(57)【要約】【課題】表示性能の低下を防止する有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】マトリクス状に配列した複数の表示画素ＰＸを有する第１基板を備え、表示画素ＰＸは、表示画素ＰＸが配列する列と略平行な第１方向Ｄ１に交互に配置された第１および第２表示画素ＰＸＡ、ＰＸＢを有し、第１および第２表示画素ＰＸＡ、ＰＸＢのそれぞれは、電流の大きさに応じて所定の輝度で発光する表示素子４０と、表示素子４０を駆動する駆動スイッチＤＳＷと、駆動スイッチＤＳＷのゲート―ソース間に接続された画素容量Ｃｐｘと、を有し、画素容量Ｃｐｘは絶縁層を介して対向して配置された第１電極ＣＥ１と第２電極ＣＥ２とを有し、第１表示画素ＰＸＡの画素容量Ｃｐｘは、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの一方の境界近傍に、第２表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘは一方の境界近傍に配置され、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとは第２電極ＣＥ２を共有している。【選択図】図１
2009063930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配列した複数の表示画素を有する第１基板を備え、
前記複数の表示画素は、前記表示画素が配列する列と略平行な第１方向に交互に配置された第１表示画素および第２表示画素を有し、
前記第１表示画素および前記第２表示画素のそれぞれは、電流の大きさに応じて所定の輝度で発光する表示素子と、前記表示素子を駆動する駆動スイッチと、前記駆動スイッチのゲート―ソース間に接続された画素容量と、を有し、
前記画素容量は、絶縁層を介して対向して配置された第１電極と第２電極とを有し、
前記第１表示画素の前記画素容量は、前記第１表示画素と前記第２表示画素との一方の境界近傍に配置され、
前記第２表示画素の前記画素容量は前記一方の境界近傍に配置され、
前記第１表示画素と前記第２表示画素との前記画素容量は、前記第２電極を共有している有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は、絶縁層を介して前記第１電極を挟むように配置された２つの導電層を有し、
前記２つの導電層は、前記絶縁層に設けられた第１コンタクトホールによって互いに接続し、
前記第１コンタクトホールは、前記第１表示画素の前記画素容量と前記第２表示画素の前記画素容量とに共有されている請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１表示画素の表示素子と前記第２表示画素の表示素子とは、前記表示画素が配列する行に略平行な第２方向に並んで配置され、
前記第１表示画素と前記第２表示画素とは、前記表示素子の陰極と、前記表示素子の駆動信号が印加される電極とを接続させるための第２コンタクトホールを共有している請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記複数の表示画素は、前記表示画素が配列する行に略平行な第２方向において前記第１表示画素と交互に配置された第３表示画素と、前記第２方向において前記第２表示画素と交互に配置された第４表示画素と、をさらに有し、
前記第３表示画素と前記第４表示画素とのそれぞれは、電流の大きさに応じて所定の輝度で発光する表示素子と、前記表示素子を駆動する駆動スイッチと、前記駆動スイッチのゲート―ソース間に接続された画素容量と、を有するとともに、前記第１方向において交互に配置され、
前記第３表示画素と前記第４表示画素との前記画素容量は、前記第２方向において前記一方の境界と並ぶ前記第３表示画素と前記第４表示画素との境界近傍に配置され、
前記第１表示画素乃至前記第４表示画素の前記画素容量は、前記第２電極を共有している請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第２電極は、絶縁層を介して前記第１電極を挟むように配置された２つの導電層を有し、
前記２つの導電層は前記絶縁層に設けられた第１コンタクトホールによって互いに接続し、
前記第１コンタクトホールは、前記第１表示画素乃至前記第４表示画素のそれぞれの前記画素容量に共有されている請求項４記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第３表示画素の表示素子と前記第４表示画素の表示素子とは、前記第２方向において並んで配置され、
前記第３表示画素と前記第４表示画素とは、前記表示素子の陰極と、前記表示素子の駆動信号が印加される電極とを接続させるための第２コンタクトホールを共有している請求項４記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等のディスプレイに比べて高速応答及び広視野角化が可能な自己発光型のディスプレイとしてエレクトロルミネセンス（ＥＬ：electroluminescence）表示装置の開発が盛んに行われている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示パネルと有機ＥＬ表示パネルを駆動する駆動回路とから構成される。
【０００３】
有機ＥＬ表示パネルは、ガラス等の支持基板上に、表示画素をマトリクス状に配置して構成される表示部を有するアレイ基板と、アレイ基板と対向して配置される封止基板とを備えている。
【０００４】
従来、表示画素に採用する回路としてカレントコピー型の回路を採用した有機ＥＬ表示装置が提案されている（特許文献１参照）。カレントコピー型の画素は、駆動制御素子である駆動スイッチと、有機ＥＬ素子と、キャパシタとを含んでいる。
【０００５】
駆動スイッチのソース電極は低電位の電源線に接続されており、キャパシタは駆動スイッチのゲート電極と電源線との間に接続されている。また、有機ＥＬ素子の陽極は、より高電位の電源線に接続されている。
【０００６】
この表示画素を駆動する際には、駆動スイッチのドレイン電極とゲート電極とを接続し、この状態で駆動スイッチのドレイン―ソース間に映像信号に対応した大きさの電流を流す。この動作により、キャパシタの両電極間の電圧は、駆動スイッチのチャネルに電流を流すのに必要なゲート―ソース間電圧に設定される。
【０００７】
次に、駆動スイッチのドレイン電極とゲート電極との接続を断ち、キャパシタの両電極間の電圧を保持させる。続いて、駆動スイッチのドレイン電極を有機ＥＬ素子の陰極に接続する。これにより、有機ＥＬ素子には、映像信号に対応した電流とほぼ等しい大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子は、この駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【０００８】
このように、上記のカレントコピー型回路を画素に採用すると、書込期間において映像信号として供給した電流とほぼ等しい大きさの駆動電流を、書込期間に続く保持期間においても駆動スイッチのドレイン電極とソース電極との間に流すことができる。そのため、駆動スイッチの閾値だけでなく移動度や寸法などが駆動電流に与える影響も排除することができる。
【特許文献１】米国特許第６３７３４５４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のカレントコピー型の回路を表示画素に用いた場合、それぞれの表示画素に一つの画素容量が設けられる。しかし、限られた画素サイズの中で、駆動に必要なスイッチング素子、画素容量、配線等を盛り込むには限界がある。
【００１０】
特に、高精細表示のための表示画素では画素サイズが小さく、画素容量を十分に設けることができないために、駆動スイッチのゲート電位が不安定となり、スイッチング素子の切替の際に生じる突き上げやリークにより変化する場合がある。さらに、駆動スイッチのゲート電位が変化すると、有機ＥＬ素子に所望の電流が流すことができず、所望の有機ＥＬ素子の輝度が実現できない場合があった。
【００１１】
本発明は上記問題点に鑑みて成されたものであって、画素容量を増大させることによって、突き上げやリークによる駆動スイッチのゲート電位変化を抑え、表示性能の低下を防止する有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の態様による有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配列した複数の表示画素を有する第１基板を備え、前記複数の表示画素は、前記表示画素が配列する列と略平行な第１方向に交互に配置された第１表示画素および第２表示画素を有し、前記第１表示画素および前記第２表示画素のそれぞれは、電流の大きさに応じて所定の輝度で発光する表示素子と、前記表示素子を駆動する駆動スイッチと、前記駆動スイッチのゲート―ソース間に接続された画素容量と、を有し、前記画素容量は、絶縁層を介して対向して配置された第１電極と第２電極とを有し、前記第１表示画素の前記画素容量は、前記第１表示画素と前記第２表示画素との一方の境界近傍に配置され、前記第２表示画素の前記画素容量は前記一方の境界近傍に配置され、前記第１表示画素と前記第２表示画素との前記画素容量は、前記第２電極を共有している。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、画素容量を増大させることによって、突き上げやリークによる駆動スイッチのゲート電位変化を抑え、表示性能の低下を防止する有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照して説明する。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配列した複数の表示画素ＰＸから構成される表示部を有するアレイ基板（図示せず）と、アレイ基板と対向して配置された封止基板（図示せず）とを有している。
【００１５】
図１および図２に示すように、表示部には表示画素ＰＸが配列する列に沿って信号線ＳＬおよび電源線ＰＬが配置されている。表示画素ＰＸが配列する行に沿って第１走査線ＳＧおよび第２走査線ＢＧが配置されている。
【００１６】
複数の表示画素ＰＸは、図１に示すように第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとを有している。表示画素ＰＸＡと表示画素ＰＸＢとは信号線ＳＬが延びる方向（図１および図２に示す第１方向Ｄ１）に交互に並んで配置されている。
【００１７】
第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとのそれぞれは、電流の大きさに応じて所定の輝度で発光する表示素子としての有機ＥＬ素子４０と、有機ＥＬ素子４０を駆動する駆動スイッチとしての第１スイッチＤＳＷと、第１スイッチＤＳＷのゲート―ドレイン間の接続を切替える切替スイッチとしての第２スイッチＳＳＷおよび第３スイッチＴＳＷと、第１スイッチＤＳＷと有機ＥＬ素子４０との間に配置された輝度制御スイッチとしての第４スイッチＣＳＷと、第１スイッチＤＳＷのゲート―ソース間に接続された画素容量Ｃｐｘと、を有している。
【００１８】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとにおいて、第１スイッチＤＳＷ、第２スイッチＳＳＷ、第３スイッチＴＳＷおよび画素容量Ｃｐｘは、第１走査線ＳＧおよび第２走査線ＢＧが延びる方向（図１および図２に示す第２方向Ｄ２）に対して略線対称となるように配置されている。
【００１９】
第１表示画素ＰＸＡの画素容量Ｃｐｘは、図２に示すように、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの一方の境界Ｂ１近傍に配置されている。すなわち、第１表示画素ＰＸＡの画素容量Ｃｐｘは、図面の下方向において隣接して配置された第２表示画素ＰＸとの境界Ｂ１近傍に配置されている。
【００２０】
第２表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘは、第１表示画素ＰＸＡの画素容量Ｃｐｘが近傍に配置された境界Ｂ１の近傍に配置されている。すなわち、第２表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘは、図面の上方向において隣接して配置された第１表示画素ＰＸＡとの境界Ｂ１近傍に配置されている。したがって、第１表示画素ＰＸＡの画素容量Ｃｐｘと第２表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘとは、図２に示すように隣合うように配置されている。
【００２１】
第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとのそれぞれの画素容量Ｃｐｘは、第１スイッチＤＳＷのゲート電極に接続された第１電極ＣＥ１と、第１電極ＣＥ１と対向して配置され第１スイッチＤＳＷのソース電極に接続された第２電極ＣＥ２とを有している。
【００２２】
さらに、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図３に示すように、画素容量Ｃｐｘの第２電極ＣＥ２を２つの導電層ＣＥ２Ｕ、ＣＥ２Ｄによって構成し、画素容量Ｃｐｘを大きくしている。これら２つの導電層ＣＥ２Ｕ、ＣＥ２Ｄは、絶縁層Ｌ１、Ｌ２を介して第１電極ＣＥ１を挟むように配置されている。
【００２３】
すなわち、導電層ＣＥ２Ｕは絶縁層Ｌ２（ＳｉＯ２）を介して第１電極ＣＥ１と対向して配置されている。導電層ＣＥ２Ｄは、絶縁層Ｌ１（ＴＥＯＳ（tetraethoxyorthosilane））を介して第１電極ＣＥ１と対向して配置されている。２つの導電層ＣＥ２Ｕ、ＣＥ２Ｄは絶縁層Ｌ１、Ｌ２に設けられた第１コンタクトホールＨＬ１によって接続している。
【００２４】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図１および図２に示すように、第１表示画素ＰＸＡの画素容量Ｃｐｘと第２表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘとは、第２電極ＣＥ２を共有している。すなわち、第２電極ＣＥ２は、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとに渡って配置されている。
【００２５】
さらに、第１コンタクトホールＨＬ１は、第１表示画素ＰＸＡの画素容量Ｃｐｘと、第２表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘとに共有されている。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第１コンタクトホールＨＬ１は、図２に示すように、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの境界上に配置されている。
【００２６】
第２スイッチＳＳＷおよび第３スイッチＴＳＷのゲート電極は、第１走査線ＳＧに接続されている。第２スイッチＳＳＷのソース電極は信号線ＳＬに接続され、ドレイン電極は、第３スイッチＴＳＷのソース電極および第１スイッチＤＳＷのドレイン電極に接続されている。第３スイッチＴＳＷのドレイン電極は、画素容量Ｃｐｘの第１電極ＣＥ１と第１スイッチＤＳＷのゲート電極とに接続されている。
【００２７】
第１スイッチＤＳＷのドレイン電極は、第４スイッチＣＳＷのソース電極に接続されている。第４スイッチＣＳＷのゲート電極は第２走査線ＢＧに接続されている。第４スイッチＣＳＷのドレイン電極ＥＤは有機ＥＬ素子４０の陰極Ｅ１に接続されている。
【００２８】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第２方向Ｄ２において、第１表示画素ＰＸＡの第４スイッチＣＳＷと有機ＥＬ素子４０とは信号線ＳＬ側に配置され、第２表示画素ＰＸＢの第４スイッチＣＳＷと有機ＥＬ素子４０とは電源線ＰＬ側に配置されている。
【００２９】
また、第１表示画素ＰＸＡの有機ＥＬ素子４０は、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの他方の境界Ｂ２近傍に配置されている。すなわち、第１表示画素ＰＸＡの有機ＥＬ表示素子４０は、図面の上方向において隣接して配置された第２表示画素ＰＸＢとの境界Ｂ２近傍に配置されている。
【００３０】
第２表示画素ＰＸＢの有機ＥＬ素子４０は、第１表示画素ＰＸＡの有機ＥＬ素子４０が近傍に配置された第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの境界Ｂ２近傍に配置されている。すなわち、第２表示画素ＰＸＢの有機ＥＬ素子４０は、図面の下方向において隣接して配置された第１表示画素ＰＸＡとの境界Ｂ２近傍に配置されている。
【００３１】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図４に示すように、第１表示画素ＰＸＡおよび第２表示画素ＰＸＢの有機ＥＬ素子４０は、境界Ｂ２近傍において、第２方向Ｄ２に並ぶように配置されている。
【００３２】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図４および図５に示すように、第４スイッチＣＳＷのドレイン電極ＥＤと有機ＥＬ素子４０の陰極Ｅ１とが接続されている。したがって、有機ＥＬ素子４０には、第４スイッチＣＳＷのドレイン電極から有機ＥＬ素子４０の駆動信号が入力される。
【００３３】
第４スイッチＣＳＷのドレイン電極ＥＤと有機ＥＬ素子４０の陰極Ｅ１とは、図５および図６に示すように、第４スイッチＣＳＷのドレイン電極の上層に配置された絶縁層Ｌ３に設けられた第２コンタクトホールＨＬ２によって接続されている。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第２コンタクトホールＨＬ２は、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢによって共有されている。
【００３４】
上記の第１表示画素ＰＸＡおよび第２表示画素ＰＸＢを駆動する場合には、まず、第１走査線ＳＧに第２スイッチＳＳＷおよび第３スイッチＴＳＷのソース―ドレイン間を導通させる選択信号を印加する。そうすると、第２スイッチＳＳＷおよび第３スイッチＴＳＷのソース―ドレイン間が導通し、第１スイッチＤＳＷのゲート―ドレイン間が接続される。
【００３５】
この状態で、信号線ＳＬから第１スイッチＤＳＷのゲート―ドレイン間に映像信号に対応した大きさの電流を流す。このことによって、画素容量Ｃｐｘの第１電極ＣＥ１と第２電極ＣＥ２との間の電圧は、第１スイッチＤＳＷのソース―ドレイン間に映像信号に対応した大きさの電流を流すために必要なゲート―ソース間電圧に設定される。
【００３６】
次に、第１走査線ＳＧに第１スイッチＤＳＷのドレイン電極とゲート電極との接続を断つための選択信号を印加する。そうすると、画素容量Ｃｐｘの第１電極ＣＥ１と第２電極ＣＥ２との間の電圧が保持される。
【００３７】
この状態で、第２走査線ＢＧに第４スイッチＣＳＷのソース―ドレイン間を接続させるための選択信号を印加する。そうすると、第４スイッチＣＳＷのドレイン電極ＥＤが有機ＥＬ素子４０の陰極Ｅ１に接続される。これによって、有機ＥＬ素子４０には、映像信号に対応した大きさの電流とほぼ等しい大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子４０は、この駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００３８】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、上記のように第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの画素容量Ｃｐｘの第２電極ＣＥ２を共有とすることによって、第１表示画素ＰＸＡおよび第２表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘを大きくしている。
【００３９】
すなわち、画素容量Ｃｐｘの容量は、第１電極ＣＥ１と第２電極ＣＥ２とが対向している面積に比例する。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の場合、画素容量Ｃｐｘの容量は第１電極ＣＥ１の面積に比例する。
【００４０】
ここで、上記のように第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの画素容量Ｃｐｘに第２電極ＣＥ２を共有させることによって、第１方向Ｄ１における第１電極ＣＥ１の幅Ｌｇｈを大きくすることができる。
【００４１】
例えば、図９に示すように、表示画素の構成の配置が同じである表示画素ＰＸを配列させた場合、信号線ＳＬが延びる方向における第１電極ＣＥ１の幅Ｌｇｈは配線同士の間隔Ａ１および第１電極ＣＥ１と第２電極ＣＥ２とのあわせ幅Ａ２によって制限される。すなわち、図９に示す場合では、第１電極ＣＥ１の幅Ｌｇｈは、一表示画素あたり（配線同士の間隔Ａ１×４＋あわせ幅Ａ２×２）／２だけ制限されることとなる。
【００４２】
これに対し、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図２に示すように、第１電極ＣＥ１の幅Ｌｇｈは配線同士の間隔Ａ１、第１電極ＣＥ１と第２電極ＣＥ２とのあわせ幅Ａ２、および第１電極ＣＥ１同士の間隔Ａ３によって制限される。すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第１電極ＣＥ１の幅Ｌｇｈは、一表示画素あたり（配線同士の間隔Ａ１×２＋あわせ幅Ａ２×２＋第１電極ＣＥ１同士の間隔Ａ３）／２だけ制限されることとなる。
【００４３】
したがって、図９に示す場合と比較すると、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第１電極ＣＥ１の幅Ｌｇｈを、一画素あたり、（配線同士の間隔Ａ１×４＋あわせ幅Ａ２×２）／２−（配線同士の間隔Ａ１×２＋あわせ幅Ａ２×２＋第１電極ＣＥ１同士の間隔Ａ３）／２だけ拡大すること可能となる。
【００４４】
すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のように、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとにおいて画素容量Ｃｐｘの第２電極ＣＥ２を共有とすることによって、配線同士の間隔Ａ１−第１電極ＣＥ１同士の間隔Ａ３／２だけ拡大することができることとなる。
【００４５】
さらに、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図３に示すように、第２電極ＣＥ２の導電層ＣＥ２Ｕ、ＣＥ２Ｄを導通させるための第１コンタクトホールＨＬ１を第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとで共有させることによって、一画素あたり、第１コンタクトホールＨＬ１の面積の２分の１だけ第１電極ＣＥ１の面積を大きくすることができ、その分画素容量Ｃｐｘを大きくすることができる。
【００４６】
さらに、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第４スイッチＣＳＷのドレイン電極ＥＤと有機ＥＬ素子４０の陰極Ｅ１とを接続する第２コンタクトホールＨＬ２を、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとで共有させている。
【００４７】
このことによって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、一画素あたり、第２コンタクトホールＨＬ２の面積の略２分の１だけ省スペース化できる。したがって、第１電極ＣＥ１を第２コンタクトホールＨＬ２の面積の略２分の１だけ大きくすることが可能となり、その分画素容量Ｃｐｘ大きくすることができる。
【００４８】
さらに、樹脂材料は金属材料と比べて加工精度が良くないため、樹脂材料に穴を開ける場合には穴の壁が傾斜面となる。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第２コンタクトホールＨＬ２を第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとで共有させているため、第４スイッチＣＳＷのドレイン電極同士の幅は、金属材料のパターン限界値とすればよく、樹脂材料の傾斜面の幅を確保する必要がなくなる。したがって、第２コンタクトホールＨＬ２を形成する面積自体を小さくすることが可能であって、その分、画素容量Ｃｐｘを大きくすることができる。
【００４９】
さらに、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとに第２コンタクトホールＨＬ２を共有させるために、樹脂材料が貫通する部分の大きさが大きくなる。このことによって、加工精度の悪い樹脂材料の樹脂残りなどの加工不良を低減させることができる。
【００５０】
すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置によれば、画素容量Ｃｐｘを大きくすることによって、スイッチの切替によって生じる突き上げ、ＴＦＴリークによる第１スイッチＤＳＷのゲート電位変化を抑え、表示性能の低下を防止する有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００５１】
次に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について図面を参照して以下に説明する。なお、以下の説明において、上述の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００５２】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、図７および図８に示すように、複数の表示画素ＰＸが、第１表示画素ＰＸＡ乃至第４表示画素ＰＸＤを有している。第３表示画素ＰＸＣと第４表示画素ＰＸＤとは、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢと同様に、第１方向Ｄ１に交互に配置されている。
【００５３】
第１表示画素ＰＸＡと第３表示画素ＰＸＣとは、第２方向Ｄ２に交互に配置されている。第３表示画素ＰＸＣと第１表示画素ＰＸＡとにおいて、第１スイッチＤＳＷ、第２スイッチＳＳＷ、第３スイッチＴＳＷ、および画素容量Ｃｐｘは、第１方向Ｄ１に対してそれぞれが線対称となるように配置されている。
【００５４】
第２表示画素ＰＸＢと第４表示画素ＰＸＤとは、第２方向Ｄ２に交互に配置されている。第２表示画素ＰＸＢと第４表示画素ＰＸＤとにおいて、第１スイッチＤＳＷ、第２スイッチＳＳＷ、第３スイッチＴＳＷ、および画素容量Ｃｐｘは、第１方向Ｄ１に対してそれぞれが線対称に配置されている。
【００５５】
第３表示画素ＰＸＣと第４表示画素ＰＸＤにおいて、第１スイッチＤＳＷ、第２スイッチＳＳＷ、第３スイッチＴＳＷ、および画素容量Ｃｐｘは、第２方向Ｄ２に対してそれぞれが略線対称となるように配置されている。
【００５６】
第１表示画素ＰＸＡの画素容量Ｃｐｘと第２表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘとは、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の場合と同様に、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの境界Ｂ１近傍において隣合うように配置されている。
【００５７】
第３表示画素ＰＸＣの画素容量Ｃｐｘは、図８に示すように、第３表示画素ＰＸＣと第４表示画素ＰＸＤとの一方の境界Ｂ３近傍に配置されている。すなわち、第３表示画素ＰＸＣの画素容量Ｃｐｘは、図面の下方向において隣接して配置された第４表示画素ＰＸとの境界Ｂ３近傍に配置されている。
【００５８】
第４表示画素ＰＸＤの画素容量Ｃｐｘは、第３表示画素ＰＸＣの画素容量Ｃｐｘが近傍に配置された境界Ｂ３近傍に配置されている。すなわち、第４表示画素ＰＸＤの画素容量Ｃｐｘは、図面の上方向において隣接して配置された第３表示画素ＰＸＣとの境界Ｂ３近傍に配置されている。
【００５９】
第３表示画素ＰＸＣと第４表示画素ＰＸＤとの境界Ｂ３は、第２方向Ｄ２において、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの境界Ｂ１と並んでいる。したがって、第３表示画素ＰＸＣの画素容量Ｃｐｘと第４表示画素ＰＸＤの画素容量Ｃｐｘとは、図８に示すように隣合うように配置されているとともに、第１表示画素ＰＸＡと第３表示画素ＰＸＣとの画素容量Ｃｐｘ、および第２表示画素ＰＸＢと第４表示画素ＰＸＤとの画素容量Ｃｐｘとも互いに隣合うように配置されている。
【００６０】
すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第１表示画素ＰＸＡ乃至第４表示画素ＰＸＤのそれぞれの画素容量Ｃｐｘが、図８に示すように、これら４つの表示画素の中央部に配置され、これら４つの画素容量Ｃｐｘで第２電極ＣＥ２を共有している。
【００６１】
さらに、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第１表示画素ＰＸＡ乃至第４表示画素ＰＸＤにおいて、画素容量Ｃｐｘの第２電極ＣＥ２の２つの導電層ＣＥ２Ｕ、ＣＥ２Ｄを接続するための第１コンタクトホールＨＬ１を共有している。
【００６２】
また、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第２方向Ｄ２において、第３表示画素ＰＸＣの第４スイッチＣＳＷと有機ＥＬ素子４０とは信号線ＳＬ側に配置され、第４表示画素ＰＸＤの第４スイッチＣＳＷと有機ＥＬ素子４０とは電源線ＰＬ側に配置されている。
【００６３】
第３表示画素ＰＸＣの有機ＥＬ素子４０は、第３表示画素ＰＸＣと第４表示画素ＰＸＤとの他方の境界Ｂ４近傍に配置されている。すなわち、第３表示画素ＰＸＣの有機ＥＬ素子４０は、図面の上方向において隣接して配置された第４表示画素ＰＸＤとの境界Ｂ４近傍に配置されている。
【００６４】
第４表示画素ＰＸＤの有機ＥＬ素子４０は、第３表示画素ＰＸＣの有機ＥＬ素子４０が近傍に配置された境界Ｂ４近傍に配置されている。すなわち、第４表示画素ＰＸＤの有機ＥＬ素子４０は、図面の下方向において隣接して配置された第１表示画素ＰＸＡとの境界Ｂ４近傍に配置されている。
【００６５】
第３表示画素ＰＸＣと第４表示画素ＰＸＤとの境界Ｂ４は、第２方向Ｄ２において、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとの境界Ｂ２と並んでいる。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第１表示画素ＰＸＡ乃至第４表示画素ＰＸＤの有機ＥＬ素子４０は、境界Ｂ２および境界Ｂ４近傍において第２方向Ｄ２に並んで配置される。
【００６６】
上記のように、第１表示画素ＰＸＡ乃至第４表示画素ＰＸＤの画素容量Ｃｐｘが第２電極ＣＥ２を共有することによって、第１表示画素ＰＸＡ乃至第４表示画素ＰＸＢの画素容量Ｃｐｘの第１電極ＣＥ１を大きくすることができる。
【００６７】
すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の場合と同様に、第１電極ＣＥ１の幅Ｌｇｈを一画素あたり、配線同士の間隔Ａ１−第１電極ＣＥ１同士の間隔Ａ３／２だけ大きくすることができ、その分画素容量Ｃｐｘを大きくすることができる。
【００６８】
さらに、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、第２電極ＣＥ２の２つの導電層ＣＥ２Ｕ、ＣＥ２Ｄを接続するための第１コンタクトホールＨＬ１を４つの表示画素で共有していることから、一画素あたり、第１コンタクトホールＨＬ１の面積の略４分の３だけ第１電極ＣＥ１を大きくすることができ、その分画素容量Ｃｐｘを大きくすることができる。
【００６９】
また、上記のように、第１表示画素ＰＸＡと第２表示画素ＰＸＢとに第２コンタクトホールＨＬ２を共有させるとともに、第３表示画素ＰＸＣと第４表示画素ＰＸＤとに第２コンタクトホールＨＬ２を共有させることによって、一画素あたり、第２コンタクトホールＨＬ２の面積の２分の１だけ第１電極ＣＥ１を大きくすることができ、その分画素容量Ｃｐｘを大きくすることができる。
【００７０】
さらに、上記の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と同様に、樹脂材料が貫通する部分の大きさが大きくなり、加工精度の悪い樹脂材料の樹脂残りなどの加工不良を低減させることができる。
【００７１】
すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置によれば、画素容量Ｃｐｘを大きくすることによって、スイッチの切替によって生じる突き上げ、ＴＦＴリークによる第１スイッチＤＳＷのゲート電位変化を抑え、表示性能の低下を防止する有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００７２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示画素の一構成例を概略的に示す図。
【図２】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示画素が有する画素容量の構成の一例について説明するための図。
【図３】図２に示す表示画素の画素容量の構成例を説明するための断面図。
【図４】図１に示す表示画素の有機ＥＬ素子の配置位置の一例について説明するための図。
【図５】図４に示す表示画素の有機ＥＬ素子と駆動スイッチの出力側配線との接続部分の構成例を説明するための図。
【図６】図５に示す有機ＥＬ素子と駆動スイッチの出力側配線との接続部の線ＶＩ−ＶＩにおける断面の一例を示す図。
【図７】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示画素の一構成例を概略的に示す図。
【図８】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示画素が有する画素容量の構成の一例について説明するための図。
【図９】それぞれの構成が同じ配置となっている表示画素を配列させた場合について説明するための図。
【符号の説明】
【００７４】
ＰＸ…表示画素、ＰＸＡ…第１表示画素、ＰＸＢ…第２表示画素、ＤＳＷ…第１スイッチ、ＳＳＷ…第２スイッチ、ＴＳＷ…第３スイッチ、ＣＳＷ…第４スイッチ、Ｃｐｘ…画素容量、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、４０…発光素子
【図１】
2009063930.tif 000003
【図２】
2009063930.tif 000004
【図３】
2009063930.tif 000005
【図４】
2009063930.tif 000006
【図５】
2009063930.tif 000007
【図６】
2009063930.tif 000008
【図７】
2009063930.tif 000009
【図８】
2009063930.tif 000010
【図９】
2009063930.tif 000011