(57)【要約】【課題】対向基板の帯電を抑制しつつ、表示品位の改善及び製造歩留まりの向上が可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲと対向するように配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶材料からなる液晶層ＬＱと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合わせるシール材３００と、を備え、アレイ基板ＡＲは、スリットＳＬを有する画素電極ＥＰと、画素電極ＥＰと層間絶縁膜ＩＬを介して対向する対向電極ＥＴと、を備え、対向基板ＣＴは、その外面にシールド電極ＥＳを備え、シールド電極ＥＳは、対向基板ＣＴの外面において、対向基板ＣＴの少なくとも一辺に沿った端部ＣＴｂを露出するように配置されていることを特徴とする。【選択図】      図１
2009116309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶材料からなる液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、を備え、
前記第２基板は、その外面にシールド電極を備え、
前記シールド電極は、前記第２基板の外面において、前記第２基板の少なくとも一辺に沿った端部を露出するように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、
第１電極と、
前記第１電極の上に配置された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上に配置され、前記第１電極と対向するとともにスリットを有する第２電極と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記シールド電極は、複数の画素によって構成された前記表示エリアを覆うように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記シール材は、前記液晶材料を注入するための注入口を形成するように配置され、
前記シールド電極は、前記第２基板の外面において、前記注入口が設けられた前記第２基板の辺に沿った端部を露出するように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板は、前記第２基板の端辺より外方に延在した延在部に実装部を備え、
前記シールド電極は、前記第２基板の外面において、前記端辺に沿った端部を露出するように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記シール材は、ループ状に配置されたことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記シール材は、前記実装部が配置された辺と異なる辺に前記液晶材料を注入するための注入口を形成するように配置され、
前記シールド電極は、前記第２基板の外面において、前記注入口が設けられた前記第２基板の辺に沿った端部を露出するように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２基板は、四角形状に形成され、
前記シールド電極は、前記第２基板の外面において、前記第２基板の４辺に沿った端部を露出するように配置されたことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
さらに、前記シールド電極と接触する金属フレームを有していることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
さらに、前記シールド電極に電気的に接続され、前記第２基板の一辺に引き出された端子部を有していることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板は、前記第２基板の前記端子部が引き出された端辺より外方に延在した延在部に接地電位の配線を有し、
前記端子部と前記配線とが導電部材を介して接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
第１基板の一方の面に実装部及び第１表示素子部を形成する工程と、
第２基板の一方の面に第２表示素子部を形成する工程と、
前記第２基板の他方の面において割断線に重なることなく前記第２表示素子部と対向するシールド電極を形成する工程と、
前記第１表示素子部または前記第２表示素子部を囲むようにシール材を塗布する工程と、
前記第１表示素子部と前記第２表示素子部とが向かい合うように前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、
前記第２基板の前記実装部の対向する領域を割断線に沿って割断する工程と、を経て形成された液晶表示装置であって、
前記シールド電極は、前記第２基板の他方の面において、前記第２基板の少なくとも一辺に沿った端部を露出するように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示パネルを構成する一方の基板に画素電極及び対向電極を備えた構造の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＲＴディスプレイに代わる平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。
【０００３】
このＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示装置は、アレイ基板上に形成された画素電極と対向電極とを備え、これらの間に形成されるアレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。また、アレイ基板及び対向基板のそれぞれの外面には、互いに偏向軸が直交するように配置された偏光板が配置されている。このような偏光板の配置により、例えば電圧無印加時に黒色画面を表示し、映像信号に対応した電圧を画素電極に印加することにより徐々に透過率（変調率）が増加して白色画面を表示する。
【０００４】
このような液晶表示装置において、静電気などによって対向基板が帯電してしまうと、対向基板とアレイ基板との間に縦電界が形成されてしまう。このように縦電界が形成されると、液晶分子の配向不良が生じ、表示品位の劣化を招いてしてしまう。このため、対向基板の帯電を防ぐために、対向基板の外面又は内面にシールド電極を配置する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２３４５４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示装置においては、液晶層の厚みが比較的薄い。このため、対向基板の内面にシールド電極を配置した場合、シールド電極と対向電極及び画素電極とが近接する。このため、シールド電極との間に形成された縦電界によって液晶分子の配向不良が生じ、表示品位の劣化を招くおそれがある。
【０００６】
また、対向基板の外面にシールド電極を配置する構成において、対向基板となるマザー基板の外面にベタ状にシールド電極を形成した場合には、マザー基板から所定サイズの対向基板を切り出す際に、シールド電極の一部が剥がれ落ち、導電性の微小な異物となって周囲を汚染するおそれがある。
【０００７】
例えば、アレイ基板上の配線と駆動ＩＣなどの信号供給源とを接続するための実装部が汚染された場合、端子間のショートなどの不具合が発生するおそれがある。したがって、液晶表示装置の表示品質及び信頼性の低下や、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０００８】
さらに、液晶材料を真空注入する構成において、注入口付近が汚染された場合には、液晶材料を注入する際に、導電性異物が引き込まれ、液晶層に混入してしまうことがある。このように導電性の異物は、配線間や電極間でのショートや液晶分子の配向不良を引き起こす原因となりうる。このため、液晶表示装置の表示品質の低下や、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０００９】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、対向基板の帯電を抑制しつつ、表示品位の改善及び製造歩留まりの向上が可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の第１態様による液晶表示装置は、
第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶材料からなる液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、を備え、
前記第２基板は、その外面にシールド電極を備え、
前記シールド電極は、前記第２基板の外面において、前記第２基板の少なくとも一辺に沿った端部を露出するように配置されていることを特徴とする。
【００１１】
この発明の第２態様による液晶表示装置は、
第１基板の一方の面に実装部及び第１表示素子部を形成する工程と、
第２基板の一方の面に第２表示素子部を形成する工程と、
前記第２基板の他方の面において割断線に重なることなく前記第２表示素子部と対向するシールド電極を形成する工程と、
前記第１表示素子部または前記第２表示素子部を囲むようにシール材を塗布する工程と、
前記第１表示素子部と前記第２表示素子部とが向かい合うように前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、
前記第２基板の前記実装部の対向する領域を割断線に沿って割断する工程と、を経て形成された液晶表示装置であって、
前記シールド電極は、前記第２基板の他方の面において、前記第２基板の少なくとも一辺に沿った端部を露出するように配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、対向基板の帯電を抑制しつつ、表示品位の改善及び製造歩留まりの向上が可能な液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。
【００１４】
ここでは、一方の基板に一対の電極すなわち画素電極及び対向電極を備え、これらの間に形成される横電界を利用して液晶分子をスイッチングする液晶モードとして、ＦＦＳモードの液晶表示装置を例に説明する。
【００１５】
図１乃至図３に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲと互いに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、シール材３００によって貼り合わせられている。シール材３００は、表示エリアＤＳＰを囲むように配置されている。図１に示した例では、シール材３００は、液晶材料を注入するための注入口３００Ａを確保するように配置されている。注入口３００Ａは、感光性樹脂などからなる封止材５００によって封止されている。表示エリアＤＳＰは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１６】
アレイ基板ＡＲは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板２０を用いて形成されている。すなわち、このアレイ基板ＡＲは、表示エリアＤＳＰにおいて、画素ＰＸ毎に配置されたｍ×ｎ個の画素電極（第２電極）ＥＰ、各画素ＰＸの行方向Ｈにそれぞれ延在したｎ本の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、各画素ＰＸの列方向Ｖにそれぞれ延在したｍ本の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各画素ＰＸにおいて走査線Ｙと信号線Ｘとの交差部を含む領域に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子Ｗ、画素電極ＥＰと層間絶縁膜ＩＬを介して対向配置された対向電極（第１電極）ＥＴなどを備えている。
【００１７】
さらに、アレイ基板ＡＲは、表示エリアＤＳＰの外側に実装部１０を備えている。すなわち、アレイ基板ＡＲは、対向基板ＣＴの端辺ＣＴａ（Ｌ２）より外方に延在した延在部ＡＲａを備えている。実装部１０は、延在部ＡＲａの表面側（画素電極ＥＰなどが配置された側）に配置されている。この実装部１０には、ゲートドライバ１０ａ、ソースドライバ１０ｂなどを含む駆動ＩＣなどの信号供給源が実装されている。
【００１８】
ゲートドライバ１０ａは、ｎ本の走査線Ｙと電気的に接続され、表示エリアＤＳＰにおけるそれぞれの画素ＰＸを駆動するための走査信号を供給する。また、ソースドライバ１０ｂは、ｍ本の信号線Ｘと電気的に接続され、表示エリアＤＳＰにおけるそれぞれの画素ＰＸに書き込む映像信号を各行のスイッチング素子Ｗが走査信号によってオンするタイミングで供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰは、対応するスイッチング素子Ｗを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００１９】
各スイッチング素子Ｗは、例えば、薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子Ｗの半導体層は、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能である。スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、走査線Ｙに接続されている（あるいは走査線Ｙと一体的に形成されている）。スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳは、信号線Ｘに接続される（あるいは信号線Ｘと一体に形成される）とともに、半導体層のソース領域にコンタクトしている。スイッチング素子Ｗのドレイン電極ＷＤは、画素電極ＥＰに接続される（あるいは画素電極ＥＰと一体に形成される）とともに、半導体層のドレイン領域にコンタクトしている。
【００２０】
対向電極ＥＴは、例えば、各画素ＰＸにおいて島状に配置され、コモン電位が供給されるコモン配線ＣＯＭに電気的に接続されている。この対向電極ＥＴの上には、層間絶縁膜ＩＬが配置されている。画素電極ＥＰは、層間絶縁膜ＩＬの上に配置されている。この画素電極ＥＰは、各画素ＰＸにおいて対向電極ＥＴに対向するように島状に配置されている。この画素電極ＥＰには、対向電極ＥＴと対向する複数のスリットＳＬが設けられている。これらの画素電極ＥＰ及び対向電極ＥＴは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００２１】
アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱに接する面は、配向膜３６ａによって覆われている。
【００２２】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。特に、カラー表示タイプの液晶表示装置においては、図３に示したように、対向基板ＣＴは、絶縁基板３０の内面（すなわち液晶層ＬＱに対向する面）に、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３２、ブラックマトリクス３２によって囲まれた各画素ＰＸに配置されたカラーフィルタ層３４などを備えている。また、対向基板ＣＴは、さらに、カラーフィルタ層３４の表面の凹凸を平坦化するように比較的厚い膜厚で配置されたオーバーコート層などを備えて構成してもよい。
【００２３】
ブラックマトリクス３２は、絶縁基板３０上において、アレイ基板ＡＲに設けられた走査線Ｙや信号線Ｘ、さらにはスイッチング素子Ｗなどの配線部に対向するように配置されている。カラーフィルタ層３４は、絶縁基板３０上に配置され、互いに異なる複数の色、例えば、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素及び緑色画素に対応して配置されている。なお、カラーフィルタ層３４は、アレイ基板側に配置しても良い。
【００２４】
対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面は、配向膜３６ｂによって覆われている。
【００２５】
また、対向基板ＣＴは、その外面（すなわち液晶層ＬＱ側の面とは反対の面）にシールド電極ＥＳを備えている。ここでは、シールド電極ＥＳは、絶縁基板３０の外面に配置されている。このシールド電極ＥＳは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。  
このような対向基板ＣＴと上述したようなアレイ基板ＡＲとは、それぞれの配向膜３６ａ及び配向膜３６ｂが対向するように配置される。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、図示しないスペーサにより、所定のギャップが形成される。液晶層ＬＱは、これらのアレイ基板ＡＲの配向膜３６ａと対向基板ＣＴの配向膜３６ｂとの間に形成されたギャップに封入された液晶分子を含む液晶材料で構成されている。
【００２６】
この液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面（すなわちアレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱと接する面とは反対の面）に設けられた光学素子ＯＤ１を備え、また、液晶表示パネルＬＰＮの他方の外面（すなわち対向基板ＣＴの液晶層ＬＱと接する面とは反対の面）に設けられた光学素子ＯＤ２を備えている。これらの光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、それぞれ偏光板を含む。また、これらの光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、必要に応じて偏光板を含んでいても良い。光学素子ＯＤ１は、絶縁基板２０に直接接着されている。光学素子ＯＤ２は、シールド電極ＥＳの上に接着されている。
【００２７】
このような構成により、液晶表示パネルＬＰＮに対してアレイ基板ＡＲ側に配置されたバックライトユニットＢＬからのバックライト光を液晶表示パネルＬＰＮで選択的に透過し、画像を表示する。
【００２８】
ここで、対向基板ＣＴの外面に配置されたシールド電極ＥＳについて詳しく説明する。シールド電極ＥＳは、少なくとも表示エリアＤＳＰ全体を覆うように配置されている。ここでは、シールド電極ＥＳは、略四角形状の表示エリアＤＳＰに対応して、表示エリアＤＳＰと同等以上の寸法の略四角形状に形成されている。このようなシールド電極ＥＳは、対向基板ＣＴの外面において、対向基板ＣＴの少なくとも一辺に沿った端部を露出するように配置されている。図１に示した例では、シールド電極ＥＳは、対向基板ＣＴの４辺Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４に沿ったそれぞれの端部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３及びＣ４を露出するように配置されている。
【００２９】
このように、第２光学素子ＯＤ２と対向基板ＣＴを構成する絶縁基板３０との間にシールド電極ＥＳが介在することにより、第２光学素子ＯＤ２が帯電した場合であっても電荷を分散することができ、対向基板ＣＴの帯電を抑制することが可能となる。また、このシールド電極ＥＳは、表示エリアＤＳＰを覆うように配置されているため、表示エリアＤＳＰに向かう外部電界をシールドすることが可能となる。このため、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に不所望な縦電界が形成されることがなく、表示品位の向上が可能となる。
【００３０】
ここで、第１実施例及び第２実施例について説明する。
【００３１】
第１実施例において、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、シールド電極ＥＳは、表示エリアＤＳＰより大きいサイズに形成されている。このようなシールド電極ＥＳは、表示エリアＤＳＰを覆うように配置されている。また、シールド電極ＥＳは、対向基板ＣＴよりも小さいサイズに形成されている。ここでは、特に、液晶表示パネルを構成するアレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、四角形状に形成されている。シールド電極ＥＳは、図１に示した例と同様に、対向基板ＣＴの外面において、対向基板ＣＴの４辺に沿った端部（つまり、絶縁基板３０の外面の周辺部）を露出するように配置されている。
【００３２】
液晶表示装置は、さらに、対向基板ＣＴの外面側から液晶表示パネルＬＰＮを覆う枠状の金属フレームＦＬを有している。この金属フレームＦＬは、矩形状の表示エリアＤＳＰより大きく形成されるとともに表示エリアＤＳＰを露出する矩形状の開口部ＡＰを有している。この開口部ＡＰは、シールド電極ＥＳより小さく形成されている。なお、第２光学素子ＯＤ２は、シールド電極ＥＳより小さく形成され、シールド電極ＥＳの一部を露出するように配置されている。
【００３３】
つまり、金属フレームＦＬは、表示エリアＤＳＰを囲むとともに、シールド電極ＥＳの周辺部分（第２光学素子ＯＤ２から露出した部分）と重なるように配置されている。金属フレームＦＬは、シールド電極ＥＳと対向する内面に突起を設け、この突起を介してシールド電極ＥＳと接している。あるいは、金属フレームＦＬとシールド電極ＥＳは直に接しても良い。すなわち、シールド電極ＥＳと金属フレームＦＬとは、表示エリアＤＳＰ外において、導通している。
【００３４】
金属フレームＦＬは、例えば、接地されている。シールド電極ＥＳは、突起を介して接地電位の金属フレームＦＬと接触しているので、第２光学素子ＯＤ２あるいは対向基板ＣＴに帯電した電荷を金属フレームＦＬから逃がすことが可能となる。このため、対向基板ＣＴの帯電を抑制することが可能となり、対向基板ＣＴとアレイ基板ＡＲとの間において、縦電界の形成を抑制できる。
【００３５】
第２実施例において、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、シールド電極ＥＳは、表示エリアＤＳＰより大きいサイズに形成され、表示エリアＤＳＰを覆うように配置されている。また、シールド電極ＥＳは、対向基板ＣＴよりも小さいサイズに形成され、図１に示した例と同様に、対向基板ＣＴの外面において、対向基板ＣＴの４辺に沿った端部を露出するように配置されている。この第２実施例では、さらに、対向基板ＣＴは、その外面にシールド電極ＥＳに電気的に接続された端子部ＥＳａを有している。この端子部ＥＳａは、シールド電極ＥＳと同一材料により一体的に形成しても良いし、シールド電極ＥＳと異なる導電材料により別体として形成しても良い。この端子部ＥＳａは、対向基板ＣＴの一辺に引き出されている。このような構成によれば、端子部ＥＳａを介して第２光学素子ＯＤ２あるいは対向基板ＣＴに帯電した電荷を外部に逃がすことが可能である。
【００３６】
特に、図５Ａ及び図５Ｂで示した例では、端子部ＥＳａは、対向基板ＣＴの辺Ｌ２に引き出されている。アレイ基板ＡＲの延在部ＡＲａは、端子部ＥＳａが引き出された辺Ｌ２より外方に延在している。また、アレイ基板ＡＲは、接地電位の配線Ｚを有している。この配線Ｚは、アレイ基板ＡＲの延在部ＡＲａに配置されている。端子部ＥＳａは、導電部材２００、例えば導電性ペーストや、導電性テープなどを介して配線Ｚと電気的に接続されている。
【００３７】
つまり、シールド電極ＥＳは、端子部ＥＳａ及び導電部材２００を介して接地電位の配線Ｚに接続されているため、第２光学素子ＯＤ２あるいは対向基板ＣＴに帯電された電荷を配線Ｚから逃がすことが可能となる。このため、対向基板ＣＴの帯電を抑制することが可能となり、対向基板ＣＴとアレイ基板ＡＲとの間において、縦電界の形成を抑制できる。
【００３８】
ここで、液晶表示装置の具体的な製造方法の一例について説明する。
【００３９】
まず、アレイ基板ＡＲ用の第１マザー基板及び対向基板ＣＴ用の第２マザー基板を用意する。第１マザー基板は、複数のアレイ基板ＡＲを形成することが可能な面積を有している。第２マザー基板は、複数の対向基板ＣＴを形成することが可能な面積を有している。
【００４０】
第１マザー基板の一方の面において、各アレイ基板形成領域に実装部１０及び表示エリアＤＳＰに対応する第１表示素子部を形成する。第１表示素子部には、スイッチング素子Ｗ、画素電極ＥＰ、対向電極ＥＴなどを形成する。
【００４１】
また、第２マザー基板の一方の面において、各対向基板形成領域に第２表示素子部を形成する。第２表示素子部には、カラーフィルタ層３４やブラックマトリクス３２などを形成する。
【００４２】
その後、第２マザー基板の他方の面（第２表示素子部が形成された面とは反対の面）において、各対向基板形成領域に、第２表示素子部に対向するシールド電極ＥＳを形成する。このシールド電極ＥＳは、例えば、マスクスパッタ法により第２表示素子部に対向する領域に島状に形成される。特に、このシールド電極ＥＳは、後の割断工程で第２マザー基板を割断する際の割断線に重なることなく形成される。図６に示した例は、第１実施例に相当し、シールド電極ＥＳは、隣接する２本の割断線Ａと、割断線Ｂ１及びＢ２によって囲まれた内側に配置されている。
【００４３】
その後、第１マザー基板の第１表示素子部又は第２マザー基板の第２表示素子部を囲むようにシール材３００を塗布する。シール材３００は、各液晶表示パネル形成領域において、液晶材料を注入するための注入口３００Ａを確保するように配置する。注入口３００Ａは、実装部１０が配置された辺と異なる辺に形成される。シール材３００は、例えば、熱硬化性樹脂などの樹脂材料によって形成される。
【００４４】
そして、第１表示素子部と第２表示素子部とがそれぞれ向かい合うように第１マザー基板と第２マザー基板とを配置する。そして、第１マザー基板と第２マザー基板とを貼り合わせる方向に加圧しながら加熱する。これにより、シール材３００が硬化し、第１マザー基板と第２マザー基板とが貼り合わせられる。
【００４５】
続いて、図６に示すように、貼り合わせたマザー基板対を割断線Ａに沿ってスクライブした後、短冊状に割断する。その後、注入口３００Ａから液晶材料を真空注入する。その後、封止材５００として、例えば、紫外線硬化型樹脂などの感光性樹脂を注入口３００Ａに塗布し、紫外線を照射することにより液晶材料が封止される。そして、短冊状のマザー基板対を割断線Ｂ１に沿ってスクライブした後に割断する。さらに、第２マザー基板の実装部１０に対向する領域を割断線Ｂ２に沿って割断することによって除去する。これにより、実装部１０を露出した各セルが形成される。
【００４６】
このような工程により、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した液晶表示パネルＬＰＮが形成される。
【００４７】
上述したように、シールド電極ＥＳは、注入口３００Ａに重なる割断線Ａに重ならないように配置され、図６に示した例では、割断線Ａ、Ｂ１及びＢ２のいずれにも重ならないように配置されている。つまり、シールド電極ＥＳは、少なくとも液晶注入工程より前に割断される割断線Ａには重ならないように配置されている。このため、マザー基板対を割断線Ａに沿って割断する際に、シールド電極ＥＳにカッター等の割断部材が接触することはない。
【００４８】
したがって、マザー基板対の割断の際に、シールド電極ＥＳが削りとられることがなく、導電性の異物を発生しない。このため、液晶材料の注入の過程において、導電性の異物の液晶中への混入を防ぐことが可能となる。したがって、液晶層内での配線間でのショート、電極間でのショートを防ぐことが可能となる。また、異物の混入による、液晶分子の配向不良を防ぐことが可能となる。
【００４９】
つまり、図１に示すように、シールド電極ＥＳを対向基板ＣＴの外面において、少なくとも注入口３００Ａが設けられた対向基板ＣＴの辺Ｌ１に沿った端部を露出するように配置する。言い換えれば、シールド電極ＥＳが対向基板ＣＴの辺Ｌ１にまで達しないように設ける。このようなシールド電極ＥＳの形状にすれば、表示装置の表示品位を改善できるとともに製造歩留まりを向上することが可能となる。
【００５０】
また、上述したように、シールド電極ＥＳは、割断線Ｂ２に重ならないように配置されている。このため、第２マザー基板の実装部１０に対向する領域を割断線Ｂ２に沿って割断する際に、シールド電極ＥＳにカッター等が接触せず、シールド電極ＥＳが削りとられることがなくなる。これにより、シールド電極ＥＳの剥れ落ちた一部の実装部１０への接触を防止することができる。つまり、実装部１０の汚染を防ぐことが可能となり、実装部１０でのショートを防ぐことが可能となる。
【００５１】
つまり、図１に示すように、シールド電極ＥＳを対向基板ＣＴの外面において、少なくとも実装部１０が配置された側の辺Ｌ２に沿った端部を露出するように配置する。言い換えれば、シールド電極ＥＳが対向基板ＣＴの辺Ｌ２にまで達しないように設ける。これによって、表示装置の表示品位を改善できるとともに製造歩留まりを向上することが可能となる。
【００５２】
なお、上述した例では、シールド電極ＥＳは、第１マザー基板と第２マザー基板とを貼り合わせる前に形成したが、第１マザー基板と第２マザー基板とを貼り合わせた後であって液晶材料を注入する前の段階で形成しても良い。
【００５３】
また、上述した製造方法では、第１マザー基板と第２マザー基板とを貼り合わせた後に液晶材料を真空注入する例について説明したが、この例に限らない。以下に、製造方法として、液晶材料を滴下注入する例について説明する。滴下注入の手法を適用した液晶表示パネルの特徴としては、図７に示すように、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合わせるシール材３００が表示エリアＤＳＰを囲むループ状に形成されている点が挙げられる。
【００５４】
このような液晶表示パネルは以下のようにして製造される。
【００５５】
まず、液晶材料を真空注入する場合と同様の手順により、図８に示すように、アレイ基板ＡＲ用の第１マザー基板Ｍ１及び対向基板ＣＴ用の第２マザー基板Ｍ２を用意する。すなわち、第１マザー基板Ｍ１の一方の面において、各アレイ基板形成領域に実装部１０及び表示エリアＤＳＰに対応する第１表示素子部１２を形成する。また、第２マザー基板Ｍ２の一方の面において、各対向基板形成領域に第２表示素子部１４を形成する。
【００５６】
その後、第２マザー基板Ｍ２の他方の面において、各対向基板形成領域に、第２表示素子部１４に対向するシールド電極ＥＳを形成する。特に、このシールド電極ＥＳは、後の割断工程で第２マザー基板Ｍ２を割断する際の割断線に重なることなく形成される。
【００５７】
その後、第１マザー基板Ｍ１の第１表示素子部１２又は第２マザー基板Ｍ２の第２表示素子部１４を囲むようにループ状にシール材３００を塗布する。
【００５８】
その後、シール材３００で囲まれた内側の領域に液晶材料４００を滴下する。
【００５９】
その後、第１表示素子部１２と第２表示素子部１４とが向かい合うように第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを配置する。
【００６０】
そして、図９に示すように、第１マザー基板Ｍ１及び第２マザー基板Ｍ２を貼り合わせる方向に加圧しながら加熱し、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる。貼り合わせられたマザー基板対の平面図を図１２に示す。
【００６１】
そして、貼り合わせられたマザー基板対を割断線Ａ、Ｂ１及びＢ２に沿って割断する。特に、図１０に示すように、第２マザー基板Ｍ２の実装部１０と対向する領域ＭＸを除去する工程では、まず、割断線Ｂ２に沿ってスクライブ部材によりスクライブする。そして、ブレイクバーなどを用いて衝撃を与え、クラックを進展させて割断線Ｂ２に沿って割断する。これにより、領域ＭＸが除去され、図１１に示すように、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した液晶表示パネルＬＰＮが形成される。
【００６２】
上述したように、液晶材料４００を真空注入した場合と同様に、シールド電極ＥＳは、割断線Ｂ２に重ならないように配置されている。したがって、割断線Ｂ２に沿った割断工程においてシールド電極ＥＳが削りとられることがなく、導電性異物による汚染が発生しない。つまり、実装部１０の汚染を防ぐことが可能となり、実装部１０でのショートを防ぐことが可能となる。このため、表示装置の表示品位を改善できるとともに製造歩留まりを向上することが可能となる。
【００６３】
また、第１マザー基板Ｍ１と第２マザー基板Ｍ２とを貼り合わせる前に液晶材料４００を滴下して液晶層ＬＱを形成することにより、製造時間を短縮することが可能となる。
【００６４】
特に、図６及び図１２に示すように、シールド電極ＥＳが割断線Ａ、Ｂ１及びＢ２のいずれにも重ならないように配置されることにより、全ての割断線に沿った割断工程において、シールド電極ＥＳが削りとられることがなく、導電性の異物を発生することがない。このため、各液晶表示パネルＬＰＮへの導電性異物の付着や、周辺の製造環境の汚染を抑制することが可能となる。
【００６５】
以上、説明したように、本実施の形態によれば、液晶表示装置は、対向基板ＣＴの帯電を防ぎつつ、表示装置の歩留まりの低下を防止することが可能となる。
【００６６】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００６７】
シールド電極ＥＳは、液晶材料４００を真空注入する場合、少なくとも注入口３００Ａが設けられている辺Ｌ１に沿った端部ＣＴｂを露出するように配置されていればよい。言い換えれば、シールド電極ＥＳの周辺と対向基板ＣＴの辺Ｌ１との間に間隔を設け、シールド電極ＥＳの周辺は、注入口３００Ａを横切るように配置されていればよい。また、アレイ基板ＡＲの延在部ＡＲａに実装部１０を備えた構成の場合には、シールド電極ＥＳは、少なくとも実装部１０が配置された側の辺Ｌ２に沿った端部Ｃ２を露出するように間隔を設けて配置されていれば良い。さらに、シールド電極ＥＳは、対向基板ＣＴの４辺Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４に沿った端部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３及びＣ４を露出するように配置されることがより望ましい。すなわち、シールド電極ＥＳは表示エリアＤＳＰの全面を覆い、且つ、シールド電極ＥＳの面積は、対向基板ＣＴの面積より小さく、表示エリアＤＳＰの面積より大きくすれば良い。
【００６８】
第１実施例においては、シールド電極ＥＳは、表示エリアＤＳＰ外で金属フレームＦＬと接点を有するように、表示エリアＤＳＰより大きなサイズに形成されるが、第２実施例においては、シールド電極ＥＳは、対向基板ＣＴの端辺に引き出された端子部ＥＳａに接続されているため、シールド電極ＥＳを表示エリアＤＳＰと略同等のサイズになるように形成しても良い。このようにシールド電極ＥＳを形成することにより、シールド電極ＥＳから割断線Ａ、Ｂまでの距離（つまり、シールド電極から対向基板の端辺までの距離）を長く確保できる。このため、割断線に沿った割断の際に、割断部材のシールド電極ＥＳへの接触をさらに抑制できる。また、シールド電極ＥＳのサイズを小さく形成することができるため、材料の消費量を抑えることが可能となり、製造コストも抑えることが可能となる。
【００６９】
上述した実施の形態では、液晶モードの一例として、横電界を利用して液晶分子をスイッチングするＦＦＳモードを例に説明したが、この例に限らず、静電気対策などで対向基板の外面にシールド電極を配置することを必要とする他の液晶モード、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードや、対向電極にスリットを形成したマルチドメイン構造のＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどの縦電界を利用して液晶分子をスイッチングする液晶モードについてもこの発明を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る横電界を利用した液晶モードの液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示装置に適用される１画素の画素電極及び対向電極の構造を概略的に示す平面図である。
【図３】図３は、図１に示した液晶表示装置に適用されるアレイ基板及び対向基板の構造を概略的に示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、第１実施例におけるアレイ基板及び対向基板の構造を概略的に示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第１実施例におけるシールド電極及び金属フレームの構造を概略的に示す平面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、第２実施例におけるアレイ基板及び対向基板の構造を概略的に示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、第２実施例における液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図６】図６は、液晶表示装置の製造方法において、割断する工程を説明するための図である。
【図７】図７は、他の実施の形態に係る横電界を利用した液晶モードの液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図８】図８は、液晶材料を滴下注入した場合の製造方法を説明するための図であって、液晶材料を滴下する工程を説明するための図である。
【図９】図９は、第１マザー基板と第２マザー基板とを貼り合わせる工程を説明するための図である。
【図１０】図１０は、第２マザー基板の実装部と対向する領域を除去するためにスクライブ面を形成する工程を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図８乃至図１０の工程を経て形成された液晶表示装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１２】図１２は、液晶表示装置の製造方法において、割断する工程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７１】
ＬＰＮ…液晶表示パネル
ＡＲ…アレイ基板（第１基板）
ＣＴ…対向基板（第２基板）
ＬＱ…液晶層
ＤＳＰ…表示エリア
ＰＸ…画素
ＥＰ…画素電極（第２電極）
ＥＴ…対向電極（第１電極）
ＣＯＭ…コモン配線
ＩＬ…層間絶縁膜
ＥＳ…シールド電極
３０…絶縁基板
３２…ブラックマトリクス
３４…カラーフィルタ層
ＢＬ…ブックライトユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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