(57)【要約】【課題】回転部に能動素子を有さない非接触型ＡＥセンサの感度バラツキを低減し、故障が発生しているかを容易に検出できるようにする。【解決手段】回転体の回転軸の端部に設けられ、ＡＥ変換子31と、第１インダクタンス要素41と、で構成される回転部40と、回転部に対向して設けられ、第１インダクタンス要素41と電磁結合する第２インダクタンス要素51と、第２インダクタンス要素にパルス信号を印加する送信回路61と、第２インダクタンス要素の電気信号を検出する受信回路62と、を有する固定部50と、を備える非接触型ＡＥセンサであって、固定部50は、可変ゲインアンプ64と、ＡＤコンバータ65と、デジタル信号のスペクトル解析を行い、検出対象の周波数成分のスペクトル強度を算出するスペクトル解析部66と、スペクトル強度を一定にするように可変ゲインアンプのゲインを制御するゲイン制御部66と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転体の回転軸に設けられ、ＡＥ変換子と、第１インダクタンス要素と、で構成される回転部と、
前記回転部に対向して設けられ、前記回転部の前記第１インダクタンス要素と電磁結合する第２インダクタンス要素と、前記第２インダクタンス要素にパルス信号を印加する送信回路と、前記第２インダクタンス要素の電気信号を検出する受信回路と、を有する固定部と、を備え、前記回転体のＡＥ波を、固定した固定部で検出する非接触型ＡＥセンサであって、
前記固定部は、
前記受信回路の検出した前記電気信号を増幅し、増幅率が可変の可変ゲインアンプと、
前記可変ゲインアンプの出力をデジタル信号に変換するＡＤコンバータと、
前記ＡＤコンバータの出力するデジタル信号のスペクトル解析を行い、検出対象の周波数成分のスペクトル強度を算出するスペクトル解析部と、
外部からの調整指令に応じて、前記送信回路が測定パルスを出力するように制御し、前記測定パルスに応答する共振信号のスペクトル解析結果に基づいて、前記検出対象の周波数成分のスペクトル強度を一定にするように、前記可変ゲインアンプの増幅率を制御するゲイン制御部と、を備えることを特徴とする非接触型ＡＥセンサ。
【請求項２】
前記固定部は、
前記受信回路の検出した前記電気信号から雑音成分を除去するフィルタをさらに備え、
前記可変ゲインアンプは、前記フィルタの出力を増幅する請求項１に記載の非接触型ＡＥセンサ。
【請求項３】
前記ゲイン制御部は、前記測定パルスに応答する共振信号のスペクトル解析結果において、検出対象の周波数成分のスペクトル強度が閾値より小さい時には、異常発生を報知する請求項２に記載の非接触型ＡＥセンサ。
【請求項４】
回転体の回転軸に設けられ、ＡＥ変換子と、第１インダクタンス要素と、で構成される回転部と、
前記回転部に対向して設けられ、前記回転部の前記第１インダクタンス要素と電磁結合する第２インダクタンス要素と、前記第２インダクタンス要素にパルス信号を印加する送信回路と、前記第２インダクタンス要素の電気信号を検出する受信回路と、を有する固定部と、を備え、
前記回転体のＡＥ波を、固定した固定部で検出する非接触型ＡＥセンサであって、
前記固定部は、
前記受信回路の検出した前記電気信号を増幅するアンプと、
前記アンプの出力をデジタル信号に変換するＡＤコンバータと、
前記ＡＤコンバータの出力するデジタル信号のスペクトル解析を行い、所定周波数のスペクトル強度を算出するスペクトル解析部と、
前記送信回路が測定パルスを出力するように制御し、前記測定パルスに応答する共振信号のスペクトル解析結果において、前記スペクトル強度が閾値より小さい時には、異常発生を報知する信号を出力する制御部と、を備えることを特徴とする非接触型ＡＥセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体媒体内を伝播する高周波数の音響信号（ＡＥ(Acoustic Emission)信号）を検出するＡＥセンサに関し、特に回転するシャフトなどの回転体のＡＥ波を検出する非接触型ＡＥセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ツールを被加工物（ワーク）に接触させて加工を行う加工装置、例えば、回転する砥石を、回転するワークに接触させて研削する研削盤では、ツール（砥石）とワークとの接触（エアカット）の検出、ドレッシングツール（ドレッサ）によるツール（砥石）のドレッシングの完了検出、ツール（砥石）が所定の基準ピンと接触することを検出することによるツールの位置決め、及びツール（砥石）と加工装置のほかの部分との衝突の検出などのために、ＡＥセンサが使用される。ＡＥセンサは、固体内を伝播する音響信号を検出するもので、対象とする周波数などに応じて各種の方式があるが、研削盤などの加工装置で使用するＡＥセンサは、数十ｋＨｚ〜数百ＭＨｚの超音波領域を対象とし、圧電素子などで構成される。
【０００３】
以下、研削盤で使用されるＡＥセンサを例として説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＡＥセンサであればどのようなものにも適用可能である。
【０００４】
ＡＥセンサについては、ＮＤＩＳのＮｏ．２１０６−７９、２１０６−９１などに、ＡＥセンサを使用した研削盤については、特許文献１などに記載されているように、広く知られているので、ここではＡＥセンサの詳しい説明は省略し、本発明に直接関係する部分についてのみ説明する。
【０００５】
図１は、ＡＥセンサの使用例を示す図であり、研削盤を含む加工システムにＡＥセンサを設けた構成を示す図である。以下の説明は、図１に示すような構成にＡＥセンサを適用した場合を例として行う。図１において、ベース１１の上にはワークＷを保持して回転させる機構と、移動ベース１２とが設けられている。移動ベース１２には、砥石（ツール）１４を回転させる砥石回転機構１３が設けられる。研削盤は、加工機制御装置１５により制御される。なお、砥石１４は、新しいものに交換した時やある程度の時間使用した時に、砥石１４の表面を研削に適した状態にするため、ドレッシング処理と呼ばれる処理を行う。この処理では、回転する砥石１４に、ドレッサを接触させて砥石１４の表面処理を行う。以上の部分は通常の研削盤を含む加工システムと同じである。
【０００６】
砥石回転機構１３の筐体にはＡＥ(Acoustic Emission)センサ２１が取り付けられ、砥石１４で発生するＡＥ波が砥石回転機構１３の筐体を通してＡＥセンサ２１に伝達され、ＡＥセンサ２１はＡＥ信号を発生する。ＡＥ信号処理装置２２は、ＡＥ信号を処理して砥石１４がワークＷに接触したことを検出して加工機制御装置１５に通知する。
【０００７】
図２は、ＡＥセンサの回路構成を示す図である。図２において、参照番号３１はＡＥ変換子を示し、３２はＡＥ変換子３１を収容するケースを示す。ＡＥ変換子３１は、ジルコン酸チタン酸鉛系圧電セラミック（ＰＺＴ）、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電材料で作られ、電気的には容量に相当する。ＡＥ変換子３１はプリアンプ３３に接続され、プリアンプ３３からＡＥ波によるＡＥ変換子３１のインピーダンスの変化に応じた出力が得られる。図１の例では、ケース３２がＡＥセンサ２１として砥石回転機構１３の筐体に取り付けられ、プリアンプ３３はＡＥ信号処理装置３２内に設けられることになる。
【０００８】
アプリケーションに応じて、いろいろな部分のＡＥ波を検出するが、回転するツール（砥石）が発生するＡＥ波を検出するアプリケーションがある。図１の従来例では、回転するツール（砥石）が発生するＡＥ波を、ツールが取り付けられ、ツールと共に回転する回転体（シャフト）を保持する軸受けを通過したＡＥ波を砥石回転機構１３の筐体を伝播するＡＥ波として検出する。このような検出が可能であるのは、軸受けがすべり軸受け（静圧軸受けなど）のようなＡＥ波が伝播する軸受けの場合である。これに対して、転がり軸受け（ボールベアリングなど）では、回転体のＡＥ波が軸受けを介して十分に伝播しないので、検出できないという問題がある。
【０００９】
そこで、特許文献２は、回転体に、ＡＥセンサと、ＡＥセンサに接続された非接触カップリング（一般的に電磁誘導式カプラが使用される）の一方と、を有する回転部を設け、非接触カップリングの他方を有する固定部を固定側に設け、回転体のＡＥ波を直接検出可能にした非接触型ＡＥセンサを記載している。このＡＥセンサであれば、ＡＥ波を通さない軸受けが使用される場合でも、回転体のＡＥ波が検出可能である。
【００１０】
特許文献２に記載された非接触型ＡＥセンサでは、ＡＥ信号を伝送する電磁誘導式カプラとは別の電磁誘導式カプラを設け、固定部から回転部のアンプに電力を供給している。しかし、図３に示すように、ＡＥ変換子３１および非接触カップリングを構成する第１インダクタンス素子（コイル）４１を有する回転部４０と、非接触カップリングを構成する第２インダクタンス素子（コイル）５１および第２インダクタンス素子５１に発生する電気信号を増幅するアンプ５２を有する固定部５０と、を備える非接触型ＡＥセンサもある。図３の構成では、第１インダクタンス素子４１および第２インダクタンス素子５１を介して、通常のＡＥセンサと同様に、ＡＥ変換子３１とアンプ５２からなる回路が形成される。また、回転部４０は能動素子を有しておらず、回転部４０のＡＥ変換子３１と第１インダクタンス素子４１は、ＬＣ回路を形成する。図３の非接触型ＡＥセンサは、特許文献２に記載された非接触型ＡＥセンサに比べて、回転部を小型にできるという利点がある。
【００１１】
【特許文献１】特開平６−１１４６９２号公報
【特許文献２】特表２００５−５１９２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
非接触型に限らず、ＡＥセンサは、製造上の問題でＡＥ変換子自体の感度の個体差が大きく、検出されるＡＥ信号のバラツキが大きいという問題、すなわちＡＥセンサの感度バラツキが大きいという問題がある。そのため、一般に、メーカ出荷時に校正用データを添付して、校正用データに基づいてアンプのゲインを調整したり、測定データを補正することが行われる。しかし、この校正方法を行うには、ＡＥ変換子以外の回路は安定していることが要求される。
【００１３】
ＡＥセンサは、取り付け方法などによっても感度が異なる。特に、特許文献２に記載された非接触型ＡＥセンサでは、アンプで増幅されたＡＥ信号を非接触カップリングを介して伝送するのに対して、図３の非接触型ＡＥセンサでは、非接触カップリングを介して回路を形成するため、図３の非接触型ＡＥセンサでは、回転部と固定部の間の正確なアライメントが難しく、アライメント不良が伝送効率を低下させ、感度を低下させるという問題がある。さらに、クーラントや切り粉の非接触カップリング部分への付着により、伝送効率が低下するという信頼性に関する欠点がある。
【００１４】
このように、図３に示した非接触型ＡＥセンサは、センサ自体の感度のバラツキが大きいだけでなく、非接触カップリング部分の状況により更に感度のバラツキが大きくなるという問題がある。センサの感度が一定でないと検出信号の評価が困難であるため、感度を調整する必要がある。しかし、この感度バラツキは、非接触カップリング部分の状況が不確定であるため、上記のような校正データを利用して調整するのは難しい。
【００１５】
また、良好なＡＥ信号が得られないという故障が発生した場合でも、故障の発生を検出できないという問題もある。
【００１６】
本発明は、このような問題を解決するもので、回転部に能動素子を有さない非接触型ＡＥセンサの感度バラツキを低減すると共に、非接触カップリング部分を含めて故障が発生しているかを容易に検出できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を実現するため、本発明の第１の態様によれば、固定部のアンプを増幅率が可変の可変ゲインアンプとし、その出力をデジタル信号に変換してスペクトル解析を行い、検出対象の周波数成分のスペクトル強度を一定にするように、可変ゲインアンプの増幅率を制御する。
【００１８】
すなわち、本発明の第１の態様のＡＥセンサは、回転体の回転軸に設けられ、ＡＥ変換子と、第１インダクタンス要素と、で構成される回転部と、前記回転部に対向して設けられ、前記回転部の前記インダクタンス要素と電磁結合する第２インダクタンス要素と、前記第２インダクタンス要素にパルス信号を印加する送信回路と、前記第２インダクタンス要素の電気信号を検出する受信回路と、を有する固定部と、を備え、前記回転体のＡＥ波を、固定した固定部で検出する非接触型ＡＥセンサであって、前記固定部は、前記受信回路の検出した前記電気信号を増幅し、増幅率が可変の可変ゲインアンプと、前記可変ゲインアンプの出力をデジタル信号に変換するＡＤコンバータと、前記ＡＤコンバータの出力するデジタル信号のスペクトル解析を行い、検出対象の周波数成分のスペクトル強度を算出するスペクトル解析部と、外部からの調整指令に応じて、送信回路が測定パルスを出力するように制御し、測定パルスに応答する共振信号のスペクトル解析結果に基づいて、前記検出対象の周波数成分のスペクトル強度を一定にするように、前記可変ゲインアンプの増幅率を制御するゲイン制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
固定部は、前記受信回路の検出した前記電気信号から雑音成分を除去するフィルタをさらに備えることが望ましい。
【００２０】
また、本発明の第２の態様によれば、測定パルスに応答する共振信号のスペクトル解析結果において、検出対象の周波数成分のスペクトル強度が閾値より小さい時には、異常発生を報知する。
【００２１】
すなわち、本発明の第２の態様のＡＥセンサは、回転体の回転軸に設けられ、ＡＥ変換子と、第１インダクタンス要素と、で構成される回転部と、前記回転部に対向して設けられ、前記回転部の前記インダクタンス要素と電磁結合する第２インダクタンス要素と、前記第２インダクタンス要素にパルス信号を印加する送信回路と、前記第２インダクタンス要素の電気信号を検出する受信回路と、を有する固定部と、を備え、前記回転体のＡＥ波を、固定した固定部で検出する非接触型ＡＥセンサであって、前記固定部は、前記受信回路の検出した前記電気信号を増幅するアンプと、前記アンプの出力をデジタル信号に変換するＡＤコンバータと、前記ＡＤコンバータの出力するデジタル信号のスペクトル解析を行い、スペクトル強度を算出するスペクトル解析部と、外部からの調整指令に応じて、前記送信回路が測定パルスを出力するように制御し、前記測定パルスに応答する共振信号のスペクトル解析結果において、前記スペクトル強度が閾値より小さい時には、異常発生を報知する信号を出力する制御部と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
第１の態様と第２の態様を組み合わせて、異常でない場合に感度調整を行うようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の第１の態様によれば、回転部に能動素子を有さない非接触型ＡＥセンサの感度バラツキを低減でき、使い勝手が向上する。
【００２４】
本発明の第２の態様によれば、回転部に能動素子を有さない非接触型ＡＥセンサにおいて、非接触カップリング部分を含めて故障が発生しているかを容易に検出できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図４は、本発明の実施形態の非接触型ＡＥセンサの構成を示す図である。図４に示すように、本実施形態の非接触型ＡＥセンサは、回転部４０と、固定部５０と、を有する。回転部４０は、回転するシャフトなどの回転体の端部に取り付けられ、固定部５０は回転部４０に対向して配置される。なお、センサを回転体内に埋め込む場合もある。
【００２６】
回転部４０は、ＡＥ変換子３１および非接触カップリングを構成する第１インダクタンス素子（コイル）４１を有する。固定部５０は、非接触カップリングを構成する第２インダクタンス素子（コイル）５１と、測定用パルスを発生して第２インダクタンス素子５１に印加する送信回路（パルス発生回路）６１と、第２インダクタンス素子５１に発生する電気（電圧）信号を出力する受信回路６２と、受信回路６２の出力する電圧信号から雑音成分を除去するフィルタ６３と、フィルタ６３の出力を増幅し、増幅率（ゲイン）が可変の可変ゲインアンプ６４と、可変ゲインアンプ６４の出力をデジタル信号に変換するＡＤコンバータ（ＡＤＣ）６５と、デジタル信号のスペクトル解析処理を行うと共に送信回路６１および可変ゲインアンプを制御する処理制御回路６６と、を有する。
【００２７】
回転部４０および固定部５０の第２インダクタンス素子（コイル）５１は、図３に示した従来のものが使用可能である。
【００２８】
送信回路６１は、第２インダクタンス素子５１の両端に、後述する測定用パルスを印加する。
【００２９】
フィルタ６３は、例えば、ＡＥ信号の測定対象の周波数範囲を通過させ、他の周波数範囲を除去するバンドパスフィルタで実現される。なお、ＡＤＣ６５のサンプリング周波数で実質的に高周波成分が除去されるので、フィルタ６３をローパスフィルタで構成することも可能である。また、雑音の状況によっては、フィルタ６３を設けなくてもよい。
【００３０】
可変ゲインアンプ６４は、５００ｋＨｚ程度の帯域を有すれば既知のものが使用可能である。
【００３１】
同様に、ＡＤＣ６５も、５００ｋＨｚ程度のサンプリング周波数を有するものが使用可能であり、例えば、１０ビット程度の分解能のものが使用される。
【００３２】
処理制御回路６６は、プロセッサにＤＳＰなどを組み合わせて実現され、スペクトル解析部とゲイン制御部とを構成する。スペクトル解析部は、ＡＤＣ６５の出力するＡＥ信号のデジタルデータのスペクトル解析処理を行い、ＡＥ信号のうちの検出対象の周波数成分のスペクトル強度を算出する。ゲイン制御部は、検出対象の周波数成分のスペクトル強度を一定にするように可変ゲインアンプの増幅率をフィードバック制御する。
【００３３】
さらに、処理制御回路６６は、測定開始を指示する外部指令を受けると、測定・設定動作を開始する。測定・設定動作では、処理制御回路６６は、まず送信回路６１が図５の（Ａ）に示すような測定パルスを出力するように制御する。この測定パルスは、非接触カップリングを構成するコイル５１とコイル４１の間の電磁誘導により、回転部４０のＡＥ変換子３１に印加され、図５の（Ｂ）に示すような共振信号（ＡＥ信号）が発生される。この共振信号は、コイル４１とコイル５１の間の電磁誘導により固体部５０の受信回路６２に伝達される。受信回路６２から出力された共振信号は、フィルタ６３により測定対象の周波数成分のみが通過され、可変ゲインアンプ６４で増幅されてＡＤＣ６５に入力される。ここで、可変ゲインアンプ６４で増幅されたＡＥ信号の振幅は、ＡＤＣ６５の量子化範囲を略等しいことが望ましい。もし、ＡＥ信号の振幅がＡＤＣ６５の量子化範囲を超えていると、所定以上の強度は同じレベルになるクリッピングが発生し、ＡＥ信号の振幅がＡＤＣ６５の量子化範囲に比べて大幅に小さいと、実質的な分解能が低下して高精度の測定が行なえないという問題を生じる。処理制御回路６６は、ＡＤＣ６５の出力するデジタルデータをＦＦＴなどでスペクトル（周波数）解析する。
【００３４】
処理制御回路６６は、スペクトル解析結果において、所定の範囲のスペクトル強度が閾値より小さい時には、何らかの異常が発生したと考えられるので、異常発生を報知する信号を外部に出力する。図５の（Ｃ）は、異常の発生した場合のＡＥ信号の例であり、測定用パルスに対応する出力が現れるだけで、共振信号が現れていない。このような異常は、例えば、回転部４０内の配線が断線している場合などに発生する。図５の（Ｃ）のようにまったく共振信号が現れない場合だけでなく、図５の（Ｂ）に比べて共振信号が弱く、短時間に減衰する場合などもあり、そのような場合には、回転部４０と固定部５０のアライメントが不良である場合、例えばコイル４１とコイル５１のアライメントがずれている場合や、その間が広すぎる場合などが異常の原因として考えられる。
【００３５】
また、処理制御回路６６は、検出対象の周波数成分のスペクトル強度を一定にするように、可変ゲインアンプ６４のゲイン（増幅率）をフィードバック制御する。検出対象の周波数成分のスペクトル強度が一定になったら、ゲインを維持する。
【００３６】
以上の処理が終了すれば測定・設定動作が終了するので、通常のＡＥ信号の検出および解析処理を行う状態に戻る。
【００３７】
図６は、測定・設定動作を示すフローチャートである。
【００３８】
ステップ１０１では、送信回路６１から測定用パルスを出力する。
【００３９】
ステップ１０２では、測定用パルスに応じてＡＥ変換子３１により発生される共振信号（ＡＥ信号）を受信回路６２が受信する。
【００４０】
ステップ１０３では、処理制御部６６がＡＥ信号のデジタルデータに基づいてスペクトル解析を行う。
【００４１】
ステップ１０４では、処理制御部６６が、スペクトル解析の結果から対象となる共振スペクトルを抽出する。
【００４２】
ステップ１０５では、対象となる共振スペクトルの強度が所定の閾値より大きいかを判定し、大きければステップ１０７に進み、小さければステップ１０６に進む。
【００４３】
ステップ１０６では、異常発生を報知する。
【００４４】
ステップ１０７では、可変ゲインアンプ６４のゲイン補正値を算出する。
【００４５】
ステップ１０８では算出したゲイン補正値を可変ゲインアンプ６４に設定してゲイン制御を行う。
【００４６】
測定・設定動作は、ＡＥセンサが取り付けられる装置やシステムが起動する時に外部指令を入力して行うことが望ましい。これにより、温度変動などにより感度変化があった場合でも、一定の感度となり、異常発生を検出できる。また、測定・設定動作は、装置やシステムが起動後、随時行い、常に一定の感度を維持し、異常が発生していないか常に監視することが望ましい。
【００４７】
図７は、本実施形態の非接触型ＡＥセンサで、回転部４０と固定部５０の間の距離を、非常に近接させた場合と、１．０ｍｍ、２．０ｍｍ、３．０ｍｍに変化させた場合の、パワースペクトルを示す図であり、横軸が周波数で、縦軸がパワーである。例えば、１９５ｋＨｚの周波数に注目すると、距離の変化に応じてパワーが順に変化していることが分かる。
【００４８】
図８は、周波数１９５ｋＨｚにおける、回転部４０と固定部５０の間の距離とパワーの関係を示す図である。図８に示すように、パワーは距離が長くなるに従って単調に減少する。距離が所定値以内であれば測定が行えることをあらかじめ決定しておき、１９５ｋＨｚ近傍の周波数に対応するパワーに着目すれば、それにより使用可能な距離以内であるかが判定できる。そして、その範囲内であれば、アンプのゲインを補正して所定の振幅のＡＥ信号がＡＤＣに入力されるようにすれば、適切な分解能でＡＥ信号の処理を行える。もし、パワーが閾値より小さくなった場合には、何らかの原因で回転部４０と固定部５０の間の距離が長くなったり、他の故障が発生したと考えられるので、その場合には故障発生を報知して、ユーザが故障対策を行えるようにする。
【００４９】
図７のグラフにおいて、周波数１９５ｋＨｚのような、回転部４０と固定部５０の間の距離に対してパワーが単調に変化する周波数は、他にもあり、例えば図７の１４０．０２ｋＨｚの周波数でも、図９に示すように、回転部４０と固定部５０の間の距離に対してＡＥ信号の電圧（パワー）が単調に減少するので、このような周波数を対象周波数とすることも可能である。
【００５０】
以上、本発明の実施形態を説明したが、各種の変形例が可能であるのはいうまでもない。例えば、上記の実施形態では、対象となる共振スペクトルの強度が所定の閾値より大きい場合に可変ゲインアンプ６４のゲイン調整を行ったが、閾値比較を行わずにゲイン調整のみを行うようにしてもよい。また、閾値比較のみを行い、ゲイン調整を行わないようにしてもよい。この場合には、アンプは可変ゲインアンプでなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、回転部に能動素子を有さない非接触型ＡＥセンサであれば適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】図１は、ＡＥセンサが使用される加工システムの構成例を示す図である。
【図２】ＡＥセンサの回路構成を示す図である。
【図３】回転部に能動素子を有さない非接触型ＡＥセンサの基本構成を示す図である。
【図４】本発明の実施形態の非接触型ＡＥセンサの構成を示す図である。
【図５】測定パルス、共振信号および異常信号の例を示す図である。
【図６】実施形態の非接触型ＡＥセンサにおける測定・設定動作を示すフローチャートである。
【図７】本実施形態の非接触型ＡＥセンサで、回転部４０と固定部５０の間の距離を変化させた場合のパワースペクトルを示す図である。
【図８】周波数１９５ｋＨｚにおける回転部４０と固定部５０の間の距離とパワーの変化の関係を示す図である。
【図９】周波数１４０．０２ｋＨｚにおける回転部４０と固定部５０の間の距離とパワーの変化の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
３１    ＡＥ変換子
４０    回転部
４１    第１インダクタンス素子（コイル）
５０    固定部
５１    第２インダクタンス素子（コイル）
６１    送信回路
６２    受信回路
６３    フィルタ
６４    可変ゲインアンプ
６５    ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）
６６    処理制御回路（プロセッサ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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