(57)【要約】【課題】ダイオードによるアクティブ駆動を可能とする。【解決手段】有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機ＥＬ発光層ＯＬＥは、一方の電極ＡＤ上にホール輸送層ＨＴＬ、発光層ＬＵＭ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬをこの順で積層する。ダイオードＤＩＤは、データ線を第１電極とし、この上にホール輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬをこの順で積層する。有機ＥＬ素子の一方の電極ＡＤとデータ線ＤＴＬは同層にある。引出し配線ＢＬＬは、アクティブ基板ＳＵＢ１の図示しない端部で、外部回路を接続する端子部を構成する。引出し配線は陽極酸化膜ＡＯＦ上に設けた中継配線層を介して有機ＥＬ素子の他方の電極に電気的に接続する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機EL素子と、有機EL素子を駆動するスイッチを基板上に備えた有機EL表示装置において、
前記有機EL素子及び前記スイッチはそれぞれ、下部電極、有機層及び上部電極をこの順に積層された構造を備え、
前記有機EL素子の下部電極の下層に、陽極酸化膜で分離され、かつ、前記有機EL素子の下部電極と重なっている第１配線を有することを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記上部電極は透明導電膜で構成され、
前記第１配線は不透明な金属膜で構成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記有機EL素子の下部電極と重なる前記第１配線は、前記有機EL素子の上部電極と電気的に接続されていることを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記接続は、前記陽極酸化膜の一部に設けられたコンタクトホールを介してなされることを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記スイッチの下部電極には、第２配線を介して電力が供給されていることを特徴する有機EL表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２配線は、前記第１配線と直交する方向に伸びていることを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記有機EL素子及び前記スイッチの下部電極は、同層、同材料で構成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項８】
請求項１又は７において、
前記第１配線は、前記スイッチの下部電極よりも下層であって、前記スイッチの下部電極と重なっていることを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項９】
請求項１において、
前記有機EL素子と前記スイッチの下部電極は、同層、同材料で構成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項１０】
請求項１において、
前記有機EL表示素子の有機層と前記スイッチの有機層は、厚み又は材料が異なることを特徴とする有機EL表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置にかかり、特に有機ＥＬ素子を発光素子として薄膜トランジスタを用いることなくアクティブ駆動を可能とした有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブ駆動の有機ＥＬ表示装置では、その表示パネルに低温ポリシリコンを用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を画素ごとに形成して駆動している。しかし、薄膜トランジスタの製造には多くのプロセスを必要とするため、有機ＥＬ表示装置の低コスト化を実現する上での阻害要因の一つとなっている。有機ＥＬ表示装置の低コスト化は、当該技術分野における解決すべき課題である。この課題に関して、特許文献１は、ダイオードで有機ＥＬ表示装置を駆動する試みを提示する。
【特許文献１】特開２００３−２９７５７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１では、有機ＥＬ表示装置を駆動するダイオードの半導体層を有機膜で形成している。ダイオードは各画素の領域に、当該画素を構成する一方の電極（画素電極）上に蒸着マスクを用いて有機膜を蒸着する方法を用いている。蒸着マスクは、その開口部相互の境界に所要のブリッジ（非開口部）を持たせる必要がある。
【０００４】
表示画像の高精細化に伴って画素サイズも小さくなり、発光部を構成する有機ＥＬ素子とダイオードの間隔も小さくなる。しかし、蒸着マスクの非開口部の狭小化には物理的に限度があり、また機械的な強度の保持が必要なことから、有機ＥＬ素子の開口率（有効な発光領域）は狭くなってしまう。また、ダイオードによるアクティブ駆動には、有機ＥＬ素子の発光を所定期間の間維持するために、大きな蓄積容量を必要とする。
【０００５】
本発明の目的は、高精細化にも対応できるダイオードによるアクティブ駆動を可能とした有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）自体、ダイオードであり、整流特性をもっている。本発明は、これを利用してアクティブ駆動を行う構成とした。すなわち、ダイオードの特性を利用した電荷蓄積と放電とにより、有機ＥＬ素子をアクティブ駆動する。駆動用のダイオードを実現するため本発明では、有機ＥＬ素子もしくは有機ＥＬ素子を形成する層の内、整流特性を持たせるのに必要な有機層のみを用いてダイオードを形成する。また、本発明によれば、ａ−Ｓｉで形成したピン（ｐｉｎ）ダイオードを用いることもできる。
【０００７】
ダイオードを用いた本発明の有機ＥＬ素子のアクティブ駆動は、直交するデータ線と走査線に関し、走査線をデータ線よりも高電位に持ち上げる。そのタイミングでデータ線に表示信号電位を印加する。この電位で有機ＥＬ素子が発光すると同時に、併設した容量に電荷を蓄える。次の行に信号書き込みを行うため当該信号線電位がデータ線電位より下がると、ダイオードに電流が流れなくなる。ダイオードに電流が流れなくなった状態においても容量に蓄えた電荷の放出により暫くの間有機ＥＬ素子の発光は持続する。データ線に表示のための最大信号が書き込まれた場合でも、容量からの電荷放出が完了する程度のサイクルで書き込みが行われると、表示パネルとしては最大の輝度を発揮できる。
【０００８】
この方法で十分な視認性が得られる明るさの表示パネルとするためには、書き込みサイクルを非常に早くするか有機ＥＬ素子に併設する容量を異常に大きなものとする必要がある。このような大きな容量を実現するためには、大きな誘電率の誘電体層を用い、またそれを極薄の薄膜とする必要があり、かつその極薄膜にピンホールなどがあってはならないものとする必要がある。
【０００９】
その困難な要請に応える膜として、アルミニウムの陽極酸化膜（ＡＯ膜）を挙げることができる。アルミニウムの酸化膜の比誘電率はほぼ１０で、かなり大きい。その膜厚は陽極酸化を行う際の印加電圧で制御することができる。電圧を大きくかけると膜厚は厚くなる。陽極酸化膜の耐電圧は陽極酸化を行ったときの印加電圧に等しい。有機ＥＬ素子の印加電圧は高々１０Ｖであり、安全率を２倍としても２０Ｖあれば足りる。その電圧で形成される膜厚はほぼ２５ｎｍである。
【００１０】
また、容量の設置場所として有機ＥＬ素子の下側のスペースがあり、トップエミッション型とすることで画素の下側のほとんどの面積を容量形成に使うことが可能となる。
【００１１】
すなわち、本発明は、アクティブ基板上に複数の有機ＥＬ素子からなる画素をマトリクス配列して有する表示パネルで構成した有機ＥＬ表示装置であり、
前記アクティブ基板は、その表面に前記マトリクス配列の列方向に並設されて走査線となる複数の引出し配線と、該引出し配線の表面に形成された陽極酸化膜と、該陽極酸化膜上に画素ごとに形成された前記有機ＥＬ素子の一方の電極と、前記陽極酸化膜上に前記有機ＥＬ素子の前記一方の電極と分離されて前記マトリクス配列の行方向に並設された複数のデータ線とを有し、
前記各画素は、前記アクティブ基板の前記陽極酸化膜上に形成された有機ＥＬ素子とダイオードと、前記引出し配線と前記陽極酸化膜および前記有機ＥＬ素子の前記一方の電極とで構成される容量とで構成され、
前記有機ＥＬ素子は、前記一方の電極の上に積層された発光層を含む有機ＥＬ発光層、該有機ＥＬ発光層を覆って成膜される他方の電極を有し、
前記ダイオードは、前記データ線を第１電極とし、該第１電極上に前記有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ発光層から前記発光層を欠如して積層された有機ＥＬ層と、前記他方の電極とは電気的に絶縁され、前記一方の電極と電気的に接続する第２電極を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明では、（１）前記有機ＥＬ素子の有機ＥＬ発光層は、前記一方の電極上にホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層をこの順で積層してなる。（２）前記ダイオードは、前記第１電極上にホール輸送層、電子輸送層、電子注入層をこの順で積層してなる。（３）前記有機ＥＬ素子の一方の電極と前記データ線は同層にある。（４）前記引出し配線は、前記アクティブ基板の端部で、外部回路を接続する端子部を構成する。（５）前記引出し配線は、前記陽極酸化膜上に設けた中継配線層を介して前記有機ＥＬ素子の他方の電極に電気的に接続する。
【発明の効果】
【００１３】
電流制御型の有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴに比べると、本発明は非常に簡易な構成であり、低コストな駆動回路を持った基板でアクティブマトリクスを実現できるので全体として有機ＥＬ表示装置の低コスト化を図ることができる。また、単純な構成の駆動回路なので有機ＥＬ素子の形成後、すぐに点灯検査を行うことが可能であり、検査結果を有機ＥＬ素子の製造プロセスにすばやくフィードバックすることができ、品質管理が容易である。
【００１４】
また、単純、簡素な駆動回路のため、有機ＥＬ素子の特性が安定すれば製品の品質が安定し、画面のムラも少なくなる。さらに、製造プロセスが簡素となり、歩留まりも高いので製品の安定供給が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例により詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の実施例１を説明する素子部の要部平面図である。図２は、図１のＹ−Ｙ’線に沿った断面図である。図３は、図１のＹ−Ｙ’線の延長上でアクティブ基板端部の端子部分の断面図である。実施例１は、有機ＥＬ素子をアクティブ駆動するダイオードとして、有機ＥＬ素子の発光層を抜いた構成とした例である。実施例１の構成を以下に製造プロセス順により説明する。
【００１７】
まず、（１）絶縁性の基板、例えば、ガラス、プラスチック、もしくは導電性の基板上に絶縁膜を形成したアクティブ基板を用い、その上に、アルミニウム（Ａｌ）で引出し配線ＢＬＬを形成する。引出し配線ＢＬＬは、有機ＥＬ素子の画素電極（下電極：一方の電極、実施例１では陽極ＡＤ）との間で容量を形成する電極となるので、この引出し配線ＢＬＬは、図示したように画素幅いっぱいに形成する。
【００１８】
（２）有機ＥＬ素子の上電極（他方の電極：実施例１では陰極）とのコンタクトホールとなる部分および端子となる部分をカバーするレジストをホトリソグラフィー技術により形成する。
【００１９】
（３）引出し配線ＢＬＬのパターンは表示パネルとして残る部分では分離されているが、アクティブ基板の切断時に同時に切り離される基板外周領域で共通に接続されており、陽極化成液を満たした陽極化成槽中でアクティブ基板の周辺に配置されたパッドから引出し配線ＢＬＬに化成電流を供給できるようにする。
【００２０】
（４）アクティブ基板を陽極化成槽にいれて、パッドに電線を接続し、陽極化成液に浸漬し、対極とアクティブ基板の間に陽極酸化電圧を印加してアルミニウムの）引出し配線ＢＬＬ表面の陽極酸化（陽極化成）を行う。陽極化成液はエチレングリコールに約１０％の蓚酸水溶液を約５％添加したものを用いる。２０Ｖの陽極化成電圧を印加し、電流が流れなくなったところで陽極化成を終了して引出し配線ＢＬＬ上に約２５ｎｍの膜厚の陽極酸化膜ＡＯＦを形成する。
【００２１】
（５）その後、アクティブ基板面の陽極化成液を洗浄除去し、レジストを剥離し、走査線と有機ＥＬ素子の陽極電極に用いるクロム（Ｃｒ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層膜をスパッタ法により形成する。
【００２２】
（６）ホトリソグラフィーにより、走査線ＳＣＬ、下電極（陽極）ＡＤのパターンを形成し、アルミニウムのエッチング、クロムのエッチングを順次行い、レジストを剥離する。
【００２３】
（７）蒸着膜を挟んで上下の電極がショートしないようにＳｉＮ膜を形成し、ホトリソグラフィーによりが素子の開口部パターンを形成し、ドライエッチでＳｉＮ膜をエッチング除去してレジストを剥離する。
【００２４】
（８）蒸着工程で下部電極の間、及びそれらと走査線の間を絶縁する分離膜ＳＰＦをネガ型感光性樹脂材料により形成する。
【００２５】
（９）こうしてアクティブ基板を作り、このうえにマスク蒸着法で、ホール輸送層ＨＴＬを形成する。その次に、精密マスクを用いて赤、青、緑各色ごとに塗り分けて発光層ＬＵＭを蒸着する。さらにその上に電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬを形成し、透明導電膜（陰極）ＣＤをスパッタ法により形成する。
【００２６】
（１０）スパッタ処理チャンバの真空中から高度に乾燥した窒素雰囲気中にアクティブ基板を取り出し、内面に乾燥剤を塗布形成し、アクティブ基板との接着面にシール剤を塗布した封止基板（キャップガラス：封止缶）を重ね合わせる。アクティブ基板と封止基板の外周間にシール剤を挟んで押圧接合し、紫外光を照射して固化した後、７０℃、１時間焼成する。
【００２７】
（１１）アクティブ基板の周囲の外部配線端子に、テープにマウントした外部駆動回路を接続し有機ＥＬ素子を形成した表示パネルを完成する。
【００２８】
図１には２画素部分の平面を示す。フルカラー表示では、各画素（ピクセル）は副画素（サブピクセル）となるが、ここでは特に区別が必要な場合を除いて、副画素も画素として説明する。各画素は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとダイオードＤＩＤで構成される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとダイオードＤＩＤは引出し配線ＢＬＬ上でその延在方向に隣接して並置される。データ線ＤＴＬはデータ線で引出し配線ＢＬＬの上に形成された陽極ＡＤとは同層である。
【００２９】
図２に示したように、引出し配線ＢＬＬの上に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極ＡＤと発光層を含む有機層が積層され、データ線ＤＴＬの上にはダイオードとなる有機層が成膜される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極ＡＤの上にはホール輸送層ＨＴＬ、発光層ＬＵＭ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬをこの順で積層した有機層ＯＬＥが形成され、最上層に陰極ＣＤが形成されている。また、ダイオードＤＩＤの部分ではデータ線ＤＴＬ上に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＬＥから発光層ＬＵＭを抜いた有機層、すなわちホール輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬをこの順で積層してある。この有機層により、データ線ＤＴＬとダイオードＤＩＤの部分の陰極ＣＤとでダイオードが形成される。なお、ダイオードが形成されるものであれば、上記の有機層のいずれか１つまたは２つとすることもできる・
【００３０】
１画素を構成する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの引出し配線ＢＬＬ延在方向両端には当該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの領域を規定するバンクＢＮＫが配置されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極ＡＤとダイオードＤＩＤの下部電極（陽極）を構成するデータ線ＤＴＬとはもう一つのバンクＢＮＫで分離されている。
【００３１】
そして、ダイオードＤＩＤの上部電極（陰極）は分離壁ＳＰＦで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極ＣＤとは逆テーパ壁を有する分離膜ＳＰＦで分離されている。この分離膜ＳＰＦの逆テーパ壁により、有機層の蒸着時に接続部ＪＣＮは謡曲ＡＤの表面が露呈したままとなる。そして、ダイオードＤＩＤの上部電極（陰極）ＣＤは接続部ＪＣＮで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極ＡＤと電気的に接続している。なお、引出し配線ＢＬＬと陽極参加膜ＡＯＦおよび有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極ＡＤとで容量Ｃｐが形成される。
【００３２】
図３には、引出し配線ＢＬＬの延在方向のアクティブ基板端部の端子領域の断面を示す。図３の左側がアクティブ基板の端部であり、引出し配線ＢＬＬの終端部分に端子ＴＭが形成される。この引出し配線ＢＬＬの上方には中継配線ＲＬＬが成膜され、その一部で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極ＣＤと電気的に接続される。
【００３３】
次に、本発明の表示パネルの駆動方法について図４と図５を用いて説明する。図４は、画素部分の等価回路を示す図である。そして、図５は、図４の主要部分の電圧変化を説明するタイミング図である。図４において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとダイオードＤＩＤは複数の走査線ＳＣＬとこの走査線ＳＣＬに交差する複数のデータ線ＤＴＬに対して前記容量Ｃｐと共に図示したように接続される。ダイオードＤＩＤは表示データを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに書き込む書き込みダイオードとして機能する。
【００３４】
データ線ＤＴＬには時間軸ｔの各タイミングにおける各画素の輝度情報に対応する電圧が印加されている。走査線ＳＣＬには各タイミングでその情報が書き込まれるべき走査線のみ電圧が低い状態になり、他の走査線は電圧が信号線より高い状態に保たれている。これにより、選択された走査線のみに書き込みダイオードＤＩＤを通して電流が流れる状況を造ることが可能となる。データ線ＤＴＬと走査線ＳＣＬの電位差に従って有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れて発光すると同時に、容量Ｃｐにその電圧と容量の積に相当する電荷が蓄えられる。
【００３５】
次のタイミングでは、この画素の走査線ＳＣＬ電位は上昇し、隣の選択線電位が下がる。走査線ＳＣＬ電位が上昇すると、書き込みダイオードＤＩＤには逆バイアスがかかるので電流は止まり、容量Ｃｐに蓄積された電荷の放出が始まる。その放出電流によりしばらくの間有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは発光を続ける。最大輝度のときフレーム周波数の一周期で放出電流が終わるように容量Ｃｐを作ったとき表示パネルの発光輝度は最大となる。
【００３６】
本実施例における副画素の画素サイズは４０μｍ×１２０μｍで、このサイズの副画素を赤、青、緑と３色並べてカラー１ドット（１画素）を形成する。その１画素について、絶縁膜はアルミニウムの陽極酸化膜で厚さ２５ｎｍ、比誘電率は約１０で容量Ｃｐの静電容量は約１７ｐＦである。
【００３７】
これに駆動電圧１０Ｖ、すなわち最大輝度の時１０Ｖを印加すると、蓄える電荷量は画素あたり１７０ｐＣであり、フレーム周波数を２００Ｈｚとすると充電電流は３．４×１０-8Ａとなる。書き込み中に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流は容量Ｃｐに流れる電流より十分小さいので無視でき、表示パネルの開口率５０％、電流輝度効率１５Ｃｄ／Ａとすると、表示パネルとしての最大輝度は１１０Ｃｄ/ｍ2となる。フレーム周波数を上げることで、さらに明るくすることができる。例えば、５００Ｈｚにすれば２５０Ｃｄ/ｍ2にすることができる。実施例１により、低コストでアクティブ駆動される有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【実施例２】
【００３８】
図６は、本発明の実施例２を説明する有機ＥＬ素子部の要部平面図である。図７は、図６のＹ−Ｙ’線に沿った断面図である。図８は、図６のＹ−Ｙ’線の延長上でアクティブ基板端部の端子部分の断面図である。実施例２は、アモルファスシリコンのｐ型、真性半導体型、ｎ型を積層したＰＩＮダイオードを駆動に用いたものである。実施例２の構成を以下に製造プロセス順により説明する。
【００３９】
まず、絶縁性の基板、ガラス、導電性の基板上に絶縁膜を形成した基板をアクティブ基板ＳＵＢ１とし、その上に、アルミニウムで引出し配線ＢＬＬを形成する。引出し配線ＢＬＬと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極（ここでは陰極ＣＤ）との間で容量Ｃｐを形成するので、この引出し配線ＢＬＬは画素幅いっぱいに形成する。
【００４０】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上電極（ここでは陽極ＡＤ）との接続をとるコンタクトホールとなる部分および端子ＴＭとなる部分をカバーするレジストをホトリソグラフィー技術により形成する。引出し配線ＢＬＬのパターンは切断により切り離して除去されるアクティブ基板の周縁領域で共通に接続されており、アクティブ基板周辺に配置されたパッドから電流を通じることができるようにしてある。
【００４１】
実施例１と同様に、パッドに電線を接続し、陽極化成液に浸漬し、対極と基板の間に陽極酸化電圧を印加し、陽極酸化を行う。陽極化成液はエチレングリコールに約１０％の蓚酸水溶液を約５％添加したものを用いる。
【００４２】
２０Ｖの陽極化成電圧を印加し電流が流れなくなったところで陽極化成を終了すると選択線上に約２５ｎｍの膜厚の陽極酸化膜が得られる。
【００４３】
陽極化成液を洗浄除去した後、レジストを剥離し、データ線ＤＴＬと引出し配線ＢＬＬのコンタクトメタルとして、クロム膜をスパッタ法により形成した。
【００４４】
ホトリソグラフィーにより、データ線ＤＴＬと引出し配線ＢＬＬのコンタクトメタルのパターンを形成し、クロムのエッチングを行い、レジストを剥離する。
【００４５】
プラズマＣＶＤ法により、ｎ型、真性半導体型、ｐ型のアモルファスシリコンを順次積層し、ホトリソグラフィーにより、データ線ＤＴＬ上にパターン形成しドライエッチして、信号線上にアモルファスシリコンのＰＩＮダイオードを形成した。原料ガスはＰ型にはＳｉＨ4ガスとＢ2Ｈ6ガスを、Ｉ型にはＳｉＨ4のみを、ｎ型にはＳｉＨ4とＰＨ3ガスを用いる。
【００４６】
蒸着膜を挟んで上下の電極がショートしないようにＳｉＮ膜を形成しホトリソグラフィーにより開口部のパターンを形成し、ドライエッチでＳｉＮ膜をエッチング除去してレジストを剥離する。
【００４７】
蒸着工程で下部電極間、及びそれらと信号線の間を絶縁する分離膜ＳＰＦをネガ型感光性樹脂材料により形成した。
【００４８】
こうしてアクティブ基板を作り、この上にマスク蒸着法で電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬを形成する。
【００４９】
次に、発光層ＬＵＭを精密マスクを用いて赤、青、緑各色ごとに塗り分けて蒸着する。その上にホール輸送層ＨＴＬを形成し、透明導電膜をスパッタ法により形成して陽極ＡＤとした。
【００５０】
アクティブ基板をスパッタチャンバーの真空中より高度に乾燥した窒素雰囲気に取り出す。乾燥剤を塗布形成した封止基板（キャップガラス）の接着面にシール剤を塗布し、アクティブ基板に重ね合わせ、シール剤部分を挟んで押圧し、紫外光を照射して固化した後、７０℃で１時間焼成する。アクティブ基板の周囲にある外部配線端子にテープマウントした外部駆動回路を接続し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで構成された表示パネルを得る。実施例２によっても、低コストでアクティブ駆動される有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施例１を説明する素子部の要部平面図である。
【図２】図１のＹ−Ｙ’線に沿った断面図である。
【図３】図１のＹ−Ｙ’線の延長上でアクティブ基板端部の端子部分の断面図である。
【図４】画素部分の等価回路を示す図である。
【図５】図４の主要部分の電圧変化を説明するタイミング図である。
【図６】本発明の実施例２を説明する有機ＥＬ素子部の要部平面図である。
【図７】図６のＹ−Ｙ’線に沿った断面図である。
【図８】図６のＹ−Ｙ’線の延長上でアクティブ基板端部の端子部分の断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
ＳＵＢ１・・・アクティブ基板、ＢＬＬ・・・引出し配線、ＤＴＬ・・・データ線、ＳＣＬ・・・走査線、ＡＯＦ・・・陽極酸化膜、ＡＤ・・・一方の電極（陽極）、ＣＤ・・・他方の電極（陰極）、ＣＰ・・・容量、ＯＬＥ・・・有機ＥＬ発光層、ＯＬＥＤ・・・有機ＥＬ素子、ＤＩＤ・・・ダイオード、ＪＣＴ・・・接続部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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