(57)【要約】【課題】工程数を増やすことなく、素子基板に対して対向基板との隙間寸法を制御する柱状突起を光反射層の間に形成することのできる反射型液晶装置の製造方法、反射型液晶装置、電子機器、および投射型表示装置を提供すること。【解決手段】反射型液晶装置１００の素子基板１０に柱状突起１１を形成するにあたって、樹脂塗布工程でネガタイプの感光性樹脂１３を塗布した後、露光工程で第２面１０ｙ側から感光性樹脂１３を露光すると、素子基板１０の透光領域１０ｔの感光性樹脂１３のみが露光されるので、現像後、画素電極９ａの上層には感光性樹脂層１３ａが形成されない。従って、現像後の感光性樹脂層１３ａをエッチングマスクとして用いて下層側の絶縁膜１２をエッチングして柱状突起１１を形成した場合、柱状突起１１が画素電極９ａの上層に形成されない。【選択図】図４
2009092800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の第１面上の複数の画素の各々に画素スイッチング素子および光反射層を備えた素子基板と、該素子基板に所定の隙間を介して貼り合わされた対向基板とを有する反射型液晶装置の製造方法において、
前記支持基板は透光性基板であり、前記素子基板は、前記画素スイッチング素子および前記光反射層と重なる領域が遮光領域になっているとともに、当該遮光領域に挟まれた領域が透光領域になっており、
前記素子基板において前記画素スイッチング素子および前記光反射層より上層側で前記対向基板に向けて突出して前記隙間寸法を制御する柱状突起を形成する柱状突起形成工程では、
少なくとも、
前記画素スイッチング素子および前記光反射層より上層側にネガタイプの感光性樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、
前記透光性基板において前記第１面とは反対側に位置する第２面側から前記感光性樹脂を露光する露光工程と、
露光後の前記感光性樹脂を現像する現像工程と、
を行なうことを特徴とする反射型液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記露光工程では、前記透光領域の一部のみと重なる露光用透光部を備えた露光マスクを介して前記感光性樹脂を露光することを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記柱状突起形成工程では、前記樹脂塗布工程の前に、前記信号線、前記画素スイッチング素子および前記光反射層より上層側に絶縁膜を形成し、
前記現像工程の後、前記絶縁膜上に残った感光性樹脂層をマスクにして前記絶縁膜をエッチングして前記柱状突起を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の反射型液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記柱状突起形成工程では、前記現像工程の後に残った感光性樹脂層を前記柱状突起とすることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする反射型液晶装置。
【請求項６】
支持基板上の複数の画素の各々に画素トランジスタおよび光反射層を備えた素子基板と、該素子基板に所定の隙間を介して貼り合わされた対向基板とを有する反射型液晶装置において、
前記支持基板は透光性基板であり、前記素子基板は、前記画素スイッチング素子および前記光反射層と重なる領域が遮光領域になっているとともに、当該遮光領域に挟まれた領域が透光領域になっており、
前記素子基板には、前記透光領域内で前記画素スイッチング素子および前記光反射層より上層側で前記対向基板に向けて突出して前記隙間寸法を制御する柱状突起が形成されていることを特徴とする反射型液晶装置。
【請求項７】
前記柱状突起は、前記遮光領域の外周縁と重なる少なくとも２辺を備えた平面形状を有していることを特徴とする請求項６に記載の反射型液晶装置。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れか一項に記載の反射型電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項５乃至７の何れか一項に記載の反射型液晶装置を備え、
当該反射型液晶装置に光を供給するための光源部と、前記反射型液晶装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系とを備えていることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向基板に対向配置された素子基板上に画素スイッチング素子および光反射層が形成された反射型液晶装置の製造方法、当該反射型液晶装置、当該反射型電極光学装置を備えた電子機器および投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
反射型液晶装置では、支持基板上に薄膜トランジスタなどの画素スイッチング素子および反射層が形成された素子基板と、対向基板とが対向配置されているとともに、素子基板と対向基板との間に液晶層が保持されている。
【０００３】
このような反射型液晶装置の製造方法において、素子基板に対して対向基板との隙間寸法を制御する柱状突起を形成するにあたっては、光反射層の間の下層側に光吸収層を形成しておき、素子基板の上層に形成したポジタイプの感光性樹脂をその表面側から露光することにより、レジストマスクを形成した後、このレジストマスクによって、絶縁膜をパターニングし、柱状突起を形成することが提案されており、かかる構成によれば、表示に直接、寄与しない光反射層の間に柱状突起を形成することができる（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平０８−２４８４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示の構成では、表示に直接寄与しない光吸収層を形成する必要があるため、工程数が増える分、生産性が低下するという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、工程数を増やすことなく、素子基板に対して対向基板との隙間寸法を制御する柱状突起を光反射層の間に形成することのできる反射型液晶装置の製造方法、反射型液晶装置、電子機器、および投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、支持基板の第１面上の複数の画素の各々に画素スイッチング素子および光反射層を備えた素子基板と、該素子基板に所定の隙間を介して貼り合わされた対向基板とを有する反射型液晶装置の製造方法において、前記支持基板は透光性基板であり、前記素子基板は、前記画素スイッチング素子および前記光反射層と重なる領域が遮光領域になっているとともに、当該遮光領域に挟まれた領域が透光領域になっており、前記素子基板において前記画素スイッチング素子および前記光反射層より上層側で前記対向基板に向けて突出して前記隙間寸法を制御する柱状突起を形成する柱状突起形成工程では、少なくとも、前記画素スイッチング素子および前記光反射層より上層側にネガタイプの感光性樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、前記透光性基板において前記第１面とは反対側に位置する第２面側から前記感光性樹脂を露光する露光工程と、露光後の前記感光性樹脂を現像する現像工程と、を行なうことを特徴とする。
【０００７】
本発明では、素子基板に用いた支持基板は透光性基板であるため、素子基板は、画素スイッチング素子および前記光反射層と重なる領域が遮光領域になっているとともに、当該遮光領域に挟まれた領域が透光領域になっている。このため、樹脂塗布工程でネガタイプの感光性樹脂を塗布した後、露光工程で第２面側から感光性樹脂を露光すると、透光領域の感光性樹脂のみが露光されるので、現像後、反射層の上層には感光性樹脂層が形成されない。従って、現像後の感光性樹脂層をエッチングマスクとして用いて下層側の絶縁膜をエッチングして柱状突起を形成した場合、あるいは現像後の感光性樹脂層をそのまま柱状突起として用いた場合のいずれにおいても、柱状突起が反射層の上層に形成されない。それ故、反射モードで画像を表示した場合、画像の品位を柱状突起が低下させることがない。また、工程数を増やすことなく柱状突起を形成することができるので、高い生産性を実現することができる。
【０００８】
かかる製造方法により得た反射型液晶装置は、支持基板上の複数の画素の各々に画素トランジスタおよび光反射層を備えた素子基板と、該素子基板に所定の隙間を介して貼り合わされた対向基板とを有しており、前記支持基板は透光性基板であり、前記素子基板は、前記画素スイッチング素子および前記光反射層と重なる領域が遮光領域になっているとともに、当該遮光領域に挟まれた領域が透光領域になっており、前記素子基板には、前記透光領域内で前記画素スイッチング素子および前記光反射層より上層側で前記対向基板に向けて突出して前記隙間寸法を制御する柱状突起が形成されている。この場合、前記柱状突起は、前記遮光領域の外周縁と重なる少なくとも２辺を備えた平面形状を有している。
【０００９】
本発明において、前記露光工程では、前記透光領域の一部のみと重なる露光用透光部を備えた露光マスクを介して前記感光性樹脂を露光することが好ましい。このように構成すると、透光領域の所定領域のみに柱状突起を形成することができる。
【００１０】
本発明において、前記柱状突起形成工程では、前記樹脂塗布工程の前に、前記信号線、前記画素スイッチング素子および前記光反射層より上層側に絶縁膜を形成し、前記現像工程の後、前記絶縁膜上に残った感光性樹脂層をマスクにして前記絶縁膜をエッチングして前記柱状突起を形成する方法を採用することができる。
【００１１】
本発明において、前記柱状突起形成工程では、前記現像工程の後に残った感光性樹脂層を前記柱状突起とする方法を採用してもよい。
【００１２】
本発明を適用した反射型液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどの電子機器の他、投射型表示装置のライトバルブとして用いることができる。この場合、投射型表示装置は、本発明を適用した反射型液晶装置に光を供給するための光源部と、前記反射型液晶装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系とを備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、薄膜トランジスタを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００１４】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した反射型液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示すように、反射型液晶装置１００は、液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としての薄膜トランジスタ３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。薄膜トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、薄膜トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、薄膜トランジスタ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００１５】
素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１６】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。
【００１７】
（液晶パネルおよび素子基板の構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、反射型液晶装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００１８】
本形態において、素子基板１０の支持基板は透光性基板１０ｄであり、対向基板２０の支持基板は透光性基板２０ｄである。
【００１９】
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。
【００２０】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、光反射性の画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。また、対向基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極２１が形成されている。なお、対向基板２０には画素電極９ａ間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることがある。また、画素領域１０ｂには、額縁１０８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。なお、対向基板の額縁１０８を無くし、素子基板側に遮光性材料からなる額縁を形成しても良い。
【００２１】
このように形成した反射型液晶装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再び、対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。ここで、反射型液晶装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機などといった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、対向基板２０および素子基板１０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。さらに、反射型液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各反射型液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成されない。また、対向基板２０に何層もの屈折率の異なる干渉層を積層することにより、光の干渉作用を利用して、ＲＧＢ色をつくり出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付きの対向基板によれば、より明るいカラー表示を行うことができる。
【００２２】
ここで、素子基板１０には、対向基板２０との隙間寸法（液晶層５０の層厚）を制御するための柱状突起１１が形成されており、かかる柱状突起１１の詳細な構成については後述する。
【００２３】
（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）において、画素電極９ａについては長い点線で示し、データ線６ａについては一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短くて細い点線で示してある。
【００２４】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０には、石英基板やガラス基板などからなる透光性基板１０ｄ（支持基板）の第１面１０ｘおよび第２面１０ｙのうち、対向基板２０側に位置する第１面１０ｘにシリコン酸化膜などからなる透光性の下地絶縁層１５が形成されているとともに、その上層側において、画素電極９ａと重なる位置にＮチャネル型の薄膜トランジスタ３０が形成されている。薄膜トランジスタ３０は、島状のポリシリコン膜からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる透光性のゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面に、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。なお、本形態において、薄膜トランジスタ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えていたが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。
【００２５】
また、本形態では、半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分には、ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。
【００２６】
薄膜トランジスタ３０の上層側には、層間絶縁層７、８が形成されている。層間絶縁層７の表面には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線６ａが形成され、データ線６ａは、層間絶縁層７に形成されたコンタクトホール７ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。
【００２７】
層間絶縁層８の表面には、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる光反射性の画素電極９ａ（反射層）が形成され、その上層には配向膜１６が形成されている。なお、画素電極９ａをＩＴＯ膜などの透光性の薄膜で形成し、その下層側にアルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる光反射層を形成する場合もある。また、層間絶縁層８の表面に凹凸を形成し、かかる凹凸を画素電極９ａの表面に反映させることもある。このように構成すると、画素電極９ａの表面に光散乱性が付与されるので、画素電極９ａでの正反射を防止でき、背景などの写り込みを防止することができる。
【００２８】
このように構成した素子基板１０は、図２（ｂ）に示すように、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように対向基板２０に対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、素子基板１０および対向基板２０に形成された配向膜（図２（ｂ）では図示せず）により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。
【００２９】
（柱状突起１１の構成）
本形態の反射型液晶装置１００において、素子基板１０では、層間絶縁膜８の上層（画素電極９ａおよび薄膜トランジスタ３０の上層側）に柱状突起１１が形成されており、かかる柱状突起１１は、上端部が対向基板２０に当接することにより、素子基板１０と対向基板２０との隙間寸法（液晶層５０の層厚）を制御している。ここで、柱状突起１１は、隣接する画素電極９ａの間に形成されており、画素電極９ａと重なる位置には形成されていない。また、柱状突起１１は、隣接する画素電極９ａの間のうち、走査線３ａ、容量線３ｂおよびデータ線６ａを避けた位置に形成され、走査線３ａ、容量線３ｂおよびデータ線６ａと重なる位置には形成されていない。
【００３０】
本形態において、柱状突起１１は略矩形の平面形状を有しており、データ線６ａが延びている方向で相対向する辺１１１、１１２は、画素電極９ａの外周縁（矩形の辺部分）と重なっている。
【００３１】
（柱状突起１１の製造工程）
以下、図４を参照して柱状突起１１の製造工程を説明しながら、柱状突起１１の詳細な構成を説明する。図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１の反射型液晶装置１００の製造工程のうち、柱状突起１１を形成する工程（柱状突起形成工程）での露光工程を模式的に示す断面図、現像工程後の様子を模式的に示す断面図、その平面的な構成を示す説明図、および柱状突起１つ分を拡大して示す平面図である。なお、図４（ａ）、（ｂ）は、図３（ｂ）に対応し、図４（ｃ）は図３（ａ）に対応する。図４（ｄ）には、露光用マスクの遮光部分を右下がりの斜線領域で示し、素子基板１０の遮光領域を右上がりの斜線領域で示してある。
【００３２】
本発明を適用した反射型液晶装置１００において、素子基板１０の支持基板が透光性基板１０ｄであるため、図４（ｃ）に示すように、薄膜トランジスタ３０および画素電極９ａ（反射層）と重なる領域が遮光領域１０ｒ（図４（ｃ）に右上がりの斜線を付した領域）になっているとともに、遮光領域１０ｒに挟まれた帯状領域は、透光領域１０ｔになっている。本形態では、データ線６ａ、容量線３ｂ、およびデータ線６ａが金属膜やドープトシリコン膜からなるため、データ線６ａ、容量線３ｂ、データ線６ａなどの配線が形成されている領域も遮光領域１０ｒに含まれている。
【００３３】
このような構成を利用して、本発明を適用した反射型液晶装置１００の製造工程のうち、柱状突起１１を形成する工程（柱状突起形成工程）では、まず、図４（ａ）に示すように、透光性基板１０ｄの第１面１０ｘ上に下地保護層１５、薄膜トランジスタ３０、走査線３ａ、容量線３ｂ、データ線６ａ、ゲート絶縁層２、層間絶縁膜７、８、画素電極９ａを形成した後、配向膜１６を形成する前に、層間絶縁膜８および画素電極９ａを覆うように、シリコン酸化膜などからなる厚い絶縁膜１２を形成する。ここで、絶縁膜１２の厚さは、素子基板１０と対向基板２０との隙間寸法に相当する。次に、絶縁膜１２の上層にネガタイプの感光性樹脂１３を塗布する（樹脂塗布工程）。
【００３４】
次に、透光性基板１０ｄの第２面１０ｙの側から感光性樹脂１３を露光する（露光工程）。その際、透光領域１０ｔの一部のみと重なる露光用透光部１４ａを備えた露光マスク１４を介して感光性樹脂１３を露光する。本形態では、露光マスク１４の露光用透光部１４ａは、データ線６ａが延びている方向に長い矩形形状を有しており、露光用透光部１４ａは透光領域１０ｔを跨いでいる。従って、矢印Ｌ１０で示す露光光のうち、矢印Ｌ１２で示す光は、露光用透光部１４ａを透過した後、遮光領域１０ｒ（画素電極９ａ）で遮られるのに対して、矢印Ｌ１１で示す光は、露光用透光部１４ａを透過した後、透光領域１０ｔを通って感光性樹脂１３に到達する。
【００３５】
従って、感光性樹脂１３を現像すると、図４（ｂ）、（ｄ）に示すように、露光用透光部１４ａと透光領域１０ｔとの重畳部分に重なる領域に感光性樹脂層１３ａが残る。それ故、感光性樹脂層１３ａをマスクにして絶縁膜１２をエッチングすると、透光領域１０ｔのみに絶縁膜１２ａが残り、かかる絶縁膜１２ａによって、図３（ａ）、（ｂ）に示す柱状突起１１が形成される。かかる柱状突起１１は、略矩形の平面形状を有しており、データ線６ａが延びている方向で相対向する辺１１１、１１２は、遮光領域１０ｒの周縁（画素電極９ａの外周縁）と重なっており、他の辺１１３、１１４は、露光マスク１４の露光用透光部１４ａの端縁と重なっている。
【００３６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、素子基板１０に用いた支持基板は透光性基板１０ｄであるため、素子基板１０は、薄膜トランジスタ３０、画素電極９ａ（反射層）、データ線６ａ、容量線３ｂ、データ線６ａが形成されている領域が遮光領域１０ｒになっているとともに、遮光領域１０ｒに挟まれた領域が透光領域１０ｔになっている。このため、樹脂塗布工程でネガタイプの感光性樹脂１３を塗布した後、露光工程で第２面１０ｙ側から感光性樹脂１３を露光すると、透光領域１０ｔの感光性樹脂１３のみが露光されるので、現像後、画素電極９ａの上層には感光性樹脂層１３ａが形成されない。従って、現像後の感光性樹脂層１３ａをエッチングマスクとして用いて下層側の絶縁膜１２をエッチングして柱状突起１１を形成した場合、柱状突起１１が画素電極９ａの上層に形成されない。それ故、反射モードで画像を表示した場合、画像の品位を柱状突起１１が低下させることがない。また、工程数を増やすことなく柱状突起１１を形成することができるので、高い生産性を実現することができる。
【００３７】
［実施の形態１の変形例］
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１の変形例に係る反射型液晶装置１００の製造工程のうち、柱状突起１１を形成する工程（柱状突起形成工程）での露光工程を模式的に示す断面図、現像工程後の様子を模式的に示す断面図、その平面的な構成を示す説明図、および柱状突起１つ分を拡大して示す平面図である。なお、本形態は基本的な構成が、図３および図４を参照して説明した形態と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、図５（ａ）、（ｂ）は、図３（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）に対応し、図５（ｃ）は図３（ａ）および図４（ｃ）に対応する。図５（ｄ）には、露光用マスクの遮光部分を右下がりの斜線領域で示し、素子基板１０の遮光領域を右上がりの斜線領域で示してある。
【００３８】
実施の形態１では、データ線６ａが延びている方向で遮光領域１０ｒに挟まれた領域に平面矩形の柱状突起１１を形成したが、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、露光工程では、素子基板１０の透光領域１０ｔの交差部分を含む領域に矩形の露光用透光部１４ａを備えた露光マスク１４を介して感光性樹脂１３を露光する。このように構成すると、露光用透光部１４ａと透光領域１０ｔとの重畳部分に重なる領域に平面十字形状の感光性樹脂層１３ａが残る結果、感光性樹脂層１３ａをマスクにして絶縁膜１２をエッチングすると、透光領域１０ｔに平面十字形状の絶縁膜１２ａが残り、かかる絶縁膜１２ａによって、図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明した柱状突起１１が形成される。
【００３９】
［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型液晶装置１００の製造工程のうち、柱状突起１１を形成する工程（柱状突起形成工程）での露光工程を模式的に示す断面図、および現像工程後の様子を模式的に示す断面図ある。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、図６（ａ）は、図３（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）に対応し、図６（ｂ）は図３（ａ）および図４（ｂ）に対応する。
【００４０】
実施の形態１では、柱状突起１１は、シリコン酸化膜などの絶縁膜により構成されていたが、本形態は、以下に説明するよう、感光性樹脂層によって柱状突起１１を形成する。
【００４１】
まず、図６（ａ）に示すように、透光性基板１０ｄの第１面１０ｘ上に下地保護層１５、薄膜トランジスタ３０、走査線３ａ、容量線３ｂ、データ線６ａ、ゲート絶縁層２、層間絶縁膜７、８、画素電極９ａを形成した後、配向膜１６を形成する前に、ネガタイプの感光性樹脂１３を形成する。ここで、感光性樹脂１３の厚さは、現像後、素子基板１０と対向基板２０との隙間寸法となるように設定する（樹脂塗布工程）。
【００４２】
次に、透光性基板１０ｄの第２面１０ｙの側から感光性樹脂１３を露光する（露光工程）。その際、実施の形態１と同様、透光領域１０ｔの一部のみと重なる露光用透光部１４ａを備えた露光マスク１４を介して感光性樹脂１３を露光する。従って、矢印Ｌ１０で示す露光光のうち、矢印Ｌ１１で示す光のみが、露光用透光部１４ａを透過した後、透光領域１０ｔを通って感光性樹脂１３に到達する。
【００４３】
従って、感光性樹脂１３を現像すると、図６（ｄ）に示すように、露光用透光部１４ａと透光領域１０ｔとの重畳部分に重なる領域に感光性樹脂層１３ａが残る。かかる感光性樹脂層１３ａによって、図３（ａ）、（ｂ）に示す柱状突起１１が形成される。かかる柱状突起１１は、図３（ａ）を参照して説明したように、略矩形の平面形状を有しており、データ線６ａが延びている方向で相対向する辺１１１、１１２は、遮光領域１０ｒの周縁（画素電極９ａの外周縁）と重なっており、他の辺１１３、１１４は、露光マスク１４の露光用透光部１４ａの端縁と重なっている。
【００４４】
このように本形態では、樹脂塗布工程でネガタイプの感光性樹脂１３を塗布した後、露光工程で第２面１０ｙ側から感光性樹脂１３を露光し、透光領域１０ｔの感光性樹脂１３のみを露光するので、現像後、画素電極９ａの上層には感光性樹脂層１３ａが形成されない。従って、感光性樹脂層１３ａを柱状突起１１として利用すると、柱状突起１１が画素電極９ａの上層に形成されないことになるので、反射モードで画像を表示した場合、画像の品位を柱状突起１１が低下させることがない。また、工程数を増やすことなく柱状突起１１を形成することができるので、高い生産性を実現することができる。
【００４５】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、１つの画素１００ａに１つの柱状突起１１を形成したが、柱状突起１１の数などについては限定されない。また、上記実施の形態では、素子基板１０上に同一形状の柱状突起１１を形成したが、例えば、図４に示す形状の柱状突起１１と、図５に示す形状の柱状突起１１とを同一の素子基板１０上に形成してもよい。
【００４６】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型液晶装置１００は、図７（ａ）に示す投射型表示装置（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図７（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。
【００４７】
図７（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の反射型液晶装置１００（反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光をスクリーン８６０に投写する。
【００４８】
また、図７（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての反射型液晶装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、反射型液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図７（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての反射型液晶装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が反射型液晶装置１００に表示される。
【００４９】
さらに、対向基板２０などにカラーフィルタを形成すれば、カラー表示可能な反射型液晶装置１００を形成することができる。また、カラーフィルタを形成した反射型液晶装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明を適用した反射型液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１の反射型液晶装置の製造工程のうち、柱状突起を形成する工程での露光工程を模式的に示す断面図、現像工程後の様子を模式的に示す断面図、その平面的な構成を示す説明図、および柱状突起１つ分を拡大して示す平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１の変形例に係る反射型液晶装置の製造工程のうち、柱状突起を形成する工程での露光工程を模式的に示す断面図、現像工程後の様子を模式的に示す断面図、その平面的な構成を示す説明図、および柱状突起１つ分を拡大して示す平面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型液晶装置の製造工程のうち、柱状突起を形成する工程での露光工程を模式的に示す断面図、および現像工程後の様子を模式的に示す断面図ある。
【図７】本発明を適用した反射型液晶装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
９ａ・・画素電極（反射層）、１０・・素子基板、１０ｄ・・透光性基板、１０ｒ・・素子基板の遮光領域、１０ｔ・・素子基盤の透光領域、１０ｘ・・透光性基板の第１面、１０ｙ・・透光性基板の第２面、１１・・柱状突起、１２・・絶縁膜、１３・・感光性樹脂、１３ａ・・感光性樹脂層、１４・・露光マスク、１４ａ・・露光用透光部、３０・・薄膜トランジスタ、５０・・液晶、１００・・反射型液晶装置、１００ａ・・画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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