(57)【要約】【課題】下部電極と上部電極とのショートを低減することのできる有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】基板１１の上に形成されたバンク１４の間に、下部電極１２及び上部電極１９と、該電極の間に塗布により形成された有機ＥＬ材料層（正孔注入層１３）とを備えた有機ＥＬ素子において、前記有機ＥＬ材料層（正孔注入層１３）は前記バンク１４の一部を覆っており、かつ前記バンク１４の上の有機ＥＬ材料層（正孔注入層１３）と上部電極１９との間には、絶縁層１５が形成されていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成されたバンクの間に、下部電極及び上部電極と、該電極の間に塗布により形成された有機ＥＬ材料層とを備えた有機ＥＬ素子において、
前記有機ＥＬ材料層は前記バンクの一部を覆っており、かつ前記バンクの上の有機ＥＬ材料層と上部電極との間には、絶縁層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
バンクの上には、下部電極、有機ＥＬ材料層である正孔注入層、絶縁層、上部電極がこの順に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
請求項１に記載される有機ＥＬ素子と該有機ＥＬ素子の駆動回路とを複数有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載される有機ＥＬ表示装置と外部機器とのインターフェースを備えることを特徴とするパネルモジュール。
【請求項５】
請求項３に記載される有機ＥＬ表示装置を搭載することを特徴とする携帯型表示装置。
【請求項６】
基板の上に形成されたバンクの間に、下部電極及び上部電極と、該電極の間に塗布により形成された有機ＥＬ材料層とを備えた有機ＥＬ素子を製造する方法において、
基板の上に形成された下部電極の縁部を覆うようにバンクを形成する工程と、
前記バンクの間に塗布により有機ＥＬ材料層を形成する工程と、
前記バンクの一部を覆う有機ＥＬ材料層の上に絶縁層を形成する工程と、
隣接する画素を跨ぐように上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の発光材料を有機溶剤等に溶かしてインク化し、該インク（組成物）を基板上に塗布法を利用して、陽極と陰極との間にパターニング形成するカラー表示装置の研究開発が盛んに行なわれている。塗布法としては、インクジェット法（特許文献１）や印刷法（特許文献２）やノズルプリント法（特許文献３）等が公知である。
【０００３】
特に、発光材料として、有機ＥＬ材料を用いた『有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置』の研究が盛んである（特許文献１）。
【０００４】
図１４は、有機ＥＬ材料をインクジェット法を用いて塗布形成した従来の有機ＥＬ表示装置を示した断面模式図である。
【０００５】
発光素子部の構成は、まず、基板６１の上に画素電極（下部電極）６２をパターニング形成し、その縁部を覆うように画素分離を目的とした隔壁（バンク）６４をフォトリソグラフィ法でパターニング形成している。バンク６４は、フッ素樹脂等を含む撥液性の樹脂、あるいは樹脂の表面にＣＦ4プラズマ処理等によって撥液性を付与することで、バンク間（溝内）に塗布されるインクがバンク６４を乗り越えて、隣接する画素に混入するというトラブルを防いでいる。
【０００６】
下部電極６２の上には、有機ＥＬ材料層として、少なくとも、正孔注入層６３、発光層６７をこの順に塗布形成している。続いて、陰極（上部電極）として、電子輸送層６８、上部共通電極６９をこの順に蒸着形成している。
【０００７】
従来の有機ＥＬ材料をインクジェット法等で塗布形成した有機ＥＬ表示装置では、図示していないがバンク間に十分な量の塗布インクを塗布した後に、有機溶媒を乾燥させることで、有機ＥＬ材料層を形成している。図１５に示したように、乾燥後のバンク側壁部分には、有機ＥＬ材料層のメニスカス（正孔注入層５３１、発光層５７１）が形成される。ここで、特に問題となるのは、バンク側壁部分に、極めて微量だが有機ＥＬ材料層が残存していることである。特に、正孔注入層は、電気抵抗が低く、バンク側壁部分に正孔注入材料が存在すると、下部電極６２と上部電極６８、６９との間にリークパス７０ができ、有機ＥＬ素子がショートする、という問題があった。
【０００８】
このことを防ぐ目的で、従来は、図１５に示したように、樹脂バンク（第２バンク）の下部に、絶縁を目的とした第１バンク６０を形成することが提案されている（特許文献４）。
【０００９】
【特許文献１】特許第３０３６４３６号公報
【特許文献２】特開２００５−３１０４００号公報
【特許文献３】特開２００１−１８９１９２号公報
【特許文献４】特開２００３−２４９３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、下部電極と上部電極とのショートを低減することのできる有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板の上に形成されたバンクの間に、下部電極及び上部電極と、該電極の間に塗布により形成された有機ＥＬ材料層とを備えた有機ＥＬ素子において、
前記有機ＥＬ材料層は前記バンクの一部を覆っており、かつ前記バンクの上の有機ＥＬ材料層と上部電極との間には、絶縁層が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、『有機ＥＬ材料層（正孔注入層）』と『上部電極』との間に『絶縁層』を形成したので、『下部電極』→『有機ＥＬ材料層（正孔注入層）』→『上部電極』のリークパスを容易に遮断することができる。そのため、下部電極と上部電極とのショートを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、各層や各部材を図面で認識可能な大きさとしたため、縮尺は実際とは異なる。
【００１４】
図１（ａ）に例示したように、基板１１の上に下部電極１２を形成する。基板１１は、ガラスあるいは高分子フィルムあるいは金属箔であり、その厚みは特に制限されない。下部電極１２としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＷＯ等の透明導電膜であれば良く、その膜厚は５０〜５００ｎｍが好ましい。
【００１５】
下部電極１２の間に、画素分離を目的とした撥液性樹脂からなるバンク１４を形成する。バンク（隔壁）１４としては、ポリイミドやアクリル等の感光性樹脂を用いることができる。バンク１４の形状としては、溝幅５０〜３００μｍ、バンク幅５〜５０μｍ、バンク高さ０．３〜５μｍ、テーパ角３０°〜９０°のストライプ状、あるいは格子状とすることが好ましい。ちなみに、バンク１４の上面を撥液性とすると、塗布液がバンク上面ではじかれ、隣接する画素に塗布液が混入しないようにできる。
【００１６】
前記バンク１４の間に塗布により有機ＥＬ材料層として正孔注入層１３を形成する。このとき、正孔注入層１３はバンク１４の一部を覆うようにメニスカス１３１を形成する。
【００１７】
正孔注入層１３としては、ＰＥＤＯＴ系（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ；ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）−ｐｏｌｙ−（ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））の他に、シクロヘキサン系等を用いることができる。正孔注入層１３の膜厚は１０〜１５０ｎｍが好ましい。
【００１８】
塗布法としては、ノズルプリント法の他に、一般的なディスペンス法やインクジェット法、印刷法等を用いることができる。このことは、後記発光層１７も塗布法により形成するが、同様である。
【００１９】
続いて、図１（ｂ）に例示したように、バンク側壁部分の塗布膜のメニスカス１３１を含む大きさの透明部分を持つフォトマスク１６を用意して、光ＣＶＤ装置を用いて、絶縁層１５として、光１０が照射している部分のみにＳｉＮを形成する。これにより、絶縁層（ＳｉＮ膜）１５は、正孔注入層（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）１３のメニスカス１３１を十分覆うことになる。
【００２０】
絶縁層１５としては、有機物あるいは無機物、あるいはその積層であっても良い。無機絶縁層としては、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ等が好ましく、有機絶縁層としては、例えば、テフロン（登録商標）系の樹脂が好ましい。膜厚は、絶縁性が取れれば良いが、例えば１０〜５００ｎｍが好ましい。絶縁層１５は、材料が汎用品であるため、材料のローコスト化が図れ、また、フレキシブル化への適用も可能である。
【００２１】
絶縁層１５は、上記のような光ＣＶＤ法の他に、スパッタ法、蒸着法、フォトリソグラフィ法等で形成することが可能である。この時、基板の温度はほとんど上昇せず、正孔注入層１３などへのダメージはほとんど無い。
【００２２】
また、絶縁層１５は、バンク近傍の正孔注入層１３と上部電極１９との間に形成すれば良く、その間に発光層や電子輸送層が介入しても特に問題は無い。また、補助電極等を有していても良い。
【００２３】
続いて、図１（ｃ）に例示したように、発光層１７をバンク１４の間の溝内に塗布形成する。発光層１７としては、高分子から中分子、低分子構造までのすべてが適用可能であり、塗布型の有機ＥＬ材料であれば良く、特に限定されない。また、その膜厚は、２０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００２４】
続いて、図２に示したように、塗布形成した発光層１７の上に、電子輸送層（Ｃｓ2ＣＯ3）１８を形成し、更に上部電極（Ａｌ）１９を形成し、封止して（不図示）、有機ＥＬ素子とした。ちなみに、上部電極１９は隣接する画素を跨ぐように形成される。
【００２５】
このようにして得られた有機ＥＬ素子は、基板１１の上に形成されたバンク１４の間に、下部電極１２及び上部電極１９と、該電極１２、１９の間に塗布により形成された有機ＥＬ材料層（正孔注入層１３）とを備えている。そして、前記有機ＥＬ材料層（正孔注入層１３）は前記バンク１４の一部を覆っており、かつ前記バンク１４の上の有機ＥＬ材料層（正孔注入層１３）と上部電極１９との間には、絶縁層１５が形成された構成とされている。
【００２６】
上記構成の有機ＥＬ素子の電気特性を測定したところ、バンク側壁部分に有機ＥＬ材料層が残存することが原因の『リーク電流』は、ほとんど無くなった。また、バンク１４の上に絶縁層１５を形成したことにより、バンク１４から発生する酸素や水分の発光層１７や電子輸送層１８への浸入を阻止することができ、有機ＥＬ表示装置の高輝度化および長寿命化が図れた。
【００２７】
以上、図１及び図２に示す有機ＥＬ素子は、画素分離用のバンク１つとその周辺のみを図示しているが、有機ＥＬ表示装置を構成する場合は、後述する図５のように２次元状に複数配置する。すなわち、上述した有機ＥＬ素子を１つの発光点として利用し、有機ＥＬ表示装置や照明装置や電子写真方式の画像形成装置の露光光源に用いることができる。
【００２８】
図３は、基板上の有機ＥＬ素子１１１とその外部に配置されている駆動回路１１２、データ線１１６の配置を示す断面模式図である。駆動回路は、ＴＦＴと保持容量などから構成されている。
【００２９】
図４は、図３で示した駆動回路の構成の詳細を示すものである。図４に示す駆動回路は、電流プログラミング方式と呼ばれる代表的な回路構成である。なお、本発明の駆動回路はこれに限るものではない。
【００３０】
駆動回路１１２は、ドライブトランジスタＴ１（１１３）、スイッチングトランジスタＴ２（１１４）、保持容量Ｃｈ（１１５）、有機ＥＬ素子（１１１）から構成されている。なお、周知な回路構成であるため動作の詳細については説明を省略する。
【００３１】
次に、前記有機ＥＬ素子を有機ＥＬ表示装置に利用した場合について説明する。図３、図４に示した有機ＥＬ素子と駆動回路を１画素として同一面内に２次元状に複数有する状態、すなわちマトリックス状に配置したものを図５に模式的に示す。この画素は、配線を介してゲートドライバ、ソースドライバと接続され、駆動パルスが供給されることで、発光状態あるいは非発光状態となる。
【００３２】
このような有機ＥＬ素子が画素として同一面内に複数配置されている領域が、有機ＥＬ表示装置の表示領域である。すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ素子は有機ＥＬ表示装置の表示領域に用いることができる。
【００３３】
有機ＥＬ表示装置は、例えば図７に示すようにテレビ１５２やＰＣ用の表示装置、あるいは画像を表示する部分を有する機器であればいかなる形態も問わない。例えば携帯型表示装置であっても良い。あるいはデジタルカメラ等の電子撮像装置や携帯電話１５１の表示部に本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を搭載することができる。
【００３４】
なお、図５に示した有機ＥＬ表示装置をパネルモジュール化した構成を図６に示す。パネルモジュールとは、図５に示した構成に加え、インターフェースドライバ、接続端子などの外部機器との接続に必要な部品を筐体で一体化した構成を意味する。
【実施例】
【００３５】
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００３６】
＜実施例１＞
図１（ａ）に示したように、厚さ０．７ｍｍのガラス基板１１の上に、下部電極１２としてＩＴＯをフォトリソグラフィ法により膜厚１００ｎｍに形成した。
【００３７】
この下部電極１２の間に、画素分離を目的とした撥液性樹脂からなるバンク１４をフォトリソグラフィ法により形成した。バンク（隔壁）１４は、ポリイミドやアクリル等の感光性樹脂を用いて、フォトリソグラフィ法により高さ３μｍ、幅２０μｍ、溝幅８０μｍのストライプ状にパターニング形成した。
【００３８】
前記バンク１４の間に塗布により有機ＥＬ材料層を形成した。具体的には、正孔注入層１３として、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳをバンク１４の間の溝内にノズルプリィンティング装置を用いて塗布形成した。塗布直後は、バンク１４の間にＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ溶液がたっぷり溜まった状態であったが、溶媒である水が蒸発して乾燥した後は、約４０ｎｍの膜厚となり、さらに、バンク側壁部分にメニスカス１３１が形成されているのが観察された。
【００３９】
次に、図１（ｂ）に示したように、バンク側壁部分の塗布膜のメニスカス１３１を含む大きさの透明部分を持つフォトマスク１６を用意して、光ＣＶＤ装置を用いて、絶縁層１５として、光１０が照射している部分のみにＳｉＮを膜厚１００ｎｍに形成した。この時、基板の温度はほとんど上昇せず、正孔注入層１３へのダメージはほとんど無かった。また、断面観察によると、絶縁層１５は、正孔注入層（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）１３のメニスカス１３１を十分覆っていることが確認された。
【００４０】
続いて、図１（ｃ）に示したように、ノズルプリィンティング装置を用いて、ポリフルオレン系の高分子の発光層１７を、バンク１４の間の溝内に約８０ｎｍの膜厚に塗布形成した。
【００４１】
続いて、図２に示したように、塗布形成した発光層１７の上に、電子輸送層（Ｃｓ2ＣＯ3）１８を膜厚３ｎｍ、上部電極（Ａｌ）１９を膜厚１００ｎｍに蒸着形成し、封止して（不図示）、有機ＥＬ素子とした。
【００４２】
このようにして得られた有機ＥＬ素子の電気特性を測定したところ、バンク側壁部分に有機ＥＬ材料層が残存することが原因の『リーク電流』は、ほとんど無くなった。また、バンク１４の上に絶縁層１５を形成したことにより、バンク１４から発生する酸素や水分の発光層１７や電子輸送層１８への浸入を阻止することができ、有機ＥＬ表示装置の高輝度化および長寿命化が図れた。
【００４３】
＜実施例２＞
図８（ａ）に示したように、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２１の上に、下部電極２２としてＩＴＯをフォトリソグラフィ法により膜厚１００ｎｍに形成した。その下部電極２２の間に、画素分離を目的とした撥液性のバンク２４をフォトリソグラフィ法により形成した。バンク２４は、高さ３μｍ、幅１０μｍ、溝幅１３０μｍのストライプ状とした。
【００４４】
前記バンク２４の間に塗布により有機ＥＬ材料層を形成した。具体的には、正孔注入層２３としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳをバンク２４の間の溝内にノズルプリィンティング装置を用いて塗布形成した。塗布直後は、バンク２４の間にＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ溶液が溜まった状態であったが、有機溶剤や水が蒸発して乾燥した後は、約４０ｎｍの膜厚となり、さらに、バンク側壁部分には、メニスカス２３１が形成されているのが観察された。
【００４５】
次に、図８（ｂ）に示したように、バンク側壁部分の塗布膜のメニスカス２３１を含む大きさの開口部を持つメタルマスク２６を用意した。そして、蒸着法（蒸着源２０）を用いて、絶縁層２５として、テフロン（登録商標）系の樹脂（ＰＦＰＥ）を膜厚５０ｎｍに形成した。断面観察によると、絶縁層２５は、正孔注入層（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）２３のバンク側壁部分のメニスカス２３１を十分覆っていることが確認された。
【００４６】
続いて、図８（ｃ）に示したように、ノズルプリィンティング装置を用いて、ポリフルオレン系の高分子の発光層２７を、バンク２４の間の溝内に約８０ｎｍの膜厚に塗布形成した。本実施例では絶縁層２５として、テフロン（登録商標）系の樹脂を用いたので、絶縁層２５の表面の撥液性が、発光層２７を塗布する前に再び付与されたことになり、好適であった。すなわち、発光層２７を塗布する時に、絶縁層２５の表面の撥液性が高く、３種（Ｒ／Ｇ／Ｂ）の発光層インク２７の画素間分離に非常に効果的であった。
【００４７】
続いて、図９に示したように、塗布形成した発光層２７の上に、電子輸送層（Ｃｓ2ＣＯ3）２８を膜厚３ｎｍ、上部電極（Ａｌ）２９を膜厚１００ｎｍに蒸着形成し、封止して（不図示）、有機ＥＬ素子とした。
【００４８】
このようにして得られた有機ＥＬ素子の電気特性を測定したところ、バンク側壁部分に有機ＥＬ材料層が残存することが原因の『リーク電流』は、ほとんど無くなった。また、バンク上に絶縁層２５を形成したことにより、バンク２４から発生する酸素や水分の発光層２７や電子輸送層２８への浸入を阻止することができ、有機ＥＬ表示装置の高輝度化および長寿命化が図れた。
【００４９】
＜実施例３＞
図１０（ａ）に示したように、厚さ０．７ｍｍのガラス基板３１の上に、下部電極３２としてＩＴＯをフォトリソグラフィ法により膜厚１００ｎｍに形成した。その下部電極３２の間に、画素分離を目的とした撥液性のバンク３４をフォトリソグラフィ法により形成した。バンク３４は、高さ３μｍ、幅２０μｍ、溝幅１００μｍのストライプ状とした。
【００５０】
前記バンク３４の間に塗布により有機ＥＬ材料層を形成した。具体的には、正孔注入層３３としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、発光層３７としてポリフルオレン系の高分子材料をこの順に、バンク３４の間の溝内にノズルプリィンティング装置を用いて塗布形成した。塗布直後は、バンク３４の間にそれぞれの溶液が溜まった状態であったが、水や有機溶剤等の溶媒が蒸発して乾燥した後は、正孔注入層（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）３３の膜厚は約４０ｎｍ、発光層３７の膜厚は約８０ｎｍであった。さらに、バンク側壁部分には、メニスカス３３１、３７１が形成されているのが観察された。
【００５１】
次に、図１０（ｂ）に示したように、バンク側壁部分の塗布膜のメニスカス３３１、３７１を含む大きさの透明部分を持つフォトマスク３６を用意した。そして、光ＣＶＤ装置を用いて、絶縁層３５として、光３０が照射している部分のみにＳｉＯＮを膜厚１００ｎｍに形成した。この時、基板の温度はほとんど上昇せず、正孔注入層３３および発光層３７へのダメージはほとんど無かった。また、断面観察によると、絶縁層３５は、バンク側壁部分のメニスカス３３１、３７１を十分覆っていることが確認された。
【００５２】
続いて、図１１に示したように、塗布形成した発光層３７の上に、電子輸送層（Ｃｓ2ＣＯ3）３８を膜厚３ｎｍ、上部電極（Ａｌ）３９を膜厚１００ｎｍに蒸着形成し、封止して（不図示）、有機ＥＬ素子とした。
【００５３】
このようにして得られた有機ＥＬ素子の電気特性を測定したところ、バンク側壁部分に有機ＥＬ材料層が残存することが原因の『リーク電流』は、ほとんど無くなった。また、バンク上に絶縁層３５を形成したことにより、バンク３４から発生する酸素や水分の電子輸送層３８への浸入を阻止することができ、有機ＥＬ表示装置の高輝度化および長寿命化が図れた。
【００５４】
＜実施例４＞
図１２（ａ）に示したように、厚さ０．７ｍｍのガラス基板４１の上に、下部電極４２としてＩＴＯをフォトリソグラフィ法により膜厚１００ｎｍに形成した。その下部電極４２の間に、画素分離を目的とした撥液性のバンク４４をフォトリソグラフィ法により形成した。バンク４４は、高さ３μｍ、幅２０μｍ、溝幅１００μｍのストライプ状とした。
【００５５】
前記バンク４４の間に塗布により有機ＥＬ材料層を形成した。具体的には、正孔注入層４３としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、発光層４７としてポリフルオレン系の高分子材料をこの順に、バンク４４の間の溝内に塗布形成した。塗布直後は、バンク４４の間にこれらの溶液が溜まった状態であったが、有機溶剤や水等の溶媒が蒸発して乾燥した後は、正孔注入層（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）４３の膜厚は約４０ｎｍ、発光層４７の膜厚は約８０ｎｍであった。さらに、バンク側壁部分には、メニスカス４３１、４７１が形成されているのが観察された。
【００５６】
続いて、発光層４７の上に電子輸送層４８として、バソフェナントロリンを約２０ｎｍの膜厚に蒸着形成した。電子輸送層（バソフェナントロリン膜）４８は有機層であるため、その下に形成した発光層４７や正孔注入層４３を保護することができる。従って、その上に形成する絶縁層４５をフォトリソグラフィ法により形成することができる。すなわち、図１２（ｂ）に示すように、電子輸送層４８の上に絶縁層４５としてＳｉＮを全面にスパッタ形成した。続いて、レジストを全面塗布形成して、フォトリソグラフィ法により、バンク４４の上のみにＳｉＮ膜をパターニング形成した（図１２（ｃ）参照。４６はフォトマスク。４０は露光用の光。）。断面観察によると、絶縁層４５は、正孔注入層４３と発光層４７とのバンク側壁部分のメニスカス４３１、４７１を十分覆っていることが確認された。
【００５７】
続いて、図１３に示したように、電子輸送層４８の上に、上部電極（Ａｌ）４９を蒸着形成し、封止して、有機ＥＬ素子とした。
【００５８】
このようにして得られた有機ＥＬ素子の電気特性を測定したところ、バンク側壁部分に有機ＥＬ材料層が残存することが原因の『リーク電流』は、ほとんど無くなった。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、有機ＥＬ材料層を塗布して形成する有機ＥＬ発光装置のリーク対策を目的とした素子構造とその製造方法を提供した。しかし、本発明は、素子分離膜の側壁部分に有機ＥＬ材料層が残存することが原因で発生するリークの問題を抱える他の表示装置、電子機器にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態及び実施例１の表示装置の素子構成とその製造方法を示した図である。
【図２】本発明の実施形態及び実施例１の表示装置の素子構成を示した図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子とそれの駆動回路と配線とを示す模式的断面図である。
【図４】図３の駆動回路の詳細を示す図である。
【図５】図３及び図４に示した有機ＥＬ素子と駆動回路を１画素としてマトリックス状に配置し、有機ＥＬ表示装置を構成した状態を示す模式図である。
【図６】図５に示した有機ＥＬ表示装置をパネルモジュール化した構成を示す模式図である。
【図７】図５に示した有機ＥＬ表示装置を搭載した機器を示す模式図である。
【図８】本発明の実施例２の表示装置の素子構成とその製造方法を示した図である。
【図９】本発明の実施例２の表示装置の素子構成を示した図である。
【図１０】本発明の実施例３の表示装置の素子構成とその製造方法を示した図である。
【図１１】本発明の実施例３の表示装置の素子構成を示した図である。
【図１２】本発明の実施例４の表示装置の素子構成とその製造方法を示した図である。
【図１３】本発明の実施例４の表示装置の素子構成を示した図である。
【図１４】従来の表示装置の素子構成を示した図である。
【図１５】従来の表示装置の素子構成を示した図である。
【符号の説明】
【００６１】
１１、２１、３１、４１、５１、６１  基板
１２、２２、３２、４２、５２、６２  下部電極（画素電極）
１３、２３、３３、４３、５３、６３  正孔注入層
１４、２４、３４、４４、５４、６４  バンク
１５、２５、３５、４５  絶縁膜
１６、２６、３６、４６  マスク
１７、２７、３７、４７、５７、６７  発光層
１８、２８、３８、４８、５８、６８  電子輸送層
１９、２９、３９、４９、５９、６９  上部電極
１３１、２３１、３３１、４３１、５３１、６３１  正孔注入層のメニスカス
３７１、４７１、５７１、６７１  発光層のメニスカス
１０、３０  光（光ＣＶＤ装置）
４０  光（露光装置）
２０  蒸着源
１１１  有機ＥＬ素子
１１２  駆動回路
１１３  ドライブトランジスタＴ１
１１４  スイッチングトランジスタＴ２
１１５  保持容量Ｃｈ
１１６  データ線
１５１  携帯電話
１５２  テレビ
【図１】
2009104859.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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