(57)【要約】【課題】  導電体と水晶板又はガラス板との接着は密となり封止状態がよいデバイス実装基板の製造方法を提供する。【解決手段】  デバイス実装基板の製造方法は、水晶板（１０）の片面又は両面に、複数の線状の導電体（２５）を略平行に配設して単位層を作成する単位層作成工程（Ｓ１０４からＳ１１０）と、単位層を水晶板の厚さ方向に複数枚積層した後、加熱溶着して積層体を作成する積層体作成工程（Ｓ１１２からＳ１１４）と、積層体を線状の導電体の長手方向に垂直な平面で切断して板状にする切断工程（Ｓ１１６）と、を備える。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶板の片面又は両面に、複数の線状の導電体を略平行に配設して単位層を作成する単位層作成工程と、
前記単位層を前記水晶板の厚さ方向に複数枚積層した後、加熱溶着して積層体を作成する積層体作成工程と、
前記積層体を前記線状の導電体の長手方向に垂直な平面で切断して板状にする切断工程と、
を備えることを特徴とするデバイス実装基板の製造方法。
【請求項２】
前記単位層作成工程は、メッキ又は蒸着により導電性物質を前記水晶板の表面に配設し、次いでエッチング加工方法又は切削加工により前記線状の導電体を形成することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス実装基板の製造方法。
【請求項３】
前記単位層作成工程は、前記水晶板に切削加工又はエッチングで複数の線状の溝部を形成し、その溝部に複数の線状の導電体を配設する請求項１又は請求項２に記載のデバイス実装基板の製造方法。
【請求項４】
前記積層体作成工程は、前記積層体をシロキサン結合により作成することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のデバイス実装基板の製造方法。
【請求項５】
ガラス板の片面又は両面に、複数の線状の導電体を略平行に配設して単位層を作成する単位層作成工程と、
前記単位層を前記水晶板の厚さ方向に複数枚積層した後、前記単位層と単位層との間に形成された前記線状の導電体の厚さの隙間にガラス材料を充填し、前記ガラス材料を溶融して積層体を作成する積層体作成工程と、
前記積層体を前記線状の導電体の長手方向に垂直な平面で切断して板状にする切断工程と、
を備えることを特徴とするデバイス実装基板の製造方法。
【請求項６】
前記単位層作成工程は、メッキ又は蒸着により導電性物質を前記ガラス板の表面に配設し、次いでエッチング加工又は切削加工により前記線状の導電体を形成することを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス実装基板の製造方法。
【請求項７】
前記単位層作成工程は、ワイヤーボンディングにより前記線状の導電体を形成することを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶基板及びガラス基板を用いたデバイス実装基板の製造方法に関し、特に圧電振動片などの電子部品用いられるベース用のデバイス実装基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、移動体通信機器やＯＡ機器等の小型軽量化及び高周波数化に伴って、それらに用いられる圧電振動子も、より一層の小型化及び高周波数化への対応が求められている。また、回路基板に表面実装が可能な圧電振動子が要求されている。
【０００３】
従来、圧電振動子はパッケージ内部に圧電振動片を収容し、圧電振動片はパッケージ内の電極部に接合されている。通常パッケージは、ガラスまたはセラミックで形成され、内部に所定の内部空間を備えている。パッケージ底部には、外部電極と基板電極とを導通するスルーホールが設けられている。パッケージ内部と底部とを貫通するスルーホールは、高温ハンダなどで封止されている。
【０００４】
例えば、セラミックパッケージを使った封止技術には特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１では、パッケージの上端面にロウ材などの接着剤が塗布され、加熱可能なチャンバー内で上から荷重をかけながら加熱しロウ材などを溶融し、パッケージを圧着させる。そしてパッケージのスルーホールに、高温ハンダなどの封止材を載せ真空中もしくは不活性ガス中のチャンバー内で、レ−ザー光を照射して高温ハンダが溶融されることでパッケージが封止される。
【０００５】
ＬＳＩ等の電子デバイスを実装する実装基板としては、ポリイミドやガラスエポキシ等の樹脂基板が用いられていた。これら樹脂基板は、例えば、厚さ方向に複数の貫通孔が形成され、その貫通孔を形成する壁面をメッキ等によりメタライズされることにより表裏導通線が形成され、表裏面が導通されたものであった。現在、このような実装基板は、Ｌ
Ｓ Ｉ の高集積化に伴い高密度化、狭ピッチ化が要求されているが、従来のように、ポリイミドやガラスエポキシ等の樹脂基板に、ドリル、又はレーザー等で貫通孔を開ける方法では、高密度化、狭ピッチ化することは困難であるという問題があった。
【特許文献１】特開２００３−１５８４３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示された封止方法は、パッケージ底部に形成されたスルーホールに、封止材を挿入し、レーザー光を照射して封止材を溶融しスルーホールを封止している。しかし、封止方法は個別対応となり量産性に問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、封止力が強い導電線入り水晶又はガラスのデバイス実装基板を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の観点のデバイス実装基板の製造方法は、水晶板の片面又は両面に、複数の線状の導電体を略平行に配設して単位層を作成する単位層作成工程と、単位層を水晶板の厚さ方向に複数枚積層した後、加熱溶着して積層体を作成する積層体作成工程と、積層体を線状の導電体の長手方向に垂直な平面で切断して板状にする切断工程と、を備える。
この方法によれば、複数の線状の導電体を略平行に配設した単位層を複数枚積層した後、加熱溶着するため、高温ハンダなどを後から流し込む方法と比べて、導電体は完全に水晶板に密着し封止状態を保つことができる。
【０００９】
第２の観点のデバイス実装基板の製造方法における単位層作成工程は、メッキ又は蒸着により導電性物質を水晶板の表面に配設し、次いでエッチング加工又は切削加工により線状の導電体を形成する。
線状の導電体は、メッキ又は蒸着により導電性物質を水晶板に形成してエッチング又は切削加工により形成される。メッキは電解メッキでも無電解メッキでもよく、蒸着は物理蒸着（ＰＶＤ）と化学蒸着（ＣＶＤ）とのいずれでもよい。水晶板への接着度が高いスパッタリングが好ましい。
【００１０】
第３の観点のデバイス実装基板の製造方法における単位層作成工程は、水晶板に切削加工又はエッチングで複数の線状の溝部を形成し、その溝部に複数の線状の導電体を配設する。
この方法によれば、導電体が溝部に形成されるため、導電体の厚さがメッキ又は蒸着により厚くなった場合でも、水晶板の表面から見れば導電体の厚さを薄くすることができる。
【００１１】
第４の観点のデバイス実装基板の製造方法における積層体作成工程は、積層体をシロキサン結合により作成する。
所定の温度と圧力でシロキサン結合すれば、導電体は完全に水晶板に密着し封止状態を保つことができる。
【００１２】
第５の観点のデバイス実装基板の製造方法は、ガラス板の片面又は両面に、複数の線状の導電体を略平行に配設して単位層を作成する単位層作成工程と、単位層を水晶板の厚さ方向に複数枚積層した後、単位層と単位層との間に形成された線状の導電体の厚さの隙間にガラス材料を充填し、ガラス材料を溶融して積層体を作成する積層体作成工程と、積層体を線状の導電体の長手方向に垂直な平面で切断して板状にする切断工程と、を備える。
この方法によれば、複数の線状の導電体を略平行に配設した単位層を複数枚積層した後、ガラス材料を充填して加熱溶着するため、高温ハンダなどを後から流し込む方法と比べて、導電体は完全にガラス板に密着し封止状態を保つことができる。
【００１３】
第６の観点のデバイス実装基板の製造方法における単位層作成工程は、メッキ又は蒸着により導電性物質をガラス板の表面に配設し、次いでエッチング加工又は切削加工により線状の導電体を形成する。
線状の導電体は、メッキ又は蒸着により導電性物質をガラス板に形成してエッチング又は切削加工により形成される。
【００１４】
第７の観点のデバイス実装基板の製造方法における単位層作成工程は、ワイヤーボンディングにより線状の導電体を形成する。
線状の導電体は、ワイヤーボンディングでガラス板に形成される。
【発明の効果】
【００１５】
デバイス実装基板の製造方法は、水晶板又はガラス板の表面に形成した導電体を重ね合わせて積層体を作成する。そして線状の導電体の長手方向に垂直な平面で切断して板状にするので、導電体と水晶板又はガラス板との接着は密となり封止が完全に行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
＜第１水晶振動子１００、第２水晶振動子１１０の形状＞
図１Ａは本実施形態の第１水晶振動子１００の形状を示す概略図であり、図１Ｂは第２水晶振動子１１０の形状を示す概略図である。
【００１７】
第１水晶振動子１００及び第２水晶振動子１１０は、プリント基板などに表面実装される表面実装型の振動デバイスである。第１水晶振動子１００は、大別して、水晶ベース４０、水晶フレーム５０及び水晶リッド６１とから構成される。水晶フレーム５０、水晶ベース４０及び水晶リッド６１は、生産性を上げるためウエハ単位で製造される。第２水晶振動子１１０は、ガラスベース４０’、水晶フレーム５０及びガラスリッド６１’とから構成される。まず、第１水晶振動子１００について説明する。
【００１８】
＜第１水晶振動子１００の構成＞
以下、本発明の第１実施形態にかかる第１水晶振動子１００について、図面を参照して説明する。図１Ａ（ａ）は第１水晶振動子１００の概略斜視図である。（ｂ）は第１水晶振動子１００の構成を示す（ｃ）の“Ｘ−Ｘ”全体断面図であり、（ｃ）は水晶フレーム５０の上面図であり、（ｄ）は第１ベース４０の上面図である。
【００１９】
図１Ａ（ｂ）において、第１水晶振動子１００は、最上部の第１リッド６１、最下部の第１ベース４０及び中央の水晶フレーム５０から構成される。第１リッド６１、第１ベース４０及び中央の水晶フレーム５０は水晶ウエハから形成される。第１リッド６１はエッチングにより形成されたリッド用凹部６７を水晶フレーム５０側の片面に有している。第１ベース４０は、金属線１３及び金属線１４を備え、エッチングにより形成されたベース用凹部４７を水晶フレーム５０側の片面に有している。水晶フレーム５０は、エッチングにより形成された音叉型水晶振動片３０を有している。
【００２０】
水晶振動子１００は、音叉型水晶振動片３０を備えた水晶フレーム５０を中心として、その水晶フレーム５０の下に第１ベース４０が接合され、水晶フレーム５０の上に第１リッド６１が接合されている。つまり、第１リッド６１は水晶フレーム５０に、第１ベース４０は水晶フレーム５０にシロキサン接合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）技術により接合した構成になっている。第１リッド６１及び水晶フレーム５０並びに第１ベース４０はシロキサン接合技術により接合するため、接合のための金属膜は不要である。
【００２１】
図１Ａ（ｃ）に示すように、水晶フレーム５０は、その中央部に音叉型水晶振動片３０と外側に外枠部５１とを有しており、音叉型水晶振動片３０と外枠部５１との間には空間部５２が形成されている。音叉型水晶振動片３０の外形を規定する空間部５２は水晶エッチングにより形成されている。音叉型水晶振動片３０は、基部３２と基部から伸びる一対の振動腕３１とを有している。基部３２と外枠部５１とは一体に形成されている。基部３２及び外枠部５１の第１主面に第１基部電極３３と第２基部電極３４とが形成され、第２主面にも同様に第１基部電極３３と第２基部電極３４とが形成されている。
【００２２】
水晶振動片３０は、第１主面及び第２主面に第１励振電極３５及び第２励振電極３６が形成されており、第１励振電極３５は、基部３２及び外枠部５１に形成された第１基部電極３３につながっており、第２励振電極３６は、基部３２及び外枠部５１に形成された第２基部電極３４につながっている。また、音叉型水晶振動片３０の振動腕３１の先端には、錘部３７及び錘部３９が形成されている。第１基部電極３３及び第２基部電極３４、第１励振電極３５及び第２励振電極３６並びに錘部３７及び錘部３８は、同時にフォトリソグラフィ工程で作成される。これらに電圧が加えられると音叉型水晶振動片３０は所定の周波数で振動する。錘部３７及び錘部３８は音叉型水晶振動片３０の振動腕３１が振動し易くなるため錘であり且つ周波数調整のために設けられる。
【００２３】
図１Ａ（ｄ）に示すように、第１ベース４０は、金属線１３及び金属線１４を備える。第１ベース４０は、エッチングによりベース用凹部４７を設ける際、段差部４９が形成される。第１ベース４０は、第１接続電極４２及び第２接続電極４３を備えている。この第１接続電極４２及び第２接続電極４３は、段差部４９の金属線１３及び金属線１４の上に形成されている。
【００２４】
第１接続電極４２及び第２接続電極４３は、フォトリソグラフィ工程で作成される。第１ベース４０は、底面にメタライジングされた第１外部電極４５及び第２外部電極４６を備える。第１接続電極４２は、金属線１３を通じて第１ベース４０の底面に設けた第１外部電極４５に接続する。第２接続電極４３は、金属線１４を通じて第１ベース４０の底面に設けた第２外部電極４６に接続する。
【００２５】
上記のような第１リッド６１、第１ベース４０及び水晶フレーム５０がシロキサン結合によって結合する。シロキサン結合は、水晶振動片３０を備えた水晶フレーム５０を中心として、ベース用凹部４７が設けられた第１ベース４０及びリッド用凹部６７を設けた第１リッド６１の接面を清浄な状態にして重ね合わせ、真空中又は不活性ガス中の真空アニール炉で３５０°Ｃから４５０°Ｃに加熱しながら加圧されることによって結合が行われ、接合と同時に、パッケージ８０内が真空になった又は不活性ガスに満たされた第１水晶振動子１００が完成する。
【００２６】
＜第２水晶振動子１１０の構成＞
以下、本発明の第２実施形態にかかる第２水晶振動子１１０について、図面を参照して説明する。図１Ｂは、本発明の第２実施形態にかかる第２水晶振動子１１０の概略図を示している。図１Ａで説明した機能には、同一記号を付し、重複する説明を省略する。
図１Ｂ（ａ）は、第２水晶振動子１１０の概略斜視図である。（ｂ）は、第２水晶振動子１１０の構成を示す（ｃ）の“Ｘ−Ｘ”全体断面図であり、図１Ｂ（ｃ）は水晶フレーム５０の上面図であり、（ｄ）は第２ベース４０’の上面図である。
【００２７】
図１Ｂ（ｂ）において、第２水晶振動子１１０は、最上部の第２リッド６１’、最下部の第２ベース４０’及び中央の水晶フレーム５０から構成される。音叉型水晶振動片３０を備えた水晶フレーム５０を中心として、その水晶フレーム５０の下に第２ベース４０’が接合され、水晶フレーム５０の上に第２リッド６１’が接合されている。第２リッド６１’は、パイレックス（登録商標）ガラス及びホウ珪酸ガラス、並びにソーダガラスで形成され、第２リッド６１’は、リッド用凹部６７’を水晶フレーム５０側の片面に有している。第２ベース４０’は金属線１３，１４を備え、ベース用凹部４７’を水晶フレーム５０側の片面に有している。
【００２８】
図１Ｂ（ｃ）に示す水晶フレーム５０は、図１Ａ（ｃ）で示した水晶フレーム５０と同じ形状である。但し、外枠部５１の表面及び裏面に金属膜５３を備える。金属膜５３は、スパッタリングもしくは真空蒸着などの手法により形成する。金属膜５３は、アルミニュウム（Ａｌ）層より成り、アルミニュウム層の厚みは１０００Å〜１５００Å程度とする。
【００２９】
図１Ｂ（ｄ）に示すように、第２ベース４０’は、金属線１３及び金属線１４が配設されたホウ珪酸ガラス及びソーダガラスからなり、エッチングによりベース用凹部４７’を設ける際、同時に段差部４９が形成される。第２ベース４０’の表面には、第１接続電極４２並びに第２接続電極４３を備えている。この第１接続電極４２及び第２接続電極４３は、段差部４９の金属線１３及び金属線１４の上に形成されている。
【００３０】
第１接続電極４２及び第２接続電極４３は、フォトリソグラフィ工程で作成される。第２ベース４０’は、底面にメタライジングされた第１外部電極４５及び第２外部電極４６を備える。第１接続電極４２は、金属線１３を通じて第２ベース４０’の底面に設けた第１外部電極４５に接続する。第２接続電極４３は、金属線１４を通じて第２ベース４０’の底面に設けた第２外部電極４６に接続する。外枠部５１の第２主面に形成された第１基部電極３３と第２基部電極３４とは、第２ベース４０’の表面の第１接続電極４２及び第２接続電極４３に接続する。
【００３１】
第２水晶振動子１１０は、パッケージ接合に陽極接合を行う。第２リッド６１’及び第２ベース４０’は、パイレックス（登録商標）ガラス及びソーダガラスなどのナトリウムイオンなどの金属イオンを含有するガラスから成り、水晶フレーム５０の外枠部５１は、表面及び裏面に金属膜５３を備え、金属膜はアルミニューム（Ａｌ）で形成されている。音叉型水晶振動片３０を備えた水晶フレーム５０を中心として、リッド用凹部６７’を備えた第２リッド６１’及びベース用凹部４７’を備えた第２ベース４０’を重ねる。
【００３２】
そして、真空中あるいは不活性ガス中で、２００°Ｃから４００°Ｃに加熱しながら加圧し、第２リッド６１’の上面及び第２ベース４０’底面をマイナス電位に、外枠部５１の表面及び裏面の金属膜５３をプラス電位にして、直流電源９０を用いて４００Ｖの直流電圧を１０分間印加して陽極接合技術により接合し、接合と同時に、パッケージ８０’内が真空になった又は不活性ガスに満たされた第２水晶振動子１１０が完成する。
【００３３】
＜ベース用水晶ウエハ１、ベース用ガラスウエハ２の構成＞
以下、本発明のベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２について、図面を参照して説明する。
図２（ａ）は本発明のベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２の概略斜視図であり、（ｂ）は複数の第１ベース４０又は第２ベース４０’を形成したベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２を示した部分平面図である。（ｃ）は第１ベース４０又は第２ベース４０’の金属線１３及び金属線１４の位置を示す概略平面図である。
【００３４】
図２（ａ）において、ベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２は、金属線１３及び金属線１４が所定の間隙で配置され、ベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２に配設されている。金属線１３及び金属線１４は、幅０．１ｍｍから０．５ｍｍの銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び金（Ａｕ）などの導電性金属材料より形成される。金属線１３及び金属線１４は、ベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２の表面から裏面までを貫通するように金属線１３及び金属線１４が配設されている。ベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２は、水晶積層体２０及びガラス積層体２４をダイジングソーでスライスして形成される。ベース用水晶ウエハ１の製造方法については図３ないし図７を使って後述する。ベース用ガラスウエハ２の製造方法については、図７ないし図１０を使って後述する。
【００３５】
図２（ｂ）に示す状態は、角型のベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２から複数の第１ベース４０又は第２ベース４０’がエッチングで形成された状態を示した図である。角型のベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２から斜線部で示した開口領域１２が、エッチングされることにより第１ベース４０又は第２ベース４０’が所定の大きさに形成されている。第１ベース４０又は第２ベース４０’は３個１ブロックとして配置した状況を示している。なお開口領域１２を設けることなく、ダイジングソーで第１ベース４０又は第２ベース４０’を１個１個切り取るようにしてもよい。
【００３６】
図２（ｂ）に示すように、角型のベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２の一角には、第１ベース４０又は第２ベース４０’の方向を特定するオリエンテーションフラッと１ｃ及びオリエンテーションフラット２ｃが形成されている。第１ベース４０又は第２ベース４０’はベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２から切り離されず、第１ベース４０又は第２ベース４０’の一部が接続部１１でベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２と接続されている。このため第１ベース４０又は第２ベース４０’は、１枚のベース用水晶ウエハ１単位及びベース用ガラスウエハ２単位で取り扱うことができる。
【００３７】
図２（ｃ）は、１個１個に切り出された第１ベース４０又は第２ベース４０’において金属線１３及び金属線１４がどの位置に配置されているかを示している。図２Ａ（ｃ）は、２つの金属線１３及び２つの金属線１４をベース４０の角部に間隔を空けて配置している。第１ベース４０又は第２ベース４０’の大きさＡ×Ｂは約３ｍｍ×２ｍｍであり、金属線１３及び金属線１４の間隔Ｃは約１．３ｍｍから１．８ｍｍである。ベース用水晶ウエハ１又はベース用ガラスウエハ２に配設される金属線１３及び金属線１４は、図２（ｃ）の位置を基準とし配置している。これら金属線１３及び金属線１４は、水晶フレーム５０に形成される水晶振動片の接続電極の位置に応じて決められる。また第１ベース４０又は第２ベース４０’の中央領域にベース用凹部４７及びベース用凹部４７’がエッチングにより形成されている。
【００３８】
＜ベース用水晶ウエハ１の製造方法を示すフローチャート＞
図３ないし図７は、ベース用水晶ウエハ１を形成するためのフローチャートである。各図フローチャートの右側に、水晶ウエハ１０の断面または斜視図を示す。図３及び図４は、第１実施例の水晶単位素材体１５を形成するためのフローチャートである。
【００３９】
＜＜第１実施例＞＞
図３のステップ１０２では、水晶ウエハ１０の全面に第１金属膜２５をスパッタリングなどの蒸着又はメッキなどの手法により形成する。水晶ウエハ１０を使用する場合に、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等を直接成膜することは困難なため、下地としてクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）等を使用する。水晶ウエハ１０に第１金属膜２５が形成され、水晶単位素材体１５の外形が形成される。金属膜２５のクロム層の厚みは１５０Åで、金層の厚みは８００Å以下とする。金属膜の厚みは、クロム層と金層とを合わせて１０００Å以下とする。両面に成膜するときは、クロム層と金層とを合わせて５００Å以下とする。図３（ａ）は、この状態の水晶ウエハ１０を示した断面図である。
【００４０】
ステップＳ１０４では、第１金属膜２５が形成された水晶ウエハ１０に、フォトレジスト層４１を全面にスピンコートなどの手法で均一に塗布する。フォトレジスト層４１としては、例えば、ノボラック樹脂によるポジフォトレジストを使用できる。図３（ｂ）はこの状態の水晶ウエハ１０を示した断面図である。
【００４１】
ステップＳ１０６では、不図示の露光装置を用いて、フォトレジスト層４１が塗布された水晶ウエハ１０にフォトマスクに描かれた金属線の複数の線状部を残すパターンを露光する。図３（ｃ）は露光されたフォトレジスト４４を有する水晶ウエハ１０を示した断面図である。
【００４２】
ステップＳ１０８では、水晶ウエハ１０のフォトレジスト層４１を現像して、感光したフォトレジスト層４４を除去する。さらに、露出した第１金属膜２５を、例えば金層に対してヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いて、クロム層に対して硝酸第２セリウムアンモニウムと酢酸との水溶液でエッチングする。水溶液の濃度、温度及び水溶液に浸している時間を調整して余分な箇所が侵食されないようにする。これで第１金属膜２５を除去することができる。こうすることで、図３（ｄ）に示すように、金属線の複数の線状パターンの水晶ウエハ１０が現われる。
【００４３】
ステップＳ１１０では、残ったフォトレジスト層４１を除去する。図３（ｅ）は、第１金属膜２５が所定の間隙で配設された水晶単位素材体１５が形成された状態を示した断面図である。
【００４４】
所定の間隙で配設された第１金属膜２５を有する水晶単位素材体１５を積載して接合する場合、第１金属膜２５の厚みが１０００Åを超えると、水晶同士が結合できない場合が多くなる。両面に成膜したときは、片面の第１金属膜２５の厚みが５００Åを超えると、重ね合わせたとき第１金属膜２５の厚みが１０００Åを超えることになる。金属膜は強固に結合するが水晶同士が結合できない場合が多くなる。このため、第１金属膜２５の厚みはクロム層と金層とを合わせて８００Å程度が好ましい。
【００４５】
なお、図３では第１金属膜２５が水晶ウエハ１０の上下面の同一箇所に所定の間隙で配設されているが、互いに重ならないように水晶ウエハ１０の上面を露光するフォトマスクと下面を露光するフォトマスクとを別の間隔にしてもよい。水晶単位素材体１５を積載しても上下面で第１金属膜２５が重ならないため、片面の第１金属膜２５の厚みが８００Å以下とすれば良い。
【００４６】
図４は、ベース用水晶ウエハ１を形成するためのフローチャートである。
次に、図４のステップ１１２では、水晶単位素材体１５の接面を清浄な状態にして、複数枚重ね合わせ水晶積載体１６を作成する。図４（ｆ）は、水晶積載体１６が作成された状態を示した斜視図である。
【００４７】
ステップ１１４では、水晶積載体１６をトレーに乗せ、アニール炉などの電気炉で３５０°Ｃから４５０°Ｃに保持する。重ね合わされた水晶同士のシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）が行われる。両面に第１金属膜２５が成膜されている場合には、上下の金層の結合も行われる。図４（ｇ）は、水晶積層体２０が形成された状態を示した斜視図であり、水晶積層体２０内に第１金属膜２５が貫通するように形成された状態となっている。この第１金属膜２５は、第１ベース４０の金属線１３及び金属線１４となるものである。
【００４８】
ステップ１１６では、水晶積層体２０を冷却後電気炉から取り出し、不図示のダイジングソーで所定の厚みにスライスする。図４（ｈ）は、スライスされたベース用水晶ウエハ１の状態を示した斜視図である。スライスされた状態のベース用水晶ウエハ１は、切断ヒズミなどが発生している。切断ヒズミ除去及び金属線１３及び金属線１４をベース用水晶ウエハ１の表面に露出させるため、ベース用水晶ウエハ１の表面を１００オングストロームから３００オングストロームのエッチングを行う。エッチングにより、金属線１３及び金属線１４がきれいに露出したベース用水晶ウエハ１が得られる。
【００４９】
＜＜第２実施例＞＞
図５ないし図６は、第２実施例のベース用水晶ウエハ１を形成するためのフローチャートである。各図フローチャートの右側に、水晶ウエハ１０の断面を示す。図５ないし図６は、水晶単位素材体１５を形成するためのフローチャートである。図３及び図４で説明した機能には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００５０】
図５のステップ２０２では、水晶ウエハ１０の全面に耐蝕膜２８として、金属膜をスパッタリングなどの蒸着又はメッキの手法により形成する。水晶ウエハ１０を使用する場合に、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等を直接成膜することは困難なため、下地としてクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）等を使用する。金属膜２８の厚みはクロム層と金層とを合わせて１０００Å〜２０００Åである。図５（ａ）は、この状態の水晶ウエハ１０を示した断面図である。
【００５１】
ステップＳ２０４では、耐蝕膜２８が形成された水晶ウエハ１０に、フォトレジスト層４１を全面にスピンコートなどの手法で均一に塗布する。
ステップＳ２０６では、フォトレジスト層４１が塗布された水晶ウエハ１０にフォトマスクに描かれた溝パターンを露光する。図５（ｃ）は露光されたフォトレジスト４４を有する水晶ウエハ１０を示した断面図である。
【００５２】
ステップＳ２０８では、感光したフォトレジスト層４４を除去する。さらに、露出した耐蝕膜２８をエッチングする。こうすることで、図５（ｄ）に示すように、溝パターンの水晶ウエハ１０が現われる。
【００５３】
ステップＳ２１０では、溝部７を形成するために水晶のウェットエッチングを行う。すなわち、フッ酸（ＨＦ）又は重フッ化アンモン（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）をエッチング液として、フォトレジスト層４１及び耐蝕膜２８から露出した水晶ウエハ１０を、金属線の複数の線状の溝部７になるように２００Åから４００Åほどのウェットエッチングを行う。図５（ｅ）はエッチングされた水晶ウエハ１０に溝部７が形成された状態である。
【００５４】
ステップＳ２１２では、残ったフォトレジスト４１が除去さる。図５（ｆ）に示すように、水晶ウエハ１０に溝部７が形成された状態が現れる。
【００５５】
図６のステップＳ２１４では、水晶ウエハ１０の全面に第２金属膜２６をスパッタリングもしくは蒸着などの手法により形成する。水晶ウエハ１０を使用する場合に、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等を直接成膜することは困難なため、下地としてクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）等を使用する。第２金属膜２６は、溝部７を埋め水晶ウエハ１０の表面より４００Åから７００Å覆うように形成する。図６（ｇ）は、第２金属膜２６が形成された水晶ウエハ１０の状態を示す断面図である。なお、厳密には溝部７の部分の第２金属膜２６は溝部７に倣って凹む状態になり、第２金属膜２６の上下面は均一な平面とはならない。
【００５６】
ステップＳ２１６では、第２金属膜２６が形成された水晶ウエハ１０に、フォトレジスト層４１’を全面にスピンコートなどの手法で均一に塗布する。フォトレジスト層４１’もノボラック樹脂によるポジフォトレジストを使用できる。図６（ｈ）はこの状態の水晶ウエハ１０を示した断面図である。
【００５７】
ステップＳ２１８では、フォトマスクに描かれた金属線の複数の線状部を残すパターンをフォトレジスト層４１’が塗布された水晶ウエハ１０に露光する。この線状部を残すパターンと上述した溝パターンとはちょうど反転するので、同じフォトマスクを使用する際にはネガフォトレジストを使用すればよい。図６（ｉ）は露光されたフォトレジスト４４’を有する水晶ウエハ１０を示した断面図である。
【００５８】
ステップＳ２２０では、水晶ウエハ１０のフォトレジスト層４１’を現像して、感光したフォトレジスト層４４’を除去する。さらに、露出した第２金属膜２６を、例えば金層に対してヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いて、クロム層に対して硝酸第２セリウムアンモニウムと酢酸との水溶液でエッチングする。こうすることで、図６（ｊ）に示すように、金属線の複数の線状パターンの水晶ウエハ１０が現われる。
ステップＳ２２２では、残ったフォトレジスト４１’が除去される。これらのステップを経ると、図６（ｋ）に示すように、水晶ウエハ１０の溝部７に第２金属膜２６が形成される。
【００５９】
第２実施例では、溝部７に第２金属膜２６が形成されるようにした。水晶ウエハ１０の表面より５００Å以上盛り上がると、水晶ウエハ１０を重ね合わせた際に第２金属膜２６の合計の高さが水晶ウエハ１０の表面より１０００Å以上高くなり、シロキサン結合が不十分になるおそれがある。金属膜の厚みが４００Å以下に制御しにくい場合には、予め溝部７を形成しその溝部７に第２金属膜２６を形成することで、第２金属膜２６の厚さが多少厚くなった場合でシロキサン結合が十分に行えるようにする。
【００６０】
図６（ｋ）に示した水晶ウエハ１０が形成された後は、図４に示したステップＳ１１２と同様なステップを経ることでベース用水晶ウエハ１を得ることができる。
【００６１】
なお、図示しないがフォトリソグラフィ技術で溝部７を形成するのではなく水晶ウエハ１０にダイジングソーなどの切削加工で溝部７を形成し、図５（ｆ）に示すような水晶ウエハ１０を製作してもよい。そして、図６で示したステップを経ることで水晶ベース基板１を形成することもできる。
【００６２】
＜ベース用ガラスウエハ２の製造方法を示すフローチャート＞
図７ないし図９は、ベース用ガラスウエハ２を形成するためのフローチャートである。各図フローチャートの右側に、ガラス板９の断面または斜視図を示す。
＜＜第３実施例＞＞
図７は、第３実施例のガラス単位素材体２２を形成するためのフローチャートである。
【００６３】
図７のステップ３０２では、ガラス板９の全面に第３金属膜２７をスパッタリングなどの蒸着又はメッキの手法により形成する。第３金属として、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの金属などを用い形成できる。図７（ａ）はこの状態のガラス板９を示した断面図である。
【００６４】
ステップＳ３０４では、第３金属膜２７が形成されたガラス板９に、フォトレジスト層４１を全面にスピンコートなどの手法で均一に塗布する。フォトレジスト層４１としては、例えば、ノボラック樹脂によるポジフォトレジストを使用できる。図７（ｂ）はこの状態のガラス板９を示した断面図である。
【００６５】
ステップＳ３０６では、フォトマスクに描かれた金属線の複数の線状部を残すパターンをフォトレジスト層４１が塗布されたガラス板９に露光する。図７（ｃ）は露光されたフォトレジスト４４を有するガラス板９を示した断面図である。
【００６６】
ステップＳ３０８では、ガラス板９のフォトレジスト層４１を現像して、感光したフォトレジスト層４４を除去する。さらに、露出した第３金属膜２７を、例えば銅層に対して第二塩化鉄溶液に浸す。（反応式：２ＦｅＣＬ３＋Ｃｕ→２ＦｅＣＬ２＋ＣｕＣＬ２）この反応により第３金属膜２７を除去することができる。こうすることで、図７（ｄ）に示すように、金属線の複数の線状パターンを備えたガラス板９が現われる。
【００６７】
ステップＳ３１０では、残ったフォトレジスト４１が除去さる。図７（ｅ）は、フォトレジスト４１が除去されたガラス単位素材体２２の断面図である。
【００６８】
図８は、ベース用ガラスウエハ２を形成するためのフローチャートである。
図８のステップ３１２では、ガラス単位素材体２２にガラスペースト２１又は有機バインダーを加えた水でペースト状にしたガラス粉末２１’を塗りこむ。ガラスペースト２１には、例えば軟化点４５４°Ｃのビスマス・ホウ酸（Ｂｉ２Ｏ３・Ｂ２Ｏ３）系ガラスペーストを用いる。図８（ｆ）は、ガラスペースト２１が塗り込まれた状態のガラス単位素材体２２の断面図である。
【００６９】
ステップ３１４では、ガラスペースト２１が塗り込まれた状態のガラス単位素材体２２を複数枚重ね合わせ、ガラス積載体２３を作成する。図８（ｇ）は、ガラス積載体２３が作成された状態を示した斜視図である。
【００７０】
ステップ３１６では、重しを載せてガラス積載体２３をトレーに乗せ、アニール炉で５００°Ｃに加熱し２０分間保持する。ガラスペースト２１が溶融してガラス単位素材体２２同士が接着し、ガラス積層体２４が形成される。図８（ｈ）は、ガラス積層体２４が形成された状態を示した斜視図である。
【００７１】
ステップ３１８では、除冷後ガラス積層体２４をアニール炉から取り出し、ダイジングソーで所定の厚さにスライスする。ダイジング加工によってベース用ガラスウエハ２が形成される。図８（ｉ）は、ガラス積層体２４からベース用ガラスウエハ２が形成された状態を示した斜視図である。ベース用ガラスウエハ２に金属線１３及び金属線１４が所定の間隙で配置されている。
【００７２】
＜＜第４実施例＞＞
図９は、第４実施例のガラス板９にダイジング加工、及びフォトリソグラフィ技術を用いベース用ガラスウエハ２を形成する方法である。
図９のステップ４０２では、ガラスウエハ９の片面に第３金属膜２７をスパッタリングなどの蒸着又はメッキの手法により形成する。第３金属膜２７として、銅（Ｃｕ）などの金属などを用い形成する。図９（ａ）は、この状態のガラス板９を示した断面図である。
【００７３】
ステップ４０４では、ガラス板９の片面に形成された第３金属膜２７をダイジング加工して複数の線状パターンを形成する。ダイジングソーなどの切削加工でガラス単位体２２’が形成される。図９（ｂ）はこの状態のガラス単位体２２’の断面図である。
【００７４】
ステップ４０６では、ガラス単位素材体２２’にガラスペースト２１又は有機バインダーを加えた水でペースト状にしたガラス粉末２１’を塗りこむ。図９（ｃ）は、ガラスペースト２１が塗り込まれた状態のガラス単位素材体２２’の断面図である。
ステップ４０８では、ガラスペースト２１が塗り込まれた状態のガラス単位素材体２２’を複数枚重ね合わせガラス積載体２３を作成する。図９（ｄ）は、ガラス積載体２３が作成された状態を示した斜視図である。
【００７５】
ステップ４１０では、重しを載せてガラス積載体２３をトレーに乗せガラスペースト２１を溶融させることでガラス積層体２４が形成される。図９（ｅ）は、ガラス積層体２４が形成された状態を示した斜視図である。
【００７６】
ステップ４１２では、除冷後ガラス積層体２４をアニール炉から取り出し、ダイジングソーで所定の厚さにスライスする。ダイジング加工によってベース用ガラスウエハ２が形成される。図９（ｆ）は、ガラス積層体２４からベース用ガラスウエハ２が形成された状態を示した斜視図である。
【００７７】
第１実施例から第４実施例までは、水晶ウエハ１０又はガラスウエハ９の上下面に金属膜を形成して水晶積載体１６又はガラス積載体２３を作成したが、片面のみに金属膜を形成してそれらを重ね合わせて水晶積載体１６又はガラス積載体２３を作成してもよい。
【００７８】
＜＜第５実施例＞＞
図１０は、第５実施例で、ガラス板９にワイヤーボンディング装置を用いてワイヤー５を接合してガラス単位素材体２２”を形成し、そのワイヤー５が金属線１３及び金属線１４となる方法を示している。
【００７９】
図１０のステップ５０２では、ガラス板９の両端部に第３金属膜２７をメタライジングする。第３金属膜２７として、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの金属などを用いる。第３金属膜２７の厚みは１０００Åから２０００Åで、幅Ｗは、０．３ｍｍから０．５ｍｍ程度である。図１０（ａ）は、両端部に第３金属膜２７が形成されたガラス板９を示した断面図である。
【００８０】
ステップ５０４では、ガラス板９の両端部間に、不図示のワイヤーボンディング装置によりワイヤー５が所定の間隔で接合される。ワイヤー５は、金、銀、銅、アルミ、ニッケル、鉄及びステンレススチールなどの金属のいずれか一つを用いる。金、銀を除くワイヤー５は、金メッキを施すことが好ましい。ワイヤー５の線径は、０．１ｍｍから０．５ｍｍであり０．１ｍｍから０．２ｍｍが好ましい。図１０（ｂ）は、ワイヤー５が接合されたガラスウエハ９の断面図である。
【００８１】
ステップ５０６では、ワイヤー５が接合されたガラス板９にガラスペースト２１又は有機バインダーを加えた水でペースト状にしたガラス粉末２１’を塗りこむ。ガラスペースト２１には、例えば軟化点４５４°Ｃのビスマス・ホウ酸（Ｂｉ２Ｏ３・Ｂ２Ｏ３）系ガラスペーストを用いる。図１０（ｃ）は、ガラスペースト２１が塗り込まれた状態のガラス単位素材体２２”の断面図である。
【００８２】
ステップ５０８では、ガラス単位素材体２２”を順次積載してガラス積載体２３を形成する。図１０（ｄ）は、ガラス積載体２３の斜視図である。
【００８３】
ステップ５１０では、重しを載せてガラス積載体２３をトレーに乗せ加熱し、ガラスペースト２１を溶融させてガラス積層体２４が形成される。図１０（ｅ）は、ガラス積層体２４が形成された状態を示した斜視図である。
【００８４】
ステップ５１２では、ガラス積層体２４を除冷した後、ダイジングソーで、ワイヤー５に直交するように第３金属膜２７の部分を切り取ってから、所定の厚さにスライスしてベース用ガラスウエハ２を作成する。図１０（ｆ）は、ガラス積層体２４からベース用ガラスウエハ２が形成された状態を示した斜視図である。
【００８５】
＜第１水晶振動子１００の製造工程＞
図１１は、第１リッド６１が形成されたリッド用水晶ウエハ６０と、音叉型水晶振動片３０及び水晶フレーム５０が形成された水晶ウエハ１０と、第１ベース４０が形成され、金属線１３及び金属線１４が配設されたベース用水晶ウエハ１とが重ね合わせる前の図である。第１リッド６１も第１ベース４０も連結部１１で各々の水晶ウエハ１０に接続された状態である。
【００８６】
重ね合わせる際には、すでに第１リッド６１のリッド用凹部６７は水晶エッチングで形成されている。また、第１ベース４０のリッド用凹部４７が水晶エッチングで形成されている。この詳細は図１Ａ及ぶ図２に示したとおりである。
【００８７】
水晶ウエハの大きさは例えば４インチ角であり、それぞれオリエンテーションフラット６０ｃ、１０ｃ及び１ｃが形成されているため、３枚の水晶ウエハを正確に位置合わせして重ね合わせる。重ね合わされた３枚の水晶ウエハはシロキサン結合される。
【００８８】
３枚の水晶ウエハが重ね合わされた状態で、共通する連結部１１を折ることで第１水晶振動子１００が完成する。いわゆるパッケージングと電極の結合とが同時に行うことができ、また水晶ウエハ単位で製造できるため、生産性を向上させることができる。
【００８９】
＜第２水晶振動子１１０の製造工程＞
図１２は、リッド用凹部６７’が形成されたリッド用ガラスウエハ６５と、音叉型水晶振動片３０が形成された水晶ウエハ１０と、金属線１３及び金属線１４が配設されたベース用ガラスウエハ２とを重ね合わせる前の図である。説明の都合上仮想線で、ガラスウエハ６５には第２リッド６１’を示し、金属線１３及び金属線１４が配設されたベース用ガラスウエハ２には、第２ベース４０’を示している。水晶ウエハ１０には、水晶フレーム５０を示す。また、パッケージ接合に陽極接合を行う説明用配線図を示す。
【００９０】
重ね合わせる際には、すでに第２リッド６１’のリッド用凹部６７’はエッチングで形成されている。また、第２ベース４０’のリッド用凹部４７’がエッチングで形成されており、さらに第１金属線１３及び第２金属線１４も露出している。この詳細は図１Ｂ及ぶ図２に示したとおりである。
【００９１】
３枚のウエハの接合に陽極接合を行う概略配線図を示す。第２リッド６１’及び第２ベース４０’は、パイレックス（登録商標）ガラス、ホウ珪酸ガラス及びソーダガラスなどを材料としており、これらはナトリウムイオンなどの金属イオンを含有するガラスである。水晶フレーム５０の外枠部５１は、表面及び裏面に金属膜５３を備え、金属膜５３はアルミニュウムで形成されている。音叉型水晶振動片３０を備えた水晶フレーム５０を中心として、リッド用凹部６７’を備えた第２リッド６１’及びベース用凹部４７’を備えた第２ベース４０’を重ねる。なお、金属膜５３はアルミニュウム以外に、下地のクロム層に金層を重ねた金属膜であってもよい。
【００９２】
リッド用ガラスウエハ６５及び金属線入りのベース用ガラスウエハ２並びに水晶ウエハ１０の大きさは、例えば４インチ角でありオリエンテーションフラット６５ｃ，２ｃ及び１０ｃが形成されているため、３枚のウエハを正確に位置合わせして重ね合わせる。重ね合わされた３枚のウエハは、真空中あるいは不活性ガス中で、２００°Ｃから４００°Ｃに加熱しながら加圧し、リッド６１’の上面及びベース４０’の下面をマイナス電位に、外枠部５１の表面及び裏面の金属膜５３をプラス電位にして、直流電源９０を用いて４００Ｖの直流電圧を１０分間印加して陽極接合技術により接合する、
【００９３】
リッド用ガラスウエハ６５及び金属線１３及び金属線１４が配設されたベース用ガラスウエハ２並びに水晶ウエハ１０の３枚が接合された状態で、ダイジングソー又はレーザソーで切断して第２水晶振動子１１０が完成する。いわゆるパッケージングと電極の結合とが同時に行うことができ、またウエハ単位で製造できるため、生産性を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
上記実施形態では水晶振動子を主に説明してきたが、金属線１３及び金属線１４が配設された水晶ウエハ又はガラスウエハは、熱に弱いエポキシ基板に代えてＩＣ又はＬＳＩなどの実装基板として適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１Ａ】（ａ）は、第１水晶振動子１００の斜視図である。（ｂ）は、第１水晶振動子１００の構成を示す（ｃ）の“Ｘ−Ｘ”全体断面図である。（ｃ）は、水晶フレーム５０の上面図である。（ｄ）は、第１ベース４０の上面図である。
【図１Ｂ】（ａ）は、第２水晶振動子１１０の概略斜視図である。（ｂ）は、第２水晶振動子１１０の構成を示す（ｃ）の“Ｘ−Ｘ”全体断面図である。（ｃ）は、水晶フレーム５０の上面図である。（ｄ）は、第２ベース４０‘の上面図である。
【図２】（ａ）は、ベース用水晶ウエハ１及びベース用ガラスウエハ２の概略斜視図である。（ｂ）は、複数の第１ベース４０及び第２ベース４０’を形成したベース用水晶ウエハ１及びベース用ガラスウエハ２を示した部分平面図である。（ｃ）は、第１ベース４０及び第２ベース４０’の第１金属線１３及び第２金属線１４の位置を示す概略平面図である。
【図３】水晶単位素材体１５を形成するためのフローチャートである。
【図４】ベース用水晶ウエハ１を形成するためのフローチャートである。
【図５】水晶ウエハ１０に線状の溝部７を形成するためのフローチャートである。
【図６】水晶単位素材体１５を形成するためのフローチャートである。
【図７】ガラス単位素材体２２を形成するためのフローチャートである。
【図８】ベース用ガラスウエハ２を形成するためのフローチャートである。
【図９】ベース用ガラスウエハ２を形成するためのフローチャートである。
【図１０】ベース用ガラスウエハ２を形成するためのフローチャートである。
【図１１】リッド用水晶ウエハ６０と、音叉型水晶振動片３０及び水晶フレーム５０が形成された水晶ウエハ１０と、金属線１３及び金属線１４が配設されたベース用水晶ウエハ１とを重ね合わせる斜視図である。
【図１２】リッド用ガラスウエハ６５と、音叉型水晶振動片３０が形成された水晶ウエハ１０と、金属線１３及び金属線１４が配設されたベース用ガラスウエハ２とを重ね合わせる斜視図である。
【符号の説明】
【００９６】
１  ……  ベース用水晶ウエハ
２  ……  ベース用ガラスウエハ
５  ……  ワイヤー
７  ……  溝
９  ……  ガラス板
１０  ……  水晶ウエハ
１１  ……  連結部
１２  ……  開口部
１３、１４、  ……  第１金属線、第１金属線
１５  ……  水晶単位素材体
１６  ……  水晶積載体
２０  ……  水晶積層体
２１  ……  ガラスペースト
２１’   ……   ガラス粉末
２２，２２’   ……  ガラス単位素材体
２３，２４  ……  ガラス積載体，ガラス積層体
２５，２６，２７  ……  第１金属膜，第２金属膜，第３金属膜
２８  ……  耐蝕膜
３０  ……  音叉型水晶振動片
３１  ……  振動腕
３２  ……  基部
３３，３４  ……  基部電極
３５，３６  ……  励振電極
４０  ……  第１ベース
４０’   ……  第２ベース
４１，４１’  ……  フォトレジスト膜
４２，４３  ……  接続電極
４４，４４’  ……  現像後のレジスト膜
４５，４６  ……  外部電極
４７，４７’  ……  ベース用凹部
４９  ……  段差部
５０  ……  水晶フレーム
５１  ……  外枠部
５２  ……  開口部
５３  ……  金属膜
６０  ……  リッド用水晶ウエハ
６１，６１’   ……  リッド
６５  ……  リッド用ガラスウエハ
６７、６７’  ……  リッド用凹部
８０，８０’  ……  パッケージ
９０  ……  直流電源
１００，１１０  ……  第１水晶振動子，第２水晶振動子
【図１Ａ】
2009182542.tif 000003
【図１Ｂ】
2009182542.tif 000004
【図２】
2009182542.tif 000005
【図３】
2009182542.tif 000006
【図４】
2009182542.tif 000007
【図５】
2009182542.tif 000008
【図６】
2009182542.tif 000009
【図７】
2009182542.tif 000010
【図８】
2009182542.tif 000011
【図９】
2009182542.tif 000012
【図１０】
2009182542.tif 000013
【図１１】
2009182542.tif 000014
【図１２】
2009182542.tif 000015