(57)【要約】【課題】磁性凸部の形成に必要なレジストパターンが容易に得られ、製造時間、製造コスト等が抑制された磁気転写用マスター担体の製造方法等の提供。【解決手段】本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法は、基材と、基材上に積層される磁性層とを有する積層物の該磁性層の表面に、インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト層形成工程と、他の基材と、該他の基材の表面を掘り下げてなり、磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して配設される凹部とを備えるモールドの該凹部を、インプリントレジスト層に押し当てて、磁性層の表面に該凹部の形状に沿ったレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記モールドをインプリントレジスト層から取り除き、レジストパターンが形成されていない箇所の磁性層を、表面よりエッチングによって掘り下げ、基材の表面に磁性凸部を形成する磁性凸部形成工程とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して前記基材の表面に配設され、磁性材料からなる磁性凸部と、を備え、磁界が印加されると、前記磁性凸部が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体の製造方法であって、
前記基材と、該基材上に積層される磁性層と、を有する積層物の該磁性層の表面に、インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト層形成工程と、
他の基材と、該他の基材の表面を掘り下げてなり、前記情報のパターンに対応して配設される凹部と、を備えるモールドの該凹部を、前記インプリントレジスト層に押し当てて、前記磁性層の表面に、該凹部の形状に沿ったレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記モールドを前記インプリントレジスト層から取り除き、前記レジストパターンが形成されていない箇所の前記磁性層を、表面よりエッチングによって掘り下げ、前記基材の表面に、前記磁性凸部を形成する磁性凸部形成工程と、を有することを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項２】
積層物が、基材と磁性層との間に、下地層を有する請求項１に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項３】
磁性層が、垂直磁気異方性を有する請求項１又は２に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体の製造方法によって製造された磁気転写用マスター担体であって、
基材と、
磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して前記基材の表面に配設され、磁性材料からなる磁性凸部と、を備え、
磁界が印加されると、前記磁性凸部が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体。
【請求項５】
磁界を印加して、垂直磁気記録媒体を初期磁化する初期磁化工程と、
初期磁化された垂直磁気記録媒体に、請求項４に記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
該垂直磁気記録媒体と該磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、初期磁化工程において印加した磁界と逆向きの磁界を印加して、該垂直磁気記録媒体に情報を記録する磁気転写工程と、を有することを特徴とする磁気転写方法。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気転写方法を用いて作製されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写用マスター担体の製造方法、該製造方法によって製造された磁気転写用マスター担体、該磁気転写方法を用いた磁気転写方法、及び該磁気転写方法によって製造された磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体には、トラッキングサーボを行なうためのサーボ情報が、いわゆるプリフォーマットとして記録されている。
該サーボ情報は、例えば、マスター担体を用いて磁気記録媒体に記録される。この種のマスター担体は、該サーボ情報のパターンに対応させて配設されるパターン状の磁性部を備える。このマスター担体の磁性部を磁気記録媒体に密着させた状態で、記録用磁界が印加されると、該磁性部のパターンに基づいて、該磁気記録媒体が磁化され、該磁気記録媒体にサーボ情報が一括して記録される。
【０００３】
この種のマスター担体としては、特許文献１に示されるように、表面に凸部を有し、該凸部の先端面に磁性層を有するものがある。このマスター担体は、凸部の先端面の磁性層と、磁気記録媒体との密着性がよく、磁気転写性能が良い等の理由により、多用されている。
【０００４】
また、特許文献２に示されるように、磁性層自身が凸部形状を有するマスター担体も提案されている。磁性層自身が凸部形状からなるマスター担体は、隣り合う凸部形状の磁性層の間に、不要な磁性層がない、下地層を形成し易い等の利点があり、好ましい。
【０００５】
この特許文献２に示されるマスター担体の製造方法では、ガラス等からなる基板上に形成された磁性層に、フォトレジストを塗布して、フォトレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に対して、フォトマスクを用いて、露光・現像することにより、レジストパターンを形成している。この製造方法は、フォトレジスト層に、電子線を照射して直接描画する電子線描画法と比べて、製造時間が大幅に短縮される。該電子線描画法によって、レジストパターンを形成すると、２．５インチ（或いは３．５インチ）サイズのパターニングに、通常、数日を費やすことになる。
【０００６】
しかしながら、このように、フォトマスクを用いた露光により、レジストパターンを形成する方法は、電子線描画法と比べて、パターニング精度が低下し、問題となる。
また、磁気記録媒体に記録される情報がサーボ情報の場合、該サーボ情報は磁気記録媒体の全面に記録される必要があり、かつ、すべて異なったパターンで形成する必要がある。そのため、特許文献２に示されるようなフォトマスクを用いる方法は、サーボ情報の記録には、適用できないという問題がある。
【０００７】
また、特許文献１に示されるマスター担体は、基材部分が、表面に凹凸を有する原盤を母型として、電鋳により製造される。このような、原盤を母型とする製造方法は、量産性に優れる。
しかしながら、該マスター担体は、基材の一部として予め形成された凸部の表面に、スパッタリング法等によって磁性層が形成されるため、該磁性層を厚く形成すると、該凸部の線幅が太くなる等、加工精度が悪くなることがあり、問題となっている。
【０００８】
以上の事情等により、加工精度が良く、簡便に、サーボ情報等を磁気転写可能な磁気転写用マスター担体を製造できる方法が望まれている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、加工精度が良く、製造時間及び製造コスト等が抑えられた磁気転写用マスター担体の製造方法、該磁気転写用マスター担体の製造方法によって製造された磁気転写用マスター担体、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法、及び該磁気転写方法を用いて作製された磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞  基材と、磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して前記基材の表面に配設され、磁性材料からなる磁性凸部と、を備え、磁界が印加されると、前記磁性凸部が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体の製造方法であって、
前記基材と、該基材上に積層される磁性層と、を有する積層物の該磁性層の表面に、インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト層形成工程と、
他の基材と、該他の基材の表面を掘り下げてなり、前記情報のパターンに対応して配設される凹部と、を備えるモールドの該凹部を、前記インプリントレジスト層に押し当てて、前記磁性層の表面に、該凹部の形状に沿ったレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記モールドを前記インプリントレジスト層から取り除き、前記レジストパターンが形成されていない箇所の前記磁性層を、表面よりエッチングによって掘り下げ、前記基材の表面に、前記磁性凸部を形成する磁性凸部形成工程と、を有することを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法である。
該＜１＞に係る磁気転写用マスター担体の製造方法において、前記積層物の磁性層の表面に形成されたインプリント層に、前記モールドの凹部が押し当てられると、該磁性層の表面にレジストパターンが形成される。
＜２＞  積層物が、基材と磁性層との間に、下地層を有する前記＜１＞に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜３＞  磁性層が、垂直磁気異方性を有する前記＜１＞又は＜２＞に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜４＞  前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体の製造方法によって製造された磁気転写用マスター担体であって、
基材と、
磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して前記基材の表面に配設され、磁性材料からなる磁性凸部と、を備え、
磁界が印加されると、前記磁性凸部が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体である。
＜５＞  磁界を印加して、垂直磁気記録媒体を初期磁化する初期磁化工程と、初期磁化された垂直磁気記録媒体に、請求項４に記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、該垂直磁気記録媒体と該磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、初期磁化工程において印加した磁界と逆向きの磁界を印加して、該垂直磁気記録媒体に情報を記録する磁気転写工程と、を有することを特徴とする磁気転写方法である。
＜６＞  前記＜５＞に記載の磁気転写方法を用いて作製されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、加工精度が良く、製造時間及び製造コスト等が抑えられた磁気転写用マスター担体の製造方法、該磁気転写用マスター担体の製造方法によって製造された磁気転写用マスター担体、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法、及び該磁気転写方法を用いて作製された磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
先ず、図１及び図２を用いて、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法によって製造される磁気転写用マスター担体について説明する。
【００１４】
〔磁気転写用マスター担体〕
図１は、磁気転写用マスター担体２０の部分断面の概略を示す説明図である。図２は、磁気転写用マスター担体２０の上面図である。図１に示されるように、前記磁気転写用マスター担体２０は、基材２００と、磁性凸部４０とを備える。
【００１５】
前記基材２００の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂、ニッケル、アルミニウム等の金属、シリコン、カーボン等の公知の材料が用いられる。
【００１６】
前記基材２００の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択される。例えば、図２において示される磁気転写用マスター担体２０は、円盤状である。
【００１７】
前記基材２００の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択される。該基材２００の厚みとしては、例えば、０．０５ｍｍ〜１ｍｍが好ましく、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍがより好ましい。
なお、特に基材２００がＮｉからなる場合、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍが好ましい。
【００１８】
前記磁性凸部４０は、前記基材２００の表面に、磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して配設される。該磁性凸部４０は、該基材２００の表面に、複数個配設されている。該磁性凸部４０の間には、凹部２０４がある。該凹部２０４の底面（基材２００の表面）には、磁性部が形成されていない。
【００１９】
前記磁気記録媒体に記録すべき情報としては、例えば、サーボ信号、アドレス情報信号等のトラッキングサーボ技術用のサーボ情報がある。図２に示されるように、該磁性凸部４０は、前記基材２００の表面において、該記録すべき情報からなるパターンに対応した、放射状のパターン５２を成している。
【００２０】
前記磁性凸部４０は、後述するように、基材２００上に磁性層を積層した積層物から製造される。該積層物の磁性層から、エッチングにより、不要な磁性層部分を除去することによって該磁性凸部４０が製造される。
【００２１】
前記磁性凸部４０の磁性材料としては、例えば、Ｃｏ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｂ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＮ等が挙げられる。
【００２２】
なお、垂直磁気記録媒体に情報を記録するための磁気転写用マスター担体の場合、該磁性凸部４０の材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉのうち少なくとも１つの強磁性金属と、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂ、Ｔａ及びＯのうち少なくとも１つの非磁性物質と、から構成される合金、或いは化合物が用いられる。
この場合の該磁性凸部４０は、磁気記録媒体の記録面に対し、垂直な方向に、磁気異方性（垂直磁気異方性）を有する。
【００２３】
前記磁性凸部４０の厚み（高さ）としては、１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜１５０ｎｍがより好ましく、４０ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。
該磁性凸部４０の厚み（高さ）が１０ｎｍ未満であると、磁性凸部に十分な量の磁束を集めることができないことがあり、２００ｎｍを超えると、磁性凸部の残留磁化の影響が大きくなり、良好な転写が行えなくなることがある。また、一般に、磁性凸部４０の厚みが厚くなるほど、コストが高くなるため、上記４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が好ましい。
【００２４】
前記磁性凸部４０には、その他、必要に応じて、下地層、保護層、潤滑剤層等が形成されてもよい。
【００２５】
前記下地層（図示せず）は、前記磁性凸部４０の下（該磁性凸部４０と基材２０おとの間）に形成される。該下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｉのうち、少なくとも１つを含有する金属、合金、或いは化合物が挙げられる。該下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ等の白金属の金属、合金が好ましい。該下地層は、単層でもよく、多層でもよい。該下地層の厚みは、１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００２６】
前記保護層（図示せず）は、前記磁性凸部４０の上に、形成される。該保護層は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン等からなる。該保護層の厚みは、通常、１０ｎｍ以下である。更に、該保護層の上に、ＰＦＰＥ等のフッ素系潤滑剤等からなる潤滑層剤層（図示せず）を形成してもよい。
【００２７】
〔磁気転写用マスター担体の製造方法〕
本実施形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法は、インプリントレジスト層形成工程、レジストパターン形成工程、及び磁性凸部形成工程を有する。図３は、磁気転写用マスター担体の製造方法を示す説明図である。以下、図３を参照しつつ、該磁気転写用マスター担体の製造方法を説明する。
【００２８】
（インプリントレジスト層形成工程）
前記インプリントレジスト層形成工程は、基材２００と、基材２００上に積層される磁性層４と、を有する積層物５（図３（ａ）参照）の該磁性層４の表面に、インプリントレジスト層３９（図３（ｂ）参照）を形成する工程である。
【００２９】
前記インプリントレジスト層３９の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂のうち、少なくともいずれか１つが用いられる。
該インプリントレジスト層３９は、前記材料等を所定の溶剤に溶解してなるインプリントレジスト組成物液を、前記基材２００の表面に、スピンコート法等の公知の塗布方法により、塗布することによって形成される。
該インプリントレジスト層の厚みは、後述するモールドの凹部の深さ等に応じて、適宜選択され、通常、１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。
【００３０】
前記積層物５における、基材２００上の磁性層４は、スパッタリング法等の公知の手法を用いて形成される。該磁性層４の厚みは、磁性凸部４０の高さに応じて、適宜、選択される。
【００３１】
なお、他の実施形態においては、下地層を備えた磁性凸部４０を形成する場合がある。その場合の積層物５としては、基材２００と、磁性層４との間に下地層が形成されたものが用いられる。
【００３２】
また、他の実施形態においては、磁性層４の上に、マスク層としてハードマスクが形成されてもよい。該マスク層は、磁性層４に対するエッチング方法に応じて、適宜、選択される。該マスク層の材料としては、Ｃ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ及びＴｉのうち、少なくとも１つを含有する金属、合金、或いは化合物が挙げられる。該マスク層は、ＣＶＤ、スパッタリング等の公知の方法を用いて形成される。該マスク層の厚みは、形成する磁性凸部４０の高さ、インプリントレジスト層３９の厚みに応じて、適宜、選択される。
【００３３】
（レジストパターン形成工程）
前記レジストパターン形成工程は、他の基材と、該他の基材の表面を掘り下げてなり、磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して配設される凹部３５と、を備えるモールド３６の該凹部３５を、前記インプリントレジスト層３９に押し当てて、前記磁性層４の表面に、該凹部３５の形状に沿ったレジストパターン６を形成する工程である（図３（ｃ）参照）。
【００３４】
前記モールド３６は、インプリントレジスト層３９にレジストパターン６を形成するためのものである。該モールド３６は、上記の通り、他の基材と、該他の基材の表面を掘り下げてなり、前記情報のパターンに対応して配設される凹部３５とを備える。図４は、モールド３６の製造方法を示す説明図である。ここで、図４を用いて、モールド３６の製造方法を説明する。
【００３５】
図４（ｆ）に示されるように、先ず、モールド３６を製造するための基材３０（他の基材）を用意する。
該基材３０の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂、ＰＭＭＡ、シリコン、石英等が挙げられる。
【００３６】
なお、前記インプリントレジスト層形成工程において、インプリントレジスト層３９の材料として光硬化性樹脂を用いる場合、該基材３０の材料として、光透過性を有する材料を選択する必要がある。
【００３７】
次いで、図４（ｇ）に示されるように、前記基材３０の表面に、スピンコート法等の公知の塗布方法により、電子線レジスト液を塗布し、電子線レジスト層３２を形成する。その後、該電子線レジスト層３２を、ベーキング処理（プレベーク）する。
【００３８】
次いで、図４（ｈ）に示されるように、該電子線レジスト層３２を、高精度な回転ステージ、又はＸ−Ｙステージを備える電子ビーム露光装置（図示せず）を用いて、露光する。図示されない該露光装置のステージ上に、前記電子線レジスト層３２が形成された基材３０をセットし、該基材３０を回転させながら、該電子線レジスト層３２に対し、サーボ信号に対応させて変調した電子ビームを照射し、該電子線レジスト層３２に、サーボ信号に対応させた描画パターンを形成する。図４（ｈ）において符号３３で示され部分が、露光部分である。
【００３９】
次いで、図４（ｉ）に示されるように、該レジスト層３２を現像処理し、露光部分３３を除去すると、パターン状のレジスト層３２が前記基材３０上に現れる。現像処理後、該パターン状のレジスト層３２と、該基材３０との密着力を高めるためのベーキング処理（ポストベーク）を行なう。
【００４０】
次いで、図４（ｊ）に示されるように、該レジスト層３２をマスクとして用いて、該基材３０をエッチングする。このエッチングにより、該レジスト層３２の開口部３４から露出する基材３０を、表面より掘り下げて、凹部３５を形成する。該エッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等の異方性エッチングが好ましい。
【００４１】
次いで、図４（ｋ）に示されるように、必要に応じて、該基材３０の表面に残存する前記レジスト層３２をアッシング等により除去する。なお、該レジスト層３２は、剥離液を用いて除去してもよい。
このように、該レジスト層３２が除去されると、磁気転写用マスター担体の製造方法に用いられる、モールド３６が得られる。
【００４２】
再び、図３に戻る。図３（ｃ）に示されるように、該モールド３６の凹部３５を、前記積層物５の磁性層４の表面に形成されたインプリントレジスト層３９に、押し当てる。該インプリントレジスト層３９に該モールド３６の凹部３５が押し当てられると、該凹部３５内にインプリントレジスト層３９が充填され、該凹部３５の形状に沿って、該インプリント層３９からなるレジストパターン６が形成される。
【００４３】
該インプリントレジスト層３９が、光硬化性樹脂からなる場合、外部より光が、光透過性を有するモールド３６越しに、該インプリントレジスト層３９に照射され、該インプリントレジスト層３９が硬化される。
また、該インプリントレジスト層３９が、熱硬化性樹脂からなる場合、モールド３６が押し当てられたままの状態で、該インプリントレジスト層３９が加熱され、硬化される。
また、該インプリントレジスト層３９が、熱可塑性樹脂からなる場合、モールド３６が押し当てられた際、該インプリントレジスト層３９は軟化しており、温度が高くなっている。そのため、該インプリントレジスト層３９は、モールド３６が押し当てられたままの状態で、冷却され、硬化される。
【００４４】
（磁性凸部形成工程）
前記磁性凸部形成工程は、前記モールド３６を前記インプリントレジスト層３９から取り除き、前記レジストパターン６が形成されていない箇所の前記磁性層４を、表面よりエッチングによって掘り下げ、前記基材２００の表面に、前記磁性凸部４０を形成する工程である（図３（ｄ）参照）。
【００４５】
図３（ｄ）に示されるように、前記積層物５上のインプリントレジスト層３９から、モールド３６を取り除き、前記レジストパターン６が形成されていない箇所の前記磁性層４を、表面よりエッチングによって掘り下げる。該エッチングとしては、例えば、Ａｒイオンビームエッチングが採用される。該エッチングにより、前記基材２００が露出するまで、前記磁性層４を掘り下げ、該磁性層４の不要な部分を除去する。不要な部分が除去されると、前記基材２００の表面に、磁性凸部４０が形成される。
その後、必要に応じて、該磁性凸部４０の表面に残存するレジストパターン６をアッシング等により除去する（除去工程、図３（ｅ）参照）。以上のようにして、磁気転写用マスター担体２０が得られる。
なお、必要に応じて、該磁気転写用マスター担体２０を洗浄しても良いし、該磁性凸部４０の表面に、スパッタリング法等の公知の手法を用いて、保護層等を適宜、形成してもよい。
【００４６】
本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法によれば、モールド３６を用いることによって、積層物５の磁性層４の表面に形成されたインプリントレジスト層３９に、容易にレジストパターン６を形成できる。
【００４７】
また、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法によれば、磁気凸部４０の厚み（高さ）を自由に設定できる。そのため、例えば、該磁気凸部４０を厚くしても、該磁性凸部４０の形状が損なわれることなく、磁気転写用マスター担体を製造できる。
【００４８】
また、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法によれば、磁性凸部４０と、磁性凸部４０との間に、不要な磁性部を残存させることなく、磁気転写用マスター担体を製造できる。この製造方法によれば、設計通りに、記録すべき情報に対応させて、該磁性凸部４０を基材２００の表面に配設し易い。
【００４９】
また、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法によれば、下地層を有する磁性凸部４０を容易に製造できる。該下地層は、該磁性凸部４０内の結晶の配向を制御できる。そのため、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法は、磁気記録媒体の記録面に対し、垂直方向に、磁気異方性を持った磁性凸部４０を有する磁気転写用マスター担体の製造方法として、特に好ましい。
【００５０】
〔磁気転写方法〕
ここで、前記磁気転写用マスター担体の製造方法によって製造された磁気転写用マスター担体を用いて、磁気記録媒体（垂直磁気記録媒体）に情報を記録する（磁気転写する）方法を説明する。
図５は、磁気転写方法の概略を示す説明図である。該磁気転写方法は、初期化工程、密着工程、及び磁気転写工程を有する。
【００５１】
＜初期磁化工程＞
前記初期化工程は、垂直磁気記録媒体１０（スレーブディスク）に対し直流磁界（Ｈｉ）を印加して、該垂直磁気記録媒体１０を初期磁化する工程である。
図５（ａ）に示されるように、該初期磁化工程において、垂直磁気記録媒体１０に対し、直流磁界（Ｈｉ）が印加される。該直流磁界（初期化磁界）（Ｈｉ）は、垂直磁気記録媒体１０の表面（記録面）に対し、垂直に印加される。該直流磁界（Ｈｉ）は、所定の磁界印加手段（不図示）により、印加される。該直流磁界（Ｈｉ）の強さは、垂直磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃ以上に設定される。
【００５２】
図６は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。図６に示されるように、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０の磁性層は、該垂直磁気記録媒体１０のディスク面と垂直な一方向に、初期磁化される。なお、図６における符号Ｐｉで示される矢印は、該磁性層の磁化方向を表す。
【００５３】
＜密着工程＞
前記密着工程は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０に該磁気転写用マスター担体（
マスターディスク）２０を密着させる工程である。
図５（ｂ）に示されるように、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０と、磁気転写用マスター担体２０と重ね合わせ、密着させる。
該密着工程では、該磁気転写用マスター担体２０の表面の磁性凸部４０と、該垂直磁気記録媒体１０とが密着する。該磁気転写用マスター担体２０は、所定の押圧力で、該垂直磁気記録媒体１０に密着する。
【００５４】
なお、必要に応じて、磁気転写用マスター担体２０を垂直磁気記録媒体１０に密着させる前に、該垂直磁気記録媒体１０に、グライドヘッド、研磨体等によって表面の微小突起又は付着粉塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）を施してもよい。
【００５５】
該密着工程は、図５（ｂ）に示されるように、本実施形態においては、垂直磁気記録媒体１０の片面のみに磁気転写用マスター担体２０を密着させているが、他の実施形態においては、両面に磁性層を有する垂直磁気記録媒体（スレーブディスク）に対し、両面から磁気転写用マスター担体２０を密着させてもよい。
【００５６】
＜磁気転写工程＞
前記磁気転写工程は、互いに密着した垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０に対し、前記初期磁界（Ｈｉ）と逆向きの磁界（Ｈｄ）である記録用磁界を印加することにより、該磁気転写用マスター担体２０に基づいた情報を、該垂直磁気記録媒体１０に記録する工程である。
図５（ｃ）に示されるように、互いに密着した垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０に対し、所定の磁界印加手段（不図示）により、該初期磁界（Ｈｉ）と逆向きの磁界（Ｈｄ）を発生させる。
【００５７】
図７は、磁気転写工程における垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０の断面の様子を示す説明図である。図７に示されるように、垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０を密着させた状態で、記録用磁界（Ｈｄ）を印加すると、該磁界（Ｈｄ）により生じた磁束Ｇは、磁気転写用マスター担体２０に進入し、磁気転写用マスター担体２０の有する磁性凸部４０に吸収される。
その結果、磁気転写用マスター担体２０の磁性凸部４０において、磁界が強くなる。これに対し、磁気転写用マスター担体２０の磁性凸部４０の間に形成される隙間（凹部２０４）の磁界は、該磁性凸部４０の磁界よりも弱くなる。このようにして、垂直磁気記録媒体１０に記録すべき情報に対応した磁界のパターンが形成される。
その結果、磁性凸部４０に対応する箇所では、垂直磁気記録媒体１０の磁性層の磁化の向きが反転し、情報が記録される、なお、凹部２０４に対応する箇所では、磁性層の磁化の向きは変化しない。
【００５８】
図８は、磁気転写工程後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。図８において示されるように、垂直磁気記録媒体１０の磁性層には、サーボ信号等の情報が、初期磁化Ｐｉの反対向きの磁化となって記録磁化Ｐｄとして記録される。
【００５９】
前記記録用磁界（Ｈｄ）は、目的に応じて適宜選択されるが、一般に、垂直磁気記録媒体１０の磁性層１６の保磁力（Ｈｃ）の４０〜１３０％の強度の磁界が好ましく、５０〜１２０％が更に好ましい。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下に示される実施例に限定されるものではない。
【００６１】
〔実施例１〕
〔磁気転写用マスター担体〕
（モールドの作製）
【００６２】
８インチのＳｉウェハ（基材３０）上に、電子線レジストをスピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、該基材３０上の該レジストに対し、回転式電子線露光装置を用いて、サーボ情報等に対応させて変調した電子ビームを照射し、該レジストを露光した。その後、該レジストを現像し、未露光部分を除去して、該基材３０上に該レジストのパターンを形成した。
【００６３】
次いで、パターン状の該レジストをマスクとして用い、該基材３０に対して反応性エッチング処理を行い、該レジストでマスクされていない箇所を掘り下げて、凹部３５を形成した。該エッチング処理後、該基材３０上に残存するレジストを溶剤で洗浄し、除去した。その後、該基材３０を乾燥して、磁気転写用マスター担体を作製するためのモールド３６を得た。
【００６４】
（磁気転写用マスター担体の作製）
＜磁性層形成工程＞
（シリコン）基材２００の表面に、Ｔａ、及びＲｕからなる下地層をスパッタリング法により、Ｔａ、Ｒｕの順に形成した（Ｔａ膜：１０ｎｍ、Ｒｕ膜：１０ｎｍ）。該下地層を形成した際のスパッタリングの条件は、以下の通りである。
【００６５】
＜Ｔａ膜＞
ターゲット材料：Ｔａ 
ターゲット−基材間の距離：２００ｍｍ
圧力：０．５Ｐａ
ＤＣパワー：３５０Ｗ
＜Ｒｕ膜＞
ターゲット材料：Ｒｕ 
ターゲット−基材間の距離：２００ｍｍ
圧力：０．３Ｐａ
ＤＣパワー：３００Ｗ
【００６６】
その後、該下地層の表面に、ＣｏＰｔからなる磁性層４をスパッタリング法により、形成した（膜厚：４０ｎｍ）。該磁性層４を形成した際のスパッタリングの条件は、以下の通りである。
【００６７】
ターゲット材料：Ｃｏ８０Ｐｔ２０
ターゲット−基材間の距離：２００ｍｍ
圧力：０．１Ｐａ
ＤＣパワー：１０００Ｗ
【００６８】
以上のようにして積層物５を得た。
【００６９】
＜インプリントレジスト層形成工程＞
得られた積層物５の磁性層４の表面に、スピンコート法により、インプリントレジスト組成物液（ノボラック系樹脂）を、厚みが２５ｎｍとなるように塗布し、インプリントレジスト層３９を形成した。
【００７０】
＜レジストパターン形成工程＞
前記インプリントレジスト層３９に、モールド３６の凹部３５を押し当てた。該モールド３６の押圧力は３ＭＰａであり、１２０℃に加熱した状態で１０秒間、押し当て、その後、レジストを硬化させた。
【００７１】
＜磁性凸部形成工程＞
その後、インプリントレジスト層３９からモールド３６を取り外すと、積層体５の磁性層４の表面に、該インプリントレジスト層３９からなるレジストパターン（高さ：１００ｎｍ）が現れた。該レジストパターンに対してインプリント部（凹部）に残存したレジストを除去するために、Ｏ２ＲＩＥを行なった。
該レジストパターンをマスクとして用い、以下に示す条件の下、該磁性層４をＡｒイオンビームによりエッチングした。エッチングにより、基材２００上に磁性凸部４０が形成された。
【００７２】
エッチング後、磁性凸部４０の表面に残存しているレジストパターンを、Ｏ２ＲＩＥによって除去した。
【００７３】
その後、磁性凸部４０が形成された基材２００を洗浄し、乾燥して、磁気転写用マスター担体を得た。
【００７４】
〔垂直磁気記録媒体〕
２．５インチのガラス基板上に、以下に示す手順で各層を形成し、垂直磁気記録媒体を作製した。
作製した垂直磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層、及び保護層は、スパッタリング法で形成し、潤滑剤層は、ディップ法で形成した。
【００７５】
（軟磁性層の形成）
前記軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂ膜を、１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて配置し、圧力が０．６ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，５００Ｗで放電して、成膜した。
【００７６】
（第１の非磁性配向層の形成）
前記第１の非磁性配向層として、Ｔｉ膜を、５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記軟磁性層を形成した後のガラス基板を、Ｔｉターゲットと対向させて配置し、圧力が０．５ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，０００Ｗで放電して、成膜した。
【００７７】
（第２の非磁性配向層の形成）
前記第２の非磁性配向層として、Ｒｕ膜を、６ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記第１の非磁性配向層を形成した後のガラス基板を、Ｒｕターゲットと対向させて配置し、圧力が０．８ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：９００Ｗで放電して、成膜した。
【００７８】
（磁性層の形成）
前記磁性層として、ＣｏＣｒＰｔＯ膜を、１８ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記第２の非磁性配向層を形成した後のガラス基板を、ＣｏＣｒＰｔＯターゲットと対向させて配置し、圧力が１４ＰａとなるようにＯ２を０．０６％含むＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：２９０Ｗで放電して、成膜した。
【００７９】
（保護層の形成）
前記保護層として、Ｃ膜を、４ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記磁性層を形成した後のガラス基板を、Ｃターゲットと対向させて配置し、圧力が０．５ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，０００Ｗで放電して、成膜した。
【００８０】
（潤滑剤層の形成）
前記潤滑剤層として、ＰＦＰＥ潤滑剤からなる層を、２ｎｍの厚みで形成した。
【００８１】
前記垂直磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）であった。
【００８２】
〔磁気転写〕
（初期磁化工程）
前記垂直磁気記録媒体１０に直流磁界（Ｈｉ）を印加して、該垂直磁気記録媒体の初期磁化を行なった。印加した磁界の強度は、１０ｋＯｅであった。
【００８３】
（密着工程）
初期磁化後の垂直磁気記録媒体に対し、前記磁気転写用マスター担体を、９ｋｇ／ｃｍ２の圧力で密着させた。
【００８４】
（磁気転写工程）
前記垂直磁気記録媒体と、前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、記録磁界を印加した。該記録磁界の強度は、３．４ｋＯｅである。
その後、該記録磁界の印加を停止し、該磁気転写用マスター担体を、該垂直磁気記録媒体から分離した。
【００８５】
以上のようにして作製した磁気転写用マスター担体について、以下に示す評価を行った。
【００８６】
〔評価１：磁性凸部加工精度〕
磁性凸部パターンに対して、ＡＦＭ（日本ビーコ社製  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）を用い、磁性凸部幅の均一性を評価した。評価範囲を１μｍ角として凹凸形状のデータを取得した。磁性凸部のパターン高さの８０％位置における凸部幅と、凸部形状側面部の寸法バラツキを標準偏差にて評価した。評価位置は、半径１５ｍｍにおいて、ほぼ等間隔で１６箇所の測定を行った。結果は表１に示した。
【００８７】
〔評価２：サーボ信号品位〕
前記磁気転写用マスター担体を用いて前記磁気記録媒体に磁気転写を行い、記録されたサーボ信号の品位を評価した。サーボ信号品位の評価としては、プリアンブル部のＴＡＡ（Ｔｒａｃｋ  Ａｖｅｒａｇｅ  Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）再生出力を、半径１５ｍｍ位置の全セクタに対して検出し、そのＳＮＲを算出した。評価装置には、協同電子社製  ＬＳ−９０を用い、リード幅１２０ｎｍ、ライト幅２００ｎｍのＧＭＲヘッドを使用した。結果は表１に示した。
【００８８】
〔比較例１〕
（磁気転写用マスター担体）
＜原盤の作製＞
８インチの円板状のＳｉ基板上に、電子線レジストをスピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、該Ｓｉ基板上の該レジストに対し、回転式電子線露光装置を用いて、サーボ情報等に対応させて変調したビームを照射し、該レジストを露光した。その後、該レジストを現像し、未露光部分を除去して、該基材上に該レジストのパターンを形成した。
【００８９】
次いで、パターン状の該レジストをマスクとして用い、該Ｓｉ基板に対して反応性エッチング処理を行い、該レジストでマスクされていない箇所を掘り下げて、凹部を形成した。該エッチング処理後、該Ｓｉ基板上に残存するレジストを溶剤で洗浄し、除去した。その後、該基板を乾燥して、磁気転写用マスター担体を作製するための原盤とした。
【００９０】
前記原盤の表面の凹凸パターンに、先ず、Ｎｉ薄膜をスパッタリング法により形成し、その後、該原盤を母型として、Ｎｉメッキ（電鋳）を行い、Ｎｉ層を形成した。その後、該Ｎｉ層を、該母型から引き剥がし、該Ｎｉ層を洗浄したものをＮｉ基板とした。該Ｎｉ基板は、表面に凹凸を有する。
【００９１】
その後、前記Ｎｉ基板の表面の凸部の先端面に、Ｔａ（５ｎｍ）、Ｒｕ（５ｎｍ）、Ｃｏ８０Ｐｔ２０（４０ｎｍ）を、この順にスパッタリング法により成膜して、比較例１の磁気転写用マスター担体を得た。
【００９２】
この比較例１の磁気転写用マスター担体についても、前記実施例１と同様にして、評価１及び評価２を行なった。その結果は、表１に示した。
【００９３】
【表１】
2009245555.tif 000003
【００９４】
表１に示されるように、実施例１の磁気転写用モールド構造体の凸部の加工精度（１３ｎｍ）と、比較例１の磁気転写用モールド構造体の凸部の加工精度（１１ｎｍ）は同等である。それにもかかわらず、実施例１の磁気転写用モールド構造体のサーボ信号品位は、比較例１よりも高く、良好な結果となっていることが確かめられた。これは、比較例１では、凹凸パターン形成後に磁性層を成膜するため、磁性層成膜後の凸部の線幅が太くなっていること、及び凹部にも磁性層が存在していこと、が影響していると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】図１は、磁気転写用マスター担体の部分断面の概略を示す説明図である。
【図２】図２は、磁気転写用マスター担体の上面の説明図である。
【図３】図３は、磁気転写用マスター担体の製造方法を示す説明図である。
【図４】図４は、モールドの製造方法を示す説明図である。
【図５】図５は、磁気転写方法の概略を示す説明図である。
【図６】図６は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。
【図７】図７は、磁気転写工程における垂直磁気記録媒体及び磁気転写用マスター担体の断面の様子を示す説明図である。
【図８】図８は、磁気転写工程後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。
【符号の説明】
【００９６】
２０      磁気転写用マスター担体
２００    基材
４０      磁性凸部
２０４    磁気転写用マスター担体の凹部
５        積層物
４        磁性層
３９      インプリントレジスト層
６      レジストパターン
３５      モールドの凹部
３６      モールド
１０      磁気記録媒体（垂直磁気記録媒体）
【図１】
2009245555.tif 000004
【図２】
2009245555.tif 000005
【図３】
2009245555.tif 000006
【図４】
2009245555.tif 000007
【図５】
2009245555.tif 000008
【図６】
2009245555.tif 000009
【図７】
2009245555.tif 000010
【図８】
2009245555.tif 000011