(57)【要約】      （修正有）【課題】微細配線形成された配線基板に用いられるポリイミドフィルムとして、ポリイミド本来の持つ耐熱性などの特性に加えて、寸法安定性に優れ、接続不良を起こさず安定してチップ実装可能な配線基板に用いられるポリイミドフィルムを提供する。【解決手段】支持基材上にポリイミド層を形成した後、該支持基材を除去して得られるポリイミドフィルムの製造方法であって、該基材の厚みが５〜５０μｍの範囲にあり、該基材を常温から４００℃の温度範囲で温度を変化させた場合の昇温時と降温時との線膨張係数の差が±３ｐｐｍの範囲にあり、かつ該基材上に形成するポリイミド層との線膨張係数の差が２〜５ｐｐｍの範囲にある基材を準備し、該基材上にポリイミド層の線膨張係数が１５〜２５ｐｐｍの範囲となるポリイミド前駆体の樹脂溶液を塗布し、乾燥及び熱処理を行いポリイミド層を形成した後、該基材を全面除去してポリイミドフィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基材上にポリイミド層を形成した後、該支持基材を除去して得られるポリイミドフィルムの製造方法であって、該支持基材の厚みが５〜５０μｍの範囲にあり、該支持基材を常温から４００℃の温度範囲で温度を変化させた場合の昇温時と降温時との線膨張係数の差Δα１が±３ｐｐｍの範囲にあり、かつ該支持基材上に形成するポリイミド層との線膨張係数の差Δα２が２〜５ｐｐｍの範囲にある支持基材を準備し、該支持基材上にイミド化した場合のポリイミド層の線膨張係数が１５〜２５ｐｐｍの範囲となるポリイミド前駆体の樹脂溶液を塗布し、乾燥及びイミド化のための熱処理を行いポリイミド層を形成した後、該支持基材を全面除去してポリイミドフィルムを得ることを特徴とするポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項２】
前記支持基材が、１０〜４０μｍの厚さの金属箔であり、かつ５５ＧＰａ以上の引張り弾性率を有するものであることを特徴とする請求項１に記載のポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項３】
前記ポリイミドフィルムの厚さが８〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１又は２に記載のポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項４】
前記ポリイミドフィルムが、配線幅３０μｍピッチ以下の微細配線形成用として用いられるものであることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載のポリイミドフィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリイミドフィルムの製造方法に関し、特に微細配線が要求されるＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）用途に適したポリイミドフィルムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、高機能化が急速に進んでおり、これに伴い電子機器に用いられる電子部品やそれらを実装する基板に対しても、より高密度で高性能なものへと要求が高まっている。そして、電子機器は益々軽量化、小型化、薄型化の傾向にあり、電子部品を収容するスペースは狭まる一方である。この状況下において、これらの課題を解決する技術の１つとして、フレキシブル配線基板上に半導体チップを実装する技術が注目されており、その用途に関しては、ＣＯＦ用フレキシブル配線基板として特別に検討されている。
【０００３】
このいわゆるＣＯＦ用途に使用されるフレキシブル配線基板においても、更なる高密度化を目指して配線の狭ピッチ化が進んでおり、微細加工の要求が高まっている。現在、２５μｍピッチに配線加工されたＣＯＦが既に作製されており、近い将来には２０μｍピッチ以下になると推測されている。
【０００４】
また、ＣＯＦ基板用積層体の狭ピッチ化が進む中、チップ実装時における寸法・位置の要求精度も上がっている。しかしながら、ポリイミドは熱によりその寸法が変化することが知られており、回路形成時及び実装時に掛かる熱に起因して、積層体中のポリイミド部分が寸法変化を引き起し、同じ積層体上の配線ピッチがばらつくため、結果としてチップのバンプ部分が位置ズレを引き起こし、それが電気信頼性の低下に繋がり歩留低下の原因になっている。そのため、熱寸法変化率及びそのフィルム内でのばらつきを低減する事が求められている。
【０００５】
このポリイミドフィルムの一般的な製造方法は次の通りである。即ち、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸の有機溶媒溶液を支持体上に流延塗布し、加熱して自己支持性フィルムとなるまで溶剤を蒸発させ、支持体から自己支持性のポリアミック酸フィルムを剥離し、フィルム両端を把持しながら更に加熱して残存する溶剤の除去及びポリアミック酸のイミド化を完結する事で製造される。しかしながら、この方法は支持体から剥離した自己支持性フィルムを加熱する際に、フィルムに含まれる溶剤が可塑剤として作用するため、張力下での加熱処理により、フィルムの延伸が容易に発生する。従って、面内の等方性を得るため、支持体から単離したフィルムを加熱処理する際、延伸比率制御による面内配向度の調整が施されるのが通常である。
【０００６】
しかしながら、上記の様な延伸をフィルム全面において均一に行う事は困難であり、通常はフィルム面内に加熱収縮のムラが生じて寸法変化率が大きくなるか、面内でばらついてしまうため、上記の様な製造方法により、高精細配線用基板用途向けのフィルムを作製することは困難である。
【０００７】
このフィルム面内における加熱収縮のムラを改善する方法が、特開２００７−１４４６３８号公報（特許文献１）において提案されている。即ち、ポリイミドの前駆体の有機溶媒溶液を金属箔上に流延塗布し、これを金属箔ごと加熱処理して実質的にイミド化が完結したポリイミドフィルムが積層した金属箔を得た後、金属箔とポリイミドフィルムを引き剥がしてポリイミドフィルムを単離するという、ポリイミドフィルムの製造方法である。
【０００８】
しかしながら、特許文献１に示された内容においては、その金属箔とポリイミドフィルムの物性等にはなんら言及がなされていなかった。そのため、導体パターンの形成を行った後に金属箔の剥離又はエッチングを行うと、ポリイミド層の寸法変化率が大きいため、特に３０μｍピッチ以下ではチップ実装時の接続不良が懸念されるものであった。
【０００９】
一方、特開２００７−２２３０５２号公報（特許文献２）には、銅箔とポリイミドのラミネート後の冷却速度を制御して寸法変化率を低減する方法が開示されている。しかしながら、特許文献２に示された方法で作製された銅張積層板の寸法安定率の平均値は、その実施例によれば０．０６〜０．１０％となっており、特許文献１でも述べられている通り、６０μｍピッチ以下のファインピッチで用いるとチップ実装時の接続不良が懸念される水準であった。
【特許文献１】特開２００７−１４４６３８号公報
【特許文献２】特開２００７−２２３０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、ＣＯＦ用途に代表される微細配線形成された配線基板に用いられるポリイミドフィルムとして、ポリイミド本来の持つ耐熱性などの特性に加えて、従来のポリイミドフィルムに比べてより寸法安定性に優れており、３０μｍピッチ以下のファインピッチでの実装においても接続不良を起こさず安定してチップ実装可能な配線基板に用いられるポリイミドフィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、支持基材に加熱前後での線膨張係数の変化が少ないものを使用し、かつ、支持基材層及び絶縁樹脂層間の線膨張係数の差を制御することで上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
即ち、本発明は、支持基材上にポリイミド層を形成した後、該支持基材を除去して得られるポリイミドフィルムの製造方法であって、該支持基材の厚みが５〜５０μｍの範囲にあり、該支持基材を常温から４００℃の温度範囲で温度を変化させた場合の昇温時と降温時との線膨張係数の差Δα１が±３ｐｐｍの範囲にあり、かつ該支持基材上に形成するポリイミド層との線膨張係数の差Δα２が２〜５ｐｐｍの範囲にある支持基材を準備し、該支持基材上にイミド化した場合のポリイミド層の線膨張係数が１５〜２５ｐｐｍの範囲となるポリイミド前駆体の樹脂溶液を塗布し、乾燥及びイミド化のための熱処理を行いポリイミド層を形成した後、該支持基材を全面除去してポリイミドフィルムを得ることを特徴とするポリイミドフィルムの製造方法である。
【００１３】
本発明においては、前記支持基材が、１０〜４０μｍの厚さの金属箔であり、かつ５５ＧＰａ以上の引張り弾性率を有するものであることが好ましい。また、前記ポリイミドフィルムの厚さを８〜５０μｍの範囲とすることが好ましい。
【００１４】
更に、本発明は、配線幅３０μｍピッチ以下の微細配線形成用として用いられる微細配線形成用ポリイミドフィルムを製造する方法として特に有用である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、耐熱性及び寸法安定性等に優れており、特に寸法安定性において他の製法で製造されたフィルムよりも優れているポリイミドフィルムを提供することが可能となる。したがって、本発明によれば、ＣＯＦ用途に代表される微細配線形成された配線基板に用いられるポリイミドフィルムとして、ファインピッチでの実装においても接続不良を起こさず安定してチップ実装可能な配線基板に用いられるポリイミドフィルムを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
【００１７】
本発明は、支持基材上にポリイミド層を形成した後、該支持基材を除去して得られるポリイミドフィルムの製造方法である。
【００１８】
支持基材の材質は特に限定されるものではないが、常温から４００℃まで熱処理した場合の熱処理前後での線膨張係数の差や、後に形成されるポリイミド層との線膨張係数との関係は重要であり、それらとの関係から、金属箔であることが好ましい。支持基材となる金属箔としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛およびそれらの合金等の金属を挙げることができ、これらの中でもステンレス箔、銅箔又は銅を９０％以上含む合金銅箔が好ましく、線膨張係数（ＣＴＥ）が安定していることからステンレス箔が最も好ましい。
【００１９】
支持基材の厚さは、５〜５０μｍの範囲にあることが必要であり、１０〜４０μｍの範囲にあることがより好ましく、１２〜３０μｍの範囲にあることが特に好ましい。支持基材の厚みが５μｍに満たないと、原料の入手が困難な他、積層体製造時のハンドリング性が悪化し、積層体製造時に皺などが生じやすくなる。一方、支持基材の厚みが５０μｍを超えると、積層体製造時のハンドリング性が悪化するばかりでなく、化学エッチングによる基材除去工程の生産性が劣るものとなる。
【００２０】
本発明で用いる支持基材は、該支持基材を常温から４００℃の温度範囲で温度を変化させた場合の昇温時と降温時との線膨張係数の差Δα１が±３ｐｐｍの範囲にある事が必要である。線膨張係数の差Δα１がこの値よりも大きい支持基材を用いた場合、製造されるポリイミドフィルムの面内における寸法変化率のバラツキが大きくなってしまう。これは、支持基材の熱処理時における線膨張係数（寸法変化率）と、放冷時の線膨張係数（寸法変化率）の差が大きい場合、積層体の各箇所に加熱・冷却ムラによる膨張・収縮差が生じ、その膨張・収縮量の差が結果としてフィルム面内での寸法変化率のバラツキにつながるためと本発明者らは推察する。
【００２１】
また、本発明で準備される支持基材は、該支持基材上に形成されるポリイミド層との線膨張係数の差Δα２が２〜５ｐｐｍの範囲にあることが必要である。線膨張係数の差Δα２の値が、５ｐｐｍよりも大きいと支持基材層とポリイミド層との界面での膨張率の差が大きくなって大きな残留応力を生じ、その結果として寸法変化率が大きなポリイミドフィルムしか得られなくなる。一方、線膨張係数の差Δα２の値が２よりも小さい場合も、Δα２の値が大きい場合と同様に、大きな残留応力を生じて、寸法変化率が大きくなる。これは、支持基材層の線膨張係数が厚み方向に対してほぼ一定であるのに対し、ポリイミド層の線膨張係数が厚み方向に勾配を持つために、ポリイミド層全体の線膨張係数と支持基材層の線膨張係数を同程度にした場合、支持基材層近傍の樹脂の線膨張係数は支持基材層の線膨張係数よりも小さくなってしまい、結果として膨張率の差が大きくなるためと本発明者らは推察する。
【００２２】
支持基材となる金属箔は、引張り弾性率が５５ＧＰａ以上であるものが好ましく、この場合、支持基材の厚さは１０〜４０μｍの厚み範囲にあることが好ましい。引張り弾性率が５５ＧＰａに満たない金属箔を支持基材に用いた場合、ロールｔｏロール方式による製造工程の搬送の際に掛かるテンションにより延伸の影響を受けやすく、フィルム面内での寸法変化率のバラツキが大きくなってしまう傾向にある。
【００２３】
本発明では、上記した支持基材上にポリイミド層を形成する。このポリイミド層を構成するポリイミドは、一般的に下記一般式（１）で表され、ジアミン成分と酸二無水物成分とを実質的に等モル使用し、有機極性溶媒中で重合する公知の方法によって製造することができる。
【００２４】
【化１】
2009242676.tif 000002
【００２５】
一般式（１）において、Ａｒ１は芳香族環を１個以上有する４価の有機基であり、Ａｒ２は芳香族環を１個以上有する２価の有機基である。そして、Ａｒ１は酸二無水物の残基ということができ、Ａｒ２はジアミンの残基ということができる。
【００２６】
酸二無水物としては、例えば、一般式：Ｏ（ＣＯ）２−Ａｒ１−（ＣＯ）２Ｏによって表される芳香族テトラカルボン酸二無水物が好ましく、下記芳香族酸無水物残基をＡｒ１として与えるものが例示される。
【００２７】
【化２】
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【００２８】
このような酸二無水物は単独で又は２種以上混合して用いることができる。これらの中でも、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）から選ばれるものを使用することが好ましい。
【００２９】
ジアミンとしては、例えば、一般式：Ｈ２Ｎ−Ａｒ２−ＮＨ２によって表される芳香族ジアミンが挙げられる。好ましいＡｒ２としては、次に示す２価の有機基が例示される。
【００３０】
【化３】
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【００３１】
これらのジアミンの中でも、ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ）、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル（ｍ−ＴＢ）、パラフェニレンジアミン（ｐ−ＰＤＡ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｑ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）が好適なものとして例示される。
【００３２】
重合に用いる溶媒については、例えば、ジメチルアセトアミド、ｎ−メチルピロリジノン、２−ブタノン、ジグライム、キシレン等を挙げることができ、これらについては１種若しくは２種以上を併用して使用することもできる。また、重合して得られたポリアミド酸（ポリイミド前駆体）の樹脂粘度については、５００ｃｐｓ〜３５０００ｃｐｓの範囲とすることが好ましい。
【００３３】
前記支持基材上に形成されるポリイミド層は、単層からなるものであっても複数層からなるものであってもよいが、製造されるフィルムの寸法安定性やカールの低減、積層体基板用途に用いる際に銅箔との接着強度を優れたものとするためには、複数層とすることが好ましい。ポリイミド層を複数層とする場合、線膨張係数（ＣＴＥ）が３０ｐｐｍ［１／Ｋ］以下、好ましくは１〜３０ｐｐｍ［１／Ｋ］の範囲の低線膨張性ポリイミド層（Ｂ）を主たるポリイミド層とし、その片面又は両面に熱可塑性ポリイミド層（Ａ）を設けることが好ましい。
【００３４】
ここで、熱可塑性ポリイミド層（Ａ）とは、線膨張係数（ＣＴＥ）が３０ｐｐｍ［１／Ｋ］を超え、ガラス転移温度が３３０℃以下にあるものを言う。好ましい熱可塑性ポリイミド層の線膨張係数は、３０〜６０ｐｐｍ［１／Ｋ］で、ガラス転移温度が２００〜３３０℃の範囲にあるものである。低線膨張性ポリイミド層（Ｂ）の線膨張係数が３０ｐｐｍ［１／Ｋ］より大きいと、銅張積層板を形成した際のカールが激しくなる傾向にあり、また、寸法安定性が低下する傾向にあるため製品として好ましくない。低線膨張性ポリイミド層（Ｂ）の厚みは、全ポリイミド樹脂層の厚みの５０％以上であることが好ましく、７０〜９５％であることがより好ましい。
【００３５】
このようにしてポリイミド層を構成することができるが、支持基材上に形成されるポリイミド層の線膨張係数は、１５〜２５ｐｐｍの範囲とすることが必要である。ポリイミド樹脂層の線膨張係数をこの範囲とするには、上記低熱膨張係数を構成する原料モノマーを適宜選択するとともに、ポリイミド層を複数とする場合、低線膨張性ポリイミド層（Ｂ）と熱可塑性ポリイミド層（Ａ）との層構成や厚み、そのほかイミド化時の硬化条件などを適宜制御することで容易に調整することができる。
【００３６】
ポリイミド層を形成する方法については特に限定されないが、例えば、以下の方法が好ましい。即ち、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の樹脂溶液を、支持基材上に直接塗布し、樹脂溶液に含まれる溶剤を１５０℃以下の温度である程度除去した後、更に、１００〜４５０℃（より好ましくは３００〜４５０℃）の温度範囲で５〜４０分間程度の熱処理を行って、溶媒の除去及びイミド化を行う。２層以上にポリイミド層を設ける場合は、第一のポリアミド酸の樹脂溶液を塗布、乾燥したのち、第二のポリアミド酸の樹脂溶液を塗布、乾燥し、以下同様にして第三以下のポリアミド酸の樹脂溶液を順次、塗布、乾燥した後、まとめて３００〜４５０℃の温度範囲で５〜４０分間程度の熱処理を行って、イミド化を行うことが好ましい。熱処理の温度が１００℃より低いとポリイミドの脱水閉環反応が十分に進行しない傾向にあり、他方、４５０℃を超えると、ポリイミド樹脂層が酸化等により劣化する傾向にある。
【００３７】
ポリイミド層の厚さは、８〜５０μｍの範囲とすることが好ましく、９〜４０μｍの範囲とすることがより好ましい。樹脂層の厚みが８μｍに満たないと、支持基材を除去した後に搬送時にシワが入るなどの不具合が生じ易くなる傾向にあり、他方、５０μｍを超えると、フレキシブル配線基板として用いた際に屈曲性等が低くなる傾向にある。
【００３８】
本発明において、前記支持基材上に前記ポリイミド層を形成した後、任意の方法で支持基材を除去することでポリイミドフィルムを得ることができる。支持基材を除去する方法としては、ポリイミドフィルムを剥離する方法や支持基材を化学エッチングにより除去する方法などが挙げられるが、ポリイミドフィルムに余分な応力を掛けないことでより寸法安定性の良好なポリイミドフィルムが得られることから、化学エッチングにより除去する方法が有利である。例えば、支持基材層に銅箔を用いた場合には、塩化第二鉄水溶液等の公知のエッチング液を用いることで除去が可能である。
【００３９】
本発明によって製造されたポリイミドフィルムは、微細配線形成用に適して用いられるが、ポリイミドフィルムに導体金属層を設ける方法は特に制限されるものでなく、例えば、ポリイミドフィルムの表面にスパッタ処理により導通層を形成した後、電気メッキにより導体層を形成するスパッタメッキ法が好適に採用される。その他、銅箔を加熱加圧下に積層してもよい。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例において、特に断りのない限り各種評価については下記によるものである。
【００４１】
［線膨張係数（ＣＴＥ）の測定：支持基材及びポリイミドフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）の測定］
支持基材又はポリイミドフィルム（３ｍｍ×１５ｍｍ）を測定サンプルとして、熱機械分析（ＴＭＡ）装置にて５．０ｇの荷重を加えながら２０℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から４００℃まで昇温し、６０分間保持した後、２５℃まで５℃／ｍｉｎの降温速度で温度を下げた。降温過程での温度変化に対する測定サンプルの伸縮（収縮量）から線膨張係数を測定した。
【００４２】
［支持基材を常温から４００℃の温度範囲で温度を変化させた場合の昇温時と降温時との線膨張係数の差Δα１の測定］
支持基材（３ｍｍ×１５ｍｍ）を測定サンプルとして、熱機械分析（ＴＭＡ）装置にて５．０ｇの荷重を加えながら２０℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から４００℃まで昇温し、６０分間保持した後、２５℃まで５℃／ｍｉｎの降温速度で温度を下げた。この際に測定された昇温過程での線膨張係数の値（αｈ）と降温過程での線膨張係数の値（αＬ）を測定し、その差を常温（２５℃）から４００℃の温度範囲で温度を変化させた場合の昇温時と降温時との線膨張係数の差Δα１とした。
【００４３】
［エッチング寸法変化率の測定］
ＩＰＣ‐ＴＭ‐６５０、２．２．４  Ｂ項に記載された方法に従い、幅２５０ｍｍ、長さ２５０ｍｍに切り出した積層体（ポリイミドフィルム）の任意の箇所に測定用のマークを形成した試験片を作成し、エッチング前後での寸法変化率を求めた。
【００４４】
（合成例１）
熱電対及び攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを入れた。この反応容器に２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル（ｍ−ＴＢ）を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物およびピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を加えた。モノマーの投入総量が１５ｗｔ％で、各酸無水物のモル比率（ＢＰＤＡ：ＰＭＤＡ）が２０：８０となるように投入した。その後、３時間撹拌を続け、ポリアミド酸の樹脂溶液ａを得た。ポリアミド酸の樹脂溶液ａの溶液粘度は２０，０００ｃｐｓであった。
【００４５】
（合成例２）
熱電対及び攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを入れた。この反応容器に２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンを容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、ピロメリット酸二無水物を加え、モノマーの投入総量が１２ｗｔ％となるようにした。その後、３時間撹拌を続け、ポリアミド酸の樹脂溶液ｂを得た。ポリアミド酸の樹脂溶液ｂの溶液粘度は３，０００ｃｐｓであった。
【００４６】
（実施例１）
表１に示した特性を有するステンレス箔１を支持基材とし、この支持基材上に、合成例２で調製したポリアミド酸の樹脂溶液ｂを硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、次いで、合成例１で調整したポリアミド酸の樹脂溶液ａを硬化後の厚みが３３μｍとなるように塗布し、乾燥後、最終的に３００℃以上で約１０分間熱処理を行い、支持基材上のポリイミド層の厚みが３５μｍである積層体を得た。この積層体の支持基材を塩化第二鉄水溶液によって全面エッチングし、積層体から支持基材層を全て除去した。得られたポリイミドフィルムの線膨張係数は２１ｐｐｍであり、積層体とポリイミドフィルムの線膨張係数の差Δα２は３ｐｐｍであった。また、エッチング前後での寸法変化率はＭＤ方向で０．０１２％、ＴＤ方向で−０．００９％であった。評価結果を表１に示す。
【００４７】
（実施例２）
表１に示した特性を有する銅箔１を支持基材とし、実施例１と同様の方法で、厚みが４０μｍであるポリイミドフィルムを得た。なお、この際、合成例２で調製したポリアミド酸の樹脂溶液ｂを用いて得られたポリイミド層の厚みは２μｍであり、合成例１で調製したポリアミド酸の樹脂溶液ａを用いて得られたポリイミド層の厚みは３８μｍであった。得られたポリイミドフィルムの線膨張係数は２１ｐｐｍであり、積層体とポリイミドフィルムの線膨張係数の差Δα２は４ｐｐｍであった。エッチング寸法変化率はＭＤ方向で０．０１４％、ＴＤ方向で−０．００５％であった。評価結果を表１に示す。
【００４８】
（比較例１）
表１に示した特性を有するステンレス箔２を支持基材とし、実施例１と同様の方法で、厚みが３５μｍであるポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの線膨張係数は２１ｐｐｍであり、積層体とポリイミドフィルムの線膨張係数の差Δα２は６ｐｐｍであった。エッチング寸法変化率はＭＤ方向で−０．０２３％、ＴＤ方向で−０．０２２％であった。評価結果を表１に示す。
【００４９】
（比較例２）
表１に示した特性を有する銅箔２を支持基材とし、実施例２と同様の方法で、厚みが４０μｍであるポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの線膨張係数は２０ｐｐｍであり、積層体とポリイミドフィルムの線膨張係数の差Δα２は３．０ｐｐｍであった。エッチング寸法変化率はＭＤ方向で０．０３２％、ＴＤ方向で０．０２３％であった。
【００５０】
（比較例３）
表１に示した特性を有する銅箔３を支持基材とし、実施例２と同様の方法で、厚みが４０μｍであるポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの線膨張係数は１７ｐｐｍであり、積層体とポリイミドフィルムの線膨張係数の差Δα２は０ｐｐｍであった。エッチング寸法変化率はＭＤ方向で０．１０３％、ＴＤ方向で０．０８１％であった。
【００５１】
【表１】
2009242676.tif 000005
【００５２】
表１に示した結果から明らかなように、本発明の方法によって製造されたポリイミドフィルム（実施例１〜２）は、本発明の条件を満たさない方法によって製造されたポリイミドフィルム（比較例１〜３）に比べて寸法安定性が非常に優れていることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上説明したように、本発明によれば、ＣＯＦ用途に代表される微細配線形成された配線基板に用いられるポリイミドフィルムとして、ポリイミド本来の持つ耐熱性などの特性に加えて、従来のポリイミドフィルムに比べてより寸法安定性に優れており、３０μｍピッチ以下のファインピッチでの実装においても接続不良を起こさず安定してチップ実装可能な配線基板に用いられるポリイミドフィルムを提供することが可能となる。
【００５４】
したがって、本発明は、配線幅３０μｍピッチ以下の微細配線形成用として用いられる微細配線形成用ポリイミドフィルムを製造する方法として特に有用である。