(57)【要約】【課題】基板表面に付着した液の残留を抑止すると共に、キャリアからのパーティクルの放出を極力少なくする。【解決手段】表面を電解研磨処理したステンレス製のコの字型のフレーム１は上部において樹脂製の連結材１１が固定してあり、左右のフレーム１は、スペーサ材１２によって間隔が保持されている。フレーム１の底部は、ポリフッ化ビニリデン製の丸棒に適宜の間隔でＶ型保持溝３を形成した保持棒２０、２１、２２が両フレーム１の間に三角形に配置してネジで固定してある。フレーム１の保持棒を固定するための穴１３、１３は長穴にしてあり、固定位置を微調整することができる。保持棒２のＶ型保持溝の角度を１０６度とし、基板の糸面が点接触となるようにして洗浄液がいきわたるようにしてある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
面取りした基板の両側辺と下辺をＶ型保持溝を形成した支持棒で保持する洗浄・乾燥用キャリアにおいて、Ｖ型保持溝が、基板の糸面とＶ型保持溝のなす角度（θ3）が５〜１５度となるようにした角度（θ1）である基板洗浄・乾燥用キャリア。
【請求項２】
請求項１において、キャリアのフレームがステンレスで構成され、ステンレスの表面が電解研磨処理したものである基板洗浄・乾燥用キャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク用ガラス基板、液晶ディスプレイ用基板、あるいはウエハー等を洗浄装置において洗浄する際に使用する基板洗浄・乾燥用のキャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
洗浄装置において基板を洗浄する際に使用する洗浄・乾燥用キャリアとして図５に示すポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）製のものが知られている。これは、ポリフッ化ビニリデン製の左右のフレーム１の間に３本の基板支持棒２が三角形に配置され、基板支持棒には通常９０度（θ1）のＶ型保持溝が形成されている。フレーム１の中間部には、補強材１５が設けてある。ポリフッ化ビニリデンは、フッ素樹脂としては加工性が良く、機械的強度が比較的大きいものであり、この洗浄・乾燥用キャリアに基板をＶ型保持溝内に保持させて洗浄装置で洗浄し、乾燥している。
フォトマスク基板やウエハー等の基板の洗浄・乾燥に使用するキャリアの材質や形状によっては溶剤や洗浄水が基板表面に残留し、これが基板にしみとして残るという問題があった。この問題を解決するため、本出願人は、特許文献１（実用新案登録第２５６５３８６号）にあるように、Ｖ型保持溝に被洗浄・乾燥対象となる基板の板厚未満の開口を設け、更に、この開口に、末広がりの三角形の液逃溝を設けることを提案した。
【特許文献１】実用新案登録第２５６５３８６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
フォトマスク基板の側面は、４５度の面取り角（θ2）で面取りがしてあるので、Ｖ字溝の角度（θ1）が９０度の場合、洗浄・乾燥用キャリアにセットすると、基板は、図６に示すように、支持棒のＶ字溝に基板の面取り部（糸面）が密着し、洗浄液が充分に回らず、また、微細な隙間に液が残留して乾燥が不十分となる。更に、近年、キャリア自体から出るパーティクルが基板に付着することが問題とされてきている。
本発明は、槽式洗浄装置において使用する洗浄・乾燥用キャリアにおいて、基板表面に付着した液の残留を防止すると共に、キャリアからのパーティクルの放出を極力少なくすることを目的とするものである。
また、洗浄液が基板にあたるのを阻害する部材を少なくし、洗浄液が効率よく対象物である基板にあたるようにして洗浄効果を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
そこで、基板を側面と下部のＶ型保持溝で保持する槽式洗浄・乾燥用キャリアにおいて、Ｖ型保持溝の角度（θ1）を、基板をセットした時の基板糸面とＶ型保持溝のなす角（θ3）が５〜１５度の範囲となるようにして洗浄液の残留を抑止するものである。
更に、キャリアの左右フレームを表面を電解研磨したステンレス製とすることによって、従来のキャリアに比較して、パーティクルの基板への付着数を減少させるものである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、電解研磨したステンレス材を左右のフレーム材として使用することにより、従来のＰＶＤＦを使用したものに比して断面を薄くすることができた。また、ステンレス材としたのでＰＶＤＦより剛性が高く、フレームの補強部材が不要となり、従って洗浄液が基板にあたるのを阻害する部材が少なくなったので、洗浄液が効率よく対象物である基板にあたり洗浄効果が高まる。
また、Ｖ字溝が基板糸面と平行にならず、基板とＶ型保持溝の接触が点接触となり、洗浄液の残留をほぼなくすことができるので、洗浄・乾燥時のシミの発生を防止することができると共に、接触面からの基板へのパーティクル付着を極力防止することができる。
更に、電解研磨されたステンレスからはパーティクルが殆ど発生しないので、パーティクルの基板への付着数を従来のものに比較して３分の１以下に激減させ、半導体製造において、製品の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、面取り角（θ2）が４５度の基板用の場合を例にし、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。なお、Ｖ字溝角度（θ1）、基板の面取り角（θ2）及び基板糸面とＶ字溝がなす角度（θ3）の関係は、θ3＝θ1／２＋θ2−９０である。
図１は、本発明の基板洗浄・乾燥用キャリアの正面図と平面図を、図２は側面図、図３はＶ型保持溝を有する保持棒の拡大図である。
キャリアは、表面を電解研磨したステンレス（ＳＵＳ３１６）製のコの字型のフレーム１の上部に連結材１１が固定してあり、左右のフレーム１は、スペーサ材１２によって間隔が保持されている。フレーム１の底部は、ポリフッ化ビニリデン製の丸棒（φ１６ｍｍ）に適宜の間隔でＶ字溝を形成した保持棒２０、２１、２２が両フレーム１の間に三角形に配置してネジで固定してある。フレーム１の保持棒を固定するための穴１３、１３は長穴にしてあり、固定位置を微調整することができる。
本実施例では、保持棒２のＶ型保持溝３は、図３に示すようにθ1が約１０６度の角度にしてある。このＶ型保持溝３の深さは、洗浄対象物の基板の厚さに応じて変更し、基板がＶ字溝の中間部で接するようにするのが、安定性の面からみて好ましい。
【０００７】
本発明のキャリアと従来のポリフッ化ビニリデン製のキャリアを使用してガラス基板を洗浄して、付着残留していた０．３μｍ以上のパーティクルの数をカウントした結果を図４に示す。パーティクルの数が最大でも８０個であり、従来品に比較して約１／４であり、平均では約１／３の２０個であった。
【０００８】
Ｖ字溝の角度（θ1）について９５度から１度刻みで角度を変更し、面取り角度（θ2）を４５度とした通常のガラス基板を保持し、洗浄した後の洗浄水の残留の様子及びしみの発生を調べたところ、１００度以上、すなわち、Ｖ字溝と基板糸面のなす角（θ3）が５度以上あれば、ガラス基板の糸面と保持棒のＶ型保持溝の間には空間が形成されて残留水は殆どなく、しみの発生はなかった。角度を更に大きくするとＶ字溝の間隔が大きくなって不経済となり、Ｖ字溝の底に水が残留する恐れがあるので、１２０度程度、すなわちＶ字溝と基板糸面のなす角（θ3）の上限は１５度である。基板と支持棒溝との間の空間の確保と基板支持の安定性からは、１０５度から１１０度とするのがより望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の洗浄・乾燥用キャリアの正面図、平面図。
【図２】本発明の洗浄・乾燥用キャリアの側面図。
【図３】本発明の洗浄・乾燥用キャリアの保持棒の拡大図。
【図４】パーティクル数の比較グラフ。
【図５】従来の洗浄・乾燥用キャリアの正面図。
【図６】Ｖ字溝と基板面取り角の関係の説明図。
【符号の説明】
【００１０】
１    フレーム
２    保持棒
３    Ｖ型保持溝
θ1  Ｖ型保持溝角度
θ2  面取り角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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