(57)【要約】【課題】温度の変動があっても特性が安定しているとともに、小型、低背化が可能な弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】櫛歯電極１１、内部配線電極１２ａおよびこれらを取り囲む封止部薄膜１３ａが形成された圧電基板１０の主面側から、その圧電基板１０より熱膨張係数が小さい封止基板２０を一体に接合したことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
櫛歯電極、その櫛歯電極と電気的に接続された内部配線電極およびこれらを取り囲む封止部薄膜が形成された圧電基板の主面側から、その圧電基板より熱膨張係数が小さい封止基板を一体に接合したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記封止基板の厚さを前記圧電基板の厚さより厚くしたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記封止基板の前記櫛歯電極と対向する位置に凹みを形成して、前記圧電基板と封止基板を接合することにより、前記櫛歯電極と封止基板の間に空隙を形成したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記封止部薄膜の上に封止部厚付薄膜を積層し、その封止部厚付薄膜の上面と前記封止基板の封止面を接合することにより、前記櫛歯電極と封止基板の間に空隙を形成したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記内部配線電極の上に内部配線厚付電極を積層し、前記内部配線電極と封止部薄膜の膜厚がほぼ同じで、前記内部配線厚付電極と封止部厚付薄膜の膜厚がほぼ同じであり、その内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜の上面と前記封止基板の封止面を接合したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記封止基板の前記内部配線電極および封止部薄膜と対向する位置に内部配線接合電極および封止部接合薄膜を形成して、前記圧電基板の内部配線電極および封止部薄膜と前記封止基板の内部配線接合電極および封止部接合薄膜を接合したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記内部配線電極と内部配線接合電極が同一の金属であって、前記封止部薄膜と封止部接合薄膜が同一の金属であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記封止基板の前記内部配線電極および封止部薄膜と対向する位置に内部配線接合電極および封止部接合薄膜を形成して、前記内部配線電極および封止部薄膜の上に内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜を積層して、その内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜と前記内部配線接合電極および封止部接合薄膜を接合したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記内部配線厚付電極と内部配線接合電極が同一の金属であって、前記封止部厚付薄膜と封止部接合薄膜が同一の金属であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記封止基板の前記内部配線電極および封止部薄膜と対向する位置に内部配線接合電極および封止部接合薄膜を形成して、その内部配線接合電極および封止部接合薄膜の上に内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜を積層して、その内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜と前記内部配線電極および封止部薄膜を接合したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記内部配線電極と内部配線厚付電極が同一の金属であって、前記封止部薄膜と封止部厚付薄膜が同一の金属であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１２】
請求項８または１０に記載の弾性表面波デバイスにおいて、前記内部配線電極と内部配線接合電極を交差させて、その交差部分の内部配線厚付電極を形成しないように構成したクロス配線を備えたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１３】
圧電基板の主面に櫛歯電極、その櫛歯電極と電気的に接続された内部配線電極およびこれらを取り囲む封止部薄膜を形成する工程と、
前記櫛歯電極、内部配線電極および封止部薄膜を形成した圧電基板の前記主面側に、その圧電基板より熱膨張係数が小さい封止基板を接合する工程を備えたことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、前記圧電基板と圧電基板の接合を常温接合で行うことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、前記圧電基板と封止基板の接合工程後に前記封止基板側または圧電基板側から前記内部配線電極に達するビアホールを形成する工程と、
そのビアホール内に導電性材料を充填して外部電極を形成する工程を備えたことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、前記封止基板の前記圧電基板に形成された内部配線電極と対向する位置に予めビアホールを形成する工程と、
前記圧電基板と封止基板を接合する工程と、
前記ビアホール内に導電性材料を充填して外部電極を形成する工程を備えたことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイス及びその製造方法に係り、特に温度変化に対して特性変動の少ない弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機などの移動体通信機器に用いられる弾性表面波デバイスは、タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムなどの熱膨張率がおおよそ１６ｐｐｍ／Ｋと大きな圧電基板上に櫛歯電極が形成されている。このため弾性表面波デバイスは使用環境の温度変化により圧電基板が熱膨張し、それに伴い櫛歯電極相互の間隔などが変化して、弾性表面波デバイスの特性が変動し易い欠点がある。
【０００３】
これに対応するため、特許文献１，２には、圧電基板に熱膨張率の小さい補助基板を貼り付け、圧電基板の熱膨張を補助基板で抑制し、弾性表面波デバイスの温度特性を安定化することが掲載されている。
【０００４】
図１１は、この従来提案された弾性表面波デバイスの断面図である。図１１（ａ）は、圧電基板１０の裏面にそれよりも熱膨張率の小さい補助基板４０を直接貼り合わせ、圧電基板１０の表面に櫛歯電極１１や内部配線電極１２を形成した弾性表面波デバイスを示している。
【０００５】
図１１（ｂ）は、圧電基板１０の裏面に接合材４１を介して補助基板４０を貼り合わせ、圧電基板１０の表面に櫛歯電極１１や内部配線電極１２を形成した弾性表面波デバイスを示している。
【特許文献１】特開平１１−５５０７０号公報
【特許文献２】特開２００２−１３５０７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１１に示した従来の構造では、例えば温度が上昇したときに、熱膨張率の大きな圧電基板１０の伸びを熱膨張率の小さい補助基板４０である程度は拘束できるが、圧電基板１０は上に凸状に変形するため、圧電基板１０の上に形成されている櫛歯電極１１部の伸びの抑制効果は少ない。
【０００７】
また図１１に示した温度特性安定化構造は弾性表面波チップに対して施されたものであり、これを表面実装デバイスとするには、さらに中空構造パッケージに搭載する必要がある。
【０００８】
本発明の目的は、温度の変動があっても特性が安定しているとともに、小型、低背化が可能な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため本発明の第１の手段は、櫛歯電極、その櫛歯電極と電気的に接続された内部配線電極およびこれらを取り囲む封止部薄膜が形成された圧電基板の主面側から、その圧電基板より熱膨張係数が小さい封止基板を一体に接合したことを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の第２の手段は前記第１の手段において、前記封止基板の厚さを前記圧電基板の厚さより厚くしたことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の第３の手段は前記第１の手段において、前記封止基板の前記櫛歯電極と対向する位置に凹みを形成して、前記圧電基板と封止基板を接合することにより、前記櫛歯電極と封止基板の間に空隙を形成したことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第４の手段は前記第１の手段において、前記封止部薄膜の上に封止部厚付薄膜を積層し、その封止部厚付薄膜の上面と前記封止基板の封止面を接合することにより、前記櫛歯電極と封止基板の間に空隙を形成したことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の第５の手段は前記第４の手段において、前記内部配線電極の上に内部配線厚付電極を積層し、前記内部配線電極と封止部薄膜の膜厚がほぼ同じで、前記内部配線厚付電極と封止部厚付薄膜の膜厚がほぼ同じであり、その内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜の上面と前記封止基板の封止面を接合したことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第６の手段は前記第１の手段において、前記封止基板の前記内部配線電極および封止部薄膜と対向する位置に内部配線接合電極および封止部接合薄膜を形成して、前記圧電基板の内部配線電極および封止部薄膜と前記封止基板の内部配線接合電極および封止部接合薄膜を接合したことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第７の手段は前記第６の手段において、前記内部配線電極と内部配線接合電極が同一の金属であって、前記封止部薄膜と封止部接合薄膜が同一の金属であることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の第８の手段は前記第１の手段において、前記封止基板の前記内部配線電極および封止部薄膜と対向する位置に内部配線接合電極および封止部接合薄膜を形成して、前記内部配線電極および封止部薄膜の上に内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜を積層して、その内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜と前記内部配線接合電極および封止部接合薄膜を接合したことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の第９の手段は前記第８の手段において、前記内部配線厚付電極と内部配線接合電極が同一の金属であって、前記封止部厚付薄膜と封止部接合薄膜が同一の金属であることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の第１０の手段は前記第１の手段において、前記封止基板の前記内部配線電極および封止部薄膜と対向する位置に内部配線接合電極および封止部接合薄膜を形成して、その内部配線接合電極および封止部接合薄膜の上に内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜を積層して、その内部配線厚付電極および封止部厚付薄膜と前記内部配線電極および封止部薄膜を接合したことを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の第１１の手段は前記第１０の手段において、前記内部配線電極と内部配線厚付電極が同一の金属であって、前記封止部薄膜と封止部厚付薄膜が同一の金属であることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の第１２の手段は前記第８または第１０の手段において、前記内部配線電極と内部配線接合電極を交差させて、その交差部分の内部配線厚付電極を形成しないように構成したクロス配線を備えたことを特徴とするものである。
【００２１】
本発明の第１３の手段は、圧電基板の主面に櫛歯電極、その櫛歯電極と電気的に接続された内部配線電極およびこれらを取り囲む封止部薄膜を形成する工程と、
前記櫛歯電極、内部配線電極および封止部薄膜を形成した圧電基板の前記主面側に、その圧電基板より熱膨張係数が小さい封止基板を接合する工程を備えたことを特徴とするものである。
【００２２】
本発明の第１４の手段は前記第１３の手段において、前記圧電基板と圧電基板の接合を常温接合で行うことを特徴とするものである。
【００２３】
本発明の第１５の手段は前記第１３の手段において、前記圧電基板と封止基板の接合工程後に前記封止基板側または圧電基板側から前記内部配線電極に達するビアホールを形成する工程と、
そのビアホール内に導電性材料を充填して外部電極を形成する工程を備えたことを特徴とするものである。
【００２４】
本発明の第１６の手段は前記第１３の手段において、前記封止基板の前記圧電基板に形成された内部配線電極と対向する位置に予めビアホールを形成する工程と、
前記圧電基板と封止基板を接合する工程と、
前記ビアホール内に導電性材料を充填して外部電極を形成する工程を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は前述のような構成になっており、温度の変動があっても特性が安定しているとともに、小型、低背化が可能な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施例について図とともに説明する。  
【実施例１】
【００２７】
図１は、本発明の実施例１に係る弾性表面波デバイスの断面図である。  
同図において１０は例えばタンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムなどからなる圧電基板、１１はその圧電基板１０の上に形成された櫛歯電極、１２ａはその櫛歯電極１１と電気的に接続されている内部配線電極、１３ａは櫛歯電極１１および内部配線電極１２ａを囲むようにパターニングされた封止部薄膜である。図１０にこれら櫛歯電極１０、内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａの概念的な配置を示している。
【００２８】
前記内部配線電極１２ａと封止部薄膜１３ａの上には、それぞれ内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂが同じ厚さ積層され、これにより櫛歯電極１１の上部に空隙１５を確保し、弾性表面波の振動を妨げない構造となっている。前記内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂは、主に所定の厚さを確保するために設けられた膜であり、そのため両方とも「厚付」と表現している。
【００２９】
封止基板２０は内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂの上面に常温接続され、圧電基板１０と封止基板２０に挟まれて封止部薄膜１３ａと封止部厚付薄膜１３ｂの積層体で囲まれた中空パッケージを構成している。
【００３０】
外部への電極取り出しは、封止基板２０に形成されたビアホールに導電材料を充填することにより、内部配線電極１２ａと外部電極３０を電気的に接続して行う。
【００３１】
圧電基板１０は、タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムなどの熱膨張率がおおよそ１６ｐｐｍ／Ｋである高熱膨張材料が使われているが、封止基板２０にはおおよそ３ｐｐｍ／Ｋである低熱膨張材料としてＳｉやガラス材料を使って、圧電基板１０と封止基板２０を機械的に一体に連結することにより、圧電基板１０の櫛歯電極１１などが形成される側の主面の熱膨張率を見掛け上小さくしている。
【００３２】
例えばデバイスサイズ１ｍｍ×２ｍｍで、圧電基板１０を厚さ１００μｍのタンタル酸リチウム、封止基板２０を厚さ２００μｍのＳｉとし、両者の間隔を１０μｍで封止したとき、圧電基板１０の主面の熱膨張率は圧電基板１０そのものの７０％以下に抑制できる。
【００３３】
次に本実施例について他の部材の材料および弾性表面波デバイスの製造プロセスを図６と図7を用いて説明する。
【００３４】
図６（１）において、圧電基板１０の主面にＡｌまたはＡｌ合金からなる櫛歯電極１１、内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａを形成する。これら電極１１、１２ａ、１３ａは、前述の材料をスパッタリングによって成膜し、通常のホトリソグラフィー工法で同時にしかも同じ膜厚にパターンニングして形成される。
【００３５】
図６（２）において、内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂを形成するため、リフトオフ用レジスト５０をラミネートまたは塗布し、それを通常のホトリソグラフィー工法でパターンニングする。
【００３６】
図６（３）において、前記リフトオフ用レジスト５０の上に内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂの材料をスパッタリングによって成膜してスパッタ金属膜５１を形成する。前記材料はＡｌ、Ａｌ合金、Ｔｉ、ＴｉとＣｕの積層膜など低抵抗で常温接合し易い金属材料が好適である。
【００３７】
図６（４）において、前記リフトオフ用レジスト５０を除去し、内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂを一度に形成する。このように厚さが一様な金属膜５１を形成して、そこから内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂをパターンニングすれば、内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂを同じ厚さにすることができる。
【００３８】
図６（５）において、内部配線厚付電極１２ｂと封止部厚付薄膜１３ｂを形成した圧電基板１０と封止基板２０を対向させた状態で、高真空チャンバ内にて両接合面にＡｒビーム６０を照射し、両接合面を活性化（クリーニング）処理する。
【００３９】
図６（６）において、表面を活性化処理した内部配線厚付電極１２ｂの表面ならびに封止部厚付薄膜１３ｂの表面と封止基板２０の表面を密着させて加圧６１することにより、内部配線厚付電極１２ｂならびに封止部厚付薄膜１３ｂと封止基板２０を常温（室温）接合する。図１０は、この常温接合時の状態を示す概念斜視図である。
【００４０】
図７（７）において、内部配線電極１２ａと外部電極３０を電気接続するため、内部配線厚付電極１２ｂと対応する所定の位置にビアホール形成のためにサンドブラスト用レジスト７０をラミネートし、通常のホトリソグラフィー工法でパターンニングする。
【００４１】
図７（８）において、前記サンドブラスト用レジスト７０で覆われていない部分にサンドブラスト７１を行い、ビアホール２２を形成する。ビアホール２２は、内部配線厚付電極１２ｂあるいは内部配線電極１２ａに達するかやや貫通する程度の深さに形成する。
【００４２】
図７（９）において、サンドブラスト用レジスト７０を除去し、ビアホール２２の充填および外部電極３０をめっき形成するための給電膜３１をスパッタリングによって成膜する。給電膜３１は、ＴｉあるいはＣｒを厚さ０．０１μｍスパッタリングし、給電抵抗を下げるためにＣｕを０．１〜０．５μｍ程度連続してスパッタリングする。
【００４３】
図７（１０）において、めっき用レジスト８０をラミネートし、通常のホトリソグラフィー工法で外部電極３０と同じ形状にパターンニングする。
【００４４】
図７（１１）において、前記給電膜３１を通し、電気めっき工法によりビアホール２２内に導電材料を充填して外部電極３０と同じ形状にめっき膜３２を形成する。なお、電気めっきは外部電極３０のはんだ接続耐性を確保するためにＮｉを３〜１０μｍ程度めっきし、表面酸化を防止するため薄くＡｕフラッシュめっきするか、Ｎｉめっき後にＳｎまたはＳｎＡｇを厚くめっきしてはんだ材としてもよい。
【００４５】
図７（１２）において、めっき用レジスト８０を除去し、続いて外部電極３０以外の給電膜３１を外部電極３０をマスクとして選択エッチングで除去する。
【００４６】
図７（１３）において、最後にダイシング９０を行い、個片に分離して弾性表面波デバイスを得る。
【００４７】
本実施例では封止基板２０側からビアホール２２を形成したが、圧電基板１０側からビアホール２２を形成することも可能である。
【実施例２】
【００４８】
図８と図９は、本発明の実施例２に係る弾性表面波デバイスの製造プロセスを説明するための図である。
【００４９】
実施例１では封止基板２０として何の加工も施していないウエハ基板を用いたが、実施例２ではビアホール２２を予めサンドブラスト法によって形成した封止基板２０を用いる。
【００５０】
図８（１）〜（４）のプロセスは、前記実施例１の図７（１）〜（４）のプロセスと同じであるので、それらの説明は省略する。  
図８（５）において、内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂを形成後の圧電基板１０と、ビアホール２２をサンドブラスト法によって形成した封止基板２０を対向させ、高真空チャンバ内にて両接合面にＡｒビーム６０を照射し、表面を活性化（クリーニング）処理する。
【００５１】
図８（６）において、活性化処理した内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂの表面と封止基板２０の表面を密着させて加圧６１することにより、両者を常温（室温）接合する。
【００５２】
ビアホール２２が形成された封止基板２０を用いることにより、実施例１で説明した図７（７）および（８）のビアホール形成プロセスが省略できる。その後の給電膜３１の形成から最後のダイシング９０までのプロセスは実施例１で説明した図７（９）〜（１３）のプロセスと同じであり、これを図９（７）〜（１１）に示した。
【実施例３】
【００５３】
図２は、実施例３に係る表面弾性波デバイスの断面図である。本実施例の場合、内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａの上に内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂは形成しないで、圧電基板１０上には櫛歯電極１１、内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａの一層のみが形成されている。また、封止基板２０の方には櫛歯電極１１と対向する位置に凹み２１が形成されている。そして内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａの表面と封止基板２０の封止面を接合する構造になっている。
【００５４】
この構造は、内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂを形成する必要がなく、櫛歯電極１１の上部に空隙１５が確保でき、表面弾性波の振動を妨げない構造となっている。
【実施例４】
【００５５】
図３は、実施例４に係る表面弾性波デバイスの断面図である。実施例1では圧電基板１０上に、櫛歯電極１１、内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａを形成し、さらに内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａの上に内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂを積層形成した。本実施例では、圧電基板１０上に櫛歯電極１１、内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａの一層のみが形成され、封止基板２０の前記内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａと対向する位置に内部配線接合電極１２ｃおよび封止部接合薄膜１３ｃが形成されている。
【００５６】
そして圧電基板１０と封止基板２０を重ね合わせて、内部配線電極１２ａと内部配線接合電極１２ｃ、封止部薄膜１３ａと封止部接合薄膜１３ｃを接合することで、実施例１で用いた内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂを省略した構造になっている。
【００５７】
内部配線接合電極１２ｃおよび封止部接合薄膜１３ｃの厚さに相当する空隙１５を櫛歯電極１１の上部に確保でき、表面弾性波の振動を妨げない構造となっている。この構造では、接合を金属−金属間で行うことができるので常温接合し易い同一金属が選択でき、プロセスに自由度があり、歩留まりを確保し易い。
【実施例５】
【００５８】
図４は、実施例５に係る表面弾性波デバイスの断面図である。本実施例の場合、内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａと対向する封止基板２０に内部配線接合電極１２ｃおよび封止部接合薄膜１３ｃを形成し、内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａ上、あるいは内部配線接合電極１２ｃおよび封止部接合薄膜１３ｃ上に内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂを積層する。
【００５９】
そして内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂと内部配線接合電極１２ｃおよび封止部接合薄膜１３ｃ、あるいは内部配線厚付電極１２ｂおよび封止部厚付薄膜１３ｂと内部配線電極１２ａおよび封止部薄膜１３ａを接合することで、櫛歯電極１１の上部に十分な空隙１５を確保でき、表面弾性波の振動を妨げない構造となっている。本実施例も実施例４と同様に、接合を金属−金属間で行うことができるので常温接合し易い同一金属が選択でき、プロセスに自由度があり、歩留まりを確保し易い。
【実施例６】
【００６０】
図５は、実施例６に係る表面弾性波デバイスの断面図である。本実施例の場合、内部配線電極１２ａと内部配線接合電極１２ｃを交差させ、その部分の内部配線厚付電極１２ｂを形成しないように構成したクロス配線１４を具備した構造になっている。
【００６１】
クロス配線１４により、内部配線の引き回し自由度を上げることができ、デバイス設計がし易く、かつ配線や櫛歯電極１１の最適配置が可能となる。
【００６２】
実施例３〜６に係る表面弾性波デバイスの製造プロセスは実施例１および２で説明したどちらの製造プロセスも適用可能である。
【００６３】
前記実施例で記載した材料の組み合わせや膜厚などは代表的なものを示したものであって、同様な機能等が期待できる他の構成のものでも構わない。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、環境温度変化に対する周波数変動の少ないギガヘルツ帯の帯域通過フィルタやディプレクサにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施例１に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図２】本発明の実施例３に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図３】本発明の実施例４に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図４】本発明の実施例５に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図５】本発明の実施例６に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図６】本発明の実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造プロセス図である。
【図７】本発明の実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造プロセス図である。
【図８】本発明の実施例２に係る弾性表面波デバイスの製造プロセス図である。
【図９】本発明の実施例２に係る弾性表面波デバイスの製造プロセス図である。
【図１０】本発明の実施例に係る常温接合を説明するための概念図である。
【図１１】従来の弾性表面波デバイスの断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０…圧電基板、１１…櫛歯電極、１２…内部配線電極、１２ａ…内部配線電極、１２ｂ…内部配線厚付電極、１２ｃ…内部配線接合電極、１３ａ…封止部薄膜、１３ｂ…封止部厚付薄膜、１３ｃ…封止部接合薄膜、１４…クロス配線、１５…空隙、２０…封止基板、２１…凹み、２２…ビアホール、３０…外部電極、３１…給電膜、３２…めっき膜、４０…補助電極、４１…接合材、５０…リフトオフ用レジスト、５１…スパッタ金属膜、６０…Ａｒビーム、６１…加圧、７０…サンドブラスト用レジスト、７１…サンドブラスト、８０…めっき用レジスト、９０…ダイシング。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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