(57)【要約】【課題】  シール材の剥がれのない信頼性の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】  アレイ基板１上に塗布されたシール材５によりアレイ基板１と対向基板２が接着され、アレイ基板１と対向基板２との間に液晶が封止されてなる液晶表示装置である。シール材５がアレイ基板１の周辺領域に設けられたトランスファ電極７と接する位置において、アレイ基板１の表示領域を覆って形成された被覆膜（保護膜６、あるいはゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６，１７）がシール材５と接するように拡張されている。例えば保護膜６の拡張部分６ａがシール材５と接することで、シール材５の接着面積が拡大される。【選択図】  図３
2009116064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板上に塗布されたシール材によりアレイ基板と対向基板が接着され、アレイ基板と対向基板との間に液晶が封止されてなる液晶表示装置であって、
前記シール材がアレイ基板の周辺領域に設けられたトランスファ電極と接する位置において、アレイ基板の表示領域を覆って形成された被覆膜が前記シール材と接するように拡張されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記被覆膜が表示領域に形成された保護膜または絶縁膜であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記被覆膜が透明樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記拡張された被覆膜に乗り上げる形で前記シール材が形成され、接着面積が拡大されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイ基板と対向基板がシール材で貼り合わされ、これら基板間に液晶が封止された液晶表示装置に関するものであり、特に、トランスファ電極形成部分でのシール材の剥がれを防止するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置においては、アレイ基板と対向基板をシール材で接着することにより液晶セルが構成され、ここに液晶材料を封止するとともに、アレイ基板の表示領域上に各画素に対応して形成されたスイッチング素子（画素駆動用の薄膜トランジスタ）を設け、これを駆動回路により駆動することで、画像表示が行われる。この場合、各色要素の液晶を駆動するのに１つの薄膜トランジスタが必要であり、したがって画像表示が行われる表示領域においては、アレイ基板上に信号線や走査線等の配線が縦横に形成されるとともに、これらが交差する位置に画素駆動用の薄膜トランジスタがマトリクス状に配列形成されている。
【０００３】
前述の構成の液晶表示装置においては、対向基板に形成された対向電極とアレイ基板側の回路とを接続するためのトランスファ電極が必要であり、アレイ基板の表示領域外に複数のトランスファ電極が設置されている。この場合、シール材の外側領域（いわゆる額縁領域）の面積を削減し、額縁領域を狭小化することを目的に、前記トランスファ電極をシール材に近接して配置することが行われている。
【０００４】
例えば特許文献１には、次のような構成を有する液晶表示装置が開示されている。すなわち、特許文献１記載の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板の配向膜のトランスファ電極側の端部に切欠部を形成し、この切欠部がトランスファ電極上に位置するようにする。そして、配向膜の周縁部上に、導電粒子を含む樹脂からなるシール部材を形成する。このとき、シール部材によりトランスファ電極が覆われるようにする。そして、シール部材によりＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせると共に、ＴＦＴ基板のトランスファ電極と対向基板の対向電極とを相互に接続する。その後、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶層を封入し、液晶表示装置とする。
【特許文献１】特開２００６−３０１１１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前述の構成を有する液晶表示装置においては、アレイ基板上に塗布したシール材により対向基板を接着しているが、接着力の低下による剥がれの問題が大きな課題となっている。特に、アレイ基板上に形成されたトランスファ電極とシール材とが接触する位置における剥がれが顕著である。
【０００６】
トランスファ電極は金属により形成されており、この上にシール材が形成された場合、接着力が著しく低下する。つまり、他の部分に比べてシール材のアレイ基板に対する接触面積が実質的に削減され、十分な接着力を確保することが難しい。その結果、シール材に剥がれが生じ、アレイ基板と対向基板の剥がれの原因となっている。前記剥がれは液晶表示装置の品質を著しく低下する。
【０００７】
本発明は、以上のような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、シール材の剥がれのない信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、アレイ基板上に塗布されたシール材によりアレイ基板と対向基板が接着され、アレイ基板と対向基板との間に液晶が封止されてなる液晶表示装置であって、前記シール材がアレイ基板の周辺領域に設けられたトランスファ電極と接する位置において、アレイ基板の表示領域を覆って形成された被覆膜が前記シール材と接するように拡張されていることを特徴とする。
【０００９】
例えば透明樹脂により形成される被覆膜は、金属に比べてシール材の接着性に優れる。したがって、表示領域に形成された被覆膜を拡張し、シール材と接するようにすれば、シール材の実質的な接着面積が拡大され、シール材がトランスファ電極と接する位置においても十分な接着力が確保される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、アレイ基板と対向基板の接着強度を十分に確保することができ、アレイ基板と対向基板の剥がれを防止し、信頼性の高い液晶表示装置を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を適用した液晶表示装置の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
液晶表示装置は、液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面側に配置され液晶表示パネルにバックライト光を照射するバックライトユニットを主たる構成要素として構成されるものである。ここで、液晶表示パネルの構造について説明すると、液晶表示パネルは、例えば図１に示すように、アレイ基板１と対向基板２を備えて構成され、これらアレイ基板１と対向基板２の間の液晶層をアレイ基板１上にマトリクス状に形成された薄膜トランジスタ（画素トランジスタ）をスイッチング素子として駆動することで、画像の表示が行われる。
【００１３】
アレイ基板１の表示領域Ｈにおいては、各画素に対応して画素電極がマトリクス状に形成されるとともに、画素電極の行方向に沿って走査線が形成され、列方向に沿って信号線が形成されている。さらに、各走査線と信号線の交差位置に画素トランジスタが形成されている。一方、対向基板２には、前記画素電極に対向して対向電極が透明導電材料により形成されるとともに、各画素に対応してカラーフィルターが形成されている。
【００１４】
また、アレイ基板１の周辺領域（液晶表示パネルの額縁領域）には、アレイ基板１に配列形成される信号線に駆動信号を供給する信号線駆動回路や、ゲート線を駆動するゲート駆動回路が形成されており、これら駆動回路を構成する駆動用ＩＣ３等が実装されている。さらには、対向基板２に形成された対向電極とアレイ基板１側の回路とを接続するためのトランスファ電極が設けられており、例えば当該トランスファ電極上に導電粒子を撒布、あるいは導電性を有するペーストを塗布すること等で、前記対向電極とトランスファ電極間の電気的接続が図られている。さらにまた、アレイ基板１には、外部回路との接続のためのフレキシブル配線基板４が接続されており、前記信号線駆動回路やゲート駆動回路等と外部回路との信号の授受等が前記フレキシブル配線基板４を介して行われる。
【００１５】
前述のアレイ基板１と対向基板２とは、アレイ基板１上に塗布したシール材によって互いに貼り合わされ、これによって封止された空間（間隙）に液晶材料が注入されている。以下、アレイ基板１と対向基板２とをシール材により接着したシール構造について詳述する。
【００１６】
図２は、アレイ基板１上に形成されたシールパターン配置の一例を示すものである。アレイ基板１上には、外周縁よりも若干内側位置にシール材５が塗布されており、この上に対向基板２を重ねることで、アレイ基板１と対向基板２とが互いに接着される。
【００１７】
前記シール材５は、表示領域Ｈの周囲を取り囲むように、アレイ基板１の外周縁の内側位置に当該外周縁に概ね沿った形で全周に亘り塗布形成されており、液晶注入後には注入口（図示は省略する。）も閉じられ、注入された液晶材料をアレイ基板１と対向基板２の間の間隙に封止する構造とされている。なお、前記シール材５のパターンは、表示領域Ｈの形状や大きさ等に応じて自由に変更することができ、例えばシール材５は表示領域Ｈ内を除けばどこにでも設置することが可能である。
【００１８】
前述のシール材５により囲まれた表示領域Ｈには、画素トランジスタや信号線、ゲート線等が形成されているが、本例の場合、これらを覆う透明樹脂膜が保護膜６として形成されている。保護膜６の形状は表示領域Ｈの形状に合わせて矩形状とされている。
【００１９】
また、前記シール材５の外側の領域（いわゆる額縁領域）には、前述の通り、信号線駆動回路やゲート線駆動回路等が形成されており、さらにはアレイ基板１側の回路と対向基板２に形成された対向電極との間の電気的接続を図るためのトランスファ電極７が形成されている。トランスファ電極７は、電気抵抗を極力小さくするために、他の電極や配線等に比べて大きな面積を有している。なお、本例の場合、トランスファ電極７はアレイ基板１の短辺側にそれぞれ２箇所、合計４箇所形成されているが、トランスファ電極７の数や形成位置等は任意に設定することができる。
【００２０】
額縁領域の面積をできるだけ小さくするためには、例えば前記トランスファ電極７も極力シール材５に近接して配置する必要がある。そこで、本実施形態では、トランスファ電極７の一部に乗り上げる形で前記シール材５が形成されている。
【００２１】
図３は、トランスファ電極７形成位置近傍における断面構造を示すものである。アレイ基板１と対向基板２とは、スペーサ材８を介在させた状態でシール材５により接着することで、所定の間隔を保って貼り合わされている。対向電極２の表面に形成された対向電極９は、前記トランスファ電極７上に載置された導電粒子１０と接触し、その結果、対向電極９とトランスファ電極７とが電気的に接続されている。
【００２２】
ここで、前述の通り、トランスファ電極７はシール材５に近接して配置されており、その一部に乗り上げる形でシール材５が形成されている。トランスファ電極７は金属により形成されており、シール材５との接着性がアレイ基板１に比べて大きく劣る。したがって、トランスファ電極７の形成位置では、シール材５のアレイ基板１に対する接触幅が大きく削減された形になり、アレイ基板１と対向基板２の剥がれが発生し易くなって、品質低下の要因となっている。
【００２３】
図４（ａ）はトランスファ電極７が配置されていない部分でのシール材５のアレイ基板１に対する接触状態を模式的に示すものであり、図４（ｂ）はトランスファ電極７が配置されている部分でのシール材５のアレイ基板１に対する接触状態を模式的に示すものである。前者におけるシール材５のアレイ基板１に対する接着幅Ｗ１に比べて、後者におけるシール材５のアレイ基板１に対する接着幅Ｗ２は小さくなっており、実質的な接着面積の減少に繋がっている。
【００２４】
そこで、本実施形態においては、トランスファ電極７の形成位置において、透明樹脂により形成された保護膜６の形状を変更し、保護膜６の一部を拡張して拡張部分６ａを形成し、この拡張部分６ａに乗り上げる形でシール材５を形成するようにしている。透明樹脂により形成される保護膜６は、先の金属製のトランスファ電極７に比べ、シール材５に対する接着力が遙かに大きい。したがって、保護膜６の拡張部分６ａをシール材５と接触させることにより、シール材５の実質的な接着面積（接着幅）が拡大される。
【００２５】
以上のように、本実施形態の液晶表示装置では、透明樹脂により形成される保護膜６の形状をトランスファ電極７の形成位置付近で変え、これまで表示領域Ｈのみに形成していた保護膜６をトランスファ電極７の形成位置に合わせて伸張しているので、トランスファ電極７形成部分においてもシール材５によるシール面積を周辺領域のシール面積と同程度以上に拡張することができ、アレイ基板１と対向基板２の基板剥がれを防止することができる。前記基板剥がれは液晶表示装置の品質や信頼性を著しく低下することになるが、前述の構成を採用することにより、品質の優れた信頼性の高い液晶表示装置を提供することが可能である。
【００２６】
なお、本発明の液晶表示装置が前述の実施形態に限定されるものでないことは言うまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更することが可能である。例えば、前述の実施形態では、トランスファ電極７をパッド状の電極とし、この上に導電粒子１０を載置することで対向電極９との導通を図るようにしているが、トランスファ電極を柱状電極として形成することも可能である。トランスファ電極を柱状電極とした場合、柱状部分とそれよりも一回り大きなパッド部とから構成されるが、このパッド部上に乗り上げる形でシール材５が形成された液晶表示装置においても、先の実施形態と同様の構成を採用することにより、シール材５による接着面積を確保し、アレイ基板１と対向基板２の剥がれを防止することが可能である。
【００２７】
また、先の実施形態においては、表示領域Ｈに形成された透明樹脂からなる保護膜６を拡張することでシール材５の実質的な接着面積を拡大するようにしているが、保護膜６の代わりに表示領域Ｈに形成される画素トランジスタのゲート絶縁膜や層間絶縁膜等を拡張し、これをシール材５に接触させることで接着面積を拡大することも可能である。
【００２８】
図５は、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等を拡張した実施形態を示すものである。本実施形態の場合、アレイ基板１の表示領域Ｈには、画素トランジスタとして機能する薄膜トランジスタ１１が形成されている。
【００２９】
前記薄膜トランジスタ１１は、例えばポリシリコンを活性層としてアレイ基板１上に直接形成されている。すなわち、前記薄膜トランジスタ１１は、アレイ基板１上に必要に応じて形成されるアンダーコート層を介して多結晶半導体層（ポリシリコン層）１２を形成し、当該多結晶半導体層１２を活性層（チャネル層）として利用することにより構成されている。
【００３０】
多結晶半導体層１２は、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜された非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）をアニールした後、レーザ照射等によって多結晶化することにより形成されるものである。この多結晶半導体層１２は、エッチングにより島状に素子分離されている。なお、例えばｎチャンネル型薄膜トランジスタの場合、各多結晶半導体層１２には、不純物注入によりソース領域１２Ａ，及びドレイン領域１２Ｂが形成されており、さらにＬＤＤ領域（低濃度不純物拡散領域）１２Ｃ、１２Ｄが形成されている。
【００３１】
前記多結晶半導体層１２のチャネル上には、ゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４が形成され、さらには薄膜トランジスタ１１のソース領域１２Ａやドレイン領域１２Ｂと他の回路とを結ぶ配線１５が第１層間絶縁膜１６を介して形成されている。また、前記配線１５上には第２層間絶縁膜１７が形成されている。
【００３２】
このような構成のアレイ基板１において、前記ゲート絶縁膜１３や第１層間絶縁膜１６、第２層間絶縁膜１７をトランスファ電極７形成位置において拡張し、拡張部分をシール材５と接触させることにより、同様の効果（シール材５の実質的な接着面積の拡大）を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】液晶表示装置に組み込まれる液晶表示パネルの構成例を示す概略斜視図である。
【図２】シールパターン配置の一例を示す模式的な平面図である。
【図３】トランスファ電極近傍の要部概略断面図である。
【図４】シール材のアレイ基板に対する接触状態を示す模式図であり、（ａ）はトランスファ電極が配置されていない位置における断面の模式図、（ｂ）はトランスファ電極が配置されている位置における断面の模式図である。
【図５】ゲート絶縁膜や層間絶縁膜を拡張した実施形態を示す要部概略断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  アレイ基板、２  対向基板、５  シール材、６  保護膜、６ａ  拡張部分、７  トランスファ電極、９  対向電極、１１  薄膜トランジスタ、１２  多結晶半導体層、１３  ゲート絶縁膜、１４  ゲート電極、１５  配線、１６  第１層間絶縁膜、１７  第２層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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