(57)【要約】【課題】ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減することのできる半導体装置の樹脂封止方法及びこの方法によって使用される金型を提供する。【解決手段】ＩＣパッケージの４つの角部のうち少なくとも１つの角部に対応する位置にモールド樹脂を注入するためのゲートが形成された金型を複数予め準備しておき、４つの角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も高い角部以外の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置がマウントされ、当該半導体装置との間で、ワイヤボンディング済みのリードフレームを金型にセットし、前記金型に投入されるモールド樹脂片を加熱・加圧して流動化させ、流動化したモールド樹脂を前記金型内で成型することで、前記リードフレーム上にマウントされた半導体装置を樹脂封止してＩＣパッケージ化する半導体装置の樹脂封止方法であって、
前記ＩＣパッケージの複数の角部のうち少なくとも１つの角部に対応する位置に前記モールド樹脂を注入するためのゲートが形成された金型を複数予め準備しておき、前記複数の角部の各周囲におけるワイヤ密度に応じてこれら複数の金型の中から１つ選択し、この選択した金型を使用することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項２】
前記複数の角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も低い角部に対応する位置に前記ゲートが形成された金型を選択することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項３】
前記複数の角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も低い角部を含む複数の角部に対応する位置に前記ゲートが形成された金型を選択することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項４】
前記複数の角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も高い角部以外の複数の角部に対応する位置に前記ゲートが形成された金型を選択することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項５】
前記金型は上下一対の金型から構成されたものであり、
これら上金型及び下金型のいずれか一方に前記ゲートが形成された金型を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項６】
４側面全てからリードが露出するように、前記半導体装置を樹脂封止する金型を用いることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項７】
４側面のうち対向する２側面からリードが露出するように、前記半導体装置を樹脂封止する金型を用いることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
【請求項８】
リードフレーム上にマウントされた半導体装置を樹脂封止してＩＣパッケージ化する樹脂封止方法で使用される金型であって、
モールド樹脂片を前記金型に投入するための穴であるポットと、
前記ＩＣパッケージの形状に対応した形状の凹部であるキャビティと、
加熱・加圧されることで流動化したモールド樹脂を前記キャビティへ移送するための移送通路であるランナと、
前記ランナを介して移送されたモールド樹脂を前記キャビティに注入するための注入口であるゲートとを備え、
前記ゲートは、前記キャビティの複数の角部に形成されていることを特徴とする金型。
【請求項９】
前記ゲートは、前記キャビティの複数の角部のうち対向する角部に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の金型。
【請求項１０】
前記ゲートは、前記キャビティの複数の角部のうち前記ポット側もしくは反ポット側の複数の角部に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の金型。
【請求項１１】
当該金型は、上下一対の金型から構成されており、
上金型及び下金型のいずれか一方のキャビティに前記ゲートが形成されていることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体装置を樹脂封止する樹脂封止方法及びこの方法によって使用される金型に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置の樹脂封止方法として、ボンディング済みリードフレームを金型にセットし、金型に投入した予備加熱済みモールド樹脂片（タブレット）をプランジャにて加圧し、流動化したモールド樹脂を移送成型する、いわゆるトランスファモールド法が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この文献に記載の技術では、まず、上記モールド樹脂片がセットされる穴と、この穴の周辺に放射状に位置する複数のＩＣパッケージ形成領域とを有するリードフレームを用意する。次に、上記穴及び上記ＩＣパッケージ形成領域に対応して、金型のポット及びキャビティをそれぞれ位置させる。そして、金型のポットに連接するゲートを通してこのポットからキャビティにモールド樹脂を直接注入する。これにより、ポットからキャビティまでの距離が短縮されるため、カルやランナに残されるモールド樹脂の量を低減することができ、モールド樹脂の使用歩留まりの向上を図ることができるようになる。
【特許文献１】特開平７−１３５２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、流動化したモールド樹脂が金型のゲートを介してキャビティに注入されると、この注入されたモールド樹脂の粘性に起因して、ボンディング済みのワイヤはモールド樹脂の流れる方向に傾く（ワイヤ流れ）。このとき、より多量のモールド樹脂が通過するため、ゲートに近い位置でボンディングされたワイヤほど大きく傾くことになる。そして、ワイヤが大きく傾くと、隣接するワイヤに接触して（ワイヤタッチ）短絡が生じてしまったり、ワイヤが倒れて（ワイヤ倒れ）損傷してしまったりすることもある。そのため、ゲート位置を考慮した上でレイアウトされている。
【０００５】
しかしながら、そうしたゲートの位置を考慮した上でレイアウトされているとはいえ、ゲートに近い位置で多数のワイヤをボンディングせざるを得ないような場合もある。そのような場合にあっては、ワイヤタッチに起因する短絡の発生や、ワイヤ倒れに起因するワイヤの損傷の発生を低減することは難しい。結局のところ、レイアウト自体を根本的に再設計する必要が生じてしまう。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減することのできる半導体装置の樹脂封止方法及びこの方法によって使用される金型を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体装置がマウントされ、当該半導体装置との間で、ワイヤボンディング済みのリードフレームを金型にセットし、前記金型に投入されるモールド樹脂片を加熱・加圧して流動化させ、流動化したモールド樹脂を前記金型内で成型することで、前記リードフレーム上にマウントされた半導体装置を樹脂封止してＩＣパッケージ化する半導体装置の樹脂封止方法として、前記ＩＣパッケージの複数の角部のうち少なくとも１つの角部に対応する位置に前記モールド樹脂を注入するためのゲートが形成された金型を複数予め準備しておき、前記複数の角部の各周囲におけるワイヤ密度に応じてこれら複数の金型の中から１つ選択し、この選択した金型を使用することとした。
【０００８】
半導体装置の樹脂封止方法としての上記方法では、例えば複数の角部の各周囲におけるワイヤ密度に差異がある場合に、周囲のワイヤ密度が最も低い角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択したり、そうした周囲のワイヤ密度が最も低い角部を含む複数の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択したりすることができるようになる。これにより、ゲートに近い位置でボンディングされたワイヤが大きく傾いても、隣接するワイヤとの離間距離が大きいため、ワイヤタッチが生じにくくなったり、複数のゲートからモールド樹脂を注入することで、キャビティ内には様々な方向からモールド樹脂が注入されることになるため、ワイヤ倒れが生じにくくなったりする。このように、ワイヤの傾く方向（ワイヤ流れ方向）に選択性を付与することができるようになり、ひいては、ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減することができるようになる。
【０００９】
具体的には、上記請求項１に記載の方法において、例えば請求項２に記載の発明のように、前記複数の角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も高い角部以外の角部に対応する位置に前記ゲートが形成された金型を選択してもよい。あるいは、上記請求項１に記載の方法において、例えば請求項３に記載の発明では、前記複数の角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も低い角部を含む複数の角部に対応する位置に前記ゲートが形成された金型を選択してもよい。またあるいは、上記請求項１に記載の方法において、例えば請求項４に記載の発明のように、前記複数の角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も高い角部以外の複数の角部に対応する位置に前記ゲートが形成された金型を選択してもよい。
【００１０】
ちなみに、上記請求項４に記載の方法によれば、ワイヤタッチやワイヤ倒れが最も生じやすい、ワイヤ密度が最も高い角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択せず、それ以外の複数の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択するため、ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減することができるようになる。なお、上記請求項２あるいは請求項３に記載の方法については、その作用効果を既述したため割愛する。
【００１１】
また、上記請求項１〜４のいずれかに記載の方法において、例えば請求項５に記載の発明のように、前記金型は上下一対の金型から構成されたものであり、これら上金型及び下金型のいずれか一方に前記ゲートが形成された金型を用いてもよい。
【００１２】
なお、上記請求項１〜５のいずれかに記載の方法では、例えば請求項６に記載の発明のように、４側面全てからリードが露出するように、前記半導体装置を樹脂封止する金型を用いてもよい。すなわち、いわゆるＱＦＰやＱＦＪ等のＩＣパッケージを製造する際の樹脂封止方法として採用することができる。
【００１３】
同様に、上記請求項１〜５のいずれかに記載の方法では、例えば請求項７に記載の発明のように、４側面のうち対向する２側面からリードが露出するように、前記半導体装置を樹脂封止する金型を用いてもよい。すなわち、ＳＯＰやＳＯＪ等のＩＣパッケージを製造する際の樹脂封止方法として採用することができる。
【００１４】
請求項８〜１１に記載の発明は、上記請求項１〜７に記載の樹脂封止方法で使用される金型であるため、重複する作用の説明については割愛する。
【００１５】
上記目的を達成するため、請求項８に記載の発明では、リードフレーム上にマウントされた半導体装置を樹脂封止してＩＣパッケージ化する樹脂封止方法で使用される金型として、モールド樹脂片を前記金型に投入するための穴であるポットと、前記ＩＣパッケージの形状に対応した形状の凹部であるキャビティと、加熱・加圧されることで流動化したモールド樹脂を前記キャビティへ移送するための移送通路であるランナと、前記ランナを介して移送されたモールド樹脂を前記キャビティに注入するための注入口であるゲートとを備え、前記ゲートは、前記キャビティの複数の角部に形成されていることとした。これにより、このような構造を有する金型を使用すると、複数のゲートからモールド樹脂がキャビティ内に注入されることになるため、ワイヤタッチやワイヤ倒れが生じにくくなる。
【００１６】
上記請求項８に記載の構造において、例えば請求項９に記載の発明のように、前記ゲートは、前記キャビティの複数の角部のうち対向する角部に形成されていることとしてもよく、例えば請求項１０に記載の発明のように、前記ゲートは、前記キャビティの複数の角部のうち前記ポット側もしくは反ポット側の複数の角部に形成されていることとしてもよい。特に、上記請求項８に記載の構成によれば、キャビティ内に注入されたモールド樹脂のばらつきを低減することができるようになる。
【００１７】
同様に、上記請求項８〜１０のいずれかに記載の構造において、例えば請求項１１に記載の発明のように、当該金型は、上下一対の金型から構成されており、上金型及び下金型のいずれか一方のキャビティに前記ゲートが形成されていることとしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明に係る半導体装置の樹脂封止方法及びこの方法において使用される金型について、図１〜図８を参照しつつ説明する。なお、図１（ａ）〜図６（ａ）はそれぞれ、本実施の形態において選択使用される複数の金型について、ランナ及びゲートの形成位置を平面方向から示す模式図である。ちなみに、これら図１（ａ）〜図６（ａ）においては、既に樹脂封止されたリードフレームの平面構造も併せて示している。また、図１（ｂ）〜図６（ｂ）はそれぞれ、本実施の形態のトランスファモールド工程において、モールド樹脂の注入によって生じるワイヤ流れの方向を矢印にて平面方向から示す模式図である。ちなみに、これら図１（ｂ）〜図６（ｂ）においては、樹脂封止前のリードフレームの平面構造も併せて示している。さらに、図７は、本実施の形態の各工程順を示すフローチャートであり、図８は、本実施の形態のトランスファモールド工程における、各ステップ順を示すフローチャートである。
【００１９】
これら図１〜図８に示すように、本実施の形態は、基本的に、従来の半導体装置の樹脂封止方法に準じた方法となっている。すなわち、本実施の形態でも、半導体装置がマウントされ、当該半導体装置との間で、ワイヤボンディング済みのリードフレーム１０を金型にセットし、この金型に投入されるモールド樹脂片（図示略）を加熱・加圧して流動化させ、流動化したモールド樹脂を金型内で成型することで、リードフレーム１０上にマウントされた半導体装置を樹脂封止してＩＣパッケージ１１とする（いわゆるトランスファモールド法）。
【００２０】
ただし、本実施の形態では、ＩＣパッケージ１１の４つの角部のうち少なくとも１つの角部に対応する位置にモールド樹脂を注入するためのゲート２２ａ〜２２ｄが形成された金型を複数予め準備しておき、これら４つの角部の各周囲におけるワイヤ密度に応じてこれら複数の金型の中から１つ選択し、この選択した金型を使用することで、ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減しようとしている。
【００２１】
詳しくは、本実施の形態で選択使用される複数の金型は、図１（ａ）〜図６（ａ）にそれぞれ示されるように、例えば円柱状に形成されたモールド樹脂片を金型に投入するための穴であるポットと、ＩＣパッケージの形状（例えば板状）に対応した形状の凹部であるキャビティと、加熱・加圧されることで流動化したモールド樹脂をキャビティへ移送するための移送路であるランナ２１ａ〜２１ｄと、このランナ２１ａ〜２１ｄを介して移送されたモールド樹脂をキャビティに注入するための注入口であるゲート２２ａ〜２２ｄとを備える。なお、これら図１（ａ）〜図６（ａ）においては、ポットについて図示を割愛しており、ランナ２１ａ〜２１ｄ及びゲート２２ａ〜２２ｄについては図示し、キャビティに替えてＩＣパッケージ１１の外形形状を図示している。
【００２２】
ここで、本実施の形態では、図１（ａ）〜図４（ａ）に示されるように、ＩＣパッケージ１１の４つの角部Ｃ１〜Ｃ４のうちの図中左上の角部Ｃ１、右上の角部Ｃ２、左下の角部Ｃ３及び右下の角部Ｃ４にそれぞれ対応する位置にゲート２２ａ〜２２ｄがそれぞれ形成され、これらゲート２２ａ〜２２ｄが角部Ｃ１〜Ｃ４にそれぞれ形成されるようにランナ２１ａ〜２１ｄもそれぞれ形成された金型を予め準備している。換言すれば、本実施の形態では、１つのキャビティにつき１つのゲートが形成された金型を予め準備している。
【００２３】
詳しくは、図１（ａ）に示されるように、ランナ２１ａは、図示しないポットを起点として図中左上から左下に向けて延伸する直進部と、この直進部の途中で分岐してゲート２２ａに接続される枝部とから構成されている。こうした直進部及び枝部には複数の穴２５が形成されており、後述するトランスファモールド工程において、流動化したモールド樹脂がランナ２１ａによって移送される際にポットからキャビティに到達せずランナ２１ａに残され、硬化したモールド樹脂をランナ２１ａから排除するべくこれら複数の穴２５が設けられている。すなわち、これら複数の穴２５を介して硬化したモールド樹脂を押すことで、硬化したモールド樹脂をランナ２１ａから排除している。
【００２４】
また、図１（ａ）に示されるように、こうした目的の穴は、金型にのみ形成されているのではなく、リードフレーム１０にも形成されている。すなわち、リードフレーム１０には、ランナ２１ａに形成された穴２５に対応する位置に、同様の目的で穴１５が形成されている。しかも、リードフレーム１０においては、ランナ２１ａに形成された穴２５に対応する穴１５だけでなく、例えばＩＣパッケージ１１の角部Ｃ２〜Ｃ４に対応する位置にそれぞれ穴１５が形成されている。
【００２５】
ちなみに、図１（ａ）に示されるように、リードフレーム１０には、このリードフレーム１０の熱膨張によるリード１３の変形を防ぐための孔である応力吸収孔１４が複数形成されている。これにより、後述するトランスファモールド工程において、モールド樹脂に加熱・加圧したとしても、リードフレーム１０の熱膨張に起因する変形が抑制されるようになる。また、リードフレーム１０の外縁には、このリードフレーム１０を金型にセットする際に使用するための孔である把持孔１６が複数形成されている。これにより、リードフレーム１０をハンドリングしやすくなる。
【００２６】
樹脂封止前のキャビティの平面構造を図１（ｂ）に示す。この図１（ｂ）に示すように、リードフレーム１０は、チップ（半導体装置）１７がそのアイランド部に既にマウントされており、チップ１７の外周に形成された複数のパッド１８がボンディングワイヤＷによってリード１３に既にボンディングされている。こうしたボンディング済みリードフレーム１０に対して既述した構造を有する金型を使用することで、流動化したモールド樹脂がゲート２２ａからキャビティ内へ注入される。注入されたモールド樹脂は、図１（ｂ）に矢印にて示されるように、経路「角部Ｃ１→角部Ｃ２→角部Ｃ４」及び経路「角部Ｃ１→角部Ｃ３→角部Ｃ４」をたどってチップ１７の外周を回り、キャビティ内に充填されることになる。
【００２７】
同様に、本実施の形態では、先の図１（ａ）に示す構造を有する金型だけではなく、図２（ａ）に示す構造を有する金型を予め準備する。この図２（ａ）に示されるように、ランナ２１ｂは、図示しないポットを起点として図中右上から右下に向けて延伸する直進部と、この直進部の途中で分岐してゲート２２ｂに接続される枝部とから構成されている。なお、図２（ａ）に示す金型は、図１（ａ）に示す金型に準じた構造を有しているため、ここでの重複する説明を割愛する。こうした構造を有する金型を使用すると、注入されたモールド樹脂は、図２（ｂ）に矢印にて示されるように、経路「角部Ｃ２→角部Ｃ１→角部Ｃ３」及び経路「角部Ｃ２→角部Ｃ４→角部Ｃ３」をたどってチップ１７の外周を回り、キャビティ内に充填されることになる。
【００２８】
また同様に、本実施の形態では、先の図１（ａ）及び図２（ａ）に示す構造を有する金型だけではなく、図３（ａ）に示す構造を有する金型を予め準備する。この図３（ａ）に示されるように、ランナ２１ｃは、図示しないポットを起点として図中左下から左上に向けて延伸する直進部と、この直進部の途中で分岐してゲート２２ｃに接続される枝部とから構成されている。なお、図３（ａ）に示す金型は、図１（ａ）及び図２（ａ）に示す金型に準じた構造を有しているため、ここでの重複する説明を割愛する。こうした構造を有する金型を使用すると、注入されたモールド樹脂は、図３（ｂ）に矢印にて示されるように、経路「角部Ｃ３→角部Ｃ１→角部Ｃ２」及び経路「角部Ｃ３→角部Ｃ４→角部Ｃ２」をたどってチップ１７の外周を回り、キャビティ内に充填されることになる。
【００２９】
さらに同様に、本実施の形態では、先の図１（ａ）〜図３（ａ）に示す構造を有する金型だけではなく、図４（ａ）に示す構造を有する金型を予め準備する。この図４（ａ）に示されるように、ランナ２１ｄは、図示しないポットを起点として図中右下から右上に向けて延伸する直進部と、この直進部の途中で分岐してゲート２２ｄに接続される枝部とから構成されている。なお、図４（ａ）に示す金型は、図１（ａ）〜図３（ａ）に示す金型に準じた構造を有しているため、ここでの重複する説明を割愛する。こうした構造を有する金型を使用すると、注入されたモールド樹脂は、図４（ｂ）に矢印にて示されるように、経路「角部Ｃ４→角部Ｃ３→角部Ｃ１」及び経路「角部Ｃ４→角部Ｃ２→角部Ｃ１」をたどってチップ１７の外周を回り、キャビティ内に充填されることになる。
【００３０】
また、本実施の形態では、先の図１（ａ）〜図４（ａ）に示す構造を有する金型だけでなく、図５（ａ）に示されるように、ＩＣパッケージ１１の４つの角部Ｃ１〜Ｃ４のうちの図中右上の角部Ｃ２及び左下の角部Ｃ３にそれぞれ対応する位置にゲート２２ｂ及び２２ｃがそれぞれ形成され、これらゲート２２ｂ及び２２ｃが角部Ｃ２及びＣ３にそれぞれ形成されるようにランナ２１ｂ及び２１ｃもそれぞれ形成された金型を予め準備している。換言すれば、本実施の形態では、１つのキャビティにつき２つのゲートが形成された金型を予め準備している。なお、図５（ａ）に示す金型は、先の図２（ａ）及び図３（ａ）に示す金型を組み合わせた構造を有しているため、ここでの重複する説明を割愛する。こうした構造を有する金型を使用すると、注入されたモールド樹脂は、図５（ｂ）に矢印にて示されるように、経路「角部Ｃ２→角部Ｃ１」及び経路「角部Ｃ２→角部Ｃ４」並びに経路「角部Ｃ３→角部Ｃ１」及び経路「角部Ｃ３→角部Ｃ４」をたどってキャビティ内に充填されることになる。なお、この図５（ａ）に示す金型は、上記経路の長さに偏りがないため、キャビティ内におけるモールド樹脂の偏りを低減することができる。
【００３１】
さらに、本実施の形態では、先の図１（ａ）〜図５（ａ）に示す構造を有する金型だけでなく、図６（ａ）に示されるように、ＩＣパッケージ１１の４つの角部Ｃ１〜Ｃ４のうちの図中左上の角部Ｃ１及び右上の角部Ｃ２にそれぞれ対応する位置にゲート２２ａ及び２２ｂがそれぞれ形成され、これらゲート２２ａ及び２２ｂが角部Ｃ１及びＣ２にそれぞれ形成されるようにランナ２１ａ及び２１ｂもそれぞれ形成された金型を予め準備している。換言すれば、本実施の形態では、１つのキャビティにつき２つのゲートが形成された金型を予め準備している。なお、図６（ａ）に示す金型は、先の図１（ａ）及び図２（ａ）に示す金型を組み合わせた構造を有しているため、ここでの重複する説明を割愛する。こうした構造を有する金型を使用すると、注入されたモールド樹脂は、図６（ｂ）に矢印にて示されるように、経路「角部Ｃ１→角部Ｃ２」及び経路「角部Ｃ２→角部Ｃ１」並びに経路「角部Ｃ１→角部Ｃ３→角部Ｃ４」及び経路「角部Ｃ２→角部Ｃ４→角部Ｃ３」をたどってキャビティ内に充填されることになる。
【００３２】
次に、図７及び図８を併せ参照しつつ、以上説明した金型を使用した本実施の形態の樹脂封止方法について説明する。
【００３３】
樹脂封止方法を開始するにあたっては、まず、ステップＳ１の工程として、ダイマウント工程を実行する。詳しくは、先の図１（ｂ）〜図６（ｂ）に示したように、リードフレーム１０上のアイランド部にチップ１７をマウントする。チップ１７のマウントを終えると、次に、ステップＳ２の工程として、チップ１７の外周に形成された複数のパッド１８とリード１３とをボンディングワイヤＷによってボンディングする。
【００３４】
このようにリードフレーム１０のボンディングを終えると、続くステップＳ３の工程として、後述するトランスファモールド工程（図８参照）を実行し、さらに、ステップＳ４の工程として、リード成型工程を実行し、半導体装置の樹脂封止を終了する。
【００３５】
トランスファモールド工程を実行するには、まず、ステップＳ３１として、上記角部Ｃ１〜Ｃ４のうち各周囲におけるワイヤ密度に基づき、先の図１（ａ）〜図６（ａ）に示す構造を有する６つの金型の中から金型を１つ選択する。具体的には、チップ１７のレイアウト時には、角部Ｃ１〜Ｃ４のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も高い角部がいずれの角部であるかについて既に分かっている。そうしたワイヤ密度が最も高い角部においては、この角部にゲートが形成された金型を使用してモールド樹脂をキャビティ内に注入すると、ワイヤタッチやワイヤ倒れが最も発生しやすい。そのため、本実施の形態では、ワイヤ密度が最も高い角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択することなく、それ以外の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択している。
【００３６】
このように金型を１つ選択し、ボンディング済みリードフレーム１０を金型にセットすると、続くステップＳ３２として、リードフレーム１０がセットされた金型の型締めを実行する。金型の型締めを実行すると、続くステップＳ３３として、金型に形成された上記ポットに予備加熱済みのモールド樹脂片を投入し、例えばプランジャ等によってモールド樹脂を加圧する。これにより、流動化したモールド樹脂は、「ポット→ランナ→ゲート→キャビティ」といった経路をたどってキャビティ内に充填されることになる。このとき、ワイヤ密度が最も高い角部以外の複数の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を使用するため、ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減することができるようになる。
【００３７】
その後、ステップＳ３４として金型の型開きを実行し、ステップＳ３５としてモールド樹脂をキュアする。さらに、ステップＳ３６として、ランナに残されて硬化したモールド樹脂を穴２５及び１５を用いて押すことで、硬化したモールド樹脂をランナから排除している（ゲートブレーク）。
【００３８】
以上説明した本実施の形態の樹脂封止方法及び金型では、図１（ａ）〜図６（ａ）に示した例えば６つの金型を予め準備しておき、角部Ｃ１〜Ｃ４の４つの角部のうち各周囲におけるワイヤ密度に基づいて、金型を１つ選択使用していた。これにより、ワイヤの傾く方向（ワイヤ流れ方向）に選択性を付与することができるようになり、ひいては、ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減することができるようになる。
【００３９】
上記実施の形態では、角部Ｃ１〜Ｃ４の４つの角部のうち各周囲のワイヤ密度が最も高い角部以外の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を１つ選択使用していた。これにより、ワイヤタッチやワイヤ倒れが最も生じやすい、ワイヤ密度が最も高い角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択せず、それ以外の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択するため、ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減することができるようになる。
【００４０】
なお、本発明に係る樹脂封止方法及び金型は、上記実施の形態にて例示した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々に変形して実施することが可能である。すなわち、上記実施の形態を適宜変更した例えば次の形態として実施することもできる。
【００４１】
上記実施の形態では、４側面全てからリード１３が露出するようにチップ１７を樹脂封止する金型を用いることとした。すなわち、いわゆるＱＦＰやＱＦＪ等のＩＣパッケージ１１を製造する際の樹脂封止方法であった。しかしながら、これに限らない。他に例えば、４側面のうち対向する２側面からリードが露出するようにチップ１７を樹脂封止する金型を用いることとしてもよい。すなわち、いわゆるＳＯＰやＳＯＪ等のＩＣパッケージを製造する際の樹脂封止方法としてもよい。これによっても、上記実施の形態に準じた効果を得ることができる。
【００４２】
上記実施の形態（変形例を含む）で使用される金型は、モールド樹脂片を当該金型に投入するための穴であるポットと、ＩＣパッケージの形状に対応した形状の凹部であるキャビティと、加熱・加圧されることで流動化したモールド樹脂をキャビティへ移送するための移送路であるランナと、このランナを介して移送されたモールド樹脂をキャビティに注入するための注入口であるゲートとを備えていたがこれに限らない。他に例えば、流動化したモールド樹脂をランナに移送することができるのであれば、ポットを割愛した金型としてもよい。
【００４３】
上記実施の形態（変形例を含む）では、図１（ａ）〜図６（ａ）に平面構造を示す複数の金型は、上下一対の金型から構成されたものであり、このうち、下金型にゲートが形成された金型を使用していたが、これに限らない。上金型にゲートが形成された金型を使用してもよく、上金型及び下金型の双方にゲートが形成された金型を使用することとしてもよい。
【００４４】
上記実施の形態（変形例を含む）では、図１（ａ）〜図６（ａ）に平面構造を示す複数の金型の中から１つ選択使用することとしていた。すなわち、４つの角部Ｃ１〜Ｃ４のうちいずれか１つの角部に対応する位置にゲートが形成された金型、及び、４つの角部Ｃ１〜Ｃ４のうち対向する２つの角部に対応する位置にゲートが形成された金型、並びに、４つの角部Ｃ１〜Ｃ４のうちポット側の２つの角部（角部Ｃ１及びＣ２）に対応する位置にゲートが形成された金型を予め準備していた。予め準備しておく複数の金型はこれらに限らない。他に例えば、４つの角部Ｃ１〜Ｃ４のうち３つの角部に対応する位置にゲートが形成された金型を含めてもよく、４つの角部Ｃ１〜Ｃ４のうち反ポット側の２つの角部（角部Ｃ３及びＣ４）に形成されていることとしてもよい。要は、ＩＣパッケージの４つの角部のうち少なくとも１つの角部に対応する位置にゲートが形成された金型を複数予め準備しておけばよい。ちなみに、そうしたＩＣパッケージの形状も板状に限らず任意である。
【００４５】
上記実施の形態（変形例を含む）では、角部Ｃ１〜Ｃ４の４つの角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も高い角部以外の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を１つ選択使用していたが、これに限らない。他に例えば、角部Ｃ１〜Ｃ４の４つの角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も低い角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択使用してもよい。これにより、ゲートに近い位置でボンディングされたワイヤが大きく傾いても、隣接するワイヤとの離間距離が大きいため、ワイヤタッチが生じにくくなる。あるいは、角部Ｃ１〜Ｃ４の４つの角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も低い角部を含む複数の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択使用してもよい。これにより、複数のゲートからモールド樹脂を注入することで、キャビティ内には様々な方向からモールド樹脂が注入されることになるため、ワイヤ倒れが生じにくくなる。要は、ＩＣパッケージ１１の複数の角部のうち少なくとも１つの角部に対応する位置にゲートが形成された金型を複数予め準備しておき、これら複数の角部の各周囲におけるワイヤ密度に応じてこれら複数の金型の中から１つ選択使用すればよい。これにより、ワイヤの傾く方向（ワイヤ流れ方向）に選択性を付与することができるようになり、ひいては、ワイヤタッチやワイヤ倒れの発生をより低減することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る半導体装置の樹脂封止方法の一実施の形態において、この方法において使用される金型のうち、ＩＣパッケージの左上の角部にゲートが形成された金型について、ランナ及びゲートの平面構造を模式的に示す図。
【図２】同実施の形態の樹脂封止方法において使用される金型のうち、ＩＣパッケージの右上の角部にゲートが形成された金型について、ランナ及びゲートの平面構造を模式的に示す図。
【図３】同実施の形態の樹脂封止方法において使用される金型のうち、ＩＣパッケージの左下の角部にゲートが形成された金型について、ランナ及びゲートの平面構造を模式的に示す図。
【図４】同実施の形態の樹脂封止方法において使用される金型のうち、ＩＣパッケージの右下の角部にゲートが形成された金型について、ランナ及びゲートの平面構造を模式的に示す図。
【図５】同実施の形態の樹脂封止方法において使用される金型のうち、ＩＣパッケージの右上及び左下の角部にゲートが形成された金型について、ランナ及びゲートの平面構造を模式的に示す図。
【図６】同実施の形態の樹脂封止方法において使用される金型のうち、ＩＣパッケージの右上及び左上の角部にゲートが形成された金型について、ランナ及びゲートの平面構造を模式的に示す図。
【図７】同実施の形態の半導体装置の樹脂封止方法について、各工程順を示すフローチャート。
【図８】同実施の形態の半導体装置の樹脂封止方法について、そのトランスファモールド工程の各ステップ順を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００４７】
１０…リードフレーム、１１…ＩＣパッケージ、１３…アウターリード、１４…応力吸収孔、１５…穴、１６…穴、１７…チップ、１８…パッド、２１ａ〜２１ｄ…ランナ、２２ａ〜２２ｄ…ゲート、Ｗ…ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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