(57)【要約】【課題】外部接続端子上のパッシベーション層を除去する際に発生するクラック等が、経時的に進行することを抑え、発光エリアの防湿性を損なわない有機発光装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板の凹凸を平坦化する有機平坦化層と、下部電極と有機化合物層と上部電極とを有する有機発光素子と、それらを覆うパッシベーション層とで、少なくとも構成された有機発光装置である。前記有機平坦化層には、発光エリアを含む領域と外部接続端子を含む領域とを区画する凹部又は凸部の不連続部が形成されており、前記不連続部はパッシベーション層で覆われていることを特徴とする。【選択図】図１
2009049001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の凹凸を平坦化する有機平坦化層と、下部電極と有機化合物層と上部電極とを有する有機発光素子と、それらを覆うパッシベーション層とで、少なくとも構成された有機発光装置において、
前記有機平坦化層には、発光エリアを含む領域と外部接続端子を含む領域とを区画する凹部又は凸部の不連続部が形成されており、前記不連続部はパッシベーション層で覆われていることを特徴とする、有機発光装置。
【請求項２】
不連続部の凹部の底部から無機層が露出していることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
不連続部の凹部の底部又は凸部の頂部の幅寸法は０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを特徴する、請求項１又は請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
基板と、前記基板の凹凸を平坦化する有機平坦化層と、下部電極と有機化合物層と上部電極とを有する有機発光素子と、それらを覆うパッシベーション層とで、少なくとも構成された有機発光装置の製造方法において、
基板上の有機平坦化層に、発光エリアを含む領域と外部接続端子を含む領域とを区画する凹部又は凸部の不連続部を形成する工程と、
基板上の発光エリアを含む領域及び外部接続端子を含む領域をパッシベーション層で覆う工程と、
外部接続端子上のパッシベーション層を剥離する工程と、
を有することを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ等に用いられる有機発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機発光装置が、注目されている。有機発光装置を構成する有機発光素子は、水分や酸素により、特性劣化を招き易く、わずかな水分により、有機化合物層と電極層との剥離が生じダークスポットの発生の原因となる。そのため、有機発光素子をエッチングガラスカバーで覆い、シール剤により周辺を貼り付け、内部に吸湿剤を装着して、シール面から浸入する水分を、吸湿剤で吸湿し、有機発光素子の寿命を確保している。
【０００３】
しかし、薄型の有機発光装置による省スペースのフラットパネルディスプレイを実現するためには、発光エリア周辺の吸湿剤のスペースを無くし、さらに薄型化を図っていかなければならず、大量の吸湿剤を必要としない有機発光装置の封止方法が必要である。そのため、有機化合物層への水分や酸素の浸入を防止するための高機能なパッシベーション層による固体封止が要求されている。
【０００４】
ところで、一般的にパッシベーション層を形成する場合、有機発光素子外部の電気回路と電気的に接続する外部接続端子上にパッシベーション層が形成されないように、金属等で形成された板状のエリアマスクを用いて前記外部接続端子等をカバーする。しかしながら、有機発光素子を形成する基板やエリアマスクの撓みで、基板とエリアマスクとの間に隙間ができ、前記外部接続端子上にもパッシベーション層が形成される問題があった。そのため、エリアマスクを用いない方法が求められ、提案されている。
【０００５】
特許文献１には、マスキングテープを外部接続端子を含む領域に貼り付け、パッシベーション層を形成後、マスキングテープとパッシベーション層とを共に剥離する方法が記されている。また、外部接続端子を含む領域に有機化合物層を形成し、パッシベーション層を形成後に紫外線を用いてフォトエッチングし、有機化合物層と共にパッシベーション層を剥離する方法が記されている。
【０００６】
特許文献２には、外部接続端子を含む領域にレーザー除去層を形成し、その上にパッシベーション層を形成後、レーザーを照射してレーザー除去層とパッシベーション層とを共に除去する方法が記されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１５１２５４号公報
【特許文献２】特開２００４−１６５０６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、マスキングテープやフォトエッチング及びレーザー照射、又はブラスト等により、パッシベーション層を剥離し、除去する方法を用いると、パッシベーション層の断面に小さなクラックや剥離等が発生する。これらは、長期的な環境の変化で進行して発光エリアに達し、パッシベーション層の防湿能力を失わせる問題がある。
【０００９】
特に、パッシベーション層は窒化シリコンや酸化窒化シリコン、酸化シリコン等の材料を用いることが多く、膜厚も１μｍから数μｍに達する。このようなパッシベーション層を剥離除去すると、クラックの発生率が高まる。
【００１０】
また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する基板から成る有機発光装置は、ＴＦＴ上に有機平坦化層を有しているが、この有機平坦化層上に形成したパッシベーション層は温度や湿度変化で新たなクラックが発生する。また、既存のクラックは進行が速い。つまり、有機発光素子の温度変化によって有機平坦化層が収縮や膨張を起こす。有機平坦化層と無機材料を含むパッシベーション層とは、膨張係数の差により有機平坦化層の収縮や膨張時にストレスを受けることになる。そのため、有機平坦化層上に形成されたパッシベ−ション層は、小さなクラック等が有ると、熱ストレスに耐えられずクラックを生じ、経時的にクラックが進行する。
【００１１】
本発明の目的は、外部接続端子上のパッシベーション層を除去する際に発生するクラック等が、経時的に進行することを抑え、発光エリアの防湿性を損なわない有機発光装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板と、前記基板の凹凸を平坦化する有機平坦化層と、下部電極と有機化合物層と上部電極とを有する有機発光素子と、それらを覆うパッシベーション層とで、少なくとも構成された有機発光装置において、
前記有機平坦化層には、発光エリアを含む領域と外部接続端子を含む領域とを区画する凹部又は凸部の不連続部が形成されており、前記不連続部はパッシベーション層で覆われていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、外部接続端子上のパッシベーション層を除去する際に発生するパッシベーション層のクラックや剥離等の進行を不連続部で遮断し、有機発光素子の発光エリアへの水分や酸素の浸入を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施形態に限るものではない。
【００１５】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１について、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態１を示す平面模式図である。図２は、図１における線分Ａ−Ｂの断面を示す断面模式図である。
【００１６】
先ず、有機発光装置の製造方法を説明し、その後、有機発光装置について説明する。
【００１７】
この有機発光装置の製造方法は、少なくとも基板１と、基板１の凹凸を平坦化する有機平坦化層４と、有機発光素子と、それらを覆うパッシベーション層９と、で構成される有機発光装置の製造方法として好適に実施されるものである。
【００１８】
本実施形態の有機発光装置を製造する際には、先ず基板１上に各々の有機発光素子を駆動するための薄膜トランジスタ２を形成する。基板１は透明であっても不透明であってもよく、合成樹脂等からなる絶縁性基板、又は表面に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層を形成した導電性基板若しくは半導体基板でもよい。
【００１９】
薄膜トランジスタ２を形成した後は、この薄膜トランジスタ２を覆うように、無機材料からなる絶縁層３を形成し、さらに薄膜トランジスタ２の凹凸を吸収するために有機平坦化層４を形成する。絶縁層３の構成材料としては、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等を用いることができる。有機平坦化層４の構成材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、フッ素系樹脂等を用いることができる。
【００２０】
絶縁層３及び有機平坦化層４をそれぞれ形成した後は、不連続部１４を形成する。具体的には、有機平坦化層４に、発光エリア１００を含む領域と外部接続端子１０を含む領域とを区画する凹形状の不連続部１４を、後に形成されるパッシベーション層９の割れ防止構造として、発光エリア１００と平行に直線状に形成する。
【００２１】
ここで「区画する」とは、外部接続端子１０の上に形成されるパッシベーション層と、発光エリア１００に形成されるパッシベーション層とが不連続部１４を跨がずに繋がっている部分が存在しないことを意味する。特許文献２に記載の有機電界発光パネルは、表示部と端子との間に平坦化絶縁層が形成されていない部分があるため、この部分でのクラックや剥離等の進行を低減できる可能性がある。しかしながら、本発明の有機発光素子のように、表示部と端子とを区画するように不連続部が形成されていないため、端子の上に形成されている保護膜と表示部に形成されている保護膜と繋がっている部分を有する。そのためクラックや剥離等の進行が起きてしまうと考えられる。
【００２２】
不連続部１４は、凸形状の構造、或いは凹形状の構造である。また不連続部１４は、公知のエッチング法によって形成することができる。具体的な形成方法として、ウエットエッチング法や、ドライエッチング法が用いられる。例えばレジストを有機平坦化層４上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィーを行い、その後溶液に漬けて有機平坦化層４を除去できる。また、さらに、プラズマエッチング法やスパッタエッチング法、イオンビームエッチング法などのドライエッチング法を用いて、有機平坦化層４の下地の絶縁層を除去する事もできる。
【００２３】
不連続部１４は有機平坦化層４の膜厚分を除去し、底部から無機材料からなる絶縁層３を露出させることが好ましい。これにより、パッシベーション層９との密着性を向上させることができる。
【００２４】
不連続部１４の側壁部は下方に向かって縮小するように傾斜していることが好ましく、その角度（傾斜角度）は３０度以上が好ましい。不連続部１４の側壁部の下部、つまり不連続部１４の角部におけるパッシベーション層９の膜密度を低下させ、パッシベーション層９の連続性を途切れさせることができるからである。また、不連続部１４の側壁部の角度が急峻であると、発光エリア１００周辺の領域、つまり額縁領域を狭くすることができる。
【００２５】
不連続部１４の底部の幅寸法は、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。幅寸法が０．５ｍｍより大きくなると、発光エリア１００周辺の領域、つまり額縁領域が広くなってしまう。また、幅寸法が０．１ｍｍより小さくなるとクラックが伝わりやすく、後述するように有機発光素子の輝度が低下してしまう。
【００２６】
不連続部１４を形成した後は、発光エリア１００内の各画素位置に下部電極６を形成する。一方、発光エリア１００の外部には外部接続端子１０を形成する。下部電極６と薄膜トランジスタの信号配線１１とは、前記絶縁層３及び有機平坦化層４に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、外部接続端子１０と薄膜トランジスタの信号配線１１とは、絶縁層３及び有機平坦化層４を除去して直接、電気的に接続されている。
【００２７】
下部電極６及び外部接続端子１０の構成材料としては、例えばクロムを用いることができるが、銀膜若しくは添加物を含む銀膜やアルミ膜若しくは添加物を含むアルミ膜やアルミ合金膜でもよい。
【００２８】
下部電極６及び外部接続端子１０を形成した後は、下部電極６の周縁部を覆うように画素分離膜５を形成する。画素分離膜５の構成材料としては、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等からなる無機絶縁層やアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等を用いることができる。
【００２９】
画素分離膜５を形成した後は、下部電極６上に有機化合物層７を形成する。有機化合物層７は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の３層から構成されるが、発光層のみでもよい。或いは２層、４層など複数の層から構成されていてもよい。
【００３０】
有機化合物層７を形成した後は、この有機化合物層７上に上部電極８を形成する。上部電極８の構成材料としては、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）や、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の酸化物透明導電膜や、銀、アルミ、金等の金属半透過膜でもよい。
【００３１】
上部電極８を形成した後は、基板１上の有機発光素子を有する発光エリア１００を含む領域及び外部接続端子１０を含む領域をパッシベーション層９で覆う。つまり、外部接続端子１０を含む領域をエリアマスクで覆うことなく、パッシベ−ション層９を基板１の略全域に形成することになる。
【００３２】
パッシベーション層９の構成材料としては、緻密性のある材料であれば良く、例えば窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン等を用いることができる。
【００３３】
パッシベーション層９を形成した後は、外部接続端子１０を含む領域のパッシベーション層９を剥離除去する。ここで不連続部１４内に形成されるパッシベーション層９は、側壁部下端（角部）の膜密度が低下しているので、パッシベーション層９自体の連続性が途切れている。このため、外部接続端子１０上のパッシベーション層９を除去する際に発生するクラック等は、不連続部１４で遮断されて発光エリア１００まで到達することがない。したがって、発光エリア１００の防湿性を損なうことはない。
【００３４】
パッシベーション層９の剥離方法は特に限定されないが、予め外部接続端子１０を含む領域をマスキングテープで覆っておき、マスキングテープごと剥離する方法を用いることができる。また、紫外線でフォトエッチングする方法、予め外部接続端子１０を含む領域にレーザー除去層を形成しておき、レーザー除去層ごとレーザーで除去する方法も用いることができる。本実施形態では、不連続部１４が直線状に形成されており、外部接続端子１０を含む領域が矩形状であるので、パッシベーション層９を簡単に剥離できる。
【００３５】
上記のパッシベーション層９の剥離除去を行った後、発光エリア１００を含む領域、具体的にはパッシベーション層９上に粘着剤１２を介して円偏光板１３を貼り付ける。円偏光板１３は、通例の円偏光板と同様に、偏光板と１／４λ板（位相差板）とを組み合わせた構成である。
【００３６】
以上の工程により、有機平坦化層４に、発光エリア１００を含む領域と外部接続端子１０を含む領域とを区画する不連続部１４をなす凹部が、直線状に形成されており、前記不連続部１４がパッシベーション層９で覆われた構成の有機発光装置が得られる。本実施形態の有機発光装置は、外部接続端子１０上のパッシベーション層９を剥離した際に発生したクラック等が、経時的に進行しても、不連続部１４で遮断される。このため、発光エリア１００の防湿性を維持することができる。
【００３７】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２について、図面に基づいて説明する。図３は、本発明の実施形態２を示す断面模式図である。
【００３８】
上記実施形態１は不連続部１４上に直接、パッシベーション層９を形成するものであるが、本実施形態は図３に示すように、不連続部１４に無機層１６を形成し、無機層１６の上にパッシベーション層９が形成されている。
【００３９】
無機層１６は、具体的には、例えば上部電極８を形成する際に、不連続部１４にも上部電極８と同組成であってＩＴＯ、ＩＺＯ等からなる金属酸化物導電体を成膜することにより形成される。こうすることで、不連続部１４の側壁部及びその近傍とパッシベーション層９との接触面積を稼ぐことができ、よりパッシベーション層９を密着させることができる。しかも、金属化合物である金属酸化物導電体とパッシベーション層９との密着性は高く、熱膨張係数的にも有機材料に比べ遥かに近いため、パッシベーション層９の亀裂を遮断できる。
【００４０】
また、本実施形態においては、不連続部１４上の無機層１６を独立して形成している。つまり、発光エリア１００に渡って無機層１６を形成していない。このため、発光エリア１００への水分の浸入をより確実に防ぐことができる。
【００４１】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３について、図面に基づいて説明する。図４は、本発明の実施形態３を示す平面模式図である。
【００４２】
上記実施形態１及び２では、発光エリア１００を含む領域と外部接続端子１０を含む領域とを区画するように、直線状に不連続部１４を形成したが、図４に示すように、外部接続端子１０を含む領域を囲むように不連続部１４を形成してもよい。この場合、外部接続端子１０を含む領域を最小限面積に抑えることができると共に、パッシベーション層９を剥離した際に生じるゴミを少なくすることができる。また、本実施形態ではクラックの広がりも小さくすることができる。このため有機発光素子を封止する性能をさらに高めることができる。
【００４３】
＜実施形態４＞
本発明の実施形態４について、図面に基づいて説明する。図５は、本発明の実施形態４を示す平面模式図である。図６は、図５における線分Ａ−Ｂの断面を示す断面模式図である。
【００４４】
上記実施形態１〜３は、外部接続端子１０を含む領域と発光エリア１００を含む領域とを区画する手段として不連続部１４のみを形成したが、図５及び図６に示すように、水分遮断用の不連続部１５を別途形成してもよい。
【００４５】
具体的には、不連続部１４よりも発光エリア１００側で、同発光エリア１００を囲むように、有機平坦化層４と画素分離膜５及び絶縁層３を除去して水分遮断用の不連続部１５を形成する。そして不連続部１５に、下部電極６と同組成の材料を、下部電極６と絶縁されている状態で成膜し、さらにその上に上部電極８を形成する。なお上部電極８は、不連続部１５に形成されたスルーホール（不図示）により基板の回路（不図示）に接続される場合も有る。そして上部電極８上にパッシベ−ション層９を形成する。
【００４６】
上記構成では、不連続部１５に有機材料から成る層が存在せず、無機層１６と上部電極８とが密着している。このため、発光エリア１００より外部の有機平坦化層４に含まれる水分の浸入を不連続部１５で遮断することができる。したがって、発光エリア１００の防湿性をより高めることができる。
【００４７】
＜実施形態５＞
本発明の実施形態５について、図面に基づいて説明する。図７は、本発明の実施形態５を示す平面模式図である。
【００４８】
上記実施形態４では、外部接続端子１０を含む領域と発光エリア１００を含む領域とを区画するように、直線状に不連続部１４を形成したが、図７に示すように、外部接続端子１０を含む領域を囲むように不連続部１４を形成してもよい。
【００４９】
＜実施形態６＞
本発明の実施形態６について、図面に基づいて説明する。図８は、本発明の実施形態６を示す平面模式図である。
【００５０】
上記実施形態４及び５では、不連続部１４及び１５を個別に設けているが、図８に示すように共通した構成としてもよい。
【００５１】
＜実施形態７＞
本発明の実施形態７について、図面に基づいて説明する。図９は、本発明の実施形態７を示す断面模式図である。
【００５２】
上記実施形態１〜６は、不連続部１４（及び不連続部１５）を凹形状に形成しているが、図９に示すように、凸形状に形成してもよい。このとき、不連続部１４は、例えば上部電極８を形成すると共に、発光エリア１００を含む領域と外部接続端子１０を含む領域とを区画するように設定された位置に、上部電極８と同組成の材料で形成する。又は、画素分離膜５を形成すると共に、発光エリア１００を含む領域と外部接続端子１０を含む領域とを区画するように設定された位置に、前記画素分離膜５と同組成の材料で形成する。又は、上部電極８と同組成の材料と、画素分離膜５と同組成の材料とを積層して形成してもよい。
【００５３】
不連続部１４の高さは、０．３μｍ以上が好ましく、１μｍ以上であるとさらに効果的である。これは、パッシベーション層９の成長方向が、凸形状の斜面と底部で異なるために生じる断層部が、不連続部１４の高さが高いほうが膜厚方向に深くなり、パッシベーション層９の連続性を途切れさせることが容易であるからである。
【００５４】
不連続部１４の側壁部は下方に向かって拡大するように傾斜していることが好ましく、その角度は３０度以上が好ましい。不連続部１４の側壁部の下部、つまり不連続部１４の角部のパッシベーション層９の膜密度を低下させ、パッシベーション層９の連続性を途切れさせることができるからである。また、不連続部１４の側壁部の角度が急峻であると、発光エリア１００周辺の領域、つまり額縁領域を狭くすることができる。
【００５５】
不連続部１４の頂部の幅寸法は、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。幅寸法が０．５ｍｍより大きくなると、発光エリア１００周辺の領域、つまり額縁領域が広くなってしまう。また、幅寸法が０．１ｍｍより小さくなると、後述するように、有機発光素子の輝度が低下してしまう。
【００５６】
なお、図９の有機発光装置においては、有機平坦化層４に凹部を形成し、同凹部に形成した無機層上に不連続部１４を形成しているが、有機平坦化層４に凹部を形成することなく、直接に不連続部１４として凸部を形成してもよい。
【００５７】
＜実施形態８＞
なお上記実施形態１〜７の不連続部１４の凹部は、その底部に絶縁層３又は信号配線１１が露出するまで除去しているが、厚みが薄くなっている構成でもよい。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００５９】
＜実施例１＞
図１に示される有機発光装置を以下に示す方法で製造した。
【００６０】
図１に示した有機発光装置は、ガラス基板１上にＴＦＴ２、絶縁層３、有機平坦化層４の順で積層形成した。その上部に、画素単位でアルミ（Ａｌ）／インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）製の下部電極６を１５０ｎｍの膜厚で形成した。各画素の周囲はポリイミド製の画素分離膜５で覆った。
【００６１】
有機平坦化層４における外部接続端子１０と発光エリア１００との間に、パッシベーション層９の割れ防止構造である不連続部１４を形成した。この不連続部１４は、基板上の有機平坦化層４を除去して形成された凹形状となっており、前記不連続部１４の底部の幅寸法は０．５ｍｍとされ、無機材料からなる絶縁層３が露出している。
【００６２】
上記構成のＴＦＴ基板を、約５分間洗浄し、約２００℃、２時間のベーク条件で、脱水処理した。その後、下部電極６にＵＶ／オゾン洗浄を施した。
【００６３】
次に、前記下部電極６上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層からなる有機化合物層７を形成した。この時、外部接続端子１０上にも有機化合物層７を形成した。
【００６４】
すなわち、真空蒸着装置に前記基板と材料を取り付け、１×１０-3Ｐａの条件下で、下部電極６上にＮ，Ｎ’−α−ジナフチルベンジジン（α−ＮＰＤ）を４０ｎｍの膜厚となるように成膜して正孔輸送層を形成した。
【００６５】
その上に緑色発光することが知られたクマリン色素（１．０ｖｏｌ％）とトリス［８−ヒドロキシキノリナート］アルミニウム（Ａｌｑ3）との共蒸着膜を３０ｎｍの膜厚になるように成膜して、発光層を形成した。
【００６６】
次に、電子輸送層として、下記式で示されるフェナントロリン化合物を１０ｎｍの膜厚煮なるように成膜した。
【００６７】
【化１】
2009049001.tif 000003
【００６８】
次に、電子輸送層上に、炭酸セシウム（２．９ｖｏｌ％）と上述したフェナントロリン化合物との共蒸着膜を４０ｎｍの膜厚になるように成膜して、電子注入層を形成した。
【００６９】
続いて、電子注入層まで成膜した基板を、別のスパッタ装置へ移動させ、前記電子注入層上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタ法にて６０ｎｍの膜厚となるように成膜して、上部電極８を形成した。
【００７０】
次に、それらを覆うように基板１の略全域にパッシベーション層９をＶＨＦプラズマＣＶＤ法で次のように形成した。
【００７１】
先ず、堆積膜形成装置の高周波電極と、それに対向する基板ホルダー兼接地電極とで構成された基板ホルダーに、上部電極８まで形成したＴＦＴ基板を固定し、一旦真空容器を、真空度が１０-3Ｐａ台になるように真空引きした。その後、真空容器中にＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス及びＨ2ガスをそれぞれフローしながら、反応空間圧力を制御した。そして、６０ＭＨｚ高周波電力を高周波電極に供給し、膜厚約３μｍのパッシベーション層９を堆積形成した。
【００７２】
その後、レーザーを外部接続端子１０上に照射し、有機化合物層７と共に外部接続端子１０上のパッシベーション層９を剥離除去した。
【００７３】
次に、パッシベーション層９上に円偏光板１３を粘着剤１２で貼り付けた。以上により有機発光装置を得た。
【００７４】
同様に１０枚の有機発光装置を製造した。
【００７５】
得られた有機発光装置について、外部接続端子１０上のパッシベーション層９を光学顕微鏡で観察し、パッシベーション層９の割れ等を観察した。結果を表１に示す。
【００７６】
【表１】
2009049001.tif 000004
【００７７】
また、得られた有機発光装置について、６０℃９０％ＲＨの条件で５００時間の加速試験を行い、加速試験後のパッシベーション層９の割れ等の状態を観察した。結果を表２に示す。
【００７８】
【表２】
2009049001.tif 000005
【００７９】
表１より、加速試験前において、発光エリア外であるレーザー照射したパッシベーション層９の切断部には、数μｍ程度の割れや、欠け、パッシベーション層９の小さな剥れが１０枚中４枚の有機発光装置で確認された。
【００８０】
表２より、６０℃９０％ＲＨ５００時間の加速試験後においては、１０枚中２枚の有機発光装置でクラックが進行したが、不連続部１４でそのクラックは止まっていた。
【００８１】
＜実施例２＞
実施例２では、図３に示すように、不連続部１４にインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）からなる金属化合物層を形成したＴＦＴ基板を用いた。また、図３の不連続部１４の底部の幅寸法は、上記実施例１と同様に０．５ｍｍとした。そして、上記実施例１と同様に有機発光素子を作成し、膜厚約６μｍのパッシベーション層９を堆積形成して有機発光素子を封止した。
【００８２】
その後、レーザーを外部接続端子１０上に照射し、有機化合物層７と共に外部接続端子１０上のパッシベーション層９を剥離除去した。
【００８３】
次に、パッシベーション層９上に円偏光板１３を粘着剤１２で貼り付けた。以上により有機発光装置を得た。
【００８４】
同様に１０枚の有機発光装置を製造した。
【００８５】
得られた有機発光装置について、６０℃９０％ＲＨの条件で５００時間の加速試験を行い、加速試験後のパッシベーション層９の割れ等の状態を観察した。結果を表３に示す。
【００８６】
【表３】
2009049001.tif 000006
【００８７】
６０℃９０％ＲＨ５００時間の加速試験後において、１０枚中６枚の有機発光装置は発光エリア１００外でクラックが生じていたが、いずれも不連続部１４でクラックは止まり、発光エリア１００内への進行は無かった。
【００８８】
＜実施例３＞
実施例３では、図３及び図４に示すように、外部接続端子１０を囲うように不連続部１４を形成し、同不連続部１４にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる金属化合物層を形成したＴＦＴ基板を用いた。また、不連続部１４の底部の幅寸法は、上記実施例１及び実施例２と同様に０．５ｍｍとした。そして、上記実施例１と同様に有機発光素子を形成し、膜厚約３μｍのパッシベーション層９を堆積形成して有機発光素子を封止した。
【００８９】
その後、レーザーを外部接続端子１０上に照射し、有機化合物層７と共に外部接続端子１０上のパッシベーション層９を剥離除去した。
【００９０】
パッシベーション層９上に円偏光板１３を粘着剤１２で貼り付けた。以上により有機発光装置を得た。
【００９１】
同様に１０枚の有機発光装置を製造した。
【００９２】
得られた有機発光装置について、６０℃９０％ＲＨの条件で５００時間の加速試験を行い、加速試験後のパッシベーション層９の割れ等の状態を観察した。結果を表４に示す。
【００９３】
【表４】
2009049001.tif 000007
【００９４】
６０℃９０％ＲＨ５００時間の加速試験後において、１０枚中７枚の有機発光装置は発光エリア１００外でクラックが生じたが、いずれも不連続部１４でクラックは止まり、発光エリア１００内への進行は無かった。
【００９５】
＜実施例４＞
実施例４では、図１に示すように不連続部１４を形成し、同不連続部１４の底部からＩＴＯからなる金属化合物層が露出する構成の基板を用いた。そして、上記実施例１と同様に有機発光素子を形成し、膜厚約６μｍのパッシベーション層９を堆積形成して有機発光素子を封止した。
【００９６】
その後、レーザーを外部接続端子１０上に照射し、有機化合物層７と共に外部接続端子１０上のパッシベーション層９を剥離除去した。更に、レーザーでパッシベーション層９にクラックを生じさせた。このようにして、不連続部１４の底部の幅寸法を、後述する＜表５＞に示すように０．０２５ｍｍから０．５ｍｍに段階的に変化させた有機発光装置を１０枚製造した。
【００９７】
得られた有機発光装置について、６０℃９０％ＲＨの条件で５００時間の加速試験を行い、加速試験後のパッシベーション層９の割れ等が不連続部１４を越えて、発光エリア１００に進行するのか観察した。また、有機発光素子を表示させて、有機発光素子の外部接続端子１０近傍で輝度低下が生じるか観察した。評価は、初期輝度に対する低下率が５％以下を○とし、５％を越えるものを×とした。結果を表５に示す。
【００９８】
【表５】
2009049001.tif 000008
【００９９】
６０℃９０％ＲＨ５００時間の加速試験後において、０．０２５ｍｍから０．５ｍｍの幅寸法の全有機発光装置でクラックは止まっていた。しかし、幅寸法０．０２５ｍｍで２枚、幅寸法０．０５ｍｍで１枚の有機発光装置が、５％を越える輝度低下を生じた。一方幅寸法が０．１ｍｍから０．５ｍｍでは、輝度低下は生じなかった。
【０１００】
以上ように、不連続部１４の底部の幅寸法が狭いと輝度低下が発生しやすくなるが、不連続部１４を形成することにより、パッシベーション層９の発光エリア１００へのクラックの進行を遮断でき、発光エリア１００への水分、酸素の浸入を防止できる。
【０１０１】
また、不連続部１４の底部から露出する金属化合物は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）に限らない。窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム錫亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）などの無機材料でも効果的である。
【０１０２】
＜比較例１＞
比較例１では、不連続部の無いＴＦＴ基板を用い、上記実施例１と同様に有機発光素子を形成し、膜厚約６μｍのパッシベーション層を堆積形成して有機発光素子を封止した。
【０１０３】
その後、レーザーを外部接続端子上に照射し、有機化合物層と共に外部接続端子上のパッシベーション層を剥離除去した。
【０１０４】
パッシベーション層上に円偏光板を粘着剤で貼り付けた。以上により有機発光装置を得た。
【０１０５】
同様に１０枚の有機発光装置を製造した。
【０１０６】
外部接続端子１０上のパッシベーション層を光学顕微鏡で観察し、パッシベーション層の割れ等を観察した。その後、６０℃９０％ＲＨの条件で５００時間の加速試験を行い、加速試験後のパッシベーション層の割れ等の状態を観察した。結果を表６に示す。
【０１０７】
【表６】
2009049001.tif 000009
【０１０８】
６０℃９０％ＲＨ５００時間の加速試験後において、１０枚中５枚の有機発光装置でクラックが進行し、発光エリアに達した。クラックが発光エリアに進行した有機発光装置を発光させると、発光エリアの外部接続端子近傍付近で非発光の画素が発生した。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明の有機発光装置は表示装置として好ましく用いることができ、特にテレビ受像機、携帯電話の表示部、撮像装置の表示部に好ましく用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の有機発光装置の実施形態の模式的平面図である。
【図２】図１のＡ―Ｂ間の一部を表す模式的断面図である。
【図３】本発明の有機発光装置の異なる実施形態の模式的断面図である。
【図４】本発明の有機発光装置の異なる実施形態の模式的平面である。
【図５】本発明の有機発光装置の異なる実施形態の模式的平面図である。
【図６】図５のＡ―Ｂ間の一部を表す模式的断面図である。
【図７】本発明の有機発光装置の異なる実施形態の模式的平面図である。
【図８】本発明の有機発光装置の異なる実施形態の模式的平面図である。
【図９】本発明の有機発光装置の異なる実施形態の模式的断面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１  ガラス基板
２  ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
３  絶縁層
４  有機平坦化層
５  画素分離膜
６  下部電極
７  有機化合物層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層）
８  上部電極
９  パッシベーション層
１０  外部接続端子
１１  信号配線
１２  粘着剤
１３  円偏光板
１４  不連続部
１５  水分遮断用の不連続部
１６  無機層
１００  発光エリア
【図１】
2009049001.tif 000010
【図２】
2009049001.tif 000011
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009049001.tif 000016
【図８】
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【図９】
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