(57)【要約】【課題】  軟磁性層における磁区に起因する磁壁の発生を防ぐことにより、スパイクノイズを低減し、ＳＮＲを向上した垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明にかかる垂直磁気記録媒体は、信号を記録するための磁気記録層２６と、磁気記録層２６より基板側に形成された軟磁性層１８と、軟磁性層１８より基板側に形成され、硬磁性を有し、軟磁性層の磁区を単磁区化する磁区制御層１４とをこの順に備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号を記録するための磁気記録層と、
前記磁気記録層より基板側に形成された軟磁性層と、
前記軟磁性層より基板側に形成され、硬磁性を有し、前記軟磁性層を単磁区化する磁区制御層と、をこの順に備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記軟磁性層と前記磁気制御層との間に、非磁性のスペーサ層を形成したことを特徴とする、請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
基板上に少なくとも、
硬磁性を有する磁区制御層を成膜する工程と、
磁路を形成する軟磁性層を成膜する工程と、
信号を記録する磁気記録層を成膜する工程と、
をこの順に含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記磁区制御層を成膜する工程において、基板の半径方向内向きまたは外向きのいずれかに磁場をかけながら成膜を行うことを特徴とする請求項３に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０Ｇビットを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが提案されている。垂直磁気記録方式は、磁気記録層の磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は従来の面内記録方式に比べて熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
上記垂直記録方式においては、単磁極型垂直ヘッドが用いられ磁気記録層に対して垂直方向の磁界を生じさせている。しかし、単に単磁極型垂直ヘッドを用いるのみでは、単磁極端部を出た磁束が直ぐに反対側のリターン磁極に戻ろうとするため十分な強度の磁界を磁気記録層に印加することができない。そこで、垂直磁気記録媒体の磁気記録層の下に軟磁性層を設け、軟磁性層に磁束の通り道（磁路）を形成することで磁気記録層に垂直方向の強い磁化を印加することが可能となる。すなわち軟磁性層は、書き込むときの磁場によって磁化方向が整列し、動的に磁路を形成する層である。
【０００５】
軟磁性層は書き込む際に利用される層であり、書き込む際の磁場に沿って磁化方向が整列する。しかし読み出す際には軟磁性層に磁化方向を整列させる磁場はかからないので、原則として磁化方向は不規則な方向に散乱している。この不規則な方向は３次元方向であり、軟磁性層の磁化方向に垂直成分が含まれていると、磁気ヘッドで読み出す際に磁気記録層の信号と共にノイズとして拾ってしまうおそれがある。
【０００６】
そこで軟磁性層については、２層に分割し、間に非磁性のスペーサ層を介在させたＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）構造が提案され、実施されている。ＡＦＣ構造においては、軟磁性層が下層と上層で磁化方向が逆転し、相互に引き合うことで結合して固定される。したがって、磁場がかかっていないときの各軟磁性層の磁化方向は互いに反平行（平行かつ互いに逆向き）となり、すなわち基板主表面と平行になる。これにより、磁化の垂直成分が極めて少なくなることで軟磁性層から生じるノイズを低減することができる（特許文献１）。
【０００７】
しかしながら、ＡＦＣ構造をとっている軟磁性層においては、磁化が面内方向に向くことを保証しているのみで、巨視的には磁気ディスクを５〜１０分割するように磁区が形成され、これが新たなノイズの原因となる。言い換えれば、ＡＦＣ構造においては垂直面で見れば上下の軟磁性層で磁化方向が反平行に反転しているが、さらに平面で見れば上下層両方の磁化方向が共に磁区毎に反転していることになる。従って、上記磁区をヘッドが横切る際にノイズを生じることとなる。
【０００８】
そこで軟磁性層の設計においては、軟磁性層に起因するノイズの低減、すなわち軟磁性層の単磁区化が求められることとなる。そこで、軟磁性層においてはＳｍＣｏ等の材料を用いた磁区制御（特開２００６−５９４５３号公報）や、ＩｒＭｎ等の反強磁性層を用いた磁区制御（特開２００４−３４８８４９号公報）が提案されている。しかしながら、上記手法においては、十分な耐食性を得ることが難しいことや、膜構成が複雑となることから実用化は難しい。
【特許文献１】特開２００５−２８５１４９号公報
【特許文献２】特開２００６−５９４５３号公報
【特許文献３】特開２００４−３４８８４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記したように、磁気記録媒体の大容量化、すなわち高記録密度化は益々要求が高まっている。これを達成するためには、電気特性としてＳＮＲ（Signal Noise Ratio）やＯＷ特性（OverWrite特性）などの向上、磁気特性として保磁力（Ｈｃ）や逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）などの向上、そのための磁性粒の微細化や平均化、磁気ヘッドの低浮上量化、トラック幅の削減など様々な要素がある。なかでも電気特性として最も有効な指標とされるＳＮＲは記録密度に影響が大きく、優先的に向上を図る要請がある。
【００１０】
そこで本発明は、容易かつ確実に軟磁性層を単磁区化することにより、軟磁性層における磁区に起因する磁壁の発生を防止し、ＳＮＲを向上した簡便かつ実用可能な垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために発明者らが鋭意検討したところ、非磁性層（例えばＲｕ）を介した軟磁性層/非磁性層/軟磁性層のＡＦＣ構造においては、静磁気的な磁区の安定性から考慮すると多磁区構造となることは避けられないことがわかった。すなわち、仮固定される相手が相互に軟磁性層では、磁化方向はいずれも流動的であり、相対的に反平行であることしか補償されない。
【００１２】
そこで、軟磁性層/非磁性層/軟磁性層の構造の一方側が固定的な面内方向の磁化を有すれば、これとの相互作用により他方側の磁化方向も安定化されることに想到した。また、ＳｍＣｏのように耐食性に劣る材料を用いなくとも、例えば面内磁気記録で用いられたＣｏＣｒ系の材料を用いても磁区の制御は可能であるということに想到し、本発明を完成するに到った。
【００１３】
すなわち、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、信号を記録するための磁気記録層と、磁気記録層より基板側に形成された軟磁性層と、軟磁性層より基板側に形成され、硬磁性を有し、軟磁性層を単磁区化する磁区制御層とをこの順に備えることを特徴とする。
【００１４】
上記構成によれば、磁化方向が様々な方向を向いている軟磁性層の磁化方向を一定方向に制御することができる。このことによって、軟磁性層を単磁区化し、磁区起因の磁壁（ドメイン）の発生を防ぐことができる。よって、スパイクノイズを低減させ、ＳＮＲを向上することができる。
【００１５】
また、あらかじめ、磁区制御層の磁化方向をディスク主表面と平行且つ半径方向内向きまたは外向きにしておく。その結果、軟磁性層の磁化方向は磁区制御層との相互作用により、ディスク主表面と平行の単磁区構造を形成する。磁化方向がディスク主表面と平行となることにより、磁化方向の垂直成分がないため、ノイズが低減される。また、漏れ磁場による磁路形成を防止し、磁束密度を高めてオーバーライト特性を向上させ、かつトラック幅を狭くすることができる。
【００１６】
層の構成として、軟磁性層と磁気制御層との間に、非磁性のスペーサ層を形成するとよい。これにより、軟磁性層と磁区制御層間に数ｎｍの間隔が生じる。その結果、硬磁性層と軟磁性層の相互作用により、軟磁性層の磁区の安定性を高めることができる。
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、基板上に少なくとも、硬磁性を有する磁区制御層を成膜する工程と、磁路を形成する軟磁性層を成膜する工程と、信号を記録する磁気記録層を成膜する工程と、をこの順に含むことを特徴とする。
【００１８】
上記製造方法によれば、垂直磁気記録媒体同様、磁区制御層の磁化容易軸による軟磁性層の磁化方向の制御が可能になり、軟磁性層を単純な膜構成で単磁区化することができる。
【００１９】
磁区制御層を成膜する工程において、基板の半径方向内向きまたは外向きのいずれかに磁場をかけながら成膜するとよい。
【００２０】
これにより、磁区制御層の磁化容易軸が一定方向を向く。そして磁区制御層は硬磁性層であり、保磁力を有することから、成膜時の磁場によって一方向を向いた磁化容易軸はその方向を維持したまま固定される。したがって、磁区制御層によって制御される軟磁性層の磁化方向も一定方向に向けることが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、軟磁性層における磁区発生を防ぐことにより、磁気ヘッドが磁壁を通過する際のスパイクノイズを低減し、ＳＮＲを向上した垂直磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明にかかる垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録媒体の製造方法の実施形態について説明する。図１は本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。なお、以下の実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。
【００２３】
図１は、本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録媒体１００は、基体１０、付着層１２、磁区制御層１４、スペーサ層１６、軟磁性層１８、配向制御層２０、第一下地層２２ａ、第二下地層２２ｂ、第一磁気記録層２６ａ、第二磁気記録層２６ｂ、補助記録層２８、媒体保護層３０、潤滑層３２で構成されている。なお第一下地層２２ａと第二下地層２２ｂはあわせて下地層２２を構成する。第一磁気記録層２６ａと第二磁気記録層２６ｂとはあわせて磁気記録層２６を構成する。
【００２４】
まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性の基体１０を得た。
【００２５】
得られた基体１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、付着層１２から補助記録層２８まで順次成膜を行い、媒体保護層３０はＣＶＤ法により成膜した。この後、潤滑層３２をディップコート法により形成した。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成および製造方法について説明する。
【００２６】
付着層１２は１０ｎｍのＣｒ合金層となるように、Ｃｒ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層１２を形成することにより、基体１０と磁区制御層１４との間の付着性を向上させることができるので、磁区制御層１４の剥離を防止することができる。付着層１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ合金を用いることができる。また、本発明においては、本層は、付着層という役割だけでなく、磁区制御層１４の保磁力を向上させるための層としても機能する。
【００２７】
磁区制御層１４は、軟磁性層１８の磁化方向を制御し、軟磁性層１８における磁壁の発生に起因するスパイクノイズの発生を防止する作用を備える。磁区制御層１４の材料としては、硬磁性を有する磁性体であればよく、具体的には例えば、ＣｏＣｒＰｔ系材料とすることができる。ＣｏＣｒＰｔ系材料以外には、ＣｏＣｒＴａ系材料、ＣｏＰｔ系材料等のＣｏ系材料が挙げられる。
【００２８】
磁区制御層１４を成膜する際に、基板の半径方向内向きまたは外向きのいずれかに磁場をかけることにより、磁区制御層１４の磁化容易軸をディスク主表面と平行且つ半径方向内向きまたは外向きに一定方向を向かせることができる。したがって、磁区制御層１４によって制御される軟磁性層１８の磁化方向も一定方向を向けることが可能となる。その結果、軟磁性層１８の磁化方向もディスク平面と平行なベクトル成分のみとなるため、ＡＦＣ構造の作用と同様に、ノイズが低減されるという効果がある。
【００２９】
軟磁性層１８は、ヘッドから書き込むときの磁場によって磁化方向が整列し、動的に磁路を形成する作用を備える。軟磁性層１８の組成はＦｅＣｏＣｒＢまたはＦｅＣｏＴａＺｒとしたが、特に限定されず、公知の軟磁性材料を用いることができる。例えば、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢなど）、Ｆｅ系合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ系合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＢなど）等を挙げることができる。
【００３０】
スペーサ層１６は、磁区制御層１４と軟磁性層１８の間に介在する。スペーサ層１６の組成は非磁性材料が好ましく、具体的には、Ｒｕ（ルテニウム）とすることができる。スペーサ層１６を形成することにより、軟磁性層１８と磁区制御層１４間に数ｎｍの間隔が生じ、磁区制御層１４の磁化容易軸と軟磁性層１８の相互作用の強度が向上する。これにより、漏れ磁場によって軟磁性層１８に磁路が形成されることを防止し、磁束密度を高めてオーバーライト特性を向上させ、かつトラック幅を狭くすることができる。
【００３１】
配向制御層２０は、軟磁性層１８を防護する作用と、下地層２２の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層２０の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えば、ＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００３２】
下地層２２は、ｈｃｐ構造であって、磁気記録層２６のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。したがって、下地層２２の結晶配向性が高いほど、磁気記録層２６の配向性を向上することができる。下地層２２の材質としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層２６を良好に配向させることができる。
【００３３】
本実施形態において下地層２２は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第二下地層２２ｂを形成する際に、下層側の第一下地層２２ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶粒子を微細化することができる。
【００３４】
第一磁気記録層２６ａは、非磁性物質の例としての酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、２ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３のｈｃｐ結晶構造を形成した。非磁性物質は磁性物質の周辺に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）は柱状のグラニュラー構造を形成した。この磁性粒は、微細化促進層２４のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。
【００３５】
第二磁気記録層２６ｂは、非磁性物質の例としての酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２のｈｃｐ結晶構造を形成した。第二磁気記録層２６ｂにおいても磁性粒はグラニュラー構造を形成した。
【００３６】
補助記録層２８は、グラニュラー磁性層の上に高い垂直磁気異方性を示す薄膜（連続層）を形成し、ＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）を形成するものである。これによりグラニュラー層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、連続膜の高熱ゆらぎ耐性を付け加えることができる。補助記録層２８の組成は、ＣｏＣｒＰｔＢとした。
【００３７】
媒体保護層３０は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成した。媒体保護層３０は、磁気ヘッドの衝撃から磁気記録層２６を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に磁気記録層２６を防護することができる。
【００３８】
潤滑層３２は、ＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層３２の膜厚は約１ｎｍである。
【００３９】
［評価］
以上の製造工程により、垂直磁気記録媒体が得られた。以下に実施例と比較例を用いて、本発明の有効性について説明する。なお、以下の各種データ測定において、実施例及び比較例は上記実施形態のようにすべての層を形成した垂直磁気記録媒体１００ではなく、基体上に付着層、磁区制御層、スペーサ層、軟磁性層、媒体保護層のみを成膜した評価用サンプルを用いて測定を行った。
【００４０】
図２は比較例の膜構成における評価を説明する図であって、図２（ａ）はヒステリシス曲線の図、図２（ｂ）は磁区を観察したＯＳＡ（Optical Surface Analyzer）図である。比較例はＦｅＣｏＣｒＢからなる２層の軟磁性層間にＲｕスペーサ層を介在させ、上記従来例で説明したようにＡＦＣ構造を形成している。
【００４１】
図３は実施例１の膜構成における評価を説明する図であって、図３（ａ）はヒステリシス曲線の図、図３（ｂ）は磁区を観察したＯＳＡ図である。実施例１は、従来は２層あった軟磁性層のうち基板側に形成する層を硬磁性を有する磁区制御層としたサンプルであって、付着層はＣｒＴｉ、磁区制御層の組成はＣｏＣｒＴａである。
【００４２】
図２（ａ）に示すヒステリシス曲線は、比較例では反強磁性交換結合を成しており、ＡＦＣ構造を備えていることを示している。一方、図３（ａ）のヒステリシス曲線は、実施例１の構成では、ほぼＡＦＣ構造を備えていない軟磁性体と同様であることを示している。実施例１においてヒステリシス曲線がほぼ軟磁性体の様相を呈するのは、実施例１の構成では磁区制御層の保磁力が極めて低いためであると考えられる。
【００４３】
また図２（ｂ）のＯＳＡ図は、比較例では軟磁性層の磁区が多磁区化していることを示している。図３（ｂ）のＯＳＡ図は、実施例１では、若干の磁区を除くと、軟磁性層の磁区がほぼ単磁区化していることを示している。すなわち、２層の軟磁性層のうち、基板側に形成する軟磁性層を硬磁性の磁区制御層に置換することにより、軟磁性層の多磁区化を大幅に改善できることがわかる。
【００４４】
図４は実施例２における評価を説明する図であって、図４（ａ）はヒステリシス曲線の図、図４（ｂ）は磁区を観察したＯＳＡ図である。図５は実施例３における評価を説明する図であって、図５（ａ）はヒステリシス曲線の図、図５（ｂ）は磁区を観察したＯＳＡ図である。実施例２および実施例３は、従来は２層あった軟磁性層のうち基板側に形成する層を硬磁性を有する磁区制御層に置換したサンプルであり、実施例２における付着層はＣｒＭｏ、磁区制御層の組成はＣｏＣｒＴａ系材料である。また、実施例３における付着層はＣｒＭｏ、磁区制御層の組成はＣｏＣｒＰｔ系材料である。ここで、ＣｒＭｏは付着層としての役割だけでなく、磁区制御層の保磁力を増加させる層としての役割も担っている。
【００４５】
図４（ａ）、図５（ａ）共に、ヒステリシス曲線には、図２（ａ）のような交換結合磁界Ｈｅｘはほとんど出現していないが、保磁力は図３（ａ）と比較して高い値を示している。また図４（ａ）と図５（ａ）を比較すると、図５（ａ）の方が保磁力が高くなっており、磁区制御層の組成をＣｏＣｒＰｔ系材料にし、かつ、付着層をＣｒＭｏにした効果により、磁区制御層の保磁力が向上していることが示唆される。すなわち、上記したように、少なくとも磁場がかかっていない状態においては、軟磁性層の磁化方向は磁区制御層の磁化との相互作用により一定の方向を向いていると考えられる。
【００４６】
図４（ｂ）のＯＳＡ図は、実施例２の構成では、一部分を除くと、軟磁性層の磁区が単磁区化していることを示している。また、図５（ｂ）のＯＳＡ図は、実施例３の構成では、軟磁性層の磁区が全体で単磁区化していることを示している。よって、図４（ａ）及び図５（ａ）が示す結果に基づいて考察すると、磁区制御層の組成をＣｏＣｒＴａ系材料からＣｏＣｒＰｔ系材料にすると磁区制御層の保磁力が向上し、これに伴って軟磁性層の磁区が単磁区化することがわかる。これは、より保磁力の高いＣｏＣｒＰｔを磁区制御層として用いることにより、磁区制御層と軟磁性層との相互作用が有効に作用し、軟磁性層の磁化方向が固定されるためであると考えられる。
【００４７】
図６は、実施例におけるスペーサ層の膜厚とオーバーライト（ＯＷ）特性との関係を示すグラフである。ＯＷ特性は数値の絶対値が高いほど容易にデータの書き込みが可能であることを意味している。
【００４８】
図６に示すように、実施例のいずれにおいても、スペーサ層の膜厚を次第に厚くしていくとＯＷ特性の絶対値は一旦低下しボトムに達し、更に膜厚を厚くするとＯＷ特性の絶対値は上昇する傾向がある。
【００４９】
ここで、ＡＦＣ媒体の話ではあるが、ＯＷ特性と交換結合磁界Ｈｅｘの強さはトレードオフの関係にある。すなわち、Ｈｅｘが高ければ書き込みにくくＯＷ特性が低下する。しかし、Ｈｅｘが低ければ書き込みやすくＯＷ特性が向上する反面、トラック幅の増大や、隣接トラックへの漏れ磁場による書き込みノイズ（ＷＡＴＥ：Wide Area Track Erasure）の増加を招く。
【００５０】
今回の発明では、Ｈｅｘは出現していないので、ＡＦＣ構造を有するか否かは明らかでない。しかし、磁区制御層と軟磁性層との間に非磁性層を介して相互作用が存在し、単磁区化がなされたものと考えられる。上記のＡＦＣ媒体の事情から類推すれば、図６においてＯＷ特性が低下している部分は磁区制御層と軟磁性層の相互作用が強まっていることを裏付けている。従って、スペーサ層を適切な膜厚とすることにより適切に磁区の形成を防止し、確実に単磁区化することができると考えられる。
【００５１】
上述した如く、本発明によれば、軟磁性層より基板側に形成され、硬磁性を有し、軟磁性層の磁区を単磁区化する磁区制御層を備えたことにより、軟磁性層に起因するノイズを低減させ、ＳＮＲを向上することができる。特に軟磁性層と磁気制御層との間に非磁性のスペーサ層を形成することにより、軟磁性層と磁区制御層との相互作用を強めることができ、より確実に単磁区化を図ることができる。
【００５２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される垂直磁気記録媒体として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本実施形態における垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】比較例の膜構成における評価を説明する図である。
【図３】実施例１の膜構成における評価を説明する図である。
【図４】実施例２における評価を説明する図である。
【図５】実施例３における評価を説明する図である。
【図６】スペーサ層の膜厚とオーバーライト（ＯＷ）特性との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５５】
１０   …基体
１２   …付着層
１４    …磁区制御層
１６    …スペーサ層
１８    …軟磁性層
２０   …配向制御層
２２   …下地層
２２ａ  …第一下地層
２２ｂ  …第二下地層
２６   …磁気記録層
２６ａ  …第一磁気記録層
２６ｂ  …第二磁気記録層
２８   …補助記録層
３０   …媒体保護層
３２   …潤滑層
１００  …垂直磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009116975.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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