(57)【要約】【課題】本発明は、無機金属塩を金属酸化物前駆体に用い、塗布により製造が可能で、また低温で半導体変換処理を行うことができ生産効率の高い、キャリア移動度の向上、ｏｆｆ電流を抑制した金属酸化物半導体の製造方法、およびこれを用いた金属酸化物半導体（層）、また薄膜トランジスタの提供にある。【解決手段】金属酸化物前駆体からの転化により金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法であって、前記金属酸化物前駆体が無機金属塩であり、前記無機金属塩を溶媒として水またはアルコールに溶解し、金属酸化物前駆体溶液を作成して基材上に塗布し、前記金属酸化物前駆体を金属酸化物半導体に転化することを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物前駆体からの転化により金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法であって、前記金属酸化物前駆体が無機金属塩であり、前記無機金属塩を溶媒として水またはアルコールに溶解し、金属酸化物前駆体溶液を作成して基材上に塗布し、前記金属酸化物前駆体を金属酸化物半導体に転化することを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項２】
前記溶媒が、水およびアルコールを任意の割合で混合してなることを特徴とする請求項１に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項３】
前記無機金属塩を溶解する前記溶媒のアルコール比率が０．０１〜８０質量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項４】
前記金属酸化物半導体への転化が１００℃〜２５０℃の温度で行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項５】
前記金属酸化物半導体が、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎのいずれかの元素を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項６】
前記金属酸化物半導体が、Ｇａ、Ａｌのいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項７】
前記金属酸化物半導体が、金属元素としてＩｎおよびＧａのみを含むことを特徴とする請求項５または６に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項８】
前記金属酸化物半導体への転化がマイクロ波加熱によることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項９】
前記無機金属塩の塗布がインクジェット塗布により行われることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法により作成されたことを特徴とする金属酸化物半導体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の金属酸化物半導体を用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
均一で良好な前駆体薄膜形成により、移動度が向上し、ｏｆｆ電流を抑制した金属酸化物半導体（層）とその製造方法に関し、またこれを用いた薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
金属塩や有機金属を分解酸化（加熱、分解反応）することで、非晶質酸化物半導体を形成する方法が知られている（例えば特許文献１〜４）。
【０００３】
これらにおいては、塗布により形成した前駆体から、熱酸化または、プラズマ酸化を用い非晶質酸化物半導体を形成している。しかしながら、これらはいずれも４００℃を超える高温熱処理を必要とし、エネルギーコストが高く、またフレキシビリティを有する樹脂基板に使用できないなどの問題がある。
【０００４】
また、非常に反応性の空間で処理を行うために、薄膜トランジスタの製造プロセスにおいて、移動度やｏｆｆ電流（暗電流）が悪化する等の問題を引き起こしてしまう。
【特許文献１】特開２００３−１７９２４２号公報
【特許文献２】特開２００５−２２３２３１号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２００７／１８４５７６号明細書
【特許文献４】特開２００３−２４４４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、無機金属塩を金属酸化物前駆体に用い、塗布により製造が可能で、また低温で半導体変換処理を行うことができ生産効率の高い、キャリア移動度の向上、ｏｆｆ電流を抑制した金属酸化物半導体の製造方法、およびこれを用いた金属酸化物半導体（層）、また薄膜トランジスタの提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
【０００７】
１．金属酸化物前駆体からの転化により金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法であって、前記金属酸化物前駆体が無機金属塩であり、前記無機金属塩を溶媒として水またはアルコールに溶解し、金属酸化物前駆体溶液を作成して基材上に塗布し、前記金属酸化物前駆体を金属酸化物半導体に転化することを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。
【０００８】
２．前記溶媒が、水およびアルコールを任意の割合で混合してなることを特徴とする前記１に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【０００９】
３．前記無機金属塩を溶解する前記溶媒のアルコール比率が０．０１〜８０質量％であることを特徴とする前記１または２に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【００１０】
４．前記金属酸化物半導体への転化が１００℃〜２５０℃の温度で行われることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【００１１】
５．前記金属酸化物半導体が、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎのいずれかの元素を含むことを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【００１２】
６．前記金属酸化物半導体が、Ｇａ、Ａｌのいずれかを含むことを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【００１３】
７．前記金属酸化物半導体が、金属元素としてＩｎおよびＧａのみを含むことを特徴とする前記５または６に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【００１４】
８．前記金属酸化物半導体への転化がマイクロ波加熱によることを特徴とする前記１〜７のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【００１５】
９．前記無機金属塩の塗布がインクジェット塗布により行われることを特徴とする前記１〜８のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法。
【００１６】
１０．前記１〜９のいずれか１項に記載の金属酸化物半導体の製造方法により作成されたことを特徴とする金属酸化物半導体。
【００１７】
１１．前記１０に記載の金属酸化物半導体を用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【発明の効果】
【００１８】
本発明により、生産効率の高い、キャリア移動度の向上、ｏｆｆ電流を抑制した金属酸化物半導体の製造方法、また金属酸化物半導体（層）、これを用いた薄膜トランジスタが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下本発明を実施するための最良の形態について説明するが本発明はこれにより限定されるものではない。
【００２０】
本発明は、金属酸化物前駆体からの転化により金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法であって、前記金属酸化物前駆体が無機金属塩であり、前記無機金属塩を溶媒として水またはアルコールに溶解し、金属酸化物前駆体溶液を作成して基材上に塗布し、前記金属酸化物前駆体を金属酸化物半導体に転化することを特徴とするものである。
【００２１】
本発明において半導体は金属酸化物であり、本発明は、金属酸化物半導体の前駆体となる金属酸化物の金属成分を含む無機金属塩の薄膜を設けた後、該薄膜に熱酸化等の半導体転化処理を行って、金属酸化物半導体に転化し半導体の薄膜を得るものである。
【００２２】
金属酸化物半導体前駆体として用いる無機金属塩としては非常に広い範囲の無機塩類や金属錯体等が知られている。特に、金属塩化物等についてはが特許文献３，４等においても用いられよく知られている。
【００２３】
無機金属塩における金属としては、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を挙げることができる。
【００２４】
本発明において、これらの金属塩においては、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）のいずれかの塩を１つ以上含むことが好ましく、それらを併用して混合させてもよい。
【００２５】
また、その他の金属として、ガリウム（Ｇａ）またはアルミニウム（Ａｌ）のいずれかの塩を含むことが好ましい。
【００２６】
本発明においては、金属酸化物前駆体として、金属のハロゲン化物、また、硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩または蓚酸塩等の無機金属塩を好適に用いることができ、特に硝酸塩が好ましい。これらを用いることによりキャリア移動度の大きい、ＴＦＴ素子としたときｏｎ／ｏｆｆ比の大きい良好な特性を示す金属酸化物半導体を得ることができる。
【００２７】
これら無機金属塩は、他の有機塩、また有機金属化合物を用いる場合に比べ、金属酸化物半導体への転化後に形成される膜中に残留炭素がないこと、また、本発明に係る無機金属塩においては、金属と結合している修飾基（陰イオン）を外すエネルギーが小さいためと推定される。
【００２８】
上記金属塩中、硝酸塩の硝酸が、特に解離エネルギーが小さいと予想され、これらの中でも硝酸塩が最も好ましい。
【００２９】
（前駆体薄膜の成膜方法、パターン化方法）
これらの金属酸化物半導体の前駆体である金属塩を含有する薄膜を形成するためには、公知の成膜法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などを用いることができるが、本発明においては、前記無機金属塩を水またはアルコールに溶解した溶液を用い基板上に塗設することが好ましく、これにより生産性を大幅に向上させることができる。
【００３０】
無機金属塩を溶解する溶媒としては、水またはアルコールを用いる。アルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノール、などの低級アルコール類、エチレングリコール、プロパンジオール等の炭素数８までの低級アルコールおよびアルカンジオール類、またジエチレングリコール、トリエチレングリコール等の炭素原子数８までのアルキレングリコール類があげられる。
【００３１】
特に、アルコール、例えばエタノールの使用により、親和性が向上、また表面張力が低下するため、基材例えばゲート絶縁層上に塗布されるとき、基材表面の濡れ性が向上するので、酸化物半導体膜との界面の状態を均一な状態に制御できる。また、アルコールを用いることによる表面張力低下により、広がりがよく均一な塗布が可能となる。さらにインクジェットヘッドからの射出性が向上しインクジェット塗布においてインク欠が出にくい。
【００３２】
また、前記無機金属塩を含有する溶液の溶媒において、水との混合溶媒中におけるアルコール比率が０．０１〜８０質量％であることが好ましい。
【００３３】
特に、硝酸塩等の無機金属塩は、水に対して分解性が少なく、水系溶媒を溶媒として用いることができるので、製造工程上好ましい。
【００３４】
例えば、特に硝酸塩については大気中での湿気に対して潮解性や、また分解・劣化（特にガリウム等の場合）等がなく好ましい。
【００３５】
本発明においては、無機金属塩を含有する前記溶液を基材上に適用して、金属酸化物前駆体を含有する薄膜を形成する。
【００３６】
無機金属塩を含有する前記溶液を基材上に適用して、金属酸化物半導体の前駆体薄膜を形成する方法としては、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、ミスト法、など、凸版、凹版、平版、スクリーン印刷、インクジェットなどの印刷法等、広い意味での塗布による方法が挙げられるが、本発明においては、インクジェット法、特にピエゾ方式のヘッドをもつインクジェット塗布が好ましい。
【００３７】
インクジェット法によれば、精度の良い薄膜のパターニング塗布が容易にでき好ましい。勿論、塗布膜からフォトリソグラフ法、レーザーアブレーションなどによりパターン化してもよい。
【００３８】
例えばインクジェット法を用いて成膜する場合、金属塩溶液を基体上に吐出、して、１５０℃程度で溶媒を揮発させることにより金属塩を含有する金属酸化物前駆体薄膜が形成される。
【００３９】
本発明においては、圧電振動子によるチャネルの変形により塗布液（インクともいう）をノズルから液滴として吐出するピエゾ方式のインクジェットヘッドを利用して塗布液膜を得る方法が好ましい。
【００４０】
インクジェット塗布方式で塗膜や塗膜パターンを基体に塗布を行う方法として、前記吐出ヘッドを基体の搬送方向または幅方向に移動させて塗布を行うシャトル型塗布、１つ以上の吐出ヘッドを支持体幅方向塗布幅に配設して塗布を行うライン型塗布装置等が知られている。
【００４１】
基材の移動速度に対応した周波数で吐出することにより塗布液膜を得る。インクジェット塗布法は液滴量や基材上での配置を任意に決めることができ、パターニングも容易である。
【００４２】
例えば、ノズル口径２５μｍ、駆動周波数１２ｋＨｚ、ノズル数１２８、ノズル密度１８０ｄｐｉ（以下、ｄｐｉは２．５４ｃｍあたりのドット数を表す）であるピエゾ型ヘッドを用いることができる。
【００４３】
（金属の組成比）
本発明において、金属酸化物半導体において、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、また、その他の金属として、ガリウム（Ｇａ）またアルミニウム（Ａｌ）をその組成に含むものが好ましく、これらの金属を成分として含む場合、好ましい金属の組成比としては、Ｉｎ、Ｓｎの金属塩から選ばれる塩に含有される金属（金属Ａ）と、Ｇａ、Ａｌの無機金属塩から選ばれる塩に含有される金属（金属Ｂ）と、Ｚｎの金属塩に含有される金属（金属Ｃ＝Ｚｎ）とのモル比率（金属Ａ：金属Ｂ：金属Ｃ）が、以下の関係式を満たすことが好ましい。
【００４４】
金属Ａ：金属Ｂ：金属Ｃ＝１：０．２〜１．５：０〜５
無機金属塩としては、硝酸塩が最も好ましいので、Ｉｎ、Ｓｎ（金属Ａ）と、Ｇａ、Ａｌ（金属Ｂ）と、Ｚｎ（金属Ｃ）とのモル比率（Ａ：Ｂ：Ｃ）が、上記の関係式を満たすように、各金属の硝酸塩を、水またはアルコールを主成分とした溶媒に溶解・形成した塗布液を用いて無機金属塩を含む金属酸化物前駆体の薄膜を塗布により形成することが好ましい。
【００４５】
また、これらのうちでも、金属酸化物半導体が、金属元素としてＩｎおよびＧａのみを含む組成であるものが特に好ましく、金属塩をこれらの成分で構成することが好ましい。
【００４６】
また、金属酸化物前駆体となる金属無機塩を含む薄膜の膜厚は、１μｍ以下、特に１〜３００ｎｍが好ましい。５〜２００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍである。
【００４７】
（非晶質酸化物）
形成される金属酸化物半導体としては、単結晶、多結晶、非晶質のいずれの状態も使用可能だが、好ましくは非晶質の薄膜を用いる。
【００４８】
金属酸化物半導体の前駆体となる無機金属塩から形成された、本発明に係る金属酸化物半導体である非晶質酸化物の電子キャリア濃度は１０１８／ｃｍ３未満が実現されていればよい。電子キャリア濃度は室温で測定する場合の値である。室温とは、例えば２５℃であり、具体的には０℃から４０℃程度の範囲から適宜選択されるある温度である。なお、本発明に係る非晶質酸化物（金属酸化物半導体）の電子キャリア濃度は、０℃から４０℃の範囲全てにおいて、１０１８／ｃｍ３未満を充足する必要はない。例えば、２５℃において、キャリア電子密度１０１８／ｃｍ３未満が実現されていればよい。また、電子キャリア濃度をさらに下げ、１０１７／ｃｍ３以下、より好ましくは１０１６／ｃｍ３以下にするとノーマリーオフのＴＦＴが歩留まり良く得られる。
【００４９】
電子キャリア濃度の測定は、ホール効果測定により求めることができる。
【００５０】
金属酸化物半導体の膜厚としては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性は、半導体膜の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は、半導体により異なるが、一般に１μｍ以下、特に１〜３００ｎｍが好ましい。
【００５１】
本発明においては、金属酸化物前駆体（無機金属塩）、組成比、製造条件などを制御して、例えば、電子キャリア濃度を、１０１２／ｃｍ３以上１０１８／ｃｍ３未満とする。より好ましくは１０１３／ｃｍ３以上１０１７／ｃｍ３以下、さらには１０１５／ｃｍ３以上１０１６／ｃｍ３以下の範囲にすることが好ましいものである。
【００５２】
金属酸化物半導体への転化処理、即ち無機金属塩から形成された金属酸化物前駆体薄膜を金属酸化物半導体に変換する方法としては、酸素プラズマ法、熱酸化法、ＵＶオゾン法等の酸化処理が挙げられる。またマイクロ波加熱を用いることができる。
【００５３】
熱酸化としては、１００℃〜２５０℃の温度で酸素の存在下加熱処理することが好ましい。
【００５４】
加熱は、あらゆる適切な加熱手段により行われるが、各種電気オーブン、ドライ・ヒートブロック、マイクロウェーブ・オーブン、各種ヒータなどが例示される。しかし、これらに限定されるものではない。
【００５５】
加熱時間としては１分〜１０時間の範囲で加熱することが好ましい。
【００５６】
本発明においては、無機金属塩を用いることで比較的低い温度において半導体変換処理を行うことができる。
【００５７】
また、金属酸化物の形成はＥＳＣＡ等により検知でき、半導体への変換が充分行われる条件を予め選択することができる。
【００５８】
また、酸素プラズマ法としては大気圧プラズマ法を用いるのが好ましい。また酸素プラズマ法、ＵＶオゾン法においては、基板を５０℃〜２５０℃の範囲で加熱させることが好ましい。
【００５９】
大気圧プラズマ法では、大気圧下で、アルゴンガス等の不活性ガスを放電ガスとして、これと共に反応ガス（酸素を含むガス）を放電空間に導入して、高周波電界を印加して、放電ガスを励起させ、プラズマ発生させ、反応ガスと接触させて酸素を含むプラズマを発生させ、基体表面をこれに晒すことで酸素プラズマ処理を行う。大気圧下とは、２０〜１１０ｋＰａの圧力を表すが、好ましくは９３〜１０４ｋＰａである。
【００６０】
大気圧プラズマ法を用いて、酸素含むガスを反応性ガスとして、酸素プラズマを発生させ、金属塩を含有する前駆体薄膜を、プラズマ空間に晒すことでプラズマ酸化により前駆体薄膜は酸化分解して、金属酸化物からなる層が形成する。
【００６１】
高周波電源として０．５ｋＨｚ以上、２．４５ＧＨｚ以下、また、対向電極間に供給する電力は、好ましくは０．１Ｗ／ｃｍ２以上、５０Ｗ／ｃｍ２以下である。
【００６２】
使用するガスは、基本的に、放電ガス（不活性ガス）と、反応ガス（酸化性ガス）の混合ガスである。反応ガスは好ましくは酸素ガスであり混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。０．１〜１０体積％であることがより好ましいが、さらに好ましくは、０．１〜５体積％である。
【００６３】
上記不活性ガスとしては、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンや、窒素ガス等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴン、窒素ガスが好ましく用いられる。
【００６４】
また、反応ガスを放電空間である電極間に導入するには、常温常圧で構わない。
【００６５】
大気圧下でのプラズマ法については特開平１１−６１４０６、同１１−１３３２０５、特開２０００−１２１８０４、同２０００−１４７２０９、同２０００−１８５３６２等に記載されている。
【００６６】
また、ＵＶオゾン法は、酸素の存在下で、紫外光を照射し、酸化反応を進行させる方法である。紫外光の波長は、１００ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に好ましくは１５０〜３００ｎｍ程度の所謂、真空紫外光を照射することが好ましい。光源は、低圧水銀灯、重水素ランプ、キセノンエキシマーランプ、メタルハライドランプ、エキシマーレーザーなどを用いることができる。
【００６７】
ランプの出力としては４００Ｗ〜３０ｋＷ、照度としては１００ｍＷ／ｃｍ２〜１００ｋＷ／ｃｍ２、照射エネルギーとしては１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。
【００６８】
紫外線照射の際の照度は１ｍＷ〜１０Ｗ／ｃｍ２が好ましい。
【００６９】
また、本発明においては、酸化処理に加えて前記酸化処理の後、あるいは前記酸化処理と同時に加熱処理を施すことが好ましい。これにより酸化分解を促進できる。
【００７０】
また、金属塩を含有する薄膜をＵＶオゾン法等による酸化処理と同時に、また酸化処理の後、基材を１００℃〜２５０℃の範囲で加熱処理を行ってもよい。加熱時間としては１分〜１０時間の範囲で加熱することが好ましい。
【００７１】
金属酸化物半導体への変換後、形成される半導体薄膜の膜厚は１〜２００ｎｍ、より好ましくは５〜１００ｎｍが好ましい。
【００７２】
本発明においては、前記半導体変換処理として、酸素の存在下、マイクロ波（０．５〜５０ＧＨｚ）照射を用いることが好ましい。
【００７３】
（マイクロ波の照射）
本発明においては、金属酸化物半導体の前駆体となる無機金属塩材料から形成された薄膜を半導体に変換する方法として、大気圧下（酸素の存在下）でのマイクロ波照射を用いる。
【００７４】
即ち、これらの金属酸化物半導体の前駆体となる前記金属塩材料を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、酸素の存在下で電磁波、特にマイクロ波（周波数０．５〜５０ＧＨｚ）を照射する。
【００７５】
金属酸化物半導体の前駆体となる前記金属塩材料を含む薄膜にマイクロ波を照射することで、金属酸化物前駆体中の電子が振動し、熱が発生して薄膜が内部から、均一に加熱される。ガラスや樹脂等の基板には、マイクロ波領域に吸収が殆どないため、基板自体は殆ど発熱せずに薄膜部のみを選択的に加熱し熱酸化、金属酸化物半導体へ変換することが可能となる。
【００７６】
マイクロ波加熱においては一般的な様に、マイクロ波吸収は吸収が強い物質に集中し、尚且つ非常に短時間で５００〜６００℃まで昇温する事が可能なため、本発明にこの方法を用いた場合に、基材自身には殆ど電磁波による加熱の影響を与えず、短時間で前駆体薄膜のみを均一に酸化反応が起きる温度まで昇温でき、金属酸化物前駆体を金属酸化物に変換することが可能となる。また、加熱温度、加熱時間は照射するマイクロ波の出力、照射時間で制御することが可能であり、前駆体材料、基板材料に合わせて調整することが可能である。
【００７７】
一般的に、マイクロ波とは０．５〜５０ＧＨｚの周波数を持つ電磁波のことを指し、携帯通信で用いられる０．８ＧＨｚおよび１．５ＧＨｚ帯、２ＧＨｚ帯、アマチュア無線、航空機レーダー等で用いられる１．２ＧＨｚ帯、電子レンジ、構内無線、ＶＩＣＳ等で用いられる２．４ＧＨｚ帯、船舶レーダー等に用いられる３ＧＨｚ帯、その他ＥＴＣの通信に用いられる５．６ＧＨｚなどは全てマイクロ波の範疇に入る電磁波である。また、２８ＧＨｚ、また５０ＧＨｚ等の発振機を市場で入手できる。
【００７８】
無機金属塩を含有する半導体前駆体層に酸素の存在下で、マイクロ波照射を行って、マイクロ波加熱、金属酸化物半導体へ転化する方法は、短時間で選択的に酸化反応を進行させる方法である。マイクロ波の出力、照射時間、さらには照射回数を制御することで金属酸化物前駆体を含有する薄膜の表面温度が１００〜２５０℃になる様に処理する事が好ましい。薄膜表面の温度、基板の温度等は熱電対を用いた表面温度計、また非接触の表面温度計により測定が可能である。
【００７９】
また、ＩＴＯのような強い電磁波吸収体が近傍に存在する場合には、これもマイクロ波を吸収し発熱するため、これに隣接する領域を更に短時間に加熱することができる。
【００８０】
例えば、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極を、例えばＩＴＯ等のマイクロ波吸収材料により形成しておけば、マイクロ波をこれに照射して発熱させて、近傍の領域を加熱することができるので、この発熱も利用し金属酸化物前駆体を加熱処理できる。
【００８１】
半導体層の膜厚としては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性は、半導体層の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は、半導体により異なるが、一般に１μｍ以下、特に１０〜３００ｎｍが好ましい。
【００８２】
本発明に係る無機金属塩から形成される金属酸化物半導体の薄膜は、各種の素子、また電子回路等に用いることができ、基板上に前駆体材料の水溶液を塗布することによって低温プロセスでの金属酸化物半導体材料層の作製が可能であり、樹脂基板を用いる薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）の製造に好ましく適用することができる。
【００８３】
（素子構成）
図１は、本発明に係わる金属酸化物半導体を用いた、薄膜トランジスタの代表的な素子構成を示す図である。
【００８４】
薄膜トランジスタの構成例を幾つか断面図にて図１（ａ）〜（ｆ）に示す。図１において、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３を、金属酸化物半導体からなる半導体層１０１がチャネルとして連結するよう構成される。
【００８５】
同図（ａ）は、支持体（基板）１０６上に本発明の方法によりソース電極１０２、ドレイン電極１０３を形成して、これを基材として、両電極間に半導体層１０１を形成し、その上にゲート絶縁層１０５を形成し、さらにその上にゲート電極１０４を形成して電界効果薄膜トランジスタを形成したものである。同図（ｂ）は、半導体層１０１を、（ａ）では電極間に形成したものを、コート法等を用いて電極および支持体表面全体を覆うように形成したものを表す。（ｃ）は、支持体１０６上に、先ず、半導体層１０１を形成し、その後ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、そして絶縁層１０５を形成した後、ゲート電極１０４を形成したものを表す。本発明においては、半導体層が本発明の金属酸化物半導体の製造方法で形成されていればよい。
【００８６】
同図（ｄ）は、支持体１０６上にゲート電極１０４を形成した後、ゲート絶縁層１０５を形成し、その上にソース電極１０２およびドレイン電極１０３を形成し、該電極間に半導体層１０１を形成する。その他同図（ｅ）、（ｆ）に示すような構成を取ることもできる。
【００８７】
図２は、薄膜トランジスタ素子が複数配置される薄膜トランジスタシートの１例を示す概略の等価回路図である。
【００８８】
薄膜トランジスタシート１２０はマトリクス配置された多数の薄膜トランジスタ素子１２４を有する。１２１は各薄膜トランジスタ素子１２４のゲート電極のゲートバスラインであり、１２２は各薄膜トランジスタ素子１２４のソース電極のソースバスラインである。各薄膜トランジスタ素子１２４のドレイン電極には、出力素子１２６が接続され、この出力素子１２６は例えば液晶、電気泳動素子等であり、表示装置における画素を構成する。図示の例では、出力素子１２６として液晶が、抵抗とコンデンサからなる等価回路で示されている。１２５は蓄積コンデンサ、１２７は垂直駆動回路、１２８は水平駆動回路である。これら薄膜トランジスタシート１２０における各トランジスタ素子のソース、ドレイン電極又ゲート電極等、さらにゲートバスライン、ソースバスライン、また回路配線の製造に本発明を用いることができる。
【００８９】
次いで、薄膜トランジスタを構成する各要素について説明する。
【００９０】
（電極）
本発明において、薄膜トランジスタを構成するソース電極、ドレイン電極、ゲート電極等の電極に用いられる導電性材料としては、電極として実用可能なレベルでの導電性があればよく、特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。
【００９１】
また、導電性材料としては、導電性ポリマーや金属微粒子などを好適に用いることができる。金属微粒子を含有する分散物としては、たとえば公知の導電性ペーストなどを用いても良いが、好ましくは、粒子径が１ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍの金属微粒子を含有する分散物である。金属微粒子から電極を形成するには、前述の方法を同様に用いることができ、金属微粒子の材料としては上記の金属を用いることができる。
【００９２】
（電極等の形成方法）
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、金属微粒子を含有する分散液等を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや金属微粒子を含有する導電性インク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【００９３】
ソース、ドレイン、あるいはゲート電極等の電極、またゲート、あるいはソースバスライン等を、エッチングまたはリフトオフ等感光性樹脂等を用いた金属薄膜のパターニングなしに形成する方法として、無電解メッキ法による方法が知られている。
【００９４】
無電解メッキ法による電極の形成方法に関しては、特開２００４−１５８８０５号にも記載されたように、電極を設ける部分に、メッキ剤と作用して無電解メッキを生じさせるメッキ触媒を含有する液体を、例えば印刷法（インクジェット印刷含む。）によって、パターニングした後に、メッキ剤を、電極を設ける部分に接触させる。そうすると、前記触媒とメッキ剤との接触により前記部分に無電解メッキが施されて、電極パターンが形成されるというものである。
【００９５】
無電解メッキの触媒と、メッキ剤の適用を逆にしてもよく、またパターン形成をどちらで行ってもよいが、メッキ触媒パターンを形成し、これにメッキ剤を適用する方法が好ましい。
【００９６】
印刷法としては、例えば、スクリーン印刷、平版、凸版、凹版又インクジェット法による印刷などが用いられる。
【００９７】
（ゲート絶縁層）
本発明の薄膜トランジスタのゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【００９８】
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
【００９９】
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。
【０１００】
これらのうち好ましいのは、上述した大気圧プラズマ法である。
【０１０１】
ゲート絶縁層が陽極酸化膜または該陽極酸化膜と絶縁膜とで構成されることも好ましい。陽極酸化膜は封孔処理されることが望ましい。陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な金属を公知の方法により陽極酸化することにより形成される。
【０１０２】
陽極酸化処理可能な金属としては、アルミニウムまたはタンタルを挙げることができ、陽極酸化処理の方法には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
【０１０３】
また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂等を用いることもできる。
【０１０４】
無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚としては、一般に５０ｎｍ〜３μｍ、好ましくは、１００ｎｍ〜１μｍである。
【０１０５】
（基板）
基板を構成する支持体材料としては、種々の材料が利用可能であり、例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウム、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、紙、不織布などを用いることができるが、本発明において支持体は樹脂からなることが好ましく、例えばプラスチックフィルムシートを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
【０１０６】
また本発明の薄膜トランジスタ素子上には素子保護層を設けることも可能である。保護層としては前述した無機酸化物または無機窒化物等が挙げられ、上述した大気圧プラズマ法で形成するのが好ましい。
【実施例】
【０１０７】
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
【０１０８】
実施例１
図３に以下の薄膜トランジスタの製造プロセスを概略の断面図で示した。
【０１０９】
（薄膜トランジスタ素子１（比較））
支持体６として、ガラス基板を用いて、スパッタにて厚さ３００ｎｍのＩＴＯ膜を一面に作製したのち、フォトリソグラフ法により、エッチングしてパターニング、ゲート電極４を作成した。
【０１１０】
次いで、大気圧プラズマＣＶＤ法により、厚さ２００ｎｍの酸化珪素からなるゲート絶縁層５を形成した。なお、大気圧プラズマ処理装置は、特開２００３−３０３５２０号公報に記載の図６に準じた装置を用いた。
【０１１１】
（使用ガス）
不活性ガス：ヘリウム９８．２５体積％
反応性ガス：酸素ガス１．５体積％
反応性ガス：テトラエトキシシラン蒸気（ヘリウムガスにてバブリング）０．２５体積％
（放電条件）
高周波電源：１３．５６ＭＨｚ
放電出力：１０Ｗ／ｃｍ２
（電極条件）
電極は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材に対して、セラミック溶射によるアルミナを１ｍｍ被覆し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により封孔処理を行い、表面を平滑にしてＲｍａｘ５μｍとした誘電体（比誘電率１０）を有するロール電極であり、アースされている。一方、印加電極としては、中空の角型のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆した。
【０１１２】
これにより、ゲート電極４、ゲート絶縁層５が支持体６であるガラス基板上に形成された（図３（１））。
【０１１３】
次ぎに、半導体層を形成した。
【０１１４】
（半導体前駆体薄膜の形成）
硝酸インジウム、硝酸亜鉛、硝酸ガリウムを金属比率で１：１：１（モル比）で混合し１０質量％水溶液としたものをインクとしてチャネル形成部にインクジェット塗布し１５０℃で１０分間処理して乾燥し半導体前駆体薄膜１′を形成した（図３（２））。
【０１１５】
塗布は、ノズル口径２５μｍ、駆動周波数１２ｋＨｚ、ノズル数１２８、ノズル密度１８０ｄｐｉ（以下、ｄｐｉは２．５４ｃｍあたりのドット数を表す）であるピエゾ型ヘッドを用い、最大記録密度７２０×７２０ｄｐｉのオンデマンド型のインクジェットプリンタ（コニカミノルタ製）を使用した。
【０１１６】
その後、この基板に、マルチモードタイプの２．４５ＧＨｚマイクロ波照射機（四国計測工業（株）製  μ−ｒｅａｃｔｏｒ）を用いて、大気雰囲気下、大気圧条件で、５００Ｗの出力でマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を照射した。半導体面側のみ断熱材で保温し、熱電対による表面温度計を用いて、５００Ｗ出力で２００℃まで昇温後、マイクロ波出力をＰＩＤ制御しながら薄膜の表面温度を２００℃に保つように、マイクロ波の照射を行った。半導体前駆体材料薄膜１′は半導体層１に変換された（厚さ５０ｎｍ）（図３（３））。
【０１１７】
次に、マスクを介して金を蒸着することで、ソース電極２、ドレイン電極３を形成し薄膜トランジスタ素子を作成した。それぞれのサイズは、幅１０μｍ、長さ５０μｍ（チャネル幅）厚さ５０ｎｍであり、ソース電極、ドレイン電極の距離（チャネル長）は１５μｍとなるようにした。
【０１１８】
これにより薄膜トランジスタ素子１を得た。
【０１１９】
（薄膜トランジスタ素子２〜５）
次いで、薄膜トランジスタ素子１において、半導体層の形成のみを、前駆体である無機金属塩の溶媒について表１に示すようなアルコール比率（質量％）とし溶液を作成、酸化物半導体前駆体薄膜を塗布形成、酸化物半導体とした以外は同様にして薄膜トランジスタ素子２〜５を作成した。
【０１２０】
（薄膜トランジスタ素子６（比較））
薄膜トランジスタ素子１において、半導体層の形成のみを、前駆体である無機金属塩の溶媒にアセトニトリルを用い溶液を作成、酸化物半導体前駆体薄膜を塗布形成、酸化物半導体とした以外は同様にして薄膜トランジスタ素子６を作成した。
【０１２１】
以上の方法により作製した薄膜トランジスタ素子１〜６について、動作特性を評価した。いずれもｎ型のエンハンスメント動作を示した。ドレインバイアスを１０Ｖとし、ゲートバイアスを−１０Ｖから＋２０Ｖまで掃引した時のドレイン電流の増加（伝達特性）が観測された。その飽和領域から見積もられた移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）と、ｏｎ／ｏｆｆ比について見積もった。
【０１２２】
【表１】
2009177149.tif 000002
【０１２３】
表１の通り、比較であるアセトニトリル溶媒を用いて無機金属塩溶液を作成したものは、水溶液を用いたものに比べキャリア移動度が高く、ｏｎ／ｏｆｆ比についても高いことがわかる。
【０１２４】
実施例２
同じく、概略の断面図が図４で示されるトップゲート・ボトムコンタクト構成の薄膜トランジスタ素子を作製した。薄膜トランジスタの製造プロセスを断面図で示した。
（薄膜トランジスタ素子２０１（比較））
支持体６としてポリエーテルスルホンフィルム（厚み２００μｍ）を用い、この上に、先ず、５０Ｗ／ｍ２／ｍｉｎの条件でコロナ放電処理を施した。その後以下のように接着性向上のため下引き層を形成した。
【０１２５】
（下引き層の形成）
下記組成の塗布液を乾燥膜厚２μｍになるように塗布し、９０℃で５分間乾燥した後、６０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯下１０ｃｍの距離から４秒間硬化させた。
【０１２６】
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体                        ６０ｇ
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体                        ２０ｇ
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分              ２０ｇ
ジエトキシベンゾフェノンＵＶ開始剤                                      ２ｇ
シリコーン系界面活性剤                                                  １ｇ
メチルエチルケトン                                                    ７５ｇ
メチルプロピレングリコール                                            ７５ｇ
さらにその層の上に下記条件で連続的に大気圧プラズマ処理して厚さ５０ｎｍの酸化ケイ素膜を設け、これらの層を下引き層８とした（図４（１））。
【０１２７】
（使用ガス）
不活性ガス：ヘリウム９８．２５体積％
反応性ガス：酸素ガス１．５体積％
反応性ガス：テトラエトキシシラン蒸気（ヘリウムガスにてバブリング）０．２５体積％
（放電条件）
高周波電源：１３．５６ＭＨｚ
放電出力：１０Ｗ／ｃｍ２
（電極条件）
電極は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材に対して、セラミック溶射によるアルミナを１ｍｍ被覆し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により封孔処理を行い、表面を平滑にしてＲｍａｘ５μｍとした誘電体（比誘電率１０）を有するロール電極であり、アースされている。一方、印加電極としては、中空の角型のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆した。
【０１２８】
次いで、ゲート電極を形成する。スパッタにて厚さ３００ｎｍのＩＴＯ膜を一面に作製したのち、フォトリソグラフ法により、エッチングしてパターニング、ゲート電極４を作成した（図４（２））。
【０１２９】
（陽極酸化被膜形成工程）
ゲート電極４を形成したのち基板をよく洗浄し、３０質量％燐酸アンモニウム水溶液中で、２分間、３０Ｖの定電圧電源から供給される直流を用いて、陽極酸化皮膜の厚さが１２０ｎｍになるまで陽極酸化を行った（図では省略）。
【０１３０】
次いで、さらにフィルム温度２００℃にて、上述した大気圧プラズマ法により厚さ３０ｎｍの酸化珪素膜を設け、前記した陽極酸化アルミニウム層を併せて、厚さ１５０ｎｍのゲート絶縁層５を形成した（図４（３））。
【０１３１】
次ぎに、半導体層を形成した。
【０１３２】
（半導体前駆体薄膜の形成）
硝酸インジウム、硝酸ガリウムを金属比率で１：０．５（モル比）で混合し１０質量％水溶液としたものをインクとしてチャネル形成部に実施例１同様インクジェット塗布し１５０℃で１０分間処理して乾燥し半導体前駆体薄膜１′を形成した（図４（４））。
【０１３３】
その後、この基板に、マルチモードタイプの２．４５ＧＨｚマイクロ波照射機（四国計測工業（株）製  μ−ｒｅａｃｔｏｒ）を用いて、大気雰囲気下、大気圧条件で、５００Ｗの出力でマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を照射した。半導体面側のみ断熱材で保温し、熱電対による表面温度計を用いて、５００Ｗ出力で２００℃まで昇温後、マイクロ波出力をＰＩＤ制御しながら薄膜の表面温度を２００℃に保つように、マイクロ波の照射を行った。半導体前駆体材料薄膜１′は半導体層１に変換された（厚さ５０ｎｍ）（図３（３））。
【０１３４】
次いで、実施例１と同様にソース電極、ドレイン電極を金蒸着により形成して薄膜トランジスタ素子２０１を作製した（図４（５））。
（薄膜トランジスタ素子２０２〜２０５）
薄膜トランジスタ素子２０１の作製において、半導体前駆体薄膜の形成に用いた硝酸塩水溶液の溶媒を表２に記載の溶媒系にかえた以外は同様にして半導体層を形成し、同様に薄膜トランジスタ素子２０２〜２０５を作製した。
（薄膜トランジスタ素子２０６（比較））
薄膜トランジスタ素子２０１の作製において、半導体前駆体薄膜の形成に用いた硝酸塩水溶液の溶媒をアセトニトリルにかえた以外は同様にして半導体層を形成し、同様に薄膜トランジスタ素子２０６を作製した。
【０１３５】
実施例１と同様に各薄膜トランジスタ素子の特性を、それぞれ、ドレインバイアスを１０Ｖとし、ゲートバイアスを−１０Ｖから＋２０Ｖまで掃引した時のドレイン電流の増加（伝達特性）について観測し、その飽和領域から見積もられた移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）と、ｏｎ／ｏｆｆ比について見積もった。
【０１３６】
結果を以下に示す。
【０１３７】
【表２】
2009177149.tif 000003
【０１３８】
実施例１と同様に、比較であるアセトニトリル溶媒を用い塗布作成したものに比べ、本発明に係る薄膜トランジスタ素子はキャリア移動度が高く、ｏｎ／ｏｆｆ比についても高く、本発明はすぐれた効果を示した。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】薄膜トランジスタの代表的な素子構成を示す図である。
【図２】薄膜トランジスタ素子が複数配置される薄膜トランジスタシートの１例を示す概略の等価回路図である。
【図３】薄膜トランジスタの製造プロセスを示す概略の断面図である。
【図４】トップゲート・ボトムコンタクト構成の薄膜トランジスタ素子の製造プロセスを示す概略の断面図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１、１０１  半導体層
２、１０２  ソース電極
３、１０３  ドレイン電極
４、１０４  ゲート電極
５、１０５  ゲート絶縁層
【図１】
2009177149.tif 000004
【図２】
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【図３】
2009177149.tif 000006
【図４】
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