(57)【要約】【課題】垂直型のフォトダイオードを採用しながら素子の集積度を向上させることのできるイメージセンサ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】実施例によるイメージセンサは、第１基板のピクセル領域に形成されたトランジスタと、前記第１基板上に配置されて前記トランジスタとそれぞれ繋がる第１金属配線を含む第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に結晶型半導体層と、前記ピクセル領域に対応するように、前記結晶型半導体層にイオン注入して形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードを除いた前記結晶型半導体層に形成されたダミー領域と、前記第１金属配線と繋がるように前記ダミー領域を貫通するビアコンタクトと、前記フォトダイオードと前記ビアコンタクトが電気的に繋がるように、前記結晶型半導体層上に配置された複数の第２金属配線を含む第２絶縁層を含む。【選択図】図１０
2009147318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板のピクセル領域に形成されたトランジスタと、
前記第１基板上に配置されて前記トランジスタとそれぞれ繋がる第１金属配線を含む第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の結晶型半導体層と、
前記ピクセル領域に対応するように前記結晶型半導体層にイオン注入して形成されたフォトダイオードと、
前記フォトダイオードを除いた前記結晶型半導体層に形成されたダミー領域と、
前記第１金属配線と繋がるように前記ダミー領域を貫通するビアコンタクトと、
前記フォトダイオードと前記ビアコンタクトが電気的に繋がるように前記結晶型半導体層上に配置された複数の第２金属配線を含む第２絶縁層を含むイメージセンサ。
【請求項２】
前記ビアコンタクトは金属で形成された請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記ビアコンタクトはＮ型またはＰ型不純物で形成された請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記ビアコンタクトを含む第２絶縁層上に配置された保護層を含む請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
第１基板のピクセル領域にトランジスタを形成する段階と、
前記トランジスタと繋がるように前記第１基板上に第１金属配線を含む第１絶縁層を形成する段階と、
結晶型半導体層を含む第２基板を準備する段階と、
前記結晶型半導体層の内部に選択的にイオン注入工程を行って、前記ピクセル領域に対応する前記結晶型半導体層にはフォトダイオードを形成して、残りの領域にはダミー領域を形成する段階と、
前記第１基板と第２基板をポンディングする段階と、
前記第１基板上に前記結晶型半導体層が残るように前記第２基板を分離する段階と、
前記第１金属配線と繋がるように前記ダミー領域を貫通するビアコンタクトを形成する段階と、
前記フォトダイオードと前記ビアコンタクトが電気的に繋がるように、前記結晶型半導体層上に複数の第２金属配線を含む第２絶縁層を形成する段階を含むイメージセンサの製造方法。
【請求項６】
前記ビアコンタクトを形成する段階は、
前記結晶型半導体層上に前記第１金属配線に対応する前記ダミー領域を選択的に露出させる第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして、前記ダミー領域及び第１絶縁層を選択的に蝕刻して前記第１金属配線を露出させるビアホールを形成する段階と、
前記ビアホールの内部に金属物質を蒸着する段階を含む請求項５に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項７】
前記金属物質は、アルミニウム、銅、コバルト及びタングステンの中で、何れかの一つで形成されることを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項８】
前記ビアコンタクトを形成する段階は、
前記結晶型半導体層上に、前記第１金属配線に対応する前記ダミー領域を露出させる第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第２フォトレジストパターンをイオン注入マスクとして、前記ダミー領域及び第１絶縁層に導電性不純物をイオン注入する段階を含む請求項５に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項９】
前記導電性不純物は、Ｎ型またはＰ型不純物であることを含む請求項８に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１０】
前記第２金属配線を含む第２絶縁層上に保護層を形成する段階を含む請求項５に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１１】
前記フォトダイオードは、ＰＮ接合またはＮＰ接合になるように前記結晶型半導体層にイオン注入して形成されることを特徴とする請求項５に記載のイメージセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイメージセンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
イメージセンサは、光学的映像を電気的信号に変換させる半導体素子として、大きくＣＣＤイメージセンサとＣＭＯＳイメージセンサに分けることができる。
【０００３】
ＣＭＯＳイメージセンサは、単位ピクセル内にフォトダイオードとＭＯＳトランジスタを形成させることで、スイッチング方式で各単位ピクセルの電気的信号を順次に検出して映像を具現する。
【０００４】
ＣＭＯＳイメージセンサは、光信号を受けて電気信号に変えてくれるフォトダイオード領域と、この電気信号を処理するトランジスタが半導体基板に水平に配置される構造である。
【０００５】
水平型ＣＭＯＳイメージセンサによれば、フォトダイオードとトランジスタが基板上に相互水平に接して形成される。このため、フォトダイオード形成のための追加的な領域が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、垂直型のフォトダイオードを採用しながら素子の集積度を向上させることのできるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある態様のイメージセンサは、第１基板のピクセル領域に形成されたトランジスタと、前記第１基板上に配置されて前記トランジスタとそれぞれ繋がる第１金属配線を含む第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に結晶型半導体層と、前記ピクセル領域に対応するように前記結晶型半導体層にイオン注入して形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードを除いた前記結晶型半導体層に形成されたダミー領域と、前記第１金属配線と繋がるように前記ダミー領域を貫通するビアコンタクトと、前記フォトダイオードと前記ビアコンタクトが電気的に繋がるように前記結晶型半導体層上に配置された複数の第２金属配線を含む第２絶縁層を含む。
【０００８】
本発明の別の態様に係るイメージセンサの製造方法は、第１基板のピクセル領域にトランジスタを形成する段階と、前記トランジスタと繋がるように前記第１基板上に第１金属配線を含む第１絶縁層を形成する段階と、結晶型半導体層を含む第２基板を準備する段階と、前記結晶型半導体層内部に選択的にイオン注入工程を行って、前記ピクセル領域に対応する前記結晶型半導体層にはフォトダイオードを形成して、残り領域にはダミー領域を形成する段階と、前記第１基板と第２基板をポンディングする段階と、前記第１基板上に前記結晶型半導体層が残るように前記第２基板を分離する段階と、前記第１金属配線と繋がるように前記ダミー領域を貫通するビアコンタクトを形成する段階と、前記フォトダイオードと前記ビアコンタクトが電気的に繋がるように前記結晶型半導体層上に複数の第２金属配線を含む第２絶縁層を形成する段階を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施例によるイメージセンサの製造方法によれば、回路を含む第１基板とフォトダイオードを含む結晶型半導体層がポンディング工程によって結合されて、垂直型集積を成すことができる。
【００１０】
また、本発明の実施例によれば、第１基板の上部にフォトダイオードが形成されるので、フォトダイオードの焦点距離が短縮されて受光率を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の実施例によって集積されることができる追加的なオンチップ回路は、イメージセンサのパフォーマンスを増加させて、ひいては素子の小型化及び製造コストを低減することができる。
【００１２】
また、本発明の実施例は、垂直型のフォトダイオードを採用しながら単結晶の基板にイオン注入によってフォトダイオードが形成されるので、フォトダイオード内の欠陥を防止することができる。
【００１３】
また、フォトダイオードの光電荷を伝達するためのビアコンタクトが、フォトダイオードが形成された結晶型半導体層に形成されているので、素子の集積化を成すことができる。
【００１４】
また、コンタクトプラグと繋がる第１金属配線上にフォトダイオードが形成されるので、素子の集積化を達成することができる。
【００１５】
また、カラーフィルター及びマイクロレンズが、平坦化された表面上に形成されて、イメージセンサの品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
実施例によるイメージセンサ及びその製造方法を添付された図面を参照して詳しく説明する。
【００１７】
図１０は実施例によるイメージセンサを示す断面図である。
【００１８】
図１０を参照して、第１基板１００のピクセル領域には単位ピクセル毎にトランジスタ１１０が配置される。
【００１９】
前記第１基板１００は単結晶のシリコン基板であり、Ｐ型不純物またはＮ型不純物がドーピングされた基板であることがある。前記第１基板１００にはアクティブ領域及びフィールド領域を定義する素子分離膜が形成されて、ピクセル領域を定義することができる。また、前記アクティブ領域上には、後述されるフォトダイオードと繋がって、受光された光電荷を電気信号に変換するトランスファトランジスタ、リセットトランジスタ、ドライブトランジスタ及びセレクトトランジスタ等を含むトランジスタ１１０が単位ピクセル毎に配置されることができる。前記トランジスタ１１０は、３Ｔｒ、４Ｔｒまたは５Ｔｒ中の一つであることがある。
【００２０】
前記第１基板１００上に、コンタクトプラグ１３０を含む下部絶縁層（Pre-Metal Dielectric: PMD）１２０が配置される。前記コンタクトプラグ１３０は、単位ピクセル毎に配置された前記トランジスタ１１０と電気的にそれぞれ繋がっている。
【００２１】
前記下部絶縁層１２０上に第１金属配線１４０を含む第１絶縁層１５０が配置される。前記第１金属配線１４０は、前記コンタクトプラグ１３０とそれぞれ繋がってフォトダイオード２１０の光電荷を前記トランジスタ１１０に伝達することができる。
【００２２】
前記第１絶縁層１５０上に、フォトダイオード２１０を含む結晶型半導体層２００が配置される。前記結晶型半導体層２００は、前記第１基板１００と同一単結晶のシリコン基板である。例えば、前記結晶型半導体層２００はＰ型基板であることがある。
【００２３】
前記結晶型半導体層２００の内部には、前記第１基板１００のピクセル領域に対応するようにフォトダイオード２１０が配置される。前記フォトダイオード２１０は、Ｎ型不純物及びＰ型不純物からなることができる。
【００２４】
図示されてはないが、前記フォトダイオード２１０は、ＰＮ接合またはＮＰ接合を持つように形成されることができる。または、前記フォトダイオード２１０は、Ｐ型の結晶型半導体層２００にＮ型不純物領域が選択的に形成されて、ピクセル毎に分離した構造であることがある。
【００２５】
前記フォトダイオード２１０は、前記第１基板１００のピクセル領域に対応するように前記結晶型半導体層２００に形成される。よって、前記フォトダイオード２１０を除いた前記結晶型半導体層２００には、ダミー領域２０１が形成されることができる。
【００２６】
前記ダミー領域２０１には、ビアコンタクト２２０が配置されて、前記第１金属配線１４０と電気的に繋がることができる。
【００２７】
前記ビアコンタクト２２０は、前記第１金属配線１４０を露出させるように、前記ダミー領域２０１に形成されたビアホール２０５に金属物質を埋め立てて形成することができる。
【００２８】
または、図７に図示されたところのように、前記ビアコンタクト２３０は、前記第１金属配線１４０と繋がるように、前記ダミー領域２０１及び第１絶縁層１５０に選択的に導電性不純物をイオン注入して形成されることができる。例えば、前記ビアコンタクト２３０は、Ｎ型不純物またはＰ型不純物で形成されることができる。
【００２９】
よって、前記ビアコンタクト２２０は、前記結晶型半導体層２００のダミー領域２０１を貫通して前記第１金属配線１４０と電気的に繋がることができる。
【００３０】
前記ビアコンタクト２２０及びフォトダイオード２１０を含む結晶型半導体層２００に、複数の第２金属配線２４０を含む第２絶縁層２５０が配置される。前記第２金属配線２４０は前記ビアコンタクト２２０上に配置される。
【００３１】
図示されてはないが、前記第２金属配線２４０は、前記フォトダイオード２１０と繋がって、前記フォトダイオード２１０で生成された光電荷を前記ビアコンタクト２２０及び第１金属配線１４０を通じて前記トランジスタ１１０に伝達することができる。
【００３２】
前記第２金属配線２４０を含む第２絶縁層２５０に保護層２６０が配置される。
【００３３】
実施例によるイメージセンサによれば、前記トランジスタを含む第１基板上に前記フォトダイオードを含む結晶型半導体層が形成されて、イメージセンサの垂直型集積を提供することができる。
【００３４】
また、前記結晶型半導体層内部にフォトダイオードが形成されて、フォトダイオードの欠陥を減少させることができる。
【００３５】
また、前記フォトダイオードの光電荷をトランジスタに伝達するビアコンタクトが、前記フォトダイオードが形成された結晶型半導体層に形成されて高集積化を成すことができる。
【００３６】
また、実施例によれば、第１金属配線上部にフォトダイオードが形成されるので、素子の集積化を達成することができる。
【００３７】
図１乃至図１０を参照して、実施例によるイメージセンサの製造方法を説明する。
【００３８】
図１を参照して、第１基板１００のピクセル領域上に第１絶縁層１５０及び第１金属配線１４０が形成される。
【００３９】
前記第１基板１００は単結晶のシリコン基板であり、Ｐ型不純物またはＮ型不純物がドーピングされた基板であることがある。前記第１基板１００にはアクティブ領域及びフィールド領域を定義する素子分離膜が形成されている。また、前記アクティブ領域上には後述されるフォトダイオードと繋がって受光された光電荷を電気信号に変換するトランスファトランジスタ、リセットトランジスタ、ドライブトランジスタ及びセレクトトランジスタ等を含むトランジスタ１１０が単位ピクセル毎に形成されることができる。前記トランジスタ１１０は３Ｔｒ、４Ｔｒまたは５Ｔｒ中の一つであることがある。
【００４０】
前記第１基板１００にはコンタクトプラグ１３０を含む下部絶縁層１２０が形成される。前記下部絶縁層１２０は酸化膜または窒化膜に形成されることができる。前記コンタクトプラグ１３０は前記下部絶縁層１２０を貫通して単位ピクセル毎に形成されたトランジスタ１１０とそれぞれ繋がることができる。
【００４１】
前記コンタクトプラグ１３０を含む下部絶縁層１２０上に第１金属配線１４０を含む第１絶縁層１５０が形成される。前記第１絶縁層１５０は酸化膜または窒化膜で形成されることができる。
【００４２】
前記第１金属配線１４０は、前記コンタクトプラグ１３０上にそれぞれ形成されることができる。前記第１金属配線１４０は、金属、合金またはシリサイドを含む多様な伝導性物質で形成されることができる。例えば、前記第１金属配線１４０は、アルミニウム、銅、コバルトまたはタングステンで形成されることができる。
【００４３】
前記第１金属配線１４０は、単位ピクセル毎に形成されて後述されるフォトダイオード２１０と前記トランジスタ１１０を電気的に連結することができる。よって、前記第１金属配線１４０はフォトダイオードの光電荷を転送する役割をすることができる。
【００４４】
図２を参照して、結晶型半導体層２００を含む第２基板２０を準備する。前記第２基板２０は、単結晶または多結晶のシリコン基板であり、Ｐ型不純物またはＮ型不純物がドーピングされた基板であることがある。前記第２基板２０は、前記第１基板１００と同一面積を持つように形成されることができる。
【００４５】
前記第２基板２０の上部または下部には、結晶型半導体層２００が形成される。前記結晶型半導体層２００は、単結晶または多結晶の構造を持ち、Ｐ型不純物またはＮ型不純物がドーピングされた基板であることがある。実施例では、前記結晶型半導体層２００は、前記第２基板２０の上部領域であることがある。また前記結晶型半導体層２００はＰ型基板であることがある。
【００４６】
前記第２基板２０と前記結晶型半導体層２００の界面に、犠牲層３０が形成される。前記犠牲層３０は、水素イオンをイオン注入して形成されることができる。
【００４７】
前記犠牲層３０の上部領域である前記結晶型半導体層２００に、フォトダイオード２１０が形成される。前記フォトダイオード２１０は、前記ピクセル領域に対応するように前記結晶型半導体層２００に形成されることができる。
【００４８】
前記フォトダイオード２１０は、Ｎ型不純物領域及びＰ型不純物領域を含む。例えば、前記フォトダイオード２１０は、ＮＰ接合またはＰＮ接合構造を持つように、前記結晶型半導体層にイオン注入して形成されたことがある。
【００４９】
図示されてはないが、前記フォトダイオード２１０のＮ型不純物領域は、Ｐ型不純物領域より広い領域を占めるように形成させることで、光電荷生成を向上させることもできる。
【００５０】
図示されてはないが、前記フォトダイオード２１０は、Ｐ型基板である前記結晶型半導体層２００に、Ｎ型不純物を選択的にイオン注入して形成することもできる。即ち、前記Ｐ型の結晶型半導体層２００が選択的に露出するように、フォトレジストパターン（未図示）を形成した後、前記結晶型半導体層２００の深い領域に、Ｎ型不純物を選択的にイオン注入して、前記Ｎ型不純物領域を相互分離することで、前記フォトダイオード２１０が単位ピクセル毎に分離した構造を持つように形成することもできる。
【００５１】
前記フォトダイオード２１０は、前記第１基板１００のピクセル領域に対応するように、前記結晶型半導体層２００内部に形成される。よって、前記結晶型半導体層２００で、前記フォトダイオード２１０領域を除いた残りの領域はダミー領域２０１であることがある。
【００５２】
図３を参照して、前記トランジスタ１１０を含む第１基板１００と前記フォトダイオード２１０を含む第２基板２０が結合される。前記第１基板１００と前記第２基板２０は、ポンディング工程によって結合されることができる。
【００５３】
具体的に、前記第１基板１００の第１絶縁層１５０上部に、前記第２基板２０の上部面であるフォトダイオード２１０の表面を位置させた後、ポンディング工程を行うことができる。前記第１基板１００上部に、フォトダイオード２１０を含む結晶型半導体層２００が結合されて、前記第１基板１００と前記フォトダイオード２１０を含む結晶型半導体層２００は、垂直型構造を持つことができる。
【００５４】
図４を参照して、前記第１基板１００上にフォトダイオード２１０及びダミー領域２０１を含む結晶型半導体層２００が残るように、前記第２基板２０が除去される。この際、前記結晶型半導体層２００と前記第２基板２０の間には犠牲層３０が形成されているので、前記第２基板２０は前記結晶型半導体層２００から分離させることができる。例えば、前記第２基板２０はカッティング工程または劈開（Cleaving）工程によって、前記結晶型半導体層２００から分離させることができる。
【００５５】
よって、前記第１基板１００上には、フォトダイオード２１０及びダミー領域２０１を含む結晶型半導体層２００が残るようになる。
【００５６】
以後、前記フォトダイオード２１０と前記第１基板１００のトランジスタ１１０を連結させるためのビアコンタクト工程を行う。前記ビアコンタクトは、前記第１金属配線１４０と繋がるように、金属物質または不純物領域によって形成されることができる。実施例では、前記金属物質によって形成されるビアコンタクトを第１ビアコンタクト２２０と称して、前記不純物によって形成されるビアコンタクトを第２ビアコンタクト２３０と称する。
【００５７】
図５及び図６を参照して、前記第１ビアコンタクト２２０を形成する方法に対して説明する。
【００５８】
図５を参照して、前記結晶型半導体層２００のダミー領域２０１及び前記第１絶縁層１５０を貫通するビアホール２０５が形成される。前記ビアホール２０５は、前記ダミー領域２０１及び前記第１絶縁層１５０を選択的に除去して前記第１金属配線１４０を露出させることができる。
【００５９】
前記ビアホール２０５を形成するためには、前記第１金属配線１４０に対応する前記結晶型半導体層２００のダミー領域２０１が選択的に露出されるように、第１フォトレジストパターン３１０を形成する。図示されてはないが、前記第１フォトレジストパターン３１０の代わりに酸化膜を利用してハードマスクパターンを形成することもできる。そして、前記第１フォトレジストパターン３１０を蝕刻マスクとして、前記ダミー領域２０１及び前記第１絶縁層１５０を蝕刻する。これによって、前記結晶型半導体層２００及び前記第１絶縁層１５０を貫通して、前記第１金属配線１４０を露出させるビアホール２０５が形成される。
【００６０】
以後、前記第１フォトレジストパターン３１０は、エッチング工程によって除去される。
【００６１】
図６を参照して、前記ビアホール２０５内部に、第１ビアコンタクト２２０が形成される。前記第１ビアコンタクト２２０は、前記ビアホール２０５の内部に金属物質を埋め立てて形成することができる。
【００６２】
前記第１ビアコンタクト２２０は、前記ビアホール２０５を含む結晶型半導体層２００に、金属、合金またはシリサイドを含む多様な伝導性物質を蒸着した後、ＣＭＰ工程を行って形成することができる。例えば、前記第１ビアコンタクト２２０は、アルミニウム、銅、コバルトまたはタングステンで形成されることができる。
【００６３】
このようにすることで、前記第１ビアコンタクト２２０は、前記第１ビアホール２０５内部に形成されて、前記第１金属配線１４０と電気的に繋がることができる。
【００６４】
図７を参照して、前記第２ビアコンタクト２３０を形成する方法を説明する。
【００６５】
図７を参照して、前記結晶型半導体層２００上に、前記第１金属配線１４０に対応する前記ダミー領域２０１を選択的に露出させる第２フォトレジストパターン３２０が形成される。そして、前記第２フォトレジストパターン３２０をイオン注入マスクとして、前記ダミー領域２０１及び第１絶縁層１５０に導電性不純物をイオン注入する。例えば、前記ダミー領域２０１及び第１絶縁層１５０に注入されるイオンは、Ｎ型またはＰ型不純物であることがある。よって、前記結晶型半導体層２００のダミー領域２０１及び第１絶縁層１５０には、第２ビアコンタクト２３０が形成されて、前記第１金属配線１４０と電気的に繋がることができる。
【００６６】
前記のように、第１または第２ビアコンタクト２２０、２３０が、前記フォトダイオード２１０が形成された結晶型半導体層２００のダミー領域２０１に形成されるので、素子の集積化を成すことができる。
【００６７】
また、前記フォトダイオード２１０を除いた残りの前記結晶型半導体層２００を除去するための別途の工程が省略されるので、工程を単純化させることができる。
【００６８】
また、前記フォトダイオード２１０の周辺にダミー領域２０１が形成されて、前記フォトダイオード２１０が平坦化された表面を持つので、後続工程であるカラーフィルター（未図示）及びマイクロレンズ（未図示）の形成が容易になる。
【００６９】
一方、図示されてはないが、前記第１ビアコンタクト２２０を形成するためのビアホールの形成時に、前記フォトダイオード２１０を単位ピクセル毎に分離するトレンチが形成されることもできる。または、前記第２ビアコンタクト２３０を形成するためのイオン注入の工程時に、前記フォトダイオード２１０を単位ピクセル毎に分離するイオン注入領域が形成されることもできる。
【００７０】
以下の実施例では、金属物質で形成された第１ビアコンタクト２２０を例にして説明することにする。
【００７１】
図８を参照して、前記第１ビアコンタクト２２０を含む結晶型半導体層２００上に、第２金属配線２４０を含む第２絶縁層２５０が形成される。前記第２金属配線２４０は、前記第１ビアコンタクト２２０と前記フォトダイオード２１０を連結するためのものである。前記第２金属配線２４０は、金属、合金またはシリサイドを含む多様な伝導性物質で形成されることができる。例えば、前記第２金属配線２４０は、アルミニウム、銅、コバルトまたはタングステンで形成されることができる。
【００７２】
前記第２金属配線２４０は、前記第１ビアコンタクト２２０を含む結晶型半導体層２００に金属物質を蒸着した後、パターニングして前記第１ビアコンタクト２２０とそれぞれ繋がるように形成することができる。図示されてはないが、前記第２金属配線２４０は、前記フォトダイオード２１０と繋がるようにパターニングされることができる。即ち、平面視で、前記フォトダイオード２１０と前記第２金属配線２４０は繋がった状態であることがある。
【００７３】
または、前記第２金属配線２４０は、図９に図示されているように、前記第１ビアコンタクト２２０の上部から前記フォトダイオード２１０の上部まで延長された形態でパターニングされることもできる。
【００７４】
図示されてはないが、前記第２金属配線２４０は、前記フォトダイオード２１０の一部領域と繋がって、前記フォトダイオード２１０のグラウンドコンタクトの役割をすることもできる。
【００７５】
よって、前記フォトダイオード２１０で生成された光電子は、前記第２金属配線２４０、第１ビアコンタクト２２０及び第１金属配線１４０を通じて前記トランジスタ１１０に伝達されることができるようになる。
【００７６】
前記第２絶縁層２５０は、前記第２金属配線２４０の間を絶縁させるためのもので、酸化膜または窒化膜で形成されることができる。
【００７７】
図１０を参照して、前記第２金属配線２４０を含む第２絶縁層２５０上に保護層２６０が形成される。前記保護層２６０は、前記第２金属配線２４０及びフォトダイオード２１０を含む素子を保護するためのものである。例えば、前記第２金属配線２４０は、酸化膜または窒化膜で形成され、又は、前記酸化膜と窒化膜が積層された構造で形成されることができる。
【００７８】
図示されてはないが、前記保護層２６０上にカラーフィルター及びマイクロレンズが形成されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図２】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図３】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図４】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図５】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図６】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図７】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図８】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図９】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【図１０】実施例によるイメージセンサの製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００８０】
２０  第２基板、  ３０  犠牲層、  １００  第１基板、  １１０  トランジスタ、  １２０  下部絶縁層、  １３０  コンタクトプラグ、  １４０  第１金属配線、  １５０  第１絶縁層、  ２００  結晶型半導体層、  ２０１  ダミー領域、  ２０５  第１ビアホール、  ２１０  フォトダイオード、  ２２０  第１ビアコンタクト、  ２３０  第２ビアコンタクト、  ２４０  第２金属配線、  ２５０  第２絶縁層、  ２６０  保護層、  ３１０  第１フォトレジストパターン、  ３２０  第２フォトレジストパターン。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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