(57)【要約】【課題】第１フレキシブル配線回路基板の第１端子部と第２フレキシブル配線回路基板の第２端子部とを確実に電気的に接続するための配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】配線回路基板の製造方法として、第１フレキシブル配線回路基板１と、第２フレキシブル配線回路基板８とを、第１端子部５と第２端子部１２とが対向するように配置し、それらの間に、はんだバンプ１４とＢステージ樹脂からなる接着剤層１５とを、介在させる配置工程と、加圧下で、接着剤層１５が、Ｂステージ樹脂になる温度を超過し、硬化温度未満である温度範囲、かつ、はんだバンプ１４の溶融温度未満で、加熱する第１加熱工程と、次いで、接着剤層１５の硬化温度以上、かつ、はんだバンプ１４の溶融温度以上で、加熱する第２加熱工程とを備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と前記第１絶縁層の上に形成される第１端子とを備える第１基板と、第２絶縁層と前記第２絶縁層の上に形成される第２端子とを備える第２基板とを、前記第１端子と前記第２端子とが対向配置するように配置し、前記第１端子と前記第２端子との間に、溶融金属からなるバンプと熱硬化性樹脂からなる接着剤とを、介在させる配置工程と、
加圧下で、前記熱硬化性樹脂が、Ｂステージ樹脂になる温度を超過し、硬化温度未満である温度範囲、かつ、前記溶融金属の溶融温度未満で、加熱する第１加熱工程と、
次いで、前記熱硬化性樹脂の硬化温度以上、かつ、前記溶融金属の溶融温度以上で、加熱する第２加熱工程とを備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記配置工程の前に、前記バンプを前記第１端子に配置し、前記接着剤を前記第２端子に配置する配置前工程を備えることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板は、前記第１絶縁層の上に、前記第１端子の上面を一部露出させるための開口部が形成されるように前記第１端子を被覆する被覆絶縁層を備え、
前記バンプは、前記第１端子と接触するように前記開口部に充填されるとともに、前記被覆絶縁層の上に配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の製造において、配線パターン上に形成された導体ポストの先端表面に半田層を有する接続層と、接続用ランドを有する被接続層とを、半田層と接続用ランドとが対向配置されるように、接着剤層を介在させて積層し、加熱によって半田を溶融し、半田層の高さを変動させることにより、半田を接続用ランドに接触させ、導体ポストと接続用ランドとを半田を介して電気的に接続する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−６７４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１に記載の方法では、半田の溶融、溶融した半田による接着剤の貫通、および接着剤の硬化を同時に行なうため、半田が溶融し、接続用ランドに到達する前に、接着剤が硬化する場合がある。そのような場合には、半田と接続用ランドとの電気的な接続が困難となる。
本発明の目的は、第１基板の第１端子と第２基板の第２端子とを確実に電気的に接続するための配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法では、第１絶縁層と前記第１絶縁層の上に形成される第１端子とを備える第１基板と、第２絶縁層と前記第２絶縁層の上に形成される第２端子とを備える第２基板とを、前記第１端子と前記第２端子とが対向配置するように配置し、前記第１端子と前記第２端子との間に、溶融金属からなるバンプと熱硬化性樹脂からなる接着剤とを、介在させる配置工程と、加圧下で、前記熱硬化性樹脂が、Ｂステージ樹脂になる温度を超過し、硬化温度未満である温度範囲、かつ、前記溶融金属の溶融温度未満で、加熱する第１加熱工程と、次いで、前記熱硬化性樹脂の硬化温度以上、かつ、前記溶融金属の溶融温度以上で、加熱する第２加熱工程とを備えることを特徴としている。
【０００５】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配置工程の前に、前記バンプを前記第１端子に配置し、前記接着剤を前記第２端子に配置する配置前工程を備えることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記第１基板は、前記第１絶縁層の上に、前記第１端子の上面を一部露出させるための開口部が形成されるように前記第１端子を被覆する被覆絶縁層を備え、前記バンプは、前記第１端子と接触するように前記開口部に充填されるとともに、前記被覆絶縁層の上に配置されることが好適である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、第１加熱工程において、加圧下で、熱硬化性樹脂がＢステージ樹脂になる温度を超過し、硬化温度未満である温度範囲、かつ、溶融金属の溶融温度未満で加熱する。すると、熱硬化性樹脂が再溶融して、バンプが第１端子および第２端子に接触する。
その後、第２加熱工程において、熱硬化性樹脂の硬化温度以上、かつ、溶融金属の溶融温度以上で加熱する。すると、熱硬化性樹脂が第１端子と第２端子との間で硬化するとともに、バンプが第１端子と第２端子とに接合される。
【０００７】
そのため、この方法では、バンプが第１端子および第２端子に接触する前に熱硬化性樹脂が硬化してしまうことがなく、バンプが、必ず第１端子および第２端子に接触してから、熱硬化性樹脂が硬化される。その結果、バンプと第１端子および第２端子との接続信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法における第１基板の一実施形態である、第１フレキシブル配線回路基板を示し、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、Ａ−Ａに沿う断面図である。
図２は、本発明の配線回路基板の製造方法における第２基板の一実施形態である、第２フレキシブル配線回路基板を示し、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
【０００９】
以下、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を説明する。
この方法では、まず、第１基板としての第１フレキシブル配線回路基板１と、第２基板としての第２フレキシブル配線回路基板８とを用意する。
第１フレキシブル配線回路基板１は、図１（ｂ）に示すように、第１絶縁層としての第１ベース絶縁層２と、第１ベース絶縁層２の表面に形成される第１導体パターン３と、第１導体パターン３を被覆するように第１ベース絶縁層２の上に形成される、被覆絶縁層としての第１カバー絶縁層６とを備えている。
【００１０】
第１ベース絶縁層２は、図１（ａ）に示すように、フィルム形状をなし、長手方向に沿って平面視略矩形状に形成されている。
第１ベース絶縁層２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
第１導体パターン３は、複数の第１配線４と、各第１配線４に対応する第１端子としての各第１端子部５とを備えている。
【００１１】
各第１配線４は、第１ベース絶縁層２の長手方向に沿って設けられ、幅方向（長手方向および層厚方向の両方と直交する方向、以下同じ。）に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
各第１端子部５は、第１ベース絶縁層２の長手方向両端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて設けられている。各第１端子部５は、各第１配線４から連続して、各第１配線４の長手方向両端部に設けられている。
【００１２】
各第１配線４および各第１端子部５の厚みは、例えば、８〜３０μｍ、好ましくは、１０〜２５μｍで、その幅（幅方向長さ、以下同じ。）は、例えば、５０〜３００μｍ、好ましくは、１００〜２５０μｍである。互いに隣接する各第１配線４および各第１端子部５の間隔は、例えば、５０〜３００μｍ、好ましくは、８０〜２００μｍである。
第１カバー絶縁層６は、第１ベース絶縁層２と平面視において略同一形状に形成されている。
【００１３】
第１カバー絶縁層６の前端面（長手方向の一方の端面であって、紙面右側端面。）は、第１ベース絶縁層２の前端面と平面視において同位置となるように配置されている。
また、第１カバー絶縁層６の前端部には、各第１端子部５の上面が一部露出するように、平面視略円形状の開口部７が設けられている。開口部７は、各第１端子部５に対応するように、幅方向に間隔を隔てて複数形成されている。各開口部７は、第１カバー絶縁層６を層厚方向に貫通する円筒形状に形成されている。これによって、各第１端子部５の上面は各開口部７から平面視略円形状に露出する。
【００１４】
また、第１カバー絶縁層６の後端面（長手方向の一方の端面であって、紙面左側端面。）は、各第１端子部５が露出するように、第１ベース絶縁層２の後端面よりも前方に配置され、幅方向に沿って平面視略直線状に形成されている。
第１カバー絶縁層６の厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、その後端面は、第１ベース絶縁層２の後端面よりも、例えば、１００〜３０００μｍ、好ましくは、２００〜２０００μｍ前方に配置されている。また、各開口部７の直径は、例えば、３０〜３００μｍ、好ましくは、５０〜１５０μｍである。
【００１５】
図３は、図１（ａ）に示す第１フレキシブル配線回路基板１の製造方法を示す製造工程図である。
次に、図３を参照して、第１フレキシブル配線回路基板１を製造する方法について説明する。なお、図３は、図１（ｂ）に対応する断面図として示している。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、第１ベース絶縁層２を用意して、その表面に、上記したように各第１配線４および各第１端子部５を備える第１導体パターン３を形成する。
【００１６】
第１ベース絶縁層２は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂から形成し、好ましくは、ポリイミドから形成する。
第１ベース絶縁層２は、予め合成樹脂のフィルムとして用意するか、または、図示しない剥離板の上に、合成樹脂のワニスをキャスティングにより成膜し、乾燥後、必要により硬化させることにより、用意する。さらには、剥離板の上に、感光性の合成樹脂のワニスをキャスティングにより成膜し、乾燥後、露光後現像して所定パターンに加工し、必要により硬化することにより、用意することもできる。
【００１７】
第１導体パターン３は、例えば、銅、ニッケル、金、またはそれらの合金、はんだなどの金属箔から形成し、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅箔から形成する。
第１導体パターン３は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって形成される。
【００１８】
アディティブ法では、まず、第１ベース絶縁層２の全面に、種膜となる金属薄膜を形成する。金属薄膜は、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などから、スパッタリング法などの薄膜形成法により形成する。次いで、金属薄膜の表面に、第１導体パターン３の反転パターンで、めっきレジストを形成する。めっきレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどから、露光および現像する公知の方法により形成する。その後、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、第１導体パターン３を形成する。第１導体パターン３は、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより形成する。その後、めっきレジストをエッチングまたは剥離により除去した後、第１導体パターン３から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去する。
【００１９】
また、サブトラクティブ法では、まず、第１ベース絶縁層２の全面に、必要により接着剤を介して、金属箔を積層する。次いで、その金属箔の表面に、第１導体パターン３と同一のパターンで、エッチングレジストを形成する。エッチングレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、公知の方法により形成する。その後、エッチングレジストから露出する金属箔をエッチングした後、エッチングレジストをエッチングまたは剥離により除去する。なお、予め第１ベース絶縁層２の上に、金属箔が積層されている二層基材を用意して、その金属箔をエッチングすることにより、第１ベース絶縁層２の上に、第１導体パターン３を形成することもできる。
【００２０】
次いで、図３（ｃ）に示すように、各第１端子部５の上面を一部露出させるための各開口部７が形成されるように、第１導体パターン３を被覆する第１カバー絶縁層６を形成する。
第１カバー絶縁層６は、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系など公知のソルダレジストから形成し、好ましくは、エポキシ系のソルダレジストから形成する。
【００２１】
第１カバー絶縁層６は、例えば、露光および現像する公知のフォト加工により、各開口部７を形成する。より具体的には、まず、図３（ｂ）に示すように、ソルダレジストを、第１ベース絶縁層２の上に、第１導体パターン３を被覆するように成膜し、皮膜を形成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、フォトマスクを介して皮膜を露光し、現像することにより、各開口部７が形成されるようにパターンニングした後、硬化させることにより、第１カバー絶縁層６を形成する。
【００２２】
また、第１カバー絶縁層６は、ソルダレジストを用いる印刷法により、各開口部７が形成されるようにして、形成することもできる。より具体的には、ソルダレジストを、公知の印刷法によって、各開口部７が形成されるように、第１ベース絶縁層２の上に、第１導体パターン３を被覆するように塗布し、その後、ソルダレジストを硬化させることにより、第１カバー絶縁層６を形成する。
【００２３】
さらに、第１カバー絶縁層６は、打ち抜きなどによって、予め、各開口部７が形成されているソルダレジストのフィルムを用意して、そのフィルムを、接着剤を介して第１ベース絶縁層２の上に、第１導体パターン３を被覆するように貼着するか、または、ソルダレジストのフィルムを、接着剤を介して第１ベース絶縁層２の上に、第１導体パターン３を被覆するように貼着した後、そのフィルムに、ドリル加工、レーザ加工あるいはエッチングなどによって、各開口部７を形成することにより、形成することもできる。なお、接着剤は、例えば、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤などが用いられる。
【００２４】
第２基板としての第２フレキシブル配線回路基板８は、図２（ｂ）に示すように、第２絶縁層としての第２ベース絶縁層９と、第２ベース絶縁層９の表面に形成される第２導体パターン１０と、第２導体パターン１０を被覆するように、第２ベース絶縁層９の上に形成される第２カバー絶縁層１３とを備えている。
第２ベース絶縁層９は、第１ベース絶縁層２と同様に、フィルム形状をなし、平面視略矩形状に形成されており、その厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
【００２５】
第２導体パターン１０は、第１導体パターン３と同様に、第２配線１１と第２端子部１２とを備えるパターンとして形成されている。
各第２配線１１および各第２端子部１２の厚みは、例えば、５〜３０μｍ、好ましくは、８〜２５μｍで、その幅は、例えば、３０〜３００μｍ、好ましくは、５０〜２５０μｍである。互いに隣接する各第２配線１１および各第２端子部１２の間隔は、例えば、５０〜３００μｍ、好ましくは、８０〜２００μｍである。
【００２６】
なお、第２ベース絶縁層９の後端部（長手方向の一方の端部であって、紙面左側端部。）に配置される各第２端子部１２は、幅方向において各第１端子部５と対向するように配置されている。
第２カバー絶縁層１３は、図２（ａ）に示すように、第２ベース絶縁層９と略同一形状に形成されている。
【００２７】
第２カバー絶縁層１３の前端面（長手方向の一方の端面であって、紙面右側端面。）は、第２端子部１２が露出するように、第２ベース絶縁層９の前端面よりも後方に配置され、幅方向に沿って平面視略直線状に形成されている。
また、第２カバー絶縁層１３の後端面は、第２端子部１２が露出するように、第２ベース絶縁層９の後端面よりも前方に配置され、幅方向に沿って平面視略直線状に形成されている。
【００２８】
第２カバー絶縁層１３の厚みは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、４〜２０μｍである。第２カバー絶縁層１３の前端面は、第２ベース絶縁層９の前端面よりも、例えば、１００〜３０００μｍ、好ましくは、２００〜２０００μｍ後方に、第２カバー絶縁層１３の後端面は、第２ベース絶縁層９の後端面よりも、例えば、１００〜３０００μｍ、好ましくは、２００〜２０００μｍ前方に配置されている。
【００２９】
図４は、図２（ａ）に示す第２フレキシブル配線回路基板８の製造方法を示す製造工程図である。
次に、図４を参照して、第２フレキシブル配線回路基板８を製造する方法について説明する。なお、図４は、図２（ｂ）に対応する断面図として示している。
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、第２ベース絶縁層９を第１ベース絶縁層２と同様に用意して、その表面に、上記したように第２配線１１および第２端子部１２を備える第２導体パターン１０を、第１導体パターン３と同様に形成する。
【００３０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、上記したように第２導体パターン１０を被覆する第２カバー絶縁層１３を、第２ベース絶縁層９の上に、第１カバー絶縁層６と同様に形成する。
そして、この方法では、図３（ｄ）に示すように、溶融金属からなるバンプとしての、はんだバンプ１４を、第１フレキシブル配線回路基板１の各開口部７に充填しつつ、第１カバー絶縁層６の上に、平面視略円形状に形成する。
【００３１】
各はんだバンプ１４は、各第１端子部５の上面と接触するように各開口部７内に充填され、さらに第１カバー絶縁層６における各開口部７の周縁部に広がるように形成される。
各はんだバンプ１４の最大直径は、例えば、３０〜３００μｍ、好ましくは、５０〜２５０μｍであり、その第１カバー絶縁層６の上面からの高さ（層厚方向長さ）は、例えば、３０〜８００μｍ、好ましくは、５０〜６００μｍである。また、はんだバンプ１４の形状は、特に限定されず、例えば、平面視において、円形のみならず、楕円形などに形成することもできる。
【００３２】
はんだバンプ１４は、錫、インジウム、もしくは、錫、インジウム、銀、銅、亜鉛、鉛、金、アンチモン、ビスマスの少なくとも２種以上からなる合金などから、公知の方法により形成する。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、第２カバー絶縁層１３から露出する第２ベース絶縁層９の後端部の表面に、各第２端子部１２を被覆するように、Ｂステージ樹脂（つまり、熱硬化性樹脂の半硬化状態のもの）からなる接着剤層１５を幅方向に沿って設ける。
【００３３】
接着剤層１５の厚みは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１２〜８０μｍである。
接着剤層１５を形成する接着剤としては、Ｂステージ樹脂として設けることができ、その後に硬化する熱硬化性樹脂であれば、特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
【００３４】
接着剤層１５は、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂（Ａステージ樹脂）のワニスを第２ベース絶縁層９の後端部に塗布し、乾燥して皮膜を形成し、必要により所定の温度で加熱して、Ｂステージ樹脂として形成することができる。また、別途シート形状に成形されたＢステージ樹脂（例えば、プリプレグ）を、第２ベース絶縁層９の後端部に貼着することもできる。
【００３５】
なお、熱硬化性樹脂において、Ｂステージ樹脂として形成するための加熱温度は、例えば、８０〜２００℃、好ましくは、１００〜１７０℃、さらに好ましくは、１２０〜１６０℃である。また、硬化温度は、例えば、２００〜２８０℃、好ましくは、２２０〜２６０℃である。
図５は、第１フレキシブル配線回路基板１と第２フレキシブル配線回路基板８とを電気的に接続する工程の一実施形態を示す工程図である。
【００３６】
そして、この方法では、図５（ａ）に示すように、第１フレキシブル配線回路基板１と第２フレキシブル配線回路基板８とを、第１端子部５と第２端子部１２とが対向配置するように配置する。
次いで、図５（ｂ）に示すように、第１加熱工程として、加圧下で、接着剤層１５がＢステージ樹脂になる温度を超過し、硬化温度未満である温度範囲、かつ、はんだバンプ１４の溶融温度未満で加熱し、各はんだバンプ１４と各第２端子部１２とを接触させる。
【００３７】
第１加熱工程は、例えば、第１フレキシブル配線回路基板１と第２フレキシブル配線回路基板８との間を、１００〜５００ｋＰａ、好ましくは、２００〜４００ｋＰａで加圧しながら、８０〜１６０℃、好ましくは、９０〜１５０℃、さらに好ましくは、１００〜１５０℃、とりわけ好ましくは、１２０〜１５０℃で１０〜９０秒間、好ましくは、１５〜９０秒間加熱する。
【００３８】
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、第２加熱工程として、接着剤層１５の硬化温度以上、かつ、はんだバンプ１４の溶融温度以上で、加熱する。
第２加熱工程は、例えば、第１フレキシブル配線回路基板１と第２フレキシブル配線回路基板８との間を、１００〜５００ｋＰａ、好ましくは、２００〜４００ｋＰａで加圧しながら、２００〜２８０℃、好ましくは、２２０〜２６０℃で１０〜３００秒間、好ましくは、３０〜１２０秒間加熱する。
【００３９】
これによって、各第１端子部５と各第２端子部１２とが各はんだバンプ１４を介して電気的に接続され、第１フレキシブル配線回路基板１および第２フレキシブル配線回路基板８は、図６に示す接続構造で接続される。
本実施形態の配線回路基板の製造方法によれば、第１加熱工程において、加圧下で、接着剤層１５がＢステージ樹脂になる温度を超過し、硬化温度未満である温度範囲、かつ、はんだバンプ１４の溶融温度未満で加熱されるため、接着剤層１５が再溶融して、各はんだバンプ１４が各第２端子部１２に接触する。
【００４０】
すなわち、第１加熱工程においては、各はんだバンプ１４は溶融しておらず、接着剤層１５は再溶融する。そして、第１フレキシブル配線回路基板１と第２フレキシブル配線回路基板８とが加圧されることによって、各はんだバンプ１４は、接着剤層１５を貫通して、対向配置にある各第２端子部１２に接触する。
その後、第２加熱工程において、各はんだバンプ１４と各第２端子部１２とが接合されるとともに接着剤層１５が硬化される。
【００４１】
すなわち、第２加熱工程においては、各はんだバンプ１４と各第２端子部１２とが接触した状態で各はんだバンプ１４が溶融されるので、各はんだバンプ１４と各第２端子部１２とが接合される。また、同時に、Ｂステージ樹脂である接着剤層１５が硬化される。
そのため、各はんだバンプ１４が各第２端子部１２に接触する前に接着剤層１５が硬化してしまうことがなく、各第１端子部５と各第２端子部１２とを各はんだバンプ１４を介して電気的に接続することができ、それらの接続信頼性を向上させることができる。
【実施例】
【００４２】
以下に実施例および比較例を示し、本発明の配線回路基板の製造方法をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
実施例
（第１フレキシブル配線回路基板の製造）
厚み２５μｍのポリイミドフィルムからなる平面視略矩形状の第１ベース絶縁層を用意した。
【００４３】
次いで、第１ベース絶縁層の全面に、スパッタ蒸着法により、銅薄膜を形成することにより、導体薄膜を形成した。その後、導体薄膜の上に、第１導体パターンの反転パターンで、ドライフィルムレジストを用いてめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解銅めっきにより第１導体パターンを形成した。その後、めっきレジストをウェットエッチングにより除去した後、そのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を剥離により除去し、第１ベース絶縁層の上に、４つの第１配線と、各第１配線に対応する第１端子部とを備えた第１導体パターンを形成した。
【００４４】
各第１配線は、第１ベース絶縁層の長手方向に沿って設けられ、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置された。
また、各第１端子部は、第１ベース絶縁層の長手方向両端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて設けられ、各第１配線から連続して、各第１配線の長手方向両端部に設けられた。各第１配線および各第１端子部は、厚み１８μｍ、幅２００μｍの銅箔からなり、互いに隣接する各第１配線および各第１端子部の間隔は１００μｍであった。（図３（ａ）参照。）。
【００４５】
その後、第１ベース絶縁層の上に、第１導体パターンを被覆するように、第１ベース絶縁層と平面視において略同一形状にエポキシ系ソルダレジストを塗布し、乾燥した（図３（ｂ）参照。）。これを、フォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液によって現像し、開口部が形成されるようにパターンニングした後、加熱硬化させて、第１端子部の上面を一部露出するための開口部を備えた第１カバー絶縁層を形成した（図３（ｃ）参照。）。
【００４６】
第１カバー絶縁層は、第１ベース絶縁層と略同一形状に形成され、第１カバー絶縁層の前端面は、第１ベース絶縁層の前端面と平面視において同位置となるように、第１カバー絶縁層の後端面は、第１端子部が露出するように第１ベース絶縁層の後端面よりも前方に配置され、幅方向に沿って平面視略直線状に形成された。第１カバー絶縁層の厚みは、１５μｍであり、第１カバー絶縁層の後端面と、第１ベース絶縁層の後端面との間の距離は、１０００μｍであった。また、開口部の直径は、１００μｍであった。
（第２フレキシブル配線回路基板の製造）
第１フレキシブル配線回路基板と同様に、厚み２５μｍのポリイミドフィルムからなる第２ベース絶縁層の上に、４つの第２配線と、それに対応する第２端子部とを備えた第２導体パターンを形成した。各第２配線および各第２端子部は、厚み１８μｍ、幅２００μｍの銅箔からなり、互いに隣接する各第２配線および各第２端子部の間隔は１００μｍであった（図４（ａ）参照。）。
【００４７】
次いで、第２カバー絶縁層を、第１カバー絶縁層と同様に、第２ベース絶縁層と略同一形状に形成した。第２カバー絶縁層の前端面は、第２端子部が露出するように第２ベース絶縁層の前端面よりも後方に、第２カバー絶縁層の後端面は、第２端子部が露出するように第２ベース絶縁層の後端面よりも前方に配置され、前端面および後端面は幅方向に沿って平面視略直線状に形成された。第２カバー絶縁層の厚みは、１５μｍであった。（図４（ｂ）参照。）第２カバー絶縁層の前端面と、第２ベース絶縁層の前端面との間の距離は、１０００μｍであった。第２カバー絶縁層の後端面と、第２ベース絶縁層の後端面との間の距離は、１０００μｍであった。
（はんだバンプを形成する工程）
次いで、第１フレキシブル配線回路基板の開口部を充填し、端子部と接触するように、カバー絶縁層の上に、平面視略円形状のはんだバンプを形成した（図３（ｄ）参照。）。はんだバンプの最大直径は、１２０μｍで、はんだバンプのカバー絶縁層上面からの高さは、１５０μｍであった。また、はんだバンプの溶融温度は、２２０℃であった。
（接着剤層を設ける工程）
次いで、第２カバー絶縁層から露出する第２ベース絶縁層の後端部の表面に、各第２端子部を被覆するように、Ｂステージ樹脂を接着剤層として設けた（図４（ｃ）参照。）。接着剤層の厚みは、２５μｍであった。なお、Ｂステージ樹脂は、エポキシ系熱硬化性樹脂のワニスを、第２ベース絶縁層の後端部の表面に塗布し、乾燥後、１００℃に加熱することにより形成した。この熱硬化性樹脂を、Ｂステージ樹脂として形成するための加熱温度は１４０℃、硬化温度は１８０℃であった。
（第１加熱工程）
次いで、第１フレキシブル配線回路基板と第２フレキシブル配線回路基板とを、第１端子部と第２端子部とが対向配置するように配置し（図５（ａ）参照。）、第１フレキシブル配線回路基板と第２フレキシブル配線回路基板との間を、４００ｋＰａで加圧しながら、１５０℃で９０秒間加熱した（図５（ｂ）参照。）。
（第２加熱工程）
次いで、第１フレキシブル配線回路基板と第２フレキシブル配線回路基板との間を、４００ｋＰａで加圧しながら、２２０℃で９０秒間加熱した（図５（ｃ）参照。）。
【００４８】
これによって、第１フレキシブル配線回路基板と、第２フレキシブル配線回路基板とを電気的に接続した。
比較例
第１加熱工程を省き、第２加熱工程において、加熱温度を２２０℃とした以外は、実施例１と同様の方法で配線回路基板を製造した。
【００４９】
比較例では、はんだバンプが第２端子部に接触する前に接着剤層が硬化してしまい、第１フレキシブル配線回路基板と、第２フレキシブル配線回路基板とを電気的に接続できなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法における第１フレキシブル配線回路基板の一実施形態を示し、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、Ａ−Ａに沿う断面図である。
【図２】本発明の配線回路基板の製造方法における第２フレキシブル配線回路基板の一実施形態を示し、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
【図３】第１フレキシブル配線回路基板を用意する工程の一実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、第１ベース絶縁層の上に第１導体パターンを形成する工程、（ｂ）は、第１カバー絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、第１カバー絶縁層に開口部を形成する工程、（ｄ）は、はんだバンプを形成する工程を示す。
【図４】第２フレキシブル配線回路基板を用意する工程の一実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、第２ベース絶縁層の上に第２導体パターンを形成する工程、（ｂ）は、第２導体パターンを被覆するように第２カバー絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、接着剤層を設ける工程を示す。
【図５】第１フレキシブル配線回路基板と第２フレキシブル配線回路基板とを電気的に接続する工程の一実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、配置工程、（ｂ）は、第１加熱工程、（ｃ）は、第２加熱工程を示す。
【図６】第１フレキシブル配線回路基板と第２フレキシブル配線回路基板とを電気的に接続した状態の一実施形態を示す平面図、および、その接続構造を拡大して示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１      第１フレキシブル配線回路基板
２      第１ベース絶縁層
５      第１端子部
６      第１カバー絶縁層
７      開口部
８      第２フレキシブル配線回路基板
９      第２ベース絶縁層
１２    第２端子部
１４    はんだバンプ
１５    接着剤層
【図１】
2009177005.tif 000003
【図２】
2009177005.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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