(57)【要約】【課題】基板の露光中に液浸液と接触する液浸リソグラフィ装置の表面には、汚染物質が蓄積することがある。洗浄剤を含む溶液を使用して、このような表面を洗浄することができる。このような洗浄溶液の洗浄特性は、それを紫外線放射で活性化させることによって改良することができる。つまり、より低濃度の溶液を使用し、それによって洗浄溶液が提供される表面の損傷の危険性を低下させることができる。【解決手段】本発明の実施形態により、装置をオフラインにする必要なく、洗浄中の表面に紫外線放射を提供することができる。実施形態では、案内部材を使用して、紫外線放射を遠隔放射源から洗浄動作のために望まれている位置に配置された出口へと送る。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィ装置であって、
基板の露光中に液浸流体によって覆われる表面の少なくとも一部を洗浄する洗浄ユニットを備え、該洗浄ユニットが、
前記表面の部分を洗浄する場合に放射源からの放射ビームを前記部分に誘導する放射出口と、
自身内の前記放射の内部反射を通して前記放射源からの前記放射を前記放射出口に案内する案内部材とを備え、
前記装置が、前記表面及び／又は前記出口の相対運動によって、前記出口からの前記放射で前記表面の異なる部分を照射し、前記洗浄ユニットが、前記装置の一体部品である、液浸リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記放射出口が、基板を支持する基板テーブルに設けられる、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３】
バリア部材を備え、且つ前記基板の露光中に液浸流体を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する流体取扱いシステムをさらに備え、前記表面が前記バリア部材の部分である、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項４】
バリア部材を備え、且つ動作中に液浸流体を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する流体取扱いシステムをさらに備え、前記放射出口が前記バリア部材に設けられる、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項５】
前記表面が、基板を支持する基板テーブルの部分である、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項６】
前記表面がセンサの表面である、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項７】
前記センサが、透過イメージセンサ、ＩＬＩＡＳセンサ又はスポットセンサである、請求項６に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項８】
放射源によって提供された放射を洗浄される表面の一部に誘導するさらなる放射出口をさらに備える、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項９】
放射が出力される前記放射出口が交換可能である、請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記案内部材の端部が出口に接続可能であり、したがって放射を誘導する元となる前記出口を変更することができる、請求項９に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１１】
各放射出口が対応する案内部材を有し、前記装置が、洗浄動作の任意の時間に複数の放射出口から放射を出力できる、請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１２】
洗浄動作中に、前記案内部材の少なくとも部分が、
センサを収容するのに適切であるように構成された開口、
前記基板の露光中に液浸流体を閉じ込めることができる通路、又は
基板テーブルの上面とセンサとの間のシール
内に閉じ込められる、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記放射ビームが、前記洗浄動作中に洗浄用化学物質を活性化させる、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記放射ビームが紫外線放射ビームである、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記放射ビームが１００ｎｍと４００ｎｍの間の波長を有する、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記放射ビームが、前記洗浄プロセス中に過酸化水素と反応して、水酸化物イオン又はヒドロキシル基を生成する、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記放射ビームが、前記洗浄プロセスのために、配置された前記表面に損傷を引き起こさない濃度を有する過酸化水素溶液と相互作用することにより、十分な濃度の水酸化物イオン又はヒドロキシル基を生成する、請求項１６に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記放射ビームが、前記洗浄動作中にオゾンと反応する、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記案内部材が可撓性である、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記案内部材が光ファイバを備える、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記案内部材が前記放射出口及び／又は前記放射現に着脱自在に接続可能である、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記案内部材が、前記洗浄動作中に前記放射出口に接続可能である、及び／又は前記基板の露光中に前記放射出口に接続可能ではない、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２３】
前記放射出口と洗浄される表面の少なくとも部分との間にある空間の少なくとも部分の間に、洗浄流体を供給する洗浄溶液サプライヤーをさらに備える、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２４】
放射源を備える、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２５】
バリア部材を備え、基板の露光中に液浸流体を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する流体取扱いシステムと、
洗浄動作中に使用するために放射を出力する、前記バリア部材に含まれる放射出口と、
を備える液浸リソグラフィ装置。
【請求項２６】
前記洗浄動作中に前記放射出口から出力する放射を提供する放射源をさらに備える、請求項２５に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２７】
放射を前記放射源から前記放射出口へと、自身内の前記放射の内部反射によって案内する案内部材をさらに備える、請求項２６に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２８】
前記放射出口が、前記洗浄動作中に、基板を支持する基板テーブルの一部及び／又は前記一部の隣に配置されたドレイン入口へと放射を誘導できるようにする位置に配置される、請求項２５に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項２９】
前記放射出口が、前記洗浄動作中に前記バリア部材に面する表面に放射を誘導する、請求項２５に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３０】
センサをさらに備え、前記放射出口が、前記洗浄動作中にセンサの表面に放射を誘導する、請求項２５に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３１】
前記表面と前記放射出口との間の相対運動によって、表面の様々な部分を前記放射で照射する、請求項２５に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３２】
液浸リソグラフィ装置であって、
バリア部材を備え、基板の露光中に液浸流体を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する流体取扱いシステムと、
洗浄動作に使用する放射を出力する放射出口であって、前記リソグラフィ装置の投影システムの最終要素より小さい主要断面寸法を有する放射のビームを出力する放射出口と、
を備える液浸リソグラフィ装置。
【請求項３３】
前記洗浄動作中に、前記放射ビームが洗浄される表面の部分を照射できる、請求項３２に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３４】
前記洗浄動作中に照射される前記表面の前記部分が、０．１ｍｍと２ｍｍの間の主要断面寸法を有する、請求項３３に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３５】
前記放射ビームが、前記放射出口の位置にて２ｍｍ未満の主要断面寸法を有する、請求項３２に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３６】
前記洗浄動作中に前記放射出口によって出力される放射を提供する放射源と、
前記洗浄動作中に、前記放射を前記放射源から前記放射出口へと、自身内の前記放射の内部反射によって送る案内部材と、
をさらに備える、請求項３２に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３７】
前記案内部材が光ファイバ束である、請求項３６に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３８】
前記放射ビームが、前記流体取扱いシステムの表面の部分に誘導される、請求項３６に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３９】
前記部分がドレイン入口、ガスナイフ、抽出器出口、気体入口又は出口、液体入口又は出口、又は流量制御板の一部である、請求項３８に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項４０】
洗浄動作に使用する放射をその長さに沿って案内する光導波路部材と、
バリア部材及び基板を支持する基板サポートを備える流体取扱いシステムであって、該バリア部材及び基板サポートがそれぞれ、前記基板の露光中に液浸流体で覆われ得る表面を有し、該流体取扱いシステムが、前記基板の露光中に液浸流体を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する、該流体取扱いシステムと
を備え、
放射出口が、前記バリア部材又は前記基板サポートの表面に規定され、前記光導波路部材から放射ビームを出力して、前記放射ビームを前記バリア部材又は前記基板サポートの前記表面の局所部分に誘導する、
液浸リソグラフィ装置。
【請求項４１】
液体取扱いシステムを備える液浸リソグラフィ装置であって、前記液体取扱いシステムが、
基板の露光中にパターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に出力する露光出口と、
バリア部材及び基板を支持する基板サポートであって、該バリア部材及び基板サポートそれぞれが、前記基板の露光中に液浸液で覆われ得る表面を有し、前記液体取扱いシステムが、前記基板の露光中に液浸液を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する、該バリア部材及びサポートと
を備え、
洗浄放射出口が、前記バリア部材又は前記基板サポートの表面に規定され、該洗浄放射出口が、前記露光出口とは異なり、洗浄動作に使用する放射を出力し、且つ、放射ビームを前記バリア部材又は前記基板サポートの前記表面の局所部分に誘導する、
液浸リソグラフィ装置。
【請求項４２】
洗浄される表面又は表面の一部に洗浄流体を提供し、
前記洗浄流体を活性化するために、放射出口から出力される放射のビームを前記表面に出力し、
案内部材内の前記放射の内部反射を通して、放射源からの前記放射を前記放射出口に案内する
ことを含むリソグラフィ装置の洗浄方法。
【請求項４３】
前記洗浄剤が、それが提供される前記表面に損傷を引き起こさない濃度で提供される、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記洗浄剤が過酸化水素及び／又はオゾンである、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
前記案内部材が、少なくとも２本の光ファイバの束であり、前記束が０．１ｍｍと２ｍｍの間の幅を有する、請求項４２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の表面を照射する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。実施形態では液体は蒸留水でよいが、別の液体を使用することもできる。本明細書の実施形態は、液体について説明されている。しかし、別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なことがある。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像する形体の小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。他にも適切な流体は炭化水素、フルオロハイドロカーボン及び／又は水溶液である。
【０００４】
[0004]  しかし、基板を、又は基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  提案されている解決法の１つは、液体供給システムが液体封じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００６】
[0006]  それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有する。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置、特に液浸リソグラフィ装置の汚染の問題に対応することが望まれている。特に、トップコート材料及び／又は基板材料及び／又は任意の他の汚染材料の粒子の堆積及び／又は除去によって生成される汚染の問題に対応することが望まれている。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]  現在の洗浄方法は通常、インライン洗浄ができない。したがって、現在の方法を使用した洗浄を終了させると、リソグラフィ装置に有意の停止時間を引き起こすことがある。
【０００９】
[0009]  例えば、改良されたリソグラフィ装置と、以上で検討した問題のうち１つ又は複数又はさらなる他の問題のうち１つに対応する、液浸タイプ投影装置の汚染を扱う洗浄方法を提供することが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の態様によれば、基板の露光中に液浸流体によって覆われる表面の少なくとも一部を洗浄する洗浄ユニットを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。洗浄ユニットは、放射ビームを放出する放射源を備える。洗浄ユニットは、部分を洗浄する場合に放射ビームを部分に誘導する放射出口も備える。洗浄ユニットは、自身内の放射の内部反射を通して放射源からの放射を放射出口に案内する案内部材も備える。装置は、表面及び／又は出口の相対運動によって放出された放射によって、表面の異なる部分を照射する。洗浄ユニットは液浸リソグラフィ装置の一体部品である。
【００１１】
[0011]  本発明の別の態様によれば、流体取扱いシステムを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。流体取扱いシステムはバリア部材を備え、基板の露光中に液浸流体を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する。液浸リソグラフィ装置は、洗浄動作中に使用するために放射を出力する放射出口も備える。放射出口はバリア部材に含まれる。
【００１２】
[0012]  本発明の別の態様によれば、流体取扱いシステムを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。流体取扱いシステムはバリア部材を備え、基板の露光中に液浸流体を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する。液浸リソグラフィ装置は、洗浄動作に使用する放射を出力する放射出口も備える。放射出口は、リソグラフィ装置の投影システムの最終要素より小さい最大断面寸法を有する放射のビームを出力する。
【００１３】
[0013]  本発明の別の態様によれば、洗浄動作に使用する放射をその長さに沿って案内する光導波路部材を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。液浸リソグラフィ装置は、バリア部材及び基板を支持する基板サポートを備える流体取扱いシステムも備える。バリア部材及び基板サポートはそれぞれ、基板の露光中に液浸流体で覆われ得る表面を有する。流体取扱いシステムは、基板の露光中に液浸流体を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する。放射出口が、バリア部材又は基板サポートの表面に規定され、光導波路部材から放射ビームを出力して、放射ビームをバリア部材又は基板サポートの表面の局所部分に誘導する。
【００１４】
[0014]  本発明の別の態様によれば、基板の露光中にパターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に出力する露光出口を備える液体取扱いシステムを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。液浸リソグラフィ装置は、バリア部材及び基板を支持する基板サポートも備える。バリア部材及び基板サポートはそれぞれ、基板の露光中に液浸液で覆われ得る表面を有する。液体取扱いシステムは、基板の露光中に液浸液を供給する、少なくとも部分的に封じ込める、及び／又は除去する。洗浄放射出口が、バリア部材又は基板サポートの表面に規定される。洗浄放射出口は、露光出口とは異なり、洗浄動作に使用する放射を出力し、且つ、放射ビームをバリア部材又は基板サポートの表面の局所部分に誘導する。
【００１５】
[0015]  本発明の別の態様によれば、洗浄される表面又は表面の一部に洗浄流体を提供することを含むリソグラフィ装置の洗浄方法が提供される。方法は、洗浄流体を活性化するために放射のビームを表面に出力することをさらに含む。放射ビームは放射出口から出力される。方法は、案内部材内の放射の内部反射を通して、放射源からの放射を放射出口に案内することをさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【００１７】
【図１】[0017]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0018]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示した図である。
【図３】[0018]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示した図である。
【図４】[0019]リソグラフィ投影装置に使用するさらなる液体供給システムを示した図である。
【図５】[0020]リソグラフィ投影装置に使用するさらなる液体供給システムを示した図である。
【図６】[0021]さらなる液体供給システムを示した断面図である。
【図７】[0022]本発明の実施形態による例示的なバリア部材、基板テーブル、及び洗浄装置を示した断面図である。
【図８】[0023]本発明のさらなる実施形態による例示的なバリア部材、基板テーブル、及び洗浄装置を示した断面図である。
【図９】[0024]本発明の実施形態の装置を使用して照射することができる領域の例を示すバリア部材の平面図である。
【図１０】[0025]本発明の実施形態の装置を使用して照射することができる領域の例を示す基板テーブル及びセンサの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0026]  図１は、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１９】
[0027]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２０】
[0028]  支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２１】
[0029]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２２】
[0030]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。このような実施形態では、傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２３】
[0031]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２４】
[0032]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２５】
[0033]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２６】
[0034]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２７】
[0035]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２８】
[0036]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２９】
[0037]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３０】
[0038]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３１】
[0039]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３２】
[0040]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３３】
[0041]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３４】
[0042]  局所液体供給システムがある液浸リソグラフィ装置が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に構成された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給される。液体は、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは動作しない）。
【００３５】
[0043]  提案された局所液体供給システムの解決法がある、別の液浸リソグラフィ装置は、液体供給システムにバリア部材（又はいわゆる液浸フード）を提供する。バリア部材は投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルとの間にある空間の境界の少なくとも一部に沿って延在することができる。バリア部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止していてよいが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。実施形態では、シールはガスシールなどの非接触シールである。ガスシールがあるシステムなどが、図５に図示されている。
【００３６】
[0044]  図５を参照すると、バリア部材１２が、投影システムの像フィールドの周囲で基板とともに非接触シールを形成する。したがって液浸液が封じ込められて、基板表面と投影システムの最終要素との間の液浸空間又はリザーバ１１を充填する。リザーバ１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され、それを囲むバリア部材１２によって形成される。液体を、例えばポート１３を通して投影システムの下方で、バリア部材１２内に入れる。液体は、ポート１３によって空間１１から除去することができる。バリア部材１２は投影システムの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体が最終要素の上まで上昇する。実施形態では、バリア部材１２は、その上端が投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができる内周を有する。これは例えば円形でよい。底部では、内周が像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形でよいが、そうである必要はない。
【００３７】
[0045]  液体は、バリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間のガスシール１６によってリザーバ内に封じ込められる。ガスシールは、気体、例えば空気又は合成空気又はＮ2又は別の不活性ガスによって形成される。１つの実施形態では、気体を、圧力下で入口１５を介してバリア部材１２と基板の間のギャップに提供し、第一出口１４を介して抽出することができる。気体入口１５への過剰圧力、第一出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を封じ込める内側への高速の気体流があるように構成することができる。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示されている。
【００３８】
[0046]  図６は、液体封じ込めシステムＩＨの部分であるバリア部材１２を示す。バリア部材１２は、投影システムＰＳの最終要素の周囲（例えば円周）に延在し、したがってバリア部材（シール部材と呼んでもよい）は実質的に全体的形状が環状である。
【００３９】
[0047]  バリア部材１２の機能は、投影ビームが液体を通過できるように、液体を投影システムＰＳと基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間の空間、つまりリザーバ内に維持する、及び／又は閉じ込める、及び／又は封じ込めることである。液体は、バリア部材１２によって少なくとも部分的に空間内に閉じ込められる。空間内の液体の深さは、液体がバリア部材１２の頂部を越えて溢れないように、バリア部材１２によって維持される。バリア部材１２の底部と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間に、シールが設けられる。シールの形体は、液体取扱いシステムの少なくとも一部を構成することができる。液体取扱いシステムは、液体を供給する、液体を除去する、及び／又は液体を能動的に封じ込めることができる。
【００４０】
[0048]  図６では、シールは非接触シールであり、幾つかのコンポーネントで構成される。投影システムＰＳの光軸の半径方向外側で作業し、空間内に延在する（しかし投影ビームの路内には延在しない）（任意選択の）流量制御板５０が設けられる。流量制御板５０は、出口４６からの液浸液の並行流を維持するのに役立つ。流れの方向は、空間を横切ってよい。空間の他方側で、液体が入口（図示せず）を通って出る。入口は、出口４６と同じレベルでよい。これは、液浸液が投影システムの最終要素と基板との間の空間を横切って流れるようなものでよい。流量制御板５０は、光軸の方向で投影システムＰＳ、基板Ｗ及び／又は基板ＷＴに対する運動への抵抗を減少させるのに役立つ貫通穴を有する。
【００４１】
[0049]  バリア部材１２の底部に沿って半径方向外側には、実質的に光軸に平行な方向で基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴに向かう液体の流れを提供する入口４４がある。この液体の流れは、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの間のギャップを充填するのに役立つように使用される。このギャップが液体で充填されないと、基板Ｗの縁部がバリア部材１２と交差した場合に、リザーバ内に気泡が含まれることがある。例えば、気体及び／又は液体をバリア部材１２に向かって、及び／又はバリア部材１２から誘導できるように、基板Ｗの縁部がシールと交差する場合である。これは、像の品質劣化につながることがあるので、望ましくない。
【００４２】
[0050]  出口４４の半径方向外側には、バリア部材１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間から液体を抽出するように構成された抽出器アセンブリ２０がある。抽出器アセンブリ２０は、以下でさらに詳細に説明され、バリア部材１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間に生成される非接触シールの一部を形成する。
【００４３】
[0051]  抽出器アセンブリの半径方向外側には窪み３０がある。窪み３０は、入口８２を通して雰囲気に接続することができる。窪み３０は、出口８４を介して低圧源に接続することができる。窪み３０の半径方向外側にはガスナイフ４０がある。抽出器、窪み及びガスナイフの配置構成は、米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１５８６２７号でさらに詳細に開示されている。しかし、その文書では、抽出器アセンブリ２０の配置構成が異なる。
【００４４】
[0052]  抽出器アセンブリ２０は、米国特許出願ＵＳ２００６−００３８９６８号で開示されているような液体除去デバイス又は抽出器又は出口で構成される。任意のタイプの液体抽出器を使用することができる。実施形態では、液体抽出器は多孔質材料で覆われた出口を備える。多孔質材料は、１つの液相の液体を抽出できるように、液体を気体から分離するために使用される。入口は、光軸の周囲でリング形にしてよい。入口は環状であることが望ましく、連続的又は不連続的でよい。多孔質材料の下流のチャンバ２２は、わずかに低圧に維持され、液体で充填される。チャンバ２２内の低圧は、多孔質材料の穴にメニスカスが形成されるような圧力である。メニスカスは、周囲空気又は気体が液体抽出器２０のチャンバ２２に引き込まれるのを防止する。しかし、多孔質表面が液体に接触した場合は、流れを制限するメニスカスがなく、液体が液体抽出器２０のチャンバ２２内に自由に流れることができる。多孔質表面は、バリア部材１２に沿って半径方向内側に（さらに空間の周囲に）延在する。抽出アセンブリ２０の抽出速度は、液体によって覆われる多孔質材料の量に従って変化する。
【００４５】
[0053]  本発明の実施形態の装置は、液体取扱いシステムがある液浸リソグラフィ装置を含む。上述したような任意の適切な液体取扱いシステムを使用することができる。
【００４６】
[0054]  図７及び図８の実施形態に示すように、液浸リソグラフィ装置内には液浸空間がある。液浸空間はバリア部材１５０、投影システムＰＳの最終要素及び基板テーブルＷＴ及び／又は（存在する場合は）基板Ｗによって規定される。液浸空間の表面は汚染されることがある。これは、例えば液浸液の蒸発を通して生じ得る。液浸液は汚染物質を含むことがある。蒸発は、汚染堆積物の形成を引き起こし得る。特に、バリア部材１５０及び基板テーブルＷＴは、汚染を即座に除去しない場合、特に汚染が蓄積しやすい。実際、液浸液に曝露している液浸システムの表面は全て、特に汚染しやすい。許容レベルを超えた汚染の蓄積を防止するのに役立てるために、これらの表面の洗浄が望ましい。
【００４７】
[0055]  現在の洗浄方法は、非常に酸化性の洗浄材料の使用を伴うことがある。現在使用されている洗浄材料の例はオゾン、過酸化水素、パーオゾン(Perozone)及び有機溶剤を含む。したがって、これらの洗浄材料（例えばオゾン及び過酸化水素）を、洗浄流体などの溶液中で使用することができる。洗浄流体は、液浸液に接触し得る表面の洗浄に使用することができる。洗浄材料は、自身に伴う１つ又は複数の問題を有することがある。例えば、洗浄流体中のオゾン及び／又は過酸化水素の濃度が特定レベルより高い場合などに、コンポーネントの表面を損傷する危険がある。洗浄材料は、潜在的な傷害の危険を軽減するために、慎重に取り扱う必要がある。洗浄材料は、自身が曝露した表面に付着物を残すことがある。このような付着物の付着を汚損と呼ぶことがある。汚損は、特定の濃度より高い洗浄剤を含む溶液を使用すると、悪化することがある。付着物は、装置を使用できるようにする前に除去する必要がある。汚損は、装置が適切に機能するのを妨げることがある。これらの付着物を除去するために、濯ぎは徹底的でなければならない。したがって、濯ぎに非常に時間がかかることがある。これは、水での濯ぎによっては容易に除去されない有機洗浄溶液を使用する場合に、特に問題になることがある。
【００４８】
[0056]  したがって、このような洗浄剤の使用を減少させることが望ましい。
【００４９】
[0057]  電磁放射、望ましくは紫外線（ＵＶ）放射を使用して、過酸化水素及びオゾンなどの特定の洗浄流体を活性化することができる。その結果、追加の洗浄効果及び／又は酸化特性を有する、より反応性のヒドロキシル基を生成することができる。これは、例えば使用する洗浄剤の濃度を低下可能にし、それによって以上で検討した問題の１つ又は複数を軽減することができる。しかし、典型的なリソグラフィ装置では、空間が限られている。洗浄を必要とする表面（液体取扱いシステムのバリア部材、又は基板テーブルなど）のすぐ近傍で、このような洗浄剤を現場で活性化するのに適切なＵＶ放射源によって提供するには、空間が不十分なことがある。したがって、現在のシステムでは、特に洗浄動作のためにＵＶ放射源を設ける。しかし、空間は、現場の特定の光源からでさえ適切なＵＶ照明を提供するのが困難なほど十分に限られることがある。リソグラフィ装置は、洗浄動作を実行するために、少なくとも部分的に取り外す必要があることがある。したがって、このような洗浄動作をインラインで実行することができない。
【００５０】
[0058]  以上で概略したように、一般的に液浸リソグラフィ装置内では、紫外線放射源を組み込むために洗浄を必要とする表面の近傍には空間が不十分である。したがって従来は、洗浄プロセスに紫外線放射を使用するために、液浸リソグラフィ装置をオフラインにしなければならない。
【００５１】
[0059]  ＵＶ放射源は、ＵＶ放射源であるばかりでなく、熱源でもある。インライン動作中に、ＵＶ放射源は熱を出力することがある。ＵＶ放射源が液浸システムなどの装置に非常に近い場合、熱が装置に伝達される。基板テーブル上のセンサ及び／又はコーティングなどの装置の幾つかのコンポーネントは熱に弱く、過度の熱により損傷することがある。基板は熱に弱い。したがって、放射源を液浸システムの近傍に、又は装置内にさえ配置することは望ましくない。
【００５２】
[0060]  本発明の実施形態の装置は、液浸システムの表面のインライン洗浄中に、電磁放射（ＵＶ放射など）を使用できるようにする。図７に示す本発明の実施形態によれば、紫外線放射源などの放射源１１０が提供される。放射源１１０は、放射が必要な位置に配置されない。このような放射源１１０を、本明細書では遠隔放射源１１０と呼ぶことができる。図７に示すように、遠隔放射源１１０によって生成された紫外線放射を、出口１２０へと移送することができる。出口１２０にて、紫外線放射は洗浄プロセスに使用される。紫外線放射は、放射案内部材１００又は（電磁）導波管を介して出口１２０に案内される。案内部材１００は、内部反射によって放射を案内する。内部反射は内部全反射、又は実質的に内部全反射でよい。したがって、案内部材１００は電磁放射（紫外線放射など）を放射源１１０から放射出口１２０へと転送することができる。
【００５３】
[0061]  実施形態によれば、紫外線放射は、洗浄プロセスで洗浄流体との組合せで使用される。洗浄流体の例は、過酸化水素及び／又はオゾンを含む溶液である。洗浄流体は、任意の適切な方法を使用して洗浄中の表面又は表面の部分に提供することができる。例えば、供給システムを使用することができる。このような供給システムは、洗浄流体を放射出口１２０と洗浄中の表面との間の空間又はギャップの少なくとも部分に提供することができる。
【００５４】
[0062]  本明細書で使用するような紫外線放射に言及した場合、それは任意の適切な電磁放射を意味することができる。同様に、本明細書で使用するような紫外線放射源に言及した場合、それは任意の適切な電磁放射源を意味することができる。
【００５５】
[0063]  本発明の実施形態による装置を使用すると、紫外線放射源１１０を液浸リソグラフィデバイスに組み込むことができる。つまり、洗浄をインラインで実行することができる。したがって、洗浄動作で紫外線放射を使用するために装置を取り外す必要がない。つまり、本発明の装置を使用して、約１時間以内にインライン洗浄を実行することができる。
【００５６】
[0064]  以上で説明したように、放射案内部材（単に案内部材と呼ぶことができる）１００を使用して、紫外線放射を紫外線放射源１１０から放射出口１２０へと誘導することによって、紫外線放射源１１０をリソグラフィ装置上又はリソグラフィ装置外の任意の位置に配置することができる。紫外線放射源１１０は、リソグラフィ装置の一体部品でよい。幾つかの実施形態では、紫外線放射源１１０は、永久的に液浸リソグラフィ装置内に配置される。実施形態では、紫外線放射源は液浸リソグラフィ装置から分離可能であるか、それとは別個に設けることができる。しかし全ての実施形態で、インライン洗浄プロセスに電磁放射を使用することが可能である。
【００５７】
[0065]  図７及び図８に示す実施形態によれば、案内部材１００を使用して、紫外線放射を放射源１１０から放射出口１２０へと誘導する。案内部材１００は導波管、例えば光導波管でよい。案内部材１００は可撓性でよい。したがって、所望の形状に適応するために、曲げる、回転する、平行移動する、及び／又は捻ることができる。案内部材は、光ファイバの方法でねじ曲げるか操縦することができる。一般的に、案内部材は、少なくともわずか４ｃｍの半径で曲げることができる。案内部材１００は、操縦しても、なお紫外線放射を紫外線放射源１１０から放射出口１２０へと誘導できるように構築される。案内部材は可撓性であり、その操縦を容易にする。案内部材１００は弾性で耐久性があってよい。基板テーブルＷＴとバリア部材など、装置の幾つかの形体の間で、相対運動は毎秒１メートルに到達することがある。案内部材１００の物理的特性により、これは損傷せずにこのような運動に耐えることができる。
【００５８】
[0066]  一般的に、案内部材１００として光ファイバを使用する。実施形態では、案内部材１００として光ファイバの束を使用することができる。光ファイバは、少なくとも１メートルの長さで、それでも放射の十分な部分を放射源１１０から放射出口１２０へと伝達することができる。一般的に、光ファイバ又は光ファイバ束の直径は、０．１ｍｍと３ｍｍの間である。光ファイバ又は光ファイバ束の直径は、０．２ｍｍと２ｍｍの間でよい。光ファイバ又は光ファイバ束の直径は１ｍｍでよい。直径がこれより大きい（例えば５ｍｍなどの）光ファイバ又は光ファイバ束を使用することは可能であるが、それは十分な可撓性を有しないことがある。直径が０．１ｍｍ未満（例えば０．０１ｍｍなど）の光ファイバ又は光ファイバ束を使用することも可能であるが、こうなると放出される放射の面積が適切な洗浄時間にとって望ましい面積より小さくなる、及び／又は十分な出力でなくなることがある。本明細書で言及するように、光ファイバ又は光ファイバ束の直径とは、光ファイバ又は光ファイバ束の内径又は外径でよい。ファイバは円形である必要はなく、したがって直径は、より一般的に主要断面寸法（例えば幅）と見なすことができる。
【００５９】
[0067]  本発明の実施形態の洗浄プロセスに使用する電磁放射で使用するのに適切な光ファイバは、フッ素をドープしたシリカを備える。したがって、本発明の実施形態によりフッ素をドープしたシリカガラスファイバは、紫外線放射を紫外線放射源１１０から出口１２０に転送することができる。使用可能な光ファイバのさらなるタイプは、Ｃｅｒａｍｏｐｔｅｃ及び／又はＯｐｔｒａｎファイバである。
【００６０】
[0068]  本発明の実施形態の装置で使用する紫外線放射の波長は、使用中の特定の洗浄剤に適合するように適応させることができる。通常、放射の波長は１００ｎｍから４００ｎｍの範囲になる。さらに一般的に、放射の波長は１５０ｎｍから３００ｎｍの範囲になる。洗浄流体中に過酸化水素を使用した場合は、洗浄のために過酸化水素を活性化させるのに、２００ｎｍから２５０ｎｍの範囲の波長の放射を使用することが望ましい。特に、過酸化水素の洗浄剤を活性化させるために、２２０ｎｍの波長の放射を使用することができる。洗浄流体の一部としてオゾンを使用する場合は、オゾンを活性化させるために、１７０ｎｍと２００ｎｍの間の波長の放射を使用することが望ましい。特に、洗浄用にオゾンを活性化させるために、１８５ｎｍの波長の放射を使用することができる。過度のオゾンが蓄積するのを防止するために、これを活性化させる波長（例えば１８５ｎｍなど）の放射を、オゾンを破壊する波長（例えば２５４ｎｍなど）の放射と組み合わせて使用することができる。例えば放射は、１８５ｎｍの波長の放射が５％の割合で、２５４ｎｍの波長の放射が９５％の割合でよい。過度のオゾンの形成を制限する別の方法は、２００ｎｍ未満の波長の放射を、低い酸素濃度（例えば０〜１０００ｐｐｍの酸素）を有する洗浄流体と組み合わせて使用することである。
【００６１】
[0069]  本明細書で述べるように、過酸化水素、オゾン及び／又は溶解オゾンを含む溶液などのウェットオキシダント(wet oxidant)を、本発明の実施形態による装置で使用するための洗浄流体として使用することができる。あるいは、本発明の実施形態の装置を、「ドライ」酸化プロセスで使用することができる。このような「ドライ」酸化プロセスでは、洗浄プロセスで酸素を含む気体（例えば標準的な空気など）に放射を適用することができる。
【００６２】
[0070]  出口１２０に提供される放射の強度は、一般的に１０ｍＷ／ｃｍ2と１０００ｍＷ／ｃｍ2の間から選択される。放射の強度を高くすると、酸性化粒子の生成を加速させることができる。したがって、これは洗浄の加速につながることがある。しかし、洗浄の加速は、洗浄中の表面に損傷を与える危険性を高めることがある。
【００６３】
[0071]  放射を提供する任意の適切な源を、放射源１１０として使用することができる。例えば、単純なＵＶランプを使用することができる。あるいは、キセノン閃光ランプを使用することができる。あるいは、低圧水銀灯、又は中圧又は高圧水銀灯を使用することができる。放射ビームの強度を上げるために、レンズも使用することができる。これは、低圧水銀灯の場合に特に適切である。キセノン閃光ランプは、酸化速度の加速を可能にすることができる。これに関して、キセノン閃光ランプによって放出される放射は、例えば低圧水銀灯の放射の４００倍の強度でよい。さらなる可能な放射源は、レーザ（例えば１９３ｎｍ又は２２４ｎｍのレーザ）、及びキセノンエキシマランプ（例えば１７２ｎｍの放射を放出する）を含む。
【００６４】
[0072]  以上で説明したように、案内部材１００を本発明の図７及び図８の実施形態で使用して、電磁放射を放射源１１０から出口１２０へと転送する。出口１２０は、任意の適切な位置に設けることができる。一般的に、出口は、洗浄される表面又は表面の部分に対して実質的に反対側の位置に設けられる。つまり、出口は一般的に、洗浄される表面又は表面の部分に実質的に対面するように位置する。
【００６５】
[0073]  図７では、出口１２０を基板テーブルＷＴに設ける。したがって、放射は放射源１１０から案内部材１００を介して転送され、出口１２０を通って出る。出口１２０はバリア部材１５０に対面する。したがって、図７の出口から提供される放射は、例えば基板テーブルＷＴに面するバリア部材１５０の表面１６０の洗浄に使用することができる。
【００６６】
[0074]  基板テーブルＷＴに出口１２０を設けるために使用できる開口の特定の非制限的な例が、ドレイン入口１２５である。ドレイン入口は、基板の露光中に基板Ｗの周縁と基板テーブルＷＴの縁部との間のギャップにアイル液浸液の出口路である。この領域を気泡抽出システムと呼ぶことができる。
【００６７】
[0075]  代替的又は追加的に、センサ位置（望ましくは未使用のセンサ位置）を使用して、放射出口を形成することができる。センサ位置は、基板テーブルＷＴの上面にあってよい。基板テーブルの上面とセンサとの間のシールを、放射出口１２０として使用することができる。これは、例えば放射（例えばＵＶ放射）を伝達するシールを提供することによって達成することができる。基板テーブルの上面とセンサの間のシールを、ステッカ位置と呼ぶことができる。
【００６８】
[0076]  図８に示す実施形態では、放射出口１３０がバリア部材１５０の下面１６０に配置される。出口１３０は、本明細書で述べた放射出口１２０と同じ機能及び特性を有する。本明細書で使用するバリア部材という用語は、投影システムＰＳの要素を除くように解釈することができる。放射は、放射出口１３０からバリア部材１５０に面する基板テーブルＷＴの表面１７０へと誘導することができる。この表面１７０は、露光中に基板Ｗを支持することができる表面である。表面１７０を、基板ホルダ又はバールテーブルと呼ぶことができる。（洗浄は、表面１７０上に基板Ｗが存在しない状態で実行されることに留意されたい）。バリア部材１５０に対して基板テーブルＷＴを動かすことにより、（以下で述べるように）出口１３０にて提供される放射を基板テーブルＷＴの表面１８０にも誘導することができる。表面１８０は、基板ホルダ表面１７０より隆起している。表面１８０は一般的に、露光中に基板Ｗを支持していない。しかし、液浸液は、基板Ｗの露光中に表面１８０上にあってよい。
【００６９】
[0077]  一般的に、他の何らかの目的のために既に存在する液浸リソグラフィ装置の開口を、放射出口として使用する（しかし、そうである必要はない）。例えば、放射出口１２０、１３０を、液浸液の液体取扱いシステムの部分を形成する開口に配置することができる。例えば、このような開口は、液浸液入口又は液浸液出口のように、基板ＷＴの露光中に液浸液を含む通路でよい。
【００７０】
[0078]  バリア部材５０の放射出口として使用できる出口１３０の特定の非制限的な例は、ガスナイフ出口である。例えば、これは、図６に関して上述したガスナイフ出口４０でよい。
【００７１】
[0079]  バリア部材１５０の放射出口１３０として使用できる既存の開口のさらなる例は、入口８２、出口８４、又は多孔質部材アセンブリ２０を通る。
【００７２】
[0080]  実施形態によれば、放射出口１２０、１３０を、バリア部材１２内でガスシールの形体の半径方向内側に設ける。例えば、放射出口を、図６に示すガスナイフ４０のようなガスナイフの半径方向内側に設けることができる。
【００７３】
[0081]  本発明の実施形態によれば、案内部材１００の少なくとも一部を、洗浄動作が開始する前に液浸リソグラフィ装置の出口（又は口）及び／又は通路を通してねじ込む。したがってこの実施形態によれば、放射源１１０は永久的に所定の位置にすることができる。放射出口１２０、１３０も永久的に所定の位置にある、及び／又は液浸リソグラフィ装置の一体部品でよい。しかし、案内部材１００は、洗浄動作中に（又はその準備中に）出口１２０、１３０に配置して、放射源１１０に接続するだけでよい。実施形態では、案内部材１００を永久的に放射源１１０に接続することができる。
【００７４】
[0082]  実施形態では、案内部材１００を１つのみ設ける。この案内部材１００は、必要に応じて放射を放射源１１０から異なる位置へと出力するために、必要に応じて異なる出口及び／又は通路を通ることができる。例えば、案内部材１００は、洗浄動作中の特定の時間に、１つの放射出口から放射を出力させるように配置することができる。案内部材１００は、洗浄動作中の異なる時間に、異なる出口１２０、１３０から放射を出力するように移動することができる。
【００７５】
[0083]  あるいは、複数の案内部材１００を設けることができる。１つの案内部材１００が放射を放射源１１０から１つの出口１２０、１３０へと誘導することができる。別の案内部材１００が、放射を放射源１１０から別の出口へと誘導することができる。実施形態では、複数の放射源１１０を設けることができる。各放射源１１０が、１つ又は複数の関連する案内部材１００を有することができる。
【００７６】
[0084]  実施形態では、１つ又は複数の専用通路及び／又は出口を、案内部材１００のために液浸リソグラフィ装置内に設けることができる。例えば、専用通路及び／又は出口を、バリア部材１５０及び／又は基板テーブルＷＴ内に設けることができる。専用通路及び／又は出口は、例えば基板Ｗの露光中に他の目的を果たすことができない。
【００７７】
[0085]  代替実施形態では、放射の専用出口も設けることができる。放射の専用通路、口及び／又は出口を有する実施形態では、基板Ｗの露光中でも、案内部材を永久的に所定の位置に配置することができる。
【００７８】
[0086]  出口１２０、１３０によって提供される放射は、断面が実質的に円形でよい。放射は、円形とは異なる形状で出口１２０、１３０によって提供することができる。出口１２０、１３０と放射が当たる表面、つまり洗浄するために放射を使用する表面との間では、放射の拡散又は発散が実質的に生じないことが望ましい。実施形態では、出口１２０、１３０は、主要断面寸法（例えば幅又は直径）がリソグラフィ装置の投影システムの最終要素のそれより小さい放射のビームを出力するように構成される。実施形態では、実質的に円形の放射ビームの直径は、１０ミクロンから５ｍｍの範囲から選択される。実施形態では、放射ビームの直径は、０．１ｍｍから２ｍｍの範囲から選択される。したがって、放射のビームが、例えば洗浄するために使用されている表面の１パーセント未満など、比較的小さい部分しか照射しない。
【００７９】
[0087]  照射されているバリア部材１５０の下面１６０の部分２００の例が、図９に図示されている。下面１６０の部分２００は、基板テーブルＷＴの出口１２０から出る放射によって生成することができる。任意の時間に照射されている表面１６０の領域（又はスポット）は、表面全体の小さい割合にすぎないので、酸化を加速し、したがって洗浄動作を加速するために、高強度の放射ビーム（例えば１Ｗ／ｃｍ2）を有することが望ましい。放射源１１０によって提供される放射によって照射される表面１６０の部分２００の位置は、放射出口に対して照射されている表面を動かす、及び／又は照射されている表面に対して出口１２０を動かすことによって変更することができる。図９に示す例では、基板テーブルＷＴの動作によって相対運動が達成される。この動作により、出口１２０が表面１６０に対して移動する。したがって、表面１６０の照射部分２００の位置が移動することができる。この方法で、洗浄流体が存在する状態で表面をＵＶ放射で照射すると、表面１６０の全部を洗浄することができる。しかし、このような洗浄は、案内部材１００からのＵＶ放射に露光する領域が小さいので、長い時間かかることがある。
【００８０】
[0088]  洗浄するのが困難であるか、特に注意を必要とするような特定の特徴又は特徴の領域を洗浄するために、小さい領域を露光することが望ましいことがある。洗浄を必要とする領域にＵＶ放射を限定することにより、放射が限定された領域に誘導され、したがって周囲の表面が損傷されない。例えば酸化されない。放射は、局所的洗浄を達成するように限定される。局所的洗浄は、小さい露光領域を、例えば基板テーブルＷＴの精密な相対運動と組み合わせることによって促進することができる。その領域に誘導される放射の強度が最大限にされ、高速洗浄を保証する。放射の強度は１Ｗ／ｃｍ2にもなることがある。案内部材は小さい幅を有し、可撓性であるので、本明細書で述べるようにリソグラフィ装置の幾つかの位置に装着することができる。装置の様々な表面を洗浄することができる。
【００８１】
[0089]  本発明の実施形態を使用して洗浄できる表面は、バリア部材１５０、１２の下面１６０にある非接触シールの様々な形体を含む。例えば、抽出器アセンブリ２０の多孔質部材が汚染されることがある。このような汚染物質は有機粒子である。有機粒子は、通常は親液性の表面を疎液性にすることがあり、抽出器アセンブリが効果的に働くのを妨げる。使用時には、気体がアセンブリ２０を通して組み込まれることがあり、したがって抽出器の有効性が低下してしまう。有機汚染物質は、ＵＶ放射が存在する状態で、例えばオゾン及び／又は過酸化物の溶液などの洗浄流体によって、多孔質部材から容易に除去することができる。部材の領域は特異的であるので、多孔質部材の表面の全体又は部分を、本発明の実施形態を使用して洗浄することができる。ＵＶ放射は、洗浄することが望ましい表面の特定の部分に誘導される。
【００８２】
[0090]  洗浄プロセスはインラインで実行することができる。したがって、洗浄は、必ずしも液浸システム全体を活性洗浄流体で洗浄することなく、最短の停止時間で達成することができる。したがって、洗浄流体に弱いような液浸システムの表面に対する損傷の危険が軽減される。
【００８３】
[0091]  図１０は、基板テーブルＷＴの部分２１０を示す。部分２１０は、例えばバリア部材１５０の出口１３０からの放射によって照明することができる。照射部分２１０の位置は、出口１３０に対して基板テーブルＷＴの表面１７０、１８０を動かす、及び／又は基板テーブルＷＴの表面１７０、１８０に対して出口１３０を動かすことによって変更することができる。図１０に示すように、この相対運動を通して、ＵＶ放射に露光する表面１７０、１８０の部分２１０が変化し、したがって露光部分が洗浄される。このような部分はドレイン入口１２５及び基板ホルダ１７０の表面、例えば入口１２５付近を含む。バリア部材１５０に面する基板テーブルＷＴの周囲表面１８０は、この相対運動によって洗浄用に露光することができる。センサ３００は、本発明の実施形態の方法及び装置を使用して洗浄することができる。このようなセンサは基板テーブルＷＴ上に配置することができ、例えば透過イメージセンサ（transmission image sensor ＴＩＳ）、ＩＬＩＡＳセンサ（integrated leans inferometer at scanner sensor ＩＬＩＡＳ）及び／又はスポットセンサでよい。停止時間を最短にするのに役立てるために、本発明の実施形態を使用して特定の形体を洗浄することが望ましい。
【００８４】
[0092]  異なる実施形態では、露光中に基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴの部分１７０、及び／又はバリア部材１５０に面する周囲の上面１８０、及び／又はセンサ３００に放射を提供するために、異なる放射出口又は代替放射出口を使用することができる。
【００８５】
[0093]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００８６】
[0094]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、またはその辺りの波長を有する）又は極端紫外線放射を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００８７】
[0095]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組合せを指す。
【００８８】
[0096]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【００８９】
[0097]  上述した制御装置は、信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。例えば、各制御装置は、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、１つ又は複数の処理装置を含んでよい。制御装置は、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。
【００９０】
[0098]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域に封じ込められるか、封じ込められない上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。封じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように封じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を封じ込めることができない、又はある割合の液浸液封じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の封じ込めを完成しない。
【００９１】
[0099]  本明細書で想定するような液体取扱いシステムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体取扱いシステムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【００９２】
[00100]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【外国語明細書】
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