(57)【要約】【課題】効率よく、かつ速やかに放熱することができる半導体素子パッケージ及び実装基板を提供する。【解決手段】  半導体素子に用いる半導体素子（発熱素子）パッケージは、発熱素子２を搭載するための回路基板３ａ、およびサーマルボール４を搭載するための回路基板３ｃを少なくとも含む複数の回路基板と、複数の回路基板の間に介在され、熱伝導性材料により構成される第一熱伝導層６ａ（６ｂ）とを備え、複数の回路基板および第一熱伝導層６ａ（６ｂ）を貫通するサーマルビア放熱孔５が形成され、サーマルビア放熱孔５の内壁は、熱伝導性材料によって覆われている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子に用いる半導体素子パッケージであって、
上記半導体素子を搭載するための第１回路基板、およびサーマルボールを搭載するための第２回路基板を少なくとも含む複数の回路基板と、
上記複数の回路基板の間に介在され、熱伝導性材料により構成される第一熱導電層とを備え、
上記複数の回路基板および上記第一熱導電層を貫通する貫通孔が形成され、
上記貫通孔の内壁は、熱伝導性材料によって覆われていることを特徴とする半導体素子パッケージ。
【請求項２】
上記第１回路基板における半導体素子を搭載するための面に、熱伝導性材料により構成された放熱板を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子パッケージ。
【請求項３】
上記第１回路基板における半導体素子を搭載するための面に、熱伝導性材料により構成されたヒートシンクを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子パッケージ。
【請求項４】
上記第１回路基板に搭載された上記半導体素子を封止するモールド樹脂の上面が、上記ヒートシンクの上面より高いことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子パッケージ。
【請求項５】
上記第１回路基板における半導体素子を搭載するための面に、熱伝導性材料により構成されたヒートパイプを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子パッケージ。
【請求項６】
上記ヒートパイプの内部には、該ヒートパイプの長手方向に沿って、一つ以上の貫通孔が連通して形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子パッケージ。
【請求項７】
上記貫通孔の内部は、真空に保たれると共に、水、代替フロン、アンモニアからなる群から選択されるひとつの物質が封入されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子パッケージ。
【請求項８】
上記第１回路基板に搭載された上記半導体素子を封止するモールド樹脂の上面よりも、上記ヒートパイプの半径方向における上端部が低いことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子パッケージ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体素子パッケージを含む実装する実装基板であって、
該実装基板は、上記サーマルボールを介して上記半導体素子パッケージを実装するための第１実装基板、および該実装基板の最下層をなす第２実装基板を少なくとも含む複数の実装基板と、
上記複数の実装基板の間に介在され、熱伝導性材料により構成される第二熱導電層とを備え、
該第１実装基板と該サーマルボールとの接合面と、該第二熱伝導層とが、熱伝導性材料によって接続されていることを特徴とする実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、あるいは半導体素子を封止するモールド樹脂が搭載された半導体素子パッケージ、及び前記半導体素子パッケージを搭載する実装基板に関するものである。より具体的には、前記半導体素子パッケージの放熱実装構造、及び前記実装基板の放熱実装構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、あるいは液晶テレビ等の電子・通信機器の分野において、デバイスが年々小型化しており、チップ（発熱素子）から放出される熱を効率よく、そして速やかに外部に放出する半導体素子パッケージの放熱実装構造が望まれている。
【０００３】
この種の半導体素子パッケージの放熱実装構造としては、従来、発熱素子をモールド樹脂で封止し、モールド樹脂そのものにヒートシンク用メタル部材を取り付ける放熱実装構造が知られている。ヒートシンクは、放熱のために使われる金属製の板のことであり、冷却ファンと組み合わせて利用されることが多く、発熱のために誤動作する可能性のある部品等の冷却に使用されている。
【０００４】
あるいは、発熱素子、若しくはモールド樹脂によって封止された発熱素子を搭載する回路基板と実装基板との間に、サーマルボールと呼ばれる半田ボールを取り付ける放熱実装構造が知られている。この放熱実装構造を用いることにより、発熱素子から放出された熱がサーマルボールを介して実装基板側に伝わり、それにより、実装基板から外部に熱が放出される。
【０００５】
図６、及び図７に基づいて、サーマルボールを用いた従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造を説明する。
【０００６】
図６は、モールド樹脂によって封止された半導体素子（発熱素子）に係る従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造５０を示す。図６が示すように、半導体素子パッケージの放熱実装構造５０は複数の略球状のサーマルボール５１を有する。サーマルボール５１は、矩形の回路基板５２の下面と、矩形の実装基板５３の上面と、にそれぞれ接合されている。回路基板５２の上面には、発熱素子５４を封止したモールド樹脂５５が搭載されている。発熱素子５４と回路基板５２とは金属製のワイヤ５６を介して電気的に接続されており、ワイヤ５６もモールド樹脂５５に封止されている。
【０００７】
図６に基づいて、従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造５０の放熱経路を説明する。
【０００８】
発熱素子５４から放出された熱は、おもに下記の放熱経路５７・５８によって外部に放出され、それによって発熱素子５４が冷却される。
【０００９】
放熱経路５７：発熱素子５４→モールド樹脂５５→大気
放熱経路５８：発熱素子５４、及びモールド樹脂５５→回路基板５２→サーマルボール５１→実装基板５３→大気
放熱経路５８による放熱量は、半導体素子パッケージの数、種類、大きさ、製品基板、配線長、配線幅、配線密度、基板層数、層構成、厚さ、基板材料など、様々な要因に左右される。そして、放熱経路５８による放熱量は、発熱素子５４から放出される全放熱量の５〜５０％程度を占めるといわれている。従って、従来の放熱実装構造５０を用いる場合は、実装基板５３を含む構成要素のすべてを考慮する必要がある。
【００１０】
図７は、フリップチップ方式による従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造６０を示す。フリップチップ方式では、回路基板５２の電極と発熱素子５４の電極とがバンプ６１により電気的に接続されている。つまり、フリップチップ方式は、回路基板５２の上面と発熱素子５４の下面とが対向し、その電極間がバンプ６１により電気的・機械的に接続された構造となっている。なお、図７が示すように、発熱素子５４はモールド樹脂によって封止されておらず、大気に露出している。なお、図６を参照して前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００１１】
図７に基づいて、従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造６０の放熱経路を説明する。
【００１２】
発熱素子５４から放出された熱は、おもに二つの放熱経路６２・６３によって外部に放出され、それによって発熱素子５４は冷却される。
【００１３】
放熱経路６２：発熱素子５４→大気
放熱経路６３：発熱素子５４→バンプ６１→回路基板５２→サーマルボール５１→実装基板５３→大気
従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造６０においても、発熱素子５４から放出される熱は、半導体素子の数、種類、大きさ、製品基板、配線長、配線幅、配線密度、基板層数、層構成、厚さ、基板材料など、様々な要因に左右される。従って、従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造６０を用いる場合は、実装基板５３を含む構成要素のすべてを考慮する必要がある。
【００１４】
このような半導体素子パッケージの放熱実装構造６０は、例えば、特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１７９２５７号公報（公開日  平成１６年６月２４日（２００４．６．２４））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、モールド樹脂にヒートシンク用メタル部材を取り付ける半導体素子パッケージの放熱実装構造には次のような問題があった。つまり、半導体素子パッケージの実装体積が、ヒートシンク用メタル部材を取り付けることによって大きくなり、薄型化が進む各種製品と寸法上の整合性が取れなくなるという問題があった。あるいはヒートシンク用メタル部材をモールド樹脂に取り付ける取付構造が全く考慮されていないという問題があった。このように、ヒートシンク用メタル部材をモールド樹脂に取り付けることによって様々な問題が生じていた。さらに、ヒートシンク用メタル部材は、発熱のために誤動作する可能性のある部品等の冷却に使用されるため、必要箇所に別途取り付けなければならないという非効率な問題もあった。
【００１６】
また、小型化した高実装タイプの基板においては、発熱部品の一つ一つに対してヒートシンク用メタル部材を取り付けること自体が困難である。
【００１７】
特許文献１では、ボールボンディング接続部（ボール接合部）、あるいはサーマルビアによって発熱素子と基板とが接続され、それにより、発熱素子から基板に効率的に放熱を行い、放熱率の向上を図っている。しかしながら、発熱素子の小型化、及び高性能化が進むにつれ発熱量も増加しており、サーマルボールを用いた半導体素子パッケージの放熱実装構造では、半導体素子パッケージから外部への放熱が十分に行えないという問題があった。さらに、基板全体が温度上昇する状態において、放熱は飽和状態となり、半導体素子パッケージの冷却が進まなくなるという問題があった。あるいは、サーマルボールを用いた半導体素子パッケージの放熱実装構造では、サーマルボールは基板全体に速やかに熱を伝えるため、局所的な温度上昇を防ぐことができるものの、上述したように、半導体素子パッケージの外部への放熱が十分に行えないという問題があった。従って、複数の発熱素子が実装されている場合において、それぞれの発熱素子が発熱することにより基板全体が温度上昇するが、それに対してサーマルボールを用いた半導体素子パッケージの放熱実装構造では放熱が飽和状態となってしまい、結果的に基板全体の放熱効率が低下するという問題があった。
【００１８】
本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、効率よく、かつ速やかに放熱することができる半導体素子パッケージ及び実装基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係る半導体素子パッケージは、前記課題を解決するために、上記半導体素子を搭載するための第１回路基板、およびサーマルボールを搭載するための第２回路基板を少なくとも含む複数の回路基板と、上記複数の回路基板の間に介在され、熱伝導性材料により構成される第一熱導電層とを備え、上記複数の回路基板および上記第一熱導電層を貫通する貫通孔が形成され、上記貫通孔の内壁は、熱伝導性材料によって覆われていることを特徴としている。
【００２０】
前記の構成によれば、本実施の形態に係る半導体素子パッケージは、貫通孔と、第一熱伝導層と、サーマルボールと、によって構成された放熱実装構造を有する。貫通孔の内壁は熱伝導性材料によって覆われており、該熱伝導性材料が第一熱伝導層とサーマルボールとに接合されている。これにより、発熱素子から放出された熱は、該熱伝導性材料を介して、第一熱伝導層およびサーマルボールから放出される。この放熱実装構造を備えることにより、おもにサーマルボールから実装基板に熱を放出することによって放熱していた従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造に比べ、効率よく、そして速やかに熱を外部に放出することができる。さらに、貫通孔の内壁を覆う材料、及び第一熱伝導層が高い熱伝導率を有するＣｕ等によって構成されているため、ポリミイド、あるいはガラスエポキシなどの基板材料よりも遥かに熱伝導率を高くすることができ、より効率よく、そして速やかに熱を外部に放出することができる。同時に、発熱素子の周囲に熱が蓄積されるのを防ぐことができ、回路基板、及びその周囲部分に熱を溜めてしまうおそれを軽減することができる。
【００２１】
本発明に係る半導体素子パッケージは、上記第１回路基板における半導体素子を搭載するための面に、熱伝導性材料により構成された放熱板を備えていることが好ましい。
【００２２】
さらに放熱板を備えることにより、貫通孔の内壁を覆う熱伝導性材料から放熱板に熱が伝わり、放熱板からも発熱素子の熱を大気へ放出することができ、より放熱効率を高めることができる。
【００２３】
本発明に係る半導体素子パッケージは、上記第１回路基板における半導体素子を搭載するための面に、熱伝導性材料により構成されたヒートシンクを備えていることが好ましい。
【００２４】
表面積の大きいヒートシンクを備えることにより、貫通孔の内壁を覆う熱伝導性材料からヒートシンクに熱が伝わり、ヒートシンクからも発熱素子の熱を大気へ放出することができ、より放熱効率を高めることができる。このように、周囲の空気に対する熱伝導層の接触面積を増加させることにより、放熱効率の向上を図ることができる。すなわち、回路基板の上面に高い熱伝導率を有するＣｕ等により構成されたヒートシンクを備えることにより、周囲の空気に対する熱伝導層の接触面積を増加させることができ、さらに放熱効率の向上を図ることができる。
【００２５】
本発明に係る半導体素子パッケージは、上記第１回路基板に搭載された上記半導体素子を封止するモールド樹脂の上面よりも、ヒートシンクの上面を低く形成することが好ましい。
【００２６】
モールド樹脂の上面よりもヒートシンクの上面が低く形成されることにより、モールド樹脂の高さに合わせて半導体パッケージの実装体積を決定することができ、後から取り付けるヒートシンクの高さが原因で、半導体パッケージの実装体積が大きくなるという問題を回避することができる。また、モールド樹脂そのものにヒートシンク用メタル部材を取り付ける従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造に比べ、実装高さを低くすることができる。
【００２７】
本発明に係る半導体素子パッケージは、上記第１回路基板における半導体素子を搭載するための面に、熱伝導性材料により構成されたヒートパイプを備えることができる。
【００２８】
伝熱効率の良いヒートパイプを備えることにより、貫通孔の内壁を覆う熱伝導性材料からヒートパイプに熱が伝わり、ヒートパイプを介して放熱することにより、より放熱効率を高めることができる。
【００２９】
本発明に係る半導体素子パッケージは、上記ヒートパイプの内部に、該ヒートパイプの長手方向に沿って、一つ以上の貫通孔が連通して形成されていることが好ましい。
【００３０】
ヒートパイプの内部に、該ヒートパイプの長手方向に沿って、一つ以上の貫通孔を有することにより、該貫通孔の内部に以下に示す水等の液体を封入することができる。
【００３１】
本発明に係る半導体素子パッケージは、上記貫通孔の内部は、真空に保たれると共に、水、代替フロン、アンモニアからなる群から選択されるひとつの物質が封入されていることが好ましい。
【００３２】
ヒートパイプの半径方向における下端部と放熱板の上面とが接合しているため、回路基板の熱がヒートパイプに伝わり、ヒートパイプから外部に放熱される。具体的には、ヒートパイプが回路基板から熱を受け、その熱によってヒートパイプの内部の液体（水、代替フロン、アンモニア等）が蒸発、気化する。そして、気化の際に気化熱として熱を取り込み、その後、低温部において冷却され液体に戻る。これを繰り返すことにより、回路基板の熱を連続的に冷却することができる。
【００３３】
本発明に係る半導体素子パッケージは、上記第１回路基板に搭載された上記半導体素子を封止するモールド樹脂の上面よりも、上記ヒートパイプの半径方向における上端部が低いことが好ましい。
【００３４】
モールド樹脂の上面よりもヒートパイプの半径方向における上端部が低く形成されることにより、モールド樹脂の高さに合わせて半導体パッケージの実装体積を決定することができ、後から取り付けるヒートパイプの高さが原因で、半導体パッケージの実装体積が大きくなるという問題を回避することができる。また、モールド樹脂そのものにヒートシンク用メタル部材を取り付ける従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造に比べ、実装高さを低くすることができる。
【００３５】
本発明に係る実装基板は、本実施の形態に係る半導体素子パッケージを含む実装するための第１実装基板、および該実装基板の最下層をなす第２実装基板を少なくとも含む複数の実装基板と、上記複数の実装基板の間に介在され、熱伝導性材料により構成される第二熱導電層とを備え、該第１実装基板と該サーマルボールとの接合面と、該第二熱伝導層とが、熱伝導性材料によって接続されていることを特徴としている。
【００３６】
実装基板に複数の発熱素子が搭載された場合に、前記構成により第二熱伝導層に発熱素子の熱を導くことにより、第二熱伝導層を補助熱伝導層として用い、第二熱伝導層が有する広い面積を活用して周囲の空気と熱交換をするため、放熱面積を大幅に向上させることができる。その結果、発熱素子から放出される熱に対して極めて高い放熱効果を得ることができ、より効率よく、そして速やかに発熱素子の熱を外部に放出することができる。さらに、ヒートシンク、あるいはヒートパイプを利用して放熱することにより、従来の放熱実装構造に比べ格段に放熱効率の高い実装基板の放熱実装構造を提供することができる。また、本構造であれば、発熱素子ごとの発熱量が異なる場合に、第二熱伝導層、サーマルボール、貫通孔、第一熱伝導層、ヒートパイプ、及びヒートシンクを介して各回路基板にに熱を移動させることもでき、それによって局所的な畜熱を防ぐことができる。そして、本実施の形態に係る放熱実装構造を用いて各回路基板から放熱することにより、より効率よく放熱することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明に係る半導体素子パッケージは、以上のように、上記半導体素子を搭載するための第１回路基板、およびサーマルボールを搭載するための第２回路基板を少なくとも含む複数の回路基板と、上記複数の回路基板の間に介在され、熱伝導性材料により構成される第一熱導電層とを備え、上記複数の回路基板および上記第一熱導電層を貫通する貫通孔が形成され、上記貫通孔の内壁は、熱伝導性材料によって覆われているため、効率よく、かつ速やかに発熱素子の熱を外部に放出することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本実施の形態に係る半導体素子パッケージの放熱実装構造１の外観図であり、図１（ｂ）はその要部断面図である。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などを適宜異ならせて表示してある。また、本発明が以下の各実施の形態に限定されるものではないのは勿論である。
【００３９】
図１（ａ）に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造１を説明する。図１（ａ）が示すように、半導体素子パッケージの放熱実装構造１は、発熱素子２（半導体素子）と、回路基板３ａ〜３ｃ（回路基板）と、サーマルボール４（サーマルボール）と、サーマルビア放熱孔５（貫通孔）と、第一熱伝導層６ａ・６ｂ（第一熱伝導層）と、放熱板７（放熱板）と、を含む。
【００４０】
エポキシ樹脂、ガラスクロス、配線材料によって形成される矩形状の回路基板３ａ〜３ｃは、それぞれ長さと幅が同一である。矩形状の第一熱伝導層６ａ・６ｂは、熱伝導率が高い銅（Ｃｕ）等によって形成されている。第一熱伝導層６ａは回路基板３ａと３ｂとの間に、第一熱伝導層６ｂは回路基板３ｂと３ｃとの間に積層されている。そして、図１（ａ）が示すように、上から回路基板３ａ、第一熱伝導層６ａ、回路基板３ｂ、第一熱伝導層６ｂ、回路基板３ｃ、の順に積層されている。最上面に位置する回路基板３ａの上面中央部には、矩形状の発熱素子２が搭載されている。なお、発熱素子２の図示しない電極と回路基板３ａの図示しない電極とが図示しないバンプによって直接電気的・機械的に接続されている。また、半導体素子２と回路基板３aとの間隙には上記バンプを覆うアンダーフィルが配置されていてもよい。
【００４１】
次に、サーマルビア放熱孔５について、図１（ｃ）に基づいて説明する。図１（ｃ）は、図１（ａ）から放熱板７を省略した図である。
【００４２】
図１（ｃ）が示すように、回路基板３ａの上面であって、発熱素子２と回路基板３ａとの重なり合わない領域には、複数の同径のサーマルビア放熱孔５が形成されている。そして、サーマルビア放熱孔５は、回路基板３ａの外縁と平行に二列に並んで形成されており、すべてのサーマルビア放熱孔５は、回路基板３ａの上面から回路基板３ｃの下面までを、回路基板３ａに対して垂直に貫通している。図１（ｂ）は放熱実装構造１の要部断面図であり、その貫通の様子が示されている。図１（ｂ）が示すように、サーマルビア放熱孔５は、回路基板３ａの上面付近の孔径が、他の箇所における孔径に比べて広く形成されている。
【００４３】
なお、後述するが、サーマルビア放熱孔５の内部は、スパッタ蒸着、あるいはメッキ、またはその併用により、熱伝導率の高いＣｕ等の材料で覆われる。また、サーマルビア放熱孔５は、内壁のみが熱伝導率の高いＣｕ等の材料によって覆われていても、サーマルビア放熱孔５の内部全体が熱伝導率の高いＣｕ等の材料によって充填されていてもよい。また、本実施の形態においては、サーマルビア放熱孔５は、回路基板３ａの上面から回路基板３ｃの下面までを、回路基板３ａに対して垂直に貫通しているが、必ずしも垂直である必要はなく、斜めに貫通していてもよい。
【００４４】
図１（ａ）が示すように、回路基板３ａの上面には、大気に直接触れる形で放熱板７が載置されている。そして、サーマルビア放熱孔５と放熱板７とは互いに接合されている。サーマルビア放熱孔５と放熱板７との接合位置は、放熱板７がサーマルビア放熱孔５を完全に塞いでもよく、図１（ａ）のように、放熱板７がサーマルビア放熱孔５の一部を塞いでもよい。なお、本明細書において、“サーマルビア放熱孔５と放熱板７とが接合している”とは、サーマルビア放熱孔５に内在する熱伝導率の高いＣｕ等の材料と、放熱板７とが接合していることを表す。サーマルビア放熱孔５と他の構成要素との接合も同様である。また、本実施の形態においては、サーマルビア放熱孔５と放熱板７とは互いに接合しているが、サーマルビア放熱孔５の熱が伝わる距離に放熱板７を配置するのであれば、サーマルビア放熱孔５と放熱板７とは必ずしも互いに接合している必要はない。
【００４５】
上述したように、サーマルビア放熱孔５は、回路基板３ａの上面から回路基板３ｃの下面までを貫通しており、回路基板３ｃの底面（第二主面）において、サーマルビア放熱孔５とサーマルボール４とが接合している。従って、サーマルビア放熱孔５とサーマルボール４の数量は一致している。このように、サーマルビア放熱孔５は、回路基板３ａ〜３ｃと、第一熱伝導層６ａ・６ｂと、放熱板７と、サーマルボール４と、に接合されている。なお、本実施の形態ではサーマルビア放熱孔５とサーマルボール４との数量は一致しているが、必ずしも数量は一致している必要はなく、サーマルボール４の数がサーマルビア放熱孔５の数より多くてもよい。また、複数のサーマルビア放熱孔５の直径はそれぞれ異なっていてもよい。また、本実施の形態のように、サーマルビア放熱孔５は、回路基板３ａの上面であって、発熱素子２と回路基板３ａとの重なり合わない領域に二列に並んで形成されている必要はなく、実施の形態に応じて配置を変更することができる。
【００４６】
次に、半導体素子パッケージの放熱実装構造１の形成方法を説明する。この方法により、放熱実装構造１を有する、高密度実装が可能な高多層プリント基板を製造することができる。
【００４７】
半導体素子パッケージの放熱実装構造１の形成方法であるが、まず、回路基板３ｃの上面に第一熱伝導層６ｂを積層する。そして、第一熱伝導層６ｂの上面に回路基板３ｂを積層する。次に、回路基板３ｂの上面に第一熱伝導層６ａを積層する。続いて、第一熱伝導層６ａの上面に、配線回路を形成した回路基板３ａを積層する。このように積層された回路基板３ａ〜３ｃ、及び第一熱伝導層６ａ・６ｂに対して、ドリル、あるいはレーザーによって所定の位置を穿孔する。その穿孔部の内部は、スパッタ蒸着、あるいはメッキ、またはその併用により、熱伝導率の高いＣｕ等の材料で覆われる。このようにしてサーマルビア放熱孔５の内部に熱伝導率の高い材料が充填される。若しくは、サーマルビア放熱孔５は、内壁のみが熱伝導率の高いＣｕ等の材料によって覆われてもよい。
【００４８】
なお、回路基板３ａの上面付近におけるサーマルビア放熱孔５の孔径は、他の箇所における孔径に比べてより広く形成されている。これは、サーマルビア放熱孔５と放熱板７との接合面積を大きくして、サーマルビア放熱孔５から放熱板７への放熱量を増やすためである。但し、孔径は上記仕様に限定する必要はなく、同一の孔径で形成されていてもよい。
【００４９】
さらに、図１（ａ）では、放熱実装構造１は放熱板７を含んでいるが、実施の形態に応じて、図１（ｃ）のように、放熱板７を含まないケースが適用されることもある。
【００５０】
上記の方法によってサーマルビア放熱孔５を形成した後に、放熱板７とサーマルビア放熱孔５とを接合する。最後に、回路基板３ｃの下面において、サーマルビア放熱孔５とサーマルボール４とを接合し、回路基板３ｃにサーマルボール４を実装する。以上の方法によって、放熱実装構造１を有する、高密度実装が可能な高多層プリント基板を製造することができる。
【００５１】
このように、放熱実装構造１を有する多層基板は、回路基板３ａ〜３ｃと第一熱伝導層６ａ・６ｂとが積層され、放熱板７とサーマルビア放熱孔５とが接合されている。本実施の形態においては考慮していないが、回路基板３ａ〜３ｃに配線パターンが形成され、その間の電気的接続が必要となる場合は、サーマルビア放熱孔５を介して電気的接続が行われる。また、上述したように、サーマルビア放熱孔５の開口手段としては、一般的にはドリル、あるいはレーザーが使われる。
【００５２】
図１（ａ）に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造１による放熱経路を説明する。
【００５３】
まず、半導体素子（発熱素子２）を有するデバイスが稼動することにより、発熱素子２が発熱する。発熱素子２の下面と回路基板３ａの上面とは対向しており、電極間がバンプにより電気的・機械的に接続されている。従って、発熱素子２からの放熱経路はおもに四通り存在する。第一の放熱経路は、発熱素子２から直接大気に放熱される放熱経路である。第二〜四の放熱経路は、発熱素子２から放出された熱が、発熱素子２からバンプを介して回路基板３ａに伝わり、さらにその熱がサーマルビア放熱孔５から第一熱伝導層６ａ・６ｂに伝達され、そして第一熱伝導層６ａ・６ｂの側面端面から大気へ放出される放熱経路（第二の放熱経路）、サーマルビア放熱孔５からサーマルボール４を介して図示しない実装基板に熱が伝わり、実装基板から大気へ放出される放熱経路（第三の放熱経路）、及びサーマルビア放熱孔５から放熱板７に熱が伝わり、放熱板７から大気へ放出される放熱経路（第四の放熱経路）、である。
【００５４】
より具体的に、第二〜四の放熱経路について説明する。
【００５５】
第二〜四の放熱経路では、まず発熱素子２からバンプを介して回路基板３ａに熱が伝わり、その熱がサーマルビア放熱孔５に伝わる。サーマルビア放熱孔５の内部は、スパッタ蒸着、あるいはメッキまたはその併用により、熱伝導率の高いＣｕ等の材料で覆われている。従って、サーマルビア放熱孔５の内部において、熱の移動は速やかに行われる。つまり、回路基板３ａからサーマルビア放熱孔５へ伝わった熱は、速やかに第一熱伝導層６ａ・６ｂ、及びサーマルボール４に伝わる。その後、大気に露出している第一熱伝導層６ａ・６ｂの側面端面にまで熱が伝わり、そこから大気へ放熱される（第二の放熱経路）。
【００５６】
第三の放熱経路は、サーマルビア放熱孔５からサーマルボール４へ熱が伝わり、サーマルボール４から図示しない実装基板に熱が伝わり、最後に実装基板から大気へ放熱される放熱経路である。
【００５７】
第四の放熱経路は、サーマルビア放熱孔５から放熱板７に伝わり、放熱板７から大気へ放熱される放熱経路である。
【００５８】
このように、発熱素子２から放出された熱の放熱経路は、発熱素子２から直接大気へ放出される第一の放熱経路、第一熱伝導層６ａ・６ｂから大気へ放出される第二の放熱経路、実装基板から大気へ放出される第三の放熱経路、及び放熱板７から大気へ放出される第四の放熱経路、の四つの放熱経路が存在する。
【００５９】
図１（ａ）に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造１による放熱効果を説明する。
【００６０】
本実施の形態に係る半導体素子パッケージの放熱実装構造１は、サーマルビア放熱孔５が、回路基板３ａの上面から回路基板３ｃの下面までを、回路基板３ａに対して垂直に貫通している。そして、サーマルビア放熱孔５の内部は、熱伝導率の高いＣｕ等が充填されており、回路基板３ａ〜３ｃ及び第一熱伝導層６ａ・６ｂと接合している。さらに、サーマルビア放熱孔５とサーマルボール４とが、回路基板３ｃの下面において接合している。つまり、サーマルビア放熱孔５が、第一熱伝導層６ａ・６ｂおよびサーマルボール４と接合することにより、半導体素子パッケージの放熱実装構造１においては、発熱素子２から放出された熱が効率よく、そして速やかに外部に放出される。このように、放熱実装構造１を適用することにより、発熱素子２の周囲に熱が蓄積されるのを防ぐことができる。
【００６１】
さらに、回路基板３ａの上面には、大気に直接触れる形で放熱板７が載置されており、放熱板７は、熱伝導性の高いＣｕ等によって形成されている。そして、サーマルビア放熱孔５と放熱板７とが接合している。このため、発熱素子２から放出された熱がサーマルビア放熱孔５を介して速やかに放熱板７に伝わり、放熱板７から効率よく大気へ放熱される。このように、放熱板７から大気へ放熱する放熱経路が存在するため、放熱実装構造１は、さらに放熱効率を高めることができる。
【００６２】
このように、半導体素子パッケージの放熱実装構造１は、サーマルビア放熱孔５、第一熱伝導層６ａ・６ｂ、放熱板７、及びサーマルボール４を介して放熱を行うため、従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造に比べ、発熱素子２の熱を回路基板３の外部に効率よく、そして速やかに放出することができる。従って、発熱素子２から放出された熱が回路基板３ａ〜３ｃ、及びその周囲部分に溜まるおそれを少なくすることができる。
（実施の形態２）
図２は、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの他の放熱実装構造１０の外観図である。図２に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造１０について説明する。図２が示すように、回路基板３ａの上面にはモールド樹脂１１が載置されており、図示しない発熱素子はモールド樹脂１１の内部に封止されている。そして、発熱素子と回路基板３ａとは、図示しないワイヤによって電気的に接続されており、ワイヤもモールド樹脂１１の内部に封止されている。なお、図１（ａ）・（ｂ）を参照して前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００６３】
図２に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造１０による放熱経路を説明する。
【００６４】
まず、半導体素子（発熱素子）を有するデバイスが稼動することにより、発熱素子が発熱する。発熱素子はモールド樹脂１１に封止されていることから、発熱素子からの放熱経路はおもに四通り存在する。つまり、第一の放熱経路は、発熱素子からモールド樹脂１１へ熱が伝わり、モールド樹脂１１から直接大気に放熱される放熱経路である。第二〜四の放熱経路は、発熱素子から放出された熱が、発熱素子からモールド樹脂１１を介して回路基板３ａに放熱され、その熱がサーマルビア放熱孔５に伝わり、サーマルビア放熱孔５を介して第一熱伝導層６ａ・６ｂの側面端面から放熱される放熱経路（第二の放熱経路）、サーマルビア放熱孔５からサーマルボール４に熱が伝わり、サーマルボール４から図示しない実装基板に熱が伝わり、実装基板から放熱される放熱経路（第三の放熱経路）、及びサーマルビア放熱孔５から放熱板７に熱が伝わり、放熱板７から大気へ放熱される放熱経路（第四の放熱経路）、である。
【００６５】
なお、図１（ａ）を参照して前述した半導体素子パッケージの放熱実装構造１に係る第一の放熱経路と、半導体素子パッケージの放熱実装構造１０に係る第一の放熱経路とは、発熱素子から放出された熱が、発熱素子から直接大気へ放熱されるか、あるいはモールド樹脂１１を介して大気へ放熱されるか、の相違点があるのみである。また、半導体素子パッケージの放熱実装構造１に係る第二〜四の放熱経路と、半導体素子パッケージの放熱実装構造１０に係る第二〜四の放熱経路とは、発熱素子から放出された熱が、バンプもしくはアンダーフィルを介して回路基板３ａに放熱されるか、あるいは回路基板３ａに接続された発熱素子の裏面、もしくはモールド樹脂１１を介して回路基板３ａに放熱されるかの相違点があるのみである。従って、半導体素子パッケージの放熱実装構造１０に係る第一〜四の放熱経路についての詳細な説明、及び半導体素子パッケージの放熱実装構造１０による放熱効果についての詳細な説明は省略する。
（実施の形態３）
図３は、本実施の形態に係る他の半導体素子パッケージの放熱実装構造２０の外観図である。図３に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造２０について説明する。図３が示すように、半導体素子パッケージの放熱実装構造２０では、放熱板７の上面に円筒形のヒートパイプ２１が横たわるように載置されている。より具体的には、ヒートパイプ２１は、モールド樹脂１１を囲むように回路基板３ａの上面に載置されており、回路基板３ａとモールド樹脂１１との重なり合わない領域の大部分を占めて載置されている。ヒートパイプ２１は、Ｃｕ等の熱伝導率の高い材料によって形成されている。そして、断面２２・２３に示されるように、内部には複数の貫通孔が形成されている。その貫通孔は、ヒートパイプ２１の長手方向に亘って連通した状態で形成されている。従って、断面２２と断面２３とに示される貫通孔の数量、及び断面における位置は同一である。その貫通孔の内部は真空に保たれており、水、若しくは代替フロンが封入されている。
【００６６】
また、ヒートパイプ２１の半径方向における上端部は、モールド樹脂１１の上面より低くなるように設置されている。なお、図１（ａ）・（ｂ）、及び図２を参照して前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。なお、ヒートパイプ２１に形成される貫通孔は複数であっても、単数であってもよい。さらに、図３ではヒートパイプ２１が放熱板７の上面に載置されているが、放熱板７に載置せず、直接サーマルビア放熱孔５、あるいは回路基板３ａの上面に載置することもできる。また、ヒートパイプ２１は必ずしも円筒形である必要はなく、直方体形状等の形状であってもよい。
【００６７】
図３に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造２０による放熱経路を説明する。
【００６８】
半導体素子パッケージの放熱実装構造２０は、半導体素子パッケージの放熱実装構造１０について説明した四つの放熱経路を有するが、さらに第五の放熱経路を有する。つまり第五の放熱経路とは、ヒートパイプ２１の半径方向における下端部と放熱板７の上面とが接合しているため、放熱板７の熱がヒートパイプ２１に伝わり、ヒートパイプ２１から外部に放熱される経路である。具体的には、ヒートパイプ２１が放熱板７から熱を受け、その熱によってヒートパイプ２１の内部の液体（水、代替フロン等）が蒸発、気化する。そして、気化の際に気化熱として熱を取り込み、その後、図示しない低温部において冷却され液体に戻る。これを繰り返すことにより、放熱板７の熱を連続的に冷却する。なお、図３では断面２２・２３によって示される位置から、図示しない低温部に向かってヒートパイプ２１が延びており、ヒートパイプ２１の内部の液体（水、代替フロン等）が低温部とヒートパイプ２１の内部とを循環する構成となっている。しかしながら、ヒートパイプ２１が低温部に向かう位置は断面２２・２３によって示される位置に限定されるものではなく、他の位置に変更することももちろん可能である。
【００６９】
半導体素子パッケージの放熱実装構造２０に係るその他の放熱経路についての詳細な説明は、図１及び図２を参照して前述した半導体素子パッケージの放熱実装構造１０に係る放熱経路と同一である。従って、これらの放熱経路の詳細な説明は省略する。
【００７０】
図３に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造２０による放熱効果を説明する。
【００７１】
本実施の形態に係る半導体素子パッケージの放熱実装構造２０は、Ｃｕ等の熱伝導率の高い材料によって形成されたヒートパイプ２１と放熱板７とが接合しているため、放熱板７の熱がヒートパイプ２１に伝わり、その熱がヒートパイプ２１から上記の放熱経路を介して放出される。従って、半導体素子パッケージの放熱実装構造２０は、ヒートパイプ２１を有しない半導体素子パッケージの放熱実装構造１・１０に比べ、より効率よく、そして速やかに外部に熱を放出することができ、回路基板３ａ〜３ｃ、及びその周囲部分に熱を溜めてしまうおそれを軽減することができる。このように、放熱板７にヒートパイプ２１を接合することにより、半導体素子パッケージの放熱性をより高めることができる。
【００７２】
なお、半導体素子パッケージの放熱実装構造２０では、発熱素子をモールド樹脂１１で封止しているが、ヒートパイプ２１の半径方向における上端部の高さをモールド樹脂１１の高さより低く形成することが好ましい。それにより、モールド樹脂１１そのものにヒートシンク用メタル部材を取り付ける従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造より実装体積を減らすことができる。このように、ヒートパイプ２１を用いることによって、さらに熱交換効率を高めた半導体素子パッケージの放熱実装構造を実現することができ、かつ従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造より実装体積を減らすことができる。
（実施の形態４）
図４は、本実施の形態に係る他の半導体素子パッケージの放熱実装構造３０の外観図である。図４に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造３０について説明する。図４が示すように、半導体素子パッケージの放熱実装構造３０には、回路基板３ａの上面であって、モールド樹脂１１と回路基板３ａとの重なり合わない領域に、熱伝導性の高いＣｕ等によって形成されたヒートシンク３１が取り付けられている。ヒートシンク３１の上面の高さはモールド樹脂１１の上面の高さよりわずかに低く、ヒートシンク３１の長さと幅は、回路基板３ａの長さと幅と同一である。そして、ヒートシンク３１は、回路基板３ａ、及びサーマルビア放熱孔５と接合している。なお、本実施の形態においては、ヒートシンク３１の長さと幅は回路基板３ａの長さと幅と同一であるが、必ずしも同一にする必要はない。
【００７３】
図４に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造３０による放熱経路を説明する。
【００７４】
半導体素子パッケージの放熱実装構造３０は、半導体素子パッケージの放熱実装構造１０の第一〜三の放熱経路と同一の三つの放熱経路を有するが、さらに別の放熱経路を有する。つまり、ヒートシンク３１の底面と回路基板３ａ及びサーマルビア放熱孔５とが接合しているため、回路基板３ａ及びサーマルビア放熱孔５の熱がヒートシンク３１に伝わり、その熱が、ヒートシンク３１の表面から大気に放出される。なお、半導体素子パッケージの放熱実装構造３０に係る第一〜三の放熱経路についての詳細な説明は、図１（ａ）、及び図２を参照して前述した半導体素子パッケージの放熱実装構造１０に係る第一〜三の放熱経路と同一である。従って、これらの放熱経路の詳細な説明は省略する。
【００７５】
図４に基づいて、半導体素子パッケージの放熱実装構造３０による放熱効果を説明する。
【００７６】
本実施の形態に係る半導体素子パッケージの放熱実装構造３０は、Ｃｕ等の熱伝導率の高い材料によって形成されたヒートシンク３１と回路基板３ａ及びサーマルビア放熱孔５とが接合しているため、回路基板３ａ及びサーマルビア放熱孔５の熱がヒートシンク３１に伝わり、その熱がヒートシンク３１から直接大気へ放出される。ヒートシンク３１を取り付けることにより、放熱板７及びヒートシンク３１の大気に露出している部分の表面積は、放熱板７のみが大気に露出している場合の放熱板７の表面積に比べ著しく大きくなる。従って、半導体素子パッケージの放熱実装構造３０は、ヒートシンク３１を有しない半導体素子パッケージの放熱実装構造１・１０に比べ、より効率よく、そして速やかに外部に熱を放出することができ、回路基板３ａ〜３ｃ、及びその周囲部分に熱を溜めてしまうおそれを軽減することができる。このように、回路基板３ａ及びサーマルビア放熱孔５にヒートシンク３１を接合することにより、半導体素子を搭載した回路基板の放熱性をより高めることができる。
【００７７】
なお、半導体素子パッケージの放熱実装構造３０では、発熱素子はモールド樹脂１１によって封止されているが、ヒートシンク３１の上面の高さをモールド樹脂１１の上面の高さより低く形成することが好ましい。それにより、モールド樹脂１１そのものにヒートシンク用メタル部材を取り付ける従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造より実装体積を減らすことがでる。このように、ヒートシンク３１を用いることにより、さらに熱交換効率を高めた半導体素子パッケージの放熱実装構造を実現することができ、かつ従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造より実装体積を減らすことができる。
（実施の形態５）
図５は、本実施の形態に係る実装基板の放熱実装構造４０の外観図である。図５に基づいて、実装基板の放熱実装構造４０について説明する。
【００７８】
実施の形態１〜４に係る半導体素子パッケージの放熱実装構造は、半導体素子（発熱素子）が１台搭載された半導体素子パッケージの放熱実装構造に関するものであった。しかし、通常は、実装基板には複数の発熱素子が混在して搭載される。従って、当然のことながら、搭載される発熱素子の数量に応じて放熱効率は変化する。本実施の形態５に係る実装基板の放熱実装構造４０は、発熱素子が複数搭載された半導体素子パッケージに好適な実装基板の放熱実装構造である。
【００７９】
図５が示すように、実装基板４１の上面には半導体素子パッケージ４５と半導体素子パッケージ４６とが搭載されている。半導体素子パッケージ４５は、半導体素子パッケージの放熱実装構造３０を有する。半導体素子パッケージ４６は、従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造５０を有する。
【００８０】
実装基板４１は、基板４１ａ（第一実装基板）と、基板４１ｃ（第二実装基板）と、第二熱伝導層４１ｂ（第二熱伝導層）と、を有する。そして、第二熱伝導層４１ｂは、基板４１ａと基板４１ｃの間に積層されている。なお、基板４１ａ、第二熱伝導層４１ｂ、及び基板４１ｃは、それぞれ矩形状であり、長さと幅が同一である。半導体素子パッケージ４５の回路基板３ｃの底面、及び半導体素子パッケージ４６の回路基板５２の底面には複数のサーマルボール４が実装されており、サーマルボール４は実装基板４１にも接合されている。つまり、半導体素子パッケージ４５・４６は、サーマルボール４を介して実装基板４１の上面に搭載されている。
【００８１】
実装基板４１ａとサーマルボール４との接合面は、第二熱伝導層４１ｂと同様に、熱伝導性材料によって形成されている。そして、その接合面と、第二熱伝導層４１ｂにおいてその接合面と対向する領域によって囲まれる熱伝導部４２も、熱伝導性材料によって形成されている。
【００８２】
なお、本実施の形態においては、第二熱伝導層は４１ｂによって示される一層のみであるが、２層以上あってもよい。
【００８３】
図５に基づいて、実装基板の放熱実装構造４０による放熱経路を説明する。なお、図４を参照して前述した半導体素子パッケージの放熱実装構造３０に係る第一〜四の放熱経路、及び図６を参照して前述した半導体素子パッケージの放熱実装構造５０に係る放熱経路に関する説明は省略する。
【００８４】
図５が示すように、実装基板の放熱実装構造４０は、サーマルボール４から熱伝導部４２を介して第二熱伝導層４１ｂへ熱を伝える放熱経路４７を有している。従って、半導体素子パッケージ４５・４６に搭載された発熱素子２の熱は、放熱経路４７を通って第二熱伝導層４１ｂまで伝わる。第二熱伝導層４１ｂは実装基板４１の側面端面において大気開放されており、第二熱伝導層４１ｂに伝わった熱は、第二熱伝導層４１ｂの側面端面から大気へ放出される。
【００８５】
図５に基づいて、実装基板の放熱実装構造４０による放熱効果を説明する。
【００８６】
本実施の形態に係る実装基板の放熱実装構造４０では、熱伝導部４２及び第二熱伝導層４１ｂは、熱伝導率の高い材料によって形成されている。そして、半導体素子パッケージ４５・４６と熱伝導部４２及び第二熱伝導層４１ｂとは、複数のサーマルボール４によって接続している。従って、放熱経路４７を有する実装基板の放熱実装構造４０は、複数の発熱素子２から放出された熱を、サーマルボール４を介して第二熱伝導層４１ｂに伝えることができる。その結果、複数の発熱素子２から放出された熱を、効率よく、速やかに第二熱伝導層４１ｂから大気へ放出することができる。これにより、複数の発熱素子２の周囲に熱が蓄積されるのを防ぐことができ、回路基板３ａ〜３ｃ、及びその周囲部分に熱を溜めてしまうおそれを軽減することができる。
【００８７】
このように、第二熱伝導層４１ｂを補助熱伝導層として用い、第二熱伝導層４１ｂが有する広い面積を活用して周囲の空気と熱交換をするため、放熱面積を大幅に向上させることができる。その結果、発熱素子２から放出される熱に対して極めて高い放熱効果を得ることができる。
【００８８】
また、本構造であれば、発熱素子２ごとに発熱量が異なる場合に、第二熱伝導層４１ｂ、サーマルボール４、サーマルビア放熱孔５、第一熱伝導層６ａ、ヒートシンク３１、あるいは図示しないヒートパイプを介して各回路基板に均一に熱を移動させることもでき、それによって局所的な畜熱を防ぐことができる。そして、実施の形態１〜４に係る放熱実装構造を用いて各回路基板から放熱することにより、より効率よく放熱することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明は、半導体素子、あるいは半導体素子を封止するモールド樹脂が搭載された半導体素子パッケージ、及び前記半導体素子パッケージを搭載する実装基板に関するものである。より具体的には、前記半導体素子パッケージの放熱実装構造、及び前記実装基板の放熱実装構造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】（ａ）は、本実施の形態に係る半導体素子パッケージの放熱実装構造の外観図であり、（ｂ）は、上記半導体素子パッケージの放熱実装構造の要部断面図であり、（ｃ）は、（ａ）から放熱板を省略した半導体素子パッケージの放熱実装構造の外観図である。
【図２】本実施の形態に係る他の半導体素子パッケージの放熱実装構造の外観図である。
【図３】本実施の形態に係る他の半導体素子パッケージの放熱実装構造の外観図である。
【図４】本実施の形態に係る他の半導体素子パッケージの放熱実装構造の外観図である。
【図５】本実施の形態に係る実装基板の放熱実装構造の外観図である。
【図６】発熱素子がモールド樹脂に封止された従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造に係る断面図である。
【図７】フリップチップ方式による従来の半導体素子パッケージの放熱実装構造に係る断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１  半導体素子パッケージの放熱実装構造
２  発熱素子（半導体素子）
３  回路基板
３ａ  回路基板（第１回路基板）
３ｂ  回路基板
３ｃ  回路基板（第２回路基板）
４  サーマルボール
５  サーマルビア放熱孔（貫通孔）
６ａ、６ｂ  第一熱伝導層
７  放熱板
１０  半導体素子パッケージの放熱実装構造
１１  モールド樹脂
２０  半導体素子パッケージの放熱実装構造
２１  ヒートパイプ
２２、２３  断面
３０  半導体素子パッケージの放熱実装構造
３１  ヒートシンク
４０  実装基板の放熱実装構造
４１  実装基板
４１ａ  実装基板（第１実装基板）
４１ｃ  基板基板（第２実装基板）
４１ｂ  第二熱伝導層
４２  熱伝導部
４５、４６  半導体素子パッケージ
４７  放熱経路
５０  半導体素子パッケージの放熱実装構造
５１  サーマルボール
５２  回路基板
５３  実装基板
５４  発熱素子
５５  モールド樹脂
５６  ワイヤ
５７、５８  放熱経路
６０  半導体素子パッケージの放熱実装構造
６１  バンプ
６２、６３  放熱経路
【図１】
2009117489.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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