(57)【要約】【課題】本発明は、Ｐｄ電極を備える半導体発光素子の製造方法に関し、剥がれた絶縁膜上Ｐｄ電極の半導体発光素子表面への付着に起因する歩留まり低下、パッド電極未形成部分の発生、ｐ型コンタクト層とパッド電極が接触する問題を簡素な方法で回避できる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】開口部を有する絶縁膜を半導体上に形成する工程と、該開口部および該絶縁膜上にＰｄ電極を形成する工程と、該絶縁膜上の該Ｐｄ電極に対し物理的な力を付加して、該開口部の該Ｐｄ電極を残したまま、該絶縁膜上の該Ｐｄ電極を剥離して除去する剥離工程とを備える。【選択図】図９
2009177141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する絶縁膜を半導体上に形成する工程と、
前記開口部および前記絶縁膜上にＰｄ電極を形成する工程と、
前記絶縁膜上の前記Ｐｄ電極に対し物理的な力を付加して、前記開口部の前記Ｐｄ電極を残したまま、前記絶縁膜上の前記Ｐｄ電極を剥離して除去する剥離工程とを備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記物理的な力は、液体スプレーの噴射、超音波振動の付加、エアーの噴射、粒子の噴射、遠心力の付加、吸気装置による吸引、テープの貼り付け及び剥がし、のいずれか一または複数の手段により与えられることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記Ｐｄ電極を形成する工程の後かつ前記剥離工程の前に熱処理を行う工程を備える請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記Ｐｄ電極を蒸着により形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜を形成する工程の前に前記半導体にリッジ部を形成する工程を備え、
前記開口部を前記リッジ部の上面に形成し、
前記Ｐｄ電極を形成する工程では前記開口部での前記Ｐｄ電極を１０〜４００ｎｍの膜厚で形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記Ｐｄ電極を形成する工程では前記Ｐｄ電極を前記リッジ部を覆うように形成し、
前記Ｐｄ電極を前記リッジ部の側面から、前記リッジ部と隣接し前記リッジ部より高さが低いチャネル部の底面に沿って０．５μｍ以上形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記Ｐｄ電極を形成する工程では前記Ｐｄ電極を前記リッジ部を覆うように形成し、
前記Ｐｄ電極を前記リッジ部の側面から、前記リッジ部と隣接し前記リッジ部より高さが低いチャネル部の底面に沿って２．７５μｍ以上形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記Ｐｄ電極が、Ｐｄを第１層とした複数の層からなる積層構造であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記剥離工程の後に、前記Ｐｄ電極の上にバリアメタル層を形成するバリアメタル形成工程と、
前記バリアメタル形成工程の後に、Ａｕを含むパッド電極を前記バリアメタル層上に形成する工程を備えることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記バリアメタル層はＰｔ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｉのいずれかを含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記剥離工程の後かつ前記バリアメタル形成工程前に、前記Ｐｄ電極の上にＴｉ層、Ｃｒ層のいずれかの層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記バリアメタル形成工程の後かつ前記パッド電極を形成する工程の前に、前記バリアメタル層の上にＴｉ層、Ｃｒ層のいずれかの層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項９から１１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極としてＰｄ電極が用いられた半導体発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子において活性層の上層に形成されるｐ型半導体層は、その一部においてｐ型半導体層に給電するためのｐ型電極と接続される。ｐ型半導体層のうち、前述のｐ型電極と接続される部分はｐ型コンタクト層と呼ばれる。そして、低消費電流化などの特性改善の観点から、ｐ型電極には、オーミック特性が向上され、ｐ型コンタクト層と低抵抗接触されることなどが要求される。
【０００３】
ここで、例えば青紫色ＬＤで使用される窒化物半導体発光素子では、上述の要求を満たすべく、ｐ型電極材料としてＰｄ（あるいはＰｄを含む材料）を用いることがある。Ｐｄ電極は少なくともｐ型コンタクト層上に形成される。しかしながらプロセスマージンを持たせるためにＰｄ電極は絶縁膜上にも形成されることが一般的である。従ってＰｄ電極のうちｐ型コンタクト層上に形成される部分（コンタクト上Ｐｄ電極と称する）と絶縁膜上に形成される部分（絶縁膜上Ｐｄ電極と称する）とを備える。Ｐｄ電極を形成した後にはＰｄ電極上にパッド電極が形成される。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６０−４３８３０号公報
【特許文献２】特開２００５−９３６７３号公報
【特許文献３】特開２００３−１００７５８号公報
【特許文献４】特開２００２−２０５２６８号公報
【特許文献５】特開平１０−７４７１０号公報
【特許文献６】特開平５−１５２２４８号公報
【特許文献７】特開平１−１１６０７０号公報
【特許文献８】特開２００６−３５１６１７号公報
【特許文献９】特開２００６−２４５３７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、Ｐｄ電極と絶縁膜とは密着性が悪いため、絶縁膜上Ｐｄ電極が剥がれることがある。剥がれた絶縁膜上Ｐｄ電極の一部は半導体発光素子の表面に付着し歩留まりなどへ悪影響を与える問題が起こることが考えられる。また、絶縁膜上Ｐｄ電極が完全には剥がれず、コンタクト上Ｐｄ電極から伸びるひさしのような形状となることも考えられる。この場合には前述のひさし形状の部分により、後続のパッド電極形成する工程で所望の場所にパッド電極形成が行えない問題があった。その結果パッド電極に未形成部分（穴）が生じてしまうなどの問題があった。さらに、絶縁膜上Ｐｄ電極が剥がれる際にコンタクト上Ｐｄ電極の一部を引き剥がすことによりｐ型コンタクト層が表面に露出することがあった。この場合表面に露出したｐ型コンタクト層に直接パッド電極が形成される。そして、例えばパッド電極に含まれるＡｕなどがｐ型半導体層に拡散して半導体発光素子の特性、信頼性に悪影響を及ぼす問題もあった。
【０００６】
このような絶縁膜上Ｐｄ電極の剥がれを抑制するために、絶縁膜とＰｄ電極の間に密着層を形成し、絶縁膜上Ｐｄ電極と絶縁膜の密着性を向上させることが考えられる。しかし前述の密着層を所望の場所に形成するには工程増加が避けられず製造コスト高になる問題もあった。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、剥がれた絶縁膜上Ｐｄ電極の半導体発光素子表面への付着に起因する歩留まり低下、パッド電極未形成部分の発生、ｐ型コンタクト層とパッド電極が接触する問題を上述の密着層を形成せず簡素な方法で回避できる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の発明にかかる半導体発光素子の製造方法は、
開口部を有する絶縁膜を半導体上に形成する工程と、
該開口部および該絶縁膜上にＰｄ電極を形成する工程と、
該絶縁膜上の該Ｐｄ電極に対し物理的な力を付加して、該開口部の該Ｐｄ電極を残したまま、該絶縁膜上の該Ｐｄ電極を剥離して除去する剥離工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によって簡素な工程によりＰｄ電極剥がれによる弊害を回避できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態1
本実施形態はＰｄ電極を備える半導体発光素子の製造方法に関し、特にＰｄ電極形成に伴って起こる歩留まり低下などの悪影響を簡素な方法により回避できる半導体発光素子の製造方法に関するものである。以後、本実施形態の半導体発光素子の製造方法について図１から順次説明する。なお説明の便宜上、製造工程を終えていない「半導体発光素子となるべき基板」についても半導体発光素子と称することがある。
【００１１】
図１は本実施形態の絶縁膜を形成する工程を説明する図である。本実施形態の半導体発光素子はＧａＮ基板上を用いて形成されるものであり、活性層１８（図２以降は省略する）を備える。活性層１８の上層にはｐ型半導体層１６を備える。ｐ型半導体層１６は所定位置でチャネル部１２と呼ばれる高さの低い部分を備える。チャネル部１２はリッジ部１０とテラス部１４とに挟まれた溝である。そして、リッジ部１０の最上層としてｐ型コンタクト層２０が形成される。ｐ型コンタクト層２０は、ｐ型半導体層１６への給電を行う後述する電極と接続される。なお、本実施形態ではチャネル部１２の溝底部とリッジ部の上面との高さの差は０．５μｍである。また、リッジ部１０の幅は１．５μｍである。
【００１２】
上述の構成であるウェハ表面に第一絶縁膜２２が形成される。第一絶縁膜２２はチャネル部１２に形成される。さらに、第二絶縁膜２４がチャネル部１２の一部とテラス部１４に形成される。第一絶縁膜２２と第二絶縁膜２４とは全体としてリッジ部１０の上面にｐ型コンタクト層２０を露出させる開口を設けるように形成される。本実施形態では第一絶縁膜２２、第二絶縁膜２４共にＳｉＯ２で形成される。
【００１３】
図２は、図１の構成が形成された後にＰｄ電極２６を形成する工程について説明する図である。本実施形態では法線蒸着（成膜が専らウェハ（半導体発光素子）主面と垂直方向に進む蒸着のことをいう）によりリッジ部１０を覆うようにＰｄ電極２６が形成される。より詳細には、Ｐｄ電極２６はリッジ部１０の上面および側面を覆い、さらにチャネル部１２の溝底部の一部にも一体的に形成される。なお、Ｐｄ電極が形成されない部分については、Ｐｄ電極を法線蒸着により形成する際にレジストなどで覆われている構成としてもよい。そして、前述した法線蒸着の効果によりリッジ部１０の上面およびチャネル部１２の溝底部にはＰｄが厚く形成される。一方、リッジ部１０の側面にはＰｄが薄く形成される。
【００１４】
本実施形態ではリッジ部１０の上面におけるＰｄ電極２６の厚さは１００ｎｍである。ここで、図２から把握されるように、Ｐｄ電極２６は、第一絶縁膜２２に接する部分（以後、絶縁膜上Ｐｄ電極と称する）とｐ型コンタクト層と接する部分（以後、コンタクト上Ｐｄ電極と称する）とを備える。そして、本実施形態では絶縁膜上Ｐｄ電極がチャネル部１２の溝底部と重なる部分の長さは２．７５μｍである。
【００１５】
Ｐｄ電極２６が形成されると、コンタクト上Ｐｄ電極とｐ型コンタクト層２０との密着性を高めるためにシンタ−熱処理が行われる。シンター熱処理は、典型的には４００℃〜５５０℃程度の温度で行われるが特にこれに限定されない。
【００１６】
図３は図２の構成が形成された後に上述の絶縁膜上Ｐｄ電極を剥離する工程（剥離工程）について説明する図である。コンタクト上Ｐｄ電極はｐ型半導体層１６の一部であるｐ型コンタクト層２０とは密着性良く形成されるが、絶縁膜上Ｐｄ電極は第二絶縁膜２２と密着性が悪く剥がれやすい。そして絶縁膜上Ｐｄ電極は、物理的な力を加えることにより剥離させることが可能である。
【００１７】
本実施形態の半導体発光素子の製造方法では図３に示す液体スプレー噴出装置２１から噴出される液体の物理的な力を利用して絶縁膜上Ｐｄ電極を剥離する。液体スプレー噴出装置２１は、ウェハの主面平行方向を走査しながらウェハ外部から液体を噴出してウェハ表面に吹きつける装置である。液体スプレー噴出装置２１の液体噴出口はウェハ主面の法線方向から所定角度だけ傾けられている。また、本実施形態の液体スプレー噴出装置２１はＮ２と純水の混合液を噴出する２流体微粒子噴霧器を備えるものである。
【００１８】
前述したように、液体スプレー噴出装置２１を利用して絶縁膜上Ｐｄ電極が剥離されるが、このときコンタクト上Ｐｄ電極は剥離されない。すなわち、液体スプレー噴出装置２１から噴出される液体の流量および噴出される液体の圧力は、コンタクト上Ｐｄ電極を剥離させず絶縁膜上Ｐｄ電極を剥離させるような物理的な力をＰｄ電極２６に及ぼすように調整される。本実施形態では、液体スプレー噴出装置２１から噴出される液体の流量は２００ｍｌ／ｍｉｎであり、噴出される液体の圧力は０．４ＭＰａである。
【００１９】
図４は図３の構成が形成された後にリッジ部１０、チャネル部１２、テラス１４に密着層３０を形成する工程について説明する図である。本実施形態では密着層３０としてＴｉ又はＣｒが形成される。密着層３０は後述するバリアメタル層とウェハとの密着性を高めるために形成される。
【００２０】
図５は図４の構成が形成された後に密着層３０上にバリアメタル層３２を形成する工程を説明する図である。本実施形態ではバリアメタル層３２としてＰｔが形成される。バリアメタル層３２はｐ型半導体層への金属原子の浸入を抑制する。なお、バリアメタル層としては、各層の境界を越えて物質が拡散することを抑制できる導体であれば良いからＰｔの他に例えばＭｏ、Ｔａ、Ｎｉなどが形成されても良い。
【００２１】
図６は図５の構成が形成された後にバリアメタル層３２上にパッド電極３４を形成する工程を説明する図である。本実施形態のパッド電極３４は多層構造であっても単層構造であっても良いが、少なくともＡｕを含む層が形成される。本発明の一実施形態は上述の通りである。以後、本発明がなされる動機となった課題について説明する。
【００２２】
一般に、ＧａＮなどの窒化物半導体発光素子におけるｐ型電極は、電気的特性の改善のために、オーミック特性の向上および低抵抗化が要求される。前述の要求に沿ったｐ型電極としてはＰｄ電極が有望である。しかしながら、Ｐｄ電極と絶縁膜とは本質的に密着性が悪くＰｄ電極の剥がれが起こることがある。ここで、Ｐｄ電極はｐ型半導体層とのみ接していればよい。ところが、Ｐｄ電極をｐ型半導体層とのみ接触するように位置精度良くしかも再現性良く形成することはプロセスマージンなどの観点から現実的ではない。従ってＰｄ電極は、必然的に絶縁膜とも接するように形成されることになるため、Ｐｄ電極剥がれ（絶縁膜上Ｐｄ電極剥がれ）の問題が起こり得る。
【００２３】
図７は、前述したＰｄ電極剥がれに起因する典型的な弊害について説明する図である。剥がれた絶縁膜上Ｐｄ電極は、欠陥Ｐｄ４４として例えばチャネル部などに付着して後続のパッド電極を形成する工程により形成されるパッド電極の膜質を悪化させるなどの弊害の原因となる。また、絶縁膜上Ｐｄ電極のうち、絶縁膜とは剥離したもののコンタクト上Ｐｄ電極とは接続されたままで残存しているバリ部分４２の発生も考えられる。バリ部分４２は後続の工程であるパッド電極を形成する工程においてバリ部分４２直下におけるパッド電極の形成を妨げる「ひさし」となることがある。従ってバリ部分４２によって、連続的に形成されるべきパッド電極が不連続に形成されたり、パッド電極に不必要な未形成部分が生じたりする弊害が考えられる。
【００２４】
図８は、前述したＰｄ電極剥がれに起因する別の典型的な弊害について説明する図である。図８は絶縁膜上Ｐｄ電極が剥がれる際にコンタクト上Ｐｄ電極の一部が引き剥がされた場合のリッジ部を示す。コンタクト上Ｐｄ電極は、ｐ型コンタクト層２０との密着性が良好ではあるが、絶縁膜上Ｐｄ電極に近接する部分では絶縁膜上Ｐｄ電極とともに剥離されてしまうことがある。このような場合ｐ型コンタクト層２０が表面に露出した部分であるコンタクト層露出部４６が生じる。そして、後続の工程であるパッド電極を形成する工程で形成されるＡｕなどの金属がコンタクト層露出部４６に直接に形成されるため、Ａｕなどの金属がコンタクト層露出部４６からｐ型半導体層１６へ浸入する。この結果、例えば活性層のバンドギャップ中に深い準位が形成され半導体発光素子の電気的・光学的特性を変動・劣化させてしまう弊害が考えられる。
このように、Ｐｄを用いてｐ型電極を形成しようとすると図７、８で説明した典型例などにより歩留りが低下するなどの問題が生じることがあった。
【００２５】
図７、８で説明した弊害は、Ｐｄ電極が剥がれることに起因するものである。そこで、Ｐｄ電極と絶縁膜との密着性を向上させるべく両者の間に密着層を形成することが考えられる。密着層を形成するとＰｄ電極の剥がれの問題が抑制されると考えられるため、図７、８で例示したような弊害を回避でき歩留まり向上などの効果は得られるが、工程増加（工程複雑化）の分だけ製造コスト高となってしまうことが考えられる。
【００２６】
本実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば製造工程の複雑化を伴わない簡素な工程により図７、８に示すような弊害を回避できる。すなわち、本実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば絶縁膜上Ｐｄ電極が液体スプレー噴出装置２１の噴出する液体によって剥離され該液体と共に半導体発光素子表面から除去されるから、図７に示す欠陥Ｐｄが半導体発光素子に付着することを抑制できる。
【００２７】
また、本実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば図７に示すバリ部分４２の発生を抑制できる。このことについて、図９を用いて説明する。図９は液体スプレー噴出装置２１の噴出する液体により絶縁膜上Ｐｄ電極が剥離される様子についてその典型例を説明する図である。絶縁膜上Ｐｄ電極は絶縁膜との密着性が悪いから、液体スプレー噴出装置２１の噴出する液体により、又は前述の液体によらず絶縁膜とは剥離される。そして、液体スプレー噴出装置２１の噴出する液体による物理的な力により絶縁膜上Ｐｄ電極とコンタクト上Ｐｄ電極との接合部分（Ｐｄ切断部分４０）が切断されることにより絶縁膜上Ｐｄ電極が剥離される。
【００２８】
本実施形態においてはＰｄ切断部分４０にて行われるＰｄ電極の切断を容易化するために以下の３点の準備が行われている。第一点目は、Ｐｄ電極が法線蒸着により形成されているため、Ｐｄ電極がリッジ側面において他の部分より薄く形成されている点である。これはＰｄ切断部分４０にて行われるＰｄ電極の切断を容易化する。第二点目は、コンタクト上Ｐｄ電極が膜厚１００ｎｍで形成されている点である。これもＰｄ切断部分４０にて行われるＰｄ電極の切断の容易化に寄与する十分薄い膜厚である。
【００２９】
第三点目は、絶縁膜上Ｐｄ電極がチャネル部１２の溝底部と重なる部分（以後、チャネル溝底重畳部と称する）の長さが２．７５μｍで形成されている点である。チャネル溝底重畳部は絶縁膜上Ｐｄ電極の一部であり、図９に示されるように、液体スプレー噴出装置２１の噴出する液体による物理的な力を受ける部分である。従ってチャネル溝底重畳部の長さが長いほど絶縁膜上Ｐｄ電極はより強い物理的な力を受けることができるから、Ｐｄ切断部分４０におけるＰｄ電極の切断にとって好ましい。本実施形態ではチャネル溝底重畳部の長さとして２．７５μｍとして十分な長さを確保して切断を容易化している。
【００３０】
ところで、バリ部分４２に対して積極的に物理的な力が加えられない場合、バリ部分４２はコンタクト上Ｐｄ電極と切断されずに残存しやすい。一方本実施形態では前述のバリ部分（絶縁膜上Ｐｄ電極）が発生しても、液体スプレー噴出装置２１の噴出する液体によって物理的な力が加えられ除去される。しかも、上述した３点の準備が行われているからバリ部分（絶縁膜上Ｐｄ電極）の剥離および除去は容易である。ゆえに本実施形態の半導体発光素子の製造方法によればバリ部分がない状態でパッド電極形成などができる。
【００３１】
本発明では絶縁膜上Ｐｄ電極に対し物理的な力を加えて絶縁膜上Ｐｄ電極を積極的に除去するから、図８に示すコンタクト層露出部４６が発生しえる。そこで、本実施形態では剥離工程の後であって、パッド電極３４を形成する工程の前にバリアメタル層３２を形成する工程が実施される。すなわち、バリアメタル層３２により、パッド電極を構成する導体（Ａｕなどの金属）がコンタクト層露出部分４６を経由してｐ型半導体層中に浸入することを抑制できる。従って、本実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば、半導体発光素子の特性劣化を回避できる。
【００３２】
また、Ｐｄ電極を形成したあとに液体スプレー噴出装置２１により絶縁膜上Ｐｄ電極を除去することは、簡素な工程で実現できタクトタイムへの影響は軽微である。従って、Ｐｄ電極と絶縁膜との間に密着層などを形成する場合と比較して、簡素な構成で図７における欠陥Ｐｄ４４やバリ部分４２の発生を抑制できる。
【００３３】
このように、本発明の第一の特徴は、絶縁膜上Ｐｄ電極を物理的な力により除去して欠陥Ｐｄやバリ部分の発生を回避することである。さらに、本発明の第二の特徴はコンタクト層露出部からｐ型半導体層への導体の浸入を抑制するために、パッド電極を形成する前にバリアメタル層を形成することである。
【００３４】
本実施形態においては、液体スプレー噴出装置２１からＮ２と純水の混合液を噴出するものとしたが本発明はこれに限定されない。すなわち、本発明は絶縁膜上Ｐｄ電極に物理的な力を付加してこれを剥離させることにより効果が得られるから、Ｎ２と純水の混合液に代えて純水を用いても良いし、アセトンなどの有機溶剤を用いて剥離後の半導体発光素子表面の乾燥の迅速化を図ってもよい。また、液体スプレー噴出装置２１の噴出口を超音波振動させて絶縁膜上Ｐｄ電極の剥離効率を高めても良い。ただし、液体スプレー噴出装置２１から噴出される液体はＰｄ電極および絶縁膜（本実施形態では第一絶縁膜および第二絶縁膜）に直接接するから、これらを変質させたり溶解させたりするものは適当でない。
【００３５】
また、本実施形態における液体スプレー噴出装置２１は絶縁膜上Ｐｄ電極に「物理的な力」を付加する手段の例示であってこれに限定されるものではない。すなわち、絶縁膜上Ｐｄ電極に「物理的な力」を及ぼすために薬液槽（又は純水槽）中にウェハを浸し超音波振動を付加することとしても本発明の効果を得られる。また、Ｎ２ガスなどの不活性ガスを絶縁膜上Ｐｄ電極に吹きつける（エアブロー）こととしても本発明の効果を得られる。同様にして、絶縁膜上Ｐｄ電極に粒子を吹きつける方法も考えられるし、ウェハを回転させて絶縁膜上Ｐｄ電極に遠心力を付加する方法、吸引機を用いて絶縁膜上Ｐｄ電極を吸引する方法、絶縁膜上Ｐｄ電極に粘着テープを貼り付けてこれを剥がす方法など本発明を効果を維持しながら様々な方法が用いられ得る。
【００３６】
本実施形態においては、第一絶縁膜２２と第二絶縁膜２４はＳｉＯ２であることとしたが本発明はこれに限定されない。絶縁膜としては例えば、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮ、又はＴＥＯＳ、又はＺｒＯ２、又はＴｉＯ２、又はＴａ２Ｏ５、又はＡｌ２Ｏ３、又はＮｂ２Ｏ５、又はＨｆ２Ｏ５、又はＡｌＮなどの材料が用いられても本発明の効果を失わない。
【００３７】
本実施形態においては、Ｐｄ電極を法線蒸着により形成することとしたが本発明はこれに限定されない。すなわち、前述の通り、法線蒸着によりリッジ部側面においてＰｄ電極が薄く形成されていることは絶縁膜上Ｐｄ電極の剥離を容易化することに寄与するが、そのような容易化を要さない場合などはスパッタ法やＣＶＤ法などでＰｄ電極を形成することとしても本発明の効果は得られる。なお、法線蒸着などの蒸着による成膜は、本実施形態のようにＧａＮ系材料を用いた半導体発光素子基板へドライダメージを与える事はないが、スパッタ法などを用いてＰｄ電極を形成する際にはプラズマによるドライダメージを許容できる範囲に抑制する必要が生じる。
【００３８】
本実施形態においては、コンタクト上Ｐｄ電極が膜厚１００ｎｍであるとしたが本発明はこれに限定されない。すなわちコンタクト上Ｐｄ電極の膜厚は、島状成長の過程途中である１０ｎｍより厚く、Ｐｄ切断部分４０の切断容易性を悪化させない限度である４００ｎｍより薄く形成されている限りにおいて限定されない。
【００３９】
本実施形態においてはチャネル溝底重畳部の長さを２．７５μｍとしたが本発明はこれに限定されない。すなわち、前述の通り、Ｐｄ切断部分４０の切断容易性の観点からはチャネル溝底重畳部は長いほど好ましい。従って、チャネル溝底重畳部の長さはプロセスマージンの観点から最低限必要である０．５μｍ以上であれば特に限定されない。さらに、本実施形態の液体スプレー噴出装置２１との関係ではチャネル溝底重畳部の長さを２．７５μｍとすると再現性よくＰｄ切断部分４０を切断できたため、チャネル溝底重畳部の長さは２．７５μｍ以上であることがより好ましい。
【００４０】
本実施形態では、層間の密着性を高めるためにバリアメタルの形成前に密着層３０を形成することとしたが本発明はこれに限定されない。すなわち、バリアメタルの形成後、パッド電極形成前に密着層３０を形成してもよく、バリアメタルの上下に密着層３０を形成してもよい。また、層間の密着性に問題がない場合には密着層３０を形成しない構成でもよい。なお、本発明ではＰｄ電極と絶縁膜（第一絶縁膜又は第二絶縁膜）とが接することは効果を得るための必須要件であるから、本発明ではＰｄ電極と絶縁膜との間には密着層は形成されない。
【００４１】
本実施形態の半導体発光素子はＧａＮ系材料からなる基板を備えるが本発明はこれに限定されない。すなわち、Ｐｄ電極（あるいはＰｄを含む電極）と低抵抗オーミック接触が可能な半導体である限りにおいてはＧａＮに限定されず他の材料であっても良い。
【００４２】
本実施形態ではＰｄ電極２６を形成した後に行うシンター熱処理を行うこととしたが、これに限定されない。シンター熱処理は、コンタクト上Ｐｄ電極とｐ型コンタクト層との密着性を高めることができる限りにおいては製造工程中いつ行われてもよい。また、シンター熱処理の温度も同様に任意である。
【００４３】
ここで、図７で説明した「絶縁膜上Ｐｄ電極の剥がれ」の弊害は、Ｐｄ電極と絶縁膜の密着性が悪いのだからＰｄ電極形成後いつでも起こるものである。しかしながら、シンター熱処理後において「絶縁膜上Ｐｄ電極の剥がれ」の弊害が特に顕著である。このことから、絶縁膜上Ｐｄ電極（Ｐｄ）と絶縁膜（ＳｉＯ２）とは熱膨張率の差が大きいから、両者の密着性はシンター熱処理によって減じられていると考えられる。従って、シンター熱処理後に絶縁膜上Ｐｄ電極を剥離する工程（剥離工程）を行うと容易に絶縁膜上Ｐｄ電極を剥離でき、シンター熱処理によって剥離したＰｄ電極の部分も除去できる。一方、剥離工程後にシンター熱処理を行っても剥離工程において絶縁膜上Ｐｄ電極を十分除去できている限りにおいては本発明の効果の1つである「欠陥Ｐｄ４４やバリ部分４２（図７）」の抑制ができる。
【００４４】
本実施形態のＰｄ電極はＰｄ単層に限定されず、Ｐｄ／Ｔａの積層構造であってもよいし、Ｐｄ／Ｔａ／Ｐｄなどの積層構造であってもよい。ここで、先に用いた／は積層構造であることを表す。また、本実施形態のパッド電極としては、Ｔｉ／Ｔａ／Ｔｉ／Ａｕや、Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕなどの積層構造であっても本発明の効果を失わない。
【００４５】
本発明は、絶縁膜上Ｐｄ電極に物理的な力を加えこれをウェハ表面から除去（剥離）すること、および、パッド電極の構成要素である金属がｐ型半導体層へ浸入することを防止するべくバリアメタル層を形成することに特徴がある。従ってこの発明の範囲を逸脱しない限りにおいては様々な変形が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】絶縁膜を形成する工程を説明する図である。
【図２】Ｐｄ電極を形成する工程を説明する図である。
【図３】絶縁膜上Ｐｄ電極を剥離する工程（剥離工程）を説明する図である。
【図４】密着層を形成する工程を説明する図である。
【図５】密着層上にバリアメタル層を形成する工程を説明する図である。
【図６】バリアメタル層上にパッド電極を形成する工程を説明する図である。
【図７】Ｐｄ電極剥がれに起因する典型的な弊害について説明する図である。
【図８】Ｐｄ電極剥がれに起因する別の典型的な弊害について説明する図である。
【図９】液体スプレー噴出装置の噴出する液体により絶縁膜上Ｐｄ電極が剥離される様子についてその典型例を説明する図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  リッジ部
１６  ｐ型半導体層
２０  ｐ型コンタクト層
２１  液体スプレー噴出装置
２２  第一絶縁膜
２６  Ｐｄ電極
３２  バリアメタル層
３４  パッド電極
４０  Ｐｄ切断部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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