(57)【要約】【課題】半導体素子などによって発生した基板上の凹凸を完全に平坦化でき、かつ、静電気などから半導体素子を保護することのできる半導体装置、および電気光学装置を提供すること。【解決手段】支持基板１０ｄに電界効果型トランジスタ３０が形成された半導体装置１０ｓにおいて、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、下層側絶縁膜７１、平坦化膜７４および上層側絶縁膜７５が順に形成されている。平坦化膜７４は導電膜からなり、導電パターン９ｓと電界効果型トランジスタ３０とを電気的に接続するためのコンタクト部７０では、平坦化膜７４に第１コンタクトホール７４ａが形成され、かかる第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する第２コンタクトホール７５ａが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体素子が形成された半導体装置において、
前記半導体素子の上層側に平坦化膜が形成されているとともに、当該平坦化膜の上層側に、前記半導体素子に電気的に接続された導電パターンが形成され、
前記平坦化膜は、表面が平坦化された導電膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板は、絶縁基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子の上層側には、下層側絶縁膜、前記平坦化膜および上層側絶縁膜が順に形成されているとともに、当該上層側絶縁膜の上層に前記導電パターンが形成され、
前記下層側絶縁膜、前記平坦化膜および前記上層側絶縁膜を貫通して前記導電パターンと前記半導体素子とを電気的に接続するためのコンタクト部では、前記平坦化膜に第１コンタクトホールが形成されているとともに、当該第１コンタクトホールの内側に、前記下層側絶縁膜および前記上層側絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールが形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記平坦化膜は、めっきにより形成されてなることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記平坦化膜は、金属膜であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記平坦化膜は、物理気相堆積法により形成されてなることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記平坦化膜は、透光性金属酸化物であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の半導体装置を素子基板として備えた電気光学装置であって、
前記素子基板の複数の画素の各々には、前記半導体素子としての電界効果型トランジスタ、および前記導電パターンとしての画素電極が形成され、
前記素子基板は、該素子基板に対向配置された対向基板との間に液晶を保持していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の半導体装置を素子基板として備えた電気光学装置であって、
前記素子基板の複数の画素の各々には、前記半導体素子としての電界効果型トランジスタ、前記導電パターンとしての画素電極、および該画素電極を一方の電極とする有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に半導体素子が形成された半導体装置、および該半導体装置を素子基板として用いた液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬという）装置などの電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
代表的な電気光学装置としては液晶装置や有機ＥＬ装置などが挙げられ、かかる電気光学装置に用いられる素子基板は、基板上に半導体素子が形成された半導体装置として構成されている。このような電気光学装置では、半導体素子の上層側に画素電極などが形成されており、かかる画素電極は平坦面上に形成されていることが好ましい。すなわち、液晶装置の場合、画素電極の表面に配向膜を形成した後、ラビング工程を行うが、配向膜が形成されている面に凹凸があると、ラビング処理を均一に行なうことができず、液晶分子の配向性が低下してしまう。また、有機ＥＬ装置の場合、画素電極の上層に有機機能層を形成して有機ＥＬ素子を形成するが、画素電極の表面に凹凸があると、有機機能層を均一な厚さに形成できず、均一に発光しなくなってしまう。
【０００３】
そこで、素子基板において、半導体素子の上層側に樹脂を塗布した後、固化させ、半導体素子によって発生した凹凸を樹脂により平坦化した構成が提案されている。このような構成によれば、樹脂を塗布した際、半導体素子が形成されていない領域に発生した凹部が樹脂で埋められる一方、半導体素子に起因して凸部になっている領域には樹脂が薄く塗布されるので、半導体素子によって発生した凹凸が平坦化される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−９０６６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、樹脂を塗布しただけでは、凹凸を緩和することができても完全に解消することができないという問題点がある。
【０００５】
一方、半導体装置（素子基板）では、静電気が侵入すると半導体素子が誤動作を起こすことがあるため、素子基板上に導電膜をリング状に形成したガードリングを形成することがある。しかしながら、ガードリングを形成しても、静電気によって半導体素子や有機ＥＬ素子が誤動作や損傷することを完全には防止できない。また、半導体装置（素子基板）を製造するにあたっては、製造工程の途中までは大型基板の状態で行い、その後、大型基板を単品サイズに切断する製造方法が採用されることが多いが、素子基板の基体が絶縁基板である場合、切断時に発生した静電気によって半導体素子や配線が損傷することもある。
【０００６】
このような凹凸や静電気に関する問題は、電気光学装置に用いる素子基板に限らず、半導体装置全般において解消すべき問題でもある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、半導体素子などによって発生した基板上の凹凸を完全に平坦化でき、かつ、静電気などから半導体素子を保護することのできる半導体装置、および該半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、基板上に半導体素子が形成された半導体装置において、前記半導体素子の上層側に平坦化膜が形成されているとともに、当該平坦化膜の上層側に、前記半導体素子に電気的に接続された導電パターンが形成され、前記平坦化膜は、表面が平坦化された導電膜であることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、半導体素子の上層側に導電膜を形成した後、その表面を平坦化して平坦化膜として利用する。このため、樹脂を塗布して平坦化膜を形成した場合と比較して、表面が完全に平坦な平坦化膜を得ることができる。また、基板上の半導体素子が形成されている領域全体が導電膜からなる平坦化膜で覆われた構成になっているので、完成品の状態あるいはその製造工程中において、半導体素子などを静電気から確実に保護することができる。
【００１０】
本発明は、前記基板が絶縁基板である場合に効果的である。すなわち、基板が絶縁基板である場合には特に静電気の影響を受けやすいが、本発明によれば、基板が絶縁基板であっても、導電膜からなる平坦化膜によって半導体素子を静電気から確実に保護することができる。
【００１１】
本発明において、前記半導体素子の上層側には、下層側絶縁膜、前記平坦化膜および上層側絶縁膜が順に形成されているとともに、当該上層側絶縁膜の上層に前記導電パターンが形成され、前記下層側絶縁膜、前記平坦化膜および前記上層側絶縁膜を貫通して前記導電パターンと前記半導体素子とを電気的に接続するためのコンタクト部では、前記平坦化膜に第１コンタクトホールが形成されているとともに、当該第１コンタクトホールの内側に、前記下層側絶縁膜および前記上層側絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールが形成されていることが好ましい。このように構成すると、半導体素子の上層側の広い領域に導電膜からなる平坦化膜を形成しても、短絡などの問題を発生させることなく、下層側の半導体素子と上層側の導電パターンとを電気的に接続することができる。
【００１２】
本発明において、前記平坦化膜は、めっきにより形成することが好ましい。この場合、前記平坦化膜は、例えば金属膜により構成される。めっきによれば、厚い導電膜を容易かつ効率よく形成することができる。
【００１３】
本発明において、前記平坦化膜は、物理気相堆積法により形成してもよい。かかる構成の平坦化膜であれば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などといった透光性金属酸化物によって平坦化膜を構成することができる。
【００１４】
本発明を適用した半導体装置は、例えば、電気光学装置の素子基板として用いることができる。この場合、前記素子基板の複数の画素の各々に、前記半導体素子としての電界効果型トランジスタ、および前記導電パターンとしての画素電極を形成し、前記素子基板が、該素子基板に対向配置された対向基板との間に液晶を保持している構成とすれば、電気光学装置を液晶装置として構成することができる。また、前記素子基板の複数の画素の各々に、前記半導体素子としての電界効果型トランジスタ、前記導電パターンとしての画素電極、および該画素電極を一方の電極とする有機ＥＬ素子を形成すれば、電気光学装置を有機ＥＬ装置して構成することができる。
【００１５】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。また、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）は、投射型表示装置（電子機器）のライトバルブとして用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスタでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００１７】
［実施の形態１］
（半導体装置の構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。図１に示す半導体装置１０ｓは、後述する液晶装置や有機ＥＬ装置の素子基板などとして用いられる装置であり、支持基板１０ｄは、石英基板や耐熱性のガラス基板などの絶縁基板からなる。本形態において、支持基板１０ｄ上には、半導体素子としての電界効果型トランジスタ３０が形成されているとともに、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、各種の電極や配線などとして利用される導電パターン９ｓが形成されている。
【００１８】
電界効果型トランジスタ３０は島状の半導体層１ａを備えており、かかる半導体層１ａには、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈおよびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなるゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極３ｓが形成されている。半導体層１ａは、素子基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜、あるいは単結晶シリコン層である。図１には、ゲート絶縁層２がＣＶＤ法により基板全面に形成されたものとして表されているが、半導体層１ａに対する熱酸化法によりゲート絶縁層２を形成する場合もあり、この場合、ゲート絶縁層２はシリコン酸化膜からなる。
【００１９】
電界効果型トランジスタ３０ａの上層側には層間絶縁膜７１および平坦化膜７４が順に形成されており、平坦化膜７４によって、電界効果型トランジスタ３０に起因する凹凸が解消されている。層間絶縁膜７１は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。層間絶縁膜７１の上層にはソース電極６ｓおよびドレイン電極６ｂが形成され、ソース電極６ｓは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。本形態において、ゲート電極３ｓは、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。ソース電極６ｓおよびドレイン電極６ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。
【００２０】
（平坦化膜などの構成）
本形態において、平坦化膜７４は、表面が平坦化処理が施された導電膜から構成されている。このため、層間絶縁膜７１と平坦化膜７４との間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる下層側絶縁膜７２が形成され、ソース電極６ｓおよびドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１と下層側絶縁膜７２との層間に形成されている。このため、ソース電極６ｓおよびドレイン電極６ｂは、平坦化膜７４を介して短絡することがない。
【００２１】
また、平坦化膜７４は、めっき形成された銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属膜からなる。このため、下層側絶縁膜７２の上層（平坦化膜７４の下層）には、下層側絶縁膜７２の上層側へのめっきを可能とするめっき下地層７３（シード層）が形成されている。かかるめっき下地層７３は、スパッタ法や蒸着法などの物理気相堆積法や、無電界めっきにより形成された薄い導電層などからなる。
【００２２】
さらに、平坦化膜７４の上層にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる上層側絶縁膜７５が形成され、上層側絶縁膜７５の上層に導電パターン９ｓが形成されている。このため、導電パターン９ｓを複数形成した場合でも、導電パターン９ｓ同士が平坦化膜７４を介して短絡することがない。
【００２３】
本形態では、導電パターン９ｓを電界効果型トランジスタ３０のドレイン領域１ｉに電気的に接続するにあたって、導電パターン９ｓをドレイン電極６ｂに接続し、ドレイン電極６ｂを電界効果型トランジスタ３０のドレイン領域１ｉに接続してある。
【００２４】
かかる導電パターン９ｓとドレイン電極６ｂとの電気的な接続を行なうにあたって、本形態では、導電パターン９ｓとドレイン電極６ｂとのコンタクト部７０では、平坦化膜７４およびめっき下地層７３に大きめの第１コンタクトホール７４ａが形成されているとともに、第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する小さな第２コンタクトホール７５ａが形成されている。このため、第１コンタクトホール７４ａの内周面が上層側絶縁膜７５で覆われているため、平坦化膜７４が導電膜によって形成されている場合でも、導電パターン９ｓは、周辺と短絡することなくドレイン電極６ｂに電気的に接続する。
【００２５】
（半導体装置１０ｓの製造方法）
図２および図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図１に示す半導体装置１０ｓを製造するにあたっては、まず、図２（ａ）に示す半導体素子形成工程において、周知の半導体プロセスを利用して支持基板１０ｄ上に電界効果型トランジスタ３０を形成した後、図２（ｂ）に示す下層側絶縁膜形成工程において、ＣＶＤ法などによりシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる下層側絶縁膜７２を形成する。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すめっき下地層形成工程において、下層側絶縁膜７２の上層にスパッタ法や蒸着法などの物理気相堆積法や、無電界めっきなどにより、薄い導電層などからなるめっき下地層７３を形成する。本形態では、めっき下地層７３として薄い銅層をスパッタ法により形成する。
【００２７】
次に、図２（ｄ）に示すめっき工程において、めっき液中でめっき下地層７３に給電して導電膜７４０を形成する。本形態では、導電膜７４０として銅膜を形成する。ここで、導電膜７４０は、電界効果型トランジスタ３０に起因する段差より厚い膜厚、例えばμｍオーダーの膜厚に形成する。この段階では、導電膜７４０の表面には、電界効果型トランジスタ３０に起因する凹凸が反映されている。
【００２８】
次に、図２（ｅ）に示す研磨工程において、導電膜７４０の表面を研磨して平坦化膜７４とする。かかる研磨工程において、本形態では、化学機械研磨を行ない、導電膜７４０の表面に形成されている凸部を完全に除去する。化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と支持基板１０ｄとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、支持基板１０ｄを保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と支持基板１０ｄとの間に供給する。
【００２９】
次に、図３（ａ）に示す第１コンタクトホール形成工程において、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク９１を形成した後、塩化第二鉄水溶液を用いて平坦化膜７４およびめっき下地層７３にエッチングを行い、平坦化膜７４およびめっき下地層７３を貫通して下層側絶縁膜７２の表面に到達する第１コンタクトホール７４ａを形成する。次に、レジストマスク９１を除去する。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示す上層側絶縁膜形成工程において、平坦化膜７４の上層にＣＶＤ法などによりシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる上層側絶縁膜７５を形成する。その結果、第１コンタクトホール７４ａの底部では、下層側絶縁膜７２と上層側絶縁膜７５とが積層された状態となる。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示す第２コンタクトホール形成工程において、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク９２を形成した後、上層側絶縁膜７５および下層側絶縁膜７２にエッチングを行い、上層側絶縁膜７５および下層側絶縁膜７２を貫通してドレイン電極６ｂの表面に到達する第２コンタクトホール７５ａを形成する。次に、レジストマスク９２を除去する。この状態で、第１コンタクトホール７４ａの内周面は、上層側絶縁膜７５で覆われた状態にある。
【００３２】
次に、導電パターン形成工程において、上層側絶縁膜７５の表面に対する導電膜（図示せず）の形成、レジストマスク（図示せず）の形成、導電膜に対するエッチング、およびレジストマスクの除去を行なえば、図１に示すように、導電パターン９ｓを所定形状に形成することができ、半導体装置１０ｓが完成する。
【００３３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の半導体装置１０ｓでは、電界効果型トランジスタ３０（半導体素子）の上層側に導電膜７４０を形成した後、その表面を平坦化して平坦化膜７４として利用する。このため、樹脂を塗布して平坦化膜を形成した場合と比較して、表面が完全に平坦な平坦化膜７４を得ることができる。それ故、後述する反射型の液晶装置において、半導体装置１０ｓを素子基板として用い、導電パターン９ｓにより光反射性の画素電極を構成すれば、平坦面に反射性の画素電極を構成することができるので、液晶装置の表示特性の向上を図ることができる。また、後述するトップエミッション型の有機ＥＬ装置において、半導体装置１０ｓを素子基板として用い、導電パターン９ｓにより画素電極を構成すれば、平坦面に有機ＥＬ素子を構成することができるので、有機ＥＬ装置の表示特性の向上を図ることができる。
【００３４】
また、支持基板１０ｄ上において、電界効果型トランジスタ３０が形成されている領域全体が導電膜からなる平坦化膜７４で覆われているので、半導体装置１０ｓ（半導体装置としての完成品、液晶装置、有機ＥＬ装置）の状態、あるいはその製造工程の途中において、電界効果型トランジスタ３０を静電気から確実に保護することができる。すなわち、支持基板１０ｄが絶縁基板である場合には、半導体装置１０ｓ（半導体装置としての完成品、液晶装置、有機ＥＬ装置）の状態、あるいはその製造工程の途中において大型基板から半導体装置や素子基板を切り出す際、静電気の影響を受けやすいが、本形態によれば、支持基板１０ｄが絶縁基板であっても、導電膜からなる平坦化膜７４によって電界効果型トランジスタ３０を静電気から確実に保護することができる。
【００３５】
［実施の形態２］
図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成および製造方法を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。
【００３６】
実施の形態１に係る半導体装置１０ｓでは、平坦化膜７４をめっきにより形成したため、下層側絶縁膜７２の上層にめっき下地層７３を形成したが、本形態では、図４（ｄ）に示すように、平坦化膜７４をスパッタ法や蒸着法などの物理気相堆積法により形成する。このため、下層側絶縁膜７２と平坦化膜７４との層間にはめっき下地層７３が形成されていない。かかる方法によれば、金属膜によって平坦化膜７４を形成することができるとともに、以下に説明するように、ＩＴＯやＩＺＯなどといった透光性導電膜によって、平坦化膜７４を形成することもできる。
【００３７】
すなわち、本形態では、図４（ａ）に示す下層側絶縁膜形成工程において、ＣＶＤ法などによりシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる下層側絶縁膜７２を形成した後、導電膜形成工程では、スパッタ法や蒸着法などの物理気相堆積法によって、分厚いＩＴＯやＩＺＯなどからなる透光性の導電膜７４０を形成する。
【００３８】
次に、図４（ｂ）に示す研磨工程において、導電膜７４０の表面を研磨して平坦化膜７４とする。かかる研磨工程でも化学機械研磨を行なう。
【００３９】
それ以降は、実施の形態１と同様、図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、平坦化膜７４を貫通して下層側絶縁膜７２の表面に到達する第１コンタクトホール７４ａを形成する。次に、平坦化膜７４の上層に上層側絶縁膜７５を形成した後、第２コンタクトホール７５ａを形成し、しかる後に、導電パターン９ｓを形成し、半導体装置１０ｓを得る。
【００４０】
本形態の半導体装置１０ｓでも、実施の形態１と同様、電界効果型トランジスタ３０（半導体素子）の上層側に導電膜７４０を形成した後、その表面を平坦化して平坦化膜７４として利用する。このため、樹脂を塗布して平坦化膜を形成した場合と比較して、表面が完全に平坦な平坦化膜７４を得ることができる。また、支持基板１０ｄ上において、電界効果型トランジスタ３０が形成されている領域全体が導電膜からなる平坦化膜７４で覆われているので、半導体装置１０ｓ（完成品）の状態あるいはその製造工程中において、電界効果型トランジスタ３０を静電気から確実に保護することができる。
【００４１】
さらに、本形態では、平坦化膜７４が透光性を備えているため、後述する液晶装置において、半導体装置１０ｓを素子基板として用いれば、透過型の液晶装置を構成することができる。また、後述する有機ＥＬ装置において、半導体装置１０ｓを素子基板として用いれば、支持基板１０ｄの側から光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を構成することができる。
【００４２】
［実施の形態１の液晶装置への適用例］
次に、実施の形態１に係る半導体装置１０ｓを反射型の液晶装置（電気光学装置）の素子基板として用いた例を説明する。なお、以下の説明において、実施の形態１の半導体装置１０ｓ、電界効果型トランジスタ３０、ゲート電極３ｓ、ソース電極６ｓ、および導電パターン９ｓは各々、電気光学装置１００の素子基板１０、電界効果型トランジスタ３０ａ、走査線３ａ、データ線６ａ、および画素電極９ａに対応し、その他の部分は、対応関係が分りやすいように、対応する部分同士に同一の符号を付して説明する。
【００４３】
（全体構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置（液晶装置）の電気的な構成を示すブロック図である。図６（ａ）、（ｂ）は各々、図５に示す電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００４４】
図５に示すように、本形態の電気光学装置１００は液晶装置であり、矩形の平面形状を有する画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、および画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用の電界効果型トランジスタ３０ａ（半導体素子）が形成されている。データ線駆動回路１０１から延びたデータ線６ａは、電界効果型トランジスタ３０ａのソースに電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１は、データ線６ａに画像信号を線順次で供給する。走査線駆動回路１０４から延びた走査線３ａは、電界効果型トランジスタ３０ａのゲートに電気的に接続されており、走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに走査信号を線順次で供給する。画素電極９ａは、電界効果型トランジスタ３０ａのドレインに電気的に接続されており、電気光学装置１００では、電界効果型トランジスタ３０ａを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画像信号を各画素１００ａの液晶容量５０ａに所定のタイミングで書き込む。液晶容量５０ａに書き込まれた所定レベルの画像信号は、素子基板１０に形成された画素電極９ａと、後述する対向基板の共通電極との間で一定期間保持される。画素電極９ａと共通電極との間には保持容量６０が形成されており、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置１００が実現される。本形態では、保持容量６０を構成するにあたって、走査線３ａと並行するように容量線３ｂが形成されているが、前段の走査線３ａとの間に保持容量６０が形成される場合もある。
【００４５】
図６（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０と対向基板２０とが対向配置されており、素子基板１０と対向基板２０とはシール材１０７によって貼り合わされている。対向基板２０とシール材１０７とは略同一の輪郭を備えており、シール材１０７で囲まれた領域内に液晶５０が保持されている。液晶５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。なお、シール材１０７の角部分には素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続を行なうための導通材１０９が配置されている。
【００４６】
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域（画素領域１０ｂの外側領域）には、データ線駆動回路１０１、および端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２には、外部回路との電気的な接続を行なうフレキシブル配線基板（図示せず）が接続される。また、素子基板１０において、シール材１０７の外側領域（画素領域１０ｂの外側領域）には、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。さらに、対向基板２０には遮光膜からなる額縁２３ａが形成されており、かかる額縁２３ａの下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が設けられることもある。
【００４７】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁２３ａが形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。対向基板２０では、素子基板１０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３ｂが形成されている。
【００４８】
このように構成した電気光学装置１００において、画像表示領域１０ａは、図５を参照して説明した画素領域１０ｂと重なる領域であるが、画素領域１０ｂの外周に沿って、表示に直接寄与しないダミーの画素が形成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミーの画素を除いた領域によって画像表示領域１０ａが構成される。
【００４９】
（画素の詳細な構成）
図７（ａ）、（ｂ）は各々、図５に示す電気光学装置１００の画素の平面図、および画素の断面図である。なお、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であり、図７（ａ）では、画素電極９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
【００５０】
図７（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００は反射型の液晶装置であり、矢印Ｌ１１で示すように、対向基板２０側から入射した光を素子基板１０の側で反射して再び対向基板２０側から出射する。かかる反射モードでの表示を行なうにあたって、本形態では、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に光反射性の画素電極９ａ（導電パターン）が島状に形成されている。また、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿うようにデータ線６ａ、および走査線３ａが形成されている。また、素子基板１０において、走査線３ａと並列して容量線３ｂが形成されている。
【００５１】
図７（ｂ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの絶縁性の支持基板１０ｄからなり、対向基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの絶縁性の支持基板２０ｄからなる。素子基板１０には、支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａと対応する位置に電界効果型トランジスタ３０ａが形成されている。電界効果型トランジスタ３０ａは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ（低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ）、およびドレイン領域１ｉ（低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅ）が形成されたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなるゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。半導体層１ａは、素子基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜、あるいは単結晶シリコン層である。また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆに対しては、ゲート絶縁層２と同時形成された絶縁層（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが対向することにより、保持容量６０が構成されている。
【００５２】
電界効果型トランジスタ３０ａの上層側には層間絶縁膜７１および平坦化膜７４が順に形成されており、平坦化膜７４によって、電界効果型トランジスタ３０に起因する凹凸が解消されている。層間絶縁膜７１の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。
【００５３】
本形態において、平坦化膜７４は、表面が平坦化された導電膜から構成されている。このため、層間絶縁膜７１と平坦化膜７４との間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる下層側絶縁膜７２が形成され、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１と下層側絶縁膜７２との層間に形成されている。
【００５４】
また、平坦化膜７４は、めっき形成された銅、ニッケルなどの金属膜からなる。このため、下層側絶縁膜７２の上層（平坦化膜７４の下層）には、下層側絶縁膜７２の上層側へのめっきを可能とするめっき下地層７３が形成されている。かかるめっき下地層７３は、スパッタ法や蒸着法などの物理気相堆積法や、無電界めっきにより形成された薄い導電層などからなる。
【００５５】
さらに、平坦化膜７４の上層にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる上層側絶縁膜７５が形成され、上層側絶縁膜７５の上層には、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金からなる光反射性の画素電極９ａが形成されている。
【００５６】
本形態では、画素電極９ａを電界効果型トランジスタ３０ａのドレイン領域１ｉに電気的に接続するにあたって、画素電極９ａをドレイン電極６ｂに接続し、ドレイン電極６ｂを電界効果型トランジスタ３０ａのドレイン領域１ｉに接続してある。
【００５７】
かかる画素電極９ａとドレイン電極６ｂとの電気的な接続を行なうにあたって、画素電極９ａとドレイン電極６ｂとのコンタクト部７０では、平坦化膜７４およびめっき下地層７３に大きめの第１コンタクトホール７４ａが形成されているとともに、第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する小さな第２コンタクトホール７５ａが形成されている。このため、平坦化膜７４が導電膜によって形成されている場合でも、画素電極９ａは、周辺と短絡することなくドレイン電極６ｂに電気的に接続する。
【００５８】
本形態において、走査線３ａおよび容量線３ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。また、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。
【００５９】
対向基板２０では、遮光膜２３ｂの上層側にＩＴＯ膜からなる共通電極２１が形成され、その表面に配向膜２２が形成されている。ここで、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合、対向基板２０には、複数の画素１００ａの各々にカラーフィルタ（図示せず）が形成される。
【００６０】
このように構成した素子基板１０と対向基板２０とは、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように配置され、かつ、これらの基板間には、前記のシール材１０７（図６（ａ）、（ｂ）参照）により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶５０が封入されている。液晶５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６、２２により所定の配向状態をとる。
【００６１】
（液晶装置での効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、電界効果型トランジスタ３０ａ（半導体素子）の上層側に、表面を研磨した平坦化膜７４が形成されている。このため、平坦面に反射性の画素電極９ａを形成することができ、その結果、配向膜１６も平坦面に形成することができる。それ故、配向膜１６にラビング処理を均一に行なうことができるので、電気光学装置１００の表示特性を向上することができる。
【００６２】
また、支持基板１０ｄ上において、電界効果型トランジスタ３０ａが形成されている領域全体が導電膜からなる平坦化膜７４で覆われているので、電気光学装置１００の状態、あるいはその製造工程の途中において、電界効果型トランジスタ３０ａなどを静電気から確実に保護することができる。すなわち、支持基板１０ｄが絶縁基板である場合には、電気光学装置１００の状態、あるいはその製造工程の途中において大型基板から素子基板１０を切り出す際、静電気の影響を受けやすいが、本形態によれば、支持基板１０ｄが絶縁基板であっても、導電膜からなる平坦化膜７４によって電界効果型トランジスタ３０ａなどを静電気から確実に保護することができる。
【００６３】
［実施の形態２の液晶装置への適用例］
上記電気光学装置では、実施の形態１に係る半導体装置１０ｓを素子基板１０として用いたため、電気光学装置１００は反射型の液晶装置であったが、実施の形態２に係る半導体装置１０ｓを素子基板１０として用いれば、平坦化膜７４が透光性を備えているため、電気光学装置１００として、図７（ｂ）に矢印Ｌ１２で示すように、対向基板２０の側から入射した光を素子基板１０の側から出射する透過型の液晶装置を構成することができる。この場合の液晶装置としての構成は、画素電極９ａを透光性導電膜で形成する他は、図５〜図７を参照して説明した構成と略同一であるため、その詳細な説明は省略する。
【００６４】
なお、平坦化膜７４が透光性を備えている場合においても、電気光学装置１００を反射型の液晶装置として構成してもよい。この場合、物理気相堆積法で形成したアルミニウム膜などの光反射性金属により平坦化膜７４を形成した構成、あるいは、物理気相堆積法により平坦化膜７４の上層にアルミニウム膜などの光反射性金属層を形成した構成を採用すれば、画素電極９ａを透光性導電膜で形成した場合でも、電気光学装置１００を反射型の液晶装置として構成することができる。
【００６５】
［実施の形態１の有機ＥＬ装置への適用例］
次に、実施の形態１に係る半導体装置１０ｓをトップエミッション型の液晶装置（電気光学装置）の素子基板として用いた例を説明する。なお、以下の説明において、実施の形態１の半導体装置１０ｓ、電界効果型トランジスタ３０および導電パターン９ｓは各々、電気光学装置１００の素子基板１０、電界効果型トランジスタ３０ｃ、および画素電極９ａに対応し、その他の部分は、対応関係が分りやすいように、対応する部分同士に同一の符号を付して説明する。
【００６６】
（全体構成）
図８は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置（有機ＥＬ装置）の電気的な構成を示すブロック図である。図９（ａ）、（ｂ）は各々、図８に示す電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に封止基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００６７】
図８に示す電気光学装置１００は有機ＥＬ装置であり、素子基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して並列して延在する複数の電源線３ｅとを有している。また、素子基板１０において、矩形形状の画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。画素領域１０ｂの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の電界効果型トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の電界効果型トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量６０と、保持容量６０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の電界効果型トランジスタ３０ｃと、この電界効果型トランジスタ３０ｃを介して電源線３ｅに電気的に接続したときに電源線３ｅから駆動電流が流れ込む画素電極９ａ（陽極層）と、この画素電極９ａと陰極層との間に有機機能層が挟まれた有機ＥＬ素子８０を構成している。
【００６８】
かかる構成によれば、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の電界効果型トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量６０に保持され、保持容量６０が保持する電荷に応じて、駆動用の電界効果型トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の電界効果型トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線３ｅから画素電極９ａに電流が流れ、さらに有機機能層を介して対極層に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００６９】
なお、図８に示す構成では、電源線３ｅは走査線３ａと並列していたが、電源線３ｅがデータ線６ａに並列している構成を採用してもよい。また、図８に示す構成では、電源線３ｅを利用して保持容量６０を構成していたが、電源線３ｅとは別に容量線を形成し、かかる容量線によって保持容量６０を構成してもよい。
【００７０】
図９（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０と封止基板２５とがシール材１０７によって貼り合わされており、素子基板１０と封止基板２５との間にはシール材あるいは封止用乾燥剤（図示せず）が充填されている。素子基板１０において、シール材１０７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、およびＩＴＯ膜からなる端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０３が設けられている。詳しくは後述するが、素子基板１０には、画素電極（陽極）、有機機能層および陰極がこの順に積層された有機ＥＬ素子８０がマトリクス状に形成されている。なお、封止基板２５を用いずに、素子基板１０を封止樹脂で覆った構造を採用することもある。
【００７１】
（画素の詳細な構成）
図１０（ａ）、（ｂ）は各々、図８に示す電気光学装置の画素の平面図、および画素の断面図である。なお、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ′線における断面図であり、図１０（ａ）では、画素電極９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
【００７２】
図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（長い点線で囲まれた領域）が画素１００ａ毎に形成され、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、および走査線３ａ（実線で示す領域）が形成されている。また、素子基板１０において、走査線３ａと並列して電源線３ｅが形成されている。
【００７３】
図１０（ｂ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板１０ｄからなる。素子基板１０では、支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａに対応する領域に電界効果型トランジスタ３０ｃが形成されている。なお、本形態の電気光学装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、矢印Ｌ２１で示すように、支持基板１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板の他、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナなどのセラミックス、樹脂基板などが挙げられる。
【００７４】
電界効果型トランジスタ３０ｃは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側にはゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極３ｓが形成されている。かかるゲート電極３ｓは、電界効果型トランジスタ３０ｂのドレインに電気的に接続されている。なお、電界効果型トランジスタ３０ｂの基本的な構成は、電界効果型トランジスタ３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００７５】
電界効果型トランジスタ３０ｂａの上層側には層間絶縁膜７１および平坦化膜７４が順に形成されており、平坦化膜７４によって、電界効果型トランジスタ３０ｂに起因する凹凸が解消されている。層間絶縁膜７１の上層にはソース電極６ｓおよびドレイン電極６ｂが形成され、ソース電極６ｓは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。
【００７６】
本形態において、平坦化膜７４は、表面に平坦化処理が施された導電膜から構成されている。このため、層間絶縁膜７１と平坦化膜７４との間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる下層側絶縁膜７２が形成され、ソース電極６ｓおよびドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１と下層側絶縁膜７２との層間に形成されている。
【００７７】
また、本形態において、平坦化膜７４は、めっき形成された銅、ニッケルなどの金属膜からなる。このため、下層側絶縁膜７２の上層（平坦化膜７４の下層）には、下層側絶縁膜７２の上層側へのめっきを可能とするめっき下地層７３が形成されている。かかるめっき下地層７３は、スパッタ法や蒸着法などの物理気相堆積法や、無電界めっきにより形成された薄い導電層などからなる。
【００７８】
本形態の電気光学装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、支持基板１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、平坦化膜７４の上層には、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金からなる光反射層７９が形成されている。なお、平坦化膜７４自身を光反射層として利用することもでき、この場合、光反射層７９は省略される。
【００７９】
さらに、平坦化膜７４の上層側にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる上層側絶縁膜７５が形成され、上層側絶縁膜７５の上層には、ＩＴＯ膜からなる透光性の画素電極９ａが形成されている。
【００８０】
本形態では、画素電極９ａを電界効果型トランジスタ３０ｂのドレイン領域１ｉに電気的に接続するにあたって、画素電極９ａをドレイン電極６ｂに接続し、ドレイン電極６ｂを電界効果型トランジスタ３０ｂのドレイン領域１ｉに接続してある。
【００８１】
かかる画素電極９ａとドレイン電極６ｂとの電気的な接続を行なうにあたって、本形態では、画素電極９ａとドレイン電極６ｂとのコンタクト部７０では、光反射層７９、平坦化膜７４およびめっき下地層７３に大きめの第１コンタクトホール７４ａが形成されているとともに、第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する小さな第２コンタクトホール７５ａが形成されている。このため、平坦化膜７４が導電膜によって形成されている場合でも、画素電極９ａは、周辺と短絡することなくドレイン電極６ｂに電気的に接続する。
【００８２】
本形態において、走査線３ａおよび容量線３ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。また、ソース電極６ｓおよびドレイン電極６ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。
【００８３】
また、画素電極９ａの上層には、発光領域を規定するための開口部を備えたシリコン酸化膜などからなる隔壁層５ａ、および感光性樹脂などからなる厚い隔壁層５ｂが形成されている。隔壁層５ａおよび隔壁層５ｂで囲まれた領域内において、画素電極９ａの上層には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などからなる正孔注入層８１、および発光層８２からなる有機機能層が形成され、発光層８２の上層には陰極層８５が形成されている。このようにして、画素電極９ａ、正孔注入層８１、発光層８２および陰極層８５によって、有機ＥＬ素子８０が構成されている。
【００８４】
発光層８２は、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料から構成される。また、発光層８２としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる組成物も使用可能である。本形態において、有機機能層は、インクジェット法などの塗布法により形成される。なお、塗布法としては、フレキソ印刷法、スピンコート法、スリットコート法、ダイコート法などが採用される場合もある。また、有機機能層は、低分子材料からなる場合、蒸着法などにより形成される場合もある。さらに、発光層８２と陰極層８５との層間にはＬｉＦなどからなる電子注入層が形成されることもある。
【００８５】
（有機ＥＬ装置での効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、電界効果型トランジスタ３０ｂ（半導体素子）の上層側に、表面を研磨した平坦化膜７４が形成されている。このため、平坦面に画素電極９ａを形成することができ、その結果、発光層８２などの有機機能層も平坦面に形成することができる。それ故、発光層８２などを均一な厚さに形成することができるので、電気光学装置１００の表示特性を向上することができる。
【００８６】
また、支持基板１０ｄ上において、電界効果型トランジスタ３０ｂが形成されている領域全体が導電膜からなる平坦化膜７４で覆われているので、電気光学装置１００の状態、あるいはその製造工程の途中において、電界効果型トランジスタ３０ｂなどを静電気から確実に保護することができる。すなわち、支持基板１０ｄが絶縁基板である場合には、電気光学装置１００の状態、あるいはその製造工程の途中において大型基板から素子基板１０を切り出す際、静電気の影響を受けやすいが、本形態によれば、支持基板１０ｄが絶縁基板であっても、導電膜からなる平坦化膜７４によって電界効果型トランジスタ３０ｂなどを静電気から確実に保護することができる。
【００８７】
［実施の形態２の有機ＥＬ装置への適用例］
上記電気光学装置では、実施の形態１に係る半導体装置１０ｓを素子基板１０として用いたため、電気光学装置１００はトップエミッション型の有機ＥＬ装置であったが、実施の形態２に係る半導体装置１０ｓを素子基板１０として用いれば、平坦化膜７４が透光性を備えているため、電気光学装置１００として、図１０（ｂ）に矢印Ｌ２２で示すように、支持基板１０ｄの側から表示光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を構成することができる。この場合の有機ＥＬ装置としての構成は、光反射層７９が不要である他は、図８〜図１０を参照して説明した構成と略同一であるため、その詳細な説明は省略する。
【００８８】
なお、平坦化膜７４が透光性を備えている場合においても、電気光学装置１００をトップエミッション型の有機ＥＬ装置として構成してもよい。この場合、物理気相堆積法で形成したアルミニウム膜などの光反射性金属により平坦化膜７４を形成すれば、光反射層７９を省略することができる。
【００８９】
［電気光学装置の電子機器への搭載例］
本発明を適用した電気光学装置１００のうち、図５〜図７を参照して説明した電気光学装置２００（液晶装置）は、図１１（ａ）に示す投射型表示装置（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図１１（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。また、図８〜図１０を参照して説明した電気光学装置２００（有機ＥＬ装置）は、図１１（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。
【００９０】
図１１（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の反射型液晶装置（電気光学装置１００／反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光をスクリーン８６０に投写する。
【００９１】
なお、図５〜図７を参照して説明した電気光学装置１００を透過型の液晶装置として構成すれば、透過型の投射型表示装置を構成することもできる。
【００９２】
図１１（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１１（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成および製造方法を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置（液晶装置）の電気的な構成を示すブロック図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は各々、図５に示す電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は各々、図５に示す電気光学装置の画素の平面図、および画素の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置（有機ＥＬ装置）の電気的な構成を示すブロック図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は各々、図８に示す電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に封止基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は各々、図８に示す電気光学装置の画素の平面図、および画素の断面図である。
【図１１】本発明を適用した電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００９４】
３ａ・・走査線、３ｓ・・ゲート電極、６ａ・・データ線、６ｂ・・ドレイン電極、６ｓ・・ソース電極、９ａ・・画素電極、９ｓ・・導電パターン、１０・・素子基板、１０ｂ・・画素領域、１０ｓ・・半導体装置、３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・電界効果型トランジスタ（半導体素子）、５０・・液晶、７０・・コンタクト部、７２・・下層側絶縁膜、７３・・めっき下地層、７４・・平坦化膜、７４ａ・・第１コンタクトホール、７５・・上層側絶縁膜、７５ａ・・第２コンタクトホール、８０・・有機ＥＬ素子、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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