(57)【要約】【課題】多量の画像データの中から被検物の欠陥を含む画像データをより短時間で抽出することができる検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る検査装置は、被検物において所定方向にずれた複数の範囲をそれぞれ撮像する撮像カメラ３０と、撮像カメラ３０により撮像された複数の画像において各画像内で前記被検物における欠陥を示す欠陥信号を抽出する画像処理部４０と、画像処理部４０による処理結果を表示する表示部とを有して構成される。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検物において所定方向にずれた複数の範囲をそれぞれ撮像する撮像部と、
前記撮像部により撮像された複数の画像において各画像内で前記被検物における欠陥を示す欠陥信号を抽出する画像処理部と、
前記画像処理部による処理結果を表示する表示部とを有することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記画像処理部は、前記複数の画像中の互いに異なる画像との信号の差分を得ることにより、前記欠陥信号を抽出することを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記画像処理部は、前記欠陥信号を抽出して得られる複数の抽出画像をそれぞれ重ね合わせた処理結果画像を作成することを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記画像処理部は、前記被検物における所定の範囲毎に前記処理結果画像を作成することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項５】
前記画像処理部は、複数の被検物毎に得られる前記処理結果画像をそれぞれ重ね合わせた全体処理結果画像を作成することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項６】
前記画像処理部により得られた前記欠陥信号と、前記欠陥信号が得られる画像に対応した前記被検物における位置との関係を示すヒストグラムを作成することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項７】
略円盤状に形成された前記被検物の回転対称軸を回転軸として、前記被検物の外周端部と前記撮像部とを前記所定方向へ相対移動するように回転駆動させる相対移動部をさらに有し、
前記撮像部は、前記回転軸と直交する方向から前記被検物の外周端部または外周端部近傍を連続的に撮像することを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項８】
前記撮像部が前記被検物の全周にわたって前記撮像することを特徴とする請求項７に記載の検査装置。
【請求項９】
被検物において所定方向にずれた複数の範囲をそれぞれ撮像する撮像工程と、
前記撮像工程により撮像された複数の画像の各画像内で前記被検物における欠陥を示す欠陥信号を抽出する画像処理工程と、
前記画像処理工程による処理結果を表示する表示工程とを有することを特徴とする検査方法。
【請求項１０】
前記画像処理工程は、前記複数の画像の互いに異なる画像との信号の差分を得ることにより、前記欠陥信号を抽出することを特徴とする請求項９に記載の検査方法。
【請求項１１】
前記画像処理工程は、前記欠陥信号を抽出して得られる複数の抽出画像をそれぞれ重ね合わせた処理結果画像を作成することを特徴とする請求項９もしくは請求項１０に記載の検査方法。
【請求項１２】
前記表示工程は、前記表示された情報から前記欠陥が選択された場合に、前記抽出前の画像であって選択された前記欠陥に対応する画像を表示することを特徴とする請求項９から請求項１１のうちいずれか一項に記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハや液晶ガラス基板等の被検物に対して欠陥の有無を検査する検査装置及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハに形成される回路素子パターンの集積度が高くなるとともに、半導体製造工程でウェハの表面処理に用いられる薄膜の種類が増加している。これに伴い、ウェハの端部付近の欠陥検査が重要となってきている。ウェハの端部付近に異物等の欠陥があると、後の工程で異物等がウェハの表面側に回り込んで悪影響を及ぼし、ウェハから作り出される回路素子の歩留まりに影響する。
【０００３】
そこで、半導体ウェハ等の円盤状に形成された被検物の端面周辺（例えば、アペックスや上下のベベル）を複数の方向から観察して、異物や膜の剥離、膜内の気泡、膜の回り込み等といった欠陥の有無を観察する検査装置が考案されている（例えば、特許文献１を参照）。このような検査装置には、レーザ光等の照射により生じる散乱光を利用して異物等を検出する構成のものや、ラインセンサにより被検物の画像を帯状に形成して異物等を検出する構成のもの等がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４‐３２５３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
また、画像取得装置により被検物の端面周辺の画像を部分的に１枚ずつ取得して、複数の画像データから異物等の欠陥を検出する構成のものもあるが、小さな欠陥を認識できる高い分解能を有する画像取得装置を使用すると、画像取得枚数（画像データ）が非常に多くなり、例えば、１０倍の対物レンズで１２インチウェハの端面（アペックス）の観察を行った場合、画像取得枚数は１４００枚程度になる。このような多量の画像データから被検物の欠陥を含む画像データのみを抽出するには、全ての画像を１枚ずつ確認する場合、時間がかかり困難であった。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、多量の画像データの中から被検物の欠陥を含む画像データをより短時間で抽出することができる検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決して目的を達成するため、本発明に係る検査装置は、被検物において所定方向にずれた複数の範囲をそれぞれ撮像する撮像部と、前記撮像部により撮像された複数の画像において各画像内で前記被検物における欠陥を示す欠陥信号を抽出する画像処理部と、前記画像処理部による処理結果を表示する表示部とを有して構成される。
【０００８】
上記検査装置において、前記画像処理部は、前記複数の画像中の互いに異なる画像との信号の差分を得ることにより、前記欠陥信号を抽出することが好ましい。
【０００９】
上記検査装置において、前記画像処理部は、前記欠陥信号を抽出して得られる複数の抽出画像をそれぞれ重ね合わせた処理結果画像を作成することが好ましい。
【００１０】
上記検査装置において、前記画像処理部は、前記被検物における所定の範囲毎に前記処理結果画像を作成することが好ましい。
【００１１】
上記検査装置において、前記画像処理部は、複数の被検物毎に得られる前記処理結果画像をそれぞれ重ね合わせた全体処理結果画像を作成することが好ましい。
【００１２】
上記検査装置において、前記画像処理部により得られた前記欠陥信号と、前記欠陥信号が得られる画像に対応した前記被検物における位置との関係を示すヒストグラムを作成することが好ましい。
【００１３】
上記検査装置において、略円盤状に形成された前記被検物の回転対称軸を回転軸として、前記被検物の外周端部と前記撮像部とを前記所定方向へ相対移動するように回転駆動させる相対移動部をさらに有し、前記撮像部は、前記回転軸と直交する方向から前記被検物の外周端部または外周端部近傍を連続的に撮像することが好ましい。
【００１４】
上記検査装置において、前記撮像部が前記被検物の全周にわたって前記撮像することが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る検査方法は、被検物において所定方向にずれた複数の範囲をそれぞれ撮像する撮像工程と、前記撮像工程により撮像された複数の画像の各画像内で前記被検物における欠陥を示す欠陥信号を抽出する画像処理工程と、前記画像処理工程による処理結果を表示する表示工程とを有している。
【００１６】
上記の検査方法では、前記画像処理工程は、前記複数の画像の互いに異なる画像との信号の差分を得ることにより、前記欠陥信号を抽出することが好ましい。
【００１７】
上記の検査方法では、前記画像処理工程は、前記欠陥信号を抽出して得られる複数の抽出画像をそれぞれ重ね合わせた処理結果画像を作成することが好ましい。
【００１８】
上記の検査方法では、前記表示工程は、前記表示された情報から前記欠陥が選択された場合に、前記抽出前の画像であって選択された前記欠陥に対応する画像を表示することが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、被検物を撮像した複数の画像の中から被検物の欠陥を含む画像を短時間で抽出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る検査装置の一例を図１に示しており、この検査装置１は、半導体ウェハ１０（以下、ウェハ１０と称する）の端部及び端部近傍における欠陥（傷、異物の付着等）の有無を検査するものである。
【００２１】
被検物であるウェハ１０は薄い円盤状に形成されており、その表面には、ウェハ１０から取り出される複数の半導体チップ（チップ領域）に対応した回路パターン（図示せず）が形成するために、絶縁膜、電極配線膜、半導体膜等の薄膜（図示せず）が多層にわたって形成される。図２に示すように、ウェハ１０の表面（上面）における外周端部内側には、上ベベル部１１がリング状に形成され、この上ベベル部１１の内側に回路パターンが形成されることになる。また、ウェハ１０の裏面（下面）における外周端部内側には、下ベベル部１２がウェハ１０を基準に上ベベル部１１と表裏対称に形成される。そして、上ベベル部１１と下ベベル部１２とに繋がるウェハ端面がアペックス部１３となる。
【００２２】
検査装置１は、ウェハ１０を支持して回転させるウェハ支持部２０と、ウェハ１０の外周端部及び外周端部近傍を撮像する撮像カメラ３０と、撮像カメラ３０で撮像されたウェハ１０の画像に対して所定の画像処理を行う画像処理部４０と、ウェハ支持部２０や撮像カメラ３０等の駆動制御を行う制御部５０とを主体に構成される。
【００２３】
ウェハ支持部２０は、基台２１と、基台２１から上方に垂直に延びて設けられた回転軸２２と、回転軸２２の上端部に略水平に取り付けられて上面側でウェハ１０を支持するウェハホルダ２３とを有して構成される。ウェハホルダ２３の内部には真空吸着機構（図示せず）が設けられており、真空吸着機構による真空吸着を利用してウェハホルダ２３上のウェハ１０が吸着保持される。
【００２４】
基台２１の内部には、回転軸２２を回転駆動させる回転駆動機構（図示せず）が設けられており、回転駆動機構により回転軸２２を回転させることで、回転軸２２に取り付けられたウェハホルダ２３とともに、ウェハホルダ２３上に吸着保持されたウェハ１０がウェハ１０の中心（回転対称軸Ｏ）を回転軸として回転駆動される。なお、ウェハホルダ２３はウェハ１０より径の小さい略円盤状に形成されており、ウェハホルダ２３上にウェハ１０が吸着保持された状態で、上ベベル部１１、下ベベル部１２、及びアペックス部１３を含むウェハ１０の外周端部近傍がウェハホルダ２３からはみ出るようになっている。
【００２５】
撮像カメラ３０は、図示しない拡大撮影光学系及び落射照明を備えた鏡筒部３１と、イメージセンサ３２が内蔵されたカメラ本体３３とを主体に構成されており、落射照明による照明光が対物レンズを介してウェハ１０に照明されるとともに、ウェハ１０からの反射光が対物レンズを介してイメージセンサ３２に導かれ、イメージセンサ３２でウェハ１０の二次元の像（二次元の画像データ）が検出される。このような構成により、ウェハ１０の外周端部もしくは外周端部近傍の明視野像が得られる。
【００２６】
また、撮像カメラ３０は、ウェハ１０のアペックス部１３と対向するように配置され、ウェハ１０の回転軸（回転対称軸Ｏ）と直交する方向からアペックス部１３を撮像するようになっている。これにより、ウェハ支持部２０に支持されたウェハ１０を回転させると、ウェハの外周部、すなわちアペックス部１３が周方向へ相対移動するため、アペックス部１３と対向するように配置された撮像カメラ３０は、アペックス部１３を周方向へ連続的に（複数）撮像することができ、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３を撮像することが可能になる。なお、撮像カメラ３０で撮像された画像データは、画像処理部４０へ出力される。
【００２７】
なお、検査装置１には不図示の移動装置が設けられており、図２に示すように、移動装置により撮像カメラ３０をウェハ１０の上ベベル部１１と対向する位置（一点鎖線で示す位置）、下ベベル部１２と対向する位置（二点鎖線で示す位置）、もしくはアペックス部１３と対向する位置（実線で示す位置）に移動させることができる。これにより、撮像カメラ３０は、ウェハ１０のアペックス部１３と同様に、上下のベベル部１１，１２をそれぞれ周方向へ連続的に（複数）撮像することができ、ウェハ１０の全周にわたって上下のベベル部１１，１２をそれぞれ撮像することが可能になる。このように、本実施形態では移動装置を設けて上下のベベル部１１，１２、及びアペックス部１３をそれぞれ撮像する構成であるが、これに限らず、ウェハ１０の上ベベル部１１、下ベベル部１２、もしくはアペックス部１３と対向する位置に３つの撮像カメラ３０を設けるようにしてもよい。さらに、ウェハ支持部２０にチルト機構等を設け、ウェハ１０の上ベベル部１１、下ベベル部１２、及びアペックス部１３をそれぞれ撮像することができる構成としてもよい。
【００２８】
制御部５０は、各種制御を行う制御基板等から構成され、制御部５０からの制御信号によりウェハ支持部２０、撮像カメラ３０、及び画像処理部４０等の作動制御を行う。また、制御部５０には、画像表示部を備えたインターフェース部５１や、画像データ等を記憶する記憶部５２等が電気的に接続されている。
【００２９】
画像処理部４０は、図示しない回路基板等から構成され、図３に示すように、入力部４１と、内部メモリ４２と、合成処理部４３と、ヒストグラム作成部４４と、出力部４５とを有している。入力部４１には、撮像カメラ３０からの画像データが入力される。入力部４１に入力された画像データは、入力部４１と電気的に接続された内部メモリ４２に出力され、内部メモリ４２において記憶される。
【００３０】
合成処理部４３は、内部メモリ４２と電気的に接続されており、内部メモリ４２に記憶された撮像カメラ３０による画像データに対して後述する抽出処理及び合成処理を行い、処理結果をヒストグラム作成部４４及び出力部４５へ出力する。ヒストグラム作成部４４は、合成処理部４３と電気的に接続されており、合成処理部４３から抽出処理結果が入力されると、入力された抽出処理結果に基づいて差分の輝度に関するヒストグラムを作成し、作成したヒストグラムを出力部４５へ出力する。出力部４５は、制御部５０と電気的に接続されており、ウェハ１０の画像データや合成処理部４３による合成処理結果、ヒストグラム作成部４４によるヒストグラムのデータ等を制御部５０へ出力する。
【００３１】
以上のように構成される検査装置１を用いたウェハ１０のアペックス部１３における検査方法について、図４のフローチャートを参照して以下に説明する。なお、ウェハ１０の上下のベベル部１１，１２におけるそれぞれの検査方法は、後述のアペックス部１３における検査方法と同様のため、その説明は省略する。
【００３２】
まず、ステップＳ１において、ウェハ１０のアペックス部１３を撮像する撮像工程を行う。この撮像工程では、ウェハ１０をウェハホルダ２３上の所定位置に載置し、ウェハホルダ２３に内蔵の真空吸着機構によりウェハホルダ２３上にウェハ１０を吸着保持させる。ウェハ１０がウェハホルダ２３上に保持されると、制御部５０からの制御信号により撮像カメラ３０をウェハ１０のアペックス部１３と対向する位置に移動させ、ウェハ１０の回転軸（回転対称軸Ｏ）と直行する方向からアペックス部１３を撮像する。
【００３３】
さらに、制御部５０からの制御信号によりウェハ支持部２０の回転駆動機構を回転駆動させ、ウェハ１０を所定角度（ウェハ１０の中心を原点とする極座標に対応した角度で、撮像範囲と略一致している）だけ回転させる。そして、撮像カメラ３０により、ウェハ１０を所定角度だけ回転する毎にウェハ１０のアペックス部１３を撮像する。これにより、撮像カメラ３０はアペックス部１３を周方向へ連続的に（複数）撮像し、アペックス部１３をウェハ１０の全周にわたって撮像する。撮像カメラ３０がアペックス部１３を連続的に（複数）撮像するとき、イメージセンサ３２で連続的に検出される画像データは画像処理部４０へ出力され、画像処理部４０の入力部４１に入力された画像データは内部メモリ４２へ送られる。
【００３４】
撮像カメラ３０によりウェハ１０の全周にわたる所定角度毎に撮像されたアペックス部１３の画像データは、内部メモリ４２においてアペックス部１３における角度位置（ウェハ１０の中心を原点とする極座標に対応した角度位置）を基準に並び換えて（ソートして）記憶され、記憶されたアペックス部１３の画像データを合成処理部４３及び出力部４５へ出力される。出力部４５へ出力されたアペックス部１３の画像データは、制御部５０を介して記憶部５２に送られ、記憶部５２で記憶される。
【００３５】
次に、ステップＳ２において、アペックス部１３の画像データに対して各画像データ内における欠陥情報のみを抽出する抽出処理工程を行う。この抽出処理工程は、合成処理部４３が内部メモリ４２に記憶されたウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３における角度位置の順に並ぶ画像データに対して行う。
【００３６】
この抽出処理工程において、合成処理部４３は、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３における角度位置の順に並ぶ複数の画像において、複数の画像から基画像を設定し、この基画像とその他の画像との差分をそれぞれ得る。例えば、図５(ａ)に示すように、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３における角度位置の順に並ぶｎ枚（ｎは自然数）の画像Ｉ1，Ｉ2，Ｉ3，・・・，Ｉn-1，Ｉnにおいて、基画像Ｉ1と各画像Ｉ2，Ｉ3，・・・，Ｉn-1，Ｉnとの信号（具体的には、各画像における輝度）の差分を得る。このとき、基画像Ｉ1を構成する（複数の）画素と各画像Ｉ2，Ｉ3，・・・，Ｉn-1，Ｉnをそれぞれ構成する（複数の）画素とをウェハ１０の周方向に対応させてそれぞれの（画素毎の）信号の差分を得る。
【００３７】
なお、アペックス部１３はウェハ１０の周方向になめらかで略一様な（欠陥が存在しなければ一様とみなすことができる）形状であり、すなわち撮像カメラ３０によってアペックス部１３を周方向へ連続的に（複数）撮像した画像は、欠陥部以外には一様な画像となる。したがって、上記のように、基画像とその他の画像との差分をそれぞれ得る処理を行うと、アペックス部１３の各画像内における欠陥部のみを抽出することが可能となる。また、基画像Ｉ１と各画像Ｉｎとの差分ではなく、隣り合う画像の差（Ｉ３とＩ４の差，…，Ｉｎ-１とＩｎの差）を求めても良い。
【００３８】
このように画素毎の差分が得られると、合成処理部４３は、図５(ｂ)に示すように、画素毎の信号の差分に基づいたｎ−１枚の差分画像Ｊ1，Ｊ2，・・・，Ｊn-2，Ｊn-1を作成するとともに、図５(ｃ)に示すように、基画像Ｉ1及び差分画像Ｊ1，Ｊ2，・・・，Ｊn-2，Ｊn-1をそれぞれ重ね合わせて一枚の処理結果画像Ｋを作成する合成処理工程を行う（ステップＳ３）。そして、合成処理部４３は作成した処理結果画像Ｋ及び差分画像Ｊ1，Ｊ2，・・・，Ｊn-2，Ｊn-1の画像データをヒストグラム作成部４４及び出力部４５へ出力する。なお、出力部４５へ出力された処理結果画像Ｋの画像データは、制御部５０を介して記憶部５２に送られ、記憶部５２で記憶される。
【００３９】
合成処理部４３からヒストグラム作成部４４へ差分画像Ｊ1，Ｊ2，・・・，Ｊn-2，Ｊn-1の画像データが送られると、次のステップＳ４において、ヒストグラム作成工程を行う。このヒストグラム作成工程において、ヒストグラム作成部４４は、差分画像Ｊ1，Ｊ2，・・・，Ｊn-2，Ｊn-1の各画像内での信号の差分値の平均値と、各差分画像Ｊ1，Ｊ2，・・・，Ｊn-2，Ｊn-1に対応したアペックス部１３における角度位置との関係を表すヒストグラムを作成し、作成したヒストグラムのデータを出力部４５へ出力する。なお、出力部４５へ出力されたヒストグラムのデータは、制御部５０を介して記憶部５２に送られ、記憶部５２に記憶される。
【００４０】
そして、ステップＳ５では、制御部５０により、記憶部５２に記憶された合成処理部４３により作成された処理結果画像Ｋや、ヒストグラム作成部４４により作成されたヒストグラム等をインターフェース部５１の画像表示部で表示させる表示工程を行う。インターフェース部５１の画像表示部で表示される処理結果画像Ｋ等を確認することによってウェハ１０のアペックス部１３における欠陥の有無を検査する。なお、処理結果画像Ｋの中で詳細を見たい欠陥候補がある場合には、処理結果画像Ｋにおいてポインティングデバイス等を用いて欠陥を指定できるようにしても良い。その場合、指定された欠陥候補はその座標から対応する差分画像Ｊｍもしくは基画像Ｉｍを表示することができる。
【００４１】
このように、本実施形態に係る検査装置１及び検査方法によれば、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３における角度位置の順に並ぶｎ枚（ｎは自然数）の画像Ｉ1，Ｉ2，Ｉ3，・・・，Ｉn-1，Ｉnに対して、基画像Ｉ1と各画像Ｉ2，Ｉ3，・・・，Ｉn-1，Ｉnとの信号（具体的には、各画像における輝度）の差分を得る抽出処理工程によって、アペックス部１３の各画像内における欠陥部のみを抽出することができる。さらに基画像Ｉ1及び差分画像Ｊ1，Ｊ2，・・・，Ｊn-2，Ｊn-1をそれぞれ重ね合わせて一枚の処理結果画像Ｋを作成する合成処理工程を有しており、この処理結果画像Ｋをインターフェース部５１の画像表示部で表示させる表示工程を有しているため、ウェハ１０の画像を１枚ずつ観察する必要がないことから、ウェハ１０の検査（欠陥を含む画像の抽出）をより短時間で容易に行うことができる。
【００４２】
また、上述の実施形態において、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３における角度位置の順に並ぶｎ枚（ｎは自然数）の画像Ｉ1，Ｉ2，Ｉ3，・・・，Ｉn-1，Ｉnに対して抽出処理工程及び合成処理工程を行って、一枚の処理結果画像Ｋを作成しているが、これに限られるものではなく、合成処理工程において、アペックス部１３における角度位置の順に並ぶ差分画像Ｊ1，Ｊ2，・・・，Ｊn-2，Ｊn-1をアペックス部１３の所定の範囲毎に基画像Ｉ1と重ね合わせてそれぞれ処理結果画像を作成し、この各処理結果画像をインターフェース部５１の画像表示部で表示させることによって、アペックス部１３のどの角度位置に欠陥が存在するかを容易に検出することができる。
【００４３】
さらに、上述の実施形態において、一枚のウェハ１０における画像に対して抽出処理工程及び合成処理工程を行っているが、これに限られるものではなく、複数のウェハにおいて取得した画像に対し、同様に抽出処理工程及び合成処理工程を行うことによって複数のウェハにおいて一枚の全体処理結果画像を作成し、この全体処理結果画像をインターフェース部５１の画像表示部で表示させることによって、ロット、時間内の処理ウェハ全体の検査結果について一枚の全体処理結果画像を確認することで判別することができる。
【００４４】
また、表示工程において、インターフェース部５１の画像表示部に合成処理部４３により作成された処理結果画像Ｋ、ヒストグラム作成部４４により作成されたヒストグラムが表示される。これにより、処理結果画像Ｋにおいて確認された欠陥のアペックス部１３における角度位置をヒストグラムで認識することができ、さらに記憶部５２に記憶された画像データの中からこの角度位置における画像を容易に抽出することが可能である。
【００４５】
また、前述したように、ウェハ支持部２０によりウェハ１０を回転駆動し、ウェハ１０の回転軸と直交する方向から、撮像カメラ３０がウェハ１０のアペックス部１３もしくは上下のベベル部１１，１２を周方向へ連続的に撮像するようにすることで、ウェハ１０のアペックス部１３もしくは上下のベベル部１１，１２を高速で撮像することが可能になる。
【００４６】
なお、本発明は上記の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が可能である。例えば、このような検査は、ウェハ１０の外周端部または外周端部近傍に限られず、ガラス基板等を検査することも可能であり、特に表面の形態が略一様な被検物に対して本実施形態を適用することが有効である。
【００４７】
さらに、上述の実施形態では、撮像カメラ３０のイメージセンサ３２としてＣＣＤやＣＭＯＳといった２次元増幅型固体撮像素子を用いることができ、またラインセンサ等の１次元センサを用いることもできる。１次元センサを用いる場合は、ウェハ１０を所定角度動かしながら像信号を得て１枚の画像とした後に圧縮処理をすれば、以降は２次元センサの場合と同じ処理とすることができる。また、本実施形態では明視野像を撮像したが、暗視野像にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る検査装置の概略構成図である。
【図２】被検物であるウェハの外周端部近傍を示す側面図である。
【図３】上記検査装置を構成する画像処理部を示す制御ブロック図である。
【図４】本発明に係る検査方法を示すフローチャートである。
【図５】抽出処理工程及び合成処理工程の過程を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４９】
１    検査装置
１０  ウェハ（被検物）
２０  ウェハ支持部（相対移動部）
３０  撮像カメラ（撮像部）
４０  画像処理部
４３  合成処理部
４４  ヒストグラム作成部
５０  制御部
５１  インターフェース部（表示部）
【図１】
2009063367.tif 000003
【図２】
2009063367.tif 000004
【図３】
2009063367.tif 000005
【図４】
2009063367.tif 000006
【図５】
2009063367.tif 000007