(57)【要約】【課題】切削屑の残存が少なく、歩留まり及び保存安定性に優れる半導体用接着部材、さらに、これを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】粘接着剤層と基材層を備える半導体用接着部材であって、前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）放射線重合性化合物及び（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含むことを特徴とする半導体用接着部材。【選択図】図１
2009278066.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘接着剤層と基材層を備える半導体用接着部材であって、前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）放射線重合性化合物及び（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含むことを特徴とする半導体用接着部材。
【請求項２】
前記（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが、下記一般式（Ｉ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体用接着部材。
【化１】
2009278066.tif 000010
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子及び一般式（ＩＩＩ）で表されるスルホニル基から選ばれ、全てが水素原子であることはない。）
【化２】
2009278066.tif 000011
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ４〜Ｒ７は水素原子及び一般式（ＩＩＩ）で表されるスルホニル基から選ばれ、全てが水素原子であることはない。）
【化３】
2009278066.tif 000012
【請求項３】
前記（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であり、該エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体におけるエポキシ基含有モノマーの量が、全モノマー量を規準として、０．５〜６.０重量％である請求項１又は２に記載の半導体用接着部材。
【請求項４】
前記（Ｃ）放射線重合性化合物が、不飽和二重結合を１つ以上有する化合物である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用接着部材。
【請求項５】
前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の合計１００重量部に対し、（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、（Ｃ）放射線重合性化合物を５〜１２０重量部及び（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを１０〜１００重量部含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体用接着部材。
【請求項６】
前記粘接着剤層に放射線を照射することで、粘接着剤層と基材層との界面の接着強度を制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着部材。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着部材を用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着してなる半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着部材の粘接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）、
前記半導体ウェハを少なくとも粘接着剤層とともにダイシングして、半導体用接着部材付き半導体素子を得る工程（Ｂ）、
前記半導体用接着部材付き半導体素子の半導体素子面より放射線を照射する工程（Ｃ）、
照射後の半導体用接着部材付き半導体素子をアルカリ水溶液を用いて洗浄し、次いで水を用いて洗浄する工程（Ｄ）、
洗浄後の半導体用接着部材付き半導体素子の基材層面より放射線を照射して粘接着剤層を硬化する工程（Ｅ）、
硬化後の半導体用接着部材付き半導体素子の粘接着剤層と基材層の界面において剥離して粘接剤層付き半導体素子を得る工程（Ｆ）、
および前記粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する工程（Ｇ）、とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着部材、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の発達に伴い電子部品の搭載密度が高くなり、マルチチップスタックドパッケージ（以下ＭＣＰと略する）と呼ばれるような、半導体チップを積層していく半導体パッケージなどの新しい形式の実装方法が採用され始め、使用される半導体ウェハの薄膜化が進んでいる。
【０００３】
従来の半導体搭載基板に用いられる接着剤としては、液状あるいはフィルム状の接着剤が使用されるのが一般的である。また、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきており、近年、微細加工が容易である接着部材が多く使われている。
【０００４】
この様な接着部材は、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式において使用されている。前者の個片貼付け方式の接着部材を用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着部材をカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後、その個片を支持部材に接着し、上記接着部材付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られることとなる。しかし、上記個片貼付け方式の接着部材を用いるためには、接着部材を切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペースト等の液状接着剤を使用する方法に比べて、製造コストが高くなるという問題があった。
【０００５】
一方、後者のウェハ裏面貼付け方式の接着部材を用いて半導体装置を製造する場合、まず、半導体ウェハの裏面に接着部材を貼付け、さらに、接着部材の他面に半導体ウェハを固定するための粘着フィルムを貼り合わせ、その後、上記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着部材付き半導体素子を粘着剤層より剥離し、それを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。このウェハ裏面貼付け方式の接着部材は、接着部材付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着部材を個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着部材を用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００６】
このウェハ裏面貼付け方式の接着部材と共に用いられる粘着フィルムは、感圧型と紫外線硬化型に大別される。前者の感圧型粘着フィルムは、一般に、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。この粘着フィルムは、ダイシング工程における切断時にはダイシングソーの回転、あるいはレーザーの照射によって各素子が飛散しないような十分な粘着力が求められ、半導体用支持部材に接合する時には半導体素子を傷つけることなく基材層より剥離できる程度の低い粘着力が求められる。ところが、上記のように相反する２つの性能を充分併せ持つ感圧型粘着フィルムがなかったことより、半導体素子のサイズや加工条件毎に粘着フィルムを切替える作業が行われていた。また素子のサイズや加工条件によって粘着力の制御が必要になることから、粘着フィルムの在庫管理が複雑化していた。さらに、近年、特にＣＰＵやメモリの大容量化が進んだ結果、半導体素子が大型化する傾向にあり、またＩＣカードあるいはメモリーカードなどの製品にあっては使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、粘着フィルムから接着部材を剥離する際に素子が割れてしまう等の問題が生じていた。
【０００７】
一方、後者の紫外線硬化型粘着フィルムはダイシング時には高粘着力を有するものの、接着部材を粘着フィルムより剥離する前に紫外線を照射することにより低粘着力になる。そのため、上記感圧型粘着フィルムが有する課題が改善されることより、広く採用されるに至っている。
【０００８】
さらに、ウェハ裏面貼付け方式の接着部材を用いる方法にあっては、上記ダイシング工程までに、接着部材と粘着フィルムを貼付するといった２つの貼付工程が必要であった。そのため、上記接着部材と粘着フィルムを予め積層した接着シート、或いは接着部材に放射線重合性化合物、光重合開始剤を含有し、接着剤自体が紫外線硬化反応する粘接着シートが開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
しかし、ウェハの薄型化に伴い、ダイシング工程にて完全に隣接する半導体素子同士を分断することが困難となってきている。具体的にはダイシング工程において発生した切削屑が接着シート上に固着してしまい、半導体素子を半導体搭載用支持部材へ接合する際に半導体素子が破損したり、ピックアップの確率が低下したり、更に切削屑で半導体素子が汚染され信頼性に劣るなど歩留まりの低下が発生している。これはそもそもダイシングソー自体が、シリコンウェハ等の硬質材料を切断できるよう設計されており、接着シートあるいは粘接着シートのような柔軟性の高い材料を十分切断できないことに起因している。また、従来の粘接着部材は保存安定性に劣り、長期間保管した粘接着部材を用いた半導体装置は耐衝撃信頼性や耐ＰＣＴ性の低下がみられた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第３３４８９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記した従来技術の問題に鑑み、切削屑の残存が少なく、歩留まり及び保存安定性に優れる半導体用接着部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、（１）粘接着剤層と基材層を備える半導体用接着部材であって、前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）放射線重合性化合物及び（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含むことを特徴とする半導体用接着部材に関する。
【００１３】
また、本発明は、（２）前記（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが、下記一般式（Ｉ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される少なくとも１種を含むことを特徴とする前記（１）に記載の半導体用接着部材に関する。
【化１】
2009278066.tif 000003
【００１４】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子及び一般式（ＩＩＩ）で表されるスルホニル基から選ばれ、全てが水素原子であることはない。）
【化２】
2009278066.tif 000004
【００１５】
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ４〜Ｒ７は水素原子及び一般式（ＩＩＩ）で表されるスルホニル基から選ばれ、全てが水素原子であることはない。）
【化３】
2009278066.tif 000005
【００１６】
また、本発明は、（３）前記（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であり、該エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体におけるエポキシ基含有モノマーの量が、全モノマー量を規準として、０．５〜６.０重量％である前記（１）又は（２）に記載の半導体用接着部材に関する。
【００１７】
また、本発明は、（４）前記（Ｃ）放射線重合性化合物が、不飽和二重結合を１つ以上有する化合物である前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の半導体用接着部材に関する。
【００１８】
また、本発明は、（５）前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の合計１００重量部に対し、（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、（Ｃ）放射線重合性化合物を５〜１２０重量部及び（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを１０〜１００重量部含有することを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の半導体用接着部材に関する。
【００１９】
また、本発明は、（６）前記粘接着剤層に放射線を照射することで、粘接着剤層と基材層との界面の接着強度を制御することを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の半導体用接着部材に関する。
【００２０】
また、本発明は、（７）前記（１）〜（６）のいずれか一項に記載の半導体用接着部材を用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着してなる半導体装置に関する。
【００２１】
また、本発明は、（８）前記（１）〜（６）のいずれか一項に記載の半導体用接着部材の粘接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）、
前記半導体ウェハを少なくとも粘接着剤層とともにダイシングして、半導体用接着部材付き半導体素子を得る工程（Ｂ）、
前記半導体用接着部材付き半導体素子の半導体素子面より放射線を照射する工程（Ｃ）、
照射後の半導体用接着部材付き半導体素子をアルカリ水溶液を用いて洗浄し、次いで水を用いて洗浄する工程（Ｄ）、
洗浄後の半導体用接着部材付き半導体素子の基材層面より放射線を照射して粘接着剤層を硬化する工程（Ｅ）、
硬化後の半導体用接着部材付き半導体素子の粘接着剤層と基材層の界面において剥離して粘接剤層付き半導体素子を得る工程（Ｆ）、
および前記粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する工程（Ｇ）、とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ダイシング工程にて発生した切削屑を、放射線照射によりアルカリ可溶化せしめ、アルカリ水溶液で洗浄除去することで、切削屑の残存がなく、歩留まりに優れた半導体用接着部材を提供することができる。また、本発明によれば、経時変化が少なく、可使期間が長い保存安定性に優れた半導体用接着部材を提供することができ、それを用いることで耐衝撃信頼性及び耐ＰＣＴ性に優れる半導体装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る半導体用接着部材の一例の断面図である。
【図２】粘接着剤層付きの半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に熱圧着した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の半導体用接着部材は、粘接着剤層と基材層を備える半導体用接着部材であって、前記粘接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｃ）放射線重合性化合物及び（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含むことを特徴とする。
【００２５】
本発明の半導体用接着部材は、ダイシング工程では、半導体素子が飛散しない程度に十分な粘着力を有し、ピックアップ工程では、放射線照射により粘接着剤層と基材層界面の接着強度を制御することで各素子を傷つけることがない程度に低い粘着力を有するという相反する要求を満足する。さらに、本発明の半導体用接着部材は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着するダイボンド工程ではそれらの接続信頼性を優れたものとし、ダイシングおよびダイボンドの各工程を一層の接着部材で完了することができる。
【００２６】
以下、本発明の半導体用接着部材を構成する各成分について説明する。
【００２７】
本発明の半導体用接着部材は粘接着剤層と基材層を備えるものであり、前記粘接着剤層は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）の各成分を含むものである。
【００２８】
（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤
本発明において用いられるエポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有す
るものであれば特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；多官能エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；複素環含有エポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；など、一般に知られているものを適用することができる。これらのなかでも、二官能エポキシ樹脂が好ましい。
【００２９】
本発明で用いられるエポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。例えば、アミン類；ポリアミド；酸無水物；ポリスルフィド；三フッ化ホウ素；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類；フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂；などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。
【００３０】
（Ｂ）高分子量成分
本発明において（Ｂ）成分として用いられる高分子量成分は、官能基を有し、重量平均分子量が１０万以上の高分子である。
【００３１】
前記高分子量成分の重量平均分子量が１０万以上であることにより、接着部材をフィルム状としたときの強度、可とう性及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため配線の回路充填性を確保することができる。前記重量平均分子量は、好ましくは３０万〜３００万、より好ましくは５０万〜２００万である。なお、本発明において、重量平均分子量はゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００３２】
前記高分子量成分は、官能基を有しており、該官能基は高分子鎖中に有していても、末端に有していてもよい。前記官能基としては、例えば、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられる。これら官能基のなかでも、（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤との反応性が高く、かつ保存安定性に優れるという観点からエポキシ基を有する高分子が好ましく、グリシジル基を有する高分子がより好ましい。より具体的には、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体が好ましく、グリシジル基含有（メタ）アクリルエステル共重合体、グリシジル基含有アクリルゴムがより好ましい。ここで、アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムのことである。なお、本発明において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」と「メタクリル」の両方を意味する。
【００３３】
前記高分子量成分における官能基含有モノマーの量は、全モノマー全量を規準として、０.５〜６.０重量％であることが好ましく、０.５〜５.０重量％であることがより好ましい。例えば、前記高分子量成分が、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である場合、該エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体におけるエポキシ基含有モノマーの量が、全モノマー量を規準として、０.５〜６.０重量％であることが好ましく、０.５〜５.０重量％であることがより好ましく、０.８〜５.０重量％であることが特に好ましい。エポキシ基含有モノマーの量が、０.５〜６.０重量％の範囲にあることにより、接着強度を確保しやすく、ゲル化を防止しやすくなる。
【００３４】
前記高分子量成分を製造する方法としては、例えば、官能基を有する重合性モノマーを単独で重合する方法、官能基を有する重合性モノマー及びこれと共重合可能な他の重合性モノマーとを共重合する方法などにより得ることができる。重合方法は特に限定されず、例えば、懸濁重合、溶液重合などの方法が挙げられる。
【００３５】
官能基を有する重合性モノマーとしては、１分子中に少なくとも１つの官能基を有する重合性モノマーであり、例えば、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基などの官能基を有する重合性モノマーが挙げられ、これらのなかでも、エポキシ基を有する重合性モノマーが好ましく、グリシジル基を有する重合性モノマーがより好ましい。
【００３６】
エポキシ基を有する重合性モノマーとしては、例えば、アリルグリシジルエーテル、カルコングリシジルエーテルなどのグリシジルエーテル；グリシジル（メタ）アクリレート、ビニル安息香酸グリシジルエステル、アリル安息香酸グリシジルエステル、ケイ皮酸グリシジルエステル、シンナミリデン酢酸グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル、エポキシ化ステアリルアルコールとアクリル酸又はメタクリル酸とのエステルなどのグリシジル又はエポキシエステル；エポキシヘキセン、リモネンオキシドなどのエポキシ化された不飽和の鎖状又は環状オレフィンなどが挙げられる。これらのなかでも、グリシジル（メタ）アクリレートが好ましい。また、これらは、二種類以上を併用してもよい。
【００３７】
（メタ）アクリロイル基を有する重合性モノマーとしては、（メタ）アクリロイル基を分子内に２個以上有する多官能（メタ）アクリレート化合物が特に好ましい。例えば、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレートや、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、エチレン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス−（２−ヒドロキシエチル）−イソシアヌル酸エステルトリ（メタ）アクリレートなどの３官能（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の４官能以上の（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは、二種類以上を併用してもよい。
【００３８】
ヒドロキシル基を有する重合性モノマーとしては、例えば、アリルアルコール、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ブタンジオールモノ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、ビニルフェノールなどが挙げられる。これらは、二種類以上を併用してもよい。
【００３９】
カルボキシル基を有する重合性モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、プロピオール酸、クロトン酸などの脂肪族不飽和モノカルボン酸；ケイ皮酸などの芳香族不飽和モノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸などの脂肪族不飽和ジカルボン酸；マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノブチル、マレイン酸モノヘキシル、マレイン酸モノオクチル、マレイン酸モノ２−エチルヘキシルなどのマレイン酸モノエステルやこれらに対応するフマル酸モノエステルなどの不飽和ジカルボン酸モノエステルなどが挙げられる。また、これらは、二種類以上を併用してもよい。
【００４０】
イソシアネート基を有する重合性モノマーとしては、例えば、２，４−トリレンジイソシアネ−ト、２，６−トリレンジイソシアネ−ト、１，３−キシリレンジイソシアネ−ト、１，４−キシリレンジイソシアネ−ト、１，５−ナフタレンジイソシアネ−ト、トリジンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、３，３’−ジメチル−４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネ−ト、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネ−ト、３，３’−ジメチルフェニレンジイソシアネ−ト、４，４’−ビフェニレンジイソシアネ−ト、１，６−ヘキサンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、メチレンビス（４−シクロヘキシルイソシアネア−ト）、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネ−ト、ビス（２−イソシアネートエチル）フマレート、６−イソプロピル−１，３−フェニルジイソシアネ−ト、４−ジフェニルプロパンジイソシアネ−ト、リジンジイソシアネ−ト、水添ジフェニルメタンジイソシアネ−ト、１，３−ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン、ビス（イソシアネートシクロヘキシル）メタン、テトラメチルキシリレンジイソシアネ−ト、２，５（又は２，６）−ビス（イソシアネートメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、シクロヘキサンジイソシアネート、リジンエステルトリイソシアネート、ウンデカントリイソシアネート、ヘキサメチレントリイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、及びこれらイソシアネート化合物の重合体、誘導体、変性体、水素添加体等が挙げられる。前記変性体としては、イソシアヌレート変性、ビューレット変性、トリメチロールプロパン等多価アルコールでアダクト変性したものなどが挙げられる。これらのなかでも、反応性および架橋密度の点でヘキサメチレンジイソシアネート、ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサンなどが好ましい。イソシアネート基を有する重合性モノマー１分子中のイソシアネートの好ましい官能数は２又は３である。
【００４１】
アミノ基を有する重合性モノマーとしては、例えば、アリルアミン、ジアリルアミンなどのアリル化合物；４−ビニルアニリン、Ｎ−ビニルジフェニルアミンなどのビニル化合物；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリレート類が挙げられる。また、これらは、二種類以上を併用してもよい。
【００４２】
アミド基を有する重合性モノマーとしては、例えば、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、シアセトンアクリルアミドなどの（メタ）アクリルアミドとその誘導体；ビニルスルホンアミド、ビニルスルホンアニリド、ビニルスルホンメチルアニリド、ビニルスルホンアセトアニリドなどのビニルスルホンアミド類が含まれる。アミド基を有する好ましい重合性化合物には、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−置換（メタ）アクリルアミドが含まれる。また、これらは、二種類以上を併用してもよい。
【００４３】
前記官能基を有する重合性モノマーと共重合可能な他の重合性モノマーとしては、例えば、エチレン性不飽和カルボン酸エステルモノマー、エチレン性不飽和ニトリルモノマーなどが挙げられる。エチレン性不飽和カルボン酸エステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーが好ましく、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ラウリル、（メタ）アクリル酸ステアリル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、（メタ）アクリル酸フェノキシエチル、（メタ）アクリル酸トルイルオキシエチル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸２−メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチル、（メタ）アクリル酸ブトキシエチル、（メタ）アクリル酸ブトキシジエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸エトキシ化フェニル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルシクロヘキシル等が挙げられる。これらのなかでも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチルなどの（メタ）アクリル酸の低級アルキルエステルが好ましい。エチレン性不飽和ニトリルモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリロニトリル、フマロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、α−シアノエチルアクリロニトリル等が挙げられる。これらのなかでも、アクリロニトリルが好ましい。これらは、二種類以上を併用してもよく、例えば、エチレン性不飽和カルボン酸エステルモノマーを主成分としてエチレン性不飽和ニトリルモノマーを併用することが好ましい。
【００４４】
本発明の高分子量成分が、上記官能基を有する重合性モノマー及びこれと共重合可能な他の重合性モノマーとの共重合体である場合、各モノマーの混合比率は、高分子量成分のＴｇが−１０℃以上となるよう設定することが好ましい。高分子量成分のＴｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性が良好となる傾向にある。
【００４５】
（Ｃ）放射線重合性化合物
本発明において用いられる放射線重合性化合物は、不飽和結合を１つ以上有する化合物であり、紫外線や電子ビームなどの放射線が照射されると重合・硬化する化合物であればよく、特に制限は無いが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレートなどを使用することができる。これらの放射線重合性化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４６】
（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
本発明の粘接着剤層は、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含むことが重要であり、それによって、切削屑の残存が少なく、歩留まり及び可使時間の長い保存安定性に優れた半導体用接着部材を得ることができ、さらには、それを用いることで耐衝撃信頼性及び耐ＰＣＴ性に優れた半導体装置を作製することができる。ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは、放射線が照射されると光分解しカルボン酸を発生し、アルカリ可溶性となるものであり、下記一般式（Ｉ）及び下記一般式（ＩＩ）で表される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【化４】
2009278066.tif 000006
【００４７】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子及び一般式（ＩＩＩ）で表されるスルホニル基から選ばれ、全てが水素原子であることはない。）
【化５】
2009278066.tif 000007
【００４８】
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ４〜Ｒ７は水素原子及び一般式（ＩＩＩ）で表されるスルホニル基から選ばれ、全てが水素原子であることはない。）
【化６】
2009278066.tif 000008
【００４９】
上記一般式（Ｉ）で表されるナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホン酸ハライドとの縮合物であり、上記一般式（ＩＩ）で表されるナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホン酸ハライドとの縮合物である。ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの具体例としては、２，３，−ジヒドロキシ−４−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−３，４−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、３−ヒドロキシ−２，４−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシ−４’−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシ−３，４’−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、３，４−ジヒドロキシ−２，４’−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒドロキシ−３−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、３，４，４’−トリヒドロキシ−２−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノンなどが挙げられる。
【００５０】
これらのなかでも、放射線を照射することにより発生するカルボン酸によって、切削屑のアルカリ水溶液に対する溶解度が高くなければならないという点で、２−ヒドロキシ−３，４−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、３−ヒドロキシ−２，４−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシ−３，４’−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン、３，４−ジヒドロキシ−２，４’−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノンなどのスルホニル基を２つ有するナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが好ましい。これらのナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５１】
上記ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン又は２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホン酸ハライドとを縮合反応させることにより合成できる。縮合反応は、無溶媒下または溶媒中、触媒の存在下で実施される。溶媒としては、例えば、ケトン類、環状エーテル類等、より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソブチルケトン、１，４−ジオキサン、１，３，５−トリオキサン等を挙げることができる。触媒としては、塩基性化合物を使用することができ、例えば、トリエチルアミン、テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムブロミド、ピリジン等が好ましい。 触媒の使用量は、６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホン酸ハライド１モルに対して、好ましくは１モル以上、さらに好ましくは１．０５〜１．２モルである。縮合反応は、通常、温度０〜５０℃、０．５〜１０時間で行なわれる。縮合反応後は、不溶分をろ別したのち、ろ液を大量の希塩酸水溶液中に投入して、反応生成物を析出させる。その後、析出物をろ過して、ろ液が中性になるまで水洗したのち、乾燥することにより、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを得ることができる。
【００５２】
本発明における粘接着剤層は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の合計１００重量部に対し、（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１０〜４００重量部、（Ｃ）放射線重合性化合物を５〜１２０重量部及び（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを１０〜１００重量部含有することが好ましい。
【００５３】
前記（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が１０重量部未満では、半導体素子圧着時の応力緩和性が低下し、半導体装置の組立不具合が懸念される傾向があり、４００重量部を越えると粘接着剤層と半導体素子との接着強度が低くなる傾向がある。
【００５４】
前記（Ｃ）放射線重合性化合物が５重量部未満では、粘接着剤層の光ラジカル重合が十分に進行せず、ピックアップ性は低下する傾向があり、１２０重量部を越えると接着部材の保存安定性が低下する傾向がある。
【００５５】
前記（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが１０重量部未満では、アルカリ水溶液洗浄後、切削屑が残存する傾向があり、１００重量部を越えると、粘接着剤層の半導体素子との接着強度が低下する傾向がある。
【００５６】
粘接着剤層は、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の合計１００重量部に対し、（Ｂ）官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を１００〜３００重量部、（Ｃ）放射線重合性化合物を３０〜７０重量部及び（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを２５〜７０重量部含有することがより好ましい。
【００５７】
（光重合開始剤）
本発明の粘接着剤層には、光重合開始剤を添加することもできる。光重合開始剤は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であって、発生した塩基が、エポキシ樹脂の硬化反応速度を上昇させるものである。光重合開始剤としては、例えば、α−アミノケトン化合物、イミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、１−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、１，２−ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、４−メチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の４位にアミノ基又はアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、ｎ−メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、トリエチレンジアミン、１，８−ジアザビスシクロ（５，４，０）ウンデセン−１（ＤＢＵ）等の脂環式アミン誘導体、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体などが挙げられる。これらのなかでも、α−アミノケトン化合物が最も好適に用いることができ、具体的には、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（チバ・ガイギー株式会社製商品名：イルガキュア９０７）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（チバ・ガイギー株式会社製商品名：イルガキュア３６９）などが挙げられる。
【００５８】
上記光重合開始剤の配合量は、放射線重合性化合物１００重量部に対して、３．０〜１５．０重量部であることが好ましい。前記光重合開始剤が３．０重量部未満の場合、放射線による重合反応が十分進行せず、ピックアップ性の低下を招く恐れがあり、１５．０重量部を超えると、粘接着剤層の保存安定性が低下するため、好ましくない。
【００５９】
（カップリング剤）
また、本発明の粘接着剤層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、これらのなかでも添加効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００６０】
上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−ジエトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキシエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６１】
また、チタン系カップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テトラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６２】
アルミニウム系カップリング剤としては、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム−モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノエチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６３】
上記カップリング剤の配合は、その効果や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の合計１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部とすることが好ましい。
【００６４】
（イオン捕捉剤）
本発明の粘接着剤層には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系、マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イオン捕捉剤の配合量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の合計１００重量部に対して、０．１〜１０重量部とすることが好ましい。
【００６５】
（無機フィラー）
また、本発明の粘接着剤層を構成する組成物には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらのなかでも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
【００６６】
また、無機フィラーの平均粒径は０．００５μｍ〜１．０μｍが好ましく、これより小さくても大きくても接着性が低下する可能性がある。
【００６７】
無機フィラーの配合量は、粘接着剤層１００重量部に対して１〜２０重量部であることが好ましい。前記配合量が１重量部未満では添加効果が得られない傾向があり、２０重量部を超えると、粘接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００６８】
また、本発明における粘接着剤層は、放射線を照射後、加熱硬化した段階で、２５℃での貯蔵弾性率が１０〜２０００ＭＰａ、２６０℃での貯蔵弾性率が３〜５０ＭＰａであることが好ましい。また、２５℃での貯蔵弾性率は、２０〜１９００ＭＰａがより好ましく、５０〜１８００ＭＰａが特に好ましい。また、２６０℃での貯蔵弾性率は、３〜４０ＭＰａがより好ましく、３〜３０ＭＰａが特に好ましい。貯蔵弾性率が上記の範囲にあると、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる効果が保たれ、剥離やクラックの発生を抑制できるとともに、接着部材の取り扱い性に優れ、リフロークラックの発生を抑制できる。上記加熱硬化の条件は粘接着剤層の組成によっても異なるが、通常１００〜２４０℃、５〜６００分の範囲である。この貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、粘接着剤硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−７０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって測定できる。
【００６９】
本発明の半導体用接着部材は粘接着剤層と基材層を備えるものである。前記粘接着剤層の厚みは、特に制限はないが、３〜２５０μｍであることが好ましい。前記厚みが３μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられなくなる可能性がある。
【００７０】
また、前記粘接着剤層は、所望の厚さを得るために、２層以上を貼り合わせることもできる。この場合には、粘接着剤層同士の剥離が発生しにくい貼り合わせ条件が必要となる。
【００７１】
基材層の厚みは、特に制限はないが、３０〜３００μｍであることが好ましく、４０〜２５０μｍであることがより好ましく、５０〜２００μｍであることが特に好ましい。前記厚みが３０μｍより薄いと、ダイシング時に基材層まで切断され易くなり、チップが飛散し易くなる傾向があり、３００μｍより厚いと経済的でなくなる傾向がある。
【００７２】
本発明の接着部材は、例えば、粘接着剤層を構成する樹脂組成物を溶剤に溶解ないし分散してワニスとしたものを、基材層に塗布し乾燥することにより得ることが出来る。粘接着層に無機フィラーを添加した場合のワニスの製造は、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用するのが好ましく、これらを組み合せて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、高分子量物を配合することによって、混合する時間を短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００７３】
上記のワニス化に用いることのできる溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、たとえば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。溶媒の使用量は特に制限が無いが、ワニスを作製した際の不揮発分が１０〜２５重量％であることが好ましく、１２〜２０重量％であることがより好ましい。前記不揮発分を１３〜１８重量％とすることによりフィルム化する際の作業性が良好になる。
【００７４】
基材層としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ酢酸ビニルフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用することもできる。
【００７５】
基材層上へのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００７６】
また、本発明の半導体用接着部材は、図１に示すように、上記ワニスを支持体フィルム１上に塗布、加熱し、溶剤を除去することにより粘接着剤層２を支持体フィルム１上に形成し、この粘接着剤層２を基材層３に貼り合せることにより、基材層３、粘接着剤層２及び支持体フィルム１の３層からなる構造とすることもできる。この場合、支持体フィルム１はカバーフィルムとして用いられ、上記基材層で例示したプラスチックフィルムを用いることができる。また、支持体フィルム１上へのワニスの塗布方法は、上記基材上へのワニスの塗布方法と同様のものが挙げられる。
【００７７】
（半導体装置及びその製造方法）
本発明の半導体装置は、本発明の半導体用接着部材を用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着してなるものであり、以下にその製造方法について図１及び図２を参照して説明する。
【００７８】
本発明の半導体装置を製造する方法は、本発明の半導体用接着部材の粘接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）、
前記半導体ウェハを少なくとも粘接着剤層とともにダイシングして、半導体用接着部材付き半導体素子を得る工程（Ｂ）、
前記半導体用接着部材付き半導体素子の半導体素子面より放射線を照射する工程（Ｃ）、
照射後の半導体用接着部材付き半導体素子をアルカリ水溶液を用いて洗浄し、次いで水を用いて洗浄する工程（Ｄ）、
洗浄後の半導体用接着部材付き半導体素子の基材層面より放射線を照射して粘接着剤層を硬化する工程（Ｅ）、
硬化後の半導体用接着部材付き半導体素子の粘接着剤層と基材層の界面において剥離して粘接剤層付き半導体素子を得る工程（Ｆ）、
および前記粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する工程（Ｇ）、とを含むことを特徴とする。
【００７９】
工程（Ａ）として、本発明の半導体用接着部材の粘接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける。図１に示すように半導体用接着部材が、支持体フィルム１を備えてなる場合は、支持体フィルム１を剥離して、粘接着剤層２の上面にダイシング加工すべき半導体ウェハを貼り付ける。半導体ウェハの厚さは特に限定されないが、通常４０〜５００μｍである。
【００８０】
次いで工程（Ｂ）として、前記半導体ウェハを少なくとも粘接着剤層とともにダイシングして、半導体用接着部材付き半導体素子を得る。この工程では、半導体ウェハを粘接着剤層と共にダイシングして切断・分割するが、前記半導体ウェハと粘接着剤層の切断・分割を確実にするために、基材層まで切込みが入るようダイシングを行なうことが好ましい。ダイシングはダイシングソーなどダイシング装置を用いて行なわれ、半導体ウェハは所望の大きさの半導体素子に切断・分割される。更に、必要であれば、洗浄、乾燥等の操作を行っても良い。半導体ウェハは粘接着剤層２により半導体用接着部材に充分に保持されているので、この工程中で半導体ウェハが脱落することはない。
【００８１】
次いで、工程（Ｃ）として、前記半導体用接着部材付き半導体素子の半導体素子面より放射線を照射する。前記（Ｂ）工程でダイシングソーが通過した箇所には、半導体ウェハの切削屑や粘接着剤層の切削屑が残存している。この工程では、放射線を半導体素子面より照射することにより、切削屑における粘接着剤層のナフトキンジアジドスルホン酸エステルが光分解し、カルボン酸を発生し、粘接着剤層の切削屑がアルカリ可溶性となる。本工程では、放射線は半導体素子面から照射されるのであって、基材層面から照射されると粘接着剤層と基材層間の接着強度が低下し、次工程（Ｄ）で半導体用接着部材付き半導体素子が脱落するおそれがある。
【００８２】
照射する放射線は１５０〜１０００ｎｍの波長域を持つ活性光線であれば特に限定されず、紫外線、遠紫外線、近紫外線、可視光線、電子線、赤外線、近赤外線などが例示され、これらのなかでも、紫外線が好ましい。紫外線の発生源としては、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマランプ等が挙げられる。放射線の照射量は、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、１００〜７００ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましい。前記照射量が５０ｍＪ／ｃｍ２未満ではカルボン酸の発生が不十分となり、アルカリに対する溶解性が低下する傾向があり、２０００ｍＪ／ｃｍ２を超えると放射線照射時の発熱により粘接着剤層が変質する傾向がある。
【００８３】
次いで、工程（Ｄ）として、放射線照射後の半導体用接着部材付き半導体素子をアルカリ水溶液を用いて洗浄し、次いで水を用いて洗浄する。前記（Ｂ）工程のダイシングにより、ダイシングソーが通過した箇所には、歩留まりや作業性の低下をもたらす半導体ウェハの切削屑や粘接着剤層の切削屑が残存しているが、工程（Ｃ）により、粘接着剤層の切削屑がアルカリ可溶性となるので、この工程（Ｄ）で半導体素子面よりアルカリ水溶液を滴下又は噴霧することにより粘接着剤層の切削屑が溶解し、洗浄・除去することが出来る。引き続き、水を用いて洗浄することにより、切削屑の残骸及び用いたアルカリ水溶液を除去し、乾燥を行う。また、半導体ウェハの切削屑についても、アルカリ水溶液及び水を用いる洗浄により、除去できる。
アルカリ水溶液は、特に限定されず、無機又は有機のアルカリ水溶液が用いられる。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、コリンなどの有機アルカリ水溶液、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの無機アルカリ水溶液が挙げられる。アルカリ水溶液の濃度は、特に限定されないが、通常は、０．３〜１０．０重量％である。
【００８４】
次いで、工程（Ｅ）として、洗浄後の半導体用接着部材付き半導体素子の基材層面より放射線を照射して粘接着剤層を硬化する。この工程では、基材層面より放射線を照射して、放射線重合性を有する粘接着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。これにより粘接着剤層の基材層に対する粘着強度を低下させて、次工程（Ｆ）で粘接着剤層付き半導体素子をピックアップし易くする。この際、放射線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。本工程では、放射線は基材層面より照射されるのであって、半導体素子側より照射されると粘接着剤層と基材層間の接着強度が低下せず、次工程（Ｆ）で粘接着剤層付き半導体素子をピックアップすることができない。照射する放射線は、前記工程（Ｃ）で例示したものであり、これらのなかでも、紫外線が好ましい。放射線の照射量は、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましい。前記照射量が５０ｍＪ／ｃｍ２未満では放射線重合性化合物の反応が不十分のため、半導体素子の歩留りが低下する傾向があり、１０００ｍＪ／ｃｍ２を超えると放射線照射時の発熱により粘接着剤層が変質する傾向がある。放射線の照射は、基材層面から行なわれるため、紫外線を用いる場合には、基材層は光透過性であることが必要であり、電子線を用いる場合には、基材層は必ずしも光透過性である必要はない。
【００８５】
次いで、工程（Ｆ）として、硬化後の半導体用接着部材付き半導体素子の粘接着剤層と基材層の界面において剥離して粘接剤層付き半導体素子を得る。この工程では、ピックアップすべき半導体素子を、例えば、吸引コレット等により順次ピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材層の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。前記工程（Ｅ）により、粘接着剤層の基材層に対する粘着力が低下している為、半導体素子と粘接着剤層との間の接着強度は、粘接着剤層と基材層との間の接着強度よりも大きくなっており、半導体素子のピックアップを行うと、粘接着剤層と基材層の界面で剥離が生じ、粘接着剤層が半導体素子の下面に付着した状態の粘接剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。
【００８６】
次いで、工程（Ｇ）として、前記粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する。この工程では、粘接着剤層２を介して各半導体素子４を半導体素子搭載用支持部材５に載置し、加熱する。加熱により粘接着剤層２は接着強度が発現し、半導体素子４と半導体搭載用支持部材５との接着が完了する（図２）。半導体搭載用支持部材としては、リードフレーム、配線基板、レジストなどの基板、半導体チップなどが例示される。前記配線基板としては、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。配線基板における配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
【００８７】
かくして得られる本発明の半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と半導体素子搭載用支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と半導体素子搭載用支持部材とがテープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに限定されるものではない。また、半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等一般の半導体素子を使用することができる。
【００８８】
半導体素子と半導体搭載用支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と半導体搭載用支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、本発明の半導体装置は低弾性率の粘接着剤層を有する半導体用接着部材を用いることにより、その熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、半導体搭載用支持部材の面積の７０％以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と半導体搭載用支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。
【００８９】
また、本発明の半導体用接着部材の特性として、前記接着部材を半導体搭載用支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、粘接着剤層からの分解物などの揮発分を抑制できる。
【実施例】
【００９０】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９１】
［半導体用接着シートの作製］
実施例１〜３、比較例１〜２
（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）放射性重合性化合物、（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、カップリング剤及び光重合開始剤を表１に示す組成（配合単位は重量部）で配合してなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分混練した。これに（Ｂ）高分子量成分を混合してワニスを得、真空脱気した。真空脱気後のワニス（不揮発分、１５重量％）を厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、ピューレックスＡ３１、ＰＥＴフィルム）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍのＢステージ状態の粘接着剤層を備えた半導体用接着部材を作製した。
【００９２】
なお、表１中の各成分は以下のとおりである。
（Ａ）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤
ＹＤＦ−８１７０Ｃ：東都化成株式会社製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５９
ミレックスＸＬＣ−ＬＬ：三井化学株式会社製商品名、フェノール樹脂、水酸基当量１７５
（Ｂ）高分子量成分
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３：帝国化学産業株式会社製商品名、アクリルゴム、重量平均分子量１００万、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの含有量２〜６重量％
（Ｃ）放射線重合性化合物
ＦＡ−７３１Ａ：日立化成工業株式会社製商品名、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート
カヤラッドＤＰＨＡ：日本化薬株式会社製商品名、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
（Ｄ）ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
化合物１：２，４−ジヒドロキシ−３，４’−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン
化合物２：２−ヒドロキシ−３，４−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン
化合物３：３−ヒドロキシ−２，４−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン
化合物４：３，４−ジヒドロキシ−２，４’−ジ−（６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホニル）ベンゾフェノン
（カップリング剤）
ＮＵＣ  Ａ−１１６０：日本ユニカー株式会社製商品名、γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン
（光重合開始剤）
イルガキュア９０７：チバ・ガイギー株式会社製商品名、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン
イルガキュア３６９：チバ・ガイギー株式会社製商品名、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン
［接着部材の評価］
実施例１〜３及び比較例１〜２で作製した半導体用接着部材の特性を、以下に示す各項目によって評価した。評価結果を表１に示す。
【００９３】
（１）貯蔵弾性率
実施例１〜３及び比較例１〜２で作製した半導体用接着部材の基材層面より、露光機（株式会社オーク製作所製、ＱＲＥ−４０１３）を用いてｉ線（照度５０ｍＷ／ｃｍ２で２００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、次いで、１７５℃、１２０分、対流乾燥機で硬化した際の、粘接着剤層硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、「ＤＶＥ−Ｖ４」）を使用し、粘接着剤層硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で−７０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって温度２５℃と２６０℃の貯蔵弾性率を測定した。結果を表１に示す。
【００９４】
（２）残存切削屑の有無
実施例１〜３及び比較例１〜２で作製した半導体用接着部材の粘接着剤層の上面に、ダイシング加工すべき厚さ７５μｍの半導体ウェハを５０℃でラミネートにて貼着した。次いで、ダイシング装置（株式会社ディスコ製、ＤＦＤ−６３６１）上に固定して、５０ｍｍ／秒の速度で半導体ウェハをダイシングし洗浄、乾燥して、１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体用接着部材付き半導体素子を得た。
【００９５】
次いで、半導体用接着部材付き半導体素子の半導体素子面より、露光機（株式会社オーク製作所製、ＱＲＥ−４０１３）を用いてｉ線（照度５０ｍＷ／ｃｍ２で照射量５００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、濃度２．３８重量％のテトラアンモニウムヒドロキシド水溶液を半導体素子面全体に行き渡るように３０秒間噴霧した後、純水で３０秒噴霧洗浄、乾燥して、サンプルを作製した。サンプルのダイシング面を光学顕微鏡を用いて倍率２００倍で、切削屑の有無を観察した。切削屑が無い場合を「○」、切削屑がある場合を「×」として表１に示す。
【００９６】
（３）耐衝撃信頼性
実施例１〜３及び比較例１〜２で作製した半導体用接着部材を２５±２℃で遮光の下、所定の期間（３ヶ月、６ヶ月、１２ヶ月）保管した。保管後の半導体用接着部材の粘接着剤層の上面に、ダイシング加工すべき厚さ７５μｍの半導体ウェハを５０℃でラミネートにて貼着した。次いで、ダイシング装置（株式会社ディスコ製、ＤＦＤ−６３６１）上に固定して、５０ｍｍ／秒の速度で半導体ウェハをダイシングし洗浄、乾燥して、１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体用接着部材付き半導体素子を得た。
【００９７】
得られた半導体用接着部材付き半導体素子の半導体素子面より、露光機（株式会社オーク製作所製、ＱＲＥ−４０１３）を用いてｉ線（照度５０ｍＷ／ｃｍ２で照射量５００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、濃度２．３８重量％のテトラアンモニウムヒドロキシド水溶液を半導体素子面全体に行き渡るように３０秒間噴霧した後、純水で３０秒噴霧洗浄、乾燥して、サンプルを作製した。次いで、得られた半導体用接着部材付き半導体素子の基材層面より、露光機（株式会社オーク製作所製、ＱＲＥ−４０１３）を用いてｉ線（照度５０ｍＷ／ｃｍ２で照射量１５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し粘接着剤層を硬化し、基材層より剥離除去して、粘接着剤層付き半導体素子を得た。得られた粘接着剤層付き半導体素子の粘接着剤層側を基板（４２アロイ製、リードフレーム）表面上に、１００℃、５．０Ｎ、１．０秒の条件で熱圧着し、さらに得られた半導体素子付の基板を１５０℃、６０分加熱して、半導体装置を作製した。
【００９８】
こうして得られた半導体装置の２５℃でのダイシェア強度をＤＡＧＥ社製、Ｄ−４０００を用いて測定した。所定の期間保管した半導体用接着部材を用いた場合のダイシェア強度と、保管しない初期の半導体用接着部材を用いた場合のダイシェア強度を表１に示す。
【００９９】
（４）耐ＰＣＴ性
実施例１〜３及び比較例１〜２で作製した当初の半導体用接着部材を用いて、上記（３）耐衝撃信頼性の操作と同様して半導体装置を作製し、温度１２１℃、湿度１００％、２気圧の雰囲気（プレッシャークッカーテスト：ＰＣＴ処理）下で、１６８時間処理した後の粘接着剤層と半導体素子との剥離、あるいは粘接着剤層と基板との剥離を目視で観察した。剥離がなかったものを「○」、剥離があったものを「×」として表１に示す。
【０１００】
（５）ピックアップ性
実施例１〜３及び比較例１〜２で作製した半導体用接着部材の粘接着剤層の上面に、ダイシング加工すべき厚さ７５μｍの半導体ウェハを５０℃でラミネートにて貼着した。次いで、ダイシング装置（株式会社ディスコ製、ＤＦＤ−６３６１）上に固定して、５０ｍｍ／秒の速度で１０ｍｍ×１０ｍｍに半導体ウェハをダイシングし洗浄、乾燥して、１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体用接着部材付き半導体素子を得た。
【０１０１】
次いで、半導体用接着部材付き半導体素子の半導体素子面より、露光機（株式会社オーク製作所製、ＱＲＥ−４０１３）を用いてｉ線（照度５０ｍＷ／ｃｍ２で照射量５００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、濃度２．３８重量％のテトラアンモニウムヒドロキシド水溶液を半導体素子面全体に行き渡るように３０秒間噴霧した後、純水で３０秒噴霧洗浄、乾燥した。次いで基材層面より、露光機（株式会社オーク製作所製、ＱＲＥ−４０１３）を用いてｉ線（照度５０ｍＷ／ｃｍ２で照射量  １５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、粘接着剤層を十分硬化させた。その後、ピックアップダイボンダー（キャノンマシナリー株式会社製、ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０２）を用いて、粘接着剤層付き半導体素子を基材層から２００個ピックアップした。ピックアップできた確率（％／２００個）を表１に示す。
【表１】
2009278066.tif 000009
【０１０２】
表１によると、本発明の半導体用接着部材を用いた実施例１〜３は、ダイシング面に残存切削屑が認められず、ピックアップ性が１００.０％と優れており、歩留まり及び作業性に優れていた。また、本発明の半導体用接着部材は、経時変化が少なく可使時間の長く保存安定性に優れており、それを用いて作製した半導体装置は耐衝撃信頼性及び耐ＰＣＴ性が良好であった。
これに対し、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含まない半導体用接着部材を用いた比較例１及び２は、ダイシング面に残存切削屑が多く認められ、ピックアップ性が低下し、歩留まり及び作業性に劣っていた。また、比較例１及び２では、６ヶ月以上保管した接着部材を用いて作製した半導体装置は耐衝撃信頼性及び耐ＰＣＴ性に劣っており、接着部材の可使時間が短く保存安定性が低いことが分った。
【符号の説明】
【０１０３】
１  支持体フィルム
２  粘接着剤層
３  基材層
４  半導体素子
５  半導体素子搭載用支持部材
【図１】
2009278066.tif 000013
【図２】
2009278066.tif 000014