(57)【要約】【課題】静電チャックに関して消費電圧の増大を抑制しつつ吸着力の強力化を図ることができるマスクブランクス、マスク、マスク保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】レチクルブランクスＲＢは、第１面４１及び該第１面４１の反対側に位置する第２面４２を有する板状のブランクス本体４０と、該ブランクス本体４０の第１面４１側に形成された導電層４３とを備えている。導電層４３には、多数の突起４６が所定間隔をおいて規則的に形成されている。このようなレチクルブランクスＲＢのブランクス本体４０の第２面４２側に反射層と、該反射層上に吸収層とを形成し、該吸収層に所定のパターンを形成することによりレチクルが完成する。このレチクルは、静電チャックに静電吸着される際、各突起４６の先端面４７が静電チャックの吸着面に密着する。【選択図】図１
2009177126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び該第１面の反対側に位置する第２面を有する板状のブランクス本体と、
該ブランクス本体の前記第１面及び第２面の一方に形成される導電層とを備え、
該導電層は、凹凸形状をなすように形成されたマスクブランクス。
【請求項２】
前記導電層の凸状部分の先端は、平面状に形成されている請求項１に記載のマスクブランクス。
【請求項３】
前記導電層には、前記ブランクス本体から離れる方向に延びる突起が複数形成されている請求項１又は請求項２に記載のマスクブランクス。
【請求項４】
前記導電層は、その凸状部分の先端の面積の前記導電層の面積に対する面積比率が１０％以下となるように形成されている請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載のマスクブランクス。
【請求項５】
前記ブランクス本体の前記第１面及び第２面の他方側に形成され、放射ビームを反射可能な反射層と、
該反射層上に形成され、前記放射ビームを吸収可能な吸収層と
をさらに備えた請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載のマスクブランクス。
【請求項６】
請求項５に記載のマスクブランクスの前記吸収層に、所定のパターンが形成されたマスク。
【請求項７】
請求項６に記載のマスクを保持するためのマスク保持装置であって、
前記マスクの前記導電層側を静電吸着する吸着面を有する静電チャックを備えたマスク保持装置。
【請求項８】
請求項７に記載のマスク保持装置と、
光源から出力された放射ビームが照射された前記マスクの前記パターンの像を感光性材料が塗布された基板上に投影するための投影光学系と、
前記基板を保持する基板保持装置と
を備えた露光装置。
【請求項９】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項８に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ工程などで使用される反射型のマスクに用いられるマスクブランクス、該マスクブランクスに所定のパターンが形成された反射型のマスク、該マスクを保持するマスク保持装置、該マスク保持装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を用いて、基板にパターン像を転写する露光装置は、内部が真空雰囲気に設定されたチャンバ内に設置される。このような露光装置は、所定のパターンが形成された反射型のマスクを静電吸着するための静電チャックを有するマスク保持装置を備えている。
【０００３】
このマスク保持装置において、マスクが静電吸着される静電チャックの吸着面に、該吸着面とマスクとの間に塵埃などの異物が介在することに起因したマスクの変形、即ちマスクの被照射面に形成されたパターンの変形を抑制するために、円柱形状のピンを多数設けたものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８６１９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、静電チャックを使用してマスクを保持するマスク保持装置では、静電チャックに対するマスクの相対的な位置ずれを回避して露光装置による基板へのパターン像の転写精度を向上させるために、より強力な吸着力でもってマスクを保持することが望ましい。このような目的を達成させる方法としては、以下に示す２通りの方法が考えられる。すなわち、第１の方法は、静電チャックに印加する電圧を高電圧化する方法である。しかしながら、この第１の方法では、印加する電圧が大きいほど静電チャックでの消費電力が増大してしまう。
【０００５】
また、第２の方法は、静電チャックの吸着面に形成された各ピンの高さを低くする方法である。各ピンの高さを低くする理由は、各ピンの高さが高い場合、マスクに対してピンが接触している部分に比べて、マスクに対してピンが接触していない部分の吸着力が落ちてしまい、強力な吸着力で吸着することが出来なくなるためである。そこで、静電チャックにおける各ピンの高さを数μｍオーダーに設定する必要性がある。しかしながら、各ピンは、静電チャックの製造時に、それぞれの先端面の平面度を整えるべくそれぞれ研磨される。この際に、数μｍオーダーになるように各ピンの高さを加工するとともに、各ピンのそれぞれの高さの加工誤差（ばらつき）を数ｎｍオーダーの加工精度で揃えることは困難を伴う。したがって、静電チャックの吸着面に、数μｍオーダーの高さのピンを多数形成することにより、静電チャックでの消費電力の増大を抑制しつつ、静電チャックの吸着力をより強力にすることは非常に困難であった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電チャックに関して消費電圧の増大を抑制しつつ吸着力の強力化を図ることができるマスクブランクス、マスク、マスク保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１３に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のマスクブランクスは、第１面（４１）及び該第１面（４１）の反対側に位置する第２面（４２）を有する板状のブランクス本体（４０）と、該ブランクス本体（４０）の前記第１面（４１）及び第２面（４２）の一方に形成される導電層（４３）とを備え、該導電層（４３）は、凹凸形状をなすように形成されたことを要旨とする。
【０００８】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、静電チャックに関して消費電圧の増大を抑制しつつ吸引力の強力化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した第１の実施形態を説明する。
まず、本実施形態のレチクルブランクスについて図１及び図２に基づき説明する。なお、図１及び図２において、後述する各突起４６は、レチクルブランクスＲＢに対する相対的な大きさが実際よりも誇張された状態で図示されている。
【００１１】
図１及び図２に示すように、レチクルブランクスＲＢは、低膨張ガラスなどの薄板を矩形状に加工したブランクス本体４０と、ブランクス本体４０の第１面４１（図１では上面）側に形成された導電層４３とを備える。ブランクス本体４０は、第１面４１及び該第１面４１の反対側の第２面４２（図１では下面）の平面度がそれぞれ略５０ｎｍとなるように形成されている。
【００１２】
また、導電層４３は、その厚みが略１μｍとなるように成膜される。そして、この導電層４３に、後述する突起４６を形成するためのリソグラフィ処理及びエッチング処理を含む各種プロセス処理を施すことによって、ブランクス本体４０から離れる方向に延びる円柱形状の多数の突起４６が、所定間隔をおいて規則的に形成される。すなわち、導電層４３の表面（図１では上面）は、凹凸形状を備える構成である。このような導電層４３のうち突起４６が形成されていない凹状部分は、膜応力の低減を図るため、その厚みが１０〜１００ｎｍ（例えば５０ｎｍ）となるように形成されている。
【００１３】
また、各突起４６の先端面４７は、導電層４３の表面で形成されているため、導電層４３の成膜精度がそのまま維持されている。したがって、各突起４６のそれぞれには、研磨などの平坦化処理を施さなくてもよい。また、各突起４６は、図１に示すように、ブランクス本体４０の第１面４１からの高さが略１μｍとなるようにそれぞれ形成されている。さらに、各突起４６は、それぞれの先端面４７の総面積における導電層４３全体の面積に対する面積比が略５％となるようにそれぞれ形成されている。なお、導電層４３全体の面積とは、各突起４６の先端面４７の総面積と凹状部分の面積との総和であって、各突起４６の側面の面積は含まれない。
【００１４】
本実施形態におけるレチクルブランクスＲＢは、ブランクス本体４０の第１面４１に設けられた導電層４３と、この導電層４３に形成された複数の突起４６とを備える構成である。なお、レチクルブランクスＲＢは、図３に示すように、ブランクス本体４０の第１面４１と反対側のブランクス本体４０の第２面４２に、反射層４４を形成し、さらに該反射層４４上に吸収層４５を形成した構成であってもよい。
【００１５】
次に、上記レチクルブランクスＲＢを使用したレチクルＲについて説明する。
図５に示すように、上述したレチクルブランクスＲＢを使用してレチクルＲを構成する場合には、ブランクス本体４０の第２面４２に、反射層４４を形成し、該反射層４４上に吸収層４５を形成する。そして、この吸収層４５に対して、リソグラフィ処理及びエッチング処理を含む各種プロセス処理を施すことにより、吸収層４５には、電子デバイス用の回路パターン等が形成される。
【００１６】
次に、このレチクルＲを静電吸着する静電チャック２１を備える露光装置の構成について説明する。
図４に示すように、本実施形態の露光装置１１は、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ１２（図４では二点鎖線で示す。）内に設置されている。この露光装置１１は、露光光源１３と、照明光学系１４と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを保持するレチクルステージ１５と、投影光学系１６と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを保持するウエハステージ１７とを備えている。なお、本実施形態の露光光源１３としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源は、波長が５〜２０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）となるＥＵＶ光を出力する。
【００１７】
照明光学系１４は、露光光源１３側から順に配置された反射型のコリメート用ミラー１８及びコンデンサミラー１９を備えている。これら各ミラー１８，１９の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。そして、コンデンサミラー１９に反射された露光光ＥＬは、コンデンサミラー１９よりもレチクルＲ側に配置された折り返し用の反射ミラー２０により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。
【００１８】
レチクルステージ１５は、後述する投影光学系１６の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着する双極型の静電チャック２１と、該静電チャック２１を介してレチクルＲの温度を調整するための図示しない冷却装置と、レチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させるための図示しない移動機構とを備えている。そして、レチクルＲにおいて上記パターンが形成された被照射面（即ち、図４における下面）で反射された露光光ＥＬは、投影光学系１６に導かれる。なお、本実施形態では、上述したレチクルＲが静電チャック２１に静電吸着される場合、図５に示すように、レチクルＲは、その第１面４１が＋Ｚ方向側（図５では上側）に位置すると共に、その第２面４２が−Ｚ方向側（図５では下側）に位置するように配置される。
【００１９】
図４に示すように、投影光学系１６は、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー２３，２４，２５，２６，２７，２８を備えている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー２３、第２ミラー２４、第３ミラー２５、第４ミラー２６、第５ミラー２７、第６ミラー２８の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷに導かれる。なお、各ミラー２３〜２８のうち第１ミラー２３、第２ミラー２４、第４ミラー２６及び第６ミラー２８は凹面鏡である一方、第３ミラー２５及び第５ミラー２７は凸面鏡である。
【００２０】
ウエハステージ１７は、ウエハＷを静電吸着する双極型の静電チャック２９と、該静電チャック２９を介してウエハＷの温度を調整するための図示しない冷却装置と、ウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させるための図示しない移動機構とを備えている。そして、レチクルＲのパターン面の一部に円弧形状の照明領域を設定した状態で、レチクルＲとウエハＷとを相対的に同期移動させつつ投影光学系１６から射出された露光光ＥＬをウエハＷの表面を照射させることにより、ウエハＷにレチクルＲ上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターン像が投影転写される。
【００２１】
次に、レチクルステージ１５の静電チャック２１について説明する。
図５に示すように、静電チャック２１は、比誘電率の高い材料（例えば炭化珪素）から形成された略直方体状のチャック本体３０を備え、該チャック本体３０内には、Ｙ軸方向、即ちレチクルステージ１５の移動方向において互いに隣り合う第１電極部３１と第２電極部３２とが設けられている。これら各電極部３１，３２のうち第１電極部３１には、第１直流電源３３から正の電荷が供給される一方、第２電極部３２には、第２直流電源３４から負の電荷が供給されるようになっている。そして、各電極部３１，３２に各直流電源３３，３４から電圧が個別に印加されることにより、チャック本体３０の−Ｚ方向側（図５における下面）に形成された平面状の吸着面３５には、レチクルＲが静電吸着される。
【００２２】
このようにレチクルＲが静電チャック２１に静電吸着される場合には、図６に示すように、各突起４６の先端面４７がチャック本体３０の吸着面３５に密着する。すなわち、チャック本体３０において各電極部３１，３２とレチクルＲとの間の誘電層３０Ａには、誘電分極が発生する結果、吸着面３５にレチクルＲにおける各突起４６の先端面４７が静電吸着される。この際、吸着面３５とレチクルＲとの間に塵埃などの異物Ｂがあった場合、該異物Ｂは、多数の突起４６の間に形成される隙間４８内に逃れることになる。なお、このように形成されたレチクルＲに対する静電チャック２１の吸着力は、以下に示す関係式（式１）に基づき演算される。
【００２３】
【数１】
2009177126.tif 000003
【００２４】
ただし、Ｐ…吸着力、ε0 …真空の誘電率（＝略８．８５× １０-12ｍ-3ｋｇ-1ｓ4Ａ2）、ε1 …誘電層の比誘電率（誘電層の誘電率と真空の誘電率との比）、ｄ1 …誘電層の厚み、ｄ2 …突起の高さ、Ｓ1 …吸着面に接触する部分の面積、Ｓ2 …吸着面に接触しない部分の面積、Ｖ…静電チャックに印加される電圧
そして、上記関係式（式１）に基づく演算結果を図７のグラフに示す。この図７には、静電チャック２１によるレチクルＲの吸着力Ｐと静電チャック２１に印加される電圧Ｖとの関係が示されている。なお、誘電層３０Ａの比誘電率ε1 は略５００であるものとし、誘電層３０Ａの厚みｄ1 は略２ｍｍであるものとする。
【００２５】
次に、各突起４６の高さｄ2 の値を変化させた場合の電圧Ｖと吸着力Ｐとの関係を図６及び図７に基づき説明する。
従来のように高さが数十μｍ、例えば５０μｍの突起が静電チャック２１側に多数形成された構成である場合、２０ｋＰａの吸着力Ｐを得ようとするためには、静電チャック２１に対して７００Ｖの電圧Ｖを印加する必要があった。なお、この値は、実験によって得られた実測値である。
【００２６】
この点、図６及び図７に示すように、本実施形態のようにレチクルＲに５０μｍより低い突起４６を多数設けた場合には、静電チャック２１側に５０μｍよりも高い突起を多数設けた場合に比して、電圧Ｖを大きくすることなく吸着力Ｐを強くすることができる。具体的には、各突起４６の高さｄ2 が０．５μｍである場合において２０ｋＰａの吸着力Ｐを得ようとするときは、静電チャック２１に対して３００Ｖの電圧Ｖを印加すればよい。また、各突起４６の高さｄ2 が１μｍである場合には３３０Ｖの電圧Ｖを静電チャック２１に印加すればよい。
【００２７】
すなわち、本実施形態の構成では、従来の構成の場合に比して半分以下の大きさの電圧Ｖで、レチクルＲを静電チャック２１に静電吸着させるために十分な大きさの吸着力Ｐを得ることができる。そのため、本実施形態の静電チャック２１では、レチクルＲを静電吸着する際にチャック本体３０自体で発熱する発熱量が従来の構成の場合に比して十分に少なくなる。したがって、レチクルステージ１５に設けられた図示しない冷却装置の付加が低減される。
【００２８】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
本実施形態では、従来において静電チャック２１側に設けていたピンの代わりに、第１面４１上の導電層４３を、凹凸形状をなすように形成した。導電層４３の凸状部分の先端の平面度は、平面度の高い第１面４１上に形成された導電層４３に形成されたものであるため、研磨を施さなくても十分に高い。その結果、導電層４３の凸状部分の高さを、後に研磨をする必要がないために従来におけるピンの高さに比して低くできる。したがって、本実施形態のレチクルブランクスＲＢから形成されたレチクルＲを静電チャック２１に静電吸着させるに際し、静電チャック２１での消費電圧の増大を抑制しつつ吸着力を強くすることができる。
【００２９】
さらに、このようなレチクルＲを用いることにより以下に示す具体的な効果を得ることができる。
（１）本実施形態のレチクルブランクスＲＢは、平面度の高いブランクス本体４０の第１面４１に形成された導電層４３に各突起４６を形成した。このような各突起４６は、各種プロセル処理をレチクルブランクスＲＢに対して施して形成されているため、研磨を施さなくても先端面の平面度が十分に確保される。そのため、本実施形態では、研磨代を考慮しなくてもよい。
【００３０】
（２）本実施形態のレチクルＲは、多数の突起４６が既に形成されたレチクルブランクスＲＢから作成されるため、静電チャック２１側に多数の突起を設ける従来構成の場合に比して各突起４６を低くすることが可能になる。その結果、導電層４３のうち突起４６が形成されていない凹状部分とチャック本体３０の吸着面３５との間隔が狭くなるため、吸着面３５と各突起４６の先端面４７との間だけではなく吸着面３５と導電層４３の凹状部分との間でも吸着力が働くため、従来の場合に比して小さい電圧Ｖで大きな吸着力Ｐを得ることができる。
【００３１】
（３）また、レチクルブランクスＲＢの導電層４３に形成される各突起４６は、それぞれ円柱形状をなしているため、例えば円錐状をなす突起４６が導電層４３に多数形成される場合に比して突起４６の本数が少なくても、導電層４３のうち吸着面３５に密着する部分の総面積を広くできる。
【００３２】
なお、各突起４６の先端面４７の総面積の導電層４３全体の面積に対する面積比は１０％以下にすることが望ましい。特に、面積比は３〜１０％であることがさらに望ましい。もし仮に各突起４６の先端面４７の総面積の導電層４３全体の面積に対する面積比が３％未満であったとすると、導電層４３のうちチャック本体３０の吸着面３５と密着する部分の総面積が狭くなり、静電チャック２１によるレチクルＲの吸着力Ｐが低下してしまうおそれがある。一方、もし仮に各突起４６の先端面４７の総面積の導電層４３全体の面積に対する面積比が１０％よりも大きかったとすると、導電層４３に形成される突起４６の本数が多くなったり、各突起４６の体積が大きくなったりするおそれがある。このような場合、チャック本体３０の吸着面３５とレチクルＲとの間に存在する異物Ｂの逃げ場所である隙間４８が狭くなってしまい、吸着面３５と突起４６の先端面４７との間に異物Ｂが介在し、レチクルＲに形成されたパターン面が変形する可能性がある。すなわち、ウエハＷに転写されるパターン像の形状に影響を与えるおそれがある。
【００３３】
そこで、本実施形態では、各突起４６の先端面４７の総面積の導電層４３全体の面積に対する面積比が３〜１０％（即ち、５％）となるように各突起４６が形成されるため、静電チャック２１によるレチクルＲの吸着力Ｐを十分に確保できる。また、静電チャック２１の吸着面３５とレチクルＲとの間に存在し、且つウエハＷに形成されるパターン像の形状に影響を与え得る異物Ｂを上記隙間４８内に逃がすことができる。
【００３４】
（４）もし仮に各突起４６の高さｄ2 が０．５μｍ以下であったとすると、ウエハＷに形成されるパターン像の形状に影響を与え得る異物Ｂを隙間４８内に収容しきれないおそれがある。この点、本実施形態では、各突起４６の高さｄ2 が０．５μｍ以上となるように各突起４６が形成されているため、静電チャック２１の吸着面３５とレチクルＲとの間に異物Ｂが存在したとしても、該異物Ｂを各突起４６の間の隙間４８内に確実に逃がすことができる。
【００３５】
（５）従来のようにチャック本体３０に多数の突起を形成した場合には、該各突起の角から微小粒子が脱粒し、異物Ｂの発生の原因となっていた。この点、本実施形態では、チャック本体３０には突起を設けないため、チャック本体３０側から微小粒子が脱粒することを回避できる。すなわち、静電チャック２１とレチクルＲとの間で異物Ｂが発生する可能性を低減できる。
【００３６】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図８及び図９に従って説明する。なお、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００３７】
初めに、レチクルＲの構成について図８（ａ）（ｂ）に基づき説明する。
図８（ａ）（ｂ）に示すように、レチクルＲは、第１の実施形態と同様に、矩形板状のブランクス本体４０と、該ブランクス本体４０の第１面４１側に形成された導電層４３と、ブランクス本体４０の第２面４２側に形成された反射層４４と、該反射層４４上に形成された吸収層４５とを備えている。導電層４３は、クロムや窒化クロムなどの導電材料を含んだものである。また、反射層４４は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との組からなる膜を４０組程度積層した多層膜で構成されている。
【００３８】
ここで、導電層４３は、該導電層４３を構成する材料の特性によって、ブランクス本体４０の第１面４１上で収縮しようとする。また、反射層４４は、該反射層４４を構成する材料の特性によって、ブランクス本体４０の第２面４２に沿って延びようとする。そのため、ブランクス本体４０には、導電層４３の収縮応力及び反射層４４の引っ張り応力が作用する。その結果、レチクルＲは、その中央部分が−Ｚ方向側（図８（ａ）（ｂ）では下側）に歪む。すなわち、レチクルＲの被照射面Ｒａが凸状に変形すると共に、レチクルＲの被照射面Ｒａの反対側の被吸着面が凹状に変形する。なお、本実施形態の被照射面Ｒａの形状は、その中央部分（即ち、被照射面Ｒａのうち最も−Ｚ方向側（図８（ａ）では下側）となる部位）とその縁部（即ち、被照射面Ｒａのうち最も＋Ｚ方向側（図８（ａ）では上側）となる部位）との差ｈｒが略１μｍ（マイクロメータ）となるように変形した形状である。
【００３９】
次に、こうしたレチクルＲを静電吸着する静電チャック２１について説明する。
図８（ａ）（ｂ）に示すように、静電チャック２１のチャック本体３０の吸着面３５は、＋Ｘ方向（図８（ａ）では紙面手前側）や−Ｘ方向（図８（ａ）では紙面奥手側）から見た場合の形状が円弧状となるように形成されると共に、Ｘ軸方向における各部位の曲率が略同等となるように形成されている。すなわち、チャック本体３０をＸ軸方向における複数の部位で切断した際の各部位の断面形状は、略同一である。また、吸着面３５において、中央部分（即ち、吸着面３５のうち最も−Ｚ方向側となる部位）と縁部（即ち、吸着面３５のうち最も＋Ｚ方向側となる部位）との差ｈｃは、２０μｍ以下の差（例えば１０μｍ）に設定されており、上記レチクルＲ側の差ｈｒよりも大きい。すなわち、吸着面３５の曲率は、レチクルＲの曲率よりも大きい。
【００４０】
また、チャック本体３０内には、図８（ｂ）に示すように、Ｙ軸方向に延びる複数（本実施形態では５つ）の第１電極部３１がＸ軸方向（図８（ｂ）では左右方向）に沿って配置されている。また、チャック本体３０内において各第１電極部３１の−Ｘ方向側には、第１電極部３１に対応してＹ軸方向に延びる第２電極部３２がそれぞれ配置されている。そして、チャック本体３０の吸着面３５にレチクルＲを静電吸着させる場合、第１直流電源３３からは、Ｘ軸方向における中央に位置する第１電極部３１に正の電荷が供給される一方、第２直流電源３４からは、Ｘ軸方向における中央に位置する第２電極部３２に負の電荷が供給される。その次に、各直流電源３３からは、正の電荷や負の電荷が供給される電極部３１，３２とＸ軸方向で隣接する両電極部３１，３２に正の電荷や負の電荷がそれぞれ供給され、その後、Ｘ軸方向において最も外側に位置する両電極部３１，３２に正の電荷や負の電荷がそれぞれ供給される。
【００４１】
なお、チャック本体３０内には、Ｘ軸方向で互いに隣り合う電極部３１，３２同士の間に図示しない絶縁層が設けられている。そのため、チャック本体３０の吸着面３５のうち正の電荷や負の電荷が供給される電極部３１，３２とＸ軸方向において位置対応する部分からは、レチクルＲに対して吸着力が付与される。一方、チャック本体３０の吸着面３５のうち正の電荷や負の電荷が供給されない電極部３１，３２とＸ軸方向において位置対応する部分からは、レチクルＲに対して吸着力が付与されない。
【００４２】
次に、本実施形態の静電チャック２１にレチクルＲを静電吸着させる際の作用について説明する。
さて、各電極部３１，３２のうちＸ軸方向における中央に位置する電極部３１，３２に電荷がそれぞれ供給されると、レチクルＲのうち該電荷が供給される電極部３１，３２にＸ軸方向において位置対応する部位が、チャック本体３０の吸着面３５に静電吸着される。この際、レチクルＲは、レチクルＲのうち吸着面３５に最も接近した位置、即ちレチクルＲのＹ軸方向における中央部分が、吸着面３５に最初に静電吸着された後、レチクルＲのうちＹ軸方向における中央部分から離間した部位が、吸着面３５に静電吸着される。
【００４３】
そして次に、最初に電荷が供給された電極部３１，３２に対して、Ｘ軸方向において隣接する両電極部３１，３２に電荷がそれぞれ供給されると、レチクルＲのうち該電荷が供給される電極部３１，３２に対応する部位が、吸着面３５に静電吸着される。この際も、レチクルＲは、Ｚ軸方向において吸着面３５に近い部位から順に吸着面３５に静電吸着される。最後に、Ｘ軸方向において最も外側に位置する両電極部３１，３２に電荷がそれぞれ供給される。この際も、レチクルＲは、Ｚ軸方向において吸着面３５に近い部位から順番に吸着面３５に静電吸着される。すなわち、本実施形態のチャック本体３０は、レチクルＲを該レチクルＲの中央部分から周縁部に向かって順次静電吸着する。
【００４４】
なお、本実施形態の露光装置１１には、レチクルＲに形成される照射領域（露光光ＥＬにて照明される領域）のＺ軸方向における高さ位置を計測可能な図示しない計測装置が設けられている。この計測装置には、Ｚ軸方向と交差する方向に向けて計測光を発光可能な複数（例えば３つ）の発光器（例えばハロゲンランプやレーザ）が設けられており、該各発光器から出力された計測光は、照射領域内において互いに異なる位置に入射する。なお、これら各位置は、Ｙ軸方向において互いに異なるようにそれぞれ設定される。
【００４５】
また、計測装置には、レチクルＲの照射領域の各位置で反射された計測光を受光可能な複数（例えば３つ）の受光器（例えばＣＣＤ）が設けられている。これら各受光器は、レチクルＲの照射領域にて反射した計測光を受光した際のＺ軸方向における受光位置に応じた検出信号を図示しない算出装置にそれぞれ出力する。続いて、算出装置は、各受光器からの各検出信号に基づき現時点の照射領域のＺ軸方向における位置をそれぞれ算出し、該算出結果を図示しない制御装置に送信する。そして、制御装置は、算出装置から受信した、現時点の照射領域のＺ軸方向における位置に関する情報を制御装置自身が備えるＲＡＭに記憶させる。すなわち、制御装置のＲＡＭには、レチクルＲ内における照射領域のＹ軸方向における位置と該照射領域のＺ軸方向における位置との関係が記憶される。
【００４６】
そして、制御装置は、露光を行うためにレチクルＲを−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側に移動させる際、レチクルＲに形成される照射領域のＺ軸方向における位置が変化しないように、レチクルＲを静電吸着するチャック本体３０を変位させる。
【００４７】
次に、本実施形態のレチクルＲの移動について、図９（ａ）（ｂ）に基づき説明する。
さて、レチクルＲが静電チャック２１に静電吸着された後、レチクルＲは、上記移動機構の駆動によって、レチクルＲの被照射面Ｒａのうち最も−Ｙ方向側（図９では左側）に形成されたパターンが露光光ＥＬに照射されるように調整される。すなわち、被照射面Ｒａのうちパターンが形成されたパターン領域のうち最も−Ｙ方向側の領域が、上記照射領域に設定される。そして、レチクルＲの被照射面Ｒａにおける現時点の照射領域が露光光ＥＬによって照射されると、上記移動機構の駆動によってレチクルＲが−Ｙ方向に所定ストロークだけ移動すると共に、上記移動機構の駆動によってウエハＷがレチクルＲに同期して−Ｙ方向に移動する。
【００４８】
すると、レチクルＲの被照射面Ｒａ内において露光光ＥＬが照射される照射領域は、＋Ｙ方向側（図９では右側）に所定ストロークだけ変位する。この際、レチクルＲがＹ軸方向に移動しても被照射面Ｒａの照射領域と投影光学系１６とのＺ軸方向における位置関係を維持させるべく、図９（ａ）（ｂ）に示すように、静電チャック２１が移動する。すなわち、レチクルＲがＹ軸方向に移動したとしても、Ｚ軸方向における照射領域の位置が調整される。
【００４９】
こうしたレチクルＲの移動によって、レチクルＲのうち最も＋Ｙ方向側のパターン付近が照射領域に設定されると、該照射領域への露光光ＥＬの照射が完了する。その結果、ウエハＷの一つのショット領域には、所定のパターンが形成される。
【００５０】
本実施形態の静電チャック２１は、導電層４３や反射層４４からの応力によって撓んだレチクルＲの被照射面Ｒａの平坦度を維持した状態で該レチクルＲを吸着面３５に静電吸着させることができる。したがって、ウエハＷにパターンを形成させる際に、許容できないディストーションが発生することを抑制できる。
【００５１】
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・第１の実施形態において、静電チャック２１の吸着面３５は、該吸着面３５にレチクルＲが静電吸着されたことに起因してレチクルＲの上記パターンが変形しないのであれば、任意の形状であってもよい。例えば、吸着面３５は、その一部分のみが平面状をなす形状であってもよい。
【００５２】
・各実施形態において、静電チャック２１は、双曲型ではなく単極型の静電チャックであってもよい。この場合、吸着面３５にて静電吸着するレチクルＲの導電層４３をグランドに接地させる構成を設けることが望ましい。
【００５３】
・各実施形態において、チャック本体３０は、比誘電率の高い材料であれば、炭化珪素以外に、誘電体などの絶縁性材料（例えばセラミック）から構成されたものであってもよい。
【００５４】
・各実施形態において、レチクルブランクスＲＢの第１面は、レチクルＲが静電チャック２１に静電吸着される際に＋Ｚ方向側となる面ではなく、−Ｚ方向側となる面に規定してもよい。この場合、レチクルブランクスＲＢの第２面は、レチクルＲが静電チャック２１に静電吸着される際に＋Ｚ方向側となる面になり、導電層４３はレチクルブランクスＲＢの第２面側に形成されることになる。
【００５５】
・各実施形態において、導電層４３における各突起４６の本数は、各突起４６の先端面４７の総面積の導電層４３全体の面積に対する面積比が１０％以下となる範囲内であれば、任意の本数であってもよい。
【００５６】
・各実施形態において、ブランクス本体４０は、低膨張ガラス以外に、シリコン基板、石英などの他の薄板であってもよい。
・各実施形態において、導電層４３に形成される各突起４６は、四角柱などの多角柱形状をなすものであってもよい。また、各突起４６は、円錐などの錐形状をなすものであってもよい。
【００５７】
また、導電層４３には、図１０に示すように、突起４６の代わりに、複数本のリブ５０を形成してもよい。
さらに、導電層４３には、図１１に示すように、網目状をなす凸部５１を形成してもよい。
【００５８】
また、導電層４３には、環状をなす凸部を形成してもよい。
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【００５９】
・各実施形態の露光装置１１は、マスクと基板とが相対移動した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパ、及び、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のステッパを問わず適用することができる。
【００６０】
・各実施形態において、ＥＵＶ光を出力可能な露光光源１３として、放電型プラズマ光源を用いてもよい。
・各実施形態において、露光装置１１は、ＥＢ（Electron Beam ）を露光光ＥＬとして用いる露光装置であってもよい。
【００６１】
・各実施形態において、露光光源１３は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を出力可能な光源であってもよい。また、露光光源１３は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。これらのような露光光源１３を用いた場合には、露光装置１１を、非真空雰囲気内に設置してもよい。
【００６２】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１２は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００６３】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００６４】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６５】
図１３は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００６６】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第１の実施形態のレチクルブランクスを示す概略断面図。
【図２】レチクルブランクスを示す概略平面図。
【図３】パターンが形成される前のレチクルブランクスを示す概略断面図。
【図４】露光装置を示す概略構成図。
【図５】静電チャックにレチクルが静電吸着された状態を模式的に示す断面図。
【図６】図５における一部拡大図。
【図７】吸引力と静電チャックに印加される電圧との関係を示すグラフ。
【図８】（ａ）は第２の実施形態のレチクル及び静電チャックを模式的に示す側面図、（ｂ）は図８（ａ）の８−８線矢視断面図。
【図９】（ａ）（ｂ）は第２の実施形態のレチクルが移動する様子を示す作用図。
【図１０】別の実施形態のレチクル又はレチクルブランクスを示す概略平面図。
【図１１】他の別の実施形態のレチクル又はレチクルブランクスを示す概略平面図。
【図１２】デバイスの製造例のフローチャート。
【図１３】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【符号の説明】
【００６８】
１１…露光装置、１３…露光光源、１５…マスク保持装置としてのレチクルステージ、１６…投影光学系、１７…基板保持装置としてのウエハステージ、２１…静電チャック、３５…吸着面、４０…ブランクス本体、４１…第１面、４２…第２面、４３…導電層、４４…反射層、４５…吸収層、４６…凸状部分としての突起、５０…凸状部分としてのリブ、５１…凸状部分としての凸部、ＥＬ…露光光、Ｒ…マスクとしてのレチクル、ＲＢ…マスクブランクスとしてのレチクルブランクス、Ｗ…基板としてのウエハ。
【図１】
2009177126.tif 000004
【図２】
2009177126.tif 000005
【図３】
2009177126.tif 000006
【図４】
2009177126.tif 000007
【図５】
2009177126.tif 000008
【図６】
2009177126.tif 000009
【図７】
2009177126.tif 000010
【図８】
2009177126.tif 000011
【図９】
2009177126.tif 000012
【図１０】
2009177126.tif 000013
【図１１】
2009177126.tif 000014
【図１２】
2009177126.tif 000015
【図１３】
2009177126.tif 000016