(57)【要約】【課題】１種類の回路パターンのみの作製で、配線をカットすることなく容易に共振周波数調整が可能なマイクロストリップライン、通信機器および調整方法を提供する。【解決手段】マイクロストリップライン２０であって、グランド導体板と、導体板の片面に形成された誘電体と、導体板と対極する誘電体の面上の一部に形成された導体パターン２０３と、マイクロストリップライン２０の特性を調整するための少なくとも一つの導電性のランドＬＡＤＬ１，２およびＬＡＤＨ１，２を有し、ランドＬＡＤＬ１，２およびＬＡＤＨ１，２は、導体パターン２０３が形成された誘電体の面上に、導体パターン２０３から電気的に分離されて形成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランド導体板と、
前記導体板の片面に形成された誘電体と、
前記導体板と対極する前記誘電体の面上の一部に形成された導体パターンと、
特性を調整するための少なくとも一つの導電性のランドと、
を有し、
前記ランドは、
前記導体パターンが形成された前記誘電体の面上に、前記導体パターンから電気的に分離されて形成されている
ことを特徴とするマイクロストリップライン。
【請求項２】
前記各々のランドは、半田で接続されており、
各々のランド間の半田が除去可能に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のマイクロストリップライン。
【請求項３】
前記各々のランド間は、
半田により接続可能に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のマイクロストリップライン。
【請求項４】
前記導体パターンの幅を広くするように、前記導体パターンと隣接して形成された複数の第１のランドと、
前記導体パターンの幅を狭くするように形成された複数の第２のランドと、
を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一に記載のマイクロストリップライン。
【請求項５】
経路長を調整する複数の第３のランドを有し、
前記複数のランドは、
互いに隣接して形成されている
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一に記載のマイクロストリップライン。
【請求項６】
グランド導体板と、
前記導体板の片面に形成された誘電体と、
前記導体板と対極する前記誘電体の面上の一部に形成された導体パターンと、を有するマイクロストリップラインの形成方法であって、
特性を調整するための少なくとも一つの導電性のランドを、前記導体パターンが形成された前記誘電体の面上に、前記導体パターンから電気的に分離して形成し、
前記ランドと前記導体パターンとを接続した半田を除去し、または、前記ランドと前記導体パターンとを半田リフローで接続して前記特性を調整する
ことを特徴とするマイクロストリップラインの形成方法。
【請求項７】
マイクロストリップラインを有する通信機器であって、
前記マイクロストリップラインは、
グランド導体板と、
前記導体板の片面に形成された誘電体と、
前記導体板と対極する前記誘電体の面上の一部に形成された導体パターンと、
特性を調整するための少なくとも一つの導電性のランドと、
を有し、
前記ランドは、
前記導体パターンが形成された前記誘電体の面上に、前記導体パターンから電気的に分離されて形成されている
ことを特徴とする通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばマイクロストリップライン等の共振周波数を調整できるマイクロストリップライン、およびその形成方法、並びに通信機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通信機器としての携帯電話機等では、扱う周波数が８００ＭＨｚ帯や１．５ＧＨｚ帯の高周波を扱うため、高周波信号を伝送する際には部品の接続部分等で信号が劣化しやすい。信号劣化の防止にマイクロストリップラインが広く使用され、これによって部品間の特性インピーダンス整合（たとえば５０Ω）をとっている。
マイクロストリップラインは、グランド導体板と導体パターンで誘電体を挟み込むように形成されたものであって、その製造方法が容易であるため、他の回路等とともに回路基板上に設けられている。
しかし、回路基板上に設けられたマイクロストリップラインは、製造過程等によって性能のバラ付きが大きく、後で特性インピーダンスを調整することで、共振周波数に会わせる必要があるが、非常に難しい。
そこで、回路基板と部品との半田付け接続箇所に特性インピーダンス補正用のランドを設けて特性インピーダンス調整を行うと共に、誘電体層の裏面に設けられた導体ライン（パターン）上に実装される表面実装部品の位置を調整し、特性インピーダンスを調整する方法が開示されている（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
一方、携帯電話機等では、小型化しやすく構造が簡単である等の理由により、内蔵型アンテナが採用されることが多い。内蔵型アンテナとして、マイクロストリップアンテナ等が多く採用されている。
【０００４】
内蔵型アンテナも扱う周波数が高く製造後の個体差が大きいため、共振周波数を調整する必要があるが、やはり周波調整が困難である。
そこで、共振周波数の変化をモニタしながらカットアンドトライで放射電極パターンの一部を除去し、共振周波数を調整する方法（たとえば特許文献２参照）や、あらかじめアンテナ導体に形成された凹凸部を一部アンテナ導体から切り離して共振周波数を調整する方法（たとえば特許文献３参照）が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−５７８８号公報
【特許文献２】特開平５−２１１４０３号公報
【特許文献３】特開平７−７４５３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、引用文献１が開示する方法では、マイクロストリップラインを形成している導体パターンの厚さを変化させるため、特性インピーダンス調整の範囲が非常に限定される欠点がある。
引用文献２，３が開示する方法では、回路パターンを形成する配線の一部をカッター等によりカットして共振周波数調整を行うため、正確にカットしなければならず、一度カットしたものは後で元に戻せない欠点がある。たとえ正確に配線をカットできたとしても、同じものを複数作製することは困難である。
また、引用文献３が開示する方法では、所望する調整値が得られるようにライン幅の異なる導体パターンを複数作製した上で調整しなければならない欠点がある。
【０００６】
本発明は、１種類の回路パターンのみの作製で、配線をカットすることなく容易に共振周波数調整が可能なマイクロストリップライン、通信機器および調整方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点のマイクロストリップラインは、グランド導体板と、前記導体板の片面に形成された誘電体と、前記導体板と対極する前記誘電体の面上の一部に形成された導体パターンと、特性を調整するための少なくとも一つの導電性のランドと、を有し、前記ランドは、前記導体パターンが形成された前記誘電体の面上に、前記導体パターンから電気的に分離されて形成されている。
【０００８】
好適には、前記各々のランドは、半田で接続されており、各々のランド間の半田が除去可能に形成されている。
【０００９】
好適には、前記各々のランド間は、半田により接続可能に形成されている。
【００１０】
好適には、前記導体パターンの幅を広くするように、前記導体パターンと隣接して形成された複数の第１のランドと、前記導体パターンの幅を狭くするように形成された複数の第２のランドと、を有する。
【００１１】
好適には、経路長を調整する複数の第３のランドを有し、前記複数のランドは、互いに隣接して形成されている。
【００１２】
本発明の第２の観点のマイクロストリップラインの形成方法は、グランド導体板と、前記導体板の片面に形成された誘電体と、前記導体板と対極する前記誘電体の面上の一部に形成された導体パターンと、を有するマイクロストリップラインの形成方法であって、特性を調整するための少なくとも一つの導電性のランドを、前記導体パターンが形成された前記誘電体の面上に、前記導体パターンから電気的に分離して形成し、前記ランドと前記導体パターンとを接続した半田を除去し、または、前記ランドと前記導体パターンとを半田リフローで接続して前記特性を調整する。
【００１３】
本発明の第３の観点の通信機器は、マイクロストリップラインを有する通信機器であって、前記マイクロストリップラインは、グランド導体板と、前記導体板の片面に形成された誘電体と、前記導体板と対極する前記誘電体の面上の一部に形成された導体パターンと、特性を調整するための少なくとも一つの導電性のランドと、を有し、前記ランドは、前記導体パターンが形成された前記誘電体の面上に、前記導体パターンから電気的に分離されて形成されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、１種類の回路パターンのみの作製で、配線をカットすることなく容易に共振周波数調整が可能なマイクロストリップライン、およびその形成方法、並びに通信機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本実施形態は、たとえば高周波の回路基板上に形成されたマイクロストリップラインやマイクロストリップアンテナを有する通信機器において、マイクロストリップラインの特性インピーダンスや固有インダクタンスを調整し、共振周波数を得るものである。本実施形態では、通信機器の例として携帯電話機を挙げて説明する。
以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態に係るマイクロストリップラインを有する通信機器の主要部を示すブロック図である。図２は、本実施形態に係る通信機器の筐体の一例を示す外観図である。図３は、図２に示す筐体の下部を分解したときの一例を示す分解斜視図である。
【００１７】
はじめに、携帯電話機１０について、図１を中心に図２、図３を適宜参照しながら説明する。
通信機器としての携帯電話機１０は、内蔵型アンテナ１１、通信部１２、制御部（ＣＰＵ）１３、記憶部１４、音声入出力部１５、スピーカ（ＳＰ）１５ａ、マイクロフォン（ＭＩＣ）１５ｂ、表示部１６、操作部１７、およびバッテリ１８を有する。
【００１８】
携帯電話機１０は、図示しない基地局を介してネットワークに接続され、基地局を介してネットワークに接続されているサーバ装置の制御にしたがって、音声通話、電子メールの作成とその送受信、ＷＥＢサイトやコンテンツデータ（たとえば動画像、静止画像）の閲覧等を行う機能を有する。
【００１９】
内蔵型アンテナ１１は、たとえばマイクロストリップアンテナであって、所定の周波数帯域における電磁波を図示しない基地局に向けて送信、あるいは基地局から受信する。この構成等の詳細については後述する。
【００２０】
通信部１２は、通話等の音声データ、電子メール等の文字情報、動画像データ等のデータ通信を接続されている基地局との間で無線通信を行う。通信部１２は、制御部１３が出力した送信信号を所定の変調方式に変調し、内蔵型アンテナ１１を介して電波信号として送信し、内蔵型アンテナ１１を介して受信した電波信号を変調方式に対応した復調を行って制御部に受信信号として出力する。
【００２１】
制御部１３は、たとえば図３に図示する回路基板１９上に実装されたマイクロコンピュータ等で構成され、携帯電話機１０の全般的な動作を統括的に制御する。すなわち、制御部１３は、携帯電話機１０の各種処理（ネットワークを介して行われる音声通話、電子メールの作成とその送受信、ＷＥＢサイトの閲覧等の制御）がユーザによる操作部１７の操作に応じて適切な手順で実行されるように、各構成部の動作（通信部１２における電波信号の送受信、記憶部１５とのアクセス、音声入出力部１５における音声の入出力、表示部１６における画像の表示等）を制御する。
【００２２】
記憶部１４は、たとえば不揮発性の記憶デバイス（フラッシュメモリ）やランダムアクセス可能な記憶デバイス（ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ）等で構成され、各種のデータを記憶する。
【００２３】
音声入出力部１５は、図２（ａ）に示すスピーカ１５ａに出力する音声信号や図２（ａ）に示すマイクロフォン１５ｂから入力された音声信号の処理を行う。すなわち、音声入出力部１５は、マイクロフォン１５ｂから入力された音声を増幅し、アナログ・デジタル（Ａ／Ｄ）変換を行い、さらに符号化等の処理を施し、デジタルの音声データに変換して制御部１３に出力する。音声入出力部１５は、制御部１３から供給された音声データに符号化、デジタル・アナログ（Ｄ／Ａ）変換、増幅等の信号処理を施し、アナログの音声信号に変換した上でスピーカ１５ａに出力する。
【００２４】
表示部１６は、図２（ａ）に図示するように、たとえば液晶表示パネルや有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル等の表示デバイスが上部筐体１０１に設けられ、制御部１３から供給された映像信号に応じた種々の情報を表示する。表示部１６が表示する情報には、たとえば発信時（着信時）における通話先の電話番号、電子メール等の文字情報、ＷＥＢサイト、動画像、日付等の時間情報、電池残量、発信成否、待ち受け画面等が含まれる。
【００２５】
操作部１７は、図２（ａ）に図示するように、たとえば電源キー、通話キー、数字キー、文字キー、方向キー、決定キー、発信キーなど各種機能が割り当てられた複数のキーを有し、下部筐体１０２に設けられている。操作部１７は、これらのキーがユーザによって操作された場合、その操作内容に対応する信号を発生し、これをユーザの指示として制御部１３に出力する。
【００２６】
バッテリ１８は、たとえばリチウムイオン電池等の充電電池であって、図３に示す下部筐体１０２に設けられているリアケース１０２２の孔部１０２４に収納され、バッテリ接続端子１０２５に接続され、バッテリリッド１０２３によって閉じられている。バッテリ１８は、図示しない外部電源から電力が供給されて充電され、充電された電力を制御部１３等、携帯電話機１０を構成している電子部品に供給する。
【００２７】
図２に図示するように、携帯電話機１０は、上部筐体１０１と下部筐体１０２とがヒンジ部１０３によって開閉可能に接続され、携帯電話機１０の筐体が開いた場合は同図（ａ）のように、閉じた場合は同図（ｂ）のようになる。
【００２８】
図３に図示するように、回路基板１９が下部筐体１０２のリアケース１０２２とフロントケース１０２１との間に納められ、両ケースは接合されている。
回路基板１９には、複数の高周波用の回路パターンがプリントされ、マイクロコンピュータ、記憶デバイス、電子部品、マイクロストリップライン（不図示）、アンテナエレメント（不図示）等が実装されている。このような構成の別の回路基板が、図示しない上部筐体１０１にも内包され、下部筐体１０２内部の回路基板１９とヒンジ部１０３内部を通る配線等によって接続されている。
【００２９】
次に、内蔵型アンテナ１１について説明する。図４は、本実施形態に係る内蔵型アンテナの外観図である。
【００３０】
内蔵型アンテナ１１は、図４（ａ）に図示するように、回路基板１９とアンテナエレメント１１０とによって構成されたマイクロストリップアンテナである。図４（ｂ）に図示するように、回路基板１９上の給電点１９１と図示しない孔部１１０１の給電部とが一致するように、回路基板１９が孔部１１０１に挿入されて、接続されている。
【００３１】
給電点１９１は、回路基板１９上に形成された電力供給用の端子であって、高周波電力をアンテナエレメント１１０の給電点（不図示）を介して放射電極パターン３０に供給する。なお、給電点１９１は、アンテナエレメント１１０の放射電極パターン３０と電気的に接続できれば、その配置場所等は限定されない。
【００３２】
アンテナエレメント１１０は、側面が、導電性のグランド導体板等で形成され、この導体板の面上に誘電体が形成されている。誘電体の面上に放射電極パターン３０が形成され、回路基板１９から高周波電力が供給されることによって、アンテナエレメント１１０は、マイクロストリップアンテナとして動作する。
【００３３】
放射電極パターン３０は、アルミニウム、銅、ニッケル、銀、パラジウム、白金、金等の導電体で形成された高周波の電極（導体）パターンである。放射電極パターン３０は、印刷法、蒸着法、スパッタリング法、金属箔の貼り合わせ、メッキ等によって形成されている。なお、放射電極パターン３０の位置は、特に限定されない。
【００３４】
孔部１１０１は、回路基板１９が挿入されるための孔である。回路基板１９の挿入時には、図示しない孔部１１０１内部の給電点と給電点１９１とが接続されている。
【００３５】
（第１実施形態；マイクロストリップラインの特性インピーダンス調整）
はじめに、マイクロストリップライン２０の構成について説明する。
図５は、本実施形態に係るマイクロストリップラインの一部を示す平面図である。図６は、図５に示すマイクロストリップラインの断面図である。なお、図６は、図５に示す破線ＡＢ間における断面図である。
【００３６】
図５（ａ）は、半田リフロー前のマイクロストリップライン２０を図示している。
マイクロストリップライン２０は、導体板２０１、誘電体２０２、導体パターン２０３、図５（ａ）に示す第１のランドとしてのＬＡＤＨ１，２、第２のランドとしてのＬＡＤＬ１，２、で構成されている。
マイクロストリップライン２０は、たとえば回路基板１９上に形成され、電子部品等に接続されている。たとえば、マイクロストリップライン２０が１／４λのマイクロストリップラインであれば、波長λの信号に対して特性インピーダンス変換器として機能する。
マイクロストリップライン２０の回路パターンには、スタブの一端が開放されたオープン型（オープンスタブ）や、スタブの一端が接地されたショート型（ショートスタブ）などがあるが、本実施形態ではどのような回路パターンものであっても本発明を適用できるため、図５では、マイクロストリップライン２０の一部のみを図示し、この図示した部分について説明を行う。
【００３７】
詳細には図６に示すように、回路基板１９の絶縁層上に導電性の導体板２０１が形成され、接地されている。誘電体２０２が導体板２０１の片面に形成され、導体パターン２０３が導体板２０１と対極する誘電体２０２の面上の一部に形成されている。
誘電体２０２は、誘電率がεｒで、厚さがｈ、導体パターン２０３は、厚さがｔ、幅がＷであるものとする。導体板２０１および導体パターン２０３は、アルミニウム、銅、ニッケル、銀、パラジウム、白金、金等の導電体で形成されている。
【００３８】
導体パターン２０３は、誘電体２０２の面上に幅Ｗをもって形成され、その一部に凹部２０４ａ、２０４ｂが形成されている。導体パターン２０３の近傍には、ランドＬＡＤＬ１、２が、凹部２０４ａ、２０４ｂには、ＬＡＤＨ１、２が配置されている。
【００３９】
ランドＬＡＤＬ１、２は、導体板２０１および導体パターン２０３と同様の導体で形成され、誘電体２０２の面上に形成されている。ランドＬＡＤＬ１、２は、それぞれ、幅Ｘ１、長さＹ１、厚さｔを有し、導体パターン２０３から距離ｄをもって電気的に分離されている。なお、幅Ｘ１、長さＹ１は、特性インピーダンス調整の範囲で好適に設定される。
【００４０】
ランドＬＡＤＨ１、２は、導体板２０１および導体パターン２０３と同様の導体で形成され、誘電体２０２の面上に設けられている。ランドＬＡＤＨ１、２は、それぞれ、幅Ｘ２、長さＹ２、厚さｔを有し、導体パターン２０３の凹部２０４ａ、２０５ｂの周囲から距離ｄをもって電気的に分離されている。なお、ランドＬＡＤＨ１、２の厚さｔは、ランドＬＡＤＬ１、２のものと同じとする。なお、幅Ｘ２、長さＹ２は、特性インピーダンス調整の範囲で好適に設定される。
【００４１】
各々のランドが導体パターン２０３から電気的に分離されることによって形成された領域は、回路基板１９の半田リフロー後に、導体パターン２０３と各々のランドとを半田ブリッジするための開口となる。したがって、図５（ａ）に示す領域ＲＥＧ１〜４は、レジストしないように形成しておく。
形成するランドの個数は、特性インピーダンスの調整範囲で好適に設定され、調整するランドの個数が多いほど、特性インピーダンス（共振周波数）の変化量が大きくなる傾向がある。
距離ｄは、導体パターン２０３と各々のランドとを半田ブリッジできる距離である。
【００４２】
次に、マイクロストリップライン２０の形成方法、および特性インピーダンス調整方法について説明する。
図５（ｂ）は、半田リフロー後のマイクロストリップライン２０を示している。
導体パターン２０３と各々のランドが半田ブリッジできるように、領域ＲＥＧ１〜４に半田マスクをしておき、回路基板１９をリフロー炉にて半田リフローする。これにより、半田リフロー後は、図５（ｂ）に示すように、すべての領域ＲＥＧ１〜４が半田ブリッジされる（斜線部は半田ブリッジを示している）。
すなわち、ランドＬＡＤＬ１は、導体パターン２０３と領域ＲＥＧ１で電気的に接続されている。他のランドも同様に、対応する領域で導体パターン２０３と電気的に接続されている。
【００４３】
ただし、半田部分が特性インピーダンスＺ０に影響を与えないように、半田量が一定となるようにしておく。半田の成分や混合比率等は、特に限定されないが、出来るだけ特性インピーダンスＺ０に影響を与えないものが望ましい。
【００４４】
次に、マイクロストリップライン２０の共振周波数を得るために、半田ブリッジを除去して特性インピーダンスを調整する。ここで、特性インピーダンスについて次式を用いて説明する。
【００４５】
【数１】
2009182732.tif 000003
【００４６】
数１式に示すように、特性インピーダンスＺ０（Ω）は、誘電体２０２の誘電率εｒ（無単位）、および厚さ（ｃｍ）、導体パターン２０３の幅ΔＷ（ｃｍ）、および厚さｔ（ｃｍ）、のパラメータで決定される。ただし、数１式では、ΔＷ≦２ｈとし、最大誤差は３％程度である。
【００４７】
誘電体２０２の厚さｈおよび誘電率εｒは、回路基板１９（マイクロストリップライン２０）の製造後に変更することができない。導体パターン２０３の厚さｔも同様である。したがって、導体パターン２０３の幅Ｗのみを調整して特性インピーダンスＺ０を調整する。
【００４８】
数１式によれば、導体パターン２０３とランドＬＡＤＬ１が電気的に接続されていれば、ΔＷ＝Ｗの状態からΔＷ＝Ｗ＋Ｘ１の状態に変化するので、特性インピーダンスＺ０が下がる。ＬＡＤＬ２についても同様である。
逆に、導体パターン２０３とランドＬＡＤＨ１が電気的に切断されていれば、ΔＷ＝Ｗの状態からΔＷ＝Ｗ−Ｘ２の状態に変化するので、特性インピーダンスＺ０が上がる。ＬＡＤＨ２についても同様である。
したがって、ランドＬＡＤＬ１、２は、特性インピーダンスＺ０を下げる機能として作用し、ランドＬＡＤＨ１，２は、特性インピーダンスＺ０を上げる機能として作用する。
【００４９】
半田リフロー後は、導体パターン２０３と各々のランドが電気的に接続されているので、所望する特性インピーダンスＺ０が得られるように、領域ＲＥＧ１〜４のうちいずれか（必要に応じてすべて）の領域の半田を除去する。特性インピーダンスＺ０の変化量は、調整するランドの個数にほぼ比例するので、半田を除去する領域、および半田を除去する領域の数は、たとえば共振周波数をモニタしながら決定する。
図５（Ｃ）の例では、領域ＲＥＧ３およびＲＥＧ４の半田ブリッジが除去されている。
【００５０】
一般に、半田リフロー後に半田作業で配線接続すると、半田量によって接続部分の厚さが変化しやすく、特性インピーダンス調整が非常に困難である（数１式のパラメータｔが変化する）。特性インピーダンスの調整では、半田による接続作業を出来るだけ減らすことが重要となる。
そこで、本実施形態では、半田量で特性インピーダンスＺ０が変化することを抑えるために、図５（ｂ）に図示するように、あらかじめ導体パターン２０３と各々のランドとを半田ブリッジしておき、半田の除去作業のみで特性インピーダンスＺ０を調整できるようにしている。
【００５１】
上述の実施形態とは逆に、半田リフローを行わず、全てのランドが導体パターン２０３から電気的に切断された状態（図５（ａ）の状態）から、所望する特性インピーダンスＺ０が得られるように、特定のランドのみを半田で導体パターン２０３と接続するようにしてもよい（たとえば図５（ｂ）、（ｃ）の状態にする）。
【００５２】
あるいは、半田リフロー後に、領域ＲＥＧ２およびＲＥＧ４のみを半田ブリッジするようにしておき、特性インピーダンスＺ０を調整するようにしてもよい。
この場合、特性インピーダンスＺ０を上げたい場合には、たとえば領域ＲＥＧ２の半田を除去し、導体パターン２０３とランドＬＡＤＨ１とを電気的に切断すればよい。
逆に特性インピーダンスＺ０を下げたい場合、たとえば領域ＲＥＧ１を半田ブリッジし、導体パターン２０３とランドＬＡＤＬ１とを接続すればよい。
【００５３】
本実施形態によれば、マイクロストリップラインは、グランド導体板２０１と、導体板２０１の片面に形成された誘電体２０２と、導体板２０１と対極する誘電体２０２の面上の一部に形成された導体パターン２０３と、マイクロストリップラインの特性を調整するための少なくとも一つの導電性のランドＬＡＤＬ１，２およびランドＬＡＤＨ１，２と、を有する。ランドＬＡＤＬ１，２およびランドＬＡＤＨ１，２は、導体パターン２０３が形成された誘電体２０２の面上に、導体パターン２０３から電気的に分離されて形成されていることから、次の効果が得られる。
【００５４】
回路パターンを改版することなく特性インピーダンスを調整でき、半田マスクの変更のみで量産できる。
カッター等を使用して配線（導電体）を切断する必要がないため、同じ回路パターンを複数作製するときの再現性が高くなる。
複数の基板メーカーの回路基板を使用する場合や、回路基板を変更する場合であっても、同じ回路パターンで調整ができる。
【００５５】
（第２実施形態；固有インダクタンス調整）
第１実施形態の応用例として、マイクロストリップアンテナを例に取り、固有インダクタンス調整について説明する。上述した特性インピーダンス調整と異なる点を中心に説明する。
図７は、本実施形態に係るマイクロストリップアンテナ一部を示す平面図である。図８は、本実施形態に係る第３のランドの経路長が最小となるときの平面図である。図９は、本実施形態に係る第３のランドの経路長が最長となるときの平面図である。
【００５６】
マイクロストリップアンテナとしての内蔵型アンテナ１１において、放射電極パターン３０は、図７に図示するように、導体パターン２０３ａ、第３のとしてのランドＬＡＤ１〜１２で構成されている。
アンテナエレメント１１０は、図６と同様に、グランド導体板２０１上に誘電体２０２が形成され、誘電体２０２の面上の一部に導体パターン２０３ａが形成されている。図７では、放射電極パターン３０の一部のみを図示し、この図示した部分について説明を行う。
【００５７】
導体パターン２０３ａは、切断部２０５（１）〜（４）にて電気的に切断されている。切断部の幅ｄ１は、半田ブリッジできる距離である。
【００５８】
ランドＬＡＤ１〜１２は、導体パターン２０３ａと同一の材質で形成され、図７に図示するように配置され、同一の幅Δｄを有するが、長さおよび形状は各々異なる。また、ランドＬＡＤ１〜１２は、導体パターン２０３ａから電気的に切断され、互いが距離ｄ離れて電気的に切断されている。
ランドＬＡＤ１，７，９は長さＸ３、ランドＬＡＤ２，４，６，１０は長さΔｄ、ランドＬＡＤ３は長さ（Ｘ４＋Ｙ３）、ランドＬＡＤ５は長さ（Ｘ４＋Ｙ４）、ランドＬＡＤ８は長さＹ３、ランドＬＡＤ１１は長さＸ４、ランドＬＡＤ１２は長さＹ４である。
これらの長さＸ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２を好適に調整することで、固有インダクタンスを調整できる。
【００５９】
次に、マイクロストリップアンテナの形成方法および共振周波数の調整方法について説明する。
前述の第１実施形態と同様に、すべての領域ＲＥＧ１〜１７に半田マスクをしておき、アンテナエレメント１１０の放射電極パターン３０部分をリフロー炉にて半田リフローする。これにより、半田リフロー後は、すべての領域ＲＥＧ１〜１７が半田ブリッジされる。
【００６０】
次に、内蔵型アンテナ１１を共振周波数に合わせるために、特定の領域の半田を除去して固有インダクタンスを調整する。ここで、固有インダクタンスについて次式を用いて説明する。
【００６１】
【数２】
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【００６２】
数２式に示すように、長さ１ｃｍ当たりの固有インダクタンスＬ０（ｎＨ／ｃｍ）は、誘電体２０２の誘電率εｒ（無単位）、および数１式に示す特性インピーダンスＺ０のパラメータで決定される。すなわち、放射電極パターン３０を形成する導体パターン２０３ａの長さが長いほど固有インダクタンスＬ０が大きくなる。
固有インダクタンスＬ０のパラメータには、特性インピーダンスＺ０が含まれるので、実質的には、誘電体２０２の誘電率εｒと導体パターン２０３ａの幅Ｗで固有インダクタンスＬ０が決定される。
【００６３】
半田リフロー後は、共振周波数が得られるように領域ＲＥＧ１〜１７のうち、特定の領域の半田ブリッジを除去して固有インダクタンスＬ０を調整する。図７の例では、領域ＲＥＧ８〜１２，１５〜１７の半田を除去して、内蔵型アンテナ１１の固有インダクタンスＬ０を調整している。
【００６４】
固有インダクタンスＬ０を最小に調整する場合は、図８に図示するように、領域ＲＥＧ５〜１６の半田を除去することで、導体パターン２０３ａの長さが最小となり、その結果、固有インダクタンスＬ０が最小となる。
【００６５】
逆に、固有インダクタンスＬ０を最大に調整する場合は、図９に図示するように、領域ＲＥＧ２，３，１３〜１７の半田を除去することで、導体パターン２０３ａの長さが最大となり、その結果、固有インダクタンスＬ０が最大となる。
【００６６】
本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００６７】
本発明に係るマイクロストリップラインは、携帯電話機等の通信機器に限らず、高周波を扱う種々の機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】実施形態に係るマイクロストリップラインを有する通信機器の主要部を示すブロック図である。
【図２】実施形態に係る通信機器の筐体の一例を示す外観図である。
【図３】図２に示す筐体の下部を分解したときの一例を示す分解斜視図である。
【図４】実施形態に係る内蔵型アンテナの外観図である。
【図５】実施形態に係るマイクロストリップラインの一部を示す平面図である。
【図６】図５に示すマイクロストリップラインの断面図である。
【図７】実施形態に係るマイクロストリップアンテナの一部を示す平面図である。
【図８】実施形態に係る第３のランドの経路長が最小となるときの平面図である。
【図９】実施形態に係る第３のランドの経路長が最長となるときの平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０…携帯電話機、１１…内蔵型アンテナ、１２…通信部、１３…制御部、１４…記憶部、１５…音声入出力部、１５ａ…スピーカ、１５ｂ…マイクロフォン、１６…表示部、１７…操作部、１８…バッテリ、１９…回路基板、１９１…給電点、２０…マイクロストリップライン、３０…放射電極パターン、１０１…上部筐体、１０２…下部筐体、１０３…ヒンジ部、１１０…アンテナエレメント、２０１…導体板、２０２…誘電体、２０３、２０３ａ…導体パターン、２０４ａ、２０４ｂ…凹部、２０５…切断部、１０２１…フロントケース、１０２２…リアケース、１０２３…バッテリリッド、１０２４…（筐体下部の）孔部、１０２５…バッテリ接続端子、１１０１…孔部、ＬＡＤＨ、ＬＡＤＬ、ＬＡＤ…ランド、Ｌ０…固有インダクタンス、ＲＥＧ…領域、Ｚ０…特性インピーダンス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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