(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の表面に複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各デバイスにヒートシンクを効率よく接合することができる光デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ヒートシンク材の表面に複数の光デバイスを区画するストリートと対応する位置にヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成するヒートシンク材溝形成工程と、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面とヒートシンク材の表面を対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、該ウエーハをストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハ分割工程と、該ウエーハの基板の裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ヒートシンク材の裏面を研削して裏面に溝を表出させ、個々の光デバイスと対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程とを含む。【選択図】図７
2009224454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスにヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法であって、
該光デバイスウエーハに対応する大きさを有する該ヒートシンク材の表面に該複数の光デバイスを区画する該ストリートと対応する位置に該ヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成するヒートシンク材溝形成工程と、
該光デバイスウエーハの該光デバイス層の表面と該ヒートシンク材の表面とを該ストリートと該溝を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、
該光デバイス層に該ヒートシンク材が接合された該光デバイスウエーハを該ストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハ分割工程と、
該光デバイス分割工程が実施された該光デバイスウエーハの該基板の裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着された該光デバイスウエーハの該光デバイス層に接合されている該ヒートシンク材の裏面を研削して裏面に該溝を表出させ、該ヒートシンク材を個々の光デバイスと対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項２】
基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスのヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法であって、
該光デバイスウエーハに対応する大きさを有する該ヒートシンク材の表面に該複数の光デバイスを区画する該ストリートと対応する位置に該ヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成するヒートシンク材溝形成工程と、
該光デバイスウエーハの該光デバイス層の表面と該ヒートシンク材の表面とを該ストリートと該溝を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、
該光デバイス層に該ヒートシンク材が接合された該光デバイスウエーハの該基板を該光デバイス層から剥離する基板剥離工程と、
該光デバイスウエーハの該基板が剥離された該光デバイス層を該ストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割する光デバイス層分割工程と、
該光デバイス層分割工程が実施された該光デバイス層の裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着された該光デバイス層に接合されている該ヒートシンク材の裏面を研削して裏面に該溝を表出させ、該ヒートシンク材を個々の光デバイスと対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスにヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスの製造工程においては、サファイヤ基板や炭化珪素基板等の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等の光デバイス層によって複数の光デバイスが形成される。このように光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割することによって個々の光デバイスを製造する。
【０００３】
光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、光デバイスウエーハに対して吸収性を有するパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特許第４４９２０１号公報
【０００４】
一方、光デバイスは発熱することから、放熱するためにヒートシンク部材に接合される。（例えば、特許文献３参照。）
【特許文献３】特開昭６０−９２６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
而して、光デバイスは例えば一辺が０．３mm角に形成されており、このように小さい光デバイスに個々のヒートシンクを接合するには手間がかかり、生産性が悪いという問題がある。
また、光デバイスウエーハに対応する大きさを有するヒートシンク材を光デバイス層の表面に接合し、光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射して、光デバイスウエーハとともにヒートシンク材を切断しようとしても、銅等の金属からなるヒートシンク材からレーザー光線のエネルギーによる熱が逃げてヒートシンク材を切断することができない。
更に、光デバイスウエーハに対応する大きさを有するヒートシンク材を光デバイス層の表面に接合し、切削ブレードによって光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿って光デバイスウエーハとともにヒートシンク材を切断しようとしても、脆性が高い光デバイスウエーハと粘り強い銅等の金属からなるヒートシンク材を同時に切断することは困難である。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスにヒートシンクを効率よく接合することができる光デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスにヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法であって、
該光デバイスウエーハに対応する大きさを有する該ヒートシンク材の表面に該複数の光デバイスを区画する該ストリートと対応する位置に該ヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成するヒートシンク材溝形成工程と、
該光デバイスウエーハの該光デバイス層の表面と該ヒートシンク材の表面とを該ストリートと該溝を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、
該光デバイス層に該ヒートシンク材が接合された該光デバイスウエーハを該ストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハ分割工程と、
該光デバイス分割工程が実施された該光デバイスウエーハの該基板の裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着された該光デバイスウエーハの該光デバイス層に接合されている該ヒートシンク材の裏面を研削して裏面に該溝を表出させ、該ヒートシンク材を個々の光デバイスと対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスの製造方法が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスのヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法であって、
該光デバイスウエーハに対応する大きさを有する該ヒートシンク材の表面に該複数の光デバイスを区画する該ストリートと対応する位置に該ヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成するヒートシンク材溝形成工程と、
該光デバイスウエーハの該光デバイス層の表面と該ヒートシンク材の表面とを該ストリートと該溝を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、
該光デバイス層に該ヒートシンク材が接合された該光デバイスウエーハの該基板を該光デバイス層から剥離する基板剥離工程と、
該光デバイスウエーハの該基板が剥離された該光デバイス層を該ストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割する光デバイス層分割工程と、
該光デバイス層分割工程が実施された該光デバイス層の裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着された該光デバイス層に接合されている該ヒートシンク材の裏面を研削して裏面に該溝を表出させ、該ヒートシンク材を個々の光デバイスと対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による光デバイスの製造方法においては、光デバイスウエーハに対応する大きさ有するヒートシンク材の表面に複数の光デバイスを区画するストリートと対応する位置にヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し（ヒートシンク溝形成工程）し、光デバイスウエーハに形成された光デバイス層の表面とヒートシンク材の表面をストリートと溝を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク接合工程を実施した後、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割し（光デバイスウエーハ分割工程）、次にヒートシンク材の裏面を研削して裏面に溝を表出させてヒートシンク材を個々の光デバイスと対応したヒートシンクに分割する（ヒートシンク材分割工程）ので、ヒートシンクが接合された光デバイスを効率よく製造することができる。
【００１０】
また、本発明によれば、上記ヒートシンク溝形成工程およびヒートシンク接合工程を実施した後に、ヒートシンク材が接合された光デバイスウエーハの基板を光デバイス層から剥離する基板剥離工程を実施し、光デバイスウエーハの該基板が剥離された光デバイス層をストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割する光デバイス層分割工程を実施した後、上記保護部材貼着工程およびヒートシンク材分割工程を実施するので、基板が剥離されて除去されヒートシンクが接合された個々の光りデバイスを得ることができる。従って、光デバイスウエーハにおいて基板の表面に光デバイス層が形成された後には機能上不要となる基板が剥離されて除去されているので、デバイス自体がコンパクトで且つ機能的となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明による光デバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ２は、サファイヤからなる基板２１の表面に窒化ガリウム（GaN）等からなる複数の光デバイス２２を形成する光デバイス層２３が形成されている。そして、光デバイス層２３の表面２３aには各光りデバイス２２を区画する格子状のストリート２４が形成されている。また、光デバイスウエーハ２の外周部には、サファイヤ基板２１の結晶方位を表すノッチ２０が形成されている。
【００１２】
以下、上記光デバイスウエーハ２を複数の光デバイス２２を区画するストリート２４に沿って分割するとともに、各光デバイス２２にヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法の第１の実施形態について説明する。
先ず、図２に示すように上記光デバイスウエーハ２に対応する大きさ有し厚さが例えば６００μmのヒートシンク材３を用意する。このヒートシンク材３は、銅等の熱伝導率の高い金属材料によって形成されている。また、ヒートシンク材３の外周面には、上記光デバイスウエーハ２の外周部に形成されたノッチ２０と対応する合マーク３０が形成されている。そして、ヒートシンク材３の表面に上記光デバイスウエーハ２に形成された複数の光デバイス２２を区画するストリー２４と対応する位置にヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成するヒートシンク材溝形成工程を実施する。このヒートシンク材溝形成工程は、図３の(a)に示す切削装置４を用いて実施する。図３の(a)に示す切削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、切削ブレード４２１を備えた切削手段４２と、撮像手段４３を具備している。なお、撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。また、切削装置４は、チャックテーブル４１を矢印Xで示す切削送り方向に移動せしめる切削送り手段や切削手段４２を切削送り方向Xと直交する矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめる割り出し送り手段および切削手段４２を矢印Zで示す切り込み送り方向に移動せしめる切り込み送り手段を備えており、これらは図示しない制御手段によって制御されるようになっている。なお、図示しない制御手段は、上記光デバイスウエーハ２に形成されたストリート２４の座標値を格納したメモリを備えている。
【００１３】
図３の(a)に示す切削装置４を用いて上記ヒートシンク材溝形成工程を実施するには、チャックテーブル４１上にヒートシンク材３の表面３ａを上にして載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ヒートシンク材３をチャックテーブル４１上に保持する。このようにして、チャックテーブル４１上に吸引保持されたヒートシンク材３は、所定の座標位置に保持された状態となる。
【００１４】
上述したようにチャックテーブル４１上にヒートシンク材３を保持したならば、ヒートシンク材３を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、銅の切削に適した例えばダイヤモンド砥粒をレジンボンドで固めた切削ブレード４２１を図３の(a)において矢印４２１aで示す方向に回転しつつ矢印Zで示す切り込み送り方向である下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード４２１の外周縁がヒートシンク材３の表面３aからヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、２００〜５００μｍ）に設定されている。このようにして、切削ブレード４２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２１を回転しつつチャックテーブル４１を図３の(a)において矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、図３の（ｂ）に示すようにヒートシンク材３にはヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、２００〜５００μｍ）の切削溝３１が形成される（ヒートシンク材溝形成工程）。このヒートシンク材溝形成工程を図示しない制御手段のメモリに格納された上記光デバイスウエーハ２に形成された全てのストリート２４に対応する位置に実施する。
なお、上述したヒートシンク材溝形成工程においては、切削装置４を用いてヒートシンク材３にヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝３１を形成した例を示したが、レーザー加工装置を用いてヒートシンク材３にレーザー加工溝を形成してもよい。
【００１５】
次に、上記光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aとヒートシンク材３の表面３aとをストリート２４と切削溝３１を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程を実施する。このヒートシンク材接合工程は、図４の(a)に示すように光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aおよびヒートシンク材３の表面３aに金等の接合金属を蒸着してそれぞれ接合金属層５を形成する。そして、図４の（ｂ）に示すように光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aに形成された接合金属層４とヒートシンク材３の表面３aに形成された接合金属層５とを対面させ圧着することにより光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aに形成された接合金属層５とヒートシンク３の表面に形成された接合金属層５が接合される。このとき、図４の（ｂ）に示すように光デバイスウエーハ２に形成されたノッチ２０とヒートシンク材３に形成されている合マーク３０を合致させることにより、光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３に形成されたストリート２４とヒートシンク材３の表面３a形成された切削溝３１を対向して対面させることができる。
【００１６】
上述したヒートシンク材接合工程を実施したならば、光デバイス層２３にヒートシンク材３が接合された光デバイスウエーハ２をストリート２４に沿って切断し個々の光デバイス２２に分割する光デバイスウエーハ分割工程を実施する。この光デバイスウエーハ分割工程は、上記図３の(a)に示す切削装置４を用いて実施することができる。即ち、図５の(a)に示すようにチャックテーブル４１上に光デバイスウエーハ２に接合されたヒートシンク材３の裏面３bを載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、光デバイスウエーハ２が接合されたヒートシンク材３をチャックテーブル４１上に保持する。従って、ヒートシンク材３が接合された光デバイスウエーハ２は、基板２１の裏面２１bが上側となる。このようにして、光デバイスウエーハ２が接合されたヒートシンク材３を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００１７】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２を切断すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２４と、切削ブレード４２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、光デバイスウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２４に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このとき、光デバイスウエーハ２を構成する光デバイス層２３の複数のストリート２４が形成されている表面は下側に位置しているが、撮像手段４３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、基板２１側から透かしてストリート２４を撮像することができる。
【００１８】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されているヒートシンク材３が接合された光デバイスウエーハ２の切削領域のアライメントが行われたならば、ヒートシンク材３が接合された光デバイスウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、脆性材料の切削に適した例えばダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた切削ブレード４２１を図５の(a)において矢印４２１aで示す矢印Zで示す切り込み送り方向である下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード４２１の外周縁がヒートシンク材３の表面（光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面が接合されている面）に達する深さ位置に設定されている。このようにして、切削ブレード４２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２１を回転しつつチャックテーブル４１を図５の(a)において矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、図５の（ｂ）に示すようにヒートシンク材３が接合された光デバイスウエーハ２はストリート２４に沿って切削された切断溝２５によって切断され、個々の光デバイス２２に分割される（切削工程）。このとき、ストリート２４の直下にはヒートシンク材３の表面に形成された切削溝３１が対向して位置付けられているので、光デバイスウエーハ２を効果的に分割することができる。この光デバイス分割工程を光デバイスウエーハ２に形成された全てのストリート２４に沿って実施する。
【００１９】
なお、上記光デバイスウエーハ分割工程は、光デバイスウエーハ２のストリート２４に沿ってレーザー光線を照射することにより、光デバイスウエーハ２をストリート２４に沿って切断し、個々のデバイス２２に分割してもよい。
【００２０】
上述した光デバイスウエーハ分割工程を実施したならば、図６の(a)および（ｂ）に示すように光デバイスウエーハ２の基板２１の裏面２１bに研削用の保護部材６を貼着する保護部材貼着工程を実施する。なお、保護部材６は、図示の実施形態においては厚さが１５０μｍのポリオレフィンシートが用いられている。
【００２１】
次に、保護部材６が貼着された光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３に接合されているヒートシンク材３の裏面３bを研削して裏面に切削溝３１を表出させ、ヒートシンク材３を個々の光デバイス２２と対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程を実施する。このヒートシンク材分割工程は、図７の（ａ）に示す研削装置７を用いて実施する。図７の（ａ）に示す研削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、研削砥石７２を備えた研削手段７３を具備している。この研削装置７を用いてヒートシンク材分割工程を実施するには、チャックテーブル７１上に光デバイスウエーハ２の基板２１の裏面２１bに貼着された保護部材６を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護部材６を介して光デバイスウエーハ２およびヒートシンク材３をチャックテーブル７１上に吸引保持する。従って、ヒートシンク材３の裏面３bが上側となる。次に、例えばチャックテーブル７１を矢印７１aで示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段７３の研削砥石７２を矢印７２aで示す方向に６０００ｒｐｍで回転せしめて、ヒートシンク材３の裏面３bに接触することにより研削し、図７の（ｂ）に示すように分割溝３１が裏面３ｂに表出するまで研削する。このように分割溝３１が表出するまで研削することによって、図７の（ｂ）および（ｃ）に示すように個々に分割されたデバイス２２に接合されているヒートシンク材３は、個々のデバイス２２に対応したヒートシンク３０に分割される。
【００２２】
上述したようにヒートシンク材分割工程を実施したならば、個々に分割されたヒートシンク３０がそれぞれ接合され保護部材６に貼着されている個々のデバイス２２は、ピックアップ工程において保護部材６から剥離してピックアップすることにより、図８に示すようにヒートシンク３０が接合された個々のデバイス２２を得ることができる。
【００２３】
以上のように、本発明の第１の実施形態においては、光デバイスウエーハ２に対応する大きさ有するヒートシンク材３の表面３aに複数の光デバイス２２を区画するストリー２４と対応する位置にヒートシンク材の仕上がり厚さに相当する深さの切削溝３１を形成し（ヒートシンク材溝形成工程）し、光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aとヒートシンク材３の表面３aをストリート２４と切削溝３１を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク接合工程を実施した後、光デバイスウエーハ２をストリート２２に沿って切断し個々の光デバイスに分割し（光デバイスウエーハ分割工程）、次にヒートシンク材３の裏面３bを研削しての裏面３bに分割溝３１を表出させてヒートシンク材３を個々の光デバイス２２と対応したヒートシンク３０に分割する（ヒートシンク材分割工程）ので、ヒートシンク３０が接合された光デバイスを効率よく製造することができる。
【００２４】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態は、光デバイスウエーハ２を構成する基板２１と光デバイス層２３を剥離して基板２１を除去し、光デバイス層２３のみからなる光デバイスにヒートシンクを接合する方法である。
第２の実施形態においても、上記第１の実施形態におけるヒートシンク材溝形成工程およびヒートシンク材接合工程を実施する。そして、上述したヒートシンク材溝形成工程およびヒートシンク材接合工程を実施したならば、光デバイス層２３にヒートシンク材３が接合された光デバイスウエーハ２の基板２１を光デバイス層２３から剥離する基板剥離工程を実施する。この基板剥離工程は、例えば図９の(a)および(b)に示すように上記光デバイスウエーハ２を製造する際に基板２１と光デバイス層２３の間にAlGaN層等からなるリフトオフ層２３０を形成しておき、このリフトオフ層２３０に応力を付与することにより、基板２１を光デバイス層２３から分離する。このように基板を光デバイス層から分離する基板剥離工程は、例えば特開２０００−１０１１３９号公報に開示されている方法によって実施することができる。
【００２５】
上記基板剥離工程を実施したならば、基板２１が剥離された光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３をストリート２４に沿って切断し個々の光デバイス２２に分割する光デバイス層分割工程を実施する。この光デバイス層分割工程は、上記図３の(a)に示す切削装置４を用いて上記第１の実施形態における光デバイス分割工程と同様に実施する。この結果、図１０に示すように基板が剥離されて除去されヒートシンク材３が接合された光デバイス層２３はストリート２４に沿って切削された切断溝２５によって切断され、個々の光デバイス２２に分割される。
【００２６】
次に、光デバイス分割工程が実施された光デバイス層２３の裏面２３bに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。この保護部材貼着工程は、図１１の(a)および（ｂ）に示すようにヒートシンク材３が接合された光デバイス層２３の裏面２３bに研削用の保護部材６を貼着する保護部材貼着工程を実施する。
【００２７】
上述した保護部材貼着工程を実施したならば、保護部材６が貼着された光デバイス層２３に接合されているヒートシンク材３の裏面３bを研削して裏面に分割溝３１を表出させ、ヒートシンク材３を個々の光デバイス２２と対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程を実施する。このヒートシンク材分割工程は、上記図７の（ａ）に示す研削装置６を用いて、上記第１の実施形態におけるヒートシンク材分割工程と同様に実施する。この結果、図１２に示すように基板が剥離されて除去された光デバイス２２に接合されているヒートシンク材３は、個々のデバイス２２対応したヒートシンク３０に分割される。
【００２８】
上述したようにヒートシンク材分割工程を実施したならば、個々に分割されたヒートシンク３０がそれぞれ接合され保護部材６に貼着されている個々の光デバイス２２は、ピックアップ工程において保護部材６から剥離してピックアップすることにより、図１３に示すようにヒートシンク３０が接合され基板が剥離されて除去された個々のデバイス２２を得ることができる。このようにヒートシンク３０が接合された個々のデバイス２２は、光デバイスウエーハ２においてサファイヤや炭化珪素からなる基板２１の表面に光りデバイス層２３が形成された後には機能上不要となる基板２１が剥離されて除去されているので、デバイス自体がコンパクトで且つ機能的となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】光デバイスウエーハの斜視図および要部拡大断面図。
【図２】本発明による光デバイスの製造方法に用いるヒートシンク材の斜視図。
【図３】本発明による光デバイスの製造方法の第１の実施形態におけるヒートシンク材溝形成工程の説明図。
【図４】本発明による光デバイスの製造方法の第１の実施形態におけるヒートシンク材接合工程の説明図。
【図５】本発明による光デバイスの製造方法の第１の実施形態における光デバイスウエーハ分割工程の説明図。
【図６】本発明による光デバイスの製造方法の第１の実施形態における保護部材貼着工程の説明図。
【図７】本発明による光デバイスの製造方法の第１の実施形態におけるヒートシンク材分割工程の説明図。
【図８】本発明による光デバイスの製造方法の第１の実施形態によって製造された光デバイスの斜視図。
【図９】本発明による光デバイスの製造方法の第２の実施形態における基板剥離工程の説明図。
【図１０】本発明による光デバイスの製造方法の第２の実施形態における光デバイス層分割工程が実施された光デバイスウエーハの要部拡大断面図。
【図１１】本発明による光デバイスの製造方法の第２の実施形態における保護部材貼着工程の説明図。
【図１２】本発明による光デバイスの製造方法の第２の実施形態におけるヒートシンク材分割工程が実施された光デバイスウエーハの要部拡大断面図。
【図１３】本発明による光デバイスの製造方法の第２の実施形態によって製造された光デバイスの斜視図。
【符号の説明】
【００３０】
２：光デバイスウエーハ
２１：基板
２２：光デバイス
２３：光デバイス層
２４：ストリート
２５：切断溝
３：ヒートシンク材
３１：分割溝
４：切削装置
４１：切削装置のチャックテーブル
５２：切削手段
５：接合金属層
６：保護部材
７：研削装置
７１：研削装置のチャックテーブル
７３：研削手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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