(57)【要約】【課題】埋め込み成長において、蓋体に備えられる支持板が侵食されることによりＳｉＣ単結晶の口径が拡大され過ぎることを防止し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにする。【解決手段】環状ひさし部２５を覆うようにＴａＣコーティング２６を形成する。これにより、昇華ガスによって環状ひさし部２５や支持板２３ａの裏面が侵食されて穴が開くことを防止できる。また、環状ひさし部２５の内壁面もＴａＣコーティング２６で覆うようにしているため、ここからの昇華ガスによる侵食も防止できる。これにより、ＳｉＣ単結晶７０の口径が拡大され過ぎることを防止でき、ＳｉＣ単結晶７０を長尺成長させることが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有底円筒状の容器本体（１０）と当該容器本体（１０）を蓋閉めするための蓋体（２０）とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝（１）を有し、前記蓋体（２０）に炭化珪素基板からなる種結晶（４０）を配置すると共に前記容器本体（１０）に炭化珪素原料（５０）を配置し、前記炭化珪素原料（５０）の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶（４０）上に炭化珪素単結晶（７０）を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体（２０）は、
中空筒状の側壁部（２１）と、
一面側に前記種結晶（４０）が配置されると共に、前記種結晶（４０）が前記側壁部（２１）の中空部分に収納されるように前記側壁部（２１）の開口端の一方に取り付けられる蓋材（２２）と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶（４０）が差し込まれる貫通した窓部（２３ｃ）を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部（２１）の内壁に一体化される支持板（２３ａ）と、
前記側壁部（２１）の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域（６０）とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板（２３ａ）のうち前記蓋材（２２）に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部（２３ｂ）と、
前記支持板（２３ａ）のうち前記円筒部（２３ｂ）が結合される側と反対側となる裏面に、前記窓部（２３ｃ）を囲むように形成された炭化タンタルコーティング（２６）と、を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項２】
前記支持板（２３ａ）の前記裏面には、前記種結晶（４０）が差し込まれる貫通した窓部（２５ａ）が形成された円環状の環状ひさし部（２５）が備えられており、
前記炭化タンタルコーティング（２６）は、前記環状ひさし部（２５）のうち少なくとも前記支持板（２３ａ）と反対側の面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項３】
前記環状ひさし部（２５）は前記支持板（２３ａ）と一体成形されていることを特徴とする請求項２に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項４】
前記炭化タンタルコーティング（２６）は、前記環状ひさし部（２５）の前記窓部（２５ａ）の内壁面も覆っていることを特徴とする請求項２または３に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項５】
有底円筒状の容器本体（１０）と当該容器本体（１０）を蓋閉めするための蓋体（２０）とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝（１）を有し、前記蓋体（２０）に炭化珪素基板からなる種結晶（４０）を配置すると共に前記容器本体（１０）に炭化珪素原料（５０）を配置し、前記炭化珪素原料（５０）の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶（４０）上に炭化珪素単結晶（７０）を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体（２０）は、
中空筒状の側壁部（２１）と、
一面側に前記種結晶（４０）が配置されると共に、前記種結晶（４０）が前記側壁部（２１）の中空部分に収納されるように前記側壁部（２１）の開口端の一方に取り付けられる蓋材（２２）と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶（４０）が差し込まれる貫通した窓部（２３ｃ）を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部（２１）の内壁に一体化される支持板（２３ａ）と、
前記側壁部（２１）の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域（６０）とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板（２３ａ）のうち前記蓋材（２２）に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部（２３ｂ）と、
前記支持板（２３ａ）のうち前記円筒部（２３ｂ）が結合される側と反対側となる裏面に、前記窓部（２３ｃ）を囲むように形成された炭化珪素コーティング（２７）と、を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項６】
前記支持板（２３ａ）の前記裏面には、前記種結晶（４０）が差し込まれる貫通した窓部（２５ａ）が形成された円環状の環状ひさし部（２５）が備えられており、
前記炭化珪素コーティング（２７）は、前記環状ひさし部（２５）のうち少なくとも前記支持板（２３ａ）と反対側の面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項７】
前記環状ひさし部（２５）は前記支持板（２３ａ）と一体成形されていることを特徴とする請求項６に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項８】
前記炭化珪素コーティング（２７）は、前記環状ひさし部（２５）の前記窓部（２５ａ）の内壁面も覆っていることを特徴とする請求項６または７に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーＭＯＳＦＥＴ等の素材に利用することができる炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば特許文献１において、黒鉛製の坩堝の外周に配置させた抵抗加熱ヒータによって坩堝内にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置が提案されている。この製造装置では、黒鉛製の坩堝内に種結晶を接合すると共に、坩堝底部に配したＳｉＣ粉末原料を例えば２３００℃に加熱することで、ＳｉＣ粉末原料を昇華させ、その昇華させたガスを原料温度よりも低い温度に設定された種結晶上に結晶化させるという昇華再結晶法を用いてＳｉＣ単結晶を製造できる。
【０００３】
図８は、従来より昇華再析出法に用いられているＳｉＣ単結晶製造装置の模式的な断面構造を示した図である。この図に示されるように、黒鉛製の坩堝Ｊ１の蓋材Ｊ２の内壁に円筒状の突起部Ｊ３を設け、この突起部Ｊ３の端面に種結晶Ｊ４を貼り付けるようにしている。さらに、種結晶Ｊ４の成長表面に対向する面を有すると共に、種結晶Ｊ４との間に成長空間領域Ｊ５を形成する遮蔽板Ｊ６を設けている。また、蓋材Ｊ２に種結晶Ｊ４が配置される窓部が形成された支持板Ｊ７を備えると共に、この支持板Ｊ７に結合されるように種結晶Ｊ４を囲うスカート状の円筒部Ｊ８を備え、円筒部Ｊ８および遮蔽板Ｊ６により、坩堝Ｊ１のうち種結晶Ｊ４側の径方向温度分布を小さくし、種結晶Ｊ４の成長表面が他の部位よりも低温となるようにしている。このようにして、成長空間領域Ｊ５の均熱を保つようにし、種結晶Ｊ４の上にＳｉＣ単結晶Ｊ９を成長させると、ＳｉＣ単結晶Ｊ９の周辺を囲むように多結晶Ｊ１０が形成されつつＳｉＣ単結晶Ｊ８が成長するという埋め込み成長を行うことができる。
【特許文献１】特開２００１−１１４５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の技術では、昇華ガスの流れが図８中の矢印のように表される。すなわち、昇華ガスは、ＳｉＣ粉末原料Ｊ１１から遮蔽板Ｊ６と坩堝Ｊ１の内壁面との間を通じて成長空間領域Ｊ５に流れ込み、種結晶Ｊ４の表面に供給されたのち、一部が支持板Ｊ７の窓部の隙間、つまり種結晶Ｊ４と支持板Ｊ７との間を通じて支持板Ｊ７の裏面側に流れ込む。このため、支持板Ｊ７の裏面側が侵食され、穴が開き、ＳｉＣ単結晶Ｊ９を囲む多結晶Ｊ１０が形成される表面が減って多結晶Ｊ１０とＳｉＣ単結晶Ｊ９との間の隙間を拡大させてしまう。これにより、ＳｉＣ単結晶Ｊ９の口径が拡大され過ぎてしまい、ＳｉＣ単結晶Ｊ９を長尺成長させられなくなるという問題がある。
【０００５】
支持板Ｊ７の裏面には、支持板Ｊ７の窓部と同等サイズの窓部が形成された黒鉛製の環状ひさし部Ｊ１２が備えられるが、環状ひさし部Ｊ１２も侵食されるため、上記問題を発生させる。
【０００６】
本発明は、上記点に鑑み、埋め込み成長において、蓋体に備えられる支持板が侵食されることによりＳｉＣ単結晶の口径が拡大され過ぎることを防止し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は、蓋体（２０）として、中空筒状の側壁部（２１）と、一面側に種結晶（４０）が配置されると共に、種結晶（４０）が側壁部（２１）の中空部分に収納されるように側壁部（２１）の開口端の一方に取り付けられる蓋材（２２）と、円盤状部材にて構成され、種結晶（４０）が差し込まれる貫通した窓部（２３ｃ）を有しており、円盤状部材の側面が側壁部（２１）の内壁に一体化される支持板（２３ａ）と、側壁部（２１）の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、中空部内が成長空間領域（６０）とされて昇華ガスが供給されるようになっており、支持板（２３ａ）のうち蓋材（２２）に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部（２３ｂ）と、支持板（２３ａ）のうち円筒部（２３ｂ）が結合される側と反対側となる裏面に、窓部（２３ｃ）を囲むように形成された炭化タンタルコーティング（２６）とが備えられたものを用いることを特徴している。
【０００８】
このように、炭化タンタルコーティング（２６）にて支持板（２３ａ）の裏面を覆うことで、昇華ガスによって支持板（２３ａ）の裏面が侵食されて穴が開くことを防止できる。これにより、ＳｉＣ単結晶（７０）の口径が拡大され過ぎることを防止でき、ＳｉＣ単結晶（７０）を長尺成長させることが可能となる。
【０００９】
例えば、支持板（２３ａ）の裏面に、種結晶（４０）が差し込まれる貫通した窓部（２５ａ）が形成された円環状の環状ひさし部（２５）を備える場合、炭化タンタルコーティング（２６）にて環状ひさし部（２５）のうち少なくとも支持板（２３ａ）と反対側の面を覆うことにより、支持板（２３ａ）の裏面を覆うことができる。
【００１０】
この場合、環状ひさし部（２５）は支持板（２３ａ）と一体成形された構造であっても良い。このように一体成形することにより、強度が大きくなり、炭化タンタルコーティング時に環状ひさし部（２５）は破損しにくくなる。
【００１１】
さらに、炭化タンタルコーティング（２６）を環状ひさし部（２５）の窓部（２５ａ）の内壁面も覆うような構造としても良い。このような構造とすれば、炭化タンタルコーティング（２６）をタンタルの炭化により形成する場合、炭化タンタルがタンタルよりも膨張するため、環状ひさし部（２５）の内壁面側まで炭化タンタルコーティング（２６）を配置するようにすると、炭化タンタルコーティング（２６）を環状ひさし部（２５）に確実に固定することが可能となる。
【００１２】
以上の説明では、炭化タンタルコーティング（２６）を使用する場合について説明したが、炭化タンタルコーティング（２６）に代えてＳｉＣ単結晶の原料となるＳｉＣコーティング（２７）を使用することもできる。このようなＳｉＣコーティング（２７）を用いても上記と同様の効果を得ることができる。
【００１３】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１５】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、ＳｉＣ単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体１０と、円形状の蓋体２０と、によって構成された黒鉛製の坩堝１を備えている。
【００１６】
坩堝１のうち容器本体１０に種結晶４０の成長表面に対向する面を有する黒鉛製の遮蔽板１１が取り付けられている。遮蔽板１１には図示しない炭化タンタル（以下、ＴａＣという）材がコーティングされており、坩堝１の加熱によって遮蔽板１１を構成する炭素の成長結晶表面へのインクルージョンが防止できるようになっている。
【００１７】
さらに、容器本体１０には、昇華ガスの供給源となるＳｉＣの粉末原料５０が配置されている。そして、坩堝１内の空間のうち種結晶４０と遮蔽板１１との間を成長空間領域６０として、粉末原料５０からの昇華ガスが種結晶４０の表面上に再結晶化して、種結晶４０の表面にＳｉＣ単結晶７０が成長させられる構成とされている。
【００１８】
蓋体２０は、円筒状の側壁部２１と、側壁部２１の開口部の一方を塞ぐ円板状の蓋材２２と、側壁部２１に収納される遮蔽部２３とを備えて構成されている。蓋材２２には円筒状の突起部２２ａが設けられ、当該突起部２２ａの開口端に当該開口端を閉じるように例えば円形状のＳｉＣの種結晶４０が貼り付けられている。
【００１９】
遮蔽部２３は、支持板２３ａと円筒部２３ｂとを有して構成されている。支持板２３ａは、円盤状部材にて構成され、側面が側壁部２１の内壁に固定されている。支持板２３ａの中央部には、当該支持板２３ａを貫通する窓部２３ｃが設けられており、この窓部２３ｃに蓋材２２の突起部２２ａが差し込まれている。円筒部２３ｂは、スカート状、すなわち中空部を有する円筒形状をなしており、一端側が支持板２３ａの端面に結合されることで支持板２３ａと一体化されている。この円筒部２３ｂは、種結晶４０周辺の径方向温度分布を小さくする、すなわち成長空間領域６０を均熱にする役割を果たす。また、この円筒部２３ｂにより、種結晶４０の成長表面が他の部位よりも低温となる。
【００２０】
円筒部２３ｂの内周面には、円筒状のＴａＣリング２４が取り付けられている。このＴａＣリング２４によって円筒部２３ｂの内周面が覆われるため、ＳｉＣ単結晶７０を成長させる際に、円筒部２３ｂを構成する炭素の成長結晶表面へのインクルージョンを防止することが可能となる。このＴａＣリング２４は、円筒部２３ｂの他端（支持板２３ａとは反対側の端部）から突き出る長さとされている。このため、円筒部２３ｂの他端側からの炭素の成長結晶表面へのインクルージョンを防止できる。
【００２１】
さらに、蓋体２０には、支持板２３ａの裏面において、窓部２３ｃと同サイズの同等サイズの窓部２５ａが形成された黒鉛製の環状ひさし部２５が備えられている。この環状ひさし部２５を備えることにより、蓋体２０のうち円筒部２３ｂよりも径方向内側に突き出る部分の肉厚を厚くできるため、昇華ガスによる侵食が生じても穴が開き難くなるようにしている。しかしながら、上述したように環状ひさし部２５を備えても昇華ガスによる侵食による穴開きを十分には抑制できないため、支持板２３ａの裏面のうち少なくとも円筒部２３ｂよりも径方向内側の領域の部分をＴａＣコーティング２６で覆っている。具体的には、本実施形態の場合、支持板２３ａの裏面に環状ひさし部２５を備えているため、環状ひさし部２５（少なくとも環状ひさし部２５のうち支持板２３ａと反対側の面）がＴａＣコーティング２６によって覆われるようにしている。これにより、環状ひさし部２５と共に支持板２３ａの裏面をＴａＣコーティング２６にて覆う構造としている。
【００２２】
また、本実施形態では、ＴａＣコーティング２６にて、環状ひさし部２５の窓部２５ａの内周面も覆っている。このため、環状ひさし部２５の窓部２５ａの内周面からの昇華ガスによる侵食も防止できる。
【００２３】
さらに、坩堝１の外周を囲むように図示しない抵抗加熱ヒータが配置されている。以上が、本実施形態に係るＳｉＣ単結晶製造装置の構成である。
【００２４】
次に、上記ＳｉＣ単結晶製造装置を用いてＳｉＣ単結晶を製造する方法について説明する。
【００２５】
まず、図１に示されるように、蓋材２２の突起部２２ａの開口端に種結晶４０を貼り付け、遮蔽部２３が取り付けられた側壁部２１に当該蓋材２２を取り付ける。遮蔽部２３における円筒部２３ｂへのＴａＣリング２４の固定は、Ｔａを炭化させたときにＴａＣがＴａよりも膨張することを利用して、リング状のＴａを円筒部２３ｂの内周側に配置した状態で炭化させることで行っても良いし、ＴａＣリング２４と円筒部２３ｂとの間をＳｉＣの多結晶にて貼り付けるようにしても良い。また、環状ひさし部２５へのＴａＣコーティング２６の形成は、環状ひさし部２５に直接ＴａＣを蒸着することで行っても良いし、Ｔａにて型を形成しておき、炭化させることで行っても良い。炭化させる場合には、ＴａＣがＴａよりも膨張するため、本実施形態のように環状ひさし部２５の内壁面側までＴａＣコーティング２６を配置するようにすると、ＴａＣコーティング２６を環状ひさし部２５に確実に固定することが可能となる。また、環状ひさし部２５により支持板２３ａの裏面に段差が形成されるため、ＴａＣコーティング２６の固定を容易に行うことができる。
【００２６】
そして、容器本体１０に遮蔽板１１を取り付け、容器本体１０に粉末原料５０を配置する。
【００２７】
続いて、坩堝１を図示しない加熱チャンバに設置し、図示しない排気機構を用いてガス排出を行うことで、坩堝１内を含めた外部チャンバ内を真空にし、抵抗加熱ヒータに通電することで加熱し、その輻射熱により坩堝１を加熱することで坩堝１内を所定温度にする。このとき、各抵抗加熱ヒータへの電流値（電圧値）を異ならせることにより、ヒータで温度差が発生させられる加熱を行えるようにしている。
【００２８】
続いて、例えば不活性ガス（Ａｒガス等）や水素、結晶へのドーパントとなる窒素などの混入ガスを流入させる。この不活性ガスは排気配管を介して排出される。そして、種結晶４０の成長面の温度および粉末原料５０の温度を目標温度まで上昇させる。例えば、成長結晶を４Ｈ−ＳｉＣとする場合、粉末原料５０の温度を２１００〜２３００℃とし、成長結晶表面の温度をそれよりも１０〜１００℃程度低くする。
【００２９】
加熱チャンバ内には例えば不活性ガス（Ａｒガス等）や水素、結晶へのドーパントとなる窒素などの混入ガスを流入させる。この不活性ガスは排気配管を介して排出される。種結晶４０の成長面の温度およびＳｉＣ粉末原料５０の温度を目標温度まで上昇させるまでは、加熱チャンバ内は大気圧に近い雰囲気圧力にして粉末原料５０からの昇華を抑制し、目標温度になったところで、真空雰囲気とする。例えば、成長結晶を４Ｈ−ＳｉＣとする場合、粉末原料５０の温度を２１００〜２３００℃とし、成長結晶表面の温度をそれよりも１０〜２００℃程度低くして、真空雰囲気は１．３３Ｐａ〜６．６７ｋＰａ（０．０１〜５０Ｔｏｒｒ）とする。
【００３０】
このようにして、粉末原料５０を加熱することで粉末原料５０が昇華し、粉末原料５０から昇華ガスが発生する。この昇華ガスは、成長空間領域６０内を通過して種結晶４０に供給される。
【００３１】
これにより、昇華ガスが種結晶４０の表面に供給され、ＳｉＣ単結晶７０が成長させられる。このとき、昇華ガスは、種結晶４０の表面やＳｉＣ単結晶７０の成長表面だけでなく、遮蔽部２３を構成する支持板２３ａや円筒部２３ｂおよびＴａＣリング２４の表面にも供給される。このため、図１に示されるように、支持板２３ａや円筒部２３ｂおよびＴａＣリング２４の表面にＳｉＣの多結晶４５が成長し、この多結晶４５に囲まれるような状態でＳｉＣ単結晶７０が成長するという埋め込み成長となる。
【００３２】
このようなＳｉＣ単結晶７０の埋め込み成長において、成長空間領域６０を囲むようにＴａＣリング２４を配置しているため、円筒部２３ｂを構成する炭素のＳｉＣ単結晶７０の成長表面へのインクルージョンを抑制することが可能となる。
【００３３】
そして、この埋め込み成長時に、昇華ガスは、ＳｉＣ粉末原料５０から遮蔽板１１と坩堝１の側壁部２１や結合部３０との間を通じて成長空間領域６０に流れ込み、種結晶４０の表面に供給されたのち、一部が支持板２３ａの窓部の隙間、つまり種結晶４０と支持板２３ａとの間を通じて支持板２３ａの裏面側に流れ込む。このとき、本実施形態では、環状ひさし部２５を覆うようにＴａＣコーティング２６を形成しているため、昇華ガスによって環状ひさし部２５や支持板２３ａの裏面が侵食されて穴が開くことを防止できる。また、環状ひさし部２５の内壁面もＴａＣコーティング２６で覆うようにしているため、ここからの昇華ガスによる侵食も防止できる。これにより、ＳｉＣ単結晶７０の口径が拡大され過ぎることを防止でき、ＳｉＣ単結晶７０を長尺成長させることが可能となる。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態では、ＴａＣコーティング２６にて支持板２３ａの裏面を覆うことで、昇華ガスによって支持板２３ａの裏面が侵食されて穴が開くことを防止できる。これにより、ＳｉＣ単結晶７０の口径が拡大され過ぎることを防止でき、ＳｉＣ単結晶７０を長尺成長させることが可能となる。
【００３５】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。上記第１実施形態では、環状ひさし部２５を備えた構造としているが、環状ひさし部２５を無くしても良い。図２は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【００３６】
この図に示したように、支持板２３ａの裏面を直接ＴａＣコーティング２６にて覆うようにしても良い。このようにしても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。上記第１、第２実施形態では、環状ひさし部２５もしくは支持板２３ａの裏面にＴａＣコーティング２６を備える構造としたが、ＴａＣコーティング２６に代えて、ＳｉＣコーティングを備える構造とすることも可能である。図３は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【００３８】
この図に示したように、環状ひさし部２５（少なくとも環状ひさし部２５のうち支持板２３ａと反対側の面）がＳｉＣコーティング２７によって覆われるようにしている。このように、ＳｉＣ単結晶７０の原料を用いたＳｉＣコーティング２７を備えるようにしても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
なお、ここでは、第１実施形態の構造に対してＳｉＣコーティング２７を備える場合について説明したが、図４に示すＳｉＣ単結晶製造装置の断面図のように、第２実施形態のような環状ひさし部２５が無くされた構造に対してＳｉＣコーティング２７を備えることも可能である。このようにしても、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
（他の実施形態）
上記実施形態では、環状ひさし部２５を支持板２３ａと別部材により構成したが、これらを一体成形しても良い。
【００４１】
また、上記実施形態では、ＴａＣコーティング２６で環状ひさし部２５の窓部２５ａの内周面を覆っているが、支持板２３ａの窓部２３ｃの内壁面まで覆われるようにしても良い。このようにすれば、支持板２３ａの窓部２３ｃの内壁面からの昇華ガスによる侵食も防止できる。
【００４２】
また、上記第１〜第３実施形態において、ＴａＣコーティング２６やＳｉＣコーティング２７の例を挙げたが、環状ひさし部２５を備える場合には、環状ひさし部２５の形状に応じてコーティングする場所を適宜変更可能である。
【００４３】
例えば、図５に示すように、環状ひさし部２５が支持板２３ａの裏面全面ではなく、遮蔽部２３よりも内側を含めた支持板２３ａのうちの内周側のみと対応するように配置されるものであれば、その環状ひさし部２５が配置された部分にのみＴａＣコーティング２６やＳｉＣコーティング２７を備えることもできる。また、このような環状ひさし部２５の場合であっても、図６に示すように、環状ひさし部２５よりも外周側に位置する支持板２３ａの裏面側にＴａＣコーティング２６やＳｉＣコーティング２７が備えられるようにしても良い。なお、このように環状ひさし部２５を遮蔽部２３よりも内側を含めた支持板２３ａのうちの内周側のみと対応するように配置した場合、それよりも外側においてガスの流動経路を広くすることができる。このため、ＳｉＣ多結晶４５が成長する空間を大きく取りつつ、流動経路を確保することが可能となる。
【００４４】
さらに、上記第２、第３実施形態において、ＴａＣコーティング２６やＳｉＣコーティング２７が支持板２３ａの裏面前面に備えられる場合を説明したが、図７に示すように、遮蔽部２３よりも内側を含めた支持板２３ａのうちの内周側のみにＴａＣコーティング２６やＳｉＣコーティング２７が配置されるようにしても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【図２】本発明の第２実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【図３】本発明の第３実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【図４】本発明の第３実施形態の変形例にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【図５】本発明の他の実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【図６】本発明の他の実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【図７】本発明の他の実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。
【図８】従来のＳｉＣ単結晶製造装置の模式的な断面構造図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…坩堝、１０…容器本体、２０…蓋体、２１…側壁部、２２…蓋材、２３…遮蔽部、２３ａ…支持板、２３ｂ…円筒部、２３ｃ…窓部、２４…ＴａＣリング、２５…環状ひさし部、２５ａ…窓部、２６…ＴａＣコーティング、４０…種結晶、５０…粉末原料、６０…成長空間領域、７０…ＳｉＣ単結晶
【図１】
2009091173.tif 000003
【図２】
2009091173.tif 000004
【図３】
2009091173.tif 000005
【図４】
2009091173.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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