(57)【要約】      （修正有）【課題】電解メッキにより発生するソルダのメッキ偏差から生じさせる不良を防止でき、リフロー時ソルダが必要以上に金属ポストの側面に広がることを防止することにより、ソルダの使用量を最小化できるポストバンプ及びその形成方法を提供する。【解決手段】ポストバンプの形成方法は、電極パッドが形成されている基板に、電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階Ｓ２００と、開口部の一部に金属性物質を充填し、金属ポストを形成する段階Ｓ３００と、開口部の残りの一部にソルダを充填する段階Ｓ４００と、ソルダに熱を加えてリフローする段階Ｓ５００と、レジスト層を除去する段階Ｓ６００と、を含むことを特徴とする。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドが形成されている基板に、前記電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階と、
前記開口部の一部に金属性物質を充填して金属ポストを形成する段階と、
前記開口部の残りの一部にソルダを充填する段階と、
前記ソルダに熱を加えてリフロー(reflow)する段階と、
前記レジスト層を除去する段階と、
を含むポストバンプの形成方法。
【請求項２】
前記レジスト層を形成する段階は、
前記電極パッドが形成されている基板に感光性フィルム層を積層する段階と、
前記電極パッドの形成位置に対応する領域が開放されるように、前記感光性フィルム層を選択的に露光、現像し、その一部を除去して開口部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載のポストバンプの形成方法。
【請求項３】
前記レジスト層を除去する段階は、
前記基板に残留する前記感光性フィルム層を除去する段階を含むことを特徴とする請求項２記載のポストバンプの形成方法。
【請求項４】
前記レジスト層を形成する段階以前に、
前記基板に伝導性物質を蒸着してシード層を形成する段階をさらに含み、
前記金属ポストを形成する段階は、
前記シード層を電極として電解メッキを行う段階を含むことを特徴とする請求項１記載のポストバンプの形成方法。
【請求項５】
前記レジスト層を除去する段階以後に、
外気に露出した前記シード層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４記載のポストバンプの形成方法。
【請求項６】
前記ソルダを充填する段階は、
ソルダペーストをスキージング（squeegeing）して前記開口部の残りの一部に圧入する段階を含むことを特徴とする請求項１記載のポストバンプの形成方法。
【請求項７】
前記感光性フィルム層は、前記リフローに対して耐熱性を有するドライフィルム（dry film）であることを特徴とする請求項２記載のポストバンプの形成方法。
【請求項８】
前記基板は、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることを特徴とする請求項１記載のポストバンプの形成方法。
【請求項９】
前記ソルダは、
Ｓｎ−Ｐｂ系ソルダ、Ｓｎ−Ａｇ系ソルダ、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ソルダの中の何れか一つであることを特徴とする請求項１記載のポストバンプの形成方法。
【請求項１０】
外部装置との電気的接続のために基板の電極パッドに形成されるバンプであって、
前記電極パッド上に形成された金属ポストと、
前記金属ポスト上に形成され、前記金属ポストの外周縁から前記金属ポストの軸方向に延長される仮想の線により区画される空間が充填されたドーム（dome）型ソルダと、
を含むポストバンプ。
【請求項１１】
前記基板は、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることを特徴とする請求項１０記載のポストバンプ。
【請求項１２】
前記ソルダは、
Ｓｎ−Ｐｂ系ソルダ、Ｓｎ−Ａｇ系ソルダ、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ソルダの中の何れか一つであることを特徴とする請求項１０記載のポストバンプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はポストバンプ及びその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップパッケージング（flip chip packaging）とは、半導体チップのような電子素子を回路基板に付着する時、ワイヤのような追加的な接続構造を使用しなく、半導体チップや回路基板の電極パターンにソルダバンプを融着して半導体チップと回路基板とをボンディングし、パッケージングをする方式である。
【０００３】
最近、大容量データの高速処理に対する要求や電子製品の軽薄短小化により、電子素子のバンプピッチ（bump pitch）が次第に小さくなっている。このような傾向から、フリップチップパッケージングは、回路基板と半導体チップとのバンプによる接続の信頼性を悪化させるという問題点を惹き起こしている。このようなバンプ接続の信頼性を向上させるために、ソルダバンプの形態がポストバンプ構造に変化している。
【０００４】
図１から図７は、従来技術によるポストバンプの形成方法を示す工程図であり、図８は、従来技術によるポストバンプのボンディング状態を示す状態図である。従来技術によるポストバンプの形成方法を説明すると、先ず、図１及び図２に示すように、電極パッド１０４が形成されている半導体チップ１０２にシード層１０８を形成する。電極パッド１０４が形成されている半導体チップ１０２の一面には絶縁物質のソルダペースト１０６が形成されている。次に、図３に示すように、電極パッド１０４が形成されている半導体チップ１０２に感光性ドライフィルム１０９を積層し、電極パッド１０４の形成位置に対応する領域を開放して開口部１１０を形成する。次に、図４に示すように、シード層１０８を電極として電解メッキを行い、銅で開口部１１０の一部を充填することにより銅ポスト（post）１１２を形成する。次に、図５に示すように、シード１０８層を電極として電解メッキを行い、開口部１１０の残りの一部にソルダ１１４を充填する。次に、図６に示すように、半導体チップ１０２に残留するドライフィルム１０９を除去し、外気に露出されたシード層を除去する。次に、図７に示すように、銅ポスト１１２の上部に形成されたソルダ１１４をリフローして球形ソルダ１１４を形成する。
【０００５】
このような従来技術によるポストバンプの形成方法は、図５に示すように、開口部１１０の残りの一部にソルダ１１４を充填する場合、電解メッキ時に発生する電位差のためメッキ量が均一ではないという問題点があった。
【０００６】
また、銅ポスト１１２上にメッキされたソルダ１１４をリフローする場合、ソルダ１１４が銅ポスト１１２の側面に広がるため、フリップチップボンディングに必要とされる最小限のソルダ１１４以外にも銅ポスト１１２の側面に広がるソルダ１１４量を考慮してソルダ１１４をさらに多くメッキしなくてはならないという問題点があった。
【０００７】
また、図８に示すように、ソルダ１１４の不均一なメッキ量のために、リフローにより形成される球形ソルダ１１４の形態が不均一になるので（図７参照）、半導体チップ１０２と回路基板１１６とをボンディングする時に、隣接バンプとの間にブリッジ（bridge）が発生したり、ソルダ量が足りなくてボンディング不良が発生したりするという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
こうした従来技術の問題点に鑑み、本発明は、電解メッキにより発生するソルダのメッキ偏差を防止し、リフロー時にソルダが不要に金属ポストの側面に広がることを防止できるポストバンプ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態によれば、電極パッドが形成されている基板に、電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階と、開口部の一部に金属性物質を充填して金属ポストを形成する段階と、開口部の残りの一部にソルダを充填する段階と、ソルダに熱を加えてリフローする段階と、レジスト層を除去する段階と、を含むポストバンプの形成方法が提供される。
【００１０】
レジスト層を形成する段階は、電極パッドが形成されている基板に感光性フィルム層を積層する段階と、電極パッドの形成位置に対応する領域が開放されるように感光性フィルム層を選択的に露光、現像し、その一部を除去して開口部を形成する段階と、を含むことができる。
【００１１】
レジスト層を除去する段階は、基板に残留する感光性フィルム層を除去する段階を含むことができる。
【００１２】
レジスト層を形成する段階以前に、基板に伝導性物質を蒸着してシード層を形成する段階をさらに含むことができ、この場合、金属ポストを形成する段階はシード層を電極として電解メッキを行う段階を含むことができる。
【００１３】
レジスト層を除去する段階以後に、外気に露出したシード層を除去する段階をさらに含むことができる。
【００１４】
ソルダを充填する段階は、ソルダペーストをスキージングして開口部の残りの一部に圧入する段階を含むことができる。
【００１５】
感光性フィルム層としては、リフローに耐熱性を有するドライフィルムが使用できる。
【００１６】
基板は、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることができる。
【００１７】
ソルダは、Ｓｎ−Ｐｂ系ソルダ、Ｓｎ−Ａｇ系ソルダ、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ソルダの中の何れか一つであることができる。
【００１８】
また、本発明の他の実施形態によれば、外部装置との電気的接続のために基板の電極パッドに形成されるバンプであって、電極パッド上に形成された金属ポストと、金属ポスト上に形成され、金属ポストの外周縁から金属ポストの軸方向に延長される仮想の線により区画される空間が充填されたドーム型のソルダと、を含むポストバンプが提供される。
【００１９】
基板は、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることができる。
【００２０】
ソルダは、Ｓｎ−Ｐｂ系ソルダ、Ｓｎ−Ａｇ系ソルダ、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ソルダの中の何れか一つであることができる。
【発明の効果】
【００２１】
電解メッキにより発生されるソルダのメッキ偏差による不良を防止でき、リフロー時にソルダが不要に金属ポストの側面に広がることを防止してソルダの使用を最小化できる。
【００２２】
また、均一なドーム型のソルダを形成して電子素子と回路基板との間の接続の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、本発明がこれらの特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【００２４】
本願で利用する用語は、単に特定の実施例を説明するためのものにすぎない。単数の表現は文脈上に明白に異なる意味を有しない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解されるべきである。
【００２５】
以下、本発明によるポストバンプ及びその形成方法の実施例を添付図面に基づいて詳しく説明し、添付図面を参照して説明することにおいて、同一かつ対応する構成要素は、同一な図面番号を付し、これに対する重複される説明は省略する。
【００２６】
図９は、本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す順序図であり、図１０から図１６は、本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。図１０から図１６を参照すると、基板１２、電極パッド１４、ソルダレジスト１６、シード層１８、感光性フィルム層２０、開口部２２、金属ポスト２４、ソルダペースト２６、スキージ２８、ソルダ３０が示されている。
【００２７】
本実施例によるポストバンプの形成方法は、電極パッド１４が形成されている基板１２に、電極パッド１４の形成位置に対応する開口部２２が形成されたレジスト層を形成する段階と、開口部２２の一部に金属性物質を充填して金属ポスト２４を形成する段階と、開口部２２の残りの一部にソルダ３０を充填する段階と、ソルダ３０に熱を加えてリフローする段階と、レジスト層を除去する段階と、を含み、リフロー時にソルダ３０が不要に金属ポストの側面に広がることを防止してソルダ３０の使用を最小化でき、均一な球形ソルダ３０を形成して電子素子と回路基板との間の接続信頼性を向上させることができる。
【００２８】
本実施例に係るポストバンプを形成する方法は、先ず、段階Ｓ１００で、図１０及び図１１に示すように、電極パッド１４が形成されている基板１２に伝導性物質を蒸着してシード層１８を形成する。シード層１８は、以後電解メッキを行う過程にて電極の役割をする。
【００２９】
基板１２は、板状の基材であって、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることができる。電極パッドは、基板と外部装置との電気的接続のためのものであって、ソルダレジスト１６により外気に露出されている。
【００３０】
本実施例により形成されるポストバンプは、電子素子または回路基板の電極パッド１４に形成されて、フリップチップボンディングに利用できる。例えば、電子素子の電極パッド１４にポストバンプを形成し、ポストバンプが形成された電子素子を回路基板にボンディングすることが可能であり、回路基板の電極パッド１４にポストバンプを形成し、電子素子を回路基板にボンディングすることも可能である。また、図２０に示すように、電子素子の電極パッド１４と回路基板の電極パッド１４の全てにポストバンプを形成し、電子素子と回路基板とをボンディングすることも可能である。また、ウェハレベルのパッケージ製造時、ウェハに形成された電極パッド１４に本実施例によるポストバンプを形成することも可能である。
【００３１】
次に、段階Ｓ２００で、図１２に示すように、電極パッド１４が形成されている基板１２に、電極パッド１４の形成位置に対応する開口部２２が形成されるようにレジスト層を形成する。
【００３２】
本実施例では、紫外線に感光する感光性フィルム層２０を用いてレジスト層を形成する方法を提示する。
【００３３】
すなわち、段階Ｓ２０１で、電極パッド１４が形成されている基板１２に感光性フィルム層２０を積層し、段階Ｓ２０２で、電極パッド１４の形成位置に対応する領域がオープンされるように感光性フィルム層２０を選択的に露光、現像し、その一部を除去して開口部２２を形成する。
【００３４】
感光性フィルム層２０には、ドライフィルムまたは紫外線に感光する液状の感光剤が使用できる。ドライフィルムはラミネータ（Laminator）で基板１２に密着され、液状の感光剤は基板１２にコーティング及び乾燥されて感光性フィルム層２０を形成することができる。
【００３５】
感光性フィルム層２０に紫外線を照射すると、遮光領域は変化がなく、遮光領域以外の感光性フィルム層２０は紫外線に露出されて重合反応により硬化される。電極パッド１４が形成される位置に対応する領域を遮光し、紫外線を照射し現像すれば、電極パッド１４が形成される位置に対応する領域に開口部２２を形成することができる。
【００３６】
一方、感光性フィルム層２０は、以後リフローに対して耐熱性を有するドライフィルムであることができる。
【００３７】
次に、段階Ｓ３００で、図１３に示すように、開口部２２の一部に金属性物質を充填して金属ポスト２４を形成する。本実施例では、段階Ｓ３０１で、開口部２２の一部に金属性物質を充填するために、前工程から形成されたシード層１８を電極として電解メッキを行い、金属ポスト２４を形成した。金属性物質は、電気が移動できる伝導性物質であって、本実施例では電極パッド１４と安定的に接合可能な銅（Ｃｕ）を電解メッキして金属ポスト２４を形成した。金属ポスト２４の高さは、ボンディングに必要とされるバンプの高さに応じて調節可能である。
【００３８】
次に、段階Ｓ４００で、図１４に示すように、開口部２２の残りの一部にソルダ３０を充填する。ソルダ３０はリフローにより一時的に溶けて、フリップチップボンディングが可能となる。本実施例では、開口部２２の残りの一部にソルダ３０を充填するために、段階Ｓ４０１で、ソルダペースト２６をスキージング方法により開口部２２の残りの一部に圧入する。これは、感光性フィルム層２０の上部にソルダペースト２６を塗布し、スキージ２８を用いて押しながらソルダペースト２６を感光性フィルム層２０の開口部２２に圧入する方法である。このように、スキージング方法によりソルダペースト２６を圧入すると、開口部２２に均一にソルダペースト２６を充填することができる。均一に充填されたソルダ３０により、以後のリフローで均一なドーム形態のソルダ３０が形成されるようになり、フリップチップボンディング時の接続信頼性を向上させることができる。
【００３９】
勿論、シード層１８を電極として電解メッキを行い、ソルダ３０を開口部２２の残りの一部に充填することも可能である。
【００４０】
ソルダ３０は、Ｓｎ−Ｐｂ系ソルダ、Ｓｎ−Ａｇ系ソルダ、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ソルダからなる群より選ばれる何れか一つであることができる。Ｓｎ−Ａｇ系ソルダ、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ソルダを使用すると、ソルダ使用が低減できる。
【００４１】
次に、段階Ｓ５００で、図１５に示すように、ソルダ３０に熱を加えてリフローする。ソルダ３０は、金属ポスト２４に比べて融点が低いため、リフロー工程にてドーム型のソルダ３０になる。本実施例によれば、感光性フィルム層２０を除去する前にソルダ３０に熱を加えてリフローすることにより、ソルダ３０が金属ポスト２４の側面に広がることを防止し、必要以上に使われたソルダ３０使用量を低減することができる。また、前段階にて開口部２２に均一に充填されたソルダ３０は、リフロー工程により均一なドーム型のソルダ３０を形成することになる。このような、均一なドーム型のソルダ３０は、均一なソルダ３０の体積を有することになり、フリップチップボンディング時の接続信頼性を向上させることができ、工程制御が容易になる。
【００４２】
すなわち、感光性フィルム層２０に形成された開口部２２に金属性物質とソルダ３０を順次充填し、感光性フィルム層２０を除去しなかった状態で、ソルダ３０に熱を加えてリフローすると、金属ポスト２４の外周縁から金属ポスト２４の軸方向に延長される仮想の線３２により区画される空間（例えば、開口部２２の残りの一部が形成する空間）が充填されたドーム型のソルダ３０が形成できる。リフロー時、ソルダ３０が金属ポスト２４の上部面以外の側面に広がらないドーム型に形成できるので、ボンディング時に必要とされるソルダ３０の量を容易に制御できる。
【００４３】
一方、ソルダ３０に熱を加えてリフローするとき、感光性フィルム層２０の変形を防止するために、感光性フィルム層２０として、リフローに対して耐熱性を有するドライフィルムが使用できる。
【００４４】
次に、段階Ｓ６００で、図１６に示すように、レジスト層を除去する。レジスト層として感光性フィルム層２０を用いた場合には、段階Ｓ６０１で、基板１２に残存する感光性フィルム層２０を除去する。次に、段階Ｓ７００で、外気に露出したシード層１８を除去する。リフローにてドーム型のソルダ３０を形成し、ソルダ３０が硬化されたら、基板１２に残存する感光性フィルム層２０と、外気に露出するシード層１８を除去する。
【００４５】
したがって、多数の電極パッド１４に、本実施例によるポストバンプを形成すれば、ドーム型のソルダ３０は均一な形態や体積を有するので、フリップチップボンディング時の接続信頼性を向上させることができ、工程制御も容易にできる。
【００４６】
図１７は、本発明の他の実施例に係るポストバンプの斜視図であり、図１８は、本発明のまた他の実施例に係るポストバンプの斜視図であり、図１９は、本発明のまた他の実施例に係るポストバンプの斜視図である。図１７から図１９を参照すると、電極パッド１４、金属ポスト２４、ソルダ３０、仮想の線３２が示されている。
【００４７】
本実施例に係るポストバンプは、外部装置との電気的接続のために基板の電極パッド１４に形成されるバンプであって、電極パッド１４上に形成された金属ポスト２４と、金属ポスト２４上に形成され、金属ポスト２４の外周から金属ポスト２４の軸方向に延長される仮想の線３２により区画される空間が充填されたドーム型のソルダ３０とを構成要素とし、均一な球形ソルダ３０を形成することにより電子素子と回路基板との間の接続信頼性を向上させることができる。
【００４８】
電極パッド１４が形成される基板とは、板状の基材であって、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることができる。本実施例により形成されるポストバンプは、電子素子または回路基板の電極パッド１４に形成されてフリップチップボンディングに利用できる。例えば、電子素子の電極パッド１４にポストバンプを形成し、ポストバンプが形成された電子素子を回路基板にボンディングすることが可能であり、回路基板の電極パッド１４にポストバンプを形成し、電子素子を回路基板にボンディングすることも可能である。また、図２０に示すように、電子素子の電極パッド１４と回路基板の電極パッド１４の全てにポストバンプを形成し、電子素子と回路基板とをボンディングすることも可能である。また、ウェハレベルパッケージの製造時に、ウェハに形成された電極パッド１４に本実施例によるポストバンプを形成することも可能である。
【００４９】
金属ポスト２４は伝導性物質からなり、本実施例では、電極パッド１４と安定的に接合可能な銅を用いて金属ポスト２４を形成する。金属ポスト２４の高さはボンディングするために必要とされるバンプの高さに応じて調節可能である。例えば、多数の電極パッド１４のピッチ（pitch）が小さく、低い高さのバンプを要する場合には、金属ポスト２４の高さを低く形成し、電極パッド１４のピッチが大きく、高い高さのバンプを要する場合には、金属ポスト２４の高さを高く形成すれば良い。金属ポスト２４を形成するためには、前述した一実施例のように、電極パッド１４が形成されている基板にシード層を形成し、感光性フィルム層を積層した後、電極パッド１４が形成される位置に対応する領域を開放して開口部を形成する。この時、基板に積層される感光性フィルム層の厚さを変更しながらポストバンプの高さを調節し、かつ、金属ポスト２４の高さを調節することができる。
【００５０】
開口部が形成されたら、開口部の一部に金属性物質を充填して金属ポスト２４を形成する。
【００５１】
ドーム型のソルダ３０は、リフローされて基板と外部装置とをボンディングする。ドーム型のソルダ３０は、金属ポスト２４の外周縁から金属ポスト２４の軸方向に延長される仮想の線３２により区画される空間に、ソルダ３０が充填されることにより形成できる。このように形成されたドーム型のソルダ３０は、金属ポスト２４の上部面以外の側面には広がらないため、ボンディングに必要とされるソルダ３０量を容易に制御することができる。
【００５２】
若し、図７に示されたように、ソルダ３０が金属ポスト２４を覆う形態になると、多数の電極パッド１４の金属ポスト２４に形成されるソルダ３０量を調節しにくくなり、ボンディング時に隣接バンプの間にブリッジが発生したり、ソルダ３０量が足りなかったりしてボンディング不良が発生する恐れがある。
【００５３】
金属ポスト２４上に形成され、金属ポスト２４の外周縁から金属ポスト２４の軸方向に延長される仮想の線３２により区画される空間が充填されたドーム型のソルダ３０を形成する方法は、前述したように、基板に積層された感光性フィルム層の開口部に金属性物質とソルダ３０とを順次充填した後に、感光性フィルム層が除去されていない状態でソルダ３０に熱を加えてリフローすれば、金属ポスト２４の外周縁から金属ポスト２４の軸方向に延長される仮想の線３２により区画される空間（例えば、開口部の残りの一部の空間）が充填されたドーム型のソルダ３０を形成できる。
【００５４】
リフロー時、ソルダ３０は、金属ポスト２４の上部面以外の側面には広がらないドーム型のソルダ３０が形成できるため、ボンディングの時に必要とされるソルダ３０量を容易に制御できるようになる。
【００５５】
ソルダ３０は、Ｓｎ−Ｐｂ系ソルダ、Ｓｎ−Ａｇ系ソルダ、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ソルダからなる群より選ばれる何れか一つであることができる。Ｓｎ−Ａｇ系ソルダまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ソルダを用いる場合、ソルダ使用量が低減できる。
【００５６】
図１７から図１９には、本発明に係るポストバンプの多様な形態が示されている。図１７に示すように、多数の電極パッド１４のピッチが小さくて隣接するバンプとの間にブリッジが発生する恐れのある場合には、少ないソルダ３０量で金属ポスト２４上に半球型のソルダ３０を形成できる。一方、図１８に示すように、電極パッド１４のピッチが大きくて、比較的に隣接バンプとの間にブリッジが発生する恐れの少ない場合には、多量のソルダ３０を使用して金属ポスト２４上に一定厚さのソルダ柱と、その上に半球型のソルダ３０を形成することも可能である。このようにボンディングに必要とされるソルダ３０量を調節することにより、ソルダ３０の使用量が低減でき、ボンディング不良を防止できる。
【００５７】
一方、図１９には、四角柱状のポストバンプが示されている。電極パッド１４に形成された金属ポスト２４が四角柱状である場合には、金属ポスト２４の外周縁から金属ポスト２４の軸方向に延長される仮想の線３２により区画される空間に充填されるソルダ３０も四角柱上にドーム型で形成される。
【００５８】
以外の構成要素は、前述した内容と同様であるので、その詳しい説明は省略する。
【００５９】
図２０は、本発明の他の実施例に係るポストバンプのボンディング状態を示す使用状態図である。図２０を参照すると、電極パッド１４、金属ポスト２４、ソルダ３０、電子素子３４、回路基板１２が示されている。
【００６０】
本実施例により形成されるポストバンプは、電子素子３４または回路基板１２の電極パッド１４に形成され、フリップチップボンディングに利用できる。例えば、電子素子３４の電極パッド１４にポストバンプを形成し、ポストバンプが形成された電子素子３４を回路基板１２にボンディングすることも可能であり、回路基板１２の電極パッド１４にポストバンプを形成して電子素子３４を回路基板１２にボンディングすることも可能である。また、ウェハレベルのパッケージの製造時、ウェハに形成された電極パッド１４に、本実施例によるポストバンプを形成することも可能である。
【００６１】
一方、図２０に示すように、電子素子３４の電極パッド１４や回路基板３６の電極パッド１４の全てにポストバンプを形成して電子素子３４と回路基板３６とをボンディングすることも可能である。
【００６２】
回路基板３６に電子素子３４をフリップチップボンディングする場合、電子素子３４及び回路基板３６の電極パッド１４のそれぞれに本実施例によるポストバンプを形成し、回路基板３６の電極パッド１４と電子素子３４の電極パッド１４とが対応するように整列した後、リフローして相互ボンディングすることが可能である。
【００６３】
本発明によるポストバンプは、金属ポスト２４上に形成されるソルダ３０量を容易に制御できるため、ボンディング時に必要とされる最小限のソルダ３０量でボンディングすることにより、隣接するバンプとのブリッジを防止でき、ボンディングの接続信頼性を向上させることができる。
【００６４】
前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、下記の特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】従来技術に係るポストバンプ形成方法を示す工程図である。
【図２】従来技術に係るポストバンプ形成方法を示す工程図である。
【図３】従来技術に係るポストバンプ形成方法を示す工程図である。
【図４】従来技術に係るポストバンプ形成方法を示す工程図である。
【図５】従来技術に係るポストバンプ形成方法を示す工程図である。
【図６】従来技術に係るポストバンプ形成方法を示す工程図である。
【図７】従来技術に係るポストバンプ形成方法を示す工程図である。
【図８】従来技術に係るポストバンプのボンディング状態を示す使用状態図である。
【図９】本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す順序図である。
【図１０】本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。
【図１１】本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。
【図１２】本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。
【図１３】本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。
【図１４】本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。
【図１５】本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。
【図１６】本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。
【図１７】本発明の他の実施例に係るポストバンプの斜視図である。
【図１８】本発明のまた他の実施例に係るポストバンプの斜視図である。
【図１９】本発明のまた他の実施例に係るポストバンプの斜視図である。
【図２０】本発明の他の実施例に係るポストバンプのボンディング状態を示す使用状態図である。
【符号の説明】
【００６６】
１２  基板
１４  電極パッド
１６  ソルダレジスト
１８  シード層
２０  感光性フィルム層
２２  開口部
２４  金属ポスト
２６  ソルダペースト
２８  スキージ
３０  ソルダ
３４  電子素子
３６  回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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