(57)【要約】【課題】ＣＦ４等の安定なハロゲン化炭素を十分に分解し、処理効率を高め、排ガス処理の負担を軽減する。【解決手段】一次反応部２０の前段電極２２間に１００〜３００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａの一次プラズマ空間２２ａを形成し、この一次プラズマ空間２２ａでＣＦ４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスをプラズマ化し、ＣＯＦ２等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する。この一次反応ガスをより低圧の二次プラズマ空間４２ａでプラズマ化し、被処理物９０との反応性を有するフッ素ラジカル等の反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成し、この二次反応ガスを被処理物９０に接触させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスを１００〜５００００Ｐａの第１の圧力下でプラズマ化し、不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する一次反応工程と、
前記一次反応ガスを前記第１圧力より低圧の第２の圧力下でプラズマ化し、被処理物との反応性を有する反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成するとともに、この二次反応ガスを被処理物に接触させる二次反応工程と、
を実行することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項２】
安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスを１００〜５００００Ｐａの第１の圧力下でプラズマ化し、不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する一次反応工程と、
前記一次反応ガスを加圧し略大気圧下でプラズマ化し、被処理物との反応性を有する反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成するとともに、この二次反応ガスを被処理物に接触させる二次反応工程と、
を実行することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項３】
上記第１圧力が、１０００〜３００００Ｐａであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ表面処理方法。
【請求項４】
前記原料ガスに含酸素成分を添加することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ表面処理方法。
【請求項５】
前記含酸素成分が、Ｈ２Ｏであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ表面処理方法。
【請求項６】
前記安定なハロゲン化炭素が、ＣＦ４であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のプラズマ表面処理方法。
【請求項７】
前記一次反応ガス中の前記安定ハロゲン化炭素の濃度を検出し、この検出濃度に基づいて前記一次反応工程におけるプラズマ化のための投入電力又は前記原料ガスの流量を調節することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のプラズマ表面処理方法。
【請求項８】
安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスの供給部と、
互いの間に１００〜５００００Ｐａの一次プラズマ空間を形成する一対の前段電極を有し、前記一次プラズマ空間に前記原料ガスを導入して不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する一次反応部と、
互いの間に前記一次プラズマ空間より低圧の二次プラズマ空間を形成する一対の後段電極を有し、前記二次プラズマ空間内に被処理物が配置されるとともに、前記一次反応ガスを前記二次プラズマ空間に導入して前記被処理物との反応性を有する反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成する二次反応部と、
を備えたことを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項９】
安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスの供給部と、
互いの間に１００〜５００００Ｐａの一次プラズマ空間を形成する一対の前段電極を有し、前記一次プラズマ空間に前記原料ガスを導入して不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する一次反応部と、
前記一次反応ガスを加圧する加圧手段と、
互いの間に被処理物が配置されるべき略大気圧の二次プラズマ空間を形成する一対の後段電極を有し、前記加圧後の一次反応ガスを前記二次プラズマ空間に導入して前記被処理物との反応性を有する反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成する二次反応部と、
を備えたことを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項１０】
前記原料ガスに含酸素成分を添加する添加部を、更に備えたことを特徴とする請求項８又は９に記載のプラズマ表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハロゲン化炭素をプラズマ化し被処理物との反応性を有するハロゲン化合物を得、これを被処理物に接触させてプラズマ処理する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体工業分野では、例えばＣＦ４等の安定なハロゲン化炭素を含む処理ガスをプラズマ化して基板に接触させ、表面処理を行なっている。例えば、特許文献１では、安定化合物のＣＦ４を含む原料ガスを大気圧下でプラズマ化し、ＣＦ３やフッ素単原子などの不安定なハロゲン系成分を生成し、この不安定ハロゲン成分を真空下でプラズマ化してフッ素ラジカルを得、これを基板に接触させ、酸化シリコンのエッチングを行なっている。前段の原料ガスのプラズマ化工程では、原料ガスにＨ２Ｏを添加することもあり、そうすると不安定なハロゲン系成分としてＣＯＦ２が生成される。
【０００３】
ＣＦ４は、人体には無害であるがＣＯ２の１万倍近くもの温室効果があり、安定化合物であるため一旦大気放出されると半永久的に大気中を漂う。そのため、処理済みガスを燃焼させてＣＦ４を取り除き、更にスクラバでＨＦ等の有毒成分を無毒化したうえで、大気放出している。
【特許文献１】特開２０００−３５７６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、ＣＦ４を大気圧プラズマで分解しているが、大気圧下では投入エネルギーの割には反応が進まず、未分解のＣＦ４が多く残るという問題があった。特に、ＣＦ４に水を添加して不安定なガスを作る場合、大気圧では水が凝縮しやすい。そのため、水の添加量が制限され、ＣＦ４を十分に分解できない。また、ＣＦ４の分解反応は分子数の増加を招くため大気圧では不利である。特許文献１では、大気圧でのプラズマ化の後、更に真空下でプラズマ化しているが、低エネルギーであるためＣＦ４は殆ど分解されない。そのため、高処理能力のスクラバなどの除害装置が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記問題点を解決するために、本発明に係るプラズマ表面処理方法は、ＣＦ４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスを１００〜５００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａの第１の圧力下でプラズマ化（分解、励起、活性化、ラジカル化、イオン化を含む、以下同じ）し、ＣＯＦ２等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する一次反応工程と、
前記一次反応ガスを前記第１圧力より低圧の第２の圧力下でプラズマ化し、被処理物との反応性を有するフッ素ラジカル等の反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成するとともに、この二次反応ガスを被処理物に接触させる二次反応工程と、
を実行することを特徴とする。
また、本発明に係るプラズマ表面処理装置は、
ＣＦ４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスの供給部と、
互いの間に１００〜５００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａの一次プラズマ空間を形成する一対の前段電極を有し、前記一次プラズマ空間に前記原料ガスを導入してＣＯＦ２等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する一次反応部と、
互いの間に前記一次プラズマ空間より低圧の二次プラズマ空間を形成する一対の後段電極を有し、前記二次プラズマ空間内に被処理物が配置されるとともに、前記一次反応ガスを前記二次プラズマ空間に導入して前記被処理物との反応性を有するフッ素ラジカル等の反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成する二次反応部と、
を備えたことを特徴とする。
これによって、大気圧の場合より小さい投入エネルギーで安定なハロゲン化炭素を十分に分解することができ、一次反応ガス中の不安定なハロゲン系成分の濃度を十分大きくできる一方、安定なハロゲン化炭素の残留濃度を十分に小さくすることができる。ひいては、二次反応ガス中の反応性ハロゲン系成分の濃度を十分に大きくできる一方、安定なハロゲン化炭素の残留濃度を十分に小さくすることができる。この結果、処理効率を高めることができるとともに、排ガス処理における安定なハロゲン化炭素の除去負担を軽減することができる。また、二次反応工程での投入エネルギーを小さくでき、被処理物へのダメージを防止することができる。
【０００６】
ここで、不安定なハロゲン系成分は、原料ガス中の安定ハロゲン化炭素より相対的に結合エネルギーが小さかったり励起準位が高かったり半減期が小さいハロゲン系成分を言う。ハロゲン系成分は、ＣＦ２、ＣＦ３等のハロゲン化炭素の他、ＯＦ２、ＯＦ、Ｏ２Ｆなどのハロゲン含有化合物、Ｆ２等のハロゲン単体も含む。
【０００７】
二次プラズマ空間の第２圧力は、一次プラズマ空間内の第１圧力より低圧であればよいが、好ましくは１〜１００００Ｐａであり、より好ましくは１００〜５０００Ｐａである。
【０００８】
本発明方法において、二次反応工程では、前記第１圧力より低圧にするのに代えて、前記一次反応ガスを加圧し略大気圧下でプラズマ化し、被処理物との反応性を有する反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成するとともに、この二次反応ガスを被処理物に接触させることにしてもよい。
また、本発明装置において、前記一次反応ガスを加圧する加圧手段を設け、前記二次反応部の二次プラズマ空間を前記一次プラズマ空間より低圧にするのに代えて略大気圧にし、前記加圧後の一次反応ガスを前記大気圧の二次プラズマ空間に導入して前記被処理物との反応性を有する反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成することにしてもよい。
一次反応ガス中のハロゲン系成分の多くは不安定化されているので、略大気圧であっても小さい投入エネルギーで十分な量の反応性ハロゲン系成分を得ることができ、処理効率を高めるとともに被処理物へのダメージを防止することができる。
【０００９】
ここで、略大気圧とは、大気圧又は大気圧近傍の圧力であり、具体的には大気圧（１．０１３ｂａｒ）の±50％以内であるのが好ましい。
【００１０】
前記原料ガスに含酸素成分を添加することが好ましい。前記原料ガスに含酸素成分を添加する添加部を、更に備えることが好ましい。これによって、安定ハロゲン化炭素を確実に分解することができる。
前記含酸素成分は、例えば酸素ガス（Ｏ２）である。
前記含酸素成分は、Ｈ２Ｏであってもよい。第１圧力は１００〜５００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａになっているので、Ｈ２Ｏが結露しにくく、原料ガスに多量のＨ２Ｏを添加でき、安定ハロゲン化炭素を十分に分解して高濃度の不安定ハロゲン系成分を得ることができる。したがって、処理効率を確実に高めることができるとともに、処理済みガス中の安定ハロゲン化炭素の残留濃度を可及的に低減でき、排ガス処理の負担を軽減することができる。
前記含酸素成分は、酸素を含む単体又は化合物であればよく、Ｏ２、Ｈ２Ｏのほか、アルコール等を用いてもよい。
【００１１】
前記安定なハロゲン化炭素としては、ＣＦ４の他、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ｃ−Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６等が挙げられる。原料ガスが、これらハロゲン化炭素を複数含む混合ガスであってもよい。
【００１２】
前記一次反応ガス中の前記安定ハロゲン化炭素の濃度を検出し、この検出濃度に基づいて前記一次反応工程におけるプラズマ化のための投入電力又は前記原料ガスの流量を調節することが好ましい。
これによって、一次反応ガス中の安定ハロゲン化炭素の濃度が確実に所定以下になるようにすることができ、ひいては安定ハロゲン化炭素をほとんど分解することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＣＦ４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスを大気圧より低い１００〜３００００Ｐａの圧力下でプラズマ化することにより、大気圧の場合より小さい投入エネルギーで安定なハロゲン化炭素を十分に分解することができ、一次反応ガス中の不安定なハロゲン系成分の濃度を十分大きくできる一方、安定なハロゲン化炭素の残留濃度を十分に小さくすることができる。ひいては、二次反応ガス中の反応性ハロゲン系成分の濃度を十分に大きくできる一方、安定なハロゲン化炭素の残留濃度を十分に小さくすることができる。この結果、処理効率を高めることができるとともに、排ガス処理における安定なハロゲン化炭素の除去負担を軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図１は、半導体基板９０を被処理物とするプラズマ表面処理装置Ｍを示したものである。半導体基板９０の表面には、アモルファスシリコンの層９１が形成されている。このアモルファスシリコン層９１をプラズマ表面処理装置Ｍにてエッチングする。
【００１５】
プラズマ表面処理装置Ｍは、原料ガス供給部１０と、一次反応部２０と、二次反応部４０と、を有している。
原料ガス供給部１０は、ハロゲン化炭素源１１と、含酸素添加部１２とを有している。ハロゲン化炭素源１１には、安定なハロゲン化炭素源１１としてＣＦ４が蓄えられている。ハロゲン化炭素源１１から原料供給路１３が延びている。
含酸素添加部１２は、含酸素成分として酸素ガス（Ｏ２）を原料供給路１３のＣＦ４に添加するようになっている。
【００１６】
一次反応部２０は、前段チャンバー２１と、この前段チャンバー２１内に設けられた一対の前段電極２２，２２とを有している。一対の前段電極２２，２２は、互いに対向して配置されている。これら電極２２，２２間に空間２２ａが形成されている。一方の前段電極２２には前段電源２３が接続され、他方の前段電極２２は電気的に接地されている。前段電源２３からの電圧供給によって、電極間空間２２ａが一次プラズマ空間となるようになっている。
【００１７】
一次プラズマ空間２２ａの一端部に原料ガス供給部１０からの原料供給路１３が連なっている。
一次プラズマ空間２２ａの他端部から移送路３０が延びている。移送路３０には減圧弁３１が設けられている。
減圧弁３１より下流側の移送路３０には、必要に応じて混合路５１を介して付加成分源５０が接続されるようになっている。付加成分源５０には、付加成分として例えばアルゴン（Ａｒ）が蓄えられている。
移送路３０は、二次反応部４０へ延びている。
【００１８】
二次反応部４０は、後段チャンバー４１と、この後段チャンバー４１内に設けられた一対の後段電極４２，４２とを有している。一対の後段電極４２，４２は、互いに対向して配置され、間に空間４２ａが形成されている。一方の後段電極４２には後段電源４３が接続され、他方の後段電極４２は電気的に接地されている。後段電源４３からの電圧供給によって、後段電極４２，４２どうし間の空間４２ａが二次プラズマ空間となるようになっている。
二次プラズマ空間４２ａの内部に、処理すべき半導体基板９０が配置されている。
【００１９】
後段チャンバー４１に真空排気路６１を介して真空ポンプ６０が接続され、その先にスクラバ等の排ガス処理部６２が設けられている。
真空ポンプ６０によって後段チャンバー４１の内部ひいては二次プラズマ空間４２ａが、数Ｐａの低圧（第２圧力）に維持されている。さらに、減圧弁３１によってそれより上流側の移送路３０が第２圧力より高く大気圧より低い圧力になり、前段チャンバー２１の内部ひいては一次プラズマ空間２２ａが、第２圧力より高く大気圧より低い第１圧力に維持されている。第１圧力は、１００〜５００００Ｐａであり、好ましくは、１０００〜３００００Ｐａである。
【００２０】
上記構成のプラズマ表面処理装置Ｍにて半導体基板９０のシリコン層９１をエッチングする方法を説明する。
含酸素成分添加工程
原料ガス供給部１０において原料ガスのＣＦ４にＯ２を添加し混合する。
一次反応工程
混合後の原料ガス（ＣＦ４＋Ｏ２）を一次反応部２０の前段電極２２，２２どうし間の空間に導入する。併行して電源２３からの電圧供給によって電極２２，２２どうし間に電界を印加してプラズマを生成する。これにより、原料ガス（ＣＦ４＋Ｏ２）をプラズマ化して、ＣＦ４を分解でき、ＣＯＦ２、Ｆ２、ＯＦ２、ＯＦ、Ｏ２Ｆ等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成することができる。
一次プラズマ空間２２ａは大気圧より低い１００〜５００００Ｐａ程度、好ましくは１０００〜３００００Ｐａ程度の第１圧力環境になっているので、大気圧の場合より小さい投入電力でＣＦ４を十分に分解することができる。したがって、一次反応ガス中のＣＯＦ２等の不安定なハロゲン系成分の濃度を十分大きくできる一方、ＣＦ４の残留濃度を十分に小さくすることができる。また、分解により分子数が増えても低圧であるので大気圧の場合より有利である。さらに、電源２３の負担を軽減できる。
【００２１】
減圧工程
一次反応部２０で生成された一次反応ガスは、移送路３０へ送出し、減圧弁３１によって数Ｐａまで大きく減圧する。
二次反応工程
減圧後の一次反応ガスに付加成分源５０からのＡｒを混合し、混合後の一次反応ガスを二次反応部４０の二次プラズマ空間４２ａに導入する。併行して電源４３からの電圧供給によって電極４２，４２どうし間に電界を印加してプラズマを生成する。一次反応ガス中のＣＯＦ２、Ｆ２、ＯＦ２、ＯＦ、Ｏ２Ｆ等のハロゲン系成分は不安定な化合物または単体であるので、後段電極４２からの投入電力が小さくても容易にプラズマ化し分解することができる。これにより、フッ素ラジカル等のハロゲン系成分を高濃度に含む二次反応ガスを得ることができる。フッ素ラジカル等のハロゲン系成分は、シリコンとの反応性を有している。一方、原料のＣＦ４については、一次反応部２０での分解によって二次反応ガス中の残留濃度を十分に小さくすることができる。また、Ａｒの混合により良好なプラズマを容易に生成することができる。
さらに、電源４３からの投入電力を小さくできるので、電源４３の負担を軽減できるだけでなく、電極４２，４２間に配置した半導体基板９０がダメージを受けるのを防止することができる。
【００２２】
接触工程
二次反応ガスは、半導体基板９０の表面のアモルファスシリコン層９１に接触する。この二次反応ガス中のフッ素ラジカルとアモルファスシリコンとの反応が起き、アモルファスシリコン層９１をエッチングすることができる。二次反応ガス中のフッ素ラジカルは高濃度であるので、エッチングレートを十分に高めることができる。
【００２３】
排ガス処理工程
反応副生成物を含む処理済みのガスは、真空排気路６１に排出される。この処理済みガス中のＣＦ４の残留濃度は十分に小さい。したがって、排ガス処理部６２の負担を軽減することができる。
【００２４】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の実施形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図２（ａ）に示す変形例では、移送路３０の上流端付近にＣＦ４濃度検出器７０が設けられている。このＣＦ４濃度検出器７０によって一次反応ガス中のＣＦ４濃度が検出される。この検出濃度が制御部８０に入力される、制御部８０は、検出濃度が所定以下になるように電源２３の出力を調節する。すなわち、ＣＦ４の検出濃度が所定より大きくなると電源２３から電極２２への投入電力を大きくする。これにより、一次プラズマ空間２２ａ内のプラズマを強めることができ、より多くのＣＦ４を分解でき、一次反応ガス中のＣＦ４の残留濃度を下げることができる。
ここで、上記所定の検出濃度は、低ければ低いほどよく、例えば原料ガス供給部１０からの原料ガス中のＣＦ４を好ましくは９９％、より好ましくは９９．９％分解したのに相当する濃度以下で設定する。
ＣＦ４の検出濃度が所定より小さくなったときは、投入電力を小さくしてもよい。これにより、節電を図ることができる。
【００２５】
図２（ｂ）に示すように、制御部８０は、ＣＦ４の検出濃度に基づいて原料供給路１３に設けた流量調節手段１４を調節するようになっていてもよい。すなわち、ＣＦ４の検出濃度が所定より大きくなると原料ガスの流量を小さくする。これにより、一次プラズマ空間２２ａにおけるＣＦ４の分解のためのエネルギー（投入電力）が相対的に大きくなり、一次反応ガス中のＣＦ４の残留濃度を下げることができる。
【００２６】
図３に示す実施形態では、含酸素添加部として第１実施形態のＯ２添加部１２に代えて、加湿器１５が設けられている。加湿器１５には含酸素成分として水（Ｈ２Ｏ）が蓄えられている。加湿器１５は、ハロゲン化炭素源１１からのＣＦ４に例えばバブリング等によって水を添加する。これにより加湿された原料ガス（ＣＦ４＋Ｈ２Ｏ）が一次プラズマ空間２２ａに導入されてプラズマ化され、ＣＦ４が分解されてＣＯＦ２、ＨＦ等を含む二次反応ガスが生成されるようになっている。
【００２７】
一次プラズマ空間２２ａは大気圧より低い１００〜５００００Ｐａ程度、好ましくは１０００〜３００００Ｐａ程度の第１圧力環境になっているので、Ｈ２Ｏが結露しにくく、Ｈ２Ｏの供給濃度を高めることができる。したがって、ＣＦ４を十分に分解でき、一次反応ガス中のＣＦ４の残留濃度を十分に小さくすることができる。
【００２８】
図４に示す実施形態では、一次反応部２０より下流側の圧力構成が第１実施形態（図１）と異なっている。この実施形態では、排気路６１の真空ポンプ６０が省略され、代わりに、移送路３０に加圧ポンプ３２（加圧手段）が設けられている。この加圧ポンプ３２によって、それより上流側の移送路３０ひいては一次プラズマ空間２２ａが１００〜５００００Ｐａ程度、好ましくは１０００〜３００００Ｐａ程度の第１圧力に維持されるとともに、加圧ポンプ３２より移送路３０は大気圧以上になっている。一次プラズマ空間２２ａで生成されたＣＯＦ２等を含む一次反応ガスは、加圧ポンプ３２によって大気圧以上に加圧されたうえで、二次反応部４０へ送られる。
【００２９】
二次反応部４０の二次プラズマ空間４２ａは、大気圧になっている。この大気圧プラズマ空間４２ａに一次反応ガスを導入する。一次反応ガス中のＣＯＦ２等のハロゲン系成分は不安定であるので、大気圧下においても小さい投入電力で容易に分解でき、高濃度のフッ素ラジカルを生成することができる。この結果、アモルファスシリコン層９１のエッチングレートを十分に高めることができる。
【００３０】
図４の実施形態では、原料供給部においてＣＦ４に含酸素成分として酸素ガス（Ｏ２）を添加するようになっていたが、図５に示すように、含酸素成分として水（Ｈ２Ｏ）を添加するようになっていてもよい。この水は、一次プラズマ空間２２ａでＣＦ４の分解反応にほとんど消費される。したがって、大気圧の二次反応部４０では、水の分圧を極めて小さくでき、結露が生じるのを防止することができる。
【００３１】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変をなすことができる。
例えば、含酸素成分は、必ずしも原料ガスに添加しなくてもよい。原料ガスがＣＦ４のみであっても例えばＣＦ３とＦ２とに分解することができる。
付加成分源５０の付加成分は、処理内容に応じて適宜選択可能であり、アルゴン（Ａｒ）には限られない。付加成分源５０は必要に応じて設けるとよく、省略してもよい。
１つの一次反応部２０に複数の二次反応部４０を接続することにしてもよい。
図３〜図５の実施形態においても、図２（ａ）又は（ｂ）に示すフィードバック制御を行なうことにしてもよい。
本発明は、エッチングだけでなく、アッシング、成膜、洗浄、表面改質等の種々のプラズマ表面処理に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、例えば半導体基板の製造やフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプラズマ表面処理装置の概略回路図である。
【図２（ａ）】上記第１実施形態の変形例を示し、プラズマ表面処理装置の一部分の概略回路図である。
【図２（ｂ）】上記第１実施形態の変形例を示し、プラズマ表面処理装置の一部分の概略回路図である。
【図３】上記第１実施形態の変形例を示し、プラズマ表面処理装置の概略回路図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るプラズマ表面処理装置の概略回路図である。
【図５】上記第２実施形態の変形例を示し、プラズマ表面処理装置の概略回路図である。
【符号の説明】
【００３４】
Ｍ      プラズマ表面処理装置
１０    原料ガス供給部
１１    ハロゲン化炭素源
１２    Ｏ２添加部（含酸素添加部）
１３    原料供給路
１４    流量調節手段
１５    加湿器（含酸素添加部）
２０    一次反応部
２１    前段チャンバー
２２    前段電極
２２ａ  一次プラズマ空間
２３    前段電源
３０    移送路
３１    減圧弁
３２    加圧ポンプ（加圧手段）
４０    二次反応部
４１    後段チャンバー
４２    後段電極
４２ａ  二次プラズマ空間
４３    後段電源
５０    付加成分源
５１    混合路
６０    真空ポンプ
６１    真空排気路
６２    排ガス処理部
６３    排気ポンプ
７０    ＣＦ４濃度検出器
８０    制御部
９０    半導体基板（被処理物）
９１    アモルファスシリコン層
【図１】
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【図２（ａ）】
2009049283.tif 000004
【図２（ｂ）】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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