(57)【要約】【課題】製造を比較的簡単なものとしつつ、優れた振動特性を発揮することができるアクチュエータおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータは、可動板２２と、可動板２２を回動可能とするように可動板２２に連結された１対の連結部２３、２４とを備える基体２と、可動板２２を回動させる駆動手段とを有し、基体２は、可動板２２を平面視したときに、可動板２２の回動中心軸Ｘに沿って第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂに分割され、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとが接合膜６を介して互いに接合されて形成されており、接合膜６は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動板と、該可動板を回動可能とするように前記可動板に連結された１対の連結部とを備える基体と、
前記可動板を回動させる駆動手段とを有し、
前記基体は、前記可動板を平面視したときに、前記可動板の回動中心軸に沿って第１の部材および第２の部材に分割され、前記第１の部材と前記第２の部材とが接合膜を介して互いに接合されて形成されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項８】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載のアクチュエータ。
【請求項９】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載のアクチュエータ。
【請求項１０】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１１】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１２】
前記第１の部材の前記接合膜と接している面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１１のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１３】
前記第２の部材の前記接合膜と接している面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１２のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１４】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項１２または１３に記載のアクチュエータ。
【請求項１５】
前記第１の部材と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項１ないし１４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１６】
前記第２の部材と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項１ないし１５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１７】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項１５または１６に記載のアクチュエータ。
【請求項１８】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１７のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１９】
前記エネルギー線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線である請求項１８に記載のアクチュエータ。
【請求項２０】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項１８または１９に記載のアクチュエータ。
【請求項２１】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項１８ないし２０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２２】
可動板と、該可動板を回動可能とするように前記可動板に連結された１対の連結部とを備える基体と、
前記可動板を回動させる駆動手段とを有し、
前記基体は、前記可動板を平面視したときに、前記可動板の回動中心軸に沿って第１の部材および第２の部材に分割され、前記第１の部材と前記第２の部材とが接合膜を介して互いに接合されて形成されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２３】
可動板と、該可動板を回動可能とするように前記可動板に連結された１対の連結部とを備える基体と、
前記可動板を回動させる駆動手段とを有し、
前記基体は、前記可動板を平面視したときに、前記可動板の回動中心軸に沿って第１の部材および第２の部材に分割され、前記第１の部材と前記第２の部材とが接合膜を介して互いに接合されて形成されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２４】
前記第１の部材および前記第２の部材は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されている請求項１ないし２３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２５】
前記基体は、前記可動板を前記各連結部を介して支持する支持部を有し、前記可動板を平面視したときに、前記第１の部材と前記第２の部材との境界部は、前記可動板および前記各連結部をそれぞれ半分に分割している請求項１ないし２４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２６】
前記可動板を平面視したときに、前記基体は、前記可動板の回動中心軸を介して対称に形成されている請求項１ないし２５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２７】
前記各連結部は、駆動部材と、前記駆動部材を回動可能に支持する弾性部と、前記可動板を前記駆動部材に対し回動可能となるように前記可動板と前記駆動部材とを連結する軸部材とを有し、前記各弾性部の捩れ変形を伴って前記各駆動部材を回動させることにより、前記各軸部材の捩れ変形を伴って前記可動板を回動させるように構成されている請求項１ないし２６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２８】
前記各弾性部は、前記可動板の回動中心軸を介して対向する１対の弾性部材を備え、前記駆動手段は、前記各弾性部材上に設けられた圧電素子を備え、前記各圧電素子を作動させることにより、前記１対の弾性部材を互いに反対方向へ曲げ変形させることにより、前記各弾性部全体を捩れ変形させて前記各駆動部材を回動させるように構成されている請求項２７に記載のアクチュエータ。
【請求項２９】
前記可動板の一方の面には、光反射性を有する光反射部が設けられている請求項１ないし２８のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３０】
請求項２９に記載のアクチュエータを備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクチュエータおよび画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、レーザープリンタやプロジェクタ等にて光走査により描画を行うための光スキャナとして、捩り振動子で構成された構造体を有するアクチュエータを用いたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
例えば、特許文献１には、反射ミラーと、反射ミラーを支持するための固定枠部と、反射ミラーを固定枠部に対して回動可能に連結する１対のバネ部とを有し、各バネ部がその途中で２本に分岐した分岐部を備える構造体を有するアクチュエータが開示されている。
【０００３】
かかるアクチュエータでは、各分岐部は、長手形状をなしていて、各分岐部には、その長手方向に伸縮する圧電素子が接合されている。この圧電素子を伸縮させることで、１対の分岐部を互いに反対方向に曲げ変形させて、１対の分岐部全体を捩れ変形させ、それに伴い、反射ミラーを回動させ、光を反射し走査する。これにより、光走査により描画を行うことができる。
【０００４】
しかしながら、特許文献１にかかるアクチュエータでは、前述した構造体がシリコン基板をエッチングにより加工することで一括形成されているため、反射ミラーの重心と反射ミラーの回動中心軸とのずれを小さくするのが難しい。そのため、意図しない振動モードが発生する場合があった。
特に、前述したような１対の分岐部を有する構造では、各分岐部の形状、大きさ、配置などにばらつきが生じやすく、その結果、意図しない振動モードの発生原因となっていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１９１９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、製造を比較的簡単なものとしつつ、優れた振動特性を発揮することができるアクチュエータおよび画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のアクチュエータは、可動板と、該可動板を回動可能とするように前記可動板に連結された１対の連結部とを備える基体と、
前記可動板を回動させる駆動手段とを有し、
前記基体は、前記可動板を平面視したときに、前記可動板の回動中心軸に沿って第１の部材および第２の部材に分割され、前記第１の部材と前記第２の部材とが接合膜を介して互いに接合されて形成されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合していることを特徴とする。
【０００８】
これにより、例えば第１の部材と第２の部材とを同寸法で作成し、これらを薄い接合膜を介して接合することにより、可動板の重心と可動板の回動中心軸とのずれを抑えることができる。したがって、製造を比較的簡単なものとしつつ、優れた振動特性を発揮することができる。しかも、本発明にかかる接合膜は、薄いだけでなく強固な接合強度を有するため、長期に亘り優れた振動特性を発揮することができる。
【０００９】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、第１の部材および第２の部材のそれぞれに対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００１０】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、第１の部材と第２の部材とをより強固に接合することができるようになる。
本発明のアクチュエータでは、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、Ｓｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００１１】
本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
【００１２】
本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、第１の部材と第２の部材とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータの製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００１３】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、第１の部材と第２の部材とをより強固に接合することができる。また、非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行える接合膜となる。さらに、接合膜が優れた撥液性を示す。
【００１４】
本発明のアクチュエータでは、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、第１の部材と第２の部材との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
【００１５】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高いアクチュエータが得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
本発明のアクチュエータでは、前記第１の部材の前記接合膜と接している面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、第１の部材と接合膜との間の接合強度をより高めることができ、ひいては、第１の部材と第２の部材との接合強度を高めることができる。
【００１６】
本発明のアクチュエータでは、前記第２の部材の前記接合膜と接している面には、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、第２の部材と接合膜との間の接合強度をより高めることができ、ひいては、第１の部材と第２の部材との接合強度を高めることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、第１の部材または第２の部材の表面を特に最適化することができる。
【００１７】
本発明のアクチュエータでは、前記第１の部材と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、第１の部材と接合膜との間の接合強度を高め、アクチュエータの耐久性を向上させることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記第２の部材と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、第２の部材と接合膜との間の接合強度を高め、アクチュエータの耐久性を向上させることができる。
【００１８】
本発明のアクチュエータでは、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、第１の部材と接合膜との間、および、第２の部材と接合膜との間において、それぞれ接合強度を高めることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
【００１９】
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギー線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中のＳｉ骨格が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格と脱離基との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００２０】
本発明のアクチュエータでは、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、第１の部材または第２の部材等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜を確実に活性化させることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、第１の部材または第２の部材に損傷等が生じるのを避けつつ、単に圧縮するのみで、接合膜に十分な接着性を発現させることができる。
【００２１】
本発明のアクチュエータは、可動板と、該可動板を回動可能とするように前記可動板に連結された１対の連結部とを備える基体と、
前記可動板を回動させる駆動手段とを有し、
前記基体は、前記可動板を平面視したときに、前記可動板の回動中心軸に沿って第１の部材および第２の部材に分割され、前記第１の部材と前記第２の部材とが接合膜を介して互いに接合されて形成されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、接合膜は、金属酸化物に脱離基が結合したものとなり、変形し難い強固な膜となる。このような接合膜を用いたアクチュエータによっても、製造を比較的簡単なものとしつつ、優れた振動特性を発揮することができる。
【００２２】
本発明のアクチュエータは、可動板と、該可動板を回動可能とするように前記可動板に連結された１対の連結部とを備える基体と、
前記可動板を回動させる駆動手段とを有し、
前記基体は、前記可動板を平面視したときに、前記可動板の回動中心軸に沿って第１の部材および第２の部材に分割され、前記第１の部材と前記第２の部材とが接合膜を介して互いに接合されて形成されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合していることを特徴とする。
これにより、接合膜は、金属原子と有機成分で構成される脱離基とを含むものとなり、変形し難い強固な膜となる。このような接合膜を用いたアクチュエータによっても、製造を比較的簡単なものとしつつ、優れた振動特性を発揮することができる。
【００２３】
本発明のアクチュエータでは、前記第１の部材および前記第２の部材は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、可動板および／または各連結部をシリコンを主材料として構成することができる。この場合、可動板および／または各連結部の寸法精度を優れたものとするとともに、可動板や各連結部の疲労を抑制することができる。そのため、本発明のアクチュエータは、所望の振動特性を長期にわたり発揮することができる。
【００２４】
本発明のアクチュエータでは、前記基体は、前記可動板を前記各連結部を介して支持する支持部を有し、前記可動板を平面視したときに、前記第１の部材と前記第２の部材との境界部は、前記可動板および前記各連結部をそれぞれ半分に分割していることが好ましい。
これにより、比較的簡単に、可動板および各連結部のそれぞれの重心と可動板の回動中心軸とのずれを抑えることができる。
【００２５】
本発明のアクチュエータでは、前記可動板を平面視したときに、前記基体は、前記可動板の回動中心軸を介して対称に形成されていることが好ましい。
これにより、第１の部材および第２の部材を、基体全体を可動板の回動中心軸に沿って分割した形状とし、第１の部材と第２の部材とを同寸法で作成することができる。
【００２６】
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、駆動部材と、前記駆動部材を回動可能に支持する弾性部と、前記可動板を前記駆動部材に対し回動可能となるように前記可動板と前記駆動部材とを連結する軸部材とを有し、前記各弾性部の捩れ変形を伴って前記各駆動部材を回動させることにより、前記各軸部材の捩れ変形を伴って前記可動板を回動させるように構成されていることが好ましい。
これにより、基体は、弾性部および駆動部材からなる１対の第１の振動系と、可動板および１対の軸部材からなる第２の振動系で構成された２自由度振動系を有するものとなる。この場合、可動板および各駆動部材のそれぞれの重心と可動板の回動中心軸とのずれを抑えることができる。
【００２７】
本発明のアクチュエータでは、前記各弾性部は、前記可動板の回動中心軸を介して対向する１対の弾性部材を備え、前記駆動手段は、前記各弾性部材上に設けられた圧電素子を備え、前記各圧電素子を作動させることにより、前記１対の弾性部材を互いに反対方向へ曲げ変形させることにより、前記各弾性部全体を捩れ変形させて前記各駆動部材を回動させるように構成されていることが好ましい。
この場合、１対の弾性部材を可動板の回動中心軸に対し正確に対称的に設け、各弾性部材の形状、大きさ、配置などのバラツキを防止することができる。
【００２８】
本発明のアクチュエータでは、前記可動板の一方の面には、光反射性を有する光反射部が設けられていることが好ましい。
これにより、本発明のアクチュエータを光スキャナ、光スイッチ、光アッテネータ等の光学デバイスに適用することができる。
本発明の画像形成装置は、本発明のアクチュエータを備えることを特徴とする。
これにより、高品位な画像を形成することができる画像形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す斜視図、図２は、図１に示すアクチュエータの平面図、図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図、図４は、図１に示すアクチュエータに備えられた接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図５は、図１に示すアクチュエータに備えられた接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【００３０】
なお、以下では、説明の便宜上、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言い、図３中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
図１に示すアクチュエータ１は、２自由度振動系を有する基体２と、中間層４を介して基体２に接合された支持体３と、基体２の２自由度振動系を駆動するための圧電素子５１、５２、５３、５４とを有している。
【００３１】
基体２は、図１および図２に示すように、枠状をなす支持部２１と、この支持部２１の内側に設けられた可動板２２と、支持部２１と可動板２２とを連結する１対の連結部２３、２４とを有している。
支持部２１は、枠状（より具体的には四角環状）をなしている。
なお、支持部２１の形状は、アクチュエータ１の設計などに応じて決定されるものであり、前述したものに限定されない。また、支持部２１は、連結部２３を支持する支持部材と、連結部２４を支持する支持部材とが互いに分離して構成されていてもよい。
このような枠状の支持部２１の内側には、支持部２１に対し離間した状態で、可動板２２が設けられている。
可動板２２は、板状をなし、その一方の板面（上面）には、光反射性を有する光反射部２２１が設けられている。
【００３２】
本実施形態では、可動板２２の平面視形状が長方形である。なお、可動板２２の平面視形状は、アクチュエータ１の設計などに応じて決定されるものであり、前述したものに限定されず、例えば、正方形であってもよいし、５角形、６角形などの他の多角形状や、円形、楕円形状、長円形状などであってもよい。
このような可動板２２は、１対の連結部２３、２４を介して支持部２１Ａに支持されている。
【００３３】
そして、連結部２３は、支持部２１と可動板２２との間に設けられた駆動部材２３１と、駆動部材２３１と支持部２１とを連結する１対の弾性部材２３２、２３３と、可動板２２と駆動部材２３１とを連結する軸部材２３４とで構成されている。
また、連結部２４は、支持部２１と可動板２２との間に設けられた駆動部材２４１と、駆動部材２４１と支持部２１とを連結する１対の弾性部材２４２、２４３と、可動板２２と駆動部材２４１とを連結する軸部材２４４とで構成されている。
【００３４】
１対の駆動部材２３１、２４１は、可動板２２を介して互いに間隔を隔てて設けられている。本実施形態では、各駆動部材２３１、２４１は、板状をなし、平面視形状が長方形である。なお、各駆動部材２３１、２４１の平面視形状は、アクチュエータ１の設計などに応じて決定されるものであり、前述したものに限定されず、例えば、正方形であってもよいし、５角形、６角形などの他の多角形状や、円形、楕円形状、長円形状などであってもよい。
【００３５】
１対の弾性部材２３２、２３３は、可動板２２の回動中心軸Ｘを介して互いに対向し、それぞれ、回動中心軸Ｘに沿って（本実施形態では平行）設けられた弾性変形可能な長尺体で構成されている。このような１対の弾性部材２３２、２３３は、駆動部材２３１の厚さ方向で互いに反対方向に曲げ変形させることで、１対の弾性部材２３２、２３３全体を回動中心軸Ｘまわりに捩れ変形させることができる。したがって、このような１対の弾性部材２３２、２３３全体の捩れ変形を伴って駆動部材２３１を支持部２１に対して回動させることができる。
【００３６】
同様に、１対の弾性部材２４２、２４３は、可動板２２の回動中心軸Ｘを介して互いに対向し、それぞれ、回動中心軸Ｘに沿って（本実施形態では平行）設けられた弾性変形可能な長尺体で構成されている。このような１対の弾性部材２４２、２４３は、駆動部材２４１の厚さ方向で互いに反対方向に曲げ変形させることで、１対の弾性部材２４２、２４３全体を回動中心軸Ｘまわりに捩れ変形させることができる。したがって、このような１対の弾性部材２４２、２４３全体の捩れ変形を伴って駆動部材２４１を支持部２１に対して回動させることができる。
【００３７】
ここで、１対の弾性部材２３２、２３３は、駆動部材２３１を回動可能に支持する弾性部を構成し、また、１対の弾性部材２４２、２４３は、駆動部材２４１を回動可能に支持する弾性部を構成している。
一方、１対の軸部材２３４、２４４は、可動板２２の回動中心軸Ｘに沿って同軸的に設けられ、それぞれ、弾性変形可能な棒状をなす軸部材（トーションバー）で構成されている。
【００３８】
このような軸部材２３４は、可動板２２を駆動部材２３１に対して回動中心軸Ｘまわりに回動可能に支持している。また、軸部材２４４は、可動板２２を駆動部材２４１に対して回動中心軸Ｘまわりに回動可能に支持している。
このように構成された基体２は、駆動部材２３１および１対の弾性部材２３２、２３３と駆動部材２４１および１対の弾性部材２４２、２４３とで構成された第１の振動系と、可動板２２および１対の軸部材２３４、２４４で構成された第２の振動系とからなる２自由度振動系を有するものである。
【００３９】
このような基体２は、図１および図２に示すように、非駆動状態の可動板２２を平面視（以下、単に「平面視」とも言う）したときに、可動板２２の回動中心Ｘに沿って第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂに分割されている。そして、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとが接合膜６を介して互いに接合されている。
ここで、基体２は平面視にて可動板２２の回動中心軸Ｘを介して対称に形成されている。したがって、第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂを、基体２全体を可動板２２の回動中心軸Ｘに沿って分割した形状とし、互いに同寸法で作成することができる。
【００４０】
このように互いに同寸法で形成された第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを薄い接合膜６を介して接合することにより、基体２の重心と基体２の中心とのずれを小さくすることができる。その結果、可動板２２の重心と可動板２２の回動中心軸Ｘとのずれを抑えることができる。したがって、アクチュエータ１は、製造を比較的簡単なものとしつつ、優れた振動特性を発揮することができる。しかも、本発明にかかる接合膜６は、薄いだけでなく強固な接合強度を有するため、長期に亘り優れた振動特性を発揮することができる。なお、接合膜６については、後に詳述する。
【００４１】
このような第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂは、それぞれ、シリコンを主材料として構成されている。これにより、例えば、１つのシリコン基板をエッチング等により加工することで、第１の部材２Ａや第２の部材２Ｂを一括形成することができる。また、第１の部材２Ａや第２の部材２Ｂの寸法精度を優れたものとすることができる。また、可動板２２および各連結部２３、２４をシリコンを主材料として構成することができる。そのため、可動板２２および各連結部２３、２４の寸法精度を優れたものとするとともに、可動板２２や各連結部２３、２４の疲労を抑制することができる。そのため、本発明のアクチュエータ１は、優れた振動特性を長期にわたり発揮することができる。
このように平面視にて第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの境界部が可動板２２および各連結部２３、２４をそれぞれ半分に分割していると、比較的簡単に、可動板２２および各連結部２３、２４のそれぞれの重心と可動板２２の回動中心軸Ｘとのずれを抑えることができる。
【００４２】
また、このように互いに同寸法で形成された第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを薄い接合膜６を介して接合することにより、駆動部材２３１、２４１のそれぞれの重心と可動板２２の回動中心軸Ｘとのずれも抑えることができる。
さらに、このように互いに同寸法で形成された第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを薄い接合膜６を介して接合することにより、１対の弾性部材２３２、２３３を可動板２２の回動中心軸Ｘに対し正確に対称的に設け、同様に、１対の弾性部材２４２、２４３を可動板２２の回動中心軸Ｘに対し正確に対称的に設けることができる。その結果、各弾性部材２３２、２３３、２４２、２４３の形状、大きさ、配置などのバラツキを防止することができる。
【００４３】
本実施形態では、第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂは、それぞれ、ＳＯＩ基板の一方のＳｉ層を加工することにより形成されている。
なお、第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂのそれぞれの構成材料としては、前述したような振動系を構成することができるものであれば、シリコンに限定されず、例えば、ガラス材料、金属材料、樹脂材料等を用いてもよい。
このような基体２の上面には、前述したような可動板２２を回動中心軸Ｘまわりに回動させるための圧電素子５１、５２、５３、５４が接合されている。
【００４４】
より具体的に説明すると、弾性部材２３２上には圧電素子５１、弾性部材２３３上には圧電素子５２が接合されている。圧電素子５１、５２は、それぞれ、回動中心Ｘに平行な方向に伸縮するように設けられている。このような圧電素子５１、５２を交互に作動させること（一方を伸張させ、他方を収縮させること）により、１対の弾性部材２３２、２３３を駆動部材２３１の厚さ方向で互いに反対方向に曲げ変形させることができる。
【００４５】
圧電素子５１は、図３に示すように、圧電材料を主材料として構成された圧電体層５１１と、この圧電体層５１１を挟持する１対の電極５１２、５１３とを有している。なお、圧電素子５２（後述する圧電素子５３、５４も同様）については、圧電素子５１と同様であるので、その説明を省略する。
圧電体層５１１を構成するための圧電材料としては、例えば、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム、その他、各種のものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムおよびチタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で圧電体層５１１を構成することにより、より高い周波数でアクチュエータ１を駆動することができる。
【００４６】
電極５１２は、圧電体層５１１の下面の全域を覆うように形成されている。一方、電極５１３は、圧電体層５１１の上面の全域を覆うように形成されている。
このような電極５１２、５１３の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の導電性材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、前記導電性高分子材料は、通常、酸化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。これらの中でも、電極５１２、５１３を構成するための材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔまたはこれらを含む合金を主とするものが好適に用いられる。これらの金属材料を用いると、電解あるいは無電解メッキ法を用いて、容易かつ安価に電極５１２、５１３を形成することができる。
【００４７】
これと同様に、弾性部材２４２上には圧電素子５３、弾性部材２４３上には圧電素子５４が接合されている。圧電素子５３、５４は、それぞれ、回動中心Ｘに平行な方向に伸縮するように設けられている。このような圧電素子５３、５４を交互に作動させること（一方を伸張させ、他方を収縮させること）により、１対の弾性部材２４２、２４３を駆動部材２４１の厚さ方向で互いに反対方向に曲げ変形させることができる。
【００４８】
このような圧電素子５１、５２、５３、５４は、それぞれ、図示しない電源回路に接続され、この電源回路からの通電により、前述したように各弾性部材２３２、２３３、２４２、２４３を曲げ変形させて、駆動部材２３１、２４１を回動させ、これに伴って、各軸部材２３４、２４４を捩れ変形させて可動板２２を回動させることができる。ここで、圧電素子５１、５２、５３、５４は、可動板２２を回動させる駆動手段を構成している。
【００４９】
一方、基体２の下面には、中間層４を介して支持体３が接合されている。
支持体３は、枠状をなし、平面視にて、支持部２１とほぼ同一形状をなしている。このような支持体３は、その内側に形成された空間（開口部３１）が、可動板２２および駆動部材２３１、２４１が回動する際に、支持体３に接触するのを防止する逃げ部を構成する。
なお、支持体３の形状については、これに限定されず、例えば、支持体３の下面（基体２と反対側の面）で開口していなくてもよい。また、支持部２１の形状などによっては、支持体３を省略してもよい。
【００５０】
本実施形態では、支持体３は、図１に示すように、前述した基体２と同様、平面視したときに、可動板２２の回動中心軸Ｘに沿って分割された部材３Ａ、３Ｂ同士が接合膜６を介して互いに接合されている。
同様に、中間層４は、図１に示すように、平面視したときに、可動板２２の回動中心軸Ｘに沿って分割された部材４Ａ、４Ｂ同士が接合膜６を介して互いに接合されている。
【００５１】
後述するように、支持体３の分割された２つの部材３Ａ、３Ｂは、それぞれ、ＳＯＩ基板のＳｉ層（前述した基体２を形成する側のＳｉ層とは反対側のＳｉ層）を加工することにより形成されたものであり、シリコンを主材料として構成されている。また、中間層４の分割された２つの部材４Ａ、４Ｂは、それぞれ、ＳＯＩ基板のＳｉＯ２層を加工することにより形成されたものであり、ＳｉＯ２を主材料として構成されている。
【００５２】
以上のような構成のアクチュエータ１は、次のようにして駆動する。
例えば、周期的に変化する電圧を圧電素子５１、５３と圧電素子５２、５４とに互いに１８０°位相をずらすようにして印加する。すると、圧電素子５１、５３を伸長状態とするとともに、圧電素子５２、５４を収縮状態とする状態（第１の状態）と、圧電素子５１、５３を収縮状態とするとともに、圧電素子５２、５４を伸長状態とする状態（第２の状態）とを交互に繰り返す。
【００５３】
第１の状態では、圧電素子５１、５３の伸長により弾性部材２３２、２４２が下側（圧電素子５１、５３と反対側）に曲げ変形するとともに、圧電素子５２、５４の収縮により弾性部材２３３、２４３が上側（圧電素子５２、５４側）に曲げ変形する。
一方、第２の状態では、圧電素子５１、５３の収縮により弾性部材２３２、２４２が上側（圧電素子５１、５３側）に曲げ変形するとともに、圧電素子５２、５４の伸長により弾性部材２３３、２４３が下側（圧電素子５２、５４と反対側）に曲げ変形する。
このように、弾性部材２３２、２４２と弾性部材２３３、２４３とを互いに反対方向に曲げ変形させることにより、駆動部材２３１、２４１を回動させ、これに伴い、１対の軸部材２３４、２４４を捩り変形させて、可動板２２を回動中心軸Ｘまわりに回動させる。
【００５４】
（接合膜）
ここで、前述した接合膜６を詳細に説明する。
接合膜６は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。
そして、接合膜６は、エネルギーを付与したことにより、脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜６の表面に発現した接着性によって、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを接合している。
【００５５】
より具体的に説明すると、接合膜６は、エネルギーが付与される前に、図４に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜６にエネルギーが付与されると、図５に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、活性手３０４が生じる。これにより、接合膜６の第１の部材２Ａ側の面６１に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜６により、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとが接合されている。なお、第１の部材２Ａに接合膜６を形成し、その接合膜６の第２の部材２Ｂ側の面にエネルギー付与により活性手３０４を生じさせ、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを接合してもよい。
【００５６】
このような接合膜６は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの間の距離を高い寸法精度で一定に保持することができる。その結果、アクチュエータ１全体の寸法精度を優れたものとすることができる。
また、接合膜６の厚さが極めて薄くかつ均一であるため、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを接合膜６を介して接合して得られた基体２が第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを一体で形成したものに近い機械的特性を発揮することができる。
【００５７】
また、前述したような接合膜６を用いると、直接接合や陽極接合のような固体接合法を用いた場合とは異なり、第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂのそれぞれの材質が限られることがない。例えば、第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂのそれぞれの構成材料を必要な機械的特性に応じて最適化することができる。さらに、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの接触部分のうちの一部の領域のみを部分的に接合することができる。そのため、アクチュエータ１の設計自由度を高めることができる。
【００５８】
また、比較的低温で第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを接合することができるため、アクチュエータ１の各部に熱的な悪影響を及ぼすおそれもない。
また、接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られないため、アクチュエータ１の低コスト化を図ることができる。
また、接合膜６を用いて第１の第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを接合したことにより、接着剤がはみ出すといったエポキシ系接着剤などの接着剤のような問題が生じることがない。したがって、はみ出した接着剤が振動系の振動を阻害することがなく、アクチュエータ１の製造において歩留まりを向上させることができる。また、はみ出した接着剤を除去する手間も必要ないため、アクチュエータ１の生産効率を向上させることもできる。
【００５９】
また、接合膜６は、前述したような強固なＳｉ骨格３０１の作用により、耐光性や耐オゾン性に優れる。このため、例えば紫外線を使用する電子機器内にアクチュエータ１を組み込んだ場合など、紫外線やオゾン下に曝されても、長期にわたって接合膜６の変質・劣化を防止し、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの接合（接着）を長期にわたって維持することができる。これにより、接合膜６は、アクチュエータ１の信頼性を高めることができる。
【００６０】
さらに、接合膜６は、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、アクチュエータ１が高温下に曝されたとしても、接合膜６の変質・劣化を確実に防止することができる。また、接合膜６は接着剤に比べ放熱性にも優れている。そのため、可動板２２に入射した光の一部が熱となっても、速やかに放熱して、熱膨張による特性の変化を防止し、安定した駆動を行うことができる。
【００６１】
また、このような接合膜６は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜６）の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜６を用いて製造されたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にする。
このような接合膜６としては、特に、接合膜６を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜６は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜６自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜６は、第１の部材２Ａおよび第２の部材２Ｂに対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００６２】
また、接合膜６中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜６の安定性が高くなり、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜６中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜６の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００６３】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜６に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３は、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合している必要がある。
【００６４】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜６の接着性をより高度なものとすることができる。
【００６５】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００６６】
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜６は、耐光性、耐オゾン性、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜６の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
【００６７】
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜６は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜６は、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【００６８】
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜６は、エネルギーを付与された領域に接着性が発現するとともに、エネルギーを付与しなかった領域においては、前述したアルキル基による優れた撥液性が得られるという利点も有する。
【００６９】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜６は、接着性に特に優れることから、本発明のアクチュエータ１に対して特に好適である。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００７０】
また、接合膜６の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜６の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜６の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜６の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００７１】
さらに、接合膜６の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜６にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、第２の部材２Ｂの接合面（接合膜６に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜６を被着させることができる。その結果、接合膜６は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、第２の部材２Ｂ上に形成した接合膜６を第１の部材２Ａに貼り合わせた際に、接合膜６の第１の部材２Ａに対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜６の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜６の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００７２】
このような接合膜６は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギーを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、エネルギー付与前の膜として、後述するようなプラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜６を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜６は、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製され、エネルギーが付与される前の接合膜６は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、アクチュエータ１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００７３】
（アクチュエータの製造方法）
次に、アクチュエータ１の本発明にかかる製造方法の一例について詳述する。
図６ないし図９は、それぞれ、本実施形態のアクチュエータ１の製造方法を説明するための図、図１０は、図７（ｂ）に示す接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。
【００７４】
なお、図６および図９では、図１中Ａ−Ａ線縦断面図に対応する図を示しており、図７および図８では、平面図を示している。また、以下では、説明の便宜上、図６および図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
アクチュエータ１の製造方法は、［Ａ］第１の部材２Ａと部材３Ａと部材４Ａとからなる構造体、および、第２の部材２Ｂと部材３Ｂと部材４Ｂとからなる構造体を形成する工程と、［Ｂ］２つの構造体同士を接合して、基体２と支持体３と中間層４とを形成する工程と、［Ｃ］光反射部２２１を形成するとともに圧電素子５１、５２、５３、５４を基体２に接合する工程とを有する。
特に、工程Ｂは、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを接合膜６を介して接合する工程とを有する。
【００７５】
以下、各工程Ａ〜Ｃを順次詳細に説明する。
［Ａ］
−Ａ１−
まず、図６（ａ）に示すように、２つのＳＯＩ基板７を用意する。
ＳＯＩ基板７は、Ｓｉ層７１と、ＳｉＯ２層７２と、Ｓｉ層７３とがこの順で積層した積層構造をなしている。
ここで、２つのＳＯＩ基板７のうちの一方の基板は、第１の部材２Ａと部材３Ａと部材４Ａとからなる構造体を形成するためのものであり、他方の基板は、第２の部材２Ｂと部材３Ｂと部材４Ｂとからなる構造体を形成するためのものである。
【００７６】
なお、以下の説明では、第１の部材２Ａと部材３Ａと部材４Ａとからなる構造体と、第２の部材２Ｂと部材３Ｂと部材４Ｂとからなる構造体とは同一形状であり、また、これらの構造体の製造工程は同様である。したがって、以下では、第１の部材２Ａと部材３Ａと部材４Ａとからなる構造体の製造工程を代表して説明し、第２の部材２Ｂと部材３Ｂと部材４Ｂとからなる構造体の製造工程についてはその説明を省略する。また、図６（ａ）〜（ｄ）では、第１の部材２Ａと部材３Ａと部材４Ａとからなる構造体の製造工程のみを図示し、第２の部材２Ｂと部材３Ｂと部材４Ｂとからなる構造体の製造工程の図示を省略している。
【００７７】
−Ａ２−
そして、図６（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板７のＳｉ層７１の上面に、第１の部材２Ａの平面視形状に対応する形状をなすレジストマスク８１を形成するとともに、ＳＯＩ基板７のＳｉ層７３の下面に、部材３Ａの平面視形状に対応する形状をなすレジストマスク８２を形成する。
【００７８】
−Ａ３−
次に、レジストマスク８１を介してＳｉ層７１をエッチングするとともに、レジストマスク８２を介してＳｉ層７３をエッチングした後、レジストマスク８１、８２を除去する。これにより、図６（ｃ）に示すように、第１の部材２Ａおよび部材３Ａが得られる。
本工程におけるエッチングの際、ＳｉＯ２層７２は、エッチングのストップ層として機能する。このようなエッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
【００７９】
−Ａ４−
次いで、図６（ｄ）に示すように、ＳｉＯ２層７２の一部をウェットエッチング等により除去して、部材４Ａを得る。これにより、第１の部材２Ａと部材３Ａと部材４Ａとからなる構造体７Ａを得る。
一方、構造体７Ａと同様に、第２の部材２Ｂと部材３Ｂと部材４Ｂとからなる構造体７Ｂを製造する。
このようにして、図７（ａ）に示すように、構造体７Ａと構造体７Ｂが得られる。
【００８０】
［Ｂ］
−Ｂ１−
次に、図７（ｂ）に示すように、構造体７Ｂの接合面（構造体７Ａに対向する面）上に接合膜６を形成する。
すなわち、第２の部材２Ｂの接合面（第１の部材２Ａに対向する面）上と、部材３Ｂの接合面（部材３Ａに対向する面）上と、部材４Ｂの接合面（部材４Ａに対向する面）上とのそれぞれに接合膜６を形成する。
【００８１】
本工程Ｂ１では、第２の部材２Ｂの接合面と、部材３Ｂの接合面と、部材４Ｂの接合面上とに接合膜６を一括形成するが、以下の説明では、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの接合を主に説明する。
接合膜６（エネルギー付与前の接合膜６）の形成方法としては、例えばプラズマ重合法を用いることができる。プラズマ重合法は、例えば、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を第２の部材２Ｂ上に堆積させ、膜を得る方法である。
【００８２】
以下、接合膜６をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述する。
かかるプラズマ重合法には、例えば、図１０に示すようなプラズマ重合装置１１００を用いる。
図１０に示すプラズマ重合装置１１００は、チャンバー１１０１と、第２の部材２Ｂ（本実施形態では構造体７Ｂ。以下同じ。）を支持する第１の電極１１３０と、第２の電極１１４０と、各電極１１３０、１１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１１８０と、チャンバー１１０１内にガスを供給するガス供給部１１９０と、チャンバー１１０１内のガスを排気する排気ポンプ１１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１１３０および第２の電極１１４０がチャンバー１１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
チャンバー１１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
【００８３】
図１０に示すチャンバー１１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
チャンバー１１０１の上方には供給口１１０３が、下方には排気口１１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１１０３にはガス供給部１１９０が接続され、排気口１１０４には排気ポンプ１１７０が接続されている。
【００８４】
なお、本実施形態では、チャンバー１１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１１０２を介して電気的に接地されている。
第１の電極１１３０は、板状をなしており、第２の部材２Ｂを支持している。
この第１の電極１１３０は、チャンバー１１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１１３０は、チャンバー１１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１１３０は、図１０に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。
【００８５】
第１の電極１１３０の第２の部材２Ｂを支持する面には、静電チャック（吸着機構）１１３９が設けられている。
この静電チャック１１３９により、図１０に示すように、第２の部材２Ｂを鉛直方向に沿って支持することができる。また、第２の部材２Ｂに多少の反りがあっても、静電チャック１１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で第２の部材２Ｂをプラズマ処理に供することができる。
【００８６】
第２の電極１１４０は、第２の部材２Ｂを介して、第１の電極１１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１１４０は、チャンバー１１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１１４０には、配線１１８４を介して高周波電源１１８２が接続されている。また、配線１１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１１８３が設けられている。これらの配線１１８４、高周波電源１１８２およびマッチングボックス１１８３により、電源回路１１８０が構成されている。
【００８７】
このような電源回路１１８０によれば、第１の電極１１３０は接地されているので、第１の電極１１３０と第２の電極１１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１１３０と第２の電極１１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部１１９０は、チャンバー１１０１内に所定のガスを供給するものである。
【００８８】
図１０に示すガス供給部１１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１１０１の供給口１１０３とが、それぞれ配管１１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１１０３からチャンバー１１０１内に供給するように構成されている。
【００８９】
貯液部１１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１１００により、重合して第２の部材２Ｂの表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
【００９０】
ガスボンベ１１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー１１０１内の供給口１１０３の近傍には、拡散板１１９５が設けられている。
【００９１】
拡散板１１９５は、チャンバー１１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
排気ポンプ１１７０は、チャンバー１１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による第２の部材２Ｂの汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１１０１内から効果的に除去することができる。
【００９２】
また、排気口１１０４には、チャンバー１１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１１７１が設けられている。これにより、チャンバー１１０１内の圧力が、ガス供給部１１６０の動作状況に応じて、適宜設定される。
以上説明したように構成されたプラズマ重合装置１１００を用いて、第２の部材２Ｂ上に接合膜６を形成するに際しては、まず、第２の部材２Ｂをプラズマ重合装置１１００のチャンバー１１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１１７０の作動により、チャンバー１１０１内を減圧状態とする。
【００９３】
次に、ガス供給部１１９０を作動させ、チャンバー１１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１１０１内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００９４】
次いで、電源回路１１８０を作動させ、一対の電極１１３０、１１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１１３０、１１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が第２の部材２Ｂ上に付着・堆積する。これにより、図７（ｂ）に示すように、第２の部材２Ｂ上にプラズマ重合膜で構成された接合膜６が形成される。
【００９５】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜６は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【００９６】
プラズマ重合の際、一対の電極１１３０、１１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００９７】
また、成膜時のチャンバー１１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【００９８】
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜６の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜６の厚さを容易に調整することができる。このため、接着剤を用いて第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを接着した場合、接着剤の厚さを厳密に制御することができないが、接合膜６を用いた本発明では、接合膜６の厚さを厳密に制御することができるので、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの距離を厳密に制御することができる。
また、第２の部材２Ｂの温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜６を得ることができる。
【００９９】
なお、第２の部材２Ｂの面のうち、第１の部材２Ａを接合する領域のみに部分的に接合膜６を形成する場合、例えば、この領域に対応する形状の窓部を有するマスクを用い、このマスク上から接合膜６を成膜するようにすればよい。また、構造体７Ｂの面のうち、構造体７Ａを接合する領域に対応する形状の窓部を有するマスクを用い、このマスク上から接合膜６を成膜するようにすればよい。
【０１００】
−Ｂ２−
次に、図７（ｃ）に示すように、第２の部材２Ｂ上に形成した接合膜６に対してエネルギーを付与する。
エネルギーが付与されると、接合膜６では、図５に示すように、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、接合膜６の表面および内部に活性手３０４が生じる。これにより、接合膜６の表面に、第１の部材２Ａとの接着性が発現する。
【０１０１】
ここで、接合膜６に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）接合膜６にエネルギー線を照射する方法、（II）接合膜６を加熱する方法、（III）接合膜６に圧縮力を付与する（物理的エネルギーを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。
このうち、接合膜６にエネルギーを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜６に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
【０１０２】
以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。
（Ｉ）接合膜６にエネルギー線を照射する場合、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザー光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図７（ｃ）参照）。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜６中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜６の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜６に接着性を発現させることができる。
【０１０３】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜６の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜６との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１０４】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜６の表面６１付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜６の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜６の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
【０１０５】
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
一方、レーザー光としては、例えば、エキシマレーザー（フェムト秒レーザー）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等が挙げられる。
【０１０６】
また、接合膜６に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜６に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による第２の部材２Ｂの変質・劣化を防止することができる。
【０１０７】
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜６から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜６と第１の部材２Ａとの間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜６の表面および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜６に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜６の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜６に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【０１０８】
（II）接合膜６を加熱する場合（図示せず）、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、第２の部材２Ｂ等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜６を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜６の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１０９】
また、接合膜６は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
なお、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの互いの熱膨張率がほぼ等しい場合には、上記のような条件で接合膜６を加熱すればよいが、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの熱膨張率が互いに異なっている場合には、後に詳述するが、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１１０】
（III）本実施形態では、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせる前に、接合膜６に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを重ね合わせ（接触させ）た後に行われるようにしてもよい。すなわち、第２の部材２Ｂ上に接合膜６を形成した後、エネルギーを付与する前に、接合膜６と第１の部材２Ａとが密着するように、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の接合膜６に対してエネルギーを付与することにより、接合膜６に接着性が発現し、接合膜６を介して第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとが接合（接着）される。
【０１１１】
この場合、仮接合体中の接合膜６に対するエネルギーの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、接合膜６に圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜６に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜６に十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの各構成材料によっては、第１の部材２Ａや第２の部材２Ｂに損傷等が生じるおそれがある。
【０１１２】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの間が接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの相対位置を微調整することにより、最終的に得られるアクチュエータ１の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。
以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、接合膜６にエネルギーを付与することができる。
【０１１３】
なお、接合膜６の全面にエネルギーを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、接合膜６の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。
【０１１４】
ここで、前述したように、エネルギーが付与される前の状態の接合膜６は、図４に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜６にエネルギーが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図５に示すように、接合膜６の第１の部材２Ａ側の面６１に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜６の表面に接着性が発現する。
【０１１５】
ここで、接合膜６を「活性化させる」とは、接合膜６の第１の部材２Ａ側の面６１および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
【０１１６】
したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、第１の部材２Ａに対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜６に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
【０１１７】
−Ｂ３−
次に、図８（ａ）に示すように、接着性が発現してなる接合膜６と第１の部材２Ａとが密着するように、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせる。その結果、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとが、図８（ｂ）に示すように、接合膜６を介して接合（接着）される。これにより、図８（ｂ）および図９（ａ）に示すように、基体２が得られる。
【０１１８】
このとき、部材３Ａと部材３Ｂとが接合膜６を介して接合され、支持体３が得られる。また、部材４Ａと部材４Ｂとが接合膜６を介して接合され、中間層４が得られる。
ここで、上記のようにして接合される第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られるアクチュエータ１において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
【０１１９】
また、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの各熱膨張率が互いに異なる場合でも、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１２０】
具体的には、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの熱膨張率差にもよるが、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの温度が２５〜５０℃程度である状態下で、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、アクチュエータ１における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【０１２１】
また、この場合、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜６を用いることにより、上述したような低温下でも、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを強固に接合することができる。
また、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂは、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、第１の部材２Ａと各第２の部材２Ｂとをより強固に接合することができる。
【０１２２】
なお、第２の部材２Ｂの接合膜６を成膜する領域には、あらかじめ、接合膜６との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、第２の部材２Ｂと接合膜６との間の接合強度をより高めることができ、最終的に得られるアクチュエータ１において、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの接合強度を高めることができる。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、第２の部材２Ｂのうちの接合膜６を成膜する領域を清浄化するとともに、当該領域を活性化させることができる。
【０１２３】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜６を形成するために、第２の部材２Ｂの表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す第２の部材２Ｂが、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、第２の部材２Ｂの構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜６の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第２の部材２Ｂの構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【０１２４】
このような材料で構成された第２の部材２Ｂは、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された第２の部材２Ｂを用いると、上記のような表面処理を施さなくても、第２の部材２Ｂと接合膜６とを強固に密着させることができる。
なお、この場合、第２の部材２Ｂの全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜６を成膜する領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
【０１２５】
さらに、第２の部材２Ｂのうちの接合膜６を成膜する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、第２の部材２Ｂと接合膜６との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。
【０１２６】
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うのが好ましい。
また、表面処理に代えて、第２の部材２Ｂの少なくとも接合膜６を成膜する領域には、あらかじめ、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜６との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して第２の部材２Ｂ上に接合膜６を成膜することにより、第２の部材２Ｂと接合膜６との接合強度を高め、信頼性の高い接合体、すなわちアクチュエータ１を得ることができる。
【０１２７】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２８】
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、第２の部材２Ｂと接合膜６との間の接合強度を特に高めることができる。
一方、第１の部材２Ａのうちの接合膜６と接触する領域にも、あらかじめ、接合膜６との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、第１の部材２Ａと接合膜６との間の接合強度をより高めることができる。
【０１２９】
なお、この表面処理には、第２の部材２Ｂに対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
また、表面処理に代えて、第１の部材２Ａのうちの接合膜６と接触する領域に、あらかじめ、接合膜６との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、第１の部材２Ａと接合膜６との間の接合強度をより高めることができる。
かかる中間層の構成材料には、前述の第２の部材２Ｂに形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０１３０】
ここで、本工程において、第２の部材２Ｂ上に設けられた接合膜６が第１の部材２Ａと接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第１の部材２Ａのうちの第２の部材２Ｂとの接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜６と第１の部材２Ａとが接触するように、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせたとき、接合膜６の第１の部材２Ａ側の面６１に存在する水酸基と、第１の部材２Ａの前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜６を備える第２の部材２Ｂと第１の部材２Ａとが接合されると推察される。
【０１３１】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜６と第１の部材２Ａとの接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜６を介して第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとがより強固に接合されると推察される。
なお、前述した工程Ｂ２（エネルギー付与工程）で活性化された接合膜６の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、工程Ｂ２の終了後、できるだけ早く本工程Ｂ３（貼り合わせ工程）に移行するのが好ましい。具体的には、工程Ｂ２の終了後、６０分以内に本工程Ｂ３を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜６の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程Ｂ３で第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂ（接合膜６の面６１）とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
このようにして接合された第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高いアクチュエータ１が得られる。
【０１３２】
［Ｃ］
−Ｃ１−
次に、図９（ｂ）に示すように、光反射部２２１を形成するとともに圧電素子５１、５２、５３、５４を基体２に接合する。これにより、アクチュエータ１が得られる。
光反射部２２１は、例えば、金属膜により形成することができる。
このような金属膜の形成方法としては、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、金属箔の接合等が挙げられる。
【０１３３】
なお、前述した製造方法では、第２の部材２Ｂ上に成膜された接合膜６と第１の部材２Ａとが密着するように、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせる場合について説明しているが、第１の部材２Ａに成膜された接合膜６と第２の部材２Ｂとが密着するように、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせるようにしてもよい。
また、接合膜６は、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂの双方に成膜されていてもよい。この場合、各部の界面をさらに強固に接合することができる。また、被着体（具体的には、第１の部材２Ａ、第２の部材２Ｂ）の材質が接合強度に影響を及ぼし難いため、被着体の材質によらず、各部が強固に接合された信頼性の高いアクチュエータ１が得られる。また、この場合、例えば、接合膜６に対するエネルギーの付与は、第１の部材２Ａに成膜された接合膜６と、第２の部材２Ｂに成膜された接合膜６のそれぞれに対して行うようにすればよい。
また、前述した工程Ｃ１の後、基体２またはアクチュエータ１に対して、必要に応じ、以下の２つの工程Ｃ２およびＣ３のうちの少なくとも１つの工程（アクチュエータ１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１３４】
−Ｃ１−
アクチュエータ１（または基体２。以下同じ。）をその厚さ方向（図２、図８にて上下方向）に圧縮するように、すなわち第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの接合強度をより高めることができる。
【０１３５】
また、アクチュエータ１を加圧することにより、アクチュエータ１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、アクチュエータ１における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、アクチュエータ１を加圧する際の圧力は、アクチュエータ１が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例してアクチュエータ１における接合強度を高めることができる。
【０１３６】
なお、この圧力は、アクチュエータ１の各部の構成材料や形状、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、上記条件に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、アクチュエータ１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、アクチュエータ１の各部の構成材料によっては、アクチュエータ１に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、アクチュエータ１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１３７】
−Ｃ３−
得られたアクチュエータ１を加熱する。
これにより、アクチュエータ１における接合強度をより高めることができる。
このとき、アクチュエータ１を加熱する際の温度は、室温より高く、アクチュエータ１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、アクチュエータ１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１３８】
なお、以上説明したような工程Ｃ２、Ｃ３の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、アクチュエータ１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、アクチュエータ１の接合強度を特に高めることができる。
以上のような工程を行うことにより、アクチュエータ１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１３９】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
図１１は、本発明の第２実施形態における接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図１２は、本発明の第２実施形態における接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１１および図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１４０】
なお、以下の説明では、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかるアクチュエータは、接合膜の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、接合膜６がエネルギー付与前の状態で、図１１に示すように、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の接合膜６は、それぞれ、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜である。
【０１４１】
このような接合膜６は、エネルギーが付与されると、図１２に示すように、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、接合膜６の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜６の表面に、前述した第１実施形態と同様の接着性が発現する。
第２実施形態において、接合膜６は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜６自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ１においても、寸法精度が高いものが得られる。
【０１４２】
さらに、接合膜６は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜６）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜６を用いて得られたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１４３】
また、接合膜６は、必要に応じて、導電性を有するものとすることができる。これにより、アクチュエータ１の配線の引き回し等の設計自由度を向上させることができる。また、振動系上に電気的な素子や回路を有する場合、これらに通電するための配線として接合膜６を用いることができる。この場合、接合膜４２の抵抗率は、接合膜６の構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
【０１４４】
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜６の第１の部材２Ａ側の面６１付近に存在していればよく、接合膜６のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜６の第１の部材２Ａ側の面６１付近に偏在していてもよい。なお、脱離基３０３が第１の部材２Ａ側の面６１付近に偏在する構成とすることにより、接合膜６に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜６に、接合を担う機能の他に、導電性や透光性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜６の導電性や透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
以上のような接合膜６としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
【０１４５】
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜６を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜６は、優れた導電性と透明性とを発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
【０１４６】
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜６中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜６の安定性が高くなり、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとをより強固に接合することができるようになる。
【０１４７】
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜６に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜６に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１４８】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとの接着性をより高度なものとすることができる。
【０１４９】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜６は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０１５０】
以上のことを考慮すると、接合膜６としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜６は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜６は、第２の部材２Ｂに対して特に強固に接着するとともに、第１の部材２Ａに対しても特に強い被着力を示し、その結果として、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを強固に接合することができる。
【０１５１】
また、接合膜６の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜６の平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜６の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜６の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１５２】
さらに、接合膜６の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜６にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、第２の部材２Ｂの接合面（接合膜６を成膜する側の面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜６を被着させることができる。その結果、接合膜６は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせた際に、第１の部材２Ａに対する接合膜６の密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜６の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜６の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【０１５３】
以上説明したような第２実施形態にかかる接合膜６は、接合膜６のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜６の第１の部材２Ａ側の面６１付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、第２の部材２Ｂ上に接合膜６を成膜する場合について、詳述する。
【０１５４】
＜Ａ＞  Ａの方法では、接合膜６は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いると、金属酸化物材料を第２の部材２Ｂに向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜６のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。
【０１５５】
また、ＰＶＤ法と用いると、緻密で均質な接合膜６を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜６は、第２の部材２Ｂに対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜６は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータ１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１５６】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【０１５７】
以下、ＰＶＤ法により接合膜６を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜６を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜６の成膜方法を説明するのに先立って、第２の部材２Ｂ上にイオンビームスパッタリング法により接合膜６を成膜する際に用いられる成膜装置１２００について説明する。
【０１５８】
図１３は、本実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１４は、図１３に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図１３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１３に示す成膜装置１２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜６の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【０１５９】
具体的には、成膜装置１２００は、チャンバー（真空チャンバー）１２１１と、このチャンバー１２１１内に設置され、第２の部材２Ｂ（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）１２１２と、チャンバー１２１１内に設置され、チャンバー１２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）１２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）１２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）１２１７とを有している。
【０１６０】
また、チャンバー１２１１には、チャンバー１２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段１２６０と、チャンバー１２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段１２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー１２１２は、チャンバー１２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー１２１２は、回動可能となっている。これにより、第２の部材２Ｂ上に接合膜６を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【０１６１】
イオン源（イオン銃）１２１５は、図１４に示すように、開口（照射口）１２５０が形成されたイオン発生室１２５６と、イオン発生室１２５６内に設けられたフィラメント１２５７と、グリッド１２５３、１２５４と、イオン発生室１２５６の外側に設置された磁石１２５５とを有している。
また、イオン発生室１２５６には、図１３に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源１２１９が接続されている。
【０１６２】
このイオン源１２１５では、イオン発生室１２５６内に、ガス供給源１２１９からガスを供給した状態で、フィラメント１２５７を通電加熱すると、フィラメント１２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石１２５５の磁場によって運動し、イオン発生室１２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド１２５３とグリッド１２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室１２５６内から引き出されるとともに加速され、開口１２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源１２１５から放出（照射）される。
【０１６３】
イオン源１２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット１２１６の表面に衝突し、ターゲット１２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット１２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置１２００では、イオン源１２１５は、その開口１２５０がチャンバー１２１１内に位置するように、チャンバー１２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源１２１５は、チャンバー１２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー１２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置１２００の小型化を図ることができる。
【０１６４】
また、イオン源１２１５は、その開口１２５０が、基板ホルダー１２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー１２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源１２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源１２１５を複数設置することにより、接合膜６の成膜速度をより速くすることができる。
【０１６５】
また、ターゲットホルダー１２１７および基板ホルダー１２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター１２２０および第２のシャッター１２２１が配設されている。
これらシャッター１２２０、１２２１は、それぞれ、ターゲット１２１６、第２の部材２Ｂおよび接合膜６が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
また、排気手段１２３０は、ポンプ１２３２と、ポンプ１２３２とチャンバー１２１１とを連通する排気ライン１２３１と、排気ライン１２３１の途中に設けられたバルブ１２３３とで構成されており、チャンバー１２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１６６】
さらに、ガス供給手段１２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ１２６４と、ガスボンベ１２６４からこのガスをチャンバー１２１１に導くガス供給ライン１２６１と、ガス供給ライン１２６１の途中に設けられたポンプ１２６２およびバルブ１２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー１２１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置１２００を用いて、以下のようにして接合膜６が形成される。
【０１６７】
ここでは、第２の部材２Ｂ上に接合膜６を成膜する方法について説明する。
まず、第２の部材２Ｂを用意し、第２の部材２Ｂを成膜装置１２００のチャンバー１２１１内に搬入し、基板ホルダー１２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段１２３０を動作させ、すなわちポンプ１２３２を作動させた状態でバルブ１２３３を開くことにより、チャンバー１２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０１６８】
さらに、ガス供給手段１２６０を動作させ、すなわちポンプ１２６２を作動させた状態でバルブ１２６３を開くことにより、チャンバー１２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー１２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０１６９】
次に、第２のシャッター１２２１を開き、さらに第１のシャッター１２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源１２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント１２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント１２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１７０】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド１２５３とグリッド１２５４とにより加速されて、イオン源１２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット１２１６に衝突する。これにより、ターゲット１２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー１２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー１２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が第２の部材２Ｂ上に堆積することにより、接合膜６が形成される。
【０１７１】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源１２１５のイオン発生室１２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド１２５３により遮蔽され、チャンバー１２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源１２１５の開口１２５０）がターゲット１２１６（チャンバー１２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室１２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜６に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜６の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜６を成膜することができる。
【０１７２】
＜Ｂ＞  一方、Ｂの方法では、接合膜６は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法を用いることにより、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜６を形成することができる。
【０１７３】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０１７４】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、第２の部材２Ｂ上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１７５】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法を用いることにより、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０１７６】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜６を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜６の成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜６を成膜する際に用いられる成膜装置１２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０１７７】
［ｉ］  まず、第２の部材２Ｂを用意する。そして、第２の部材２Ｂを成膜装置１２００のチャンバー１２１１内に搬入し、基板ホルダー１２１２に装着（セット）する。
［ii］  次に、排気手段１２３０を動作させ、すなわちポンプ１２３２を作動させた状態でバルブ１２３３を開くことにより、チャンバー１２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー１２１１内を加熱する。チャンバー１２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１７８】
［iii］  次に、第２のシャッター１２２１を開き、さらに第１のシャッター１２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源１２１５のイオン発生室１２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント１２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント１２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１７９】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド１２５３とグリッド１２５４とにより加速されて、イオン源１２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット１２１６に衝突する。これにより、ターゲット１２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、第２の部材２Ｂ上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０１８０】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源１２１５のイオン発生室１２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド１２５３により遮蔽され、チャンバー１２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源１２１５の開口１２５０）がターゲット１２１６（チャンバー１２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室１２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜６に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜６の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０１８１】
［iv］  次に、第２のシャッター１２２１を開いた状態で、第１のシャッター１２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー１２１１内をさらに加熱する。チャンバー１２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、第２の部材２Ｂおよび金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０１８２】
［v］  次に、ガス供給手段１２６０を動作させ、すなわちポンプ１２６２を作動させた状態でバルブ１２６３を開くことにより、チャンバー１２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー１２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー１２１１内が加熱された状態で、チャンバー１２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜６が形成される。
【０１８３】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー１２１１内は、前記工程［ii］において、排気手段１２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー１２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０１８４】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１８５】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー１２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、第１の部材２Ａ側の面６１付近に脱離基３０３が偏在する接合膜６を成膜することができる。
以上のような第２実施形態にかかるアクチュエータ１においても、前述した第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０１８６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
なお、以下の説明では、前述した第１実施形態や第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかるアクチュエータは、接合膜の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１８７】
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、接合膜６がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜６は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜６から脱離し、接合膜６の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜６の表面に、前述した第３実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１８８】
接合膜６は、第２の部材２Ｂ上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜６は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜６の少なくとも第１の部材２Ａ側の面６１付近から脱離し、図１２に示すように、接合膜６の少なくとも第１の部材２Ａ側の面６１付近に、活性手３０４が生じるものである。これにより、接合膜６の第１の部材２Ａ側の面６１に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜６が設けられた第２の部材２Ｂは、第１の部材２Ａに対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
【０１８９】
また、接合膜６は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜６自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ１においても、寸法精度が高いものが得られる。
このような接合膜６は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜６）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜６を用いて得られたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１９０】
また、接合膜６は、必要に応じて、導電性を有するものとすることができる。これにより、アクチュエータ１の配線の引き回し等の設計自由度を向上させることができる。また、振動系上に電気的な素子や回路を有する場合、これらに通電するための配線として接合膜６を用いることができる。
以上のような接合膜６としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
【０１９１】
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０１９２】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜６に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜６の導電性をより高めることができる。
【０１９３】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜６は、優れた導電性を発揮するものとなる。また、接合膜６を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜６を成膜することができる。
【０１９４】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜６から脱離することにより、接合膜６に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜６に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１９５】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜６の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１９６】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜６は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０１９７】
また、かかる構成の接合膜６において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜６の安定性が高くなり、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜６を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【０１９８】
また、接合膜６の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜６の平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜６の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜６の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１９９】
さらに、接合膜６の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜６にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、第２の部材２Ｂの接合面（接合膜６を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜６を被着させることができる。その結果、接合膜６は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、第１の部材２Ａと第２の部材２Ｂとを貼り合わせた際に、第１の部材２Ａに対する接合膜６の密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜６の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜６の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【０２００】
以上説明したような接合膜６は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜６を形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜６を形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜６を成膜するのが好ましい。かかる方法を用いることにより、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜６を形成することができる。
【０２０１】
以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜６を形成する方法により、接合膜６を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜６の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜６を成膜する際に用いられる成膜装置１４００について説明する。
【０２０２】
図１５は、本発明の第３実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１５に示す成膜装置１４００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜６の形成をチャンバー１４１１内で行えるように構成されている。
【０２０３】
具体的には、成膜装置１４００は、チャンバー（真空チャンバー）１４１１と、このチャンバー１４１１内に設置され、第２の部材２Ｂ（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）１４１２と、チャンバー１４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段１４６０と、チャンバー１４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段１４７０と、チャンバー１４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段１４３０と、基板ホルダー１４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０２０４】
基板ホルダー１４１２は、本実施形態では、チャンバー１４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー１４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、第２の部材２Ｂ上に接合膜６を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー１４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター１４２１が配設されている。このシャッター１４２１は、第２の部材２Ｂおよび接合膜６が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０２０５】
有機金属材料供給手段１４６０は、チャンバー１４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段１４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽１４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー１４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ１４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー１４１１内に導くガス供給ライン１４６１と、ガス供給ライン１４６１の途中に設けられたポンプ１４６４およびバルブ１４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段１４６０では、貯留槽１４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ１４６３を開放した状態で、ポンプ１４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ１４６５から貯留槽１４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン１４６１内を通過してチャンバー１４１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
【０２０６】
また、本実施形態では、ガス供給手段１４７０がチャンバー１４１１に接続されている。ガス供給手段１４７０は、チャンバー１４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ１４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン１４７１と、ガス供給ライン１４７１の途中に設けられたポンプ１４７４およびバルブ１４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段１４７０では、バルブ１４７３を開放した状態で、ポンプ１４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ１４７５から、供給ライン１４７１を介して、チャンバー１４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段１４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー１４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜６を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜６が成膜される。
【０２０７】
チャンバー１４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜６に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜６を成膜することができる。その結果、この接合膜６は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０２０８】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段１４３０は、ポンプ１４３２と、ポンプ１４３２とチャンバー１４１１とを連通する排気ライン１４３１と、排気ライン１４３１の途中に設けられたバルブ１４３３とで構成されており、チャンバー１４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０２０９】
以上のような構成の成膜装置１４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして第２の部材２Ｂ上に接合膜６が形成される。
［ｉ］  まず、第２の部材２Ｂを用意する。そして、第２の部材２Ｂを成膜装置１４００のチャンバー１４１１内に搬入し、基板ホルダー１４１２に装着（セット）する。
［ii］  次に、排気手段１４３０を動作させ、すなわちポンプ１４３２を作動させた状態でバルブ１４３３を開くことにより、チャンバー１４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０２１０】
また、ガス供給手段１４７０を動作させ、すなわちポンプ１４７４を作動させた状態でバルブ１４７３を開くことにより、チャンバー１４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー１４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段１４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０２１１】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー１４１２を加熱する。基板ホルダー１４１２の温度は、形成する接合膜６の種類、すなわち、接合膜６を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜６を成膜することができる。
【０２１２】
［iii］  次に、シャッター１４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽１４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ１４６４を動作させるとともに、バルブ１４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０２１３】
このように、前述した工程［ii］で基板ホルダー１４１２が加熱された状態で、チャンバー１４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、第２の部材２Ｂ上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、第２の部材２Ｂ上に接合膜６を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜６を第２の部材２Ｂ上に形成することができる。
【０２１４】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜６を確実に形成することができる。
【０２１５】
また、本実施形態では、ガス供給手段１４７０を動作させることにより、チャンバー１４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、第２の部材２Ｂ上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜６を形成することができる。
【０２１６】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜６を成膜することができる。
以上のように、接合膜６を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜６を成膜することができる。
【０２１７】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜６に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜６を成膜することができる。
以上のような第３実施形態にかかるアクチュエータ１においても、前述した第１実施形態および第２実施形態と同様の作用・効果が得られる。
以上説明したようなアクチュエータ１は、例えば、レーザープリンタ、バーコードリーダー、走査型共焦点レーザー顕微鏡、イメージング用ディスプレイ等の画像形成装置に備える光スキャナに好適に適用することができる。
【０２１８】
ここで、図１６に基づき、画像形成装置の一例として、アクチュエータ１をイメージング用ディスプレイの光スキャナとして用いた場合を説明する。なお、説明の便宜上、図１６中に示すスクリーンＳの長手方向を「横方向」といい、長手方向に直角な方向を「縦方向」という。
プロジェクタ（画像形成装置）９は、レーザーなどの光を照出する光源装置９１と、クロスダイクロイックプリズム（Ｘプリズム）９２と、１対のアクチュエータ１、１Ａと、固定ミラー９５とを有している。なお、アクチュエータ１Ａは、アクチュエータ１と同様の構成である。
【０２１９】
光源装置９１は、赤色光を照出する赤色光源装置９１１と、青色光を照出する青色光源装置９１２と、緑色光を照出する緑色光源装置９１３とを備えている。
クロスダイクロイックプリズム９２は、４つの直角プリズムを貼り合わせて構成され、赤色光源装置９１１、青色光源装置９１２、緑色光源装置９１３のそれぞれから照出された光を合成する光学素子である。
【０２２０】
このようなプロジェクタ９は、赤色光源装置９１１、青色光源装置９１２、緑色光源装置９１３のそれぞれから、図示しないホストコンピュータからの画像情報に基づいて照出された光をクロスダイクロイックプリズム９２で合成し、この合成された光を１対のアクチュエータ１、１Ａによって２次元的に走査し、さらに固定ミラー９５によって反射することで、スクリーンＳ上でカラー画像を形成するように構成されている。
【０２２１】
クロスダイクロイックプリズム９２で合成された光は、アクチュエータ１によって横方向に走査される（主走査）。そして、この横方向に走査された光は、アクチュエータ１Ａによってさらに縦方向に走査される（副走査）。これにより、２次元カラー画像をスクリーンＳ上に形成することができる。
なお、アクチュエータ１、１Ａのうちの少なくとも一方のアクチュエータを本発明のアクチュエータとすればよく、例えば、一方のアクチュエータに換えてガルバノミラーなどを用いて光走査を行ってもよい。
【０２２２】
また、スクリーンＳは、プロジェクタ９の本体に備えられたものであっても別体であってもよい。また、スクリーンＳの表面（視認側の面）に光源装置９１からの光を照射し表示してもよいし、スクリーンＳの裏面（視認側の面とは反対側の面）に光源装置９１からの光を照射し表面に透過させ表示してもよい。
以上、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【０２２３】
前述した実施形態では、第１の部材および第２の部材が、平面視にて基体２全体を可動板２２の回動中心軸に沿って分割するように形成されていたが、第１の部材および第２の部材の形状はこれに限定されない。例えば、可動板および連結部のみを可動板の回動中心軸に沿って分割するように形成してもよい。この場合、支持部と、可動板および連結部とを別々に形成するのが好ましい。
【０２２４】
また、前述した実施形態では、駆動部材と支持部とを連結する弾性部が１対の弾性部材で構成されているものを説明したが、当該弾性部の形態はこれに限定されず、例えば、可動板の回動中心軸部に沿って設けられた棒状の部材で構成されていてもよい。
また、前述した実施形態では、駆動部材が１対設けられているものを説明した、駆動部材の形態は、これに限定されず、例えば、可動板を囲むように枠状をなしていてもよい。
【０２２５】
また、前述した実施形態では、可動板と支持部とを連結する連結部が軸部材と駆動部材と弾性部とで構成されているもの、すなわち２自由度振動系について説明したが、当該連結部の形態は前述したものに限定されない。例えば、当該連結部が可動板の回動中心軸に沿って設けられた棒状の部材で構成されていてもよい。この場合、可動板と１対の連結部とが１自由度振動系を構成する。
【０２２６】
また、前述した実施形態では、圧電素子により振動系を駆動するもの、すなわち圧電駆動方式を採用するアクチュエータについて説明したが、振動系の駆動方式としては、これに限定されず、例えば、電磁駆動方式であっても、静電駆動方式であってもよい。
また、前述した実施形態では、基体２と支持体３と中間層４をＳＯＩ基板を用いて形成した例を説明したが、これに限定されない。例えば、基体２と支持体３と中間層４とをそれぞれ別々の基板を用いて作成し、これらを接合してよい。この場合、各基板の構成材料は、特に限定されないが、例えば、ガラス材料、樹脂材料、金属材料などで構成することができる。
【０２２７】
また、前述した実施形態では、部材３Ａと部材３Ｂとが接合膜６を介して接合されていたが、部材３Ａと部材３Ｂとの接合は、アクチュエータの製造方法によっては、接着剤や固体接合等の他の接合方法を用いてもよい。また、支持体３は分割された構造を有さず予め一体で形成されたものであってもよい。
また、前述した実施形態では、部材４Ａと部材４Ｂとが接合膜６を介して接合されていたが、部材４Ａと部材４Ｂとの接合は、アクチュエータの製造方法によっては、接着剤や固体接合等の他の接合方法を用いてもよい。また、中間層４は分割された構造を有さず予め一体で形成されたものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２２８】
【図１】本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示すアクチュエータの平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示すアクチュエータに備えられた接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図５】図１に示すアクチュエータに備えられた接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図６】図１に示すアクチュエータの製造方法を説明するための図である。
【図７】図１に示すアクチュエータの製造方法を説明するための図である。
【図８】図１に示すアクチュエータの製造方法を説明するための図である。
【図９】図１に示すアクチュエータの製造方法を説明するための図である。
【図１０】図７（ｂ）に示す接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態における接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１２】本発明の第２実施形態における接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１３】本発明の第２実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１４】図１３に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図１５】本発明の第３実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１６】本発明の画像形成装置（イメージングディスプレイ）の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０２２９】
１、１Ａ‥‥‥アクチュエータ  ２‥‥‥基体  ２Ａ‥‥‥第１の部材  ２Ｂ‥‥‥第２の部材  ２１‥‥‥支持部  ２２‥‥‥可動板  ２２１‥‥‥光反射部  ２３、２４‥‥‥連結部  ２３１、２４１‥‥‥駆動部材  ２３２、２３３、２４２、２４３‥‥‥弾性部材  ２３４、２４４‥‥‥軸部材  ３‥‥‥支持体  ３Ａ、３Ｂ‥‥‥部材  ３１‥‥‥空間（開口部）  ４‥‥‥中間層  ４Ａ、４Ｂ‥‥‥部材  ５１〜５４‥‥‥圧電素子  ７‥‥‥ＳＯＩ基板  ７１、７３‥‥‥Ｓｉ層  ７２‥‥‥ＳｉＯ２層  ８１、８２‥‥‥レジストマスク  ９‥‥‥プロジェクタ  ９１‥‥‥光源装置  ９１１‥‥‥赤色光源装置  ９１２‥‥‥青色光源装置  ９１３‥‥‥緑色光源装置  ９２‥‥‥クロスダイクロイックプリズム（Ｘプリズム）  ９５‥‥‥固定ミラー  ３０１‥‥‥Ｓｉ骨格  ３０２‥‥‥シロキサン結合  ３０３‥‥‥脱離基  ３０４‥‥‥活性手  ５１１‥‥‥圧電体層  ５１２、５１３‥‥‥電極  ６‥‥‥接合膜  ６１‥‥‥表面  ７Ａ、７Ｂ‥‥‥構造体  １１００‥‥‥プラズマ重合装置  １１０１‥‥‥チャンバー  １１０２‥‥‥接地線  １１０３‥‥‥供給口  １１０４‥‥‥排気口  １１３０‥‥‥第１の電極  １１３９（吸着機構）‥‥‥静電チャック  １１４０‥‥‥第２の電極  １１７０‥‥‥排気ポンプ  １１７１‥‥‥圧力制御機構  １１８０‥‥‥電源回路  １１８２‥‥‥高周波電源  １１８３‥‥‥マッチングボックス（整合器）  １１８４‥‥‥配線  １１９０‥‥‥ガス供給部  １１９１‥‥‥貯液部  １１９２‥‥‥気化装置  １１９３‥‥‥ガスボンベ  １１９４‥‥‥配管  １１９５‥‥‥拡散板  １２００‥‥‥成膜装置  １２１１‥‥‥チャンバー（真空チャンバー）  １２１２‥‥‥基板ホルダー（成膜対象物保持部）  １２１５‥‥‥イオン源（イオン供給部）  １２１６‥‥‥ターゲット（金属酸化物材料）  １２１７‥‥‥ターゲットホルダー（ターゲット保持部）  １２１９‥‥‥ガス供給源  １２２０‥‥‥第１のシャッター  １２２１‥‥‥第２のシャッター  １２３０‥‥‥排気手段  １２３１‥‥‥排気ライン  １２３２‥‥‥ポンプ  １２３３‥‥‥バルブ  １２５０‥‥‥開口（照射口）  １２５３、１２５４‥‥‥グリッド  １２５５‥‥‥磁石  １２５６‥‥‥イオン発生室  １２５７‥‥‥フィラメント  １２６０‥‥‥ガス供給手段  １２６１‥‥‥ガス供給ライン  １２６２‥‥‥ポンプ  １２６３‥‥‥バルブ  １２６４‥‥‥ガスボンベ  １４００‥‥‥成膜装置  １４１１‥‥‥チャンバー（真空チャンバー）  １４１２‥‥‥基板ホルダー（成膜対象物保持部）  １４２１‥‥‥シャッター  １４３０‥‥‥排気手段  １４３１‥‥‥排気ライン  １４３２‥‥‥ポンプ  １４３３‥‥‥バルブ  １４６０‥‥‥有機金属材料供給手段  １４６１‥‥‥ガス供給ライン  １４６２‥‥‥貯留槽  １４６３‥‥‥バルブ  １４６４‥‥‥ポンプ  １４６５‥‥‥ガスボンベ  １４７０‥‥‥ガス供給手段  １４７１‥‥‥ガス供給ライン  １４７３‥‥‥バルブ  １４７４‥‥‥ポンプ  １４７５‥‥‥ガスボンベ  Ｓ‥‥‥スクリーン  Ｘ‥‥‥回動中心軸
【図１】
2009142044.tif 000003
【図２】
2009142044.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2009142044.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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