(57)【要約】【課題】高集積化を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板１０と、基板１０上に固着される半導体チップ２０と、半導体チップ２０を封止する封止樹脂２４と、半導体チップ２０を覆うように配置される放熱板３０とを含み、放熱板３０は、導電板３２を有し、導電板３２は電線が導電板３２の中心から同一平面上外側に向かって渦巻き状に伸びてコイル状に形成されインダクター素子として機能することを特徴とする半導体装置１である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に固着される半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記半導体チップを覆うように配置される放熱板とを含み、
前記放熱板は、導電板を有し、前記導電板はコイル状に形成されインダクター素子として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電板は、電線が前記導電板の中心から同一平面上外側に向かって渦巻き状に伸びてコイルを形成していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に固着される半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記半導体チップを覆うように配置される放熱板とを含み、
前記放熱板は、第１導電板を有する第１放熱板と、第２導電板を有する第２放熱板からなり、前記第２放熱板は前記第１放熱板を覆うように配置され、前記第１導電板と前記第２導電板とでキャパシター素子として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第１導電板と前記第２導電板が対向するように配置されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記放熱板は、前記基板に形成されている配線パターンと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至４いずれか記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱板を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの半導体チップの発熱が大きい場合、発熱により素子の劣化・破壊を引き起こす。このような問題を回避するために、半導体チップから発生する熱を放熱するための放熱板を設けることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、半導体装置は集積化が求められており、放熱板などの部品の数を増やすことは好ましくない。
【特許文献１】特開平８−３０６７２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで本発明は、高集積化を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に固着される半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、前記半導体チップを覆うように配置される放熱板とを含み、前記放熱板は、導電板を有し、前記導電板はコイル状に形成されインダクター素子として機能することを特徴とする半導体装置である。
【０００６】
本発明の他の一態様に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に固着される半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、前記半導体チップを覆うように配置される放熱板とを含み、前記放熱板は、第１導電板を有する第１放熱板と、第２導電板を有する第２放熱板からなり、前記第２放熱板は前記第１放熱板を覆うように配置され、前記第１導電板と前記第２導電板とでキャパシター素子として機能することを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、高集積化を可能とする半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態につき、図面を用いて詳細に説明する。
【０００９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体装置の上側平面図を図１に示す。図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面をそれぞれ示す。図３は、第１実施形態に係る半導体装置の斜視図である。
【００１０】
本発明の第１実施形態に係る半導体装置１は、半導体チップ２０を有し、半導体チップ２０は概ね基板１０の中心に固着されている。半導体チップ２０は、例えばＬＳＩ（高密度集積回路）などであり、その表面の電極と配線パターン１２とがワイヤ２２によって接続されている。配線パターン１２は、はんだボール１４によって、さらに他の回路に接続される。半導体チップ２０とワイヤ２２は、絶縁性の樹脂からなる封止樹脂２４により完全に覆われている。
【００１１】
放熱板３０は、導電板３２と接続部３４とからなり、半導体チップ２０を覆うように配置されている。導電板３２は、放熱効果を高めるために熱伝導性が高い物質からなる。さらに第１実施形態においては、導電板３２が導電性を有する電線３６によってコイルを形成しているので、インダクター素子として用いることができる。コイルを形成する電線３６は、導電板３２の中心部から同一平面上外側に向かって渦巻き状に伸びており、導電板３２全体を形成している。導電板３２の４隅には接続部３４が配置され、導電板３２を支えると同時に、導電板３２と配線パターン１２とを電気的に接続するが、すべての接続部３４が配線パターン１２に接続される必要はない。導電板３２の中心部にある電線３６の先端は、配線パターン１２と伝送線３５によって電気的に接続されている。
【００１２】
第１実施形態に係る放熱板は、熱伝導性が高いので半導体チップから発生する熱を放熱できるとともに、導電板がコイルを形成しているので、インダクター素子としても機能することができる。さらに、半導体チップを覆うように配置されているので半導体チップを保護することができる。本発明の実施形態に係る半導体装置は、放熱板に放熱以外のインダクター素子としての機能を付加しているので、別途インダクター素子を設ける必要はなく、装置を集積化することができる。
【００１３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る半導体装置の上側平面図を図４に示す。図５（ａ）は図４のＣ−Ｃ断面、図５（ｂ）は図４のＤ−Ｄ断面をそれぞれ示す。
【００１４】
本発明の第２実施形態に係る半導体装置２は、放熱板５０に関する点以外は、前記第１実施形態に係る半導体装置１と同じである。
【００１５】
本発明の第２実施形態に係る半導体装置２は、第１放熱板５０ａと第２放熱板５０ｂを有する。第１放熱板５０ａは、第１導電板５２ａと第１接続部５４ａとからなり、半導体チップ１０を覆うように配置されている。第２放熱板５０ｂは、第２導電板５２ｂと第２接続部５４ｂとからなり、第１放熱板を覆うように配置されている。第１導電板５２ａ及び第２導電板５２ｂは、導電性であり、キャパシター素子として機能する。第２実施形態においては、第１導電板５２ａ及び第２導電板５２ｂは、対向するように、第１導電板５２ａ及び第２導電板５２ｂが平行となるように配置されている。第１導電板５２ａ及び第２導電板５２ｂは、四角形などでもよい。第１導電板５２ａ及び第２導電板５２ｂは、ＣｕにＮｉ／Ｃｒメッキしたものを積層した構造であるのが好ましい。第１導電板５０ａの４隅には第１接続部５４ａが配置され、第１導電板５２ａを支えると同時に、第１導電板５２ａと配線パターン１２とを電気的に接続するが、すべての接続部５４ａが配線パターン１２に接続される必要はない。また、第２導電板５０ｂの４隅にも第２接続部５４ｂが配置され、第２導電板５２ｂを支えると同時に、第２導電板５２ｂと配線パターン１２とを電気的に接続するが、すべての接続部５４ｂが配線パターン１２に接続される必要はない。
【００１６】
第２実施形態に係る放熱板は、熱伝導性が高いので半導体チップから発生する熱を放熱できるとともに、導電板を有する放熱板を２つ配置しているので、キャパシター素子としても機能することができる。さらに、半導体チップを覆うように配置されているので半導体チップを保護することができる。本発明の他の実施の形態に係る半導体装置は、放熱板に放熱以外のキャパシター素子としての機能を付加しているので、別途キャパシター素子を設ける必要はなく、装置を集積化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】実施の形態に係る半導体装置の斜視図である。
【図４】他の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図５】（ａ）は図４のＣ−Ｃ断面図、（ｂ）は図４のＤ−Ｄ断面である。
【符号の説明】
【００１８】
１，２・・・半導体装置、  １０・・・基板、  １２・・・配線パターン、  １４・・・はんだボール、  ２０・・・半導体チップ、  ２２・・・ワイヤ、  ２４・・・封止樹脂、  ３０・・・放熱板、  ３２・・・導電板、  ３４・・・接続部、  ３５・・・伝送線、  ３６・・・電線、  ５０ａ・・・第１放熱板、  ５０ｂ・・・第２放熱板、  ５２ａ・・・第１導電板、  ５２ｂ・・・第２導電板、  ５４ａ・・・第１接続部、  ５４ｂ・・・第２接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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