(57)【要約】【課題】駆動時に発生する漏れ推力の影響を低減して高い制御精度を維持することができるステージ装置及び露光装置等を提供する。【解決手段】露光装置ＥＸは、６自由度を有するよう支持されたウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴからなるステージ装置ＳＴ、及びステージ装置ＳＴを制御する主制御系ＭＣを備える。ウェハステージＷＳＴは、Ｘ方向の推力が与えられた場合に、ウェハステージＷＳＴのＸ方向の位置に応じて大きさが変化する漏れ推力（例えば、Ｚ方向の推力：Ｚサイドフォース）を生ずる。主制御系ＭＣは、ウェハステージＭＣのＺ方向の位置、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、及びＺ軸周りの回転の少なくとも１つを制御するための推力を、ウェハステージＷＳＴの漏れ推力の大きさに応じて補正する。【選択図】図１
2009081405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１軸方向及び前記第１軸方向と異なる第２軸方向に対する自由度を有して移動可能に支持されたステージ本体と、当該ステージ本体を駆動する駆動装置とを備えるステージ装置であって、
前記駆動装置で発生する前記第１軸方向の推力を、前記ステージ本体の位置に応じて変化する前記駆動装置の前記第２軸方向の推力の漏れ推力の大きさに応じて補正する補正部を備えるステージ装置。
【請求項２】
前記補正部は、前記ステージ本体の位置と、前記駆動装置で発生する漏れ推力の大きさとの関係を示す推力補正マップを記憶する記憶部を備える請求項１記載のステージ装置。
【請求項３】
前記補正部は、前記ステージ本体の重心点と前記駆動装置における最大推力点との距離を加味して前記駆動装置で発生する推力を補正する請求項２記載のステージ装置。
【請求項４】
前記ステージ本体は、所定平面上で支持され、前記第１軸方向は前記所定平面に交差する方向、前記第２軸方向は前記所定平面内に含まれる方向であり、該ステージ本体は前記第１軸方向、前記第２軸方向及び前記所定平面内で前記第２軸方向に交差する第３軸方向への移動による３自由度、並びに当該第１，第２，第３軸周りの回転による３自由度を有しており、
前記補正部は、前記推力補正マップから読み出した前記ステージ本体の位置に応じた前記駆動装置の漏れ推力の大きさと、前記ステージ本体の位置に応じた前記ステージ本体の重心点と前記駆動装置における前記第２軸方向に対する推力の最大推力点との距離とに基づいて前記第１軸方向に対する前記駆動装置の推力の補正量を求め、当該補正量を用いて前記第１軸方向への移動及び前記第２，第３軸周りの回転の少なくとも１つをフィードフォワード制御する請求項３記載のステージ装置。
【請求項５】
少なくとも第１軸方向及び前記第１軸方向と異なる第２軸方向に対する自由度を有して移動可能に支持されたステージ本体と、当該ステージ本体を駆動する駆動装置とを備えるステージ装置の制御方法であって、
前記第２軸方向における前記ステージ本体の位置を測定し、
前記測定の結果に応じた前記駆動装置の前記第２軸方向の推力の漏れ推力の大きさを求め、
前記駆動装置で発生する前記第１軸方向の推力を前記漏れ推力の大きさに応じて補正する、ステージ装置の制御方法。
【請求項６】
前記駆動装置で前記ステージ本体を駆動して、前記ステージ本体の位置と前記駆動装置で発生する漏れ推力の大きさとの関係を示す推力補正マップを予め作成しておく請求項５記載のステージ装置の制御方法。
【請求項７】
前記補正の際は、前記漏れ推力の大きさに加えて、前記ステージ本体の重心点と前記駆動装置における最大推力点との距離の変動量を加味して前記駆動装置で発生する推力を補正する請求項６記載のステージ装置の制御方法。
【請求項８】
前記ステージ本体は、所定平面上で支持され、前記第１軸方向は前記所定平面に交差する方向、前記第２軸方向は前記所定平面内に含まれる方向であり、該ステージ本体は前記第１軸方向、前記第２軸方向及び前記所定平面内で前記第２軸方向に交差する第３軸方向への移動による３自由度、並びに当該第１，第２，第３軸周りの回転による３自由度を有しており、
前記補正の際は、前記推力補正マップから読み出した前記ステージ本体の位置に応じた前記駆動装置の漏れ推力の大きさと、前記ステージ本体の位置に応じた前記ステージ本体の重心点と前記駆動装置における前記第２軸方向に対する推力の最大推力点との距離に基づいて前記駆動装置の前記第１軸方向に対する推力の補正量を求め、当該補正量を用いて前記第１軸方向への移動及び前記第２，第３軸周りの回転の少なくとも１つをフィードフォワード制御する請求項７記載のステージ装置の制御方法。
【請求項９】
基板を保持する基板ステージを備え、マスクに形成されたパターンを前記基板上に転写する露光装置であって、
前記基板ステージが請求項１から請求項４の何れか一項に記載のステージ装置である露光装置。
【請求項１０】
マスクに形成されたパターンを、基板ステージ上に保持された基板上に転写する露光方法であって、
請求項５から請求項８の何れか一項に記載のステージ装置の制御方法を用いて前記基板ステージを制御する露光方法。
【請求項１１】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法であって、
前記リソグラフィ工程において請求項９記載の露光装置又は請求項１０記載の露光方法を用いて露光を行う露光工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク（レチクル）、基板（ウェハ又はプレート）等の移動対象物を載置した状態で移動可能に構成されたステージの動作を制御するステージ装置及びその制御方法、当該装置を備える露光装置及び当該制御方法を用いる露光方法、並びに当該露光装置又は露光方法を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子、薄膜磁気ヘッド、その他の各種デバイスの製造工程の１つとして設けられるフォトリソグラフィ工程では、マスクに形成されたパターンを、投影光学系を介して基板ステージ上に載置された基板上に転写する露光装置が用いられている。この露光装置としては、例えばステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光装置（所謂ステッパ）や、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置等が挙げられる。
【０００３】
近年においては、高い制御精度を維持しつつスループット（単位時間に露光処理することができる基板の枚数）を向上させるために、露光装置は６自由度を有する基板ステージを備えている。この基板ステージは、基板を載置するステージ本体が所定の支持機構によって６自由度を有するように支持されており、所定の基準面（ベース盤の上面）に含まれて互いに交差する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）と基準面に交差する軸（Ｚ軸）に沿って移動可能であるとともに、これらの軸の周りで回転可能に構成されている。尚、この基板ステージの詳細については以下の特許文献１を参照されたい。
【特許文献１】特開２００６−２５３５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、一般的にリニアモータの移動方向（例えば、Ｘ方向）に推力を発生させると、リニアモータの特性上、僅かではあるが他の方向（例えば、Ｙ方向及びＺ方向）に漏れ推力（サイドフォース）が発生する。従来の基板ステージは、自由度が低いが故にリニアモータで発生する漏れ推力の影響を無視することができた。
【０００５】
しかしながら、上記の特許文献１に開示された基板ステージは、従来の基板ステージよりも高い制御精度が実現できるものの、従来の基板ステージよりも自由度が高いためリニアモータ駆動時の漏れ推力が外乱として大きく影響してしまい、却って基板ステージの制御精度が悪化する虞があるという問題がある。つまり、６自由度を有する基板ステージにおいては、上記の漏れ推力によってＸ軸周りの回転（ピッチング）、Ｙ軸周りの回転（ローリング）、及びＺ軸周りの回転（ヨーイング）が生じてしまい、これが制御精度に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、駆動時に発生する漏れ推力の影響を低減して高い制御精度を維持することができるステージ装置及びその制御方法、当該装置を備える露光装置及び当該制御方法を用いる露光方法、並びに当該露光装置又は露光方法を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明のステージ装置は、少なくとも第１軸方向及び前記第１軸方向と異なる第２軸方向に対する自由度を有して移動可能に支持されたステージ本体（２４）と、当該ステージ本体を駆動する駆動装置（３１、３２ａ、３２ｂ）とを備えるステージ装置（ＷＳＴ、ＳＴ）であって、前記駆動装置で発生する前記第１軸方向の推力を、前記ステージ本体の位置に応じて変化する前記駆動装置の前記第２軸方向の推力の漏れ推力の大きさに応じて補正する補正部（６０ｂ）を備えることを特徴としている。
本発明のステージ装置の制御方法は、少なくとも第１軸方向及び前記第１軸方向と異なる第２軸方向に対する自由度を有して移動可能に支持されたステージ本体（２４）と、当該ステージ本体を駆動する駆動装置（３１、３２ａ、３２ｂ）とを備えるステージ装置（ＷＳＴ、ＳＴ）の制御方法であって、前記第２軸方向における前記ステージ本体の位置を測定し、前記測定の結果に応じた前記駆動装置の前記第２軸方向の推力の漏れ推力の大きさを求め、前記駆動装置で発生する前記第１軸方向の推力を前記漏れ推力の大きさに応じて補正することを特徴としている。
本発明の第１の観点による露光装置は、基板（Ｗ）を保持する基板ステージ（ＷＳＴ）を備え、マスク（Ｒ）に形成されたパターンを前記基板上に転写する露光装置（ＥＸ）であって、前記基板ステージが上記のステージ装置であることを特徴としている。
本発明の第２の観点による露光装置は、マスク（Ｒ）に形成されたパターンを、基板ステージ（ＷＳＴ）上に保持された基板（Ｗ）上に転写する露光方法であって、上記のステージ装置の制御方法を用いて前記基板ステージを制御することを特徴としている。
本発明のデバイス製造方法は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法であって、前記リソグラフィ工程において上記の露光方法を用いて露光を行う露光工程（Ｓ１４）を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、駆動装置で発生する第１軸方向の推力を、ステージ本体の位置に応じて変化する駆動装置の第２軸方向の推力の漏れ推力の大きさに応じて補正しているため、駆動時に発生する漏れ推力の影響が低減されて高い制御精度を維持することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態によるステージ装置及びその制御方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す側面図である。図１に示す露光装置ＥＸは、図１中の投影光学系ＰＬに対してマスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを相対的に移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンをウェハＷに逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の露光装置である。
【００１０】
尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図１に示すＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がウェハＷの移動面に平行な面に含まれるよう設定され、Ｚ軸が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに沿う方向に設定されている。また、本実施形態ではレチクルＲ及びウェハＷを同期移動させる方向（走査方向）をＹ方向に設定している。
【００１１】
図１に示す通り、本実施形態の露光装置ＥＸは、照明光学系ＩＬＳ、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影ユニットＰＵ、ウェハＷを保持するウェハステージＷＳＴ（基板ステージ）と計測ステージＭＳＴとを有するステージ装置ＳＴ、及び主制御系ＭＣを備える。照明光学系ＩＬＳは、不図示のレチクルブラインドで規定されたレチクルＲ上のスリット状の照明領域を露光光ＩＬによってほぼ均一な照度で照明する。ここで、露光光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられる。
【００１２】
レチクルステージＲＳＴ上には、パターン面（図１における−Ｚ側の面）にパターンが形成されたレチクルＲが、例えば真空吸着により保持されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータを含むレチクルステージ駆動装置（図示省略）によって、照明光学系ＩＬＳの光軸（後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂直なＸＹ平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（Ｙ方向）に指定された走査速度で駆動可能に構成されている。
【００１３】
レチクルステージＲＳＴのステージ移動面内の位置（Ｚ軸周りの回転を含む）は、レーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）１１によって、移動鏡１２（実際にはＹ軸に直交する反射面を有するＹ移動鏡とＸ軸に直交する反射面を有するＸ移動鏡とが設けられている）を介して、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。このレチクル干渉計１１の計測値は主制御系ＭＣに出力されており、主制御系ＭＣはレチクル干渉計１１の計測値に基づいてレチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向、及びθＺ方向（Ｚ軸周りの回転方向）の位置を算出するとともに、この算出結果に基づいてレチクルステージ駆動装置を制御することで、レチクルステージＲＳＴの位置（及び速度）を制御する。
【００１４】
投影ユニットＰＵは、鏡筒１３と、鏡筒１３内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を含む投影光学系ＰＬと備えている。投影光学系ＰＬとしては、例えばＺ方向の共通の光軸ＡＸを有する複数のレンズ（レンズエレメント）からなる屈折光学系が用いられている。
【００１５】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウェハＷ側）のレンズ（以下、先玉ともいう）ＧＬの近傍には、液浸装置１４を構成する液体供給ノズル１５ａと、液体回収ノズル１５ｂとが設けられている。液体供給ノズル１５ａは液体供給管を介して液体供給装置（何れも図示省略）に接続されており、液体回収ノズル１５ｂは液体回収管を介して液体回収装置（何れも図示省略）に接続されている。
【００１６】
上記の液体としては、ここではＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍの光）が透過する超純水（以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する）を用いるものとする。超純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、ウェハＷ上に塗布されたフォトレジスト及び光学レンズ等に対する悪影響を及ぼさないという利点がある。ここで、水の屈折率ｎはほぼ１．４４であり、この水の中では露光光ＩＬの波長は１９３ｎｍ×１／ｎ＝約１３４ｎｍに短波長化される。
【００１７】
上記の液体供給装置は、主制御系ＭＣからの指示に応じて液体供給管に接続されたバルブを所定開度で開き、液体供給ノズル１５ａを介して先玉ＧＬとウェハＷとの間に水を供給する。また、上記の液体回収装置は、主制御系ＭＣからの指示に応じて液体回収管に接続されたバルブを所定開度で開き、液体回収ノズル１５ｂを介して先玉ＧＬとウェハＷとの間から液体回収装置（液体のタンク）の内部に水を回収する。このとき、主制御系ＭＣは、先玉ＧＬとウェハＷとの間に液体供給ノズル１５ａから供給される水の量と、液体回収ノズル１５ｂを介して回収される水の量とが常に等しくなるように、液体供給装置及び液体回収装置に対して指令を与える。従って、先玉ＧＬとウェハＷとの間に一定量の水Ｌｑ（図１参照）が保持される。尚、先玉ＧＬとウェハＷとの間に保持される水Ｌｑは、常に入れ替わることになる。
【００１８】
以上説明した通り、本実施形態の露光装置が備える液浸装置１４は、図示しない液体供給装置、液体回収装置、供給管、及び回収管と、図１に示す液体供給ノズル１５ａ及び液体回収ノズル１５ｂ等とを有する局所液浸装置である。尚、投影ユニットＰＵの下方に計測ステージＭＳＴが位置する場合にも、上記と同様に計測テーブルＭＴＢと先玉ＧＬとの間に水を満たすことが可能である。
【００１９】
ステージ装置ＳＴは、例えば半導体工場の床面ＦＬ上に配置されたフレームキャスタＦＣ、フレームキャスタＦＣ上に設けられたベース盤（定盤）２１、ベース盤２１の上方に配置されベース盤２１の上面（所定平面）２１ａに沿って移動するウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴ、これらのステージＷＳＴ，ＭＳＴの位置を検出する干渉計２２，２３、並びにステージＷＳＴ，ＭＳＴを駆動する駆動装置（図１では図示省略）を備える。
【００２０】
上記のウェハステージＷＳＴは、ベース盤２１上に配置されたウェハステージ本体２４とウェハステージ本体２４上に搭載されたウェハテーブルＷＴＢとを備えており、レチクルＲのパターンをウェハＷに露光転写するためにウェハＷを保持して移動するものである。ウェハステージ本体２４は、断面矩形枠状でＸ方向に延びる中空部材によって構成されている。このウェハステージ本体２４の下面には、ベース盤２１上においてウェハステージ本体２４が６自由度を有するよう支持する支持機構としての自重キャンセラ２５が設けられている。尚、本明細書にいう６自由度とは、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＹ方向への移動による３自由度、並びに、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸周りの回転による３自由度である。
【００２１】
一方、計測ステージＭＳＴは、計測ステージ本体２６と、計測ステージ本体２６上に搭載された計測テーブルＭＴＢとを備えており、ウェハステージＷＳＴがウェハＷの交換のためにローディングポジションに位置している間に投影光学系ＰＬの下方に位置して各種の計測を行うものである。計測ステージ本体２６はウェハステージ本体２４と同様の構成であり、またその下面にはベース盤２１上において計測ステージ本体２６が６自由度を有するよう支持する支持機構としての自重キャンセラ機構２７が設けられている。
【００２２】
主制御系ＭＣは、露光装置ＥＸの動作を統括的に制御する。例えば、レチクル干渉計１１の計測値に基づいてレチクルステージＲＳＴの位置、姿勢、及び速度を制御し、干渉計２２，２３の計測値に基づいてステージ装置ＳＴ（ウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴ）の位置、姿勢、及び速度を制御する。また、液浸装置１４を制御して、投影光学系ＰＬの先玉ＧＬとウェハＷとの間に一定量の水Ｌｑを保持する。
【００２３】
次に、ステージ装置ＳＴの構成について詳細に説明する。図２は、ステージ装置ＳＴの構成を示す斜視図である。図２に示す通り、フレームキャスタＦＣは、Ｘ方向の一側と他側との端部近傍にＹ方向を長手方向として上方に突出した突部ＦＣａ，ＦＣｂが一体的に形成された概略平板状からなるものである。ベース盤２１は、フレームキャスタＦＣの突部ＦＣａ，ＦＣｂに挟まれた領域上に配置されている。ベース盤２１の上面２１ａは平坦度が極めて高く仕上げられ、ウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴのＸＹ平面に沿った移動の際のガイド面とされている。
【００２４】
ウェハステージＷＳＴは、ウェハステージ本体２４をＸ方向にロングストロークで駆動するとともに、Ｙ方向、Ｚ方向、θｘ（Ｘ軸周りの回転方向）、θｙ（Ｙ軸周りの回転方向）、θｚ（Ｚ軸周りの回転方向）に微小駆動する第１駆動系３１と、ウェハステージ本体２４及び第１駆動系３１をＹ方向にロングストロークで駆動する第２駆動系３２ａ，３２ｂとを備えている。更に、ウェハステージＷＳＴは、Ｘ方向に等速運動をするチューブキャリアＴＣと、真空又はエア等の用力をチューブキャリアＴＣからウェハステージ本体２４に非接触で伝達する不図示の６自由度パイプを備えている。
【００２５】
ウェハステージ本体２４の＋Ｘ側の側面及び−Ｘ側の側面には、それぞれ３つの開口が形成されている。これらの開口のうちの各々の側面のほぼ中央部に形成された開口を介してウェハステージ本体２４を貫通するように、複数のコイルを備えるＹ軸用固定子３３が設けられている。また、各々の側面に形成された３つの開口のうち、Ｙ軸用固定子３３が貫通している開口をＹ方向に挟むように形成された２つの開口の各々を介してウェハステージ本体２４を貫通するように、２つのＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂが設けられている。これらＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂの各々には、Ｘ方向に配列された複数のコイルがそれぞれ設けられている。更に、Ｙ軸用固定子３３が貫通している開口には永久磁石３５が設けられており、Ｘ軸用固定子３４ａ，３４ｂが貫通している開口には永久磁石３６ａ，３６ｂがそれぞれ設けられている。これらの永久磁石３３及び永久磁石３６ａ，３６ｂは、ウェハステージ本体２４の重心に対して対称に配置されている。
【００２６】
上記のＹ軸用固定子３３は、それが貫通している開口に設けられた永久磁石３５と協働してウェハステージ本体２４をＹ方向に微小駆動する。これにより、６自由度のうちの１つ目の自由度が実現される。尚、第２駆動系３２ａ，３２ｂによるＹ方向へのロングストロークの駆動によっても１つ目の自由度が実現される。また、上記の２つのＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂは、それぞれが貫通している開口に設けられた永久磁石３６ａ，３６ｂとそれぞれ協働してウェハステージ本体２４をＸ方向に長いストロークで駆動する。これにより、６自由度のうちの２つ目の自由度が実現される。ここで、各々のＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂの駆動量を異ならせることにより、ウェハステージ本体２４をθｚ方向に回転させることができる。これにより、６自由度のうちの３つ目の自由度が実現される。
【００２７】
即ち、第１駆動系３１は、Ｙ軸用固定子３３と永久磁石３５とからなるムービングマグネット型のリニアモータと、Ｘ軸用固定子３４ａ，３４ｂと永久磁石３６ａ，３６ｂとからなるムービングマグネット型のリニアモータとを備えている。尚、ここではムービングマグネット型のリニアモータを備える場合を例に挙げて説明するが、ムービングコイル型のリニアモータを備えていても良い。また、以上の通り、ウェハステージＷＳＴは、Ｘ方向の移動に関して、その移動をガイドするガイド部材を有さないガイドレスステージである。
【００２８】
また、ウェハステージ本体２４の下方にはＸ方向に延びる２つのＺ軸固定子（図示省略）が設けられており、これらのＺ軸固定子に対応してウェハステージ本体２４の底面にはＺ軸用の可動子として４つの永久磁石３７ａ〜３７ｄ（図３参照）が設けられている。尚、このＺ軸固定子及び永久磁石３７ａ〜３７ｄは第１駆動系３１の一部をなすものである。図３は、ウェハステージ本体２４の底面斜視図である。一方のＺ軸固定子には図３に示す２つの永久磁石３７ａ，３７ｂが対応して設けられており、他方のＺ軸固定子には図３に示す残りの２つの永久磁石３７ｃ，３７ｄが対応して設けられている。これらの永久磁石３７ａ〜３７ｄもウェハステージ本体２４の重心に対して対称に配置されている。
【００２９】
２つのＺ軸固定子の各々にはコイルが設けられており、これらのコイルに供給する電流を制御することにより、対応する永久磁石３７ａ〜３７ｄとの間で発生するＺ方向の推力を変化させることができるため、ウェハステージ本体２４をＺ方向、θｘ、θｙ方向に駆動することができる。これにより、６自由度のうちの残りの３つの自由度が実現される。また、チューブキャリアＴＣをＸ方向に駆動するために、図１に示す通り、Ｘ方向に延びる固定子ＴＸも設けられている。尚、上記のＹ軸用固定子３３、Ｘ軸用固定子３４ａ，３４ｂ、不図示の２つのＺ軸固定子、及び固定子ＴＸの各々は両端が第２駆動系３２ａ，３２ｂを構成する可動子３９ａ，３９ｂにそれぞれ固定されている。
【００３０】
フレームキャスタＦＣの突部ＦＣａ，ＦＣｂの上方には、第２駆動系３２ａ，３２ｂを構成するＹ方向に延びるＹ軸用の固定子３８ａ，３８ｂがそれぞれ配設されている。これらのＹ軸用の固定子３８ａ，３８ｂは、それぞれの下面に設けられた不図示の気体静圧軸受、例えばエアベアリングによって突部ＦＣａ，ＦＣｂの上方において所定のクリアランスを介して浮上支持されている。これはウェハステージＷＳＴや計測ステージＭＳＴのＹ方向の移動により発生した反力により、固定子３８ａ，３８ｂがＹ方向のＹカウンタマスとして逆方向に移動して、この反力を運動量保存の法則により相殺するためである。
【００３１】
これらの固定子３８ａ，３８ｂの間には上述したウェハステージ本体２４等が配置されており、Ｙ軸用固定子３３、Ｘ軸用固定子３４ａ，３４ｂ、Ｚ軸固定子、及び固定子ＴＸの各々の両端に固定された可動子３９ａ，３９ｂが固定子３８ａ，３８ｂの内側からそれぞれ挿入されている。固定子３８ａ，３８ｂはＹ方向に沿って配列された永久磁石を備えており、可動子３９ａ，３９ｂはＹ方向に沿って配列されたコイルを備えている。即ち、第２駆動系３２ａ，３２ｂは、ウェハステージＷＳＴをＹ方向に駆動するムービングコイル型のリニアモータを備えている。尚、ここではムービングコイル型のリニアモータを備える場合を例に挙げて説明するが、ムービングマグネット型のリニアモータを備えていても良い。
【００３２】
ウェハステージＷＳＴは、Ｙ方向の移動に関して、固定子３８ａと可動子３９ａとの電磁的結合、及び固定子３８ｂと可動子３９ｂとの電磁的結合を除いて、その移動をガイドするガイド部材を有さないガイドレスステージである。尚、ウェハステージＷＳＴをＸ方向に駆動した際の反力は、第２駆動系３２ａ，３２ｂに設けられる固定子３８ａ，３８ｂと可動子３９ａ，３９ｂとの間の電磁的な結合を介して不図示のＸカウンタマスに伝わる。このＸカウンタマスは、フレームキャスタＦＣの突部ＦＣａ，ＦＣｂと固定子３８ａ，３８ｂとの間に設けられており、Ｙ方向のカウンタマスとして用いられる固定子３８ａ，３８ｂを支持してＸ方向に移動可能に構成され、ウェハステージＷＳＴや計測ステージＭＳＴのＸ方向の移動とは逆方向に移動してウェハステージＷＳＴをＸ方向に駆動した際の反力を相殺する。
【００３３】
ウェハテーブルＷＴＢ上には、ウェハＷを保持するウェハホルダ４０が設けられている。ウェハホルダ４０は、板状の本体部と、この本体部の上面に固定されその中央にウェハＷの直径よりも大きな円形開口が形成された撥液性（撥水性）を有する補助プレートとを備えている。また、図２に示す通り、ウェハテーブルＷＴＢのＸ方向の一端（＋Ｘ側端）には、Ｘ方向に直交する（Ｙ方向に延在する）反射面４１Ｘが鏡面加工により形成されており、Ｙ方向の一端（＋Ｙ側端）には、Ｙ方向に直交する（Ｘ方向に延在する）反射面４１Ｙが同様に鏡面加工により形成されている。これらの反射面４１Ｘ，４１Ｙには、Ｘ軸干渉計４２、Ｙ軸干渉計４４からの干渉計ビーム（ビーム）がそれぞれ投射される。尚、図２に示すＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４は、図１においてはまとめて干渉計２２として図示している。Ｘ軸干渉計４２はウェハテーブルＷＴＢ又は計測テーブルＭＴＢのＸ方向の位置、Ｙ軸周りの回転方向の位置、及びＺ軸周りの回転方向の位置を検出する。また、Ｙ軸干渉計４４はウェハテーブルＷＴＢのＹ方向の位置、及びＸ軸周りの回転方向の位置を検出する。
【００３４】
計測ステージＭＳＴは、チューブキャリアＴＣ及び不図示の６自由度パイプを除いてほぼウェハステージＷＳＴと同様の構成である。つまり、図２に示す通り、ベース盤２１上に配置された計測ステージ本体２６と、計測ステージ本体２６上に搭載された計測テーブルＭＴＢとを備えている。また、計測ステージ本体２６をＸ方向にロングストロークで駆動するとともに、Ｙ方向、Ｚ方向、θｘ、θｙ、θｚに微小駆動する第１駆動系５１と、計測ステージ本体２６及び第１駆動系５１をＹ方向にロングストロークで駆動する第２駆動系５２ａ，５２ｂとを備えている。
【００３５】
以上説明したウェハステージＷＳＴを駆動する第１駆動系３１及び第２駆動系３２ａ，３２ｂ、並びに計測ステージＭＳＴを駆動する第１駆動系５１及び第２駆動系５２ａ，５２ｂによってステージ装置ＳＴの駆動装置が構成されている。この駆動装置は、前述した主制御系ＭＣによって制御され、例えばウェハＷの露光前における計測ステージＭＳＴの移動、及び露光時におけるウェハステージＷＳＴの移動が制御される。
【００３６】
計測テーブルＭＴＢは、その上面が撥液性（撥水性）を有しており、例えば真空吸着によって計測ステージ本体２６上に保持されている。この計測テーブルＭＴＢのＸ方向の一端（＋Ｘ側端）には、Ｘ方向に直交する（Ｙ方向に延在する）反射面５３Ｘが鏡面加工により形成されており、Ｙ方向の一端（−Ｙ側端）には、Ｙ方向に直交する（Ｘ方向に延在する）反射面５３Ｙが同様に鏡面加工により形成されている。これら反射面５３Ｘ，５３Ｙには、Ｘ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計５４からの干渉計ビーム（ビーム）がそれぞれ投射される。尚、図２に示すＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計５４は、図１においてはまとめて干渉計２３として図示している。また、計測ステージＭＳＴは、露光に関する各種計測を行うための計測器群を備えている。この計測器群としては、例えば空間像計測装置、波面収差測定装置、及び露光検出装置等がある。
【００３７】
次に、ステージ装置ＳＴの制御系について詳細に説明する。この制御系は、主制御系ＭＣに設けられており、干渉計２２，２３（干渉計４２，４４，５４）の計測結果に基づいてステージ装置ＳＴ（ウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴ）の位置、姿勢、及び速度の制御を行う。尚、以下では、説明を簡単にするために、ステージ装置ＳＴのうちのウェハステージＷＳＴに関する制御についてのみ説明する。
【００３８】
図４は、ステージ装置ＳＴを駆動する制御系のブロック線図である。図４に示す通り、ステージ装置ＳＴ（ウェハステージＷＳＴ）に関する制御系は、フィードバック制御部６０ａと推力補正部６０ｂ（補正部）とに大別される。フィードバック制御部６０ａは、目標位置発生器６１、演算器６２、ＰＩ（Proportional Integral：比例積分）コントローラ６３、演算器６４、Ｐ（Proportional：比例）コントローラ６５、演算器６６、及びハイパスフィルタ６７を備える。
【００３９】
目標位置発生器６１は、ウェハステージＷＳＴの位置（Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の位置）、並びに姿勢（Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸周りの回転）の目標値を与える基準信号を出力する。演算器６２は目標位置発生器６１から出力される信号とセンサ（以下、干渉計２２，２３（干渉計４２，４４，５４）をまとめて「干渉計ＩＦ」という）からの帰還信号との差分に応じた誤差信号を演算する。ＰＩコントローラ６３は演算器６２から出力される制御信号に基づいて、ウェハステージＷＳＴの駆動装置（第１駆動系３１及び第２駆動系３２ａ，３２ｂ）を駆動するための制御信号を生成する。
【００４０】
演算器６４はＰＩコントローラ６３で生成された制御信号と、干渉計ＩＦからの帰還信号をハイパスフィルタ６７でフィルタリングして得られた信号との差分を演算する。Ｐコントローラ６５は演算器６４から出力される制御信号を所定の増幅率で増幅してウェハステージＷＳＴの駆動装置を駆動するための制御信号を生成する。演算器６６はＰコントローラ６５で生成された制御信号に対して推力補正部６０ｂから出力される補正信号を加算した制御信号を演算する。この演算器６６から出力される制御信号がウェハステージＷＳＴの駆動装置に印加される。以上のように、フィードバック制御部６０ａは二重のフィードバックループを用いてフィードバック制御を行う。
【００４１】
推力補正部６０ｂは、メモリ７１（記憶部）、推力点距離算出部７２、及び補正量算出部７３を備えており、ウェハステージＷＳＴの駆動装置で発生する漏れ推力（サイドフォース）の悪影響を防止するための補正信号を生成する。具体的には、例えば、ウェハステージ本体２４をＸ方向に移動させるために第１駆動系３１の一部をなすＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂと永久磁石３６ａ，３６ｂとからなるリニアモータにＸ方向の推力を与えた場合に生ずるＺ方向の推力（Ｚサイドフォース）を補正する補正信号を生成する。この補正信号は、フィードバック制御部６０ａが備える演算器６６によって、Ｐコントローラ６５から出力される制御信号にフィードフォワード量として加算され、これによりウェハステージＷＳＴはフィードフォワード制御される。
【００４２】
漏れ推力が生ずると、Ｚ方向の位置誤差に加えて図５に示すＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸周りの回転誤差が生ずる。図５は、漏れ推力により生ずるＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸周りの回転誤差の一例を示す図である。尚、図５に示す各グラフの横軸はウェハステージ本体２４の位置をとってあり、縦軸は回転誤差の大きさ（各グラフの縦軸のスケールは異なる）をとってある。図５に示す各グラフを参照すると、漏れ推力により生ずるＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸周りの回転誤差は、所定のピッチＰｔを周期として大きさが変化するものであることが分かる。上述した推力補正部６０ｂで生成される補正信号は、Ｚ方向の位置誤差、Ｘ軸周りの回転誤差、Ｙ軸周りの回転誤差、及びＺ軸周りの回転誤差の少なくとも１つをフィードフォワード制御により補正するための信号である。尚、何れを補正するかは何れを補正するかはウェハステージＷＳＴに要求される精度に応じて任意に選択することができる。
【００４３】
メモリ７１は、ウェハステージ本体２４のＸ方向における位置と、ウェハステージＷＳＴの駆動装置で発生する漏れ推力の大きさとの関係を示す推力補正マップを記憶し、干渉計ＩＦ（干渉計４２）からの帰還信号で示されるＸ方向の位置に応じた漏れ推力を出力する。図６は、推力補正マップの一例を示す図である。尚、図６に示す推力補正マップは、Ｘ方向におけるウェハステージ本体２４の位置を横軸にとり、Ｘ方向の推力を発生させたときの漏れ推力（Ｚサイドフォース）を縦軸にとっている。尚、縦軸は所定の値をもって正規化している。
【００４４】
図６を参照すると、Ｘ方向におけるウェハステージ本体２４の位置に応じて漏れ推力の大きさが大きく変化することが分かる。この推力補正マップは、ステージ装置ＳＴが組み上がった段階で、第１駆動系３１（Ｘ軸用固定子３４ａ，３４ｂと永久磁石３６ａ，３６ｂとからなるリニアモータ）にＸ方向の推力を与えて実際にウェハステージ本体２４をＸ方向に移動させつつリニアモータをなすコイルに流れる電流を測定し、ウェハステージ本体２４の位置に応じた漏れ推力を第１駆動系３１の構造を考慮して求めることにより作成される。尚、図４においては、説明を簡単にするために、干渉計ＩＦからの帰還信号がメモリ７１に直接入力され、メモリ７１の出力が補正量算出部７３に直接出力される構成を図示している。しかしながら、メモリ７１とは別に干渉計ＩＦからの帰還信号に基づいてメモリ７１の読み出し制御を行って補正量算出部７３に出力する読み出し制御部を設けた構成であっても良い。
【００４５】
推力点距離算出部７２は、ウェハステージ本体２４の重心点と第１駆動系３１のＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂと永久磁石３６ａ，３６ｂとからなるリニアモータにおける最大推力点との距離（以下、推力点距離という）を算出する。ここで、ウェハステージ本体２４の重心点に対する最大推力点の位置は通常は変わることはないが、リニアモータの励磁法によっては変化することがある。例えば、連続する３つのコイルに電流を順次供給する３極励磁の場合には最大推力点の位置は変わることはないが、連続する２つのコイルに電流を順次供給する２極励磁の場合には最大推力点の位置は変わってしまう。
【００４６】
図７は、最大推力点の位置変化を説明するための平面図である。図７において、符号Ｐ１を付した点はウェハステージ本体２４の重心点を示している。また、符号Ｃ１〜Ｃ７を付した部材は、Ｘ軸用固定子３４ａ内に設けられた複数のコイルを示している。いま、コイルＣ４のみに電流を供給したとすると、Ｘ軸用固定子３４ａと永久磁石３６ａ（図２参照）とからなるリニアモータの最大推力点は図７中の位置Ｐ１１になる。この状態でコイルＣ５にも電流を供給したとすると、コイルＣ４で発生するＸ方向の推力とコイルＣ５で発生するＸ方向の推力とが合成され、Ｘ軸用固定子３４ａと永久磁石３６ａとからなるリニアモータの最大推力点は図７中の位置Ｐ１２に変化する。これは、Ｘ軸用固定子３４ｂと永久磁石３６ｂ（図２参照）とからなるリニアモータについても同様である。
【００４７】
最大推力点はウェハステージ本体２４とＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂが備えるコイル（例えば、コイルＣ１〜Ｃ７）との相対的な位置関係によって決まり、ウェハステージ本体２４をＸ方向に一定速度で移動させた場合には推力点距離はコイルのＸ方向における配列ピッチＰｔで変化する。ここで、コイルＣ１〜Ｃ７のＸ方向における配列ピッチＰｔと、図５に示した回転誤差の大きさが変化する周期であるピッチＰｔとは等しい。このため、推力点距離の変化が回転誤差に影響を与えていると考えられ、推力点距離算出部７２は、推力点距離の変化が回転誤差に与える影響を排除するために設けられている。
【００４８】
図８は、推力点距離の変動量の一例を示す図である。尚、図８に示すグラフは、Ｘ方向におけるウェハステージ本体２４の位置を横軸にとり、推力点距離の変動量を縦軸にとっている。図８を参照すると、推力点距離はウェハステージ本体２４のＸ方向における位置に応じて三角波状に変化することが分かる。また、コイルの配列ピッチＰｔで変動量が変化することも分かる。推力点距離算出部７２は、干渉計ＩＦ（干渉計４２）からの帰還信号で示されるＸ方向の位置に応じて図８に示すような三角波状に変化する推力点距離を算出する。
【００４９】
補正量算出部７３は、メモリ７１から出力される漏れ推力と推力点距離算出部７２で算出された推力点距離とを用いて、漏れ推力を補正する補正信号を生成する。漏れ推力及び推力点距離はウェハステージ本体２４のＸ方向の位置に応じて変化するため、補正量算出部７３は、これらによって変動するトルク量を補償するべく、メモリ７１から出力される漏れ推力と推力点距離算出部７２で算出された推力点距離とを乗算して補正すべきトルク量（補正信号）を求めて出力する。
【００５０】
次に、露光時の動作について簡単に説明する。露光処理が開始されると、主制御系ＭＣはウェハステージＷＳＴをＸＹ平面内で移動させ、最初に露光すべきショット領域を移動開始位置に配置する。これと同時に、主制御系ＭＣはレチクルステージＲＳＴも制御して移動開始に配置する。以上の配置が完了すると、主制御系ＭＣはレチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの移動を開始させる。例えば、レチクルステージＲＳＴは＋Ｙ方向に加速され、ウェハステージＷＳＴは−Ｙ方向に加速される。
【００５１】
ここで、図４に示す制御系で行われる制御について説明する。ウェハステージＷＳＴの移動開始と同時に、主制御系ＭＣに設けられた目標位置発生器６１（図４参照）はウェハＷのＹ方向の位置及び姿勢の目標値を与える基準信号を出力する。目標位置発生器６１から出力された基準信号は演算器６２に入力され、干渉計ＩＦ（干渉計４４）からの帰還信号との差分に応じた誤差信号が演算される。
【００５２】
演算器６２で得られた誤差信号はＰＩコントローラ６３へ出力されて、第２駆動系３２ａ，３２ｂを駆動するための制御信号が生成される。ＰＩコントローラ６３で生成された制御信号は演算器６４に入力されて干渉計ＩＦ（干渉計４４）からの帰還信号をハイパスフィルタ６７でフィルタリングして得られた信号との差分が演算される。この演算により得られた制御信号は、Ｐコントローラ６５において所定の増幅率で増幅されて第２駆動系３２ａ，３２ｂに供給され、供給された制御信号に応じた推力（Ｙ方向の推力）が発生し、ウェハステージＷＳＴＹ方向の位置及び姿勢が制御される。
【００５３】
レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの加速が終了して、レチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとが同期した状態になると、スリット状の露光光ＩＬをレチクルＲに照射しつつ、ウェハステージＷＳＴを−Ｙ方向に速度Ｖｗ（＝β・Ｖｍ）で移動させるとともに、レチクルステージＲＳＴを＋Ｙ方向に速度Ｖｍで走査移動させつ、レチクルＲに形成されたパターンを、投影光学系ＰＬを介してウェハＷ上に設定されたショット領域に転写する。
【００５４】
レチクルＲのパターンの転写が終了すると、主制御系ＭＣはレチクルステージＲＳＴを減速させて停止させる。一方、主制御系ＭＣはウェハステージＷＳＴを減速させた後で一時停止させずにＸ方向にステップ移動させ、次の移動開始位置に配置する。ここで、ウェハステージＭＣをＸ方向にステップ移動させる場合には、主制御系ＭＣに設けられた目標位置発生器６１はウェハＷのＸ方向の位置及び姿勢の目標値を与える基準信号を出力する。目標位置発生器６１から出力された基準信号は演算器６２に入力され、干渉計ＩＦ（干渉計４２）からの帰還信号との差分に応じた誤差信号が演算される。
【００５５】
演算器６２で得られた誤差信号はＰＩコントローラ６３へ出力されて、第１駆動系３１（Ｘ軸用固定子３４ａ，３４ｂと永久磁石３６ａ，３６ｂとからなるリニアモータ）を駆動するための制御信号が生成される。ＰＩコントローラ６３で生成された制御信号は演算器６４に入力されて干渉計ＩＦからの帰還信号をハイパスフィルタ６７でフィルタリングして得られた信号との差分が演算される。この演算により得られた制御信号は、Ｐコントローラ６５において所定の増幅率で増幅されて演算器６６に出力される。
【００５６】
また、干渉計ＩＦ（干渉計４２）からの帰還信号は推力補正部６０ｂに入力されてメモリ７１及び推力点距離算出部７２にそれぞれ入力される。干渉計ＩＦ（干渉計４２）からの帰還信号が入力されると、メモリ７１は帰還信号で示されるウェハステージ本体２４のＸ方向の位置に応じた漏れ推力を補正量算出部７３に出力する。また、推力点距離算出部７２は、帰還信号で示されるウェハステージ本体２４のＸ方向の位置に応じた推力点距離を算出して補正量算出部７３に出力する。補正量算出部７３は、メモリ７１から出力される漏れ推力と推力点距離算出部７２で算出された推力点距離とを用いて、漏れ推力を補正する補正信号を生成して出力する。
【００５７】
尚、推力補正部６０ｂで生成される補正信号は、Ｚ方向の位置誤差、Ｘ軸周りの回転誤差、Ｙ軸周りの回転誤差、及びＺ軸周りの回転誤差の少なくとも１つをフィードフォワード制御により補正するための信号である。推力補正部６０ｂで生成された補正信号はフィードバック制御部６０ａが備える演算器６６に入力されてＰコントローラ６５から出力される制御信号にフィードフォワード量として加算されて第１駆動系３１に供給される。これにより、ウェハステージＷＳＴのＺ方向の位置誤差、Ｘ軸周りの回転誤差、Ｙ軸周りの回転誤差、及びＺ軸周りの回転誤差の少なくとも１つがフィードフォワード制御される。
【００５８】
以上の制御は露光処理が行われている間継続され、これにより、ウェハステージＷＳＴをＸ方向にステップ移動させたときに発生する漏れ推力の影響が低減されて高い制御精度を維持することができる。ステップ移動が完了すると、主制御系ＭＣはウェハステージＷＳＴを一時停止させずにＹ方向の加速を開始させるとともに、レチクルステージＲＳＴの加速を開始させて、他のショット領域に対する露光を開始する。以上の動作がウェハＷ上の他のショットの全てで行われる。
【００５９】
図９は、漏れ推力の補正を行った場合と行わない場合とで生ずるＹ軸周りの回転誤差の一例を示す図である。尚、図９に示すグラフは、Ｘ方向におけるウェハステージ本体２４の位置を横軸にとり、Ｙ軸周りの回転誤差を縦軸にとっている。また、図９中において、符号Ｅ１を付した曲線が漏れ推力の補正を行った場合のＹ軸周りの回転誤差を示しており、符号Ｅ２を付した曲線が漏れ推力の補正を行わない場合のＹ軸周りの回転誤差を示している。図９を参照すると、漏れ推力の補正を行うことで、Ｙ軸周りの回転誤差が大幅に小さくなることが分かる。つまり、ウェハステージＷＳＴをＸ方向にステップ移動させたときに、ウェハステージ本体２４のＹ軸周りの振られ量が極めて小さくなり、これにより高い制御精度を維持することが可能となる。
【００６０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態では本発明のステージ装置を露光装置のステージ装置ＳＴに適用した場合を例に挙げて説明したが、露光装置のステージ装置ＳＴのみならず、少なくとも互いに異なる２軸方向に自由度を有するステージ装置一般に適用することができる。
【００６１】
また、上記実施形態では露光光ＩＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を用いる場合を例に挙げて説明したが、これ以外に、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、又はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（波長１４６ｎｍ）、ＹＡＧレーザの高周波発生装置、若しくは半導体レーザの高周波発生装置から射出されるレーザ光を用いることができる。
【００６２】
また、上記実施形態では、ウェハステージＷＳＴの制御を中心に説明したが、計測ステージＭＳＴについてもウェハステージＷＳＴと同様の制御を行っても良い。また、上記実施形態では、メモリ７１、推力点距離算出部７２、及び補正量算出部７３を備える構成であったが、推力点距離はリニアモータ及びウェハステージ本体２４の構造によって一義的に決まってしまうため、メモリ７１に補正すべきトルクを記憶しておき、推力点距離算出部７２及び補正量算出部７３を省略した構成であっても良い。更に、上記実施形態では、推力補正部６０ｂにおいて、メモリ７１から出力される漏れ推力と推力点距離算出部７２で算出された推力点距離とを用いて漏れ推力を補正する補正信号を生成する場合について説明したが、推力点距離算出部７２を省略した構成にしてメモリ７１から出力される漏れ推力のみを用いて補正信号を生成しても良い。
【００６３】
図１０は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造工程の一例を示すフローチャートである。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１２に示す通り、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップＳ１１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップＳ１２、デバイスの基材である基板（ウェハ）を製造するステップＳ１３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に転写する露光処理ステップＳ１４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）Ｓ１５、検査ステップＳ１６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】ステージ装置ＳＴの構成を示す斜視図である。
【図３】ウェハステージ本体２４の底面斜視図である。
【図４】ステージ装置ＳＴを駆動する制御系のブロック線図である。
【図５】漏れ推力により生ずるＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸周りの回転誤差の一例を示す図である。
【図６】推力補正マップの一例を示す図である。
【図７】最大推力点の位置変化を説明するための平面図である。
【図８】推力点距離の変動量の一例を示す図である。
【図９】漏れ推力の補正を行った場合と行わない場合とで生ずるＹ軸周りの回転誤差の
【図１０】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６５】
２１ａ            ベース盤の上面
２４              ウェハステージ本体
２６              計測ステージ本体
３１              第１駆動系
３２ａ，３２ｂ    第２駆動系
５１              第１駆動系
５２ａ，５２ｂ    第２駆動系
６０ｂ            推力補正部
７１              メモリ
ＥＸ              露光装置
ＭＳＴ            計測ステージ
Ｐ１              重心点
Ｐ１１，Ｐ１２    最大推力点
Ｒ                レチクル
ＳＴ              ステージ装置
Ｗ                ウェハ
ＷＳＴ            ウェハステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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