(57)【要約】【課題】溶媒に対する溶解性及び優れた素子性能の両方を具備する有機ＥＬ材料、及びそれを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を提供する。【解決手段】回転異性体を有し、トランス体の比率が２０％以上である下記式（１）で表される化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス材料。  Ａｒ１−Ｌ−Ａｒ２    （１）［式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ置換又は無置換の核原子数６〜５０のアリール基、又は置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基を表し、それぞれＬとＡｒ１又はＬとＡｒ２を連結する単結合の自由回転を束縛する立体障害置換基を有する。Ｌは２価の連結基であり、置換又は無置換の核原子数５〜５０のアリーレン基、置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリーレン基又は置換又は無置換の炭素数１０〜５０の縮合芳香族基を表す。］【選択図】図１
2009224604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転異性体を有し、トランス体の比率が２０％以上である下記式（１）で表される化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス材料。
Ａｒ１−Ｌ−Ａｒ２    （１）
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ置換又は無置換の核原子数６〜５０のアリール基、又は置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基を表し、それぞれＬとＡｒ１又はＬとＡｒ２を連結する単結合の自由回転を束縛する立体障害置換基を有する。
Ｌは２価の連結基であり、置換又は無置換の核原子数５〜５０のアリーレン基、置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリーレン基又は置換又は無置換の炭素数１０〜５０の縮合芳香族基を表す。］
【請求項２】
前記式（１）で表される化合物のＬが置換又は無置換の炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
【請求項３】
前記式（１）で表される化合物が下記式（２）で表されるナフタセン誘導体である請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
【化１】
2009224604.tif 000031
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２が置換しているナフタセン骨格は、Ａｒ１及びＡｒ２以外の置換基を有してもよい］
【請求項４】
前記式（１）で表される化合物が下記式（３）で表されるナフタセン誘導体である請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
【化２】
2009224604.tif 000032
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２が置換しているナフタセン骨格は、Ａｒ１及びＡｒ２以外の置換基を有してもよい］
【請求項５】
前記Ａｒ１及びＡｒ２が、それぞれ下記式（４）又は（５）で表される置換基である請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
【化３】
2009224604.tif 000033
［式中、Ｘ及びＲは、それぞれ置換又は無置換の核炭素数１〜３０のアルキル基、置換又は無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基、トリアルキルシリル基、又はトリアリールシリル基を表す。
ｎは０〜４の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なってもよい。
ｍは０〜７の整数を表し、ｍが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なってもよい。］
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料及び有機溶媒を含む有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
【請求項７】
前記有機溶媒が、芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒及び環状ケトン溶媒からなる群から選択される１種以上の溶剤である請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液を被成膜領域に滴下し、
有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液を滴下した被成膜領域から溶媒を蒸発させて有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を成膜する有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜の形成方法。
【請求項９】
請求項６又は７に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液を用いて得られる有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜の形成方法に関する。特に有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を塗布法を用いて成膜するにあたって、好適に用いることができる有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印可することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。
【０００３】
上記有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、複数の有機薄膜層からなる積層体を挟持した構造を有する。この有機薄膜の成膜に用いる有機ＥＬ材料としては、高分子有機ＥＬ材料及び低分子有機ＥＬ材料が知られている。
高分子有機ＥＬ材料及び低分子有機ＥＬ材料のうち、合成経路が簡易で且つ高純度精製が可能であることから、特に低分子有機ＥＬ材料の開発が進められている。特許文献１では、発光効率、発光寿命及び色純度の点で非常に優れた低分子有機ＥＬ材料が報告されており、低分子有機ＥＬ材料を真空蒸着して有機薄膜を成膜している（特許文献１）。しかし、有機薄膜の成膜方法として、上述の真空蒸着法を用いる場合、高真空の設備及び複雑な製造工程が必要になるという問題があった。
【０００４】
有機薄膜の成膜方法としては、真空蒸着法のほかに塗布法が知られている。塗布法は通常、高分子有機ＥＬ材料からなる有機薄膜の成膜に用いられており、高分子有機ＥＬ材料をトルエン、キシレン、テトラリン、メシチレン、シクロへキシルベンゼン、イソプロピルビフェニル等の溶媒に溶解した塗布用組成物を用いて有機薄膜を成膜する（特許文献２〜４）。
【０００５】
上述の塗布法によれば、有機ＥＬ材料の薄膜を簡易に成膜することができるが、塗布法を用いて有機薄膜を成膜するには、有機ＥＬ材料を溶媒に溶解させる必要がある。上述の優れた性能を有する低分子有機ＥＬ材料についても塗布法を用いることができれば、高真空の設備及び複雑な製造工程なしに簡易に成膜でき好ましいが、低分子有機ＥＬ材料は溶媒に難溶（例えば０．１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％）で、塗布法を適用することはできなかった。
【特許文献１】国際公開第０４／０１８５８７号パンフレット
【特許文献２】国際公開第００／０５９２６７号パンフレット
【特許文献３】特開２００２−３１３５６１号公報
【特許文献４】特開２００４−１１９３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、溶媒に対する溶解性及び優れた素子性能の両方を具備する有機ＥＬ材料及びそれを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは鋭意研究した結果、低分子有機ＥＬ材料の回転異性体比と当該低分子有機ＥＬ材料の溶媒に対する溶解度の間に相関関係があることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の有機エレクトロルミネッセンス材料等が提供される。
１．回転異性体を有し、トランス体の比率が２０％以上である下記式（１）で表される化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス材料。
Ａｒ１−Ｌ−Ａｒ２    （１）
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ置換又は無置換の核原子数６〜５０のアリール基、又は置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基を表し、それぞれＬとＡｒ１又はＬとＡｒ２を連結する単結合の自由回転を束縛する立体障害置換基を有する。
Ｌは２価の連結基であり、置換又は無置換の核原子数５〜５０のアリーレン基、置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリーレン基又は置換又は無置換の炭素数１０〜５０の縮合芳香族基を表す。］
２．前記式（１）で表される化合物のＬが置換又は無置換の炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である１に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
３．前記式（１）で表される化合物が下記式（２）で表されるナフタセン誘導体である１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
【化４】
2009224604.tif 000003
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２が置換しているナフタセン骨格は、Ａｒ１及びＡｒ２以外の置換基を有してもよい］
４．前記式（１）で表される化合物が下記式（３）で表されるナフタセン誘導体である１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
【化５】
2009224604.tif 000004
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２が置換しているナフタセン骨格は、Ａｒ１及びＡｒ２以外の置換基を有してもよい］
５．前記Ａｒ１及びＡｒ２が、それぞれ下記式（４）又は（５）で表される置換基である１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。
【化６】
2009224604.tif 000005
［式中、Ｘ及びＲは、それぞれ置換又は無置換の核炭素数１〜３０のアルキル基、置換又は無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基、トリアルキルシリル基、又はトリアリールシリル基を表す。
ｎは０〜４の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なってもよい。
ｍは０〜７の整数を表し、ｍが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なってもよい。］
６．１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料及び有機溶媒を含む有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
７．前記有機溶媒が、芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒及び環状ケトン溶媒からなる群から選択される１種以上の溶剤である６に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
８．６又は７に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液を被成膜領域に滴下し、
有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液を滴下した被成膜領域から溶媒を蒸発させて有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を成膜する有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜の形成方法。
９．６又は７に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液を用いて得られる有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜。
１０．９に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、溶媒に対する溶解性及び優れた素子性能の両方を具備する有機ＥＬ材料及びそれを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ材料は、回転異性体を有し、トランス体の比率が２０％以上である下記式（１）で表される化合物を含む。
Ａｒ１−Ｌ−Ａｒ２    （１）
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ置換又は無置換の核原子数６〜５０のアリール基、又は置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基を表し、それぞれＬとＡｒ１又はＬとＡｒ２を連結する単結合の自由回転を束縛する立体障害置換基を有する。
Ｌは２価の連結基であり、置換又は無置換の核原子数５〜５０のアリーレン基、置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリーレン基又は置換又は無置換の炭素数１０〜５０の縮合芳香族基を表す。］
【００１０】
式（１）で表される化合物は、好ましくはＬが置換又は無置換の炭素数１０〜５０の縮合芳香族基であり、より好ましくは下記式（２）で表されるナフタセン誘導体であり、さらに好ましくは下記式（３）で表されるナフタセン誘導体である。
【化７】
2009224604.tif 000006
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２が置換しているナフタセン骨格は、Ａｒ１及びＡｒ２以外の置換基を有してもよい］
【００１１】
【化８】
2009224604.tif 000007
［式中、Ａｒ１及びＡｒ２が置換しているナフタセン骨格は、Ａｒ１及びＡｒ２以外の置換基を有してもよい］
【００１２】
式（１）〜（３）で表される化合物（以下、単に本発明の化合物という場合がある）のＡｒ１及びＡｒ２は、好ましくはそれぞれ下記式（４）又は（５）で表される置換基である。
【化９】
2009224604.tif 000008
［式中、Ｘ及びＲは、それぞれ置換又は無置換の核炭素数１〜３０のアルキル基、置換又は無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基、トリアルキルシリル基又はトリアリールシリル基を表す。
ｎは０〜４の整数を表し、ｎが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なってもよい。
ｍは０〜７の整数を表し、ｍが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なってもよい。］
【００１３】
Ａｒ１及びＡｒ２の置換又は無置換の核原子数６〜５０のアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基等が挙げられる。
【００１４】
Ａｒ１及びＡｒ２の置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基としては、
１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００１５】
Ａｒ１及びＡｒ２のＬとＡｒ１又はＬとＡｒ２を連結する単結合の自由回転を束縛する立体障害置換基としては、例えば核炭素数１〜３０のアルキル基、置換又は無置換の核炭素数６〜３０のアリール基、置換又は無置換の核原子数５〜３０のヘテロアリール基又はトリアルキルシリル基が挙げられる。また、上記置換基は隣接する置換基と結合して環構造を形成してもよい。立体障害置換基は、好ましくは式（４）で表される置換基Ｘ、又は式（５）で表される１−ナフチル基である。
【００１６】
Ｌの置換又は無置換の核原子数６〜５０のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ターフェニレン基、ビフェニレン基等が挙げられる。
【００１７】
Ｌの置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリーレン基としては、上記Ａｒ１、Ａｒ２で説明した核原子数４〜５０のヘテロアリール基を２価にした連結基である。
【００１８】
Ｌの置換又は無置換の炭素数１０〜５０の縮合芳香族基としては、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、フェナントレンジイル基、クリセンジイル基、フルオランテンジイル基、ベンゾフルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、ピレンジイル基、ルビセンジイル基、ジベンゾアントラセンジイル基、アセナフトフルオランテンジイル基、ジインデノペリレンジイル基が挙げられる。
【００１９】
Ｘ及びＲの置換又は無置換の核炭素数１〜３０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００２０】
Ｘ及びＲの置換又は無置換の核炭素数６〜５０のアリール基としては、上記Ａｒ１、Ａｒ２で説明した核原子数６〜５０のアリール基と同様である。
【００２１】
Ｘ及びＲの置換又は無置換の核原子数４〜５０のヘテロアリール基としては、上記Ａｒ１、Ａｒ２で説明した核原子数４〜５０のヘテロアリール基と同様である。
【００２２】
Ｘ及びＲのトリアルキルシリル基及びトリアリールシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００２３】
以下に本発明の化合物の具体例を示す。
【化１０】
2009224604.tif 000009
【００２４】
本発明の有機ＥＬ材料に含まれる回転異性体を有する本発明の化合物は、トランス体の比率が２０％以上である。本発明の化合物のシス・トランス比は、好ましくはシス体：トランス体＝１：９９〜８０：２０、さらに好ましくはシス：トランス体＝１０：９０〜４０：６０である。
また、本発明の化合物のトランス体の比率が２０％未満であっても、例えば本発明の化合物をさらに減圧下で昇華精製することにより、トランス体の比率を向上させることができ、トランス体の比率を２０％以上とすることができる。
【００２５】
以下、本発明の化合物の回転異性体について説明する。
本発明において回転異性体とは、例えば式（１）において、ＬとＡｒ１及びＬとＡｒ２とを連結する単結合が立体障害等を理由に回転できなくなることにより生じる立体異性体である。
尚、上述のように、化合物の特定の単結合が立体障害等により回転できなくなり、単結合周りの回転により生じる立体異性体をアトロプ異性体という。
【００２６】
本発明では、式（１）において、平面構造である連結基Ｌと単結合で結ばれたＡｒ１及びＡｒ２の立体障害置換基が同じ面にあればシス体、互いに異なる面にあればトランス体と定義する。
以下に本発明の化合物のシス体及びトランス体を例示する。
【化１１】
2009224604.tif 000010
【００２７】
有機ＥＬ素子の発光層はホスト及びドーパントから構成され、その厚さは例えば３０ｎｍ〜１００ｎｍである。発光層のホストは発光層の大部分（例えば８０％以上）を構成するので、ホストの溶媒に対する溶解度が小さい場合、塗布法を用いて所望の厚さの発光層を形成できない。
本発明の化合物は発光層のホスト材料であり、溶媒に対する溶解度を０．５ｗｔ％以上とすることができる。従って、本発明の化合物を溶媒に溶解させ、塗布法を用いて所望の厚さを有する発光層を形成することができる。
【００２８】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液は、回転異性体を有する本発明の化合物（式（１）〜（３）で表される化合物）及び有機溶媒を含む。上述したように、本発明の化合物は、トランス体の比率を２０％以上とすることで、有機溶媒に対する溶解度を０．５ｗｔ％以上とすることができる。
本発明の化合物の有機溶媒に対する溶解度は、好ましくは１ｗｔ％以上であり、溶解度の上限は特に限定されないが、例えば３０ｗｔ％である。
【００２９】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液の有機溶媒としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノールやエタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、エチルトルエン、ジエチルベンゼン、テトラリン、ブチルベンゼン、ドデシルベンゼン、アニソール、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲンを有してもよい芳香族系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロペンタノン、シクロオクタノン等の環状ケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒、ジメチルスルフォキシド等が挙げられる。
【００３０】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液の溶媒依存性は、それほど高くないが、上記有機溶媒のうち、芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒及び環状ケトン溶媒からなる群から選択される１種以上の溶剤であると好ましい。また、これら有機溶媒は単独で使用しても複数混合して使用してもよい。尚、使用可能な溶媒はこれらに限定されるものではない。
【００３１】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液を塗布法で有機薄膜を成膜する際に、ホスト材料が所定量以上溶媒に溶解していることに加え、有機ＥＬ材料含有溶液が所定以上の粘度を有するとよい。
例えば、スピンコート、インクジェット、ノズルプリンティング等の方法で成膜する場合、有機ＥＬ材料含有溶液の粘度は、好ましくは数1ｃｐ以上である。
【００３２】
所定の粘度以上を有する有機ＥＬ材料含有溶液は、有機ＥＬ材料を所定の粘度を有する溶媒に溶解させることにより得られるが、所定の粘度を有する溶媒は、通常、有機ＥＬ材料の貧溶媒である。
本発明では、例えば有機ＥＬ材料を溶解させるための溶媒（良溶媒）と、粘度を調整するための粘度調整液（貧溶媒）を別々に選択して混合することより、十分な粘度を有する有機ＥＬ材料含有溶液を調製することができる。
特に本発明のホスト材料は溶媒に対して高い溶解度を有するので、粘度調整液として貧溶媒を選択することができ、粘度の調整及び溶媒の選択を容易にすることができる。
【００３３】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液がさらに含むことができる粘度調整液としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒及び炭素数４以上のアルキル置換芳香族系溶媒が挙げられる。上記粘度調整液は、単独で使用してもよく、複数混合して用いてもよい。
尚、炭素数４以上のアルキル置換芳香族系溶媒のアルキル置換基の炭素数は、例えば５０程度が上限である。
【００３４】
本発明では、例えば有機ＥＬ材料を溶解させるための溶媒（良溶媒）として芳香族系溶媒を用い、粘度調整液（貧溶媒）としてアルコール系溶媒を用いることができる。有機ＥＬ材料含有溶液の良溶媒と貧溶媒の混合比等は、各種の成膜プロセスに必要な粘度に応じて適宜選択できる。
【００３５】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液は、本発明の化合物及び有機溶媒から実質的になっていてもよく、また、これらの成分のみからなっていてもよい。「実質的になる」とは、上記有機ＥＬ材料含有溶液が本発明の化合物及び有機溶媒のみからなり、これら成分の他に本発明の効果を損なわない範囲で粘度調製液、添加剤等を含むことができる。
【００３６】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液を被成膜領域に滴下し、有機ＥＬ材料含有溶液を滴下した被成膜領域から溶媒を蒸発させることにより、有機ＥＬ材料薄膜を成膜することができる。
【００３７】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液を用いて得られる有機ＥＬ材料薄膜は、有機ＥＬ素子の有機薄膜であり、特に発光層として機能することができる。
以下、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
【００３８】
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な構成として、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
等を挙げることができるが、これらに限定されない。これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられる。
【００３９】
図１に（８）の構成を示す。この有機ＥＬ素子は、陽極１０及び陰極２０と、その間に挟持されている、正孔注入層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６からなる。正孔注入層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６が、複数の有機薄膜層に相当する。これら有機薄膜層３０，３２，３４，３６の少なくとも一層が、本発明の有機ＥＬ材料含有溶液を用いて得られる有機ＥＬ材料薄膜である。
【００４０】
本発明の有機ＥＬ素子において、本発明の化合物は、各有機薄膜層において、単独で使用してもよく、他の化合物と混合して使用してもよい。本発明の有機ＥＬ素子では、発光層が、ホスト材料として本発明の化合物を含有し、蛍光性ドーパント及びりん光性ドーパントの少なくとも１つを含有することが好ましい。
本発明において、発光層は実質的に本発明の化合物及び上記ドーパントからなることが好ましい。
尚、有機薄膜層に占める本発明の化合物の含有量は、好ましくは３０〜１００モル％である。
【００４１】
有機ＥＬ素子は、通常基板上に作製し、基板は有機ＥＬ素子を支持する。平滑な基板を用いるのが好ましい。この基板を通して光を取り出すときは、基板は透光性であり、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましい。
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板等が好適に用いられる。ガラス板としては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等の板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂等の板が挙げられる。
【００４２】
陽極は、正孔を正孔注入層、正孔輸送層又は発光層に注入し、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯ）、ＩＴＯと酸化セリウムの混合物（ＩＴＣＯ）、ＩＺＯと酸化セリウムの混合物（ＩＺＣＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムの混合物（ＩＣＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの混合物（ＡＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極はこれらの電極物質から蒸着法やスパッタリング法等で形成できる。
発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍである。
【００４３】
発光層は、以下の機能を有する。
（ｉ）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
（ii）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（iii）発光機能；電子と正孔を再結合させ、これを発光につなげる機能
【００４４】
発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物を沈着して形成した膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物を固体化して形成した膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
【００４５】
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層に、本発明の化合物（ホスト）と、りん光性ドーパント及び蛍光性ドーパントの少なくとも一方を含有していることが好ましい。また、本発明の化合物を含む発光層に、これらのドーパントを含む発光層を積層してもよい。
【００４６】
りん光性ドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。りん光性化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４７】
ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格又はフェナントロリン骨格を有する化合物、又は２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの配位子は必要に応じて置換基を有してもよい。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していてもよい。
【００４８】
このような金属錯体の具体例は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられるが、これらに限定されず、要求される発光色、素子性能、使用するホスト化合物により適切な錯体が選ばれる。
【００４９】
りん光性ドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０重量％であり、１〜３０重量％が好ましい。りん光性化合物の含有量が０．１重量％未満では発光が微弱であり、その含有効果が十分に発揮されないおそれがあり、７０重量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下するおそれがある。
【００５０】
蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて化合物を選択することが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物がさらに好ましい。また、アミン化合物ではない縮合多環芳香族化合物も好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。
蛍光性ドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０重量％であり、１〜３０重量％が好ましい。
【００５１】
スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（Ａ）で表されるものが好ましい。
【化１２】
2009224604.tif 000011
【００５２】
（式中、Ａｒ１０１はｐ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベニル基、ジスチリルアリール基の対応するｐ価の基であり、Ａｒ１０２及びＡｒ１０３はそれぞれ炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ１０１、Ａｒ１０２及びＡｒ１０３は置換されていてもよい。Ａｒ１０１〜Ａｒ１０３のいずれか一つはスチリル基で置換されている。さらに好ましくはＡｒ１０２又はＡｒ１０３の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。ｐは１〜４の整数であり、好ましくは１〜２の整数である。）
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００５３】
アリールアミン化合物及びアリールジアミン化合物としては、下記式（Ｂ）で表されるものが好ましい。
【化１３】
2009224604.tif 000012
【００５４】
（式中、Ａｒ１１１はｑ価の置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０の芳香族基であり、Ａｒ１１２，Ａｒ１１３はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑは１〜４の整数であり、好ましくは１〜２の整数である。）
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラニル基、ビスアントラセニル基等が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基が好ましい。
Ａｒ１１１は上記のｑ価の基が好ましく、さらにＡｒ１１１が２価のときは下記式（Ｃ），（Ｄ）で示される基が好ましく、式（Ｄ）で示される基がより好ましい。
【００５５】
【化１４】
2009224604.tif 000013
（式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。）
【００５６】
尚、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核炭素数５〜４０のアリール基、核炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００５７】
発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有してもよい。
発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となるおそれがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇するおそれがある。
【００５８】
正孔注入層及び正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入層及び正孔輸送層の材料としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒以上であれば好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層及び正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【００５９】
正孔注入層及び正孔輸送層に、例えば、下記式で表される芳香族アミン誘導体が使用できる。
【化１５】
2009224604.tif 000014
【００６０】
Ａｒ２１１〜Ａｒ２１３、Ａｒ２２１〜Ａｒ２２３及びＡｒ２０３〜Ａｒ２０８はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基である。ａ〜ｃ及びｐ〜ｒはそれぞれ０〜３の整数である。Ａｒ２０３とＡｒ２０４、Ａｒ２０５とＡｒ２０６、Ａｒ２０７とＡｒ２０８はそれぞれ互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
尚、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基の例は、上述した式（１）のＡｒ１と同様である。
【００６１】
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層に、下記式で表される化合物が使用できる。
【化１６】
2009224604.tif 000015
【００６２】
Ａｒ２３１〜Ａｒ２３４はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基である。Ｌは連結基であり、単結合、もしくは置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基である。ｘは０〜５の整数である。Ａｒ２３２とＡｒ２３３は互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
尚、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のヘテロアリール基の例は、上述した式（１）のＡｒ１と同様である。
【００６３】
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層の材料の具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
【００６４】
正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【００６５】
また２個の縮合芳香族環を分子内に有する化合物、例えば４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）や、トリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を用いることが好ましい。
【００６６】
この他に下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。
【化１７】
2009224604.tif 000016
【００６７】
式中、Ｒ２０１〜Ｒ２０６はそれぞれ置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換の複素環基のいずれかを示す。Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ２０５とＲ２０６、Ｒ２０１とＲ２０６、Ｒ２０２とＲ２０３、又はＲ２０４とＲ２０５は縮合環を形成してもよい。
【００６８】
さらに、下記式の化合物も用いることができる。
【化１８】
2009224604.tif 000017
【００６９】
Ｒ２１１〜Ｒ２１６は置換基であり、好ましくはそれぞれシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。
【００７０】
また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層及び正孔輸送層の材料として使用することができる。
正孔注入層及び正孔輸送層は上述した化合物を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層及び正孔輸送層の膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。正孔注入層及び正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、異なる化合物からなる複数の正孔注入層及び正孔輸送層を積層したものであってもよい。
【００７１】
有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
【００７２】
電子注入層及び電子輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。また付着改善層は、特に陰極との付着が良い材料からなる電子注入層の一種である。
電子輸送層は５ｎｍ〜５μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【００７３】
電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウムを挙げることができる。
【００７４】
オキサジアゾール誘導体としては、以下の式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
【化１９】
2009224604.tif 000018
【００７５】
（式中、Ａｒ３０１、Ａｒ３０２、Ａｒ３０３、Ａｒ３０５、Ａｒ３０６、及びＡｒ３０９はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示す。またＡｒ３０４、Ａｒ３０７、Ａｒ３０８はそれぞれ置換又は無置換のアリーレン基を示す。）
【００７６】
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基等が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレ基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
【００７７】
上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
【化２０】
2009224604.tif 000019
（Ｍｅはメチル基、ｔＢｕはｔブチル基を示す。）
【００７８】
さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記式（Ｅ）〜（Ｊ）で表されるものも用いることができる。
【化２１】
2009224604.tif 000020
【００７９】
（式（Ｅ）及び（Ｆ）中、Ａ３１１〜Ａ３１３は、それぞれ窒素原子又は炭素原子である。
Ａｒ３１１は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基であり、Ａｒ３１１’は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ３１２は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。ただし、Ａｒ３１１及びＡｒ３１２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のモノヘテロ縮合環基である。
Ｌ３１１、Ｌ３１２及びＬ３１３は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ｒ及びＲ３１１は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接するＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。）で表される含窒素複素環誘導体。
【００８０】
ＨＡｒ−Ｌ３１４−Ａｒ３２１−Ａｒ３２２    （Ｇ）
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌ３１４は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい原子数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ３２１は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ３２２は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい原子数３〜６０のヘテロアリール基である。）で表される含窒素複素環誘導体。
【００８１】
【化２２】
2009224604.tif 000021
【００８２】
（式中、Ｘ３０１及びＹ３０１は、それぞれ炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ３０１〜Ｒ３０４は、それぞれ、水素、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基又はシアノ基である。これらの基は置換されていてもよい。また、隣接した基が置換若しくは無置換の縮合環を形成してもよい。）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。
【００８３】
【化２３】
2009224604.tif 000022
【００８４】
（式中、Ｒ３２１〜Ｒ３２８及びＺ３２２は、それぞれ、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ３０２、Ｙ３０２及びＺ３２１は、それぞれ、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｚ３２１とＺ３２２は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎ又は（３−ｎ）が２以上の場合、Ｒ３２１〜Ｒ３２８、Ｘ３０２、Ｙ３０２、Ｚ３２２及びＺ３２１は同一でも異なってもよい。但し、ｎが１、Ｘ、Ｙ及びＲ３２２がメチル基でＲ３２８が水素原子又は置換ボリル基の化合物、及びｎが３でＺ３２１がメチル基の化合物を含まない。）で表されるボラン誘導体。
【００８５】
【化２４】
2009224604.tif 000023
【００８６】
［式中、Ｑ３０１及びＱ３０２は、それぞれ、下記式（Ｋ）で示される配位子を表し、Ｌ３１５は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ（Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）又は−Ｏ−Ｇａ−Ｑ３０３（Ｑ３０４）（Ｑ３０３及びＱ３０４は、Ｑ３０１及びＱ３０２と同じ）で示される配位子を表す。］で表されるガリウム錯体。
【００８７】
【化２５】
2009224604.tif 000024
（式中、環Ａ３０１及びＡ３０２は、それぞれ置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。）
【００８８】
この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きい。
式（Ｋ）の配位子を形成する環Ａ３０１及びＡ３０２の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビス（アセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等の置換もしくは無置換のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成してもよい。
【００８９】
有機ＥＬ素子の好ましい形態では、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩、希土類金属の炭酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
【００９０】
また、具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる。仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【００９１】
陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。このような層により、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。電子注入層が絶縁性薄膜であれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。
【００９２】
絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができ好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
【００９３】
また、電子注入層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物は、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。
【００９４】
陰極としては、仕事関数の小さい（例えば、４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、セシウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、Ａｌ／Ｌｉ２Ｏ、Ａｌ／ＬｉＯ、Ａｌ／ＬｉＦ、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
【００９５】
陰極はこれらの電極物質から蒸着やスパッタリング等により作製できる。
発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【００９６】
一般に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入してもよい。
絶縁層に用いる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【００９７】
有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により、陽極から、必要な層を順次形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
【００９８】
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０−７〜１０−３Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃で適宜選択することが好ましい。
【００９９】
次に、正孔注入層上に発光層を設ける。発光層の形成は、真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、好ましくは本発明の有機ＥＬ材料薄膜の形成方法を用いて積層する。
【０１００】
次に、発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は蒸着法、スパッタリングにより形成できる。下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
【０１０１】
有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。本発明の化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは本発明の化合物を溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
【実施例】
【０１０２】
合成例１
以下の合成スキームに従って化合物１を合成した。
【化２６】
2009224604.tif 000025
【０１０３】
［中間体１（2,5-Diphenylaniline）の合成］
２，５−ジブロモアニリン（50g，199.27mmol，1.0equiv）、フェニルボロン酸（58.31g，478.25mmol，2.4equiv）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（6.91g，5.98mmol，0.03equiv）、炭酸ナトリウム（238.48g）、ジメチルエーテル（750mL）及び水（750mL）を仕込み、７時間還流した。その後、沈殿物を濾別して除去し、得られた反応溶液に酢酸エチルを加えて有機層を抽出した。抽出した有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥させた後、濃縮した。得られた残渣をショートカラム（塩化メチレン）及びシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン：ヘキサン＝１：１→２：１）で精製し、精製した残渣にヘキサンを適当に加え、生じた沈殿物を濾別した。得られた沈殿物を乾燥させることにより、白色固体の中間体１（39.4g，収率：81%）が得られた。
【０１０４】
［中間体２（2,5-Diphenyliodobenzene）の合成］
得られた中間体１（25g，101.91mmol，1.0equiv）に、３Ｎ塩酸（300ml）を加えて８０℃で２．５時間攪拌した後、室温まで冷却した。その後、５℃までさらに冷却し、１０℃以下を保ったまま（５〜８℃）、亜硝酸ナトリウム水溶液（NaNO2:8.43g，122.29mmol，1.2equiv、H2O:60ml）をゆっくり添加して０．５時間攪拌した。この反応液を、ヨウ化カリウム水溶液（KI:60.9g，366.87mmol，3.6equiv、H2O:180ml）の中に滴下し、反応が完結するよう塩化メチレンをさらに適量加え、０．７５時間室温で攪拌した。この反応液に、亜ジチオン酸水素ナトリウムを反応液が黄色になるまで添加した後、０．５時間攪拌し、得られた反応液の有機層を抽出した。抽出した有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥させた後、濃縮した。得られた残渣をショートカラム（塩化メチレン）及びシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン：ヘキサン＝１：１→２：１）で精製し、精製した残渣を乾燥させることにより、淡いピンク色の固体である中間体２（24.35g，収率：67%）が得られた。
【０１０５】
［中間体３（5,12-bis-(2,5-diphenylbenzo)naphthacene-5,12-diol）の合成］
アルゴン雰囲気下、中間体２（17.44g，48.96mmol，2.4equiv）、乾燥トルエン（150mL）及び乾燥ジエチルエーテル（50mL）を仕込んで−７０℃まで冷却した。この混合液にｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（1.6M，31mL，48.96mmol，2.4equiv）を滴下し、−１０℃までゆっくり昇温しながら１時間攪拌した。攪拌後、反応溶液を再度−７０℃まで冷却し、５，１２−ナフタセンキノン（5.27g，20.4mmol，1.0equiv）を固体のまま加え、ゆっくり室温まで昇温しながら２．５時間攪拌した。この反応液にメタノール（100ml）を加えてクエンチし、生じた沈殿物を濾別した。得られた沈殿物の青色がなくなるまで洗浄し、洗浄した沈殿物にトルエン（300mL）を加えて０．５時間還流した。還流した反応液を室温まで冷却した後、生じた沈殿物を濾別して、得られた沈殿物の青色がなくなるまで洗浄した。再度トルエン（300mL）加え、還流〜濾別〜洗浄の一連の操作を、さらに２回繰り返した。得られた沈殿物を乾燥させることにより、白色固体である中間体３（11.03g，収率：75%）が得られた。
【０１０６】
［化合物１（5,12-bis-(2,5-diphenylbenzo)naphthacene）の合成］
得られた中間体３（10g，13.9mmol，1.0equiv）にテトラヒドロフラン（600ml）を加え、アルゴンガスでバブリングしながら０．２５時間還流した。この混合液に、塩化スズ（II）２水和物（31.4g，139mmol，10equiv）の濃塩酸（110ml，90equiv）溶液を滴下してさらに２時間還流した。得られた反応液を水（1L）に滴下し、生じた沈殿物を濾別し、得られた沈殿物を３Ｎ塩酸、水、メタノール及びアセトンで順次洗浄し、乾燥させた。洗浄した沈殿物をショートカラム（トルエン）及びシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１０→１：３）で精製し、アセトンを加えて沈殿物を濾別した。得られた沈殿物を乾燥させることにより、蛍光黄色固体である化合物１（7.82g，収率：82%）が得られた。
得られた化合物１について高速液体クロマトグラフィー（HPLC）分析を行ったところ、化合物１のシス・トランス比はシス体：トランス体＝９９．８：０．２であった。尚、高速液体クロマトグラフィー法における充填剤には化学結合型シリカゲルに分類されるＯＤＳ（オクタデシル基化学結合型シリカ）を用いた逆相クロマトを用い、検出器には紫外吸光光度計（ＵＶ）を用いた。
【０１０７】
［化合物２の合成］
合成例２
合成例１において、中間体１の合成の際に２，５−ジブロモアニリンの代わりに２，４−ジブロモアニリンを用いた他は同様にして化合物２を合成した。
【化２７】
2009224604.tif 000026
【０１０８】
得られた化合物２についてＨＰＬＣ分析を行ったところ、化合物２のシス・トランス比はシス体：トランス体＝９９．９：０．１であった。
【０１０９】
実施例１
［溶解度の評価］
合成例１で得られた化合物１をアルゴンガス雰囲下で３００〜３５０℃で１時間加熱処理した後、減圧下で昇華精製した。昇華精製後の化合物１のシス・トランス比は、ＨＰＬＣ分析の結果、シス体：トランス体＝４２：５８であった。
０．１ｇの昇華精製した化合物１をガラス瓶に入れ、目視で溶液中に不溶物が無くなるまでトルエンを加えた。加えた溶媒量（重量）から化合物１のトルエンに対する溶解度を算出した。同様にして、昇華精製した化合物１のアニソール及びテトラヒドロフランに対する溶解度をそれぞれ評価した。結果を表１に示す。
【０１１０】
［有機ＥＬ材料含有溶液の調製］
昇華精製した化合物１（シス体：トランス体＝４２：５８）及びドーパント１を、イソプロピルビフェニル（７５ｗｔ％）／シクロヘキサノール（２５ｗｔ％）混合溶媒に、ドーパント１が化合物１に対して１ｗｔ％となるようにして溶解させた。得られた有機ＥＬ材料含有溶液は、不溶物のない均一な溶液であった。結果を表２に示す。
【化２８】
2009224604.tif 000027
【０１１１】
尚、ドーパント１のみをイソプロピルビフェニル（７５ｗｔ％）／シクロヘキサノール（２５ｗｔ％）混合溶媒に添加したところ、均一な溶液となった。即ち、ドーパント１が混合溶媒に対して十分な溶解度を有していることが確認できた。
【０１１２】
比較例１
［溶解度の評価］
昇華精製していない化合物１（シス体：トランス体＝９９．８：０．２）を用いて実施例１と同様にして各種溶媒に対する溶解度を評価した。結果を表１に示す。
表１から分かるように、トランス体がシス体より少ない化合物１は、トランス体が多い化合物１より各種溶媒に対して溶解度が低いことが分かる。
【０１１３】
［有機ＥＬ材料含有溶液の調製］
昇華精製した化合物１の代わりに昇華精製していない化合物１（シス体：トランス体＝９９．８：０．２）を用いて、実施例１と同様にして有機ＥＬ材料含有溶液を調製した。得られた有機ＥＬ材料含有溶液は、不溶物が確認できる不均一な溶液であった。結果を表２に示す。
【０１１４】
実施例２〜５及び比較例１〜４
実施例１と同様にして化合物１及び化合物２を昇華精製し、シス体：トランス体＝２５：７５〜８７：１３の化合物１及びシス体：トランス体＝２５：７５の化合物２をそれぞれ調製した。昇華精製した化合物１及び化合物２並びに昇華精製していない化合物２を用いて、実施例１と同様にして各種溶媒に対する溶解度の評価、及び有機ＥＬ材料含有溶液の調製を行った。結果を表１及び表２に示す。
【０１１５】
【表１】
2009224604.tif 000028
【０１１６】
【表２】
2009224604.tif 000029
【０１１７】
実施例６
[有機ＥＬ素子の作製]
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマテック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、ＵＶ（紫外線）オゾン洗浄を３０分間行った。
洗浄後のＩＴＯ透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層として用いるポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ）を５０ｎｍの膜厚で成膜し、ホットプレート上で２００℃で１５分間加熱乾燥させた。
その後、酸素濃度及び水分濃度が１ｐｐｍ以下で管理されたグローブボックスの中に、上記基板を搬入し、再度２００℃１５分間加熱乾燥させた。ついで、下記ポリマ−１（Ｍｗ：１４５０００）のトルエン溶液（固形分濃度０．６重量％）をスピンコート法で２０ｎｍの膜厚で成膜し、ホットプレート上で１７０℃で３０分間加熱乾燥させた。ついで市販のインクジェットプリンター（ダイマティックス製ＤＭＰ−２３８１、インクジェットヘッド１０ｐｌ（ＤＭＣ−１１６１０））を用いて、実施例１で調製した有機ＥＬ材料含有溶液を膜厚４０ｎｍで成膜した。ホットプレート上で１２０℃で３０分間加熱乾燥させた。
その後、グローブボックスと連結したチャンバーを経由し、上記基板を真空蒸着チャンバーに搬送した。電子注入層として、トリス（８−キノリノール）アルミニウムを膜厚２０ｎｍで蒸着し、その上に無機膜をＬｉＦを膜厚０．２ｎｍ、陰極としてアルミニウムを膜厚１００ｎｍ蒸着し、有機ＥＬ素子を作製した。各層の蒸着時の真空度は１０−５Ｐａであった。作製した赤色有機ＥＬ素子の発光面は均一であり、発光効率は５．１ｃｄ／Ａであった。
【０１１８】
【化２９】
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【０１１９】
比較例５
実施例１で調製した有機ＥＬ材料含有溶液の代わりに比較例１で調製した有機ＥＬ材料含有溶液を用いた他は実施例６と同様にして有機ＥＬ素子の作製を試みた。しかしながら、安定して有機ＥＬ材料含有溶液を塗布できず、インクジェットプロセスで素子を作製することができなかった。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明の有機ＥＬ材料含有溶液は、有機ＥＬ素子の発光材料として好適である。特に本発明の有機ＥＬ材料の含有溶液は塗布法を用いて有機ＥＬ素子の優れた性能を有する発光層を積層することができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源、携帯電話、ＰＤＡ、カーナビゲーション、車のインパネ等の表示部、照明等に好適に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の一実施形態である有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１０  陽極
２０  陰極
３０  正孔注入層
３２  正孔輸送層
３４  発光層
３６  電子注入層
【図１】
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