(57)【要約】【課題】本発明は、半導体装置の高さ方向のサイズを小型化できると共に、コストを低減することのできる半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】第２の半導体チップ１７を、接着部材１８を介して、半導体集積回路３８の上面３８Ａ、及び第１の半導体チップ１５と配線基板１１とを電気的に接続する第１の金属ワイヤ１５の上部に接着させると共に、第３の半導体チップ２１を、接着部材２２を介して、半導体集積回路４２の上面４２Ａ、及び第２の半導体チップ１７と配線基板１１とを電気的に接続する第２の金属ワイヤ１９の上部に接着させた。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
平面視四角形とされ、前記配線基板の上面に接着される第１の半導体チップ本体と、前記第１の半導体チップ本体の主面に設けられ、第１の金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続される第１の電極パッドとを有する第１の半導体チップと、
平面視四角形とされた第２の半導体チップ本体と、前記第２の半導体チップ本体の主面に設けられ、第２の金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続される第２の電極パッドとを有する第２の半導体チップと、
平面視四角形とされた第３の半導体チップ本体と、前記第３の半導体チップ本体の主面に設けられ、第３の金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続される第３の電極パッドとを有する第３の半導体チップと、を備え、
前記第１の半導体チップの上方に前記第２及び第３の半導体チップが配置された半導体装置であって、
前記第２の半導体チップ本体の主面とは反対側に位置する部分の前記第２の半導体チップ本体を、前記第１の金属ワイヤの上部及び前記第１の半導体チップ本体の主面に接着すると共に、
前記第３の半導体チップ本体の主面と前記配線基板の上面とが略平行となるように、前記第３の半導体チップ本体の主面とは反対側に位置する部分の前記第３の半導体チップ本体を、前記第２の金属ワイヤの上部及び前記第２の半導体チップ本体の主面に接着したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の電極パッドは、前記第１の半導体チップ本体の対向する２辺にそれぞれ１つの列を構成するように配置されており、前記第２の電極パッドは、前記第２の半導体チップ本体の対向する２辺にそれぞれ１つの列を構成するように配置されており、前記第３の電極パッドは、前記第３の半導体チップ本体の対向する２辺にそれぞれ１つの列を構成する配置されており、
前記配線基板上に積み重ねられた前記第１乃至第３の半導体チップを平面視した状態において、前記第１乃至第３の電極パッドの配列方向が略平行となるように、前記第１乃至第３の半導体チップを積み重ねることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の半導体チップ本体の外形は、前記第１の半導体チップ本体の外形と略等しいか、或いは前記第１の半導体チップ本体の外形よりも大きく、
前記第３の半導体チップ本体の外形は、前記第２の半導体チップ本体の外形と略等しいか、或いは前記第２の半導体チップ本体の外形よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの間には、第１の隙間が形成されており、
前記第１の隙間に対応する部分の前記第１の半導体チップに、前記第２の半導体チップを支持する第１の支持部材を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の半導体チップと前記第３の半導体チップとの間には、第２の隙間が形成されており、
前記第２の隙間に対応する部分の前記第２の半導体チップに、前記第３の半導体チップを支持する第２の支持部材を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線基板の上面に、前記第１乃至第３の半導体チップ及び前記第１乃至第３の金属ワイヤを封止する封止樹脂を設けたことを特徴とする請求項１乃至５のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項７】
平面視四角形とされた第４の半導体チップ本体と、前記第４の半導体チップ本体の主面に設けられ、第４の金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続される第４の電極パッドとを有する第４の半導体チップと、
平面視四角形とされた第５の半導体チップ本体と、前記第５の半導体チップ本体の主面に設けられ、第５の金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続される第５の電極パッドとを有する第５の半導体チップと、を有し、
前記第４の半導体チップ本体の主面とは反対側に位置する部分の前記第４の半導体チップ本体を、前記第３の金属ワイヤの上部及び前記第３の半導体チップ本体の主面に接着すると共に、
前記第５の半導体チップ本体の主面と前記配線基板の上面とが略平行となるように、前記第５の半導体チップ本体の主面とは反対側に位置する部分の前記第５の半導体チップ本体を、前記第４の金属ワイヤの上部及び前記第４の半導体チップ本体の主面に接着したことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第４の電極パッドは、前記第４の半導体チップ本体の対向する２辺にそれぞれ１つの列を構成するように配置されており、前記第５の電極パッドは、前記第５の半導体チップ本体の対向する２辺にそれぞれ１つの列を構成するように配置されており、
前記配線基板上に積み重ねられた前記第１乃至第５の半導体チップを平面視した状態において、前記第１乃至第５の電極パッドの配列方向が略平行となるように、前記第４及び第５の半導体チップを積み重ねることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第４の半導体チップ本体の外形は、前記第３の半導体チップ本体の外形と略等しいか、或いは前記第３の半導体チップ本体の外形よりも大きく、
前記第５の半導体チップ本体の外形は、前記第４の半導体チップ本体の外形と略等しいか、或いは前記第４の半導体チップ本体の外形よりも大きいことを特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第３の半導体チップと前記第４の半導体チップとの間には、第３の隙間が形成されており、
前記第３の隙間に対応する部分の前記第３の半導体チップに、前記第４の半導体チップを支持する第３の支持部材を設けたことを特徴とする請求項７乃至９のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第４の半導体チップと前記第５の半導体チップとの間には、第４の隙間が形成されており、
前記第４の隙間に対応する部分の前記第４の半導体チップに、前記第５の半導体チップを支持する第４の支持部材を設けたことを特徴とする請求項７乃至１０のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、配線基板上に積み重ねられた複数の半導体チップを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、配線基板上に複数の半導体チップを積み重ねた構成とされた半導体装置（図１参照）がある。
【０００３】
図１は、従来の半導体装置の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の半導体装置２００は、配線基板２０１と、第１の半導体チップ２０３と、スペーサ２０４と、第２の半導体チップ２０５と、スペーサ２０７と、第３の半導体チップ２０８と、封止樹脂２０９とを有する。
【０００５】
配線基板２０１は、配線基板本体２１５と、パッド２１７〜２１９とを有する。配線基板本体２１５としては、例えば、積層された複数の絶縁層と、複数の絶縁層に設けられたビア及び配線とを有する多層配線構造体を用いることができる。パッド２１７〜２１９は、配線基板本体２１５の上面２１５Ａに設けられている。パッド２１７〜２１９は、配線基板本体２１５と電気的に接続されている。
【０００６】
第１の半導体チップ２０３は、半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）が形成されたチップ本体２２５と、チップ本体２２５に設けられ、半導体集積回路と電気的に接続された複数の電極パッド２２６とを有する。第１の半導体チップ２０３は、チップ本体２２５の下面２２５Ａ（具体的には、半導体基板の裏面）に設けられた接着フィルム２２７により、配線基板本体２１５の上面２１５Ａに接着されている。チップ本体２２５は、平面視四角形とされている。
【０００７】
複数の電極パッド２２６は、チップ本体の上面２２５Ｂ側に設けられている。複数の電極パッド２２６は、チップ本体２２５の対向する２辺の近傍にそれぞれ１つの列を構成するように配置されている。つまり、複数の電極パッド２２６は、対向する２列を構成するように配置されている。電極パッド２２６は、金属ワイヤ２３１を介して、パッド２１７と電気的に接続されている。これにより、第１の半導体チップ２０３は、配線基板２０１と電気的に接続されている。第１の半導体チップ２０３としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。チップ本体２２５の上面２２５Ｂを基準としたときの金属ワイヤ２３１の高さＪ１は、例えば、１３０μｍとすることができる。
【０００８】
スペーサ２０４は、接着フィルム２３３によりチップ本体２２５の上面２２５Ｂに接着されている。スペーサ２０４は、金属ワイヤ２３１と第２の半導体チップ２０５及び接着フィルム２３７とが接触しないように、金属ワイヤ２３１の上方に第２の半導体チップ２０５及び接着フィルム２３７を配置するための部材である。スペーサ２０４としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。スペーサ２０４の厚さは、例えば、１５０μｍとすることができる。
【０００９】
第２の半導体チップ２０５は、半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）が形成されたチップ本体２３５と、チップ本体２３５に設けられ、半導体集積回路と電気的に接続された複数の電極パッド２３６とを有する。第２の半導体チップ２０５は、チップ本体２３５の下面２３５Ａ（具体的には、半導体基板の裏面）に設けられた接着フィルム２３７により、スペーサ２０４の上面２０４Ａに接着されている。チップ本体２３５は、平面視四角形とされている。複数の電極パッド２３６は、チップ本体２３５の上面２３５Ｂ側に設けられている。
【００１０】
複数の電極パッド２３６は、チップ本体２３５の対向する２辺の近傍にそれぞれ１つの列を構成するように配置されている。つまり、複数の電極パッド２３６は、対向する２列を構成するように配置されている。電極パッド２３６は、金属ワイヤ２４１を介して、パッド２１８と電気的に接続されている。これにより、第２の半導体チップ２０５は、配線基板２０１と電気的に接続されている。第２の半導体チップ２０５としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。チップ本体２３５の上面２３５Ｂを基準としたときの金属ワイヤ２４１の高さＪ２は、例えば、１３０μｍとすることができる。
【００１１】
スペーサ２０７は、接着フィルム２４３によりチップ本体２３５の上面２３５Ｂに接着されている。スペーサ２０７は、金属ワイヤ２４１と第３の半導体チップ２０８及び接着フィルム２４７とが接触しないように、金属ワイヤ２４１の上方に第３の半導体チップ２０８及び接着フィルム２４７を配置するための部材である。スペーサ２０７としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。また、スペーサ２０７の厚さは、例えば、１５０μｍとすることができる。
【００１２】
第３の半導体チップ２０８は、半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）が形成されたチップ本体２４５と、チップ本体２４５に設けられ、半導体集積回路と電気的に接続された複数の電極パッド２４６とを有する。第３の半導体チップ２０８は、チップ本体２４５の下面２４５Ａ（具体的には、半導体基板の裏面）に設けられた接着フィルム２４７により、スペーサ２０７の上面２０７Ａに接着されている。チップ本体２４５は、平面視四角形とされている。
【００１３】
複数の電極パッド２４６は、チップ本体２４５の上面２４５Ｂ側に設けられている。複数の電極パッド２４６は、チップ本体２４５の対向する２辺の近傍にそれぞれ１つの列を構成するように配置されている。つまり、複数の電極パッド２４６は、対向する２列を構成するように配置されている。電極パッド２４６は、金属ワイヤ２５１を介して、パッド２１９と電気的に接続されている。これにより、第３の半導体チップ２０８は、配線基板２０１と電気的に接続されている。第３の半導体チップ２０８としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。チップ本体２４５の上面２４５Ｂを基準としたときの金属ワイヤ２５１の高さＪ３は、例えば、１３０μｍとすることができる。
【００１４】
封止樹脂２０９は、第１乃至第３の半導体チップ２０３，２０５，２０８、スペーサ２０４，２０７、金属ワイヤ２３１，２４１，２５１、及びパッド２１７〜２１９を覆うように、配線基板本体２１５の上面２１５Ａに設けられている。封止樹脂２０９は、第１乃至第３の半導体チップ２０３，２０５，２０８、スペーサ２０４，２０７、及び金属ワイヤ２３１，２４１，２５１を封止するための樹脂である（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−２６１２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、従来の半導体装置２００では、スペーサ２０４，２０７を介して第１乃至第３の半導体チップ２０３，２０５，２０８を積み重ねていたため、半導体装置２００の高さ方向のサイズを小型化できないという問題があった。
【００１６】
また、スペーサ２０４，２０７を用いることで、半導体装置２００のコストが増加してしまうという問題があった。
【００１７】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、半導体装置の高さ方向のサイズを小型化できると共に、コストを低減することのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一観点によれば、配線基板と、平面視四角形とされ、前記配線基板の上面に接着される第１の半導体チップ本体と、前記第１の半導体チップ本体の主面に設けられ、第１の金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続される第１の電極パッドとを有する第１の半導体チップと、平面視四角形とされた第２の半導体チップ本体と、前記第２の半導体チップ本体の主面に設けられ、第２の金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続される第２の電極パッドとを有する第２の半導体チップと、平面視四角形とされた第３の半導体チップ本体と、前記第３の半導体チップ本体の主面に設けられ、第３の金属ワイヤを介して、前記配線基板と電気的に接続される第３の電極パッドとを有する第３の半導体チップと、を備え、前記第１の半導体チップの上方に前記第２及び第３の半導体チップが配置された半導体装置であって、前記第２の半導体チップ本体の主面とは反対側に位置する部分の前記第２の半導体チップ本体を、前記第１の金属ワイヤの上部及び前記第１の半導体チップ本体の主面に接着すると共に、前記第３の半導体チップ本体の主面と前記配線基板の上面とが略平行となるように、前記第３の半導体チップ本体の主面とは反対側に位置する部分の前記第３の半導体チップ本体を、前記第２の金属ワイヤの上部及び前記第２の半導体チップ本体の主面に接着したことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１９】
本発明によれば、第２の半導体チップ本体の主面とは反対側に位置する部分の第２の半導体チップ本体を、第１の金属ワイヤの上部及び第１の半導体チップ本体の主面に接着すると共に、第３の半導体チップ本体の主面と配線基板の上面とが略平行となるように、第３の半導体チップ本体の主面とは反対側に位置する部分の第３の半導体チップ本体を、第２の金属ワイヤの上部及び第２の半導体チップ本体の主面に接着することで、配線基板上に第１乃至第３の半導体チップを積み重ねることにより、従来のスペーサを用いて第１乃至第３の半導体チップを積み重ねた場合と比較して、半導体装置の高さ方向のサイズを小型化することができる。
【００２０】
また、スペーサが不要になることにより、半導体装置のコストを低減させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半導体装置の高さ方向のサイズを小型化できると共に、半導体装置のコストを低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図２において、Ｘ，Ｘ方向は、複数の電極パッド３９，４３，４８の配列方向（後述する図３に示すＹ，Ｙ方向）と直交する方向を示している。
【００２４】
図２を参照するに、第１の実施の形態の半導体装置１０は、配線基板１１と、第１の半導体チップ１３と、接着部材１４，１８，２２と、第１の金属ワイヤ１５と、第２の半導体チップ１７と、第２の金属ワイヤ１９と、第３の半導体チップ２１と、第３の金属ワイヤ２４と、封止樹脂２６とを有する。
【００２５】
配線基板１１は、配線基板本体３１と、パッド３３〜３５とを有する。配線基板本体３１としては、例えば、積層された複数の絶縁層（図示せず）と、複数の絶縁層に設けられたビア及び配線（共に図示せず）と、ビア及び配線と電気的に接続された外部接続用パッド（図示せず）とを有する多層配線構造体（例えば、ビルドアップ構造体）を用いることができる。外部接続用パッドは、マザーボード等の実装基板と電気的に接続されるパッドであり、配線基板本体３１の下面３１Ｂ側に設けられている。
【００２６】
パッド３３〜３５は、配線基板本体３１の上面３１Ａに設けられている。パッド３３〜３５は、配線基板本体３１に設けられたビア、配線及び外部接続用パッドと電気的に接続されている。
【００２７】
図３は、図２に示す半導体装置の平面図である。図３において、Ｘ，Ｘ方向はＹ，Ｙ方向と直交する方向、Ｙ，Ｙ方向は複数の電極パッド３９，４３，４８の配列方向をそれぞれ示している。また、図３において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。さらに、図３では、説明の便宜上、封止樹脂２６の図示を省略する。
【００２８】
図２及び図３を参照するに、第１の半導体チップ１３は、第１の半導体チップ本体を構成する半導体基板３７及び半導体集積回路３８と、複数の電極パッド３９（第１の電極パッド）とを有する。半導体基板３７は、平面視四角形とされている。半導体基板３７は、半導体基板３７の裏面３７Ｂに接着された接着部材１４により、配線基板本体３１の上面３１Ａに接着されている。これにより、第１の半導体チップ１３は、配線基板本体３１の上面３１Ａに接着されている。半導体基板３７としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。
【００２９】
半導体集積回路３８は、半導体基板３７の表面３７Ａ側に形成されている。半導体集積回路３８は、平面視四角形とされている。半導体集積回路３８は、図示していない拡散層、絶縁層、ビア、及び配線等により構成されている。
【００３０】
複数の電極パッド３９は、半導体集積回路３８の上面３８Ａ（第１の半導体チップ本体の主面）側に設けられている。複数の電極パッド３９は、半導体集積回路３８の対向する２辺の近傍にそれぞれ１つの列を構成するように配置されている。つまり、複数の電極パッド３９は、対向する２列を構成するように配置されている。電極パッド３９は、第１の金属ワイヤ１５を介して、パッド３３と電気的に接続されている。これにより、第１の半導体チップ１３は、配線基板１１と電気的に接続されている。第１の半導体チップ１３としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。また、第１の半導体チップ１３の厚さは、例えば、５０μｍ〜１００μｍとすることができる。
【００３１】
接着部材１４は、配線基板本体３１と半導体基板３７との間に設けられている。接続部材１４は、その一方の面が配線基板本体３１の上面３１Ａと接触されており、他方の面が半導体基板３７の裏面３７Ｂと接触している。接着部材１４は、第１の半導体チップ１３を配線基板本体３１の上面３１Ａに接着するための部材である。接着部材１４としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。接着部材１４としてダイアタッチフィルムを用いた場合、接着部材１４の厚さは、例えば、２０μｍ〜３０μｍとすることができる。
【００３２】
第１の金属ワイヤ１５は、その一方の端部が電極パッド３９と接続されており、他方の端部がパッド３３と接続されている。第１の金属ワイヤ１５は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。半導体集積回路３８の上面３８Ａを基準としたときの第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１は、従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２４１，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くなるように設定されている。
【００３３】
このように、第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１を従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２４１，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くすることで、第１の金属ワイヤ１５の上部により、半導体集積回路３８の上面３８Ａの一部と接触するように配置された接着部材１８を介して、第２の半導体チップ１７を支持することが可能となる。これにより、スペーサ２０４，２０７（図１参照）を用いることなく、第１の半導体チップ１３上に第２の半導体チップ１７を積み重ねることが可能となるため、半導体装置１０の高さ方向のサイズを小型化することができる。
【００３４】
第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１は、例えば、５０μｍ〜１００μｍの範囲で設定するとよい。第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１が１００μｍよりも高いと第２の半導体チップ１７を安定して支持することが困難となる。また、第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１が５０μｍよりも低くなるように第１の金属ワイヤ１５を安定して形成することは製造工程上困難（具体的には、ワイヤボンディング装置の性能上困難）である。
【００３５】
第１の金属ワイヤ１５の材料としては、例えば、ＡｕやＣｕ等を用いることができる。第１の金属ワイヤ１５の材料としてＡｕを用いた場合、第１の金属ワイヤ１５の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。また、第１の金属ワイヤ１５の材料としてＣｕを用いた場合、第１の金属ワイヤ１５の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００３６】
第２の半導体チップ１７は、第２の半導体チップ本体を構成する半導体基板４１及び半導体集積回路４２と、複数の電極パッド４３（第２の電極パッド）とを有する。半導体基板４１は、平面視四角形とされている。半導体基板４１としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。半導体基板４１の裏面４１Ｂには、粘着部材１８が設けられている。半導体基板４１は、その一部が図２及び図３に示す第１の半導体チップ１３の右側にはみ出すように配置されている。半導体基板４１は、粘着部材１８を介して、半導体集積回路３８の上面３８Ａと、図２及び図３の右側の列に配置された電極パッド３９と接続された第１の金属ワイヤ１５の上部とに接着されている。
【００３７】
これにより、第２の半導体チップ１７は、配線基板本体３１の上面３１Ａに対して半導体集積回路４２の上面４２Ａが傾いた状態で、第１の半導体チップ１３及び第１の金属ワイヤ１５の上部に積み重ねられている。このように、第１の半導体チップ１３及び第１の金属ワイヤ１５の上部に第２の半導体チップ１７を積み重ねることにより、封止樹脂２６が形成されていない状態において、半導体集積回路３８と接着部材１８との間に第１の隙間Ａが形成される。
【００３８】
半導体基板４１の外形は、半導体基板３７の外形と略等しいか、或いは半導体基板３７の外形よりも大きくなるように構成されている。
【００３９】
このように、半導体基板４１の外形を半導体基板３７の外形と略等しいか、或いは半導体基板３７の外形よりも大きくすることにより、第１の半導体チップ１３及び第１の金属ワイヤ１５の上部に第２の半導体チップ１７を載置することが可能となる。なお、本実施の形態では、図３に示すように、半導体基板４１の外形が半導体基板３７の外形よりも大きい場合を例に挙げて以下の説明をする。
【００４０】
半導体集積回路４２は、半導体基板４１の表面４１Ａ側に形成されている。半導体集積回路４２は、平面視四角形とされている。半導体集積回路４２は、図示していない拡散層、絶縁層、ビア、及び配線等により構成されている。
【００４１】
複数の電極パッド４３は、半導体集積回路４２の上面４２Ａ側に設けられており、半導体集積回路４２と電気的に接続されている。複数の電極パッド４３は、半導体集積回路４２の対向する２辺の近傍にそれぞれ１つの列を構成するように配置されている。つまり、複数の電極パッド４３は、対向する２列を構成するように配置されている。電極パッド４３は、第２の金属ワイヤ１９を介して、パッド３４と電気的に接続されている。これにより、第２の半導体チップ１７は、配線基板１１と電気的に接続されている。第２の半導体チップ１７としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。また、第２の半導体チップ１７の厚さは、例えば、１００μｍ〜１５０μｍとすることができる。
【００４２】
上記構成とされた第２の半導体チップ１７は、平面視した状態において、電極パッド４３の配列方向と電極パッド３９の配列方向とが略平行となるように、第１の半導体チップ１３及び第１の金属ワイヤ１９の上部に接着されている。
【００４３】
このように、平面視した状態において、電極パッド４３の配列方向と電極パッド３９の配列方向とが略平行となるように、第１の半導体チップ１３及び第１の金属ワイヤ１９の上部に第２の半導体チップ１７を接着することにより、第２の半導体チップ１７上に第３の半導体チップ２１を積み重ねることが可能となる。
【００４４】
接着部材１８は、半導体基板４１の裏面４１Ｂに設けられている。接着部材１４は、半導体集積回路３８の上面３８Ａと、図２及び図３に示す右側の列に配置された電極パッド３９と接続された第１の金属ワイヤ１５の上部とに、第２の半導体チップ１７を接着するための部材である。接着部材１８としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。接着部材１８としてダイアタッチフィルムを用いた場合、接着部材１８の厚さは、例えば、２０μｍ〜３０μｍとすることができる。
【００４５】
第２の金属ワイヤ１９は、その一方の端部が電極パッド４３と接続されており、他方の端部がパッド３４と接続されている。第２の金属ワイヤ１９は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。半導体集積回路４２の上面４２Ａを基準としたときの第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２は、従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２４１，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くなるように設定されている。
【００４６】
このように、第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２を従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２４１，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くすることで、第２の金属ワイヤ１９の上部により、半導体集積回路４２の上面４２Ａの一部と接触するように配置された接着部材２２を介して、第３の半導体チップ２１を支持することが可能となる。これにより、スペーサ２０４，２０７（図１参照）を用いることなく、第２の半導体チップ１７上に第３の半導体チップ２１を積み重ねることが可能となるため、半導体装置１０の高さ方向のサイズを小型化することができる。
【００４７】
第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２は、例えば、５０μｍ〜１００μｍの範囲で設定するとよい。第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２が１００μｍよりも高いと第３の半導体チップ２１を安定して支持することが困難となる。また、第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２が５０μｍよりも低くなるように第２の金属ワイヤ１９を安定して形成することは製造工程上困難（具体的には、ワイヤボンディング装置の性能上困難）である。
【００４８】
第２の金属ワイヤ１９の材料としては、例えば、ＡｕやＣｕ等を用いることができる。第２の金属ワイヤ１９の材料としてＡｕを用いた場合、第２の金属ワイヤ１９の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。また、第２の金属ワイヤ１９の材料としてＣｕを用いた場合、第２の金属ワイヤ１９の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００４９】
第３の半導体チップ２１は、第３の半導体チップ本体を構成する半導体基板４６及び半導体集積回路４７と、複数の電極パッド４８（第３の電極パッド）とを有する。半導体基板４６は、平面視四角形とされている。半導体基板４６の裏面４６Ｂには、粘着部材２２が設けられている。半導体基板４６は、その一部が図２及び図３に示す第２の半導体チップ１７の左側にはみ出すように配置されている。半導体基板４６は、粘着部材２２を介して、半導体集積回路３８の上面３８Ａと、図２及び図３に示す左側の列に配置された電極パッド４３と接続された第２の金属ワイヤ１９の上部とに接着されている。
【００５０】
これにより、第３の半導体チップ２１は、配線基板本体３１の上面３１Ａに対して半導体集積回路４７の上面４７Ａが略平行となるように、第２の半導体チップ１７及び第２の金属ワイヤ１９の上部に積み重ねられている。このように、第２の半導体チップ１７及び第２の金属ワイヤ１９の上部に第３の半導体チップ２１を積み重ねることにより、封止樹脂２６が形成されていない状態において、半導体集積回路４２と接着部材２２との間に第２の隙間Ｂが形成される。
【００５１】
上記説明したように、配線基板本体３１の上面３１Ａに対して半導体集積回路４７の上面４７Ａが略平行となるように、半導体集積回路４２の上面４２Ａ及び第２の金属ワイヤ１９の上部に第３の半導体チップ２１を接着することにより、第３の半導体チップ２１上に他の半導体チップをさらに積み重ねることができる。
【００５２】
半導体基板４６の外形は、半導体基板４１の外形と略等しいか、或いは半導体基板４１の外形よりも大きくなるように構成されている。
【００５３】
このように、半導体基板４６の外形を半導体基板４１の外形と略等しいか、或いは半導体基板４１の外形よりも大きくすることにより、第２の半導体チップ１９及び第２の金属ワイヤ１９の上部に第３の半導体チップ２１を接着することが可能となる。なお、本実施の形態では、図３に示すように、半導体基板４６の外形が半導体基板４１の外形よりも大きい場合を例に挙げて以下の説明をする。
【００５４】
半導体集積回路４７は、半導体基板４６の表面４６Ａ側に形成されている。半導体集積回路４７は、平面視四角形とされている。半導体集積回路４７は、図示していない拡散層、絶縁層、ビア、及び配線等により構成されている。
【００５５】
複数の電極パッド４８は、半導体集積回路４７の上面４７Ａ側に設けられており、半導体集積回路４７と電気的に接続されている。複数の電極パッド４８は、半導体集積回路４７の対向する２辺の近傍にそれぞれ１つの列を構成するように配置されている。つまり、複数の電極パッド４８は、対向する２列を構成するように配置されている。電極パッド４８は、第３の金属ワイヤ２４を介して、パッド３５と電気的に接続されている。これにより、第３の半導体チップ２１は、配線基板１１と電気的に接続されている。第３の半導体チップ２１としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。また、第３の半導体チップ２１の厚さは、例えば、１００μｍ〜１５０μｍとすることができる。
【００５６】
上記構成とされた第３の半導体チップ２１は、平面視した状態において、電極パッド４８の配列方向と電極パッド３９，４３の配列方向とが略平行となるように、第２の半導体チップ１７及び第２の金属ワイヤ１９の上部に接着されている。
【００５７】
このように、平面視した状態において、電極パッド４８の配列方向と電極パッド３９，４３の配列方向とが略平行となるように、第２の半導体チップ１７及び第２の金属ワイヤ１９の上部に第３の半導体チップ２１を接着することにより、第３の半導体チップ２１上に他の半導体チップを積み重ねることができる。
【００５８】
第３の金属ワイヤ２４は、その一方の端部が電極パッド４８と接続されており、他補の端部がパッド３５と接続されている。第３の金属ワイヤ２４は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。半導体集積回路４７の上面４７Ａを基準としたときの第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３は、従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２４１，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くなるように設定されている。
【００５９】
このように、第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３を従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２４１，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くすることで、第３の金属ワイヤ２４の上部により、第３の半導体チップ２１上に載置された他の半導体チップ１７を支持することが可能となるため、半導体装置１０の高さ方向のサイズを小型化することができる。
【００６０】
第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３は、例えば、５０μｍ〜１００μｍの範囲で設定するとよい。第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３が１００μｍよりも高いと第３の半導体チップ２１上に他の半導体チップ（図示せず）を積み重ねた場合、他の半導体チップを安定して支持することが困難となる。また、第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３が５０μｍよりも低くなるように第３の金属ワイヤ２４を安定して形成することは製造工程上困難（具体的には、ワイヤボンディング装置の性能上困難）である。
【００６１】
第３の金属ワイヤ２４の材料としては、例えば、ＡｕやＣｕ等を用いることができる。第３の金属ワイヤ２４の材料としてＡｕを用いた場合、第３の金属ワイヤ２４の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。また、第３の金属ワイヤ２４の材料としてＣｕを用いた場合、第３の金属ワイヤ２４の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００６２】
封止樹脂２６は、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１、第１乃至第３の金属ワイヤ１５，１９，２４、及びパッド３３〜３５を覆うように、配線基板本体３１の上面３１Ａに設けられている。封止樹脂２６は、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１、及び第１乃至第３の金属ワイヤ１５，１９，２４を封止するための樹脂である。封止樹脂２６としては、例えば、モールド樹脂（具体的には、例えば、熱可塑性のエポキシ樹脂）を用いることができる。
【００６３】
本実施の形態の半導体装置によれば、第２の半導体チップ１７を、接着部材１８を介して、半導体集積回路３８の上面３８Ａ及び第１の半導体チップ１５と配線基板１１とを電気的に接続する第１の金属ワイヤ１５の上部に接着させ、第３の半導体チップ２１を、接着部材２２を介して、半導体集積回路４２の上面４２Ａ、及び第２の半導体チップ１７と配線基板１１とを電気的に接続する第２の金属ワイヤ１９の上部に接着させることにより、スペーサを用いることなく、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１を積み重ねることが可能となるため、半導体装置１０の高さ方向のサイズを小型化することができると共に、半導体装置１０のコストを低減させることができる。
【００６４】
また、配線基板本体３１の上面３１Ａに対して半導体集積回路４７の上面４７Ａが略平行となるように、半導体集積回路４２の上面４２Ａ及び第２の金属ワイヤ１９の上部に第３の半導体チップ２１を接着することにより、第３の半導体チップ２１上に他の半導体チップをさらに積み重ねることができる。
【００６５】
図４〜図１４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図４〜図１４において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６６】
図４〜図１４を参照して、第１の実施の形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。始めに、図４に示す工程では、周知の手法により、配線基板本体３１と、パッド３３〜３５とを有した配線基板１１を形成する。配線基板本体３１としては、例えば、積層された複数の絶縁層（図示せず）と、複数の絶縁層に設けられたビア及び配線（共に図示せず）と、ビア及び配線と電気的に接続された外部接続用パッド（図示せず）とを有する多層配線構造体（例えば、ビルドアップ構造体）を用いることができる。
【００６７】
次いで、図５に示す工程では、半導体基板３７の裏面３７Ｂに粘着部材１４が形成された第１の半導体チップ１３を準備し、粘着部材１４を介して、配線基板本体３１の上面３１Ａに第１の半導体チップ１３を接着する。
【００６８】
第１の半導体チップ１３は、半導体基板３７、半導体集積回路３８、及び対向する２列を構成するように半導体集積回路３８の上面３８Ａに配置された複数の電極パッドを有する。第１の半導体チップ１３としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。粘着部材１４としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。粘着部材１４としてダイアタッチフィルムを用いる場合、粘着部材１４の厚さは、例えば、２０μｍ〜３０μｍとすることができる。
【００６９】
次いで、図６に示す工程では、一方の端部が電極パッド３９と接続され、他方の端部がパッド３３と接続された第１の金属ワイヤ１５を形成する。第１の金属ワイヤ１５は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。半導体集積回路３８の上面３８Ａを基準とする第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１は、例えば、５０μｍ〜１００μｍの範囲内で設定するとよい。
【００７０】
このように、第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１を５０μｍ〜１００μｍとすることで、第１の金属ワイヤ１５の上部及び半導体集積回路３８の上面３８Ａに接着される第２の半導体チップ１７を安定して支持することができる。
【００７１】
第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１が１００μｍよりも高い場合、接着部材１８が形成された第２の半導体チップ１７の重さにより第１の金属ワイヤ１５が変形するため、接着部材１８が形成された第２の半導体チップ１７を安定して支持することが困難となる。また、第１の金属ワイヤ１５の高さＨ１が５０μｍよりも低くなるように第１の金属ワイヤ１５を安定して形成することは製造工程上困難（具体的には、ワイヤボンディング装置の性能上困難）である。
【００７２】
第１の金属ワイヤ１５の材料としては、例えば、ＡｕやＣｕ等を用いることができる。第１の金属ワイヤ１５の材料としてＡｕを用いた場合、第１の金属ワイヤ１５の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。また、第１の金属ワイヤ１５の材料としてＣｕを用いた場合、第１の金属ワイヤ１５の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００７３】
次いで、図７に示す工程では、半導体基板４１の裏面４１Ｂに粘着部材１８が形成された第２の半導体チップ１７を準備し、粘着部材１８を介して、半導体集積回路３８の上面３８Ａと、一方の列に配置された電極パッド３９（本実施の形態の場合、図７に示す右側の列に配置された電極パッド３９）と接続された第１の金属ワイヤ１５の上部とに第２の半導体チップ１７を接着する。これにより、半導体集積回路４２の上面４２Ａが配線基板本体３１の上面３１Ａに対して傾斜すると共に、第１の半導体チップ１３と粘着部材１８との間に第１の隙間Ａが形成される。
【００７４】
第２の半導体チップ１７は、半導体基板４１、半導体集積回路４２、及び対向する２列を構成するように半導体集積回路４２の上面４２Ａに配置された複数の電極パッド４３を有する。第２の半導体チップ１７としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。粘着部材１８としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。粘着部材１８としてダイアタッチフィルムを用いる場合、粘着部材１８の厚さは、例えば、２０μｍ〜３０μｍとすることができる。
【００７５】
次いで、図８に示す工程では、一方の端部が電極パッド４３と接続され、他方の端部がパッド３４と接続される第２の金属ワイヤ１９を形成する。第２の金属ワイヤ１９は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。半導体集積回路４２の上面４２Ａを基準とする第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２は、例えば、５０μｍ〜１００μｍの範囲内で設定するとよい。
【００７６】
このように、第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２を５０μｍ〜１００μｍとすることで、第２の金属ワイヤ１９の上部及び半導体集積回路４２の上面４２Ａに接着される第３の半導体チップ２１を安定して支持することができる。
【００７７】
第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２が１００μｍよりも高い場合、接着部材２２が形成された第３の半導体チップ２１の重さにより第２の金属ワイヤ１９が変形するため、接着部材２２が形成された第３の半導体チップ２１を安定して支持することが困難となる。また、第２の金属ワイヤ１９の高さＨ２が５０μｍよりも低くなるように第２の金属ワイヤ１９を安定して形成することは製造工程上困難（具体的には、ワイヤボンディング装置の性能上困難）である。
【００７８】
第２の金属ワイヤ１９の材料としては、例えば、ＡｕやＣｕ等を用いることができる。第２の金属ワイヤ１９の材料としてＡｕを用いた場合、第２の金属ワイヤ１９の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。また、第２の金属ワイヤ１９の材料としてＣｕを用いた場合、第２の金属ワイヤ１９の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００７９】
次いで、図９に示す工程では、半導体基板４６の裏面４６Ｂに粘着部材２２が形成された第３の半導体チップ２１を準備し、その後、半導体集積回路４７の上面４７Ａが配線基板本体３１の上面３１Ａと略平行になるように、粘着部材２２を介して、半導体集積回路４２の上面４２Ａと、一方の列に配置された電極パッド４３（本実施の形態の場合、図９に示す左側の列に配置された電極パッド４３）と接続された第２の金属ワイヤ１９の上部とに第３の半導体チップ２１を接着する。これにより、第２の半導体チップ１７と粘着部材２２との間に第２の隙間Ｂが形成される。
【００８０】
第３の半導体チップ２１は、半導体基板４６、半導体集積回路４７、及び対向する２列を構成するように半導体集積回路４６の表面４６Ａに配置された複数の電極パッド４８を有する。第３の半導体チップ２１としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。粘着部材２２としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。粘着部材２２としてダイアタッチフィルムを用いる場合、粘着部材２２の厚さは、例えば、２０μｍ〜３０μｍとすることができる。
【００８１】
次いで、図１０に示す工程では、一方の端部が電極パッド４８と接続され、他方の端部がパッド３５と接続された第３の金属ワイヤ２４を形成する。第３の金属ワイヤ２４は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。半導体集積回路４７の上面４７Ａを基準とする第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３は、例えば、５０μｍ〜１００μｍの範囲内で設定するとよい。
【００８２】
このように、第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３を５０μｍ〜１００μｍとすることで、第３の半導体チップ２１上に他の半導体チップ（図示せず）を積み重ねる場合、第３の金属ワイヤ２４の上部及び半導体集積回路４７の上面４７Ａにより、他の半導体チップを安定して支持することが可能になると共に、半導体装置１０の実装密度を向上させることができる。
【００８３】
第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３が１００μｍよりも高いと他の半導体チップの重さにより第３の金属ワイヤ２４が変形するため、他の半導体チップを安定して支持することが困難となる。また、第３の金属ワイヤ２４の高さＨ３が５０μｍよりも低くなるように第３の金属ワイヤ２４を安定して形成することは、製造工程上困難（具体的には、ワイヤボンディング装置の性能上困難）である。
【００８４】
第３の金属ワイヤ２４の材料としては、例えば、ＡｕやＣｕ等を用いることができる。第３の金属ワイヤ２４の材料としてＡｕを用いた場合、第３の金属ワイヤ２４の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。また、第３の金属ワイヤ２４の材料としてＣｕを用いた場合、第３の金属ワイヤ２４の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００８５】
次いで、図１１に示す工程では、金型５５の凹部５６に液状樹脂５８を準備する。凹部５６は、封止樹脂２６の形状（図２参照）に対応した形状とされている。液状樹脂５８は、硬化することにより封止樹脂２６となる樹脂である。液状樹脂５８は、例えば、金型５５を加熱し、加熱された金型５５の凹部５６に粉状のモールド樹脂（例えば、熱可塑性のエポキシ樹脂）を入れて、熱により粉状のモールド樹脂を溶かすことで形成する。粉状のモールド樹脂として熱可塑性のエポキシ樹脂を用いる場合、金型５５は、例えば、１８０℃に加熱することができる。なお、本実施の形態では、粉状のモールド樹脂として熱可塑性のエポキシ樹脂を用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。
【００８６】
次いで、図１２に示す工程では、液状樹脂５８が充填された凹部５６に第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１及び第１乃至第３の金属ワイヤ１５，１９，２４が浸漬されるように、金型５５の上部に図１０に示す構造体を配置する。これにより、配線基板本体３１の上面３１Ａ及びパッド３３〜３５が液状樹脂５８で覆われると共に、第１及び第２の隙間Ａ，Ｂが液状樹脂５８で充填される。
【００８７】
このように、金型５５の凹部５６に液状樹脂５８を形成し、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１及び第１乃至第３の金属ワイヤ１５，１９，２４を封止樹脂２６の母材となる液状樹脂５８に浸漬させることにより、積み重ねられた第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１の相対的な位置関係を変えることなく、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１、第１乃至第３の金属ワイヤ１５，１９，２４、第１の隙間Ａ、及び第２の隙間Ｂを封止できる。
【００８８】
次いで、図１３に示す工程では、金型５５を冷却することで、図１２に示す液状樹脂５８を硬化させて、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１、第１乃至第３の金属ワイヤ１５，１９，２４、第１の隙間Ａ、第２の隙間Ｂ、配線基板本体３１の上面３１Ａ、及びパッド３３〜３５を封止する封止樹脂２６を形成する。
【００８９】
次いで、図１４に示す工程では、金型５５から封止樹脂２６が形成された配線基板１１を取り外す。これにより、第１の実施の形態の半導体装置１０が製造される。
【００９０】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、粘着部材１８を介して、半導体集積回路３８の上面３８Ａと、一方の列に配置された電極パッド３９（本実施の形態の場合、図７に示す右側の列に配置された電極パッド３９）と接続された第１の金属ワイヤ１５の上部とに第２の半導体チップ１７を接着し、次いで、第２の金属ワイヤ１９により、第２の半導体チップ１７と配線基板１１とを電気的に接続し、次いで、半導体集積回路４７の上面４７Ａと配線基板本体３１の上面３１Ａとが略平行になるように、粘着部材２２を介して、半導体集積回路４２の上面４２Ａと、一方の列に配置された電極パッド４３（本実施の形態の場合、図９に示す左側の列に配置された電極パッド４３）と接続された第２の金属ワイヤ１９の上部とに第３の半導体チップ２１を接着し、次いで、第３の金属ワイヤ２４により、第３の半導体チップ２４と配線基板１１とを電気的に接続することにより、スペーサを用いることなく、配線基板１１上に第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１を積み重ねることが可能となるため、半導体装置１０の高さ方向のサイズを小型化することができると共に、半導体装置１０のコストを低減させることができる。
【００９１】
また、スペーサが不要になることにより、スペーサを形成する工程も不要となるため、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【００９２】
さらに、金型５５の凹部５６に液状樹脂５８を形成し、その後、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１、及び第１乃至第３の金属ワイヤ１５，１９，２４を液状樹脂５８に浸漬させることで封止樹脂２６を形成することにより、積み重ねられた第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１の相対的な位置関係を変えることなく、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１、第１乃至第３の金属ワイヤ１５，１９，２４、第１の隙間Ａ、第２の隙間Ｂ、配線基板本体３１の上面３１Ａ、及びパッド３３〜３５を精度良く封止することができる。
【００９３】
図１５は、本発明の第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。図１５において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００９４】
図１５を参照するに、第１の実施の形態の第１変形例の半導体装置６０は、第１の実施の形態の半導体装置１０の構成に、さらに第１及び第２の支持部材６１，６２を設けた以外は、半導体装置１０と同様な構成とされている。
【００９５】
第１の支持部材６１は、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに設けられている。第１の支持部材６１は、接着部材１８を介して、第２の半導体チップ１７を支持するための部材である。第１の支持部材６１の高さは、第１の金属ワイヤ１５の上部及び半導体集積回路３８の上面３８Ａに接着された接着部材１８の下面１８Ａと接触する高さに設定されている。
【００９６】
このように、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに、第１の金属ワイヤ１５の上部及び半導体集積回路３８の上面３８Ａに接着された接着部材１８の下面１８Ａと接触する第１の支持部材６１を設けることで、第１の金属ワイヤ１５及び第１の支持部材６１により、接着部材１８を介して、第２の半導体チップ１７を支持することが可能となるので、第２の半導体チップ１７を安定して支持することができる。
【００９７】
第１の支持部材６１の材料としては、例えば、樹脂やシリコン等を用いることができる。第１の支持部材６１の断面形状は、例えば、半円形状にすることができる。
【００９８】
第２の支持部材６２は、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに設けられている。第２の支持部材６２は、接着部材２２を介して、第３の半導体チップ２１を支持するための部材である。第２の支持部材６２の高さは、第２の金属ワイヤ１９の上部及び半導体集積回路４２の上面４２Ａに接着された接着部材２２の下面２２Ａと接触する高さに設定されている。
【００９９】
このように、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに、第２の金属ワイヤ１９の上部及び半導体集積回路４２の上面４２Ａに接着された接着部材２２の下面２２Ａと接触する第２の支持部材６２を設けることで、第２の金属ワイヤ１９及び第２の支持部材６２により、接着部材２２を介して、第３の半導体チップ２１を支持することが可能となるので、第３の半導体チップ２１を安定して支持することができる。
【０１００】
第２の支持部材６２の材料としては、例えば、樹脂やシリコン等を用いることができる。第２の支持部材６２の断面形状は、例えば、半円形状にすることができる。
【０１０１】
本実施の形態の第１変形例の半導体装置によれば、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに、第１の金属ワイヤ１５の上部及び半導体集積回路３８の上面３８Ａに接着された接着部材１８と接触する第１の支持部材６１を設けると共に、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに、第２の金属ワイヤ１９の上部及び半導体集積回路４２の上面４２Ａに接着された接着部材２２と接触する第２の支持部材６２を設けることにより、第２及び第３の半導体チップ１７，２１を安定して支持することができる。
【０１０２】
なお、本実施の形態の第１変形例の半導体装置６０は、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【０１０３】
また、本実施の形態の第１変形例では、第１及び第２の支持部材６１，６２の断面形状が半円形状の場合を例に挙げて説明したが、第１及び第２の支持部材６１，６２の形状はこれに限定されない。
【０１０４】
図１６は、本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。図１６において、第１の実施の形態の第１変形例の半導体装置６０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１０５】
図１６を参照するに、第１の実施の形態の第２変形例の半導体装置６５は、第１の実施の形態の第１変形例の半導体装置６０に設けられた第１及び第２の支持部材６１，６２の代わりに第１及び第２の支持部材６６，６７を設けた以外は半導体装置６０と同様に構成される。
【０１０６】
第１の支持部材６６は、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに設けられている。第１の支持部材６６は、接着部材１８の下面１８Ａと接触することで、接着部材１８が設けられた第２の半導体チップ１７を支持するための部材である。第１の支持部材６６は、接着部材１８の下面１８Ａと第１の金属ワイヤ１５の上部とが接触しないような高さとされている。つまり、接着部材１８が形成された第２の半導体チップ１７は、半導体集積回路３８の上面３８Ａ及び第１の支持部材６６により支持されている。
【０１０７】
第１の支持部材６６の材料としては、例えば、樹脂やシリコン等を用いることができる。第１の支持部材６６の断面形状は、例えば、半円形状にすることができる。
【０１０８】
第２の支持部材６７は、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに設けられている。第２の支持部材６７は、接着部材２２の下面２２Ａと接触することで、接着部材２２が設けられた第３の半導体チップ２１を支持するための部材である。第２の支持部材６７の高さは、接着部材２２の下面２２Ａと第２の金属ワイヤ１９の上部とが接触しないような高さとされている。つまり、接着部材２２が形成された第３の半導体チップ２１は、半導体集積回路４２の上面４２Ａ及び第２の支持部材６７により支持されている。
【０１０９】
第２の支持部材６７の材料としては、例えば、樹脂やシリコン等を用いることができる。第２の支持部材６７の断面形状は、例えば、半円形状にすることができる。
【０１１０】
本実施の形態の第２変形例の半導体装置によれば、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに、接着部材１８の下面１８Ａと接触する第１の支持部材６６を設け、第１の支持部材６６の高さを接着部材１８の下面１８Ａと第１の金属ワイヤ１５の上部とが接触しないような高さにすると共に、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに、接着部材２２の下面２２Ａと接触する第２の支持部材６７を設け、第２の支持部材６７の高さを接着部材２２の下面２２Ａと第２の金属ワイヤ１９の上部とが接触しないような高さにして、第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１を積み重ねることにより、スペーサ２０４，２０７を用いて第１乃至第３の半導体チップ２０３，２０５，２０８を積み重ねた従来の半導体装置２００（図１参照）と比較して、半導体装置６５の高さ方向のサイズを小型化することができる。
【０１１１】
（第２の実施の形態）
図１７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図１７において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１１２】
図１７を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置７０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた配線基板１１の代わりに配線基板７１を設け、さらに第４の半導体チップ７３、接着部材７４，７８、第４の金属ワイヤ７５、第５の半導体チップ７７、第５の金属ワイヤ７９を設けると共に、第１乃至第５の半導体チップ１３，１７，２１，７３，７７及び第１乃至第５の金属ワイヤ１５，１９，２４，７５，７９を封止するように封止樹脂２６を形成した以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【０１１３】
配線基板７１は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた配線基板１１の構成に、さらにパッド８０，８１を設けた以外は配線基板１１と同様に構成される。
【０１１４】
パッド８０は、配線基板本体３１の上面３１Ａに設けられている。パッド８０は、第４の金属ワイヤ７５を介して、第４の半導体チップ７３と電気的に接続されている。パッド８１は、配線基板本体３１の上面３１Ａに設けられている。パッド８１は、第５の金属ワイヤ７９を介して、第５の半導体チップ７７と電気的に接続されている。
【０１１５】
第４の半導体チップ７３は、第４の半導体チップ本体を構成する半導体基板８２及び半導体集積回路８３と、複数の電極パッド８４（第４の電極パッド）とを有する。半導体基板８２は、平面視四角形とされている。半導体基板８２の裏面８２Ｂには、粘着部材７４が設けられている。半導体基板８２としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。
【０１１６】
半導体基板８２は、平面視四角形とされている。半導体基板８２の裏面８２Ｂには、粘着部材７４が設けられている。半導体基板８２は、その一部が図１７に示す第３の半導体チップ２１の右側にはみ出すように配置されている。半導体基板８２は、粘着部材７４を介して、半導体集積回路４７の上面４７Ａと、一方の列に配置された電極パッド４８（本実施の形態の場合、図１７に示す右側の列に配置された電極パッド４８）と接続された第３の金属ワイヤ２４の上部とに接着されている。
【０１１７】
これにより、第４の半導体チップ７３は、配線基板本体３１の上面３１Ａに対して半導体集積回路８３の上面８３Ａが傾いた状態で、第３の半導体チップ２１及び第３の金属ワイヤ２４の上部に積み重ねられている。このように、第３の半導体チップ２１及び第３の金属ワイヤ２４の上部に第４の半導体チップ７３を積み重ねることにより、封止樹脂２６が形成されていない状態において、半導体集積回路４７と接着部材７４との間に第３の隙間Ｃが形成される。
【０１１８】
半導体基板８２の外形は、半導体基板４６の外形と略等しいか、或いは半導体基板３７の外形よりも大きくなるように構成されている。
【０１１９】
このように、半導体基板８２の外形を半導体基板４６の外形と略等しいか、或いは半導体基板４６の外形よりも大きくすることにより、第３の半導体チップ２１及び第３の金属ワイヤ２４の上部に第４の半導体チップ７３を接着することが可能となる。なお、本実施の形態では、半導体基板８２の外形が半導体基板４６の外形よりも大きい場合を例に挙げて以下の説明をする。
【０１２０】
半導体集積回路８３は、半導体基板８２の表面８２Ａ側に形成されている。半導体集積回路８３は、平面視四角形とされている。半導体集積回路８３は、図示していない拡散層、絶縁層、ビア、及び配線等により構成されている。
【０１２１】
複数の電極パッド８４は、半導体集積回路８３の上面８３Ａ側に設けられており、半導体集積回路８３と電気的に接続されている。複数の電極パッド８４は、半導体集積回路８３の対向する２辺の近傍にそれぞれ１つの列を構成するように配置されている。つまり、複数の電極パッド８４は、対向する２列を構成するように配置されている。電極パッド８４は、第４の金属ワイヤ７５を介して、パッド８０と電気的に接続されている。これにより、第４の半導体チップ７３は、配線基板１１と電気的に接続されている。第４の半導体チップ７３としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。また、第４の半導体チップ７３の厚さは、例えば、１００μｍ〜１５０μｍとすることができる。
【０１２２】
上記構成とされた第４の半導体チップ７３は、平面視した状態において、電極パッド８４の配列方向が電極パッド３９，４３，４８の配列方向とが略平行となるように、第３の半導体チップ２１及び第３の金属ワイヤ２４の上部に接着されている。
【０１２３】
このように、平面視した状態において、電極パッド８４の配列方向と電極パッド３９，４３，４８の配列方向とが略平行となるように、第３の半導体チップ２１及び第３の金属ワイヤ２４の上部に第４の半導体チップ７３を接着することにより、第４の半導体チップ７３上に第５の半導体チップ７７を積み重ねることができる。
【０１２４】
接着部材７４は、半導体基板８２の裏面８２Ｂに設けられている。接着部材７４は、半導体集積回路４７の上面４７Ａと、一方の列に配列された電極パッド４８（本実施の形態の場合、図１７に示す右側の列に配置された電極パッド４８）と接続された第３の金属ワイヤ２４の上部とに第４の半導体チップ７３を接着するための部材である。接着部材７４としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。接着部材７４としてダイアタッチフィルムを用いた場合、接着部材７４の厚さは、例えば、２０μｍ〜３０μｍとすることができる。
【０１２５】
第４の金属ワイヤ７５は、一方の端部が電極パッド８４と接続されており、他方の端部がパッド８０と接続されている。第４の金属ワイヤ７５は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。半導体集積回路８３の上面８３Ａを基準としたときの第４の金属ワイヤ７５の高さＨ４は、従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２８２，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くなるように設定されている。
【０１２６】
このように、第４の金属ワイヤ７５の高さＨ４を従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２８２，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くすることで、第４の金属ワイヤ７５の上部により、半導体集積回路８３の上面８３Ａの一部と接触するように配置された接着部材７８を介して、第５の半導体チップ７７を支持することが可能となる。これにより、スペーサ２０４，２０７（図１参照）を用いることなく、第４の半導体チップ７３上に第５の半導体チップ７７を積み重ねることが可能となるため、半導体装置７０の高さ方向のサイズを小型化することができる。
【０１２７】
第４の金属ワイヤ７５の高さＨ４は、例えば、５０μｍ〜１００μｍの範囲で設定するとよい。第４の金属ワイヤ７５の高さＨ４が１００μｍよりも高いと接着部材７４が形成された第４の半導体チップ７３を安定して支持することが困難となる。また、第４の金属ワイヤ７５の高さＨ４が５０μｍよりも低くなるように第４の金属ワイヤ７５を安定して形成することは製造工程上困難（具体的には、ワイヤボンディング装置の性能上困難）である。
【０１２８】
第４の金属ワイヤ７５の材料としては、例えば、ＡｕやＣｕ等を用いることができる。第４の金属ワイヤ７５の材料としてＡｕを用いた場合、第４の金属ワイヤ７５の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。また、第４の金属ワイヤ７５の材料としてＣｕを用いた場合、第４の金属ワイヤ７５の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【０１２９】
第５の半導体チップ７７は、第５の半導体チップ本体を構成する半導体基板８７及び半導体集積回路８８と、複数の電極パッド８９（第５の電極パッド）とを有する。半導体基板８７は、平面視四角形とされている。半導体基板８７の下面８７Ｂには、粘着部材７８が設けられている。半導体基板８７としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。
【０１３０】
半導体基板８７は、その一部が図１７に示す第４の半導体チップ７３の左側にはみ出すように配置されている。半導体基板８７は、粘着部材７８を介して、半導体集積回路８３の上面８３Ａと、一方の列に配置された電極パッド８４（本実施の形態の場合、図１７に示す左側の列に配置された電極パッド８４）と接続された第４の金属ワイヤ７５の上部とに接着されている。
【０１３１】
これにより、第５の半導体チップ７３は、配線基板本体３１の上面３１Ａに対して半導体集積回路８８の上面８８Ａが略平行となるように、半導体集積回路８３の上面８３Ａと、一方の列に配置された電極パッド８４とに接着されている。
【０１３２】
このように、配線基板本体３１の上面３１Ａに対して半導体集積回路８８の上面８８Ａが略平行となるように、半導体集積回路８３の上面８３Ａ及び第４の金属ワイヤ７５の上部に第５の半導体チップ７７を接着することにより、第５の半導体チップ７７上に他の半導体チップをさらに積み重ねることができる。
【０１３３】
上記説明したように、第４の半導体チップ７３及び第４の金属ワイヤ７５の上部に第５の半導体チップ７７を接着することにより、封止樹脂２６が形成されていない状態において、半導体集積回路８３と接着部材７８との間に第４の隙間Ｄが形成される。
【０１３４】
半導体基板８７の外形は、半導体基板８２の外形と略等しいか、或いは半導体基板８２の外形よりも大きくなるように構成されている。
【０１３５】
このように、半導体基板８７の外形を半導体基板８２の外形と略等しいか、或いは半導体基板８２の外形よりも大きくすることにより、第４の半導体チップ７３及び第４の金属ワイヤ７５の上部に第５の半導体チップ７７を接着することが可能となる。なお、本実施の形態では、半導体基板８７の外形が半導体基板８２の外形よりも大きい場合を例に挙げて以下の説明をする。
【０１３６】
半導体集積回路８８は、半導体基板８７の上面８７Ａ側に形成されている。半導体集積回路８８は、平面視四角形とされている。半導体集積回路８８は、図示していない拡散層、絶縁層、ビア、及び配線等により構成されている。
【０１３７】
複数の電極パッド８９は、半導体集積回路８８の上面８８Ａ側に設けられており、半導体集積回路８８と電気的に接続されている。複数の電極パッド８９は、半導体集積回路８８の対向する２辺の近傍にそれぞれ１つの列を構成するように配置されている。つまり、複数の電極パッド８９は、対向する２列を構成するように配置されている。電極パッド８９は、第５の金属ワイヤ７９を介して、パッド８１と電気的に接続されている。これにより、第５の半導体チップ７７は、配線基板１１と電気的に接続されている。第５の半導体チップ７７としては、例えば、メモリー用半導体チップを用いることができる。また、第５の半導体チップ７７の厚さは、例えば、１００μｍ〜１５０μｍとすることができる。
【０１３８】
上記構成とされた第５の半導体チップ７７は、平面視した状態において、電極パッド８９の配列方向と電極パッド３９，４３，４８，８４の配列方向とが略平行となるように、第４の半導体チップ７３及び第４の金属ワイヤ７５の上部に接着されている。
【０１３９】
このように、平面視した状態において、電極パッド８９の配列方向と電極パッド３９，４３，４８，８４の配列方向とが略平行となるように、第４の半導体チップ７３及び第４の金属ワイヤ７５の上部に第５の半導体チップ７７を接着することにより、第５の半導体チップ７７上にさらに他の半導体チップを積み重ねることができる。
【０１４０】
接着部材７８は、半導体基板８７の下面８７Ｂに設けられている。接着部材７８は、半導体集積回路８３の上面８３Ａと、一方の列に配列された電極パッド８４（本実施の形態の場合、図１７に示す左側の列に配置された電極パッド８４）と接続された第４の金属ワイヤ７５の上部とに、第５の半導体チップ７７を接着するための部材である。接着部材７８としては、例えば、ダイアタッチフィルムを用いることができる。接着部材７８としてダイアタッチフィルムを用いた場合、接着部材７８の厚さは、例えば、２０μｍ〜３０μｍとすることができる。
【０１４１】
第５の金属ワイヤ７９は、一方の端部が電極パッド８９と接続されており、他方の端部がパッド８１と接続されている。第５の金属ワイヤ７９は、例えば、ワイヤボンディング装置により形成することができる。半導体集積回路８８の上面８８Ａを基準としたときの第５の金属ワイヤ７９の高さＨ５は、従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２８２，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くなるように設定されている。
【０１４２】
このように、第５の金属ワイヤ７９の高さＨ５を従来の半導体装置２００に設けられた金属ワイヤ２３１，２８２，２５１の高さＪ１，Ｊ２，Ｊ３よりも低くすることで、第５の金属ワイヤ７５の上部及び半導体集積回路８８の上面８８Ａにより、スペーサを用いることなく、他の半導体チップ（図示せず）を支持することが可能となるため、半導体装置７０の高さ方向のサイズを小型化することができる。
【０１４３】
第５の金属ワイヤ７９の高さＨ５は、例えば、５０μｍ〜１００μｍの範囲で設定するとよい。第５の金属ワイヤ７９の高さＨ５が１００μｍよりも高いと第５の半導体チップ７７上に積み重ねられた他の半導体チップを安定して支持することが困難となる。また、第５の金属ワイヤ７９の高さＨ５が５０μｍよりも低くなるように第５の金属ワイヤ７９を安定して形成することは製造工程上困難（具体的には、ワイヤボンディング装置の性能上困難）である。
【０１４４】
第５の金属ワイヤ７９の材料としては、例えば、ＡｕやＣｕ等を用いることができる。第５の金属ワイヤ７９の材料としてＡｕを用いた場合、第５の金属ワイヤ７９の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。また、第５の金属ワイヤ７９の材料としてＣｕを用いた場合、第５の金属ワイヤ７９の直径は、例えば、１５μｍ〜２５μｍとすることができる。
【０１４５】
本実施の形態の半導体装置によれば、配線基板１１に積み重ねられた第１乃至第３の半導体チップ１３，１７，２１上に、接着部材７４を介して、第４の半導体チップ７３を、半導体集積回路４７の上面４７Ａ及び第３の半導体チップ２１と配線基板１１とを電気的に接続する第３の金属ワイヤ２４の上部に接着させると共に、接着部材７８を介して、第５の半導体チップ７７を、半導体集積回路８３の上面８３Ａ及び第４の半導体チップ７３と配線基板１１とを電気的に接続する第４の金属ワイヤ７５の上部に接着させることにより、スペーサを用いることなく、第１乃至第５の半導体チップ１３，１７，２１，７３，７７を積み重ねることが可能となるため、半導体装置７０の高さ方向のサイズを小型化することができると共に、半導体装置７０のコストを低減させることができる。
【０１４６】
また、配線基板本体３１の上面３１Ａに対して半導体集積回路８８の上面８８Ａが略平行となるように、第５の半導体チップ７７を半導体集積回路８３の上面８３Ａ及び第４の金属ワイヤ７５の上部に接着することにより、第５の半導体チップ７７上に他の半導体チップをさらに積み重ねることができる。
【０１４７】
なお、本実施の形態の半導体装置７０は、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な手法により形成することが可能であり、第１の実施の形態の半導体装置１０の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【０１４８】
図１８は、本発明の第２の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。図１８において、第２の実施の形態の半導体装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１４９】
図１８を参照するに、第２の実施の形態の第１変形例の半導体装置９５は、第２の実施の形態の半導体装置７０の構成に、さらに第１乃至第４の支持部材６１，６２，９６，９７を設けた以外は、第２の半導体装置７０と同様に構成される。
【０１５０】
第１の支持部材６１は、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに設けられている。第１の支持部材６１の上部は、第１の金属ワイヤ１５に接着された粘着部材１８の下面１８Ａと接触している。第１の支持部材６１は、粘着部材１８を介して、第２の半導体チップ１７を支持するための部材である。
【０１５１】
第２の支持部材６２は、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに設けられている。第２の支持部材６２の上部は、第２の金属ワイヤ１９に接着された粘着部材２２の下面２２Ａと接触している。第２の支持部材６２は、粘着部材２２を介して、第３の半導体チップ２１を支持するための部材である。
【０１５２】
第３の支持部材９６は、第３の隙間Ｃに対応する部分の半導体集積回路４７の上面４７Ａに設けられている。第３の支持部材９６の上部は、第３の金属ワイヤ２４に接着された粘着部材７４の下面７４Ａと接触している。
【０１５３】
第３の支持部材９６の高さは、第３の金属ワイヤ２４の上部及び半導体集積回路４７の上面４７Ａに接着された接着部材７４の下面７４Ａと接触する高さに設定されている。これにより、第３の支持部材９６の上部は、接着部材７４の下面７４Ａと接触している。第３の支持部材９６は、粘着部材７４を介して、第４の半導体チップ７３を支持するための部材である。
【０１５４】
このように、第３の隙間Ｃに対応する部分の半導体集積回路４７の上面４７Ａに、第３の金属ワイヤ２４の上部及び半導体集積回路４７の上面４７Ａに接着された接着部材７４を支持する第３の支持部材９６を設けることで、接着部材７４を介して、第４の半導体チップ７３を安定して支持することができる。
【０１５５】
第３の支持部材９６の材料としては、例えば、樹脂やシリコン等を用いることができる。第３の支持部材９６の断面形状は、例えば、半円形状にすることができる。
【０１５６】
第４の支持部材９７は、第４の隙間Ｄに対応する部分の半導体集積回路８３の上面８３Ａに設けられている。第４の支持部材９７の上部は、粘着部材７８の下面７８Ａと接触している。
【０１５７】
第４の支持部材９７の高さは、第４の金属ワイヤ７５の上部及び半導体集積回路８３の上面８３Ａに接着された接着部材７８の下面７８Ａと接触する高さに設定されている。これにより、第４の支持部材９７の上部は、第４の金属ワイヤ２４の上部及び接着部材７８の下面７８Ａと接触している。第４の支持部材９７は、粘着部材７８を介して、第５の半導体チップ７７を支持するための部材である。
【０１５８】
このように、第４の隙間Ｄに対応する部分の半導体集積回路８３の上面８３Ａに、第４の金属ワイヤ７５の上部及び半導体集積回路８３の上面８３Ａに接着された接着部材７８を支持する第４の支持部材９７を設けることで、接着部材７８を介して、第５の半導体チップ７７を安定して支持することができる。
【０１５９】
第４の支持部材９７の材料としては、例えば、樹脂やシリコン等を用いることができる。第４の支持部材９７の断面形状は、例えば、半円形状にすることができる。
【０１６０】
本実施の形態の第１変形例の半導体装置によれば、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに、第１の金属ワイヤ１５の上部に接着された接着部材１８を支持する第１の支持部材６１を設け、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに、第２の金属ワイヤ１９の上部に接着された接着部材２２を支持する第２の支持部材６２を設け、第３の隙間Ｃに対応する部分の半導体集積回路４７の上面４７Ａに、第３の金属ワイヤ２４の上部に接着された接着部材７４を支持する第３の支持部材９６を設け、第４の隙間Ｄに対応する部分の半導体集積回路８３の上面８３Ａに、第４の金属ワイヤ７５の上部に接着された接着部材７８を支持する第４の支持部材９７を設けることにより、第１の半導体チップ１３上に積み重ねられた第２乃至第５の半導体チップ１７，２１，７３，７７を安定して確実に支持することができる。
【０１６１】
図１９は、本発明の第２の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。図１９において、第２の実施の形態の半導体装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１６２】
図１９を参照するに、第２の実施の形態の第２変形例の半導体装置１００は、第２の実施の形態の半導体装置７０の構成に、さらに第１乃至第４の支持部材６６，６７，１０１，１０２を設けた以外は、第２の半導体装置７０と同様に構成される。
【０１６３】
第１の支持部材６６は、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに設けられている。第１の支持部材６６は、接着部材１８の下面１８Ａと接触することで、接着部材１８を介して、第２の半導体チップ１７を支持するための部材である。第１の支持部材６６の高さは、接着部材１８の下面１８Ａと第１の金属ワイヤ１５の上部とが接触しないような高さとされている。つまり、第２の半導体チップ１７は、接着部材１８を介して、半導体集積回路３８の上面３８Ａ及び第１の支持部材６６により支持されている。
【０１６４】
第２の支持部材６７は、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに設けられている。第２の支持部材６７は、接着部材２２の下面２２Ａと接触することで、接着部材２２を介して、第３の半導体チップ２１を支持するための部材である。第２の支持部材６７の高さは、接着部材２２の下面２２Ａと第２の金属ワイヤ１９の上部とが接触しないような高さとされている。つまり、第３の半導体チップ２１は、接着部材２２を介して、半導体集積回路４２の上面４２Ａ及び第２の支持部材６７により支持されている。
【０１６５】
第３の支持部材１０１は、第３の隙間Ｃに対応する部分の半導体集積回路４７の上面４７Ａに設けられている。第３の支持部材１０１は、接着部材７４の下面７４Ａと接触することで、接着部材７４を介して、第４の半導体チップ７３を支持するための部材である。第３の支持部材１０１の高さは、接着部材７４の下面７４Ａと第３の金属ワイヤ２４の上部とが接触しないような高さとされている。つまり、第４の半導体チップ７３は、接着部材７４を介して、半導体集積回路４７の上面４７Ａ及び第３の支持部材１０１により支持されている。
【０１６６】
第４の支持部材１０２は、第４の隙間Ｄに対応する部分の半導体集積回路８３の上面８３Ａに設けられている。第４の支持部材１０２は、接着部材７８の下面７８Ａと接触することで、接着部材７８を介して、第５の半導体チップ７７を支持するための部材である。第４の支持部材１０２の高さは、接着部材７８の下面７８Ａと第４の金属ワイヤ７５の上部とが接触しないような高さとされている。つまり、第５の半導体チップ７７は、接着部材７８を介して、半導体集積回路８３の上面８３Ａ及び第４の支持部材１０２により支持されている。
【０１６７】
上記構成とされた第１乃至第４の支持部材６６，６７，１０１，１０２の材料としては、例えば、樹脂やシリコン等を用いることができる。また、第１乃至第４の支持部材６６，６７，１０１，１０２の断面形状は、例えば、半円形状にすることができる。
【０１６８】
本実施の形態の第２変形例の半導体装置によれば、第１の隙間Ａに対応する部分の半導体集積回路３８の上面３８Ａに、接着部材１８を支持すると共に、接着部材１８の下面１８Ａと第１の金属ワイヤ１５の上部とが接触しないような高さとされた第１の支持部材６６を設け、第２の隙間Ｂに対応する部分の半導体集積回路４２の上面４２Ａに、接着部材２２を支持すると共に、接着部材２２の下面２２Ａと第２の金属ワイヤ１７の上部とが接触しないような高さとされた第２の支持部材６７を設け、第３の隙間Ｃに対応する部分の半導体集積回路４７の上面４７Ａに、接着部材７４を支持すると共に、接着部材７４の下面７４Ａと第３の金属ワイヤ２４の上部とが接触しないような高さとされた第３の支持部材１０１を設け、第４の隙間Ｄに対応する部分の半導体集積回路８３の上面８３Ａに、接着部材７８を支持すると共に、接着部材７８の下面７８Ａと第４の金属ワイヤ７５の上部とが接触しないような高さとされた第４の支持部材１０２を設けて、第１の半導体チップ１３上に第２乃至第５の半導体チップ１７，２１，７３，７７を積み重ねることにより、スペーサ２０４，２０７を用いて第１乃至第５の半導体チップ１３，１７，２１，７３，７７を積み重ねた場合と比較して、半導体装置１００の高さ方向のサイズを小型化することができる。
【０１６９】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１７０】
本発明は、配線基板上に積み重ねられた複数の半導体チップを備えた半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３】図２に示す半導体装置の平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１０）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１１）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態の第１変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態の第２変形例に係る半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【０１７２】
１０，６０，６５，７０，９５，１００  半導体装置
１１，７１  配線基板
１３  第１の半導体チップ
１４，１８，２２，７４，７８  接着部材
１５  第１の金属ワイヤ
１７  第２の半導体チップ
１８Ａ，２２Ａ，３１Ｂ，７４Ａ，７８Ａ，８２Ｂ，８７Ｂ  下面
１９  第２の金属ワイヤ
２１  第３の半導体チップ
２４  第３の金属ワイヤ
２６  封止樹脂
３１  配線基板本体
３１Ａ，３８Ａ，４２Ａ，４７Ａ，８３Ａ，８７Ａ，８８Ａ  上面
３３〜３５，８０，８１  パッド
３７，４１，４６，８２，８７  半導体基板
３７Ａ，４１Ａ，４６Ａ，８２Ａ，８７Ａ  表面
３７Ｂ，４１Ｂ，４６Ｂ，８２Ｂ，８７Ｂ  裏面
３８，４２，４７，８３，８８  半導体集積回路
３９，４３，４８，８４，８９  電極パッド
５５  金型
５６  凹部
５８  液状樹脂
６１，６６  第１の支持部材
６２，６７  第２の支持部材
７３  第４の半導体チップ
７５  第４の金属ワイヤ
７７  第５の半導体チップ
７９  第５の金属ワイヤ
９６，１０１  第３の支持部材
９７，１０２  第４の支持部材
Ａ  第１の隙間
Ｂ  第２の隙間
Ｃ  第３の隙間
Ｄ  第４の隙間
Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５  高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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