(57)【要約】【課題】半導体装置として十分高い品質を確実に保持することができる半導体チップと半導体装置およびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ１の側断面におけるチップ厚み方向の辺は、回路形成面２寄りの部分を、回路形成面２に対して略垂直に形成された垂直側面４ｂとし、裏面３寄りの部分を、裏面３に近づくにしたがってチップサイズが小さくなる方向に垂直側面４ｂに対して傾斜する傾斜側面４ａとする。【選択図】図２
2009135348.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路形成面およびその裏面と、前記回路形成面と前記裏面との間を面接続する側面とからなり、前記回路形成面および前記裏面が四角形をなし、前記側面側からの断面が六角形をなす半導体チップであって、
前記側面側からの断面のチップ厚み方向の辺は、
前記回路形成面寄りの部分が垂直であり、
前記裏面寄りの部分が、前記裏面に近づくにしたがってチップサイズが小さくなる方向に傾斜を有する
ことを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
前記側面側からの断面のチップ厚み方向の辺において、
前記裏面寄りの傾斜部分が、チップ中心方向に窪んだ円弧形状に形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記側面において、
前記裏面寄りの傾斜部分の面粗さが、前記回路形成面寄りの垂直部分の面粗さより細かい
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップ。
【請求項４】
請求項１または請求項２または請求項３に記載の半導体チップの製造方法であって、
半導体ウェーハの裏面を研削し回路形成面に表面保護テープを貼付し、
前記半導体ウェーハの前記裏面側から、前記回路形成面に貫通しない位置で且つ前記裏面研削による仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝を形成し、
前記半導体ウェーハの前記裏面側にダイシングテープを貼付し、
前記半導体ウェーハの前記回路形成面側から前記表面保護テープを剥がし、
前記半導体ウェーハの前記回路形成面側から、前記ダイシング溝に達する位置で且つ前記ダイシングテープに達しない位置まで、ダイシングしてチップ個片を形成し、
前記チップ個片を前記半導体チップとする
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウェーハに前記ダイシング溝を形成するためのダイシングブレード幅が、
前記半導体ウェーハの前記回路形成面側からダイシングするためのダイシングブレード幅より太い
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウェーハに前記ダイシング溝を形成した後に、前記半導体ウェーハの前記裏面側からプラズマエッチングで表面処理を施す
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
前記半導体ウェーハに前記ダイシング溝を形成するためのダイシングの際に、赤外線カメラによる画像認識システムを使用してパターン認識する
ことを特徴とする請求項４または請求項５または請求項６に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項８】
請求項１または請求項２または請求項３に記載の半導体チップを用いた半導体装置であって、
前記半導体チップを搭載するための基板と、
前記半導体チップを前記基板に固着するダイスボンド材と、
前記半導体チップの前記回路形成面に配置したボンディングパッドと、
前記基板の半導体チップ固着面から装置実装面に導出する外部端子と、
前記ボンディングパッドを電気的に接続する金属ワイヤと、
前記半導体チップと前記基板の半導体チップ固着面と前記金属ワイヤとを封止する封止成型材とからなり
前記ダイスボンド材の貼付面積が前記半導体チップの回路形成面領域より小さい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１または請求項２または請求項３に記載の半導体チップを用いた半導体装置であって、
前記半導体チップは第一の半導体チップおよび第二の半導体チップであり、
前記半導体チップを搭載するための基板と、
前記第一の半導体チップを前記基板に固着する第一のダイスボンド材と、
前記第一の半導体チップの回路形成面上に前記第二の半導体チップを積層して固着する第二のダイスボンド材と、
前記第一の半導体チップおよび前記第二の半導体チップの各回路形成面に配置したボンディングパッドと、
前記基板の半導体チップ固着面から装置実装面に導出する外部端子と、
前記ボンディングパッドを電気的に接続する金属ワイヤと、
前記第一の半導体チップおよび前記第二の半導体チップと前記基板の半導体チップ固着面と前記金属ワイヤとを封止する封止成型材とからなり、
少なくとも前記第二のダイスボンド材の貼付面積が前記第二の半導体チップの前記回路形成面領域より小さい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の半導体装置であって、
前記ダイスボンド材として、ウェーハ一括貼付型のダイスボンドフィルムを使用した
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項４〜請求項７のいずれかに記載の半導体チップの製造方法により製造した半導体チップを用い、
請求項８に記載の半導体装置を製造する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項４〜請求項７のいずれかに記載の半導体チップの製造方法により製造した半導体チップを用い、
請求項９に記載の半導体装置を製造する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ダイスボンド材として、ウェーハ一括貼付型のダイスボンドフィルムを使用する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップと半導体装置およびそれらの製造方法に関するものであり、特に、ＩＣカードやＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）やチップ積層型パッケージ等の部品加工技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体チップは、図２０及び図２１に示されるような構造を有していた。
図２０は従来の半導体チップの斜視図で、図２１は図２０のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面図である。図２０及び図２１において、１は半導体チップ、２は回路形成面、３は裏面、４は側面である。また、図２１において、側面４における回路形成面２から裏面３を結ぶ辺は、裏面３に近づくにつれて、チップサイズが小さくなる方向に傾斜を有した構造である。
【０００３】
以上のように構成された従来の半導体チップの製造方法を説明する。
図２２（ａ）の（１）〜（６）は従来の半導体チップの製造方法における工程フローを示し、図２２（ｂ）の（１）〜（６）は図２２（ａ）の工程（１）〜（６）に対応した工程断面図である。図２２において、１は半導体チップ、１０は半導体ウェーハ、１３は表面保護テープ、２０は回路形成面２側用のダイシングブレード、１５ａ、１５ｂはダイシング溝、１９はダイシングテープである。
【０００４】
まず、図２２（ａ）の（１）に示すウェーハ回路形成面ダイシング工程Ａにより、図２２（ｂ）の（１）に示すように、ダイシングブレード２０で、半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、裏面３に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、側面が一方向に傾斜するダイシング溝１５ａを形成する。
【０００５】
次に、図２２（ａ）の（２）に示すウェーハ回路形成面ダイシング工程Ｂにより、図２２（ｂ）の（２）に示すように、ダイシングブレード２０で、ダイシング溝１５ａと回路形成面２側で交差して、半導体ウェーハ１０の厚み方向に対してダイシング溝１５ａと反対側方向に傾斜し、半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、裏面３に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、側面が一方向に傾斜するダイシング溝１５ｂを形成する。
【０００６】
次に、図２２（ａ）の（３）に示す表面保護テープ貼付工程により、図２２（ｂ）の（３）に示すように、ダイシング溝１５ａとダイシング溝１５ｂを形成した回路形成面２側に、表面保護テープ１３を貼付する。
【０００７】
次に、図２２（ａ）の（４）に示すバックグラインド工程により、図２２（ｂ）の（４）に示すように、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側から、回路形成面２の方向に研削して仕上げ厚とすることにより、半導体ウェーハ１０を個片化して半導体チップ１を形成する。
【０００８】
次に、図２２（ａ）の（５）に示すダイシングテープ貼付工程により、図２２（ｂ）の（５）に示すように、表面保護テープ１３付き半導体チップ１の裏面３側に、ダイシングテープ１９を貼付する。
【０００９】
次に、図２２（ａ）の（６）に示す表面保護テープ剥離工程により、図２２（ｂ）の（６）に示すように、表面保護テープ１３及びダイシングテープ１９付き半導体チップ１の回路形成面２側から表面保護テープ１３を剥がし、ダイシングテープ１９付きの状態で個片化した半導体チップ１とする。
【００１０】
上記の工程を経て、半導体チップ１を搭載する半導体装置の製造工程に移行する。
【特許文献１】特開２００６−１０８２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、半導体チップの小型化かつ薄型化が進むにつれ、上記のような従来の構造および製造方法では、半導体チップを搭載する半導体装置のダイスボンド材のせり上がりや、回路形成面近傍のチップコーナ部分のチッピングや、バックグラインド工程時のチップ飛散損傷などの発生により、半導体装置としての十分な品質が確保できないという問題点を有していた。
【００１２】
これらの問題点に対し、例えば、半導体装置のダイスボンド材のせり上がりを解消するためには、その専用工程が必要となり製造工程全体の工数が増大して、最終的に製品のコストアップにつながる。
【００１３】
また、半導体装置として十分な品質を確保するためには、製造工程における良品とする検査基準を上げればよいが、その場合には、検査基準の上昇とともに製造歩留まりが低下することになり、結局的に製品のコストアップにつながる。
【００１４】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、半導体装置のダイスボンド材のせり上がりを解消して製品の品質を十分に確保することができつつ、製造歩留まりを向上することができ、製品のコストアップを抑えることができる半導体チップと半導体装置およびそれらの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の半導体チップは、回路形成面およびその裏面と、前記回路形成面と前記裏面との間を面接続する側面とからなり、前記回路形成面および前記裏面が四角形をなし、前記側面側からの断面が六角形をなす半導体チップであって、前記側面側からの断面のチップ厚み方向の辺は、前記回路形成面寄りの部分が垂直であり、前記裏面寄りの部分が、前記裏面に近づくにしたがってチップサイズが小さくなる方向に傾斜を有することを特徴とする。
【００１６】
以上により、半導体チップを搭載する半導体装置において、半導体チップのダイスボンド材のせり上がりが重力の影響でチップ側面の張力に逆らった方向に作用するので、ダイスボンド材のせり上がりを抑制するとともに、回路形成面側のコーナとなる四隅のチッピングやクラックを防止し、半導体チップと封止成型材との界面剥離を防止することができる。
【００１７】
また、本発明の請求項２に記載の半導体チップは、請求項１に記載の半導体チップであって、前記側面側からの断面のチップ厚み方向の辺において、前記裏面寄りの傾斜部分が、チップ中心方向に窪んだ円弧形状に形成されたことを特徴とする。
【００１８】
以上により、半導体チップを搭載する半導体装置において、ダイスボンド材のせり上がりが重力の影響でチップ側面の張力に逆らった方向に大きく作用するので、ダイスボンド材のせり上がりを顕著に抑制することができる。
【００１９】
また、本発明の請求項３に記載の半導体チップは、請求項１または請求項２に記載の半導体チップであって、前記側面において、前記裏面寄りの傾斜部分の面粗さが、前記回路形成面寄りの垂直部分の面粗さより細かいことを特徴とする。
【００２０】
以上により、裏面側の切削疵が起点となる集中応力を低減するので、半導体チップの抗折強度を高め、半導体チップを搭載する半導体装置において、その製造工程であるダイスボンド工程でのチッピングやクラックを防止することができる。
【００２１】
また、本発明の請求項４に記載の半導体チップの製造方法は、請求項１または請求項２または請求項３に記載の半導体チップの製造方法であって、半導体ウェーハの裏面を研削し回路形成面に表面保護テープを貼付し、前記半導体ウェーハの前記裏面側から、前記回路形成面に貫通しない位置で且つ前記裏面研削による仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝を形成し、前記半導体ウェーハの前記裏面側にダイシングテープを貼付し、前記半導体ウェーハの前記回路形成面側から前記表面保護テープを剥がし、前記半導体ウェーハの前記回路形成面側から、前記ダイシング溝に達する位置で且つ前記ダイシングテープに達しない位置まで、ダイシングしてチップ個片を形成し、前記チップ個片を前記半導体チップとすることを特徴とする。
【００２２】
以上により、研削屑や汚水の浸入を防止するとともに、半導体チップの飛散損傷を防止することができる。
また、ダイシング溝が、ダイシングテープの貼付時に半導体ウェーハに巻き込む気泡を、半導体ウェーハとダイシングテープの間から排出し、半導体チップとダイシングテープの貼付力を均一にするので、半導体チップを搭載する半導体装置において、その製造工程であるダイスボンド工程でのチップピックアップミスを防止することができる。
【００２３】
また、ダイシングテープの粘着材やテープ基材によるダイシングブレードの目詰まりを防止すると共に、テープ基材屑の発生を防止することができる。
また、本発明の請求項５に記載の半導体チップの製造方法は、請求項４に記載の半導体チップの製造方法であって、前記半導体ウェーハに前記ダイシング溝を形成するためのダイシングブレード幅が、前記半導体ウェーハの前記回路形成面側からダイシングするためのダイシングブレード幅より太いことを特徴とする。
【００２４】
以上により、半導体ウェーハの回路形成面側からと裏面側からの各１回のダイシングで半導体チップに個片化できるので、生産性を向上することができる。
また、本発明の請求項６に記載の半導体チップの製造方法は、請求項４または請求項５に記載の半導体チップの製造方法であって、前記半導体ウェーハに前記ダイシング溝を形成した後に、前記半導体ウェーハの前記裏面側からプラズマエッチングで表面処理を施すことを特徴とする。
【００２５】
以上により、半導体チップの裏面側の切削疵が起点となる集中応力を防止するので、半導体チップの抗折強度をさらに高め、半導体チップを搭載する半導体装置において、その製造工程であるダイスボンド工程でのチッピングやクラックをより確実に防止することができる。
【００２６】
また、本発明の請求項７に記載の半導体チップの製造方法は、請求項４または請求項５または請求項６に記載の半導体チップの製造方法であって、前記半導体ウェーハに前記ダイシング溝を形成するためのダイシングの際に、赤外線カメラによる画像認識システムを使用してパターン認識することを特徴とする。
【００２７】
以上により、回路形成パターンやダイシングラインを確実に認識する事ができるので、表面保護テープ付き半導体ウェーハの裏面側から回路形成面に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝を位置ズレなく加工することができる。
【００２８】
また、本発明の請求項８に記載の半導体装置は、請求項１または請求項２または請求項３に記載の半導体チップを用いた半導体装置であって、前記半導体チップを搭載するための基板と、前記半導体チップを前記基板に固着するダイスボンド材と、前記半導体チップの前記回路形成面に配置したボンディングパッドと、前記基板の半導体チップ固着面から装置実装面に導出する外部端子と、前記ボンディングパッドを電気的に接続する金属ワイヤと、前記半導体チップと前記基板の半導体チップ固着面と前記金属ワイヤとを封止する封止成型材とからなり前記ダイスボンド材の貼付面積が前記半導体チップの回路形成面領域より小さいことを特徴とする。
【００２９】
以上により、配線基板上に形成する外部端子の配置を、半導体チップの回路形成面の外周直下にあたる搭載領域の周辺まで近づける設計が可能となり、半導体装置を縮小化することができる。
【００３０】
また、本発明の請求項９に記載の半導体装置は、請求項１または請求項２または請求項３に記載の半導体チップを用いた半導体装置であって、前記半導体チップは第一の半導体チップおよび第二の半導体チップであり、前記半導体チップを搭載するための基板と、前記第一の半導体チップを前記基板に固着する第一のダイスボンド材と、前記第一の半導体チップの回路形成面上に前記第二の半導体チップを積層して固着する第二のダイスボンド材と、前記第一の半導体チップおよび前記第二の半導体チップの各回路形成面に配置したボンディングパッドと、前記基板の半導体チップ固着面から装置実装面に導出する外部端子と、前記ボンディングパッドを電気的に接続する金属ワイヤと、前記第一の半導体チップおよび前記第二の半導体チップと前記基板の半導体チップ固着面と前記金属ワイヤとを封止する封止成型材とからなり、少なくとも前記第二のダイスボンド材の貼付面積が前記第二の半導体チップの前記回路形成面領域より小さいことを特徴とする。
【００３１】
以上により、第一の半導体チップの回路形成面に形成するボンディングパッドの配置を、第二の半導体チップの回路形成面の外周直下にあたる搭載領域の周辺まで近づける設計が可能となり、半導体装置を縮小化することができる。
【００３２】
また、本発明の請求項１０に記載の半導体装置は、請求項８または請求項９に記載の半導体装置であって、前記ダイスボンド材として、ウェーハ一括貼付型のダイスボンドフィルムを使用したことを特徴とする。
【００３３】
以上により、ダイスボンドフィルムの基材側から、ダイスボンドフィルムを切断しつつ、回路形成面に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝を形成することにより、その切断によってダイスボンド材のダレが半導体チップの裏面に阻まれて近隣のダイスボンド材とつながることをなくし、また、半導体装置の製造工程において、半導体チップを搭載するダイスボンド工程でのダイスボンド材の切断不足によるダレのつながりにより発生するチップピックアップミスを防止することができる。
【００３４】
また、本発明の請求項１１に記載の半導体装置の製造方法は、請求項４〜請求項７のいずれかに記載の半導体チップの製造方法により製造した半導体チップを用い、請求項８に記載の半導体装置を製造する工程を有することを特徴とする。
【００３５】
また、本発明の請求項１２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項４〜請求項７のいずれかに記載の半導体チップの製造方法により製造した半導体チップを用い、請求項９に記載の半導体装置を製造する工程を有することを特徴とする。
【００３６】
また、本発明の請求項１３に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダイスボンド材として、ウェーハ一括貼付型のダイスボンドフィルムを使用することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３７】
以上のように本発明によれば、工数を増加させることなく半導体装置のダイスボンド材のせり上がりを抑制し、回路形成面近傍のチップコーナのチッピングやバックグラインド工程時のチップ飛散損傷を防止することができる。
【００３８】
そのため、半導体装置のダイスボンド材のせり上がりを解消して製品の品質を十分に確保することができつつ、製造歩留まりを向上することができ、製品のコストアップを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態を示す半導体チップと半導体装置およびそれらの製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の半導体チップと半導体装置を説明する。
【００４０】
図１は本実施の形態１の半導体チップの斜視図で、図２は図１のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面図である。図１及び図２において、１は半導体チップ、２は回路形成面、３は裏面、４ａは傾斜側面、４ｂは垂直側面である。
【００４１】
また、図３は本実施の形態１の半導体チップ１を搭載した半導体装置における一部内部構造を示した斜視図で、図４は図３のＰ５―Ｐ６―Ｐ７―Ｐ８矢視による側断面図である。図３及び図４において、１は半導体チップ、２は回路形成面、３は裏面、４ａは傾斜側面、４ｂは垂直側面、５はダイスボンド材、６は配線基板、７は外部端子、８は金属ワイヤ、９は封止成型材である。
【００４２】
なお、本実施の形態の半導体チップ１は、図２に示すように、側断面が六角形であり、側断面のチップ厚み方向の辺において、回路形成面２寄りの辺（垂直側面４ｂ）が、回路形成面２と垂直側面４ｂのなす角度θｂが鋭角とならない（例えば、ここでは回路形成面２と略垂直となる）ように形成され、裏面３寄りの辺（傾斜側面４ａ）が、裏面３に近づくにつれチップサイズ（平面積）が小さくなる方向に垂直側面４ｂに対して傾斜を有するように形成されている。これは、以下の各実施の形態で説明する半導体チップ１、１Ｍ、１Ｓのすべてにおいても同様である。
【００４３】
以上のように構成された半導体チップ１は、半導体チップ１を搭載する半導体装置のダイスボンド材５のせり上がりが、重力の影響で半導体チップ１側面の界面張力に逆らった方向に作用するので、ダイスボンド材５のせり上がりを抑制する効果が得られる。
【００４４】
また、回路形成面２と垂直側面４ｂのなす角度θｂが鋭角とならない（ここでは、略９０度とした）ため半導体チップ１の強度が確保でき、半導体チップ１の回路形成面２側でコーナとなる四隅のチッピングやクラックを防止する効果が得られる。
【００４５】
また、半導体チップ１の回路形成面２側でコーナとなる四隅への応力集中が軽減でき、半導体チップ１と封止成型材９との密着性を確保できるため、半導体チップ１と封止成型材９との界面剥離を防止できる効果が得られる。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の半導体チップを説明する。
【００４６】
図５は本実施の形態２の半導体チップの斜視図で、図６は図５のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面図である。図５及び図６において、４ｃは円弧形状の傾斜側面であり、実施の形態１と同様の部分については同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００４７】
本実施の形態と実施の形態１との相違点は、半導体チップ１のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面のチップ厚み方向の辺において、裏面３寄りの辺として、チップ中心方向に窪んだ円弧形状を有する傾斜側面４ｃが形成されている点である。
【００４８】
以上のように構成された半導体チップ１は、垂直側面４ｂと円弧形状の傾斜側面４ｃとの境界近傍で、半導体チップ１を搭載する半導体装置のダイスボンド材５のせり上がりが重力の影響で半導体チップ１側面の界面張力に逆らった方向に大きく作用するので、ダイスボンド材５のせり上がりを顕著に抑制する効果が得られる。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３の半導体チップを説明する。
【００４９】
図７は本実施の形態３の半導体チップの斜視図で、図８は図７のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面図である。図７及び図８において、４ｄは円弧形状の傾斜側面であり、実施の形態１と同様の部分については同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００５０】
また、図７及び図８において、半導体チップ１の裏面３寄りの傾斜側面４ｄにおける面粗さをＲｄとし、回路形成面２寄りの垂直側面４ｂにおける面粗さをＲｂとすると、各面粗さＲｄ、Ｒｂの間には、面粗さＲｂ＞面粗さＲｄの関係を有している。すなわち、本実施の形態の半導体チップ１は、裏面３寄りの傾斜側面４ｄの面粗さＲｄが、回路形成面２寄りの垂直側面４ｂの面粗さＲｂより細かい構成とした。
【００５１】
一般的に切削疵が浅く小さいほど、疵に集中する応力が小さいので抗折強度は高くなる。切削疵を浅く小さくするには含有する砥粒の小さいブレードを選択する必要がある。しかし、回路形成面２やダイシングシートと共に半導体ウェーハをダイシングする場合、ブレードの組成がシリコンＳｉとは異なるため、しばしば砥粒の小さいブレードでは目詰まりを起こし、その目詰まりにより自生発刃が正常にできず、逆に大きな切削疵やチッピングを発生する。
【００５２】
これに対し、本実施の形態では、半導体ウェーハの裏面３寄りの傾斜側面４ｄを切削するためのダイシングブレードは、シリコンＳｉ以外の組成を含まないものを使用することにより、砥粒の小さいブレードを容易に選択することができる。
【００５３】
よって、半導体チップ１の裏面３寄りの傾斜側面４ｄの面粗さＲｄを、回路形成面２寄りの側面（垂直側面４ｂ）の面粗さＲｂより細かくでき、切削疵が起点となる応力集中を低減するので、半導体チップ１の抗折強度を高め、半導体チップ１を搭載する半導体装置の製造工程であるダイスボンド工程において、チッピングやクラックを低減する効果が得られる。
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４の半導体チップの製造方法を説明する。
【００５４】
図９（ａ）の（１）〜（６）は本実施の形態４の半導体チップの製造方法における工程フローを示し、図９（ｂ）の（１）〜（６）は図９（ａ）の（１）〜（６）に対応した工程断面図である。
【００５５】
図９において、１は半導体チップ、２は回路形成面、３は裏面、１０は半導体ウェーハ、１１は表面保護テープの粘着剤、１２は表面保護テープの基材、１３は表面保護テープ、１４は裏面側用のダイシングブレード、１５はダイシング溝、１６は砥石、１７はダイシングテープの粘着剤、１８はダイシングテープの基材、１９はダイシングテープ、２０は回路形成面側用のダイシングブレードである。
【００５６】
まず、図９（ａ）の（１）に示す表面保護テープ貼付工程により、図９（ｂ）の（１）に示すように、半導体ウェーハ１０の回路形成面２側に、表面保護テープ１３を貼付する。
【００５７】
次に、図９（ａ）の（２）に示すウェーハ裏面ダイシング工程により、図９（ｂ）の（２）に示すように、ダイシングブレード１４で、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側から、回路形成面２に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝１５を形成する。
【００５８】
次に、図９（ａ）の（３）に示すバックグラインド工程により、図９（ｂ）の（３）に示すように、砥石１６で、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側から回路形成面２の方向に研削して、半導体ウェーハ１０を仕上げ厚とする。
【００５９】
次に、図９（ａ）の（４）に示すダイシングテープ貼付工程により、図９（ｂ）の（４）に示すように、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側にダイシングテープ１９を貼付する。
【００６０】
次に、図９（ａ）の（５）に示す表面保護テープ剥離工程により、図９（ｂ）の（５）に示すように、表面保護テープ１３及びダイシングテープ１９付き半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、表面保護テープ１３を剥がす。
【００６１】
次に、図９（ａ）の（６）に示すウェーハ回路形成面ダイシング工程により、図９（ｂ）の（６）に示すように、ダイシングブレード２０で、ダイシングテープ１９付き半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、ダイシング溝１５に達する位置で且つダイシングテープ１９に達しない位置まで、ダイシングすることにより、半導体ウェーハ１０を半導体チップ１に個片化する。
【００６２】
上記の工程を経て、半導体チップ１を搭載する半導体装置の製造工程に移行する。
以上のように構成された本実施の形態４の半導体チップの製造方法は、図９（ｂ）の（３）に示すように、裏面３側から回路形成面２の方向に研削して仕上げ厚とした直後の半導体ウェーハ１０は個片化した半導体チップ１ではないので、研削時に、回転する砥石１６と半導体ウェーハ１０との摩擦熱により表面保護テープ１３が収縮・膨張しても、表面保護テープ１３と半導体ウェーハ１０の回路形成面２側への研削屑や汚水の浸入を防止するという効果が得られる。
【００６３】
また、表面保護テープ１３と半導体ウェーハ１０の貼付力は保持できるので、研削時に、回転する砥石１６と半導体ウェーハ１０との摩擦力により、表面保護テープ１３との貼付力が低下した半導体チップ１の飛散損傷を防止するという効果が得られる。
【００６４】
また、図９（ｂ）の（４）に示すように、ダイシング溝１５を形成した半導体ウェーハ１０の裏面３側にダイシングテープ１９を貼付するため、その貼付時に巻き込んだ気泡はダイシング溝１５により半導体ウェーハ１０とダイシングテープ１９との間から排出され、半導体チップ１の裏面３とダイシングテープ１９の貼付力を均一にすることができ、半導体チップ１を搭載する半導体装置の製造工程であるダイスボンド工程でのチップピックアップミスを防止するという効果が得られる。
【００６５】
また、図９（ｂ）の（６）に示すように、ダイシングテープ１９付き半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、ダイシング溝１５に達する位置で且つダイシングテープ１９に達しない位置まで、ダイシングすることにより半導体ウェーハ１０を半導体チップ１に個片化するので、ダイシングテープ１９の粘着材１７と基材１８によるダイシングブレード２０の目詰まりを抑えると共に、基材１８屑の発生を抑え、半導体チップ１の回路形成面２の汚染を防止できるという効果が得られる。
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５の半導体チップの製造方法を説明する。
【００６６】
図１０は本実施の形態５の半導体チップの製造方法における工程断面図の図９（ａ）、（ｂ）の（２）と図９（ａ）、（ｂ）の（６）との対比拡大図であり、図１０（ａ）は図９（ａ）、（ｂ）の（２）と対応し、図１０（ｂ）は図９（ａ）、（ｂ）の（６）と対応している。
【００６７】
図１０において、Ｗａは半導体ウェーハ１０の裏面３側から回路形成面２方向にダイシング溝１５を形成するためのダイシングブレード１４の幅であり、Ｗｂは半導体ウェーハ１０の回路形成面２側からダイシング溝１５に達する位置で且つダイシングテープ１９に達しない位置までダイシングするためのダイシングブレード２０の幅である。各ダイシングブレード１４、２０の幅Ｗａ、Ｗｂの間には、幅Ｗａ＞幅Ｗｂの関係を有している。
【００６８】
以上のように、半導体ウェーハ１０の裏面３側から回路形成面２方向にダイシング溝１５を形成するためのダイシングブレード幅Ｗａを、半導体ウェーハ１０の回路形成面２側からダイシング溝１５に達する位置で且つダイシングテープ１９に達しない位置までダイシングするためのダイシングブレード幅Ｗｂより太くすることにより、回路形成面２側からと裏面３側からの各辺１回のダイシングで、回路形成面２および裏面３が四角形を成し且つ側面側から見た断面（側断面）が六角形を成す半導体チップ１に個片化できるので、ダイシングの生産性を向上する効果が得られる。
（実施の形態６）
本発明の実施の形態６の半導体チップの製造方法を説明する。
【００６９】
図１１（ａ）の（１）〜（７）は本実施の形態６の半導体チップの製造方法における工程フローを示し、図１１（ｂ）の（１）〜（７）は図１１（ａ）の（１）〜（７）に対応した工程断面図である。図１１において、Ｅはプラズマエッチングエネルギーである。
【００７０】
まず、図１１（ａ）の（１）に示す表面保護テープ貼付工程により、図１１（ｂ）の（１）に示すように、半導体ウェーハ１０の回路形成面２側に、表面保護テープ１３を貼付する。
【００７１】
次に、図１１（ａ）の（２）に示すウェーハ裏面ダイシング工程により、図１１（ｂ）の（２）に示すように、ダイシングブレード１４で、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側から、回路形成面２に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝１５を形成する。
【００７２】
次に、図１１（ａ）の（３）に示すバックグラインド工程により、図１１（ｂ）の（３）に示すように、砥石１６で、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側から、回路形成面２の方向に研削することにより、半導体ウェーハ１０を仕上げ厚とする。
【００７３】
次に、図１１（ａ）の（４）に示すウェーハ裏面プラズマエッチング工程により、図１１（ｂ）の（４）に示すように、裏面３側から回路形成面２の方向に研削して仕上げ厚とした表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０に対して、その裏面３側から回路形成面２の方向に、プラズマエッチングエネルギーＥで表面処理を実行する。
【００７４】
次に、図１１（ａ）の（５）に示すダイシングテープ貼付工程により、図１１（ｂ）の（５）に示すように、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側に、ダイシングテープ１９を貼付する。
【００７５】
次に、図１１（ａ）の（６）に示す表面保護テープ剥離工程により、図１１（ｂ）の（６）に示すように、表面保護テープ１３及びダイシングテープ１９付き半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、表面保護テープ１３を剥がす。
【００７６】
次に、図１１（ａ）の（７）に示すウェーハ回路形成面ダイシング工程により、図１１（ｂ）の（７）に示すように、ダイシングブレード２０で、ダイシングテープ１９付き半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、ダイシング溝１５に達する位置で且つダイシングテープ１９に達しない位置まで、ダイシングすることにより、半導体ウェーハ１０を半導体チップ１に個片化する。
【００７７】
上記の工程を経て、半導体チップ１を搭載する半導体装置の製造工程に移行する。
図１２は本実施の形態６の半導体チップを搭載した半導体装置の製造方法における工程断面図の図１１（ａ）、（ｂ）の（３）との対比拡大図である。図１３は本実施の形態６の半導体チップを搭載した半導体装置の製造方法における工程断面図の図１１（ａ）、（ｂ）の（４）との対比拡大図である。
【００７８】
図１２及び図１３において、Ｅはプラズマエッチングエネルギー、４ｄはバックグラインド工程でのダイシング溝１５の傾斜側面であり、その面粗さをＲｄとし、また、４ｅはウェーハ裏面プラズマエッチング工程でのダイシング溝１５の傾斜側面であり、その面粗さをＲｅとすると、各面粗さＲｄ、Ｒｅの間には、面粗さＲｄ＞面粗さＲｅの関係を有している。
【００７９】
なお、実施の形態４と同様の部分については同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
ここで、上記のウェーハ裏面プラズマエッチング工程でのプラズマエッチングについて説明する。
【００８０】
上記のプラズマエッチングは、反応性ガスによる低温プラズマの活性化原子（ラジカル）と試料の化学反応により揮発性化合物をつくり試料を加工する技術であり、一般に、不活性ガスにはフレオン（ＣＦ４）ガスを使用する。
【００８１】
不活性ガスであるフレオン（ＣＦ４）ガスの解離により生成した原子状フッ素Ｆと、半導体ウェーハ１０の裏面３側のシリコンＳｉとが化学的に反応し、ＳｉＦ４を形成して固体から気化する。分子レベルでの反応のため、半導体ウェーハ１０の裏面３側とダイシング溝１５の傾斜側面４ｄの切削疵の凹凸は滑らかに平坦化される。
【００８２】
したがって、半導体ウェーハ１０の裏面３側のダイシング溝１５の傾斜側面４ｅの面粗さＲｅは、プラズマエッチングエネルギーＥで面粗さＲｄより細かくなる。
本実施の形態によれば、上記の構成により、半導体ウェーハ１０の裏面３側の切削疵が起点となる応力集中を確実に防止するので、半導体チップ１の抗折強度を高め、半導体チップ１を搭載する半導体装置の製造工程であるダイスボンド工程において、チッピングやクラックを防止する効果が得られる。
【００８３】
また、半導体チップ１を搭載する半導体装置は、各界面の強度が安定するため内部剥離や内部クラックを防止する効果が得られる。
（実施の形態７）
本発明の実施の形態７の半導体チップの製造方法を説明する。
【００８４】
図１４は本実施の形態７の半導体チップの製造方法におけるダイシング装置の図９（ａ）、（ｂ）の（２）に対応した構成図である。図１４において、２１は赤外線カメラ、２２はモニターであり、実施の形態４と同様の部分については同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００８５】
本実施の形態の半導体チップの製造方法におけるダイシング装置は、図１４に示すように、半導体ウェーハ１０の裏面３側から、回路形成面２側の配線パターンを、赤外線カメラ２１でモニター２２上に取り込むことにより、ダイシング溝１５を形成するダイシング位置を認識する構成である。
【００８６】
従来、半導体ウェーハ１０の回路形成面２側からのパターン認識は可視光線カメラでモニター上に取り込んでいたが、この可視光線カメラでは、半導体ウェーハ１０の裏面３側から回路形成面２側のパターンを認識する場合、裏面３側から回路形成面２側のパターンが透過できず、裏面３側から回路形成面２側のパターンに対しては認識できなかった。一般に物体の認識は、物体の表面から反射する可視光線であり、可視光線の波長域の光が到達して形や色を認識している。
【００８７】
これに対し、本実施の形態では、赤外線カメラ２１を用いる構成により、可視光線とは異なる波長域で、半導体ウェーハ１０の回路形成面２側の配線パターンなどが裏面３側から透過するので、従来可視光線では半導体ウェーハ１０の裏面３側から認識できなかった回路形成面２側の配線パターンを認識できる。
【００８８】
本実施の形態によれば、上記の構成により、確実に半導体ウェーハ１０の回路形成面２のパターンを認識することができるので、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側から、回路形成面２に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝１５を位置ズレなく加工できる効果が得られる。
（実施の形態８）
本発明の実施の形態８の半導体装置を説明する。
【００８９】
図１５は本実施の形態８の半導体チップを搭載した半導体装置における一部内部構造を示した斜視図、図１６は図１５のＰ５―Ｐ６―Ｐ７―Ｐ８矢視による側断面図である。図１５及び図１６において、２３はダイスボンドフィルムのダイスボンド材であり、実施の形態１と同様の部分については同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００９０】
また、図１６において、ＷＡ１は半導体チップ１の裏面３側に貼付したダイスボンド材２３の水平方向の幅であり、ＷＢ１は半導体チップ１の回路形成面２寄りの二辺に相当する水平方向の幅であり、各水平方向の幅ＷＡ１、ＷＢ１の間には、幅ＷＡ１＜幅ＷＢ１の関係を有している。
【００９１】
また、図１６に示すように、半導体チップ１の側断面は六角形であり、側断面のチップ厚み方向の辺において、回路形成面２寄りの辺（垂直側面４ｂ）は回路形成面２に対して垂直であり、裏面３寄りの辺（傾斜側面４ａ）は裏面３に近づくにつれチップサイズ（平面積）が小さくなる方向に垂直側面４ｂに対して傾斜を有する。
【００９２】
以上のように構成された半導体装置は、半導体チップ１の裏面３側に貼付したダイスボンド材２３の水平方向の幅ＷＡ１が、半導体チップ１の回路形成面２寄りの二辺に相当する水平方向の幅ＷＢ１より小さいことにより、配線基板６上に形成する外部端子７の配置を半導体チップ１の回路形成面２の外周直下にあたる搭載領域の周辺まで近づける設計ができ、半導体装置を縮小化する効果が得られる。
【００９３】
なお、図１５及び図１６では、１つの半導体チップ１を搭載した半導体装置としたが、複数の半導体チップを配線基板６上で水平方向に並列して搭載した半導体装置の場合でも同様の効果が得られる。
（実施の形態９）
本発明の実施の形態９の半導体装置を説明する。
【００９４】
図１７は本実施の形態９の半導体チップを搭載した半導体装置における一部内部構造を示した斜視図、図１８は図１７のＰ５―Ｐ６―Ｐ７―Ｐ８矢視による側断面図である。図１７及び図１８において、１Ｍは第一の半導体チップ、１Ｓは第二の半導体チップ、２３はダイスボンドフィルムのダイスボンド材、２６はボンディングパッドであり、実施の形態１と同様の部分については同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００９５】
また、図１７及び図１８に示すように、ＷＡ１は第一の半導体チップ１Ｍの裏面３側に貼付したダイスボンド材２３の水平方向の幅であり、ＷＢ１は第一の半導体チップ１Ｍの回路形成面２寄りの二辺に相当する水平方向の幅であり、各水平方向の幅ＷＡ１、ＷＢ１の間には、幅ＷＡ１＜幅ＷＢ１の関係を有している。
【００９６】
また、ＷＡ２は第二の半導体チップ１Ｓの裏面３側に貼付したダイスボンド材２３の水平方向の幅であり、ＷＢ２は第二の半導体チップ１Ｓの回路形成面２寄りの二辺に相当する水平方向の幅であり、各水平方向の幅には、幅ＷＡ２＜幅ＷＢ２＜幅ＷＡ１＜幅ＷＢ１の関係を有している。
【００９７】
また、図１８に示すように、第二の半導体チップ１Ｓは、側断面が六角形であり、側断面のチップ厚み方向の辺において、回路形成面２寄りの辺（垂直側面４ｂ）が回路形成面２に対して略垂直であり、裏面３寄りの辺（傾斜側面４ａ）が裏面３に近づくにつれチップサイズが小さくなる方向に垂直側面４ｂに対して傾斜を有するように、形成されている。
【００９８】
以上のように構成された半導体装置は、第二の半導体チップ１Ｓの裏面３側に貼付したダイスボンド材２３の水平方向の幅ＷＡ２を、第二の半導体チップ１Ｓの回路形成面２寄りの二辺に相当する水平方向の幅ＷＢ２より小さくしたことにより、第一の半導体チップ１Ｍの回路形成面２上に形成するボンディングパッド２６の配置を、第二の半導体チップ１Ｓの回路形成面２の外周直下にあたる搭載領域の周辺まで近づけるように設計ができ、半導体装置を縮小化する効果が得られる。
【００９９】
なお、図１７及び図１８では、第一の半導体チップ１Ｍと第二の半導体チップ１Ｓとを積層して搭載した半導体装置としたが、半導体チップを第Ｎ層（Ｎ＞２の整数）まで積層して搭載した半導体装置の場合でも、同様の効果が得られる。
（実施の形態１０）
本発明の実施の形態１０の半導体チップの製造方法を説明する。
【０１００】
図１９（ａ）の（１）〜（７）は本実施の形態１０の半導体チップの製造方法における工程フローを示し、図１９（ｂ）の（１）〜（７）は図１９（ａ）の（１）〜（７）に対応した工程断面図である。
【０１０１】
図１９において、１は半導体チップ、２は回路形成面、３は裏面、１０は半導体ウェーハ、１１は表面保護テープの粘着剤、１２は表面保護テープの基材、１３は表面保護テープ、１４は裏面側用のダイシングブレード、１５はダイシング溝、１６は砥石、１７はダイシングテープの粘着剤、１８はダイシングテープの基材、１９はダイシングテープ、２０は回路形成面側用のダイシングブレード、２３はダイスボンドフィルムのダイスボンド材、２４はダイスボンドフィルムの基材、２５はダイスボンドフィルムである。
【０１０２】
まず、図１９（ａ）の（１）に示す表面保護テープ貼付工程により、図１９（ｂ）の（１）に示すように、半導体ウェーハ１０の回路形成面２側に、表面保護テープ１３を貼付する。
【０１０３】
次に、図１９（ａ）の（２）に示すバックグラインド工程により、図１９（ｂ）の（２）に示すように、砥石１６で、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０を、その裏面３側から回路形成面２の方向に研削して仕上げ厚とする。
【０１０４】
次に、図１９（ａ）の（３）に示すダイスボンドフィルム貼付工程により、図１９（ｂ）の（３）に示すように、表面保護テープ１３付き半導体ウェーハ１０の裏面３側の全面に、ダイスボンドフィルム２５を貼付する。なお、ここでは、ダイスボンドフィルム２５として、ウェーハ一括貼付型のダイスボンドフィルムを使用している。
【０１０５】
次に、図１９（ａ）の（４）に示すダイスボンドフィルム貼付済みウェーハ裏面ダイシング工程により、図１９（ｂ）の（４）に示すように、ダイシングブレード１４で、表面保護テープ１３及びダイスボンドフィルム２５付き半導体ウェーハ１０のダイスボンドフィルムの基材２４側から、回路形成面２に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝１５を形成すると共に、ダイスボンドフィルム２５を切断する。
【０１０６】
次に、図１９（ａ）の（５）に示すダイシングテープ貼付工程により、図１９（ｂ）の（５）に示すように、表面保護テープ１３及び切断したダイスボンドフィルム２５付き半導体ウェーハ１０のダイスボンドフィルムの基材２４側に、ダイシングテープ１９を貼付する。
【０１０７】
次に、図１９（ａ）の（６）に示す表面保護テープ剥離工程により、図１９（ｂ）の（６）に示すように、表面保護テープ１３及び切断したダイスボンドフィルム２５及びダイシングテープ１９付き半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、表面保護テープ１３を剥がす。
【０１０８】
次に、図１９（ａ）の（７）に示すウェーハ回路形成面ダイシング工程により、図１９（ｂ）の（７）に示すように、ダイシングブレード２０で、切断したダイスボンドフィルム２５及びダイシングテープ１９付き半導体ウェーハ１０の回路形成面２側から、ダイシング溝１５に達する位置で且つダイシングテープ１９に達しない位置まで、ダイシングすることにより、半導体ウェーハ１０を半導体チップ１に個片化する。
【０１０９】
上記の工程を経て、従来と同様に、半導体チップ１を搭載する半導体装置の製造工程（ここでは、説明を省略する）に移行する。
以上のように構成された本実施の形態１０の半導体チップの製造方法は、図１９（ａ）、（ｂ）の（４）に示すように、ダイスボンドフィルムの基材２４側から、回路形成面２に貫通しない位置で且つ裏面研削の仕上げ厚みより深い位置まで、ダイシング溝１５を形成すると共に、ダイスボンドフィルム２５を切断することにより、ダイスボンドフィルム２５のダイスボンド材２３の切断時のダレが半導体チップ１の裏面３に阻まれ、近隣のダイスボンド材とつながることがない。
【０１１０】
したがって、半導体チップ１を搭載する半導体装置の製造工程であるダイスボンド工程でのダイスボンド材２３の切断時のダレのつながり（切断不足）によるチップピックアップミスを防止するという効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明の半導体チップと半導体装置およびそれらの製造方法は、半導体装置のダイスボンド材のせり上がりを解消して製品の品質を十分に確保することができつつ、製造歩留まりを向上することができ、製品のコストアップを抑えることができるもので、半導体チップと半導体装置の品質確保に有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体チップの斜視図
【図２】図１のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面図
【図３】同実施の形態１の半導体チップを搭載した半導体装置における一部内部構造を示した斜視図
【図４】図３のＰ５―Ｐ６―Ｐ７―Ｐ８矢視による側断面図
【図５】本発明の実施の形態２の半導体チップの斜視図
【図６】図５のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面図
【図７】本発明の実施の形態３の半導体チップの斜視図
【図８】図７のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面図
【図９】本発明の実施の形態４の半導体チップの製造方法における工程フローと工程断面図
【図１０】本発明の実施の形態５の半導体チップの製造方法における工程断面図の図９（ｂ）の（２）と図９（ｂ）の（６）との対比拡大図
【図１１】本発明の実施の形態６の半導体チップの製造方法における工程フローと工程断面図
【図１２】同実施の形態６の半導体チップの製造方法における工程断面図の図１１（ｂ）の（３）との対比拡大図
【図１３】同実施の形態６の半導体チップの製造方法における工程断面図の図１１（ｂ）の（４）との対比拡大図
【図１４】本発明の実施の形態７の半導体チップの製造方法におけるダイシング装置の図９（ｂ）の（２）に対応した構成図
【図１５】本発明の実施の形態８の半導体チップを搭載した半導体装置における一部内部構造を示した斜視図
【図１６】図１５のＰ５―Ｐ６―Ｐ７―Ｐ８矢視による側断面図
【図１７】本発明の実施の形態９の半導体チップを搭載した半導体装置における一部内部構造を示した斜視図
【図１８】図１７のＰ５―Ｐ６―Ｐ７―Ｐ８矢視による側断面図
【図１９】本発明の実施の形態１０の半導体チップの製造方法における工程フローと工程断面図
【図２０】従来の半導体チップの斜視図
【図２１】図２０のＰ１―Ｐ２―Ｐ３―Ｐ４矢視による側断面図
【図２２】従来の半導体チップの製造方法における工程フローと工程断面図
【符号の説明】
【０１１３】
１    半導体チップ
１Ｍ    第一の半導体チップ
１Ｓ    第二の半導体チップ
２    回路形成面
３    裏面
４    側面
４ａ    傾斜側面
４ｂ    垂直側面
４ｃ    傾斜側面
４ｄ    傾斜側面
４ｅ    傾斜側面
５    ダイスボンド材
６    配線基板
７    外部端子
８    金属ワイヤ
９    封止成型材
１０    半導体ウェーハ
１１    （表面保護テープの）粘着剤
１２    （表面保護テープの）基材
１３    表面保護テープ
１４    （裏面側用の）ダイシングブレード
１５    ダイシング溝
１５ａ    ダイシング溝
１５ｂ    ダイシング溝
１６    砥石
１７    （ダイシングテープの）粘着剤
１８    （ダイシングテープの）基材
１９    ダイシングテープ
２０    （回路形成面側用の）ダイシングブレード
２１    赤外線カメラ
２２    モニター
２３    （ダイスボンドフィルムの）ダイスボンド材
２４    （ダイスボンドフィルムの）基材
２５    ダイスボンドフィルム
２６    ボンディングパッド
Ｅ    プラズマエッチングエネルギー
【図１】
2009135348.tif 000003
【図２】
2009135348.tif 000004
【図３】
2009135348.tif 000005
【図４】
2009135348.tif 000006
【図５】
2009135348.tif 000007
【図６】
2009135348.tif 000008
【図７】
2009135348.tif 000009
【図８】
2009135348.tif 000010
【図９】
2009135348.tif 000011
【図１０】
2009135348.tif 000012
【図１１】
2009135348.tif 000013
【図１２】
2009135348.tif 000014
【図１３】
2009135348.tif 000015
【図１４】
2009135348.tif 000016
【図１５】
2009135348.tif 000017
【図１６】
2009135348.tif 000018
【図１７】
2009135348.tif 000019
【図１８】
2009135348.tif 000020
【図１９】
2009135348.tif 000021
【図２０】
2009135348.tif 000022
【図２１】
2009135348.tif 000023
【図２２】
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