(57)【要約】【課題】  汎用性が高く、しかも、狭ピッチであっても精度良くアスペクト比の高いはんだバンプを形成することができ、かつ、隣接するはんだバンプとの導通（ブリッジ）を防止できるはんだバンプの形成方法を提供すること。【解決手段】はんだバンプが形成されることとなる電極２１から垂直方向にｈ１の高さより、電極２１に向けて、はんだペースト１０１を吐出する第１吐出工程と、第１吐出工程の後に、電極２１から垂直方向にｈ２の高さより、電極２１に向けて、はんだペースト１０２を吐出する第２吐出工程と、電極２１上に供給されたはんだペースト１００が略円錐状に形成される工程と、はんだペースト１００を加熱溶融して、はんだバンプを形成する工程と、を有し、ｈ１およびｈ２が、ｈ１＜ｈ２である関係を満足することを特徴とするはんだバンプ形成方法。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだバンプが形成されることとなる電極から垂直方向にｈ１の高さより、前記電極に向けて、はんだペーストを吐出する第１吐出工程と、
前記第１吐出工程の後に、前記電極から垂直方向にｈ２の高さより、前記電極に向けて、はんだペーストを吐出する第２吐出工程と、
前記電極上に供給された前記はんだペーストが略円錐状に形成される工程と、
前記はんだペーストを加熱溶融して、はんだバンプを形成する工程と、を有し、
前記ｈ１および前記ｈ２が、ｈ１＜ｈ２である関係を満足することを特徴とするはんだバンプ形成方法。
【請求項２】
前記電極から垂直方向にｈｎの高さより、前記電極に向けて、はんだペーストを吐出する第ｎ吐出工程をさらに有し、ｈ（ｎ−１）＜ｈｎ（ただし、ｎは３以上）である関係を満足することを特徴とする請求項１に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項３】
略円錐状に形成された前記はんだペーストが前記電極と接触している部分の径をＤとし、前記はんだペーストの高さをＨとした時に、１≦Ｈ／Ｄ≦２である関係を満足することを特徴とする請求項１または２に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項４】
ｈｎとｈ（ｎ−１）との差を、Δｈｎとした時に、Δｈｎ＜ｈ（ｎ−１）（ただし、ｎは２以上）である関係を満足することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項５】
前記ｈ１と前記Ｄとが、Ｄ≦ｈ１≦１．５Ｄである関係を満足することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項６】
前記ｈｎと前記Ｄとが、ｈｎ≦２Ｄ（ただし、ｎは２以上）である関係を満足することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項７】
第ｎ吐出工程（ただし、ｎは２以上）では、第ｎ−１吐出工程において吐出したはんだペースト量よりも少ないはんだペースト量を吐出することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項８】
前記はんだペーストがジェットディスペンサにより吐出されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のはんだバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだバンプの形成方法に関し、さらに詳しくは、狭ピッチであっても高アスペクト比のはんだバンプを精度良く形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化が急速に進むにつれ、電子機器の内部に搭載される電子回路も高密度化が進んでいる。そのため、小型電子部品を回路基板上に高密度で実装する必要がある。このような電子部品を回路基板に実装する方法としては、はんだを介して、基板と電子部品とを固着させるのが一般的である。
【０００３】
このようなはんだを用いて、基板と電子部品とを固着させる場合には、電子部品の端子電極にはんだバンプが形成される。はんだバンプを形成する方法としては、たとえば、はんだ印刷法やボールマウント法などがある。はんだ印刷法とは、まず、基板上に、スクリーン印刷法などによりはんだペーストを印刷して、はんだバンプを形成する。そして、はんだバンプを形成した基板を個片状に切断して、はんだバンプを有する電子部品を作製し、はんだバンプを介して別の回路基板と電子部品とを固着させる方法である。また、ボールマウント法とは、あらかじめ形成された、バンプとしてのはんだボールを、基板の電極上に配置する。そして、はんだバンプを形成した基板を個片状に切断して、はんだバンプを有する電子部品を作製し、はんだバンプを介して、別の回路基板と電子部品とを固着させる方法である。
【０００４】
たとえば特許文献１では、はんだ印刷法を採用し、マスクを利用して、はんだペーストを印刷し、はんだバンプを形成することが開示されている。この方法によれば、低コストではんだバンプを形成できるが、形成されたはんだバンプの体積ばらつきが見られることがあった。また、形成されたはんだバンプのアスペクト比（バンプ高さ／バンプ底面径）は低いものであった。
【０００５】
形成されたはんだバンプのアスペクト比が低い場合には、基板と電子部品との熱膨張係数の違いに起因する応力を緩和できず、はんだバンプに亀裂などが生じてしまうという問題が生じていた。
【０００６】
また、狭ピッチでのはんだバンプの形成に対応するため、はんだバンプを精度良く形成しようとすると、マスクを薄くする必要があった。しかしながら、マスクを薄くすると、はんだバンプの高さを十分確保できず、上記のアスペクト比の問題が顕著となっていた。
【０００７】
これに対して、ボールマウント法では、はんだ印刷法に比べて、はんだバンプの体積ばらつきは少なく、狭ピッチでのはんだバンプの形成にも対応できる。また、形成されたはんだバンプのアスペクト比は、はんだ印刷法でのアスペクト比よりも高いため、熱衝撃に対する緩衝効果を有しており、上記のような亀裂などは生じにくい。
【０００８】
しかしながら、ボールマウント法は、設備コストが高いことに加えて、基板のレイアウトが変更されると、バンプパターンも変更しなければならないため、汎用性が悪いという問題があった。
【特許文献１】特開平１１−２７４７０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、汎用性が高く、しかも、狭ピッチであっても精度良くアスペクト比の高いはんだバンプを形成することができ、かつ、隣接するはんだバンプとの導通（ブリッジ）を防止できるはんだバンプの形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係るはんだバンプの形成方法は、
はんだバンプが形成されることとなる電極から垂直方向にｈ１の高さより、前記電極に向けて、はんだペーストを吐出する第１吐出工程と、
前記第１吐出工程の後に、前記電極から垂直方向にｈ２の高さより、前記電極に向けて、はんだペーストを吐出する第２吐出工程と、
前記電極上に供給された前記はんだペーストが略円錐状に形成される工程と、
前記はんだペーストを加熱溶融して、はんだバンプを形成する工程と、を有し、
前記ｈ１および前記ｈ２が、ｈ１＜ｈ２である関係を満足する。
【００１１】
本発明では、少なくとも２回はんだペーストを吐出して、略円錐形状のはんだペーストを形成する。このとき、１回目のはんだ吐出時（第１吐出工程）における電極（ランド）とはんだ吐出部との距離（ｈ１）よりも、２回目のはんだ吐出時（第２吐出工程）における該距離（ｈ２）を大きくしている。このようにすることで、略円錐形状に形成されたはんだペーストのアスペクト比（はんだペースト高さ／はんだペースト底面径）を高くすることができる。そのため、狭ピッチであっても隣接電極に形成されたはんだペーストに接触することなく、十分なはんだペーストを供給することができ、はんだ体積を確保できる。その結果、アスペクト比（はんだ高さ／はんだ径）の高いはんだバンプを形成することができる。
【００１２】
なお、同一重量（体積）のはんだペーストを使用して、はんだバンプを形成する場合、はんだの吐出を１回とするよりも、はんだの吐出を２回に分けて行うほうがアスペクト比の高いはんだペーストを得ることができる。
【００１３】
したがって、上記のように、はんだの吐出を２回に分け、かつ、電極とはんだ吐出部との距離を上記のようにすることで、最終的に、アスペクト比の高いはんだバンプを形成することができる。
【００１４】
好ましくは、前記電極から垂直方向にｈｎの高さより、前記電極に向けて、はんだペーストを吐出する第ｎ吐出工程をさらに有し、ｈ（ｎ−１）＜ｈｎ（ただし、ｎは３以上）である関係を満足する。
【００１５】
はんだペーストを吐出する工程を、３回以上繰り返す場合であっても、電極とはんだ吐出部との距離（ｈｎ）を大きくしていくことにより、電極に供給されたはんだペーストが倒れ込むことを防止し、本発明の効果を奏することができる。
【００１６】
好ましくは、略円錐状に形成された前記はんだペーストが前記電極と接触している部分の径をＤとし、前記はんだペーストの高さをＨとした時に、１≦Ｈ／Ｄ≦２である関係を満足する。はんだペーストの略円錐形状を上記の範囲とすることで、はんだペースト底面の広がりや略円錐形状のはんだペーストの頂点部分が傾くことによる接触（導通）を防止できる。その結果、アスペクト比の高いはんだバンプを容易に形成することができる。
【００１７】
好ましくは、ｈｎとｈ（ｎ−１）との差を、Δｈｎとした時に、Δｈｎ＜ｈ（ｎ−１）（ただし、ｎは２以上）である関係を満足する。
【００１８】
すなわち、はんだペーストを吐出後、電極とはんだ吐出部との距離を大きくする場合において、変化量（Δｈ）を、前回の電極とはんだ吐出部との距離よりも小さくする。このようにすることで、精度良く円錐形状のはんだペーストを形成することができる。そのため、円錐形状を一定の範囲で保持できるため、狭ピッチであっても、隣接する電極のはんだペーストとの接触（導通）を効果的に防止することができる。
【００１９】
好ましくは、前記ｈ１と前記Ｄとが、Ｄ≦ｈ１≦１．５Ｄである関係を満足する。ｈ１をこのような範囲とすることで、はんだペーストの底面が広がりすぎるのを抑制することができる。また、吐出されたはんだペーストとはんだ吐出部とが接触しないようにすることができる。
【００２０】
好ましくは、前記ｈｎと前記Ｄとが、ｈｎ≦２Ｄ（ただし、ｎは２以上）である関係を満足する。すなわち、最後のはんだ吐出工程における電極と吐出部との距離を上記の範囲とすることで、はんだペーストの略円錐形状をより適切なものとすることができる。
【００２１】
好ましくは、第ｎ吐出工程（ただし、ｎは２以上）では、第ｎ−１吐出工程において吐出したはんだペースト量よりも少ないはんだペースト量を吐出する。このようにすることにより、円錐形状のはんだペーストをより容易に形成することができる。
【００２２】
好ましくは、前記はんだペーストがジェットディスペンサにより吐出される。ジェットディスペンサを用いることにより、精度の高い略円錐形状のはんだペーストを容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、狭ピッチであっても、隣接するはんだペーストとの接触（導通）を防止し、かつアスペクト比の高いはんだペーストを形成することができる。その結果、アスペクト比の高いはんだバンプを容易に形成することができる。しかも、ボールマウント法のように、ランドパターンの異なる電子部品ごとにマスクパターンを作り替える必要はない。したがって、汎用性に富んでいるため、多品種の製品の生産にも、低コストで機動的に対応することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。ここにおいて、
図１は、本発明の一実施形態に係るはんだバンプ形成方法において、はんだペーストを吐出するために用いられるジェットディスペンサの先端部の概略断面図、
図２は、本発明の一実施形態に係るはんだバンプ形成方法（第１吐出工程）を示す要部断面図、
図３は、図２の続き（第２吐出工程）を示す要部断面図、
図４は、図３の続きを示す要部断面図、
図５は、電極上に形成されたはんだペーストの断面形状をしめす概略図である。
【００２５】
本発明に係るはんだバンプの形成方法においては、はんだペーストを吐出する機構は特に制限されないが、本実施形態においては、図１に示すジェットディスペンサ１０を用いてはんだペーストを吐出する。
【００２６】
ジェットディスペンサ１０は、図１に示すように、その本体内部において上下動可動に備えられたニードル部１２を有している。そして、ニードル部１２が下降することで、本体内部の中空部１８に充填されているはんだペースト（図示省略）をノズル１４内に送り込んで圧力を加え、ノズル１４の先端部から吐出することができる。そして、ニードル部１２の先端が弁座部１６に向かって進む間、はんだペーストの吐出が行われる。
【００２７】
また、本実施形態のジェットディスペンサ１０は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸のいずれの方向にも移動可能な移動機構（図示省略）を有しており、基板に対して、ｘ−ｙ軸方向に移動することで、基板上の複数の電極に対向することができる。さらに、基板に対して、上下動（ｚ軸方向）することができる。
【００２８】
以下、上記のジェットディスペンサ１０を用いて、本発明に係るはんだバンプの形成方法について詳細に説明する。
【００２９】
まず、はんだバンプが形成されることとなる電極（ランド）を有する基板を準備する。基板としては特に制限されず、たとえば、ガラスエポキシ基板、セラミック基板などが挙げられる。また、基板ではなく、たとえばＩＣチップなどの半導体製品であってもよい。
ランド間隔（ピッチ）は、特に制限されないが、０．４ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３０】
次に、図２（Ａ）に示すように、ランド２１ａとジェットディスペンサ１０のノズル１４の先端との距離が垂直方向（ｚ軸方向）にｈ１となるように、ジェットディスペンサ１０と基板２０のランド２１ａとを対向させる。そして、ジェットディスペンサ１０のノズル部１４からはんだペースト１０１を、ランド２１ａに向けて吐出する（第１吐出工程）。
【００３１】
第１吐出工程におけるはんだペーストの吐出後、図２（Ｂ）に示すように、ランド２１ａとジェットディスペンサ１０のノズル１４の先端との距離が垂直方向（ｚ軸方向）にｈ２となるように、ジェットディスペンサ１０を垂直方向にΔｈ２（＝ｈ２−ｈ１）上昇させる。次に、第１吐出工程においてはんだペースト１０１が供給されたランド２１ａに向けて、ジェットディスペンサ１０のノズル部１４からはんだペースト１０２を吐出する（第２吐出工程）。なお、ジェットディスペンサ１０を上昇させる代わりに、基板２０を下降させてｈ２となるようにしてもよい。
【００３２】
その結果、図２（Ｃ）に示すように、最終的に、ランド２１ａに供給されたはんだペースト（１０１、１０２）は一体となり、アスペクト比の高い略円錐形状のはんだペースト１００が形成される。なお、第２吐出工程以降に、必要に応じて、上記の工程を繰り返してもよい（第ｎ吐出工程）。
【００３３】
上記の工程において、ｈ１＜ｈ２である関係を満足することで、略円錐形状に形成されたはんだペースト１００のアスペクト比（はんだペースト高さ／はんだペースト底面径）を高くすることができる。そのため、狭ピッチであっても隣接電極に形成されたはんだペーストに接触することなく、十分なはんだペーストを供給することができ、はんだ体積を確保できる。その結果、ペーストに含まれる溶剤等を除去しても、アスペクト比（はんだ高さ／はんだ径）の高いはんだバンプを形成することができる。
【００３４】
ｈ２はｈ１よりも大きければ、特に制限されないが、ｈ２が大きくなりすぎた場合、ジェットディスペンサ等の吐出機構の精度が問題となることがある。そのため、ｈ２の上限としてはｈ１の２倍程度である。
【００３５】
なお、ｈ１＝ｈ２とした場合、ｈ１＜ｈ２の場合よりも、第２吐出工程において吐出されたはんだペーストが、第１吐出工程に供給されたはんだペーストに到達したときの衝撃が大きくなる。この場合、第２吐出工程において吐出されたはんだペーストは、第１吐出工程において吐出されたはんだペーストを押し広げる作用が強くなってしまい、アスペクト比の高い略円錐形状のはんだペーストを形成できない傾向にある。
【００３６】
また、第１吐出工程におけるｈ１は、形成するはんだバンプの径や体積などに応じて適宜決定すればよいが、好ましくはＤ≦ｈ１≦１．５Ｄである。
【００３７】
本実施形態において、Δｈｎは、ジェットディスペンサの上昇量を表しており、Δｈｎ＜ｈ１（ｎは２以上）であることが好ましい。ただし、Δｈｎが大きくなりすぎた場合、ジェットディスペンサ等の吐出機構の精度が問題となることがある。
【００３８】
ｈｎは、ｈｎ≦２Ｄ（ｎは２以上）であることが好ましい。すなわち、最終の吐出工程におけるクリアランスが、円錐形状のはんだバンプの底面径の２倍以下であることが好ましい。
【００３９】
さらに、形成された円錐形状のはんだペーストにおいて、ランドと接触している面（はんだペーストの底面）の径をＤとし、はんだペーストの高さをＨとすると、好ましくは１≦Ｈ／Ｄ≦２である関係を満足する。はんだペーストのＨ／Ｄが上記の範囲にある場合には、図５（Ａ）に示すように、アスペクト比の高いはんだペーストとなり好ましい。
【００４０】
はんだペーストのＨ／Ｄが小さすぎると、はんだペーストの形状は、図５（Ｂ）に示すような形状となってしまい、アスペクト比が低くなり、その結果、アスペクト比の高いはんだバンプが得られない傾向にある。一方、はんだペーストのＨ／Ｄが大きすぎると、はんだペーストの形状は、図５（Ｃ）に示すような形状となってしまい、略円錐形状の頂点部分が倒れ、傾いてしまう傾向にある。この場合には、隣接するはんだペーストと接触する可能性が高くなり、好ましくない。
【００４１】
次に、図３（Ａ）に示すように、ランド２１ａ上に略円錐形状のはんだペースト１００を形成した後、ジェットディスペンサ１０を基板２０に対して平行（ｘ軸方向）に移動させ、略円錐形状のはんだペースト１００が形成されたランド２１ａに隣接するランド２１ｂと対向させる。そして、上記の工程と同様にして、ランド２１ｂとジェットディスペンサ１０のノズル１４の先端との距離が垂直方向にｈ１となるようにし、はんだペースト１０１を吐出する。その後、図３（Ｂ）に示すように、ジェットディスペンサ１０をΔｈ２上昇させ、ｈ２のクリアランスではんだペースト１０２を吐出して、ランド２１ｂ上に略円錐形状のはんだペースト１００を形成する。
【００４２】
上記の工程を繰り返し、図４（Ａ）に示すように、基板２０のランド２１上に所望数の略円錐形状のはんだペースト１００を形成する。その後、図４（Ｂ）に示すように、この基板２０をリフロー炉３０に投入して、はんだペースト１００を溶融し、はんだバンプ２００を形成する。
【００４３】
リフロー炉に基板を投入する際のはんだペーストの溶融条件としては、公知の条件で行えばよい。リフロー炉の雰囲気についても特に制限されず、大気雰囲気であってもよいし、窒素雰囲気であってもよい。
【００４４】
本発明において用いるはんだペーストは、導体ペーストであれば、その種類は特に制限されず、たとえば、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、導電性を有する樹脂ペーストなどが挙げられる。
【００４５】
吐出時のはんだペーストの吐出量は、特に制限されず、形成するはんだバンプの径や体積などを考慮して決定すればよい。この時、第ｎ吐出工程におけるはんだペーストの吐出量は、第ｎ−１吐出工程におけるはんだペーストの吐出量よりも少ないことが好ましい。このようにすることで、略円錐形状のはんだペーストの形成をより容易とすることができる。
【００４６】
また、略円錐形状に形成されたはんだペーストの底面径Ｄは、はんだバンプを形成するランドのピッチに応じて適宜決定すればよいが、通常、０．２≦Ｄ≦０．７ｍｍ程度である。
【００４７】
アスペクト比の高い略円錐形状のはんだペーストを形成することで、ランドのピッチに比較して体積が大きいはんだペーストであっても、隣接するはんだバンプとの接触（ブリッジ）することなく、精度良く形成することができる。その結果、ペーストに含まれる溶剤等を除去した後であっても、十分なはんだ体積を確保できる。したがって、ボールマウント法と同等以上のアスペクト比の高いはんだバンプを形成することができる。しかも、ボールマウント法とは異なり、汎用性が高いため、多品種の製品の生産にも柔軟に対応することができる。
【００４８】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。  
【００４９】
たとえば、上述した実施形態では、１つのランドに対して、複数回のはんだの吐出（第１吐出工程から第ｎ吐出工程まで）を行い、略円錐形状のはんだペーストを形成し、その後に、他のランドにおいて同様の複数回のはんだの吐出を行い、略円錐形状のはんだペーストを形成する方法（パターンリピート）を採用している。たとえば、以下のような方法を採用して、略円錐形状のはんだペーストを形成してもよい。すなわち、第１吐出工程を複数のランドに対して行った後に、第２吐出工程（あるいは第ｎ吐出工程）を複数のランドに対して行う方法（ステップリピート）を採用してもよい。ステップリピートであっても、上述の効果が得られる。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００５１】
実施例１ 
まず、ランド間隔（ピッチ）が１．４ｍｍの基板を準備した。はんだバンプの形成は、ジェットディスペンサを用いて行った。ジェットディスペンサの吐出条件としては、はんだペーストを吐出するノズル部の径をφ０．２５ｍｍ、吐出圧を０．１３ＭＰａ、はんだペーストのトータルでの吐出量（最終的にランドに供給される量）を０．４ｍｇとした。
【００５２】
また、使用したはんだペーストは、組成がＳｎ／Ａｇ／Ｃｕであり、平均粒径が２０μｍ、粘度が５０〜１００Ｐａ・ｓ、チクソ比０．６０〜０．７０であった。
【００５３】
まず、ランドとジェットディスペンサのノズル先端部との距離（ｈ１）を０．７ｍｍとし、ｈ２とｈ１との差Δｈ２を表１に示す値とした。第２吐出工程において、ジェットディスペンサをΔｈ２上昇させて、はんだペーストを吐出した。実施例１では、第１回吐出工程および第２回吐出工程を、ランドごとに行うパターンリピートを採用した。そして、はんだの吐出回数を１回（試料１ａ）、２回（試料１ｂ，２〜７）として、はんだペーストを形成した。
すなわち、試料１ａの場合は、１回あたりの吐出量が０．４ｍｇであり、トータルでの吐出量も０．４ｍｇである。また、試料１ｂ，２〜７の場合は、１回あたりの吐出量は０．２ｍｇであり、トータルでの吐出量が０．４ｍｇである。結果を表１に示す。なお、形成されたはんだペーストの高さ（Ｈ）および底面の径（Ｄ）は、同条件で５回形成し、その平均値を算出した。また、形成されたはんだペーストの形状を、図５に対応するように、３つに分けた。
【００５４】
【表１】
2009245990.tif 000003
【００５５】
表１より、Δｈ２が大きくなるにつれ、はんだペースト底面の径Ｄが小さくなり、逆にはんだペーストの高さＨが高くなる傾向にある。その結果、アスペクト比（Ｈ／Ｄ）が大きくなっていることが確認できる。
【００５６】
なお、Δｈ２が大きすぎると、円錐形状の頂点が傾き、円錐形状が崩れ、隣接するはんだペーストに接触してしまう試料（試料７）がみられた。これは、第２吐出工程において吐出したはんだペーストの着弾精度が悪くなった影響によると考えられる。したがって、この試料の評価結果は本発明の効果を否定するものではない。
これに対し、吐出回数を１回とした試料（試料１ａ）の場合、ランド上において、はんだペーストが円錐形状を維持できず、崩れてしまった。そのため、ＤおよびＨを測定することができなかった。
また、吐出回数を２回とし、Δｈ＝０とした試料（試料１ｂ）、すなわち、１回目の吐出高さ（ｈ１）と２回目の吐出高さ（ｈ２）とを同じとした場合、はんだペーストの形状は円錐形状であるものの、アスペクト比が低くなっていることが確認できる。
【００５７】
実施例２
はんだの吐出回数を３回とし、トータルでの吐出量を０．６ｍｇとし、Δｈ２およびΔｈ３を表２に示す値とした以外は、実施例１と同様にして、はんだペーストを形成した。なお、Δｈ２＝Δｈ３である。結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
2009245990.tif 000004
【００５９】
表２より、吐出回数を３回とした場合であっても、実施例１（吐出回数が２回）と同様の傾向を示していることが確認できる。なお、試料１２については、実施例１の試料７と同様に円錐形状が崩れてしまった例である。
【００６０】
実施例３
はんだの吐出回数を２回または３回として、ｈ１を表３に示す値とした以外は、実施例１と同様にして、はんだバンプを形成した。なお、吐出回数を３回とした場合には、Δｈ２＝Δｈ３である。結果を表３に示す。
【００６１】
【表３】
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【００６２】
表３より、ｈ１を変化させた場合であっても、実施例１および２と同様の傾向を示すことが確認できる。
実施例４
実施例４では、実施例１〜３において採用したパターンリピートに加え、ステップリピートを採用してはんだバンプを形成した。はんだペーストの吐出条件としては、吐出回数を２回または３回とし、ｈ１を０．６ｍｍとし、Δｈｎを０．２ｍｍとした。なお、吐出回数を３回とした場合には、Δｈ２＝Δｈ３である。また、パターンリピートを採用した試料が、試料１７および１８であり、ステップリピートを採用した試料が、試料１９および２０である。
【表４】
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表４より、ステップリピートを採用した場合であっても、実施例１〜３と
同様の効果が得られることが確認できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るはんだバンプ形成方法において、はんだペーストを吐出するために用いられるジェットディスペンサの先端部の概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係るはんだバンプ形成方法を示す要部断面図である。
【図３】図３は、図２の続きを示す要部断面図である。
【図４】図４は、図３の続きを示す要部断面図である。
【図５】図５は、電極上に形成されたはんだペーストの断面形状をしめす概略図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０…  ジェットディスペンサ
１２…  ニードル部
１４…  ノズル部
１６…  弁座部
１８…  中空部
２０…  基板
２１…  ランド
３０…  リフロー炉
１００…  はんだペースト
１０１…  第１吐出工程におけるはんだペースト
１０２…  第２吐出工程におけるはんだペースト
２００…  はんだバンプ
【図１】
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【図２】
2009245990.tif 000008
【図３】
2009245990.tif 000009
【図４】
2009245990.tif 000010
【図５】
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