(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易に製造できるアルミニウムの陽極酸化皮膜を用いる異方導電部材と導電性層との積層板である導電性材料を提供する。【解決手段】マイクロポア中に導電部を有するアルミニウムの陽極酸化皮膜５４に導電性層５６を積層した材料を用いアルミニウムの陽極酸化皮膜５４と該酸化皮膜５４の厚み方向に貫通する導電材料５２とを有する異方導電性部材１００と、導電性層５６とが積層され、該導電材料５２が導電性層５６と電気的に接続する導電性材料１００とする。【選択図】図１
2009224146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムの陽極酸化皮膜と該酸化皮膜の厚み方向に貫通する導電材料とを有する異方導電性部材と、導電性層とが積層され、該導電材料が導電性層と電気的に接続する導電性材料。
【請求項２】
前記導電性層上および・または異方導電部材上に、さらに感光性樹脂層を有する、請求項１に記載の導電性材料。
【請求項３】
前記導電性層が配線回路パターンを有する、請求項１または２に記載の導電性材料。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の導電性材料を有する、半導体検査用プローブカード用回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性材料に関し、特に、アルミニウムの陽極酸化皮膜を用いる異方導電部材と導電性層との積層板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ポリエーテルイミド樹脂を絶縁材料、電線（銅）を導電性材料とした異方導電材料からなる異方導電性基板が開示されている。
また、非特許文献１には陽極酸化したアルミニウム板をＹＡＧレーザー照射により陽極酸化皮膜を透過した素地金属が加熱、溶融・除去してすなわち、レーザーアブレーション（Ｌａｓｅｒ  Ａｂｌａｔｉｏｎ）が起こり、陽極酸化皮膜が除去されパターン形成したプリント配線板の作製方法が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−３１６２１号公報
【非特許文献１】表題：アルミニウムのアノード酸化を利用したプリント配線板の作製（表面科学Ｖｏｌ２２、Ｎｏ６、ｐｐ３７０−３７５  ２００１  高橋）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
これらの従来技術に記載される異方導電性材料は、製造方法が複雑であり、異方導電性材料に接続するための電極の製造方法も複雑であり、工業的に品質の一定した多量の製品を提供するためにより簡便な製造方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は、マイクロポア中に導電部を有するアルミニウムの陽極酸化皮膜に導電性層を積層した材料を用いれば、異方導電性材料を容易に製造でき、これに接続するために用いる任意のパターンの電極の製造が容易であることを知見し、本発明を完成した。
【０００５】
すなわち本発明は、以下の各発明を提供する。
（１）アルミニウムの陽極酸化皮膜と、該酸化皮膜の厚み方向に貫通する導電材料とを有する異方導電性部材と、導電性層とが積層され、該導電材料が導電性層と電気的に接続する導電性材料。
（２）前記導電性層上および・または異方導電部材上に、さらに感光性樹脂層を有する、（１）に記載の導電性材料。
（３）前記導電性層が配線回路パターンを有する、（１）または（２）に記載の導電性材料。
（４）（１）〜（３）のいずれかに記載の導電性材料を有する、半導体検査用プローブカード用回路基板。
（５）（１）〜（３）のいずれかに記載の導電性材料の導電性層の電極および・または配線部分以外を除去して形成される上記回路基板の製造方法。
（６）前記除去工程は、フォトリソグラフ法を用いたエッチング法による除去またはレーザーアブレーションによる熱除去である。
（７）好ましくは、前記陽極酸化皮膜中に、導電材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で、1〜1000×106個／μｍ2より好ましくは3〜300×106個／μｍ2密度で貫通する上記（１）〜（３）のいずれかに記載の導電性材料。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の導電性材料は、異方導電性部材が導電性材料からなる導電性層と電気的に接続されて構成されるので、市販のレーザーマーカーなどを用いて導電性層を適宜パターン化することが可能である。さらに異方導電性部材の絶縁材料が陽極酸化皮膜から構成されるので、熱伝導性が高く、放熱効率が良い。さらに異方導電性であるので、両面をパターン化する事でスルーホールの形成が不要となる。さらに本発明の導電性材料を積層し、多層化する事が可能である。
【０００７】
本発明の別の態様の導電性材料は、導電性層が配線回路パターンを有しているので、電気回路用基板として利用できる。さらに、異方導電性部材の絶縁材料が陽極酸化皮膜から構成されるので、熱伝導性が高く、放熱効率が良い。さらに異方導電性があるので、両面をパターン化する事でスルーホールの形成が不要となる。さらにそれらを積層し、多層化する事が可能である。
本発明の別の態様の導電性層上にさらに感光性樹脂層を積層した、導電性材料は、感光性樹脂層が積層されているので、露光現像処理を簡便に行えることを利用して導電性層を任意の配線層にパターン化することが容易にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（導電性材料）
本発明の導電性材料は、図１Ａに示すように、異方導電性部材２１と、導電性層５６とを積層した導電性材料１００であって、異方導電性部材２１が、アルミニウムの陽極酸化皮膜５４と、該酸化膜の厚み方向に貫通する導電材料からなる導通路５２とを有し、該導電材料が導電性層と電気的に接続している。
前記陽極酸化皮膜中に、導電材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で、1〜1000×106個／μｍ2より好ましくは3〜300×106個／μｍ2の密度で貫通し平坦度は、そり率５％以下、ねじれ率５％以下である事が好ましい。さらに好ましくは、そり率１％以下、ねじれ率１％以下を満たしている事が好ましい。
さらに図７Ｃに示すように導電性層５６の上に感光性樹脂層６４を有してもよく、必要に応じて適宜選択したその他の層を有していてもよい。前記各層は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。なお、特に説明しない場合には、用語の意味は、JISC-5603-1987［プリント配線板用語］で規定されている意味とする。
【０００９】
（１）導電性層
導電性層は導電性材料からなる層であって、導電性材料は、電気伝導率（導電率）の高い材料である。良導体、単に導体とも呼ばれる。電気伝導率は、物質によってとる値の範囲が広い物性値で、金属からセラミックまで幅がある。一般には伝導率がグラファイト（電気伝導率１０6Ｓ／ｍ）と同等以上のものが導体と呼ばれる。１０6Ｓ／ｍという電気伝導率は、１ｍｍ2の断面積で１ｍの導体の抵抗が１Ωになる電気の通りやすさを示す。
具体的には、代表的な導電材料としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａ１が知られている。それらの金属を主体とした合金や高融点の金属として、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗなどを用いる事ができる。
導電性層の形成方法としては熱圧着で拡散接合する方法、導電性接着層で貼り付ける方法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、ＤＶＤ法で形成できる。
その他、グラファイトシートや導電性樹脂シートなども含まれる。
本発明の導電性材料は、例えば、Ｃｕ等の導電性層の上にＬｏｗ−ｋ膜（ＳｉＯ2、ＳｉＮ）を形成し、多層化する事で多層配線基板として利用可能になる。
【００１０】
（２）導電性層の形成方法
導電性層が直接異方導電性部材と接続して形成される方法は、たとえば異方導電性部材の表面を研磨した後に、導電性層を形成する。金、銅、アルミなどの金属箔材は、拡散接合を利用した熱圧着法で接合できる。温度２００℃〜３５０℃、圧力０．４〜０．８ＭＰａが使用できる。また、異方導電性部材に、導電性の箔を貼り付ける方法がある。導電性箔は、導電性、価格を考慮すると銅箔が最も好ましく、銅を用いると銅張積層板として利用が可能である。また、アルミや銅やアルミの合金箔も適宜利用できる。熱膨張係数が低いインバー合金や腐食性に優れるTi膜を真空蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法で形成する事もできる。金属蒸着膜はスパッタリング法で形成されると密着性が良く好ましい。銅箔等を導電性層として用いる場合は、銅箔等の酸化防止の為、金、チタン等の耐腐食性金属をさらに蒸着することもできる。さらに、市販のグラファイトシートなども導電性層として利用が可能である。金属の中でも拡散接合しにくい、タングステン（Ｗ）等の高融点金属、Ｎｉ、Ｃｒなどの硬質金属、グラファイトシートなどは熱圧着法では接続しにくい。異方導電性接着剤で接着できる。接着剤をコーテイングし、ラミネーターで張り合わせる方法が接着剤層の厚さを均一にできるので好ましい。
【００１１】
さらに本発明の導電性材料で、異方導電性部材の一方の面に導電性層を有してもよく、両面に有してもよい。また、表裏の導電性層の種類を適宜変える事ができる。両面に金属箔を設ける事もできる。レーザーに対する吸収が僅かでもあれば、ハイパワーレーザーの露光により、直接アブレーション的なパターニングを行なう事も可能である。
【００１２】
（３）導電性接着剤層
導電性接着剤層とは、固着を担う樹脂と，導電を担う金属（導電性フィラー）を混合したもので，電気を通す性質と物質同士を固着する性質を併せ持つ。一般には，エポキシ樹脂と銀（Ａｇ）を組み合わせることが多い。スクリーン印刷などで異方導電性接着剤を導電性層および・または異方導電性部材表面に塗布し，接着面を接合して熱を加えて接着剤を硬化させる。通常は，＋１５０℃前後で３０分ほど熱を加えることで，接着できる。圧力を加えると変形した部分が導電性を示す異方導電性接着剤も市販されており、目的に応じて使用できる。
異方導電性接着剤の市販品は以下が例示でき、用いることができる。
ニホンハンダ（株）製  商品名：ドーデント  型番  NH-070A(L)
スリーボンド（株）製  商品名：3300シリーズ  型番
3380B 二液型エポキシ系導電接着剤
3303N SMD型水晶振動子向けシリコーン系異方導電性接着剤
3305C ハードディスクドライブ磁気ヘッド用接着剤
【００１３】
接着剤を使用する場合には、接着装置として、溶剤の含有量が低い場合や、高粘度接着剤の場合、平板加圧タイプの熱圧着装置を使用できる。３ｍを越えるような長尺の導電性材料が必要な場合や積層段数が１段の場合、市販のラミネーターを使う事ができる。この場合、接着剤としては、溶剤の含有量が多い低粘度接着剤を用いる事が平坦性の点で好ましい。
接着剤の粘度とラミネーターロールの平坦度、圧力を適宜設定する事で導電性層と異方導電性部材との接着が実現できる。
【００１４】
（４）異方導電性部材
以下に、本発明の異方導電性部材およびその製造方法を詳細に説明する。
本発明の異方導電性部材は、絶縁性基材中に、導電材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において露出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において露出した状態で設けられる異方導電性部材である。
次に、本発明の異方導電性部材について、図２を用いて説明する。
【００１５】
図１は、異方導電性部材の好適な一例を示す簡略図であり、図２Ａは正面図、図２Ｂは図２Ａの切断面線ＩＢ−ＩＢからみた断面図である。
異方導電性部材１は、絶縁性基材２および導電材料からなる複数の導通路３を具備するものである。
この導通路３は、軸線方向の長さが絶縁性基材２の厚み方向Ｚの長さ（厚み）以上で、かつ、1〜1000×106個／μｍ2より好ましくは3〜300×106個／μｍ2の密度となるよう互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を貫通して設けられる。
また、この導通路３は、各導通路３の一端が絶縁性基材２の一方の面において露出し、各導通路３の他端が絶縁性基材２の他方の面において露出した状態で設けられるが、図２Ｂに示すように、各導通路３の一端が絶縁性基材２の一方の面２ａから突出し、各導通路３の他端が絶縁性基材２の他方の面２ｂから突出した状態で設けられるのが好ましい。即ち、各導通路３の両端は、絶縁性基材の主面である２ａおよび２ｂから突出する各突出部４ａおよび４ｂを有するのが好ましい。
更に、この導通路３は、少なくとも絶縁性基材２内の部分（以下、「基材内導通部５」ともいう。）が、該絶縁性基材２の厚み方向Ｚと略平行（図２においては平行）となるように設けられるのが好ましい。
次に、絶縁性基材および導通路のそれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について説明する。
【００１６】
［絶縁性基材］
本発明の異方導電性部材を構成する上記絶縁性基材は、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である。アルミナは、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材（例えば、熱可塑性エラストマー等）と同様、電気抵抗率は１０14Ω・ｃｍ程度である。
【００１７】
ポーラスアルミナ被膜は、アルマイト皮膜とも呼ばれ、アルミニウムを酸性水溶液中で陽極酸化して得られる酸化皮膜を示し、陽極酸化皮膜と呼ばれる。電解液の種類によって、生成されるアルミニウムの酸化皮膜の形状は異なり、目的、用途によって様々な電解液が用いられる。最も普及している陽極酸化法は希硫酸を電解液にする方法であり、得られるアルマイト皮膜は、バリヤー層と無数の微細孔からなる多孔質皮膜で、蜂の巣のような六角柱のセルの集合体で、それぞれ中心に微細な孔があり、素地界面に生成したバリアー層まで通じている。本発明においては、下地アルミニウムとバリアー層を除去し、メンブレン（膜）にした後、微細孔内部に導電材料を充填する。
【００１８】
本発明においては、上記絶縁性基材の厚み（図２Ｂにおいては符号６で表される部分）は、１０〜２００μｍであるのが好ましく、２０〜１５０μｍであるのがより好ましく、３０〜１００μｍであるのが特に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
【００１９】
また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記導通路間の幅（図２Ｂにおいては符号７で表される部分）は、１０ｎｍ以上であるのが好ましく、２０〜５００ｎｍであるのがより好ましく、３０〜４５０ｎｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材における導通路間の幅がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。
【００２０】
本発明においては、上記絶縁性基材は、マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度は１０％以上である事が好ましく、３０％以上である事が更に好ましく、が５０％以上であることが更に好ましい。
【００２１】
規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００    （ｉ）
【００２２】
上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。規則化度の詳細は特開２００７−３３２４３７号に記載されている。
【００２３】
本発明においては、上記絶縁性基材は、アルミニウム基板を陽極酸化し、陽極酸化により生じたマイクロポアを貫通化することにより製造することができる。ここで、陽極酸化および貫通化の処理工程については、後述する本発明の異方導電性部材の製造方法において詳述する。
【００２４】
［導通路］
本発明の異方導電性部材を構成する上記導通路は導電材料からなるものである。
上記導電材料は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属や、低融点金属（半田などの合金、Ｇａ）、導電性高分子、カーボンナノチューブ等のいわゆる有機素材が好適に例示される。
【００２５】
特開平２−６８８１２号公報実施例には導電性低融点物質や低融点金属（半田などの合金）を溶解し、圧力をかけながら充填する方法、導電性高分子モノマーを充填しポリマー化する方法、高分子モノマーを充填し、ポリマー化した後、無酸素状態で焼成し、カーボン材料化する方法が記載されている。
さらに特開平４−１２６３０７号公報では、ＡｕやＮｉを電解析出させる方法や金属ペーストや無電解めっき、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等のドライメッキ法で導電材料を充填する方法が開示されている。
【００２６】
中でも、電気伝導性の観点から金属が好ましく、中でも銅、金、アルミニウム、ニッケルがより好ましく、銅、金が特に好ましい。
また、コストの観点から、導通路の上記絶縁性基材の両面から露出した面や突出した面（以下、「端面」ともいう。）の表面だけが金で形成されるのがより好ましい。
【００２７】
本発明においては、上記導通路は柱状であり、その直径（図２Ｂにおいては符号８で表される部分）は１５ｎｍ以上である事が好ましく、２０〜３５０ｎｍであるのがより好ましく、５０〜３００ｎｍであるのが更に好ましい。
導通路の直径がこの範囲であると、電気信号を流した際に十分な応答が得ることができるため、本発明の異方導電性部材を電子部品の検査用コネクタとして、より好適に用いることができる。
【００２８】
また、本発明においては、上記導通路の両端が上記絶縁性基材の両面から突出している場合、その突出した部分（図２Ｂ）においては符号４ａおよび４ｂで表される部分。以下、「バンプ」ともいう。）の高さは、５〜５００ｎｍであるのが好ましく、１０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。バンブの高さがこの範囲であると、電子部品の電極(パッド)部分との接合性が向上する。
【００２９】
本発明においては、上記導通路は上記絶縁性基材によって互いに絶縁された状態で存在するものであるが、1〜1000×106個／μｍ2より好ましくは3〜300×106個／μｍ2の密度であるのがより好ましい。
上記導通路の密度がこの範囲にあることにより、本発明の異方導電性部材は高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の検査用コネクタ等として使用することができる。
【００３０】
本発明においては、隣接する各導通路の中心間距離（図２においては符号９で表される部分。以下、「ピッチ」ともいう。）は、５０〜６００ｎｍであるのが好ましく９０〜５５０ｎｍであるのがより好ましく、１９０〜５２０ｎｍであるのが更に好ましい。ピッチがこの範囲であると、導通路直径と導通路間の幅（絶縁性の隔壁厚）とのバランスがとりやすい。
【００３１】
本発明においては、上記導通路は、例えば、上記絶縁性基材における貫通化したマイクロポアによる孔の内部に導電材料を充填することにより製造することができる。
ここで、導電材料を充填する処理工程については、後述する本発明の異方導電性部材の製造方法において詳述する。
【００３２】
本発明の異方導電性部材は、上述したように、上記絶縁性基材の厚みが３０〜１００μｍであり、かつ、上記導通路の直径が５０〜３５０ｎｍであるのが、高い絶縁性を維持しつつ、かつ、高密度で導通が確認できる理由から好ましい。
【００３３】
異方導電性部材の製造方法は、上述した本発明の異方導電性部材を製造する異方導電性部材の製造方法であって、少なくとも、
（１）アルミニウム基板を陽極酸化し、マイクロポアを有するアルミナ皮膜を形成する陽極酸化処理工程、
（２）前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して前記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、および
（３）前記貫通化処理工程の後に、得られた前記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電材料を充填して前記異方導電性部材を得る導電材料充填工程、
を具備する、製造方法である。
次に、用いられるアルミニウム基板ならびに該アルミニウム基板に施す各処理工程について詳述する。
【００３４】
［アルミニウム基板］
本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
【００３５】
本発明の製造方法においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理工程により陽極酸化皮膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、９５．０質量％以上であるのが好ましく、９９．５質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポアの配列の規則性が向上するので好ましい。
【００３６】
また、本発明の製造方法においては、アルミニウム基板のうち後述する陽極酸化処理工程を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
【００３７】
＜熱処理＞
熱処理を施す場合は、２００〜３５０℃で３０秒〜２分程度施すのが好ましい。これにより、後述する陽極酸化処理工程により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法が挙げられる。
【００３８】
＜脱脂処理＞
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
【００３９】
脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０〜２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５〜２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０〜２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０〜５０℃でアルミニウム基板表面に１５〜６０秒間接触させ、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。
【００４０】
これらのうち、アルミニウム表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。
【００４１】
また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
【００４２】
＜鏡面仕上げ処理＞
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸をなくして、電着法等による粒子形成処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。アルミニウム基板の表面の凹凸としては、例えば、アルミニウム基板が圧延を経て製造されたものである場合における、圧延時に発生した圧延筋が挙げられる。
本発明において、鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
【００４３】
機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤（例えば、ダイヤ、アルミナ）とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、＃１５００のものが好ましい。これにより、光沢度を５０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに５０％以上）とすることができる。
【００４４】
化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法等が挙げられる。
また、リン酸−硝酸法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｉ法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｖ法、Ａｌｃｏａ  Ｒ５法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好適に例示される。中でも、リン酸−硝酸法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好ましい。
化学研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
【００４５】
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２−３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
電解研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
【００４６】
これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。
【００４７】
鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さＲａ０．１μｍ以下、光沢度５０％以上の表面を得ることができる。平均表面粗さＲａは、０．０３μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以下であるのがより好ましい。また、光沢度は７０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましい。
なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、ＪＩＳ  Ｚ８７４１−１９９７の「方法３  ６０度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計（例えば、ＶＧ−１Ｄ、日本電色工業社製）を用いて、正反射率７０％以下の場合には入反射角度６０度で、正反射率７０％を超える場合には入反射角度２０度で、測定する。
【００４８】
［（１）陽極酸化処理工程］
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板に陽極酸化処理を施すことにより、該アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する酸化皮膜を形成する工程である。
本発明においては、陽極酸化処理として従来公知の方法を用いることができるが、上記絶縁性基材が、上記式（ｉ）により定義される規則化度に優れた、好ましくは、該規則化度が５０％以上となるように配列するマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜であるため、後述する自己規則化法を用いるのが好ましい。
また、陽極酸化処理は定電圧処理として実施することが好ましい。
【００４９】
自己規則化法は、陽極酸化皮膜のマイクロポアが規則的に配列する性質を利用し、規則的な配列をかく乱する要因を取り除くことで、規則性を向上させる方法である。具体的には、高純度のアルミニウムを使用し、電解液の種類に応じた電圧で、長時間（例えば、数時間から十数時間）かけて、低速で陽極酸化皮膜を形成させる。
この方法においては、ポア径は電圧に依存するので、電圧を制御することにより、ある程度所望のポア径を得ることができる。
【００５０】
自己規則化法によりマイクロポアを形成するには、少なくとも後述する陽極酸化処理（Ａ）を施せばよいが、後述する自己規則化方法Ｉまたは自己規則化方法ＩＩにより形成するのが好ましい。
次に、好適態様である自己規則化方法Ｉおよび自己規則化方法ＩＩについて詳述する。
【００５１】
［（１−ａ）自己規則化方法Ｉ］
自己規則化方法Ｉでは、陽極酸化処理（陽極酸化処理（Ａ））を施した後、陽極酸化皮膜を溶解し得る酸またはアルカリを用いて、前記陽極酸化皮膜を完全に溶解（脱膜処理（Ｂ））した後に、再度陽極酸化（再陽極酸化処理（Ｃ））を施す。
次に、自己規則化方法Ｉの各処理について詳述する。
【００５２】
＜陽極酸化処理（Ａ）＞
陽極酸化処理（Ａ）における電解液の平均流速は、０．５〜２０．０ｍ／ｍｉｎであるのが好ましく、１．０〜１５．０ｍ／ｍｉｎであるのがより好ましく、２．０〜１０．０ｍ／ｍｉｎであるのが更に好ましい。上記範囲の流速で陽極酸化処理（Ａ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため好ましい。このようなかくはん装置としては、例えば、「マグネティックスターラーＨＳ−５０Ｄ（ＡＳ  ＯＮＥ製）」等が挙げられる。
【００５３】
陽極酸化処理（Ａ）は、例えば、酸濃度１〜１０質量％の溶液中で、アルミニウム基板を陽極として通電する方法を用いることができる。
陽極酸化処理（Ａ）に用いられる溶液としては、酸溶液であることが好ましく、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
陽極酸化処理（Ａ）の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度０．１〜２０質量％、液温−１０〜３０℃、電流密度０．０１〜２０Ａ／ｄｍ2、電圧３〜３００Ｖ、電解時間０．５〜３０時間であるのが好ましく、電解液濃度０．５〜１５質量％、液温−５〜２５℃、電流密度０．０５〜１５Ａ／ｄｍ2、電圧５〜２５０Ｖ、電解時間１〜２５時間であるのがより好ましく、電解液濃度１〜１０質量％、液温０〜２０℃、電流密度０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、電圧１０〜２００Ｖ、電解時間２〜２０時間であるのが更に好ましい。
【００５５】
陽極酸化処理（Ａ）の処理時間は、０．５分〜１６時間であるのが好ましく、１分〜１２時間であるのがより好ましく、２分〜８時間であるのが更に好ましい。
【００５６】
陽極酸化処理（Ａ）は、一定電圧下で行う以外に、電圧を断続的または連続的に変化させる方法も用いることができる。この場合は電圧を順次低くしていくのが好ましい。これにより、陽極酸化皮膜の抵抗を下げることが可能になり、陽極酸化皮膜に微細なマイクロポアが生成するため、特に電着処理により封孔処理する際に、均一性が向上する点で、好ましい。
【００５７】
本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理（Ａ）により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、１〜３００μｍであるのが好ましく、５〜１５０μｍであるのがより好ましく、１０〜１００μｍであるのが更に好ましい。
【００５８】
また、本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理（Ａ）により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアの平均ポア密度は1〜1000×106個／μｍ2より好ましくは3〜300×106個／μｍ2。
また、マイクロポアの占める面積率は、２０〜５０％であるのが好ましい。
ここで、マイクロポアの占める面積率は、アルミニウム表面の面積に対するマイクロポアの開口部の面積の合計の割合で定義される。
【００５９】
＜脱膜処理（Ｂ）＞
脱膜処理（Ｂ）は、上記陽極酸化処理（Ａ）によりアルミニウム基板表面に形成した陽極酸化皮膜を溶解させて除去する処理である。
上記陽極酸化処理（Ａ）によりアルミニウム基板表面に陽極酸化皮膜を形成した後、後述する貫通化処理工程を直ちに施してもよいが、上記陽極酸化処理（Ａ）の後、更に脱膜処理（Ｂ）および後述する再陽極酸化処理（Ｃ）をこの順で施した後に、後述する貫通化処理工程を施すのが好ましい。
【００６０】
陽極酸化皮膜は、アルミニウム基板に近くなるほど規則性が高くなっているので、この脱膜処理（Ｂ）により、一度陽極酸化皮膜を除去して、アルミニウム基板の表面に残存した陽極酸化皮膜の底部分を表面に露出させて、規則的な窪みを得ることができる。したがって、脱膜処理（Ｂ）では、アルミニウムは溶解させず、アルミナ（酸化アルミニウム）からなる陽極酸化皮膜のみを溶解させる。
【００６１】
アルミナ溶解液は、従来公知のものを限定せずに使用できるが、クロム化合物、硝酸、リン酸、ジルコニウム系化合物、チタン系化合物、リチウム塩、セリウム塩、マグネシウム塩、ケイフッ化ナトリウム、フッ化亜鉛、マンガン化合物、モリブデン化合物、マグネシウム化合物、バリウム化合物およびハロゲン単体からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有した水溶液が好ましい。
【００６２】
具体的なクロム化合物としては、例えば、酸化クロム（ＩＩＩ）、無水クロム（ＶＩ）酸等が挙げられる。
ジルコニウム系化合物としては、例えば、フッ化ジルコンアンモニウム、フッ化ジルコニウム、塩化ジルコニウムが挙げられる。
チタン化合物としては、例えば、酸化チタン、硫化チタンが挙げられる。
リチウム塩としては、例えば、フッ化リチウム、塩化リチウムが挙げられる。
セリウム塩としては、例えば、フッ化セリウム、塩化セリウムが挙げられる。 
マグネシウム塩としては、例えば、硫化マグネシウムが挙げられる。
マンガン化合物としては、例えば、過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カルシウムが挙げられる。
モリブデン化合物としては、例えば、モリブデン酸ナトリウムが挙げられる。
マグネシウム化合物としては、例えば、フッ化マグネシウム・五水和物が挙げられる。
バリウム化合物としては、例えば、酸化バリウム、酢酸バリウム、炭酸バリウム、塩素酸バリウム、塩化バリウム、フッ化バリウム、ヨウ化バリウム、乳酸バリウム、シュウ酸バリウム、過塩素酸バリウム、セレン酸バリウム、亜セレン酸バリウム、ステアリン酸バリウム、亜硫酸バリウム、チタン酸バリウム、水酸化バリウム、硝酸バリウム、あるいはこれらの水和物等が挙げられる。
上記バリウム化合物の中でも、酸化バリウム、酢酸バリウム、炭酸バリウムが好ましく、酸化バリウムが特に好ましい。
ハロゲン単体としては、例えば、塩素、フッ素、臭素が挙げられる。
【００６３】
中でも、上記アルミナ溶解液が、酸を含有する水溶液であるのが好ましく、酸として、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等が挙げられ、２種以上の酸の混合物であってもよい。
酸濃度としては、０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であるのが好ましく、０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であるのがより好ましく、０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であるのが更に好ましい。上限は特にないが、一般的には１０ｍｏｌ／Ｌ以下であるのが好ましく、５ｍｏｌ／Ｌ以下であるのがより好ましい。不要に高い濃度は経済的でないし、より高いとアルミニウム基板が溶解するおそれがある。
【００６４】
アルミナ溶解液は、−１０℃以上であるのが好ましく、−５℃以上であるのがより好ましく、０℃以上であるのが更に好ましい。なお、沸騰したアルミナ溶解液を用いて処理すると、規則化の起点が破壊され、乱れるので、沸騰させないで用いるのが好ましい。
【００６５】
アルミナ溶解液は、アルミナを溶解し、アルミニウムを溶解しない。ここで、アルミナ溶解液は、アルミニウムを実質的に溶解させなければよく、わずかに溶解させるものであってもよい。
【００６６】
脱膜処理（Ｂ）は、陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板を上述したアルミナ溶解液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。
【００６７】
浸せき法は、陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム基板を上述したアルミナ溶解液に浸せきさせる処理である。浸せき処理の際にかくはんを行うと、ムラのない処理が行われるため、好ましい。
浸せき処理の時間は、１０分以上であるのが好ましく、１時間以上であるのがより好ましく、３時間以上、５時間以上であるのが更に好ましい。
【００６８】
＜再陽極酸化処理（Ｃ）＞
上記脱膜処理（Ｂ）により陽極酸化皮膜を除去して、アルミニウム基板の表面に規則的な窪みを形成した後、再び陽極酸化処理を施すことで、マイクロポアの規則化度がより高い陽極酸化皮膜を形成することができる。
再陽極酸化処理（Ｃ）における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同一の条件で行われるのが好ましい。
また、直流電圧を一定としつつ、断続的に電流のオンおよびオフを繰り返す方法、直流電圧を断続的に変化させつつ、電流のオンおよびオフを繰り返す方法も好適に用いることができる。これらの方法によれば、陽極酸化皮膜に微細なマイクロポアが生成するため、特に電着処理により封孔処理する際に、均一性が向上する点で、好ましい。
【００６９】
また、再陽極酸化処理（Ｃ）を低温で行うと、マイクロポアの配列が規則的になり、また、ポア径が均一になる。
一方、再陽極酸化処理（Ｃ）を比較的高温で行うことにより、マイクロポアの配列を乱し、また、ポア径のばらつきを所定の範囲にすることができる。また、処理時間によっても、ポア径のばらつきを制御することができる。
【００７０】
本発明の製造方法においては、このような再陽極酸化処理（Ｃ）により形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、１０〜２００μｍであるのが好ましく、２０〜１５０μｍであるのがより好ましく、３０〜１００μｍであるのが更に好ましい。
【００７１】
また、本発明の製造方法においては、このような陽極酸化処理（Ｃ）により形成される陽極酸化皮膜のマイクロポアのポア径は２０〜２００ｎｍであるのが好ましく３０〜１９０ｎｍであるのがより好ましく、６０〜１８０ｎｍであるのが更に好ましい。化学溶解処理によってポア径を拡大し、導通路の好ましい範囲になるように調整する事が更に好ましい。
平均ポア密度は、１〜１０００×１０6個／μｍ2より好ましくは３〜３００×１０6個／μｍ2の密度であるのが好ましい。
【００７２】
［（１−ｂ）自己規則化方法ＩＩ］
自己規則化方法ＩＩでは、アルミニウム基板表面を陽極酸化処理し（陽極酸化処理（Ｄ））、酸またはアルカリを用いて、前記陽極酸化皮膜を部分的に溶解させ（酸化皮膜溶解処理（Ｅ））、再度陽極酸化処理を実施して前記マイクロポアを深さ方向に成長したのちに、前記マイクロポアの断面形状の変曲点よりも上方の陽極酸化皮膜を除去する。
次に、自己規則化方法ＩＩの各処理について詳述する。
【００７３】
＜陽極酸化処理（Ｄ）＞
陽極酸化処理（Ｄ）は、従来公知の電解液を用いることができるが、直流定電圧条件下にて、通電時の皮膜形成速度Ａと、非通電時の皮膜溶解速度Ｂとした時、以下一般式（ｉｉ）で表されるパラメータＲが、１６０≦Ｒ≦２００、好ましくは１７０≦Ｒ≦１９０、特に好ましくは１７５≦Ｒ≦１８５を満たす電解液を用いて処理を施すことで、孔の規則配列性を大幅に向上することができる。
【００７４】
Ｒ＝Ａ［ｎｍ／ｓ］÷（Ｂ［ｎｍ／ｓ］×印加電圧［Ｖ］）  ・・・  （ｉｉ）
【００７５】
陽極酸化処理（Ｄ）における電解液の平均流速は、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、０．５〜２０．０ｍ／ｍｉｎであるのが好ましく、１．０〜１５．０ｍ／ｍｉｎであるのがより好ましく、２．０〜１０．０ｍ／ｍｉｎであるのが更に好ましい。上記範囲の流速で陽極酸化処理（Ｄ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
また、電解液を上記条件で流動させる方法は、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、特に限定されないが、例えば、スターラーのような一般的なかくはん装置を使用する方法が用いられる。特に、かくはん速度をデジタル表示でコントロールできるようなスターラーを用いると、平均流速が制御できるため、好ましい。そのようなかくはん装置としては、例えば、「マグネティックスターラーＨＳ−５０Ｄ（ＡＳ  ＯＮＥ製）」等が挙げられる。
また、陽極酸化処理液の粘度としては、２５℃１気圧下における粘度が０．０００１〜１００．０Ｐａ・ｓが好ましく、０．０００５〜８０．０Ｐａ・ｓが更に好ましい。上記範囲の粘度を有する電解液で陽極酸化処理（Ｄ）を行うことにより、均一かつ高い規則性を有することができる。
【００７６】
陽極酸化処理（Ｄ）で用いる電解液には、酸性、アルカリ性いずれも使用することができるが、孔の真円性を高める観点から酸性の電解液が好適に用いられる。
具体的には、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、塩酸、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、グリコール酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸等がより好ましく、中でも硫酸、リン酸、シュウ酸が特に好ましい。これらの酸は単独でまたは２種以上を組み合わせて、上記一般式（ｉｉ）の計算式より所望のパラメータに調整して用いることができる。
【００７７】
陽極酸化処理（Ｄ）の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、上述した陽極酸化処理（Ａ）と同様、一般的には電解液濃度０．１〜２０質量％、液温−１０〜３０℃、電流密度０．０１〜２０Ａ／ｄｍ2、電圧３〜５００Ｖ、電解時間０．５〜３０時間であるのが好ましく、電解液濃度０．５〜１５質量％、液温−５〜２５℃、電流密度０．０５〜１５Ａ／ｄｍ2、電圧５〜２５０Ｖ、電解時間１〜２５時間であるのがより好ましく、電解液濃度１〜１０質量％、液温０〜２０℃、電流密度０．１〜１０Ａ／ｄｍ2、電圧１０〜２００Ｖ、電解時間２〜２０時間であるのが更に好ましい。
【００７８】
この陽極酸化処理（Ｄ）により、図３Ａに示されるように、アルミニウム基板１２の表面に、マイクロポア１６ａを有する陽極酸化皮膜１４ａが形成される。なお、陽極酸化皮膜１４ａのアルミニウム基板１２側には、バリア層１８ａが存在している。
【００７９】
＜酸化皮膜溶解処理（Ｅ）＞
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）は、上記陽極酸化処理（Ｄ）により形成された陽極酸化皮膜に存在するマイクロポアの経（ポア径）を拡大させる処理（孔径拡大処理）である。
【００８０】
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）は、上記陽極酸化処理（Ｄ）後のアルミニウム基板を酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。
【００８１】
酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜６０℃であるのが好ましい。
一方、酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜３５℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。
【００８２】
また、酸化皮膜溶解処理（Ｅ）において、ポア径の拡大量は陽極酸化処理（Ｄ）の条件により異なるが、処理前後の拡大比が１．０５倍〜１００倍が好ましく、１．１倍〜７５倍がより好ましく、１．２倍〜５０倍が特に好ましい。
【００８３】
この酸化皮膜溶解処理（Ｅ）により、図３Ｂに示されるように、図３Ａに示される陽極酸化皮膜１４ａの表面およびマイクロポア１６ａの内部（バリア層１８ａおよび多孔質層）が溶解し、アルミニウム基板１２上に、マイクロポア１６ｂを有する陽極酸化皮膜１４ｂを有するアルミニウム部材が得られる。なお、図３Ａと同様、陽極酸化皮膜１４ｂのアルミニウム基板１２側には、バリア層１８ｂが存在している。
【００８４】
自己規則化方法ＩＩにおいては、上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）の後に、再度上記陽極酸化処理（Ｄ）を施すのが好ましい。
【００８５】
再度の陽極酸化処理（Ｄ）により、図３Ｃに示されるように、図３Ｂに示されるアルミニウム基板１２の酸化反応が進行し、アルミニウム基板１２上に、マイクロポア１６ｂよりも深くなったマイクロポア１６ｃを有する陽極酸化皮膜１４ｃを有するアルミニウム部材が得られる。なお、図３Ａと同様、陽極酸化皮膜１４ｃのアルミニウム基板１２側には、バリア層１８ｃが存在している。
【００８６】
また、自己規則化方法ＩＩにおいては、上記陽極酸化処理（Ｄ）、上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）および上記陽極酸化処理（Ｄ）をこの順に施した後に、更に上記酸化皮膜溶解処理（Ｅ）を施すのが好ましい。
【００８７】
この処理により、マイクロポアの中に処理液が入るため、再度の陽極酸化処理（Ｄ）で形成された陽極酸化皮膜を全て溶解し、再度の陽極酸化処理（Ｄ）で形成されたマイクロポアのポア径を広げることができる。
即ち、再度の酸化皮膜溶解処理（Ｅ）により、図３Ｄに示されるように、図３Ｃに示される陽極酸化皮膜１４ｃの変曲点より表面側のマイクロポア１６ｃの内部が溶解し、すなわち、マイクロポア１６ｃの断面形状の変曲点よりも上方の陽極酸化皮膜１４ｃが除去されて、アルミニウム基板１２上に、直管状のマイクロポア１６ｄを有する陽極酸化皮膜１４ｄを有するアルミニウム部材が得られる。なお、図３Ａと同様、陽極酸化皮膜１４ｄのアルミニウム基板１２側には、バリア層１８ｄが存在している。
【００８８】
ここで、マイクロポアのポア径の拡大量は、再度の陽極酸化処理（Ｄ）の処理条件により異なるが、処理前後の拡大比が１．０５倍〜１００倍が好ましく、１．１倍〜７５倍がより好ましく、１．２倍〜５０倍が特に好ましい。
【００８９】
自己規則化方法ＩＩは、上述した陽極酸化処理（Ｄ）と酸化皮膜溶解処理（Ｅ）のサイクルを１回以上行うものである。繰り返しの回数が多いほど、上述したポアの配列の規則性が高くなる。
また、直前の陽極酸化処理（Ｄ）で形成された陽極酸化皮膜を酸化皮膜溶解処理（Ｅ）で全て溶解することにより、皮膜表面から見たマイクロポアの真円性が飛躍的に向上するため、上記サイクルを２回以上繰り返して行うのが好ましく、３回以上繰り返して行うのがより好ましく、４回以上繰り返して行うのが更に好ましい。
また、上記サイクルを２回以上繰り返して行う場合、各回の酸化皮膜溶解処理および陽極酸化処理の条件は、それぞれ同じであっても、異なっていてもよく、また、最後の処理を陽極酸化処理で終えてもよい。
【００９０】
本発明の製造方法においては、陽極酸化処理として、以下に述べるインプリント処理を用いた方法も好ましく用いることができる。
【００９１】
［（１−ｃ）：インプリント処理を用いた方法］
インプリント処理を用いた方法では、アルミニウム基板の表面にマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成させる陽極酸化処理の前に、陽極酸化処理のマイクロポアの生成の起点となる複数の窪みを該アルミニウム基板の表面に所定の間隔および配列で形成させておく。このような窪みを形成させることにより、マイクロポアの配列およびポア径の真円度を所望の範囲に制御することが容易となる。
【００９２】
窪みを形成させる方法は、特に限定されず、例えば、インプリント（転写）法を含む物理的方法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法が挙げられる。なお、インプリント処理では、窪みの形成に、自己規則化方法（Ｉ）における、陽極酸化処理工程（Ａ）および脱膜処理（Ｂ）をこの順に実施することにより窪みを形成する手順や、電気化学的粗面化処理によりくぼみを形成する手順のような電気化学的な方法は用いない。
陽極酸化処理のマイクロポアの生成の起点となる複数の窪みを所定の間隔および配列で形成させておくことにより陽極酸化により形成されるマイクロポアの起点を任意の所望の配列とすることができるようになり、得られる構造体の真円性を高くすることができる。
【００９３】
＜物理的方法＞
例えば、インプリント法（突起を有する基板またはロールをアルミニウム基板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法）を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム基板の表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平１０−１２１２９２号公報に記載されている方法を用いることができる。
また、アルミニウム基板の表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からＳｉＯ2を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたＳｉＯ2をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。
【００９４】
＜粒子線法＞
粒子線法は、アルミニウム基板の表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）、電子ビームが挙げられる。
粒子線法としては、例えば、特開２００１−１０５４００号公報に記載されている方法を用いることもできる。
【００９５】
＜ブロックコポリマー法＞
ブロックコポリマー法は、アルミニウム基板の表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
ブロックコポリマー法としては、例えば、特開２００３−１２９２８８号公報に記載されている方法を用いることができる。
【００９６】
＜レジストパターン・露光・エッチング法＞
レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法により、アルミニウム基板の表面上に形成したレジスト膜に露光および現像を施し、レジストパターンを形成した後これをエッチングする。レジストを設け、エッチングしてアルミニウム基板の表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。
【００９７】
上述した種々の窪みを形成させる方法の中でも、物理的方法、ＦＩＢ法、レジストパターン・露光・エッチング法が望ましい。
【００９８】
インプリント処理において、アルミニウム基板の表面に複数の窪みを所定の間隔および配列で形成する場合、特に０．１μｍ前後の間隔で微細な窪みを形成する場合、上記アルミニウム板表面に微細な窪みを人工的に規則正しく形成するのに、電子ビームリソグラフィやＸ線リソグラフィなどを用いた高解像度の微細加工技術を毎回適用することは経済的でないため、複数の突起を表面に備えた基板を陽極酸化するアルミニウム基板表面に押し付けるインプリント（転写）法が好ましい。
具体的には、突起を有する基板またはロールをアルミニウム基板表面に密着させ、油圧プレスなどを用いて圧力を印加することにより実施できる。基板に設ける突起の配列（パターン）は、陽極酸化処理によって形成する陽極酸化皮膜のマイクロポアの配列に対応させるものとし、正六角形状の周期的な配列は言うに及ばず、周期的配列の一部を欠いたような任意のパターンとすることもできる。また、突起を形成する基板は鏡面の表面を有するとともに、押し付ける圧力により突起が破壊したり、突起の配置が変形することのない強度と硬度を有するものが望ましい。このためには、アルミニウムやタンタルのような金属基板も含め、微細加工が容易で汎用的なシリコン基板等を用いることができるが、強度の高いダイヤモンドやシリコンカーバイドで構成されている基板は、繰り返し使用回数を多くすることができるので、より望ましい。これによって、突起を有する基板またはロールを１個作製しておけば、これを繰り返し使用することにより、効率的に多数のアルミニウム板に規則的な窪み配列を形成することができる。
【００９９】
上記のインプリント法を用いた場合の圧力としては、基板の種類にもよるが、０．００１〜１００トン／ｃｍ2が好ましく、０．０１〜７５トン／ｃｍ2がより好ましく、０．１〜５０トン／ｃｍ2が特に好ましい。
また、プレス時の温度としては、０〜３００℃が好ましく、５〜２００℃がより好ましく、１０〜１００℃が特に好ましく、プレスの時間としては、２秒〜３０分が好ましく、５秒〜１５分がより好ましく、１０秒〜５分が特に好ましい。
また、プレス後の表面形状を固定化する観点から、アルミニウム基板の表面を冷却する方法も後処理として付け加えることができる。
【０１００】
インプリント処理を用いた方法では、上記のようにアルミニウム基板の表面に窪みを形成した後、該アルミニウム基板表面に陽極酸化処理を施す。
このとき、陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができ、一定電圧で処理する方法や、直流電圧を一定としつつ、断続的に電流のオンおよびオフを繰り返す方法、直流電圧を断続的に変化させつつ、電流のオンおよびオフを繰り返す方法も好適に用いることができる。
【０１０１】
また、陽極酸化処理を低温で行うと、マイクロポアの配列が規則的になり、また、ポア径が均一になる。
一方、陽極酸化処理を比較的高温で行うことにより、マイクロポアの配列を乱し、また、ポア径のばらつきを所定の範囲にすることができる。また、処理時間によっても、ポア径のばらつきを制御することができる。
【０１０２】
本発明の製造方法においては、陽極酸化処理工程で上記（１−ａ）〜（１−ｃ）の処理のいずれかを実施することが好ましい。
【０１０３】
［（２）貫通化処理工程］
上記貫通化処理工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る工程である。
上記貫通化処理工程では、下記（２−ａ）または（２−ｂ）の処理を実施することが好ましい。
（２−ａ）酸またはアルカリを用いて、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム基板を溶解し、マイクロポアによる孔を貫通化する処理（化学溶解処理）。
（２−ｂ）陽極酸化皮膜を有するアルミニウム基板を機械的に研磨し、マイクロポアによる孔を貫通化する処理（機械的研磨処理）。
以下（２−ａ）、（２−ｂ）の処理について詳述する。
【０１０４】
［（２−ａ）化学溶解処理］
化学溶解処理では、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板（図３Ｄにおいては符号１２で表される部分）を溶解し、さらに、陽極酸化皮膜の底部（図３Ｄにおいては符号１８ｄで表される部分）を除去して、マイクロポアによる孔を貫通化させる。
【０１０５】
＜アルミニウム基板の溶解＞
上記陽極酸化処理工程の後のアルミニウム基板の溶解は、陽極酸化皮膜（アルミナ）は溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いる。
即ち、アルミニウム溶解速度１μｍ／分以上、好ましくは３μｍ／分以上、より好ましくは５μｍ／分以上、および、陽極酸化皮膜溶解速度０．１ｎｍ／分以下、好ましくは０．０５ｎｍ／分以下、より好ましくは０．０１ｎｍ／分以下の条件を有する処理液を用いる。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも１種含み、かつ、ｐＨが４以下８以上、好ましくは３以下９以上、より好ましくは２以下１０以上の処理液を使用して浸漬処理を行う。
【０１０６】
このような処理液としては、酸またはアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物（例えば、塩化白金酸）、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであるのが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドするのが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液（塩酸／塩化水銀）、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液（塩酸／塩化銅）が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、このような処理液の組成は特に限定されず、例えば、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水等を用いることができる。
【０１０７】
また、このような処理液の酸またはアルカリ濃度は、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
【０１０８】
更に、このような処理液を用いた処理温度は、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
【０１０９】
本発明の製造方法においては、アルミニウム基板の溶解は、上記陽極酸化処理工程の後のアルミニウム基板を上述した処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒〜５時間が好ましく、１分〜３時間がより好ましい。
【０１１０】
＜陽極酸化皮膜の底部の除去＞
アルミニウム基板を溶解した後の陽極酸化皮膜の底部の除去は、酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸せきさせることにより行う。底部の陽極酸化皮膜が除去されることにより、マイクロポアによる孔が貫通する。
【０１１１】
陽極酸化皮膜の底部の除去は、予めｐＨ緩衝液に浸漬させてマイクロポアによる孔の開口側から孔内にｐＨ緩衝液を充填した後に、開口部の逆面、即ち、陽極酸化皮膜の底部に酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させる方法により行うのが好ましい。
【０１１２】
酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜４０℃であるのが好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜３５℃であるのが好ましい。
【０１１３】
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液や、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
【０１１４】
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。
また、予めｐＨ緩衝液に浸漬させる場合は、上述した酸／アルカリに適宜対応した緩衝液を使用する。
【０１１５】
［（２−ｂ）機械的研磨処理］
機械的研磨処理では、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板（図３Ｄにおいては符号１２で表される部分）およびアルミニウム基板近傍の陽極酸化皮膜（図３Ｄにおいては符号１８ｄで表される部分）を機械的に研磨して除去することにより、マイクロポアによる孔を貫通化させる。
機械的研磨処理では、公知の機械的研磨処理方法を幅広く用いることができ、例えば、鏡面仕上げ処理について例示した機械研磨を用いることができる。但し、精密研磨速度が高いことから化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理を行うことが好ましい。ＣＭＰ処理には、フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００、日立化成社製のＧＰＸ ＨＳＣ８００、旭硝子（セイミケミカル）社製のＣＬ−１０００等のＣＭＰスラリーを用いることができる。
【０１１６】
これらの貫通化処理工程により、図３Ｄに示されるアルミニウム基板１２およびバリア層１８ｄがなくなった状態の構造物、即ち、図４Ａに示される絶縁性基材２０が得られる。
【０１１７】
（１）陽極酸化処理工程〜（２）貫通化処理工程を行なう代わりに市販の商品名：アノディスク（ワットマンジャパン（株））なども適宜使用できる。
【０１１８】
［（３）導電材料充填工程］
導電材料充填工程は、上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電材料を充填して上記異方導電材料を得る工程である。
上記導電材料充填工程では、下記（３−ａ）〜（３−ｃ）のいずれかの処理を実施することが好ましい。
（３−ａ）導電材料を有する液中に、前記貫通化した孔を有する絶縁性基材を浸漬し、該孔内に導電材料を充填する処理（浸漬処理）。
（３−ｂ）電解めっきにより、前記貫通化した孔内に導電材料を充填する処理（電解めっき処理）。
（３−ｃ）蒸着により前記貫通化した孔内に導電材料を充填する処理（蒸着処理）。
ここで、充填する導電材料は、異方導電性部材の導通路を構成するものであり、本発明の異方導電性部材において説明したものと同様である。
以下（３−ａ）〜（３−ｃ）の処理について詳述する。
【０１１９】
［（３−ａ）浸漬処理］
導電材料を有する液中に、前記貫通化した孔を有する絶縁性基材を浸漬し、孔内に導電材料を充填する処理としては、無電解めっき処理や、高粘度の溶融金属浸漬処理、導電性高分子溶解液浸漬処理など、公知の方法を用いることができるが、導電性材料としての好ましい素材が金属であることから、無電解めっき処理、溶融金属浸漬処理が好ましく、操作の簡易性から無電解めっき処理が好ましい。
【０１２０】
無電解めっきの方法としては、公知の方法及び処理液を用いることができ特に限定されないが、析出させる金属核を予め設け、その後に該金属を含む溶剤に溶ける化合物と還元剤を液に溶かし、絶縁性基材を該液に浸漬することにより、貫通化した孔内に金属を充填させる方法が好ましい。
また、後述する電解めっき処理と併用して処理しても良い。
【０１２１】
［（３−ｂ）電解めっき処理］
本発明の製造方法において、電解めっきにより、貫通化した孔内に導電材料を充填する場合は、電解液のかくはんを促進するため、超音波を加えることも望ましい。
更に、電解電圧は、通常−２０Ｖ以下であって望ましくは−１０Ｖ以下である。定電位電解または、電位走査電解を行う際には、サイクリックボルタンメトリを併用できるものが望ましく、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社、ＢＡＳ社、北斗電工社、ＩＶＩＵＭ社等のポテンショスタット装置を用いることができる。
電解方法としては、電位を時間経時に従って、一定速度で増減させる電位走査方法が好ましく、経時時間によらず、一定の電流で電解する定電流電解も好ましい。電位走査の場合には、０Ｖを電位走査開始点として、走査速度０．１〜５０ｍＶ/ｓｅｃの範囲で走査する事が好ましく、０．３〜３０ｍＶ/ｓｅｃの範囲がより好ましく、０．５〜５ｍＶ/ｓｅｃの範囲で負側に走査する事が更に好ましい。好ましい電気量は細孔径、細孔密度、金属種別、陽極酸化皮膜の厚みによって異なるが、例えば銅めっきの場合、必要な析出量Ｗ［ｇ］は下記式によって算出できる。
式      細孔の面積［μｍ2］×目標とする充填高さ［μｍ］×電解面積［ｃｍ2］×細孔密度［個/μｍ2］×金属の密度［ｇ/ｃｍ3］＝Ｗ×１０-4［ｇ］
析出量Ｗをモル数に換算し、ファラデー定数を乗じると必要なクーロン数を算出できる。
クーロンメーターにて電気量を計測し、必要なクーロン数に到達したら、電解を中止するようにする事で、必要十分なめっき充填高さを得る事が可能になる。
定電流電解で行なう場合の電流密度の好ましい範囲は、電解液濃度、細孔径、細孔密度、金属種別によって異なるが、銅めっきの場合、０．５〜１０Ａ/ｄｍ2が好ましく、１〜５Ａ/ｄｍ2が更に好ましい。金めっきの場合、０．０５〜３Ａ/ｄｍ2が好ましく、０．２2〜１Ａ/ｄｍ2が更に好ましい。ニッケルめっきの場合、０．０５〜５Ａ/ｄｍ2が好ましく、０．２〜１．５Ａ/ｄｍ2が更に好ましい。
めっき電解の停止はクーロン数を計測し、停止する事ができる。
例えばＣｕの場合、電流効率を１００％と仮定した場合、陽極酸化皮膜１μｍ当たりの電気量として４６Ｃ/ｄｍ2/μｍと計算する事ができる。
５０μｍ充填させたい場合には、２３００Ｃ/ｄｍ2で電解を中止し、破断面方向からＳＥＭまたは、光学顕微鏡にて充填高さを確認する事が可能である。
【０１２２】
めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合には硫酸銅水溶液が一般的に用いられるが、硫酸銅の濃度は、０．１ｍｏｌ／ｌ以上が好ましく、０．４ｍｏｌ/以上が更に好ましい。飽和溶液も好適に使用できる。ピロリン酸銅を使用する場合には、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１ｍｏｌ/Ｌの範囲が好ましく、０．１ｍｏｌ／Ｌ〜０．５ｍｏｌ/Ｌの範囲がより好ましい。過剰のピロリン酸カリウムを添加する事が好ましく、０．５ｍｏｌ／Ｌ以上が好ましく、０．７ｍｏｌ/Ｌ以上がより好ましい。また、電解液中に塩酸を添加すると析出を促進することができる。この場合、塩酸濃度は１０〜２０ｇ／Ｌであるのが好ましい。
また、金を析出させる場合、テトラクロロ金の好ましい範囲は０．０００５％〜１ｗｔ％であり、炭酸カリウム、塩酸を適宜添加できる。好ましいｐＨの範囲は０．１〜１０であり、添加剤の添加量でｐＨを調整できる。
ニッケルを析出させる場合には、硫酸浴、ワット浴、塩化物浴、スルファミン酸ニッケル浴など公知の電解液が使用できる。液温の好ましい範囲は２５℃〜９５℃でありさらに好ましい範囲は３０℃〜７０℃であり、電流密度の好ましい範囲は０．５〜１０Ａ/ｄｍ2で、さらには０．８〜８Ａ/ｄｍ2の範囲内である。
【０１２３】
［（３−ｃ）蒸着処理］
蒸着により貫通化した孔内に導電材料を充填する場合、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）といった公知の蒸着処理を用いることができる。蒸着処理を行う際の条件としては、その対象物質により異なるが、温度−４０℃〜８０℃、真空度１０−3Ｐａ以下が蒸着速度の観点から好ましく、−２０℃〜６０℃、真空度１０−4Ｐａ以下がより好ましい。
【０１２４】
また、充填を均一に行うために、蒸着方向に対する絶縁性基板の面を適宜傾けて、斜め方向から蒸着する方法も好適に用いることができる。
これらの導電材料充填工程により、図４Ｂに示される異方導電性部材２１が得られる。
【０１２５】
［（４）表面平滑処理工程］
本発明の製造方法においては、上記導電材料充填工程の後に、上記絶縁性基材の表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程を具備するのが好ましい。表面平滑処理工程を実施することにより、導電材料を充填させた後の絶縁性基材の表面および裏面の平滑化と、該表面および裏面に付着した余分な導電材料を除去することができる。
表面平滑処理工程では、下記（４−ａ）〜（４−ｃ）のいずれかの処理を実施することが好ましい。
以下（４−ａ）〜（４−ｃ）の処理について詳述する。
（４−ａ）化学機械研磨（ＣＭＰ）による処理。
（４−ｂ）電解研磨による処理。
（４−ｃ）イオンミリング処理。
【０１２６】
［（４−ａ）化学機械研磨（ＣＭＰ）による処理］
ＣＭＰ処理には、フジミインコーポレイテッド社製のＰＮＡＮＥＲＬＩＴＥ−７０００、日立化成社製のＧＰＸ ＨＳＣ８００、旭硝子（セイミケミカル）社製のＣＬ−１０００等のＣＭＰスラリーを用いることができる。
化学的研磨液を使用しない通常の機械研磨も好適であり、その場合、＃８００〜＃１５００の粒度の研磨布を用いて、ラッピングを行い、厚みを調整し、その後、粒子径１〜３μｍのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行い、さらに、粒子径０．１〜０．５μｍのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行う事で、鏡面状態にする事ができる。電極面の研磨厚みの好ましい範囲は０μｍ〜２０μｍであり、対する開口面の研磨厚みの好ましい範囲は１０μｍ〜５０μｍである。
研磨条件：回転速度は１０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍの範囲が好ましく、２０〜６０ｒｐｍの範囲がより好ましい。荷重の好ましい範囲は０．０１〜０．１ｋｇｆ/ｃｍ2であり、０．０２〜０．０８ｋｇｆ/ｃｍ2の範囲がより好ましい。
代表的な研磨条件
【表１】
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【０１２７】
［（４−ｂ）電解研磨による処理］
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２−３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
【０１２８】
［（４−ｃ）イオンミリング処理］
イオンミリング処理は、上記ＣＭＰによる処理や、電解研磨処理よりもさらに精密な研磨が必要な際に施され、公知の技術を用いることができる。イオン種としては一般的なアルゴンイオンを用いることが好ましい。
【０１２９】
［（５）導通路突出工程］
本発明の製造方法においては、上記表面平滑処理工程の後に、上記絶縁性基材の表面および裏面から上記導電材料が突出した構造を形成する導通路突出工程を具備するのが好ましい。
導通路突出工程では、下記（５−ａ）または（５−ｂ）のいずれかの処理を実施することが好ましい。
（５−ａ）上記絶縁性基材の表面および裏面の一部を除去することにより、上記絶縁性基材の表面および裏面から導電材料が突出した構造を形成する処理。
（５−ｂ）上記導通路の表面に導電材料を析出させることにより、上記絶縁性基材の表面および裏面から導電材料が突出した構造を形成する処理。
【０１３０】
上記（５−ａ）処理では、上記表面平滑処理工程後の異方導電性部材を酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させることにより、異方導電性部材表面の絶縁性基材のみを一部溶解させて除去して導通路を突出させる（図４Ｃ）。
上記（５−ａ）処理は、導通路を構成する導電材料を溶解しない条件であれば、上述した酸化皮膜溶解処理（Ｅ）と同様の処理条件で施すことができる。特に、溶解速度を管理しやすい酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いるのが好ましい。
【０１３１】
上記（５−ｂ）処理では、図４Ｂに示される導通路３の表面にのみ、導電材料を析出させることにより、導通路を突出させる（図４Ｄ）。導電材料の析出は、無電解めっきまたは電着処理により行うことができる。なお、析出させる導電材料は、導電材料充填工程で充填した導電材料と同一のものであってもよく、異なるものであってもよい。
【０１３２】
［保護膜形成処理］
本発明の製造方法においては、アルミナで形成された絶縁性基材が、空気中の水分との水和により、経時により孔径が変化してしまうことから、上記導電材料充填工程前に、保護膜形成処理を施すことが好ましい。
【０１３３】
保護膜としては、Ｚｒ元素および／またはＳｉ元素を含有する無機保護膜、あるいは、水不溶性ポリマーを含有する有機保護膜が挙げられる。
【０１３４】
Ｚｒ元素を有する保護膜の形成方法は特に限定されないが、例えば、ジルコニウム化合物が溶解している水溶液に直接浸せきして処理する方法が一般的である。また、保護膜の強固性と安定性の観点から、リン化合物をあわせて溶解させた水溶液を用いることが好ましい。
【０１３５】
ここで、ジルコニウム化合物としては、具体的には、例えば、ジルコニウム、フッ化ジルコニウム、フッ化ジルコン酸ナトリウム、フッ化ジルコン酸カルシウム、フッ化ジルコニウム、塩化ジルコニウム、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、硫酸ジルコニウム、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムプロポキシド、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセチルアセトナート、テトラクロロビス（テトラヒドロフラン）ジルコニウム、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ジシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド、エチレンビス（インデニル）ジルコニウム（ＩＶ）ジクロリド等が挙げられ、中でも、フッ化ジルコン酸ナトリウムが好ましい。
また、水溶液におけるジルコニウム化合物の濃度としては、保護膜厚の均一性の観点から、０．０１〜１０ｗｔ％が好ましく、０．０５〜５ｗｔ％がより好ましい。
【０１３６】
リン化合物としては、リン酸、リン酸ナトリウム、リン酸カルシウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カルシウム等が挙げられ、中でも、リン酸水素ナトリウムが好ましい。
また、水溶液におけるジルコニウム化合物の濃度としては、保護膜厚の均一性の観点から、０．１〜２０ｗｔ％が好ましく、０．５〜１０ｗｔ％がより好ましい。また、処理温度としては、０〜１２０℃が好ましく、２０〜１００℃がより好ましい。
【０１３７】
一方、Ｓｉ元素を有する保護膜の形成方法は特に限定されないが、例えば、アルカリ金属ケイ酸塩が溶解している水溶液に直接浸せきして処理する方法が一般的である。
アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液は、ケイ酸塩の成分である酸化ケイ素ＳｉＯ2とアルカリ金属酸化物Ｍ2Ｏの比率（一般に〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕のモル比で表す。）と濃度によって保護膜厚の調節が可能である。
ここで、Ｍとしては、特にナトリウム、カリウムが好適に用いられる。
また、モル比は、〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕が０．１〜５．０が好ましく、０．５〜３．０がより好ましい。
更に、ＳｉＯ2の含有量は、０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１０質量％がより好ましい。
【０１３８】
有機保護膜としては、水不溶性ポリマーが溶解している有機溶剤に、直接浸せきしたのち、加熱処理により溶剤のみを揮発させる方法が好ましい。
水不溶性ポリマーとしては、例えば、ポリ塩化ビニリデン、ポリ（メタ）アクリロニトリル、ポリサルホン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、セロハン等が挙げられる。
また、有機溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノール、２−メトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウレア、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、トルエン等が挙げられる。
濃度としては、０．１〜５０ｗｔ％が好ましく、１〜３０ｗｔ％がより好ましい。
また、溶剤揮発時の加熱温度としては、３０〜３００℃が好ましく、５０〜２００℃がより好ましい。
【０１３９】
保護膜形成処理後において、保護膜を含めた陽極酸化皮膜の膜厚は、０．１〜１０００μｍであるのが好ましく、１〜５００μｍであるのが更に好ましい。
【０１４０】
（５）保護層
本発明の導電性材料には、必要な場合は図７Ｃに示す保護層６２をさらに設けることができる。保護層は異方導電性部材のバンプを保護するバンプ保護層６２や、導電性層５６の表面を保護する保護層が例示できる。
市販の剥離用保護シートとして、東レフィルム加工（株）製  軽剥離フィルム  商品名：セラピール、プリント基板用として  東レフィルム加工（株）製  トヨフロンなど市販フィルムを適宜使用できる。感光性樹脂層を設ける場合に、同時にラミネートすることもできる。
【０１４１】
（６）感光性樹脂層
＜感光性樹脂層＞
本発明の感光性樹脂層としては、バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び増感剤を含んでなり、更に必要に応じてその他の成分を含有してなり、該増感剤は、極大吸収波長が３４０〜５００ｎｍである増感剤を少なくとも２種含んでもよい。
前記感光性樹脂層としては、前記増感剤の少なくとも１種が、４０５ｎｍ未満の波長域に極大吸収波長を有し、これ以外の少なくとも１種が、４０５ｎｍ以上の波長域に極大吸収波長を有するのが好ましい。
また、前記増感剤としては、３４０ｎｍ以上４０５ｎｍ未満の波長域に極大吸収波長を有する増感剤と、４０５ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長域に極大吸収波長を有する増感剤の少なくとも２種を含むのが好ましい。
【０１４２】
また、前記感光性樹脂層としては、３８０〜４２０ｎｍの波長域に分光感度の極大値を有すると共に、４００〜４１０ｎｍの領域におけるパターン形成可能な最小露光量Ｓが５０ｍＪ／ｃｍ２以下であり、かつ該波長領域での最小露光量の最大値Ｓｍａｘと、最小露光量の最小値Ｓｍｉｎとが、次式、Ｓｍａｘ／Ｓｍｉｎ≦１．２を満たすのが好ましく、次式、Ｓｍａｘ／Ｓｍｉｎ≦１．１を満たすのがより好ましい。
前記Ｓｍａｘ／Ｓｍｉｎが１．２を超えると、数の半導体素子を用いた露光装置を使用した場合に、個々の半導体素子の波長のばらつきに起因する感度変化により、均一なパターンが得られないことがある。
【０１４３】
前記４００〜４１０ｎｍにおけるパターン形成可能な最小露光量Ｓは、５０ｍＪ／ｃｍ２以下であることが好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２であることが特に好ましい。
前記パターン形成可能な最小露光量Ｓが、５０ｍＪ／ｃｍ２超であると、露光に要する時間が長くなり、生産性の低下を生じることがある。
【０１４４】
前記分光感度は、例えば、フォトポリマー・テクノロジー（山岡亜夫著、昭和６３年日刊工業新聞社発行、第２６２頁）などに記載の方法により、被処理基体上にパターン形成材料を積層してなる感光性積層体の該感光性組成物を、分光感度測定装置を用いて測定する。具体的には、キセノンランプ及びタングステンランプなどの光源から分光した光を、横軸方向には露光波長が直線的に変化するように、縦軸方向には露光強度が対数的に変化するように設定して照射して露光した後、現像処理することにより、各露光波長の感度ごとにパターンを形成する。得られたパターンの高さから、パターン形成可能な露光エネルギーを算出し、横軸に波長、縦軸にその露光エネルギーの逆数をプロットして作成した分光感度曲線における極大ピークを分光感度とする。
【０１４５】
前記パターン形成可能な最小露光量は、前述した分光感度測定において形成されたパターンの高さから算出される画像形成可能な露光エネルギーとして求められる。前記パターン形成可能な最小露光量は、現像液の種類、現像温度、現像時間などの現像条件を変化させることによって最適現像条件を決定し、前記最適現像条件でパターンを形成しうる最小露光量を意味する。
前記最適現像条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ｐＨ８〜１２の現像液を、２５〜４０℃、０．０５〜０．５ＭＰａの圧力でスプレーして未硬化領域を完全に除去する条件などが採られる。
【０１４６】
（７）感光性樹脂層の形成方法
感光性樹脂層を設ける場合には、種類は特に限定されないが、平坦性が良いので、液状の物に比べ、取り扱いが容易なドライフィルムを使用できる。ネガ型レジストとポジ型レジストがあるが一般に市販使用されているネガ型レジストが好ましい。
【０１４７】
本発明の導電性層上または異方導電性部材上に、バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び極大吸収波長が３４０〜５００ｎｍである増感剤を少なくとも２種含み、必要に応じて選択したその他の成分を含む感光性組成物を用いて得られた感光性樹脂層有しても良い。
【０１４８】
前記感光性樹脂層に含まれる材料は、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させることにより、前記感光性組成物溶液を調製する。
前記感光性組成物溶液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類；トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノールなどのエーテル類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。
【０１４９】
次に、前記導電性層または異方導電性部材上に前記感光性組成物溶液を塗布し、乾燥させて感光性樹脂層を形成し、本発明の第２の態様の導電性材料を製造することができる。
【０１５０】
前記感光性組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常６０〜１１０℃の温度で３０秒間〜１５分間程度である。
【０１５１】
上記の感光性樹脂層は、４００〜４１０ｎｍの波長範囲で感度分布が略一定であるため、４００〜４１０ｎｍの範囲の光で露光される各種パターンの形成用、配線パターン等の永久パターンの形成用、などに好適に用いることができ、特に半導体検査用プローブカード用回路基板形成用に好適に用いることができる。
【０１５２】
他の方法として、本発明の感光性樹脂層は、導電性層上に感光性樹脂層をフイルム等の形態で加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層しても良い。前記加熱温度及び加圧としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１５〜１８０℃が好ましく、６０〜１４０℃がより好ましい。前記加圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．１〜１．０ＭＰａが好ましく、０．２〜０．８ＭＰａがより好ましい。
【０１５３】
前記加熱の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター（例えば、大成ラミネータ社製、ＶＰ−ＩＩ）などが好適に挙げられる。
【０１５４】
（８）導電性層にパターンを形成して配線回路を製造する方法
レーザーアブレーションでパターン化をする際には、細孔内部に金属を充填する前に、アリザリンレッドなどの染料により染色する事で、レーザー照射によって、陽極酸化皮膜自体が発熱し、表面近傍の一部をアブレーション的に除去して、ＡＣＦに凹凸構造を付与する事も可能である。導電性層よりもレーザーの吸収率が高い状態にする事で導電性層を根こそぎ均一に除去する事ができる。
露光、現像によるパターニングは感光性樹脂の製造メーカーから提供されている推奨条件を適宜、利用する事でパターン形成が可能となる。両面の配線パターンを変える事で、任意のピッチのピッチ変換コネクターが作成できる。パターン形成方法の１例を以下に説明する。
【０１５５】
パターン形成方法は、露光工程を少なくとも含み、適宜選択したその他の工程を含む。前記露光工程は、本発明の導電性材料における感光性樹脂層に対し、露光を行う工程である。デジタル露光、アナログ露光等が挙げられるが、これらの中でもデジタル露光が好ましい。
【０１５６】
前記デジタル露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、形成するパターン形成情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行うことが好ましい。
【０１５７】
前記デジタル露光の手段としては、例えば、光を照射する光照射手段、形成するパターン情報に基づいて該光照射手段から照射される光を変調させる光変調手段などが挙げられる。
【０１５８】
また、パターンを形成後、さらに感光性樹脂を設けて異なるパターンで露光、現像を行い、第２のパターニングを行い、電解析出法、無電解メッキ法など公知の方法で導電性層上に形成された電極と接触する接点を形成できる。このような接点を有する本発明の導電性材料は、図８Ｂに示すように、本発明の回路基板２６を有するプローブカードとして利用できる。本発明の半導体検査用プローブカード用回路基板は図示されるものに限定されない。
【０１５９】
［接点の形成方法］
図８Ｂに例示される接点７０，７２は金属材料の単一材料や合金などの導電性材料から構成され、電極としての機能を併せ持つ事ができる。さらに、接点を積層したり、異種材料で被覆する事で機能性を高めることができる。
接点材料としては、例えば、電気電子材料ハンドブック（１９８７年  初版  朝倉書店）ｐ６３４〜６３７に記載されているように、接点の消耗、検査体への移転が考えらる。一般に、消耗量は機械的強度が高く、かつ沸点が高く蒸気圧の低い方が少ない。最少アーク電圧、最少アーク電流の関係よりＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕまたは、それらの合金が好ましい。
Ｐｔ、Ａｕ系材料として、Ｐｔ、Ａｕ-Ａｇ-Ｐｔ合金、Ｐｔ-Ｉｒ合金が好ましく、タングステン系接点材料としては、合金としてＡｇまたはＣｕの焼結合金、ＡｇＷＣの焼結合金が好ましい。また、カーボンナノチューブ針、カーボンファイバー針などは導電性と撓り性を有するので、より好ましい。
カーボンファイバー電極としては例えば、ビー・エー・エス株式会社から市販されている。また、キットも市販されているので、容易に電極を作成できる。
【０１６０】
図９Ａに例示されるように、異方導電性部材２１の両面に導電性層を積層し、例えばその上にさらに感光性樹脂層を積層し、この感光性樹脂層を上述の方法でパターン化してパターン化された導電性層８２，８４を得ることができる。このような積層体は信号取り出し用配線回路２６として用いることができ、例えばカーボンファイバーをカーボンファイバー電極９０として、導電性接着剤８８で接点７０上に固定する事ができる。接点７０の材料として酸化し難い金属を使用する事もできる。Ｃｕ接点を酸化し難いＮｉやＡｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ-Ａｇ-Ｐｔ合金、Ｐｔ-Ｉｒ合金、ＡｇまたはＣｕの合金、ＡｇＷＣなどで被覆する事も好ましい。
【０１６１】
弾性材料としては、カーボンファイバーも弾性を有するが、電気電子材料ハンドブック（１９８７年  初版  朝倉書店）ｐ１１５〜１２９に記載されているように、ゴム系材料を使う事ができる。中でも耐熱性に優れる珪素ゴム、フッ素ゴムが好ましい。
これら弾性材料の内部に導電性微粒子やフィラーを分散させて加圧導電体構造にしたり、表面に導電材料をコーティングして導電性を付与する事ができる。
図９Ｂに示すように、接点７０に、導電性弾性材料からなる接点９２を設けることもできる。
回路パターンを形成させた積層板の被検査体と接触する接点と反対の面の同じ位置に信号取り出し用電極７４，７６，７８，８０と、配線を設置してプローブカードとして使用する事ができる。
【０１６２】
＜プローブカード＞
ウェハテストでは、チップをテスト装置（プローバー、ＴＥＧともいう）に接続し、チップ上の端子（電極パッド、ボンディングパッド）にテストパターンに従って電圧をかけ、出力を測定して期待値と比較することでチップの良否を判定する。その際、チップ上の端子にプローブ(探針)と呼ばれる針を正確にあてることが必要である。端子のサイズや間隔は数十〜百マイクロメートル、１チップあたり数個〜数百個程の端子がある。テスト時間を短縮するために同時に複数個のチップをテストするには、さらに多くの針が必要である。これらの針を素早く正確にチップにあてるために、必要な針をチップ上の端子パターンにあわせて配置しセットにして扱い易くしたものがプローブカードである。集積回路の微細化と共に、端子のサイズや間隔は縮小（最小３０〜５０μm）、端子数は増加する傾向があり、初期のプローブカードの針は、数個〜百個程度であったが、２０００年頃には〜千個、多いものでは５０００個以上の針を扱える。
カードの形状は、多くは円形(長方形など他の形もある)で、カードの周辺部にテスト装置との接続端子、中央にチップに接続する針が取り付けられている。
針は、周りから中心部に向けて水平（斜め下）に取り付けるカンチレバー型（または水平型）と呼ばれる構造と、上から下に垂直に針を取り付ける垂直型（またはスプリング型、針の中央がバネになっていて接触時の圧力を生む）といわれる構造の２つがある。垂直型はカンチレバー型より針のレイアウトの自由度が高く、針の配置を列ではなくてアレイ状にできるメリットがある。
プローブカードは、プローバー（あるいはプローブテスタ）と呼ばれるテスト装置に取り付けて使う。プローブカードとして使用する場合には、接点の形状が針状が好ましく、針の先端部が貴金属または貴金属合金で被覆、まはた、接合した硬質金属からな事が好ましい。
さらに接点として導電性高分子材料、加圧導電ゴムを用いる事ができる。
密集したカーボンナノチューブをプローブ検査針として形成する事ができる。
密集したカーボンナノチューブの形成方法（特開２０００−３１４６２号公報に記載される）。
【０１６３】
このような本発明の信号取り出し用配線回路２４を用いたプローブカード、およびプローブ検査装置によれば、検査用回路基板と、カーボンファイバー電極９０からなるプローブ検査針とを電気的に接続するために、図１、図５〜図７に示すような、本発明の導電性材料１００を用いることができる。
【０１６４】
従って、検査用回路基板の検査用電極と、プローブ検査針との電気的接続が小さい加圧力で確実に達成される。
【０１６５】
これにより、これらの加圧手段として大型のものを用いることが不要となる。また、検査用回路基板とプローブ検査針との離間距離が短いため、プローブ検査装置の高さ方向の寸法を小さくすることができる。従って、プローブ検査装置全体の小型化を図ることができる。
【０１６６】
また、検査用回路基板の検査用電極に作用される加圧力が小さいため、検査用電極が損傷することがなく、検査用回路基板の使用寿命が短くなることがない。また、検査用回路基板の検査用電極は、特定の導電性材料１００によって電気的に接続されることにより、検査用電極７０，７２を高密度で配置することができ、従って、多数の検査用電極を形成することができるので、多数の被検査電極についての検査を一括して行うことができる。
【０１６７】
また、導電性材料による電気的接続は接触抵抗が小さく、しかも、安定した接続状態を達成することができるため、良好な電気特性が得られる。
また、検査用回路基板の検査用電極と、プローブ検査針とが導電性材料を介して電気的に接続されているため、信号伝送系の距離が短く、従って、高速処理が必要とされる高機能の集積回路の電気的検査についても対応することができる。
【０１６８】
［検査用針］
一般に市販されているプローブ検査針を適宜使用できる。例えば、日本電針（株）、チューリップ（株）製プローブピンなどがある。さらに、ＬＩＧＡプロセスで形成したマイクロコンタクトプローブがＳＥＩ  テクニカルレビュー  第１６１号  −ｐ８７〜９０に記載されている。
ＶＬＳ法で作成した棒状の単結晶のプローブピンとしては特開平１１−１９０７４８に記載されている。
ＶＬＳ法で位置を制御して多数本の棒状単結晶を接点に略垂直に成長させ、該棒状単結晶をプローブピンとすることができる。
【０１６９】
即ち、接点として例えば金バンプを設ける。次に、例えば、四塩化珪素と水素などのガスを加熱条件下で導入する方法で珪素を供給し、前記金バンプの位置にシリコンの棒状単結晶を基板に対し略垂直に成長させる、即ち、ＶＬＳ法にて棒状単結晶を有する接点を製造する。
【０１７０】
次いで、研磨により棒状単結晶の長さを揃え、更に、棒状単結晶および単結晶回路のそれぞれの表面に導電性物質を被覆する等の方法で導電化して、検査用針を得る。上記の方法で得られる検査用針は、プローブピンの位置精度が高く、かつ、熱膨張係数などの特性などが半導体素子と同じＳi単結晶でできていることから、高密度、高集積度の半導体用のプローブカード用の検査用針として好適である。
【実施例】
【０１７１】
１．異方導電性部材を製造した。
（異方導電性部材１）
（Ａ）鏡面仕上げ処理（電解研磨処理）
高純度アルミニウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚さ０．４ｍｍ）を１０ｃｍ四方の面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下組成の電解研磨液を用い、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【０１７２】
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ
【０１７３】
（Ｂ）陽極酸化処理工程（自己規則化方法Ｉ）
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．３ｍｏｌ/Ｌ硫酸  電圧２５Ｖ  １６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１２時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．３ｍｏｌ/Ｌ硫酸  電圧２５Ｖ  １６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１０時間の再陽極酸化処理を施した。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ  ＢＤ３６（ヤマト科学社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー  ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【０１７４】
（Ｃ）貫通化処理工程
次いで、温度１５℃、０．１Ｍ塩化銅＋２０％塩酸にてアルミが除去されるまで（目視）浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させることにより陽極酸化皮膜の底部を除去し、同時に細孔を拡大させてマイクロポアを有する陽極酸化皮膜からなる構造体（絶縁性基材）を作製した。
【０１７５】
（Ｄ）加熱処理
次いで、上記で得られた構造体に、温度４００℃で１時間の加熱処理を施した。
【０１７６】
（Ｅ）導電材料充填工程
次いで、上記加熱処理後の構造体の一方の表面に無電解めっき法で形成した金電極を密着させ、該金電極を陰極にし、銅板を正極にして電解めっきを行なった。
硫酸銅６００ｇ／Ｌの混合溶液を６０℃に保った状態で電解液として使用し、Ｃｕ：０．３３７Ｖから負側に１ｍＶ／ｓｅｃの走査速度で走査し、電気量が４０００Ｃ／ｄｍ2になった時点で電解を中止した。マイクロポアからなる孔に銅が充填された導通路を有する陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材を製造した。光学顕微鏡にて破断面を観察したところ約７０μｍ充填されていた。
ここで、電解装置はＡＭＥＬ社製ポテンショスタット/ガルバノスタット Model 7060を使用した。標準電極はＡｇ／ＡｇＣｌタイプを使用した。
銅を充填した後の表面を光学顕微鏡で観察すると、絶縁性基材（陽極酸化皮膜）の表面から銅が一部あふれるような形になっていた。
【０１７７】
（Ｆ）表面平滑化処理工程
次いで、銅が充填された構造体の表面および裏面に、研磨処理を施した。
研磨条件：回転速度は５０ｒｐｍ。
ラッピング研磨を行なった後、さらに、ポリッシング研磨を研磨剤の粒径２μｍで研磨を行い、さらに研磨布を変えて粒径０．２５μｍで研磨をおこなった。
【表２】
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【０１７８】
次いで、水洗し、乾燥した後に、ＦＥ−ＳＥＭで観察すると、電極部サイズである導通路の直径が６０ｎｍであり、部材の厚みが５０μｍであることを確認した。
【０１７９】
（異方導電性部材２）
銅充填に替えてニッケルの充填をおこなった以外は実施例１と同様の方法を行い、得られた導通路突出工程後の異方導電性部材を、水洗し、乾燥した後に、ＦＥ−ＳＥＭで観察した。
その結果、電極部サイズである導通路の直径が６０ｎｍであり、部材の厚みが５０μｍであることを確認した。
Ｎｉ浴は異方導電性部材の一方にメッキ用陰極をＡｕスパッタリングで形成し、硫酸浴、（硫酸ニッケル０．９９Ｍ、ホウ酸０．５Ｍ）温度３０℃、電流密度０．３Ａ／ｄｍ2、クーロン数４０００Ｃ/ｄｍ2
【０１８０】
（異方導電性部材３）
上記（Ｂ）陽極酸化処理工程（（自己規則化方法Ｉ）におけるプレ陽極酸化および再陽極酸化処理）を０．５ｍｏｌ／Ｌシュウ酸  電圧４０ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件に変え、次いで、表面平滑化処理後の構造体を０．１Ｎ−ＫＯＨに１分間浸漬し、陽極酸化皮膜を選択的に溶解することで、導通路である銅の円柱を突出させた（導通路突出工程）。
水洗し、乾燥した後に、ＦＥ−ＳＥＭで観察すると、バンプ高さは４０ｎｍであり、電極部サイズである導通路の直径が６０ｎｍであり、部材の厚みが５０μｍであることを確認した。
【０１８１】
（異方導電性部材４）
上記、異方導電性部材３と同様にして、ただし、上記（Ｇ）導通路突出工程の処理時間を１分間とし、さらに陽極酸化皮膜の両面を処理して、両面に導通路を突出させた。
ＦＥ−ＳＥＭで観察すると、バンプ高さは両面でそれぞれ、４０ｎｍであり、電極部サイズである導通路の直径が６０ｎｍであり、部材の厚みが５０μｍであることを確認した。
【０１８２】
２．導電性層の形成
（実施例１）
異方導電性部材１を用い、Ａｕをスパッタ法で蒸着し、導電性層５６を積層し、図１Ａに示す本発明の導電性材料を製造した。Ａｕの蒸着は、０．５ｍｍφのＡｕワイヤー長さ６ｃｍ分をタングステン製ボートに置いて、全量蒸着した。
具体的には、印加電流は０〜４０Ａまで１Ａ/ｓｅｃの上昇速度で印加し、４０Ａで１０秒間保持した。
蒸着厚さは、市販の瞬間接着剤を滴下し、一部を剥ぎ取った後、市販の粗さ計にて剥離で発生した段差を計測した。厚みは０．１３μｍであった。
（実施例１−２）
異方導電性部材２を用い、実施例１と同様にＡｕを蒸着し図１Ａに示す導電性材料を製造した。
（実施例２）
異方導電性部材１にグラファイトシートを異方導電性接着剤５８で貼りあわせ図１Ｂに示す本発明の導電性材料１００を製造した。市販の異方導電性接着剤、（株）スリーボンド製  異方導電性接着剤  ３３７３Ｃ  を用いた。スクリーン印刷方式で異方導電性部材１上に異方導電性接着剤層を設けた。メッシュ種類：ステンレススクリーン８０メッシュ、乳剤厚：１０μｍ、スキージ：ウレタンゴム製  角度６０度、乾燥：１００℃  １５分間とした。グラファイトシートは、東洋炭素（株）製  黒鉛シート商品名：PERMA-FOIL(R)  品名：ＰＦ-ＵＨＰであった。
【０１８３】
（実施例３）
異方導電性部材３の導通路の突出面に銅箔シートを加熱圧着法で接合し図１Ｃに示す導電性バンプ６０を有する本発明の導電性材料１００を製造した。導電性層５６は、純度９９．９％のＣｕ箔（厚さ３０μｍ）を用い、熱圧着方法（高耐熱用途、狭ピッチ可能）で、北川精機（株）製  商品名：３００×３００  テストプレス機使って圧着した。温度３００℃  ５分間の圧着条件とした。異方導電性部材３は、高耐熱用途、狭ピッチであり、充分熱圧着された。
【０１８４】
（実施例４）
異方導電性部材３を用い、導通路の突出面に異方導電性接着剤でＡｌ箔を接着し、図５Ａに示す導電性バンプ６０を有する導電性材料１００を製造した。
使用した接着剤は、ニホンハンダ（株）製  商品名：ドーデント  型番  NH-070A(L)、ラミネーターでＡｌ箔（ニラコ（株）製  ）を異方導電性部材３上にラミネートした。Ａｌ箔は、AL-013261（0.05×100×100mmで99+％の純度であった。
【０１８５】
（実施例５）
異方導電性部材３を用い、導通路突出工程を行なった面と反対側の面にＣｕを蒸着し、導電性層５６を積層し、図５Ｂに示す本発明の導電性材料を製造した。Ｃｕの蒸着は、実施例１と同様に行った。
【０１８６】
（実施例６）
異方導電性部材４を用い、Ｎｉ蒸着で下地層５６ａを成膜し、それを生成核として市販のＡｕ置換メッキを行なって金層のメッキ層５６ｂを積層した。２層（５６ａと５６ｂ）の導電性層を有する図５Ｃに示す本発明の導電性材料１００を製造した。
Ｎｉの蒸着は、０．５ｍｍφのＮｉワイヤー長さ６ｃｍ分をタングステン製ボートに置いて、全量蒸着した。
具体的には、印加電流は０〜４０Ａまで１Ａ／ｓｅｃの上昇速度で印加し、４０Ａで１０秒間保持した。蒸着厚さは、市販の瞬間接着剤を滴下し、一部を剥ぎ取った後、市販の粗さ計にて剥離で発生した段差を計測した。厚みは０．１３μｍであった。
金メッキ処理は、ニッケル上の置換反応で行った。メルテックス（株）製  メルプレート  AU-6630  厚み：４０ｎｍを用いた。
【０１８７】
（実施例７）
異方導電性部材３を用い、導通路突出工程を行なった面と反対の面に異方導電性接着剤５８でタングステン箔を貼着し、図６Ａに示す本発明の導電性材料を製造した。異方導電性接着剤は、実施例４と同様の接着剤を用いた。タングステン箔は、ニラコ製タングステン箔厚み５０μｍであり、W-463261、0.05x100x100mm、99.95%であった。
【０１８８】
（実施例８）
異方導電性部材４を用い、実施例４で用いた異方導電性接着剤で銅箔を導電性層５６として貼り合わせ、図６Ｂに示す本発明の導電性材料１００を製造した。銅箔は、実施例３で用いたものと同様である。
【０１８９】
（実施例９）
異方導電性部材１を用い、図６Ｃに示すように、Ｃｕを蒸着して導電性層５６，５６を両面に積層し、本発明の導電性材料を製造した。Ｃｕの蒸着は、実施例５と同様に行い蒸着厚さは、０．１３μｍであった。
【０１９０】
（実施例１０）
異方導電性部材１を用い、異方導電性接着剤でグラファイトシートを導電性層５６，５６として異方導電性部材の両面に、実施例２と同様の異方導電性接着剤を用いて貼り合わせ、図６Ｄに示す本発明の導電性材料１００を製造した。グラファイトシートは、実施例２で用いたものと同様である。
【０１９１】
（実施例１１）
異方導電性部材４を用い、図７Ａに示すように、Ｃｕを蒸着して導電性層５６，５６を両面に積層し、本発明の導電性材料を製造した。Ｃｕの蒸着は、実施例５と同様に行い蒸着厚さは、それぞれ０．１３μｍであった。
【０１９２】
（実施例１２）
異方導電性部材４を用い、図７Ｂに示すように、異方導電性接着剤でグラファイトシートを導電性層５６，５６として異方導電性部材の両面に、実施例２と同様の異方導電性接着剤５８，５８を用いて貼り合わせ、図７Ｂに示す本発明の導電性材料１００を製造した。グラファイトシートは、実施例２で用いたものと同様である。
【０１９３】
（実施例１３）
異方導電性部材４を用いたが、導電性材料の充填工程の前に、アルカリ金属ケイ酸塩水溶液に陽極酸化アルミナ膜を浸漬して保護膜形成処理を行った。
図７Ｃに示すように、異方導電性部材の一方の面を実施例２と同様にグラファイトシートを導電性層５６として、異方導電性接着剤５８を用いて貼り合わせた。その上に、感光性樹脂層６４のフイルムを積層した。
感光性樹脂層は、フィルム状感光膜  デュポンＭＲＣドライフィルム（株）製  ＦＲＡ０６３であった。
一方、異方導電性部材の一方の面にバンプ保護層６２のフイルムを感光性樹脂層と同じ工程でラミネート接着した。保護層６２は、東レフィルム加工（株）製  商品名：セラピール、品番：ＭＤ（＃３８  厚み５０μｍ）であった。
ラミネーター接着に際してはＴＯＬＡＭＩ  ＤＸ−７００を使用し、ラミネート条件は、１００℃、０．６ｍ／分とした。
【０１９４】
（実施例１４）
実施例１３と同様にして、ただし、異方導電性部材４の両側に、実施例１２と同様にグラファイトシートを導電性層５６，５６として、異方導電性接着剤５８，５８を用いて貼り合わせ、図７Ｄに示す導電性層５６，５６と、感光性樹脂層６４，６４を有する本発明の導電性材料を製造した。
【０１９５】
（実施例１５）プローブカード用回路基板の作成
実施例１４で製造した本発明の導電性材料の感光性樹脂層６４にプローブ針の位置に対応した周期２００μｍ  ７０μｍ角パターンのドットパターンのマスクを作成し、実施例１４で製造した感光性樹脂を有する異方導電性プリント配線板の両面にメーカー推奨条件にて水銀灯で露光、現像した。
異方導電性部材の両面に周期２００μｍ  ７０μｍ角パターンのドットパターンが形成できた。
ワイヤーボンディング装置（ハイソル（株）製  モデル7400D 超音波／超音波熱圧着ウエッジワイヤーボンダー）を使って、Ｃｕ配線を連結形成し、表面に配線回路を作製した。図８Ａに示すように、端部分に信号取り出し用配線２４を形成した。信号取り出し部２８のピッチ５００μｍ、接点接続部２９のピッチ２００μｍを作製した。図８Ｂに本発明のプローブカードの断面図を示す。プローブ針の位置を、接点７０，７２に示し、信号取り出し用電極７４，７６，７８，８０を有するプローブ針の位置に対応したパターンの信号取り出し用配線回路２６が異方導電性部材２１の両面に作成されている。
【図面の簡単な説明】
【０１９６】
【図１】図１Ａ，Ｂ、Ｃは、本発明の導電性材料の構成を説明する模式的な端面図である。
【図２】図２Ａ，Ｂは、異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す簡略図であり、図２Ａは正面図、図２Ｂは図２Ａの切断面線ＩＢ−ＩＢからみた断面図である。
【図３】図３Ａ〜Ｄは、陽極酸化処理の一例を説明する模式的な端面図である。
【図４】図４Ａ〜Ｄは、導電材料充填工程等の一例を説明する模式的な端面図である。
【図５】図５Ａ〜Ｃは、本発明の導電性材料の構成を説明する模式的な端面図である。
【図６】図６Ａ〜Ｄは、本発明の導電性材料の構成を説明する模式的な端面図である。
【図７】図７Ａ〜Ｄは、本発明の導電性材料の構成を説明する模式的な端面図である。
【図８】図８Ａは、リード電極のパターンを示す図である。図８Ｂは、本発明の導電性材料を回路基板として用いたプローブカードの模式図である。
【図９】図９Ａ，Ｂは、本発明の導電性材料を回路基板として用いたプローブカードの模式図である。
【符号の説明】
【０１９７】
１  異方導電性部材
２  絶縁性基材
３  導通路
４ａ、４ｂ  突出部
５  基材内導通部
６  絶縁性基材の厚み
７  導通路間の幅
８  導通路の直径
９  導通路の中心間距離（ピッチ）
１２  アルミニウム基板
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ  陽極酸化皮膜
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ  マイクロポア
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ  バリア層
２０  絶縁性基材
２１  異方導電性部材
２４  信号取り出し用配線
２６  配線回路
２８  信号取り出し部
２９  接点接続部
５２  導通路
５４  陽極酸化皮膜
５６  導電性層      ５６ａ  下地層      ５６ｂ  メッキ層
５８  導電性接着剤
６０  導電性バンプ
６２  保護層
６４  感光性樹脂層
７０，７２  接点
７４、７６、７８，８０  信号取り出し用電極
８２，８４  パターン化された導電性層
８８  導電性接着剤
９０  カーボンファイバー電極
９２  導電性弾性材料からなる接点
１００  導電性材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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