(57)【要約】【課題】焼成後の太陽電池基板裏面電極部において、膨れや、アルミニウムがボール状に突出する欠陥が発生するのを抑制し、かつ裏面電極に起因して発生する基板の反りを低減した太陽電池を得る事を目的とする。【解決手段】本発明に係る太陽電池は、受光面を有するシリコン基板１、シリコン基板１の受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第１の電極層７、第１の電極層７とシリコン基板１との間に形成されアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層６、第２の電極層６とシリコン基板１との間に形成されたＢＳＦ層９を備えて構成される。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第１の電極層と、
前記第１の電極層と前記シリコン基板との間に形成されアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層と、
前記第２の電極層と前記シリコン基板との間に形成されたＢＳＦ層と、を備える、
太陽電池。
【請求項２】
前記第１の電極層の融点は前記第２の電極層の融点よりも高い、
請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第２の電極層のアルミニウムに対するシリコンの含有量は２重量％以上かつ１５重量％以下である、
請求項１または請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第２の電極層はボロン化合物をさらに含有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項５】
（ａ）シリコン基板の一方の面に受光面を形成する工程と、
（ｂ）前記シリコン基板の前記受光面と反対側の表面においてアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層を形成する工程と、
（ｃ）前記第２の電極層の表面においてアルミニウムを含有する第１の電極層を形成する工程と、
（ｄ）前記工程（ａ）〜（ｃ）によって形成された積層体を熱処理し前記シリコン基板と前記第２の電極層との間にＢＳＦ層を形成する工程と、を備える、
太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｃ）で形成される第１の電極層の融点は前記工程（ｂ）で形成される第２の電極層の融点よりも高い、
請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）で形成される第２の電極層のアルミニウムに対するシリコンの含有量は２重量％以上かつ１５重量％以下である、
請求項５または請求項６に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）で形成される第２の電極層はボロン化合物をさらに含有する、
請求項５から請求項７のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シリコン基板を用いた太陽電池とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池の基板の裏面には、発生したキャリアがその表面で再結合によって消失することを防ぐために、表面近傍に逆電界領域が形成されており、この逆電界領域で裏面に移動してきた少数キャリアを追い返す機能が付与されている。この逆電界領域はＢＳＦ層と呼ばれる。太陽電池においては、光の入射によって発生したキャリアを効率よく捕獲するために、太陽電池の裏面（受光面に対して反対側の基板面）に、ＢＳＦ層が形成されている。このようなＢＳＦ層（逆電界領域）の形成のためには、裏面電極の作製時に、ｐ型の太陽電池の基板に対してｐ＋型の導電型を有する領域が同時に形成されるような方法が取られている。
【０００３】
このＢＳＦ層の形成を含めた裏面電極の作製方法としては、多結晶シリコン型の太陽電池の場合には、多結晶シリコン基板の裏面にアルミニウムペーストをスクリーン印刷により形成し、焼成時にアルミニウムペーストから基板内部へのアルミニウムの拡散によってｐ＋型の導電層（ＢＳＦ層）の形成と、アルミニウムによる裏面電極の作製とを同時に行う方法が低コストな作製方法として用いられている。
【０００４】
その他、太陽電池に関する発明として、光励起キャリアの再結合を防止するために、シリコン原子と炭素原子を含有した層を形成し、該層のバンドギャップが層厚方向になめらかに変化した太陽電池が提案されている（特許文献１〜３参照。）。これらの文献においては、ＡｌＳｉを裏面オーミック電極として使用する方法が記述されている。
【０００５】
また、宇宙用途に適するように、太陽電池シリコン基板と背面電極を電気的に接続するために形成された背面絶縁層における複数の開口の開口率を最適化する方法が、特許文献４に提案されている。該文献においては、ＡｌとＴｉ−Ｐｄ−Ａｇを積層して、電極とＢＳＦ層を形成する方法が記述されている。また、太陽電池セルの反りを解消するために電極形成においてＡｌを積層して熱処理する方法（特許文献５参照。）や、太陽電池セルの割れを防止するため電極形成においてにＡｌと無機物繊維を積層する方法（特許文献６参照。）が提案されている。
【０００６】
また、太陽電池の電気的性能とはんだの接着性を改善する方法が特許文献７〜９に提案されている。これらの文献においては、ＡｌとＡｇを積層して熱処理する工程により、電極とＢＳＦ層を形成する方法が記述されている。
【０００７】
裏面電極材料としては上記のように、基板と裏面電極とのオーミックコンタクトの獲得や、裏面電極と接続部材との半田付け性の改善等については種々の検討が行われている。
【０００８】
【特許文献１】特開平６−７７５１２号公報
【特許文献２】特開平６−１６３６５６号公報
【特許文献３】特開平６−２０４５１４号公報
【特許文献４】特開２０００−１７４３０４号公報
【特許文献５】特開２００２−２１７４３５号公報
【特許文献６】特開２００４−１２８４１１号公報
【特許文献７】特開２００６−３０２８９０号公報
【特許文献８】特開２００６−３０２８９１号公報
【特許文献９】特開２００６−３１３７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、裏面電極におけるプロセス上の問題として、裏面電極ペーストをスクリーン印刷により形成した後の焼成工程に於いて、焼成条件あるいは電極ペーストの印刷膜厚を適切に選択しない場合には、焼成後の太陽電池基板裏面電極部に、膨れや、アルミニウムがボール状に突出する欠陥が発生することを挙げることができる。このような欠陥の発生は、電極としての機能が阻害されるのに加え、複数の太陽電池セルをタイリングして並べて一枚の太陽電池パネルとするときに突起の為にセルに割れが生ずることや、セル裏面に貼り付けるバックフィルムを突き破り絶縁不良が生ずる可能性が高くなるなど基板の実装上の障害にも繋がり、製品の性能低下や生産歩留まりの低下となり、好ましくない。
【００１０】
電極焼成時の電極部分について、裏面電極の大気面側の大部分はペースト中に含まれるアルミニウム粒子形状が持ち越されて形成される多孔質状の部分となり、また電極ペースト中のアルミニウム粒子と基板とが共晶反応により低融点化して発生するアルミニウムシリコン合金融液部が裏面電極と基板との境界部に存在する。上記の欠陥は、発生したアルミニウムシリコン融液が、裏面電極の多孔質部分の機械的に弱い部分を突き破って、大気面側に吹き出すことによって発生するものと考えられる。
【００１１】
また、近年、低コスト化のために多結晶基板の薄板厚化が進んでいるが、基板厚が薄くなった場合、裏面電極に起因して発生する基板の反りを低減することが必要になる。このために、裏面電極は、その発生応力を低減するために、形成厚さを薄くしたり、応力発生の小さい電極ペーストを用いたりしている。しかし、電極厚さを薄くすることで電極強度は低下し、また、低応力ペーストは多くの場合アルミニウム粒子の焼結性が悪く、電極自体の強度の低下を招き易く、これらによる電極強度の低下から、前記欠陥が多く発生する場合がある。また、低応力化のための焼結抑制は、Ａｌの拡散性の低下に繋がりやすく、シリコン基板中へのＡｌの拡散により形成されるＢＳＦ層の形成状態も劣化し、期待される発電効率が得られにくくなる場合がある。
【００１２】
太陽電池基板の反りの発生量は電極厚さに依存し、電極厚さを厚くすれば基板の反りは大きく、薄くすれば基板の反りは小さくすることが出来る。また、ＢＳＦ層の形成状態としては、裏面電極の厚さが薄いと十分な形成状態が得られず、厚くすることにより十分なＢＳＦ層を得ることが出来るようになる。このような傾向にある両者のバランスをとる条件は、基板厚が薄くなることに伴って狭くなり、更に、電極欠陥の生成を抑制し、全てを満足する構成、プロセス条件を見いだすことは極めて難しい。また、上述した文献の内容は目的が異なり、問題の解決には至らない。
【００１３】
本発明は上述の問題を解決するためになされたものであり、焼成後の太陽電池基板裏面電極部において、膨れや、アルミニウムがボール状に突出する欠陥が発生するのを抑制し、かつ裏面電極に起因して発生する基板の反りを低減した太陽電池を得る事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る太陽電池は、受光面を有するシリコン基板、シリコン基板の受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第１の電極層、第１の電極層とシリコン基板との間に形成されアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層、第２の電極層とシリコン基板との間に形成されたＢＳＦ層を備えて構成される。
【発明の効果】
【００１５】
裏面電極の構成について、第１の電極層としてアルミニウムを主体とし、特に低応力特性を有するペーストとする。また、中間層である第２の電極層として、第１の電極層に対して、低融点であり、ＢＳＦ形成能力の高い材質であるアルミニウムとシリコンを含有する層を配置する。第２の電極層により、基板焼成時の過剰なアルミニウムシリコン融液の生成を抑制することで裏面電極における突起等の欠陥生成を抑制でき、同時に有効なＢＳＦ層を形成することができる。よって、裏面電極部において膨れやアルミニウムがボール状に突出する欠陥が発生するのを抑制し、かつ裏面電極に起因して発生する基板の反りを低減した、低板厚のシリコン基板を用いた太陽電池セルを、高効率で歩留まりよく生産できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１７】
＜実施の形態１＞
（構成）
図５に、本実施の形態に係る太陽電池の構成を示す。太陽電池は多結晶シリコンからなるシリコン基板１を備え、シリコン基板１の光入射面すなわち受光面の表層にはｎ＋伝導層３を有し、ｎ＋伝導層３の表面は反射防止膜４によって覆われている。反射防止膜４上には、例えば銀からなる複数の電極５が設けられている。
【００１８】
また、シリコン基板１の受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第１の電極層７と、第１の電極層７とシリコン基板１との間に形成され、アルミニウムに対して１２重量％シリコンなる組成のアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層６を備える。第１の電極層７の融点は第２の電極層６の融点よりも高い。さらに、第２の電極層６とシリコン基板１との間には、シリコン基板１側にＢＳＦ層９、第２の電極層６側に合金層８を備える。
【００１９】
（製法）
図１〜図５は、この発明を実施するための実施の形態１における、太陽電池基板の製造工程を説明するための断面図である。多結晶シリコンからなるシリコン基板１は、図１のように光入射面すなわち受光面となる基板第１面１ａと、その裏面である基板第２面１ｂとを有している。このような厚さ約２００μｍのシリコン基板１を準備する。
【００２０】
シリコン基板１はｐ型の伝導性を持ち、その表面は反射防止のため、図２に示すようにエッチング層２が形成される。シリコン基板１の基板第２面１ｂは、Ｐ型の表層を構成している。また、基板第１面１ａの表層にはｎ＋伝導層３を有し、ｎ＋伝導層３の表面には反射防止膜４が形成される。基板第１面１ａには、例えば銀からなる複数の電極５が形成される。
【００２１】
このような構成の光入射面側構造に対し、図３に示すように基板第２面１ｂに電極が形成される。基板第２面１ｂの表面に、第２の電極層６となる膜厚約１０μｍのアルミニウム−１２重量％シリコンなる組成を有する粒子を含有する層を、スクリーン印刷法により形成する。すなわち、シリコン基板１の受光面と反対側の表面においてアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層６を形成する。この時の粒子としては、アルミニウムとシリコンの合金粒子でも良いし、所定の割合にアルミニウム粒子とシリコン粒子を混合したものでも構わない。
【００２２】
次に、図４に示すように、この第２の電極層６の表面に、応力発生の小さい構成を有するアルミニウムの粒子を含有した印刷ペーストを用いて、スクリーン印刷法により膜厚約２０μｍの第１の電極層７を形成する。すなわち、第２の電極層６の表面においてアルミニウムを含有する第１の電極層７を形成する。このとき、第１の電極層７の融点は第２の電極層６の融点よりも高い。
【００２３】
さらに、この積層体を大気中にて８００℃程度で３０秒の熱処理を行う。この熱処理中に第２の電極層６とシリコン基板１の表面（裏面１ｂ）とが反応溶融して、図５に示すように合金層８が形成されるとともに、焼成に伴い第１の電極層７に含まれるアルミニウムが合金層８とシリコン基板１に拡散していき、シリコン基板１と第２の電極層との間にＢＳＦ層９が形成される。
【００２４】
また、同時に、第２の電極層６と第１の電極層７とが相互拡散を起こし、第２の電極層６中のシリコン、或いは、第２の電極層６と基板表面が反応溶融した際にシリコン基板１から拡散するシリコンが、焼成中および焼成後の第１の電極層７中にも拡散することとなる。また、同時に第１の電極層７中のアルミニウムも焼成中及び焼成後の第２の電極層６から基板溶融部へ拡散するため、トータルとしての反応部の形成とＢＳＦ層９の形成に関与することとなり、いわばアルミニウムの供給源として機能することとなる。さらに、基板第１面の電極５は、反射防止膜４を突き抜けて、ｎ＋伝導層３と電気的に接続される。
【００２５】
なお、第１の電極層７を形成する低応力型のペーストは、アルミニウム粒子の加工や、添加物によって電極を構成するアルミニウム粒子同志の焼結による緻密化を抑制することで体積収縮を抑え、基板に対する応力発生を抑制するものが多い。この場合には、焼結抑制することが、同時に、電極の強度低下に繋がる場合が多く、低応力型ペーストを裏面電極用として単独で用いた場合には、裏面電極が膨れたり、亀裂が発生し、そこから反応溶融したアルミニウムシリコン合金が表出したりする欠陥が発生しやすい（図６の裏面電極欠陥１２参照。）。
【００２６】
（効果）
ＢＳＦ層９の形成は電極と基板界面部の状態に大きく左右され、電極の厚さは、電極基板界面部の状態について、焼成時の雰囲気やアルミニウムの供給といった、重要ではあるが間接的な関与によって影響を与えているものと推定される。また、前記のＡｌの突起等の裏面電極の欠陥は、電極形成用ペースト中のアルミニウム粒子と基板材料であるシリコンとの共晶反応による低融点化により、何らかの原因で局所的にアルミニウムシリコン融液の生成と電極強度とのバランスで発生することが推定される。
【００２７】
上記のような複数の異なる性能を有する電極材料を最適に配置する多層構成とすることにより、裏面欠陥の源となる基板と電極層界面での反応溶融層の発生状態を、完全にではないが、一定の制御を行うことができるようになる。
【００２８】
すなわち、基板と接触する電極部には、ＢＳＦ形成能力の高い材質を配置しており、またこの第２の電極層６自体の機械的強度が第１の電極層７単独の場合よりも高い為に、電極自体の強度を高めることが可能である。一方で、電極強度が高い分、発生応力が大きいため、薄く形成することが必要であり、そのままでは、十分なＢＳＦ層９を形成する環境を整えることが難しいが、この領域以外は直接的にはＢＳＦ形成には関与しないため、第２の電極層６上に、低応力アルミニウムペーストにより第１の電極層７を形成しＢＳＦ形成を補助させることで、ＢＳＦ層形成のためのアルミニウムの供給と酸化状態の調整を行うことができ、低応力特性と高いＢＳＦ形成能力を両立することができる。
【００２９】
高いＢＳＦ能力形成能力とは、ｐ型伝導性を有するシリコン基板中に拡散して、拡散部にｐ＋伝導性を有効に付与しうるものであり、例えば、基板上の中間層として、上述したようにアルミニウム、シリコンの合金あるいは混合材料を、主構成層としてアルミニウムを用いれば、中間層は主構成層よりも低融点であるため、アルミニウムの拡散を確保できる。
【００３０】
上記構成を用いた裏面電極は、測定プローブによる２端子直接コンタクトによる広がり抵抗法による測定では、ＢＳＦ層９と見られる裏面電極端から基板内へ形成される低抵抗部は、平均深さとして５．５μｍと評価され、この時の裏面欠陥発生数は基板５ｃｍ角当たり、ほぼ無しとすることができた。
【００３１】
比較のために、従来技術である、太陽電池の裏面電極を、市販低応力アルミニウムペーストによりスクリーン印刷で作製した比較例を説明する。工程としては、上記とほぼ同じであり、電極層の印刷形成が１回、すなわち電極の構成が１種類である点のみ異なる。印刷乾燥後の電極の厚さは平均として約３５μｍであった。この場合の裏面電極の状態としては、上記と同様にして、基板内の低抵抗部を測定したところ、その深さは平均深さとして５．２μｍであった。
【００３２】
前記の試料と比べてやや形成厚さは浅いが、形成状態自体はほぼ同等と考えられる。裏面欠陥については、基板５ｃｍ角当たり、１０個から２０個の裏面電極部膨れや、球状のアルミニウムシリコン合金の突起の生成、欠陥が見られた。これらの欠陥は、太陽電池の信頼性、実装上の生産性の点で好ましくない。また、裏面電極の膜厚や、焼成条件を調整することで有る程度の発生の抑制は可能であるが、製造条件が限定されることは、安定生産、あるいは高い歩留まりを得る上で不利であり、広範な電極構成、焼成条件において欠陥発生の少ない電極構成、材料を適用することが望ましい。
【００３３】
これらの第２の電極層６すなわち中間層は、熱処理初期に、基板と電極との境界部に存在すれば効果を発現しうるため、厚く形成する必要はなく、主構成層より薄く、２〜３μｍ程度の厚さがあれば良い。形成手法としても特に限定はないが、スクリーン印刷法や、薄く形成する場合には、スピンコート法やスプレー塗布を行っても良い。
【００３４】
＜実施の形態２＞
（構成）
図５に、本実施の形態に係る太陽電池の構成を示す。本実施の形態においては複数の太陽電池が用意され、それぞれの第２の電極層６におけるアルミニウムとシリコンは、異なる組成により構成される。なお、第２の電極層６のアルミニウムに対するシリコンの含有量は、２重量％以上かつ１５重量％以下が、本実施の形態における好適な範囲である。
【００３５】
その他の構成は実施の形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３６】
（製法）
本実施の形態において、第１の電極層７は実施の形態１と同じアルミニウムペーストが用いられるが、第２の電極層６の形成は、図７の試料１〜７に記載したアルミニウムシリコンペーストが用いられる。それぞれのペーストは、アルミニウムとシリコンの組成、または金属粉の種類（混合粉または合金粉）が異なる。焼成前の第２の電極層６のアルミニウムに対するシリコンの含有量は、２重量％以上かつ１５重量％以下が、本実施の形態における好適な範囲である。
【００３７】
なお、図７にはこのときの基板内の第２の電極層６の形成厚さ、低抵抗領域の形成深さ、および裏面電極欠陥の生成量についても示されている。第２の電極層６の形成厚さは、印刷乾燥後の厚さである。
【００３８】
その他の製法は実施の形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３９】
（効果）
図７より、同じ組成であっても混合粉を用いるか合金粉を用いるかによって差が見られるが、ＢＳＦ層６と見られる基板中の低抵抗層の厚さからすると、第２の電極６層のアルミニウムシリコン組成として１５重量％以下が実質上有効であり、シリコン含有量が２０重量％となると低抵抗層の形成はあるものの薄い生成深さとなるため、部分的に低抵抗領域の生成が十分ではない部分も生じている可能性が高まり、安定性生産上に懸念が生ずる。
【００４０】
また、シリコン量１重量％の場合には、実施の形態１において比較として示した試料と比べて、裏面欠陥の発生量に差が無くなり、有効性が低下する。よって、第２の電極層６のアルミニウムに対するシリコンの含有量は２重量％以上かつ１５重量％以下が有効である。
【００４１】
許容される欠陥発生数としては、欠陥の大きさにもよるため、一義的に決定できないが、発生が無ければ最も良いが、５ｃｍ角に１個程度に抑制されれば、実質上問題は無い。
【００４２】
このように、中間層のアルミニウムシリコンの組成を形成時から限定することで、裏面電極欠陥発生に関連する電極、基板界面部でのアルミニウムシリコン融液の形成状態を制御することが出来るため、欠陥発生を抑制することができる。有効な組成範囲としては、アルミニウム融点より低い融点を有するアルミニウムシリコン組成であれば効果を有する。
【００４３】
上記結果すなわち融点の観点から、アルミニウムに対するシリコンの含有率は、概ね明確に融点が低下する２重量％から、アルミニウムの融点に近接する１５重量％程度が有効であるが、特性的に更に好適な範囲としては、最も融点が低下する共晶組成である１２％シリコンから、基板側のシリコンがやや溶け込むことが出来る、よりアルミニウム富化組成域が有効である。
【００４４】
混合粉と合金粉とは、低抵抗域の形成深さのシリコン含有量に対する変化に対して差が見られるが、これは合金粉の場合は、局所的に見れば、アルミニウムシリコンペーストであってもアルミニウム粉末とシリコン基板が直接接触している部分が存在するため、その部分では、アルミニウム１００％のペーストと同様に振る舞うため、シリコン含有量が変わっても、合金粉末ほど大きな挙動の差は出にくいものと考えられる。
【００４５】
＜実施の形態３＞
（構成）
図５に、本実施の形態に係る太陽電池の構成を示す。本実施の形態においては太陽電池の第２の電極層６の組成、すなわち第２の電極層６のアルミニウムに対するシリコンの含有量は１５重量％であり、さらにホウ酸ナトリウムが金属成分重量に対して２％添加されている。すなわち、ボロン化合物をさらに含有している。
【００４６】
その他の構成は実施の形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４７】
（製法）
本実施の形態において、焼成前の第１の電極層７は実施の形態１と同じアルミニウムペーストが用いられるが、第２の電極層６の形成は１５重量％のシリコンを含有するアルミニウム合金粉を用いたペーストであり、かつ該ペースト中にホウ酸ナトリウムが金属成分重量に対して２％添加されたものを使用した。すなわち、ボロン化合物がさらに含有されたものを用いた。
【００４８】
その他の製法は実施の形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４９】
（効果）
第２の電極層６にホウ酸ナトリウムを添加することにより、添加しない場合に比べ、電極欠陥の生成状況は変わらないが、基板中に形成される低抵抗層の厚さは、添加しない場合の３．５μｍに比べ、添加した試料では４．６μｍと深くすることが出来る。添加による低抵抗層の厚さの増加は、製造における特性安定性の面で有利である。
【００５０】
このように、ｐ＋伝導層を形成する能力としては、アルミニウム以外にボロンも有効であり、先の構成に加えてボロン化合物を含有した組成とすることも有効である。ボロン化合物としては、酸化ボロン、ホウ酸ナトリウム、あるいはボロン濃度の高いホウ珪酸ガラス、Ａｌ−Ｃａ−Ｂ−Ｏ系などの高濃度のボロンを含有するホウ酸ガラスを加えることが簡便で有効であるが、特にホウ酸ナトリウム、高ボロンホウ珪酸ガラス、ホウ酸ガラスは、反応しやすく、安定であり適用が容易である。
【００５１】
第２の電極層６は、基板とアルミニウムを主体とする電極との共晶反応による融液の発生をある程度コントロールできるものであるため、基板内に形成されるＢＳＦ層９の形成能力が低下する場合もあり、この場合、ＢＳＦ層９の形成に有利なボロン化合物などの元素添加を行うことが有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る太陽電池の製造工程を示す図である。
【図２】本発明に係る太陽電池の製造工程を示す図である。
【図３】本発明に係る太陽電池の製造工程を示す図である。
【図４】本発明に係る太陽電池の製造工程を示す図である。
【図５】本発明に係る太陽電池の構成を示す図である。
【図６】本発明の解決すべき課題を示す図である。
【図７】本発明の効果を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  シリコン基板、１ａ  基板第１面、１ｂ  基板第２面、２  エッチング層、３  ｎ＋伝導層、４  反射防止膜、５  電極、６  第２の電極層、７  第１の電極層、８  合金層、９  ＢＳＦ層、１２  裏面電極欠陥。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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