(57)【要約】【課題】製造工程数を大幅に増加させずに、特にＧＤをバラツキなく高精度に形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッドを構成する記録ヘッド部において、下部先端磁極の上に、媒体トラック方向且つヘッドハイト方向の断面が、下層部から上層部に向けてヘッドハイト方向の長さが拡大する形状となるレジスト層を形成する工程と、下部先端磁極に隣接する絶縁層、およびレジスト層の上に、スパッタリングによりギャップデプス規定層を形成し、リフトオフプロセスによりレジスト層を除去して、該ギャップデプス規定層が所定形状として残るようにリフトオフする工程と、下部先端磁極およびギャップデプス規定層の上に、スパッタリングによりギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に、上部磁極を形成する工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドを構成する記録ヘッド部において、下部先端磁極の上に、媒体トラック方向且つヘッドハイト方向の断面が、下層部から上層部に向けてヘッドハイト方向の長さが拡大する形状となるレジスト層を形成する工程と、
前記下部先端磁極に隣接する絶縁層、および前記レジスト層の上に、スパッタリングによりギャップデプス規定層を形成し、リフトオフプロセスにより前記レジスト層を除去して、該ギャップデプス規定層が所定形状として残るようにリフトオフする工程と、
前記下部先端磁極および前記ギャップデプス規定層の上に、スパッタリングによりギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層の上に、上部磁極を形成する工程と、を備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記ギャップデプス規定層を、媒体トラック方向且つヘッドハイト方向の断面が、浮上面側の下端部が所定角度の傾斜面を備える形状に形成すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記ギャップデプス規定層を、無機材料を用いて形成すること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記無機材料として、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＣが用いられること
を特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記薄膜磁気ヘッドは、水平記録型薄膜磁気ヘッドであること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、さらに詳細には、磁気ディスク装置等の記憶装置に用いられる記録ヘッド部が形成される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の性能向上と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。
現在、再生ヘッド部として、高い再生出力を得ることができるＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子やＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子を用いたヘッド、さらには、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッド部として、電磁誘導を利用した誘導型の記録ヘッドが開発されている。例えば、磁気ディスク装置には、上記の再生ヘッド部と記録ヘッド部とを一体に形成した複合型の薄膜磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
ここで、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の例として、特許文献１に記載の方法が提案されている（図７参照）。それによれば、非磁性層１０６の媒体対向面側から奥に向う深さを規定するＧｄ規定層１０４を、下部コア層１０２を含む基体上に形成し、非磁性層１０６を介在させた一対の磁極層１０５、１０７で構成された磁極層１１３を基体上に形成し、磁極層１１３とＧｄ規定層１０４との間の界面におけるＧｄ規定層１０４の上面が非磁性層１０６の間に位置するようにＧｄ規定層１０４を薄層化し、磁極層を狭幅化するという工程を備え、記録時にノイズの発生を防止して正確な情報記録を行うことができる薄膜磁気ヘッドが提供されるというものである。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７２７０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、本願出願人によって行われている従来の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド２５０の製造方法を図８に示す。ここでは、特に、記録ヘッド部２１１を製造する工程について説明する。
まず、図８（ａ）に示すように、下部磁極２０１の上に、コイル下部絶縁層２１７が形成される。次いで、下部磁極の前部２０１ａ、下部磁極の後部２０１ｃ、コイル層２０２、コイル間絶縁層２１８が形成された後、それらの上面が連続する同一平面となるようにラッピングによって平坦化を行い、次いで、下部磁極の前部２０１ａの上に、下部先端磁極２０１ｂが形成されると共に、下部磁極の後部２０１ｃの上に、下部後端磁極２０１ｄが形成される。
さらに、コイル層２０２、コイル間絶縁層２１８の上には、下部先端磁極２０１ｂおよび下部後端磁極２０１ｄに隣接するように、絶縁層２０３が形成される。
次いで、絶縁層２０３、下部先端磁極２０１ｂ、下部後端磁極２０１ｄの上にギャップ層２０４をスパッタリングによって形成する。
【０００６】
次いで、ギャップ層２０４の上に、レジスト材料を用いてレジスト層２０５’を形成し（図８（ｂ）参照）、その後、当該レジスト層２０５’をハードベイクする工程を実施する。
当該ハードベイク工程は、レジスト層２０５’の厚さ等によって異なるが、一例として、２００度超の高温下で、数時間行われる。この工程において、レジスト層２０５’の端部は、熱により収縮しながら変形することによって、ギャップ層４４の上面に対して所定の角度β（アペックス角という）を有する傾斜面を備えるレジスト層２０５に形成される（図８（ｃ）参照）。このとき、βはレジストの材質・初期形状とハードベイク条件に応じた所定の角度となる。
ここで、図８（ｃ）においてＧＤで示されるヘッドハイト方向長さがギャップデプスである。上記の通り、ハードベイク工程によってレジスト層２０５’の端部が熱により収縮しながら変形することを考慮して、βおよびＧＤの値が最適となるように、レジスト層２０５’の配設位置および厚さ等を決定する。
【０００７】
次いで、図８（ｄ）に示すように、ギャップ層２０４およびレジスト層２０５の上に、レジスト材料によるマスク２３１を形成して、ギャップ層２０４における不要部分をドライエッチングにより除去する。
さらに、図８（ｅ）に示すように、鍍金ベース２３２を塗布した後、レジストパターン２３３を形成し、上部磁極２０６を電解鍍金により所定の厚さに盛り上げて形成する。なお、符号２０７は浮上面（媒体対向面）を表す。
【０００８】
ところで、ＧＤおよびβの形状および精度は、特に水平記録型薄膜磁気ヘッドにおいて、その記録ヘッド部の記録特性に大きな影響を与える。しかし、上記の製造方法では、ＧＤとβとをそれぞれ高精度に独立して制御することは極めて困難であった。その理由として、ＧＤが変化すると、同時にアペックス角度βが変化してしまうためである。すなわち、ＧＤ、βに関してバラツキを少なく製造するのは困難で、記録ヘッド部の記録特性にバラツキが生じてしまうことが課題となっていた。
【０００９】
一方、薄膜磁気ヘッドの製造工程において、ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）プロセスを採用すると工程数の増加につがなるため、可能な限りＲＩＥプロセスによらない製造方法が望まれる。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、製造工程数を大幅に増加させずに、特にＧＤをバラツキなく高精度に形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
【００１２】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッドを構成する記録ヘッド部において、下部先端磁極の上に、媒体トラック方向且つヘッドハイト方向の断面が、下層部から上層部に向けてヘッドハイト方向の長さが拡大する形状となるレジスト層を形成する工程と、前記下部先端磁極に隣接する絶縁層、および前記レジスト層の上に、スパッタリングによりギャップデプス規定層を形成し、リフトオフプロセスにより前記レジスト層を除去して、該ギャップデプス規定層が所定形状として残るようにリフトオフする工程と、前記下部先端磁極および前記ギャップデプス規定層の上に、スパッタリングによりギャップ層を形成する工程と、前記ギャップ層の上に、上部磁極を形成する工程と、を備えることを要件とする。
【００１３】
これによれば、ギャップデプス規定層およびギャップ層を高精度に成膜することが可能となり、ＧＤ（ギャップデプス）のバラツキを抑えることが可能となる。
【００１４】
また、前記ギャップデプス規定層を、媒体トラック方向且つヘッドハイト方向の断面が、浮上面側の下端部が所定角度の傾斜面を備える形状に形成することを要件とする。
【００１５】
これによれば、ギャップデプス規定層上にスパッタリング形成されるギャップ層の膜厚を安定させることが可能となる。また、当該傾斜面の角度の最適化によって、記録特性の最適化を図り得る。
【００１６】
また、前記ギャップデプス規定層を、無機材料を用いて形成することを要件とする。特に、当該無機材料として、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＣが用いられることが好適である。
【００１７】
これによれば、ギャップデプス規定層をスパッタリングによって形成することが可能となる。
【００１８】
なお、この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、水平記録型薄膜磁気ヘッドの製造に適用することが好適である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの製造において、製造工程数の増加を抑制しつつ、記録ヘッド部のＧＤ（ギャップデプス）およびその近傍形状を高精度に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド５０の構成例を示す概略図である。図２は、その薄膜磁気ヘッド５０の製造方法を説明するための説明図である。図３および図４は、その薄膜磁気ヘッド５０の製造方法の途中工程で形成されるレジスト層５２近傍の拡大図である（図４は、リフトオフされる直前の状態を示す）。なお、図３（ａ）、図４（ａ）はイメージリバーサルレジストを用いた場合の例であり、図３（ｂ）、図４（ｂ）は二層レジストを用いた場合の例である。図５は、その薄膜磁気ヘッド５０の製造方法の途中工程で形成されるギャップデプス規定層５１近傍の拡大図である。図６は、その薄膜磁気ヘッド５０の製造方法を説明するための説明図である。
【００２１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド５０は、ハードディスクなどの磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッド部１１を有する薄膜磁気ヘッドであって、例えば、再生ヘッド部１０の上に記録ヘッド部１１が積層されており、回転する記録ディスク（磁気記録媒体）上にヘッドスライダを浮上させて記録・再生を行うものである。
【００２２】
薄膜磁気ヘッド５０の構成について、水平記録型の薄膜磁気ヘッドを例にとり説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
図１に示すように、薄膜磁気ヘッド５０は、再生ヘッド部１０と記録ヘッド部１１とを備えて構成される。符号７は、浮上面すなわち媒体対向面である。
【００２３】
再生ヘッド部１０の構成に関して、より具体的には、当該多層構造として、基板１２上に、下部シールド層１３、磁気抵抗効果型再生素子１４、上部シールド層１５が積層される。例えば、基板１２は、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等の絶縁材料を用いて構成される。
【００２４】
ここで、磁気抵抗効果型再生素子１４は、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子を用いて構成される。これらＴＭＲ素子およびＧＭＲ素子の膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、上記ＧＭＲ素子として、ＣＰＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子、もしくはＣＩＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子のいずれを用いても構わない。
【００２５】
下部シールド層１３は、磁性材料（軟磁性材）であるＮｉＦｅを用いて構成される。また、上部シールド層１５も、下部シールド層１３と同様にＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。
なお、下部シールド層１３および上部シールド層１５は、磁気抵抗効果型再生素子１４にＴＭＲ素子もしくはＣＰＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子が用いられる場合に、当該素子の電極を兼用するが、ＣＩＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子が用いられる場合は、当該素子の電極を兼用しない。
【００２６】
本実施の形態においては、上部シールド層１５の上層には、絶縁材料からなる磁性分離層１６が設けられて、その上に記録ヘッド部１１が設けられる。
【００２７】
記録ヘッド部１１の構成に関して、より具体的には、パーマロイ等の磁性材料からなる下部磁極１が設けられる。また、下部磁極１上には、下部磁極の前部１ａ、下部磁極の後部１ｃ、コイル下部絶縁層１７が設けられる。コイル下部絶縁層１７は、一例として、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。
【００２８】
コイル下部絶縁層１７上には、コイル層２が所定の間隔を空けて設けられる。コイル層２は、一例として、電気抵抗が低い導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に形成される。また、コイル層２の巻線間には、コイル間絶縁層１８が設けられる。コイル間絶縁層１８は、一例として、レジスト材料やＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。なお、本実施の形態は、コイル層２を二段に構成する場合の例である。
【００２９】
コイル層２、コイル間絶縁層１８の上には、絶縁層３が設けられる。絶縁層３は、一例として、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。
【００３０】
また本実施の形態においては、絶縁層３の上に、ギャップデプス規定層５１およびギャップ層４の一部が設けられ、下部先端磁極１ｂの上に、ギャップ層４の一部が設けられる。ギャップデプス規定層５１およびギャップ層４の構成材料については、以下の製造方法の説明において詳述する。
【００３１】
また、ギャップ層４の一部の上に、上部磁極盛上げ層５が設けられ、当該上部磁極盛上げ層５およびギャップ層４の上に、上部磁極６が設けられる。上部磁極６は、一例として、パーマロイ等の磁性材料により構成される。
【００３２】
続いて、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド５０の製造方法について、図を用いて説明する。
まず、再生ヘッド部１０が形成された後、磁性分離層１６が設けられて、その上に前記構成を備える記録ヘッド部１１が形成される。ここで、前記コイル層２、コイル間絶縁層１８、下部磁極の前部１ａ、下部磁極の後部１ｃが形成された後、それらの上面が連続する同一平面となるようにラッピングによって平坦化された状態を図２（ａ）に示す。
【００３３】
次いで、図２（ｂ）に示すように、下部磁極の前部１ａの上に、下部先端磁極１ｂが形成されると共に、下部磁極の後部１ｃの上に、下部後端磁極１ｄが形成される。いずれも、本実施の形態においては、電解鍍金により形成される。
さらに、コイル層２、コイル間絶縁層１８の上には、下部先端磁極１ｂおよび下部後端磁極１ｄに隣接するように、絶縁層３がスパッタリングにより形成される。
このとき、絶縁層３は、コイル層２を全て覆うことのできるヘッドハイト方向長さに形成される。これは、絶縁層３上に設けられる後述のギャップデプス規定層５１、ギャップ層４についてもコイル層２を全て覆うことのできるヘッドハイト方向長さに形成することが、本構造を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、安定的な記録特性発揮のための必須構成となるからである。
【００３４】
なお、所望により、絶縁層３の上面と、絶縁層３に隣接する下部先端磁極１ｂおよび下部後端磁極１ｄの上面とが連続する同一平面となるようにラッピングによって平坦化を行ってもよい。
【００３５】
次いで、ギャップデプス規定層５１をリフトオフプロセスにより形成する。
まず、図２（ｃ）に示すように、下部先端磁極１ｂおよび下部後端磁極１ｄの上にレジスト層５２を形成する。特に、レジスト層５２は、部分拡大図である図３に示すように、媒体トラック方向且つヘッドハイト方向の断面が、下層部から上層部に向けてヘッドハイト方向の長さが拡大する形状となるように形成する（図中、破線円部）。なお、図３（ａ）はイメージリバーサルレジストを用いた場合の構成例であり、図３（ｂ）は二層レジストを用いた場合の構成例である。
その後、図２（ｄ）に示すように、絶縁層３およびレジスト層５２の上に、スパッタリングにより、ギャップデプス規定層５１を構成する材料を用いて成膜を行う（符号５１’として図示）。部分拡大図を図４（ａ）（図３（ａ）に対応）および図４（ｂ）（図３（ｂ）に対応）に示す。本実施形態では、構成材料として、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＣ等の無機材料を用いる。ここで無機材料は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＣに限定される訳ではないが、スパッタリングにより成膜可能な材料であることが必須である。その理由として、ギャップデプス規定層５１は、その上にスパッタリング形成されるギャップ層４の下層となるものであるため、ギャップ層４を高精度に成膜するためには、ギャップデプス規定層５１を高精度に成膜しなければならないが、スパッタリングによることで、鍍金による形成と比べて飛躍的に膜厚制御を高精度化させることが可能となるからである。
その後、ギャップデプス規定層５１の構成には不用な部分をレジスト層５２と共に除去し、図２（ｅ）に示すように、目的とするギャップデプス規定層５１が形成される。
このとき、部分拡大図である図５に示すように、ギャップ層４の下層となるギャップデプス規定層５１を、浮上面側の先端部が所定角度αの傾斜面を備える形状に形成する（詳細は後述）。当該αは「アペックス角」であり、その角度は、レジスト層５２の材質、形状、およびギャップデプス規定層５１の膜厚等によって規定される（図３、図４参照）。
【００３６】
なお、ギャップデプス規定層５１を構成する材料にＳｉＣを用いる場合には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を用いる場合と比べて低熱膨張材としての機能を生じさせ得る。すなわち、膜厚に応じて素子突き出し低減の作用効果を生じさせることも可能となる。
【００３７】
次いで、図２（ｆ）に示すように、ギャップデプス規定層５１、下部先端磁極１ｂ、下部後端磁極１ｄの上にギャップ層４を形成する。本実施の形態においては、ＳｉＯ２等の絶縁材料を用いて、スパッタリングによって形成する。
ここで、ギャップ層４はスパッタリングにより形成することが必須構成である。スパッタリングによることで、鍍金による形成と比べて飛躍的に膜厚制御を高精度化させることが可能となるからである。すなわち、ＧＤ（ギャップデプス）および膜厚の形状制御を高精度に行うことが可能となり、特に、いわゆるライトギャップ近傍の磁極形状の制御が高精度に且つ容易になるという効果を奏するものである。
さらに、スパッタリングにより形成されるギャップ層４の下層となるギャップデプス規定層５１に関して、浮上面７側の先端部を所定角度αの傾斜面を備える形状に形成する（図５参照）。より具体的には、磁極全体の構造や構成材料によっても異なるが、本実施形態では、記録特性の最適化および上層の膜圧の安定形成の観点から１０［°］≦α≦３０［°］程度のなだらかな角度が好適である。
ここで、前述の通り、角度αは、レジスト層５２の材質、形状、およびギャップデプス規定層５１の膜厚等によって規定されるものであるが、本実施の形態に特徴的な前記リフトオフプロセスを用いることによって、所望のなだらかな角度に容易に且つ高精度に形成することが可能となる。
【００３８】
したがって、上記の方法によれば、ＧＤ（ギャップデプス）の寸法を、高精度に形成し得るギャップデプス規定層５１の配設位置・膜厚およびギャップ層４の膜厚によって規定することが可能となり、図８に示す従来方法のようにＧＤ規定層形成においてレジスト材料のハードベイク工程が無く、熱収縮の影響を受けないため、ＧＤ寸法のバラツキ発生を大幅に改善して、高精度に形成することが可能となる。加えて、上記の製造工程にＲＩＥプロセスを用いないことによって工程数の増加を抑制でき、短時間に且つ低コストで薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となる。
【００３９】
引き続き、上部磁極６が形成されるまでの工程について図６を用いて説明する。
図６（ａ）は、レジスト材料を用いて上部磁極盛上げ層５をギャップ層４の一部の上に形成した後、ハードベイク工程を経た状態である。
その後、図６（ｂ）に示すように、ギャップ層４および上部磁極盛上げ層５の上に、レジスト材料によるマスク３１を形成して、ギャップ層４における不要部分をドライエッチングにより除去する。
さらに、図６（ｃ）に示すように、鍍金ベース３２を塗布した後、レジストパターン３３を形成し、上部磁極６を電解鍍金により所定の厚さに盛り上げて形成する。
【００４０】
以上説明した通り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、従来方法に比べて、製造工程数の増加を抑制しつつ、記録ヘッド部のＧＤ（ギャップデプス）を高精度に形成することが可能となる。その結果、高精度の記録特性を備える薄膜磁気ヘッドを短時間・低コストで製造することが可能となる。
【００４１】
なお、二層のコイル層の上層にライトギャップを形成する構造の水平記録型薄膜磁気ヘッドを例にとり説明を行ったが、これに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの構成例を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る製造方法の途中工程で形成されるレジスト層近傍の拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る製造方法の途中工程で形成されるレジスト層近傍の拡大図である（リフトオフされる直前の状態を示す）。
【図５】本発明の実施の形態に係る製造方法の途中工程で形成されるギャップデプス規定層近傍の拡大図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図７】従来の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。
【図８】従来の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の例を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  下部磁極
１ａ  下部先端磁極
２  コイル層
３  絶縁層
４  ギャップ層
５  上部磁極盛上げ層
６  上部磁極
７  浮上面
１０  再生ヘッド部
１１  記録ヘッド部
１２  基板
１３  下部シールド層
１４  磁気抵抗効果型再生素子
１５  上部シールド層
１６  磁性分離層
１７  コイル下部絶縁層
１８  コイル間絶縁層
５０  薄膜磁気ヘッド
５１  ギャップデプス規定層
５２  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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