(57)【要約】【課題】磁気記録再生装置の磁気ヘッドの主磁極を高い精度で形成する。【解決手段】絶縁層上にハードマスク層を形成し、ハードマスク層に主磁極層の外郭に対応した形状のパターンを形成する。次に、レジスト層を形成し、ハードマスク層にパターンニングした主磁極の外郭よりも内側に主磁極補助層の外郭に対応した形状にレジストパターンを形成する。次にパターンニングされたレジストをマスクとして絶縁層をエッチングすることにより、主磁極補助層の外郭に対応した第2の溝を形成する。その後、レジストパターンを除去する。次にパターンニングされたハードマスクをマスクとして、絶縁層に主磁極層の外郭に対応した第1の溝を形成する。ハードマスク層を除去した後、めっき法にて第1と第2の溝に強磁性体を堆積させて主磁極と主磁極補助層を一括して形成した後、CMPにて、主磁極層を平坦化する。【選択図】 図7
2009015982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に主磁極の外郭に対応した形状に第1の溝を形成する工程と、
前記主磁極の外郭内に主磁極補助層の外郭に対応した第2の溝を形成する工程と、
前記第1と第2の溝に一括してめっき処理を用いて強磁性体を充填させて、主磁極層と主磁極補助層を一括して形成することを特徴とした磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第1と第2の溝を形成する反応性イオンエッチングのガス圧力は、0.5 Pa以上1.0 Pa以下であることを特徴とした請求項1記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第1と第2の溝を形成する反応性イオンエッチングの処理温度は、−20 ℃以上80 ℃以下であることを特徴とした請求項1記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
浮上面に対して垂直に配置される主磁極層と、
前記主磁極層の厚み方向で前記主磁極層と隣接して、前記主磁極よりも浮上面側に退避して配置される主磁極補助層において、
前記主磁極層と主磁極補助層は、強磁性体により連続して形成されていることを特徴とした磁気ヘッド。
【請求項５】
主磁極層と主磁極補助層が、強磁性体により連続して形成されている磁気ヘッドと、
記録再生媒体となる磁気ディスクと、
を備えることを特徴とした磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録再生装置に使用される磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
HDD（ハード・ディスク・ドライブ）を始めとする磁気記録再生装置は、業務用サーバー、ワークステーションや、複数のHDDを組み合わせることにより信頼性を高めたRAID(Redundant Arrays of Inexpensive Disks)等のビジネスユースに加え、ゲーム、オーディオ機器、携帯電話、ビデオレコーダー等の情報家電ユースなど多岐にわたって使用されており、今後もその市場は急速に拡大する見通しであり、磁気記録再生装置においては高記録密度化が要求されている。取り分けHDDは、他の磁気記録再生装置に比較して、記録ビットの単価が廉価であることと、データ転送速度が速いことから磁気記録再生装置の主流となっており、その記録密度は年率30 〜 100 %の割合で増加しており、量産化されているHDDにおいては、既に100 Gb/in2の面記録密度が実現されている状況である。今後においても更なる高記録密度化が要求されている状況の中、高記録密度化のニーズを実現させる技術として、垂直磁気記録方式の採用が始まっている。
垂直磁気記録方式の記録再生媒体は、記録ビットが隣接する記録ビットと安定する方向へと磁化される為、熱揺らぎ耐性の確保に対して有効なことや、記録層の下層側に、裏打ち層と称される軟磁性層を形成することで、磁気ヘッドの記録素子部から発生される記録磁界を急峻に記録再生媒体側に引き込むことが可能となり、面内磁気記録方式用の磁気ヘッドと比較して、実効的な記録磁界強度を約1。5〜2倍程度まで増幅させることが出来る。この為、記録再生媒体の記録層に、高い保磁力を付与させることが可能となり、記録層の低ノイズ性と熱揺らぎ耐性を確保させることが可能となる利点を有する。
垂直磁気記録方式の磁気ヘッドは、再生素子部においては、面内磁気記録と同じ構造となるが、従来のGMR型再生素子よりも優れた磁気抵抗効果を示すCPP-GMR (Current Perpendicular to Plane Giant Magneto resistance)型ならびに、TuMR(Tunneling Magneto Resistance)型再生素子が既に量産型の磁気ヘッドに対して採用されている状況にある。一方、記録素子部は、記録再生媒体に対して垂直に配置された主磁極と、主磁極から垂直方向に印加される記録磁界を、記録再生媒体の裏打ち層を介して還流させて磁気回路を形成させる為のリターンヨーク（補助磁極）からなる単磁極型磁気ヘッドを用いている。
ところで、単磁極型磁気ヘッドは、主磁極先端の端面に幾何学的な問題を有しており以下に説明する。幾何学的な問題とは、主磁極先端の端面形状は、磁気ヘッドが搭載されるスライダの長手方向を長辺とする長方形の形をしているが、スキュー角が付与されると記録再生媒体の記録トラックの進行方向に対してある角度に傾くことなる。これにより、主磁極先端の端面の一部が、幾何学的に記録トラックからはみ出す為、隣接するトラックの記録信号やサーボ信号を消去してしまうサイドイレーズが発生する問題が生じる。ここで、主磁極の先端部の端面形状を、逆台形状や逆三角形状等のテーパー形状に加工することにより、スキュー角が付与された時に隣接するトラックに対して、幾何学的に影響を与え難くする方法が提唱されている(例えば、特許文献1を参照）。
主磁極のテーパー形状への加工は、従来は、FIB（Focused Ion Beam）加工を用いて実施していたが、FIBによる主磁極のエッチングレートは、イオンビームの照射具合によって異なる為、主磁極を高い精度で加工することが困難であることから、近年、ダマシン法が採用し始められている状況である(例えば、特許文献2を参照）。
ダマシン法とは、例えばAl2O3からなるアルミナの絶縁層にハードマスク層を形成し、ステッパを用いて絶縁層上に形成されたハードマスク層の表面に主磁極の外郭に対応した形状にパターンを形成する。次にハードマスク層のパターンをマスクにして、 反応性イオンエッチングであるRIE(Reactive Ion Etching)にて、絶縁層に主磁極層の外郭に対応した溝を形成する。次にハードマスクを除去した後、めっきベース層を形成してから、めっき法にてRIEにより形成した溝に主磁極層の材料である強磁性体を堆積させる。続いて、CMP(Chemical  Mechanical  Polish)にて、主磁極層上面を平坦化することで主磁極層が形成される。このダマシン法に依れば、予め形成した溝に主磁極層が埋め込まれる為に、従来のFIBに比較して高い精度で主磁極層を形成することが出来る利点を有する。
【特許文献１】特開2004-94997号公報
【特許文献２】特開2006-139898号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述の主磁極層は、厚さが0.3 μm程度と非常に薄い為、主磁極層を支える役割を果す主磁極補助層が必要となる。主磁極補助層は、一般的には主磁極と同じ材料で構成され、厚みは0.6  〜  0.8 μm程度と、主磁極層に比較して充分に強度がある厚みを有する。主磁極補助層は、先述のダマシン法を用いて形成することが出来る。つまり、主磁極層と主磁極補助層を含めた主磁極部全体を形成する為には、先ず主磁極補助層を形成してCMP研磨して主磁極補助層上層を平坦にして、次いで主磁極を形成しCMPを実施することになり、2回のCMP工程が必要となる。しかしながら、CMPでの研磨は、膜厚分布制御が難しく、膜厚が±0.5 μm程度に大きくばらつく問題を有する。ここで、主磁極補助層に膜厚分布が生じると、その上部へ形成する主磁極層を安定した形状で作製することが難しくなる。
主磁極層を安定した形状に形成出来ない場合、上述のサイドイレーズの問題が発生することや、主磁極層の先端の端面から発生する記録磁界に分布が生じて正常な記録動作に支障を来たすことが懸念される。この様な問題を発生させない為には、主磁極補助層と主磁極層を形成する工程間において、CMP工程を介さずに主磁極層を形成する方法が必要となる。本発明の目的は、主磁極補助層を形成後、CMP工程を介さずに主磁極層を形成する出来る方法を見出すことである。更には、主磁極層先端の端面のテーパー形状の角度を任意の角度に制御できる条件を見出すことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
絶縁層上にハードマスク層を形成し、ハードマスク層に主磁極層の外郭に対応した形状のパターンを形成する。次に、レジスト層を形成し、ハードマスク層にパターンニングした主磁極の外郭よりも内側に主磁極補助層の外郭に対応した形状にレジストパターンを形成する。次にパターンニングされたレジストをマスクとして絶縁層をエッチングすることにより、主磁極補助層の外郭に対応した第2の溝を形成する。その後、レジストパターンを除去する。次に、RIEより、パターンニングされたハードマスクをマスクとして、絶縁層に主磁極層の外郭に対応した第1の溝を形成する。ハードマスク層を除去した後、めっき法にてRIEにより形成した第1と第2の溝に強磁性体を堆積させて主磁極と主磁極補助層を一括して形成した後、CMPにて、主磁極層を平坦化する。
さらに第1の溝を形成する際に、圧力を0.15 Pa以上1 Pa以下、温度を−20 ℃以上80 ℃以下の条件に制御しながらエッチングすることで、主磁極層先端の端面のテーパー形状の角度を任意の角度に制御することが可能となる。
【発明の効果】
【０００５】
従来までは、主磁極層と主磁極補助層を形成する工程の間において、CMPによる研磨工程が必要であり、主磁極層の下側に形成される主磁極補助層に膜厚分布が生じる為、上側に形成される主磁極層に主磁極補助層の膜厚分布が重畳される為、主磁極を精度良く形成することが出来なかった。一方、本発明の方法よれば、主磁極と主磁極補助層を一括して形成することが出来るため、主磁極と主磁極補助層を形成する工程の間のCMPによる研磨工程が不要となる。この為、CMPによる膜厚分布の問題が起こらない為、主磁極層を極めて精度良く形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施形態を、図1ないし図9に基づいて説明する。なお、以下に説明する磁気ヘッドの主磁極層と主磁極補助層以外の各層の形成手法は、一般的なスパッタリング法、めっき法等を用いており、各層を所望の形状に加工する手法は、フォトリソグラフィー技術等を用いて実施出来るものであることから、形成プロセスの詳細な説明は省略する。図1は、本発明の磁気ヘッドが使用される一般的な磁気記録再生装置の内部概略図である。磁気記録再生装置1の内部には、記録再生媒体11と、磁気ヘッドが装着されるヘッドスライダ12、記録再生信号の制御ならびに磁気ヘッドへの電源供給を行う役目を担うヘッドアンプIC部13が配置される。
図2は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの断面図である。浮上面側は、記録再生媒体11が配置される方向となる。図3は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドを浮上面側から見た図となる。まず、図2、図3において図示しないが、厚さ2 mm程度のAl2O3-Ti-Cからなるアルミナ・チタンカーバイト層上に、絶縁層としてスパッタリング法にてAl2O3からなるアルミナ層を2.0 μmの厚さで形成する。次に絶縁層の上に、Ni-Fe等の軟磁性体からなる下部磁気シールド21を、めっき法を用いて形成する。次に、図示しないが、スパッタリング法を用いて下部磁気シールド21側のファーストリードギャップとしてアルミナ層を0.6 μmの厚さで形成する。次に、一般的な構造のGMRまたはTuMRの再生素子23を記録再生媒体11側の近傍に配置される様に形成する。次に、図示しないがスパッタリング法を用いて、上部磁気シールド24側のセカンドリードギャップとしてアルミナ層を0.6 μmの厚さで形成させる。次に、下部磁気シールド21と同様に軟磁性体からなる上部磁気シールド24を形成する。ここまでの作製工程が磁気ヘッドの再生素子部の作製工程となり、GMRまたは、TuMRの再生素子72は絶縁層を介して上下の磁気シールド21、24で挟まれた構造となる。
以下、記録素子部の形成方法について説明する。まず、図2の上部磁気シールド24の上に図示しないが、アルミナ層を0.3 μmの厚さで形成する。次に、Ni-Fe等の軟磁性体からなる記録素子部の磁気シールド25を、めっき法を用いて形成する。次に主磁極層を支える主磁極補助層26、主磁極層27を形成するが、主磁極補助層26、主磁極層27の詳細な形成プロセスについては、図5以降で詳細に説明をする。続いて、接合部28、薄膜コイル29、リターンヨーク30をめっき法にて形成する。なお、図示しないが、主磁極補助層26、主磁極層27、接合部28、薄膜コイル29、リターンヨーク30間の空白部分は、スパッタリング法、またはめっき法を用いてアルミナ層にて充填されている。図4は、主磁極補助層26、主磁極層27、接合部28、薄膜コイル29、の位置関係を明確にした斜視図である。主磁極層27は、主磁極補助層29によって支えられ、主磁極層29の先端の端面は、テーパー形状となっており、幅42は0.02μm、高さ41は0.03μmとなる。角度43は、付与されるスキュー角度や、トラック密度によっても変化するが、大凡、30〜80°の範囲で用いられる。
ここで、本発明の主磁極の詳細な形成プロセスについて、従来方式による比較例の製法を交えて説明をする。図5および図6は、従来方式の主磁極形成工程を示す図である。図5(a)〜(i)は、主磁極形成における各工程終了後の断面図を指す。なお、以下、断面図は、端面中心部の断面を示すものとする。また、断面図においては、記録再生媒体11が位置する方が浮上面方向となる。図6(a)〜(i)のそれぞれは、図5(a)〜(i)に対応する浮上面側の端面図を指す。以下、図5ならびに図6の(a)〜(i)の詳細について説明する。
(a)；まず、Al2O3からなるアルミナ層51上にめっきベース層52として、Tiを5  〜10  nm程度の厚さで形成し、その上層にNi-Fe基合金層を50 nm程度の厚さで形成する。
(b)；めっきベース層52上に、例えば感光剤を含むノボラック樹脂をレジスト層53としてスピンコート法で形成し、KrFステッパを用いて主磁極補助層26の外郭に対応する様にレジスト層53をパターンニングする。
(c)；パターンニングされたレジスト層53の溝に、例えばNi-Fe、Fe-Co、Co-Ni-Fe基合金から選択される強磁性を示す金属を電解めっき法にて1.5 μm程度の厚みに形成する。これが、主磁極補助層26となる。その後、IPA(Isopropyl Alcohol)溶液を用いて、レジスト層53を除去する。次いで、硝酸、過硫酸等を用いたウエットエッチング法により、レジスト層53の直下に形成されていためっきベース層52を除去する。
(d)；アルミナ層54をスパッタリング法で主磁極補助層26を充分に覆う厚さで形成し、その後、主磁極補助層26の厚みが、例えば0.6 μmとなるまでCMPで研磨を実施する。
(e)；アルミナ層55をスパッタリング法で、0.2 μm  〜  0.4  μmの厚みで形成し、その上層に例えばNi-Fe基合金、Fe-Co基合金、または、Ta／Ni-Fe基合金の複合層、からなるハードマスク層56を40  〜 300 nm程度の厚みで形成する。なお、ハードマスク層56は、基本的には、レジスト層と同じ役割と有するが、樹脂系の材料であるレジスト層では、レジスト層の方が、アルミナ層よりもエッチングレートが高い為、アルミナ層をエッチングには適した材料ではない。一方、金属材料からなるハードマスク層は、アルミナ層の１／１０以下のエッチングレートである為、アルミナ層をエッチングする材料に適している。
(f)；感光剤を含むノボラック樹脂をレジスト層58としてスピンコート法で形成し、KrFステッパを用いて主磁極層27の外郭に対応する様にレジスト層58をパターンニングする。なお、近年、高記録密度化に対応する為に主磁極層27の寸法が小さくなってきており、これに対応すべく、KrFステッパに比較して微細な加工が可能となる、EB(Electron  Beam)ステッパや、Ar-Fステッパを用いても良い。
(g)；パターンニングされたレジスト層58をマスクとして、ハードマスク層56を、RIEを用いてドライエッチングし、主磁極層27の外郭に対応する様にハードマスク層56にパターンニングする。続いてO2アッシングにより、レジスト層58を除去する。ここで、ハードマスク層56のRIEに用いるプロセスガスについては、ハードマスク層を構成する金属と反応性物を生成することが出来るガスであれば良い。例えば、BCl3、Cl2、CH3OH、CO、NH3、O2、Arから選択されるガス、もしくは混合ガスであれば良い。
(h)；パターンニングされたハードマスク層56をマスクとして、RIEによるドライエッチングにて、アルミナ層55をエッチングする。ここで、主磁極層27の外郭に対応した形状の溝がアルミナ層55中に形成されることになる。次いで、ウエットエッチング法を用いて残りのハードマスク層56を除去する。なお、(q)において、主磁極層先端の外郭に対応する溝は、テーパー形状となっている。これは、RIEにおいて、温度と圧力を制御することによって、エッチングに異方性を持たせることが出来ることに依る。
(i)；めっきベース層59として、例えばTi、Ru、Ta、Cr等から選択される非磁性金属を5 〜 10 nm程度の厚さで形成する。次いで電解めっきにより、例えば、Ni-Fe、Fe-Co基合金から選択される強磁性材料を用いて主磁極層27を形成し、最終的にCMPにより主磁極層27の厚みが0.3 μm程度となる様に研磨する。
ここまでが、従来の方式の製法となる。先述の通り、CMPの回数が2回となる為、膜厚に面内分布が生じる問題を有することと、主磁極と主磁極補助層が非磁性材料で分断されている為、主磁極からの効率的な記録磁界発生に悪影響を及ぼす問題を有している。
続いて、本発明による製法について説明する。図7及び図8は、本発明の方式の主磁極形成プロセスを示す。図7において、(a)〜(g)は、主磁極形成における各工程終了後の断面図を指す。なお、以下、断面図は、端面中心部の断面を示すものとする。また、断面図においては、記録再生媒体11が位置する方が浮上面方向となる。図8において、(a)〜(g)のそれぞれは、図7の(a)〜(g)のそれぞれに対応する浮上面側の端面図を指す。以下、図7ならびに図8の(a)〜(g)の詳細について説明する。
(a)；Al2O3からなるアルミナ層51上に、スパッタリング法で例えばNi-Fe基合金、Fe-Co基合金、または、Ta／Ni-Fe基合金からなるハードマスク層56を40 〜 300 nm程度の厚みで形成する。
(b)；感光剤を含むノボラック樹脂をレジスト層58としてスピンコート法で形成し、KrFステッパを用いて主磁極層27の外郭に対応する様にレジスト層58をパターンニングする。
(c)；パターンニングされたレジスト層58をマスクとして、ハードマスク層56を、RIEを用いてドライエッチングし、主磁極層27の外郭に対応する様にハードマスク層56にパターンニングする。続いてO2アッシングにより、レジスト層58を除去する。
(d)；感光剤を含むノボラック樹脂をレジスト層58として再びスピンコート法で1.6 μm程度の厚さに形成し、KrFステッパを用いて主磁極補助層26の外郭に対応する様にレジスト層58をパターンニングする。ここで、主磁極補助層26の外郭は、主磁極層27の外郭よりも内側に形成する。
(e)；パターンニングされたレジスト層58をマスクとして、RIEによるドライエッチングにて、アルミナ層51を0.3 μm 〜 0.4 μmの深さ程度にエッチングする。これにより、主磁極補助層27の外郭に対応した形状の第2の溝がアルミナ層51中に形成されることになる。続いてO2アッシングにより、レジスト層58を除去する。また、この時点では、主磁極層27の外郭に対応してパターンニングされたハードマスク層56は、アルミナ層51上に存在している。
(f)；パターンニングされたハードマスク層56をマスクとして、RIEによるドライエッチングにて、アルミナ層51を0.3 μm程度の深さにエッチングする。ここで、主磁極層26の外郭に対応した形状の第1の溝がアルミナ層51中に形成されることになる。この時、同時に主磁極補助層27の外郭に対応した形状の第2の溝もエッチングされ、最終的に第1の溝の深さは0.3 μm 〜 0.4 μm程度の深さとなる。この工程によりCMP工程を介さずに主磁極補助層27と主磁極層26が、一括にして形成される溝が形成されることになる。ここで、主磁極補助層27の外郭を主磁極層26の外郭よりも小さくしておくことにより、マスクされていない角部が優先してエッチングされるというRIEの特徴により、主磁極補助層27の外郭に対応したアルミナ層51の溝の浮上面側の角部57に角度をつけることが出来る。この様な形状にすることで主磁極の磁束密度が高められるという報告もされている。(例えば非特許文献1を参照)また、本発明者は、鋭意研究の結果、RIEによるエッチングにおいて、圧力と温度条件を制御することで、主磁極先端の端面のテーパー角度43を任意の角度に制御する出来ることを見出した。図9は、本発明の方式の主磁極形成のテーパー角度に対する圧力と温度の関係を示した図となる。圧力と温度条件を制御することによって、角度を制御することが可能となる。
(g)；めっきベース層59として、例えばTi、Ru、Ta、Cr等から選択される非磁性金属を5 〜10 nm程度の厚さで形成する。次いで電解めっきにより、例えば、Ni-Fe、Fe-Co基合金から選択される強磁性材料を用いて、主磁極補助層26と主磁極層27を一括して形成し、最終的にCMPにより主磁極層27の上部を研磨する。
本実施形態の構成によれば、主磁極と主磁極補助層を一括して形成することが出来るため、主磁極と主磁極補助層を形成する工程の間のCMPによる研磨工程が不要となる。この為、CMPによる膜厚分布の問題が起こらない為、主磁極層を極めて精度良く形成することが可能となる。また、主磁極補助層に角度をつけることや、主磁極層と主磁極補助層の間に非磁性層が介在することが無くなり、主磁極層と主磁極補助層が一体化されて主磁極全体の膜厚が絞られる(薄膜化される)為、記録磁界強度を強化することが可能となる。
【非特許文献１】J. Appl. Phys. 93, 7738 (2003)本発明は以下の付記を含むものである。(付記1)絶縁層上に主磁極の外郭に対応した形状に第1の溝を形成する工程と、前記主磁極の外郭内に主磁極補助層の外郭に対応した第2の溝を形成する工程と、前記第1と第2の溝に一括してめっき処理を用いて強磁性体を充填させて、主磁極と主磁極補助層を一括して形成することを特徴とした磁気ヘッドの製造方法。(付記2)前記第1と第2の溝を形成する反応性イオンエッチングのガス圧力は、0.5 Pa以上1.0 Pa以下であることを特徴とした付記1記載の磁気ヘッドの製造方法。(付記3)前記第1と第2の溝を形成する反応性イオンエッチングの処理温度は、−20 ℃以上80 ℃以下であることを特徴とした付記1記載の磁気ヘッドの製造方法。(付記4)主磁極補助層は、前記主磁極の浮上面方向に対して角度が付与されていることを特徴とした付記1記載の磁気ヘッドの製造方法。(付記5) 浮上面に対して垂直に配置される主磁極層と、前記主磁極層の厚み方向で前記主磁極層と隣接して、前記主磁極よりも浮上面側に退避して配置される主磁極補助層において、前記主磁極層と主磁極補助層は、強磁性体により連続して形成されていることを特徴とした磁気ヘッド。(付記6) 磁極層と主磁極補助層が、強磁性体により連続して形成されている磁気ヘッドと、記録再生媒体となる磁気ディスクと、を備えることを特徴とした磁気記録再生装置。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の磁気ヘッドが使用される一般的な磁気記録再生装置の内部概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドを浮上面側から見た図である。
【図４】主磁極補助層、主磁極層、接合部、薄膜コイルの位置関係を明確にした斜視図である
【図５】従来方式の主磁極形成工程後の断面図である。
【図６】従来方式の主磁極形成工程後の浮上面側の端面図である。
【図７】本発明の方式の主磁極形成プロセスの断面図である。
【図８】本発明の方式の主磁極形成プロセスの浮上面側の端面図である
【図９】本発明の方式の主磁極形成のテーパー角度に対する圧力と温度の関係の図である
【符号の説明】
【０００８】
26     主磁極層
27     主磁極補助層
51     アルミナ層
56     ハードマスク層
56     レジスト層
【図１】
2009015982.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2009015982.tif 000006
【図５】
2009015982.tif 000007
【図６】
2009015982.tif 000008
【図７】
2009015982.tif 000009
【図８】
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【図９】
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