(57)【要約】【課題】一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させる。【解決手段】複数の表示領域及び複数の端子領域Ｔが規定された第１ガラス母基板１２０ａａを作製する工程と、複数の表示領域が規定された第２ガラス母基板１３０ａａを作製する工程と、各端子領域Ｔに熱膨張性の樹脂層３３ａを配置させた状態で第１ガラス母基板１２０ａａ及び第２ガラス母基板１３０ａａを貼り合わせて貼合体１５０ａａを作製する工程と、貼合体１５０ａａを構成する第２ガラス母基板１３０ａａの表面に対し第１スクライブラインＬ１及び第２スクライブラインを形成した後に、少なくとも樹脂層３３ａを加熱して第２ガラス母基板１３０ａａを各表示領域毎に分断する工程と、第２ガラス母基板１３０ａａが分断された貼合体を構成する第１ガラス母基板１２０ａａを各表示領域毎に分断する工程とを備える。【選択図】図３
2009116190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示をそれぞれ行う複数の表示領域、及び該各表示領域毎にそれぞれ設けられた複数の端子領域が規定された第１ガラス母基板を作製する第１ガラス母基板作製工程と、
上記各表示領域に重なるように画像表示をそれぞれ行う複数の表示領域が規定された第２ガラス母基板を作製する第２ガラス母基板作製工程と、
上記各端子領域に熱膨張性を有する樹脂層を配置させた状態で上記第１ガラス母基板及び第２ガラス母基板を貼り合わせることにより貼合体を作製する貼り合わせ工程と、
上記貼合体を構成する第２ガラス母基板の表面に対し、上記各端子領域を露出させるための第１スクライブライン、及び該第２ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断するための第２スクライブラインを形成した後に、少なくとも上記樹脂層を加熱することにより、該第２ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断する第１分断工程と、
上記第２ガラス母基板が分断された貼合体を構成する第１ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断する第２分断工程とを備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第１分断工程及び第２分断工程の間に、上記各端子領域に信号を入力して表示検査を行う検査工程を備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第１ガラス母基板作製工程では、上記各端子領域が複数の列状に規定されるように上記第１ガラス母基板を作製することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第２ガラス母基板作製工程では、上記第２ガラス母基板の上記各端子領域に重なる位置に上記樹脂層を形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第１ガラス母基板作製工程では、上記第１ガラス母基板の各端子領域に上記樹脂層を形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第１分断工程では、上記樹脂層を上記第２ガラス母基板から突出しないように熱膨張させることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載された表示パネルの製造方法において、
上記貼り合わせ工程及び第１分断工程の間に、上記貼合体を構成する第２ガラス母基板を少なくとも薄板化する薄板化工程を備え、
上記第１分断工程では、上記樹脂層を上記薄板化された第２ガラス母基板から突出しないように熱膨張させることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記貼り合わせ工程及び第１分断工程の間に、上記貼合体を構成する第１ガラス母基板及び第２ガラス母基板の少なくとも一方を薄板化する薄板化工程を備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記貼り合わせ工程では、上記第１ガラス母基板の各表示領域と上記第２ガラス母基板の各表示領域との間に液晶層をそれぞれ配置させることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
画像表示を行う表示領域、及び該表示領域に信号を入力するための端子領域がそれぞれ規定された第１ガラス基板を作製する第１ガラス基板作製工程と、
上記表示領域に重なるように画像表示を行う表示領域が規定された第２ガラス基板を作製する第２ガラス基板作製工程と、
上記端子領域に熱膨張性を有する樹脂層を配置させた状態で上記第１ガラス基板及び第２ガラス基板を貼り合わせることにより貼合体を作製する貼り合わせ工程と、
上記貼合体を構成する第２ガラス基板の表面に上記端子領域の周端に沿ってスクライブラインを形成した後に、上記樹脂層を加熱することにより、該第２ガラス基板を分断する分断工程とを備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法に関し、特に、互いに貼り合わされた一対のガラス基板より製造される表示パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、その製造効率を向上させるために、複数の表示領域がマトリクス状にそれぞれ規定された一対の基板より多面取りで製造されることが多い。
【０００３】
例えば、特許文献１には、２枚の大型基板を貼り合わせて形成され、電気光学物質を封入する複数の電気光学領域が形成された大型パネル構造体において、一方の大型基板に、電気光学領域毎に形成された外部接続端子に配線パターンを介して接続されるテスト端子が形成されており、貼り合わせ後にテスト端子が露呈されることが開示されている。そして、これによれば、２枚の大型基板を貼り合わせた状態のままで、テスト端子に検査用プローブの端子を接触させて、表示状態を検査することができ、検査工程の効率化が実現できる、と記載されている。
【特許文献１】特開２００５−２４９９３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示された電気光学装置用大型パネル構造体では、上述したように、検査工程の効率化を実現するために、電気光学領域毎に形成された外部接続端子にそれぞれ接続されるテスト端子を一方の基板の端縁に形成する必要がある。ここで、上記テスト端子を基板の端縁に形成することなく、各電気光学領域毎に形成された外部接続端子に検査信号を直接入力するには、各電気光学領域の外部接続端子が形成された端子領域を覆う他方の基板を部分的に除去する必要がある。そして、上記他方の基板を部分的に分断して除去するために、ホイールカッターやレーザーなどにより他方の基板を構成するガラス基板の表面に互いに平行に延びる一対のスクライブラインを仮に形成したとしても、それらの一対のスクライブラインの間に配置する被除去部は、基板本体の間に嵌っているので、基板本体から切り離すことが困難である。そのため、複数の表示領域がマトリクス状にそれぞれ規定され、互いに貼り合わされた一対のガラス基板では、各表示領域の間の一方のガラス基板（上記他方の基板）を部分的に除去して端子領域を露出させることが困難である。また、１つの表示領域がそれぞれ規定され、互いに貼り合わされた一対のガラス基板であって、端子領域が基板の端縁でなく内側に規定された場合においても、一方のガラス基板を部分的に除去して端子領域を露出させることが困難と考えられる。
【０００５】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、第１ガラス（母）基板及び第２ガラス（母）基板を貼り合わせた貼合体の第２ガラス（母）基板にスクライブラインを形成した後に、端子領域に配置させた熱膨張性を有する樹脂層を加熱するようにしたものである。
【０００７】
具体的に本発明に係る表示パネルの製造方法は、画像表示をそれぞれ行う複数の表示領域、及び該各表示領域毎にそれぞれ設けられた複数の端子領域が規定された第１ガラス母基板を作製する第１ガラス母基板作製工程と、上記各表示領域に重なるように画像表示をそれぞれ行う複数の表示領域が規定された第２ガラス母基板を作製する第２ガラス母基板作製工程と、上記各端子領域に熱膨張性を有する樹脂層を配置させた状態で上記第１ガラス母基板及び第２ガラス母基板を貼り合わせることにより貼合体を作製する貼り合わせ工程と、上記貼合体を構成する第２ガラス母基板の表面に対し、上記各端子領域を露出させるための第１スクライブライン、及び該第２ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断するための第２スクライブラインを形成した後に、少なくとも上記樹脂層を加熱することにより、該第２ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断する第１分断工程と、上記第２ガラス母基板が分断された貼合体を構成する第１ガラス母基板を上記各表示領域毎に分断する第２分断工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
上記の方法によれば、貼り合わせ工程において、第１ガラス母基板作製工程で作製された第１ガラス母基板と、第２ガラス母基板作製工程で作製された第２ガラス母基板とを互いの各表示領域が重なると共に各端子領域に熱膨張性を有する樹脂層が配置するように貼り合わせることにより、貼合体が作製される。そして、第１分断工程において、貼合体の第２ガラス母基板に第１スクライブライン及び第２スクライブラインを形成した後に、端子領域に配置させた樹脂層を加熱して熱膨張させることにより、少なくとも第１スクライブラインに沿って第２ガラス母基板が分断されるので、第１ガラス母基板の各端子領域が露出することになる。なお、第１分断工程において、特殊形状のカッターホイールにより第１スクライブライン及び第２スクライブラインを形成する場合には、各スクライブラインのクラックが基板厚さ方向に進行するので、第１スクライブライン及び第２スクライブラインを形成した時点で第２ガラス母基板が各表示領域毎に分断される。また、各スクライブラインのクラックが第２ガラス母基板の表面のみに形成される場合には、第２ガラス母基板に応力を付加することにより、第２ガラス母基板が各表示領域毎に分断される。その後、第２分断工程を行うことにより、貼合体の第１ガラス母基板が各表示領域毎に分断される。したがって、第２ガラス母基板を分断する第１分断工程を行うことにより、複数の表示領域がそれぞれ規定された一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させることが可能になる。
【０００９】
上記第１分断工程及び第２分断工程の間に、上記各端子領域に信号を入力して表示検査を行う検査工程を備えてもよい。
【００１０】
上記の方法によれば、貼合体を各表示領域毎に分断する第２分断工程の前に検査工程を行うので、各表示領域毎に分断されていない貼合体に対して表示検査を一括して行うことが可能になり、表示検査の効率を向上させることが可能になる。
【００１１】
上記第１ガラス母基板作製工程では、上記各端子領域が複数の列状に規定されるように上記第１ガラス母基板を作製してもよい。
【００１２】
上記の方法によれば、第１ガラス母基板における各端子領域が複数の列状に規定されているので、第１分断工程において、第２ガラス母基板を分断することにより、各端子領域が複数の列状に露出することになる。また、第１分断工程及び第２分断工程の間に検査工程を行う場合には、複数の出力端子が線状に配列された検査用プローブにより、表示検査を速やかに一括して行うことが可能になり、表示検査の効率をいっそう向上させることが可能になる。
【００１３】
上記第２ガラス母基板作製工程では、上記第２ガラス母基板の上記各端子領域に重なる位置に上記樹脂層を形成してもよい。
【００１４】
上記の方法によれば、第２ガラス母基板作製工程において、第１ガラス母基板の各端子領域に対応する第２ガラス母基板の領域に樹脂層が形成されると共に、第１分断工程において、その樹脂層が形成された第２ガラス母基板の一部が除去されるので、製造された表示パネルでは、熱膨張した樹脂層が存在しないことになる。
【００１５】
上記第１ガラス母基板作製工程では、上記第１ガラス母基板の各端子領域に上記樹脂層を形成してもよい。
【００１６】
上記の方法によれば、第１ガラス母基板作製工程において、第１ガラス母基板の各端子領域に樹脂層が形成されるので、製造された表示パネルに熱膨張した樹脂層が残存していることになる。
【００１７】
上記第１分断工程では、上記樹脂層を上記第２ガラス母基板から突出しないように熱膨張させてもよい。
【００１８】
上記の方法によれば、熱膨張した樹脂層が第２ガラス母基板から突出していないので、端子領域にＦＰＣ（flexible printed circuit）などを実装する工程における歩留まりの低下が抑制される。
【００１９】
上記貼り合わせ工程及び第１分断工程の間に、上記貼合体を構成する第２ガラス母基板を少なくとも薄板化する薄板化工程を備え、上記第１分断工程では、上記樹脂層を上記薄板化された第２ガラス母基板から突出しないように熱膨張させてもよい。
【００２０】
上記の方法によれば、熱膨張した樹脂層が薄板化工程で薄板化された第２ガラス母基板から突出していないので、端子領域にＦＰＣ（flexible printed circuit）などを実装する工程における歩留まりの低下が抑制される。
【００２１】
上記貼り合わせ工程及び第１分断工程の間に、上記貼合体を構成する第１ガラス母基板及び第２ガラス母基板の少なくとも一方を薄板化する薄板化工程を備えてもよい。
【００２２】
上記の方法によれば、薄板化工程において、第１ガラス母基板及び第２ガラス母基板の少なくとも一方が薄板化されるので、製造される表示パネルの薄型化及び軽量化が可能になる。また、薄板化工程において、第２ガラス母基板が薄板化された場合には、第１分断工程で除去する第２ガラス母基板が軽量化されるので、各端子領域に配置させる樹脂層の量を減らすことが可能になる。
【００２３】
上記貼り合わせ工程では、上記第１ガラス母基板の各表示領域と上記第２ガラス母基板の各表示領域との間に液晶層をそれぞれ配置させてもよい。
【００２４】
上記の方法によれば、貼り合わせ工程において、例えば、各表示領域毎に形成された枠状のシール材を介して、第１ガラス母基板及び第２ガラス母基板の間に液晶層が封入されるので、表示パネルとして液晶表示パネルが具体的に製造される。
【００２５】
また、本発明に係る表示パネルの製造方法は、画像表示を行う表示領域、及び該表示領域に信号を入力するための端子領域がそれぞれ規定された第１ガラス基板を作製する第１ガラス基板作製工程と、上記表示領域に重なるように画像表示を行う表示領域が規定された第２ガラス基板を作製する第２ガラス基板作製工程と、上記端子領域に熱膨張性を有する樹脂層を配置させた状態で上記第１ガラス基板及び第２ガラス基板を貼り合わせることにより貼合体を作製する貼り合わせ工程と、上記貼合体を構成する第２ガラス基板の表面に上記端子領域の周端に沿ってスクライブラインを形成した後に、上記樹脂層を加熱することにより、該第２ガラス基板を分断する分断工程とを備えることを特徴とする。
【００２６】
上記の方法によれば、貼り合わせ工程において、第１ガラス基板作製工程で作製された第１ガラス基板と、第２ガラス基板作製工程で作製された第２ガラス基板とを各表示領域が重なると共に端子領域に熱膨張性を有する樹脂層が配置するように貼り合わせることにより、貼合体が作製される。そして、分断工程において、貼合体の第２ガラス基板にスクライブラインを形成した後に、端子領域に配置させた樹脂層を加熱して熱膨張させることにより、スクライブラインに沿って第２ガラス基板が分断されるので、第１ガラス基板の端子領域が露出することになる。したがって、第２ガラス基板を分断する分断工程を行うことにより、一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させることが可能になる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、第１ガラス（母）基板及び第２ガラス（母）基板を貼り合わせた貼合体の第２ガラス（母）基板にスクライブラインを形成した後に、端子領域に配置させた樹脂層を加熱して熱膨張させるので、一対のガラス基板の一方を部分的に除去して端子領域を容易に露出させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態では、表示パネルとして液晶表示パネルを例示するが、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００２９】
《発明の実施形態１》
図１〜図７は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態１を示している。
【００３０】
図１は、本実施形態の液晶表示パネル５０ａの断面図である。
【００３１】
液晶表示パネル５０ａは、図１に示すように、互いに対向して配置されたＴＦＴ（thin film transistor）アレイ基板２０ａ及びＣＦ（color filter）基板３０ａと、ＴＦＴアレイ基板２０ａ及びＣＦ基板３０ａの間に設けられた液晶層２５と、ＴＦＴアレイ基板２０ａ及びＣＦ基板３０ａを互いに接着すると共に液晶層２５を封入するために枠状に設けられたシール材２６とを備えている。また、液晶表示パネル５０ａでは、図１に示すように、画像表示を行うための矩形状の表示領域Ｄ、及び表示領域Ｄの周囲に枠状の額縁領域Ｆがそれぞれ規定されている。さらに、液晶表示パネル５０ａでは、その１辺において、ＴＦＴアレイ基板２０ａがＣＦ基板３０ａよりも突出しており、ＴＦＴアレイ基板２０ａの突出した領域が端子領域Ｔを構成している。なお、液晶表示パネル５０ａの端子領域Ｔには、後述する検査工程の後に、液晶表示駆動用のドライバーなどが実装される。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板２０ａは、図１に示すように、絶縁基板１０ａと、絶縁基板１０ａ上の表示領域Ｄに設けられたＴＦＴアレイ層１２、及び端子領域Ｔに設けられた複数の接続端子１１とを備えている。
【００３３】
ＴＦＴアレイ層１２は、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線（不図示）と、それらの各ゲート線と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線（不図示）と、それらの各ゲート線及び各ソース線の交差部毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ（不図示）と、それらの各ＴＦＴを覆うように設けられた保護絶縁膜（不図示）と、その保護絶縁膜上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極（不図示）とを備えている。
【００３４】
上記各ＴＦＴは、上記各ゲート線が側方に突出したゲート電極と、そのゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上でゲート電極に対応する位置に島状に設けられた半導体層と、その半導体層上で互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。ここで、上記ソース電極は、上記各ソース線が側方に突出した部分である。そして、上記ドレイン電極は、上記保護絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記各画素電極にそれぞれ接続されている。
【００３５】
接続端子１１は、上記各ゲート線及び各ソース線などの表示用配線に接続されている。
【００３６】
ＣＦ基板３０ａは、図１に示すように、絶縁基板１０ｂと、絶縁基板１０ｂ上に設けられたＣＦ層２１と、ＣＦ層２１を覆うように設けられた共通電極２２とを備えている。
【００３７】
ＣＦ層２１は、額縁領域Ｆに枠状に且つその枠内の表示領域Ｄに格子状に設けられたブラックマトリクス（不図示）と、そのブラックマトリクスの各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの着色層（不図示）とを備えている。
【００３８】
液晶層２５は、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
【００３９】
上記構成の液晶表示パネル５０ａは、画像の最小単位である各画素を構成するサブ画素において、ゲート線からのゲート信号がＴＦＴのゲート電極に送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線からのソース信号がＴＦＴに送られてＴＦＴの半導体層を介して画素電極に所定の電荷が書き込まれることにより、ＴＦＴアレイ基板２０ａの各画素電極とＣＦ基板３０ａの共通電極２２との間において電位差が生じ、液晶層２５に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示パネル５０ａでは、液晶層２５の印加電圧の大きさに応じて液晶層２５の配向状態が変わることを利用して、バックライトから入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【００４０】
次に、上記構成の液晶表示パネル５０ａの製造方法について、図２〜図７を用いて説明する。ここで、図２は、液晶表示パネル５０ａを製造するためのフローチャートである。また、図３は、貼り合わせ工程で作製された貼合体１５０ａａの断面図であり、図４は、貼合体１５０ａａの斜視図である。そして、図５は、薄板化工程で作製された貼合体１５０ａｂの断面図である。さらに、図６は、第１分断工程を行った後の貼合体１５０ａｃの断面図であり、図７は、貼合体１５０ａｃの斜視図である。なお、本実施形態の製造方法は、以下の第１ガラス母基板（ＴＦＴ側基板）作製工程、第２ガラス母基板（ＣＦ側基板）作製工程、貼り合わせ工程、薄板化工程、第１分断工程、検査工程及び第２分断工程を備える。
【００４１】
〜ＴＦＴ側基板作製工程〜
ＴＦＴ側基板作製工程は、図２に示すように、以下のＴＦＴアレイ層形成工程、配向膜形成工程及び導電ペースト塗布工程を備える。
【００４２】
＜ＴＦＴアレイ層形成工程＞
まず、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度の無アルカリガラスからなる絶縁基板（１０ａ）の基板全体に、アルミニウムなどの金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、各表示領域Ｄ毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線及びゲート電極を形成する。
【００４３】
続いて、上記ゲート線及びゲート電極が形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。
【００４４】
さらに、上記ゲート絶縁膜が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を連続して成膜し、その後、各表示領域Ｄ毎に、フォトリソグラフィによりゲート電極上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びｎ＋アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する。
【００４５】
そして、上記半導体層が形成された基板全体に、チタンなどの金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、各表示領域Ｄ毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
【００４６】
続いて、各表示領域Ｄ毎に、上記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして半導体層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル部をパターニングして、ＴＦＴを形成する。
【００４７】
さらに、上記ＴＦＴが形成された基板全体に、スピンコーティング法を用いて、感光性アクリル樹脂などを成膜し、その後、各表示領域Ｄ毎に、フォトリソグラフィによりドレイン電極上にコンタクトホールをパターニングして、保護絶縁膜を形成する。
【００４８】
そして、上記保護絶縁膜が形成された基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜をスパッタリング法により成膜し、その後、各表示領域Ｄ毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、画素電極を形成する。
【００４９】
以上のようにして、絶縁基板（１０ａ）上に複数のＴＦＴアレイ層１２がマトリクス状に形成される。なお、各端子領域Ｔに配設する複数の接続端子１１については、各表示領域Ｔに配設する上記ゲート線、ソース線及び画素電極などを構成する金属膜を適宜パターニングすることにより形成される。
【００５０】
＜配向膜形成工程＞
上記ＴＦＴアレイ層形成工程で複数のＴＦＴアレイ層１２が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
【００５１】
＜導電ペースト塗布工程＞
上記配向膜形成工程で配向膜が形成された基板の各額縁領域の一部に、ＴＦＴアレイ基板２０ａ上の各ゲート線の間に延びる容量線とＣＦ基板３０ａの共通電極２２とを導通するための導電性ペーストを塗布する。
【００５２】
以上のようにして、複数の表示領域Ｄ及び複数の端子領域Ｔがそれぞれ規定されたＴＦＴ側基板１２０ａａを作製することができる。
【００５３】
〜ＣＦ側基板作製工程〜
ＣＦ側基板作製工程は、図２に示すように、以下のＣＦ層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程、液晶滴下工程及び樹脂層形成工程を備える。
【００５４】
＜ＣＦ層形成工程＞
まず、例えば、厚さ０．７ｍｍ程度の無アルカリガラスからなる絶縁基板（１０ｂ）の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、クロム薄膜を成膜し、その後、各表示領域Ｄ毎に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ブラックマトリクスを形成する。
【００５５】
続いて、上記ブラックマトリクスが形成された基板全体に、例えば、赤、緑又は青に着色された感光性レジスト材料などを塗布した後に、各表示領域Ｄ毎に、フォトリソグラフィにより格子間にパターニングして、選択した色の着色層（例えば、赤色層）を形成する。その後、他の２色についても同様な工程を繰り返すことにより、他の着色層（例えば、緑色層及び青色層）を形成して、各表示領域Ｄ毎に、ＣＦ層２１を形成する。
【００５６】
＜共通電極形成工程＞
上記ＣＦ層形成工程でＣＦ層２１が形成された基板上に、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜を成膜して、各表示領域Ｄ毎に、共通電極２２を形成する。
【００５７】
＜配向膜形成工程＞
上記共通電極形成工程で共通電極２２が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
【００５８】
＜スペーサ散布工程＞
上記配向膜形成工程で配向膜が形成された基板の表面に、シリカやプラスチック製の球状スペーサを散布する。
【００５９】
＜シール材形成工程＞
上記スペーサ散布工程でスペーサが散布された基板に対し、例えば、ディスペンサーなどの描画装置を用いて、各表示領域Ｄ毎に、ＵＶ硬化型の樹脂を枠状に吐出して描画することにより、シール材２６を形成する。
【００６０】
＜液晶滴下工程＞
上記シール材形成工程でシール材２６が形成された基板の各表示領域Ｄ上に液晶材料（２５）を滴下する。
【００６１】
＜樹脂層形成工程＞
上記液晶滴下工程で液晶材料（２５）が滴下された基板に対し、ＴＦＴ側基板１２０ａの各端子領域Ｔの両端部に重なる位置に熱膨張性を有する樹脂膜をシリンジなどで塗布した後に、その塗布された樹脂膜にＵＶ光を照射することにより、樹脂層３３ａを形成する。
【００６２】
ここで、樹脂層３３ａは、熱膨張性を有するマイクロカプセル３２ａを含有するＵＶ硬化型樹脂３１ａなどにより構成されている。マイクロカプセル３２ａは、熱可塑性のシェルと、そのシェルの内部に封入されたコアとを備えている。上記シェルは、アクリロニトリル系、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリル酸エステル、アクリロニトリル、メタクリル酸エステル、スチレン、酢酸ビニル及びそれらの共重合体などにより構成されている。また、上記コアは、炭化水素、石油エーテルなどの沸点が−５０℃〜１５０℃程度の範囲の有機溶剤、及び熱分解や化学反応によって炭酸ガスが発生する炭酸塩や重炭酸塩などにより構成されている。そして、マイクロカプセル３２ａは、１００℃〜１７０℃程度に加熱されると、上記シェルが軟化すると共に、上記コアの蒸気圧力が高くなることにより、熱膨張する特性を有している。
【００６３】
また、マイクロカプセル３２ａに十分な熱量が与えたときに発生する力は、カプセル１個当たり、１．０ＭＰａ〜３．０ＭＰａ（１．０Ｎ／ｍｍ２〜３．０Ｎ／ｍｍ２）程度である。そして、端子領域Ｔに配置するＣＦ側基板の被除去部は、大きいもので縦４ｍｍ×横４０ｍｍであるので、ガラス基板の厚さを０．１ｍｍ〜１．１ｍｍとすれば、被除去部の体積は、１６ｍｍ３〜１７６ｍｍ３となる。さらに、無アルカリガラスの比重が２．５ｇ／ｃｍ３であるので、上記被除去部の重量は、０．０４ｇ〜０．４４ｇとなる。ここで、１個のマイクロカプセル３２ａで発生する力は、上記のように、１．０Ｎ／ｍｍ２〜３．０Ｎ／ｍｍ２であるので、例えば、端子近傍の領域に、マイクロカプセル３２ａが１個／ｍｍ２程度含有された樹脂層３３ａを４．４×１０−２ｍｍ２程度形成することにより、上記被除去部を押し上げるための力は十分に確保される。
【００６４】
以上のようにして、複数の表示領域Ｄが規定されたＣＦ側基板１３０ａａを作製することができる。
【００６５】
〜貼り合わせ工程〜
まず、上記ＴＦＴ側基板作製工程で作製されたＴＦＴ側基板１２０ａａと、上記ＣＦ側基板作製工程で作製されたＣＦ側基板１３０ａａとを、減圧下で互いの各表示領域Ｄが重なり合うように貼り合わせることにより、図３及び図４に示すように、貼合体１５０ａａを作製する。
【００６６】
続いて、貼合体１５０ａａを大気圧に開放することにより、貼合体１５０ａａの表面及び裏面を加圧する。
【００６７】
さらに、貼合体１５０ａａの各額縁領域Ｆに対し、ＵＶ光を照射してシール材２６を硬化させる。
【００６８】
〜薄板化工程〜
上記貼り合わせ工程でシール材２６を本硬化させた貼合体１５０ａａの表面及び裏面をケミカルエッチングや機械研磨などの処理を行うことにより、ＴＦＴ側基板１２０ａａ及びＣＦ側基板１３０ａａを構成するガラス基板（１０ａ及び１０ｂ）をそれぞれ０．３ｍｍ程度に薄板化して、図５に示すように、薄板化されたＴＦＴ側基板１２０ａｂ及びＣＦ側基板１３０ａｂを備えた貼合体１５０ａｂを作製する。
【００６９】
〜第１分断工程〜
まず、上記薄板化工程で作製された貼合体１５０ａｂのＣＦ側基板１３０ａｂの表面において、図５に示すように、各表示領域Ｄの周端（各額縁領域Ｆの外周端）に沿って、例えば、ホイールの先端に微小サイズの凹凸を有し、クラックが通常よりも深く形成されるペネット（登録商標）などの高浸透分断のカッターホイールを転動させることにより、第１スクライブラインＬ１及び第２スクライブラインＬ２（図４参照）を形成する。なお、本実施形態では、上記のように、特殊形状のカッターホイールを用いて基板表面にクラックを形成するので、その形成されたクラックが基板厚さ方向に進行して、貼合体１５０ａｂを構成するＣＦ側基板１３０ａｂが各表示領域Ｄ毎に分断される。
【００７０】
続いて、貼合体１５０ａｂの各端子領域Ｔに配置された樹脂層３３ａにレーザー光を照射することにより、樹脂層３３ａを１００℃〜１５０℃程度に加熱して、樹脂層３３ａを熱膨張させる。これにより、熱膨張したＵＶ硬化型樹脂３１ｂ及びマイクロカプセル３２ｂを備えた樹脂層３３ｂが形成されるので、図６及び図７に示すように、ＣＦ側基板１３０ａｂからガラス端材Ｓが除去されて、ＴＦＴ側基板１２０ａｂ及びＣＦ基板３０ａを備えた貼合体１５０ａｃが作製される。
【００７１】
〜検査工程〜
上記第１分断工程で作製された貼合体１５０ａｃの各端子領域Ｔの複数の接続端子１１に検査用プローブを接触させて、その検査用プローブから複数の接続端子１１を介して各表示領域Ｄに所定の検査信号を入力することにより各サブ画素を適宜点灯状態にして、各表示領域Ｄの表示状態をＣＣＤ（charge coupled device）カメラなどの画像読み込みデバイスなどで観察することにより、表示検査を一括して行う。
【００７２】
〜第２分断工程〜
上記検査工程で表示検査が行われた貼合体１５０ａｃのＴＦＴ側基板１２０ａｂの表面において、各端子領域Ｔとそれに隣り合う各表示領域Ｄとの間の辺、及び隣り合う各表示領域Ｄ同士の間の辺に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、図７に示すように、第３スクライブラインＬ３を形成して、貼合体１５０ａｃを構成するＴＦＴ側基板１２０ａｂを各表示領域Ｄ毎に分断する。
【００７３】
以上のようにして、本実施形態の液晶表示パネル５０ａを製造することができる。その後、上記検査工程で良品と判断された液晶表示パネル５０ａに対して、その表面及び裏面に偏光板を貼り付け、端子領域Ｔに液晶表示駆動用のドライバーなどを実装することにより、液晶モジュールが製造される。
【００７４】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ａの製造方法によれば、貼り合わせ工程において、ＴＦＴ側基板作製工程で作製されたＴＦＴ側基板１２０ａａと、ＣＦ側基板作製工程で作製されたＣＦ側基板１３０ａａとを互いの各表示領域Ｄが重なると共に各端子領域Ｔに熱膨張性を有する樹脂層３３ａが配置するように貼り合わせることにより、貼合体１５０ａａ（１５０ａｂ）が作製される。そして、第１分断工程において、貼合体１５０ａｂのＣＦ側基板１３０ａｂに第１スクライブラインＬ１及び第２スクライブラインＬ２を形成した後に、端子領域Ｔに配置させた樹脂層３３ａを加熱して熱膨張させることにより、少なくとも第１スクライブラインＬ１に沿ってＣＦ側基板１３０ａｂが分断されるので、ＴＦＴ側基板１２０ａｂの各端子領域Ｔが露出することになる。なお、第１分断工程では、特殊形状のカッターホイールで第１スクライブラインＬ１及び第２スクライブラインＬ２を形成することにより、各スクライブラインＬ１及びＬ２のクラックが基板厚さ方向に進行するので、第１スクライブラインＬ１及び第２スクライブラインＬ２を形成した時点でＣＦ側基板１３０ａｂが各表示領域Ｄ毎に分断される。その後、第２分断工程を行うことにより、貼合体１５０ａｃのＴＦＴ側基板１２０ａｂが各表示領域Ｄ毎に分断される。したがって、ＣＦ側基板１３０ａｂを分断する第１分断工程を行うことにより、複数の表示領域Ｄがそれぞれ規定されたＴＦＴ側基板１２０ａａ（１２０ａｂ）及びＣＦ側基板１３０ａａ（１３０ａｂ）の一方を部分的に除去して各端子領域Ｔを容易に露出させることができる。
【００７５】
また、本実施形態によれば、貼合体１５０ａｃを各表示領域Ｄ毎に分断する第２分断工程の前に検査工程を行うので、各表示領域Ｄ毎に分断されていない貼合体１５０ａｃに対して表示検査を一括して行うことができ、表示検査の効率を向上させることができる。
【００７６】
また、本実施形態によれば、ＴＦＴ側基板１２０ａａ（１２０ａｂ）における各端子領域Ｔが複数の列状に規定されているので、第１分断工程において、ＣＦ側基板１３０ａｂを分断することにより、各端子領域Ｔが複数の列状に露出することになる。また、第１分断工程及び第２分断工程の間に検査工程を行うので、複数の出力端子が線状に配設された検査用プローブにより、表示検査を速やかに一括して行うことができ、表示検査の効率をいっそう向上させることができる。
【００７７】
また、本実施形態によれば、ＣＦ側基板作製工程において、ＴＦＴ側基板１２０ａａの各端子領域Ｔに対応するＣＦ側基板１３０ａａの領域に樹脂層３３ａが形成されると共に、第１分断工程において、その樹脂層３３ａが熱膨張した樹脂層３３ｂが形成されたＣＦ側基板１３０ａｂの一部（ガラス端材Ｓ）が除去されるので、製造された液晶表示パネル５０ａでは、ガラス基板の分断に利用した樹脂層３３ｂが存在しないことになる。
【００７８】
また、本実施形態によれば、薄板化工程において、ＴＦＴ側基板１２０ａａ及びＣＦ側基板１３０ａａの双方が薄板化されるので、製造される液晶表示パネルの薄型化及び軽量化を図ることができる。また、薄板化工程において、第１分断工程で除去するＣＦ側基板１３０ａａが軽量化されるので、各端子領域Ｔに配置させる樹脂層３３ａの量を減らすことができる。
【００７９】
《発明の実施形態２》
図８〜図１３は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態２を示している。上記実施形態１では、熱膨張性を有する樹脂層３３ａをＣＦ側基板１３０ａａに形成する方法を例示したが、本実施形態では、熱膨張性を有する樹脂層３６ａをＴＦＴ側基板１２０ｂａに形成する方法を例示する。なお、以下の各実施形態において、図１〜図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００８０】
図８は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂの断面図である。
【００８１】
液晶表示パネル５０ｂは、図１に示すように、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板２０ｂ及びＣＦ基板３０ａと、ＴＦＴアレイ基板２０ｂ及びＣＦ基板３０ａの間に設けられた液晶層２５と、ＴＦＴアレイ基板２０ｂ及びＣＦ基板３０ａを互いに接着すると共に液晶層２５を封入するために枠状に設けられたシール材２６とを備えている。
【００８２】
ＴＦＴアレイ基板２０ｂは、図８に示すように、絶縁基板１０ａと、絶縁基板１０ａ上の表示領域Ｄに設けられたＴＦＴアレイ層１２、並びに端子領域Ｔに設けられた複数の接続端子１１及び樹脂層３６ｂとを備えている。
【００８３】
樹脂層３６ｂは、熱膨張したＵＶ硬化型樹脂３４ｂ及びマイクロカプセル３５ｂを有し、端子領域Ｔに列状に配列された複数の接続端子１１の両端部に形成されている。（図１３参照）。
【００８４】
次に、上記構成の液晶表示パネル５０ｂの製造方法について、図９〜図１３を用いて説明する。ここで、図９は、液晶表示パネル５０ｂを製造するためのフローチャートである。また、図１０は、貼り合わせ工程で作製された貼合体１５０ｂａの断面図である。そして、図１１は、薄板化工程で作製された貼合体１５０ｂｂの断面図である。さらに、図１２は、第１分断工程を行った後の貼合体１５０ｂｃの断面図であり、図１３は、貼合体１５０ｂｃの斜視図である。なお、本実施形態の製造方法は、以下の第１ガラス母基板（ＴＦＴ側基板）作製工程、第２ガラス母基板（ＣＦ側基板）作製工程、貼り合わせ工程、薄板化工程、第１分断工程、検査工程及び第２分断工程を備える。
【００８５】
〜ＴＦＴ側基板作製工程〜
ＴＦＴ側基板作製工程は、図９に示すように、ＴＦＴアレイ層形成工程、配向膜形成工程、導電ペースト塗布工程及び樹脂層形成工程を備える。
【００８６】
ＴＦＴアレイ層形成工程、配向膜形成工程及び導電ペースト塗布工程については、上記実施形態１の対応する各工程と実質的に同じであるので、詳細な説明を省略する。
【００８７】
＜樹脂層形成工程＞
上記ＴＦＴアレイ層形成工程、配向膜形成工程及び導電ペースト塗布工程を順次行い、導電性ペーストが塗布された基板に対し、各端子領域Ｔの両端部に熱膨張性を有する樹脂膜をシリンジなどで塗布した後に、その塗布された樹脂膜にＵＶ光を照射することにより、樹脂層３６ａを形成する。
【００８８】
以上のようにして、複数の表示領域Ｄ及び複数の端子領域Ｔがそれぞれ規定されたＴＦＴ側基板１２０ｂａを作製することができる。
【００８９】
〜ＣＦ側基板作製工程〜
ＣＦ側基板作製工程は、図９に示すように、ＣＦ層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程及び液晶滴下工程を備える。上記ＣＦ層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程及び液晶滴下工程については、上記実施形態１の対応する各工程と実質的に同じであるので、詳細な説明を省略する。
【００９０】
上記ＣＦ層形成工程、共通電極形成工程、配向膜形成工程、スペーサ散布工程、シール材形成工程及び液晶滴下工程を順次行うことにより、複数の表示領域Ｄが規定されたＣＦ側基板１３０ｂａを作製することができる。
【００９１】
〜貼り合わせ工程〜
まず、上記ＴＦＴ側基板作製工程で作製されたＴＦＴ側基板１２０ｂａと、上記ＣＦ側基板作製工程で作製されたＣＦ側基板１３０ｂａとを、減圧下で互いの各表示領域Ｄが重なり合うように貼り合わせることにより、図１０に示すように、貼合体１５０ｂａを作製する。
【００９２】
続いて、貼合体１５０ｂａを大気圧に開放することにより、貼合体１５０ｂａの表面及び裏面を加圧する。
【００９３】
さらに、貼合体１５０ｂａの各額縁領域Ｆに対し、ＵＶ光を照射してシール材２６を硬化させる。
【００９４】
〜薄板化工程〜
上記貼り合わせ工程でシール材２６を本硬化させた貼合体１５０ｂａの表面及び裏面をケミカルエッチングや機械研磨などの処理を行うことにより、ＴＦＴ側基板１２０ｂａ及びＣＦ側基板１３０ｂａを構成するガラス基板（１０ａ及び１０ｂ）をそれぞれ０．３ｍｍ程度に薄板化して、図１１に示すように、薄板化されたＴＦＴ側基板１２０ｂｂ及びＣＦ側基板１３０ｂｂを備えた貼合体１５０ｂｂを作製する。
【００９５】
〜第１分断工程〜
まず、上記薄板化工程で作製された貼合体１５０ｂｂのＣＦ側基板１３０ｂｂの表面において、各表示領域Ｄの周端（各額縁領域Ｆの外周端）に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、第１スクライブラインＬ１及び第２スクライブラインＬ２を形成して、貼合体１５０ｂｂを構成するＣＦ側基板１３０ｂｂを各表示領域Ｄ毎に分断する。
【００９６】
続いて、貼合体１５０ｂｂの各端子領域Ｔに配置された樹脂層３６ａにレーザー光を照射することにより、樹脂層３６ａを１００℃〜１５０℃程度に加熱して、樹脂層３６ａを熱膨張させる。これにより、熱膨張したＵＶ硬化型樹脂３４ｂ及びマイクロカプセル３５ｂを備えた樹脂層３６ｂが形成されるので、図１２及び図１３に示すように、ＣＦ側基板１３０ｂｂからガラス端材Ｓが除去されて、ＴＦＴ側基板１２０ｂｂ及びＣＦ基板３０ａを備えた貼合体１５０ｂｃが作製される。
【００９７】
〜検査工程〜
上記第１分断工程で作製された貼合体１５０ｂｃの各端子領域Ｔの複数の接続端子１１に検査用プローブを接触させて、その検査用プローブから複数の接続端子１１を介して各表示領域Ｄに所定の検査信号を入力することにより各サブ画素を適宜点灯状態にして、各表示領域Ｄの表示状態をＣＣＤ（charge coupled device）カメラなどの画像読み込みデバイスなどで観察することにより、表示検査を一括して行う。
【００９８】
〜第２分断工程〜
上記検査工程で表示検査が行われた貼合体１５０ｂｃのＴＦＴ側基板１２０ｂｂの表面において、各端子領域Ｔとそれに隣り合う各表示領域Ｄとの間の辺、及び隣り合う各表示領域Ｄ同士の間の辺に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、図１３に示すように、第３スクライブラインＬ３を形成して、貼合体１５０ｂｃを構成するＴＦＴ側基板１２０ｂｂを各表示領域Ｄ毎に分断する。
【００９９】
以上のようにして、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂを製造することができる。その後、上記検査工程で良品と判断された液晶表示パネル５０ｂに対して、その表面及び裏面に偏光板を貼り付け、端子領域Ｔに液晶表示駆動用のドライバーなどを実装することにより、液晶モジュールが製造される。
【０１００】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂの製造方法によれば、上記実施形態１と同様に、端子領域Ｔに配置させた樹脂層３６ａを加熱して熱膨張させることにより、ＣＦ側基板１３０ｂｂを分断することができるので、複数の表示領域Ｄがそれぞれ規定されたＴＦＴ側基板１２０ｂａ（１２０ｂｂ）及びＣＦ側基板１３０ｂａ（１３０ｂｂ）の一方を部分的に除去して各端子領域Ｔを容易に露出させることができる。
【０１０１】
また、本実施形態によれば、ＴＦＴ側基板作製工程において、ＴＦＴ側基板１２０ｂａの各端子領域Ｔに樹脂層３６ａが形成されるので、製造された液晶表示パネル５０ｂにガラス基板の分断に利用した樹脂層３６ｂが残存している。しかしながら、その熱膨張した樹脂層３６ｂがＣＦ基板３０ａから突出していないので、各端子領域ＴにＦＰＣなどを実装する工程における歩留まりの低下を抑制することができる。なお、本実施形態では、貼り合わせ工程及び第１分断工程の間に薄板化工程を行う方法を例示したが、この薄板化工程を行わない場合には、第１分断工程において、ＣＦ側基板１３０ｂａから突出しないように、樹脂層３６ａを熱膨張させてもよい。
【０１０２】
《発明の実施形態３》
図１４及び図１５は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態３を示している。上記各実施形態では、多面取りで液晶表示パネルを製造する方法を例示したが、本実施形態では、単面取りで液晶表示パネルを製造する方法を例示する。
【０１０３】
図１４は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｃａの斜視図である。
【０１０４】
液晶表示パネル５０ｃａは、図１４に示すように、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板２０ａ及びＣＦ基板３０ｃａと、ＴＦＴアレイ基板２０ａ及びＣＦ基板３０ｃａの間に設けられた液晶層（不図示）と、ＴＦＴアレイ基板２０ａ及びＣＦ基板３０ｃａを互いに接着すると共に液晶層を封入するために枠状に設けられたシール材（不図示）とを備えている。
【０１０５】
また、液晶表示パネル５０ｃａでは、その４辺において、ＴＦＴアレイ基板２０ａの周端とＣＦ基板３０ｃａの外周端とが一致しており、ＣＦ基板３０ｃａに矩形状に形成された開口部Ｃにより、ＴＦＴアレイ基板２０ａの端子領域ＴがＣＦ基板３０ｃａから露出している。
【０１０６】
ＣＦ基板３０ｃａの構成は、上記のように開口部Ｃを有している以外、上記各実施形態のＣＦ基板３０ａと実質的に同じであるので、その詳細な説明を省略する。
【０１０７】
次に、上記構成の液晶表示パネル５０ｃａの製造方法について、図１５を用いて説明する。ここで、図１５は、液晶表示パネル５０ｂを製造するための貼合体５０ｃｂの斜視図である。なお、本実施形態の製造方法は、以下の第１ガラス基板（ＴＦＴアレイ基板）作製工程、第２ガラス基板（ＣＦ基板）作製工程、貼り合わせ工程及び分断工程を備える。
【０１０８】
ＴＦＴアレイ基板作製工程及びＣＦ基板作製工程については、上記実施形態１の多面取りによるＴＦＴ側基板作製工程及びＣＦ側基板作製工程を、単面取りに置き換えれば、ＴＦＴアレイ基板及びＣＦ基板をそれぞれ作製することができるので、その詳細な説明を省略する。
【０１０９】
〜貼り合わせ工程〜
まず、上記ＴＦＴアレイ基板作製工程で作製されたＴＦＴアレイ基板２０ａと、上記ＣＦ基板作製工程で作製されたＣＦ基板３０ｃｂとを、減圧下で各表示領域Ｄが重なり合うように貼り合わせることにより、図１５に示すように、貼合体５０ｃｂを作製する。
【０１１０】
続いて、貼合体５０ｃｂを大気圧に開放することにより、貼合体５０ｃｂの表面及び裏面を加圧する。
【０１１１】
さらに、貼合体５０ｃｂの各額縁領域に対し、ＵＶ光を照射してシール材を硬化させる。
【０１１２】
〜分断工程〜
まず、上記貼り合わせ工程で作製された貼合体５０ｃｂのＣＦ基板３０ｃｂの表面において、図１５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２０ａの端子領域Ｔに重なる領域の周端に沿って、特殊形状のカッターホイールを転動させることにより、スクライブラインＬを形成して、貼合体５０ｃｂを構成するＣＦ基板３０ｃｂの一部が分断される。
【０１１３】
続いて、貼合体５０ｃｂの端子領域Ｔに配置された樹脂層にレーザー光を照射することにより、樹脂層を１００℃〜１５０℃程度に加熱して、樹脂層を熱膨張させる。これにより、図１４に示すように、ＣＦ基板３０ｃｂからガラス端材が除去されて、開口部Ｃが形成されたＣＦ基板３０ｃａが作製される。
【０１１４】
その後、検査工程を経て、本実施形態の液晶表示パネル５０ｃａを製造することができる。
【０１１５】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ｃａの製造方法によれば、貼り合わせ工程において、ＴＦＴアレイ基板作製工程で作製されたＴＦＴアレイ基板２０ａと、ＣＦ基板作製工程で作製されたＣＦ基板３０ｃｂとを各表示領域Ｄが重なると共に端子領域Ｔに熱膨張性を有する樹脂層が配置するように貼り合わせることにより、貼合体５０ｃｂが作製される。そして、分断工程において、貼合体５０ｃｂのＣＦ基板３０ｃｂにスクライブラインＬを形成した後に、端子領域Ｔに配置させた樹脂層を加熱して熱膨張させることにより、スクライブラインＬに沿ってＣＦ基板３０ｃｂが分断されるので、ＴＦＴアレイ基板２０ａの端子領域Ｔが露出することになる。したがって、ＣＦ基板３０ｃｂを分断する分断工程を行うことにより、ＴＦＴアレイ基板２０ａ及びＣＦ基板３０ｃｂの一方を部分的に除去して端子領域Ｔを容易に露出させることができる。
【０１１６】
上記各実施形態では、分断工程において、特殊形状のカッターホイールによりスクライブラインを形成する方法を例示したが、スクライブラインのクラックをガラス基板の表面のみに形成させた後に、そのガラス基板に応力を付加させることにより、ガラス基板を分断してもよい。
【０１１７】
また、上記各実施形態では、表示パネルとして、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルを例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の液晶表示パネル、及び例えば水分混入防止用にガラス基板が貼り合わせられたＥＬ（electroluminescence）表示素子などのその他の表示パネルにも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
以上説明したように、本発明は、一対のガラス基板の一方を部分的に除去して露出させた各端子領域に信号を入力することにより、一括して表示検査を行うことができるので、モバイル用途の表示パネルの製造方法を始め、表示パネル全般の製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネル５０ａの断面図である。
【図２】液晶表示パネル５０ａの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】貼り合わせ工程で作製された貼合体１５０ａａの断面図である。
【図４】貼合体１５０ａａの斜視図である。
【図５】薄板化工程で作製された貼合体１５０ａｂの断面図である。
【図６】第１分断工程を行った後の貼合体１５０ａｃの断面図である。
【図７】貼合体１５０ａｃの斜視図である。
【図８】実施形態２に係る液晶表示パネル５０ｂの断面図である。
【図９】液晶表示パネル５０ｂの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】貼り合わせ工程で作製された貼合体１５０ｂａの断面図である。
【図１１】薄板化工程で作製された貼合体１５０ｂｂの断面図である。
【図１２】第１分断工程を行った後の貼合体１５０ｂｃの断面図である。
【図１３】貼合体１５０ｂｃの斜視図である。
【図１４】実施形態３に係る液晶表示パネル５０ｃａの斜視図である。
【図１５】液晶表示パネル５０ｃａを製造するための貼合体５０ｃｂの斜視図である。
【符号の説明】
【０１２０】
Ｄ        表示領域
Ｌ        スクライブライン
Ｌ１      第１スクライブライン
Ｌ２      第２スクライブライン
Ｔ        端子領域
２０ａ    ＴＦＴアレイ基板
２５      液晶層
３０ｃａ，３０ｃｂ    ＣＦ基板
３３ａ，３３ｂ，３６ａ，３６ｂ    樹脂層
５０ａ，５０ｂ，５０ｃａ          液晶表示パネル
５０ｃｂ，１５０ａａ〜ａｃ，１５０ｂａ〜ｂｃ      貼合体
１２０ａａ，１２０ａｂ，１２０ｂａ，１２０ｂｂ    ＴＦＴ側基板
１３０ａａ，１３０ａｂ，１３０ｂａ，１３０ｂｂ    ＣＦ側基板
【図１】
2009116190.tif 000003
【図２】
2009116190.tif 000004
【図３】
2009116190.tif 000005
【図４】
2009116190.tif 000006
【図５】
2009116190.tif 000007
【図６】
2009116190.tif 000008
【図７】
2009116190.tif 000009
【図８】
2009116190.tif 000010
【図９】
2009116190.tif 000011
【図１０】
2009116190.tif 000012
【図１１】
2009116190.tif 000013
【図１２】
2009116190.tif 000014
【図１３】
2009116190.tif 000015
【図１４】
2009116190.tif 000016
【図１５】
2009116190.tif 000017