(57)【要約】【課題】有機機能性材料インキのような低粘度のインキ用いて印刷を行った場合でも、印刷ムラを生じることなく、適切な膜厚をもった薄膜パターンを印刷形成できる方法を提供する。【解決手段】凸版を用いてパターンを形成するパターン形成方法において、ストライプ形状の凸版に、表面パターンのピッチａが該凸版の線幅ｗに対してａ＞ｗとなるアニロックスロールを用いてインキを供給し、被印刷体にパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法とした。【選択図】図１
2009078501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸版を用いてパターンを形成するパターン形成方法において、
ストライプ形状の凸版に、表面パターンのピッチａが該凸版の線幅ｗに対してａ＞ｗとなるアニロックスロールを用いてインキを供給し、被印刷体にパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記アニロックスロールのセルの土手幅が、印刷版凸部の線幅の１／２以下であることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記アニロックスロールのセルの開口率が５０％以上９５％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記凸版の線幅が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記アニロックスロールのセルの土手幅が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記凸版印刷に使用するインキの粘度が５〜２００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする、請求項１乃至５記載のパターン形成方法。
【請求項７】
基板上の一層あるいは複数の有機機能層からなる有機機能性素子の製造方法において、
少なくとも前記有機機能層のうち一層の製造工程に、有機機能性材料インキを請求項１乃至６記載のパターン形成方法を用いてパターン形成する工程を含むことを特徴とする有機機能性素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）は、陽極と陰極との間に有機発光層が挟持された構造をもつ発光素子で、電圧の印加により陽極から正孔、陰極から電子が注入され、この正孔と電子の対が有機発光層表面あるいは内部で再結合することによって発生したエネルギーを光として取り出す素子である。有機発光層は一層から多層のものがあるが、効率よく発光させるためには、それぞれの層の膜厚が非常に重要であり、有機発光層全体では１μｍ以下の薄膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイ化するためには、有機発光層を均一な膜厚で高精細にパターニングする必要がある。
【０００２】
有機ＥＬ素子の発光層に用いられる有機材料は、低分子の材料と高分子の材料とに分類されている。発光層の形成方法は材料によって異なり、低分子材料は主に蒸着法で成膜させる方法が用いられ、高分子材料は溶剤に溶解あるいは分散させて基板上に塗布する方法が行われている。
【０００３】
有機ＥＬ素子をフルカラー化するために発光層をパターニングする手段としては、低分子系材料を用いる場合は、所望の画素形状に応じたパターンが形成されたマスクを用いて、異なる発光色の発光材料を所望の画素に対応した部分に蒸着し形成する方法が行われている。この方法は所望の形状に薄膜を均一に形成するには優れた方法であるが、蒸着される基板が大型になると、マスク精度の点からパターンの形成が困難になるという問題点がある。
【０００４】
一方、高分子系材料を用いる場合は、溶媒に溶解または分散させることにより有機高分子発光材料をインキ化し、主にインクジェット法によるパターン形成と、印刷によるパターン形成方法が提案されている。例えば、特開平１０−１２３７７号公報（特許文献１）に開示されているインクジェット法は、インクジェットノズルから溶剤に溶かした発光材料を基板上に噴出させ、基板上で乾燥させることで所望のパターンを得る方法である。しかしながら、ノズルから噴出されたインク液滴は球状をしている為、基板上に着弾する際にインクが円形状に広がり、形成したパターンの形状が直線性に欠けたり、着弾精度が悪くパターンの直線性が得られないという問題点がある。これに対し、例えば、特開２００２−３０５０７７号公報（特許文献２）では、予め基板上にフォトリソグラフィーなどを用いて、撥インク性のある材料でバンクを形成し、そこにインク液滴を着弾させることで、バンク形状に応じてインクがはじき、直線性のパターンが得られるという方法が開示されている。しかし、はじいたインクが画素内に戻るときに画素内部でインクが盛り上がり、画素内の有機発光層の膜厚にばらつきができてしまうという問題が残る。
【０００５】
印刷によるパターン形成方法としては、凹版印刷、平版印刷、スクリーン印刷、凸版印刷などが提案されている。しかしながら、被印刷基板としてガラス基板等を用いる有機ＥＬ素子やディスプレイでは、基板のキズやゆがみが好ましくないことから、凹版印刷の代表であるグラビア印刷法等のように金属製の印刷版等の硬い版を用いる方法は不向きである。また、有機発光層形成材料を溶媒に溶解若しくは分散させたインキは一般に粘度が低いため、平版印刷の代表であるオフセット印刷やスクリーン印刷には適さない。これに対し、ゴムやその他の樹脂を主成分とした感光性樹脂版を用いる凸版印刷法は、ガラス基板を傷つけることもなく、低粘度の有機ＥＬインキにも適している。実際に、凸版印刷法による有機発光層の形成が提唱されている（特許文献３）。
【０００６】
凸版印刷により有機機能層のパターンを形成する場合、アニロックスロールに有機機能性材料を含むインキを保持し、これを凸版上に転写し、この凸版上のインキパターンを基板上に転写し、有機機能層のパターンを形成する方法が一般的である。
【０００７】
上記のアニロックスロールとしては、金属ロールの表面に幾何学的な凹型セルを彫刻により作製し、ハードクロムめっきを施したものや、金属ロール表面にセラミック層をコーティングした後、レーザーでセラミック層に凹型セルを彫刻したものなどが用いられる。セル形状には、ダイヤモンド（ひし形）、ハニカム（六角形）、ヘリカル（斜線形）等があり、アニロックスロール表面には一定の角度で均等に凹型セルが並んでいる。アニロックスロールが保持するインキ量は、セルの形状や深度、表面パターンのピッチ（以下、線数）によって調節することができる。
【０００８】
アニロックスロールを用いた凸版印刷法では、凸版頂部がセルに入りこむとドットゲインやカラミなどの原因となる。特に、網点のハイライト部は、実質的には凸版の線数の数倍の細かさになっている。そのため、一般に、アニロックスロールの線数は凸版の線数の３倍以上、好ましくは５倍以上のものを用いることにより、高品質な印刷をおこなうことができる。アニロックスロールの線数が高くなるほどセル容積は小さくなるが、インキ粘度を高くしたり、インキ固形分比を大きくしたりすることにより、必要なインキ量を凸版上に供給することが可能である。
【０００９】
しかしながら、アニロックスロールを用いた凸版印刷法により有機機能層を形成する場合、次のような課題が明らかとなっている。
【００１０】
１つ目は、膜厚の問題である。有機機能性素子中の有機機能層の膜厚には最適値が存在し、これは例えば有機ＥＬ素子中の有機発光層では１００ｎｍ前後である。しかし、増粘剤等の添加物を添加してしまうと、素子としての機能低下を招く恐れがあるために、インキを高粘度に調整することができず、有機機能性材料インキは通常の印刷用インキと比較してかなり低粘度である。また、有機機能性材料は溶解性が低いため、インキ固形分比を大きくすることも難しい。そのため、高線数アニロックスロールから凸版に転写されるインキの転移量が少なく、凸版から基板上に転写されるインキの膜厚は、最適な値よりも薄いものとなってしまう場合があった。そこで、インキ転移量を増加させるためにセル容積の大きい低線数のアニロックスロールを用いると、凸版頂部がセルに入りこみ、ドットゲインやカラミ等の印刷欠陥が発生してしまう。このような問題は、特に高精細なパターンの場合に顕著に生じた。
【００１１】
２つ目は、膜厚バラツキの問題である。例えば有機ＥＬ素子において、有機発光材料を溶解または分散させた有機ＥＬインキを基板上の第一電極上に樹脂凸版による凸版印刷法により印刷し、薄膜を形成する場合においては、有機発光層の膜厚均一性が特に要求される。例えば、パッシブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイにおいて、ムラなく均一な輝度で発光させるためには、面内の有機発光層の膜厚バラツキを±５％以下にする必要がある。しかし、アニロックスロールを用いた凸版印刷法では、アニロックスロールの表面パターンの影響を受け、面内で均一な膜厚を得ることが難しい。
【００１２】
さらに、規則的に配置されている有機ＥＬ素子を形成するための高精細な凸版のパターンとアニロックスロールとの干渉により、モアレが発生し、印刷ムラとなってしまうという問題もある。モアレ解消のために、アニロックスロールのセル角度を調節する方法等があるが、高精細かつ規則的なパターンにおいては角度の調節だけでは不十分であり、完全な解消は難しい。
【００１３】
【特許文献１】特開平１０−１２３７７号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５０７７号公報
【特許文献３】特開２００１−１５５８５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機機能性材料インキのような低粘度のインキ用いて印刷を行った場合でも、印刷ムラを生じることなく、適切な膜厚をもった薄膜パターンを印刷形成できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に係る発明は、凸版を用いてパターンを形成するパターン形成方法において、ストライプ形状の凸版に、表面パターンのピッチａが該凸版の線幅ｗに対してａ＞ｗとなるアニロックスロールを用いてインキを供給し、被印刷体にパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法とした。
【００１６】
本発明の請求項２に係る発明は、前記アニロックスロールのセルの土手幅が、印刷版凸部の線幅の１／２以下であることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法とした。
【００１７】
本発明の請求項３に係る発明は、前記アニロックスロールのセルの開口率が５０％以上９５％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のパターン形成方法とした。
【００１８】
本発明の請求項４に係る発明は、前記印刷版凸部の線幅が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法とした。
【００１９】
本発明の請求項５に係る発明は、前記アニロックスロールのセルの土手幅が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載のパターン形成方法とした。
【００２０】
本発明の請求項６に係る発明は、前記凸版印刷に使用するインキの粘度が５〜２００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項１乃至５記載のパターン形成方法とした。
【００２１】
本発明の請求項７に係る発明は、基板上の一層あるいは複数の有機機能層からなる有機機能性素子の製造方法において、少なくとも前記有機機能層のうち一層の製造工程に、有機機能性材料インキを請求項１乃至６記載のパターン形成方法を用いてパターン形成する工程を含むことを特徴とする有機機能性素子の製造方法とした。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の通り、凸版のパターンをストライプ形状のパターンとすることにより、低線数のアニロックスロールを用いても、凸版頂部がアニロックスロールセル内に入り込むことがなくなり、ドットゲインやカラミなどの印刷不良が発生しにくくなった。そのため、低粘度インキを印刷パターン形成する場合にも、低線数アニロックスロールを用いることによって、所望の膜厚が得られるようになった。さらに、アニロックスロール表面パターンのピッチが凸版の線幅よりも大きいことで、どのようなアニロックスロールのパターンの開始位置からインキが供給される場合でも、凸版の線幅方向では一箇所以下のアニロックスロールのセルの境界（土手）としか遭遇しないため、液量供給の差が少なく膜厚バラツキが抑えられる、また一セル以上の表面パターン領域からインキが供給されるため、インキ液量確保と膜厚バラツキ低減が両立できた。
【００２３】
上記本願発明の効果は、特に印刷版凸部の線幅が１００μｍ以下のような高精細な印刷パターンの場合に大きかった。またさらに、アニロックスロールのセルの土手幅を３０μｍ以下とすることにより、セル容量が相対的に大きくなり、また印刷時に土手に当たる部分とそうでない部分とでの凸版への液量供給の差も少なくなるため、膜厚バラツキをより抑制することができた。
【００２４】
またはアニロックスロールのセルの土手幅を印刷版凸部の線幅の１／２以下にすることにより、アニロックスロール表面パターンの影響が小さくなり、面内の膜厚均一性が向上した。また、インキ転移量が増加した。これらと同様の効果が、アニロックスロールのセルの開口率を５０％以上にすることによっても得られた。
【００２５】
また、インキ粘度を５〜２００ｍＰａ・ｓにすることにより、凸版上でのインキのレベリング性が向上し、面内の膜厚均一性が向上した。さらに、モアレが発生しにくくなった。
【００２６】
本発明の凸版印刷によるパターン形成方法を適用することによって、有機機能性材料インキを、所望の膜厚で高精細にパターニングすることが可能となり、良好な有機機能性素子を製造することができるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明はこれに限るものではなく、図示したものは概略図であり、一部分のみを抜き出して示した。
【００２８】
本発明に用いる印刷用凸版の表面パターンは、網点ではなく、細線で形成されたパターン（ストライプ形状パターン）である。図１（ａ）のような網点パターンの場合、網点の大きさに対してアニロックスロールのセルが大きすぎると、セル中に印刷版凸部が入り込み、ドットゲインやカラミ等印刷欠陥の原因となる。これに対し、図１（ｂ）のようなストライプ形状のパターンの場合、アニロックスロールのセルに対して印刷版凸部が十分な長さを持っているため、セル中に印刷版凸部が入り込むことはない。そのため、低線数のアニロックスロールを印刷に使用することが可能である。
【００２９】
図２（ａ）では、ハニカムパターン及びダイヤモンドパターンのアニロックスロールのセル形状を示しており、矢印ａで示した幅が、各表面パターンのピッチを表し、矢印ｂで示した幅がアニロックスロールの土手幅を表している。本発明で使用するアニロックスロールには、クロム製やセラミックス製のものを用いることができる。また、セル形状（彫刻パターン）も特に限定されるものではなく、ダイヤモンド（ひし形）、ハニカム（六角形）、ヘリカル（斜線形）等のパターンを用いることができる。セルの角度は、印刷版細線パターンと異なる角度であることが好ましい（図２（ｃ）参照）。
【００３０】
本発明では、アニロックスロールの表面パターンのピッチａが、前記ストライプ形状の凸版の線幅ｗよりも大きい、つまりａ＞ｗであることを特徴とする。アニロックスロール表面パターンのピッチが凸版の線幅よりも大きいことで、各セルから凸版に転写されるインキ量を高めることができるため、結果として所望の膜厚のあるパターンを形成することができる。さらに、どのようなアニロックスロールのパターンの開始位置あるいはセル角度でインキが供給される場合でも、凸版の線幅方向では一箇所領域分以下のアニロックスロールのセルの境界（土手）としか遭遇しないため、また一セル領域以上の表面パターン領域から版にインキが供給されるため、液量供給の差が少なく、膜厚バラツキが抑えられる。従って、本発明ではインキ量と膜厚バラツキの問題を同時に解決することができる。
【００３１】
上記セル容量及び膜厚バラツキの点から、セルの開口率は、５０％以上９５％以下であることが好ましい。セル開口率が５０％より低い場合、印刷物の膜厚バラツキが大きくなってしまう。これは、上述のように一箇所以下の土手としか遭遇しない場合であって、セルの開口率が小さいと、土手の影響が大きくなり、土手が存在する箇所としない箇所でインキの供給量に差が生じるためである。また、セル開口率が９５％より高い場合、インキが印刷版凹部に入り込みやすくなり、印刷欠陥が増加した。
【００３２】
同様の理由で、印刷版凸部の線幅の１／２以下であることが好ましい。印刷版凸部の線幅の１／２以下である場合には、アニロックスロールから印刷版へとインキが転移した後、印刷版の細線パターン上でインキがレベリングして均一に保持され、膜厚バラツキの小さい良好な印刷物を得ることができる。しかし、セルの土手幅が３０μｍより広く、かつ、印刷版凸部の線幅の１／２より広い場合、印刷版の細線パターン上でのインキのレベリングが十分でなくなり、膜厚バラツキが大きくなってしまう。また、インキ転移量が少なくなり、膜厚が薄くなってしまう。
【００３３】
本発明は、特に凸版の線幅が１００μｍ以下の高精細版において効果的である。これは背景技術で述べたように、従来の印刷方法を用いた場合、アニロックスルールの線数は版の線幅の３〜５倍以上のものを用いるために、セル容量が小さくなり、転写できるインキ量が少なくなってしまうが、本発明ではこのような問題を解消できるためである。１００μｍ以下の凸版では、インキ供給体であるアニロックスロールの線数としては、換算すると、１０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ以上２５０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ以下（４ｌｉｎｅ／ｃｍ以上１００ｌｉｎｅ／ｃｍ以下）のものを使用することが好ましい。１０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈより低線数の場合、ドクターとの兼ね合いやその他の要因によってアニロックスロールセル内のインキ量を再現良く均一に保つことが難しく膜厚のバラツキが大きくなり、また印刷欠陥も増加してしまうことが発明者らの調査により明らかとなっているためである。一方、線数が２５０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ以上、つまりアニロックスロール表面パターンのピッチが約１００μｍ以下になると、前述の理由でインキ転移量が不足して所望の膜厚を得るのが困難となった。そこで、インキ転移量を増やすためにインキを高粘度化させると、その影響によりモアレが発生しやすくなった。
【００３４】
さらに、１００μｍ以下の高精細版においては、アニロックスロールの土手幅ｂが３０μｍ以下であることが好ましい。アニロックスロールのセルの土手幅を３０μｍ以下とすることにより、セル容量が相対的に大きくなり、また印刷時に土手に当たる部分とそうでない部分とでの凸版への液量供給の差も少なくなるため、膜厚バラツキをより抑制することができた。
【００３５】
使用するインキは、粘度が５〜２００ｍＰａ・ｓの範囲内にあることが好ましい。インキ粘度が５ｍＰａ・ｓより小さい場合、印刷版上に保持できるインキの量が少なくなり、膜厚が薄くなってしまう。また、インキが印刷版凹部に流れ込みやすくなり、印刷欠陥が多くなる。インキ粘度が２００ｍＰａ・ｓより大きい場合、印刷版上でのレベリングが十分でなくなるため、モアレ等が発生しやすくなる。
【００３６】
次に、本発明のパターン形成方法の一例として、有機機能性素子中の有機機能層を形成する場合の凸版印刷法について説明する。
【００３７】
図３に示す本製造装置は、アニロックスロール３０３、インキチャンバー３１０、インキタンク３０１を有し、印刷版を取り付けした版胴の周囲に配置されている。インキタンクには、溶剤に溶解させて調液した有機機能性材料インキ３０４が収容されており、インキチャンバーにはインキタンクより有機機能性材料を含むインキが送り込まれるようになっている。アニロックスロールは、インキチャンバーのインキ供給部及び印刷版に接して回転するようになっている。
【００３８】
アニロックスロール３０３の回転にともない、インキチャンバー３１０から供給された有機機能性材料インキ３０４はアニロックスロール表面に均一に保持されたあと、版胴３０５に取り付けされた印刷版の凸部に転移する。被印刷基板３０７は摺動可能な基板固定台（ステージ）３０８上に固定され、版のパターンと基板のパターンの位置調整機構により、位置調整しながら印刷開始位置まで移動する。版胴の回転に合わせて印刷版の凸部が基板に接しながらさらに移動し、ステージ上にある被印刷基板の所定位置にパターニングして有機機能性材料インキを転移し、有機機能層を形成する。
【００３９】
本発明の有機機能性素子の製造方法で用いられる印刷版のパターンはストライプパターンであり、ストライプパターンの方向は印刷方向に対し縦でも横でも斜めでもよい。また、印刷版のレリーフ形状は順テーパー形状でも逆テーパー形状でも良い。
【００４０】
印刷版における凸部パターンを形成する樹脂としては、インキに対する耐溶剤性があればよく、ニトリルゴム、シリコーンゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ブチルゴム、アクリロニトリルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴムなどのゴムの他に、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールなどの合成樹脂やそれらの共重合体、セルロース誘導体などや、フッ素系エラストマーやポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ六フッ化ビニリデンやそれらの共重合体といったフッ素系樹脂から一種類以上を選択することができる。
【００４１】
本発明の有機機能性素子の製造方法の一例として、図３及び図４に基づいて有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
【００４２】
（有機ＥＬ素子の構造）
図４に図３の有機ＥＬ素子製造用凸版印刷装置により製造されたパッシブマトリックス方式の有機ＥＬ素子の断面図を示した。有機ＥＬ素子の駆動方法としては、パッシブマトリックス方式とアクティブマトリックス方式があるが、本発明の有機ＥＬ素子はパッシブマトリックス方式の有機ＥＬ素子、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ素子のどちらにも適用可能である。
【００４３】
パッシブマトリックス方式とはストライプ状の電極を直交させるように対向させ、その交点を発光させる方式であるのに対し、アクティブマトリックス方式は画素毎にトランジスタを形成した、いわゆる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を用いることにより、画素毎に独立して発光する方式である。
【００４４】
図４に示すように、本発明の有機ＥＬ素子は、基板７０１の上に、陽極としてストライプ状に第一電極７０２を有している。隔壁は第一電極間に設けられ、第一電極端部のバリ等よるショートを防ぐことを目的として第一電極端部を覆うことがましい。
【００４５】
そして、本発明の有機ＥＬ素子は、第一電極７０２上であって、隔壁７０３で区画された領域に有機発光層及び発光補助層を有している。電極間に挟まれる層は、有機発光層単独から構成されたものであってもよいし、有機発光層と発光補助層との積層構造から構成されたものでもよい。発光補助層としては正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。図３では発光補助層である正孔輸送層７０５と有機発光層（７０４Ｒ、７０４Ｇ、７０４Ｂ）との積層構造からなる構成を示している。第一電極７０２上に正孔輸送層７０５が設けられ、正孔輸送層上に赤色（Ｒ）有機発光層７０４Ｒ、緑色（Ｇ）有機発光層７０４Ｇ、青色（Ｂ）有機発光層７０４Ｂがそれぞれ設けられている。
【００４６】
次に、有機発光媒体層上に陽極である第一電極７０２と対向するように陰極として第二電極７０６が配置される。パッシブマトリックス方式の場合、ストライプ状を有する第一電極と直交する形で第二電極はストライプ状に設けられる。アクティブマトリックス方式の場合、第二電極は、有機ＥＬ素子全面に形成される。さらに、環境中の水分、酸素の第一電極、有機発光層、発光補助層、第二電極への侵入を防ぐために有効画素全面に対してガラスキャップ７０７等による封止体が設けられ、接着剤７０８を介して基板と貼りあわされる。
【００４７】
本発明による有機ＥＬ素子は、少なくとも基板と、当該基板に支持されたパターン状の第一電極と、有機発光層と、第二電極を具備する。本発明の有機ＥＬ素子は、図３とは逆に、第一電極を陰極、第二電極を陽極とする構造であっても良い。また、ガラスキャップ等の封止体の代わりに有機発光媒体層や電極を外部の酸素や水分の浸入から保護するためにパッシベーション層や外部応力から保護する保護層、あるいはその両方の機能備えた封止基材を備えてもよい。
【００４８】
（有機ＥＬ素子の製造方法）
本発明にかかる基板としては、絶縁性を有する基板であればいかなる基板も使用することができる。この基板側から光を取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子とする場合には、基板として透明なものを使用する必要がある。
【００４９】
例えば、基板としてはガラス基板や石英基板が使用できる。また、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートであっても良い。これら、プラスチックフィルムやシートに、有機発光媒体層への水分の侵入を防ぐことを目的として、金属酸化物薄膜、金属弗化物薄膜、金属窒化物薄膜、金属酸窒化膜薄膜、あるいは高分子樹脂膜を積層したものを基板として利用してもよい。
【００５０】
また、これらの基板は、あらかじめ加熱処理を行うことにより、基板内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、基板上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理などの表面処理を施してから使用することが好ましい。
【００５１】
また、これらに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成して、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ素子用の基板とすることが可能である。本発明のアクティブマトリクス方式の基板の一例の説明断面図を図４に示す。
【００５２】
本発明の有機ＥＬ素子用基板８０１には、ＴＦＴ８０２上に、平坦化層８０３が形成してあるとともに、平坦化層８０３上に有機ＥＬ素子の下部電極（第一電極）８０４が設けられており、かつ、ＴＦＴと下部電極とが平坦化層に設けたコンタクトホール８０５を介して電気接続してあることが好ましい。このように構成することにより、ＴＦＴと、有機ＥＬ素子との間で、優れた電気絶縁性を得ることができる。
【００５３】
ＴＦＴ８０２や、その上方に構成される有機ＥＬ素子は支持体８０６で支持される。支持体としては機械的強度や、寸法安定性に優れていることが好ましく、具体的には先に基板として述べた材料を用いることができる。
【００５４】
支持体上に設けるＴＦＴ８０２は、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
【００５５】
活性層８０７は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方法、ＳｉＨ４ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ４ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）、減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜８０８を形成し、その上にｎ＋ポリシリコンのゲート電極８０９を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。
【００５６】
ゲート絶縁膜８０８としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等を用いることができる。
【００５７】
ゲート電極８０９としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。
【００５８】
ＴＦＴ８０２は、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が３つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、１つの画素中に２つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。
【００５９】
本発明の表示装置は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が有機ＥＬ素子のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極８１０と有機ＥＬ素子の画素電極（第一電極）８０４が電気的に接続されている。さらにトップエミッション構造をとるための画素電極は一般に光を反射する金属が用いられる必要がある。
【００６０】
ＴＦＴ８０２とドレイン電極３１０と有機ＥＬ素子の画素電極（第一電極）８０４との接続は、平坦化膜８０３を貫通するコンタクトホール８０５内に形成された接続配線を介して行われる。
【００６１】
平坦化膜８０３の材料についてはＳｉＯ２、スピンオンガラス、ＳｉＮ（Ｓｉ３Ｎ４）、ＴａＯ（Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フォトレジスト材料、ブラックマトリックス材料等の有機材料等を用いることができる。これらの材料に合わせてスピンコーティング、ＣＶＤ、蒸着法等を選択できる。必要に応じて、平坦化層として感光性樹脂を用いフォトリソグラフィーの手法により、あるいは一旦全面に平坦化層を形成後、下層のＴＦＴ８０２に対応した位置にドライエッチング、ウェットエッチング等でコンタクトホール８０５を形成する。コンタクトホールはその後導電性材料で埋めて平坦化層上層に形成される画素電極との導通を図る。平坦化層の厚みは下層のＴＦＴ、コンデンサ、配線等を覆うことができればよく、厚みは数μｍ、例えば３μｍ程度あればよい。
【００６２】
基板上には第一電極が設けられる。第一電極を陽極とした場合、その材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物や金、白金、クロムなどの金属材料を単層または積層したものをいずれも使用できる。第一電極の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。
【００６３】
なお、低抵抗であること、溶剤耐性があること、また、ボトムミッション方式としたときには透明性が高いことなどからＩＴＯが好ましく使用できる。ＩＴＯはスパッタ法によりガラス基板上に形成され、フォトリソ法によりパターニングされて第一電極となる。
【００６４】
第一電極を形成後、第一電極縁部を覆うようにして隔壁が形成される。隔壁は絶縁性を有する必要があり、感光性材料等を用いることができる。感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることができる。また、隔壁形成材料として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等を用いることもできる。
【００６５】
隔壁形成材料が感光性材料の場合、形成材料溶液をスリットコート法やスピンコート法により全面コーティングしたあと、露光、現像といったフォトリソ法によりパターニングがおこなわれる。スピンコート法の場合、隔壁の高さは、スピンコートするときの回転数等の条件でコントロールできるが、１回のコーティングでは限界の高さがあり、それ以上高くするときは複数回スピンコートを繰り返す手法を用いる。
【００６６】
感光性材料を用いてフォトリソ法により隔壁を形成する場合、その形状は露光条件や現像条件により制御可能である。例えば、ネガ型の感光性樹脂を塗布し、露光・現像した後、ポストベークして、隔壁を得るときに、隔壁端部の形状を順テーパー形状としたい場合には、この現像条件である現像液の種類、濃度、温度、あるいは現像時間を制御すればよい。現像条件を穏やかなものとすれば、隔壁端部は順テーパー形状となり、現像条件を過酷にすれば、隔壁端部は逆テーパー形状となる。
【００６７】
また、隔壁形成材料がＳｉＯ２、ＴｉＯ２の場合、スパッタリング法、ＣＶＤ法といった乾式成膜法で形成可能である。この場合、隔壁のパターニングはマスクやフォトリソ法により行うことができる。
【００６８】
次に、有機発光層及び発光補助層を形成する。電極間に挟まれる層としては、有機発光層単独から構成されたものでもよいし、有機発光層と正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層といった発光を補助するための発光補助層との積層構造としてもよい。なお、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層は必要に応じて適宜選択される。
【００６９】
そして、本発明は有機発光層を形成する有機発光材料若しくは正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層といった発光補助層を形成する発光補助材料を溶媒に溶解、または分散させたインキを用い、基材上に樹脂からなる凸部パターンを有する樹脂凸版を印刷版とした凸版印刷法により前記第一電極の上方に印刷して有気発光層若しくは発光補助層の少なくとも１層を形成する際に適用することができる。以降、本発明において、有機発光材料を溶媒に溶解、または分散させた有機発光インキを用いた場合について示す。
【００７０】
有機発光層は電流を流すことにより発光する層である。有機発光層の形成する有機発光材料としては、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチルー５−トリフルオロメチルー８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチルー５−シアノー８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（パラートシル）アミノキノリン］亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリー２，５−ジヘプチルオキシーパラーフェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。
【００７１】
また、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポリフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ｉｒ錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料を、高分子中に分散させたものが使用できる。高分子としてはポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等が使用できる。
【００７２】
また、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリスピロなどの高分子発光材料であってもよい。ＰＰＶ前駆体、ＰＰＰ前駆体などの高分子前駆体が挙げられる。また、その他既存の発光材料を用いることもできる。
【００７３】
正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。
【００７４】
また、電子輸送層を形成する正孔輸送材料としては、２−（４−ビフィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。
【００７５】
有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、ヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、２−メチル−（ｔ−ブチル）ベンゼン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、ペンチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１，３，５−トリ−イソプロピルベンゼン等を単独又は混合して用いることができる。また、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
【００７６】
正孔輸送材料、電子輸送材料を溶解または分散させる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独またはこれらの混合溶剤などが挙げられる。特に、正孔輸送材料をインキ化する場合には水またはアルコール類が好適である。
【００７７】
上述した有機ＥＬ素子を、本発明における図２で示したような装置を用いて製造するには、基板上に少なくとも第一電極が設けられている被印刷基板を用い、インキとして有機発光材料または発光補助材料を含むインキを用いる。有機発光材料または発光補助材料を含むインキは上述のように印刷版の凸部に供給され、上述の被印刷基板へ印刷される。
【００７８】
次に、第二電極を形成する。第二電極を陰極とした場合その材料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはＭｇ、ＡＬ、Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ、ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いる。または電子注入効率と安定性を両立させるため、低仕事関数なＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。また、トップエミッション方式の有機ＥＬ素子とする場合は、陰極は透明性を有する必要があり、例えば、これら金属とＩＴＯ等の透明導電層の組み合わせによる透明化が可能となる。
【００７９】
第二電極の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。また、第二電極をパターンとする必要がある場合には、マスク等によりパターニングすることができる。第二電極の厚さは１０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましい。なお、本発明では第一の電極を陰極、第二の電極を陽極とすることも可能である。
【００８０】
有機ＥＬ素子としては電極間に有機発光層を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料や発光補助材料、電極形成材料の一部は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体を設ける。
【００８１】
封止体は、例えば第一電極、有機発光層、発光補助層、第二電極が形成された基板に対して、凹部を有するガラスキャップ、金属キャップを用いて、第一電極、有機発光媒体層、第二電極上に凹部があたるようにして、その周辺部についてキャップと基板を接着剤を介して貼り合わせることにより封止がおこなわれる。
【００８２】
また、封止体は、例えば第一電極、有機発光層、発光補助層、第二電極が形成された基板に対して、封止材上に樹脂層を設け、該樹脂層により封止材と基板を貼りあわせることによりおこなうことも可能である。
【００８３】
このとき封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００８４】
樹脂層としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬ素子の大きさや形状により任意に決定されるが、５〜５００μｍ程度が望ましい。
【００８５】
第一電極、有機発光層、発光補助層、第二電極が形成された基板と封止体の貼り合わせは封止室でおこなわれる。封止体を、封止材と樹脂層の２層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。なお、ここでは封止材上に樹脂層を形成したが、基板上に樹脂層を形成して封止材と貼りあわせることも可能である。
【００８６】
封止体を用いて封止を行う前やその代わりに、例えばパッシベーション膜として、ＣＶＤ法を用いて、窒化珪素膜を１５０ｎｍ成膜するなど、無機薄膜による封止体とすることも可能であり、また、これらを組み合わせることも可能である。
【００８７】
以下、本発明の実施例及び比較例について具体的に説明する。
【実施例】
【００８８】
［被転写基板の作製］
３００ｍｍ角のガラス基板上に、スパッタ法を用いてＩＴＯ膜を形成し、フォトリソ法と酸溶液によるエッチングでＩＴＯ膜をパターニングした。陽極である第一電極のラインパターンは、線幅４０μｍ、スペース２０μｍで、ラインが１９５０ライン形成されるパターンとした。その上に、スピンコーターを用いて正孔輸送層としてポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を１００ｎｍ膜厚で成膜した。さらにこの成膜されたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ薄膜を減圧下１００℃で１時間乾燥することで、被転写基板を作製した。
【００８９】
［有機発光インキの調製］
高分子蛍光体をキシレンに溶解させ、有機発光インキを調製した。ここで、高分子蛍光体とは、ポリ（パラフェニレンビニレン）誘導体からなる有機発光材料を指す。
【００９０】
［有機発光インキの印刷］
（実施例１）
印刷版は、細線の線幅が４０μｍのパターンを用いた。アニロックスロールは、鉄を中心とし最表層がセラミックスとなるように加工されたものを用い、セル角度６０度、ハニカムパターン、線数１５０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ（表面パターンピッチ１６９μｍ）、セルの土手幅１８μｍのものを使用した。印刷版を凸版印刷装置に装着し、１．７重量％濃度の有機発光インキ（インキ粘度３３ｍＰａ・ｓ）の印刷を被印刷基板に対しておこない、ストライプ状に有機発光層を形成された基板を１３０℃で１時間乾燥した。印刷形成された有機発光層の膜厚は９８ｎｍ±２ｎｍと十分な厚みが得られ、膜厚バラツキも小さかった。基板上にカルシウムとアルミニウムからなる陰極（第二電極）を画素電極のラインパターンと直交するようなラインパターンで積層形成した。最後にこれらの有機ＥＬ構成体をガラスキャップと接着剤を用いて密閉封止し、有機ＥＬ素子パネルを作製した。電圧を印加し発光状態の確認を行ったところ、輝度バラツキは±３％以内となり良好な発光が得られた。
【００９１】
（実施例２）
印刷版は、細線の線幅が４０μｍのパターンを用いた。アニロックスロールは、鉄を中心とし最表層がセラミックスとなるように加工されたものを用い、セル角度６０度、ハニカムパターン、線数８０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ（表面パターンピッチ３１８μｍ）、セルの土手幅３５μｍのものを使用した。印刷版を凸版印刷装置に装着し、１．７重量％濃度の有機発光インキ（インキ粘度３３ｍＰａ・ｓ）の印刷を被印刷基板に対しておこない、ストライプ状に有機発光層を形成された基板を１３０℃で１時間乾燥した。印刷形成された有機発光層の膜厚は１０８ｎｍ±６ｎｍであり、狭い土手幅のアニロックスロールを用いた実施例１と比較すると、若干膜厚バラツキが大きくなった。基板上にカルシウムとアルミニウムからなる陰極（第二電極）を画素電極のラインパターンと直交するようなラインパターンで積層形成した。最後にこれらの有機ＥＬ構成体をガラスキャップと接着剤を用いて密閉封止し、有機ＥＬ素子パネルを作製した。電圧を印加し発光状態の確認を行ったところ、輝度バラツキは±５％以内となり良好な発光が得られた。
【００９２】
（比較例１）
印刷版は、細線の線幅が４０μｍのパターンを用いた。アニロックスロールは、鉄を中心とし最表層がセラミックスとなるように加工されたものを用い、セル角度６０度、ハニカムパターン、線数１０００ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ（表面パターンピッチ２５μｍ）、セルの土手幅８μｍのものを使用した。印刷版を凸版印刷装置に装着し、１．７重量％濃度の有機発光インキ（インキ粘度３３ｍＰａ・ｓ）の印刷を被印刷基板に対しておこない、ストライプ状に有機発光層を形成された基板を１３０℃で１時間乾燥した。印刷形成された有機発光層の膜厚は３５ｎｍ±６ｎｍと薄くなってしまった。基板上にカルシウムとアルミニウムからなる陰極（第二電極）を画素電極のラインパターンと直交するようなラインパターンで積層形成した。最後にこれらの有機ＥＬ構成体をガラスキャップと接着剤を用いて密閉封止し、有機ＥＬ素子パネルを作製した。電圧を印加し発光状態の確認を行ったところ、輝度バラツキは±１５％以上となり、モアレ状の発光ムラも観察された。
【００９３】
（比較例２）
印刷版は、４０μｍ×８０μｍのドットパターンを用いた。アニロックスロールは、鉄を中心とし最表層がセラミックスとなるように加工されたものを用い、セル角度６０度、ハニカムパターン、線数１５０ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈ（表面パターンピッチ１６９μｍ）、セルの土手幅１８μｍのものを使用した。
印刷版を凸版印刷装置に装着し、１．７重量％濃度の有機発光インキ（インキ粘度３３ｍＰａ・ｓ）の印刷を被印刷基板に対しておこない、ストライプ状に有機発光層を形成された基板を１３０℃で１時間乾燥した。印刷形成された有機発光層の膜厚は７３ｎｍ±１３ｎｍであった。基板上にカルシウムとアルミニウムからなる陰極（第二電極）を画素電極のラインパターンと直交するようなラインパターンで積層形成した。最後にこれらの有機ＥＬ構成体をガラスキャップと接着剤を用いて密閉封止し、有機ＥＬ素子パネルを作製した。電圧を印加し発光状態の確認を行ったところ、輝度バラツキは±２０％以上となり、モアレ状の発光ムラや印刷の欠陥に起因するムラも観察された。
【００９４】
上記の実施例及び比較例により、本発明によって、発光層膜厚が十分確保でき、輝度バラツキ・発光ムラの少ない、高性能な有機ＥＬ素子が製造できることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】印刷版パターンの模式図である。
【図２】アニロックスロールの表面パターンの模式図である。
【図３】本発明に用いる凸版印刷装置の概略図である。
【図４】本発明による有機ＥＬ素子の説明断面図である。
【図５】本発明によるアクティブマトリクス方式の基板の一例の説明断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
３０１・・・インキタンク
３０２・・・ドクター
３０３・・・アニロックスロール
３０４・・・インキ
３０５・・・版胴
３０６・・・印刷用凸版
３０７・・・被印刷基板
３０８・・・ステージ
３０９・・・印刷パターン
３１０・・・インキチャンバー
７０１・・・基板
７０２・・・第一電極
７０３・・・隔壁
７０４Ｒ・・・赤色（Ｒ）有機発光層
７０４Ｇ・・・緑色（Ｇ）有機発光層
７０４Ｂ・・・青色（Ｂ）有機発光層
７０５・・・正孔輸送層
７０６・・・第二電極
７０７・・・ガラスキャップ
７０８・・・接着剤
８０１・・・有機ＥＬ素子用基板
８０２・・・ＴＦＴ
８０３・・・平坦化層
８０４・・・下部電極
８０５・・・コンタクトホール
８０６・・・支持体
８０７・・・活性層
８０８・・・ゲート絶縁膜
８０９・・・ゲート電極
８１０・・・ドレイン電極
８１１・・・層間絶縁膜
８１２・・・データ線
８１３・・・隔壁
【図５】
2009078501.tif 000003
【図１】
2009078501.tif 000004
【図２】
2009078501.tif 000005
【図３】
2009078501.tif 000006
【図４】
2009078501.tif 000007