(57)【要約】      （修正有）【課題】ＡＤ法により圧電膜を形成した場合に、基板を加熱しなくても十分に高い圧電特性が得られる非鉛系セラミックス粉末、及びその製造方法、並びに当該セラミックス粉末から形成される圧電膜を備える圧電素子を提供すること。【解決手段】構成元素として鉛を含まない化合物を主成分とするエアロゾルデポジション用セラミックス粉末であって、平均粒径が０．６μｍ以上１．７μｍ以下であり、かつ、格子歪が０．３以下であるセラミックス粉末。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
構成元素として鉛を含まない化合物を主成分とするエアロゾルデポジション用セラミックス粉末であって、
平均粒径が０．６μｍ以上１．７μｍ以下であり、かつ、格子歪が０．３以下であるセラミックス粉末。
【請求項２】
変動係数が０．５以下である、請求項１に記載のセラミックス粉末。
【請求項３】
前記構成元素として鉛を含まない化合物がペロブスカイト型化合物である、請求項１又は２に記載のセラミックス粉末。
【請求項４】
前記ペロブスカイト型化合物が一般式ＡＢＯ３で表される化合物であり、
前記化合物は、Ａサイト成分及びＢサイト成分がそれぞれ平均して１価及び５価である陽イオンであり、かつＡサイト成分が少なくともアルカリ金属イオンを含む化合物、及び、
Ａサイト成分及びＢサイト成分がそれぞれ平均して２価及び４価である陽イオンであり、かつＡサイト成分が少なくともアルカリ金属イオンを含む化合物、の少なくとも一方を含有する、請求項３に記載のセラミックス粉末。
【請求項５】
前記ペロブスカイト型化合物が、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３を主成分とする化合物、及び（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３を主成分とする化合物、の少なくとも一方を含有する、請求項３に記載のセラミックス粉末。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミックス粉末をエアロゾルデポジション法により成膜した圧電膜を備える圧電素子。
【請求項７】
原料組成物を第１温度に保持することにより、焼成物を得る工程（１）と、
前記焼成物を粉砕して焼成粉砕物を得る工程（２）と、
前記焼成粉砕物を第１温度よりも低い第２温度に保持し、粉砕する操作を複数回繰り返す工程（３）と、を備えるセラミックス粉末の製造方法であって、
前記セラミックス粉末が構成元素として鉛を含まない化合物を主成分とするセラミックス粉末であり、
前記セラミックス粉末の平均粒径が０．６μｍ以上１．７μｍ以下であり、かつ、前記セラミックス粉末の格子歪が０．３以下である、セラミックス粉末の製造方法。
【請求項８】
前記第２温度は前記第１温度よりも５０℃以上低い、請求項７に記載のセラミックス粉末の製造方法。
【請求項９】
前記第１温度が８５０〜１０５０℃であり、前記第２温度が８００〜１０００℃である、請求項７又は８に記載のセラミックス粉末の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミックス粉末が（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３を主成分とする化合物であり、
前記第１温度が９５０〜１０５０℃であり、前記第２温度が９００〜１０００℃である、請求項７又は８に記載のセラミックス粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エアロゾルデポジション用セラミックス粉末、その製造方法、及び圧電素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧電材料としては、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３を主成分とするいわゆるチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックス等の鉛系化合物を含む鉛含有圧電材料が一般に用いられている。このような圧電材料によれば、適切な成分を含有する組成物を選択して圧電膜を形成することにより、アクチュエータ、センサー、セラミックスフィルタ、圧電ブザー、超音波振動子等、様々な用途に応じた圧電素子を製造することができる。
【０００３】
しかし、上述の圧電材料を用いた圧電素子は、鉛を６０〜７０重量％程度含有しているため、環境破壊、生態系への影響が懸念されている。
【０００４】
そこで、環境への配慮等のために、圧電材料の非鉛化にむけて様々な研究が行われている。例えば、（Ｎａ、Ｋ）ＮｂＯ３で表されるニオブ酸ナトリウムカリウム系化合物や、（Ｂｉ、Ｎａ）ＴｉＯ３で表されるチタン酸ビスマスナトリウム系化合物は、非鉛圧電材料としては比較的良好な圧電特性を示すため、現在使用されている鉛含有圧電材料の代替候補として期待されている（例えば特許文献１、非特許文献１等参照）。
【０００５】
ところで、特許文献１においては、非鉛圧電材料から圧電膜を形成する際に従来の焼結法が用いられている。しかし、この焼結法では、圧電膜を薄膜化することが困難であるという問題があった。
【０００６】
すなわち、近年の電子部品の小型化、高性能化に伴い、圧電素子に設けられる圧電膜の薄膜化が強く求められている。一方、従来の焼結法を用いて圧電膜を薄膜化しようとすると、圧電膜の厚さが圧電材料を構成する結晶粒の大きさに近づくにつれ、特性のばらつきや劣化が顕著になるという問題があり、圧電膜を薄膜化することが困難であった。これを回避するために、ゾルゲル法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による圧電膜の形成が検討されているが、いずれの方法もコストが高く、実用的でない。
【０００７】
これに対して、特許文献２には、アルカリ金属が蒸発しない基板温度とした基板上に、エアロゾルデポジション法（以下、「ＡＤ法」という。）を用いて、非鉛圧電材料（ニオブ系酸化物）の微粒子を吹き付けることにより、圧電薄膜を製造する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３０６６６８号公報
【特許文献２】特開２００６−２９１３３２号公報
【非特許文献１】斎藤（Ｙ．Ｓａｉｔｏ）、他、ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ）、４３２、２００４、ｐｐ．８４−８７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に記載の方法では、基板を高温に加熱する必要があるために、特に金属等の酸化されやすい基板を使用することができないという問題があった。さらに特許文献２に記載の方法により製造される圧電膜には、その圧電特性について改善の余地があった。
【０００９】
そこで本発明は、ＡＤ法により圧電膜を形成した場合に、基板を加熱しなくても十分に高い圧電特性が得られる非鉛系セラミックス粉末、及びその製造方法、並びに当該セラミックス粉末から形成される圧電膜を備える圧電素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、構成元素として鉛を含まない化合物を主成分とするエアロゾルデポジション用セラミックス粉末（以下、単に「セラミックス粉末」ともいう。）であって、平均粒径が０．６μｍ以上１．７μｍ以下であり、かつ、格子歪が０．３以下であるセラミックス粉末を提供する。
【００１１】
本発明のセラミックス粉末によれば、当該セラミックス粉末を用いてＡＤ法により圧電膜を形成した場合に、基板を加熱しなくても十分に高い圧電特性が得られる。
【００１２】
本発明のセラミックス粉末により、このような効果が得られる理由は必ずしも明らかでないが、平均粒径及び格子歪を所定の値とすることで、基板に微粒子が吹き付けられる際に起こる衝撃固化により形成される圧電膜の状態が良好に制御されることが、要因の一つであると本発明者らは考えている。
【００１３】
また、本発明のセラミックス粉末は、構成元素として鉛を含まない化合物を主成分とするものではあるが、必ずしも鉛を含んでいてはいけないわけではなく、例えば１０００ｐｐｍ未満の鉛を含んでいてもよい。
【００１４】
本発明のセラミックス粉末においては、変動係数が０．５以下であることが好ましい。これにより、このセラミックス粉末からＡＤ法により形成される圧電膜の膜厚及び圧電特性をより高度に制御することができる。
【００１５】
上記構成元素として鉛を含まない化合物は、ペロブスカイト型化合物であることが好ましく、当該ペロブスカイト型化合物が一般式ＡＢＯ３で表される化合物であり、上記化合物は、Ａサイト成分及びＢサイト成分がそれぞれ平均して１価及び５価である陽イオンであり、かつＡサイト成分が少なくともアルカリ金属イオンを含む化合物、及び、Ａサイト成分及びＢサイト成分がそれぞれ平均して２価及び４価である陽イオンであり、かつＡサイト成分が少なくともアルカリ金属イオンを含む化合物、の少なくとも一方を含有する化合物であることがより好ましく、上記ペロブスカイト型化合物が（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３を主成分とする化合物、及び（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３を主成分とする化合物、の少なくとも一方を含有することがさらに好ましい。これにより、このセラミックス粉末からＡＤ法により形成される圧電膜の圧電特性がさらに向上する。
【００１６】
本発明はまた、上述の本発明のセラミックス粉末を、ＡＤ法により成膜した圧電膜を備える圧電素子を提供する。本発明の圧電素子は、上述のセラミックスから形成された圧電膜を備えるので、圧電特性に優れる。
【００１７】
本発明はさらに、原料組成物を第１温度に保持することにより、焼成物を得る工程（１）と、焼成物を粉砕して焼成粉砕物を得る工程（２）と、前記焼成粉砕物を第１温度よりも低い第２温度に保持し、粉砕する操作を複数回繰り返す工程（３）とを備えるセラミックス粉末の製造方法であって、セラミックス粉末が構成元素として鉛を含まない化合物を主成分とするセラミックス粉末であり、セラミックス粉末の平均粒径が０．６μｍ以上１．７μｍ以下であり、かつ、セラミックス粉末の格子歪が０．３以下である、セラミックス粉末の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明のセラミックス粉末の製造方法によれば、所定の性質を有する本発明のセラミックス粉末を製造することができる。本発明の製造方法により、所定の性質を有するセラミックス粉末を製造することができる理由は必ずしも明らかでないが、本発明の製造方法が工程（３）を備える点に少なくとも起因するものと本発明者らは考えている。
【００１９】
なお、工程（１）における第１温度、及び工程（３）における第２温度は、それぞれ一定の温度であることが望ましいが、厳密に一定である必要はなく、例えば±５℃の範囲の温度であればよい。
【００２０】
本発明のセラミックス粉末の製造方法においては、上記第２温度は上記第１温度よりも５０℃以上低いことが好ましい。これにより、上述の所定の性質を有するセラミックス粉末をより確実に製造することができる。
【００２１】
本発明のセラミックス粉末の製造方法においては、第１温度が８５０〜１０５０℃であり、第２温度が８００〜１０００℃であることが好ましい。特に、上記セラミックス粉末が（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３を主成分とする化合物である場合には、第１温度が９５０〜１０５０℃であり、第２温度が９００〜１０００℃であることが好ましい。これにより、上述の所定の性質を有するセラミックス粉末をさらに確実に製造することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ＡＤ法により圧電膜を形成した場合に、基板を加熱しなくても十分に高い圧電特性が得られる非鉛系セラミックス粉末、及びその製造方法、並びに当該セラミックス粉末から形成される圧電膜を備える圧電素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明するが、本発明は下記実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００２４】
本発明のセラミックス粉末において、構成元素として鉛を含まない化合物は、鉛を含まない化合物であり、かつ圧電材料として適しているものであればよく、ペロブスカイト型化合物であることが好ましい。ペロブスカイト型化合物（一般式ＡＢＯ３で表される化合物）としては、Ａサイト成分及びＢサイト成分がそれぞれ平均して１価及び５価である陽イオンであり、かつＡサイト成分が少なくともアルカリ金属イオンを含む化合物、及び、Ａサイト成分及びＢサイト成分がそれぞれ平均して２価及び４価である陽イオンであり、かつＡサイト成分が少なくともアルカリ金属イオンを含む化合物、がより好ましい。
【００２５】
また、ペロブスカイト型化合物としては、（Ｋ１−ｙ−ｚＮａｙＬｉｚ）ＮｂＯ３系、（Ｋ１−ｙ−ｚＮａｙＬｉｚ）（Ｎｂ１−ｗ−ｘＴａｗＳｂｘ）Ｏ３系、ＫＮｂＯ３系等のニオブ酸塩系化合物、（Ｂｉ１／２Ｎａ１／２）ＴｉＯ３−ＤＴｉＯ３系、（Ｂｉ１／２Ｎａ１／２）ＴｉＯ３−ＭＮｂＯ３系、（Ｂｉ１／２Ｎａ１／２）ＴｉＯ３−ＤＴｉＯ３−ＭＮｂＯ３系、（Ｂｉ１／２Ｎａ１／２）ＴｉＯ３−ＢａＴｉＯ３−ＢｉＦｅＯ３系等のチタン酸ビスマスナトリウム系化合物が好ましく、（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３（ニオブ酸塩系化合物）、（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３（チタン酸ビスマスナトリウム系化合物）が特に好ましい。
［上記式中、各要素は次の要件を満たす。０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、［Ｄ＝（Ｂｉ１／２Ｋ１／２）、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、（ＢａＳｒ）、（ＳｒＣａ）］、Ｍ＝Ｋ、Ｎａ］
【００２６】
本発明のセラミックス粉末の平均粒径は０．６μｍ以上１．７μｍ以下であり、０．６μｍ以上０．９μｍ以下であると好適である。上記平均粒子径が０．６μｍ未満であるとＡＤ法による成膜時に衝撃固化が起きず、圧粉体が形成されるため、成膜が困難である。また、上記平均粒子径が１．７μｍを超える場合にはセラミックス粉末の微粒子により、基板がエッチングされるため、成膜が困難である。
【００２７】
本発明のセラミックス粉末の変動係数は、０．５以下であると好適であり、０．４以下であるとより好適である。上記変動係数が０．５を超えると、製造される圧電膜の膜厚や膜質が不均一となる傾向にある。
【００２８】
本発明のセラミックス粉末における平均粒径及び変動係数は、次のようにして求めることができるものである。
【００２９】
測定対象となるセラミックス粉末を０．１重量％のヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液中に分散させ、日機装株式会社製のマイクロトラック粒度分布測定装置９３２０ＨＲＡ（Ｘ−１００）を用いることにより、各セラミックス粉末の粒度分布、並びに、次の体積平均粒子径ＭＶ及び標準偏差ＳＤを測定する。
【００３０】
平均粒径は、測定された粒度分布における、粒径分布の累積曲線が５０％となる点から求めることができる。
【００３１】
また、変動係数（ｃｖ）は、測定された体積平均粒径ＭＶ及び標準偏差ＳＤから、下記式（１）により求めることができる。
変動係数：ｃｖ＝ＳＤ／ＭＶ  …（１）
体積平均粒子径：ＭＶ＝（Ｖ１×ｄ１＋Ｖ２×ｄ２＋…＋Ｖｉ×ｄｉ＋…＋Ｖｋ×ｄｋ）
／（Ｖ１＋Ｖ２＋…＋Ｖｉ＋…＋Ｖｋ）
＝Σ（Ｖｉ×ｄｉ）／Σ（Ｖｉ）  …（２）
（Ｖｉ：各粒子の体積、ｄｉ：各粒子の径）
標準偏差：ＳＤ＝（ｄ（８４）−ｄ（１６））／２  …（３）
ｄ（８４）：粒径分布の累積曲線が８４％となる点の粒径
ｄ（１６）：粒径分布の累積曲線が１６％となる点の粒径
【００３２】
本発明のセラミックス粉末における格子歪は０．３以下であり、さらに好適には０．２以下である。上記格子歪が０．３を超えると、セラミックス粉末が本来有する圧電特性を十分に発現することができない。
【００３３】
本発明のセラミックス粉末における格子歪はＨａｌｌの方法、つまり下記式（４）に基づいて求めることができる。
βｃｏｓθ／λ＝２η（ｓｉｎθ／λ）＋Ｋ／Ｄ…（４）
（β：積分幅、θ：回折線のブラッグ角、η：格子歪、Ｄ：結晶子サイズ、Ｋ：Ｓｃｈｒｒｅｒ定数、λ：Ｘ線波長（ＣｕＫα１、１．５４０５６Å））
【００３４】
なお、測定条件は下記のとおりである。
装置：ＲＩＮＴ２５００（株式会社リガク製）
電流−電圧：５０ｋＶ−３０ｍＡ、２θ：２０〜８０°
スキャン速度：１°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０１°
発散スリット：１／２°
散乱スリット：１／２°
受光スリット：開放
【００３５】
次に、上述の所定の性質を有するセラミックス粉末を製造することが可能な、本発明のセラミックス粉末の製造方法の好適な実施形態について、図１の工程図を参照して説明する。
【００３６】
図１の工程図に示す本実施形態のセラミックス粉末の製造方法は、秤量工程、粉砕・混合工程、仮焼工程（工程（１））、第１粉砕工程（工程（２））、熱処理工程及び第２粉砕工程（工程（３））を備え、熱処理工程及び第２粉砕工程は複数回繰り返されるものである。
【００３７】
秤量工程においては、目的のセラミックス粉末の最終組成となるような量で、セラミックス粉末の複数の原料を秤量する。なお、このセラミックス粉末の原料としては、セラミックス粉末に含まれる元素に対応する炭酸塩や酸化物を用いることができる。また、目的のセラミックス粉末の最終組成となるような複数の原料の量は、目的のセラミックス粉末における元素のモル比に合わせた量とすることができる。
【００３８】
粉砕・混合工程においては、秤量した複数の原料を粉砕しながら混合し、原料組成物を得る。粉砕及び混合には、例えばボールミル又はジェットミルを用いた乾式粉砕又は湿式粉砕を用いることができる。
【００３９】
仮焼工程においては、粉砕・混合工程において得られた原料組成物を第１温度に保持することにより、原料組成物を仮焼して焼成物を得る。第１温度は、原料組成物を焼成するのに十分な温度であればよいが、８５０〜１０５０℃であることが好ましい。第１温度が８５０℃未満である場合には、焼成が不十分となる傾向にあり、第１温度が１０５０℃を超える場合には、得られるセラミックス粉末の粒径が大きくなる傾向にある。
【００４０】
さらに、第１温度は、製造されるセラミックス粉末の種類に合わせて変更することが好ましい。例えば、製造されるセラミックス粉末がニオブ酸塩系化合物である場合には、第１温度は９５０〜１０５０℃であることが好ましい。
【００４１】
なお、原料組成物を第１温度に保持する時間は、原料組成物を仮焼するのに十分な時間であればよいが、例えば２〜８時間とすることができる。
【００４２】
第１粉砕工程においては、仮焼工程において得られた焼成物を粉砕して焼成粉砕物を得る。粉砕には従来公知の方法を用いることができ、例えばボールミル又はジェットミルを用いた乾式粉砕又は湿式粉砕を用いることができる。
【００４３】
熱処理工程においては、第１粉砕工程において得られた焼成粉砕物を第１温度よりも低い第２温度に保持することにより被熱処理物を得る。第２温度が第１温度と同じ又はそれ以上の温度である場合には、所望の特性のセラミックス粉末を得ることができない。
【００４４】
第２温度は、第１温度よりも５０℃以上低いことが好ましく、８００〜１０００℃であることがより好ましい。
【００４５】
さらに、第２温度は、製造されるセラミックス粉末の種類に合わせて変更することが好ましい。例えば、製造されるセラミックス粉末がニオブ酸塩系化合物である場合には、第２温度は９００〜１０００℃であることが好ましい。
【００４６】
なお、焼成粉砕物を第２温度に保持する時間は、原料組成物を仮焼するのに十分な時間であればよいが、例えば２〜８時間とすることができる。
【００４７】
第２粉砕工程においては、熱処理工程において得られた被熱処理物を粉砕して被熱処理粉砕物を得る。粉砕には、第１粉砕工程において例示したものと同様の方法を用いることができるが、必ずしも第１粉砕工程と同じ方法を用いる必要はない。
【００４８】
第２粉砕工程において得られた被熱処理粉砕物は、さらに上述の熱処理工程及び粉砕工程に少なくとも１回供される。なお、２回目以降の熱処理工程における第２温度は、前回の熱処理工程における第２温度と同じであることが好ましいが、例えば±５℃の範囲で異なっていてもよい。
【００４９】
熱処理工程及び粉砕工程を備えない場合や、熱処理工程及び粉砕工程を複数回繰り返さない場合には、所望の性質を有するセラミックス粉末を得ることができない。熱処理工程及び第２粉砕工程を繰り返す回数は２回で十分であるが、３回以上繰り返してもよい。
【００５０】
以上本発明のセラミックス粉末の好適な実施形態について説明したが、製造方法に拘わる他の形態は常法に従うことができる。
【００５１】
図２は、本発明の好適な実施形態に係る圧電素子（圧電ブザー）を示す部分断面図である。
【００５２】
図２に示すように、本実施形態に係る圧電ブザーにおいては、振動板１０上に圧電膜１１が設けられ、さらに圧電膜１１上に電極１２が設けられている。また、振動板１０はキャップ１３で固定されている。
【００５３】
振動板１０としては、例えば直径：２０ｍｍ、厚み：０．１ｍｍの円板を用いることができる。振動板１０の材質としては、例えば、真鍮、ステンレス鋼等が挙げられる。
【００５４】
圧電膜１１は本発明のセラミックス粉末を用いて、振動板１０上にＡＤ法により直接形成される。圧電膜１１は、例えば直径：１４．２ｍｍ、厚み：０．０８４ｍｍの円板状とすることができる。
【００５５】
電極１２は、スパッタ法、無電解めっき、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等（好適には、スパッタ法）により圧電膜１１上に形成することができる。電極１２の材質としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、白金等からなる群から選択された少なくとも一種の金属又は合金（好適には銀）が挙げられる。電極１２は、例えば直径：１３．２ｍｍ、厚み：０．００７ｍｍの円板状とすることができる。
【００５６】
キャップ１３は、有機樹脂で形成されており、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）及びポリノルボルネン樹脂等で形成される。
【００５７】
上述の圧電ブザーは、本発明のセラミックス粉末を用いて、ＡＤ法により圧電膜１１を形成すること以外は、従来公知の方法により製造することができる。
【００５８】
なお、ここでは、本発明の圧電素子として圧電ブザーを説明したが、その他にも、例えばインジェクター、超音波モータ、トランスデューサ等も本発明の圧電素子に含まれる。
【００５９】
ＡＤ法による圧電膜１１の形成には、従来公知の装置を用いることができるが、図３に示す成膜装置を好適に用いることができる。
【００６０】
図３は、ＡＤ法による圧電膜の作製に好適に使用することのできる成膜装置を示す模式図である。この成膜装置は、エアロゾル生成室１、巻き上げガスノズル２、エアロゾル搬送管３、成膜チャンバ４、排気ポンプ５、噴射ノズル６、基板ホルダ７を備える。
【００６１】
エアロゾル生成室１は、成膜材料である原料粉が投入される容器である。エアロゾル生成室１には、キャリアガスを供給するための巻き上げガスノズル２、及びエアロゾル生成室１内で生成したエアロゾルを成膜チャンバ４に導入するためのエアロゾル搬送管３が備えられている。さらに、エアロゾル生成室１は、振動等を与えることにより、エアロゾル生成室１の内部に配置された原料粉を攪拌するための容器駆動部１ａが設けられている。
【００６２】
成膜チャンバ４は、エアロゾル生成室１で生成されるエアロゾルを成膜するためのチャンバである。成膜チャンバ４には、エアロゾルを噴射するための噴射ノズル６、成膜チャンバ４内を減圧するための排気ポンプ５、基板を保持するための基板ホルダ７、及び基板ホルダ７により保持された基板８が備えられている。さらに、基板ホルダ７には、基板ホルダ７を３次元的に移動させ、噴射ノズル６と基板８との相対位置及び相対速度を制御するための基板ホルダ駆動部７ａが設けられている。
【００６３】
巻き上げガスノズル２から供給されるキャリアガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、又は、乾燥空気を用いることができる。
【００６４】
成膜チャンバ４の内部は、排気ポンプ５によって減圧されており、それによって所定の真空度に保たれている。真空度が５０〜１０００Ｐａ程度であると成膜に適している。
【００６５】
噴射ノズル６は、所定の形状及び大きさ（例えば、長さ５ｍｍ、幅０．５ｍｍ程度）の開口部を有しており、この開口部からエアロゾルが噴射される。
【００６６】
このような装置を用いて、例えば次のようにして圧電膜が作製される。
【００６７】
まず、エアロゾル生成室１の内部に配置された原料粉が容器駆動部１ａにより攪拌されるとともに、巻き上げガスノズル２からキャリアガスが供給されることで、原料粉が吹き上げられてエアロゾルが生成される。
【００６８】
生成されたエアロゾルは、エアロゾル搬送管３を介して、成膜チャンバ４内に設けられた噴射ノズル６に供給され、この噴射ノズル６からエアロゾルを基板８に向けて高速で噴射される。これにより、エアロゾル状態の原料粉が、基板や基板上に形成された堆積物（以下、「下層」という）に衝突し、下層に付着して堆積することにより、薄膜（圧電膜）が形成される。
【００６９】
なお、エアロゾルの生成方法は、粉体をキャリアガス中に分散させることができる方法であればよく、上述の方法の他にも様々な公知の方法を適用することができる。例えば、キャリアガスの気流が形成されている容器に原料粉を投入することによってエアロゾルを生成してもよい。
【実施例】
【００７０】
次に、実施例により、本発明をより具体的に説明する。
【００７１】
（比較例１）
Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｂｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末を、焼成後の組成が０．７５（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．２４（Ｋ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．０１ＢａＴｉＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を８００℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を８００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を８００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、比較例１のセラミックス粉末を得た。
【００７２】
（比較例２）
比較例１と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｂｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末を、焼成後の組成が０．７５（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．２４（Ｋ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．０１ＢａＴｉＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を８５０℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を７５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を７５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、比較例２のセラミックス粉末を得た。
【００７３】
（実施例１）
比較例１と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｂｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末を、焼成後の組成が０．７５（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．２４（Ｋ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．０１ＢａＴｉＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を８５０℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を８００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を８００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、実施例１のセラミックス粉末を得た。
【００７４】
（比較例３）
比較例１と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｂｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末を、焼成後の組成が０．７５（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．２４（Ｋ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．０１ＢａＴｉＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を８５０℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を８５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を８５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、比較例３のセラミックス粉末を得た。
【００７５】
（実施例２）
比較例１と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｂｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末を、焼成後の組成が０．７５（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．２４（Ｋ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３−０．０１ＢａＴｉＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を９００℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を８００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を８００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、実施例２のセラミックス粉末を得た。
【００７６】
（比較例４）
Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を９００℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、比較例４のセラミックス粉末を得た。
【００７７】
（実施例３）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を９５０℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、実施例３のセラミックス粉末を得た。
【００７８】
（実施例４）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１０００℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、実施例４のセラミックス粉末を得た。
【００７９】
（実施例５）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１０５０℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、実施例５のセラミックス粉末を得た。
【００８０】
（実施例６）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１０５０℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を９５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を９５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、実施例６のセラミックス粉末を得た。
【００８１】
（実施例７）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１０５０℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を１０００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を１０００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、実施例７のセラミックス粉末を得た。
【００８２】
（比較例５）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１０５０℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を１０５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を１０５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、比較例５のセラミックス粉末を得た。
【００８３】
（比較例６）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１１００℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を９００℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、比較例６のセラミックス粉末を得た。
【００８４】
（比較例７）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１０００℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行い、比較例７のセラミックス粉末を得た。
【００８５】
（比較例８）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１０００℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を９５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行い、比較例８のセラミックス粉末を得た。
【００８６】
（実施例８）
比較例４と同様に、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｌｉ２ＣＯ３粉末、ＢａＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末及びＳｒＺｒＯ３を、焼成後の組成が０．９４５（Ｎａ０．５７Ｋ０．３８Ｌｉ０．０５）（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）Ｏ３−０．００５Ｂａ（Ｎｂ０．９Ｔａ０．１）２Ｏ６−０．０５ＳｒＺｒＯ３となるように秤量し、エタノールを用いて湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。混合された原料からエタノールを蒸発させることにより、原料を乾燥させた。
次いで、混合された原料粉末を１０００℃で２時間保持し、仮焼を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕してから、微粉砕を行った。
この後、この微粉砕粉を９５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕を行った。同様に、この微粉砕粉を９５０℃で２時間保持し、熱処理を行った後、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで粗粉砕し、次いで微粉砕する工程を繰り返して、実施例８のセラミックス粉末を得た。
【００８７】
実施例１〜８及び比較例１〜８のセラミック粉末について、上述の方法により平均粒径、変動係数、格子歪を測定した。その結果を表１に示す。
【００８８】
【表１】
2009242161.tif 000003
【００８９】
（薄膜の作製）
さらに、上述の図３に示した成膜装置を用いて、実施例１〜８及び比較例１〜８のセラミックス粉末をＡＤ法により成膜し、圧電膜を作製した。
【００９０】
上述の成膜装置を用いて、実施例１〜８及び比較例１〜８のセラミックス粉末を原料として圧電膜の成膜条件を表２に示す。
【００９１】
【表２】
2009242161.tif 000004
【００９２】
作製した膜の膜厚、および初期特性評価として残留分極ＰｒをＰ−Ｅ曲線から測定した。その結果を表３に示す。
【００９３】
なお、膜厚はＶｅｅｃｏ社製ＤＥＫＴＡＫ６Ｍにより測定した。
Ｐ−Ｅ曲線は、膜上にスパッタ法で１００ｎｍ厚のＡｕ電極を形成し、ＲＡＤＩＡＮＴ製ＲＴ６６Ａにより測定した。Ｐｒ＿ＡＤ／Ｐｒ＿ｂｕｌｋは通常の焼結法で作製したセラミックスのＰｒに対する割合である。このＰｒ＿ＡＤ／Ｐｒ＿ｂｕｌｋが０．３以上であるものは〇、０．１５〜０．３未満であるものは△、０．１５未満であるものは×として評価した。
【００９４】
【表３】
2009242161.tif 000005
（表３中、「Ｌａｗ  Ｒ」とは、作製した膜の抵抗が低く、Ｐ−Ｅ測定ができなかったものを示す。）
【００９５】
表３より明らかであるように、実施例１〜８のセラミックス粉末をＡＤ法により成膜した圧電膜は、比較例１〜８のセラミックス粉末をＡＤ法により成膜した圧電膜よりもＰｒ＿ＡＤ／Ｐｒ＿ｂｕｌｋの値が高く、圧電特性に優れていることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックス粉末の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の好適な実施形態に係る圧電素子の構造を示す部分断面図である。
【図３】ＡＤ法による圧電膜の作製に好適に使用することのできる成膜装置を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９７】
１…エアロゾル生成室、１ａ…容器駆動部、２…巻き上げガスノズル、３…エアロゾル搬送管、４…成膜チャンバ、５…排気ポンプ、６…噴射ノズル、７…基板ホルダ、７ａ…基板ホルダ駆動部、８…基板、１０…振動板、１１…圧電膜、１２…電極、１３…キャップ。
【図１】
2009242161.tif 000006
【図２】
2009242161.tif 000007
【図３】
2009242161.tif 000008