(57)【要約】【課題】処理液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理する。【解決手段】基板Ｗを第１回転速度（例えば１０００ｒｐｍ）で回転させる一方、薬液吐出ノズル４から基板表面Ｗfにフッ酸を第１流量、例えば２（Ｌ／ｍｉｎ）で基板表面Ｗfに供給する。これにより、厚みＴ1のフッ酸液膜２７が基板表面Ｗf全体に形成され、基板表面Ｗf全体がフッ酸と馴染んだ状態となる。次に、薬液吐出ノズル４からのフッ酸の吐出流量を２（Ｌ／ｍｉｎ）に保ったまま、基板Ｗの回転速度を、第１回転速度よりも低速の第２回転速度、例えば１０ｒｐｍに減速する（第２工程）。このように回転速度を減速することにより、基板表面Ｗf上に厚さＴ2（＞Ｔ1）の液盛り２８が形成される。また、液盛り形成後の第３工程において、フッ酸をさらに継続してノズル４から吐出させて液盛り状態を継続して常にフレッシュなフッ酸が補給される。【選択図】図２
2009147038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に向けて処理液を供給しながら前記処理液により前記基板を処理する基板処理方法であって、
第１回転速度で回転する前記基板の表面中央部に、第１流量で前記処理液を供給して前記基板表面全体に前記処理液を行き渡らせる第１工程と、
前記第１工程後に、前記基板の回転速度を前記第１回転速度より遅い第２回転速度に減速して前記基板表面上に前記処理液の液盛りを形成する第２工程と、
前記第２工程後に、液盛り状態を維持しつつ、前記処理液の流量を前記第１流量よりも少ない第２流量に減ずる第３工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記第１工程の実行時間が前記第２工程の実行時間よりも短い請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第３工程で前記基板表面に供給する前記処理液の総量が前記第１工程および前記第２工程で前記基板表面に供給する前記処理液の総量よりも少ない請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第３工程は前記処理液の供給位置を時間経過に伴い変位させる工程である請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記第３工程は前記処理液の供給位置を前記基板の表面中央部から表面周縁部に変位させる工程である請求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記処理液はエッチング液である請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の表面上に処理液を供給して前記基板表面を処理する基板処理方法に関するものである。なお、処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ：Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板表面を清浄な状態に保つ必要がある。そこで、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる（特許文献１参照）。この特許文献１に記載の発明では、基板を回転機構により高速回転（例えば３００ｒｐｍ）させながらフッ酸溶液（処理液）を例えば１０００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で１分間供給して基板上の自然酸化膜を除去している。また最近では、処理液に対する基板表面の接触角が５０゜を超えるような、いわゆる疎水基板が提供されているが、このような疎水基板に対して処理液を用いた基板処理を行う際には、処理液の流量を例えば１５００（ｍＬ／ｍｉｎ）に増大させるとともに、基板の回転数を例えば８００ｒｐｍに増速させている。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３８５９５号公報（段落００２５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように従来技術では、比較的高い回転速度で基板を回転させるとともに比較的大流量の処理液を基板表面に供給して基板に対して洗浄処理などを実行している。このため、処理液の使用量が多くなっていた。ここで、使用量を抑えるために、処理液の流量を減ずると、処理液が基板表面の全体に行き渡らず、洗浄処理などが不均一なものとなってしまう。したがって、基板表面を良好に処理するためには、どうしても多量の処理液が必要となっていた。
【０００５】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、処理液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかる基板処理方法は、基板の表面に向けて処理液を供給しながら処理液により基板を処理する基板処理方法であって、上記目的を達成するため、第１回転速度で回転する基板の表面中央部に、第１流量で処理液を供給して基板表面全体に処理液を行き渡らせる第１工程と、第１工程後に、基板の回転速度を第１回転速度より遅い第２回転速度に減速して基板表面上に処理液の液盛りを形成する第２工程と、第２工程後に、液盛り状態を維持しつつ、処理液の流量を第１流量よりも少ない第２流量に減ずる第３工程とを備えたことを特徴としている。
【０００７】
このように構成された発明では、処理液の液盛りを基板表面に形成して基板表面に対して処理を施しているが、当該液盛りを第１工程および第２工程の２段階で形成している。すなわち、第１工程では比較的高回転（第１回転速度）で回転している基板の表面中央部に対して比較的高流量の処理液が供給されるため、短時間で基板表面全体に処理液が行き渡る。それに続いて、基板の回転速度が第２回転速度に減速されて基板表面に対して基板処理に適した厚みの液盛りが形成される。このため、基板表面の各部で処理がほぼ同時に開始されて基板表面内での処理の均一化を図ることができる。なお、この点に関しては、後で実施例を参照しつつさらに詳述する。
【０００８】
また、このように液盛りを形成することで、当該液盛りを構成している処理液は基板表面に対する処理を実行するが、本発明は処理液の流量を第１流量よりも少ない第２流量に減量し、処理液をさらに継続して供給して液盛り状態を継続している。このため、液盛りに対して常にフレッシュな処理液が供給されて基板処理を実行する。その結果、良好な基板処理を継続的に実行することができる。しかも、処理液の流量を第１流量よりも少ない第２流量に減量して処理液を供給しているので、処理液を比較的高流量で連続的に供給している従来技術に比べて処理液の使用量を大幅に抑制することができる。なお、この点についても、後で実施例を参照しつつさらに詳述する。
【０００９】
ここで、第１工程と第２工程とを比較すると、第１工程では基板が比較的高速（第１回転速度）で回転しているのに対し、第２工程では基板の回転速度は第２回転速度に減速されている。したがって、第１工程において基板表面に供給された処理液が基板の周縁部に達するまでの移動時間は、第２工程でのそれよりも短く、その移動時間を超えて処理液を供給し続けると、基板から処理液が飛散してしまい、処理液の使用量が増大してしまう。したがって、処理液の使用量を削減するという観点からは、第１工程の実行時間が第２工程の実行時間よりも短くなるように設定するのが望ましい。
【００１０】
また、処理液の使用量を削減するという観点からすれば、第３工程で基板表面に供給する処理液の総量が第１工程および第２工程で基板表面に供給する処理液の総量よりも少なくなるように設定するのが望ましい。
【００１１】
また、上記第３工程では、第２工程により形成された液盛りにフレッシュな処理液を供給して処理液による基板の処理速度が変動するのを防止しているが、その供給位置を時間経過に伴い変位させることで液盛りの各部に対してフレッシュな処理液が供給されることとなり、基板表面の全体を均一な処理速度を処理することができる。特に、本発明では、基板を回転させながら液盛り状態の処理液により基板処理を行っているため、処理液の供給位置を基板の表面中央部から表面周縁部に変位させることで液盛り全体に対して均等に処理液を補給することができ、基板処理をさらに均一に実行することができる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、第１回転速度で回転する基板の表面中央部に、第１流量で処理液を供給して基板表面全体に処理液を行き渡らせた後に、基板の回転速度を減速させて基板表面上に処理液の液盛りを形成している。しかも、液盛りを形成した後に、液盛り状態を維持しつつ、処理液の流量を第１流量よりも少ない第２流量に減量して基板処理を行っている。したがって、処理液の使用量を抑えつつ基板表面を均一に処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は本発明にかかる基板処理方法の実行に適した基板処理装置の一例を示す図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Ｗの表面Ｗfに付着している不要物を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、基板表面Ｗfに対してフッ酸などの薬液による薬液処理、純水やＤＩＷ（脱イオン水：deionized water）などのリンス液によるリンス処理を順番に施した後、リンス液で濡れた基板表面Ｗfを乾燥させる装置である。
【００１４】
この基板処理装置は、基板表面Ｗfを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗfに向けて薬液を吐出する薬液吐出ノズル４と、薬液により薬液処理された基板Ｗにリンス液を吐出するリンス吐出ノズル（図示省略）とを備えている。
【００１５】
スピンチャック２は、回転支軸６がモータを含むチャック回転機構８の回転軸に連結されており、チャック回転機構８の駆動により回転軸Ｊ（鉛直軸）回りに回転可能となっている。これら回転支軸６、チャック回転機構８は、円筒状のケーシング１０内に収容されている。回転支軸６の上端部には、円盤状のスピンベース１２が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット１４からの動作指令に応じてチャック回転機構８を駆動させることによりスピンベース１２が回転軸Ｊ回りに回転する。また、制御ユニット１４はチャック回転機構８を制御してスピンベース１２の回転速度を調整する。
【００１６】
スピンベース１２の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部を把持するための複数個のチャックピン１６が立設されている。チャックピン１６は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース１２の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン１６のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン１６は、基板保持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Ｗの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
【００１７】
スピンベース１２に対して基板Ｗが受渡しされる際には、複数個のチャックピン１６を解放状態とし、後述する基板処理を基板Ｗに対して行う際には、複数個のチャックピン１６を押圧状態とする。このように押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン１６は基板Ｗの周縁部を把持してその基板Ｗをスピンベース１２から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Ｗはその表面Ｗfを上方に向け、裏面Ｗｂを下方に向けた状態で支持される。なお、基板保持手段としてはチャックピン１６に限らず、基板裏面Ｗｂを吸引して基板Ｗを支持する真空チャックを用いてもよい。
【００１８】
薬液吐出ノズル４は、薬液バルブ１８を介して薬液供給ユニット２０と接続されている。この薬液供給ユニット２０はフッ酸またはＢＨＦ（バッファードフッ酸：Buffered Hydrofluoric acid）などの基板洗浄に適した薬液をノズル４側に吐出するだけでなく、その流量を動的に変更させることが可能となっている。そして、制御ユニット１４からの制御指令に基づいて、薬液供給ユニット２０が薬液の供給流量を制御するとともに薬液バルブ１８が開成されると、薬液供給ユニット２０から薬液が薬液吐出ノズル４に向けて圧送され、薬液吐出ノズル４から薬液が制御ユニット１４により設定された流量で吐出される。なお、薬液吐出ノズル４にはノズル移動機構２２が接続されており、制御ユニット１４からの動作指令に応じてノズル移動機構２２が駆動されることで、基板Ｗの表面上方の吐出領域と吐出領域から側方に退避した待機位置との間でノズル４は移動可能となっている。また吐出領域においても、ノズル移動機構２２によりノズル４は基板表面Ｗfの中央部上方と周縁部上方との間を往復移動可能となっている。
【００１９】
また、図示を省略しているが、上記したノズル４および薬液供給ユニット２０と同様に、リンス液吐出ノズルおよびリンス液供給ユニットが設けられており、薬液処理された基板Ｗに向けてリンス液を吐出させてリンス処理を実行可能となっている。
【００２０】
ケーシング１０の周囲には、受け部材２４が固定的に取り付けられている。この受け部材２４には、円筒状の仕切り部材が３個立設されている。そして、これらの仕切り部材とケーシング１０の組み合わせにより３つの空間が排液槽として形成されている。また、これらの排液槽の上方にはスプラッシュガード２６がスピンチャック２に水平姿勢で保持されている基板Ｗの周囲を包囲するようにスピンチャック２の回転軸Ｊに対して昇降自在に設けられている。このスプラッシュガード２６は回転軸Ｊに対して略回転対称な形状を有しており、スピンチャック２と同心円状に径方向内側から外側に向かって配置された３つのガードを備えている。そして、ガード昇降機構（図示省略）の駆動によりスプラッシュガード２６を段階的に昇降させることで、回転する基板Ｗから飛散する薬液やリンス液などを分別して排液させることが可能となっている。
【００２１】
次に、本発明にかかる基板処理方法の一実施形態について図２を参照しつつ詳述する。同図中の最上段はスピンチャック２に保持された基板Ｗの回転速度を示すグラフであり、中段は薬液吐出ノズル４から基板表面Ｗfに向けて吐出される薬液の流量を示すグラフであり、最下段は基板Ｗの表面Ｗfに形成される液膜や液盛りを模式的に示す図である。この実施形態では、制御ユニット１４がメモリ（図示省略）に記憶されているプログラムにしたがって装置各部を制御して基板Ｗに対して薬液処理、リンス処理および乾燥処理を施す。これらのうち薬液処理が本発明の「処理」に相当しており、大きく３つの工程により構成されている。また、薬液処理で用いられるフッ酸などの薬液は本発明の「処理液」に相当している。
【００２２】
制御ユニット１４はスプラッシュガード２６を降下させてスピンチャック２をスプラッシュガード２６の上端部から突出させる。そして、この状態で基板搬送手段（図示せず）により未処理の基板Ｗが装置内に搬入される。より具体的には、基板表面Ｗfを上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入され、スピンチャック２に保持される。これに続いて、スプラッシュガード２６が１段階上昇されるとともに基板Ｗに対して薬液処理が開始される。
【００２３】
薬液処理の最初の工程、つまり第１工程では、薬液吐出ノズル４を基板表面Ｗfの中央部上方に移動させるとともに、チャック回転機構８の駆動によりスピンチャック２に保持された基板Ｗを２００〜１２００ｒｐｍの範囲内で定められる第１回転速度（例えば１０００ｒｐｍ）で回転させる。一方、薬液供給ユニット２０ではフッ酸が薬液として準備され、その流量が第１流量、例えば毎分２リッターに調整されている。そして、薬液バルブ１８を開くことで薬液吐出ノズル４から基板表面Ｗfにフッ酸が２（Ｌ／ｍｉｎ）で基板表面Ｗfに供給される。この第１工程では、上記したように比較的高い回転速度で基板Ｗが回転しているため、基板表面Ｗfの中央部に供給されたフッ酸は遠心力により瞬時に広げられ、フッ酸による基板表面Ｗfのエッチング処理（薬液処理）が全体的に、しかもほぼ同時に実行されて均一なエッチング処理が開始される。
【００２４】
また、厚みＴ1の非常に薄いフッ酸液膜２７が基板表面Ｗf全体に形成され、基板表面Ｗf全体がフッ酸（薬液）と馴染んだ状態となる。本実施形態では、第１工程は基板表面Ｗf全体にフッ酸を瞬時に行き渡らせてエッチングの均一性を高めることを目的とするだけでなく、フッ酸と馴染ませることを目的とするものであるため、基板表面Ｗf全体がフッ酸で覆われた時点で第１工程を終了するのが望ましい。なんとなれば、基板表面Ｗf全体がフッ酸で覆われた後にフッ酸をさらに供給したとしても、フッ酸の薄膜２７の厚みは増えるわけではなく、フッ酸が基板Ｗから余剰分として振り切られるため、フッ酸の使用量が増大してしまうからである。例えば従来技術や後の実施例のように薬液処理に１分に設定した場合には、５秒以内に設定するのが望ましい。つまり、第１工程の実行時間を１秒ないし５秒程度に設定することでフッ酸の使用量を低減させつつ基板表面Ｗf全体をフッ酸と馴染ませる効果が得られる。
【００２５】
次に、薬液吐出ノズル４からのフッ酸の吐出流量を２（Ｌ／ｍｉｎ）に保ったまま、基板Ｗの回転速度を、第１回転速度よりも低速の第２回転速度、例えば１０ｒｐｍに減速する（第２工程）。このように回転速度を減速することにより、基板表面Ｗf上に厚さＴ2（＞Ｔ1）の液盛り２８が形成される。液盛り２８の厚みＴ2については、基板Ｗの回転速度を制御することで調整することができ、フッ酸の濃度や基板表面Ｗfの状態などに応じて調整するのが望ましい。このように液盛り２８を形成することによって、仮にノズル４からのフッ酸吐出を停止したとしてもエッチング処理が進行する状況となる。ただし、後で説明するようにフッ酸の供給を停止したままエッチング処理（薬液処理）を進行させる場合、エッチング処理の進行に伴い液盛り２８に含まれるエッチング反応に寄与する反応種の濃度が減少する一方、エッチング反応生成物が基板表面Ｗfに残っていき、時間経過してもエッチング処理が進行しないという問題が発生する。
【００２６】
そこで、本実施形態では、上記のようにして液盛り２８が形成されると、第２工程に続いて第３工程を実行する。この第３工程では、基板Ｗの回転速度を第２回転速度に保ったまま、薬液供給ユニット２０がフッ酸の流量を第１流量よりも少ない第２流量、例えば毎分０．５リッターに減量調整し、ノズル４から液盛り２８にフッ酸を供給する。このようにエッチング処理中にフレッシュなフッ酸を補給しているため、液盛り状態を維持しつつエッチング反応に寄与する反応種の濃度が低下するのを防止することができ、フッ酸による基板Ｗのエッチング速度（処理速度）を安定させることができる。また、フッ酸の新液供給はエッチング処理による反応生成物を基板表面Ｗfから押し出して基板表面Ｗfへの残留を防止する。したがって、エッチング処理を良好に行うことができる。
【００２７】
また、本実施形態の第３工程では、ノズル移動機構２２がノズル４を駆動してノズル４を基板表面Ｗfの中央部上方位置と周縁部上方位置の間で往復スキャンさせている。このようにフッ酸をノズル４から吐出しながらノズル４をスキャンさせることによって液盛り２８の各部に対してフレッシュなフッ酸が供給されることとなり、基板表面Ｗfの全体をより均一な処理速度でエッチング処理することができる。
【００２８】
上記した第３工程を所定時間継続させて所望のエッチング処理が完了すると、薬液吐出ノズル４が待機位置に移動される。そして、スプラッシュガード２６がリンス処理用の高さ位置に配置された状態で基板Ｗに対してリンス処理および乾燥処理が実行される。なお、本実施形態では、これらリンス処理および乾燥処理として従来より多用されているものが採用されており、その処理内容は従来より周知であるため、ここでは説明を省略する。
【００２９】
基板Ｗの乾燥処理が終了すると、制御ユニット１４はチャック回転機構８を制御して基板Ｗの回転を停止させる。そして、スプラッシュガード２６を降下させて、スピンチャック２をスプラッシュガード２６の上方から突出させる。その後、基板搬送手段が処理済の基板Ｗを装置から搬出して、１枚の基板Ｗに対する一連の基板処理が終了する。そして、次の基板Ｗについても、上記と同様の処理が実行される。
【００３０】
以上のように、この実施形態によれば、フッ酸の液盛り２８を基板表面Ｗfに形成して基板表面Ｗfに対してエッチング処理を施しているが、まず第１工程を実行することにより短時間で基板表面Ｗf全体に薄いフッ酸の液膜２７を形成して基板表面Ｗf全体をフッ酸と馴染ませた後に液盛り２８を形成している。したがって、基板表面Ｗfの各部でエッチング処理がほぼ同時に開始されて基板表面Ｗf内でのエッチング処理（薬液処理）が均一化される。
【００３１】
また、液盛り形成後の第３工程において、フッ酸をさらに継続してノズル４から吐出させて液盛り状態を継続しているため、液盛り２８に対して常にフレッシュなフッ酸が補給されてエッチング処理が実行される。その結果、良好なエッチング処理を継続的に実行することができる。しかも、この第３工程においては、フッ酸の流量を第１流量よりも少ない第２流量に減少させつつフッ酸をさらに継続して供給しているため、フッ酸を比較的高流量で連続的に供給している従来技術に比べてフッ酸の使用量を大幅に抑制することができる。
【００３２】
しかも、上記実施形態では、基板Ｗを回転させながらノズル４を基板表面Ｗfの中央部上方と周縁部上方の間で往復スキャンさせてフッ酸の供給位置を基板Ｗの表面中央部から表面周縁部に変位させているため、液盛り２８全体に対して均等にフッ酸を補給することができ、エッチング処理をさらに均一に実行することができる。
【００３３】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、薬液供給ユニット２０は薬液の流量を動的に変更可能に構成し、１本のノズル４から互いに異なる流量の薬液を吐出しているが、次のように構成してもよい。図３は本発明にかかる基板処理方法の他の実施形態を示す図である。この実施形態では、薬液供給ユニット２０は予め２種類の流量で薬液を圧送可能に構成される一方、それに対応して２本のノズル４Ａ、４Ｂが設けられている。この薬液供給ユニット２０からは、第１流量（毎分２リットル）で薬液を圧送する配管３０Ａと、第２流量（毎分０．５リットル）で薬液を圧送する配管３０Ｂとが延設されており、配管３０Ａ、３０Ｂはそれぞれノズル４Ａ、４Ｂに接続されている。また、配管３０Ａには薬液バルブ１８Ａが介挿される一方、配管３０Ｂには薬液バルブ１８Ｂが介挿されている。そして、制御ユニット１４からの開閉指令に応じて薬液バルブ１８Ａ、１８Ｂがそれぞれ独立して開閉することで所望の流量で薬液を基板表面Ｗfに向けて吐出可能となっている。
【００３４】
また、上記実施形態では、フッ酸を本発明の「処理液」として用いて基板表面Ｗfをエッチング処理するものであるが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、処理液を基板Ｗに供給して基板Ｗに対して所定の処理を施す基板処理方法全般に本発明を適用することができる。
【００３５】
また、上記実施形態では、第３工程においてノズル４を往復スキャンさせているが、ノズル４を基板表面Ｗfの中央部上方に固定配置して第３工程を実行した場合にも、従来技術に比べて使用量の低減効果と処理の均一性向上が認められた。
【実施例】
【００３６】
次に本発明の実施例を示すが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００３７】
ここでは、上記した実施形態の技術的意義を明らかとするために、シリコン基板上に約１００ｎｍの熱酸化膜を形成した基板を準備し、当該基板に対して大日本スクリーン製造株式会社製の枚葉洗浄装置ＳＵ−３１００により洗浄処理（薬液処理＋リンス処理＋乾燥処理）を行った。その際の薬液処理はフッ酸を処理液として用いており、その処理条件は表１中の「実施例」に示すものである。また、フッ酸の濃度は４９％濃度のフッ酸を純水に対して（１：５０）で混合した約１％（０．９６％）濃度のものを用いた。
【００３８】
【表１】
2009147038.tif 000003
【００３９】
なお、同表における処理条件中の「第１工程」、「第２工程」および「第３工程」での基板回転速度および薬液の流量はいずれも上記実施形態と同様に以下の値
第１工程：回転速度＝１０００ｒｐｍ、流量＝２（Ｌ／ｍｉｎ）
第２工程：回転速度＝１０ｒｐｍ、流量＝２（Ｌ／ｍｉｎ）
第３工程：回転速度＝１０ｒｐｍ、流量＝０．５（Ｌ／ｍｉｎ）
に設定している。また、上記洗浄処理を実行する前後において熱酸化膜の膜厚を基板全面４９箇所についてＫＬＡ−テンコール社製のエリプソメーターＦＸ−２００により計測した。そして、エッチング処理（薬液処理）により使用した薬液の使用量と、エッチング処理の均一性と、エッチング速度について評価し、その結果を同表にまとめている。なお、「使用量」は薬液の流量と処理条件（吐出時間）とに基づき算出したものである。また、「均一性」は上記した４９箇所の各々について膜厚計測値からエッチング量を求めた後、エッチング量の最大値Ｍax、エッチング量の最小値Ｍin、エッチング量の平均値Ａverageを次式
（均一性）＝（Ｍax−Ｍin）／（２×Ａverage）
に代入して求めた値である。さらに、「エッチング速度」は複数枚の基板についてエッチング量と処理時間に基づき算出し、その算出結果のばらつきに基づき定性的に評価した。
【００４０】
また、第１ないし第３工程の技術的意義を検証するために、エッチング処理における処理条件を
・従来例（第１工程のみ）、
・比較例１（第３工程のみ）、
・比較例２（第２工程＋第３工程）、
・比較例３（第１工程＋第２工程）、ただし比較例３の第２工程では液盛り形成後は薬液供給を停止する、
に設定して上記実施例と同様の検証を行い、その検証結果を表１にまとめている。
【００４１】
実施例と従来例を対比してわかるように、実施例によれば使用量を大幅に低減させながらも従来例と同等以上の均一性が得られる。
【００４２】
また、比較例１、２では第１工程を省略して基板を低速回転（１０ｒｐｍ）させながら薬液を基板表面全体に供給しているため、供給された薬液が基板表面上で広がる際には、まず表面中央部が先に接液し、それから薬液が基板周縁部に広がっていくため、表面中央部でのエッチング処理が表面周縁部でのそれに対して進み、処理の不均一性が認められた。特に、実施例と比較例２を対比することで、均一性を高める上、短時間で基板表面全体に薬液の液膜を形成して基板表面全体を薬液と馴染ませることが技術的に重要な意義を有していることがわかる。
【００４３】
さらに、比較例３では、第１工程および第２工程を実行することで基板表面上に液盛りを形成した後、薬液補給を行うことなくエッチング処理を実行しているため、エッチング反応生成物が基板表面に残留し、時間経過に伴ってエッチングが進まなくなるという問題が確認された。このことを定性的に示したものが図４のグラフである。これに対し、実施例では液盛りに対してフレッシュな薬液が補充されるため、基板表面からエッチング反応生成物を排除しながら次々に補充されるフレッシュな薬液によりエッチング処理が行われるため、同図に示すようにエッチング速度を一定に、しかも表１に示すように優れた均一性で処理を行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般に処理液を供給して基板を処理する基板処理方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明にかかる基板処理方法の実行に適した基板処理装置の一例を示す図である。
【図２】本発明にかかる基板処理方法の一実施形態を示す図である。
【図３】本発明にかかる基板処理方法の他の実施形態を示す図である。
【図４】エッチング特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４６】
４、４Ａ、４Ｂ…薬液吐出ノズル
６…回転支軸
８…チャック回転機構
１２…スピンベース
２０…薬液供給ユニット
２２…ノズル移動機構
２７…フッ酸液膜
２８…液盛り
Ｗf…基板表面
Ｗ…基板
【図１】
2009147038.tif 000004
【図２】
2009147038.tif 000005
【図３】
2009147038.tif 000006
【図４】
2009147038.tif 000007