(57)【要約】      （修正有）【課題】磁性層凹凸パターン加工用のマスク除去時に、磁気特性の劣化がないパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に少なくとも磁性層、および保護層が順次に形成されてなる磁気記録媒体の磁性層を部分的に加工して凹凸パターンを形成してパターンドメディア型の磁気記録媒体を製造する方法であって、磁気記録媒体は、保護層上に、第１マスク層、および樹脂マスク層を順次備え、磁気記録媒体の樹脂マスク層、および第１マスク層を部分的に加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、マスクされていない保護層、および磁性層を部分的に加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、除去されていない第１マスク層材料とのみと反応するガス成分を用いて減圧雰囲気下で第１マスク層材料とガス成分を反応させて、第１マスク層と一緒に樹脂マスク層を除去する工程、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
2009116949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも磁性層、および保護層が順次に形成されてなる磁気記録媒体の磁性層を部分的に加工して凹凸パターンを形成してパターンドメディア型の磁気記録媒体を製造する方法であって、
磁気記録媒体は、保護層上に、第１マスク層、および樹脂マスク層を順次備え、
磁気記録媒体の樹脂マスク層、および第１マスク層を部分的に加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、
マスクされていない保護層、および磁性層を加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、
除去されていない第１マスク層材料とのみと反応するガス成分を用いて減圧雰囲気下で第１マスク層材料とガス成分を反応させて、第１マスク層と一緒に樹脂マスク層を除去する工程、
を備えることを特徴とするパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
基板上に少なくとも磁性層、および保護層が順次に形成されてなる磁気記録媒体の磁性層を部分的に加工して凹凸パターンを形成してパターンドメディア型の磁気記録媒体を製造する方法であって、
磁気記録媒体は、保護層上に、第１マスク層、第２マスク層および樹脂マスク層を順次備え、
磁気記録媒体の樹脂マスク層、第２マスク層および第１マスク層を部分的に加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、
マスクされていない保護層、および磁性層を加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、
除去されていない第１マスク層材料とのみと反応するガス成分を用いて減圧雰囲気下で第１マスク層材料とガス成分を反応させて、第１マスク層と一緒に第２マスク層および樹脂マスク層を除去する工程、
を備えることを特徴とするパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の製造方法において、
第１マスク層および樹脂マスク層を部分的に加工する工程、および保護層および磁性層を加工する工程を、ドライエッチングで行うことを特徴とするパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の製造方法において、
第１マスク層、第２マスク層および樹脂マスク層を部分的に加工する工程、および保護層および磁性層を加工する工程を、ドライエッチングで行うことを特徴とするパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の製造方法において、第１マスク層の材料はSiを含み、第１マスク層とのみ反応するガスがXeF2であることを特徴とするパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
磁気記録媒体が、基板と磁性層との間に、軟磁性層、シード層、および中間層を順次備えることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンドメディア型の磁気記録媒体の製造技術の分野に関し、特に、磁性層の凹凸パターン加工用のマスク除去時において、磁気特性の劣化がないパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来からのハードディスク等の磁気記録媒体はその記録密度を向上させるために、構成材料の変更、記録層の粒子微細化、ヘッドの小型化あるいは垂直磁気記録方式などさまざまな施策がとられているが、記録密度の向上は限界に達しつつある。更なる記録密度の向上には、磁気記録層を微細な凹凸パターンに加工するディスクリートトラック型やビットパターン型などのパターンドメディア型の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
パターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法の一つとしては、保護層１５の上に紫外線硬化型、熱可塑性または熱硬化型などの樹脂材料を塗布して、ナノインプリント成型により樹脂材料の層１７に凹凸パターンを形成する方法がある。また、この樹脂材料として紫外線硬化型のフォトレジストを用いて、レーザー描画またはフォトマスク露光によりパターンを形成する方法もある。すなわち、この樹脂材料の層１７をマスクとして保護層１５および磁性層１４をイオンビームエッチングやリアクティブイオンエッチングなどにより、樹脂材料の凹部の樹脂残膜、保護層１５および磁性層１４を加工する。その後に、樹脂材料を酸素プラズマやオゾンプラズマなど反応性のエッチングを用いて除去することで、磁性層に凹凸パターンを形成する。このような従来型のパタードメディア型の磁気記録媒体の製造方法を示す概略図を図３に示す。
【０００４】
ただ、磁性層はCo、Crなどのようにエッチングが困難な材料である場合には、樹脂マスクだけではエッチングが困難になる。その場合には、保護層１５の上にTi、Taまたはそれらの酸化膜および窒化膜などの磁性層１４よりエッチングレートの小さい材料からハードマスク層１８を形成し、その上に、上記と同様に樹脂マスクの凹凸パターンを形成し、イオンビームエッチングまたはリアクティブイオンエッチングなどを用いて、ハードマスク層１８に凹凸パターンを形成する。この際に、磁性層よりもハードマスク層１８のエッチングレートが十分に小さければ、ハードマスク層１８を薄くすることできるので、樹脂マスク１７とハードマスク層１８を一緒に加工することができる。
【０００５】
ハードマスク層１８を加工した後に、残存した樹脂マスク層１７を酸素プラズマやオゾンプラズマなど反応性のエッチングを用いて除去する。この際に、保護層１５としてDLC(ダイヤモンドライクカーボン)などのカーボン材料を用いる場合には、樹脂マスク層１７の除去に、酸素プラズマやオゾンプラズマなど反応性の物質によるエッチングにより、ハードマスク層１８のエッチング部（保護層露出部）の保護層が同時に加工される。このような従来型のパタードメディア型の磁気記録媒体の製造方法を示す概略図を図４に示す。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−５６５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術によるパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法において、パターンを形成した樹脂材料をマスクとして保護層１５および磁性層１４をイオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングなどで加工した後に樹脂マスク層１７を除去する際には、熱または反応性ガスにより樹脂が変質するため、有機溶剤などのウェット処理での除去が困難となり、酸素プラズマまたはオゾンプラズマなどのドライ処理が必要であった。一方、ドライ処理をすると、酸素またはオゾンのプラズマが保護層であるカーボンと反応して、COまたはCO2ガスを生成して保護層を消滅させるという問題、また、磁性層のCoまたはCrなどを酸化させ、磁気特性を劣化させるという問題があった。
【０００８】
一方、保護層上にTi、Taまたはそれらの酸化膜および窒化膜などのハードマスク層１８を形成した場合には、磁性層１４の加工前に樹脂マスク層１７を除去すれば、磁性層１４の酸化部分はイオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングなどで加工し除去されるため、磁気特性の劣化は抑えられる。しかしながら、ハードマスク層１８の剥離に、CF4またはSF6などのフッ素系ガスのプラズマを用いると、保護層１５であるカーボンがFラジカルと容易に反応して、反応生成物（CxFy）を形成するために保護層が消失し、磁性層１４のCoまたはCrなどがプラズマにさらされることになり、磁性層１４の磁気特性が劣化するという問題があった。また、ハードマスク層１８の剥離にCl2またはBCl3などの塩素系ガスのプラズマを用いると、残存する塩素による腐食が問題となるため、塩素の処理が必要となる。
【０００９】
塩素処理の方法としては、H2ガスのプラズマ処理または水洗などが考えられるが、H2ガスのプラズマを使用した場合には、保護層１５であるカーボンと反応してCxHy反応生成物が容易に形成され保護層１５を消滅させ、磁性層１４のCoまたはCrなどがプラズマにさらされることになり、磁気特性が劣化してしまう。また、水洗による塩素処理の場合には、磁性層１４のCoまたはCrなどが水により腐食されるという問題となる。上記のような理由により、パターンドメディア型の磁気記録媒体は、連続磁気記録媒体に比較して磁気記録層の特性が劣っていた。
【００１０】
そこで、本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、磁性層の凹凸パターン加工用のマスク除去をする時に磁気特性の劣化がないパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
すなわち、本発明の一つの態様は、基板上に少なくとも磁性層、および保護層が順次に形成されてなる磁気記録媒体の磁性層を部分的に加工して凹凸パターンを形成してパターンドメディア型の磁気記録媒体を製造する方法であって、磁気記録媒体は、保護層上に、第１マスク層、および樹脂マスク層を順次備え、
磁気記録媒体の樹脂マスク層、および第１マスク層を部分的に加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、
マスクされていない保護層、および磁性層を加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、
除去されていない第１マスク層材料とのみと反応するガス成分を用いて減圧雰囲気下で第１マスク層材料とガス成分を反応させて、第１マスク層と一緒に樹脂マスク層を除去する工程、
を備えることを特徴とするパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法である。
【００１２】
本発明の別の態様は、基板上に少なくとも磁性層、および保護層が順次に形成されてなる磁気記録媒体の磁性層を部分的に加工して凹凸パターンを形成してパターンドメディア型の磁気記録媒体を製造する方法であって、
磁気記録媒体は、保護層上に、第１マスク層、第２マスク層および樹脂マスク層を順次備え、
磁気記録媒体の樹脂マスク層、第２マスク層および第１マスク層を部分的に加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、
マスクされていない保護層、および磁性層を加工して除去することにより凹凸パターンを形成する工程、
除去されていない第１マスク層材料とのみと反応するガス成分を用いて減圧雰囲気下で第１マスク層材料とガス成分を反応させて、第１マスク層と一緒に第２マスク層および樹脂マスク層を除去する工程、
を備えることを特徴とするパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法である。
【００１３】
また、本発明の別の態様は、上記の製造方法において、第１マスク層および樹脂マスク層を部分的に加工する工程、および保護層および磁性層を部分的に加工する工程を、ドライエッチングで行うことを特徴とするパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法である。さらに、本発明の別の態様は、上記の第２マスク層を設ける製造方法において、第１マスク層、第２マスク層および樹脂マスク層を部分的に加工する工程、および保護層および磁性層を部分的に加工する工程を、ドライエッチングで行うことを特徴とするパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法である。
【００１４】
さらに、本発明の別の態様は、上記の製造方法において、第１マスク層の材料はSiを含み、第１マスク層とのみ反応するガスがXeF2であることを特徴とするパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法である。
【００１５】
さらに、本発明の別の態様は、上記の製造方法において、磁気記録媒体が、基板と磁性層との間に、軟磁性層、シード層、および中間層を順次備えることを特徴とする方法である。
【００１６】
そして、本発明の構成を採用することにより、樹脂マスク層１７の上からイオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングなどを用いて、第１マスク層１６を磁性層１４の凹凸パターンに対応したパターンに加工した後に、残存した樹脂マスク層１７を除去せずに磁性層１４をイオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングなどを用いて加工することができる。その後、加工中の磁気記録媒体を真空にした容器中に保持し、この容器中にXeF2ガスを流すことにより、プラズマを発生させずに、第１マスク層１６のSiを、以下の化学反応式で示される反応により除去することができる。
Si(solid)＋2XeF2(Gas)→2Xe（Gas）＋SiF4（Gas）
【００１７】
真空中でXeF2ガスを流すことにより、残存する樹脂マスク層１７下の第１マスク層１６の部位では、XeF2ガスは拡散則に従って横方向にも拡散してSiとの反応が継続されるため、樹脂マスク層１７の下にある第１マスク層１６のSiは上記の反応により消滅して、その上部にある樹脂マスク層１７も同時に除去されることになる。
【００１８】
一方、磁性層１４の構成元素であるCoまたはCrなどは、XeF2ガスと反応してフッ化物を形成し難いため、プラズマを発生させることはなく、またFラジカルをほとんど発生させないことから、XeF2ガスとの反応は進行しないため磁性層の磁気特性はほとんど劣化しないことになる。また、保護層１５のカーボンは、使用するカーボンの結合状態などによりXeF2ガスとの反応速度が変化するから、使用する材料や反応条件よりガス状態のCxFy化合物が形成されて排気されることはあるが、磁性層１４への影響はほとんど無いといえる。また、XeF2ガスの処理により保護層１５が除去された場合には、保護層１５を再度形成することにより、磁性層１４の磁気特性の劣化を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、第１マスク層材料とのみと反応するガス成分を用いて減圧雰囲気下で第１マスク層材料とガス成分を反応させて、第１マスク層と一緒に樹脂マスク層等を除去することができるため、磁性層の凹凸パターンの加工用のマスクを除去する時に磁気特性の劣化がないパターンドメディア型の磁気記録媒体を製造することができる。
【００２０】
まず、以下に、本発明の磁気記録媒体の構成、およびその製造方法について説明する。
（１）磁気記録媒体
本発明で使用する磁気記録媒体は、基板上に少なくとも磁性層、および保護層が順次に形成されているが、この基板、磁性層、および保護層の構成の他に、基板と磁性層の間に、軟磁性層、シード層、および中間層を順次備えることが好ましい。すなわち、好ましい態様としては、磁気記録媒体は、基板１０、軟磁性層１１、シード層１２、中間層（Ru配行層）１３、磁性層（磁気記録層）１４及び保護層１５から形成される。以下、上記に構成を採用した磁気記録媒体を例にとり、具体的に図１を引用して本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
まず、本発明の磁気記録媒体で使用する基板１０の材料としては、例えば、ガラス、Si化合物またはアルミニウム化合物などを挙げることできるが、これらの材料の中ではガラスを使用することが好ましい。また、軟磁性層１１の材料としては、Co、NiまたはFeの何れかを少なくとも一つを含む化合物、例えば、コバルト合金、ニッケル合金、鉄合金などを挙げることができる。通常は、軟磁性材料をスパッタリング法などにより、基板上に厚さが5〜100nmの軟磁性層を形成する。次に、軟磁性層上に、10nm以下の厚みでスパッタリング法によりシード層を成膜し、このシード層上に、1〜10nmの厚みでスパッタリング法により中間層を成膜する。中間層の材料としては、例えば、結晶配向性を有するRu化合物などを用いることができ、シード層の材料としては、例えば、Ti化合物などを用いることができる。
【００２２】
ここで、中間層は磁気記録層の磁区配向を制御する役割をし、シード層は中間層の結晶配行を制御する役割をする。その後、中間層の上に、スパッタリング法などにより5〜50nmの厚みで磁気記録層を形成する。磁気記録層の材料としては、Co、Cr、Pt、Ni、Feなどを少なくとも一つを含む化合物である強磁性材料を用いることができる。
【００２３】
その後、CVD（化学気相蒸着法）法により10nm以下の厚みで保護層を成膜する。保護層の材料としては、例えば、DLC（ダイヤモンドライクカーボン）などのカーボンを用いることができる。保護膜は磁性層の凹凸加工後に成膜することも可能であるが、磁性膜表面での自然酸化膜の形成による磁気特性劣化を抑制するために、予め形成しておく方が有効である。
【００２４】
次に、本発明の磁気記録媒体は、保護層１５の上に、第１マスク層１６、および樹脂マスク層１７を順次備えていることから、これらのマスク層の構成、および磁気記録媒体の凹凸パターン加工の方法について説明する。
【００２５】
（２）磁気記録媒体の凹凸パターン加工
本発明の一つの態様では、磁気記録媒体の磁性層を加工して凹凸パターンを形成する際には、磁気記録媒体は、保護層１５の上に、第１マスク層１６、および樹脂マスク層１７を順次備えている。保護層１５の上に、例えば、スパッタリング法などにより、第１マスク層の材料を1〜20nm、好ましくは5〜15nm、さらに好ましくは8〜12nmの厚みで成膜することにより、第１マスク層１６を形成する。第１マスク層１６の材料としては、Siを含む材料を用いることができる。マスクの除去という点からは、Siの含有率が高い材料を使用することが好ましい。また、第１マスク層１６の材料として、Mo、W等を含む材料も用いることができる。
【００２６】
次に、第１マスク層１６の上に、樹脂材料を、例えば、インプリント法、電子ビーム露光法などにより凹凸パターンを形成することにより樹脂マスク層１７を形成する。樹脂材料としては、紫外線硬化型、熱可塑性または熱硬化型などの樹脂材料を用いることができ、これらの中では、アクリル系樹脂が主成分である樹脂を用いることが好ましい。また、紫外線硬化型のフォトレジストを用いて、レーザー描画またはフォトマスクを用いた露光によりパターンを形成することも可能である。
【００２７】
より具体的には、樹脂材料をスピンコートまたはスプレーコートなどにより50〜200nmの厚み、好ましくは80〜150nmの厚みで塗布して、ナノインプリント成型により樹脂材料に凹凸パターンを形成することができる。樹脂材料の塗布厚さは、ナノインプリントによるモールドの凹凸パターンの高さによって変更する必要があり、凹凸パターンの高さ±10nm程度が最適である。パターンドメディアの凹凸パターンは、トラック方向に凹凸を形成するディスクリートトラックメディア型のパターンとし、パターンピッチを60nm程度として形成することが好ましい。このようにして、磁気記録媒体の保護層上１５に、第１マスク層１６、そして凹凸パターンを有する樹脂マスク層１７が形成される。
【００２８】
次に、樹脂マスク層１７の上から、樹脂マスク層１７の凹部の第１マスク層１６のSiをエッチング加工する。エッチングの方法は、特に限定されるものではないが、ドライエッチングで行うことが好ましく、具体的には、イオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングなどを挙げることができる。
【００２９】
イオンビームエッチングを用いる場合には、例えば、Arガスを用いて、500Vの電圧でイオン化し、基板に対して垂直方向を0°として30°の角度からイオンビームを照射できる。その際に、基板に3rpm程度の回転を与えておくことで、面内の加工均一性を向上させることができる。
【００３０】
また、反応性イオンエッチングを用いる場合には、例えば、CF4またはSF6のフッ素系ガスを用いて、1Pa(kg/m.s)の圧力下で600Wのアンテナパワーに300Wの基板バイアスを印加して加工を行うことができる。
【００３１】
第１マスク層１６の加工後に、残存する樹脂マスク１７を除去せずに、露出した保護層１５およびその下の磁性層１４をエッチング加工する。エッチングの方法は、第１マスク層１６の加工と同様に、特に限定されるものではないが、ドライエッチングで行うことが好ましく、例えば、イオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングなどを挙げることができる。
【００３２】
イオンビームエッチングを用いる場合には、第１マスク層１６と同じ条件で連続的に磁性層１５まで加工することができる。また、反応性イオンエッチングを用いる場合には、第１マスク層１６と同じ条件で保護膜も連続的に加工することができるが、より効果的に加工するためには保護膜の加工は、O2ガスを添加して行うことが好ましい。磁性層の加工は、例えば、Cl2ガスを用いて、1Pa(kg/m.s)の圧力下で600Wのアンテナパワーに300Wの基板バイアスを印加して加工を行うことができる。
【００３３】
磁性層１４まで加工を行った磁気記録媒体は、減圧雰囲気下、好ましくは、100Pa(kg/m.s)の圧力以下の真空雰囲気下において、上記第一マスク層材料とのみ反応するガス成分にさらす。第一マスク層の材料としてSiを使用した場合には、ガス成分としては、例えば、XeF6、XeF4、XeF2を挙げることができる。これらの中では、XeF2を使用することが好ましい。また、第１マスク層１６の材料としてMoを含む材料も用いた場合には、ガス成分としてXeF2を使用することができ、また、Wを用いた場合にも、ガス成分としてXeF2を使用することができる。
【００３４】
そして、XeF2ガスで処理をした場合には、第一マスク層のSiは、下記の化学反応が優先的に進行するものと考えられる。
Si(solid)＋2XeF2 (Gas)→2Xe（Gas）＋SiF4（Gas）
【００３５】
この際に、副生するSiF4の気化温度は、13.3Pa(kg/m.s)の圧力下で-100℃以下と低いため、常温では固体として残らずに、反応により生じた気体は除去される。また、残存している樹脂マスク１７層下の第一マスク層１６のSiは、上記反応式で示すように、SiとXeF2との化学反応が優先的に進行するため、残存する第一マスク層のSiは容易に除去される。そして、下地層となる第一マスク層１６のSiが消滅した部分の残存する樹脂マスク層１７は、真空処理をすることにより除去されるため、基板表面に残渣として残ることはない。なお、パターンドメディア型の磁気記録媒体は、全面に同等な間隔で凹凸加工が行われるために、パターン間隔差による除去時間の差も発生することもない。
【００３６】
保護層１５のカーボンは、使用するカーボンの結合状態によって、XeF2ガスとCxFyの反応生成物を形成する場合があるが、これらの生成物は常温でガス成分であるため容易に排気されて除去される。保護層１５が消滅した場合には、磁性層１４表面が露出されることになるが、プラズマは発生していないため、Fのイオンやラジカルの生成はほとんど無く、磁性層１４の構成元素のCoやCrなどとは反応しないことから磁気特性を劣化させることがない。
【００３７】
また、磁性層１４の加工側面および底面に保護膜が必要となるため、保護層１５の消失の有無にかかわりなく、再度保護層１９を形成することが好ましい。その際に、XeF2ガスで保護層１５の消失がない場合には、加工前の保護層１５の厚みは5nm以下、好ましくは1nm以下とすることが好ましい。このような厚みとすることにより、磁性層１４上の再度保護膜を形成しても保護膜全体の厚さが厚くなりすぎることを抑制できる。
【００３８】
磁性層の加工された凹部は必要に応じて、SiO2などの非磁性材料を埋め込むことができる。また、必要に応じて埋め込みをした後に、磁性層上の埋め込み材料による凸部を、研磨または不活性ガスによるエッチバックなどで平坦化することもできる。これらの加工により、磁気特性劣化のないパターンドメディア型の磁気記録媒体を製造することができる。
【００３９】
次に、図２に基づいて、本発明の別の態様について以下に説明する。本発明の別の態様は、上記のパターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法において、磁気記録媒体は、さらに第１マスク層１６と、樹脂マスク層１７との間に第２マスク層（ハードマスク層）１８を備えるものである。したがって、本発明の磁気記録媒体の保護層１５の上に、第１マスク層１６を設ける点に関しては、既に述べた方法により行うことができる。
第２マスク層１８の材料は、磁性層１４に使用される材料よりエッチングレートの小さいもの、好ましくは、２倍以上エッチングレートの小さいものを使用するのが好ましい。第２マスク層１８の材料としては、例えば、Ti、Taまたはそれらの酸化膜および窒化膜などを挙げることができる。具体的には、第１マスク層１６上に、第２マスク層１８をスパッタリングなどにより、1〜20nmの厚みで、好ましくは3〜10nmの厚みで成膜する。
【００４０】
次に、第２マスク層１８の上に、樹脂材料を、インプリント法、電子ビーム露光法などにより凹凸パターンを形成することにより樹脂マスク層１７を形成する。樹脂材料としては、紫外線硬化型、熱可塑性または熱硬化型などの樹脂材料を用いることができ、これらの中では、アクリル系樹脂が主成分である樹脂を用いることが好ましい。また、紫外線硬化型のフォトレジストを用いて、レーザー描画またはフォトマスクを用いた露光によりパターンを形成することも可能である。
【００４１】
より具体的には、樹脂材料をスピンコートまたはスプレーコートなどにより50〜200nmの厚み、好ましくは80〜150nmの厚みで塗布して、ナノインプリント成型により樹脂材料に凹凸パターンを形成することができる。樹脂材料の塗布厚さは、ナノインプリントによるモールドの凹凸パターンの高さによって変更する必要があり、凹凸パターンの高さ±10nm程度が最適である。パターンドメディアの凹凸パターンは、トラック方向に凹凸を形成するディスクリートトラックメディア型のパターンとし、パターンピッチを60nm程度として形成することが好ましい。このようにして、磁気記録媒体上に、第１マスク層１６、第２マスク層１８、そして凹凸パターンを有する樹脂マスク層１７が形成される。
【００４２】
次に、樹脂マスク層１７の凹部の第２マスク層１８をエッチング加工する。エッチングの方法は、特に限定されるものではないが、ドライエッチングで行うことが好ましく、具体的には、イオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングなど挙げることができる。
【００４３】
イオンビームエッチングを用いる場合には、例えば、Arガスを用いて、500Vの電圧でイオン化し、基板に対して垂直方向を0°として30°の角度からイオンビームを照射する。その際に、基板に3rpm程度の回転を与えておくことで、面内の加工均一性を向上させることができる。
【００４４】
また、反応性イオンエッチングを用いる場合には、例えば、CF4またはSF6のフッ素系ガスを用いて、1Pa(kg/m.s)の圧力下で600Wのアンテナパワーに300Wの基板バイアスを印加して加工を行うことができる。そして、樹脂マスク層の凸部が十分に残存していれば、樹脂マスク層１７の凹部の第１マスク層１６も同様に加工を行う。また、第２マスク層の加工時に樹脂マスク層１７の残膜が少ない場合でも、第２マスク層をマスクとして第１マスク層の加工することができる。
【００４５】
第２マスク層１８および第１マスク層１６を加工した後に、樹脂マスク層１７を除去せずに、露出した保護層１５およびその下の磁性層１４を実施例１と同様に加工することができる。
【００４６】
磁性層１４まで加工を行った基板を、減圧雰囲気下、好ましくは、100Pa(kg/m.s)の圧力以下の真空雰囲気下においてXeF2ガスにさらし、第１マスク層のSiと反応させて、第１マスク層を除去すると同時に、樹脂マスク層１７の残膜および第２マスク層１８が基板から切り離され、排気されて除去される。
【００４７】
全てのマスク層を除去した後は、上述の第２マスク層１８を有しない方法と同様の工程とすることにより、磁気特性の劣化のないパターンドメディア型の磁気記録媒体を製造することができる。
【実施例】
【００４８】
図１に基づいて本発明の実施例について説明する。
上記の実施形態に基づいて、下記のようにして本発明の磁気記録ディスクを作製した。
【００４９】
（実施例１）
本発明の磁気記録媒体の基板１０材料としてガラスを使用した。このガラス基板１０上に、厚さ45nmのCoZrNbからなる軟磁性層１１を形成した。次に軟磁性層１１の表面上に、厚さ5nmのCoNiFeSiからなるシード層１２を形成した。次に、シード層１２上に厚さ10nmのRuの中間層１３をスパッタリング法により成膜した。その後、中間層１３の上に厚さ8nmのCoCrPt-SiO2からなるグラニュラー層を、0.2nm のRuを、そして8nm のCoCrPtBを、それぞれスパッタリング法により形成して垂直磁気記録層（磁性層）１４とした。その後、この磁性層１４の上に厚さ3.5nmのDLC（Diamond Like Carbon）を、CVD（Chemical Vapor Deposition）法により、保護層１５として成膜した。
【００５０】
以上のようにして、基板１０、軟磁性層１１、シード層１２、中間層１３、磁性層１４及び保護層１５からなる磁気記録媒体を作製した。この磁気記録媒体は、以下に説明するように、保護層１５の上に、第１マスク層（Si）１６および樹脂マスク層１７を形成した後に、凹凸パターンを形成した。
【００５１】
すなわち、磁気記録媒体の保護層上に、10nmの厚さでSiをスパッタリング法により第１マスク層１６として成膜した。その後、アクリル系樹脂が主成分である樹脂材料を60nmの厚みで塗布して、樹脂マスク層１７とした。そして、ナノインプリント成型により樹脂材料に凹凸パターンを形成した。この際、パターンドメディアの凹凸パターンは、トラック方向に凹凸を形成するディスクリートトラックメディア型のパターンとし、パターンピッチは60nmとした。
【００５２】
次に、イオンビームエッチングを用いて、樹脂マスク層１７の凹部の第１マスク層１６のSiを加工した。この際、Arガスを用い、500Vの電圧でイオン化し、基板に対し垂直方向を0°とし30°の角度からイオンビームを照射した。その際、基板に3rpm程度の回転を与えておくことで、面内の加工均一性を向上させた。
【００５３】
このようにして第１マスク層１６を加工した後に、樹脂マスク層１７を除去せずに露出した保護層１５およびその下の磁性層１４を、イオンビームエッチングを用いて加工した。この際、第１マスク層１６と同じ条件で連続的に磁性層１４まで加工した。
【００５４】
そして、磁性層１４まで加工を行った基板を、100Pa(kg/m.s)の圧力以下の真空雰囲気下においてXeF2ガスにさらした。その結果、基板表面のSiは除去されて残存しなかった。また、第１マスク層１６、保護層１５または磁性層１４の加工時に、イオンやラジカルの衝突を受けることで変質した状態で残存している樹脂マスク１７の下のSiは、XeF2と化学的な反応により除去されていた。また、パターンドメディア型の磁気記録媒体は全面に同等な間隔で凹凸加工が行われた。これらの工程により、磁気特性劣化のないパターンドメディア型の磁気記録媒体を作製した。
【００５５】
（実施例２）
図２に基づいて、本発明の実施例２を説明する。まず、実施例１と同様に、基板１０、軟磁性層１１、シード層１２、中間層１３、磁性層１４及び保護層１５からなる磁気記録媒体を作製した後に、磁気記録媒体の保護層上に、10nmの厚さでSiをスパッタリング法により第１マスク層１６として成膜した。その後、第１マスク層１６のSiの膜上に、厚さ5nmのTi膜を、第２マスク層１８としてスパッタリングにより成膜した。
【００５６】
その後、アクリル系樹脂が主成分である樹脂材料をスピンコートにより60nmの厚みで塗布し、樹脂マスク層１７とした。そして、ナノインプリント成型により樹脂材料に凹凸パターンを形成した。パターンドメディアの凹凸パターンは、トラック方向に凹凸を形成するディスクリートトラックメディア型のパターンとし、パターンピッチは60nmとした。
【００５７】
そして、イオンビームエッチングを用いて、樹脂マスク層１７凹部の第２マスク層１８を加工した。この際、Arガスを用い、500Vの電圧でイオン化し、基板に対し垂直方向を0°とし30°の角度からイオンビームを照射した。その際、基板に3rpm程度の回転を与えておくことで、面内の加工均一性を向上させた。
【００５８】
第２マスク層１８および第１マスク層１６を加工した後、樹脂マスク層１７を除去せずに、露出した保護層１５およびその下の磁性層１４を実施例１と同様に加工した。
【００５９】
磁性層１４まで加工を行った基板を、100Pa(kg/m.s)の圧力以下の真空雰囲気下においてXeF2ガスにさらし、第１マスク層１６であるSiと反応させて、第１マスク層１６を除去すると同時に、樹脂マスク層１７の残膜および第２マスク層１８は、基板から切り離されて、排気により除去された。
【００６０】
全てのマスク層を除去した後は、実施例１に記載の工程と同様の工程を行い、磁気特性劣化のないパターンドメディア型の磁気記録媒体を作製した。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、磁性層の凹凸パターン加工用のマスクを除去する時の磁気特性の劣化がないパターンドメディア型磁気記録媒体を製造する方法に関するものであるから、産業上の利用可能性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第一の態様に記載のパターンドメディア型の磁気記録媒体における凹凸パターン形成工程の基板断面概略図である。
【図２】本発明の第二の態様に記載のパターンドメディア型の磁気記録媒体における凹凸パターン形成工程の基板断面概略図である。
【図３】従来のパターンドメディア型磁気記録媒体における樹脂マスク層を加工マスクとした凹凸パターン形成工程の基板断面概略図である。
【図４】従来のパターンドメディア型の磁気記録媒体におけるハードマスク層を加工マスクとした凹凸パターン形成工程の基板断面概略図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  基板
１１  軟磁性層
１２  シード層
１３  中間層
１４  磁性層
１５  保護層
１６  第１マスク層
１７  樹脂マスク層
１８  第２マスク層
１９  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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