(57)【要約】【課題】プラズマに対する耐性が従来よりも安定でパーティクルが従来よりも発生し難いプラズマ耐性部材を提供する。【解決手段】プラズマＹの雰囲気中に曝されるプラズマ耐性部材であって、少なくともプラズマＹとの接触表面がプラズマＹ中のフッ素と反応してプラズマＹに対して安定なニッケルフッ化物を形成するニッケル合金からなる。【選択図】図１
2009188396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ雰囲気中に曝されるプラズマ耐性部材であって、
少なくともプラズマとの接触表面がプラズマ中のイオンやラジカル等の活性種と反応してプラズマに対して安定な化合物を形成する金属からなることを特徴とするプラズマ耐性部材。
【請求項２】
前記金属は、前記化合物が気体状態よりも固体状態の方が安定であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ耐性部材。
【請求項３】
前記金属は、金（Ａｕ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ガリウム（Ｇａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ホルミウム（Ｈｏ）、インジウム（Ｉｎ）、ランタン（Ｌａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、プラセオジム（Ｐｒ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バナジウム（Ｖ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）であることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ耐性部材。
【請求項４】
前記金属のいずれか１つあるいは複数を主成分とする合金によって少なくともプラズマとの接触表面が形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ耐性部材。
【請求項５】
プラズマ処理装置内に設けられ、外部から印加される高電圧によって原料ガスをプラズマ化させるプラズマ電極であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ耐性部材。
【請求項６】
プラズマ処理装置において処理対象物を収容するチャンバであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ耐性部材。
【請求項７】
プラズマ処理装置内に設けられ、チャンバ内壁を直接プラズマに晒さないためのシールドであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ耐性部材。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマ耐性部材によって構成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ耐性部材及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１〜４には、プラズマに対する耐性を備えた部材（プラズマ耐性部材）に関する従来技術が開示されている。
すなわち、特許文献１には、化学的腐食やエロージョン損傷の激しい半導体製造装置で用いられるプラズマ処理容器内部材として、金属、セラミックス、炭素材料などの基材の表面に溶射法によって所定の気孔率かつ所定厚のイットリア（Ｙ2Ｏ3）溶射皮膜を形成することにより、化学的腐食及びプラズマエロージョンに対する抵抗力を向上させると共に、ＡｌＦ３（フッ化アルミニウム）等のパーティクルの発生を抑制する技術が開示されている。また、特許文献２には、プラズマに対する耐食性の向上を図る耐プラズマ性部材として、アルミニウムまたはステンレスからなる基材表面に爆発溶射法によりＹＡＧ膜を形成し、当該ＹＡＧ膜の表面にプラズマ溶射法によりイットリア膜を形成する技術が開示されている。また、特許文献３には、ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れた耐プラズマ性溶射部材として、金属または金属電極を備えたセラミックスからなる基材上の最表面にイットリアに所定量のタングステンまたはモリブデンを分散させると共に気孔率を所定値以下となるイットリア系プラズマ溶射膜を形成する技術が開示されている。さらに、特許文献４には、腐蝕ガスあるいは当該腐蝕ガスのプラズマに対して高い耐蝕性を有する耐蝕性部材として気孔率が所定値以下である弗化物セラミックスによって表面を覆う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３５１０９９３号公報
【特許文献２】特開２００３-１６６０４３号公報
【特許文献３】特開２００７-２１７７７４号公報
【特許文献４】特開２０００２１９５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来のプラズマ耐性部材は、以下のような問題点がある。
すなわち、特許文献１〜４の技術は、イットリア（酸化物）や弗化物等のセラミックスを溶射によって基材の表面に成膜するものであり、このようなセラミックスは、材料として高融点であるため、また溶射によって基材の表面に成膜されるために緻密な皮膜とはなり得ず、皮膜内部に形成される欠陥やクラック等から腐食ガスが徐々に侵入して耐蝕性が低下するという問題がある。また、セラミックスは、材料として硬くて脆く延性に乏しいという性質があるので、衝撃等が外部から加えられた場合にパーティクルが発生し易いという問題もある。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、以下の点を目的とするものである。
（１）プラズマに対する耐性が従来よりも安定なプラズマ耐性部材及び当該プラズマ耐性部材を用いたプラズマ処理装置を提供する。
（２）パーティクルが従来よりも発生し難いプラズマ耐性部材及び当該プラズマ耐性部材を用いたプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明では、プラズマ耐性部材に係る第１の解決手段として、プラズマ雰囲気中に曝されるプラズマ耐性部材であって、少なくともプラズマとの接触表面がプラズマ中のイオンやラジカル等の活性種と反応してプラズマに対して安定な化合物を形成する金属からなる、という手段を採用する。
プラズマ耐性部材に係る第２の解決手段として、上記第１の手段において、上記金属は、上記化合物が気体状態よりも固体状態の方が安定である、という手段を採用する。
プラズマ耐性部材に係る第３の解決手段として、上記第１または第２の手段において、上記金属は、金属は、金（Ａｕ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ガリウム（Ｇａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ホルミウム（Ｈｏ）、インジウム（Ｉｎ）、ランタン（Ｌａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、プラセオジム（Ｐｒ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バナジウム（Ｖ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）である、という手段を採用する。
プラズマ耐性部材に係る第４の解決手段として、上記第１〜第３のいずれかの手段において、上記金属のいずれか１つあるいは複数を主成分とする合金によって少なくともプラズマとの接触表面が形成される、という手段を採用する。
プラズマ耐性部材に係る第５の解決手段として、上記第１〜第４のいずれかの手段において、プラズマ処理装置内に設けられ、外部から印加される高電圧によって原料ガスをプラズマ化させるプラズマ電極である、という手段を採用する。
プラズマ耐性部材に係る第６の解決手段として、上記第１〜第４のいずれかの手段において、プラズマ処理装置において処理対象物を収容するチャンバである、という手段を採用する。
プラズマ耐性部材に係る第７の解決手段として、上記第１〜第４のいずれかの手段において、プラズマ処理装置内に設けられ、チャンバ内壁を直接プラズマに晒さないためのシールドである、という手段を採用する。
さらに、本発明では、プラズマ処理装置に係る解決手段として、第１〜第７のいずれかのプラズマ耐性部材によって構成される、という手段を採用する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、少なくともプラズマとの接触表面がプラズマ中のイオンやラジカル等の活性種と反応してプラズマに対して安定な化合物を形成する金属からなるので、上記化合物は従来のような粉末を高速噴射して形成するセラミックス溶射膜と比べて緻密な皮膜であり、よって従来よりも安定なプラズマ耐性部材及び当該プラズマ耐性部材を用いたプラズマ処理装置を提供することが可能である。
また、本発明によれば、プラズマ耐性部材は金属であり、延性に富むことから、セラミックスから成る焼結体や溶射等の皮膜を使用した従来の部材に比べて、パーティクルの発生原因となる割れや欠け等を生じ難い。さらに、上記化合物はプラズマ中のイオンやラジカル等の活性種と上記金属とからなる金属化合物であり、プラズマ耐性部材が使用される環境条件下で形成されるものであるため、従来のように酸化物や弗化物等のセラミックス被膜を表面に形成した部材よりも熱応力等による変形が少ないので、従来よりもパーティクルが発生し難い。
また、本発明によれば、プラズマ耐性部材は金属であり、従来のセラミックスを使用した部材およびセラミックス溶射膜とは異なり、成型、加工、施工が容易である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係わるプラズマエッチング装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態において、ニッケルフッ化物の生成を確認するためのＸ線回折測定結果であり、（ａ）はエッチング処理前、（ｂ）はエッチング処理後を示している。
【図３】本発明の一実施形態において、各試験片のエッチング深さに関する実験結果を示す表である。
【図４】本発明の一実施形態において、エッチング速度（μｍ／ｈｒ）の実験結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、ドライエッチング装置の一種であるプラズマエッチング装置に関する。このようなプラズマエッチング装置は、処理対象にプラズマを用いて所定の処理（表面処理や加工処理等）を施すプラズマ処理装置の一種でもある。
【００１０】
図１は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成図である。この図に示すように、本プラズマエッチング装置は、チャンバ１、上部電極２（プラズマ電極）、下部電極３（プラズマ電極）、高周波電源４を備えている。なお、これら構成要素は本プラズマエッチング装置の主要な構成部品であり、本プラズマエッチング装置は、これら主要な構成部品の他に、上部電極２及び下部電極３の支持部品、チャンバ内壁を直接プラズマに晒さないためのシールド等の各種部品を備えている。
【００１１】
チャンバ１は、機密性を有する金属製容器（例えばアルミ容器）であり、図示するように上部電極２、下部電極３及び処理対象物であるウエハＸを収容する。このようなチャンバ１は、ガス供給口１ａからエッチングガスが供給されると共に、ガス排気口１ｂから排ガスが排出されるようになっている。上記エッチングガスは、例えば四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）との混合ガスである。
【００１２】
上部電極２は、図示するように、チャンバ１内において下部電極３と平行に対向すると共に位置的に上側に設けられた平板電極であり、図示するように接地されている。下部電極３は、チャンバ１内において上記上部電極２と平行に対向すると共に位置的に下側に設けられた平板電極であり、高周波電源４の一方の出力端が接続されている。また、この下部電極３上には、図示するようにウエハＸが載置されている。
【００１３】
上記チャンバ１、上部電極２、下部電極３及び上記各種部品は、本プラズマエッチング装置におけるプラズマ耐性部材である。すなわち、チャンバ１、上部電極２、下部電極３及び上記各種部品は、ニッケル（Ｎｉ）とクロム（Ｃｒ）とを主成分とする合金（金属）であるニクロム（ニッケル：クロム＝５０％：５０％）から形成されている。このようなニクロムは、（１）プラズマ中のイオンやラジカル等の活性種と反応することによりプラズマに対して安定なニッケルフッ化物（例えば、ＮｉＦ２や（ＮｉＣｒＦ５）７Ｈ２Ｏ）を形成し、また（２）上記化合物が気体状態よりも固体状態の方が安定である金属の１つとして選定されたものである。
【００１４】
このような条件（１）、（２）を満足する金属としては、上記ニクロムの他に、金（Ａｕ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ガリウム（Ｇａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ホルミウム（Ｈｏ）、インジウム（Ｉｎ）、ランタン（Ｌａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、プラセオジム（Ｐｒ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バナジウム（Ｖ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）、もしくはこれら金属のいずれか１つあるいは複数を主成分とする合金が考えられる。
【００１５】
また、上記条件（１）、（２）を満足するニクロム（ニッケル：クロム＝５０％：５０％）以外のニッケルあるいはニッケル合金としては、ニクロム（ニッケル：クロム＝８０％：２０％）、４２インバー、スーパーインバー、インコネルｘ７５０、インコネル６０１、インコネル６２５、インコロイ８２５、インコロイ８００、ＣｏＮｉＣｒＡｌＹ、Ｎｉ−２０Ａｌ、Ｎｉ−５Ａｌあるいは９９．５Ｎｉが考えられる。
【００１６】
４２インバーは、ニッケルを主成分とし、４１〜４３重量％のニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）、０．７〜１．２５重量％のマンガン（Ｍｎ）、０．３重量％以下のシリコン（Ｓｉ）、また０．１重量％以下の炭素（Ｃ）を含むニッケル合金である。スーパーインバーは、３１重量％のニッケルを主成分とし、４〜６重量％のコバルト（Ｃｏ）、０．３〜０．４重量％のマンガン（Ｍｎ）、また０．０７重量％の炭素（Ｃ）を含むニッケル合金である。インコネルｘ７５０は、７０重量％以上のニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）、１４〜１７重量％のクロム（Ｃｒ）、また僅かな量のチタン（Ｔｉ）、アルミ（Ａｌ）及びニオブ（Ｎｂ）を含むニッケル合金である。
【００１７】
インコネル６０１は、５８〜６３重量％のニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）、２１〜２５重量％のクロム（Ｃｒ）、１重量％以下のマンガン（Ｍｎ）、また１．０〜１．７重量％のアルミ（Ａｌ）を含むニッケル合金である。インコネル６２５は、５８重量％以上のニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）、２０〜２３重量％のクロム（Ｃｒ）、５重量％以下の鉄（Ｆｅ）、８から１０重量％のモリブデン（Ｍｏ）、また３．１５〜４．１５重量％のニオブ（Ｎｂ）あるいはタンタル（Ｔａ）を含むニッケル合金である。インコロイ８２５は、３８〜４６重量％のニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）、１９．５〜２３．５重量％のクロム（Ｃｒ）、２２重量％以下の鉄（Ｆｅ）、１重量％以下のマンガン（Ｍｎ）、２．５〜３．５重量％のモリブデン（Ｍｏ）、また１．５〜３．０重量％の銅（Ｃｕ）を含むニッケル合金である。
【００１８】
インコロイ８００は、２３．５〜３０重量％のニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）、１９〜２３重量％のクロム（Ｃｒ）、３９．５重量％以上の鉄（Ｆｅ）、１。５重量％以下のマンガン（Ｍｎ）、また１重量％のシリコン（Ｓｉ）を含むニッケル合金である。ＣｏＮｉＣｒＡｌＹは、３２重量％のニッケル（Ｎｉ）、２１重量％のクロム（Ｃｒ）、８重量％のアルミ（Ａｌ）及び０．５重量％のイットリウム（Ｙ）を含むニッケル・コバルト合金である。Ｎｉ−２０Ａｌは、２０重量％のアルミ（Ａｌ）を含むニッケル合金である。Ｎｉ−５Ａｌは、５重量％のアルミ（Ａｌ）を含むニッケル合金である。また、９９．５Ｎｉは０．５重量％以下の不可避的不純物を含むニッケルである。
【００１９】
ウエハＸは、本プラズマエッチング装置の処理対象物であり、例えば直径が３００ｍｍのシリコン単結晶ウェハ（３００ｍｍウェハ）であり、前工程においてレジスト処理されたもの、つまり表面に集積回路を構成する微細なレジストパターンが形成されている。
【００２０】
高周波電源４は、１０ＭＨｚ程度の高周波電力を外部に供給するものであり、一方の出力端が下部電極３に接続される一方、他方の出力端が接地されている。すなわち、高周波電源４は、１０ＭＨｚ程度の高周波電力を上部電極２と下部電極３とに給電する。このように、本プラズマエッチング装置は、上部電極２と下部電極３とが平行対向した状態でチャンバ１内に設けられた平行平板型である。
【００２１】
次に、このように構成された本プラズマエッチング装置の作用について、図２、図３をも参照して詳しく説明する。
【００２２】
本プラズマエッチング装置では、チャンバ１内にプラズマガスが充満した状態で上部電極２と下部電極３とに高周波電源４から高周波電力が給電されるので、上部電極２と下部電極３との間に高周波電界が発生する。この結果、チャンバ１内では上記高周波電界によってプラズマガスが電離してプラズマＹが生成される。すなわち、図１に示すように、チャンバ１内において上部電極２と下部電極３との間はプラズマ雰囲気となり、上部電極２の下面、下部電極３の上面及びウエハＸの表面（上面）はプラズマＹに曝された状態にある。
【００２３】
また、このように生成されたプラズマＹは、上部電極２と下部電極３との間に主に分布するが、拡散等によってチャンバ１の内に広く分布するので、チャンバ１の内面、当該チャンバ１内に収容された上部電極２と下部電極３との各表面及び各種部品の表面は、濃度差はあるものプラズマＹに曝された状態となる。
【００２４】
このような本プラズマエッチング装置では、プラズマＹがウエハＸの表面に作用することにより当該表面をエッチング（ドライエッチング）処理する。このようなエッチング処理はプラズマＹに本来期待される作用であるが、プラズマＹは、このような本来作用に加えてチャンバ１の内面、上部電極２、下部電極３及び各種部品の各表面においてニクロムと化学反応を起こすことによりプラズマＹに対して安定な化合物、つまりニッケルフッ化物（ＮｉＦ２や（ＮｉＣｒＦ５）７Ｈ２Ｏ）からなる被膜（不動態膜）を形成する。
【００２５】
すなわち、ニクロムは、プラズマＹの成分元素である炭素（Ｃ）、フッ素（Ｆ）及び酸素（Ｏ）のうち、酸素（Ｏ）と結合して酸化物となるよりもフッ素（Ｆ）と結合してフッ化物となった方が内部エネルギー的により安定なために上記ニッケルフッ化物を形成する。このようにチャンバ１の内面、上部電極２、下部電極３及び各種部品の各表面に形成されたニッケルフッ化物は、固体状態のほうが気体状態よりも内部エネルギー的に安定なので、気化することなく固体膜としてチャンバ１の内面、上部電極２、下部電極３及び各種部品の各表面に形成される。一般的に、ハロゲン化物の中でフッ化物は最も安定した化合物である。したがって、上記不動態膜は、一定の厚さに達すると、さらに膜厚が増大することがない。
【００２６】
図２は、鉄系金属基材上にニクロム膜を形成した試験片について、本プラズマエッチング装置と同様な平行平板型のプラズマエッチング装置を用いてエッチング処理した場合のＸ線回折測定結果であり、（ａ）はエッチング処理前、（ｂ）はエッチング処理後を示している。測定条件は、Ｘ線源：ＣｏＫα、Ｘ線出力：４０ｋＶ／４０ｍＡ、コリメータ径：３００μｍφ、測定時間：６００秒である。処理前では、形成したニクロム及び基材の主成分である鉄（Ｆｅ）が成分として検出されたが、処理後では、これらニクロム及び鉄（Ｆｅ）に加えて、ニッケルフッ化物（ＮｉＦ２及び（ＮｉＣｒＦ５）７Ｈ２Ｏ）が検出された。また、基材の主成分である鉄（Ｆｅ）のフッ化物およびその他の化合物は、処理後の試料からは検出されなかった。この測定結果は、ニクロムをプラズマに曝して一定時間処理することにより表面のみにニッケルフッ化物（ＮｉＦ２及び（ＮｉＣｒＦ５）７Ｈ２Ｏ）が生成されることを示している。
【００２７】
また、図３に、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、ポリイミド、アルミナ結晶及びニクロムの各試験片について、本プラズマエッチング装置と同様な平行平板型のプラズマエッチング装置を用いてエッチング処理した場合のエッチング深さの実験結果を示す。処理条件は、圧力：２ｔｏｒｒ、処理時間：４５分と１１時間、高周波電力：５０Ｗと８０Ｗである。この実験結果から分かるように、ニクロム以外の試験片ではプラズマによって浸食された結果各々にエッチングされているが、ニクロムの試験片は、エッチング深さがマイナスの値（−０．５μｍ）、つまりプラズマによって浸食さることなく逆に厚くなっている。このようなニクロムの試験片の厚さの上昇は、上述したニッケルフッ化物（ＮｉＦ２や（ＮｉＣｒＦ５）７Ｈ２Ｏ）からなる不動態膜が試験片の表面に形成されたことによるものである。
【００２８】
また、図４は、各種の金属並びに上記条件（１）、（２）を満足するニッケル及びニッケル合金について、エッチング速度（μｍ／ｈｒ）の実験結果を示す表である。実験条件は、エッチングガス：四フッ化炭素（ＣＦ４）、エッチングガス流量：３５ｓｃｃｍ、圧力（真空度）：１×１０−２ｔｏｒｒ、高周波電力：４００Ｗである。なお、この表では、従来のイットリア（Ｙ2Ｏ3）のエッチング速度（μｍ／ｈｒ）も比較例として示している。
【００２９】
この表が示すように、各種の金属のうち、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、インジウム（Ｉｎ）及び銅（Ｃｕ）並びに上記ニッケル及びニクロムを含むニッケル合金は、何れもイットリア（Ｙ2Ｏ3）と同程度のエッチング速度（μｍ／ｈｒ）を示しており、プラズマ耐性部材として十分な性能を有している。そして、これら亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、インジウム（Ｉｎ）及び銅（Ｃｕ）並びにニッケル及びニクロムを含むニッケル合金は、金属あるいは合金なので、セラミックスであるイットリア（Ｙ2Ｏ3）よりも緻密であり、かつ、脆くない。
【００３０】
特に、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）及びニッケル（Ｎｉ）並びにニクロム（ニッケル：クロム＝８０％：２０％）、４２インバー、スーパーインバー、インコネルｘ７５０、インコネル６０１、インコネル６２５、インコロイ８２５及びインコロイ８００は、プラズマ雰囲気中にさらされる部材そのものを構成することが可能であり、母材上に溶射皮膜として形成されるイットリア（Ｙ2Ｏ3）またはＣｏＮｉＣｒＡｌＹ、Ｎｉ−２０Ａｌ、Ｎｉ−５Ａｌ及び９９．５Ｎｉに比べて空孔（気孔）が殆ど無いので、極めてプラズマ耐性の安定性に優れている。
【００３１】
このような本実施形態によれば、チャンバ１、上部電極２、下部電極３及び各種部品がニクロムで形成されているので、プラズマＹにされされることによって表面にニッケルフッ化物（ＮｉＦ２や（ＮｉＣｒＦ５）７Ｈ２Ｏ）からなる不動態膜が形成される。この不動態膜は、ニッケルという金属の化合物（フッ化物）であり、従来のようなセラミックスとは異なり緻密な皮膜であり、よって従来よりも安定なプラズマ耐性部材及び当該プラズマ耐性部材を用いたプラズマエッチング装置を提供することができる。
また、本実施形態によれば、上記化合物（フッ化物）は、プラズマＹを生成するフッ素（Ｆ）とニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃｒ）とからなる金属化合物であり、従来の酸化物やフッ化物等のセラミックスよりも脆くなく延性に富んでいるので、また上記不動態膜は所定厚より厚くならない性質を有するので、従来よりもパーティクルが発生し難い。
【００３２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
（１）上記実施形態ではチャンバ１、上部電極２、下部電極３及び各種部品をニクロムで形成したが、本願発明はこれに限定されない。すなわち、プラズマＹと反応して上記不動態膜を形成するのはチャンバ１、上部電極２、下部電極３及び各種部品の表面近傍部位のみなので、チャンバ１、上部電極２、下部電極３及び各種部品の表面のうち、少なくともプラズマとの接触する部位のみを条件（１）、（２）を満足する金属やこれら金属を主成分とする合金からなる金属被膜とすれば良い。このような金属被膜の形成方法として、周知のＰＶＤ（物理気相成長法）、ＣＶＤ（化学気相成長法）、スパッタ、塗布、溶射、放電表面処理、あるいは蒸着等が考えられる。また、チャンバ１、上部電極２、下部電極３及び各種部品の表面に条件（１）、（２）を満足する金属やこれらの金属を主成分とする合金からなる板を貼り付けても良い。このような金属板を貼り付ける方法として、ロウ付け、超音波接合法、拡散接合、接着、レーザ接合、電子ビーム接合、溶接、あるいは摩擦攪拌接合等が考えられる。
【００３３】
（２）上記実施形態は平行平板電極による高周波放電を用いたエッチング装置の内、下部電極に高周波を印加する装置に関するものであるが、本発明はこれに限定されない。処理対象にプラズマを用いてエッチング処理を施すエッチング装置には、上部電極に高周波を印加するエッチング装置、上部電極および下部電極の双方に高周波を印加するエッチング装置、マイクロ波プラズマを用いたエッチング装置等があり，本発明はこれらのエッチング装置にも適用可能である。
【００３４】
（３）上記実施形態はプラズマエッチング装置に関するものであるが、本発明はこれに限定されない。処理対象にプラズマを用いて所定の処理を施すプラズマ処理装置には、プラズマエッチング装置の他に、プラズマで励起された活性種を不純物として処置対象中に拡散させる不純物拡散装置、プラズマイオンを処置対象中に注入するイオン注入装置等があり、本発明はこれらのプラズマ処理装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【００３５】
１…チャンバ（プラズマ耐性部材）、２…上部電極（プラズマ電極、プラズマ耐性部材）、３…下部電極（プラズマ電極、プラズマ耐性部材）、４…高周波電源、Ｘ…ウエハ（処理対象物）、Ｙ…プラズマ
【図１】
2009188396.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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