(57)【要約】【課題】コストの削減が可能な研磨装置及び研磨装置の調整方法を提供する。【解決手段】平面運動可能なテーブル上に固定された研磨パッドと、上側に径の大きな円周側面及び下側に径の小さな円周側面からなる段差を有する円柱状をなし、径小の円周側面に上下方向に形成された雄ねじ２５を有し、円柱の下端部に半導体基板２９と接触する中板２７を有するハウジング２３、並びに、雄ねじ２５に螺合可能な雌ねじ３５を有し、中板２７の下面に対する張り出し量を調節可能に取り付けられたリテーナリング３１を備えて、研磨パッド１３の上部に平面運動可能に取り付けられた研磨ヘッド２１とを有する。【選択図】図２
2009136979.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面運動可能なテーブル上に固定された研磨パッドと、
上側に径の大きな円周側面及び下側に径の小さな円周側面からなる段差を有する円柱状をなし、前記径小の円周側面に上下方向に形成された雄ねじを有するハウジング、並びに、前記雄ねじに螺合可能な雌ねじを有し、前記ハウジングの下面に対する張り出し量を調節可能に取り付けられたリテーナリングを備えて、前記研磨パッドの上部に平面運動可能に取り付けられた研磨ヘッドと、
を具備していることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
平面運動可能なテーブル上に固定された研磨パッドと、
上側に径の大きな円周側面及び下側に径の小さな円周側面からなる段差を有する円柱状をなし、前記径小の円周側面に上下方向に形成された雄ねじを有し、前記円柱の下端部に被研磨物と接触する中板を有するハウジング、並びに、前記雄ねじに螺合可能な雌ねじを有し、前記中板の下面に対する張り出し量を調節可能に取り付けられたリテーナリングを備えて、前記研磨パッドの上部に平面運動可能に取り付けられた研磨ヘッドと、
を具備していることを特徴とする研磨装置。
【請求項３】
前記リテーナリングは、前記雌ねじの外側で前記ハウジングに対向する上面に、前記径小の円周側面に並行な円周に沿った一定間隔のねじ穴を有し、前記ハウジングは、前記ねじ穴に対向し、前記円周と同一の円周に沿って長く前記ねじ穴より径の大きな長孔を有し、前記リテーナリングは、前記長孔を介して前記ねじ穴に通ずる固定ビスにより前記ハウジングに固定されることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨装置。
【請求項４】
ハウジングとリテーナリングとを有する研磨ヘッドにおいて、前記ハウジングは、前記ハウジングの下側の円周側面に上下方向に形成された雄ねじを有し、前記リテーナリングは、前記雄ねじに螺合可能な雌ねじを有し、前記雄ねじに螺合し、且つ前記ハウジングに固定され、前記ハウジングの下面と前記リテーナリングの下面との間隔を検知する第１の工程と、
前記リテーナリングと前記ハウジングとを固定している固定ビスを緩めて、前記リテーナリングを前記ハウジングに対して回転して繰り出して、前記ハウジングの下面と前記リテーナリングの下面との間隔が所定範囲となる位置に止めて、前記固定ビスを締めて前記リテーナリングと前記ハウジングとを固定する第２の工程と、
を具備していることを特徴とする研磨装置の調整方法。
【請求項５】
前記ハウジングの下面と前記リテーナリングの下面との繰り出し量は、前記ハウジングの前記雄ねじに対する前記リテーナリングの雌ねじの回転数及び回転角度で見積もられることを特徴とする請求項４に記載の研磨装置の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リテーナリングを有する研磨装置及び研磨装置の調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の一つであるＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨）装置（以下、研磨装置という）は、層間絶縁膜の平坦化及びプラグ等の形成時に埋め込み導電膜の余分な部分の選択的な除去等に用いられる。この研磨装置による平坦化は半導体装置で数ｎｍオーダーの平坦性を実現でき、表面欠陥もなく鏡面状態になり、優れた表面状態を形成することができる。
【０００３】
研磨装置は、例えば、回転可能なテーブル上面に弾性体である研磨パッド、及びこの研磨パッドに対向させた被研磨物である半導体基板を保持した研磨ヘッドが配置され、半導体基板の回転する研磨ヘッドからの飛び出しを防止する目的、また、半導体基板の加工均一性を維持する目的で、リテーナリングが配置されている。リテーナリングは、通常、半導体基板と同時に、研磨パッド上面に接触して研磨されるので、研磨前の一定厚さの半導体基板の表面に対して、相対的に後退して行く。
【０００４】
そこで、半導体基板の表面を研磨定盤（テーブル）と接触させる方法によって半導体基板の表面を研磨する研磨装置に具備した半導体基板を位置決めする研磨へッドに設置され、研磨へッドと対向する研磨定盤上の研磨布（研磨パッド）に接触するように設けられた被研磨材保持装置（リテーナリング）であって、研磨布と接触する面とほぼ平行な方向に、複数の異なる色に着色された多層構造を有する被研磨材保持装置（リテーナリング）が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
この開示されたリテーナリングは、研磨されて後退した場合、使用可能な限界を目で見て分かるので、リテーナリングの後退した量を測定する頻度を減らし、研磨装置の稼働率の低下を抑制することが可能となるが、リテーナリングは、使用可能な限界を越えた時点で交換しなければならず、消耗部材としてのリテーナリングが、半導体装置のコストに及ぼす影響を軽減できないという問題を有している。
【特許文献１】特開平１０−２１７１０９号公報（第３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、コストの削減が可能な研磨装置及び研磨装置の調整方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の研磨装置は、平面運動可能なテーブル上に固定された研磨パッドと、上側に径の大きな円周側面及び下側に径の小さな円周側面からなる段差を有する円柱状をなし、前記径小の円周側面に上下方向に形成された雄ねじを有するハウジング、並びに、前記雄ねじに螺合可能な雌ねじを有し、前記ハウジングの下面に対する張り出し量を調節可能に取り付けられたリテーナリングを備えて、前記研磨パッドの上部に平面運動可能に取り付けられた研磨ヘッドとを具備していることを特徴とする。
【０００８】
本発明の別の態様の研磨装置は、平面運動可能なテーブル上に固定された研磨パッドと、上側に径の大きな円周側面及び下側に径の小さな円周側面からなる段差を有する円柱状をなし、前記径小の円周側面に上下方向に形成された雄ねじを有し、前記円柱の下端部に被研磨物と接触する中板を有するハウジング、並びに、前記雄ねじに螺合可能な雌ねじを有し、前記中板の下面に対する張り出し量を調節可能に取り付けられたリテーナリングを備えて、前記研磨パッドの上部に平面運動可能に取り付けられた研磨ヘッドと、を具備していることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の別の態様の研磨装置の調整方法は、ハウジングとリテーナリングとを有する研磨ヘッドにおいて、前記ハウジングは、前記ハウジングの下側の円周側面に上下方向に形成された雄ねじを有し、前記リテーナリングは、前記雄ねじに螺合可能な雌ねじを有し、前記雄ねじに螺合し、且つ前記ハウジングに固定され、前記ハウジングの下面と前記リテーナリングの下面との間隔を検知する第１の工程と、前記リテーナリングと前記ハウジングとを固定している固定ビスを緩めて、前記リテーナリングを前記ハウジングに対して回転して繰り出して、前記ハウジングの下面と前記リテーナリングの下面との間隔が所定範囲となる位置に止めて、前記固定ビスを締めて前記リテーナリングと前記ハウジングとを固定する第２の工程とを具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、コストの削減が可能な研磨装置及び研磨装置の調整方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付している。
【実施例】
【００１２】
本発明の実施例に係る研磨装置及び研磨装置の調整方法について、図１乃至図５を参照しながら説明する。図１は研磨装置を模式的に示す斜視図である。図２は研磨装置の研磨ヘッドを模式的に示す図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３は研磨ヘッド及び被研磨物の関係を模式的に示す図で、図３（ａ）は研磨工程の最初の状態を示す断面図、図３（ｂ）は研磨工程を経た後の状態を示す断面図、図３（ｃ）は図３（ｂ）に対応する被研磨物の位置と圧力の関係を示す図である。図４は研磨ヘッド及び被研磨物の関係を模式的に示す図で、図４（ａ）は、図３（ｂ）の研磨工程後、リテーナリングを下方に移動した状態の研磨ヘッド及び被研磨物の関係を模式的に示す断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）に対応する被研磨物の位置と圧力の関係を示す図である。図５は研磨ヘッド先端部のリテーナリングを限界近くまで下方に移動した状態を模式的に示す断面図である。
【００１３】
図１に示すように、研磨装置１は、下端側のテーブル軸１２を中心にした平面運動可能なテーブル１１上に固定された研磨パッド１３と、研磨パッド１３上に研磨液１７を供給するノズル１５と、上端側の研磨ヘッド軸２２に中心を接続された円板状のハウジング２３、及びハウジング２３の外周側部に螺合されたリテーナリング３１を備えて、研磨ヘッド軸２２を中心にした平面運動可能な研磨ヘッド２１とを備えている。
【００１４】
テーブル１１は、例えば、実質的に剛体で円板状をなし、下端側の中心をテーブル軸１２と接続され、上端側の表面に弾性を有する、例えば、樹脂または樹脂を主材とする研磨パッド１３が固定されている。研磨パッド１３は、テーブル軸１２を中心としたテーブル１１と共に、回転及び回動等の平面運動が可能であり、例えば、回転方向Ｒ１に沿って回転する。なお、回動とは正逆方向に円運動をすることである。
【００１５】
研磨パッド１３の表面に、上方にあるノズル１５から、研磨液１７が一定量ずつ供給される。研磨液１７は、被研磨物の表面と反応する化学成分及び硬質で微細な研磨材（砥粒）等を有する混合物である。なお、研磨パッド１３の表面は、例えば、平坦な研磨面と研磨液１７の移動を促す凹形の溝が形成されていることは差し支えない。
【００１６】
図２に示すように、リテーナリング３１を備えた研磨ヘッド２１は、概略的には、円板状をなしている。図２（ｂ）に示すように、研磨ヘッド２１は、上側の円周側面にハウジング２３、及び下側の円周側面にリテーナリング３１を有している。研磨ヘッド２１は、研磨ヘッド軸２２を中心にした回転及び回動、研磨ヘッド軸２２とは別の軸（図示略）を中心にした揺動等の平面運動が可能であり、例えば、回転方向Ｒ２に沿って回転する。
【００１７】
リテーナリング３１を装着する前のハウジング２３は、上側に径の大きな円周側面及び下側に径の小さな円周側面からなる段差を有している。つまり、円周側面の下端側に、リテーナリング３１の厚さ（水平方向の寸法）に相当する分の切り欠き部２４を有している。研磨ヘッド軸２２に対向するハウジング２３の下端側の切り欠き部２４内側に、吸着用の孔（図示略）の開いた、弾性を有する中板２７が固定されている。図示を省略するが、吸着用の孔は、例えば、ハウジング２３に形成された孔、及び研磨ヘッド軸２２に形成された孔等を通って、真空ポンプ等に接続され、被研磨物を吸着することが可能である。なお、図示を省略するが、ハウジング２３と中板２７との間、中板２７と被研磨物との間、または、中板２７の内部等に、圧力調整が可能なエアバッグ等が配置されることは可能である。また、中板２７を使用しない構成も可能である。
【００１８】
切り欠き部２４のハウジング２３の円周側面に並行な面に、ハウジング２３を取り巻くように、上下方向に例えば、約０．５〜１．０ｍｍピッチを有する雄ねじ２５が形成されている。一方、リテーナリング３１は、内側に、雄ねじ２５に螺合する雌ねじ３５が形成されている。なお、リテーナリング３１は、ポリカーボネイト（ＰＣ）材を使用しているが、その他に、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）材、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）材、フッ素系樹脂、及びセラミクス等を使用することが可能である。
【００１９】
雄ねじ２５と雌ねじ３５は螺合されて、中板２７の下面に接触して配置される被研磨物（例えば、後述の半導体基板２９の被研磨面）が、リテーナリング３１の下面と適する位置関係になるように、例えば、両者が面一となるように、リテーナリング３１は、中板２７から張り出した状態で、ハウジング２３に固定される。
【００２０】
リテーナリング３１のハウジング２３への固定は、固定ビス４５により行われる。ハウジング２３は、リテーナリング３１の厚さの中央部から、鉛直上方に位置するハウジング２３の上面に通ずる、固定ビス４５の雄ねじ部分が移動自在となる長穴４１を有している。長穴４１は、例えば、中心角３０度〜４０度となる円周に沿った長さを有し、同じ円周上に、例えば、４５度の間隔で８個が形成されている。
【００２１】
リテーナリング３１の厚さの中央部には、４５度間隔で８個の固定ビス４５用のねじ穴４３が、長穴４１を介してハウジング２３と接続可能に開けられている。そして、リテーナリング３１は、固定ビス４５によって、ハウジング２３へ固定される。なお、固定ビス４５は、例えば、ステンレス等の金属材、ポリカーボネイト材等を使用可能である。なお、図示を省略するが、リテーナリング３１は、ねじ穴４３を避けた位置に、雌ねじ３５を有する面とこの面に対向する円周側面とを貫通する孔または溝が、研磨工程中の研磨液１７の流れを促すために開けられていることは差し支えない。
【００２２】
次に、研磨装置１のリテーナリング３１の磨耗による後退、及びリテーナリング３１の繰り出しによる研磨ヘッド２１の調整等について説明する。
【００２３】
図３（ａ）に示すように、研磨工程の初期において、半導体基板２９の被研磨面とリテーナリング３１の下面とが、適する位置関係になるように調整され、研磨ヘッド２１の中板２７に吸着された半導体基板２９が、研磨パッド面１３ａ上に置かれる。半導体基板２９の被研磨面とリテーナリング３１の下面とは、ほぼ面一に調整されているが、被研磨物の材質、研磨液１７の種類、テーブル１１及び研磨ヘッド２１の回転数、研磨パッド１３の材質、及び研磨温度等の研磨条件により、必ずしも、面一が最適であるとは限らず、より適する間隔とすることは差し支えない。
【００２４】
研磨工程中、半導体基板２９は、吸着による固定は行われず、テーブル１１の研磨パッド１３と研磨ヘッド２１の中板２７との間に挟まれて、一定の圧力がかけられている。半導体基板２９の被研磨面が、研磨パッド面１３ａに対して相対的な回転運動等を行うことにより、研磨液１７による化学的機械的な研磨は、被研磨面内にわたってほぼ均一に実行される。半導体基板２９は、張り出した状態のリテーナリング３１により研磨ヘッド２１の下面から飛び出すことが抑制されている。
【００２５】
図３（ｂ）に示すように、一連の半導体基板２９を研磨すると、リテーナリング３１の下面は、研磨されて張り出し量が減少（後退）して行き、一定の厚さを有する半導体基板２９の被研磨面に対して、例えば、間隔ｄ１だけ上方に位置するようになる。なお、後退したリテーナリング３１の下面は、上述の研磨条件等により必ずしも水平な面になるとは限らない。
【００２６】
図３（ｃ）に示すように、横軸に半導体基板２９の位置、縦軸に圧力（任意スケール）を取って、間隔ｄ１だけ後退したとき、半導体基板２９の被研磨面を押す研磨パッド面１３ｂの圧力は、半導体基板２９のリテーナリング３１に近い周辺部で高くなり、半導体基板２９の中心部で少し高く、中間部で相対的に低くなる分布を示す。つまり、リテーナリング３１による、研磨パッド面１３ｂの弾性変形を抑制する効果が弱くなる。
【００２７】
圧力の高い部分では、半導体基板２９の被研磨面がより速く研磨され、圧力の低い部分では、半導体基板２９の被研磨面がより遅く研磨されることになり、半導体基板２９の被研磨面が不均一に研磨されることになる。
【００２８】
半導体基板２９の被研磨面に形成される半導体装置（図示略）及び半導体装置の中の被研磨物等により、許容される研磨量の範囲（許容研磨量）が異なるが、所望の特性の半導体装置を得るためには、半導体基板２９全面が許容研磨量内にある必要がある。そこで、半導体基板２９全面が許容研磨量内に収まる半導体基板２９の被研磨面とリテーナリング３１の下面との許容間隔を求めておき、間隔ｄ１が所定範囲である許容間隔を越えないように調整することになる。
【００２９】
間隔ｄ１は、監視されている。間隔ｄ１は、研磨条件が同じなら、半導体基板２９の処理枚数から見積もることが可能である。そして、間隔ｄ１をできるだけ正確に得ようとすると、リテーナリング３１下面と半導体基板２９の被研磨面との間隔を、デプスゲージ等で測定することが可能である。また、リテーナリング３１下面の中板２７またはハウジング２３の下端面に対する張り出し量を、デプスゲージ等で測定することが可能である。
【００３０】
次に、間隔ｄ１が測定または見積もられて、間隔の調整が必要と判断された場合、図４（ａ）に示すように、半導体基板２９の被研磨面とリテーナリング３１の下面とが、研磨工程の初期において調整された状態、つまり、例えば、両者が面一となるように調整される。その結果、リテーナリング３１の下面は、繰り出されて、間隔ｄ１が、リテーナリング３１の上面と対向する切り欠き部２４の下面との間に加えられることになる。
【００３１】
リテーナリング３１の繰り出しは、次のように行われる。例えば、間隔ｄ１が約０．２０ｍｍだけ後退し、この約０．２０ｍｍを調整したい場合、雄ねじ２５と雌ねじ３５のピッチが約０．８０ｍｍとすると、リテーナリング３１は、ハウジング２３の下端方向に繰り出されるように、約９０度回転することにより調整可能となる。具体的には、固定ビス４５を緩めて、ハウジング２３に対してリテーナリング３１が自由に回転できるようにして、リテーナリング３１が固定されていた位置から約９０度回転して、この位置でねじ穴４３に合わせて、長穴４１を介して固定ビス４５を締めることにより行われる。
【００３２】
リテーナリング３１下面の半導体基板２９の被研磨面に対する位置は、半導体基板２９の厚さが分かっているので、リテーナリング３１下面と中板２７との間隔を、例えば、デプスゲージで測定することにより見積もることが可能である。必要に応じて、リテーナリング３１下面と半導体基板２９の被研磨面との間隔を、デプスゲージ等で測定して、微調整を加えることが可能である。この微調整は、固定ビス４５を緩めて必要方向にわずかに回転するだけで、完了することが多い。また、両者が面一でよい場合は、水平方向から、互いに出っ張らないことを光学的に確認する方法も有効である。
【００３３】
図３（ｃ）と同様に、横軸及び縦軸を取って、図４（ｂ）に示すように、半導体基板２９の被研磨面とリテーナリング３１の下面との位置が調整されると、半導体基板２９の被研磨面を押す研磨パッド面１３ｃの圧力は、ほぼ平坦な分布となる。特に、半導体基板２９の周辺部で高くなっていた圧力が解消され、所望の特性の半導体装置を半導体基板２９の全面にわたって得ることが可能となる。
【００３４】
図５に示すように、半導体基板２９の研磨工程を更に続けて、リテーナリング３１をハウジング２３の下端方向に繰り出す調整を繰り返して行くと、リテーナリング３１の上面と切り欠き部２４の下面との間隔ｄ２は大きくなり、リテーナリング３１を雄ねじ２５と雌ねじ３５及び固定ビス４５によって、固定が不可能な限界に達する。逆にいうと、リテーナリング３１の下面は、半導体基板２９の被研磨面に対して、つまり、ハウジング２３の中板２７に対して、研磨の許容度を越えない許容間隔を維持するように調整を続けることにより、１つのリテーナリング３１を使い続けることが可能となる。固定が不可能な限界に達した段階で、リテーナリング３１は、新しいリテーナリング３１と交換される。なお、リテーナリング３１の下面は、半導体基板２９を置かずに研磨パッド１３上等で予備研磨を行うことによって、下面形状を整形することが可能である。
【００３５】
上述したように、研磨装置１は、平面運動可能なテーブル１１上に固定された研磨パッド１３と、上側に径の大きな円周側面及び下側に径の小さな円周側面からなる段差を有する円柱状をなし、径小の円周側面に上下方向に形成された雄ねじ２５を有し、円柱の下端部に半導体基板２９と接触する中板２７を有するハウジング２３、並びに、雄ねじ２５に螺合可能な雌ねじ３５を有し、中板２７の下面に対する張り出し量を調節可能に取り付けられたリテーナリング３１を備えて、研磨パッド１３の上部に平面運動可能に取り付けられた研磨ヘッド２１とを有している。リテーナリング３１は、ハウジング２３の上面に形成された長孔４１を介して、ほぼ鉛直に固定ビス４５で固定される。
【００３６】
その結果、リテーナリング３１の下面が、中板２７またはハウジング２３の下面に対して、すなわち、厚さ一定の半導体基板２９の被研磨面に対して、研磨の許容度を越えない許容間隔を維持するように、容易に調整することが可能である。つまり、この間隔の調整は、ハウジング２３の雄ねじ２５に対して、リテーナリング３１の雌ねじ３５を回転して、繰り出すことにより行われるので、調整方法は簡単である。しかも、雄ねじ２５と雌ねじ３５の関係を維持して繰り出されるので、両者の回転角度に基づいて繰り出し量、更には、繰り出し量を基に張り出し量をほぼ定量的に見積もることが可能である。
【００３７】
また、リテーナリング３１は、固定ビス４５でハウジング２３に固定され、リテーナリング３１の高さが短くなるまで、機能を安定して発揮できるので、交換頻度を減らすことが可能となる。言い換えると、リテーナリング３１は、部材としての活用効率が上げられる。つまり、リテーナリング３１は、簡単な調整方法によって、一定の繰り出し量を繰り返して、短くなるまで安定して使用できるので、研磨装置１が半導体装置のコストに及ぼす影響を低減可能となる。
【００３８】
また、リテーナリング３１は、簡単な機構により繰り出しができ、張り出し量を定量化できる。従って、故障が少なく、研磨装置１の稼働率を低下させることが少ない。
【００３９】
以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００４０】
例えば、本実施例では、長穴は、中心角３０度〜４０度となる円周に沿った長さを有し、同じ円周上に、４５度の間隔で８個形成されている例を示したが、長穴は、より小さな中心角で長さを短く、より大きな中心角で長さを長くしてもよいし、また、個数も８個に限定されることはない。
【００４１】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  ハウジングとリテーナリングとを有する研磨ヘッドにおいて、前記ハウジングは、前記ハウジングの下側の円周側面に上下方向に形成された雄ねじを有し、前記リテーナリングは、前記雄ねじに螺合可能な雌ねじを有し、前記雄ねじに螺合し、且つ前記ハウジングに固定され、前記ハウジングの下面と前記リテーナリングの下面との間隔を検知する第１の工程と、前記リテーナリングと前記ハウジングとを固定している固定ビスを緩めて、前記リテーナリングを前記ハウジングに対して回転して繰り出して、前記ハウジングの下面と前記リテーナリングの下面との間隔が所定範囲となる位置に止めて、前記固定ビスを締めて前記リテーナリングと前記ハウジングとを固定する第２の工程とを具備している研磨装置の調整方法。
【００４２】
（付記２）  前記第１の工程と前記第２の工程とを繰り返して、前記リテーナリングを使用する付記１に記載の研磨装置の調整方法。
【００４３】
（付記３）  前記リテーナリングは、ポリカーボネイトまたは耐磨耗性プラスティックである付記１に記載の研磨装置の調整方法。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施例に係る研磨装置を模式的に示す斜視図。
【図２】本発明の実施例に係る研磨装置の研磨ヘッドを模式的に示す図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図３】本発明の実施例に係る研磨ヘッド及び被研磨物の関係を模式的に示す図で、図３（ａ）は研磨工程の最初の状態を示す断面図、図３（ｂ）は研磨工程を経た後の状態を示す断面図、図３（ｃ）は図３（ｂ）に対応する被研磨物の位置と圧力の関係を示す図。
【図４】本発明の実施例に係る研磨ヘッド及び被研磨物の関係を模式的に示す図で、図４（ａ）は、図３（ｂ）の研磨工程後、リテーナリングを下方に移動した状態の研磨ヘッド及び被研磨物の関係を模式的に示す断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に対応する被研磨物の位置と圧力の関係を示す図。
【図５】本発明の実施例に係る研磨ヘッド先端部のリテーナリングを限界近くまで下方に移動した状態を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１  研磨装置
１１  テーブル
１２  テーブル軸
１３  研磨パッド
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ  研磨パッド面
１５  ノズル
１７  研磨液
２１  研磨ヘッド
２２  研磨ヘッド軸
２３  ハウジング
２４  切り欠き部
２５  雄ねじ
２７  中板
２９  半導体基板
３１  リテーナリング
３５  雌ねじ
４１  長孔
４３  ねじ穴
４５  固定ビス
ｄ１、ｄ２  間隔
Ｒ１、Ｒ２  回転方向
【図１】
2009136979.tif 000003
【図２】
2009136979.tif 000004
【図３】
2009136979.tif 000005
【図４】
2009136979.tif 000006
【図５】
2009136979.tif 000007