(57)【要約】【課題】偏光素子の劣化を監視して検査精度の低下を把握することが出来る検査装置を提供すること。【解決手段】光源から照射された光によって被検査物（半導体ウェハ１０）から生じる光を検出する検出部（撮像素子３５）と、前記光源から前記検出部に至る光路（照明光学系２０、受光光学系３０）中に配置された偏光素子２３，３３と、これら偏光素子２３，３３の基準となる基準偏光素子との比較に基づいて偏光素子２３，３３の劣化度を監視するモニター部５０とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から照射された光によって被検査物から生じる光を検出する検出部と、
前記光源から前記検出部に至る光路中に配置された偏光素子と、
前記偏光素子の基準となる基準偏光素子との比較に基づいて前記偏光素子の劣化度を監視するモニター部と、
を備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記偏光素子は、前記光源から前記被検査物に至る光路中に配置される第１の偏光素子と、前記被検査物から前記検出部に至る光路中に配置される第２の偏光素子を備え、
前記第１偏光素子は前記光源の光から直線偏光を抽出し、
前記第２偏光素子は前記被検査物から生じる光から前記直線偏光の振動面と交差する偏光成分を抽出することを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の検査装置において、
前記モニター部でのモニター結果を表示する表示部をさらに備えてなることを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の検査装置において、
モニター用偏光素子と、
前記モニター用偏光素子を前記偏光素子の光路中に入れ替える入れ替え部と、
をさらに備えることを特徴とする検査装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の検査装置において、
前記モニター部は、前記偏光素子の劣化度についての閾値を記憶し、該閾値に基づいて前記偏光素子の良否を判定することを特徴とする検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の検査装置において、
前記モニター部は、前記被検査物毎に前記閾値を記憶することを特徴とする検査装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の検査装置において、
前記モニター部は、前記偏光素子の透過率を測定し、該透過率から前記偏光素子の良否を判定することを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は例えば半導体ウェハや液晶基板などの表面に形成された繰り返しパターンを検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハや液晶基板の表面に形成された繰り返しパターンを検査する装置として、例えば、検査用の照明光をウェハや基板の表面に照射する一方、ウェハや基板の表面の繰り返しパターンから発生する光を受光して繰り返しパターン中の欠陥を検査する装置が知られている。
【０００３】
上記検査装置のうち、検査用の照明光として直線偏光を用い、繰り返しパターンから発生する光のうち、繰り返しパターンでの偏光状態の変化にかかわる成分を受光して欠陥を検査する検査装置が提案されている（特許文献１参照）。この検査装置は、照明光を短波長化せずに繰り返しパターンの微細化に対応することができるもので、光源からウェハや基板の表面を経て受光部に至る光路中に偏光素子を配置して構成されている。
【特許文献１】ＷＯ２００５／０４０７７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した、光路中に偏光素子を配置する装置では、偏光素子の劣化については余り問題とされていなかった。
【０００５】
しかし、偏光素子が劣化すると消光比が低下する。すなわち、本来、透過して欲しくない振動方向の光が僅かに透過する（漏れ光が生じる）。強度の小さい検出出力しか得られない繰り返しパターンを検査する場合には、この漏れ光がノイズとして検査感度に悪影響を与え、精度の高い検査が行えない課題が生じる。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、偏光素子の劣化を監視して検査精度の低下を把握することが出来る検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成する本発明の請求項１に記載の検査装置は、光源から照射された光によって被検査物から生じる光を検出する検出部と、前記光源から前記検出部に至る光路中に配置された偏光素子と、前記偏光素子の基準となる基準偏光素子との比較に基づいて前記偏光素子の劣化度を監視するモニター部と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の請求項２に記載の検査装置は、前記偏光素子が、前記光源から前記被検査物に至る光路中に配置される第１の偏光素子と、前記被検査物から前記検出部に至る光路中に配置される第２の偏光素子を備え、前記第１偏光素子が前記光源の光から直線偏光を抽出し、前記第２偏光素子が前記被検査物から生じる光から前記直線偏光の振動面と交差する偏光成分を抽出することを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項３に記載の検査装置は、前記モニター部でのモニター結果を表示する表示部をさらに備えてなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の請求項４に記載の検査装置は、モニター用偏光素子と、前記モニター用偏光素子を前記偏光素子の光路中に入れ替える入れ替え部とをさらに備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項５に記載の検査装置は、前記モニター部が、前記偏光素子の劣化度についての閾値を記憶し、該閾値に基づいて前記偏光素子の良否を判定することを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項６に記載の検査装置は、前記モニター部が、前記被検査物毎に前記閾値を記憶することを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項７に記載の検査装置は、前記モニター部が、前記偏光素子の透過率を測定し、該透過率から前記偏光素子の良否を判定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、偏光素子の劣化を監視して検査精度の低下を把握することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明の検査装置の一実施形態について図１乃至図６を参照して説明する。
【００１６】
図１は本発明の検査装置の一実施形態を示す概略図である。本実施形態の検査装置は、図１に示すＰＥＲ（Pattern Edge Roughness）光学系を装備し、半導体回路素子の製造工程において、半導体ウェハ１０の表面の検査を自動的に行う装置である。
【００１７】
本実施形態の検査装置には、被検査物としての半導体ウェハ１０が載置される検査ステージ１１と、半導体ウェハ１０に光（直線偏光）を照射する照明光学系２０と、照明光学系２０の検査光の照射によって半導体ウェハ１０の表面で生じた構造性複屈折による偏光成分（直線偏光の振動面と交差（直交）する偏光成分）を受光する受光光学系３０と、受光光学系３０の出力を処理する、画像処理装置４０と、モニター部５０と、モニター部５０でのモニター結果を表示する表示部６０と、アライメント系７０が装備されている。
【００１８】
半導体ウェハ１０は、最上層のレジスト膜への露光・現像後、不図示の搬送系により、不図示のウェハカセットまたは現像装置から運ばれ、検査ステージ１１に吸着される。
【００１９】
照明光学系２０は、光源２１と、出射レンズ２２と、第１の偏光素子２３と、偏光補償板２４と、照明側凹面鏡２５とを備えている。
【００２０】
光源２１としては、ハロゲンランプやメタルハライドランプ、水銀ランプなどが使用される。光源２１からの光は、不図示の波長選択フィルタ、光量調整用のＮＤフィルタ等を通り、一部の波長の光のみが照明光として抽出され、出射レンズ２２に入射する。出射レンズ２２から射出された照明光は球面形状の凹面反射鏡２５によりほぼ平行な光に変換され、ステージ１１上に載置された半導体ウェハ１０を照明する。
【００２１】
偏光素子２３と偏光補償板２４は、出射レンズ２２と凹面反射鏡２５との間の光路に配置されている。出射レンズ２２から射出された照明光は、偏光素子２３によって直線偏光Ｌ１になる。この直線偏光Ｌ１は、偏光補償板２４を経て凹面反射鏡２５によってコリメートされ、直線偏光Ｌ１のコリメート光が半導体ウェハ１０を照明する。
【００２２】
スループットを向上させるためには、半導体ウェハ１０のウェハ面全面の画像を一括で採取することが極めて有利であるので、本実施形態では、上述のように、光源２１からの光束を拡大して、凹面反射鏡２５によってコリメートし、半導体ウェハ１０の全面を照明できる構成となっている。
【００２３】
半導体ウェハ１０に入射した直線偏光Ｌ１は半導体ウェハ１０の表面で反射されて、受光光学系３０に入射する。受光光学系３０は、撮像側凹面鏡３１と、偏光補償板３２と、第２の偏光素子３３と、対物レンズ３４とを備えている。偏光補償板３２と偏光素子３３は、撮像側凹面鏡３１と対物レンズ３４との間の光路に配置されている。
【００２４】
第１の偏光素子２３と第２の偏光素子３３は、互いにクロスニコルの関係に配置されている。撮像側凹面鏡３１で反射した集光光束は、偏光補償板２４と偏光素子２３とクロスニコルの関係に配置された偏光補償板３２と偏光素子３３とを経て、対物レンズ３４と不図示の結像レンズにより半導体ウェハ１０の表面と共役な位置に配置された撮像素子３５の撮像面上に結像され、半導体ウェハ１０表面の像を形成する。
【００２５】
半導体ウェハ１０の表面には、図２に示すように、複数のチップ領域１０ａがＸＹ方向に配列され、各チップ領域１０ａの中に繰り返しパターン１０ｂが形成されている。繰り返しパターン１０ｂのライン部の配列方向(Ｘ方向)を「繰り返しパターン１０ｂの繰り返し方向」という。
【００２６】
本実施形態では、繰り返しパターン１０ｂに対する照明光の波長と比較して繰り返しパターン１０ｂのピッチが十分小さいとする。本実施形態における欠陥検査の原理は、本出願人がすでに出願した特願２００３−３６６２５５号に記載されているので、ここではその原理に関しての説明は省略する。
【００２７】
検査ステージ１１の表面には、上述の繰り返しパターン１０ｂが形成された半導体ウェハ１０が載置され、真空吸着等により固定保持される。検査ステージ１１は不図示のステージ回転機構によってステージ面に直交する所定の回転軸周りに回転可能に構成されている。このステージ回転機構により、半導体ウェハ１０を照明する光束Ｌ１の直線偏光の振動面に対する半導体ウェハ１０表面の形成された繰り返しパターンの長手方向（Ｙ方向）とのなす角度を任意の角度に設定することができる。
【００２８】
照明側凹面鏡２５と撮像側凹面鏡３１との間には、検査ステージ１１に載置された半導体ウェハ１０の表面に形成された繰り返しパターン１０ｂの向きを検知するためのアライメント系７０が配設され、予め設定された光束Ｌ１の直線偏光の振動面と繰り返しパターン１０ｂの長手方向Ｙとのなす角度を検知して、ステージ回転機構により照明光学系２０及び受光光学系３０に対する繰り返しパターン１０ｂの長手方向Ｙの向きを調整することができる。
【００２９】
アライメント系７０は、検査ステージ１１が回転しているときに、半導体ウェハ１０の外縁部を照明し、外縁部に設けられた外形基準（例えばノッチ）の回転方向の位置を検出し、所定位置で検査ステージ１１を停止させる。その結果、半導体ウェハ１０の繰り返しパターン１０ｂの繰り返し方向（図２のＸ方向）を、後述の照明光の入射面３Ａ（図３参照）に対して、４５度の角度に傾けて設定することができる。
【００３０】
本実施形態では、直線偏光の光束Ｌ１がＰ偏光である。図４(ａ)に示すように、直線偏光Ｌ１の進行方向とベクトルの振動方向とを含む平面（直線偏光Ｌ１の振動面）が、直線偏光Ｌ１の入射面(３Ａ)内に含まれる。直線偏光Ｌ１の振動面は、照明側凹面鏡２５の前段に配置された偏光素子２３の透過軸により規定される。
【００３１】
半導体ウェハ１０に入射する直線偏光Ｌ１がＰ偏光（図４(ａ)）であるため、図５に示すように、半導体ウェハ１０の繰り返しパターン１０ｂの繰り返し方向（Ｘ方向）が直線偏光Ｌ１の入射面(３Ａ)に対して４５度の角度に設定された場合、半導体ウェハ１０の表面における直線偏光Ｌ１の振動面の方向（図５のＶ方向）と、繰り返しパターン１０ｂの繰り返し方向(Ｘ方向)との成す角度も４５度に設定される。
【００３２】
換言すると、直線偏光Ｌ１は、半導体ウェハ１０の表面における振動面の方向（図５のＶ方向）が繰り返しパターン１０ｂの繰り返し方向(Ｘ方向)に対して４５度に傾いた状態で、繰り返しパターン１０ｂを斜めに横切るような状態で、繰り返しパターン１０ｂに入射する。
【００３３】
このような直線偏光Ｌ１と繰り返しパターン１０ｂとの角度状態は、半導体ウェハ１０ の表面全体において均一である。なお、４５度を１３５度,２２５度,３１５度の何れかに入れ替えても、直線偏光Ｌ１と繰り返しパターン１０ｂとの角度状態は同じである。図５の振動面の方向(Ｖ方向)と繰り返し方向(Ｘ方向)との成す角度を４５度に設定するのは、繰り返しパターン１０ｂの欠陥検査の感度を最も高くするためである。
【００３４】
上記の直線偏光Ｌ１を用いて繰り返しパターン１０ｂを照明すると、繰り返しパターン１０ｂから正反射方向に楕円偏光Ｌ２が発生する（図１,図４(ｂ)）。この場合、楕円偏光Ｌ２の進行方向が正反射方向に一致する。正反射方向とは、検査ステージ１１の法線１Ａ（図３）に対して直線偏光Ｌ１の入射角度等しい角度だけ傾いた方向である。なお、上記の通り、繰り返しパターン１０ｂのピッチが照明波長と比較して十分小さいため、繰り返しパターン１０ｂから回折光が発生することはない。
【００３５】
撮像側凹面鏡３１は、上述した照明光学系２０の照明側凹面鏡２５と同様の反射鏡であり、楕円偏光Ｌ２を反射して対物レンズ３４の方に導き、対物レンズ３４、結像レンズと協働して撮像素子３５の撮像面に集光する。
【００３６】
対物レンズ３４と撮像側凹面鏡３１との間には、偏光素子３３が配置されている。偏光素子３３の透過軸の方位は、上述した照明光学系２０の偏光素子２３の透過軸に対して直交するように設定されている（クロスニコル(直交ニコル)の状態）。したがって、偏光素子３３により、楕円偏光Ｌ２の図４(ｃ)の偏光成分Ｌ３に相当する偏光成分のみを抽出して撮像素子３５に導くことができる。その結果、撮像素子３５の撮像面には、図４(ｃ)の偏光成分Ｌ３に相当する偏光成分による半導体ウェハ１０の反射像が形成される。
【００３７】
撮像素子３５は、例えばＣＣＤ撮像素子などであり、撮像面に形成された半導体ウェハ１０の反射像を光電変換して画像信号を画像処理装置４０に出力する。半導体ウェハ１０の反射像の明暗は、偏光成分の光強度（図４(ｃ)の偏光成分Ｌ３の大きさ）に略比例し、半導体ウェハ１０の反射像が最も明るくなるのは、繰り返しパターン１０ｂが理想的な形状の場合である。なお、半導体ウェハ１０の反射像の明暗はショット領域１０ａごとに現れる。
【００３８】
画像処理装置４０は、撮像素子３５から出力される画像信号に基づいて、半導体ウェハ１０の反射画像を取り込む。画像処理装置４０には、比較のため、良品ウェハの反射画像が予めストアされている。良品ウェハとは、繰り返しパターン１０ｂが理想的な形状で表面全体に形成されたものである。良品ウェハの反射画像の輝度情報は、最も高い輝度値を示すと考えられる。
【００３９】
したがって、画像処理装置４０は、被検査物である半導体ウェハ１０の反射画像を取り込むと、その輝度情報を良品ウェハの反射画像の輝度情報と比較する。そして、半導体ウェハ１０の反射画像の暗い箇所の輝度値の低下量に基づいて、繰り返しパターン１０ｂの欠陥を検出する。例えば、輝度値の低下量が予め定めた閾値（許容値）より大きければ「欠陥」と判定し、閾値より小さければ「正常」と判断すればよい。
【００４０】
なお、照明光学系２０の光路中に配置された偏光補償板２４と受光光学系３０に配置された偏光補償板３２は、出射レンズ２２、照明側凹面鏡２５、撮像側凹面鏡３１に起因して発生する偏光面の乱れを解消するものである。
【００４１】
上記したように、本実施形態の検査装置では、直線偏光Ｌ１を用い、図５の振動面の方向(Ｖ方向)が繰り返しパターン１０ｂの繰り返し方向(Ｘ方向)に対して傾いた状態で、繰り返しパターン１０ｂを照明すると共に、正反射方向に発生した楕円偏光Ｌ２のうち、図４(ｃ)の偏光成分Ｌ３の大きさに基づいて、繰り返しパターン１０ｂの欠陥を検出するため、照明波長と比較して繰り返しパターン１０ｂのピッチが十分小さくても、確実に欠陥検査を行うことができる。換言すると、照明光である直線偏光Ｌ１を短波長化しなくても確実に繰り返しピッチの微細化に対応できる。
【００４２】
照明光学系２０の光路中に配置された偏光素子２３と受光光学系３０の光路中に配置された偏光素子３３は、長期間の使用などによってこれら光路中を通る光で劣化することがある。偏光素子２３，３３が劣化すると、消光比が低下する。すなわち、本来、透過して欲しくない振動方向の光が透過してしまう（漏れ光が生じる）。この漏れ光はノイズとして検査感度に悪影響を与えるおそれがある。
【００４３】
そこで、本実施形態の検査装置では、モニター部５０によって偏光素子２３，３３の劣化度を監視している。例えば偏光素子２３が劣化すると、クロスニコル状態に配置された偏光素子３３を通過した光が漏れ光として撮像素子３５によって受光される。受光された漏れ光を含む光は、光電変換されて画像信号として画像処理装置４０に入力する。画像処理装置４０では、この入力した画像信号から半導体ウェハ１０の反射画像を取得するが、この反射画像の画像輝度は漏れ光が多いと大きくなる。
【００４４】
モニター部５０は、画像処理装置４０から反射画像中の輝度情報を取得し、この輝度情報を監視することによって偏光素子２３，３３の劣化度を監視する。撮像素子３５で受光した半導体ウェハ１０の反射像の明暗（図４(ｃ)の偏光成分Ｌ３の大きさ）は上述したように繰り返しパターン１０ｂによって異なる。図４（ｃ）の偏光成分Ｌ３の大きな光を発生させる繰り返しパターン１０ｂを有する半導体ウェハ１０を検査する場合、漏れ光によるノイズ成分は無視しても検査可能である。この場合、モニター部５０は、検査可能の監視結果を表示部６０に送り、表示部６０はこれを表示する。しかし、偏光成分Ｌ３の小さな光を発生させる繰り返しパターン１０ｂを有する半導体ウェハ１０を検査する場合、漏れ光によるノイズ成分を無視することが出来ない。この場合、モニター部５０は、検査不能の監視結果を表示部６０に送り、表示部６０はこれを表示する。
【００４５】
図６はモニター部５０での検査可能、検査不可能の判断手順を示すフローチャートである。
【００４６】
ステップＳ１で照明光学系２０中の偏光素子２３をモニター用偏光素子である劣化のない基準偏光板８０に入れ替えて被検査物である半導体ウェハ１０の反射画像を取得し、モニター部５０で画像輝度を計測する。基準偏光板８０は、偏光素子２３の劣化度を判定するときにのみ使用するものであって検査時には通常使用しないが、偏光素子２３の代わりに使用することが出来る。偏光素子２３と基準偏光板８０は入れ替え部８１によって照明光学系２０の光路中に進入し、また光路から退出する。
【００４７】
ステップＳ２では画像輝度の計測データを取得して、この計測データから輝度値Ａを求める。
【００４８】
ステップＳ３では許容Ｓ／Ｎ比から半導体ウェハ１０の許容ノイズ値Ｂを算出する。この許容ノイズ値Ｂの大きさは、半導体ウェハ１０の繰り返しパターン１０ｂの種類によって異なる。図４（ｃ）の偏光成分Ｌ３の大きな光を発生させる繰り返しパターン１０ｂの場合では、許容ノイズ値Ｂは大きく、また図４（ｃ）の偏光成分Ｌ３の小さな光しか発生させない繰り返しパターン１０ｂの場合では許容ノイズ値Ｂは小さい。
【００４９】
ステップＳ４では、偏光素子２３を照明光学系２０の光路中に戻し、また半導体ウェハ１０を基準基板と入れ替え、偏光素子２３によって生成された直線偏光Ｌ１で基準基板を照明し、その反射画像を取得する。この基準基板は例えば回路が焼き付けられていない（繰り返しパターンを有さない）半導体ウェハや液晶ガラス基板である。取得した反射画像はクロスニコス画像であり、本来画像は暗いものである。しかし、漏れ光があるとこの画像は明るく変化する。
【００５０】
ステップＳ５では、基準基板の反射画像から面内平均輝度値を取得する。この面内平均輝度値は検査装置固有のノイズ輝度値Ｃを示すものである。
【００５１】
ステップＳ６では、ノイズ輝度値Ｃと許容ノイズ値Ｂを比較する。検査装置固有のノイズ輝度値Ｃが許容ノイズ値Ｂよりも大きい場合、偏光素子２３の劣化が進行し、漏れ光が発生していると判断してステップＳ７に移行し、表示部６０は検査不能であること（偏光板交換の判断を促すこと）を表示する。検査装置固有のノイズ輝度値Ｃが許容ノイズ値Ｂよりも小さい場合、偏光素子２３の劣化が進行しておらず、漏れ光も殆どないと判断してステップＳ８に移行し、表示部６０は検査可能であることを表示する。
【００５２】
表示部６０で検査可能の表示があったとき、検査装置は半導体ウェハ１０の表面検査を開始し、上述のように、被検査物である半導体ウェハ１０の反射画像を取り込み、その輝度情報を良品ウェハの反射画像の輝度情報と比較し、半導体ウェハ１０の反射画像の暗い箇所の輝度値の低下量に基づいて、繰り返しパターン１０ｂの欠陥を検出する。
【００５３】
本発明の検査装置は上記実施形態に示したものに限定されるものではない。例えば、モニター部５０に、予め偏光素子２３，３３の劣化度についての閾値をストアしておいてもよい。この閾値は半導体ウェハ１０に形成される繰り返しパターン１０ｂごとに設定される。繰り返しパターン１０ｂによって発生する図４(ｃ)の偏光成分Ｌ３の大きさが異なるからである。このようにしておけば検査の効率化を図ることができる。
【００５４】
また、本実施形態では基準基板の反射像から得たノイズ輝度Ｃと許容ノイズ輝度Ｂとの比較により偏光素子２３の劣化を判定したが、基準基板に対して基準偏光板８０を用いて受光した平均輝度と偏光素子２３を用いて受光した平均輝度とを比較して劣化判断してもよい。
【００５５】
また、偏光素子２３，３３の劣化度を画像輝度の測定ではなく、偏光の透過率を測定することによって求めてもよい。本来ならば透過しない偏光が偏光素子２３，３３を透過するとき、この透過する光は偏光素子２３，３３の漏れ光としてとらえることが出来るからである。
【００５６】
また、上記実施形態では偏光素子２３の劣化度を監視する場合を示しているが、これは偏光素子２３が偏光素子３３に比して光の照射量が多く、劣化し易いく、偏光素子２３の劣化度を監視することによって偏光素子３３の劣化度を推測することが可能となるから等の理由による。ただ、偏光素子３３を偏光素子２３とは別個に監視するようにしてもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の検査装置の一実施形態を示す概略図である。
【図２】図１の検査装置で検査される半導体ウェハの表面の外観図である。
【図３】直線偏光Ｌ１の入射面（３Ａ）と繰り返しパターンの繰り返し方向（Ｘ方向）との傾き状態を説明する図である。
【図４】直線偏光Ｌ１と楕円偏光Ｌ２の振動方向を説明する図である。
【図５】直線偏光Ｌ１の振動面の方向（Ｖ方向）と繰り返しパターンの繰り返し方向との傾き状態を説明する図である。
【図６】モニター部での判断手順のフローチャートである。
【符号の説明】
【００５８】
１０            半導体ウェハ
１１            検査ステージ
２０            照明光学系
２１            光源
２２            出射レンズ
２３            偏光素子
２５            照明側凹面鏡
３０            受光光学系
３１            撮像側凹面鏡
３３            偏光素子
３４            対物レンズ
３５            撮像素子
４０            画像処理装置
５０            モニター部
６０            表示部
【図１】
2009068892.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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