(57)【要約】【課題】  従来のプリント配線板内蔵キャパシタの幾つかの問題を解決し得る新規なキャパシタ内蔵プリント配線板を提供すること【解決手段】  キャパシタ内蔵プリント配線板であって、該キャパシタは、誘電体と、前記誘電体に比較して、相対的に小さい面積の一方の電極と、前記誘電体に比較して、相対的に大きい面積の他方の電極とを備えている。【選択図】  図１
2009188401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタ内蔵プリント配線板であって、該キャパシタは、
誘電体と、
前記誘電体に比較して、相対的に小さい面積の一方の電極と、
前記誘電体に比較して、相対的に大きい面積の他方の電極とを備えている、キャパシタ内蔵プリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載のキャパシタ内蔵プリント配線板において、
前記誘電体の面積を基準にすると、前記一方の電極の面積は95％以下であり、前記他方の電極の面積は105〜150％である、キャパシタ内蔵プリント配線板。
【請求項３】
請求項１に記載のキャパシタ内蔵プリント配線板において、
前記誘電体は、チタン酸バリウム(BaTiO3)又はチタン酸ストロンチュウム(SrTi2)を含む高誘電率誘電体である、キャパシタ内蔵プリント配線板。
【請求項４】
請求項１に記載のキャパシタ内蔵プリント配線板において、
両電極は、いずれもその外縁部に損傷を受けていない、キャパシタ内蔵プリント配線板。
【請求項５】
請求項１に記載のキャパシタ内蔵プリント配線板において、
両電極は、いずれもパターニングにより整形されている、キャパシタ内蔵プリント配線板。
【請求項６】
請求項１に記載のキャパシタ内蔵プリント配線板において、
前記プリント配線板は、コア層及びビルドアップ層を有し、
前記キャパシタは、前記コア層に１個以上形成されている、キャパシタ内蔵プリント配線板。
【請求項７】
請求項１に記載のキャパシタ内蔵プリント配線板において、
前記プリント配線板は、コア層及びビルドアップ層を有し、
前記キャパシタは、前記ビルドアップ層に１個以上形成されている、キャパシタ内蔵プリント配線板。
【請求項８】
キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法であって、該プリント配線板はコア層及びビルドアップ層を有し、該キャパシタは下部電極、高誘電率誘電体及び上部電極を有し、該キャパシタの形成方法は、
前記コア層の上面に、下部電極をパターニングして形成し、
前記コア層及び前記下部電極の上面全面に、高誘電率誘電材シートを被せて熱硬化して高誘電率誘電層を形成し、
前記上部電極を前記高誘電率誘電体の最終形状になるようにパターニングして形成し、
前記上部電極を遮蔽体として、ブラスト法により研磨剤を含んだ液体を前記高誘電率誘電体に向けて噴射して、該高誘電率誘電体を該上部電極と同じ外形形状に整形し、
前記上部電極をその最終形状になるようパターニングして形成する、キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法であって、該プリント配線板はコア層及びビルドアップ層を有し、該キャパシタは下部電極、高誘電率誘電体及び上部電極を有し、該キャパシタの形成方法は、
前記コア層の上面に、下部電極をパターニングして形成し、
前記コア層及び前記下部電極の上面全面に、高誘電率誘電材ペーストをスクリーン印刷法により付着して熱乾燥して高誘電率誘電層を形成し、
前記上部電極を前記高誘電率誘電体の最終形状になるようにパターニングして形成し、
前記上部電極を遮蔽体として、ブラスト法により研磨剤を含んだ液体を前記高誘電率誘電体に向けて噴射して、該高誘電率誘電体を該上部電極と同じ外形形状に整形し、
前記上部電極をその最終形状になるようパターニングして形成する、キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
以下の工程を有するキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
(a)絶縁材の表面に、第１の電極となる導体層を形成する工程
(b)前記第１の電極となる導体層の表面上に、シート状の誘電材料を貼付する又は誘電材料をペースト印刷して誘電体層を形成する工程
(c)前記誘電体層の表面上に第２の電極となる導体層を形成する工程
(d)前記誘電体層の外縁部が前記第２の電極の外縁部よりも外方に位置するように当該誘電体を整形する工程
【請求項１１】
請求項１０記載のキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法において、
前記誘電体層を整形する工程(d)において、前記第２の電極全体を被覆するように保護膜を形成した状態で、ブラスト法又はエッチングにより、前記誘電体層を整形する、キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載のキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法において、
前記誘電体層を整形する工程(d)において、前記第２の電極をマスクとして用いて、レーザにより、前記誘電体層を整形する、キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０記載のキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法において、
前記誘電体の面積に対する前記第２の電極の面積比率は30〜95％である、キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０記載のキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法において、
前記導体層を形成する工程(c)において、前記第２の電極をセミアディティブ法に形成する請求項１記載のキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載のキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法において、
前記保護膜は、前記第２の電極に対して選択エッチング性のある金属によって形成されている、キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０記載のキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法において、
前記誘電体層を形成する工程(ｂ)後に、誘電体層表面に金属材料よりなるシード層を形成し、当該シード層の表面に前記第２の電極を形成する工程を有する、キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項１７】
以下の工程を有するキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
(a)コア基板に対し、銅箔及び片面銅箔付き誘電体シートを、接着材層を介して積層する工程
(b)前記片面銅箔付き誘電体シートの銅箔をリソグラフィによりパターニングして第２の電極を形成する工程
(c)前記誘電体シートの外縁部が前記第２の電極の外縁部よりも外方に位置するように該誘電体シートを整形する工程
(d)前記接着材層に接している銅箔をリソグラフィによりパターニングして第１の電極を形成する工程
【請求項１８】
以下の工程を有するキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法。
(a)コア基板上の層間絶縁層の表面に両面銅箔付き誘電体シートを貼り付ける工程
(b)前記両面銅箔付き誘電体シートのうち、前記層間絶縁層に接していない銅箔をリソグラフィによりパターニングして第２の電極を形成する工程
(c)前記誘電体シートの外縁部が前記第２の電極の外縁部よりも外方に位置するように当該誘電体シートを整形する工程
(d)前記両面銅箔付き誘電体シートのうち、前記層間絶縁層に接している銅箔をリソグラフィによりパターニングして第１の電極を形成する工程
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタ内蔵プリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路等（能動部品）及びキャパシタ、インダクタンス、抵抗等の電子部品（受動部品）を搭載固定し、これらを電気的に相互接続する。従って、従来のプリント配線板は、部品固定のための絶縁性樹脂基板及び電気的相互接続のための基板の表面及び内部に形成された導体回路（スルーホール導体、ビア導体を含む。）から形成されている。
【０００３】
近年、電子機器が小型化、高密度化及び高速化されるに伴って、受動部品を予めプリント配線板に内蔵することが望まれている。本出願は、このような受動部品の１つであるキャパシタを予め内蔵したプリント配線板に関する。
【０００４】
従来、図３及び図４に示すような幾つかのプリント配線板内蔵キャパシタが提案されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来のキャパシタ内蔵プリント配線板では、後述するようなキャパシタの特性に関する幾つかの問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明は、従来のプリント配線板内蔵キャパシタの幾つかの問題を解決し得る新規なキャパシタ内蔵プリント配線板を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板において、該キャパシタは、誘電体と、前記誘電体に比較して、相対的に小さい面積の一方の電極と、前記誘電体に比較して、相対的に大きい面積の他方の電極とを備えている。
【０００８】
更に、本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法において、該プリント配線板はコア層及びビルドアップ層を有し、該キャパシタは下部電極、高誘電率誘電体及び上部電極を有し、該キャパシタの形成方法は、前記コア層の上面に、下部電極をパターニングして形成し、前記コア層及び前記下部電極の上面全面に、高誘電率誘電材シートを被せて熱硬化して高誘電率誘電層を形成し、前記上部電極を前記高誘電率誘電体の最終形状になるようにパターニングして形成し、前記上部電極を遮蔽体として、ブラスト法により研磨剤を含んだ液体を前記高誘電率誘電体に向けて噴射して、該高誘電率誘電体を該上部電極と同じ外形形状に整形し、前記上部電極をその最終形状になるようパターニングして形成する。
【０００９】
更に、本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法において、該プリント配線板はコア層及びビルドアップ層を有し、該キャパシタは下部電極、高誘電率誘電体及び上部電極を有し、該キャパシタの形成方法は、前記コア層の上面に、下部電極をパターニングして形成し、前記コア層及び前記下部電極の上面全面に、高誘電率誘電材ペーストをスクリーン印刷法により付着して熱乾燥して高誘電率誘電層を形成し、前記上部電極を前記高誘電率誘電体の最終形状になるようにパターニングして形成し、前記上部電極を遮蔽体として、ブラスト法により研磨剤を含んだ液体を前記高誘電率誘電体に向けて噴射して、該高誘電率誘電体を該上部電極と同じ外形形状に整形し、前記上部電極をその最終形状になるようパターニングして形成する。
【００１０】
更に、本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法は、(a)絶縁材の表面に、第１の電極（下部電極）となる導体層を形成する工程と、(b)前記第１の電極（下部電極）となる導体層の表面上に、シート状の誘電材料を貼付する又は誘電材料をペースト印刷して誘電体層を形成する工程と、(c)前記誘電体層の表面上に第２の電極（上部電極）となる導体層を形成する工程と、及び(d)前記誘電体層の外縁部が前記第２の電極の外縁部よりも外方に位置するように当該誘電体を整形する工程とを包含する。
【００１１】
更に、本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法は、(a)コア基板に対し、銅箔及び片面銅箔付き誘電体シートを、接着材層を介して積層する工程と、(b)前記片面銅箔付き誘電体シートの銅箔をリソグラフィによりパターニングして第２の電極（上部電極）を形成する工程と、(c)前記誘電体シートの外縁部が前記第２の電極の外縁部よりも外方に位置するように該誘電体シートを整形する工程と、及び(d)前記接着材層に接している銅箔をリソグラフィによりパターニングして第１の電極（下部電極）を形成する工程とを包含する。
【００１２】
更に、本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法は、(a)コア基板上の層間絶縁層の表面に両面銅箔付き誘電体シートを貼り付ける工程と、(b)前記両面銅箔付き誘電体シートのうち、前記層間絶縁層に接していない銅箔をリソグラフィによりパターニングして第２の電極を形成する工程と、(c)前記誘電体シートの外縁部が前記第２の電極の外縁部よりも外方に位置するように当該誘電体シートを整形する工程と、及び(d)前記両面銅箔付き誘電体シートのうち、前記層間絶縁層に接している銅箔をリソグラフィによりパターニングして第１の電極（下部電極）を形成する工程とを包含する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、容量の精度の良いキャパシタを備える新規なプリント配線板を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、キャパシタを内蔵するキャパシタ内蔵プリント配線板の一例の厚さ方向断面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係るプリント配線板に内蔵されるキャパシタの一例の厚さ方向拡大断面図である。
【図３】図３は、従来のプリント配線板に内蔵されるキャパシタの一例の厚さ方向断面図である。
【図４】図４は、更に別の従来のプリント配線板に内蔵されるキャパシタの一例の厚さ方向断面図である。
【図５】図５は、図２に示す本実施形態に係るキャパシタの形成方法を、図３に示す従来のキャパシタの形成方法と比較しながら説明する概念図である。
【図６】図６は、本実施形態に係るプリント配線板内蔵キャパシタの特性を、従来のキャパシタのそれと比較して示したグラフである。
【図７Ａ】図７Ａは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｇ】図７Ｇは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｈ】図７Ｈは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｉ】図７Ｉは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｊ】図７Ｊは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｋ】図７Ｋは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｌ】図７Ｌは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｍ】図７Ｍは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｎ】図７Ｎは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｏ】図７Ｏは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図７Ｐ】図７Ｐは、第１の製造方法として、図７の他の図と共に、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図８Ａ】図８Ａは、第２の製造方法として、図８の他の図と共に、コア層１２の上の層間絶縁層２２ｕにキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、第２の製造方法として、図８の他の図と共に、コア層１２の上の層間絶縁層２２ｕにキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、第２の製造方法として、図８の他の図と共に、コア層１２の上の層間絶縁層２２ｕにキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、第２の製造方法として、図８の他の図と共に、コア層１２の上の層間絶縁層２２ｕにキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図８Ｅ】図８Ｅは、第２の製造方法として、図８の他の図と共に、コア層１２の上の層間絶縁層２２ｕにキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図８Ｆ】図８Ｆは、第２の製造方法として、図８の他の図と共に、コア層１２の上の層間絶縁層２２ｕにキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図８Ｇ】図８Ｇは、第２の製造方法として、図８の他の図と共に、コア層１２の上の層間絶縁層２２ｕにキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する図である。
【図９Ａ】図９Ａは、第３の製造方法として、図９の他の図と共に、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、第３の製造方法として、図９の他の図と共に、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、第３の製造方法として、図９の他の図と共に、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、第３の製造方法として、図９の他の図と共に、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、第３の製造方法として、図９の他の図と共に、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、第３の製造方法として、図９の他の図と共に、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する図である。
【図９Ｇ】図９Ｇは、第３の製造方法として、図９の他の図と共に、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する図である。
【図９Ｈ】図９Ｈは、第３の製造方法として、図９の他の図と共に、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、第４の製造方法として、図１０の他の図と共に、第1〜３の製造方法に関連して、ブラスト処理の際の上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクのため、上部電極の上に無電解金属めっき層を設ける工法を説明する図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、第４の製造方法として、図１０の他の図と共に、第1〜３の製造方法に関連して、ブラスト処理の際の上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクのため、上部電極の上に無電解金属めっき層を設ける工法を説明する図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、第４の製造方法として、図１０の他の図と共に、第1〜３の製造方法に関連して、ブラスト処理の際の上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクのため、上部電極の上に無電解金属めっき層を設ける工法を説明する図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、第４の製造方法として、図１０の他の図と共に、第1〜３の製造方法に関連して、ブラスト処理の際の上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクのため、上部電極の上に無電解金属めっき層を設ける工法を説明する図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、第４の製造方法として、図１０の他の図と共に、第1〜３の製造方法に関連して、ブラスト処理の際の上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクのため、上部電極の上に無電解金属めっき層を設ける工法を説明する図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、第４の製造方法として、図１０の他の図と共に、第1〜３の製造方法に関連して、ブラスト処理の際の上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクのため、上部電極の上に無電解金属めっき層を設ける工法を説明する図である。
【図１０Ｇ】図１０Ｇは、第４の製造方法として、図１０の他の図と共に、第1〜３の製造方法に関連して、ブラスト処理の際の上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクのため、上部電極の上に無電解金属めっき層を設ける工法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板の実施形態について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。図面において、同じ要素に対しては同じ参照符号を付して重複した説明を省略する。
【００１６】
［キャパシタ内蔵プリント配線板］
（構成）
図１は、キャパシタ１０ｕ，１０ｄを内蔵するキャパシタ内蔵プリント配線板２４の一例の厚さ方向断面図である。このプリント配線板２４は、例えば、コア層１２の上面及び下面に対して、層間絶縁層２０ｕ，２０ｄが夫々形成され、所定の箇所にビア導体２０ｕｖが形成されている。更に、層間絶縁層２０ｕの上面及び２０ｄの下面に対して、ソルダーレジスト層（又は保護被膜）２６ｕ，２６ｄが夫々形成されている。このプリント配線板２４には、コア基板（コア層）１２の上面に、下部電極１４ｕ、誘電体層１６ｕ及び上部電極１８ｕよりなるキャパシタ１０ｕが設けられている。
【００１７】
更に、このプリント配線板２４には、コア基板１２の下面に、下部電極１４ｄ、誘電体層１６ｄ、及び上部電極１８ｄよりなるキャパシタ１０ｄが設けられている。なお、図１では、層間絶縁層２０ｕ，２０ｄは各々一層ずつ図示してあるが、これに限定されない。層間絶縁層２０ｕ，２０ｄは、任意の層数だけ形成することが出来る。また、キャパシタ１０ｕ，１０ｄは、コア基板１２ではなく、後で説明するように、層間絶縁層２０ｕ，２０ｄに設けることもできる。
【００１８】
［キャパシタ］
（構成）
図２は、本実施形態に係るプリント配線板２４に内蔵されるキャパシタ１０の一例の厚さ方向拡大断面図である。このキャパシタ１０は、プリント配線板２４のコア層１２又は層間絶縁層２０の表面に形成された下部電極１４と、下部電極の上面に形成された高誘電率誘電体１６と、高誘電率誘電体の上面に形成された上部電極１８とを有する。ここではコア層又は層間絶縁層に１つのキャパシタ１０を開示しているが、キャパシタの個数は任意である。
【００１９】
下部電極１４及び上部電極１８は、各々、金属からなり、代表的には銅から成る。
【００２０】
高誘電率誘電体１６は、仕上がりで厚み約1〜2ミクロン（μｍ）程度であり、比誘電率が10より大きい材料（εr＞10）から成る。具体的には、高誘電率誘電体１６の材料は、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTi2)等の強誘電体フィラーと、樹脂との複合材から成る。高誘電率誘電体１６は、市場に於いて、シート状の高誘電率誘電材として入手し得る。なお、高誘電率誘電体１６をスクリーン印刷用のペーストから形成してもよい。
【００２１】
ここで、本実施形態に係るキャパシタ１０の特徴を、従来のキャパシタ１００，１０１と比較しながら説明する。
【００２２】
図３は、従来のプリント配線板に内蔵されるキャパシタ１００の一例の厚さ方向断面図である。図に示すように、このキャパシタ１００では、高誘電率誘電体１６０と上部電極１８０とが、同じ面積に整形されている。すなわち、高誘電率誘電体１６０と上部電極１８０との外縁部が一致している。
【００２３】
更に、図４に示すようなプリント配線板に内蔵されるキャパシタ１０１も知られている。このキャパシタ１０１では、高誘電率誘電体１６１の外形が整形されていないため、高誘電率誘電体１６１は両電極１４１，１８１より横方向に大きく拡がっている。必然的に、こうしたキャパシタ１０１は、誘電正接(tanδ)特性が比較的悪く、電力損失が比較的大きい。
【００２４】
これら従来のキャパシタ１００，１０１に対して、図２に示す本実施形態に係るキャパシタ１０は、高誘電率誘電体１６の外形が整形されている。更に、上部電極１８の面積に比較して、高誘電率誘電体１６の面積は相対的に大きい。即ち、上部電極１８の外縁部よりも高誘電率誘電体１６の外縁部が外方に突出している。換言すると、上部電極１８から高誘電率誘電体１６への外縁部は、順次外方に向かって段差状に形成されている。更に、高誘電率誘電体１６の面積に比較して、下部電極１４の面積は相対的に大きい。すなわち、高誘電率誘電体１６の外縁部よりも下部電極１４の外縁部が外方に突出している。換言すると、高誘電率誘電体１６から下部電極１４への外縁部は、順次外方に向かって段差状に形成されている。
【００２５】
更に、後で更に詳しく説明するが、本実施形態に係るキャパシタ１０においては、高誘電率誘電体１６を整形する際に上部電極１８の外縁部が侵食されることがないため、その外形形状が高精度で形成されていることを特徴とする。このため、図３の従来のキャパシタ１００と比較して、図２の本実施形態に係るキャパシタ１０は、目標静電容量に対する実際の静電容量の偏差（バラツキ）が比較的小さいことを特徴とする。
【００２６】
次に、このような特徴を実現し得た理由について説明する。
【００２７】
本発明者等は、プリント配線板内蔵キャパシタに関して、図３の従来のキャパシタ１００に関して目標静電容量に対する実際の静電容量の偏差（バラツキ）が比較的大きいことを問題にしていた（図６の記号△従来例参照）。この原因が、ミクロに見て、上部電極１８０の外形形状が高精度に整形されていない点にあることを突きとめた。更に、その原因が、製造工程、特に高誘電率誘電体１６０の整形プロセスにあることを突きとめた。
【００２８】
図５は、図２に示す本実施形態に係るキャパシタ１０の形成方法（図の右部分）を、図３に示す従来のキャパシタ１００の形成方法（図の左部分）と比較しながら説明する概念図である。
【００２９】
従来のキャパシタ１００の形成方法は、次のようになる。
【００３０】
（ａ）に示すように、コア基板１２０の上面に、下部電極１４０をパターニングして形成する。
【００３１】
（ｂ）に示すように、コア基板１２０及び下部電極１４０の上面全面に、高誘電率誘電材シート１６０を被せて熱硬化する。なお、高誘電率誘電材ペーストをスクリーン印刷して熱乾燥してもよい。
【００３２】
（ｃ−１）に示すように、高誘電率誘電体１６０の上面に、上部電極１８０をその最終形状になるように、例えばセミアディティブ法により高精度に形成する。
【００３３】
（ｄ−１）に示すように、上部電極１８０をマスクとして用いて、例えばブラスト法により、研磨剤を含んだ液体を高誘電率誘電体１６０に向けてノズル３００から噴射して、高誘電率誘電体１６０を上部電極１８０の外縁部に一致するように整形する。
【００３４】
ブラスト法は、機械的洗浄方法の１つであり、研磨剤を含んだ洗浄液を高圧でスプレー噴射する方法である。ここでは、ブラスト法により、研磨材を上部電極１８０及び高誘電率誘電体１６０に対して噴射し、上部電極１８０をマスクとして用いて、高誘電率誘電体１６０の上部電極１８０からはみ出た部分を機械的に除去している。
【００３５】
本発明者等は、このブラスト等による誘電体層の整形プロセス作業に於いて、ミクロに見ると、上部電極１８０の外縁部に損傷が発生することを発見した。本発明者等は、この上部電極１８０の外縁部の損傷を回避するため、本実施形態に係るキャパシタ１０（図２参照）の形成方法を提案する。
【００３６】
（ａ）及び（ｂ）に関しては、図３に示すキャパシタ１００の形成方法と同様である。
【００３７】
（ｃ−２）に示すように、上部電極１８を高誘電率誘電体１６の最終形状になるようにパターニングして形成する。
【００３８】
（ｄ−２）に示すように、ブラスト法により研磨剤を含んだ液体を高誘電率誘電体１６に向けてノズル３０から噴射して、高誘電率誘電体１６の外縁部が上部電極１８の外縁部よりも外方に突き出るように高誘電率誘電体１６を整形する。
【００３９】
ここで、容量の精度の良いキャパシタ１０を形成するため、(1) 高誘電率誘電体１６を適切なサイズに整形する、(2) 高誘電率誘電体１６を、例えばブラスト処理で整形する際に、上部電極１８を適切な手段により保護して、特にその外縁部の損傷を防止する、 (3)上部電極１８を高精度に整形する、（4）下部電極１４を高精度に整形する、等の手段を講じている。本実施形態に係るプリント配線板内蔵キャパシタは、これらの手段(1)〜(4)の1つ以上を採用することで、静電容量のバラツキを抑えている。キャパシタ１０の形成方法に関しては、キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法（第１〜４の製造方法）に関連して詳細に説明する。
【００４０】
（特性比較）
図６は、本実施形態に係るプリント配線板内蔵キャパシタ１０（図２参照）の特性を、従来のキャパシタ１００（図３参照）のそれと比較して示したグラフである。ここで、上部電極１８，１８０の形状は、夫々正方形である。グラフの横軸は、正方形の上部電極１８，１８０の一辺の長さを［μｍ］単位で表示し、縦軸は目標静電容量に対するバラツキ（偏差）を百分率［％］単位で表示している。本実施形態に係るキャパシタ１０は記号「○」で示し、従来のキャパシタ１００は記号「△」で示してある。
【００４１】
グラフより、従来のキャパシタ１００の静電容量は目標値に対して±約20％〜32％のバラツキがある。これに対して、本実施形態に係るキャパシタ１０の静電容量は目標値に対して±10％以内のバラツキとなっており、目標値に対して非常に良好な静電容量となっている。
【００４２】
従来のキャパシタ１００の形成では、ブラスト処理により、ミクロに見ると、上部電極１８０の端部が損傷されている。一方、本実施形態に係るキャパシタ１０は、上部電極１８を、例えばセミアディティブ法によってパターニングして高精度に形成している。更に、高誘電誘電体１６の整形のための、例えばブラスト処理の際に、上部電極１８が損傷されないように保護手段を講じている。そのため、上部電極１８の外形形状は高精度で整形され、その後に損傷を受けていない。この結果、キャパシタ１００の静電容量は比較的バラツキが大きく、一方、キャパシタ１０の静電容量は比較的バラツキが小さくなっていると判断される。
【００４３】
更に、本実施形態に係るキャパシタ１０（図２参照）と従来の別のキャパシタ１０１（図４参照）とを比較すると、従来のキャパシタ１０１では、高誘電誘電体１６１が整形されていなく大きく横方向に拡がっているため、誘電正接が大きい問題がある。しかし、本実施形態に係るキャパシタ１０では、高誘電誘電体１６を整形しているため、誘電正接に関する問題は少ない。
【００４４】
［キャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法］
次に、典型的な、コア層を利用したビルドアップ法によるキャパシタ内蔵プリント配線板の製造方法（第１〜４の製造方法）を、簡単に説明する。
【００４５】
（第１の製造方法）
第１の製造方法として、コア基板上にキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する。
【００４６】
図７Ａに示すように、コア基板１２を用意する。このコア基板１２は、ガラス布エポキシ樹脂両面銅張積層板又はガラス布高耐熱樹脂両面銅張積層板を使用して、めっきスルーホール法によって製造される。コア基板１２は、1枚の両面銅張積層板でもよく、或いは複数枚の両面銅張積層板を用いて内層回路を形成してプリプレグで熱圧着した多層板でもよい。
【００４７】
図７Ｂに示すように、コア基板１２に対して、例えばドリル等により穴明け３２を行う。その後、穴の内壁面３２ｉを含むコア基板１２表面全体に無電解銅めっき（図示せず。）を施し、更に電解銅めっき（図示せず。）を施す。
【００４８】
ここで、コア基板の上に設けるキャパシタ１０ｕの形成方法について説明する。図７Ｃに示すように、例えば、ドライフィルムを用いたテンティング法のような所定の方法により、これらめっき層をパターニングする。この結果、コア基板１２にメッキスルーホール３２ｐ及びコア基板の表面にキャパシタ１０ｕの下部電極１４ｕを含む導体回路１２ｐが形成される。
【００４９】
図７Ｄに示すように、コア基板上に形成された下部電極１４ｕを被覆するように、高誘電率誘電体１６ｕを形成する。具体的には、下部電極１４ｕのみ、或いは下部電極１４ｕ及びコア基板１２の表面全体を被覆するように、例えばシート状の高誘電率誘電材（図示せず。）を被せて熱硬化して、高誘電率誘電体１６ｕを形成する。或いは、シート状高誘電率誘電材の代わりにスクリーン印刷法を用いて、この高誘電率誘電体１６ｕを形成してもよい。
【００５０】
その後、図７Ｅに示すように、高誘電率誘電体１６ｕ及びコア基板１２の表面に無電解銅めっき（図示せず。）を施す。更に、図７Ｆに示すように、高誘電率誘電体及び基板１２の上にドライフィルムレジストをロールラミネートにて熱圧着して貼り付け、フィルムマスクを用いて露光、現像処理して、レジストパターン３４を形成する。
【００５１】
次に、図７Ｇに示すように、無電解銅めっき（図示せず。）を電極としてレジストパターン３４の開口部３４ａに電解銅めっき３６を析出させる。その後、図７Ｈに示すように、レジストパターン３４を剥離し、このレジストパターンの下にある無電解銅めっき（図示せず。）をクイックエッチングして除去する。このようなセミアディティブ法により上部電極１８ｕを形成することで、上部電極の高い形成精度を確保することができる。
【００５２】
次に、図７Ｉに示すように、上記と同様の手法により、上部電極１８ｕ全体を被覆するようにレジストパターン３８を形成する。具体的には、上部電極１８ｕの外縁部よりもレジストパターン３８の外縁部が外方に位置するように、ドライフィルムレジストをパターニングする。この状態で、レジストパターン３８からはみ出た高誘電率誘電体１６ｕを、例えば、ブラスト処理のような機械的洗浄方法で除去する。具体的には、例えば、数μｍの二酸化シリコン（SiO2）と水からなる微細砥粒液をノズルから噴出させ、レジストパターンをマスクとして用いて、誘電体層１６ｕの外縁部を除去して整形する。その後、図７Ｊに示すように、レジストパターンを除去することにより、所望の誘電体層パターン１６ｕが形成される。
【００５３】
ここでは、キャパシタの形成の図７Ｃの工程に於いて、下部電極１４ｕを、ドライフィルムを用いて高精度で形成している。更に、図７Ｇの工程において、上部電極１８ｕを、例えばセミアディティブ法を採用して高精度で形成している。更に、図７Ｉ〜７Ｊの工程において、レジストパターン３８を用いて、高誘電率誘電体１６ｕの外形端部を整形している。更に、高誘電率誘電体１６ｕの整形時において、上部電極１８ｕを保護する適当なレジストパターン３８を採用することにより、例えばブラストによる上部電極１８の外縁部の損傷を防止している。これらの手段を１つ以上採用することにより、容量の精度の良いキャパシタ１０ｕを形成することができる。
【００５４】
なお、誘電体１６ｕの整形において、キャパシタの容量を確保するために、誘電体の面積に対する上部電極１８ｕの面積の比率は30〜95％とすることが好ましい。このような面積比率で上部電極１８ｕに対して誘電体１６ｕの面積を大きく整形した場合、整形時にマスクとして使用されるレジストパターン３８も上部電極に対して必然的に大きくなる。この比較的大きなレジストパターン３８の存在によって、例えばブラスト処理の際に誘電体１６の外縁部は十分に保護され、その損傷を高い確率で抑制することが出来る。
【００５５】
引き続き、ビルドアップ層の形成について説明する。図７Ｋに示すように、コア基板１２及びキャパシタ１０ｕの上面に、層間絶縁層２０ｕ，２０ｄを夫々形成する。これら層間絶縁層２０ｕ，２０ｄは、液状層間絶縁材をコーティングする方法、或いはフィルム状液状層間絶縁材を加熱し真空で圧着するラミネート法で形成される。
【００５６】
図７Ｌに示すように、層間絶縁層２０ｕ，２０ｄにレーザ光を照射してビアホール用の開口２０ｐを形成する。そして、図７Ｍに示すように、開口２０ｐの内壁面２０ｉを含む層間絶縁層２０ｕ，２０ｄ表面に対して無電解銅めっき（図示せず。）を析出して導通化する。このとき、好ましくは、層間絶縁層２０ｕ，２０ｄ表面に対するめっきの密着性を向上させるため、層間絶縁層２０ｕ，２０ｄの表面を粗化処理（図示せず。）する。
【００５７】
図７Ｎに示すように、プリント基板の表面側の導体パターン２０ｃの形成を行う。導体パターンの形成は、無電解銅メッキ上にレジストパターンを形成して、そのレジストパターンの開口部に電解銅めっきを析出させる。その後、レジストパターンを剥離して、レジストパターンの下の無電解銅めっきをクイックエッチングにより除去する（セミアディティブ法）。或いは、無電解銅めっきの全面に電解銅めっきを行い、これら銅メッキの上面にエッチングレジストを形成し、その後エッチングにより導体パターンを形成する（サブトラクティブ法）。或いは、これらセミアディティブ法、サブトラクティブ法以外の方法、例えば、フルアディティブ法等を用いることもできる。
【００５８】
図７Ｏに示すように、図７Ｎで説明した方法と同様に、プリント基板の裏面側の導体パターン２０ｃの形成を行う。
【００５９】
図７Ｐに示すように、図７Ｋ〜図７Ｏの工程を更に一回繰り返すことにより、プリント基板の表面側及び裏面側に、更にもう一層のビルドアップ層２２ｕ，２２ｄを形成する。なお、ビルドアップ層の層数はこれに限定されるものではなく、所望により適宜変更することが出来る。更に、所望により、ビルドアップ層の最外層にソルダーレジスト層（図示せず。）を形成することも出来る。
【００６０】
以上により、コア基板１２上にキャパシタ１０ｕが設けられたプリント配線板を製造することができる。
【００６１】
（第２の製造方法）
第２の製造方法として、コア層１２の上の層間絶縁層２２ｕにキャパシタが設けられたプリント配線板の製造方法の一例について説明する。
【００６２】
図８Ａに示すように、コア基板１２に対して、接着剤としてのプリプレグ４２、銅箔４４及び片面銅箔付き誘電体シート４６を用意する。ここで、銅箔及び片面銅箔付き誘電体シートの代わりに、両面銅箔付き誘電体シートを用いてもよい。
【００６３】
図８Ｂに示すように、コア基板１２に対して、これらプリプレグ、銅箔及び片面銅箔付き誘電体シートを、例えば真空プレス機（図示せず。）を用いて熱圧着して貼り合わせる。
【００６４】
なお、コア基板１２は、図７Ａ〜図７Ｃで説明した工程により、必要に応じて、既に内層回路、外層回路及びスルーホールが形成されている。なお、プリプレグ４２は熱硬化され、層間絶縁層２０ｕを形成する。
【００６５】
ここで、層間絶縁層２２ｕの上に設けるキャパシタ１０ｕの形成方法について説明する。図８Ｃに示すように、外層銅箔４６ｃの上に、ドライフィルムレジストをロールラミネートにて熱圧着して貼り付け、フィルムマスクを用いて露光、現像し、レジストパターン４８を形成する。
【００６６】
図８Ｄに示すように、このレジストパターン４８をマスクとして用いて、外層銅箔４６ｃに対して、例えば塩化第二鉄溶液によるエッチングを行う。その後、レジストパターンを剥離して、所望形状の上部電極１８ｕを形成する。
【００６７】
図８Ｅに示すように、誘電体シート４６ｓから形成された高誘電率誘電体１６ｕを所定のサイズに整形する。具体的には、この高誘電率誘電体の整形方法は、第１の製造方法の図７Ｉ〜図７Ｊの工程で説明したように、高誘電率誘電体の外形サイズに合わせたレジストパターンを用いて上部電極全体を被覆する。その後、このレジストパターンをマスクとして用いて、レジストパターンからはみ出た高誘電率誘電体を、例えば、ブラスト法のような機械的洗浄方法で除去する。その後、このレジストパターンは除去される。
【００６８】
図８Ｆに示すように、キャパシタ１０ｕを含む銅箔４４の上に、例えばスクリーン印刷により液状レジスト又はドライフィルムレジストを付与し、フィルムマスクを用いて露光、現像してレジストパターン５０を形成する。
【００６９】
次に、図８Ｇに示すように、銅箔４４に対して、このレジストパターン５０をマスクとして用いて、例えば塩化第二鉄溶液によるエッチングを行う。その後、レジストパターン５０を剥離することにより、所望の形状の下部電極１４ｕが形成される。
【００７０】
ここでは、キャパシタの形成の図８Ｃの工程に於いて、上部電極１８ｕを、例えばレジストパターンを用いて、高精度で形成している。更に、図８Ｅの工程に於いて、第１の製造方法と同じように、例えばレジストパターンを用いて、高誘電率誘電体の外形端部を整形し、同時にブラスト処理による上部電極１８の外縁部の損傷を防止している。更に、図８Ｆ〜８Ｇの工程に於いて、下部電極１４ｕを、例えば液体レジストを用いて高精度で形成している。これらの手段を１つ以上採用することにより、容量の精度の良いキャパシタを形成することができる。
【００７１】
この後のビルドアップ層の形成工程は、第１の製造方法の図７Ｋ〜７Ｐに示す工程と同様である。
【００７２】
以上により、ビルドアップ層を構成する層間絶縁層上にキャパシタが設けられたプリント配線板を製造することができる。なお、同じプリント配線板に、第１の製造方法によるコア基板上のキャパシタを設けておいてもよい。
【００７３】
（第３の製造方法）
第３の製造方法は、第１及び第２の製造方法に関連して、誘電体層上にシード層を設ける工法を説明する。第１の製造方法では誘電体層の上は無電解めっき及び電解めっきから成るメッキ層であり、第２の製造法では誘電体層の上は銅箔である。第１及び第２の製造方法と比較して、第３の製造方法では、誘電体層の上に金属から成るシード層を設け、シード層の上に上部電極をめっき層で形成する点で異なる。
【００７４】
図に示してないが、予め、コア基板１２に対して、プリプレグ４２及び片面銅箔付き誘電体シート４６を用意し、例えば真空プレス機を用いて熱圧着して貼り合わせる。図８Ａに示す片面銅箔付き誘電体シート４６は上面の銅箔４６ｃと下面の誘電体４６ｓからなるが、図９Ａに示す片面銅箔付き誘電体シート４６は、上面の誘電体４６ｓと下面の銅箔４６ｃからなり、表裏が逆になっている。誘電体シート４６の誘電体４６ｓは、整形後に高誘電率誘電体１６ｕを形成する。
【００７５】
図９Ａに示すように、誘電体層４６ｓ上に、例えばニッケル(Ni)からなるシード層５２を、例えばスパッタのような各種ドライプロセス又は無電解めっき法により形成する。なお、シード層の材料はこれに限定されるものではなく、他の金属であってもよい。
【００７６】
ここで、キャパシタ１０ｕの形成方法について説明する。図９Ｂに示すように、シード層５２の上にドライフィルムをロールラミネートにて熱圧着して貼り付け、フィルムマスクを用いて露光、現像処理して、レジストパターン５４を形成する。その後、シード層５２を電極として、レジストパターン５４の開口部に電解銅めっき層５６を析出させる。その後、図９Ｃに示すように、レジストパターン５４を剥離する。これにより、上部電極１８ｕが形成される。
【００７７】
図９Ｄに示すように、上部電極１８ｕ及びシード層５２の上にドライフィルムレジストをロールラミネートにて熱圧着して貼り付け、フィルムマスクを用いて露光、現像処理して、レジストパターン５８を形成する。このレジストパターンは、最終的に形成される高誘電率誘電体に合わせたサイズとする。その後、図９Ｅに示すように、このレジストパターン５８をマスクとして用いて、シード層５２をエッチングで除去する。
【００７８】
図９Ｆに示すように、ドライフィルム５８で上部電極１８ｕを保護しながら、レジストパターン５８及びシード層５２をマスクとして用いて、レジストパターン及びシード層からはみ出た高誘電率誘電体１６ｕを、例えば、ブラスト法のような機械的洗浄方法で除去する。ここで、上部電極１８ｕは、レジストパターン５８によって保護されるため、上部電極の外端部の損傷は抑制される。更に、誘電体層１６ｕは、レジストパターン５８だけでなく、更にシード層５２によっても保護されるため、誘電体層の外端部は、一層精度良く整形される。
【００７９】
図９Ｇに示すように、レジストパターンを剥離する。その後、図９Ｈに示すように、上部電極１８ｕからはみ出したシード層５２の突出部分を、上部電極１８ｕをマスクとして用いて、エッチングして除去する。更に、図には示していないが、第２の製造方法の図８Ｆ〜８Ｇの工程と同じように、液状レジスト又はドライフィルムレジストを用いて、下部電極１４ｕを整形する。
【００８０】
ここでは、キャパシタ形成の図９Ｂ〜図９Ｃの工程に於いて、上部電極１８ｕを、ドライフィルムを用いて高精度で形成している。更に、図９Ｆの工程に於いて、例えばブラスト処理の際に上部電極１８ｕをレジストパターン５８により保護し、外縁部の損傷を防止している。更に、レジストパターン５８及びシード層５２を用いて、高誘電率誘電体１６ｕの外形端部を整形している。更に、図には示していないが、図９Ｈの工程の後で、液状レジスト又はドライフィルムレジストを用いて、下部電極１４ｕを高精度に形成している。これらの手段を１つ以上採用することにより、容量の精度の良いキャパシタ１０ｕを形成することができる。
【００８１】
この後のビルドアップ層の形成工程は、第１の製造方法の図７Ｋ〜７Ｐに示す工程と同様である。
【００８２】
（第４の製造方法）
第４の製造方法は、第1〜３の製造方法に関連して、例えばブラスト処理の際の上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクのため、上部電極の上に、例えばニッケル(Ni)等の無電解金属めっき層を設ける工法を説明する。第１及び第２の製造方法では上部電極の保護及び誘電体層の整形時のマスクはレジストであり、第３の製造方法では上部電極の保護はレジストパターンであり、誘電体層の整形時のマスクはレジストパターンに加えてシード層である。これら第１〜第３の製造方法と比較して、第４の製造方法では、上部電極の保護はレジストパターンであり、誘電体層の整形時のマスクはレジストパターンに加えて無電解メッキ層である点で異なる。
【００８３】
図に示してないが、予め、コア基板１２に対して、プリプレグ４２及び片面銅箔付き誘電体シート４６を用意し、例えば真空プレス機を用いて熱圧着して貼り合わせる。その後、誘電体層４６ｓの上に、例えば無電解銅めっき層６０を施す。更に、ドライフィルムをラミネートし、フィルムマスクを用いて露光、現像処理して、レジストパターンを形成する。
【００８４】
ここで、層間絶縁層２２ｕの上に設けるキャパシタ１０ｕの形成方法について説明する。図１０Ａに示すように、無電解銅めっき６０を電極として、レジストパターン（図示せず。）の開口部に電解銅めっきを施し、レジストパターンを除去する。こうして、上部電極１８ｕが形成される。
【００８５】
図１０Ｂに示すように、ドライフィルムラミネートし、フィルムマスクを用いて露光、現像処理して、最終的な高誘電率誘電体のサイズに合わせた開口部６２ａを有するレジストパターン６２を形成する。その後、無電解銅めっき層６０を電極として、レジストパターン６０の開口部６２ａに、例えばニッケル(Ni)等の電解金属めっきを施す。この電解金属めっき層６４は、銅から成る上部電極１８ｕに対して選択エッチング性のある金属（例えばＮｉ等）から選択される。その後、図１０Ｃに示すように、レジストパターン６２は除去される。
【００８６】
図１０Ｄに示すように、電解金属めっき層６４をマスクとして用いて、無電解銅めっき層６０をクイックエッチングにより除去する。電解金属めっき層６４は、選択エッチング性のある金属であるため、銅に対するエッチャントではエッチングされない。
【００８７】
図１０Ｅに示すように、上部電極１８ｕを電解金属めっき層６４で保護しながら、電解金属めっき層６４をマスクとして用いて、電解金属めっき層からはみ出た高誘電率誘電体１６ｕを、例えば、ブラスト法のような機械的洗浄方法で除去する。その後、図１０Ｆに示すように、電解金属めっき層６４を適当なエッチャントを用いて除去する。電解金属めっき層６４は、選択エッチング性のある金属であるため、電解金属めっき層に対するエッチャントでは上部電極１８ｕはエッチングされない。更に、図１０Ｇに示すように、高誘電率誘電体１６ｕの上にある、上部電極１８ｕからはみ出た無電解銅メッキ層６０をクイックエッチングにより除去する。更に、図には示していないが、第２の製造方法の図８Ｆ〜８Ｇの工程と同じように、液状レジスト又はドライフィルムレジストを用いて、下部電極１４ｕを整形する。
【００８８】
ここでは、図には示していないが、キャパシタの形成の図１０Ａの前の工程に於いて、上部電極１８ｕを、レジストパターンを用いて高精度で形成している。更に、図１０Ｅの工程において、高誘電率誘電体１６ｕの整形時において、上部電極１８ｕを保護する適当な電解金属めっき層６４を採用することにより、例えばブラスト処理による上部電極１８の損傷を防止している。更に、この電解金属めっき層６４をマスクとして用いて、高誘電率誘電体１６ｕの外形端部を整形している。更に、図には示していないが、図１０Ｇの工程の後で、液状レジスト又はドライフィルムレジストを用いて、下部電極１４ｕを高精度に形成している。これらの手段を１つ以上採用することにより、容量の精度の良いキャパシタを形成することができる。
【００８９】
この後のビルドアップ層の形成工程は、第１の製造方法の図７Ｋ〜７Ｐに示す工程と同様である。
【００９０】
［実施形態の利点・効果］
以上、本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板の実施形態について説明した。本実施形態の利点・効果として、次の点が挙げられる。
【００９１】
キャパシタ１０は、高誘電率誘電体１６の面積に比較して、上部電極１８の面積は相対的に小さく、下部電極１４の面積は相対的に大きいことを特徴とする。
【００９２】
このキャパシタ１０は、高誘電率誘電体１６の外形が整形されていることを特徴とする。このため、誘電損失は比較的良好である。
【００９３】
更に、このキャパシタ１０は、上部電極１８の外形形状が高精度で形成されている事を特徴とする。このため、目標静電容量に対する実際の静電容量の偏差（バラツキ）が比較的小さい。
【００９４】
更に、このキャパシタ１０は、例えばブラスト処理を用いて高誘電率誘電体１６の外形を整形する際に、上部電極１８を適当な手段で保護している。そのため、上部電極１８、特にその外縁部の損傷が抑制される。このため、目標静電容量に対する実際の静電容量の偏差（バラツキ）が比較的小さい。
【００９５】
更に、このキャパシタ１０は、下部電極１４の外形形状が高精度で形成されている事を特徴とする。このため、目標静電容量に対する実際の静電容量の偏差（バラツキ）が比較的小さい。
【００９６】
［代替例等］
以上、本発明に係るキャパシタ内蔵プリント配線板の実施形態に関して説明したが、これらは例示であって、本発明はこれらに限定されない。当業者が、これら実施形態に対して容易になしえる追加・削除・変更・改良等は、本発明に含まれる。
【００９７】
本発明の技術的範囲は、添付の特許請求の範囲の記載によって定められる。
【符号の説明】
【００９８】
１０，１０ｕ，１０ｄ：キャパシタ、  １２：コア層，コア基板、  １４，１４ｕ，１４ｄ：下部電極、  １６，１６ｕ，１６ｄ：高誘電率誘電体，高誘電率誘電体層，誘電体層、  １８，１８ｕ，１８ｕ：上部電極、  ２０ｕ，２０ｄ：層間絶縁層、  ２０ｕ，２０ｄ：導体パターン、  ２０ｕｖ：ビア導体、  ２２ｕ，２２ｄ：層間絶縁層、  ２４：キャパシタ内蔵プリント配線板，プリント配線板、  ２６ｕ，２６ｄ：ソルダーレジスト層，保護皮膜、  ２８：内層回路、  ３０：ノズル、  ３２：穴、  ３２ｉ：内壁面、  ３２ｐ：メッキスルーホール、  ３４：レジストパターン、  ３４ａ：開口部、  ３８：レジストパターン、  ４２：プリプレグ、  ４４：銅箔、  ４６：片面銅箔付き誘電体シート、  ４６ｃ：銅箔、  ４６ｓ：誘電体、  ４８：レジストパターン、  ５０：レジストパターン、  ５２：シード層、  ５４：レジストパターン、  ５６：銅メッキ層、  ５８：レジストパターン、  ６０：無電解めっき、  ６２：レジストパターン、  ６４：電解金属めっき層、
１００：プリント配線板内蔵キャパシタ、  １０１：プリント配線板内蔵キャパシタ，キャパシタ、  １２０：コア基板、  １６０，１６１：高誘電率誘電体，高誘電率誘電材シート，高誘電率誘電材ペースト、  １４０，１４１：電極，下部電極、  １８０，１８１：電極，上部電極、  ３００：ノズル、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図７Ｉ】
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【図７Ｊ】
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【図７Ｋ】
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【図７Ｌ】
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【図７Ｍ】
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【図７Ｎ】
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【図７Ｏ】
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【図７Ｐ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図９Ｈ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１０Ｇ】
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