(57)【要約】【課題】高い検出感度を得ることができるとともに梁部の破壊を防止することのできる物理量センサとその製造方法を提供する。【解決手段】物理量センサ１は、枠形状の支持部１１と、錘部２０と、支持部１１と錘部２０と所定間隔をおいて連結する肉薄で可撓性の梁部３０とを有する。梁部３０上には、検出素子であるゲージ抵抗が配設されている。また、物理量センサ１は、支持部１１の錘部２０と向かい合う面Ｌに、衝撃緩和部４１が設けられている。物理量センサ１に過度な加速度が印加された場合には、錘部２０と支持部１１の面Ｌが衝突し、支持部１１に与えられた衝撃が梁部３０に向かう。しかし、物理量センサ１においては、衝撃緩和部４１によってその衝撃は吸収され、梁部３０に伝達される衝撃が軽減される。すなわち、本発明の物理量センサ１では、支持部１１と錘部２０の衝突による梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを所定間隔をおいて連結して該錘部を懸架する梁部と、前記梁部に配設された検出素子と、を有する物理量センサにおいて、
前記支持部の前記錘部と向かい合う面に衝撃緩和部を有する
ことを特徴とする物理量センサ。
【請求項２】
前記支持部の前記錘部と向かい合う面に加えて、前記錘部の、前記支持部と向かい合う面と前記梁部との接合部の間に、衝撃緩和部を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の物理量センサ。
【請求項３】
前記支持部の前記錘部と向かい合う面に加えて、前記錘部の前記支持部と向かい合う面に衝撃緩和部を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の物理量センサ。
【請求項４】
前記衝撃緩和部は、前記錘部が懸架される方向に行くに従って狭い幅で形成される
ことを特徴とする請求項３に記載の物理量センサ。
【請求項５】
前記衝撃緩和部と、該衝撃緩和部が設けられた各部とは、凹凸を有する面で互いに接する
ことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の物理量センサ。
【請求項６】
前記衝撃緩和部は、前記梁部を構成する少なくとも１つの材料と、同じ材料を有して形成される
ことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の物理量センサ。
【請求項７】
支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを所定間隔をおいて連結して該錘部を懸架する梁部と、前記梁部に配設された検出素子と、を有する物理量センサの製造方法において、
基板の、前記支持部の前記錘部と向かい合う面となる箇所に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部形成工程で形成した凹部内に衝撃緩和材を埋設する埋設工程と、
前記支持部と前記錘部とを分離する空間を前記基板に形成する空間形成工程と、を有する
ことを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項８】
前記凹部形成工程において、基板の、前記支持部の前記錘部と向かい合う面となる箇所に加えて、前記錘部の前記支持部と向かい合う面となる箇所に凹部を形成する
ことを特徴とする請求項７に記載の物理量センサの製造方法。
【請求項９】
支持部と、錘部と、前記支持部と前記錘部とを所定間隔をおいて連結して該錘部を懸架する梁部と、前記梁部に配設された検出素子と、を有する物理量センサの製造方法において、
基板に、前記錘部と前記支持部とを分離する空間を形成する空間形成工程と、
前記空間内に衝撃緩和材を埋設する埋設工程と、
前記支持部の前記錘部と向かい合う面と、前記錘部の前記支持部と向かい合う面とに前記衝撃緩和材の一部を残し、前記空間内から前記衝撃緩和材を除去する除去工程とを有する
ことを特徴とする物理量センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外力による物理的な変位を電気的に変換する物理量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、外力に応じて材料自身が持っている物理的な変化を電気的に変換する物理量センサが開発され、それを応用した製品も開発され市場に出ている。それらの製品は、性能を維持または向上しつつも軽量化や小型化、低コスト化が求められている。したがって、製品の一部として利用される物理量センサ自体も小型化が要求される。
【０００３】
物理量センサは多くの種類が提案されているが、その中でも加速度をゲージ抵抗の歪みによる抵抗値の変化として検出する半導体加速度センサが知られている。
【０００４】
半導体加速度センサは、支持部と所定間隔をおいて梁部で懸架された錘部を有し、梁部上に検出素子であるゲージ抵抗を設けている。ゲージ抵抗は、ピエゾ抵抗素子などを用いることができる。半導体加速度センサに加速度が加わると、錘部が変位し、その変位量に応じて梁部が撓み、その結果としてゲージ抵抗の抵抗値が変化するため、印加された加速度を電気信号として検出することができる。
【０００５】
また、半導体加速度センサにおいては、性能を維持しつつ小型化を行う為に、梁部をより薄肉化して撓みやすくし、加速度をうけて変位する錘部の変位量を高感度に検出できるようにしている。
【０００６】
しかし、この梁部の薄肉化は、過大な加速度に対する梁部の機械的強度の低下をまねいてしまう。この強度低下を補う手段として、半導体加速度センサには錘の可動範囲を制限するストッパーを設けて、錘に過大な加速度が印加されて変位量が大きくなったとしても、ストッパーによりこの変位を確実に止めて梁部の破壊を防止しようとする手段がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
特許文献１に記載された従来技術について、図２７を用いて説明する。図２７は、特許文献１に記載された半導体加速度センサ１００をその主旨を逸脱しないようにしつつ書き表した断面図である。図２７において、１１０は支持部、１２０は梁部、１３０は錘部、１５０はストッパー部、１６０は接着部である。支持部１１０とストッパー部１５０は接着部１６０によって接合している。
【０００８】
図２７において、ストッパー部１５０は支持部１１０と錘部１３０の向かい合う面方向に対して垂直な方向の変位量が制限されるように支持部１１０上に接着部１６０を介して設けられている。この制限される変位量は接着部１６０の厚みによって決まる。
【０００９】
特許文献1に記載された従来技術は、過大な加速度に対して錘部１３０とストッパー部１５０が向かい合う面方向の変位量をストッパー部１５０で制限することで、梁部１２０にかかる応力を抑えるというものである。
【００１０】
【特許文献１】特開平８−２３３８５１号公報（第３頁、第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、上述した特許文献1に記載された従来技術では、以下のような問題がある。特
許文献１に示した従来技術は、錘部が支持部と向かい合う面に垂直な方向に過大な加速度に対して、錘部の変位量を制限するストッパーを設ける事で、錘部とストッパー部が向かい合う面方向に錘部が変位した時の梁部の損傷を防ぐことが出来た。しかし、支持部と錘部の向かい合う面方向への錘部の過度の変位に対しての、梁部にかかる衝撃を防ぐことは出来ないという問題がある。
【００１２】
本発明は、上記の課題を解決しようとするためになされたもので、高い検出感度を得ることができるとともに梁部の破壊を防止することのできる物理量センサとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の物理量センサとその製造方法は、下記に記載の構成要件を採用するものである。
【００１４】
本発明の物理量センサは、支持部と、錘部と、支持部と錘部とを所定間隔をおいて連結して錘部を懸架する梁部と、梁部に配設された検出素子と、を有する物理量センサにおいて、支持部の錘部と向かい合う面に衝撃緩和部を有することを特徴とするものである。
【００１５】
また本発明の物理量センサは、上記記載の構成に加えて、支持部の錘部と向かい合う面に加えて、錘部の、支持部と向かい合う面と梁部との接合部の間に、衝撃緩和部を有することを特徴とするものである。
【００１６】
さらに本発明の物理量センサは、支持部の錘部と向かい合う面に加えて、錘部の支持部と向かい合う面に衝撃緩和部を有することを特徴とするものである。
【００１７】
さらに本発明の物理量センサは、上記記載の構成に加えて、衝撃緩和部は、錘部が懸架される方向に行くに従って狭い幅で形成されることを特徴とするものである。
【００１８】
さらに本発明の物理量センサは、上記記載の構成に加えて、衝撃緩和部と、衝撃緩和部が設けられた各部とは、凹凸を有する面で互いに接することを特徴とするものである。
【００１９】
さらに本発明の物理量センサは、上記記載の構成に加えて、衝撃緩和部は、梁部を構成する少なくとも１つの材料と、同じ材料を有して形成されることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の物理量センサの製造方法は、支持部と、錘部と、支持部と錘部とを所定間隔をおいて連結して該錘部を懸架する梁部と、梁部に配設された検出素子と、を有する物理量センサの製造方法において、基板の、支持部の錘部と向かい合う面となる箇所に凹部を形成する凹部形成工程と、凹部形成工程で形成した凹部内に衝撃緩和材を埋設する埋設工程と、支持部と錘部とを分離する空間を基板に形成する空間形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００２１】
また本発明の物理量センサは、上記記載の構成に加えて、凹部形成工程において、基板の、支持部の錘部と向かい合う面となる箇所に加えて、錘部の支持部と向かい合う面となる箇所に凹部を形成することを特徴とするものである。
【００２２】
本発明の物理量センサの製造方法は、支持部と、錘部と、支持部と錘部とを所定間隔をおいて連結して錘部を懸架する梁部と、梁部に配設された検出素子と、を有する物理量センサの製造方法において、基板に、錘部と支持部とを分離する空間を形成する空間形成工程と、空間内に衝撃緩和材を埋設する埋設工程と、支持部の錘部と向かい合う面と、錘部
の支持部と向かい合う面とに衝撃緩和材の一部を残し、空間内から衝撃緩和材を除去する除去工程とを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、支持部と錘部が向かい合う面の方向に過大な加速度が印加されても、支持部と錘部とが衝突したことによる衝撃を、支持部の錘部と向かい合う面に設けた衝撃緩和部が吸収するため、機械的強度の低い梁部への衝撃の伝達を軽減し梁部の破壊を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
[構造体の説明]
以下、本発明の物理量センサを実施する際の最良の形態を図面を用いて詳細に説明する。本発明の実施形態にあっては、物理量センサは、半導体基板などの固体を加工して形成する場合を例にしている。
＜実施例１＞
【００２５】
まず、実施例１の物理量センサ１について説明する。図１及び図２は、実施例１の物理量センサ１の構成例を模式的に示す構造図である。図１は平面図である。図２（ａ）は図１のＡ−Ａ’断面の端面図であり、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’断面の端面図である。
図1及び図２に示すように、物理量センサ１は、枠形状の支持部１１と、錘部２０と、支持部１１と錘部２０とを所定間隔をおいて連結する肉薄で可撓性の梁部３０とを有する。ここで、支持部１１と錘部２０と梁部３０の各機能部は、例えば、シリコン半導体基板に複数の膜を積層してなる積層構造を有するが、図中では簡略化のために単層構造として機能部ごとに示している。
【００２６】
梁部３０上には、検出素子であるゲージ抵抗が配設されている。ゲージ抵抗は、例えば、ピエゾ抵抗素子などを用いることができる。各ゲージ抵抗は金属配線で接続され、各ゲージ抵抗及び金属配線は、エポキシ系樹脂などの保護膜によって覆われている。ゲージ抵抗、金属配線及び保護膜は、図１及び図２においては省略している。
【００２７】
また、物理量センサ１は、支持部１１の錘部２０と向かい合う面Ｌに、衝撃緩和部４１が設けられている。衝撃緩和部４１は例えば、梁部３０における保護膜と同じエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂、または金属などの材質が利用できる。
【００２８】
次に、物理量センサ１による加速度検出の動作例について、図３を用いて説明する。図３は、物理量センサ１に加速度が印加された時の、物理センサ１の状態を模式的に示す説明図である。図３（ａ）は加速度が印加された際の図１のＡ−Ａ’端面図であり、図３（ｂ）は加速度が印加された際の図１のＢ−Ｂ’端面図である。
【００２９】
物理量センサ１に加速度が印加されると錘部２０が図３に示すように変位する。錘部２０の変位に伴い梁部３０が撓む。この時、梁部３０上に配設されたゲージ抵抗素子は梁部３０の撓む方向に沿って曲げ応力、または引っ張り応力を受けて変形し抵抗値が変化する。各検出方向に対応するゲージ抵抗素子を金属配線によってブリッジ回路を形成するように組み、錘部２０にかかる加速度を電気的に検出することができる。
【００３０】
ここで、物理量センサ１に過度な加速度が印加された場合には、図３のｘに示すように錘部２０と支持部１１の面Ｌが衝突し、支持部１１に与えられた衝撃が梁部３０に向かう。しかし、物理量センサ１においては、衝撃緩和部４１によってその衝撃は吸収され、梁部３０に伝達される衝撃が軽減される。すなわち、本発明の物理量センサ１では、支持部１１と錘部２０の衝突による梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。
【００３１】
また、本発明の物理量センサ１では、衝撃緩和部４１は、支持部１１を構成する支持部材１１ａの一部を衝撃緩和材に置き換えて形成される。これにより、衝撃緩和部４１を設けたことにより支持部１１が大型化してしまうという影響は無い。すなわち、本発明の物理量センサ１では、支持部１１と錘部２０の衝突による梁部３０の損傷を防ぐとともに、センサ全体を小型化することが可能となる。
【００３２】
以下において、本発明の他の実施形態である実施例２から９の物理センサの構成について、図面を用いて説明する。以下の説明において、すでに説明した同一の構成には同一の符号を付与しており、その説明は省略する。実施例２から９の物理量センサは、実施例１の物理センサ１と同様に、枠形状の支持部と、錘部と、支持部と錘部とを所定間隔をおいて連結して錘部を懸架する梁部とを有する。
実施例２から９の物理量センサにおいても、支持部と錘部と梁部の各機能部は、複数の膜を積層してなる積層構造を有するが、図中では簡略化のために単層構造として機能部ごとに示している。
＜実施例２＞
【００３３】
実施例２の物理量センサについて説明する。図４は、実施例２の物理量センサ２の構成例を模式的に示す平面図であり、図５は図４におけるＣ−Ｃ’断面の端面図である。図４及び図５に示すように、実施例２の物理量センサ２は、支持部１２の錘部２１と向かい合う面Ｌに設けられた衝撃緩和部４２ａに加えて、錘部２１の支持部１２と向かい合う面Ｍから、梁部３０との接合部Ｎまでの間に、衝撃緩和部４２ｂが設けられている。
【００３４】
このような構成を備えることにより、実施例２の物理量センサ２では、錘部２１と支持部１２が衝突した際の衝撃を、衝撃緩和部４２ａとともに衝撃緩和部４２ｂにおいて吸収するため、実施例１の物理量センサ１と比較して、梁部に伝達される衝撃をより軽減し、梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。
＜実施例３＞
【００３５】
次に、実施例３の物理量センサについて説明する。図６は、実施例３の物理量センサ３の構成例を模式的に示す平面図であり、図７は図６におけるＤ−Ｄ’断面の端面図である。図６及び図７に示すように、実施例３の物理量センサ３は、支持部１３の錘部２２と向かい合う面Ｌに設けられた衝撃緩和部４３ａに加えて、錘部２２の支持部１３と向かい合う面Ｍに衝撃緩和部４３ｂが設けられている。
【００３６】
このような構成を備えることにより、実施例３の物理量センサ３では、錘部２２と支持部１３が衝突した際に衝撃緩和部同士が衝突して衝撃を吸収するため、梁部に伝達される衝撃をより軽減し、梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。
＜実施例４＞
【００３７】
次に、実施例４の物理量センサについて説明する。図８は、実施例４の物理量センサ４の構成例を模式的に示す端面図で、図６におけるＤ−Ｄ’断面に相当する箇所での端面図である。図８に示すように、実施例４の物理量センサ４は、実施例３と同様に、支持部１４の錘部２３と向かい合う面Ｌと、錘部２３の支持部１４と向かい合う面Ｍとに、それぞれ衝撃緩和部４４ａ、衝撃緩和部４４ｂを備える。また、衝撃緩和部４４ａ及び衝撃緩和部４４ｂは、錘部２３が懸架される方向に行くに従って漸次幅が狭くなるテーパ形状に設けられている。
【００３８】
これにより、実施例４の物理センサ４は、実施例３の物理センサ３と同様の効果に加え、錘部２３における衝撃緩和部４４ａの体積を減らすことにより、錘部２３の重量を重く
して検出感度を高くすることが出来る。これは特に、錘材２３ａよりも比重の軽い衝撃緩和材を衝撃緩和部４４ａに用いた際に有効である。
【００３９】
また、衝撃緩和部４４ａ及び衝撃緩和部４４ｂがテーパ形状に設けられることによって、実施例３と比較して、錘材２３ａと衝撃緩和部４４ａ及び支持部材１４ａと衝撃緩和部４４ｂとの接触面積が広くなり密着性が向上する。また、衝撃緩和部４４ａ及び衝撃緩和部４４ｂによる衝撃吸収の効果をより高めることが可能となる。
【００４０】
図８に示す実施例４の物理量センサ４は、実施例３の物理量センサ３の構成において、衝撃緩和部が錘部の懸架される方向に行くに従ってテーパ形状に設けられる例を示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、実施例１または実施例２の物理量センサにおいて、各衝撃緩和部がテーパ形状に形成されるとしてもよい。これにより、衝撃緩和部と、該衝撃緩和部が設けられた各部の構成材との密着性を向上させることにより、各衝撃緩和部による衝撃吸収の効果をより高めることが可能となる。
＜実施例５＞
【００４１】
次に、実施例５の物理量センサについて説明する。図９は、実施例５の物理量センサ５の構成例を模式的に示す端面図で、図６におけるＤ−Ｄ’断面に相当する箇所での端面図である。図９に示すように、実施例５の物理量センサ５は、実施例３と同様に、支持部１５の錘部２４と向かい合う面Ｌと、錘部２４の支持部１５と向かい合う面Ｍとに、それぞれ衝撃緩和部４５ａ、衝撃緩和部４５ｂを備える。また、実施例５の物理量センサ５は、錘部２４が懸架される方向に行くに従って狭い幅を有する階段形状に設けられている。
【００４２】
これにより、実施例５の物理センサ５は、実施例３の物理センサ３と同様の効果に加え、錘部２４における衝撃緩和部４５ｂの体積を減らすことにより、錘部２４の重量を重くして検出感度を高くすることが出来る。これは特に、錘材２４ａよりも比重の軽い衝撃緩和材を衝撃緩和部４５ｂとして用いた際に有効である。
【００４３】
また、衝撃緩和部４５ａ及び衝撃緩和部４５ｂが階段形状に設けられることによって、実施例２と比較して、支持部材１５ａと衝撃緩和部４５ａ及び錘材２４ａと衝撃緩和部４５ｂとの接着面積を更に広くでき、衝撃緩和部４５ａ及び衝撃緩和部４５ｂによる衝撃吸収の効果をより高めることが可能となる。
【００４４】
図９においては、衝撃緩和部４５ａ及び衝撃緩和部４５ｂが、２つの幅の異なる箇所からなる階段形状に形成された例を示している。しかし、衝撃緩和部４５ａ及び衝撃緩和部４５ｂが、３つ以上の幅の異なる箇所からなる階段形状に形成されてもよく、これにより、支持部材１５ａと衝撃緩和部４５ａ及び錘材２４ａと衝撃緩和部４５ｂとの接着面積を更に広くでき、衝撃緩和部４５ａ及び衝撃緩和部４５ｂによる衝撃吸収の効果をより高めることが可能となる。
【００４５】
図９に示す実施例の物理量センサは、実施例３の物理量センサ３の構成において、衝撃緩和部が錘部の懸架される方向に行くに従って階段テーパ形状に設けられる例を示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、実施例１または実施例２の物理量センサにおいて、各衝撃緩和部が階段形状に形成されるとしてもよい。これにより、衝撃緩和部と、該衝撃緩和部が設けられた各部の構成材との密着性を向上させることにより、各衝撃緩和部による衝撃吸収の効果をより高めることが可能となる。
【００４６】
＜実施例６＞
次に、実施例６の物理量センサについて説明する。図１０は、実施例６の物理量センサ６の構成例を模式的に示すもので、図１のＡ−Ａ’断面に相当する箇所での端面図である
。図１０に示すように、実施例６の物理センサ６は、支持部１６の錘部２０と向かい合う面Ｌに衝撃緩和部４６を備える。また実施例６の物理量センサ６は、支持部１６を構成する支持部材１６ａと衝撃緩和部４６との接触面が、凹凸形状に形成されている。
【００４７】
このような構成を備えることにより、実施例６の物理センサ６では、支持部材１６ａと衝撃緩和部４６との接触面積を広くするとともに、支持部材１６ａと衝撃緩和部４６との密着性を向上させることができる。これにより、実施例６の物理センサ６は、衝撃緩和部４６による衝撃吸収の効果をより高めることが可能となる。
【００４８】
図１０に示す実施例６の物理量センサ６は、実施例１の物理量センサ１の構成において、支持部材１１ａと衝撃緩和部４１との接触面が凹凸形状に形成された例を示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、実施例２から５の物理量センサにおいて、支持部材と衝撃緩和部との接触面及びに錘材と衝撃緩和部との接触面が凹凸形状に形成されるとしてもよい。これにより、支持部材と衝撃緩和部及びに錘材と衝撃緩和部との密着性を向上させることにより、衝撃緩和部による衝撃吸収の効果をより高めることが可能となる。
【００４９】
＜実施例７＞
次に、実施例７の物理量センサについて説明する。図１１は、実施例７の物理量センサ７の構成例を模式的に示す平面図である。図１１に示すように、実施例７の物理量センサ７は、支持部１７の錘部２０と向かい合う面Ｌに、波形に形成された衝撃緩和材が衝撃緩和部４７として設けられている。衝撃緩和部４７の衝撃緩和材は、波の腹となる部分で支持部１７を構成する支持部材１７ａと接するように配されている。衝撃緩和材と支持部材１７ａとの間で、衝撃緩和材と支持部材１７ａとが接しない箇所は、貫通孔９０として形成されている。
【００５０】
このような構成を備えることにより、実施例７の物理量センサ７は、錘部２０と支持部１７の衝突により支持部１７に衝撃が加えられた際には、波型に形成された衝撃緩和材が撓み、衝撃をより吸収することが可能となる。すなわち、実施例７の物理量センサ７では、衝撃緩和部４７による衝撃吸収の効果をより高めることが可能となる。
＜実施例８＞
【００５１】
次に、実施例８の物理量センサについて説明する。図１２は、実施例８の物理量センサ８の構成例を模式的に示す平面図である。図１２に示すように、実施例８の物理量センサ８は、支持部１８の錘部２５と向かい合う面Ｌ及び錘部２５の支持部１８と向かい合う面Ｍに、波形に形成された衝撃緩和材が衝撃緩和部４８ａ及びに衝撃緩和部４８ｂとして設けられている。
【００５２】
衝撃緩和部４８ａの衝撃緩和材は、波の腹となる部分の近傍で支持部材１８ａと接するように設けられ、衝撃緩和部４８ｂの衝撃緩和材は、波の腹となる部分の近傍で錘材２５ａと接するように設けられている。衝撃緩和材と支持部材１８ａとの間で、衝撃緩和材と支持部材１８ａとが接しない箇所は、貫通孔９１ａとして形成され、衝撃緩和材と錘材２５ａとの間で、衝撃緩和材と錘材２５ａとが接しない箇所は、貫通孔９１ｂとして形成されている。
【００５３】
このような構成を備えることにより、実施例８の物理量センサ８では、錘部２５と支持部１８が衝突した際に、波型に形成された衝撃緩和部同士が衝突し、それぞれの衝撃緩和部が撓んで衝撃を吸収するため、梁部に伝達される衝撃をより軽減し、梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。
＜実施例９＞
【００５４】
次に、実施例９の物理量センサについて説明する。図１３は、実施例９の物理量センサ９の構成例を模式的に示す平面図であって、図１４は図１３のＧ−Ｇ’断面の端面図である。図１３及び図１４に示すように、実施例９の物理量センサ９は、支持部１９の錘部２６と向かい合う面Ｌに、波形に形成された衝撃緩和材が衝撃緩和部４９ａとして設けられ、錘部２６の支持部１９と向かい合う面Ｍから、梁部３０との接合部Ｎまでの間に、波形に形成された衝撃緩和材が衝撃緩和部４９ｂとして設けられている。
【００５５】
衝撃緩和部４９ａの衝撃緩和材は、波の腹となる部分の近傍で支持部材１９ａと接するように設けられ、衝撃緩和部４９ｂの衝撃緩和材は、波の腹となる部分の近傍で錘部２６の錘材２６ａと接するように設けられている。衝撃緩和材と支持部材１９ａとの間で、衝撃緩和材と支持部材１９ａとが接しない箇所は、貫通孔９２ａとして形成され、衝撃緩和材と錘材２６ａとの間で、衝撃緩和材と錘材２６ａとが接しない箇所は、貫通孔９２ｂとして形成されている。
【００５６】
このような構成を備えることにより、実施例９の物理量センサ９は、錘部２６と支持部１９の衝突により錘部２６及びに支持部１９に衝撃が加えられた際には、波型に形成された衝撃緩和部４９ａ及び衝撃緩和部４９ｂが撓み、衝撃をより吸収することが可能となる。すなわち、実施例９の物理量センサ９では、衝撃緩和部４９ａ及び衝撃緩和部４９ｂによる衝撃吸収の効果をより高め、梁部３０の損傷を防ぐことが可能となる。
【００５７】
[製造方法の説明]
次に、本発明の各実施例の物理量センサの製造方法について、図面を参照して説明する。以下に説明する製造方法では、基板としてシリコン半導体基板を用いる場合を例にして説明する。また、梁部の積層部は、絶縁膜であるシリコン窒化膜と、ゲージ抵抗素子としてボロンドープをしたポリシリコンと、金属配線としてアルミニウムを用いた積層膜とを有して構成し、梁部の保護膜と衝撃緩和部の衝撃緩和材にはポリイミドを用いる場合を例にして説明する。
【００５８】
＜実施例１＞
本発明の実施例１の物理量センサ１の製造方法について説明する。図１５及び図１６は、実施例１の物理量センサ１の製造方法の説明図であり、図１のＡ−Ａ’断面に相当する箇所での端面図である。図１５及び図１６においては、簡略化のために、後述する積層膜６０及び保護膜８０について梁部３０を構成する箇所のみを示している。また、錘部２０及び支持部１１については、衝撃緩和部以外の箇所をシリコン半導体基板からなる単層構造として示している。しかし、後述するように、積層膜６０及び保護膜８０は、梁部３０を構成する箇所とともに、錘部２０と支持部１１の衝撃緩和部以外の箇所にも形成される。この積層膜６０及び保護膜８０によって、錘部２０と支持部１１とは、梁部３０と連結された構造となる。
【００５９】
まず、図１５（ａ）のシリコン半導体基板５０の主面側（図の上側）に、図示はしない熱酸化膜を形成する。さらに熱酸化膜の上部に図示しないシリコン窒化膜を形成した後に、シリコン窒化膜の上部側に図示しないポリシリコン膜を形成し、ポリシリコン膜にボロンをドープする。次にポリシリコン膜を所望の形状になるようにエッチング加工をする。ポリシリコン膜を所望の形状にすることでゲージ抵抗素子であるピエゾ抵抗となる。
【００６０】
次に、シリコン窒化膜を所望の形状になるようにエッチング加工によって形成する。次に、各ゲージ抵抗素子を金属配線で接続されるようにアルミニウムを形成する。これにより、図１５（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜、ポリシリコン及びアルミニウムを有する積層膜６０を、シリコン半導体基板５０の主面側の、梁部３０となる箇所とともに、錘
部２０及び支持部１１の衝撃緩和部以外の箇所に形成する。
【００６１】
その後、図１５（ｃ）に示すように、衝撃緩和部を設けるための溝部７１をシリコン半導体基板５０の主面側に、次のように形成する。まず、図示しない熱酸化膜の、溝部７１に応じた箇所をエッチング加工によって除去する。その後、同様のパターンによる、シリコン半導体基板５０の主面側からのエッチング加工によって、所望の深さになるように溝部７１を形成する。
【００６２】
溝部７１の形成後、図１６（ａ）に示すように、積層膜６０の上部及び溝部７１の内部にポリイミドをスピンコーティングなどにより形成する。積層膜６０に形成されたポリイミドは梁部３０、錘部２０及び支持部１１を構成する保護膜８０となり、溝部７１内に形成されたポリイミドは、衝撃緩和部４１となる。
溝部７１の内部及びシリコン半導体基板５０の上面にポリイミドを形成した後、シリコン半導体基板５０の上面のポリイミドが所望の形状になるようにエッチング加工することにより、積層膜６０の上部及び溝部７１の内部にポリイミドが形成される。
【００６３】
その後、図１６（ｂ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１１の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和部４１の底面に接するまで、シリコンを除去する。
【００６４】
その後、図１６（ｃ）に示すように、支持部１１及び錘部２０が所望の形状になるように、シリコン半導体基板５０の裏面側からシリコンの一部をエッチング加工によって除去する。その後、同様のパターンにて、シリコン半導体基板５０の裏面側から図示しない熱酸化膜をエッチング加工によって除去する。以上の工程により図１および図２に示す実施例１の物理量センサ１を製造する。
【００６５】
図１５及び図１６で示した、本発明の物理量センサの製造方法では、同じ材質（例えばポリイミド）で作製される保護膜８０と衝撃緩和部４１とを同一の工程で一体に形成する。これにより、本発明の物理量センサの製造方法では、保護膜８０と衝撃緩和部４１とを別々の工程で作製する製造方法と比較して、製造工程を短く、簡略化することが可能となる。
【００６６】
以下において、本発明の他の実施形態である実施例２から９の物理センサの製造方法について、図面を用いて説明する。以下の図面においても、簡略化のために積層膜６０及び保護膜８０について梁部３０を構成する箇所のみを示している。また、錘部及び支持部については、衝撃緩和部以外の箇所をシリコン半導体基板からなる単層構造として示している。しかし、実施例２から９の物理量センサは、実施例１と同様に、積層膜６０及び保護膜８０が、梁部３０を構成する箇所とともに錘部と支持部の衝撃緩和部以外の箇所にも形成され、積層膜６０及び保護膜８０によって、錘部と支持部とは梁部と連結された構造となる。
【００６７】
＜実施例２＞
実施例２の物理量センサ２の製造方法について説明する。図１７は、実施例２の物理量センサ２の製造方法の説明図であり、図４のＣ−Ｃ’断面に相当する箇所での端面図である。実施例２の物理量センサ２の製造方法は、実施例１の物理量センサ１の製造方法と、衝撃緩和部を形成するための溝部の数、位置が異なるものである。
【００６８】
実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、シリコン半導体基板５０の主面側に積層膜６０を形成する。その後、図１７（ａ）に示すように、図４及び図５における支持部１２の衝撃緩和部４２ａを形成するための溝部７２ａと、錘部２１の衝撃緩和部４２ｂを
形成するための溝部７２ｂとを、実施例１と同様に、図示しない熱酸化膜のエッチング加工とシリコン半導体基板５０の主面側からのエッチング加工とによって形成する。
【００６９】
その後、図１７（ｂ）に示すように、実施例１の物理量センサ１の製造方法と同様の方法により、溝部７２ａ及び溝部７２ｂの内部に衝撃緩和材となるポリイミドを充填するとともに、積層膜６０上へ保護膜８０となるポリイミドを形成する。
【００７０】
その後、図１７（ｃ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１２の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和部４３a及び４３ｂの底面に接するまで除去する。その後、実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、支持部１２及び錘部２１が所望の形状になるように、シリコン半導体基板５０の裏面側からシリコンの一部をエッチング加工によって除去する。その後、図示しない熱酸化膜をエッチング加工によって除去する。以上の工程により図４及び図５に示す実施例２の物理量センサ２を製造する。
＜実施例３＞
〔第１の製造方法〕
次に、実施例３の物理量センサ３の第１の製造方法について説明する。図１８は、実施例３の物理量センサ３の第１の製造方法の説明図であり、図６のＤ−Ｄ’断面に相当する箇所での端面図である。実施例３の物理量センサ３の第１の製造方法は、実施例２の物理量センサ２の製造方法と、衝撃緩和部を形成するための溝の位置が異なるものである。
【００７１】
実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、シリコン半導体基板５０の主面側に積層膜６０を形成する。その後、図１８（ａ）に示すように、図６及び図７における支持部１３の錘部２２と向かい合う面に設ける衝撃緩和部４３ａを形成するための溝部７２ｃと、錘部２２の支持部１３と向かい合う面に設ける衝撃緩和部４３ｂを形成するための溝部７２ｄとを形成する。この溝部７２ｃ及び溝部７２ｄは、実施例１と同様に、図示しない熱酸化膜のエッチング加工とシリコン半導体基板５０の主面側からのエッチング加工とによって形成する。
【００７２】
その後、図１８（ｂ）に示すように、実施例１の物理量センサ１の製造方法と同様の方法により、溝部７２ｄ及び溝部７２ｃの内部に衝撃緩和材となるポリイミドを充填するとともに、積層膜６０上へ保護膜８０となるポリイミドを形成する。
【００７３】
その後、図１８（ｃ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１３の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和部４３a及び４３ｂの底面に接するまで除去する。その後、実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、支持部１３及び錘部２２が所望の形状になるように、シリコン半導体基板５０の裏面側からシリコンの一部をエッチング加工によって除去する。その後、図示しない熱酸化膜をエッチング加工によって除去する。以上の工程により図６及び図７に示す実施例３の物理量センサ３を製造する。
【００７４】
〔第２の製造方法〕
次に、実施例３の物理量センサ３の第２の製造方法について説明する。図１９は、実施例３の物理量センサ３の第２の製造方法の説明図であり、図６のＤ−Ｄ’断面に相当する箇所での端面図である。実施例３の物理量センサ３の第２の製造方法は、実施例１の物理量センサ１の製造方法と、衝撃緩和部を形成するための溝部の形状が異なる製造方法である。
【００７５】
実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、シリコン半導体基板５０の主面側に積層膜６０を形成する。その後、図１９（ａ）に示すように、図６及び図７における衝撃緩
和部４３ａ及び衝撃緩和部４３ｂを形成するための溝部７２ｅを、実施例１と同様に、図示しない熱酸化膜のエッチング加工とシリコン半導体基板５０の主面側からのエッチング加工とによって形成する。
【００７６】
その後、図１９（ｂ）に示すように、実施例１の物理量センサ１の製造方法と同様の方法により、溝部７２ｅの内部に衝撃緩和材４３ｃとしてポリイミドを充填するとともに、積層膜６０上へ保護膜８０となるポリイミドを形成する。
【００７７】
その後、図１９（ｃ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１３の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和部材４３ｃの底面に接するまで除去する。その後、支持部１３に設けられた衝撃緩和部と錘部に設けられた衝撃緩和部とが所望の形状になるように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、衝撃緩和材４３ｃの一部をエッチング加工によって除去する。その後、図示しない熱酸化膜をエッチング加工によって除去する。以上の工程により図６及び図７示す実施例３の物理量センサ３を製造する。
【００７８】
＜実施例４＞
次に、実施例４の物理量センサ４の製造方法について説明する。図２０は、実施例４の物理量センサ４の製造方法の説明図であり、図４のＣ−Ｃ’断面に相当する箇所での端面図である。実施例４の物理量センサ４の製造方法は、実施例１の物理量センサ１の製造方法と、衝撃緩和部を形成するための溝部の形状が異なるものである。
【００７９】
実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、シリコン半導体基板５０の主面側に積層膜６０を形成する。その後、図２０（ａ）に示すように、図８における衝撃緩和部４４ａ及び衝撃緩和部４４ｂを形成するための溝部７３を形成する。この溝部７３は、図示しない熱酸化膜の、溝部７３に応じた箇所をエッチング加工で除去した後、同様のパターンによる、シリコン半導体基板５０の主面側からのウェットエッチングなどのエッチング加工によって、奥行き方向に開口が狭くなるテーパ形状となるように形成する。
【００８０】
その後、図２０（ｂ）に示すように、実施例１の物理量センサ１の製造方法と同様の方法により、溝部７３の内部に衝撃緩和材４４ｃとしてポリイミドを充填するとともに、積層膜６０上へ保護膜８０となるポリイミドを形成する。
【００８１】
その後、図２０（ｃ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１４の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和材４４ｃの底面に接するまで除去する。その後、支持部１４に設けられた衝撃緩和部と錘部に設けられた衝撃緩和部とが所望の形状になるように、シリコン半導体基板５０の裏面側から衝撃緩和材４４ｃの一部をエッチング加工によって除去する。その後、図示しない熱酸化膜をエッチング加工によって除去する。以上の工程により図８に示す実施例４の物理量センサ４を製造する。
＜実施例５＞
次に、実施例５の物理量センサ５の製造方法について説明する。図２１は、実施例５の物理量センサ５の製造方法の説明図であり、図４のＣ−Ｃ’断面に相当する箇所での端面図である。実施例５の物理量センサ５の製造方法は、実施例１の物理量センサ１の製造方法と、衝撃緩和部を形成するための溝部の形状が異なる製造方法である。
【００８２】
実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、シリコン半導体基板５０の主面側に積層膜６０を形成する。その後、図２１（ａ）に示すように、図９における衝撃緩和部４５ａ及び衝撃緩和部４５ｂを形成するための溝部を形成する。まず、図示しない熱酸化膜の、溝部に応じた箇所をエッチング加工によって除去した後、同様のパターンにより、シリコン半導体基板５０の主面側から第一の溝部７４ａをエッチング加工によって形成し、そ
の後、第一の溝部７４ａ内にそれよりも狭い第二の溝部７４ｂをエッチング加工によって形成する。
ここで、実施例４の物理量センサ４は、等方性のウェットエッチングなどを利用して溝部７３を加工するのに対して、実施例５の物理量センサ５は異方性エッチングのみで溝部７４ａ及び溝部７４ｂを加工することが可能となる。
【００８３】
その後、図２１（ｂ）に示すように、実施例１の物理量センサ１の製造方法と同様の方法により、溝部７４ａ及び溝部７４ｂの内部に衝撃緩和材４５ｃとしてポリイミドを充填するとともに、積層膜６０上へ保護膜８０となるポリイミドを形成する。
【００８４】
その後、図２１（ｃ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１５の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和材４５ｃの底面に接するまで除去する。その後、支持部１５に設けられた衝撃緩和部と錘部に設けられた衝撃緩和部とが所望の形状になるように、シリコン半導体基板５０の裏面側から衝撃緩和材４５ｃの一部をエッチング加工によって除去する。その後、図示しない熱酸化膜をエッチング加工によって除去する。以上の工程により図９に示す実施例５の物理量センサ５を製造する。
【００８５】
＜実施例６＞
次に、実施例６の物理量センサ６の製造方法について説明する。図２２は、実施例６の物理量センサ６の製造方法の説明図であり、図１のＡ−Ａ’断面に相当する箇所での端面図である。実施例６の物理量センサ６の製造方法は、実施例１の物理量センサ１の製造方法と、衝撃緩和部を形成するための溝部の形状が異なる製造方法である。
【００８６】
実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、シリコン半導体基板５０の主面側に積層膜６０を形成する。その後、図２２（ａ）に示すように、衝撃緩和部を形成するための溝部７５を形成する。この溝部７５は、図示しない熱酸化膜の、溝部７５に応じた箇所をエッチング加工で除去した後、同様のパターンによる、シリコン半導体基板５０の主面側からのドライエッチングなどによって、エッチングの深さ方向の側面がスキャロップと呼ばれる凹凸形状となるように形成する。
【００８７】
その後、図２２（ｂ）に示すように、実施例１の物理量センサ１の製造方法と同様の方法により、溝部７５の内部に衝撃緩和部４６となるポリイミドを充填するとともに、積層膜６０上へ保護膜８０となるポリイミドを形成する。
【００８８】
その後、図２２（ｃ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１６の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和部４６の底面に接するまで除去する。その後、実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、錘部と支持部１６とが所望の形状になるように、シリコン半導体基板５０の裏面側からシリコンの一部をエッチング加工によって除去する。その後、図示しない熱酸化膜をエッチング加工によって除去する。以上の工程により図１０に示す実施例６の物理量センサ６を製造する。
【００８９】
＜実施例７＞
次に、実施例７の物理量センサ７の製造方法について説明する。図２３は、実施例７の物理量センサ７の製造方法を示す平面図である。図２４は、実施例７の物理量センサ７の製造方法を示し、図１１のＥ−Ｅ’端面に相当する箇所での端面図である。実施例７の物理量センサ７の製造方法は、実施例１の物理量センサの製造方法における衝撃緩和部を形成するための溝部の形状及び、錘部を形成するためのエッチング工程が異なる製造方法である。
【００９０】
実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、シリコン半導体基板５０の主面側に積
層膜６０を形成する。その後、図２３（ａ）及び図２３（ａ）のＨ−Ｈ’断面の端面図である図２４（ａ）に示すように、衝撃緩和部を形成するための溝部７６を形成する。この溝部７６は、図示しない熱酸化膜の、溝部７６に応じた箇所を、所望の波形形状になるようにエッチング加工で除去した後、同様のパターンによりシリコン半導体基板５０の主面側からエッチング加工によって形成する。
【００９１】
その後、図２３（ｂ）及び図２３（ｂ）のＩ−Ｉ’断面の端面図である図２４（ｂ）に示すように、実施例１の物理量センサ１の製造方法と同様の方法により、溝部７６の内部に衝撃緩和材となるポリイミドを充填するとともに、積層膜６０上へ保護膜８０となるポリイミドを形成する。
【００９２】
その後、図の２４（ｃ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１７の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和部４７の底面に接するまで除去する。
【００９３】
衝撃緩和部４７の底面に接するまでシリコンを除去した後、図１１及び図１１のＥ−Ｅ’断面の端面図である図２４（ｄ）に示すように、エッチング加工により、波の腹となる部分の近傍で衝撃緩和部４７が支持部材１７ａと接するように貫通孔９０を形成するとともに、錘部および支持部を形成する。以上の工程により図１１示す実施例７の物理量センサ７を製造する。
【００９４】
＜実施例８・９＞
次に、実施例８及び実施例９の物理量センサの製造方法について説明する。
図２５は、実施例８の物理量センサ８の製造方法を示す平面図である。図２６は、実施例８の物理量センサ８の製造方法を示し、図１２のＦ−Ｆ’端面に相当する箇所での端面図である。実施例８の物理量センサ８の製造方法は、実施例１の物理量センサ１の製造方法における衝撃緩和部を形成するための溝部の形状及び、錘部を形成するためのエッチング工程が異なる製造方法である。
【００９５】
実施例１の物理量センサ１と同様の方法により、シリコン半導体基板５０の主面側に積層膜６０を形成する。その後、図２５（ａ）及び図２５（ａ）のＪ−Ｊ’断面の端面図である図２６（ａ）に示すように、図１２における衝撃緩和部４８ａを形成するための溝部７７ａ及び衝撃緩和部４８ｂを形成するための溝部７７ｂを形成する。この溝部７７ａ及び溝部７７ｂは、図示しない熱酸化膜の、溝部に応じた箇所を、所望の波形形状になるようにエッチング加工で除去した後、同様のパターンによりシリコン半導体基板５０の主面側からエッチング加工によって形成する。
【００９６】
その後、図２５（ｂ）及び図２５（ｂ）のＫ−Ｋ’断面の端面図である図２６（ｂ）に示すように、実施例１の物理量センサ１の製造方法と同様の方法により、溝部７７ａ及び溝部７７ｂの内部に衝撃緩和材となるポリイミドをそれぞれ充填するとともに、積層膜６０上へ保護膜８０となるポリイミドを形成する。
【００９７】
その後、図の２６（ｃ）に示すように、シリコン半導体基板５０の裏面側から、支持部１８の形成部分以外をエッチング加工によって衝撃緩和部４８ａ及び衝撃緩和部４８ｂの底面に接するまで除去する。
【００９８】
衝撃緩和部４８ａ、４８ｂの底面に接するまでシリコンを除去した後、図１２及び図１２のＦ−Ｆ’断面の端面図である図２６（ｄ）に示すように、エッチング加工により、衝撃緩和部４８ａが波の腹となる部分の近傍で支持部材１８ａと接するように貫通孔９１ａを形成し、衝撃緩和部４８ｂが波の腹となる部分の近傍で錘材２５ａと接するように、貫通孔９１ｂを形成するとともに、錘部２５および支持部１８を形成する。以上の工程により図１２に示す実施例８の物理量センサ８を製造する。
【００９９】
図２５及び図２６では、実施例８の物理量センサ８の製造方法を示したが、図２５（ａ）、図２６（ａ）の溝部の形成位置、および図２６（ｄ）のエッチングによって形成する貫通孔の形成位置を変更することにより、上述した実施例８の物理量センサの製造方法８と同様の方法により、図１３及び図１４に示す実施例９の物理量センサ９を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】実施例１の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図２】実施例１の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図３】物理量センサの動作を示す説明図である。
【図４】実施例２の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図５】実施例２の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図６】実施例３の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図７】実施例３の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図８】実施例４の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図９】実施例５の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図１０】実施例６の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図１１】実施例７の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図１２】実施例８の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図１３】実施例９の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図１４】実施例９の物理量センサの構成を示す説明図である。
【図１５】実施例１の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図１６】実施例１の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図１７】実施例２の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図１８】実施例３の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図１９】実施例３の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図２０】実施例４の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図２１】実施例５の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図２２】実施例６の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図２３】実施例７の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図２４】実施例７の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図２５】実施例８の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図２６】実施例８の物理量センサの製造方法を示す説明図である。
【図２７】従来の物理量センサの構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１，２，３，４，５，６，７，８，９  物理量センサ
１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９  支持部
１１ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａ，１７ａ，１８ａ，１９ａ  支持部材
２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６  錘部
３０  梁部
４１，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，４４ａ，４４ｂ，４５ａ，４５ｂ，４６，４７，４８ａ，４８ｂ，４９ａ，４９ｂ  衝撃緩和部
５０  シリコン半導体基板
６０  積層膜
７１，７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ，７２ｅ，７３，７４ａ，７４ｂ，７５，７６，７７ａ，７７ｂ  溝部
８０  保護膜
９０，９１ａ，９１ｂ，９２ａ，９２ｂ  貫通孔
Ｌ  支持部の錘部と向かい合う面
Ｍ  錘部の支持部と向かい合う面
Ｎ  梁部と支持部の接合部
ｘ  支持部と錘部の接触点
【図１】
2009121878.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009121878.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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