(57)【要約】【課題】製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に構成した場合でも、信頼性の低下を抑制することが可能な半導体センサ装置を提供する。【解決手段】枠体部１１と、枠体部１１の内側に配置される重り部１２と、重り部１２を枠体部１１に揺動可能に支持する可撓部１３とを含み、重り部１２の変位量に応じて物理量を検出するセンサ素子１０と、上面上に、センサ素子１０が固定されるリードフレーム１と、少なくとも、センサ素子１０を封止する樹脂封止層３０とを備え、リードフレーム１には、少なくとも枠体部１１の内側の領域と対応する領域に、上面から厚み方向に所定の深さを有する凹部２が形成されている。【選択図】図１
2009063551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持枠と、前記支持枠の内側に配置される構造体と、前記構造体を前記支持枠に揺動可能に支持する支持部とを含み、前記構造体の変位量に応じて物理量を検出するセンサ素子と、
上面上に、前記センサ素子が固定される基板と、
少なくとも、前記センサ素子を封止する樹脂封止層とを備え、
前記基板には、少なくとも前記支持枠の内側の領域と対応する領域に、上面から厚み方向に所定の深さを有する凹部が形成されていることを特徴とする、半導体センサ装置。
【請求項２】
前記センサ素子を前記基板上に固定する固定部材をさらに備え、
前記固定部材は、平面的にみて、前記凹部を囲むように、前記基板の上面上に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体センサ装置。
【請求項３】
前記固定部材は、前記センサ素子の外周部に形成されており、
前記センサ素子は、前記支持枠の底面と前記基板の上面とが当接するように、前記基板上に固定されていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体センサ装置。
【請求項４】
前記固定部材は、前記センサ素子の前記支持枠と前記基板との間の領域に形成されており、
前記センサ素子は、前記固定部材によって、前記基板の上面から上方に所定の距離だけ離間するように固定されていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体センサ装置。
【請求項５】
前記固定部材は、銀ペーストから構成されていることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項６】
突起電極を含み、前記突起電極を介して、前記センサ素子と電気的に接続される半導体素子をさらに備え、
前記半導体素子は、前記センサ素子の上面上に、少なくとも、前記センサ素子の前記構造体および前記支持部を覆うように配置されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項７】
前記センサ素子が前記樹脂封止層で封止されることによって、ＱＦＮ型またはＢＧＡ型のパッケージ形態に構成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体センサ装置に関し、特に、センサ素子を備えた半導体センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度を検出するセンサ素子を備えた半導体センサ装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、内部にキャビティ（空間部）を有し、下部容器と上部蓋とから構成されるパッケージと、このパッケージのキャビティ内に収納される半導体加速度センサチップ（センサ素子）とを備えた半導体加速度センサ装置（半導体センサ装置）が記載されている。この半導体加速度センサ装置では、パッケージの下部容器は、積層構造を有するセラミックス製の容器から構成されており、半導体加速度センサチップを収納するためのキャビティを有している。また、半導体加速度センサチップは、固定部と、錘部と、錘部を固定部に揺動可能に支持する梁部と、梁部に形成されるピエゾ抵抗素子とを備えており、キャビティの底面に接着剤によって固着されている。そして、半導体加速度センサチップが収納されたキャビティを密閉するように、金属材料からなる上部蓋が、熱硬化性樹脂によって下部容器の上面に固着されている。
【０００４】
また、上記特許文献１に記載の半導体加速度センサ装置では、半導体加速度センサ装置に加速度が加わると、半導体加速度センサチップの錘部が慣性力によって揺動し、これによって、梁部が変形する。このため、梁部に形成されたピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化するので、ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化を検出することにより、半導体加速度センサ装置に加わった加速度が検出される。なお、特許文献１に記載の半導体加速度センサ装置では、半導体加速度センサチップがパッケージのキャビティ内に収納されているので、錘部の揺動動作が妨げられるのを抑制することが可能となる。したがって、半導体加速度センサ装置に加わる加速度が正確に検出される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３５９６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に記載された従来の半導体加速度センサ装置（半導体センサ装置）では、キャビティを有するパッケージを用いて構成されているため、積層構造を有するセラミックス製の容器からなる下部容器および金属材料からなる上部蓋をそれぞれ形成するとともに、下部容器のキャビティ内に半導体加速度センサチップを固定した後、キャビティを密閉するように熱硬化性樹脂によって下部容器の上面に上部蓋を固着するという工程を経て装置が１つずつ組み立てられる。このため、封止樹脂によって半導体加速度センサチップ（センサ素子）を樹脂封止する樹脂封止型のパッケージ形態に半導体加速度センサ装置（半導体センサ装置）を構成する場合に比べて、半導体加速度センサ装置（半導体センサ装置）の製造工程が煩雑化するという不都合がある。
【０００７】
一方、樹脂封止型のパッケージ形態に半導体加速度センサ装置（半導体センサ装置）を構成した場合には、製造工程（組立工程）を簡素化することが可能であるものの、この場合には、半導体加速度センサチップ（センサ素子）を樹脂封止する際に、錘部の揺動領域に封止樹脂が侵入するという不都合が生じる。このため、錘部の揺動領域に封止樹脂が侵入することによって、錘部の自由な動きが妨げられるので、半導体加速度センサチップ（センサ素子）による加速度の正確な検出が困難になるという不都合がある。これにより、信頼性が低下するという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に構成した場合でも、信頼性の低下を抑制することが可能な半導体センサ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による半導体センサ装置は、支持枠と、支持枠の内側に配置される構造体と、構造体を前記支持枠に揺動可能に支持する支持部とを含み、構造体の変位量に応じて物理量を検出するセンサ素子と、上面上に、センサ素子が固定される基板と、少なくとも、センサ素子を封止する樹脂封止層とを備え、基板には、少なくとも支持枠の内側の領域と対応する領域に、上面から厚み方向に所定の深さを有する凹部が形成されている。
【００１０】
この一の局面による半導体センサ装置では、上記のように、基板に、少なくとも支持枠の内側の領域と対応する領域に、上面から厚み方向に所定の深さを有する凹部を形成することによって、この凹部により、基板とセンサ素子の構造体との間に隙間が形成されるので、構造体の動き代を確保することができる。このため、センサ素子の構造体が揺動した際に、構造体と基板とが接触するのを抑制することができるので、構造体と基板が接触することに起因して、構造体の自由な動きが妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。これにより、半導体センサ装置に加わる物理量をセンサ素子で正確に検出することが可能となるので、半導体センサ装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００１１】
なお、上記した構成では、センサ素子の構造体を凹部の底面から所定の距離だけ離間させることができるので、凹部の深さを設定することによって、構造体が所定の揺動範囲で揺動するように設定することができる。すなわち、構造体が所定の揺動範囲を超えて揺動した場合には、構造体と凹部の底面とが接触するように、凹部の深さ（凹部の底面と構造体との間の距離）を設定することによって、構造体が所定の揺動範囲を越えて揺動するのを抑制することができる。これにより、構造体が揺動し過ぎることに起因して、センサ素子が破損および損傷するという不都合が生じるのを抑制することができる。したがって、これによっても、半導体センサ装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００１２】
上記一の局面による半導体センサ装置において、好ましくは、センサ素子を基板上に固定する固定部材をさらに備え、固定部材は、平面的にみて、凹部を囲むように、基板の上面上に形成されている。このように構成すれば、センサ素子を樹脂封止層で封止した場合でも、固定部材によって、樹脂封止層が凹部（構造体の揺動領域）内に侵入するのを抑制することができる。これにより、樹脂封止層が凹部内に侵入することによって、センサ素子の構造体が揺動した際に、凹部に侵入した樹脂封止層と構造体とが接触するのを抑制することができるので、構造体の自由な動きが妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。したがって、上記のように構成することによって、製造工程を簡素化するために樹脂封止型パッケージ形態に構成した場合でも、容易に、半導体センサ装置の信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００１３】
上記固定部材を備えた構成において、好ましくは、固定部材は、センサ素子の外周部に形成されており、センサ素子は、支持枠の底面と基板の上面とが当接するように、基板上に固定されている。このように構成すれば、センサ素子の構造体と凹部の底面との間の距離を精度よく制御することができる。
【００１４】
上記固定部材を備えた構成において、好ましくは、固定部材は、センサ素子の支持枠と基板との間の領域に形成されており、センサ素子は、固定部材によって、基板の上面から上方に所定の距離だけ離間するように固定されている。このように構成すれば、センサ素子の構造体と凹部の底面との間の距離を容易に大きく確保することができるので、容易に、構造体の動き代を確保することができる。
【００１５】
上記固定部材を備えた構成において、固定部材は、銀ペーストから構成されているのが好ましい。
【００１６】
上記一の局面による半導体センサ装置において、好ましくは、突起電極を含み、突起電極を介して、センサ素子と電気的に接続される半導体素子をさらに備え、半導体素子は、センサ素子の上面上に、少なくとも、センサ素子の構造体および支持部を覆うように配置されている。このように構成すれば、樹脂封止層によってセンサ素子を封止した際に、センサ素子の上面側を半導体素子で保護することができるので、これによっても、センサ素子が破損および損傷するのを抑制することができる。また、半導体素子は、センサ素子の上面上に、突起電極を介してセンサ素子と電気的に接続されているので、突起電極により、半導体素子とセンサ素子との間に所定の高さを有する隙間を形成することができる。このため、形成された隙間によって構造体の動き代が確保されるので、センサ素子の構造体が揺動した場合でも、構造体と半導体素子とが接触するのを抑制することができる。これにより、構造体と半導体素子とが接触することに起因して、構造体の自由な動きが妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。
【００１７】
上記一の局面による半導体センサ装置において、好ましくは、センサ素子が樹脂封止層で封止されることによって、ＱＦＮ型またはＢＧＡ型のパッケージ形態に構成されている。このように構成すれば、センサ素子の素子特性の低下を抑制しながら、実装面積の小さい半導体センサ装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、本発明によれば、製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に構成した場合でも、信頼性の低下を抑制することが可能な半導体センサ装置を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を具体化した実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置の断面図である。図２は、図１に示した本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置の概略斜視図である。図３は、図１示した本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置の概略平面図である。図４〜図７は、図１に示した本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置の構造を説明するための図である。まず、図１〜図７を参照して、本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置の構造について説明する。
【００２１】
本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置は、図１に示すように、製造工程を簡素化することが可能な樹脂封止型パッケージ（ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）に構成されている。具体的には、第１の実施形態にかかる半導体センサ装置は、リードフレーム１と、リードフレーム１に装着されるセンサ素子１０と、センサ素子１０の上面上に実装される制御回路素子２０と、センサ素子１０および制御回路素子２０を封止する樹脂封止層３０とを備えている。リードフレーム１は、たとえば、燐青銅や無酸素銅などの銅系（銅またはその合金）材料などからなる金属板によって構成されており、ダイパッド１ａと、ダイパッド１ａから分離された複数のリード端子１ｂとを含んでいる。複数のリード端子１ｂの各々は、ボンディングワイヤ４を介して、センサ素子１０と電気的に接続されている。なお、ダイパッド１ａは、本発明の「基板」の一例であり、制御回路素子２０は、本発明の「半導体素子」の一例である。
【００２２】
また、センサ素子１０および制御回路素子２０は、樹脂封止層３０によって樹脂封止されている。この樹脂封止層は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂によって構成されており、トランスファー成形法などによって、センサ素子１０および制御回路素子２０を封止するように形成される。
【００２３】
第１の実施形態では、センサ素子１０は、３軸方向の加速度を検出可能なピエゾ抵抗型の加速度センサ素子から構成されている。具体的には、図４および図５に示すように、センサ素子１０は、枠体部１１と、枠体部１１の内側に配置される重り部１２と、重り部１２の四方から所定の方向に延びるとともに、重り部１２を枠体部１１に揺動自在に支持する４つの撓み部１３とを備えている。なお、枠体部１１は、本発明の「支持枠」の一例であり、重り部１２は、本発明の「構造体」の一例である。また、撓み部１３は、本発明の「支持部」の一例である。
【００２４】
センサ素子１０の重り部１２は、図４〜図７に示すように、４つの撓み部１３を介して枠体部１１に支持された直方体状のコア部１２ａと、平面的に見て、コア部１２ａの四隅の各々に一体的に連結された直方体状の４つの付随部１２ｂとを含んでいる。また、付随部１２ｂの各々と、枠体部１１および撓み部１３との間には、隙間部１４が設けられている。この隙間部１４は、加速度を受けて重り部１２が揺動した際に、付随部１２ｂが枠体部１１や撓み部１３と接触しない程度の大きさに構成されている。
【００２５】
４つの撓み部１３の各々の表面には、ピエゾ抵抗素子１５が形成されている。このピエゾ抵抗素子１５は、外力（応力）が加わると抵抗値が変化する素子であり、加速度を受けて重り部１２が揺動した際の撓み部１３の変位を抵抗値の変化として検出する。すなわち、ピエゾ抵抗型の加速度センサ素子であるセンサ素子１０では、加速度が加わると、その加速度によって重り部１２が揺動し、重り部１２を支持している撓み部１３が変形する。そして、撓み部１３が変形することによって、撓み部１３に形成されているピエゾ抵抗素子１５に応力が加わり、ピエゾ抵抗素子１５の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を電気信号として検出することにより、半導体センサ装置に加わった加速度が検出される。なお、上記したセンサ素子１０は、半導体プロセス技術を応用した微細加工技術（ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術）を用いて形成することができる。
【００２６】
第１の実施形態では、図１および図３に示すように、リードフレーム１のダイパッド１ａの所定領域に、エッチング（ハーフエッチング）によって、上面から厚み方向に所定の深さを有するとともに、平面的に見て、センサ素子１０の枠体部１１の内側の領域よりも大きい平面積を有する凹部２が形成されている。そして、ダイパッド１ａの上面上に、凹部２を覆うようにセンサ素子１０が載置されている。これにより、凹部２によって、センサ素子１０の重り部１２の下方に隙間が形成される。このように、第１の実施形態では、この凹部２によって、センサ素子１０の重り部１２の動き代が確保されるので、重り部１２が揺動した場合でも、重り部１２とダイパッド１ａとが接触するのを抑制することができる。このため、重り部１２とダイパッド１ａとが接触することに起因して、重り部１２の自由な動きが妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。なお、第１の実施形態では、リードフレーム１の厚みは約０．１５ｍｍ〜約０．２ｍｍであり、凹部２の深さは、約４０μｍ〜約１００μｍである。
【００２７】
また、第１の実施形態では、凹部２の深さを所定の深さ（約４０μｍ〜約１００μｍ）と設定することによって、センサ素子１０の重り部１２と凹部２の底面との距離を所定の距離に設定することができるので、重り部１２が所定の揺動範囲内で揺動するように設定することができる。すなわち、重り部１２が、所定の揺動範囲内で揺動する場合には、重り部１２と凹部２の底面（ダイパッド１ａ）とが接触することなく、重り部１２が自由に動くことができるとともに、重り部１２が、所定の揺動範囲を超えて揺動した場合には、重り部１２と凹部２の底面（ダイパッド１ａ）とが接触するように、凹部２の深さを設定することによって、重り部１２が所定の揺動範囲以上に揺動するのを抑制することができる。これにより、重り部１２が揺動し過ぎることに起因して、センサ素子１０が破損および損傷するという不都合が生じることを抑制できる。
【００２８】
また、第１の実施形態では、図１〜図３に示すように、ダイパッド１ａの上面上であって、センサ素子１０の外周部には、凹部２を囲むように、接着層３が形成されている。この接着層３は、センサ素子１０をダイパッド１ａの上面上に固定するとともに、樹脂封止層３０で封止する際に、樹脂封止層３０が、凹部２内に侵入するのを抑制することができる。このように、接着層３により、凹部２に樹脂封止層３０が侵入するのを抑制することができるので、凹部２に樹脂封止層３０が侵入することに起因して、センサ素子１０の重り部１２と樹脂封止層３０とが接触することを抑制できる。これにより、重り部１２の自由な動きが妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。なお、第１の実施形態では、接着層３として、エポキシ樹脂系などの樹脂接着剤を用いてもよいし、導電性接着剤、または、銀ペーストなどを用いてもよい。また、接着層３は、本発明の「固定部材」の一例である。
【００２９】
また、センサ素子１０は、図１に示すように、センサ素子１０の枠体部１１の底面とダイパッド１ａの上面とが当接するように、ダイパッド１ａの上面上に固定されている。これにより、センサ素子１０とダイパッド１ａとを、容易に固定することができるとともに、センサ素子１０の重り部１２と凹部２の底面との距離を精度よく制御することができる。
【００３０】
制御回路素子２０は、センサ素子１０によって検出された電気信号を、増幅・補正するとともに、電気信号を、加速度に比例した電圧として出力する機能を有している。第１の実施形態では、制御回路素子２０は、図１〜図３に示すように、センサ素子１０の上面上に、フリップチップ実装されている。具体的には、一方の主面（回路が形成されている面）の四隅にＡｕバンプからなる突起電極２１（図１および図３参照）が形成されおり、この突起電極２１とセンサ素子１０の電極パッド（図示せず）とが電気的に接続するように、センサ素子１０の上面上に、制御回路素子２０が固定されている。また、図３および図４に示すように、制御回路素子２０は、センサ素子１０の開口よりも大きい平面積に構成されており、制御回路素子２０は、枠体部１１の開口（重り部１２および撓み部１３および隙間部１４）を覆うように、センサ素子１０の上面上に固定される。これにより、センサ素子１０の重り部１２および撓み部１３は、制御回路素子２０によって、保護される。
【００３１】
また、センサ素子１０の上面と制御回路素子２０との間には、図１に示すように、突起電極２１によって、約２０μｍ〜約１００μｍの高さを有する隙間部２２が形成されている。この隙間部２２によって、センサ素子１０の重り部１２の動き代が確保されるので、センサ素子１０の重り部１２が揺動した場合でも、重り部１２と制御回路素子２０とが接触するのを抑制することができる。これにより、重り部１２と制御回路素子２０とが接触することに起因して、重り部１２の自由な動きが妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。
【００３２】
また、図２および図３に示すように、制御回路素子２０の外周部には、全周にわたって樹脂部材２３が形成されている。第１の実施形態では、樹脂部材２３を形成することによって、樹脂封止層３０により樹脂封止した場合でも、隙間部２２に樹脂封止層３０が侵入するのを制御することができる。これにより、隙間部２２に侵入した樹脂封止層３０とセンサ素子１０の重り部１２とが接触するのを抑制することができるので、隙間部２２に樹脂封止層３０が侵入することに起因して、重り部１２の自由な動きが妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。なお、第１の実施形態では、樹脂部材２３は、樹脂部材２３を制御回路素子２０の外周部に注入する際の加工温度（約８０℃〜約９０℃）における粘度が比較的高い熱硬化性樹脂が好ましい。このような熱硬化性樹脂として、たとえば、エポキシ樹脂などが挙げられる。上記のような特性を有する樹脂部材２３は、加工温度（約８０℃〜約９０℃）における粘度が比較的高いため、樹脂部材２３を制御回路素子２０の外周部に注入する際に、隙間部２２に、樹脂部材２３が侵入するのを抑制することができる。
【００３３】
第１の実施形態では、上述のように、センサ素子１０の重り部１２および撓み部１３は、制御回路素子２０によって保護されているので、樹脂封止層３０でセンサ素子１０を封止した場合でも、樹脂封止層３０によって、センサ素子１０の重り部１２の揺動動作が妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。これにより、センサ素子１０の素子特性が低下するのを抑制することができる。
【００３４】
また、第１の実施形態では、制御回路素子２０を、センサ素子１０の上面上に、重り部１２および撓み部１３を覆うようにフリップチップ実装することによって、容易に、制御回路素子２０とセンサ素子１０とを互いに電気的に接続することができるとともに、制御回路素子２０によって、容易に、センサ素子１０の重り部１２および撓み部１３を保護することができる。
【００３５】
また、第１の実施形態では、センサ素子１０を、重り部１２の変位量に応じて加速度を検出するピエゾ抵抗型の半導体加速度センサ素子に構成することによって、センサ素子１０を静電容量型の加速度センサ素子から構成する場合に比べて、容易に、センサ素子１０を小型化することができる。これにより、センサ素子１０の素子特性の低下を抑制しながら、半導体センサ装置の小型化を図ることができる。
【００３６】
また、第１の実施形態では、半導体センサ装置をＱＦＮ型のパッケージ形態に構成することによって、センサ素子１０の素子特性の低下を抑制しながら、実装面積の小さい半導体センサ装置を得ることができる。
【００３７】
（第２の実施形態）
図８は、本発明の第２の実施形態にかかる半導体センサ装置の断面図である。図９は、図８に示した本発明の第２の実施形態にかかる半導体センサ装置の概略斜視図である。図１０は、図８に示した本発明の第２の実施形態にかかる半導体センサ装置の概略平面図である。次に、図８〜図１０を参照して、本発明の第２の実施形態にかかる半導体センサ装置について説明する。なお、第２の実施形態において、上記第１の実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付すとともに、その説明を省略する。
【００３８】
第２の実施形態では、図８に示すように、センサ素子１０の枠体部１１とダイパッド１ａの上面との間の領域に、接着層５が形成されている。この接着層５によって、センサ素子１０は、ダイパッド１ａの上面から上方に所定の距離だけ離間するように固定されている。このように、センサ素子１０の枠体部１１とダイパッド１ａとの間の領域に、接着層５を形成することによって、センサ素子１０の重り部１２と凹部２の底面との距離を容易に大きく確保することができるので、容易に、重り部１２の動き代を確保することができる。なお、接着層５は、本発明の「固定部材」の一例である。
【００３９】
また、接着層５は、図１０に示すように、ダイパッド１ａに形成された凹部２を囲むように、ダイパッド１ａの上面上に形成されている。このため、樹脂封止層３０により樹脂封止する際に、樹脂封止層３０が凹部２内に侵入するのを抑制することができるので、凹部２に樹脂封止層３０が侵入することに起因して、凹部２に侵入した樹脂封止層３０とセンサ素子１０の重り部１２とが接触するのを抑制することができる。これにより、重り部１２の自由な動きが妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。なお、第２の実施形態では、接着層５として、銀ペーストを用いた。また、接着層５の厚みは、約１０μｍ〜約２０μｍである。また、第２の実施形態では、凹部２の深さは、凹部２の底面とセンサ素子１０の重り部１２との間の距離が、約４０μｍ〜約１００μｍとなるように構成されている。
【００４０】
なお、上述した第２の実施形態のその他の構成は、上記第１の実施形態と同様である。
【００４１】
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれる。
【００４２】
たとえば、上記第１および第２の実施形態では、半導体センサ装置をＱＦＮ型のパッケージ形態に構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、半導体センサ装置をＱＦＮ型以外のＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型のパッケージ形態に構成してもよい。また、ＱＦＮ型およびＢＧＡ型以外のパッケージ形態にしてもよい。
【００４３】
また、上記第１および第２の実施形態では、制御回路素子によってセンサ素子を保護するように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、制御回路素子以外の保護部材を用いることによって、センサ素子を保護する構成としてもよい。
【００４４】
また、上記第１および第２の実施形態では、センサ素子を、ピエゾ抵抗型の加速度センサ素子に構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、ピエゾ抵抗型以外の加速度センサ素子に構成してもよい。たとえば、センサ素子を、静電容量型の加速度センサ素子に構成してもよい。
【００４５】
また、上記第１および第２の実施形態では、３軸方向の加速度を検出するセンサ素子を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、１軸方向または２軸方向の加速度を検出するセンサ素子を用いてもよい。
【００４６】
また、上記第２の実施形態では、銀ペーストから構成される接着層を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、銀ペースト以外の材料から構成される接着層を用いてもよい。銀ペースト以外の接着層としては、たとえば、エポキシ系樹脂接着剤などの樹脂接着剤や、銀ペースト以外の導電性接着剤などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】は、本発明の第１実施形態にかかる半導体センサ装置の断面図である。
【図２】は、図１に示した本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置の概略斜視図である。
【図３】は、図１示した本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置の概略平面図である。
【図４】は、図１に示した本発明の第１実施形態にかかる半導体センサ装置のセンサ素子および制御回路素子の分解斜視図である。
【図５】は、図１示した本発明の第１の実施形態にかかる半導体センサ装置のセンサ素子および制御回路素子の平面図である。
【図６】は、図５の１００−１００線に沿った断面図である。
【図７】は、図５の２００−２００線に沿った断面図である。
【図８】は、本発明の第２実施形態にかかる半導体センサ装置の断面図である。
【図９】は、図８に示した本発明の第２実施形態にかかる半導体センサ装置の概略斜視図である。
【図１０】は、図８に示した本発明の第２実施形態にかかる半導体センサ装置の概略平面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１                    リードフレーム
１ａ                  ダイパッド（基板）
１ｂ                  リード端子
２                    凹部
３、５                接着層（固定部材）
４                    ボンディングワイヤ
１０                  センサ素子
１１                  枠体部（支持枠）
１２                  重り部（構造体）
１２ａ                コア部
１２ｂ                付随部
１３                  撓み部（支持部）
１４                  隙間部
１５                  ピエゾ抵抗素子
２０                  制御回路素子（半導体素子）
２１                  突起電極
２２                  隙間部
２３                  樹脂部材
３０                  封止樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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