(57)【要約】【課題】表面加工方法及び装置において、基板表面でのスクラッチの発生を抑制して基板の表面粗さを更に小さくし、且つ、表面の欠陥箇所を更に少なくすることを可能とすることを目的とする。【解決手段】円筒形状を有する研磨部材を基板表面に接触させた状態で回転させ、基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す表面加工方法において、研磨部材の回転軸に沿った中心部分に設けられた研磨液経路に研磨液を供給し、研磨部材を記回転軸を中心に回転して研磨液を研磨液経路の外側に設けられた発泡体でろ過しつつ基板表面に供給し、発泡体の開口径は研磨液経路側の方が研磨部材の外周側より大きくする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形状を有する研磨部材を基板表面に接触させた状態で回転させ、前記基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す表面加工方法であって、
前記研磨部材の回転軸に沿った中心部分に設けられた研磨液経路に研磨液を供給する第１のステップと、
前記研磨部材を前記回転軸を中心に回転し、前記研磨液を前記研磨液経路の外側に設けられた発泡体でろ過しつつ前記基板表面に供給する第２のステップを含み、
前記発泡体の開口径は、前記研磨液経路側の方が前記研磨部材の外周側より大きい、表面加工方法。
【請求項２】
前記第２のステップは、同心円状に設けられた複数の発泡体により前記研磨液を複数のろ過段階でろ過する、請求項１記載の表面加工方法。
【請求項３】
１つの基板表面に対して複数の研磨部材を用い、前記複数の研磨部材の少なくとも１つに対して前記第１及び第２のステップを実行する、請求項１記載の表面加工方法。
【請求項４】
前記複数の研磨部材に対し、互いに異なる粒径の研磨液を供給して前記第１及び第２のステップを実行する、請求項３記載の表面加工方法。
【請求項５】
回転軸に沿った中心部分に研磨液経路を有すると共に、外周程開口径が大きい発泡体を有する円筒形状の研磨部材と、
研磨液を前記研磨液経路に供給する研磨液供給部と、
前記研磨部材を回転する駆動部を備え、
前記研磨部材を基板表面に接触させた状態で駆動部により回転すると共に、前記研磨液を前記発泡体でろ過しつつ前記研磨部材から前記基板表面に供給することで前記基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す、表面加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面加工方法及び装置に係り、特に磁気記録媒体等の基板表面を加工するのに適した表面加工方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク等の磁気記録媒体において、更なる高記録密度化を達成するためには、ヘッドと磁気記録媒体との間のスペーシング、即ち、ヘッドの磁気記録媒体からの浮上量を小さくすることが求められている。ヘッドの浮上量は、磁気記録媒体の基板表面粗さを小さくすることで、更に小さくすることができる。
【０００３】
従来の磁気ディスクの基板表面に対しては、基板の円周方向にテキスチャリングを施すテキスチャリング処理、或いは、平滑研磨を施すポリシング処理が行われてきた。これらの処理はいずれも、研磨液への異物混入による基板表面での傷、所謂スクラッチの発生が避けられず、更なる高密度記録の実現に大きな障害となってきた。
【０００４】
図１は、従来の表面加工方法の一例を説明する図である。同図中、（ａ）は表面加工装置の一部を示す正面図であり、（ｂ）は表面加工装置の一部を示す側面図である。研磨用テープ１は、図示を省略する駆動部によりゴムローラ２を介してテープ送り方向Ａへ送られる。テープ１とディスク基板３との間には、滴下ノズル４から研磨液（スラリー）５が供給され、ディスク基板３がテープ１と接触した状態でテープ１がテープ送り方向Ａに送られることでディスク基板３が方向Ｂへ回転されてディスク基板３の表面が研磨される。
【０００５】
研磨液５自体に異物が混入していたり、或いは、外部環境によっては研磨液５が滴下ノズル４からテープ１とディスク基板３との間に供給される際に異物が混入することがある。このような場合、テープ１がディスク基板３の表面を研磨する際に異物がディスク基板３の表面にスクラッチを形成し、表面粗さを更に小さくする妨げとなる。又、スクラッチ箇所は正常箇所に比較して再生出力が低下するため、欠陥箇所となる。このような問題は、テープ１以外のパッド等の研磨部材を用いた場合にも同様に発生する。
【０００６】
ディスク洗浄装置は、例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３等にて提案されている。
【特許文献１】特開２００７−１０５６２４号公報
【特許文献２】特開２０００−１０８０２２号公報
【特許文献３】特開平１１−３５４４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の表面加工方法では、研磨液自体に異物が混入していたり、或いは、研磨液を供給される際に異物が混入すると、基板表面を研磨する際に異物が基板表面にスクラッチを形成してしまい、基板の表面粗さを更に小さくすることが難しいという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、基板表面でのスクラッチの発生を抑制して基板の表面粗さを更に小さくし、且つ、表面の欠陥箇所を更に少なくすることを可能とする表面加工方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によれば、円筒形状を有する研磨部材を基板表面に接触させた状態で回転させ、前記基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す表面加工方法であって、前記研磨部材の回転軸に沿った中心部分に設けられた研磨液経路に研磨液を供給する第１のステップと、前記研磨部材を前記回転軸を中心に回転し、前記研磨液を前記研磨液経路の外側に設けられた発泡体でろ過しつつ前記基板表面に供給する第２のステップを含み、前記発泡体の開口径は、前記研磨液経路側の方が前記研磨部材の外周側より大きい表面加工方法が提供される。
【００１０】
本発明の一観点によれば、回転軸に沿った中心部分に研磨液経路を有すると共に、外周程開口径が大きい発泡体を有する円筒形状の研磨部材と、研磨液を前記研磨液経路に供給する研磨液供給部と、前記研磨部材を回転する駆動部を備え、前記研磨部材を基板表面に接触させた状態で駆動部により回転すると共に、前記研磨液を前記発泡体でろ過しつつ前記研磨部材から前記基板表面に供給することで前記基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す表面加工装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
開示の表面加工方法及び装置によれば、基板表面でのスクラッチの発生を抑制して基板の表面粗さを更に小さくし、且つ、表面の欠陥箇所を更に少なくすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
開示の表面加工方法及び装置では、研磨部材を基板表面と接触させて基板表面を加工する際に、研磨液を研磨部材の内部に供給することで、研磨部材内部でろ過された研磨液が研磨部材から透析して基板表面に達する。基板がディスク基板であり、研磨部材が円筒形状のブラシの場合、円筒形状のブラシが回転されることで、基板表面は円周方向に研磨及び／又はテキスチャリング等の加工を施される。
【００１３】
研磨部材内部での研磨液のろ過は、一又は複数のろ過段階で行われても良い。
【００１４】
このため、研磨液自体に異物が混入していたり、或いは、研磨液を研磨部材に供給する際に異物が混入しても、異物は研磨部材内部でろ過されて基板表面には供給されない。
【００１５】
以下に、本発明の表面加工方法及び装置の各実施例を、図２以降と共に説明する。
【実施例】
【００１６】
図２は、本発明の一実施例における表面加工装置を説明する図である。同図中、（ａ）は表面加工装置の一部を示す正面図であり、（ｂ）は表面加工装置の一部を示す側面図である。図２に示す表面加工装置は、複数の研磨部材１１を有する。本実施例では、２つの研磨部材１１がディスク基板２１各面に対して設けられているが、研磨部材１１はディスク基板２１の各面に対して少なくとも１つ設けられていれば良い。研磨部材１１がディスク基板２１の両面に対して設けられている場合には、表面加工がディスク基板２１の両面に対して同時に行われる。図２中、（ａ）に示す２つの研磨部材１１は、夫々駆動部（図示せず）により矢印方向Ｃ１，Ｃ２へ回転するので、ディスク基板２１は矢印方向Ｂへ回転する。ディスク基板２１の材質は特に限定されないが、本実施例では一例としてＮｉＰメッキが施されたアルミニウム基板を用いる。
【００１７】
尚、本実施例では、ディスク基板２１は研磨部材１１の回転に応じて回転されるものであり、ディスク基板２１を回転させる駆動部は設けられていない。しかし、ディスク基板２１を回転させる駆動部を更に設けるようにしても良い。この場合、ディスク基板２１を研磨部材１１の回転方向に沿って回転させるか、或いは、研磨部材１１の回転方向とは逆方向に回転させるかは、表面加工に応じて選定可能である。
【００１８】
図２（ｂ）では、任意の時点で研磨部材１１の表面を洗浄する洗浄部（図示せず）からの洗浄液のシャワーが図示されているが、洗浄部は省略可能である。洗浄液のシャワーは、所謂ジェットスプレーにより研磨部材１１の表面に付着している研磨粉等の残留物を除去するものであり、洗浄部において超音波付与された洗浄液を使用することで洗浄効果を更に向上することができる。
【００１９】
図３は、研磨部材１１を示す断面図であり、研磨部材１１の回転軸と直交する面に沿った断面を示す。本実施例では、研磨部材１１は円筒形状のブラシであり、研磨部材１１は、回転軸に沿った中心部分に研磨液経路１１１を有し、外周部分に開口径Ｄ２を有する第２の発泡体（又は、スポンジ）１１３を有し、研磨液経路１１１と第２の発泡体１１３の間の中間部分に開口径Ｄ１を有する第１の発泡体（又は、スポンジ或いは多孔質部材）１１２を有し、Ｄ２>Ｄ１である。研磨液経路１１１と第１及び第２の発泡体１１２，１１３は、同心円状に設けられている。第２の発泡体１１３は、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）で形成され、ろ過精度は約１μｍである。又、第１の発泡体１１２は、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）で形成され、開口径は例えば約１００μｍ〜約２００μｍである。このような開口径を有するＰＶＡとして、株式会社アイオン製のベルクリン（商品名）を使用することもできる。
【００２０】
尚、第１及び第２の発泡体１１２，１１３に用いられる材料は、ＰＶＡに限定されるものではなく、第１の発泡体１１２にはポリウレタン、ポリオレフィン系等の材料用いることができ、第２の発泡体１１３にはポリウレタン、ポリオレフィン系等の材料を用いることができる。第２の発泡体１１３は、ディスク基板２１の表面と接触して実際の研磨に寄与する機能を有するので、ディスク基板２１の表面にスクラッチを発生しにくい柔らかい材料で形成することが望ましい。一方、第１の発泡体１１２は、研磨液経路１１１から供給される研磨液（スラリー）に含まれる粗大粒、即ち、異物を捕獲する機能を有するもので、第１の発泡体１１２のような柔らかい材料で形成する必要はない。研磨液に含まれる異物は、研磨液自体に混入していたり、或いは、研磨液が研磨液経路１１１に供給される際に混入する可能性があるものである。
【００２１】
研磨液は特に限定されないが、例えば粒径Ｄ５０＝０．２μｍのダイヤモンド砥粒入り研磨液（以下、ダイヤモンド砥粒研磨液と言う）や、酸化セリウムを用いた研磨スラリー、コロイダルシリカを用いた研磨スラリー等を用いることができる。
【００２２】
図４は、研磨部材１１の一部を示す断面図であり、研磨部材１１の回転軸と平行な面に沿った断面を示す。研磨液経路１１１は、中空の円筒形状を有し、複数の浸透孔１１１Ａを有する。研磨液経路１１１は研磨部材１１の回転軸としても機能し、研磨部材１１はモータ３２により周知の回転伝達手段（図示せず）を介して矢印方向へ回転される。モータ３２及び回転伝達手段は、上記駆動部に相当する。一方、タンク（図示せず）内の研磨液は、ポンプ３１により研磨液経路１１１へ供給される。ポンプ３１は、研磨液を研磨部材１１に供給する研磨液供給部に相当し、研磨部材１１の回転に干渉しない周知の手段を介して研磨液を研磨液経路１１１に供給する。研磨液経路１１１に供給された研磨液は、研磨液経路１１１の浸透孔１１１Ａを介して略均等に第１の発泡体１１２へ供給される。第１の発泡体１１２は、異物を捕獲することで研磨液をろ過し、ろ過された研磨液を第２の発泡体１１３へ供給する。第２の発泡体１１３は、回転しながらろ過された研磨液をディスク基板２１の表面に供給する。第２の発泡体１１３の開口径は、第１の発泡体１１２の開口径より大きいので、ろ過された研磨液のディスク基板２１の表面への供給はスムーズに行われる。このようにして、ディスク基板２１の表面は、研磨部材１１のスポンジ状のブラシである第２の発泡体１１３により円周方向に研磨及び／又はテキスチャリング等の加工を施される。
【００２３】
研磨部材１１を回転させる駆動部は、各研磨部材１１に対して１つ設けられていても、１つの駆動部で複数の研磨部材１１を回転させるようにしても良いことは、言うまでもない。
【００２４】
本実施例では、研磨液は研磨部材１１の内部から浸透し、直接的にディスク基板２１の表面へ供給されるため、研磨液がディスク基板２１の表面に供給される時点で外部環境中から異物が混入する余地が殆どなく、異物によるディスク基板２１の表面でのスクラッチの発生を効果的に抑制することができる。
【００２５】
又、本実施例では、研磨部材１１内部での研磨液のろ過は、第１及び第２の発泡体１１２，１１３により２段階で行われるが、研磨部材１１内部での研磨液のろ過は一又は複数のろ過段階で行われても良い。要は、開口径を研磨部材１１の径方向に複数有し、具体的には研磨液を受ける側では開口径を小さくして粗大粒子捕捉機能を付与し、ディスク基板２１上に供給する側では開口径を大きくした研磨部材１１を用いれば良い。これにより、開口径の小さい部分で粗大粒子を捕捉しながら、開口径の大きい部分からスムーズに研磨液を供給しながら開口径の大きい部分の柔らかいブラシ表面で研磨加工を行うことが可能となり、研磨液に混入する異物によるスクラッチの発生を確実に抑制することができる。更に、研磨に用いる第２の発泡体１１３は、スポンジ状のブラシであるため、従来技術で用いられているポリウレタン研磨パッド等と比較すると極めて柔らかく、ディスク基板２１の表面にスクラッチを発生しにくい。尚、研磨液のろ過を一つのろ過段階で行う場合、外周方向に向かって開口径が連続的に大きくなる発泡体を用いて研磨部材１１を構成するようにしても良い。
【００２６】
ディスク基板２１の１つの表面に対して複数の研磨部材１１が設けられている場合、少なくとも１つの研磨部材１１を研磨液を供給する構成とし、他の研磨部材１１は研磨液を供給しない構成としても良い。又、ディスク基板２１の同じ表面に対して設けられた複数の研磨部材１１に、互いに異なる粒径の研磨液を供給するようにしても良い。更に、ディスク基板２１の同じ表面に対して設けられた複数の研磨部材１１に、互いに異なる開口径の第１の発泡体１１２及び／又は第２の発泡体１１３を用いるようにしても良い。これらの研磨部材１１の構成は、ディスク基板２１に施す表面加工に応じて適宜選定すれば良い。
【００２７】
次に、上記実施例と比較例のサンプルを用いた実験結果について、図５〜図８と共に説明する。
【００２８】
図５は、上記実施例のサンプルＥｍｂ１，Ｅｍｂ２及び比較例のサンプルＣｍｐ１，Ｃｍｐ２の基板表面粗さＲａ（ｎｍ）を示す図である。基板表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により測定した。
【００２９】
実施例のサンプルＥｍｂ１，Ｅｍｂ２は、ディスク基板２１としてＮｉＰメッキが施されたアルミニウム基板を用い、第１の発泡体１１２に開口径が約１００μｍ〜約２００μｍのＰＶＡ（株式会社アイオン製のベルクリン（商品名））を用い、第２の発泡体１１３にろ過精度が約１μｍのＰＶＡを用いた。研磨部材１１の回転速度は３６０ｒｐｍに設定され、研磨液はポンプ３１により１２ｃｃ／分の流量で研磨部材１１に供給し、研磨時間は８５秒に設定した。サンプルＥｍｂ１は研磨液に純水を使用し、サンプルＥｍｂ２は研磨液に粒径Ｄ５０＝０．２μｍのダイヤモンド砥粒研磨液を使用した。
【００３０】
比較例のサンプルＣｍｐ１，Ｃｍｐ２には、上記実施例のサンプルＥｍｂ１，Ｅｍｂ２と同じディスク基板２１を用いた。サンプルＣｍｐ１は、ディスク基板２１に研磨部材１１等により表面加工を施す前の状態のものである。サンプルＣｍｐ２は、サンプルＥｍｂ２と同じダイヤモンド砥粒研磨液を使用した図１と共に説明した如き従来の表面加工によりディスク基板２１の表面にテクスチャリングを施したものである。
【００３１】
又、図６は、上記実施例のサンプルＥｍｂ１，Ｅｍｂ２及び比較例のサンプルＣｍｐ１，Ｃｍｐ２の面当たりの表面欠陥数を示す図である。面当たりの表面欠陥数、即ち、キズの数は、光学表面アナライザ（ＯＳＡ：Optical Surface Analyzer）により測定した。ＯＳＡは、カンデラ（Candela）社製のＯＳＡ−６１００を用いた。
【００３２】
図７は、比較例のサンプルＣｍｐ１のＡＦＭ像を示す図であり、図８は、実施例のサンプルＥｍｂ２のＡＦＭ画像を示す図である。図７及び図８のＡＦＭ画像は、図５の基板表面粗さを測定するのに用いたＡＦＭを用いて撮像された。
【００３３】
図５及び図６からもわかるように、サンプルＥｍｂ１の基板表面粗さＲａはサンプルＣｍｐ１より小さく、サンプルＥｍｂ１の表面欠陥数はサンプルＣｍｐ１と同程度となることが確認された。又、サンプルＥｍｂ２の基板表面粗さＲａはサンプルＣｍｐ２と同程度であり、サンプルＥｍｂ２の表面欠陥数はサンプルＣｍｐ２より大幅に減少し、サンプルＣｍｐ１と比較しても略同程度となることが確認された。更に、図７及び図８のＡＦＭ像からもわかるように、サンプルＥｍｂ２の表面粗さＲａは、サンプルＣｍｐ１と比較して大幅に向上されていることが確認された。つまり、上記実施例によれば、サンプルＥｍｂ２の測定結果からもわかるように、ディスク基板２１の表面粗さＲａを小さくし、且つ、ディスク基板２１の表面でのスクラッチの発生を抑制することが可能となる。
【００３４】
図９は、磁気ディスクの製造方法を説明する図である。図９は、上記実施例における表面加工装置を３台用いる例を示す。ステップＳ１，Ｓ３，Ｓ５で用いる表面加工装置４１−１，４１−２，４１−３は、図２と同様の構成を有し、各研磨部材１１に対して洗浄液のシャワーを出力する洗浄部５１を有する。ステップＳ２，Ｓ４，Ｓ６で用いる超音波浸漬洗浄装置４２−１，４２−２，４２−３は、周知の構成を有する。
【００３５】
ワークであるディスク基板２１が周知の搬送手段（図示せず）により搬送されてくると、表面加工装置４１−１は研磨部材１１によりディスク基板２１の表面を加工する。加工されたディスク基板２１は、周知の搬送手段（図示せず）により超音波浸漬洗浄装置４２−１へ搬送されてこの超音波浸漬洗浄装置４２−１により洗浄された後、周知の搬送手段（図示せず）により表面加工装置４１−２に搬送される。
【００３６】
表面加工装置４１−２は研磨部材１１によりディスク基板２１の表面を加工する。加工されたディスク基板２１は、周知の搬送手段（図示せず）により超音波浸漬洗浄装置４２−２へ搬送されてこの超音波浸漬洗浄装置４２−２により洗浄された後、周知の搬送手段（図示せず）により表面加工装置４１−３に搬送される。
【００３７】
表面加工装置４１−３は研磨部材１１によりディスク基板２１の表面を加工する。加工されたディスク基板２１は、周知の搬送手段（図示せず）により超音波浸漬洗浄装置４２−３へ搬送されてこの超音波浸漬洗浄装置４２−３により洗浄された後、周知の搬送手段（図示せず）により周知の構成を有する乾燥装置４３へ搬送される。ディスク基板２１は、ステップＳ７でこの乾燥装置４３により乾燥された後、周知の搬送手段（図示せず）により外部へ搬送される。
【００３８】
ディスク基板２１に要求される表面加工に応じて、各表面加工装置４１−１〜４１−３の研磨部材１１に、互いに異なる粒径の研磨液を供給するようにしても良い。更に、各表面加工装置４１−１〜４１−３の研磨部材１１に、互いに異なる開口径の第１の発泡体１１２及び／又は第２の発泡体１１３を用いるようにしても良い。
【００３９】
尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１）
円筒形状を有する研磨部材を基板表面に接触させた状態で回転させ、前記基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す表面加工方法であって、
前記研磨部材の回転軸に沿った中心部分に設けられた研磨液経路に研磨液を供給する第１のステップと、
前記研磨部材を前記回転軸を中心に回転し、前記研磨液を前記研磨液経路の外側に設けられた発泡体でろ過しつつ前記基板表面に供給する第２のステップを含み、
前記発泡体の開口径は、前記研磨液経路側の方が前記研磨部材の外周側より大きい、表面加工方法。
（付記２）
前記第２のステップは、同心円状に設けられた複数の発泡体により前記研磨液を複数のろ過段階でろ過する、付記１記載の表面加工方法。
（付記３）
前記研磨部材の表面を洗浄液のシャワーで洗浄する第３のステップを更に含む、付記１又は２記載の表面加工方法。
（付記４）
前記第３のステップは、超音波付与された洗浄液を用いる、付記３記載の表面加工方法。
（付記５）
１つの基板表面に対して複数の研磨部材を用い、前記複数の研磨部材の少なくとも１つに対して前記第１及び第２のステップを実行する、付記１記載の表面加工方法。
（付記６）
前記複数の研磨部材に対し、互いに異なる粒径の研磨液を供給して前記第１及び第２のステップを実行する、付記５記載の表面加工方法。
（付記７）
前記複数の研磨部材に互いに異なる開口径の発泡体を用いる、付記５記載の表面加工方法。
（付記８）
前記第１及び第２のステップは、１つの基板の両方の基板表面に対して同時に実行される、付記５乃至７のいずれか１項記載の表面加工方法。
（付記９）
回転軸に沿った中心部分に研磨液経路を有すると共に、外周程開口径が大きい発泡体を有する円筒形状の研磨部材と、
研磨液を前記研磨液経路に供給する研磨液供給部と、
前記研磨部材を回転する駆動部を備え、
前記研磨部材を基板表面に接触させた状態で駆動部により回転すると共に、前記研磨液を前記発泡体でろ過しつつ前記研磨部材から前記基板表面に供給することで前記基板表面の所定方向に研磨及びテキスチャリングの少なくとも一方の加工を施す、表面加工装置。
（付記１０）
前記研磨部材は、同心円状に設けられた複数の発泡体を有し、前記研磨液を複数のろ過段階でろ過する、付記９記載の表面加工装置。
（付記１１）
前記研磨部材は、１つの基板表面に対して複数設けられている、付記９又は１０記載の表面加工装置。
（付記１２）
前記複数の研磨部材は、互いに異なる粒径の研磨液を供給される、付記１１記載の表面加工装置。
（付記１３）
前記複数の研磨部材は、互いに異なる開口径の発泡体を有する、付記１２記載の表面加工装置。
【００４０】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】従来の表面加工方法の一例を説明する図である。
【図２】本発明の一実施例における表面加工装置を説明する図である。
【図３】研磨部材を示す断面図である。
【図４】研磨部材の一部を示す断面図である。
【図５】基板表面粗さを示す図である。
【図６】面当たりの表面欠陥数を示す図である。
【図７】比較例のサンプルＣｍｐ１のＡＦＭ像を示す図である。
【図８】実施例のサンプルＥｍｂ２のＡＦＭ画像を示す図である。
【図９】磁気ディスクの製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００４２】
１１      研磨部材
２１      ディスク基板
３１      ポンプ
３２      モータ
１１１      研磨液経路
１１２      第１の発泡体
１１３      第２の発泡体
【図１】
2009285774.tif 000003
【図２】
2009285774.tif 000004
【図３】
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【図４】
2009285774.tif 000006
【図５】
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【図６】
2009285774.tif 000008
【図９】
2009285774.tif 000009
【図７】
2009285774.tif 000010
【図８】
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