(57)【要約】【課題】外部電極上に突起状導体を正確に形成することができる配線基板内蔵用コンデンサを提供する。【解決手段】セラミックコンデンサ１０１のセラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。セラミック焼結体１０４にはコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が形成されている。コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上には複数のプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２が配置されている。プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に突起状導体５０が突設されており、その突起状導体５０は頂部から底部に行くに従って細くなっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板に内蔵される配線基板内蔵用コンデンサであって、
基板主面及び基板裏面を有し、複数の内部電極がセラミック誘電体層を介して積層配置されたセラミック基板と、
前記複数の内部電極に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、
前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に配置され、前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記基板主面側及び前記基板裏面側の少なくとも一方の端部に接続される外部電極と、
前記外部電極上に突設された頂部と底部とを有する突起状導体と
を備え、
前記突起状導体は、頂部から底部に行くに従って細くなっていることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項２】
前記突起状導体の頂部の径は、前記突起状導体の底部の径の１倍よりも大きく５倍よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項３】
前記突起状導体の頂部の径は、前記突起状導体の高さよりも大きく、前記突起状導体の底部の径は、前記突起状導体の高さ以下の大きさであることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項４】
前記突起状導体の頂部の径は、前記外部電極の最大幅よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項５】
前記突起状導体は、銅を主体として形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項６】
前記突起状導体は、銅めっきによって形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項７】
前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサが、コア主面及びコア裏面を有する樹脂コア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部内に収容されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に内蔵された状態で使用される配線基板内蔵用コンデンサ及びそのコンデンサを内蔵した配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。例えば、樹脂コア基板内にコンデンサを埋め込んだ配線基板（例えば特許文献１参照）や、樹脂コア基板の表面や裏面に形成されたビルドアップ層内にコンデンサを埋め込んだ配線基板が従来提案されている。
【０００３】
上記コンデンサを樹脂コア基板やビルドアップ層に内蔵する場合、コンデンサの表面及び裏面には薄いプレーン状の外部電極が存在するのみであって凹凸が少ないため、コンデンサが平面方向に位置ずれする可能性がある。また、コンデンサと、コンデンサの表面や裏面に接する絶縁樹脂層（例えば、ビルドアップ層を構成する樹脂層間絶縁層など）との密着性に問題が生じる場合がある。その結果、コンデンサと絶縁樹脂層との間にデラミネーションが発生して製造される配線基板が不良品となるため、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。
【０００４】
この対策として、外部電極上に突起状導体を突設した配線基板内蔵用コンデンサが開発されている。外部電極上に突起状導体を突設することにより、配線基板への内蔵時に、突起状導体が配線基板を構成する絶縁樹脂層に噛み込むようになる。従って、内蔵時における配線基板内蔵用コンデンサの位置ずれが防止される。しかも、突起状導体を形成することで、配線基板内蔵用コンデンサと絶縁樹脂層との接触面積が大きくなるため、両者の密着性が向上する。
【０００５】
この配線基板内蔵用コンデンサの突起状導体は、例えば、コンタクト露光法を用いて円柱状に形成される。具体的には、コンデンサを構成するセラミック基板上にドライフィルムを貼着するとともに、そのドライフィルム上にガラスマスクを密着させ、この状態で露光処理を行う。続いて現像処理を行って不要部分を溶解除去することで、外部電極上に開口部を有する所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、前記めっきレジストを溶解除去し、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、コンデンサの外部電極上に突設された突起状導体を得ることができる。
【０００６】
また、特許文献２には、セラミックコンデンサにおいてコンデンサ内ビア導体をコンデンサ主面及びコンデンサ裏面から突出させ、そのコンデンサを配線基板に内蔵する技術が提案されている。この配線基板では、コンデンサ主面及びコンデンサ裏面から突出したコンデンサ内ビア導体が絶縁樹脂層に噛み込むことによってコンデンサの位置ずれが防止される。
【特許文献１】特開２００５−３９２４３号公報（図４など）
【特許文献２】特開２００３−２４９４１４号公報（図１など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、セラミック基板は、その焼成時に寸法バラツキが発生する。この寸法バラツキが大きくなると、外部電極からずれた位置に突起状導体が形成されてしまうことがある。そして、その突起状導体の位置ズレ不良によってセラミックコンデンサの製品歩留まりが悪化してしまう。また一般に、上記セラミック基板は、コンデンサとなるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用基板として製造され、この多数個取り用基板を分割することによって複数個のコンデンサが効率よく製造される。この多数個取り用基板によって得られるコンデンサの数（取り数）が多くなり、多数個取り用基板が大判となる場合、寸法バラツキが発生しやすくなるため、外部電極に対する突起状導体の位置精度が悪くなる。
【０００８】
また、特許文献２のコンデンサは、コンデンサ内ビア導体をコンデンサ主面及びコンデンサ裏面から突出させたものである。このコンデンサ内ビア導体は、一般的に表面粗化が困難なニッケルからなり、さらに、大きさや形に制約を受けるため、コンデンサと樹脂絶縁層との密着性を十分に高めることができない。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部電極上に突起状導体を正確に形成することができ、配線基板を構成する絶縁樹脂層との密着性を十分に確保することができる配線基板内蔵用コンデンサを提供することにある。また本発明の別の目的は、上記の配線基板内蔵用コンデンサを内蔵した好適な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、配線基板に内蔵される配線基板内蔵用コンデンサであって、基板主面及び基板裏面を有し、複数の内部電極がセラミック誘電体層を介して積層配置されたセラミック基板と、前記複数の内部電極に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に配置され、前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記基板主面側及び前記基板裏面側の少なくとも一方の端部に接続される外部電極と、前記外部電極上に突設された頂部と底部とを有する突起状導体とを備え、前記突起状導体は、頂部から底部に行くに従って細くなっていることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサがある。
【００１１】
従って、手段１の配線基板内蔵用コンデンサによると、外部電極上に突起状導体が突設されており、その突起状導体は頂部から底部に行くに従って細くなるよう形成されている。このため、配線基板への内蔵時に、突起状導体が配線基板を構成する絶縁樹脂層に確実に嵌合して密着性を向上できるため、配線基板の信頼性が高められる。また、突起状導体の底部の径が小さいため、外部電極に対する突起状電極のクリアランスが大きくなる。その結果、外部電極上からはみだすことなく正確な位置に突起状導体を設けることができる。また、突起状導体の頂部は大きいため、配線基板における導体層との接続を確実に行うことができる。
【００１２】
前記突起状導体の頂部の径は、前記突起状導体の底部の径の１倍よりも大きく５倍よりも小さいことが好ましく、前記突起状導体の底部の径の１倍よりも大きく２倍よりも小さいことがより好ましい。また、前記突起状導体の頂部の径は、前記突起状導体の高さよりも大きく、前記突起状導体の底部の径は、前記突起状導体の高さ以下の大きさであることが好ましい。さらに、前記突起状導体の頂部の径は、前記外部電極の最大幅よりも小さいことが好ましい。この理由は、突起状導体の底部の径が小さすぎると、外部電極との接続強度が不十分となり、突起状導体の底部の径が大きすぎると、外部電極から突起状導体がはみ出して位置ズレ不良となる可能性が高まるからである。また、突起状導体の頂部が小さすぎると、わずかな位置ズレにより配線基板の導体層との接続が困難となり、突起状導体の頂部が大きすぎると、配線基板における導体層の微細なパターンとの誤接続が問題となるためである。さらに、突起状導体の頂部の径が底部の径の５倍よりも大きくなる場合、めっきによる突起状導体の形成後にて、めっきレジストの剥離が困難となるといった問題が生じてしまう。
【００１３】
また、前記配線基板内蔵用コンデンサとしては、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのセラミックコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電圧安定化が可能となる。
【００１４】
前記セラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。
【００１５】
前記内部電極及び前記コンデンサ内ビア導体としては特に限定されないが、メタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
【００１６】
前記外部電極は、第１の金属材料からなる第１の金属層、及び、前記第１の金属材料よりも導電性の高い第２の金属材料からなり前記第１の金属層の表面を覆う第２の金属層を有することが好ましい。前記第１の金属層としては特に限定されないが、前記メタライズ導体層であることが好ましい。なお、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、第１の金属層を構成する第１の金属材料（メタライズ導体層中の金属粉末）として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、第１の金属材料として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。一方、第２の金属層を構成する第２の金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。なお、第１の金属材料が例えばニッケルである場合、第２の金属材料としては、ニッケルよりも導電性の高い銅などが挙げられる。なお、前記第２の金属層の表面は粗化されていることが好ましい。このようにすれば、第２の金属層と配線基板を構成する絶縁樹脂層との接触面積が大きくなるため、配線基板内蔵用コンデンサと絶縁樹脂層との密着性がよりいっそう向上する。
【００１７】
前記突起状導体は、その表面が粗化されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体と配線基板を構成する絶縁樹脂層との接触面積が大きくなるため、配線基板内蔵用コンデンサと絶縁樹脂層との密着性がよりいっそう向上する。
【００１８】
前記突起状導体は、前記第２の金属材料と同じ金属材料を主体として形成される。突起状導体を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられるが、特に、前記突起状導体は、銅を主体として形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を他の材料を主体として形成する場合よりも、突起状導体の低抵抗化が図られるとともに、突起状導体の導電性が向上する。しかも、突起状導体が比較的柔らかい銅を主体として形成されるため、突起状導体の粗化が容易になる。
【００１９】
さらに、突起状導体は、めっきによって形成される。なお、突起状導体が銅を主体として形成される場合、前記突起状導体は、銅めっきによって形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を例えば導電性ペーストなどによって形成する場合に比べて、突起状導体の導電性が向上する。
【００２０】
また、本発明の課題を解決するための別の手段（手段２）としては、前記配線基板内蔵用コンデンサが、コア主面及びコア裏面を有する樹脂コア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部内に収容されていることを特徴とする配線基板がある。
【００２１】
従って、手段２の配線基板によると、外部電極上に設けられた突起状導体が樹脂層間絶縁層などに確実に噛み込むようになるため、配線基板内蔵用コンデンサの位置ずれを防止できる。しかも、突起状導体を形成することで、配線基板内蔵用コンデンサと樹脂層間絶縁層との接触面積が大きくなるため、両者の密着性が向上する。従って、配線基板内蔵用コンデンサと樹脂層間絶縁層との間でのデラミネーションの発生を防止でき、配線基板の信頼性が高くなる。
【００２２】
前記樹脂コア基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。
【００２３】
上記配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。なお、配線積層部は、前記コア主面上及び前記コア裏面上のいずれか一方にのみ形成されていてもよいし、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成されていてもよいが、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成されることが好ましい。このように構成すれば、コア主面上に形成された配線積層部とコア裏面上に形成された配線積層部との両方に電気回路を形成できるため、配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。
【００２４】
前記樹脂層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂層間絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を配線基板に具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２６】
図１に示されるように、本実施の形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状の樹脂コア基板１１と、樹脂コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、樹脂コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２（配線積層部）とからなる。
【００２７】
樹脂コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、第１ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。また、第２層の樹脂層間絶縁層３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。各ビア導体４３の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続されており、各ビア導体４３の上端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３５の表面上に形成された端子パッド４４に接続されている。このビア導体４３は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。
【００２８】
樹脂コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４７が形成されている。各ビア導体４７の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３４の表面上に形成された導体層４２に接続されている。第２層の樹脂層間絶縁層３６内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、樹脂層間絶縁層３６の下面上において各ビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００２９】
本実施の形態の樹脂コア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．９０ｍｍの平面視略矩形板状である。樹脂コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層１６３とによって構成されている。また、樹脂コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２、コア裏面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、樹脂コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通するとともに、導体層１６３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、樹脂層間絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、樹脂層間絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。また、樹脂コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、樹脂コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。なお、収容穴部９０は、四隅に面取り寸法０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の面取り部を有している。
【００３０】
そして、収容穴部９０内には、図２，図３等に示すセラミックコンデンサ１０１（配線基板内蔵用コンデンサ）が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向け、かつ、コンデンサ裏面１０３をコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ１．００ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、樹脂コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。
【００３１】
図１等に示されるように、収容穴部９０の内面と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、高分子材料（本実施の形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）からなる樹脂充填部９２によって埋められている。この樹脂充填部９２は、セラミックコンデンサ１０１を樹脂コア基板１１に固定する機能を有している。なお、セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施の形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵するときや、温度変化に伴う樹脂充填部９２の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部９２のクラックの発生を防止できる。
【００３２】
図１〜図３等に示されるように、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（セラミック基板）は、基板主面である１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、基板裏面である１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６（図１では左面、右面）を有する板状物である。
【００３３】
図２に示されるように、セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１（内部電極）とグランド用内部電極層１４２（内部電極）とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。
【００３４】
図１，図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。なお本実施の形態において、ビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。
【００３５】
そして図２，図３等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用プレーン状電極１１１（外部電極）と複数の主面側グランド用プレーン状電極１１２（外部電極）とが設けられている。各プレーン状電極１１１，１１２は、コンデンサ主面１０２において互いに平行に配置されており、幅３００μｍ×厚さ２５μｍの平面視略矩形状をなす帯状パターンである（図３参照）。主面側電源用プレーン状電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用プレーン状電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。
【００３６】
また、図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用プレーン状電極１２１（外部電極）と複数の裏面側グランド用プレーン状電極１２２（外部電極）とが設けられている。各プレーン状電極１２１，１２２は、コンデンサ裏面１０３において互いに平行に配置されており、幅３００μｍ×厚さ２５μｍの平面視略矩形状をなす帯状パターンである。裏面側電源用プレーン状電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用プレーン状電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用プレーン状電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用プレーン状電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。
【００３７】
図４に示されるように、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２は、第１の金属層であるメタライズ導体層１５１と、第２の金属層であるめっき層１５２とからなっている。メタライズ導体層１５１は、前記コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の上に配置されるとともに、ニッケル（第１の金属材料）を主材料として形成されている。めっき層１５２は、ニッケルよりも導電性の高い銅（第２の金属材料）からなり、メタライズ導体層１５１の表面を全体的に被覆している。さらに、めっき層１５２の表面は粗化されており、めっき層１５２の表面の算術平均粗さＲａは０．４μｍに設定されている。なお、「算術平均粗さＲａ」とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。算術平均粗さＲａの測定方法はＪＩＳ  Ｂ０６５１に準じるものとする。
【００３８】
図１〜図４に示されるように、各プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上には、それぞれ突起状導体５０が突設されている。各突起状導体５０は、１つのプレーン状電極に対して複数箇所ずつ配置されている。そして、突起状導体５０の数は、前記コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の数と等しくなっており、本実施の形態では５０個以上となっている。各突起状導体５０は、銅めっきによって形成された導体（銅ポスト）である。即ち、突起状導体５０は、めっき層１５２と同じ金属材料である銅を主体として形成されている。
【００３９】
各突起状導体５０は、断面円形状であって、頂部５１から底部５２に行くに従って細くなっている。詳述すると、各突起状導体５０の底部５２は、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２と接続される基端部であって、その直径は約２００μｍに設定されている。また、各突起状導体５０の頂部５１（先端部）の表面は、円形状をなしており、その直径は約２５０μｍに設定されている。さらに、突起状導体５０の高さは、１５０μｍ〜２００μｍに設定されている。つまり、本実施の形態の突起状導体５０は、頂部５１及び底部５２の直径が前記コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径（約１００μｍ）よりも大きく、かつ頂部５１の径が底部５２の径の１．２５倍の大きさとなるよう形成されている。また、突起状導体５０の頂部５１の径は、突起状導体５０の高さよりも大きく、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２の幅（約３００μｍ）よりも小さくなっている。
【００４０】
各突起状導体５０の高さ（厚さ）は、前記樹脂層間絶縁層３３の厚さとほぼ等しくなっており、プレーン状電極１１１，１１２上に突設された突起状導体５０の頂部５１の表面は、樹脂層間絶縁層３３の表面と同じ位置にある。さらに、各突起状導体５０の表面は粗化されている。突起状導体５０の表面の算術平均粗さＲａは、前記めっき層１５２の表面の算術平均粗さＲａと等しく、具体的には０．４μｍに設定されている。そして、プレーン状電極１１１，１１２上に突設された突起状導体５０は、樹脂層間絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続される。一方、プレーン状電極１２１，１２２上に突設された突起状導体５０は、前記樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所に形成されたビア導体４７に接続される。
【００４１】
図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にあるプレーン状電極１１１，１１２は、突起状導体５０、導体層４２、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にあるプレーン状電極１２１，１２２は、突起状導体５０、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。
【００４２】
例えば、マザーボード側からプレーン状電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００４３】
次に、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１の製造方法について述べる。
【００４４】
先ず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料のグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
【００４５】
さらに、レーザ加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うようにプレーン状電極１１１，１１２のメタライズ導体層１５１を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うようにプレーン状電極１２１，１２２のメタライズ導体層１５１を形成する。
【００４６】
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各メタライズ導体層１５１をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。なお、このセラミック焼結体１０４は、コンデンサとなるべき製品領域１５５が平面方向に沿って縦横に複数配列され、それら製品領域１５５を分割するためのブレイク溝１５６が形成された多数個取り用セラミック基板である（図５参照）。
【００４７】
次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各メタライズ導体層１５１に対して無電解銅めっき（厚さ１５μｍ）を行う。その結果、各メタライズ導体層１５１の上にめっき層１５２が形成されることで、各プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２が形成される。
【００４８】
次に、図６に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に、感光性を有する厚さ２００μｍのネガ型フォトレジストフィルム１８０をラミネートする。その後、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザーを用いてそのフォトレジストフィルム１８０にレーザ加工を行い、図７に示されるように、プレーン状電極１１１，１１２を露出させる開口部１８２を有するめっきレジスト１８１を形成する。なお、この開口部１８２は、めっきレジスト１８１の表面側（図７では上面側）の径が２５０μｍであり、めっきレジスト１８１の裏面側（図７では下面側）の径が２００μｍである。なお、このレーザ加工時において、開口部１８２の底面に樹脂残りが懸念される場合、レーザ加工後にプラズマ処理やＵＶクリーニング処理を実施して、その底面の樹脂を除去する。
【００４９】
また、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３に対しても同様に、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザーを用いてフォトレジストフィルム１８０にレーザ加工を行い、プレーン状電極１２１，１２２を露出させる開口部１８２を有するめっきレジスト１８１を形成する。
【００５０】
そして、図８に示されるように、めっきレジスト１８１を介してプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に対する電解銅めっきを行う。さらに、めっきレジスト１８１を除去する。その結果、図９に示されるように、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に、突起状導体５０が形成される。さらに、セラミック焼結体１０４のブレイク溝１５６で各製品領域１５５を分割することにより、複数個のセラミックコンデンサ１０１が完成する。
【００５１】
次に、本実施の形態の配線基板１０の製造方法について述べる。
【００５２】
先ず、コア基板準備工程では、樹脂コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００５３】
樹脂コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．６５ｍｍの基材１６１の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って導体層１６３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材１６４を形成する。
【００５４】
次に、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に導体層４１（厚さ５０μｍ）をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、樹脂コア基板１１の中間製品を得る（図１０参照）。なお、樹脂コア基板１１の中間製品とは、樹脂コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００５５】
続く収容工程では、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、コア主面１２とコンデンサ主面１０２と同じ側に向け、かつ、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（図１１参照）。この状態において、コンデンサ主面１０２側の突起状導体５０の頂部５１の表面は、導体層４１の表面よりも上方に位置している。なお、収容穴部９０のコア裏面１３側開口は、剥離可能な粘着テープ１７１でシールされている。この粘着テープ１７１は、支持台（図示略）によって支持されている。かかる粘着テープ１７１の粘着面には、セラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定されている。
【００５６】
そして、この状態において、収容穴部９０の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間に、ディスペンサ装置（Ａｓｙｍｔｅｋ社製）を用いて、熱硬化性樹脂製の樹脂充填部９２（株式会社ナミックス製）を充填する。その後、加熱処理を行うと、樹脂充填部９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０内に固定される（図１２参照）。そして、この時点で、粘着テープ１７１を剥離する。
【００５７】
その後、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を構成するめっき層１５２の表面と、突起状導体５０の表面とを粗化する（図４参照）。なお、めっき層１５２の表面と突起状導体５０の表面とが同時に粗化されるため、めっき層１５２の表面の一部（突起状導体５０との接続部分）が粗化されることはない。
【００５８】
次に、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３３を形成する（図１３参照）。このとき、セラミックコンデンサ１０１の各突起状導体５０が樹脂層間絶縁層３３に噛み込むことにより、セラミックコンデンサ１０１の位置決めが図られる。また、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３４を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。
【００５９】
さらに、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂層間絶縁層３４を貫通するビア孔を形成し、プレーン状電極１２１，１２２上に突設された突起状導体５０の頂部５１の表面を露出させる。
【００６０】
さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、樹脂コア基板１１及び樹脂層間絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、樹脂層間絶縁層３３，３４の表面上、ビア孔の内面、及び、貫通孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂層間絶縁層３３上に導体層４２が形成されるとともに、樹脂層間絶縁層３４上に導体層４２がパターン形成される。これと同時に、貫通孔内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体４７が形成される。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する。
【００６１】
次に、樹脂層間絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を有する樹脂層間絶縁層３５，３６を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザ加工機などにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体４３を形成するとともに、樹脂層間絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、樹脂層間絶縁層３６上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。
【００６２】
次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。
【００６３】
上記の方法で製造した配線基板１０について、熱サイクル試験や熱衝撃試験等の信頼性評価を行った。その結果、配線基板１０は製品としての十分な信頼性が確保されていることが確認された。
【００６４】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６５】
（１）本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１によると、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に突起状導体５０が突設されており、その突起状導体５０は頂部５１から底部５２に行くに従って細くなるよう形成されている。このため、配線基板１０への内蔵時に、突起状導体５０が配線基板１０を構成する樹脂層間絶縁層３３に確実に嵌合して密着性を向上できるため、配線基板１０の信頼性が高められる。また、突起状導体５０の底部５２の径が小さいため、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２に対する突起状導体５０のクリアランスが大きくなる。その結果、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上からはみだすことなく正確な位置に突起状導体５０を設けることができる。また、突起状導体５０の頂部５１は底部５２よりも大きいため、配線基板１０における導体層４２やビア導体４７との接続を確実に行うことができる。
【００６６】
因みに、本発明者は、頂部及び底部の直径が等しい円柱状導体（具体的には直径が２５０μｍ）をプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に形成した従来のセラミックコンデンサを比較例として作製し、その位置ズレ不良率を確認した。この比較例の位置ズレ不良率は５０％であった。これに対して、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１では、突起状導体５０の底部５２の径を２００μｍとし、頂部５１の径（２５０μｍ）よりも小さくしたので、突起状導体５０の位置ズレ不良率を１０％未満に抑えることができた。
【００６７】
（２）本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１では、突起状導体５０は、表面粗化に適した銅からなるため、粗化を行うことにより、セラミックコンデンサ１０１と樹脂層間絶縁層３３との密着性を向上させることができる。しかも、各プレーン状電極１１１，１１２は、複数の突起状導体５０が突設されているために比較的面積が大きく、その表面が粗化されている。従って、セラミックコンデンサ１０１と樹脂層間絶縁層３３との密着性がよりいっそう向上する。
【００６８】
（３）本実施の形態の配線基板１０では、セラミック部品としてビアアレイタイプのセラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０に収納されている。このセラミックコンデンサ１０１では、複数のビア導体１３１，１３２が全体としてアレイ状に配置されているので、セラミックコンデンサ１０１のインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、セラミックコンデンサ１０１全体の小型化が図りやすくなり、ひいては配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、ＩＣチップ２１に対してより安定した電源供給が可能となる。
【００６９】
（４）本実施の形態の配線基板１０では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００７０】
（５）本実施の形態の配線基板１０では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００７１】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００７２】
・上記実施の形態において、突起状導体５０を形成するためのめっきレジスト１８１の開口部１８２をレーザ加工により形成していたが、ガラスマスクを用いたコンタクト露光法によってその開口部を形成してもよい。具体的には、図１４に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に、感光性を有する厚さ２００μｍのネガ型フォトレジストフィルム１９０をラミネートする。ネガ型フォトレジストフィルム１９０は、感光性の異なる２層のフィルム１９１，１９２を張り合わせてなり、上層に感光性の低いフィルム１９１が配置されるとともに下層に感光性の高いフィルム１９２が配置されている。そして、図１５に示されるように、このフォトレジストフィルム１９０上にガラスマスク１９３を密着させ、この状態でフォトレジストフィルム１９０を露光する。その後、露光されたフォトレジストフィルム１９０を現像する。その結果、図１６に示されるように、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を露出させる開口部１９５を有するめっきレジスト１９６が形成される。このめっきレジスト１９６の開口部１９５も上記実施の形態と同様に、表面側の径が２５０μｍであり、裏面側の径が２００μｍである。さらに、めっきレジスト１９６を介してプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に対する電解銅めっきを行った後、めっきレジスト１９６を除去する。これにより、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に、突起状導体５０が形成される。
【００７３】
なお、図１４のネガ型フォトレジストフィルム１９０に代えてポジ型フォトレジストフィルムをコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上にラミネートし、ガラスマスクを使用したコンタクト露光法によってめっきレジストの開口部を形成してもよい。
【００７４】
・上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は樹脂コア基板１１内に収容されていた。しかし、上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１などよりも薄いセラミックコンデンサ３０３（厚さ０．０８ｍｍ）を形成し、そのセラミックコンデンサ３０３を第１ビルドアップ層３１０内（例えば図１７参照）に収容してもよい。この場合、樹脂コア基板１１のコア主面１２上に樹脂シート（未硬化状態の樹脂層間絶縁層３０）をラミネートし、樹脂シートが硬化する前に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、突起状導体５０を形成したセラミックコンデンサ３０３を樹脂シート上に配置する。このとき、加圧しながらセラミックコンデンサ３０３の一部（コンデンサ裏面１０３側のプレーン状電極１２１，１２２及び突起状導体５０）を樹脂シート内に潜り込ませるようにする。これにより、突起状導体５０が樹脂シートに噛み込むため、セラミックコンデンサ３０３が位置決めされる。その後、樹脂シートを硬化させて樹脂層間絶縁層３０とする。さらに、樹脂層間絶縁層３０及び導体層４２を交互に形成すれば、第１ビルドアップ層３１０が完成する。
【００７５】
このようにすれば、セラミックコンデンサ１０１が樹脂コア基板１１内に収容される場合に比べて、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ３０３とを電気的に接続する導通経路（コンデンサ接続配線）が短くなる。これにより、配線のインダクタンス成分の増加が防止されるため、セラミックコンデンサ３０３によりＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ３０３との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。なお、薄くしたセラミックコンデンサ３０３を用いたとしてもセラミックコンデンサ３０３自体は厚いため、図１７では、ビルドアップ層を、上記実施の形態よりも肉厚の樹脂層間絶縁層３０からなる第１ビルドアップ層３１０に具体化している。なお、上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１を、上記実施の形態と同じ第１ビルドアップ層３１内に収容してもよい。
【００７６】
・上記実施の形態では、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上に配置されたプレーン状電極１１１，１１２上、及び、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上に配置されたプレーン状電極１２１，１２２上に、それぞれ突起状導体５０が突設されていた。しかし、プレーン状電極１１１，１１２上及びプレーン状電極１２１，１２２上のいずれか一方のみに突起状導体５０が突設されていてもよい。この場合、ＩＣチップ２１が搭載されるために高い精度が要求される第１ビルドアップ層３１側のプレーン状電極１１１，１１２上のみに、突起状導体５０が突設されることが好ましい。このような構成であれば、突起状導体５０の数が減るため、配線基板１０の製造コスト低減を図ることができる。しかし、より高い信頼性を得るためには、プレーン状電極１１１，１１２上及びプレーン状電極１２１，１２２上の両方に突起状導体５０を突設することが好ましい。
【００７７】
・上記実施の形態では、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に突起状導体５０を突設した後で、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を構成するめっき層１５２の表面と、突起状導体５０の表面とを同時に粗化していた。しかし、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を形成した時点で一度粗化した後、突起状導体５０を形成した時点で再度粗化するようにしてもよい。このようにすれば、めっき層１５２と突起状導体５０との接続部分も粗化されるため、両者の密着性が向上する（図１８参照）。
【００７８】
・上記実施の形態において、外部電極としてのプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２は、等幅の帯状に形成されるものであったが、これに限定されるものではない。例えば、図１９に示されるプレーン状電極２１１，２１２のように、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２に接続される部分の幅を広くし、それ以外の部分を細く形成してもよい。そして、プレーン状電極２１１，２１２における幅広の部分に、突起状導体５０を設けている。なお、このプレーン状電極２１１，２１２において突起状導体５０の形成部における幅（最大幅）は３００μｍである。そして、突起状導体５０の頂部５１の径（２５０μｍ）は、そのプレーン状電極２１１，２１２の最大幅よりも小さくなるよう設定されている。
【００７９】
また図２０に示されるように、コンデンサ主面１０２上に主面側電源用電極２１３と複数の主面側グランド用電極２１４とを設けるとともに、コンデンサ裏面１０３上に複数の裏面側電源用電極（図示略）と裏面側グランド用電極（図示略）とを設けてもよい。詳述すると、主面側電源用電極２１３は、コンデンサ主面１０２の略全体を覆うプレーン状電極であり、主面側グランド用電極２１４を避けるための孔を複数有している。同様に、裏面側グランド用電極は、コンデンサ裏面１０３の略全体を覆うプレーン状電極であり、裏面側電源用電極を避けるための孔を複数有している。また、主面側グランド用電極２１４及び裏面側電源用電極は、直径３５０μｍ×厚さ２５μｍの平面視円形状をなす浮島状のパターンである。
【００８０】
次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）配線基板に内蔵される配線基板内蔵用コンデンサであって、基板主面及び基板裏面を有し、複数の内部電極がセラミック誘電体層を介して積層配置されたセラミック基板と、前記複数の内部電極に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に配置され、前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記基板主面側及び前記基板裏面側の少なくとも一方の端部に接続される外部電極と、前記外部電極上に突設された頂部と底部とを有する突起状導体とを備え、前記突起状導体は頂部から底部に行くに従って細くなっており、前記外部電極は、第１の金属材料からなる第１の金属層とその第１の金属層を覆う金属層であって前記第１の金属材料よりも導電性が高い第２の金属材料からなる第２の金属層とを有することを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
【００８１】
（２）技術的思想（１）において、第１の金属材料はニッケルであり、前記第２の金属材料は銅であることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】セラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】セラミックコンデンサを示す上面図。
【図４】セラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。
【図５】セラミック焼結体を示す上面図。
【図６】セラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図７】セラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図８】セラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図９】セラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図１０】配線基板の製造方法の説明図。
【図１１】配線基板の製造方法の説明図。
【図１２】配線基板の製造方法の説明図。
【図１３】配線基板の製造方法の説明図。
【図１４】他の実施形態におけるセラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図１５】他の実施形態におけるセラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図１６】他の実施形態におけるセラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図１７】他の実施形態における配線基板を示す概略断面図。
【図１８】他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。
【図１９】他の実施の形態におけるセラミックコンデンサを示す上面図。
【図２０】他の実施の形態におけるセラミックコンデンサを示す上面図。
【符号の説明】
【００８３】
１０…配線基板
１１…樹脂コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３１…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３２…配線積層部としての第２ビルドアップ層
３３，３４，３５，３６…樹脂層間絶縁層
４２…導体層
５０…突起状導体
５１…頂部
５２…底部
１０１…配線基板内蔵用コンデンサとしてのセラミックコンデンサ
１０２…基板主面としてのコンデンサ主面
１０３…基板裏面としてのコンデンサ裏面
１０４…セラミック基板としてのセラミック焼結体
１０５…セラミック誘電体層
１１１…外部電極としての主面側電源用プレーン状電極
１１２…外部電極としての主面側グランド用プレーン状電極
１２１…外部電極としての裏面側電源用プレーン状電極
１２２…外部電極としての裏面側グランド用プレーン状電極
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極としての電源用内部電極層
１４２…内部電極としてのグランド用内部電極層
２１１，２１２…外部電極としてのプレーン状電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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