(57)【要約】【課題】リソグラフィ投影装置で使用する透過像検出デバイスに関する。【解決手段】デバイスは、回折格子のアレイ、及びそれぞれが前記回折格子の１つを通って到達する放射を受ける放射感応性センサのアレイを備える。放射感応性センサのアレイは１次元ダイオードアレイでよい。【選択図】図４
2009147332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回折格子のアレイと、それぞれが前記回折格子の１つを通って到達する放射を受け放射感応性センサのアレイとを備える、リソグラフィ投影装置で使用する透過像検出デバイス。
【請求項２】
前記放射感応性センサのアレイが１次元ダイオードアレイである、請求項１に記載の透過像検出デバイス。
【請求項３】
前記放射感応性センサのアレイが１次元ＣＭＯＳカメラである、請求項１に記載の透過像検出デバイス。
【請求項４】
前記放射感応性センサのアレイが１次元ＣＣＤカメラである、請求項１に記載の透過像検出デバイス。
【請求項５】
前記放射感応性センサのアレイが、約２００Ｈｚの周波数で像を記録するカメラである、請求項１に記載の透過像検出デバイス。
【請求項６】
前記透過像検出デバイスが、頂部に前記回折格子が配置された量子変換層を備える、請求項１に記載の透過像検出デバイス。
【請求項７】
前記透過像検出デバイスが、前記量子変換層と前記個々の放射反応性センサとの間に光ファイバブロックを備える、請求項６に記載の透過像検出デバイス。
【請求項８】
前記デバイスが、１００個を超える回折格子のアレイ及び１００個を超える放射感応性センサのアレイを備える、請求項１に記載の透過像検出デバイス。
【請求項９】
−放射ビームを調整する照明システムと、
−パターン付き放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを与えることができ、第一回折格子のアレイを備えるパターニングデバイスと、
−基板を保持する基板テーブルと、
−前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
−第二回折格子のアレイと、それぞれが前記第一回折格子の１つ及び前記第二回折格子の１つを通って到達する放射を受ける放射感応性センサのアレイとを備える、前記基板テーブル上に配置された透過像検出デバイスと、
−前記放射感応性センサから受信した信号を使用して、前記パターニングデバイス及び前記投影システムの少なくとも１つの３次歪みを計算する処理デバイスと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１０】
リソグラフィ装置のパターニングデバイス及び投影システムの少なくとも一方の３次歪みを割り出す方法であって、
−放射ビームを生成し、
−回折格子のアレイを備えるパターニングデバイスを使用して、パターン付き放射ビームを形成するために前記放射ビームの断面にパターンを与え、
−回折格子のアレイと、前記回折格子を通って到達する放射を受けて、測定信号を生成する放射感応性センサのアレイとを備える透過検出デバイスを前記基板上に設け、
−前記パターニングデバイスの前記回折格子及び前記透過検出デバイスの前記回折格子を通って到達した放射を感知し、
−前記測定信号を使用して、前記パターニングデバイス及び前記投影システムの少なくとも一方の３次歪みを割り出すことを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ投影装置で使用する透過像検出デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
現在のリソグラフィ投影装置では、レチクルをウェーハステージと位置合わせするために透過像検出デバイスが使用される。これは、レチクル上の構造（例えば回折格子）と透過像ディテクタプレート上の相補的構造で構成される。透過像ディテクタを使用して構造の空間像をスキャンし、像の位置及び焦点を割り出す。透過像ディテクタは少数（４〜８個）のこのような構造を有する。各構造の下方には光ダイオードが配置されて、光を検出する。現在の透過像ディテクタでは、像フィールド内の２つのＸ位置及び２つのＹ位置（１つは像フィールドの左側、１つは像フィールドの右側）しか測定することができない。像フィールド内に４つしか測定位置がないので、透過像ディテクタは、ウェーハステージに対するレチクルの位置、倍率及び回転しか測定することができない。Ｄ３（３次歪み）などのこれより高次の歪みは検出されないままである。このような歪みは、レチクルの加熱及び／又はレンズの加熱の結果として生じる。
【発明の概要】
【０００４】
透過像ディテクタを使用してリソグラフィ投影装置の３次歪み及びフィールド曲率を検出することが望ましい。
【０００５】
本発明の態様によれば、回折格子のアレイと、それぞれが前記回折格子の１つを通って到達する放射を受ける放射感応性センサのアレイとを備える透過像検出デバイスが提供される。
【０００６】
さらなる態様によると、本発明は、
−放射ビームを調整する照明システムと、
−パターン付き放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを与えることができ、第一回折格子のアレイを備えるパターニングデバイスと、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
−第二回折格子のアレイと、それぞれが第一回折格子の１つ及び第二回折格子の１つを通って到達する放射を受ける放射感応性センサのアレイとを備える、基板テーブル上に構成された透過像検出デバイスと、
−放射感応性センサから受信した信号を使用して、パターニングデバイス及び投影システムの少なくとも１つの３次歪みを計算する処理デバイスと、を備えるリソグラフィ装置に関する。
【０００７】
本発明は、リソグラフィ装置のパターニングデバイス及び投影システムの少なくとも一方の３次歪みを割り出す方法にも関し、方法は、
−放射ビームを生成し、
−回折格子のアレイを備えるパターニングデバイスを使用して、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面に派端を与え、
−回折格子のアレイと、回折格子を通って到達する放射を受けて、測定信号を生成する放射感応性センサのアレイとを備える透過検出デバイスを基板上に設け、
−パターニングデバイスの回折格子及び透過検出デバイスの回折格子を通って到達した放射を感知し、
−測定信号を使用して、パターニングデバイス及び投影システムの少なくとも一方の３次歪みを割り出すことを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【０００９】
【図１】最新技術によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】最新技術による透過像ディテクタを概略的に示した図である。
【図３】最新技術による透過像ディテクタの例を示した図である。
【図４】本発明の実施形態による透過像ディテクタを示した図である。
【図５】図４の透過像ディテクタとともに使用できるレチクルの例である。
【図６】Ｘ回折格子がＹ回折格子と交互する回折格子のアレイの例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、最新技術によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１１】
照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１２】
支持構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１３】
本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１４】
パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１５】
本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００１６】
ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００１７】
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００１８】
リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００１９】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２０】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２１】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２２】
図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２３】
上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００２４】
図２は、透過像ディテクタとも呼ばれる透過像検出デバイスを概略的に図示している。透過像ディテクタはそれ自体が、先行技術から知られている。ビームＰＢが、例えばマスクＭＡの回折格子などの第一オブジェクトＧ０に入射する。第一回折格子Ｇ０は、投影ビームＰＢから像を生成するように構成された複数の開口を備える。第一回折格子Ｇ０の開口はそれぞれ、投影ビームＰＢを由来とする放射ビームＰＢを放出する。Ｇ０の複数の開口から放出された放射ビームは、例えば投影レンズシステムＰＬなどのレンズを通過する。このような投影レンズシステムの光学特性は、第一回折格子Ｇ０の空間像１０００が投影レンズシステムＰＬの下方の所与の面に形成されるような特性である。透過像ディテクタは、投影レンズシステムＰＬの下方に配置される。透過像ディテクタは、スロットパターンＧ１及び光センサデバイスＰＳを備える。スロットパターンＧ１は、スリット又は正方形の形状を有する光センサデバイスＰＳ上の開口である。光センサデバイスＰＳ上の開口にパターンを与えると、縁部の数が増加し、これが信号レベルを、したがって光センサＰＳの信号／雑音比を向上できるので有利である。
【００２５】
透過像ディテクタは、投影レンズシステムＰＬ及びマスクＭＡに対して３つの直交する方向Ｘ、Ｙ及びＺで移動するために、基板テーブルＷＴ上に構成される（図１参照）。これらの３方向に沿ってスキャンすることにより、空間像の強度を透過像ディテクタのＸＹＺ位置の関数として、例えばサンプリング位置及び各位置でサンプリングされた強度の座標を備える像マップ（３Ｄマップ）にマッピングすることができる。３Ｄマップから、透過像ディテクタに接続された計算手段が、例えば最小自乗フィッティング法を使用した頂部位置の放物線の当てはめによって、空間像の位置を導出することができる。
【００２６】
図３は、リソ層３４内に４つの回折格子３０、３１、３２、３３がある最新技術による透過像ディテクタ２９の例を示す。リソ層３４は、石英ウィンドウ３５上に製造される。各回折格子３０、３１、３２、３３の下方に、関連する光ダイオード３６、３７、３８、３９が設けられる。像フィールドに４つの測定位置しかないので、透過像ディテクタ２９は、ウェーハステージに対するレチクルの位置、倍率、回転、焦点及び焦点傾斜しか測定することができない。Ｄ３（３次歪み）などのこれより高次の歪みは検出されないままである。このような歪みは、レチクルの加熱及び／又はレンズの加熱の結果として生じる。
【００２７】
図４は、本発明の実施形態による透過像ディテクタを示す。この実施形態では、透過像ディテクタ４０はリソ層４２上に構成された回折格子４１のアレイを備える。図４では、リソグラフィ装置のマスクテーブルＭＴ上に配置されたレチクル（つまりパターニングデバイス）上の関連する回折格子によって生成された空間像４４を受けるように、各回折格子が位置決めされる。図１参照。透過像ディテクタ４０はさらに、回折格子の１つを通って到達する放射を受け、測定信号を生成するように構成された放射感応性センサ４６のアレイを備える。リソ層は、例えば列状に構成された複数の回折格子でパターンが与えられたクロム層でよい。リソ層４２は回折格子４１（ｘ及びｙ回折格子）を含む。この透過像ディテクタでは、（現在の透過像ディテクタでは４個が有効であるのと比較して）約１００個の回折格子を実現することが可能である。測定信号は、投影システム（つまりレンズ）及び／又はパターニングデバイスの３次歪みを割り出すように構成された処理デバイス４９の入力である。これらの３次歪みは、リソグラフィ装置のコンポーネントを調節するために使用することができるが、パターニングデバイスに対する基板テーブルの位置合わせを改良するためにも使用することができる。
【００２８】
図４の透過像ディテクタはさらに、リソ層４２の基板として働き、ＤＵＶ光子を可視光に変換する薄い発光ガラス層４３を備える。第二の機能は、ＮＡ＞１の状態で入るＤＵＶ光を（放射感応性センサ４６の方向を含む）全方向に放射される光に変換することである。発光ガラス層の代わりに、任意の他のタイプの量子変換層を使用することができる。この方法で、透過像ディテクタ４０によって照明システムＩＬの各レーザパルスを個別に検出することができる。
【００２９】
特定の実施形態では、放射感応性センサ４６のアレイは１次元ダイオードアレイである。このダイオードアレイは、基板上で列状に構成された光ダイオードと統合することができる。別の実施形態では、放射感応性センサ４６のアレイは１次元ＣＭＯＳカメラである。さらに別の実施形態では、放射感応性センサ４６のアレイは１次元ＣＣＤカメラである。透過像ディテクタ４０は、感知するために多くのピクセルがある１次元カメラを使用する。このようなカメラで、多数の回折格子を同時に結像することができる。
【００３０】
図４の実施形態では、透過像ディテクタ４０が、回折格子４１と個々の放射感応性センサ４６との間に光ファイバブロック４８を備える。厚い（例えば５ｍｍの）光ファイバブロック４８は、発光ガラスの安定した基板として働き、発光ガラス内に形成された像をカメラへと移送する。光ファイバブロックは、ミラーブロック内に填るほど厚くすることができ、ディテクタに必要な剛性を提供する。
【００３１】
実施形態では、カメラ４６は約２００フレーム／秒の位置合わせ周波数を有する高速カメラである。カメラ４６が１次元カメラである場合、これは限られた数のピクセルしか有せず、このような高速がデータ処理の問題を引き起こさない。レーザパルス毎に１つのカメラ像を取得することができる。
【００３２】
光感応性センサ及び量子変換層を使用する代わりに、ＤＵＶ放射に対して感応性であるセンサのアレイを有する透過像センサを使用することが可能であることに留意されたい。この構成では、センサがガラス層４３の真下に配置される。
【００３３】
上述したような透過像ディテクタと組み合わせて使用できるレチクルの例が、図５に図示されている。レチクル５０は、像フィールド５２の真上及び真下に回折格子のアレイを有する。回折格子アレイ５４及び回折格子アレイ５６を参照されたい。図５に見られるように、回折格子は、レチクル５０の有意の範囲に均等に分布している。
【００３４】
他の構成が可能であり、回折格子が均等に分布する必要はないことを、当業者は理解されたい。像フィールド５２の位置にあるレチクル５０は、放射の吸収により加熱する。像フィールド５２の外側の区域は、比較的低温のままである。これは、レチクル５０の歪み及び曲がりを引き起こす。この歪み及び曲がりは、フィールドの２つの測定位置のみでは測定することができない。本発明による透過像ディテクタは、多数の測定点があるので、高い精度でレチクル５０の歪み及び曲がりを測定することができる。
【００３５】
図６は、Ｘ回折格子がＹ回折格子と交互になる回折格子のアレイの例を示す。回折格子の間隔及びサイズは、例えば図６に示す通りでよい。例えば１００μｍに等しいピッチ及び２０μｍの幅である。
【００３６】
提案されている透過像ディテクタは、既存の透過像ディテクタに対して幾つかの利点を有する。提案されている透過像ディテクタは多くの（例えば１００個を超える）回折格子を有する。各回折格子が測定結果を与える。したがって、多くの結果を平均することができ、これはレチクル位置合わせの再現性を改良する。さらに、レチクル又はレンズのより高次の歪みを詳細に測定することができる。これはオーバレイを改良する。
【００３７】
最後に、使用者の像フィールドに一致させるために、使用する回折格子を選択することができる。これもオーバレイを改良する。
【００３８】
回折格子のアレイを像フィールド５４の隣に配置する（図５参照）代わりに、ダイ間のスクライブレーンに回折格子を配置することも可能である。これによって、像フィールドの位置がさらに正確に測定され、したがってオーバレイの改良につながる。
【００３９】
本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００４０】
以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００４１】
本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ又はその辺りの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００４２】
「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
【００４３】
以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、透過像ディテクタは２次元カメラを有してよく、これは回折格子の２次元アレイからの放射を記録する。
【００４４】
上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
2009147332.tif 000003
【図２】
2009147332.tif 000004
【図３】
2009147332.tif 000005
【図４】
2009147332.tif 000006
【図５】
2009147332.tif 000007
【図６】
2009147332.tif 000008
【外国語明細書】
2009147332000001.pdf