(57)【要約】【課題】受動部品の接続信頼性を向上させて半導体装置の信頼性を高める。【解決手段】第１板状リード６の第１電極部６ｂに第１貫通孔６ｃが形成され、かつ第２板状リード７の第２電極部７ｂに第２貫通孔７ｃが形成されたことにより、第１板状リード６の第１電極部６ｂにおいて受動部品５の一方の外部端子５ｂが第１貫通孔６ｃを跨いでその両側の第１電極部６ｂに接続するとともに、第２板状リード７の第２電極部７ｂにおいて受動部品５の他方の外部端子５ｂが第２貫通孔７ｃを跨いでその両側の第２電極部７ｂに接続することができ、これにより、受動部品５の長手方向及び幅方向の両方向の中央部で受動部品５が封止体１２によって包囲された形態を形成することができる。その結果、半田等の接合材１３に付与される熱応力を低減して半導体装置（半導体パッケージ１）の信頼性を高める。【選択図】図４
2009182022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ板状リード上に実装された半導体チップと受動部品を有する半導体装置であって、
両端に外部端子が形成された前記受動部品の一方の端部の外部端子に電気的に接続する第１電極部を有し、前記第１電極部に第１凹部が形成された第１板状リードと、
前記第１板状リードと隙間を隔てて配置され、前記受動部品の他方の端部の外部端子に電気的に接続する第２電極部を有し、前記第２電極部に第２凹部が形成された第２板状リードと、
前記第１板状リードの前記第１電極部と前記受動部品の一方の前記外部端子を、及び前記第２板状リードの前記第２電極部と前記受動部品の他方の前記外部端子をそれぞれ電気的に接続する接合材と、
前記受動部品及び前記半導体チップを樹脂封止する封止体とを有し、
前記第１板状リードの前記第１電極部において前記受動部品の一方の前記外部端子が前記第１凹部を跨いでその両側の前記第１電極部に接続し、
前記第２板状リードの前記第２電極部において前記受動部品の他方の前記外部端子が前記第２凹部を跨いでその両側の前記第２電極部に接続し、
前記受動部品は、その４つの角部で各外部端子がそれぞれ前記第１板状リードの前記第１電極部または前記第２板状リードの前記第２電極部の何れかと前記接合材を介して接続され、
前記受動部品の両側の外部端子の間の領域は前記封止体の一部によって包囲されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
それぞれ板状リード上に実装された半導体チップと受動部品を有する半導体装置であって、
両端に外部端子が形成された前記受動部品の一方の端部の外部端子に電気的に接続する第１電極部を有し、前記第１電極部をはさむように設けられた一対の第１凹部が形成された第１板状リードと、
前記第１板状リードと隙間を隔てて配置され、前記受動部品の他方の端部の外部端子に電気的に接続する第２電極部を有し、前記第２電極部をはさむように設けられた一対の第２凹部が形成された第２板状リードと、
前記第１板状リードの前記第１電極部と前記受動部品の一方の前記外部端子を、及び前記第２板状リードの前記第２電極部と前記受動部品の他方の前記外部端子をそれぞれ電気的に接続する接合材と、
前記受動部品及び前記半導体チップを樹脂封止する封止体とを有し、
前記第１板状リードの前記第１電極部において前記受動部品の一方の前記外部端子が前記第１電極部をはさむように設けられた一対の前記第１凹部に跨がった状態で前記第１電極部に接続し、
前記第２板状リードの前記第２電極部において前記受動部品の他方の前記外部端子が前記第２電極部をはさむように設けられた一対の前記第２凹部に跨がった状態で前記第２電極部に接続し、
前記受動部品の両側の外部端子の間の領域は前記封止体の一部によって包囲されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記第１板状リードの前記第１電極部の角部に前記第１凹部より浅い第３凹部が形成され、かつ前記第２板状リードの前記第２電極部の角部に前記第２凹部より浅い第４凹部が形成され、前記受動部品は、２つの前記第３凹部と２つの前記第４凹部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、前記第１、第２凹部は貫通孔であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置において、前記第１板状リードの前記第１電極部に前記第１凹部より浅い第３凹部が形成され、かつ前記第２板状リードの前記第２電極部に前記第２凹部より浅い第４凹部が形成され、前記受動部品は、前記第３凹部と前記第４凹部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、前記第１、第２凹部は貫通孔であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３記載の半導体装置において、前記第３、第４凹部における凹部深さ（ｂ）と支持部厚さ（ａ）の関係は、（ａ）＜（ｂ）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項３記載の半導体装置において、前記第３、第４凹部における凹部深さ（ｂ）と支持部厚さ（ａ）の関係は、（ａ）＞（ｂ）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項３記載の半導体装置において、前記第３、第４凹部における凹部深さ（ｂ）と支持部厚さ（ａ）の関係は、（ａ）＝（ｂ）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、前記第１板状リードの前記第１電極部及び前記第２板状リードの前記第２電極部それぞれの周囲に第５凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置において、前記第５凹部の幅は、前記第１凹部及び前記第２凹部それぞれの幅より狭く、かつ前記第１板状リードと前記第２板状リードの間の前記隙間の幅より狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体装置において、前記第５凹部は、前記受動部品を囲むように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０記載の半導体装置において、一端が前記第１凹部または前記第２凹部の何れかに連通し、他端が前記第５凹部に連通する溝部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置において、前記第１板状リードの前記第１電極部の角部に前記第１凹部より浅い第３凹部が形成され、かつ前記第２板状リードの前記第２電極部の角部に前記第２凹部より浅い第４凹部が形成され、前記受動部品は、２つの前記第３凹部と２つの前記第４凹部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置において、前記溝部の前記一端は、前記第３、第４凹部に連通していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置において、前記溝部の前記一端は、前記第３、第４凹部の隅部に連通していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項３記載の半導体装置において、前記第３、第４凹部での前記受動部品の接続では、前記受動部品の長手方向に対して、前記第１板状リードの前記第１電極部及び前記第２板状リードの前記第２電極部それぞれの内側端部の位置が、前記受動部品の前記外部端子の内側端部の位置より外側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項５記載の半導体装置において、前記第３、第４凹部での前記受動部品の接続では、前記受動部品の長手方向に対して、前記第１板状リードの前記第１電極部及び前記第２板状リードの前記第２電極部それぞれの内側端部の位置が、前記受動部品の前記外部端子の内側端部の位置より外側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
ＤＣ−ＤＣコンバータを含む半導体装置であって、
第１リードフレーム上に搭載された、前記ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するハイサイドＭＯＳＦＥＴが形成された第１半導体チップと、
前記第１リードフレームと対向する第２リードフレームと、
第３リードフレーム上に搭載された、前記ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するローサイドＭＯＳＦＥＴが形成された第２半導体チップと、
第４リードフレーム上に搭載された、前記ハイサイドＭＯＳＦＥＴおよびローサイドＭＯＳＦＥＴを駆動するドライバ回路が形成された第３半導体チップと、
２つの端子を有する受動部品と、
前記第１〜第３半導体チップおよび前記受動部品を覆う絶縁性樹脂
を含み、
前記第２半導体チップは前記第２リードフレームと電気的に接続され、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームの対向する位置にそれぞれ凹部が形成され、
前記受動部品の２つの端子は、それぞれ導電性の接合材を介して前記第１および第２リードフレームに形成された凹部に固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置において、前記凹部の中央部付近にはそれぞれ前記第１および第２リードフレームを貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１９記載の半導体装置において、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームは容量性結合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体装置において、前記受動部品は容量素子からなり、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームは容量性結合していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、受動部品と半導体チップを混載する半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、サーバ、ゲーム機等に搭載されるＣＰＵ（Central Processing Unit)の高性能化に伴い、ＣＰＵ用の電源回路には高速応答、大出力電流、高集積化等が要求されている。
【０００３】
電源回路の一例として広く使用されているＤＣ−ＤＣコンバータは、ハイサイド用のパワーＭＯＳＦＥＴとローサイド用のパワーＭＯＳＦＥＴとが直列に接続された構成を有し、ドライバ回路（ドライバＩＣ）によって制御される。
【０００４】
ＤＣ−ＤＣコンバータの高速化及び高効率化等を実現する為、ハイサイド用のパワーＭＯＳＦＥＴが形成された半導体チップ、ローサイド用のパワーＭＯＳＦＥＴが形成された半導体チップおよびドライバ回路が形成された半導体チップをリードフレーム上に搭載し、１パッケージ化した半導体装置がある（例えば、特許文献１）。
【０００５】
また、ＤＣ−ＤＣコンバータに供給される電源電圧の安定化等を目的として容量素子等の受動部品が必要となる。従来、この受動部品は、例えば特許文献１に開示されたパッケージの外に配置されていた。
【０００６】
本発明者らは、パワーＭＯＳＦＥＴおよびドライバ回路をリードフレーム上に搭載したパッケージ中に受動部品を搭載することで半導体装置の高性能化を検討し、リードフレーム上に受動部品を搭載する際の問題点を見出した。
【０００７】
なお、リードフレーム上に受動部品を搭載する技術に関しては、例えば特許文献２、特許文献３、特許文献４に開示がある。また、半導体チップと受動部品を同一のパッケージに搭載する技術に関しては、例えば特許文献５に開示がある。
【特許文献１】特開２００５−２９４４６４号公報
【特許文献２】特開２００４−２９６６２４号公報
【特許文献３】特開２００４−３５６４９４号公報
【特許文献４】特開２００２−１２４６１６号公報
【特許文献５】特開２００３−２４３５９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
受動部品を上述したパッケージ内に搭載する場合、受動部品は２つのリードフレーム間に半田等の接合材を介して固定され、さらに絶縁性の樹脂によって覆われる。この構造では、リードフレームは、例えば、銅合金製であり、受動部品は、例えば、セラミック製であり、絶縁性の樹脂は、例えば、エポキシ系の樹脂である。
【０００９】
したがって、それぞれの部材の熱膨張係数（α）が異なっているため、リフロー時や温度サイクル時に、熱膨張差によって接合材（例えば、半田）に応力（熱応力）がかかり、接合材の破壊に至ることが問題である。それぞれの材料の熱膨張係数は、例えば、銅合金が約１８ｐｐｍ／Ｋ、セラミックが約５ｐｐｍ／Ｋ、エポキシ系の樹脂が約１５ｐｐｍ／Ｋである。
【００１０】
したがって、これら部材の熱膨張係数（α）の差により、高温処理時に、各部材の熱膨張差によって応力が発生し、この応力が接合材に付与されて接合材（例えば、半田）の破断が発生したり、接合材とリードの界面剥離が発生したりという問題が起こる。
【００１１】
本発明の目的の一つは、半導体チップと受動部品を１パッケージ化することで半導体装置の高性能化を図ることである。
【００１２】
また、本発明の他の目的の一つは、受動部品をリードフレームに搭載する際に、接続信頼性を向上させて半導体装置の信頼性を高めることである。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１５】
すなわち、本発明は、両端に外部端子が形成された受動部品の一方の端部の外部端子に電気的に接続する第１電極部を有し、前記第１電極部に第１凹部が形成された第１板状リードと、第１板状リードと隙間を隔てて配置され、前記受動部品の他方の端部の外部端子に電気的に接続する第２電極部を有し、前記第２電極部に第２凹部が形成された第２板状リードとを有するものである。さらに、前記第１板状リードの前記第１電極部と前記受動部品の一方の前記外部端子を、及び前記第２板状リードの前記第２電極部と前記受動部品の他方の前記外部端子をそれぞれ電気的に接続する接合材と、前記受動部品及び前記半導体チップを樹脂封止する封止体とを有するものである。さらに、前記第１板状リードの前記第１電極部において前記受動部品の一方の前記外部端子が前記第１凹部を跨いでその両側の前記第１電極部に接続し、前記第２板状リードの前記第２電極部において前記受動部品の他方の前記外部端子が前記第２凹部を跨いでその両側の前記第２電極部に接続するものである。さらに、前記受動部品は、その４つの角部で各外部端子がそれぞれ前記第１板状リードの前記第１電極部または前記第２板状リードの前記第２電極部の何れかと前記接合材を介して接続され、前記受動部品の両側の外部端子の間の領域は前記封止体の一部によって包囲されているものである。
【００１６】
また、本発明は、両端に外部端子が形成された受動部品の一方の端部の外部端子に電気的に接続する第１電極部を有し、前記第１電極部をはさむように設けられた一対の第１凹部が形成された第１板状リードと、前記第１板状リードと隙間を隔てて配置され、前記受動部品の他方の端部の外部端子に電気的に接続する第２電極部を有し、前記第２電極部をはさむように設けられた一対の第２凹部が形成された第２板状リードとを有するものである。さらに、前記第１板状リードの前記第１電極部と前記受動部品の一方の前記外部端子を、及び前記第２板状リードの前記第２電極部と前記受動部品の他方の前記外部端子をそれぞれ電気的に接続する接合材と、前記受動部品及び前記半導体チップを樹脂封止する封止体とを有するものである。さらに、前記第１板状リードの前記第１電極部において前記受動部品の一方の前記外部端子が前記第１電極部をはさむように設けられた一対の前記第１凹部に跨がった状態で前記第１電極部に接続し、前記第２板状リードの前記第２電極部において前記受動部品の他方の前記外部端子が前記第２電極部をはさむように設けられた一対の前記第２凹部に跨がった状態で前記第２電極部に接続するものである。さらに、前記受動部品の両側の外部端子の間の領域は前記封止体の一部によって包囲されているものである。
【００１７】
また、本発明は、第１リードフレーム上に搭載された、前記ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するハイサイドＭＯＳＦＥＴが形成された第１半導体チップと、前記第１リードフレームと対向する第２リードフレームと、第３リードフレーム上に搭載された、前記ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するローサイドＭＯＳＦＥＴが形成された第２半導体チップと、第４リードフレーム上に搭載された、前記ハイサイドＭＯＳＦＥＴおよびローサイドＭＯＳＦＥＴを駆動するドライバ回路が形成された第３半導体チップと、２つの端子を有する受動部品と、前記第１〜第３半導体チップおよび前記受動部品を覆う絶縁性樹脂を含み、前記第２半導体チップは前記第２リードフレームと電気的に接続され、前記第１リードフレームと第２リードフレームの対向する位置にそれぞれ凹部が形成され、前記受動部品の２つの端子は、それぞれ導電性の接合材を介して前記第１および第２リードフレームに形成された凹部に固定されているものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１９】
半導体チップと受動部品をリードフレーム上に搭載し１パッケージ化することで半導体装置の高性能化を図ることができる。
【００２０】
また、受動部品をリードフレームに搭載する際に、接続信頼性を向上させて半導体装置の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なも
のではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２３】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップなども含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２４】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。このことは前記数値および範囲についても同様である。
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の回路構成の一例と前記半導体装置を用いた電源用ＶＲの回路構成の一例を示す回路ブロック図、図３は本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。また、図４は図１のＡ部の構造の一例を示す部分拡大平面図、図５は図４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図６は図４のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図７は図４のＣ−Ｃ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図８は図４のＤ−Ｄ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。さらに、図９は図４に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図、図１０は図９に示す板状リードを中央部で切断した構造の一例を示す断面図、図１３は図９に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【００２７】
また、図１４は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造方法の一例を示す製造フロー図、図１５は図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す製造フロー図である。
【００２８】
図１に示す本実施の形態１の半導体装置は、半導体チップとチップ部品である受動部品とが混載された樹脂封止型の半導体パッケージ１であり、ここでは、図２に示すようなＣＰＵ（Central Processing Unit)用の電源システム等に用いられるマルチチップのドライバーＭＯＳＦＥＴ集積ＳＩＰ（System In Package)を一例として取り上げて説明する。
【００２９】
図１に示す半導体パッケージ１の構成について説明する。本半導体パッケージ１には、それぞれの間に隙間を有する第１板状リード（第１リードフレーム）６、第２板状リード（第２リードフレーム）７、第３板状リード（第３リードフレーム）８、第４板状リード（第４リードフレーム）９がある。第１板状リード６上に搭載された第１半導体チップであるパワーＭＯＳＦＥＴチップ（Ｈｉｇｈ−ｓｉｄｅ（ハイサイド））３と、第３板状リード８上に搭載された第２半導体チップであるパワーＭＯＳＦＥＴチップ（Ｌｏｗ−ｓｉｄｅ（ローサイド））４と、第４板状リード９上に搭載された第３半導体チップであるドライバＩＣチップ２と、第１板状リード６と第２板状リード７に跨がって搭載された受動部品５とから成る。
【００３０】
受動部品５は、チップ部品であり、例えば、コンデンサ、抵抗、インダクタ等である。一例としては、図２に示す電源システムに組み込まれた半導体パッケージ１に搭載されたチップコンデンサＣが本実施の形態１の受動部品５であり、この受動部品５は、例えば、電源の安定化を図るものである。電源回路の一例としては、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３とパワーＭＯＳＦＥＴチップ４とが直列に接続された構造を有し、かつこれらがドライバＩＣチップ２によって制御されるＤＣ−ＤＣコンバータが広く使用されている。
【００３１】
なお、半導体パッケージ１では、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３とパワーＭＯＳＦＥＴチップ４がドライバＩＣチップ２によって駆動される。したがって、ドライバＩＣチップ２のパッド２ａとパワーＭＯＳＦＥＴチップ３のパッド３ａとが導電性のワイヤ１０によって電気的に接続され、さらにドライバＩＣチップ２のパッド２ａとパワーＭＯＳＦＥＴチップ４のパッド４ａとが同じく導電性のワイヤ１０によって電気的に接続されている。
【００３２】
図２に示す電源システムでは、コントロールＩＣ１４に組み込まれた制御回路は、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３とパワーＭＯＳＦＥＴチップ４の動作を制御する回路であり、例えばパルス幅変調（Pulse Width Modulation：ＰＷＭ）回路によって構成されている。このパルス幅変調回路は、指令信号と三角波の振幅とを比較してＰＷＭ信号（制御信号）を出力する。このＰＷＭ信号により、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３とパワーＭＯＳＦＥＴチップ４の出力電圧（すなわち、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３とパワーＭＯＳＦＥＴチップ４の電圧スイッチオンの幅（オン時間））が制御されるようになっている。
【００３３】
コントロールＩＣ１４に組み込まれた制御回路の出力は、ドライバＩＣチップ２に組み込まれたドライバ回路の入力に電気的に接続されている。ドライバＩＣチップ２のドライバ回路の出力は、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３のゲート端子およびパワーＭＯＳＦＥＴチップ４のゲート端子に電気的に接続されている。このドライバ回路は、コントロールＩＣ１４の制御回路から供給されたＰＷＭ信号によって、それぞれのパワーＭＯＳＦＥＴチップ３、パワーＭＯＳＦＥＴチップ４のゲート端子の電位を制御し、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３とパワーＭＯＳＦＥＴチップ４の動作を制御する回路である。
【００３４】
なお、第１板状リード６、第２板状リード７、第３板状リード８及び第４板状リード９は、それぞれ銅合金等から成る板状のリードであり、それぞれに半導体パッケージ１の外部接続用の端子となる外部端子６ａ，７ａ，８ａ，９ａを備えている。
【００３５】
また、Ｈｉｇｈ−ｓｉｄｅのパワーＭＯＳＦＥＴチップ３のパッド３ａは、Ｌｏｗ−ｓｉｄｅのパワーＭＯＳＦＥＴチップ４の裏面電極が接続された第３板状リード８と導電性の接続板であるクリップ１１ａを介して電気的に接続されており、さらにＬｏｗ−ｓｉｄｅのパワーＭＯＳＦＥＴチップ４のパッド４ａは、受動部品５と電気的に接続された第２板状リード７とクリップ１１ｂを介して電気的に接続されている。
【００３６】
受動部品５は、本体部５ａと、本体部５ａの両端に形成された外部端子５ｂとからなり、図８に示すように、一方の端部の外部端子５ｂが第１板状リード６の第１電極部６ｂに電気的に接続されているとともに、他方の端部の外部端子５ｂが第１板状リード６と隙間を隔てて配置された第２板状リード７の第２電極部７ｂに電気的に接続されている。第１板状リード６と第２板状リード７の間の前記隙間には、封止用樹脂が充填されて形成された封止体１２の一部が配置されている。なお、受動部品５の本体部５ａは、例えば、セラミック等によって形成されている。
【００３７】
また、受動部品５の両端の外部端子５ｂは、図８に示すように、第１板状リード６の第１電極部６ｂまたは第２板状リード７の第２電極部７ｂにそれぞれ半田もしくは導電性の樹脂接着材等の接合材１３によって電気的に接続されている。つまり、第１板状リード６と第２板状リード７の対向する位置にそれぞれ凹部が形成され、受動部品５の２つの外部端子５ｂは、それぞれ導電性の接合材１３を介して第１板状リード６および第２板状リード７に形成された前記凹部に固定されている。
【００３８】
なお、受動部品５は、コンデンサに限らず、チップ抵抗、チップインダクタ等であってもよい。
【００３９】
また、半導体パッケージ１では、ドライバＩＣチップ２、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３、パワーＭＯＳＦＥＴチップ４、受動部品５、ワイヤ１０、クリップ１１ａ，１１ｂ、第１板状リード６、第２板状リード７、第３板状リード８及び第４板状リード９が樹脂製の封止体１２によって覆われて樹脂封止されている。なお、半導体パッケージ１の複数の外部端子６ａ，７ａ，８ａ，９ａは、封止体１２の裏面の周縁部に露出して、実装基板の電極等と電気的に接続可能となっている。
【００４０】
また、半導体パッケージ１では、放熱対策として、第１板状リード６の裏面、第３板状リード８の裏面、第４板状リード９の裏面及びクリップ１１ａ，１１ｂそれぞれの一面が封止体１２から露出した構造となっている。
【００４１】
なお、封止体１２は、例えば、絶縁性のエポキシ系のモールド樹脂から成る。
【００４２】
半導体パッケージ１の受動部品５およびその周辺に配置される主要部材それぞれの熱膨張係数は、一例として、銅合金が約１８ｐｐｍ／Ｋ、セラミックが約５ｐｐｍ／Ｋ、エポキシ系の樹脂が約１５ｐｐｍ／Ｋであるが、前記主要部材の熱膨張係数は、これらに限定されるものではない。
【００４３】
次に、図３に示す本実施の形態１の変形例の半導体装置について説明する。
【００４４】
図３に示す半導体装置は、ノンリード型のＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) １５であり、タブ１６上に搭載された半導体チップであるＩＣチップ１７の周囲に複数のリード１８が配置され、ＩＣチップ１７の電極とこれに対応するリード１８とが導電性のワイヤ１０によって電気的に接続された樹脂封止型の半導体装置である。
【００４５】
すなわち、ＩＣチップ１７や複数のワイヤ１０が封止用樹脂から成る封止体１２によって樹脂封止されており、この封止体１２の裏面の周縁部に複数のリード１８が外部接続用端子として露出して並んでいる。
【００４６】
このような構造のＱＦＮ１５においても、隙間を隔てて隣り合ったリード１８上に跨がってコンデンサ、抵抗、インダクタ等の受動部品５を搭載し、かつ受動部品５の外部端子５ｂを、リード１８それぞれと半田や導電性の樹脂接着材等の接合材１３を介して接合することで、本実施の形態１の半導体装置に適用できる。
【００４７】
次に、本実施の形態１の半導体パッケージ１に組み込まれる受動部品５の実装構造について説明する。
【００４８】
まず、図９及び図１０を用いて、受動部品５が実装されるリードの構造について説明する。図９及び図１０に示すように、受動部品５の一方の端部の外部端子５ｂ（図８参照）と電気的に接続する第１板状リード６の第１電極部６ｂには、第１貫通孔（第１凹部）６ｃが形成され、さらに、受動部品５の他方の端部の外部端子５ｂと電気的に接続する第２板状リード７の第２電極部７ｂには、第２貫通孔（第２凹部）７ｃが形成されている。また、第１板状リード６と第２板状リード７は、隙間を隔てて配置されている。なお、第１貫通孔６ｃや第２貫通孔７ｃのように、板状リードの一部分が抜き取られた部分（板状リード間の隙間部分は除く）をスリットとも呼ぶ。（スリット：リードの上面から下面に貫通）この隙間や第１貫通孔６ｃ及び第２貫通孔７ｃには封止用樹脂が充填されて封止体１２の一部が配置されている。
【００４９】
すなわち、第１板状リード６においては、その第１電極部６ｂの略中央に受動部品５の搭載方向に沿って第１貫通孔６ｃが形成されたことで第１電極部６ｂが２つに分割され、一方、第２板状リード７においても、その第２電極部７ｂの略中央に受動部品５の搭載方向に沿って第２貫通孔７ｃが形成されたことで第２電極部７ｂが２つに分割された形状となっている。
【００５０】
なお、第１貫通孔６ｃや第２貫通孔７ｃの領域は、必ずしも貫通せずに凹んだ凹部であってもよいが、リードの上面から下面に貫通した貫通孔であることが望ましい。
【００５１】
次に、図４に示す実装構造のうち、受動部品５を除いたものを図９に示す。また、図１０は、図９に示す板状リードを中央部で切断した構造の一例を示す断面図である。図９及び図１０に示すように、４つの領域に分割された第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂには、それぞれリードの厚さ方向に凹んだ切り欠き部とも呼ばれる第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成されている。すなわち、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂそれぞれの角部には第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成されている。言い換えると、第１板状リード６と第２板状リード７の対向する位置にそれぞれ第１板状リード６側には第３凹部６ｄ、第２板状リード７側には第４凹部７ｄが形成され、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄそれぞれの中央部付近には第１板状リード６を貫通する第１貫通孔６ｃ、及び第２板状リード７を貫通する第２貫通孔７ｃが形成されている。
【００５２】
受動部品５は、図４、図７及び図８に示すように、２つの第３凹部６ｄと２つの第４凹部７ｄに接合材１３を介して接続され、かつ支持されている。受動部品５は、例えば容量素子からなり、第１板状リード６と第２板状リード７は容量性結合している。
【００５３】
なお、第１凹部６ｃ及び第２凹部７ｃが貫通孔でない場合においても、第３凹部６ｄ及び第４凹部７ｄは、それぞれ第１凹部６ｃ及び第２凹部７ｃより浅い。言い換えれば、第１凹部６ｃ及び第２凹部７ｃは、それぞれ第３凹部６ｄ及び第４凹部７ｄより深い。
【００５４】
また、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄは、例えば、ハーフエッチングによって形成される。すなわち、例えば、板状リードの厚さが０．２ｍｍの場合、ハーフエッチングによって形成される第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄの深さは０．１ｍｍである。これら第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄによって、接合材１３の接合面積を増やすことができ、板状リードと受動部品の接続強度を向上させることができる。
【００５５】
このような形状の第１板状リード６と第２板状リード７に対して受動部品５が実装されている。図４〜図８は半導体パッケージ１における受動部品５の実装構造を示すものである。
【００５６】
すなわち、図７に示すように、第１板状リード６の第１電極部６ｂにおいて受動部品５の一方の外部端子５ｂが第１貫通孔６ｃを跨いでこの第１貫通孔６ｃの両側の第１電極部６ｂに接続し、同様に、第２板状リード７の第２電極部７ｂにおいて受動部品５の他方の外部端子５ｂが第２貫通孔７ｃを跨いでこの第２貫通孔７ｃの両側の第２電極部７ｂに接続している。
【００５７】
これにより、受動部品５は、図４のＰ部に示すように、その４つの角部で各外部端子５ｂがそれぞれ第１板状リード６の第１電極部６ｂまたは第２板状リード７の第２電極部７ｂの何れかと半田や導電性の樹脂接着材等の接合材１３を介して接続されている。
【００５８】
すなわち、受動部品５は、４つの電極部によって支持された４点支持による実装構造となっている。
【００５９】
なお、図４及び図８に示すように、第１貫通孔６ｃは、受動部品５の搭載方向に沿って、かつ受動部品５の実装時に受動部品５から迫り出すような長さに形成されており、一方、第２貫通孔７ｃも、受動部品５の搭載方向に沿って、かつ受動部品５の実装時に受動部品５から迫り出すような長さに形成されている。図４で、隙間から貫通孔端部までの距離Ｄ１と、隙間から受動部品端部までの距離Ｄ２が、Ｄ１＞Ｄ２の関係で形成されているが、Ｄ１＞Ｄ２の関係でなくても良い。
【００６０】
これにより、図４に示すように、樹脂封止後、受動部品５の両側の外部端子間の中央部付近Ｃは、図６に示すように、封止体１２の一部によって包囲され、かつ、これと直角を成す方向の中央部付近も、図５に示すように、封止体１２の一部によって包囲されている。すなわち、受動部品５は、その長手方向の中央部においても、また幅方向の中央部においてもそれぞれ封止体１２の一部によって包囲された構造となっている。そのため、各部材の熱膨張差を小さくすることができ、半田等の接合材１３に付与される熱応力を低減することができる。
【００６１】
本実施の形態１の半導体パッケージ１によれば、第１板状リード６の第１電極部６ｂに第１貫通孔６ｃが形成され、かつ第２板状リード７の第２電極部７ｂに第２貫通孔７ｃが形成される。これにより、第１板状リード６の第１電極部６ｂにおいて受動部品５の一方の外部端子５ｂが第１貫通孔６ｃを跨いでその両側の第１電極部６ｂに接続する構造となる。さらに、第２板状リード７の第２電極部７ｂにおいて受動部品５の他方の外部端子５ｂが第２貫通孔７ｃを跨いでその両側の第２電極部７ｂに接続する構造となる。
【００６２】
これにより、受動部品５の長手方向及び幅方向の両方向の中央部で受動部品５が封止体１２によって包囲された形態を形成することができる。この構造では、受動部品５の長手方向及び幅方向の両方向の中央部の断面に銅合金製のリードが介在しなくなり、モールド樹脂とセラミック材となるため、各部材の熱膨張差を小さくすることができ、半田等の接合材１３に付与される熱応力を低減することができる。なお、モールド樹脂とセラミックの熱膨張係数は、例えばエポキシ系のモールド樹脂が約１５ｐｐｍ／ｋ、セラミックが約５ｐｐｍ／ｋであるが、これらに限定されるものではない。
【００６３】
また、熱膨張係数が異なる受動部品５と板状リードとの接続面積が、第１貫通孔６ｃ及び第２貫通孔７ｃがあるために小さくなり、熱膨張差に起因した熱応力を低減することができる。
【００６４】
さらに、受動部品５が、その４つの角部で各外部端子５ｂがそれぞれ第１板状リード６の第１電極部６ｂまたは第２板状リード７の第２電極部７ｂの何れかと接合材１３を介して接続されているため、接合材１３に付与される熱応力を４箇所に分散させることができる。
【００６５】
したがって、受動部品５と板状リードの接続部近傍の低応力化と高強度化を図ることができ、接合材破断寿命の向上と接続界面の剥離を防止して受動部品５の接続信頼性を向上させることができる。その結果、半導体パッケージ１（半導体装置）の信頼性を高めることができる。
【００６６】
また、第１貫通孔６ｃと第２貫通孔７ｃに封止用樹脂が充填されて受動部品５の周囲が拘束されるため、強固な接続状態を維持することができる。
【００６７】
また、接合材１３として導電性の樹脂接着剤を用い、樹脂接着剤の硬化時のアウトガスの発生が影響する場合、第１貫通孔６ｃと第２貫通孔７ｃにより、樹脂接着材の硬化時のアウトガスを容易に放出することができ、ボイド生成を抑制することができる。
【００６８】
また、受動部品５が、その４つの角部で各外部端子５ｂがそれぞれ第１板状リード６の第１電極部６ｂまたは第２板状リード７の第２電極部７ｂの何れかと接合材１３を介して接続されるため、組立て時の安定化を図ることができる。すなわち、受動部品５が４点支持されるため、その支持形態が安定し、組立て時の安定化を図ることができる。
【００６９】
また、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂに第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成されている場合、受動部品５を実装した際の実装高さを低く抑えることができる。
【００７０】
なお、本実施の形態１における第１貫通孔６ｃ、第２貫通孔７ｃは、板状リードのどちらか一方に形成しても良い。この場合においても、板状リードに第１貫通孔６ｃ、第２貫通孔７ｃが無い場合と比べて、受動部品５が封止体１２によって包囲される部分が増えるため、半田等の接合材１３に付与される熱応力を低減することができる。
【００７１】
また、第１貫通孔６ｃ、第２貫通孔７ｃの形状は、図１３のように、各貫通孔の一端が板状リード間の隙間に繋がらなくても良い。この場合においても板状リードに第１貫通孔６ｃ、第２貫通孔７ｃが無い場合と比べて、受動部品５が封止体１２によって包囲される部分が増えるため、半田等の接合材１３に付与される熱応力を低減することができる。
【００７２】
次に、図１４及び図１５を用いて本実施の形態１の半導体パッケージ１の製造方法について説明する。
【００７３】
なお、図１４は、半導体パッケージ１の組立てに用いられるリードフレームの製造方法を示すものであり、まず、ステップＳ１に示す銅合金フレーム準備を行う。すなわち、銅合金製の板状のフレームを準備する。
【００７４】
その後、ステップＳ２に示すリードフレーム外形形成を行う。ここでは、エッチングもしくはスタンピングにより、リードフレームの外形を形成する。
【００７５】
その後、ステップＳ３に示す凹部形成を行う。ここでは、エッチングもしくはスタンピングにより、リードフレームの凹部を形成する。
【００７６】
これにより、ステップＳ４に示すリードフレーム完となる。
【００７７】
次に、半導体パッケージ１の組立てでは、まず、図１５のステップＳ１１に示すリードフレーム準備を行う。ここでは、ステップＳ１〜４で製造した銅合金製のリードフレームを準備する。
【００７８】
その後、ステップＳ１２に示す接合材塗布を行う。ここでは、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及びチップ搭載部、第２板状リード７の第２電極部７ｂ、第３板状リード８のチップ搭載部及び第４板状リード９のチップ搭載部に半田もしくは導電性の樹脂接着材等の接合材１３を塗布する。
【００７９】
その後、ステップＳ１３に示すチップ搭載を行う。ここでは、第１板状リード６のチップ搭載部にパワーＭＯＳＦＥＴチップ３を接合材１３を介して配置し、さらに第３板状リード８のチップ搭載部にパワーＭＯＳＦＥＴチップ４を接合材１３を介して配置し、さらに第４板状リード９のチップ搭載部にドライバＩＣチップ２を接合材１３を介して配置する。
【００８０】
その後、ステップＳ１４に示す部品搭載を行う。ここでは、第１板状リード６の第１電極部６ｂ上に接合材１３を介して受動部品５の一方の端部の外部端子５ｂを配置し、第２板状リード７の第２電極部７ｂ上に接合材１３を介して受動部品５の他方の端部の外部端子５ｂを配置する。
【００８１】
なお、ステップＳ１４に示す部品搭載の後に、ステップＳ１３に示すチップ搭載を行なってもよい。その場合、ステップＳ１３に示すチップ搭載を行なう所は、ステップＳ１４に示す部品搭載を行なう所と異なってもよく、例えば別工場で行なってもよい。
【００８２】
その後、ステップＳ１５に示す接合材硬化処理を行う。ここでは、一括してベーク処理を行って各接合材１３を硬化させる。すなわち、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３、パワーＭＯＳＦＥＴチップ４、ドライバＩＣチップ２及び受動部品５を接合材１３によって各板状リードに接合する。
【００８３】
その後、ステップＳ１６に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、ドライバＩＣチップ２のパッド２ａとパワーＭＯＳＦＥＴチップ３のパッド３ａとをワイヤ１０によって電気的に接続するとともに、ドライバＩＣチップ２のパッド２ａとパワーＭＯＳＦＥＴチップ４のパッド４ａとをワイヤ１０によって電気的に接続する。
【００８４】
その後、ステップＳ１７に示すクリップ付けを行う。ここでは、パワーＭＯＳＦＥＴチップ３のパッド３ａと第３板状リード８とをクリップ１１ａによって電気的に接続するとともに、パワーＭＯＳＦＥＴチップ４のパッド４ａと第２板状リード７とをクリップ１１ｂによって電気的に接続する。
【００８５】
その後、ステップＳ１８に示す封止体形成・切断除去を行う。ここでは、封止用樹脂によってパワーＭＯＳＦＥＴチップ３、パワーＭＯＳＦＥＴチップ４、ドライバＩＣチップ２及び受動部品５を樹脂封止する。すなわち、封止用樹脂によって封止体１２を形成して各チップと受動部品５を樹脂封止する。
【００８６】
その後、個片化による切断除去を行って半導体パッケージ１の組立て完となる。
【００８７】
（実施の形態２）
図１１は図４に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図、図１２は図１１に示す板状リードを中央部で切断した構造を示す断面図である。
【００８８】
なお、図１１及び図１２は、４点支持による実装構造の変形例のリード形状を示すものであり、各電極部に凹部が形成されていない電極構造のものである。すなわち、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂそれぞれは、平坦な電極構造となっている。
【００８９】
ただし、図１１及び図１２に示すリード形状においても、受動部品５は、その４つの角部で各外部端子５ｂ（図８参照）がそれぞれ第１板状リード６の第１電極部６ｂまたは第２板状リード７の第２電極部７ｂの何れかと半田や導電性の樹脂接着材等の接合材１３を介して接続されるため、この場合にも、受動部品５は、４つの電極部によって支持された４点支持による実装構造となる。この場合、凹部を形成する工程が必要なく、製造工数を減らすことが出来る。
【００９０】
また、凹部が無い場合、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂの形状を平坦な形状とすることができ、リード形状を容易に形成することができる。
【００９１】
（実施の形態３）
図１６〜図１９に示す本実施の形態１の変形例の２点支持による受動部品の実装構造について説明する。図１６は図４に示す構造の変形例の構造を示す平面図、図１７は図１６に示す構造を中央部で切断した構造を示す断面図、図１８は図１６に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図、図１９は図１８に示す板状リードを中央部で切断した構造の一例を示す断面図である。
【００９２】
図１６及び図１７に示す受動部品５の実装構造は、図１８及び図１９に示すリード形状の第１板状リード６及び第２板状リード７を用いたものである。図１８及び図１９に示すように、第１板状リード６においては、搭載される受動部品５の長手方向に沿って第１電極部６ｂをはさむように設けられた一対の第１貫通孔６ｃが形成されており、一方、第２板状リード７においても、搭載される受動部品５の長手方向に沿って第２電極部７ｂをはさむように設けられた一対の第２貫通孔７ｃが形成されている。
【００９３】
なお、図１６及び図１７に示すように第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂ上に受動部品５を実装した際には、第１電極部６ｂにおいて受動部品５の一方の外部端子５ｂが一対の第１貫通孔６ｃに跨がった状態で第１電極部６ｂに接続されている。さらに、第２電極部７ｂにおいて受動部品５の他方の外部端子５ｂが一対の第２貫通孔７ｃに跨がった状態で第２電極部７ｂに接続されている。
【００９４】
例えば図１６では、受動部品５の実装時には、受動部品５の長手方向に沿った側面が第１貫通孔６ｃ及び第２貫通孔７ｃ上に配置されるように第１貫通孔６ｃ及び第２貫通孔７ｃが形成されている。なお、受動部品５の長手方向に沿った測面が、第１貫通孔６ｃ及び第２貫通孔７ｃを越えて跨ぐ配置となるように第１貫通孔６ｃ及び第２貫通孔７ｃが形成されてもよい。
【００９５】
また、第１貫通孔６ｃは、受動部品５の搭載方向に沿って、かつ受動部品５の実装時に受動部品５から迫り出すような長さに形成されており、一方、第２貫通孔７ｃも、受動部品５の搭載方向に沿って、かつ受動部品５の実装時に受動部品５から迫り出すような長さに形成されている。
【００９６】
なお、図１６及び図１７に示す受動部品５の支持形態は、１つの第１電極部６ｂと１つの第２電極部７ｂによって支持されており、２点支持による実装構造となっている。したがって、樹脂封止後、受動部品５の両側の外部端子５ｂの間の領域は封止体１２の一部によって包囲されている。
【００９７】
このように図１６及び図１７に示す受動部品５の支持形態、第１貫通孔６ｃの位置関係及び第２貫通孔７ｃとの位置関係により、受動部品５は、樹脂封止後にその側面と上面さらに裏面の長手方向の中央部が封止体１２によって包まれる構造となる。
【００９８】
その結果、接合材１３として導電性の樹脂接着材を用いた場合、それぞれ２つの第１貫通孔６ｃと第２貫通孔７ｃにより、樹脂接着材の硬化時のアウトガスを容易に放出することができ、ボイド生成を抑制することができる。
【００９９】
また、図１９に示すように、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂには、それぞれリードの厚さ方向に凹んだ第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成されている。すなわち、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂには第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成されており、受動部品５は、図１９に示すように、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄに接合材１３を介して接続され、かつ支持されている。
【０１００】
これにより、受動部品５の実装高さを低くすることができる。
【０１０１】
（実施の形態４）
図２０は図１６に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図、図２１は図２０に示す板状リードを中央部で切断した構造を示す断面図である。
【０１０２】
図２０及び図２１に示す変形例では、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂの形状を平坦な形状としている。図２０及び図２１に示すように、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂの形状を平坦な形状とすることにより、リード形状を容易に形成することができる。
【０１０３】
（実施の形態５）
図２２〜図２６に示す本実施の形態１及び３の変形例のリード形状と変形例の受動部品について説明する。図２２は本発明の実施の形態１及び３の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す断面図、図２３は本発明の実施の形態１及び３の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す断面図である。さらに、図２４は本発明の実施の形態１及び３の第１及び第２板状リードに受動部品の変形例である空芯コイルを搭載した際の構造の第１例を示す断面図、図２５は本発明の実施の形態１及び３の第１及び第２板状リードに受動部品の変形例である空芯コイルを搭載した際の構造の第２例を示す断面図、図２６は本発明の実施の形態１及び３の第１及び第２板状リードに受動部品の変形例である空芯コイルを搭載した際の構造の第３例を示す断面図である。
【０１０４】
図２２に示す変形例の板状リードは、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂに、それぞれテーパ部６ｅ，テーパ部７ｅを形成したものである。この場合、第１板状リード６の第１電極部６ｂと第２板状リード７の第２電極部７ｂに受動部品５を４５度回転させて搭載することになる。
【０１０５】
これにより、受動部品５の外部端子５ｂと、テーパ部６ｅ，テーパ部７ｅとを面によって接合することができ、接合形態の安定化を図ることができる。さらに、受動部品５の外部端子５ｂとテーパ部６ｅ，テーパ部７ｅとの間のガタツキを無くすことができるため、実装時のハンドリング性を向上できる。
【０１０６】
また、図２３に示す変形例は、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成された第１板状リード６及び第２板状リード７において、支持部厚さ（ａ）と凹部深さ（ｂ）の関係について示したものである。（ａ）＜（ｂ）の場合には、受動部品５を第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄ内に落とし込むことが可能になるため、接合材１３との接合面積を増やすことができ、受動部品５の接続強度を向上させることができる。
【０１０７】
例えば、受動部品５の高さが０．５ｍｍの場合、板状リードの厚さを０．６ｍｍとし、（ａ）＝０．１ｍｍ、（ｂ）＝０．５ｍｍとすることで、受動部品５を第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄ内に落とし込むことができる。ただし、板状リードの厚さは０．６ｍｍに限定されるものではなく、０．２ｍｍ程度であってもよいことは言うまでもなく、これら以外の厚さであってもよい。
【０１０８】
また、支持部厚さ（ａ）と凹部深さ（ｂ）の関係についても（ａ）＜（ｂ）以外の、（ａ）＞（ｂ）や（ａ）＝（ｂ）であってもよいが、受動部品５の接続強度を向上させることを考慮すると、（ａ）＜（ｂ）であることが好ましい。
【０１０９】
次に、図２４〜図２６は受動部品の変形例として空芯コイル１９を実装する場合を示したものであり、図２４に示す変形例は、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成された第１板状リード６及び第２板状リード７に空芯コイル１９を実装した例である。また、図２５に示す変形例は、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成されていない平坦な第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂに空芯コイル１９を実装した例である。さらに、図２６に示す変形例は、テーパ部６ｅ，７ｅが形成された第１板状リード６及び第２板状リード７に空芯コイル１９を実装した例である。空芯コイル１９のコイル径は、チップ部品の高さより大きい場合があり、半導体パッケージ１に空芯コイル１９が搭載される場合、半導体パッケージ１の高さは空芯コイル１９のコイル径に制約されている場合が多い。
【０１１０】
したがって、図２４〜図２６に示す変形例のうち、空芯コイル１９の実装高さを低くしやすいのは図２４に示す第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄを形成した例と、図２６に示すテーパ部６ｅ，７ｅを形成した例であり、第１板状リード６及び第２板状リード７に空芯コイル１９を実装する場合、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂに第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄ、もしくはテーパ部６ｅ，７ｅを形成することで、半導体パッケージ１の高さを低くすることができる。一方、図２５に示す第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄ及びテーパ部６ｅ、７ｅが形成されていない例では、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄ及びテーパ部６ｅ、７ｅを形成する必要がないため、製造の工程数を少なくすることができる。
【０１１１】
（実施の形態６）
図２７は本発明の実施の形態６の第１及び第２板状リードに受動部品を搭載した際の構造の一例を示す平面図、図２８は本発明の実施の形態６の第１及び第２板状リードに受動部品を搭載した際の構造の変形例を示す平面図、図２９は本発明の実施の形態６の比較例の板状リード（貫通孔なし）におけるレジン／フレーム界面端応力の検証構造の一例を示す部分断面図である。また、図３０は本発明の実施の形態６の板状リード（貫通孔あり）におけるレジン／フレーム界面端応力の検証構造の一例を示す部分断面図、図３１は本発明の実施の形態６の板状リード（貫通孔あり）と比較例の板状リード（貫通孔なし）におけるレジン／フレーム界面端応力の検証結果の一例を示す応力比較図である。さらに、図３２は図２７に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図、図３４は図２８に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図である。
【０１１２】
本実施の形態６は、受動部品の搭載位置（電極部）の周囲に貫通孔を設けたリード形状の実装構造を説明するものである。
【０１１３】
図２７は、本実施の形態６の受動部品の実装構造を示すものであり、図３２に示す第１板状リード６と第２板状リード７を用いた実装構造である。図３２に示す第１板状リード６と第２板状リード７の形状について説明すると、第１板状リード６の第１電極部６ｂの周囲に貫通孔（第５凹部）６ｆが形成され、かつ第２板状リード７の第２電極部７ｂの周囲に貫通孔（第５凹部）７ｆが形成されている。
【０１１４】
なお、図３２に示すリード形状は、第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂそれぞれが貫通孔間の１つの吊り部６ｇ，７ｇによって支持された１点吊り構造となっている。すなわち、第１板状リード６における第１電極部６ｂは、隣り合った貫通孔６ｆの間の１つの吊り部６ｇ（Ｑ部）によって支持されており、一方、第２板状リード７における第２電極部７ｂは、隣り合った貫通孔７ｆの間の１つの吊り部７ｇ（Ｑ部）または端部に配置された１つの吊り部７ｇ（Ｑ部）によって支持されており、各電極部が１点吊り構造となっている。
【０１１５】
また、第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂには、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄがそれぞれ形成されている。
【０１１６】
したがって、図３２に示すリード形状は、電極部に凹部有りで、かつ電極部が１点吊り構造のものである。
【０１１７】
また、貫通孔６ｆ，７ｆの幅は、第１貫通孔６ｃ及び第２貫通孔７ｃそれぞれの幅より狭く、かつ第１板状リード６と第２板状リード７の間の隙間の幅より狭い。さらに、貫通孔６ｆ，７ｆは、実装された受動部品５を囲むように配置されて形成されている。
【０１１８】
このように貫通孔６ｆ，７ｆが、実装された受動部品５の周囲、好ましくは囲むように形成されていることで、図２７に示す受動部品５の実装構造においては、部品搭載部のリード剛性を低くすることができ、その結果、第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂにおいて接合材１３に掛かる熱応力を低減することができる。これにより、各リードと接合材１３の界面及び各リードと封止体１２の界面の剥離の進行を抑制することができる。
【０１１９】
また、受動部品５の長手方向及び幅方向それぞれの中央部及び貫通孔６ｆ，７ｆにモールド樹脂が充填されるため、受動部品５の周囲を封止体１２の一部によって拘束することができ、その結果、受動部品５における各リードとの強固な接合状態を維持することができる。
【０１２０】
ここで、図２９〜図３１を用いて、受動部品５の周囲に貫通孔が有る場合（図３０）と、貫通孔が無い場合（図２９）とで、レジン（封止体１２）とリード界面の端部（Ｓ部）における応力の変動をシミュレーションした結果を説明する。図３１に示すシミュレーション結果の横軸は、図２９及び図３０における受動部品５の電極端を０点として、前記０点からリード端までの距離（ｘ）を＋−に振り分けたものであり、それぞれの位置でのＳ部における応力値を縦軸としてシミュレーションしたものである。
【０１２１】
図３１に示されるように、横軸（ｘ）がどの値であっても貫通孔なしに比較して貫通孔ありの方が、応力を約３０％低減することができるという結果が得られた。
【０１２２】
すなわち、第１板状リード６及び第２板状リード７において、貫通孔６ｆ，７ｆが、受動部品５の周囲に形成されていることにより、第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂにおいて接合材１３に掛かる応力を低減することができる。
【０１２３】
また、図３４に示す変形例は、第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂそれぞれが２つの吊り部６ｇ，７ｇによって支持された２点吊り構造となっている。すなわち、第１板状リード６における第１電極部６ｂ及び第２板状リード７における第２電極部７ｂは、それぞれ２つの吊り部７ｇ（Ｒ部）によって支持されており、各電極部が２点吊り構造となっている。
【０１２４】
なお、第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂには、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄがそれぞれ形成されており、したがって、図３４に示すリード形状は、電極部に凹部有りで、かつ電極部が２点吊り構造のものである。
【０１２５】
図３４に示すリード形状においても貫通孔６ｆ，７ｆが形成されたことで接合材１３にかかる応力を低減することができる。また、各電極部を２点吊り構造によって支持することで各電極部の支持強度を高めることができる。なお、図２８に示す受動部品５の実装構造は図３４に示すリード形状の第１板状リード６と第２板状リード７を採用したものであり、この場合、各電極部の支持強度を高めることができるため、組立ての安定度を高めることができる。
【０１２６】
（実施の形態７）
図３３は図２７に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。図３３に示す変形例は、図３２と同様に第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂの周囲に貫通孔６ｆ，７ｆが形成され、かつ第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂに凹部が形成されていない平坦構造の電極部となっているものである。すなわち、第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂがそれぞれ１点支持となっており、かつ各電極部が平坦構造の場合である。この場合にも貫通孔６ｆ，７ｆが形成されたことで接合材１３にかかる応力を低減できるとともに、リード形状を容易に形成することができる。
【０１２７】
（実施の形態８）
図３５は図２８に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。図３５に示す変形例は、図３４と同様に第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂの周囲に貫通孔６ｆ，７ｆが形成され、かつ第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂに凹部が形成されていない平坦構造の電極部となっているものである。すなわち、第１電極部６ｂ及び第２電極部７ｂがそれぞれ２点支持となっており、かつ各電極部が平坦構造の場合である。この場合にも貫通孔６ｆ，７ｆが形成されたことで接合材１３にかかる応力を低減できるとともに、リード形状を容易に形成することができる。さらに、図３５に示すリード形状を用いた受動部品５の実装構造では、各電極部の支持強度を高めて組立ての安定度を高めることができる。
【０１２８】
なお、図３２及び図３３に示す電極部の１点支持構造と、図３４及び図３５に示す電極部の２点支持構造とでは、接合材１３に掛かる応力の観点からは１点支持構造の方が２点支持構造に比較して各電極部の支持状態の自由度が高いため、接合材１３に掛かる応力をより低減することができる。
【０１２９】
一方、組立ての安定度の観点からは、２点支持構造の方が１点支持構造に比較して各電極部の支持強度が高いため、組立ての安定度をより高めることができる。
【０１３０】
（実施の形態９）
図３６は本発明の実施の形態９の第１及び第２板状リード（ガス抜き溝部あり）に受動部品を搭載した際の構造の一例を示す平面図、図３７は図３６に示す構造を中央部で切断した構造を示す断面図、図３８は図３６に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図、図３９は図３８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【０１３１】
本実施の形態９は、受動部品５の実装構造において半田等の接合材ベーク時に発生するアウトガスの排出構造を説明するものである。
【０１３２】
図３６及び図３７は、一端が第１貫通孔６ｃまたは第２貫通孔７ｃの何れかに連通し、他端が貫通孔６ｆ，７ｆに連通する溝部６ｈ，７ｈが形成された第１板状リード６及び第２板状リード７を用いた受動部品５の実装構造を示すものである。さらに、図３８及び図３９は、図３６及び図３７に示す受動部品５の実装構造に用いられた第１板状リード６及び第２板状リード７の構造を示すものである。図３８及び図３９に示すように、第１板状リード６の第１電極部６ｂの周囲には貫通孔６ｆが形成されているとともに、第１電極部６ｂには第３凹部６ｄが形成されており、さらに、一端が第１貫通孔６ｃに連通し、他端が貫通孔６ｆに連通する溝部６ｈが各第１電極部６ｂに形成されている。
【０１３３】
なお、溝部６ｈは、半田もしくは導電性の樹脂接着材等の接合材１３をベーク（硬化）した際に出るアウトガスを接合材１３の接合部から排出するための案内路であり、一端が接合材１３と接触する箇所（第１電極部６ｂ）に連通し、他端が貫通孔６ｆに連通するように形成されている。
【０１３４】
同様に、溝部７ｈも接合材１３をベークした際に出るアウトガスを接合材１３の接合部から排出するための案内路であり、一端が接合材１３と接触する箇所（第２電極部７ｂ）に連通し、他端が貫通孔７ｆに連通するように形成されている。
【０１３５】
このように溝部６ｈ，７ｈが形成されたことにより、接合材１３のベーク（硬化）時に発生するアウトガスを溝部６ｈ，７ｈを介して排出することができ、接合材１３による接合部にボイドが形成されることを低減できる。その結果、品質の安定化を図ることができる。
【０１３６】
さらに、ボイドが形成されにくくなるため、接合材１３の接着力を高めることができ、電極部と受動部品５の外部端子５ｂの接続強度を高めることができる。
【０１３７】
なお、図３８に示すように、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂそれぞれの角部に第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成され、かつ溝部６ｈ，７ｈの一端が第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄそれぞれの隅部に連通しており、受動部品５が、図３６及び図３７に示すように、４つの第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄに接続されていることにより、ボイドが形成され易い隅部におけるアウトガスを溝部６ｈ，７ｈを介して排出することができ、ボイドが形成されることを低減できる。これにより、半導体パッケージ１の品質の安定化を図ることができる。
【０１３８】
（実施の形態１０）
図４０は図３６に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図、図４１は図４０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。図４０及び図４１に示す変形例のリード形状は、各電極部に図３８に示すような第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成されていない平坦な電極部の場合である。この場合においても図３８及び図３９の構造による効果と同様の効果を得ることができるとともに、リード形状を容易にすることができる。
【０１３９】
（実施の形態１１）
図４２は図３６に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図、図４３は図４２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。図４２及び図４３に示す変形例は、第１貫通孔６ｃが形成されていない第１板状リード６において、その第１電極部６ｂの第３凹部６ｄに一端が連通するような溝部６ｈが形成されているものであり、この場合においても、接合材１３による接合部のアウトガスを溝部６ｈを介して排出することができ、接合材１３にボイドが形成されることを低減できる。第２板状リード７の第２電極部７ｂ側についても同様である。
【０１４０】
（実施の形態１２）
図４４は図３６に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図、図４５は図４４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。図４４及び図４５に示す変形例のリード形状は、各電極部に図４２に示すような第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄが形成されていない平坦な電極部の場合である。この場合においても図４２及び図４３の構造による効果と同様の効果を得ることができるとともに、リード形状を容易にすることができる。
【０１４１】
（実施の形態１３）
図４６は本発明の実施の形態１３の板状リードにおける接着材応力とフレーム位置の関係の構造の一例を示す部分断面図、図４７は図４６に示す接着材応力とフレーム位置の関係の構造の第１例における接着材の主応力分布の一例を示す応力分布図、図４８は図４６に示す接着材応力とフレーム位置の関係の構造の第２例における接着材の主応力分布の一例を示す応力分布図である。また、図４９は図４６に示す接着材応力とフレーム位置の関係の構造の第３例における接着材の主応力分布の一例を示す応力分布図、図５０は図４６に示す接着材応力とフレーム位置の関係の構造の第４例における接着材の主応力分布の一例を示す応力分布図、図５１は図４７〜図５０に示す接着材応力とフレーム位置の関係のそれぞれの構造における接着材の主応力値を示す主応力データ図である。
【０１４２】
本実施の形態１３は、第１板状リード６の第１電極部６ｂと第２板状リード７の第２電極部７ｂにおいて第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄを形成する際の、第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄの先端の位置と接合材の応力の関係を説明するものである。
【０１４３】
図４６に示す構造において、受動部品５の外部端子５ｂの端部を０点として、前記０点からリード端までの距離（ｘ）を＋−に振り分けたものであり、それぞれの位置でのＴ部（受動部品５の外部端子５ｂの端部と接合材１３の境界部）における応力値を縦軸としてシミュレーションしたものである。
【０１４４】
なお、シミュレーション実行において、第１板状リード６と第２板状リード７は銅合金製で熱膨張係数を約１８ｐｐｍ／ｋとし、受動部品５はセラミック製で熱膨張係数を約５ｐｐｍ／ｋとし、モールド樹脂はエポキシ系の樹脂で熱膨張係数を約１５ｐｐｍ／ｋとした。
【０１４５】
図４７に示すように受動部品５の外部端子５ｂとリード端部との距離（ｘ）が５０μｍの場合、Ｔ部にかかる応力は５０．１ＭＰａという結果になった。また、図４８に示すように受動部品５の外部端子５ｂとリード端部との距離（ｘ）が０μｍの場合、Ｔ部にかかる応力は４９．２ＭＰａという結果になった。また、図４９に示すように受動部品５の外部端子５ｂとリード端部との距離（ｘ）が−２０μｍの場合、Ｔ部にかかる応力は３２．６ＭＰａという結果になった。また、図５０に示すように受動部品５の外部端子５ｂとリード端部との距離（ｘ）が−４０μｍの場合、Ｔ部にかかる応力は２１．１ＭＰａという結果になった。
【０１４６】
したがって、図５１に示すように、前記０点からリード端までの距離（ｘ）を小さくすればするほど（図４６においてリード端部の位置をマイナス（−）方向に配置すればするほど）応力は小さくなるという結果が得られた。特に、リード端を前記０点より下げることで応力が低下することがわかる。
【０１４７】
すなわち、各電極部における第３凹部６ｄ、第４凹部７ｄでの受動部品５の接続では、受動部品５の長手方向に対して、第１板状リード６の第１電極部６ｂ及び第２板状リード７の第２電極部７ｂそれぞれの内側端部の位置が、受動部品５の外部端子５ｂの内側端部の位置より外側に配置されていることが好ましく、これにより、外部端子５ｂと接合材１３の境界部にかかる応力を低減することができる。その結果、外部端子５ｂと接合材１３の剥離を低減することができ、半導体パッケージ１の品質を向上させることができる。
【０１４８】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１４９】
例えば、前記実施の形態１〜１３では、各板状リードが銅合金製の場合を説明したが、各板状リードは、銅合金製以外の鉄−ニッケル合金製等であってもよい。
【０１５０】
また、前記実施の形態６〜１２では、第５凹部が貫通孔６ｆ，７ｆの場合を説明したが、前記第５凹部は必ずしも貫通していなくてもよく、凹んだ凹部であってもよい。ただし、前記第５凹部は貫通孔であることが望ましい。
【０１５１】
また、ＤＣ−ＤＣコンバータ回路用のパワーＭＯＳＦＥＴが形成された半導体チップと、ドライバ回路が形成された半導体チップが１パッケージ化された半導体装置について説明したが、それらの半導体チップが１パッケージ化されていない場合にも適用可能である。
【０１５２】
また、ＤＣ−ＤＣコンバータ回路について説明したが、他の回路が形成された半導体チップの場合にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１５３】
本発明は、受動部品が搭載される電子装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の回路構成の一例と前記半導体装置を用いた電源用ＶＲの回路構成の一例を示す回路ブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。
【図４】図１のＡ部の構造の一例を示す部分拡大平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図７】図４のＣ−Ｃ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図８】図４のＤ−Ｄ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図９】図４に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図である。
【図１０】図９に示す板状リードを中央部で切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１１】図４に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【図１２】図１１に示す板状リードを中央部で切断した構造を示す断面図である。
【図１３】図９に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【図１４】図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造方法の一例を示す製造フロー図である。
【図１５】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を示す製造フロー図である。
【図１６】図４に示す構造の変形例である本発明の実施の形態３の構造を示す平面図である。
【図１７】図１６に示す構造を中央部で切断した構造を示す断面図である。
【図１８】図１６に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図である。
【図１９】図１８に示す板状リードを中央部で切断した構造の一例を示す断面図である。
【図２０】図１６に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【図２１】図２０に示す板状リードを中央部で切断した構造を示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態５の第１及び第２板状リードの構造を示す断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態５の第１及び第２板状リードの構造を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態１及び３の第１及び第２板状リードに受動部品の変形例である空芯コイルを搭載した際の構造の第１例を示す断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態１及び３の第１及び第２板状リードに受動部品の変形例である空芯コイルを搭載した際の構造の第２例を示す断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態１及び３の第１及び第２板状リードに受動部品の変形例である空芯コイルを搭載した際の構造の第３例を示す断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態６の第１及び第２板状リードに受動部品を搭載した際の構造の一例を示す平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態６の第１及び第２板状リードに受動部品を搭載した際の構造の変形例を示す平面図である。
【図２９】本発明の実施の形態６の比較例の板状リード（貫通孔なし）におけるレジン／フレーム界面端応力の検証構造の一例を示す部分断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態６の板状リード（貫通孔あり）におけるレジン／フレーム界面端応力の検証構造の一例を示す部分断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態６の板状リード（貫通孔あり）と比較例の板状リード（貫通孔なし）におけるレジン／フレーム界面端応力の検証結果の一例を示す応力比較図である。
【図３２】図２７に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図である。
【図３３】図２７に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【図３４】図２８に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図である。
【図３５】図２８に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【図３６】本発明の実施の形態９の第１及び第２板状リード（ガス抜き溝部あり）に受動部品を搭載した際の構造の一例を示す平面図である。
【図３７】図３６に示す構造を中央部で切断した構造を示す断面図である。
【図３８】図３６に示す構造の第１及び第２板状リードの構造の一例を示す平面図である。
【図３９】図３８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図４０】図３６に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【図４１】図４０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図４２】図３６に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【図４３】図４２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図４４】図３６に示す構造の変形例の第１及び第２板状リードの構造を示す平面図である。
【図４５】図４４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図４６】本発明の実施の形態１３の板状リードにおける接着材応力とフレーム位置の関係の構造の一例を示す部分断面図である。
【図４７】図４６に示す接着材応力とフレーム位置の関係の構造の第１例における接着材の主応力分布の一例を示す応力分布図である。
【図４８】図４６に示す接着材応力とフレーム位置の関係の構造の第２例における接着材の主応力分布の一例を示す応力分布図である。
【図４９】図４６に示す接着材応力とフレーム位置の関係の構造の第３例における接着材の主応力分布の一例を示す応力分布図である。
【図５０】図４６に示す接着材応力とフレーム位置の関係の構造の第４例における接着材の主応力分布の一例を示す応力分布図である。
【図５１】図４７〜図５０に示す接着材応力とフレーム位置の関係のそれぞれの構造における接着材の主応力値を示す主応力データ図である。
【符号の説明】
【０１５５】
１  半導体パッケージ（半導体装置）
２  ドライバＩＣチップ（第３半導体チップ）
２ａ  パッド
２ｂ  ドライバＩＣ
３  パワーＭＯＳＦＥＴチップ（第１半導体チップ）
３ａ  パッド
３ｂ  Ｈｉｇｈ−Ｓｉｄｅ  ＭＯＳＦＥＴ
４  パワーＭＯＳＦＥＴチップ（第２半導体チップ）
４ａ  パッド
４ｂ  Ｌｏｗ−Ｓｉｄｅ  ＭＯＳＦＥＴ
５  受動部品
５ａ  本体部
５ｂ  外部端子
６  第１板状リード（第１リードフレーム）
６ａ  外部端子
６ｂ  第１電極部
６ｃ  第１貫通孔（第１凹部）
６ｄ  第３凹部
６ｅ  テーパ部
６ｆ  貫通孔（第５凹部）
６ｇ  吊り部
６ｈ  溝部
７  第２板状リード（第２リードフレーム）
７ａ  外部端子
７ｂ  第２電極部
７ｃ  第２貫通孔（第２凹部）
７ｄ  第４凹部
７ｅ  テーパ部
７ｆ  貫通孔（第５凹部）
７ｇ  吊り部
７ｈ  溝部
８  第３板状リード（第３リードフレーム）
８ａ  外部端子
９  第４板状リード（第４リードフレーム）
９ａ  外部端子
１０  ワイヤ
１１ａ，１１ｂ  クリップ
１２  封止体
１３  接合材
１４  コントロールＩＣ
１５  ＱＦＮ（半導体装置）
１６  タブ
１７  ＩＣチップ（半導体チップ）
１８  リード
１９  空芯コイル（受動部品）
【図１】
2009182022.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2009182022.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009182022.tif 000009
【図８】
2009182022.tif 000010
【図９】
2009182022.tif 000011
【図１０】
2009182022.tif 000012
【図１１】
2009182022.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2009182022.tif 000016
【図１５】
2009182022.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2009182022.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2009182022.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2009182022.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
2009182022.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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