(57)【要約】【目的】複雑な光学部材を用いることなく，合波されたレーザ光を出力できるようにする。【構成】アレイ型半導体レーザ１には，半導体基板の上方の前記半導体基板の基板面と平行な面内に，後方端面から出射端面にかけて，ストライプ状の活性層14ａ〜14ｄが互いに間隔をあけて複数形成されている。活性層14ａ〜14ｄのそれぞれは，導波される光の光軸線が出射端面の位置において出射端面の法線方向に対して斜めを向き，活性層のそれぞれを通じて出射端面から出射される複数のレーザ光のいずれもが同じ位置に達するように曲がっている。活性層14ａ〜14ｄの曲がり部分の上方または下方に回折格子21ａ〜21ｄがそれぞれ形成されている。【選択図】図１
2009147154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上方の前記半導体基板の基板面と平行な面内に，後方端面から出射端面にかけて，ストライプ状の活性層が互いに間隔をあけて複数形成され，
前記複数の活性層のそれぞれは，前記活性層を導波される光の光軸線が出射端面の位置において出射端面の法線方向に対して斜めを向き，前記複数の活性層のそれぞれを通じて出射端面から出射される複数のレーザ光の光軸線のいずれもが同じ位置に達するように曲がっており，
前記複数の活性層のそれぞれの少なくとも一部分の上方または下方に，ブラッグ波長が単調に増大または減少する回折格子が形成されており，
前記後方端面および前記回折格子によって光共振器が構成されている，
アレイ型半導体レーザ。
【請求項２】
ピッチが均一である回折格子が，前記複数の活性層の曲がり部分の上方または下方にそれぞれ形成されている，
請求項１に記載のアレイ型半導体レーザ。
【請求項３】
ピッチが変化しているチャープ型回折格子が，前記複数の活性層の上方または下方にそれぞれ形成されている，
請求項１に記載のアレイ型半導体レーザ。
【請求項４】
複数の活性層の上方または下方の前記回折格子は，互いにピッチが異なっている，
請求項１から３のいずれか一項に記載のアレイ型半導体レーザ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のアレイ型半導体レーザを備え，
前記アレイ型半導体レーザに含まれる複数のストライプ状の活性層は２つずつペアが組まれ，ペアをなす２つの活性層の上方または下方には，同じ中心波長を有する複数の波長成分を含む光を反射する回折格子が形成されており，
上記ペアをなす２つの活性層のうちのいずれか一方を通して出射されるレーザ光の偏波面を９０度回転させる偏波面回転手段を備えている，
半導体レーザ装置。
【請求項６】
ストライプ状の複数の活性層が，後方端面から出射端面にかけて，半導体基板の上方の半導体基板の基板面と平行な面内に，互いに間隔をあけて形成されているアレイ型ゲイン・チップ，および
ブラッグ波長が単調に増大または減少するチャープ型回折格子が内部に形成された光ファイバを備え，
前記アレイ型ゲイン・チップの複数の活性層のそれぞれは，前記活性層を導波される光の光軸線が出射端面の位置において出射端面の法線方向に対して斜めを向き，前記複数の活性層を通じて出射端面から出射される複数の光のいずれもが上記光ファイバに入射するように曲がっており，
前記アレイ型ゲイン・チップの後方端面および前記光ファイバ内のチャープ型回折格子によって光共振器が構成されている，
外部共振器型半導体レーザ装置。
【請求項７】
上記アレイ型ゲイン・チップに含まれる複数のストライプ状の活性層は２つずつペアが組まれ，上記ペアをなす２つの活性層のうちのいずれか一方を通じて出射される光の偏波面を９０度回転させる偏波面回転手段を備えている，
請求項６に記載の外部共振器型半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか一項に記載のアレイ型半導体レーザ，請求項５に記載の半導体レーザ装置，または請求項６に記載の外部共振器型半導体レーザ装置に含まれるアレイ型ゲイン・チップと，アレイ型半導体レーザの出射端面から出射する複数のレーザ光またはアレイ型ゲイン・チップから出射する複数の光を収束するレンズと，上記アレイ型半導体レーザまたは上記アレイ型ゲイン・チップを冷却する冷却素子とが筐体内に格納されており，
前記筐体に接続され，前記レーザ光または光を前記筐体の外部に導く光ファイバを備えている，
半導体レーザ・モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体レーザ・モジュール，および
前記半導体レーザ・モジュールからのレーザ光が励起光として入射し，誘導ラマン増幅を生じさせる光ファイバ，
を備えたラマン増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は，アレイ型半導体レーザ，半導体レーザ装置，半導体レーザ・モジュール，およびラマン増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ラマン増幅器における利得帯域の拡大を図るために，波長の異なる励起光（レーザ光）をそれぞれが出射する複数個の半導体レーザを用いることが提案されている。特許文献１では，異なる波長のレーザ光をそれぞれが出射する複数個の半導体レーザを用意し，複数個の半導体レーザのそれぞれから出射されるレーザ光を合波（合成）したものを，ラマン増幅器における励起光として用いている。
【特許文献１】特開２０００−９８４３３号公報
【０００３】
しかしながら，複数個の独立した半導体レーザのそれぞれから出射されるレーザ光を合波するには，合波等のための光学部材が当然に必要とされる。上述した特許文献１には，偏波合成のための偏波合成器と，合波のためのＷＤＭカプラとが設けられている。複数の独立した半導体レーザと偏波合成器との間，偏波合成器とＷＤＭカプラとの間には，それぞれレーザ光を導くための光ファイバも必要とされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この発明は，複雑な光学部材を用いることなく，合波されたレーザ光を出力できるようにすることを目的とする。
【０００５】
またこの発明は，複雑な光学部材を用いることなく，偏波合成されたレーザ光を出力できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明によるアレイ型半導体レーザは，半導体基板の上方の前記半導体基板の基板面と平行な面内に，後方端面から出射端面にかけて，ストライプ状の活性層が互いに間隔をあけて複数形成され，前記複数の活性層のそれぞれは，前記活性層を導波される光の光軸線が出射端面の位置において出射端面の法線方向に対して斜めを向き，前記複数の活性層のそれぞれを通じて出射端面から出射される複数のレーザ光のいずれもが同じ位置に達するように曲がっており，前記複数の活性層のそれぞれの少なくとも一部分の上方または下方に，ブラッグ波長が単調に増大または減少する回折格子がそれぞれ形成されており，前記後方端面および前記回折格子によって光共振器が構成されているものである。複数の活性層のそれぞれを通じて出射端面から出射される複数のレーザ光が達する（通過する）位置は一点であってもある程度の広がりを有する領域であってもよい。
【０００７】
ブラッグ波長を単調に増大または減少させる回折格子は，一実施態様では，ピッチが均一である回折格子を，前記複数の活性層の曲がり部分の上方または下方にそれぞれ形成したものである。活性層の曲がり部分の上方または下方に回折格子が形成されているので，ピッチが均一であっても，回折格子を構成する多数の単位格子間の光の光路は，出射端面に向かうにしたがって長くなる。このため，回折格子によって反射される光の波長（ブラッグ波長）がチャープし，複数の波長成分を含む光の発振（共振）が達成される。発振波長がシングルモードではなくマルチモードとなる。活性層を通じて出射端面から出射されるレーザ光は，複数の波長成分を含むものになる。
【０００８】
ブラッグ波長を単調に増大または減少させる回折格子は，他の実施態様では，ピッチが変化しているチャープ型回折格子を，前記複数の活性層の上方または下方にそれぞれ形成したものである。ピッチが変化しているチャープ型回折格子においても，回折格子によって反射される光の波長（ブラッグ波長）がチャープし，複数の波長成分を含む光の発振（共振）が達成される。発振波長がマルチモードとなり，活性層を通じて出射されるレーザ光は複数の波長成分を含むものになる。
【０００９】
この発明によると，複数のストライプ状活性層が，出射端面から出射される複数のレーザ光のいずれもが同じ位置に達するように曲がっているので，出射端面から出射される複数のレーザ光（上述のように，いずれのレーザ光も複数の波長成分を含む）は同じ位置に達する。このため，レーザ光の合波ための光学部材を要することなく，パワーの大きいマルチモードのレーザ光を得ることができ，レーザ光を１本の光ファイバ，または１つのレンズ部材に効率よく入射させることができる。
【００１０】
さらに，活性層のそれぞれは，出射端面の位置において前記活性層を導波される光の光軸線が出射端面の法線方向に対して斜めを向いているので，複数のレーザ光はいずれも出射端面から斜めに出射する。出射端面からその法線方向に出射する場合に比べて出射端面におけるレーザ光の反射率が低められ，不適切な端面反射を抑制することもできる。
【００１１】
好ましくは，前記複数の活性層の上方または下方に形成されている前記回折格子は，互いにピッチ（チャープ型回折格子の場合は平均ピッチ）が異なっている。複数のレーザ光の中心波長を互いに異ならせることができる。回折格子の平均ピッチを調整することによって，複数のレーザ光の中心波長を，所望の間隔で互いに離間させることができる。所望の中心波長をもつ複数のレーザ光であって，それぞれがマルチ・モード化している複数のレーザ光が出射端面から出射される。
【００１２】
一実施態様では，前記アレイ型半導体レーザに含まれる複数のストライプ状の活性層は２つずつペアが組まれ，ペアをなす２つの活性層の上方または下方には，同じ中心波長を有する複数の波長成分を含む光を反射する回折格子が形成されており，上記ペアをなす２つの活性層のうちのいずれか一方を通して出射されるレーザ光の偏波面を９０度回転させる偏波面回転手段が備えられる。同じ中心波長をもつ２つのレーザ光のうち，一方のレーザ光の偏波を水平偏波とし，他方のレーザ光の偏波を垂直偏波とすることができる。上述したように，アレイ型半導体レーザの出射端面から出射される複数のレーザ光は同じ位置に達するので，水平偏波面をもつレーザ光と，垂直偏波面をもつレーザ光とが，偏波合成のための光学部材を要することなく合成された（偏波合成された）レーザ光を得ることができる。
【００１３】
この発明は，光ファイバ内に形成された回折格子を利用した外部共振器型半導体レーザ装置も提供している。この発明による外部共振器型半導体レーザ装置は，ストライプ状の複数の活性層が，後方端面から出射端面にかけて，半導体基板の上方の半導体基板の基板面と平行な面内に，互いに間隔をあけて形成されているアレイ型ゲイン・チップ，およびブラッグ波長が単調に増大または減少するチャープ型回折格子が内部に形成された光ファイバを備えている。前記アレイ型ゲイン・チップの複数の活性層のそれぞれは，前記活性層を導波される光の光軸線が出射端面の位置において出射端面の法線方向に対して斜めを向き，前記複数の活性層を通じて出射端面から出射される複数の光のいずれもが上記光ファイバに入射するように曲がっている。前記アレイ型ゲイン・チップの後方端面および前記光ファイバ内のチャープ型回折格子によって光共振器が構成される。
【００１４】
この発明による外部共振器型半導体レーザ装置では，アレイ型ゲイン・チップの後方端面と，光ファイバ内に形成されたチャープ型回折格子とによって，光共振器が構成される。アレイ型ゲイン・チップはそれ自体ではレーザ発振しない（したがって，「レーザ」と呼ばず，「ゲイン・チップ」と呼ぶ）。アレイ型ゲイン・チップに，複数のストライプ状の活性層が形成されており，活性層のそれぞれは，前記活性層を導波される光の光軸線が出射端面の位置において出射端面の法線方向に対して斜めを向き，前記複数の活性層のそれぞれを通じて出射端面から出射される複数の光のいずれもが同じ位置に達するように曲がっているので，光の合波のための光学部材を要することなく，アレイ型ゲイン・チップから出射される複数の光を，チャープ型回折格子が形成された光ファイバに効率よく入射させることができる。
【００１５】
チャープ型回折格子が形成された光ファイバにアレイ型ゲイン・チップからの光が入射すると，チャープ型回折格子によって反射される光の波長がチャープし，複数の波長成分を含む光の発振が達成される。発振波長がマルチモード化されるので，レーザ光は複数の波長成分を含むものになる。
【００１６】
一実施態様では，上記アレイ型ゲイン・チップに含まれる複数のストライプ状の活性層は２つずつペアが組まれ，上記ペアをなす２つの活性層のうちのいずれか一方を通じて出射される光の偏波面を９０度回転させる偏波面回転手段が備えられる。偏波合成のための光学部材を要することなく，偏波合成されたレーザ光を得ることができる。
【００１７】
この発明は，上述したアレイ型半導体レーザ，アレイ型半導体レーザおよび偏波面合成手段を備えた半導体レーザ装置，または外部共振器型半導体レーザ装置に含まれるアレイ型ゲイン・チップをパッケージングしたモジュールも提供している。この発明によるモジュールは，前記アレイ型半導体レーザ，前記アレイ型半導体レーザおよび偏波面回転手段を備えた半導体レーザ装置，または前記外部共振器型半導体レーザ装置に含まれるアレイ型ゲイン・チップと，前記アレイ型半導体レーザの出射端面から出射する複数のレーザ光またはアレイ型ゲイン・チップから出射する複数の光を収束するレンズと，上記アレイ型半導体レーザまたは上記アレイ型ゲイン・チップを冷却する冷却素子とが筐体内に格納されたものである。前記筐体には，レーザ光を筐体の外部に導くための光ファイバが接続されている。アレイ型ゲイン・チップを筐体内に格納する場合には，筐体に接続される光ファイバにはその内部にチャープ型回折格子が形成されたものが用いられる。
【００１８】
さらに，この発明によるアレイ型半導体レーザ（半導体レーザ・モジュール）は，複数の波長成分を含むマルチ・モードのレーザ光を出射することができるので，ラマン増幅器における励起光用光源として利用するのに適している。この発明は，アレイ型半導体レーザ等が筐体内に格納された半導体レーザ・モジュール，および前記半導体レーザ・モジュールからのレーザ光が励起光として入射し，誘導ラマン散乱を生じさせる光ファイバを備えたラマン増幅器を提供している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１実施例）
図１は第１実施例のアレイ型半導体レーザの外観を，アレイ型半導体レーザに内包されている活性層および回折格子とともに示す斜視図である。図２は，図１に示すアレイ型半導体レーザの平面図である。図２において，分かりやすくするために，アレイ型半導体レーザに内包されている活性層および回折格子が実線で描かれている。
【００２０】
アレイ型半導体レーザ１は端面出射型の半導体レーザであり，その両端面（出射端面１ａおよび後方端面１ｂ）は互いに平行に劈開されている。アレイ型半導体レーザ１の出射端面１ａには反射防止膜51が，後方端面１ｂには反射膜52がそれぞれコーティングされている。
【００２１】
アレイ型半導体レーザ１には，その基板面と平行な面内に，４本のストライプ状（筋状，細線状）の活性層が，後方端面１ｂから出射端面１ａにかけて，互いに所定の間隔をあけて形成されている。以下，４本のストライプ状の活性層を，それぞれ第１，第２，第３および第４の活性層14ａ〜14ｄと呼ぶ。第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄは，いずれも一端がアレイ型半導体レーザ１の後方端面１ｂに接し，他端がアレイ型半導体レーザ１の出射端面１ａに接している。
【００２２】
一般に半導体レーザは，半導体基板上に，組成，不純物の種類と量等の異なる複数の半導体層が積層されて構成される。ストライプ状の第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄは，その一または複数層内にストライプ状に光を閉じ込めることができる形態で形成される。
【００２３】
第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄは，いずれも後方端面１ｂから出射端面１ａに向けて直線状に延びる部分（直線状部分）と，出射端面１ａに向かう途中において曲がっている部分（曲がり部分）をもつ。第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの曲がり部分の角度は少しずつ異なっている。このため，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄを通して出射端面１ａから出射される４つのレーザ光は，いずれも出射端面１ａから斜めに出射し，かつアレイ型半導体レーザ１の外部の一点（ある程度の広がりを持つ範囲を含む）に達する（詳細は後述する）。
【００２４】
回折格子21ａ〜21ｄは，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄのそれぞれにおける曲がり部分に対応する位置であって，かつ第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの下方に形成されている。回折格子21ａ〜21ｄのそれぞれは，均一ピッチ（実質的に均一ピッチとみなされる程度のばらつきを含む）に形成されている。回折格子21ａ〜21ｄは，いずれもアレイ型半導体レーザ１の出射端面１ａおよび反射端面１ｂと平行な方向を向いている。回折格子21ａ〜21ｂは，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの上方，または半導体基板上に形成してもよい。
【００２５】
アレイ型半導体レーザ１の上面の，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄのそれぞれの上方に対応する範囲に，上面電極41ａ，41ｂ，41ｃ，41ｄが互いに離れて設けられている。アレイ型半導体レーザ１の下面の全面には下面電極42が設けられている。
【００２６】
第１の活性層14ａの上方の上面電極41ａと下面電極42との間に電流を流すと，第１の活性層14ａにおいて光が発生する。第１の活性層14ａにおいて発生した光は第１の活性層14ａ（第１の活性層14ａを含む光導波路）に沿って進行し，回折格子21ａと，後方端面１ｂ（および反射膜52）との間で反射が繰り返され，これにより光が共振してレーザ光となる。レーザ光は出射端面１ａから出射される。
【００２７】
第２〜第４の活性層14ｂ〜14ｄも同様にして，上面電極41ｂ〜41ｄと下面電極42との間に電流を流すと，第２〜第４の活性層14ｂ〜14ｄにおいて光が発生し，発生した光は回折格子21ｂ〜21ｄと後方端面１ｂ（および反射膜52）との間で反射が繰り返され，これにより光が共振してレーザ光となり，出射端面１ａから出射される。
【００２８】
図３は，アレイ型半導体レーザ１の出射端面１ａ付近における第１の活性層14ａおよび回折格子21ａを拡大して示すものである。図３においても，分かりやすくするために，第１の活性層14ａおよび回折格子21ａが実線で描かれている。また，上面電極41ａの図示および反射防止膜51の図示は省略されている。
【００２９】
上述のように，回折格子21ａは均一ピッチで形成されている。しかしながら，回折格子21ａは，第１の活性層14ａの曲がり部分の下方に形成されているので，回折格子21ａを構成する単位格子間の間隔が均一であっても，単位格子間の光の光路は出射端面１ａに向かうにしたがって長くなる。このため，回折格子21ａによって反射される光の波長（ブラッグ波長）がチャープする。すなわち，回折格子21ａでは複数の波長成分の光が反射し，第１の活性層14ａを通して出射端面１ａから出射されるレーザ光は複数の波長成分を含む（複数の縦モードを含む）ものになる（マルチ・モード発振）。単位格子間の間の光路が比較的短い回折格子21ａの部分（出射端面１ａに遠い部分）において反射される光の波長（λI ）は比較的短く，単位格子間の光の光路が比較的長い回折格子21ａの部分（出射端面１ａに近い部分）において反射される光の波長（λII）は比較的長い（λI ＜λII）。
【００３０】
回折格子21ｂ〜21ｄも，第２〜第４の活性層14ｂ〜14ｄの曲がり部分に下方に形成されているので，上述と同様に，第２〜第４の活性層14を通して出射端面１ａから出射されるレーザ光も，複数の波長成分を含む（複数の縦モードを含む）ものになる。
【００３１】
図１および図２に戻って，上述のように，ストライプ状の第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの下方に形成されている回折格子21ａ〜21ｄは，いずれも均一ピッチで形成されているが，回折格子21ａ〜21ｄのそれぞれのピッチは，互いに異なっている。具体的には，第１の活性層14ａの下方に形成されている回折格子21ａのピッチΛ1 は，第２の活性層14ｂの下方に形成されている回折格子21ｂのピッチΛ2 よりも広い（Λ1＞Λ2）。第２の活性層14ｂの下方の回折格子21ｂのピッチΛ2 は第３の活性層14ｃの下方の回折格子21ｃのピッチΛ3よりも広い（Λ2＞Λ3）。第３の活性層14ｃの下方の回折格子21ｃのピッチΛ3は第４の活性層14ｄの下方の回折格子21ｄのピッチΛ4 よりも広い（Λ3＞Λ4）。すなわち，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの下方に形成されている回折格子21ａ〜21ｄのピッチは，Λ1＞Λ2＞Λ3＞Λ4の関係を持つ。図１および図２では，回折格子21ａ〜21ｄのピッチが強調して描かれている。
【００３２】
回折格子を内包する半導体レーザから出射されるマルチ・モードのレーザ光の中心波長は，回折格子のピッチによって規定される。上述のように，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄのそれぞれの下方に形成された回折格子21ａ〜21ｄは，互いにピッチが異なるので，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄを通して出射端面１ａから出射される４つのレーザ光の中心波長λ1，λ2，λ3，λ4は，互いに異なる波長となる。回折格子のピッチが広いと，レーザ光の波長は長波長となる。上述のように，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄに下方にそれぞれ形成された回折格子21ａ〜21ｄのピッチは，Λ1＞Λ2＞Λ3＞Λ4の関係を持つので，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄを通して出射されるレーザ光の中心波長は，λ1＞λ2＞λ3＞λ4の関係を持つものとなる。アレイ型半導体レーザ１の出射端面１ａからは，中心波長が互いに異なっており，かつそのそれぞれにおいて複数の波長成分を含む４つのレーザ光が，出射される。
【００３３】
図４は，アレイ型半導体レーザ１の第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄのそれぞれを通じて出射端面１ａから出射される４つのレーザ光の進行方向を示している。図４において，θ1〜θ4は，出射端面１ａに入射する４つのレーザ光と出射端面１ａの法線方向とがなす角度（以下，「導波路角度」という）のそれぞれを，α1〜α4は出射端面１ａから出射する４つのレーザ光と出射端面１ａの法線方向とがなす角度（以下，「出射角度」という）のそれぞれを示している。
【００３４】
上述したように，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄは，いずれも後方端面１ｂから出射端面１ａに向かう途中において曲がって形成されている（図１および図２参照）。このため，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄを通じてアレイ型半導体レーザ１の出射端面１ａから出射される４つのレーザ光は，いずれも出射端面１ａに斜めに入射し，出射端面１ａから斜めに出射する。出射端面１ａに垂直にレーザ光が入射する場合に比べて，レーザ光の出射端面１ａにおける反射率を低く抑えることができる。
【００３５】
さらに，４つの活性層14ａ〜14ｄの導波路角度θ1〜θ4は，４つのレーザ光のいずれもがアレイ型半導体レーザ１の外部の一点（到達点または通過点）に達する（通過する）（導かれる）ような角度を持っている。この実施例では，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの導波路角度θ1〜θ4は，θ1＞θ2＞θ3＞θ4の関係を持つ。もちろん，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄから出射される４つのレーザ光の出射角度α1〜α4も，α1＞α2＞α3＞α4の関係を持つ。なお，アレイ型半導体レーザ１の半導体層の屈折率よりも空気層の屈折率は小さいので，空気層に入射するレーザ光は屈折する。すなわち，導波路角度θi ＜出射角度αi の関係がある（ｉ＝１，２，３，４）。
【００３６】
第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄのそれぞれを通じて出射端面１ａから出射されるレーザ光は，いずれも外部の一点（到達点，通過点）に達する（通過する）。このため，到達点の位置またはその近傍に光ファイバまたはレンズ部材を配置することによって，中心波長が互いに異なっており，かつそれぞれが複数の波長成分を含む４つのレーザ光のいずれもを，効率よく一本の光ファイバまたはレンズ部材に入射させることができる。
【００３７】
アレイ型半導体レーザ１は，出射端面１ａから到達点に至るまでの４つのレーザ光の光路長が異なる。互いの光路長を一致させるために，負の屈折率を持つ材料から構成される光路長差補正部材を，アレイ型半導体レーザ１と光ファイバ（またはレンズ部材）との間に挿入してもよい。
【００３８】
図５は，アレイ型半導体レーザ１から出射される４つのレーザ光を合波した後のレーザ光（以下，合波レーザ光という）におけるスペクトル（横軸を波長，縦軸をスペクトル強度とするグラフ）を示している。図５において，実線がスペクトルを示し，破線がスペクトルの包洛線を示している。
【００３９】
上述のように，アレイ型半導体レーザ１からは，互いに異なる中心波長λ1 ，λ2 ，λ3 ，λ4 をもつ４つのレーザ光が出射される（λ1＞λ2＞λ3＞λ4）。これらの４つのレーザ光は，アレイ型半導体レーザ１の外部の１点（到達点，通過点）において合波される。
【００４０】
合波レーザ光は，互いに異なる中心波長λ1，λ2，λ3，λ4をもち，かつそれぞれが複数の波長成分を含む４つのレーザ光が合波されたものである。このため，図５に示すように，スペクトルは，４つの包絡線Ｅ1，Ｅ2，Ｅ3およびＥ4を描く。複雑な光学系（カプラ，半導体レーザからカプラにレーザ光を導くための光ファイバ等）を設けなくても，複数の波長成分（複数の発振縦モード）をそれぞれが含む複数のレーザ光が合波された合波レーザ光を得ることができる。
【００４１】
図６（Ａ）〜図１３（Ｃ）は，図１および図２に示すアレイ型半導体レーザ１の製造工程を示している。これらの図面において，（Ａ）は紙面下側を出射端面とする平面図である。（Ｂ）および（Ｃ）は，それぞれ（Ａ）におけるＢ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線に沿う端面図である。なお，図６（Ａ）〜図１３（Ｃ）では，作図の便宜上および分かりやすくするために，半導体層の積層（厚さ）方向，回折格子の幅，回折格子のピッチ等が強調して描かれている。
【００４２】
図６（Ａ）〜図６（Ｃ）を参照して，ｎ型ＩｎＰ（インジウム−リン）基板11上に，ＩｎＧａＡｓＰ（インジウム−ガリウム−ヒ素−リン）回折格子形成層12を結晶成長し，その後ＩｎＧａＡｓＰ回折格子形成層12上の全面にレジスト36を塗布する。ＩｎＧａＡｓＰ回折格子形成層12および後述する他の半導体層の結晶成長には，有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）を用いることができる。
【００４３】
図７（Ａ）〜図７（Ｃ）を参照して，レジスト36を電子ビームによるパターン描画によって露光する。最終的に作成されるアレイ型半導体レーザ１には，上述したように，曲がり部分を持つ第１〜第４のストライプ状の活性層14ａ〜14ｄが形成され，その曲がり部分の下方に，ピッチが互いに異なる回折格子21ａ〜21ｄがそれぞれ形成される（図２参照）。電子ビームを用いたパターン描画は，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄを形成すべき領域のうちの曲がり部分となるべき領域のそれぞれに沿って，光共振軸方向と直交する方向に，互いにピッチを異ならせて行われる。
【００４４】
図８（Ａ）〜図８（Ｃ）を参照して，レジスト36に対する上述した露光の後，現像を行い，露光によって感光した部分のレジスト36を除去する。この状態で全体を硫酸および過酸化水素水を含むエッチング液に浸す。回折格子形成層12に，回折格子21ａ〜21ｄが形成される。その後，全てのレジスト36を除去する。
【００４５】
図９（Ａ）〜図９（Ｃ）を参照して，ＩｎＰスペーサ層13，ＩｎＧａＡｓＰ活性層14，およびＩｎＰクラッド層15を順次結晶成長する。詳細な図示および説明は省略するが，ＩｎＧａＡｓＰ活性層14は井戸層および障壁層を交互に複数積層した多重量子井戸構造を有している。活性層14の上層および下層にさらに光分離閉込め層を積層してもよい。
【００４６】
図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）を参照して，ＩｎＰクラッド層15の上面に，ｐ型ＩｎＰクラッド層18を結晶成長し，ｐ型ＩｎＰクラッド層18上にプラズマＣＶＤ法によって，ＳｉＯ2 膜を堆積する。第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄとなるべき領域のそれぞれについて，後方端面となるべき位置から出射端面となるべき位置にかけて，その途中において曲がっている４つ（４本）ストライプ状のマスクをフォトリソグラフィ工程によってＳｉＯ2 膜上に転写する（詳細な工程は省略）。レジストによってマスクされた部分以外のＳｉＯ2 膜を除去する。ｐ型ＩｎＰクラッド層18の上面には，曲がり部分を有する４つのストライプ状のＳｉＯ2 マスク19が残る。
【００４７】
図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）を参照して，ストライプ状のＳｉＯ2 マスク19を残した状態でエッチングを行う。ストライプ状のＳｉＯ2 マスク19の周囲がエッチングによって削られ，４つのメサ構造が形成される。第１〜第４のストライプ状の活性層14ａ〜14ｄが形成される。
【００４８】
図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）を参照して，ｐ型ＩｎＰブロック層31およびｎ型ＩｎＰブロック層32を順次結晶成長する。４つのメサ構造の両側がｐ型ＩｎＰブロック層31およびｎ型ＩｎＰブロック層32によって埋め込まれる。その後，ＳｉＯ2 マスク19を除去する。
【００４９】
図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）を参照して，ｐ型ＩｎＰクラッド層33およびｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層34を順次結晶成長する。その後，全体の厚さが１００μｍ程度になるまでｎ型ＩｎＰ基板11の下面（裏面）を研磨する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層34の上面には，活性層14ａ〜14ｄをそれぞれ覆うように，回折格子21ａ〜21ｄが形成されている範囲に沿って上面電極（ｐ型電極）41ａ〜41ｄを蒸着し，ｎ型ＩｎＰ基板11の下面の全体には下面電極（ｎ型電極）42を蒸着する。その後，両端面（出射端面となるべき位置および後方端面となるべき位置）を劈開する。出射端面には低光反射率の反射防止膜51をコーティングし，後方端面には高光反射率の反射膜52をコーティングする。アレイ型半導体レーザ１が完成する。
【００５０】
（変形例）
図１４はアレイ型半導体レーザの他の変形例を示すもので，アレイ型半導体レーザ１Ａの平面図を示している。図１５（Ａ）〜（Ｄ）は，第１〜４の活性層14ａ〜14ｄの下方に形成されている回折格子22ａ〜22ｄの断面図である。回折格子22ａ〜22ｄが第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの曲がり部分の下方ではなく直線状部分の下方に形成されている点，および回折格子22ａ〜22ｄのそれぞれにおいて，ピッチが均一でなく，チャープしている点が，図１および２に示すアレイ型半導体レーザ１と異なる。第１実施例のアレイ型半導体レーザ１と同一部材には同一の符号を付し，重複説明を避ける。
【００５１】
第１〜４の活性層14ａ〜14ｄの直線状部分の下方に形成されている回折格子22ａ〜22ｄのそれぞれの平均ピッチは，互いに異なっている（図１５（Ａ）〜（Ｄ））。このため，第１実施例のアレイ型半導体レーザ１と同様に，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄを通して出射端面１ａから出射されるレーザ光の中心波長λ1〜λ4は互いに異なり，λ1＞λ2＞λ3＞λ4の関係を持つ。
【００５２】
上述した第１実施例のアレイ型半導体レーザ１（図１および図２）において，回折格子21ａ〜21ｄのそれぞれは，均一ピッチで形成されている。第１実施例では，このような回折格子21ａ〜21ａを，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの曲がり部分の下方にそれぞれ形成することによって，発振波長をマルチモード化させている。これに対し，変形例のアレイ型半導体レーザ１Ａでは，回折格子22ａ〜22ｄはそれぞれにおいて，ピッチが変化している（図１５（Ａ）〜（Ｄ））。変形例のアレイ型半導体レーザ１Ａにおいても，回折格子22ａ〜22ｄによって反射される光の波長がチャープし，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄを通して出射端面１ａから出射される４つのレーザ光は，いずれも複数の波長成分を含む（複数の縦モードを含む）ものになる（マルチ・モード発振）。
【００５３】
それぞれが複数の波長成分を有し，かつ中心波長が互いに異なる４つのレーザ光のいずれもが，アレイ型半導体レーザ１Ａの外部の一点（到達点または通過点）に達して（通過して）合波されるのは，上述したアレイ型半導体レーザ１と同じである。したがって，変形例におけるアレイ型半導体レーザ１Ａから出射されて合波された後の合波レーザ光についてのスペクトルも，図５に示すものと同様になる。なお，回折格子22ａ〜22ｄは第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの直線状部分の全体に形成されていてもよい。
【００５４】
（第２実施例）
図１６は，１／４波長板を備えた第２実施例のアレイ型半導体レーザ２（半導体レーザ・モジュール）の平面図を示している。
【００５５】
４本のストライプ状の活性層14ａ〜14ｄが，後方端面１ｂから出射端面１ａにかけて，互いに所定の間隔をあけて形成されており，いずれも出射端面１ａに向かう途中において曲がって形成されているのは，上述した第１実施例のアレイ型半導体レーザ１（図１および図２）と同じである。また，活性層14ａ〜14ｄのそれぞれにおける曲がり部分に対応する位置であって，かつ活性層14ａ〜14ｄの下方には，ピッチが均一である回折格子が形成されている点も，第１実施例のアレイ型半導体レーザ１と同じである。
【００５６】
アレイ型半導体レーザ２に形成されている第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄの曲がり部分の下方に，回折格子23ａ〜23ｄが形成されている。
【００５７】
第１および第２の活性層14ａ，14ｂを通じて出射端面１ａから出射される２つのレーザ光はいずれも中心波長λ1 を有し，第３および第４の活性層14ａ，14ｂを通じて出射端面１ａから出射される２つのレーザ光はいずれも中心波長λ2 を有している。第１の活性層14ａの曲がり部分の角度は第２の活性層14ｂの曲がり部分の角度よりも大きいので，第１の活性層14ａの下方の回折格子23ａのピッチΛ1 を第２の活性層14ｂの下方の回折格子23ｂのピッチΛ2 よりも少し狭くすることによって，第１および第２の活性層14ａ，14ｂを通じて出射端面１ａから出射される２つのレーザ光を同じ中心波長λ1 を有するものとすることができる。同様に，第３の活性層14ｃの下方の回折格子23ｃのピッチΛ3 を第４の活性層14ｄの下方の回折格子23ｄのピッチΛ4 よりも少し狭くすることによって，第３および第４の活性層14ｃ，14ｄを通じて出射端面１ａから出射される２つのレーザ光をいずれも同じ中心波長λ2 を有するものとすることができる。
【００５８】
また，第１および第２の活性層14ａ，14ｂの曲がり部分の下方に形成されている回折格子23ａのピッチΛ1 ，ピッチΛ2 は，第３および第４の活性層14ｃ，14ｄの下方に形成されている回折格子21ｂのピッチΛ3 ，ピッチΛ4 よりも広い。このため，第１および第２の活性層14ａ，14ｂを通じて出射端面１ａから出射される２つのレーザ光の中心波長λ1 は，第３および第４の活性層14ａ，14ｂを通じて出射端面１ａから出射される２つのレーザ光の中心波長λ2 よりも長い（λ1＞λ2）。回折格子23ａ〜24ｄは，いずれも活性層14ａ〜14ｄの曲がり部分の下方に形成されているので，第１〜第４の活性層14ａ〜14ｄを通じて出射端面１ａから出射するレーザ光は，いずれも複数の波長成分を含む。
【００５９】
第１の活性層14ａを通じて出射端面１ａから出射されるレーザ光の光路上，および第３の活性層14ｃを通じて出射端面１ａから出射されるレーザ光の光路上に，それぞれ１／４波長板61が設けられている。第１の活性層14ａおよび第３の活性層14ｃを通じて出射されるレーザ光は，１／４波長板61によって偏波面が９０度回転し，垂直偏波のレーザ光となる。他方，第２の活性層14ｂおよび第４の活性層14ｄを通じて出射されるレーザ光には偏波面回転は行われず，したがって水平偏波のレーザ光がそのまま出射される。
【００６０】
図１７は，図１６に示す１／４波長板61を備えたアレイ型半導体レーザ２（半導体レーザ・モジュール）から出射される４つのレーザ光を合波した後のレーザ光（合波レーザ光）のスペクトルを示している。図１７において実線が水平偏波のレーザ光のスペクトルを，一点鎖線が垂直偏波のレーザ光のスペクトルを，それぞれ示す。
【００６１】
上述のように，アレイ型半導体レーザ２からは，中心波長がλ1 である垂直偏波のレーザ光および中心波長がλ1である水平偏波のレーザ光と，中心波長がλ2である垂直偏波のレーザ光，および中心波長がλ2 である水平偏波のレーザ光が出射される。そして，これらの４つのレーザ光はいずれも複数の波長成分を含む。このため，図１７に示すように，中心波長がλ1である水平および垂直偏波のレーザ光によって包絡線Ｅ1が描かれ，中心波長がλ2である水平および垂直偏波の２つのレーザ光によって包絡線Ｅ2がそれぞれ描かれる。
【００６２】
第２実施例のアレイ型半導体レーザ２では，偏波合成され，かつ合波されたレーザ光（合波レーザ光）を得ることができる。複雑な光学系部材（カプラ，半導体レーザからカプラにレーザ光を導くための光ファイバ等）を設けなくても，偏波合成され，かつ合波されたレーザ光を得ることができる。
【００６３】
第２実施例のアレイ型半導体レーザ２においても，上述した第１実施例の変形例と同様に，回折格子23ａ，23ｂ自体のピッチを変化させることによって，活性層14ａ〜14ｄの曲がり部分の下方ではなく，活性層14ａ〜14ｄの直線状部分の下方に回折格子23ａ，23ｂを形成するようにしてもよい。
【００６４】
（第３実施例）
図１８は第３実施例を示すもので，ファイバブラッググレーティングを用いた外部共振器型半導体レーザ装置の構成を示すブロック図である。
【００６５】
外部共振器型半導体レーザ装置４は，アレイ型ゲイン・チップ３，１／４波長板61，コリメート・レンズ62，および光ファイバ63を備えている。光ファイバ63の内部には，そのコア部に周期的な屈折率変調が与えられることによって回折格子63ａが形成されている。回折格子63ａはチャープしており，複数の波長の光が回折格子63ａによって反射される。
【００６６】
アレイ型ゲイン・チップ３の両端面（出射端面３ａおよび後方端面３ｂ）は互いに平行に劈開されている。出射端面３ａには反射防止膜51が，後方端面３ｂには高光反射率の反射膜52が，それぞれコーティングされている。
【００６７】
アレイ型ゲイン・チップ３内には，その基板面と平行な面内に，２本のストライプ状（筋状，細線状）の活性層14ｅ，14ｆが，後方端面３ｂから出射端面３ａにかけて，所定の間隔をあけて形成されている。２本のストライプ状の活性層14ｅ，14ｆのそれぞれを，第１の活性層14ｅおよび第２の活性層14ｆと呼ぶ。第１および第２の活性層14ｅ，14ｆｂの一端がアレイ型ゲイン・チップ３の出射端面３ａに接し，他端がアレイ型ゲイン・チップ３の後方端面３ｂに接している。
【００６８】
ストライプ状の第１，第２の活性層14ｅ，14ｆは，出射端面３ａに向かう途中において互いに向き合う方向に曲がって形成されている。第１，第２の活性層14ｅ，14ｆにおいて発生する光は，いずれも出射端面３ａから斜めに出射してコリメート・レンズ62に入射する。
【００６９】
１／４波長板61が，第１の活性層14ｅを通して出射する光が通過する位置に設けられている。第１の活性層14ｅを通して出射する光は１／４波長板61によって９０度偏波回転され，垂直偏波とされる。第２の活性層14ｆを通して出射する光は水平偏波のままである。
【００７０】
アレイ型ゲイン・チップ３の上面の，第１，第２の活性層14ｅ，14ｆのそれぞれの上方に対応する範囲に，上面電極41ｅ，41ｆがそれぞれ設けられている。アレイ型ゲイン・チップ10の下面の全面には下面電極（図１８において下面電極は見えない）が設けられている。アレイ型ゲイン・チップ３はダイオード構造を有しており，第１，第２の活性層14ｅ，14ｆの上方の上面電極41ｅ，41ｆと下面電極との間に順方向電流を流すと，第１，第２の活性層14ｅ，14ｆにおいて光が発生する。
【００７１】
第１の活性層14ｅにおいて発生した光は第１の活性層14ｅに沿って進行して出射端面３ａから出射する。出射端面３ａから出射された光は１／４波長板61によって９０度偏波回転された後，コリメート・レンズ62によって平行光とされて光ファイバ63に入射する。
【００７２】
光ファイバ63に入射した光は，光ファイバ63内の回折格子63ａに入射してここで反射される。上述したように，回折格子63はチャープしているので，複数の波長の光が回折格子63ａによって反射される。回折格子63ａで反射された光は，コリメート・レンズ62および１／４波長板61を通じて第１の活性層14ｅに帰還し，アレイ型ゲイン・チップ10の後方端面３ｂ（反射膜52）によって反射される。アレイ型ゲイン・チップ３の後方端面３ｂ（反射膜52）と回折格子63ａとの間で光反射が繰返されてレーザ発振が生じる。複数の波長成分を含む垂直偏波のレーザ光が得られる。
【００７３】
第２の活性層14ｆにおいて発生した光は第２の活性層14ｆに沿って進行して出射端面３ａから出射する。出射端面３ａから出射された光は，コリメート・レンズ62によって平行光とされて光ファイバ63に入射する。光ファイバ63内の回折格子63ａで反射された光は，コリメート・レンズ62を通じて第２の活性層14ｆに帰還し，アレイ型ゲイン・チップ10の後方端面３ｂ（反射膜52）によって反射される。アレイ型ゲイン・チップ３の後方端面３ｂ（反射膜52）と回折格子63ａとの間で光反射が繰返されてレーザ発振が生じる。複数の波長成分を含む水平偏波のレーザ光が得られる。
【００７４】
図１９は，図１８に示す外部共振器型半導体レーザ装置４によって得られるレーザ光のスペクトルを示している。図１９において実線が水平偏波のレーザ光のスペクトルを，一点鎖線が垂直偏波のレーザ光のスペクトルを，それぞれ示す。
【００７５】
外部共振器型半導体レーザ装置４では，上述のように，複数の波長成分を含む垂直偏波および水平偏波のレーザ光が得られる。このため，図１９に示すように，垂直偏波および水平偏波のレーザ光のスペクトルによって包絡線Ｅが描かれる。
【００７６】
第３実施例のファイバブラッググレーティングを用いた外部共振器型半導体レーザ装置４では，偏波合成された複数の波長成分をもつレーザ光を得ることができる。複雑な光学系（カプラ，ゲイン・チップからカプラにレーザ光を導くための光ファイバ等）を設けなくても，偏波合成されたレーザ光を得ることができる。
【００７７】
図２０は，上述したアレイ型半導体レーザ１を備えた半導体レーザ・モジュールの一例を平面的に示すものである。
【００７８】
半導体レーザ・モジュール70のパッケージ77内に板状の冷却素子71が固定されている。この冷却素子71上にアレイ型半導体レーザ１，サーミスタ72および受光素子73が固定されている。
【００７９】
サーミスタ72によって検出される周囲温度に基づいて，冷却素子71の温度が制御（冷却）される。
【００８０】
受光素子73はアレイ型半導体レーザ１の後方端面からわずかに出射する光を受光して，アレイ型半導体レーザ１の動作のモニタリングするためのものである。受光素子73は，その受光面がアレイ型半導体レーザ１の後方端面に対して斜めを向くように冷却素子71上に配置されている。これは，受光素子73の受光面に入射したアレイ型半導体レーザ１の後方端面からの光が，再びアレイ型半導体レーザ１に戻ってしまうのを防止するためである。
【００８１】
アレイ型半導体レーザ１の出射端面からは，上述したように，それぞれが複数の波長成分を含む４つのレーザ光が斜めに出射する。斜めに出射する４つのレーザ光は，コリメートおよび光収束のためのレンズ74，ならびに戻り光の阻止のための光アイソレータ75を通過した後，パッケージ77から出射される。パッケージ77に連結（接続）されている光ファイバ76に，合波レーザ光が入射する。
【００８２】
上述した変形例のアレイ型半導体レーザ１Ａ（図１４），または第２実施例の１／４波長板61およびアレイ型半導体レーザ２を備えたモジュール（図１６）も，上述と同様にして，パッケージ77内に収納することができるのは言うまでもない。また，第３実施例の外部共振器型半導体レーザ装置４（図１８）についても，アレイ型ゲイン・チップ３および１／４波長板61をパッケージ77内に収容することができる。アレイ型ゲイン・チップ３および１／４波長板61をパッケージ77に収容する場合には，パッケージ77に連結される光ファイバ76には，その内部に回折格子63ａ（図１８）が形成されたものが用いられる。
【００８３】
図２１は，上述した半導体レーザ・モジュール70を励起光用光源として用いたラマン増幅器のブロック図を示している。
【００８４】
ラマン増幅器80では，半導体レーザ・モジュール70から出力されたレーザ光は，励起光としてカプラ82を通じて増幅用光ファイバ81に入力する。増幅用光ファイバ81において誘導ラマン散乱が生じ，レーザ光の波長（励起光波長）から約１００ｎｍ程度長波長側に利得が生じる。増幅用ファイバ81に信号光が入射すると，増幅用光ファイバ81中に生じた利得によって信号光が増幅される（ラマン増幅）。半導体レーザ・モジュール70に含まれる半導体レーザ１は複数の波長成分を含む４つのレーザ光を出射し，このレーザ光が励起光として用いられるので，増幅用光ファイバ81において誘導ブルリアン散乱が生じにくく，信号光を長距離にわたってファイバ伝送することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】第１実施例のアレイ型半導体レーザの斜視図を示す。
【図２】第１実施例のアレイ型半導体レーザの平面図を示す。
【図３】アレイ型半導体レーザの出射端面付近における第１の活性層および回折格子を拡大して示す。
【図４】アレイ型半導体レーザから出射される４つのレーザ光の進行方向を示す。
【図５】アレイ型半導体レーザから出射される４つのレーザ光を合波した後のレーザ光におけるスペクトルを示す。
【図６】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は，アレイ型半導体レーザの製造工程を示す。
【図７】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は，アレイ型半導体レーザの製造工程を示す。
【図８】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は，アレイ型半導体レーザの製造工程を示す。
【図９】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は，アレイ型半導体レーザの製造工程を示す。
【図１０】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は，アレイ型半導体レーザの製造工程を示す。
【図１１】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は，アレイ型半導体レーザの製造工程を示す。
【図１２】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は，アレイ型半導体レーザの製造工程を示す。
【図１３】（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は，アレイ型半導体レーザの製造工程を示す。
【図１４】第１実施例の変形例におけるアレイ型半導体レーザの平面図を示す。
【図１５】（Ａ）〜（Ｄ）は，回折格子の断面図を示す。
【図１６】第２実施例のアレイ型半導体レーザの平面図を示す。
【図１７】第２実施例のアレイ型半導体レーザから出射される４つのレーザ光を合波した後のレーザ光におけるスペクトルを示す。
【図１８】外部共振器型半導体レーザ装置のブロック図を示す。
【図１９】外部共振器型半導体レーザ装置によって得られるレーザ光のスペクトルを示す。
【図２０】半導体レーザ・モジュールのブロック図を示す。
【図２１】ラマン増幅器のブロック図を示す。
【符号の説明】
【００８６】
１，１Ａ，２  アレイ型半導体レーザ
３  アレイ型ゲイン・チップ
４  外部共振器型半導体レーザ装置
14ａ，14ｂ，14ｃ，14ｄ，14ｅ，14ｆ  活性層
21ａ，21ｂ，21ｃ，21ｄ，22ａ，22ｂ，22ｃ，22ｄ，23ａ，23ｂ，63ａ  回折格子
70  半導体レーザ・モジュール
71  冷却素子
63，76，81  光ファイバ
77  パッケージ
80  ラマン増幅器
【図１】
2009147154.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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