(57)【要約】【課題】外部素子を新たに導入することなく、スペックルノイズを低減することの可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、活性層１３、上部クラッド層１４およびコンタクト層１５を備える。上部クラッド層１４およびコンタクト層１５がリッジ部１８を構成し、リッジ部１８の両端に一対のへき開面を有する。活性層１３のＩｎ組成比が、積層面内方向において不規則に異なっている。これにより、Ｉｎ組成比の大きさに応じた波長のレーザ光が活性層１３から発せられるので、発光波長幅を広げることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも下部クラッド層、ＩｎＧａＰを含む活性層および上部クラッド層をこの順に含む積層構造を備え、
前記活性層のＩｎ組成比が、積層面内方向において不規則に異なっている
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記積層構造は、積層面内方向に延在する電流狭窄構造を有し、
前記活性層のＩｎ組成比が、少なくとも当該活性層のうち前記電流狭窄構造との対向領域内において、積層面内方向において不規則に異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記活性層の厚さが、積層面内方向において不規則に異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記積層構造は、ＧａＡｓ基板の上に形成されたものであり、
前記活性層は、ミスフィット転位が生じない範囲内で前記ＧａＡｓ基板と格子不整合している
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
少なくとも下部クラッド層、ＩｎＧａＰを含む活性層および上部クラッド層をこの順に含む積層構造を備えた半導体発光素子の製造方法であって、
結晶成長法により、前記下部クラッド層および前記活性層を第１の温度で形成したのち、前記上部クラッド層を形成する前に、前記上部クラッド層を形成している最中に、または前記上部クラッド層を形成した後に、前記第１の温度よりも高い第２の温度で所定の時間の間、アニールを行うことにより、前記活性層中のＩｎ組成比を積層面内方向において不規則に異ならせる
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイの光源などに好適に用いられる半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、出射光の単色性が良好である他に、他の光源と比べて小型で高効率であることから、それを投影型ディスプレイなどの光源として用いることが期待されている。しかし、レーザ光を被照射面に照射するとスペックルノイズと呼ばれる斑点模様が現れ、画像がちらついて見える。これは、レーザ光が、波長が単一で位相の揃った光であり、コヒーレンスが非常に高いために生じる独特の現象である。
【０００３】
このスペックルノイズを低減するためには、例えば、半導体レーザを高周波駆動し、レーザ光をパルス照射させることにより、時間的コヒーレンス性を低減させたり、非線形光学結晶を用いて空間的コヒーレンス性を低減させる方法がある（特許文献１，２）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１０２６８１号公報
【特許文献２】特開平０８−３３４８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、これらの方策では、外部素子を新たに導入することが必要となるので、構成の複雑化や、大型化、光ロスなどのデメリットが生じてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部素子を新たに導入することなく、スペックルノイズを低減することの可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体発光素子は、少なくとも下部クラッド層、ＩｎＧａＰを含む活性層および上部クラッド層をこの順に含む積層構造を備えたものであり、活性層のＩｎ組成比が、積層面内方向において不規則に異なっている。
【０００８】
本発明の半導体発光素子では、活性層中のＩｎ組成比が積層面内方向において不規則に異なっている。これにより、Ｉｎ組成比の大きさに応じた波長のレーザ光が活性層から発せられるので、発光波長幅を広げることができる。
【０００９】
本発明の半導体発光素子の製造方法は、少なくとも下部クラッド層、ＩｎＧａＰを含む活性層および上部クラッド層をこの順に含む積層構造を備えた半導体発光素子を製造する方法である。この製造方法は、結晶成長法により、下部クラッド層および活性層を第１の温度で形成したのち、上部クラッド層を形成する前に、上部クラッド層を形成している最中に、または上部クラッド層を形成した後に、第１の温度よりも高い第２の温度で所定の時間の間、アニールを行うことにより、活性層中のＩｎ組成比を積層面内方向において不規則に異ならせるものである。
【００１０】
本発明の半導体発光素子の製造方法では、所定のタイミングでアニールを行うことにより、活性層中のＩｎ組成比を積層面内方向において不規則に異ならせている。これにより、Ｉｎ組成比の大きさに応じた波長のレーザ光が活性層から発せられるので、発光波長幅を広げることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体発光素子およびその製造方法によれば、Ｉｎ組成比の大きさに応じた波長のレーザ光が活性層から発せられるようにしたので、発光波長幅を広げることができる。これにより、外部素子を新たに導入することなく、スペックルノイズを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ１の断面構成を表すものである。この半導体レーザ装置１は、ストライプ状のリッジ部１８（電流狭窄構造）を、リッジ部１８の延在方向から挟み込む一対のへき開面からなる共振器を備えた端面発光型の半導体レーザであり、リッジ部１８の幅が１０μｍ以上４００μｍ以下のブロードエリア型の半導体レーザである。
【００１４】
半導体レーザ１は、基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、活性層１３、上部クラッド層１４およびキャップ層１５を基板１０側からこの順に積層してなる半導体積層構造を備えたものである。この半導体積層構造の上部、具体的には、上部クラッド層１４の上部およびキャップ層１５がリッジ部１８を構成している。
【００１５】
ここで、基板１０は、例えばｎ型ＧａＡｓからなる。バッファ層１１は、例えば、厚さ０．５μｍのｎ型ＧａＡｓからなる。下部クラッド層１２は、例えば、厚さ１．５μｍのｎ型Ａｌ０．６（Ｇａ１−ｘ１Ｉｎｘ１）０．４Ｐ（０＜ｘ１＜１）からなる。ここで、上記各層に含まれるｎ型不純物としては、例えば、セレン（Ｓｅ）、ケイ素（Ｓｉ）が挙げられる。
【００１６】
活性層１３は、例えば、厚さ１０ｎｍのアンドープのＧａ１−ｘ２Ｉｎｘ２Ｐ（０＜ｘ２＜１）からなる。この活性層１３において、リッジ部１８との対向領域が発光領域１３Ａとなる。この発光領域１３Ａは、リッジ部１８で狭窄された電流が注入される電流注入領域に対応している。
【００１７】
上部クラッド層１４は、例えば、厚さ１．０μｍのｐ型Ａｌ０．６（Ｇａ１−ｘ３Ｉｎｘ３）０．４Ｐ（０＜ｘ３＜１）からなり、その上部がリッジ部１８の底部を構成している。キャップ層１５は、例えば厚さ０．５μｍのｐ型ＧａＡｓからなり、リッジ部１８の上部を構成している。ここで、上記各層に含まれるｐ型不純物としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）が挙げられる。
【００１８】
また、この半導体レーザ１は、リッジ部１８の上面に上部電極１６を有しており、基板１０の裏面に下部電極１７を有している。上部電極１６は、例えば、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）をリッジ部１８側からこの順に積層したものであり、リッジ部の上面（キャップ層１５）と電気的に接続されている。下部電極１７は、例えば金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金、ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）とを基板１０側からこの順に積層した構造を有しており、基板１０と電気的に接続されている。
【００１９】
ところで、本実施の形態では、活性層１３を、ＧａＩｎＰを含んで構成した場合において、活性層１３のＩｎ組成比が、積層面内方向において不規則に異なっている。例えば、活性層１３のうちリッジ部１８直下の部分において、積層面内方向のＩｎ組成比が、０．４１から０．４２までの範囲に分布している。また、このとき、活性層１３の厚さは、後述の製造方法を用いた場合には、積層面内方向において均一となっていることが多いが、後述のアニールの条件によっては積層面内方向において不規則に異なっていていることもある。例えば、図２に模式的に示したように、活性層１３の上面（上部クラッド層１４側の表面）に、島状の凸部１３Ｂが形成されていることがある。ここで、各凸部１３Ｂは、０．５６ｎｍ〜２．８ｎｍ程度の直径を有しており、互いに等しい形状および大きさとなっている場合もあるし、互いに異なる形状および大きさとなっている場合もある。また、各凸部１３Ｂ間の幅は、０．５６ｎｍ以上となっている。
【００２０】
このような構成の半導体レーザ１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２１】
上記の構成で例示した化合物半導体で半導体レーザ１を製造するためには、基板１０上の半導体積層構造を、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法などの結晶成長法により形成する。この際、化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、フォスフィン（ＰＨ3 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）を用い、ドナー不純物の原料としては、例えば、ドナー不純物の原料としては、例えば、セレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば、ジメチルジンク（ＤＭＺ）を用いる。
【００２２】
まず、基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、活性層１３全体または一部を所定の温度Ｔ１（第１の温度）でこの順に積層する。続いて、上部クラッド層１４を形成する前に、上部クラッド層１４を形成している最中に、または上部クラッド層１４を形成した後に、温度Ｔ１よりも高い所定の温度Ｔ２（第２の温度）で所定の時間の間、アニールを行う。すると、活性層１３中のＩｎ組成比に、積層面内方向における局所的なむらが生じ、その結果、活性層１３中のＩｎ組成比が積層面内方向に不規則に異なるようになる。なお、アニールを行う際に、結晶成長を同時に行っていても良いし、一時的に停止していてもよい。
【００２３】
ここで、例えば、図３に示したように、温度Ｔ２は、活性層１３中のＩｎ組成比に、積層面内方向における局所的なむらが生じ始める閾温度Ｔ０よりも高く、温度Ｔ１は、閾温度Ｔ０よりも低い温度となっている。また、例えば、図４に示したように、温度Ｔ２は、温度上昇に伴って生じる結晶欠陥の密度が急上昇し始める温度Ｔ３以下となっている。さらに、例えば、図５に示したように、温度Ｔ２を加えてアニールする時間Ｍ１は、アニールに伴って生じる結晶欠陥の密度が急上昇し始める時間Ｍ２よりも短くなっている。なお、時間Ｍ１は、例えば、図６に示したように、アニールにより、活性層１３中のＩｎ組成比に、積層面内方向における局所的なむらを生じさせることが十分に可能な時間の範囲内となっている。
【００２４】
なお、活性層１３を形成している最中にアニールを行った（温度変調をかけた）ときには、活性層１３の上面に島状の凸部１３Ｂが形成され易く、それ以外のアニール条件では、凸部１３Ｂがほとんど（あるいは全く）形成されないことが多い。
【００２５】
次に、上部クラッド層１４上にキャップ層１５を形成したのち、キャップ層１５上にマスク層（図示せず）を形成し、例えばフッ酸系のエッチャントでキャップ層１５を除去すると共に、例えば塩酸系のエッチャントを用いて上部クラッド層１４の上部を選択的に除去する。これにより、ストライプ状のリッジ部１８が形成される。その後、マスク層を除去する。
【００２６】
その後、上部電極１６、下部電極１７を形成したのち、へき開により一対のへき開面を形成する。このようにして、本実施の形態の半導体レーザ１が製造される。
【００２７】
なお、上記製造工程において、基板１０上に、バッファ層１１からキャップ層１５までを一定温度で形成したのち、温度Ｔ２で所定の時間の間、アニールを行うようにしてもよい。このようにした場合であっても、活性層１３中のＩｎ組成比に、積層面内方向における局所的なむらが生じ、その結果、活性層１３中のＩｎ組成比が積層面内方向に不規則に異なるようになる。
【００２８】
次に、本実施の形態の半導体レーザ１の作用および効果について説明する。
【００２９】
本実施の形態の半導体レーザ１では、上部電極１６と下部電極１７との間に所定の電圧が印加されると、リッジ部１８によって電流狭窄され、活性層１３の電流注入領域（発光領域１３Ａ）に電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、一対のへき開面により反射され、所定の波長でレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。
【００３０】
ところで、本実施の形態では、上記した所定のタイミングでアニール（温度変調）を行うことにより、活性層１３中のＩｎ組成比を積層面内方向において不規則に異ならせている。これにより、Ｉｎ組成比の大きさに応じた波長のレーザ光が活性層１３から発せられるので、単一の発光領域１３Ａから外部に発せられるレーザ光の発光波長幅を広げることができる。その結果、外部素子を新たに導入することなく、スペックルノイズを低減することができる。
【００３１】
［第２の実施の形態］
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ２の断面構成を表したものである。この半導体レーザ２は、活性層に歪みが導入されている点で、上記第１の実施の形態の半導体レーザ１の構成と相違する。
【００３２】
半導体レーザ２は、基板２０上に、バッファ層２１、下部クラッド層２２、下部ガイド層２３、下部バリア層２４、活性層２５、上部バリア層２６、上部ガイド層２７、上部クラッド層２８およびキャップ層２９を基板２０側からこの順に積層してなる半導体積層構造を備えたものである。この半導体積層構造の上部、具体的には、上部クラッド層２８の上部およびキャップ層２９がリッジ部３０を構成している。
【００３３】
ここで、基板１０は、例えばｎ型ＧａＡｓからなる。バッファ層２１は、例えば、厚さ０．５μｍのｎ型ＧａＡｓからなる。下部クラッド層２２は、例えば、厚さ１．５μｍのｎ型Ａｌ０．７（Ｇａ１−ｘ４Ｉｎｘ４）０．３Ｐ（０＜ｘ４＜１）からなる。ここで、上記各層に含まれるｎ型不純物としては、例えば、セレン（Ｓｅ）、ケイ素（Ｓｉ）が挙げられる。
【００３４】
下部ガイド層２３は、例えば、厚さ０．０５μｍのアンドープのＡｌ０．６（Ｇａ０．５Ｉｎ０．５）０．４Ｐからなる。下部バリア層２４は、例えば、厚さ５ｎｍのアンドープのＡｌ０．５５（Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３）０．４５Ｐからなる。活性層２５は、例えば、厚さ１０ｎｍのアンドープのＧａ０．６３Ｉｎ０．３７ＰもしくはＧａ０．４７Ｉｎ０．５３Ｐからなる。この活性層２５において、リッジ部３０との対向領域が発光領域２５Ａとなる。この発光領域２５Ａは、リッジ部３０で狭窄された電流が注入される電流注入領域に対応している。上部バリア層２６は、例えば、厚さ５ｎｍのアンドープのＡｌ０．５５（Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３）０．４５Ｐからなる。上部ガイド層２７は、例えば、厚さ０．０５μｍのアンドープのＡｌ０．６（Ｇａ０．５Ｉｎ０．５）０．４Ｐからなる。
【００３５】
上部クラッド層２８は、例えば、厚さ１μｍのｐ型Ａｌ０．７（Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９）０．３Ｐからなり、その上部がリッジ部３０の底部を構成している。キャップ層２９は、例えば厚さ０．５μｍのｐ型ＧａＡｓからなり、リッジ部３０の上部を構成している。ここで、上記各層に含まれるｐ型不純物としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）が挙げられる。
【００３６】
また、この半導体レーザ２は、リッジ部３０の中央領域の上面および両側面を含む表面上に上部電極３２を有しており、基板２０の裏面に下部電極３２を有している。上部電極３２は、例えば、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）をリッジ部３０側からこの順に積層したものであり、リッジ部の上面（キャップ層２９）と電気的に接続されている。下部電極３３は、例えば金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金、ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）とを基板２０側からこの順に積層した構造を有しており、基板２０と電気的に接続されている。
【００３７】
ところで、本実施の形態において、上記した各層を上で例示した材料により構成した場合には、活性層２５は、ミスフィット転位が生じない範囲内で基板２０と格子不整合しており、引っ張り歪みまたは圧縮歪みを有している。また、活性層２５のＩｎ組成比が、上記実施の形態と同様、積層面内方向において不規則に異なっている。また、このとき、活性層１３の厚さは、後述の製造方法を用いた場合には、積層面内方向において均一となっていることが多いが、後述のアニールの条件によっては、上記実施の形態と同様、積層面内方向において不規則に異なっていていることもある。
【００３８】
このような構成の半導体レーザ２は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３９】
上記の構成で例示した化合物半導体で半導体レーザ２を製造するためには、基板２０上の半導体積層構造を、例えば、ＭＯＣＶＤ法などの結晶成長法により形成する。
【００４０】
まず、基板２０上に、バッファ層２１、下部クラッド層２２、下部ガイド層２３、下部バリア層２４、活性層２５全体または一部を所定の温度Ｔ１１（第１の温度）でこの順に積層する。続いて、上部クラッド層２７を形成する前に、上部クラッド層２７を形成している最中に、または上部クラッド層２７を形成した後に、温度Ｔ１１よりも高い所定の温度Ｔ１２（第２の温度）で所定の時間の間、アニールを行う。すると、活性層２５中のＩｎ組成比に、積層面内方向における局所的なむらが生じ、その結果、活性層２５中のＩｎ組成比が積層面内方向に不規則に異なるようになる。なお、アニールを行う際に、結晶成長を同時に行っていても良いし、一時的に停止していてもよい。
【００４１】
ここで、例えば、図８に示したように、活性層２５中のＩｎ組成比は、活性層２５に導入される歪み量が大きくなるにつれて大きくなり、ある臨界歪み量を超えると飽和する傾向がある。また、例えば、図９に示したように、活性層２５に加える歪み量Ｒ１は、歪み量の増大に伴って活性層２５に生じる結晶欠陥の密度が急上昇し始める歪み量Ｒ２よりも低くなっている。
【００４２】
次に、上部バリア層２６上に上部ガイド層２７、上部クラッド層２８およびキャップ層２９を形成したのち、キャップ層２９上にマスク層（図示せず）を形成し、例えばフッ酸系のエッチャントでキャップ層２９を除去すると共に、例えば塩酸系のエッチャントを用いて上部クラッド層２８の上部を選択的に除去する。これにより、ストライプ状のリッジ部３０が形成される。その後、マスク層を除去する。
【００４３】
その後、上部電極３１、下部電極３２を形成したのち、へき開により一対のへき開面を形成する。このようにして、本実施の形態の半導体レーザ２が製造される。
【００４４】
次に、本実施の形態の半導体レーザ２の作用および効果について説明する。
【００４５】
本実施の形態の半導体レーザ２では、上部電極３１と下部電極３２との間に所定の電圧が印加されると、リッジ部３０によって電流狭窄され、活性層２５の電流注入領域（発光領域２５Ａ）に電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、一対のへき開面により反射され、所定の波長でレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。
【００４６】
ところで、本実施の形態では、上記した所定のタイミングでアニール（温度変調）を行うことにより、活性層２５中のＩｎ組成比を積層面内方向において不規則に異ならせている。そのため、Ｉｎ組成比の大きさに応じた波長のレーザ光が活性層２５から発せられるので、単一の発光領域２５Ａから外部に発せられるレーザ光の発光波長幅を広げることができる。これにより、外部素子を新たに導入することなく、スペックルノイズを低減することができる。
【００４７】
［第３の実施の形態］
図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ３の断面構成を表したものである。この半導体レーザ３は、活性層に歪みが導入されている点で、上記第２の実施の形態の半導体レーザ２と共通するが、下部バリア層２４、活性層２５および上部バリア層２５の代わりに、ＧａＩｎＰからなるウェル層とＡｌＧａＩｎＰからなるバリア層とを交互に積層してなる量子井戸構造の活性層３４を備えている点で、上記第２の実施の形態と主に相違する。
【００４８】
活性層３４は、ミスフィット転位が生じない範囲内で基板２０と格子不整合しており、引っ張り歪みまたは圧縮歪みを有しており、活性層３４のＩｎ組成比が、上記実施の形態と同様、積層面内方向において不規則に異なっている。また、このとき、活性層３４の厚さは、後述の製造方法を用いた場合には、積層面内方向において均一となっていることが多いが、活性層３４のアニールの条件によっては、上記実施の形態と同様、積層面内方向において不規則に異なっていていることもある。
【００４９】
ところで、本実施の形態では、バリア層の形成温度をウェル層の形成温度よりも高くすることにより、活性層３４中のＩｎ組成比を積層面内方向において不規則に異ならせている。そのため、Ｉｎ組成比の大きさに応じた波長のレーザ光が活性層３４から発せられるので、単一の発光領域３４Ａから外部に発せられるレーザ光の発光波長幅を広げることができる。これにより、外部素子を新たに導入することなく、スペックルノイズを低減することができる。
【００５０】
［第４の実施の形態］
図１１は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体レーザ４の断面構成を表したものである。この半導体レーザ４は、活性層に歪みが導入されている点で、上記第３の実施の形態の半導体レーザ３と共通するが、量子井戸構造の活性層３４の代わりに、ＧａＰとＩｎＰとを交互に積層してなる超格子構造の活性層３５を備えている点で、上記第３の実施の形態と主に相違する。
【００５１】
活性層３５は、ミスフィット転位が生じない範囲内で基板２０と格子不整合しており、引っ張り歪みまたは圧縮歪みを有しており、活性層３５のＩｎ組成比が、上記実施の形態と同様、積層面内方向において不規則に異なっている。また、このとき、活性層３５の厚さは、後述の製造方法を用いた場合には、積層面内方向において均一となっていることが多いが、活性層３５のアニールの条件によっては、上記実施の形態と同様、積層面内方向において不規則に異なっていていることもある。
【００５２】
ところで、本実施の形態では、ＧａＰとＩｎＰとを交互に積層してなる超格子構造の活性層３５を温度Ｔ１で形成したのち、上部クラッド層２７を形成する前に、上部クラッド層２７を形成している最中に、または上部クラッド層２７を形成した後に、温度Ｔ１よりも高い所定の温度Ｔ２で所定の時間の間、アニールを行うことにより、活性層３５中のＩｎ組成比を積層面内方向において不規則に異ならせている。そのため、Ｉｎ組成比の大きさに応じた波長のレーザ光が活性層３５から発せられるので、単一の発光領域３５Ａから外部に発せられるレーザ光の発光波長幅を広げることができる。これにより、外部素子を新たに導入することなく、スペックルノイズを低減することができる。
【００５３】
以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００５４】
例えば、上記実施の形態等では、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体レーザを例にして本発明を説明したが、他の化合物半導体レーザ、例えばＡｌＩｎＰ系、ＧａＩｎＡｓＰ系などの赤色半導体レーザ、ＧａＩｎＮ系およびＡｌＧａＩｎＮ系などの窒化ガリウム系の半導体レーザ、ＺｎＣｄＭｇＳＳｅＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族の半導体レーザにも適用可能である。また、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＰ系、ＧａＩｎＡｓＮＰ系などの、発振波長が可視域とは限らないような半導体レーザにも適用可能である。
【００５５】
また、上記実施の形態等では、インデックスガイド構造の半導体レーザを例に挙げて、本発明について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の構造、例えば、ゲインガイド構造の半導体レーザに対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザの断面図である。
【図２】図１の活性層の一具体例の模式図である。
【図３】温度とＩｎ組成むらとの関係について説明するための関係図である。
【図４】温度と結晶欠陥密度との関係について説明するための関係図である。
【図５】アニール時間と結晶欠陥密度との関係について説明するための関係図である。
【図６】アニール時間とＩｎ組成むらとの関係について説明するための関係図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザの断面図である。
【図８】歪み量とＩｎ組成むらとの関係について説明するための関係図である。
【図９】歪み量と結晶欠陥密度との関係について説明するための関係図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザの断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る半導体レーザの断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１，２，３，４…半導体レーザ、１０，２０…基板、１１，２１…バッファ層、１２，２２…下部クラッド層、１３，２５，３４，３５…活性層、１３Ａ，２５Ａ，３４Ａ，３５Ａ…発光領域、１４，２８…上部クラッド層、１５，２９…キャップ層、１６，３２…上部電極、１７，３３…下部電極、１８，３０…リッジ部、２３…下部ガイド層、２４…下部バリア層、２６…上部バリア層、２７…上部ガイド層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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