(57)【要約】【課題】基板の両面の金属層を均一にエッチングすることのできる、両面配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁基板２１の両面に形成される第１金属層２２および第２金属層２３を備える長尺基材２０が通過するパス１６と、パス１６を上下方向に挟むように、互いに間隔を隔てて対向配置される第１薬液ノズル９と第２薬液ノズル１０とを備えるエッチング装置１において、第１ハーフエッチング工程Ｓ１では、第１金属層２２を第１薬液ノズル９と対向させ、第２金属層２３を第２薬液ノズル１０と対向させるように、長尺基材２０をエッチング部３のパス１６に通過させ、第２ハーフエッチング工程Ｓ４では、第２金属層２３を第１薬液ノズル９と対向させ、第１金属層２２を第２薬液ノズル１０と対向させながら、長尺基材２０をエッチング部３のパス１６に通過させる。【選択図】図１
2009147222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に金属層が積層された基板が通過するパスと、
前記パスを挟むように、互いに間隔を隔てて対向配置され、前記金属層をエッチングするための第１噴射手段および第２噴射手段とを備えるエッチング装置に用いられ、
前記基板の一方側を前記第１噴射手段と対向させ、前記基板の他方側を前記第２噴射手段と対向させるように、前記基板を前記パスに通過させる第１工程と、
前記基板の他方側を前記第１噴射手段と対向させ、前記基板の一方側を前記第２噴射手段と対向させながら、前記基板を前記パスに通過させる第２工程とを備えることを特徴とする、両面配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記パスが水平方向に沿って配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング装置における前記基板の通過速度が、２．０〜４．０ｍ／ｍｉｎであることを特徴とする、請求項１または２に記載の両面配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、両面配線基板の製造方法において、基板の両面に積層される金属層を、エッチングすることにより、金属層からパターンを形成したり、金属層を薄膜化することが知られている。
【０００３】
例えば、水平姿勢の絶縁樹脂フィルム層の両面に形成される金属箔を、ドライフィルムレジストでマスキングし、その後、ドライフィルムレジストから露出する金属箔を同時にエッチングすることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−８７５３０号公報（図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、特許文献１のように、絶縁樹脂フィルム層の両面の金属箔をエッチングするには、例えば、基板を、基板の上側および下側において、上下方向に間隔を隔てて対向配置される噴射ノズルの間を搬送させる。それと同時に、上側および下側の噴射ノズルの両方から、金属箔に向けてエッチング液を同時に噴射させる方法が用いられる。しかし、この方法では、上側および下側の金属箔において、エッチングが不均一になるという不具合を生じる。
【０００５】
すなわち、下側の金属箔に向かって噴射されたエッチング液は、下側の金属箔と接触してすぐに落下し、そして、下側の金属箔に向かって新たに噴射されたエッチング液は、エッチング能が維持されている。
【０００６】
一方、上側の金属箔に向かって噴射されたエッチング液は、上側の金属箔と接触して滞留して、そして、上側の金属箔に向かって新たに噴射されたエッチング液は、上側の金属箔とすでに接触して滞留するエッチング液と混合されるため、エッチング能が低下している。
【０００７】
そのため、下側の金属箔は、上側の金属箔に比べて、よりエッチングされて、上側および下側の金属箔におけるエッチングが不均一になるという不具合がある。
【０００８】
本発明の目的は、基板の両面の金属層を均一にエッチングすることのできる、両面配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明の両面配線基板の製造方法は、両面に金属層が積層された基板が通過するパスと、前記パスを挟むように、互いに間隔を隔てて対向配置され、前記金属層をエッチングするための第１噴射手段および第２噴射手段とを備えるエッチング装置に用いられ、前記基板の一方側を前記第１噴射手段と対向させ、前記基板の他方側を前記第２噴射手段と対向させるように、前記基板を前記パスに通過させる第１工程と、前記基板の他方側を前記第１噴射手段と対向させ、前記基板の一方側を前記第２噴射手段と対向させながら、前記基板を前記パスに通過させる第２工程とを備えることを特徴としている。
【００１０】
この方法では、基板の一方側を、第１工程において第１噴射手段と対向させ、第２工程において第２噴射手段と対向させ、また、基板の他方側を、第１工程において第２噴射手段と対向させ、第２工程において第１噴射手段と対向させる。
【００１１】
そのため、第１工程および第２工程において、基板をパスに通過させることにより、基板の一方側の金属層は、第１噴射手段および第２噴射手段により順次エッチングされるとともに、基板の他方側の金属層も、第２噴射手段および第１噴射手段により順次エッチングされる。そうすると、基板における一方側の金属層と他方側の金属層とを、同じ条件で均一にエッチングすることができる。
【００１２】
その結果、基板における一方側の金属層と他方側の金属層とを、同一の厚みでハーフエッチングしたり、同一のエッチング速度で所定のパターンにエッチングすることができる。
【００１３】
また、本発明の両面配線基板の製造方法では、前記パスが水平方向に沿って配置されていることが好適である。
【００１４】
この方法では、パスが水平方向に沿って配置されているので、第１噴射手段および第２噴射手段が、上下方向に対向配置される。そのため、第１噴射手段がパスの上側に配置される場合には、第２噴射手段がパスの下側に配置される。
【００１５】
そのため、第１工程において、基板の上側の金属層は、第１噴射手段から基板に向けて噴射されるエッチング液、つまり、エッチング液が、長い時間、接触されて滞留されることから、エッチング能が低下されたエッチング液により、エッチングされる。そして、第２工程において、基板の下側の金属層（第１工程で基板の上側に配置されていた金属層）は、第２噴射手段から基板に向けて噴射されるエッチング液、つまり、エッチング液が、短い時間、接触されてすぐに落下することから、エッチング能が維持されたエッチング液により、エッチングされる。
【００１６】
一方、第１工程において、基板の下側の金属層は、第２噴射手段から基板に向けて噴射されるエッチング液、つまり、エッチング液が、短い時間、接触されてすぐに落下することから、エッチング能が維持されたエッチング液により、エッチングされる。そして、第２工程において、基板の上側の金属層（第１工程で基板の下側に配置されていた金属層）は、第１噴射手段から基板に向けて噴射されるエッチング液、つまり、エッチング液が、長い時間、接触されて滞留されることから、エッチング能が低下されたエッチング液により、エッチングされる。
【００１７】
その結果、水平方向に沿うパスに搬送される基板において、上側の金属層と下側の金属層とを、同一のエッチング能のエッチング液とほぼ同一時間接触させることができ、確実かつ均一にエッチングすることができる。
【００１８】
また、本発明の両面配線基板の製造方法では、前記エッチング装置における前記基板の通過速度が、２．０〜４．０ｍ／ｍｉｎであることが好適である。
【００１９】
この方法では、エッチング装置における基板の通過速度が特定速度であるため、エッチング速度を一定に維持することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の両面配線基板の製造方法によれば、基板における一方側の金属層と他方側の金属層とを、同一の厚みでハーフエッチングしたり、同一のエッチング速度で所定のパターンにエッチングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明の両面配線基板の製造方法の一実施形態に用いられるエッチング装置の側断面概略図、図２は、図１に示すエッチング装置によりエッチングされる両面配線基板の幅方向断面の工程図、図３は、図２に示す工程図において、（ｃ）第１導体パターンおよび第２導体パターンを形成する工程、を説明するための他の工程図、図４は、図１に示すエッチング装置を用いた、両面配線基板のエッチングの各工程を説明するためのフロー図を示す。
【００２２】
まず、本発明の両面配線基板の製造方法の一実施形態に用いられるエッチング装置を、図１を参照して、説明する。
【００２３】
図１において、このエッチング装置１は、後述する絶縁基板２１の両面に、金属層としての第１金属層２２および金属層としての第２金属層２３が積層された、長尺状の両面金属張３層基材（以下単に「長尺基材」という。図２参照。）２０の第１金属層２２および第２金属層２３を、ロール・トゥ・ロール方式によりハーフエッチングするために設備されている。このエッチング装置１は、搬送部２と、エッチング部３と、洗浄部４と、乾燥部５とを備えている。
【００２４】
搬送部２は、送出ロール６および巻取ロール７を備えており、送出ロール６および巻取ロール７は、エッチング部３、洗浄部４および乾燥部５を挟んで、長尺基材２０における搬送方向上流側（以下、単に上流側と省略する。）および搬送方向下流側（以下、単に下流側と省略する。）にそれぞれ配置されている。
【００２５】
送出ロール６は、エッチング部３に対して上流側に配置され、その軸線方向が、幅方向（長尺基材２０の搬送方向と直交する方向）に沿って配置されている。また、送出ロール６には、エッチング処理前の長尺基材２０が巻回されている。送出ロール６は、長尺基材２０を送り出すように回転される。具体的には、送出ロール６は、後述する第１工程としての第１ハーフエッチング工程Ｓ１（図４参照）において、巻回された長尺基材２０が送出ロール６の上部から巻取ロール７に向けて送り出されるように、図１の実線矢印で示すように、反時計回りに回転することによって、長尺基材２０を送り出している。
【００２６】
一方、送出ロール６は、後述する第２工程としての第２ハーフエッチング工程Ｓ４（図４参照）において、巻回された長尺基材２０が送出ロール６の下部から巻取ロール７に向けて送り出されるように、図１の破線矢印で示すように、時計回りに回転することによって、長尺基材２０を送り出している。
【００２７】
巻取ロール７は、乾燥部５に対して下流側に配置され、その軸線方向が幅方向に沿って配置されている。また、巻取ロール７は、エッチング処理前の長尺基材２０が巻回される。巻取ロール７は、エッチング処理後の長尺基材２０が巻き取られるように回転される。巻取ロール７は、第１ハーフエッチング工程Ｓ１および第２ハーフエッチング工程Ｓ４において、送出ロール６から送り出された長尺基材２０が乾燥部５から巻取ロール７の上部に巻き取られるように、図１において反時計回りに回転することによって、長尺基材２０を巻き取っている。
【００２８】
そして、この搬送部２において、送出ロール６および巻取ロール７の回転により、送出ロール６に巻回されている長尺基材２０が送り出され、その送り出された長尺基材２０が、水平方向に搬送されて、エッチング部３、洗浄部４および乾燥部５を通過した後に、巻取ロール７により巻き取られる。
【００２９】
また、搬送部２は、エッチング部３、洗浄部４および乾燥部５において、これらを通過する長尺基材２０を支持するための搬送ロール８が複数設けられており、各搬送ロール８の上において長尺基材２０が通過する経路がパス１６とされている。各搬送ロール８は、水平方向に沿って配置され、より具体的には、その軸線方向が幅方向に延び、搬送方向において互いに間隔を隔てて対向配置されている。
【００３０】
エッチング部３は、エッチング装置１における上流側に配置され、より具体的には、洗浄部４に対して上流側であって、洗浄部４および送出ロール６の間に配置されている。また、エッチング部３は、上下方向においてパス１６を挟むように、互いに間隔を隔てて対向配置される第１噴射手段としての上側薬液ノズル９および第２噴射手段としての下側薬液ノズル１０を備えている。
【００３１】
上側薬液ノズル９は、パス１６の上方に複数設けられ、各上側薬液ノズル９は、水平方向、すなわち、長尺基材２０の搬送方向（以下単に「搬送方向」という。）に互いに間隔を隔てて配置されている。また、各上側薬液ノズル９の噴射口は、同一水平面上に配置されている。また、各上側薬液ノズル９は、その噴射口が下側に向けて配置されており、これにより、各上側薬液ノズル９は、長尺基材２０に向けてエッチング液を噴射可能に構成されている。より具体的には、各上側薬液ノズル９は、図１の仮想線で示すエッチング液の水平断面における噴射領域が、下側に向かうに従って広がるように、構成されている。
【００３２】
下側薬液ノズル１０は、上側薬液ノズル９に対応して、パス１６の下方に複数設けられており、各下側薬液ノズル１０は、水平方向、すなわち、搬送方向に互いに間隔を隔てて配置されている。また、各下側薬液ノズル１０の噴射口は、同一水平面上に配置されている。また、各下側薬液ノズル１０は、搬送方向において各上側薬液ノズル９と同一位置に配置されている。また、各下側薬液ノズル１０は、その噴射口が上側に向けて配置されており、これにより、各下側薬液ノズル１０は、長尺基材２０に向けてエッチング液を噴射可能に構成されている。より具体的には、各下側薬液ノズル１０は、図１の仮想線で示すエッチング液の水平断面における噴射領域が、上側に向かうに従って広がるように、構成されている。
【００３３】
また、エッチング部３には、エッチング部３の下部において、下側薬液ノズル１０の下方に、図示しない薬液受け部が設けられている。薬液受け部は、上側薬液ノズル９および下側薬液ノズル１０から噴射され、第１金属層２２および第２金属層２３と接触し、そして、これらから流れ落ちるエッチング液、あるいは、上側薬液ノズル９および下側薬液ノズル１０から噴射され、第１金属層２２および第２金属層２３と接触しないエッチング液を、受け止めている。
【００３４】
なお、エッチング部３の搬送方向長さは、例えば、０．５〜５ｍ、好ましくは、１．５〜２．５ｍに設定されている。
【００３５】
そして、エッチング部３では、第１ハーフエッチング工程Ｓ１（図４参照）および第２ハーフエッチング工程Ｓ４（図４参照）において、エッチング液が第１金属層２２および第２金属層２３と接触して、これらをハーフエッチングするように、上側薬液ノズル９および下側薬液ノズル１０からエッチング液を噴射している。
【００３６】
洗浄部４は、乾燥部５に対して上流側であって、より具体的には、乾燥部５およびエッチング部３の間に配置されている。また、洗浄部４は、上下方向においてパス１６を挟むように、互いに間隔を隔てて対向配置される上側水ノズル１１および下側水ノズル１２を備えている。
【００３７】
上側水ノズル１１は、パス１６の上方に複数設けられ、各上側水ノズル１１は、水平方向、すなわち、搬送方向に互いに間隔を隔てて配置されている。また、各上側水ノズル１１の噴射口は、同一水平面上に配置されている。また、各上側水ノズル１１は、その噴射口が下側に向けて配置されており、これにより、各上側水ノズル１１は、長尺基材２０に向けて水を噴射可能に構成されている。より具体的には、各上側水ノズル１１は、図１の仮想線で示す水の水平断面における噴射領域が、下側に向かうに従って広がるように、構成されている。
【００３８】
下側水ノズル１２は、上側水ノズル１１に対応して、パス１６の下方に複数設けられており、各下側水ノズル１２は、水平方向、すなわち、搬送方向に互いに間隔を隔てて配置されている。また、各下側水ノズル１２の噴射口は、同一水平面上に配置されている。また、各下側水ノズル１２は、搬送方向において各上側水ノズル１１と同一位置に配置されている。また、各下側水ノズル１２は、その噴射口が上側に向けて配置されており、これにより、各下側水ノズル１２は、長尺基材２０に向けて水を噴射可能に構成されている。より具体的には、各下側水ノズル１２は、図１の仮想線で示す水の水平断面における噴射領域が、上側に向かうに従って広がるように、構成されている。
【００３９】
また、洗浄部４には、洗浄部４の下部において、下側水ノズル１２の下方において、図示しない水受け部が設けられている。水液受け部は、上側水ノズル１１および下側水ノズル１２から噴射され、第１金属層２２および第２金属層２３と接触し、そして、これらから流れ落ち、第１金属層２２および第２金属層２３の表面に残存したエッチング液を含んだ水、あるいは、上側水ノズル１１および下側水ノズル１２から噴射され、第１金属層２２および第２金属層２３と接触しない水を、受け止めている。
【００４０】
なお、洗浄部４の搬送方向長さは、エッチング部３の搬送方向長さを１００％とした場合に、例えば、１００〜３００％、好ましくは、１５０〜２００％に設定され、具体的には、例えば、０．５〜１５ｍ、好ましくは、１．５〜５．０ｍに設定されている。
【００４１】
そして、洗浄部４では、後述する第１洗浄工程Ｓ２（図４参照）および第２洗浄工程Ｓ５（図４参照）において、水が第１金属層２２および第２金属層２３と接触して、これらを洗浄するように、上側水ノズル１１および下側水ノズル１２から水を噴射している。
【００４２】
乾燥部５は、エッチング部３における下流側に配置され、より具体的には、洗浄部４および巻取ロール７の間に配置されている。また、乾燥部５は、図示しないが、上下方向においてパス１６を挟むように、互いに間隔を隔てて対向配置される上側吹付ダクト２６および下側吹付ダクト２７を備えている。
【００４３】
上側吹付ダクト２６は、パス１６の上方に設けられ、その吹付口が下側に向けて配置されており、これにより、長尺基材２０に向けて熱風を吹付可能に構成されている。
【００４４】
下側吹付ダクト２７は、パス１６の下方に設けられ、その吹付口が上側に向けて配置されており、これにより、長尺基材２０に向けて熱風を吹付可能に構成されている。
【００４５】
また、乾燥部５には、図示しない吸引ダクトが設けられている。吸引ダクトは、上側吹付ダクト２６および下側吹付ダクト２７から吹き付けられ、第１金属層２２および第２金属層２３の表面に残存した水と接触し、そして、その水を含んだ熱風を吸引している。
【００４６】
なお、乾燥部５の搬送方向長さは、エッチング部３の搬送方向長さを１００％とした場合に、例えば、２０〜１００％、好ましくは、５０〜８０％に設定され、具体的には、例えば、０．１〜５．０ｍ、好ましくは、０．７５〜２．０ｍに設定されている。
【００４７】
そして、乾燥部５では、後述する第１乾燥工程Ｓ３（図４参照）および第２乾燥工程Ｓ６（図４参照）において、熱風を第１金属層２２および第２金属層２３に吹き付けて、これらを乾燥させるように、上側吹付ダクト２６および下側吹付ダクト２７から熱風を吹き付けている。
【００４８】
そして、このエッチング装置１では、搬送部２の送出ロール６および巻取ロール７の回転により、送出ロール６から送り出される長尺基材２０を、エッチング部３、洗浄部４および乾燥部５に順次搬送させながら、第１金属層２２および第２金属層２３を、エッチング部３でハーフエッチングし（第１ハーフエッチング工程Ｓ１および第２ハーフエッチング工程Ｓ４）、次いで、洗浄部４を洗浄し（第１洗浄工程Ｓ２および第２洗浄工程Ｓ５）、次いで、乾燥部５を乾燥した（第１乾燥工程Ｓ３および第２乾燥工程Ｓ６）後、搬送される長尺基材２０を巻取ロール７により巻き取っている。
【００４９】
次に、上記したエッチング装置１を用いる、本発明の両面配線基板の製造方法の一実施形態について、図１〜図４を参照して、説明する。
【００５０】
この方法では、図２（ａ）に示すように、まず、長尺基材２０を用意する。
【００５１】
長尺基材２０は、長手方向に延びる長尺のシート形状に形成されており、基板としての絶縁基板２１と、絶縁基板２１の両面に積層される第１金属層２２および第２金属層２３とを備えている。
【００５２】
絶縁基板２１は、両面配線基板１９（図２（ｄ））のベース絶縁層を形成している。絶縁基板２１を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、ポリイミドが用いられる。
【００５３】
絶縁基板２１を形成するには、例えば、予め合成樹脂のフィルムとして用意するか、あるいは、図示しない剥離板の上に、合成樹脂のワニスを塗布することにより成膜し、乾燥後、必要により硬化させることにより、用意する。
【００５４】
絶縁基板２１の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
【００５５】
第１金属層２２および第２金属層２３は、後述する第１めっき層２４および第２めっき層２５を電解めっきにより形成するための種膜（下地）である。また、第１金属層２２および第２金属層２３は、ハーフエッチングされた後、第１めっき層２４および第２めっき層２５とともにパターンに形成されることにより、第１導体パターン２４および第２導体パターン２５（図２（ｃ））にそれぞれ形成される。第１金属層２２および第２金属層２３を形成する金属材料としては、同一または相異なっていてもよく、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
【００５６】
第１金属層２２および第２金属層２３を絶縁基板２１の両面に積層するには、予めシート形状に形成した第１金属層２２および第２金属層２３を、絶縁基板２１の上面および下面に、必要により接着剤層を介してそれぞれ貼着する。
【００５７】
また、長尺基材２０は、絶縁基板２１の上面および下面に、第１金属層２２および第２金属層２３が予め積層されている３層基材（例えば、銅張３層基材など）をそのまま用意することもできる。なお、このような３層基材は、一般に市販されているものを用いることができ、例えば、エスパネックスＭＢ１２−２０−１２ＲＥＧ（無接着剤銅張３層基材、新日鐵化学社製）などが用いられる。
【００５８】
第１金属層２２および第２金属層２３の厚み（ハーフエッチング前の厚み）は、同一または相異なっていてもよく、好ましくは、同一であって、具体的には、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、８〜３６μｍ、さらに好ましくは、１２〜１８μｍである。
【００５９】
このような長尺基材２０は、その幅が、例えば、１００〜５００ｍｍ、好ましくは、１５０〜３５０ｍｍであり、その長さが、例えば、１０〜１５００ｍ、好ましくは、１００〜３００ｍである。
【００６０】
また、図１および図４が参照されるように、第１ハーフエッチング工程Ｓ１、第１洗浄工程Ｓ２および第１乾燥工程Ｓ３におけるパス１６を通過する長尺基材２０においては、第１金属層２２が絶縁基板２１の上側に配置され、第２金属層２３が絶縁基板２１の下側に配置される。一方、第２ハーフエッチング工程Ｓ４、第２洗浄工程Ｓ５および第２乾燥工程Ｓ６におけるパス１６を通過する長尺基材２０においては、第１金属層２２が絶縁基板２１の下側に配置され、第２金属層２３が絶縁基板２１の上側に配置される。
【００６１】
そして、かかる長尺基材２０は、図１に示すように、送出ロール６に巻回された状態で用意される。長尺基材２０は、その第２金属層２３と、送出ロール６の周面とが接触するように、送出ロール６に巻回されている。
【００６２】
次いで、図２（ｂ）に示すように、長尺基材２０の第１金属層２２および第２金属層２３を、エッチング装置１を用いてハーフエッチングする。
【００６３】
第１金属層２２および第２金属層２３をハーフエッチングするには、図１の実線および図４に示すように、まず、エッチング部３において、絶縁基板２１の一方側、すなわち、第１金属層２２を上側薬液ノズル９と対向させ、絶縁基板２１の他方側、すなわち、第２金属層２３を下側薬液ノズル１０と対向させるように、長尺基材２０をパス１６に通過させる（第１ハーフエッチング工程Ｓ１）。
【００６４】
すなわち、第１ハーフエッチング工程Ｓ１では、搬送部２における送出ロール６の反時計回りの回転および巻取ロール７の反時計回りの回転によって、第１金属層２２が上側に配置され、第２金属層２３が下側に配置された長尺基材２０を、エッチング部３のパス１６に通過させる。
【００６５】
そして、エッチング部３において、上側薬液ノズル９から噴射されるエッチング液によって第１金属層２２をハーフエッチングするとともに、下側薬液ノズル１０から噴射されるエッチング液によって第２金属層２３をハーフエッチングする。
【００６６】
上側薬液ノズル９から噴射されるエッチング液および下側薬液ノズル１０から噴射されるエッチング液は、同一または相異なっていてもよく、好ましくは、同一であって、具体的には、例えば、過酸化水素と硫酸との混合水溶液、塩化第二鉄水溶液などの公知のエッチング液が用いられる。好ましくは、過酸化水素と硫酸との混合水溶液が用いられる。このようなエッチング液は、一般に市販されているものを用いることができ、例えば、アデカテックＣＬ−８（過酸化水素と硫酸との混合水溶液、アデカ社製）などが用いられる。
【００６７】
また、エッチング液における有効成分（水以外の成分であって、腐食成分）の濃度は、例えば、過酸化水素が、２７〜３５ｇ／ｌ、硫酸が、５０〜１５０ｇ／ｌに調整されている。
【００６８】
第１ハーフエッチング工程Ｓ１における長尺基材２０の搬送速度、すなわち、エッチング装置１における絶縁基板２１の通過速度は、例えば、２．０〜４．０ｍ／ｍｉｎ、好ましくは、２．５〜３．５ｍ／ｍｉｎである。
【００６９】
一般に、エッチング装置１における長尺基材２０の搬送速度は、０．５ｍ／ｍｉｎ以上２．０ｍ／ｍｉｎ未満であるところ、この方法では、長尺基材２０の搬送速度が上記した範囲内であるので、両面配線基板１９の生産効率の向上を図りながら、エッチング速度を一定に維持することができる。
【００７０】
なお、第１ハーフエッチング工程Ｓ１におけるエッチング速度は、第１金属層２２で、例えば、３〜２０μｍ／ｍｉｎ、さらには、５〜１２μｍ／ｍｉｎであり、第２金属層２３で、例えば、３〜２０μｍ／ｍｉｎ、さらには、５〜１２μｍ／ｍｉｎである。
【００７１】
続いて、第１金属層２２および第２金属層２３を、洗浄部４において洗浄する（第１洗浄工程Ｓ２）。
【００７２】
第１洗浄工程Ｓ２では、エッチング部３から搬送される長尺基材２０を、そのまま、洗浄部４のパス１６に通過させる。つまり、第１金属層２２を上側水ノズル１１と対向させ、第２金属層２３を下側水ノズル１２と対向させるように、長尺基材２０を洗浄部４のパス１６に通過させる。
【００７３】
これにより、第１洗浄工程Ｓ２では、洗浄部４において、上側水ノズル１１から噴射される水によって第１金属層２２を洗浄するとともに、下側水ノズル１２から噴射される水によって第２金属層２３を洗浄する。
【００７４】
次いで、第１金属層２２および第２金属層２３を、乾燥部５において洗浄する（第１乾燥工程Ｓ３）。
【００７５】
第１乾燥工程Ｓ３では、洗浄部４から搬送される長尺基材２０を、そのまま、乾燥部５のパス１６に通過させる。つまり、第１金属層２２を上側吹付ダクト２６と対向させ、第２金属層２３を下側吹付ダクト２７と対向させるように、長尺基材２０を乾燥部５のパス１６に通過させる。
【００７６】
これによって、第１洗浄工程Ｓ２では、乾燥部５において、上側吹付ダクト２６から吹き付けられる熱風によって第１金属層２２の表面を乾燥するとともに、下側吹付ダクト２７から吹き付けられる熱風によって第２金属層２３の表面を乾燥する。
【００７７】
上側吹付ダクト２６から吹き付けられる熱風および下側吹付ダクト２７から吹き付けられる熱風の温度は、同一または相異なっていてもよく、好ましくは、同一であって、具体的には、６０〜９０℃、好ましくは、７５〜８５℃に設定されている。
【００７８】
その後、乾燥部５のパス１６を通過した長尺基材２０は、巻取ロール７の反時計回りの回転によって、巻取ロール７によって巻回される。なお、長尺基材２０は、巻取ロール７によって、長尺基材２０の下流側端部（以下、先端部という。）における第２金属層２３と巻取ロール７の周面とが接触するように、巻き取られる。
【００７９】
その後、長尺基材２０が巻回された巻取ロール７を、次に述べる第２ハーフエッチング工程Ｓ４、第２洗浄工程Ｓ５および第２乾燥工程Ｓ６の実施において、そのまま送出ロール６として用いる。つまり、長尺基材２０が反時計回りに巻回された巻取ロール７を、そのまま、送出ロール６とし、続いて、図１の破線で示すように、送出ロール６から時計回りに長尺基材２０を送り出す。より具体的には、上記した巻取ロール７による巻取における長尺基材２０の上流側端部（最後に巻き取られる部分であり、以下、後端部という。）が、そのまま、送出ロール６として用いられるときには、長尺基材２０の先端部（最初に送り出される部分）として、送り出される。
【００８０】
これによって、第１ハーフエッチング工程Ｓ１、第１洗浄工程Ｓ２および第１乾燥工程Ｓ３から、第２ハーフエッチング工程Ｓ４、第２洗浄工程Ｓ５および第２乾燥工程Ｓ６に移行するとき、つまり、巻取ロール７をそのまま送出ロール６としてエッチング装置１に配置（セット）するときに、上下（厚み）方向における絶縁基板２１に対する、第１金属層２２と第２金属層２３との配置が逆転（反転）される。すなわち、第１ハーフエッチング工程Ｓ１、第１洗浄工程Ｓ２および第１乾燥工程Ｓ３では、絶縁基板２１に対して、第１金属層２２が上側に配置され、第２金属層２３が下側に配置される一方、第２ハーフエッチング工程Ｓ４、第２洗浄工程Ｓ５および第２乾燥工程Ｓ６では、絶縁基板２１に対して、第２金属層２３が上側に配置され、第１金属層２２が下側に配置される。
【００８１】
続いて、図１の破線および図４に示すように、送出ロール６に巻回された長尺基材２０を巻取ロール７に向けて送り出し、エッチング部３において、絶縁基板２１の他方側、すなわち、第２金属層２３を上側薬液ノズル９と対向させ、絶縁基板２１の一方側、すなわち、第１金属層２２を下側薬液ノズル１０と対向させるように、長尺基材２０をパス１６に通過させる（第２ハーフエッチング工程Ｓ４）。
【００８２】
すなわち、第２ハーフエッチング工程Ｓ４では、搬送部２における送出ロール６の時計回りの回転および巻取ロール７の反時計回りの回転によって、第２金属層２３が上側に配置され、第１金属層２２が下側に配置された長尺基材２０を、エッチング部３のパス１６に通過させる。
【００８３】
そして、エッチング部３において、上側薬液ノズル９から噴射されるエッチング液によって第２金属層２３をハーフエッチングするとともに、下側薬液ノズル１０から噴射されるエッチング液によって第１金属層２２をハーフエッチングする。
【００８４】
第２ハーフエッチング工程Ｓ４における長尺基材２０の搬送速度は、第１ハーフエッチング工程Ｓ１と同様である。また、第２ハーフエッチング工程Ｓ４における第２金属層２３のエッチング速度は、第１ハーフエッチング工程Ｓ１における第１金属層２２のエッチング速度と同様のエッチング速度である。また、第２ハーフエッチング工程Ｓ４における第１金属層２２のエッチング速度は、第１ハーフエッチング工程Ｓ１における第２金属層２３のエッチング速度と同様のエッチング速度である。
【００８５】
続いて、第２金属層２３および第１金属層２２を、洗浄部４において洗浄する（第２洗浄工程Ｓ５）。
【００８６】
第２洗浄工程Ｓ５では、第２金属層２３を上側水ノズル１１と対向させ、第１金属層２２を下側水ノズル１２と対向させるように、長尺基材２０を洗浄部４のパス１６に通過させる。
【００８７】
これにより、第２洗浄工程Ｓ５では、洗浄部４において、上側水ノズル１１から噴射される水によって第２金属層２３を洗浄するとともに、下側水ノズル１２から噴射される水によって第１金属層２２を洗浄する。
【００８８】
続いて、第２金属層２３および第１金属層２２を、乾燥部５において洗浄する（第２乾燥工程Ｓ６）。
【００８９】
第２乾燥工程Ｓ６では、第２金属層２３を上側吹付ダクト２６と対向させ、第１金属層２２を下側吹付ダクト２７と対向させるように、長尺基材２０を乾燥部５のパス１６に通過させる。
【００９０】
これによって、第２乾燥工程Ｓ６では、乾燥部５において、上側吹付ダクト２６から吹き付けられる熱風によって第２金属層２３の表面を乾燥するとともに、下側吹付ダクト２７から吹き付けられる熱風によって第１金属層２２の表面を乾燥する。
【００９１】
なお、第２乾燥工程Ｓ６における上側吹付ダクト２６および下側吹付ダクト２７から吹き付けられる熱風の温度は、第１乾燥工程Ｓ３と同様である。
【００９２】
その後、第２乾燥工程Ｓ６において乾燥部５のパス１６を通過した長尺基材２０は、巻取ロール７の反時計回りの回転によって、巻回される。
【００９３】
これにより、長尺基材２０の第１金属層２２および第２金属層２３をハーフエッチングすることができる。
【００９４】
上記したハーフエッチングにより除去される第１金属層２２の厚み（除去分の厚み）および第２金属層２３の厚み（除去分の厚み）は、例えば、６〜３４μｍ、好ましくは、１０〜１６μｍである。また、ハーフエッチング後の第１金属層２２の厚みおよび第２金属層２３の厚みは、ハーフエッチング前の第１金属層２２の厚みおよび第２金属層２３の厚みを１００％とした場合に、例えば、５〜８５％、好ましくは、１０〜４０％であり、具体的には、例えば、０．５〜１８μｍ、好ましくは、１〜８μｍである。
【００９５】
次いで、図２（ｃ）に示すように、第１金属層２２および第２金属層２３から、例えば、アディティブ法などの公知のパターンニング法により、第１導体パターン２４および第２導体パターン２５を形成する。
【００９６】
すなわち、図３（ａ）に示すように、第１金属層２２の上面および第２金属層２３の下面に、第１導体パターン２４および第２導体パターン２５の反転パターンで、第１めっきレジスト３２および第２めっきレジスト３３をそれぞれ形成する。
【００９７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１めっきレジスト３２から露出する第１金属層２２の上面および第２めっきレジスト３３から露出する第２金属層２３の下面に、電解めっきにより、第１めっき層２４および第２めっき層２５をそれぞれ形成する。
【００９８】
次いで、図３（ｃ）に示すように、第１めっきレジスト３２および第２めっきレジスト３３をそれぞれ除去し、次いで、図３（ｄ）に示すように、第１めっき層２４から露出する第１金属層２２および第２めっき層２５から露出する第２金属層２３をそれぞれ除去する。
【００９９】
これにより、第１金属層２２および第１めっき層２４が順次積層された第１導体パターン２４と、第２金属層２３および第２めっき層２５が順次積層された第２導体パターン２５とを同時に形成する。
【０１００】
なお、第１導体パターン２４および第２導体パターン２５は、例えば、巻取ロール７をそのまま送出ロール６として用い、そして、巻取ロール７および送出ロール６間に配置される導体パターン形成装置（例えば、塗布装置、露光装置、加熱装置など）を用いて形成される。
を用いて形成される。
【０１０１】
次いで、図２（ｄ）に示すように、第１カバー絶縁層２８を、絶縁基板２１の上に、第１導体パターン２４を被覆するように形成するとともに、第２カバー絶縁層２９を、絶縁基板２１の下に、第２導体パターン２５を被覆するように形成する。第１カバー絶縁層２８および第２カバー絶縁層２９は、樹脂フィルムの貼着や、樹脂溶液の塗布およびフォト加工などの公知の方法により形成される。なお、第１カバー絶縁層２８および第２カバー絶縁層２９は、例えば、巻取ロール７をそのまま送出ロール６として用い、そして、巻取ロール７および送出ロール６間に配置される公知のカバー絶縁層形成装置（例えば、貼着装置や、塗布装置、露光装置、加熱装置など）を用いて形成される。
【０１０２】
これにより、両面配線基板１９を得ることができる。
【０１０３】
そして、この方法では、絶縁基板２１の一方側、すなわち、第１金属層２２を、第１ハーフエッチング工程Ｓ１において上側薬液ノズル９と対向させ、第２ハーフエッチング工程Ｓ４において下側薬液ノズル１０と対向させ、また、絶縁基板２１の他方側、すなわち、第２金属層２３を、第１ハーフエッチング工程Ｓ１において下側薬液ノズル１０と対向させ、第２ハーフエッチング工程Ｓ４において上側薬液ノズル９と対向させる。
【０１０４】
そのため、第１ハーフエッチング工程Ｓ１および第２ハーフエッチング工程Ｓ４において、絶縁基板２１をパス１６に通過させることにより、絶縁基板２１の一方側に配置される第１金属層２２は、上側薬液ノズル９および下側薬液ノズル１０により順次ハーフエッチングされるとともに、絶縁基板２１の他方側に配置される第２金属層２３も、下側薬液ノズル１０および上側薬液ノズル９により順次ハーフエッチングされる。そうすると、絶縁基板２１における第１金属層２２と第２金属層２３とを、同じ条件で、均一にハーフエッチングすることができる。
【０１０５】
その結果、第１金属層２２と第２金属層２３とを、同一のエッチング速度で、同一の厚みにハーフエッチングすることができる。
【０１０６】
さらに、この方法では、第１ハーフエッチング工程Ｓ１において、絶縁基板２１の上側に配置される第１金属層２２は、上側薬液ノズル９から長尺基材２０に向けて噴射されるエッチング液、つまり、エッチング液が、その滞留に起因して長い時間、接触されて滞留されることから、エッチング能が低下されたエッチング液により、エッチングされる。そして、第２ハーフエッチング工程Ｓ４において、絶縁基板２１の下側に配置される第１金属層２２（第１ハーフエッチング工程Ｓ１では、絶縁基板２１の上側に配置されていた第１金属層２２）は、下側薬液ノズル１０から長尺基材２０に向けて噴射されるエッチング液、つまり、そのエッチング液が、短い時間、接触した後すぐに落下することから、エッチング能が維持されたエッチング液により、エッチングされる。
【０１０７】
一方、第１ハーフエッチング工程Ｓ１において、絶縁基板２１の下側に配置される第２金属層２３は、下側薬液ノズル１０から長尺基材２０に向けて噴射されるエッチング液、つまり、エッチング液が、短い時間、接触した後すぐに落下することから、エッチング能が維持されたエッチング液により、エッチングされる。そして、第２ハーフエッチング工程Ｓ４において、絶縁基板２１の上側に配置される第２金属層２３（第１ハーフエッチング工程Ｓ１では、絶縁基板２１の下側に配置されていた第２金属層２３）は、上側薬液ノズル９から長尺基材２０に向けて噴射されるエッチング液、つまり、エッチング液が、その滞留に起因して長い時間、接触されて滞留されることから、エッチング能が低下されたエッチング液により、エッチングされる。
【０１０８】
その結果、水平方向に沿うパス１６に搬送される長尺基材２０においても、第１金属層２２と第２金属層２３とを、エッチング液とほぼ同一時間接触させることができ、確実かつ均一にエッチングすることができる。
【０１０９】
なお、上記した説明では、エッチング装置１に、洗浄部４および乾燥部５を設けたが、例えば、洗浄部４および乾燥部５を設けなくてもよい。
【０１１０】
好ましくは、エッチング装置１に、洗浄部４および乾燥部５を設ける。
【０１１１】
エッチング装置１に、洗浄部４および乾燥部５を設けることにより、エッチング装置１を用いる両面配線基板の製造方法は、第１洗浄工程Ｓ２（および第２洗浄工程Ｓ５）と、第１乾燥工程Ｓ３（および第２乾燥工程Ｓ６）とを備えることができる。そのため、第１ハーフエッチング工程Ｓ１の後に、第１金属層２２および第２金属層２３の表面に残存するエッチング液を、確実に除去して、エッチング液が残存した状態で巻取ロール７によって長尺基材２０を巻き取る際の不具合、例えば、第１金属層２２および第２金属層２３における過度の薄膜化、あるいは、腐食による変色を、有効に防止することができる。
【０１１２】
また、上記した説明では、第１金属層２２および第２金属層２３を、エッチング装置１を用いてハーフエッチングして薄膜化したが、さらに、ハーフエッチングした第１金属層２２および第２金属層２３を、エッチング装置１を用いるアディティブ法におけるパターン形成のためにエッチングすることもできる。
【０１１３】
例えば、図３（ｄ）に示すように、第１めっき層２４から露出する第１金属層２２と、第２めっき層２５から露出する第２金属層２３とを、上記したエッチング装置１により同時にエッチングする。
【０１１４】
これにより、第１金属層２２および第２金属層２３を、第１導体パターン２４および第２導体パターン２５のパターン形成のために、同一の条件でエッチングすることもできる。しかも、第１金属層２２および第２金属層２３を、同一のエッチング速度でパターン形成することができるので、第１導体パターン３０および第２導体パターン３１を同一条件で確実に形成することができる。
【０１１５】
また、上記した説明では、エッチング部３では、上側薬液ノズル９および下側薬液ノズル１０を上下方向において対向配置させたが、例えば、図示しないが、水平方向において対向配置させることもできる。この場合には、洗浄部４および乾燥部５についても同様に、上側水ノズル１１および下側水ノズル１２を水平方向に対向配置させ、また、上側吹付ダクト２６および下側吹付ダクト２７を水平方向に対向配置されることもできる。
【０１１６】
好ましくは、エッチング部３では、上側薬液ノズル９および下側薬液ノズル１０を上下方向において対向配置させる。
【０１１７】
通常、上側薬液ノズル９および下側薬液ノズル１０を水平方向に配置させたときには、上下方向に沿って配置される第１金属層２２および第２金属層２３において、上端部（幅方向一端部）に接触したエッチング液が、第１金属層２２および第２金属層２３の幅方向途中を伝ってこれらの下端部（幅方向他端部）に至ることから、下端部では、エッチング液との接触時間が上端部よりも長く、エッチング能が低下されたエッチング液が滞留される。そのため、上端部および下端部においてエッチング液のエッチング能が相違するので、第１金属層２２および第２金属層２３がその幅方向において不均一にエッチングされる。
【０１１８】
しかし、上記したように、上側薬液ノズル９および下側薬液ノズル１０を上下方向に対向配置させることにより、水平方向に沿って配置される第１銅層２２および第２銅層２３において、幅方向におけるエッチング液のエッチング能の相違がないため、第１金属層２２および第２金属層２３を幅方向において均一にエッチングすることができる。
【０１１９】
また、好ましくは、上側水ノズル１１および下側水ノズル１２を上下方向において対向配置させるとともに、上側吹付ダクト２６および下側吹付ダクト２７を上下方向において対向配置させる。
【０１２０】
通常、上側水ノズル１１および下側水ノズル１２を水平方向に配置させたときには、上下方向に沿って配置される第１金属層２２および第２金属層２３において、上端部（幅方向一端部）に接触した水が、第１金属層２２および第２金属層２３の幅方向途中を伝って下端部（幅方向他端部）に至ることから、下端部では、エッチング液を高い濃度で含む水が滞留する。そのため、上端部および下端部において水が含むエッチング液の濃度が相違する。
【０１２１】
しかし、上記したように、上側水ノズル１１および下側水ノズル１２を上下方向に対向配置させることにより、水平方向に沿って配置される第１銅層２２および第２銅層２３において、幅方向における水のエッチング液の濃度に相違がないため、第１金属層２２および第２金属層２３を幅方向において均一に洗浄することができる。
【０１２２】
また、上記した説明では、エッチング装置１の洗浄部４では、水を用いて洗浄したが、例えば、第１金属層２２および第２金属層２３の表面に残存するエッチング液を洗浄できればよく、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール類、例えば、アセトン、メチルケトンなどのケトン類などの有機溶媒を用いることもできる。
【０１２３】
また、上記した説明では、エッチング装置１の乾燥部５では、熱風を用いて乾燥したが、例えば、ヒータなどの公知の加熱手段を用いることもできる。
【実施例】
【０１２４】
実施例１
（両面銅張３層基材の用意）
まず、長尺シート形状のポリイミドからなる厚み２０μｍの絶縁基板の両面に、厚み１２μｍの銅層（第１銅層および第２銅層）が積層された両面銅張３層基材（エスパネックスＭＢ１２−２０−１２ＲＥＧ、新日鐵化学社製）を用意した（図２（ａ）参照）。両面銅張３層基材の長さは５０ｍであり、幅が５００ｍｍであった。
【０１２５】
（第１銅層および第２銅層のハーフエッチング）
次いで、この両面銅張３層基材の第１銅層および第２銅層を、図１に示すエッチング装置によって、ハーフエッチングした（図２（ｂ）参照）。
【０１２６】
すなわち、まず、両面銅張３層基材を送出ロールに巻回させ、次いで、送出ロールの反時計回りの回転によって、両面銅張３層基材をエッチング部、洗浄部および乾燥部に、搬送速度３．２ｍ／ｍｉｎで、順次搬送させた。
【０１２７】
第１ハーフエッチング工程（Ｓ１）では、上側薬液ノズルおよび下側薬液ノズルから、エッチング液として、過酸化水素と硫酸との混合水溶液（アデカテックＣＬ−８、過酸化水素濃度３０ｇ／ｌ、硫酸濃度１２０ｇ／ｌ、アデカ社製）を、第１銅層および第２銅層に向けてそれぞれ噴射させた。
【０１２８】
これによって、第１ハーフエッチング工程（Ｓ１）におけるエッチング速度は、第１金属層で７．６μｍ／ｍｉｎであり、第２金属層で７．６μｍ／ｍｉｎであった。
【０１２９】
第１ハーフエッチング工程（Ｓ１）後の第１洗浄工程（Ｓ２）では、上側水ノズルおよび下側水ノズルから、水を、第１銅層および第２銅層に向けてそれぞれ噴射させた。
【０１３０】
第１洗浄工程（Ｓ２）後の第１乾燥工程（Ｓ３）では、上側吹付ダクトおよび下側吹付ダクトから、８０℃の熱風を、第１銅層および第２銅層に向けてそれぞれ吹き付けた。
【０１３１】
その後、乾燥部から搬送される両面銅張３層基材を、巻取ロールによって、反時計回りの回転によって、巻き取った。
【０１３２】
続いて、両面銅張３層基材が巻き取られた巻取ロールをそのまま送出ロールとして用い、この送出ロールの時計回りの回転によって、両面銅張３層基材をエッチング部、洗浄部および乾燥部に、搬送速度３．２ｍ／ｍｉｎで、再度、順次搬送させた。なお、第２ハーフエッチング工程（Ｓ４）、第２洗浄工程（Ｓ５）および第２乾燥工程（Ｓ６）における各条件は、第１ハーフエッチング工程（Ｓ１）、第１洗浄工程（Ｓ２）および第１乾燥工程（Ｓ３）と同様にそれぞれ設定した。
【０１３３】
その後、乾燥部から搬送される両面銅張３層基材を、巻取ロールによって、反時計回りの回転によって、巻き取った。
【０１３４】
これにより、第１銅層および第２銅層をハーフエッチングして薄膜化した。
【０１３５】
なお、ハーフエッチングにより除去された第１金属層および第２金属層の除去分の厚みは、それぞれ９．５μｍであった。また、ハーフエッチング後における第１銅層および第２銅層の厚みはそれぞれ２．５μｍであった。
【０１３６】
（第１導体パターンおよび第２導体パターンの形成）
次いで、第１導体パターンおよび第２導体パターンを、第１金属層および第２金属層から、アディティブ法により、形成した（図２（ｃ）参照）。
【０１３７】
すなわち、第１金属層の上面および第２金属層の下面に、ドライフィルムレジストを積層して、これを露光および現像することにより、第１導体パターンおよび第２導体パターンの反転パターンで、第１めっきレジストおよび第２めっきレジストをそれぞれ形成した（図３（ａ）参照）。
【０１３８】
次いで、第１めっきレジストから露出する第１金属層の上面および第２めっきレジストから露出する第２金属層の下面に、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの第１めっき層および厚み１０μｍの第２めっき層をそれぞれ形成した（図３（ｂ）参照）。
【０１３９】
次いで、第１めっきレジストおよび第２めっきレジストをエッチングによりそれぞれ除去し（図３（ｃ）参照）、次いで、第１めっき層から露出する第１金属層および第２めっき層から露出する第２金属層をエッチングによりそれぞれ除去した（図３（ｄ）参照）。
【０１４０】
これにより、第１金属層および第１めっき層を含む第１導体パターンと、第２金属層および第２めっき層を含む第２導体パターンとを形成した。
【０１４１】
（第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層の形成）
次いで、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層を形成した。
【０１４２】
第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層の形成では、第１導体パターンを含むおよび絶縁基材の上と、第２導体パターンを含む絶縁基材の下とに、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布し、乾燥することにより、第１カバー皮膜および第２カバー皮膜を得た後、第１カバー皮膜および第２カバー皮膜をフォトマスクを介して露光した。その後、第１カバー皮膜および第２カバー皮膜を現像して、加熱により硬化させることにより、厚み１２μｍの第１カバー絶縁層および厚み１２μｍの第２カバー絶縁層の形成した（図２（ｄ）参照）。
【０１４３】
これにより、両面配線基板を得た。
【０１４４】
実施例２
エッチング装置における搬送速度を３．０ｍ／ｍｉｎに変更した以外は、実施例１と同様に処理して、両面配線基板を得た。
【０１４５】
なお、第１ハーフエッチング工程（Ｓ１）におけるエッチング速度は、第１金属層で７．５μｍ／ｍｉｎ、第２金属層で７．５μｍ／ｍｉｎであった。
【０１４６】
なお、ハーフエッチングにより除去された第１金属層および第２金属層の除去分の厚みは、それぞれ１０μｍであった。また、ハーフエッチング後における第１銅層および第２銅層の厚みはそれぞれ２．０μｍであった。
【０１４７】
実施例３
エッチング装置における搬送速度を３．５ｍ／ｍｉｎに変更した以外は、実施例１と同様に処理して、両面配線基板を得た。
【０１４８】
なお、第１ハーフエッチング工程（Ｓ１）におけるエッチング速度は、第１金属層で７．７μｍ／ｍｉｎ、第２金属層で７．７μｍ／ｍｉｎであった。
【０１４９】
なお、ハーフエッチングにより除去された第１金属層および第２金属層の除去分の厚みは、それぞれ８．８μｍであった。また、ハーフエッチング後における第１銅層および第２銅層の厚みはそれぞれ３．２μｍであった。
【０１５０】
実施例４
エッチング装置において、洗浄部および乾燥部を設けず、すなわち、第１洗浄工程（Ｓ２）、第１乾燥工程（Ｓ３）、第２洗浄工程（Ｓ５）および第２乾燥工程（Ｓ６）を実施しなかった以外は、実施例１と同様に処理して、両面配線基板を得た。
【０１５１】
比較例１
第２ハーフエッチング工程（Ｓ４）、第２洗浄工程（Ｓ５）および第２乾燥工程（Ｓ６）を実施せず、搬送速度を実施例１の２分の１である１．６ｍ／ｍｉｎにした以外は、実施例１と同様に処理して、両面配線基板を得た。
【０１５２】
なお、第１ハーフエッチング工程（Ｓ１）におけるエッチング速度は、第１金属層で７．３μｍ／ｍｉｎであり、第２金属層で７．８μｍ／ｍｉｎであった。
【０１５３】
なお、ハーフエッチングにより除去された第１金属層の除去分の厚みは９．２μｍであり、第２金属層の除去分の厚みは９．７μｍであった。また、ハーフエッチング後において、第１銅層の厚みは２．８μｍであり、第２銅層の厚みは２．３μｍであった。
【０１５４】
比較例２
第２ハーフエッチング工程（Ｓ４）、第２洗浄工程（Ｓ５）および第２乾燥工程（Ｓ６）を実施せず、搬送速度を実施例１の２分の１である１．５ｍ／ｍｉｎにした以外は、実施例２と同様に処理して、両面配線基板を得た。
【０１５５】
なお、第１ハーフエッチング工程（Ｓ１）におけるエッチング速度は、第１金属層で７．２μｍ／ｍｉｎであり、第２金属層で７．６μｍ／ｍｉｎであった。
【０１５６】
なお、ハーフエッチングにより除去された第１金属層の除去分の厚みは９．６μｍであり、第２金属層の除去分の厚みは１０．２μｍであった。また、ハーフエッチング後において、第１銅層の厚みは２．４μｍであり、第２銅層の厚みは１．８μｍであった。
【０１５７】
（評価）
１）  厚み測定
実施例１〜４、比較例１および２におけるハーフエッチング後の第１銅層および第２銅層の厚みを、厚み測定器（フィッシャースコープＭＭＳ／ＰＣＢ、フィッシャー・インストルメンツ社製）により精密に測定した。厚み測定では、第１銅層および第２銅層の幅方向一端部から２５ｍｍ、１２５ｍｍ、２５０ｍｍ、３７５ｍｍおよび４７５ｍｍの各部分における厚みをそれぞれ３回測定し、これらの平均値を厚みとして算出した。
【０１５８】
その結果を、表１に示す。
【０１５９】
【表１】
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２）  変色観察
実施例１〜４、比較例１および２により得られた両面配線基板の第１導体パターンおよび第２導体パターンの表面を目視により観察した。
【０１６０】
実施例１〜３、比較例１および２では、第１導体パターンおよび第２導体パターンの表面において変色がないことを確認した。
【０１６１】
また、実施例４では、第１導体パターンおよび第２導体パターンの表面においてわずかな変色があることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】本発明の両面配線基板の製造方法の一実施形態に用いられるエッチング装置の側断面概略図を示す。
【図２】図１に示すエッチング装置によりエッチングされる両面配線基板の幅方向断面の工程図であって、（ａ）は、長尺基材を用意する工程、（ｂ）は、第１金属層および第２金属層を、ハーフエッチングする工程、（ｃ）は、第１金属層および第２金属層から、第１導体パターンおよび第２導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図３】図２に示す工程図において、（ｃ）第１導体パターンおよび第２導体パターンを形成する工程、を説明するための他の工程図であって、（ａ）は、第１めっきレジストおよび第２めっきレジストを形成する工程、（ｂ）は、第１めっき層および第２めっき層を形成する工程、（ｃ）は、第１めっきレジストおよび第２めっきレジストを除去する工程、（ｄ）は、第１めっき層から露出する第１金属層および第２めっき層から露出する第２金属層を除去する工程を示す
【図４】図１に示すエッチング装置を用いた、両面配線基板のエッチングの各工程を説明するためのフロー図を示す。
【符号の説明】
【０１６３】
１    エッチング装置
９    上側薬液ノズル
１０  下側薬液ノズル
１６  パス
１９  両面配線基板
２１  絶縁基板
２２  第１金属層
２３  第２金属層
Ｓ１  第１ハーフエッチング工程
Ｓ４  第２ハーフエッチング工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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