(57)【要約】【課題】寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態のＢＡＷ共振装置は、絶縁層４における各エッチングホール５，５それぞれの周部を補強し且つ共振子３と電気的に絶縁された金属材料からなる補強部６，６が２つずつ形成されている。補強部６は、各エッチングホール５それぞれに対して、絶縁層４の厚み方向の両面に形成されており、絶縁層４における支持基板１側に形成された補強部６は、下部電極３１と同一の金属材料により下部電極３１と同じ厚さに形成され、絶縁層４における支持基板１側とは反対側に形成された補強部６は、上部電極３３と同一の金属材料により上部電極３３と同じ厚さに形成されている。【選択図】      図１
2009290364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、支持基板の一表面側に形成され下部電極、圧電層、上部電極の積層構造を有する共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板の前記一表面に、共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の表面を露出させる凹所が形成されるとともに、絶縁層における共振子の周辺部に、凹所に連通する凹所形成用のエッチングホールが形成され、絶縁層におけるエッチングホールの周部を補強し且つ共振子と電気的に絶縁された金属材料からなる補強部が絶縁層に形成されてなることを特徴とするＢＡＷ共振装置。
【請求項２】
前記支持基板は、ＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３により形成され、前記圧電層は、鉛系圧電材料により形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項３】
前記補強部は、前記下部電極と同一の金属材料からなり、前記絶縁層における前記支持基板側に形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項４】
前記補強部は、前記上部電極と同一の金属材料からなり、前記絶縁層における前記支持基板側とは反対側に形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項５】
前記補強部は、前記絶縁層の厚み方向の両面に形成されてなり、前記絶縁層における前記支持基板側に形成された前記補強部は、前記下部電極と同一の金属材料からなり、前記絶縁層における前記支持基板側とは反対側に形成された前記補強部は、前記上部電極と同一の金属材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項６】
前記下部電極および前記上部電極それぞれの金属材料は、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕの群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面側に補強部を形成する補強部形成工程と、補強部形成工程の後で絶縁層にエッチングホールを形成するエッチングホール形成工程と、エッチングホール形成工程の後でエッチングホールを通して支持基板の前記一表面に凹所を形成する凹所形成工程とを備えることを特徴とするＢＡＷ共振装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する共振子を備えたＢＡＷ（Bulk  Acoustic  Wave）共振装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話機などの移動体通信機器の分野において、２ＧＨｚ以上の高周波帯で利用する高周波フィルタに適用可能なＢＡＷ共振装置として、例えば、図７に示すように、支持基板１’と、支持基板１’の一表面側に形成され下部電極３１’、圧電層３２’、上部電極３３’の積層構造を有する共振子３’と、支持基板１’の上記一表面側に形成されて支持基板１’に支持され平面視において共振子３’を全周に亘って取り囲んで共振子３’を保持した絶縁層４’とを備え、支持基板１’の上記一表面に、共振子３’下の支持層７’および絶縁層４’における支持基板１’側の表面を露出させ圧電層３２’を物理的に振動可能とするための凹所２’が形成されるとともに、絶縁層４’における共振子３’の周辺部に、凹所２’に連通する凹所形成用のエッチングホール５’，５’が形成されてなるＦＢＡＲ（Film  Bulk  Acoustic  Resonator）型のＢＡＷ共振装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここにおいて、絶縁層４’は、ＳｉＯ２膜からなる第１保護層４１’と第１保護層４１’における支持基板１’側とは反対側に形成されたＳｉＯ２膜からなる第２保護層４２’とで構成されている。なお、第１保護層４１’の厚さは０．４μｍに設定され、第２保護層４２’の厚さは０．２μｍに設定されている。
【０００３】
なお、上記特許文献１には、支持基板の上記一表面側に複数個の共振子を形成してフィルタ（ＢＡＷフィルタ）を構成することも記載されている。
【０００４】
ところで、上述のＢＡＷ共振装置では、圧電層３２’の圧電材料としてＡｌＮなどを採用し、支持基板１’の材料としてＳｉ、ＧａＡｓ、ガラスなどを採用しているが、ＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）用フィルタに応用する場合、圧電層３２’の圧電材料として、帯域幅が中心周波数に対して４〜５％しか広帯域化できないＡｌＮに比べて中心周波数に対して１０％程度の帯域幅を得ることが可能な鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴなど）を採用し、圧電層３２’の結晶性を向上させるために支持基板１’の材料としてＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３を採用することが考えられる（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−１２６１６０号公報（段落〔００２６〕−〔００３２〕，〔００６８〕，〔００７９〕および図２）
【特許文献２】特開平１０−２６１９３４号公報（段落〔００２３〕−〔００２７〕、および図１，２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図７に示した構成のＢＡＷ共振装置では、絶縁層４’にエッチングホール５，５が形成されているので、絶縁層４’におけるエッチングホールの周部が脆弱になってしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、支持基板と、支持基板の一表面側に形成され下部電極、圧電層、上部電極の積層構造を有する共振子と、支持基板の前記一表面側に形成されて支持基板に支持され平面視において共振子を全周に亘って取り囲んで共振子を保持した絶縁層とを備え、支持基板の前記一表面に、共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の表面を露出させる凹所が形成されるとともに、絶縁層における共振子の周辺部に、凹所に連通する凹所形成用のエッチングホールが形成され、絶縁層におけるエッチングホールの周部を補強し且つ共振子と電気的に絶縁された金属材料からなる補強部が絶縁層に形成されてなることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、支持基板の一表面に、共振子の下部電極および絶縁層における支持基板側の表面を露出させる凹所が形成されているので、バルク弾性波のエネルギ損失を低減できて、共振子全体の機械的品質係数を向上でき、しかも、絶縁層におけるエッチングホールの周部を補強し且つ共振子と電気的に絶縁された金属材料からなる補強部が絶縁層に形成されているので、寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能となる。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記支持基板は、ＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３により形成され、前記圧電層は、鉛系圧電材料により形成されてなることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、前記圧電層が鉛系圧電材料により形成されているので、前記圧電層がＡｌＮにより形成されている場合に比べて電気機械結合係数を大きくすることができ、前記支持基板がＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３により形成されているので、前記支持基板がＳｉ、ＧａＡｓ、ガラスなどにより形成されている場合に比べて、前記圧電層の結晶性を向上させることができ、共振子全体の機械的品質係数を向上させることが可能となる。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記補強部は、前記下部電極と同一の金属材料からなり、前記絶縁層における前記支持基板側に形成されてなることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、前記補強部を前記下部電極と同時に形成する製造プロセスを採用することができ、製造プロセスの簡略化および低コスト化を図れる。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記補強部は、前記上部電極と同一の金属材料からなり、前記絶縁層における前記支持基板側とは反対側に形成されてなることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、前記補強部を前記上部電極と同時に形成する製造プロセスを採用することができ、製造プロセスの簡略化および低コスト化を図れる。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記補強部は、前記絶縁層の厚み方向の両面に形成されてなり、前記絶縁層における前記支持基板側に形成された前記補強部は、前記下部電極と同一の金属材料からなり、前記絶縁層における前記支持基板側とは反対側に形成された前記補強部は、前記上部電極と同一の金属材料からなることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、前記補強部が前記絶縁層の厚み方向の両面に形成されているので、請求項３，４の発明に比べて、より一層の堅牢化を図れ、また、前記絶縁層における前記支持基板側に形成された前記補強部が、前記下部電極と同一の金属材料からなり、前記絶縁層における前記支持基板側とは反対側に形成された前記補強部が、前記上部電極と同一の金属材料からなるので、前記絶縁層における前記支持基板側の前記補強部を前記下部電極と同時に形成する製造プロセスを採用することができるとともに、前記絶縁層における前記支持基板側とは反対側の前記補強部を前記上部電極と同時に形成する製造プロセスを採用することができ、製造プロセスの簡略化および低コスト化を図れる。
【００１７】
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５の発明において、前記下部電極および前記上部電極それぞれの金属材料は、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕの群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、前記下部電極および前記上部電極それぞれの金属材料が、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕの群から選択される少なくとも１種であるので、前記下部電極および前記上部電極それぞれの金属材料が代表的な電極材料であるＡｌやＡｕの場合に比べて、前記下部電極および前記上部電極それぞれの機械的品質係数を高めることができ、前記共振子全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。
【００１９】
請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振装置の製造方法であって、支持基板の前記一表面側に補強部を形成する補強部形成工程と、補強部形成工程の後で絶縁層にエッチングホールを形成するエッチングホール形成工程と、エッチングホール形成工程の後でエッチングホールを通して支持基板の前記一表面に凹所を形成する凹所形成工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、共振子全体の機械的品質係数を向上でき且つ寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１の発明では、共振子全体のＱ値を向上でき、且つ、寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能になるという効果がある。
【００２２】
請求項７の発明では、共振子全体のＱ値を向上でき且つ寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置を提供することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（実施形態１）
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、図１に示すように、支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成され下部電極３１、圧電層３２、上部電極３３の積層構造を有する共振子３と、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持した絶縁層４とを備え、支持基板１の上記一表面に、共振子３および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる凹所２が形成されるとともに、絶縁層４における共振子３の周辺部に、凹所２に連通する凹所形成用の複数（本実施形態では、２つ）のエッチングホール５，５が形成されている。要するに、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、下部電極３１と下部電極３１直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持基板１側へのバルク弾性波のエネルギの伝搬を抑制するようにしたＦＢＡＲを構成している。
【００２４】
上述の共振子３は、下部電極３１が支持基板１側に形成され、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に圧電層３２が形成され、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に上部電極３３が形成されている。
【００２５】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述の絶縁層４に、上部電極３３と圧電層３２との接触面積を規定する開孔部４ａが形成されており、圧電層３２のうち下部電極３１と上部電極３３との両方と接する領域が共振領域を構成している。
【００２６】
本実施形態のＢＡＷ共振装置は、圧電層３２の圧電材料として、ＰＭＮ−ＰＺＴを採用しており、圧電層３２として（００１）配向のＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜からなる圧電薄膜が得られるように、支持基板１として、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＭｇＯ基板を用いているが、支持基板１としては、上記一表面である主表面が（００１）面の単結晶ＳＴＯ（：ＳｒＴｉＯ３）基板を用いてもよい。また、ＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜は、単結晶膜もしくは単一配向膜であればよく、配向は（００１）配向に限らず、例えば、（１１１）配向でもよい。
【００２７】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、下部電極３１および上部電極３３の金属材料としてＰｔを採用しているが、これらの金属材料は特に限定するものではなく、例えば、Ａｌや他の金属材料を採用してもよく、例えば、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｕの群から選択される少なくとも一種を採用すれば、下部電極３１および上部電極３３それぞれの金属材料が代表的な電極材料であるＡｕの場合に比べて、下部電極３１および上部電極３３それぞれの機械的品質係数を高めることができ、共振子３全体の機械的品質係数を高めることが可能となる。なお、下部電極３１と上部電極３３とは必ずしも同じ金属材料を採用する必要はなく、下部電極３１の金属材料は、圧電層３２の格子歪を抑制するために圧電層３２の圧電材料との格子定数差の小さな金属材料を採用することが望ましい。
【００２８】
また、圧電層３２は、（００１）配向のＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜からなる圧電薄膜により構成されている。ここにおいて、ＰＭＮ−ＰＺＴの組成は、ｘ（Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−（１−ｘ）（ＰｂＺｒｙＴｉ１−ｙＯ３）なる化学式で表され、本実施形態では、ｘ＝０．１０、ｙ＝０．５２としてあるが、これらの値は一例であって特に限定するものではない。なお、本実施形態では、圧電層３２の圧電材料として、鉛系圧電材料を採用しているので、圧電材料がＡｌＮやＺｎＯである場合に比べて、電気機械結合係数を大きくすることができる。また、圧電層３２の圧電材料は、鉛系圧電材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（Ｋ０．５Ｎａ０．５ＮｂＯ３）や、ＫＮ（ＫＮｂＯ３）、ＮＮ（ＮａＮｂＯ３）、ＫＮＮに不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したものでもよい。
【００２９】
また、絶縁層４の材料としては、ＳｉＯ２を採用しているが、ＳｉＯ２に限らず、例えば、Ｓｉ３Ｎ４を採用してもよい。また、絶縁層４は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、ＳｉＯ２からなる第１の絶縁膜とＳｉ３Ｎ４膜からなる第２の絶縁膜との積層膜でもよい。
【００３０】
なお、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、共振子３の共振周波数を４ＧＨｚに設定してあり、下部電極３１の厚みを１００ｎｍ、圧電層３２の厚みを３００ｎｍ、上部電極３３の厚みを１００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。
【００３１】
ところで、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、絶縁層４における各エッチングホール５，５それぞれの周部を補強し且つ共振子３と電気的に接続された金属材料からなる補強部６，６が２つずつ形成されている。ここにおいて、補強部６は、各エッチングホール５それぞれに対して、絶縁層４の厚み方向の両面に形成されており、絶縁層４における支持基板１側に形成された補強部（以下、説明の便宜上、第１の補強部と称することもある）６は、下部電極３１と同一の金属材料により下部電極３１と同じ厚さに形成され、絶縁層４における支持基板１側とは反対側に形成された補強部（以下、説明の便宜上、第２の補強部と称することもある）６は、上部電極３３と同一の金属材料により上部電極３３と同じ厚さに形成されている。ここで、補強部６は、絶縁層４におけるエッチングホール５の周部から絶縁層４において支持基板１の凹所２の周部に重なる部位にかけて形成されている。また、第１の補強部６は、下部電極３１と同時に形成され、第２の補強部６は、上部電極３３と同時に形成されており、各補強部６は、厚み方向において下部電極３１、上部電極３３のいずれにも重ならないようにパターン設計されている。
【００３２】
以下、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法について図２および図３を参照しながら説明する。
【００３３】
まず、上記一表面が（００１）面の単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の上記一表面側の全面に下部電極３１および第１の補強部６の基礎となる第１の金属膜（例えば、Ｐｔ膜など）３１ａをスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する第１の金属膜形成工程を行うことによって、図２（ａ）に示す構造を得る。
【００３４】
上述の第１の金属膜形成工程の後、支持基板１の上記一表面側の全面に圧電層３２の基礎となる（００１）配向のＰＭＮ−ＰＺＴからなる圧電材料層３２ａをスパッタ法やＣＶＤ法やゾルゲル法などにより形成する圧電材料層形成工程を行うことによって、図２（ｂ）に示す構造を得る。なお、圧電材料層３２ａの形成前に圧電材料層３２ａの配向を制御するためのシード層を形成することもある。
【００３５】
上述の圧電材料層形成工程の後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電材料層３２ａを所望の平面形状にパターニングする圧電材料層パターニング工程を行うことで圧電材料層３２ａの一部からなる圧電層３２を形成する圧電材料層パターニング工程を行うことによって、図２（ｃ）に示す構造を得る。
【００３６】
続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第１の金属膜３１ａをパターニングすることによりそれぞれ第１の金属膜３１ａの一部からなる下部電極３１および第１の補強部６，６を形成する第１の金属膜パターニング工程を行うことによって、図２（ｄ）に示す構造を得る。
【００３７】
その後、支持基板１の上記一表面の全面に例えばＳｉＯ２からなる絶縁層４をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成する絶縁層形成工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁層４に開孔部４ａを形成する絶縁層パターニング工程を行うことによって、図３（ａ）に示す構造を得る。
【００３８】
その後、支持基板１の上記一表面側の全面に上部電極３３および第２の補強部６の基礎となる第２の金属膜（例えば、Ｐｔ膜など）をスパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより形成する第２の金属膜形成工程を行い、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第２の金属膜をパターニングすることによりそれぞれ第２の金属膜の一部からなる上部電極３３および第２の補強部６，６を形成する第２の金属膜パターニング工程を行うことによって、図３（ｂ）に示す構造を得る。なお、本実施形態では、第１の金属膜形成工程と第１の金属膜パターニング工程と第２の金属膜形成工程と第２の金属膜パターニング工程とで支持基板１の上記一表面側に第１の補強部６および第２の補強部６を形成する補強部形成工程を構成している。
【００３９】
上述の補強部形成工程の後、絶縁層４にエッチングホール５，５を形成するエッチングホール形成工程を行うことによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。
【００４０】
その後、エッチングホール５，５を通して支持基板１の一部をエッチングすることで支持基板１の上記一表面に凹所２を形成する凹所形成工程を行うことによって、図３（ｄ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得る。なお、支持基板１として、上述のようにＭｇＯ基板を用いている場合には、エッチャントとして異方性エッチングが可能な燐酸などを用いればよい。
【００４１】
上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１としてウェハを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。
【００４２】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置は、支持基板１の上記一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる凹所２が形成されているので、図７に示した従来構成のように下部電極３１’下に支持層７’が形成されている場合に比べて、バルク弾性波のエネルギ損失を低減できて、共振子３全体の機械的品質係数を向上でき、しかも、絶縁層４におけるエッチングホール５，５の周部を補強し且つ共振子３と電気的に絶縁された金属材料からなる第１の補強部６，６、第２の補強部６，６が絶縁層４に形成されているので、寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能となる。
【００４３】
また、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、支持基板１の上記一表面側に補強部６，６，６，６を形成する補強部形成工程と、補強部形成工程の後で絶縁層４にエッチングホール５，５を形成するエッチングホール形成工程と、エッチングホール形成工程の後でエッチングホール５，５を通して支持基板１の上記一表面に凹所２を形成する凹所形成工程とを備えるので、共振子３全体の機械的品質係数を向上でき且つ寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置を提供することができる。
【００４４】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、絶縁層４における支持基板１側に形成された第１の補強部６が、下部電極３１と同一の金属材料からなり、絶縁層４における支持基板１側とは反対側に形成された第２の補強部６が、上部電極３３と同一の金属材料からなるので、絶縁層４における支持基板１側の第１の補強部６を下部電極３１と同時に形成する製造プロセスを採用することができるとともに、絶縁層４における支持基板１側とは反対側の第２の補強部６を上部電極３３と同時に形成する製造プロセスを採用することができ、製造プロセスの簡略化および低コスト化を図れる。
【００４５】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置では、図１に示したように補強部６，６が絶縁層４の厚み方向の両面に形成されているが、図４に示すように絶縁層４における支持基板１側の一面のみに補強部６を形成してもよいし、図５に示すように絶縁層４における支持基板１側とは反対側の一面のみに補強部６を形成するようにしてもよい。ただし、図１に示したように補強部６，６が絶縁層４の厚み方向の両面に形成されている方が、図４や図５の構成に比べて、より一層の堅牢化を図れる。
【００４６】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置は、上述のように圧電層３２が鉛系圧電材料により形成されているが、支持基板１がＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ３により形成されているので、支持基板１がＳｉ、ＧａＡｓ、ガラスなどにより形成されている場合に比べて、圧電層３２の結晶性を向上させることができ、共振子３全体の機械的品質係数を向上させることが可能となる。
【００４７】
（実施形態２）
本実施形態のＢＡＷ共振装置の基本構成は実施形態１と略同じであり、図６に示すように、絶縁層４における支持基板１側に形成された第１の補強部６および絶縁層４における支持基板１側とは反対側に形成された第２の補強部６のいずれもエッチングホール５の周部のみに形成されている点が相違するだけである。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４８】
ところで、本実施形態においても実施形態１の図１の構成と同様に、補強部６，６が絶縁層４の厚み方向の両面に形成されているが、絶縁層４における支持基板１側の一面のみに補強部６を形成してもよいし、絶縁層４における支持基板１側とは反対側の一面のみに補強部６を形成するようにしてもよい。
【００４９】
なお、上記各実施形態のＢＡＷ共振装置では、支持基板１の上記一表面に凹所２を形成したときに絶縁層４におけるエッチングホール５の周部に発生する応力に起因した絶縁層４の変形が防止されるように、絶縁層４の材料、厚み、成膜方法などに応じて、補強部６の材料、パターン、厚み、成膜方法などを適宜設定することが望ましい。
【００５０】
上述の各実施形態で説明したＢＡＷ共振装置は、支持基板１の上記一表面側に共振子３が１個だけ形成されたものであるが、共振子３を支持基板１の上記一表面側に複数個形成して、これら複数個の共振子３が例えばラダー型フィルタを構成するように接続すれば、２ＧＨｚ以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、ＵＷＢ用フィルタとして用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施形態１のＢＡＷ共振装置を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図２】同上のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図３】同上のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図４】同上のＢＡＷ共振装置の他の構成例を示す概略断面図である。
【図５】同上のＢＡＷ共振装置の別の構成例を示す概略断面図である。
【図６】実施形態２のＢＡＷ共振装置を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図７】従来例のＢＡＷ共振装置を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は要部概略平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  支持基板
２  凹所
３  共振子
４  絶縁層
４ａ  開孔部
５  エッチングホール
６  補強部
３１  下部電極
３２  圧電層
３３  上部電極
【図１】
2009290364.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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