(57)【要約】【課題】配線基板を複数の伝送方式に対応させつつ、伝送品質等を維持する。【解決手段】配線基板（２００）は、基板（２０１）と、該基板上に、基板上で平面的に見てストライプ状に形成された複数の配線（ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ６、ｇ１、ｇ２）とを備える。前記複数の配線は、該複数の配線が第１伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、前記複数の配線が第２伝送方式用の配線として使用される際に前記グランド配線とは異なる信号配線として機能する複数の第１配線（ａ１〜ａ６）を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に、前記基板上で平面的に見てストライプ状に形成された複数の配線と
を備え、
前記複数の配線は、該複数の配線が第１伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、前記複数の配線が第２伝送方式用の配線として使用される際に前記グランド配線とは異なる信号配線として機能する複数の第１配線を含む
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記複数の配線は、該複数の配線が前記第１伝送方式用の配線として使用される際に差動線路として機能する複数の第２配線を含み、
前記複数の第１配線のうち一の第１配線と他の第１配線との間には、前記複数の第２配線のうち一対の第２配線が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１伝送方式は、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｉｎｇａｌｉｎｇ）信号を伝送する方式であり、前記第２伝送方式は、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）信号又はＴＴＬ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ｌｏｇｉｃ）信号を伝送する方式であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
当該配線基板はフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板と、
該配線基板と電気的に接続され、電気光学動作を行う電気光学パネルと
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記配線基板上に設けられると共に前記複数の配線の少なくとも一部に電気的に接続され、前記電気光学パネルを駆動するための駆動回路を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置において、電気光学パネルと外部回路とを接続するのに用いられるフレキシブル基板等の配線基板、及び該配線基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の配線基板では、ノイズ、伝送される信号の品質低下等を防止することが図られる。例えば、特許文献１には、表示装置に使用され、小振幅の差動信号を伝送する平衡伝送線路の少なくとも一端にコモンモードフィルタを接続する技術が記載されている。特許文献２には、差動信号を伝送する一対の伝送線路を基板上において線対称に配置する技術が記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２７１０４８号公報
【特許文献２】特開平１１−１８６６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の背景技術によれば、複数の伝送方式に対応していない、或いは少なくとも複数の伝送方式に適していないという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、複数の伝送方式に対応しつつ、伝送品質等を維持することができる配線基板、及び該配線基板を備える電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の配線基板は、上記課題を解決するために、基板と、該基板上に、前記基板上で平面的に見てストライプ状に形成された複数の配線とを備え、前記複数の配線は、該複数の配線が第１伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、前記複数の配線が第２伝送方式用の配線として使用される際に前記グランド配線とは異なる信号配線として機能する複数の第１配線を含む。
【０００７】
本発明の配線基板によれば、当該配線基板は、例えば単層基板である基板と、該基板上に、該基板上で平面的に見てストライプ状に形成されると共に、相互に所定の間隔を開けて配置された複数の配線とを備えている。複数の配線は、該複数の配線が、例えばＬＶＤＳ（Ｌｏｗ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｉｎｇａｌｉｎｇ）信号である第１信伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、複数の配線が、例えばＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）信号又はＴＴＬ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ｌｏｇｉｃ）信号である第２伝送方式用の配線として使用される際に信号配線（即ち、伝送線路）として機能する複数の第１配線を含んでいる。
【０００８】
本願発明者の研究によれば、一般に、単層基板上にＬＶＤＳ信号用の差動線路を形成する場合、一の一対の差動線路と他の一対の差動線路との間に、差動線路の特性インピーダンスを所定値（例えば１００Ω）とするため、及びクロストーク防止のためのグランド配線が形成される。言い換えれば、グランド配線間に、一対の差動線路が形成される。そして、差動線路の特性インピーダンスを所定値とするためには、グランド配線がある程度広い面積を有することが必要である。
【０００９】
他方、ＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の信号配線を形成する場合、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号のビット数（例えば１２ビット）に応じた配線数が必要である。従って、一つの配線基板をＬＶＤＳ信号用の差動線路とＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の信号配線として兼用する場合、配線基板上において配線が延びる方向に対して交わる方向の配線基板の長さ（即ち、幅）が大きくなる。加えて、配線基板の幅には制限があり、基板上に形成可能な配線数に制限があることが判明している。
【００１０】
しかるに本願発明者は、ＬＶＤＳ信号用の差動線路の特定インピーダンスを所定値とするためのグランド配線の幅（即ち、面積）を広げなくても（例えば、差動線路の幅と同等としても）、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離、並びに一対の差動線路間の距離を、夫々所定距離とすれば、差動線路の特性インピーダンスを所定値とすることができることを見出し、ＬＶＤＳ信号用の差動線路及びグランド配線をＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の信号配線としている。即ち、本発明では、複数の配線のうち一部を、ＬＶＤＳ信号が当該配線基板に入力される際には、グランド配線として機能すると共に、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号が当該配線基板に入力される際には、信号配線として機能するようにしている。
【００１１】
また、一の一対の差動線路及び他の一対の差動線路間の距離（即ち、ピッチ）を、例えば伝統的な幅広のグランド配線が配置されている場合と同等のピッチとして、一の一対の差動線路及び他の一対の差動線路間に複数のグランド配線が形成すれば、グランド配線の幅を広げないことによる、一の一対の差動線路及び他の一対の差動線路間におけるクロストークを防止することができる。即ち、複数のグランド配線があるので、対をなす差動線路への影響力については、個々のグランド配線の幅を広げることを要せずに（即ち、差動線路と同等の幅であっても）、伝統的な幅広のグランド配線と同等に機能させることができる。言い換えれば、対をなす差動線路から見れば、幅広のグランド配線が、複数のグランド配線に分割されているだけで、複数のグランド配線の合計幅や間隙を多少調整すれば、伝統的な幅広の１本のグランド配線と同一視できる。
【００１２】
尚、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離、並びに一対の差動線路間の距離は、配線の幅、配線を形成する材料の特性値、信号の周波数等に基づいた、例えば電磁界シミュレーション等から夫々求めればよい。例えば、配線の幅が３５μｍ（マイクロメートル）、信号の周波数が１ＧＨｚ（ギガヘルツ）である場合、差動線路の特性インピーダンスを１００Ωとするには、一対の差動線路のうち一方及び該一方に隣接するグランド配線間の距離を６０μｍ、一対の差動線路間の距離を３３μｍとすればよい。
【００１３】
以上の結果、本発明の配線基板によれば、複数の伝送方式に対応しつつ、伝送品質等を維持することができる。更に、配線基板の幅が必要以上に大きくなることを防止することができる。
【００１４】
本発明の配線基板の一態様では、前記複数の配線は、該複数の配線が前記第１伝送方式用の配線として使用される際に差動線路として機能する複数の第２配線を含み、前記複数の第１配線のうち一の第１配線と他の第１配線との間には、前記複数の第２配線のうち一対の第２配線が形成されている。
【００１５】
この態様によれば、一対の第２配線間の距離、並びに一対の第２配線のうち一方及び該一方と隣接する第１配線間の距離を、夫々所定距離とすれば、一対の第２配線間の特性インピーダンスを所定値とすることができると共に、クロストークを防止することができる。
【００１６】
本発明の配線基板の他の態様では、前記第１伝送方式は、ＬＶＤＳ信号を伝送する方式であり、前記第２伝送方式は、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式である。
【００１７】
この態様によれば、当該配線基板を、高速な信号伝送が可能なＬＶＤＳ信号用の配線基板として使用できると共に、広く普及しているＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の配線基板として使用できる。
【００１８】
本発明の配線基板の他の態様では、当該配線基板はフレキシブル基板である。
【００１９】
この態様によれば、可撓性のある基板上に配線が形成されるので、配線と外部回路との相対位置の自由度を高めることができ、実用上非常に有利である。
【００２０】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の配線基板（但し、その各種態様を含む）と、該配線基板と電気的に接続され、電気光学動作を行う電気光学パネルとを備える。
【００２１】
本発明の電気光学装置によれば、当該電気光学装置は、例えば液晶パネル等である電気光学パネルと、該電気光学パネル、及び例えば画像信号処理回路等の外部回路を電気的に接続する配線基板とを備える。その動作時には、電気光学パネルに設けられた、該電気光学パネルを駆動するための駆動回路によって、或いは、配線基板上に設けられた駆動回路によって、電気光学パネルが駆動され、その電気光学動作が行われる。即ち、その動作時には、例えばフレキシブル基板上に設けられた信号配線を伝送路として画像データ等のデータ信号が伝送されることで、例えば電気光学パネルの画素領域において、画像表示動作が行われる。
【００２２】
ここで、本発明の電気光学装置は、上述した本発明の配線基板を備えてなるので、複数の伝送方式に対応しつつ、伝送品質等を維持することができる。即ち、外部回路から電気光学パネルへ伝送される信号を、例えば、ＬＶＤＳ信号としてもよいし、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号としてもよい。尚、ＬＶＤＳ信号とするか、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号とするかは、例えばコントローラによって決定すればよい。言い換えれば、仮にコントローラを交換しても、同一の電気光学パネルを使用することができ、実用上非常に有利である。
【００２３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記配線基板上に設けられると共に前記複数の配線の少なくとも一部に電気的に接続され、前記電気光学パネルを駆動するための駆動回路を更に備える。
【００２４】
この態様によれば、当該配線基板は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ搭載型の配線基板であってもよい。
【００２５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００２６】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、クロストーク等を防止し、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００２７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下図面を参照しながら、本発明に係る配線基板及び電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００２９】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態の液晶装置の斜視図である。
【００３０】
図１において、本実施形態に係る液晶装置は、液晶パネル１００、配線基板２００ケース４００を備えて構成されている。配線基板２００は、駆動用ＩＣチップ３００を搭載するタイプである。ここに、本実施形態に係る「液晶パネル１００」及び「駆動用ＩＣチップ３００」は、夫々、本発明に係る「電気光学パネル」及び「駆動回路」の一例である。
【００３１】
駆動用ＩＣチップ３００は、例えば図示しないデータ線駆動回路の一部等を含んで構成されており、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて、電気的及び機械的に配線基板２００に固着されている。配線基板２００は、例えばポリイミド等の基材に配線がパターニングされることによって形成されている。
【００３２】
次に、液晶パネル１００について、図２及び図３を参照して説明を加える。ここに図２は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側からみた平面図であり、図３は、図２のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３３】
図２及び図３において、本実施形態の液晶パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素が設けられた領域に対応する、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３５】
図２において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３７】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３８】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図３では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３９】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００４０】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００４１】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図３には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００４２】
尚、図２及び図３に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらの走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４３】
次に、図４を参照して配線基板２００について説明を加える。ここに図４は、図１のＡ−Ａ´線断面の一部を示す断面図である。
【００４４】
図４において、本実施形態に係る配線基板２００は、基板２０１、該基板２０１上にストライプ状に（即ち、断面上で島状に）形成された複数の配線ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ６、ｇ１及びｇ２、並びに該複数の配線の上面及び側面を覆うように形成された絶縁膜２０２を備えて構成されている。配線ａ１〜ａ６各々の幅ｗ２、及び配線ｂ１〜ｂ６各々の幅ｗ３は、例えば３５μｍであり、配線ｇ１及びｇ２各々の幅ｗ１は、例えば１５７μｍである。配線ｇ１及び配線ａ１間の距離ｄ１、配線ａ１及び配線ｂ１間の距離ｄ２、配線ｂ１及び配線ｂ２間の距離ｄ３、及び配線ａ２及び配線ａ３間の距離ｄ４は、夫々、例えば８７μｍ、６０μｍ、３３μｍ及び８７μｍである。
【００４５】
当該配線基板２００が、本発明の「第１伝送方式」の一例としてのＬＶＤＳ信号を伝送する方式用の配線として使用される際には、配線ａ１〜ａ６、ｇ１及びｇ２は、夫々グランド配線として機能し、配線ｂ１〜ｂ６は、夫々差動線路として機能する。他方、当該配線基板２００が、本発明の「第２伝送方式」の一例としてのＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式用の配線として使用される際には、配線ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ６は、夫々信号配線として機能し、配線ｇ１及びｇ２は、夫々グランド配線として機能する。ここに、本実施形態に係る「配線ａ１〜ａ６」及び「配線ｂ１〜ｂ６」は、夫々、本発明に係る「第１配線」及び「第２配線」の一例である。
【００４６】
ここで、図５を参照して配線基板２００をＬＶＤＳ信号用の配線として使用する際における、差動線路の特性インピーダンス及び一対の差動線路間の距離（図４における距離ｄ３）について説明を加える。ここに、図５は、差動線路の特性インピーダンスとＬＶＤＳ信号の周波数との関係を一対の差動線路間の距離毎に示す特性図である。図５において実線ａ〜ｋは、夫々、一対の差動線路間の距離が２５μｍ、２６μｍ、２７μｍ、２８μｍ、２９μｍ、３０μｍ、３１μｍ、３２μｍ、３３μｍ、３４μｍ及び３５μｍの場合を示している。尚、差動線路の幅及びグランド配線の幅は３５μｍであり、差動線路及びグランド配線間の距離（図４における距離ｄ２）は６０μｍである。
【００４７】
例えば、１ＧＨｚのＬＶＤＳ信号を配線基板２００に入力する際に、差動線路の特性インピーダンスを１００Ωとする場合、図５から差動線路間の距離を３３μｍにすればよいことが分かる。このように、差動線路の幅、グランド配線の幅、差動線路間の距離、差動線路及びグランド配線間の距離、配線を構成している材質の特性値等から、図５に示すような差動線路の特性インピーダンスとＬＶＤＳ信号の周波数との関係を取得すれば、電気光学装置の設計に応じた配線基板を設計又は製造することができる。
【００４８】
尚、差動線路及びグランド配線間の距離は、ある程度大きくすれば、それ以上距離を大きくしたとしても差動線路の特性インピーダンスに大きく影響を与えないことが本願発明者の研究により判明している。従って、配線基板の許容可能な幅内に必要な配線数を形成することができるように、差動線路及びグランド配線間の距離を設定すればよい。
【００４９】
再び図４に戻り、一の一対の差動線路（例えば配線ｂ１及び配線ｂ２）と他の一対の差動線路（例えば配線ｂ３及び配線ｂ４）との間に複数のグランド配線（例えば配線ａ２及びａ３）を形成することにより、一の一対の差動線路及び他の一対の差動線路間におけるクロストーク等を防止することができると共に、配線基板２００がＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の配線として使用される際に、必要な配線数を確保することができる。
【００５０】
加えて、図４に示すように、配線ｇ１及び配線ｇ２間には、配線ａ１〜ａ６及び配線ｂ１〜ｂ６がほぼ均等に配置されている。これにより、配線基板２００が、ＣＭＯＳ信号又はＴＴＬ信号を伝送する方式用の配線として使用される際に、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ノイズの発生を抑制することができる。
【００５１】
上述の如く構成された配線基板２００における配線ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ６、ｇ１及びｇ２各々の機能を、ＬＶＤＳ信号、ＣＭＯＳ信号及びＴＴＬ信号について整理すると図６に示すようになる。尚、本実施形態では、ＣＭＯＳ信号及びＴＴＬ信号のビット数を、夫々、１２ビットとしているが、仮に１４ビット等であったとしても、配線ａ２及び配線ａ３間、並びに配線ａ４及び配線ａ５間に、当該配線基板２００をＬＶＤＳ信号用の配線として使用する際に、グランド配線として機能する配線を形成し、ＣＭＯＳ信号用及びＴＴＬ信号用の配線として使用する際に信号配線として機能させればよい。
【００５２】
＜比較例＞
次に、図７を参照して本実施形態の電気光学装置の比較例について説明する。図７は、図４と同趣旨の、本実施形態の電気光学装置の比較例における配線基板の断面の一部を示す断面図である。
【００５３】
図７に示すように、比較例に係る配線基板は、基板２１１、該基板２１１上に形成された複数の信号配線ｓ及び複数のグランド配線ｇ、並びに複数の信号配線ｓ及び複数のグランド配線ｇを覆うように形成された絶縁膜２１２を備えて構成されている。比較例に係る配線基板では、ＬＶＤＳ信号用配線として使用する際に、差動線路の特性インピーダンスを所定値とするため、及びクロストーク防止のために、グランド配線ｇは、ある程度広い面積を有している。
【００５４】
このような配線基板を、ＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の配線として使用する際には、グランド配線ｇを信号配線として使用することは困難であり、別途ＣＭＯＳ信号用又はＴＴＬ信号用の信号配線を形成する必要がある。このため、配線基板の幅が大きくなったり、配線基板に電気的に接続される端子の配置が偏ったりする可能性がある。
【００５５】
＜電子機器＞
次に、図８を参照しながら、上述した電気光学装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した電気光学装置１における液晶パネル１００は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図８は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００５６】
図８に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００５７】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００５８】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００５９】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００６０】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００６１】
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う配線基板、及びそのような配線基板を備えた電気光学装置、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶パネルの全体構成を示す平面図である。
【図３】図２のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線基板の断面の一部を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線基板における差動線路の特性インピーダンスとＬＶＤＳ信号の周波数との関係を示す特性図である。
【図６】本発明の実施形態に係る配線基板における配線の機能を示す表である。
【図７】本発明の実施形態の比較例に係る配線基板の断面の一部を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…液晶装置、１００…液晶パネル、２００…配線基板、２０１…基板、２０２…絶縁膜、３００…駆動用ＩＣチップ、４００…フレーム、ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ６、ｇ１、ｇ２…配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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