(57)【要約】【課題】  画像読取装置において、下側のＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜と上側のＩＴＯ膜との間で良好なコンタクトを得ることができるようにする。【解決手段】  例えば、ドレインライン用外部接続端子３１は、下から順に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜３１ａ、ＩＴＯ膜３１ｂ、ＩＴＯ膜３１ｃおよびＩＴＯ膜３１ｄの４層構造となっている。このうち、ＩＴＯ膜３１ｃは、トップゲート絶縁膜１０のコンタクトホール３２を介してＩＴＯ膜３１ｂに接続されている。ここで、トップゲート絶縁膜１０にコンタクトホール３２をドライエッチングにより形成すると、ＩＴＯ膜３１ｂの上面が露出されるが、その下の金属膜３１ａの上面は露出されず、金属膜３１ａの上面にドライエッチングに起因する変質層が形成されることはない。この結果、金属膜３１ａとＩＴＯ膜３１ｃとの間のコンタクトをその間のＩＴＯ膜３１ｂを介して良好とすることができる。【選択図】  図１
2009117620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、前記半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられたダブルゲート型の薄膜トランジスタと、前記ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインまたは前記ソース・ドレイン電極に接続されたソース・ドレインラインの一端部に接続された外部接続端子とを備えた画像読取装置において、前記外部接続端子は、前記ボトムゲート絶縁膜上に下から順に設けられたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜および下層ＩＴＯ膜と、前記トップゲート絶縁膜上に該トップゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記下層ＩＴＯ膜に接続されて設けられた上層ＩＴＯ膜とを有することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記トップゲート電極および前記外部接続端子の上層ＩＴＯ膜を含む前記トップゲート絶縁膜上にオーバーコート膜が設けられ、前記薄膜トランジスタ上における前記オーバーコート膜上にＩＴＯからなる静電気保護用透明導電膜が設けられ、前記外部接続端子は前記オーバーコート膜上に設けられた最上層ＩＴＯ膜を有し、該最上層ＩＴＯ膜は前記オーバーコート膜に設けられたコンタクトホールを介して前記上層ＩＴＯ膜に接続されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項３】
半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、前記半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられたダブルゲート型の薄膜トランジスタと、前記トップゲート電極を含む前記トップゲート絶縁膜上に設けられたオーバーコート膜と、前記薄膜トランジスタ上における前記オーバーコート膜上に設けられたＩＴＯからなる静電気保護用透明導電膜と、前記ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインまたは前記ソース・ドレイン電極に接続されたソース・ドレインラインの一端部に接続された外部接続端子とを備えた画像読取装置において、前記外部接続端子は、前記ボトムゲート絶縁膜上に下から順に設けられたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜および下層ＩＴＯ膜と、前記オーバーコート膜上に該オーバーコート膜および前記トップゲート絶縁膜に連続して設けられたコンタクトホールを介して前記下層ＩＴＯ膜に接続されて設けられた最上層ＩＴＯ膜とを有することを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記ソース・ドレイン電極および前記ソース・ドレインラインは下から順にＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造であることを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記外部接続端子は前記ボトムゲートライン用であり、さらに、前記ボトムゲート絶縁膜下に前記ボトムゲートラインの一端部に接続されて設けられた下層金属膜を有し、前記金属膜は前記ボトムゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記下層金属膜に接続されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記外部接続端子は、さらに、前記金属膜下における前記ボトムゲート絶縁膜上に下から順に設けられた真性アモルファスシリコン膜およびｎ型アモルファスシリコン膜を有することを特徴とする画像読取装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記ソース・ドレイン電極は下から順にＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造であり、前記ソース・ドレインラインは下から順に真性アモルファスシリコン膜、ｎ型アモルファスシリコン膜、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜からなる４層構造であることを特徴とする画像読取装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記外部接続端子は前記ボトムゲートライン用であり、さらに、前記ボトムゲート絶縁膜下に前記ボトムゲートラインの一端部に接続されて設けられた下層金属膜を有し、前記金属膜は前記ｎ型アモルファスシリコン膜、前記真性アモルファスシリコン膜および前記ボトムゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記下層金属膜に接続されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項９】
半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、前記半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられたダブルゲート型の薄膜トランジスタと、前記ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインまたは前記ソース・ドレイン電極に接続されたソース・ドレインラインの一端部に接続された外部接続端子とを備えた画像読取装置の製造方法において、
前記ボトムゲート絶縁膜上に、連続して成膜されたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜を連続してパターニングすることにより、前記ソース・ドレイン電極および前記ソース・ドレインラインを金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造として形成し、且つ、前記ボトムゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用金属膜および外部接続端子用下層ＩＴＯ膜を形成する工程と、
それらの上に前記トップゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記外部接続端子用下層ＩＴＯ膜上における前記トップゲート絶縁膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成する工程と、
前記トップゲート絶縁膜上に、成膜されたＩＴＯ膜をパターニングすることにより、前記トップゲート電極を形成し、且つ、前記トップゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用上層ＩＴＯ膜を前記トップゲート絶縁膜のコンタクトホールを介して前記外部接続端子用下層ＩＴＯ膜に接続させて形成する工程と、
を有することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、さらに、
前記トップゲート電極および前記上層ＩＴＯ膜を含む前記トップゲート絶縁膜上にオーバーコート膜を形成する工程と、
前記外部接続端子用上層ＩＴＯ膜上における前記オーバーコート膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成する工程と、
前記オーバーコート膜上に、成膜されたＩＴＯ膜をパターニングすることにより、前記薄膜トランジスタを静電気から保護するための静電気保護用透明導電膜を形成し、且つ、前記オーバーコート膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用最上層ＩＴＯ膜を前記オーバーコート膜のコンタクトホールを介して前記外部接続端子用上層ＩＴＯ膜に接続させて形成する工程と、
を有することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、前記半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられたダブルゲート型の薄膜トランジスタと、前記トップゲート電極を含む前記トップゲート絶縁膜上に設けられたオーバーコート膜と、前記薄膜トランジスタ上における前記オーバーコート膜上に設けられた静電気保護用透明導電膜と、前記ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインまたは前記ソース・ドレイン電極に接続されたソース・ドレインラインの一端部に接続された外部接続端子とを備えた画像読取装置の製造方法において、
前記ボトムゲート絶縁膜上に、連続して成膜されたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜を連続してパターニングすることにより、前記ソース・ドレイン電極および前記ソース・ドレインラインを金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造として形成し、且つ、前記ボトムゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用金属膜および外部接続端子用下層ＩＴＯ膜を形成する工程と、
それらの上に前記トップゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トップゲート絶縁膜上に、成膜されたＩＴＯ膜をパターニングすることにより、前記トップゲート電極を形成する工程と、
それらの上に前記オーバーコート膜を形成する工程と、
前記外部接続端子用下層ＩＴＯ膜上における前記オーバーコート膜および前記トップゲート絶縁膜にドライエッチングによりコンタクトホールを連続して形成する工程と、
前記オーバーコート膜上に、成膜されたＩＴＯ膜をパターニングすることにより、前記静電気保護用透明導電膜を形成し、且つ、前記前記オーバーコート膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用最上層ＩＴＯ膜を前記オーバーコート膜および前記トップゲート絶縁膜のコンタクトホールを介して前記外部接続端子用下層ＩＴＯ膜に接続させて形成する工程と、
を有することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれかに記載の発明において、前記外部接続端子は前記ボトムゲートライン用であり、当初の工程において、基板上に、成膜された金属膜をパターニングすることにより、前記ボトムゲート電極、該ボトムゲート電極に接続された前記ボトムゲートラインおよび該ボトムゲートラインの一端部に接続された外部接続端子用下層金属膜を形成し、それらの上に前記ボトムゲート絶縁膜を形成し、前記外部接続端子用下層金属膜上における前記ボトムゲート絶縁膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成し、この後、前記外部接続端子用金属膜を前記ボトムゲート絶縁膜のコンタクトホールを介して前記外部接続端子用下層金属膜に接続させて形成することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれかに記載の発明において、前記ボトムゲート絶縁膜上に、連続して成膜されたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜を連続してパターニングすることにより、前記ソース・ドレイン電極および前記ソース・ドレインラインを金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造として形成し、且つ、前記ボトムゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用金属膜および外部接続端子用下層ＩＴＯ膜を形成する工程は、さらに、成膜された前記金属膜下における前記ボトムゲート絶縁膜上に下から順に成膜された真性アモルファスシリコン膜およびｎ型アモルファスシリコン膜を連続してパターニングすることにより、前記ソース・ドレイン電極を金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造として形成し、前記ソース・ドレインラインを真性アモルファスシリコン膜、ｎ型アモルファスシリコン膜、金属膜およびＩＴＯ膜からなる４層構造として形成し、前記ボトムゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用真性アモルファスシリコン膜、外部接続端子用ｎ型アモルファスシリコン膜、外部接続端子用金属膜および外部接続端子用下層ＩＴＯ膜を形成する工程を含むことを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記外部接続端子は前記ボトムゲートライン用であり、当初の工程において、基板上に、成膜された下層金属膜をパターニングすることにより、前記ボトムゲート電極、該ボトムゲート電極に接続された前記ボトムゲートラインおよび該ボトムゲートラインの一端部に接続された外部接続端子用下層金属膜を形成し、それらの上に前記ボトムゲート絶縁膜を形成し、この後、前記ボトムゲート絶縁膜上に前記真性アモルファスシリコン膜および前記ｎ型アモルファスシリコン膜を成膜し、前記外部接続端子用下層金属膜上における前記ｎ型アモルファスシリコン膜、前記真性アモルファスシリコン膜および前記ボトムゲート絶縁膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成し、前記外部接続端子用金属膜を当該コンタクトホールを介して前記外部接続端子用下層金属膜に接続させて形成することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は画像読取装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の画像読取装置には、光電変換素子としてのダブルゲート型の薄膜トランジスタを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。このダブルゲート型の薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンからなる半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられた構造となっている。この場合、薄膜トランジスタ上にはオーバーコート膜を介して、静電気を逃がすための静電気保護用透明導電膜が設けられている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−９４０４０号公報（図８）
【０００４】
ところで、上記従来の画像読取装置では、例えば、ボトムゲート電極に接続されたボトムゲート電極用外部接続端子が備えられている。この場合、ボトムゲート電極用外部接続端子は４層構造となっている。すなわち、ボトムゲート電極用外部接続端子は、ボトムゲート電極と同時に形成された第１の金属膜と、ソース・ドレイン電極と同時に形成された第２の金属膜と、トップゲート電極と同時に形成された第３の金属膜と、静電気保護用透明導電膜と同時に形成された第４の金属膜との４層構造となっている。
【０００５】
このボトムゲート電極用外部接続端子の構造について具体的に説明すると、第２の金属膜は、ボトムゲート絶縁膜の上面に設けられ、ボトムゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の金属膜に接続されている。第３の金属膜は、トップゲート絶縁膜の上面に設けられ、トップゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第２の金属膜に接続されている。第４の金属膜は、オーバーコート膜の上面に設けられ、オーバーコート膜に設けられたコンタクトホールを介して第３の金属膜に接続されている。
【０００６】
この場合、ソース・ドレイン電極および該ソース・ドレイン電極と同時に形成される第２の金属膜は例えばＣｒによって形成されている。トップゲート電極および該トップゲート電極と同時に形成される第３の金属膜は例えばＩＴＯによって形成されている。一方、第３の金属膜を第２の金属膜に接続するための、トップゲート絶縁膜へのコンタクトホールの形成はドライエッチングにより行なわれることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、トップゲート絶縁膜にコンタクトホールをドライエッチングにより形成すると、当該コンタクトホールを介して露出されたＣｒからなる第２の金属膜の上面がドライエッチングによるプラズマダメージを受けたり、エッチングガスにさらされて変質したりすることに起因して、第２の金属膜と第３の金属膜との間の接続抵抗が増大し、良好なコンタクトが得られないという問題があった。
【０００８】
そこで、この発明は、コンタクトホールをドライエッチングにより形成するとき、当該コンタクトホール下に存在する金属膜の上面が変質しないようにすることができる画像読取装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明に係る画像読取装置は、半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、前記半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられたダブルゲート型の薄膜トランジスタと、前記ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインまたは前記ソース・ドレイン電極に接続されたソース・ドレインラインの一端部に接続された外部接続端子とを備えた画像読取装置において、前記外部接続端子は、前記ボトムゲート絶縁膜上に下から順に設けられたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜および下層ＩＴＯ膜と、前記トップゲート絶縁膜上に該トップゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記下層ＩＴＯ膜に接続されて設けられた上層ＩＴＯ膜とを有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記トップゲート電極および前記外部接続端子の上層ＩＴＯ膜を含む前記トップゲート絶縁膜上にオーバーコート膜が設けられ、前記薄膜トランジスタ上における前記オーバーコート膜上にＩＴＯからなる静電気保護用透明導電膜が設けられ、前記外部接続端子は前記オーバーコート膜上に設けられた最上層ＩＴＯ膜を有し、該最上層ＩＴＯ膜は前記オーバーコート膜に設けられたコンタクトホールを介して前記上層ＩＴＯ膜に接続されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、前記半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられたダブルゲート型の薄膜トランジスタと、前記トップゲート電極を含む前記トップゲート絶縁膜上に設けられたオーバーコート膜と、前記薄膜トランジスタ上における前記オーバーコート膜上に設けられたＩＴＯからなる静電気保護用透明導電膜と、前記ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインまたは前記ソース・ドレイン電極に接続されたソース・ドレインラインの一端部に接続された外部接続端子とを備えた画像読取装置において、前記外部接続端子は、前記ボトムゲート絶縁膜上に下から順に設けられたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜および下層ＩＴＯ膜と、前記オーバーコート膜上に該オーバーコート膜および前記トップゲート絶縁膜に連続して設けられたコンタクトホールを介して前記下層ＩＴＯ膜に接続されて設けられた最上層ＩＴＯ膜とを有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記ソース・ドレイン電極および前記ソース・ドレインラインは下から順にＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造であることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項４に記載の発明において、前記外部接続端子は前記ボトムゲートライン用であり、さらに、前記ボトムゲート絶縁膜下に前記ボトムゲートラインの一端部に接続されて設けられた下層金属膜を有し、前記金属膜は前記ボトムゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記下層金属膜に接続されていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記外部接続端子は、さらに、前記金属膜下における前記ボトムゲート絶縁膜上に下から順に設けられた真性アモルファスシリコン膜およびｎ型アモルファスシリコン膜を有することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置は、請求項６に記載の発明において、前記ソース・ドレイン電極は下から順にＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造であり、前記ソース・ドレインラインは下から順に真性アモルファスシリコン膜、ｎ型アモルファスシリコン膜、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜からなる４層構造であることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置は、請求項７に記載の発明において、前記外部接続端子は前記ボトムゲートライン用であり、さらに、前記ボトムゲート絶縁膜下に前記ボトムゲートラインの一端部に接続されて設けられた下層金属膜を有し、前記金属膜は前記ｎ型アモルファスシリコン膜、前記真性アモルファスシリコン膜および前記ボトムゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記下層金属膜に接続されていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、前記半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられたダブルゲート型の薄膜トランジスタと、前記ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインまたは前記ソース・ドレイン電極に接続されたソース・ドレインラインの一端部に接続された外部接続端子とを備えた画像読取装置の製造方法において、前記ボトムゲート絶縁膜上に、連続して成膜されたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜を連続してパターニングすることにより、前記ソース・ドレイン電極および前記ソース・ドレインラインを金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造として形成し、且つ、前記ボトムゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用金属膜および外部接続端子用下層ＩＴＯ膜を形成する工程と、それらの上に前記トップゲート絶縁膜を形成する工程と、前記外部接続端子用下層ＩＴＯ膜上における前記トップゲート絶縁膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成する工程と、前記トップゲート絶縁膜上に、成膜されたＩＴＯ膜をパターニングすることにより、前記トップゲート電極を形成し、且つ、前記トップゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用上層ＩＴＯ膜を前記トップゲート絶縁膜のコンタクトホールを介して前記外部接続端子用下層ＩＴＯ膜に接続させて形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、さらに、前記トップゲート電極および前記上層ＩＴＯ膜を含む前記トップゲート絶縁膜上にオーバーコート膜を形成する工程と、前記外部接続端子用上層ＩＴＯ膜上における前記オーバーコート膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成する工程と、前記オーバーコート膜上に、成膜されたＩＴＯ膜をパターニングすることにより、前記薄膜トランジスタを静電気から保護するための静電気保護用透明導電膜を形成し、且つ、前記オーバーコート膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用最上層ＩＴＯ膜を前記オーバーコート膜のコンタクトホールを介して前記外部接続端子用上層ＩＴＯ膜に接続させて形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極が設けられ、前記半導体薄膜上にソース・ドレイン電極が設けられ、それらの上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極が設けられたダブルゲート型の薄膜トランジスタと、前記トップゲート電極を含む前記トップゲート絶縁膜上に設けられたオーバーコート膜と、前記薄膜トランジスタ上における前記オーバーコート膜上に設けられた静電気保護用透明導電膜と、前記ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインまたは前記ソース・ドレイン電極に接続されたソース・ドレインラインの一端部に接続された外部接続端子とを備えた画像読取装置の製造方法において、前記ボトムゲート絶縁膜上に、連続して成膜されたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜を連続してパターニングすることにより、前記ソース・ドレイン電極および前記ソース・ドレインラインを金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造として形成し、且つ、前記ボトムゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用金属膜および外部接続端子用下層ＩＴＯ膜を形成する工程と、それらの上に前記トップゲート絶縁膜を形成する工程と、前記トップゲート絶縁膜上に、成膜されたＩＴＯ膜をパターニングすることにより、前記トップゲート電極を形成する工程と、それらの上に前記オーバーコート膜を形成する工程と、前記外部接続端子用下層ＩＴＯ膜上における前記オーバーコート膜および前記トップゲート絶縁膜にドライエッチングによりコンタクトホールを連続して形成する工程と、前記オーバーコート膜上に、成膜されたＩＴＯ膜をパターニングすることにより、前記静電気保護用透明導電膜を形成し、且つ、前記前記オーバーコート膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用最上層ＩＴＯ膜を前記オーバーコート膜および前記トップゲート絶縁膜のコンタクトホールを介して前記外部接続端子用下層ＩＴＯ膜に接続させて形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９〜１１のいずれかに記載の発明において、前記外部接続端子は前記ボトムゲートライン用であり、当初の工程において、基板上に、成膜された金属膜をパターニングすることにより、前記ボトムゲート電極、該ボトムゲート電極に接続された前記ボトムゲートラインおよび該ボトムゲートラインの一端部に接続された外部接続端子用下層金属膜を形成し、それらの上に前記ボトムゲート絶縁膜を形成し、前記外部接続端子用下層金属膜上における前記ボトムゲート絶縁膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成し、この後、前記外部接続端子用金属膜を前記ボトムゲート絶縁膜のコンタクトホールを介して前記外部接続端子用下層金属膜に接続させて形成することを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９〜１１のいずれかに記載の発明において、前記ボトムゲート絶縁膜上に、連続して成膜されたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜およびＩＴＯ膜を連続してパターニングすることにより、前記ソース・ドレイン電極および前記ソース・ドレインラインを金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造として形成し、且つ、前記ボトムゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用金属膜および外部接続端子用下層ＩＴＯ膜を形成する工程は、さらに、成膜された前記金属膜下における前記ボトムゲート絶縁膜上に下から順に成膜された真性アモルファスシリコン膜およびｎ型アモルファスシリコン膜を連続してパターニングすることにより、前記ソース・ドレイン電極を金属膜およびＩＴＯ膜からなる２層構造として形成し、前記ソース・ドレインラインを真性アモルファスシリコン膜、ｎ型アモルファスシリコン膜、金属膜およびＩＴＯ膜からなる４層構造として形成し、前記ボトムゲート絶縁膜上の外部接続端子形成領域に外部接続端子用真性アモルファスシリコン膜、外部接続端子用ｎ型アモルファスシリコン膜、外部接続端子用金属膜および外部接続端子用下層ＩＴＯ膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１３に記載の発明において、前記外部接続端子は前記ボトムゲートライン用であり、当初の工程において、基板上に、成膜された下層金属膜をパターニングすることにより、前記ボトムゲート電極、該ボトムゲート電極に接続された前記ボトムゲートラインおよび該ボトムゲートラインの一端部に接続された外部接続端子用下層金属膜を形成し、それらの上に前記ボトムゲート絶縁膜を形成し、この後、前記ボトムゲート絶縁膜上に前記真性アモルファスシリコン膜および前記ｎ型アモルファスシリコン膜を成膜し、前記外部接続端子用下層金属膜上における前記ｎ型アモルファスシリコン膜、前記真性アモルファスシリコン膜および前記ボトムゲート絶縁膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成し、前記外部接続端子用金属膜を当該コンタクトホールを介して前記外部接続端子用下層金属膜に接続させて形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、外部接続端子は、ボトムゲート絶縁膜上に下から順に設けられたＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜および下層ＩＴＯ膜と、トップゲート絶縁膜上に該トップゲート絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して下層ＩＴＯ膜に接続されて設けられた上層ＩＴＯ膜とを有しているので、トップゲート絶縁膜にコンタクトホールをドライエッチングにより形成するとき、当該コンタクトホールを介して露出されるのはＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜ではなくその上面に設けられた下層ＩＴＯ膜であり、この下層ＩＴＯ膜の上面がドライエッチングによるプラズマダメージに強く、またエッチングガスにされされても変質しないので、下層ＩＴＯ膜と上層ＩＴＯ膜との間の接続抵抗を比較的小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての画像読取装置の要部の断面図を示す。この場合、図１の左側から右側に向かって、ダブルゲート型の薄膜トランジスタ１３の部分の断面図、ボトムゲートライン用外部接続端子２１の部分の断面図、ソース・ドレインライン用外部接続端子３１の部分の断面図、トッブゲートライン用外部接続端子４１の部分の断面図を示す。
【００１２】
まず、ダブルゲート型の薄膜トランジスタ１３の部分について説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはＡｌからなるボトムゲート電極２および該ボトムゲート電極２に接続されたボトムゲートライン３が設けられている。ボトムゲート電極２およびボトムゲートライン３を含むガラス基板１の上面には窒化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜４が設けられている。
【００１３】
ボトムゲート電極２上におけるボトムゲート絶縁膜４の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜５が設けられている。半導体薄膜５の上面ほぼ中央部には窒化シリコンからなるチャネル保護膜６が設けられている。チャネル保護膜６の上面両側およびその両側における半導体薄膜５の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層７が設けられている。
【００１４】
各オーミックコンタクト層７の上面にはソース・ドレイン電極８が設けられている。ソース・ドレイン電極８は、下から順に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜８ａおよびＩＴＯ膜８ｂの２層構造となっている。ボトムゲート絶縁膜４の上面の所定の箇所にはソース・ドレインライン９が設けられている。ソース・ドレインライン９は、下から順に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜９ａおよびＩＴＯ膜９ｂの２層構造となっている。そして、ソース・ドレインライン９の金属膜９ａおよびＩＴＯ膜９ｂの一端部は、ソース・ドレイン電極８の金属膜８ａおよびＩＴＯ膜８ｂに接続されている。
【００１５】
ソース・ドレイン電極８およびソース・ドレインライン９等を含むボトムゲート絶縁膜４の上面には窒化シリコンからなるトップゲート絶縁膜１０が設けられている。半導体薄膜５上におけるトップゲート絶縁膜１０の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなるトップゲート電極１１が設けられている。トップゲート絶縁膜１０の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなるトップゲートライン１２がトップゲート電極１１に接続されて設けられている。
【００１６】
ここで、ボトムゲート電極２、ボトムゲート絶縁膜４、半導体薄膜５、チャネル保護膜６、オーミックコンタクト層７、ソース・ドレイン電極８、トップゲート絶縁膜１０およびトップゲート電極１１により、ダブルゲート型の薄膜トランジスタ１３が構成されている。
【００１７】
トップゲート電極１１およびトップゲートライン１２を含むトップゲート絶縁膜１０の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜１４が設けられている。オーバーコート膜１４の上面の所定の箇所には、薄膜トランジスタ１３を静電気から保護するためのＩＴＯからなる静電気保護用透明導電膜１５が設けられている。
【００１８】
次に、ボトムゲートライン用外部接続端子２１の部分について説明する。ボトムゲートライン用外部接続端子２１は、下から順に、Ａｌからなる下層金属膜２１ａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜２１ｂ、ＩＴＯ膜２１ｃ、ＩＴＯ膜２１ｄおよびＩＴＯ膜２１ｅからなる５層構造となっている。このうち、下層金属膜２１ａは、ボトムゲートライン３と同一の金属からなり、ガラス基板１の上面にボトムゲートライン３の一端部に接続されて設けられている。
【００１９】
金属膜２１ｂおよびＩＴＯ膜２１ｃは、２層構造のソース・ドレインライン９と同一の構造であり、ボトムゲート絶縁膜４の上面に設けられている。そして、金属膜２１ｂは、ボトムゲート絶縁膜４に設けられたコンタクトホール２２を介して下層金属膜２１ａに接続されている。
【００２０】
ＩＴＯ膜２１ｄは、トップゲート電極１１と同一の金属からなり、トップゲート絶縁膜１０の上面に設けられている。そして、ＩＴＯ膜２１ｄは、トップゲート絶縁膜１０に設けられたコンタクトホール２３を介してＩＴＯ膜２１ｃに接続されている。ＩＴＯ膜２１ｅは、静電気保護用透明導電膜１５と同一の金属からなり、オーバーコート膜１４の上面に設けられている。そして、ＩＴＯ膜２１ｅは、オーバーコート膜１４に設けられたコンタクトホール２４を介してＩＴＯ膜２１ｄに接続されている。
【００２１】
次に、ドレインライン用外部接続端子３１の部分について説明する。ドレインライン用外部接続端子３１は、下から順に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜３１ａ、ＩＴＯ膜３１ｂ、ＩＴＯ膜３１ｃおよびＩＴＯ膜３１ｄの４層構造となっている。このうち、金属膜３１ａおよびＩＴＯ膜３１ｂは、２層構造のソース・ドレインライン９と同一の構造であり、ボトムゲート絶縁膜４の上面に設けられている。そして、金属膜３１ａおよびＩＴＯ膜３１ｂはソース・ドレインライン９の一端部に接続されている。
【００２２】
ＩＴＯ膜３１ｃは、トップゲートライン１２と同一の金属からなり、トップゲート絶縁膜１０の上面に設けられている。そして、ＩＴＯ膜３１ｃは、トップゲート絶縁膜１０に設けられたコンタクトホール３２を介してＩＴＯ膜３１ｂに接続されている。ＩＴＯ膜３１ｄは、静電気保護用透明導電膜１５と同一の金属からなり、オーバーコート膜１４の上面に設けられている。そして、ＩＴＯ膜３１ｄは、オーバーコート膜１４に設けられたコンタクトホール３３を介してＩＴＯ膜３１ｃに接続されている。
【００２３】
次に、トップゲートライン用外部接続端子４１の部分について説明する。トップゲートライン用外部接続端子４１は、ＩＴＯ膜４１ａおよびＩＴＯ膜４１ｂの２層構造となっている。このうち、ＩＴＯ膜４１ａは、トップゲートライン１２と同一の金属からなり、トップゲート絶縁膜１０の上面に設けられている。そして、ＩＴＯ膜４１ａはトップゲートライン１２の一端部に接続されている。ＩＴＯ膜４１ｂは、静電気保護用透明導電膜１５と同一の金属からなり、オーバーコート膜１４の上面に設けられている。そして、ＩＴＯ膜４１ｂは、オーバーコート膜１４に設けられたコンタクトホール４２を介してＩＴＯ膜４１ａに接続されている。
【００２４】
次に、この画像読取装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ガラス基板１の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＡｌ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ボトムゲート電極２、該ボトムゲート電極２に接続されたボトムゲートライン３および該ボトムゲートライン３の一端部に接続された下層金属膜２１ａを形成する。
【００２５】
次に、ボトムゲート電極２、ボトムゲートライン３および下層金属膜２１ａを含むガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜４、真性アモルファスシリコン膜５１および窒化シリコンからなるチャネル保護膜形成用膜５２を連続して成膜する。次に、チャネル保護膜形成用膜５２をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、チャネル保護膜６を形成する。
【００２６】
次に、図３に示すように、チャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコン膜５１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコン膜５３を成膜する。次に、ｎ型アモルファスシリコン膜５３および真性アモルファスシリコン膜５１をフォトリソグラフィグラフィ法によりパターニングすると、図４に示すように、半導体薄膜５およびオーミックコンタクト層７が形成される。
【００２７】
次に、図５に示すように、下層金属膜２１ａ上におけるボトムゲート絶縁膜４に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール２２を形成する。次に、図６に示すように、ボトムゲート絶縁膜４のコンタクトホール２２を介して露出された下層金属膜２１ａの上面を含み且つチャネル保護膜６およびオーミックコンタクト層７を含むボトムゲート絶縁膜４の上面に、スパッタ法により、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜５４およびＩＴＯ膜５５を連続して成膜する。
【００２８】
次に、ＩＴＯ膜５５および金属膜５４を、フォトリソグラフィ法により、連続してパターニングすると、図７に示すようになる。すなわち、薄膜トランジスタ１３形成領域の部分においては、各オーミックコンタクト層７の上面に、金属膜８ａおよびＩＴＯ膜８ｂからなる２層構造のソース・ドレイン電極８が形成される。また、ボトムゲート絶縁膜４の上面に、下から順に、金属膜９ａおよびＩＴＯ膜９ｂからなる２層構造のソース・ドレインライン９が形成される。
【００２９】
ボトムゲートライン用外部接続端子２１形成領域の部分においては、ボトムゲート絶縁膜４の上面に、下から順に、金属膜２１ｂおよびＩＴＯ膜２１ｃが形成される。この状態では、金属膜２１ｂは、ボトムゲート絶縁膜４のコンタクトホール２２を介して下層金属膜２１ａに接続されている。ソース・ドレインライン用外部接続端子３１形成領域の部分においては、ボトムゲート絶縁膜４の上面に、下から順に、金属膜３１ａおよびＩＴＯ膜３１ｂが形成される。この状態では、金属膜３１ａおよびＩＴＯ膜３１ｂはソース・ドレインライン９の一端部に接続されている。
【００３０】
次に、図８に示すように、ソース・ドレイン電極８、ソース・ドレインライン９およびＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂ等を含むボトムゲート絶縁膜４の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるトップゲート絶縁膜１０を成膜する。次に、ＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂ上におけるトップゲート絶縁膜１０に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール２３、３２を形成する。
【００３１】
この状態では、トップゲート絶縁膜１０のコンタクトホール２３、３２を介してＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂが露出される。しかるに、ＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂの上面はドライエッチングによるプラズマダメージに強く、またエッチングガスにさらされても変質することはない。また、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜２１ｂ、３１ａの上面はＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂによって覆われているため、当該上面が変質することもない。したがって、トップゲート絶縁膜１０にコンタクトホール２３、３２をドライエッチングにより形成しても、別に支障はない。
【００３２】
次に、図９に示すように、トップゲート絶縁膜１０のコンタクトホール２３、３２を介して露出されたＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂの上面を含むトップゲート絶縁膜１０の上面の各所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、トップゲート電極１１、トップゲートライン１２およびＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃ、４１ａを形成する。この状態では、ＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃはトップゲート絶縁膜１０のコンタクトホール２３、３２を介してＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂに接続されている。
【００３３】
ここで、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜２１ｂ、３１ａおよびＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂの上面には変質層は形成されていないので、金属膜２１ｂ、３１ａとＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂとの間の接続抵抗が増大することがなく、またＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂとＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃとの間の接続抵抗も増大することがなく、したがって金属膜２１ｂ、３１ａとＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃとの間で良好なコンタクトを得ることができる。
【００３４】
次に、図１０に示すように、トップゲート電極１１、トップゲートライン１２およびＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃ、４１ａを含むトップゲート絶縁膜１０の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１４を成膜する。次に、ＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃ、４１ａ上におけるオーバーコート膜１４に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール２４、３３、４２を形成する。
【００３５】
次に、図１に示すように、オーバーコート膜１４のコンタクトホール２４、３３、４２を介して露出されたＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃ、４１ａの上面を含むオーバーコート膜１４の上面の各所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、静電気保護用透明導電膜１５およびＩＴＯ膜２１ｅ、３１ｄ、４１ｂを形成する。この状態では、ＩＴＯ膜２１ｅ、３１ｄ、４１ｂはオーバーコート膜１４のコンタクトホール２４、３３、４２を介してＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃ、４１ａに接続されている。
【００３６】
ところで、上記製造方法では、図３および図４に示すように、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜５３および真性アモルファスシリコン膜５１をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてオーミックコンタクト層７および半導体薄膜５を形成し、図６および図７に示すように、成膜されたＩＴＯ膜５５および金属膜５４をフォトリソグラフィ法によりパターニングして２層構造のソース・ドレイン電極８およびソース・ドレインライン９等を形成しているので、これらのためのフォトリソグラフィ工程数が２回と比較的多くなってしまう。そこで、次に、フォトリソグラフィ工程数を少なくすることができる実施形態について説明する。
【００３７】
（第２実施形態）
図１１はこの発明の第２実施形態としての画像読取装置の要部の断面図を示す。この画像読取装置において、図１に示す画像読取装置と異なる点は、ソース・ドレインライン９を、下から順に、真性アモルファスシリコン膜９ｃ、ｎ型アモルファスシリコン膜９ｄ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜９ａおよびＩＴＯ膜９ｂからなる４層構造とし、ボトムゲートライン用外部接続端子２１を、下から順に、Ａｌからなる下層金属膜２１ａ、真性アモルファスシリコン膜２１ｆ、ｎ型アモルファスシリコン膜２１ｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜２１ｂ、ＩＴＯ膜２１ｃ、ＩＴＯ膜２１ｄおよびＩＴＯ膜２１ｅからなる７層構造とし、ドレインライン用外部接続端子３１を、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３１ｅ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｆ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜３１ａ、ＩＴＯ膜３１ｂ、ＩＴＯ膜３１ｃおよびＩＴＯ膜３１ｄの６層構造とした点である。
【００３８】
この場合、ボトムゲートライン用外部接続端子２１において、金属膜２１ｂは、ｎ型アモルファスシリコン膜２１ｇ、真性アモルファスシリコン膜２１ｆおよびボトムゲート絶縁膜４に連続して設けられたコンタクトホール３２を介して下層金属膜２１ａに接続されている。
【００３９】
次に、この画像読取装置の製造方法の一例について説明する。この場合、図３に示す工程後に、図１２に示すように、下層金属膜２１ａ上におけるｎ型アモルファスシリコン膜５３、真性アモルファスシリコン膜５１およびボトムゲート絶縁膜４に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール２２を連続して形成する。
【００４０】
次に、図１３に示すように、コンタクトホール２２を介して露出された下層金属膜２１ａの上面を含むｎ型アモルファスシリコン膜５３の上面に、スパッタ法により、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜５４およびＩＴＯ膜５５を連続して成膜する。次に、ＩＴＯ膜５５、金属膜５４、ｎ型アモルファスシリコン膜５３および真性アモルファスシリコン膜５１を、フォトリソグラフィ法により、連続してパターニングすると、図１４に示すようになる。
【００４１】
すなわち、薄膜トランジスタ１３形成領域の部分においては、ボトムゲート絶縁膜４の上面に半導体薄膜５が形成され、チャネル保護膜６の上面両側およびその両側における半導体薄膜５の上面にオーミックコンタクト層７が形成され、各オーミックコンタクト層７の上面に金属膜８ａおよびＩＴＯ膜８ｂからなる２層構造のソース・ドレイン電極８が形成される。また、ボトムゲート絶縁膜４の上面に、下から順に、真性アモルファスシリコン膜９ｃ、ｎ型アモルファスシリコン膜９ｄ、金属膜９ａおよびＩＴＯ膜９ｂからなる４層構造のソース・ドレインライン９が形成される。
【００４２】
ボトムゲートライン用外部接続端子２１形成領域の部分においては、ボトムゲート絶縁膜４の上面に、下から順に、真性アモルファスシリコン膜２１ｆ、ｎ型アモルファスシリコン膜２１ｇ、金属膜２１ｂおよびＩＴＯ膜２１ｃが形成される。この状態では、金属膜２１ｂは、コンタクトホール２２を介して下層金属膜２１ａに接続されている。ドレインライン用外部接続端子３１形成領域の部分においては、ボトムゲート絶縁膜４の上面に、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３１ｅ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｆ、金属膜３１ａおよびＩＴＯ膜３１ｂが形成される。以下の工程は、上記第１実施形態の場合と同様であるので、省略する。
【００４３】
このように、この製造方法では、成膜されたＩＴＯ膜５５、金属膜５４、ｎ型アモルファスシリコン膜５３および真性アモルファスシリコン膜５１をフォトリソグラフィ法により連続してパターニングして、２層構造のソース・ドレイン電極８および４層構造のソース・ドレインライン９等を形成しているので、このためのフォトリソグラフィ工程数が１回となり、フォトリソグラフィ工程数を少なくすることができる。次に、フォトリソグラフィ工程数をさらに少なくすることができる実施形態について説明する。
【００４４】
（第３実施形態）
図１５はこの発明の第３実施形態としての画像読取装置の要部の断面図を示す。この画像読取装置において、図１１に示す画像読取装置と異なる点は、ボトムゲートライン用外部接続端子２１およびドレインライン用外部接続端子３１において、ＩＴＯ膜２１ｄ、３１ｃを省略し、ＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂ上におけるオーバーコート膜１４およびトップゲート絶縁膜１０にコンタクトホール２４、３３を連続して形成し、これらのコンタクトホール２４、３３を介して、ＩＴＯ膜２１ｅ、３１ｄをＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂに接続させた点である。
【００４５】
この場合、オーバーコート膜１４を成膜した後に、ＩＴＯ膜２１ｃ、３１ｂ上におけるオーバーコート膜１４およびトップゲート絶縁膜１０にコンタクトホール２４、３３を連続して形成し、且つ、ＩＴＯ膜４１ａ上におけるオーバーコート膜１４にコンタクトホール４２を形成すればよいので、図１１に示す半導体装置の製造方法と比較して、コンタクトホール形成工程を１回少なくすることができ、したがってフォトリソグラフィ工程数をさらに１回少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の第１実施形態としての画像読取装置の要部の断面図。
【図２】図１に示す画像読取装置の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】この発明の第２実施形態としての画像読取装置の要部の断面図。
【図１２】図１１に示す画像読取装置の製造に際し、所定の工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】この発明の第３実施形態としての画像読取装置の要部の断面図。
【符号の説明】
【００４７】
１  ガラス基板
２  ボトムゲート電極
３  ボトムゲートライン
４  ボトムゲート絶縁膜
５  半導体薄膜
６  チャネル保護膜
７  オーミックコンタクト層
８  ソース・ドレイン電極
９  ソース・ドレインライン
１０  トップゲート絶縁膜
１１  トップゲート電極
１２  トップゲートライン
１３  薄膜トランジスタ
１４  オーバーコート膜
１５  静電気保護用透明導電膜
２１  ボトムゲートライン用外部接続端子
２２〜２４  コンタクトホール
３１  ソース・ドレイン用外部接続端子
３２、３３  コンタクトホール
４１  トップゲートライン用外部接続端子
４２  コンタクトホール
５１  真性アモルファスシリコン膜
５２  チャネル保護膜形成用膜
５３  ｎ型アモルファスシリコン膜
５４  金属膜
５５  ＩＴＯ膜
【図１】
2009117620.tif 000003
【図２】
2009117620.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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