(57)【要約】【課題】ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造として、簡便な工程で形成することが可能なめっき層構造を提供する。【解決手段】めっき層構造１００は、電子部品２００の外部電極３００の表面を被覆するために形成されるめっき層構造であって、外部電極３００の側に形成されたニッケルめっき層１１０と、ニッケルめっき層１１０よりも外側に形成された金めっき層とを備え、金めっき層が、不連続な界面を介して接するように形成された複数の金めっき層部１２１、１２２からなる。【選択図】図１
2009191285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の外部電極の表面を被覆するために形成されるめっき層構造であって、
前記外部電極の側に形成されたニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層よりも外側に形成された金めっき層とを備え、
前記金めっき層が、不連続な界面を介して接するように形成された複数の金めっき層部からなる、めっき層構造。
【請求項２】
複数の前記金めっき層部の各々の厚みは、０．０４μｍ以上である、請求項１に記載のめっき層構造。
【請求項３】
複数の前記金めっき層部の各々の出発材料は、同じである、請求項１または請求項２に記載のめっき層構造。
【請求項４】
複数の前記金めっき層部の各々の出発材料は、異なる、請求項１または請求項２に記載のめっき層構造。
【請求項５】
電子部品の外部電極の表面を被覆するために形成されるめっき層構造の製造方法であって、
前記外部電極の側にニッケルめっき層を形成する工程と、
前記ニッケルめっき層よりも外側に金めっき層を形成する工程とを備え、
前記金めっき層を形成する工程が、
第１の金めっき液を用いて第１の金めっき層部を形成する工程と、
前記第１の金めっき層部を形成した後、前記第１の金めっき層部の表面を水で洗浄する工程と、
前記洗浄工程の後、前記第１の金めっき液と同じ第２の金めっき液を用いて前記第１の金めっき層部の上に第２の金めっき層部を形成する工程とを含む、めっき層構造の製造方法。
【請求項６】
電子部品の外部電極の表面を被覆するために形成されるめっき層構造の製造方法であって、
前記外部電極の側にニッケルめっき層を形成する工程と、
前記ニッケルめっき層よりも外側に金めっき層を形成する工程とを備え、
前記金めっき層を形成する工程が、
第１の金めっき液を用いて第１の金めっき層部を形成する工程と、
前記第１の金めっき層部を形成した後、前記第１の金めっき液と異なる第２の金めっき液を用いて前記第１の金めっき層部の上に第２の金めっき層部を形成する工程とを含む、めっき層構造の製造方法。
【請求項７】
前記金めっき液は、電解めっき液である、請求項５または請求項６に記載のめっき層構造の製造方法。
【請求項８】
前記金めっき液は、還元剤を含む化学還元めっき液である、請求項５または請求項６に記載のめっき層構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、一般的にはめっき層構造とその製造方法に関し、特定的には、チップコンデンサ等の電子部品の外部電極の表面を被覆するために形成されるめっき層構造とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の外部電極の表面を仕上げるためには、大量処理によるコスト低減、電極の性能向上等の理由により、外部電極の表面を被覆するようにめっき層を形成することが多くなっている。
【０００３】
図４は、従来のめっき層構造の断面を模式的に示す断面図である。
【０００４】
図４に示すように、めっき層構造としては、電子部品２００の外部電極３００の表面を被覆するようにニッケル等からなる下地めっき層として、たとえば、ニッケルめっき層１１０が形成される。ニッケルめっき層１１０の上には、スズや金などのはんだ付けされやすい金属層として、たとえば、金めっき層１２０が形成される。特に高周波対応が必要な場合には、表面層として金めっき層が形成される。
【０００５】
表面層として形成される金めっき層は、金が貴金属であるため酸化し難く、はんだ濡れ性のよい金属層である。また、金めっき層は、外部電極に配線を接続するために用いられる金ワイヤーとのボンディングにも適している。
【０００６】
しかしながら、従来の金／ニッケルめっき層構造においては、特に熱処理が施された場合等に、下地めっき層を構成するニッケル成分が表面層を構成する金めっき層の表面に拡散することがある。これにより、金めっき層のボンディング性能が低下することがある。
【０００７】
たとえば、特開２０００−２１６１１１号公報（以下、特許文献１という）に開示されためっき層構造では、ニッケル成分の拡散を防止するために、ニッケルめっき層と金めっき層との間にパラジウムめっき層が介在するように形成されている。
【特許文献１】特開２０００−２１６１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記の特許文献１に開示されためっき層構造を形成するためには、３種類の金属めっき液が必要になるだけでなく、各めっき処理工程の間で洗浄工程を行う必要がある。このため、製造ラインが大規模になり、煩雑になる。
【０００９】
また、パラジウムめっき層を形成するためのパラジウムめっき浴では、めっき層の膜質を安定させるための処理条件（濃度、温度、ｐＨ等）の管理を厳密にする必要がある。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造として、簡便な工程で形成することが可能なめっき層構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に従っためっき層構造は、電子部品の外部電極の表面を被覆するために形成されるめっき層構造であって、外部電極の側に形成されたニッケルめっき層と、このニッケルめっき層よりも外側に形成された金めっき層とを備え、金めっき層が、不連続な界面を介して接するように形成された複数の金めっき層部からなる。ここでいう「不連続な界面」とは、結晶子の配列が不連続になる面のことである。
【００１２】
この発明のめっき層構造においては、金めっき層が複数の金めっき層部に分割されて形成されており、複数の金めっき層部の間には不連続な界面が形成されている。このため、下地層としてのニッケルめっき層からニッケル成分が金めっき層表面に向かって拡散する場合、ニッケルが上記の不連続な界面にトラップされる。これにより、ニッケルの金めっき層表面への拡散現象が抑制され、または、遅延される。したがって、この発明のめっき層構造では、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することができる。
【００１３】
この発明のめっき層構造において、複数の金めっき層部の各々の厚みは、０．０４μｍ以上であることが好ましい。金めっき層を構成する各金めっき層部の厚みが０．０４μｍ以上であれば、ニッケルの拡散を抑制することができる。
【００１４】
また、この発明のめっき層構造において、複数の金めっき層部の各々の出発材料は、同じであることが好ましい。この場合、製造工程が簡便になるので、製造コストを低減することができる。
【００１５】
この発明のめっき層構造において、複数の金めっき層部の各々の出発材料は、異なっていてもよい。この場合、複数の金めっき層部の間に形成される不連続な界面によって、ニッケル成分の拡散をより効果的に抑制することができる。
【００１６】
この発明の一つの局面に従っためっき層構造の製造方法は、電子部品の外部電極の表面を被覆するために形成されるめっき層構造の製造方法であって、外部電極の側にニッケルめっき層を形成する工程と、ニッケルめっき層よりも外側に金めっき層を形成する工程とを備える。金めっき層を形成する工程が、第１の金めっき液を用いて第１の金めっき層部を形成する工程と、第１の金めっき層部を形成した後、第１の金めっき層部の表面を水で洗浄する工程と、洗浄工程の後、第１の金めっき液と同じ第２の金めっき液を用いて第１の金めっき層部の上に第２の金めっき層部を形成する工程とを含む。
【００１７】
この発明の一つの局面に従っためっき層構造の製造方法においては、一種類の金めっき浴を準備するだけでよいので、簡便な工程で、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造を形成することができる。
【００１８】
この発明のもう一つの局面に従っためっき層構造の製造方法は、電子部品の外部電極の表面を被覆するために形成されるめっき層構造の製造方法であって、外部電極の側にニッケルめっき層を形成する工程と、ニッケルめっき層よりも外側に金めっき層を形成する工程とを備える。金めっき層を形成する工程が、第１の金めっき液を用いて第１の金めっき層部を形成する工程と、第１の金めっき層部を形成した後、第１の金めっき液と異なる第２の金めっき液を用いて第１の金めっき層部の上に第２の金めっき層部を形成する工程とを含む。
【００１９】
この発明のもう一つの局面に従っためっき層構造の製造方法においては、複数種類の金めっき浴を準備する必要があるが、ニッケルめっき層と金めっき層との間にパラジウムめっき層を介在させる従来のめっき層構造を形成するために金めっき浴とパラジウムめっき浴という異種金属のめっき浴を準備する場合に比べて、簡便な工程で、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造を形成することができる。
【００２０】
この発明の一つの局面またはもう一つの局面に従っためっき層構造の製造方法において用いられる金めっき液は、電解めっき液でも無電解めっき液でもよい。
【００２１】
金めっき液として無電解めっき液を用いる場合には、置換めっき液ではなく、還元剤を含む化学還元めっき液であることが好ましい。無電解めっき液として置換めっき液を用いると、形成される金めっき層は厚みが薄く、また均質性に欠けるので、たとえ、複数の金めっき層部の間に不連続な界面が形成されても、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を抑制し難い。無電解めっき液として、還元剤を含む化学還元めっき液を用いると、置換めっき液を用いる場合に比べて、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散をより効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上のようにこの発明によれば、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造として、簡便な工程で形成することが可能なめっき層構造を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明の一つの実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２４】
図１は、この発明の一つの実施の形態としてめっき層構造の断面を模式的に示す断面図である。
【００２５】
図１に示すように、めっき層構造１００がチップコンデンサ等の電子部品２００の電極パッド等の外部電極３００の表面を被覆するために形成される。めっき層構造１００は、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側に形成されたニッケルめっき層１１０と、ニッケルめっき層１１０よりも外側に形成された金めっき層（１２１、１２２）とを備える。金めっき層は、不連続な界面を介して接するように形成された第１の金めっき層部１２１と第２の金めっき層部１２２とからなる。第１と第２の金めっき層部１２１、１２２は、同種の金めっき層からなる。たとえば、第１と第２の金めっき層部１２１、１２２は、その出発材料としてのめっき液とめっき条件が同じである。
【００２６】
図２は、この発明のもう一つの実施の形態としてめっき層構造の断面を模式的に示す断面図である。
【００２７】
図２に示すように、めっき層構造１０１がチップコンデンサ等の電子部品２００の電極パッド等の外部電極３００の表面を被覆するために形成される。めっき層構造１０１は、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側に形成されたニッケルめっき層１１０と、ニッケルめっき層１１０よりも外側に形成された金めっき層（１２１、１２２、１２３）とを備える。金めっき層は、互いに不連続な界面を介して接するように形成された第１の金めっき層部１２１と第２の金めっき層部１２２と第３の金めっき層部１２３からなる。第１と第２と第３の金めっき層部１２１、１２２、１２３は、同種の金めっき層からなる。たとえば、第１と第２と第３の金めっき層部１２１、１２２、１２３は、その出発材料としてのめっき液とめっき条件が同じである。
【００２８】
図３は、この発明のさらにもう一つの実施の形態としてめっき層構造の断面を模式的に示す断面図である。
【００２９】
図３に示すように、めっき層構造１０２がチップコンデンサ等の電子部品２００の電極パッド等の外部電極３００の表面を被覆するために形成される。めっき層構造１０２は、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側に形成されたニッケルめっき層１１０と、ニッケルめっき層１１０よりも外側に形成された金めっき層（１２１、１２４）とを備える。金めっき層は、互いに不連続な界面を介して接するように形成された第１の金めっき層部１２１と第２の金めっき層部１２４からなる。第１と第２の金めっき層部１２１、１２４は、異種の金めっき層からなる。たとえば、第１と第２の金めっき層部１２１、１２４は、その出発材料としてのめっき液とめっき条件の少なくともいずれかが異なる。
【００３０】
なお、図１〜図３に示されるめっき層構造において、下地層としてのニッケルめっき層１１０と外部電極３００の間に別の層が介在していてもよい。また、表面層としての金めっき層（１２１、１２２、１２３、１２４）とニッケルめっき層１１０との間に別の層が介在していてもよい。めっき層構造において、表面層が少なくとも２層以上の複数の金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４から構成され、各金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４の間には異種の金属等の層が介在せず、少なくとも２層以上の複数の金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４が不連続な界面を介して接するように形成されていればよい。
【００３１】
以上のように構成される図１〜図３に示されためっき層構造１００、１０１、１０２においては、金めっき層が複数の金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４に分割されて形成されており、複数の金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４の間には不連続な界面が形成されている。このため、下地層としてのニッケルめっき層１１０からニッケル成分が金めっき層表面に向かって拡散する場合、ニッケルが上記の不連続な界面にトラップされる。これにより、ニッケルの金めっき層表面への拡散現象が抑制され、または、遅延される。したがって、この発明のめっき層構造１００、１０１、１０２では、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することができる。
【００３２】
この発明のめっき層構造１００、１０１、１０２において、複数の金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４の各々の厚みは、０．０４μｍ以上であることが好ましい。金めっき層を構成する各金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４の厚みが０．０４μｍ以上であれば、ニッケルの拡散を抑制することができる。
【００３３】
また、この発明のめっき層構造１００、１０１、１０２において、複数の金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４の各々の出発材料が同じである場合、製造工程が簡便になるので、製造コストを低減することができる。
【００３４】
この発明のめっき層構造１００、１０１、１０２において、複数の金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４の各々の出発材料が異なっている場合、複数の金めっき層部１２１、１２２、１２３、１２４の間に形成される不連続な界面によって、ニッケル成分の拡散をより効果的に抑制することができる。
【００３５】
図１に示すこの発明の一つの実施の形態のめっき層構造１００の製造方法は、外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成する工程と、ニッケルめっき層１１０よりも外側に金めっき層（１２１、１２２）を形成する工程とを備える。金めっき層（１２１、１２２）を形成する工程が、第１の金めっき液を用いて第１の金めっき層部１２１を形成する工程と、第１の金めっき層部１２１を形成した後、第１の金めっき層部１２１の表面を水で洗浄する工程と、洗浄工程の後、第１の金めっき液と同じ第２の金めっき液を用いて第１の金めっき層部１２１の上に第２の金めっき層部１２２を形成する工程とを含む。
【００３６】
この発明の一つの実施の形態に従っためっき層構造１００の製造方法においては、一種類の金めっき浴を準備するだけでよいので、簡便な工程で、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造を形成することができる。
【００３７】
図３に示すこの発明のさらにもう一つの実施の形態に従っためっき層構造１０２の製造方法は、外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成する工程と、ニッケルめっき層１１０よりも外側に金めっき層（１２１、１２４）を形成する工程とを備える。金めっき層（１２１、１２４）を形成する工程が、第１の金めっき液を用いて第１の金めっき層部１２１を形成する工程と、第１の金めっき層部１２１を形成した後、第１の金めっき液と異なる第２の金めっき液を用いて第１の金めっき層部の上に第２の金めっき層部１２４を形成する工程とを含む。この場合、第１の金めっき層部１２１を形成した後、第２の金めっき層部１２４を形成する前に、第１の金めっき層部１２１の表面を水で洗浄してもよく、洗浄しなくてもよい。
【００３８】
この発明のさらにもう一つの実施の形態に従っためっき層構造１０２の製造方法においては、第１の金めっき層部１２１と第２の金めっき層部１２４を形成するために複数種類の金めっき浴を準備する必要があるが、ニッケルめっき層と金めっき層との間にパラジウムめっき層を介在させる従来のめっき層構造を形成するために金めっき浴とパラジウムめっき浴という異種金属のめっき浴を準備する場合に比べて、簡便な工程で、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造を形成することができる。
【００３９】
以上のように、この発明のめっき層構造の製造方法においては、金めっき層を構成する各金めっき層部１２１、１２２、１２４を形成するための工程を不連続に行うことにより、各金めっき層部１２１、１２２、１２４の間に異種の金属等の層を介在させずに、各金めっき層部１２１、１２２、１２４が結晶性の不連続な界面を介して接するように金めっき層を形成することができる。
【００４０】
この発明のめっき層構造１００〜１０２の製造方法において用いられる金めっき液は、電解めっき液でも無電解めっき液でもよい。
【００４１】
金めっき液として無電解めっき液を用いる場合には、置換めっき液ではなく、還元剤を含む化学還元めっき液であることが好ましい。無電解めっき液として置換めっき液を用いると、形成される金めっき層は厚みが薄く、また均質性に欠けるので、たとえ、複数の金めっき層部の間に不連続な界面が形成されても、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を抑制し難い。無電解めっき液として、還元剤を含む化学還元めっき液を用いると、置換めっき液を用いる場合に比べて、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散をより効果的に抑制することができる。
【実施例】
【００４２】
（実施例１）
以下の試料番号１〜６の試料として、図１〜４に示すように、電子部品２００としてのチップコンデンサの外部電極３００の表面を被覆するようにニッケルめっき層１１０と金めっき層（１２１〜１２４、１２０）とからなるめっき層を形成した。
【００４３】
ニッケルめっき層１１０を形成するためのニッケルめっき浴は、電解めっき液として一般的なワット浴を用いた。ニッケルめっき層１１０の厚みは３μｍであった。
【００４４】
下記に示すように、金めっき層を形成するための金めっき液は市販の２種類の電解金めっき液を用い、使用条件はメーカー推奨の条件に従った。
【００４５】
［金（Ａｕ）めっき液１］
日本高純度化学株式会社製の商品名オーロブライトＨＳＢ
使用条件：金２ｇ／Ｌ、４０℃、ｐＨ４．２。
【００４６】
［金（Ａｕ）めっき液２］
日本高純度化学株式会社製の商品名テンペレジストＢＬ
使用条件：金５ｇ／Ｌ、６５℃、ｐＨ６．２。
【００４７】
［試料番号１］（比較例）
図４に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液１を用いて金めっき層１２０を形成した。Ａｕめっき層の厚みは表１に示すとおりである。
【００４８】
［試料番号２〜３］（本発明例）
図１に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液１を用いて第１の金めっき層部１２１を形成した。その後、第１の金めっき層部１２１の表面を水で洗浄した後、Ａｕめっき液１を用いて第２の金めっき層部１２２を形成した。各Ａｕめっき層部の厚みは表１に示すとおりである。
【００４９】
［試料番号４］（本発明例）
図２に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液１を用いて第１の金めっき層部１２１を形成した。その後、第１の金めっき層部１２１の表面を水で洗浄した後、Ａｕめっき液１を用いて第２の金めっき層部１２２を形成した。さらに、第２の金めっき層部１２２の表面を水で洗浄した後、Ａｕめっき液１を用いて第３の金めっき層部１２３を形成した。さらにまた、図示していないが、第３の金めっき層部１２３の表面を水で洗浄した後、Ａｕめっき液１を用いて第４の金めっき層部を形成した。各Ａｕめっき層部の厚みは表１に示すとおりである。
【００５０】
［試料番号５〜６］（本発明例）
図３に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液１を用いて第１の金めっき層部１２１を形成した。その後、第１の金めっき層部１２１の表面を水で洗浄した後、Ａｕめっき液２を用いて第２の金めっき層部１２４を形成した。各Ａｕめっき層部の厚みは表１に示すとおりである。
【００５１】
以上のようにして得られた各試料番号のめっき層構造において下地層としてのニッケルめっき層１１０中のニッケル成分の拡散を促進させるために、各試料をピーク温度が２６５℃の条件のリフロー炉内に通過させた。その後、各試料のめっき層構造の金めっき層表面におけるニッケル原子濃度をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定し、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比を算出した。その結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
2009191285.tif 000003
【００５３】
表１に示す結果から、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比は、試料番号２の方が試料番号１に比べて小さい値を示したので、本発明例の試料番号２のめっき層構造では、熱処理後のニッケルの拡散量が少なく、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を抑制することができることがわかる。
【００５４】
また、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比は、試料番号３の方が試料番号１に比べて小さい値を示したので、Ａｕめっき層の全体厚みを低減した本発明例の試料番号３のめっき層構造でも、熱処理後のニッケルの拡散量が少なく、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を抑制することができることがわかる。
【００５５】
さらに、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比は、試料番号４の方が試料番号２に比べて小さい値を示したので、本発明例の試料番号２に対して、Ａｕめっき層を構成するＡｕめっき層部の数を増加させた本発明例の試料番号４のめっき層構造では、熱処理後のニッケルの拡散量がより少なく、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散をより効果的に抑制することができることがわかる。
【００５６】
さらにまた、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比は、試料番号５、試料番号６の方が試料番号２、試料番号３に比べて小さい値を示したので、同じ電解Ａｕめっき液を用いて各Ａｕめっき層部を形成した本発明例の試料番号２、試料番号３に対して、異なる電解Ａｕめっき液を用いて各Ａｕめっき層部を形成した本発明例の試料番号５、試料番号６のめっき層構造では、熱処理後のニッケルの拡散量がさらに少なく、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散をさらに効果的に抑制することができることがわかる。
【００５７】
（実施例２）
以下の試料番号７〜９の試料として、図１、図３、図４に示すように、電子部品２００としてのチップコンデンサの外部電極３００の表面を被覆するようにニッケルめっき層１１０と金めっき層（１２１、１２２、１２４、１２０）とからなるめっき層を形成した。
【００５８】
ニッケルめっき層１１０を形成するためのニッケルめっき浴は、弱酸性の無電解ニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）めっき液を用いた。ニッケルめっき層１１０の厚みは３μｍであった。
【００５９】
下記に示すように、金めっき層を形成するための金めっき液は市販の２種類の無電解金めっき液（還元剤を含む化学還元めっき液）を用い、使用条件はメーカー推奨の条件に従った。
【００６０】
［金（Ａｕ）めっき液３］
奥野製薬工業株式会社製の商品名フラッシュゴールド２０００
使用条件：金１．５ｇ／Ｌ、８０℃、ｐＨ６．５。
【００６１】
［金（Ａｕ）めっき液４］
日本高純度化学株式会社製の商品名ネオゴールド
使用条件：金２．５ｇ／Ｌ、６０℃、ｐＨ７．５。
【００６２】
［試料番号７］（比較例）
図４に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液４を用いて金めっき層１２０を形成した。Ａｕめっき層の厚みは表２に示すとおりである。
【００６３】
［試料番号８］（本発明例）
図１に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液４を用いて第１の金めっき層部１２１を形成した。その後、第１の金めっき層部１２１の表面を水で洗浄した後、Ａｕめっき液４を用いて第２の金めっき層部１２２を形成した。各Ａｕめっき層部の厚みは表２に示すとおりである。
【００６４】
［試料番号９］（本発明例）
図３に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液３を用いて第１の金めっき層部１２１を形成した。その後、第１の金めっき層部１２１の表面を水で洗浄した後、Ａｕめっき液４を用いて第２の金めっき層部１２４を形成した。各Ａｕめっき層部の厚みは表２に示すとおりである。
【００６５】
以上のようにして得られた各試料番号のめっき層構造において下地層としてのニッケルめっき層１１０中のニッケル成分の拡散を促進させるために、各試料をピーク温度が２６５℃の条件のリフロー炉内に通過させた。その後、各試料のめっき層構造の金めっき層表面におけるニッケル原子濃度をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定し、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比を算出した。その結果を表２に示す。
【００６６】
【表２】
2009191285.tif 000004
【００６７】
表２に示す結果から、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比は、試料番号８の方が試料番号７に比べて小さい値を示したので、本発明例の試料番号８のめっき層構造では、熱処理後のニッケルの拡散量が少なく、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を抑制することができることがわかる。
【００６８】
また、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比は、試料番号９の方が試料番号８に比べて小さい値を示したので、同じ無電解Ａｕめっき液を用いて各Ａｕめっき層部を形成した本発明例の試料番号８に対して、異なる無電解Ａｕめっき液を用いて各Ａｕめっき層部を形成した本発明例の試料番号９のめっき層構造では、熱処理後のニッケルの拡散量がさらに少なく、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散をさらに効果的に抑制することができることがわかる。
【００６９】
（実施例３）
以下の試料番号１、１０〜１３の試料として、図１と図４に示すように、電子部品２００としてのチップコンデンサの外部電極３００の表面を被覆するようにニッケルめっき層１１０と金めっき層（１２１、１２２、１２０）とからなるめっき層を形成した。
【００７０】
ニッケルめっき層１１０を形成するためのニッケルめっき浴は、電解めっき液として一般的なワット浴を用いた。ニッケルめっき層１１０の厚みは３μｍであった。
【００７１】
金めっき層を形成するための金めっき液は市販の１種類の電解金めっき液として上記の実施例１で用いたＡｕめっき液１を用い、使用条件はメーカー推奨の条件に従った。
【００７２】
［試料番号１］（比較例）
図４に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液１を用いて金めっき層１２０を形成した。Ａｕめっき層の厚みは表３に示すとおりである。
【００７３】
［試料番号１０〜１３］（本発明例）
図１に示すように、外部電極３００の表面を被覆するように外部電極３００の側にニッケルめっき層１１０を形成し、ニッケルめっき層１１０を被覆するようにＡｕめっき液１を用いて第１の金めっき層部１２１を形成した。その後、第１の金めっき層部１２１の表面を水で洗浄した後、Ａｕめっき液１を用いて第２の金めっき層部１２２を形成した。各Ａｕめっき層部の厚みは表３に示すとおりである。
【００７４】
以上のようにして得られた各試料番号のめっき層構造において下地層としてのニッケルめっき層１１０中のニッケル成分の拡散を促進させるために、各試料をピーク温度が２６５℃の条件のリフロー炉内に通過させた。その後、各試料のめっき層構造の金めっき層表面におけるニッケル原子濃度をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定し、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比を算出した。その結果を表３に示す。
【００７５】
【表３】
2009191285.tif 000005
【００７６】
表３に示す結果から、Ｎｉ／Ａｕ原子濃度比は、試料番号１２、１３の方が試料番号１、１０、１１に比べてかなり小さい値を示したので、Ａｕめっき層を構成する各Ａｕめっき層部の厚みが０．０４μｍ以上であれば、熱処理後のニッケルの拡散量が少なく、ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を抑制する作用効果を発揮することができることがわかる。
【００７７】
今回開示された実施の形態と実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は以上の実施の形態と実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものであることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
この発明のめっき層構造は、チップコンデンサ等の電子部品の外部電極の表面を被覆して仕上げるために利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】この発明の一つの実施の形態としてめっき層構造の断面を模式的に示す断面図である。
【図２】この発明のもう一つの実施の形態としてめっき層構造の断面を模式的に示す断面図である。
【図３】この発明のさらにもう一つの実施の形態としてめっき層構造の断面を模式的に示す断面図である。
【図４】従来のめっき層構造の断面を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１００，１０１，１０２：めっき層構造、１１０：ニッケルめっき層、１２１，１２２，１２３，１２４：金めっき層部、１２０：金めっき層、２００：電子部品、３００：外部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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