(57)【要約】【課題】短い周期で振幅が変動するディフェクトが混入していても、光ディスクの欠陥を検出し、よりディフェクトに強い再生を行う。【解決手段】光ディスクからの反射光を読み取り、これに応じて読み取り信号を出力する読み取り部と、前記読み取り信号に所定の処理を加えて生成した信号に対してブランチメトリックを計算するブランチメトリック計算手段と、ブランチメトリック計算手段により計算されたブランチメトリックに基づいて、最尤パスメトリックを選択するパスメトリック選択手段と、複数の記憶素子からなるメモリを複数段有し、パスメトリック選択手段による選択結果に従って、メモリに記憶される情報を後段のメモリにシフトすることにより復号信号を得るパスメモリとを有する最尤復号器と、パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリが有する情報を用いて、光ディスクの欠陥を検出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクからの反射光を読み取り、これに応じて読み取り信号を出力する読み取り部と、
前記読み取り信号に所定の処理を加えて生成した信号に対してブランチメトリックを計算するブランチメトリック計算手段と、前記ブランチメトリック計算手段により計算されたブランチメトリックに基づいて、最尤パスメトリックを選択するパスメトリック選択手段と、複数の記憶素子からなるメモリを複数段有し、前記パスメトリック選択手段による選択結果に従って、メモリに記憶される情報を後段のメモリにシフトすることにより復号信号を得るパスメモリとを有する復号器と、
前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリが有する情報に応じて、前記光ディスクの欠陥を検出する欠陥検出手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記欠陥検出手段は、前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリ内の全記憶素子が記憶するデータが一致しない場合に、前記光ディスクの欠陥を検出することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記欠陥検出手段は、前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリ内の全記憶素子が記憶するデータが一致する数をカウントし、カウント値が設定値より小さい場合に、前記光ディスクの欠陥を検出することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記読み取り信号を等化係数に基づいて等化する処理を行って前記復号回路に前記所定の処理を加えて生成した信号として出力する等化回路と、
前記復号信号に応じて前記等化係数を最適化する処理を行って、前記等化回路に出力する等化係数生成部と、
前記欠陥検出手段が前記光ディスクの欠陥を検出した場合に、前記等化係数生成部に対して、前記等化係数の最適化動作を停止させる制御部とを更に具備することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記等化係数生成回路が、前記等化係数の最適化を図っている初期の段階において、前記欠陥検出手段が前記光ディスクの欠陥を検出しても前記等化係数生成回路に対して前記等化係数の最適化を停止させないことを特徴とする請求項４記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記読み取り信号から調整量を算出し、前記調整量に基づき前記読み取り信号に所定処理を施して処理信号を出力する処理部と、
前記欠陥検出手段が前記光ディスクの欠陥を検出した場合に、前記処理部が前記欠陥を検出していない時に算出された調整量に基づいて前記読み取り信号に前記所定処理を施させるための制御部とを更に具備することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の光ディスク装置。
【請求項７】
前記処理部は、前記読取信号のアシンメトリを調整するアシンメトリ調整部であることを特徴とする請求項６記載の光ディスク装置。
【請求項８】
前記処理部は、前記読取信号の位相差信号と周波数誤差信号とに応じた信号を発振部に供給してクロック信号を生成するための、ループフィルタであることを特徴とする請求項６記載の光ディスク装置。
【請求項９】
光ディスクからの反射光を読み取る読み取り部から出力された前記反射光に応じた読み取り信号に所定の処理を加えて生成した信号に対してブランチメトリックを計算するブランチメトリック計算手段と、前記ブランチメトリック計算手段により計算されたブランチメトリックに基づいて、最尤パスメトリックを選択するパスメトリック選択手段と、複数の記憶素子からなるメモリを複数段有し、前記パスメトリック選択手段による選択結果に従って、メモリに記憶される情報を後段のメモリにシフトすることにより復号信号を得るパスメモリとを有する復号器と、
前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリが有する情報に応じて、前記光ディスクの欠陥を検出する欠陥検出手段と
を具備することを特徴とする光ディスク装置用コントローラ。
【請求項１０】
前記欠陥検出手段は、前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリ内の全記憶素子が記憶するデータが一致しない場合に、前記光ディスクの欠陥を検出することを特徴とする請求項９記載の光ディスク装置用コントローラ。
【請求項１１】
前記欠陥検出手段は、前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリ内の全記憶素子が記憶するデータが一致する数をカウントし、カウント値が設定値より小さい場合に、前記光ディスクの欠陥を検出することを特徴とする請求項９記載の光ディスク装置用コントローラ。
【請求項１２】
前記読み取り信号を等化係数に基づいて等化する処理を行って前記復号回路に前記所定の処理を加えて生成した信号として出力する等化回路と、
前記復号信号に応じて前記等化係数を最適化する処理を行って、前記等化回路に出力する等化係数生成部と、
前記欠陥検出手段が前記光ディスクの欠陥を検出した場合に、前記等化係数生成部に対して、前記等化係数の最適化動作を停止させる制御部とを更に具備することを特徴とする請求項９〜１１の何れか１項に記載の光ディスク装置用コントローラ。
【請求項１３】
前記制御部は、前記等化係数生成回路が、前記等化係数の最適化を図っている初期の段階において、前記欠陥検出手段が前記光ディスクの欠陥を検出しても前記等化係数生成回路に対して前記等化係数の最適化を停止させないことを特徴とする請求項１２記載の光ディスク装置用コントローラ。
【請求項１４】
前記読み取り信号から調整量を算出し、前記調整量に基づき前記読み取り信号に所定処理を施して処理信号を出力する処理部と、
前記欠陥検出手段が前記光ディスクの欠陥を検出した場合に、前記処理部が前記欠陥を検出していない時に算出された調整量に基づいて前記読み取り信号に前記所定処理を施させるための制御部とを更に具備することを特徴とする請求項９〜１３の何れか１項に記載の光ディスク装置用コントローラ。
【請求項１５】
前記処理部は、前記読取信号のアシンメトリを調整するアシンメトリ調整部であることを特徴とする請求項１４記載の光ディスク装置用コントローラ。
【請求項１６】
前記処理部は、前記読取信号の位相差信号と周波数誤差信号とに応じた信号を発振部に供給してクロック信号を生成するための、ループフィルタであることを特徴とする請求項１４記載の光ディスク装置用コントローラ。
【請求項１７】
光ディスクからの反射光を読み取り、これに応じて読み取り信号を出力し、
前記読み取り信号に所定の処理を加えて生成した信号に対してブランチメトリックを計算し、
前記ブランチメトリック計算手段により計算されたブランチメトリックに基づいて、最尤パスメトリックを選択し、
前記選択結果に従って、メモリに記憶される情報を後段のメモリにシフトすることにより復号信号を生成し、
前記最尤パスメトリックの選択結果に従って、それぞれが複数の記憶素子を有する複数段のメモリに記憶される情報を後段のメモリにシフトすることにより復号信号を生成し、
最後段もしくは特定の段の前記メモリが有する情報に応じて、前記光ディスクの欠陥を検出することを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項１８】
前記最後段もしくは特定の段のメモリ内の全記憶素子が記憶するデータが一致しない場合に、前記光ディスクの欠陥を検出することを特徴とする請求項１７記載の欠陥検出方法。
【請求項１９】
前記最後段もしくは特定の段のメモリ内の全記憶素子が記憶するデータが一致する数をカウントし、カウント値が設定値より小さい場合に、前記光ディスクの欠陥を検出することを特徴とする請求項１７記載の欠陥検出方法。
【請求項２０】
前記所定の処理を加えて生成した信号は、前記読み取り信号に対して等化係数に基づいて等化処理を行った信号であり、
前記復号信号に基づいて前記等化係数の最適化をした新たな等化係数を生成し、
前記光ディスクの欠陥を検出した場合に、前記等化係数の最適化する処理を停止させることを特徴とする請求項１７〜１９の何れかに記載の欠陥検出方法。
【請求項２１】
前記等化係数の最適化を図っている初期の段階において、前記光ディスクの欠陥を検出しも、前記等化係数を最適化する処理を停止させないことを特徴とする請求項２０記載の欠陥検出方法。
【請求項２２】
前記読み取り信号から調整量を算出し、前記調整量に基づき前記読み取り信号に所定処理を施して処理信号を出し、
前記光ディスクの欠陥を検出した場合に、前記処理部が前記欠陥を検出していない時に算出された調整量に基づいて前記読み取り信号に前記所定処理を施ことを特徴とする請求項２０記載の欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの欠陥を検出する光ディスク装置、光ディスク装置用コントローラ、および欠陥検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置において、再生する対象がリムーバブルディスクであるため、ハードディスク装置と異なり、ディスク上にほこり・指紋などの汚れや、傷等のディフェクトがあるディスクに対しても、安定して信号再生することが望まれている。ディフェクトが発生すると信号が乱され再生できなくなるばかりか、入力信号を用いて適応的により適切な動作を行うために具備されている適応等化フィルタ等の回路にもその影響が残ってしまうため、ディフェクト復帰後もすぐには安定再生できず、光ディスクからの入力信号が正常なデータに復帰しても一定時間異常なデータを送出し続けてしまう恐れがある。
【０００３】
ローパスフィルタ等を用いて光ディスクから得た信号のピーク検波及びボトム検波を行い、ピーク値・ボトム値が閾値を超えた場合に光ディスクに欠陥が有ると検出する技術が開示されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−１６６１２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが短い周期で振幅が変動するディフェクトが混入した光ディスクを再生する場合、ローパスフィルタを用いた方法では、ローパスフィルタによって生成される波形のエンベロープの変化が少ないため、ディフェクトを検出することが困難である。
【０００５】
本発明の目的は、短い周期で振幅が変動するディフェクトが混入していても、光ディスクの欠陥を検出し、よりディフェクトに強い再生が可能な光ディスク装置、光ディスク装置用コントローラ、および欠陥検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は、光ディスクからの反射光を読み取り、これに応じて読み取り信号を出力する読み取り部と、前記読み取り信号に所定の処理を加えて生成した信号に対してブランチメトリックを計算するブランチメトリック計算手段と、前記ブランチメトリック計算手段により計算されたブランチメトリックに基づいて、最尤パスメトリックを選択するパスメトリック選択手段と、複数の記憶素子からなるメモリを複数段有し、前記パスメトリック選択手段による選択結果に従って、メモリに記憶される情報を後段のメモリにシフトすることにより復号信号を得るパスメモリとを有する復号器と、前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリが有する情報に応じて、前記光ディスクの欠陥を検出する欠陥検出手段とを具備する光ディスク装置を提供する。
【０００７】
さらに本発明は、光ディスクからの反射光を読み取り、これに応じて読み取り信号を出力する読み取り部と、前記読み取り信号に所定の処理を加えて生成した信号に対してブランチメトリックを計算するブランチメトリック計算手段と、前記ブランチメトリック計算手段により計算されたブランチメトリックに基づいて、最尤パスメトリックを選択するパスメトリック選択手段と、複数の記憶素子からなるメモリを複数段有し、前記パスメトリック選択手段による選択結果に従って、メモリに記憶される情報を後段のメモリにシフトすることにより復号信号を得るパスメモリとを有する復号器と、前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリが有する情報に応じて、前記光ディスクの欠陥を検出する欠陥検出手段とを具備する光ディスク装置用コントローラを提供する。
【０００８】
さらに本発明は、光ディスクからの反射光を読み取り、これに応じて読み取り信号を出力する読み取り部と、前記読み取り信号に所定の処理を加えて生成した信号に対してブランチメトリックを計算するブランチメトリック計算手段と、前記ブランチメトリック計算手段により計算されたブランチメトリックに基づいて、最尤パスメトリックを選択するパスメトリック選択手段と、複数の記憶素子からなるメモリを複数段有し、前記パスメトリック選択手段による選択結果に従って、メモリに記憶される情報を後段のメモリにシフトすることにより復号信号を得るパスメモリとを有する復号器と、前記パスメモリの最終段もしくは特定の段のメモリが有する情報に応じて、前記光ディスクの欠陥を検出する欠陥検出手段を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
短い周期で振幅が変動するディフェクトが混入していても、光ディスクの欠陥を検出し、よりディフェクトに強い再生が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【００１１】
本発明の一実施形態に係わる光ディスク装置の再生回路の構成例を図１に示す。本発明に係る光ディスク装置は、図１に示すように、光ディスクＤへレーザ光を照射して反射光を受光し読取信号を出力する光ピックアップヘッド（ＰＵＨ）１１と、読み取り信号を増幅するプリアンプ３３と、増幅された読取信号にフィルタ処理を施すプリイコライザ１７と、信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器１８と、変換された入力信号のオフセット・ゲインを制御するオフセット・ゲイン制御器３４と、アシンメトリ補正を行うアシンメトリ補正器３５と、補正された信号に波形等化処理を施す適応型等化器１９と、波形等化されたデータを最尤復号する最尤復号器２０と、復号された信号につき復調を行うＲＬＬ復調器２１と、復号された信号に対してエラー訂正を行うＥＣＣ回路２４と、インターフェース２５と、ビタビ復号された信号に基づき適応型等化器のタップ係数（等化係数）を最適化するための適応学習回路２２と、周波数比較器２７と、位相比較器２３と、ループフィルタ２８と、発振器２９と、最尤復号器２０の生成信号に応じて光ディスクの欠陥を検出するディフェクト検出器３１と、ディフェクト検出器３１の出力に応じてゲイン・オフセット制御器３４やアシンメトリ補正器３５、適応学習回路２２等を制御する制御部３２を有している。
【００１２】
インターフェース２５、ＥＣＣ回路２４、Ａ／Ｄ変換器１８、オフセット・ゲイン制御器３４、アシンメトリ補正器３５、適応型等化器１９、最尤復号器２０、ＲＬＬ復調器２１、適応学習回路２２、位相比較器２３、周波数比較器２７、ループフィルタ２８、発振器２９、ディフェクト検出器３１、制御部３２は、一つの半導体チップ（光ディスク装置用コントローラ）１００内に集積されている。
【００１３】
以下、記録再生回路における再生時の動作とともに回路の動作を説明する。光ピックアップ１１は、適切な強さのレーザ光を光ディスクＤに照射する。このレーザ光の照射の結果、光ディスクＤから記録データに応じた強さの光が反射する。光ピックアップ１１は、この反射光を検出し反射光の光量に応じた電気信号を出力する。この電気信号は、プリアンプ３３にて増幅され、プリイコライザ１７において、適切な帯域制限と必要に応じて波形整形が行われる。プリイコライザ１７の出力信号は、Ａ／Ｄ変換器１８においてデジタル信号に変換される。Ａ／Ｄ変換器１８の出力信号は、オフセット・ゲイン制御器３４、アシンメトリ補正器３５を経て、適応型等化器１９にて目標のパーシャルレスポンスクラスに応じた応答波形（パーシャルレスポンス波形信号）に波形等化される。このときの等化特性は、適応学習回路２２によって調整される。適応型等化器１９の出力は、最尤復号器２０によってデータの“１”又は“０”の判定が行われバイナリデータとなる。得られたバイナリデータは、ＲＬＬ復調器２１によりＲＬＬ変調の逆の処理（復調）が行われ、記録したデータを得ることができる。これらの動作と同時に、周波数比較器２７と位相比較器２３は、オフセット・ゲイン制御器３４の出力によって、ループフィルタ２８を通じて、発振器２９を制御してクロック信号を生成し、Ａ／Ｄ変換器１８や半導体チップ１００内部の種々の回路のタイミング制御を行う。
【００１４】
図２に最尤復号器の構成図を示す。図２に示す回路は、一般的なビタビ復号回路の構成を示している。ブランチメトリック計算回路２００は、適応型等化器１９からの入力を用いて、ブランチメトリック計算を行う。加算比較選択回路２０１は、パスメトリック値との加算、比較、選択を行う。パスメトリックメモリ２０４は、選択したメトリック値を記憶する。パスメモリ２０２は、パスの選択経過を蓄える。パス決定回路２０３は、設定される最終段のメモリから出力信号を取り出し、ＲＬＬ復調器２１に、最尤復号結果を出力する。これにより、最も確からしい再生信号が確定する。
【００１５】
パスメモリ２０２の構成を図３に示す。パスメモリ２０２は、記憶素子Ｓ０，Ｓ１，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７から構成されるメモリ３００i（ｉ＝１〜ｎ）とパス選択回路３０２i（ｉ＝１〜ｎ）から構成され、それが多段に接続されている。メモリ３００i（ｉ＝１〜ｎ）の記憶素子数は、最尤復号で仮定しているＰＲクラスの状態数によって決まる。加算比較選択回路２０１から選択信号が入力され、それに応じてパス選択回路３０２i（ｉ＝１〜ｎ）が切り替わり、適切な生き残りパスがメモリ内の各メモリ３００i（ｉ＝１〜ｎ）に保存される。
【００１６】
周波数や位相の引き込みが完了し、適応学習回路２２の係数学習も安定すると、システムが定常状態になり、最尤復号器が正常な復号データを出力する。図４に、パスメモリ２０２の最終段のメモリ３００nの保存内容を示す。縦軸は、ＰＲクラスの各状態に対応する記憶内容に対応している。符号の最小ラン長が２以上で、かつ、ＰＲ（１，２，２，１）やＰＲ（３，４，４，３）等のＰＲ（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）クラスの場合、６状態であるため、記憶素子は、図４に示すように縦方向には６段となる。横軸方向に時間の経過を表している。ｉ〜ｉ＋５は、システムが安定し、正常な復号データが出力されている場合の記憶素子内容を示している。図４に示すように、６つの記憶素子Ｓ０，Ｓ１，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７の内容は、１または０で統一される。
【００１７】
光ディスクにディフェクトが混入した場合のパスメモリ２０２の最終段のメモリ３００nは、図４のｊ〜ｊ＋２のように、６つの記憶素子の内容が統一されない。この特性を利用することで、従来では検出が難しかったエンベローブが大きく変化しないディフェクトに関しても、検出が可能となる。
【００１８】
図５にディフェクト検出器３１の例を示す。ディフェクト検出回路４２０は、パスメモリの最終段のメモリ３００n、もしくは、パスが確定するのに充分な段数を経た後のメモリ３００iに接続する。ディフェクト検出回路４２０の内部の構成を図６に示す。パスメモリから入る信号をＡＮＤ回路４４０およびＮＯＲ回路４４１で受ける。パスメモリの内容が１または０で統一されていると、論理回路４４２の出力は０となり、ディフェクトなしとなる。パスメモリの内容が１または０で統一されていないと、論理回路４４２の出力は１となり、ディフェクトとして検知できる。ディフェクト検知信号は、論理回路４４２の出力を用いても良いが、図５に示すように、ディフェクトの検知を止めるためのディフェクト検知停止信号４４４との論理積を取った信号４４３を用いても良い。例えば、周波数や位相が安定しない状況や係数学習が学習の途中である場合などで、ディフェクトの検出をしたくない場合には、ディフェクト検知停止信号４４４を用いて、ディフェクト検知を止めることができる。
【００１９】
また、ディフェクト検知器内部の別の実装例を図７に示す。パスメモリから入力される１や０の数をカウンタ４５０，４５１用いて計測する。計測結果と設定値４５８，４５９を閾値判定回路４５２，４５３で比較し、設定値以下、もしくは、設定値より小さい場合に論理和４５４からディフェクト検知信号を出力する。先の実装例と同様に、ディフェクトの検知を止めるための仕組み４５５を持たせても良い。
【００２０】
図８に、検出例を示す。図８(Ａ）は光ピックアップ１１から出力されたＲＦ信号、図８（Ｂ）はローパスフィルタで得た図８（Ａ）の波形のエンベローブ波形、図８（Ｃ）は特開２００５−１６６１２１号公報に開示されている方法で出力されるディフェクト検出信号、図８（Ｄ）は本実施形態の方法で出力されるディフェクト検出信号である。
【００２１】
図８（Ｃ）に示すように、従来の方法では光ディスクの欠陥を検出することができない。しかし、図８（Ｄ）に示すように、本実施形態の方法によれば光ディスクの欠陥を検出することが出来る。
【００２２】
次に、図９のフローチャートを参照してディフェクト検出器３１の検出信号に応じて制御部３２が適応学習回路２２を制御する処理を説明する。
【００２３】
制御部３２は、ディフェクト検出器３１が出力するディフェクト検出信号がイネーブルであるか否かを判別する（ステップＳ１１）。ディフェクト検出信号がイネーブルであると判別した場合（ステップＳ１１のＹｅｓ）、制御部３２は適応学習回路２２に出力する学習停止信号をイネーブルにする（ステップＳ１２）。適応学習回路２２は、学習停止信号がイネーブルになるとタップ係数を最適化する処理（適応学習）を停止し（ステップＳ１３）、適応学習を行っている間の最後の係数を出力し続ける。ディフェクト検出信号がディセーブルになったら（ステップＳ１１のＮｏ）、制御部３２は、学習停止信号をディセーブルにする（ステップＳ１４）。適応学習回路２２は、適応学習を実施し（ステップＳ１５）、タップ係数の最適化を図る。
【００２４】
従来では検出できなかったタイプのディフェクトを検出することで、このタイプのディフェクトによる適応等化器係数の誤学習を防ぐことができる。これにより、ディフェクト耐性を高めることができる。誤学習の防止により、ディフェクトからの復帰も早くなる。
【００２５】
なお、上記実施形態では、光ディスクに欠陥が見つかった場合に、適応学習器２２による適応学習処理を停止させていた。しかし、光ディスクに欠陥が見つかった場合に、アシンメトリ補正器３５が、光ディスクに欠陥が見つかる直前の調整量に基づいてアシンメトリ補正を行うように制御部３２がアシンメトリ補正器３５に制御信号を送るようにしても良い。同様に、光ディスクに欠陥が見つかった場合に、ループフィルタ２８が、光ディスクに欠陥が見つかる直前に発振器２９に出力していた信号（調整量）を発振器２９に出力するよう制御部３２がループフィルタ２８に制御信号を送るようにしても良い。
【００２６】
なお、本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係わる光ディスク装置の概略構成を示す図。
【図２】図１に示す最尤復号器の構成を示すブロック図。
【図３】図２に示すパスメモリの構成を示す図。
【図４】パスメモリの最終段のメモリの保存内容を示す図。
【図５】本発明の一実施形態に係わるディフェクト検出器の一例を示す図。
【図６】図５に示すディフェクト検出器の内部の一例を示す図。
【図７】図５に示すディフェクト検出器の内部の別の一例を示す図。
【図８】ディフェクトが入ったＤＶＤ−ＲＯＭ波形とディフェクト検出器の出力例を示す図。
【図９】図１に示す制御部による適応学習回路を制御処理の手順を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００２８】
Ｄ…光ディスク，１１…光ピックアップ，１７…プリイコライザ，１８…Ａ／Ｄ変換器，１９…適応型等化器，２０…最尤復号器，２１…ＲＬＬ復調器，２２…適応学習回路，２３…位相比較器,２４…ＥＣＣ回路,２５…Ｉ／Ｆ,２７…周波数比較器,２８…ループフィルタ,２９…発振器,３１…ディフェクト検出器，３２…制御部，３３…プリアンプ,３４…オフセット・ゲイン制御器,３５…アシンメトリ補正器,１００…半導体チップ，２００…ブランチメトリック計算回路，２０１…加算比較選択回路，２０２…パスメモリ，２０３…パス決定回路，２０４…パスメトリックメモリ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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