(57)【要約】【課題】有機半導体材料として有機薄膜デバイスに用いられた場合に、キャリア移動度等が優れたものになる、炭化水素芳香族基と含フッ素芳香族性基とが結合してなるπ共役化合物の提供。【解決手段】下記式（１）で表される含フッ素芳香族化合物（式中、ＡｒFはペルフルオロ芳香族性基（ただし、前記ペルフルオロ芳香族性基中のフッ素原子はペルフルオロアルキル基により置換されていてもよい。）。ｎは１〜４の整数。Ｑは下記式（２）で表される構造からｎ個の水素原子を除いて得られるｎ価の芳香族性基（ただし、前記芳香族性基中の水素原子は炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８の含フッ素アルキル基により置換されていてもよい。）。ｐは０〜４の整数。）。    【化１】2009078975.tif 000015    【化２】2009078975.tif 000016【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される含フッ素芳香族化合物。
【化１】
2009078975.tif 000012
ＡｒFはペルフルオロ芳香族性基（ただし、前記ペルフルオロ芳香族性基中のフッ素原子はペルフルオロアルキル基により置換されていてもよい。）。
ｎは１〜４の整数。
Ｑは下記式（２）で表される構造からｎ個の水素原子を除いて得られるｎ価の芳香族性基（ただし、前記芳香族性基中の水素原子は炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８の含フッ素アルキル基により置換されていてもよい。）。
【化２】
2009078975.tif 000013
ｐは０〜４の整数。
【請求項２】
ｎが２である請求項１に記載の含フッ素芳香族化合物。
【請求項３】
ＡｒFがペルフルオロフェニル基、ペルフルオロナフチル基およびペルフルオロビフェニル基からなる群から選択されるペルフルオロ芳香族性基であり、ｐが０または１である、請求項２に記載の含フッ素芳香族化合物。
【請求項４】
ｐが０であり、Ｑにおける−Ｃ≡Ｃ−ＡｒFの結合位置が２位と６位である、請求項３に記載の含フッ素芳香族化合物。
【請求項５】
ｐが１であり、Ｑにおける−Ｃ≡Ｃ−ＡｒFの結合位置が２位と６位、または、９位と１０位である、請求項３に記載の含フッ素芳香族化合物。
【請求項６】
前記式（１）で表される含フッ素芳香族化合物が、下記式（１１）で表される化合物、下記式（１２）で表される化合物、下記式（１３）で表される化合物、下記式（１４）で表される化合物、下記式（１５）で表される化合物および下記式（１６）で表される化合物からなる群から選択される化合物である、請求項３に記載の含フッ素芳香族化合物。
【化３】
2009078975.tif 000014
【請求項７】
基板上に、陽極と、１層以上の構造の有機化合物層と、陰極とを有する有機ＥＬ素子からなる有機薄膜デバイスであって、
前記有機化合物層が請求項１〜６のいずれかに記載の含フッ素芳香族化合物を含む有機薄膜デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜デバイスに応用可能な新規含フッ素芳香族化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機化合物を半導体材料として用いた有機エレクトロニクス素子がめざましい発展を遂げている。その代表的な応用例としては、次世代のフラットパネルディスプレイとして期待される有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、軽量かつフレキシブルな電源としての有機薄膜太陽電池、ディスプレイの画素駆動用等に使用される薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を印刷等の低コストプロセスで製造できることやフレキシブルな基板に対応できることで注目されている有機薄膜トランジスタ（以下「有機ＴＦＴ」と記す。）が挙げられる。
【０００３】
有機化合物は、無機物のシリコンと比較して加工することが容易であるため、半導体材料として有機化合物を用いることによって低価格なデバイスを実現することが期待されている。また、有機化合物を用いた半導体デバイスに関しては、デバイスを低温で製造することが可能であるため、プラスチック基板を含む多種多様な基板を適用することが可能である。さらに、有機化合物の半導体材料は、構造的に柔軟であるため、プラスチック基板および有機化合物の半導体材料を組み合わせて用いることで、フレキシブルなディスプレイ等のデバイスを実現することが期待されている。
【０００４】
一般に、有機ＥＬ素子の長寿命化および低駆動電圧化、有機ＴＦＴ素子の低閾値電圧化、スイッチング速度向上等のために、有機半導体材料のキャリア移動度の向上が求められている。有機半導体材料のキャリア移動度は一般的に低いが、近年、ペンタセンを用いた有機ＴＦＴ素子において、アモルファスシリコン並みの移動度（＞１．０ｃｍ2／Ｖｓ）が実現されつつある（非特許文献１参照。）。
【０００５】
有機半導体材料において、キャリア移動度の向上のための手段としては、未だ有効な手段は確立していないが、分子間相互作用を強くすることや、分子の配列を制御することが重要と言われている。
具体的には、平面構造により共役系が拡張され、πスタックによる強い分子間相互作用を持つペンタセン等の縮合多環系の化合物を利用した例（非特許文献１参照。）や、電子吸引性の芳香族基と電子供与性の芳香族基を分子内に共存させることにより、電荷の偏りを生じさせ、分子間相互作用を高めるだけでなく、分子配列を制御した例（非特許文献２参照。）が知られている。
【０００６】
また、分子間相互作用を高める手段としては、含フッ素芳香族性基および炭化水素芳香族基の相互作用が知られている（例えば、非特許文献３参照。）。
しかしながら、この相互作用を有機半導体材料のキャリア移動度の向上のために利用した例は少なく、ペンタセンの骨格にフッ素原子を導入した例はあるが、キャリア移動度は十分に高いとは言えないものであった（非特許文献４参照。）。
【０００７】
【非特許文献１】Ｄ．Ｊ．Ｇｕｎｄｌａｃｈ，Ｓ．Ｆ．Ｎｅｌｓｏｎ，Ｔ．Ｎ．Ｊａｃｈｓｏｎら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（２００２），８０，２９２５．
【非特許文献２】Ｈ．Ｔａｄａ，Ｙ．Ｙａｍａｓｈｉｔａ  ｅｔ  ａｌ．，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，（２００２），７２５，１４３．
【非特許文献３】Ｇ．Ｗ．Ｃｏａｔｅｓ，Ｊ．Ｗ．Ｚｉｌｌｅｒ，Ｒ．Ｈ．Ｇｒｕｂｂｓ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（１９９８），１２０，３６４１．
【非特許文献４】Ｊ．Ｅ．Ａｎｔｈｏｎｙ，Ｇ．Ｇ．Ｍａｌｌｉａｒａｓ  ｅｔ  ａｌ．，Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，（２００５），７（１５），３１６３．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記のような従来技術が有する問題点を解決する有機半導体材料として用いることができる、炭化水素芳香族基と含フッ素芳香族性基とが結合してなるπ共役化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、特定の含フッ素芳香族化合物が、有機半導体材料として有機薄膜デバイスに用いられた場合に、キャリア移動度が高くなると予想されることを見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
即ち、本発明は、以下の（ｉ）〜（ｖｉｉ）を提供する。
（ｉ）下記式（１）で表される含フッ素芳香族化合物。
【００１１】
【化１】
2009078975.tif 000002
【００１２】
ＡｒFはペルフルオロ芳香族性基（ただし、前記ペルフルオロ芳香族性基中のフッ素原子はペルフルオロアルキル基により置換されていてもよい。）。
ｎは１〜４の整数。
Ｑは下記式（２）で表される構造からｎ個の水素原子を除いて得られるｎ価の芳香族性基（ただし、前記芳香族性基中の水素原子は炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８の含フッ素アルキル基により置換されていてもよい。）。
【００１３】
【化２】
2009078975.tif 000003
【００１４】
ｐは０〜４の整数。
（ｉｉ）ｎが２である上記（ｉ）に記載の含フッ素芳香族化合物。
（ｉｉｉ）ＡｒFがペルフルオロフェニル基、ペルフルオロナフチル基およびペルフルオロビフェニル基からなる群から選択されるペルフルオロ芳香族性基であり、ｐが０または１である、上記（ｉｉ）に記載の含フッ素芳香族化合物。
（ｉｖ）ｐが０であり、Ｑにおける−Ｃ≡Ｃ−ＡｒFの結合位置が２位と６位である、上記（ｉｉｉ）に記載の含フッ素芳香族化合物。
（ｖ）ｐが１であり、Ｑにおける−Ｃ≡Ｃ−ＡｒFの結合位置が２位と６位、または、９位と１０位である、上記（ｉｉｉ）に記載の含フッ素芳香族化合物。
（ｖｉ）前記式（１）で表される含フッ素芳香族化合物が、下記式（１１）で表される化合物、下記式（１２）で表される化合物、下記式（１３）で表される化合物、下記式（１４）で表される化合物、下記式（１５）で表される化合物および下記式（１６）で表される化合物からなる群から選択される化合物である、上記（ｉｉｉ）に記載の含フッ素芳香族化合物。
【００１５】
【化３】
2009078975.tif 000004
【００１６】
（ｖｉｉ）基板上に、陽極と、１層以上の構造の有機化合物層と、陰極とを有する有機ＥＬ素子からなる有機薄膜デバイスであって、
前記有機化合物層が上記（ｉ）〜（ｖｉ）のいずれかに記載の含フッ素芳香族化合物を含む有機薄膜デバイス。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の含フッ素芳香族化合物は、電荷輸送材料としてキャリア移動度が高いことが予想されるため、高性能な有機ＴＦＴ、有機ＥＬ素子等に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明の実施の形態を、代表例を示して詳細に説明する。初めに、本発明の含フッ素芳香族化合物について説明する。
本発明の含フッ素芳香族化合物は、下記式（１）で表される化合物である。なお、本明細書においては、「式（１）で表される化合物」等を「化合物（１）」等と記す。
【００１９】
【化４】
2009078975.tif 000005
【００２０】
化合物（１）において、ＡｒFはペルフルオロ芳香族性基である。ここで、「ペルフルオロ芳香族性基」は、芳香族性を示す１価の炭化水素基の水素原子をすべてフッ素原子で置換したものを意味する。ただし、前記ペルフルオロ芳香族性基中のフッ素原子はペルフルオロアルキル基により置換されていてもよい。この場合、ペルフルオロアルキル基は、炭素原子数１〜８の直鎖のまたは分岐のアルキル基であるのが好ましい。ＡｒFとしては無置換のペルフルオロフェニル基、無置換のペルフルオロナフチル基および無置換のペルフルオロビフェニル基（−Ｃ6Ｆ4Ｃ6Ｆ5）からなる群から選択されるペルフルオロ芳香族性基であるのが好ましく、無置換のペルフルオロフェニル基または無置換のペルフルオロナフチル基であるのがより好ましい。
【００２１】
化合物（１）においてｎは１〜４の整数を表す。ｎは、１または２であるのが好ましく、２であるのがより好ましい。
【００２２】
化合物（１）においてＱは下記式（２）で表される構造からｎ個の水素原子を除いて得られるｎ価の芳香族性基である。ただし、前記芳香族性基中の水素原子は炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８の含フッ素アルキル基により置換されていてもよい。
【００２３】
【化５】
2009078975.tif 000006
【００２４】
ここで、ｐは０〜４の整数を表す。ｐは０または１であるのが好ましい。
Ｑとしては、ｎが２であり、ｐが０または１であるのが好ましく、ｎが２であり、ｐが０または１であり、前記芳香族性基中の水素原子が無置換であるのがより好ましい。
化合物（１）は、結晶構造において分子が規則的に並んでいることが好ましく、そのため、分子の対称性が高いことが好ましい。分子の対称性の観点から、Ｑにおける−Ｃ≡Ｃ−ＡｒFの結合位置については、ｎが２であり、ｐが０である場合は、２位と６位であるのが好ましく、また、ｎが２であり、ｐが１である場合は、２位と６位、または、９位と１０位であるのが好ましい。
【００２５】
さらに、化合物（１）としては、下記式（１１）で表される化合物、下記式（１２）で表される化合物、下記式（１３）で表される化合物、下記式（１４）で表される化合物、下記式（１５）で表される化合物および下記式（１６）で表される化合物からなる群から選択される化合物であるのが好ましい。
【００２６】
【化６】
2009078975.tif 000007
【００２７】
化合物（１）は製造方法を特に限定されないが、以下の方法により製造可能である。例えば、化合物（１）においてｎが１である場合を例にとると、下記１）または２）の方法により製造することができる。
【００２８】
１）下記式（ａ）または（ｂ）で表される、活性プロトンを有するエチニレン化合物とのカップリング反応を利用する方法
【００２９】
Ｑ−Ｃ≡Ｃ−Ｈ  ＋  Ｌ−ＡｒF  →  Ｑ−Ｃ≡Ｃ−ＡｒF  ＋  ＨＬ    （ａ）
または
Ｑ−Ｌ  ＋  Ｈ−Ｃ≡Ｃ−ＡｒF  →  Ｑ−Ｃ≡Ｃ−ＡｒF  ＋  ＨＬ    （ｂ）
【００３０】
ここで、ＡｒFおよびＱは、それぞれ上記式（１）におけるのと同じ意味であり、Ｌは脱離基を表す。脱離基Ｌは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子である。本カップリング反応は、触媒として、パラジウム、銅、白金、ニッケル等の遷移金属、その塩またはその錯体を使用するのが好ましい。触媒は１種のみで用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる例としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等の０価のパラジウム触媒と、臭化銅、ヨウ化銅等の遷移金属塩とを混合して用いることが挙げられる。また、上記触媒には、臭化リチウム、ヨウ化リチウム等のハロゲン化リチウム塩を混合して用いてもよい。
【００３１】
また、本カップリング反応の溶媒としては、生成するＨＬを捕捉することができる溶媒が好ましく、一般にアミン系の溶媒が用いられる。具体的には、例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ピリジン、ピロリジン、ピペリジンが用いられる。また、これらは他の溶媒と混合してもよく、その場合は、他の溶媒として、ベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン等の非プロトン性溶媒を用いるのが好ましい。
【００３２】
本反応の反応温度としては、３０〜１５０℃で行うのが好ましい。中でも、７０〜１００℃程度に加熱して行うのが好ましい。
【００３３】
反応式（ａ）中の式Ｑ−Ｃ≡Ｃ−Ｈで表される化合物は、例えば、以下の方法により製造することができる。
【００３４】
Ｑ−Ｌ  ＋  Ｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ（ＣＨ3）2ＯＨ
→  Ｑ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ（ＣＨ3）2ＯＨ  ＋  ＨＬ    （ｃ）
【００３５】
Ｑ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ（ＣＨ3）2ＯＨ
→  Ｑ−Ｃ≡Ｃ−Ｈ  ＋  Ｏ＝Ｃ（ＣＨ3）2    （ｄ）
【００３６】
ここで、ＡｒF、ＱおよびＬは、それぞれ上記式（ａ）におけるのと同じ意味である。
反応式（ｃ）で表される反応はカップリング反応であり、上記式（ａ）または（ｂ）で表されるカップリング反応と同様の条件で行うことができる。
反応式（ｄ）で表される反応は脱アセトンによるエチニル基の生成反応であり、通常は塩基性条件下にて行われる。用いられる塩基としては水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられ、塩基性の強さの観点から水酸化カリウム、水酸化ナトリウムを用いるのが好ましい。また、本反応は生成するアセトンを系中から速やかに除去しながら行うのが好ましく、中でも、減圧下で加熱して行うのが好ましい。反応圧力としては、０．０１〜０．５Ｐａの範囲で行うのが好ましく、０．３〜０．５Ｐａの範囲で行うのがより好ましい。反応温度としては３０〜２００℃で行うのが好ましい。中でも、１００〜１５０℃程度に加熱して行うのが好ましい。
【００３７】
反応式（ｂ）中の式Ｈ−Ｃ≡Ｃ−ＡｒFで表される化合物も同様の方法で製造可能である。
【００３８】
２）下記式で表されるフッ素原子の脱離を伴う求核置換反応を利用する方法
【００３９】
Ｑ−Ｃ≡Ｃ−Ｍ  ＋  Ｆ−ＡｒF  →  Ｑ−Ｃ≡Ｃ−ＡｒF  ＋  ＭＦ
【００４０】
ここで、ＡｒFおよびＱは、それぞれ上記式（１）におけるのと同じ意味であり、Ｍは１価の金属を表す。１価の金属Ｍとしては、リチウム、カリウム、ナトリウム等を使用することができる。本求核置換反応は低温下、非プロトン性極性溶媒中で行うのが好ましい。反応温度としては−８０〜１０℃で行うのが好ましく、−２０℃〜５℃で行うのがより好ましい。本反応の溶媒としては、非プロトン性極性溶媒を用いるのが好ましい。具体的には、例えば、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドが用いられる。
【００４１】
つぎに、本発明の有機半導体材料および本発明の有機薄膜デバイスについて説明する。
本発明の有機半導体材料は、本発明の含フッ素芳香族化合物を含む有機半導体材料である。本発明の有機半導体材料は、本発明の含フッ素芳香族化合物を含むものであればよく、例えば、他の有機半導体材料に混合して用いてもよく、また、種々のドーパントを含んでいてもよい。ドーパントとしては、例えば、有機ＥＬ素子の発光層として用いる場合には、クマリン、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体および蛍光色素等を用いることができる。
本発明の有機薄膜デバイスは、本発明の有機半導体材料を用いた有機薄膜デバイスである。すなわち、本発明の有機薄膜デバイスは、本発明の含フッ素芳香族化合物を含む有機薄膜デバイスである。具体的には、本発明の有機薄膜デバイスは、少なくとも１層の有機層を備え、この有機層のうち少なくとも１層が上述した化合物（１）を含む。
【００４２】
本発明の有機薄膜デバイスは、種々の態様とすることができるが、好適態様の一つとして、有機ＴＦＴが挙げられる。
具体的には、基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、有機半導体層と、ソース電極およびドレイン電極とを有する有機ＴＦＴからなる有機薄膜デバイスであって、前記有機半導体層が上述した化合物（１）を含む有機薄膜デバイスが挙げられる。
上述した化合物（１）は、ＡｒFで表されるペルフルオロ芳香族性基とＱで表される炭化水素芳香族基の相互作用により、分子間相互作用が大きく、高キャリア移動度を達成することができるので、有機ＴＦＴの活性層に用いると効果的である。
【００４３】
基板は、特に限定されず、例えば、従来公知の構成とすることができる。
基板としては、例えば、ガラス（例えば、石英ガラス）、シリコン、セラミック、プラスチックが挙げられる。
プラスチックとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート等の汎用の樹脂基板が挙げられる。樹脂基板は、酸素、水蒸気等のガスの透過性を低くするためのガスバリア膜を積層したものであることが好ましい。
【００４４】
ゲート電極は、特に限定されず、例えば、従来公知の構成とすることができる。
ゲート電極としては、例えば、金、白金、クロム、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム等の金属またはそれらの合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、グラファイト、スズドープ酸化インジウム（以下「ＩＴＯ」と称する。）、酸化亜鉛、導電性ポリマー等の材料を用いることができる。
【００４５】
ゲート絶縁層は、特に限定されず、例えば、従来公知の構成とすることができる。
ゲート絶縁層としては、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、アモルファスシリコン、ポリイミド樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、フッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＰＥＴＦＥ、ＰＣＴＦＥ、ＣＹＴＯＰ（登録商標）等）等の材料を用いることができる。
【００４６】
有機半導体層は、化合物（１）を含む層であれば、特に限定されない。例えば、実質的に化合物（１）のみからなる層であってもよく、化合物（１）以外の他の物質を含有する層であってもよい。
【００４７】
ソース電極およびドレイン電極は、いずれも特に限定されず、例えば、従来公知の構成とすることができる。
ソース電極およびドレイン電極としては、いずれも、金、白金、クロム、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム等の金属またはそれらの合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、グラファイト、ＩＴＯ、酸化亜鉛、導電性ポリマー等の材料を用いることができる。
【００４８】
有機ＴＦＴにおける積層の構成は、基板側から、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、有機半導体層と、ソース電極およびドレイン電極とをこの順に有する構成（１）、および、基板側から、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とをこの順に有する構成（２）のいずれであってもよい。
有機ＴＦＴの作製方法は、特に限定されないが、構成（１）の場合、例えば、基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、有機半導体層と、ドレイン電極およびソース電極とを順次積層するトップコンタクト法が挙げられ、構成（２）の場合、基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ドレイン電極およびソース電極と、有機半導体層とを順次積層するボトムコンタクト法が挙げられる。
【００４９】
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極およびドレイン電極とは、形成方法を特に限定されないが、いずれも、例えば、上述した材料を用いて、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法、スピンコート法、印刷法等の周知の膜作製方法により形成させることができる。
有機半導体層は、形成方法を特に限定されないが、例えば、上述した化合物（１）を用いて、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等の周知の膜作製方法により形成させることができる。
【００５０】
化合物（１）は、ＡｒFで表されるペルフルオロ芳香族性基とＱで表される炭化水素芳香族基とがある程度規則的に配置された化学構造を有しており、ペルフルオロ芳香族性基および炭化水素芳香族基の相互作用により、ペルフルオロ芳香族性基と炭化水素芳香族基が交互にスタッキングし、積層した結晶構造を持つ。このため分子間相互作用が大きく、分子同士でπ電子軌道がオーバーラップすることによる高キャリア移動度を期待することができる。したがって、この材料を有機ＴＦＴ（電界効果トランジスタ）の有機半導体層（「有機活性層」とも呼ばれる。）に用いることで、大きい電界効果移動度特性を実現することができる。
【００５１】
有機ＴＦＴからなる本発明の有機薄膜デバイスは、用途を特に限定されないが、例えばプラスチック基板を用いたフレキシブルディスプレイの駆動用ＴＦＴとして好適に用いられる。
一般的にプラスチック基板上に無機物で構成されたＴＦＴを作製することはプロセス上困難である。しかし、有機ＴＦＴからなる本発明の有機薄膜デバイスの作製工程では、上述したように真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等のプロセスを用い、高温プロセスを使用しないため、プラスチック基板上に画素駆動用のＴＦＴを形成しうる。特に、本発明に用いられる化合物（１）は、クロロホルム、テトラヒドロフラン等の汎用有機溶媒に可溶であるため、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等の低コストプロセスを適用可能であり、安価なペーパーライク（フレキシブル）ディスプレイの作製に適している。
【００５２】
本発明の化合物（１）を含むことを特徴とする有機薄膜デバイスの別の好適態様の一つとして、有機ＥＬ素子が挙げられる。
具体的には、基板上に、陽極と、１層以上の構造の有機化合物層と、陰極とを有する有機ＥＬ素子からなる有機薄膜デバイスであって、前記有機化合物層が上述した化合物（１）を含む有機薄膜デバイスが挙げられる。
【００５３】
基板と、陽極と、陰極とは、特に限定されず、いずれも従来公知の構成とすることができる。
【００５４】
基板は、特に限定されず、例えば、従来公知の構成とすることができる。
基板としては、例えば、ガラス、プラスチック等の透明材料を用いるのが好ましい態様の一つである。また、陰極に透過性を持たせて陰極側から発光を取り出す場合は、透明材料以外の材料、例えば、シリコンを用いることもできる。
【００５５】
陽極は、特に限定されず、例えば、従来公知の構成とすることができる。具体的には、光を透過させる材料を用いる。より具体的には、ＩＴＯ、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛合金であるのが好ましい。また、金、白金、銀、マグネシウム合金等の金属の薄膜；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、それらの誘導体等の高分子有機材料を用いることもできる。
【００５６】
陰極は、特に限定されず、例えば、従来公知の構成とすることができる。具体的には、仕事関数の低い、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ等のアルカリ金属；Ｍｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属を用いるのが、電子注入性の観点から好ましい。また、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＮａＦ、ＮａＣｌ等のアルカリ金属のハロゲン化物とその上に設けられる安定なＡｌ等の金属とを用いることも好ましい。
【００５７】
有機化合物層は、１層以上の構造であり、その層構成を特に限定されず、例えば、従来公知の構成とすることができる。
例えば、陽極側から陰極側へ向かって、発光層からなる１層構造、正孔輸送層／発光層からなる２層構造、発光層／電子輸送層からなる２層構造、正孔輸送層／発光層／電子輸送層からなる３層構造、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層からなる４層構造、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層からなる５層構造が典型的に挙げられる。
【００５８】
上述したように、有機化合物層は、上述した化合物（１）を含む。有機化合物層は、上述した各種層構成において用いられる各層のうち、少なくとも１層が化合物（１）を含んでいればよい。例えば、上記５層構造の場合、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層からなる群から選ばれる少なくとも１層が化合物（１）を含んでいればよい。
有機化合物層においては、上述した化合物（１）は、１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、有機化合物層においては、化合物（１）以外の発光性有機化合物を併用してもよい。化合物（１）以外の発光性有機化合物は、特に限定されず、例えば、従来公知のものを用いることができる。
【００５９】
有機化合物層は、少なくとも１層が化合物（１）を含んでいる以外は、各層を従来公知の構成とすることができる。以下、有機化合物層が５層構造である場合を例に挙げて説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
正孔注入層または正孔輸送層を構成する材料としては、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、芳香族三級アミン誘導体、スチルベンおよびポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子材料で電子供与性の高い骨格または置換基を含む化合物が好適に例示される。特に、正孔注入層を構成する材料としては、陽極から正孔が注入しやすいイオン化ポテンシャルが小さい化合物が好ましい。また、正孔輸送層を構成する材料としては、発光層とイオン化ポテンシャルが同程度の化合物が好ましい。
発光層の発光材料またはホスト材料としては、例えば、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体や、アントラセン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、ペリレン等の縮合多環化合物が挙げられる。また、クマリン、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体および蛍光色素等を発光層に微量ドープしてもよい。
電子輸送層または電子注入層を構成する材料としては、具体的には、例えば、オキサジアゾール、トリアゾール、フェナントレン、バソクプロイン、キノリン錯体、ペリレンテトラカルボン酸等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの層は、それぞれ２層以上から構成されていてもよい。
【００６０】
有機ＥＬ素子における積層の構成は、例えば、基板側から、陽極と、１層以上の構造の有機化合物層と、陰極とをこの順に有する構成、基板側から、陰極と、１層以上の構造の有機化合物層と、陽極とをこの順に有する構成が挙げられる。
【００６１】
有機ＥＬ素子の作製方法は、特に限定されないが、例えば、基板上に、陽極と、有機化合物層と、陰極とを順次積層する方法、基板上に、陰極と、有機化合物層と、陽極とを順次積層する方法が挙げられる。
【００６２】
陽極と、陰極とは、形成方法を特に限定されないが、いずれも、例えば、上述した材料を用いて、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、スプレー法等の周知の膜作製方法により形成させることができる。
有機化合物層は、形成方法を特に限定されないが、上述した化合物（１）を含有する層については、例えば、上述した化合物（１）を用いて、真空蒸着法、スピンコート法、印刷法等の周知の膜作製方法により形成させることができる。また、上述した化合物（１）を含有しない層については、例えば、上述した材料を用いて、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、スプレー法等の周知の膜作製方法により形成させることができる。
【００６３】
一般に、有機ＥＬ素子において、陽極と陰極との間に電圧を印加すると、陽極からは正孔が正孔注入層や正孔輸送層を介して発光層に注入され、陰極からは電子が電子注入層や電子輸送層等を介して発光層に注入されて、正孔と電子とが発光層で再結合し、その際に生じるエネルギーにより発光層に含まれる発光性有機化合物の分子が励起し、励起子が生成する。そして、生成した励起子が基底状態に失活する過程で発光現象が生じる。
従来、有機ＥＬ素子を実用化するに際し、駆動電圧の低減化や発光量子効率の上昇が重要な課題となっている。この課題の解決には、陽極から正孔を効率よく引き出して発光層に注入し、陰極から電子を効率よく引き出して発光層に注入し、正孔および電子を発光層まで損失なく効率よく輸送することが、求められている。
【００６４】
本発明においては、化合物（１）が正孔および電子の輸送性に優れているので、有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層に用いると効果的である。また、発光層中にも正孔および電子の両者を注入し、再結合させる必要があるため、発光層に用いることも好ましい。
よって、高キャリア移動度の化合物（１）を有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層および発光層の少なくとも１層に用いることによって、正孔および電子を発光層中に効率よく注入することが可能となり、これにより、発光効率を高め、駆動電圧を低下させることができる。
【００６５】
有機ＥＬ素子からなる本発明の有機薄膜デバイスは、用途を特に限定されないが、例えば、有機ＥＬ表示装置に好適に用いられる。
有機ＥＬ表示装置は、画素となる有機ＥＬ素子を複数配置した有機ＥＬ表示素子を備えている。
例えば、パッシブ型の有機ＥＬ素子は、典型的には、ストライプ状に配置された陽極配線と、陽極配線に交差するようにストライプ状に配置された陰極配線との交差部の間に発光層を含む有機化合物層が挟持された構造となっており、交差部ごとに、発光素子としての画素が形成され、画素がマトリクス状に配列している。
また、有機ＥＬ素子にスイッチング用の有機ＴＦＴを組み合わせた素子を、マトリックス状に配置することにより、アクティブ型の有機ＥＬ表示素子とすることができる。
【００６６】
本発明の有機薄膜デバイスにおいては、上述したように、トランジスタ等の電気デバイス、有機ＥＬ素子等の光デバイスの基板として、ガラス基板のほかに、プラスチック基板を使用することが可能である。
基板として用いられるプラスチックは、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性および低吸湿性に優れているのが好ましい。このようなプラスチックとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリイミド等が挙げられる。
【００６７】
本発明の有機薄膜デバイスにおいては、基板の電極側の面および電極と反対側の面の一方または両方に、透湿防止層（ガスバリア層）を有するのが好ましい。透湿防止層を構成する材料としては、窒化ケイ素、酸化ケイ素等の無機物が好適に例示される。透湿防止層はＲＦスパッタ法等の周知の膜作製方法により形成することができる。
また、本発明の有機薄膜デバイスにおいては、必要に応じて、ハードコート層やアンダーコー卜層を有していてもよい。
【００６８】
本発明の有機薄膜デバイスは、上述した有機ＴＦＴおよび有機ＥＬ以外の種々の態様とすることもできる。例えば、有機薄膜太陽電池は、本発明の化合物（１）を含むことを特徴とする有機薄膜デバイスの更に別の好適態様の一つである。
【００６９】
本発明の有機薄膜デバイスは、用途を特に限定されず、表示装置（ディスプレイ）、表示素子、バックライト、光通信、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読取光源、標識、看板、インテリア、電池等の広範な用途に用いることができる。
【実施例】
【００７０】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限られるものではない。
１．中間体の合成
（１）２，６−ジエチニルナフタレンの合成
後述する化合物（１１）および（１２）の合成に用いる中間体として、下記式（Ａ）および（Ｂ）により、２，６−ジエチニルナフタレンを合成した。
【００７１】
【化７】
2009078975.tif 000008
2009078975.tif 000009
【００７２】
２，６−ジエチニルナフタレンの具体的な合成方法を以下に示す。
熱電対温度計およびメカニカルスターラを取り付けた容量３００ｍＬの四つ口フラスコに、２０．１５ｇの２，６−ジブロモナフタレン、２．０ｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および１．１４ｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、系を窒素置換した。そして、６０ｍＬのトリエチルアミンを仕込んだ。さらに、０．１５ｇの臭化銅（Ｉ）および０．５９ｇの臭化リチウムを１５ｍＬのテトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」という。）に溶解したものを仕込み、そこへ２３．９ｇの２−メチルブタ−３−イン−２−オールを添加した。そして、系を９０〜９５℃に加熱し、２〜３時間かくはんした。続いて、反応系を室温まで冷却した後、２００ｍＬの０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸を投入し、析出した固体をろ過して回収した。回収した固体について水による洗浄、トルエンによる洗浄およびメタノールによる洗浄をこの順で行った後に、５０℃で２時間真空乾燥を行って、ほぼ純粋な４，４′−（ナフタレン−２，６−ジイル）ビス（２−メチルブタ−３−イン−２−オール）を１６．０ｇ得た（収率：７７％）（上記式（Ａ）参照。）。
【００７３】
こうして得られた生成物を、熱電対温度計およびメカニカルスターラを取り付けた容量３００ｍＬの四つ口フラスコに移し、そこへ２９．８ｇの流動パラフィンおよび１３．４ｇの粉砕した水酸化カリウムを仕込み、かくはんして分散した。そして、系を０．２３Ｐａまで減圧した後、１００〜１３０℃に加熱し、アセトンの発生による発泡がなくなるまで加熱、かくはんし続けた。続いて１００ｍＬのジクロロメタンおよび１００ｍＬの水を添加し、かくはんした後、不溶な固体をろ過して取り除いた。粗生成物はジクロロメタンにより抽出し、濃縮することにより流動パラフィンとの混合物として得られ、それをカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、ほぼ純粋な２，６−ジエチニルナフタレンを７．３ｇ得た（収率：８６％）（上記式（Ｂ）参照。）。なお、２，６−ジエチニルナフタレンは、1Ｈ−ＮＭＲの分析により同定した。分析結果を以下に示す。
【００７４】
1Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：ＣＤＣｌ3，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）；３．１８（ｓ，２Ｈ），７．５３（ｄ，２Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ），７．９８（ｓ，２Ｈ）
【００７５】
（２）２，６−ジエチニルアントラセンの合成
後述する化合物（１３）および（１４）の合成に用いる中間体として、下記式（Ｃ）および（Ｄ）により、２，６−ジエチニルアントラセンを合成した。
【００７６】
【化８】
2009078975.tif 000010
2009078975.tif 000011
【００７７】
２，６−ジエチニルアントラセンの具体的な合成方法を以下に示す。
熱電対温度計を取り付け、マグネティックスターラを投入した容量５０ｍＬの三つ口フラスコに、１．０ｇの２，６−ジブロモアントラセン、９４ｍｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および５７ｍｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、系を窒素置換した。そして、２ｍＬのトリエチルアミンを仕込んだ。さらに、１２ｍｇの臭化銅（Ｉ）および２５ｍｇの臭化リチウムを０．７５ｍＬのＴＨＦに溶解したものを仕込み、そこへ１．０ｇの２−メチルブタ−３−イン−２−オールを添加した。そして、系を９０〜９５℃に加熱し、３〜４時間かくはんした。続いて、反応系を室温まで冷却した後、４０ｍＬの０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸を投入し、析出した固体をろ過して回収した。回収した固体について水による洗浄、トルエンによる洗浄およびメタノールによる洗浄をこの順で行った後に、５０℃で２時間真空乾燥を行って、ほぼ純粋な４，４′−（アントラセン−２，６−ジイル）ビス（２−メチルブタ−３−イン−２−オール）を０．９ｇ得た（収率：８５％）（上記式（Ｃ）参照。）。
【００７８】
こうして得られた生成物のうち０．８ｇを、熱電対温度計およびメカニカルスターラを取り付けた容量２００ｍＬの四つ口フラスコに移し、そこへ２．２ｇの流動パラフィンおよび０．７ｇの粉砕した水酸化カリウムを仕込み、かくはんして分散した。そして、系を０．２３Ｐａまで減圧した後、１００〜１３０℃に加熱し、アセトンの発生による発泡がなくなるまで加熱、かくはんし続けた。続いて４０ｍＬのジクロロメタンおよび４０ｍＬの水を添加し、かくはんした後、不溶な固体をろ過して取り除いた。粗生成物はジクロロメタンおよびクロロホルムにより抽出し、濃縮することにより流動パラフィンとの混合物として得られ、それをカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、ほぼ純粋な２，６−ジエチニルアントラセンを０．４５ｇ得た（収率：８７％）（上記式（Ｄ）参照。）。なお、２，６−ジエチニルアントラセンは、1Ｈ−ＮＭＲの分析により同定した。分析結果を以下に示す。
【００７９】
1Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：ＣＤＣｌ3，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）；３．２２（ｓ，２Ｈ），７．４８（ｄ，２Ｈ），７．９５（ｄ，２Ｈ），８．１９（ｓ，２Ｈ），８．３５（ｓ，２Ｈ）
【００８０】
２．含フッ素芳香族化合物の合成
（実施例１）：化合物（１１）
（１）化合物（１１）の合成
熱電対温度計およびメカニカルスターラを取り付けた容量３００ｍＬの四つ口フラスコに、１．７ｇの２，６−ジエチニルナフタレン、０．５ｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および０．０９ｇの臭化銅（Ｉ）を仕込み、系を窒素置換した。続いて、３５ｍＬのトルエンおよび４．５ｍＬのトリエチルアミンを仕込んだ。さらに、そこへ７．３ｇのブロモペンタフルオロベンゼンを添加した。そして、系を９０〜９５℃に加熱し、３〜４時間かくはんした。続いて、反応系を室温まで冷却した後、１００ｍＬの０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸を投入し、析出した固体をろ過して回収した。回収した固体について水による洗浄、トルエンによる洗浄およびメタノールによる洗浄をこの順で行った後に、５０℃で２時間真空乾燥を行って、ほぼ純粋な化合物（１１）を４．１ｇ得た（収率：８７％）。
【００８１】
（２）化合物（１１）の精製
上記で得られた化合物（１１）のうちの２．０ｇを２．０〜３．０×１０-4Ｐａの減圧下、１００℃で昇華精製を行うことにより、純粋な白色結晶１．８ｇを得た。この白色結晶は、19Ｆ−ＮＭＲおよび1Ｈ−ＮＭＲの各分析により２，６−ビス（ペンタフルオロフェニルエチニル）ナフタレン（化合物（１１））であると同定された。分析結果を以下に示す。
【００８２】
19Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3、基準：ＣＦＣｌ3）δ（ｐｐｍ）；−１３６．３４（４Ｆ），−１５２．７０（２Ｆ），−１６２．１４（４Ｆ）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：ＣＤＣｌ3，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）；７．６４（ｄ，２Ｈ），７．８４（ｄ，２Ｈ），８．１１（ｓ，２Ｈ）
【００８３】
（実施例２）：化合物（１２）
（１）化合物（１２）の合成
熱電対温度計およびメカニカルスターラを取り付けた容量３００ｍＬの四つ口フラスコに、０．３ｇの２，６−ジエチニルナフタレン、０．０９ｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および０．０３ｇの臭化銅（Ｉ）を仕込み、系を窒素置換した。続いて、６ｍＬのトルエンおよび０．７５ｍＬのトリエチルアミンを仕込んだ。さらに、そこへ１．７ｇの２−ブロモヘプタフルオロナフタレンを添加した。そして、系を９０〜９５℃に加熱し、３〜４時間かくはんした。続いて、反応系を室温まで冷却した後、１００ｍＬの０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸を投入し、析出した固体をろ過して回収した。回収した固体について水による洗浄、トルエンによる洗浄およびアセトンによる洗浄をこの順で行った後に、６０℃で２時間真空乾燥を行って、ほぼ純粋な化合物（１２）を５．６ｇ得た（収率：９２％）。
【００８４】
（２）化合物（１２）の精製
上記で得られた化合物（１２）のうちの１．０ｇを５．５〜６．０×１０-4Ｐａの減圧下、３５０℃で昇華精製を行うことにより、純粋な白色結晶０．５ｇを得た。この白色結晶は、19Ｆ−ＮＭＲおよび1Ｈ−ＮＭＲの各分析により２，６−ビス（（ヘプタフルオロナフタレン−２−イル）エチニル）ナフタレン（化合物（１２））であると同定された。分析結果を以下に示す。
【００８５】
19Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＴＨＦ−ｄ8、基準：ＣＦＣｌ3）δ（ｐｐｍ）；−１１３．１（２Ｆ），−１３４．５（２Ｆ），−１４４．１（２Ｆ），−１４４．６（２Ｆ），−１４９．３（２Ｆ），−１５３．２（２Ｆ），−１５６．３（４Ｆ）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：ＴＨＦ−ｄ8，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）；７．７４（ｄ，２Ｈ），８．０３（ｄ，２Ｈ），８．２９（ｓ，２Ｈ）
【００８６】
（実施例３）：化合物（１３）
（１）化合物（１３）の合成
熱電対温度計を取り付け、マグネティックスターラを投入した容量５０ｍＬの三つ口フラスコに、０．２９ｇの２，６−ジエチニルアントラセン、８８ｍｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および１９ｍｇの臭化銅（Ｉ）を仕込み、系を窒素置換した。続いて、６ｍＬのトルエンおよび０．７５ｍＬのトリエチルアミンを仕込んだ。さらに、そこへ１．０ｇのブロモペンタフルオロベンゼンを添加した。そして、系を９５℃に加熱し、３〜４時間かくはんした。続いて、反応系を室温まで冷却した後、４０ｍＬの０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸を投入し、析出した固体をろ過して回収した。回収した固体について水による洗浄、トルエンによる洗浄およびメタノールによる洗浄をこの順で行った後に、６０℃で２時間真空乾燥を行って、ほぼ純粋な化合物（１３）を０．４４ｇ得た（収率：６２％）。
【００８７】
（２）化合物（１３）の精製
上記で得られた化合物（１３）のうちの０．３ｇを５．５〜６．０×１０-4Ｐａの減圧下、３００℃で昇華精製を行うことにより、純粋な白色結晶０．１５ｇを得た。この白色結晶は、19Ｆ−ＮＭＲおよび1Ｈ−ＮＭＲの各分析により２，６−ビス（ペンタフルオロフェニルエチニル）ナフタレン（化合物（１３））であると同定された。分析結果を以下に示す。
【００８８】
19Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＴＨＦ−ｄ8、基準：ＣＦＣｌ3）δ（ｐｐｍ）；−１３７．２０（４Ｆ），−１５３．７８（２Ｆ），−１６２．９５（４Ｆ）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：ＴＨＦ−ｄ8，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）；７．５９（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ），８．４０（ｓ，２Ｈ），８．５８（ｓ，２Ｈ）
【００８９】
（実施例４）：化合物（１４）
（１）化合物（１４）の合成
熱電対温度計を取り付け、マグネティックスターラを投入した容量５０ｍＬの三つ口フラスコに、０．１１ｇの２，６−ジエチニルアントラセン、２８ｍｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および４．２ｍｇの臭化銅（Ｉ）を仕込み、系を窒素置換した。続いて、２ｍＬのトルエンおよび０．１５ｍＬのトリエチルアミンを仕込んだ。さらに、そこへ０．４ｇの２−ブロモヘプタフルオロナフタレンを添加した。そして、系を９５℃に加熱し、３〜４時間かくはんした。続いて、反応系を室温まで冷却した後、４０ｍＬの０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸を投入し、析出した固体をろ過して回収した。回収した固体について水による洗浄、トルエンによる洗浄およびアセトンによる洗浄をこの順で行った後に、６０℃で２時間真空乾燥を行って、ほぼ純粋な化合物（１４）を０．２１ｇ得た（収率：５９％）。
【００９０】
（２）化合物（１４）の精製
上記で得られた化合物（１４）のうちの０．２ｇを５．５〜６．０×１０-4Ｐａの減圧下、４００℃で昇華精製を行うことにより、純粋な白色結晶０．１２ｇを得た。この白色結晶は、19Ｆ−ＮＭＲおよび1Ｈ−ＮＭＲの各分析により２，６−ビス（（ヘプタフルオロナフタレン−２−イル）エチニル）アントラセン（化合物（１４））であると同定された。分析結果を以下に示す。
【００９１】
19Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＴＨＦ−ｄ8、基準：ＣＦＣｌ3）δ（ｐｐｍ）；−１１３．２（２Ｆ），−１３４．６（２Ｆ），−１４４．１（２Ｆ），−１４４．５（２Ｆ），−１４９．４（２Ｆ），−１５３．２（２Ｆ），−１５６．４（４Ｆ）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：ＴＨＦ−ｄ8，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）；７．６０（ｄ，２Ｈ），８．１１（ｄ，２Ｈ），８．４１（ｓ，２Ｈ），８．５９（ｓ，２Ｈ）
【００９２】
３．含フッ素芳香族化合物の薄膜の物性の評価
（実施例５）
厚さ１３０ｎｍのガラス基板を真空蒸着機の基板ホルダーに固定して、真空度１×１０-6Ｔｏｒｒ（１．３３×１０-4Ｐａ）まで減圧した。つぎに、実施例１で合成され、精製された化合物（１１）を蒸着速度０．２ｎｍ／秒で４０ｎｍの厚さとなるようにガラス基板上に蒸着した。
蒸着された化合物（１１）の薄膜のイオン化ポテンシャルを、大気中光電子分光装置（ＡＣ−３、理研計器社製）を用いて測定したところ、６．２ｅＶであった。
また、蒸着された化合物（１１）の薄膜の吸収スペクトルを、分光高度計（ＵＶ−３１００、島津製作所社製）を用いて測定したところ、吸収極大の波長は２８０ｎｍおよび３３６ｎｍであり、最も長波長側の吸収端の波長は３７２ｎｍであった。
これらの特性から、化合物（１１）の薄膜のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの準位がそれぞれ−６．２ｅＶおよび−２．９ｅＶと求められた。したがって、化合物（１１）の薄膜が電子輸送性を有することが予想される。