(57)【要約】【課題】高い光透過率を有するガラス基板のエッジ位置を、比較的簡素で安価な構成によって、精度よく且つ非接触で測定することができる透明基板の位置測定装置、及び、基板を高精度で位置決めすることが可能となる位置測定装置を備える露光装置及び基板製造方法並びにプリアライメント装置を提供する。【解決手段】測定対象物である基板Ｗの法線Ｎに対して傾斜した方向から測定光を出射する投光部３１と、基板Ｗを挟んで投光部３１と反対側に対向配置された受光部３２とを備え、受光部３２によって受光される基板Ｗを透過した測定光と、基板Ｗのエッジ外を通過した測定光との受光量の差から、基板Ｗのエッジ２０、２１の位置を測定する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板に対して測定光を出射する投光部と、
前記基板に対して前記投光部と反対側に配置され、前記投光部から出射された前記測定光を受光する受光部と、
を備える透明基板の測定装置であって、
前記測定光は、前記基板の法線に対して前記基板のエッジと交差する方向に傾斜して出射されることを特徴とする透明基板の位置測定装置。
【請求項２】
前記基板と前記投光部との間、及び前記基板と前記受光部との間のいずれか一方には、偏光フィルタが配置されることを特徴とする請求項１に記載の透明基板の位置測定装置。
【請求項３】
前記透明基板は、矩形状の基板であり、
前記投光部と受光部は、少なくとも３組の前記投光部と受光部とを有し、
前記２組の投光部と受光部は、前記基板の一辺のエッジに対応する位置に並んで配置され、前記残りの投光部と受光部は、前記基板の一辺と直交する他辺のエッジに対応する位置に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明基板の位置測定装置。
【請求項４】
マスクを保持可能なマスク保持部と、
請求項３に記載の前記位置測定装置と、
露光用の光を前記マスクを介して基板に照射する照射手段と、を備え、
前記位置測定装置によって得られた前記基板のエッジの位置決め情報に基づいて前記基板の位置決めを行い、該基板に対して前記マスクを介して前記露光用の光を照射して前記マスクのパターンを露光することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項３に記載の前記位置測定装置によって得られた前記基板のエッジの位置決め情報に基づいて前記基板を所定の位置に位置決めする工程と、
該位置決めされた基板に対し、マスクを介して露光用の光を照射して前記マスクのパターンを露光転写する工程と、
を備えることを特徴とする基板製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の前記位置測定装置と、
前記基板保持部を駆動する駆動機構と、を備え、
前記駆動機構は、前記位置測定装置によって得られた前記基板のエッジの位置決め情報に基づいて前記基板保持部を駆動し、前記基板のプリアライメントを行うことを特徴とするプリアライメント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明基板の測定装置、該測定装置を備える露光装置及び基板製造方法並びにプリアライメント装置に関し、より詳細には、液晶表示装置用の透明なガラス基板を高位置精度で測定し、位置決め可能な透明基板の測定装置、該測定装置を備える露光装置及び基板製造方法並びにプリアライメント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近接露光は、表面に感光剤を塗布した透明なガラス基板を近接露光装置の基板ステージ上に保持すると共に、該基板をマスクステージのマスク保持枠に保持されたマスクに接近させて両者のすき間を、例えば数１０μｍ〜数１００μｍにし、次いで、マスクの基板から離間する側から照射装置によって露光用の光をマスクに向けて照射することにより、該基板上に該マスクに描かれたパターンを露光転写するようにしたものである。
【０００３】
ところで、基板は、プリアライメント装置によってプリアライメントされた後、露光装置に搬入されるが、パターンの露光転写に先立って、基板ステージに対して更に高精度で位置決めする必要がある。基板は、位置測定装置によって測定された基板エッジの位置情報に基づいて位置決めされるが、ガラス基板は透明であるため、エッジの測定が困難である。従来は、ダイヤモンドカッタで基板の切断が行われていたので、エッジ部に面取りが施され、該面取り部によりエッジ検出することも可能であった。しかし、近年、基板の切断がレーザによって行われるようになったため、切断面は基板表面に直角、且つきれいに切断できる為、面取りの工程が省略されるようになり、このような面取り部のないガラス基板のエッジ測定は難度が高くなっている。また、液晶カラーフィルタ用の基板のエッジ位置を検出する際には、基板の割れ防止や発塵防止のため、基板に非接触でエッジの位置を検出する必要がある。
【０００４】
従来の位置測定装置としては、シートに対して照明光を照射する照明ランプと、照明ランプの光量を調光する制御手段と、シートからの反射光を受光するリニアイメージセンサとを備えたシート位置検知装置が知られており、反射率の低いシートに対しては照明ランプの光量を制御してエッジ検出するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。また、投光部と、受光部と、閾値設定手段と、得られた受光分布と閾値に基づいて基板のエッジ位置を演算するエッジ抽出手段と、を備えた光学測定装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。また、投光部と、受光部とを備え、受光部によって受光された受光量に対してハイパボリックセカンド関数を用いて解析し、エッジ位置を求めるようにした位置検出方法及び装置が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開昭６４−６４９４５号公報
【特許文献２】特開２００２−２７７２０７号公報
【特許文献３】特開２００４−２５７９８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載のシート位置検知装置によると、液晶ディスプレイ用ガラス基板などのように高い光透過率を有するガラス基板に対しては、照明ランプの光量制御だけではエッジ検出に十分な光量差が得られない可能性が高い。特許文献２に記載の光学測定装置は、透明な測定対象物のエッジ検出について言及されていない。また、特許文献３に記載の位置検出方法及び装置は、透明な基板のエッジ検出にも有効な手段であるが、各センサに高度の演算機能を備える必要があり、位置検出装置の製作コストが嵩む問題があった。
【０００６】
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い光透過率を有するガラス基板のエッジ位置を、比較的簡素で安価な構成によって、精度よく且つ非接触で測定することができる透明基板の位置測定装置、及び、基板を高精度で位置決めすることが可能となる位置測定装置を備える露光装置及び基板製造方法並びにプリアライメント装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１）  透明な基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板に対して測定光を出射する投光部と、
前記基板に対して前記投光部と反対側に配置され、前記投光部から出射された前記測定光を受光する受光部と、
を備える透明基板の測定装置であって、
前記測定光は、前記基板の法線に対して前記基板のエッジと交差する方向に傾斜して出射されることを特徴とする透明基板の位置測定装置。
（２）  前記基板と前記投光部との間、及び前記基板と前記受光部との間のいずれか一方には、偏光フィルタが配置されることを特徴とする（１）に記載の透明基板の位置測定装置。
（３）  前記透明基板は、矩形状の基板であり、
前記投光部と受光部は、少なくとも３組の前記投光部と受光部とを有し、
前記２組の投光部と受光部は、前記基板の一辺のエッジに対応する位置に並んで配置され、前記残りの投光部と受光部は、前記基板の一辺と直交する他辺のエッジに対応する位置に配置されることを特徴とする（１）又は（２）に記載の透明基板の位置測定装置。
（４）  マスクを保持可能なマスク保持部と、
（３）に記載の前記位置測定装置と、
露光用の光を前記マスクを介して基板に照射する照射手段と、を備え、
前記位置測定装置によって得られた前記基板のエッジの位置決め情報に基づいて前記基板の位置決めを行い、該基板に対して前記マスクを介して前記露光用の光を照射して前記マスクのパターンを露光することを特徴とする露光装置。
（５）  （３）に記載の前記位置測定装置によって得られた前記基板のエッジの位置決め情報に基づいて前記基板を所定の位置に位置決めする工程と、
該位置決めされた基板に対し、マスクを介して露光用の光を照射して前記マスクのパターンを露光転写する工程と、
を備えることを特徴とする基板製造方法。
（６）  （３）に記載の前記位置測定装置と、
前記基板保持部を駆動する駆動機構と、を備え、
前記駆動機構は、前記位置測定装置によって得られた前記基板のエッジの位置決め情報に基づいて前記基板保持部を駆動し、前記基板のプリアライメントを行うことを特徴とするプリアライメント装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の透明基板の位置測定装置によれば、液晶ディスプレイ用ガラス基板などのように高い光透過率を有するガラス基板のエッジ位置を比較的簡素で安価な構成によって精度よく測定することができる。また、本発明の露光装置及び基板製造方法によれば、該位置測定装置を露光装置に搭載することで基板を高位置精度で位置決めすることが可能となり、これによってマスクのパターンを精度よく露光転写して高性能の基板を製作することができる。さらに、本発明のプリアライメント装置によれば、該位置測定装置を搭載することで、基板を高精度でプリアライメントすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る透明基板の位置測定装置の各実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は本発明の実施形態である透明基板の位置測定装置を備える近接露光装置の正面図、図２は基板に対する位置測定装置の配置位置関係の一例を示す概念図、図３は第１実施形態の透明基板の位置測定装置の構成を示す概略構成図である。
【００１１】
まず、説明の便宜上、近接露光装置ＰＥから説明すると、この近接露光装置ＰＥは、図１に示すように、基板Ｗより小さいマスクＭを用い、該マスクＭをマスクステージ１１のマスク保持枠（マスク保持部）１２で保持すると共に、基板Ｗを基板ステージ（基板保持部）１３で保持する。なお、基板Ｗは、被露光材としての透明な矩形状のガラス基板である。そして、この状態で基板ステージ１３をマスクＭに対してＸ軸方向とＹ軸方向の二軸方向にステップ移動させて各ステップ毎にマスクＭと基板Ｗとを近接して対向配置し、照射手段１４からパターン露光用の光をマスクＭを介して照射することにより、マスクＭの複数のパターンを基板Ｗ上に露光転写する。
【００１２】
装置ベース１５上には基板ステージ１３をＹ軸方向にステップ移動させるためのＹ軸ステージ送り機構１６が設置され、Ｙ軸ステージ送り機構１６上には基板ステージ１３をＸ軸方向にステップ移動させるためのＸ軸ステージ送り機構１７が設置され、Ｘ軸ステージ送り機構１７上に基板ステージ１３が設置されている。Ｘ軸ステージ送り機構１７と基板ステージ１３の間には、基板ステージ１３を単純に上下移動させることにより基板ステージ１３を予め設定した位置まで昇降させる上下粗動装置１８と、基板ステージ１３を上下に微動させてマスクＭと基板Ｗとの対向面間のすき間を所定量に微調整する上下微動装置１９とが設置されている。
【００１３】
また、近接露光装置ＰＥは、マスクと基板とのアライメント調整を行うためのアライメントカメラ、マスクと基板との間のすき間を調整するためのギャップセンサの他、基板Ｗのエッジの位置を測定する３組の位置測定装置３０（３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ）を備える。図２に示すように、２組の位置測定装置３０Ａ，３０Ｂは、基板Ｗの一辺のエッジ２０に対応する位置に並んで配置され、残りの位置測定装置３０Ｃは、基板Ｗの一辺と直交する他辺のエッジ２０に対応する位置に配置される。
【００１４】
図３に示すように、各位置測定装置３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃは、基板Ｗの上方に配置された投光部３１と、基板Ｗの下方に配置された受光部３２とを備え、受光部３２は、基板Ｗに対して投光部３１と反対側に配置される。投光部３１から出射された出射光（測定光）は、受光部３２で受光されて、受光量に比例した信号が図示しない制御装置に出力される。  投光部３１から出射される測定光の光軸Ｌは、基板Ｗの法線Ｎに対して基板Ｗのエッジと交差する方向に角度αだけ傾斜して出射される。このため、投光部３１と受光部３２は、基板Ｗの法線Ｎに対して基板Ｗのエッジと交差する方向に角度αだけ傾斜するように相互配置されている。なお、本実施形態では、投光部３１は、マスクステージ１１に取り付けられ、受光部３２は、基板ステージ１３を部分的に切り欠いて、基板Ｗの下面となるように基板ステージ１３に配置されている。
【００１５】
投光部３１は、例えば照明ランプや発光ＬＥＤ素子等であり、該照明ランプや発光ＬＥＤ素子から出射された光を集光し、平行光として受光部３２に向けて照射するレンズを備えることもできる。
【００１６】
受光部３２は、例えば、ＣＣＤリニアイメージセンサである。ＣＣＤリニアイメージセンサは、直線状に並べられた複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードと並列に配置されたＣＣＤ素子を備えて構成されている。直線状に配置された複数のフォトダイオードは、その配列方向が基板Ｗの測定すべきエッジ２０、２１と直交するように配置されている。即ち、基板Ｗの一辺のエッジ２０に対向する位置に配置された受光部３２のフォトダイオードはＹ方向に、他辺のエッジ２１に対向する位置に配置された受光部３２のフォトダイオードはＸ方向に直線状に配置されている。そして、投光部３１から出射された出射光をフォトダイオードで受光し、その受光量に比例した電荷量に光電変換し、更にＣＣＤ素子から電荷量に比例する電圧信号として出力する。
【００１７】
次に、本実施形態の位置測定装置３０による透明なガラス基板Ｗのエッジ測定について図３及び図４を参照して説明する。図４は透明なガラス基板に対する通常の光（無偏光光）及び各偏光の入射角と反射率との関係を示すグラフである。
【００１８】
図３に示すように、透明な基板Ｗに入射角αで光が入射すると、その一部は基板Ｗの表面で反射されて反射光ＲＬとなり、残りが基板Ｗを透過した透過光ＴＬとなって受光部３２で受光される。通常光（偏光でない光）の透明な基板Ｗの表面での反射率は、図４の曲線Ｒに示すように、入射角αによって異なり、入射角αが５５度付近から略比例して大きくなる。換言すれば、入射角αが５５度から大きくなるに従って、次第に透明な基板Ｗを透過して受光部３２で受光される透過光ＴＬの受光量が減少する。
【００１９】
一方、基板Ｗのエッジ外を通過する光は、空気中を通過するだけであるので、反射も減衰もすることなく受光部３２で受光され、投光部３１から出射した光量の１００％の光量が受光部３２で受光される。従って、基板Ｗを透過した透過光ＴＬの受光量がある程度小さくなれば、基板Ｗのエッジ外を通過する光の受光量との差を判別することが可能となり、受光量が急激に変化する点を基板Ｗのエッジ２０、２１の位置として測定することが可能となる。
【００２０】
例えば、本実施形態では、基板Ｗを透過した透過光ＴＬの受光量が７０％以下（換言すれば、反射率３０％以上）となったときを検出可能点とすると、図４の曲線Ｒと反射率３０％との交点Ｒ１から、入射角αが略６５°以上となるように、投光部３１と受光部３２とを設定すればよいことが分かる。
【００２１】
基板Ｗのエッジ２０、２１の具体的な検出方法は、先ず基板Ｗを基板ステージ１３で保持した後、基板ステージ１３（基板Ｗ）をＹ軸ステージ送り機構１６とＸ軸ステージ送り機構１７を用いて基板Ｗを移動させることで、基板Ｗを所定の露光位置に配置する。位置測定装置３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃによって投光部３１から出射されて基板Ｗを透過した測定光（透過光ＴＬ）と、基板Ｗのエッジ外を通過した測定光とを受光部３２で受光する。そして、上記両測定光の受光量が大きく変化する点（具体的には、受光量が略１００％から７０％に変化する点）をエッジ２０、２１の位置としてＣＣＤリニアイメージセンサによって検出し、基板Ｗの位置決めを行う。
【００２２】
その後、マスクＭと基板Ｗとを近接して対向配置し、照射手段１４からパターン露光用の光をマスクＭを介して照射してマスクＭのパターンを基板Ｗに露光転写する。さらに、必要に応じて、基板ＷをマスクＭに対してステップ移動させて、同様の露光転写が行われる。
【００２３】
上記したように、本実施形態に係る透明基板の位置測定装置３０（３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ）によれば、液晶ディスプレイ用ガラス基板等のように高い光透過率を有するガラス基板Ｗのエッジ位置を比較的簡素で安価な構成によって精度よく測定することができる。また、本実施形態の近接露光装置ＰＥ及び基板製造方法によれば、該位置測定装置３０を露光装置ＰＥに搭載することで基板Ｗを高位置精度で位置決めすることが可能となり、これによってマスクＭのパターンを精度よく露光転写して高性能の基板を製作することができる。
【００２４】
尚、位置測定装置３０と基板Ｗとの相対位置関係は、２組の位置測定装置３０Ａ，３０Ｂが、基板Ｗの一辺のエッジに対応する位置に配置され、残りの位置測定装置３０Ｃが、基板Ｗの一辺と直交する他辺のエッジに対応する位置に配置されればよい。即ち、図５に示すように、短辺のエッジ２１に対応する位置に２組の位置測定装置３０Ａ，３０Ｂが配置され、長辺のエッジ２０に対応する位置に残りの位置測定装置３０Ｃが配置されてもよい。
【００２５】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係る透明基板の位置測定装置の構成を示す概略構成図である。第２実施形態の位置測定装置３０は、基板Ｗと受光部３２との間に偏光フィルタ３３が配置されている点で第１実施形態のものと異なる。
【００２６】
偏光フィルタ３３は、通常の光（非偏光光）を通過させることによって、振動方向が一定の直線偏光を作り出すものであり、トルマリン、フィルム偏光子、方解石等から製作される。
【００２７】
本実施形態における偏光フィルタ３３は、Ｐ偏光をカットしてＳ偏光だけを透過させるものである。Ｓ偏光は、図４に示す曲線Ｓの反射特性を有する。投光部３１から出射されて基板Ｗを透過した透過光ＴＬは、偏光フィルタ３３を透過することによりＳ偏光光ＳＬだけが受光部３２で受光され、Ｓ偏光光ＳＬにより基板Ｗのエッジが測定される。
【００２８】
Ｓ偏光光ＳＬは、図４に示すように、通常の光と比較すると、入射角αに対する反射率が大きく、エッジ検出が可能な反射率が３０％以上となる入射角αは、略４５°以上である。即ち、偏光フィルタ３３を基板Ｗと受光部３２との間に配置することによって、偏光フィルタ３３を使用しない場合と比較して入射角αを略２０°（６５°−４５°）小さくすることができ、投光部３１と受光部３２の光軸Ｌをより垂直に近い状態に設定することができ、位置測定装置３０の小型化が可能となる。
【００２９】
このため、本実施形態の位置測定装置３０は、第１実施形態で説明した位置測定装置３０と比較して小型化が可能であり、スペース上の制約がある場合や装置の小型化を図る場合により好ましい。
その他の作用及び効果は、本発明の第１実施形態の位置測定装置と同様であるので、説明を省略する。また、本実施形態の位置測定装置も第１実施形態のものと同様に、露光装置に適用可能である。
【００３０】
尚、偏光フィルタ３３の配置位置は、基板Ｗと受光部３２との間（受光側）に限らず、図７に示す変形例のように、投光部３１と基板Ｗとの間（投光側）に配置し、投光部３１から出射する通常光を偏光フィルタ３３でＳ偏光に変換して、Ｓ偏光光ＳＬによって基板Ｗのエッジを測定するようにしてもよい。この場合にも、第２実施形態の位置測定装置３０と同様の効果が得られる。
【００３１】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る位置測定装置を備えるプリアライメント装置について、図８〜図１０を参照して説明する。なお、本実施形態は、上述した第１又は第２実施形態の位置測定装置がプリアライメント装置に適用される例を示すものである。そのため、第１又は第２実施形態と同等部分については、同一又は同等符号を付して、説明を省略或いは簡略化する。
【００３２】
図８に示すように、位置測定装置３０（３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ）を備えるプリアライメント装置４０は、近接露光装置ＰＥの外側に配置され、不図示のストッカからローダ６０により搬入された透明基板Ｗを保持して該基板Ｗのプリアライメントを行うものであり、プリアライメントされた基板Ｗはローダ６０で上述した近接露光装置ＰＥに搬送される。
【００３３】
プリアライメント装置４０は、透明な基板Ｗを保持可能で、基台４１に対してＸ，Ｙ，θ（Ｚ軸回りの揺動）方向に移動可能な基板保持部５１を備える。図９に示すように、基板保持部５１は、その下面に設けられた複数の連結部４２を介して駆動テーブル４３に連結されている。駆動テーブル４３には、そのＸ方向一側面の中間部に駆動機構であるＸ方向駆動機構４４が、Ｘ方向両側面の端部側に駆動機構である一対のＹ方向駆動機構４５，４６がそれぞれ固定されている。そして、基板保持部５１は、Ｘ方向駆動機構４４、Ｙ方向駆動機構４５，４６の各モータ４４ａ，４５ａ，４６ａをそれぞれ駆動することで、駆動テーブル４３と共にＸ，Ｙ，θ方向に移動する。
【００３４】
また、基板保持部５１と駆動テーブル４３との間には、上面に図示しない複数のピンが固定されたピン保持テーブル４７が設けられている。ピン保持テーブル４７には、図１０に示すピン駆動機構４８が取り付けられており、ピン駆動機構４８のモータ４８ａを駆動することで、くの字型に曲がったアーム４９を介してピン保持テーブル４７をＺ方向に駆動し、ピンを基板保持部５１の上面から進退させる。
【００３５】
これにより、基板Ｗを載せたローダ６０が、ピン上に基板Ｗを載置し、ピンの頭部に設けられた吸盤によって負圧で基板Ｗを吸着固定する。そして、ローダ６０が退避した後、ピンを下降させて基板Ｗを基板保持部５１に保持させている。
【００３６】
また、図８に示すように、２組の位置測定装置３０Ａ，３０Ｂが、基板Ｗの一辺（短辺）のエッジ２１に対応する位置に配置され、残りの位置測定装置３０Ｃが、基板Ｗの一辺と直交する他辺（長辺）のエッジ２０に対応する位置に配置されている。なお、本実施形態においても、投光部３１は、基板Ｗの上方に配置されるように上部から吊り下げられ、受光部３２は、基板保持部５１を部分的に切り欠いて、基板Ｗの下面となる位置に配置されている。
【００３７】
従って、本実施形態のプリアライメント装置４０においても、３組の位置測定装置３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃを搭載することで、位置測定装置３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃによって測定された基板Ｗの二辺のエッジ２０、２１の位置に基づいて、基板Ｗの位置が精度良く検出できる。また、この位置決め情報に基づいてＸ方向及びＹ方向駆動機構４４，４５，４６を駆動することで、高精度なプリアライメントを実行することができる。
【００３８】
尚、本発明は、前述した各実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態である透明基板の位置測定装置を備える近接露光装置の正面図である。
【図２】基板に対する位置測定装置の配置位置関係の一例を示す概念図である。
【図３】第１実施形態の透明基板の位置測定装置の構成を示す概略構成図である。
【図４】ガラス基板に対する通常の光及び各偏光の入射角と反射率の関係を示すグラフである。
【図５】基板に対する位置測定装置の他の配置位置関係を示す概念図である。
【図６】第２実施形態の透明基板の位置測定装置の構成を示す概略構成図である。
【図７】第２実施形態の変形例の透明基板の位置測定装置の構成を示す概略構成図である。
【図８】第３実施形態のプリアライメント装置と近接露光装置とローダとの配置を示す概略平面図である。
【図９】プリアライメント装置の側面図である。
【図１０】プリアライメント装置を基台側から見た下面図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｍ    マスク
Ｎ    基板の法線
ＰＥ  露光装置
Ｗ    基板
１３  基板ステージ（基板保持部）
２０  基板の一辺のエッジ
２１，２２  基板の一辺と直交する両辺のエッジ
３０  位置測定装置
３１  投光部
３２  受光部
３３  偏光フィルタ
【図１】
2009121920.tif 000003
【図２】
2009121920.tif 000004
【図３】
2009121920.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009121920.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009121920.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009121920.tif 000011
【図１０】
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