(57)【要約】【課題】簡易に半導体パッケージを積層した半導体装置を製造することができる技術を提供する。【解決手段】第１の半導体パッケージを、粘着性を有するパレットに粘着保持させ、パレットに粘着保持された第１の半導体パッケージ上に第２の半導体パッケージを装着、パレットは、第１の半導体パッケージを支持する載置台と、載置台上に設けられ第１の半導体パッケージを粘着保持する粘着部材とを有する。【選択図】図３
2009147354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体パッケージ上に第２の半導体パッケージを積層した半導体装置を製造する際に用いるパレットであって、
前記第１の半導体パッケージを支持する支持部と、
前記支持部上に設けられ前記第１の半導体パッケージを粘着保持する粘着部材とを含むことを特徴とする半導体装置を搬送するパレット。
【請求項２】
前記粘着部材は、シリケート化合物と、末端をシリケート変性したポリジメチルシロキサンとを有する混合物を、加水分解反応および縮合反応することによって得られた組成物を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置を搬送するパレット。
【請求項３】
前記シリケート化合物は、
〔化学式１〕  ＳｉｎＯ（ｎ−１）(ＲＯ)２（ｎ＋１）  （Ｒ＝アルキル基、ｎ＝４〜１６）であり、
前記末端をシリケート変性したポリジメチルシロキサンは、
〔化学式２〕  ＳｉｎＯ（ｎ−１）（ＲＯ）２（ｎ＋１）  （ＯＳｉ（ＣＨ３）２）ｍ（ＲＯ）２（ｎ＋１）ＳｉｎＯ（ｎ−１）
（Ｒ＝アルキル基、ｎ＝４〜１６、ｍ＞５０）
で表される成分を粘着部材として用いることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置を搬送するパレット。
【請求項４】
前記シリケート化合物（Ａ）と、
前記末端をシリケート変性したポリジメチルシロキサン（Ｂ）の配合の割合が、
Ａ／Ｂのモル比にて、０．１以上１０以下の範囲とする成分を粘着部材として用いることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置を搬送するパレット。
【請求項５】
前記粘着部材は、２６０℃以下でガスクロマトグラフ（ＧＣ−ＭＳ）により測定した場合、価数が１５以下のシロキサンを含まないことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置を搬送するパレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のパレットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年電子機器の小型化・高機能化の要請に伴い、電子機器に組み込まれる実装基板の実装密度を更に高密度化することが求められている。このような高密度実装に対応するために、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ−ｏｎ−Ｐａｃｋａｇｅ）構造と呼ばれる、複数の半導体パッケージを上下に重ねて実装する構造が提案されている(例えば、特許文献１参照)。特許文献１に記載の半導体装置は、下側の半導体パッケージの上面周縁部に設けられたランド上に、上側の半導体パッケージの下面に設けられた突起電極を装着したＰＯＰ構造の半導体装置である。
【０００３】
このＰＯＰ構造の半導体装置を基板に実装する手法としては、以下の２つの手法がある。すなわち、複数の半導体パッケージを予め積層するいわゆるプリスタック工法によって半導体装置を形成した後にこの半導体装置を基板に実装する手法と、基板上に直接半導体装置を複数層重ねて実装する手法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１０９００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プリスタック工法によって複数の半導体パッケージを積層する際、下側の半導体パッケージとこの上に装着する半導体パッケージとの位置決めが重要である。そのため、以下の方法により行っていた。
【０００６】
図５は、従来のプリスタック工法により複数の半導体パッケージを積層する様子を示す図である。図５に示すように、先ず、半導体パッケージを載せるためのパレットであるパレット５００上に下側の半導体パッケージ６００を載せる。それとともに、パレット５００上を半導体パッケージ６００が動くのを防止するために、パレット５００の下側に設けられた吸着ブロック８００に形成された貫通孔８００ａを介して吸引することによりパレット５００に載せられた下側の半導体パッケージ６００を固定する。その状態で、上側の半導体パッケージ７００を下側の半導体パッケージ６００に装着する。
【０００７】
しかしながら、下側の半導体パッケージ６００を固定するために吸着ブロック８００を用いて吸引するには、複雑な構造の設備が必要となる。また、半導体パッケージ６００の形状に応じた吸着ブロック８００が必要となるので、吸着ブロック８００の製作および保守や管理のためのコストが高くなるという問題があった。
【０００８】
また、半導体パッケージの機種毎の段取り換えの手間や、プリスタック工法を実施した組立工程の後工程であるリフロー工程にも、現状のプリスタック工法による組立装置に合わせて、リフロー工程も前工程に合わせて設計および製作を行う必要があるため、コストが高くなるという問題が発生する。
【０００９】
さらに現代は、環境対策として省エネルギー化を図ることが重要視されている。前記するプリスタック工法では、前記吸着ブロックのエアーによって半導体パッケージを吸着保持し続けるため、電気やエアー等のエネルギーを浪費したり、エアー音によって大きな騒音となる問題が発生している。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、簡易に半導体パッケージを装着させる半導体装置の製造を実現するためのパレットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
〔第１発明〕
かかる目的のもと、本発明が適用されるパレットは、第１の半導体パッケージ上に第２の半導体パッケージを積層した半導体装置を製造する際に用いるパレットであって、前記第１の半導体パッケージを支持する支持部と、前記支持部上に設けられ前記第１の半導体パッケージを粘着保持する粘着部材とを含むことを特徴とする。
【００１２】
かかる構成により、前記するパレットには、従来より使用する半導体パッケージを吸着保持するためのエアーを使用することはないので、電気やエアーの省エネを図れ、エアー音によっての大きな騒音の問題を解消でき、半導体装置を安価に製造できるという効果を奏する。
【００１３】
〔第２発明〕
第２発明に係るパレットは、前記粘着部材は、シリコーンゴムを有する材料により成形されていることであり、粘着部材として安価であるシリコーンゴムを使用することで、安価にパレットを製作することができるため、安価に半導体装置を提供できるという効果を奏する。
【００１４】
〔第３発明〕
第３発明に係るパレットは、前記第１発明のパレットに備える粘着部材が、シリケート化合物と、末端をシリケート変性したポリジメチルシロキサンとを有する混合物を、加水分解反応および縮合反応することによって得られた組成物を主成分とすることを特徴とするものである。
【００１５】
かかる構成により、前記パレットをリフロー等により高温で加熱した場合、前記粘着部材には低分子のシロキサンが含まれないため、柔軟性および粘着性が損なわれず劣化しにくいことや、揮発した低分子のシロキサンが半導体装置の電気接点の表面に付着し、絶縁皮膜となって接点障害に至り、導通不良や動作不良を起こすといった問題を防止することができる。
【００１６】
前記組成物について、以下に説明する。以下、ポリジメチルシロキサンを「ＰＤＭＳ」と略し、末端をシリケート変性されたポリジメチルシロキサンを「変性ＰＤＭＳ」と略す。
【００１７】
（シリケート化合物）
本発明のシリケート化合物とは、シリコン（Ｓｉ）でできた金属アルコキシドのオリゴマーであり、主鎖にシロキサン（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）骨格を持ち、外鎖にアルコキシ基（ＲＯ）を導入した化合物のことである。ここで、アルコキシ基（ＲＯ）のアルキル部分である（Ｒ）は、メチル基、エチル基、プロピル基等が例示される。このシリケート化合物は、水と容易に反応する特性を持っている。
【００１８】
シリケート化合物は、金属アルコキシドのオリゴマーであるので、金属アルコキシドよりも分子量が大きいので、揮発しにくい。このため、シリケート化合物が加水分解した時に、前記変性ＰＤＭＳに含まれる揮発性の高い低分子のシロキサンの揮発を、より一層、抑制することができる。また、シリケート化合物は、高い化学反応性を有しており、縮合反応を円滑に進めることができる。
【００１９】
また、本発明で使用するシリケート化合物の種類として、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、メチルシリケート、エチルシリケート、プロピルシリケート等が挙げられる。品質の安定性および安全性の点からエチルシリケートが好ましい。反応性を上げることを目的にメチルシリケートの使用の場合、揮発されるメタノールの処理を確実に実施する必要がある。
【００２０】
（変性ＰＤＭＳ）
本発明の変性ＰＤＭＳとは、シリケート化合物にてＰＤＭＳの末端を変性処理したものであり、両末端にシラノール基を有するＰＤＭＳと、主鎖の片側または両側に加水分解可能な官能基であるアルコキシ基を有するアルコキシシラン部分縮合物とを反応させて得られるものをいう。
【００２１】
この変性ＰＤＭＳは、通常のＰＤＭＳと比べると、格段に高い官能基濃度を有している。また、変性ＰＤＭＳは、シリケート化合物との縮合反応性が高いため、変性ＰＤＭＳに含まれるアルコキシシラン部分縮合物は、円滑に縮合反応が行われ、硬化してポリマー化することができる。
【００２２】
本発明で使用される変性ＰＤＭＳは、質量平均分子量が５０００以上で１０００００以下の範囲にあるものが使用される。
【００２３】
（加水分解反応および縮合反応）
本発明においては、前記したシリケート化合物と、前記した変性ＰＤＭＳとを有する混合物を加水分解および縮合反応させる。
【００２４】
シリケート化合物は、水の存在下にて容易に加水分解するため、シリケート化合物の分子内のアルコキシ基が、反応性の高いシラノール基（−ＯＨ基）となる。
一方、前記変性ＰＤＭＳも同様に、加水分解をすることにより、水の存在によってシラノール基（「シラノール変性」とも呼ぶ。）となる。
【００２５】
これら双方のシラノール基は、高い反応性を有していると同時に、似通った反応性を有しているため、シリケート化合物と変性ＰＤＭＳとを有する混成物を加水分解することによって、シラノールの凝集が加速されることなく、変性ＰＤＭＳとの縮合反応が順調に進行する。これにより、変性ＰＤＭＳに含まれる低分子のシロキサンも、反応生成物（組成物）中に取り込まれる。
【００２６】
つまり、加水分解反応および縮合反応により、低分子のシロキサンは、組成物を構成する物質の一部となり、単体として存在しなくなる、または単体として存在する量が極めて微量（シロキサンの価数が１５まで）となる。このため、組成物から低分子のシロキサンが揮発することがないか、揮発量が極めて微量となる。
【００２７】
（粘着部材の成形）
前記組成物は液状（「ゾル」とも呼ぶ。）であるので、組成物からパレットの粘着部材として成形するには、組成物を金型等のトレイに塗布し、乾燥焼成処理によって、硬化（固体または半固体  「ゲル」とも呼ぶ。）させてシート状に成形する。成形形状は任意でよいが、一般的にはシート状、板状に成形する。
【００２８】
そして前記成形した粘着部材を、半導体装置を搬送するパレットの硬い剛体でできたシート状のベースの表面に、密着または接着させて保持する。
【００２９】
従来の粘着部材とするシリコーンゴム等のシリコン系の樹脂は白濁色、またフッ素系の樹脂は茶褐色および黒褐色であるので、粘着部材に付着した異物等の発見が困難であったが、前記組成物で成形した粘着部材は無色透明性を有しているので、異物の発見が容易である。
【００３０】
また、従来の半導体装置を搬送するパレットの粘着部材として用いられるシリコーンゴムには、低分子のシロキサンが微量ではあるが残留しており、リフロー等により高温で加熱することで、シロキサンが揮発され、シリコーンゴムの柔軟性および粘着性が損なわれていたが、前記組成物で成形した粘着部材では、低分子のシロキサンが含まれていない、またはシロキサン単体として存在する量が極めて微量（シロキサンの価数が１５まで）であるので、柔軟性および粘着性が損なわれず、劣化しにくいことも特徴である。とくに低分子のシロキサンの問題を重要視する半導体装置に製造に使用することは好適である。
【００３１】
〔第４発明〕
また、前記粘着部材の成分とする前記シリケート化合物は、
〔化学式１〕ＳｉｎＯ（ｎ−１）(ＲＯ)２（ｎ＋１）  （Ｒ＝アルキル基、ｎ＝４〜１６）で表されるものであり、また、変性ＰＤＭＳは、
〔化学式２〕ＳｉｎＯ（ｎ−１）（ＲＯ）２（ｎ＋１）  （ＯＳｉ（ＣＨ３）２）ｍ（ＲＯ）２（ｎ＋１）ＳｉｎＯ（ｎ−１）（Ｒ＝アルキル基、ｎ＝４〜１６、ｍ＞５０）
で表されるものであっても良い。
【００３２】
〔第５発明〕
また、前記粘着部材の成分とする前記シリケート化合物（Ａ）と、前記変性ＰＤＭＳ（Ｂ）の配合の割合が、Ａ／Ｂのモル比にて、０．１以上１０以下の範囲であることが好ましい。最適な配合の割合は、Ａ／Ｂのモル比にて１前後である。
【００３３】
前記組成物を主成分とする粘着部材は、この最適な配合の割合を基準にし、柔軟性を要求する場合は変性ＰＤＭＳ（Ｂ）を増加し、反対に高硬度を要求する場合はシリケート化合物（Ａ）を増加させるのがよい。
【００３４】
ただし、前記組成物を主成分とする粘着部材は、シリケート化合物（Ａ）を増加させる場合、モル比１０を越えると、低分子のシロキサンの揮発成分が増加する、つまり低分子のシロキサンが単体として存在する量が増加するため、硬化時の収縮や薄膜化、場合によってはクラックの発生などの問題が生じ、本発明の効果を奏しない。
【００３５】
また、モル比０．１より小さい場合は、シリケート化合物（Ａ）と変性ＰＤＭＳ（Ｂ）との加水分解反応および縮合反応が円滑に行われず、結果として未硬化の状態となり、低分子のシロキサンが残留してしまい、本発明の効果を奏しない。
【００３６】
また、前記シリケート化合物は、３量体〜１２量体（３量体以上１２量体以下）であることが望ましい。これは、３量体未満ではシリケートが持つ特性の効果が少なく、また１２量体より上のものはシリケート化合物の粘度が高くなることから合成時に扱いにくいからである。
【００３７】
〔第６発明〕
また、前記粘着部材は、２６０℃以下でガスクロマトグラフ（ＧＣ−ＭＳ）により測定し、価数が１５以下のシロキサンを含まないことが好適である。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、簡易に半導体パッケージを積層した半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本実施の形態に係る方法を用いて製造される半導体装置の概略構成を示す図である。
【図２】半導体装置の下側の半導体パッケージの概略構成を示す図である。
【図３】半導体装置を製造する様子を示す図である。
【図４】本実施の形態に係るパレットの概略構成を示す図である。
【図５】従来のプリスタック工法により複数の半導体パッケージを積層する様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００４０】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態（実施の形態）について詳細に説明する。
先ず、本実施の形態に係る方法を用いて製造される、半導体パッケージが積層化された半導体装置１の構成について説明する。
図１は、半導体装置１の概略構成を示す図である。
半導体装置１は、半導体パッケージ１０の上部に別の半導体パッケージ２０を積層配置してなるＰＯＰ型の半導体装置である。
【００４１】
図２は、半導体装置１の下側の半導体パッケージ１０の概略構成を示す図である。図２（ａ）は半導体パッケージ１０を上から見た図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
半導体パッケージ１０は、配線基板１００の一方の面（上面）に、半導体素子２００がフェイスダウンで搭載（フリップチップ実装）されている。
配線基板１００は、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド等の有機樹脂材、セラミックス或いはガラス等の無機材料、又はシリコン（Ｓｉ）等の半導体材料からなる基板基材１０１の両面に、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等からなる配線パターンが多層配線層構造をもって選択的に配設されている。
【００４２】
この配線パターンの一部として、基板基材１０１の一方の面（上面）には、配線基板１００上にフリップチップ実装される半導体素子２００の電極が接続される電極端子１０２、並びに配線基板１００上に積層配置される半導体装置、例えば半導体パッケージ２０を接続するための外部接続端子１０３とが配設されている。
【００４３】
また、基板基材１０１の他方の面（下面）には、配線基板１００を電子機器のマザーボード等への接続用球状電極端子が配設される外部接続用端子１０４が複数配設されている。
また、配線基板１００における、多層配線層の最上層には、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系等の樹脂、又はこれらの混合樹脂等からなる絶縁性粘着部材１０５が配設されている。
【００４４】
絶縁性粘着部材１０５は、例えば感光性フォトレジスト材料を、印刷法、スプレーコート法等により配線基板１００の表面に形成した後、フォトリソグラフィ法によって開口パターンが形成される。この結果、配線基板１００の上面のほぼ中央部には電極端子１０２が露出し、外周縁部近傍において外部接続端子１０３が露出する。また、配線基板１００の下面に於いては、外部接続用端子１０４が露出する。
【００４５】
配線基板１００の表面に配設された電極端子１０２の表面には、接続される半導体素子２００の電極形態などに対応して、半田、或いは導電性樹脂等からなる再溶融性の導電部材１０６が被覆されている。この導電部材１０６は、印刷法、転写法、蒸着法、或いは化学反応析出法等により被着される。
また、配線基板１００の他方の面（下面）に複数配設された球状電極端子接続用の外部接続用端子１０４には、球状電極端子１０７が設けられている。
【００４６】
半導体素子２００は、所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、コンデンサ等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路を具備し、当該主面には、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる電極パッド２０１が配設されている。
【００４７】
また、電極パッド２０１上には、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）或いはこれらの合金又は半田等からなる凸状（突起状）外部接続端子２０２が形成されている。この半導体素子２００の外部接続端子２０２は、導電部材１０６を介して配線基板１００の電極端子１０２と接続されている。
【００４８】
そして、配線基板１００と半導体素子２００の電子回路形成面とが対向する間隙、並びに半導体素子２００の外周部分には、アンダーフィル材３００が配設されている。このアンダーフィル材３００により、配線基板１００と半導体素子２００の電子回路形成面との間隙、および半導体素子２００の外周部分が封止されて、半導体素子２００は配線基板１００上に固着されている。
【００４９】
アンダーフィル材３００は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、又はアクリル樹脂等からなる熱硬化性接着剤であり、硬化後の樹脂の熱膨張率、粘度或いは流動性を調整すべく、シリカ又はセラミックス等の無機物フィラーを含有してもよい。また、アンダーフィル材３００は、銀（Ａｇ）粒子或いは表面に金属が被覆されたプラスティック粒子等の導電性フィラーを含有してもよい。
【００５０】
次に半導体装置１の上側の半導体パッケージ２０について説明する。
半導体パッケージ２０は、図１に示すように、下面の外周近傍に設けられた外部接続用端子２１に半田を主体とする球状電極端子２２が設けられた配線基板２３上に、第１の半導体素子２４が第１の接着剤２５を介して載置されている。
また第１の半導体素子２４上には、第２の半導体素子２６が第２の接着剤２７を介して載置されている。
【００５１】
第１の半導体素子２４及び第２の半導体素子２６は、電子回路形成面が上を向いた状態で、配線基板２３上に載置されている。
そして、第１の半導体素子２４の電極パッド２８及び第２の半導体素子２６の電極パッド２９と、配線基板２３のボンディングパッド３１との間は、ボンディングワイヤ３２によりそれぞれ接続されている。
そして、第１の半導体素子２４及び第２の半導体素子２６は、ボンディングワイヤ３２とともに、配線基板２３上において封止樹脂３３により封止されている。
【００５２】
次に、上述のように複数の半導体パッケージが積層化された半導体装置１を製造する方法について説明する。
図３は、半導体装置１を製造する様子を示す図である。
半導体装置１を製造する方法の概略としては、先ず、半導体パッケージ１０を載せるためのパレットであるパレット５０を用意する。そして、図３に示すように、パレット５０の上に半導体パッケージ１０を載せ、その後、半導体パッケージ２０を半導体パッケージ１０に装着する。そして、その後、パレット５０に半導体パッケージ１０と半導体パッケージ２０とを積層した状態で載せたまま搬送し、リフローする。
【００５３】
図４は、本実施の形態に係るパレット５０の概略構成を示す図である。図４（ａ）はパレット５０を上から見た図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＹ−Ｙ断面図である。
パレット５０は、半導体パッケージ１０を支える支持部としての載置台５１と、載置台５１の表面に積層され、半導体パッケージ１０を着脱自在に粘着保持する粘着部材５２と、粘着部材５２上に載置され半導体パッケージ１０の横方向の移動を抑止するガイド部材５３とを有する（図４（ｂ）参照）。そして、パレット５０には、同時に複数（本実施の形態においては９個）の半導体パッケージ１０を載置することができるように、複数の載置部５０ａが設けられている（図４（ａ）参照）。以下、載置部５０ａの数、つまり同時にパレット５０に半導体パッケージ１０を載置することができる数を「載置数」と称する。
【００５４】
載置台５１は、矩形の孔５１ａが載置数形成された板状の部材である。半導体パッケージ１０の下面は、配線基板１００の外部接続用端子１０４の外側の絶縁性粘着部材１０５の部位が粘着部材５２を介して載置台５１上に載るように載置される。図３に示す載置幅ｓは、０．２〜０．３ｍｍであることが好ましい。孔５１ａは、配線基板１００の絶縁性粘着部材１０５の部位を粘着部材５２上に載せる際に、半導体パッケージ１０の下面に設けられた球状電極端子１０７と載置台５１とが干渉しないように形成されている。
【００５５】
載置台５１の材質は、上述したように、粘着部材５２を介して半導体パッケージ１０を載せた状態で半導体パッケージ２０を装着するのに充分な強度・剛性を有する材質であり、例えば、加工性にも優れ軽量のアルミニウムである。また、本実施の形態に係る載置台５１の孔５１ａは、図４（ａ）に示すように貫通孔であるが、球状電極端子１０７と載置台５１との干渉を防ぐことができれば特に貫通されている必要はない。例えば、球状電極端子１０７が設けられている領域が粘着部材５２を載せる面から凹んでいればよい。
【００５６】
粘着部材５２は、粘着性を有するとともに、矩形の孔５２ａが載置数形成された薄板状（厚さは例えば０．３ｍｍ程度）の部材である。孔５２ａの大きさは、半導体パッケージ１０が載置台５１の上面と直接接触しないようにするために、図３に示すように、載置台５１の孔５１ａの大きさよりも小さくあるいは同じにすることが好ましい。
【００５７】
粘着部材５２の成形手法としては、型枠に液状の粘着剤（組成物）を充填し、粘着剤をプレス板によりプレスして加熱し、冷却硬化させる方法を例示することができる。先に載置台５１を成形しておき、その載置台５１を型枠の一部として用いてもよい。孔５２ａは、プレス成形等する際に型枠で成形してもよいし、孔５２ａを成形していない平面上の物を載置台５１上に貼り付けた後に切り取ることにより形成してもよい。粘着剤としては、耐熱性、粘着性、再剥離性等に優れるシリコーンゴムやフッ素ゴム等を有する材料であることを例示することができる。また、粘着部材５２は、半導体パッケージ１０を複数回繰り返して取り外すことができるような粘着性を有することが好ましい。
【００５８】
ガイド部材５３は、矩形の孔５３ａが載置数形成された板状の部材である。孔５３ａは、半導体パッケージ１０が収まる大きさに形成されており、半導体パッケージ１０が水平方向（配線基板１００の面に平行な方向）に移動するのを防止する。半導体パッケージ１０の端面と孔５３ａの内面とのクリアランスｃｌはできる限り小さいことが好ましいが、半導体パッケージ１０のパレット５０への載置性を考慮して決定される。図３に示すように、クリアランスｃｌは、例えば０．１〜０．２ｍｍ程度である。
【００５９】
ガイド部材５３の高さは、半導体パッケージ２０を装着する際の妨げにならないように、半導体パッケージ１０の高さより低く設定されている。また、材質は、薄い板状の形状に耐え得るのに充分な剛性が必要であることから、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）を用いることが好適である。
【００６０】
そして、半導体装置１を製造する際には、先ず、上述のように構成されたパレット５０を用意し、パレット５０の載置部５０ａに半導体パッケージ１０を載せる。半導体パッケージ１０は、粘着部材５２上に載置され粘着保持される。
【００６１】
その後、半導体パッケージ１０に装着する前の半導体パッケージ２０の球状電極端子２２の下部にクリーム半田を転写し、クリーム半田が転写された球状電極端子２２を半導体パッケージ１０の外部接続端子１０３に位置合わせして、半導体パッケージ１０に搭載する。
【００６２】
その際、半導体パッケージ１０はパレット５０上に粘着保持されており動かないので、半導体パッケージ１０と半導体パッケージ２０との位置決めを精度高く行うことができる。
【００６３】
その後、パレット５０に半導体パッケージ１０と半導体パッケージ２０とを積層した状態で搬送し、リフロー炉においてリフローする。
【００６４】
なお、半導体装置１を製造する際に、半導体パッケージ１０をパレット５０の載置部５０ａまで搬送するには、部品保持用のノズルで真空吸引し、載置するときにはエアブローを行いノズルから離脱させる。同様に、半導体パッケージ２０を半導体パッケージ１０に装着する際に、半導体パッケージ２０を半導体パッケージ１０まで搬送するには、部品保持用のノズルで真空吸引し、装着するときにはエアブローを行いノズルから離脱させる。
【００６５】
以上説明したように、上述のように構成されたパレット５０を用いることにより、図５に示した吸着ブロックを用いて製造する方法で必要となる複雑な構造の設備を備えることなく、ＰＯＰ構造の半導体装置１を製造することができる。すなわち、パレット５０を用いて製造することにより簡易にＰＯＰ構造の半導体装置１を製造することができる。
【００６６】
また、パレット５０を用いることにより、複数の半導体装置１をパレット５０に載せた状態で落下させることなく搬送することができるとともに、半導体装置１を基板に実装する際には、半導体装置１を容易にパレット５０から取り出すことができる。また、粘着部材５２の粘着剤としてシリコーンゴムなどを使用することにより、パレット５０を繰り返し使用することができる。
【００６７】
なお、上述した実施の形態においては、半導体パッケージ１０に装着する前の半導体パッケージ２０の球状電極端子２２の下部にクリーム半田を転写し、球状電極端子２２と半導体パッケージ１０の外部接続端子１０３との間にクレーム半田を介在させている。しかしながら、クリーム半田を介在させる方法としては、この方法に限定されない。例えば、半導体パッケージ２０を装着する前に半導体パッケージ１０の外部接続端子１０３上にクリーム半田を塗布しておいてもよい。
【実施例２】
【００６８】
本発明に係る第２実施例について説明する。尚、実施例１と同一の部分は、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
また、実施例における「部」、「％」は特記ない限りいずれも質量基準（質量部、質量％）である。
【００６９】
本実施例２の実施例１との相違点は、半導体装置の搬送パレットの粘着部材が、低分子のシロキサンが含まれない成分を用いた組成物から成形した点である。
下記に粘着部材の成形方法について説明をする。
【００７０】
〔組成物の作製〕
本発明に係る半導体装置の搬送パレットの粘着部材は、シリケート化合物と、末端をシリケート変性したポリジメチルシロキサンとを有する混合物を、加水分解反応および縮合反応することによって得られた組成物を主成分とする。まず、この組成物の作製について以下に説明する。
【００７１】
攪拌装置、温度計、滴下ラインを取り付けた反応容器に、エチルシリケート（多摩化学工業株式会社製、シリケート４０  ｎ＝４〜６  またはシリケート４５  ｎ＝６〜８）１．０ｇを入れ、エチルシリケートを両末端にアルコキシ変性したポリジメチルシロキサン（質量平均分子量；３２，０００相当）（荒川化学株式会社製ＨＢＳＩＬ０３９）３２．０ｇと、大気中（室温）にて約３０分間、攪拌混合し、混成物である原料液Ａを得た。
ここで、エチルシリケートと、エチルシリケートを両末端にアルコキシ変性したポリジメチルシロキサンで用いられたシリケートは、同じ種類および同じ特性を持つシリケートを使用した。
【００７２】
そして、原料液Ａを加水分解工程および縮合工程にて、必要量の水０．９３ｇを約１時間かけて滴下して加え、攪拌混合した。
その後、攪拌しながら約３０分かけて室温まで自然冷却し、組成物を得た。
【００７３】
〔粘着部材の成形〕
前記組成物は液状（「ゾル」とも呼ぶ。）であるので、組成物から粘着部材に成形するには、組成物を金型等のトレイに塗布し、乾燥焼成処理によって施し、硬化（固体または半固体  「ゲル」とも呼ぶ。）させてシート状に成形する。
【００７４】
前記組成物を、仕上がりで２０μｍの厚みになるように均一に金型等のトレイに塗布した後、高温炉〔（「オーブン」とも呼ぶ。）アドバンテック東洋株式会社製のＤＲＣ４３３ＦＡ〕に２００℃で１時間、乾燥焼成処理を行い、組成物を硬化させ、粘着部材を成形した。
【００７５】
前記粘着部材の成形手法としては、前記記載した成形手法以外にも、型枠に液状の組成物を充填し、組成物をプレス板によりプレスして加熱し、冷却硬化させる方法も例示することができる。図４に記載する孔５２ａは、プレス成形等する際に型枠で成形してもよいし、孔５２ａを成形していない平面上の物を載置台５１上に貼り付けた後に切り取ることにより形成してもよい。また、粘着部材は、半導体パッケージ１０を複数回繰り返して取り外すことができるような粘着性を有することが好ましい。
【００７６】
〔評価１〕
（測定試験片シート）
前記した組成物をシャーレ（直径１０３mm）に仕上がりで１ｍｍの厚みになるように注入し、２００℃で２時間、乾燥焼成処理を行い、その後、シャーレから脱型して、測定試験片シート（直径１０３mm、厚さ１mm）とした。
【００７７】
（シリコーンゴム）
また、比較対象となる従来のシリコーンゴムとして、市販されているタイガースポリマー株式会社製のＳＲ−５０を採用し、直径１０３mm、厚さ１ｍｍのシートを作成した。
【００７８】
（評価機器）
低分子のシロキサンの揮発成分である環状シロキサンの残量を測定するため、評価機器は、加熱脱着器〔Ｔｗｉｓｔｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ（以下、「ＴＤＵ」と略す。）〕（Ｇｅｒｓｔｅｌ社）のＣｏｏｌｅｄ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ（以下、「ＣＩＳ」と略す。）付ガスクロマトグラフ質量分析計〔Ｇａｓ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ（以下、「ＧＣ−ＭＳ」と略す。）〕を用いた。尚、ＧＣ−ＭＳ装置は、アジレントテクノロジー社製５９７５Ｂシステムである。
【００７９】
（評価方法）
試料中の揮発性成分を気化させるため、ＴＤＵによってサンプルホルダーの試料にヘリウムガスを流しながら加熱した。そして、ヘリウム中に気化したアウトガスをＣＩＳユニット中の吸着管に吸着させた後、吸着管に捕集されたアウトガスをＧＣ−ＭＳ装置に流して、揮発性成分の種類と量とを測定した。ＧＣ−ＭＳ装置のカラムは、キャピラリーカラム（液層：フェニルメチルシロキサン）である。
【００８０】
（測定条件の詳細）
加熱部は、ＴＤＵにて、１６０℃／ｍｉｎで４０℃〜２００℃（ホールド時間５分）まで昇温加熱し、不活性キャピラリ管（温度：３５０℃）を通して、質量分析を実施した。
【００８１】
ＧＣ−ＭＳ装置は、注入口温度：−１５０℃〜１２℃／秒〜３２５℃、カラム：Ａｇｉｌｅｎｔ １９０９１Ｓ−４３３（カラム長さ６０ｍ  カラム内径０．２５ｍｍ  カラム膜厚０．２５μｍ）、オーブン：４０℃〜２５℃／ｍｉｎ〜３００℃（ホールド時間１０分）、ヘリウム流量：１．２ｍＬ／ｍｉｎ、ＭＳイオン源温度２３０℃：、ＭＳ四重極温度：１５０℃、ＭＳイオン化電圧：６９．９ｅＶ）、スキャン範囲：ｍ／ｚ  １００〜１０００
である。ここで、ＭＳは、Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙの略である。
【００８２】
（評価結果）
評価結果を、表１に示す。この表１は、揮発成分のうち１５０℃以上２６０℃以下での高温下で揮発が懸念されるＤ３〜Ｄ１５のシロキサンの価数の領域に分類し、それぞれの揮発成分量をまとめたものである。
【００８３】
表１により、本発明に係る組成物からなる測定試験片シートと、従来のシリコーンゴムとを比較すると、従来のシリコーンゴムは、価数が３〜１５にて環状シロキサンの揮発が見られるが、測定試験片シートは、環状シロキサンの揮発が全く見られないことがわかる。つまり、本発明に係る組成物は、低分子のシロキサンが残留していない（価数が１５までのシロキサンを含まない）ことがわかる。
【００８４】
【表１】
2009147354.tif 000003
【００８５】
尚、表１において縦軸は揮発量を表し、「０．００Ｅ＋００」は、０．００×１００すなわち０、「３．５０Ｅ＋０８」は、３．５０×１０８の意味である。
また、揮発量は、ピーク面積として表し、単位はＣｏｕｎｔｓ（「ｃｔ」と略す）である。また、横軸は、環状シロキサンの価数である。
【００８６】
以上により、低分子のシロキサンの残留する量が極めて少ない、あるいは全く含まない組成物を主成分とした粘着部材を備えた半導体装置の搬送パレットパレットを提供することにより、粘着部材の柔軟性および粘着性が損なわれず、劣化しにくいパレットとして使用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、半導体装置の製造に使用される、半導体装置の搬送パレットとして適用される。
【符号の説明】
【００８８】
１…半導体装置、１０，２０…半導体パッケージ、２３，１００…配線基板、５０…パレット、５１…載置台、５２…粘着部材、５３…ガイド部材、２００…半導体素子、３００…アンダーフィル材
【図１】
2009147354.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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