(57)【要約】【課題】基板周縁部処理装置の状態の検査を正確に行うことができる基板周縁部処理装置の検査方法を提供する。【解決手段】基板処理システム１０は、ウエハＷの周縁部に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去装置３２を備え、このベベルポリマー除去装置３２の状態を検査する際、レジスト膜ＲのブランケットウエハＷｂを準備して、該レジスト膜Ｒの膜厚を測定し、ベベルポリマー除去装置３２において、レジスト膜Ｒの端から所定の距離だけ内側に位置するレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストを除去し、その後、該レジスト膜測定部Ｒ１の膜厚を測定し、レジスト膜Ｒの膜厚の測定値及びレジスト膜測定部Ｒ１の膜厚の測定値を用いて算出されたレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量に基づいてベベルポリマー除去装置３２の性能を評価する。【選択図】図３
2009182046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周縁部に付着した不要物を除去する所定の処理を当該基板に施す基板周縁部処理装置の検査方法であって、
有機膜が表面に形成された基板の当該有機膜の膜厚を測定する第１の測定ステップと、
前記基板周縁部処理装置にて、前記有機膜の所定部に前記所定の処理を施す処理ステップと、
前記所定の処理が施された前記所定部の膜厚を測定する第２の測定ステップと、
前記第１の測定ステップでの測定結果及び前記第２の測定ステップでの測定結果に基づいて、前記処理ステップでの前記有機膜の除去量を算出する算出ステップと、
前記算出された除去量に基づいて、前記基板周縁部処理装置の性能を評価する評価ステップとを有することを特徴とする検査方法。
【請求項２】
前記有機膜はレジスト膜であることを特徴とする請求項１記載の検査方法。
【請求項３】
前記所定部は前記基板の端から２ｍｍ以上内側に位置することを特徴とする請求項１又は２記載の検査方法。
【請求項４】
前記処理ステップでの処理条件は前記基板の周縁部に付着した不要物を除去する際の処理条件と異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項５】
前記評価ステップでは前記算出ステップで算出された除去量の値と予め設定された所定値とを比較することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項６】
前記処理ステップでは前記所定部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項７】
前記処理ステップではさらに前記所定部に向けてオゾンガスを供給することを特徴とする請求項６記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板周縁部処理装置の検査方法に関し、特に、基板の周縁部に付着した不要物を除去する基板周縁部処理装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板としてのウエハにプラズマ処理、例えばエッチング処理を施す基板処理システムは、ウエハを収容してエッチング処理を施すプロセスモジュールと、該プロセスモジュールへウエハを搬入すると共に当該プロセスモジュールから処理済みのウエハを搬出するトランスファモジュールと、複数枚のウエハを収容する密閉容器からウエハを取り出すローダーモジュールと、トランスファモジュール及びローダーモジュールの間に配置されてこれらを連結するロード・ロックモジュールとを備える。
【０００３】
プロセスモジュールはウエハを収容するチャンバを有し、該チャンバ内に処理ガスとしてフルオロカーボン系のデポ性ガス等を供給し、チャンバ内に電界を発生させることによって供給された処理ガスからプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハにエッチング処理を施す。
【０００４】
このプロセスモジュールでは、ウエハにエッチング処理を施す際に、処理ガスの反応に起因する反応生成物、例えば、フルオロカーボン系のポリマーが発生する。このポリマーは、ウエハの表面側に付着すると共にウエハの周縁部（ベベル（Bevel）部）の裏面側にも回り込む。このため、フルオロカーボン系のポリマーはウエハのベベル部の裏面側にも付着する。
【０００５】
通常、エッチング処理が施されたウエハは、複数のウエハを互いに平行に保持する密閉容器、例えば、フープ（Foup）に収容されて搬送されるため、ウエハのベベル部の裏面側にポリマーが付着していると、フープ内において上方に位置するウエハのベベル部の裏面側からポリマーが剥離して下方に位置するウエハの表面に落下して付着し、該下方のウエハから製造される半導体デバイスの品質を低下させる。
【０００６】
従来より、上記ウエハのベベル部に付着したポリマーを除去するために、基板処理システムはベベルポリマー除去装置（基板周縁部処理装置）を備える。
【０００７】
図６は、ベベルポリマー除去装置の構成を概略的に示す部分断面図である。
【０００８】
図６において、ベベルポリマー除去装置６０は、エッチング処理が施されたウエハＷを収容するチャンバ６１を有し、該チャンバ６１内にはウエハＷを載置するステージ６２が配置されている。ステージ６２は中心軸６３を有し、該中心軸６３はチャンバ６１の底部に配置された回転駆動機構６４に接続されている。この回転駆動機構６４は中心軸６３を回転駆動してステージ６２を回転させる。
【０００９】
また、チャンバ６１内におけるステージ６２に載置されたウエハＷのベベル部の下方には、エッチング処理時に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去機構６５が配置されている。このベベルポリマー除去機構６５は、ウエハＷのベベル部に付着したポリマーＰに向けてレーザ光Ｌを照射するレーザ光照射器６６と、ポリマーＰに向けてオゾンガスＯを供給するオゾンガス供給器６７と、これらレーザ光照射器６６及びオゾンガス供給器６７によって除去されたポリマーＰ等を吸引して排気する吸引排気器６８とを有する。
【００１０】
このベベルポリマー除去装置６０では、レーザ光照射器６６によりウエハＷのベベル部にレーザ光Ｌを照射してポリマーＰを加熱して気化させると共に、オゾンガス供給器６７によりウエハＷのベベル部にオゾンガスＯを供給してポリマーＰを化学的に分解して、ポリマーＰを除去する（例えば、特許文献１参照。）。
【００１１】
基板処理システムでは、エッチング処理が施されたウエハＷが、上述したようにベベルポリマー除去装置６０でそのベベル部に付着したポリマーＰが除去された後にフープに収容される。
【００１２】
ところで、上述した基板処理システムでは、ウエハＷの量産時に、上述したプロセスモジュールやベベルポリマー除去装置６０の状態を定期的且つ定量的に検査する必要がある。
【００１３】
プロセスモジュールの状態を検査する場合、まず、酸化膜のブランケットウエハ（酸化膜が表面に形成されたウエハ）を準備して、このブランケットウエハをプロセスモジュールのチャンバ内に搬入し、上述したエッチング処理をブランケットウエハに施す。その後、エッチング処理が施されたブランケットウエハをチャンバから搬出し、このブランケットウエハの表面におけるエッチング量を測定する。酸化膜はＣＶＤ処理等によってウエハ上に均一の厚さで形成することができ、また、その厚さも所望の値に設定することができる。すなわち、エッチング処理を施す前の酸化膜の厚さが信頼できる値であるため、測定されるエッチング量も信頼できる値であり、これにより、プロセスモジュールの状態を定量的に検査することができる。
【００１４】
一方、上述したべベルポリマー除去装置６０では、処理対象がウエハＷのベベル部に付着したフルオロカーボン系のポリマーである。
【特許文献１】国際公開第０６／００６５２６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、フルオロカーボン系のポリマーはエッチング処理に付随して発生するものであるため、測定用のウエハ等のベベル部において周方向に沿って均一に付着させるのが困難であり、また、付着量を所望の値に設定するのも困難である。すなわち、除去前のポリマーの付着量が信頼できない値であるため、ポリマーの除去量を測定しても該除去量は信頼できる値でない。その結果、ベベルポリマー除去装置６０の状態を定量的に検査するのは困難である。
【００１６】
また、ベベルポリマー除去装置６０の状態を定期的に検査するためには、ポリマーが同じ量だけ付着した複数の測定用のウエハを準備する必要があるが、上述した理由により、それも困難である。
【００１７】
以上より、ベベルポリマー除去装置６０の状態を定期的且つ定量的、すなわち、正確に検査するのは困難である。
【００１８】
本発明の目的は、基板周縁部処理装置の状態の検査を正確に行うことができる基板周縁部処理装置の検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、基板の周縁部に付着した不要物を除去する所定の処理を当該基板に施す基板周縁部処理装置の検査方法であって、有機膜が表面に形成された基板の当該有機膜の膜厚を測定する第１の測定ステップと、前記基板周縁部処理装置にて、前記有機膜の所定部に前記所定の処理を施す処理ステップと、前記所定の処理が施された前記所定部の膜厚を測定する第２の測定ステップと、前記第１の測定ステップでの測定結果及び前記第２の測定ステップでの測定結果に基づいて、前記処理ステップでの前記有機膜の除去量を算出する算出ステップと、前記算出された除去量に基づいて、前記基板周縁部処理装置の性能を評価する評価ステップとを有することを特徴とする。
【００２０】
請求項２記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項１記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記有機膜はレジスト膜であることを特徴とする。
【００２１】
請求項３記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項１又は２記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記所定部は前記基板の端から２ｍｍ以上内側に位置することを特徴とする。
【００２２】
請求項４記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記処理ステップでの処理条件は前記基板の周縁部に付着した不要物を除去する際の処理条件と異なることを特徴とする。
【００２３】
請求項５記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記評価ステップでは前記算出ステップで算出された除去量の値と予め設定された所定値とを比較することを特徴とする。
【００２４】
請求項６記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記処理ステップでは前記所定部に向けてレーザ光を照射することを特徴とする。
【００２５】
請求項７記載の基板周縁部処理装置の検査方法は、請求項６記載の基板周縁部処理装置の検査方法において、前記処理ステップではさらに前記所定部に向けてオゾンガスを供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、有機膜が表面に形成された基板を用い、該有機膜の除去量に基づいて基板周縁部処理装置の性能が評価される。有機膜は塗布処理等によって基板上に均一の厚さで形成することができ、また、その厚さも所望の値に設定することができる。すなわち、所定の処理を施す前の有機膜の厚さが信頼できる値であるため、算出される有機膜の除去量も信頼できる値であり、これにより、基板周縁部処理装置の状態を定量的に検査することができる。また、同じ膜厚の有機膜が表面に形成された複数の基板は容易に準備することができるため、基板周縁部処理装置の状態を定期的に検査することができる。その結果、基板周縁部処理装置の状態の検査を正確に行うことができる。
【００２７】
請求項２記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、基板の表面に形成される有機膜がレジスト膜である。レジスト膜は塗布処理等によって容易に基板上に均一に形成することができるので、測定用の基板を容易に準備することができる。
【００２８】
請求項３記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、基板の端から２ｍｍ以上内側に位置する所定部に所定の処理が施される。基板の表面に形成される有機膜の形状は基板の端において不安定であるが、該形状は基板の端から２ｍｍ以上内側であれば安定している。したがって、有機膜の除去量の値の信頼性を高めることができる。
【００２９】
請求項４記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、有機膜の所定部に施す所定の処理の処理条件は基板の周縁部に付着した不要物を除去する際の処理条件と異なる。すなわち、所定の処理の処理条件を有機膜を変質させない処理条件にすることができ、これにより、有機膜が変質して膜厚が測定不可能となるのを防止することができる。
【００３０】
請求項５記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、算出された除去量の値と予め設定された所定値とが比較されて基板周縁部処理装置の性能が評価される。これにより、基板周縁部処理装置の性能の評価を正確に行うことができる。
【００３１】
請求項６記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、有機膜の所定部に向けてレーザ光が照射される。有機膜はレーザ光が照射されると加熱されて気化するので、有機膜を確実に除去することができる。
【００３２】
請求項７記載の基板周縁部処理装置の検査方法によれば、有機膜の所定部に向けてさらにオゾンガスが供給される。有機膜はオゾンガスが供給されると化学的に分解されるので、有機膜をさらに確実に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３４】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムについて説明する。
【００３５】
図１は、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【００３６】
図１において、基板処理システム１０は、平面視六角形のトランスファモジュール１１と、該トランスファモジュール１１の一側面に接続する２つのプロセスモジュール１２，１３と、該２つのプロセスモジュール１２，１３に対向するようにトランスファモジュール１１の他側面に接続する２つのプロセスモジュール１４，１５と、プロセスモジュール１３に隣接し且つトランスファモジュール１１に接続するプロセスモジュール１６と、プロセスモジュール１５に隣接し且つトランスファモジュール１１に接続するプロセスモジュール１７と、矩形状の搬送室としてのローダーモジュール１８と、トランスファモジュール１１及びローダーモジュール１８の間に配置されてこれらを連結する２つのロード・ロックモジュール１９，２０とを備える。
【００３７】
トランスファモジュール１１はその内部に配置された屈伸及び旋回自在な搬送アーム２１を有し、該搬送アーム２１は、プロセスモジュール１２〜１７やロード・ロックモジュール１９，２０の間においてウエハＷを搬送する。
【００３８】
各プロセスモジュール１２〜１７は、半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに所定の処理を施す基板処理装置である。例えば、プロセスモジュール１２はフルオロカーボン系のデポ性ガスから生成されたプラズマを用いてウエハＷにエッチング処理を施すエッチング処理装置である。
【００３９】
トランスファモジュール１１及びプロセスモジュール１２〜１７の内部は減圧状態に維持され、トランスファモジュール１１と、プロセスモジュール１２〜１７のそれぞれとは真空ゲートバルブ１２ａ〜１７ａを介して接続される。
【００４０】
基板処理システム１０では、ローダーモジュール１８の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファモジュール１１の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロード・ロックモジュール１９，２０は、それぞれトランスファモジュール１１との連結部に真空ゲートバルブ１９ａ，２０ａを備えると共に、ローダーモジュール１８との連結部に大気ドアバルブ１９ｂ，２０ｂを備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。また、各ロード・ロックモジュール１９，２０はローダーモジュール１８及びトランスファモジュール１１の間において受渡されるウエハＷを一時的に載置するためのウエハ載置台１９ｃ，２０ｃを有する。
【００４１】
ローダーモジュール１８には、ロード・ロックモジュール１９，２０の他、２５枚のウエハＷを収容する密閉容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）２９がそれぞれ載置される３つのフープ載置台３０と、フープ２９から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ３１と、ウエハＷの周縁部（ベベル（Bevel）部）に付着したフルオロカーボン系のポリマー（不要物）を除去する基板周辺部処理装置としてのベベルポリマー除去装置３２とが接続されている。
【００４２】
ロード・ロックモジュール１９，２０は、ローダーモジュール１８の長手方向に沿う側壁に接続されると共にローダーモジュール１８を挟んで３つのフープ載置台３０と対向するように配置され、オリエンタ３１はローダーモジュール１８の長手方向に関する一端に配置され、ベベルポリマー除去装置３２はローダーモジュール１８の長手方向に関する他端に配置される。
【００４３】
ローダーモジュール１８は、内部に配置された、ウエハＷを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム３３と、各フープ載置台３０に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口としての３つのロードポート３４とを有する。搬送アーム３３は、フープ載置台３０に載置されたフープ２９からウエハＷをロードポート３４経由で取り出し、該取り出したウエハＷをロード・ロックモジュール１９，２０、オリエンタ３１やベベルポリマー除去装置３２へ搬出入する。
【００４４】
図２は、図１におけるベベルポリマー除去装置の部分断面図である。
【００４５】
図２において、ベベルポリマー除去装置３２は、エッチング処理が施されたウエハＷや後述するブランケットウエハＷｂ（以下、これらを「ウエハＷ等」という。）を収容するチャンバ３３を有し、該チャンバ３３内にはウエハＷ等を載置するステージ３４が配置されている。ステージ３４は中心軸３５を有し、該中心軸３５はチャンバ３３の底部に配置された回転駆動機構３６に接続されている。この回転駆動機構３６は中心軸３５を回転駆動してステージ３４を回転させる。
【００４６】
また、チャンバ３３内におけるステージ３４に載置されたウエハＷ等のベベル部の下方には、エッチング処理時に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去機構３７が配置されている。このベベルポリマー除去機構３７は、ウエハＷのベベル部に付着したポリマーに向けてレーザ光Ｌを照射するレーザ光照射器３８と、当該ポリマーに向けてオゾンガスＯを供給するオゾンガス供給器３９と、これらレーザ光照射器３８及びオゾンガス供給器３９によって除去されたポリマー等を吸引して排気する吸引排気器４０とを有する。レーザ光照射器３８は、レーザ光源４１からのレーザ光Ｌを光ファイバケーブル４２を介してレーザ光照射ユニット４３により照射し、オゾンガス供給器３９は、オゾナイザー４４からのオゾンガスＯを供給管４５を介して供給ノズル４６により供給し、吸引排気器４０は、吸引排気ノズル４７により吸引した上記ポリマー等を排気管４８を介して排気手段４９により排気する。
【００４７】
このベベルポリマー除去装置３２では、エッチング処理が施されてベベル部にポリマーが付着したウエハＷがステージ３４に載置された後、ベベルポリマー除去機構３７により当該ポリマーを除去すると共に回転駆動機構３６がステージ３４を回転、すなわち、ウエハＷを回転させる。これにより、ウエハＷのベベル部に付着したポリマーを周方向に沿って確実に除去することができる。
【００４８】
また、チャンバ３３内におけるステージ３４に載置されたウエハＷ等の上方には、ウエハＷ等を冷却する冷却ガス供給器５０が配置されている。この冷却ガス供給器５０は、冷却ガス源５１からの冷却ガスＣを供給管５２を介して供給ノズル５３によりウエハＷ等の表面に供給し、レーザ光Ｌが照射されて加熱されたベベル部からの伝導熱がウエハＷ等全体に行き渡るのを抑制する。
【００４９】
図１に戻り、基板処理システム１０は、各構成要素の動作を制御するシステムコントローラ（図示しない）と、ローダーモジュール１６の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションパネル５４とを備える。上記システムコントローラは各種処理に対応するプログラムに応じて各構成要素の動作を制御する。オペレーションパネル５４は各構成要素の動作状況を表示し、操作者の操作入力を受け付ける。
【００５０】
次に、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法について説明する。
【００５１】
図３は、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法として実行される検査処理のフローチャートである。
【００５２】
図３において、まず、レジスト膜Ｒのブランケットウエハ（レジスト膜Ｒが表面に形成されたウエハ）Ｗｂを準備して、このブランケットウエハＷｂを膜厚計測装置（図示しない）に搬入し、レジスト膜Ｒの膜厚を測定する（ステップＳ３０１）。
【００５３】
次いで、ブランケットウエハＷｂを膜厚計測装置から搬出し、このブランケットウエハＷｂをレジスト膜Ｒが形成された面が裏面側となるようにフープ２９に収容する。ブランケットウエハＷｂを収容したフープ２９はフープ載置台３０に載置される。そして、搬送アーム３３はフープ２９に収容されたブランケットウエハＷｂをロードポート３４経由で取り出して、該取り出したブランケットウエハＷｂをベベルポリマー除去装置３２へ搬入する（ステップＳ３０２）。
【００５４】
次いで、ベベルポリマー除去装置３２のステージ３４にブランケットウエハＷｂが載置されると、図２に示すように、ブランケットウエハＷｂの裏面側、すなわち、レジスト膜Ｒの端から距離Ｌ１、具体的には２ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍだけ内側に位置するレジスト膜測定部Ｒ１に向けてレーザ光照射器３８がレーザ光Ｌを照射すると共に、レジスト膜測定部Ｒ１に向けてオゾンガス供給器３９がオゾンガスＯを供給する（ステップＳ３０３）。このとき、レジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストはレーザ光Ｌが照射されることにより加熱されて気化すると共に供給されたオゾンガスＯが化学的に分解して除去する。また、これと同時に回転駆動機構３６がステージ３４を回転、すなわち、ブランケットウエハＷｂを回転させる。
【００５５】
次いで、搬送アーム３３はレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの一部が除去されたブランケットウエハＷｂをベベルポリマー除去装置３２から搬出してロードポート３４経由でフープ２９に収容する（ステップＳ３０４）。
【００５６】
次いで、フープ２９からブランケットウエハＷｂを取り出して、このブランケットウエハＷｂをレジスト膜Ｒが形成された面が表面側となるように膜厚計測装置に搬入し、レジスト膜測定部Ｒ１の膜厚を測定する（ステップＳ３０５）。
【００５７】
次いで、ステップＳ３０１で測定したレジスト膜Ｒの膜厚の測定値とステップＳ３０５で測定したレジスト膜測定部Ｒ１の膜厚の測定値とを用いてレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量を算出する（ステップＳ３０６）。
【００５８】
次いで、ステップＳ３０６で算出したレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量に基づいて、具体的には該レジストの除去量の値と予め操作者により設定された所定値とを比較してベベルポリマー除去装置３２の性能、具体的にはベベルポリマー除去機構３７の除去能力を評価して（ステップＳ３０７）、本処理を終了する。
【００５９】
図３の検査処理によれば、レジスト膜Ｒが表面に形成されたブランケットウエハＷｂを用い、該レジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量に基づいてベベルポリマー除去装置３２の性能が評価される。レジスト膜Ｒは塗布処理等によってウエハ上に均一の厚さで形成することができ、また、その厚さも所望の値に設定することができる。すなわち、一部が除去される前のレジスト膜測定部Ｒ１における厚さが信頼できる値であるため、算出されるレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量も信頼できる値であり、これにより、ベベルポリマー除去装置３２の状態を定量的に検査することができる。また、同じ膜厚のレジスト膜Ｒが表面に形成された複数のブランケットウエハＷｂは容易に準備することができるため、ベベルポリマー除去装置３２の状態を定期的に検査することができる。その結果、ベベルポリマー除去装置３２の状態の検査を正確に行うことができる。
【００６０】
また、図３の検査処理によれば、レジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量の値と予め操作者により設定された所定値とが比較されてベベルポリマー除去装置３２の性能が評価される。これにより、ベベルポリマー除去装置３２の性能の評価を正確に行うことができる。
【００６１】
上述したレジスト膜Ｒは、一般的にウエハの端において形状が不安定である。そのため、上述した図３の検査処理では、レジスト膜Ｒの形状が安定するウエハの端から距離Ｌ１、具体的には２ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍだけ内側に位置するレジスト膜測定部Ｒ１のレジストを除去する。これにより、レジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量の値の信頼性を高めることができる。
【００６２】
また、上述したレジスト膜Ｒは、一般的に高出力のレーザ光が照射されると変質する。一方、上述したウエハＷのベベル部に付着したポリマーＰを除去するためには当該ポリマーＰに高出力のレーザ光を照射する必要がある。そのため、上述した図３の検査処理では、レジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストを除去する際のレーザ光Ｌの出力をウエハＷのベベル部に付着したポリマーＰを除去する際の出力よりも低くする。これにより、レジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストが変質して当該レジスト膜測定部Ｒ１の膜厚が測定不可能となることを防止することができる。
【００６３】
また、上述した図３の検査処理では、レジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストを除去する際にレーザ光Ｌを照射すると共にオゾンガスＯを供給してベベルポリマー除去機構３７全体での除去能力を評価したが、レーザ照射器３８及びオゾンガス供給器３９の個別の除去能力を評価することもできる。具体的には、ブランケットウエハＷｂを２枚準備して、１枚目のブランケットウエハＷｂではレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストを除去する際にレーザ光Ｌのみを照射し、２枚目のブランケットウエハＷｂではレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストを除去する際にレーザ光Ｌを照射すると共にオゾンガスＯを供給する。すなわち、１枚目のブランケットウエハＷｂにおけるレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量の値を用いて、レーザ照射器３８の除去能力を評価し、２枚目のブランケットウエハＷｂにおけるレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量の値から１枚目のブランケットウエハＷｂにおけるレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量の値を減算した値を用いて、オゾンガス供給器３９の除去能力を評価する。
【００６４】
上述した図３の検査処理では、レジスト膜Ｒが表面に形成されたブランケットウエハＷｂを用いたが、ウエハの表面に形成する膜はレジスト膜Ｒに限られず、ウエハの表面に均一に塗布可能な有機膜であればよい。
【００６５】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムについて説明する。
【００６６】
本実施の形態における基板処理システムは、ウエハ反転装置及び膜厚測定装置を備える点が第１の実施の形態と異なるのみであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００６７】
図４は、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【００６８】
図４において、基板処理システム５４のローダーモジュール１８には、ブランケットウエハＷｂを反転するウエハ反転装置５５が接続されており、当該ウエハ反転装置５５には、ブランケットウエハＷｂの表面状態を計測する膜厚測定装置５６が接続されている。
【００６９】
膜厚測定装置５６は光学系のモニタであり、搬入されたブランケットウエハＷｂを載置する載置台５７と、該載置台５７に載置されたブランケットウエハＷｂを指向する光学センサ５８とを有し、ブランケットウエハＷｂのレジスト膜Ｒの膜厚を測定する。
【００７０】
次に、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法について説明する。
【００７１】
本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法は、基板処理システム内でブランケットウエハＷｂのレジスト膜Ｒの膜厚を測定する点が第１の実施の形態と異なるのみであるので、重複した構成、作用については説明を省略する。
【００７２】
図５は、本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法として実行される検査処理のフローチャートである。
【００７３】
図５において、まず、レジスト膜ＲのブランケットウエハＷｂを準備して、このブランケットウエハＷｂをレジスト膜Ｒが形成された面が裏面側となるようにフープ２９に収容する。ブランケットウエハＷｂを収容したフープ２９はフープ載置台３０に載置される。そして、搬送アーム３３はフープ２９に収容されたブランケットウエハＷｂをロードポート３４経由で取り出して、該取り出したブランケットウエハＷｂをウエハ反転装置５５へ搬入する。ウエハ反転装置５５はブランケットウエハＷｂをレジスト膜Ｒが形成された面が表面側となるように反転して膜厚測定装置５６へ搬入する（ステップＳ５０１）。
【００７４】
次いで、膜厚測定装置５６はブランケットウエハＷｂのレジスト膜Ｒの膜厚を測定する（ステップＳ５０２）。
【００７５】
次いで、ウエハ反転装置５５は膜厚測定装置５６からブランケットウエハＷｂを搬出して当該ブランケットウエハＷｂをレジスト膜Ｒが形成された面が裏面側となるように反転する（ステップＳ５０３）。
【００７６】
次いで、搬送アーム３３はウエハ反転装置５５からブランケットウエハＷｂを取り出して、該取り出したブランケットウエハＷｂをベベルポリマー除去装置３２へ搬入する（ステップＳ５０４）。
【００７７】
次いで、ベベルポリマー除去装置３２において、ブランケットウエハＷｂの裏面側のレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストが除去される（ステップＳ３０３）。
【００７８】
次いで、搬送アーム３３はレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの一部が除去されたブランケットウエハＷｂをベベルポリマー除去装置３２から搬出してウエハ反転装置５５に搬入する（ステップＳ５０５）。
【００７９】
次いで、ウエハ反転装置５５はステップＳ５０１と同様にブランケットウエハＷｂを反転して膜厚測定装置５６へ搬入する（ステップＳ５０６）。
【００８０】
次いで、膜厚測定装置５６はブランケットウエハＷｂのレジスト膜測定部Ｒ１の膜厚を測定する（ステップＳ５０７）。
【００８１】
次いで、ステップＳ５０２で測定したレジスト膜Ｒの膜厚の測定値とステップＳ５０７で測定したレジスト膜測定部Ｒ１の膜厚の測定値とを用いてレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量を算出する（ステップＳ５０８）。
【００８２】
次いで、ステップＳ５０８で算出したレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量に基づいて、具体的には該レジストの除去量の値と予め操作者により設定された所定値とを比較してベベルポリマー除去装置３２の性能、具体的にはベベルポリマー除去機構３７の除去能力を評価して（ステップＳ５０９）、本処理を終了する。
【００８３】
図５の検査処理によれば、上述した第１の実施の形態と同様の効果を実現することができるだけでなく、基板処理システム５４が備える膜厚測定装置５６によりブランケットウエハＷｂのレジスト膜Ｒ，レジスト膜測定部Ｒ１の膜厚が測定されるので、上述した第１の実施の形態と比較して、操作者の作業負担を低減させることができる。
【００８４】
なお、上述した各実施の形態では、エッチング処理が施される基板が半導体デバイス用のウエハであったが、基板はこれに限られず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。
【００８５】
また、本発明の目的は、上述した第２の実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても達成される。
【００８６】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した第２の実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【００８７】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
【００８８】
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した第２の実施の形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した第２の実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【００８９】
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した第２の実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１におけるベベルポリマー除去装置の部分断面図である。
【図３】本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法として実行される検査処理のフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法が適用される基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。
【図５】本実施の形態に係る基板周縁部処理装置の検査方法として実行される検査処理のフローチャートである。
【図６】ベベルポリマー除去装置の構成を概略的に示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
Ｗ  ウエハ
Ｗｂ  ブランケットウエハ
Ｐ  ポリマー
Ｒ  レジスト膜
１０，５４  基板処理システム
３２  ベベルポリマー除去装置
３７  ベベルポリマー除去機構
３８  レーザ光照射器
３９  オゾンガス供給器
【図１】
2009182046.tif 000003
【図２】
2009182046.tif 000004
【図３】
2009182046.tif 000005
【図４】
2009182046.tif 000006
【図５】
2009182046.tif 000007
【図６】
2009182046.tif 000008