(57)【要約】【課題】光学素子の製造作業効率を向上すると共に安定した特性を得る。【解決手段】波長変換結晶基板にダミー材基板を貼り付けた第１複合基板（２１）をレーザ結晶基板（１１）に貼り付けて第２複合基板（２２）とし、第２複合基板（２２）に切欠き（Ｋ）を入れ、反射ミラーコーティング（２１ｃ，１１ｃ）を施し、ライン（Ｃ）で切断し、複数の光学素子（９）を得る。【効果】貼り合わせ作業が容易になり、製造の作業効率を向上することが出来る。安定した品質で貼り合わせることが出来るため、ばらつきがなくなり、安定した特性が得られる。レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれを防止できる。【選択図】図１０
2009015039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記第２複合基板（２２）の前記レーザ結晶基板（１１）に切込み（Ｋ）を入れた後、反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施し、次いで前記ライン（Ｃ）で切断して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記第２複合基板（２２）の前記レーザ結晶基板（１１）にマスク（Ｍ）を付けた後、反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施し、次いで前記ライン（Ｃ）で切断して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の光学素子の製造方法において、前記マスク（Ｍ）が金属板であることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の光学素子の製造方法において、前記マスク（Ｍ）がフォトレジストリまたはポリイミドであり、前記ライン（Ｃ）で切断する前または切断後にリフトオフ法により除去されることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項５】
作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）に反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施し、他方、板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の他面に反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施し、前記反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施した第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と前記反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施したレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記第２複合基板（２２）を切断して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の光学素子の製造方法において、反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施すことによる反りを相殺するような反りを与えるように予め成形しておいた前記レーザ結晶基板（１１）に前記反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施すことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項７】
作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）に反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施し、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施した第１複合基板（２１）を切断し、他方、板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の他面に反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施し、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施したレーザ結晶基板（１１）を切断し、前記第１複合基板（２１）の切断片の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と前記レーザ結晶基板（１１）の切断片の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項８】
作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、前記第２複合基板（２２）に１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施し、次いで切断して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の光学素子の製造方法において、イオンアシスト法またはイオンプレーティング法を使用して前記反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の光学素子の製造方法において、イオンビームスパッタ法を使用して前記反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の光学素子の製造方法において、ＥＣＲスパッタ法を使用して前記反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項１２】
作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記第２複合基板（２２）を切断し、各切断片に反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の光学素子の製造方法において、前記波長変換結晶基板が、周期的分極反転構造を有する基板であることを特徴とする光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の製造方法に関し、さらに詳しくは、作業効率を向上でき、安定した特性が得られる光学素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ結晶と波長変換結晶とを一体化した構造の光学素子およびその製造方法が知られている（特許文献１参照。）。
さらに、内部に周期的分極反転構造を有する強誘電体結晶の製造方法が知られている（特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００５−５７０４３号公報
【特許文献２】特開２００５−２０８１９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
レーザ結晶と波長変換結晶とを一体化した構造の光学素子では、製造に際して、レーザ結晶のレーザ光出射面と波長変換結晶のレーザ光入射面とを貼り合わせて一体化する作業が必要になる。ここで、レーザ結晶のレーザ光出射面および波長変換結晶のレーザ光入射面の両方とも広い面積とすることが出来れば、貼り合わせる作業に困難はない。しかし、波長変換結晶のレーザ光入射面が狭い面積となる場合がある。例えば、結晶内に周期的分極反転構造を形成する必要がある波長変換結晶では、周期的分極反転構造の分極反転の周期と分極方向の結晶厚のアスペクト比の制約により、結晶厚を大きくできないため、レーザ光入射面が狭い面積となってしまう。このような場合は、レーザ結晶のレーザ光出射面と波長変換結晶のレーザ光入射面とを貼り合わせて一体化する作業が困難になり、作業効率が悪くなる問題点がある。また、安定した品質で貼り合わせることが困難になり、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がある。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、製造作業効率を向上でき、安定した特性が得られる光学素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１の観点では、本発明は、作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記第２複合基板（２２）の前記レーザ結晶基板（１１）に切込み（Ｋ）を入れた後、反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施し、次いで前記ライン（Ｃ）で切断して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第１の観点による光学素子の製造方法では、波長変換結晶基板とダミー材基板とを貼り合わせた第１複合基板（２１）をレーザ結晶基板（１１）に貼り付けるが、波長変換結晶基板とダミー材基板とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板（１１）に貼り付けることになるため、波長変換結晶基板だけをレーザ結晶基板（１１）に貼り合わせる作業に比べて、ずっと貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子（９）をまとめて製造できる。
【０００６】
さらに、レーザ結晶基板（１１）に切込み（Ｋ）を入れずに反射ミラーコーティングを施すと、成膜時の温度上昇（一般的な成膜では２００℃前後）や膜の応力によって第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とが逆方向に反って、レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれが発生する場合がある。
しかし、前記第１の観点による光学素子の製造方法では、レーザ結晶基板（１１）に切込み（Ｋ）を入れてから反射ミラーコーティングを施すため、レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれの発生を防止できる。この理由は、面積の大きなレーザ結晶基板（１１）が切込み（Ｋ）で面積の小さい区画に分離されるため、各区画における反りや応力が小さくなるからである。
なお、レーザ結晶基板（１１）に切込み（Ｋ）を入れるのに加えて、第１複合基板（２１）側にも切込みを入れてもよい。
【０００７】
第２の観点では、本発明は、作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記第２複合基板（２２）の前記レーザ結晶基板（１１）にマスク（Ｍ）を付けた後、反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施し、次いで前記ライン（Ｃ）で切断して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第２の観点による光学素子の製造方法では、波長変換結晶基板とダミー材基板とを貼り合わせた第１複合基板（２１）をレーザ結晶基板（１１）に貼り付けるが、波長変換結晶基板とダミー材基板とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板（１１）に貼り付けることになるため、波長変換結晶基板だけをレーザ結晶基板（１１）に貼り合わせる作業に比べて、ずっと貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子（９）をまとめて製造できる。
【０００８】
さらに、レーザ結晶基板（１１）にマスク（Ｍ）を付けずに反射ミラーコーティングを施すと、成膜時の温度上昇（一般的な成膜では２００℃前後）や膜の応力によって第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とが逆方向に反って、レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれが発生する場合がある。
しかし、前記第２の観点による光学素子の製造方法では、レーザ結晶基板（１１）にマスク（Ｍ）を付けてから反射ミラーコーティングを施すため、上記割れや接着の剥がれの発生を防止できる。この理由は、反射ミラーコーティングがマスク（Ｍ）で面積の小さい区画に分離されるため、各区画における反りや応力が小さくなるからである。
なお、レーザ結晶基板（１１）にマスク（Ｍ）を付けるのに加えて、第１複合基板（２１）側にもマスクを付けてもよい。
【０００９】
第３の観点では、本発明は、前記第２の観点による光学素子の製造方法において、前記マスク（Ｍ）が金属板であることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第３の観点による光学素子の製造方法では、マスク（Ｍ）が金属板であるため、反射ミラーコーティング後のマスク（Ｍ）の除去が容易になる。
【００１０】
第４の観点では、本発明は、前記第２の観点による光学素子の製造方法において、前記マスク（Ｍ）がフォトレジストリまたはポリイミドであり、前記ライン（Ｃ）で切断する前または切断後にリフトオフ法により除去されることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第４の観点による光学素子の製造方法では、マスク（Ｍ）がフォトレジストリまたはポリイミドであるため、レーザ結晶基板（１１）への密着性が良くなる。
【００１１】
第５の観点では、本発明は、作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）に反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施し、他方、板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の他面に反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施し、前記反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施した第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と前記反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施したレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記第２複合基板（２２）を切断して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第５の観点による光学素子の製造方法では、波長変換結晶基板とダミー材基板とを貼り合わせた第１複合基板（２１）をレーザ結晶基板（１１）に貼り付けるが、波長変換結晶基板とダミー材基板とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板（１１）に貼り付けることになるため、波長変換結晶基板だけをレーザ結晶基板（１１）に貼り合わせる作業に比べて、ずっと貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子（９）をまとめて製造できる。
【００１２】
さらに、第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とを貼り合わせた第２複合基板（２２）に反射ミラーコーティングを施すと、成膜時の温度上昇（一般的な成膜では２００℃前後）や膜の応力によって第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とが逆方向に反って、レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれが発生する場合がある。
しかし、前記第５の観点による光学素子の製造方法では、第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とを貼り合わせる前に、第１複合基板（２１）およびレーザ結晶基板（１１）に反射ミラーコーティングを施すため、上記割れや接着の剥がれの発生を防止できる。この理由は、レーザ結晶基板（１１）が自由に反ることが出来るため割れず、接着後に応力がかかることがないからである。
【００１３】
第６の観点では、本発明は、前記第５の観点による光学素子の製造方法において、反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施すことによる反りを相殺するような反りを与えるように予め成形しておいた前記レーザ結晶基板（１１）に前記反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施すことを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第６の観点による光学素子の製造方法では、反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施すことによる反りで予め与えておいた反りが相殺されてレーザ結晶基板（１１）が平坦になる。これにより、第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とを好適に接着できる。
なお、第１複合基板（２１）についても、反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施すことによる反りを相殺するような反りを与えるように予め成形しておくことが好ましい。
【００１４】
第７の観点では、本発明は、作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）に反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施し、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施した第１複合基板（２１）を切断し、他方、板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の他面に反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施し、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施したレーザ結晶基板（１１）を切断し、前記第１複合基板（２１）の切断片の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と前記レーザ結晶基板（１１）の切断片の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第７の観点による光学素子の製造方法では、波長変換結晶基板とダミー材基板とを貼り合わせた第１複合基板（２１）の切断片をレーザ結晶基板（１１）の切断片に貼り付けるが、切断片における波長変換結晶基板とダミー材基板とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板（１１）の切断片に貼り付けることになるため、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、大きな面積の第１複合基板（２１）およびレーザ結晶基板（１１）を切断するので、複数の光学素子（９）をまとめて製造できる。
【００１５】
さらに、第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とを貼り合わせた第２複合基板（２２）に反射ミラーコーティングを施すと、成膜時の温度上昇（一般的な成膜では２００℃前後）や膜の応力によって第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とが逆方向に反って、レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれが発生する場合がある。
しかし、前記第７の観点による光学素子の製造方法では、第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とを貼り合わせる前に、第１複合基板（２１）およびレーザ結晶基板（１１）に反射ミラーコーティングを施し、切断してから貼り合わせるため、上記割れや接着の剥がれの発生を防止できる。この理由は、レーザ結晶基板（１１）が自由に反ることが出来るため割れず、接着後に応力がかかることがないからである。
【００１６】
ここで、反射ミラーコーティング（２１ｃ）を施すことによる第１複合基板（２１）の反りと反射ミラーコーティング（１１ｃ）を施すことによるレーザ結晶基板（１１）の反りとは、接着面に対して逆方向になるため、大きな面積のままでは接着しにくい場合がある。
しかし、前記第７の観点による光学素子の製造方法では、第１複合基板（２１）およびレーザ結晶基板（１１）を切断してから貼り合わせる。個々の切断片では接着面積が小さくなるので反りも小さくなり、接着しやすくなる。
【００１７】
第８の観点では、本発明は、作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、前記第２複合基板（２２）に１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施し、次いで切断して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第８の観点による光学素子の製造方法では、波長変換結晶基板とダミー材基板とを貼り合わせた第１複合基板（２１）をレーザ結晶基板（１１）に貼り付けるが、波長変換結晶基板とダミー材基板とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板（１１）に貼り付けることになるため、波長変換結晶基板だけをレーザ結晶基板（１１）に貼り合わせる作業に比べて、ずっと貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子（９）をまとめて製造できる。
【００１８】
さらに、通常の反射ミラーコーティングでは、成膜時の温度上昇（一般的な成膜では２００℃前後）や膜の応力によって第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とが逆方向に反って、レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれが発生する場合がある。
しかし、前記第８の観点による光学素子の製造方法では、１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すため、レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれの発生を防止できる。この理由は、低温のため、反りや応力が小さくなるからである。
【００１９】
第９の観点では、本発明は、前記第８の観点による光学素子の製造方法において、イオンアシスト法またはイオンプレーティング法を使用して前記反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第９の観点による光学素子の製造方法では、１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことが出来る。
【００２０】
第１０の観点では、本発明は、前記第８の観点による光学素子の製造方法において、イオンビームスパッタ法を使用して前記反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第１０の観点による光学素子の製造方法では、１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことが出来る。
【００２１】
第１１の観点では、本発明は、前記第８の観点による光学素子の製造方法において、ＥＣＲスパッタ法を使用して前記反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第１１の観点による光学素子の製造方法では、１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施すことが出来る。
【００２２】
第１２の観点では、本発明は、作用長（Ｌ）の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも１面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第１複合基板（２１）とし、該第１複合基板（２１）の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面（１２ｉ）と板状体であってその一面がレーザ光出射面（１１ｏ）であるレーザ結晶基板（１１）の前記レーザ光出射面（１１ｏ）がある面とを貼り付けて第２複合基板（２２）とし、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って前記第２複合基板（２２）を切断し、各切断片に反射ミラーコーティング（１１ｃ，２１ｃ）を施して複数の光学素子（９）を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第１２の観点による光学素子の製造方法では、波長変換結晶基板とダミー材基板とを貼り合わせた第１複合基板（２１）をレーザ結晶基板（１１）に貼り付けるが、波長変換結晶基板とダミー材基板とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板（１１）に貼り付けることになるため、波長変換結晶基板だけをレーザ結晶基板（１１）に貼り合わせる作業に比べて、ずっと貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子（９）をまとめて製造できる。
【００２３】
さらに、第２複合基板（２２）に反射ミラーコーティングを施すと、成膜時の温度上昇（一般的な成膜では２００℃前後）や膜の応力によって第１複合基板（２１）とレーザ結晶基板（１１）とが逆方向に反って、レーザ結晶基板（１１）の割れや接着の剥がれが発生する場合がある。
しかし、前記第１２の観点による光学素子の製造方法では、複数の光学素子（９）として切断するライン（Ｃ）に沿って第２複合基板（２２）を切断してから反射ミラーコーティングを施すため、上記割れや接着の剥がれの発生を防止できる。この理由は、面積の大きなレーザ結晶基板（１１）が切断されて面積の小さい切断片に分離されるため、各切断片における反りや応力が小さくなるからである。
【００２４】
第１３の観点では、本発明は、前記第１から前記第１２のいずれかの観点による光学素子の製造方法において、前記波長変換結晶基板が、周期的分極反転構造を有する基板であることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第１３の観点による光学素子の製造方法では、周期的分極反転構造を有する基板を用いるが、この基板の光軸方向辺および幅方向辺で区画された面には周期的分極反転構造の分極反転の周期と分極方向の結晶厚のアスペクト比の制約がないため、波長変換結晶基板とダミー材基板の貼り合わせ面積を大きくすることができ、この貼り合わせ作業は容易になる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の光学素子の製造方法によれば、製造作業効率を向上でき、安定した特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図に示す実施例により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【実施例１】
【００２７】
図１は、実施例１に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
ステップＳ１では、図２に示すように、分極反転方向Ｄｒの光軸方向辺の長さＬ’、分極反転方向Ｄｒおよび分極方向Ｄｐに交差する幅方向の幅Ｇ、分極方向Ｄｐの厚さ方向の厚さｄの板状体である波長変換結晶大基板３２を作成する。長さＬ’は例えば６ｍｍ、幅Ｇは例えば６ｍｍ、厚さｄは例えば０.４ｍｍである。そして、ステップＳ３へ進む。
波長変換結晶大基板３２は、例えば特許文献２に記載の製造方法により製造できる。すなわち、所定サイズの強誘電体結晶大基板３２ａの対向面に周期電極３２ｂとベタ電極３２ｃを形成し、電極間に電圧を印加し、強誘電体結晶大基板３２ａの内部に周期的分極反転構造を形成する。電極の対向方向が分極方向Ｄｐになり、周期電極３２ｂの形状の周期パターン方向が分極反転方向Ｄｒになる。電極は、そのまま残しておいてもよいし、除去してもよい。ダミー材との接着にオプチカルコンタクトを利用する場合には除去する方が望ましい。
【００２８】
強誘電体結晶大基板３２ａは、例えば、ＭｇＯをドープした、定比組成（ストイキオメトリ）または定比組成に近いタンタル酸リチウム基板（ＭｇＯドープ定比組成タンタル酸リチウムｊ基板）であり、そのモル分率Ｌｉ2Ｏ／（Ｔａ2Ｏ5＋Ｌｉ2Ｏ）は０.４９５以上０.５０５未満である。
【００２９】
ステップＳ２では、図３の（ａ）に示すように、長さＬ’、幅Ｇ、厚さＷの板状体であるダミー材大基板１３−１を作成する。また、図３の（ｂ）に示すように、長さＬ’、幅Ｇ、厚さｗの板状体であるダミー材大基板１３−２を作成する。厚さＷは例えば１ｍｍ、厚さｗは例えば０.５ｍｍである。そして、ステップＳ３へ進む。
【００３０】
ダミー材は、ヒートシンクとして好適に機能するように、ガラスの熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する材料製とすることが好ましい。また、熱膨張した時の悪影響を抑制するため、熱膨張係数がレーザ結晶１や波長変換結晶２と同程度の材料とするのが好ましい。例えばＬＴ基板、ＣＬＴ基板、Ｃｕ基板である。
【００３１】
ステップＳ３では、図４に示すように波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１とを交互に貼り合わせ、両端にはダミー材大基板１３−２を貼り合わせ、第１複合大基板２１’を作成する。貼り合わせた方向の第１複合大基板２１’の幅Ｚは例えば７ｍｍである。
貼り合わせの方法は、接着剤を用いてもよいし、オプチカルコンタクトを用いてもよい。
【００３２】
ステップＳ４では、図５に示すように分極反転方向Ｄｒ（＝光軸方向）について所定の作用長Ｌごとに波長変換結晶大基板３２をダイシング装置で切断し、図６に示すごとき第１複合基板２１を複数得る。Ｃ’は切断線である。作用長Ｌは例えば２ｍｍである。
【００３３】
ステップＳ５では、分極反転方向Ｄｒに対向する第１複合基板２１の２面に光学研磨を施し、必要な場合にはＡＲ膜を成膜する。例えば、貼り合わせ面側に基本波に対するＡＲ膜を成膜する。
【００３４】
一方、ステップＳ８では、所定の厚さｈを持つレーザ結晶大基板を作成する。
ステップＳ９では、第１複合基板２１の長さＧと幅Ｚに合わせたサイズにレーザ結晶大基板を切断し、図７に示すごときレーザ結晶基板１１を得る。例えば、レーザ結晶基板１１の厚さｈは１ｍｍである。
レーザ結晶大基板は、例えばＹＡＧ結晶大基板である。
【００３５】
ステップＳ１０では、レーザ光が入射または出射するレーザ結晶基板１１の２面に光学研磨を施し、必要な場合にはＡＲ膜を成膜する。例えば、貼り合わせ面側に基本波に対するＡＲ膜を成膜する。
そして、ステップＳ１４へ進む。
【００３６】
ステップＳ１４では、図８に示すように、第１複合基板２１のＡＲ膜を成膜した面すなわちレーザ光入射面１２ｉとレーザ結晶基板１１のＡＲ膜を成膜した面すなわちレーザ光出射面１１ｏとを貼り合わせて第２複合基板２２を作成する。
貼り合わせの方法は、接着剤を用いてもよいし、オプチカルコンタクトを用いてもよい。
【００３７】
ステップＳ１５ａでは、図９に示すように、複数の光学素子として切断するラインＣに沿って第２複合基板２２のレーザ結晶基板１１に切込みＫを入れる。
ステップＳ１６ａでは、図１０に示すように、第２複合基板２２におけるレーザ結晶基板１１の切込みＫを入れた面に反射ミラーコーティング１１ｃを施すと共にその反対側の第１複合基板２１の面に反射ミラーコーティング２１ｃを施す。
ステップＳ１７では、反射ミラーコーティング２１ｃ，１１ｃを施した第２複合基板２２をラインＣで切断し、図１１に示す如き光学素子９を複数得る。
【００３８】
図１１において、光学素子９は、半導体レーザからの励起レーザ光Ｌｉにより励起されて基本波レーザ光を出すレーザ結晶１と、基本波レーザ光の高調波である波長変換レーザ光Ｌｏを出す波長変換結晶２と、波長変換結晶２をサンドイッチ状に挟むダミー材３とを具備している。
【００３９】
実施例１によれば次の効果が得られる。
（１）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２の貼り合わせ面積が大きい（例えば６ｍｍ×７ｍｍ）ので、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。
（２）第１複合大基板２１’の光軸方向辺について作用長Ｌで切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。
（３）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板１１に貼り付けることになるため、貼り合わせ作業が容易になる。
（４）ダミー材３として、ガラスより熱伝導のよい材料を用いれば、ヒートシンクとして好適に機能する。
（５）複数の光学素子９をまとめて製造できる。
（６）レーザ結晶基板１１が切欠きＫで面積の小さい区画に分離されるため、反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施すことによる反りや応力が各区画において小さくなり、レーザ結晶基板１１の割れや接着の剥がれの発生を防止できる。
【００４０】
先述の実施例１および後述の実施例を次のように変形してもよい。
ステップＳ５において、第１複合基板２１に研磨を施し、貼り合せ面にＡＲ膜を成膜する。
ステップＳ１０において、レーザ結晶基板１１に研磨を施し、貼り合せ面にＡＲ膜を成膜する。
ステップＳ１４において、第１複合基板２１とレーザ結晶基板１１とを貼り合せて仮第２複合基板を作成し、仮第２複合基板におけるレーザ入射面（レーザ結晶基板１１におけるレーザ光出射面１１ｏと反対側の面）およびレーザ出射面（第１複合基板２１におけるレーザ光入射面１２ｉと反対側の面）の２面に光学研磨を施し、ＨＲ膜を成膜して第２複合基板２２を作成する。
この変形によれば、第１複合基板２１とレーザ結晶基板１１とを貼り合せた後にＨＲ面を作成することで、平行平面精度が良い光学素子９を得られる。
【００４１】
また、波長変換結晶大基板３２の長さＬ’＝作用長Ｌとし、ダミー材大基板１３−１，１３−２の長さＬ’＝作用長Ｌとした後で、これらを貼り合わせてもよい。
【実施例２】
【００４２】
図１２は、実施例２に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
ステップＳ１〜Ｓ５，Ｓ８〜Ｓ１０およびＳ１４は、実施例１と同様である。
ステップＳ１４の後、ステップＳ１５ｂへ進む。
【００４３】
ステップＳ１５ｂでは、図１３に示すように、第２複合基板２２におけるレーザ入射面およびレーザ出射面の複数の光学素子として切断するラインＣに沿った帯状部分を遮蔽するマスクＭを付ける。マスクＭは、例えば金属板である。
【００４４】
ステップＳ１６ｂでは、第２複合基板２２におけるマスクＭを付けた面に反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施す。そして、マスクＭを除去する。図１４に、反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施した後、マスクＭを除去した第２複合基板２２を示す。
ステップＳ１７では、反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施した第２複合基板２２をラインＣで切断し、図１５に示す如き光学素子９を複数得る。
【００４５】
マスクＭは、金属板でもよいし、フォトレジストリまたはポリイミドでもよい。
なお、マスクＭが金属板の場合は、反射ミラーコーティング後にマスクＭを除去する。また、マスクＭがフォトレジストリまたはポリイミドの場合は、第２複合基板２２をラインＣで切断する前または切断後にリフトオフ法により除去する。
【００４６】
実施例２によれば次の効果が得られる。
（１）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２の貼り合わせ面積が大きい（例えば６ｍｍ×７ｍｍ）ので、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。
（２）第１複合大基板２１’の光軸方向辺について作用長Ｌで切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。
（３）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板１１に貼り付けることになるため、貼り合わせ作業が容易になる。
（４）ダミー材３として、ガラスより熱伝導のよい材料を用いれば、ヒートシンクとして好適に機能する。
（５）複数の光学素子９をまとめて製造できる。
（６）反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃがマスクＭで面積の小さい区画に分離されるため、反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施すことによる反りや応力が各区画において小さくなり、レーザ結晶基板１１の割れや接着の剥がれの発生を防止できる。
【実施例３】
【００４７】
図１６は、実施例３に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
ステップＳ１〜Ｓ５は、実施例１と同様である。
ステップＳ６では、図１７に示すように、第１複合基板２１のレーザ光入射面１２ｉと反対側の面に反射ミラーコーティング２１ｃを施す。そして、ステップＳ１４へ進む。
【００４８】
ステップＳ８〜Ｓ１０、実施例１と同様である。
ステップＳ１１では、図１８に示すように、レーザ結晶基板１１のレーザ光出射面１１ｏと反対側の面に反射ミラーコーティング１１ｃを施す。そして、ステップＳ１４へ進む。
【００４９】
ステップＳ１４では、図１９に示すように、第１複合基板２１のレーザ光入射面１２ｉとレーザ結晶基板１１のレーザ光出射面１１ｏとを貼り合わせて第２複合基板２２を作成する。
ステップＳ１７では、反射ミラーコーティング２１ｃ，１１ｃを施した第２複合基板２２をラインＣで切断し、図２０に示す如き光学素子９を複数得る。
【００５０】
実施例３によれば次の効果が得られる。
（１）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２の貼り合わせ面積が大きい（例えば６ｍｍ×７ｍｍ）ので、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。
（２）第１複合大基板２１’の光軸方向辺について作用長Ｌで切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。
（３）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板１１に貼り付けることになるため、貼り合わせ作業が容易になる。
（４）ダミー材３として、ガラスより熱伝導のよい材料を用いれば、ヒートシンクとして好適に機能する。
（５）複数の光学素子９をまとめて製造できる。
（６）第１複合基板２１とレーザ結晶基板１１とにそれぞれ単独に反射ミラーコーティング２１ｃ，１１ｃを施すため、それぞれが自由に反ることが出来て割れたりしない。また、接着後に反ることがないから接着の剥がれの発生を防止できる。
【００５１】
実施例３を次のように変形してもよい。
ステップＳ５において、図２１に示すように、第１複合基板２１に研磨を施し、反射ミラーコーティング２１ｃを施すことによる反りを相殺するような反りを与えるように予め成形しておく。
ステップＳ１０において、図２２に示すように、レーザ結晶基板１１に研磨を施し、反射ミラーコーティング１１ｃを施すことによる反りを相殺するような反りを与えるように予め成形しておく。
この変形によれば、予め与えておいた反りが反射ミラーコーティング２１ｃ，１１ｃを施すことによる反りによって相殺され第１複合基板２１およびレーザ結晶基板１１が平坦になるから、第１複合基板２１とレーザ結晶基板１１とを好適に接着できるようになる。
【実施例４】
【００５２】
図２３は、実施例４に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
ステップＳ１〜Ｓ６は、実施例３と同様である。
ステップＳ６の後、ステップＳ７へ進む。
【００５３】
ステップＳ７では、図２４に示すように反射ミラーコーティング２１ｃを施した第２複合基板２２をラインＣで切断し、図２５に示す如き切断片を複数得る。この切断片は、波長変換結晶２と、波長変換結晶２をサンドイッチ状に挟むダミー材３とを具備している。ステップＳ７の後、ステップＳ１３へ進む。
【００５４】
ステップＳ８〜Ｓ１１は、実施例３と同様である。
ステップＳ１１の後、ステップＳ１２へ進む。
【００５５】
ステップＳ１２では、図２６に示すように反射ミラーコーティング１１ｃを施したレーザ結晶基板１１をラインＣで切断し、図２７に示す如き切断片を複数得る。ステップＳ１２の後、ステップＳ１３へ進む。
【００５６】
ステップＳ１３では、図２５の切断片と図２７の切断片とを接着し、図２０に示す如き光学素子９を得る。
【００５７】
実施例４によれば次の効果が得られる。
（１）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２の貼り合わせ面積が大きい（例えば６ｍｍ×７ｍｍ）ので、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。
（２）第１複合大基板２１’の光軸方向辺について作用長Ｌで切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。
（３）図２５の切断片におけるレーザ光入射面２ｉの面積とダミー材部分３ｄの面積とを合わせた面積で図２７の切断片に貼り付けることになるため、貼り合わせ作業が容易になる。
（４）ダミー材３として、ガラスより熱伝導のよい材料を用いれば、ヒートシンクとして好適に機能する。
（５）複数の光学素子９をまとめて製造できる。
（６）第１複合基板２１とレーザ結晶基板１１とにそれぞれ単独で反射ミラーコーティング２１ｃ，１１ｃを施すため、それぞれが自由に反ることが出来て割れたりしない。また、面積の小さな切断片に切断してから接着するため、個々の切断片における反り量が小さくなり、好適に接着できる。さらに、接着後に反ることがないから接着の剥がれの発生を防止できる。
【実施例５】
【００５８】
図２８は、実施例５に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
ステップＳ１〜Ｓ５，Ｓ８〜Ｓ１０およびＳ１４は、実施例１と同様である。
ステップＳ１４の後、ステップＳ１６ｃへ進む。
【００５９】
ステップＳ１６ｃでは、第２複合基板２２に１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施す。例えば、イオンアシスト法，イオンプレーティング法，イオンビームスパッタ法，ＥＣＲスパッタ法を使用すれば、１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施すことが可能である。
ステップＳ１７では、反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施した第２複合基板２２を切断して複数の光学素子９を得る。
【００６０】
実施例５によれば次の効果が得られる。
（１）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２の貼り合わせ面積が大きい（例えば６ｍｍ×７ｍｍ）ので、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。
（２）第１複合大基板２１’の光軸方向辺について作用長Ｌで切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。
（３）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板１１に貼り付けることになるため、貼り合わせ作業が容易になる。
（４）ダミー材３として、ガラスより熱伝導のよい材料を用いれば、ヒートシンクとして好適に機能する。
（５）複数の光学素子９をまとめて製造できる。
（６）１００℃以下の成膜温度で反射ミラーコーティング１１ｃ，２１ｃを施すため、反りや応力が小さくなるから、レーザ結晶基板１１の割れや接着の剥がれの発生を防止できる。
【実施例６】
【００６１】
図２９は、実施例６に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
ステップＳ１〜Ｓ５，Ｓ８〜Ｓ１０およびＳ１４は、実施例１と同様である。
ステップＳ１４の後、ステップＳ１７へ進む。
【００６２】
ステップＳ１７では、図３０に示すように、第２複合基板２２をラインＣで切断し、図３１に示す如き切断片を複数得る。
【００６３】
ステップＳ１８では、第２複合基板２２の切断片に反射ミラーコーティングを施し、図２０に示す如き光学素子９を得る。
【００６４】
実施例６によれば次の効果が得られる。
（１）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２の貼り合わせ面積が大きい（例えば６ｍｍ×７ｍｍ）ので、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。
（２）第１複合大基板２１’の光軸方向辺について作用長Ｌで切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。
（３）波長変換結晶大基板３２とダミー材大基板１３−１，１３−２とを合わせた貼り合わせ面積でレーザ結晶基板１１に貼り付けることになるため、貼り合わせ作業が容易になる。
（４）ダミー材３として、ガラスより熱伝導のよい材料を用いれば、ヒートシンクとして好適に機能する。
（５）複数の光学素子９をまとめて製造できる。
（６）面積の小さな切断片に切断してから反射ミラーコーティング２１ｃ，１１ｃを施すため、個々の切断片における反りや応力が小さくなり、割れや接着の剥がれの発生を防止できる。
【実施例７】
【００６５】
（１）波長変換結晶大基板３２として、内部に周期的分極構造を有したＬＴ基板やＬＮ基板、ＭｇＯをドープしたＬＴ基板やＬＮ基板、ＫＴＰ基板も使用できる。
（２）ダミー材大基板１３−１，１３−２として、波長変換結晶２と同じ材料（周期的分極反転構造は必要ない）や、石英ガラス、ＢＫ−７なども使用できる。
（３）ダミー基板３を波長変換結晶２の片面だけに貼り合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の光学素子の製造方法は、例えばＳＨＧ波長変換技術を用いた半導体励起固体レーザ等に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】実施例１に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
【図２】波長変換結晶大基板を示す斜視図である。
【図３】ダミー材大基板を示す斜視図である。
【図４】第１複合大基板を示す斜視図である。
【図５】第１複合大基板の切断を示す斜視図である。
【図６】第１複合基板を示す斜視図である。
【図７】第１複合基板とレーザ結晶基板の貼り合わせ工程を示す斜視図である。
【図８】第２複合基板を示す斜視図である。
【図９】第２複合基板に切欠きを入れる工程を示す斜視図である。
【図１０】切欠きを入れた第２複合基板に反射ミラーコーティングを施す工程を示す斜視図である。
【図１１】実施例１に係る光学素子を示す斜視図である。
【図１２】実施例２に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
【図１３】第２複合基板にマスクを付ける工程を示す斜視図である。
【図１４】反射ミラーコーティングを施した後、マスクを除去した第２複合基板を示す斜視図である。
【図１５】実施例２に係る光学素子を示す斜視図である。
【図１６】実施例３に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
【図１７】反射ミラーコーティングを施した第１複合基板を示す斜視図である。
【図１８】反射ミラーコーティングを施したレーザ結晶基板を示す斜視図である。
【図１９】反射ミラーコーティングを施した第１複合基板と反射ミラーコーティングを施したレーザ結晶基板の貼り合わせ工程を示す斜視図である。
【図２０】実施例３に係る光学素子を示す斜視図である。
【図２１】反りを与えるように予め成形した第１複合基板を示す斜視図である。
【図２２】反りを与えるように予め成形したレーザ結晶基板を示す斜視図である。
【図２３】実施例４に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
【図２４】反射ミラーコーティングを施した第１複合基板を示す斜視図である。
【図２５】反射ミラーコーティングを施した第１複合基板の切断片を示す斜視図である。
【図２６】反射ミラーコーティングを施したレーザ結晶基板を示す斜視図である。
【図２７】反射ミラーコーティングを施したレーザ結晶基板の切断片を示す斜視図である。
【図２８】実施例５に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
【図２９】実施例６に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。
【図３０】第２複合基板の切断工程を示す斜視図である。
【図３１】第２複合基板の切断片を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６８】
１                      レーザ結晶
２                      波長変換結晶
３                      ダミー材
９                      光学素子
１１                    レーザ結晶基板
１１ｃ，２１ｃ          反射ミラーコーティング
１３−１，１３−２      ダミー材大基板
２１                    第１複合基板
２１’                  第１複合大基板
２２                    第２複合基板
３２                    波長変換結晶大基板
Ｃ，Ｃ’                切断線
Ｄｐ                    分極方向
Ｄｒ                    分極反転方向
Ｋ                      切欠き
Ｌ                      作用長
Ｍ                      マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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