(57)【要約】【課題】排気ラインからポンプを取り外す際の液状排出物の外部への垂れ落ちを防止する。【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内にガスを供給する供給ラインと、処理室２０１内を排気する排気ラインと、排気ラインに接続され、処理室２０１内を真空排気するポンプ２４６と、排気ラインのポンプ２４６よりも上流側に設けられ、ポンプ２４６を排気ラインから取り外す際に閉じられ、それ以外は開かれた状態とされるストップバルブ２６８と、を備える。【選択図】図１
2009177083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給する供給ラインと、前記処理室内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに接続され、前記処理室内を真空排気するポンプと、前記排気ラインの前記ポンプよりも上流側に設けられ、前記ポンプを前記排気ラインから取り外す際に閉じられ、それ以外は開かれた状態とされるストップバルブと、を備えた基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置を製造するための基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、基板処理装置には、基板を処理するための処理室と、処理室内を排気するガス排気ラインと、処理室内に原料ガスやキャリアガスを導入するためのガス導入ラインとが設けられ、ガス排気ラインに、処理室内を真空排気するためのポンプと除害装置とが設けられる。
また、常温で液体の原料、例えば、有機金属液体原料をガス化して基板処理を行う場合は、基板処理装置には、液体原料を気化するための気化器と、液体原料を気化した原料ガスを処理室内に導入するためのキャリアガスラインとが設けられる。
気化器及びキャリアガスラインは、ガス導入ラインの上流部に接続される。
気化器により気化された原料ガスは、ガス導入ライン中でキャリアガスの攪拌を受けた後に、キャリアガスと共に処理室内に導入される。キャリアガスとしては、不活性ガス、例えば、Ｎ２ガス等が用いられる。
処理室内に導入された原料ガスの余剰分や処理により生成された反応生成物はガス排気ラインより排出され、ポンプよりも下流側の除害装置によって無害化処理される。
基板処理を繰り返し、ポンプのメンテナンス時期に到達すると、ポンプが交換され、ポンプに付着した原料や反応生成物が除去される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、排気ラインは処理室よりも低温であり、ガスが液化しやすいので、ポンプを排気ラインから取り外したときに、排気ライン内に付着し、滞留している液状排出物が液垂れにより外部に垂れ落ちる（漏洩する）危険性があり、メンテナンス作業者が危険にさらされることがあった。
なお、このような液状排出物は、常温で液体の液体原料を使用する場合に生じやすい。
【０００４】
本発明は排気ラインからポンプを取り外す際の液状排出物の外部への垂れ落ちを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の好ましい態様は、基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給する供給ラインと、前記処理室内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに接続され、前記処理室内を真空排気するポンプと、前記排気ラインの前記ポンプよりも上流側に設けられ、前記ポンプを前記排気ラインから取り外す際に閉じられ、それ以外は開かれた状態とされるストップバルブと、を備えて構成される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、ポンプを排気ラインから取り外すときに、ストップバルブが閉とされるので、排気ラインから外部への液状排出物の垂れ落ちが防止され、誤って人体に付着する等、メンテナンス作業者が危険にさらされることが防止される。
また、ポンプを取り外すとき以外は、ストップバルブは開とされるので、排気ラインによる排気が可能となり、基板処理を従来と同様に、実施することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【０００８】
先ず、図１を参照して本実施形態に係る基板処理装置について説明し、次に、図１及び図２を参照して本実施形態に係る排気ラインの液垂れ防止装置について説明する。
＜基板処理装置＞
図１は本発明の実施形態に係る基板処理装置の処理炉の一例を示す概略構成図である。
図１に示すように、基板処理装置には、基板２００を処理するため処理室２０１が設けられる。処理室２０１は処理容器２０２により形成され、処理容器２０２内には支持台２０６が設けられている。支持台２０６の上面には、基板２００を支持する支持板としてのサセプタ２１７が設けられる。支持台２０６の内部には、サセプタ２１７を介して基板２００を加熱するヒータ２０７が設けられる。ヒータ２０７によりサセプタ２１７が加熱されると、サセプタ２１７からの伝熱により基板２００が加熱され、昇温される。ヒータ２０７は、基板２００の温度が所定温度、すなわち、基板処理温度になるように、温度制御部（温度制御手段）としての温度コントローラ２５３により温度制御される。サセプタ２１７に載置される基板２００は、例えば、半導体シリコンウエハ、ガラス基板等である。
【０００９】
処理室２０１の外部には、回転機構（回転手段）２６７が設けられる。回転機構２６７は、処理室２０１内の支持台２０６を回転させて、サセプタ２１７上の基板２００を回転させるようになっている。また、処理室２０１の外部には、昇降機構（昇降手段）２６６が設けられており、支持台２０６がこの昇降機構２６６によって、処理室２０１内において昇降されるように構成されている。
【００１０】
処理室２０１の上部には多数のガス噴出口としての孔２４０を有するシャワーヘッド２３６がサセプタ２１７と対向するように設けられる。
シャワーヘッド２３６は、内部に供給されたガスを分散させる分散板２３６ａと、分散板２３６ａにより分散させたガスを処理室２０１内にシャワー状に噴出させるシャワー板２３６ｂとを有する。
シャワーヘッド２３６の天井部と分散板２３６ａとの間には第１バッファ空間２３６ｃが設けられ、分散板２３６ａとシャワー板２３６ｂとの間には第２バッファ空間２３６ｄが設けられる。
【００１１】
処理室２０１の外部には、液体原料である第１原料を供給する第１原料供給源２５０ａ及び同じく液体原料である第２原料を供給する第２原料供給源２５０ｄが設けられる。
第１原料供給源２５０ａには第１液体原料供給管２３２ａが接続され、第２原料供給源２５０ｄには第２液体原料供給管２３２ｄが接続される。
また、第１液体原料供給管２３２ａ、第２液体原料供給管２３２ｄには、それぞれ原料の液体供給流量を制御する流量制御器（流量制御手段）としての液体流量コントローラ（液体マスフローコントローラ）２４１ａ、２４１ｄを介して、原料を気化する気化器２５５ａ、２５５ｄが接続される。
気化器２５５ａ、２５５ｄにはそれぞれ第１原料ガス供給管２３２ａ´、第２原料ガス供給管２３２ｄ´が接続されており、第１原料ガス供給管２３２ａ´、第２原料ガス供給管２３２ｄ´は、それぞれバルブ２４３ａ、２４３ｄを介してシャワーヘッド２３６に接続されている。液体原料としては、例えば、常温で液体の有機金属材料、すなわち、有機金属液体原料が用いられる。
【００１２】
また、処理室２０１の外部には、非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給源２５０ｃが設けられ、不活性ガス供給源２５０ｃには不活性ガス供給管２３２ｃが接続される。不活性ガス供給管２３２ｃの途中には、不活性ガスの供給流量を制御する流量制御器としてのガス流量コントローラ（マスフローコントローラ）２４１ｃが設けられる。
不活性ガス供給管２３２ｃはガス流量コントローラ２４１ｃよりも下流側で２つの供給
管に分岐しており、分岐した一方の供給管は、バルブ２４３ｃを介して第１原料ガス供給管２３２ａ´に接続され、分岐した他方の供給管は、バルブ２４３ｅを介して第２原料ガス供給管２３２ｄ´に接続される。
不活性ガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ２等が用いられる。
【００１３】
第１原料ガス供給管２３２ａ´では、気化器２５５ａにて第１原料を気化して得られた第１原料ガスと不活性ガス供給管２３２ｃからの不活性ガスとが混合され、第２原料ガス供給管２３２ｄ´では気化器２５５ｄにて気化して得られた第２原料ガスと不活性ガス供給管２３２ｃからの不活性ガスとが混合され、混合されたガスは、シャワーヘッド２３６の第１バッファ空間２３６ｃにそれぞれ供給されるようになっている。また、第１原料ガス供給管２３２ａ´、第２原料ガス供給管２３２ｄ´、不活性ガス供給管２３２ｃにそれぞれ設けられたバルブ２４３ａ、２４３ｄ、２４３ｃ、２４３ｅを開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御することが可能になっている。
【００１４】
また、処理室２０１の外部には、酸素ガス（Ｏ２）からオゾンガス（Ｏ３）を生成するオゾナイザ２２２が設けられる。オゾナイザ２２２の上流側には、酸素ガス供給管２３２ｂが設けられる。この酸素ガス供給管２３２ｂには、酸素ガス供給源２５０ｂが接続され、酸素ガスをオゾナイザ２２２に供給するようになっている。
酸素ガス供給管２３２ｂには、酸素ガスの供給流量を制御する流量制御器としてのガス流量コントローラ２４１ｂとバルブ２４３ｂとが設けられる。このバルブ２４３ｂを開閉することより、酸素ガスの供給を制御することが可能となっている。
オゾナイザ２２２の下流側には、オゾンガス供給管２３２ｆが設けられる。
このオゾンガス供給管２３２ｆは、バルブ２４３ｆを介してシャワーヘッド２３６に接続され、シャワーヘッド２３６の第１バッファ空間２３６ｃにオゾナイザ２２２にて生成されたオゾンガスを供給するようになっている。
また、オゾンガス供給管２３２ｆに設けられたバルブ２４３ｆを開閉することにより、オゾンガスの供給を制御することが可能となっている。
第１原料ガス供給管２３２ａ´、第２原料ガス供給管２３２ｄ´、オゾンガス供給管２３２ｆ等により処理ガスを供給する供給ラインが構成される。
【００１５】
処理容器２０２の下部側壁には排気口２３０が設けられ、排気口２３０には、排気装置（排気手段）としての真空ポンプ２４６に連通する排気管２３１が接続され、排気管２３１の真空ポンプ２４６よりも下流側には除害装置２８０が設けられる。
また、排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を制御する圧力制御部（圧力制御手段）としての圧力コントローラ２５４と、原料を回収する原料回収トラップ２５１とが設けられる。排気口２３０と排気管２３１とによって排気ラインが構成される。
【００１６】
処理室２０１内の支持台２０６上には、シャワーヘッド２３６の第１バッファ空間２３６ｃ、分散板２３６ａ、第２バッファ空間２３６ｄ、シャワー板２３６ｂを介して供給されたガスの流れを調整する整流板としてのプレート２０５が設けられる。
プレート２０５は、円環状（リング状）に形成されており、基板２００と同心に基板２００の周囲に設けられる。
シャワーヘッド２３６を介して基板２００上に供給されたガスは基板２００の径方向外側に向かって流れ、プレート２０５上を通り、プレート２０５と処理容器２０２の側壁（内壁）との間を通って排気口２３０から排出される。
なお、基板外周部等、基板２００に膜を形成したくない箇所がある場合は、プレート２０５の内径を基板２００の外形よりも小さくして基板２００の外周部をプレート２０５により覆うようにしてもよい。この場合、基板搬送を可能とするために、プレート２０５を処理室２０１の基板処理位置に固定したり、プレート２０５を昇降させる機構を設けてもよい。
【００１７】
第１原料ガス供給管２３２ａ´、第２原料ガス供給管２３２ｄ´及びオゾンガス供給管２３２ｆには、排気管２３１に設けられた原料回収トラップ２５１に接続されるバイパス管（ベント管）２５２ａ、２５２ｃ、２５２ｂがそれぞれ設けられる。これらのバイパス管２５２ａ、２５２ｃ、２５２ｂには、それぞれバルブ２４３ｇ、２４３ｉ、２４３ｈが設けられる。
【００１８】
処理容器２０２の排気口２３０と反対側の側壁には、仕切弁としてのゲートバルブ２４４によって開閉される基板搬入搬出口２４７が設けられており、基板２００の処理室２０１内への搬入及び基板２００の処理室２０１からの搬出が可能となっている。
【００１９】
バルブ２４３ａ〜２４３ｉ、流量コントローラ２４１ａ〜２４１ｄ、温度コントローラ２５３、圧力コントローラ２５４、気化器２５５ａ、２５５ｄ、オゾナイザ２２２、回転機構２６７、昇降機構２６６等の基板処理装置を構成する各部の動作は、主制御部（主制御手段）としてのメインコントローラ２５６により制御される。
【００２０】
＜基板処理方法＞
次に、上述した処理炉を用いて半導体デバイスの製造工程の１工程として基板上に薄膜を形成（堆積）する方法について説明する。本実施の形態では、常温で液体である有機金属液体原料を用いて、ＣＶＤ法、特に、ＭＯＣＶＤ法又はＡＬＤ法により、基板上に金属膜や金属酸化膜等の薄膜を形成する場合について説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はメインコントローラ２５６により制御される。
【００２１】
支持台２０６が基板搬送位置まで下降した状態でゲートバルブ２４４が開かれ、基板搬入搬出口２４７が開放されると、基板移載機（図示せず）により基板２００が処理室２０１内に搬入される（基板搬入工程）。
基板２００が処理室２０１内に搬入され、図示しない突き上げピンに載置された後、ゲートバルブ２４４が閉じられる。
支持台２０６が基板搬送位置からそれよりも上方の基板処理位置まで上昇する。その間に基板２００は突き上げピン上からサセプタ２１７上に載置される（基板載置工程）。
支持台２０６が基板処理位置に到達すると、基板２００は回転機構２６７により鉛直軸回りに回転される。また、ヒータ２０７に電力が供給され、基板２００は所定の処理温度となるように均一に加熱される（基板昇温工程）。同時に、処理室２０１内は真空ポンプ２４６により真空排気され、所定の処理圧力となるように制御される（圧力調整工程）。
なお、基板搬送時や基板昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管２３２ｃに設けられたバルブ２４３ｃ、２４３ｅは、常時、開いた状態とされ、不活性ガス供給源２５０ｃより処理室２０１内に不活性ガスが、常時、流される。これにより、パーティクルや金属汚染物の基板２００への付着が防止される。
【００２２】
基板２００の温度、処理室２０１内の圧力が、それぞれ所定の処理温度、所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室２０１内に第１原料ガスが供給される。
すなわち、第１原料供給源２５０ａから供給された第１原料としての有機金属液体原料、例えば、Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＯＣＨ３］４（以下、Ｈｆ（ＭＭＰ）４と略す。但し、ＭＭＰ：メチルメトキシプロポキシ）が、第１液体原料供給管２３２ａを通り、液体流量コントローラ２４１ａで流量制御され、気化器２５５ａに供給されて気化される。
バルブ２４３ｇが閉じられると共にバルブ２４３ａが開かれ、気化された第１原料ガスが第１原料ガス供給管２３２ａ´を通り、シャワーヘッド２３６を介して基板２００上に供給される。このときもバルブ２４３ｃ、２４３ｅは開いたままの状態とされ、処理室２
０１内には不活性ガスが常に流される。
第１原料ガスと、不活性ガス、すなわち、キャリアガスは、第１原料ガス供給管２３２ａ´内で混合されてシャワーヘッド２３６に導かれ、第１バッファ空間２３６ｃ、分散板２３６ａ、第２バッファ空間２３６ｄ、シャワー板２３６ｂを介してサセプタ２１７上の基板２００上へシャワー状に供給される（第１原料ガス供給工程）。
基板２００に対して供給された第１原料ガスは、排気管２３１より排気される。
なお、第１原料ガスは、不活性ガスで希釈されることにより攪拌されやすくなる。
【００２３】
第１原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ２４３ａが閉じられ、第１原料ガスの基板２００への供給が停止される。
このときもバルブ２４３ｃ、２４３ｅは開いたままとされるので、処理室２０１内への不活性ガスの供給が維持される。
なお、処理室２０１内へ供給された不活性ガスは排気管２３１から排気される。
これにより処理室２０１内が不活性ガスによりパージされ、処理室２０１内の残留ガスが除去される（パージ工程）。
【００２４】
なお、この際に、バルブ２４３ｇを開き、第１原料ガスをバイパス管２５２ａより排気して、気化器２５５ａからの第１原料ガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。液体原料を気化して、気化した原料ガスを安定供給するまでには時間がかかるので、気化器２５５ａからの第１原料ガスの供給を停止することなく、処理室２０１をバイパスするように流しておくと、次の第１原料ガス供給工程では、流れを変えるだけで、直ちに第１原料ガスを基板２００に供給できる。
【００２５】
処理室２０１内のパージが所定時間行われた後、処理室２０１内に第２原料ガスが供給される。
すなわち、第２原料供給源２５０ｄから供給された第２原料としての有機金属液体原料、例えば、Ｓｉ［ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＯＣＨ３］４（以下、Ｓｉ（ＭＭＰ）４と略す。但し、ＭＭＰ：メチルメトキシプロポキシ）が、第２液体原料供給管２３２ｄを通り、液体流量コントローラ２４１ｄで流量制御され、気化器２５５ｄへ供給されて気化される。
バルブ２４３ｉが閉じられると共にバルブ２４３ｄが開かれ、気化された第２原料ガスが、第２原料ガス供給管２３２ｄ´を通り、シャワーヘッド２３６を介して基板２００上に供給される。
このときも、バルブ２４３ｅ、２４３ｃは開いたままとされるので、処理室２０１内には、不活性ガスが常に流される。
第２原料ガスと不活性ガスとは、第２原料ガス供給管２３２ｄ´内で混合されてシャワーヘッド２３６に導かれ、第１バッファ空間２３６ｃ、分散板２３６ａ、第２バッファ空間２３６ｄ、シャワー板２３６ｂを介してサセプタ２１７上の基板２００上にシャワー状に供給される（第２原料ガス供給工程）。
基板２００に対して供給された第２原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより攪拌されやすくなる。
【００２６】
第２原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ２４３ｄが閉じられ、第２原料ガスの基板２００への供給が停止される。このときもバルブ２４３ｅ、２４３ｃは開いたままとされるので、処理室２０１内への不活性ガスの供給が維持される。
なお、処理室２０１内に供給された不活性ガスは、排気管２３１から排気される。
これにより、処理室２０１内が不活性ガスによりパージされ、処理室２０１内の残留ガスが除去される（パージ工程）。
【００２７】
なお、この際、バルブ２４３ｉを開き、第２原料ガスをバイパス管２５２ｃより排気し
て、気化器２５５ｄからの第２原料ガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。
液体原料を気化し、気化した原料ガスを安定供給するまでには時間がかかるので、気化器２５５ｄからの第２原料ガスの供給を停止することなく、処理室２０１をバイパスするように流しておくと、次の第２原料ガス供給工程では、流れを変えるだけで、直ちに第２原料ガスを基板２００へ供給できる。
【００２８】
処理室２０１内のパージが所定時間行われた後、処理室２０１内に酸化剤としてのオゾンガス（Ｏ３）が供給される。すなわち、バルブ２４３ｂが開かれ、酸素ガス供給源２５０ｂから供給された酸素ガス（Ｏ２）が酸素ガス供給管２３２ｂを通り、ガス流量コントローラ２４１ｂで流量制御されてオゾナイザ２２２に供給されて、オゾンガスが生成される。
オゾンガスが生成された後、バルブ２４３ｈが閉じられると共にバルブ２４３ｆが開かれ、オゾナイザ２２２から、生成されたオゾンガスがオゾンガス供給管２３２ｆを通り、シャワーヘッド２３６の第１バッファ空間２３６ｃ、分散板２３６ａ、第２バッファ空間２３６ｄ、シャワー板２３６ｂを介して基板２００上にシャワー状に供給される（酸化剤供給工程）。
基板２００に対して供給されたオゾンガスは、排気管２３１より排気される。
なお、このときもバルブ２４３ｃ、２４３ｅは開いたままの状態とされ、処理室２０１内には不活性ガスが常に供給される。
【００２９】
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ２４３ｆが閉じられ、オゾンガスの基板２００への供給が停止される。
このときもバルブ２４３ｃ、バルブ２４３ｅは開いたままの状態とされ、処理室２０１内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室２０１内に供給された不活性ガスは排気管２３１から排気される。これにより、処理室２０１内が不活性ガスによりパージされ、処理室２０１内の残留ガスが除去される（パージ工程）。
【００３０】
なお、この際、バルブ２４３ｈを開き、オゾンガスをバイパス管２５２ｂより排気して、オゾナイザ２２２からのオゾンの供給を停止しないようにするのが好ましい。
オゾンガスを安定供給するまでには時間がかかるので、オゾナイザ２２２からのオゾンガスの供給を停止することなく、処理室２０１をバイパスするように流しておくと、次の酸化剤供給工程では、流れを変えるだけで、直ちにオゾンガスを基板２００へ供給できる。
【００３１】
処理室２０１内のパージが所定時間行われた後、再び、バルブ２４３ｇが閉じられると共にバルブ２４３ａが開かれ、気化した第１原料ガスが不活性ガスと共にシャワーヘッド２３６を介して基板２００上へ供給され、第１原料ガス供給工程が行われる。
【００３２】
以上のような、第１原料ガス供給工程、パージ工程、第２原料ガス供給工程、パージ工程、酸化剤供給工程、パージ工程を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、基板２００上に所定膜厚の薄膜を形成することができる（薄膜形成工程）。
【００３３】
なお、第１原料ガス供給工程と、第２原料ガス供給工程とを同時に行うようにしてもよい。すなわち、第１原料ガスと第２原料ガスとを同時に供給する原料ガス供給工程、パージ工程、酸化剤供給工程、パージ工程を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、基板２００上に所定膜厚の薄膜を形成するようにしてもよい。
【００３４】
基板２００への薄膜形成処理終了後、回転機構２６７による基板２００の回転が停止され、処理済みの基板２００は基板搬入工程と逆の手順で処理室２０１外に搬出される（基板搬出工程）。
【００３５】
なお、薄膜形成工程をＣＶＤ法により行う場合には、処理温度を原料ガスが自己分解する程度の温度帯となるように制御する。この場合、原料ガス供給工程においては、原料ガスが熱分解し基板２００上に数〜数十原子層程度の薄膜が形成される。この間、基板２００は回転されながら所定温度に保たれるので、基板面内に亘り均一な膜を形成できる。
酸化剤供給工程においては、オゾンガス（Ｏ３）により、基板２００上に形成された数〜数十原子層程度の薄膜よりＣ、Ｈ等の不純物が除去される。この間も基板２００は回転されながら所定温度に保たれるので、薄膜より不純物を素早く均一に除去できる。
【００３６】
また、薄膜形成工程をＡＬＤ法により行う場合には、処理温度を原料ガスが自己分解しない程度の温度帯となるように制御する。この場合、原料ガス供給工程においては、原料ガスは熱分解することなく、基板２００上に吸着する。この間、基板２００は回転しながら所定温度に保たれているので、基板面内に亘り均一に原料を吸着させることができる。酸化剤供給工程においては、基板２００上に吸着した原料とオゾンガスとが反応することにより、基板上に１〜数原子層程度の薄膜が形成される。この間も基板２００は回転されながら所定温度に保たれているので、基板面内に亘り均一な膜を形成できる。なお、このとき、オゾンガスにより薄膜中に混入するＣ、Ｈ等の不純物を脱離させることができる。
【００３７】
なお、本実施形態に係る基板処理装置において、ＣＶＤ法により、基板を処理する際の処理条件としては、例えば、ＨｆＳｉＯ膜（ハフニウムシリケート膜）を成膜する場合、処理温度：３９０〜４５０℃、処理圧力：５０〜４００Ｐａ、第１原料（Ｈｆ（ＭＭＰ）４）供給流量：０．０１〜０．２ｇ／ｍｉｎ、第２原料（Ｓｉ（ＭＭＰ）４）供給流量：０．０１〜０．２ｇ／ｍｉｍ、酸化剤（オゾンガス）供給流量：１００〜３０００ｓｃｃｍが例示される。
【００３８】
また、本実施形態に係る基板処理装置において、ＡＬＤ法により、基板を処理する際の処理条件としては、例えば、ＨｆＳｉＯ膜（ハフニウムシリケート膜）を成膜する場合、処理温度：２００〜３５０℃、処理圧力：５０〜４００Ｐａ、第１原料（Ｈｆ（ＭＭＰ）４）供給流量：０．０１〜０．２ｇ／ｍｉｎ、第２原料（Ｓｉ（ＭＭＰ）４）供給流量：０．０１〜０．２ｇ／ｍｉｍ、酸化剤（オゾンガス）供給流量：１００〜３０００ｓｃｃｍが例示される。
【００３９】
このように、本実施の形態では、処理室２０１内を排気しながら所定の処理温度、所定の処理圧力に保持された処理室２０１内に、第１原料ガスや第２原料ガスを供給することにより、基板２００を処理するように構成されているが、処理室２０１内から排気された第１原料ガス及び第２原料ガスや反応生成物が真空ポンプ２４６の上流側で液化して液状排出物として排気管２３１内に付着し、滞留していることがあり、メンテナンスのために真空ポンプ２４６を取り外すときに、排気管２３１から垂れ落ちる危険性があり、メンテナンス作業者が危険にさらされることがある。
そこで、液状排出物の液垂れを防止する装置として排気管２３１にストップバルブ２６８が設けられる。
ストップバルブ２６８は手動又は自動制御弁から構成され、排気管２３１の真空ポンプ２４６よりも上流側に排気管２３１を開閉できるように設けられる。
このように、排気管２３１にストップバルブ２６８を設け、真空ポンプ２４６を取り外す前に、ストップバルブ２６８を閉とすると、ストップバルブ２６８よりも上流側に存在している液状排出物の液垂れを防止できる。このため真空ポンプ２４６を取り外す際に液状排出物が誤って人体に付着する等、メンテナンス作業者が危険にさらされることが防止
される。
又、ストップバルブ２６８は真空ポンプ２４６を取り外すとき以外は開とされる。
このようにすると、成膜工程では、第１原料ガスや第２原料ガスを処理室２０１内に供給しながら真空ポンプ２４６により排気することができるので、処理室２０１内の圧力を上昇させることなく、処理に適した圧力、温度の下で基板２００への成膜を実施することができる。
なお、ストップバルブ２６８は、好ましくは、真空ポンプ２４６の直前、言い換えると、真空ポンプ２４６寄りに設けるのがよい。すなわち、ストップバルブ２６８を排気口２３０側に設けると、ストップバルブ２６８と真空ポンプ２４６との間の距離が長くなってしまい、液垂れするおそれのある液状排出物の絶対量が増加してしまうことになるが、このようにストップバルブ２６８を真空ポンプ２４６寄りに設けて排気管２３１のストップバルブ２６８と真空ポンプ２４６との距離を短くすると、このような問題も解消される。
【００４０】
図２はストップバルブ２６８の開閉を検知するようにセンサ２６９を設け、センサ２６９の開閉信号に基づいて処理室２０１内に第１原料ガス、第２原料ガスを導入させるためのバルブ２４３ａ、２４３ｄ及び真空ポンプ２４６を制御するようにした本発明の一実施の形態を示す。
ストップバルブ２６８は手動又は自動制御弁から構成され、センサ２６９は、ストップバルブ２６８の開閉を検知するようにストップバルブ２６８の内部又は外部に組み込まれ、メインコントローラ２５６に接続される。
メインコントローラ２５６は、センサ２６９から閉信号が出力されているときは、処理が不可能な状態にあるか、排気管２３１から真空ポンプ２４６が取り外されているものと判定し、センサ２６９から開信号が出力されているときは、真空ポンプ２４６が排気管２３１と接続されていて処理が可能な状態にあるものと判定する。そして、センサ２６９から閉信号が出力されているときは、真空ポンプ２４６のコントローラ２８１に起動を停止させる停止信号を出力し、処理室２０１内に第１原料ガス、第２原料ガスを導入させるためのバルブ２４３ａ、２４３ｄに閉信号を出力してそれぞれ閉弁させるように構成されている。
これにより、ストップバルブ２６８が閉のとき、すなわち、排気管２３１から真空ポンプ２４６が取り外されるメンテナンスの際の真空ポンプ２４６の誤った起動が防止される。また、排気ができない状態での第１原料ガス及び第２原料ガスの導入が防止されるので、誤って成膜工程が実行される場合に生じる処理室２０１内の異常な温度、圧力の上昇やこれに起因する異常燃焼、爆発が防止される。
【００４１】
また、メインコントローラ２５６は、センサ２６９から開信号が出力されているとき、すなわち、真空ポンプ２４６が排気管２３１と接続されていて基板２００の処理が可能な状態のときは、真空ポンプ２４６のコントローラ２８１に対して起動を許可する許可信号を出力すると共に、バルブ２４３ａ、２４３ｄの駆動回路（図示せず）に対して開作動を可能とする開作動許可信号を出力するように構成される。
これにより、成膜工程では、真空ポンプ２４６による処理室２０１内の排気と、第１原料ガスや第２原料ガスの処理室２０１内への供給とによって基板２００が処理される。
【００４２】
次に、ストップバルブ２６８を自動制御弁で構成し、メインコントローラ２５６によりストップバルブ２６８の開閉をリモート制御する場合について説明する。
この実施の形態では、ストップバルブ２６８を開閉するアクチュエータ（図示せず）がメインコントローラ２５６に接続され、予め指定された時期、すなわち、メンテナンスの直前に、メインコントローラ２５６によってストップバルブ２６８が閉とされ、メンテナンス終了後に、メインコントローラ２５６によってストップバルブ２６８が開とされる。このためユーザの作業が省力化される。
【００４３】
なお、メンテナンス時期、すなわち、真空ポンプ２４６の取り外し時期は、基板処理装置のロギング装置に格納されている生産履歴のデータと、真空ポンプ２４６の付着物の付着量とに基づいてメインコントローラ２５６により自動的に決定されるようにしてもよい。
また、上述したように、ストップバルブ２６８に設けられているセンサ２６９が閉信号を出力したときに、バルブ２４３ａ、２４３ｄの開作動を強制的に禁止すると共に、真空ポンプ２４６の起動を強制的に禁止するようにし、それ以外のとき、すなわち、開信号が出力されているときは、これらの禁止を解除するようにしてもよい。また、真空ポンプ２４６の起動やバルブ２４３ａ、２４３ｄの開作動を禁止する際、アラームを発生させ、周囲に異常を報知させるようにしてもよい。
【００４４】
また、本実施の形態では、液状排出物が滞留する例として、常温で液体の原料を使用する場合について説明したが、本発明は、排気管２３１内に液状排出物が滞留し、真空ポンプ２４６を取り外す際に液状排出物が垂れ落ちてしまう基板処理装置に対して適用が可能である。
【００４５】
［付記］
以下に、本発明の好ましい実施の態様を付記する。
【００４６】
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給する供給ラインと、前記処理室内を排気する排気ラインと、前記排気ラインに接続され、前記処理室内を真空排気するポンプと、前記排気ラインの前記ポンプよりも上流側に設けられ、前記ポンプを前記排気ラインから取り外す際に閉じられ、それ以外は開かれた状態とされるストップバルブと、を備えた基板処理装置が提供される。
【００４７】
好ましくは、前記ストップバルブが閉じられた状態では、前記ポンプを起動できないように制御するコントローラをさらに有する。
【００４８】
好ましくは、ストップバルブが閉じられた状態では、前記供給ラインから前記処理室内にガスを供給できないように制御するコントローラをさらに有する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係るストップバルブとその制御系の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５０】
２０１  処理室
２３１  排気管
２４６  真空ポンプ
２５６  メインコントローラ
２６８  ストップバルブ
２６９  センサ
【図１】
2009177083.tif 000003
【図２】
2009177083.tif 000004