(57)【要約】【課題】凸型構造体形成時の熱干渉を改善できる光学情報記録媒体製造用の原盤を提供する。【解決手段】光学情報記録媒体製造用の原盤は、基板上に接して設けられた記録補助層及び感熱層の積層体を含む記録層を有し、感熱層は露光で状態変化を起こす母材を含み、記録補助層が露光に使用する波長の光を吸収すると共に基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に接して設けられた記録補助層及び感熱層の積層体を含む記録層と、を有する光学情報記録媒体製造用の原盤であって、
前記感熱層は露光で状態変化を起こす母材を含み、前記記録補助層が露光に使用する波長の光を吸収すると共に前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料からなることを特徴とする光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項２】
前記記録補助層が、前記基板側に設けられ前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する放熱層と、前記感熱層側に設けられ、露光に使用する波長の光を吸収する光吸収層とを含むことを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項３】
前記放熱層が、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕうちの少なくとも１つを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項２記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項４】
前記光吸収層が、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうちの少なくとも１つを主成分として含むことを特徴とする請求項２または３記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項５】
前記記録補助層が、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕのうちの少なくとも１つを主成分とすることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項６】
前記感熱層が、硫化物と、シリコン酸化物、ジルコン酸化物、ニオブ酸化物の群から選ばれる少なくとも１つと、の混合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項７】
前記感熱層が、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなり、ＳｉＯ２が５〜３０ｍｏｌ％含まれていることを特徴とする請求項６記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項８】
前記基板が、ガラス、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮ及びＳｉのいずれか１つからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項９】
前記感熱層が露光され現像された後の前記感熱層を覆うアルカリ可溶な膜を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１に記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項１０】
前記金属材料膜の前記共通する金属は、同一のアルカリまたは酸への接触による処理で溶解される金属であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１に記載の光学情報記録媒体製造用の原盤。
【請求項１１】
基板と、前記基板上に接して設けられた記録補助層及び感熱層の積層体を含む記録層と、を有し、前記感熱層が露光で状態変化を起こす母材を含み、前記記録補助層が露光に使用する波長の光を少なくとも吸収する材料からなる光学情報記録媒体製造用の原盤の製造方法であって、
前記原盤の前記感熱層側から入射し前記記録補助層を照射露光する工程と、
露光した前記原盤を現像し、凸パターン構造体を形成する現像工程と、
前記凸パターン構造体上をメッキ処理して、金属原盤を形成する電鋳工程と、
前記金属原盤を前記露光した原盤１１から剥離する電鋳工程と、を含み、
前記電鋳工程において、前記感熱層が露光され現像された後の前記凸パターン構造体を覆う金属材料膜を形成する工程と、を含むこと、
前記金属材料膜が前記記録補助層の材料と可溶性の共通する金属を含み、剥離後の後処理において、前記感熱層及び前記金属材料膜を一括して除去すること、を特徴とする光学情報記録媒体製造用の原盤の製造方法。
【請求項１２】
前記金属材料膜の前記可溶性の共通する金属は、同一金属であることを特徴とする請求項１１記載の光学情報記録媒体製造用の原盤の製造方法。
【請求項１３】
前記金属材料膜の前記可溶性の共通する金属は、同一のアルカリまたは酸への接触による処理で溶解される金属であることを特徴とする請求項１１記載の光学情報記録媒体製造用の原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクなどの光学情報記録媒体に関し、特に、光学情報記録媒体のレプリケーションのための光学情報記録媒体製造用の原盤に関する。
【背景技術】
【０００２】
データの記録密度が高められた高密度光ディスクが研究されている。高密度光ディスクにおいては、大容量を実現するため、データの記録再生に用いるレーザ光のビームスポット径を非常に小さく絞らなければならない。たとえば、ビームスポット径を小さく絞るためには、レーザ光を集光するための対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．７以上、例えば０．８５程度まで大きくすると共に、レーザ光の波長λを４５０ｎｍ以下、例えば４００ｎｍ程度まで短くする。
【０００３】
従来のＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤなど光ディスクには、読み出し専用でデータの追記や書き換えができないタイプのＲＯＭ（Read Only Memory）型光ディスクと、データの追記はできるがデータの書き換えはできない追記型光ディスクと、データの書き換えが可能なタイプの書き換え型光ディスクとに大別できる。
【０００４】
ＲＯＭ型光ディスクにおいては、製造段階において基板に形成されるプリピットによりデータがあらかじめ記録され、追記型や書き換え型光ディスクにおいては、プリピットやトラックがあらかじめ形成され、その上に有機色素等や相変化材料等からなる記録材料層が形成され、記録材料層の化学的物理的変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録される。これらＲＯＭ型以外の光ディスクにおいても、一般的に、光ディスクの回転制御に用いられるウォブリング信号など回転制御情報やデータの記録時の位置検索などに必要なアドレス情報などの信号は、原盤製造時に、予め凹又は凸部であるトラック（グルーブ又はランド）に記録されている。いずれの光ディスクもレプリケーションにて製造され、トラックなど凹凸パターンを原盤に記録し、記録原盤からディスクスタンパを形成し、該ディスクスタンパを用いて合成樹脂などを加熱プレス加工または射出成形し、該パターンが原盤から転写された記録面を備えた透光性基板などが形成されて、得られる。
【０００５】
所定パターンの原盤への記録は、例えばＬＢＲ（Laser beam recording）では、カッティング装置によってなされ、ブランク原盤を回転させつつ、その記録面へレーザビームをスポット照射し、レーザビームを半径方向に送ることにより、レーザスポットが所定ピッチで螺旋状のトラック軌跡を描き、その軌跡上において、記録原盤の回転速度及び情報内容に応じてレーザビームをオン／オフさせることにより原盤上にピット又はグルーブを記録する。
【０００６】
近年、ＢＤの記録密度を越えるより高密度化された記録媒体の研究開発が進められ、かかるトラックのピッチの極細化が望まれている。
【０００７】
プリピットやトラックを高解像度でパターニングを実現するため、高密度光ディスクの原盤作製手段として、有機レジストとＬＢＲの組み合わせや、無機レジストとＰＴＭ（Phase transition mastering）の組み合わせや、無機レジストとＥＢＲ（Electronic beam recording）の組み合わせによる作製プロセスが一般的である。
【０００８】
現在主流のＢＤ−ＲＯＭ（片面容量２５ＧＢ／直径１２０ｃｍ）用原盤の作成法は、ＬＢＲ及びＰＴＭを使用したものが主流であるが、更なる高密度の原盤を作製するには、レジスト層の高解像化が容易なＰＴＭ、ＥＢＲを使用した手法が採用されている。ＰＴＭにおいては、以下の提案がある。
【０００９】
プリピットやトラック等の凹凸パターンを有するオーサリング用光記録媒体の製造方法として、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザ光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより、第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含む方法が提案されている（特許文献１参照）。
【００１０】
トラックピッチを縮小し高記録密度を達成できる構造の光記録媒体として、光照射により発熱する発熱材料、構造体、光照射により発熱し情報が記録される記録材料が少なくとも積層され、該構造体は、シリコン化合物（材料Ａ）と、硫化物材料、セレン化物材料、フッ化物材料、窒化物材料、金属材料、半導体材料の群から選ばれる少なくとも１つの材料（材料Ｂ）の混合体材料からなり、かつ構造体が媒体面内において隣接する構造体と完全に分離した状態で設けられている光記録媒体が提案されている（特許文献２参照）。
【００１１】
簡便なプロセスで微細な構造体を安価に形成する光記録媒体の製造方法として、光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成する構造体形成方法において、熱反応層：Ｓｉ酸化物（Ａ）と硫化物、セレン化物、フッ素化合物のうち少なくとも１つの材料（Ｂ）の混合が提案されている（特許文献３参照）。
【００１２】
光学情報記録媒体に微細構造を形成する方法として、微細構造が形成される前記媒体が、レーザ光照射により変化する反応材料を有し、該媒体に微細構造を形成する工程が、大気もしくは酸素ガスもしくは水蒸気ガスと該反応材料が接する状態でレーザ光を照射するレーザ照射工程を少なくとも含む方法が提案されている（特許文献４参照）。
【００１３】
光学情報記録媒体の構造と製法について、構造体を形成する媒体が、光吸収層と熱反応層の積層からなり、前記媒体に対して構造体を形成する工程が、少なくとも、前記媒体に対してレーザ光を照射する工程と、前記媒体をエッチング加工する工程と、を含む構造体形成方法が提案されている（特許文献５参照）。
【００１４】
微細で高精度の凸状構造体を支持基板上に有する凸構造基体とその製造方法において、支持基板上にシリコン酸化物を含有する熱変化可能なＡ層とレーザ光の吸収により発熱する熱変化可能なＢ層が順次設けられた積層体に、所定の送り周期をもつレーザ光を照射し、逐次Ｂ層とＡ層の状態を変化させ、エッチング処理して、支持基板上にＡ層、Ｂ層積層の構成の何れかからなる凸状の構造を有する凸構造基体の支持基板をディスク状に、凸状の構造体をスパイラル状または同心円状として記録媒体用原盤とすることが提案されている（特許文献６参照）。
【特許文献１】特開２００５−１５８１９１
【特許文献２】特開２００５−３２２３６５
【特許文献３】特開２００６−００４５９４
【特許文献４】特開２００６−２５２６７１
【特許文献５】特開２００７−１７９６０７
【特許文献６】特開２００７−２４２１８３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ＰＴＭは、装置コスト、ランニングコストの面からも容量２００ＧＢ／直径１２０ｃｍまでの高密度原盤の製造で有用であると考えられる。さらに、上記特許文献でも、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜をレジスト層とする記録が示され、ＺｎＳ−ＳｉＯ２は高解像度での有望な記録材料である。
【００１６】
しかしながら、実験により、例えば、特許文献５記載のＺｎＳ−ＳｉＯ２膜の感熱層とＳｉ膜の光吸収層とからなる２層構造ではＰＴＭにより、単一マークとスペースの記録では問題となることは無いが、２層構造では光吸収層が厚い徐冷構造となって１−７変調などのランダムパターンを記録した際の熱干渉によるピット形状の不正確になる問題が知見された。
【００１７】
発明者は、ＳｎやＺｎＳ等の無機材料を用いて簡単な膜構成で良好な光記録が可能であるが、従来の凸型構造体形成時の熱干渉改善の必要性があると考える。
【００１８】
そこで、本発明の解決しようとする課題には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２など無機材料を感熱層とする凸型構造体形成時の熱干渉を改善できる光学情報記録媒体製造用の原盤を提供することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の光学情報記録媒体製造用の原盤は、基板と、前記基板上に接して設けられた記録補助層及び感熱層の積層体を含む記録層と、を有する光学情報記録媒体製造用の原盤であって、前記感熱層は露光で状態変化を起こす母材を含み、前記記録補助層が露光に使用する波長の光を吸収すると共に前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料からなることを特徴とする。
【００２０】
本発明の光学情報記録媒体製造用の原盤の製造方法は、基板と、前記基板上に接して設けられた記録補助層及び感熱層の積層体を含む記録層と、を有し、前記感熱層が露光で状態変化を起こす母材を含み、前記記録補助層が露光に使用する波長の光を少なくとも吸収する材料からなる光学情報記録媒体製造用の原盤の製造方法であって、
前記原盤の前記感熱層側から入射し前記記録補助層を照射露光する工程と、
露光した前記原盤を現像し、凸パターン構造体を形成する現像工程と、
前記凸パターン構造体上をメッキ処理して、金属原盤を形成する電鋳工程と、
前記金属原盤を前記露光した原盤１１から剥離する電鋳工程と、を含み、
前記電鋳工程において、前記感熱層が露光され現像された後の前記凸パターン構造体を覆う金属材料膜を形成する工程と、を含むこと、
前記金属材料膜が前記記録補助層の材料と共通する金属を含み、剥離後の後処理において、前記感熱層及び前記金属材料膜を一括して除去すること、を特徴とする。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明による実施の形態の例を図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
第１の実施形態の光学情報記録媒体製造用の原盤１１は、図１に示すように、ガラスからなる円形の基板１２と、基板１２上に、記録補助層１４及びこれに接する感熱層１６を有して記録層１８が設けられて構成されている。このように、原盤１１は、基板１２と、基板１２上に接して設けられた記録補助層１４及び感熱層１６の積層体を含む記録層１８と、を有する。このような構造の原盤１１に対しては、感熱層１６側からレーザビームを集光照射することによってデータの記録が行なわれる。
【００２３】
基板１２は、原盤１１に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たすように基板１２の厚さは設定され、その材料としてはガラス、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはＳｉの材料を用いることが可能である。
【００２４】
記録補助層１４は、露光に使用する波長の光を吸収すると共に基板１２の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有するように構成された材料からなる。以下の表１に材料の熱伝導率を示す。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
また、例えば、図１に示すように、記録補助層１４は、基板１２側に設けられた放熱層１４１と、感熱層１６側に設けられた光吸収層１４２とを含むように構成できる。記録補助層１４（特に放熱層１４１）に求められる性能は、大きな熱伝導率と、大きなｋ（消衰係数）が必要となりＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕとその合金などが最適となる。記録層の３層構造の場合、Ｓｉ、Ｇｅなどの光吸収層１４２で熱を蓄積し、Ａｇ、Ａｌなどの放熱層１４１で余分熱を逃がす構造である。また、記録層の２層構造の場合、熱を蓄積することと余分な熱を放熱することを記録補助層１４単層のみで行うため、２００ＧＢ／１２０ｃｍなどの高密度記録領域でのランダム信号記録ではＡｇ、Ａｌなどの大きな熱伝導率と大きな消衰係数ｋを持ったものが必要となる。
【００２７】
放熱層１４１は、基板１２の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。放熱層１４１は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕうちの少なくとも１つを主成分とする合金、たとえばＡｇＰｄＣｕが用いられる。ここで言う主成分は、記録補助層１４を構成する材料の５０原子％以上を占めることが好ましく、より好ましくは８０原子％である。
【００２８】
光吸収層１４２は、露光波長のレーザビームを吸収し、熱に変換する。光吸収層１４２は、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうちの少なくとも１つを主成分として含む。光吸収層１４２の膜厚は、レーザビームがスポット照射されることによって感熱層１６を変化させるために充分な膜厚であり、なおかつ必要以上に積層すると、より多くの熱量が必要となるため１〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００２９】
放熱層１４１を追加して３層構造するにあたり、光吸収層１４２を薄くし急冷構造とするので、光吸収層１４２の膜厚は５０ｎｍ以下が望ましい。さらに、放熱層１４１を追加するに当たり、膜ノイズ増加を抑止するため、粒径が小さくなる材料及び高レート成膜を採用ことが好ましい。
【００３０】
感熱層１６は、エネルギー照射で状態変化を起こす母材を含み、すなわち、母材として、レーザビーム照射のエネルギーにより、後工程のエッチングに対する耐性等の物性が変化される状態変化材料を含んで構成されている。感熱層１６の母材は、状態変化を起こす材料であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分として用いることができる。具体的には、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種を主成分とすることが好ましい。また、感熱層１６は、硫化物と、シリコン酸化物、ジルコン酸化物、ニオブ酸化物の群から選ばれる少なくとも１つと、の混合物であることが好ましい。例えば、またＳｉＯ２混合成分に代えて、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５などの別の化合物でも混合可能である。さらにまた、感熱層１６は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の混合物を主成分とすることがより好ましく、ＳｉＯ２は５ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％組成比でも可能であり、５ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％が望ましい。
【００３１】
前記記録補助層１４は、接している感熱層の反応を促進させる層であり、所定以上の書き込みパワーを持つレーザ光が照射されたとき、その変換した熱によって、感熱層１６が部分的または全体的に状態変化（例えばアモルファスが結晶化へ移行）することにより潜像が形勢される。
【００３２】
また、感熱層１６の膜厚は特に限定されないが、５〜２００ｎｍであることが好ましい。この膜厚が５ｎｍ未満であると、母材の充分な状態変化があったとしても、層全体として後工程のエッチングに対する充分な耐性が望めない。一方、膜厚が２００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下する恐れがあり、更に、感熱層１６の残留応力によってクラックが発生する恐れがある。また、前記記録補助層１４の熱影響が及ばない部分が残ることも考えられる。
【００３３】
次に、未記録のブランクの原盤の製造方法の一例について説明する。
【００３４】
まず、ガラスなどの平坦な円形基板１２上に放熱層１４１を形成する。放熱層１４１の形成には、例えば気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００３５】
次に、放熱層１４１上に光吸収層１４２を積層形成して記録補助層１４を構成する。この光吸収層１４２も、放熱層１４１と同様にして、気相成長法を用いて形成することができる。更に、記録補助層１４の光吸収層１４２上に光入射側の感熱層１６を形成する。この感熱層１６も、気相成長法を用いて形成することができる。以上により、ブランクの原盤の製造が完了する。
【００３６】
次に、上記ブランクの原盤を用いた高密度光ディスク用原盤製造方法について説明する。
【００３７】
図２に示すように、レーザカッティング工程として、回転するブランクの原盤１１に対して、所定のＮＡ、波長、出力を有するレーザビームＬＢを感熱層１６側から入射し記録補助層１４を照射露光する。
【００３８】
このようなレーザビームＬＢの照射により、記録補助層１４の照射部分がレーザビームＬＢにより加熱され、加熱部分が接する感熱層１６の部分に影響を与えて、部分的または全体的に状態変化（例えばアモルファスから結晶への移行）して、潜像laMが形成される。潜像の形成された部分の物性は、それ以外の部分（未記録領域）の物性と十分に異なった状態となる。従って、潜像部分とそれ以外の部分とでのエッチング速度の相違により、現像することができる。これにより、所望とする光ディスクのランド及びグルーブ等に応じた潜像パターンがガラス基板１２上感熱層１６に形成される。
【００３９】
次に、現像工程として、図３に示すように、露光した原盤１１を現像装置（図示せず）に装着し、原盤１１を現像して潜像laM部分以外の感熱層１６を除去し、露光した原盤１１上に記録すべき信号に対応する凸パターンを設け、基板１２と凸パターン構造体とからなる現像原盤１１(光学情報記録媒体製造用の原盤)を得る。
【００４０】
次に、電鋳工程として、図4に示すように、現像原盤１１の凸パターン感熱層１６上にニッケル又は銀などの導電膜CMをスパッタリング又は蒸着などの成膜方法によって形成する。次に、図５に示すように、メッキ処理により原盤１１の凹凸パターン上にニッケル等の金属を析出させてメッキして肉厚のメッキ層１０５（金属原盤）を形成する。
【００４１】
次に、図６に示すように、この金属原盤１０５を原盤１１から剥離した後、後処理工程において、酸及び又はアルカリ処理により金属原盤１０５上に残った感熱層１６及び銀などの導電膜３を除去して、トリミングを施して整形して、ディスクスタンパ１０６が得られる。ここで、例えば、放熱層１４１にＡｌまたはＡｌ合金（Ａｌ−Ｔｉなど）を採用した場合、感熱層１６を酸処理の現像して凸部を形成した後の電鋳工程において、感熱層１６の潜像laMの上に導電膜CMとしてＡｌまたはＡｌ合金を成膜し、その後、Ｎｉスパッタ、電鋳を行えば、原盤１１と金属原盤１０５との剥離後の後処理が、アルカリ処理のみで終えることができる。すなわち、原盤１１において感熱層１６を覆う導電膜CM（アルカリ可溶な膜）を備えることができ、これにより、工程数を減らすことができる。すなわち、電鋳プロセスは、凸パターン感熱層１６上に必ずニッケル又は銀などの導電膜を成膜し、ニッケル電鋳する構成となるが、ガラス原盤とＮｉ原盤を剥離する際に、Ｎｉ原盤側に、導電膜材料や感熱層材料などが付着してしまう場合がある。その際それら材料を除去するために、弱酸など処理液に接触させ除去するが、Ｎｉも酸に溶けてしまうために表面が荒れてしまう可能性がある。そこで、凸型構造体にＮｉ又はＡｇの導電膜を成膜する前に、Ａｌなどのアルカリ溶液に可溶な金属材料膜を若干量（凸型構造体の形状に影響がない程度の膜厚、５ｎｍほど）成膜しておくことで、剥離残り材料の除去にアルカリ溶液で安全かつ確実に行えることを、知見した。さらに放熱層１４１にＡｇではなくＡｌを使用しておけば、このＡｌ膜がガラス原盤側からＮｉ原盤側に持っていかれるということが起こっても、アルカリ溶液だけで処理できる効果がある。例えば、酸に可溶な膜はＡｌ膜、Ａｇ膜、ニッケル膜、硫化物膜などがあり、アルカリに可溶な膜はＡｌ膜、Ｓｉ膜などがある。このように、記録補助層の材料と可溶性の共通する金属で凸型構造体を覆えば、工程数を減らすことができる。
【００４２】
そして、このディスクスタンパ１０６を射出成形装置の金型に装着し、金型を閉じてキャビティを形成し、このキャビティ内にポリカーボネート（ＰＣ）等の溶融樹脂を注入後、硬化させて、金型から取り出すことで、ディスクスタンパ１０６の凹凸が転写された光ディスク基板が得られる。
【００４３】
（実施例１）
ブランク原盤を次のように作製した。まず、直径１２０ｍｍのガラス基板をスパッタリング装置にセットし、この基板上に、膜厚８０ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕの放熱層、次に膜厚３０ｎｍのＳｉの光吸収層、膜厚５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２の混合物（ＳｉＯ２組成比２０ｍｏｌ％）からなる感熱層を順次、スパッタ法により形成した。
【００４４】
ブランク原盤に次のように情報を記録した。レーザビーム露光（波長４０５ｎｍ）により、線速度一定で、トラックピッチ１６０ｎｍで２Ｔピット長７５ｎｍで１−７ＰＰ変調（チャンネルクロック周期をＴとし、２Ｔ〜８Ｔの長さの凸部ピット及びスペースの組合せによる変調）のランダムパターン記録を行った。この条件で光ディスクの１００ＧＢ相当の密度が得られた。また、単一マークとスペースのパターン記録も行った。
【００４５】
露光した原盤を、１％の硫酸水溶液にて浸漬攪拌現像した。
【００４６】
現像後、原盤を純水洗浄し、エアーブローにて乾燥すると、露光されていない部分が除去され、露光部分が凸部パターンとして残り、実施例１のガラス原盤が得られた。
【００４７】
ガラス原盤の凸部パターン面にＮｉ、Ａｇの反射膜を成膜した。その後、反射膜Ｎｉなどで電鋳工程を実行した。その後、剥離しＮｉ原盤を作製した。
【００４８】
Ｎｉ原盤は、まず、酸処理、次にアルカリ処理、次に酸処理を経て、成形用Ｎｉ原盤が得られた。
【００４９】
（実施例２）
放熱層を膜厚８０ｎｍのＡｌ−Ｔｉとした以外、基板、光吸収層、感熱層を実施例１と同一としてブランク原盤を作製し、実施例１と同様に１−７ＰＰ変調パターン記録を行い、現像後、実施例２のガラス原盤を得た。
（比較例）
放熱層を設けず膜厚１００ｎｍのＳｉの光吸収層を形成した記録補助層とした以外、他は実施例１と同一条件としてブランク原盤を作製し、実施例１と同様に１−７ＰＰ変調パターン記録及び単一マークスペース記録を行い、現像後、比較例のガラス原盤を得た。
（評価）
図７及び図８は、それぞれ実施例１の１−７変調ランダムパターン記録及び単一マークスペース記録されたガラス原盤のＳＥＭ写真である。
【００５０】
図９は、実施例２の１−７変調のランダムパターン記録されたガラス原盤のＳＥＭ写真である。
【００５１】
図１０及び図１１は、それぞれ比較例の１−７変調ランダムパターン記録及び単一マークスペース記録されたガラス原盤のＳＥＭ写真である。図１１から明らかなように、熱干渉が発生し正常な記録が行えない。
【００５２】
図８及び図１１から明らかなように、実施例１及び比較例では、単一マークスペース記録では問題となることはなかった。
【００５３】
図７、図９及び図１０から明らかなように、ランダムパターン（長ピット、短スペース、短マーク等のパターン）を記録した際に熱干渉により不正確な凸部ピットが記録されるが、実施例では放熱層をガラス基板と光吸収層の間に追加することにより、余分な熱を効果的に逃がすことが可能となり、単一マークとスペースの繰り返しの記録のみならず、ランダムパターンを記録した際も正確で安定した凸部ピットを作成することができた。実施例１及び２の放熱層Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ及びＡｌ−Ｔｉがヒートシンク（放熱）の熱干渉改善効果を発揮していることが分かる。
【００５４】
さらに、実施例２では、熱干渉改善効果に加えて剥離後の処理の改善も達成できた。すなわち、放熱層にＡｌ−Ｔｉを採用しているので、感熱層ＺｎＳ−ＳｉＯ２を現像して凸部ピットを形成した後のＮｉ原盤作製工程において、凸部ピット感熱層の上にＡｌ合金を形成し、その後、Ｎｉスパッタ、電鋳を行えば、基板とＮｉ原盤との剥離後の後処理が、アルカリ処理のみ（Ｓｉ及びＡｌ−Ｔｉはアルカリにて可溶の為、同一処理が可能となる）で終えることができ、工程数を減らすことができた。
【００５５】
このように、図２で示すように、感熱層１６の材料であるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、露光に使用する波長の光吸収が無いため、レーザビームＬＢを吸収せずに殆どが透過する。そのため、Ｓｉなどの感熱層材料より光吸収の大きな光吸収層１４２が必要で、この光吸収層１４２で光を吸収し熱に変換して感熱層１６を熱変化させる。
【００５６】
記録補助層（光吸収層１４２、Ｓｉ層など）で光が熱に変わるのは良いが、それが必要な変化を感熱層１６に与えた後は熱が不要となるので、直ぐに冷えることが望ましい。しかしながら、Ｓｉ層などの光吸収層１４２では、その性質上温度が徐々にしか下がらない事及び熱が徐々に縦横方向に拡散していくため、目標とした大きさどおりの凸部ピットを記録することが難しくなり、不揃いな凸部ピットになってしまう。
【００５７】
そこで、放熱層１４１（Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕまたはそれらを主成分とする合金）を更に設けることにより、その冷却促進と熱拡散を抑制することで、目標どおりの大きさで揃った凸部ピットを形成することが容易になる。
【００５８】
（実施例３）
記録補助層を放熱層と光吸収層とに分けずに膜厚２０ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕとした以外、実施例１と同一として、ブランク原盤を作製し、実施例１と同様に１−７ＰＰ変調パターン記録を行い、現像後、実施例３のガラス原盤を得た。実施例３も実施例１、２同様の効果を確認した。Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ記録補助層は、ヒートシンク（放熱）及び光吸収の役割を担い、高密度なランダムパターンを露光した際の余分な熱を逃がし、正確で安定した凸型ピットを作製する機能を有する。
【００５９】
したがって、感熱層と光吸収層と放熱層とからなる３層構造あるいは感熱層と記録補助層とからなる２層構造であっても、記録補助層が露光に使用する波長の光を吸収すると共に基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料からなることとすれば、ランダムパターンを記録現像しても安定的なピット形状を得ることができる。
【００６０】
図１２に示すように、光吸収層（Ｓｉ層など）を省略した記録補助層１４が一層構成では、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の感熱層１６を酸で現像（エッチング）しているため、記録補助層１４が金属層一層とあると、記録補助層自体が溶解することにより、ガラス基板からＺｎＳ−ＳｉＯ２の凸型構造体自体の膜浮きや剥がれの問題が懸念されるが、実際は１％程度の低濃度硫酸溶液を使用すれば、溶液の濃度自体が低いので、いずれの金属でもまったく問題にならない、さらに、記録補助層１４をＡｕ及びＡｕ合金にすることでその問題を完全解決することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明による実施の形態の第１例に係る光学情報記録媒体製造用の原盤を示す概略部分断面図である。
【図２】本発明による実施の形態の光学情報記録媒体製造用原盤の製造方法を説明するための概略部分断面図である。
【図３】本発明による実施の形態の光学情報記録媒体製造用原盤の製造方法を説明するための概略部分断面図である。
【図４】本発明による実施の形態の光学情報記録媒体製造用原盤の製造方法を説明するための概略部分断面図である。
【図５】本発明による実施の形態の光学情報記録媒体製造用原盤の製造方法を説明するための概略部分断面図である。
【図６】本発明による実施の形態の光学情報記録媒体製造用原盤の製造方法を説明するための概略部分断面図である。
【図７】本発明による実施例１の１−７変調ランダムパターン記録されたガラス原盤のＳＥＭ写真である。
【図８】本発明による実施例１の単一マークスペース記録されたガラス原盤のＳＥＭ写真である。
【図９】本発明による実施例２の１−７変調のランダムパターン記録されたガラス原盤のＳＥＭ写真である。
【図１０】比較例の１−７変調ランダムパターン記録されたガラス原盤のＳＥＭ写真である。
【図１１】比較例の単一マークスペース記録されたガラス原盤のＳＥＭ写真である。
【図１２】本発明による実施の形態の第２例に係る光学情報記録媒体製造用の原盤を示す概略部分断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１１  原盤
１２  基板
１４  記録補助層
１６  感熱層
１８  記録層
１４１  放熱層
１４２  光吸収層
ＬＢ  レーザビーム
laM  潜像
CM  導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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