(57)【要約】【課題】磁気記録媒体に高密度に情報を記録でき、且つ歩留りを向上できる磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】書き込みヘッドの下部磁極となる磁気シールド層３５の上にギャップ層４４を形成した後、ギャップ層４４の上に給電層４７及びフォトレジスト膜４８を形成する。その後、フォトレジスト膜４８に開口部４８ａを形成し、開口部４８ａの内面にシード層５０を形成する。次に、シード層５０の上にＣｕ等を電解めっきし、開口部４８ａの幅を例えば１５０ｎｍ以下に狭める。その後、開口部４８ａ内に磁性金属をめっきして上部電極３８（３８ａ）を形成する。【選択図】図５
2009015966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に情報の記録を行う磁気ヘッドにおいて、
コイルと、
前記コイルに流れる信号により記録磁界を発生する磁極とを有し、
前記磁極の前記磁気記録媒体側の先端部の両側に非磁性金属めっき膜及び導電膜が形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
コイルと、前記コイルに流れる信号により記録磁界を発生し磁気記録媒体に情報を書き込む磁極とを有する磁気ヘッドの製造方法において、
基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に導電性材料により給電層を形成する工程と、
前記給電層の上に非磁性絶縁膜を形成する工程と、
前記非磁性絶縁膜に前記給電層が露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部の内面に導電膜を被着させる工程と、
前記導電膜の上に非磁性金属膜をめっき法により形成して前記開口部の幅を狭める工程と、
めっき法により前記開口部内に磁性金属を充填し前記磁極を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記非磁性絶縁膜をフォトレジストにより形成することを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記非磁性絶縁膜の開口部の前記磁気記録媒体側の端部における幅が１５０ｎｍ以上であり、前記磁極の前記磁気記録媒体側の端部における幅が１５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記開口部の内面に導電膜を被着させる工程では、前記開口部に対応する形状の開口部が設けられたマスクを用いて、前記非磁性絶縁膜の開口部の外側に導電膜が被着しないようにすることを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を高密度に記録可能な磁気記録装置の磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録装置（ハードディスク）は、コンピュータだけでなくポータブル音楽プレーヤやハードディスクビデオレコーダ（ＨＤＤレコーダ）等の家電製品にも広く使用されるようになった。従来は、磁気記録媒体の表面を水平方向（媒体表面に平行な方向）に磁化する水平磁気記録方式の磁気記録装置が一般的であった。しかし、近年の大容量化の要求に応じて磁気記録媒体の表面を垂直方向に磁化する垂直磁気記録方式の磁気記録装置が開発され、既に実用化されている。今後は、この垂直磁気記録方式の磁気記録装置が主流になるものと考えられている。
【０００３】
図１は、磁気記録装置に使用される磁気ヘッドの構造を示す模式図である。この図１に示すように、磁気記録装置に使用される一般的な磁気ヘッドは、基板（スライダー）１０の端面上に、磁気記録媒体２０に情報を書き込む書き込みヘッド（ライトヘッド）ＷＲと、磁気記録媒体２０から情報を読み出す読み出しヘッド（リードヘッド）ＲＥとを積層した構造を有している。
【０００４】
読み出しヘッドＲＥは磁気抵抗素子１３により構成されており、この磁気抵抗素子１３は非磁性絶縁膜（図示せず）に挟まれた状態で下層側磁気シールド層１２と上層側磁気シールド層１５との間に配置されている。また、磁気抵抗素子１３の両側部（図１では一方の側のみを図示している）には引き出し電極１４が接続されており、これらの引き出し電極１４を介して磁気抵抗素子１３から電気信号を取り出すようになっている。なお、この図１に示す磁気ヘッドでは、上層側磁気シールド層１５が書き込みヘッドＷＲの下部磁極を兼ねるようになっている。
【０００５】
書き込みヘッドＷＲは、上層側磁気シールド層（下部磁極）１５と、上部磁極１８と、それらの間に配置されたコイル１７とにより構成されている。上部磁極１８の磁気記録媒体２０側の端部（以下、先端部１８ａという）は細く加工されており、上層側磁気シールド層１５との間に一定の間隔（ギャップ）が保持されている。また、上部磁極１８の先端部１８ａと反対側の端部は、上層側磁気シールド層１５と接続されている。コイル１７は、上層側磁気シールド層１５と上部磁極１８との接続部を中心として渦巻状に形成されている。
【０００６】
コイル１７に信号（書き込み信号）が供給されると、上部磁極１８の先端部１８ａと上層側磁気シールド層１５との間に記録磁界が発生し、磁気記録媒体２０に情報が書き込まれる。磁気記録媒体２０に情報を高密度に記録するためには、上部磁極１８の先端部１８ａの幅を１５０ｎｍ以下、例えば１００ｎｍ程度まで小さくすることが必要である。
【０００７】
図２（ａ）〜（ｈ）は、書き込みヘッドの上部磁極の作製方法の一例を示す図である。なお、図２（ａ）〜（ｈ）では上部磁極の先端部に対応する部分を磁気記録媒体の側から見た状態を示しており、上層側磁気シールド層（下部磁極）よりも下側（基板側）の図示を省略している。
【０００８】
まず、図２（ａ）に示すように、上層側磁気シールド層１５の上に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の非磁性絶縁膜からなるギャップ層２１を形成する。そして、ギャップ層２１の上に導電材料により給電層２２を形成した後、給電層２２の上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜２３を形成する。次に、フォトレジスト膜２３の所定の領域を露光した後、現像処理を行うことにより、図２（ｂ）に示すように所定のパターンで給電層２２が露出する開口部２３ａを形成する。
【０００９】
次に、給電層２２を電源に接続し、開口部２３ａ内に例えばＦｅＮｉ合金（パーマロイ）等の磁性金属を電解めっきして上部磁極を形成する。図２（ｃ）には、開口部２３ａ内に形成された上部磁極の先端部１８ａを示している。その後、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜２３を除去する。
【００１０】
次に、図２（ｅ）に示すように、イオンミリングにより上部磁極１８の先端部１８ａをスリミング（細幅化）して、先端部１８ａの幅を例えば１００ｎｍ程度とする。その後、図２（ｆ）に示すように、ギャップ層２１の上側全面にアルミナ等からなる非磁性絶縁膜２４を形成した後、この非磁性絶縁膜２４をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により研磨して、図２（ｇ）に示すように表面を平坦化する。その後、図２（ｈ）に示すように、非磁性絶縁膜２４の上にアルミナ等からなる非磁性絶縁膜２５を形成する。このようにして、磁気ヘッドの上部磁極が形成される。
【００１１】
なお、本発明に関係すると思われる従来技術として、特許文献１，２に記載されたものがある。これらの特許文献１，２には、アルミナ等の無機絶縁膜に溝を形成し、スパッタ法、イオンビームデポジッション法及びフレームめっき法等を使用して溝内に磁性金属を埋め込んで上部磁極を形成する方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００６−２５２７５３号公報
【特許文献２】特開２００６−１０７６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、磁気記録媒体に情報を高密度に記録するためには、書き込みヘッドの上部磁極の先端部の幅を１００ｎｍ程度まで細くする必要がある。フォトレジスト法ではレジスト膜に１００ｎｍ程度の細溝をある程度の深さ（例えば、３００ｎｍ）に形成することは極めて困難であり、そのため上述したように上部磁極を形成した後、イオンミリング等により上部磁極の先端部をスリミング（細幅化）する工程が必要である。しかしながら、上述した従来の方法では、スリミングの際に上部磁極の先端部が倒れてしまう現象（いわゆる磁極倒れ）が発生することがあり、歩留りの低下の原因となっている。
【００１３】
また、上述の特許文献１，２に記載された方法ではアルミナ等の無機絶縁膜に溝を細い幅で形成する必要があるが、アルミナ等の無機絶縁膜に幅が１００ｎｍ、深さが３００ｎｍ程度の細溝を形成することは極めて困難である。
【００１４】
以上から、本発明の目的は、磁気記録媒体に高密度に情報を記録でき、且つ歩留りを向上できる磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一観点によれば、磁気記録媒体に情報の記録を行う磁気ヘッドにおいて、コイルと、前記コイルに流れる信号により記録磁界を発生する磁極とを有し、前記磁極の前記磁気記録媒体側の先端部の両側に非磁性金属めっき膜及び導電膜が形成されている磁気ヘッドが提供される。
【００１６】
本発明の他の観点によれば、コイルと、前記コイルに流れる信号により記録磁界を発生し磁気記録媒体に情報を書き込む磁極とを有する磁気ヘッドの製造方法において、基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に導電性材料により給電層を形成する工程と、前記給電層の上に非磁性絶縁膜を形成する工程と、前記非磁性絶縁膜に前記給電層が露出する開口部を形成する工程と、前記開口部の内面に導電膜を被着させる工程と、前記導電膜の上に非磁性金属膜をめっき法により形成して前記開口部の幅を狭める工程と、めっき法により前記開口部内に磁性金属を充填し前記磁極を形成する工程とを有する磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１７】
本発明においては、絶縁膜の上に給電層を形成した後、給電層の上に非磁性絶縁膜を形成し、この非磁性絶縁膜に給電層が露出する開口部を形成する。この開口部はフォトリソグラフィ法を用いて形成するが、開口部の先端部（記録媒体側の先端部）の幅をフォトリソグラフィ法により比較的容易に形成できる幅（例えば１５０ｎｍ以上）とする。
【００１８】
その後、開口部の内面に導電膜を被着させ、給電層及び導電膜を電源に接続してめっき法により非磁性金属膜を形成する。この非磁性金属膜により開口部の先端部の幅が狭くなる。非磁性金属膜により、開口部の先端部の幅を例えば１５０ｎｍ以下にすることができる。
【００１９】
次いで、めっき法により開口部の内側に磁性金属を充填し、磁極を形成する。このようにして、幅が１５０ｎｍ以下の磁極を比較的容易に形成することができる。本発明によれは、イオンミリングによるスリミング工程が不要であるので、スリミング工程に起因する磁極倒れ等の不具合の発生が回避される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２１】
図３は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの構造を示す模式図である。この図３に示すように、本実施形態に係る磁気ヘッドは、基板（スライダー）３０の端面上に、磁気記録媒体４０に情報を書き込む書き込みヘッド（ライトヘッド）ＷＲと、磁気記録媒体４０から情報を読み出す読み出しヘッド（リードヘッド）ＲＥとを積層した構造を有している。
【００２２】
読み出しヘッドＲＥは、ＭＲ（Magneto Resistive）素子、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子又はＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive）素子等の磁気抵抗素子３３により構成されている。この磁気抵抗素子３３は非磁性絶縁膜（図示せず）に挟まれた状態で下層側磁気シールド層３２と上層側磁気シールド層３５との間に配置されている。また、磁気抵抗素子３３の両側部（図３では一方の側のみを図示している）には引き出し電極３４が接続されており、これらの引き出し電極３４を介して磁気抵抗素子３３から電気信号を取り出すようになっている。なお、本実施形態に係る磁気ヘッドでは、上層側磁気シールド層３５が書き込みヘッドＷＲの下部磁極を兼ねるようになっている。
【００２３】
書き込みヘッドＷＲは、磁性材料からなる上層側磁気シールド層（下部磁極）３５及び上部磁極３８と、それらの間に配置されたコイル３７とにより構成されている。上部磁極３８の磁気記録媒体４０側の端部（以下、先端部３８ａという）の幅は１００ｎｍ程度と細くなっており、上層側磁気シールド層３５との間に一定の間隔（ギャップ）が保持されている。また、上部磁極３８の先端部３８ａと反対側の端部は、上層側磁気シールド層（下部磁極）３５と接続されている。コイル３７は、アルミニウム合金等のように電気抵抗が低い金属からなり、上層側磁気シールド層３５と上部磁極３８との接続部を中心として渦巻状に形成されている。
【００２４】
コイル３７に信号（書き込み信号）が供給されると、上部磁極３８の先端部３８ａと上層側磁気シールド層３５との間に記録磁界が発生し、磁気記録媒体４０に情報が書き込まれる。また、磁気記録媒体４０から情報を読み出すときには、磁気記録媒体４０から発生する磁界による磁気抵抗素子３３の抵抗値の変化を検出する。
【００２５】
以下、本実施形態の磁気ヘッドの製造方法の一例について、図４に示す磁気ヘッドの断面図を参照して説明する。
【００２６】
まず、アルチック（ＡｌＴｉＣ）等の絶縁材料により形成された基板３０を用意する。そして、この基板３０の上にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料からなる下地膜４１を形成する。その後、下地膜４１の上に例えばＦｅＮｉ合金（パーマロイ）等の磁性材料により下層側磁気シールド層３２を２〜３μｍの厚さに形成する。次いで、下層側磁気シールド層３２の上に、例えばアルミナ等により厚さが約２００ｎｍの非磁性絶縁膜４２を形成する。
【００２７】
次に、非磁性絶縁膜４２の上に磁気抵抗素子３３を形成する。磁気抵抗素子３３としてＭＲ素子を使用する場合は、例えば厚さが２０ｎｍのＮｉＦｅＣｒからなるＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）層と、厚さが１０ｎｍのＴａ等からなる非磁性層と、厚さが２０ｎｍのＮｉＦｅ等からなるＭＲ層とを積層して構成される。これらのＳＡＬ層、非磁性層及びＭＲ層はスパッタ法により形成され、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により所定の形状にパターニングされて磁気抵抗素子３３となる。なお、磁気抵抗素子３３は、図３に示すようにヘッド先端側（磁気記録媒体４０の側）の端部に配置される。磁気抵抗素子３３として、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子を採用してもよい。
【００２８】
次に、リフトオフ法により、磁気抵抗素子３３に接続する引き出し電極３４を形成する。すなわち、基板３０の上側全面にフォトレジスト膜を形成する。その後、フォトレジスト膜に対し露光及び現像処理を実施して、所定の領域に開口部を形成する。次いで、スパッタ法等により基板３０の上側全面に例えばアルミニウム合金からなる金属膜を形成した後、フォトレジスト膜をその上の金属膜とともに除去する。これにより、フォトレジスト膜の開口部に対応する部分に金属膜が残り、磁気抵抗素子３３の両端にそれぞれ接続した一対の引き出し電極３４が形成される。
【００２９】
次に、基板３０の上側全面に、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によりアルミナ等からなる非磁性絶縁膜４３を１０〜２０ｎｍの厚さに形成し、この非磁性絶縁膜４３により磁気抵抗素子３３及び引き出し電極３４等を被覆する。その後、非磁性絶縁膜４３の上に、例えばＦｅＮｉ合金等の磁性材料からなる上層側磁気シールド層３５を、例えば２〜３μｍの厚さに形成する。この上層側磁気シールド層３５は、磁気抵抗素子３３に対する磁気シールドとしての機能と、書き込みヘッドＷＲの下部磁極としての機能の両方を有している。
【００３０】
次に、基板３０の上側全面に、例えばアルミナ等の絶縁材料によりギャップ層（絶縁膜）４４を形成する。このギャップ層４４は書き込みヘッドＷＲのヘッドギャップを決定するものであり、例えば２００ｎｍの厚さに形成する。
【００３１】
次に、ギャップ層４４の上に非磁性絶縁膜４５を形成する、この非磁性絶縁膜４５は、例えばフォトレジストをスピンコート法で塗布してフォトレジスト膜を形成した後、このフォトレジスト膜を露光及び現像処理して所定の領域上のみに残すことにより形成される。その後、熱処理を実施して、フォトレジスト膜を熱硬化（ハードキュア）させる。このようにして、ギャップ層４４の所定の領域上にフォトレジスト膜からなる非磁性絶縁膜４５が形成される。
【００３２】
次に、非磁性絶縁膜４５の上に例えばスパッタ法等によりアルミニウム合金からなる金属膜を形成し、この金属膜をパターニングして渦巻状のコイル３７を形成する。その後、コイル３７を覆うようにして、非磁性絶縁膜４５の上に非磁性絶縁膜４６を形成する。この非磁性絶縁膜４６も、非磁性絶縁膜４５と同様に例えばフォトレジストをスピンコート法で塗布してフォトレジスト膜を形成した後、露光及び現像処理を実施して、所定の領域上のみにフォトレジスト膜を残すことにより形成される。その後、熱処理を実施して、フォトレジスト膜を熱硬化（ハードキュア）させる。このようにして、非磁性絶縁膜４５の上に、コイル３７を被覆する非磁性絶縁膜４６が形成される。次いで、コイル３７の中心部分のギャップ層４４を除去して、下層側磁気シールド層３５を露出させる。
【００３３】
次に、上部磁極３８を形成する。この上部磁極３８形成方法を、図４とともに図５（ａ）〜（ｈ）に示す図を参照して説明する。図５（ａ）〜（ｈ）は上部磁極の先端部に対応する部分を磁気記録媒体の側から見た状態を示しており、上層側磁気シールド層（下部磁極）３５よりも下側（基板側）の図示を省略している。
【００３４】
まず、図５（ａ）に示すように、スパッタ法又は蒸着法により、上層側シールド層３５の上側全面に、給電層４７としてＲｕ（ルテニウム）、Ａｕ（金）又はＣｕ（銅）等の導電性金属からなる膜を例えば１０ｎｍの厚さに形成する。給電層４７は、磁気ヘッドの特性に影響を与えないという観点から非磁性体により形成することが好ましい。また、長期間にわたる信頼性を確保するという観点から、給電層４７は耐食性が良好な材料で形成することも要求される。
【００３５】
次に、給電層４７の上にフォトレジストを塗布して、例えば厚さが３００ｎｍのフォトレジスト膜４８を形成する。その後、フォトレジスト膜４８に対し露光及び現像処理を実施して、図５（ｂ）に示すように給電層４７が露出する開口部４８ａを所望の上部磁極のパターンで形成する。本実施形態では、フォトレジスト膜４８を電子ビーム（ＥＢ）により露光するものとするが、ＫｒＦレーザによりフォトレジスト膜４８を露光してもよい。フォトレジスト膜４８を現像処理した後、例えば１５０℃の温度で熱処理（ポストベーク）を行ってフォトレジスト膜４８を熱硬化させる。このようにして、例えばテーパー角が約１０度の逆台形状又は逆三角形の開口部４８ａが形成される。この場合、上部磁極の先端部に対応する部分の開口部４８ａの幅は例えば１５０ｎｍ程度とする。なお、書き込みヘッドの特性を考慮すると、上部磁極の先端部の高さ（図４のＹ方向の長さ）は、幅の２倍以上であることが好ましい、従って、上部磁極の先端部に対応する部分の開口部４８ａの幅Ｗを１としたときに、開口部４８ａの深さＤ（フォトレジスト膜４８の厚さ）を２以上とすることが好ましい。
【００３６】
次に、図５（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜４８の開口部４８ａに対応する形状の開口部が設けられたマスク４９によりフォトレジスト膜４８の表面を覆う。そして、スパッタ法又は蒸着法によりＴａ（タンタル）等の非磁性金属からなるシード層５０を例えば５ｎｍの厚さに形成して、このシード層５０によりフォトレジスト膜４８の開口部４８ａの内面を被覆する。このシード層５０は、開口部４８ａの底部で給電層４７と電気的に接続される。
【００３７】
次に、給電層４７を電源に接続し、電解めっき法により開口部４８ａの内面にＣｕ（銅）又はその他の非磁性体金属を被着させて、図５（ｄ）に示すように、開口部４８ａ内のシード層５０の上に非磁性金属膜５１を例えば３０ｎｍの厚さに形成する。これにより、開口部４８ａの幅が側壁面に付着したシード層５０及び非磁性金属膜５１の厚さ分だけ減少する。なお、開口部４８ａの幅、シード層５０及び非磁性金属膜５１の厚さは、所望の上部磁極先端部の幅に応じて適宜設定する。
【００３８】
次に、電解めっき法により、非磁性金属膜５１の上にＦｅＮｉ合金等の磁性金属をめっきして開口部４８ａ内に磁性金属を充填する。これにより、図５（ｅ）に示すように上部磁極３８（図５（ｅ）では上部磁極３８の先端部３８ａのみを図示）が形成される。なお、上部電極３８となる磁性金属としては、ＦｅＮｉ合金の他にＦｅＣｏ合金又はＣＮＦ合金（ＣｏＮｉＦｅ合金）等を使用することもできる。その後、図５（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜４８を除去する。
【００３９】
次に、図５（ｇ）に示すように、ギャップ層４４の上側全面にアルミナ等により非磁性絶縁膜膜５２を形成し、この非磁性絶縁膜５２により上部磁極３８を覆う。その後、図５（ｈ）に示すように、非磁性絶縁膜５３の表面をＣＭＰ研磨して平坦化する。このようにして、本実施形態に係る磁気ヘッドが完成する。
【００４０】
従来は、図２（ｂ），（ｃ）に示すように、開口部２３ａの底面に設けられた給電層２２から給電してめっきを行うため、めっき金属が開口部２３ａの底部から成長する。この場合、めっき金属により開口部の幅を制御することができない。一方、本実施形態では、図５（ｃ），（ｄ）に示すように給電層４７に電気的に接続されたシード層５０が開口部４８ａの底面だけでなく壁面にも形成されているため、非磁性金属膜５１が開口部４８ａの壁面全体に均一の厚さで成長する。従って、非磁性金属膜５１のめっき厚さで開口部４８ａの幅を制御することができる。これにより、幅が１５０ｎｍ以下（好ましくは１００ｎｍ程度）の磁極（上部磁極先端部３８ａ）を形成することができる。本実施形態によれば、イオンミリングによるスリミング工程が不要であり、スリミング工程に起因する磁極倒れ等の不具合の発生が回避される。
【００４１】
なお、上述の製造方法は本発明の一実施形態を示すものであり、本発明がこの実施形態に記載した方法のみに限定されるものでない。また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、垂直磁気記録方式の磁気記録装置用磁気ヘッド及び水平磁気記録方式の磁気記録装置用磁気ヘッドのいずれにも適用することができる。
【００４２】
（磁気記録装置）
図６は、本発明の実施例に係る磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を示す平面図である。
【００４３】
磁気記録装置６０は、その筐体内に、円盤状の磁気記録媒体（磁気ディスク）６１と、磁気記録媒体６１を回転させるスピンドルモータ（図示せず）と、情報の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド６２と、磁気ヘッド６２を保持するサスペンション６３と、サスペンション６３を磁気ディスク６１の半径方向に駆動制御するアクチュエータ６４と、スピンドルモータ及びアクチュエータ６４を駆動制御するとともに磁気ヘッド６２を介して磁気記録媒体６１に対し情報の書き込み及び読み出しを行う電子回路６５とを有している。ここで、磁気ヘッド６２は図３，図４に示す構造を有し、図５（ａ）〜（ｈ）に示す工程を経て作製される。
【００４４】
このように構成された本実施形態に係る磁気記録装置において、スピンドルモータにより磁気記録媒体６１が高速で回転すると、磁気記録媒体６１の回転によって生じる空気流により、磁気ヘッド６２は磁気記録媒体６１から若干浮上する。アクチュエータ６４により磁気ヘッド６２が磁気記録媒体６１の半径方向に移動し、磁気記録媒体６１に対して情報の書き込み又は読み出しが行われる。
【００４５】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【００４６】
（付記１）磁気記録媒体に情報の記録を行う磁気ヘッドにおいて、
コイルと、
前記コイルに流れる信号により記録磁界を発生する磁極とを有し、
前記磁極の前記磁気記録媒体側の先端部の両側に非磁性金属めっき膜及び導電膜が形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【００４７】
（付記２）前記磁極の幅が１５０ｎｍ以下であることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。
【００４８】
（付記３）コイルと、前記コイルに流れる信号により記録磁界を発生し磁気記録媒体に情報を書き込む磁極とを有する磁気ヘッドの製造方法において、
基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に導電性材料により給電層を形成する工程と、
前記給電層の上に非磁性絶縁膜を形成する工程と、
前記非磁性絶縁膜に前記給電層が露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部の内面に導電膜を被着させる工程と、
前記導電膜の上に非磁性金属膜をめっき法により形成して前記開口部の幅を狭める工程と、
めっき法により前記開口部内に磁性金属を充填し前記磁極を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００４９】
（付記４）前記非磁性絶縁膜をフォトレジストにより形成することを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００５０】
（付記５）前記非磁性絶縁膜に前記開口部を形成する工程では、前記非磁性絶縁膜を電子ビーム又はレーザ光により露光することを特徴とする付記４に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００５１】
（付記６）前記非磁性絶縁膜の開口部の前記磁気記録媒体側の端部における幅が１５０ｎｍ以上であり、前記磁極の前記磁気記録媒体側の端部における幅が１５０ｎｍ以下であることを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００５２】
（付記７）前記開口部の内面に導電膜を被着させる工程では、前記開口部に対応する形状の開口部が設けられたマスクを用いて、前記非磁性絶縁膜の開口部の外側に導電膜が被着しないようにすることを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００５３】
（付記８）前記非磁性絶縁膜の開口部の前記磁気記録媒体側の端部における断面形状が逆三角形又は逆台形であり、幅と深さとの比が１：２以上であることを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００５４】
（付記９）前記給電層を、耐食性を有する非磁性金属により形成することを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００５５】
（付記１０）前記磁極を形成する工程の後に、
前記非磁性絶縁膜を除去する工程と、
前記基板の上側全面に第２の非磁性絶縁膜を形成し、該第２の非磁性絶縁膜により前記磁極を覆う工程と、
前記第２の非磁性絶縁膜の表面を平坦化する工程と
を有することを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、磁気記録装置に使用される磁気ヘッドの構造を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｈ）は、従来の書き込みヘッドの上部磁極の作製方法の一例を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの構造を示す模式図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施例に係る磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０，３０…基板、
１２，３２…下層側磁気シールド層、
１３，３３…磁気抵抗素子、
１４，３４…引き出し電極、
１５，３５…上層側磁気シールド層、
１７，３７…コイル、
１８，３８…上部磁極、
１８ａ，３８ａ…上部磁極の先端部、
２０，４０，６１…磁気記録媒体、
２１，４４…ギャップ層、
２２，４７…給電層、
２３，４８…フォトレジスト膜、
４８ａ…フォトレジスト膜の開口部、
２４，２５，４２，４３，４５，４６，５２…非磁性絶縁膜、
４１…下地膜、
４９…マスク、
５０…シード層、
５１…非磁性金属膜、
６０…磁気記録装置、
６２…磁気ヘッド、
６３…サスペンション、
６４…アクチュエータ、
６５…電子回路、
ＷＲ…書き込みヘッド、
ＲＥ…読み出しヘッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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