(57)【要約】【課題】コンティニュアスモードとリセットモードのいずれにおいても、同じ相関二重サンプリング手段を用いて画素信号からノイズを除去することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】撮像部９０と、リセット回路１０とを備えた固体撮像装置１において、入射光を受光する機能を具備しないダミー画素６、７を設ける。リセットモードでは、画素２〜５から読み出されるフォトチャージ電圧およびリセット電圧に基づいて、相関二重サンプリング回路８、９で相関二重サンプリングを行う。コンティニュアスモードでは、画素２〜５から読み出されるフォトチャージ電圧と、ダミー画素６、７から読み出されるリファレンス電圧とに基づいて、相関二重サンプリング回路８、９で相関二重サンプリングを行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を電流に変換する受光素子、および、閾値電圧以下のゲート電圧の印加によりサブスレショールド領域で動作して、前記受光素子の電流を対数変換した電圧を出力するＭＯＳトランジスタを有する第１の画素を複数備え、これらの画素が行列状に配置された撮像部と、
前記ＭＯＳトランジスタに前記閾値電圧を超えるゲート電圧を印加することにより、前記第１の画素の出力電圧を初期値にリセットするリセット回路と、を備えた固体撮像装置において、
入射光を受光する機能を具備しない第２の画素と、
前記第１および第２の画素の出力電圧に基づいて相関二重サンプリングを行い、画像信号を出力する相関二重サンプリング手段と、を更に備え、
前記相関二重サンプリング手段は、
前記第１の画素の出力電圧を読み出した後に前記リセットを行う場合は、リセットを行う前の第１の画素の出力電圧と、リセット時の第１の画素の出力電圧との差に基づいて相関二重サンプリングを行い、
前記第１の画素の出力電圧を読み出した後に前記リセットを行わない場合は、前記第１の画素の出力電圧と、前記第２の画素の出力電圧との差に基づいて相関二重サンプリングを行う
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像装置において、
所定数の第１の画素に対応して１つの第２の画素が設けられ、これらの各画素が共通の出力信号線に接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置における相関二重サンプリング技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、車両に搭載され、道路前方の白線や物体等を検出する固体撮像装置は、昼夜を通しての撮像やトンネル内での撮像が必要なことから、被写体を明暗に影響されず安定した感度で検出できる性能、すなわち広いダイナミックレンジが要求される。特許文献１、２には、このような広いダイナミックレンジを有する固体撮像装置が記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載の固体撮像装置では、フォトダイオードとＭＯＳトランジスタとを用い、トランジスタのゲート電圧を閾値電圧以下に設定することにより、トランジスタにサブスレショールド電流と呼ばれる微少電流（ドレイン電流）が流れるようにする。そして、この電流がゲート・ソース間電圧の指数関数であることを利用して、入射光量に応じた電流を電圧に対数変換することによって、広いダイナミックレンジを実現している。
【０００４】
また、特許文献２に記載の光センサ回路では、光信号を検出した後、ｎチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電圧を所定時間だけ高い値に設定し、あるいはｐチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電圧を所定時間だけ低い値に設定する。これにより、ドレイン・ソース間のインピーダンスを低下させ、検出端子に接続されたコンデンサの充電または放電を制御することで、残像現象の発生を防止し、高感度で広いダイナミックレンジが得られるようにしている。
【０００５】
ところで、固体撮像装置の撮像部を構成する画素（ピクセル）には、線形変換型と対数変換型の２種類が存在する。
【０００６】
線形変換型画素は、フォトダイオードを流れるフォト電流を、フォトダイオードに並列に接続したコンデンサに蓄積し、その結果発生する電位を読み出すという原理で動作する。この場合、電位は時間に対し線形的に変化する。すなわち、読み出す電位は常に非定常状態にあり、少なくとも１フレーム内での電位の初期値と読み出し時間（フォトチャージ蓄積時間）とを画素間で同じにしないと、画素間の基準電位レベルが一致しなくなり、正常な画像の再生ができない。このため、初期値として一定の電圧（リセット電圧）を与えるリセット動作が必須となる。
【０００７】
一方、対数変換型画素は、特許文献１、２に示されるように、フォトダイオードを流れるフォト電流と、フォトダイオードと直列に接続したＭＯＳトランジスタに流れるサブスレショールド電流とが平衡する時の電位を読み出すという原理で動作する。したがって、初期値やフォトチャージ蓄積時間の概念はない。すなわち、読み出し電位は時間的に変化しない。このため、線形変換型画素のようなリセット動作は必須ではない。
【０００８】
このように、線形変換型画素の場合は、初期状態を与えないと画素から正しい電位を読み出せないので、リセットをかける使い方しかできない。一方、対数変換型画素の場合は、照度がある値より高い被写体ではリセットをかけなくても画素から正しい電位を読み出せるので、リセットをかけないで使うことも可能であり、リセットをかけて使うことも可能である。以下では、リセットをかける使い方を「リセットモード」と呼び、リセットをかけない使い方を「コンティニュアスモード」と呼ぶ。
【０００９】
線形変換型のイメージセンサでは、画素で生じるノイズを除去する手段として相関二重サンプリング（ＣＤＳ：Correlated Double Sampling）の手法が用いられる。画素を構成する素子の特性のばらつきにより、リセット前の画素の出力電圧と、リセット時の画素の出力電圧には、それぞれノイズ成分が含まれている。相関二重サンプリングは、これらの出力電圧の差を演算することにより、ノイズ成分を相殺するものである。特許文献３、４には、このような相関二重サンプリングの技術が開示されている。
【００１０】
一方、対数変換型のイメージセンサの場合は、上述したようにコンティニュアスモードでもリセットモードでも動作が可能であるが、通常はいずれか一方のモードのみを使用する。しかし、フレーム毎にコンティニュアスモードとリセットモードを切り替えるような使い方をする場合（例えば、暗い被写体に対する感度を維持する一方で、フレーム位置を連続的に変更しても鮮明な画像が得られるようにしたい場合）、リセットモードでは線形変換型と同様に相関二重サンプリングによるノイズ除去が可能であるが、コンティニュアスモードではリセットがかからないため、リセット電圧を読み出すことができず、線形変換型と同様の相関二重サンプリングを実施することはできない。
【００１１】
【特許文献１】特開平３−１９２７６４号公報
【特許文献２】特開平１０−９００５８号公報
【特許文献３】特開昭６３−７６５８３号公報
【特許文献４】特開平１−２４３６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、コンティニュアスモードとリセットモードのいずれにおいても、同じ相関二重サンプリング手段を用いて画素信号からノイズを除去することができる固体撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明では、入射光を電流に変換する受光素子、および、閾値電圧以下のゲート電圧の印加によりサブスレショールド領域で動作して、受光素子の電流を対数変換した電圧を出力するＭＯＳトランジスタを有する第１の画素を複数備え、これらの画素が行列状に配置された撮像部と、ＭＯＳトランジスタに閾値電圧を超えるゲート電圧を印加することにより、第１の画素の出力電圧を初期値にリセットするリセット回路とを備えた固体撮像装置において、入射光を受光する機能を具備しない第２の画素と、第１および第２の画素の出力電圧に基づいて相関二重サンプリングを行い、画像信号を出力する相関二重サンプリング手段とを更に設ける。そして、相関二重サンプリング手段は、第１の画素の出力電圧を読み出した後にリセットを行う場合（リセットモード）は、リセットを行う前の第１の画素の出力電圧と、リセット時の第１の画素の出力電圧との差に基づいて相関二重サンプリングを行う。また、相関二重サンプリング手段は、第１の画素の出力電圧を読み出した後にリセットを行わない場合（コンティニュアスモード）は、第１の画素の出力電圧と、第２の画素の出力電圧との差に基づいて相関二重サンプリングを行う。
【００１４】
このようにすると、リセットがかかるリセットモードでは、通常どおり、第１の画素から読み出される時間的に前後した２つの電圧に対して相関二重サンプリングが行われる。一方、リセットがかからないコンティニュアスモードでは、第１の画素から読み出される電圧と、第２の画素から読み出される電圧に対して相関二重サンプリングが行われる。このため、コンティニュアスモードの場合に、リセット電圧が読み出せなくても、第２の画素の出力電圧を読み出し、これをリセット電圧の代わりに用いることで、相関二重サンプリングを行ってノイズの除去された画像信号を取り出すことができる。
【００１５】
本発明では、所定数の第１の画素に対応して１つの第２の画素が設けられ、これらの各画素が共通の出力信号線に接続される構成を採用してもよい。これによると、コンティニュアスモードにおいて、所定数の第１の画素に対して、１つの第２の画素により相関二重サンプリングのための電圧が共通に生成されるので、第２の画素の数を少なくして構成を簡単にすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の固体撮像装置によれば、リセットモードとコンティニュアスモードとが混在する場合、いずれのモードにおいても、同じ相関二重サンプリング手段を用いて相関二重サンプリングを行い、画像信号からノイズを除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、本発明に係る固体撮像装置の回路ブロック図である。固体撮像装置１は、撮像部９０と、リセット回路１０と、ダミー画素６、７と、相関二重サンプリング回路８、９とを備える。撮像部９０は、行列状に配置された複数の画素２〜５（第１の画素）を備えている。説明を簡略にするため、ここでは撮像部９０を２×２の行列としている。各画素は、後述するように、入射光を電流に変換するフォトダイオードと、その電流を電圧に変換するＭＯＳトランジスタとを有する。リセット回路１０は、リセット動作時に、各画素２〜５に閾値電圧を越える電圧を印加し、画素の出力電圧を初期値にリセットする。ダミー画素６、７（第２の画素）は、入射光を受光する機能を具備しない画素であって、後述するように、ＭＯＳトランジスタを有する。相関二重サンプリング回路８、９は、画素２〜５およびダミー画素６、７の出力電圧に基づいて相関二重サンプリングを行い、ノイズが除去された画像信号を出力する。ダミー画素６、７および相関二重サンプリング回路８、９は、１行分だけ設けられている。なお、アドレス信号に基づいて画素を選択するデコーダ等は図示を省略している。
【００１９】
各画素２〜５には、行方向のリセット信号線１１、２１、読み出し信号線１２、２２、電圧供給線１３、２３と、列方向の出力信号線４１、４２とが接続されている。リセット回路１０は、リセット信号線１１、２１に、上述した閾値電圧を越える電圧をリセット信号として出力する。ダミー画素６、７には、制御信号線３１、読み出し信号線３２および出力信号線４１、４２が接続されている。相関二重サンプリング回路８、９には、出力信号線４１、４２、制御信号線５１、５２、５３および出力信号線６１、６２が接続されている。
【００２０】
本実施形態では、同じ列の複数の画素２、４に対応して１つのダミー画素６が設けられ、これらの画素２、４、６は共通の出力信号線４１に接続されている。また、同じ列の複数の画素３、５に対応して１つのダミー画素７が設けられ、これらの画素３、５、７は共通の出力信号線４２に接続されている。
【００２１】
図２は、１画素（単位画素）の回路図である。ここでは、画素２の構成を述べるが、他の画素３〜５の構成も同様である。画素２は、ＭＯＳトランジスタ（以下、単にトランジスタという）Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３と、フォトダイオードＰＤとを備えている。トランジスタＴｒ１のドレインは図１の電圧供給線１３に接続され、ゲートはリセット信号線１１に接続される。トランジスタＴｒ１のソースは、フォトダイオードＰＤのカソードに接続されている。フォトダイオードＰＤのアノードは、グランドに接続されている。トランジスタＴｒ２のゲートはフォトダイオードＰＤのカソードに接続されており、ソースはトランジスタＴｒ３のドレインに接続されている。トランジスタＴｒ２のドレインには、電源ＶＤＤが供給される。トランジスタＴｒ３のソースは出力信号線４１に接続され、ゲートは読み出し信号線１２に接続される。
【００２２】
画素２は対数変換型画素であり、線形変換型画素に比べてダイナミックレンジが広い。受光素子であるフォトダイオードＰＤには、入射光の光量に応じたフォト電流が流れる。このとき、電圧変換素子であるトランジスタＴｒ１のゲート電圧を閾値電圧以下としておくと、トランジスタＴｒ１は、ドレイン・ソース間が高インピーダンスとなるサブスレショールド領域で動作し、トランジスタＴｒ１にはフォト電流と同量のサブスレショールド電流が流れる。これにより、フォトダイオードＰＤのカソードの電位Ｖは、フォト電流に応じた電位に安定する。このカソード電位Ｖは、フォト電流を対数変換した電位となる。カソード電位Ｖは、トランジスタＴｒ２により増幅される。そして、読み出し信号線１２に与えた読み出し信号によりトランジスタＴｒ３をオンさせると、入射光量に応じた電圧が出力信号線４１に出力される。
【００２３】
一方、トランジスタＴｒ１のゲートに閾値電圧を超える電圧、すなわちリセット信号を与えると、トランジスタＴｒ１は、ドレイン・ソース間が低インピーダンスとなる飽和領域で動作する。このため、フォトダイオードＰＤの入射光量に関係なく、フォトダイオードＰＤのカソードの電位Ｖは電圧供給線１３の電位とほぼ等しくなり、この値に固定される。したがって、このとき出力信号線４１に出力される電圧は一定値となり、この電圧が１フレームにおける画素の初期電圧、すなわちリセット電圧となる。
【００２４】
図３は、ダミー画素の回路図である。ここでは、ダミー画素６の構成を述べるが、ダミー画素７の構成も同様である。ダミー画素６は、ＭＯＳトランジスタ（以下、単にトランジスタという）Ｔｒ４、Ｔｒ５を備えている。トランジスタＴｒ４のドレインには電源ＶＤＤが供給される。トランジスタＴｒ４のゲートは制御信号線３１に接続される。トランジスタＴｒ４のソースは、トランジスタＴｒ５のドレインに接続されている。トランジスタＴｒ５のゲートは読み出し信号線３２に接続され、ソースは出力信号線４１に接続される。
【００２５】
トランジスタＴｒ４のゲートに制御信号線３１よりハイレベル信号が印加されている状態で、トランジスタＴｒ５のゲートに読み出し信号線３２より読み出し信号が与えられると、トランジスタＴｒ４およびＴｒ５を介して出力信号線４１に、ＶＤＤとほぼ等しい電圧が出力される。この電圧は、出力信号線４１に接続されている相関二重サンプリング回路８に、リファレンス電圧として与えられる。
【００２６】
図４は、相関二重サンプリング回路の回路図である。ここでは、相関二重サンプリング回路８の構成を述べるが、相関二重サンプリング回路９の構成も同様である。相関二重サンプリング回路８は、ＭＯＳトランジスタ（以下、単にトランジスタという）Ｔｒ６〜Ｔｒ９と、コンデンサＣ１、Ｃ２と、差動演算増幅器（以下、オペアンプという）ＯＰとを備えている。トランジスタＴｒ６のゲートは制御信号線５１に、トランジスタＴｒ７のゲートは制御信号線５２に、それぞれ接続される。トランジスタＴｒ６のドレインとトランジスタＴｒ７のドレインとが接続されており、その接続点は出力信号線４１に接続される。
【００２７】
トランジスタＴｒ６のソースはトランジスタＴｒ８のドレインに接続されており、その接続点にサンプルホールド用のコンデンサＣ１の一端が接続されている。コンデンサＣ１の他端はグランドに接続されている。また、トランジスタＴｒ７のソースはトランジスタＴｒ９のドレインに接続されており、その接続点にサンプルホールド用のコンデンサＣ２の一端が接続されている。コンデンサＣ２の他端はグランドに接続されている。トランジスタＴｒ８のゲートはトランジスタＴｒ９のゲートに接続され、その接続点は制御信号線５３に接続される。
【００２８】
トランジスタＴｒ８のソースはオペアンプＯＰの正入力端子に接続され、トランジスタＴｒ９のソースはオペアンプＯＰの負入力端子に接続されている。オペアンプＯＰの出力端子は出力信号線６１に接続される。相関二重サンプリング回路８の動作については、後述する。
【００２９】
図５は、リセットモード時の主要信号のタイミングチャートである。ここでは、信号線２１、２２、５１〜５３（図１）の信号を表しており、以下では画素４、５を対象とした説明を行うが、信号線１１、１２と画素２、３についても動作は同様である。
【００３０】
時刻ｔ１において、前回のリセット動作が終了し、リセット回路１０からのリセット信号ａが停止すると、リセット信号線２１はハイレベルからローレベルになる。そして、時刻ｔ１から時間Ｔ経過後の時刻ｔ２において、リセット回路１０より再びリセット信号ｂが出力され、リセット信号線２１がローレベルからハイレベルになる。ｔ１からｔ２までの間（時間Ｔ）は、フォトダイオードＰＤで光電変換された電荷（フォトチャージ）の蓄積時間である。
【００３１】
リセットがかかる時刻ｔ２の直前に、読み出し信号線２２に読み出し信号ｃが与えられ、画素４、５のフォトチャージに基づく出力電圧（フォトチャージ電圧）が読み出される。また、同じタイミングで、制御信号線５１に制御信号ｄが与えられ、相関二重サンプリング回路８、９のトランジスタＴｒ６（図４）が導通状態となる。これにより、画素４、５から読み出されたフォトチャージ電圧が、相関二重サンプリング回路８、９のサンプルホールド用コンデンサＣ１に保持される。
【００３２】
次に、時刻ｔ３において、リセット動作が終了し、リセット回路１０からのリセット信号ｂが停止すると、リセット信号線２１はハイレベルからローレベルになる。時刻ｔ３の直前に、読み出し信号線２２に読み出し信号ｅが与えられ、画素４、５のリセットに基づく出力電圧（リセット電圧）が読み出される。また、同じタイミングで、制御信号線５２に制御信号ｆが与えられ、相関二重サンプリング回路８、９のトランジスタＴｒ７（図４）が導通状態となる。これにより、画素４、５から読み出されたリセット電圧が、相関二重サンプリング回路８、９のサンプルホールド用コンデンサＣ２に保持される。そして、時刻ｔ３において、制御信号線５３に制御信号ｇが与えられ、制御信号線５３がローレベルからハイレベルとなる。これにより、相関二重サンプリング回路８、９のトランジスタＴｒ８およびＴｒ９が導通状態となり、オペアンプＯＰは、コンデンサＣ１に蓄積された電荷（フォトチャージ電圧）と、コンデンサＣ２に蓄積された電荷（リセット電圧）との差を演算する。そして、この差が画像信号として出力信号線６１、６２に出力される。
【００３３】
以上のようなリセットモード時には、ダミー画素６、７の読み出し信号線３２は、常にローレベル状態を保っている。
【００３４】
図６は、リセットモードにおけるフォトチャージ電圧の読み出しルートを示す図であり、図５の読み出し信号ｃによる読み出しに対応している。太矢印で示すように、画素４、５からフォトチャージ電圧Ｖｐが出力信号線４１、４２を介して相関二重サンプリング回路８、９に転送される。
【００３５】
図７は、リセットモードにおけるリセット電圧の読み出しルートを示す図であり、図５の読み出し信号ｅによる読み出しに対応している。太矢印で示すように、画素４、５からリセット電圧Ｖｒが出力信号線４１、４２を介して相関二重サンプリング回路８、９に転送される。
【００３６】
こうして、リセットモードにおいては、相関二重サンプリング回路８、９は、通常どおり、リセットを行う前の画素４、５の出力電圧（フォトチャージ電圧Ｖｐ）と、リセット時の画素４、５の出力電圧（リセット電圧Ｖｒ）との差に基づいて相関二重サンプリングを行い、ノイズが除去された画像信号を出力する。
【００３７】
次に、コンティニュアスモードの場合の動作を説明する。図８は、コンティニュアスモード時の主要信号のタイミングチャートである。ここでは、信号線２１、２２、５１〜５３、３２（図１）の信号を表しており、以下では画素４、５を対象とした説明を行うが、信号線１１、１２と画素２、３についても動作は同様である。
【００３８】
コンティニュアスモードではリセットがかからないため、リセット信号線２１は常にローレベル状態を保つ。また、画素４、５のフォトチャージ電圧は、どのタイミングでも読み出すことができる。図８では、時刻ｔ４の直前に、読み出し信号線２２に読み出し信号ｈが与えられ、画素４、５のフォトチャージ電圧が読み出される。また、同じタイミングで、制御信号線５１に制御信号ｉが与えられ、相関二重サンプリング回路８、９のトランジスタＴｒ６（図４）が導通状態となる。これにより、画素４、５から読み出されたフォトチャージ電圧が、相関二重サンプリング回路８、９のサンプルホールド用コンデンサＣ１に保持される。
【００３９】
次に、時刻ｔ５の直前において、読み出し信号線３２に読み出し信号ｊが与えられ、ダミー画素６の出力電圧（リファレンス電圧）が読み出される。また、同じタイミングで、制御信号線５２に制御信号ｋが与えられ、相関二重サンプリング回路８、９のトランジスタＴｒ７（図４）が導通状態となる。これにより、ダミー画素６から読み出されたリファレンス電圧が、相関二重サンプリング回路８、９のサンプルホールド用コンデンサＣ２に保持される。そして、時刻ｔ５において、制御信号線５３に制御信号ｍが与えられ、制御信号線５３がローレベルからハイレベルとなる。これにより、相関二重サンプリング回路８、９のトランジスタＴｒ８およびＴｒ９が導通状態となり、オペアンプＯＰは、コンデンサＣ１に蓄積された電荷（フォトチャージ電圧）と、コンデンサＣ２に蓄積された電荷（リファレンス電圧）との差を演算する。そして、この差が画像信号として出力信号線６１、６２に出力される。
【００４０】
図９は、コンティニュアスモードにおけるフォトチャージ電圧の読み出しルートを示す図であり、図８の読み出し信号ｈによる読み出しに対応している。太矢印で示すように、画素４、５からフォトチャージ電圧Ｖｐが出力信号線４１、４２を介して相関二重サンプリング回路８、９に転送される。なお、この読み出しルートは、リセットモード時のフォトチャージ電圧の読み出しルート（図６）と同じである。
【００４１】
図１０は、コンティニュアスモードにおけるリファレンス電圧の読み出しルートを示す図であり、図８の読み出し信号ｊによる読み出しに対応している。太矢印で示すように、ダミー画素６、７からリファレンス電圧Ｖｆが出力信号線４１、４２を介して相関二重サンプリング回路８、９に転送される。
【００４２】
こうして、コンティニュアスモードにおいては、相関二重サンプリング回路８、９は、画素４、５のフォトチャージ電圧Ｖｐと、ダミー画素６、７のリファレンス電圧Ｖｆとの差に基づいて相関二重サンプリングを行い、ノイズが除去された画像信号を出力する。
【００４３】
以上のように、上述した実施形態においては、リセットモードでは、通常どおり、画素２〜５から読み出される時間的に前後したフォトチャージ電圧Ｖｐおよびリセット電圧Ｖｒに対して相関二重サンプリングが行われ、コンティニュアスモードでは、画素２〜５から読み出されるフォトチャージ電圧Ｖｐと、ダミー画素６、７から読み出されるリファレンス電圧Ｖｆに対して相関二重サンプリングが行われる。このため、コンティニュアスモードの場合に、リセット電圧が読み出せなくても、ダミー画素６、７のリファレンス電圧Ｖｆを読み出し、これをリセット電圧の代わりに用いることで、相関二重サンプリングを行ってノイズの除去された画像信号を取り出すことができる。したがって、リセットモードとコンティニュアスモードとが混在する場合、いずれのモードにおいても、同じ相関二重サンプリング回路８、９を用いて相関二重サンプリングを行い、画像信号からノイズを除去することができる。
【００４４】
また、上述した実施形態においては、同じ列の画素２、４に対応して１つのダミー画素６を設け、これらを共通の出力信号線４１に接続するとともに、同じ列の画素３、５に対応して１つのダミー画素７を設け、これらを共通の出力信号線４２に接続している。このため、複数の画素に対して、コンティニュアスモードにおけるリファレンス電圧を１つのダミー画素により共通に生成することができるので、ダミー画素の数が少なくなって構成が簡単になる。
【００４５】
本発明では、以上述べた以外にも種々の実施形態を採用することができる。例えば、上記実施形態では、ダミー画素は１行で構成したが、ダミー画素の行数は複数にしてもよい。これにより、各画素を構成する素子の特性のばらつきによる影響を小さくできる。また、ダミー画素の構成としては、通常の画素と同じ回路を用いて、受光部を遮光しておく構成にしてもよい。
【００４６】
さらに、上記実施形態以外の処理を追加してもよく、固体撮像装置のブロック構成や回路構成も上記実施形態に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る固体撮像装置の回路ブロック図である。
【図２】１画素（単位画素）の回路図である。
【図３】ダミー画素の回路図である。
【図４】相関二重サンプリング回路の回路図である。
【図５】リセットモードにおける主要信号のタイミングチャートである。
【図６】リセットモードにおけるフォトチャージ電圧の読み出しルートを示す図である。
【図７】リセットモードにおけるリセット電圧の読み出しルートを示す図である。
【図８】コンティニュアスモードにおける主要信号のタイミングチャートである。
【図９】コンティニュアスモードにおけるフォトチャージ電圧の読み出しルートを示す図である。
【図１０】コンティニュアスモードにおけるリファレンス電圧の読み出しルートを示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  固体撮像装置
２〜５  画素
６、７  ダミー画素
８、９  相関二重サンプリング回路
１０  リセット回路
１１、２１  リセット信号線
１２、２２  読み出し信号線
１３、２３  電圧供給線
３１  制御信号線
３２  読み出し信号線
４１、４２  出力信号線
５１、５２、５３  制御信号線
６１、６２  出力信号線
９０  撮像部
Ｔｒ１  ＭＯＳトランジスタ
ＰＤ  フォトダイオード
【図１】
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【図２】
2009278149.tif 000004
【図３】
2009278149.tif 000005
【図４】
2009278149.tif 000006
【図５】
2009278149.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009278149.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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