(57)【要約】【課題】相変化膜を含む半導体素子の形成方法を提供する。【解決手段】この方法は、開口部を有する基板上に相変化膜を蒸着する段階と、熱処理工程によって開口部の外部に位置した相変化膜の一部が開口部の内に移動される段階とを含む。この際、相変化膜は、熱処理工程の工程温度を相変化膜の熔融点より低くする特定元素を含む。熱処理工程は、相変化膜の熔融点より低い工程温度を含む。また、特定元素の熔融点は、相変化膜の熔融点より低く、熱処理工程の工程温度は、特定元素の熔融点と同一、または特定元素の熔融点より高い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜内に開口部を形成する段階と、
前記開口部を有する基板上に相変化膜を蒸着する段階と、
熱処理工程によって前記開口部の外部に位置した前記相変化膜の一部が前記開口部内に移動する段階と、を含み、
前記相変化膜は、前記熱処理工程の工程温度を前記相変化膜の熔融点より低くする特定元素を含み、
前記熱処理工程は、前記相変化膜の熔融点より低い工程温度を含むことを特徴とする半導体素子の形成方法。
【請求項２】
前記特定元素の熔融点は、前記相変化膜の熔融点より低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項３】
前記熱処理工程の工程温度は、前記特定元素の熔融点と同一、または前記特定元素の熔融点より高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項４】
前記特定元素は、金属であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項５】
前記相変化膜内で前記特定元素の組成比率は、１ａｔ．％乃至２２ａｔ．％であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項６】
前記特定元素は、液体状態での密度が固体状態での密度より高いことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項７】
前記相変化膜を蒸着する前に、
前記開口部を有する基板上にウェティング層をコンフォマルに形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項８】
前記相変化膜を蒸着する前に、
前記ウェティング層をプラズマで処理する段階をさらに含み、少なくとも前記絶縁膜の上部面上に位置した前記ウェティング層は前記プラズマで処理され、少なくとも前記開口部の下側壁上に形成された前記ウェティング層は前記プラズマで処理されないことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項９】
前記相変化膜を蒸着する段階は、
前記開口部を有する基板上に化学気相蒸着法によって第１相変化膜を蒸着する段階と、
前記第１相変化膜上に物理気相蒸着法によって第２相変化膜を蒸着する段階とを含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１０】
前記熱処理工程に前記開口部の外部に位置した相変化膜の一部を前記開口部内に移動させる段階は、
第１熱処理工程に前記開口部の外部に位置した前記第１相変化膜の一部を前記開口部内に移動させる段階と、
第２熱処理工程に前記開口部の外部に位置した前記第２相変化膜の一部を前記開口部内に移動させる段階とを含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の形成方法に関し、より詳細には、相変化膜を含む半導体素子の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、相変化物質が採用された半導体素子が提案されている。例えば、相変化記憶素子の単位セルは、データを格納するための相変化物質を含む。相変化物質は、その状態によって比抵抗が変わる。すなわち、結晶状態の相変化物質は、非晶質状態の相変化物質に比べて低い比抵抗を有することができる。このような相変化物質の特性を用いて相変化記憶セルは、データを格納して判読することができる。
【０００３】
相変化物質の状態は、供給される熱の温度及び／または熱の供給時間などによって変わることができる。例えば、溶融点に近い温度の熱が短時間の間相変化物質に供給される場合に、相変化物質は、非晶質状態に変わることができる。これとは異なり、結晶化温度に近い温度の熱が長時間の間相変化物質に供給される場合に、相変化物質は、結晶状態に変わることができる。
【０００４】
通常、相変化物質の状態を変えるための熱は、ジュール熱を用いる。これによって、相変化記憶素子は、高い熱を発生させるために、多量の電流量が要求されることができる。その結果、相変化記憶素子の消費電力が増加するか、相変化記憶素子の高集積化が難しくなることができる。半導体産業が高度に発展することによって、相変化記憶素子を含む半導体素子の高集積化及び／または低消費電力化に対する要求が増加している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許第０５６８１０９号公報
【特許文献２】韓国特許第０７４５７６１号公報
【特許文献３】米国特許第６７０９９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高集積化に最適化された相変化膜を含む半導体素子の形成方法を提供することである。
【０００７】
本発明の他の課題は、消費電力を最小化する相変化膜を含む半導体素子の形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するため、本発明による半導体素子の形成方法は、基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜内に開口部を形成する段階と、前記開口部を有する基板上に相変化膜を蒸着する段階と、熱処理工程によって前記開口部の外部に位置した前記相変化膜の一部が前記開口部内に移動される段階と、を含む。この際、前記相変化膜は前記熱処理工程の工程温度を前記相変化膜の熔融点より低くする特定元素を含み、前記熱処理工程は前記相変化膜の熔融点より低い工程温度を含む。
【０００９】
具体的に、前記特定元素の熔融点は、前記相変化膜の熔融点より低いことが好ましい。この場合に、前記熱処理工程の工程温度は、前記特定元素の熔融点と同一、または前記特定元素の熔融点より高いことが好ましい。前記特定元素は、金属でありうる。前記相変化膜内で前記特定元素の組成比率は、１ａｔ．％乃至２２ａｔ．％でありうる。前記特定元素は液体状態での密度が固体状態での密度より高いこともある。
【００１０】
一実施形態によると、前記方法は前記相変化膜を蒸着する前に、前記開口部を有する基板上にウェティング層（ｗｅｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）をコンフォマルに形成する段階をさらに含むことができる。
【００１１】
一実施形態によると、前記方法は、前記相変化膜を蒸着する前に、前記ウェティング層をプラズマで処理する段階をさらに含むことができる。この際、少なくとも前記絶縁膜の上部面上に位置した前記ウェティング層は、前記プラズマによって処理され、少なくとも前記開口部の下側壁上に形成された前記ウェティング層は、前記プラズマによって処理されない。
【００１２】
一実施形態によると、前記相変化膜を蒸着する段階は、前記開口部を有する基板上に化学気相蒸着法によって第１相変化膜を蒸着する段階と、前記第１相変化膜上に物理気相蒸着法によって第２相変化膜を蒸着する段階とを含むことができる。この場合に、前記熱処理工程において、前記開口部の外部に位置した相変化膜の一部を前記開口部内に移動させる段階は、第１熱処理工程によって、前記開口部の外部に位置した前記第１相変化膜の一部を前記開口部内に移動させる段階と、第２熱処理工程によって、前記開口部の外部に位置した前記第２相変化膜の一部を前記開口部内に移動させる段階とを含むことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、熱処理工程によって開口部の外部の相変化膜が開口部内に移動される。この際、相変化膜は、前記熱処理工程の工程温度を前記相変化膜の熔融点より低くする特定元素を有する。これによって、前記相変化膜は、熔融点より低い温度の熱処理工程によって前記開口部をボイド（ｖｏｉｄ）及び／またはシーム（ｓｅａｍ）なしに満たすことができる。その結果、前記相変化膜のプログラム領域（すなわち、状態が変わる部分）を前記開口部内に限定的に形成することによって、プログラム動作のためのプログラム電流量を減少させることができる。これによって、高集積化及び／または低消費電力化された相変化膜を含む半導体素子を実現することができる。また、熔融点より低い温度で前記相変化膜を移動（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）させて前記開口部を満たすことによって、前記相変化膜の特性劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体素子に含まれたヒータ電極の他の形態を説明するための断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法においてウェティング層の変形例を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示された内容が詳細かつ完全になるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供される。図面において、層（または膜）及び領域の厚さは、明確性のために誇張されている。また、層（または膜）が他の層（または膜）または基板“上”にあると言及される場合に、それは、他の層（または膜）または基板上に直接形成されるか、またはそれらの間に第３の層（または膜）が介在されることもできる。明細書全体にわたり同一の参照符号で表示された部分は同一の構成要素を示す。
【００１６】
（第１実施形態）
図１乃至図３は、本発明の一実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【００１７】
図１を参照すると、基板１００上に第１層間絶縁膜１０２を形成して、前記第１層間絶縁膜１０２をパターニングして開口部１０４を形成する。前記基板１００は、ダイオードまたはトランジスタなどのようなスイッチング素子を含むことができる。前記開口部１０４は、前記スイッチング素子の一端子を露出させることができる。前記第１層間絶縁膜１０２は、単一層または多層でありうる。前記第１層間絶縁膜１０２は、酸化膜、室化膜及び酸化室化膜などから選択された少なくとも何れか一つを含むことができる。
【００１８】
前記開口部１０４の下部分内にヒータ電極１０６を形成することができる。具体的に、前記開口部１０４を満たすヒータ電極膜を基板１００の全面上に形成して、前記ヒータ電極膜を前記第１層間絶縁膜１０２が露出するまで平坦化させて、前記平坦化されたヒータ電極膜を前記第１層間絶縁膜１０２の上部面より低くリセス（ｒｅｃｅｓｓ）して、前記ヒータ電極１０６を形成することができる。前記ヒータ電極１０６は、前記スイッチング素子の一端子と電気的に接続されることができる。前記ヒータ電極１０６は、導電性窒化物で形成されることができる。例えば、前記ヒータ電極１０６は、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、バナジウム窒化物（ｖａｎａｄｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、ニオビオム窒化物、タンタル窒化物、タングステン窒化物、モリブデン窒化物、チタン−アルミニウム窒化物、チタン−シリコン窒化物、チタン−炭素窒化物、タンタル−炭素窒化物、タンタル−シリコン窒化物、チタン−ボロン窒化物、ジルコニウム−シリコン窒化物、タングステン−シリコン窒化物、タングステン−ボロン窒化物、ジルコニウム−アルミニウム窒化物、モリブデン−シリコン窒化物、モリブデン−アルミニウム窒化物、タンタル−アルミニウム窒化物、チタン酸化窒化物、チタン−アルミニウム酸化窒化物、タングステン酸化窒化物及びタンタル酸化窒化物などから選択された少なくとも何れか一つで形成されることができる。
【００１９】
これと異なり、前記ヒータ電極１０６は、前記第１層間絶縁膜１０２を形成する前に前記基板１００上に形成されることができる。この場合に、前記開口部１０４は、前記ヒータ電極１０６を露出させることができる。
【００２０】
次に、前記基板１００の全面上に相変化膜１１０を蒸着する。前記相変化膜１１０は、複数の互いに異なる比抵抗を有する状態に変換可能な物質として形成されることが好ましい。例えば、前記相変化膜１１０は、カルコゲン（ｃｈａｌｃｏｇｅｎ）であるセレニウム（ｓｅｌｅｎｉｕｍ）及びテルル（ｔｅｌｌｕｒｉｕｍ）のうちで選択された少なくとも何れか一つを含む化合物で形成されることができる。さらに、前記相変化膜１１０は、特定元素（ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｅｌｅｍｅｎｔｓ）をさらに含む。すなわち、前記相変化膜１１０は、セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つと、前記特定元素を含む化合物とを含むことができる。
【００２１】
前記相変化膜１１０は、物理気相蒸着法または化学気相蒸着法によって形成されることができる。前記開口部１０４の上部角には、前記相変化膜１１０によるオーバハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）が生成されることができる。前記開口部１０４内にボイド及び／またはシームが発生されることができる。
【００２２】
図２を参照すると、前記相変化膜１１０に熱処理工程を実行する。これによって、前記開口部１０４の外部に位置した前記相変化膜１１０が前記開口部１０４内に移動される。その結果、前記熱処理工程が実行された相変化膜１１０’は、前記開口部１０４をボイド及び／またはシームなしに満たすことができる。この際、前記相変化膜１１０に含まれた前記特定元素によって前記熱処理工程の工程温度は、前記相変化膜１１０の熔融点より低くなる。すなわち、前記特定元素によって前記相変化膜１１０は、熔融点より低い温度で前記開口部１０４の外部から内部へ移動されることができる粘度を有することができる。前記特定元素の熔融点は、前記相変化膜１１０の熔融点より低いことが好ましい。特に、前記特定元素は、前記相変化膜１１０の熔融点より低い熔融点を有する金属であることが好ましい。前記熱処理工程の工程温度は、前記特定元素の熔融点と同一、または前記特定元素の熔融点より高いことが好ましい。したがって、前記熱処理工程の工程温度は、前記特定元素の熔融点と同一、またはより高く、前記相変化膜１１０の熔融点より低いことが好ましい。前記熱処理工程の工程温度は実質的に前記蒸着された相変化膜１１０に供給される熱の温度に該当することができる。例えば、前記特定元素は、ビスマス（ｂｉｓｍｕｔｈ）またはインジウム（ｉｎｄｉｕｍ）などから選択された少なくとも何れか一つでありうる。さらに、前記特定元素は、液体状態の密度が固体状態の密度より高いこともある。この場合に、前記熱処理工程による前記相変化膜１１０の移動性は、さらに向上することができる。例えば、ビスマスは、液体状態の密度が固体状態の密度より高い金属のうちの一つである。前記相変化膜１１０の移動性は、前記熱処理工程によって前記開口部１０４の外部の相変化膜１１０が前記開口部１０４内に移動される程度を意味する。
【００２３】
例えば、前記相変化膜１１０は、ビスマス−ゲルマニウム−テルル化合物、ビスマス−ゲルマニウム−スズ−テルル化合物、ビスマス−ゲルマニウム−アンチモン−テルル化合物、ビスマス−ゲルマニウム−鉛−テルル化合物、ビスマス−セレニウム−アンチモン化合物、インジウム−セレニウム−アンチモン化合物、インジウム−アンチモン−テルル化合物、インジウム−銀−アンチモン−テルル化合物及びインジウム−ゲルマニウム−アンチモン−テルル化合物などで少なくとも何れか一つで形成されることができる。本発明は、これらに限定されない。すなわち、前記相変化膜１１０は、セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つと、前記特定元素を含む他の相変化物質とを含むこともできる。
【００２４】
例えば、ビスマス−ゲルマニウム−テルル化合物の熔融点は、約５５０℃であり、ビスマスの熔融点は約２７１．５℃である。したがって、前記相変化膜１１０がビスマス−ゲルマニウム−テルル化合物で形成される場合に、前記熱処理工程の工程温度は約２７１．５℃と同一、またはより高く、約５５０℃より低いことが好ましい。
【００２５】
前記相変化膜１１０内で前記特定元素の組成比率は、１ａｔ．％乃至２２ａｔ．％であることが好ましい。前記特定元素の組成比率が１ａｔ．％より低い場合に、前記熱処理工程による前記相変化膜１１０の移動性は、急激に減少することができる。前記特定元素の組成比率が２２ａｔ．％より高い場合に、前記相変化膜１１０は、相変化特性を失ってしまう恐れがある。前記相変化膜１１０の相変化特性とは、状態変化による比抵抗の変化を意味する。具体的に、前記特定元素の組成比率が２２ａｔ．％より高い場合に、前記相変化膜１１０にプログラム動作を実行しても前記相変化膜１１０の状態は変わらないこともできる。（例えば、非晶質状態から結晶状態に変化または結晶状態から非晶質状態に変化）特に、前記特定元素が金属であり、組成比率が２２ａｔ．％より高い場合に、前記相変化膜１１０は金属化されて相変化特性を失ってしまう恐れがある。したがって、本発明の一実施形態によると、前記相変化膜１１０内で前記特定元素の組成比率を１ａｔ．％乃至２２ａｔ．％に制御することによって、前記相変化膜１１０の移動性を十分に確保すると共に前記相変化膜１１０の特性劣化を最小化することができる。
【００２６】
続いて、前記相変化膜１１０を蒸着する工程及び前記相変化膜１１０に前記熱処理工程を実行する工程は、一つの工程チャンバ内でインサイチュー（ｉｎ−ｓｉｔｕ）によって実行されることができる。この場合に、前記相変化膜１１０を蒸着する工程及び前記熱処理工程は、順次に実行されることができる。これと異なり、前記相変化膜１１０の蒸着工程及び前記熱処理工程は同時に実行されることもできる。すなわち、前記開口部１０４を有する基板１００を前記熱処理工程の工程温度で加熱した状態で、前記相変化膜１１０を蒸着することができる。この場合に、前記開口部１０４の外部に蒸着される相変化膜１１０の一部は、前記熱処理工程によって加熱された前記基板１００から熱が供給されて前記開口部１０４内に移動される。本発明の一実施形態によると、前記相変化膜１１０を蒸着する工程及び前記熱処理工程は、互いに異なる工程チャンバでエクスサイチュー（ｅｘ−ｓｉｔｕ）によって実行されることもできる。
【００２７】
上述のように、前記相変化膜１１０は、物理気相蒸着法によって蒸着されることができる。この場合に、工程チャンバ内に前記特定元素を含む相変化物質からなるターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用することができる。これと異なり、前記相変化膜１１０は、化学気相蒸着法によって蒸着されることができる。前記相変化膜１１０を化学気相蒸着法によって形成する場合に、工程ガスは、セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つを含む第１ソースガス及び前記特定元素を含む第２ソースガスを含む。例えば、前記特定元素がビスマスの場合に、前記第２ソースガスは、Ｂｉ［ＣＨ（ＣＨ３）２）］３、Ｂｉ（ｔ−Ｂｕ）３、Ｂｉ（ｉ−Ｂｕ）３、Ｂｉ（ｉ−Ｐｒｏｐｅｎｅ）３、Ｂｉ（ＮＭｅ２）３、Ｂｉ（ＮＥｔ２）３、Ｂｉ（ＮＳｉＭｅ３Ｍｅ）Ｍｅ２のうちの少なくとも何れか一つを含むことができる。
【００２８】
続いて、図２に示すように、前記基板１００の全面上にキャッピング膜１１５を形成する。前記キャッピング膜１１５は、前記熱処理工程が実行された相変化膜１１０’上に形成されることができる。
【００２９】
これと異なり、前記キャッピング膜１１５は、前記蒸着された相変化膜１１０上に形成されて、前記キャッピング膜１１５を形成した後、前記熱処理工程を実行することもできる。この場合に、前記キャッピング膜１１５は、前記開口部１０４の内部には形成されないことが好ましい。例えば、前記キャッピング膜１１５が前記蒸着された相変化膜１１０上に形成される場合に、前記開口部１０４内には、閉じたボイド（ｃｌｏｓｅｄ  ｖｏｉｄ）が形成されることができる。これによって、前記キャッピング膜１１５は、前記開口部１０４内に形成されないこともできる。前記キャッピング膜１１５が前記蒸着された相変化膜１１０上に形成される場合に、前記熱処理工程によって発生することができる前記相変化膜１１０の表面蒸発を防止することができる。
【００３０】
前記キャッピング膜１１５は、前記相変化膜１１０’との耐反応性が優れた導電性金属窒化物で形成されることができる。例えば、前記キャッピング膜１１５は、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、バナジウム窒化物、ニオビオム窒化物、タンタル窒化物、タングステン窒化物、モリブデン窒化物、チタン−アルミニウム窒化物、チタン−シリコン窒化物、チタン−炭素窒化物、タンタル−炭素窒化物、タンタル−シリコン窒化物、チタン−ボロン窒化物、ジルコニウム−シリコン窒化物、タングステン−シリコン窒化物、タングステン−ボロン窒化物、ジルコニウム−アルミニウム窒化物、モリブデン−シリコン窒化物、モリブデン−アルミニウム窒化物、タンタル−アルミニウム窒化物、チタン酸化窒化物、チタン−アルミニウム酸化窒化物、タングステン酸化窒化物及びタンタル酸化窒化物などから選択された少なくとも何れか一つで形成されることができる。
【００３１】
図３を参照すると、前記キャッピング膜１１５及び相変化膜１１０’を連続してパターニングして順に積層された相変化パターン１１０ｐ及びキャッピング電極１１５ａを形成することができる。前記相変化パターン１１０ｐの一部は前記ヒータ電極１０６上の前記開口部１０４を満たし、前記相変化パターン１１０ｐの他の一部は、前記第１層間絶縁膜１０２上に配置されることができる。前記ヒータ電極１０６が前記第１層間絶縁膜１０２の下に形成される場合に、前記相変化パターン１１０ｐの一部は前記開口部１０４の全体を満たすことができる。
【００３２】
前記基板１００の全面を覆う第２層間絶縁膜１１７を形成し、前記第２層間絶縁膜１１７を貫通して前記キャッピング電極１１５ａと接続される配線プラグ１１９を形成する。前記第２層間絶縁膜１１７上に前記配線プラグ１１９と接続される配線１２１を形成する。前記第２層間絶縁膜１１７は、酸化膜、室化膜及び酸化室化膜などから選択された少なくとも何れか一つで形成されることができる。前記配線プラグ１１９及び配線１２１は導電物質で形成される。
【００３３】
一方、相変化パターンは、他の方法によって形成されることもできる。具体的に、図２のキャッピング膜１１５及び相変化膜１１０’を前記第１層間絶縁膜１０２が露出するまで平坦化させることもできる。この場合に、相変化パターン１１０ｐは、前記開口部１０４の内に限定的に形成される。前記キャッピング膜１１５及び相変化膜１１０’が平坦化される場合に、前記キャッピング膜１１５は、上述の導電物質または絶縁物質（例えば、酸化膜、室化膜、酸化室化膜、炭化膜など）で形成されることもできる。前記相変化パターン１１０ｐの全体が前記開口部１０４内に形成される場合に、前記配線プラグ１１９は省略され、前記配線１２１は、前記第１層間絶縁膜１０２上に形成されて前記相変化パターン１１０ｐと接続されることができる。この場合に、前記配線１２１は、前記ヒータ電極１０６に比べて比抵抗が低い導電物質で形成されることができる。これによって、前記相変化パターン１１０ｐの状態が変わる領域を前記ヒータ電極１０６に隣接した部分に限定することができる。
【００３４】
上述の半導体素子の形成方法によると、前記相変化パターン１１０ｐは、前記開口部１０４内に形成される。これによって、前記相変化パターン１１０ｐの状態が変わる領域（例えば、プログラム領域）を前記開口部１０４内に限定的に形成することができる。すなわち、前記相変化パターン１１０ｐの状態が変わる領域を小さく形成することができる。これによって、前記相変化パターン１１０ｐの比抵抗を変化させるのに要求される電流量を減少させることができる。その結果、高集積化及び／または低消費電力化した半導体素子を実現することができる。
【００３５】
また、前記相変化膜１１０は、前記特定元素を含む。これによって、前記熱処理工程の工程温度を前記相変化膜１１０の熔融点より低くすることができる。すなわち、前記相変化膜１１０の熔融点より低い工程温度で前記開口部１０４の外部に位置した相変化膜１１０の一部が前記開口部１０４内に移動されて、前記開口部１０４を満たすことができる。その結果、前記相変化膜１１０’の特性劣化を防止すると共に前記開口部１０４内のボイド及び／またはシームを防止することができる。
【００３６】
もし、前記熱処理工程の工程温度が前記相変化膜１１０の熔融点と同一、または前記相変化膜１１０の熔融点より高い場合に、前記相変化膜１１０’内の一部元素が蒸発するか、前記相変化膜１１０’の膜特性が変化することができる。これによって、前記相変化膜１１０’は、相変化特性が劣化されることができる。本発明によると、前記相変化膜１１０は、前記特定元素を含むことによって、前記熱処理工程の工程温度を前記相変化膜１１０の熔融点より低くすることができる。これによって、本発明に係る半導体素子は、相変化膜１１０’の特性劣化を防止すると共に前記開口部１０４内のボイド及び／またはシームを除去することができる。
【００３７】
一方、上述のヒータ電極１０６は、ピラー形態（ｐｉｌｌａｒ−ｓｈａｐｅｄ）で形成される。これと異なり、図４に示したように、ヒータ電極は、他の形態を有することもできる。
【００３８】
図４は、本発明の一実施形態に係る半導体素子に含まれたヒータ電極の他の形態を説明するための断面図である。
【００３９】
図４を参照すると、ヒータ電極１０６’は、開口部１０４の下部分内に配置される。前記ヒータ電極１０６’は、シリンダ形態を有することができる。すなわち、前記ヒータ電極１０６’は、前記開口部１０４の下側壁及び底面に沿ってコンフォマルに配置されることができる。前記開口部１０４の下部分内に犠牲絶縁パターン１０７が配置されることができる。前記犠牲絶縁パターン１０７は、前記ヒータ電極１０６’によって囲まれた形態でありうる。相変化パターン１１０ｐは、前記犠牲絶縁パターン１０７の上部面及び前記ヒータ電極１０６’の最上面と接触されることができる。
【００４０】
前記ヒータ電極１０６’を形成する方法を説明する。前記開口部１０４を有する基板１００上にヒータ電極膜をコンフォマルに形成し、前記ヒータ電極膜上に前記開口部１０４を満たす犠牲絶縁膜を形成する。前記犠牲絶縁膜及びヒータ電極膜を前記第１層間絶縁膜１０２が露出するまで平坦化させる。続いて、前記平坦化された犠牲絶縁膜及びヒータ電極を前記第１層間絶縁膜１０２の上部面より低くリセスする。これによって、前記犠牲絶縁パターン１０７及びヒータ電極１０６’が形成される。次に、図１乃至図３を参照して説明した相変化膜の蒸着工程及び熱処理工程を含んだ後続工程を実行することができる。
【００４１】
（第２実施形態）
本実施形態は、相変化膜を複数回蒸着する方法を開示する。本実施形態において、前記第１実施形態と同一の構成は同一の参照符号を使用する。
【００４２】
図５乃至図７は、本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【００４３】
図５を参照すると、開口部１０４を有する基板１００上に化学気相蒸着法によって第１相変化膜１０８ａを蒸着する。前記第１相変化膜１０８ａは、セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つと、特定元素とを含む。前記化学気相蒸着法に用いられる工程ガスは、前記セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つを含む第１ソースガス及び前記特定元素を含む第２ソースガスを含むことができる。これに加えて、前記工程ガスは他の元素を含む第３ソースガスをさらに含むことができる。前記特定元素は、前記第１実施形態での説明と同一である。前記第１相変化膜１０８ａは、上述の第１実施形態の相変化膜１１０と同一の物質で形成されることができる。
【００４４】
図６を参照すると、前記第１相変化膜１０８ａに第１熱処理工程を実行することができる。前記第１熱処理工程によって前記開口部１０４の外部に位置した前記第１相変化膜１０８ａの一部が前記開口部１０４内に移動される。前記第１熱処理工程が実行された第１相変化膜１０８ａ’は、前記開口部１０４の一部のみを満たすことができる。すなわち、前記第１熱処理工程後に、前記第１開口部１０４内の他の一部は空いていることもできる。前記第１熱処理工程は、上述の第１実施形態の熱処理工程と同一でありうる。すなわち、前記第１相変化膜１０８ａ内の前記特定元素によって、前記第１熱処理工程の工程温度は、前記第１相変化膜１０８ａの熔融点より低い。また、前記第１熱処理工程の工程温度は、前記第１相変化膜１０８ａ内に含まれた前記特定元素の熔融点と同一、または前記特定元素の熔融点より高い。
【００４５】
前記第１相変化膜１０８ａを蒸着する工程及び前記第１熱処理工程は一つの工程チャンバ内でインサイチュー（ｉｎ−ｓｉｔｕ）によって実行されることができる。これと異なり、前記第１相変化膜１０８ａの蒸着工程及び前記第１熱処理工程は互いに異なる工程チャンバ内でエクスサイチュー（ｅｘ−ｓｉｔｕ）によって実行されることもできる。
【００４６】
次に、前記基板１００の全面上に物理気相蒸着法によって第２相変化膜１０９ａを蒸着する。前記第２相変化膜１０９ａは、セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つと、前記特定元素とを含む。前記第２相変化膜１０９ａは、前記第１相変化膜１０８ａと同一物質で形成されることができる。前記第２相変化膜１０９ａを蒸着した後に、前記開口部１０４内にボイド及び／またはシームが発生することができる。
【００４７】
図７を参照すると、前記第２相変化膜１０９ａを有する基板１００に第２熱処理工程を実行する。これによって、前記開口部１０４の外部に位置した前記第２相変化膜１０９ａが前記開口部１０４内に移動される。その結果、前記第２熱処理工程が実行された第２相変化膜１０９ａ’は、前記開口部１０４を満たす。前記第２熱処理工程は、上述の第１実施形態の熱処理工程と同一でありうる。すなわち、前記第２相変化膜１０９ａ内の前記特定元素によって前記第２熱処理工程の工程温度は、前記第２相変化膜１０９ａの熔融点より低い。また、前記第２熱処理工程の工程温度は、前記第２相変化膜１０９ａ内の特定元素の熔融点と同一、または特定元素の熔融点より高い。前記第２相変化膜１０９ａの蒸着工程及び前記第２熱処理工程は、インサイチューまたはエクスサイチュー（ｅｘ−ｓｉｔｕ）によって実行されることができる。前記第１及び第２相変化膜１０８ａ、１０８ｂを含む相変化膜１１０ａは、ヒータ電極１０６上の前記開口部１０４を満たす。前記ヒータ電極１０６は、図４のヒータ電極１０６’に取り替えられる。
【００４８】
上述の方法によると、前記第１熱処理工程が実施された第１相変化膜１０８ａ’によって前記開口部１０４内の空間の縦横比を減少させた後に、前記第２相変化膜１０９ａの蒸着工程及び第２熱処理工程で前記開口部１０４を完全に満たす。これによって、相変化膜１１０ａは、前記開口部１０４をより容易に満たすことができる。
【００４９】
本発明の一実施形態によると、前記第１熱処理工程は省略されることもできる。すなわち、化学気相蒸着法によって前記第１相変化膜１０８ａを蒸着し、次に、物理気相蒸着法によって前記第２相変化膜１０９ａを蒸着した後に、一回の熱処理工程を実行することができる。この場合に、相対的にステップカバレッジが優れた前記第１相変化膜１０８ａを蒸着し、前記第２相変化膜１０９ａを蒸着することによって、前記開口部１０４内のボイド及び／またはシームの大きさを減少させることができる。その結果、相変化膜１１０ａは前記開口部１０４をより容易に満たすことができる。
【００５０】
本発明の一実施形態によると、前記第２熱処理工程は、省略されることもできる。すなわち、化学気相蒸着法によって前記第１相変化膜１０８ａを蒸着し、前記第１熱処理工程を実行した後、物理気相蒸着法によって前記第２相変化膜１０９ａを蒸着することができる。この場合に、前記開口部１０４は、前記第１熱処理工程が実行された前記第１相変化膜１０８ａ’により満たされることが好ましい。
【００５１】
前記基板１００の全面上にキャッピング膜１１５を形成する。前記キャッピング膜１１５は、前記第２熱処理工程が実行された第２相変化膜１０９ａ’上に形成されることができる。これと異なり、前記第２熱処理工程を実行する前に前記キャッピング膜１１５は、前記蒸着された第２相変化膜１０９ａ上に形成されることもできる。
【００５２】
前記キャッピング膜１１５及び相変化膜１１０ａを連続してパターニングして、図３の相変化パターン１１０ｐ及びキャッピング電極１１５ａを形成することができる。これと異なり、前記キャッピング膜１１５及び相変化膜１１０ａを第１層間絶縁膜１０２が露出するまで平坦化させて相変化パターンを前記開口部１０４内に限定的に形成することもできる。
【００５３】
（第３実施形態）
本実施形態は、相変化膜の移動性をより促進することができる半導体素子の形成方法を開示する。本実施形態でも上述の第１及び第２実施形態と同一の構成は同一の参照符号を用いる。
【００５４】
図８乃至図１０は、本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【００５５】
図８を参照すると、開口部１０４の下部分内にヒータ電極１０６を形成することができる。前記ヒータ電極１０６は、図４に示したヒータ電極１０６’に取り替えられる。前記開口部１０４を有する基板１００の全面上にウェティング層１５０をコンフォマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）に形成する。前記ウェティング層１５０は、前記開口部１０４の上部面及び側壁上に実質的に均一な厚さで形成されることができる。前記ウェティング層１５０上に相変化膜１１０を蒸着する。前記相変化膜１１０は、上述の第１実施形態と同一の物質で形成される。すなわち、前記相変化膜１１０は、セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つと、特定元素とを含む。
【００５６】
前記ウェティング層１５０は、前記相変化膜１１０のぬれ性（ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ）を向上することができる物質で形成することが好ましい。前記ぬれ性とは、前記相変化膜１１０が前記ウェティング層１５０上で広がる程度を意味する。前記ウェティング層１５０は導電物質で形成されることができる。例えば、前記ウェティング層１５０は、チタン、チタン含有物質、タンタル、導電性金属窒化物（例えば、窒化チタン、窒化タンタルまたは窒化タングステンなど）から選択された少なくとも何れか一つで形成されることができる。これと異なり、前記ウェティング層１５０は、絶縁物質で形成されることもできる。例えば、前記ウェティング層１５０は、ニオブ酸化物（ｎｉｏｂｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）及びジルコニウム酸化物（ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ）のうちで選択された少なくとも何れか一つで形成されることができる。前記ウェティング層１５０が絶縁物質で形成される場合に、前記ウェティング層１５０は、電荷がトンネリングされるように十分に薄い厚さで形成されることができる。
【００５７】
図９を参照すると、前記相変化膜１１０に熱処理工程を実行する。前記熱処理工程は、上述の第１実施形態と同一でありうる。これによって、前記開口部１０４の外部に位置した相変化膜１１０の一部が前記開口部１０４内に移動される。前記相変化膜１１０内の特定元素によって前記熱処理工程の工程温度は前記相変化膜１１０の熔融点より低い。これに加えて、前記ウェティング層１５０によって、前記相変化膜１１０の移動性をさらに向上させることができる。
【００５８】
前記基板１００上にキャッピング膜１１５を形成する。上述の第１実施形態のように、前記キャッピング膜１１５は、前記蒸着された相変化膜１１０上または前記熱処理工程が実行された相変化膜１１０’上に形成されることができる。
【００５９】
前記キャッピング膜１１５、相変化膜１１０’及びウェティング層１５０を連続してパターニングして順に積層されたウェティングパターン１５０ａ、相変化パターン１１０ｐ及びキャッピング電極１１５を形成することができる。第２層間絶縁膜１１７を基板１００の全面上に形成し、前記第２層間絶縁膜１１７を貫通して前記キャッピング電極１１５に接続された配線プラグ１１９を形成し、前記第２層間絶縁膜１１７上に前記配線プラグ１１９と接続される配線１２１を形成する。
【００６０】
勿論、前記キャッピング膜１１５、相変化膜１１０’及びウェティング層１５０を第１層間絶縁膜１０２が露出するまで平坦化させることもできる。この場合に、相変化パターン１１０ｐ及びウェティングパターン１５０ａは、前記開口部１０４内に形成される。
【００６１】
一方、前記ウェティング層１５０は、上述の第２実施形態にも適用可能である。すなわち、図５において、開口部１０４を有する基板１００上に前記ウェティング層１５０を形成し、前記ウェティング層１５０上に化学気相蒸着法によって第１相変化膜１０８ａを蒸着することができる。この後の後続工程は、図６及び図７を参照して説明したことと同一に実行することができる。
【００６２】
前記ウェティングパターン１５０ａは、前記ヒータ電極１０６の上部面と前記開口部１０４内の相変化パターン１１０ｐの下部面との間に介在される。これと異なり、前記ヒータ電極１０６の上部面と前記開口部内の相変化パターン１１０ｐの下部面は、接触されることもできる。これに対して図１１を参照して説明する。
【００６３】
図１１は、本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法において、ウェティング層の変形例を説明するための断面図である。
【００６４】
図１１を参照すると、相変化膜１１０を蒸着する前に、ウェティング層１５０を異方性エッチングして、前記ヒータ電極１０６及び第１層間絶縁膜１０２の上部面を露出させる。これによって、前記開口部１０５の側壁上にウェティングスペーサ１５０ｂが形成される。続いて、図８及び図９で説明した相変化膜１１０の蒸着工程、熱処理工程及びキャッピング膜１１５の形成工程を実行する。結果的に、前記熱処理工程が実行された相変化膜１１０’は、前記ヒータ電極１０６と接触し、前記相変化膜１１０’と前記開口部１０４の側壁との間に前記ウェティングスペーサ１５０ｂが配置されることができる。
【００６５】
（第４実施形態）
図１２乃至図１５は、本発明の他の実施形態に係る半導体素子の形成方法を説明するための断面図である。
【００６６】
図１２を参照すると、開口部１０４を有する基板１００の全面上にウェティング層を形成する。前記ウェティング層は、上述の第３実施形態のウェティング層１５０と同一の物質で形成されることができる。前記ウェティング層を有する基板１００をプラズマで処理する。前記プラズマ処理が実行されたウェティング層１５０’は、前記開口部１０４内に配置された第１部分１５１と、第１層間絶縁膜１０２の上部面上に配置された第２部分１５２とを含む。この際、前記ウェティング層１５０’の第２部分１５２は前記プラズマで処理され、前記ウェティング層１５０’の第１部分１５１の少なくとも一部は前記プラズマで処理されない（ｕｎｔｒｅａｔｅｄ）。特に、前記開口部１０４の下側壁上に形成された前記ウェティング層１５０’の第１部分１５１は、前記プラズマで処理されないことが好ましい。前記プラズマ処理は、水素プラズマ処理であることが好ましい。
【００６７】
前記プラズマ処理工程は異方性で実行されることができる。この場合に、前記ウェティング層１５０’の第１部分１５１のうちで前記ヒータ電極１０６の上部面上に配置された部分は前記プラズマで処理されることができる。前記プラズマ処理工程を異方性として実行しても、バックバイアス電圧を低く調節して、前記ウェティング層１５０’の第２部分１５２のみをプラズマ処理することもできる。
【００６８】
これと異なり、前記プラズマ処理工程は等方性で実行することができる。この場合に、前記プラズマの密度を低く調節して、前記開口部１０の４外部の第２部分１５２のみがプラズマ処理されるように調節することができる。
【００６９】
前記ウェティング層１５０’を有する基板１００上に化学気相蒸着法で第１相変化膜１０８ｂを蒸着する。この際、前記ウェティング層１５０’のプラズマ処理されない部分上での前記第１相変化膜１０８ｂの蒸着率は、前記ウェティング層１５０’のプラズマで処理された部分上での前記第１相変化膜１０８ｂの蒸着率より高い。すなわち、前記ウェティング層１５０’のプラズマ処理された部分は、前記第１相変化膜１０８ｂの成長を抑制する。これによって、前記第１相変化膜１０８ｂは、前記開口部１０４の外部（すなわち、第２部分１５２上）より前記開口部１０４の内部（特に、開口部１０４の下側壁上に形成された第１部分１５１上）でさらに速く蒸着される。その結果、前記第１相変化膜１０８ｂを蒸着する際、前記開口部１０４のオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）が最小化される。また、前記第１開口部１０４内に前記第１相変化膜１０８ｂの蒸着される量が増加する。前記第１相変化膜１０８ｂは、上述の第２実施形態の第１相変化膜１０８ａと同一の物質で形成されることができる。すなわち、前記第１相変化膜１０８ｂは、セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つと、特定元素とを含む。前記特定元素は、上述の第１実施形態での説明と同一である。
【００７０】
図１３を参照すると、前記第１相変化膜１０８ｂに第１熱処理工程を実行することができる。これによって、前記開口部１０４の外部に位置した前記第１相変化膜１０８ｂの一部が前記開口部１０４内に移動される。前記第１熱処理工程が実行された第１相変化膜１０８ｂ’は、前記開口部１０４内に入り口幅が下部幅より大きい形態の空間を形成することができる。前記第１相変化膜１０８ｂの蒸着工程及び前記第１熱処理工程は、インサイチュー（ｉｎ−ｓｉｔｕ）方式またはエクスサイチュー（ｅｘ−ｓｉｔｕ）方式で実行されることができる。
【００７１】
前記第１熱処理工程は、上述の第２実施形態の第１熱処理工程と同一でありうる。続いて、物理気相蒸着法で第２相変化膜１０９ｂを蒸着することができる。前記第２相変化膜１０９ｂは、上述の第２実施形態の第２相変化膜１０９ａと同一物質で形成されることができる。すなわち、前記第２相変化膜１０９ｂは、セレニウム及びテルルのうちの少なくとも何れか一つと、前記特定元素とを含む化合物で形成されることができる。前記第２相変化膜１０９ｂは、前記第１相変化膜１０８ｂと同一物質で形成されることができる。前記第２相変化膜１０９ｂ形成の際、前記開口部１０４内には、ボイドなどが生成されることができる。
【００７２】
図１４を参照すると、前記第２相変化膜１０９ｂに第２熱処理工程が実行されることができる。これによって、前記開口部１０４の外部に位置した前記第２相変化膜１０９ｂは、前記開口部１０４内に移動される。前記第２熱処理工程が実行された第２相変化膜１０９ｂ’は、前記開口部１０４内のボイドなどを満たす。前記第２熱処理工程は上述の第２実施形態の第２熱処理工程と同一に実行することができる。前記第２相変化膜１０９ｂの蒸着工程及び前記第２熱処理工程は、インサイチュー方式またはエクスサイチュー（ｅｘ−ｓｉｔｕ）方式で実行されることができる。前記第１及び第２相変化膜１０８ｂ’、１０９ｂ’を含む相変化膜１１０ｂは、ボイド及び／またはシームなしに前記開口部１０４を満たす。
【００７３】
本発明の一実施形態によると、前記第１熱処理工程は省略されることができる。すなわち、前記第１相変化膜１０８ｂ及び前記第２相変化膜１０９ｂを順に蒸着し、前記第２熱処理工程を実行することができる。
【００７４】
本発明の一実施形態によると、前記第２相変化膜１０９ｂの蒸着工程及び第２熱処理工程は省略されることができる。すなわち、前記第１相変化膜１０８ｂを十分な厚さに蒸着し、前記第１熱処理工程を実行する。この際、前記第１熱処理工程が実行された第１相変化膜１０８ｂ’が前記開口部１０４を満たすことができる。
【００７５】
基板１００上にキャッピング膜１１５を形成することができる。前記キャッピング膜１１５は、前記開口部１０４の外部に形成されることが好ましい。すなわち、前記開口部１０４内には、前記キャッピング膜１１５が形成されないことが好ましい。前記キャッピング膜１１５は、前記第２熱処理工程が実行された第２相変化膜１０９ｂ’上に形成されることができる。これと異なり、前記キャッピング膜１１５は、前記第２熱処理工程が実行される前に前記第２相変化膜１０９ｂ上に形成されることもできる。この際、前記キャッピング膜１１５は、前記開口部１０４の外部に形成されることが好ましい。
【００７６】
前記第２相変化膜１０９ｂの蒸着工程及び前記第２熱処理工程が省略される場合に、前記キャッピング膜１１５は、前記第１熱処理工程の前後の第１相変化膜１０８ｂまたは第１相変化膜１０８ｂ’上に形成されることができる。
【００７７】
図１５を参照すると、前記キャッピング膜１１５、相変化膜１１０ｂ及びウェティング層１５０’を連続的にパターニングして、ウェティングパターン１５０ａ’，相変化パターン１１０ｐ及びキャッピング電極１１５ａを形成することができる。前記ウェティングパターン１５０ａ’は、前記開口部１０４内に位置した第１部分１５１及び第１層間絶縁膜１０２の上部面及び相変化パターン１１０ｐの間に介在された第２部分１５２ａを含むことができる。本発明の一実施形態によると、前記キャッピング層１１５、相変化膜１１０ｂ及びウェティングそう１５０’を第１層間絶縁膜１０２が露出されるまで平坦化させることができる。この場合に、前記相変化パターン１１０ｐ及びウェティングパターン１５０ａ’は、前記開口部１０４内に形成されることができる。次いで、図１０を参照して説明する第２層間絶縁膜１１７、配線プラグ１１９及び配線１２１を順に形成することができる。
【００７８】
上述の半導体素子の形成方法によると、前記第１相変化膜１０８ｂは、前記特定元素を含むことで、前記開口部１０４の外部の第１相変化膜１０８ｂの一部を前記開口部１０４内に移動させる熱処理工程は前記第１相変化膜１０８ｂの熔融点より低い。また、前記第１層間絶縁膜１０２の上部面上に形成されたウェティング層１５０’の第２部分１５２は、前記第１相変化膜１０８ｂの成長が抑制されるようにプラズマで処理される。これと異なり、前記開口部１０４内のウェティング層１５０’の第１部分１５１の少なくとも一部は前記プラズマで処理しないことで、前記開口部１０４内で前記第１相変化膜１０８ｂの蒸着を促進させる。これによって、前記開口部１０４のオーバーハングを最小化することができる。結果的に、前記第１相変化膜１０８ｂの熔融点より低い工程温度の熱処理工程（第１及び／または第２熱処理工程）によって、第１相変化膜１０８ｂ’を含む相変化膜１１０ｂを前記開口部１０４により容易に満たすことができる。
【００７９】
上述の本発明に係る半導体素子は。可変低抗体を含む全ての半導体素子でありうる。例えば、本発明に係る半導体素子は、相変化記憶素子でありうる。すなわち、前記相変化パターンは、相変化記憶素子の単位セルに含まれることができる。これと異なり、本発明に係る半導体素子は、可変低抗体を含む論理素子、可変低抗体を含む記憶素子及び／または可変抵抗体を含むハイブリッド素子でありうる。
【符号の説明】
【００８０】
１００  基板
１０２  第１層間絶縁膜
１０４  開口部
１０６  ヒータ電極
１１０  相変化膜
１１５  キャッピング膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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