(57)【要約】【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相１の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相２により包囲されている複合相３がＢを含むＰｔ合金相素地４中に均一分散している組織を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、
このスパッタリングターゲットは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相により包囲されてなる複合相が、Ｂを含むＰｔ合金相素地中に均一分散している組織を有することを特徴とする比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記非磁性酸化物相は、酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムの内のいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面が非磁性酸化物層により被覆されている複合粉末を用意し、この複合粉末にＰｔ粉末を非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するように配合し混合して混合粉末を作製し、得られた混合粉末を加圧焼結することを特徴とする比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項４】
前記非磁性酸化物は、酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムの内のいずれかであることを特徴とする請求項３記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
前記加圧焼結は真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスであることを特徴とする請求項３記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面に非磁性酸化物層を被覆した複合粉末からなることを特徴とする比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するための原料粉末。
【請求項７】
前記非磁性酸化物層は、酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムの内のいずれかからなることを特徴とする請求項６記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するための原料粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に高密度の垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置として用いられているが、高画質ビデオ映像の記録など大量のデータを扱うニーズの拡大に伴い、記録密度の一層の向上が求められている。そのため、近年、超高密度の記録を実現できる垂直磁気記録方式が採用されている。この垂直磁気記録方式のハードディスク媒体の記録層に適用されている材料の一つとしてＣｏＣｒＰｔＢ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜があり、このＣｏＣｒＰｔＢ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜は二酸化珪素：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる成分組成を有し、このＣｏＣｒＰｔＢ−ＳｉＯ２グラニュラ磁気記録膜は二酸化珪素：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる成分組成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成することも知られている（特許文献１参照）。前記成分組成を有するターゲットは、通常、Ｃｒ、ＰｔおよびＢを含むＣｏ基合金のインゴットを粉砕して作製したＣｏ基合金粉末または急冷凝固して作製したＣｒ、ＰｔおよびＢを含むＣｏ基合金粉末と二酸化珪素粉末を二酸化珪素：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成となるように配合し混合したのち、真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されることも知られている。さらに前記ＳｉＯ２の他にＴｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＢｅＯ２、ＭｇＯ、ＴｈＯ２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３などの非磁性酸化物が使用できることが知られている（特許文献２、３参照）。
【特許文献１】特開２００４‐３１０９１０号公報
【特許文献２】特開２００３‐３６５２５号公報
【特許文献３】特開２００６‐２４３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、この従来の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、強磁性合金であるＣｒ、ＰｔおよびＢを含むＣｏ基合金を素地とし、この素地中にＳｉＯ２などの非磁性酸化物が均一分散している組織を有するために、非磁性体ターゲットと比較して磁束がターゲット内部を通過する割合が大きく、ターゲット上空に漏れ出る磁束が極めて少ない。このことはターゲット下部に磁気回路を配置し、ターゲット上空に漏れ出る磁束を利用して希ガスの電離効率を高めることで放電を安定化させ、成膜速度を向上させているマグネトロンスパッタリング法にとっては大きな問題となる。すなわち、ターゲット上空に漏れ出る磁束が少ない漏洩磁束密度の低いターゲット（すなわち比透磁率の高いターゲット）を用いてマグネトロンスパッタリングを行なうと、放電が安定しないかあるいは放電できても成膜速度が極端に遅くなるなどの問題を引き起こすからである。
この問題点を解消するための手段の一つとして、ターゲットの厚さを薄くして磁束をターゲット上空へ抜けやすくする方法が取られている。しかし、ターゲットを薄くすると、ターゲットの交換頻度が頻繁になるので成膜効率が悪くなり、コスト的に好ましくない。
また、漏洩磁束密度の低いターゲットは、一旦マグネトロンスパッタリングを行ってエロージョンが形成されると、エロージョン部分から磁束が集中的に漏洩し、その部分だけが益々集中的にスパッタされていくためにターゲットの利用効率が低下したり、成膜速度が経時変化したり、基板面内に膜厚のばらつきが生じたり、さらにターゲット上への再デポ膜の大量付着が生じるなどといった問題を引き起こしやすい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
そこで、本発明者らは、ターゲットの厚さを薄くすることなく比透磁率の低いスパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった。その結果、
（イ）非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットにおいて、このスパッタリングターゲットの組織がＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相、Ｂを含むＰｔ合金相および非磁性酸化物相からなり、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の表面を非磁性酸化物相により包囲した複合相とし、この複合相をＢを含むＰｔ合金相素地中に均一分散させた組織を有するターゲットは比透磁率が一層低下する、
（ロ）前記複合相は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の全表面を非磁性酸化物相により包囲することが最も好ましいが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の一部表面を非磁性酸化物相により包囲していても効果がある、などの研究結果が得られたのである。
【０００５】
この発明は、これら知見に基づいてなされたものであって、
（１）非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相により包囲されている複合相が形成されており、この複合相がＢを含むＰｔ合金相素地中に均一分散している組織を有する比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００６】
一般に、比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおける非磁性酸化物としてＳｉＯ２、ＴｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｈＯ２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３のうちのいずれかを使用することはすでに知られており、前記（１）記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおける非磁性酸化物も酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかを使用する。
【０００７】
したがって、この発明は、
（２）前記非磁性酸化物相は、酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムの内のいずれかからなる前記（１）記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００８】
この発明の前記（１）および（２）記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、原料粉末としてＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面に非磁性酸化物層を被覆した複合粉末を用意し、さらに原料粉末としてＰｔ粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合し、得られた混合粉末を加圧焼結することにより作製する。原料粉末としてＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面に非磁性酸化物層を被覆した複合粉末をＰｔ粉末と混合して加圧焼結すると、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末に含まれるＢの一部はＰｔ相素地中に移行してＢを含むＰｔ合金相素地を生成し、前記（１）および（２）記載のターゲット組織となる。
したがって、この発明は、
（３）Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面を非磁性酸化物層により包囲した複合粉末を用意し、この複合粉末にＰｔ粉末を非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するように配合し混合して混合粉末を作製し、得られた混合粉末を加圧焼結する比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００９】
この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するために原料粉末として使用する前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面に非磁性酸化物層を被覆した複合粉末は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の表面に物理蒸着、化学蒸着、スパッタリング、化学メッキなどの方法により薄い非磁性酸化物層を形成することにより作製することができる。また、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末とこのＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の粒径よりも格段に小さな粒径を有する非磁性酸化物粉末とを混合し撹拌してＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の表面に非磁性酸化物粉末を付着させ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面に非磁性酸化物粉末の積層体からなる非磁性酸化物層を形成して前記複合粉末を作製することができる。
【００１０】
この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において原料粉末とし使用する複合粉末を構成する非磁性酸化物層は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかである。そして、この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法で実施する加圧焼結は真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスであることが好ましい。
したがって、この発明は、
（４）前記非磁性酸化物は、酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムの内のいずれかである前記（３）記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（５）前記加圧焼結は真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスである前記（３）記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【００１１】
さらに、この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において使用する前記複合粉末は原料粉末として新規なものであり、この発明は、前記複合粉末をも含むものである。この前記（３）に記載の製造方法で使用する複合粉末はＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の表面の一部に非磁性酸化物層を被覆した複合粉末を使用しても効果があるが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の全表面に非磁性酸化物層を被覆した複合粉末を使用することが最も好ましい。したがって、この発明は、
（６）Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面に非磁性酸化物層を被覆した複合粉末からなる比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するための原料粉末、
（７）前記非磁性酸化物は、酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムの内のいずれかである前記（６）記載の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造するための原料粉末、に特徴を有するものである。
【００１２】
前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末はＣｒ：４．２〜３３．３原子％、Ｂ：０．５〜１５原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有することが好ましい。かかる成分組成を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末の一部または全表面に非磁性酸化物層を被覆した複合粉末を原料粉末として使用する。この複合粉末を図３の断面説明図に基づいて説明する。原料粉末として使用する複合粉末５は、図３（ａ）の断面図に示されるように、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末６の表面全面が非磁性酸化物層７により被覆された構造を有している。非磁性酸化物層７はＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末６の全表面を被覆していることが最も好ましいが、図３（ｂ）の断面図に示されるように、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末６の一部表面を被覆していても効果がある。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末６はアトマイズ法により作製した場合は図３に示されるように球形をしているが、粉砕粉である場合は図３に示されるような球形にはならない。
かかる構造を有する複合粉末をＰｔ粉末と共に混合し加圧焼結すると、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末に含まれるＢ成分の一部はＰｔ粉末側に移行してＢを含むＰｔ合金相素地を生成し、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲を非磁性酸化物相で被覆した複合相がＢを含むＰｔ合金相素地中に均一分散している組織を有するこの発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが作られる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを用いると、マグネトロンスパッタリングを効率よく行なうことができ、コンピューター並びにデジタル家電等の産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施例１
原料粉末として、Ｃｒ：２６．３原子％、Ｂ：１．３原子％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成並びに平均粒径：４５μｍを有するＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金ガスアトマイズ粉末を用意し、さらに非磁性酸化物粉末として平均粒径：３μｍのＳｉＯ２粉末を用意し、このＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末とＳｉＯ２粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持しながら２０時間回転させることによりＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末の表面にＳｉＯ２粉末が積層して付着した複合粉末を作製した。得られた複合粉末に対して平均粒径：２０μｍのＰｔ粉末を、モル％でＣｒ：２０．０％、Ｐｔ：１７．０％、Ｂ：１．０％、ＳｉＯ２：７．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持しながら３時間回転させることにより混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：７５０℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット１を作製し、さらにこの本発明ターゲット１を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｂを含むＰｔ合金相、ＳｉＯ２相およびＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が見られ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲をＳｉＯ２相が包囲している複合相がＢを含むＰｔ合金相素地中に均一分散している組織が見られた。
さらに、この本発明ターゲット１についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表１に示した。
【００１５】
従来例１
Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ粉末およびＳｉＯ２粉末を用意し、これら粉末をモル％でＣｒ：２０．０％、Ｐｔ：１７．０％、Ｂ：１．０％、ＳｉＯ２：７．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持し、ボールミルを２０時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：７５０℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する従来ターゲット１を作製し、さらにこの従来ターゲット１を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金相中にＳｉＯ２粒子が均一分散している組織が見られた。さらにこの従来ターゲット１についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表１に示した。
【００１６】
実施例２
原料粉末として、Ｃｒ：２１．１原子％、Ｂ：２．６原子％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成並びに平均粒径：６２μｍを有するＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末を用意し、さらに非磁性酸化物粉末として平均粒径：２μｍのＴｉＯ２粉末を用意し、このＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末とＴｉＯ２粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持しながら２０時間回転させることによりＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末の表面にＴｉＯ２粉末が積層して付着した複合粉末を作製した。得られた複合粉末に対して平均粒径：２０μｍのＰｔ粉末をモル％でＣｒ：１６．０％、Ｐｔ：１５．０％、Ｂ：２．０％、ＴｉＯ２：９．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持しながら３時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：８５０℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
【００１７】
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット２を作製し、さらにこの本発明ターゲット２を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｂを含むＰｔ合金相、ＴｉＯ２相およびＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が見られ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲をＴｉＯ２相が包囲している複合相がＢを含むＰｔ合金相素地中に均一分散している組織が見られた。
前記ＥＰＭＡにより観察した際の組織写真を図１に示す。さらにこの時の写生図を図２に示して図１の組織写真の説明を行った。図１および図２に示されるように、本発明ターゲット２は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相１の周囲を非磁性酸化物相であるＴｉＯ２相２により包囲してなる複合相３が、Ｂ含有Ｐｔ合金相素地４の中に均一分散している組織を有することがわかる。
さらにこの本発明ターゲット２についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表１に示した。
【００１８】
従来例２
Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ粉末およびＴｉＯ２粉末を、モル％でＣｒ：１６．０％、Ｐｔ：１５．０％、Ｂ：２．０％、ＴｉＯ２：９．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持し、ボールミルを２０時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：８５０℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する従来ターゲット２を作製した。さらにこの従来ターゲット２を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金相中にＴｉＯ２粒子が均一分散している組織が見られた。この従来ターゲット２についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表１に示した。
【００１９】
実施例３
原料粉末として、Ｃｒ：１６．３原子％、Ｂ：５．０原子％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成並びに平均粒径：５４μｍを有するＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末を用意し、さらに非磁性酸化物粉末として平均粒径：１．５μｍのＴａ２Ｏ５粉末を用意し、このＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末とＴａ２Ｏ５粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持しながら２０時間回転させることによりＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末の表面にＴａ２Ｏ５粉末が積層して付着している複合粉末を作製した。得られた複合粉末に対して平均粒径：２０μｍのＰｔ粉末をモル％でＣｒ：１３．０％、Ｐｔ：１７．０％、Ｂ：４．０％、Ｔａ２Ｏ５：３．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持しながら３時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
【００２０】
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット３を作製し、さらにこの本発明ターゲット３を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｂを含有するＰｔ合金相、Ｔａ２Ｏ５相およびＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が見られ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲をＴａ２Ｏ５相が包囲している複合相がＢを含むＰｔ合金相素地中に均一分散している組織が見られた。
さらにこの本発明ターゲット３についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表１に示した。
【００２１】
従来例３
Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ粉末およびＴａ２Ｏ５粉末を、モル％でＣｒ：１３．０％、Ｐｔ：１７．０％、Ｂ：４．０％、Ｔａ２Ｏ５：３．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持し、ボールミルを３時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する従来ターゲット３を作製した。さらにこの従来ターゲット３を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金相中にＴａ２Ｏ５粒子が均一分散している組織が見られた。さらにこの従来ターゲット３についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表１に示した。
【００２２】
実施例４
原料粉末として、Ｃｒ：１３．５原子％、Ｂ：８．１原子％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成並びに平均粒径：３８μｍを有するＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末を用意し、さらに非磁性酸化物粉末として平均粒径：１μｍのＡｌ２Ｏ３粉末を用意し、このＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末とＡｌ２Ｏ３粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持しながら２０時間回転させることによりＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金アトマイズ粉末の表面にＡｌ２Ｏ３粉末が積層して付着している複合粉末を作製した。得られた複合粉末に対して平均粒径：２０μｍのＰｔ粉末をモル％でＣｒ：１０．０％、Ｐｔ：１４．０％、Ｂ：６．０％、Ａｌ２Ｏ３：１２．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持しながら３時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９５０℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
【００２３】
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明ターゲット４を作製した。さらにこの本発明ターゲット４を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｂを含むＰｔ合金相、Ａｌ２Ｏ３相およびＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が見られ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相の周囲をＡｌ２Ｏ３相が包囲している複合相がＢを含むＰｔ合金相素地中に均一分散している組織が見られた。
さらにこの本発明ターゲット４についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表１に示した。
【００２４】
従来例４
Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ粉末およびＡｌ２Ｏ３粉末を、モル％でＣｒ：１０．０％、Ｐｔ：１４．０％、Ｂ：６．０％、Ａｌ２Ｏ３：１２．０％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末をボールミルに装入し、ボールミル内の雰囲気をＡｒガス雰囲気に保持し、ボールミルを２０時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９５０℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
この板状ホットプレス体を切削することによりいずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する従来ターゲット４を作製し、さらにこの従来ターゲット４を切断し、その切断面を電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）の面分析法にて観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金相中にＡｌ２Ｏ３粒子が均一分散している組織が見られた。さらにこの従来ターゲット４についてターゲット面内方向の最大比透磁率を測定し、その結果を表１に示した。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
表１に示される結果から、Ｂを含むＰｔ合金相素地中に複合相が均一分散している本発明ターゲット１は、従来ターゲット１に比べて、成分組成が同じであるにもかかわらず比透磁率が小さいところから、スパッタリングに際して漏洩磁束密度が大きく、したがって、本発明ターゲット１は従来ターゲット１に比べて効率よくスパッタできることが分かる。同様にして発明ターゲット２〜４と従来ターゲット２〜４をそれぞれ比較すると、成分組成が同じであるにもかかわらず、組織の相違により発明ターゲット２〜４は従来ターゲット２〜４に比べて比透磁率が小さいところから、スパッタリングに際して漏洩磁束密度が大きく、したがって、本発明ターゲット２〜４はそれぞれ従来ターゲット２〜４に比べて効率よくスパッタできることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施例２で作製した本発明ターゲット２のＥＰＭＡによる組織写真である。
【図２】実施例２で作製した本発明ターゲット２の組織の写生図である。
【図３】この発明の比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを作製するために使用する複合粉末の断面説明図である。
【符号の説明】
【００２８】
１：Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相
２：ＴｉＯ２相
３：複合相
４：Ｂを含むＰｔ合金相素地
５：複合粉末
６：Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金粉末
７：非磁性酸化物層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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