(57)【要約】【課題】  ２重にシール部材を配備した真空装置のリーク判定を、Ｈｅガスを用いることなく簡易に行う。【解決手段】  真空装置のリーク判定方法は、連通溝内の圧力Ｐ１を大気圧よりも高く設定し、処理容器内の圧力Ｐ２を真空に設定した状態で、圧力Ｐ１，Ｐ２に共に変化がない場合に内側シール部材および外側シール部材のいずれもリークは無いと判定し、圧力Ｐ１が下降し、かつ圧力Ｐ２に変化がない場合に外側シール部材からのリークが有る、と判定し、圧力１が下降し、かつ圧力Ｐ２が上昇した場合に、少なくとも内側シール部材からのリークが有る、と判定する。【選択図】  図４
2009242891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体に対して真空状態で処理を行う真空装置であって、
被処理体を内部に収容する処理容器と、
前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、
前記処理容器を構成する部材どうしの接合部分に内外２重に配備された内側シール部材および外側シール部材と、
前記内側シール部材と前記外側シール部材との間の前記接合部分に設けられた連通溝と、
前記連通溝に接続されて該連通溝内に加圧気体を導入する気体導入機構と、
前記連通溝内の圧力を計測する第１の圧力計測装置と、
前記処理容器内の圧力を計測する第２の圧力計測装置と、
を備え、前記気体導入機構により前記連通溝内に気体を導入して該連通溝内の圧力を大気圧よりも高く設定した状態で、前記第１の圧力計測装置と前記第２の圧力計測装置で前記連通溝内および前記処理容器内の圧力の変化をそれぞれ計測することにより、前記内側シール部材および前記外側シール部材におけるリークの有無を判定するように構成したことを特徴とする真空装置。
【請求項２】
被処理体を内部に収容する処理容器と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、前記処理容器を構成する部材どうしの接合部分に内外２重に配備された内側シール部材および外側シール部材と、前記内側シール部材と前記外側シール部材との間の前記接合部分に設けられた連通溝と、前記連通溝に接続されて該連通溝内に加圧気体を導入する気体導入機構と、前記連通溝内の圧力を計測する第１の圧力計測装置と、前記処理容器内の圧力を計測する第２の圧力計測装置と、を備えて被処理体に対して真空状態で処理を行う真空装置において前記内側シール部材および前記外側シール部材からのリークの有無を判定する真空装置のリーク判定方法であって、
前記気体導入機構により前記連通溝内に気体を導入して該連通溝内の圧力を大気圧よりも高く設定した状態で、前記第１の圧力計測装置と前記第２の圧力計測装置で前記連通溝内および前記処理容器内の圧力の変化をそれぞれ計測することにより、前記内側シール部材および前記外側シール部材におけるリークの有無を判定することを特徴とする真空装置のリーク判定方法。
【請求項３】
前記連通溝内の圧力に変化がない場合に前記内側シール部材および前記外側シール部材のいずれもリークは無い、と判定し、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力に変化がない場合に前記外側シール部材からのリークが有る、と判定し、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力が上昇した場合に、少なくとも前記内側シール部材からのリークが有る、と判定することを特徴とする請求項２に記載の真空装置のリーク判定方法。
【請求項４】
前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力が上昇した場合において、前記連通溝内の圧力の下降速度が大気圧を境に緩やかになる変曲点を有していることを指標に前記内側シール部材と前記外側シール部材の両方からリークが有る、と判定することを特徴とする請求項３に記載の真空装置のリーク判定方法。
【請求項５】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、
被処理体を内部に収容する処理容器と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、前記処理容器を構成する部材どうしの接合部分に内外２重に配備された内側シール部材および外側シール部材と、前記内側シール部材と前記外側シール部材との間の前記接合部分に設けられた連通溝と、前記連通溝に接続されて該連通溝内に加圧気体を導入する気体導入機構と、前記連通溝内の圧力を計測する第１の圧力計測装置と、前記処理容器内の圧力を計測する第２の圧力計測装置と、を備えて被処理体に対して真空状態で処理を行う真空装置において、前記気体導入機構により前記連通溝内に気体を導入して該連通溝内の圧力を大気圧よりも高く設定した状態で、前記第１の圧力計測装置と前記第２の圧力計測装置で前記連通溝内および前記処理容器内の圧力の変化をそれぞれ計測することにより、前記内側シール部材および前記外側シール部材におけるリークの有無を判定するリーク判定方法が行なわれるように、コンピュータに前記真空装置を制御させるものであることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項６】
前記リーク判定方法は、前記連通溝内の圧力に変化がない場合に前記内側シール部材および前記外側シール部材のいずれもリークは無い、と判定し、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力に変化がない場合に前記外側シール部材からのリークが有る、と判定し、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力が上昇した場合に、少なくとも前記内側シール部材からのリークが有る、と判定するものであることを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項７】
前記リーク判定方法は、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力が上昇した場合において、前記連通溝内の圧力の下降速度が大気圧を境に緩やかになる変曲点を有していることを指標に前記内側シール部材と前記外側シール部材の両方からリークが有る、と判定するものであることを特徴とする請求項６に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの被処理体に対して、真空状態で成膜やエッチングなどの処理を行う真空装置、そのリーク判定方法、およびそれに用いるコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置の製造過程でエッチングや成膜などの処理の際に用いられる真空装置では、バルブと排気ポンプを備えた排気部が設けられ、真空チャンバの内部の圧力を所望の真空状態まで減圧できるように構成されている。このような真空装置では、真空チャンバの気密性をより確実にするため、真空チャンバを構成する部材の接合部位にＯリングを内外２重に配備した構成のものが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
上記構成の真空装置においても、腐食性ガスやプラズマの影響によりＯリングが劣化したり、シール部位に異物が挟み込まれたりした場合などに、シールが不完全になり、真空チャンバの気密性を維持することが困難になる場合がある。このため、定期的に真空チャンバのリークの有無を判定し、シール部位の気密性をチェックする必要がある。リークを判定する方法としては、２重に配備されたＯリングの間に、部材同士の接合面に臨むガス流路を設け、そこにＨｅガスを加圧供給し、真空チャンバの排気部に取付けたＨｅ検出器で排気ガス中へのＨｅの混入を確認する方法が知られている（上記特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−９９９２４号公報（図２など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の方法のように、Ｈｅガスを使用するリーク判定方法の場合、非常に軽い気体であるＨｅの性質により、一旦真空チャンバ内にＨｅが混入すると、完全に排気するまでに時間がかかるという問題があった。つまり、１回のリーク判定においてシール部位の気密性が不十分でＨｅが真空チャンバ内に混入してしまうと、Ｈｅが長時間真空チャンバ内に残留し、測定精度が低下するため、再度リーク判定を行うためにはＨｅが完全に排気されるまで待たなければならない。従って、特許文献１の方法では、リーク判定の間隔が長くなり、簡易かつ迅速な判定が困難である、という問題があった。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、２重にシール部材を配備した真空装置のリーク判定を、Ｈｅガスを用いることなく簡易に行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る真空装置は、被処理体に対して真空状態で処理を行う真空装置であって、
被処理体を内部に収容する処理容器と、
前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、
前記処理容器を構成する部材どうしの接合部分に内外２重に配備された内側シール部材および外側シール部材と、
前記内側シール部材と前記外側シール部材との間の前記接合部分に設けられた連通溝と、
前記連通溝に接続されて該連通溝内に加圧気体を導入する気体導入機構と、
前記連通溝内の圧力を計測する第１の圧力計測装置と、
前記処理容器内の圧力を計測する第２の圧力計測装置と、
を備え、前記気体導入機構により前記連通溝内に気体を導入して該連通溝内の圧力を大気圧よりも高く設定した状態で、前記第１の圧力計測装置と前記第２の圧力計測装置で前記連通溝内および前記処理容器内の圧力の変化をそれぞれ計測することにより、前記内側シール部材および前記外側シール部材におけるリークの有無を判定するように構成した。
【０００８】
本発明に係る真空装置のリーク判定方法は、被処理体を内部に収容する処理容器と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、前記処理容器を構成する部材どうしの接合部分に内外２重に配備された内側シール部材および外側シール部材と、前記内側シール部材と前記外側シール部材との間の前記接合部分に設けられた連通溝と、前記連通溝に接続されて該連通溝内に加圧気体を導入する気体導入機構と、前記連通溝内の圧力を計測する第１の圧力計測装置と、前記処理容器内の圧力を計測する第２の圧力計測装置と、を備えて被処理体に対して真空状態で処理を行う真空装置において前記内側シール部材および前記外側シール部材からのリークの有無を判定する真空装置のリーク判定方法であって、
前記気体導入機構により前記連通溝内に気体を導入して該連通溝内の圧力を大気圧よりも高く設定した状態で、前記第１の圧力計測装置と前記第２の圧力計測装置で前記連通溝内および前記処理容器内の圧力の変化をそれぞれ計測することにより、前記内側シール部材および前記外側シール部材におけるリークの有無を判定する。
【０００９】
本発明に係る真空装置のリーク判定方法において、前記連通溝内の圧力に変化がない場合に前記内側シール部材および前記外側シール部材のいずれもリークは無い、と判定し、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力に変化がない場合に前記外側シール部材からのリークが有る、と判定し、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力が上昇した場合に、少なくとも前記内側シール部材からのリークが有る、と判定することが好ましい。
【００１０】
また、本発明に係る真空装置のリーク判定方法では、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力が上昇した場合において、前記連通溝内の圧力の下降速度が大気圧を境に緩やかになる変曲点を有していることを指標に前記内側シール部材と前記外側シール部材の両方からリークが有る、と判定することが好ましい。
【００１１】
本発明に係るコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、被処理体を内部に収容する処理容器と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、前記処理容器を構成する部材どうしの接合部分に内外２重に配備された内側シール部材および外側シール部材と、前記内側シール部材と前記外側シール部材との間の前記接合部分に設けられた連通溝と、前記連通溝に接続されて該連通溝内に加圧気体を導入する気体導入機構と、前記連通溝内の圧力を計測する第１の圧力計測装置と、前記処理容器内の圧力を計測する第２の圧力計測装置と、を備えて被処理体に対して真空状態で処理を行う真空装置において、前記気体導入機構により前記連通溝内に気体を導入して該連通溝内の圧力を大気圧よりも高く設定した状態で、前記第１の圧力計測装置と前記第２の圧力計測装置で前記連通溝内および前記処理容器内の圧力の変化をそれぞれ計測することにより、前記内側シール部材および前記外側シール部材におけるリークの有無を判定するリーク判定方法が行なわれるように、コンピュータに前記真空装置を制御させる。
【００１２】
本発明に係るコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記リーク判定方法は、前記連通溝内の圧力に変化がない場合に前記内側シール部材および前記外側シール部材のいずれもリークは無い、と判定し、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力に変化がない場合に前記外側シール部材からのリークが有る、と判定し、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力が上昇した場合に、少なくとも前記内側シール部材からのリークが有る、と判定することが好ましい。
【００１３】
また、本発明に係るコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記リーク判定方法は、前記連通溝内の圧力が下降し、かつ前記処理容器内の圧力が上昇した場合において、前記連通溝内の圧力の下降速度が大気圧を境に緩やかになる変曲点を有していることを指標に前記内側シール部材と前記外側シール部材の両方からリークが有る、と判定するものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る真空装置では、第１の圧力計測装置と第２の圧力計測装置を用い、連通溝内の圧力および処理容器内の圧力を計測するだけで、内側シール部材または外側シール部材のどちらか、または両方でリークが発生しているか否かを簡易かつ迅速に判別できる。
【００１５】
また、本発明に係る真空装置のリーク判定方法では、圧力測定のみによってリーク判定が可能であるため、Ｈｅガスを用いる従来の方法に比べて簡便であり、Ｈｅガスの残留による測定精度の低下等の問題も生じないので、処理容器の接合部位が複数存在する場合でも、迅速に別の部位のリーク判定を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１に、真空装置の一実施形態である成膜装置１００の概略構成例を示した。この成膜装置１００は、気密に構成された略円筒状の処理容器１を有している。処理容器１の中には被処理体である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）Ｗを水平に支持するためのサセプタ３が配備されている。サセプタ３は、円筒状の支持部材５により支持されている。また、サセプタ３には，ヒータ７が埋め込まれている。このヒータ７は図示しないヒータ電源から給電されることにより、ウエハＷを所定の温度に加熱する。
【００１７】
処理容器１の天板１ａには、シャワーヘッド１１が設けられている。このシャワーヘッド１１は、内部にガス拡散空間１１ａを有している。また、シャワーヘッド１１の下面には、ガス拡散空間１１ａに連通する多数のガス吐出孔１３が形成されている。また、シャワーヘッド１１の中央部には、ガス拡散空間１１ａに連通するガス供給配管１５が接続されている。このガス供給配管１５は、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）１７と図示しない複数のバルブを介して、成膜原料ガス等を供給する成膜ガス供給源１９に接続されている。
【００１８】
成膜ガス供給源１９からは、ガス供給配管１５を介して、成膜原料ガスのほか、処理容器１内をクリーニングするためのクリーニングガス、処理容器１内の雰囲気置換をするためのパージガスなどがシャワーヘッド１１へ供給される。
【００１９】
シャワーヘッド１１には、整合器２１を介して高周波電源２３が接続されている。この高周波電源２３からシャワーヘッド１１に高周波電力を供給することにより、シャワーヘッド１１を介して処理容器１内に供給された原料ガスをプラズマ化して成膜することができる。
【００２０】
処理容器１の底壁１ｃには、排気室３０が連結されている。この排気室３０の側部には排気孔３１が形成されている。この排気孔３１には排気管３３を介して排気装置３５が接続されている。また、排気管３３の途中には、バルブ３７が配備されており、処理容器１の内部と排気装置３５との間を気密に遮断できるように構成されている。そして、バルブ３７を開けた状態で、排気装置３５を作動させることにより処理容器１内を所定の真空度まで減圧できるように構成されている。
【００２１】
以上のような構成の成膜装置１００では、処理容器１内を真空にして、サセプタ３にウエハＷを載置した状態で、ヒータ７によりウエハＷを加熱しつつ、シャワーヘッド１１からウエハＷへ向けて原料ガスを供給することにより、ウエハＷの表面に例えばＴｉ膜、ＴｉＮ膜等の所定の薄膜をＣＶＤ法により成膜することができる。この際、成膜反応効率を高める目的で、高周波電源２３からシャワーヘッド１１に高周波電力を供給することもできる。
【００２２】
処理容器１を構成する各部材の接合部分には、該接合部分の気密性を確保するために、シール部材としてのＯリングが２重に配備されている。図１では、例えば天板１ａと側壁１ｂとの接合部分に環状に配備された、内側Ｏリング４１および外側Ｏリング４３、また、底壁１ｃと排気室３０のフランジ部３０ａとの接合部分に環状に配備された内側Ｏリング４５および外側Ｏリング４７を代表的に図示している。
【００２３】
図２は、天板１ａと側壁１ｂとの接合部分（図１のＡ部）の拡大断面図である。図示のように、処理容器１内部の処理空間Ｓに近い側に、内側Ｏリング４１が設けられ、この内側Ｏリング４１を囲むように外側Ｏリング４３が配備されている。内側Ｏリング４１および外側Ｏリング４３は、例えばゴム、フッ素樹脂などの弾性材料で形成されている。内側Ｏリング４１および外側Ｏリング４３は、それぞれ天板１ａ側に設けられたＯリング配設用溝４９に嵌め込まれている。なお、Ｏリング配設用溝４９は側壁１ｂの側に形成されていてもよい。
【００２４】
内側Ｏリング４１と外側Ｏリング４３との間には、天板１ａと側壁１ｂとの接合境界に臨むように連通溝５１が形成されている。この連通溝５１は、側壁１ｂに設けられたガス流路５３に接続され、このガス流路５３には、処理容器１の外部から圧力計５５が接続されて、ガス流路５３内の圧力を計測できるように構成されている。
【００２５】
また、連通溝５１は、天板１ａに設けられた測定用ガス供給路５７にも連通している。この測定用ガス供給路５７には、天板１ａの外部から配管５７ａが接続され、この配管５７ａを介して処理容器１の外部の測定用ガス供給源５９に接続されている。配管５７ａには、測定用ガス供給路５７と測定用ガス供給源５９との間を気密に遮断するバルブ５８が設けられている。そして、バルブ５８を開けた状態で、測定用ガス供給源５９から、例えば窒素ガス、空気、アルゴンなどのリーク測定用ガスを測定用ガス供給路５７内に供給することによって、測定用ガス供給路５７、連通溝５１およびガス流路５３内を、大気圧を超える所定圧力まで一様に加圧できるように構成されている。測定用ガス供給路５７、連通溝５１およびガス流路５３は、内側Ｏリング４１と外側Ｏリング４３のどちらでリークが発生しているかを判定する際のリークチェック用空間として機能する。
【００２６】
再び、図１を参照する。処理容器１の側壁１ｂには、貫通孔６１を介して、処理容器１内の処理空間Ｓの圧力を計測するための圧力計６３が配備されている。
【００２７】
成膜装置１００を構成する各エンドデバイス（例えば、ＭＦＣ１７、高周波電源２３、排気装置３５、測定用ガス供給源５９など）は、制御部７０に接続されて制御される構成となっている。成膜装置１００における制御系統の構成例を図３に示した。制御部７０は、ＣＰＵを備えたコンピュータであるコントローラ７１と、このコントローラ７１に接続されたユーザーインターフェース７２および記憶部７３を備えている。ユーザーインターフェース７２は、工程管理者が成膜装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。記憶部７３には、成膜装置１００で実行される各種処理をコントローラ７１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース７２からの指示等にて任意の制御プログラムやレシピを記憶部７３から呼び出してコントローラ７１に実行させることで、コントローラ７１の制御下で、成膜装置１００の処理容器１内で所望の処理が行われる。
【００２８】
なお、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体７４に格納された状態のものを記憶部７３にインストールすることによって利用できる。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体７４としては、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤなどを使用できる。また、前記レシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００２９】
また、図３に示したように、制御部７０のコントローラ７１は、圧力計測手段としての圧力計５５および圧力計６３とも接続されている。制御部７０は、圧力計５５および圧力計６３で計測された圧力データを演算、解析して本実施の形態に係るリーク判定方法を実施するリーク判定手段としても機能する。
【００３０】
次に、成膜装置１００において行われるリーク判定方法について、図４を参照しながら説明する。ここでは、処理容器１の天板１ａと側壁１ｂとの接合部分（図１のＡ部）の内側Ｏリング４１および外側Ｏリング４３のリークの有無を検査する場合を例に挙げて説明を行うが、他の接合部位についても同様の手順でリークの有無を判定できる。
【００３１】
まず、排気装置３５を作動させることにより、処理容器１の内部の処理空間Ｓの圧力Ｐ２を所定の真空度例えば１．３３Ｐａ程度まで減圧排気した後、バルブ３７を閉じる。一方、測定用ガス供給源から、リーク測定用ガスとして例えば窒素ガス、空気等を測定用ガス供給路５７内に供給する。測定用ガス供給路５７内に供給されたリーク測定用ガスは、測定用ガス供給路５７、連通溝５１およびガス流路５３により構成されるリークチェック用空間内に充満し、連通溝５１を含むリークチェック用空間内の圧力Ｐ１を、大気圧を超えるレベル例えばゲージ圧として０．０３ＭＰａ程度まで上昇させる。その後、バルブ５８を閉じてリークチェック用空間内を密閉状態にする。
【００３２】
次に、圧力計５５および圧力計６３でリークチェック用空間内および処理容器１の処理空間Ｓ内の圧力を経時的に測定しモニターする。内側Ｏリング４１と外側Ｏリング４３において、いずれも十分な気密性が確保できている場合には、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１、処理空間Ｓ内の圧力Ｐ２は、そのまま維持される。つまり、図４（ａ）に示したように、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１は、大気圧を超える初期圧力で、実質的に横ばいに推移する。また、図４（ａ）に示したように、処理空間Ｓ内の圧力Ｐ２も、初期の真空度を維持したまま、実質的に横ばいに推移する。なお、ここでは、処理容器１の設計上避けられないリークにより生じる極くわずかな圧力低下は考慮しないものとする。
【００３３】
内側Ｏリング４１は、正常な状態で気密性が確保され、外側Ｏリング４３のみにおいてリークが発生している場合は、図４（ｂ）に示したように、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１は、大気圧まで比較的短時間で低下し、その後、横ばい（つまり、外部との圧力差がない状態）になる。これは、リークチェック用空間内のリーク測定用ガスが、外側Ｏリング４３によるシール部位を介して、天板１ａと側壁１ｂとの接合面に沿って外部に逃げていることを示している。この場合、外気圧（大気圧）と平衡になった時点を境に、圧力Ｐ１の低下速度はゼロになるため、変曲点Ｉ１が測定される。
【００３４】
一方、処理空間Ｓ内の圧力Ｐ２は、図４（ｂ）に示したように、初期の真空度を維持したまま、実質的に横ばいに推移する。
【００３５】
また、外側Ｏリング４３は、正常な状態で気密性が確保され、内側Ｏリング４１のみにおいてリークが発生している場合は、図４（ｃ）に示したように、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１は、大気圧を下回る値までほぼ一定速度で低下していく。これは、リークチェック用空間内のリーク測定用ガスが、内側Ｏリング４１によるシール部位を介して天板１ａと側壁１ｂとの接合面に沿って処理容器１の処理空間Ｓ内に引き込まれていることを示している。一方、処理空間Ｓ内の圧力Ｐ２は、内側Ｏリング４１を介して天板１ａと側壁１ｂとの接合面に沿ってリークチェック用空間内のリーク測定用ガスが流入してくることにより、図４（ｃ）に示したように、少しずつ直線的に増加していく。
【００３６】
また、内側Ｏリング４１と外側Ｏリング４３との両方でリークが発生している場合は、図４（ｄ）に示したように、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１は、大気圧まで比較的短時間で低下し、その後、低下速度を緩やかに変えて大気圧を下回る値まで低下していく。リークチェック用空間内の圧力Ｐ１が大気圧になるまでは、リークチェック用空間内のリーク測定用ガスが、外側Ｏリング４３によるシール部位を介して天板１ａと側壁１ｂとの接合面に沿って逃げていくと同時に、内側Ｏリング４１によるシール部位を介して天板１ａと側壁１ｂとの接合面に沿って処理容器１の処理空間Ｓ内に引き込まれる。このため、圧力Ｐ１が大気圧になるまでの降下速度は大きくなる。しかし、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１が大気圧まで降下した後は、リークチェック用空間内のリーク測定用ガスが、内側Ｏリング４１によるシール部位を介して天板１ａと側壁１ｂとの接合面に沿って処理容器１の処理空間Ｓ内に引き込まれる一方、これにより生じる負圧を補おうとして、外側Ｏリング４３によるシール部位を介して天板１ａと側壁１ｂとの接合面に沿って外気が少しずつ進入するため、圧力Ｐ１の降下速度が遅くなる。以上のことから、内側Ｏリング４１と外側Ｏリング４３との両方でリークが発生している場合は、外気圧と平衡になる大気圧を境に、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１の低下速度が緩やかに変化し、変曲点Ｉ２が測定される。なお、処理容器１内の処理空間Ｓの真空度が低い場合、リークチェック用空間内への外側Ｏリング４３を介して外気が進入することで、圧力Ｐ１が大気圧以下にならない場合も有り得るが、その場合でも変曲点Ｉ２は必ず観察される。
【００３７】
一方、処理空間Ｓ内の圧力Ｐ２は、内側Ｏリング４１を介してリークチェック用空間内のリーク測定用ガスが流入してくることにより、図４（ｄ）に示したように、少しずつ直線的に増加していく。
【００３８】
以上、図４（ａ）〜（ｄ）を参照して説明したように、本実施の形態のリーク判定方法では、圧力計５５，６３を用い、連通溝５１を含むリークチェック用空間内の圧力Ｐ１および処理空間Ｓ内の圧力Ｐ２をモニターすることによって、内側Ｏリング４１、外側Ｏリング４３のいずれか、または両方に不備があり、リークが生じているか否かを簡易かつ迅速に判別できる。この方法では、圧力の測定のみによってリーク判定が可能であるため、Ｈｅガスを用いる従来の方法に比べて簡便である。また、Ｈｅガスの残留による測定精度の低下等の問題が生じないので、処理容器１の接合部位が複数存在する場合でも、部位を変えて迅速に次のリーク判定を行うことができる。
【００３９】
図５は、成膜装置１００におけるリーク判定を制御部７０の制御の下で自動化する場合の手順の一例を示すフロー図である。まず、図５においてステップＳ１では、排気装置３５を作動させ、処理容器１の内部の処理空間Ｓの圧力Ｐ２を所定の真空度まで減圧排気する。次に、ステップＳ２では、測定用ガス供給源から、リーク測定用ガスを測定用ガス供給路５７内に供給し、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１を、大気圧を超える圧力に設定する。
【００４０】
次に、ステップＳ３では、圧力計５５，６３を用い、リークチェック用空間内の圧力Ｐ１および処理空間Ｓ内の圧力Ｐ２を経時的に測定し、モニターする。そして、所定時間モニターをした後に、ステップＳ４では、圧力Ｐ１に変化があるか否かを判断する。この場合、圧力Ｐ１に変化がない（Ｎｏ）であれば、図４（ａ）に示したように、内側Ｏリング４１および外側Ｏリング４３のどちらにもリークは発生していないことが確認できる。従って、ステップＳ５でリーク発生なし、と判定される。
【００４１】
一方、ステップＳ４で、圧力Ｐ１に変化がある（Ｙｅｓ）と判断された場合には、次にステップＳ６で圧力Ｐ２に変化があるか否かを判断する。そして、ステップＳ６の判断が、圧力Ｐ２に変化がない（Ｎｏ）であれば、圧力Ｐ１に変化があり、かつ圧力Ｐ２に変化がない場合であるから、図４（ｂ）に示したように、外側Ｏリング４３のみにおいてリークが発生していることが確認できる。従って、ステップＳ７で外側Ｏリング４３にリークが発生しているものと判定する。
【００４２】
一方、ステップＳ６で圧力Ｐ２に変化がある（Ｙｅｓ）と判断された場合には、さらに、次のステップＳ８で圧力Ｐ１は変曲点を持つか否かが判断される。ステップＳ８の判断が、圧力Ｐ１は変曲点を持たない（Ｎｏ）であれば、圧力Ｐ１，Ｐ２ともに変化があり、かつ圧力Ｐ１は変曲点を持たない場合であるから、図４（ｃ）に示したように、内側Ｏリング４１のみにリークが発生していることが確認できる。従って、ステップＳ９で内側Ｏリング４１にリークが発生しているものと判定する。
【００４３】
一方、ステップＳ８の判断が、圧力Ｐ１は変曲点を持つ（Ｙｅｓ）であれば、圧力Ｐ１，Ｐ２ともに変化があり、かつ圧力Ｐ１が変曲点を持つ場合であるから、図４（ｄ）に示したように、内側Ｏリング４１と外側Ｏリング４３の両方でリークが発生していることが確認できる。従って、ステップＳ１０で内側Ｏリング４１と外側Ｏリング４３の両方にリークが発生しているものと判定する。
【００４４】
図５に示したステップＳ１〜ステップＳ１０の手順に従うことによって、成膜装置１００における内側Ｏリング４１および外側Ｏリング４３のどちらか、または両方でリークが発生しているか否かを、圧力測定のみにより簡易かつ迅速に判定できる。従って、不備のある側のＯリングのみを点検、交換等すればよいため、成膜装置１００のダウンタイムを最小限に抑制できる。なお、図５に示したリーク判定の手順はあくまでも一例であり、種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【００４５】
以上、本発明の実施の形態を述べたが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、真空装置の一例として成膜装置１００を挙げて説明したが、成膜装置に限らず、例えばエッチング装置など真空状態で被処理体に所定の処理を行う真空装置であれば、特に制限なく本発明を適用することが可能である。
【００４６】
また、上記実施の形態では、成膜装置１００の処理容器１内の処理空間Ｓを真空状態に減圧してリーク判定を行う構成としたが、処理空間Ｓが密閉状態であれば、初期圧力Ｐ２を大気圧としても同様にリーク判定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１のＡ部の拡大図である。
【図３】図１の成膜装置の制御系統を示すブロック図である。
【図４】リーク発生パターンに対応した圧力Ｐ１および圧力Ｐ２の経時的な変化を示す図面である。
【図５】本発明の一実施の形態に係るリーク判定方法の手順を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…処理容器、１ａ…天板、１ｂ…側壁、１ｃ…底壁、３…サセプタ、１１…シャワーヘッド、１９…成膜ガス供給源、３０…排気室、３５…排気装置、４１…内側Ｏリング、４３…外側Ｏリング、５５…圧力計、５９…測定用ガス供給源、６３…圧力計、７０…制御部、１００…成膜装置、Ｗ…半導体ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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