(57)【要約】【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。【選択図】図２
2009224608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための処理液を供給して、基板を処理する基板処理装置であって、
ベース部材および、このベース部材に取り付けられ、当該ベース部材から離隔させた状態で基板を保持する保持部材を有する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持される基板と前記ベース部材との間に配置され、前記基板保持手段に保持される基板と前記ベース部材との間の空間を、基板側の空間とベース部材側の空間とに区画する区画板と、
基板を処理するための処理液を前記基板側の空間に供給する処理液供給手段と、
前記ベース部材側の空間に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記ベース部材は、前記区画板に対向する区画板対向面を含み、
前記洗浄液供給手段は、前記区画板対向面に形成されたベース部材側洗浄液吐出口を含む、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記区画板は、前記ベース部材に対向する対向面を含み、
前記洗浄液供給手段は、前記区画板の対向面に形成された区画板側洗浄液吐出口を含む、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記洗浄液供給手段は、前記ベース部材側の空間を洗浄液によって液密にさせるように洗浄液を供給するものである、請求項１〜３の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給手段は、前記基板側の空間を処理液によって液密にさせるように処理液を供給するものである、請求項１〜４の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記区画板を前記ベース部材に対して近接および離隔させる移動手段をさらに含む、請求項１〜５の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を処理するための処理液を供給して、基板を処理する基板処理方法であって、
ベース部材および、このベース部材に取り付けられ、当該ベース部材から離隔させた状態で基板を保持する保持部材を有する基板保持手段によって基板を保持するステップと、
前記基板保持手段に保持された基板と前記ベース部材との間に、前記基板保持手段に保持された基板と前記ベース部材との間の空間を、基板側の空間とベース部材側の空間とに区画する区画板を配置するステップと、
基板を処理するための処理液を前記基板側の空間に供給するステップと、
前記ベース部材側の空間に洗浄液を供給するステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハなどの基板を処理液によって処理する基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の上面に向けて処理液を吐出する処理液ノズルとを備えている。
スピンチャックは、たとえば下記特許文献１記載のように、鉛直方向に延びる回転軸と、回転軸の上端に水平に取り付けられた円盤状のスピンベースと、このスピンベース上に配置された複数個の挟持部材とを備えるものがある。基板は、複数個の挟持部材によってスピンベースの上方で保持されるようになっている。複数個の挟持部材によって基板が保持された状態で、モータ等のチャック回転駆動機構の駆動力が回転軸に入力されることにより、基板が鉛直軸線まわりに回転される。
【０００３】
回転軸は、中空軸であり、その内部には、処理液供給管が挿通されている。また、スピンベースの中央部には、回転軸の内部空間に連通する挿通孔が鉛直方向に沿って形成されている。処理液供給管の上端はこの挿通孔内に位置しており、当該上端には、中心軸ノズルが固定されている。中心軸ノズルの吐出口は、スピンチャックに保持された基板の下面中央部に対向するようになっている。中心軸ノズルからは、処理液供給管から供給された処理液がスピンチャックに保持された基板の下面中央部に向けて吐出されるようになっている。
【０００４】
スピンチャックにより基板が回転された状態で中心軸ノズルから処理液が吐出されると、吐出された処理液が基板の下面中央部に着液する。そして、基板の下面に着液した処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、当該下面に沿って基板の周縁部に向かって広がっていく。これにより、基板の下面全域に処理液が供給され、当該下面に処理液による処理が行われる。処理液による処理が行われた後は、基板が高速回転され乾燥される（スピンドライ）。
【特許文献１】特開２００５−２７７２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように基板の下面には、中心軸ノズルから吐出された処理液が供給される。一方、スピンベースの上面には、処理液が殆ど供給されない。すなわち、スピンベースの上面には、重力により基板の下面から流下する処理液などの少量の処理液しか供給されない。そのため、パーティクル等の異物がスピンベース上にある場合に、当該異物がスピンベース上から洗い流されず、スピンベース上に溜まるおそれがある。また、スピンベースに付着した処理液が、たとえば結晶化してパーティクルとなるおそれがある。これらの異物は、スピンドライ時に生じる気流によって巻き上げられ基板の下面に付着するおそれがある。したがって、スピンベースから基板に異物が移り、基板が汚染されるおそれがある。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を処理するための処理液を供給して、基板を処理する基板処理装置であって、ベース部材（６）および、このベース部材に取り付けられ、当該ベース部材から離隔させた状態で基板を保持する保持部材（７）を有する基板保持手段（２）と、前記基板保持手段に保持される基板と前記ベース部材との間に配置され、前記基板保持手段に保持される基板と前記ベース部材との間の空間を、基板側の空間（Ｓ１ａ）とベース部材側の空間（Ｓ１ｂ）とに区画する区画板（３２，１３２）と、基板を処理するための処理液を前記基板側の空間に供給する処理液供給手段（３６，３７）と、前記ベース部材側の空間に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（２９，３０，５３）とを含む、基板処理装置（１）である。
【０００８】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。
この発明によれば、基板保持手段の保持部材によって、ベース部材から離隔させた状態で基板を保持することができる。また、ベース部材と基板との間の空間を、区画板によって、基板側の空間（基板と区画板との隙間）とベース部材側の空間（ベース部材と区画板との隙間）に区画することができる。さらに、この基板側の空間に、基板を処理するための処理液を処理液供給手段から供給することができる。これにより、基板の区画板側の面（以下、この項において「基板の一方面」という。）に処理液を供給して、当該基板の一方面に処理液による処理を行うことができる。また、基板への処理液の供給に加えて、区画板の基板側の面（以下、この項において「区画板の一方面」という。）に処理液を供給することができる。したがって、区画板の一方面から異物を洗い流すことができる。これにより、区画板の一方面から基板の一方面に異物が移ることを抑制または防止でき、基板が汚染されることを抑制または防止できる。さらにまた、洗浄液供給手段からベース部材側の空間に洗浄液を供給することができるので、ベース部材の区画板側の面（以下、この項において「ベース部材の一方面」という。）および区画板のベース部材側の面（以下、この項において「区画板の他方面」という。）に洗浄液を供給することができる。これにより、ベース部材の一方面および区画板の他方面から異物を洗い流すことができる。したがって、ベース部材の一方面および区画板の他方面から基板の下面に異物が移ることを抑制または防止できる。これにより、基板の汚染が抑制または防止される。
【０００９】
区画板が設けられていることによって、前記基板の一方面に処理液を効率的に供給することができ、かつ、前記ベース部材の一方面に洗浄液を効率的に供給することができる。
請求項２記載の発明は、前記ベース部材は、前記区画板に対向する区画板対向面（６ａ）を含み、前記洗浄液供給手段は、前記区画板対向面に形成されたベース部材側洗浄液吐出口（３０）を含む、請求項１記載の基板処理装置である。
【００１０】
この発明によれば、区画板に対向するベース部材の区画板対向面に形成されたベース部材側洗浄液吐出口から洗浄液を吐出させることができる。これにより、前記ベース部材側の空間に洗浄液を供給し、ベース部材の一方面および区画板の他方面から異物を洗い流すことができる。したがって、基板が汚染されることを抑制または防止できる。
請求項３記載の発明は、前記区画板は、前記ベース部材に対向する対向面（３２ｂ）を含み、前記洗浄液供給手段は、前記区画板の対向面に形成された区画板側洗浄液吐出口（４６Ａ，５３）を含む、請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１１】
この発明によれば、ベース部材に対向する区画板の対向面に形成された区画板側洗浄液吐出口から洗浄液を吐出させることができる。これにより、前記ベース部材側の空間に洗浄液を供給し、ベース部材の一方面および区画板の他方面から異物を洗い流すことができる。したがって、基板が汚染されることを抑制または防止できる。
請求項４記載の発明は、前記洗浄液供給手段は、前記ベース部材側の空間を洗浄液によって液密にさせるように洗浄液を供給するものである、請求項１〜３の何れか一項に記載の基板処理装置である。
【００１２】
この発明によれば、洗浄液供給手段から供給される洗浄液により、前記ベース部材側の空間を洗浄液によって液密にすることができる。これにより、ベース部材の一方面および区画板の他方面に洗浄液がくまなく供給され、これらの面から異物が確実に洗い流される。そのため、基板の汚染が一層確実に抑制または防止される。
請求項５記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記基板側の空間を処理液によって液密にさせるように処理液を供給するものである、請求項１〜４の何れか一項に記載の基板処理装置である。
【００１３】
この発明によれば、処理液供給手段から供給される処理液により、前記基板側の空間を処理液によって液密にすることができる。これにより、基板の一方面に処理液がくまなく供給され、基板の一方面に対して処理液による処理が均一に行われる。また、区画板の一方面に洗浄液がくまなく供給されるので、区画板の一方面から異物が確実に洗い流される。
【００１４】
請求項６記載の発明は、前記区画板を前記ベース部材に対して近接および離隔させる移動手段（３５）をさらに含む、請求項１〜５の何れか一項に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、移動手段によって区画板を移動させることにより区画板の他方面をベース部材の一方面に近接させることができる。これにより、ベース部材と区画板との間の隙間を小さくすることができるので、前記ベース部材側の空間に、その周囲から異物が進入することを抑制または防止でき、しかも、洗浄液をベース部材および区画板の各表面に一層効率的に供給できる。したがって、区画板の他方面およびベース部材の一方面に異物が付着することを一層抑制または防止できる。また、移動手段によって区画板を移動させることにより区画板の一方面を保持部材に保持された基板の一方面に近接させることができるので、前記基板側の空間に、その周囲から異物が進入することを抑制または防止でき、しかも、処理液を基板および区画板の各表面に一層効率的に供給できる。これにより、基板の一方面および区画板の一方面に異物が付着することを一層抑制または防止できる。その結果、基板の汚染が一層抑制または防止される。
【００１５】
さらに、区画板の他方面をベース部材の一方面に近接させることにより前記ベース部材側の空間の体積を減少させることができるので、前記ベース部材側の空間を洗浄液によって液密にさせる場合に、洗浄液の供給量を低減することができる。これにより、洗浄液の消費量を低減することができる。同様に、区画板の一方面を基板の一方面に近接させることにより前記基板側の空間の体積を減少させることができるので、前記基板側の空間を処理液によって液密にさせる場合に、処理液の供給量を低減することができる。これにより、処理液の消費量を低減することができる。
【００１６】
請求項７記載の発明は、基板を処理するための処理液を供給して、基板を処理する基板処理方法であって、ベース部材および、このベース部材に取り付けられ、当該ベース部材から離隔させた状態で基板を保持する保持部材を有する基板保持手段によって基板を保持するステップ（Ｓ１）と、前記基板保持手段に保持された基板と前記ベース部材との間に、前記基板保持手段に保持された基板と前記ベース部材との間の空間を、基板側の空間とベース部材側の空間とに区画する区画板を配置するステップ（Ｓ２）と、基板を処理するための処理液を前記基板側の空間に供給するステップ（Ｓ４，Ｓ７，Ｓ９）と、前記ベース部材側の空間に洗浄液を供給するステップ（Ｓ２３，Ｓ２５）とを含む、基板処理方法である。
【００１７】
この発明によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。
この基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）を１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１は、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるスピンチャック２（基板保持手段）と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面に処理液を供給する処理液ノズル３と、スピンチャック２の上方に配置された遮断板４とを備えている。
【００１９】
スピンチャック２は、鉛直方向に延びる回転軸５と、回転軸５の上端に水平に取り付けられた円盤状のスピンベース６（ベース部材）と、スピンベース６上に配置された複数個の挟持部材７（保持部材）とを備えている。回転軸５は、回転可能に保持されていて、モータ等のチャック回転駆動機構８に連結されている。チャック回転駆動機構８の駆動力が回転軸５に入力されることにより、スピンチャック２が、回転軸５の中心軸線まわりに回転される。
【００２０】
複数個の挟持部材７は、スピンベース６の上面周縁部において、ウエハＷの外周形状に対応する円周上で適当な間隔をあけて配置されている。複数個の挟持部材７は、スピンベース６の上方で、スピンベース６からウエハＷを離隔させた状態で当該ウエハＷを水平に保持することができる。複数個の挟持部材７によってウエハＷが保持された状態で、チャック回転駆動機構８の駆動力が回転軸５に入力されることにより、ウエハＷの中心を通る鉛直な回転軸線まわりにウエハＷが回転される。
【００２１】
処理液ノズル３は、その吐出口をスピンベース６の上面に向けて、スピンチャック２の上方に配置されている。処理液ノズル３は、処理液バルブ９を介して供給される処理液を、スピンチャック２により保持されたウエハＷの上面に向けて吐出することができる。処理液ノズル３は、吐出された処理液がウエハＷの上面における回転中心を含む範囲に着液するように配置されている。処理液ノズル３には、基板を処理するための処理液としての薬液が供給されるようになっている。
【００２２】
遮断板４は、ウエハＷとほぼ同じ直径（あるいはウエハＷよりも少し大きい直径）を有する円板状の部材であり、スピンチャック２の上方でほぼ水平に配置されている。遮断板４の上面には、スピンチャック２の回転軸５と共通の軸線上に配置された支軸１０が連結されている。遮断板４の下面は、スピンチャック２に保持されたウエハＷに対向する基板対向面１１となっている。遮断板４の中央部には、遮断板４を鉛直方向に貫通する貫通孔１２が形成されている。貫通孔１２の下端は、基板対向面１１の中央部に位置する開口となっている。
【００２３】
支軸１０には、遮断板昇降駆動機構１３および遮断板回転駆動機構１４が結合されている。遮断板昇降駆動機構１３によって、支軸１０および遮断板４を、基板対向面１１がウエハＷの上面に近接した近接位置と、スピンチャック２の上方に大きく退避した退避位置との間で昇降させることができる。図１では、遮断板４が近接位置に位置する状態を二点鎖線で示しており、遮断板４が退避位置に位置する状態を実線で示している。また、遮断板回転駆動機構１４によって、スピンチャック２によるウエハＷの回転にほぼ同期させて（あるいは若干回転速度を異ならせて）支軸１０および遮断板４を回転させることができる。遮断板回転駆動機構１４は省略されていてもよく、遮断板４は非回転状態で固定されていてもよい。
【００２４】
支軸１０は中空軸であり、その内部には上側処理液供給管１５が非接触状態で挿通されている。支軸１０の内部空間は、貫通孔１２と連通されており、上側処理液供給管１５の下端は、貫通孔１２内に位置している。上側処理液供給管１５の周囲には、当該上側処理液供給管１５を取り囲む筒状の空間が形成されている。後述するように、この筒状の空間は、不活性ガスが流通するガス流通路１７となっている。また、上側処理液供給管１５の下端には、処理液を吐出する上側処理液吐出口１６が形成されている。
【００２５】
上側処理液供給管１５には、リンス液供給管１８およびＩＰＡ供給管１９が接続されている。上側処理液供給管１５には、リンス液供給管１８およびＩＰＡ供給管１９からそれぞれ処理液としてのリンス液およびＩＰＡが選択的に供給される。リンス液供給管１８には、上側処理液供給管１５へのリンス液の供給および供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ２０が介装されている。また、ＩＰＡ供給管１９には、上側処理液供給管１５へのＩＰＡの供給および供給停止を切り換えるためのＩＰＡバルブ２１が介装されている。リンス液供給管１８から上側処理液供給管１５には、リンス液の一例である純水（脱イオン水）が供給されるようになっている。また、ＩＰＡは、純水よりも揮発性の高い有機溶剤の一例である。
【００２６】
支軸１０の上端部には、ガス流通路１７に不活性ガスを供給するためのガス供給管２２が接続されている。ガス供給管２２から供給される不活性ガスは、ガス流通路１７を下方に向かって流れ、貫通孔１２の周面と上側処理液供給管１５の外周面との間から下方に向けて吐出される。貫通孔１２の周面と上側処理液供給管１５の外周面との間が不活性ガスを吐出するガス吐出口２３となっている。ガス供給管２２からガス流通路１７には、不活性ガスの一例である窒素ガスが供給されるようになっている。ガス供給管２２には、ガス流通路１７への窒素ガスの供給および供給停止を切り換えるためのガスバルブ２４が介装されている。
【００２７】
図２は、スピンチャック２およびそれに関連する構成の図解的な断面図である。
回転軸５は、中空軸とされている。また、スピンベース６は、互いに固定された平面視円板状の上カバー２５および下カバー２６を備えている。区画板対向面としてのスピンベース６の上面６ａ（上カバー２５の上面）は平坦面とされている。また、スピンベース６の中央部（上カバー２５および下カバー２６の各中央部）には、回転軸５の内径とほぼ同じ径を有する挿通孔２７が形成されている。回転軸５は、回転軸５の内周面と挿通孔２７の周面とが段差なく連続するようにスピンベース６に固定されている。
【００２８】
回転軸５およびスピンベース６には、鉛直方向に延びる下側処理液供給管２８が挿通されている。下側処理液供給管２８は、その上端がスピンベース６から上方に突出しており、その下端が回転軸５から下方に突出している。下側処理液供給管２８は、回転軸５と中心軸線が一致されており、回転軸５およびスピンベース６に対して非接触とされている。下側処理液供給管２８の周囲には、当該下側処理液供給管２８を取り囲む筒状の空間が形成されている。後述するように、この筒状の空間は、洗浄液が流通する第１洗浄液流通路２９となっている。
【００２９】
第１洗浄液流通路２９の上端は、スピンベース６の上面中央部に位置する環状の洗浄液吐出口３０（ベース部材側洗浄液吐出口）となっている。洗浄液吐出口３０からは上方に向けて洗浄液が吐出されるようになっている。また、第１洗浄液流通路２９の下端部には、環状のシール部材３１が配置されている。回転軸５の下端部と下側処理液供給管２８との間はシール部材３１によって封止されている。シール部材３１は回転軸５に保持されており、下側処理液供給管２８は、回転軸５およびシール部材３１に対して相対上下移動および相対回転可能となっている。
【００３０】
下側処理液供給管２８の上端には、円板状の区画板３２がたとえば一体的に形成されている。区画板３２の外径は、ウエハＷよりも少し小さくされている。区画板３２の上面３２ａおよび下面３２ｂ（対向面）はそれぞれ平坦面とされている。区画板３２の下面３２ｂは、スピンベース６の上面６ａに対向している。区画板３２は、複数個の挟持部材７によるウエハＷの保持位置と、スピンベース６の上面６ａとの間で水平に配置されている。区画板スピンチャック２に保持されたウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって、基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。
【００３１】
また、下側処理液供給管２８の下端には、保持ブロック３３が固定されている。保持ブロック３３には、下側処理液供給管２８が嵌合された嵌合孔３４と、この嵌合孔３４に連通する中空の内部空間Ｓ２とが形成されている。下側処理液供給管２８は、保持ブロック３３に保持されている。下側処理液供給管２８は、回転軸５、スピンベース６および挟持部材７に対して相対上下移動および相対回転可能に保持されている。すなわち、チャック回転駆動機構８の駆動力により回転軸５、スピンベース６および挟持部材７が回転されても、下側処理液供給管２８は非回転状態に保持され、また、下側処理液供給管２８は、回転軸５等に対して上下動することができるようになっている。
【００３２】
保持ブロック３３は、鉛直方向に昇降可能とされていて、区画板３２を鉛直方向に昇降させるエアーシリンダ等の区画板昇降駆動機構３５（移動手段）に連結されている。この区画板昇降駆動機構３５の駆動力が保持ブロック３３に伝達されることにより、保持ブロック３３、下側処理液供給管２８および区画板３２が鉛直方向に一体的に昇降される。区画板保持ブロック３３、下側処理液供給管２８および区画板３２は、区画板３２の上面３２ａがウエハＷの下面に近接するウエハ処理位置と、区画板３２の下面３２ｂがスピンベース６の上面６ａに近接するベース処理位置との間で、鉛直方向に一体的に昇降される。
【００３３】
下側処理液供給管２８は、中空軸であり、その内部には、下側処理液供給管２８の中心軸線に沿って延びる中心軸パイプ３６（処理液供給手段）が挿通されている。中心軸パイプ３６は、一体移動可能に下側処理液供給管２８に保持されている。中心軸パイプ３６の上端は、区画板３２の上面３２ａに達しており、当該上端には、処理液を吐出する下側処理液吐出口３７が形成されている。下側処理液吐出口３７は、区画板３２の上面中央部に位置している。
【００３４】
また、中心軸パイプ３６は、下側処理液供給管２８から下方に突出しており、保持ブロック３３を挿通している。中心軸パイプ３６の下端には、連結配管３８を介して、薬液供給管３９、リンス液供給管４０およびＩＰＡ供給管４１が連結されている。連結配管３８は、軟質の配管とされており、保持ブロック３３等の昇降に伴う中心軸パイプ３６の移動に追従できるようになっている。中心軸パイプ３６には、薬液供給管３９、リンス液供給管４０およびＩＰＡ供給管４１から、それぞれ、処理液としての、薬液、純水（リンス液の一例）およびＩＰＡが選択的に供給されるようになっている。中心軸パイプ３６に供給された処理液は、下側処理液吐出口３７から上方のウエハＷの下面中央部に向けて吐出される。
【００３５】
薬液供給管３９には、中心軸パイプ３６への薬液の供給および供給停止を切り換えるための薬液バルブ４２が介装されている。リンス液供給管４０には、中心軸パイプ３６への純水の供給および供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ４３が介装されている。ＩＰＡ供給管４１には、中心軸パイプ３６へのＩＰＡの供給および供給停止を切り換えるためのＩＰＡバルブ４４が介装されている。
【００３６】
また、下側処理液供給管２８の内部には、中心軸パイプ３６を取り囲む筒状の空間が形成されている。この筒状の空間は、第１洗浄液流通路２９に供給される洗浄液が流通する第２洗浄液流通路４５となっている。第２洗浄液流通路４５の下端は、下側処理液供給管２８の下端に位置する開口となっており、保持ブロック３３の内部空間Ｓ２に連通されている。また、第２洗浄液流通路４５の上端は、回転軸５内に位置しており、下側処理液供給管２８に形成された複数の連通孔４６によって第１洗浄液流通路２９に連通されている。複数の連通孔４６は、下側処理液供給管２８の周方向に並んでおり、シール部材３１よりも上方に位置している。複数の連通孔４６は、下側処理液供給管２８が下端位置（ベース処理位置）にある状態でも、シール部材３１よりも上方に位置するようにされている。
【００３７】
また、保持ブロック３３には、連結配管４７を介して、第１洗浄液供給管４８および第２洗浄液供給管４９が接続されている。連結配管４７は、軟質の配管とされており、保持ブロック３３の昇降に追従できるようになっている。保持ブロック３３の内部空間Ｓ２には、連結配管４７を介して、第１洗浄液供給管４８および第２洗浄液供給管４９から、それぞれ洗浄液としての純水およびＩＰＡが選択的に供給されるようになっている。保持ブロック３３の内部空間Ｓ２に供給された洗浄液は、その供給圧によって、第２洗浄液流通路４５、複数の連通孔４６、第１洗浄液流通路２９に送り込まれ、第１洗浄液流通路２９の上端である洗浄液吐出口３０から上方に向けて吐出される。
【００３８】
第１洗浄液供給管４８には、保持ブロック３３の内部空間Ｓ２への純水の供給および供給停止を切り換えるための第１洗浄液バルブ５０が介装されている。また、第２洗浄液供給管４９には、保持ブロック３３の内部空間Ｓ２へのＩＰＡの供給および供給停止を切り換えるための第２洗浄液バルブ５１が介装されている。
図３は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【００３９】
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む制御部５２を備えている。制御部５２には、チャック回転駆動機構８、遮断板昇降駆動機構１３、遮断板回転駆動機構１４、区画板昇降駆動機構３５などが制御対象として接続されている。処理液バルブ９、リンス液バルブ２０，４３、ＩＰＡバルブ２１，４４、ガスバルブ２４、薬液バルブ４２、第１洗浄液バルブ５０、第２洗浄液バルブ５１の開閉は、制御部５２により制御される。
【００４０】
図４は、基板処理装置１によるウエハＷの処理の一例を説明するための工程図である。また、図５は、ウエハＷの処理中における基板処理装置１の状態を示す模式図である。以下では、図１、図４および図５を参照して、基板処理装置１によるウエハＷの処理の一例について説明する。
未処理のウエハＷは、基板搬送ロボット（図示せず）によってスピンチャック２に受け渡され、デバイス形成面である表面をたとえば上に向けて複数個の挟持部材７に保持される（ステップＳ１）。このとき、遮断板４は、スピンチャック２の上方に大きく退避されている。また、区画板３２は、ウエハＷとスピンベース６との間に位置しており、ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている（ステップＳ２）。また、基板搬送ロボットが、たとえばウエハＷの裏面（下面）を支持するものである場合は、制御部５２により区画板昇降駆動機構３５が制御されて、区画板３２が、基板搬送ロボットの基板保持ハンドと干渉しない位置まで降下されている。
【００４１】
ウエハＷがスピンチャック２に保持されると、制御部５２によりチャック回転駆動機構８が制御されて、スピンチャック２によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ３）。このとき区画板３２がウエハ処理位置に位置していなければ、制御部５２により区画板昇降駆動機構３５が制御されて、区画板３２がウエハ処理位置まで区画板鉛直方向に上昇される。これにより、区画板３２の上面３２ａがウエハＷの裏面に近接され、区画板３２の上面３２ａとウエハＷの裏面との間隙は、たとえば０．５ｍｍ〜２ｍｍ、好ましくは１ｍｍに設定される。そして、制御部５２により処理液バルブ９および薬液バルブ４２が開かれて、ウエハＷの表面および裏面への薬液（たとえばフッ酸）の供給が開始される（ステップＳ４）。
【００４２】
すなわち、処理液バルブ９が開かれることにより、処理液ノズル３からフッ酸が吐出され、吐出されたフッ酸が、ウエハＷの表面における回転中心を含む範囲に着液する。ウエハＷの表面に着液したフッ酸は、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの周縁に向かって瞬時に広がっていく。これにより、ウエハＷの表面全域にフッ酸が供給され、フッ酸による薬液処理がウエハＷの表面に行われる。
【００４３】
また、薬液バルブ４２が開かれることにより、中心軸パイプ３６にフッ酸が供給され、下側処理液吐出口３７から上方に向けてフッ酸が吐出される。区画板３２の上面３２ａがウエハＷの裏面に近接され、基板側の空間Ｓ１ａが狭空間とされているので、下側処理液吐出口３７から吐出されたフッ酸は、後続のフッ酸によって押されて、ウエハＷと区画板３２との間をウエハＷの周縁に向かって広がっていく。また、ウエハＷの回転による遠心力を受けてフッ酸がウエハＷの周縁に向かって広がっていく。これにより、基板側の空間Ｓ１ａにフッ酸が供給され、図５に示すように、基板側の空間Ｓ１ａがフッ酸によって液密になる。また、ウエハＷと区画板３２との間に、ウエハＷの周縁に向かう流れを有するフッ酸の液膜が形成される。ウエハＷの裏面全域は、このフッ酸の液膜に接液されることにより均一なフッ酸の供給を受ける。これにより、フッ酸による薬液処理がウエハＷの裏面全域に均一に行われる。基板側の空間Ｓ１ａが狭空間とされているので、当該空間Ｓ１ａを液密にするのに必要なフッ酸の量が低減されており、これによって、フッ酸の消費量が低減されている。
【００４４】
フッ酸による薬液処理が所定時間にわたって行われると、制御部５２により処理液バルブ９および薬液バルブ４２が閉じられて、ウエハＷの表面および裏面へのフッ酸の供給が停止される（ステップＳ５）。そして、制御部５２により遮断板昇降駆動機構１３が制御されて、遮断板４が、近接位置まで降下される。次に、制御部５２によりガスバルブ２４が開かれて、ガス吐出口２３からウエハＷに向けて窒素ガスが吐出される（ステップＳ６）。吐出された窒素ガスは、ウエハＷと遮断板４との間をウエハＷの周縁に向かって広がっていく。これにより、ウエハＷと遮断板４との間の狭空間が窒素ガス雰囲気とされる。
【００４５】
ガスバルブ２４が開かれた後は、区画板３２および遮断板４がそれぞれウエハ処理位置および近接位置に配置された状態で、制御部５２によりリンス液バルブ２０，４３が開かれて、ウエハＷの表面および裏面への純水の供給が開始される（ステップＳ７）。これにより、ウエハＷの表面全域に純水が供給され、ウエハＷ上のフッ酸を純水によって洗い流すリンス処理がウエハＷの表面に行われる。また、ウエハＷの周縁に向かう流れを有する純水の液膜に、ウエハＷの裏面が接液され、ウエハＷの裏面全域に純水が均一に供給される。これにより、ウエハＷの裏面に付着しているフッ酸が洗い流され、純水によるリンス処理がウエハＷの裏面に行われる。このとき、区画板３２の上面３２ａが純水の液膜に接液されるので、区画板３２の上面３２ａに付着しているフッ酸が洗い流され、純水によって区画板３２の上面３２ａが洗浄される。基板側の空間Ｓ１ａが狭空間とされているので、基板側の空間Ｓ１ａを液密にするのに必要な純水の量が低減されている。
【００４６】
純水によるリンス処理が所定時間にわたって行われると、制御部５２によりリンス液バルブ２０，４３が閉じられて、ウエハＷの表面および裏面への純水の供給が停止される（ステップＳ８）。そして、区画板３２および遮断板４がそれぞれウエハ処理位置および近接位置に配置された状態で、制御部５２によりＩＰＡバルブ２１，４４が開かれて、ウエハＷの表面および裏面へのＩＰＡの供給が開始される（ステップＳ９）。これにより、ウエハＷの表面全域にＩＰＡが供給され、ウエハＷ上の純水をＩＰＡに置換する置換処理がウエハＷの表面に行われる。また、ウエハＷと区画板３２との間に介在する純水がＩＰＡによって押し流されて、基板側の空間Ｓ１ａから排出される。さらに、ウエハＷの周縁に向かう流れを有するＩＰＡの液膜に、ウエハＷの裏面が接液され、ウエハＷの裏面に付着している純水をＩＰＡに置換する置換処理がウエハＷの裏面全域に均一に行われる。このとき、区画板３２の上面３２ａがＩＰＡの液膜に接液されるので、区画板３２の上面３２ａに付着している純水がＩＰＡによって置換される。基板側の空間Ｓ１ａが狭空間とされているので、基板側の空間Ｓ１ａを液密にするのに必要なＩＰＡの量が低減されている。
【００４７】
ＩＰＡによる置換処理が所定時間にわたって行われると、制御部５２によりＩＰＡバルブ２１，４４が閉じられて、ウエハＷの表面および裏面へのＩＰＡの供給が停止される（ステップＳ１０）。このとき、ガスバルブ２４は開かれており、ウエハＷ上の雰囲気は窒素ガス雰囲気とされている。そして、区画板３２および遮断板４がそれぞれウエハ処理位置および近接位置に配置された状態で、制御部５２によりチャック回転駆動機構８が制御されて、ウエハＷが高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ１１）。これにより、基板側の空間Ｓ１ａからＩＰＡが排出されるとともに、ウエハＷに付着しているＩＰＡが振り切られて、ウエハＷが乾燥される。このとき、制御部５２により遮断板回転駆動機構１４が制御され、ウエハＷの回転にほぼ同期させて（あるいは若干回転速度を異ならせて）遮断板４が回転されている。遮断板４は回転されずに回転停止状態とされてもよい。
【００４８】
ウエハＷの乾燥処理において、当該ウエハＷに付着している液体の主成分は純水よりも揮発性の高い有機溶剤であるＩＰＡとなっている。したがって、ウエハＷの乾燥性が高められている。また、ウエハＷ上の雰囲気が窒素ガス雰囲気とされた状態でウエハＷが乾燥されるので、ウエハＷの表面にウォータマークが発生することが抑制または防止されている。さらに、ウエハＷの表面に遮断板４が近接されることにより、ウエハＷと遮断板４との間の隙間が小さくされているので、ウエハＷと遮断板４との間にその周囲から異物が進入することが抑制または防止されている。これにより、ウエハＷの表面に異物が付着して、ウエハＷが汚染されることが抑制または防止されている。
【００４９】
また、ウエハＷの裏面に区画板３２が近接されることにより、ウエハＷと区画板３２との間の隙間が小さくされているので、ウエハＷと区画板３２との間にその周囲から異物が進入することが抑制または防止されている。これにより、ウエハＷの裏面および区画板３２の上面３２ａに異物が付着することが抑制または防止されている。したがって、ウエハＷの裏面に異物が直接付着してウエハＷの裏面が汚染されることや、区画板３２の上面３２ａに付着した異物がウエハＷの裏面に移ってウエハＷの裏面が間接的に汚染されることが抑制または防止されている。
【００５０】
ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、チャック回転駆動機構８が停止されて、スピンチャック２によるウエハＷの回転が停止される（ステップＳ１２）。そして、制御部５２によりガスバルブ２４が閉じられ、窒素ガス吐出口２３からの窒素ガスの吐出が停止される（ステップＳ１３）。さらに、制御部５２により遮断板昇降駆動機構１３が制御されて遮断板４が退避位置まで上昇される。このとき、遮断板回転駆動機構１４によって遮断板４が回転されているときには、制御部５２により遮断板回転駆動機構１４が制御されて、遮断板４の回転が停止される。その後、その処理済みのウエハＷが基板搬送ロボットによって搬出されていく（ステップＳ１４）。
【００５１】
図６は、基板処理装置１によるスピンベース６の洗浄処理の一例を説明するための工程図である。また、図７は、スピンベース６の洗浄処理中における基板処理装置１の状態を示す模式図である。以下では、図２、図６および図７を参照して、基板処理装置１によるスピンベース６の洗浄処理の一例について説明する。以下に説明する洗浄処理は、たとえば、前述のウエハＷの処理の後やロット間などのウエハＷに対する処理が行われていないときに実施される。
【００５２】
スピンベース６の洗浄処理は、区画板３２がベース処理位置に配置された状態で行われる。したがって、区画板３２がベース処理位置に位置していないときには、制御部５２により区画板昇降駆動機構３５が制御されて、区画板３２がベース処理位置まで降下される（ステップＳ２１）。これにより、区画板３２の下面３２ｂがスピンベース６の上面６ａに近接される。そして、区画板３２がベース処理位置に配置された状態で、制御部５２によりチャック回転駆動機構８が制御されて、スピンベース６が回転される（ステップＳ２２）。その後、制御部５２により第１洗浄液バルブ５０が開かれて、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液としての純水が供給される（ステップＳ２３）。
【００５３】
すなわち、保持ブロック３３の内部空間Ｓ２に純水が供給され、その供給圧によって純水が、第２洗浄液流通路４５、複数の連通孔４６、第１洗浄液流通路２９に送り込まれる。そして、第１洗浄液流通路２９に送り込まれた純水が、スピンベース６の上面中央部に位置する環状の洗浄液吐出口３０から上方に向けて吐出される。区画板３２の下面３２ｂがスピンベース６の上面６ａに近接され、ベース部材側の空間Ｓ１ｂが狭空間とされているので、洗浄液吐出口３０から吐出された純水は、後続の純水によって押されて、スピンベース６と区画板３２との間をウエハＷの周縁に向かって広がっていく。また、スピンベース６が回転されているので、スピンベース６の回転による遠心力を受けて純水がスピンベース６の周縁に向かって広がっていく。これにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに純水が供給され、図７に示すように、当該空間Ｓ１ｂが純水によって液密になる。また、スピンベース６と区画板３２との間に、ウエハＷの周縁に向かう流れを有する純水の液膜が形成される。ベース部材側の空間Ｓ１ｂが狭空間とされているので、ベース部材側の空間Ｓ１ｂを液密にするのに必要な純水の量が低減されている。
【００５４】
スピンベース６の上面６ａは、この純水の液膜に接液さることにより均一な純水の供給を受ける。これにより、スピンベース６の上面６ａに付着しているパーティクル等の異物や、スピンベース６の上面６ａに付着した処理液が純水によって洗い流される。また、区画板３２の下面３２ｂが純水の液膜に接液されるので、区画板３２の下面３２ｂに付着しているパーティクル等の異物や、スピンベース６の上面６ａに付着した処理液が純水によって洗い流される。
【００５５】
ベース部材側の空間Ｓ１ｂへの純水の供給が所定時間にわたって行われると、制御部５２により第１洗浄液バルブ５０が閉じられて、ベース部材側の空間Ｓ１ｂへの純水の供給が停止される（ステップＳ２４）。そして、区画板３２がベース処理位置に配置された状態で、制御部５２により第２洗浄液バルブ５１が開かれて、ベース部材側の空間Ｓ１ｂへの洗浄液としてのＩＰＡの供給が開始される（ステップＳ２５）。これにより、スピンベース６と区画板３２との間に介在する純水がＩＰＡによって押し流されて、ベース部材側の空間Ｓ１ｂから排出される。さらに、ウエハＷの周縁に向かう流れを有するＩＰＡの液膜に、スピンベース６の上面６ａが接液され、スピンベース６の上面６ａに付着している純水をＩＰＡに置換する置換処理がスピンベース６の上面６ａに均一に行われる。また、区画板３２の下面３２ｂがＩＰＡの液膜に接液されるので、区画板３２の下面３２ｂに付着している純水がＩＰＡによって置換される。ベース部材側の空間Ｓ１ｂが狭空間とされているので、ベース部材側の空間Ｓ１ｂを液密にするのに必要な純水の量が低減されている。
【００５６】
ベース部材側の空間Ｓ１ｂへのＩＰＡの供給が所定時間にわたって行われると、制御部５２により第２洗浄液バルブ５１が閉じられて、ベース部材側の空間Ｓ１ｂへのＩＰＡの供給が停止される（ステップＳ２６）。そして、制御部５２によりチャック回転駆動機構８が制御されて、スピンベース６が高速回転される（ステップＳ２７）。これにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂからＩＰＡが排出されるとともに、スピンベース６の上面６ａに付着しているＩＰＡが振り切られて、スピンベース６が乾燥される。また、スピンベース６の回転に伴う気流の影響も受けて、区画板３２の下面３２ｂは、当該下面３２ｂに付着している液成分（ＩＰＡを主成分とする液体）が蒸発することにより乾燥される。
【００５７】
スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂの乾燥処理において、スピンベース６の上面６ａに区画板３２が近接され、スピンベース６と区画板３２との間の隙間が小さくされているので、スピンベース６と区画板３２との間にその周囲から異物が進入することが抑制または防止されている。これにより、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂに異物が付着することが抑制または防止されている。したがって、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂに付着した異物がウエハＷの裏面に移ってウエハＷの裏面が汚染されることが抑制または防止されている。
【００５８】
スピンベース６の高速回転が所定時間にわたって続けられると、チャック回転駆動機構８が停止されて、スピンベース６の回転が停止される（ステップＳ２８）。
以上のように本実施形態では、ウエハＷの裏面に区画板３２を近接させ、ウエハＷと区画板３２との間の狭空間（基板側の空間Ｓ１ａ）に処理液を供給することができる。これにより、ウエハＷと区画板３２との間に処理液の液膜を形成し、この処理液の液膜にウエハＷを接液させてウエハＷの下面全域に処理液を均一に供給することができる。したがって、ウエハＷの下面全域に処理液による処理を均一に行うことができる。また、区画板３２をウエハＷに近接させた状態で処理を行うことができるので、ウエハＷと区画板３２との間にその周囲から異物が進入することを抑制または防止できる。これにより、異物によるウエハＷの汚染を抑制または防止できる。
【００５９】
また本実施形態では、スピンベース６の上面６ａに区画板３２を近接させ、スピンベース６と区画板３２との間の狭空間（ベース部材側の空間Ｓ１ｂ）に洗浄液を供給することができる。これにより、スピンベース６と区画板３２との間に洗浄液の液膜を形成し、この洗浄液の液膜にスピンベース６および区画板３２を接液させて、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂを洗浄することができる。したがって、スピンベース６および区画板３２からウエハＷの下面に異物が移り、当該異物によってウエハＷの下面が汚染されることを抑制または防止できる。
【００６０】
この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の実施形態では、洗浄液としての純水およびＩＰＡが、スピンベース６の上面中央部に位置する洗浄液吐出口３０から吐出される場合について説明したが、これに限られない。すなわち、たとえば、図８に示すように下側処理液供給管２８上部の外周面から洗浄液が吐出されるようになっていてもよいし、図９に示すように区画板３２の下面３２ｂに形成された複数の洗浄液吐出口５３（区画板側洗浄液吐出口）から洗浄液がシャワー状に吐出されるようになっていてもよい。
【００６１】
具体的には、図８に示すように、第２洗浄液流通路４５の上端が、スピンベース６の上方まで延設されており、複数の連通孔４６によって第２洗浄液流通路４５がベース部材側の空間Ｓ１ｂに連通されていてもよい。この場合、下側処理液供給管２８の外周面に位置する連通孔４６の端部が洗浄液吐出口４６Ａとなっている。第２洗浄液流通路４５に供給された洗浄液は、複数の連通孔４６からベース部材側の空間Ｓ１ｂに向けてほぼ水平に吐出される。また、シール部材３１は、隙間２９Ａへの洗浄液の進入を防ぐためにスピンベース６と下側処理液供給管２８の間に配置されていてもよい。
【００６２】
また、図９に示すように、たとえば区画板３２の下面３２ｂの全域に複数の洗浄液吐出口５３が形成されていてもよい。第２洗浄液流通路４５の上端は区画板３２の内部まで延設されており、複数の洗浄液吐出口５３は、それぞれ、たとえば放射状に並ぶ複数の分岐経路５４を介して第２洗浄液流通路４５に接続されている。この図９に示す構成では、スピンベース６の上面６ａの全域に向けて洗浄液がシャワー状に吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給される。スピンベース６の上面６ａに向けて洗浄液を吐出させることができるので、ベース部材側の空間Ｓ１ｂを洗浄液によって液密にせずに、スピンベース６の上面６ａを洗浄液することができる。また、区画板３２をスピンベース６に近接させずにスピンベース６の上面６ａを洗浄液することができるので、区画板３２を昇降させるための機構（区画板昇降駆動機構３５）が設けられていなくてもよい。
【００６３】
洗浄液を吐出する洗浄液吐出口は、スピンベース６の上面６ａ、下側処理液供給管２８の外周面および区画板３２の下面３２ｂのうちの二つ以上に形成されていてもよい。
また、前述の実施形態では、区画板３２が鉛直方向に昇降されることにより、ウエハＷおよびスピンベース６に対して近接される場合について説明したが、たとえば図１０に示すように、区画板１３２は、鉛直方向に固定されていて、その上面３２ａおよび下面３２ｂがそれぞれウエハＷの下面およびスピンベース６の上面６ａに近接する厚みとされていてもよい。この場合、区画板１３２を昇降させるための機構を設けなくてもよいので、基板処理装置１の部品点数を削減することができる。また、区画板１３２の上面３２ａがウエハＷの下面に近接する位置に配置されているので、スピンチャック２に対して基板を搬送するための基板搬送ロボットＲ１は、いわゆるベルヌーイチャック等のようにウエハＷの上面を吸着することにより保持するものであることが好ましい。
【００６４】
また、前述のウエハＷの処理の一例では、フッ酸による薬液処理が行われた後に、ウエハＷに純水を供給して、純水によるリンス処理を行う場合について説明したが、純水によるリンス処理は省略されていてもよい。すなわち、フッ酸による薬液処理が行われた後に、ウエハＷにＩＰＡを供給して、ＩＰＡによるリンス処理を行ってもよい。
また、前述のスピンベース６の洗浄処理の一例では、純水およびＩＰＡを順次ベース部材側の空間Ｓ１ｂに供給して、スピンベース６の上面６ａを洗浄する場合について説明したが、ＩＰＡのみをベース部材側の空間Ｓ１ｂに供給して、スピンベース６の上面６ａを洗浄してもよい。
【００６５】
また、前述の実施形態では、基板処理装置１によるスピンベース６の洗浄処理を、基板処理装置１によるウエハＷの処理が行われていない期間に実施されるとしているが、スピンベース６の洗浄処理をウエハＷの処理と並行して実施してもよい。すなわち、たとえば、ウエハＷの処理のうちの前記純水によるリンス処理（ステップＳ７〜Ｓ８）と並行して、第２洗浄液吐出口（３０,４６Ａ，５３）から純水を吐出し、スピンベース６の上面６ａや区画板３２の下面３２ｂを洗浄するようにしてもよい。また、たとえば、ウエハＷの処理のうちの前記ＩＰＡによる置換処理（ステップＳ９〜Ｓ１０）と並行して、第２洗浄液吐出口（３０,４６Ａ，５３）からＩＰＡを吐出し、スピンベース６の上面６ａや区画板３２の下面３２ｂに付着している純水をＩＰＡに置換し、洗浄するようにしてもよい。これにより、ウエハＷの処理毎に毎度スピンベース６の洗浄を行うことができ、スピンベース６を常に清浄な状態に維持することができる。
【００６６】
また、前述の実施形態では、スピンベース６の洗浄処理において、ベース部材側の空間Ｓ１ｂへのＩＰＡの供給が停止（ステップＳ２６）された後、スピンベース６が高速回転される（ステップＳ２７）が、このステップＳ２７のスピンベース６の高速回転が行われている期間中、第２洗浄液吐出口（３０,４６Ａ，５３）から窒素ガスなどの不活性ガスを供給するようにしてもよい。この場合、第１洗浄液供給管４８および第２洗浄液供給管４９（図２参照）に並列して、不活性ガスを供給するガス供給管を設けるのが好ましい。これにより、区画板３２やスピンベース６に付着しているＩＰＡをさらに迅速に蒸発させて乾燥させることができる。
【００６７】
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】スピンチャックおよびそれに関連する構成の図解的な断面図である。
【図３】前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図４】前記基板処理装置によるウエハの処理の一例を説明するための工程図である。
【図５】ウエハの処理中における前記基板処理装置の状態を示す模式図である。
【図６】前記基板処理装置によるスピンベースの洗浄処理の一例を説明するための工程図である。
【図７】スピンベースの洗浄処理中における前記基板処理装置の状態を示す模式図である。
【図８】前記基板処理装置の変形例を示す模式図である。
【図９】前記基板処理装置の変形例を示す模式図である。
【図１０】前記基板処理装置の変形例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６９】
１      基板処理装置
２      スピンチャック（基板保持手段）
６      スピンベース（ベース部材）
６ａ    スピンベースの上面（区画板対向面）
７      挟持部材（保持部材）
２９    第１洗浄液流通路（洗浄液供給手段）
３０    洗浄液吐出口（洗浄液供給手段、ベース部材側洗浄液吐出口）
３２    区画板
３２ｂ  区画板の下面（対向面）
３５    区画板昇降駆動機構（移動手段）
３６    中心軸パイプ（処理液供給手段）
３７    下側処理液吐出口（処理液供給手段）
４６Ａ  洗浄液吐出口（洗浄液供給手段、区画板側洗浄液吐出口）
５３    洗浄液吐出口（洗浄液供給手段、区画板側洗浄液吐出口）
１３２    区画板
Ｓ１ａ  基板側の空間
Ｓ１ｂ  ベース部材側の空間
Ｗ      ウエハ（基板）
【図１】
2009224608.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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