(57)【要約】【課題】高い偏光比の偏光を出射する半導体発光素子を提供する。【解決手段】非極性面又は半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなる活性層１２を有し、活性層１２から偏光を発生する発光部３と、偏光を取り出す光取り出し面３ａに設けられ、偏光の波長より狭いラインアンドスペースであるスリット４０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非極性面又は半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなる活性層を有し、前記活性層から偏光を発生する発光部と、
前記偏光を取り出す光取り出し面に設けられ、前記偏光の波長より狭いラインアンドスペースであるスリット
とを備えることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記光取り出し面と対向する面は、粗面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記成長主面は、ｍ面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記光取り出し面と垂直な面は、鏡面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III族窒化物半導体からなる活性層を含む半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光ダイオード（ＬＥＤ）に、III族窒化物半導体からなる半導体発光素子が使用されている。III族窒化物半導体の例としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）等がある。代表的なIII族窒化物半導体は、ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。ＧａＮは、窒素を含む六方晶化合物半導体の中でもよく知られたIII族窒化物半導体である。
【０００３】
ＧａＮを用いた半導体発光素子は、一般にＧａＮ基板上に、ｎ型ＧａＮ層、活性層（発光層）及びｐ型ＧａＮ層を積層した構造を有し、活性層で発生した光を外部に出射する。近年、出力する光が偏光である発光素子の利用が進められている（例えば、非特許文献１参照）。偏光を出射する半導体発光素子を液晶バックライトやプロジェクタ光源として使用すれば、偏光板でカットされる光の成分が少なくなり、液晶バックライトやプロジェクタ光源の効率が向上すると期待されている。
【非特許文献１】タケウチ（T. Takeuchi）、他  著、「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス、第３９巻 (Japanese Journal of Applied Physics vol.39) 」、２０００年、ｐ．４１３−４１６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
非極性面又は半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体の半導体発光素子は、偏光を出射する性質を有する。しかしながら、この半導体発光素子は、所望の偏光成分の偏光だけではなく、異なる偏光成分の偏光も発生させるため、半導体発光素子の偏光比を下げてしまうという問題があった。
【０００５】
そこで、上記問題点を鑑み、本発明は、高い偏光比の偏光を出射する半導体発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、非極性面又は半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなる活性層を有し、活性層から偏光を発生する発光部と、偏光を取り出す光取り出し面に設けられ、偏光の波長より狭いラインアンドスペースであるスリットとを備える半導体発光素子であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、高い偏光比の偏光を出射する半導体発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【０００９】
（実施の形態）
本発明の実施の形態に係る半導体発光素子は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、非極性面又は半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなる活性層１２を有し、活性層１２から偏光を発生する発光部３と、偏光を取り出す光取り出し面３ａに設けられ、偏光の波長より狭いラインアンドスペースであるスリット４０とを備える。更に、実施の形態に係る半導体発光素子は、表面２ａに発光部３を設け、裏面２ｂに反射層７を設ける基板２と、第１電極部（アノード電極）４と、第２電極（カソード電極）６とを備えている。
【００１０】
基板２は、六方晶の結晶構造を有し、ｎ型のドーパントとしてシリコンがドープされた導電性のｎ型ＧａＮからなる。基板２は、製造工程において劈開可能な厚みであることが好ましい。具体的には、基板２は、約１００μｍ以下の厚みであることが好ましい。基板２の表面２ａは、発光部３をエピタキシャル成長させるための面である。ここでは、基板２の表面２ａは、非極性面であるｍ面であるとする。
【００１１】
ここで、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体が有する六方晶の結晶構造について図２を参照して説明する。
【００１２】
図２（ａ）に示すように、六方晶の結晶構造を有するIII族窒化物半導体では、１つのIII族原子に対して、４つの窒素原子が結合している。４つの窒素原子は、III族原子を中央に配置した正四面体の４つの頂点に配置されている。これらの４つの窒素原子は、１つの窒素原子がIII族原子に対して＋ｃ軸方向に配置され、他の３つの窒素原子がIII族原子に対して−ｃ軸側に配置されている。これにより、六方晶のIII族窒化物半導体は、分極がｃ軸方向に沿って形成される。
【００１３】
図２（ｂ）に示すように、ｃ軸は、六角柱の中心軸方向に沿い、このｃ軸を法線とする面（六角柱の頂面）がｃ面（０００１）である。ｃ面に平行な２つの面でIII族窒化物半導体の結晶を劈開すると、＋ｃ面はIII族原子が配列された結晶面となり、−ｃ面は窒素が配列された結晶面となる。そのため、＋ｃ面と−ｃ面は異なる性質を示す極性面となる。
【００１４】
六角柱の側面がｍ面（１−１００）であり、隣り合わない一対の稜線を通る面がａ面（１１−２０）である。これらは、ｃ面に対して隣接する結晶面であり、分極方向に対して直交しているため、極性のない平面、すなわち、非極性面である。更に、図２（ｃ）に示すように、ｃ面に対して傾斜している（平行も直交もしていない）結晶面は、分極方向に対して斜めに交差しているため、若干の極性のある平面、すなわち、半極性面である。半極性面の具体例は、（０１−１１）面、（０１−１３）面、（１１−２２）面などの面である。
【００１５】
発光部３は、基板２の表面２ａ上に六方晶の結晶構造を有するIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させることにより形成されている。発光部３は、基板２側から順に、第１半導体層（ｎ型コンタクト層）１１と、活性層１２と、ファイナルバリア層１３と、電子阻止層１４と、第２半導体層（ｐ型コンタクト層）１５とが積層されている。ここで、上述したように基板２の表面２ａをｍ面で構成しているので、基板２の表面２ａ上に積層された発光部３の表面３ａ及び活性層１２の成長主面１２ａも、活性層１２において偏光を出射する非極性面であるｍ面に構成されている。
【００１６】
第１半導体層１１は、ｎ型のドーパントとして濃度が約１×１０18ｃｍ-3のシリコン（Ｓｉ）がドープされた約３μｍ以上の厚みを有するｎ型ＧａＮ層からなる。
【００１７】
活性層１２は、Ｓｉがドープされた厚さ約３ｎｍのＩｎZＧａ1-ZＮ層と厚さ約９ｎｍの厚さのＧａＮ層とが交互に５周期程度積層された量子井戸構造を有する。この活性層１２は、青色（例えば、約４３０ｎｍの波長）の光を発光する。ここで、ＩｎZＧａ1-ZＮ層内におけるＩｎの比率であるＺは、「０．０５≦Ｚ≦０．２」に構成される。尚、緑色の光を発光させる場合には、「Ｚ≧０．２」に設定される。
【００１８】
ファイナルバリア層１３は、約４０ｎｍの厚みを有するＧａＮ層からなる。尚、ドーピングについては、ｐ型、ｎ型、及びノンドープのいずれでもよいが、ノンドープが好ましい。
【００１９】
電子阻止層１４は、ｐ型のドーパントとして濃度が約３×１０19ｃｍ-3のマグネシウム（Ｍｇ）がドープされた約２８ｎｍの厚みを有するＡｌＧａＮ層からなる。
【００２０】
第２半導体層１５は、ｐ型のドーパントとして濃度が約１×１０20ｃｍ-3のＭｇがドープされた約７０ｎｍの厚みを有するｐ型ＧａＮ層からなる。第２半導体層１５の光取り出し面３ａは、活性層１２から発光された光を発光部３から取り出すためのものである。この光取り出し面３ａの表面は、光の散乱を抑制して偏光比の低下を抑制するために、鏡面であることが好ましい。ここで、「鏡面」とは、表面の凹凸の差が活性層１２より発光される光の波長以下である面のことである。一例として、光取り出し面３ａは、凹凸の差が約１００ｎｍ以下となるように鏡面化処理された鏡面である。
【００２１】
第１電極部４は、光を透過可能なＺｎＯからなる。第１電極部４は、第２半導体層１５とオーミック接続されるとともに、発光部３の水平方向（積層方向と直交する方向）の全領域に均一に電流を流すために第２半導体層１５上の略全面を覆うように形成されている。この第１電極部４は、活性層１２により発光された光を透過可能な約２００ｎｍ〜約３００ｎｍの厚みを有する。第１電極部４の光取り出し面４ａは、活性層１２により発光された光が取り出される面であって、第２半導体層１５の光取り出し面３ａと同様に、表面の凹凸が約１００ｎｍ以下になるように鏡面化処理されていることが好ましい。例えば、電子ビーム蒸着法を用いれば、上述したような鏡面を得ることができる。この様に、鏡面状態の光取り出し面３ａ及び光取り出し面４ａによって、活性層１２から発光された光は散乱が抑制されるので偏光比が高く維持されたまま取り出される。第１電極部４上の一部の領域には、チタン（Ｔｉ）層及びＡｕ層が積層された接続部５が設けられている。接続部５は、外部の基板等と接続するためのボンディングに用いられる。
【００２２】
スリット４０は、第１電極部４の光取り出し面４ａに設けられる。図３は、第１電極部４に設けられたスリット４０の拡大図である。スリット４０は、ワイヤーグリッド偏光子として機能し、アルミニウム（Ａｌ）等の導体金属ワイヤーを周期的に配列したものである。スリット４０がワイヤーグリッド偏光子として機能するためには、ラインアンドスペースｄが入射電磁波の波長よりも十分小さいことが必要である。ラインアンドスペースｄは、活性層１２により発光された偏光の波長の１／５以下であることが好ましく、偏光の波長の１／１０以下であれば更に好ましい。スリット４０の高さは、１００ｎｍ〜１５０ｎｍであれば偏光子として機能することができる。スリット４０は、電子線描画（ＥＢ描画）技術及びナノインプリント技術を用いて形成することができる。
【００２３】
第２電極６は、Ｔｉ層及びＡｌ層が積層されている。第２電極６は、第１半導体層１１の上面のうち露出されている領域にオーミック接続された状態で形成されている。
【００２４】
反射層７は、光取出方向Ａとは反対方向へ進行する光を光取出方向Ａへと反射するためのものであり、光取り出し面３ａと対向する面である基板２の裏面２ｂに設けられる。反射層７は、鏡面であれば入射した偏光の偏光方向を維持したまま反射し、粗面であれば入射した偏光の偏光方向を維持しないで反射する。鏡面の反射層７は、鏡面である基板２の裏面２ｂに設けることによって形成され、粗面の反射層７は、粗面である基板２の裏面２ｂに設けることによって形成される。反射層７は、絶縁膜であるＳｉＯ2層とＳｉXＮY層（Ｘ、Ｙは正の整数）とが周期的に複数層積層されたミラー構造からなる。尚、反射層７を構成する材料は、ＳｉＯ2及びＳｉXＮYに限定されるものではなく、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ3及びＴｉＯ2などの絶縁膜、及びＡｌ、Ａｇ等の金属から適宜選択することができる。
【００２５】
以下に、上述した実施の形態に係る半導体発光素子の発光及び出射について説明する。この半導体発光素子では、順方向に電圧が印加されると、第１電極部４からホールが供給されるとともに、第２電極６から電子が供給される。そして、第１半導体層１１を介して活性層１２に電子が注入され、半導体層１３〜１５を介して活性層１２にホールが注入される。活性層１２に注入された電子及びホールは結合して約４３０ｎｍの光を発光する。ここで発光部３の表面３ａは非極性面であるｍ面なので、活性層１２により発光された光は偏光である。
【００２６】
活性層１２で発生した偏光のうち第１電極部４側へ進行する偏光Ｗは、図４に示すように、ａ軸方向の偏光方向の偏光成分Ｗａと、ｃ軸方向の偏光方向の偏光成分Ｗｃを有する。ここで、ｃ軸と平行になるように設けられているワイヤーグリッド偏光子であるスリット４０は、スリット４０に対して平行な偏光成分Ｗｃを透過させずに、スリット４０に対して垂直な偏光成分Ｗａを透過させる。つまり、第１電極部４側へ進行する偏光Ｗのうち、ａ軸方向の偏光方向の偏光成分Ｗａのみがスリット４０を透過して外部へ出射される。スリット４０を透過できなかった偏光成分Ｗｃの一部は、スリット４０に吸収される。
【００２７】
スリット４０を透過できずに反射された偏光成分Ｗｃからなる偏光Ｗ１は、図５に示すように、基板２側へ進行する。そして、基板２に設けられた反射層７に達した偏光Ｗ１は、粗面である反射層７で乱反射することで偏光成分Ｗａと偏光成分Ｗｃを有する偏光Ｗ２となり、第１電極部４側へ進行する。スリット４０は、スリット４０に対して垂直な偏光成分Ｗａのみを透過させるので、ａ軸方向の偏光方向の偏光成分Ｗａのみを有する偏光Ｗ３がスリット４０を透過して外部へ出射される。一方、スリット４０を透過できずに反射された偏光は、スリット４０と反射層７との間で反射を繰り返して偏光成分Ｗａのみが外部へと出射される。
【００２８】
また、活性層１２で発生した偏光のうち基板２側へ進行する偏光は、基板２に設けられた反射層７に達する。この偏光も反射層７で反射して、偏光成分Ｗａはスリット４０を透過して外部へ出射され、スリット４０を透過できずに反射された偏光は、スリット４０と反射層７との間で反射を繰り返して偏光成分Ｗａのみが外部へと出射される。
【００２９】
活性層１２で発光した偏光のうち光取り出し面３ａと垂直な面である横端面に進行する偏光は、横端面から外部へ出射される。横端面が鏡面化処理された鏡面である場合、横端面から外部へ出射される光は、粗面による乱反射を抑制して偏光状態を保つことができるので、高い偏光比を維持した光を外部に取り出せる。成長主面がｍ面である実施の形態に係る半導体発光素子の場合、偏光成分Ｗａが偏光成分Ｗｃの数倍〜約１０倍程度の光量があるので、外部へ出射される偏光は偏光成分Ｗａを主として高い偏光比を維持する。
【００３０】
以下に、実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法について説明する。
【００３１】
まず、ＧａＮの単結晶からなり、表面２ａが非極性面のｍ面であり、約３００μｍの厚みの基板２を用意する。ここで、ｍ面を表面２ａとする基板２は、まず、ｃ面を主面とするＧａＮ単結晶から切り出した後、（０００１）方向及び（１１−２０）方向の両方に対する方位誤差が±１°以内（好ましくは±０．３°以内）になるように化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）により研磨されて作製される。これにより、ｍ面を表面２ａとし、転位や積層欠陥といった結晶欠陥が少なく、表面２ａの凹凸が原子レベルまで抑制された基板２を得ることができる。
【００３２】
次に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により、上述した基板２の表面２ａ上に、発光部３をエピタキシャル成長させる。具体的には、基板２をＭＯＣＶＤ装置（図示略）の処理室に導入し、加熱及び回転可能なサセプタ上に配置する。尚、処理室内は、１／１０気圧〜常圧になるように、処理室内の雰囲気が排気されている。
【００３３】
次に、基板２の表面２ａの荒れを抑制するために、処理室内にキャリアガス（Ｈ2ガス）によってアンモニアガスを供給しつつ、基板２の温度を約１０００℃〜約１１００℃に昇温する。ここで、基板２は、約３００μｍの厚みを有するので、上述の温度による基板２の変形が抑制される。
【００３４】
次に、キャリアガスによりアンモニアガス、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス及びシランを処理室に供給して、シリコンがドープされたｎ型ＧａＮ層からなる第１半導体層１１を基板２の表面２ａにエピタキシャル成長させる。
【００３５】
次に、基板２の温度を約７００℃〜約８００℃に設定した後、第１半導体層１１上に活性層１２を形成する。具体的には、キャリアガスによりアンモニアガス及びＴＭＧガスを処理室内に供給して、ノンドープのＧａＮ層からなるバリア層（図示略）をエピタキシャル成長させる。また、基板２を同じ温度に保った状態で、キャリアガスによってアンモニアガス、ＴＭＧガス、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガス及びシランガスを供給して、シリコンがドープされたｎ型ＩｎＧａＮ層からなる井戸層（図示略）をエピタキシャル成長させる。そして、上述した方法によりバリア層及び井戸層を所望の回数交互に形成することによって、活性層１２を形成する。その後、キャリアガスによってアンモニア及びトリメチルガリウムを処理室に供給して、ＧａＮ層からなるファイナルバリア層１３を成長させる。
【００３６】
次に、基板２の温度を約１０００℃〜約１１００℃まで昇温した後、キャリアガスによりアンモニアガス、ＴＭＧガス、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガス及びビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）ガスを処理室に供給して、マグネシウムがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層からなる電子阻止層１４をファイナルバリア層１３上にエピタキシャル成長させる。
【００３７】
次に、基板２の温度を約１０００℃〜約１１００℃に保った状態で、キャリアガスによりアンモニアガス、ＴＭＧガス及びＣｐ２Ｍｇガスを処理室に供給して、マグネシウムがドープされたｐ型ＧａＮ層からなる第２半導体層１５を電子阻止層１４上にエピタキシャル成長させる。これにより、活性層１２の成長主面１２ａ及び第１半導体層１１、ファイナルバリア層１３、電子阻止層１４の主面が非極性面のｍ面に形成される。
【００３８】
次に、発光部３が形成された基板２をプラズマＣＶＤが可能な処理室に移動させて、ＳｉＯ2層とＳｉXＮY層とを交互に成長させ、所望のペア数となるようにそれぞれ積層することによって反射層７を形成する。このとき、基板２の裏面２ｂに対して所望の粗面とする処理を行うことも可能である。
【００３９】
次に、スパッタリング法や真空蒸着法により、ＺｎＯからなる第１電極部４を第２半導体層１５の表面３ａの全面に形成する。そして、第１電極部４に、ＥＢ描画技術及びナノインプリント技術を用いてスリット４０を形成する。
【００４０】
次に、レジストを所望のパターンに形成して、第１電極部４及び発光部３をエッチングすることにより、第１半導体層１１の一部領域がメサエッチングされて電極面が露出する。そして、露出された電極面において、抵抗加熱法又は電子ビーム法等の真空蒸着法によりＴｉ層及びＡｌ層を順に積層して第２電極６を形成する。
【００４１】
次に、ダイヤモンド等のスクライバーを用いて研削して罫書き線を形成した後、ブレーキングすることにより基板２及び発光部３を劈開することができる。劈開によりできた端面は、劈開面であるので鏡面となっている。
【００４２】
次に、ダイシングブレード等のウェハを切断する器具を用いたダイシングによって、半導体発光素子は素子単位毎に分割される。
【００４３】
以上の工程により、図１に示した実施の形態に係る半導体発光素子が完成する。
【００４４】
本発明の実施の形態に係る半導体発光素子によれば、スリット４０が所望の偏光成分のみを透過させることにより、外部に出射される偏光は、特定方向の偏光成分を有する高い偏光比の偏光とすることができる。
【００４５】
また、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子によれば、スリット４０によって反射された偏光成分は、粗面である反射層７に到達すると乱反射によりランダム偏光となり、再びスリット４０によって偏光成分が識別される。そして、ランダム偏光のうち特定方向の偏光成分を有する偏光のみがスリット４０を透過するので高い偏光比を維持することができる。
【００４６】
（変形例）
本発明の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子は、図６に示すように、光取出方向Ａが基板２側になり、スリット４０が光取り出し面である基板２の裏面２ｂに設けられている点が図１に示した半導体発光素子と異なる。他は図１に示した半導体発光素子と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００４７】
本発明の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子で示すように、光取出方向Ａは、基板２側にすることもでき、設計の自由度を向上させることができる。
【００４８】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
【００４９】
例えば、実施の形態に係る半導体発光素子において、光取り出し面と対向する面は、粗面であると記載したが、鏡面であっても構わない。光取り出し面と対向する面が鏡面であれば、反射層７で乱反射を起こさないので、活性層１２で発生した偏光のうち基板２側へ進行する偏光の偏光方向を維持したまま光取出方向Ａへと反射させることができる。つまり、活性層１２で発生した偏光が高い偏光比であれば、高い偏光比のまま外部へ出射することができる半導体発光素子となる。これは、活性層１２が大きな吸収を持っていれば外部に出射されないで反射する偏光は吸収されるので、活性層１２が大きな吸収を持っているか、持っていないかによって使い分けることができる。
【００５０】
また、実施の形態に係る半導体発光素子においては、図１及び図６に示したように、第１電極部４を第２半導体層１５上に配置し、第１半導体層１１の一部領域をメサエッチングして第１半導体層１１の露出した面に第２電極６を配置しているように記載しているが、半導体発光素子の両面に第１電極部４及び第２電極６をそれぞれ配置する構成でも構わない。半導体発光素子の両面に電極を配置する場合は、基板２は導電性ＧａＮでなければならず、電極には光透過性の材料を用いる必要がある。
【００５１】
また、基板２に成長主面がｍ面以外のＧａＮを用いることもできるし、ＧａＮ以外の基板を用いることもできる。非偏光性の素子に本発明のワイヤグリッド構造を設けることによって、偏光性の発光素子にすることもできる。
【００５２】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１（ａ）は本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の構成例の断面図であり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の構成例の平面図である。
【図２】六方晶の結晶構造のユニットセルを説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子のスリットの拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子で発生した偏光を外部に出射する方法を示す概念図（その１）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子で発生した偏光を外部に出射する方法を示す概念図（その２）である。
【図６】本発明の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子の構成例の平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
２…基板
３…発光部
４…第１電極部
５…接続部
６…第２電極
７…反射層
１１…第１半導体層
１２…活性層
１３…ファイナルバリア層
１４…電子阻止層
１５…第２半導体層
４０…スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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