(57)【要約】【課題】コモン電極１０８の電圧を変化させる構成において横方向に発生する表示むらを抑える。【解決手段】画素１１０は、一端が画素電極に接続され他端がコモン電極１０８に接続された画素容量とを含み、コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられる。ある行に対する走査線１１２の選択期間において当該行に対応するコモン電極１０８に対し、当該行の画素に対して正極性書込が指定されるのであれば、ＴＦＴ１７１、１７８をオンさせて、それぞれ電圧Ｖslを両端側から印加し、当該行の画素に対して負極性書込が指定されるのであれば、ＴＦＴ１７２、１７８をオンさせて、それぞれ電圧Ｖshを両端側から印加する。【選択図】図１
2009223173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極に対し、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側となるような正極性が指定されたときに、前記複数の画素の配列領域に対して一端側および他端側からそれぞれ第１電圧を印加し、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側となるような負極性が指定されたときに、前記複数の画素の配列領域に対して一端側および他端側から、それぞれ前記第１電圧よりも高位の第２電圧を印加する
コモン電極駆動回路と、
当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記コモン電極駆動回路は、
前記複数のコモン電極の各々に対応して、第１トランジスタ、第２トランジスタおよび供給トランジスタの組を有し、
一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、第２トランジスタおよび供給トランジスタのうち、
前記第１トランジスタは、そのソース電極が前記第１電圧を給電する第１給電線に接続され、前記第２トランジスタは、そのソース電極が前記第２電圧を給電する第２給電線に接続され、
前記第１トランジスタのドレイン電極および前記第２トランジスタのドレイン電極が前記複配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、
前記供給トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が第３給電線に接続され、そのドレイン電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の他端側に接続され、
当該一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応する画素に対し、
前記正極性が指定されたときに前記第１トランジスタがオンし、前記第３給電線に前記第１電圧が給電され、
前記負極性が指定されたときに前記第２トランジスタがオンし、前記第３給電線に前記第２電圧が給電される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記コモン電極駆動回路は、
当該一の走査線が選択される画素に対して前記正極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極に対し、当該一の走査線の選択終了後においても前記第１電圧を印加し、
当該一の走査線が選択される画素に対して前記負極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極に対し、当該一の走査線の選択終了後においても前記第２電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記一の走査線が選択される期間において、当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を検出するとともに、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されるとき、当該一のコモン電極が前記第１電圧となるように制御する一方、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されるとき、当該一のコモン電極が前記第２電圧となるように制御するコモン電極電圧制御回路を、さらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
前記コモン電極電圧制御回路は、
当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を前記配列領域に対して一端側および他端側のそれぞれにおいて検出するとともに、
当該選択される走査線に対応するコモン電極の電圧制御を前記配列領域に対して一端側および他端側のそれぞれにおいて実行する
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極に対し、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側となるような正極性が指定されたときに、前記複数の画素の配列領域に対して一端側および他端側からそれぞれ第１電圧を印加し、
当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側となるような負極性が指定されたときに、前記複数の画素の配列領域に対して一端側および他端側から、それぞれ前記第１電圧よりも高位の第２電圧を印加する
コモン電極駆動回路と、
当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置においてコモン電極の電圧を変化させる場合に、横方向に発生する表示むらを抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容量）が設けられる。この画素容量を交流駆動するときに、データ線の電圧振幅を抑えるためにコモン電極を走査線毎に個別化するとともに、走査線を選択するときに当該選択走査線に対応するコモン電極を書込極性に応じた２値電圧のいずれかとする技術が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３００９４８号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この技術では、コモン電極を走査線毎に個別化したことに伴って、横方向の表示むらが発生しやすい。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、コモン電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑制する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応するコモン電極に対し、当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側となるような正極性が指定されたときに、前記複数の画素の配列領域に対して一端側および他端側からそれぞれ第１電圧を印加し、当該一の走査線に対応する画素に対して前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側となるような負極性が指定されたときに、前記複数の画素の配列領域に対して一端側および他端側から、それぞれ前記第１電圧よりも高位の第２電圧を印加するコモン電極駆動回路と、当該一の走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、画素容量に電圧を書き込むために走査線が選択される期間において、当該走査線に対応するコモン電極に対し、画素の配列領域の両端側から第１または第２電圧を印加するので、コモン電極においてデータ線の電圧変化等の影響を受けにくくすることができる。
【０００５】
本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記複数のコモン電極の各々に対応して、第１トランジスタ、第２トランジスタおよび供給トランジスタの組を有し、一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、第２トランジスタおよび供給トランジスタのうち、前記第１トランジスタは、そのソース電極が前記第１電圧を給電する第１給電線に接続され、前記第２トランジスタは、そのソース電極が前記第２電圧を給電する第２給電線に接続され、前記第１トランジスタのドレイン電極および前記第２トランジスタのドレイン電極が前記複配列領域に対して当該一のコモン電極の一端側に接続され、前記供給トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が第３給電線に接続され、そのドレイン電極が前記配列領域に対して当該一のコモン電極の他端側に接続され、当該一の走査線が選択される期間において当該一の走査線に対応する画素に対し、前記正極性が指定されたときに前記第１トランジスタがオンし、前記第３給電線に前記第１電圧が給電され、前記負極性が指定されたときに前記第２トランジスタがオンし、前記第３給電線に前記第２電圧が給電される構成としても良い。この構成では、第１および第２トランジスタのサイズを小さく済ませた上で、コモン電極においてデータ線の電圧変化等の影響を受けにくくすることができる。
また、本発明において、前記コモン電極駆動回路は、当該一の走査線が選択される画素に対して前記正極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極に対し、当該一の走査線の選択終了後においても前記第１電圧を印加し、当該一の走査線が選択される画素に対して前記負極性が指定されたとき、当該一の走査線に対応するコモン電極に対し、当該一の走査線の選択終了後においても前記第２電圧を印加する構成としても良い。この構成では、非選択期間におけるコモン電極がハイ・インピーダンス状態となることによる表示むらを抑えることができる。
【０００６】
本発明において、前記一の走査線が選択される期間において、当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を検出するとともに、当該一の走査線に対応する画素に対して前記正極性が指定されるとき、当該一のコモン電極が前記第１電圧となるように制御する一方、当該一の走査線に対応する画素に対して前記負極性が指定されるとき、当該一のコモン電極が前記第２電圧となるように制御するコモン電極電圧制御回路を、さらに有する構成としても良い。この構成によれば、コモン電極においてデータ線の電圧変化等の影響をさらに小さく抑えることができる。
このような構成において、前記コモン電極電圧制御回路は、当該一の走査線に対応するコモン電極の電圧を前記配列領域に対して一端側および他端側のそれぞれにおいて検出するとともに、当該選択される走査線に対応するコモン電極の電圧制御を前記配列領域に対して一端側および他端側のそれぞれにおいて実行しても良い。コモン電極における電圧の検出および制御を画素の配列領域の両端でそれぞれ実行するので、表示むらを極めて小さく抑えることが可能となる。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂ、データ線駆動回路１９０が配置するとともに、制御回路２０が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。
【０００９】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１行目から３２０行目までの走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、１列目から２４０列目までのデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように設けられている。そして、１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれコモン電極１０８がＸ方向に延在して設けられている。このため、本実施形態においては、１〜３２０行目のコモン電極１０８が１〜３２０行目の走査線１１２に対応してそれぞれ設けられることになる。
【００１０】
画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６は、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極が画素容量１２０の一端である画素電極１１８と蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ接続されている。また、画素容量１２０の他端および蓄積容量１３０の他端は、それぞれｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の電圧を示している。
【００１２】
特に図示しないが、本実施形態は、素子基板と対向基板との間に液晶を封入した構成であって、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである。詳細に言えば、素子基板には、コモン電極が帯状に形成されるとともに、絶縁層を介して櫛歯状の画素電極が形成され、これにより、画素電極１１８とコモン電極１０８との間には、誘電体たる液晶を介した構造によって一種の容量となり、この容量成分によって保持される電圧の実効値に応じて、液晶にかかる電界の大きさが基板面に沿った方向で変化する構成となっている。
本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロに近い値となるときに、光の透過率が最大の白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過率が徐々に減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードであるとする。
また、蓄積容量１３０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが絶縁層を介した積層構造によって生じる容量成分である。
なお、画素１１０については、その電気的な等価回路が図２で示されるような回路であれば、ＦＦＳモード以外の他のモードであっても良い。
【００１３】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするものである。
例えば、制御回路２０は、図３に示されるように、デューティ比５０％のクロック信号Ｃlyや、当該クロック信号Ｃlyの半周期に相当するパルスを１フレームの期間に最初にスタートパルスＤyとして出力する。
【００１４】
表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂ、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間において走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、…、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyを、図３に示されるようにクロック信号Ｃlyの論理レベルが変化する毎に順次シフトして、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０として出力する。
【００１５】
なお、ある行の走査線にとってみれば、その走査線に供給される走査信号がＨレベルとなるときが選択期間であり、これが当該行に対する水平走査期間（Ｈ）に相当し、また、走査信号がＬレベルとなる期間が非選択期間である。本実施形態において１フレームの期間には、走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０が順番にＨレベルとなる有効走査期間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。なお、走査信号においてＨレベルは選択電圧Ｖddに相当し、Ｌレベルは非選択電圧Ｖssに相当する。
【００１６】
制御回路２０が出力する制御信号等のうち、スタートパルスＤy、クロック信号Ｃly以外の信号について説明する。
まず、ラッチパルスＬpは、図３に示されるように、クロック信号Ｃlyの論理レベルが変化するタイミングで出力される。上述したように、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすることによって走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０を出力するので、ラッチパルスＬpの出力タイミングは、いずれかの走査信号がＨレベルとなるタイミング、すなわち水平走査期間の開始タイミングである、と考えて良い。
【００１７】
次に、極性指定信号Ｐolは、本実施形態では、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極性書込を指定する信号である。極性指定信号Ｐolは、図３に示されるように、ｎフレームにおいて奇数行目の走査線が選択される（すなわち、その走査信号がＨレベルとなる）水平走査期間においてＨレベルとなり、偶数行目の走査線が選択される水平走査期間においてＬレベルとなるので、画素への書込極性が走査線毎に反転する走査線反転（ライン反転）方式となる。
なお、極性指示信号Ｐolは、次の（ｎ＋１）フレームでは、各行の水平走査期間に着目していみると、ｎフレームと比較して論理レベルが逆転し、書込極性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態において、極性とは、画素容量１２０に階調に応じた電圧を保持させる際に、画素電極１１８の電位をコモン電極１０８の電位よりも高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合を負極性という。また、電圧については、特に説明のない限り、図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
【００１８】
なお、制御回路２０は、極性指定信号Ｐolを、信号線１６４を介してコモン電極駆動回路１７０ａに供給する。また、極性指定信号Ｐolは、ＮＯＴ回路５０によって論理レベルが反転されて信号／Ｐolとなり、信号線１６５を介してコモン電極駆動回路１７０ａに供給される。
ここで、極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）のＨ、Ｌレベルは、後述するＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極にＴＦＴ１７３、１７４を介して印加されたとき、それぞれＴＦＴ１７１、１７２をオン、オフさせる電圧である。このため、極性指定信号Ｐolは、書込極性を指定する信号であるとともに、その論理レベルのうち、Ｈレベルがオン電圧として、Ｌレベルがオフ電圧として機能することになる。
【００１９】
続いて、信号Ｖc1は、図３に示されるように電圧Ｖslで一定であり、信号Ｖc2は電圧Ｖshで一定である。ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｖss≦）Ｖsl＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関係にあり、電圧Ｖsl（第１電圧）よりも電圧Ｖsh（第２電圧）が相対的に高い電圧となっている。
また、信号Ｖc3は、極性指定信号ＰolがＨレベルとなって正極性書込が指定されるときに電圧Ｖslとなり、極性指定信号ＰolがＬレベルとなって負極性書込が指定されるときに電圧Ｖshとなる。
なお、制御回路２０は、信号Ｖc1、Ｖc2についてはそれぞれ給電線１６１、１６２を介してコモン電極駆動回路１７０ａに、信号Ｖc3については給電線１６３を介してコモン電極駆動回路１７０ｂに、それぞれ供給する。
【００２０】
コモン電極駆動回路１７０ａは、表示領域１００に対して一端側に設けられ、１〜３２０行目のコモン電極１０８の各々に対応したｎチャネル型のＴＦＴ１７１〜１７４の組から構成される。
ここで、ｉ行目のコモン電極１０８に対応するＴＦＴ１７１〜１７４について説明すると、当該ｉ行目のＴＦＴ１７１（第１トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目のＴＦＴ１７３のドレイン電極に接続され、そのソース電極が給電線１６１に接続されている。また、当該ｉ行目のＴＦＴ１７２（第２トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目のＴＦＴ１７４のドレイン電極に接続され、そのソース電極が給電線１６２に接続されている。
次に、ｉ行目のＴＦＴ１７３については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が信号線１６４に接続され、また、ｉ行目のＴＦＴ１７４については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が信号線１６５に接続されている。
【００２１】
一方、コモン電極駆動回路１７０ｂは、表示領域１００に対してコモン電極駆動回路１７０ａとは反対の他端側に設けられ、各行のコモン電極１０８に対応したＴＦＴ１７８から構成される。
ｉ行目のコモン電極１０８に対応するＴＦＴ１７８について説明すると、当該ｉ行目のＴＦＴ１７８については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が給電線１６３に接続され、そのドレイン電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
【００２２】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０によって選択される走査線に位置する画素１１０に対し、階調に応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Ｐolで指定された極性に応じた電圧のデータ信号をデータ線１１４介して供給するものである。詳細には、本実施形態はノーマリーホワイトモードとしているから、データ線駆動回路１９０は、データ信号を、正極性書込が指定されていれば、指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖslを基準として徐々に高くなる電圧とし、負極性書込が指定されていれば、指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖshを基準として徐々に低くなる電圧とする。
【００２３】
データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。
ここで、データ線駆動回路１９０は、選択走査線に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から１行分読み出すとともに、当該読み出した表示データＤaで指定された階調および指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する
動作を、選択走査線に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
なお、表示内容に変更が生じると、制御回路２０が変更後の表示データＤaを供給して、記憶領域の内容を書き換える。また、データ線駆動回路１９０は、ラッチパルスＬpを１フレームの期間の最初からカウントすることによって何行目の走査信号がＨレベルとなるのか、および、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって走査線の選択開始のタイミングを知る。
【００２４】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
ｎフレームにおいて、走査線駆動回路１４０は、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を順番に選択して、選択した走査線への走査信号をＨレベルとする。そこでまず、これらの各行のうち、代表してｉ行目および（ｉ＋１）行目の動作について図４乃至図６を参照して説明する。
ここでは、ｉを奇数とし、（ｉ＋１）を偶数とする。したがって、ｎフレームにおいては、奇数ｉ行目の画素に対して正極性書込が指定され、偶数（ｉ＋１）行目の画素に対して負極性書込が指定されることになる。
【００２５】
まず、ｉ行目が選択されて、走査信号ＹｉがＨレベルとなる。
コモン電極駆動回路１７０ａにおいて走査信号ＹｉがＨレベルになると、図４に示されるように、ｉ行目に対応するＴＦＴ１７３、１７４がそれぞれオンする。奇数行目が選択されるとき、極性指定信号ＰolはＨレベルであり、信号／ＰolはＬレベルであるので、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極にそれぞれオン電圧、オフ電圧が印加される。このため、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオン、オフする。
また、コモン電極駆動回路１７０ｂでは、走査信号ＹｉがＨレベルになると、同図に示されるように、ｉ行目に対応するＴＦＴ１７８がオンする。
ここで、信号Ｖc1は電圧Ｖslで一定であり、ｎフレームにおいて奇数行目が選択されるときに信号Ｖc3は電圧Ｖslであるので、ｉ行目のコモン電極１０８には、給電線１６１およびオン状態にあるＴＦＴ１７１を介した一端側からの経路と、給電線１６３およびオン状態にあるＴＦＴ１７８を介した他端側からの経路との２つ経路によって、すなわち表示領域１００に対して両端側から、それぞれ電圧Ｖslが給電される。
【００２６】
一方、走査信号ＹｉがＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、ｉ行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖslを基準に高位側とした正極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。
【００２７】
したがって、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間において、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
【００２８】
次に、ｉ行目の選択終了によって走査信号ＹｉがＬレベルになるとともに、（ｉ＋１）行目の選択開始によって走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになる。
走査信号ＹｉがＬレベルになると、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂにあっては、図５に示されるように、ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４、１７８もオフする。
ｉ行目のＴＦＴ１７３、１７４のオフにより、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極は電気的にどの部分にも接続されない状態（ハイ・インピーダンス状態）になるものの、寄生容量によって直前に印加されたオン電圧、オフ電圧をそれぞれ保持しているので、当該ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２は、それぞれオン状態、オフ状態を維持する。このため、ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＬレベルとなっても、給電線１６１に接続されて、一端側からの経路のみによって電圧Ｖslを維持する。したがって、走査信号ＹｉがＨレベルのときにｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に書き込まれた電圧は、当該並列容量の他端が電圧Ｖslに確定した状態でそのまま保持されることになる。
【００２９】
また、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０ａでは、図５に示されるように、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４がそれぞれオンする。
ただし、ｎフレームにおいて偶数行目が選択されるとき、極性指定信号ＰolはＬレベルであり、信号／ＰolはＨレベルであるので、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極には、ｉ行目とは逆にそれぞれオフ電圧、オン電圧が印加される。このため、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオフ、オンする。
また、コモン電極駆動回路１７０ｂでは、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、同図に示されるように、（ｉ＋１）行目に対応するＴＦＴ１７８がオンする。
ここで、信号Ｖc2は電圧Ｖshで一定であり、ｎフレームにおいて偶数行目が選択されるときに信号Ｖc3は電圧Ｖshであるので、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８には、給電線１６２およびオン状態にあるＴＦＴ１７２を介した一端側からの経路と、給電線１６３およびオン状態にあるＴＦＴ１７８を介した他端側からの経路との２経路によって、すなわち両端側から、それぞれ電圧Ｖshが給電される。
【００３０】
一方、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、（ｉ＋１）行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖshを基準に低位側とした負極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。
【００３１】
したがって、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる水平走査期間において、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
【００３２】
そして、（ｉ＋１）行目の選択終了によって走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）がともにＬレベルになる。
走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、コモン電極駆動回路１７０ａ、１７０ｂにあっては、図６に示されるように、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４、１７８もオフする。（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７３、１７４のオフにより、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極はハイ・インピーダンス状態になるものの、寄生容量によって直前に印加されたオフ電圧、オン電圧を保持しているので、当該（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１７１、１７２は、それぞれオフ、オン状態を維持する。このため、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルとなっても、給電線１６２に接続されて、一端側からの経路のみによって電圧Ｖshを維持する。したがって、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルのときに（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に書き込まれた電圧は、当該並列容量の他端が電圧Ｖshに確定した状態でそのまま保持されることになる。
なお、ｉ行目のコモン電極１０８については、同図に示されるように、引き続きｉ行目のＴＦＴ１７１のオン状態が継続することによって電圧Ｖslを維持することになる。
【００３３】
このようにｎフレームにおいて奇数ｉ行目に対しては、当該ｉ行目が選択されたときに、当該ｉ行目のコモン電極１０８に電圧Ｖslを両端側からそれぞれ給電した上で、画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧を書き込み、その後の非選択期間においても当該ｉ行目のコモン電極１０８を電圧Ｖslに確定させて上記並列容量に書き込まれた電圧を保持させる。
一方、ｎフレームにおいて偶数（ｉ＋１）行目に対しては、当該（ｉ＋１）行目が選択されたときに、当該（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８に電圧Ｖshを両端側からそれぞれ給電した上で、画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に、それぞれ階調に応じた負極性の電圧を書き込み、その後の非選択期間においても当該（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８を電圧Ｖshに確定させて並列容量に書き込まれた電圧を保持させる。
なお、実際には、このような動作が１、２、３、４、…、３１９、３２０行目という順番で実行される。
【００３４】
次の（ｎ＋１）フレームでは、各走査線が選択される期間において極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）が論理反転した書き込み動作が実行される。
このため、（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数ｉ行目が選択されたときに、当該ｉ行目のコモン電極１０８に電圧Ｖshを両端側からそれぞれ給電した上で、画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧を書き込み、その後の非選択期間においても当該ｉ行目のコモン電極１０８を電圧Ｖshに確定させて上記並列容量に書き込まれた電圧を保持させる一方、偶数（ｉ＋１）行目が選択されたときに、当該（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８に電圧Ｖslを両端側からそれぞれ給電した上で、画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に、それぞれ階調に応じた正極性の電圧を書き込み、その後の非選択期間においても当該（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８を電圧Ｖslに確定させて並列容量に書き込まれた電圧を保持させる。
【００３５】
次に、このような電圧の書き込みについて図７を参照して説明する。図７は、ｉ行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i,j)と、（ｉ＋１）行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i+1,j)とを、それぞれ走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）との関係において示す図である。
【００３６】
ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslとなり、その後の非選択期間においても電圧Ｖslに維持される。
一方、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｘｊは、正極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖslよりもｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧（図において↑で示される）となる。これにより、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖslとの差電圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書き込まれ、走査信号ＹｉがＬレベルとなって非択となっても、当該差電圧が保持されることになる。
【００３７】
次に、ｉ行目のコモン電極１０８は、次のフレームにおいて走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに負極性書込が指定されるので電圧Ｖshとなり、その後の非選択期間においても電圧Ｖshに維持される。
また、データ信号Ｘｊは、負極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖshよりもｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側の電圧（図において↓で示される）となる。これにより、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖshとの差電圧、すなわち、階調に応じた負極性電圧が書き込まれ、走査信号ＹｉがＬレベルとなって非選択となっても、当該差電圧が保持されることになる。
なお、図において、この差電圧の分がハッチングで示されている。
【００３８】
また、ｉ行目に対して正極性書込が指定されたとき、（ｉ＋１）行目に対し負極性書込が指定され、ｉ行目に対して負極性書込が指定されるとき、（ｉ＋１）行目に対し正極性書込が指定されるので、書込極性は走査線毎に反転することになる。
【００３９】
本実施形態によれば、正極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖslよりも階調に応じた電圧だけ高位側の電圧のデータ信号が供給される一方、負極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖshよりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧のデータ信号が供給されるので、データ信号の電圧振幅は、コモン電極１０８の電圧を一定とした場合と比較して狭くなる。このため、データ線駆動回路１９０の構成素子に要求される耐圧性が低く抑えられて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費される電力を抑えることも可能となる。
【００４０】
また、１〜３２０行目のコモン電極１０８の各々は、１〜２４０列のデータ線１１４とそれぞれ交差しているので、図２において破線で示されるような寄生容量を介して結合する。このため、コモン電極１０８の電圧が確定していないと、データ線等の電圧変化が寄生容量を介して伝搬して電圧Ｖsl（またはＶsh）から変動し、表示むらの原因となる。なお、電圧変動はコモン電極１０８毎に発生するので、表示むらは横方向に沿って現れる。
これに対し、本実施形態では、各行に対応して設けられたＴＦＴ１７１、１７２のいずれか一方がオンし、他方がオフするとともに、当該ｉ行目の走査線が選択される毎にオンオフが交互に切り替えられる。このため、各行のコモン電極１０８は、給電線１６１、１６２のいずれか一方に必ず接続されるので、電圧が常に確定している。このため、上記横方向の表示むらを抑えることが可能となる。
【００４１】
さらに、本実施形態では、各行の他端側にＴＦＴ１７８を設けるとともに、ある行に着目してみると、ある行が選択されたときに、当該当該行のコモン電極１０８に対しては、一端側のＴＦＴ１７１、１７２のいずれか一方と、他端側のＴＦＴ１７８との双方によって表示領域１００の両端側から電圧Ｖsl（またはＶsh）を給電する構成となっている。
この構成の優位性を説明するために、コモン電極１０８に対して、一端側のＴＦＴ１７１、１７２のいずれか一方のみによって電圧Ｖsl、Ｖshを給電する構成を比較のために想定してみる。
この想定構成においてＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗は、本実施形態におけるＴＦＴ１７１、１７２におけるオン抵抗Ｒの半分のＲ／２であるとする。これは、本実施形態では、コモン電極１０８に対して電圧Ｖsl（またはＶsh）を給電するトランジスタが、ＴＦＴ１７１、１７２のいずれか１個と、ＴＦＴ１１７８との計２個であるのに対し、想定構成では、ＴＦＴ１７１、１７２のいずれか１個であるから、その分、トランジスタサイズを２倍として、オン抵抗を半分とすることができるためである。
また、１行分のコモン電極１０８の抵抗成分をＲhとし、当該コモン電極にかかる容量をＣhとする。
【００４２】
一般に、コモン電極１０８において、データ線の電圧変化などの影響は、トランジスタのオン抵抗とコモン電極の抵抗成分Ｒhとの和にコモン電極にかかる容量Ｃhを乗じた値で概算することができる。
まず、想定構成では、この影響が（Ｒ／２＋Ｒh）Ｃhで概算することができる。
これを展開すると、
Ｒ・Ｃh／２＋Ｒh・Ｃh……(1)
と表される。
【００４３】
これに対して、本実施形態では、コモン電極１０８に対してＴＦＴ１７１、１７２のいずれか一方によって一端側から、ＴＦＴ１７８によって他端側から、それぞれ電圧Ｖsl（またはＶsh）を給電するので、コモン電極１０８を中心で分断した構成と等価になる。このため、１行分のコモン電極の抵抗成分は半分のＲh／２となり、当該コモン電極にかかる容量についても半分のＣh／２となる。
このため、データ線の電圧変化等の影響については、
（Ｒ＋Ｒh／２）Ｃh／２
で概算され、これを展開すると、
Ｒ・Ｃh／２＋Ｒh・Ｃh／４……(2)
と表される。
【００４４】
ここで、データ線の電圧変化等の影響を対比してみたとき、本実施形態による(2)の第二項は、想定構成による(1)の第二項の四分の一となるので、横方向の表示むらを大きく低減することができることが判る。換言すれば、本実施形態によれば、トランジスタのサイズを大きくしないでも、横方向の表示むらを低減することができる、ということになる。
さらに、各行のコモン電極１０８には、ある程度の配線抵抗が存在するので、想定構成では、ＴＦＴ１７１、１７２が設けられる一端側よりも、その反対の他端側の方が、抵抗分が大きくなる。このため、想定構成では、横方向の表示むらが発生したとき、その程度が、表示領域１００の左右で異なる、といった現象も発生する。これに対して、本実施形態では、電圧Ｖsl（またはＶsh）を両端側から給電するので、横方向の表示むらが仮に視認されたとしても、その程度が左右で異なってしまうという現象の発生を抑えることができる。
【００４５】
＜第１実施形態の応用・変形＞
上述した第１実施形態では、次のような応用・変形が可能である。
第１実施形態では、走査線毎の極性反転とするために、極性指定信号Ｐolの論理レベルを水平走査期間毎に反転させたが、図８に示されるように、論理レベルを１フレームの期間にわたって保ち、フレーム毎に反転させて各画素の書込極性を揃えた面（フレーム）反転方式としても良い。
【００４６】
ここで、極性指定信号Ｐolの論理レベルを１フレームの期間にわたって保つとともに、フレーム毎に反転させる場合に、図９に示されるように、偶数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先と入れ替えることによって、第１実施形態と同様な走査線反転方式とすることもできる。
また、特に図示はしないが、ＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先ではなく、偶数行目におけるＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先と入れ替えることによっても、第１実施形態と同様な走査線反転方式とすることもできる。
【００４７】
また、第１実施形態では、制御回路２０が信号Ｖc3を供給する構成としたが、信号Ｖc3の役割の１つは、選択行のコモン電極１０８に対して、一端側から供給する信号Ｖc1またはＶc2と同じ電圧を他端側から供給することであるから、正極性書込が指定される場合には給電線１６１を選択し、負極性書込が指定される場合には給電線１６２を選択するスイッチを設けて、当該スイッチによって選択された電圧を信号Ｖc3として用いる構成としても良い。なお、このような構成については、次の第２実施形態においてスイッチ６２として説明する。
【００４８】
＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、走査線の選択期間において当該走査線に対応するＴＦＴ１７１、１７２のいずれか一方と、ＴＦＴ１７８とをオンさせることによって、当該走査線に対応するコモン電極に電圧Ｖslまたは電圧Ｖshを印加する構成としたが、ノイズ等の大きいと、コモン電極が当該選択期間内に電圧Ｖsl、Ｖshに収束しない可能性が残る。
そこで、コモン電極が選択期間内に電圧Ｖsl、Ｖshとなるように積極的に制御する第２実施形態について説明する。
【００４９】
図１０は、第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図１０に示す構成が図１に示した第１実施形態と相違する部分は、コモン電極駆動回路１７０ａにおいて主に各行に対応してＴＦＴ１７７が設けられている点、検出線１６７、２系統のオペアンプ３１、３２を備える点などである。そこで以下については、これらの相違点を中心に説明することにする。
【００５０】
まず、コモン電極駆動回路１７０ａには、各行のコモン電極１０８に対応して検出トランジスタとして機能するＴＦＴ１７７がそれぞれ設けられている。ここで、ｉ行目のＴＦＴ１７７については、そのゲート電極がｉ行目の走査線に１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され、そのドレイン電極が検出線１６７に接続されている。なお、検出線１６７は、各行のＴＦＴ１７７のドレイン電極に対して共通接続されている。
【００５１】
オペアンプ３１については、その反転入力端（−）が検出線１６７に接続され、その非反転入力端（＋）には制御回路２０による目標信号が供給され、その出力端が給電線１６１に接続されている。なお、抵抗素子が、給電線１６１と検出線１６７との間に介挿されて、オペアンプ３１の出力の一部が反転入力端（−）に負帰還する構成となっている。ここで、オペアンプ３１の非反転入力端（＋）に供給される目標信号は電圧Ｖslである。
同様にオペアンプ３２については、その反転入力端（−）が検出線１６７に接続され、その非反転入力端（＋）には制御回路２０による目標信号が供給され、その出力端が給電線１６２に接続されている。なお、抵抗素子が、給電線１６２と検出線１６７との間に介挿されて、オペアンプ３２の出力の一部が反転入力端（−）に負帰還する構成となっている。ここで、オペアンプ３２の非反転入力端（＋）に供給される目標信号は電圧Ｖshである。
なお、スイッチ６２は、上述したように、正極性書込が指定される場合には給電線１６１を選択し、負極性書込が指定される場合には給電線１６２を選択して、選択した電圧を信号Ｖc3として給電線１６３に給電する。
【００５２】
このような構成において、走査信号ＹｉがＨレベルであると、ｉ行目のＴＦＴ１７７がオンする。このため、ｉ行目のコモン電極１０８は、ＴＦＴ１７７のオン抵抗を介して検出線１６７に接続されて、オペアンプ３１、３２の反転入力端（−）に負帰還される。
したがって、走査信号ＹｉがＨレベルであるときに、ｉ行目のコモン電極１０８が目標信号の電圧となるように、詳細には、正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslとなるように、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshとなるように、それぞれ負帰還制御される。
【００５３】
このため、第２実施形態によれば、第１実施形態と比較すると、ｉ行目のコモン電極１０８を、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間（Ｈ）の終了時までに、電圧Ｖslまたは電圧Ｖshの一方に、より正確に安定化することになる。
したがって、第２実施形態によれば、第１実施形態のようにデータ線の電圧振幅を狭めることができるだけなく、ＴＦＴ１７１、１７２のトランジスタサイズを必要上に大きくしなくて済む上に、第１実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらをより確実に抑えることが可能となる。
【００５４】
なお、ここでは説明を簡略化しているが、選択行に対して正極性書込が指定されるとき、オペアンプ３２の非反転入力端（−）から検出線１６７を切り離すとともに、当該オペアンプ３２を、目標信号たる電圧Ｖshをバッファリングさせるボルテージフォロア回路として機能させる一方、選択行に対して負極性書込が指定されるとき、オペアンプ３１の非反転入力端（−）から検出線１６７を切り離すとともに、当該オペアンプ３１を、目標信号たる電圧Ｖslをバッファリングさせるボルテージフォロア回路として機能させて、非選択行に対するコモン電極１０８の電圧が負帰還制御によって変化しない構成が好ましい。
【００５５】
＜第２実施形態の応用・変形＞
上述した第２実施形態においても、第１実施形態の応用・変形で述べたように、極性指定信号Ｐolの論理レベルを１フレームの期間にわたって保つとともに、フレーム毎に反転させて、面反転方式としても良いし、偶数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先を、奇数行目におけるＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先と入れ替えて、走査線反転方式としても良い。
また、ＴＦＴ１７７についてはコモン電極駆動回路１７０ａの一端側に設けたが、コモン電極駆動回路１７０ｂの他端側に設けても良い。
【００５６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置について説明する。図１１は、第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
第２実施形態では、各行のコモン電極１０８において一端側または他端側で電圧検出を行うとともに、電圧Ｖsl（または電圧Ｖsh）を一端側からと他端側からとの双方で給電する構成としたが、この図に示される第３実施形態では、各行のコモン電極１０８における電圧検出・電圧給電を、一端側と他端側とでそれぞれ独立して行う構成としたものである。
【００５７】
詳細には、コモン電極駆動回路１７０ａにあっては各行にＴＦＴ１７７が設けられる点については第２実施形態と同様であるが、給電線１６３が廃された代わりに、給電線１６８が設けられて、コモン電極駆動回路１７０ｂにおける各ＴＦＴ１７８のソース電極に共通接続されている。
コモン電極駆動回路１７０ｂにおいては、また、各行にＴＦＴ１７９がそれぞれ設けられる。このうち、ｉ行目で説明すると、ｉ行目のＴＦＴ１７９については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され、そのドレイン電極は他端側の検出線１６９に共通接続されている。
当該検出線１６９は、オペアンプ３３の反転入力端（−）に接続される一方、オペアンプ３３の出力端が他端側の給電線１６８に接続されるとともに、抵抗素子を介して反転入力端（−）に帰還されている。
なお、スイッチ６４は、選択行に対して正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslの目標信号Ｖc1refをセレクトし、選択行に対して負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshの目標信号Ｖc2refをセレクトして、オペアンプ３３の非反転入力端（＋）に供給する。
【００５８】
第３実施形態によれば、選択行に対応するコモン電極１０８の電圧を一端側および他端側でそれぞれ検出し、一端側で検出した電圧が目標信号となるように制御した電圧を当該コモン電極の一端側から給電する一方、他端側で検出した電圧が目標信号となるように制御した電圧を当該コモン電極の他端側から給電する。このため、第３実施形態では、第２実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生や、特に当該表示むら程度が左右で異なる現象を、さらに確実に抑えることが可能となる。
【００５９】
＜第１乃至第３実施形態の関連事項＞
なお、上述した実施形態では、画素容量１２０をノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、画素容量１２０は透過型に限られず、反射型であっても良いし、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
くわえて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、例えばＧを、ＹＧ（黄緑）およびＥＧ（エメラルドグリーン）に分けて、これらの４色の画素で１ドットを構成して、広色帯化を図った構成としても良い。
【００６０】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器について説明する。図１２は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
【００６１】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１２に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、フォトストレージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図４】同電気光学装置においてコモン電極への給電経路を示す図である。
【図５】同電気光学装置においてコモン電極への給電経路を示す図である。
【図６】同電気光学装置においてコモン電極への給電経路を示す図である。
【図７】同電気光学装置における電圧波形を示す図である。
【図８】第１実施形態の応用・変形例に係る動作を示す図である。
【図９】第１実施形態の応用・変形例に係る構成を示す図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１２】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、３１〜３３…オペアンプ、１００…表示領域、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１４０…走査線駆動回路、１７０ａ、１７０ｂ…コモン電極駆動回路、１６１〜１６３…給電線、１６７、１６９…給電線、１７１〜１７４、１７７〜１７９…ＴＦＴ、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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