(57)【要約】【課題】均一な厚さの微細配線パターン層を容易にかつ確実にしかも高コスト化を伴うことなく形成できる配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板Ｋの製造方法では、無電解銅めっき工程の後、無電解銅めっき層２０，２１上にアクリル系ドライフィルム材２２，２３を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを形成する。この後、ドライアッシング処理を行って、めっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを全体的に残しつつその表面を改質する。この後、電解銅めっきを行ってめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの開口部に配線パターン層２８ａ，２９ａを形成する。電解銅めっき工程後、レジスト剥離工程を行い、さらにめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの直下にあった無電解銅めっき層２０，２１を除去して配線パターン層２８ａ，２９ａを分離する。【選択図】  図１２
2009177152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターン層を形成する配線基板の製造方法であって、
無電解銅めっきを行って樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき工程と、
前記無電解銅めっき層上にアクリル系ドライフィルム材を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト形成工程の後、ドライアッシング処理を行って、前記めっきレジストを全体的に残しつつその表面を改質する表面改質工程と、
前記表面改質工程の後、電解銅めっきを行って前記めっきレジストの開口部に前記配線パターン層を形成する電解銅めっき工程と、
剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離するレジスト剥離工程と、
前記めっきレジストの直下にあった前記無電解銅めっき層を除去して前記配線パターン層を分離するパターン分離工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記表面改質工程では、前記ドライアッシング処理を常圧下で行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記表面改質工程では、前記ドライアッシング処理としてドライプラズマアッシング処理を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
配線パターン層を形成する配線基板の製造方法であって、
無電解銅めっきを行って樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき工程と、
前記無電解銅めっき層上にアクリル系ドライフィルム材を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト形成工程の後、前記めっきレジストの表面における水の接触角を５０°以下にする親水化処理を行って、前記めっきレジストの表面を改質する表面改質工程と、
前記表面改質工程の後、電解銅めっきを行って前記めっきレジストの開口部に前記配線パターン層を形成する電解銅めっき工程と、
剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離するレジスト剥離工程と、
前記めっきレジストの直下にあった前記無電解銅めっき層を除去して前記配線パターン層を分離するパターン分離工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線パターン層は、ライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下の微細配線パターン層を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記表面改質工程の後かつ前記電解銅めっき工程の前において、酸洗浄処理及び界面活性剤処理を順次行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記アクリル系ドライフィルム材はネガ型であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト剥離工程では、前記剥離液として有機アミン系剥離液を用いることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト剥離工程では、前記剥離液としてモノエタノールアミンを含む剥離液を用いることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記アクリル系ドライフィルム材は表面粗さＲａが０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に係り、特にはめっきレジストを形成した状態で無電解銅めっきを行って配線パターンを形成する配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されており、このような高密度実装化を達成するにあたり配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、スルーホール部を設けたコア基板の片面または両面に、樹脂絶縁層及び導体を交互に積層形成したビルドアップ層を設けたプリント配線基板（いわゆるビルドアップ配線基板）がよく知られている。この種のプリント配線基板におけるビルドアップ層は、例えば以下のような手順で作製することができる。
【０００３】
まず、樹脂絶縁層の表面全体に銅めっき層を形成する。次に、銅めっき層上に感光性を有するドライフィルム材を貼着した後、露光及びアルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する。次に、銅めっきを行ってめっきレジストの開口部に配線パターン層を形成した後、アルカリ剥離液を用いてめっきレジストを剥離する。次に、めっきレジストの直下にあった銅めっき層を除去するエッチングを行うことにより、所望形状の配線パターン層を形成する。この後、配線パターン層上にさらに樹脂絶縁層を形成し、ビア穴明けを行った後、銅めっきを行ってビア導体及び銅めっき層を形成する。そして、このようなプロセスを必要に応じて複数回繰り返すことにより、ビルドアップ層を多層化していく。なお、このようなビルドアッププロセスについては、従来いくつかの例がある（例えば、特許文献１参照）。なお近年では、配線パターン層のファインピッチ化の要請が高まってきており、例えば配線パターン層のライン幅及び隣接する配線パターン間のライン間隔を２０μｍ以下にすること（望ましくは１５μｍ以下にすること）が求められている。従って、めっきレジストにおいても同様の微細レジストパターンを正確に形成することが求められている。
【特許文献１】特開２００５−１５０５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来技術では、配線パターン層のファインピッチ化に伴い、レジスト開口部についても高さ（深さ）／幅の比が大きい、いわゆる高アスペクトパターンとなっている。しかも、めっきレジストの表面は、通常、ファインな配線パターン層を形成するために疎水性が高められている。これらの事情により、めっきレジストの表面で電解銅めっき液が弾かれて、レジスト開口部内に電解銅めっき液が入り込みにくくなり、それゆえ液交換効率の低下を来たし、均一なめっき厚が得にくくなるという問題が生じる。
【０００５】
よって、従来においては、めっき厚の均一性を向上させるために、例えばめっき液攪拌処理などを実施しているが、そのためには攪拌装置が必要になり、設備が高価かつ大掛かりになるおそれがある。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、均一な厚さの微細配線パターン層を容易にかつ確実にしかも高コスト化を伴うことなく形成することができる配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、配線パターン層を形成する配線基板の製造方法であって、無電解銅めっきを行って樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき工程と、前記無電解銅めっき層上にアクリル系ドライフィルム材を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程の後、ドライアッシング処理を行って、前記めっきレジストを全体的に残しつつその表面を改質する表面改質工程と、前記表面改質工程の後、電解銅めっきを行って前記めっきレジストの開口部に前記配線パターン層を形成する電解銅めっき工程と、剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離するレジスト剥離工程と、前記めっきレジストの直下にあった前記無電解銅めっき層を除去して前記配線パターン層を分離するパターン分離工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法がある。
【０００８】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、配線パターン層を形成する配線基板の製造方法であって、無電解銅めっきを行って樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき工程と、前記無電解銅めっき層上にアクリル系ドライフィルム材を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程の後、前記めっきレジストの表面における水の接触角を５０°以下にする親水化処理を行って、前記めっきレジストの表面を改質する表面改質工程と、前記表面改質工程の後、電解銅めっきを行って前記めっきレジストの開口部に前記配線パターン層を形成する電解銅めっき工程と、剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離するレジスト剥離工程と、前記めっきレジストの直下にあった前記無電解銅めっき層を除去して前記配線パターン層を分離するパターン分離工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法がある。
【０００９】
従って、上記手段１，２に記載の発明によると、疎水性の高いめっきレジストの表面がドライアッシング処理または親水化処理により改質され、濡れ性が増すことで、電解銅めっき工程の際に電解めっき液がめっきレジストの表面で弾かれにくくなる。その結果、高アスペクトパターンのレジスト開口部が含まれていたとしても、その内部に電解銅めっき液が入り込みやすくなることで液交換効率が向上し、均一なめっき厚が得やすくなる。またこの場合、めっき厚の均一性向上のためのめっき液攪拌処理などを省略でき、そのための設備費を削減することができる。以上の結果、上記手段１，２の製造方法によると、均一な厚さの微細配線パターン層を容易にかつ確実にしかも高コスト化を伴うことなく形成可能となる。
【００１０】
上記手段にかかる製造方法では、まず、無電解銅めっきを行って樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき工程を行う。無電解銅めっき層を選択したのは、導電性が高くしかも低コストだからである。無電解銅めっき層の表面状態は特に限定されず任意であるが、例えば表面粗さＲａが０．２μｍ以上０．４μｍ以下の粗面としてもよい。この場合、めっき層表面の凹凸の程度が小さくなり、露光時における光の散乱の影響が小さくなる結果、高解像度を実現しやすくなる。なお、表面粗さＲａが０．２μｍ未満になると、ドライフィルム材の密着性が不十分になる可能性があるため、好ましくない。
【００１１】
無電解銅めっき工程後のレジスト形成工程では、前記無電解銅めっき層上にアクリル系ドライフィルム材を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する。
【００１２】
レジスト形成工程では、感光性を有するアクリル系ドライフィルム材を使用する。当該ドライフィルムはネガ型でもポジ型のいずれでもよいが、ここではネガ型を選択することが好適である。ネガ型は温度が加わることで剥離性が低下するため所定の剥離液で剥離する必要があるという欠点があるものの、形状のよいパターンの形成に有利という利点があるからである。また、かかるアクリル系ドライフィルム材は、アルカリ耐性を有することが好ましい。ここで「アルカリ耐性を有する」とは、水酸化ナトリウム等の強いアルカリに全く膨潤しないか、あるいは従来品に比較して膨潤しにくい性質を有していることを意味する。このような性質の違いは、例えば、ドライフィルム材の主成分である樹脂材料の架橋密度の高さの違いに由来する。即ち、アルカリ耐性を有する上記手段のドライフィルム材は、従来品に比較して樹脂材料の架橋密度が高くなっている。ただし、上記手段のドライフィルム材は、有機アミンに対する耐性を有しておらず、有機アミンに晒されるとそれに若干溶解する性質を有している。これは、上記ドライフィルム材に対しては通常のアルカリが剥離液として使用できないので、有機アミンがこれに代わる剥離液として使用できることを意味する。
ここで、アクリル系ドライフィルム材はその表面が平滑であることがよく、具体的にいうと表面粗さＲａが０．１μｍ以下であることが好ましく、特には０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であることがより好ましい。このようなアクリル系ドライフィルム材を出発材料としてめっきレジストを形成し、さらにその表面を改質すれば、濡れ性の向上が図りやすくなるからである。
【００１３】
ドライフィルム材を貼着した後には、露光を行い、さらにアルカリによる現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成する。ライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下の微細配線パターンを形成する場合には、それに合わせて微細レジストパターンの幅及び隣接する微細レジストパターン間の隙間の寸法を設定しておく必要がある。なお、この場合における微細レジストパターン間の開口部は、いわゆる高アスペクトとなる。
【００１４】
レジスト形成工程後における表面改質工程では、ドライアッシング処理あるいは親水化処理を行って、めっきレジストの表面を改質する。
【００１５】
一般的にドライアッシング処理とは、オゾンや酸素プラズマ等の反応ガスを用いて気相中で有機物（ドライフィルム材）を処理し、それを分解、除去する処理のことを指す。ドライアッシング処理の利点は、ウェットな方法と違って薬液を使用しないので配線基板が汚染せず、後工程で必ずしも薬液や残渣の洗浄を行う必要がないことである。ただし、上記手段１，２におけるドライアッシング処理では、反応ガスを用いて気相中でドライフィルム材を処理するものの、ドライフィルム材（めっきレジスト）を全体的に残しつつその表面のみを改質することを行う。つまり、通常行われるドライアッシング処理に比較してあえて穏やかな条件を設定して、その処理を行うものである。
【００１６】
ドライアッシング処理を行う際の圧力環境は特に限定されず任意であるが、減圧下よりも常圧下で処理を行うことが好ましい。その理由は、めっきレジストを全体的に残しつつその表面を確実に改質するのに好適だからである。逆に減圧下であると、処理効果が必要以上に大きくなる可能性があり、めっきレジスト材の分解量が多くなるため、めっきレジストを全体的に残すことが困難になるおそれがあるからである。
【００１７】
なお、ドライアッシング処理における反応ガスの状態は特に限定されず任意であるが、プラズマ状態の反応ガスを用いることが生産性向上などの観点から好ましい。
【００１８】
親水化処理では、めっきレジストの表面における水の接触角を５０°以下にするような処理を行う。その理由は、水の接触がこの程度低くなれば親水性が十分高まった状態となり、めっきレジスト表面の濡れ性が高くなるからである。これに対して、接触角が５０°超であると、めっきレジストの濡れ性を十分に高くすることができず、電解銅めっき液の液交換効率を十分に向上させることができなくなる。かかる親水化処理では、前記接触角を４５°以下にするような処理を行うことがより好ましく、２０°以上３５°以下にするような処理を行うことが特に好ましい。
【００１９】
親水化処理としては、めっきレジスト材表面における疎水基の比率を減らして親水基の比率を増やすことができる処理であれば特に限定されず、物理的な処理でも化学的な処理でもよい。なお、上述したプラズマアッシング処理を行った場合、結果的にめっきレジストの表面における水の接触角が低減するため、かかる処理も親水化処理の一種であると把握することができる。
【００２０】
前記表面改質工程の後、特に他の処理を行うことなく直ちに電解銅めっき工程を行ってもよいが、その前に例えば酸洗浄処理や界面活性剤処理などを行ってもよい。これらの処理も、めっきレジストの濡れ性を向上させうる処理であるため、前記表面改質工程との相乗効果を期待することができ、電解銅めっき液の液交換効率をいっそう向上させることが可能だからである。この種の処理を併せて行う場合、酸洗浄処理及び界面活性剤処理をこの順序で行うことがよい。この順序が逆であると、酸洗浄によって界面活性剤が洗い流されてしまう可能性があり、上記相乗効果が十分に得られなくなるからである。
【００２１】
表面改質工程後における電解銅めっき工程では、電解銅めっきを行ってめっきレジストの開口部に配線パターン層を形成する。この工程を経ると、めっきレジストの開口部の底面にて露呈する無電解銅めっき層上に電解銅めっきが析出する結果、当該部分が均一に厚くなる。
【００２２】
電解銅めっき工程後におけるめっきレジスト剥離工程では、所定の剥離液を用いてめっきレジストを剥離する。この場合の剥離液としては特に限定されないが、例えば有機アミン系剥離液を用いることが好適である。有機アミン系剥離液において主成分として含まれる有機アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチレンジアミン、イソプロピルアミン、イソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、２−アミノ−２−メチル−１，３−プロパンジオールなどが挙げられる。これらの中でも、特に有機アミンとしてモノエタノールアミンを含む剥離液が好適である。その理由は、モノエタノールアミンを含む剥離液は、アルカリ耐性を有する上記のドライフィルム材に浸透してそれを溶解しうることが確認されており、上記手段にかかる製造方法において使用するうえで好都合だからである。なお、めっきレジスト剥離工程で用いる有機アミン系剥離液には、ヒドラジンやＴＭＨなどといった添加剤が若干添加されていてもよい。
【００２３】
めっきレジスト剥離工程後におけるパターン分離工程では、めっきレジストの直下にあった無電解銅めっき層を除去して配線パターン層を分離する。この工程では、銅を溶解しうるエッチング液を用いてエッチングを行う。この工程を経ると、無電解銅めっき層が部分的に切り離されて、つながっていた配線パターン層同士が互いに孤立する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した一実施形態の配線基板Ｋ及びその製造方法を図１〜図１３に基づき詳細に説明する。
【００２５】
図１に示されるように、本実施形態の配線基板Ｋは、表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を有する、いわゆるビルドアップ多層プリント配線基板である。この配線基板Ｋを構成するコア基板１は、表面２及び裏面３を有する平板状を呈している。
【００２６】
コア基板１の表面２側に配置されたビルドアップ層ＢＵ１は、樹脂絶縁層１２，１６，３０と、配線パターン層１０，２８，２８ａ，３４，３４ａとを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１２にはビアホール形成用孔１２ａが形成され、その内部には配線パターン層１０と内層配線層４とを導通させるフィルドビア導体１４が形成されている。樹脂絶縁層１６にはビアホール形成用孔１８が形成され、その内部には配線パターン層１０，２８間を導通させるフィルドビア導体２６が形成されている。
【００２７】
コア基板１の裏面３側に配置されたビルドアップ層ＢＵ２は、樹脂絶縁層１３，１７，３１と、配線パターン層１１，２９，２９ａ，３５，３５ａとを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１３にはビアホール形成用孔１３ａが形成され、その内部には配線パターン層１１と内層配線層５とを導通させるフィルドビア導体１５が形成されている。樹脂絶縁層１７にはビアホール形成用孔１９が形成され、その内部には配線パターン層１１，２９間を導通させるフィルドビア導体２７が形成されている。
【００２８】
樹脂絶縁層３０は、所定箇所に開口部３６を有するソルダーレジスト３２によって全体的に被覆されている。これらの開口部３６は樹脂絶縁層３０上に形成された配線パターン層３４を第１主面３２ａ側に露呈させており、その結果として当該配線パターン層３４が第１主面側ランドとして機能するようになっている。一方、樹脂絶縁層３１は、所定箇所に開口部３７を有するソルダーレジスト３３によって全体的に被覆されている。これらの開口部３７は樹脂絶縁層３１上に形成された配線パターン層３５を第２主面３３ａ側に露呈させており、その結果として当該配線パターン層３５が第２主面側ランドとして機能するようになっている。
【００２９】
また、第１主面側ランドである配線パターン層３４の上には、第１主面３２ａよりも高く突出するはんだバンプ３８が形成されている。そして、これらのはんだバンプ３８上には、はんだを介して図示しないＩＣチップ等の電子部品が接合可能となっている。一方、第２主面側ランドである配線パターン層３５は、図示しないマザーボード等のプリント配線基板と電気的に接続されるようになっている。
【００３０】
図１に示されるように、この配線基板Ｋの内部にはスルーホールが設けられている。本実施形態のスルーホールは、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通するスルーホール形成用孔６の内壁面に円筒状のスルーホール導体７を析出させるとともに、そのスルーホール導体７の空洞部を充填樹脂９で埋めた構造を有している。そして、このスルーホールのスルーホール導体７によって、コア基板１の表面２側のビルドアップ層ＢＵ１における導体部分と、コア基板１の裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２における導体部分との間の導通が図られている。
【００３１】
次に、本実施形態の配線基板Ｋの製造方法を図２〜図１３に基づいて説明する。
【００３２】
図２は、ビスマレイミドトリアジン(ＢＴ)樹脂を主体とする厚さ約０．７ｍｍのコア基板１の概略断面図である。コア基板１の表面２及び裏面３には、厚さ約７０μｍの銅箔４ａ，５ａがあらかじめ貼着されている。このようなコア基板１の銅箔４ａ，５ａを従来公知の手法（ここではサブトラクティブ法）でパターニングし、表面２上及び裏面３上に内層配線層４，５を形成する（図３参照）。なお、コア基板１を複数有する多数個取りのパネルを用い、各コア基板１に対して同様の工程を行ってもよい。
【００３３】
次に、図４に示されるように、コア基板１における表面２上及び裏面３上に、無機フィラーを含むエポキシ樹脂からなる絶縁性フィルムを被覆することにより、樹脂絶縁層１２，１３を形成する。かかる樹脂絶縁層１２，１３は、厚さが約４０μｍであって、略球形状のシリカからなる無機フィラーを３０重量％〜５０重量％含有している。なお、上記無機フィラーの平均粒径は、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であることがよい。
【００３４】
次に、樹脂絶縁層１２，１３の表面における所定の位置に対し、その厚さ方向に沿って図示しないレーザ(本実施形態では炭酸ガスレーザ)を照射する。その結果、図５に示すように、樹脂絶縁層１２，１３を貫通してその底面に内層配線層４，５を露出させる略円錐形状のビアホール形成用孔１２ａ，１３ａが形成される。さらに、ドリルを用いて所定の位置を孔明けすることにより、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通する内径約２００μｍのスルーホール形成用孔６を形成する。
【００３５】
次に、ビアホール形成用孔１２ａ，１３ａを含む樹脂絶縁層１２，１３の表面全体及びスルーホール形成用孔６の内壁面に、パラジウムなどを含むめっき触媒を塗布した後、その上に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施す。その結果、図６に示すように、樹脂絶縁層１２，１３の表面全体に銅めっき膜８ａ，８ｂが形成され、スルーホール形成用孔６内に厚さ約４０μｍで略円筒形のスルーホール導体７が形成される。同時に、ビアホール形成用孔１２ａ，１３ａ内には、追加の銅めっきを施すことで、フィルドビア導体１４，１５が形成される。
次に、図６に示すように、スルーホール導体７の空洞部内に無機フィラーを含む充填樹脂９のペーストを充填した後、これを熱硬化させる。なお、充填樹脂９の形成のためのペーストは、金属粉末を含む導電性のペーストであってもよい。さらに、図７に示すように、電解銅めっきを行って銅めっき膜８ａ，８ｂ上に銅めっき膜１０ｂ，１１ｂを形成する。このとき、同時に充填樹脂９の両端面を蓋めっき１０ａ，１１ａで覆うようにする。なお、銅めっき膜８ａ，１０ｂ及び銅めっき膜８ｂ，１１ｂの厚さは、それぞれ約１５μｍである。
【００３６】
次に、銅めっき膜８ａ，１０ｂ及び銅めっき膜８ｂ，１１ｂを従来公知のサブトラクティブ法によりエッチングし、図８に示すような配線パターン層１０，１１をそれぞれ形成する。なお、これらの配線パターン層１０，１１はビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２における１層目の配線パターン層となり、その内層側にある樹脂絶縁層は１層目の樹脂絶縁層となる。
【００３７】
次に、図９に示されるように、１層目の樹脂絶縁層１２及び１層目の配線パターン層１０の上に上記同様の絶縁性フィルムを貼り付けて、２層目の樹脂絶縁層１６を形成する。同じく、１層目の樹脂絶縁層１３及び１層目の配線パターン層１１の上に上記同様の絶縁性フィルムを貼り付けて、２層目の樹脂絶縁層１７を形成する。さらに、上記樹脂絶縁層１６，１７の表面における所定の位置に対し、その厚さ方向に沿って前記同様のレーザ（図示せず）を照射することにより、略円錐形状のビアホール形成用孔１８，１９を形成する。ビアホール形成用孔１８，１９は、樹脂絶縁層１６，１７を貫通するとともに、その底面にて配線パターン層１０，１１の一部を露出させる。そして、上記ビアホール形成用孔１８，１９の内壁面を含む樹脂絶縁層１６，１７の表面全体に、あらかじめ前記同様のめっき触媒を塗布した後、無電解銅めっきを施す（無電解銅めっき工程）。このような金属層形成工程を経ると、厚さ約０．５μｍの無電解銅めっき層２０，２１が形成される（図９中の破線を参照）。この時点における無電解銅めっき層２０，２１の表面粗さＲａは約０．２μｍである。
【００３８】
次に、図１０に示すように、無電解銅めっき層２０，２１の表面全体に、アクリル系樹脂を主体とする厚さ約２５μｍの感光性及び絶縁性のネガ型ドライフィルム材２２，２３を貼着する。本実施形態にて選択したドライフィルム材２２，２３は、エポキシ樹脂を主体とする従来品のドライフィルム材に比較して強アルカリに膨潤しにくい性質を備えており、それゆえアルカリ耐性を有している。なお、このドライフィルム材２２，２３の表面粗さＲａは０．０８μｍ程度である。かかるドライフィルム材２２，２３上に図示しない露光用マスクを配置した状態で露光し、この後に水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ現像液を用いて現像を行う。そして、上記のようなドライフィルム材貼着、露光及び現像の各工程により、図１１に示すような所定パターンのめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを形成する（レジスト形成工程）。
【００３９】
これらめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂのうち、狭小のめっきレジスト２２ｂ，２３ｂについては、ライン幅が１５μｍ以下（本実施形態では１０μｍ）の微細レジストパターンとなっている。また、狭小のめっきレジスト２２ｂ，２２ｂ間、あるいは２３ｂ，２３ｂ間の開口部２４ａ，２５ａの寸法（即ちライン間隔）が、１５μｍ以下（本実施形態では１０μｍ）となっており、いわゆる高アスペクトパターンとなっている。なお、狭小のめっきレジスト２２ｂとそれに隣接するめっきレジスト２２ａとの間、あるいは狭小のめっきレジスト２３ｂとそれに隣接するめっきレジスト２３ａとの間の開口部２４ｂ，２５ｂの寸法も同様の寸法となっている。同時に、ビアホール形成用孔１８，１９の左右に隣接している無電解銅めっき層２０，２１の表面には、比較的広面積の開口部２４，２５が形成される。
【００４０】
次に、ドライアッシング処理を行って、めっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの表面を改質する（表面改質工程）。本実施形態において具体的には、酸素プラズマの反応ガスを利用した従来公知のドライプラズマアッシング装置を用いて常圧下で処理を行う。ここでは、一般的な処理条件（出力５００Ｗ，１５分）のおよそ１／４程度の穏やかな処理条件（出力２００Ｗ，５分）を設定し、めっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを全体的に残しつつその表面のみを改質するようにした。その結果、処理前において約７２°であっためっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの表面における水の接触角を、５０°以下（本実施形態では３１°）に低減する。これは、上記のドライプラズマアッシングによって、めっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの表面おける疎水基の比率が減り、親水基の比率が増えたことに起因すると考えられる。
【００４１】
次に、酸洗浄処理を行った後、必要に応じて水洗及び乾燥を行い、さらに界面活性剤処理を行う。その結果、めっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの濡れ性をいっそう向上させる。
【００４２】
次に、開口部２４，２４ａ，２５，２５ａの底面やビアホール形成用孔１８，１９の底面に位置する無電解銅めっき層２０，２１に対し、従来公知の手法により電解銅めっきを行って銅めっきを析出させる。その結果、図１２に示すように、ビアホール形成用孔１８，１９内にフィルドビア導体２６，２７が形成され、開口部２４，２５にはビア導体２６，２７と一体の配線パターン層２８，２９が形成される。同時に、各開口部２４ａ，２５ａには、断面が縦長の長方形であって、幅が１５μｍ以下（本実施形態では１０μｍ）、厚さが約２５μｍの微細配線パターン層２８ａ，２９ａが形成される（電解銅めっき工程）。
【００４３】
次に、図１３に示すように、モノエタノールアミンを主成分として含む有機アミン系剥離液（０．５重量％以上、５０℃以上）を用いてめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを剥離する（レジスト剥離工程）。この後、めっきレジスト２２ａ，２２ｂ(２３ａ，２３ｂ)の直下に位置していた無電解銅めっき層２０（２１）を、エッチング液でソフトエッチ処理して除去する（パターン分離工程）。この工程を経ると、無電解銅めっき層２０（２１）が切り離される。以上の結果、ライン幅及びライン間隔がともに１０μｍ程度の微細配線パターン層２８ａ，２９ａを含む配線パターン層２８，２８ａ，２９，２９ａが形成される。
【００４４】
さらに、配線パターン層２８，２８ａが形成された２層目の樹脂絶縁層１６の表面上に新たな樹脂絶縁層（３層目の樹脂絶縁層）３０を形成する。一方、配線パターン層２９，２９ａが形成された２層目の樹脂絶縁層１７の表面上に新たな樹脂絶縁層（３層目の樹脂絶縁層）３１を形成する。そして、これら樹脂絶縁層３０，３１における所定位置に、上記方法により図示しないビアホール形成用孔を形成する。この後、樹脂絶縁層３０，３１の表面及びビアホール形成用孔内に無電解銅めっき層を形成し、上述したようなドライフィルム材貼着、露光及び現像の各工程からなるめっきレジスト形成工程を行い、さらに表面改質工程を行ったうえで、配線パターン層形成工程、めっきレジスト剥離工程、エッチング工程を行う。その結果、ライン幅及びライン間隔がともに１０μｍ程度の微細配線パターン層３４ａ，３５ａを含む配線パターン層３４，３４ａ，３５，３５ａが、３層目の樹脂絶縁層３０，３１上にそれぞれ形成される。
【００４５】
さらに、３層目の樹脂絶縁層３０，３１上にそれぞれ厚さ２５μｍのソルダーレジスト３２，３３を設けるともに、開口部３６の底面にて露呈する配線パターン層３４上にはんだバンプ３８を形成し、開口部３７の底面にて露呈する配線パターン層３５上にニッケル−金めっきを施す。以上の結果、図１に示したような表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を備える配線基板Ｋを得ることができる。
【００４６】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４７】
（１）本実施形態の配線基板Ｋの製造方法によると、疎水性の高いめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの表面がドライプラズマアッシング処理（親水化処理）により改質され、その濡れ性が増す。よって、電解銅めっき工程の際に電解めっき液がめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの表面で弾かれにくくなる。その結果、高アスペクトパターンのレジスト開口部２４ａ，２５ａが含まれていたとしても、その内部に電解銅めっき液が入り込みやすくなることで、電解銅めっき液の液交換効率が向上し、均一なめっき厚が得やすくなる。またこの場合、めっき厚の均一性向上のためのめっき液攪拌処理などを省略でき、そのための設備費を削減することができる。以上の結果、本実施形態の配線基板Ｋの製造方法によると、均一な厚さの微細配線パターン層２８ａ，２９ａを容易にかつ確実にしかも高コスト化を伴うことなく形成することができる。
【００４８】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００４９】
・上記実施形態では、コア基板１を形成する材料としてＢＴ樹脂を選択したが、これに限らず、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いてもよく、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど三次元網目構造のフッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複合材料などを用いてもよい。なお、コア基板１は、アルミナ、窒化珪素、窒化ほう素、ベリリア、珪酸、ガラスセラミック、窒化アルミニウム等のセラミックからなる高温焼成基板であってもよいほか、約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成基板であってもよい。さらには、コア基板１は、銅合金やＦｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ合金などからなるメタルコア基板であってもよい。また、本発明においてコア基板１は必須の構成ではないため、例えば、コアレス基板の形態を採用することも許容される。
【００５０】
・上記実施形態では、配線パターン層１０，１１やビア導体２６，２７などの導体部を形成する金属材料として銅を選択したが、これに限定されず銀、ニッケル、金、銅合金、鉄ニッケル合金などを採用することも可能である。あるいは、金属のめっき層を用いる代わりに、導電性樹脂を塗布するなどの方法により上記導体部を形成してもよい。
【００５１】
・上記実施形態では、ビア導体２６，２７の形態として内部が完全に導体で埋まっているフィルドビア導体を採用したが、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体を採用することも勿論可能である。
【００５２】
・上記実施形態では、ドライアッシング処理としてドライプラズマアッシング処理を行ったが、プラズマを用いないタイプのドライアッシング装置を用いることも可能である。
【００５３】
・上記実施形態では、ネガ型のドライフィルム材２２，２３を用いたが、ポジ型のドライフィルム材を用いることもできる。
【００５４】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００５５】
（１）セミアディティブ法により配線パターン層を形成する配線基板の製造方法であって、無電解銅めっきを行って樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき工程と、前記無電解銅めっき層上にネガ型のアクリル系ドライフィルム材を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジスト形成工程の後、ドライプラズマアッシング処理を行って、前記めっきレジストを全体的に残しつつその表面を改質する表面改質工程と、前記表面改質工程の後、電解銅めっきを行って前記めっきレジストの開口部に前記配線パターン層を形成する電解銅めっき工程と、剥離液を用いて前記めっきレジストを剥離するレジスト剥離工程と、前記めっきレジストの直下にあった前記無電解銅めっき層を除去して前記配線パターン層を分離するパターン分離工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本実施形態を具体化した一実施形態の配線基板を示す部分概略断面図。
【図２】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図３】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図４】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図５】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図６】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図７】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図８】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図９】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図１０】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図１１】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図１２】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【図１３】上記配線基板の製造工程を説明するための部分概略断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１２，１３，１６，１７，３０，３１…樹脂絶縁層
２０，２１…無電解銅めっき層
２２，２３…アクリル系ドライフィルム材
２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ…めっきレジスト
２４，２４ａ，２５，２５ａ…めっきレジストの開口部
２８，２８ａ，２９，２９ａ…配線パターン層
２８ａ，２９ａ…配線パターン層のうちの微細配線パターン層
Ｋ…配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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