(57)【要約】【課題】本発明は、シード層と絶縁層との間に設けられた密着層を備えた配線基板及びその製造方法に関し、絶縁層から密着層が剥がれることを防止することのできる配線基板及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁層１３と、配線１９と、配線１９の形成領域に対応する部分の絶縁層１３の上面１３Ａに設けられた密着層と、密着層と配線１９との間に設けられたシード層１６と、を備えた配線基板１０であって、密着層としてＮｉ−Ｃｕ合金層１５を設けた。【選択図】図９
2009188324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、配線と、前記配線の形成領域に対応する部分の前記絶縁層の上面に設けられた密着層と、前記密着層と前記配線との間に設けられたシード層と、を備えた配線基板であって、
前記密着層は、Ｎｉ−Ｃｕ合金層であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
パッドの上面を露出する開口部を有した絶縁層と、前記開口部に配置されるビア及び前記ビアと接続された配線を有する配線パターンと、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記絶縁層の面及び前記パッドの上面に設けられた密着層と、前記密着層と前記配線パターンとの間に設けられたシード層と、を備えた配線基板であって、
前記密着層は、Ｎｉ−Ｃｕ合金層であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記Ｎｉ−Ｃｕ合金層に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％にすると共に、前記シード層としてＣｕ層を用いることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁層と、配線と、前記配線の形成領域に対応する部分の前記絶縁層の上面に設けられた密着層と、前記密着層と前記配線との間に設けられたシード層と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層の上面を覆うように、前記密着層となるＮｉ−Ｃｕ合金層を形成するＮｉ―Ｃｕ合金層形成工程と、
前記Ｎｉ−Ｃｕ合金層の上面を覆うように前記シード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層の上面に、前記配線の形成領域に対応する部分の前記シード層の上面を露出する開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜形成工程後に、前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記開口部から露出された部分の前記シード層に前記配線を形成する配線形成工程と、
前記配線形成工程後に前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
前記配線の形成領域以外の領域に形成された前記シード層及び前記Ｎｉ―Ｃｕ合金層を除去するシード層及びＮｉ―Ｃｕ合金層除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
パッドの上面を露出する開口部を有した絶縁層と、前記開口部に配置されるビア及び前記ビアと接続された配線を有する配線パターンと、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記絶縁層の面及び前記パッドの上面に設けられた密着層と、前記密着層と前記配線パターンとの間に設けられたシード層と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層の上面と、前記開口部を構成する部分の前記絶縁層の面及び前記パッドとを覆うように、前記密着層となるＮｉ−Ｃｕ合金層を形成するＮｉ―Ｃｕ合金層形成工程と、
前記Ｎｉ−Ｃｕ合金層の上面を覆うように前記シード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層の上面に、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記シード層の上面を露出する開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜形成工程後に、前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記開口部から露出された部分の前記シード層に前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
前記配線パターン形成工程後に前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
前記配線パターンの形成領域以外の領域に形成された前記シード層及び前記Ｎｉ―Ｃｕ合金層を除去するシード層及びＮｉ―Ｃｕ合金層除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記シード層形成工程では、前記シード層としてＣｕ層を形成し、
前記Ｎｉ―Ｃｕ合金層形成工程では、前記Ｎｉ−Ｃｕ合金層に含まれるＮｉの含有率が２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％となるように前記Ｎｉ−Ｃｕ合金層を形成することを特徴とする請求項４又は５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記Ｎｉ―Ｃｕ合金層形成工程では、スパッタリング法により前記Ｎｉ−Ｃｕ合金層を形成することを特徴とする請求項４ないし６のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関し、特に、シード層と絶縁層との間に設けられた密着層を備えた配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の配線基板の断面図である。
【０００３】
図１を参照するに、従来の配線基板１００は、基板本体１０１と、パッド１０２と、絶縁層１０３と、ＣｕＮ層１０５と、Ｃｕ層１０６と、配線パターン１０８と、配線１０９とを有する。
【０００４】
基板本体１０１は、パッド１０２及び絶縁層１０３が形成される基板である。基板本体１０１としては、例えば、コア付きビルドアップ基板やコアレス基板等を用いることができる。
【０００５】
パッド１０２は、基板本体１０１の上面１０１Ａに設けられている。パッド１０２は、基板本体１０１に設けられたビア及び配線（共に図示せず）と電気的に接続されている。
【０００６】
絶縁層１０３は、基板本体１０１の上面１０１Ａに設けられており、パッド１０２の上面を露出する開口部１１１を有する。絶縁層１０３としては、例えば、絶縁樹脂層を用いることができる。
【０００７】
ＣｕＮ層１０５は、配線パターン１０８の形成領域に対応する部分の絶縁層１０３の面及びパッド１０２の上面と、配線１０９の形成領域に対応する部分の絶縁層１０３の上面１０３Ａとに設けられている。ＣｕＮ層１０５は、絶縁層１０３とＣｕ層１０６との間に配置された密着層である。ＣｕＮ層１０５は、Ｃｕ用のエッチング液により除去可能な金属層である。
【０００８】
Ｃｕ層１０６は、ＣｕＮ層１０５の上面を覆うように設けられている。Ｃｕ層１０６は、電解めっき法により、配線パターン１０８及び配線１０９を構成するめっき膜を析出成長させる際の給電層である。
【０００９】
配線パターン１０８は、ビア１１３と、ビア１１３の上部と一体的に構成された配線１１４とを有する。ビア１１３は、開口部１１１に形成されたＣｕ層１０６上に設けられている。配線１１４は、ビア１１３の上部及びシード層１０６の上面に設けられている。配線パターン１０８の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。上記構成とされた配線パターン１０８は、ＣｕＮ層１０５及びＣｕ層１０６を介して、パッド１０２と電気的に接続されている。
【００１０】
配線１０９は、配線パターン１０８から離間した位置に形成されたＣｕ層１０６上に設けられている。配線１０９の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００１１】
図２〜図８は、従来の配線基板の製造工程を示す図である。図２〜図８において、従来の配線基板１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１２】
図２〜図８を参照して、従来の配線基板１００の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、周知の手法により、基板本体１０１の上面１０１Ａに、パッド１０２と、開口部１１１を有した絶縁層１０３とを形成する。
【００１３】
次いで、図３に示す工程では、スパッタリング法により、絶縁層１０３の上面１０３Ａと、開口部１１１を構成する部分の絶縁層１０３の面及びパッド１０２の上面とを覆うようにＣｕＮ層１０５を形成する。
【００１４】
次いで、図４に示す工程では、スパッタリング法により、ＣｕＮ層１０５の上面を覆うようにＣｕ層１０６を形成する。次いで、図５に示す工程では、Ｃｕ層１０６の上面に、開口部１１６Ａ，１１６Ｂを有したレジスト膜１１６を形成する。開口部１１６Ａは、配線パターン１０８の形成領域に対応する部分のＣｕ層１０６の上面を露出するように形成する。また、開口部１１６Ｂは、配線１０９の形成領域に対応する部分のＣｕ層１０６の上面を露出するように形成する。
【００１５】
次いで、図６に示す工程では、Ｃｕ層１０６を給電層とする電解めっき法により、開口部１１６Ａ，１１６Ｂから露出された部分のＣｕ層１０６の上面にめっき膜を析出成長させることで、配線パターン１０８及び配線１０９を形成する。この段階では、配線パターン１０８と配線１０９は、ＣｕＮ層１０５及びＣｕ層１０６を介して、電気的に接続されている。
【００１６】
次いで、図７に示す工程では、図６に示すレジスト膜１１６を除去する。次いで、図８に示す工程では、Ｃｕ用のエッチング液（例えば、５％硫酸と１．２％過酸化水素水とを含むエッチング液）を用いたウエットエッチングにより、Ｃｕ層１０６とＣｕＮ層１０５とを同時に除去する。これにより、従来の配線基板１００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−２１８５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、従来の配線基板１００では、絶縁層１０３とシード層１０５との間に形成する密着層として、絶縁層１０３に対する密着性の悪いＣｕＮ層１０５を用いていたため、絶縁層１０３からＣｕＮ層１０５が剥がれてしまうという問題があった。
【００１８】
なお、絶縁層１０３に形成されたＣｕＮ層１０５をピール試験した際に得られるピール強度は、０．３kgf/cm程度であり、絶縁層１０３とシード層１０５との間に形成する密着層としてはピール強度が０．５kgf/cm以上が好ましい。
【００１９】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、絶縁層から絶縁層とシード層との間に配置された密着層が剥がれることを防止することのできる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の一観点によれば、絶縁層と、配線と、前記配線の形成領域に対応する部分の前記絶縁層の上面に設けられた密着層と、前記密着層と前記配線との間に設けられたシード層と、を備えた配線基板であって、前記密着層は、Ｎｉ−Ｃｕ合金層であることを特徴とする配線基板が提供される。
【００２１】
本発明によれば、配線の形成領域に対応する部分の絶縁層の上面に設けられると共に、シード層と絶縁層との間に配置される密着層として、絶縁層に対する密着性が良好なＮｉ−Ｃｕ合金層を用いることにより、密着層であるＮｉ―Ｃｕ合金層が絶縁層から剥がれることを防止できる。
【００２２】
本発明の他の観点によれば、パッドの上面を露出する開口部を有した絶縁層と、前記開口部に配置されるビア及び前記ビアと接続された配線を有する配線パターンと、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記絶縁層の面及び前記パッドの上面に設けられた密着層と、前記密着層と前記配線パターンとの間に設けられたシード層と、を備えた配線基板であって、前記密着層は、Ｎｉ−Ｃｕ合金層であることを特徴とする配線基板が提供される。
【００２３】
本発明によれば、配線パターンの形成領域に対応する部分の絶縁層の面及びパッドの上面に設けられると共に、シード層と絶縁層との間に配置される密着層として、絶縁層に対する密着性が良好なＮｉ−Ｃｕ合金層を用いることにより、密着層であるＮｉ―Ｃｕ合金層が絶縁層から剥がれることを防止できる。
【００２４】
本発明のその他の観点によれば、絶縁層と、配線と、前記配線の形成領域に対応する部分の前記絶縁層の上面に設けられた密着層と、前記密着層と前記配線との間に設けられたシード層と、を備えた配線基板の製造方法であって、前記絶縁層の上面を覆うように、前記密着層となるＮｉ−Ｃｕ合金層を形成するＮｉ―Ｃｕ合金層形成工程と、前記Ｎｉ−Ｃｕ合金層の上面を覆うように前記シード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層の上面に、前記配線の形成領域に対応する部分の前記シード層の上面を露出する開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜形成工程後に、前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記開口部から露出された部分の前記シード層に前記配線を形成する配線形成工程と、前記配線形成工程後に前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、前記配線の形成領域以外の領域に形成された前記シード層及び前記Ｎｉ―Ｃｕ合金層を除去するシード層及びＮｉ―Ｃｕ合金層除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【００２５】
本発明によれば、絶縁層の上面を覆うように密着層となるＮｉ−Ｃｕ合金層を形成し、次いで、Ｎｉ−Ｃｕ合金層の上面を覆うようにシード層を形成し、次いで、シード層の上面に配線の形成領域に対応する部分のシード層の上面を露出する開口部を有したレジスト膜を形成し、その後、シード層を給電層とする電解めっき法により、開口部から露出された部分のシード層に配線を形成し、次いで、レジスト膜を除去し、その後、配線の形成領域以外の領域に形成されたシード層及びＮｉ―Ｃｕ合金層を除去することにより、配線の形成領域に対応する部分のシード層と絶縁層との間に、絶縁層に対する密着性が良好な密着層としてＮｉ−Ｃｕ合金層を形成することが可能となるため、密着層であるＮｉ―Ｃｕ合金層が絶縁層から剥がれることを防止できる。
【００２６】
本発明のその他の観点によれば、パッドの上面を露出する開口部を有した絶縁層と、前記開口部に配置されるビア及び前記ビアと接続された配線を有する配線パターンと、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記絶縁層の面及び前記パッドの上面に設けられた密着層と、前記密着層と前記配線パターンとの間に設けられたシード層と、を備えた配線基板の製造方法であって、前記絶縁層の上面と、前記開口部を構成する部分の前記絶縁層の面及び前記パッドとを覆うように、前記密着層となるＮｉ−Ｃｕ合金層を形成するＮｉ―Ｃｕ合金層形成工程と、前記Ｎｉ−Ｃｕ合金層の上面を覆うように前記シード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層の上面に、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記シード層の上面を露出する開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜形成工程後に、前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記開口部から露出された部分の前記シード層に前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターン形成工程後に前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、前記配線パターンの形成領域以外の領域に形成された前記シード層及び前記Ｎｉ―Ｃｕ合金層を除去するシード層及びＮｉ―Ｃｕ合金層除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【００２７】
本発明によれば、絶縁層の上面と、開口部を構成する部分の絶縁層の面及びパッドとを覆うように密着層となるＮｉ−Ｃｕ合金層を形成し、次いで、Ｎｉ−Ｃｕ合金層の上面を覆うようにシード層を形成し、次いで、シード層の上面に配線パターンの形成領域に対応する部分のシード層の上面を露出する開口部を有したレジスト膜を形成し、その後、シード層を給電層とする電解めっき法により、開口部から露出された部分のシード層に配線パターンを形成し、次いで、レジスト膜を除去し、その後、配線パターンの形成領域以外の領域に形成されたシード層及びＮｉ―Ｃｕ合金層を除去することにより、配線パターンの形成領域に対応する部分のシード層と絶縁層との間に、絶縁層に対する密着性が良好な密着層としてＮｉ−Ｃｕ合金層を形成することが可能となるため、密着層であるＮｉ―Ｃｕ合金層が絶縁層から剥がれることを防止できる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、絶縁層からシード層と絶縁層との間に設けられた密着層が剥がれることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００３０】
（実施の形態）
図９は、本発明の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【００３１】
図９を参照するに、本実施の形態の配線基板１０は、基板本体１１と、パッド１２と、絶縁層１３と、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５と、シード層１６と、配線パターン１８と、配線１９とを有する。
【００３２】
基板本体１１は、パッド１２及び絶縁層１３が形成される基板である。基板本体１１としては、例えば、コア付きビルドアップ基板やコアレス基板等を用いることができる。パッド１２は、基板本体１１の上面１１Ａに設けられている。パッド１２は、基板本体１１に設けられた配線及びビア（共に図示せず）と電気的に接続されている。
【００３３】
絶縁層１３は、基板本体１１の上面１１Ａに設けられており、パッド１２の上面を露出する開口部２１を有する。開口部２１は、配線パターン１８を構成するビア２３を配設するためのものである。絶縁層１３としては、例えば、絶縁樹脂層を用いることができる。絶縁樹脂層の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００３４】
Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５は、配線パターン１８及び配線１９の形成領域に対応する部分の絶縁層の上面１３Ａ、開口部２１の側面を構成する部分の絶縁層１３の面、及び開口部２１の底面を構成する部分のパッド１２の上面に設けられている。Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５は、絶縁層１３とシード層１６との間に配置された密着層である。
【００３５】
Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率は、例えば、２０ｗｔ％以上とするとよい。これにより、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５と絶縁層１３との間の密着性を向上させることが可能となる。具体的には、絶縁層１３に設けられたＮｉ−Ｃｕ合金層１５のピール強度を０．５kgf/cm以上にすることが可能となる。なお、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率が２０ｗｔ％未満の場合、絶縁層１３に形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層１５は、ピール強度が０．５kgf/cm未満になってしまうため、密着層として十分な機能を果たすことができない。
【００３６】
このように、絶縁層１３とシード層１６との間に配置する密着層としてＮｉの含有率が２０ｗｔ％以上とされたＮｉ−Ｃｕ合金層１５を用いることにより、絶縁層１３とＮｉ−Ｃｕ合金層１５との間の密着性が向上するため、絶縁層１３から密着層であるＮｉ−Ｃｕ合金層１５が剥がれることを防止できる。
【００３７】
また、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率は、例えば、２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定するとよい。
【００３８】
このように、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定することにより、絶縁層１３から密着層であるＮｉ−Ｃｕ合金層１５が剥がれることがなくなると共に、例えば、シード層１６としてＣｕ層を用いた場合に不要な部分のシード層１６を除去する（図１６参照）ために使用するＣｕ用エッチング液（例えば、硫酸系水溶液）を用いて、Ｎｉ―Ｃｕ合金層１５を除去することができる。
【００３９】
なお、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率が７５ｗｔ％を超えた場合、Ｃｕ用エッチング液を用いてＮｉ−Ｃｕ合金層１５を除去することは困難となる。Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定した場合、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５の厚さは、例えば、３０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。
【００４０】
シード層１６は、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５の上面を覆うように設けられている。シード層１６は、電解めっき法により、配線パターン１８及び配線１９を形成する際の給電層である。シード層１６としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層１６としてＣｕ層を用いる場合、シード層１６の厚さは、例えば、３００ｎｍ〜５００ｎｍとすることができる。
【００４１】
配線パターン１８は、ビア２３と、ビア２３の上部と一体的に構成された配線２４とを有する。ビア２３は、開口部２１に形成されたシード層１６上に設けられている。配線２４は、ビア２３及びシード層１６上に設けられている。配線パターン１８の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。上記構成とされた配線パターン１８は、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５及びＣｕ層１６を介して、パッド２１と電気的に接続されている。
【００４２】
配線１９は、配線パターン１８から離間した位置に配置されたＣｕ層１６の上面に設けられている。配線１９の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００４３】
本実施の形態の配線基板によれば、絶縁層１３とシード層１６との間に配置する密着層としてＮｉの含有率が２０ｗｔ％以上とされたＮｉ−Ｃｕ合金層１５を用いることにより、絶縁層１３とＮｉ−Ｃｕ合金層１５との間の密着性が向上するため、絶縁層１３から密着層であるＮｉ−Ｃｕ合金層１５が剥がれることを防止できる。
【００４４】
また、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定することにより、絶縁層１３から密着層であるＮｉ−Ｃｕ合金層１５が剥がれることがなくなると共に、例えば、シード層１６としてＣｕ層を用いた場合に不要な部分のシード層１６を除去する（図１６参照）ために使用するＣｕ用エッチング液（例えば、硫酸系水溶液）を用いて、Ｎｉ―Ｃｕ合金層１５を除去することができる。
【００４５】
図１０〜図１６は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図１０〜図１６において、本実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４６】
図１０〜図１６を参照して、本実施の形態の配線基板１０の製造方法について説明する。始めに、図１０に示す工程では、周知の手法により、基板本体１１の上面１１Ａに、パッド１２と、開口部２１を有した絶縁層１３とを順次形成し、その後、Ａｒプラズマにより、絶縁層１３の上面１３Ａ及び開口部２１を構成する部分の絶縁層１３の面を清浄化（水分等の除去）させる。
【００４７】
基板本体１１としては、例えば、コア付きビルドアップ基板やコアレス基板等の基板を用いることができる。パッド１２は、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法等により形成することができる。また、パッド１２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。絶縁層１３は、例えば、パッド１２が形成された基板本体１１の上面１１Ａに、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる半硬化状態の絶縁樹脂シートを貼り付け、半硬化状態の絶縁樹脂シートを硬化させることで形成する。開口部２１は、例えば、レーザ加工法により形成する。
【００４８】
次いで、図１１に示す工程では、絶縁層１３の上面１３Ａと、開口部２１を構成する部分の絶縁層１３の面及びパッド１２の上面とを覆うように、Ｎｉの含有率が２０％以上とされたＮｉ−Ｃｕ合金層１５を形成する（Ｎｉ−Ｃｕ合金層形成工程）。
【００４９】
このように、絶縁層１３とシード層１６との間に配置する密着層としてＮｉの含有率が２０ｗｔ％以上とされたＮｉ−Ｃｕ合金層１５を形成することにより、絶縁層１３とＮｉ−Ｃｕ合金層１５との間の密着性が向上する（具体的には、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５のピール強度が０．５kgf/cm以上になる）ため、絶縁層１３から密着層であるＮｉ−Ｃｕ合金層１５が剥がれることを防止できる。
【００５０】
また、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率は、例えば、２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定するとよい。
【００５１】
このように、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定することにより、絶縁層１３から密着層であるＮｉ−Ｃｕ合金層１５が剥がれることがなくなると共に、例えば、シード層１６としてＣｕ層を用いた場合、後述する図１６に示す工程において、不要な部分のシード層１６を除去する際に使用するＣｕ用エッチング液（例えば、硫酸系水溶液）を用いて、不要な部分のシード層１６（配線パターン１８及び配線１９の形成領域以外に形成された部分のシード層１６）と共に、不要な部分のＮｉ―Ｃｕ合金層１５（配線パターン１８及び配線１９の形成領域以外に形成された部分のＮｉ―Ｃｕ合金層１５）を除去することが可能となる。これにより、不要な部分のシード層１６と、不要な部分のＮｉ―Ｃｕ合金層１５とを別々のエッチング液を用いて除去する必要がなくなるため、配線基板１０の製造コストの増加を抑制することができる。
【００５２】
Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定した場合、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５の厚さは、例えば、３０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。
【００５３】
また、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５は、例えば、スパッタリング法により形成するとよい。このように、スパッタリング法を用いてＮｉ−Ｃｕ合金層１５を形成することにより、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率が所望の割合となるように精度良くＮｉ−Ｃｕ合金層１５を形成することができる。
【００５４】
次いで、図１２に示す工程では、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５の上面を覆うように、シード層１６を形成する（シード層形成工程）。シード層１６は、例えば、スパッタ法により形成するとよい。
【００５５】
このように、スパッタ法を用いてシード層１６を形成することにより、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５を形成する際に使用するスパッタ装置を用いてシード層１６を形成することができる。
【００５６】
シード層１６としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層１６としてＣｕ層を用いた場合、シード層１６の厚さは、例えば、３００ｎｍ〜５００ｎｍとすることができる。
【００５７】
次いで、図１３に示す工程では、シード層１６の上面に、開口部２７Ａ，２７Ｂを有したレジスト膜２７を形成する（レジスト膜形成工程）。開口部２７Ａは、配線パターン１８の形成領域に対応する部分のシード層１６の上面を露出するように形成する。開口部２７Ｂは、配線１９の形成領域に対応する部分のシード層１６の上面を露出するように形成する。
【００５８】
次いで、図１４に示す工程では、シード層１６を給電層とする電解めっき法により、開口部２７Ａ，２７Ｂに露出された部分のシード層１６上にめっき膜（例えば、Ｃｕめっき膜）を析出成長させることで、ビア２３及び配線２４を備えた配線パターン１８と、配線１９とを同時に形成する（配線パターン形成工程及び配線形成工程）。この段階では、配線パターン１８は、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５及びシード層１６を介して、配線１９と電気的に接続されている。配線１９，２４の厚さは、例えば、２０μｍとすることができる。
【００５９】
次いで、図１５に示す工程では、図１４に示すレジスト膜２７を除去する（レジスト膜除去工程）。次いで、図１６に示す工程では、配線パターン１８及び配線１９の形成領域以外の領域に形成された部分のシード層１６及びＮｉ−Ｃｕ合金層１５（言い換えれば、不要な部分のシード層１６及びＮｉ−Ｃｕ合金層１５）を除去する（シード層及びＮｉ−Ｃｕ合金層除去工程）。
【００６０】
具体的には、シード層１６としてＣｕ層を用いると共に、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率が２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の場合、不要な部分のシード層１６及びＮｉ−Ｃｕ合金層１５は、Ｃｕ用エッチング液（例えば、硫酸系水溶液）を用いることで同時に除去する。これにより、本実施の形態の配線基板１０が製造される。
【００６１】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、絶縁層１３とシード層１６との間に配置する密着層としてＮｉの含有率が２０ｗｔ％以上とされたＮｉ−Ｃｕ合金層１５を形成することにより、絶縁層１３とＮｉ−Ｃｕ合金層１５との間の密着性が向上する（具体的には、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５のピール強度が０．５kgf/cm以上になる）ため、絶縁層１３から密着層であるＮｉ−Ｃｕ合金層１５が剥がれることを防止できる。
【００６２】
また、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定することにより、例えば、シード層１６としてＣｕ層を用いた場合、不要な部分のシード層１６を除去する際に使用するＣｕ用エッチング液を用いて、不要な部分のシード層１６と不要な部分のＮｉ―Ｃｕ合金層１５とを同一工程で除去することが可能となるため、配線基板１０の製造コストの増加を抑制することができる。
【００６３】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、シード層と絶縁層との間に設けられた密着層を備えた配線基板及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】従来の配線基板の断面図である。
【図２】従来の配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図３】従来の配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図４】従来の配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図５】従来の配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図６】従来の配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図７】従来の配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図８】従来の配線基板の製造工程を示す図（その７）である。
【図９】本発明の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。
【符号の説明】
【００６６】
１０  配線基板
１１  基板本体
１１Ａ，１３Ａ  上面
１２  パッド
１３  絶縁層
１５  Ｎｉ−Ｃｕ合金層
１６  シード層
１８  配線パターン
１９，２４  配線
２１  開口部
２３  ビア
２７  レジスト膜
２７Ａ，２７Ｂ  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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