(57)【要約】【課題】従来より面積の小さいダミー領域により表示領域における機能層の層厚ムラの防止・抑制効果が従来と同等に得られる電気光学装置および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００は、基板１０と、基板１０上に位置しており、表示に寄与する複数の有効画素２と、基板１０上の複数の有効画素２の周囲に位置しており、表示に寄与しない複数のダミー画素６と、基板１０上に設けられており、複数の有効画素２のそれぞれの領域と複数のダミー画素６のそれぞれの領域とを区画する隔壁２８と、有効画素２の領域に機能液を配置して形成された機能層３０と、ダミー画素６の領域に機能液を配置して形成されたダミー機能層４０と、を備え、ダミー機能層４０の底部から隔壁２８の頂上部までの高さＨｄは、機能層３０の底部から隔壁２８の頂上部までの高さＨｅよりも高いことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置しており、表示に寄与する複数の第１の画素と、
前記基板上の前記複数の第１の画素の周囲に位置しており、表示に寄与しない複数の第２の画素と、
前記基板上に設けられており、前記複数の第１の画素のそれぞれの領域と前記複数の第２の画素のそれぞれの領域とを区画する隔壁と、
前記第１の画素の前記領域に機能液を配置して形成された第１の機能層と、
前記第２の画素の前記領域に機能液を配置して形成された第２の機能層と、を備え、
前記第２の機能層の底部から前記隔壁の頂上部までの高さは、前記第１の機能層の底部から前記隔壁の頂上部までの高さよりも高いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第２の画素の前記領域の最大径は、前記第１の画素の前記領域の最大径よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置であって、
前記第２の機能層の層厚は、前記第１の機能層の層厚よりも厚いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置であって、
前記複数の第２の画素のうち、前記電気光学装置の角部に位置する前記第２の画素の前記領域に形成された前記第２の機能層の層厚は、前記角部に位置する前記第２の画素以外の前記第２の画素の前記領域に配置された前記第２の機能層の層厚よりも厚いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置であって、
前記第１の機能層と前記基板との間に位置する電極と、
前記電極と前記基板との間に位置する下地層と、をさらに備え、
前記電極と前記下地層とは、前記第２の画素の前記領域以外に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置であって、
前記下地層は、有機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項５に記載の電気光学装置であって、
前記下地層は、無機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置であって、
前記下地層は、前記電極の前記基板側に位置するＴＦＴ素子の層間絶縁層を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置であって、
前記第１の機能層と前記第２の機能層とは、有機エレクトロルミネセンス層であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置であって、
前記第１の機能層と前記第２の機能層とは、所定の色光を選択的に透過する色要素であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ方式の電気光学装置の製造には、有機機能層を液滴吐出法により形成する方法が広く用いられている。液滴吐出法では、有機機能層の構成材料を含む機能液を所定の領域、例えば画素の領域に選択的に配置し、この機能液から溶媒を蒸発させて有機機能層を形成する。このため、プロセスを簡易にするとともに原材料の使用量を少なくすることができる。
【０００３】
一方で、液滴吐出法では、表示に寄与する画素が位置する表示領域のうち周辺部で、配置された機能液から蒸発する溶媒分子の分圧が表示領域の中央部よりも低くなる場合がある。このような現象は、表示領域の周辺部のうちでも特に角部において生じやすい。このような現象が生じると、表示領域の周辺部において機能液の乾燥速度が速くなり、その結果、画素内あるいは画素間で有機機能層の層厚ムラが生じることがある。このような層厚ムラは、輝度ムラや発光色ムラ等の表示ムラの原因となる。
【０００４】
そこで、表示領域に位置する画素とほぼ同じ面積と深さとを有し表示に寄与しないダミー画素を表示領域の外側に配置し、表示領域に位置する画素に形成する有機機能層の構成材料を含む機能液をこのダミー画素に配置することで、表示領域の中央部と周辺部とにおいて有機機能層の層厚ムラが生じることを防止あるいは抑制する構成が提案されている（例えば特許文献１）。
【０００５】
また、ダミー領域を配置することによる層厚ムラの防止・抑制効果を高めるために、ダミー領域に吐出する単位面積あたりの溶媒の量を表示領域に吐出する単位面積あたりの溶媒の量よりも多くする構成（例えば特許文献２）や、ダミー領域における有機機能層の液受容部の面積を大きくする構成（例えば特許文献３）が提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２２２６９５号公報
【特許文献２】特開２００６−３８７０号公報
【特許文献３】特開２００６−２１６４７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の各構成では、ダミー領域の面積をある程度大きくする必要があり、表示領域の面積を確保するためには、電気光学装置全体の面積を大きくしなければならない。電気光学装置全体の面積が大きくなると、電気光学装置のコスト上昇を招くとともに、電気光学装置を備えた電子機器が大型化するという課題があった。
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板上に位置しており、表示に寄与する複数の第１の画素と、前記基板上の前記複数の第１の画素の周囲に位置しており、表示に寄与しない複数の第２の画素と、前記基板上に設けられており、前記複数の第１の画素のそれぞれの領域と前記複数の第２の画素のそれぞれの領域とを区画する隔壁と、前記第１の画素の前記領域に機能液を配置して形成された第１の機能層と、前記第２の画素の前記領域に機能液を配置して形成された第２の機能層と、を備え、前記第２の機能層の底部から前記隔壁の頂上部までの高さは、前記第１の機能層の底部から前記隔壁の頂上部までの高さよりも高いことを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、複数の第１の画素のそれぞれの領域に液滴吐出法により機能液を配置して第１の機能層を形成する場合、第１の画素の周囲に位置する複数の第２の画素のそれぞれの領域にも同じ機能液を配置することで、機能液の液滴を配置する範囲が複数の第１の画素の周囲よりも広くなる。このため、第１の画素の領域に配置された機能液の周囲には第１の画素、または第２の画素の領域に配置された機能液が存在する。これにより、複数の第１の画素の領域に配置される機能液の乾燥速度をほぼ同じにできるので、表示に寄与する第１の画素の領域に形成される第１の機能層の層厚をほぼ均一にすることができる。
【００１１】
さらに、第２の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さが第１の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さよりも高いので、第２の画素の領域における単位面積あたりの機能液の受容量は第１の画素の領域における単位面積あたりの機能液の受容量よりも多い。これにより、従来のような第２の画素の領域と第１の画素の領域とにおける単位面積あたりの機能液の受容量が同じ場合に比べて、表示に寄与しない第２の画素の領域における単位面積あたりの機能液の受容量を増大できる。
【００１２】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第２の画素の前記領域の最大径は、前記第１の画素の前記領域の最大径よりも小さくてもよい。
【００１３】
この構成によれば、第２の画素の領域の最大径が第１の画素の領域の最大径よりも小さいので、従来のような第２の画素の領域の面積と第１の画素の領域の面積とが同じ場合に比べて、表示に寄与しない複数の第２の画素の電気光学装置全体に占める面積を小さくできる。また、第２の画素の領域における単位面積あたりの機能液の受容量が従来よりも多いので、第２の画素の領域が従来より小さくても、従来とほぼ同量の機能液を配置できる。これにより、電気光学装置全体の面積が従来と同じであれば、第２の画素の領域に機能液を配置することによる効果を従来と同等に維持しつつ、表示に寄与する複数の第１の画素の領域の面積を従来より大きくできる。
【００１４】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第２の機能層の層厚は、前記第１の機能層の層厚よりも厚くてもよい。
【００１５】
この構成によれば、第２の機能層の層厚は第１の機能層の層厚よりも厚いので、第２の画素の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は第１の画素の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。このため、従来のように第２の画素の領域の面積と第１の画素の領域の面積とが同じ場合、第２の画素の領域に従来よりも多くの機能液を配置できる。また、第２の画素の領域に配置する機能液の量が従来と同じ量である場合、表示に寄与しない第２の画素の領域の面積を従来よりも小さくできる。
【００１６】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記複数の第２の画素のうち、前記電気光学装置の角部に位置する前記第２の画素の前記領域に形成された前記第２の機能層の層厚は、前記角部に位置する前記第２の画素以外の前記第２の画素の前記領域に配置された前記第２の機能層の層厚よりも厚くてもよい。
【００１７】
この構成によれば、電気光学装置の角部に位置する第２の画素の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は、それ以外の第２の画素の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。このため、電気光学装置の角部に位置する第２の画素の領域の面積と角部以外に位置する第２の画素の領域の面積とが同じ場合、角部に位置する第２の画素の領域に配置された機能液の量はそれ以外の第２の画素の領域に配置された機能液の量よりも多い。これにより、複数の第２の画素の中でも特に乾燥の速い、電気光学装置の角部に位置する第２の画素の領域における機能液の乾燥時間を長くすることができる。したがって、複数の第２の画素の領域に配置される機能液の乾燥速度のバラツキが抑えられるので、表示に寄与する第１の画素の領域に形成される機能層の層厚をより均一にすることができる。
【００１８】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１の機能層と前記基板との間に位置する電極と、前記電極と前記基板との間に位置する下地層と、をさらに備え、前記電極と前記下地層とは、前記第２の画素の前記領域以外に配置されていてもよい。
【００１９】
この構成によれば、第１の機能層の基板側には電極と下地層とが位置している。一方、第２の画素の領域には電極と下地層とは配置されないので、第２の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さを、第１の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さに対して、少なくとも電極と下地層との層厚分高くできる。
【００２０】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記下地層は有機材料からなっていてもよい。
【００２１】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記下地層は無機材料からなっていてもよい。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記下地層は、前記電極の前記基板側に位置するＴＦＴ素子の層間絶縁層を含んでいてもよい。
【００２３】
この構成によれば、層間絶縁層を第２の画素の領域に配置しないことで、第２の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さを、第１の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さに対して、層間絶縁層の層厚分さらに高くできる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１の機能層と前記第２の機能層とは、有機エレクトロルミネセンス層であってもよい。
【００２５】
この構成によれば、表示に寄与する第１の画素の領域に形成される有機エレクトロルミネセンス層の層厚ムラが抑えられるので、表示ムラのない有機エレクトロルミネセンス装置を提供できる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１の機能層と前記第２の機能層とは、所定の色光を選択的に透過する色要素であってもよい。
【００２７】
この構成によれば、表示に寄与する第１の画素の領域に形成される色要素の層厚ムラが抑えられるので、色ムラのないカラーフィルタを備えた電気光学装置を提供できる。
【００２８】
［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、電子機器は表示ムラのない有機エレクトロルミネセンス装置または色ムラのないカラーフィルタを備えているので、優れた表示品質を有する電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。
【００３１】
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図１および図２は、第１の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図である。図２は、詳しくは、図１のＡ部を拡大して示した図である。図３は、第１の実施形態に係る電気光学装置の回路構成図である。図４は、第１の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図２のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。なお、図２では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
【００３２】
本実施形態に係る電気光学装置１００は、図１に示すように、基板１０と、基板１０上に位置する有効表示エリアＥとダミーエリアＤとを有している。ダミーエリアＤは、有効表示エリアＥの周囲に位置している。
【００３３】
図２に示すように、基板１０上の有効表示エリアＥには、赤、緑、青の表示に寄与する第１の画素としての有効画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ（対応する色について区別しない場合には単に有効画素２とも呼ぶ）が複数配置されている。有効画素２は、電気光学装置１００の表示の最小単位であり、隣り合う有効画素２同士の間に間隔が空くように、マトリクス状に配置されている。なお、Ｘ軸は有効画素２の行方向を示し、Ｙ軸は有効画素２の列方向を示している。
【００３４】
有効画素２は、有機エレクトロルミネセンス素子（以下有機ＥＬ素子と呼ぶ）８を表示素子として備えており、赤、緑、青のそれぞれに発光する有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂにより得られた光を表示光として出力するようになっている。有効画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから画素群４が構成されている。電気光学装置１００では、画素群４において有効画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００３５】
基板１０上のダミーエリアＤには、有効画素２が配置された有効表示エリアＥの全周囲に亘って、表示に寄与しない第２の画素としてのダミー画素６が複数配置されている。ダミー画素６は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のそれぞれにおいて、有効画素２とほぼ同じピッチで配列されている。
【００３６】
基板１０上には、有効表示エリアＥとダミーエリアＤとに亘って隔壁２８が設けられている。隔壁２８は、ほぼ格子状に形成されており、有効画素２のそれぞれの領域とダミー画素６のそれぞれの領域とを区画している。隔壁２８は、有効表示エリアＥに有効画素２に対応する開口部２８ｅを複数有しており、ダミーエリアＤにダミー画素６に対応する開口部２８ｄを複数有している。開口部２８ｅすなわち有効画素２の領域は、例えば最大径２ａを有する長円形である。開口部２８ｅの形状は、円形、四隅が丸い四角形、またはその他の形状であってもよい。開口部２８ｄすなわちダミー画素６の領域は、開口部２８ｅとほぼ同じ形状であり、最大径６ａを有している。ダミー画素６の最大径６ａは、有効画素２の最大径２ａよりも小さい。また、ダミー画素６の面積は、有効画素２の面積よりも小さい。
【００３７】
次に、図３を参照して、電気光学装置１００の回路構成を説明する。図３に示すように、電気光学装置１００は、基板１０上に有効画素２のそれぞれに対応して設けられた、スイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１１，１２と、保持容量１３と、電極としての画素電極２６と、共通電極５０と、第１の機能層としての機能層３０と、を備えている。画素電極２６は陽極として機能し、共通電極５０は陰極として機能する。画素電極２６と、共通電極５０と、機能層３０と、によって有機ＥＬ素子８が構成される。
【００３８】
基板１０上には、さらに、データ線駆動回路１４と、走査線駆動回路１５と、Ｘ軸の方向に沿って延びる複数の走査線１６と、Ｙ軸の方向に沿って延びる複数の信号線１７と、信号線１７に並列に延びる複数の電源線１８と、が設けられている。なお、図２と同様に、Ｘ軸は有効画素２の行方向を示し、Ｙ軸は有効画素２の列方向を示している。走査線駆動回路１５には走査線１６が接続されており、走査線１６を介して走査信号がスイッチング用ＴＦＴ１１のゲート電極に供給される。
【００３９】
一方、データ線駆動回路１４には信号線１７が接続されており、スイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、信号線１７を介して供給される画像信号が保持容量１３に保持され、この保持容量１３の状態に応じてスイッチング用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、スイッチング用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に電気的に接続したとき、電源線１８から画素電極２６に駆動電流が流れ、さらに機能層３０を通じて共通電極５０に電流が流れる。機能層３０は、画素電極２６と共通電極５０との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００４０】
なお、表示に寄与しないダミー画素６（図２参照）には、スイッチング用ＴＦＴ１１，１２、保持容量１３、画素電極２６、等の有効画素２の駆動回路を設けなくてもよい。したがって、ダミー画素６が位置するダミーエリアＤ（図２参照）にデータ線駆動回路１４、走査線駆動回路１５等の少なくとも一部を配置してもよい。
【００４１】
次に、図４を参照して、電気光学装置１００の概略構成を説明する。電気光学装置１００は、機能層３０から発した光が基板１０側に射出されるボトムエミッション方式である。なお、図４では、画素電極２６を駆動するためのスイッチング用ＴＦＴ１２を含むＴＦＴ素子部２０とその層間絶縁層２２とを示すが、それ以外の素子、配線、接続部等の詳細は省略する。
【００４２】
電気光学装置１００は、基板１０上に、ＴＦＴ素子部２０と、層間絶縁層２２と、下地層としての平坦化層２４と、画素電極２６と、隔壁２８と、機能層３０と、第２の機能層としてのダミー機能層４０と、共通電極５０と、接着層４６と、封止基板４８と、を備えている。
【００４３】
基板１０は、透光性を有する材料からなる。透光性を有する材料としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。
【００４４】
ＴＦＴ素子部２０と、層間絶縁層２２と、は基板１０上に形成されている。ＴＦＴ素子部２０は、有効画素２のそれぞれに対応して設けられており、有効画素２のそれぞれの領域に重ならないように配置されている。
【００４５】
平坦化層２４は、ＴＦＴ素子部２０と層間絶縁層２２とを覆うように形成されている。平坦化層２４は、ダミーエリアＤに、例えばエッチングにより設けられた複数の貫通孔２４ｄを有している。貫通孔２４ｄのそれぞれは、ダミー画素６のそれぞれの領域に対応しており、最大径６ａを有する長円形状である（図２参照）。平坦化層２４は、例えば透光性を有するアクリル樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる。平坦化層２４の層厚は、例えば２μｍ〜８μｍである。
【００４６】
画素電極２６は、平坦化層２４上に有効画素２のそれぞれに対応して形成されている。画素電極２６は、例えば、四隅が丸い四角形であり、有効画素２の領域よりも一回り大きな領域を有している。画素電極２６は、有効画素２と同じ形状であってもよい。画素電極２６は、透光性導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。画素電極２６は、平坦化層２４に設けられたコンタクトホール２４ｃを介してＴＦＴ素子部２０に接続されている。
【００４７】
隔壁２８は、平坦化層２４上に形成されている。隔壁２８は、画素電極２６の周縁部に重なっていてもよい。隔壁２８の開口部２８ｄのそれぞれは、平坦化層２４の貫通孔２４ｄのそれぞれに重なっている。隔壁２８は、例えばアクリル樹脂等の有機材料からなり、表面にＣＦ4プラズマ処理等の撥液化処理が施されている。隔壁２８は、フッ素系樹脂等の撥液性を有する材料で構成されていてもよい。隔壁２８の層厚は、例えば２μｍ〜３μｍである。
【００４８】
機能層３０は、隔壁２８で囲まれた有効画素２のそれぞれの領域に形成され、画素電極２６上に位置している。機能層３０は、順に積層された正孔注入層３２と発光層３４とで構成されている。機能層３０では、正孔注入層３２から注入された正孔と、共通電極５０から注入される電子と、が発光層３４で再結合しすることにより発光が得られる。発光層３４は、赤、緑、青のそれぞれに発光する発光層３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ（対応する色について区別しない場合には単に発光層３４とも呼ぶ）の３種類を有する。発光層３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂはそれぞれ有効画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応している。
【００４９】
正孔注入層３２の材料は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を用いることができる。正孔注入層３２の材料は、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体であってもよい。正孔注入層３２の層厚は、例えば５０ｎｍである。
【００５０】
発光層３４の材料は、赤、緑、青に発光する（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。発光層３４の層厚は、例えば１００ｎｍである。
【００５１】
ダミー機能層４０は、隔壁２８で囲まれたダミー画素６のそれぞれの領域に形成され、層間絶縁層２２上に位置している。ダミー機能層４０の底部が接する層間絶縁層２２上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｄは、機能層３０の底部が接する画素電極２６上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｅよりも、平坦化層２４と画素電極２６との層厚分だけ高くなっている。このため、ダミー画素６の領域の単位面積あたりの機能液受容量は、有効画素２の領域の単位面積あたりの機能液受容量よりも多くできる。
【００５２】
ダミー機能層４０は、順に積層されたダミー正孔注入層４２とダミー発光層４４とで構成されている。ダミー正孔注入層４２は正孔注入層３２と同じ材料を用いて形成され、ダミー発光層４４は発光層３４と同じ材料を用いて形成されている。ダミー正孔注入層４２は正孔注入層３２よりも厚く形成され、ダミー発光層４４は発光層３４よりも厚く形成されている。すなわち、ダミー画素６の領域に配置された単位面積あたりの機能液の量は、有効画素２の領域に配置された単位面積あたりの機能液の量よりも多い。
【００５３】
ダミー正孔注入層４２およびダミー発光層４４のそれぞれの層厚は、例えば、正孔注入層３２および発光層３４のそれぞれの層厚のほぼ２倍である。ダミー正孔注入層４２およびダミー発光層４４のそれぞれの層厚は、正孔注入層３２および発光層３４のそれぞれの層厚の２倍以上であってもよい。
【００５４】
また、複数のダミー機能層４０のうち、電気光学装置１００の角部に位置するダミー画素６ｃ（図２参照）に形成されるダミー機能層４０の層厚は、それ以外のダミー機能層４０の層厚よりも厚くなっている。すなわち、電気光学装置１００の角部に位置するダミー画素６の領域に配置された単位面積あたりの機能液の量は、それ以外のダミー画素６の領域に配置された単位面積あたりの機能液の量よりも多い。
【００５５】
ここで、機能層３０とダミー機能層４０とを形成する方法について説明する。機能層３０とダミー機能層４０とは、例えば液滴吐出法により形成されるが、特にインクジェット法が好適に用いられる。機能層３０とダミー機能層４０との形成に先立って、機能層３０を形成する画素電極２６の表面とダミー機能層４０を形成する層間絶縁層２２の表面と、にＯ2プラズマ処理等の親液化処理を施す。また、隔壁２８の表面にＣＦ4プラズマ処理等の撥液化処理を施す。
【００５６】
次に、隔壁２８で囲まれた有効画素２の領域とダミー画素６の領域とに正孔注入層３２の材料を含む機能液を、インクジェット法により吐出して配置する。この機能液は、例えばＰＥＤＯＴとＰＳＳを重量比１：５０で混合し、ジエチレングリコール５０％を含む純水からなる溶液を溶媒として、固形分濃度０．５％に溶解した組成物である。
【００５７】
このとき、ダミー画素６の領域における単位面積あたりの機能液吐出量を、有効画素２の領域における単位面積あたりの機能液吐出量よりも多くし、例えば２倍の量とする。また、ダミー画素６の領域から機能液の吐出を開始し、吐出量が安定した状態で有効画素２の領域に機能液を吐出する。そして、吐出を止める前にはダミー画素６の領域に機能液を吐出する。このようにして機能液を配置した後真空乾燥を行い、続いて熱処理（２００℃、１０分間）を行う。これにより、有効画素２の領域に正孔注入層３２が形成され、ダミー画素６の領域にダミー正孔注入層４２が形成される。
【００５８】
次に、隔壁２８で囲まれた有効画素２の領域とダミー画素６の領域とに、さらに発光層３４の材料を含む機能液を、インクジェット法により吐出して配置する。この機能液は、例えば上述の発光層３４の材料をシクロヘキシルベンゼン１００％を溶媒として溶解した組成物である。
【００５９】
このとき、ダミー画素６の領域における単位面積あたりの機能液吐出量を、有効画素２の領域における単位面積あたりの機能液吐出量よりも多くし、例えば２倍の量とする。このようにして機能液を配置した後真空乾燥を行い、続いて窒素雰囲気中で熱処理（１３０℃、１時間）を行う。これにより、有効画素２の領域に正孔注入層３２と発光層３４とが積層された機能層３０が形成され、ダミー画素６の領域にダミー正孔注入層４２とダミー発光層４４とが積層されたダミー機能層４０が形成される。
【００６０】
共通電極５０は、隔壁２８と機能層３０とダミー機能層４０との全体を覆うように形成されている。共通電極５０は、図示しないが、例えば、層厚５ｎｍのＬｉＦ層と、層厚３００ｎｍのＡｌ層と、が順に積層され構成されている。ＬｉＦ層とＡｌ層とは、例えば蒸着法により形成される。この構成により、共通電極５０は電子注入層および反射層を兼ねている。
【００６１】
共通電極５０上には、共通電極５０を覆うように、接着層４６を介して封止基板４８が貼着されている。接着層４６は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等からなる。封止基板４８は、透光性を有する材料及び透光性を有していない材料のいずれを用いてもよい。透光性を有していない材料としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等があげられる。
【００６２】
本実施形態の電気光学装置１００においては、機能層３０から基板１０側に発した光が基板１０側に射出されるとともに、機能層３０から共通電極５０側に発した光が共通電極５０により反射されて、基板１０側に射出される。
【００６３】
上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００６４】
（１）表示に寄与する複数の有効画素２のそれぞれの領域に液滴吐出法により機能液を配置して機能層３０を形成する場合、有効画素２の周囲に表示に寄与しない複数のダミー画素６が配置されているので、有効画素２の周囲に位置する複数のダミー画素６のそれぞれの領域にも同じ機能液を配置することで、機能液の液滴を配置する範囲が複数の有効画素２の周囲よりも広くなる。このため、有効画素２の領域に配置された機能液の周囲には有効画素２、またはダミー画素６の領域に配置された機能液が存在する。これにより、複数の有効画素２の領域に配置される機能液の乾燥速度をほぼ同じにできるので、表示に寄与する有効画素２の領域に形成される機能層３０の層厚をほぼ均一にすることができる。
【００６５】
また、ダミー機能層４０の底部が接する層間絶縁層２２上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｄが、機能層３０の底部が接する画素電極２６上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｅよりも高いので、ダミー画素６の領域における単位面積あたりの機能液の受容量は有効画素２の領域における単位面積あたりの機能液の受容量よりも多い。これにより、従来のようなダミー画素６の領域と有効画素２の領域とにおける単位面積あたりの機能液の受容量が同じ場合に比べて、表示に寄与しないダミー画素６の領域における単位面積あたりの機能液の受容量を増大できる。
【００６６】
（２）ダミー画素６の領域の最大径６ａが有効画素２の領域の最大径２ａよりも小さいので、従来のようなダミー画素６の領域の面積と有効画素２の領域の面積とが同じ場合に比べて、表示に寄与しない複数のダミー画素６の電気光学装置１００全体に占める面積を小さくできる。また、ダミー画素６の領域における単位面積あたりの機能液の受容量が従来よりも多いので、ダミー画素６の領域が従来より小さくても、従来とほぼ同量の機能液を配置できる。これにより、電気光学装置１００全体の面積が従来と同じであれば、ダミー画素６の領域に機能液を配置することによる効果を従来と同等に維持しつつ、表示に寄与する複数の有効画素２の領域の面積を従来より大きくできる。
【００６７】
（３）ダミー機能層４０の層厚は機能層３０の層厚よりも厚いので、ダミー画素６の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は有効画素２の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。このため、従来のようにダミー画素６の領域の面積と有効画素２の領域の面積とが同じ場合、ダミー画素６の領域に従来よりも多くの機能液を配置できる。また、ダミー画素６の領域に配置する機能液の量が従来と同じ量である場合、表示に寄与しないダミー画素６の領域の面積を従来よりも小さくできる。
【００６８】
（４）電気光学装置１００の角部に位置するダミー画素６ｃの領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は、それ以外のダミー画素６の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。
このため、電気光学装置１００の角部に位置するダミー画素６ｃの領域の面積と角部以外に位置するダミー画素６の領域の面積とが同じ場合、角部に位置するダミー画素６ｃの領域に配置された機能液の量はそれ以外のダミー画素６の領域に配置された機能液の量よりも多い。これにより、複数のダミー画素６の中でも特に乾燥の速い、電気光学装置１００の角部に位置するダミー画素６ｃの領域における機能液の乾燥時間を長くすることができる。したがって、複数のダミー画素６の領域に配置される機能液の乾燥速度のバラツキが抑えられるので、表示に寄与する有効画素２の領域に形成される機能層３０の層厚をより均一にすることができる。
【００６９】
（５）機能層３０の基板１０側には画素電極２６と平坦化層２４とが位置している。一方、ダミー画素６の領域には画素電極２６と平坦化層２４とは配置されないので、ダミー画素６の底部から隔壁２８の頂上部までの高さＨｄを、有効画素２の底部から隔壁２８の頂上部までの高さＨｅに対して、少なくとも画素電極２６と平坦化層２４との層厚分高くできる。
【００７０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図５は、第２の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００７１】
第２の実施形態に係る電気光学装置２００は、第１の実施形態に係る電気光学装置１００に対して、無機絶縁層２７をさらに備えている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
【００７２】
図５に示すように、電気光学装置２００は、基板１０と、ＴＦＴ素子部２０と、層間絶縁層２２と、平坦化層２４と、画素電極２６と、無機絶縁層２７と、隔壁２８と、機能層３０と、ダミー機能層４０と、共通電極５０と、接着層４６と、封止基板４８と、を備えている。
【００７３】
無機絶縁層２７は、平坦化層２４と隔壁２８との間に設けられ、有効表示エリアＥに配置されている。無機絶縁層２７は、有効画素２に対応した複数の開口部２７ｅを有している。開口部２７ｅは、有効画素２の領域、すなわち隔壁２８の開口部２８ｅよりも小さい。したがって、無機絶縁層２７は、開口部２７ｅの周囲に沿って画素電極２６の周縁部に所定幅で重なる部分を有している。無機絶縁層２７は、ダミーエリアＤにも配置され、ダミー画素６に対応した複数の開口部を有していてもよい。
【００７４】
無機絶縁層２７は、例えばＳｉＯ2等の無機材料からなり、表面にＯ2プラズマ処理等の親液化処理が施されている。この構成により、正孔注入層３２や発光層３４の材料を含む機能液との親液性を高め、正孔注入層３２や発光層３４を隔壁２８近傍まできちんと形成することによって、画素電極２６と共通電極５０との短絡を防止できる。
【００７５】
上記第２の実施形態においても、ダミー機能層４０の底部が接する層間絶縁層２２上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｄは、機能層３０の底部が接する画素電極２６上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｅよりも、平坦化層２４と画素電極２６との層厚分だけ高くなっている。したがって、第１の実施形態と同等の効果が得られる。
【００７６】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図６は、第３の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００７７】
第３の実施形態に係る電気光学装置３００は、第１の実施形態に係る電気光学装置１００に対して、平坦化層２４の代わりに無機絶縁層２５を備えている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
【００７８】
図６に示すように、電気光学装置３００は、基板１０と、ＴＦＴ素子部２０と、層間絶縁層２２と、無機絶縁層２５と、画素電極２６と、隔壁２８と、機能層３０と、ダミー機能層４０と、共通電極５０と、接着層４６と、封止基板４８と、を備えている。
【００７９】
無機絶縁層２５は、ＴＦＴ素子部２０と層間絶縁層２２とを覆うように形成されている。無機絶縁層２５は、ダミーエリアＤに複数の貫通孔２５ｄを有している。貫通孔２５ｄのそれぞれは、ダミー画素６のそれぞれの領域に対応しており、最大径６ａを有する長円形状である。無機絶縁層２５は、例えばＳｉＯ2等の無機材料からなる。
【００８０】
上記第３の実施形態においては、ダミー機能層４０の底部が接する無機絶縁層２５上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｄは、機能層３０の底部が接する画素電極２６上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｅよりも、無機絶縁層２５と画素電極２６との層厚分だけ高くなっている。したがって、第１の実施形態とほぼ同等の効果が得られる。
【００８１】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図７は、第４の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００８２】
第４の実施形態に係る電気光学装置４００は、第１の実施形態に係る電気光学装置１００に対して、層間絶縁層２２にダミー画素６に対応した貫通孔が設けられている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
【００８３】
図７に示すように、電気光学装置４００は、基板１０と、ＴＦＴ素子部２０と、層間絶縁層２２と、平坦化層２４と、画素電極２６と、隔壁２８と、機能層３０と、ダミー機能層４０と、共通電極５０と、接着層４６と、封止基板４８と、を備えている。
【００８４】
層間絶縁層２２には、ダミーエリアＤに複数の貫通孔２２ｄが、例えばエッチングにより設けられている。貫通孔２２ｄのそれぞれは、ダミー画素６のそれぞれの領域に対応しており、最大径６ａを有する長円形状である。貫通孔２２ｄのそれぞれは、平坦化層２４の貫通孔２４ｄと隔壁２８の開口部２８ｄとに重なっている。
【００８５】
ダミー機能層４０は、基板１０上に位置している。ダミー機能層４０の底部が接する基板１０上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｄは、機能層３０の底部が接する画素電極２６上面から隔壁２８の頂上部までの高さＨｅよりも、層間絶縁層２２と平坦化層２４と画素電極２６との層厚分だけ高くなっている。すなわち、電気光学装置４００における高さＨｄは、第１の実施形態の電気光学装置１００における高さＨｄよりも層間絶縁層２２の層厚分だけさらに高くなっている。このため、ダミー画素６の領域の単位面積あたりの機能液受容量を、有効画素２の領域の単位面積あたりの機能液受容量よりもさらに多くできる。
【００８６】
上記第４の実施形態によれば、従来のようにダミー画素６の領域の面積と有効画素２の領域の面積とが同じ場合、ダミー画素６の領域に従来よりもさらに多くの機能液を配置できる。また、ダミー画素６の領域に配置する機能液の量が従来と同じ量である場合、表示に寄与しないダミー画素６の領域の面積を従来よりもさらに小さくできる。
【００８７】
なお、第４の実施形態の構成は、第２の実施形態または第３の実施形態に適用してもよい。これらの場合においても同等の効果が得られる。
【００８８】
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図８は、第５の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図である。図９は、第５の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図８のＣ−Ｃ’線に沿った部分断面図である。なお、図８では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
【００８９】
第５の実施形態に係る電気光学装置５００は、図９に示すように、ＴＦＴ素子部６２を備えた基板６０と、カラーフィルタ層８０を備えた基板７０と、基板６０と基板７０との間に位置する液晶層９０と、を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置である。
【００９０】
図８に示すように、基板７０上の有効表示エリアＥには、赤、緑、青の表示に寄与する第１の画素としての有効画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ（対応する色について区別しない場合には単に有効画素３とも呼ぶ）が複数配置されている。有効画素３は、電気光学装置５００の表示の最小単位であり、隣り合う有効画素３同士の間に間隔が空くように、マトリクス状に配置されている。有効画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから画素群５が構成されている。電気光学装置５００では、画素群５において有効画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００９１】
基板７０上のダミーエリアＤには、有効画素３が配置された有効表示エリアＥの全周囲に亘って、表示に寄与しない第２の画素としてのダミー画素７が複数配置されている。ダミー画素７は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のそれぞれにおいて、有効画素３とほぼ同じピッチで配列されている。なお、Ｘ軸は有効画素３の行方向を示し、Ｙ軸は有効画素３の列方向を示している。
【００９２】
基板７０上には、有効表示エリアＥとダミーエリアＤとに亘って、隔壁７４が設けられている。隔壁７４は、ほぼ格子状に形成されており、有効画素３のそれぞれの領域とダミー画素７のそれぞれの領域とを区画している。隔壁７４は、有効表示エリアＥに有効画素３に対応する開口部７４ｅを複数有しており、ダミーエリアＤにダミー画素７対応する開口部７４ｄを複数有している。開口部７４ｅすなわち有効画素３の領域は、例えば最大径３ａを有する長方形である。開口部７４ｄすなわちダミー画素７の領域は、開口部７４ｅとほぼ同じ形状であり、最大径７ａを有している。ダミー画素７の最大径７ａは、有効画素３の最大径３ａよりも小さい。また、ダミー画素７の面積は、有効画素３の面積よりも小さい。
【００９３】
次に、図９を参照して、電気光学装置５００の概略構成を説明する。基板６０は、透光性を有する材料からなる。基板６０上には、複数のＴＦＴ素子部６２と層間絶縁層６４とが設けられており、ＴＦＴ素子部６２と層間絶縁層６４とを覆うように平坦化層６６が設けられている。平坦化層６６上には、ＴＦＴ素子部６２のそれぞれに接続された複数の画素電極６８が設けられている。画素電極６８は、例えばＩＴＯからなる。
【００９４】
基板７０は、透光性を有する材料からなる。基板７０の液晶層９０側には、カラーフィルタ層８０と、オーバーコート層８２と、共通電極８４と、が積層されて設けられている。カラーフィルタ層８０は、樹脂層７２と、隔壁７４と、第１の機能層としての色要素７６と、第２の機能層としてのダミー色要素７８と、を備えている。
【００９５】
樹脂層７２は、例えば透光性を有するアクリル樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる。樹脂層７２には、ダミーエリアＤに開口部７２ｄを有する凹部７２ａが、例えばエッチングにより設けられている。隔壁７４は、樹脂層７２上に形成されている。隔壁７４の開口部７４ｄは、凹部７２ａの開口部７２ｄに重なっている。隔壁７４は、例えばアクリル樹脂等の有機材料からなる。なお、樹脂層７２と隔壁７４との間に、隔壁７４と重なるように、遮光層が設けられていてもよい。
【００９６】
色要素７６は、隔壁７４で囲まれた領域に形成され、樹脂層７２上に位置している。色要素７６は、所定の色光としての赤、緑、青の３色のいずれかを選択的に透過する。色要素７６はこれら３色のそれぞれに対応する色要素７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂを有しており、３つの画素電極６８との組み合わせにより、３色の画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂがそれぞれ構成される。色要素７６は、３種（３色）の色要素材料を溶媒に溶解または分散させた機能液を、例えばインクジェット法により、第１の実施形態と同様の方法で吐出して形成される。
【００９７】
ダミー色要素７８は、隔壁７４で囲まれた領域に形成され、樹脂層７２の凹部７２ａ上に位置している。ダミー色要素７８は、色要素７６と同じ材料からなる機能液を、例えばインクジェット法により吐出した後乾燥、熱処理等を行い形成される。ダミー色要素７８の底部が接する凹部７２ａ上面から隔壁７４の頂上部までの高さＨｄは、色要素７６の底部が接する樹脂層７２上面から隔壁７４の頂上部までの高さＨｅよりも、凹部７２ａの深さ分だけ高くなっている。このため、ダミー画素７の領域の単位面積あたりの機能液受容量を、有効画素３の領域の単位面積あたりの機能液受容量よりも多くできる。
【００９８】
なお、樹脂層７２には、開口部７２ｄを有する貫通孔が設けられていてもよい。この場合、ダミー色要素７８の底部から隔壁７４の頂上部までの高さＨｄは、色要素７６の底部から隔壁７４の頂上部までの高さＨｅよりも、樹脂層７２の層厚分だけ高くなる。したがって、ダミー画素７の領域の単位面積あたりの機能液受容量を、有効画素３の領域の単位面積あたりの機能液受容量よりもさらに多くできる。
【００９９】
オーバーコート層８２は、カラーフィルタ層８０を覆うように形成されている。共通電極８４は、オーバーコート層８２上に形成されている。共通電極８４は、例えばＩＴＯからなる。
【０１００】
液晶層９０は、基板６０と基板７０との間に位置している。基板６０の液晶層９０に接する側には、図示しないが、平坦化層６６と画素電極６８とを覆うように配向膜が形成されている。基板７０の液晶層９０に接する側には、図示しないが、共通電極８４を覆うように配向膜が形成されている。液晶層９０は、これらの配向膜に施された配向処理によって配向方向が規制されている。また、図示しないが、基板６０の液晶層９０と反対側および基板７０の液晶層９０と反対側には、それぞれ偏光板が配置されている。
【０１０１】
上記第５の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【０１０２】
（１）カラーフィルタ層８０の色要素７６を液滴吐出法により機能液を配置して形成する場合、表示に寄与する複数の有効画素３の周囲に、表示に寄与しない複数のダミー画素７が配置されているので、有効画素３の周囲に位置する複数のダミー画素７のそれぞれの領域にも同じ機能液を配置することで、機能液の液滴を配置する範囲が複数の有効画素３の周囲よりも広くなる。このため、有効画素３の領域に配置された機能液の周囲には有効画素３、またはダミー画素７の領域に配置された機能液が存在する。これにより、複数の有効画素３の領域に配置される機能液の乾燥速度をほぼ同じにできるので、表示に寄与する有効画素３の領域に形成される色要素７６の層厚をほぼ均一にすることができる。
【０１０３】
また、ダミー画素７の底部が接する凹部７２ａ上面から隔壁７４の頂上部までの高さＨｄが、有効画素３の底部が接する樹脂層７２上面から隔壁７４の頂上部までの高さＨｅよりも高いので、ダミー画素７の領域における単位面積あたりの機能液の受容量は有効画素３の領域における単位面積あたりの機能液の受容量よりも多い。これにより、従来のようなダミー画素７の領域と有効画素３の領域とにおける単位面積あたりの機能液の受容量が同じ場合に比べて、表示に寄与しないダミー画素７の領域における単位面積あたりの機能液の受容量を増大できる。
【０１０４】
（２）ダミー画素７の領域の最大径７ａが有効画素３の領域の最大径３ａよりも小さいので、従来のようなダミー画素７の領域の面積と有効画素３の領域の面積とが同じ場合に比べて、表示に寄与しない複数のダミー画素７の電気光学装置５００全体に占める面積を小さくできる。また、ダミー画素７の領域における単位面積あたりの機能液の受容量が従来よりも多いので、ダミー画素７の領域が従来より小さくても、従来とほぼ同量の機能液を配置できる。これにより、電気光学装置５００全体の面積が従来と同じであれば、ダミー画素７の領域に機能液を配置することによる効果を従来と同等に維持しつつ、表示に寄与する複数の有効画素３の領域の面積を従来より大きくできる。
【０１０５】
（３）ダミー色要素７８の層厚は色要素７６の層厚よりも厚いので、ダミー画素７の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は有効画素３の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。このため、従来のようにダミー画素７の領域の面積と有効画素３の領域の面積とが同じ場合、ダミー画素７の領域に従来よりも多くの機能液を配置できる。また、ダミー画素７の領域に配置する機能液の量が従来と同じ量である場合、表示に寄与しないダミー画素７の領域の面積を従来よりも小さくできる。
【０１０６】
（電子機器）
上述した電気光学装置１００，２００，３００，４００，５００は、例えば、図１０に示すように、電子機器としての携帯電話機６００に搭載して用いることができる。携帯電話機６００は、表示部６０２に電気光学装置１００，２００，３００，４００，５００を備えている。この構成により、表示部６０２を有する携帯電話機６００は表示ムラがなく優れた表示品質を有している。
【０１０７】
また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器であってもよい。
【０１０８】
上記実施形態に対しては、様々な変形を加えることが可能である。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１０９】
（変形例１）
上記の実施形態の電気光学装置１００，２００，３００，４００はボトムエミッション方式の有機ＥＬ装置であったが、この形態に限定されない。電気光学装置は、機能層３０から発した光が封止基板４８側に射出されるトップエミッション方式の有機ＥＬ装置であってもよい。電気光学装置がトップエミッション方式の有機ＥＬ装置である場合、基板１０は透明な材料及び不透明な材料のいずれを用いてもよい。ＴＦＴ素子部２０は、有効画素２のそれぞれの領域に重なっていてもよい。また、トップエミッション方式である場合、共通電極５０には透光性を有する導電材料が用いられ、封止基板４８には透光性を有する材料が用いられる。
【０１１０】
（変形例２）
上記の実施形態の電気光学装置５００はカラーフィルタ層８０を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置であったが、この形態に限定されない。電気光学装置は、カラーフィルタ層を備えたパッシブマトリクス方式の液晶装置であってもよい。また、電気光学装置は、カラーフィルタ層を備え、有機ＥＬ素子の発光により得られた光がカラーフィルタ層を通してＲ，Ｇ，Ｂの各色に着色される有機ＥＬ装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】第１の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図。
【図３】第１の実施形態に係る電気光学装置の回路構成図。
【図４】第１の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図。
【図５】第２の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図。
【図６】第３の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図。
【図７】第４の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図。
【図８】第５の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図。
【図９】第５の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図。
【図１０】本実施の形態における電子機器を示す図。
【符号の説明】
【０１１２】
２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ…有効画素、２ａ…最大径、３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ…有効画素、３ａ…最大径、４…画素群、５…画素群、６…ダミー画素、６ａ…最大径、６ｃ…ダミー画素、７…ダミー画素、７ａ…最大径、８Ｒ，８Ｇ，８Ｂ…有機ＥＬ素子、１０…基板、１１…スイッチング用ＴＦＴ、１２…スイッチング用ＴＦＴ、１３…保持容量、１４…データ線駆動回路、１５…走査線駆動回路、１６…走査線、１７…信号線、１８…電源線、２０…ＴＦＴ素子部、２２…層間絶縁層、２２ｄ…貫通孔、２４…平坦化層、２４ｃ…コンタクトホール、２４ｄ…貫通孔、２５…無機絶縁層、２５ｄ…貫通孔、２６…画素電極、２７…無機絶縁層、２７ｅ…開口部、２８…隔壁、２８ｄ…開口部、２８ｅ…開口部、３０…機能層、３２…正孔注入層、３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ…発光層、４０…ダミー機能層、４２…ダミー正孔注入層、４４…ダミー発光層、４６…接着層、４８…封止基板、５０…共通電極、６０…基板、６２…ＴＦＴ素子部、６４…層間絶縁層、６６…平坦化層、６８…画素電極、７０…基板、７２…樹脂層、７２ａ…凹部、７２ｄ…開口部、７４…隔壁、７４ｄ…開口部、７４ｅ…開口部、７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂ…色要素、７８…ダミー色要素、８０…カラーフィルタ層、８２…オーバーコート層、８４…共通電極、９０…液晶層、１００…電気光学装置、２００…電気光学装置、３００…電気光学装置、４００…電気光学装置、５００…電気光学装置、６００…携帯電話機、６０２…表示部。
【図１】
2009081097.tif 000003
【図２】
2009081097.tif 000004
【図３】
2009081097.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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