(57)【要約】【課題】従来から、薄膜型ガスセンサを構成する梁部は、ガス検知時に発生する熱応力によって梁部が撓み、梁部に亀裂が入ってしまうか、損壊してしまうことがあった。梁部の亀裂はセンサとしての信頼性の悪化を招き、損壊に至るとセンサとして機能しないため、大きな問題であった。【解決手段】本発明の薄膜型ガスセンサは、梁部に溝を設ける。この溝を設けることで、熱応力によって梁部が撓んだ場合でも、溝によって梁部の熱変形を吸収することができる。したがって、梁部に対してガス検知に伴う熱応力が印加しても、梁部の撓みによる応力集中を緩和し、梁部の破壊を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板に一端を接続してなる梁部を有し、該梁部の表面に薄膜熱感知体と、該薄膜熱感知体の表面に形成するガス感知体とを備える薄膜型ガスセンサにおいて、
前記梁部を構成する面に溝を備えることを特徴とする薄膜型ガスセンサ。
【請求項２】
前記溝は、前記薄膜熱感知体と平面的に重なる位置に設けることを特徴とする請求項１に記載の薄膜型ガスセンサ。
【請求項３】
前記溝は、円形もしくは多角形、またはそれらの組み合わせの形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜型ガスセンサ。
【請求項４】
前記溝に、柔軟性を有する軟性材を埋没させることを特徴とする請求項１に記載の薄膜型ガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス検出装置に用いるガスセンサに関し、特に薄膜型ガスセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、水素ガスやメタンガス等の可燃性ガスを検知するセンサとして、ガスセンサが用いられている。ガスセンサは、検知素子の検知面にガスが到来することによる相互作用で検知素子の電気信号の変化を捉えるものである。
【０００３】
ガスセンサの構成は多くの提案をみるものであるが、中でも接触燃焼式ガスセンサが広く知られている。この接触燃焼式ガスセンサは、ガスが検知面の触媒と接触し発熱反応を起こすことで検出を行うものである。
【０００４】
このような接触燃焼式ガスセンサは、家庭用、産業用等において、可燃性ガスを使用する各種の機器内や、それが設置された室内等におけるガス漏れ検知装置として多用されている。
【０００５】
近年では、接触燃焼式ガスセンサの中でもバルク型と呼ばれるタイプが広く用いられているが、一方でシリコンウェハ上に薄膜状の熱伝膜，触媒膜，電極，配線，ヒーターを形成するマイクロセンサ素子製造技術を利用した、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ：微小電気機械素子）による薄膜型ガスセンサも用いられるようになってきた（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
特許文献１に示した従来技術を図１１を用いて説明する。図１１は、説明しやすいようにその主旨を逸脱しないように書き直しした平面図である。
図１１において、４１は電極パッド、４２は電気配線、４３は空洞、４４は半導体基板、４５は熱感知部、４６は梁部である。半導体基板４４は、枠形状に加工されており、梁部４６が形成されており、平面から見てその梁部４６がない部分は空洞４３となっている。
梁部４６の上部に設けられた熱感知部４５は、可燃性ガスの到達により発熱反応し電気抵抗が変化する。そこで予め電極パッド４１間に電圧を印加しておき、抵抗変化分を検出することで、可燃性ガスの到来を検知するものである。
【０００７】
薄膜型ガスセンサは、構成要素が半導体製造技術により形成することができるため、バルク型接触燃焼式ガスセンサに比べ集積度が高く、量産性も高いという特徴がある。また、ヒーターなども金属製の薄膜熱感知体で形成できることから、熱応答性も良好である。
【０００８】
【特許文献１】特開平８−２４７９８１号公報（第６項、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年では、薄膜型ガスセンサのガス感知性能の向上が要求されている。ところで、ガスセンサのガス感知性能は、ガスセンサの応答性が高いほど向上する。ガスセンサの応答性を決定する要因のうち支配的なのは、電気抵抗体に備わる熱容量の大きさである。
例えば、酸化触媒が可燃性ガスに反応し発熱したとき、この発生熱のヒーターへの伝導は、ヒーターの持つ熱容量が小さいほど熱損失が少なく、応答性が速くなる。
【００１０】
ヒーターの持つ熱容量は、同素材であればヒーターの体積に比例して大きくなり、一方
で酸化触媒による発生熱の伝導は、ヒーターと酸化触媒との設置面積が大きいほど良好となる。よって、電気抵抗体としてのヒーターの形状は、細長く形成されることが、ガスセンサの感知性能向上の観点から望ましい。
【００１１】
特許文献１に示した従来技術は、ＭＥＭＳ技術を用いた薄膜型ガスセンサであるから、ヒーターの形状はより細く長く形成することができるため、低熱容量な金属配線を形成することができる。このため、ガスセンサの感知性能を向上させることができる。
しかし、発明者が検討したところによると、特許文献１に示した従来技術は、ガスセンサとして運用中にセンサ自体の破壊が発生してしまうことがあるとわかった。その原因は、センサの梁部に加わる熱応力であった。
【００１２】
特許文献１に示した従来技術では、熱感知部４５を梁部の表面に設けているため、ガス検知時に熱が発生したとき、梁部の表裏で温度差が生じてしまう。この温度差により熱応力が発生し、梁部に撓みが発生してしまうのである。この撓みのため、ガスセンサとして使用していると、この梁部に亀裂が入ってしまうか、損壊してしまうのである。
【００１３】
梁部４６の上部に設けられた熱感知部４５は、可燃性ガスの到達により発熱反応し、これにより可燃性ガスの到来を検知するものである。熱感知部４５を梁部４６の表面に設けなければガスの到来を検知することができないのであるから、このように梁部に熱検知部を設けることは、構造上やむを得ない。
しかしながら、特許文献１に示した従来技術は、熱応力による梁部の破壊を防止する技術に関しては、何らの開示も示唆もなされていないのである。
【００１４】
本発明の薄膜型ガスセンサは、このような課題を解決する為にある。そしてその目的は、ガスセンサとしての感知性能の向上と耐久性の向上とを両立させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決する手段として、本発明の薄膜型ガスセンサは下記記載の構造を採用するものである。
【００１６】
支持基板に一端を接続してなる梁部を有し、梁部の表面に薄膜熱感知体と、薄膜熱感知体の表面に形成するガス感知体とを備える薄膜型ガスセンサにおいて、梁部を構成する面に溝を備えることを特徴とする。
【００１７】
溝は、薄膜熱感知体と平面的に重なる位置に設けることを特徴とする。
【００１８】
溝は、円形もしくは多角形、またはそれらの組み合わせの形状を有することを特徴とする。
【００１９】
溝に、柔軟性を有する軟性材を埋没させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の薄膜型ガスセンサは、梁部の一表面に薄膜熱感知体を設け、その薄膜熱感知体の表面にガス感知体を備えている。このような構成の梁部に溝を設けている。
これにより、梁部に熱応力が加わったとしても、溝により梁部の熱変形を緩和することができるのである。
したがって、梁部の破壊を防止することができる。これにより、ガスセンサとしての耐久性が向上するのである。
【００２１】
また、本発明の薄膜型ガスセンサは、梁部がのどの位置に溝を設けてもよい。つまり、
薄膜熱感知体の形状や、熱応力の発生箇所、負荷具合を鑑みて、溝の位置、幅、深さなどの形状を自由に変更することができる。
これにより、梁部に生じる応力を緩和し、梁部の破壊を防止することができ、ガスセンサとしての耐久性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の薄膜型ガスセンサを、図を用いて詳細に説明する。本発明の薄膜型ガスセンサは、半導体基板を加工して形成する例を用いて説明する。半導体基板は、特に限定しないが、シリコン半導体基板を用いることができる。また、本発明の薄膜型ガスセンサは片持ち梁構造でも両持ち梁構造であってもかまわないが、本発明の実施形態では、両持ち梁構造を例にして説明する。
【実施例１】
【００２３】
［本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態の説明：図１、図２］
本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態を図１，図２を用いて説明する。図１は、本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態の構造を模式的に示す図である。図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’における端面を模式的に示す端面図、図１（ｃ）は図１（ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’における端面を模式的に示す端面図である。
図２は、図１に示す本発明の薄膜型ガスセンサ斜視図であって、梁部の一部を拡大した図である。
【００２４】
図１，図２において、１ａ，１ｂはガスの流通部である貫通孔、２は梁部、２ａは梁部２の表面、２ｂは梁部２の裏面、２ｃは梁部２の側面、３ａは溝、５は薄膜熱感知体、６は金属薄膜抵抗体、７，８は電極パッド、１１は支持基板、１２は絶縁膜である。なお、図１は、図面を見やすくするため、薄膜熱感知体５の上部に設けるガス感知体は省略している。
【００２５】
図１に示すように、支持基板１１は、平面的に枠形状を有しており、支持基板１１の上部に絶縁膜１２が設けられている。
梁部２は、図１（ａ）に示す平面図では、その両端を支持基板１１と接続しているように見えるが、図１（ｂ），図１（ｃ）に示す端面図で分かるように、絶縁膜１２で構成している。ところで、このように、支持基板を橋渡しするように梁が設けてある構成を、両持ち梁構造という。
図２は、図１（ａ）に示す平面図でいえば、枠形状を有する支持基板１１と梁部２との接続部分を示す斜景図である。
【００２６】
絶縁膜１２は、支持基板１１を平面でみたとき、その中心方向に所定の幅を有して延長しており、この部分が梁部２となっている。つまり、支持基板１１の上部に設ける絶縁膜１２を所定の形状で延長して梁部２を構成している。
図１（ａ）に示すように、支持基板１１は、平面的に枠形状を有しており、梁部２により分割された領域が、ガスの流通部となる貫通孔１ａ，１ｂとなっている。
【００２７】
梁部２は、絶縁膜１２を延長して形成しているため、複数の面を有する形状となっている。これらの面は、便宜上、表面、裏面、側面と呼ぶことにし、梁部２の表面を表面２ａ、裏面を裏面２ｂ、側面を側面２ｃとする。
なお、梁部２の幅または厚さは、本発明の薄膜型ガスセンサを使用する環境やガスの種類などを鑑みて、自由に選択することができる。
【００２８】
絶縁膜１２の上部には、薄膜熱感知体５、金属薄膜抵抗体６、電極パッド７，８が設け
てある。薄膜熱感知体５と金属薄膜抵抗体６とは一様な金属薄膜で形成してなり、梁部２の上部を薄膜熱感知体５とし、両端部を電極パッド７，８としている。図１（ａ）に示す例では、梁部２の表面２ａに薄膜熱感知体５と金属薄膜抵抗体６の一部が設けてある。
電極パッド７，８からは、金属薄膜抵抗体６を介して薄膜熱感知体５に所定の電流を通電させる。
【００２９】
梁部２の裏面２ｂには、溝３ａを設けてある。溝３ａは、梁部２の表面２ａに設ける薄膜熱感知体５と平面的に重なるように設けてある。
【００３０】
本発明の薄膜型ガスセンサでは、梁部２の表面２ａに薄膜熱感知体５を設け、その上部に図示しないガス検知体を設けるものである。これは、従来から知られている技術と同様に、ガス検知体および薄膜熱感知体５を到来するガスに晒されなければならないためである。
しかしながら、本発明の薄膜型ガスセンサは、梁部２の裏面２ｂに溝３ａを設けているため、ガス検知体が所定のガスと反応して発熱し、梁部２の表面２ａと裏面２ｂとの間で温度差が生じて、梁部２に熱応力が加わっても、溝３ａがその熱応力を吸収して、梁部２の熱変形を緩和するのである。これにより、梁部２が溝３ａを有しない場合に比べて、梁部２ａの耐久性が向上するのである。
【００３１】
また、溝３ａを設けることにより、梁部２の表面積が増えるため、放熱しやすくなるというメリットがある。
特に、図１，図２に示すように、溝３ａを設けた位置が、薄膜熱感知体５と梁部２の裏面２ｂ方向に重なる位置であるため、梁部２の膜厚が薄くなる。このため、梁部２の熱容量がより低減し、薄膜熱感知体５の熱応答性が向上するのである。これにより、ガスセンサとしての感度が向上する。
【００３２】
図１，図２に示す例では、溝３ａは、梁部２の裏面２ｂに１つ備える例を示したが、もちろんこれに限定するものではない。発生する撓みの大きさや本発明の薄膜型ガスセンサの大きさなどを鑑みて、溝の数，幅，深さ，長さは自由に変更することができる。
【００３３】
［溝の構造の説明：図３〜図８］
次に、本発明の薄膜型ガスセンサの梁部に設ける溝の異なる形態を図３〜図８を用いて説明する。図３〜図８は、図２に示す方向と同じ方向から見た斜景図である。図３〜図８において、３ｂ〜３ｇは溝である。なお、すでに説明した構成には同一の番号を付与しており、説明を省略する。
【００３４】
［構成の説明１：図３］
図３に示す例では、梁部２の表面２ａに溝を設けるものである。図３に示すように、薄膜熱感知体５と金属薄膜抵抗体６の一部とは、溝３ｂの内部に設けてある。
図３（ａ）と図３（ｂ）との構成の違いは、溝を梁部２の表面２ａに矩形に形成しているか、薄膜熱感知体５の形状に合わせた形状にしているかの違いである。
【００３５】
このような構成にすることによって、薄膜熱感知体５の上部に設ける図示しないガス検知体を、溝３ｂ，３ｃの内部に設けることができる。これより、梁部２の表面２ａをフラットな形状にすることができ、本発明のガスセンサをより薄膜化することができる。
【００３６】
［構成の説明２：図４］
図４に示す例では、梁部２の表面２ａに溝３ｄを２つ設けるものである。溝３ｄは、薄膜熱感知体５と裏面２ｂ方向には平面的に重なっていない。図３に示す例とは異なり、薄膜熱感知体５および金属薄膜抵抗体６の一部は、溝３ｄの内部には設けていない。
【００３７】
薄膜熱感知体５と裏面２ｂ方向に平面的に重なる溝がないため、図１〜図３を用いて説明した例に比べ、薄膜熱感知体５と平面的に重なる梁部２の厚さが大きい。このため、梁部２の熱容量はさほど低減せず、薄膜熱感知体５の熱応答性もさほど向上しない。
しかしながら、溝３ｃを設けることにより梁部２に生じる熱応力を吸収することができるため、梁部２の熱変形を緩和し、梁部２が溝３ａを有しない場合に比べて、梁部２ａの耐久性が向上するのである。
したがって、図４に示す例では、梁部２の耐久性を主に向上したい場合に適する構成といえる。
また、このような構成にすることによって、梁部２の裏面２ｂをフラットな形状とすることができ、本発明の薄膜型ガスセンサを構成する梁部２を加工しやすくなるというメリットも生じるのである。
【００３８】
［構成の説明３：図５］
図５に示す例では、梁部２の側面２ｃに溝３ｅを２つ設けるものである。溝３ｅは、薄膜熱感知体５と裏面２ｂ方向には平面的に重なって設けることができる。このため、図１，図２に示すような梁部２の裏面２ｂに溝を設ける構成と同様に、梁部２の熱容量を低減させ、薄膜熱感知体５の熱応答性を向上させることができる。もちろん、溝３ｅを２つ設けることにより梁部２の表面積が増え、生じる熱応力をより多く吸収することができるため、梁部２の熱変形をより緩和し、梁部２ａの耐久性が向上するのである。
【００３９】
［構成の説明４：図６］
図６に示す例では、梁部２を構成する４つの面である、表面２ａ，裏面２ｂ，側面２ｃに溝３ａ，３ｂ，３ｅを設けるものである。いわば、図１，図２と図３と図５とを用いて説明した例を合わせた構成である。溝３ａ，３ｂにより、梁部２の膜厚は、薄膜熱感知体５と裏面２ｂ方向には薄くなり、同様に、溝３ｅによって、側面２ｃ方向にも薄くなる。
このため、梁部２の熱容量をさらに低減させ、薄膜熱感知体５の熱応答性を向上させることができる。もちろん、溝３ａ，３ｂ，３ｅにより梁部２の表面積が増え、生じる熱応力をさらに多く吸収することができるため、梁部２の熱変形をさらに緩和し、梁部２ａの耐久性が向上するのである。
【００４０】
［構成の説明５：図７、図８］
すでに説明した各構成にあっては、それぞれ設ける溝は矩形形状を有するものであるが、溝の形状はその例に限定するものではない。
図７に示す例は、図４に示す例の溝３ｄを細分化したものであって、比較的小さい溝３ｆを複数有している。溝３ｆは、それぞれでその大きさを変えることもできる。また、開口部は矩形に限らず、円形等を用いることもできる。
図８に示す例は、図２に示す例の溝３ａの深さ方向の端面形状を緩やかに湾曲する形状とした溝３ｇを設けるものである。
【００４１】
図７に示す構成は、複数の溝３ｆを設けることにより、例えば、熱変形が大きく発生する部分にのみ溝を設けることができる。このような構成にすることによって、梁部２の強度を低下させることなく耐久性を向上させることができるのである。
図８に示す構成は、溝の深さ方向の端面にエッジがないため、熱応力が発生したときにも部分的な応力集中を起こすことがないというメリットがある。
図７および図８に示す構成は、もちろん、図１〜６を用いて説明した構成と組み合わせて用いることもできる。
【００４２】
［製造方法の簡単な説明］
次に、本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態の製造方法を簡単に説明する。もち
ろん、以下説明する製造方法は、単なる一例であって限定するものではない。
まず、半導体基板の上部に、ＣＶＤ法など知られている薄膜形成方法を用いて、絶縁膜１２を設ける。
【００４３】
次に、梁部２を形成するために、絶縁膜１２を所定の形状にエッチングする。このとき、エッチングする領域の絶縁膜１２は完全に除去し、半導体基板が露出するようにする。
【００４４】
次に、絶縁膜１２の上部にスパッタリングなどの知られている金属薄膜形成法を用いて金属薄膜を設け、所定の形状にパターニングして薄膜熱感知体５と金属薄膜抵抗体６と電極パッド７，８とを形成する。
【００４５】
次に、半導体基板を四角枠状に加工するべく、半導体基板裏面における、梁部２と平面的に重なる部分、及び貫通孔１の形成する部分を四角枠状にマスキングし、裏面から半導体基板をエッチングして、支持基板１１の形状とする。これにより貫通孔１ａ，１ｂが形成される。また梁部２も、その下部の半導体基板が除去され、梁構造を有することとなる。
【００４６】
最後に、梁部２の下面を所定の形状にパターニングし、溝３ａ〜３ｇを形成して、本発明の薄膜型ガスセンサの構造体が完成する。
【実施例２】
【００４７】
［本発明の薄膜型ガスセンサの第２の実施形態の説明：図９］
次に、本発明の薄膜型ガスセンサの第２の実施形態を図９を用いて説明する。図９は、本発明の薄膜型ガスセンサの第２の実施形態の構造を模式的に示す図である。図９（ａ）はその平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の切断線Ｃ−Ｃ’における端面を模式的に示す端面図、図９（ｃ）は図９（ａ）の切断線Ｄ−Ｄ’における端面を模式的に示す端面図である。図９において、４は軟性素材である。なお、すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与しており、その説明は省略する。
【００４８】
図９に示す第２の実施形態と先に説明した第１の実施形態との違いは、溝に柔軟性を有する軟性材を埋め込んでいる点である。図９に示す例は、図１，図２に示す梁部２の裏面２ｂに溝３ａを設ける場合を例にし、その溝３ａに軟性素材４を埋め込む場合を例にして説明する。
【００４９】
軟性素材４は、樹脂またはゴムなどを用いることができる。特に限定しないが、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリイミド等の熱可塑性樹脂、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等のゴムを用いることができる。
もちろん、軟性素材４に用いる材料は、本発明の薄膜型ガスセンサを用いる環境や検出するガスの種類や量などに応じて、適宜選択することができる。
【００５０】
図９に示すような構造とすることにより、梁部２へ熱応力が加わり撓みが生じた場合に、溝３ａに埋め込まれている軟性素材４がクッション材となり、梁部２の変形量を抑制することができる。
【００５１】
軟性素材４を埋め込む溝は、図９に示す例に限定するものではない。例えば、図７を用いて説明した例では、複数の溝３ｆを用いているが、その構成に適用したとき、複数の溝３ｆの全てまたは一部に軟性素材４を埋め込むことができる。すなわち、熱変形が大きく発生する部分に設ける溝に対してのみ軟性素材４を設けることもできる。もちろん、溝３
ｆごとに軟性素材４の材質を変えてもよい。
軟性素材４は、薄膜熱感知体５の形状や、ガス検知体の設け方、梁部２の厚みに応じて、埋め込み形状や埋め込み量（溝全てを埋め込むか否か）を自由に選択することができる。
【００５２】
［製造方法簡単な説明］
次に、本発明の薄膜型ガスセンサの第２の実施形態の製造方法を簡単に説明する。もちろん、以下説明する製造方法は、単なる一例であって限定するものではない。
所定の工程を経て、梁部２を形成した後、溝３ａを形成するところまでは、すでに説明した第１の実施形態の構造の製造方法と同様であるので省略する。
【００５３】
その後、形成した溝３ａに、軟性素材４を流し込む、或いは塗布するなどして、本発明の薄膜型ガスセンサの構造体が完成する。
【００５４】
［ガス検知体を用いる構成の説明：図１０、図３（ａ）］
次に、説明した本発明の薄膜型ガスセンサのガス検知にガス検知体を用いる構成を説明する。この説明では、第１の実施形態の図３（ａ）に例示した構成を例にして、図１０を用いて説明する。図１０（ａ）はその平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の切断線Ｅ−Ｅ’における端面を模式的に示す端面図である。図１０において、２２はガス検知体である。すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与してあり、それらの説明は省略する。
【００５５】
図３（ａ）に示したように、梁部２の表面２ａに溝３ｂを設け、この溝３ｂの内部に薄膜熱感知体５と金属薄膜抵抗体６の一部とを設けてある。この溝３ｂの上部にガス検知体２２を設ける。ガス検知体２２は、溝３ｂを埋め込み、梁部２の表面２ａをフラットな形状にすることができる。
【００５６】
ガス検知体２２は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ２）に白金（Ｐｔ）とパラジウム（Ｐｄ）とを分散させたものを使用する。これは特定の可燃性ガスに反応して発熱する性質を備えている。
具体的には、メタンガス、水素ガス、ＬＰガス（液化石油ガス）、プロパンガス、ブタンガス、エチレンガス、一酸化炭素ガス、またはエタノールやアセトン等の有機成分ガスが挙げられる。
【００５７】
これらのガスがガス検知体２２に接触すると発熱反応が起こり、その発生熱は薄膜熱感知体５へ伝導する。これにより、薄膜熱感知体５の電気抵抗値が変化する。そこで予め電極パッド７と電極パッド８との間に電圧を印加しておき、抵抗変化分を検出することで、可燃性ガスの到来を検知することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の薄膜型ガスセンサは、梁部の耐久性を向上させることができる。このため、平素から外因的な負荷が印加されるような携帯型機器のガスセンサとして好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態を説明する図である。
【図２】本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態における梁部を説明する図である。
【図３】本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態において梁の表面に溝を設ける構成を説明する図である。
【図４】本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態において梁の表面に溝を設ける構成を説明する図である。
【図５】本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態において梁の側面に溝を設ける構成を説明する図である。
【図６】本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態において梁の表面，裏面，側面に溝を設ける構成を説明する図である。
【図７】本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態において梁の表面に複数の溝を設ける構成を説明する図である。
【図８】本発明の薄膜型ガスセンサの第１の実施形態において溝の形状を説明する図である。
【図９】本発明の薄膜型ガスセンサの第２の実施形態を説明する図である。
【図１０】本発明の薄膜型ガスセンサにガス検知体を設ける構成を説明する図である。
【図１１】特許文献１に示した従来技術を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  貫通孔
２  梁部
３ａ〜３ｇ  溝
４  軟性素材
５  薄膜熱感知体
６  金属薄膜抵抗体
・  電極パッド
１１  支持基板
１２  絶縁膜
２２  ガス検知体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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