(57)【要約】【課題】垂直磁気記録層の粒径の微細化及び垂直配向性の向上、並びに磁気記録媒体の耐食性を向上させると共に、高密度の情報の記録再生が可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】非磁性基板１上に、少なくとも裏打ち層２と下地膜４と中間層５と少なくとも酸化物を含むグラニュラ磁性層を有する垂直磁気記録層６とを有する垂直磁気記録媒体１０の製造方法であって、裏打ち層２を形成後、裏打ち層２の表面に不活性ガスを照射することを特徴とする垂直磁気記録媒体１０の製造方法。【選択図】図１
2009116986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地膜と中間層と少なくとも酸化物を含むグラニュラ磁性層を有する垂直磁気記録層とを有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
前記裏打ち層を形成後、当該裏打ち層の表面に不活性ガスを照射することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記不活性ガスが、Ａｒ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｋｒからなる群から選ばれた何れか１種以上のガスであることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記不活性ガスが、イオンガン、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ）からなる群から選ばれた何れかの方法によって照射されることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、前記垂直磁気記録媒体が、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された垂直磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法及びこの垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、可撓性ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特にＭＲヘッド、およびＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲヘッド、ＴｕＭＲヘッドなども導入され１年に約１００％ものペースで増加を続けている。
【０００３】
このように、磁気記録媒体については今後更に高記録密度化を達成することが要求されており、そのために磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）、高分解能を達成することが要求されている。これまで広く用いられてきた長手磁気記録方式においては、線記録密度が高まるにつれて、磁化の遷移領域の隣接する記録磁区同士がお互いの磁化を弱めあおうとする自己減磁作用が支配的になるため、それを避けるために磁気記録層をどんどん薄くして形状磁気異方性を高めてやる必要がある。
【０００４】
その一方で、磁気記録層の膜厚を薄くしていくと、磁区を保つためのエネルギー障壁の大きさと熱エネルギーの大きさが同レベルに近づいてきて、記録された磁化量が温度の影響によって緩和される現象（熱揺らぎ現象）が無視できなくなり、これが線記録密度の限界を決めてしまうといわれている。
【０００５】
このような中、長手磁気記録方式の線記録密度改良に答える技術として最近ではＡＦＣ（Ａｎｔｉ  Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）媒体が提案され、長手磁気記録で問題となる熱磁気緩和の問題を回避しようという努力がなされている。
【０００６】
また、今後一層の面記録密度を実現するための有力な技術として注目されているのが垂直磁気記録技術である。従来の長手磁気記録方式が、媒体を面内方向へ磁化させるのに対し、垂直磁気記録方式では媒体面に垂直な方向に磁化させることを特徴とする。このことにより、長手磁気記録方式で高線記録密度を達成する妨げとなる自己減磁作用の影響を回避することができ、より高密度記録に適していると考えられている。また一定の磁性層膜厚を保つことができるため、長手磁気記録で問題となっている熱磁気緩和の影響も比較的少ないと考えられている。
【０００７】
垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に下地層、中間層、磁気記録層、保護層の順に成膜されるのが一般的である。また、保護層まで成膜した上で、表面に潤滑層を塗布する場合が多い。また、多くの場合、軟磁性裏打ち層とよばれる磁性膜が下地層の下に設けられる。中間層は磁気記録層の特性をより高める目的で形成される。また下地層は中間層、磁気記録層の結晶配向を整えると同時に磁性結晶の形状を制御する働きをするといわれている。
【０００８】
優れた特性を有する垂直磁気記録媒体を製造するためには、磁気記録層の結晶構造が重要である。すなわち、垂直磁気記録媒体においては、多くの場合その磁気記録層の結晶構造は六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）をとるが、その（００２）結晶面が基板面に対して平行であること、換言するならば結晶ｃ軸［００２］軸が垂直な方向にできるだけ乱れなく配列していることが重要である。
【０００９】
また、非特許文献１に示すように、Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕらは、磁性結晶を非磁性相で分離した、いわゆるグラニュラ磁性層を提案している。グラニュラ磁性層は、磁性粒間の磁気的相互作用が微弱であり、かつ、磁性結晶粒を微細化できるため極めて低ノイズの磁性層を達成できる。
【非特許文献１】Ｓ．Ｈ．Ｌｉｏｕ  ａｎｄ  Ｃ．Ｌ．Ｃｈｉｅｎ  ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（６），８  Ｆｅｂ．，１９８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように、グラニュラ磁性層の採用により、より高密度の情報の記録再生が可能となった。しかしながら、垂直磁気記録媒体を構成する裏打ち層には、Ｃｏ原子等のマイグレーションを起こしやすい元素が多く含まれているため、高温高湿の環境下で垂直磁気記録媒体の表面に拡散し腐食を生じさせるという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気記録媒体の耐食性を向上させると共に、磁気記録特性が優れた垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明は以下に掲げた。
（１）非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地膜と中間層と少なくとも酸化物を含むグラニュラ磁性層を有する垂直磁気記録層とを有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記裏打ち層を形成後、当該裏打ち層の表面に不活性ガスを照射することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
（２）前記不活性ガスが、Ａｒ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｋｒからなる群から選ばれた何れか１種以上のガスであることを特徴とする（１）に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（３）前記不活性ガスが、イオンガン、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ）からなる群から選ばれた何れかの方法によって照射されることを特徴とする（１）又は（２）に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法
（４）（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された垂直磁気記録媒体。
（５）垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、前記垂直磁気記録媒体が、（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された垂直磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、磁気記録媒体の耐食性を向上させると共に、磁気記録特性が優れた垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
先ず、本発明の実施形態の一例である垂直磁気記録媒体について、図面を用いて詳細に説明する。図１は、本実施形態の垂直磁気記録媒体の断面模式図を示す。
本実施形態の垂直磁気記録媒体１０は、図１に示すように、非磁性基板１上に少なくとも軟磁性裏打ち層（裏打ち層）２と、下地層４及び中間層５からなる配向制御層３と、垂直磁気記録層６と、保護層７と、潤滑剤層８とが形成され、概略構成されている。尚、図１は本実施形態の垂直磁気記録媒体１０の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の垂直磁気記録媒体１０の寸法関係とは異なる場合がある。以下に、先ず、垂直磁気記録媒体１０の各層について詳細に説明する。
【００１５】
＜非磁性基板＞
非磁性基板１は、特に限定されるものではなく、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、アモルファスガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、サファイア、石英、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。より好ましくは、Ａｌ合金基板や結晶化ガラス、アモルファスガラス等のガラス製基板である。また、非磁性基板１としてガラス製基板を用いる場合では、ミラーポリッシュ基板や表面粗さ（Ｒａ）が１（Å）未満である低Ｒａ基板などがより好ましい。なお、軽度であれば、テクスチャが入っていても構わない。
【００１６】
＜軟磁性裏打ち層＞
軟磁性裏打ち層（裏打ち層）２は、ＦｅＣｏ系合金、ＣｏＺｒＮｂ系合金、ＣｏＴａＺｒ系合金などいわゆる軟磁気特性を有する材料から構成される軟磁性膜であり、媒体に信号を記録する際、ヘッドからの記録磁界を導き、垂直磁気記録層６に対して記録磁界の垂直成分を効率よく印加する働きをする。また、軟磁性裏打ち層２は、アモルファス（非結晶質）構造であることが特に好ましい。軟磁性裏打ち層２をアモルファス構造とすることで、表面粗さ（Ｒａ）が大きくなることを防ぎ、ヘッドの浮上量を低減することが可能となり、さらなる高記録密度化が可能となる。さらに、軟磁性裏打ち層２は、単層のみでなく、２層の間にＲｕなどの極薄い非磁性薄膜をはさむことで、軟磁性層同士を反強磁性結合（ＡＦＣ）させたものを適用することもできる。なお、軟磁性裏打ち層２の総膜厚は、２０（ｎｍ）〜１２０（ｎｍ）程度とすることが好ましく、記録再生特性とオーバーライト（ＯＷ）特性とのバランスにより適宜決定することができる。
【００１７】
＜配向制御層＞
配向制御層３は、軟磁性裏打ち層２の上に設けられており、配向制御層３の直上の膜の配向性を制御する。また、配向制御層３は複数層から構成されており、本実施形態の配向制御層３は、非磁性基板１側から下地層４、中間層５が積層されて構成されている。
【００１８】
（下地層）
下地層４の材料としては、Ｔａや（１１１）面配向する面心立方構造（ｆｃｃ構造）を有する金属または合金（例えばＮｉ、Ｎｉ−Ｎｂ、Ｎｉ−Ｔａ、Ｎｉ−Ｖ、Ｎｉ−Ｗ、Ｐｔなど）を用いることができる。また、軟磁性裏打ち層２が微結晶又は非晶質構造をとる場合であっても、材料や成膜条件によって配向制御層３の表面粗さ（Ｒａ）が大きくなることがあるため、軟磁性裏打ち層２と配向制御層３との間に非磁性の非晶質層を成膜することで配向制御層３の表面粗さ（Ｒａ）を下げて、垂直磁気記録層６の結晶配向性を向上させることができる。
【００１９】
（中間層）
中間層５は、下地層４の上に設けられている。中間層５の材料としては、垂直磁気記録層６と同様の六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）であるＲｕやＲｅ、又はそれらの合金、或いはそれらの酸化物を用いることができる。また、中間層５は、垂直磁気記録層６の配向を制御する働きをするため、六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）である材料に限定されるものではなく、垂直磁気記録層６の配向を制御できる材料であれば用いることができる。
【００２０】
＜磁気記録層＞
垂直磁気記録層６は、少なくとも酸化物を含むグラニュラ磁性層を有する。また、垂直磁気記録層６は、実際に信号の記録がなされる層であり、磁化容易軸（結晶ｃ軸）が非磁性基板１に対して主に垂直に配向している。したがって、最終的には垂直磁気記録層６の結晶構造および磁気的性質が記録再生を決定する。
【００２１】
垂直磁気記録層６の構成材料としては、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｘ，ＣｏＣｒＰｔＢ−Ｘ−Ｙ，ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ，ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２，ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３，ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２，ＣｏＣｒＰｔ−ＺｒＯ２，ＣｏＣｒＰｔ−Ｎｂ２Ｏ５，ＣｏＣｒＰｔ−Ｔａ２Ｏ５，ＣｏＣｒＰｔＴｉＯ２などのＣｏ系合金薄膜が例示される。なお、上記の構成材料中のＸは、Ｒｕ、Ｗ等を示しており、Ｙは、Ｃｕ、Ｍｇ等を示している。
特に、垂直磁気記録層６の構成材料としてＯ，ＳｉＯ２，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５などの酸化物とＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ合金とを含む磁性層（酸化物磁性層）を用いる場合は、非磁性である酸化物が、強磁性であるＣｏ結晶粒の周りを取り囲んでグラニュラ構造を採用することが好ましい。これにより、Ｃｏ結晶粒同士の磁気的相互作用が弱まり、ノイズを減少することができる。本実施形態では、垂直磁気記録層６は、少なくとも１層が酸化物を含むグラニュラ磁性層が形成されて構成されることが好ましい。
【００２２】
＜保護層＞
保護層７は、磁気ヘッドと垂直磁気記録媒体１０との接触によるダメージから垂直磁気記録媒体１０を保護するために設けられている。保護層７の材質としては、カーボン膜、ＳｉＯ２膜などが好ましく、特にカーボン膜が好ましい。
【００２３】
＜潤滑剤層＞
潤滑剤層８には、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好ましい。
【００２４】
次に、図１に示す垂直磁気記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
図１に示す垂直磁気記録媒体１０の製造方法は、基板の洗浄工程と磁性層の形成工程と不活性ガスの照射工程と保護層の形成工程とから概略構成されている。以下、各工程について説明する。
【００２５】
＜基板の洗浄工程＞
磁気ディスクの製造工程においては、まず基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、本実施形態においても各層の密着性を確保する見地からもその形成前に洗浄、乾燥を行うことが望ましい。基板の洗浄工程では、非磁性基板１の洗浄方法は、水洗浄に限定されるものではなく、エッチング（逆スパッタ）による洗浄も含まれる。また、基板サイズも特に限定されるものではない。
【００２６】
＜磁性層の形成工程＞
磁性層の形成工程においては、非磁性基板１のデータ記録領域上に、軟磁性裏打ち層２と下地層４と中間層５と垂直磁気記録層６とからなる磁性層を順次積層して形成する。
軟磁性裏打ち層２、下地層４、中間層５、垂直磁気記録層６の各層の成膜には通常ＤＣマグネトロンスパッタリング法またはＲＦスパッタリング法が用いられる。また、ＲＦバイアス、ＤＣバイアス、パルスＤＣ、パルスＤＣバイアス、Ｏ２ガス、Ｈ２Ｏガス、Ｈ２ガス、Ｎ２ガスを用いることも可能である。
成膜時のスパッタリングガス圧力は各層ごとに特性が最適になるように適宜決定することができ、一般には０．１〜３０（Ｐａ）程度の範囲で制御され、垂直磁気記録媒体１０の性能を見ながら調整される。
【００２７】
なお、垂直磁気記録層６をグラニュラ構造とするために、中間層５の成膜ガス圧を高くして中間層５の表面に凹凸をつけることが好ましい。これにより、垂直磁気記録層６を構成する酸化物を含む磁性層の酸化物が中間層５の表面の凹部分に集まるため、垂直磁気記録層６がグラニュラ構造となる。一方、中間層５の成膜ガス圧を高くすると中間層５の結晶配向性が悪化すると共に表面粗さが大きくなりすぎる恐れがある。このため、中間層５を低ガス圧成膜層及び高ガス圧成膜層の二層構造として順次形成することが好ましい。これにより、中間層５の配向性の維持と表面凹凸の形成とを両立させることができる。
【００２８】
＜不活性ガスの照射工程＞
本実施形態では、軟磁性裏打ち層２の形成後に、この軟磁性裏打ち層２に対して不活性ガスを照射することを特徴とする。軟磁性裏打ち層２は、ＣｏやＦｅ等を多く含むことから酸化しやすいため、垂直磁気記録媒体１０の腐食の原因となっていると考えられる。そこで、不活性ガスの照射によって、軟磁性裏打ち層２内に不活性元素が侵入することにより磁性粒子の移動が抑制されるためＣｏ結晶粒等の磁性粒子（以下、磁性粒子という）のマイグレーション等が抑制されると考えられる。また、軟磁性裏打ち層２の活性な表面が除去されることにより磁性粒子のマイグレーション等が抑制されると考えられる。これらにより、軟磁性裏打ち層２が安定し、高温多湿環境下においても磁性粒子のマイグレーション等の発生が抑制されると考えられる。さらに、軟磁性裏打ち層２の表面の酸化物が除去されることにより、軟磁性裏打ち層２の上に成膜する層の結晶配向性を向上させると考えられる。
【００２９】
不活性ガスには、Ａｒ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｋｒからなる群から選ばれた何れか１種以上のガスを用いることが好ましい。上記の元素は化学的に安定であり、磁性粒子のマイグレーション等の抑制効果が高いため好ましい。
【００３０】
不活性ガスの照射方法には、イオンガン、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）、反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｐｌａｓｍａ）からなる群から選ばれた何れかの方法を用いることが好ましく、照射量の多さの点でＩＣＰ又はＲＩＥを用いることがより好ましい。
誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）は、気体に高電圧をかけることによってプラズマ化し、さらに高周波数の変動磁場によってそのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマである。誘導結合プラズマは電子密度が高いため、広い面積の磁性膜に対して高い効率で磁気特性の改質をすることができる。
反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ）は、プラズマ中にＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＣＣｌ４等の反応性ガスを加えた反応性の高いプラズマである。このため、磁性膜の磁気特性の改質をより高い効率で実現することができる。
【００３１】
＜保護層の形成工程＞
保護層７の形成には、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などが用いることが可能であり、プラズマＣＶＤ法が特に好ましい。さらに、マグネトロンプラズマＣＶＤ法を用いることも可能である。また、保護層７の膜厚は、１〜１０（ｎｍ）の範囲であり、好ましくは２〜６（ｎｍ）の範囲、さらに好ましくは２〜４（ｎｍ）の範囲である。
【００３２】
潤滑剤層８の形成には、例えばディッピング法、スピンコート法等の従来公知の方法を用いることができる。また、潤滑剤層８の膜厚は、通常１〜４（ｎｍ）の範囲である。
以上のようにして、図１に示す垂直磁気記録媒体１０を製造することができる。
【００３３】
＜磁気記録再生装置＞
次に、上記の垂直磁気記録媒体１０を用いた磁気記録再生装置について説明する。
図２は、上記垂直磁気記録媒体１０を用いた磁気記録再生装置の一例を示すものである。磁気記録再生装置１００は、図２に示すように、上述した構成を有する垂直磁気記録媒体１０と、垂直磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１０１と、垂直磁気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１０２と、この磁気ヘッド１０２を垂直磁気記録媒体１０に対して相対運動させるヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４とを備えて構成されている。
【００３４】
記録再生信号処理系１０４は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド１０２に送り、磁気ヘッド１０２からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。
【００３５】
本実施形態の磁気記録再生装置１００に用いる磁気ヘッド１０２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子、トンネル効果を利用したＴｕＭＲ素子などを有した、より高記録密度に適した磁気ヘッドを用いることができる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態の垂直磁気記録媒体１０の製造方法によれば、軟磁性裏打ち層２に不活性ガスイオンを照射するため、この軟磁性裏打ち層２の腐食を低減することができる。これにより、垂直磁気記録媒体１０の耐食性を向上させることができる。
【００３７】
また、軟磁性裏打ち層２に不活性ガスイオンを照射することにより、軟磁性裏打ち層２の表面の微量な酸化層や不純物等が除去されるため、軟磁性裏打ち層２の上に積層して形成する下地層４、中間層５、垂直磁気記録層６の結晶性を向上させることができる。
【００３８】
したがって、本実施形態の垂直磁気記録媒体１０の製造方法によれば、耐食性に優れると共に磁気記録特性が優れた垂直磁気記録媒体１０を製造することができる。また、本実施形態の製造方法によって製造された垂直磁気記録媒体１０を適用した磁気記録再生装置１００を提供することができる。
【００３９】
また、本実施形態の垂直磁気記録媒体１０は、今後のさらなる記録密度の向上が期待されるＥＣＣ媒体、ディスクリートトラックメデイア、パターンメディア等の新しい垂直記録媒体において適用することができる。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものでなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００４１】
（実施例）
ＨＤ用ガラス基板をセットした真空チャンバをあらかじめ１．０×１０−５（Ｐａ）以下に真空排気した。
次に、この基板上にスパッタリング法を用いて、軟磁性裏打ち層としてＣｏ２８Ｆｅ４Ｚｒを５０（ｎｍ）の膜厚となるように成膜した。
【００４２】
次に、不活性ガスの照射は、Ａｒ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｋｒを用いて軟磁性裏打ち層の表面に上記不活性ガスのプラズマを照射した。不活性ガスのプラズマの照射には、ガスの流量：５（ｓｃｃｍ）、圧力：０．０１４（Ｐａ）、加速電圧：３００（Ｖ）、電流密度：０．４（ｍＡ／ｃｍ２）、処理時間：５，１５，２５（ｓｅｃ）の照射条件を用いた。ここで、Ａｒプラズマの処理時間：５，１５，２５（ｓｅｃ）で処理された垂直磁気記録媒体をそれぞれ実施例１，２，３とした。また、処理時間を１５（ｓｅｃ）とし、不活性ガスのプラズマとしてＨｅ，Ｘｅ，Ｋｒを用いて処理された垂直磁気記録媒体をそれぞれ実施例４，５，６とした。
【００４３】
不活性ガスのプラズマ照射後には、下地層として面心立方構造（ｆｃｃ構造）をとるＮｉＦｅを５（ｎｍ）の膜厚となるように、ガス圧０．６（Ｐａ）のＡｒ雰囲気中で成膜した。
次に中間層として、Ｒｕをガス圧０．６（Ｐａ）のＡｒ雰囲気中で１０（ｎｍ）成膜した後、ガス圧を１０（Ｐａ）に上げてさらに１０（ｎｍ）成膜した。
【００４４】
垂直磁気記録層は、ガス圧２（Ｐａ）のＡｒ雰囲気中で主記録層―補助記録層の順に成膜した。主記録層として９０（Ｃｏ１２Ｃｒ１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ２）を１０（ｎｍ）の膜厚となるように成膜した。上記の９０（Ｃｏ１２Ｃｒ１８Ｐｔ）―１０（ＳｉＯ２）における９０−１０はモル比を示す。さらに上記の１２，１８，３は、それぞれＣｒが１２モル％、Ｐｔが１８モル％、Ｒｕが３モル％、Ｃｏが残部であることを示す。
次に、保護層としてカーボン膜（Ｃ膜）を成膜し、さらに潤滑剤層として、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をディップ法により１５（Å）の厚さに塗布した。
【００４５】
（比較例）
実施例１〜６と同様の製造条件を用いて磁気記録媒体を製造した。ここで軟磁性裏打ち層に不活性ガスのプラズマ照射を行わなかった垂直磁気記録媒体を比較例１とした。
【００４６】
（電磁変換特性の評価）
実施例及び比較例として製造したそれぞれの磁気記録媒体について、スピンスタンドを用いて電磁変換特性の評価を行った。具体的には、評価用の磁気ヘッドには、記録用に垂直記録ヘッド、再生用にＴｕＭＲヘッドを用い、７５０ｋＦＣＩの信号を記録したときのＳＮＲ値を測定した。その測定結果を表１に示す。
【００４７】
（結晶構造の評価）
実施例及び比較例として製造したそれぞれの磁気記録媒体について、ロッキングカーブの半減値を用いて結晶構造の評価を行った。具体的には、先ず、基板上に成膜した膜をＸ線回折装置にかけ、基板面に対して平行な結晶面を分析した。
ここで、試料が中間層や磁気記録層のように六方最密構造をとる膜を含有する場合には、その結晶面に対応する回折ピークが観測される。そしてＣｏ系合金を用いた垂直磁気記録媒体の場合には、六方最密構造のｃ軸［００２］方向が基板面に垂直になるような配向をするため、（００２）面に対応するピークを観測することとなる。
【００４８】
次に、（００２）面を回折するブラッグ角を維持したまま光学系を基板面に対してスイングさせる際に、光学系を傾けた角度に対して（００２）結晶面の回折強度をプロットして、ひとつの回折ピーク（ロッキングカーブとよぶ）を描いた。
ここで、（００２）結晶面が、基板面に対して極めてよく平行にそろっている場合では、鋭い形状のロッキングカーブが得られる。一方、（００２）結晶面の向きが広く分散している場合では、ブロードなロッキングカーブが得られる。
したがって、このロッキングカーブの半値幅Δθ５０を垂直磁気記録媒体の結晶配向の良否の指標として用いることができる。そして、このΔθ５０の値が小さいほど、垂直磁気記録媒体の結晶配向は優れていると評価することができる。Δθ５０の測定結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
2009116986.tif 000003
【００５０】
表１に示すように、電磁変換特性（ＳＮ比）は、軟磁性裏打ち層に不活性ガスのプラズマ照射を行わなかった比較例１に対して、Ａｒプラズマ照射を行った実施例１，２，３及びＨｅ，Ｘｅ，Ｋｒのプラズマ照射を行った実施例４，５，６では改善していることを確認できた。
また、結晶構造（結晶配向）は、比較例１に対して実施例１〜６では大幅に向上していることを確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、本発明の実施形態を示す垂直磁気記録媒体の断面模式図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態を示す磁気記録再生装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・非磁性基板、２・・・軟磁性裏打ち層、３・・・配向制御層、４・・・下地層、５・・・中間層、６・・・垂直磁気記録層、７・・・保護層、８・・・潤滑剤層、１０・・・垂直磁気記録媒体、１００・・・磁気記録再生装置、１０１・・・媒体駆動部、１０２・・・磁気ヘッド、１０３・・・ヘッド駆動部、１０４・・・記録再生信号系
【図１】
2009116986.tif 000004
【図２】
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