(57)【要約】【課題】包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法を提供する。【解決手段】本発明の包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法は、半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、（１）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、（２）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、（３）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、半導体基板の表面品質の劣化を検査することを特徴とする。【効果】本発明の方法により、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価すること、半導体基板の使用前保存期限を推定すること、包装材料の品質の劣化の評価すること、及び劣化因子の同定することが可能となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（１）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（２）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（３）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
半導体基板の表面品質の劣化を検査することを特徴とする、包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法。
【請求項２】
前記表面品質の劣化の検査が、半導体基板表面のヘイズ値、又は異物付着量の測定であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（１）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（２）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（３）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
（４）半導体基板の表面品質の劣化を検査してＴｈｉでの表面品質の劣化までの維持時間ｔｈｉを決定し、
（５）Ｔｈｉとｔｈｉとの関係式に基づき、任意のＴｈｉにおけるｔｈｉを決定し、
（６）半導体基板の使用前保存期限を推定する方法。
【請求項４】
前記（５）の関係式が、Ｔｈｉの逆数を横軸に、劣化までの維持時間ｔｈｉの対数を縦軸にプロットして、直線関係式を得ることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
包装材料に起因した半導体基板表面の品質劣化因子を同定する方法において、
半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（ｉ）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（ｉｉ）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（ｉｉｉ）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
（ｉｖ）半導体基板の表面品質の劣化を検査してＴｈｉでの表面品質の劣化までの維持時間ｔｈｉを決定し、
（ｖ）Ｔｈｉとｔｈｉとの関係式をＴｈｉの逆数を横軸に、劣化までの維持時間ｔｈｉの対数を縦軸にプロットして直線関係式として直線の傾きを決定し、
包装材料を、
（ｖｉ）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持した後、
（ｖｉｉ）包装材料の、各脱ガス成分Ｇａの脱ガス量ＭＧａを決定し、
（ｖｉｉｉ）Ｔｈｉの逆数を横軸に、各ＭＧａの対数を縦軸にプロットして、直線関係式として各脱成分の直線の傾きを決定し、
（ｉｘ）（ｖ）で得られた傾きと、（ｖｉｉｉ）で得られた各成分の傾きとを比較して、
半導体基板の表面品質の劣化因子である包装材料の脱ガス成分を同定することを特徴とする、方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
半導体基板やガラス基板（以下本明細書では「半導体基板」とする。）をクリーンルームの外で、当該半導体基板の表面品質を保持したまま移動、運搬又は保存する目的で、通常、半導体基板用のケース、キャリア、カセット等が使用され、またさらに環境の影響を避けるために、当該ケース、キャリア、カセット等は適当な包装材で包装されている。
【０００２】
半導体基板はこのような包装状態で、種々の手段（例えば陸、海、空路）、種々の環境条件（例えば温度、湿度、圧力）の下で、運搬、移動、保存されている。また、一定期間保存の後使用の際に初めて包装材が解かれ、実施に使用される際に半導体基板の表面品質が検査される。
【０００３】
半導体基板は出荷の際には表面品質は検査の結果、欠陥のないこと（劣化なし）が確認されていることから、使用の際に見いだされる表面品質の劣化は、包装状態で一定期間保持された結果生じたものである。
【０００４】
しかし、かかる表面品質の劣化は種々の原因が複合的に作用しあう結果生じるものであり、これまで包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を直接的に、かつ迅速に評価し、またそれにより半導体基板の使用前保存期限を推定することは極めて困難であった。また、かかる包装状態での半導体基板の表面品質の劣化因子を同定することは際めて困難であった（非特許文献１、２参照。）。
【０００５】
そこで、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速（かつ直接的）に評価する方法の開発が強く望まれている。
【非特許文献１】Ｌａｒｒｙ  Ｗ．  Ｓｈｉｖｅ，  Ｒｉｃｈａｒｄ  Ｂｌａｎｋ  ａｎｄ  Ｋａｒｅｎ  Ｌａｍｂ："Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｉｍｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｈａｚｅ  ｏｎ  Ｓｔｏｒｅｄ  Ｗａｆｅｒｓ"，  Ｍｉｃｒｏ  Ｍａｇａｚｉｎｅ，（Ｍａｒｃｈ，２００１）
【非特許文献２】Ｎ．  Ｍｕｅｎｔｅｒ，  Ｂ．Ｏ．  Ｋｏｌｂｅｓｅｎ，  Ｗ．  Ｓｔｏｒｍ，  ａｎｄ  Ｔ．  Ｍｕｅｌｌｅｒ："Ａｎａｌｙｓｉｓ  ｏｆ  Ｔｉｍｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｈａｚｅ  ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｓｕｒｆａｃｅｓ"，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  １５０  （３）  Ｇ１９２‐Ｇ１９７  （２００３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はかかる要望を満たす新たな方法であって、包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価し、それにより半導体基板の使用前保存期限を推定する方法、さらには包装材料の品質の劣化の評価及び劣化因子の同定方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者はかかる課題を解決すべく鋭意研究した結果、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の直接原因を定量的に同定する方法を見いだすことに成功し、本発明を完成した。
【０００８】
すなわち、本発明１は、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価する方法であって、
半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（１）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（２）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（３）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
半導体基板の表面品質の劣化を検査することを特徴とする。
【０００９】
さらに本発明１は、前記表面品質の劣化の検査が、半導体基板表面のヘイズ値、又は異物付着量の測定であることを特徴とする。
【００１０】
また本発明２は、半導体基板の使用前保存期限を推定する方法であって、
半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（１）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（２）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（３）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
（４）半導体基板の表面品質の劣化を検査してＴｈｉでの表面品質の劣化までの維持時間ｔｈｉを決定し、
（５）Ｔｈｉとｔｈｉとの関係式に基づき、任意のＴｈｉにおけるｔｈｉを決定し、
（６）半導体基板の使用前保存期限を推定することを特徴とする。
【００１１】
さらに本発明２は、前記（５）の関係式が、Ｔｈｉの逆数を横軸に、劣化までの維持時間ｔｈｉの対数を縦軸にプロットして、直線関係式を得ることを特徴とする。
【００１２】
また本発明３は、包装材料に起因した半導体基板表面の品質劣化因子を同定する方法であって、
半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（ｉ）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（ｉｉ）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（ｉｉｉ）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
（ｉｖ）半導体基板の表面品質の劣化を検査してＴｈｉでの表面品質の劣化まの維持時間ｔｈｉを決定し、
（ｖ）Ｔｈｉとｔｈｉとの関係式をＴｈｉの逆数を横軸に、劣化までの維持時間ｔｈｉの対数を縦軸にプロットして直線関係式として直線の傾きを決定し、
包装材料を、
（ｖｉ）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持した後、
（ｖｉｉ）包装材料の、各脱ガス成分Ｇａの脱ガス量ＭＧａを決定し、
（ｖｉｉｉ）Ｔｈｉの逆数を横軸に、各ＭＧａの対数を縦軸にプロットして、直線関係式として各脱成分の直線の傾きを決定し、
（ｉｘ）（ｖ）で得られた傾きと、（ｖｉｉｉ）で得られた各成分の傾きとを比較して、
半導体基板の表面品質の劣化因子である包装材料の脱ガス成分を同定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の方法により、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価すること、半導体基板の使用前保存期限を推定すること、包装材料の品質の劣化の評価すること、及び劣化因子の同定することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
基板
本発明により表面品質の劣化が評価可能な半導体基板の材質について特に制限はなく、公知の種々の金属、非金属材質の半導体基板が含まれる。特に金属材質の半導体基板としてはシリコン、炭化シリコン、ガリウム砒素系化合物半導体基板、窒化ガリウム系化合物半導体基板が挙げられる。特に本発明においてはシリコン基板について好ましく適用可能である。また非金属材質基板としては、二酸化珪素系ガラス基板について好ましく適用可能である。
【００１５】
本発明により表面品質の劣化が評価可能な半導体基板の形状についても特に制限はなく、通常使用されている種々の形状が含まれる。具体的には、円形状、楕円形状、板状、棒状が挙げられ、特に円形状の基板へ適用可能である。またサイズについても特に制限はなく、通常使用されている種々のサイズが含まれる。例えば円形状の場合、直径が１００ｍｍ〜３００ｍｍの基板へ好ましく適用可能である。
【００１６】
包装材料、包装状態
本発明において意味する包装材料とは、半導体基板用のケース、キャリア、カセット等のみならず、半導体基板自体を包装する材料、さらには半導体基板を収容した半導体基板用のケース、キャリア、カセット等を包装する材料を意味する。半導体基板用のケース、キャリア、カセット等としては、具体的には樹脂材材料又は金属材料又はそれらの複合材質の半導体基板用のケース、キャリア、カセット等が挙げられる。
【００１７】
ここでケース、キャリア、カセットの形状、サイズについては特に制限はなく、本発明は、通常公知のサイズ、形状の半導体基板用のケース、キャリア、カセット等について適用可能である。
【００１８】
また樹脂材料についても特に制限はなく通常公知の材料である、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ＰＢＴ系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂が上げられる。またこれらの樹脂には種々の機能を付加するために種々の添加剤が含有されているものも含む。添加剤としては可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、離型剤が挙げられる。
【００１９】
さらに金属材料についても特に制限はなく通常公知の材料である、ステンレス、アルミニウム、チタンが挙げられる。
【００２０】
半導体基板自体を包装する材料とは、半導体基板の表面に直接触れる包装材料を意味し、具体的にはケース、キャリア、カセット中で半導体基板の位置を保持するために使用される押さえ部材を意味する。具体的には通常公知の樹脂材料が挙げられ、例えばポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ＰＢＴ系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂である。またこれらの樹脂には種々の機能を付加するために種々の添加剤が含有されているものも含む。添加剤としては可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、離型剤が挙げられる。
【００２１】
本発明において意味する包装状態とは、半導体基板がケース、キャリア、カセット中で半導体基板の位置を保持するために押さえ部材を用いて保持され、かつ当該ケース等全体を包装材料で包装することを意味する（以下「外部包装材料」とする）。ここで外部包装材料は特に制限はなく、通常公知の材質、形状が含まれる。かかる材質としては、例えばポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ナイロン系樹脂、ＰＥＴ樹脂、シリカ蒸着膜である。またこれらの樹脂には種々の機能を付加するために種々の添加剤が含有されているものも含む。添加剤としては可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、スリップ剤が挙げられる。また形状としてはフィルム状、袋状が挙げられる。外部包装材料で包装する方法についても特に制限はなく、通常公知の包装方法であって、自動包装か手動包装を問わず、ケース等に保持された半導体基板が外部の環境に直接晒されて汚染されないような方法であればよい。
【００２２】
本発明において半導体基板の表面品質とは、特に限定されるものではなく、従来公知の種々の定性的及び定量的に規定される、半導体基板の表面状態について満たされるべき品質項目を意味する。これらの品質項目は半導体基板の包装する前に検査評価され、クリアされるべき項目である。例えば表面に生じる曇りの発生やパーティクル付着、有機ガスの付着、無機イオンの付着、金属成分の付着が挙げられる。本発明の方法においては特に、半導体基板表面に生じる曇りの発生やパーティクル付着があげられる。これらの品質が半導体基板の包装する前と比較して許容できない程度の値を示す場合、表面の品質が劣化したものとされる。
【００２３】
本発明において上記劣化の程度の評価の方法については特に制限はなく、評価対象の表面品質項目に適した種々の測定方法を用いて、必要な場合定量的な測定により劣化の程度を評価することが可能である。具体的には、半導体基板表面に生じる曇りの発生についての評価方法は、目視確認と表面異物検査装置による自動測定方法が挙げられる。本発明においては定性的には目視法が好ましく適用可能であり、さらに定量的な評価が必要な場合には光学的計測原理に基づく表面異物測定装置、および測定方法が適用可能である。また、表面に付着するパーティクル付着の評価については、目視確認と表面異物検査装置による自動測定方法が挙げられる。本発明においては粒径が０．３μｍ以上の大粒径のパーティクル確認には目視法が好ましく適用可能であり、さらに定量的な評価が必要な場合には光学的計測原理に基づく測定装置、および測定方法が適用可能である他のあらゆる評価方法があげられる。
【００２４】
（包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価する方法）
本発明の包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価する方法は、半導体基板の製造後、半導体基板の表面品質が要求を満たすことを確認した後、特定の包装材料で包装された状態で、所定の期間、所定の保存状態（特に保存温度）で保持されることを前提とした場合、半導体基板の表面品質の劣化の程度を、当該期間の経過を待って、かつ当該包装を開封して直接半導体基板を取り出し、表面劣化の程度を測定することなく、より早い時期（例えば出荷前）に、迅速に評価する方法である。
【００２５】
すなわちかかる本発明の方法は、表面品質の劣化がないことを確認した後、半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（１）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（２）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（３）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
半導体基板の表面品質の劣化を検査する、各工程からなる。
【００２６】
ここで前記表面品質の劣化の検査には例えば、半導体基板表面のヘイズ値、又は異物付着量の測定である。
【００２７】
包装の際の温度（Ｔａｍ）は通常包装工程の工場内温度であり、２０〜２５℃の範囲に設定維持されている。
【００２８】
（１）〜（３）は、包装状態での半導体基板が実際に受けるであろう移転、運搬保存の際に受けるであろう温度変化及び期間を想定した工程である。従って、本発明においては温度と時間のみを規定しているがそれに限定されるものではなく、必要ならば湿度、圧力も変化を加えた工程も含まれる。
【００２９】
（１）は包装時の温度から、包装状態での半導体基板が受ける可能性のある最大温度（Ｔｈｉ）、すなわち包装材の耐温度までであれば特に制限はない。具体的には３０〜１００℃の範囲であればよい。本発明においてはＴｈｉとしては、包装時の温度（Ｔａｍ）より約５℃高い温度以上、約１００℃以下であることが好ましい。この温度範囲より低い場合は評価するための時間が長くなり、またこの範囲より高い場合には、評価の精度が十分でないことがある。また、維持時間についても特に制限はなく、温度Ｔｈｉにおいて劣化が生じるまでの時間をはさむ範囲であればよい。通常数日〜１年である。かかる高温状態により半導体基板の表面を劣化させる因子が活性され劣化現象が加速されることとなる。
【００３０】
（２）は包装時の温度から、包装状態での半導体基板が受ける可能性のある最低温度（Ｔｌｏｗ）、すなわち包装材の耐冷温度までであれば特に制限はない。具体的には−６０〜１０℃の範囲であればよい。本発明においてはＴｌｏｗとしては、−４０〜−２０℃、特に約−３０℃程度であることが好ましい。この温度範囲では包装状態の内部水蒸気がほぼ完全に凝結する状態となる。また、維持時間についても特に制限はなく、温度Ｔｌｏｗおいて凝結水による劣化が生じるまでの時間をはさむ範囲であればよい。通常数日〜１年である。かかる低温状態により半導体基板の表面に凝集した水（又はその他の揮発成分）により劣化現象が生じることとなる。
【００３１】
（３）の時間ｔａｍは、（１）〜（２）の処理にて生じた半導体基板の表面の劣化を評価するために温度をＴａｍに戻すに十分な時間である。通常１時間〜４時間であればよい。この時間の経過後、包装材料を破壊して半導体基板を取り出し、表面品質の劣化を評価する。
【００３２】
本発明の方法は、劣化の程度をより正確に、またより迅速に行うため、上の各工程（１）〜（３）を一度行うのみならず、同じ温度、時間で繰り返し行う方法、種々の温度及び時間を変え一回、又は複数回繰り返す方法が含まれる。
【００３３】
（半導体基板の使用前保存期限を推定する方法）
本発明の半導体基板の使用前保存期限を推定する方法は、半導体基板の製造後、半導体基板の表面品質が要求を満たすことを確認した後、特定の包装材料で包装された状態で、どの程度の期間、所定の保存状態（特に保存温度）で保持され、後開封された場合半導体基板の表面品質に劣化がなくそのまま使用できるのかを推定する方法である。
【００３４】
すなわちかかる方法は、上で説明した本発明の応用であり、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価する方法の（１）〜（３）を適用し、さらに半導体基板の表面品質の劣化を検査した結果見られたＴｈｉでの表面品質の劣化までの維持時間ｔｈｉを決定し、Ｔｈｉとｔｈｉとの関係を表現する経験式を作成し、その関係式に基づき、任意のＴｈｉにおけるｔｈｉを決定することにより、半導体基板の使用前保存期限を推定する。
【００３５】
ここで前記関係式の作成方法には何ら限定はなく、Ｔｈｉとｔｈｉとの相関性を導く公知の種々の統計的手法により決定することができる。かかる手法によりこれらの２つの値の関連性が統計学的に表現することが可能となり、任意のＴｈｉにおけるｔｈｉを統計学的な誤差を含めて推定することができる。本発明においては具体的にはアレニウスの手法やアイリングの手法を適用することが好ましい。
【００３６】
本発明においてはＴｈｉの逆数を横軸に、劣化までの維持時間ｔｈｉの対数を縦軸にプロットすると相関性の良好な直線関係式が得られることが多い。この場合得られる直線の傾きは、特定材料自体の熱加速試験により得られるアレニウスプロットから導かれる活性化エネルギーと似ているがその技術的意味は異なる。本発明方法においては半導体基板自体の劣化を評価しているものではないからである。
【００３７】
本発明方法により、半導体基板が製造工場から、包装状態で出荷された後、どのような移動、運搬、保存条件に晒されるかがあらかじめ与えられた場合（特に晒される温度、その時間）、どの程度の期間、包装状態の半導体基板表面が劣化しないかを定量的に計算でき、従って半導体基板使用前保存期間を推定することができる。かかる結果は半導体基板の使用前保存期限を推定する目的において極めて重要である。
【００３８】
（包装材料に起因した半導体基板表面の品質劣化因子を同定する方法）
本発明は、包装状態での半導体基板の表面品質が包装材料に起因して劣化した場合の劣化因子を同定する方法である。すなわち、本発明の前保存期限を推定する方法包装材料の品質の劣化を評価する方法により得られた、Ｔｈｉとｔｈｉとの関係式をＴｈｉの逆数を横軸に、劣化までの維持時間ｔｈｉの対数を縦軸にプロットして直線関係式として直線の傾きと、包装材料を、温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し後、包装材料からの脱ガス成分の脱ガス量を測定して得た直線の傾きの比較・検証からなる手法である。
【００３９】
ここで包装材料からの脱ガス成分は包装材料に固有のものであり、その成分の同定方法、また定量方法については特に制限はなく従来公知のガス成分分析装置、方法が好ましく使用できる。具体的には、ガスクロマトグラフ装置、質量分析装置、またそれらを組み合わせた分析装置が挙げられる。かかる測定により得られる結果に基づき、各成分の温度Ｔｈｉに依存する脱ガス成分・脱ガス量が決定される。
【００４０】
よく知られた方法として、Ｔｈｉの逆数を横軸に、各脱ガス成分の放出量の対数を縦軸にプロットすると相関性の良好な直線関係式が得られることが多い。この場合得られる直線の傾きは、各脱ガス成分の揮発・拡散のアレニウスプロットとして知られており、得られる活性化エネルギーの値の技術的意味はよく理解されている（大木、大沢、田中、千原編集：化学大辞典、「アレニウスの式」の項、東京化学同人（１９８９年）、Ｇ．Ｍ．ＢＡＲＲＯＷ著、藤代亮一訳：物理化学（下）第４版、ｐ．６６４‐６４７、東京化学同人、Ｐ．Ｗ．ＡＴＫＩＮＳ著、千原秀昭・中村亘男訳：物理化学（下）第２版、ｐ．１０５６、東京化学同人）。
【００４１】
そこで、本発明の前保存期限を推定する方法包装材料の品質の劣化を評価する方法により得られた、Ｔｈｉとｔｈｉとの関係式をＴｈｉの逆数を横軸に、劣化までの維持時間ｔｈｉの対数を縦軸にプロットして直線関係式として直線の傾きと、包装材料の品質の劣化を評価する方法により得られた、各脱ガス成分の直線の傾きとを比較し、特定の脱ガス成分の傾きが一致した場合、包装状態での半導体基板の表面品質を劣化させる因子として決定することができる。
【００４２】
以下本発明につきさらに具体的に実施例に則して説明する。ただし本発明はこれらの実施例の限定されるものではない。
【実施例】
【００４３】
（実施例１）
（発明１：包装状態での半導体基板の表面品質劣化の程度を迅速に評価する方法）
まず、評価に使用する直径２００ｍｍのウェーハを所定の枚数収集し、製品ウェーハを出荷前に洗浄するのと同等の条件、例えばＲＣＡ洗浄方法で洗浄した。その後、ＫＬＡ‐Ｔｅｎｃｏｒ社製のウェーハ表面異物検査装置ＳｕｒｆＳｃａｎ‐ＳＰ１‐ＴＢＩで１００ｎｍ以上の粒径を有するウェーハ表面欠陥数を１００ｎｍ以上、１２０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、２８０ｎｍ以上、大規模異物（俗称：エリアカウント）の各グレードに分けて計測した。これは、ウェーハ上に現れる品質劣化がどのくらいのサイズに典型的に出現するかを理解するためであり、その時代において可能な限り計測可能限界までの粒径を計測することが好ましい。この、洗浄後に計測された欠陥数が本評価開始前の初期条件値であり、この値からの増減数が保管による表面品質への影響として認識されることになる。
【００４４】
次に、上記ウェーハを評価対象材であるウェーハ収納容器にセットした。最初の評価対象材として、当社オリジナルの収納容器と外国大手メーカ製の収納容器を用いた。通常、収納容器には２５枚のウェーハを収納できるように２５本の溝がある。評価では、ウェーハ２５枚を収納した場合と、ウェーハを１溝（最初の溝）、１３溝（収納容器の中央）、２５溝（最後の溝）の３枚のみ収納した場合を併用したが、得られた結果に大差がなかったため、実験の簡便性のためにウェーハを上述したように各収納容器に３枚のみ収納する方法を用いた。
【００４５】
ウェーハ収納後、容器のフタを閉めて、製品ウェーハと同様に収納容器を常圧下で二重に包装した。まず、外環境からの粒子状の異物付着を根絶するために収納容器をポリエチレンを主体とする無色透明なガゼット袋（俗称：内袋）で包装後、引き続き、外環境からの水分や無機イオンなどによるウェーハの汚染を根絶するためにアルミニウムフィルムとポリエチレンフィルムを積層したガゼット袋（俗称：外袋）で包装した。この二重包装により、収納容器内の環境は外界と完全に隔絶される。ちなみに、内袋と外袋の間に袋内環境中に存在する水分を吸収するためにゼオライトを主体とした乾燥剤を設置する場合があるが、それを設置するか否かは、製品出荷の荷姿と同様にすれば良く、今回の評価では乾燥剤は一切用いなかった。また、今回の評価では包装条件を常圧下としたが、減圧包装でも良く、製品出荷の荷姿と同様にすることが重要である。なお、包装袋は、昭和電工パッケージング社製の特殊グレード品を用いて、包装袋から発生する無機イオン、金属イオン、有機アウトガスが本評価に及ぼす影響を極力排除した。
【００４６】
上記のウェーハ収集から包装完了までは、当然のことながら、製品ウェーハを検査・包装するのと同じクリーンルームで実施し、包装袋内に内在する製造環境を製品ウェーハと評価ウェーハで同等とした。ちなみに、本評価で用いたクリーンルームは、温度２３±１℃・相対湿度４０±１０％で常時管理されている。
【００４７】
包装完了後、収納容器をクリーンルーム外に持ち出し、ヤマト科学製の恒温槽ＩＧ‐４６Ｈ（到達最高温度：８５℃、温度制御精度：±０．５℃）内に静置し、恒温槽ドアを閉めた。なお、恒温槽は評価に用いる温度に予め予熱しておき、恒温槽の昇温時間を極力短縮した。この恒温槽での加熱温度は、実施例１では主たる実験温度は６０℃とし、主たる加熱時間は１６８時間とした。
【００４８】
恒温槽での加熱終了後、直ちに収納容器を日立製冷凍庫ＲＳ‐Ｍ３０（到達最低温度：−３２℃、温度制御精度：±１℃）に投入した。この冷凍庫は、いわゆるアイスキャンディーを駄菓子屋で保管しておくような汎用的なもので十分であり、冷凍庫は常時−３０℃にセットしておき、収納容器を投入後、直ちに所定の温度に冷却できるようにした。本評価では冷却時間を１２時間としたが、これは、８０℃に加熱された収納容器を直ちに冷凍庫に静置した場合の８０℃から−３０℃への温度遷移時間を除外しても２時間の冷却がされるように配慮された。この冷却時間はもちろん冷凍庫の能力で決定されるものであるが、評価結果を安定させるために最低でも２時間は所定の冷却温度に保定することが好ましい。
【００４９】
所定の時間の冷却完了後、収納容器を冷凍庫から取り出し、その場で約２時間放置して収納容器の温度を室温近傍まで上昇させた。引き続き、収納容器をクリーンルームに持ち込み、更に２時間、収納容器をクリーンルーム室温になじませてから包装袋を開包し、収納容器を取り出した。そして、収納容器のフタを開けてウェーハを取り出し、ＫＬＡ‐Ｔｅｎｃｏｒ社製のウェーハ表面異物検査装置ＳｕｒｆＳｃａｎ‐ＳＰ１‐ＴＢＩで１００ｎｍ以上の粒径を有するウェーハ表面欠陥数を１００ｎｍ以上、１２０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、２８０ｎｍ以上、大規模異物（俗称：エリアカウント）の各グレードに分けて再計測した。なお、再計測に用いる測定条件は、初期条件値を測定した条件と同等である必要がある。
【００５０】
次に初期条件値と再測定値を比較し、計測された表面欠陥数に差異があるかどうかを検証した。当社製オリジナル収納容器で得られた評価後の表面欠陥出現状況を図１に示した。図にはウェーハの輪郭とウェーハ上に計測された表面欠陥がドットで示されている。図１（ａ）に示した評価前のウェーハにはウェーハ輪郭内に表面欠陥の存在を示すドットはほとんどないが、図１（ｂ）に示した本評価法適用後のウェーハには、特定部位に欠陥が集中して出現していることがわかる。
【００５１】
一方、外国大手メーカ製の収納容器で得られた評価後の表面欠陥出現状況を図２に示すが、図２（ａ）に示した評価前のウェーハと図２（ｂ）に示した本評価法適用後のウェーハでは、ウェーハの輪郭内に表面欠陥の存在を示すドットに差がみられない、即ち、表面欠陥が全く増加していないことがわかる。
【００５２】
以上より、本評価でウェーハ収納容器に起因するウェーハ保管中に発生する表面欠陥の収納容器に依存する形で温度加速的手法により出現させることができた。
【００５３】
（実施例２）（発明の２：半導体基板の使用前保存期限を推定する方法）
まず、評価に使用する直径２００ｍｍのウェーハを所定の枚数収集し、製品ウェーハを出荷前に洗浄するのと同等の条件、例えばＲＣＡ洗浄方法で洗浄した。その後、ＫＬＡ‐Ｔｅｎｃｏｒ社製のウェーハ表面異物検査装置ＳｕｒｆＳｃａｎ‐ＳＰ１‐ＴＢＩで１００ｎｍ以上の粒径を有するウェーハ表面欠陥数を１００ｎｍ以上、１２０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、２８０ｎｍ以上、大規模異物（俗称：エリアカウント）の各グレードに分けて計測した。これは、ウェーハ上に現れる品質劣化がどのくらいのサイズに典型的に出現するかを理解するためであり、その時代において可能な限り計測可能限界までの粒径を計測することが好ましい。この、洗浄後に計測された欠陥数が本評価開始前の初期条件値であり、この値からの増減数が保管による表面品質への影響として認識されることになる。
【００５４】
次に、上記ウェーハを評価対象材であるウェーハ収納容器にセットした。評価対象材として、当社製オリジナルの収納容器を用いた。通常、収納容器には２５枚のウェーハを収納できるように２５本の溝がある。評価では、ウェーハ２５枚を収納した場合と、ウェーハを１溝（最初の溝）、１３溝（収納容器の中央）、２５溝（最後の溝）の３枚のみ収納した場合を併用したが、得られた結果に大差がなかったため、実験の簡便性のためにウェーハを上述したように３枚のみ収納する方法を用いた。
【００５５】
ウェーハ収納後、収納容器のフタを閉めて、製品ウェーハと同様に収納容器を常圧下で二重に包装した。まず、外環境からの粒子状の異物付着を根絶するために収納容器をポリエチレンを主体とする無色透明なガゼット袋（俗称：内袋）で包装後、引き続き、外環境からの水分や無機イオンなどによるウェーハの汚染を根絶するためにアルミニウムフィルムとポリエチレンフィルムを積層したガゼット袋（俗称：外袋）で包装した。この二重包装により、収納容器内の環境は外界と完全に隔絶される。ちなみに、内袋と外袋の間に袋内環境中に存在する水分を吸収するためにゼオライトを主体とした乾燥剤を設置する場合があるが、それを設置するか否かは、製品出荷の荷姿と同様にすれば良く、今回の評価では乾燥剤は一切用いなかった。また、今回の評価では包装条件を常圧下としたが、減圧包装でも良く、製品出荷の荷姿と同様にすることが重要である。なお、包装袋は、昭和電工パッケージング社製の特殊グレード品を用いて、包装袋から発生する無機イオン、金属イオン、有機アウトガスが本評価に及ぼす影響を極力排除した。
【００５６】
上記のウェーハ収集から包装完了までは、当然のことながら、製品ウェーハを検査・包装するのと同じクリーンルームで実施し、包装袋内に内在する製造環境を製品ウェーハと評価ウェーハで同等とした。ちなみに、本評価で用いたクリーンルームは、温度２３±１℃・相対湿度４０±１０％で常時管理されている。
【００５７】
包装完了後、収納容器をクリーンルーム外に持ち出し、ヤマト科学製の恒温槽ＩＧ‐４６Ｈ（到達最高温度：８５℃、温度制御精度：±０．５℃）内に静置し、恒温槽ドアを閉めた。なお、恒温槽は評価に用いる温度に予熱しておき、恒温槽の昇温時間を極力短縮した。この恒温槽での加熱温度は、上限を８０℃とし、主たる実験温度は、４０℃，６０℃，８０℃としたが、本評価の妥当性を検証する目的、あるいは４０℃では評価時間が長くなりすぎる場合などには、３０℃と５０℃での評価も追加実施した。また、主たる加熱時間は１２時間から７４４時間とし、まず、６０℃で１２時間の加熱という条件から評価を開始した。
【００５８】
恒温槽での加熱終了後、直ちに収納容器を日立製冷凍庫ＲＳ‐Ｍ３０（到達最低温度：−３２℃、温度制御精度：±１℃）に投入した。この冷凍庫は、いわゆるアイスキャンディーを駄菓子屋で保管しておくような汎用的なもので十分であり、冷凍庫は常時−３０℃にセットしておき、収納容器を投入後、直ちに所定の温度に冷却できるようにした。本評価では冷却時間を１２時間としたが、これは、８０℃に加熱された収納容器を直ちに冷凍庫に静置した場合の８０℃から−３０℃への温度遷移時間を除外しても２時間の冷却がされるように配慮された。この冷却時間はもちろん冷凍庫の能力で決定されるものであるが、評価結果を安定させるために最低でも２時間は所定の冷却温度に保定することが好ましい。
【００５９】
所定の時間の冷却完了後、収納容器を冷凍庫から取り出し、その場で約２時間放置して収納容器の温度を室温近傍まで上昇させた。引き続き、収納容器をクリーンルームに持ち込み、更に２時間、収納容器をクリーンルーム室温になじませてから包装袋を開包し、収納容器を取り出した。そして、収納容器のフタを開けてウェーハを取り出し、ＫＬＡ‐Ｔｅｎｃｏｒ社製のウェーハ表面異物検査装置ＳｕｒｆＳｃａｎ‐ＳＰ１‐ＴＢＩで１００ｎｍ以上の粒径を有するウェーハ表面欠陥数を１００ｎｍ以上、１２０ｎｍ以上、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、２８０ｎｍ以上、大規模異物（俗称：エリアカウント）の各グレードに分けて再計測した。なお、再計測時の測定条件は、初期条件値を測定した条件と同等である必要がある。
【００６０】
次に初期条件値と再測定値を比較し、計測された表面欠陥数に差異があるかどうかを検証した。６０℃で１２時間という加熱条件では明確な表面欠陥の増加が認められなかったので、次の評価では６０℃での加熱時間を２４時間、４８時間、７２時間と延長し、明確な差異が現れるまで時間を延長した。本評価における明確な表面欠陥の増加はエリアカウントに現れ、それは、図１においてはドットで示された。エリアカウントの増加は、新たなエリアカウントの出現、または、初期条件値では微小な粒径の表面欠陥がエリアカウントに変化した場合の双方があったが、その両者を区別せずにエリアカウントの増加として取り扱い、エリアカウントが１つでも増加したらウェーハ使用前保管限度期日に到達したと認定した。なお、収納容器とウェーハは１回の加熱・冷却サイクルを適用後は再利用されないため、評価全体の工期を短縮するには、一度に数個（４〜８個）の収納容器を静置できる容量の恒温槽を用い、所定の加熱時間終了後に１つの収納容器を恒温槽から取り出すという作業をすることが望ましい。実際に評価数が増えるにつれ、我々も評価の効率化のためにそうした。
【００６１】
６０℃では９６時間までエリアカウントを含む表面欠陥の明確な増加が確認できず、１２０時間でエリアカウントが明確に増加した。したがって、６０℃におけるウェーハの使用前保管限界期日は、９６時間（４日）〜１２０時間（５日）までの間ということがわかった。そこで次に収納容器の加熱温度を８０℃に上昇させることを除いては、前述までと同様の手順を繰り返した。加熱時間が１２時間では表面欠陥の増加が明確に認められなかったので、１８時間、２４時間、３６時間、４８時間、７２時間、１６８時間、と加熱時間を延長した。その結果、２４時間〜４８時間では、３枚のうちの１枚でエリアカウントが１〜２個増加したが、７２時間以上では３枚のウェーハともエリアカウントが明確に増加した。したがって、８０℃におけるウェーハ使用前保管限度期日は４８時間（２日）〜７２時間（３日）であることがわかった。次に加熱温度を４０℃として上述の評価手法を繰り返した。その結果、３３６時間と５０４時間の加熱時間においてはエリアカウントの増加が見られなかったが、加熱時間が７４４時間の場合にはエリアカウントが明確に増加した。したがって、４０℃におけるウェーハ使用前保管限度期日は５０４時間（２１日）〜７４４時間（３１日）であることがわかった。
【００６２】
上述の結果から、ウェーハ使用前保管限度期日は加熱温度が低下すると加速度的に長くなることがわかる。このことから、ウェーハの実保管温度である２０℃〜３０℃においては、推定されるウェーハ使用前保管限度期日は数ヶ月以上となることは明白である。この８０℃，６０℃，４０℃におけるウェーハ使用前保管限度期日からウェーハの実保管温度におけるウェーハ使用前保管限度期日を推定するために、上述の各加熱温度におけるウェーハ使用前保管限度期日を加熱温度を絶対温度に換算した逆数に対してプロットすることを試みた。その結果を図３に示した。
【００６３】
図３は、横軸が加熱温度を絶対温度に換算した逆数を１０００倍した値を示しており、縦軸はウェーハ使用前保管限界時間である。図中のプロットは、○印がエリアカウントの増加なし、△印は一部のウェーハにエリアカウントの増加あり、×印は３枚のウェーハにエリアカウントの増加あり、ということを示している。また図中には、当社の出荷倉庫で保管したウェーハを検査した、ウェーハの実保管温度（２０℃）におけるウェーハ使用前保管限度期日のデータも併せて示した。○印の範囲内はウェーハの品質を保障できる保管期日であり、×印の範囲はウェーハの品質を保障できない保管期日であることから、○印と×印（あるいは△印）の境界を各加熱温度で繋いでいくと、ほぼ直線となることがわかる。そこでその直線を低温側（ウェーハ保管温度に近い方向）に延長していくことで、ウェーハの実保管温度におけるウェーハ使用前保管限度期日を推定できた。推定の結果は、３０℃において約２ヶ月、２５℃において約４ヶ月、２０℃において約７ヶ月となった。
【００６４】
図１において、この直線を低温側に延長した結果が、当社の出荷倉庫で保管したウェーハを検査した、ウェーハの実保管温度におけるウェーハ使用前保管限度期日のデータと良く一致していることがわかり、本評価方法の妥当性が示された。なお、図３における外挿直線の傾き、即ち活性化エネルギーは、大よそ１．０５±０．０５ｅＶと計算された。
【００６５】
（実施例３）（発明の３：包装材料に起因した劣化因子を同定する方法）
当社製オリジナル収納容器内におけるウェーハ保管限度期日は実施例２で示した通りである。
【００６６】
その後、当社製オリジナル収納容器の構成部材をその種類毎に３つずつ収集した。試料は成型後の角板状であり、大きさは７５ｍｍ×１２５ｍｍ×２ｍｍに統一し、全ての試料は分析開始まで冷蔵庫で保管した。前処理として４リットル体積のガラス容器に試料１枚を入れて密封し、その後、各試料を各々、４０℃，６０℃または８０℃で２時間加熱して試料からのアウトガスをガラス容器内に充満させた（各試料は１つの温度条件でのみしか加熱しない。このため、同一様の試料が３つ必要であった）。その後、直ちに捕集剤（ＴＥＮＡＸ−ＴＡ：１００ｍｇ）に容器中の空気を濃縮・サンプリングした。サンプリングはクリーンブースで実施し、サンプリング量はガラス容器体積の２倍となる８リットルとした。試料からのアウトガス成分の捕集は、ヘリウムガスを流しながらガラス容器を２５℃／分の昇温速度で室温から４００℃まで加温させ、４００℃で１５分保持し、合計３０分間実施した。
【００６７】
次いで、捕集剤（ＴＥＮＡＸ−ＴＡ：１００ｍｇ）をＧＬサイエンス社製のガスクロマトグラフィー装置ＧＣ６８９０とアジレント社製の質量分析器ＭＳＤ５９７３Ｎを組み合わせたＧＣ‐ＭＳを用いて、発生した有機アウトガスを分析し、構成部材１グラム当たりから発生する各アウトガスの種類と加熱温度毎のアウトガス発生量を調査した。捕集剤（ＴＥＮＡＸ−ＴＡ：１００ｍｇ）から捕集したガスを熱脱離させる条件は２８０℃×１５分とした。また、ＧＣ‐ＭＳ装置にてガス分析する際の温度条件は、まず４０℃で８分間待機し、その後に３００℃まで１０℃／分の速度で昇温させ、３００℃で１０分間保持した、即ち、合計、４４分間の分析を実施した。この分析を各構成部材の試料に対して各々実施した。
【００６８】
分析の結果、主たるアウトガス種類は、Ｃ１２Ｈ２４，Ｃ１２Ｈ２６，デカナール（Ｄｅｃａｎａｌ），ヂブチルフタル酸エステル（ＢＨＴ），Ｃ１２Ｈ２５ＳＨ，Ｃ１６Ｈ３４  の６種類であった。これら６種類のアウトガス量および全有機アウトガス総量に対して各加熱温度におけるアウトガス量を炭素原子重量換算した重量を加熱温度を絶対温度に換算した逆数に対してプロットした。それを図４に示した。
【００６９】
図４は、横軸が加熱温度を絶対温度に換算した逆数を１０００倍した値を示しており、縦軸はアウトガス発生量である。図中のプロットは、○印がＣ１２Ｈ２４、△印がＣ１２Ｈ２６、□印がデカナール（Ｄｅｃａｎａｌ）、◇印がヂブチルフタル酸エステル（ＢＨＴ）、＋印がＣ１２Ｈ２５ＳＨ、×印はＣ１６Ｈ３４、＊印は全有機アウトガス量を示している。また、図中には、１．０５±０．０５ｅＶの活性化エネルギーを示す直線を点線で示した。上述の６種類のプロットのうち、加熱温度の上昇とともにアウトガス量が単調に増加し、且つその活性化エネルギーが１．０５±０．０５ｅＶに近いのは、Ｃ１２Ｈ２４，Ｃ１２Ｈ２６，デカナール（Ｄｅｃａｎａｌ）の３種類だけであった。また、全有機アウトガス量とは活性化エネルギーが大きく異なることがわかった。このことから、この３種類の物質のどれかあるいは全てがウェーハ保管期限を律束するウェーハ表面欠陥誘導物質として嫌疑があると推定された。そこで、当社製オリジナル収納容器において、上記の３つの嫌疑物質を削減した改善収納容器を試作し、改善収納容器の構成部材に対して上述と同様のアウトガス評価を実施するとともに、改善収納容器にウェーハを保管した場合のウェーハ保管限界期日を評価した。
【００７０】
改善収納容器の構成部材に対して上述と同様のアウトガス評価を実施した結果を図５に示した。図５は、横軸が加熱温度を絶対温度に換算した逆数を１０００倍した値を示しており、縦軸はアウトガス発生量である。図中のプロットは、○印が従来収納容器におけるＣ１２Ｈ２４、△印が従来収納容器におけるＣ１２Ｈ２６、□印が従来収納容器におけるデカナール（Ｄｅｃａｎａｌ）のアウトガス量を示している。また、黒三角印は改善収納容器におけるＣ１２Ｈ２６、黒四角印は改善収納容器におけるデカナール（Ｄｅｃａｎａｌ）のアウトガス量を示している。改善収納容器では、Ｃ１２Ｈ２４は検出されず、Ｃ１２Ｈ２６もデカナール（Ｄｅｃａｎａｌ）もアウトガス量が低減していた。この２種類のアウトガスの活性化エネルギーは、０．９ｅＶ以下の値と計算された。
【００７１】
一方、改善収納容器に対して、実施例２で記述した評価手法を適用して得た、ウェーハ保管限度期日の加熱温度依存性を図６に示した。図６は、横軸が加熱温度を絶対温度に換算した逆数を１０００倍した値を示しており、縦軸はウェーハ使用前保管限界時間である。図中のプロットは、○印がエリアカウントの増加なし、△印は一部のウェーハにエリアカウントの増加あり、×印は３枚のウェーハにエリアカウントの増加あり、ということを示している。また図中には、当社の出荷倉庫で保管したウェーハを検査した、ウェーハの実保管温度（２０℃）におけるウェーハ使用前保管限度期日のデータも併せて示した。○印の範囲内はウェーハの品質を保障できる保管期日であり、×印の範囲はウェーハの品質を保障できない保管期日であることから、○印と×印（あるいは△印）の境界を各加熱温度で繋いでいくと、やはりほぼ直線となることがわかった。そこでその直線を低温側（ウェーハ保管温度に近い方向）に延長していくことで、ウェーハの実保管温度におけるウェーハ使用前保管限度期日を推定できた。推定の結果は、３０℃において４年以上となり、顧客要求の目安である１年以上を大幅に上回ることがわかった。
【００７２】
また、このウェーハ保管限界時間の活性化エネルギーは、１．１５±０．０５ｅＶであり、従来収納容器におけるウェーハ保管限界時間の活性化エネルギーと異なり、且つ改善収納容器で検出されたＣ１２Ｈ２６とデカナール（Ｄｅｃａｎａｌ）の活性化エネルギーとも異なった。以上の結果より、従来収納容器においてウェーハ保管限界時間を律束していた主たる嫌疑物質はＣ１２Ｈ２４であり、それを排除した改善収納容器では異なる活性化エネルギーが得られ且つウェーハ保管限度期日も大幅に改善できた。このことにより、収納容器を始めとする包装部材の構成部材のアウトガスの活性化エネルギーと、ウェーハ保管限界期日の活性化エネルギーを比較検証するという手法で嫌疑物質を同定するという手法の有効性が示された。
【００７３】
上述した評価手法の妥当性を検証するために種々の包装容器に対してウェーハ保管限度期日を調査した結果、本手法は直径２００ｍｍのウェーハ収納容器に対してだけでなく、１００ｍｍ，１５０ｍｍおよび３００ｍｍのウェーハ収納容器に対しても有効なことが判明した。また、出荷容器だけでなく、ウェーハ製造工程内のウェーハ仮保管容器に対しても有効なことも示された。それらの評価から判明した事実として、ウェーハ表面欠陥の発生有無の判定条件を上手に選択することにより、ウェーハ保管限度期日の活性化エネルギーとして１．１５±０．０５ｅＶを得ることができ、それを利用することで、室温より高温の単一の加熱温度におけるウェーハ保管限度期日を知ることで、ウェーハの実保管温度におけるウェーハ保管限度期日をより簡便に知ることも可能となった。
【００７４】
また、本評価法で示された嫌疑物質であるＣ１２Ｈ２４は、ウェーハ収納の目的にそぐわないため、それを意図的に含有させた構成部材で製造された収納ケースをウェーハ収納に用いてはならないことは言うまでもない。
【００７５】
なお、上述の各実施例で述べた手法は、収納容器にとどまらず、包装袋などの他の包装資材の評価に対しても有効である。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は半導体基板の包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価し、それにより半導体基板の使用前保存期限を推定する方法、さらには包装材料の品質の劣化の評価及び劣化因子の同定方法を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本評価法適用で出現した表面欠陥のようす（（ａ）：初期測定結果、（ｂ）：本評価法適用後の再測定結果）。
【図２】本評価法適用で出現した表面欠陥のようす（（ａ）：初期測定結果、（ｂ）：本評価法適用後の再測定結果）。
【図３】各加熱温度におけるウェーハ使用前保管限度期日を加熱温度の絶対温度の逆数でプロットした結果。
【図４】各加熱温度における収納容器構成部材からの各種アウトガス量を加熱温度の絶対温度の逆数でプロットした結果。
【図５】改善容器において各加熱温度における収納容器構成部材からの各種アウトガス量を加熱温度の絶対温度の逆数でプロットした結果。
【図６】改善収納容器において各加熱温度におけるウェーハ使用前保管限度期日を加熱温度の絶対温度の逆数でプロットした結果。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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