(57)【要約】【課題】従来の液晶表示装置では、表示品位を向上させることが困難である。【解決手段】第１基板５１と、第１基板５１に対向する第２基板８１と、第１基板５１及び第２基板８１間に介在する液晶１９と、第２基板８１を介して液晶１９に入射された光を第２基板８１側に乱反射させる拡散反射層５３と、を有し、液晶１９は、複数の画素７の各画素７ごとに駆動が制御され、各画素７には、透過表示を行う透過領域Ｔ及び反射表示を行う反射領域Ｈが設定されており、第１基板５１は、液晶１９側の面である第１面５４ａと、第１面５４ａとは反対側の第２面５４ｂとを有しており、拡散反射層５３は、各反射領域Ｈに重なる領域に設けられており、且つ第１基板５１の第２面５４ｂ側に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、
前記第２基板を介して前記液晶に入射された光を前記第２基板側に乱反射させる拡散反射層と、を有し、
前記液晶は、複数の画素の各前記画素ごとに駆動が制御され、
各前記画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されており、
前記第１基板は、前記液晶側の第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有しており、
前記拡散反射層は、各前記反射領域に重なる領域に設けられており、且つ前記第１基板の前記第２主面側に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板の前記第２主面側に設けられた偏光板を有しており、
前記拡散反射層は、前記第１基板と前記偏光板との間に介在していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記拡散反射層は、凹凸部と、前記凹凸部を覆う反射膜と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記凹凸部は、前記第１基板の前記第２主面に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板の前記第２主面側に設けられた樹脂層を有しており、
前記凹凸部は、前記樹脂層に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板の前記第２主面側に対向する第３基板を有しており、
前記樹脂層は、前記第３基板と前記第１基板との間に介在していることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
各前記画素に対応して設けられ、前記液晶の駆動を制御する複数のスイッチング素子を有しており、
各前記スイッチング素子は、前記第３基板と前記樹脂層との間に介在しており、且つ各前記反射領域に重なる領域に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記凹凸部は、前記樹脂層の前記第１基板側に形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板の前記第２主面側に対向する第３基板を有しており、
前記凹凸部は、前記第３基板に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第３基板は、前記第２主面に対向する対向面を有しており、
前記凹凸部は、前記対向面側に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、
前記第１基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層の前記第１基板側とは反対側の面に設けられた反射膜と、を有し、
前記樹脂層には、前記樹脂層と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、
前記第１基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層の前記第１基板側の面に設けられた反射膜と、を有し、
前記樹脂層には、前記樹脂層と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、
前記第１基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた反射膜と、を有し、
前記第１基板には、前記第１基板と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、
前記第１基板の前記液晶側とは反対側の面に対向する第３基板と、
前記第３基板の前記第１基板側の面に設けられた反射膜と、を有し、
前記第３基板には、前記第３基板と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第２基板を介して前記液晶に入射された光を前記第２基板側に乱反射させる拡散反射層とを有し、前記拡散反射層が前記第１基板の前記液晶側とは反対側に設けられた液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１基板を薄くする工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の液晶表示装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、反射表示を行うことができる液晶表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３３３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された液晶表示装置では、反射表示を行う領域に凹凸パターンが設けられている。この凹凸パターンでは、凹凸パターンの凸部と凹部とで液晶の厚みが異なる。
液晶の厚みが異なることは、液晶のリタデーション（複屈折率と厚みとの積）が異なることを意味する。液晶のリタデーションが異なると、液晶によって変調される光の変調状態が異なる。
このため、上記特許文献１に記載された液晶表示装置では、液晶による光の変調状態がばらつきやすい。この結果、表示におけるコントラストが低下しやすい。
つまり、従来の液晶表示装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００６】
［適用例１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第２基板を介して前記液晶に入射された光を前記第２基板側に乱反射させる拡散反射層と、を有し、前記液晶は、複数の画素の各前記画素ごとに駆動が制御され、各前記画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されており、前記第１基板は、前記液晶側の第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有しており、前記拡散反射層は、各前記反射領域に重なる領域に設けられており、且つ前記第１基板の前記第２主面側に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【０００７】
適用例１の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、拡散反射層とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在しており、複数の画素の画素ごとに駆動が制御される。各画素には、透過領域及び反射領域が設定されている。第１基板は、液晶側の面である第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面とを有している。拡散反射層は、第２基板を介して液晶に入射された光を第２基板側に乱反射させる。拡散反射層は、各反射領域に重なる領域に設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、透過表示と反射表示とを行うことができる。
また、この液晶表示装置では、拡散反射層が第１基板の第２主面側に設けられているので、液晶と拡散反射層との間に第１基板が介在している。このため、平面視で拡散反射層に重なる液晶の厚みが拡散反射層によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０００８】
［適用例２］上記の液晶表示装置であって、前記第１基板の前記第２主面側に設けられた偏光板を有しており、前記拡散反射層は、前記第１基板と前記偏光板との間に介在していることを特徴とする液晶表示装置。
【０００９】
適用例２では、拡散反射層が第１基板と偏光板との間に介在しているので、第１基板と拡散反射層との間に偏光板を介在させた構成に比較して、拡散反射層と第１基板との間の距離を短くすることができる。
ここで、拡散反射層と第１基板との間の距離が長くなると、拡散反射層で乱反射された散乱光のうちで第２基板に到達できない光が多くなる。つまり、拡散反射層と第１基板との間の距離が長くなると、光の利用効率が低くなりやすい。
適用例２の液晶表示装置では、拡散反射層と第１基板との間の距離を短くすることができるので、光の利用効率を高めることができる。
【００１０】
［適用例３］上記の液晶表示装置であって、前記拡散反射層は、凹凸部と、前記凹凸部を覆う反射膜と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００１１】
適用例３では、拡散反射層は、凹凸部と、反射膜とを有している。反射膜は、凹凸部を覆っている。この構成により、拡散反射層で光を乱反射させることができる。
【００１２】
［適用例４］上記の液晶表示装置であって、前記凹凸部は、前記第１基板の前記第２主面に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１３】
適用例４では、凹凸部が第１基板の第２主面に形成されているので、拡散反射層と第１基板との間の距離を一層短くすることができる。
【００１４】
［適用例５］上記の液晶表示装置であって、前記第１基板の前記第２主面側に設けられた樹脂層を有しており、前記凹凸部は、前記樹脂層に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１５】
適用例５の液晶表示装置は、樹脂層を有している。樹脂層は、第１基板の第２主面側に設けられている。そして、凹凸部は、樹脂層に形成されている。これにより、凹凸部を構成することができる。
【００１６】
［適用例６］上記の液晶表示装置であって、前記第１基板の前記第２主面側に対向する第３基板を有しており、前記樹脂層は、前記第３基板と前記第１基板との間に介在していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１７】
適用例６の液晶表示装置は、第３基板を有している。第３基板は、第１基板の第２主面側に対向している。そして、樹脂層は、第３基板と第１基板との間に介在している。この構成により、樹脂層を第３基板で保護することができる。
【００１８】
［適用例７］上記の液晶表示装置であって、各前記画素に対応して設けられ、前記液晶の駆動を制御する複数のスイッチング素子を有しており、各前記スイッチング素子は、前記第３基板と前記樹脂層との間に介在しており、且つ各前記反射領域に重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１９】
適用例７の液晶表示装置は、各画素に対応して設けられた複数のスイッチング素子を有している。スイッチング素子は、液晶の駆動を制御する。各スイッチング素子は、第３基板と樹脂層との間に介在しており、且つ各反射領域に重なる領域に設けられている。
この液晶表示装置では、各スイッチング素子が各反射領域に重なる領域で第３基板と樹脂層との間に介在しているので、表示に寄与する光がスイッチング素子によって遮られない。このため、各画素の開口率を高めやすくすることができる。
【００２０】
［適用例８］上記の液晶表示装置であって、前記凹凸部は、前記樹脂層の前記第１基板側に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２１】
適用例８では、凹凸部は、樹脂層の第１基板側に形成されている。これにより、拡散反射層と第１基板との間の距離を一層短くすることができる。
【００２２】
［適用例９］上記の液晶表示装置であって、前記第１基板の前記第２主面側に対向する第３基板を有しており、前記凹凸部は、前記第３基板に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２３】
適用例９の液晶表示装置は、第３基板を有している。第３基板は、第１基板の第２主面側に対向している。そして、凹凸部は、第３基板に形成されている。これにより、凹凸部を構成することができる。
【００２４】
［適用例１０］上記の液晶表示装置であって、前記第３基板は、前記第２主面に対向する対向面を有しており、前記凹凸部は、前記対向面側に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２５】
適用例１０では、第３基板は、第２主面に対向する対向面を有している。そして、凹凸部は、対向面側に形成されている。これにより、拡散反射層と第１基板との間の距離を一層短くすることができる。
【００２６】
［適用例１１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第１基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた樹脂層と、前記樹脂層の前記第１基板側とは反対側の面に設けられた反射膜と、を有し、前記樹脂層には、前記樹脂層と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２７】
適用例１１の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、樹脂層と、反射膜とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。樹脂層は、第１基板の液晶側とは反対側の面に設けられている。反射膜は、樹脂層の第１基板側とは反対側の面に設けられている。樹脂層には、樹脂層と反射膜との間に凹凸部が設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、第２基板を介して液晶に入射された光を反射膜で第２基板側に乱反射させることができる。これにより、反射表示を行うことができる。
この液晶表示装置では、凹凸部が第１基板の液晶側とは反対側に位置している。このため、液晶の厚みが凹凸部によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００２８】
［適用例１２］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第１基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた樹脂層と、前記樹脂層の前記第１基板側の面に設けられた反射膜と、を有し、前記樹脂層には、前記樹脂層と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２９】
適用例１２の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、樹脂層と、反射膜とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。樹脂層は、第１基板の液晶側とは反対側の面に設けられている。反射膜は、樹脂層の第１基板側の面に設けられている。樹脂層には、樹脂層と反射膜との間に凹凸部が設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、第２基板を介して液晶に入射された光を反射膜で第２基板側に乱反射させることができる。これにより、反射表示を行うことができる。
この液晶表示装置では、凹凸部が第１基板の液晶側とは反対側に位置している。このため、液晶の厚みが凹凸部によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００３０】
［適用例１３］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第１基板の前記液晶側とは反対側の面に設けられた反射膜と、を有し、前記第１基板には、前記第１基板と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【００３１】
適用例１３の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、反射膜とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。反射膜は、第１基板の液晶側とは反対側の面に設けられている。第１基板には、第１基板と反射膜との間に凹凸部が設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、第２基板を介して液晶に入射された光を反射膜で第２基板側に乱反射させることができる。これにより、反射表示を行うことができる。
この液晶表示装置では、凹凸部が第１基板の液晶側とは反対側に位置している。このため、液晶の厚みが凹凸部によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００３２】
［適用例１４］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第１基板の前記液晶側とは反対側の面に対向する第３基板と、前記第３基板の前記第１基板側の面に設けられた反射膜と、を有し、前記第３基板には、前記第３基板と前記反射膜との間に凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【００３３】
適用例１４の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、第３基板と、反射膜とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。第３基板は、第１基板の液晶側とは反対側の面に対向している。反射膜は、第３基板の第１基板側の面に設けられている。第３基板には、第３基板と反射膜との間に凹凸部が設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、第２基板を介して液晶に入射された光を反射膜で第２基板側に乱反射させることができる。これにより、反射表示を行うことができる。
この液晶表示装置では、凹凸部が第１基板の液晶側とは反対側に位置している。このため、液晶の厚みが凹凸部によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００３４】
［適用例１５］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第２基板を介して前記液晶に入射された光を前記第２基板側に乱反射させる拡散反射層とを有し、前記拡散反射層が前記第１基板の前記液晶側とは反対側に設けられた液晶表示装置の製造方法であって、前記第１基板を薄くする工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【００３５】
適用例１５の製造方法にかかる液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、拡散反射層とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。拡散反射層は、第２基板を介して液晶に入射された光を第２基板側に乱反射させる。この液晶表示装置では、上記の構成により、反射表示を行うことができる。また、この液晶表示装置では、拡散反射層が第１基板の液晶側とは反対側に設けられているので、液晶と拡散反射層との間に第１基板が介在している。このため、平面視で拡散反射層に重なる液晶の厚みが拡散反射層によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
【００３６】
適用例１５の製造方法は、第１基板を薄くする工程を有している。
ここで、拡散反射層と第１基板との間の距離が長くなると、拡散反射層で乱反射された散乱光のうちで透過領域に入射する光が発生しやすくなる。つまり、拡散反射層と第１基板との間の距離が長くなると、表示におけるコントラストが低下しやすい。
この製造方法では、第１基板を薄くする工程により、拡散反射層と第１基板との間の距離を短くすることができる。このため、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができる液晶表示装置を製造することができる。
【００３７】
［適用例１６］上記の液晶表示装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
【００３８】
適用例１６の電子機器は、表示部としての液晶表示装置が、第１基板と、第２基板と、液晶と、拡散反射層とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在しており、複数の画素の画素ごとに駆動が制御される。各画素には、透過領域及び反射領域が設定されている。第１基板は、液晶側の面である第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面とを有している。拡散反射層は、第２基板を介して液晶に入射された光を第２基板側に乱反射させる。拡散反射層は、各反射領域に重なる領域に設けられている。この液晶表示装置では、上記の構成により、透過表示と反射表示とを行うことができる。
また、この液晶表示装置では、拡散反射層が第１基板の第２主面側に設けられているので、液晶と拡散反射層との間に第１基板が介在している。このため、平面視で拡散反射層に重なる液晶の厚みが拡散反射層によってばらつくことを低く抑えることができる。これにより、表示におけるコントラストの低下を低く抑えることができるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、適用例１６の電子機器は、上記の液晶表示装置を表示部として有しているので、表示品位の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
実施形態について、半透過反射型の液晶装置の１つである表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第１実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示パネル３と、照明装置５とを有している。
【００４０】
ここで、表示パネル３には、複数の画素７が設定されている。複数の画素７は、表示領域８内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、照明装置５から表示パネル３に入射された光を、表示パネル３に設定されている複数の画素７から選択的に表示面９を介して表示パネル３の外に射出することで、表示面９に画像を表示することができる。なお、表示領域８とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素７が誇張され、且つ画素７の個数が減じられている。
【００４１】
表示パネル３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、液晶パネル１０と、偏光板１３ａ及び１３ｂとを有している。
液晶パネル１０は、素子基板１５と、対向基板１７と、液晶１９と、シール材２１とを有している。
素子基板１５には、表示面９側すなわち液晶１９側に、複数の画素７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
【００４２】
対向基板１７は、素子基板１５よりも表示面９側で素子基板１５に対向し、且つ素子基板１５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１７には、表示パネル３における表示面９の裏面に相当する面である底面２３側すなわち液晶１９側に、後述する位相差膜などが設けられている。
【００４３】
液晶１９は、素子基板１５及び対向基板１７の間に介在しており、表示パネル３の周縁よりも内側で表示領域８を囲むシール材２１によって、素子基板１５及び対向基板１７の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動方式として、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型の駆動方式が採用されている。
【００４４】
偏光板１３ａは、素子基板１５よりも底面２３側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。偏光板１３ｂは、対向基板１７よりも表示面９側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。表示装置１では、偏光板１３ａ及び１３ｂは、偏光板１３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板１３ａ及び１３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
【００４５】
なお、偏光板１３ａと素子基板１５との間や、偏光板１３ｂと対向基板１７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１９を表示面９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【００４６】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【００４７】
照明装置５は、表示パネル３の底面２３側に設けられており、導光板３１と、光源３３とを有している。導光板３１は、図２で見て表示パネル３の下側に設けられており、表示パネル３の底面２３に対向する光射出面３５ｂを有している。
光源３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図２で見て導光板３１の側面３５ａの左方に設けられている。
【００４８】
光源３３からの光は、導光板３１の側面３５ａに入射される。導光板３１に入射された光は、導光板３１の中で反射を繰り返しながら光射出面３５ｂから射出される。光射出面３５ｂから射出された光は、表示パネル３の底面２３から、偏光板１３ａを介して表示パネル３に入射される。なお、導光板３１には、必要に応じて、光射出面３５ｂに拡散板が設けられ、底面３５ｃに反射板が設けられる。
【００４９】
表示パネル３に設定されている複数の画素７は、それぞれ、表示面９から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素７は、Ｒの光を射出する画素７ｒと、Ｇの光を射出する画素７ｇと、Ｂの光を射出する画素７ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素７という表記と、画素７ｒ、７ｇ及び７ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００５０】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００５１】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素７が、１つの画素列４１を構成している。１つの画素列４１内の各画素７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素７ｒがＹ方向に配列した画素列４１ｒと、複数の画素７ｇがＹ方向に配列した画素列４１ｇと、複数の画素７ｂがＹ方向に配列した画素列４１ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列４１という表記と、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００５２】
各画素７は、図３中のＣ部の拡大図である図４に示すように、透過領域Ｔと、反射領域Ｈとを有している。なお、図４では、構成をわかりやすく示すため、反射領域Ｈにハッチングが施されている。
透過領域Ｔでは、図２に示す照明装置５から底面２３を介して液晶１９に入射された光を表示面９側に透過させることによって、透過表示が行われる。
【００５３】
反射領域Ｈでは、表示面９を介して液晶１９に入射された外光を、後述する反射膜で表示面９側に反射させて、その反射光を表示面９側に射出することによって、反射表示が行われる。なお、外光とは、表示パネル３の表示面９から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光などが含まれる。
【００５４】
ここで、液晶パネル１０の素子基板１５及び対向基板１７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１５は、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図５に示すように、第１基板５１と、素子層５２と、拡散反射層５３とを有している。
第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた第１面５４ａと、底面２３側に向けられた第２面５４ｂとを有している。
【００５５】
素子層５２は、第１基板５１の第１面５４ａに設けられている。素子層５２には、ゲート絶縁膜５７と、絶縁膜５９と、配向膜６１と、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６３と、共通電極６７と、画素電極６９とが含まれている。
拡散反射層５３は、第１基板５１の第２面５４ｂに設けられている。拡散反射層５３には、樹脂層７７と、反射膜７９とが含まれている。
【００５６】
ゲート絶縁膜５７は、第１基板５１の第１面５４ａに設けられている。絶縁膜５９は、ゲート絶縁膜５７の表示面９側に設けられている。配向膜６１は、絶縁膜５９の表示面９側に設けられている。
ＴＦＴ素子６３と、共通電極６７と、画素電極６９とは、それぞれ、各画素７に対応して設けられている。
【００５７】
ＴＦＴ素子６３は、ゲート電極７１と、半導体層７２と、ソース電極７３と、ドレイン電極７４とを有している。ゲート電極７１は、第１基板５１の第１面５４ａに設けられており、ゲート絶縁膜５７によって表示面９側から覆われている。なお、ゲート電極７１の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜５７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層７２は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜５７を挟んでゲート電極７１に対向する位置に設けられている。
【００５８】
ソース電極７３は、ゲート絶縁膜５７の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７２に重なっている。ドレイン電極７４は、ゲート絶縁膜５７の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７２に重なっている。上記の構成を有するＴＦＴ素子６３は、半導体層７２がゲート電極７１と、ソース電極７３及びドレイン電極７４との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
上記の構成を有するＴＦＴ素子６３は、絶縁膜５９によって表示面９側から覆われている。なお、絶縁膜５９の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【００５９】
共通電極６７は、第１基板５１の第１面５４ａ側に設けられており、平面視で透過領域Ｔ及び反射領域Ｈに重なっている。共通電極６７とゲート電極７１とは、互いにＹ方向に間隔をあけた状態で設けられている。共通電極６７の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。
共通電極６７は、ゲート絶縁膜５７によって表示面９側から覆われている。
【００６０】
画素電極６９は、絶縁膜５９の表示面９側に設けられている。画素電極６９は、絶縁膜５９に設けられたコンタクトホール７５を介して、ドレイン電極７４につながっている。画素電極６９の材料としては、例えばＩＴＯなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
配向膜６１は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜５９及び画素電極６９を表示面９側から覆っている。なお、配向膜６１には、配向処理が施されている。
【００６１】
樹脂層７７は、第１基板５１の第２面５４ｂに設けられている。樹脂層７７の底面２３側には、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に凹凸部７８が設けられている。樹脂層７７の材料としては、例えばアクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【００６２】
反射膜７９は、樹脂層７７の底面２３側に設けられており、平面視で反射領域Ｈに重なっている。反射膜７９の材料としては、例えばアルミニウムなどの光反射性を有する材料が採用され得る。
反射膜７９は、樹脂層７７の凹凸部７８を底面２３側から覆っている。このため、反射膜７９には、樹脂層７７の凹凸部７８の凹凸形状が反映されている。つまり、反射膜７９は、凹凸部７８の凹凸形状にならって凹凸状に設けられている。これにより、反射膜７９は、光を乱反射させることができる。
【００６３】
対向基板１７は、第２基板８１と、対向層８２とを有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた外向面８３ａと、底面２３側に向けられた対向面８３ｂとを有している。
対向層８２は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられている。対向層８２には、光吸収層８５と、カラーフィルタ８７と、オーバーコート層９１と、第１配向膜９３と、位相差膜９５と、第２配向膜９７とが含まれている。
【００６４】
光吸収層８５は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられており、領域８６にわたっている。光吸収層８５は、平面視で格子状に設けられており、各画素７を区画している。表示装置１では、各画素７は、光吸収層８５によって囲まれた領域であると定義され得る。
光吸収層８５の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
【００６５】
カラーフィルタ８７は、各画素７に対応して設けられている。カラーフィルタ８７は、第２基板８１の対向面８３ｂ側に設けられており、光吸収層８５によって囲まれた各領域、すなわち各画素７の領域を底面２３側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ８７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８７は、画素７ｒ、画素７ｇ及び画素７ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素７ｒに対応するカラーフィルタ８７は、Ｒの光を透過させることができる。画素７ｇに対応するカラーフィルタ８７はＧの光を透過させ、画素７ｂに対応するカラーフィルタ８７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８７ｒ、８７ｇ及び８７ｂという表記が用いられる。
【００６６】
オーバーコート層９１は、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７の底面２３側に設けられている。オーバーコート層９１は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７を底面２３側から覆っている。
第１配向膜９３は、オーバーコート層９１の底面２３側に設けられている。第１配向膜９３は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層９１を底面２３側から覆っている。第１配向膜９３には、底面２３側に配向処理が施されている。
【００６７】
位相差膜９５は、第１配向膜９３の底面２３側に設けられている。位相差膜９５は、例えば液晶化合物を含む材料で構成されており、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に設けられている。位相差膜９５は、この位相差膜９５に入射された光に、１／２波長の位相差を与える。
第２配向膜９７は、第１配向膜９３及び位相差膜９５の底面２３側に設けられている。第２配向膜９７は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、第１配向膜９３及び位相差膜９５を底面２３側から覆っている。第２配向膜９７には、底面２３側に配向処理が施されている。
【００６８】
素子基板１５及び対向基板１７の間に介在する液晶１９は、配向膜６１と第２配向膜９７との間に介在している。液晶パネル１０では、各画素７において、透過領域Ｔと反射領域Ｈとで液晶１９の厚みが異なる所謂マルチギャップ構造が採用されている。
透過領域Ｔにおいて、液晶１９は、Ｌ１なる厚みを有している。これに対し、反射領域Ｈでは、液晶１９の厚みＬ２が、Ｌ１＞Ｌ２となるように、位相差膜９５の厚みが設定されている。なお、液晶パネル１０では、Ｌ１は、Ｌ２の約２倍に設定されている。
【００６９】
ここで、位相差膜９５は、図５中のＦ−Ｆ線における断面図である図６に示すように、Ｘ方向に並ぶ複数の画素７間にわたって一連している。つまり、位相差膜９５は、Ｘ方向に並ぶ複数の反射領域Ｈに、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で重なっている。
【００７０】
ここで、各画素７におけるＴＦＴ素子６３、共通電極６７及び画素電極６９の配置について説明する。
画素電極６９は、平面図である図７に示すように、画素７の領域にわたって設けられており、複数のスリット部１１１を有している。図７では、構成をわかりやすく示すため、画素電極６９にハッチングが施されている。
複数のスリット部１１１は、Ｙ方向に所定間隔で並んでいる。各スリット部１１１は、Ｙ方向とは交差する方向に沿って延びている。なお、各スリット部１１１が延びる方向は、Ｘ方向から傾斜している。
【００７１】
共通電極６７は、画素電極６９を覆う領域に設けられている。Ｘ方向に隣り合う画素７間において、共通電極６７同士は、共通線１１３によって接続されている。
各画素７において、共通電極６７及び画素電極６９は、それぞれの周縁部が領域８６に重なっている。
なお、図５に示す反射膜７９及び位相差膜９５は、図７に示す境界部１１５よりも反射領域Ｈ側で、共通電極６７に重なっている。従って、反射領域Ｈは、各画素７と反射膜７９と位相差膜９５とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。また、透過領域Ｔは、各画素７から反射領域Ｈを除いた領域と、共通電極６７とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。
【００７２】
ＴＦＴ素子６３は、図７で見て透過領域Ｔの左側の領域８６内に設けられている。画素電極６９は、透過領域Ｔ内から領域８６内に及んでおり、領域８６内に設けられたコンタクトホール７５を介してドレイン電極７４につながっている。Ｘ方向に隣り合う画素７間において、ゲート電極７１同士は、ゲート線１１７によって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素７間において、ソース電極７３同士は、データ線１１９によって接続されている。
なお、図５におけるＴＦＴ素子６３、共通電極６７及び画素電極６９の断面は、図７中のＪ−Ｊ線における断面に相当している。
【００７３】
共通電極６７と画素電極６９との間に電圧を印加すると、共通電極６７と画素電極６９との間に電界が発生する。液晶パネル１０では、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化すると、共通電極６７と画素電極６９との間に電界が発生する。この電界によって液晶１９の配向状態を変化させることができる。
表示装置１では、照明装置５から表示パネル３に光を照射した状態で、液晶１９の配向状態を画素７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６３のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
【００７４】
配向膜６１及び第２配向膜９７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜６１及び第２配向膜９７によって、液晶１９の初期的な配向状態が規制される。
図８（ａ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図であり、図８（ｂ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図である。
表示装置１では、液晶１９の初期的な配向方向１２１は、図８（ａ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った方向に設定されている。
ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態に切り替わると、液晶１９の配向方向１２１は、図８（ｂ）に示すように、平面視で偏光板１３ａの透過軸１２３ａに対してこの図で見て反時計方向に４５度の傾きを有する方向に変化する。
【００７５】
図９（ａ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図であり、図９（ｂ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図である。
反射領域Ｈにおける液晶１９の配向方向１２１は、図９（ａ）及び図９（ｂ）のそれぞれに示すように、透過領域Ｔと同様である。
【００７６】
なお、図８（ａ）及び図８（ｂ）、並びに図９（ａ）及び図９（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った方向を示し、Ｙ'方向が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに沿った方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【００７７】
透過領域Ｔでは、底面２３側から偏光板１３ａを経て入射された入射光は、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、偏光板１３ａの透過軸１２３ａに沿った偏光軸を有する直線偏光１２５として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された直線偏光１２５は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときに、図８（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っている。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、偏光状態が維持されたまま直線偏光１２５として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２５は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。
【００７８】
他方で、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときに、直線偏光１２５は、図８（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、液晶１９によって１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１２５の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光１２７として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１２７は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂの方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
このように、透過領域Ｔでは、ＴＦＴ素子６３のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、透過表示が制御される。
【００７９】
反射領域Ｈでは、表示面９側から偏光板１３ｂを経て入射された入射光は、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに沿った偏光軸を有する直線偏光１２９として位相差膜９５に入射される。
ここで、位相差膜９５の遅相軸１３１は、平面視でＸ'方向に対してこれらの図で見て反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差膜９５に入射された直線偏光１２９は、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１３３として液晶１９に入射される。直線偏光１３３の偏光軸は、平面視でＸ'方向に対して図９（ａ）及び図９（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有する方向に沿っている。
【００８０】
液晶１９に入射された直線偏光１３３は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときに、図９（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、１／４波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光１３５として反射膜７９に向けて射出される。
円偏光１３５は、反射膜７９で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光１３５とは逆回転の円偏光１３７として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された円偏光１３７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に対してこの図で見て反時計方向に１３５度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１３９として位相差膜９５に入射される。
【００８１】
位相差膜９５に入射された直線偏光１３９は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４１として偏光板１３ｂに入射される。
偏光板１３ｂに入射された直線偏光１４１は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂに対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。
【００８２】
他方で、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときに、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、図９（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光１３３として反射膜７９に向けて射出される。
反射膜７９に向けて射出された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま反射膜７９で反射され、液晶１９に入射される。
【００８３】
反射膜７９から液晶１９に入射された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま位相差膜９５に入射される。位相差膜９５に入射された直線偏光１３３は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４３として偏光板１３ｂに入射される。偏光板１３ｂに入射された直線偏光１４３は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１２３ｂの方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。
このように、反射領域Ｈにおいても、透過領域Ｔと同様にＴＦＴ素子６３のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、反射表示が制御される。
【００８４】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル１０の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、第１基板５１に素子層５２を形成する工程と、対向基板１７の製造工程とに大別される。なお、第１基板５１に素子層５２を形成する工程と、対向基板１７の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
【００８５】
第１基板５１に素子層５２を形成する工程では、図１０（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５４ａに、ゲート電極７１と、共通電極６７とを形成する。ゲート電極７１や共通電極６７は、例えばスパッタリング技術を活用して第１面５４ａに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００８６】
次いで、ゲート電極７１及び共通電極６７を第１面５４ａ側から覆うゲート絶縁膜５７を形成する。ゲート絶縁膜５７は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。
【００８７】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５７上に、半導体層７２を形成してから、半導体層７２の一部に重なるソース電極７３とドレイン電極７４とを形成する。これにより、ＴＦＴ素子６３が形成される。
なお、ソース電極７３及びドレイン電極７４は、例えばスパッタリング技術を活用してゲート絶縁膜５７上に金属膜を形成してから、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００８８】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６３及びゲート絶縁膜５７を第１面５４ａ側から覆う絶縁膜５９を形成する。絶縁膜５９は、例えば、ＣＶＤ技術、ＰＶＤ技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。また、絶縁膜５９は、例えば、スピンコート技術を活用することによって、アクリル系の樹脂などによっても形成され得る。
次いで、絶縁膜５９に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用して、ＴＦＴ素子６３のドレイン電極７４に至るコンタクトホール７５を形成する。
【００８９】
次いで、絶縁膜５９上に、スパッタリング技術などを活用して、ＩＴＯの膜を形成する。
次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用して、ＩＴＯの膜をパターニングして、図１０（ｄ）に示すように、画素電極６９を形成する。
【００９０】
次いで、画素電極６９及び絶縁膜５９上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極６９を覆う樹脂膜を形成する。樹脂膜は、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施すことにより、図５に示す配向膜６１が形成される。これにより、第１基板５１に素子層５２が形成され得る。
【００９１】
対向基板１７の製造工程では、図１１（ａ）に示すように、まず、第２基板８１の対向面８３ｂに、光吸収層８５を、平面視で格子状に形成する。光吸収層８５は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００９２】
次いで、光吸収層８５によって囲まれる各画素７の領域内に、カラーフィルタ８７を形成する。カラーフィルタ８７は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素７の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素７の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７上にオーバーコート層９１を形成する。オーバーコート層９１は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
【００９３】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、オーバーコート層９１上に第１配向膜９３を形成する。第１配向膜９３の形成では、例えばスピンコート技術を活用して、ポリイミドなどの樹脂でオーバーコート層９１上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。これにより、第１配向膜９３が形成され得る。
【００９４】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、ネガ型の感光性を有する液晶化合物が含有された液状体９５ａで、第１配向膜９３上に液状体膜９５ｂを形成する。液状体膜９５ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
なお、液状体９５ａとしては、液晶化合物と溶媒とを混合したものに光重合開始剤を添加した構成が採用され得る。
【００９５】
液晶化合物としては、例えばＢＡＳＦ社製のＬＣ２４２などが採用され得る。溶媒としては、例えばＰＧＭＥＡなどが採用され得る。光重合開始剤としては、例えばチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のイルガキュア９０７などが採用され得る。
ここで、液状体膜９５ｂに含まれる液晶化合物は、配向処理が施された第１配向膜９３によって分子の配向状態が規制される。これにより、液状体膜９５ｂには、屈折率に異方性が発現する。
【００９６】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、フォトマスク１５１を介して、液状体膜９５ｂを紫外光１５３で露光する。ここで、フォトマスク１５１には、反射領域Ｈに重なる領域に開口部１５５が設けられている。液状体膜９５ｂには、開口部１５５を介して紫外光１５３が照射される。そして、液状体膜９５ｂのうちで露光された部位が硬化する。
【００９７】
次いで、液状体膜９５ｂに、例えばＰＧＭＥＡなどの現像液で現像処理を施す。これにより、フォトマスク１５１で遮光された領域内の液状体膜９５ｂが剥離され、図５に示す位相差膜９５が形成され得る。
【００９８】
次いで、図５に示すように、第１配向膜９３及び位相差膜９５を底面２３側から覆う第２配向膜９７を形成する。
第２配向膜９７の形成では、ポリイミドなどの樹脂で第１配向膜９３及び位相差膜９５上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。
これにより、第２配向膜９７が形成され、対向基板１７が製造され得る。
【００９９】
ここで、第１基板５１に素子層５２を形成する工程では、図１２（ａ）に示すように、１枚のマザー基板５１ｍに、液晶パネル１０の複数個分に相当する複数の素子層５２を形成する。複数の素子層５２のそれぞれは、１つの液晶パネル１０に相当する部位１６１ごとに設けられる。
対向基板１７の製造工程では、図１２（ｂ）に示すように、１枚のマザー基板８１ｍに、液晶パネル１０の複数個分に相当する複数の対向層８２を形成する。複数の対向層８２のそれぞれは、１つの液晶パネル１０に相当する部位１６１ごとに設けられる。
【０１００】
液晶パネル１０の製造工程では、まず、複数の素子層５２が形成されたマザー基板５１ｍと、複数の対向層８２が形成されたマザー基板８１ｍとを、図１３（ａ）に示すように、部位１６１ごとに環状に設けられたシール材２１を介して接合する。このとき、部位１６１ごとに設けられるシール材２１は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２１の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
【０１０１】
次いで、マザー基板５１ｍの面１６３にエッチング処理やＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などを施して、図１３（ｂ）に示すように、マザー基板５１ｍを薄くする。このとき、マザー基板５１ｍには、面１６３にエッチング処理やＣＭＰ処理などが施されることにより、第２面５４ｂが形成される。
【０１０２】
次いで、図１４に示すように、マザー基板５１ｍの第２面５４ｂに、樹脂層７７を構成する材料を含む液状体７７ａで液状体膜７７ｂを形成する。液状体膜７７ｂは、ポジ型の感光性を有しており、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、図１５に示すように、フォトマスク１６５を介して、液状体膜７７ｂを紫外光１６６で露光する。ここで、フォトマスク１６５には、反射領域Ｈに重なる領域に複数の開口部１６７が設けられている。液状体膜７７ｂには、複数の開口部１６７を介して紫外光１６６が照射される。
【０１０３】
次いで、液状体膜７７ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜７７ｂのうちで、複数の開口部１６７を介して露光された部位が除去される。
次いで、液状体膜７７ｂに焼成処理を施すことにより、図１６に示すように、凹凸部７８を有する樹脂層７７が形成され得る。
次いで、例えばスパッタリング技術を活用して、樹脂層７７の底面２３側にアルミニウムなどの金属膜を形成する。
次いで、樹脂層７７の底面２３側に形成された金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって、図５に示す反射膜７９を形成する。これにより、図５に示す拡散反射層５３が形成され得る。
【０１０４】
次いで、マザー基板５１ｍ及びマザー基板８１ｍを、部位１６１ごとに切断する。
次いで、部位１６１ごとに液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２に示す液晶パネル１０が製造され得る。
【０１０５】
表示パネル３の製造工程では、図２に示す偏光板１３ａ及び１３ｂを液晶パネル１０に設ける。偏光板１３ａは第１基板５１の第２面５４ｂ（図５）に設けられ、偏光板１３ｂは、第２基板８１の外向面８３ａ（図５）に設けられる。これにより、図２に示す表示パネル３が製造され得る。
なお、偏光板１３ｂは、液晶パネル１０の製造工程の前に、第２基板８１に設けられていてもよい。
表示装置１の製造工程では、表示パネル３と照明装置５とを組み合わせることにより、表示装置１が製造され得る。
【０１０６】
第１実施形態において、表示装置１が液晶表示装置に対応し、第１面５４ａが第１主面に対応し、第２面５４ｂが第２主面に対応している。
第１実施形態の表示装置１では、拡散反射層５３（図５）が第１基板５１の液晶１９側とは反対側の底面２３側に設けられている。このため、平面視で反射膜７９に重なる液晶１９の厚みが凹凸部７８によってばらつくことを低く抑えることができる。この結果、反射領域Ｈにおける液晶１９のリタデーションがばらつくことを低く抑えることができる。これにより、反射表示におけるコントラストの低下が極めて低く抑えられるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１０７】
また、第１実施形態では、拡散反射層５３が第１基板５１と偏光板１３ａとの間に介在しているので、例えば拡散反射層５３を偏光板１３ａよりも底面２３側に設けた構成に比較して、拡散反射層５３と第１基板５１との間の距離を短くすることができる。
ここで、拡散反射層５３と第１基板５１との間の距離が長くなると、拡散反射層５３で乱反射された散乱光のうちで透過領域Ｔに入射される光が多くなる。このため、反射表示に寄与する光が減少しやすいので、光の利用効率が低くなりやすい。また、乱反射された散乱光が透過領域Ｔに入射されると、光の変調状態が達成されず、光漏れなどの現象が生じやすくなる。光漏れなどが発生すると、表示におけるコントラストが低下してしまう。
【０１０８】
これに対し、表示装置１では、拡散反射層５３と第１基板５１との間の距離を短くすることができるので、乱反射された散乱光のうちで反射領域Ｈ外に向かう光を軽減することができる。このため、光の利用効率を高めることができる。また、乱反射された散乱光のうちで透過領域Ｔに入射される光を軽減することができるので、表示におけるコントラストの低下を低く抑えやすくすることができる。
【０１０９】
また、第１実施形態では、表示装置１の製造方法に、第１基板５１を薄くする工程が含まれている。このため、拡散反射層５３と第１基板５１との間の距離を一層短くすることができるので、光の利用効率を一層高めることができるとともに、表示におけるコントラストの低下を一層低く抑えやすくすることができる。
【０１１０】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態における表示装置２０は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図１７に示すように、液晶パネル３０を有している。第２実施形態における表示装置２０は、第１実施形態における液晶パネル１０が液晶パネル３０に替えられていることを除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。
従って、以下の第２実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１１１】
液晶パネル３０では、素子基板１５が電極基板４０と、反射基板５０とを有している。電極基板４０は、対向基板１７よりも底面２３側に設けられており、液晶１９を挟んで対向基板１７に対向している。反射基板５０は、電極基板４０の底面２３側に設けられており、電極基板４０に対向している。
【０１１２】
電極基板４０は、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図１８に示すように、第１基板５１と、素子層１７１とを有している。素子層１７１は、第１基板５１の第１面５４ａに設けられている。素子層１７１には、絶縁膜５９と、配向膜６１と、共通電極６７と、画素電極６９とが含まれている。
【０１１３】
反射基板５０は、第３基板１７３と、拡散反射層５３と、ゲート絶縁膜５７と、ＴＦＴ素子６３とを有している。
第３基板１７３は、第１基板５１の第２面５４ｂ側に向けられた対向面１７４ａと、底面２３側に向けられた外向面１７４ｂとを有している。
ゲート絶縁膜５７は、第３基板１７３の対向面１７４ａに設けられている。また、対向面１７４ａには、ゲート電極７１が設けられている。
拡散反射層５３は、ゲート絶縁膜５７の表示面９側に設けられている。また、ゲート絶縁膜５７の表示面９側には、半導体層７２と、ソース電極７３と、ドレイン電極７４とが設けられている。
【０１１４】
拡散反射層５３は、樹脂層７７と、反射膜７９とを有している。樹脂層７７は、ゲート絶縁膜５７の表示面９側に設けられており、半導体層７２、ソース電極７３及びドレイン電極７４を表示面９側から覆っている。このため、第２実施形態では、ＴＦＴ素子６３は、第３基板１７３と樹脂層７７との間に介在しているとみなされ得る。
樹脂層７７の表示面９側には、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に凹凸部７８が設けられている。反射膜７９は、樹脂層７７の凹凸部７８を表示面９側から覆っている。
【０１１５】
上記の構成を有する電極基板４０と反射基板５０とは、接着層１７５を介して接合されている。
ここで、各画素７において、ＴＦＴ素子６３は、反射領域Ｈ内に設けられている。各ＴＦＴ素子６３は、反射領域Ｈ内で、平面視で反射膜７９に重なっている。ドレイン電極７４は、反射領域Ｈ内から、透過領域Ｔ側とは反対側の領域８６内に延びている。画素電極６９は、ドレイン電極７４が及んでいる領域８６内で、コンタクトホール７５を介してドレイン電極７４につながっている。コンタクトホール７５は、絶縁膜５９から、第１基板５１、接着層１７５及び樹脂層７７を経て、ドレイン電極７４に至っている。
【０１１６】
液晶パネル３０の製造方法について説明する。
液晶パネル３０の製造方法は、素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程と、液晶パネル３０の製造工程とに大別される。なお、素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
ここで、対向基板１７の製造工程と、液晶パネル３０の製造工程とは、いずれも第１実施形態と同様であるので、以下においては、素子基板１５の製造工程のみについて説明する。また、素子基板１５の製造工程では、第１基板５１及び第３基板１７３のそれぞれがマザー基板の状態で各工程が実施される。以下においては、説明を容易にするために、第１基板５１及び第３基板１７３の状態で説明する。
【０１１７】
素子基板１５の製造工程では、まず、図１９（ａ）に示すように、まず、第３基板１７３の対向面１７４ａに、ゲート電極７１を形成する。
次いで、ゲート電極７１を対向面１７４ａ側から覆うゲート絶縁膜５７を形成する。
次いで、ゲート絶縁膜５７上に、半導体層７２を形成してから、半導体層７２の一部に重なるソース電極７３とドレイン電極７４とを形成する。これにより、ＴＦＴ素子６３が形成される。
次いで、ゲート絶縁膜５７上に、樹脂層７７を構成する材料を含む液状体膜７７ｂを形成する。
【０１１８】
次いで、図１９（ｂ）に示すように、樹脂層７７に凹凸部７８とコンタクトホール７５を形成する。ここで、第２実施形態では、液状体膜７７ｂを露光するときに、凹凸部７８の凹部を形成する部位と、コンタクトホール７５を形成する部位とを露光する。この露光の後に液状体膜７７ｂに現像処理を施すことにより、凹凸部７８とコンタクトホール７５とが形成され得る。つまり、凹凸部７８と、コンタクトホール７５とは、１回の露光及び１回の現像処理で形成され得る。これにより、製造工程の簡略化が図られる。
【０１１９】
次いで、図１９（ｃ）に示すように、凹凸部７８上に反射膜７９を形成する。これにより、図１８に示す拡散反射層５３が形成され得る。
次いで、図１９（ｄ）に示すように、樹脂層７７及び反射膜７９上に、接着層１７５を構成する材料を含む液状体１７５ａで液状体膜１７５ｂを形成する。液状体膜１７５ｂは、ポジ型の感光性を有しており、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
【０１２０】
次いで、図２０（ａ）に示すように、液状体膜１７５ｂ上に第１基板５１を載置する。
次いで、第１基板５１を介して液状体膜１７５ｂを露光する。このとき、液状体膜１７５ｂのうちで、平面視でコンタクトホール７５に重なる部位１７５ｃには、露光光を遮光する。これにより、液状体膜１７５ｂのうちで部位１７５ｃを除く部位が硬化して接着層１７５が形成され得る。
【０１２１】
次いで、図２０（ｂ）に示すように、第１基板５１を薄くする。このとき、第１基板５１には、第１面５４ａが形成される。
次いで、図２０（ｃ）に示すように、第１基板５１の第１面５４ａに、共通電極６７を形成する。
次いで、共通電極６７を第１面５４ａ側から覆う絶縁膜５９を形成する。
【０１２２】
次いで、絶縁膜５９及び第１基板５１に、絶縁膜５９から接着層１７５に至るコンタクトホール７５を形成する。絶縁膜５９から接着層１７５に至るコンタクトホール７５は、例えばフッ酸をエッチャントとするエッチング処理などにより形成され得る。
次いで、部位１７５ｃを除去することにより、図２０（ｄ）に示すように、絶縁膜５９から、第１基板５１、接着層１７５及び樹脂層７７を経て、ドレイン電極７４に至るコンタクトホール７５が形成され得る。
【０１２３】
次いで、絶縁膜５９上に画素電極６９を形成してから、画素電極６９及び絶縁膜５９を表示面９側から覆う配向膜６１を形成することにより、図１８に示す素子基板１５が製造され得る。
【０１２４】
第２実施形態において、ＴＦＴ素子６３がスイッチング素子に対応している。
第２実施形態における表示装置２０においても、第１実施形態における表示装置１と同様の効果が得られる。
さらに、表示装置２０では、樹脂層７７が第１基板５１と第３基板１７３との間に介在している。このため、第３基板１７３によって樹脂層７７の保護が図られる。
【０１２５】
また、表示装置２０では、各ＴＦＴ素子６３は、第３基板１７３と樹脂層７７との間に介在しており、且つ各反射領域Ｈに重なる領域に設けられている。表示装置２０では、各ＴＦＴ素子６３が各反射領域Ｈに重なる領域で第３基板１７３と樹脂層７７との間に介在しているので、反射表示や透過表示に寄与する光がＴＦＴ素子６３によって遮られない。このため、各画素７の開口率を高めやすくすることができる。
【０１２６】
また、表示装置２０では、凹凸部７８が樹脂層７７の表示面９側すなわち第１基板５１側に形成されている。このため、拡散反射層５３と第１基板５１との間の距離を一層短くすることができるので、光の利用効率を一層高めることができるとともに、表示におけるコントラストの低下を一層低く抑えやすくすることができる。
【０１２７】
第３実施形態について説明する。
第３実施形態における表示装置６０は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２１に示すように、液晶パネル７０を有している。第３実施形態における表示装置６０は、第１実施形態における液晶パネル１０が液晶パネル７０に替えられていることを除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。
従って、以下の第３実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１２８】
液晶パネル７０は、素子基板８０と、反射基板９０とを有している。第３実施形態における液晶パネル７０では、第１実施形態における液晶パネル１０の素子基板１５（図２）が省略され、素子基板８０と反射基板９０とが設けられている。
素子基板８０は、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図２２に示すように、第１基板５１と、素子層５２とを有している。この素子基板８０は、第１実施形態における素子基板１５から拡散反射層５３（図５）が省略されていることを除いては、第１実施形態における素子基板１５と同様の構成を有している。
【０１２９】
反射基板９０は、第３基板１７３の対向面１７４ａ側に反射膜７９を設けた構成を有している。第３基板１７３には、対向面１７４ａ側に凹凸部７８が形成されている。反射膜７９は、第３基板１７３の対向面１７４ａ側に設けられており、凹凸部７８を表示面９側から覆っている。
上記の構成を有する素子基板８０と反射基板９０とは、接着剤１８１を介して接合されている。
【０１３０】
表示装置６０の製造方法について説明する。
表示装置６０の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル７０の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置６０の製造工程とに大別される。
また、基板の製造工程は、第１基板５１に素子層５２を形成する工程と、対向基板１７の製造工程と、反射基板９０の製造工程とに大別される。
表示装置６０では、第１基板５１に素子層５２を形成する工程と、対向基板１７の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置６０の製造工程とは、いずれも第１実施形態と同様である。従って、以下においては、反射基板９０の製造工程、及び液晶パネル７０の製造工程のみについて説明する。
【０１３１】
反射基板９０の製造工程について説明する。ここで、反射基板９０の製造工程は、第３基板１７３がマザー基板の状態で実施される。以下においては、説明を容易にするために、第３基板１７３の状態で説明する。
【０１３２】
反射基板９０の製造工程では、まず、図２３（ａ）に示すように、平面視で反射領域Ｈに重なる凹凸部７８を、第３基板１７３の対向面１７４ａに形成する。凹凸部７８は、例えばエッチング技術を活用することによって形成され得る。フッ酸などを用いたエッチング技術を活用して第３基板１７３に凹凸部７８を形成する方法は、一般的にフロスト処理として知られている。
次いで、図２３（ｂ）に示すように、凹凸部７８上に反射膜７９を形成する。これにより、反射基板９０が製造され得る。
なお、第１基板５１に素子層５２を形成する工程と、対向基板１７の製造工程と、反射基板９０の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
【０１３３】
液晶パネル７０の製造工程について説明する。
液晶パネル７０の製造工程では、まず、複数の素子層５２が形成されたマザー基板５１ｍと、複数の対向層８２が形成されたマザー基板８１ｍとを、図１３（ａ）に示すように、部位１６１ごとに環状に設けられたシール材２１を介して接合する。このとき、部位１６１ごとに設けられるシール材２１は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２１の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
【０１３４】
次いで、マザー基板５１ｍの面１６３にエッチング処理やＣＭＰ処理などを施して、図１３（ｂ）に示すように、マザー基板５１ｍを薄くする。このとき、マザー基板５１ｍには、面１６３にエッチング処理やＣＭＰ処理などが施されることにより、第２面５４ｂが形成される。
【０１３５】
次いで、第１基板５１の第２面５４ｂ及び第３基板１７３の対向面１７４ａのうちの少なくとも一方に接着剤１８１を塗布してから、第１基板５１の第２面５４ｂと、第３基板１７３の対向面１７４ａとを接着剤１８１で接合する。
次いで、マザー基板５１ｍ及びマザー基板８１ｍ、並びに第３基板１７３のマザー基板を、部位１６１ごとに切断する。
次いで、部位１６１ごとに液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２２に示す液晶パネル７０が製造され得る。
【０１３６】
第３実施形態において、凹凸部７８及び反射膜７９が拡散反射層に対応している。
第３実施形態における表示装置６０においても、第１実施形態における表示装置１と同様の効果が得られる。
さらに、表示装置６０では、樹脂層７７を省略することができるので、表示装置６０の薄型化が図られたり、製造コストの軽減が図られたりする。
【０１３７】
また、表示装置６０では、凹凸部７８が第３基板１７３の対向面１７４ａ側に形成されているので、反射膜７９と液晶１９との間の距離を一層短くすることができる。このため、光の利用効率を一層高めることができるとともに、表示におけるコントラストの低下を一層低く抑えやすくすることができる。
【０１３８】
第４実施形態について説明する。
第４実施形態における表示装置１００は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２４に示すように、液晶パネル１１０を有している。第４実施形態における表示装置１００は、第１実施形態における液晶パネル１０が液晶パネル１１０に替えられていることを除いては、第１実施形態における表示装置１と同様の構成を有している。
従って、以下の第４実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１３９】
液晶パネル１１０は、素子基板１２０を有している。第４実施形態における液晶パネル１１０では、第１実施形態における液晶パネル１０の素子基板１５（図２）が、素子基板１２０に替えられている。
素子基板１２０は、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図２５に示すように、第１基板５１と、素子層５２とを有している。この素子基板１２０では、第１実施形態における素子基板１５から樹脂層７７（図５）が省略されている。
【０１４０】
素子基板１２０では、凹凸部７８は、第１基板５１の第２面５４ｂ側に形成されている。反射膜７９は、第１基板５１の第２面５４ｂ側に設けられており、凹凸部７８を底面２３側から覆っている。
【０１４１】
表示装置１００の製造方法について説明する。
表示装置１００の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル１１０の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１００の製造工程とに大別される。
表示装置１００では、基板の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１００の製造工程とは、いずれも第１実施形態と同様である。従って、以下においては、液晶パネル１１０の製造工程のみについて説明する。
【０１４２】
液晶パネル１１０の製造工程では、まず、複数の素子層５２が形成されたマザー基板５１ｍと、複数の対向層８２が形成されたマザー基板８１ｍとを、図１３（ａ）に示すように、部位１６１ごとに環状に設けられたシール材２１を介して接合する。このとき、部位１６１ごとに設けられるシール材２１は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２１の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
【０１４３】
次いで、マザー基板５１ｍの面１６３にエッチング処理やＣＭＰ処理などを施して、図１３（ｂ）に示すように、マザー基板５１ｍを薄くする。このとき、マザー基板５１ｍには、面１６３にエッチング処理やＣＭＰ処理などが施されることにより、第２面５４ｂが形成される。
【０１４４】
次いで、図２６に示すように、平面視で反射領域Ｈに重なる凹凸部７８を、マザー基板５１ｍの第２面５４ｂに形成する。凹凸部７８は、前述したフロスト処理を活用することによって形成され得る。
【０１４５】
次いで、凹凸部７８上に、図２５に示す反射膜７９を形成する。
次いで、マザー基板５１ｍ及びマザー基板８１ｍを、部位１６１ごとに切断する。
次いで、部位１６１ごとに液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２５に示す液晶パネル１１０が製造され得る。
【０１４６】
第４実施形態において、凹凸部７８及び反射膜７９が拡散反射層に対応している。
第４実施形態における表示装置１００においても、第１実施形態における表示装置１と同様の効果が得られる。
さらに、表示装置１００では、樹脂層７７や第３基板１７３を省略することができるので、表示装置１００の薄型化が図られたり、コストの軽減が図られたりする。
【０１４７】
また、表示装置１００では、凹凸部７８が第１基板５１の第２面５４ｂ側に形成されているので、反射膜７９と液晶１９との間の距離を一層短くすることができる。このため、光の利用効率を一層高めることができるとともに、表示におけるコントラストの低下を一層低く抑えやすくすることができる。
【０１４８】
なお、表示装置１，２０，６０，１００では、それぞれ、液晶１９の駆動方式としてＦＦＳ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されず、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＶＡ（Vertical Alignment）型等の種々の方式が採用され得る。
【０１４９】
また、表示装置１，２０，６０，１００では、それぞれ、位相差膜９５が対向基板１７側に設けられている場合を例に説明したが、位相差膜９５はこれに限定されず、素子基板１５，８０，１２０側に設けられていてもよい。
【０１５０】
また、表示装置１，２０，６０，１００では、それぞれ、第１配向膜９３及び位相差膜９５を有する構成を例に説明したが、これに限定されず、第１配向膜９３及び位相差膜９５に替えて位相差シート（位相差板）を貼り付けた構成も採用され得る。この構成では、第１配向膜９３が省略され、且つ位相差膜９５に替えて位相差シートが設けられる。この構成により、第１配向膜９３を省略することができるので、表示装置１，２０，６０，１００のそれぞれにおいて薄型化が図られる。
【０１５１】
また、表示装置１，２０，６０，１００では、それぞれ、入射された光に対して１／２波長の位相差を与える位相差膜９５を例に説明したが、位相差膜９５が与える位相差はこれに限定されず、１／４波長、１／８波長などの種々の位相差が採用され得る。
【０１５２】
また、表示装置１，２０，６０，１００では、それぞれ、半透過反射型の液晶装置を例に説明したが、表示装置１，２０，６０，１００はこれに限定されず、反射型の液晶装置も採用され得る。
反射型の液晶装置の場合、表示装置１，２０，６０，１００では、それぞれ、各画素７の透過領域Ｔが省略される。この場合、各画素７では、表示面９を介して液晶１９に入射された外光を、反射膜７９で表示面９側に反射させて、その反射光を表示面９側に射出することによって、反射表示が行われる。
【０１５３】
また、反射型の液晶装置の場合、表示装置１，２０，６０，１００では、照明装置５を対向基板１７よりも表示面９側に設けたフロントライト型の構成や、照明装置５を省略した構成などが採用され得る。
【０１５４】
上述した表示装置１，２０，６０，１００は、それぞれ、例えば、図２７に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１、表示装置２０、表示装置６０又は表示装置１００が適用されているので、表示部５１０におけるコントラストの低下が極めて低く抑えられるので、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１５５】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示パネル３や液晶パネル１０，３０，７０，１１０は、それぞれ、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】第１実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】第１実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】図３中のＣ部の拡大図。
【図５】図４中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図６】図５中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図７】第１実施形態におけるＴＦＴ素子、共通電極及び画素電極の配置を説明する平面図。
【図８】第１実施形態における表示パネルの透過領域における偏光状態を説明する図。
【図９】第１実施形態における表示パネルの反射領域における偏光状態を説明する図。
【図１０】第１実施形態における第１基板に素子層を形成する工程を説明する図。
【図１１】第１実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。
【図１２】第１実施形態における第１基板及び第２基板の各マザー基板を説明する断面図。
【図１３】第１実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。
【図１４】第１実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。
【図１５】第１実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。
【図１６】第１実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。
【図１７】第２実施形態における表示装置の図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図１８】第２実施形態における液晶パネルの図４中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図１９】第２実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図２０】第２実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図２１】第３実施形態における表示装置の図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図２２】第３実施形態における液晶パネルの図４中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図２３】第３実施形態における反射基板の製造工程を説明する図。
【図２４】第４実施形態における表示装置の図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図２５】第４実施形態における液晶パネルの図４中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図２６】第４実施形態における液晶パネルの製造工程を説明する図。
【図２７】本実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【０１５７】
１，２０，６０，１００…表示装置、３…表示パネル、５…照明装置、７…画素、８…表示領域、９…表示面、１０，３０，７０，１１０…液晶パネル、１５，８０，１２０…素子基板、１７…対向基板、１９…液晶、２３…底面、４０…電極基板、５０，９０…反射基板、５１…第１基板、５２…素子層、５３…拡散反射層、５４ａ…第１面、５４ｂ…第２面、６３…ＴＦＴ素子、７７…樹脂層、７７ａ…液状体、７７ｂ…液状体膜、７８…凹凸部、７９…反射膜、１７１…素子層、１７３…第３基板、１７４ａ…対向面、１７４ｂ…外向面、５００…電子機器、Ｈ…反射領域、Ｔ…透過領域、Ｍ…マトリクス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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