(57)【要約】【課題】気泡に起因した誘電体層のクラック抑制と透過率低下というトレードオフの問題を解決したＰＤＰ誘電体層を提供すること。【解決手段】前面板側の誘電体層の形成が、（ｉ）電極が形成された基板上に、誘電体原料を供給して誘電体原料層を形成する工程、（ｉｉ）誘電体原料層の所定箇所を局所的に熱処理する工程、および、（ｉｉｉ）誘電体原料層を全体的に熱処理する工程を含んで成ることを特徴とするプラズマディスプレイパネル前面板の製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成されたプラズマディスプレイパネルの前面板の製造方法であって、
前記誘電体層の形成が、
（ｉ）前記電極が形成された前記基板上に、誘電体原料を供給して誘電体原料層を形成する工程、
（ｉｉ）前記誘電体原料層の所定箇所を局所的に熱処理する工程、および
（ｉｉｉ）前記誘電体原料層を全体的に熱処理する工程
を含んで成ることを特徴とする、製造方法。
【請求項２】
前記所定箇所を局所的に熱処理することによって、前記誘電体原料層中に気泡を発生させることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記所定箇所が、前記電極上の領域を含んだ局所的な誘電体原料領域であることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記局所的な誘電体原料領域の幅Ｄ１ｘと前記電極のバス電極幅Ｂ１ｘとが１≦Ｄ１ｘ／Ｂ１ｘ≦２の関係を満たすことを特徴とする、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記電極のバス電極上に発生する前記気泡は、前記バス電極上に位置する誘電体原料領域の５〜６７体積％を占めることを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
前記所定箇所の局所的な熱処理における昇温速度が、前記誘電体原料層の全体的な熱処理における昇温速度よりも大きいことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
前記誘電体原料が有機溶剤を含んで成り、
前記気泡が前記有機溶剤に起因して発生することを特徴とする、請求項２〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
基板ａ上に電極ａと誘電体層ａと保護層とが形成された前面板と、基板ｂ上に電極ｂと誘電体層ｂと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板とが対向配置されているプラズマディスプレイパネルであって、
前記前面板において、前記電極ａ上の領域を含む局所的な誘電体層領域に気泡が存在していることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記局所的な誘電体層領域の幅Ｄ２ｘと前記電極ａのバス電極幅Ｂ２ｘとが１≦Ｄ２ｘ／Ｂ２ｘ≦２の関係を満たすことを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記電極ａのバス電極上に存在する気泡が、前記バス電極上に位置している「前記誘電体層ａの誘電体層領域」の５〜６７体積％を占めていることを特徴とする、請求項８または９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記誘電体層ａの比誘電率が５以下であることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特にプラズマディスプレイパネル前面板の誘電体層の製造方法に関する。また、本発明は、かかる製造方法を通じて得ることができるプラズマディスプレイパネルにも関する。
【背景技術】
【０００２】
高品位テレビジョン画像を大画面で表示するためのディスプレイ装置として、プラズマディスプレイパネル（以下、PDPとも称す）を用いたディスプレイ装置への期待は高まっている。
【０００３】
ＰＤＰは、前面板と背面板とを対向配置して周辺部を封着部材によって封着した構造であり、前面板と背面板との間に形成された放電空間にはネオンおよびキセノンなどの放電ガスが封入されている。前面板は、ガラス基板の一方の面に形成された走査電極と維持電極とから成る表示電極対と、これらの電極を覆う誘電体層および保護層とを備えている。背面板は、ガラス基板に上記表示電極対と直交する方向にストライプ状に形成された複数のアドレス電極と、これらのアドレス電極を覆う下地誘電体層と、放電空間をアドレス電極毎に区画する隔壁と、隔壁の側面および下地誘電体層上に塗布された赤色・緑色・青色の蛍光体層とを備えている。
【０００４】
表示電極対とアドレス電極とは直交していて、その交差部が放電セルになっている。これらの放電セルはマトリクス状に配列されており、表示電極対の方向に並ぶ赤色・緑色・青色の蛍光体層を有する３個の放電セルがカラー表示のための画素になる。このようなＰＤＰでは、順次、走査電極とアドレス電極間、および走査電極と維持電極間に所定の電圧が印加されてガス放電を発生させている。そして、かかるガス放電によって生じる紫外線で蛍光体層を励起して可視光を発光させることによってカラー画像を表示している。
【０００５】
近年では、ＰＤＰの高精細化に伴って放電セルが微細化してきている。放電セルのサイズが小さくなると、発光輝度が低下し、消費電力が増大するという問題がある。これは、開口率の減少、画素数の増加に伴う１画素当りの発光時間の減少、発光効率の低下などに起因する。発光輝度を高める方法として、背面板の隔壁の幅を細くすることにより開口率の増加を図る方法があるが、それだけでは発光輝度が依然不足しており、更なる改善が必要である。
【０００６】
発光輝度を高める他の方法として、前面板における誘電体の誘電率を下げて放電時の無効電力を低減し、発光効率を高める方法がある。現行のＰＤＰ製造方法において前面板側の誘電体層は、数μｍの大きさのガラス粉末と有機バインダと溶媒を含むガラス材料をスクリーン印刷やダイコートなど公知の方法を用いてガラス板上に塗布している。その後、乾燥工程、脱バインダ工程（３００〜４００℃）、焼成工程（５００〜６００℃）を経て、平坦で透過度の高い誘電体層を形成している。しかしながら現行の誘電体材料はガラス粉末を低温で溶融させるため、ガラスの融点を低下させる材料（一般的にBiなど）を添加している（例えば、特許文献１を参照）。この低融点ガラス材料は純度が低く、比誘電率が１０以上と高い。また、他の物質（一般的にアルカリ金属など）を添加することで比誘電率を低下させることも可能であるものの、PDPの電極には銀などの高導電性金属が主成分として用いられているので、イオンマイグレーションによる銀の拡散およびコロイド化が促進され、誘電体に黄変現象が発生する。これはPDPの光学特性に対して悪影響を大きく及ぼす。
【０００７】
そこで誘電体層の誘電率を下げることで発光輝度を高めるためには、現行のガラスペーストに変わる新しい低誘電率材料およびその材料を用いた誘電体層の形成方法の開発が必要となる。高純度の酸化物誘電体層を形成する方法としては、固体酸化物を真空下でスパッタリングして基板に堆積させる方法（スパッタリング蒸着法）や、原料をプラズマにより分解し、堆積させる方法（化学蒸着法）などがある。これらの方法により高純度で低誘電率の誘電体層を形成することが可能であるものの、高価な真空設備を必要とし、成膜レートが毎分数１００ｎｍ程度と小さい。また、必要とする膜厚は絶縁耐圧などの関係上、一般的には１０μｍ以上は必要であり、生産性を高めながら誘電体層を形成するには、設備台数が増えてしまうといった問題がある。
【０００８】
別法にて、純度の高いシリカを溶融させることが考えられるが、１０００℃以上の高温を必要とするために現実的ではない。
【０００９】
一方、生産性を確保しながら、低誘電率の誘電体を形成する方法としてゾルゲル法がある。この方法では、溶媒中の金属アルコキシドを加水分解してシリコン化合物を得た後、加熱に付して縮重合処理することによって、酸化ケイ素を主成分とする膜を形成している。例えばシリコン化合物が水酸化ケイ素（Ｓｉ（ＯＨ）４）の場合、下記のような縮重合反応によって、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−のネットワークが形成され、誘電体層となる固体のＳｉＯ２が形成される：
ｎＳｉ（ＯＨ）４→ｎＳｉＯ２＋２ｎＨ２Ｏ
（ｎ：１以上の整数）
また、シリコン化合物がシロキサンの場合では、下記のような縮重合反応によって誘電体層が形成される：
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この方法によれば、ガラスを溶融させる過程を経ないので低温で誘電体を形成できる。しかしながら、縮合重合反応に起因した体積収縮によって誘電体層にクラックが発生し、厚膜（一般的には約数μｍ程度）を形成することが一般に困難である。特に、電極上に誘電体を形成した場合、縮合重合反応時の体積収縮に起因した応力（より具体的には、縮重合反応による固体化に起因して誘電体膜が基板から受ける引張り応力）が、電極のエッジ部分に集中する。ここで、前面板の電極は、ＩＴＯのような透明電極上に、表示電極の抵抗値を下げるために、銀を主成分とする導電層が形成されている。従って、そのような電極を覆うように誘電体を形成した場合、縮合重合反応による体積収縮に起因した応力が電極のエッジ部分に集中することになり、電極に沿うような形態で誘電体層にクラックが発生してしまう（図９および図１０参照）。
【００１０】
これに対処するために、酸または塩基の触媒を用い、収縮を抑制するために金属アルコキシドにフェニル基やアクリル基などの有機官能基を付与することで厚膜化を実現する方法がある（例えば、特許文献２を参照）。この方法では、調製された誘電体材料を、公知の方法によって塗布し、熱または紫外線により処理することでＰＤＰ誘電体層を形成している。しかしながら、この方法で調製された材料では、４００℃程度の高温大気雰囲気下にて、付与された有機物の分解が促進されることが考えられる。その結果、体積収縮に起因してクラックが発生することになり、誘電体層形成工程以降の高温工程において品質を保証できない。
【００１１】
また、別法にて、４００℃程度の不活性雰囲気下で焼成することによって誘電体層を形成する方法がある（例えば、特許文献３を参照）。この方法では、前駆体としてメチル基またはエチル基などの上記有機官能基と比べて分子量の小さい有機官能基を付与した金属アルコキシドを用い、誘電体材料を調製している。調製された誘電体材料は、公知の方法により塗布、硬化することで、１０μｍ以上の層を形成することができる。しかしながらこの方法では、誘電体層形成工程以降の全ての工程を不活性ガス雰囲気下にする必要があり、大きな設備と厳密な管理が必要となる。
【００１２】
更に、別法にて、ゾルゲル法で生成した誘電体材料の中に気泡を含有させることで誘電体層形成時の膜収縮を抑制する方法がある（例えば、特許文献４を参照）。この方法によると気泡が膜に働く応力を細かく分断するので、内部応力の小さい誘電体を形成することが期待できる。しかしながら、誘電体中に生じた気泡に起因して、光の散乱が発生し、透過率が下がってしまう。透過率が下がると、輝度が低下し。輝度が下がると発光効率が低下し、消費電力が上昇することになる。換言すれば、発生した気泡に起因する膜収縮抑制という有利な側面と、発生した気泡に起因する透過率低下という不利な側面とはトレードオフ（trade−off）の関係になる。
【特許文献１】特開２００２−０５３３４２号公報
【特許文献２】特開２００５−１０８６９１号公報
【特許文献３】特表２００３−５１８３１８号公報
【特許文献４】特開２００１−１３５２２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたものである。つまり、本発明の課題は、気泡による誘電体層のクラック抑制と透過率低下というトレードオフの問題を解決または軽減したＰＤＰ誘電体層の製造法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明は、基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成されたプラズマディスプレイパネルの前面板の製造方法であって、
誘電体層の形成が、
（ｉ）電極が形成された基板上に、誘電体原料を供給して誘電体原料層を形成する工程、
（ｉｉ）誘電体原料層の所定箇所を局所的に熱処理する工程、および
（ｉｉｉ）誘電体原料層を全体的に熱処理する工程
を含んで成ることを特徴とする、製造方法を提供する。
【００１５】
本発明は、誘電体層の形成に際して、「局所的な熱処理」と「全体的な熱処理」とを併用することを特徴としている。より具体的には、「誘電体原料を供給することによって得られる誘電体原料層の所定箇所を部分的に熱処理すること」および「誘電体原料層を全体的に熱処理すること」によって誘電体層を形成している。
【００１６】
本明細書で用いる「所定箇所」とは、誘電体原料を供給して得られる誘電体原料層および／又はそれから得られる誘電体層の一部の領域を指しており、そのような一部の領域が複数存在する態様をも含んでいる。また、本明細書で用いる「局所的な熱処理」とは、そのような「誘電体原料層の一部の領域」をスポット的に加熱することを実質的に意味している一方、「全体的な熱処理」とは、誘電体原料層の全てが加熱されるように誘電体原料層を加熱することを実質的に意味している。
【００１７】
ある好適な態様では、所定箇所を局所的に熱処理することによって、誘電体原料層中に気泡を発生させる。この場合、誘電体原料が有機溶剤を含んで成り、有機溶剤に起因して気泡が発生することが好ましい。より具体的には、加熱によって誘電体原料に含まれる有機溶剤を気化又は分解させて気泡を発生させることが好ましい。ここで「誘電体原料層中に気泡を発生させる」とは、所定箇所の加熱により気泡を局所的に発生させると共に、その加熱により所定箇所に縮重合反応を進行させて誘電体原料層からの気泡の散失を防止する態様を実質的に指している。このような態様によって、得られる誘電体層のクラック発生が抑制される。
【００１８】
ある好適な態様では、局所的な熱処理が行われた所定箇所に気泡が最終的に留まることになるように、局所的な熱処理の昇温速度をより高くすることが好ましい。つまり、局所的な熱処理の昇温速度を高くすることによって、誘電体原料層の所定箇所で縮重合反応をより促進させて所定箇所を固化させ、それによって、気泡が誘電体原料層（または誘電体層）から抜けないようにすることが好ましい。その一方で、全体的な熱処理の場合では、誘電体原料層（または誘電体層）に気泡が最終的に留まらないように、全体的な熱処理の昇温速度をより低くすることが好ましい。つまり、全体的な熱処理の昇温速度を低くすることによって誘電体層全体（上記所定箇所を除く）の縮重合反応を遅らせ、それによって、誘電体層全体（上記所定箇所を除く）が固化する前に、発生した気泡が誘電体原料層（または誘電体層）から抜けていくようにすることが好ましい。換言すれば、本発明の製造方法では、クラックが発生し得る所定箇所にのみ気泡が留まることになるように、局所的な熱処理における昇温速度を全体的な熱処理における昇温速度よりも大きくすることが好ましい。
【００１９】
ある好適な態様では、局所的な熱処理を行う所定箇所が、電極上の領域を含んだ局所的な誘電体原料領域となっている。ここでいう「電極」とは、前面板の形成に際して基板上に形成された電極を指しており、例えば走査電極と維持電極とから成る表示電極対である。走査電極および維持電極は、それぞれ、透明電極（蛍光体層で発生した可視光を透過させる電極）、および、かかる透明電極上に形成されたバス電極（表示電極の抵抗を低くして、透明電極の長手方向に導電性を付与するための電極）から構成されている。そのような場合、局所的な誘電体原料領域の幅Ｄ１ｘと電極のバス電極幅Ｂ１ｘとが１≦Ｄ１ｘ／Ｂ１ｘ≦２の関係を満たすことが好ましい。また、ある好適な態様では、電極のバス電極上に発生させる気泡は、かかるバス電極上の誘電体原料領域の５〜６７体積％を占めている。このような場合、誘電体層において「気泡に起因するクラック抑制効果という有利な側面」と「気泡に起因する透過率低下という不利な側面」とのバランスが特に好ましく取れるようになる。
【００２０】
本発明では、上述した製造方法を通じて得られるプラズマディスプレイパネルも提供される。かかるプラズマディスプレイパネルは、基板ａ上に電極ａと誘電体層ａと保護層とが形成された前面板（または前面パネル）と、基板ｂ上に電極ｂと誘電体層ｂと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板（または背面パネル）とが対向配置されているプラズマディスプレイパネルであり、前面板において、電極ａ上の領域を含む局所的な誘電体層領域に気泡が存在していることを特徴とする。
【００２１】
かかる本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面板側の誘電体層ａの形成に際して、「気泡を発生させる局所的な熱処理」と「全体的な熱処理」とが併用されたことに起因して、電極ａ上に位置する領域を含んだ局所的な誘電体層領域（即ち、誘電体層ａの局所的な領域）にのみ実質的に気泡が存在している。
【００２２】
ある好適な態様では、局所的な誘電体層領域の幅Ｄ２ｘと電極ａのバス電極幅Ｂ２ｘとが１≦Ｄ２ｘ／Ｂ２ｘ≦２の関係を満たしている。また、ある好適な態様では、電極ａのバス電極上に存在する気泡が、バス電極上に位置する「誘電体層ａの誘電体層領域」にて５〜６７体積％を占めている。これにより、本発明のＰＤＰでは、誘電体層ａにおいて「気泡に起因するクラック抑制効果という有利な側面」と「気泡に起因する透過率低下という不利な側面」とのバランスが特に好ましく取れている。
【００２３】
更なる好適な態様では、誘電体層ａの比誘電率が５以下となっている。このように誘電体層の誘電率が低くなると、紫外線の発生効率が向上し、ＰＤＰの低電力化に寄与し得る。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の製造方法では、誘電体原料層を局所的に熱処理することによって、誘電体原料層中に気泡を局所的に発生させることができるので、誘電体原料層および／又はそれから得られる誘電体層中に生じ得る応力を緩和することができる。従って、電極に沿って誘電体原料層および／または誘電体層に生じ得るクラック等の物理的欠陥を効果的に防止することができる。クラック等の物理的欠陥が防止されると、得られるＰＤＰは、高精細化に対応可能な優れた耐絶縁性能を有することになり、パネル寿命が伸びる。
【００２５】
ここで、「気泡」というものは、誘電体層中に存在すると透過率を低下させ得るものであるが、本発明の製造方法では、実質的にバス電極上の誘電体層領域にのみ局所的に気泡を発生させている。バス電極は黒色を帯びた電極であり、かかる電極の上方領域というものは、そもそも光が透過することができない領域である。従って、そのような領域に気泡が存在したとしても、誘電体層全体の透過率に対して実質的に悪影響を及ぼさない。換言すれば、本発明の製造方法では、そのような誘電体層全体の透過率に実質的に悪影響を及ぼさないような領域にのみ可及的に気泡を発生させている。
【００２６】
従って、本発明の製造方法では、発生する気泡に起因した誘電体層の透過率低下を抑制しつつも、かかる気泡を用いてクラック発生を好ましく抑制できている。つまり、本発明では、「気泡によるクラック抑制効果という有利な側面」と「気泡による透過率低下という不利な側面」とのトレードオフの問題に対して好ましく対処できている。
【００２７】
このような製造方法で得られるＰＤＰ（即ち、本発明のＰＤＰ）は、誘電体層が所望の透過率を維持しており、また、クラックなどの物理的欠陥を実質的に含んでいないので、所望の輝度が維持されるだけでなく、高精細化に対応可能な優れた耐絶縁性能を備えている（即ち、高電圧の印加でも誘電体層の絶縁破壊が防止されている）。
【００２８】
尚、本発明の製造方法は、クラック発生を懸念することなくゾルゲル法で誘電体層を形成することができるので、比誘電率５以下の誘電体層を形成できる。つまり、本発明のＰＤＰでは、誘電体層の透過率低下の抑制に起因して輝度低下を防止できることに加えて、材料の観点から低誘電率化できるので、結果的に、高い発光効率が達成され、低消費電力のＰＤＰを実現できる。
【００２９】
以下にて、本発明の「プラズマディスプレイパネルの前面板の製造方法」および「プラズマディスプレイパネル」を詳細に説明する。
【００３０】
［プラズマディスプレイパネルの構成］
まず、本発明の製造方法を経ることによって最終的に得られるプラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」とも称す）を簡単に説明する。図１に、ＰＤＰの構成を断面斜視図により模式的に示す。
【００３１】
ＰＤＰ（１００）の前面板（１）では、平滑で透明かつ絶縁性の基板（１０）（例えばガラス基板）上に、走査電極（１２）と維持電極（１３）とから成る表示電極（１１）が複数形成されており、その表示電極（１１）を覆うように誘電体層（１５）が形成され、更に、その誘電体層（１５）上に保護層（１６）（例えば、ＭｇＯから成る保護層）が形成されている。なお、走査電極（１２）および維持電極（１３）は、それぞれ、透明電極（１２ａ，１３ａ）と、この透明電極に電気的に接続されたＡｇ等から成るバス電極（１２ｂ，１３ｂ）とから構成されている。尚、基板（１０）上には、遮光層（１４）も形成され得る。
【００３２】
前面板（１）に対向配置される背面板（２）では、絶縁性の基板（２０）上にアドレス電極（２１）が複数形成され、このアドレス電極（２１）を覆うように誘電体層（２２）が形成されている。そして、かかる誘電体層（２２）上のアドレス電極（２１）間に対応する位置に隔壁（２３）が設けられ、誘電体層（２２）の表面上の隣接する隔壁（２３）の間には、赤、緑、青の各色の蛍光体層（２５）がそれぞれ設けられている。
【００３３】
表示電極（１１）とアドレス電極（２１）とが直交し、且つ、放電空間（３０）が形成されるように、前面板（１）と背面板（２）とは、隔壁（２３）を挟んで対向して配置されている。放電空間（３０）には、放電ガスとして、ヘリウム、ネオン、アルゴンまたはキセノンなどの希ガスが封入される。このような構成を有するＰＤＰ（１００）では、隔壁（２３）によって仕切られ、表示電極（１１）とアドレス電極（２１）とが交差する放電空間（３０）が放電セル（３２）として機能することになる。
【００３４】
［ＰＤＰの一般的な製造法］
次に、このようなＰＤＰ（１００）の典型的な製造方法について簡単に説明する。ＰＤＰ（１００）の製造は、前面板（１）の形成工程と背面板（２）の形成工程とに分かれている。まず、前面板（１）の形成工程においては、ガラス基板（１０）上に、例えばスパッタ法などで透明電極を形成すると共に焼成法等でバス電極を形成することによって表示電極（１１）を形成する。次いで、表示電極（１１）を覆うように誘電体原料をガラス基板（１０）上に塗布して加熱処理して誘電体層（１５）を形成する。次いで、この誘電体層（１５）上に、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法などでＭｇＯなどの膜を形成することで保護層（１６）を形成し、前面板（１）を得ている。
【００３５】
背面板（２）の形成工程においては、ガラス基板（２０）上に、例えば焼成法等でアドレス電極（２１）を形成し、その上に誘電体原料を塗布して誘電体層（２２）を形成する。次いで、所定のパターンで低融点ガラスから成る隔壁（２３）を形成し、その隔壁（２３）の間に蛍光体材料を塗布して焼成することによって蛍光体層（２５）を形成する。次いで、基板の周縁部に例えば低融点フリットガラス材料を塗布し、焼成を行うことで封着部材（図１には図示せず）を形成し、背面板（２）を得ている。
【００３６】
得られた前面板（１）と背面板（２）とを対向するように位置合わせし、その状態で固定したまま加熱して封着部材を軟化させることによって、前面板（１）と背面板（２）とを気密に接合する、いわゆるパネル封着工程を行う。引き続いて、加熱しながら放電空間（３０）内のガスを排気する、いわゆる排気ベーキング工程を行った後、放電空間（３０）内に放電ガスを封入することによって、ＰＤＰ（１００）を完成させる。
【００３７】
［本発明の製造方法］
本発明の方法は、上述のＰＤＰの製造に際して、前面板（特に前面板に設けられる誘電体層）の製造に関している。かかる本発明の方法は、前面板の誘電体層の形成に際して、「局所的な熱処理」と「全体的な熱処理」とを併用することを特徴としている。かかる特徴を図２に模式的に示す。
【００３８】
図３を参照して、本発明の実施形態を説明する。本発明の実施に際しては、まず、図３（ａ）に示すように電極が形成された基板を用意する。「電極が形成された基板」とは、「前面板側の電極ａが形成された基板ａ」のことを意味しており、より具体的には、例えば「表示電極が形成されたガラス基板」のことを指している。つまり、基板ａ（１０）上に、走査電極（１２）と維持電極（１３）とから構成される表示電極（１１）が形成されたものを用意する。基板ａ（１０）としては、ソーダライムガラスや高歪み点ガラス、各種セラミックスからなる絶縁基板であることが好ましく、厚さは１．０ｍｍ〜３ｍｍ程度であることが好ましい。表示電極（１１）の走査電極（１２）および維持電極（１３）には、それぞれ、ＩＴＯ等から成る透明電極（厚さ５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度）（１２ａ、１３ａ）が形成されていると共に、かかる透明電極上に表示電極の抵抗値を下げるべく、銀を含んで成るバス電極（厚さ１μｍ〜８μｍ程度）（１２ｂ、１３ｂ）が形成されている（図４（ｂ）および図９参照）。具体的には、透明電極を薄膜プロセスなどで形成した後に、バス電極を焼成プロセスなどを経て形成する。特に、バス電極の形成に際しては、まず、銀を主成分とした導電性ペーストをスクリーン印刷法によりストライプ状に形成する。また、バス電極は銀を主成分とした感光性ペーストをダイコート法や印刷法により塗布した後に、１００℃〜２００℃で乾燥した後、露光・現像するフォトリソグラフィー法によりパターンニングすることによってストライプ状に形成してもよい。更には、ディスペンス法やインクジェット法によって形成してもよい。そして、最終的には乾燥に付した後、４００℃〜６００℃の焼成に付すことによって、バス電極を得る。尚、透明電極上には、Ａｌ、ＣｕまたはＣｒ等の金属やＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒのような積層体からなる金属電極を形成してもよい。
【００３９】
次いで、工程（ｉ）を実施する。つまり、表示電極（１１）が形成された基板ａ（１０）上に、誘電体原料を塗布して誘電体原料層（１５ａ）を形成する工程を実施する（図３（ｂ）参照）。具体的には、表示電極（１１）を形成した基板ａ（１０）上に、例えばダイコート法で誘電体原料ペーストを塗布して、表示電極（１１）を覆うように誘電体原料層（１５ａ）を基板ａ（１０）上に形成する。ダイコート法とは、ダイヘッドのスリットからペーストを吐出すると共に、ダイヘッドもしくは基板を塗布方向に動かして塗膜を形成する方法であり、厚膜塗布に適している。誘電体原料ペーストは、タンクなどの密閉された容器に仕込んで使用する。タンク内を加圧することでタンクから配管を通して、誘電体原料ペーストをシリンジポンプなどに供給し、更にシリンジポンプなどの機械的な圧送によりダイヘッドに誘電体原料ペーストを供給する。また、塗布膜厚が安定化するように、ペーストの圧送による内圧を塗布幅方向に均一化するためのマニホールドをダイヘッド内に設置することが好ましい。更に、塗布開始時における始端部では、誘電体原料ペーストがダイヘッドのスリットから吐出されるまでの内圧がダイレクトに伝わらないため、塗布速度を部分的に調整して膜厚および形状を調節するとともに、塗布終了時の終端部では、シリンジポンプなどの機械的な圧送を停止することでペーストの供給を停止して膜厚および形状を調節する。なお、終端部での膜厚調整において、機械的圧送を停止しても、ペーストの内圧はすぐには無くならないため、配管の途中に内圧を開放する弁を設けると共に、ペーストのせん断応力によりペーストを切って終端部の形状を安定化させるべく、終端部の塗布完了直後にダイヘッドを上昇させることが好ましい。別法にて、誘電体原料層（１５ａ）は、印刷法によっても形成することができる。このように誘電体原料を塗布することによって形成された誘電体原料層（１５ａ）の厚さは、好ましくは５〜３０μｍであり、より好ましくは１０〜２０μｍである。
【００４０】
本発明の製造方法で用いる誘電体原料（好ましくは誘電体原料ペースト）は、ガラス成分および有機溶剤を含んで成るものである。
【００４１】
ガラス成分は、好ましくはシリコン化合物、より好ましくは「シロキサン結合（またはシロキサン骨格）を有する化合物」を含んでなる成分である。「シロキサン結合（またはシロキサン骨格）を有する化合物」は、−Ｓｉ−Ｏ結合を有する低分子量〜高分子量の化合物であってよく、無機系であるか有機系であるかに制限はない。具体的なガラス成分としては、特に制限されるわけではないが、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４（ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート））、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリイソプロポキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジフルオロジメトキシシラン、ジフルオロジエトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、他のアルコキシド系有機シリコン化合物（Ｓｉ（ＯＲ）４）、例えば、テトラターシャリーブトキシシラン（ｔ−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４）、テトラセコンダリーブトキシシランｓｅｃ−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、テトラターシャリーアミロキシシランＳｉ［ＯＣ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ５］４などを用いることができる他、これらの化合物を加水分解及び縮重合させることにより得られる高分子化合物も用いることができる。
【００４２】
また、有機溶剤としては、特に制限されるわけではないが、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール等のアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）のようなケトン類；α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオールを含むテルペン類；エチレングリコールモノアルキルエーテル類；エチレングリコールジアルキルエーテル類；ジエチレングリコールモノアルキルエーテル類；ジエチレングリコールジアルキルエーテル類；エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；エチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類を単独で用いることができる他、これらの溶剤から選ばれた少なくとも１種類または２種類以上の溶剤から成る混合物も用いることができる。尚、本発明の製造方法で行う加熱処理で有機溶剤が気化することが望まれるので、好ましくは約３００℃以下の範囲に沸点を有する有機溶剤を用いることが好ましい。
【００４３】
尚、本発明の製造方法で用いる誘電体原料（好ましくは誘電体原料ペースト）は、必要に応じてバインダ樹脂が更に含まれていてもよい。バインダ樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレン重合体、および、ブチルメタクリレート樹脂などを挙げることができ、これらを単独または２種以上組み合せて用いることができる。
【００４４】
本発明の製造方法で用いる誘電体原料は、好ましくはペースト形態を有している。かかる場合、誘電体原料ペーストの粘度は、例えば室温（２５℃）にて、好ましくは３ｍＰａ・ｓ〜５０Ｐａ・ｓ程度である。
【００４５】
本発明の製造方法で用いる誘電体原料の各種成分の割合は、典型的なＰＤＰ誘電体層を得る際（より具体的には、いわゆる“ゾルゲル法”を利用して誘電体層を形成する際）に用いられる一般的な割合であれば、特に制限はない。一例を挙げると、誘電体原料がガラス成分と有機溶剤とから成る場合、好ましくはガラス成分が２０重量％以上かつ８０重量％以下であり、有機溶剤が８０重量以下かつ２０重量％以上であればよく、より好ましくはガラス成分が４０重量％以上かつ６０重量％以下であり、有機溶剤が６０重量以下かつ４０重量％以上であればよい。また、誘電体原料がガラス成分と有機溶剤とバインダ樹脂から成る場合、例えば、ガラス成分が約５５重量％、有機溶剤が約４０重量％、バインダ樹脂が約５重量％であればよい。
【００４６】
工程（ｉ）に引き続いて、工程（ｉｉ）を実施する。つまり、図３（ｃ）に示すように、誘電体原料層（１５ａ）の所定箇所を局所的に熱処理する。局所的に加熱することによって、局所的な縮重合反応を進行させると共に、誘電体原料層および／又はそれから得られる誘電体層中に気泡を局所的に発生させる（図３（ｄ）参照）。局所的な加熱により気泡を発生させるには、誘電体原料層に含まれる有機溶剤を気化または分解できる温度にまで加熱する必要がある。従って、工程（ｉｉ）における加熱温度は、縮重合反応に必要とされる熱量の他、有機溶剤の沸点／分解点および含有量などによって決定される。一般的にいえば、工程（ｉｉ）における加熱温度は、好ましくは約１００〜約３００℃の範囲である。
【００４７】
ここで、図４（ａ）に示すように、局所的に加熱する領域は、好ましくは表示電極（１１）上の領域を含んだ局所的な誘電体原料領域である。より好ましくは、局所的に加熱する領域は、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）上の領域を含んだ局所的な誘電体原料領域である。
これにより、表示電極（１１）上の領域に気泡を発生させることができる。ここで、図４（ｂ）に示すように、局所加熱領域である「局所的な誘電体原料領域」の幅をＤ１ｘとし、表示電極のバス電極の幅をＢ１ｘとすると、以下の（１）および（２）の観点から、Ｄ１ｘおよびＢ１ｘが１≦Ｄ１ｘ／Ｂ１ｘ≦２の関係を満たすことが好ましい（尚、ここでいう“幅”とは、図示するようにＰＤＰを垂直な面で切り取って得られる断面における幅のことを実質的に意味している）：
（１）縮重合反応に起因して誘電体層に生じるクラックは、表示電極に沿って発生し得るので（図９参照）、Ｄ１ｘ／Ｂ１ｘが１未満であると電極エッジに発生する応力集中を緩和できずクラックの発生を効果的に防止できない。
（２）Ｄ１ｘ／Ｂ１ｘが２より大きいと、気泡が表示電極対間の誘電体領域（即ち、透過性が求められる誘電体層領域）により多く存在することになり、気泡に起因して輝度が低下し得る。輝度が低下すると、発光効率が低下し、低誘電率材料を用いる効果が相殺されてしまう。
尚、上記（２）をより具体的に説明する。図８に、気泡が輝度低下に及ぼす影響を表したグラフを示す。横軸は、「気泡発生領域の幅／電極幅×１００」（％）であり、縦軸は、相対輝度［％］である。かかるグラフから分かるように、横軸の値が２００％を越えると、相対輝度が約７０％を下回ることになり、材料の観点から低誘電率化できる効果が相殺されてしまう。つまり、Ｄ１ｘ／Ｂ１ｘが２より大きいと、発光効率が低下することになり、低消費電力のＰＤＰを実現できなくなる。
【００４８】
表示電極のバス電極上に発生させる気泡は、かかるバス電極上に位置する誘電体原料領域の５〜６７体積％を占めることが好ましい。より具体的にいえば、バス電極面から垂直上向きに存在する誘電体原料領域には気泡が５〜６７体積％含まれていることが好ましい。なぜなら、気泡の含有率が５体積％より小さいと誘電体原料層の縮重合反応にともなう応力が電極エッジに集中し、表示電極に沿って誘電体層にクラックが発生し易くなるからであり、また、気泡の含有率が６７％より大きいと体心立法構造の充填率を上回ることから、気泡同士が接触して誘電体層として絶縁性を確保できにくくなるからである。
【００４９】
気泡は、特に限定するわけではないが、球形状、楕円形状、細長形状またはひょうたん形状などの種々の形状を取り得る。また、気泡サイズは、特に制限するわけではないが、０．１〜１．０μｍ程度である。尚、ここでいう、「気泡サイズ」とは、気泡の体積を変えずに気泡の形状を球形にした場合に想定される直径を意味している。
【００５０】
加熱手段としては、特に制限するわけではないが、レーザーを用いることができる。この場合、レーザーを誘電体原料層に対して照射する。これにより、レーザー照射面が局所的に加熱されることになる。より好ましい態様としては、表示電極上に位置する誘電体原料領域をレーザーで照射し、表示電極が光を吸収することで、かかる誘電体原料領域の加熱を行うことが好ましい。レーザー波長は、好ましくは６００〜１２００ｎｍの範囲、より好ましくは８００〜１０００ｎｍの範囲であり、レーザー出力は、好ましくは０．５〜１００Ｗの範囲、より好ましくは１〜５０Ｗの範囲である。レーザー照射面の大きさによっては、一度に所定箇所を照射できない場合があるので、例えば１０〜１００ｍｍ／秒の速度で走査させてもよい。尚、レーザーを用いる場合、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、紫外線、赤外線、電子線、Ｘ線、または、プラズマ由来のエネルギー線を用いることができる。
【００５１】
工程（ｉｉ）の熱処理の昇温速度は比較的大きいことが好ましい。昇温速度が大きいと、発生した気泡が誘電体原料層から抜けきる前に加熱箇所の縮重合反応（および／または架橋反応）を実質的に完了させることができ、気泡を誘電体原料層内に留まらせることができるからである。局所的な熱処理における昇温速度は、縮重合反応に要する熱量、誘電体原料に含まれる有機溶剤の沸点や含有量などを総合的に考慮して決定され、誘電体原料の種類によって変わるものであるが、一般的には５〜８０℃／分程度であることが好ましい。
【００５２】
工程（ｉｉ）に引き続いて、工程（ｉｉｉ）を実施する。つまり、誘電体原料層（１５ａ）を全体的に熱処理する。より具体的にいうと、工程（ｉｉ）の局所的な熱処理に起因して部分的に縮重合反応（および／または架橋反応）が完了した誘電体原料層（１５ａ）を全体的に加熱する。全体的に加熱することによって、誘電体原料層（１５ａ）が全体的に縮重合反応に付されることになり、誘電体層（１５）が形成される（図３（ｅ）参照）。加熱手段としては、焼成炉のような加熱チャンバーを用いてよい。この場合、加熱チャンバー内に「工程（ｉｉ）から得られた『表示電極および誘電体原料層を備えた基板』」を供することによって、誘電体原料層（１５ａ）を全体的に加熱することができる。
【００５３】
工程（ｉｉｉ）の熱処理の昇温速度は比較的小さいことが好ましい。昇温速度が小さいと、発生した気泡が誘電体原料層から抜けた後に、誘電体原料層（工程（ｉｉ）の局所的な加熱箇所は除く）の縮重合反応（および／または架橋反応）を完了させることができ、気泡が誘電体原料層（工程（ｉｉ）の局所的な加熱箇所は除く）に留まらないようにさせることができるからである。全体的な熱処理における昇温速度も、縮重合反応に要する熱量、誘電体原料に含まれる有機溶剤の沸点や含有量などを総合的に考慮して決定され、誘電体原料の種類によって変わるものであるが、一般的には、１〜５０℃／分程度であることが好ましい。
【００５４】
つまり、工程（ｉｉ）の熱処理における昇温速度がより速いのに対して、工程（ｉｉｉ）の熱処理における昇温速度はより遅くなっていることが好ましい。換言すれば、所定箇所の局所的な熱処理における昇温速度が、誘電体原料層の全体的な熱処理における昇温速度よりも大きくなっている。例を挙げるとすれば、局所的な熱処理における昇温速度は、誘電体原料層の全体的な熱処理における昇温速度よりも平均すると、好ましくは３〜５０℃／分程度、より好ましくは５〜３０℃／分程度速くなっていることが好ましい。
【００５５】
［本発明のＰＤＰ］
次に、本発明の製造方法で得られるＰＤＰ（即ち、本発明のＰＤＰ）について説明する。本発明のＰＤＰは、基板ａ上に電極ａと誘電体層ａと保護層とが形成された前面板と、基板ｂ上に電極ｂと誘電体層ｂと隔壁と蛍光体層とが形成された背面板とが対向配置されているプラズマディスプレイパネルであって、
前面板において、電極ａ上の領域を含む局所的な誘電体層領域に気泡が存在していることを特徴とする。
【００５６】
図１を参照して本発明のＰＤＰをより具体的に説明する。但し、特に言及しない限り、各種構成部材の原材料／構成材料／機能などは、一般的なＰＤＰで常套的に用いられているものと同様である。本発明のＰＤＰ（１００）の前面板（１）は、上述したように、基板ａ（１０）、電極ａ（１１）、誘電体層ａ（１５）および保護層（１６）を有して成る。基板ａ（１０）は、透明で絶縁性を有する基板（厚さは例えば約１．０ｍｍ〜約３ｍｍ）である。基板ａ（１０）としては、例えば、フロート法などで製造されたフロートガラス基板を挙げることができる他、ソーダライムガラス基板またはホウケイ酸塩ガラス基板などを挙げることができる。電極ａ（１１）は、基板ａ（１０）上にストライプ状に平行に複数配置されるものであり、例えば、走査電極（１２）および維持電極（１３）から成る表示電極である。この場合、走査電極（１２）および維持電極（１３）は、それぞれ「酸化インジウム（ＩＴＯ）または酸化スズ（ＳｎＯ２）などから成る透明導電膜である透明電極（１２ａ、１３ａ）」、および、かかる透明電極上に形成された「銀を主成分としたバス電極（１２ｂ、１３ｂ）」から構成される（例えば図５参照）。透明電極（１２ａ、１３ａ）は、蛍光体層で発生した可視光を透過させる電極として主に機能する一方、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）は、透明電極の長手方向に導電性を付与するための電極として主に機能する。透明電極（１２ａ、１３ａ）の厚さは好ましくは約５０ｎｍ〜約５００ｎｍであり、バス電極（１２ｂ、１３ｂ）の厚さは好ましくは約１μｍ〜約８μｍである。
【００５７】
誘電体層ａ（１５）は、基板ａ（１０）上に形成された電極ａ（１１）を覆うように設けられている。かかる誘電体層ａ（１５）の厚さは、例えば約１０μｍ〜約２０μｍ程度である。誘電体層ａ（１５）の上には、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保護層（１６）が形成されている（厚さは例えば約０．５μｍ〜約１．５μｍ程度）。保護層（１６）は、放電の衝撃（より具体的には「プラズマによるイオン衝撃」）から誘電体層ａ（１５）を守る機能を有している。
【００５８】
本発明のＰＤＰの背面板（２）は、上述したように、基板ｂ（２０）、電極ｂ（２１）、誘電体層ｂ（２２）、隔壁（２３）および蛍光体層（２５）を有して成る。基板ｂ（２０）は、透明で絶縁性を有する基板（厚さは例えば約１．０ｍｍ〜約３ｍｍ程度）であることが好ましく、例えば、フロート法などで製造されたフロートガラス基板を挙げることができる他、ソーダライムガラス基板、ホウケイ酸塩ガラス基板または各種セラミック基板などを挙げることができる。電極ｂ（２１）は、基板ｂ（２０）上にストライプ状に複数形成される銀を主成分とした電極（厚さは例えば約１μｍ〜約４μｍ程度）であり、例えば、アドレス電極（またはデータ電極）である。アドレス電極は、各放電セルを選択的に放電させる機能を主に有している。
【００５９】
誘電体層ｂ（２２）は、下地誘電体層と一般に呼ばれるものであり、基板ｂ（２０）上に形成された電極ｂ（２１）を覆うように設けられている。かかる誘電体層ｂ（２２）は、一般的なＰＤＰで常套的に用いられているガラス組成から成る膜である。誘電体層ｂ（２２）の厚さは、例えば約５μｍ〜約５０μｍである。誘電体層ｂ（２２）の上には、蛍光体材料を主成分とした蛍光体層（２５）が形成されている（厚さは例えば約５μｍ〜約５０μｍ程度）。蛍光体層（２５）は、放電によって放射された紫外線を可視光線に変換する機能を主に有している。かかる蛍光体層（２５）は、赤色、緑色および青色を発する蛍光体層を構成単位としており、それぞれが隔壁（２３）で区切られている。隔壁（２３）は、放電空間をアドレス電極（２１）毎に区画する目的で、ストライプ状または井桁状に誘電体層ｂ（２２）上に形成されている。かかる隔壁（２３）は、ガラス成分、ビヒクル成分およびフィラー等を含んで成るペースト原料から形成される。
【００６０】
本発明のＰＤＰ（１００）では、前面板（１）の走査電極（１２）および維持電極（１３）と背面板（２）のアドレス電極（２１）とが直交するように、前面板（１）と背面板（２）とが放電空間（３０）を挟んで対向して配置されている。このようなＰＤＰ（１００）では、隔壁（２３）によって仕切られ、アドレス電極（２１）と表示電極（１１）とが交差する放電空間（３０）が放電セル（３２）として機能することになる（放電空間には放電ガスが約５５ｋＰａ〜約８０ｋＰａの圧力で封入されている）。換言すれば、マトリクス状に配列されている放電セルが画像表示領域を構成している。従って、外部駆動回路から表示電極（１１）に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電ガスを放電させ、かかる放電によって生じる紫外線によって、各色の蛍光体層を励起させて赤色、緑色および青色の可視光を発生させる結果、カラー画像表示が実現される。
【００６１】
［本発明のＰＤＰの前面板側の誘電体層］
本発明のＰＤＰでは、前面板側の誘電体層ａの形成に際して、「気泡を発生させる局所的な熱処理」と「全体的な熱処理」とが併用されていることに起因して、図６（ａ）に示すように、電極ａ（１１）上の領域を含む局所的な誘電体層領域（誘電体層ａの局所加熱領域）に気泡が存在している。特に、本発明のＰＤＰでは、図６（ｂ）に示すように、気泡が存在している局所的な誘電体層領域の幅をＤ２ｘとし、電極ａのバス電極幅をＢ２ｘとすると、Ｄ２ｘおよびＢ２ｘが１≦Ｄ２ｘ／Ｂ２ｘ≦２の関係を満たしていることが好ましい（尚、ここでいう“幅”とは、図示するようにＰＤＰを垂直な面で切り取って得られる断面における幅のことを実質的に意味している）。例えば、バス電極の幅Ｂ２ｘは、好ましくは３０〜８０μｍであるので、「気泡が存在している局所的な誘電体層領域」の幅Ｄ２ｘは、好ましくは３０〜１６０μｍとなる。また、電極ａのバス電極上に存在する気泡が、かかるバス電極上に位置する「誘電体層ａの誘電体層領域」の５〜６７体積％を占めていることが好ましい。即ち、電極ａの電極面から垂直上向きに存在する誘電体領域には気泡が好ましくは５〜６７体積％含まれている（気泡サイズは、上述したように好ましくは０．１〜１．０μｍ程度である）。以上のような特徴により、本発明のＰＤＰの誘電体層ａでは、「気泡に起因するクラック抑制効果という有利な側面」と「気泡に起因する透過率低下という不利な側面」とのバランスが特に好ましく取れている。このような前面板側の誘電体層ａの各種条件・仕様・効果などは、本発明の製造方法に関連して既に説明しているので、重複を避けるべく更なる説明は省略する。
【００６２】
尚、本発明のＰＤＰでは、前面板側の誘電体層ａをいわゆるゾルゲル法を利用して形成できるので、誘電体層の比誘電率は低い値となっている。例えば、好ましくは前面板の誘電体層ａの比誘電率は５以下となっている。このように誘電体層の誘電率が低いと、紫外線の発生効率が向上するので、低電力なＰＤＰを達成できる。ちなみに、ここでいう比誘電率とは、２３℃および１ＭＨｚでの比誘電率の値をいう。
【００６３】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、種々の改変がなされ得ることを当業者は容易に理解されよう。例えば、本発明の製造方法では、「工程（ｉｉ）の局所的な熱処理」と「工程（ｉｉｉ）との全体的な熱処理」とをそれぞれ別々に実施しているが、可能であれば、それらの工程を実質的に同時に行ってもよい。つまり、誘電体原料層を全体的により小さい昇温速度で加熱しながら、誘電体原料層の所定箇所をより大きい昇温速度で局所的に加熱してもよい。また、気泡の発生源は必ずしも有機溶剤に限定されるわけではなく、それ以外の物質、例えば不可避的に含まれ得る物質（電極表面などに付着し得る水分など）であってもよい。
【実施例】
【００６４】
実施例として、電極上の領域を含む局所的な誘電体層領域に気泡を含んだ前面板を作製し、その特性を評価した。
【００６５】
（誘電体原料ペースト）
誘電体層の形成には、以下の組成および物性を有する誘電体原料ペーストAを用いた。
・ガラス成分（２０重量％）：ＴＥＯＳ等から得られるポリシロキサンオリゴマー 
・有機溶媒成分（８０重量％）：メタノール、イソプロピルアルコール、α−テルピネオール 
・ペーストAの粘度：５ｍＰａ・ｓ（２５℃）
【００６６】
（前面板の作製）
まず、１．８ｍｍ厚さのガラス基板（日本電気硝子製のソーダライムガラス）の表面にＩＴＯから成る透明電極（透明電極幅０．１２ｍｍ、厚さ１００ｎｍ）を形成した後、かかる透明電極上にＡｇから成るバス電極（バス電極幅０．０６５ｍｍ、厚さ６μｍ）を形成した。次いで、誘電体原料ペーストをダイコート法によって、ガラス基板上に塗布することによって、厚さ０．０１５ｍｍの誘電体原料層を形成した。引き続いて、レーザー照射装置（イエナオプティック製、型式ＪＯＬＤ−３０ＦＣ−１２）を用いて、バス電極上の局所的な誘電体原料層領域（「局所領域」と呼ぶ）にレーザーを照射することによって、局所的な熱処理を実施した。レーザー波長は８００ｎｍであって、レーザー出力は３０Ｗであった。レーザーによって局所的に加熱した領域の幅は０．１ｍｍであったことから、「局所的加熱領域の幅」／「バス電極幅」≒１．５となっていた。尚、かかる熱処理の昇温速度は５０℃／分であって、局所領域を１００℃まで加熱した。このような局所的な熱処理によって、バス電極上の誘電体原料領域に気泡を発生させると共に、ポリシロキサンオリゴマーの縮重合反応を進行させることによって、かかる気泡を局所領域に閉じ込めることができた（図７参照）。次いで、電極と誘電体原料層とを有するガラス基板を２５０℃の加熱炉に供して、誘電体原料層の全体を２０℃／分の昇温速度で加熱して誘電体原料層全体においてポリシロキサンオリゴマーの縮重合反応を進行させた。以上により、電極上の領域を含む局所的な誘電体層領域に気泡を含んだ誘電体層を形成した。最終的には、電子ビーム蒸着法でＭｇＯなどからなる膜を誘電体層上に形成することで保護層を形成して、前面板を完成させた。
【００６７】
（誘電体層の特性）
形成された誘電体層の特性・仕様は次のとおりである
・比誘電率：３．６（國洋電機工業製の型式ＫＣ−５５５の測定器を使用）
・気泡の平均サイズ：約０．２μｍ
・「バス電極上の誘電体層領域」における気泡の含有割合：１０体積％
・透過率：８１％（ヘイズメータ（村上色彩技術研究所製、ＨＭ−１５０）を使用）
・物理的欠陥の有無：電極上に沿うようなクラックは無し
【００６８】
以上の実施例に基づくと、局所的に発生させた気泡によって誘電体層におけるクラック発生を抑制できる一方で、かかる気泡に起因する誘電体層の透過率低下を防止できていることが理解できるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明の製造方法を通じて最終的に得られるＰＤＰは、消費電力が低いので、一般家庭向けのプラズマテレビおよび商業用プラズマテレビとして好適に用いることができる他、その他の各種表示デバイスとしても好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態におけるＰＤＰの構造を模式的に示す斜視図
【図２】本発明の製造方法における「局所的な熱処理」と「全体的な熱処理」との概念を表した模式図
【図３】本発明の製造方法の工程を模式的に表した断面図
【図４】本発明の製造方法の工程（ｉｉ）の態様を模式的に表した断面図
【図５】本発明のＰＤＰの前面板側の誘電体層を模式的に表した断面図
【図６】本発明のＰＤＰの前面板側の誘電体層を模式的に表した断面図
【図７】本発明の製造方法によって誘電体層に発生した気泡の電子顕微鏡写真
【図８】気泡による輝度低下の影響を表したグラフ。
【図９】誘電体層に発生し得るクラックを模式的に表した斜視図
【図１０】誘電体層に発生したクラックの電子顕微鏡写真
【符号の説明】
【００７１】
１    前面板
２    背面板
１０  前面板側の基板ａ
１１  前面板側の電極ａ（表示電極）
１２  走査電極
１２ａ  透明電極
１２ｂ  バス電極
１３  維持電極
１３ａ  透明電極
１３ｂ  バス電極
１４  ブラックストライプ（遮光層）
１５  前面板側の誘電体層ａ
１５ａ  誘電体原料層
１６  保護層
２０  背面板側の基板ｂ
２１  背面板側の電極ｂ（アドレス電極）
２２  背面板側の誘電体層ｂ
２３  隔壁
２５  蛍光体層
３０  放電空間
３２  放電セル
４０  局所的加熱（例えばレーザー光）
５０  クラック
６０  気泡
１００  ＰＤＰ
【図１】
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【図３】
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【図５】
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【図８】
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【図９】
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【図２】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図１０】
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