(57)【要約】【課題】接着樹脂の流出による不具合を回避可能な光通信モジュールを提供すること。【解決手段】本発明に係る光通信モジュールは、半導体基板と；前記半導体基板上に搭載され、送信用の光（送信光）を出力する発光素子と；接着樹脂によって前記半導体基板上に搭載され、受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子と；前記受光素子に導かれる受信光と前記発光素子から出力される送信光とを分岐する波長フィルタとを備えている。そして、前記半導体基板には、前記受光素子に導かれる受信光が通過する光路溝と；前記光路溝の周辺に形成され、当該光路溝への前記接着樹脂の侵入を遮断する第１の保護溝とが形成されていることを特徴とする。【選択図】図１０
2009020275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と；
前記半導体基板上に搭載され、送信用の光（送信光）を出力する発光素子と；
接着樹脂によって前記半導体基板上に搭載され、受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子と；
前記受光素子に導かれる受信光と前記発光素子から出力される送信光とを分岐する波長フィルタとを備え、
前記半導体基板には、前記受光素子に導かれる受信光が通過する光路溝と；前記光路溝の周辺に形成され、当該光路溝への前記接着樹脂の侵入を遮断する第１の保護溝とが形成されていることを特徴とする光通信モジュール。
【請求項２】
前記受光素子は、前記接着樹脂によって前記半導体基板に直接固定されることを特徴とする請求項１に記載の光通信モジュール。
【請求項３】
前記受光素子は、前記接着樹脂によって前記半導体基板に固定されたガラス部材の上に固定されることを特徴とする請求項１に記載の光通信モジュール。
【請求項４】
前記第１の保護溝は、前記光路溝の周囲を囲むように形成されていることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の光通信モジュール。
【請求項５】
前記半導体基板には、当該基板上の位置を定める凹状の複数のアライメントマークが更に形成され、
前記アライメントマークの近傍には、当該アライメントマークへの前記接着樹脂の侵入を遮断する第２の保護溝が形成されていることを特徴とする請求項１，２，３又は４に記載の光通信モジュール。
【請求項６】
前記第２の保護溝は、少なくとも前記接着樹脂が塗布される領域と前記アライメントマークとの間に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の光通信モジュール。
【請求項７】
前記発光素子から出力された送信光を回折する出力用シリコンレンズと、前記受光素子に入射する受信光を回折する入力用シリコンレンズとを更に備え、
前記入力用シリコンレンズは前記光路溝を基準に位置決めされ、
前記受光素子は、少なくとも底面の一部が前記光路溝上に配置され、
前記光路溝には、前記入力用シリコンレンズによって回折された受信光を前記受光素子に導く反射部材が設けられていることを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６に記載の光通信モジュール。
【請求項８】
前記光路溝は、断面がＶ字状の溝であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６又は７に記載の光通信モジュール。
【請求項９】
前記受光素子には、前記発光素子から出力された送信光を遮断するフィルタが設けられていることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７又は８に記載の光通信モジュール。
【請求項１０】
半導体基板と；
前記半導体基板上に搭載され、送信用の光（送信光）を出力する発光素子と；
接着樹脂によって前記半導体基板上に搭載され、受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子と；
前記受光素子に導かれる受信光と前記発光素子から出力される送信光とを分岐する波長フィルタとを備え、
前記半導体基板には、前記受光素子に導かれる受信光が通過する光路溝と；前記光路溝の周辺に形成され、当該光路溝への前記接着樹脂の侵入を遮断する第１の凸状段差部とが形成されていることを特徴とする光通信モジュール。
【請求項１１】
前記受光素子は、前記接着樹脂によって前記半導体基板に直接固定されることを特徴とする請求項１０に記載の光通信モジュール。
【請求項１２】
前記受光素子は、前記接着樹脂によって前記半導体基板に固定されたガラス部材の上に固定されることを特徴とする請求項１０に記載の光通信モジュール。
【請求項１３】
前記第１の凸状段差部は、前記光路溝の周囲を囲むように形成されていることを特徴とする請求項１０，１１又は１２に記載の光通信モジュール。
【請求項１４】
前記半導体基板には、当該基板上の位置を定める凹状の複数のアライメントマークが更に形成され、
前記アライメントマークの近傍には、当該アライメントマークへの前記接着樹脂の侵入を遮断する第２の凸状段差部が形成されていることを特徴とする請求項１０，１１，１２又は１３に記載の光通信モジュール。
【請求項１５】
前記第２の凸状段差部は、少なくとも前記接着樹脂が塗布される領域と前記アライメントマークとの間に形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の光通信モジュール。
【請求項１６】
前記発光素子から出力された送信光を回折する出力用シリコンレンズと、前記受光素子に入射する受信光を回折する入力用シリコンレンズとを更に備え、
前記入力用シリコンレンズは前記光路溝を基準に位置決めされ、
前記受光素子は、少なくとも底面の一部が前記光路溝上に配置され、
前記光路溝には、前記入力用シリコンレンズによって回折された受信光を前記受光素子に導く反射部材が設けられていることを特徴とする請求項１０，１１，１２，１３，１４又は１５に記載の光通信モジュール。
【請求項１７】
前記受光素子には、前記発光素子から出力された送信光を遮断するフィルタが設けられていることを特徴とする請求項１０，１１，１２，１３，１４，１５又は１６に記載の光通信モジュール。
【請求項１８】
前記光路溝は、断面がＶ字状の溝であることを特徴とする請求項１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６又は１７に記載の光通信モジュール。
【請求項１９】
半導体基板と；
前記半導体基板上に搭載され、送信用の光（送信光）を出力する発光素子と；
接着樹脂によって前記半導体基板上に直接固定され、受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子と；
前記受光素子に導かれる受信光と前記発光素子から出力される送信光とを分岐する波長フィルタとを備え、
前記半導体基板には、当該基板上の位置を定める凹状の複数のアライメントマークが形成され、
前記アライメントマークの近傍には、当該アライメントマークへの前記接着樹脂の侵入を遮断する第２の保護溝が形成されていることを特徴とする光通信モジュール。
【請求項２０】
前記第２の保護溝は、少なくとも前記接着樹脂が塗布される領域と前記アライメントマークとの間に形成されていることを特徴とする請求項１９に記載の光通信モジュール。
【請求項２１】
前記半導体基板には、前記受光素子に導かれる受信光が通過する光路溝が形成されていることを特徴とする請求項１９又は２０に記載の光通信モジュール。
【請求項２２】
前記光路溝は、断面がＶ字状の溝であることを特徴とする請求項２１に記載の光通信モジュール。
【請求項２３】
前記発光素子から出力された送信光を回折する出力用シリコンレンズと、前記受光素子に入射する受信光を回折する入力用シリコンレンズとを更に備え、
前記入力用シリコンレンズは前記光路溝を基準に位置決めされ、
前記受光素子は、少なくとも底面の一部が前記光路溝上に配置され、
前記光路溝には、前記入力用シリコンレンズによって回折された受信光を前記受光素子に導く反射部材が設けられていることを特徴とする請求項１９，２０，２１又は２２に記載の光通信モジュール。
【請求項２４】
前記受光素子には、前記発光素子から出力された送信光を遮断するフィルタが設けられていることを特徴とする請求項１９，２０，２１，２２又は２３に記載の光通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信機器として用いられる光通信モジュールに関する。本発明は、特に、表面実装法を用いて基板上に送受信用の光学素子をまとめて搭載する光通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＴＴＨ （Fiber To The Home）を代表とする光通信ネットワークにおいては、一芯双方向の光通信方式が普及しつつある。一芯双方向の光通信方式では、局舎とユーザ間を１本の光ファイバでつなぎ、異なる波長を持つ２種類の光をそれぞれ送信信号、受信信号として双方向の通信を行なう。
【０００３】
この方式において使用される双方向光通信モジュールの例としては、特許文献１（特開平１０−２０６６７８号公報）に示されるようなモジュールがある。特許文献１に記載のモジュールにおいては、送信部であるレーザモジュールと受信部であるフォトダイオードを別々にパッケージングする。そして、これらのモジュール（送信モジュール、受信モジュール）と、送信光及び受信光を分岐する波長分波器（波長フィルタ）とを一つにまとめてパッケージングする。これにより双方向通信が実現される。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の方式においては、パッケージングされた送信モジュール及び、受信モジュールについて別々に調整（光軸調整など）する必要が有るため、製作コストが大きくなる。また、モジュール全体が大きくなり、小型化が難しいという問題があった。
【０００５】
これらの問題を解決する方法としては、特許文献２（特開２００６−１５４５３５号公報）などに記載の一芯双方向光通信モジュールが提案されている。特許文献２等に記載のモジュールにおいては、送信部と受信部、及び波長フィルタをまとめて一つの基板に搭載している。これにより、光通信モジュールの小型化、低コスト化を実現している。
【０００６】
図１は、特許文献２に開示された従来の一芯双方向光通信モジュールの構造を示す斜視図である。図２は、図１の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。図１及び図２において、支持基板であるシリコン基板１００上には、実装時の素子との位置合わせに用いられるアライメントマーク１０９と、横方向から見た断面形状がＶ字形状となるＶ溝１０１，１０２が異方性エッチングにより形成されている。この基板１００上に、送信用の光を放射するレーザチップ（ＬＤ）１０３、送信側レンズ１０４、受信側レンズ１０５、光信号を電気信号に変換する受光素子（ＰＤ）１０６、ガラス素子１０７、波長フィルタ１０８を搭載し、光通信モジュールを作製する。
【０００７】
次に、特許文献２に開示された光通信モジュールによる双方向通信の方法について説明する。図３は、図１に示す従来の光通信モジュールの光路を示す平面図である。図４は、図１に示す従来の光通信モジュールの光路を、受信側と送信側に分けて示す側面図である。図３及び図４に示すように、送信時においては、ＬＤ１０３から出射される送信光１１９は、直近のレンズ２０４によってコリメートされ、波長フィルタ１０８を介した後、ボールレンズ１１４によって光ファイバ１１２に集光される。
【０００８】
受信時においては、光ファイバ１１２から出射された受信光１２０がボールレンズ１１４によって回折された後、波長フィルタ１０８の反射膜によって９０°屈折して受信側のレンズ１０５に達する。受信光１２０はレンズ１０５において回折した後、受光側のＶ溝１０２内を通過し、Ｖ溝１０２の終端面に形成された反射面（図示せず）で反射し、ガラス素子１０７を介してその上面に実装されたＰＤ１０６の受光面に到達する。
【０００９】
上記の方式による双方向の通信では、ノイズの影響を避けるために一つの基板上に実装されるＬＤ１０３とＰＤ１０６はそれぞれ電気的、光学的に分離（絶縁）されている必要がある。そのため、基板１００とＰＤ１０６との間にはガラス素子１０７を配置し、基板１００とガラス素子１０７との接着には、接着樹脂（１２２）を使用している。
【００１０】
図５〜図７は、図１に示す従来の光通信モジュールの組み立て工程の一部を示す上面図及び側面図である。ここで、図５は接着樹脂を塗布する前の状態；図６は接着樹脂を塗布した状態；図７は接着樹脂の上に素子を搭載した状態を各々示す。
【００１１】
図５に示す状態から、まず、図６に示すように、基板１００のＶ溝１０１，１０２の周辺に接着樹脂１２２を塗布する。次に、図７に示すように、ガラス素子１０７を押し付けた状態で熱による硬化を行い、接着する。
【００１２】
図８は、図１に示す従来の光通信モジュールの問題点を示すための説明図（側面図）である。図９は、図１に示す従来の光通信モジュールの問題点を示すための説明図（側面図・受信側光路）である。
【００１３】
上記のような従来の方式によると、図８に示すように、接着樹脂１２２の塗布時に接着樹脂１２２が過剰に塗布された場合や、素子の搭載時に接着樹脂１２２の上からガラス素子１０７を押し付けることにより樹脂１２２が基板１００上を移動した場合に問題が発生する。すなわち、接着樹脂１２２がＶ溝１０２及びアライメントマーク１０９に流れ込む現象が起こる。
【００１４】
アライメントマーク１０９は、素子搭載時の画像認識工程において、基板１００上における素子搭載位置を算出するための基準座標となる。このため、接着樹脂１２２がアライメントマーク１０９に流れ込んだ場合、接着樹脂１２２が影となり、アライメントマーク１０９を正確に認識できなくなる。その結果、画像認識において認識エラーが発生し、素子搭載が出来なくなるか、あるいは素子位置ずれの原因となる。
【００１５】
また、図９に示すように、Ｖ溝１０２に流れ込んだ接着樹脂１２２はＶ溝１０２内部を埋める形で固定され、反射層１２１を覆うことになる。このため、光ファイバから届く受信光１２０の経路が接着樹脂１２２によって塞がれ、ＰＤ１０６の受光部に受信光が正常に到達できなくなり、受光エラーが発生する。
【００１６】
特許文献３（特開２０００−１８３２３７号公報）には、プリント配線板に半導体チップを実装してなる半導体装置が開示され、接着用樹脂が半導体チップ周辺から広がることを防止することにより、より高密度な実装を可能とする構造が示されている。
【００１７】
【特許文献１】特開平１０−２０６６７８号公報
【特許文献２】特開２００６−１５４５３５号公報
【特許文献３】特開２０００−１８３２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は上記のような状況に鑑みてなされたものであり、接着樹脂の流出による不具合を回避可能な光通信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様に係る光通信モジュールは、半導体基板と；前記半導体基板上に搭載され、送信用の光（送信光）を出力する発光素子と；接着樹脂によって前記半導体基板上に搭載され、受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子と；前記受光素子に導かれる受信光と前記発光素子から出力される送信光とを分岐する波長フィルタとを備えている。そして、前記半導体基板には、前記受光素子に導かれる受信光が通過する光路溝と；前記光路溝の周辺に形成され、当該光路溝への前記接着樹脂の侵入を遮断する第１の保護溝とが形成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の第２の態様に係る光通信モジュールは、半導体基板と；前記半導体基板上に搭載され、送信用の光（送信光）を出力する発光素子と；接着樹脂によって前記半導体基板上に搭載され、受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子と；前記受光素子に導かれる受信光と前記発光素子から出力される送信光とを分岐する波長フィルタとを備える。そして、前記半導体基板には、前記受光素子に導かれる受信光が通過する光路溝と；前記光路溝の周辺に形成され、当該光路溝への前記接着樹脂の侵入を遮断する第１の凸状段差部とが形成されていることを特徴とする。
【００２１】
更に、本発明の第３の態様に係る光通信モジュールは、半導体基板と；前記半導体基板上に搭載され、送信用の光（送信光）を出力する発光素子と；接着樹脂によって前記半導体基板上に直接固定され、受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子と；前記受光素子に導かれる受信光と前記発光素子から出力される送信光とを分岐する波長フィルタとを備える。前記半導体基板には、当該基板上の位置を定める凹状の複数のアライメントマークが形成される。そして、前記アライメントマークの近傍には、当該アライメントマークへの前記接着樹脂の侵入を遮断する第２の保護溝が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
上記のような構成の本発明によれば、アライメントマークや光路溝が保護溝や凸状段差部によって接着樹脂から隔離されているため、接着樹脂の塗布位置がずれた場合や塗布量が過剰だった場合においても、接着樹脂の好ましくない流出は保護溝や凸状段差部によって遮られ、アライメントマークや光路溝に到達しない。このため、アライメントマークの形状が保たれる。また、光路溝内部における光路を確保することが可能となる。
【００２３】
更に、接着樹脂の塗布位置の誤差及び塗布量の多寡に関わらず、正確に各素子が半導体基板上に実装できることが確認された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（第１実施例）
本実施例に係る光通信モジュールは、一枚のシリコン基板２００上に送信と受信の両方の素子を一括して搭載することにより、光の双方向通信を実現する。シリコン基板２００上に光路用のＶ溝（２０２）及びアライメントマーク（２０９）の直近に小溝（２１３）を形成する。これにより、樹脂塗布時または素子固定時の過剰な樹脂や素子押し付けによる樹脂の広がりによるアライメントマーク（２０９）及びＶ溝（２０２）への流れ込みを抑制する。その結果、精密な素子搭載工程を実現し、受信光の光路を確保する構造を持つ一芯双方向光通信モジュールを得ることができる。
【００２５】
図１０は、本発明の第１実施例に係る光通信モジュールの構造を示す斜視図である。図１１は、図１０の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。
【００２６】
本実施例に係る光通信モジュールは、半導体基板２００と；半導体基板２００上に搭載され、送信用の光（送信光）２１９を出力する発光素子２０３と；接着樹脂２２２によって半導体基板２００上に搭載され、受信した光（受信光）２２０を電気信号に変換する受光素子２０６と；受光素子２０６に導かれる受信光２２０と発光素子２０３から出力される送信光２１９とを分岐する波長フィルタ（波長分波器）２０８とを備えている。そして、半導体基板２００には、受光素子２０６に導かれる受信光２２０が通過する光路溝２０２と；光路溝２０２の周辺に形成され、当該光路溝２０２への接着樹脂２２２の侵入を遮断する第１の保護溝２１３ａとが形成されている。
【００２７】
半導体基板２００は、ダイシングによる溝が形成されたシリコンウェハーからなる。発光素子２０３としては、レーザーダイオード（ＬＤ）を使用することができる。接着樹脂２２２としては、熱硬化性樹脂等を使用することができる。また、受光素子２０６としては、フォトダイオード（ＰＤ）を使用することができる。
【００２８】
半導体基板２００上に形成された、複数のアライメントマーク２０９と、横方向から見た断面形状がＶ字形状となるＶ溝２０１，２０２は、異方性エッチングによって形成される。
【００２９】
本実施例において、受光素子２０６は、接着樹脂２２２によって半導体基板２００に搭載されるガラス部材２０７の上に固定される。ガラス部材２０７を介して受光素子２０６を半導体基板２０２に搭載することにより、１つの半導体基板２００上に実装される発光素子２０３と受光素子２０６とが、電気的、光学的に分離（絶縁）される。
【００３０】
第１の保護溝２１３ａは、図１７に示すように、光路溝２０２の周囲を囲むようにコの字状に連続的に形成されている。一辺が開放されているのは、その部分がダイシングによって形成された溝に接するからである。第１の保護溝２１３ａの幅、深さ、光路溝２０２からの距離は、接着樹脂２２２の塗布位置、塗布量、接着樹脂２２２の粘性、搭載する素子の大きさなどを考慮して設定する。なお、図面上では保護溝２１３ａ，２１３ｂの断面形状は矩形となっているが、Ｕ字、Ｖ字状等とすることができる。
【００３１】
本実施例においては、シリコンレンズを搭載するためにＶ溝を形成しており、このＶ溝作成時に保護溝２１３ａ，２１３ｂを一緒に形成することで、余分な工程を追加することなく保護溝を形成できるというメリットがある。例えば、溝幅２０μm、深さ１４μmのＶ字溝とした場合に、接着樹脂の塗布位置の誤差及び塗布量の多寡に関わらず、正確に各素子が実装できることを実験的に確認できた。
【００３２】
更に、第１の保護溝２１３ａの平面的な配置は、必ずしも、コの字状とする必要はなく、光路溝２０２を囲むような形状であれば、Ｕ字状等とすることもできる。
【００３３】
また、第１の保護溝２１３ａは、接着樹脂２２２の塗布位置などの状況によっては、連続的でなく断続的とすることも可能である。ただし、連続的な形状とすることにより、光路溝２０２への接着樹脂の侵入を確実に防止することができる。なお、本実施例及び以下の第２実施例以降においても、光路溝２０１の周辺には保護溝を形成していないが、発光素子２０３を接着樹脂によって固定する場合には、同様に保護溝を形成することが好ましい。
【００３４】
半導体基板２００には、当該基板２００上の位置を定める凹状の複数のアライメントマーク２０９が更に形成されている。アライメントマーク２０９の近傍には、当該アライメントマーク２０９への接着樹脂２２２の侵入を遮断する第２の保護溝２１３ｂが形成されている。
【００３５】
ここで、第２の保護溝２１３ｂは、図１７に示すように、接着樹脂２２２が塗布される領域とアライメントマーク２０９との間に形成される。第２の保護溝２１３ｂの幅、深さ、アライメントマーク２０９からの距離は、接着樹脂２２２の塗布位置や接着樹脂２２２の粘性などを考慮して設定する。
【００３６】
受光素子２０６は、半導体基板からなる本体部と、当該本体部の底面側（ガラス部材２０７側）に形成された受光部とを備えている。また、基板２００とガラス部材２０７との間（ガラス部材２０７の底面）には、発光素子２０３から出力された送信光等の不要な光を遮断する波長フィルタ（図示せず）が設けられている。
【００３７】
本実施例に係る光送受信モジュールは、更に、発光素子２０３から出力された送信光２１９を回折する出力用シリコンレンズ２０４と、受光素子２０６に入射する受信光２２０を回折する入力用シリコンレンズ２０５とを備えている。ここで、シリコンレンズ２０４，２０５は断面がＶ字状の光路溝２０１，２０２を基準に位置決めされる。受光素子２０６は、少なくとも底面の一部が光路溝２０２上に配置される。光路溝２０２には、入力用シリコンレンズ２０５によって回折された受信光２２０を受光素子２０６に導く反射部材（２２４）が設けられている。
【００３８】
シリコンレンズ２０４、２０５は、図１０等に示すように、角柱状の支持部に同じ厚さの円柱状のレンズ部を形成した構造となっている。そして、円柱状のレンズ部の外周が断面Ｖ字状の光路溝２０１、２０２の傾斜した内壁面に接することにより芯決めされる。
【００３９】
なお、シリコンレンズ２０４、２０５；波長フィルタ２０８；発光素子２０３；受光素子２０６；光路溝（Ｖ溝）２０１，２０２等の個々の基本的な構成については、特開２００６−１５４５３５号公報に開示されたものを採用することができる。
【００４０】
図１２は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの光路を示す平面図である。図１３は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの光路を、受信側と送信側に分けて示す側面図である。本実施例の光通信モジュールによる双方向通信の方法について説明する。図１２及び図１３に示すように、送信時においては、ＬＤ２０３から出射される送信光２１９は、直近のシリコンレンズ２０４によってコリメートされる。その後、波長フィルタ２０８を介してボールレンズ２１４に入射し、光ファイバ２１２に集光される。
【００４１】
一方、受信時においては、光ファイバ２１２から出射された受信光２２０がボールレンズ２１４によって回折された後、波長フィルタ２０８の反射膜によって９０°屈折して受信側のシリコンレンズ２０５に達する。受信光２２０はシリコンレンズ２０５において回折した後、受光側の光路溝２０２内を通過し、溝２０２の終端面に形成された反射面２２４（図１７参照）に達する。溝２０２の反射面２２４で反射した光は、ガラス素子２０７を介してその上面に実装された受光素子２０６の受光面に到達する。
【００４２】
図１４〜図１６は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図であり、個片化前の（ウエハ）状態を示す。先ず、基板２００上にレジストを塗布し、図１４に示すように、基板設計の図面を元に素子搭載のためのＶ溝パターン（２０１，２０２）、位置合わせ用のアライメントパターン（２０９）、フィルタ搭載面作製パターン（２４８）及び樹脂退避用の保護溝パターン（２１３ａ，２１３ｂ）を露光形成する。次に、この基板２００をウェットエッチングすることにより、素子搭載のためのＶ溝２０１，２０２、位置合わせ用のアライメントマーク２０９、フィルタ搭載面２４８及び樹脂退避用の保護溝２１３ａ，２１３ｂを形成する。この時、それぞれの溝の深さはエッチングの時間とパターンの幅によって決定され、パターン幅が狭いほど深さは小さくなる。
【００４３】
次に、図１５に示すように、素子搭載用のＶ溝２０１，２０２の断面を出すためにダイシングライン２０５に沿ってダイシングを行う。その後、図１６に示すように、基板間を分離するためにダイシングライン２５２に沿ってダイシングを行い、チップを個片化する。個片化されたチップは、図１７に示すようになる。
【００４４】
図１７〜図２２は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、チップを個片化した後の工程を示す。なお、シリコンレンズなどの光学素子の搭載はチップを個片化する前に行うことも可能である。
【００４５】
図１７は個片化された半導体基板の状態；図１８は半導体基板上にレーザーダイオードを搭載した状態；図１９は送信側のシリコンレンズを搭載した状態；図２０は受信側のシリコンレンズを搭載した状態；図２１はガラス素子及びフォトダイオードを搭載した状態；図２２は波長フィルタを搭載した状態を各々示す。
【００４６】
各素子を搭載する順序については、基本的に高温での熱処理が必要なものから始めて低温の処理が必要な素子という順序にすることが好ましい。また、各素子の搭載位置については事前の光学設計によって設定される。
【００４７】
図１７の状態では、半導体基板２００に光路溝２０１，２０２；アライメントマーク２０９；第１の保護溝２１３ａ；第２の保護溝２１３ｂが予め形成されている。これらの溝２０１，２０２，２０９，２１３ａ，２１３ｂは、周知のフォトリソグラフィー技術、異方性エッチングにより形成される。受信側の光路溝２０２の終端部には、反射膜２２４が形成されている。
【００４８】
次に、図１８に示すように、送信側の光路溝２０１の端部に電極パッド２４０を形成し、さらにその上に発光素子２０３を接着するための半田膜２４２を形成する。その後、半田膜２４２の上に発光素子２０３を接着・搭載する。この時、発光素子２０３を表面実装機によりピックアップし、半導体基板２００上に設置されたアライメントマーク２０９から発光素子２０３の搭載座標を画像認識により算出する。その後、発光素子２０３の中心座標を同じく画像認識により算出し、両座標が一致するように表面実装機により発光素子２０３の位置を調整する。半田膜２４２を介した発光素子２０３と電極パッド２４０との接続に際しては、発光素子２０３を半田膜２４２に対して圧着した後、規定の圧力・温度(約３５０〜４００度)で熱処理を行う。
【００４９】
次に、図１９に示すように、発光素子２０３からの光をコリメートして出射するためのシリコンレンズ２０４を搭載する
。シリコンレンズ２０４と半導体基板２００の接着については接着樹脂２２２によって行う。まず、半導体基板２００上のレンズを搭載する光路溝２０１の両端に所定量の接着樹脂２２２を塗布する。その後、発光素子２０３の時と同様に表面実装機によりシリコンレンズ２０４をピックアップし、基板２００上のアライメントマーク２０９との間で画像認識を行い、搭載位置の調整を行った後、シリコンレンズ２０４を圧着し、約２００度での熱処理を行い固定する。
【００５０】
次に、図２０に示すように、光ファイバ２１２から入射した光を受光素子２０６に導くシリコンレンズ２０５を搭載する。発光素子側のシリコンレンズ２０４と同様、半導体基板２００との接着には接着樹脂２２２を用いる。シリコンレンズ２０５が搭載される光路溝２０２の両端に所定量の接着樹脂２２２を塗布した後、シリコンレンズ２０５をピックアップし、アライメントマーク２０９との間で画像認識を行って搭載位置を調整した後、シリコンレンズ２０５を圧着し、約２００度での熱処理を行い固定する。
【００５１】
次に、図２１に示すように、受光素子２０６の搭載を行う。ガラス素子２０７と受光素子２０６との接着に際しては、まずガラス表面上に形成した電極パッドと受光素子２０６間をはんだにより接着する。この時、発光素子と基板間の接着と同様に、ガラス表面と受光素子２０６裏面のアライメントマークを用いて位置合わせを行う。その後、表面に受光素子２０６を搭載したガラス素子２０７と基板２００の間を熱硬化性の樹脂２２２を用いて接着する。このように、受光素子２０６のガラス素子２０７上への搭載は、基板２００への実装の流れとは別に行われる。また、受光素子２０６を搭載したガラス素子２０７の基板２００上への搭載は、受光素子２０６の搭載と同様に、シリコンレンズ２０５の搭載の後、波長フィルタ２０８の搭載の前に行う。
【００５２】
次に、図２２に示すように、波長フィルタ２０８の搭載を行う。波長フィルタ２０８は、半導体基板２００上に接着樹脂２２２により固定される。搭載の手順は、シリコンレンズ２０４，２０５及び受光素子２０６と同様である。即ち、搭載位置に樹脂２２２を塗布した後、アライメントマーク２０９とフィルタ２０８間で画像認識を行い、位置を調整した後、圧着して熱処理を行い固定する。上記のような工程を経て本実施例の一芯双方向光通信モジュールが作製される。
【００５３】
本発明の第１実施例によると、アライメントマーク２０９は第２の保護溝２１３ｂにより接着樹脂２２２から隔離されている。このため、接着樹脂２２２の塗布位置がずれた場合や塗布量が過剰だった場合においても、接着樹脂２２２はアライメントマーク２０９に到達せず、アライメントマーク２０９の形状が保たれる。
【００５４】
図２３は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの作用を説明するための図（断面図）である。図２３に示すように、素子搭載時においても、素子の押付けによって潰された接着樹脂２２２は光路溝２０２に流れ込む前に第１の保護溝２１３ａに流れ込むことになる。第１の保護溝２１３ａに流れ込んだ接着樹脂２２２は、保護溝２１３ａを伝わって移動する。このため、接着樹脂２２２が熱硬化される前に光路溝２０２に流れ込むことを阻止でき、光路溝２０２内部における受信光の光路を確保することが可能となる。
【００５５】
（第２実施例）
図２４は、本発明の第２実施例に係る光通信モジュールの構造を示す斜視図である。図２５は、図２４の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。
【００５６】
本実施例に係る光通信モジュールは、半導体基板３００と；半導体基板３００上に搭載され、送信用の光（送信光）３１９を出力する発光素子３０３と；接着樹脂（３２２）によって半導体基板３００上に搭載され、受信した光（受信光）３２０を電気信号に変換する受光素子３０６と；受光素子３０６に導かれる受信光３２０と発光素子３０３から出力される送信光３１９とを分岐する波長フィルタ（波長分波器）３０８とを備えている。そして、半導体基板３００には、受光素子３０６に導かれる受信光３２０が通過する光路溝３０２と；光路溝３０２の周辺に形成され、当該光路溝３０２への接着樹脂３２２の侵入を遮断する第１の凸状段差部３１３ａとが形成されている。
【００５７】
半導体基板３００は、ダイシングによる溝が形成されたシリコンウェハーからなる。発光素子３０３としては、レーザーダイオード（ＬＤ）を使用することができる。接着樹脂３２２（図２７参照）としては、熱硬化性樹脂等を使用することができる。また、受光素子３０６としては、フォトダイオード（ＰＤ）を使用することができる。
【００５８】
第１実施例と同様に、シリコン基板３００上には、実装時の素子との位置合わせに用いられる複数のアライメントマーク３０９と、横方向から見た断面形状がＶ字形状となるＶ溝３０１，３０２が異方性エッチングにより形成されている。
【００５９】
本実施例において、受光素子３０６は、接着樹脂３２２によって半導体基板３００に固定されたガラス部材３０７の上に搭載される。ガラス部材３０７を介して受光素子３０６を半導体基板３０２に搭載することにより、１つの半導体基板３００上に実装される発光素子３０３と受光素子３０６とが、電気的、光学的に分離（絶縁）される。
【００６０】
ここで、第１の凸状段差部３１３ａは、図２６に示すように、光路溝３０２の周囲を囲むようにコの字状に連続的に形成されている。一辺が開放されているのは、その部分がダイシングにより形成された溝に接するからである。第１の凸状段差部３１３ａの幅、高さ、光路溝３０２からの距離は、接着樹脂３２２の塗布位置、塗布量、接着樹脂３２２の粘性、搭載する素子の大きさなどを考慮して設定する。
【００６１】
第１の凸状段差部３１３ａの平面的な配置は、必ずしも、コの字状とする必要はなく、光路溝３０２を囲むような形状であれば、Ｕ字状等とすることもできる。また、断面形状についても矩形、半円形、逆三角形などを採用することができる。
【００６２】
また、第１の凸状段差部３１３ａは、接着樹脂３２２の塗布位置などの状況によっては、連続的でなく断続的とすることも可能である。ただし、連続的な形状とすることにより、光路溝３０２への接着樹脂の侵入をより確実に防止することができる。なお、本実施例においては、光路溝３０１の周辺には凸状段差部を形成していないが、発光素子３０３を接着樹脂によって固定する場合には、同様に保護溝を形成することが好ましい。
【００６３】
上述したように、半導体基板３００には、当該基板３００上の位置を定める凹状の複数のアライメントマーク３０９が形成されている。アライメントマーク３０９の近傍には、当該アライメントマーク３０９への接着樹脂３２２の侵入を遮断する第２の凸状段差部３１３ｂが形成されている。
【００６４】
ここで、第２の凸状段差部３１３ｂは、図２７に示すように、接着樹脂３２２が塗布される領域とアライメントマーク３０９との間に形成される。第２の凸状段差部３１３ｂの幅、高さ、アライメントマーク３０９からの距離は、接着樹脂３２２の塗布位置、塗布量、接着樹脂３２２の粘性などを考慮して設定する。例えば、凸状段差部３１３ａ、３１３ｂは、段幅２５μm、高さ２０μmとする。
【００６５】
受光素子３０６は、半導体基板からなる本体部と、当該本体部の底面側（ガラス部材３０７側）に形成された受光部とを備えている。また、基板３００とガラス部材３０７との間（ガラス部材３０７の底面）には、発光素子３０３から出力された送信光等の不要な光を遮断する波長フィルタ（図示せず）が設けられている。
【００６６】
第１実施例と同様に、本実施例に係る光送受信モジュールは、更に、発光素子３０３から出力された送信光３１９を回折する出力用シリコンレンズ３０４と、受光素子３０６に入射する受信光３２０を回折する入力用シリコンレンズ３０５とを備えている。ここで、シリコンレンズ３０４，３０５は断面がＶ字状の光路溝３０１，３０２を基準に位置決めされる。受光素子３０６は、少なくとも底面の一部が光路溝３０２上に配置される。光路溝３０２には、入力用シリコンレンズ３０５によって回折された受信光３２０を受光素子３０６に導く反射部材（３２４）が設けられている。
【００６７】
シリコンレンズ３０４、３０５は、角柱状の支持部に同じ厚さの円柱状のレンズ部を形成した構造となっている。そして、円柱状のレンズ部の外周が断面Ｖ字状の光路溝３０１、３０２の傾斜した内壁面に接することにより芯決めされる。
【００６８】
なお、シリコンレンズ３０４、３０５；波長フィルタ３０８；発光素子３０３；受光素子３０６；光路溝（Ｖ溝）３０１，３０２等の個々の基本的な構成については、特開２００６−１５４５３５号公報に開示されたものを採用することができる。
【００６９】
本実施例に係る光通信モジュールの光路については、第１実施例（図１２，図１３）と同様であるため、重複した説明を省略する。
【００７０】
図２６〜図２８は、図２４に示す第２実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図である。この中で、図２６は半導体基板の状態；図２７は接着樹脂を塗布した状態；図２８はガラス素子及びフォトダイオードを搭載した状態を各々示す。なお、本実施例で省略するシリコンレンズや波長フィルタの搭載方法については、第１実施例と同様である。また、各素子を搭載する順序については、基本的に高温での熱処理が必要なものから始めて低温の処理が必要な素子という順序にする点についても第１実施例と同様である。
【００７１】
図２６の状態では、半導体基板３００に光路溝３０１，３０２；アライメントマーク３０９；第１の凸状段差部３１３ａ；第２の凸状段差部３１３ｂが予め形成されている。また、受信側の光路溝３０２の終端部には反射膜３２４が形成されている。凸状段差部３１３ａ，３１３ｂの形成に際しては、レジストによるパターンニングの後、凸状段差部３１３ａ，３１３ｂとなる位置に蒸着法等で膜を堆積し、その後レジストを除去する。
【００７２】
次に、図２７に示すように、シリコンレンズ３０４，３０５の搭載位置及びガラス素子３０７の搭載位置に接着樹脂３２２を塗布する。本実施例においては、ガラス素子３０７は第１の凸状段差部３１３ａ上に配置されるため、ガラス素子３０７の周辺においては、凸状段差部３１３ａよりも厚く（高く）接着樹脂３２２を塗布する。
【００７３】
次に、図２８に示すように、予めガラス素子３０７に固定された受光素子３０６とアライメントマーク３０９間で画像認識を行い、搭載位置の調整を行った後、圧着して約２００度の熱処理によって固定する。
【００７４】
ガラス素子３０７と受光素子３０６との接着に際しては、まずガラス表面上に形成した電極パッドと受光素子３０６間をはんだにより接着する。この時、発光素子と基板間の接着と同様に、ガラス表面と受光素子３０６裏面のアライメントマークを用いて位置合わせを行う。その後、表面に受光素子３０６を搭載したガラス素子３０７と基板３００の間を熱硬化性の樹脂３２２を用いて接着する。このように、受光素子３０６のガラス素子３０７上への搭載は、基板３００への実装の流れとは別に行われる。また、受光素子３０６を搭載したガラス素子３０７の基板３００上への搭載は、受光素子３０６の搭載と同様に、シリコンレンズ３０５の搭載の後、波長フィルタ３０８の搭載の前に行う。
【００７５】
以上のように、本発明の第２実施例によると、アライメントマーク３０９は第２の凸状段差部３１３ｂにより接着樹脂３２２から隔離されているため、接着樹脂３２２の塗布位置がずれた場合や塗布量が過剰だった場合においても、接着樹脂３２２はアライメントマーク３０９に到達せず、アライメントマーク３０９の形状が保たれる。
【００７６】
図２９は、図２４に示す第２実施例に係る光通信モジュールの作用を説明するための図（断面図）である。図２９に示すように、素子搭載時においても、素子の押付けによって潰された接着樹脂３２２は光路溝３０２に流れ込む前に第１の凸状段差部３１３ａに遮られる。第１の凸状段差部３１３ａに遮られた接着樹脂３２２は、当該凸状段差部３１３ａを伝わって移動することができる。このため、接着樹脂３２２が熱による硬化前に光路溝３０２に流れ込むことを阻止でき、受信光の光路を確保することが可能となる。
【００７７】
（第３実施例）
図３０は、本発明の第３実施例に係る光通信モジュールの構造を示す斜視図である。図３１は、図３０に示す第３実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、半導体基板に接着樹脂塗布を介して素子を搭載した状態を示す。
【００７８】
本実施例に係る光通信モジュールは、半導体基板４００と；半導体基板４００上に搭載され、送信用の光（送信光）を出力する発光素子４０３と；接着樹脂（４２２）によって半導体基板４００上に搭載され、受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子４０６と；受光素子４０６に導かれる受信光と発光素子４０３から出力される送信光とを分岐する波長フィルタ（波長分波器）４０８とを備えている。そして、半導体基板４００には、受光素子４０６に導かれる受信光が通過する光路溝４０２と；光路溝４０２の周辺に形成され、当該光路溝４０２への接着樹脂４２２の侵入を遮断する第１の保護溝４１３ａとが形成されている。
【００７９】
半導体基板４００は、ダイシングによる溝が形成されたシリコンウェハーからなる。発光素子４０３としては、レーザーダイオード（ＬＤ）を使用することができる。接着樹脂４２２（図３１参照）としては、熱硬化性樹脂等を使用することができる。また、受光素子４０６としては、フォトダイオード（ＰＤ）を使用することができる。
【００８０】
第１及び第２実施例と同様に、シリコン基板４００上には、実装時の素子との位置合わせに用いられる複数のアライメントマーク４０９と、横方向から見た断面形状がＶ字形状となるＶ溝４０１，４０２が異方性エッチングにより形成されている。
【００８１】
本実施例においては、上述した第１及び第２実施例と異なり、受光素子４０６は、接着樹脂４２２によって半導体基板４００上に直接搭載される。受光素子４０６の搭載手法以外の構成については、上述した第１実施例と同様であり、重複した説明は省略することとする。本実施例においては、受光素子４０６が半導体基板４００上に直接搭載されるため、当該受光素子４０６の接着面積を考慮して、第１の保護溝４１３ａの位置、大きさ等を定める。
【００８２】
図３３は、本実施例に係る受光素子４０６周辺の構造を示す説明図である。受光素子４０６は、半導体基板からなる本体部４０６ａと、当該本体部４０６ａの上面側（基板４００と反対側）に形成された受光部４０６ｂとを備えている。また、基板４００と受光素子４０６との間（受光素子４０６の底面）には、発光素子４０３から出力された送信光等の不要な光を遮断する波長フィルタ４３０が設けられている。受光素子４０６の本体部４０６ａとしては、少なくとも受信光を透過する基板、例えばＩｎＰ基板を使用する。受光部４０６ｂは、例えば、ＩｎＰ基板上に形成されたＩｎＧａＡｓで構成することができる。また、波長フィルタ４３０は、少なくとも波長１．４９μｍの受信光を透過し、波長１．３１μｍの送信光を遮断するものを採用する。
【００８３】
第１実施例と同様に、本実施例に係る光送受信モジュールは、更に、発光素子４０３から出力された送信光を回折する出力用シリコンレンズ４０４と、受光素子４０６に入射する受信光を回折する入力用シリコンレンズ４０５とを備えている。なお、シリコンレンズ３０４、３０５；波長フィルタ３０８；発光素子３０３；受光素子３０６；光路溝（Ｖ溝）３０１，３０２等の個々の基本的な構成については、特開２００６−１５４５３５号公報に開示されたものを採用することができる。
【００８４】
以上のように、本実施例によると、第１実施例と同様に、アライメントマーク４０９は第２の保護溝４１３ｂにより接着樹脂４２２から隔離されているため、接着樹脂４２２の塗布位置がずれた場合や塗布量が過剰だった場合においても、接着樹脂４２２はアライメントマーク４０９に到達せず、アライメントマーク４０９の形状が保たれる。また、素子搭載時においても、素子の押付けによって潰された接着樹脂４２２は光路溝４０２に流れ込む前に第１の保護溝４１３ａに流れ込むことになる。第１の保護溝４１３ａに流れ込んだ接着樹脂４２２は、保護溝４１３ａを伝わって移動する。このため、接着樹脂４２２が熱による硬化前に光路溝４０２に流れ込むことを阻止でき、受信光の光路を確保することが可能となる。
【００８５】
なお、本実施例においては、受光素子４０６が半導体基板４００上に直接搭載されるため、当該受光素子４０６の接着面積を考慮し、図３２に示すように、第１の保護溝４１３ａを省略することもできる。図３２のような構成を採用することにより、受光素子４０６の十分な接着面積を確保することが可能となる。
【００８６】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲に示された技術的思想の範疇において変更可能なものである。例えば、上記実施例においては、Ｖ字状の光路溝を半導体基板に形成しているが、シリコンレンズの形状及び搭載方法などによっては、光路溝を必要としない場合もある。このような場合には、主にアライメントマーク等の他の凹状部に接着樹脂が流れ込むことを遮へいするように保護溝又は凸状部を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】図１は、従来の光通信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。
【図３】図３は、図１に示す従来の光通信モジュールの光路を示す平面図である。
【図４】図４は、図１に示す従来の光通信モジュールの光路を、受信側と送信側に分けて示す側面図である。
【図５】図５は、図１に示す従来の光通信モジュールの組み立て工程の一部を示す上面図及び側面図であり、接着樹脂を塗布する前の状態を示す。
【図６】図６は、図１に示す従来の光通信モジュールの組み立て工程の一部を示す上面図及び側面図である。
【図７】図７は、図１に示す従来の光通信モジュールの組み立て工程の一部を示す上面図及び側面図であり、接着樹脂の上に素子を搭載した状態を示す。
【図８】図８は、図１に示す従来の光通信モジュールの問題点を示すための説明図（側面図）である。
【図９】図９は、図１に示す従来の光通信モジュールの問題点を示すための説明図（側面図・受信側光路）である。
【図１０】図１０は、本発明の第１実施例に係る光通信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、図１０の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。
【図１２】図１２は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの光路を示す平面図である。
【図１３】図１３は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの光路を、受信側と送信側に分けて示す側面図である。
【図１４】図１４は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図であり、個片化前の状態を示す。
【図１５】図１５は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図であり、個片化前の状態を示す。
【図１６】図１６は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図であり、個片化前の状態を示す。
【図１７】図１７は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、個片化後の半導体基板の状態を示す。
【図１８】図１８は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、レーザーダイオードを搭載した状態を示す。
【図１９】図１９は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、送信側のシリコンレンズを搭載した状態を示す。
【図２０】図２０は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、受信側のシリコンレンズを搭載した状態を示す。
【図２１】図２１は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、ガラス板及びフォトダイオードを搭載した状態を示す。
【図２２】図２２は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、波長フィルタを搭載した状態を示す。
【図２３】図２３は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの作用を説明するための図（断面図）である。
【図２４】図２４は、本発明の第２実施例に係る光通信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図２５】図２５は、図２４の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。
【図２６】図２６は、図２４に示す第２実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、半導体基板に接着樹脂塗布する前の状態を示す。
【図２７】図２７は、図２４に示す第２実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、半導体基板に接着樹脂塗布した状態を示す。
【図２８】図２８は、図２４に示す第２実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、半導体基板に接着樹脂塗布を介して素子を搭載した状態を示す。
【図２９】図２９は、図２４に示す第２実施例に係る光通信モジュールの作用を説明するための図（断面図）である。
【図３０】図３０は、本発明の第３実施例に係る光通信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図３１】図３１は、図３０に示す第３実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、半導体基板に接着樹脂塗布を介して素子を搭載した状態を示す。
【図３２】図３２は、本発明の第３実施例の別の態様を示す概略平面図である。
【図３３】図３３は、本発明の第３実施例に係る光通信モジュールの受光素子周辺の構造を示す説明図である。
【符号の説明】
【００８８】
２００，３００，４００    半導体基板
２０１，３０１，４０１    送信側光路溝（Ｖ溝）
２０２，３０２，４０２    受信側光路溝（Ｖ溝）
２０３，３０３，４０３    発光素子（ＬＤ）
２０４，３０４，４０４    送信側シリコンレンズ
２０５，３０５，４０５    受信側シリコンレンズ
２０６，３０６，４０６    受光素子（ＰＤ）
２０７，３０７    ガラス素子（ガラス基板）
２０８，３０８，４０８    波長フィルタ（分波器）
２０９，３０９，４０９    アライメントマーク
２１３ａ，４１３ａ    第１の保護溝
２１３ｂ，４１３ｂ    第２の保護溝
２２２，３２２，４２２    接着樹脂
３１３ａ    第１の凸状段差部
３１３ｂ    第２の凸状段差部
４３０    フィルタ
【図１】
2009020275.tif 000003
【図２】
2009020275.tif 000004
【図３】
2009020275.tif 000005
【図４】
2009020275.tif 000006
【図５】
2009020275.tif 000007
【図６】
2009020275.tif 000008
【図７】
2009020275.tif 000009
【図８】
2009020275.tif 000010
【図９】
2009020275.tif 000011
【図１０】
2009020275.tif 000012
【図１１】
2009020275.tif 000013
【図１２】
2009020275.tif 000014
【図１３】
2009020275.tif 000015
【図１４】
2009020275.tif 000016
【図１５】
2009020275.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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