(57)【要約】【課題】外部電極の表面にめっき層を確実に形成することができるセラミック部品を提供する。【解決手段】セラミックコンデンサのセラミック焼結体１０４は、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面を有し、コンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面上には複数のプレーン状電極１１１，１１２が配置されている。各電極１１１，１１２のメタライズ導体層１５２は、ニッケル金属１５７、ニッケル酸化物１５８及びチタン酸バリウム１５９を含んで構成され、ニッケル金属相とペロブスカイト型酸化物相との界面にニッケル酸化物１５８が存在している。メタライズ導体層１５２の表面におけるニッケル金属１５７の割合は、その内部におけるニッケル金属１５７の割合よりも高くなっている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面及び基板裏面を有するセラミック基板と、
ニッケル金属、ニッケル酸化物及びペロブスカイト型酸化物を含んで構成され、ニッケル金属相とペロブスカイト型酸化物相との界面に前記ニッケル酸化物が存在し、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に配置される外部電極と
を備えたセラミック部品であって、
前記外部電極の最表部におけるニッケル金属の割合は、前記外部電極の内部におけるニッケル金属の割合よりも高いことを特徴とするセラミック部品。
【請求項２】
前記外部電極の最表部におけるニッケル金属の割合は５０％よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のセラミック部品。
【請求項３】
前記外部電極の最表部におけるニッケル金属の粒子径は、前記外部電極の内部におけるニッケル金属の粒子径よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック部品。
【請求項４】
前記セラミック基板において、前記ペロブスカイト型酸化物を含むセラミック誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置され、ニッケル金属を主体とし前記複数の内部電極に接続された複数のコンデンサ内ビア導体が設けられ、
前記外部電極が、前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記基板主面側及び前記基板裏面側の少なくとも一方の端部に接続され、
前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセラミック部品。
【請求項５】
前記外部電極の表面上には銅めっきが施されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のセラミック部品。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のセラミック部品を製造する方法であって、
前記外部電極の表面に砥粒をぶつけることで、その表面に存在するペロブスカイト型酸化物及びニッケル酸化物を選択的に除去する表面研磨処理を施すことを特徴とするセラミック部品の製造方法。
【請求項７】
前記表面研磨処理は、湿式状態で研磨するウェットブラスト処理であることを特徴とする請求項６に記載のセラミック部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のセラミック部品が、コア主面及びコア裏面を有する樹脂コア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部内に収容されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板主面及び基板裏面を有するセラミック基板と、その基板主面及び基板裏面の少なくとも一方に配置される外部電極とを備えたセラミック部品及びその製造方法、セラミック部品を内蔵した配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。例えば、樹脂コア基板内にコンデンサを埋め込んだ配線基板（例えば特許文献１や特許文献２参照）や、樹脂コア基板の表面や裏面に形成されたビルドアップ層内にコンデンサを埋め込んだ配線基板が従来提案されている。
【０００３】
上記の配線基板に内蔵されるコンデンサとしては、ビアアレイタイプのセラミックコンデンサが実用化されている。このセラミックコンデンサは、複数のセラミック誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層配置されたセラミック焼結体を備える。そして、このセラミック焼結体において、各セラミック誘電体層を貫通して各内部電極層と電気的に接続される複数のコンデンサ内ビア導体がアレイ状に配置されている。さらに、セラミック焼結体の表面及び裏面には、コンデンサ内ビア導体の端部に接続される外部電極が配置されている。
【０００４】
この種のセラミックコンデンサは以下のようにして製造される。まず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料のグリーンシートに、内部電極層用の導電体ペーストを所定のパターンで印刷する。その後、複数のグリーンシートを積層した後、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。また、レーザ加工によりグリーンシート積層体にビアホールを多数個形成し、導電体ペーストを各ビアホールに充填する。さらに、グリーンシート積層体の表面及び裏面に導電体ペーストを印刷することで外部電極となる導体層を形成する。次に、周知の手法に従って乾燥工程や脱脂工程などを行った後、さらにセラミックが焼結しうる１０００℃〜１３００℃程度の温度にて焼成工程を行う。これにより、グリーンシート積層体を焼結させてセラミック焼結体とする。この時点でセラミックは硬質化しかつ収縮すると同時に、導電体ペーストも焼結して硬質化する。その結果、内部電極層、コンデンサ内ビア導体、及び外部電極を有するセラミック焼結体を得ることができる。
【０００５】
ところで、前記導電体ペーストの導電材としては、一般にパラジウムが用いられてきたが、パラジウムは高価であるため、比較的に安価なニッケルが使用されるようになってきている。このニッケルを用いる場合、セラミック焼結体の焼成時において、内部電極層やコンデンサ内ビア導体と誘電体層との熱収縮挙動が大きく異なるため、クラックやデラミネーションなどの問題が発生してしまう。このため、ニッケル金属を主材料とする導電体ペーストにセラミック焼結体と同種のセラミック粉末（チタン酸バリウムの粉末）を共材として添加し、熱膨張係数差を低減することにより、上記の問題を回避している。
【０００６】
また、外部電極の低抵抗化を図るために、その外部電極の表面には銅めっきが施される。さらに、外部電極の銅めっき層を粗化することにより、配線基板への内蔵時において、その配線基板を構成する絶縁樹脂層との接触面積が大きくなるため、セラミックコンデンサと絶縁樹脂層との密着性が向上する。
【特許文献１】特開２００５−３９２４３号公報（図４など）
【特許文献２】特開２００７−１９４６１７公報（図１６など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記セラミック焼結体の焼成時には、外部電極の表面が酸化されるため、その表面でのニッケル酸化物の割合が多くなる。ところが、外部電極の表面において、ニッケル酸化物やチタン酸バリウムが多く存在すると、めっき濡れ性が低下してしまうため、外部電極の表面に銅めっきを確実に形成することができなくなる。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部電極の表面にめっき層を確実に形成することができるセラミック部品を提供することにある。また本発明の別の目的は、上記のセラミック部品を製造するのに好適なセラミック部品の製造方法を提供することにある。さらに本発明の別の目的は、上記セラミック部品を内蔵した好適な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面及び基板裏面を有するセラミック基板と、ニッケル金属、ニッケル酸化物及びペロブスカイト型酸化物を含んで構成され、ニッケル金属相とペロブスカイト型酸化物相との界面に前記ニッケル酸化物が存在し、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に配置される外部電極とを備えたセラミック部品であって、前記外部電極の最表部におけるニッケル金属の割合は、前記外部電極の内部におけるニッケル金属の割合よりも高いことを特徴とするセラミック部品がある。
【００１０】
従って、手段１のセラミック部品によると、外部電極の最表部は、ニッケル金属の割合が外部電極の内部におけるニッケル金属の割合よりも高いため、銅めっきの密着性が向上する。従って、外部電極の最表部にめっき層を確実に形成することができ、製品の信頼性を高めることができる。
【００１１】
前記外部電極の最表部におけるニッケル金属の割合は５０％よりも大きいことが好ましい。このようにすれば、外部電極の最表部におけるニッケル金属の割合が比較的大きくなるため、銅めっきの密着性を向上することができる。また、外部電極の内部では、ニッケル金属の割合が外部電極最表部よりも低くなっており、ペロブスカイト型酸化物がより多く存在するため、セラミック基板と銅めっきとの熱膨張係数の差を低減することができる。ゆえに、クラックやデラミネーションなどの問題を未然に防ぐことができる。
【００１２】
前記外部電極の最表部におけるニッケル金属の見掛け上の粒子径は、前記外部電極の内部におけるニッケル金属の見掛け上の粒子径よりも大きいことが好ましく、具体的には前記外部電極の内部におけるニッケル金属の見掛け上の粒子径よりも２倍以上大きいことが好ましい。この場合、外部電極の最表部において、銅めっきの密着性を向上することができるとともに、水分の浸入経路が少なくなることで耐湿性を向上することができる。
【００１３】
前記セラミック部品としては、チップコンデンサやセラミックコンデンサなどを挙げることができる。また、好適なセラミックコンデンサの例としては、前記ペロブスカイト型酸化物を含むセラミック誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置されたセラミック基板を備え、ニッケル金属を主体とし前記複数の内部電極層に接続された複数のコンデンサ内ビア導体が設けられ、前記外部電極が、前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記基板主面側及び前記基板裏面側の少なくとも一方の端部に接続されたセラミックコンデンサなどを挙げることができる。なお、セラミックコンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのセラミックコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電圧安定化が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。
【００１４】
なお、前記ペロブスカイト型酸化物としては、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどを挙げることができる。この種の酸化物は高い誘電率を有しているのでコンデンサにおける誘電体として極めて好適であり、それを使用することにより高容量のコンデンサを実現しやすくなる。
【００１５】
前記外部電極の表面上には銅めっきが施されていることが好ましい。この場合、外部電極の低抵抗化を図ることができる。また、銅めっきは比較的柔らかいので、その表面の粗化を容易に行うことができる。
【００１６】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、前記セラミック部品を製造する方法であって、前記外部電極の表面に砥粒をぶつけることで、その表面に存在するペロブスカイト型酸化物及びニッケル酸化物を選択的に除去する表面研磨処理を施すことを特徴とするセラミック部品の製造方法がある。
【００１７】
従って、手段２のセラミック部品の製造方法によると、表面研磨処理において、外部電極の表面に砥粒がぶつけられることにより、外部電極の表面に存在するペロブスカイト型酸化物及びニッケル酸化物が選択的に除去される。また、外部電極の最表部におけるニッケル金属は、砥粒の衝突によって面状に延ばされてその粒子径が大きくなる。従って、外部電極の最表部におけるニッケル金属の割合が外部電極の内部におけるニッケル金属の割合よりも高くなり、外部電極の最表部における銅めっきの密着性を向上することができる。さらに、外部電極の最表部におけるニッケル金属の粒子径が大きくなるため、その最表部における耐湿性を向上することができる。
【００１８】
前記表面研磨処理は、湿式状態で研磨するウェットブラスト処理であることが好ましい。この場合、砥粒による外部電極の表面の研磨とその表面の洗浄とを迅速に行うことができ、その処理コストを低減することができる。ウェットブラスト処理は、乾式処理に比べて、多数個取り基板のような大面積のワークを均一に研磨するうえで有利だからである。ウェットブラスト処理は一般的な圧力条件よりも低圧の条件にて行われることが望ましく、具体的には５．０ＭＰａ以下、特には０．２ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下で処理を行うことが好適である。また、ウェットブラスト処理用いられる研磨材としては特に限定されないが、ペロブスカイト型酸化物及びニッケル酸化物よりも硬質の無機物砥粒が好ましく、その具体例としては、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、窒化ほう素などの砥粒が挙げられる。
【００１９】
さらに、上記課題を解決するための別の手段(手段３)としては、前記セラミック部品が、コア主面及びコア裏面を有する樹脂コア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部内に収容されていることを特徴とする配線基板がある。
【００２０】
従って、手段３の配線基板によると、セラミック部品の外部電極にめっき層を確実に形成することができるため、その外部電極を介して配線基板の導体層との電気的接続を適切に行うことができる。また、外部電極に形成された銅めっき層の粗化を行うことにより、絶縁樹脂層との接触面積が大きくなるため、セラミック部品と絶縁樹脂層との密着性を向上することができる。
【００２１】
前記樹脂コア基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。
【００２２】
上記配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。なお、配線積層部は、前記コア主面上及び前記コア裏面上のいずれか一方にのみ形成されていてもよいし、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成されていてもよいが、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成されることが好ましい。このように構成すれば、コア主面上に形成された配線積層部とコア裏面上に形成された配線積層部との両方に電気回路を形成できるため、配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。
【００２３】
前記樹脂層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂層間絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を配線基板に具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２５】
図１に示されるように、本実施の形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状の樹脂コア基板１１と、樹脂コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、樹脂コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２（配線積層部）とからなる。
【００２６】
樹脂コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、第１ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。また、第１層の樹脂層間絶縁層３３内における複数箇所にはビア導体４７が形成されている。各ビア導体４７の上端となる箇所は樹脂層間絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続されている。第２層の樹脂層間絶縁層３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。各ビア導体４３の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続されており、各ビア導体４３の上端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３５の表面上に形成された端子パッド４４に接続されている。これらのビア導体４３，４７は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。
【００２７】
樹脂コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４７が形成されている。各ビア導体４７の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３４の表面上に形成された導体層４２に接続されている。第２層の樹脂層間絶縁層３６内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、樹脂層間絶縁層３６の下面上において各ビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００２８】
本実施の形態の樹脂コア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．９０ｍｍの平面視略矩形板状である。樹脂コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層１６３とによって構成されている。また、樹脂コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２、コア裏面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、樹脂コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通するとともに、導体層１６３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、樹脂層間絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、樹脂層間絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。また、樹脂コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、樹脂コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。なお、収容穴部９０は、四隅に面取り寸法０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の面取り部を有している。
【００２９】
そして、収容穴部９０内には、図２，図３等に示すセラミックコンデンサ１０１（セラミック部品）が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向け、かつ、コンデンサ裏面１０３をコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．７４ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、樹脂コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。
【００３０】
図１等に示されるように、収容穴部９０の内面と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、高分子材料（本実施の形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）からなる樹脂充填部９２によって埋められている。この樹脂充填部９２は、セラミックコンデンサ１０１を樹脂コア基板１１に固定する機能を有している。なお、セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施の形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵するときや、温度変化に伴う樹脂充填部９２の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部９２のクラックの発生を防止できる。
【００３１】
図１〜図３等に示されるように、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（セラミック基板）は、基板主面である１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、基板裏面である１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６（図１では左面、右面）を有する板状物である。
【００３２】
図２に示されるように、セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１（内部電極）とグランド用内部電極層１４２（内部電極）とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。
【００３３】
図１，図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。なお本実施の形態において、ビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。
【００３４】
そして図２，図３等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用プレーン状電極１１１（外部電極）と複数の主面側グランド用プレーン状電極１１２（外部電極）とが設けられている。各プレーン状電極１１１，１１２は、コンデンサ主面１０２において互いに平行に配置されており、幅３００μｍ×厚さ２５μｍの平面視略矩形状をなす帯状パターンである（図３参照）。主面側電源用プレーン状電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用プレーン状電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。
【００３５】
また、図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用プレーン状電極１２１（外部電極）と複数の裏面側グランド用プレーン状電極１２２（外部電極）とが設けられている。各プレーン状電極１２１，１２２は、コンデンサ裏面１０３において互いに平行に配置されており、幅３００μｍ×厚さ２５μｍの平面視略矩形状をなす帯状パターンである。裏面側電源用プレーン状電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用プレーン状電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用プレーン状電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用プレーン状電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。
【００３６】
図４にて模式的に示されるように、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２は、第１の金属層であるメタライズ導体層１５１と、第２の金属層であるめっき層１５２とからなっている。メタライズ導体層１５１は、前記コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の上に配置されており、ニッケル金属１５７、ニッケル酸化物１５８及びチタン酸バリウム１５９（ペロブスカイト型酸化物）を含んで構成されている。具体的には、メタライズ導体層１５１は、主材料のニッケル金属１５７に対して、例えば３０ｖｏｌ％のチタン酸バリウム１５９を含んでいる。また、メタライズ導体層１５１では、ニッケル金属１５７の金属相とチタン酸バリウム１５９の酸化物相との界面にニッケル酸化物１５８が存在している。
【００３７】
めっき層１５２は、ニッケルよりも導電性の高い銅からなり、メタライズ導体層１５１の表面を全体的に被覆している。さらに、めっき層１５２の表面は粗化されており、めっき層１５２の表面の算術平均粗さＲａは０．４μｍに設定されている。なお、「算術平均粗さＲａ」とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。算術平均粗さＲａの測定方法はＪＩＳ  Ｂ０６５１に準じるものとする。
【００３８】
図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にあるプレーン状電極１１１，１１２は、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にあるプレーン状電極１２１，１２２は、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。
【００３９】
例えば、マザーボード側からプレーン状電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００４０】
次に、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１の製造方法について述べる。
【００４１】
先ず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料のグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
【００４２】
さらに、レーザ加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うようにプレーン状電極１１１，１１２のメタライズ導体層１５１を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うようにプレーン状電極１２１，１２２のメタライズ導体層１５１を形成する。
【００４３】
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各メタライズ導体層１５１をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。
【００４４】
なお、このセラミック焼結体１０４は、コンデンサとなるべき製品領域１５５が平面方向に沿って縦横に複数配列され、それら製品領域１５５を分割するためのブレイク溝１５６が形成された多数個取り用セラミック基板である（図５参照）。
【００４５】
セラミック焼結体１０４の焼成時には、メタライズ導体層１５１の表面が酸化されるため、図６に示されるように、メタライズ導体層１５１の表面にはニッケル酸化物１５８が形成される。また、メタライズ導体層１５１の表面の一部にはチタン酸バリウム１５９の粒体が露出している。このため、本実施の形態では、セラミック焼結体１０４の各メタライズ導体層１５１に対してウェットブラスト処理（表面研磨処理）を施す。具体的には、水に研磨材（例えば、アルミナの砥粒）を含ませた処理液をジェットスクラブ装置（図示略）から所定の圧力（例えば、０．２ＭＰａ）でメタライズ導体層１５１の表面に噴射する。このとき、図７に示されるように、研磨材１６０がメタライズ導体層１５１の表面にぶつかり、湿式状態でメタライズ導体層１５１の表面が研磨される。その結果、図８に示されるように、メタライズ導体層１５１の表面に存在するチタン酸バリウム１５９及びニッケル酸化物１５８が選択的に除去される。また、メタライズ導体層１５１の表面におけるニッケル金属１５７は、研磨材１６０の衝突によって面状に延ばされ、その見掛け上の粒子径が大きくなる。ここで、チタン酸バリウム１５９の粒体の上部が削り取られることで凹部が形成されるが、ニッケル金属１５７がその凹部を覆うように変形する。この結果、メタライズ導体層１５１の表面（外部電極の最表部）におけるニッケル金属１５７の割合がメタライズ導体層１５１の内部におけるニッケル金属１５７の割合よりも高くなり、メタライズ導体層１５１の表面における銅めっきの密着性が向上する。
【００４６】
本発明者は、メタライズ導体層１５１の表面及び内部におけるＳＥＭ写真を撮影し、そのＳＥＭ写真に基づいて、ニッケル金属１５７の割合（面積率）及び粒子径を測定した。その結果、メタライズ導体層１５１の表面におけるニッケル金属１５７の割合は６１％であり、内部におけるニッケル金属１５７の割合は３９％であった。また、粒子径は、表面が７．５μｍであり、内部が２．７μｍであった。なおここでは、ＳＥＭ写真において、左右、上下、中央の５箇所で測定ラインを縦横方向に設定した。そして、各測定ライン上でのニッケル金属の割合や粒子径を測定し、それらの平均値を測定値として求めた。
【００４７】
上記のようにセラミック焼結体１０４の各メタライズ導体層１５１に表面研磨処理を施した後、各メタライズ導体層１５１に対して電解銅めっき（厚さ１５μｍ）を行う。その結果、各メタライズ導体層１５１の上にめっき層１５２が形成されることで、各プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２が形成される。そして、セラミック焼結体１０４のブレイク溝１５６で各製品領域１５５を分割することにより、複数個のセラミックコンデンサ１０１が完成する。
【００４８】
次に、本実施の形態の配線基板１０の製造方法について述べる。
【００４９】
先ず、コア基板準備工程では、樹脂コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００５０】
樹脂コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．６５ｍｍの基材１６１の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って導体層１６３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材１６４を形成する。
【００５１】
次に、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に導体層４１（厚さ５０μｍ）をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、樹脂コア基板１１の中間製品を得る（図９参照）。なお、樹脂コア基板１１の中間製品とは、樹脂コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００５２】
続く収容工程では、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、コア主面１２とコンデンサ主面１０２と同じ側に向け、かつ、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（図１０参照）。なお、収容穴部９０のコア裏面１３側開口は、剥離可能な粘着テープ１７１でシールされている。この粘着テープ１７１は、支持台（図示略）によって支持されている。かかる粘着テープ１７１の粘着面には、セラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定されている。
【００５３】
そして、この状態において、収容穴部９０の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間に、ディスペンサ装置（Ａｓｙｍｔｅｋ社製）を用いて、熱硬化性樹脂製の樹脂充填部９２（株式会社ナミックス製）を充填する。その後、加熱処理を行うと、樹脂充填部９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０内に固定される（図１１参照）。そして、この時点で、粘着テープ１７１を剥離する。
【００５４】
その後、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を構成するめっき層１５２の表面を粗化する（図４参照）。
【００５５】
次に、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３３を形成する（図１２参照）。また、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３４を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。
【００５６】
その後、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザ孔あけ加工を行い、樹脂層間絶縁層３３においてビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。また、樹脂層間絶縁層３４においても、同様にビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。
【００５７】
さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、樹脂コア基板１１及び樹脂層間絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、樹脂層間絶縁層３３，３４の表面上、ビア孔の内面、及び、貫通孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂層間絶縁層３３上に導体層４２が形成されるとともに、樹脂層間絶縁層３４上に導体層４２がパターン形成される。これと同時に、貫通孔内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体４７が形成される。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する。
【００５８】
次に、樹脂層間絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を有する樹脂層間絶縁層３５，３６を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザ加工機などにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体４３を形成するとともに、樹脂層間絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、樹脂層間絶縁層３６上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。
【００５９】
次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。
【００６０】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６１】
（１）本実施の形態の場合では、セラミック焼結体１０４の焼成後に表面研磨処理が実施され、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を構成するメタライズ導体層１５１の表面に研磨材１６０をぶつけることにより、その表面に存在するチタン酸バリウム１５９及びニッケル酸化物１５８が選択的に除去される。また、メタライズ導体層１５１の表面に露出したニッケル金属１５７は、研磨材１６０の衝突によって面状に延ばされてその見掛け上の粒子径が大きくなる。従って、メタライズ導体層１５１の表面におけるニッケル金属１５７の割合がメタライズ導体層１５１の内部におけるニッケル金属１５７の割合よりも高くなる。その結果、メタライズ導体層１５１の表面における銅めっきの密着性を向上することができ、メタライズ導体層１５１の表面にめっき層１５２を確実に形成することができる。また、メタライズ導体層１５１の表面におけるニッケル金属１５７の粒子径が大きくなるため、水分の浸入経路が少なくなりその表面の耐湿性を向上することができる。
【００６２】
（２）本実施の形態の場合、セラミック焼結体１０４の表面研磨処理としてウェットブラスト処理が実施されるので、メタライズ導体層１５１の表面研磨を適切に行うことができる。具体的には、セラミック焼結体１０４は、複数の製品領域１５５を分割するブレイク溝１５６が形成された多数個取り用セラミック基板であり、サイズが大きな大判のセラミック基板となるため、チップコンデンサで従来から用いられているバレル研磨を適用することができない。そこで、本実施の形態では、ウェットブラスト処理を実施し、研磨材１６０を含ませた処理液を適度な圧力（例えば、０．２ＭＰａ）で噴射することにより、セラミック焼結体１０４がブレイク溝１５６で割れるといった問題を回避しつつセラミック焼結体１０４の表面全体に対して均一に研磨処理を行うことができる。さらに、ウェットブラスト処理では、研磨材１６０が水に混ざっているため、ドライブラスト処理のように研磨剤が粉塵として空気中に飛散することがない。また、その処理中において水が研磨材１６０を洗い流すため、メタライズ導体層１５１の表面における研磨材１６０の残留を抑制することができる。
【００６３】
（３）本実施の形態の配線基板１０では、セラミック部品としてビアアレイタイプのセラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０に収納されている。このセラミックコンデンサ１０１では、複数のビア導体１３１，１３２が全体としてアレイ状に配置されているので、セラミックコンデンサ１０１のインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、セラミックコンデンサ１０１全体の小型化が図りやすくなり、ひいては配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、ＩＣチップ２１に対してより安定した電源供給が可能となる。
【００６４】
（４）本実施の形態の配線基板１０では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００６５】
（５）本実施の形態の配線基板１０では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００６６】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００６７】
・上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は樹脂コア基板１１内に収容されていた。しかし、上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１などよりも薄いセラミックコンデンサ３０３（厚さ０．０８ｍｍ）を形成し、そのセラミックコンデンサ３０３を第１ビルドアップ層３１０内（例えば図１３参照）に収容してもよい。この場合、樹脂コア基板１１のコア主面１２上に樹脂シート（未硬化状態の樹脂層間絶縁層３０）をラミネートし、樹脂シートが硬化する前に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、セラミックコンデンサ３０３を樹脂シート上に配置する。その後、樹脂シートを硬化させて樹脂層間絶縁層３０とする。さらに、樹脂層間絶縁層３０及び導体層４２を交互に形成すれば、第１ビルドアップ層３１０が完成する。なお、この配線基板１０では、セラミックコンデンサ３０３において、各プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に銅めっきを施すことにより突起状導体５０を予め形成しておき、その突起状導体５０を介してプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２と導体層４２とを接続している。
【００６８】
このようにすれば、セラミックコンデンサ１０１が樹脂コア基板１１内に収容される場合に比べて、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ３０３とを電気的に接続する導通経路（コンデンサ接続配線）が短くなる。これにより、配線のインダクタンス成分の増加が防止されるため、セラミックコンデンサ３０３によりＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ３０３との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。なお、薄くしたセラミックコンデンサ３０３を用いたとしてもセラミックコンデンサ３０３自体は厚いため、図１３では、ビルドアップ層を、上記実施の形態よりも肉厚の樹脂層間絶縁層（樹脂層間絶縁層３０）からなる第１ビルドアップ層３１０に具体化している。なお、上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１を、上記実施の形態と同じ第１ビルドアップ層３１内に収容してもよい。
【００６９】
・上記実施の形態では、メタライズ導体層１５１の表面研磨処理として、湿式状態で研磨するウェットブラスト処理を実施するものであったが、これに限定されるものではない。例えば、乾式状態の研磨処理であるドライブラスト処理によって、メタライズ導体層１５１の表面を研磨してもよい。なおこの場合には、メタライズ導体層１５１の表面に研磨材や研磨屑が付着するため、それら研磨材や研磨屑を洗い流すための洗浄処理を行うことが好ましい。
【００７０】
・上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１では、平面視略矩形状をなすプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を外部電極として備えるものであったが、その外部電極の形状は、円形状などの形状に適宜変更してもよい。また、セラミックコンデンサ１０１において、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２は、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の両方に設けられるものであったが、いずれか一方のみに設けられていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明を具体化した一実施の形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】セラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】セラミックコンデンサを示す上面図。
【図４】セラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。
【図５】セラミック焼結体を示す上面図。
【図６】セラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図７】セラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図８】セラミックコンデンサの製造方法の説明図。
【図９】配線基板の製造方法の説明図。
【図１０】配線基板の製造方法の説明図。
【図１１】配線基板の製造方法の説明図。
【図１２】配線基板の製造方法の説明図。
【図１３】他の実施の形態における配線基板を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００７２】
１０…配線基板
１１…樹脂コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３１…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３２…配線積層部としての第２ビルドアップ層
３３，３４，３５，３６…樹脂層間絶縁層
４２…導体層
１０１…セラミック部品としてのセラミックコンデンサ
１０２…基板主面としてのコンデンサ主面
１０３…基板裏面としてのコンデンサ裏面
１０４…セラミック基板としてのセラミック焼結体
１０５…セラミック誘電体層
１１１…外部電極としての主面側電源用プレーン状電極
１１２…外部電極としての主面側グランド用プレーン状電極
１２１…外部電極としての裏面側電源用プレーン状電極
１２２…外部電極としての裏面側グランド用プレーン状電極
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極としての電源用内部電極層
１４２…内部電極としてのグランド用内部電極層
１５７…ニッケル金属
１５８…ニッケル酸化物
１５９…ペロブスカイト型酸化物としてのチタン酸バリウム
１６０…砥粒としての研磨材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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