(57)【要約】【課題】ボンディング強度の低下を抑制しつつ、不要な静電容量を抑制できる光半導体装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置１は、サブマウント２と、サブマウント２にボンディングされる半導体レーザ素子３とを有する。レーザ素子３は、基板２１と、基板２１上に形成され、ストライプ部３８を有する半導体積層部２２と、ストライプ部３８が露出するように積層部２２に形成された絶縁膜２３と、絶縁膜２３から露出したストライプ部３８と接続されたｐ側電極部２５及び電極部２５と絶縁された状態で絶縁膜２３上に形成されたボンディング部２６、２７とを有するボンディングパッド２８とを含む。サブマウント２は、保持基板１１と、電極部２５が接続された電極部１２及び電極部１２と絶縁され且つボンディング部２６、２７とボンディングされるボンディング部１３、１４を有し、基板１１に形成されたボンディングパッド１５とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、ストライプ部が形成された半導体積層部と、
前記ストライプ部が露出するように前記半導体積層部上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜から露出した前記ストライプ部と電気的に接続された電極部、及び、前記電極部と電気的に絶縁された状態で前記絶縁膜上に形成されたボンディング部とを有するボンディングパッドとを備えていることを特徴とするジャンクションダウン型の光半導体素子。
【請求項２】
前記ボンディング部は、前記電極部を挟み一対設けられていることを特徴とする請求項１に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子。
【請求項３】
前記電極部と前記ボンディング部は、同じ材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記電極部と前記ボンディング部との間で露出していることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子。
【請求項５】
光半導体素子と、前記光半導体素子がボンディングされるサブマウントとを備え、
前記光半導体素子は、
基板と、
前記基板上に形成され、ストライプ部が形成された半導体積層部と、
前記ストライプ部が露出するように前記半導体積層部上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜から露出した前記ストライプ部と電気的に接続された第１電極部、及び、前記電極部と電気的に絶縁された状態で前記絶縁膜上に形成された第１ボンディング部とを有する第１ボンディングパッドとを備え、
前記サブマウントは、
保持基板と、
前記光半導体素子の第１電極が電気的に接続された第２電極部、及び、前記第２電極部と電気的に絶縁され且つ前記光半導体素子の第１ボンディング部とボンディングされる第２ボンディング部を有し、前記保持基板に形成された第２ボンディングパッドとを備えていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
前記第１ボンディングパッドの表面は、Ａｕを含み、
前記第２ボンディングパッドの表面は、Ａｕを含み、
前記第１ボンディングパッドと前記第２ボンディングパッドは、Ｓｎを含む半田材によってボンディングされていることを特徴とする請求項５に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ストライプ部が形成された半導体積層部を備えたジャンクションダウン型の光半導体素子及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ストライプ部が形成された半導体積層部を有する半導体レーザ素子等の光半導体素子や、その光半導体素子を備えた光半導体装置が知られている（特許文献１参照）。このような光半導体素子の一つとして、ストライプ部側をサブマウントに接続するジャンクションダウン型がある。
【０００３】
図１４及び図１５に示すジャンクションダウン型の光半導体素子１００は、基板１０１と、半導体積層部１０２と、絶縁膜１０３と、ワイヤーボンディングされるｎ側電極１０４と、サブマウントとダイボンディングされるボンディングパッド１０５とを備えている。半導体積層部１０２は、基板１０１上に形成され、電流を狭窄させるためのストライプ部１０６を有する。絶縁膜１０３は、半導体積層部１０２の上面に形成されるとともに、ストライプ部１０６が露出するように開口部１０３ａが形成されている。ｎ側電極１０４は、基板１０１の裏面を覆うように形成されている。ボンディングパッド１０５は、ストライプ部１０６と電気的に接続されたｐ側電極としても機能する。ボンディングパッド１０５は、絶縁膜１０３の一面の全域を覆うように形成されている。
【０００４】
上述した光半導体素子１００では、ｎ側電極１０４とボンディングパッド１０５との間に電圧が印加されると、ストライプ部１０６及びその近傍の積層方向にのみ電流が流れる。これにより、半導体積層部１０２が、反転分布状態となり誘導放出が生じて光が出射される。
【特許文献１】特開２００１−３５８４０４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したジャンクションダウン型の光半導体素子１００では、ボンディングパッド１０５が絶縁膜１０３の一面全てを覆うように形成されている。このため、ストライプ部１０６以外の領域において、半導体積層部１０２とボンディングパッド１０５とがコンデンサ構造となり、不要な静電容量が生じるといった課題がある。ここで、ボンディングパッド１０５を細くすることによって、静電容量を小さくすることが考えられる。しかしながら、ボンディングパッド１０５を細くすると、サブマウントとのボンディング強度が弱くなるといった課題が生じる。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、ボンディング強度の低下を抑制しつつ、不要な静電容量を抑制できるジャンクションダウン型の光半導体素子及び光半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上に形成され、ストライプ部が形成された半導体積層部と、前記ストライプ部が露出するように前記半導体積層部上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜から露出した前記ストライプ部と電気的に接続された電極部、及び、前記電極部と電気的に絶縁された状態で前記絶縁膜上に形成されたボンディング部とを有するボンディングパッドとを備えていることを特徴とするジャンクションダウン型の光半導体素子である。
【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、前記ボンディング部は、前記電極部を挟み一対設けられていることを特徴とする請求項１に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子である。
【０００９】
また、請求項３に記載の発明は、前記電極部と前記ボンディング部は、同じ材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子である。
【００１０】
また、請求項４に記載の発明は、前記絶縁膜は、前記電極部と前記ボンディング部との間で露出していることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のジャンクションダウン型の光半導体素子である。
【００１１】
また、請求項５に記載の発明は、光半導体素子と、前記光半導体素子がボンディングされるサブマウントとを備え、前記光半導体素子は、基板と、前記基板上に形成され、ストライプ部が形成された半導体積層部と、前記ストライプ部が露出するように前記半導体積層部上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜から露出した前記ストライプ部と電気的に接続された第１電極部、及び、前記電極部と電気的に絶縁された状態で前記絶縁膜上に形成された第１ボンディング部とを有する第１ボンディングパッドとを備え、前記サブマウントは、保持基板と、前記光半導体素子の第１電極が電気的に接続された第２電極部、及び、前記第２電極部と電気的に絶縁され且つ前記光半導体素子の第１ボンディング部とボンディングされる第２ボンディング部を有し、前記保持基板に形成された第２ボンディングパッドとを備えていることを特徴とする光半導体装置である。
【００１２】
また、請求項６に記載の発明は、前記第１ボンディングパッドの表面は、Ａｕを含み、前記第２ボンディングパッドの表面は、Ａｕを含み、前記第１ボンディングパッドと前記第２ボンディングパッドは、Ｓｎを含む半田材によってボンディングされていることを特徴とする請求項５に記載の光半導体装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ジャンクションダウン型の光半導体素子のボンディングパッドにおいて、電極部とボンディング部とを電気的に絶縁している。これにより、ボンディング部と半導体積層部との間に生じる不要な静電容量を抑制できる。また、光半導体素子の電極部のみならずボンディング部をもサブマウントとボンディングすることにより、ボンディング強度の低下を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明を半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置に適用した第１実施形態について説明する。尚、第１実施形態による半導体レーザ装置は、光ディスク装置、レーザプリンタ、光通信機器等に適用可能である。
【００１５】
図１は、第１実施形態による半導体レーザ装置の全体斜視図である。図２は、サブマウントの斜視図である。図３は、サブマウントの平面図である。図４は、半導体レーザ素子の斜視図である。図５は、半導体レーザ素子の平面図である。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【００１６】
図１に示すように、第１実施形態による半導体レーザ装置１は、サブマウント２と、半導体レーザ素子３とを備えている。
【００１７】
図１に示すように、サブマウント２は、半導体レーザ素子３を保持するためのものである。図２及び図３に示すように、サブマウント２は、保持基板１１と、電極部１２及び一対のボンディング部１３、１４を有するボンディングパッド１５とを備えている。
【００１８】
尚、電極部１２が、請求項５に記載の第２電極部に相当する。ボンディング部１３、１４が、請求項５に記載の第２ボンディング部に相当する。ボンディングパッド１５が、請求項５に記載の第２ボンディングパッドに相当する。
【００１９】
保持基板１１は、熱伝導率が高い絶縁性のＡｌＮからなる。尚、保持基板１１をＳｉやＳｉＣ等により構成してもよい。平面視において、保持基板１１は、約４００μｍのＸ方向の幅と、約５００μｍのＹ方向の長さとを有する。
【００２０】
ボンディングパッド１５は、後述する半導体レーザ素子３のボンディングパッド２８とボンディングするためのものである。以下、ボンディングパッド１５を構成する電極部１２及びボンディング部１３、１４について説明する。
【００２１】
電極部１２は、半導体レーザ素子３と外部とを電気的に接続するためのものである。電極部１２は、保持基板１１の一方の面（以下、主面）１１ａに積層されたＡｕ、Ｐｔ（またはＭｏ、Ｗ等のバリアメタル）、Ａｕからなる。電極部１２は、後述する半導体レーザ素子３のｐ側電極部２５が電気的に接続される接続部１２ａと、外部に接続される外部端子部１２ｂとを備えている。接続部１２ａは、約５μｍのＸ方向の幅を有する。
【００２２】
ボンディング部１３、１４は、半導体レーザ素子３のボンディング強度の低下を抑制するためのものである。ボンディング部１３、１４は、保持基板１１の主面１１ａに形成されている。ボンディング部１３、１４は、電極部１２と同じ材料からなり、同じ積層構造を有する。ボンディング部１３、１４は、電極部１２と所定の間隔を開け、電気的に絶縁されている。ボンディング部１３とボンディング部１４は、電極部１２の接続部１２ａを挟み線対称に形成されている。各ボンディング部１３、１４は、約７５μｍのＸ方向の幅と、約４００μｍのＹ方向の長さとを有する。ボンディング部１３、１４は、後述する半導体レーザ素子３のボンディング部２６、２７とボンディングされる。
【００２３】
図１に示すように、半導体レーザ素子３は、ジャンクションダウン型である。図４及図５に示すように、半導体レーザ素子３は、基板２１と、半導体積層部２２と、絶縁膜２３と、ｎ側電極２４と、ｐ側電極部２５及び一対のボンディング部２６、２７を有するボンディングパッド２８とを備えている。
【００２４】
尚、ｐ側電極部２５が、請求項１に記載の電極部及び請求項５に記載の第１電極部に相当する。ボンディング部２６、２７が、請求項１に記載のボンディング部及び請求項５に記載の第１ボンディング部に相当する。ボンディングパッド２８が、請求項１に記載のボンディングパッド及び請求項５に記載の第１ボンディングパッドに相当する。
【００２５】
基板２１は、導電性を有するｎ型ＧａＮからなる。平面視において、基板２１は、約２００μｍのＸ方向側の長さと、約４００μｍのＹ方向側の長さとを有する。
【００２６】
図６に示すように、半導体積層部２２は、基板２１の−Ｚ方向側の面（以下、主面）２１ａに積層されている。半導体積層部２２には、ｎ型クラッド層３１と、ｎ型ガイド層３２と、活性層３３と、ｐ型電子ブロック層３４と、ｐ型ガイド層３５と、ｐ型クラッド層３６と、ｐ型コンタクト層３７とが基板２１側から順に積層されている。
【００２７】
ｎ型クラッド層３１は、活性層３３で発光された光を閉じ込めるためのものである。ｎ型クラッド層３１は、ｎ型の不純物としてＳｉがドープされたｎ型ＡｌＧａＮ層からなる。
【００２８】
ｎ型ガイド層３２は、活性層３３で発光された光をガイドするためのものである。ｎ型ガイド層３２は、ｎ型の不純物としてＳｉがドープされたｎ型ＧａＮ層からなる。
【００２９】
活性層３３は、誘導放出により光を発光するためのものである。活性層３３は、ノンドープのＩｎＧａＮ層（井戸層）とＧａＮ層（バリア層）とが交互に複数積層されたＭＱＷ（多重量子井戸：multiple quantum wells）構造を有する。
【００３０】
ｐ型電子ブロック層３４は、ｎ側電極２４から注入された電子がｐ型半導体側に達することを抑制するためのものである。ｐ型電子ブロック層３４は、ｐ型の不純物としてＭｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層からなる。
【００３１】
ｐ型ガイド層３５は、活性層３３で発光された光をガイドするためのものである。ｐ型ガイド層３５は、ｐ型の不純物としてＭｇがドープされたｐ型ＧａＮ層からなる。ｐ型ガイド層３５のＸ方向の中央部は、凸状の凸部３５ａが形成されている。
【００３２】
ｐ型クラッド層３６は、活性層３３で発光された光を閉じ込めるためのものである。ｐ型クラッド層３６は、ｐ型ガイド層３５の凸部３５ａ上に形成されている。ｐ型クラッド層３６は、ｐ型の不純物としてＭｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層からなる。
【００３３】
ｐ型コンタクト層３７は、ｐ側電極部２５と半導体積層部２２との間の電気的な抵抗を低減するためのものである。ｐ型コンタクト層３７は、ｐ型の不純物としてＭｇがドープされたｐ型ＧａＮ層からなる。
【００３４】
半導体積層部２２の−Ｚ方向側には、リッジ状のストライプ部３８が形成されている。ストライプ部３８は、電流を狭窄させるためのものである。ストライプ部３８は、Ｘ方向の中央部に形成されている。ストライプ部３８は、５μｍ以下のＸ方向の幅と、数μｍのＺ方向の高さを有する。ストライプ部３８は、Ｙ方向の全長にわたって延びるように形成されている。ストライプ部３８は、ｐ型ガイド層３５の凸部３５ａと、ｐ型クラッド層３６と、ｐ型コンタクト層３７とによって構成されている。
【００３５】
半導体積層部２２のＹ方向の両端面には、一対の反射膜（図示略）を有するファブリペロー共振器が設けられている。
【００３６】
絶縁膜２３は、ストライプ部３８以外の領域でボンディングパッド２８と半導体積層部２２とが電気的に接続されることを防ぐためのものである。絶縁膜２３は、ＺｒＯ２からなる。尚、絶縁膜２３は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の絶縁材料により構成してもよい。絶縁膜２３は、半導体積層部２２の−Ｚ方向側の面の略全域を覆うように形成されている。絶縁膜２３のＸ方向の中央部には、ストライプ部３８の上面を露出させるための開口部２３ａが形成されている。開口部２３ａは、Ｙ方向の全長にわたって形成されている。絶縁膜２３は、ｐ側電極部２５とボンディング部２６、２７との間で露出している。
【００３７】
ｎ側電極２４は、基板２１を介して半導体積層部２２へと電子を注入するためのものである。図１に示すように、ｎ側電極２４には、Ａｕからなるワイヤー４１が接続されている。ｎ側電極２４は、基板２１とオーミック接続されたＡｌからなる。ｎ側電極２４は、基板２１の＋Ｚ方向側の面（以下、裏面）２１ｂを覆うように形成されている。
【００３８】
ボンディングパッド２８は、サブマウント２のボンディングパッド１５とＡｕ／Ｓｎを含む半田材によってダイボンディングされている。以下、ボンディングパッド２８のｐ側電極部２５及びボンディング部２６、２７について説明する。
【００３９】
ｐ側電極部２５は、ストライプ部３８から半導体積層部２２に正孔を注入するためのものである。ｐ側電極部２５は、Ａｕ、Ｐｔ（またはＭｏ、Ｗ等のバリアメタル）、Ａｕの積層構造からなる。ｐ側電極部２５は、ストライプ部３８及びその近傍に形成されている。ｐ側電極部２５は、約５μｍのＸ方向の幅と、約４００μｍのＹ方向の長さとを有する。即ち、ｐ側電極部２５は、Ｙ方向の全長にわたって形成されている。ｐ側電極部２５は、絶縁膜２３から露出したストライプ部３８の上面とオーミック接続されている。ｐ側電極部２５は、サブマウント２の電極部１２の接続部１２ａとボンディングされて、電気的に接続されている。
【００４０】
ボンディング部２６、２７は、サブマウント２と半導体レーザ素子３とのボンディング強度の低下を抑制するためのものである。ボンディング部２６、２７は、サブマウント２のボンディング部１３、１４とボンディングされる。ボンディング部２６、２７は、ｐ側電極部２５と同様に、Ａｕ、Ｐｔ（またはＭｏ、Ｗ等のバリアメタル）、Ａｕの積層構造を有する。ボンディング部２６、２７は、絶縁膜２３上に形成されている。ボンディング部２６とボンディング部２７は、ｐ側電極部２５を挟み対称な位置に対称な形状で形成されている。ボンディング部２６、２７は、約７５μｍのＸ方向の幅と、約４００μｍのＹ方向の長さとを有する。即ち、ボンディング部２６、２７は、サブマウント２のボンディング部１３、１４と同じ形状に形成されている。
【００４１】
ｐ側電極部２５とボンディング部２６（２７）との間には、約２２．５μｍの間隔が形成されている。これにより、ｐ側電極部２５とボンディング部２６（２７）とは、電気的に絶縁されている。ｐ側電極部２５とボンディング部２６（２７）との間からは、絶縁膜２３が露出されている。ここで、ｐ側電極部２５とボンディング部２６（２７）との間の間隔は、特に限定されるものではないが、ｐ側電極部２５とボンディング部２６（２７）とが半田材により接続されることを抑制するためには、２０μｍ以上が好ましい。
【００４２】
次に、上述した半導体レーザ装置１の動作について説明する。
【００４３】
まず、ワイヤー４１とサブマウント２の電極部１２とを介してｎ側電極２４とｐ側電極部２５とに電圧が印加される。これにより、ｎ側電極２４から半導体積層部２２に電子が注入され、ｐ側電極部２５から半導体積層部２２に正孔が注入される。半導体積層部２２に注入された電子と正孔は、活性層３３で再結合して光を発光する。発光した光は、反転分布状態の活性層３３を導波する。そして、Ｙ方向に導波する光は、端面間を往復して誘導放出を生じさせた後、一方の端面からレーザ光として出射される。
【００４４】
次に、上述した半導体レーザ装置１の製造方法について説明する。図７〜図１２は、第１実施形態の半導体レーザ素子の製造工程を説明する図である。図１３は、サブマウントと半導体レーザ素子のダイボンディングを説明する図である。
【００４５】
まず、図７に示すように、基板２１をＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相蒸着）装置（図示略）のチャンバーに導入して、基板２１の主面２１ａに半導体積層部２２を順次積層する。具体的には、シランガス、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アンモニアガスのいずれかを所望の流量でＭＯＣＶＤ装置のチャンバーに供給して、ｎ型半導体層３１、３２を成長させる。次に、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＴＭＧ、アンモニアガスのいずれかを所望の流量でチャンバーに供給して活性層３３を成長させる。その後、Ｃｐ２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）ガス、ＴＭＡ、ＴＭＧ、アンモニアガスのいずれかを所望の流量でチャンバーに供給してｐ型半導体層３４〜３７を形成する。
【００４６】
次に、図８に示すように、ゾルゲル法によりＳｉＯ２からなる第１マスク層４５を形成する。その後、スパッタリング法により、ＳｉＮ層からなる第２マスク層４６を形成する。ここで、ゾルゲル法により形成された第１マスク層４５は、スパッタリング法により形成された第２マスク層４６よりもエッチングレートが高い。その後、フォトリソグラフィー法によりパターニングされたレジスト膜４７を形成する。
【００４７】
次に、図９に示すように、レジスト膜４７から露出している領域の第２マスク層４６及び第１マスク層４５をエッチングする。その後、レジスト膜４７を除去する。
【００４８】
次に、図１０に示すように、マスク層４５、４６から露出している領域のｐ型コンタクト層３７、ｐ型クラッド層３６、ｐ型ガイド層３５の途中部までをドライエッチングする。これにより、ストライプ部３８が形成される。
【００４９】
次に、図１１に示すように、１−水素２−フッ化アンモニウム溶液であるバッファドフッ酸により、第１マスク層４５の側面を選択的にエッチングして、ｐ型コンタクト層３７の上面の一部を露出させる。その後、スパッタリング法により、ＺｒＯ２層からなる絶縁膜２３を形成する。その後、再度、バッファドフッ酸にストライプ部３８を浸すことにより、第２マスク層４６及び第１マスク層４５を、第２マスク層４６上の絶縁膜２３ｂとともに除去する。
【００５０】
次に、図１２に示すように、フォトリソグラフィー法によりレジスト膜４８を形成する。そして、スパッタリング法によりＡｕ、Ｐｔ、Ａｕの積層構造を有するｐ側電極部２５及びボンディング部２６、２７を有するボンディングパッド２８を形成する。その後、レジスト膜４８をその上の金属層４９とともに除去する。
【００５１】
次に、基板２１の裏面２１ｂを研磨した後、基板２１の裏面２１ｂの全面にＡｌからなるｎ側電極２４を形成する。その後、素子単位に分割する。これにより、図４及び図５に示す半導体レーザ素子３が完成する。
【００５２】
次に、フォトリソグラフィー法及びリフトオフ法等により、サブマウント２を別工程によって作製する。その後、図１３に示すように、サブマウント２と半導体レーザ素子３とをダイボンディングする。具体的には、サブマウント２のボンディングパッド１５の表面にＡｕ／Ｓｎを含む半田材を載置する。この状態で、ヒータによって半田材が溶けるまでサブマウント２を加熱する。次に、半導体レーザ素子３のｐ側電極部２５及びボンディング部２６、２７に、サブマウント３の接続部１２ａ及びボンディング部１３、１４が一致するように載置して、ボンディングする。ここで、半田材がＡｕ／Ｓｎを含むので、半導体レーザ素子３のｐ側電極部２５及びボンディング部２６、２７は、融点が上がり容易にボンディングされる。尚、ｐ側電極部２５とボンディング部２６、２７との間では、露出している絶縁膜２３によってＡｕ／Ｓｎを含む半田材がはじかれる。
【００５３】
この結果、図１に示す半導体レーザ装置１が完成する。
【００５４】
上述したように、第１実施形態による半導体レーザ装置１の半導体レーザ素子３では、ボンディング部２６、２７を、ｐ側電極部２５から一定の間隔を開けることにより絶縁している。これにより、ボンディング部２６、２７と半導体積層部２２との間に不要な静電容量が生じることを抑制できる。具体的には、従来のように絶縁膜上の全面にボンディングパッドを形成した場合、ボンディングパッドの面積が２００μｍ×４００μｍ＝８×１０４μｍ２となり、この全面積が静電容量に寄与する。一方、第１実施形態によるボンディングパッド２８では、５μｍ×４００μｍ＝０．２×１０４μｍ２の面積を有するｐ側電極部２５のみが静電容量に寄与する。即ち、理論的には、第１実施形態では、従来の形態に比べて静電容量を１／４０に抑えることができる。更に、これにより、高周波重畳を掛け易く、高速パルス駆動における応答性の向上に繋がる。また、半導体レーザ素子３は、ｐ側電極部２５のみならずボンディング部２６、２７もサブマウント２のボンディングパッド１５とダイボンディングされている。これにより、ボンディング強度の低下を抑制できる。これらの結果、ボンディング強度の低下を抑制しつつ、不要な静電容量を小さくできる。
【００５５】
また、半導体レーザ素子３では、ｐ側電極部２５を挟み、ボンディング部２６とボンディング部２７とを線対称に形成しているので、ボンディングのバランスを向上させることができる。同様に、サブマウント２では、接続部１２ａを挟み、ボンディング部１３とボンディング部１４とを線対称に形成しているので、ボンディングのバランスを向上させることができる。
【００５６】
また、半導体レーザ素子３では、ｐ側電極部２５とボンディング部２６、２７とを同じ材料により構成しているので、同じ製造工程で形成することができる。これにより、製造工程の複雑化を抑制できる。
【００５７】
また、ボンディングパッド１５とボンディングパッド２８とをボンディングするための半田材がＡｕ／Ｓｎを含むので、半導体レーザ素子３のボンディングパッド２８の表面のＡｕの融点を上げることができる。これにより、小さい押圧力によって、ボンディングパッド１５とボンディングパッド２８とをボンディングできる。更に、絶縁膜２３は、Ａｕ／Ｓｎを含む半田材をはじくので、ｐ側電極２５とボンディング部２６、２７とが電気的に接続されることを抑制できる。
【００５８】
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００５９】
例えば、上述した実施形態の形状、材料、数値等は、一例であって、適宜変更可能である。
【００６０】
また、上述した実施形態では、半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置に本発明を適用した例について説明したが、本発明を他の光半導体装置に適用してもよい。例えば、端面に反射膜の代わりに一対の反射防止膜が形成された半導体光増幅器（ＳＯＡ）等に本発明を適用してもよい。
【００６１】
また、上述した実施形態では、ＧａＮ系半導体を例として挙げたが、その他のＧａＡｓ系半導体、Ｓｉ系半導体、ＩｎＧａＰ系半導体等を適用してもよい。
【００６２】
また、上述した実施形態では、リッジ状のストライプ構造を有する光半導体素子について説明したが、埋め込み型のストライプ構造の光半導体素子に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１実施形態による半導体レーザ装置の全体斜視図である。
【図２】サブマウントの斜視図である。
【図３】サブマウントの平面図である。
【図４】半導体レーザ素子の斜視図である。
【図５】半導体レーザ素子の平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【図７】第１実施形態の半導体レーザ素子の製造工程を説明する図である。
【図８】第１実施形態の半導体レーザ素子の製造工程を説明する図である。
【図９】第１実施形態の半導体レーザ素子の製造工程を説明する図である。
【図１０】第１実施形態の半導体レーザ素子の製造工程を説明する図である。
【図１１】第１実施形態の半導体レーザ素子の製造工程を説明する図である。
【図１２】第１実施形態の半導体レーザ素子の製造工程を説明する図である。
【図１３】サブマウントと半導体レーザ素子のダイボンディングを説明する図である。
【図１４】従来の光半導体素子の斜視図である。
【図１５】従来の光半導体素子の平面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１     半導体レーザ装置
２     サブマウント
３     半導体レーザ素子
１１   保持基板
１１ａ 主面
１２   電極部
１２ａ 接続部
１２ｂ 外部端子部
１３、１４    ボンディング部
１５   ボンディングパッド
２１   基板
２２   半導体積層部
２３   絶縁膜
２３ａ 開口部
２５   ｐ側電極部
２６、２７    ボンディング部
２８   ボンディングパッド
３１   ｎ型クラッド層
３２   ｎ型ガイド層
３３   活性層
３４   ｐ型電子ブロック層
３５   ｐ型ガイド層
３５ａ 凸部
３６   ｐ型クラッド層
３７   ｐ型コンタクト層
３８   ストライプ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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