(57)【要約】【課題】  接続不良の発生や配線層へのダメージの付与を防止することができ、歩留まり良く信頼性の高い接続状態を実現することが可能な配線構造及び表示装置を提供する。【解決手段】  基板上に形成された配線の幅広部分（配線部２２）において、配線上に形成された絶縁膜２３に設けられたコンタクトホールを介して外部接続用の接続パッド（例えばＯＬＢパッド４）との電気的接続が図られてなる配線構造である。配線を覆う絶縁膜２３が塗布方式により形成された絶縁膜２３であり、幅広の配線部２２においては、周辺領域にのみコンタクトホール２６が形成されている。あるいは、幅広の配線部２２の周辺領域に形成されたコンタクトホール２６の開口寸法が、内部領域に形成されたコンタクトホール２８，２９の開口寸法よりも小となるように形成してもよい。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された配線の幅広部分において、配線上に形成された絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して外部接続用の接続パッドとの電気的接続が図られてなる配線構造であって、
前記配線を覆う絶縁膜が塗布方式により形成された絶縁膜であり、
少なくとも前記配線の幅広部分においては、当該幅広部分の周辺領域にのみコンタクトホールが形成されていることを特徴とする配線構造。
【請求項２】
基板上に形成された配線の幅広部分において、配線上に形成された絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して外部接続用の接続パッドとの電気的接続が図られてなる配線構造であって、
前記配線を覆う絶縁膜が塗布方式により形成された絶縁膜であり、
少なくとも前記配線の幅広部分において、当該幅広部分の周辺領域に形成されたコンタクトホールの開口寸法が、内部領域に形成されたコンタクトホールの開口寸法よりも小であることを特徴とする配線構造。
【請求項３】
前記配線が２層以上の配線層から構成されており、配線層間の絶縁膜が前記塗布方式により形成された絶縁膜とされていることを特徴とする請求項１または２記載の配線構造。
【請求項４】
前記コンタクトホールの開口形状が略円形であり、各接続パッドにそれぞれ複数のコンタクトホールが形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の配線構造。
【請求項５】
前記コンタクトホールの開口形状がスリット状であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の配線構造。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項記載の配線構造を備えたアレイ基板を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布方式の絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより層間接続を図った配線構造及び表示装置に関するものであり、特に、外部接続用の接続パッドにおける層間接続を確実なものとするための改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電力等の優れた特徴を有する平面表示装置であることから、いわゆるＰＤＡや携帯電話等のようなモバイル機器や、パーソナルコンピュータの表示部、さらには液晶テレビ等、広範な用途に用いられている。
【０００３】
前記液晶表示装置は、液晶層が一対の表示パネル基板、すなわちアレイ基板及び対向基板間に挟持された構造の液晶表示パネルを有しており、前記アレイ基板と対向基板の間に画素毎に選択的に電圧を印加することで液晶層が制御され、画像の表示が行われる。ここで、例えばアクティブマトリクス型液晶表示パネルでは、アレイ基板に、アモルファスシリコンやポリシリコン半導体を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がスイッチング素子として形成されるとともに、このスイッチング素子と接続される画素電極、走査線、信号線等が形成される。一方、対向基板には、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等からなる対向電極やカラーフィルター等が形成される。
【０００４】
前述の構造を有する液晶表示パネルの製造においては、ドライバー回路や電源回路等、駆動回路を構成する薄膜トランジスタを基板上に作り込むことが行われており、例えば外付け集積回路（ＩＣ）として設置していた駆動回路についても、液晶表示パネルの額縁領域に作り込むようになってきている。ただし、例えばモバイル製品に使用される液晶表示パネル等においては、サイズの拡大を極力抑えることが求められており、液晶表示パネルの周囲に配線形成等のために必要となる額縁領域の狭小化が大きな課題となっている。
【０００５】
そこで従来、例えばプロセス技術において、ウエットエッチングからドライエッチングに移行し、エッチング変換差を小さくすることで配線の微細化を実現し、狭額縁化を進めることが試みられている。しかしながら、配線の微細化が進むにつれ、低抵抗配線を実現するために、配線幅を微細にする代わりに配線膜厚を厚くする必要が生じ、膜厚が厚くなる分、ドライエッチングでもエッチング変換差が次第に大きくなり、これ以上の狭額縁化は難しくなっている。
【０００６】
このような状況から、半導体分野等と同様、多層配線技術を取り入れる動きが活発になってきている（例えば、特許文献１等を参照）。特許文献１には、表示部と額縁部を有するアレイ基板を備え、前記表示部は、複数の配線と、前記配線と接続された複数の薄膜トランジスタとを備え、前記額縁部は、前記薄膜トランジスタを駆動する駆動回路を備え、前記配線は、第１配線材料によって形成された第１配線層と、第１配線層上に形成された第２配線層とを備える画像表示装置が開示されている。特許文献１記載の発明では、配線を第１配線層と第２配線層とから構成するとともに、これら配線層において微細化に適した材料及び低抵抗な材料を役割に応じて使い分けることで狭額縁化を実現している。
【特許文献１】特開２００２−２９７０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、配線を２層化した場合、層間絶縁膜の形成が大きな問題となる。例えば、従来の方法では、層間絶縁膜の形成は主にＣＶＤ法によってなされてきたが、配線段差を埋めることができないため、絶縁膜上に形成される配線が絶縁膜下の配線と交差する場合等において、いわゆる細りや断線を発生させることが多く、多層配線化は困難である。
【０００８】
近年、ＣＶＤ法に代わり注目されているのが、塗布方式での絶縁膜の形成である。塗布方式により形成された絶縁膜の場合、配線段差を小さくすることができるので、絶縁膜を挟んで上下で配線が交差しても、細りや断線が発生することはない。
【０００９】
しかしながら、本発明者らが検討を重ねたところ、塗布方式による絶縁膜形成方法では、比較的細い配線においては段差を埋めることができても、幅の広い配線に関しては、配線上に形成される絶縁膜の膜厚が均一ではなく、これが原因でコンタクトホールの形成に支障をきたすことがわかってきた。例えば、液晶表示装置のアレイ基板等においては、信号線等の微細配線の他、外部回路との接続を図るための外部接続用の接続パッド形成部分において、前記配線が幅広の配線パターン（幅広部分）として形成されているが、この幅広部分において外部接続用の接続パッドとの電気的接続を図るためのコンタクトホールを形成しようとすると、前記絶縁膜の膜厚の不均一さに起因して、エッチングが不十分となって接続不良が発生したり、逆に過剰なエッチングで下層の配線層にダメージを与える等の問題が生ずる。
【００１０】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、接続不良の発生や配線層へのダメージの付与を防止することができ、歩留まり良く外部接続用の接続パッドとの間で信頼性の高い接続状態を実現することが可能な配線構造を提供することを目的とし、さらには、表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述の目的を達成するために、本発明の配線構造は、基板上に形成された配線の幅広部分において、配線上に形成された絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して外部接続用の接続パッドとの電気的接続が図られてなる配線構造であって、前記配線を覆う絶縁膜が塗布方式により形成された絶縁膜であり、少なくとも前記配線の幅広部分においては、当該幅広部分の周辺領域にのみコンタクトホールが形成されていることを特徴とする。
【００１２】
あるいは、基板上に形成された配線の幅広部分において、配線上に形成された絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して外部接続用の接続パッドとの電気的接続が図られてなる配線構造であって、前記配線を覆う絶縁膜が塗布方式により形成された絶縁膜であり、少なくとも前記配線の幅広部分において、当該幅広部分の周辺領域に形成されたコンタクトホールの開口寸法が、内部領域に形成されたコンタクトホールの開口寸法よりも小であることを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明の表示装置は、これらの配線構造を備えたアレイ基板を有することを特徴とする。
【００１４】
前述の通り、配線の幅広部分上に塗布方式により形成された絶縁膜においては、膜厚が均一ではなく、配線端に比べて配線中心において膜厚が厚くなる傾向にある。例えば、２０μｍを越える配線幅になると、配線端から中心方向に向かって絶縁膜の膜厚が１．５倍〜２倍にもなる。
【００１５】
ここで、このような絶縁膜に対してコンタクトホールを形成する場合、塗布方式で形成する絶縁膜の絶縁材料として感光性を有するものがほとんど無いため、レジストマスクを利用したドライエッチング方式により形成せざるを得ない。しかしながら、この方法で上下の配線間の接続を得るための加工（コンタクトホールの形成）を実施すると、膜厚の薄い部分でのエッチング時間と膜厚の厚い部分でのエッチング時間に差が生じ、良好なコンタクトホールの形成が難しい。例えば、通常配線（幅の狭い配線）における層間接続のためのコンタクトホールの形成と、幅広配線（前記幅広部分）における接続パッドとの層間接続のためのコンタクトホールの形成を同時に行う場合、幅広配線上の膜厚の厚い絶縁膜に着目してエッチングを行うと、通常配線上の絶縁膜が薄いことから、通常配線の層間接続のためのコンタクトホールの方が早く貫通してしまうことになる。そのため、通常配線がドライエッチング時のプラズマに晒される時間が長くなり、コンタクトホール直下の通常配線が削れてしまう等のダメージを受け、コンタクト抵抗が高くなる等の接続不良を誘発するおそれがある。逆に、通常配線上の膜厚の薄い絶縁膜に着目してエッチングを行うと、幅広配線上のコンタクトホールが未開口となってしまい、やはり接続不良が発生するおそれがある。
【００１６】
これに対して、本願発明では、配線の幅広部分においては、当該幅広部分の周辺領域にのみコンタクトホールが形成されている。配線の幅広部分上に形成される絶縁膜においては、周辺領域の膜厚が薄く、中心部分で厚い。したがって、配線の幅広部分の周辺領域に形成されるコンタクトホールと、通常配線に形成されるコンタクトホールでは、エッチング時間に差が生ずることがなく、同時に貫通される。したがって、オーバーエッチングによるダメージの発生や未開口となることがなく、いずれのコンタクトホールにおいても良好な接続状態が実現される。
【００１７】
あるいは、本願発明では、配線の幅広部分においては、当該幅広部分の周辺領域に形成されたコンタクトホールの開口寸法が、内部領域に形成されたコンタクトホールの開口寸法よりも小である。この場合にも、幅広部分の周辺領域に形成されたコンタクトホールは、通常配線に形成されるコンタクトホールと同時に貫通される。一方、内部領域に形成されたコンタクトホールについても、通常配線に形成されるコンタクトホールと同時に貫通される。幅広部分の中央部においては、絶縁膜の膜厚が厚くなっているが、コンタクトホールの開口寸法が大きい場合、エッチングの進行も速く、エッチング時間の差が相殺されるからである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、未開口による接続不良の発生やオーバーエッチングによる配線層へのダメージの付与を確実に防止することができ、歩留まり良く外部接続用の接続パッドとの間での信頼性の高い接続状態を実現することが可能である。したがって、信頼性に優れた配線構造及び表示装置を歩留まり良く、安価に提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を適用した配線構造及び表示装置の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
先ず、本発明の配線構造が適用される液晶表示装置の概略構成について説明する。液晶表示装置は、図１に示すように、アレイ基板２と対向基板３により構成される液晶表示パネル１を備え、これらアレイ基板２と対向基板３の間の液晶層を、アレイ基板２上に形成された薄膜トランジスタ（画素トランジスタ）をスイッチング素子として駆動することで、画像の表示が行われる。
【００２１】
ここで、表示部である表示領域Ｈにおいては、アレイ基板２に各画素に対応して画素電極がマトリクス状に形成されるとともに、画素電極の行方向に沿って走査線が形成され、列方向に沿って信号線が形成されている。さらに、各走査線と信号線の交差位置に前記画素トランジスタが形成されている。
【００２２】
一方、アレイ基板２の周辺領域（液晶表示パネル１の額縁領域）には、アレイ基板２に配列形成される信号線に駆動信号を供給する信号線駆動回路や、走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路等の駆動回路が形成されており、これら駆動回路と外部回路とを接続するためのＯＬＢパッド４が形成されている。信号線駆動回路や走査線駆動回路は、例えば複数の薄膜トランジスタと、これら薄膜トランジスタに接続される配線等から構成されている。ＯＬＢパッド４は、外部接続用の接続パッドであり、前記配線と電気的に導通された導電パッドとして形成されている。そして、ここに例えばフレキシブル配線基板に形成された外部接続用の配線の端子部を異方導電性接着フィルム等を用いて接続することで、駆動回路と外部回路の電気的な接続が図られる。
【００２３】
本実施形態の液晶表示装置においては、２層配線とされており、額縁領域の狭小化が図られている。２層配線構造とすることで、配線の引き回しの自由度が増し、また配線幅も大きく設定することができるので、配線の低抵抗化を図りながら額縁領域の面積を削減することができる。
【００２４】
このように上層配線層と下層配線層とからなる２層配線構造を採用した場合、層間絶縁膜の選定が重要となる。例えば図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、基板１１上に形成された下層配線層１２と上層配線層１３の間に絶縁膜を形成する必要があるが、従来方式（ＣＶＤ方式）で形成したＣＶＤ絶縁膜１４では配線段差を埋めることができない。そのため、下層配線層１２と上層配線層１３が交差する部分等において、上層配線層１３に配線の細り１３ａや断線が発生することが多く、多層配線化を困難にしている。
【００２５】
これを解消するために、本実施形態においては、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、層間絶縁膜を塗布方式により形成し、平坦化絶縁膜１５としている。塗布方式により形成した平坦化絶縁膜１５は、配線段差を埋める形で形成され、上面がほぼ平坦化される。したがって、配線段差が緩和され、平坦化絶縁膜１５上に形成された上層配線層１３においては、下層配線層１２と上層配線層１３が交差する部分１３ｂにおいても配線の細りや断線が発生することはない。
【００２６】
ただし、前述のように塗布方式で絶縁膜を形成した場合、幅の広い配線上においては、絶縁膜の膜厚が均一ではなく、配線端に比べて配線中心における膜厚が厚くなる特徴がある。図４は、例えば駆動回路の薄膜トランジスタと接続させる配線２１と、前記ＯＬＢパッド４に対応する配線部２２上に塗布方式により形成される絶縁膜２３の膜厚分布を模式的に示すものである。駆動回路の薄膜トランジスタは、基板２０上に形成された半導体層２４にソース領域２４ａ及びドレイン領域２４ｂを形成し、チャネル上にゲート電極２５が形成されることで構成される。前記配線２１は、第１層間絶縁膜Ｓ１を介して半導体層２４上に形成されており、薄膜トランジスタのソース領域２４ａ及びドレイン領域２４ｂにそれぞれ接続されている。一方、ＯＬＢパッド４に対応する配線部２２は、ＯＬＢパッド４に対応して前記配線２１に比べて幅広に形成されている。
【００２７】
これら配線２１及び配線部２２を覆って第２層間絶縁膜である絶縁膜２３を塗布方式により形成すると、配線２１のような狭い線幅部分における配線段差を埋めることができるが、配線部２２上に形成される絶縁膜２３は配線端と配線中心とで膜厚が異なる。例えば、配線端における膜厚Ｔ１に比べて配線中心の膜厚Ｔ２の方が大きい。また、前記配線端における膜厚Ｔ１は、細い線幅の配線２１上に形成される絶縁膜２３の膜厚Ｔ３とほぼ等しい。
【００２８】
このような状態で配線２１及び配線部２２上の絶縁膜２３に上層配線あるいはＯＬＢパッドとの接続のためのコンタクトホールを形成しようとすると、エッチング時間の差により適正なエッチングを行うことが難しい。例えば、線幅の狭い配線２１と幅広の配線部２２の中央にそれぞれコンタクトホールを形成する場合、膜厚の厚い絶縁膜（幅広の配線部２２の中央部の絶縁膜２３）に着目してエッチングを行うと、図５（ａ）に示すように、配線部２２上の絶縁膜２３に形成されるコンタクトホール２６が貫通した時点では、配線２１上の絶縁膜２３に形成されるコンタクトホール２７ではオーバーエッチングとなり、配線２１がドライエッチング時のプラズマに晒される時間が長くなってダメージを受けることになる。この配線２１のダメージは、コンタクト抵抗が高くなる等、接続不良を誘発する原因になる。逆に、膜厚の薄い絶縁膜（配線２１上の絶縁膜２３）に着目してエッチングを行うと、図５（ｂ）に示すように、配線２１上の絶縁膜２３に形成されるコンタクトホール２７が貫通した時点では、幅広の配線部２２上の絶縁膜２３に形成されるコンタクトホール２６は未開口となる。コンタクトホール２６が未開口となると、外部接続用の接続パッドであるＯＬＢパッド４との電気的導通を図ることができない。
【００２９】
そこで、本発明では、幅広の配線部２２の周辺領域にのみコンタクトホール２７を形成するようにし、前記問題を解消している。前述の通り、配線部２２の配線端における絶縁膜２３の膜厚Ｔ１は、細い線幅の配線２１上に形成される絶縁膜２３の膜厚Ｔ３とほぼ等しい。したがって、配線部２２におけるコンタクトホール２６の形成と、配線２１におけるコンタクトホール２７の形成において、エッチング時間の差を解消することができ、接続不良の発生を回避することができる。
【００３０】
具体的には、例えば図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、幅広の配線部２２の周辺領域（ここでは配線部２２の３辺に沿った領域）に円形のコンタクトホール２６を配列形成する。各コンタクトホール２６の大きさは、配線２１上に形成されるコンタクトホール２７の大きさと同等とすればよい。このように配線端に集中的にコンタクトホール２６を形成することで、配線上の絶縁膜の膜厚がほぼ均等になり、コンタクトホール２６のエッチング時間とコンタクトホール２７のエッチング時間がほぼ一定となる。したがって、絶縁膜２３下の配線２１にダメージを与えることなくコンタクトホール２６，２７の形成が可能となり、コンタクト抵抗の高抵抗化等の駆動回路に影響を与える要因が排除できる。
【００３１】
同様の考え方で、図７に示すように、幅広の配線部２２の配線端周辺に、コンタクトホール２６を溝状のパターンとして形成することも可能である。コンタクトホール２６をスリット状にし、これを配線部２２の３辺に沿った領域に形成することで、同様の効果を得ることができる。
【００３２】
さらには、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、幅広の配線部２２の周辺領域（ここでは配線部２２の３辺に沿った領域）に円形のコンタクトホール２６を配列形成した上で、これよりも内側の領域（内部領域）に、コンタクトホール２６よりも開口寸法の大きなコンタクトホール２８やコンタクトホール２９を形成することも可能である。絶縁膜２３の材料によっては、すなわち、絶縁膜２３が加工形状によりエッチングレートが異なるような材料で形成されている場合には、絶縁膜２３の膜厚が厚くなってもコンタクトホール径を大きくすることで、膜厚差により発生するエッチング時間差をほぼ同一にすることも可能である。なお、この場合には、形成するコンタクトホール２６，２８，２９の径を、配線部２２の中心に向かうに従い、順次５０％以下の割合で拡大させていけばよい。
【００３３】
これらの中で、何れの方式を採るかは材料の特性で決めていけばよい。例えば、粘度が高めで十分な平坦性が得られ難い材料により絶縁膜２３を形成した場合には、図６や図７に示す方法が有効である。図６に示す方法は、絶縁膜２３がＳｉＯ２に近い無機系の材料により形成されていれば、ＣＶＤ膜と同様の条件で加工が可能な場合が多く、微細加工可能な場合に有効である。一方、炭化物を側鎖に有する有機系材料を使用する場合は、ドライエッチング加工自体が困難な場合が多く、加工領域を大きく取ることが必要な場合に有効である。なお、接続に関する信頼性の観点から言えば、図７に示すような接続面積が大きい溝状のコンタクト部位の形成において、より高接続歩留まりを得られるため、絶縁膜がＳｉＯ２に近い無機系の材料にも適用可能なことは言うまでもない。また、加工形状依存性が大きい場合には図８に示す方法が有効である。図８に示す方法のように、配線部２２のほぼ全面にコンタクト部位を設けるのも、接続面積を大きくし、より高接続歩留まりを得るためである。何れの方式を選択するにしても、絶縁膜２３下の配線にダメージを与えることなく配線形成が可能となる。
【００３４】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明が前述の実施形態に限定されるものでないことは言うまでもない。例えば、前記実施形態においては、液晶表示装置に適用した例について説明したが、表示装置としては液晶表示装置に限られるものではなく、例えば有機ＥＬ表示装置等にも適用することが可能である。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
【００３６】
（実施例１）
通常のＴＦＴを形成するプロセスと同様の方法で成膜とパターンニングを繰り返し、薄膜トランジスタを形成した。その後、層間絶縁膜を６００ｎｍの膜厚で形成し、ＴＦＴとの接続用のコンタクトホールを形成した。次いで、第１の信号配線を形成し，第２層間絶縁膜として無機系材料に近いシルセスキオキサンをベースにした絶縁膜を膜厚６００ｎｍとなるように塗布した。塗布方式はスピン方式でもスリット方式でも問題はない。本材料に関しては、事前検証から、基板上に６００ｎｍの膜厚で塗布した場合，１５μｍ以上の幅を有する膜厚３００ｎｍの配線上の絶縁膜厚は、それ以下の配線幅を有する配線上の絶縁膜の膜厚の１．５倍となることがわかっている。しかも、ＴＦＴと第１信号配線を絶縁するＣＶＤ式のＳｉＯ２とほぼ同じ加工特性を有しており、微細なコンタクトホールの形成が可能である。
【００３７】
そして、１５μｍ以上の幅を有する配線に対し、図６（ａ）に示す例と同様に、配線端から０．５μｍの位置にコンタクトホールの端部が配置されるようして配線端周囲に一列に直径３．０μｍのコンタクトホールを等間隔で配置した。その後、第２の信号配線を第１の信号配線と接続するように配置し、アレイ基板を作製した。第２の信号配線は、塗布型絶縁膜を介して第１の信号配線と交差する領域が多数存在するが、細りや断線等が全く発生することなく、また、各コンタクトホールにおいて接続不良も発生していないことがＴＦＴ素子の検査装置で確認された。
【００３８】
（実施例２）
通常のＴＦＴを形成するプロセスと同様の方法で成膜とパターンニングを繰り返し、薄膜トランジスタを形成した。その後、層間絶縁膜を６００ｎｍの膜厚で形成し、ＴＦＴとの接続用のコンタクトホールを形成した。次いで、第１の信号配線を形成し、第２層間絶縁膜として有機系材料であるポリシロキサンをベースにした絶縁膜を膜厚６００ｎｍとなるように塗布した。本材料に関しては、事前検証から、基板上に６００ｎｍの膜厚で塗布した場合、１５μｍ以上の幅を有する膜厚３００ｎｍの配線上の絶縁膜厚は、それ以下の配線幅を有する配線上の絶縁膜厚の１．９倍となることがわかっている。ただし、ＴＦＴと第１信号配線を絶縁するＣＶＤ式のＳｉＯ２とは同等の特性を示さず、微細加工し難い材料である。
【００３９】
そこで、図７に示す例と同様に、５μｍ以上の幅を有する配線に対し、配線端から０．５μｍの位置に溝状のコンタクト領域の端部が配置されるように、配線端周囲に溝幅３．０μｍのコンタクト領域（スリット状のコンタクトホール）を配置した。その後、第２の信号配線を第１の信号配線と接続するように配置し、アレイ基板を作製した。第２の信号配線は、塗布型絶縁膜を介して第１の信号配線と交差する領域が多数存在するが、細りや断線等全く発生することなく、また、各コンタクトホールにおいて接続不良も発生していないことがＴＦＴ素子の検査装置で確認された。
【００４０】
（実施例３）
通常のＴＦＴを形成するプロセスと同様の方法で成膜とパターンニングを繰り返し、薄膜トランジスタを形成した。その後、層間絶縁膜を６００ｎｍの膜厚で形成し、ＴＦＴとの接続用のコンタクトホールを形成した。次いで、第１の信号配線を形成し、第２層間絶縁膜として有機系材料であるＦ系ポリマーをベースにした絶縁膜を６００ｎｍとなるように塗布した。本材料に関しては、事前検証から、基板上に６００ｎｍの膜厚で塗布した場合、１５μｍ以上の幅を有する膜厚３００ｎｍの配線上の絶縁膜厚は、それ以下の配線幅を有する配線上の絶縁膜厚の２．１倍となることがわかっている。さらに、加工形状依存性があり、均一な膜厚に５．０μｍ以上のホール径を有するパターンの加工は、２．０μｍのホール径を有する加工形状を形成する場合のエッチング時間の１／３であることがデータとして得られている。
【００４１】
そこで、図８に示す例と同様に、配線中心に方向に対して順次４５％づつコンタクトホール径が大きくなるようにコンタクトホールを配置した。その後、第２の信号配線を第１の信号配線と接続するように配置し、アレイ基板を作製した。第２の信号配線は塗布型絶縁膜を介して第１の信号配線と交差する領域が多数存在するが、細りや断線等全く発生することなく、また、各コンタクトホールにおいて接続不良も発生していないことがＴＦＴ素子の検査装置で確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】ＣＶＤ方式で絶縁膜を形成した場合の配線形成状態を示すものであり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３】塗布方式で絶縁膜を形成した場合の配線形成状態を示すものであり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図４】塗布方式で形成された絶縁膜の膜厚差を示す概略断面図である。
【図５】（ａ）は膜厚の厚い絶縁膜に着目してエッチングした場合のエッチング状態を示す概略断面図であり、（ｂ）は膜厚の薄い絶縁膜に着目してエッチングした場合のエッチング状態を示す概略断面図である。
【図６】（ａ）はコンタクトホールの形成例を示す概略平面図であり、（ｂ）はその概略断面図である。
【図７】（ａ）はコンタクトホールの他の形成例を示す概略平面図である。
【図８】（ａ）はコンタクトホールのさらに他の形成例を示す概略平面図であり、（ｂ）はその概略断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  液晶表示パネル、２  アレイ基板、３  対向基板、４  ＯＬＢパッド、２１  配線、２２  幅広の配線部、２３  絶縁膜、２４  半導体層、２６，２７，２８，２９  コンタクトホール
【図１】
2009278049.tif 000003
【図２】
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【図３】
2009278049.tif 000005
【図４】
2009278049.tif 000006
【図５】
2009278049.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009278049.tif 000009
【図８】
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