(57)【要約】【課題】主磁極の形状をより高い精度で制御することができる磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】磁気誘導部２１ａから突出したフレア部２１ｂと、フレア部２１ｂに接続される先端部２１ｃを備えた主磁極２１を有する磁気ヘッドの製造方法であって、基板１の上方に主磁極２１の形状を含む本体パターンとフレア部２１ｂの側方に離間して設けられた保護パターン２１ｆとが含まれる第１の磁性体パターン３１ａを形成する工程と、第１の磁性体パターン３１ａをイオンミリングによりスリム化することにより第２の磁性体パターンに加工する工程とを有する。【選択図】図９
2009245530.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気誘導部から突出したフレア部と、前記フレア部に接続される先端部を備えた主磁極を有する磁気ヘッドの製造方法であって、
基板の上方に前記主磁極の形状を含む本体パターンと前記フレア部の側方に離間して設けられた保護パターンとが含まれる第１の磁性体パターンとを形成する工程と、
前記第１の磁性体パターンをイオンミリングによりスリム化することにより第２の磁性体パターンに加工する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の磁性体パターンを形成する工程は、
前記基板の上方に磁性体層を形成する工程と、
前記磁性体層上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の平面形状を前記第１の磁性体パターンと同じ形状にパターニングしてマスクパターンを形成するする工程と、
前記マスクパターンに覆われない領域で前記磁性体層をイオンミリングする工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１の磁性体パターンを形成する工程は、
前記基板の上方の磁気分離層の上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に、前記第１の磁性体パターンの形状を有する開口パターンを形成する工程と、
前記開口パターンに磁性体材料を埋め込む工程と、
次いで、前記レジスト層を除去する工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記レジスト層を形成する前に、前記下地の上に導電層を形成する工程を有し、
前記導電層をシード層として前記レジスト層の前記開口パターン内に前記磁性体材料をめっきすることにより、前記開口パターンに前記磁性体材料を埋め込む
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記イオンミリングによりスリム化された後の前記主磁極の側面が逆テーパー状であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの製造方法に関し、特に、記録用ヘッドの磁極の形成工程を有する磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ、通信機器等において扱われる情報量の増大は目覚ましいものがあり、これらの情報を記録する磁気ディスク装置に対して大容量化、高記録密度化、高速化の要求が高まっている。
現在まで市場に供給されている磁気ディスク装置の記録方式の多くは、記録層に記録される磁化の方向が面方向に向いた水平磁気記録方式と呼ばれるものである。この水平磁気記録方式において高記録密度を得るためには、磁気記録媒体の記録層を薄くするととともに、記録層を構成する磁性結晶粒を微細化することが必要となる。
【０００３】
しかしながら、磁気記録媒体の記録層を薄くすると磁気ディスクに熱が加わったときに情報が消失する現象、即ち熱揺らぎ現象が起きてしまい、高記録密度化を阻む一つの要因となっている。
水平磁気記録方式では、磁気記録面に沿って記録磁界をかけるので、高記録密度化を図るために１ビットを記録する磁区を小さくしていくと、隣接する磁区同士が打ち消しあう現象が生じて高記録密度化の妨げとなる。
【０００４】
これに対して、記録層における磁化方向を記録層の面に垂直方向に向ける垂直磁気記録方式がある。
垂直磁気記録方式では、記録面に対して垂直に記録磁界をかけて磁化するので、磁区同士が磁力を強め合い、水平磁気記録方式に比べて記録密度を高めることができる。しかも、高記録密度化のために磁気記録媒体の記録層を薄くする必要がない。
【０００５】
垂直磁気記録方式において、さらなる高記録密度化の要求に応えるためには、磁気記録媒体の保磁力を高くする一方で、磁気記録ヘッドから磁気記録媒体に強い磁界を出力する必要がある。
磁気記録媒体に情報を書き込む場合には、磁気記録媒体の微小エリアに磁気記録ヘッドから強い磁界を加えるが、磁気記録媒体の保持力以上の磁界が隣の微小エリアに加わると、その隣の微小エリアの磁気情報が消去されてしまうおそれがある。
【０００６】
そのような書き込みエラーを無くすには、磁気記録媒体の高記録密度化が進めば進むほど、磁気記録ヘッドの磁極の書き込み部分の微小化、特に垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドでは主磁極の先端部の微細化が重要になってくる。
磁極のパターンを形成するために、マスクとイオンミリングを使用することがある。
例えば、磁気ヘッドの製造工程において、直方体形状の上部磁極層をマスクに使用し、その下のギャップ層、下部磁極層をイオンミリングすることによって、下部磁極層の突出部を形成する方法がある。その際、突出部の幅が前方にかけて徐々に狭くなるので、そのような細りを防止するために、変形分を見込んで上部電極を太くしておく場合がある。
【０００７】
垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドを構成する主磁極は、例えば図１６（ａ）に示すような平面形状を有している。図１６（ａ）において、絶縁層１０４上に形成された主磁極１００は、略四角形の磁気誘導部１０１と、磁気誘導部１０１の一端から突出した略三角形のフレア部１０２と、フレア部１０２の先端から突出したストライプ状の先端部１０３とから構成される。
【０００８】
主磁極１００の先端部１０３の端面は、図１６（ｂ）に示すように逆台形に形成され、これにより、磁気記憶媒体のトラックに対する磁気記録ヘッドのスキュー角の影響によるトラックからの先端部１０３のはみ出しを防止している。主磁極１００の先端部１０３を逆台形状に形成する方法として、例えば、主磁極１００の先端部（ライトポール）を斜め方向にイオンミリングすることがある。
【特許文献１】特開２００１−７６３１４号公報
【特許文献２】特開２００５−１１４０９号公報
【特許文献３】特開平１１−７１６８８号公報
【特許文献４】特開２００４−９５００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
主磁極１００の先端部１０３の長さ、即ちスロートハイトは研磨によって調整される。スロートハイトについては、磁気記録媒体に強い磁界を出すために短くすることが好ましい。しかし、短すぎると、磁気記録媒体面に対する垂直方向の磁界成分が減少するので、最適な大きさに精度良く制御する必要がある。
一方、先端部１０３の幅について、フォトリソグラフィー法による細線化は近接効果の影響により制約があるので、最終的にイオンミリングによりその幅を調整することがある。
【００１０】
イオンミリングによって先端部１０３をスリム化する工程では、フレア部１０２も同時にイオンミリングされ、フレア部１０２と先端部１０３の境界の位置が磁気誘導部１０１側に後退するため、スロートハイトが予定の長さよりも長くなってしまう。
これに対して、イオンミリング時の磁気誘導部１０２の後退量を見込んで先端部を予め短くしておく方法を採用してもよいが、その後退量にはバラツキがあるので、磁気ヘッドの磁気特性を揃えることが難しくなる。
【００１１】
本発明の目的は、主磁極の形状をより高い精度で制御することができる磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の１つの観点によれば、磁気誘導部から突出したフレア部と、前記フレア部に接続される先端部を備えた主磁極を有する磁気ヘッドの製造方法であって、基板の上方に前記主磁極の形状を含む本体パターンと前記フレア部の側方に離間して設けられた保護パターンとが含まれる第１の磁性体パターンとを形成する工程と、前記第１の磁性体パターンをイオンミリングによりスリム化することにより第２の磁性体パターンに加工する工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、主磁極のフレア部の両側に離間して保護パターンを設けているので、フレア部のスリム化による後退が抑制され、これにより主磁極先端部の長さを精度良く調整することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。
図１に示す磁気ヘッドは、例えば、垂直磁気記録方式に適用される構造を有し、アルチック（Al2O3−TiC）のような非磁性材からなる基板１と、アルミナ（Al2O3）などの絶縁層２を介して基板１上に形成された磁気再生ヘッド１０と、アルミナなどの非磁性材よりなる絶縁磁気分離層３を介して磁気再生ヘッド１０上に形成された磁気記録ヘッド２０とを有している。
【００１５】
非磁性の基板１は、磁気ヘッドの形成後に切断、研磨等によってスライダ形状に加工される。スライダ加工後には、磁気再生ヘッド１０と磁気記録ヘッド２０から構成される磁気ヘッド素子は磁気記録媒体５の記録面に対向して配置される。
基板１上において、磁気再生ヘッド１０は磁気記録媒体５に対してリーディング側となるように配置され、磁気記録ヘッド２０はトレーリング側に配置される。
再生磁気ヘッド１０は、絶縁層２の上に順に形成された下部磁気シールド層１１、絶縁ギャップ層１２及び上部磁気シールド層１４から構成され、絶縁ギャップ層１２の中には再生用素子１３が形成されている。
【００１６】
下部磁気シールド層１１と上部磁気シールド層１４は磁性材、例えばFeNi（例えば、Fe：９０質量％、Ni：１０質量％）合金層から構成され、また、絶縁ギャップ層１２はアルミナのような絶縁材から構成されている。再生用素子１３は、絶縁ギャップ層１２内に形成される一対の電極（不図示）に接続されるが、その素子構造によっては下部及び上部磁気シールド層１１、１４が一対の電極として兼用されることもある。
【００１７】
再生用素子１３として、例えば磁気抵抗（ＭＲ）効果素子、巨大磁気抵抗(ＧＭＲ)効果素子又はトンネル磁気抵抗(ＴＭＲ)効果素子が形成される。
再生用素子１３は、磁気記録媒体５に対する磁気ヘッドの浮上面（ＡＢＳ面：Air Bearing Surface）、即ち媒体対向面となる領域に形成される。
【００１８】
磁気記録ヘッド２０は、絶縁磁気分離層３上に形成された主磁極２１と、主磁極２１の周囲に形成された平坦化絶縁層２２と、主磁極２１及び平坦化絶縁層２２の上に形成された非磁性ギャップ層２３と、非磁性ギャップ層２３上に形成された下地絶縁層２４ａと、下地絶縁層２４ａ上に形成された励磁コイル２５と、励磁コイル２５を覆う被覆絶縁層２４ｂと、被覆絶縁層２４ｂのトレーリング側の上に形成された磁性層からなるリターンヨーク２６とを有している。さらに、磁気記録ヘッド２０は、リターンヨーク２６の媒体対向面側の先端部に接続され且つ非磁性ギャップ層２３上に形成されて主磁極２１に近接するトレーディング側磁気シールド層２７と、主磁極２１のクロストラック側に近接して形成されるサイド磁気シールド（不図示）等を有している。
【００１９】
なお、磁気記録ヘッド２０においては、主磁極２１のトレーリング側だけでなく、リーディング側にも励磁コイルとリターンヨークが配置される構造もある。
主磁極２１は、図２の斜視図に示すように、四角形の平面形状を有する磁気誘導部２１ａと、磁気誘導部２１ａからＡＢＳ面（媒体対向面）側に突出して絞り込まれるテーパー状のフレア部２１ｂと、フレア部２１ｂのうちＡＢＳ面側の先端から突出するストライプ状の先端部２１ｃとから構成されている。
【００２０】
主磁極２１の磁気誘導部２１ａは、励磁コイル２５のほぼ中央の隙間を通して形成されるコンタクトホール２８を通してリターンヨーク２６に磁気的に接続されている。
主磁極２１においては、励磁コイル２５により発生した磁界を磁気誘導部２１ａがフレア部２１ｂに誘導し、その磁界をフレア部２１ｂが絞り込んで先端部２１ｃを通して磁気記録媒体５に出す構造となっている。
【００２１】
先端部２１ｃの幅は１００ｎｍ〜２００ｎｍと細く、その高さ（厚さ）は幅に比べて大きくなっている。先端部２１ｃの高さは例えば二百数十ｎｍである。また、先端部２１ｃの長さ、即ちスロートハイトは例えば１００ｎｍ〜２００ｎｍとなっている。
先端部２１ｃの端面の形状は逆台形となっている。逆台形とは、対向する二辺のうち絶縁磁気分離層３側にある下辺の長さが上辺の長さよりも短い台形であり、例えば、下辺は５０ｎｍ〜１００ｎｍ、上辺は１００ｎｍ〜２００ｎｍとなっている。これにより、先端部２１ｃの両側面は逆テーパー状になる。
【００２２】
次に、主磁極２１の形成工程を図３〜図８に基づいて説明する。なお、図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）及び図７（ａ）は、図２のＩ−Ｉ線から見た先端部２１ｃの形成工程の断面図を示し、図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）及び図７（ｂ）は、図２のII−II線から見たフレア部２１ｂの形成工程の断面図を示し、また、図８は、主磁極２１の形成に使用するレジストパターンを示す斜視図、図９（ａ）〜（ｃ）は、主磁極２１の形成工程の平面図を示している。
【００２３】
まず、基板１の上に、図１に示した絶縁層２、磁気再生ヘッド１０及び絶縁磁気分離層３を順に形成する。絶縁磁気分離層３の厚さを例えば５００ｎｍとする。
次に、絶縁磁気分離層３上にパーマロイ（FeNi）、鉄コバルトニッケル（FeCoNi）、鉄コバルト（FeCo）等の磁性層３１をスパッタ法により例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍの厚さに形成する。なお、磁性層３１として、高飽和磁束密度の磁性層と非磁性層を交互に形成した多層構造を採用してもよい。
【００２４】
続いて、磁性層３１上にハードマスク層としてタンタル（Ta）層３２をスパッタ法により例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。なお、ハードマスク層として、金属層とアルミナ層の二層構造などを採用してもよい。
その後に、図３（ａ）、（ｂ）、図９（ａ）に示すように、Ta層３２上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、レジストパターン３３を形成する。
【００２５】
レジストパターン３３は、図２に示した主磁極２１よりも一回り大きな平面形状の磁気誘導部領域３０ａ、フレア領域３０ｂ、先端部領域３０ｃを有するとともに、先端部領域３０ｃを延長したストライプ形状のブリッジ領域３０ｄとこれに接続される略五角形の先端支持領域３０ｅを有し、さらに、フレア領域３０ｂの両側方に所定の間隔で離間されたフレア保護領域３０ｆを有している。なお、フレア保護領域３０ｆの一部は、磁気誘導部領域３０ａに接続されている。
【００２６】
レジストパターン３３のうち、フレア領域３０ｂと先端部領域３０ｃの接続部分とその両側のフレア保護領域３０ｆの配置関係は、例えば図８に示す斜視図のようになる。
次に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、レジストパターン３３をマスクにしてTa層３２を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりエッチングする。これにより、レジストパターン３３の形状をTa層３２に転写してTaよりなるハードマスク３２Ｍを形成する。ＲＩＥ法のエッチングガスとして例えばＣＦ４を使用する。なお、ＲＩＥ法の代わりにイオンミリング法を用いてもよい。
【００２７】
ハードマスク３２Ｍは、レジストパターン３３と同様に、磁気誘導部領域３０ａ、フレア領域３０ｂ、先端部領域３０ｃ、ブリッジ領域３０ｄ、先端支持領域３０ｅ及びフレア保護領域３０ｆを有している。
続いて、基板１をイオンミリング装置のチャンバ内に入れ、ハードマスク３２Ｍに覆われずに露出した領域の磁性層３１をイオンミリングにより除去することにより、図９（ｂ）に示す磁性体パターン３１ａを形成する。なお、図９（ｂ）において、レジストパターン３３とハードマスク３２Ｍは、一部を切り欠いて描かれている。
【００２８】
磁性体パターン３１ａは、ハードマスク３２Ｍと同じ平面形状を有し、図２に示した磁気誘導部２１ａ、フレア部２１ｂ、先端部２１ｃを有するとともに、先端部２１ｃを延長したストライプ状のブリッジ部２１ｄと、ブリッジ部２１ｄに繋がる略五角形の先端支持部２１ｅと、フレア部２１ｂの両側に間隔をおいて配置されるフレア保護部２１ｆを有している。
先端支持部２１ｅは、ブリッジ部２１ｄとの接続部分から徐々に広がるフレア領域を介して所定の幅を有する平面形状となっている。先端支持部２１ｅと磁気誘導部２１ａは、橋頭堡のように先端部２１ｃを支え、先端部２１ｃが主磁極形成工程中に倒れたり折れ曲がったりすることを防止している。
【００２９】
フレア保護部２１ｆは、後述するイオンミリング工程においてフレア部２１ｂを保護するために設けられ、フレア部２１ｂの両側に所定の距離で離間されている。フレア保護部２１ｆについては、イオンミリング後に消滅する程度の幅を有することが好ましいが、イオンミリング後に残されても主磁極２１の磁気特性に影響を与えなければその幅は限定されない。
なお、イオンミリングの際には、磁性体パターン３１ａの上面はハードマスク３２Ｍにより保護される。また、過剰なミリングにより絶縁磁気分離層３に凹部が形成される。
【００３０】
次に、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、基板１の向きを調整することにより、イオンミリングの方向を基板１の上面に対して例えば８０度の角度に傾けて、磁性体パターン３１ａの一側面、例えば右側面に対してイオンミリングを行う。
磁性体パターン３１ａの一側面をイオンミリングした後に、基板１の向きを調整することにより、イオンミリングの方向を基板１の上面に対して例えば１１０度の角度とし、磁性体パターン３１ａの他側面、例えば左側面に対してイオンミリングを行う。
【００３１】
磁性体パターン３１ａの先端部２１ｃの左右を別工程でイオンミリングせずに、基板１を回転させて連続して一側、他側をイオンミリングしてもよい。イオンミリング方向に対して基板１を例えば上記の８０度で傾けた状態で面方向に基板１を回転させる方法を採用すると、磁性体パターン３１ａの左右の側面に対してイオンミリングを連続して行える。
以上のようなイオンミリングにより、磁性体パターン３１ａの少なくとも左右の側面が逆テーパー状になり、磁性体パターン３１ａの断面形状が逆台形となる。即ち、図５（ａ）に示すように、磁性体パターン３１ａの先端部２１ｃは逆台形となり、また、図５（ｂ）に示すように、フレア部２１ｂ及びフレア保護部２１ｆもそれぞれ逆台形となる。
【００３２】
このイオンミリングの際には、磁性体パターン３１ａの上面はハードマスク３２Ｍにより保護されて主磁極２１の高さは変更されない。また、絶縁磁気分離層３表面の凹部はイオンミリングにより深さが増す。
次に、基板１の向きを調整することにより、基板１上面に対するイオンミリングの方向の傾きを例えば約１０度と小さくして、磁性体パターン３１ａの一側面に対してイオンミリングを行う。
【００３３】
続いて、磁性体パターン３１ａの一側面をイオンミリングした後に、基板１の向きを再調整して、イオンミリングの方向を基板１の上面に対して例えば１７０度の角度とし、磁性体パターン３１ａの他側面に対してイオンミリングを行う。
磁性体パターン３１ａの先端部２１ｃの左右を別々ではなく、基板１を回転させてイオンミリングしてもよい。イオンミリング時に、基板１を面方向に回転させる方法を採用すると、同一工程で主磁極２１の左右の側面に対してイオンミリングを連続して行える。
【００３４】
そのようなイオンミリングにより、図６（ａ）に示すように、磁性体パターン３１ａの先端部２１ｃの幅を縮小し、細い台形状又は逆三角形状にスリム化する。
また、図６（ｂ）に示すフレア部２１ｂは、フレア保護部２１ｆによってスリム化が妨げられ、フレア保護部２１ｆはイオンミリングにより除去される。
【００３５】
フレア部２１ｂのうち先端部２１ｂに近い領域は、フレア保護部２１ｆと先端部２１ｃの間隙を通してある程度イオンミリングされるので、フレア部２１ｂが許容範囲以上に後退しないように、フレア保護部２１ｆの位置を調整しておく。
このイオンミリングの際にも、磁性体パターン３１ａの上面はハードマスク３２Ｍにより保護されて主磁極２１の高さは変更されない。また、絶縁磁気分離層３の凹部は、イオンミリングにより深さが増す。
なお、フレア保護部２１ｆが削除された場合には、その痕跡として絶縁磁気分離層３の上面には凸部３ａが存在する。
【００３６】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、ＣＦ４を有する反応ガスを使用してＲＩＥ法によってハードマスク３２Ｍを除去する。
以上のようなイオンミリング工程とハードマスク３２Ｍの除去工程により、図９（ｃ）に示す平面形状の主磁極２１が形成され、先端部２１ｃは、ブリッジ２１ｄを介して先端支持部２１ｅに支持された状態となっている。
【００３７】
次に、図１に示したように、主磁極２１及び絶縁磁気分離層３の上に平坦化絶縁層２２としてアルミナ層をスパッタにより形成し、さらにその平坦化絶縁層２２を化学機械研磨（ＣＭＰ）法により研磨して平坦にするとともに、主磁極２１の上面を露出させる。
その後に、主磁極２１及び平坦化絶縁層２２の上に、非磁性ギャップ層２３、下地絶縁層２４ａ、励磁コイル２５、被覆絶縁層２４ｂ、リターンヨーク２６等を形成し、これにより磁気ヘッド用ウェハを完成させる。
【００３８】
その後に、磁気ヘッド用ウェハを所定形状に切断、加工し、最終的に磁気ヘッドスライダを形成する。それらのプロセスにおいて、主磁極２１に接続された支持部２１ｅ及びブリッジ部２１ｄを除去するとともに先端部２１ｃの長さ、即ちスロートハイトを調整し、図２に示すような形状にする。
【００３９】
以上のような工程によれば、フレア部２１ｂの両側に離間してフレア保護部２１ｆを配置したので、イオンミリングによって主磁極２１の先端部２１ｃをスリム化する際に、磁気誘導部２１ａへのフレア部２１ｂの後退量を抑制することができる。これにより、先端部２１ｃのスロートハイトのバラツキを許容範囲に収めることができる。
【００４０】
ところで、図１０（ａ）に示すように、フレア保護部２１ｆを磁気誘導部２１ａから離してもよく、これにより、フレア保護部２１ｆと磁気誘導部２１ａを磁気的に分離することができる。このフレア保護部２１ｆは、倒れないように折れ曲げられた平面形状を有している。
また、イオンミリングによりスリム化された先端部２１ｃの断面形状は、逆台形に限られるものではなく、図１０（ｂ）に示すように、逆三角形にしてもよい。ここで、逆三角形というのは、１つの頂点が絶縁磁気分離層３に接するとともに、その頂点に対向する辺が上側に位置する状態の三角形である。
【００４１】
（第２の実施の形態）
図１１〜図１４は、本発明の第２実施形態に係る磁気ヘッドを構成する主磁極の形成工程を示す断面図である。なお、図１０（ａ）、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）及び図１４（ａ）は、図２のＩ−Ｉ線から見た主磁極２１の先端部２１ｃの形成工程の断面図を示し、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）、図１３（ｂ）及び図１４（ｂ）は、図２のII−II線から見たフレア部２１ｂの形成工程の断面図を示し、また、図１５（ａ）〜（ｃ）は、主磁極２１の形成工程の平面図を示している。
【００４２】
まず、第１実施形態と同様に、基板１上に絶縁層２、磁気再生ヘッド１０及び絶縁磁気分離層３を順に形成する。続いて、絶縁磁気分離層３の上に、めっきシード層４１として、例えば、Ta層又はRu層のような非磁性導電層をスパッタ法により約５０ｎｍの厚さに形成する。なお、非磁性導電層は、後述するイオンミリング後に残存しても主磁極２１を通る磁界に影響を及ぼすことはない。
次に、めっきシード層４１の上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、図１１（ａ）、（ｂ）、図１５（ａ）に示すような開口部４３を有するレジストパターン４２を形成する。
【００４３】
レジストパターン４２の開口部４３は、図２に示した主磁極２１よりも一回り大きな平面形状の磁気誘導部領域４０ａ、フレア領域４０ｂ、先端部領域４０ｃを有するとともに、先端部領域４０ｃを延長したストライプ状のブリッジ領域４０ｄとこれに接続される略五角形の先端支持領域４０ｅを有する。また、開口部４３は、フレア領域４０ｂの両側方に所定の間隔をおいてフレア保護領域４０ｆを有している。なお、フレア保護領域４０ｆと磁気誘導部領域４０ａは一体の形状を有している。
【００４４】
次に、図１２（ａ）、図１２（ｂ）に示すように、基板１を所定温度の加熱炉に入れて、レジストパターン４２をキュアリングすることにより、開口部４３の断面形状を四角から逆台形に変形させる。
さらに、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すように、めっきシード層４１をめっき電極に使用して電解めっき法により開口部４３内にパーマロイ、鉄コバルトニッケル、鉄コバルト等の磁性層を例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍの厚さに形成し、断面が逆台形の磁性体パターン４４を形成する。
【００４５】
磁性体パターン４４の平面形状は、図１５（ｂ）に示すようになり、第１実施形態と同様に、磁気誘導部２１ａ、フレア部２１ｂ、先端部２１ｃを有するとともに、先端部２１ｃを延長したストライプ状のブリッジ部２１ｄと、ブリッジ部２１ｄに繋がる略五角形の先端支持部２１ｅと、フレア部２１ｂの両側に離間されるフレア保護部２１ｆを有している。
【００４６】
先端支持部２１ｅは、ブリッジ部２１ｄとの接続部分から徐々に広がるフレア領域を介して所定の幅を有する形状、例えば上記のように五角形の平面形状を有している。
これにより、先端支持部２１ｅと磁気誘導部２１ａは、橋頭堡のように先端部２１ｃを支え、先端部２１ｃが主磁極形成工程中に倒れたり折れ曲がったりすることを防止している。
【００４７】
また、フレア保護部２１ｆは、後述するイオンミリングからフレア部２１ｂを保護するために設けられ、その幅は、イオンミリング後に消滅する程度の値であることが好ましいが、イオンミリング後に残っても磁気特性に影響を与えない程度の幅であればよい。
レジストパターン４２を溶剤等により除去した後に、基板１をイオンミリング装置のチャンバ内に入れる。そして、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１の向きを調整することにより、基板１の上面に対するイオンミリングの相対的な角度を例えば１０度として、磁性体パターン４４の一側面に対してイオンミリングを行う。
【００４８】
続いて、磁性体パターン４４の一側面をイオンミリングした後に、イオンミリングの方向を基板１上面に対して例えば１７０度の角度として、磁性体パターン４４の他側面にイオンミリングを施す。
ところで、基板１を面方向に回転して、磁性体パターン４４の先端部２１ｃをイオンミリングしてもよい。イオンミリング時に基板１を面方向に回転させる方法を採用すると、磁性体パターン４４の左右の側面に対してイオンミリングを連続して行うことができる。
【００４９】
そのようなイオンミリングにより、図１５（ｃ）に示すように、先端部２１ｃの幅が縮小して細い台形状又は逆三角形状にスリム化し、磁性体パターン４４は主磁極２１となり、先端部２１ｃはブリッジ２１ｄを介して先端支持部２１ｅに支持された状態となる。
なお、フレア部２１ｂは、フレア保護部２１ｆと先端部２１ｃの間隙を通してある程度イオンミリングされるが、その後退量は僅かである。
【００５０】
イオンミリングの際には、主磁極２１の上面が削れて薄くなる。また、絶縁磁気分離層３上のめっきシード層４１のうち磁性体パターン４４に覆われない部分が除去され、さらに、絶縁磁気分離層３のうち主磁極２１の周囲には凹部が形成される。なお、フレア保護部２１ｆが存在した痕跡として絶縁磁気分離層３には凸部３ｂが存在する。
次に、第１実施形態と同様に、主磁極２１の周囲に平坦化絶縁層２２を形成し、さらに主磁極２１及び平坦化絶縁層２２の上に、非磁性ギャップ層２３、下地絶縁層２４ａ、励磁コイル２５、被覆絶縁層２４ｂ、リターンヨーク２６等を形成し、これにより磁気ヘッド用ウェハを完成させる。
【００５１】
その後に、磁気ヘッド用ウェハを所定形状に切断、加工し、最終的に磁気ヘッドスライダを形成する。それらのプロセスにおいて、主磁極２１の支持部２１ｅ及びブリッジ部２１ｄを除去するとともに先端部２１ｃの長さを調整し、図２に示すような形状にする。
【００５２】
以上のような工程によれば、第１実施形態と同様に、イオンミリングによって主磁極２１の先端部２１ｃをスリム化する際に、フレア保護部２１ｆによってフレア部２１ｂをイオンミリングから防護することができ、これによりフレア部２１ｂの後退量を少なくして先端部２１ｃのスロートハイトのバラツキを抑制することができる。
また、第１実施形態において図１０（ａ）に示したように、フレア保護部２１ｆを磁気誘導部２１ａから離してもよい。また、先端部２１ｃの形状を逆三角形状にしてもよい。
【００５３】
本発明は、上述の実施形態に詳細が記載されている。しかし、本発明の精神と範囲から逸脱しない様々な態様と変更があることは明らかである。例えば、ここに記載されているプロセスの詳細な順序や組み合わせは実例にすぎず、また、本発明は、異なる又は追加のプロセス、又は異なる組み合わせ若しくは順序で使用されてもよい。さらに、例えば、ある実施形態における各特徴は、他の実施形態における他の特徴と混合、適合させることもできる。特徴は、追加的に明白に、要求に応じて加えられたり或いは取り去られたりされるかもしれない。従って、本発明は、添付の特許請求項及びそれらの対応特許の観点を除いて限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドにおける磁気記録ヘッドに適用される主磁極を示す斜視図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程（その１）を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気記録ヘッドの主磁極の形成工程（その２）を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程（その３）を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程（その４）を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程（その５）を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態に係る磁気記録ヘッドの主磁極の形成に使用するレジストパターンの一部を示す斜視図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程を示す平面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、本発明の実施形態に係る磁気記録ヘッドの主磁極の形成工程の他の例を示す平面図、図１０（ｂ）は、本発明の実施形態に係る磁気記録ヘッドの主磁極の他の例を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程（その１）を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程（その２）を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程（その３）を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程（その４）を示す断面図である。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造工程における主磁極の形成工程を示す平面図である。
【図１６】図１５（ａ）は、磁気記録ヘッドの主磁極の一般的な形状を示す平面図、図１５（ｂ）はその断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  基板
２  絶縁層
３  絶縁磁気分離層（下地層）
５  磁気記録媒体
１０  磁気再生ヘッド
２０  磁気記録ヘッド
２１  主磁極
２１ａ  磁気誘導部
２１ｂ  フレア部
２１ｃ  先端部
２１ｄ  ブリッジ部
２１ｅ  先端支持部
２１ｆ  フレア保護部
２２  平坦化絶縁層
２３  非磁性ギャップ層
２４ａ  下地絶縁層
２４ｂ  被覆絶縁層
２５  励磁コイル
２６  リターンヨーク
２７  磁気シールド層
３１  磁性層
３２  タンタル層
３３  レジストパターン
４１  めっきシード層
４２  レジストパターン
４３  開口部
４４  磁性体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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