(57)【要約】【課題】耐久性に優れるとともに、所望の振動特性を有するアクチュエータを提供すること、かかるアクチュエータを備えた画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、枠状をなす支持部２９と、この枠状をなす支持部２９の内側に設けられた光反射部２２１を有する可動板２２と、可動板２２を回動可能に支持するように支持部２９と可動板２２とを連結する２組の連結部２０、２１とを有し、連結部２０は一対の弾性部材２５、２６を有し、連結部２１は一対の弾性部材２７、２８を有するものであって、弾性部材２５〜２８上には接合膜３を介して圧電素子５１〜５４が接合されている。この接合膜３は、エネルギー付与前において、シロキサン結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動板と、
前記可動板を回動可能に支持するように前記可動板の両側部に連結され、その少なくとも一方が、前記可動板の回動中心軸から離間した位置に設けられた弾性変形可能な弾性部材を備える連結部と、
少なくとも一つの前記弾性部材上に接合膜を介して接合され、長手形状をなし、その長手方向に伸縮することにより当該弾性部材を曲げ変形させる圧電素子とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記弾性部材と前記圧電素子とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項８】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載のアクチュエータ。
【請求項９】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載のアクチュエータ。
【請求項１０】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１１】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１２】
前記弾性部材は、シリコン材料を主材料として構成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１３】
前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層を狭持する一対の電極とを備え、
前記接合膜は、前記圧電素子が有する前記一対の電極のうち、一方の電極と接合されており、
前記接合膜と接合される前記電極は、金属材料を主材料として構成されている請求項１ないし１２のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１４】
前記弾性部材の前記接合膜と接している面には、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１５】
前記圧電素子の前記接合膜と接している面には、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１６】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項１４または１５に記載のアクチュエータ。
【請求項１７】
前記弾性部材と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項１ないし１６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１８】
前記圧電素子と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項１ないし１７のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１９】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項１７または１８に記載のアクチュエータ。
【請求項２０】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１９のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２１】
前記エネルギー線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線である請求項２０に記載のアクチュエータ。
【請求項２２】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項２０または２１に記載のアクチュエータ。
【請求項２３】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２０ないし２２のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２４】
可動板と、
前記可動板を回動可能に支持するように前記可動板の両側部に連結され、その少なくとも一方が、前記可動板の回動中心軸から離間した位置に設けられた弾性変形可能な弾性部材を備える連結部と、
少なくとも一つの前記弾性部材上に接合膜を介して接合され、長手形状をなし、その長手方向に伸縮することにより当該弾性部材を曲げ変形させる圧電素子とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記弾性部材と前記圧電素子とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２５】
可動板と、
前記可動板を回動可能に支持するように前記可動板の両側部に連結され、その少なくとも一方が、前記可動板の回動中心軸から離間した位置に設けられた弾性変形可能な弾性部材を備える連結部と、
少なくとも一つの前記弾性部材上に接合膜を介して接合され、長手形状をなし、その長手方向に伸縮することにより当該弾性部材を曲げ変形させる圧電素子とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記弾性部材と前記圧電素子とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２６】
前記接合膜は、前記圧電素子への通電のための端子として機能する請求項２４または請求項２５に記載のアクチュエータ。
【請求項２７】
前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層の一方の面上に設けられた電極とを有し、
前記圧電体層の他方の面と前記連結部とが前記接合膜を介して接合されている請求項２４ないし２６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２８】
前記各連結部は、前記可動板の回動中心軸を介して対向するように設けられた一対の弾性部材を備え、前記一対の弾性部材のそれぞれに、前記圧電素子が前記接合膜を介して接合されている請求項１ないし２７のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２９】
前記各連結部は、前記一対の弾性部材に回動可能に支持された駆動部材と、前記可動板を前記駆動部材に対して回動可能とするように、前記駆動部材と前記可動板とを連結する弾性変形可能な軸部材とを備えている請求項１ないし２８のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３０】
前記可動板は、光反射性を有する光反射部を備えている請求項１ないし２９のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３１】
請求項３０に記載のアクチュエータを備え、前記光反射部で反射した光を走査して、画像を形成するように構成されていることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクチュエータおよび画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、レーザープリンタ等にて光走査により描画を行うための光スキャナとして、捩り振動子で構成されたアクチュエータを用いたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１には、反射ミラーと、反射ミラーを支持するための固定枠部と、反射ミラーを固定枠部に対して回動可能に連結する１対のバネ部とを備えるアクチュエータが開示されている。そして、このような各バネ部は、途中で２本に分岐した構造をなしている。具体的には、各バネ部は、連結体と、反射ミラーと連結体とを連結する第１のバネ部と、固定枠部と連結体とを連結する第２のバネ部を有している。さらに、第２のバネ部は、反射ミラーの回動中心軸に対して、互いに対向するように設けられた１対の弾性体で構成されている。
【０００３】
各第２のバネ部には、圧電素子が接合されており、この圧電素子は、各第２のバネ部の長手方向へ伸縮する。このような圧電素子は、平面視にて、それが接合されている第２のバネ部の全域を覆うように形成され、かつ、各圧電素子の第２のバネ部側の面の全域が、第２のバネ部と接合している。そして、アクチュエータは、この圧電素子に電圧を印加し、その圧電素子を伸縮させることで、各第２のバネ部を曲げ変形させ、それに伴い、第１のバネ部を捩れ変形させて反射ミラーを回動させ、光を反射し走査する。これにより、光走査により描画を行うことができる。
【０００４】
ところで、このようなアクチュエータでは、バネ部と圧電素子との接合に、エポキシ系の接着剤が広く用いられている。このようなエポキシ系の接着剤は、静止状態では、圧電素子とバネ部とを高い接合強度で接合することができるものの、アクチュエータを駆動させる際に、圧電素子が高速で伸縮する結果、圧電素子と接着剤との界面、あるいは、バネ部と接着剤との界面で剥離が生じることがあった。また、バネ部と圧電素子との間に存在する接着剤層は、数μｍ以上の厚さを有するものであり、圧電素子の駆動力が接着剤層に吸収されてしまい、バネ部に圧電素子の駆動力を十分に伝達することが困難であった。その結果、このようなアクチュエータでは、所望の振動特性を発揮することが難しかった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１９１９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、耐久性に優れるとともに、所望の振動特性を有するアクチュエータを提供すること、かかるアクチュエータを備えた画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のアクチュエータは、可動板と、
前記可動板を回動可能に支持するように前記可動板の両側部に連結され、その少なくとも一方が、前記可動板の回動中心軸から離間した位置に設けられた弾性変形可能な弾性部材を備える連結部と、
少なくとも一つの前記弾性部材上に接合膜を介して接合され、長手形状をなし、その長手方向に伸縮することにより当該弾性部材を曲げ変形させる圧電素子とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記弾性部材と前記圧電素子とを接合していることを特徴とする。
これにより、圧電素子の伸縮に伴い、圧電素子と弾性部材との間で剥離が起きるのが確実に防止され、アクチュエータの耐久性を優れたものとすることができる。また、圧電素子の駆動力を弾性部材に十分に伝達することができ、所望の振動特性を発揮することができるアクチュエータを提供することができる。
【０００８】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、圧電素子および弾性部材に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０００９】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、圧電素子と弾性部材とをより強固に接合することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、Ｓｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の安定性および接着性がより優れたものとなる。
【００１０】
本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
【００１１】
本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、緻密で均質な接合膜を効率よく作製することができる。その結果、接合膜の圧電素子および弾性部材に対する接合強度は特に高いものとなる。
【００１２】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜が機械的特性に優れたものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、圧電素子と弾性部材とを強固に接合することができる。
【００１３】
本発明のアクチュエータでは、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接合膜が接着性に特に優れたものとなる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、圧電素子と弾性部材とを、厚みムラなく十分に高い寸法精度で強固に接合させることができる。さらに、圧電素子の駆動力を弾性部材により効率良く伝達することができる。
【００１４】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、接着剤に比べて接着層（接合膜）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、弾性部材と対応する圧電素子とが、厚みムラなく接合され、各圧電素子が各弾性部材に伝達する駆動力にばらつきが生じるのを、より確実に防止することができる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００１５】
本発明のアクチュエータでは、前記弾性部材は、シリコン材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、弾性部材と接合膜との接合強度は特に優れたものとなる。
本発明のアクチュエータでは、前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層を狭持する一対の電極とを備え、
前記接合膜は、前記圧電素子が有する前記一対の電極のうち、一方の電極と接合されており、
前記接合膜と接合される前記電極は、金属材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、圧電素子と接合膜との接合強度は特に優れたものとなる。
【００１６】
本発明のアクチュエータでは、前記弾性部材の前記接合膜と接している面には、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、弾性部材の接合膜を形成すべき領域を清浄化するとともに、この領域を活性化することができる。その結果、弾性部材と接合膜との接合強度をより高めることができる。
【００１７】
本発明のアクチュエータでは、前記圧電素子の前記接合膜と接している面には、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、圧電素子の接合膜を形成すべき領域を清浄化するとともに、この領域を活性化することができる。その結果、圧電素子と接合膜との接合強度をより高めることができる。
【００１８】
本発明のアクチュエータでは、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、圧電素子または弾性部材の表面を最適化することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記弾性部材と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、弾性部材と接合膜との間の接合強度を高め、信頼性の高いアクチュエータを得ることができる。
【００１９】
本発明のアクチュエータでは、前記圧電素子と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、圧電素子と接合膜との間の接合強度を高め、信頼性の高いアクチュエータを得ることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、弾性部材と接合膜との間、および、圧電素子と接合膜との間において、それぞれ接合強度を高めることができる。
【００２０】
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
【００２１】
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギー線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中のＳｉ骨格が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格と脱離基との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００２２】
本発明のアクチュエータでは、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、弾性部材または圧電素子等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜を確実に活性化させることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、弾性部材または圧電素子に損傷等が生じるのを避けつつ、単に圧縮するのみで、接合膜に十分な接着性を発現させることができる。
【００２３】
本発明のアクチュエータは、可動板と、
前記可動板を回動可能に支持するように前記可動板の両側部に連結され、その少なくとも一方が、前記可動板の回動中心軸から離間した位置に設けられた弾性変形可能な弾性部材を備える連結部と、
少なくとも一つの前記弾性部材上に接合膜を介して接合され、長手形状をなし、その長手方向に伸縮することにより当該弾性部材を曲げ変形させる圧電素子とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記弾性部材と前記圧電素子とを接合していることを特徴とする。
これにより、接合膜は、金属酸化物に脱離基が結合したものとなり、変形し難い強固な膜となる。その結果、耐久性に優れるとともに、所望の振動特性を確実に発揮することができるアクチュエータが得られる。
【００２４】
本発明のアクチュエータは、可動板と、
前記可動板を回動可能に支持するように前記可動板の両側部に連結され、その少なくとも一方が、前記可動板の回動中心軸から離間した位置に設けられた弾性変形可能な弾性部材を備える連結部と、
少なくとも一つの前記弾性部材上に接合膜を介して接合され、長手形状をなし、その長手方向に伸縮することにより当該弾性部材を曲げ変形させる圧電素子とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記弾性部材と前記圧電素子とを接合していることを特徴とする。
これにより、接合膜は、金属原子と有機成分で構成される脱離基とを含むものとなり、変形し難い強固な膜となる。その結果、耐久性に優れるとともに、所望の振動特性を確実に発揮することができるアクチュエータが得られる。
【００２５】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、前記圧電素子への通電のための端子として機能することが好ましい。
これにより、圧電素子の弾性部材側の面に、別途、圧電素子に通電するための端子（電極）を設けることなく、圧電素子に電圧を印加することが可能となり、アクチュエータの製造の簡易化を図ることができる。
【００２６】
本発明のアクチュエータでは、前記圧電素子は、圧電体層と、前記圧電体層の一方の面上に設けられた電極とを有し、
前記圧電体層の他方の面と前記連結部とが前記接合膜を介して接合されていることが好ましい。
これにより、圧電素子の伸縮により発生する駆動力をより効率良く弾性部材に伝達することができ、結果として、所望の振動特性をより確実に発揮することができるアクチュエータを得ることができる。
【００２７】
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、前記可動板の回動中心軸を介して対向するように設けられた一対の弾性部材を備え、前記一対の弾性部材のそれぞれに、前記圧電素子が前記接合膜を介して接合されていることが好ましい。
これにより、所望の振動特性で、より好適に回動可能な可動板を有するアクチュエータを得ることができる。
【００２８】
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、前記一対の弾性部材に回動可能に支持された駆動部材と、前記可動板を前記駆動部材に対して回動可能とするように、前記駆動部材と前記可動板とを連結する弾性変形可能な軸部材とを備えていることが好ましい。
これにより、所望の振動特性で、より好適に回動可能な可動板を有するアクチュエータを得ることができる。
【００２９】
本発明のアクチュエータでは、前記可動板は、光反射性を有する光反射部を備えていることが好ましい。
これにより、アクチュエータを光学デバイスに好適に用いることができる。
本発明の画像形成装置は、本発明のアクチュエータを備え、前記光反射部で反射した光を走査して、画像を形成するように構成されていることを特徴とする。
これにより、耐久性に優れるとともに、優れた描画特性を有する画像形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す斜視図、図２は、図１に示すアクチュエータの上面図、図３は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図４は、図１に示すアクチュエータの駆動電圧の電圧波形の一例を示す図、図５は、図１に示すアクチュエータの駆動電圧として交流電圧を用いた場合における交流電圧の周波数と、可動板および駆動部材のそれぞれの振幅との関係を示すグラフである。
【００３１】
なお、以下では、説明の便宜上、図１中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言い、図３中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
アクチュエータ１は、図１に示すような２自由度振動系を有する基体２と、基体２を支持する支持基板４と、基体２の２自由度振動系を駆動するための圧電素子５１、５２、５３、５４とを有している。
【００３２】
基体２は、図１、図２に示すように、枠状をなす支持部２９と、この枠状をなす支持部２９の内側に設けられた可動板２２と、可動板２２を回動可能に支持するように、可動板２２と支持部２９とを連結する２組の連結部２０、２１とを備えている。本実施形態では、基体２は平面視したときに、左右対称な形状となるように形成されている。
このような連結部２０は、可動板２２を回動中心軸Ｘまわりに支持する軸部材２３１と、軸部材２３１に対応して連結された駆動部材２４１と、駆動部材２４１と支持部２９とを連結する一対の弾性部材２５、２６とを有している。また、連結部２１は、可動板２２を回動中心軸Ｘまわりに支持する軸部材２３２と、軸部材２３２に対応して連結された駆動部材２４２と、駆動部材２４２と支持部２９とを連結する一対の弾性部材２７、２８とを有している。
【００３３】
１対の駆動部材２４１、２４２は、それぞれ板状をなしており、互いに間隔を隔てて設けられている。このような駆動部材２４１は、支持部２９に対して回動可能となるように、１対の弾性部材２５、２６を介して支持部２９に支持されている。同様に、駆動部材２４２は、支持部２９に対して回動可能となるように、１対の弾性部材２７、２８を介して支持部２９に支持されている。そして、１対の駆動部材２４１、２４２の間には可動板２２が設けられている。なお、１対の駆動部材２４１、２４２は互いに同一形状、同一寸法をなしている。また、各駆動部材２４１、２４２の形状は、特に限定されず、板状をなしていなくてもよい。
【００３４】
可動板２２は、板状をなし、その上面（すなわち、支持基板４とは反対側の面）には、光反射性を有する光反射部２２１が設けられている。これにより、アクチュエータ１を光スキャナ、光アッテネータ、光スイッチなどの光学デバイスに適用することができる。また、このような可動板２２は、軸部材２３１を介して駆動部材２４１に支持され、軸部材２３２を介して駆動部材２４２に支持されている。
【００３５】
軸部材２３１、２３２のそれぞれは、長手形状をなし、弾性変形可能である。そして、軸部材２３１は、可動板２２を駆動部材２４１に対して回動可能とするように、可動板２２と駆動部材２４１とを連結している。同様に、軸部材２３２は、可動板２２を駆動部材２４２に対して回動可能とするように、可動板２２と駆動部材２４２とを連結している。このような軸部材２３１、２３２は、互いに同軸的に設けられており、この軸（以下、「回動中心軸Ｘ」という）を中心として、可動板２２が駆動部材２４１、２４２に対して回動し、同様に、駆動部材２４１、２４２のそれぞれが支持部２９に対して回動する。
【００３６】
支持部２９は、枠状（より具体的には四角環状）をなしている。
このような支持部２９の内側には、支持部２９に対し離間した状態で可動板２２が設けられている。
このような支持部２９は、弾性部材２５〜２８を介して１対の駆動部材２４１、２４２を回動可能に支持している。
【００３７】
弾性部材２５〜２８のそれぞれは、長手形状をなし、弾性変形可能である。そして、このような弾性部材２５〜２８のそれぞれは、回動中心軸Ｘと平行な方向へ延在している。
弾性部材２５、２６のそれぞれは、駆動部材２４１を支持部２９に対して回動可能とするように、駆動部材２４１と支持部２９とを連結している。このような１対の弾性部材２５、２６は、可動板２２の平面視にて、回動中心軸Ｘを介して互いに対向するように設けられている。言い換えると、弾性部材２５と弾性部材２６とは、互いの幅方向に並設されている。
【００３８】
同様に、１対の弾性部材２７、２８のそれぞれは、駆動部材２４２を支持部２９に対して回動可能とするように、駆動部材２４２と支持部２９とを連結している。このような１対の弾性部材２７、２８は、可動板２２の平面視にて、回動中心軸Ｘを介して互いに対向するように設けられている。言い換えると、弾性部材２７と弾性部材２８とは、互いの幅方向に並設されている。
【００３９】
すなわち、アクチュエータ１は、幅方向に沿って並設された一対の弾性部材を有する２組の連結部２０、２１を備え、可動板２２をその両側で支持部２９に連結するように構成されている。このように、可動板２２を両持ち支持することにより、アクチュエータ１は、回動中心軸Ｘを一定に保ちつつ、可動板２２および駆動部材２４１、２４２のそれぞれを回動させることが容易となる。なお、このような弾性部材２５〜２８は、互いに同一形状、同一寸法をなしている。また、１対の弾性部材２５、２６と、１対の弾性部材２７、２８とは、可動板２２の平面視にて、可動板２２を中心として左右対称となるように設けられている。
【００４０】
ここで、各弾性部材２５、２６、２７、２８の上面にはそれぞれ、接合膜３を介して、圧電素子５１、５２、５３、５４が接合（接着）されている。
これらの各圧電素子５１、５２、５３、５４は、それぞれ、各弾性部材２５、２６、２７、２８の長手方面へ伸縮するものである。
また、各弾性部材２５、２６、２７、２８と各圧電素子５１、５２、５３、５４との間に設けられた接合膜３は、エネルギー付与前において、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。
【００４１】
そして、この接合膜３は、エネルギーを付与したことにより、脱離基がＳｉ骨格から脱離し、これにより接合膜３の表面に発現した接着性によって、各弾性部材２５、２６、２７、２８と各圧電素子５１、５２、５３、５４とを接合している。
このような接合膜３は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このような構造の接合膜３は、従来より弾性部材と圧電素子との接合に用いられてきた接着剤を硬化してなる接着剤層の厚さに比べ、その厚さを十分に薄くすることができるとともに、十分な接合強度が得られる。特に、各圧電素子５１、５２、５３、５４が高速で伸縮した際にも、各弾性部材２５、２６、２７、２８と各圧電素子５１、５２、５３、５４とが剥離するのを確実に防止する。したがって、このようなアクチュエータ１の耐久性は優れたものとなるとともに、各圧電素子５１、５２、５３、５４の駆動力を各弾性部材２５、２６、２７、２８に十分に伝達することができる。
なお、接合膜３については、後に詳述する。
【００４２】
このような基体２を備えるアクチュエータ１は、圧電素子５１、５２に互いに逆位相の電圧を印加することにより、１対の弾性部材２５、２６を互いに反対方向へ曲げ変形させて駆動部材２４１を回動中心軸Ｘまわりに回動させるとともに、圧電素子５３、５４に互いに逆位相の電圧を印加することにより、弾性部材２７、２８を互いに反対方向へ曲げ変形させて駆動部材２４２を回動中心軸Ｘまわりに回動させる。そして、１対の駆動部材２４１、２４２の回動に伴い、１対の軸部材２３１、２３２を捩り変形させながら可動板２２を回動中心軸Ｘまわりに回動させるように構成されている。このことから、基体２は、弾性部材２５〜２８と１対の駆動部材２４１、２４２とで構成された第１の振動系と、１対の軸部材２３１、２３２と可動板２２とで構成された第２の振動系を有していると言える。すなわち、アクチュエータ１は、第１の振動系と第２の振動系とからなる２自由度振動系を有している。
【００４３】
このような基体２は、例えば、シリコンを主材料として構成されていて、可動板２２と、１対の軸部材２３１、２３２と、１対の駆動部材２４１、２４２と、弾性部材２５〜２８と、支持部２９とが一体的に形成されている。このように、シリコンを主材料とすることにより、優れた回動特性を実現できるとともに、優れた耐久性を発揮することができる。また、微細な処理（加工）が可能であり、アクチュエータ１の小型化を図ることができる。さらに、シリコンと後述する接合膜３を構成する材料とは、化学構造の類似性により、親和性が高い。そのため、シリコンを主材料とする基体２と後述する接合膜３との接合強度をさらに高いものとすることができる。
【００４４】
なお、基体２は、ＳＯＩ基板等の積層構造を有する基板から、可動板２２と、軸部材２３１、２３２と、駆動部材２４１、２４２と、弾性部材２５〜２８と、支持部２９とを形成したものであってもよい。その際、可動板２２と、軸部材２３１、２３２と、駆動部材２４１、２４２と、弾性部材２５〜２８と、支持部２９とが一体的となるように、これらを積層構造基板の１つの層で構成するのが好ましい。
【００４５】
以上のような基体２は、接合層５を介して支持基板４と接合している。このような支持基板４は、例えば、ガラスやシリコンを主材料として構成されている。また、接合層５は、例えば、ガラス、シリコンまたはＳｉＯ２を主材料として構成されている。
支持基板４は、枠状をなし、可動板２２の平面視にて、支持部２９とほぼ同一形状をなしている。また、支持基板４は、その内側に空間（開口部）４１を有している。この開口部３１は、可動板２２および駆動部材２４１、２４２が回動する際に、支持基板４に接触するのを防止する逃げ部を構成する。なお、支持基板４の形状については、これに限定されず、例えば、図１でいう左右に分割した形状であってもよいし、空間４１が支持基板４の下面（基体２と反対側の面）で開口していなくてもよい。また、支持部２９の形状などによっては、支持基板４を省略してもよい。
【００４６】
アクチュエータ１は、前述したように、圧電素子５１〜５４をそれぞれ伸縮させることで弾性部材２５〜２８を曲げ変形させ、それに伴い、可動板２２を回動させるように構成されている。
そこで、圧電素子５１〜５４（構成、接合状態など）について説明するが、圧電素子５１〜５４は、互いに同様の構成であるため、圧電素子５１について代表して説明し、圧電素子５２〜５４については、その説明を省略する。
【００４７】
圧電素子５１は、接合膜３を介して、弾性部材２５および弾性部材２５と隣接する支持部２９と接合している。このような圧電素子５１は、弾性部材２５の長手方向へ伸縮し、その伸縮方向を長手とする長手形状をなしている。
圧電素子５１は、図３に示すように、圧電材料を主材料として構成された圧電体層５１１と、この圧電体層５１１を挟持する１対の電極５１２、５１３とを有している。
【００４８】
圧電体層５１１を構成するための圧電材料としては、例えば、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム、その他、各種のものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムおよびチタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で圧電体層５１１を構成することにより、より高い周波数でアクチュエータ１を駆動することができる。
【００４９】
電極５１２は、圧電体層５１１の下面の全域を覆うように形成されている。そして、図３に示すように、この電極５１２が、接合膜３を介して弾性部材２５および支持部２９の一部と接合している。一方、電極５１３は、圧電体層５１１の上面の全域を覆うように形成されている。そして、圧電素子５１は、電極５１２および電極５１３が、図示しない電源回路に接続されていて、周期的に変化する電圧が印加されるようになっている。これにより圧電素子５１を伸縮させることができる。
【００５０】
このような電極５１２、５１３を構成するための材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の導電性材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、前記導電性高分子材料は、通常、酸化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。これらの中でも、電極５１２、５１３を構成するための材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔまたはこれらを含む合金を主とするものが好適に用いられる。これらの金属材料を用いると、電解あるいは無電解メッキ法を用いて、容易かつ安価に電極５１２、５１３を形成することができる。また、このような金属材料は、後述する接合膜３との親和性が高く、電極５１２と接合膜３との接合強度をさらに高いものとすることができる。
【００５１】
以上のような構成のアクチュエータ１は、次のようにして駆動する。
例えば、図４（ａ）に示すような電圧を圧電素子５１、５３に印加するとともに、図４（ｂ）に示すような電圧を圧電素子５２、５４に印加する。すなわち、互いに位相の１８０°ずれた電圧を圧電素子５１、５３と圧電素子５２、５４とに印加する。すると、圧電素子５１、５３を伸張状態とするとともに、圧電素子５２、５４を収縮状態とする状態（第１の状態）と、圧電素子５１、５３を収縮状態とするとともに、圧電素子５２、５４を伸長状態とする状態（第２の状態）とを交互に繰り返す。
具体的には（弾性部材２５、２６について代表して説明する）、第１の状態では、圧電素子５１が伸張することにより、弾性部材２５が圧電素子５１と反対側に曲げ変形するとともに、圧電素子５２が収縮することにより、弾性部材２６が圧電素子５２側に曲げ変形する。
【００５２】
一方、第２の状態では、圧電素子５１が収縮することにより、弾性部材２５が圧電素子５１側に曲げ変形するとともに、圧電素子５２が伸張することにより、弾性部材２６が圧電素子５２と反対側に曲げ変形する。
このように、弾性部材２５、２６を互いに反対方向へ曲げ変形させることで駆動部材２４１を回動させ、これと同時に、弾性部材２７、２８を互いに反対方向へ曲げ変形させることで駆動部材２４２を回動させ、それに伴い、１対の軸部材２３１、２３２を捩り変形させて、可動板２２を回動中心軸Ｘまわりに回動させる。
【００５３】
以上のように、アクチュエータ１は、圧電素子５１〜５４により駆動力を得るため、低電圧駆動であっても比較的大きな駆動力で駆動することができる。そのため、低電圧駆動であっても、弾性部材２５〜２８のバネ定数（捩り剛性）を高めて、アクチュエータ１を高周波で駆動することができる。
ところで、このような可動板２２および１対の駆動部材２４１、２４２の振動系（２自由度振動系）では、駆動部材２４１、２４２および可動板２２の振幅（振れ角）と、印加する交流電圧の周波数との間に、図５に示すような周波数特性が存在している。
【００５４】
すなわち、かかる振動系は、駆動部材２４１、２４２の振幅と、可動板２２の振幅とが大きくなる２つの共振周波数ｆｍ１［ｋＨｚ］、ｆｍ３［ｋＨｚ］（ただし、ｆｍ１＜ｆｍ３）と、駆動部材２４１、２４２の振幅がほぼ０となる、１つの反共振周波数ｆｍ２［ｋＨｚ］とを有している。
この振動系では、圧電素子５１〜５４に印加する交流電圧の周波数Ｆが、２つの共振周波数のうち低いもの、すなわち、ｆｍ１とほぼ等しくなるように設定するのが好ましい。これにより、駆動部材２４１、２４２の振幅を抑制しつつ、可動板２２の振れ角（回転角度）を大きくすることができる。
【００５５】
なお、本明細書中では、Ｆ［ｋＨｚ］とｆｍ１［ｋＨｚ］とがほぼ等しいとは、（ｆｍ１−１）≦Ｆ≦（ｆｍ１＋１）の条件を満足することを意味する。
ここで、接合膜３について説明する。
なお、図８は、本実施形態のアクチュエータ１が有する接合膜３のエネルギー付与前の表面付近の状態を示す部分拡大図、図９は、本実施形態のアクチュエータ１が有する接合膜３のエネルギー付与後の表面付近の状態を示す部分拡大図である。
【００５６】
接合膜３のエネルギーを付与する前の状態は、図８に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜３にエネルギーを付与すると、図９に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３の表面に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３により、各弾性部材２５、２６、２７、２８（以下、単に各弾性部材ともいう。）と各圧電素子５１、５２、５３、５４（以下、単に各圧電素子ともいう。）とが接合されている。
【００５７】
ところで、このようなアクチュエータでは、弾性部材と圧電素子との接合方法として、粘接着剤（例えば、エポキシ系の接着剤等）が広く用いられてきた。このような粘接着剤は、圧電素子の静止状態では、弾性部材と圧電素子とを十分に高い接合強度で接着させることができるものの、アクチュエータを駆動させると、圧電素子が高速で伸縮することにより、弾性部材と圧電素子との間で剥離が起きるという問題があった。また、このような粘接着剤を硬化、乾燥してなる粘接着剤層の厚さは、数μｍ以上の厚さを有するものであり、圧電素子の駆動力が接着剤層に吸収されてしまい、弾性部材に圧電素子の駆動力を十分に伝達することが困難であった。
【００５８】
また、バネ部と圧電素子との接合方法として、部材同士を直接接合する個体接合を用いる方法がある。個体接合を用いる接合では、バネ部と圧電素子との間に接着剤層のような中間層が介在しないため、圧電素子の駆動力を十分にバネ部に伝達できることが期待される。しかしながら、個体接合では、接合プロセスにおいて、圧電素子およびバネ部に対して高温（例えば、７００〜８００℃程度）での熱処理が必要となるため、圧電素子を構成する圧電体が脱分極してしまい、圧電アクチュエータの駆動力の低下を招いてしまう。
【００５９】
上述したような課題は、圧電素子としてバルク状のものを用いた場合に生じる。圧電素子として蒸着やスパッタ法を用いて形成する場合には、フォトリソグラフィーなどの半導体プロセスを用いて、バネ部に対して比較的高い接合強度で接合される圧電素子を形成することができる。ところが、圧電素子が薄膜に限定されるため、大きな駆動力を必要とするアクチュエータには適用できないという問題があった。
【００６０】
これに対して、本実施形態のアクチュエータ１では、粘接着剤のように、主に、アンカー効果のような物理的な結合に基づく接着ではなく、短時間で、かつ共有結合のような強固な化学結合に基づいて、各弾性部材と各圧電素子とが接合されている。このため、各圧電素子が高速で伸縮する際にも、各弾性部材と各圧電素子との間で剥離が生じるのが確実に防止され、アクチュエータ１の耐久性を優れたものとすることができる。また、このような接合膜３は、厚みムラが生じ難いものであるとともに、粘接着剤を熱や光により硬化させてなる粘接着剤層の厚さよりも極めて厚さが薄いものである。これにより、各圧電素子の駆動力を、接合膜３を介して接合される各弾性部材に十分に伝達することができる。結果として、所望の振動特性を有するアクチュエータ１となる。
【００６１】
また、従来から用いられている粘接着剤は、硬化時に体積収縮を起こし、形成される粘接着剤層に残留応力が生じるものであったが、上述したような接合膜３は、体積収縮が起こらず、残留応力がほとんど発生しないものである。圧電素子と接合される弾性部材の主材料がシリコンで構成されたものである場合には、このような残留応力が生じると、圧電素子を駆動させていない状態においても、弾性部材が圧電素子側に反ってしまい、結果として、可動板に所望の回動挙動をさせることが困難となる。これに対して、各弾性部材と各圧電素子とが接合膜３を介して接合されたアクチュエータ１では、このような問題が発生するのを確実に防止することができる。また、接合膜３は、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、各圧電素子の駆動時に発生する熱によって、接合膜３が変質、劣化するのを確実に防止することができ、各弾性部材と各圧電素子との接合強度を長期間にわたって高いものとし続けることができる。
【００６２】
また、このような接合膜３は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、従来、流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。これにより、各弾性部材と各圧電素子とが、厚みムラなく接合され、各圧電素子が各弾性部材に伝達する駆動力にばらつきが生じるのを、より確実に防止することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００６３】
このような接合膜３としては、特に、接合膜３を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３自体が強固なものとなる。また、かかる接合膜３は、各圧電素子および各弾性部材に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００６４】
また、接合膜３中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、各弾性部材と各圧電素子とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の安定性が高くなり、各弾性部材および各圧電素子との接着性がより優れたものとなる。
【００６５】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【００６６】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００６７】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００６８】
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
【００６９】
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、各弾性部材と各圧電素子との間をより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【００７０】
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、エネルギーを付与されることにより、表面に接着性が発現するとともに、表面以外の部分においては、前述したアルキル基による作用・効果が得られるという利点も有する。したがって、接合膜３は、耐候性、撥水性、および耐薬品性に優れたものとなる。
【００７１】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３は、接着性に特に優れることから、本実施形態のアクチュエータ１に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００７２】
また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、各弾性部材と各圧電素子とを、厚みムラなく、十分に高い寸法精度で強固に接合させることができる。さらに、圧電素子の駆動力を弾性部材により効率良く伝達することができる。
【００７３】
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、各圧電素子の駆動力を各弾性部材に十分に伝達するのが困難となるおそれがる。
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、各弾性部材の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、各弾性部材と各圧電素子とを貼り合わせた際に、接合膜３と、各弾性部材と各圧電素子との密着性を高めることができる。
【００７４】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
このような接合膜３は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製することができるが、これらの中でも、プラズマ重合法により作製されたものが好ましい。プラズマ重合法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、耐久性に優れるとともに、各弾性部材と各圧電素子とを強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータ１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
また、各弾性部材と各圧電素子は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、各弾性部材と各圧電素子とをより強固に接合することができる。
【００７５】
次に、アクチュエータ１の本発明にかかる製造方法について詳述する。
図６および図７は、それぞれ、本実施形態のアクチュエータ１の製造方法を説明するための図（図１中Ａ−Ａ線縦断面図に対応する図）である。なお、以下では、説明の便宜上、図６および図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
［１］まず、図６（ａ）に示すように、基体２と支持基板４とを形成するためのＳＯＩ基板７を用意する。このようなＳＯＩ基板７は、Ｓｉ層７１と、ＳｉＯ２層７２と、Ｓｉ層７３とが積層した積層構造をなしている。そして、図６（ｂ）に示すように、Ｓｉ層７１の上面に、可動板２２と、軸部材２３１、２３２と、駆動部材２４１、２４２と、弾性部材２５〜２８と、支持部２９との平面視形状に対応する形状をなすレジストマスク８１を形成するとともに、Ｓｉ層７３の下面に、支持基板４の平面視形状に対応する形状をなすレジストマスク８２を形成する。
【００７６】
次に、レジストマスク８１を介して、Ｓｉ層７１をエッチングする。その後、レジストマスク８１を除去する。これにより、図６（ｃ）に示すように、可動板２２と、軸部材２３１、２３２と、駆動部材２４１、２４２と、弾性部材２５〜２８と、支持部２９とが一体的に形成されたＳｉ層７１が得られる。なお、このとき、ＳｉＯ２層７２は、エッチングのストップ層として機能する。このようなエッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
次に、図６（ｄ）に示すように、Ｓｉ層７１の上面に、金属膜を形成し、光反射部２２１を形成する。このような金属膜の形成方法としては、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、金属箔の接合等が挙げられる。
【００７７】
［２］  次に、図６（ｅ）に示すように、光反射部２２１を形成したＳｉ層７１上の一部、すなわち基体２の弾性部材２５〜２８上、および各弾性部材と連結している支持部２９上の一部の領域に接合膜３を形成する。
以下、基体２の一部の領域上に接合膜３を形成する方法について説明する。
まず、接合膜３をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、接合膜３の形成方法を説明するのに先立って、接合膜３を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜３の形成方法について説明する。
【００７８】
図１０は、本実施形態にかかるアクチュエータが備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１０に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、基体２（ＳＯＩ基板７）を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
【００７９】
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図１０に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
【００８０】
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
【００８１】
第１の電極１３０は、板状をなしており、基体２を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図１０に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。
【００８２】
第１の電極１３０の基体２を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図１０に示すように、基体２を鉛直方向に沿って支持することができる。また、基体２に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で基体２をプラズマ処理に供することができる。
【００８３】
第２の電極１４０は、基体２を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
【００８４】
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
【００８５】
図１０に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９０１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９０２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９０３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９０４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【００８６】
貯液部１９０１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して基体２の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９０２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
【００８７】
ガスボンベ１９０３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９８が設けられている。
拡散板１９８は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
【００８８】
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による基体２の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７２が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【００８９】
次に、基体２の弾性部材２５〜２８上、および各弾性部材と連結している支持部２９上の一部の領域に、接合膜３を形成する方法について説明する。
［２−１］  まず、基体２の弾性部材２５〜２８上、および各弾性部材と連結している支持部２９上の一部の領域に対応する形状の窓部を有するマスクを、基体２上に形成する。このようにしてマスクを形成した基体２をプラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
【００９０】
次に、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
【００９１】
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が基体２上に付着・堆積する。これにより、図６（ｅ）に示すように、基体２のマスクの窓部に対応した領域にプラズマ重合膜で構成された接合膜３が形成される。
【００９２】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【００９３】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００９４】
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【００９５】
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜３の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜３の厚さを容易に調整することができる。このため、各弾性部材と各圧電素子との間の距離を厳密に制御することができる。
また、基体２の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のような処理を行った後、マスクを除去して接合膜３を得ることができる。
【００９６】
［２−２］次に、基体２上に形成した接合膜３に対してエネルギーを付与する。
エネルギーが付与されると、接合膜３では、図８に示す脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図９に示すように、接合膜３の表面および内部に活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３の表面に、各圧電素子との接着性が発現する。
【００９７】
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）接合膜３にエネルギー線を照射する方法、（II）接合膜３を加熱する方法、（III）接合膜３に圧縮力を付与する（物理的エネルギーを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。
このうち、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
【００９８】
以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。
（Ｉ）接合膜３にエネルギー線を照射する場合、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザー光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図７（ａ）参照）。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を発現させることができる。
【００９９】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１００】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１０１】
一方、レーザー光としては、例えば、エキシマレーザー（フェムト秒レーザー）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等が挙げられる。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１０２】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による基体２の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３と各圧電素子との間の接合強度を容易に制御することができる。
【０１０３】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
このようなエネルギー線の照射は、図７（ａ）に示すように、基体２上全面に行ってもよいし、接合膜３が設けられた領域のみに照射してもよい。
【０１０４】
（II）接合膜３を加熱する場合（図示せず）、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、基体２等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜３の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１０５】
また、接合膜３は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
なお、接合される部材間の熱膨張率がほぼ等しい場合には、上記のような条件で接合膜３を加熱すればよいが、これらの熱膨張率が互いに異なっている場合には、後に詳述するが、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１０６】
（III）本実施形態では、各弾性部材と各圧電素子とを貼り合わせる前に、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、これらを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、基体２上に接合膜３を形成した後、エネルギーを付与する前に、接合膜３と各圧電素子とが密着するように、これらを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の接合膜３に対してエネルギーを付与することにより、接合膜３に接着性が発現し、接合膜３を介して各弾性部材と各圧電素子とがそれぞれ接合（接着）される。
【０１０７】
この場合、仮接合体中の接合膜３に対するエネルギーの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、接合膜３に圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、接合される部材同士が互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜３に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜３に十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、接合される部材の各構成材料によっては、部材に損傷等が生じるおそれがある。
【０１０８】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、接合される部材間は、まだ接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、接合される部材の相対位置を微調整することにより、最終的に得られるアクチュエータ１の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。
【０１０９】
以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、接合膜３にエネルギーを付与することができる。
なお、接合膜３の全面にエネルギーを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、接合膜３の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、接合される部材間の熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。
【０１１０】
ここで、前述したように、エネルギーが付与される前の状態の接合膜３は、図８に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜３にエネルギーが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図９に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【０１１１】
ここで、接合膜３を「活性化させる」とは、接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
【０１１２】
したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
【０１１３】
［２−３］次に、各圧電素子（被着体）を用意する。そして、図７（ｂ）に示すように、接着性が発現してなる接合膜３と各圧電素子とが密着するように、これらを貼り合わせる。これにより、図７（ｃ）に示すように、基体２（各弾性部材および各弾性部材と連結する支持部２９の一部の領域）と各圧電素子とが、接合膜３を介して接合（接着）される。
【０１１４】
なお、各圧電素子の形成方法は特に限定されない。圧電素子５１について代表的に説明すると、例えば、薄膜状の電極５１２を用意し、その面上に圧電体層５１１をＣＶＤ、スパッタリング、水熱合成、ゾルゲル、微粒子吹き付け等の薄膜形成法などにより形成し、その圧電体層の電極５１２と反対側の面に電極５１３を形成することにより圧電素子５１を形成してもよい。また、同様にして圧電素子５２、５３、５４を得ることができる。
【０１１５】
ここで、上記のようにして接合される基体２と各圧電素子の各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。基体２と各圧電素子の各熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られるアクチュエータ１において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
【０１１６】
また、基体２と各圧電素子の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、これらを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、基体２と各圧電素子とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、基体２と各圧電素子の各熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１１７】
具体的には、基体２と各圧電素子との熱膨張率差にもよるが、基体２と各圧電素子の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、これらを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基体２と各圧電素子との熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、アクチュエータ１における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【０１１８】
また、この場合、基体２と各圧電素子との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜３を用いることにより、上述したような低温下でも、基体２と各圧電素子とを強固に接合することができる。
また、基体２と各圧電素子は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、基体２と各圧電素子とをより強固に接合することができる。
【０１１９】
なお、基体２の接合膜３を成膜する領域には、あらかじめ、接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、基体２と接合膜３との間の接合強度をより高めることができ、最終的には、基体２と各圧電素子との接合強度を高めることができる。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基体２の接合膜３を成膜する領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。
【０１２０】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３を形成するために、基体２の表面を特に最適化することができる。
さらに、基体２の接合膜３を成膜する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、基体２と接合膜３との接合強度を十分に高くすることができる。
【０１２１】
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うのが好ましい。
【０１２２】
また、表面処理に代えて、基体２の少なくとも接合膜３を成膜する領域には、あらかじめ、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基体２上に接合膜３を成膜することにより、基体２と接合膜３との接合強度を高め、信頼性の高い接合体、すなわちアクチュエータ１を得ることができる。
【０１２３】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２４】
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基体２と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。
一方、各圧電素子の接合膜３と接触する領域にも、あらかじめ、接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、各圧電素子と接合膜３との間の接合強度をより高めることができる。
【０１２５】
なお、この表面処理には、基体２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
また、表面処理に代えて、各圧電素子の接合膜３と接触する領域に、あらかじめ、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、各圧電素子と接合膜３との間の接合強度をより高めることができる。
【０１２６】
かかる中間層の構成材料には、前述の基体２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、接合膜３を備える基体２と、各圧電素子とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、各圧電素子の基体２（各弾性部材および各弾性部材と連結する支持部２９の一部）との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３と各圧電素子とが接触するように、基体２と各圧電素子とを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、各圧電素子の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３を備える基体２と各圧電素子とが接合されると推察される。
【０１２７】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と各圧電素子との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３を介して基体２と各圧電素子とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［２−２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２−２］の終了後、できるだけ早く本工程［２−３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２−２］の終了後、６０分以内に本工程［２−３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を備える基体２と各圧電素子とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１２８】
このようにして接合された基体２（各弾性部材および各弾性部材と連結する支持部２９の一部）と各圧電素子との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高いアクチュエータ１が得られる。
【０１２９】
［３］  次に、レジストマスク８２を介してＳｉ層７３をエッチングする。その後、レジストマスク８２を除去する。これにより、図７（ｄ）に示すように、支持基板４が形成されたＳｉ層７３が得られる。このとき、ＳｉＯ２層７２は、エッチングのストップ層として機能する。最後に、空間４１に対応する部分のＳｉＯ２層７２を除去し、各圧電素子を電源回路に接続（図示せず）することにより図７（ｅ）に示すように、アクチュエータ１を得ることができる。
【０１３０】
なお、上記では、基体２上に成膜された接合膜３と各圧電素子とが密着するように貼り合わせる場合について説明しているが、各圧電素子の下面に成膜された接合膜３と基体２（各弾性部材および各弾性部材と連結する支持部２９の一部）とが密着するように、基体２と各圧電素子とを貼り合わせるようにしてもよい。
また、接合膜３は、基体２（各弾性部材および各弾性部材と連結する支持部２９の一部）と各圧電素子の双方に成膜されていてもよい。この場合、基体２上に成膜された接合膜３と、各圧電素子に成膜された接合膜３とが密着するように、基体２と各圧電素子とを貼り合わせることにより、これらをより強固に接合することができる。
また、アクチュエータ１を得た後、このアクチュエータ１に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［４Ａ］および［４Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（アクチュエータ１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、アクチュエータ１の各部の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１３１】
［４Ａ］得られたアクチュエータ１を圧縮するように、具体的には、基体２と各圧電素子とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、上記各部の表面と隣接する接合膜の表面とがより近接し、アクチュエータ１における接合強度をより高めることができる。
また、アクチュエータ１を加圧することにより、アクチュエータ１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、アクチュエータ１における接合強度をさらに高めることができる。
【０１３２】
なお、この圧力は、アクチュエータ１の各部の構成材料や形状、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、上記条件に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、アクチュエータ１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、アクチュエータ１の各部の構成材料によっては、アクチュエータ１に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、アクチュエータ１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１３３】
［４Ｂ］得られたアクチュエータ１を加熱する。
これにより、アクチュエータ１における接合強度をより高めることができる。
このとき、アクチュエータ１を加熱する際の温度は、室温より高く、アクチュエータ１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、アクチュエータ１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【０１３４】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
なお、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、アクチュエータ１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、アクチュエータ１の接合強度を特に高めることができる。
以上のような工程を行うことにより、アクチュエータ１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１３５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明のアクチュエータの第２実施形態について説明する。
図１１は、第２実施形態にかかるアクチュエータが備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図１２は、第２実施形態にかかるアクチュエータが備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１１および図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１３６】
以下、アクチュエータの第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態にかかるアクチュエータとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかるアクチュエータは、接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、接合膜３がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の接合膜３は、図１１に示すように、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜であると言うことができる。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、接合膜３の少なくとも表面付近に、図１２に示す活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１３７】
以下、本実施形態にかかる接合膜３について説明する。
接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が厚みムラのない寸法精度の高いものとなり、各圧電素子の駆動力を各弾性部材により効率良く伝達することができる。
【０１３８】
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。これにより、各弾性部材と各圧電素子とが、厚みムラなく接合され、各圧電素子が各弾性部材に伝達する駆動力にばらつきが生じるのを、より確実に防止することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１３９】
また、本発明では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、後述するアクチュエータ１において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。その結果、静電気力に伴うアクチュエータ１の不具合、具体的には、各圧電素子に不本意な電圧が印加されるのが確実に防止され、所望の振動特性を確実に発揮することができるアクチュエータ１を得ることができる。
【０１４０】
また、導電性を有する接合膜３は、圧電素子に通電するための端子（電極）および配線としての機能を併せ持つことができる。これにより、各圧電素子の接合膜と接合される側に電極を設ける必要がなくなり（例えば、圧電素子５１の場合、電極５１２を設ける必要がなくなる。）、アクチュエータ１の構造をより簡単にすることができるとともに、製造工程の簡素化を図ることができる。
【０１４１】
また、接合膜３が導電性を有する場合、接合膜３の抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜３の表面３５付近に存在していればよく、接合膜３のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３の表面３５付近に偏在していてもよい。脱離基３０３が表面３５付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３に、接合を担う機能の他に、導電性および透光性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜３の導電性および透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
【０１４２】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０１４３】
このうち、遷移金属は、最外殻電子がｄ軌道またはｆ軌道に位置しており、各遷移金属元素間は、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、接合膜３が含む金属原子として、遷移金属元素の原子を選択することにより、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の導電性をより高めることができる。
【０１４４】
また、特に、接合膜３が含む金属原子としてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、ＴｉおよびＳｂのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
【０１４５】
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基体２と各圧電素子とをより強固に接合することができるようになる。
【０１４６】
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１４７】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、基体２と各圧電素子との接着性をより高度なものとすることができる。
【０１４８】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０１４９】
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、基体２に対して特に強固に接着するとともに、各圧電素子に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基体２と各圧電素子とを強固に接合することができる。
【０１５０】
また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、基体２と各圧電素子とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１５１】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基体２の接合面（接合膜３を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基体２と各圧電素子とを貼り合わせた際に、接合膜３の各圧電素子に対する密着性を高めることができる。
【０１５２】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【０１５３】
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、基体２上に接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞  Ａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を基体２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜３のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。
【０１５４】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、各圧電素子に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータ１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１５５】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【０１５６】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、基体２上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図１３は、本実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１４は、図１３に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図１３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１５７】
図１３に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、基体２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【０１５８】
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、基体２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【０１５９】
イオン源（イオン銃）２１５は、図１４に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図１３に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
【０１６０】
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
【０１６１】
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【０１６２】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【０１６３】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２２が配設されている。
これらシャッター２２０、２２２は、それぞれ、ターゲット２１６、基体２および接合膜３が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１６４】
また、排気手段２３０は、ポンプ２３０２と、ポンプ２３０２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３０１と、排気ライン２３０１の途中に設けられたバルブ２３０３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
【０１６５】
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして接合膜３が形成される。
ここでは、基体２上に接合膜３を成膜する方法について説明する。
まず、基体２を用意し、この基体２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
【０１６６】
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３０２を作動させた状態でバルブ２３０３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
【０１６７】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０１６８】
次に、第２のシャッター２２２を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１６９】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が基体２上に堆積することにより、接合膜３が形成される。
【０１７０】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
【０１７１】
＜Ｂ＞  一方、Ｂの方法では、接合膜３は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【０１７２】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０１７３】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、基体２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１７４】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０１７５】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０１７６】
［ｉ］  まず、基体２を用意する。そして、この基体２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
［ii］  次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３０２を作動させた状態でバルブ２３０３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１７７】
［iii］  次に、第２のシャッター２２２を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１７８】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、基体２上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０１７９】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０１８０】
［iv］  次に、第２のシャッター２２２を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、基体２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０１８１】
［v］  次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
【０１８２】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程［ii］において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０１８３】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１８４】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
以上のような第２実施形態にかかるアクチュエータ１においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０１８５】
＜第３実施形態＞
次に、本発明のアクチュエータの第３実施形態について説明する。
以下、アクチュエータの第３実施形態について説明するが、前記第１実施形態にかかるアクチュエータとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかるアクチュエータは、接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１８６】
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、接合膜３がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３から脱離し、接合膜３の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１８７】
以下、本実施形態にかかる接合膜３について説明する。
接合膜３は、基体２上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３の接合手が切れて接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図１２に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３を備えた基体２は、各圧電素子に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
【０１８８】
また、接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ１においても、寸法精度が高いものが得られる。
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。これにより、各弾性部材と各圧電素子とが、厚みムラなく接合され、各圧電素子が各弾性部材に伝達する駆動力にばらつきが生じるのを、より確実に防止することができる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１８９】
また、本発明では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、後述するアクチュエータ１において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。その結果、静電気力に伴うアクチュエータ１の不具合、具体的には、各圧電素子に不本意な電圧が印加されるのが確実に防止され、所望の振動特性を確実に発揮することができるアクチュエータ１を得ることができる。
【０１９０】
また、導電性を有する接合膜３は、電力線および端子（電極）としての機能を併せ持つことができる。これにより、各圧電素子の接合膜と接合される側に電極を設ける必要がなくなり（例えば、圧電素子５１の場合、電極５１２を設ける必要がなくなる。）、アクチュエータ１の構造をより簡単にすることができるとともに、製造工程の簡素化を図ることができる。
【０１９１】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０１９２】
このうち、遷移金属は、前述したように、各遷移金属元素間は、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、接合膜３が含む金属原子として、遷移金属元素の原子を選択することにより、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の導電性をより高めることができる。
【０１９３】
また、特に、接合膜３が含む金属原子としてＣｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。さらに、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【０１９４】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１９５】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１９６】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０１９７】
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基体２と各圧電素子とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【０１９８】
また、接合膜３の平均厚さは、０．２〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、基体２と各圧電素子とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１９９】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基体２の接合面（接合膜３を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基体２と各圧電素子とを貼り合わせた際に、接合膜３の各圧電素子に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【０２００】
以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【０２０１】
以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置４００について説明する。
【０２０２】
図１５は、本実施形態において、接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１５に示す成膜装置４００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー４１１内で行えるように構成されている。
【０２０３】
具体的には、成膜装置４００は、チャンバー（真空チャンバー）４１１と、このチャンバー４１１内に設置され、基体２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）４１２と、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段４６０と、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段４７０と、チャンバー４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段４３０と、基板ホルダー４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０２０４】
基板ホルダー４１２は、本実施形態では、チャンバー４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、基体２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター４２１が配設されている。このシャッター４２１は、基体２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０２０５】
有機金属材料供給手段４６０は、チャンバー４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４６１と、ガス供給ライン４６１の途中に設けられたポンプ４６４およびバルブ４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段４６０では、貯留槽４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ４６３を開放した状態で、ポンプ４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ４６５から貯留槽４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン４６１内を通過してチャンバー４１１内に供給されるようになっている。
【０２０６】
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０がチャンバー４１１に接続されている。ガス供給手段４７０は、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４７１と、ガス供給ライン４７１の途中に設けられたポンプ４７４およびバルブ４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段４７０では、バルブ４７３を開放した状態で、ポンプ４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ４７５から、供給ライン４７１を介して、チャンバー４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
【０２０７】
チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０２０８】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段４３０は、ポンプ４３２と、ポンプ４３２とチャンバー４１１とを連通する排気ライン４３１と、排気ライン４３１の途中に設けられたバルブ４３３とで構成されており、チャンバー４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして基体２上に接合膜３が形成される。
【０２０９】
［ｉ］  まず、基体２を用意する。そして、この基体２を成膜装置４００のチャンバー４１１内に搬入し、基板ホルダー４１２に装着（セット）する。
［ii］  次に、排気手段４３０を動作させ、すなわちポンプ４３２を作動させた状態でバルブ４３３を開くことにより、チャンバー４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０２１０】
また、ガス供給手段４７０を動作させ、すなわちポンプ４７４を作動させた状態でバルブ４７３を開くことにより、チャンバー４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０２１１】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー４１２を加熱する。基板ホルダー４１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
【０２１２】
［iii］  次に、シャッター４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ４６４を動作させるとともに、バルブ４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０２１３】
このように、前記工程［ii］で基板ホルダー４１２が加熱された状態で、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、基体２上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、基体２上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を基体２上に形成することができる。
【０２１４】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０２１５】
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０を動作させることにより、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、基体２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【０２１６】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
【０２１７】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜３を成膜することができる。
以上のような第３実施形態にかかるアクチュエータ１においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０２１８】
ここで、以上説明したようなアクチュエータ１を光スキャナとして用いた場合について説明する。
このような光スキャナは、例えば、レーザープリンタ、イメージング用ディスプレイ、バーコードリーダー、走査型共焦点顕微鏡などの画像形成装置に好適に適用することができる。この場合、光反射部２２１で反射した光を主走査および／または副走査して、対象物上に画像を形成する。本発明の光スキャナを備えた画像形成装置、すなわち、本発明の画像形成装置は、優れた耐衝撃性を有する。
【０２１９】
以下、本発明の画像形成装置の具体例を説明する。
まず、電子写真方式を採用するプリンタに本発明を適用した例を説明する。
図１６は、本発明の画像形成装置（プリンタ）の一例を示す全体構成の模式的断面図、図１７は、図１６に示す画像形成装置に備えられた露光ユニットの概略構成を示す図である。
【０２２０】
図１６に示す画像形成装置１１０（プリンタ）は、露光・現像・転写・定着を含む一連の画像形成プロセスによって、トナーからなる画像を紙やＯＨＰシートなどの記録媒体に記録するものである。このような画像形成装置１１０は、図１６に示すように、図示矢印方向に回転する感光体１１１を有し、その回転方向に沿って順次、帯電ユニット１１２、露光ユニット１１３、現像ユニット１１４、転写ユニット１１５、クリーニングユニット１１６が配設されている。また、画像形成装置１１０は、図１６にて、下部に、紙などの記録媒体Ｐを収容する給紙トレイ１１７が設けられ、上部に、定着装置１１８が設けられている。
【０２２１】
このような画像形成装置１１０にあっては、まず、図示しないホストコンピュータからの指令により、感光体１１１、現像ユニット１１４に設けられた現像ローラ（図示せず）、および中間転写ベルト１５１が回転を開始する。そして、感光体１１１は、回転しながら、帯電ユニット１１２により順次帯電される。
感光体１１１の帯電された領域は、感光体１１１の回転に伴って露光位置に至り、露光ユニット１１３によって、第１色目、例えばイエローＹの画像情報に応じた潜像が前記領域に形成される。
【０２２２】
感光体１１１上に形成された潜像は、感光体１１１の回転に伴って現像位置に至り、イエロー現像のための現像装置１４４によってイエロートナーで現像される。これにより、感光体１１１上にイエロートナー像が形成される。このとき、現像ユニット１１４は、現像装置１４４が選択的に前記現像位置にて感光体１１１と対向している。なお、この選択は、保持体１４５の軸１４６まわりの回転により、現像装置１４１〜１４４の相対位置関係を維持しつつそれぞれの位置を変えることで行う。
【０２２３】
感光体１１１上に形成されたイエロートナー像は、感光体１１１の回転に伴って一次転写位置（すなわち、感光体１１１と一次転写ローラ１５２との対向部）に至り、一次転写ローラ１５２によって、中間転写ベルト１５１に転写（一次転写）される。このとき、一次転写ローラ１５２には、トナーの帯電極性とは逆の極性の一次転写電圧（一次転写バイアス）が印加される。なお、この間、二次転写ローラ１５５は、中間転写ベルト１５１から離間している。
前述の処理と同様の処理が、第２色目、第３色目および第４色目について繰り返して実行されることにより、各画像信号に対応した各色のトナー像が、中間転写ベルト１５１に重なり合って転写される。これにより、中間転写ベルト１５１上にはフルカラートナー像が形成される。
【０２２４】
一方、記録媒体Ｐは、給紙トレイ１１７から、給紙ローラ１７１、レジローラ１７２によって二次転写位置（すなわち、二次転写ローラ１５５と駆動ローラ１５４との対向部）へ搬送される。
中間転写ベルト１５１上に形成されたフルカラートナー像は、中間転写ベルト１５１の回転に伴って二次転写位置に至り、二次転写ローラ１５５によって記録媒体Ｐに転写（二次転写）される。このとき、二次転写ローラ１５５は中間転写ベルト１５１に押圧されるとともに二次転写電圧（二次転写バイアス）が印加される。また、中間転写ベルト１５１は、駆動ローラ１５４を回転させることで一次転写ローラ１５２および従動ローラ１５３を従動回転させながら回転する。
記録媒体Ｐに転写されたフルカラートナー像は、定着装置１１８によって加熱および加圧されて記録媒体Ｐに融着される。その後、片面プリントの場合には、記録媒体Ｐは、排紙ローラ対１７３によって画像形成装置１１０の外部へ排出される。
【０２２５】
一方、感光体１１１は一次転写位置を経過した後に、クリーニングユニット１１６のクリーニングブレード１６１によって、その表面に付着しているトナーが掻き落とされ、次の潜像を形成するための帯電に備える。掻き落とされたトナーは、クリーニングユニット１１６内の残存トナー回収部に回収される。
両面プリントの場合には、定着装置１１８によって一方の面に定着処理された記録媒体Ｐを一旦排紙ローラ対１７３により挟持した後に、排紙ローラ対１７３を反転駆動するとともに、搬送ローラ対１７４、１７６を駆動して、当該記録媒体Ｐを搬送路１７５を通じて表裏反転して二次転写位置へ帰還させ、前述と同様の動作により、記録媒体Ｐの他方の面に画像を形成する。
【０２２６】
このような画像形成装置に備えられた露光ユニット１１３は、図示しないパーソナルコンピュータなどのホストコンピュータから画像情報を受けこれに応じて、一様に帯電された感光体１１１上に、レーザーを選択的に照射することによって、静電的な潜像を形成する装置である。
より具体的に説明すると、露光ユニット１１３は、図１７に示すように、光スキャナであるアクチュエータ１と、レーザー光源１３１と、コリメータレンズ１３２と、ｆθレンズ１３３とを有している。
【０２２７】
露光ユニット１１３にあっては、レーザー光源１３１からコリメータレンズ１３２を介してアクチュエータ１（光反射部２２１）にレーザー光Ｌが照射される。そして、光反射部２２１で反射したレーザー光Ｌがｆθレンズを介して感光体１１１上に照射される。
その際、アクチュエータ１の駆動（可動板２２の回動中心軸Ｘまわりの回動）により、光反射部２２１で反射した光（レーザーＬ）は、感光体１１１の軸線方向に走査（主走査）される。一方、感光体１１１の回転により、光反射部２２１で反射した光（レーザーＬ）は、感光体１１１の周方向に走査（副走査）される。また、レーザー光源１３１から出力されるレーザー光Ｌの強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
このようにして露光ユニット１１３は、感光体１１１上を選択的に露光して画像形成（描画）を行う。
【０２２８】
次に、イメージングディスプレイ（表示装置）に本発明を適用した例を説明する。
図１８は、本発明の画像形成装置（イメージングディスプレイ）の一例を示す概略図である。
図１８に示す画像形成装置１１９は、光スキャナであるアクチュエータ１と、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の光源１９１、１９２、１９３と、クロスダイクロイックプリズム（Ｘプリズム）１９４と、ガルバノミラー１９５と、固定ミラー１９６と、スクリーン１９７とを備えている。
【０２２９】
このような画像形成装置１１９にあっては、光源１９１、１９２、１９３からクロスダイクロイックプリズム１９４を介してアクチュエータ１（光反射部２２１）に各色の光が照射される。このとき、光源１９１からの赤色の光と、光源１９２からの緑色の光と、光源１９３からの青色の光とが、クロスダイクロイックプリズム１９４にて合成される。
そして、光反射部２２１で反射した光（３色の合成光）は、ガルバノミラー１９５で反射した後に、固定ミラー１９６で反射し、スクリーン１９７上に照射される。
【０２３０】
その際、アクチュエータ１の駆動（可動板２２の回動中心軸Ｘまわりの回動）により、光反射部２２１で反射した光は、スクリーン１９７の横方向に走査（主走査）される。一方、ガルバノミラー１９５の軸線Ｙまわりの回転により、光反射部２２１で反射した光は、スクリーン１９７の縦方向に走査（副走査）される。また、各色の光源１９１、１９２、１９３から出力される光の強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
【０２３１】
このようにして画像形成装置１１９は、スクリーン１９７上に画像形成（描画）を行う。
以上、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【０２３２】
また、アクチュエータ１を構成する基体２と支持基板４との接合には、接合層５の代わりに、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤等の接着剤等を用いてもよい。
また、前述した各実施形態では、２組の連結部が、それぞれ、軸部材と、軸部材に連結された駆動部材と、駆動部材と支持部とを連結する一対の弾性部材とを備えるものについて説明したが、これに限定されず、例えば、少なくとも一方の連結部が、一対の弾性部材のみから構成されていてもよい。
【０２３３】
また、２組の連結部のうち、どちらか一方の連結部は、弾性部材を１つだけ有するものであってもよい。
また、２組の連結部が有する各駆動部材の代わりに、可動板の外周を囲むように形成された枠状の駆動部材を用いてもよい。
また、前述した実施形態では、全ての弾性部材上に圧電素子が接合膜を介して接合されたものについて説明したが、これに限定されず、少なくとも一つの弾性部材上に接合膜を介して圧電素子が接合されたものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２３４】
【図１】本発明のアクチュエータの実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示すアクチュエータの上面図である。
【図３】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示すアクチュエータの駆動電圧の電圧波形の一例を示す図である。
【図５】図１に示すアクチュエータにおける印加した交流電圧の周波数と、可動板および駆動部材の共振曲線を示すグラフある。
【図６】図１中に示すアクチュエータの製造方法を説明するための図である。
【図７】図１中に示すアクチュエータの製造方法を説明するための図である。
【図８】第１実施形態にかかるアクチュエータが備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図９】第１実施形態にかかるアクチュエータが備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１０】第１実施形態にかかるアクチュエータが備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】第２実施形態にかかるアクチュエータが備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１２】第２実施形態にかかるアクチュエータが備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１３】第２実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１４】図１３に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図１５】第３実施形態において、接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１６】本発明の画像形成装置（プリンタ）の一例を示す全体構成の模式的断面図である。
【図１７】図１６に示す画像形成装置に備えられた露光ユニットの概略構成を示す図である。
【図１８】本発明の画像形成装置（イメージングディスプレイ）の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０２３５】
１‥‥‥アクチュエータ  ２‥‥‥基体  ２０、２１‥‥‥連結部  ２２‥‥‥可動板  ２２１‥‥‥光反射部  ２３１、２３２‥‥‥軸部材  ２４１、２４２‥‥‥駆動部材  ２５〜２８‥‥‥弾性部材  ２９‥‥‥支持部  ３…接合膜    ３５……表面  ３０１……Ｓｉ骨格  ３０２……シロキサン結合  ３０３……脱離基  ３０４……活性手  ４‥‥‥支持基板  ４１‥‥‥空間（開口部）  ５‥‥‥接合層  ５１〜５４‥‥‥圧電素子  ５１１‥‥‥圧電体層  ５１２、５１３‥‥‥電極  ７‥‥‥ＳＯＩ基板  ７１、７３‥‥‥Ｓｉ層  ７２‥‥‥ＳｉＯ２層  ８１、８２‥‥‥レジストマスク  １１０……画像形成装置  １１１……感光体  １１２……帯電ユニット  １１３……露光ユニット  １１４……現像ユニット  １１５……転写ユニット  １１６……クリーニングユニット  １１７……給紙トレイ  １１８……定着装置  １１９……画像形成装置  １３１……レーザー光源  １３２……コリメータレンズ  １３３……ｆθレンズ  １４１〜１４４……現像装置  １４５……保持体  １４６……軸  １５１……中間転写ベルト  １５２……一次転写ローラ  １５３……従動ローラ  １５４……駆動ローラ  １５５……二次転写ローラ  １６１……クリーニングブレード  １７１……給紙ローラ  １７２……レジローラ  １７３……排紙ローラ対  １７４、１７６……搬送ローラ対  １７５……搬送路  １９１、１９２、１９３……光源  １９４……クロスダイクロイックプリズム  １９５……ガルバノミラー  １９６……固定ミラー  １９７……スクリーン  Ｐ……記録媒体  Ｘ‥‥‥回動中心軸  １００……プラズマ重合装置  １０１……チャンバー  １０２……接地線  １０３……供給口  １０４……排気口  １３０……第１の電極  １３９……静電チャック  １４０……第２の電極  １７０……排気ポンプ  １７２……圧力制御機構  １８０……電源回路  １８２……高周波電源  １８３……マッチングボックス  １８４……配線  １９０……ガス供給部  １９０１……貯液部  １９０２……気化装置  １９０３……ガスボンベ  １９０４……配管  １９８……拡散板  ２００……成膜装置  ２１１……チャンバー  ２１２……基板ホルダー  ２１５……イオン源  ２１６……ターゲット  ２１７……ターゲットホルダー  ２１９……ガス供給源  ２２０……第１のシャッター  ２２２……第２のシャッター  ２３０……排気手段  ２３０１……排気ライン  ２３０２……ポンプ  ２３０３……バルブ  ２５０……開口  ２５３……グリッド  ２５４……グリッド  ２５５……磁石  ２５６……イオン発生室  ２５７……フィラメント  ２６０……ガス供給手段  ２６１……ガス供給ライン  ２６２……ポンプ  ２６３……バルブ  ２６４……ガスボンベ  ４００……成膜装置  ４１１……チャンバー  ４１２……基板ホルダー  ４２１……シャッター  ４３０……排気手段  ４３１……排気ライン  ４３２……ポンプ  ４３３……バルブ  ４６０……有機金属材料供給手段  ４６１……ガス供給ライン  ４６２……貯留槽  ４６３……バルブ  ４６４……ポンプ  ４６５……ガスボンベ  ４７０……ガス供給手段  ４７１……ガス供給ライン  ４７３……バルブ  ４７４……ポンプ  ４７５……ガスボンベ
【図１】
2009136120.tif 000003
【図２】
2009136120.tif 000004
【図３】
2009136120.tif 000005
【図４】
2009136120.tif 000006
【図５】
2009136120.tif 000007
【図６】
2009136120.tif 000008
【図７】
2009136120.tif 000009
【図８】
2009136120.tif 000010
【図９】
2009136120.tif 000011
【図１０】
2009136120.tif 000012
【図１１】
2009136120.tif 000013
【図１２】
2009136120.tif 000014
【図１３】
2009136120.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2009136120.tif 000017
【図１６】
2009136120.tif 000018
【図１７】
2009136120.tif 000019
【図１８】
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