(57)【要約】【課題】実装に際して誘電体膜における亀裂の発生を抑制できる電子部品を提供すること。【解決手段】基板１と、基板１上に設けられるキャパシタ部１１を備え、キャパシタ部１１が、基板１上に設けられる電極部２と、電極部２上に設けられる誘電体膜３と、誘電体膜３上に開口部４ａを有する絶縁膜４と、絶縁膜４の開口部４ａの内壁面及び誘電体膜３の表面に接触する電極部５とを備え、基板１の厚さ方向に沿った断面で、絶縁膜４における開口部４ａの内壁面と第２電極部５の境界線２２が、誘電体膜３と絶縁膜４と第２電極部５との交点近傍で誘電体膜３側に向かって凸となるように湾曲している電子部品１００。【選択図】図２
2009135341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられるキャパシタ部とを備えており、
前記キャパシタ部が、
前記基板上に設けられる第１電極部と、
前記第１電極部上に設けられる誘電体膜と、
前記誘電体膜に接触し、前記誘電体膜上に開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜における前記開口部の内壁面及び前記誘電体膜の表面に接触する第２電極部とを備えており、
前記基板の厚さ方向に沿った断面において、前記絶縁膜における前記開口部の内壁面と前記第２電極部との境界線が、前記誘電体膜と前記絶縁膜と前記第２電極部との交点の近傍で前記誘電体膜側に向かって凸となるように湾曲している、電子部品。
【請求項２】
前記絶縁膜のうち前記基板から最も離れた位置にある頂上部が、前記第１電極部と前記第２電極部との間であって前記第１電極部と前記第２電極部とが前記基板の厚さ方向に沿って重なり合う領域内に位置する、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記絶縁膜のうち前記基板から最も離れた位置にある頂上部が、前記第１電極部と前記第２電極部との間であって前記第１電極部と前記第２電極部とが前記基板の厚さ方向に沿って重なり合う領域の外に位置する、請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
下記式：
Ｒ＝Ｓ１／Ｓ２
（上記式中、Ｓ１は前記絶縁膜の前記開口部における前記第２電極部と前記誘電体膜との接触面積を表し、Ｓ２は前記第２電極部のうち前記基板の厚さ方向において前記第１電極部と重なる部分であり且つ前記基板と平行な面における断面積のうち最大となる断面積を表す）
で表されるＲが０．４４以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記基板上に設けられ、前記キャパシタ部に電気的に接続されるインダクタ部をさらに備える請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型・高機能化による発展に伴い、従来個別に使用されて来たインダクタ、コンデンサといった受動部品についても小型、高機能化の要求が高まってきている。こうした要求に答えるべく、小型かつ低背でしかも高い寸法精度を有する電子部品をスパッタリング方式、蒸着、ＣＶＤ等の薄膜形成プロセスや、フォトリソグラフィ、ドライエッチング等の微細加工技術を用いて基板上に集積して製造するための技術開発がなされてきている。
【０００３】
このような薄膜形成プロセスや微細加工技術を用いて製造される電子部品の一つに薄膜キャパシタを有するものがある（例えば下記特許文献１及び２参照）。下記特許文献１及び２に開示されている電子部品においては、キャパシタの下部電極の上に誘電体薄膜が成膜され、その上に開口部を有する絶縁膜が形成され、開口部の内壁面及び誘電体薄膜表面に接触するように上部電極が設けられている。ここで、絶縁膜は、キャパシタ容量の大きさを制御すると共に電極端部の絶縁の役目を担っている。
【特許文献１】特開２００４−１７２３４８号公報
【特許文献２】特開２００５−１０９４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した特許文献１，２に開示されている電子部品においては、絶縁破壊電圧が未だ十分高いとは言えなかった。ここで、本発明者らは、上記のように絶縁破壊電圧が十分高いとは言えない原因について、絶縁破壊電圧が十分高いとは言えない電子部品の断面を、ＳＥＭを用いて観察することにより調べた。その結果、誘電体膜に亀裂が入っている電子部品が存在しており、しかもその亀裂は、誘電体膜内のうち、上部電極と、絶縁膜と誘電体膜との交点近傍で発生しやすいことが判明した。
【０００５】
そこで、本発明は、実装時の応力により、誘電体膜における亀裂の発生を抑制できる電子部品を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、基板の厚さ方向に沿った断面において、上部電極と絶縁膜と誘電体膜との交点に過度な応力が加わっており、その結果、誘電体膜に亀裂が発生するのではないかと考えた。さらに、電子部品を回路基板等に実装した場合、通常はマウンタと呼ばれる装置が使用されるが、その場合、電子部品では当該電子部品を構成する基板に垂直な方向に応力が加わりやすく、この応力が上部電極と絶縁膜と誘電体膜との交点に集中すると、誘電体膜に亀裂が生じやすくなるのではないかと本発明者らは考えた。そして、本発明者らは上記交点への応力集中を回避するべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに至ったものである。
【０００７】
即ち、本発明は、基板と、前記基板上に設けられるキャパシタ部とを備えており、前記キャパシタ部が、前記基板上に設けられる第１電極部と、前記第１電極部上に設けられる誘電体膜と、前記誘電体膜に接触し、前記誘電体膜上に開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜における前記開口部の内壁面及び前記誘電体膜の表面に接触する第２電極部とを備えており、前記基板の厚さ方向に沿った断面において、前記絶縁膜における前記開口部の内壁面と前記第２電極部との境界線が、前記誘電体膜と前記絶縁膜と前記第２電極部との交点の近傍で前記誘電体膜側に向かって凸となるように湾曲している、電子部品である。
【０００８】
本発明の電子部品は、その基板の厚さ方向に沿った断面において、絶縁膜と第２電極部との境界線が、前記誘電体膜と前記絶縁膜と前記第２電極部との交点の近傍で前記誘電体膜側に向かって凸となるように湾曲している。このため、第２電極部に対して基板の厚さ方向に外力が加えられても、上記交点に加わる応力が低減される。
【０００９】
即ち、第２電極部に対して基板の厚さ方向に外力が加わると、絶縁膜と第２電極部との境界線には、基板の厚さ方向に沿った応力が加わる。
【００１０】
ここで、仮に、上記境界線が、上記交点近傍で、誘電体膜と反対側に向かって凸となるように湾曲しているとすると（即ち上記境界線が、上記交点近傍で第２電極部表面に凹部を形成するように湾曲しているとすると）、上記交点近傍では、上記境界線に沿って上記交点に向けられる応力成分が大きくなる。その結果、上記交点には応力が集中することになる。
【００１１】
これに対し、本発明では、上記境界線が、上記交点近傍で、誘電体膜側に向かって凸となるように湾曲している。このため、上記交点近傍では、上記境界線に沿って交点に向けられる応力成分を小さくすることが可能となる。その結果、上記交点における応力集中が抑制される。このため、本発明の電子部品を、例えば回路基板上にマウンタ等を用いて実装する場合でも、誘電体膜における亀裂の発生が抑制され、絶縁性能が向上する。
【００１２】
上記電子部品において、前記絶縁膜のうち前記基板から最も離れた位置にある頂上部が、前記第１電極部と前記第２電極部との間であって前記第１電極部と前記第２電極部とが前記基板の厚さ方向に沿って重なり合う領域内に位置することが好ましい。
【００１３】
この電子部品によれば、頂上部が第１電極部と第２電極部との間であって前記第１電極部と前記第２電極部とが前記基板の厚さ方向に沿って重なり合う領域内に位置しているため、第２電極部と絶縁膜との間の接触面積をより大きくすることが可能となる。そのため、例えば電子部品を回路基板等に実装するに際して電子部品の基板に垂直な応力が加わったり、温度サイクルにより絶縁膜が膨張収縮しても第２電極部と絶縁膜との密着性が高くなっており、これらの間の剥離が起こりにくくなる。
【００１４】
上記電子部品においては、前記絶縁膜のうち前記基板から最も離れた位置にある頂上部が、前記第１電極部と前記第２電極部との間であって前記第１電極部と前記第２電極部とが前記基板の厚さ方向に沿って重なり合う領域の外に位置してもよい。
【００１５】
この場合、熱衝撃による急激な絶縁膜の膨張収縮がある場合には、第２電極部と絶縁膜との間の剥離が、頂上部が第１電極部と第２電極部との間であって第１電極部と第２電極部とが基板の厚さ方向に沿って重なり合う領域内にある場合に比べて起こりにくくなる。
【００１６】
上記電子部品では、下記式：
Ｒ＝Ｓ１／Ｓ２
（上記式中、Ｓ１は前記絶縁膜の前記開口部における前記第２電極部と前記誘電体膜との接触面積を表し、Ｓ２は前記第２電極部のうち前記基板の厚さ方向において前記第１電極部と重なる部分であり且つ前記基板と平行な面における断面積のうち最大となる断面積を表す）
で表されるＲが０．４４以上であることが好ましい。
【００１７】
この場合、第１電極部及び第２電極部間に高い電圧が印加されても、キャパシタ部における絶縁性能が、Ｒが０．４４未満である場合に比べて顕著に向上する。
【００１８】
上記電子部品は、前記基板上に設けられ、前記キャパシタ部と電気的に接続されるインダクタ部をさらに備えていてもよい。
【００１９】
この場合、当該電子部品は、ＬＣ回路部品として機能することが可能となる。このとき、この電子部品においては、キャパシタ部において絶縁破壊電圧を高くすることが可能となる。このため、印加しうる限界電圧を高くすることができ、汎用性の高いものとすることができる。
【００２０】
なお、本発明において、絶縁膜における「開口部の内壁面」とは、基板の厚さ方向に沿った断面において、絶縁膜のうち基板から最も離れた位置にある頂上部と、上記交点との間の領域を言うものとする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、実装に際して、誘電体膜における亀裂の発生を抑制できる電子部品が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下、図１〜６を参照して本発明に係る電子部品の第１実施形態について説明する。
【００２３】
図１は、本発明に係る電子部品の第１実施形態を示す断面図である。図１に示すように、本実施形態の電子部品１００は、本体部１００Ａと、本体部１００Ａの両端部をそれぞれ覆うように設けられる外部接続端子１００Ｂ，１００Ｃとを備えている。外部接続端子１００Ｂ，１００Ｃは互いに分離して配置されている。本体部１００Ａは、基板１と、基板１の主面１ａ側に設けられるキャパシタ部１１と、キャパシタ部１１を覆う封止膜１３とを備えている。
【００２４】
キャパシタ部１１は、基板１上に設けられる下部電極部（第１電極部）２と、下部電極部２を覆う誘電体膜３と、誘電体膜３に接触する絶縁膜４と、誘電体膜３の表面３ａに接触して設けられる上部電極部（第２電極部）５と、下部電極部２に接触し、下部電極部２に給電する給電用電極パッド６とを有している。
【００２５】
外部接続端子１００Ｂは、上部電極部５と接触しており、外部接続端子１００Ｃは、給電用電極パッド６と接触している。このため、外部接続端子１００Ｂと外部接続端子１００Ｃとの間に電圧を印加することによって上部電極部５と下部電極部２との間の誘電体膜３に電圧を印加することが可能となっている。
【００２６】
基板１は、基板本体部１ｂと、基板本体部１ｂ上に設けられて下部電極部２及び誘電体膜３と接触する平坦化膜１ｃとで構成されている。
【００２７】
下部電極部２は、基板１の主面１ａ上に設けられるシード層２ａと、シード層２ａ上に設けられるめっき層２ｂとで構成され、上部電極部５も、誘電体膜３及び絶縁膜４と接触するシード層５ａと、シード層５ａ上に設けられるめっき層５ｂとで構成されている。給電用電極パッド６も、下部電極部２と接触するシード層５ａと、シード層５ａ上に設けられるめっき層５ｂとで構成されている。
【００２８】
絶縁膜４は、互いに離間して設けられる第１開口部４ａ及び第２開口部４ｂを誘電体膜３上に有している。絶縁膜４は、電子部品１００のキャパシタ容量の大きさを制御すると共に上部電極部５端部と下部電極部２端部との間の絶縁の役目を担っている。ここで、第１開口部４ａ及び第２開口部４ｂは貫通穴となっており、誘電体膜３を露出させている。
【００２９】
誘電体膜３は、第２開口部４ｂに対向する位置に、下部電極部２を露出させる貫通穴３ｂを有している。
【００３０】
そして、上部電極部５は、絶縁膜４の第１開口部４ａを形成する内壁面及び誘電体膜３の表面に接触するように設けられ、給電用電極パッド６は、絶縁膜４の第２開口部４ｂを形成する内壁面、誘電体膜３の表面、誘電体膜３の貫通穴３ｂを形成する内壁面、及び下部電極部２に接触するように設けられている。
【００３１】
ここで、図２に示すように、電子部品１００では、基板１の厚さ方向に沿った断面において、絶縁膜４と上部電極部５との境界線２２が、誘電体膜３と絶縁膜４と上部電極部５との交点Ａの近傍で誘電体膜３側に向かって凸となるように湾曲している。詳細に述べると、境界線２２は、誘電体膜３側に向かって凸となるように湾曲する曲線の一部を構成している。なお、本実施形態において、交点Ａの近傍とは、境界線２２の終端点をＢとした場合、交点Ａから終端点Ｂまでの間の領域を指す。
【００３２】
別言すると、境界線２２は、交点Ａから延びる上部電極部５に対する接線２４に対し、下部電極部２に接触する誘電体膜３と絶縁膜４との境界線２１と反対側に存在し且つ交点Ａから離れるにつれて接線２４から離れるように湾曲している。さらに別言すると、境界線２２の終端点をＢとした場合、境界線２２は、交点Ａと終端点Ｂとを結ぶ直線に対して、絶縁膜４側に突出している。
【００３３】
この電子部品１００は、その基板１の厚さ方向に沿った断面において、絶縁膜４及び上部電極部５間の境界線２２が、誘電体膜３と絶縁膜４と上部電極部５と交点Ａの近傍で誘電体膜３側に向かって凸となるように湾曲している。このため、上部電極部５に対して基板１の厚さ方向に外力が加えられても、交点Ａ近傍に加わる応力が低減される。
【００３４】
即ち、上部電極部５に対して基板１の厚さ方向に外力が加わると、境界線２２にも、基板１の厚さ方向に沿った応力が加わる。
【００３５】
ここで、仮に、境界線２２が、交点Ａ近傍で、誘電体膜３と反対側に向かって凸となるように湾曲しているとすると、交点Ａ近傍では、境界線２２に沿って交点Ａに向けられる応力成分が大きくなる。その結果、交点Ａ近傍には応力が集中し、誘電体膜３に亀裂が生じ易くなってしまう。
【００３６】
これに対し、本実施形態の電子部品１００のように、境界線２２が、交点Ａ近傍で、誘電体膜３側に向かって凸となるように湾曲している。このため、交点Ａの近傍では、境界線２２に沿って交点Ａに向けられる応力成分が小さくなる。その結果、交点Ａにおける応力集中が抑制される。このため、電子部品１００を、例えば回路基板上にマウンタ等を用いて実装する場合でも、誘電体膜３における亀裂の発生が抑制され、絶縁破壊電圧を高めることが可能となる。
【００３７】
なお、電子部品１００では、絶縁膜４のうち基板１から最も離れた位置にある頂上部Ｐが、下部電極部２と上部電極部５との間であって下部電極部２と上部電極部５とが基板１の厚さ方向に沿って重なり合う領域の外に位置している。この場合、熱衝撃による急激な絶縁膜４の膨張収縮がある場合には、上部電極部５と絶縁膜４との間の剥離が、頂上部Ｐが下部電極部２と上部電極部５との間の領域内にある場合に比べて起こりにくくなる。これは、上部電極部５の内部に入り込む絶縁膜４の体積が減少するため、加熱サイクルを受けて絶縁膜４が膨張収縮する際に発生する応力が減少した結果、絶縁膜４と上部電極部５との間の密着性が向上することによるものと考えられる。
【００３８】
また、電子部品１００では、下記式：
Ｒ＝Ｓ１／Ｓ２
（上記式中、Ｓ１は絶縁膜４の第１開口部４ａにおける上部電極部５と誘電体膜３との接触面積を表し、Ｓ２は上部電極部５のうち基板１の厚さ方向において下部電極部２と重なる部分であり且つ基板１と平行な面における断面積のうち最大となる断面積を表す）
で表されるＲは特に限定されるものではないが、Ｒは０．４４以上であることが好ましい。
【００３９】
この場合、外部接続端子１００Ｂ，１００Ｃ間に高い電圧が印加されても、キャパシタ部１１における絶縁性能が、Ｒが０．４４未満である場合に比べて顕著に向上する。但し、Ｒは好ましくは１以下である。
【００４０】
また、接線２４と境界線２１とのなす角度は、好ましくは２２°以下であり、より好ましくは５°〜１１°である。上記角度が上記範囲内にあると、上記範囲を外れる場合に比べて、得られる電子部品１００の絶縁破壊電圧をより向上できるという利点がある。
【００４１】
基板本体部１ｂを構成する材料は、特に限定されるものではないが、例えばアルミナ、ジルコニア、フォルステライトに代表されるセラミックや、ガラスといった絶縁性材料が用いられる。
【００４２】
基板本体部１ｂを構成する材料として、セラミック材料が用いられると、基板本体部１ｂの表面に凹凸が形成される。このため、その凹凸が、基板本体部１ｂ上に形成される下部電極部２に転写されると、下部電極部２の表面の平滑性が損われたり、下部電極部２の一部が欠損するといった不具合が生じることがある。よって、基板本体部１ｂを構成する材料として、セラミック材料が用いられる場合には、基板本体部１ｂ上にグレーズガラス層や樹脂層などを形成する、もしくはスパッタリングにより成膜後に化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）などの平坦化処理を行って平坦化層１ｃを形成することが好ましい。
【００４３】
下部電極部２、上部電極部５および給電用電極パッド６を構成する材料としては、例えばＣｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒなどの導電性金属材料を使用することが可能である。下部電極部２、上部電極部５および給電用電極パッド６を構成する材料は同一であっても異なっていてもよい。
【００４４】
誘電体膜３を構成する誘電体材料としては、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＢＳＴ、ＰＺＴ等が用いられる。
【００４５】
絶縁膜４を構成する絶縁材料としては、通常は、ノボラック樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの感光性樹脂の硬化体が用いられる。
【００４６】
封止膜１３を構成する封止材料としては、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンなどの感光性樹脂の硬化体が挙げられる。
【００４７】
次に、電子部品１００の製造方法について図３〜図６を参照して説明する。図３〜図６は、電子部品１００を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【００４８】
まず、基材本体部１Ｂの上に例えばスパッタリング法を用いて、平坦化膜となるアルミナ膜が形成され、アルミナ膜が例えばＣＭＰによって平坦化処理されて平坦化膜１ｃが形成される。続いて、平坦化膜１ｃ上にめっき用のシード層２ａが形成される（図３の（ａ））。
【００４９】
次に、下部電極部２を形成すべき位置に開口部２５ａを有するレジストパターン２５がシード層２ａ上に形成される（図３の（ｂ））。続いて、電解めっき法により、開口部２５ａ内で露出しているシード２ａ層上にめっき層２ｂが形成される（図３の（ｃ））。その後、レジストパターン２５が除去され（図３の（ｄ））、続いて、露出しているシード層２ａが除去される。こうして下部電極部２が形成される（図４の（ａ））。
【００５０】
次に、下部電極部２及び、露出している平坦化膜１ｃの表面である主面１ａを覆うように誘電体膜３が形成される（図４の（ｂ））。誘電体膜３は、誘電体材料を、蒸着、スパッタ、プラズマＣＶＤ、ＡＬＤ等の成膜プロセスを用いて成膜することによって形成される。
【００５１】
次に、誘電体膜３の表面３ａ上に、第１開口部４ａ及び第２開口部４ｂを有する絶縁膜４が形成される（図４の（ｃ））。絶縁膜４は、例えば、誘電体膜３上に感光性樹脂層をスピンコート法によって形成し、パターン露光及び現像によりこれをパターン化する工程と、パターン化された感光性樹脂層を加熱硬化する工程とを経て形成される。感光性樹脂層の加熱により、耐熱性に優れた絶縁膜４が得られる。感光性樹脂層を用いることにより、高精細且つ高精度にパターン化された絶縁膜４を低コストで製造することが可能である。パターン露光は、現像により、感光性樹脂層に第１開口部４ａ、第２開口部４ｂが形成されるように行われる。
【００５２】
このとき、絶縁膜４の第１開口部４ａの内壁面は、得られる電子部品１００における境界線２２に相当する。従って、電子部品１００において、基板１の厚さ方向に沿った断面で、境界線２２を、交点Ａの近傍で誘電体膜３側に向かって凸となるように湾曲させるためには、第１開口部４ａの内壁面の形状を調整する必要がある。具体的に、第１開口部４ａの内壁面の形状を上記のような構成に調整するためには、例えば絶縁樹脂材料の粘度、加熱硬化温度、露光条件、現像条件の他に、シランカップリング剤に代表される密着増強剤の種類や塗布条件、酸素、窒素プラズマの生成条件、暴露時間を調整すればよい。
【００５３】
また、得られる電子部品１００において、下記式：
Ｒ＝Ｓ１／Ｓ２
（上記式中、Ｓ１は絶縁膜４の第１開口部４ａにおける上部電極部５と誘電体膜３との接触面積を表し、Ｓ２は上部電極部５のうち基板１の厚さ方向において下部電極部２と重なる部分であり且つ基板１と平行な面における断面積のうち最大となる断面積を表す）
で表されるＲは、上記と同様にして第１開口部４ａにおける誘電体膜３の露出面積の大きさを調整すればよく、そのためには、絶縁樹脂の露光面積を調整すればよい。Ｒの値を０．４４以上にするためには、例えば上部電極部５の面積を９００μｍ２とした場合に、第１開口部４ａの面積を４００μｍ２以上とすればよい。
【００５４】
次に、絶縁膜４上に、貫通穴３ｂに対応する位置に開口部を有するレジストパターン（図示せず）が形成され、ドライエッチング処理、イオンミリングにより、誘電体膜３に貫通穴３ｂが形成され、その後、レジストパターンが除去される（図４の（ｃ））。続いて、平坦化膜１ｃの両端部にある誘電体膜３が除去され、めっき層２ｂの表面が露出される。
【００５５】
次に、絶縁膜４の表面、絶縁膜４の第１開口部４ａの内壁面、第２開口部４ｂの内壁面、誘電体膜３に形成される貫通穴３ｂの内壁面、露出しているめっき層２ｂの表面及び露出している下部電極部２、誘電体膜３の表面を覆うようにシード層５ａが成膜される（図５の（ａ））。そして、上部電極部５のめっき層５ｂ及び給電用電極パッド６のめっき層５ｂを形成すべき位置にそれぞれ切欠きを有するレジストパターン（図示せず）がシード層５ａ上に形成される。
【００５６】
次に、電解めっき法により、露出しているシード層５ａ上にめっき層５ｂが形成され、続いてレジストパターンが除去される（図５の（ｂ））。そして、露出しているシード層５ａが除去される。こうして上部電極部５が得られると同時に、下部電極部２に接触する給電用電極パッド６が得られる（図５の（ｃ））。続いて、キャパシタ部１１の上に、封止膜１３を形成する（図６）。封止膜１３は、例えば感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂をスピンコート法などによって塗布し、この感光性樹脂に対して露光及び現像を順次行った後、感光性樹脂を加熱硬化させることによって形成することができる。
【００５７】
次に、基材本体部１Ｂを薄肉化（バックグラインド）して基板本体部１ｂとする。このとき、複数の本体部１００Ａが一体的につながっている場合には、ダイシングにより各本体部１００Ａを分割して個片化する。こうして本体部１００Ａが得られる。
【００５８】
最後に、本体部１００Ａの両端部に下地電極を形成した後、例えばバレルめっきにより本体部１００Ａの両端部に外部接続端子１００Ｂ，１００Ｃを形成する。このとき、下地電極は、互いに分離するように形成する。具体的には、一方の下地電極は、上部電極部５に接触させ、他方の下地電極は給電用電極パッド６に接触させるようにする。これにより、上部電極部５に接触した外部接続端子１００Ｂ、給電用電極パッド６に接触した外部接続端子１００Ｃが得られる（図１）。以上のようにして電子部品１００の製造が完了する。
【００５９】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る電子部品の第２実施形態について図７〜図１２を参照して説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００６０】
図７は、本発明の電子部品の第２実施形態を示す断面図である。図７に示すように、電子部品２００は、本体部１００Ａに代えて本体部２００Ａが用いられている点で電子部品１００と相違する。ここで、本体部２００Ａは、基板１の主面１ａ上に、キャパシタ部１１に電気的に接続されるインダクタ部２０１をさらに有する点で、電子部品１００における本体部１００Ａと相違する。これにより、電子部品２００は、ＬＣフィルタ（ＬＣ回路部品）として機能することが可能となる。このとき、電子部品２００においては、キャパシタ部１１において絶縁破壊電圧を高くすることが可能となる。このため、印加しうる限界電圧を高くすることができ、汎用性の高いものとすることができる。
【００６１】
インダクタ部２０１について詳細に説明する。図７に示すように、インダクタ部２０１は、基板１の主面１ａ上に設けられるスパイラル状のコイル部２０２と、コイル部２０２を覆う誘電体膜３と、誘電体膜３上に設けられる絶縁膜４と、絶縁膜４に設けられ、コイル部２０２と電気的に接続される引出し導体部２０３とを有している。コイル部２０２は、基板１の主面１ａ上に接触して設けられるシード層２ａと、シード層２ａ上に設けられるめっき層２ｂとで構成されている。引出し導体部２０３は、コイル部２０２のめっき層２ｂに接触するシード層５ａと、シード層５ａ上に設けられるめっき層５ｂとで構成されている。外部接続端子１００Ｂは、引出し導体部２０３に接触し、外部接続端子１００Ｃは、給電用電極パッド６に接触している。
【００６２】
次に、電子部品２００の製造方法について図８〜図１２を参照して説明する。
【００６３】
図８〜図１２は、電子部品２００の製造方法の一例を切断面端面図により示す工程図である。
【００６４】
まず、基材本体部１Ｂの上に例えばスパッタリング法を用いて、平坦化膜となるアルミナ膜が形成され、アルミナ膜が例えばＣＭＰによって平坦化処理されて平坦化膜１ｃが形成される。そして、平坦化膜１ｃ上にシード層２ａが形成される（図８の（ａ））。シード層２ａは、チタン層又はクロム層、及びＣｕ層が積層された構成を有しており、平坦化膜２ａ上に各層がスパッタリング法により順次成膜される。続いて、感光性樹脂を用いてシード層２ａ上にレジストパターン４０が形成され（図８の（ｂ））、レジストパターン４０をマスクとして用いた電解めっきによりめっき層２ｂが形成される（図８の（ｃ））。
【００６５】
めっき層２ｂの形成の後、レジストパターン４０は除去される（図９の（ａ））。そして、めっき層２ｂによって覆われていない部分のシード層２ａがイオンミリング又はウェットエッチングにより除去され、コイル部２０２及び下部電極部２を有する下部導体層が形成される（図９の（ｂ））。次いで、下部導体層の表面全体を覆うとともに、平坦化膜１ｃの表面である主面１ａを覆うように、誘電体膜３が一体的に形成される（図９の（ｃ））。誘電体膜３は、例えばスパッタリング法により形成される。
【００６６】
続いて、誘電体膜３上に、上部電極部５が形成される位置に誘電体膜３を露出させる第１開口部４ａが形成され、給電用電極パッド６が形成される位置に第２開口部４ｂが形成され、引出し導体部２０３とコイル部２０２との連結部が形成される位置に第３開口部４ｃが形成されるようにパターン化された絶縁膜４が形成される（図１０の（ａ））。絶縁膜４は、例えば、誘電体膜３上に感光性樹脂層を形成し、パターン露光及び現像によりこれをパターン化する工程と、パターン化された感光性樹脂層を加熱する工程とを経て形成される。感光性樹脂層の加熱により、耐熱性に優れた絶縁膜４が得られる。感光性樹脂を用いることにより、高精細且つ高精度にパターン化された絶縁膜４を低コストで製造することが可能である。
【００６７】
このとき、絶縁膜４の第１開口部４ａ及び第２開口部４ｂの形成方法は第１実施形態と同様である。
【００６８】
絶縁膜４の形成の後、第３開口部４ｃと連通する開口部、及び第２開口部４ｂと連通する開口部が形成されたパターンを有するレジストパターン（図示せず）が、感光性樹脂を用いて形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとするエッチングにより誘電体膜３の一部が除去され、貫通穴３ｂ及び貫通穴３ｃが形成され、その後、レジストパターンが除去される。これにより、貫通穴３ｂが形成される位置において、下部電極部２が露出した状態となる。また、貫通穴３ｃが形成される位置においては、コイル部２０２が露出した状態となる（図１０の（ａ））。
【００６９】
そして、基板１、下部導体層、誘電体膜３及び絶縁膜４から構成される積層体の絶縁膜４側の面上に上部導体層が形成される。上部導体層は、まずシード層５ａをスパッタリング法により形成し（図１０の（ｂ））、めっき層５ｂを形成しない部分を覆うようにレジストパターン（図示せず）を形成した後、露出したシード層５ａ上に電解めっき法によってめっき層５ｂを形成させる。その後、レジストパターンを除去し、続いて、めっき層５ｂによって覆われていない部分のシード層５ａが除去される（図１１）。
【００７０】
その後、引出し導体部２０３、上部電極部５及び給電用電極パッド６を覆うように封止膜１３を形成する。封止膜１３は、第１実施形態と同様にして形成することができる。
【００７１】
次に、基材本体部１Ｂを薄肉化（バックグラインド）して基板本体部１ｂとする。このとき、複数の本体部２００Ａが一体的につながっている場合には、ダイシングにより各本体部２００Ａを分割して個片化する。こうして本体部２００Ａが得られる。
【００７２】
最後に、本体部２００Ａの両端に下地電極を形成した後、例えばバレルめっきにより下地電極上にめっき層を形成させ、本体部２００Ａの両端にそれぞれ外部接続端子１００Ｂ，１００Ｃを形成する。このとき、下地電極は、互いに分離するように形成する。具体的には、一方の下地電極は、引出し導体部２０３に接触させ、他方の下地電極は給電用電極パッド６に接触させるようにする。これにより、引出し導体部２０３に接触した外部接続端子１００Ｂ、給電用電極パッド６に接触した外部接続端子１００Ｃが得られる（図１）。以上のようにして電子部品２００の製造が完了する。
【００７３】
本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記第２実施形態では、インダクタ部が、スパイラル状のコイル部を有するが、インダクタ部はソレノイド状のコイル部であってもよい。即ち、誘電体膜３を取り巻くように設けられるコイル部を有していてもよい。
【００７４】
また、上記第１実施形態において、交点Ａの近傍とは、交点Ａから終端点Ｂまでの間の領域を指すものとされているが、交点Ａの近傍は、交点Ａから、終端点Ｂより交点Ａ寄りの点までの領域であってもよい。
【００７５】
また、上記第１及び第２実施形態では、上部電極部５、下部電極部２、コイル部などの導体部が電解めっき法により形成されているが、これらの導体部は、次のように形成することも可能である。即ち、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等の成膜プロセスを用いて導電材料が成膜された後、導体部を形成する位置と重なるようにレジストパターンが形成され、露出した導電材料が、イオンミリング又はウェットエッチングで除去され、続いてレジストパターンが剥離されて導体部が形成される。
【００７６】
さらに、上記第１および第２実施形態では、絶縁膜４のうち基板１から最も離れた位置にある頂上部Ｐが、下部電極部２と上部電極部５との間の領域外に位置しているが、図１３に示すように、頂上部Ｐが、下部電極部２と上部電極部５との間の領域内に位置していしてもよい。この場合、頂上部Ｐが下部電極部２と上部電極部５との間の領域内に位置しているため、上部電極部５と絶縁膜４との間の接触面積をより大きくすることが可能となる。そのため、電子部品を回路基板等に実装するに際して電子部品に曲げ応力が加わったり、温度サイクルにより絶縁膜４が膨張収縮しても、上部電極部５と絶縁膜４との密着性が高くなっているので、これらの間の剥離を起こしにくくすることができる。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明の内容をより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００７８】
（実施例１）
平坦化処理を施したアルミナ基板上に、ＴｉとＣｕをこの順にスパッタにより成膜してシード層を形成した後、フォトリソグラフィにより、下部電極部を形成するためのレジストパターンを形成した。その後、電解めっき法によりシード層上に、Ｃｕからなるめっき層を形成した。そして、レジストパターンを除去した後、イオンミリングにより、露出している不要部分のシード層を除去した。こうして下部電極部を形成した。
【００７９】
次に、下部電極部及び基板の主面のうち露出している部分を覆うように、誘電体膜として厚さ１００ｎｍの窒化珪素膜をスパッタで形成した。その後、絶縁膜を形成するための材料としての感光性ポリイミド樹脂（ネガ型）をスピンコート法により塗布し、フォトリソグラフィにより、上部電極部形成用開口部と電極パッド形成用開口部を有するレジストパターンを形成した。このとき、レジストパターンは、スピンコートによる塗布後にベークを施し、露光した後、更にベークを施した後現像することで得た。また、上部電極部形成用開口部のうち誘電体膜表面側の開口面積（以下、「キャパシタ開口面積」という）は１８００μｍ２であった。続いて、そのレジストパターンを３００℃で加熱硬化し、絶縁膜を形成した。
【００８０】
続いて、給電用電極パッドを形成するための開口部を有するレジストパターンを形成し、ドライエッチングにより、誘電体膜において、下部電極部が露出するように貫通穴を形成した。その後、レジストパターンを剥離した。
【００８１】
次に、Ｃｒと、Ｃｕをこの順に成膜してシード層を形成した後、上部電極部及び給電用電極パッドを形成するための開口部を有するレジストパターンを形成した。その後、電解めっき法によりシード層上にＣｕからなるめっき層を形成した。このとき、めっき層は、上部電極部のうち下部電極部と重なる部分で且つ基板と平行な面における最大断面積（以下、単に「上部電極面積」という）が３０００μｍ２となるように形成した。
【００８２】
そして、レジストパターンを除去し、続いてウェットエッチングにより、露出している不要部分のシード層を除去した。こうして上部電極部及び給電用電極パッドを形成した。そして、上部電極部及び給電用電極パッド上に感光性ポリイミドをスピンコーティングによって形成して封止膜を形成した。そして、アルミナ基板を薄肉化（バックグラインド）し、続いてダイシングにより個片化して本体部を得た。
【００８３】
そして、本体部の両端にそれぞれＣｒとＣｕをこの順に成膜して下地電極を形成し、バレルめっきにより、下地電極にめっき層を形成した。こうして本体部の両端にそれぞれ外部接続端子を形成した。こうして電子部品を得た。
【００８４】
こうして得られた電子部品について、基板の厚さ方向に沿った断面をＳＥＭで観察したところ、上部電極部５と絶縁膜４の開口部における内壁面との境界線は、誘電体膜側に向かって凸となるように湾曲していた。
【００８５】
（実施例２〜６）
キャパシタ開口面積及び上部電極面積が表１に示す値となるようにしたこと以外は実施例１と同様にして電子部品を得た。
【００８６】
こうして得られた電子部品についても、実施例１と同様にして基板の厚さ方向に沿った断面をＳＥＭで観察したところ、上部電極部５と絶縁膜４の開口部における内壁面との境界線は、誘電体膜側に向かって凸となるように湾曲していた。
【００８７】
（比較例１）
絶縁膜に上部電極形成用開口部を形成した後、さらに酸素アッシングにより上部電極形成用開口部の内壁面の一部を削りとったこと以外は実施例１と同様にして電子部品を得た。このとき、酸素アッシングは、具体的には、１５００ｍｔｏｒｒ、４００Ｗのような条件で行った。そして、本比較例で得られた電子部品について、基板の厚さ方向に沿った断面をＳＥＭで観察したところ、上部電極部５と絶縁膜４の開口部における内壁面との境界線は、誘電体膜と反対側に向かって凸となるように湾曲していた。
【００８８】
（絶縁性能評価）
上記のようにして得られた実施例１〜６及び比較例１の電子部品について、次のようにして絶縁性能の評価を行った。即ち実施例１〜６及び比較例１の電子部品について、マウンタで回路基板に搭載した後、最高温度２８０℃のはんだリフロー炉で配線接続した。その後、−４０℃、３０分保持と８５℃、３０分保持とを繰り返し行うヒートサイクル試験を５００回行った後に絶縁性能試験を行った。絶縁性能試験は、電子部品の両端にある外部接続端子間にＤＣ電圧を印加することにより、上部電極部及び下部電極部間にＤＣ電圧を印加し、そのとき外部接続端子間に流れるリーク電流を測定することにより行った。ＤＣ電圧は、３Ｖ、１０Ｖの２種類の電圧を印加した。結果を表１に示す。なお、表１において、「◎」は、リーク電流が１×１０−１１（Ａ）未満である場合、「○」は、リーク電流が１×１０−１１（Ａ）以上１×１０−9（Ａ）未満である場合、「×」は、リーク電流が１×１０−９（Ａ）以上である場合を示すものである。
【表１】
2009135341.tif 000003
【００８９】
表１に示すように、外部接続端子間に３ＶのＤＣ電圧を印加した場合、実施例１〜６の電子部品は、比較例１の電子部品に比べて、リーク電流は大幅に小さくなり、絶縁性能の点で顕著に優れることが分かった。また、外部接続端子間に１０ＶのＤＣ電圧を印加した場合、実施例１〜４の電子部品は、実施例５，６の電子部品よりも、リーク電流が顕著に小さくなっていることが分かった。このことから、上部電極部５と絶縁膜４の開口部における内壁面との境界線が、誘電体膜側に向かって凸となるように湾曲していると、上記境界線が、誘電体膜と反対側に向かって凸となるように湾曲している場合に比べて顕著にリーク電流が小さくなることがわかった。また、外部接続端子間に高いＤＣ電圧を印加した場合でも、実施例１〜４の電子部品については、実施例５，６の電子部品と比べても、依然として良好な電気特性を発揮していることが確認された。
【００９０】
従って、回路基板への実装に際して、実施例１〜６の電子部品は、比較例１の電子部品に比べて、誘電体膜における亀裂の発生が抑制できていることが考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明に係る電子部品の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図３】図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図４】図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図５】図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図６】図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図７】本発明に係る電子部品の他の実施形態を示す断面図である。
【図８】図７の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図９】図７の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図１０】図７の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図１１】図７の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図１２】図７の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。
【図１３】本発明に係る電子部品のさらに他の実施形態を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１…基板、１ａ…主面、２…下部電極部（第１電極部）、３…誘電体膜、４…絶縁膜、４ａ…開口部、５…上部電極部（第２電極部）、１１…キャパシタ部、２２…境界線、１００，２００…電子部品、２０１…インダクタ部、Ａ…交点、Ｐ…頂上部、Ｂ…終端点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2009135341.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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