反射膜（２０）を形成する反射膜形成工程と、前記反射膜形成工程後に、前記シリコンウエハを切断して、前記平坦化層及び前記反射膜が形成された前記（１１１）面を反射面（Ａ３５，Ａ４５）とするミラー（３５，４５）を作製する第２の切断工程と、を有するミラーの製造方法である。
７）単結晶シリコンからなるインゴット（１）を、その結晶面である（１００）面に対して（１１０）面の方向に９．７°傾斜した角度で、所定の間隔で切断して、シリコンウエハ（１０）を作製する第１の切断工程と、前記第１の切断工程後に、前記シリコンウエハを部分的に異方性エッチングすることにより、前記シリコンウエハに、前記単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を内面（Ａ１８）とするＶ溝部（１８）をストライプ状に複数形成すると共に、前記（１１１）面を内面とし前記Ｖ溝部よりも広い開口部を有する凹状の評価用パターン（７２）を形成するＶ溝部及び評価用パターン形成工程と、前記Ｖ溝部及び評価用パターン形成工程後に、前記評価用パターンの（１１１）面を評価することにより、前記Ｖ溝部の（１１１）面を間接的に評価する評価工程と、前記評価工程後に、前記Ｖ溝部の（１１１）面に反射膜（２０）を形成する反射膜形成工程と、前記反射膜形成工程後に、前記シリコンウエハを切断して、前記反射膜が形成された前記Ｖ溝部の（１１１）面を反射面（Ａ７５）とするミラー（７５）を作製する第２の切断工程と、を有するミラーの製造方法である。
８）単結晶シリコンからなるインゴット（１）を、その結晶面である（１００）面に対して（１１０）面の方向に９．７°傾斜した角度で、所定の間隔で切断して、シリコンウエハ（１０）を作製する第１の切断工程と、前記第１の切断工程後に、前記シリコンウエハを部分的に異方性エッチングすることにより、前記シリコンウエハに、前記単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を内面（Ａ１８）とするＶ溝部（１８）をストライプ状に複数形成すると共に、前記Ｖ溝部よりも狭い開口部を有する凹状の位置合わせ用パターン（８２）を形成するＶ溝部及び位置合わせ用パターン形成工程と、前記Ｖ溝部及び位置合わせ用パターン形成工程後に、前記（１１１）面に反射膜（２０）を形成する反射膜形成工程と、前記反射膜形成工程後に、前記シリコンウエハを切断して、前記位置合わせ用パターンを有すると共に前記反射膜が形成された前記（１１１）面を反射面（Ａ８５）とするミラー（８５）を作製する第２の切断工程と、を有するミラーの製造方法である。
９）レーザ光（Ｌ）を所定の情報が記録されている光ディスク（Ｄ）に向けて出射し、前記光ディスクで反射した前記レーザ光（Ｌａ）を受光して光電変換することにより、前記情報を再生する光ピックアップ装置において、前記レーザ光を出射する半導体レーザ素子（１４０）と、前記半導体レーザ素子から出射された前記レーザ光を、前記光ディスクに向けて反射する反射面（Ａ１５０）を有するミラー（１５０）と、前記光ディスクで反射した前記レーザ光を受光して光電変換する受光部（１２１）と、を有し、前記ミラーは、１）〜３）のいずれかに記載のミラーであることを特徴とする光ピックアップ装置（１００）である。
１０）レーザ光（Ｌ）を所定の情報が記録されている光ディスク（Ｄ）に向けて出射し、前記光ディスクで反射した前記レーザ光（Ｌａ）を受光して光電変換することにより、前記情報を再生する光ピックアップ装置において、前記レーザ光を出射する半導体レーザ素子（１４０）と、前記半導体レーザ素子から出射された前記レーザ光を、前記光ディスクに向けて反射する反射面（Ａ１５０）を有するミラー（１５０）と、前記光ディスクで反射した前記レーザ光を受光して光電変換する受光部（１２１）と、を有し、前記ミラーは、４）〜８）のいずれかに記載のミラーの製造方法によって製造されてなることを特徴とする光ピックアップ装置（１００）である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、マイクロミラー（単に“ミラー”と称する場合がある）における反射面の傾斜角度や平坦度を所定の範囲内にすることができ、従来よりも生産性良くマイクロミラーを製造できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例である第１実施例〜第６実施例により図１〜図１２を用いて説明する。
第１実施例〜第５実施例は、本発明に係るマイクロミラー（単に“ミラー”と称する場合がある）及びその製造方法の実施例であり、第６実施例は、第１実施例〜第６実施例のマイクロミラーのいずれかを用いた光ピックアップ装置の実施例である。
【００１２】
＜第１実施例＞
本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第１実施例について、図１〜図６を用いて説明する。
図１〜図６は、第１実施例のマイクロミラー及びその製造方法を説明するための斜視図であり、第１実施例のマイクロミラーを製造する過程であるＡ１工程〜Ａ６工程にそれぞれ対応するものである。
また、図２、図３、図４（ａ），（ｃ）、図５、及び図６は、図１のＳｉウエハ１０のＶ溝部が形成される領域またはＶ溝部を拡大したものであり、図４（ｂ）はＳｉウエハ１０全体を示すものである。
【００１３】
［Ａ１工程］（図１参照）
まず、Ｓｉ（シリコン）の単結晶からなるインゴット１を、その結晶面である（１００）面に対して、（１１０）面方向に９．７°傾斜させた角度で、所定の間隔で切断（スライス）することにより、Ｓｉウエハ１０を複数得る。
インゴット１において、（１００）面は、Ｓｉウエハ１０のオリフラＡ１０となる基準面２に対して直交する面であり、（１１０）面は、基準面２に対して平行な面である。
一般的に、Ｓｉの単結晶からなるインゴットをスライスした際の加工精度は、目的の切断角度に対して±１／６０°（プラスマイナス６０分の１度）の範囲内であり、非常に高い加工精度でＳｉウエハを作製することができる。
第１実施例では、研磨後のＳｉウエハ１０の厚さを０．５ｍｍとした。
【００１４】
［Ａ２工程］（図２参照）
Ｓｉウエハ１０の少なくとも一面側を研磨した後、この面に、強アルカリ性のエッチング液に対して耐食性を有する膜１２を成膜する。
この膜１２として、ＳｉＯ２（二酸化シリコン）膜やＳｉＮ（窒化シリコン）膜を用いることができ、これらの膜は周知の半導体プロセスを用いて形成することができる。
膜１２の厚さは、薄すぎると上記耐食性が悪化し、厚すぎると成膜時間が長くなり生産性を悪化させる要因となるため、０．１μｍ〜３μｍの範囲内にすることが望ましい。
【００１５】
［Ａ３工程］（図３参照）
フォトリソグラフィ法を用いて、膜１２に、オリフラＡ１０（図１参照）と直交する方向に延在し所定の幅Ｗ１４を有する開口部１４を、ストライプ状に複数形成する。開口部１４を有する膜１２は、後述するＡ４工程で行われる異方性エッチング用のエッチングマスク１６となる。
なお、図３では、複数形成された開口部１４のうちの１つを示している。
第１実施例では、開口部１４の幅Ｗ１４を０．６ｍｍとした。
【００１６】
［Ａ４工程］（図４参照）
まず、図４（ａ）に示すように、開口部１４により露出された領域におけるＳｉウエハ１０を、強アルカリ性のエッチング液で異方性エッチングすることにより、Ｓｉウエハ１０にＶ溝部１８をストライプ状に複数形成する。
上記強アルカリ性のエッチング液として、ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液，エチレンジアミン溶液，及びＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液等を用いることができ、また、これら溶液に界面活性剤やアルコールを添加したものを用いることができる。
なお、図４（ａ）では、複数形成されたＶ溝部１８のうちの１つを示している。
【００１７】
その後、図４（ｂ），（ｃ）に示すように、エッチングマスク１６を除去する。
【００１８】
ここで、Ｖ溝部１８について、図４（ｃ）を用いて詳細に説明する。
図４（ｃ）に示すように、Ｖ溝部１８の一方の内面Ａ１８は、Ｓｉウエハ１０の結晶面である（１１１）面であり、他方の内面Ｂ１８は、（−１１１）面である。
（１１１）面は、（１００）面に対して５４．７°傾斜した面であり、Ｓｉウエハ１０の裏面（表面）は、（１００）面に対して９．７°傾斜した面であるので、（１１１）面は、Ｓｉウエハ１０の裏面（表面）に対して４５°の傾斜角θａを有する傾斜面となる。
一方、（−１１１）面は、Ｓｉウエハ１０の裏面（表面）に対して６４．４°傾斜した傾斜面となる。
【００１９】
単結晶Ｓｉは、その結晶面によって、強アルカリ性のエッチング液によるエッチング速度が異なる性質を有する。また、単結晶Ｓｉの結晶面である（１１１）面は、他の結晶面に比べてそのエッチング速度が遅いため、上記異方性エッチングを行うことにより、図４（ｃ）に示すように、（１１１）面を内面とするＶ溝部が形成される。
【００２０】
上述したＶ溝部１８の一方の内面Ａ１８である（１１１）面は、後述するマイクロミラー２５の反射面Ａ２５となる面である。
【００２１】
［Ａ５工程］（図５参照）
Ｓｉウエハ１０に、反射膜２０を、少なくともＶ溝部１８の（１１１）面を覆うように成膜する。
反射膜２０としては、Ａｕ（金），Ａｌ（アルミニウム），Ａｇ（銀）等の金属若しくはその合金｛例えばＡｇ−Ｐｄ（パラジウム）合金｝を主成分とする膜または多層の誘電体膜を用いることができ、これらの膜は、蒸着，スパッタリング，またはめっき等の周知の方法を用いて成膜することができる。
【００２２】
［Ａ６工程］（図６参照）
Ｓｉウエハ１０を、ダイシング等により、所定のサイズに切断することによって、反射膜２０で覆われた（１１１）面を反射面Ａ２５とするマイクロミラー２５を複数作製する。
マイクロミラー２５の反射面Ａ２５は、後述する光ピックアップ装置１００の半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌを光ディスクＤに向けて反射する面である。
【００２３】
第１実施例のマイクロミラー及びその製造方法によれば、特に、Ｓｉの単結晶からなるインゴットを高い加工精度でスライスしてＳｉウエハを作製し、このＳｉウエハの結晶面である（１１１）面を反射面として利用するので、マイクロミラーにおける反射面の傾斜角を４５°±０．１°以内にすることができる。
【００２４】
また、第１実施例のマイクロミラー及びその製造方法によれば、特に、反射面にＳｉウエハの結晶面である（１１１）面を用いるため、反射面の平坦度を１００ｎｍ以下にすることができる。
【００２５】
また、第１実施例のマイクロミラー及びその製造方法によれば、特に、Ｓｉウエハに複数のＶ溝部（反射面）を一度に形成するので、従来よりも生産性を向上させることができる。
【００２６】
＜第２実施例＞
本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第２実施例について、図７及び図８を用いて説明する。
図７は、第２実施例のマイクロミラー及びその製造方法を説明するための図であり、同図中の（ａ）〜（ｄ）は、第２実施例のマイクロミラーを製造する過程をそれぞれ示すものであり、（ａ−１），（ｂ−１），（ｃ−１），及び（ｄ）は斜視図、（ａ−２），（ｂ−２），及び（ｃ−２）は模式的断面図である。
図８は、第２実施例のマイクロミラー及びその製造方法を説明するための図であり、同図中の（ａ）〜（ｃ）は、第２実施例のマイクロミラーを製造する過程をそれぞれ示すものであり、（ａ−１），（ｂ−１），及び（ｄ）は斜視図、（ａ−２）及び（ｂ−２）は模式的断面図である。
【００２７】
第２実施例は、上述した第１実施例に対して、マイクロミラーの反射面の平坦性をさらに向上させる目的で、Ｖ溝部の（１１１）面上に平坦化層を形成し、この平坦化層上に反射膜を形成する点が異なり、それ以外は第１実施例と同じであるため、特に、平坦化層及びその形成方法について詳細に説明する。
なお、第１実施例と同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
【００２８】
まず、平坦化層として、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）膜を用いた例について図７を用いて説明する。
【００２９】
まず、図７（ａ）に示すように、上述した第１実施例のＡ１工程〜Ａ４工程と同様の工程を行って、Ｖ溝部１８がストライプ状に複数形成されたＳｉウエハ１０を作製する。
【００３０】
次に、図７（ｂ）に示すように、Ｓｉウエハ１０に、ＢＰＳＧ膜３０を、少なくともＶ溝部１８の（１１１）面を覆うように、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて成膜する。
ＢＰＳＧ膜３０は、Ｖ溝部１８の表面形状が反映されて成膜されるため、成膜後のＢＰＳＧ膜３０の表面の平坦度は、Ｖ溝部１８の（１１１）面の平坦度と略同じである。
また、ＢＰＳＧ膜３０の厚さは、薄すぎると後述する熱処理で反射面の平坦性が改善されず、厚すぎると生産性を悪化させる要因となるため、０．１μｍ〜１μｍの範囲内であることが望ましい。
【００３１】
さらに、図７（ｃ）に示すように、Ｓｉウエハ１０を、ＢＰＳＧ膜３０の軟化点温度よりも高い温度(例えば１０００℃前後の温度)に加熱する熱処理を行うことにより、ＢＰＳＧ膜３０が流動性を有するようになるため、ＢＰＳＧ膜３０の表面が滑らかになってその平坦性が向上する。
【００３２】
その後、上述した第１実施例のＡ５工程及びＡ６工程と同様の工程を行って、図７（ｄ）に示すマイクロミラー３５を複数得る。
マイクロミラー３５において、平坦化層であるＢＰＳＧ膜３０と反射膜２０とで覆われた（１１１）面（内面Ａ１８）は、後述する光ピックアップ装置１００の半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌを光ディスクＤに向けて反射する反射面Ａ３５となる。
【００３３】
次に、平坦化層として、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜を用いた例について図８を用いて説明する。
【００３４】
まず、図８（ａ）に示すように、上述した第１実施例のＡ１工程〜Ａ４工程と同様の工程を行って、Ｖ溝部１８がストライプ状に複数形成されたＳｉウエハ１０を作製する。
【００３５】
次に、図８（ｂ）に示すように、Ｓｉウエハ１０に、液状のＳＯＧを、スピンコート法を用いて塗布し、さらに加熱乾燥することにより、Ｖ溝部１８の（１１１）面（内面Ａ１８）を覆うＳＯＧ膜４０を形成する。
ＳＯＧ膜４０の表面は、Ｖ溝部１８の表面形状が反映されない滑らかで平坦な面となる。
【００３６】
その後、上述した第１実施例のＡ５工程及びＡ６工程と同様の工程を行って、図８（ｃ）に示すマイクロミラー４５を複数得る。
マイクロミラー４５において、平坦化層であるＳＯＧ膜４０と反射膜２０とで覆われた（１１１）面は、後述する光ピックアップ装置１００の半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌを光ディスクＤに向けて反射する反射面Ａ４５となる。
【００３７】
第２実施例のマイクロミラー及びその製造方法によれば、特に、反射面となるＳｉウエハの結晶面｛（１１１）面｝上に平滑化層を形成し、この平滑化層上に反射膜を成膜するようにしたので、第１実施例よりも反射面の平坦性をさらに向上させることができる。例えば、反射面の平坦度を５０ｎｍ以下にすることができる。
【００３８】
＜第３実施例＞
本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第３実施例について、図９を用いて説明する。
図９は、第３実施例のマイクロミラー及びその製造方法を説明するための斜視図である。
【００３９】
第３実施例は、上述した第１実施例に対して、マイクロミラーの反射面の平坦性をさらに向上させる目的で、Ｖ溝部の（１１１）面を研磨または電解エッチングする点が異なり、それ以外は第１実施例と同じであるため、特に、Ｖ溝部の（１１１）面の研磨方法及び電解エッチング方法について詳細に説明する。
なお、第１実施例と同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
【００４０】
まず、反射面となるＶ溝部の（１１１）面を研磨する方法について図９（ａ），（ｂ）を用いて説明する。
【００４１】
前述した第１実施例のＡ１工程〜Ａ４工程と同様の工程を行って、Ｖ溝部１８がストライプ状に複数形成されたＳｉウエハ１０を作製する｛図４（ｂ），（ｃ）参照｝。
次に、図９（ａ）に示すように、ノズル５０から研磨液５１をＳｉウエハ１０の表面に供給しつつ、ブラシ５２を回転させながらＳｉウエハ１０の表面に沿って往復移動させることにより、Ｖ溝部１８の内面を研磨する。なお、ブラシ５２を回転させながらＳｉウエハ１０を往復移動させるようにしてもよい。
この研磨により、反射面となるＶ溝部１８の（１１１）面の平坦性が向上する。
【００４２】
研磨液５１としては、シリカ，ダイヤモンド，アルミナ，ＢＣ（Boron Carbide），酸化セリウム，または酸化鉄等を主成分とし粒径が０．３μｍ以下の砥粒を、アルカリ溶液に分散させたものを用いることが好ましい。
【００４３】
その後、上述した第１実施例のＡ５工程及びＡ６工程と同様の工程を行って、図９（ｂ）に示すマイクロミラー５５を複数得る。
マイクロミラー５５において、上記研磨により平坦性が向上し反射膜２０で覆われた（１１１）面は、後述する光ピックアップ装置１００の半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌを光ディスクＤに向けて反射する反射面Ａ５５となる。
【００４４】
次に、反射面となるＶ溝部の（１１１）面を電解エッチングする方法について図９（ｃ）を用いて説明する。
【００４５】
まず、前述した第１実施例のＡ１工程〜Ａ４工程と同様の工程を行って、Ｖ溝部１８がストライプ状に複数形成されたＳｉウエハ１０を作製する｛図４（ｂ），（ｃ）参照｝。
次に、上記Ｓｉウエハ１０に電解エッチング処理を施すことにより、Ｖ溝部１８の内面｛（１１１）面｝の凸部に電界が特に集中するので、凸部が積極的にエッチングされるため、反射面となるＶ溝部１８の（１１１）面の平坦性が向上する。
【００４６】
その後、上述した第１実施例のＡ５工程及びＡ６工程と同様の工程を行って、図９（ｃ）に示すマイクロミラー６５を複数得る。
マイクロミラー６５において、上記電解エッチングにより平坦性が向上し反射膜２０で覆われた（１１１）面は、後述する光ピックアップ装置１００の半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌを光ディスクＤに向けて反射する反射面Ａ６５となる。
【００４７】
第３実施例のマイクロミラー及びその製造方法によれば、特に、反射面となるＳｉウエハの結晶面である（１１１）面に研磨または電解エッチングを行うことにより、第１実施例よりも反射面の平坦性をさらに向上させることができる。例えば、反射面の平坦度を５０ｎｍ以下にすることができる。
【００４８】
＜第４実施例＞
本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第４実施例について、図１０を用いて説明する。
図１０は、第４実施例のマイクロミラー及びその製造方法を説明するための図であり、（ａ）及び（ｂ）は平面図、（ｃ）及び（ｄ）は（ｂ）のＶ溝部１８及び評価用パターン７０の拡大断面図、（ｅ）は第４実施例のマイクロミラーの斜視図である。
【００４９】
第４実施例は、上述した第１実施例〜第３実施例に対して、ＳｉウエハにＶ溝部と共に評価用パターンを形成し、この評価用パターンにおける（１１１）面の平坦度や傾斜角度を検査することにより、反射面となるＶ溝部の（１１１）面の平坦度や傾斜角度を間接的に検査することを目的とするものであり、それ以外は第１実施例〜第３実施例とそれぞれ同じであるため、特に、評価用パターン並びにその形成方法及び検査方法について詳細に説明する。
なお、第１実施例〜第３実施例と同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
【００５０】
まず、第１実施例の第１工程及び第２工程と同様の工程を行って、強アルカリ性のエッチング液に対して耐食性を有する膜１２が一面側に形成されたＳｉウエハ１０を作製する（図２参照）。
【００５１】
次に、図１０（ａ）に示すように、第１実施例の第３工程と同様にフォトリソグラフィ法を用いて、膜１２に、オリフラＡ１０と直交する方向に延在し所定の幅Ｗ１４を有する開口部１４をストライプ状に複数形成すると共に、所定の領域｛図１０（ａ）では、一例として、ウエハ外周近傍の互いに離間する４箇所の領域として示している｝に、上記幅Ｗ１４よりも広い幅Ｗ７０を有する例えば矩形状の他の開口部７０を形成する。これら開口部１４，７０を有する膜１２は、後述する異方性エッチング用のエッチングマスク７１となる。
【００５２】
その後、図１０（ｂ）に示すように、開口部１４，７０により露出された領域におけるＳｉウエハ１０を、第１実施例と同様の強アルカリ性のエッチング液で異方性エッチングすることにより、Ｓｉウエハ１０に、Ｖ溝部１８をストライプ状に複数形成すると共に、開口部が底面よりも広い凹状の角錐台形状を有する評価用パターン７２を形成する。
【００５３】
その後、エッチングマスク７１を除去する。
【００５４】
通常、Ｓｉウエハ１０を異方性エッチングした場合、Ｓｉウエハ１０はその結晶面に沿ってエッチングされていくため、エッチングされた部分の断面形状は、始めのうちは台形であるが、エッチングが進むに従って底面の幅が狭くなっていき、最終的には、Ｖ字形になる。
そのため、評価用パターン７２は、その幅がＶ溝部１８の幅よりも広いので、Ｖ溝部１８が形成された時点で異方性エッチングを終了することにより、角錐台形状になる｛図１０（ｂ）〜（ｄ）｝。
【００５５】
ところで、反射面となるＶ溝部１８の（１１１）面を光学顕微鏡で観察したり、その平坦度や表面粗さを光干渉式面粗さ計で測定したり、その傾斜角度θａを測定するためには、通常、（１１１）面を垂直方向から観察及び測定しなければならない。
しかしながら、Ｖ溝部１８は、図１０（ｃ）に示すように、開口幅が狭いので、その内面である（１１１）面を垂直方向から観察及び測定しようとすると、他方の（−１１１）面側のエッジ部が邪魔をして正確に観察及び測定することが難しい。
【００５６】
それに対して、評価用パターン７２は、図１０（ｄ）に示すように、Ｖ溝部１８に対して、開口幅が十分に広いので、その内面である（１１１）面を、非破壊状態で、垂直方向から、光学顕微鏡で観察したり、その平坦度や表面粗さを光干渉式面粗さ計で測定することが可能である。
また、評価用パターン７２は、Ｓｉウエハ１０の表面と平行な底面を有するため、光干渉式面粗さ計で評価用パターン７２の深さ及び傾斜領域の幅を正確に測定することができる。そして、これら深さ及び幅から、評価用パターン７２の（１１１）面の傾斜角度θｂを算出することができる。また、評価用パターン７２の（１１１）面の傾斜角度θｂとＶ溝部１８の（１１１）面の傾斜角度θａとは等しい。
即ち、評価用パターン７２の（１１１）面の傾斜角度θｂを算出することにより、Ｖ溝部１８の（１１１）面の傾斜角度θａを間接的に求めることができる。
【００５７】
そして、評価用パターン７２の（１１１）面を光学顕微鏡で観察し、また、この（１１１）面の平坦度や表面粗さを光干渉式面粗さ計で測定し、また、上述した方法により傾斜角度θｂを算出し、これら観察結果，測定結果，及び算出結果が予め定められた基準を満足しているか否かを判定（検査）する。
各基準をそれぞれ満足していればＯＫと判断して次工程に進め、各基準のいずれかを満足していなければＮＧと判断して、廃棄等、予め定められた手順に基づいて処理を行う。
【００５８】
その後、第１実施例のＡ５工程及びＡ６工程、第２実施例の平坦化層形成工程を含むそれ以降の工程、または、第３実施例の研磨工程若しくは電解エッチング工程を含むそれ以降の工程、と同様の工程を行って、複数のマイクロミラーを作製する。
【００５９】
第４実施例のマイクロミラーは、第１実施例と同様の工程を行えば第１実施例のマイクロミラー２５と同じ構成になり、第２実施例と同様の工程を行えば第２実施例のマイクロミラー３５，４５と構成に同じになり、第３実施例と同様の工程を行えば第３実施例のマイクロミラー５５，６５と同じ構成になるが、ここでは、これらを総称してマイクロミラー７５と符号を付す。
なお、図１０（ｅ）には、一例として、第１実施例と同様の工程を行って作製したマイクロミラーを示す。
【００６０】
図１０（ｅ）に示すように、マイクロミラー７５において、反射膜２０が形成された（１１１）面は、後述する光ピックアップ装置１００の半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌを光ディスクＤに向けて反射する反射面Ａ７５となる。
【００６１】
第４実施例のマイクロミラー及びその製造方法によれば、特に、マイクロミラーを製造する過程のＳｉウエハに、Ｖ溝部と共にこのＶ溝部の幅よりも広い幅を有する評価用パターンを設け、この評価用パターンの（１１１）面を評価することにより、マイクロミラーの反射面となるＶ溝部の（１１１）面を間接的に評価することができる。
これにより、マイクロミラーを製造する過程でその反射面を事前に評価することができるので、第１実施例〜第３実施例よりも効率良くマイクロミラーを製造することができる。
【００６２】
＜第５実施例＞
本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第５実施例について、図１１を用いて説明する。
図１１は、第５実施例のマイクロミラー及びその製造方法を説明するための斜視図であり、同図中の（ａ）〜（ｃ）は第５実施例のマイクロミラーを製造する過程をそれぞれ示すものである。
【００６３】
第５実施例は、上述した第１実施例〜第３実施例に対して、ＳｉウエハにＶ溝部と共に位置合わせ用パターンを形成することにより、この位置合わせ用パターンを認識して、マイクロミラーを後述する半導体基板上に高精度に位置合わせして実装することを目的とするものであり、それ以外は第１実施例〜第３実施例とそれぞれ同じであるため、特に、位置合わせ用パターン及びその形成方法について詳細に説明する。
なお、第１実施例〜第３実施例と同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
【００６４】
第１実施例の第１工程及び第２工程と同様の工程を行って、強アルカリ性のエッチング液に対して耐食性を有する膜１２が一面側に形成されたＳｉウエハ１０を作製する（図２参照）。
次に、図１１（ａ）に示すように、第１実施例の第３工程と同様にフォトリソグラフィ法を用いて、膜１２に、オリフラＡ１０と直交する方向に延在し所定の幅Ｗ１４を有する開口部１４をストライプ状に複数形成すると共に、形成される複数のマイクロミラーにそれぞれ対応するように、上記幅Ｗ１４よりも狭い幅Ｗ８０を有する例えば十字形状の他の開口部８０を形成する。これら開口部１４，８０を有する膜１２は、後述する異方性エッチング用のエッチングマスク８１となる。
【００６５】
その後、図１１（ｂ）に示すように、開口部１４，８０により露出された領域におけるＳｉウエハ１０を、ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液やエチレンジアミン溶液等の強アルカリ性のエッチング液で異方性エッチングすることにより、Ｓｉウエハ１０に、Ｖ溝部１８をストライプ状に複数形成すると共に、断面形状がＶ字状の位置合わせ用パターン８２を、Ｓｉウエハ１０の表面に対して凹状に形成する。
【００６６】
前述したように、通常、Ｓｉウエハ１０を異方性エッチングした場合、Ｓｉウエハ１０はその結晶面に沿ってエッチングされていき、最終的にはＶ字形になるが、これ以上エッチングを続けてもエッチング速度が極端に遅くなるため、形状及びエッチング深さはほとんど変化しなくなる。
そのため、位置合わせ用パターン８２は、その幅がＶ溝部１８の幅よりも狭いので、Ｖ溝部１８よりも浅く形成されるため、この位置合わせ用パターン８２によってマイクロミラーの機械的強度が低下するといった不具合が生じることはない。
【００６７】
次に、エッチングマスク８１を除去した後、図１１（ｃ）に示すように、第１実施例のＡ５工程及びＡ６工程、第２実施例の平坦化層形成工程を含むそれ以降の工程、または、第３実施例の研磨工程若しくは電解エッチング工程を含むそれ以降の工程、と同様の工程を行うことにより、複数のマイクロミラーを得る。
【００６８】
第５実施例のマイクロミラーは、第１実施例と同様の工程を行えば第１実施例のマイクロミラー２５に位置合わせ用パターン８２が形成された構成になり、第２実施例と同様の工程を行えば第２実施例のマイクロミラー３５，４５に位置合わせ用パターン８２が形成された構成になり、第３実施例と同様の工程を行えば第３実施例のマイクロミラー５５，６５に位置合わせ用パターン８２が形成された構成になるが、ここでは、これらを総称してマイクロミラー８５と符号を付す。
なお、図１１（ｃ）には、一例として、第１実施例と同様の工程を行って作製したマイクロミラーを示す。
【００６９】
マイクロミラー８５において、反射膜２０が形成された（１１１）面は、後述する光ピックアップ装置１００の半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌを光ディスクＤに向けて反射する反射面Ａ８５となる。
【００７０】
ところで、Ｓｉウエハを切断して得られたマイクロミラーは、その切断面にバリが生じる場合がある。
光ピックアップ装置を製造する過程で、マイクロミラーを半導体基板上に位置合わせして実装する際、マイクロミラーの端面（切断面）にバリがあると、位置合わせ精度が悪化してマイクロミラーを半導体基板上の所定の位置に正確に実装することが困難になる。
そこで、第５実施例では、マイクロミラーに位置合わせ用パターン８２を形成することにより、マイクロミラーの端面（切断面）にバリが生じた場合においても、この位置合わせ用パターン８２を認識してマイクロミラーと半導体基板との位置合わせを行うため、マイクロミラーを半導体基板上に正確に実装することができる。
【００７１】
第５実施例のマイクロミラー及びその製造方法によれば、特に、マイクロミラーを製造する過程のＳｉウエハに、Ｖ溝部と共にこのＶ溝部の幅よりも狭い幅を有する位置合わせ用パターンを設け、この位置合わせ用パターンを認識してマイクロミラーと半導体基板との位置合わせを行うことにより、マイクロミラーの端面にバリがある場合においても、マイクロミラーを半導体基板上の所定の位置に高精度に実装することができる。
【００７２】
＜第６実施例＞
本発明に係る光ピックアップ装置の実施例を第６実施例として、図１２を用いて説明する。
図１２は、本発明に係る光ピックアップ装置の実施例を説明するための斜視図である。
【００７３】
まず、光ピックアップ装置１００の構成について説明する。
【００７４】
図１２に示すように、光ピックアップ装置１００は、主として、光集積デバイス１１０、ホログラム素子１７０、及びレンズ１８０を有して構成されている。
【００７５】
光集積デバイス１１０は、主として、半導体基板１２０と、この半導体基板１２０上に実装されたサブマウント１３０と、このサブマウント１３０上に実装されレーザ光Ｌを出射する半導体レーザ素子１４０と、半導体基板１２０上に実装され半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌを所定の情報が記録されている光ディスクＤに向けて反射する反射面Ａ１５０を有するマイクロミラー１５０と、を有して構成されている。
【００７６】
半導体基板１２０は、主として、光ディスクＤからの反射光Ｌａを受光して電気信号に光電変換する受光部１２１と、受光部１２１で光電変換された電気信号を外部に出力するための端子部１２２と、を有して構成されている。
受光部１２１及び半導体レーザ素子１４０は、図示しない配線を介して端子部１２２にそれぞれ電気的に接続されている。
【００７７】
マイクロミラー１５０として、上述した第１実施例〜第５実施例のマイクロミラー２５，３５，４５，５５，６５，７５，８５のいずれかを用いることができる。このときの反射面Ａ１５０は、上述した第１実施例〜第５実施例の反射面Ａ２５，Ａ３５，Ａ４５，Ａ５５，Ａ６５，Ａ７５，Ａ８５となる。
【００７８】
ホログラム素子１７０は、マイクロミラー１５０により反射されたレーザ光Ｌを偏向せずに透過し、光ディスクＤからの反射光Ｌａを半導体基板１２０の受光部１２１に向けて偏向する素子である。
【００７９】
レンズ１８０は、光ディスクＤにおける所定の情報が記録された情報記録面(図示せず)にレーザ光Ｌの焦点を合わせるためのものである。
【００８０】
次に、上述した光ピックアップ装置１００の動作について説明する。
ここでは、光ピックアップ装置１００のマイクロミラー１５０として、第１実施例のマイクロミラー２５を用いた場合を例として説明する。
【００８１】
外部から端子部１２２を介して半導体レーザ素子１４０に電力を供給することにより、半導体レーザ素子１４０からレーザ光Ｌが半導体基板１２０の表面と平行に出射される。
【００８２】
半導体レーザ素子１４０から出射されたレーザ光Ｌは、マイクロミラー２５の反射面Ａ２５で反射、即ち、半導体基板１２０の表面に対して垂直方向に反射する。
【００８３】
マイクロミラー２５の反射面Ａ２５で反射したレーザ光Ｌは、ホログラム素子１７０で偏向されずに透過し、レンズ１８０で集光されて光ディスクＤの情報記録面にフォーカスされる。
【００８４】
光ディスクＤの情報記録面でフォーカスされたレーザ光Ｌは、情報記録面に記録されている情報信号に応じて反射強度の異なる反射光Ｌａとなる。
【００８５】
この反射光Ｌａは、レンズ１８０を透過し、さらに、ホログラム素子１７０で偏向されて、半導体基板１２０の受光部１２１に入射する。
【００８６】
受光部１２１に入射した反射光Ｌａは電気信号に光電変換され、端子部１２２を介して外部に出力される。
【００８７】
上述した光ピックアップ装置１００によれば、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を、傾斜角度が４５°±０．１°以内とされ、平坦度が１００ｎｍ以下（または５０ｎｍ以下）とされた反射面を有するミイクロミラーで反射することができるので、レーザ光の光軸がずれたり散乱したりすることを防止でき、レーザ光を光ディスクの所定の位置に所定の強度で照射することができるため、所望のＳＮ比が得られる。
【００８８】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【００８９】
例えば、第５実施例では、マイクロミラーに、十字状で凹状の位置合わせ用パターンを設けたが、位置合わせ用パターンの形状及び形成方法はこれに限定されるものではない。
例えば、Ｓｉウエハに金属膜を成膜し、この金属膜をフォトリソグラフィ法を用いてパターン化し、これを位置合わせ用パターンとしてもよい。
【００９０】
また、位置合わせ用パターンを、第５実施例ではマイクロミラーに設けたが、第６実施例における半導体基板にも設けるようにしてもよい。
【００９１】
そこで、本発明に係る光ピックアップ装置の変形例について図１３を用いて説明する。
図１３は、本発明に係る光ピックアップ装置の変形例を説明するための平面図であり、特にこの光ピックアップ装置における半導体基板を示すものである。
なお、第６実施例と同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
【００９２】
図１３に示すように、変形例の光ピックアップ装置は、半導体基板２２０が、第６実施例の半導体基板１２０に対して、位置合わせ用パターン２２１が形成されている点が異なり、それ以外は同じである。
位置合わせ用パターン２２１は、半導体基板２２０を部分的に異方性エッチングすることにより、または、半導体基板２２０に金属等を主成分とする膜を成膜した後、この膜をフォトリソグラフィ法を用いてパターン化することにより、形成することができる。
【００９３】
半導体基板２２０の所定の位置にはサブマウント１３０が実装されている。
破線Ｄ１で囲われた領域はマイクロミラー８５（図１２参照）が実装される領域であり、破線Ｄ２で囲われた領域は半導体レーザ素子１４０（図１２参照）が実装される領域である。
【００９４】
この半導体基板２２０の位置合わせ用パターン２２１と、前述した第５実施例のマイクロミラー８５の位置合わせ用パターン８２とを、それぞれパターン認識し、マイクロミラー８５と半導体基板２２０とを位置合わせした後、マイクロミラー８５を半導体基板２２０に実装することにより、第６実施例よりもさらにマイクロミラーの半導体基板２２０への実装位置精度を向上させることができる。即ち、マイクロミラー８５を半導体基板２２０の所望の領域（破線Ｄ１で囲われた領域）に、より正確に実装することができる。
これにより、第６実施例よりもさらにＳＮ比を向上させることができる。
【００９５】
また、半導体基板２２０の位置合わせ用パターン２２１は、その後に半導体レーザ素子１４０をサブマウント１３０に実装する際にも用いることができるので、半導体レーザ素子１４０の半導体基板２２０への実装位置精度を向上させることもできる。即ち、半導体レーザ素子１４０をサブマウント１３０の所望の領域（破線Ｄ２で囲われた領域）に、より正確に実装することができる。
【００９６】
また、第４実施例で評価用パターンを形成し、第５実施例で位置合わせ用パターンを形成するようにしたが、これら評価用パターン及び位置合わせ用パターンをＶ溝部と共に一度に形成するようにしてもよい。
この手順によれば、生産性を悪化させることなく、Ｖ溝部、評価用パターン、及び位置合わせ用パターンを一度に形成することができる。
【００９７】
また、第１実施例〜第５実施例では、Ｖ溝部の傾斜角度が４５°の面を（１１１）面、傾斜角度が６４．４°の面を（−１１１）面としたが、これら結晶面は定義の仕方によって逆にもなるので、Ｖ溝部の傾斜角度が４５°の面が（１１１）面であっても（−１１１）面であってもよく、ここでは、Ｖ溝部の傾斜角度が４５°の面を“（１１１）面”と総称して定義するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第１実施例を説明するための斜視図である。
【図２】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第１実施例を説明するための斜視図である。
【図３】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第１実施例を説明するための斜視図である。
【図４】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第１実施例を説明するための斜視図である。
【図５】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第１実施例を説明するための斜視図である。
【図６】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第１実施例を説明するための斜視図である。
【図７】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第２実施例を説明するための斜視図である。
【図８】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第２実施例を説明するための斜視図である。
【図９】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第３実施例を説明するための斜視図である。
【図１０】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第４実施例を説明するための斜視図である。
【図１１】本発明に係るマイクロミラー及びその製造方法の第５実施例を説明するための斜視図である。
【図１２】本発明に係る光ピックアップ装置の実施例を説明するための斜視図である。
【図１３】本発明に係る光ピックアップ装置の変形例を説明するための平面図である。
【図１４】一般的なマイクロミラーの製造方法を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
【００９９】
１＿インゴット、  ２＿基準面、  １０＿Ｓｉウエハ、  １２＿膜、  １４，７０＿開口部、  １６，７１，８１＿エッチングマスク、  １８＿Ｖ溝部、  ２０＿反射膜、  ２５，３５，４５，５５，６５，７５，８５，１５０＿マイクロミラー、  ３０＿ＢＰＳＧ膜、  ４０＿ＳＯＧ膜、  ５０＿ノズル、  ５１＿研磨液、  ５２＿ブラシ、  ７２＿評価用パターン、  ８２＿位置合わせ用パターン、  
１００＿光ピックアップ装置、  １１０＿光集積デバイス、  １２０＿半導体基板、  １２１＿受光部、  １２２＿端子部、  １３０＿サブマウント、  １４０＿半導体レーザ素子、  １７０＿ホログラム素子、  １８０＿レンズ、  Ａ１０＿オリフラ、  Ｗ１４，Ｗ７０，Ｗ８０＿幅、  Ａ１８，Ｂ１８＿面、  θａ＿傾斜角、  Ａ２５，Ａ３５，Ａ４５，Ａ５５，Ａ６５，Ａ７５，Ａ８５，Ａ１５０＿反射面、  Ｌ＿レーザ光、  Ｄ＿光ディスク、  Ｌａ＿反射光
【図１】
2009229809.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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