(57)【要約】【課題】冷却性に優れ、小形化と高信頼性化との両立を図ることが可能なインバータ装置を提供する。【解決手段】インバータ装置は、直流平滑回路を構成するコンデンサモジュール１０と、インバータの逆変換回路を構成するパワー半導体モジュールと、を有している。コンデンサモジュールは、熱伝導性を有する金属で形成されたコンデンサケース４と、コンデンサケースの内面上に形成された電気絶縁性を有する絶縁皮膜９と、それぞれ絶縁皮膜に接触してコンデンサケース内に収納された複数のコンデンサエレメント７と、コンデンサケース内でコンデンサエレメントの周囲に充填され、コンデンサエレメントを保護する絶縁封止材８と、を備えている。【選択図】      図４
2009278712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流平滑回路を構成するコンデンサモジュールと、インバータの逆変換回路を構成するパワー半導体モジュールと、を備え、
前記コンデンサモジュールは、熱伝導性を有する金属で形成されたコンデンサケースと、前記コンデンサケースの内面上に形成された電気絶縁性を有する絶縁皮膜と、それぞれ前記絶縁皮膜に接触して前記コンデンサケース内に収納された複数のコンデンサエレメントと、前記コンデンサケース内で前記コンデンサエレメントの周囲に充填され、コンデンサエレメントを保護する絶縁封止材と、を備えているインバータ装置。
【請求項２】
前記絶縁皮膜は、電気絶縁性および熱伝導性を有する材料で形成されている請求項１に記載のインバータ装置。
【請求項３】
前記絶縁皮膜は、前記コンデンサケースの内面において、前記コンデンサエレメントに当接する当接面、および他の複数の内面に形成されている請求項１又は２に記載のインバータ装置。
【請求項４】
前記コンデンサエレメントは、平坦部を有する内周面を備え、前記平坦部が前記絶縁皮膜に接触した状態で配設されている請求項１に記載のインバータ装置。
【請求項５】
前記コンデンサケースは、コンデンサモジュール全体を装置内に取付固定するための取付部を一体に有している請求項１ないし４のいずれかに１項に記載のインバータ装置。
【請求項６】
前記コンデンサケースは、ケース外面に形成された放熱用のフィンを有している請求項１ないし５のいずれか１項に記載のインバータ装置。
【請求項７】
直流平滑回路を構成するコンデンサモジュールと、インバータの逆変換回路を構成するパワー半導体モジュールと、熱伝導性を有する金属で形成され前記コンデンサモジュールおよびパター半導体モジュールが収納されたケースと、前記ケースの内面上に形成された電気絶縁性を有する絶縁皮膜と、を備え、
前記コンデンサモジュールは、それぞれ前記絶縁皮膜に接触して前記コンデンサケース内に収納された複数のコンデンサエレメントと、前記コンデンサケース内で前記コンデンサエレメントの周囲に充填され、コンデンサエレメントを保護する絶縁封止材と、を有し、
前記パワー半導体モジュールは、前記ケース内の別の箇所で前記絶縁皮膜に当接して設けられた複数の電極を有しているインバータ装置。
【請求項８】
前記コンデンサエレメントは、平坦部を有する内周面を備え、前記平坦部が前記絶縁皮膜に接触した状態で配設されている請求項７に記載のインバータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気自動車等に用いられるインバータ装置に関し、特に、直流平滑回路を構成するコンデンサモジュールと、パワー半導体モジュールとを備えたインバータ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギー資源の有効活用や地球環境保護のためインバータ装置の重要性が大きくなるとともに、インバータ装置への小形化、高信頼性化のニーズも増している。インバータ装置の小形化と高信頼性化との両立を図るためには、主変換部のパワー半導体素子やコンデンサモジュールからの発熱による温度上昇を効率良く抑制することが不可欠である。
【０００３】
そのため、パワー半導体素子やコンデンサモジュールを冷却器に搭載して放熱することにより、温度上昇を抑制することが多い。その冷却器は、通常、比較的体格が大きく、装置内に占める体積割合も大きい。また、インバータ装置は、発熱量の増大、過酷環境下で使用することによる最高周囲温度の上昇、装置内部部品の高実装密度化など、温度条件が従来に増して厳しくなってきている。
【０００４】
インバータ装置において、温度上昇値を部品の許容値以下に制限するために、冷却器の効率向上を図ろうとすると、冷却器の体格が大きくなり、小形化の指向と相容れない結果となる。逆に、冷却器を小形化しようとすると、内部部品の温度上昇が過大なものとなり、信頼性の低下を招いたり、出力定格を下げることを余儀なくされる。出力／体積で相対化した出力密度という指数で考えると、出力定格低下は、小形化に相反している。
【０００５】
例えばインバータ装置において、コンデンサモジュールのコンデンサケース外囲器を熱伝導率の大きい材料で形成したうえ、冷却器に搭載して放熱することで、コンデンサモジュールの温度上昇を抑制する方式が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００６】
このインバータ装置によれば、コンデンサモジュールは、ケース内に収納された複数のコンデンサエレメントを有し、これらのコンデンサエレメントを並列接続することにより、所定の静電容量を確保している。複数のコンデンサエレメントは、正側導体及び負側導体で結線してコンデンサエレメント対を構成し、コンデンサエレメント対相互間は、ケース４の外側に設置した別の導体により並列接続されている。ケースは、良熱伝導性の材料、例えばアルミニウム合金のような金属で形成し、熱伝導による伝熱効率を向上させている。ケース内において、コンデンサエレメントの周囲には、封止絶縁材が充填されている。
【０００７】
コンデンサモジュールは、パワー半導体モジュールと共に冷却器に搭載され、インバータ装置として動作するときに各部品から発生する熱を冷却器から放熱し、各部品の温度上昇を許容範囲になるよう抑制している。冷却器３は、空気冷却式のヒートシンクである。コンデンサエレメントからの発熱は、封止絶縁材とケースとを経由して冷却器に伝達され、冷却器から放熱される。
【特許文献１】特開２００５−１２９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した従来のインバータ装置には、次のような技術的課題がある。すなわち、インバータ装置では、伝熱経路の熱抵抗を小さくするため、ケースを金属のような良熱伝導材で形成する配慮をしている。ところが、このような工夫をしたとしても、コンデンサエレメントと冷却器との電気絶縁特性を保持することは必要不可欠である。そこで、ケースを金属で形成した場合、コンデンサエレメントとケースとの間隙に絶縁封止材を充填することで必要な電気絶縁特性を保持している。
【０００９】
この絶縁封止材には加熱硬化型のエポキシ樹脂若しくはウレタン樹脂が常用されている。コンデンサモジュールの製造工程において、加熱硬化前の比較的流動性がある状態でコンデンサエレメントとケースとの間隙に充填される。しかしながら、絶縁封止材は流動性があるといっても、ある程度の粘度を有するペースト状であり、間隙が小さいと適切な充填ができない。すなわち、細かい隙間まで樹脂を完全に浸入することができずにボイドが残り、そこが絶縁の欠陥箇所になってしまう。そのため、充填部の封止樹脂層は絶縁性能面では過剰な厚さとせざるを得ない。
【００１０】
このように、従来のインバータ装置では、封止樹脂層の厚さを必要以上に大きくすることにより、封止樹脂層の熱抵抗値が看過できない大きな値となる。ケースを良熱伝導材にするなどの配慮をしてもコンデンサエレメントから冷却器までの伝熱経路に存在する絶縁封止材の熱抵抗が大きいことにより、経路全体の熱抵抗も大きな値となる。その結果、伝熱効率を十分向上させることが難しい。
【００１１】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、伝熱経路の熱抵抗を低減することができ、冷却性に優れ、小形化と高信頼性化との両立を図ることが可能なインバータ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の態様に係るインバータ装置は、直流平滑回路を構成するコンデンサモジュールと、インバータの逆変換回路を構成するパワー半導体モジュールと、を備え、  
前記コンデンサモジュールは、熱伝導性を有する金属で形成されたコンデンサケースと、前記コンデンサケースの内面上に形成された電気絶縁性を有する絶縁皮膜と、それぞれ前記絶縁皮膜に接触して前記コンデンサケース内に収納された複数のコンデンサエレメントと、前記コンデンサケース内で前記コンデンサエレメントの周囲に充填され、コンデンサエレメントを保護する絶縁封止材と、を備えている。
【００１３】
また、この発明の他の態様に係るインバータ装置は、直流平滑回路を構成するコンデンサモジュールと、インバータの逆変換回路を構成するパワー半導体モジュールと、熱伝導性を有する金属で形成され前記コンデンサモジュールおよびパター半導体モジュールが収納されたケースと、前記ケースの内面上に形成された電気絶縁性を有する絶縁皮膜と、を備え、  
前記コンデンサモジュールは、それぞれ前記絶縁皮膜に接触して前記コンデンサケース内に収納された複数のコンデンサエレメントと、前記コンデンサケース内で前記コンデンサエレメントの周囲に充填され、コンデンサエレメントを保護する絶縁封止材と、を有し、前記パワー半導体モジュールは、前記ケース内の別の箇所で前記絶縁皮膜に当接して設けられた複数の電極を有している。
【発明の効果】
【００１４】
上記構成によれば、冷却性に優れ、小形化と高信頼性化との両立を図ることが可能なインバータ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係るインバータ装置について説明する。  
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るインバータ装置全体を示す斜視図、図２は、インバータ装置の分解斜視図、図３は、インバータ装置におけるコンデンサモジュールを示す分解斜視図、の分解構成図であり、図２は同じくコンデンサモジュール部の断面構成図である。
【００１６】
図１および図２に示すように、インバータ装置は、直流平滑回路を構成するコンデンサモジュール１０と、三相インバータ又は単相インバータの全相若しくは一相分の逆変換回路を構成するパワー半導体モジュール２０と、を備え、これらは、冷却器４０上に載置されている。冷却器４０は、例えば、ヒートシンクとして形成され、矩形板状の基台４１と基台の一方の表面側に立設された多数の放熱フィン４２とを一体に有している。コンデンサモジュール１０およびパワー半導体モジュール２０は、基台４１の他方の表面上に載置および固定されている。
【００１７】
図１ないし図４に示すように、コンデンサモジュール１０は、上面の開口した矩形箱状のコンデンサケース４と、このコンデンサケース内に収納された複数のコンデンサエレメント７とを備えている。コンデンサケース４は、良熱伝導性材料、例えばアルミニウム合金、銅合金などの金属材料で形成されている。
【００１８】
コンデンサケース４の底面には、電気絶縁性を有する絶縁皮膜９が形成されている。絶縁皮膜９は、例えば、エポキシ樹脂等により数１００μｍの膜厚に形成されている。絶縁皮膜９は、例えば、電気絶縁性を有する材料をスプレー塗布することにより、あるいは、シート状の絶縁皮膜をコンデンサケース４の底面上に熱圧着することにより、形成されている。
【００１９】
コンデンサエレメント７は、３個単位で正側結線導体５と負側結線導体６とにより並列接続され、コンデンサエレメント対１２を構成している。各コンデンサエレメント７は、フィルムコンデンサで構成され、ほぼ小判状の断面を有している。すなわち、コンデンサエレメント７は、それぞれ正側結線導体５と負側結線導体６とに接続された両端部と、外周面とを有し、外周面は、互いにほぼ平行に対向した一対の平坦部７ａを有している。そして、３個のコンデンサエレメント７は、平坦部７ａが同一平面に整列した状態で並んで配設され、正側結線導体５および負側結線導体６により互いに連結されている。
【００２０】
コンデンサモジュール１０は、上記のように構成されたコンデンサエレメント対１２を３組有している。３組のコンデンサエレメント対１２は、平行に並んで、かつ、各コンデンサエレメント７の平坦部７ａが絶縁皮膜９に面接触した状態でコンデンサケース４内に収納されている。
【００２１】
コンデンサケース４内の端部には、電気絶縁性を有する材料で形成された端子台１４が収納され、コンデンサエレメント対１２と並んで位置している。コンデンサエレメント対１２を構成する正側結線導体５および負側結線導体６の端子部５ａ、６ａは、端子台１４上に延出している。
【００２２】
図４に示すように、コンデンサケース４の内側でコンデンサエレメント対１２および端子台１４の外側の空間部分には、絶縁封止材８が封入されている。絶縁封止材８は、コンデンサエレメント対１２を機械的に保持するとともに外部からの吸湿など防止する機能を発揮する。
【００２３】
図１および図２に示すように、パワー半導体モジュール２０は、偏平な矩形状の半導体ケース２２と、この半導体ケース内に収納された図示しない全相のパワー半導体素子と、半導体ケースの上面に露出して設けられた複数の端子２４とを有している。
【００２４】
パワー半導体モジュール２０は、その端子２４側がコンデンサモジュール１０の端子台１４に隣接対向した状態で、冷却器４０上に載置されている。コンデンサモジュール１０およびパワー半導体モジュール２０は、正側導体３０および負側導体３４により互いに電気的に接続されている。
【００２５】
正側導体３０は、素子正側接続部３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、およびコンデンサ正側接続部３２ａ、３２ｂ、３２ｃを一体に有している。負側導体３４は、素子負側接続部３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、およびコンデンサ負側接続部３６ａ、３６ｂ、３６ｃを一体に有している。そして、コンデンサエレメント対１２の各端子部５ａ、６ａとパワー半導体モジュール２０の端子２４とが正側導体３０および負側導体３４により接続されている。正側導体３０および負側導体３４は、コンデンサエレメント対１２の正端子および負端子からパワー半導体モジュール２０の正端子、負端子への給電経路を形成するとともに、コンデンサケース４内部では互いに連結されていない３組のコンデンサエレメント対１２を並列に接続する役割も果たしている。
【００２６】
以上のように構成されたインバータ装置によれば、良熱伝導性のコンデンサケース４とコンデンサエレメント７との間の絶縁を、絶縁封止材と比較して格段に厚さの小さい絶縁皮膜９で構成できる。絶縁部の熱抵抗は、概ね絶縁材料の熱伝導率と厚さで定まる。絶縁皮膜９の熱伝導率を絶縁封止材の熱伝導率と同程度にすることは十分可能である。一方、絶縁皮膜９の厚さは、絶縁封止材より格段に小さいので、ほぼ厚さに比例して熱抵抗を小さくすることができる。
【００２７】
コンデンサエレメント７からコンデンサモジュール１０を冷却する冷却器４０までの伝熱経路の熱抵抗において、絶縁部の熱抵抗が支配的である。上記のように、絶縁部の熱抵抗を大幅に小さくできるので、伝熱経路全体の熱抵抗も小さくすることができる。そのため、伝熱効率が向上し、コンデンサエレメント７の熱をコンデンサケース４および冷却器４０に効率よく伝熱することができ、コンデンサモジュール１０の冷却性を向上することができる。同時に、インバータ装置の小形化および信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００２８】
次に、この発明の他の複数の実施形態に係るインバータ装置について説明する。なお、他の実施形態において、前述した第１の実施形態と異なる部分を詳細に説明し、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００２９】
（第２の実施の形態）  
本発明の第２の実施形態に係るインバータ装置について説明する。第２の実施形態は、コンデンサモジュール１のコンデンサケース４に形成された絶縁皮膜９に特徴を有している。すなわち、第２の実施形態によれば、第１の実施形態で説明した図３および図４に記載の絶縁皮膜９を、電気絶縁性であるとともに良熱伝導性である材料を用いて形成している。例えば、絶縁皮膜９は、セラミクスの粒子を含有した樹脂により形成され、コンデンサケース４の底面に設けられている。
【００３０】
良熱伝導性絶縁材料は、金属材料などに比較すると熱伝導率が大幅に小さいものの、一般の絶縁封止材は熱伝導率が極めて大きいので、それと比較すると熱伝導率が相対的に大きくなる。
【００３１】
第２の実施形態に係るインバータ装置によれば、良熱伝導性のコンデンサケースとコンデンサエレメントとの間の絶縁を、厚さが小さくかつ一般的な封止絶縁材料より熱伝導率が優れる絶縁皮膜で構成することができる。その結果、第１の実施形態に対して、絶縁部の熱抵抗を更に低減することができる。
【００３２】
本実施形態では、第１の実施形態の効果に、熱伝導率の改善効果が付加されるため、伝熱経路全体の熱抵抗をさらに小さくすることができる。そのため、冷却性が向上し、小型化および信頼性の向上したインバータ装置が得られる。
【００３３】
（第３の実施の形態）  
本発明の第３の実施形態に係るインバータ装置について説明する。図５は、第３の実施形態に係るコンデンサモジュール１０の断面構成を示している。図５に示すように、絶縁皮膜９は、コンデンサケース４の内部の底面のみならず、側壁内面にも形成されている。コンデンサエレメント対１２の各コンデンサエレメント７は、その平坦部７ａが底面側の絶縁皮膜９に面接触しているとともに、先端のコンデンサエレメントは、側壁内面側の絶縁皮膜９に接触している。
【００３４】
このように絶縁皮膜９をコンデンサケース４の底面および側壁内面上に形成することにより、次のような効果が得られる。第１の効果は、コンデンサエレメント７とケース側壁との距離を小さくすることができる。前述したように、絶縁封止材を用いる場合、ケース側壁とコンデンサエレメントとの間隔が近いと、これらの隙間に絶縁封止材を確実に充填することが困難になる。そのため、ケース側壁とコンデンサエレメントとの間隔を充分に確保する必要があり、その結果モジュール全体の体格が大きくなる。
【００３５】
それに対して、第３の実施形態では、コンデンサケース４とコンデンサエレメント７との間の絶縁は、絶縁皮膜９で確保されているため、コンデンサエレメント７をコンデンサケース４の内側面に近接して配置することができる。その結果、コンデンサモジュール１０の体格をより小さくすることができる。また、コンデンサの発熱をコンデンサケース側面からも放熱できるようになり、熱抵抗がより小さくなり、信頼性が向上する。
【００３６】
第２の効果として、絶縁封止材とコンデンサケース４との密着性を改善する効果が得られる。一般にコンデンサケース４の材料である金属（銅やアルミニウム）と、絶縁封止材８とは界面の接着力が大きくない。そのため、インバータ装置の使用時の温度変化による熱ストレスで、接着界面に微小クラックが生じ、それが成長していく可能性がある。そのような場合、クラック部からの吸湿量が多くなり、コンデンサモジュール１０の信頼性を阻害する要因となる。
【００３７】
これに対して本実施形態では、絶縁皮膜９の材料選定に配慮すれば、絶縁皮膜９とコンデンサケース４壁面との接着力を大きくすることができる。同様に、絶縁皮膜９と絶縁封止材８との接着力も大きくすることができる。そのため、コンデンサケース壁面と、絶縁皮膜９と、絶縁封止材８との各界面にクラックが生じる可能性が十分小さい。その結果、コンデンサモジュール１０の信頼性をより向上させることができる。
【００３８】
（第４の実施の形態）  
本発明の第４の実施形態に係るインバータ装置について図６を参照して説明する。図６は第４の実施形態に係るコンデンサモジュールを示す斜視図である。図６に示すように、第４の実施形態によれば、コンデンサケース４は、底壁の複数個所、例えば、４箇所から外側に突出した４つの取付部１６を一体に備えている。
【００３９】
このように構成することで、コンデンサモジュール１０をインバータ装置内に取付固定することが容易になる。コンデンサモジュール１０をインバータ装置に内蔵した冷却器に搭載する場合、取り付け部１６を冷却器４０にねじ止めすることにより、コンデンサモジュールと冷却器とを堅固に締結固定することができる。その結果、コンデンサモジュール１０と冷却器４０との接触部の熱抵抗を小さくすることができる。このような構成では、接触熱抵抗は比較的大きい割合を占めるので、伝熱経路の熱抵抗低減ができる。その結果、前述した実施形態と同様に、信頼性の向上を図ることができる。
【００４０】
（第５の実施の形態）  
本発明の第５の実施形態に係るインバータ装置について図７を参照して説明する。図７は第５の実施形態に係るインバータ装置のコンデンサモジュールを示している。本実施形態によれば、コンデンサケース４の底壁外面に多数の放熱フィン１８が一体に形成されている。
【００４１】
第４の実施形態では、コンデンサモジュールを冷却器に搭載することにより放熱することを想定していた。本実施形態では、コンデンサモジュール１０のコンデンサケース４に放熱フィン１８を直接形成しているため、コンデンサケースから直接放熱することができる。すなわち、別個に冷却器を設ける必要がなくなる。また、コンデンサモジュール１０と冷却器との間の接触熱抵抗が存在しなくなるので、伝熱経路の熱抵抗をさらに小さく抑制することができる。
【００４２】
（第６の実施の形態）  
本発明の第６の実施形態のインバータ装置について説明する。図８は第６の実施形態のインバータ装置の斜視図、図９は、インバータ装置の分解斜視図である。
【００４３】
図８および図９に示すように、本実施形態では、コンデンサモジュール１０と、三相インバータの全相の逆変換回路を構成するパワー半導体モジュール２０とが同一のケース４に収納されている。ケース４は、上面の開口した矩形箱状に形成され、良熱伝導性材料、例えばアルミニウム合金、銅合金などの金属材料で形成されている。
【００４４】
ケース４内の底面の約半分には、電気絶縁性を有する矩形状の絶縁皮膜９Ａが形成されている。また、ケース４内の底面の残りの半分には、それぞれ電気絶縁性を有する独立した３つの矩形状の絶縁皮膜９Ｂが並んで形成されている。絶縁皮膜９Ａ、９Ｂは、例えば、エポキシ樹脂等により数１００μｍの膜厚に形成されている。絶縁皮膜９Ａ、８Ｂは、例えば、電気絶縁性を有する材料をスプレー塗布することにより、あるいは、シート状の絶縁皮膜をケース４の底面上に熱圧着することにより、形成されている。
【００４５】
ケース４内には、絶縁皮膜９Ａに重ねて、３組のコンデンサエレメント対１２が収納されている、各コンデンサエレメント対１２を構成するコンデンサエレメント７の平坦部７ａは、絶縁皮膜９Ａに接触して配置されている。
【００４６】
ケース４内の別の箇所には、パワー半導体モジュール２０の３組の電極２６がそれぞれ絶縁皮膜９Ｂに当接するようにして収納されている。電極２６は、パワー半導体モジュールの正側導体ないし負側導体ないし出力導体に相当し、本実施形態では、導体相互間に図示しないパワー半導体チップが挟み込まれている。但し、パワー半導体モジュールは、この形態に限定するものではない。
【００４７】
ケース４内において、コンデンサモジュール１０とパワー半導体モジュール２０との間には、一対の端子台１４ａ、１４ｂが収納され、これらの端子台１４ａ上に、コンデンサエレメント対１２の端子部５ａ、６ａが延出し、端子台１４ｂ上にパワー半導体モジュール２０の端子部２８が延出している。端子部５ａ、５ｂおよび端子部２８は、第１の実施形態と同様に、負側および正側導体により互いに電気的に接続されている。
【００４８】
ケース４の内側でコンデンサエレメント対１２、端子台１４ａ、１４ｂ、電極２６の外側の空間部分には、図示しない絶縁封止材が封入されている。絶縁封止材は、コンデンサエレメント対１２および電極２６を機械的に保持するとともに外部からの吸湿など防止する。
【００４９】
上記のよう構成された第６の実施形態によれば、コンデンサモジュール１０と、パワー半導体モジュール２０とを共通のケース４に収納することで、個々にケースを設けた場合に比較して、インバータ装置全体の体格を小さくすることができる。
【００５０】
（第７の実施の形態）  
本発明の第７の実施形態のインバータ装置について説明する。図１０は第７の実施形態のインバータ装置の斜視図、図１１は、インバータ装置の分解斜視図である。
【００５１】
図１０および図１１に示すように、本実施形態では、コンデンサモジュール１０と、三相インバータの全相の逆変換回路を構成するパワー半導体モジュール２０とが同一のケース４に収納されている。ケース４は、上面の開口した矩形箱状に形成され、良熱伝導性材料、例えばアルミニウム合金、銅合金などの金属材料で形成されている。
【００５２】
ケース４内の底面全体に亘って、電気絶縁性を有する矩形状の絶縁皮膜９が形成されている。絶縁皮膜９は、例えば、エポキシ樹脂等により数１００μｍの膜厚に形成されている。絶縁皮膜９は、例えば、電気絶縁性を有する材料をスプレー塗布することにより、あるいは、シート状の絶縁皮膜をケース４の底面上に熱圧着することにより、形成されている。
【００５３】
ケース４内には、絶縁皮膜９に重ねて、３組のコンデンサエレメント対１２が収納されている、各コンデンサエレメント対１２を構成するコンデンサエレメント７の平坦部７ａは、絶縁皮膜９に接触して配置されている。ケース４内の別の箇所には、パワー半導体モジュール２０の３組の電極２６がそれぞれ絶縁皮膜９に当接するようにして収納されている。
【００５４】
第６の実施形態と同様、電極２６は、パワー半導体モジュールの正側導体ないし負側導体ないし出力導体に相当し、本実施形態では、導体相互間にパワー半導体チップを挟み込んで構成した形態としている、その形態に限定するものではない。
【００５５】
コンデンサモジュール１０の正側結線導体５、負側結線導体６は、それぞれパワー半導体モジュール２０の電極２６と直接、接続されている。ケース４の内側でコンデンサエレメント対１２、電極２６の外側の空間部分には、図示しない絶縁封止材が封入されている。絶縁封止材は、コンデンサエレメント対１２および電極２６を機械的に保持するとともに外部からの吸湿など防止する。
【００５６】
上記のよう構成された第７の実施形態によれば、端子台が無くても、コンデンサモジュール１０とパワー半導体モジュール２０とを相互に接続することができる。コンデンサモジュールとパワー半導体モジュールとを共通のケースに収納し、さらに両者を直接相互接続することができるので、従来構成と比較して、インバータ装置全体の体格をさらに小さくすることができる。
【００５７】
前述した第２ないし第７の実施形態において、他の構成は前述した第１の実施形態と同一である。そして、第２ないし第７の実施形態においても、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５８】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要
旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示され
ている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実
施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実
施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００５９】
例えば、インバータ装置は、３相に限らず、単相のインバータ装置としてもよい。インバータ装置の各部の形成材料は、上述した実施形態に限定されることなく、適宜選択可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係るインバータ装置を示す斜視図。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るインバータ装置の分解斜視図。
【図３】図３は、前記インバータ装置のコンデンサモジュールを示す分解斜視図。
【図４】図４は、前記コンデンサモジュールの断面図。
【図５】図５は、本発明の第３の実施形態に係るインバータ装置のコンデンサモジュールを示す断面図。
【図６】図６は、本発明の第４の実施形態に係るインバータ装置のコンデンサモジュールを示す斜視図。
【図７】図７は、本発明の第５の実施形態に係るインバータ装置のコンデンサモジュールを示す斜視図。
【図８】図８は、本発明の第６の実施形態に係るインバータ装置を示す斜視図。
【図９】図９は、上記第６の実施形態に係るインバータ装置の分解斜視図。
【図１０】図１０は、第７の実施形態に係るインバータ装置の斜視図。
【図１１】図１１は、第７の実施形態におけるインバータ装置の分解斜視図。
【符号の説明】
【００６１】
４…ケース、コンデンサケース、５…正側結線導体、６…負側結線導体、
７…コンデンサエレメント、７ａ…平坦部、８…絶縁封止材、
９、９Ａ、９Ｂ…絶縁皮膜、１０…コンデンサモジュール、
１２…コンデンサエレメント対、１４、１４ａ、１４ｂ…端子台、１８…放熱フィン、
２０…パワー半導体モジュール、２６…電極、３０…冷却器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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