(57)【要約】【課題】本発明は、ポリマー材料を用いてアクチュエータを単純な構造で実現することにより破損や故障し難くすること、また、その製造工程及び工数を削減することを目的とする。【解決手段】本発明のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０は、シリコン基板１１の上にポリマー材料により電気で駆動可能な微小機械構造を成しており、長手板状のポリマー材料によるポリマー可動部１２と、このポリマー可動部１２と概略同形状を成してその上面に固着された金属ヒータ１３と、ポリマー可動部１２及び金属ヒータ１３の先端部に固定された光を反射する鏡面１４ａを表裏面に有する鏡１４とを備えて構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にポリマー材料により電気で駆動可能な微小機械構造であるＭＥＭＳを形成して成るポリマーＭＥＭＳアクチュエータであって、
前記基板上に一端部が固定され、この固定された一端部に対して長手方向で対向する先端部が、当該基板の上方で同基板の上面に対して垂直な方向に可動できるように配設された長手板状のポリマー材料によるポリマー可動部と、
前記ポリマー可動部と概略同形状を成して当該ポリマー可動部の片面に固着され、当該ポリマー可動部と線膨張係数が異なると共に通電にて発熱する金属ヒータと、
前記ポリマー可動部又は前記金属ヒータの先端部に固定された光を反射する鏡と、
を備えたことを特徴とするポリマーＭＥＭＳアクチュエータ。
【請求項２】
基板上にポリマー材料によって光を伝送する光導波路が縦横で交差するマトリクス状に形成されており、これら光導波路に伝送される光を該交差位置で通過又は反射させて伝送経路を変えるスイッチング制御を行う光スイッチにおいて、
前記交差位置に、請求項１に記載のポリマーＭＥＭＳアクチュエータを配設し、このポリマーＭＥＭＳアクチュエータの前記金属ヒータへの通電の有無を制御することにより前記スイッチング制御を行うことを特徴とする光スイッチ。
【請求項３】
基板上にポリマー材料により電気で駆動可能な微小機械構造であるＭＥＭＳを形成するポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法であって、
前記基板上にレジスト層を形成したのち露光及び現像により当該レジスト層を凸状に成形し、これを犠牲層とする犠牲層形成工程と、
前記犠牲層形成工程で形成された犠牲層を含む前記基板上にネガ型のポリマー材料を塗布してポリマー層を形成し、このポリマー層を露光及び現像により、前記基板上の一部から前記犠牲層の上面に架かって長手状に延びる形状に成形し、これをポリマー可動部とする可動部形成工程と、
前記可動部形成工程で形成されたポリマー可動部を含む前記基板上に金属膜を形成し、この金属膜を、レジストパターン膜を利用したエッチングによって前記ポリマー可動部にこれと略同形で固着した形状に成形し、これを金属ヒータとする金属ヒータ形成工程と、
前記金属ヒータ形成工程を経た後に、前記ポリマー可動部の先端部に光を反射する鏡面を形成する鏡面形成工程と、
前記鏡面形成工程での鏡面形成後に、前記犠牲層を除去する除去工程と、
を順に備えるポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法。
【請求項４】
前記金属ヒータ形成工程で成形された金属膜は、前記可動部形成工程で形成されたポリマー可動部と線膨張係数が異なると共に通電にて発熱する金属材料が用いられていることを特徴とする請求項３に記載のポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板上にポリマー材料を用いて、電気で駆動可能な微小機械構造であるＭＥＭＳ（マイクロ電子機械システム）を形成したポリマーＭＥＭＳアクチュエータ、光スイッチ及びポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）は、電気と機械を融合した超小型システム（微小機械構造）であり、半導体（ＬＳＩ）の製造技術を応用した微細加工技術で製造される。ＬＳＩがシリコン基板上に電子回路を集積させるのに対し、ＭＥＭＳはシリコン基板上に微小機械構造を造りこむ技術である。このＭＥＭＳ技術は、微細加工・組み合わせ技術の集大成で、世の中のあらゆる分野の既存製品の超小型化に貢献するため、潜在的に応用可能な製品は無数にあると言われている。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術は、例えばシリコン基板上にポリマー等の絶縁材料によって複数の光導波路がマトリクス状に形成された光通信デバイスに、光スイッチを形成する場合に用いられている。その光スイッチは、各光導波路に伝送される光を通過又は反射させて伝送経路を変更する制御を行うように鏡を駆動するものであり、ＭＥＭＳアクチュエータによって実現されている。最近では、ＭＥＭＳアクチュエータを、特許文献１に記載のように、シリコン基板上にポリマー等の絶縁材料で形成する技術がある。
【０００４】
この内容として、基板上に固定された固定コームと、基板から分離された可動コームと、基板上に固定されたポストと、基板から分離された状態でポストに連結されて可動コームを可動可能に支持するバネと、を備えるＭＥＭＳコームアクチュエータであることが開示されている。更に、前記固定コーム、可動コーム、ポスト及びバネは基板上に形成された絶縁物質層に構成され、固定コーム及び可動コームの表面には各々導電性金属コーティング膜が形成される。
【０００５】
そして、基板を備える段階と、基板上にシリカまたはポリマーよりなる所定厚さの絶縁物質層を形成する段階と、絶縁物質層及び基板を選択的にエッチングして絶縁物質層に固定コーム、可動コーム、ポスト及びバネを形成し、固定コーム及び可動コームの表面に各々導電性金属コーティング膜を形成する段階と、を備えるＭＥＭＳコームアクチュエータの製造方法であることが開示されている。また、固定コームと可動コームは、双方とも櫛歯状で互いに歯の凹凸部分が、凸部が凹部にギャップを介して入り組む対向状態に配設されている。
【特許文献１】特開２００５−５１９７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１においては、ＭＥＭＳアクチュエータの固定コームと可動コームを絶縁物質層で形成するが、それら形状が双方とも櫛歯状で互いに歯の凹凸部分が、凸部が凹部にギャップを介して入り組む対向状態に配設されているので、構造が複雑であり、また、絶縁物質層をエッチングして固定コームと可動コーム並びにポスト及びバネを形成しなければならない。つまり、アクチュエータの構造が複雑であるがゆえ、破損や故障し易く、また、複雑な構造を絶縁物質層をエッチングして形成しなければならないので、その製造工程及び工数が嵩むという課題があった。
【０００７】
前記課題を解決するために、本発明は、ポリマー材料を用いてアクチュエータを単純な構造で実現することにより破損や故障し難くすること、また、その製造工程及び工数を削減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、発明者は、基板上にポリマー材料を用いて、長手状の一端が固定され、他端が基板に対して垂直方向に移動可能な片持ち梁構造で且つ単純なバイメタルに類似する構造であるポリマーＭＥＭＳアクチュエータを作製することとした。
【０００９】
具体的には、基板上にポリマー材料により電気で駆動可能な微小機械構造であるＭＥＭＳを形成して成るポリマーＭＥＭＳアクチュエータであって、前記基板上に一端部が固定され、この固定された一端部に対して長手方向で対向する先端部が、当該基板の上方で同基板の上面に対して垂直な方向に可動できるように配設された長手板状のポリマー材料によるポリマー可動部と、前記ポリマー可動部と概略同形状を成して当該ポリマー可動部の片面に固着され、当該ポリマー可動部と線膨張係数が異なると共に通電にて発熱する金属ヒータと、前記ポリマー可動部又は前記金属ヒータの先端部に固定された光を反射する鏡と、を備えたことを特徴とするポリマーＭＥＭＳアクチュエータである。
【００１０】
この構成によれば、ポリマーＭＥＭＳアクチュエータを、ポリマー材料を用いて単純なバイメタルに類似する構造で実現したので、従来の複雑な構造のものと比較して破損や故障し難くなる。
【００１１】
また、具体的には、基板上にポリマー材料によって光を伝送する光導波路が縦横で交差するマトリクス状に形成されており、これら光導波路に伝送される光を該交差位置で通過又は反射させて伝送経路を変えるスイッチング制御を行う光スイッチにおいて、前記交差位置に、請求項１に記載のポリマーＭＥＭＳアクチュエータを配設し、このポリマーＭＥＭＳアクチュエータの前記金属ヒータへの通電の有無を制御することにより前記スイッチング制御を行うことを特徴とする光スイッチである。
【００１２】
この構成によれば、ポリマーＭＥＭＳアクチュエータもポリマー材料によって形成できるので、それら光導波路の交差位置にも容易に形成して配設することが可能となり、縦横の光導波路の本数が多くてもポリマーＭＥＭＳアクチュエータを集積化することが可能となる。
【００１３】
更に、具体的には、基板上にポリマー材料により電気で駆動可能な微小機械構造であるＭＥＭＳを形成するポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法であって、前記基板上にレジスト層を形成したのち露光及び現像により当該レジスト層を凸状に成形し、これを犠牲層とする犠牲層形成工程と、前記犠牲層形成工程で形成された犠牲層を含む前記基板上にネガ型のポリマー材料を塗布してポリマー層を形成し、このポリマー層を露光及び現像により、前記基板上の一部から前記犠牲層の上面に架かって長手状に延びる形状に成形し、これをポリマー可動部とする可動部形成工程と、前記可動部形成工程で形成されたポリマー可動部を含む前記基板上に金属膜を形成し、この金属膜を、レジストパターン膜を利用したエッチングによって前記ポリマー可動部にこれと略同形で固着した形状に成形し、これを金属ヒータとする金属ヒータ形成工程と、前記金属ヒータ形成工程を経た後に、前記ポリマー可動部の先端部に光を反射する鏡面を形成する鏡面形成工程と、前記鏡面形成工程での鏡面形成後に、前記犠牲層を除去する除去工程と、を順に備えるポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法である。
【００１４】
この方法によれば、ポリマー可動部の下方の犠牲層が除去されることで、ポリマー可動部の一端部のみが基板上に固定された状態、つまり片持ち梁構造となるので、その固定された一端部と長手方向で対向し、鏡面の形成された先端部が、基板の上方で同基板の上面に対して垂直な方向に可動できるアクチュエータを形成することができる。
【００１５】
本発明のポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法は、前記金属ヒータ形成工程で成形された金属膜は、前記可動部形成工程で形成されたポリマー可動部と線膨張係数が異なると共に通電にて発熱する金属材料が用いられていることが望ましい。
【００１６】
この方法によれば、ポリマー可動部にこれと線膨張係数が異なる金属膜が固着されてバイメタルに類似する構造となっているので、その金属膜に通電して発熱させれば、双方が熱せられて線膨張係数の大きい方が小さい方よりも物理的に長く伸びる。従って、線膨張係数の大きい方から小さい方へ曲がる（移動する）ことになる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ポリマー材料を用いてアクチュエータを単純な構造で実現することにより破損や故障し難くすること、また、その製造工程及び工数を削減するポリマーＭＥＭＳアクチュエータ、光スイッチ及びポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施例であり、本発明は、以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態に係るポリマーＭＥＭＳアクチュエータの構成を示す断面図である。本実施形態のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０は、シリコン基板１１の上にポリマー材料により電気で駆動可能な微小機械構造であるＭＥＭＳを有する構成を成している。このＭＥＭＳは、長手板状のポリマー材料によるポリマー可動部１２と、このポリマー可動部１２と概略同形状を成してその上面に固着された金属ヒータ１３と、ポリマー可動部１２及び金属ヒータ１３の先端部に固定された光を反射する鏡面１４ａを表裏面に有する鏡１４とを備えて構成されている。
【００２０】
更に詳細には、ポリマー可動部１２は、この一端部がシリコン基板１１の上面に固定され、この固定された一端部に対して長手方向で対向する先端部が、シリコン基板１１の上方で同基板１１の上面に対して垂直方向（以降、上下方向とも称す）に可動可能な片持ち梁構造に配設されている。またポリマー可動部１２の厚さは、本例では５〜３０μｍとする。
【００２１】
金属ヒータ１３は、線膨張係数が１０−５程度であり、ポリマー可動部１２を形成する１０−４程度のポリマー材料よりも線膨張係数が小さく通電にて発熱するクロム（Ｃｒ）を用いて形成されており、クロムの膜厚は本例では５０〜３００ｎｍであるとする。鏡１４の高さは１０〜２００μｍであるとする。
【００２２】
つまり、ポリマー可動部１２と金属ヒータ１３とはバイメタルに類似する構造となっており、金属ヒータ１３に通電して発熱させれば、双方が熱せられ、線膨張係数の大きいポリマー可動部１２が小さい金属ヒータ１３よりも物理的に長く伸びる。これによって、ポリマー可動部１２から金属ヒータ１３の方へ力が加わって、矢印Ｙ１で示す方向へ曲がって移動し、この移動に伴って鏡１４も移動する。一方、通電を解除すれば金属ヒータ１３及びポリマー可動部１２が冷却されるので双方は元の位置に戻り、必然的に鏡１４もに元の位置に戻る。
【００２３】
次に、このようなポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０の製造方法を、図２〜図６を参照して説明する。
【００２４】
最初に、図２（ａ）〜（ｃ）に示す犠牲層形成工程において、（ａ）に示すように、シリコン基板１１の上面にシリコン酸化材料を所定の厚さ塗布することによりポジ型のフォトレジスト層１７−０を形成する。次に、（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１７−０の上方に所定のマスクパターン部１８ａを有するフォトマスク１８を配置し、複数の矢印で示すように、フォトマスク１８の上から紫外線を照射する。これによって、マスクパターン部１８ａ以外の部分に紫外線が照射されて露光される。そして、（ｃ）に示すように、現像を行うとフォトレジスト層１７−０の紫外線照射部分以外が凸状に残る。これが犠牲層１７となる。
【００２５】
次に、図３（ｄ）〜（ｆ）に示す可動部形成工程において、（ｄ）に示すように、犠牲層１７を含むシリコン基板１１の上全面にネガ型のポリマー材料（ＳＵ８：化学増幅型ネガレジスト）を所定の厚さ塗布してポリマー層１２−０を形成する。次に、（ｅ）に示すように、ポリマー層１２−０の上方に所定のマスクパターン部２１ａを有するフォトマスク２１を配置し、複数の矢印で示すように、フォトマスク２１の上から紫外線を照射する。これによって、マスクパターン部２１ａ以外の部分に紫外線が照射されて露光される。そして、（ｆ）に示すように、現像を行うとネガ型なのでポリマー層１２−０の紫外線照射部分が残る。即ち、シリコン基板１１の一部から犠牲層１７の上面に架かって長手状に延びる形状に残る。これがポリマー可動部１２となる。
【００２６】
次に、図４（ｇ）〜（ｊ）に示す金属ヒータ形成工程において、（ｇ）に示すように、ポリマー可動部１２を含むシリコン基板１１の上にクロムを蒸着して金属膜１３−０を形成する。次に、（ｈ）に示すように、金属膜１３−０の上にシリコン酸化材料を所定の厚さ塗布してレジスト層２３−０を形成し、（ｉ）に示すように、そのレジスト層２３−０を露光及び現像して所定形状にパターニングする。これによって形成されたレジストパターン膜２３は、金属膜１３−０を介した下方のポリマー可動部１２に対して一端側がやや長めの概略相似形状を成す。次に、（ｊ）に示すように、そのレジストパターン膜２３を利用して金属エッチングを行った後、レジストパターン膜２３を除去すると、ポリマー可動部１２にこれと略同形で固着した金属ヒータ１３が残る。
【００２７】
次に、図５（ｋ）〜（ｏ）に示す鏡面形成工程において、（ｋ）に示すように、金属ヒータ１３の形成後の全面にミラー層１４−０を成膜し、（ｌ）ではそのミラー層１４−０の上に、ミラー形成用のマスクパターン部２５ａを有するフォトマスク２５を配置し、複数の矢印で示すように、そのフォトマスク２５の上から紫外線を照射する。これによって、マスクパターン部２５ａ以外の部分に紫外線が照射されて露光される。次に、（ｍ）に示すように、現像を行い、鏡のベースとなるミラー構造１４ｂを形成する。（ｎ）では、その形成したミラー構造１４ｂに金属膜を選択的に形成するために、ミラー構造１４ｂの形成後の全面をマスキング用材料１５で覆い、（ｏ）でミラー構造１４ｂの部分のみのマスキング用材料１５を除去するためのフォトマスク２５を用いて露光を行う。
【００２８】
次に、図６（ｐ）〜（ｓ）に示す鏡面形成工程及び除去工程において、（ｐ）に示すように、露光を行った部分のマスキング用材料１５を現像で除去することによって、ミラー構造１４ｂのみが露出されたマスキングとなる。次に、（ｑ）に示すように、ミラー構造１４ｂが露出した基板上全面に反射膜となる金属膜１４ａ−０を形成した後、（ｒ）に示すように、ミラー構造１４ｂ以外の金属膜１４ａ−０を除去して鏡面１４ａを形成する。これによって鏡面１４ａを有する鏡１４が形成される。最後に、（ｓ）に示すように、犠牲層１７を除去する。
【００２９】
このような本実施形態のポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法によれば、最後に、ポリマー可動部１２の下方の犠牲層１７が除去されることで、ポリマー可動部１２の一端部のみがシリコン基板１１の上に固定された状態、つまり片持ち梁構造となる。つまり、その固定された一端部と長手方向で対向し、鏡１４の形成された先端部が、シリコン基板１１の上方で同基板上面に対して垂直な方向に可動できるポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０を形成することができる。
【００３０】
このポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０は、ポリマー可動部１２と金属ヒータ１３とを固着した簡単なバイメタルに類似する構造なので、従来のアクチュエータのように構造が複雑であるがゆえ、破損や故障し易く、また、複雑な構造を絶縁物質層のエッチングで形成することによる製造工程及び工数の嵩みの問題が無くなる。
【００３１】
換言すれば、本実施形態のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０によれば、ポリマー材料を用いてアクチュエータを単純な構造で実現することができるので、破損や故障し難くなり、また、その製造工程及び工数を削減することができる。
【００３２】
なお、上述のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０は、図１に矢印Ｙ１で示したように、ポリマー可動部１２に固着された金属ヒータ１３への通電オン時に上へ動作し、オフ時に逆方向に動作して元の位置に戻る構造であった。しかし、金属ヒータ１３とポリマー可動部１２の位置を逆に製造すれば、通電時に上から下へ動作し、未通電時に逆方向に動作して元の位置に戻る構造とすることができる。
【００３３】
次に、図７に示すように、このようなポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０を用いた光スイッチ３０を説明する。
【００３４】
この光スイッチ３０は、シリコン基板３１の上にポリマー材料によって、光を伝送する光導波路３２，３３が縦横に交差するマトリクス状に形成されている。より詳述すると、シリコン基板３１の縦方向の端面間に４本の光導波路３２が一定隣接間隔で形成され、また、横方向の端面間に４本の光導波路３３が一定隣接間隔で形成されており、各々の光導波路３２，３３が直交状態に交差するマトリクス状に配設されている。但し、光導波路３２，３３を形成するポリマー材料には、光伝送損失が低損失となる全フッ素化ポリイミド等が用いられているとする。
【００３５】
縦横の各光導波路３２，３３の交差位置には、光導波路３２，３３に対して４５度の角度で溝３４が形成されており、溝３４には鏡１４が移動自在に挿入された状態でポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０が配設されている。溝３４は、縦横双方の光導波路３２，３３を所定間隙で切断した状態で形成されている。但し、その溝３４の間隙は、各光導波路３２，３３の光伝送に全く影響を与えない寸法としてある。
【００３６】
このような溝３４に挿入されている鏡１４は、光スイッチ３０のスイッチング制御手段（図示せず）で金属ヒータ１３への通電、未通電が制御されることによって、通電時に図１に矢印Ｙ１で示したように上方に移動して上方に位置する状態となり、未通電時に元の位置に戻る状態となる。また、金属ヒータ１３が未通電時は、鏡１４が各光導波路３２，３３の伝送光を溝３４の部分で反射する反射位置となっている。通電時は、鏡１４が上方に移動して各光導波路３２，３３の伝送光を溝３４の部分で通過する通過位置となる。このようなスイッチング制御は、光スイッチ３０に配設された個々のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０に対して行われるようになっている。
【００３７】
次に、光スイッチ３０の動作を説明する。例えば、図７の各々のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０の内、右上角の１つのポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０の金属ヒータ１３が未通電とされており、これによって鏡１４が反射位置に在るとする。この場合に、矢印Ｙ２で示すように、光が縦方向の光導波路３２に入力されると、その光は光導波路３２を伝送し、鏡１４で９０度反射されて横方向の光導波路３３へ伝送ルートを変え、矢印Ｙ３で示す方向に出力される。
【００３８】
一方、上記の右上角の１つのポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０のみの金属ヒータ１３に通電され、これによって鏡１４が通過位置に在るとする。この場合は、矢印Ｙ２で示すように縦方向の光導波路３２に入力された光は、最初の溝３４の部分は通過し、次の縦方向の光導波路３２を伝送する。この伝送光は、右上角の直下のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０の鏡１４で９０度反射されて横方向の光導波路３３へ伝送ルートを変え、矢印Ｙ４で示す方向に出力される。
【００３９】
このように、光スイッチ３０において、縦横の光導波路３２，３３の交差位置にポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０を配設して光伝送ルート変更のスイッチング制御が行えるようにした。光スイッチ３０は、シリコン基板１１の上にポリマー材料でマトリクス状に縦横の光導波路３２，３３を形成するが、ポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０もポリマー材料によって形成できるので、それら光導波路３２，３３の交差位置にも容易に形成して配設することが可能となり、縦横の光導波路３２，３３の本数が多くてもポリマーＭＥＭＳアクチュエータ１０を集積化することが可能となる。
【００４０】
また、上記では、金属ヒータ１３への未通電時は、鏡１４が反射位置、通電時は通過位置に移動して伝送光を通過状態としたが、これを逆にして、未通電時は、鏡１４が各光導波路３２，３３の通過位置に在って伝送光を通過状態、通電時は、鏡１４が反射位置に移動して伝送光を反射状態とするようにしてもよい。上記実施形態では、各光導波路３２，３３が直交に交差していることを前提としたが、斜めに交差していてもよい。この場合、伝送光は交差する角度で反射する。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明のポリマーＭＥＭＳアクチュエータ、光スイッチ及びポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法は、加速度により構造体がひずみ、静電容量が変わることで加速度を検知する加速度センサ、薄い膜が圧力差によりたわみ、それを静電容量変化としてとらえる事で圧力を検知する圧力センサ、入射した光の反射の有無を可動ミラーで制御する構成のスイッチ、センサ及びディスプレイ等に使われる光ＭＥＭＳスキャナ、多数の微小鏡（マイクロミラー）を平面に配列した表示素子であるＤＭＤ（デジタルマイクロディスプレイ）等に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態に係るポリマーＭＥＭＳアクチュエータの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法による犠牲層形成工程の説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係るポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法による可動部形成工程の説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係るポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法による金属ヒータ形成工程の説明図である。
【図５】本発明の実施形態に係るポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法による鏡面形成工程の説明図である。
【図６】本発明の実施形態に係るポリマーＭＥＭＳアクチュエータの製造方法による鏡面形成工程及び除去工程の説明図である。
【図７】本発明の実施形態に係るポリマーＭＥＭＳアクチュエータを用いた光スイッチの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０：ポリマーＭＥＭＳアクチュエータ
１１，３１：シリコン基板
１２：ポリマー可動部
１２−０：ポリマー層
１３：金属ヒータ
１３−０：金属膜
１４：鏡
１４ａ：鏡面
１４ａ−０：金属膜
１４ｂ：ミラー構造
１４−０：ミラー層
１５：マスキング用材料
１７：犠牲層
１７−０：フォトレジスト層（ポジ型）
１８，２１，２５：フォトマスク
１８ａ，２１ａ，２５ａ：マスクパターン部
２３：レジストパターン膜
２３−０：レジスト層
３０：光スイッチ
３２，３３：光導波路
３４：溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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