(57)【要約】【課題】製造効率を向上させる配向膜の製造方法、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び位相差板を提供すること。【解決手段】基板上に配向膜を製造する方法であって、基板上の有効領域４ａと有効領域（表示領域）４ａの周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、周辺部の配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、蛍光体膜に光を照射して蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程とを有することを特徴とする配向膜の製造方法とした。【選択図】図１
2009015123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配向膜を製造する方法であって、
前記基板上の有効領域と前記有効領域の周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、
前記周辺部の前記配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、
前記蛍光体膜に光を照射して前記蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、
を有することを特徴とする配向膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配向膜の製造方法であって、
前記偏光蛍光スペクトルを測定する工程は、前記偏光蛍光スペクトルから配向パラメータを求め、配向状態を評価する工程を有することを特徴とする配向膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の配向膜の製造方法であって、
前記蛍光体は、インクジェット法により前記周辺部の前記配向膜上に選択的に塗布される、又は印刷法により前記周辺部の前記配向膜上に選択的に塗布される、又は拭き取り法により前記周辺部の前記配向膜上に塗布されたあと不要な領域を除去されることを特徴とする配向膜の製造方法。
【請求項４】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
前記基板上の表示領域と前記表示領域の周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、
前記周辺部の前記配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、
前記蛍光体膜に光を照射して前記蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、
前記偏光蛍光スペクトルの測定結果に基づいて前記基板を選別し、選別された前記基板を用いて液晶装置を組み立てる工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記蛍光体膜を前記周辺部に形成された液晶装置の特性評価を行う評価領域に形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記蛍光体膜を前記周辺部に形成された前記基板の封止領域に形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４から請求項６の何れか１項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記周辺部に、前記表示領域の構成層の少なくとも一部が形成されたダミー領域を形成し、前記ダミー領域の前記配向膜上に前記蛍光体膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記ダミー領域は、前記表示領域と同一の積層構造を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
前記基板上の表示領域と前記表示領域の周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、
前記周辺部の前記配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、
前記蛍光体膜に光を照射して前記蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、
前記偏光蛍光スペクトルの測定結果に基づいて前記基板を選別し、選別された前記基板を用いて液晶装置を組み立てる工程と、
によって形成された液晶装置。
【請求項１０】
基板上に配向膜と位相差層とが積層されてなる位相差板であって、
前記基板上の有効領域と前記有効領域の周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、
前記周辺部の前記配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、
前記蛍光体膜に光を照射して前記蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、
前記偏光蛍光スペクトルの測定結果に基づいて前記基板を選別し、選別された前記基板の前記配向膜上に前記位相差層を形成する工程と、
によって形成された位相差板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜の製造方法、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び位相差板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ラビング処理された液晶配向膜の配向状態を測定する手法は、直線偏光された赤外線を試料に照射して、その反射光のスペクトルを解析する方法が知られている。（例えば、特許文献１を参照）
【特許文献１】特開２００１−４５３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、今までの液晶装置の製造工程における配向膜の配向状態の評価は、液晶層を挟持して組み立てた液晶装置に対して行っていたので、製造工程内において基板単体で配向膜の配向状態は評価されてこなかった。
【０００４】
そのため、配向膜の配向状態の不具合を検出するまでに余分な時間を要し、製造工程へのフィードバックが遅れていた。また、不具合が発見された場合に、組み立てた液晶装置を解体しなければならず、製造効率に大きな制約を与えていた。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであって、配向状態に不具合のある配向膜を早期に検出し、製造効率を向上させる配向膜の製造方法、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び位相差板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の構成を特徴とする配向膜の製造方法、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び位相差板である。
【０００７】
基板上に配向膜を製造する方法であって、前記基板上の有効領域と前記有効領域の周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、前記周辺部の前記配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、前記蛍光体膜に光を照射して前記蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、を有することを特徴とする配向膜の製造方法である。
このような製造方法を用いることで、製造工程において前記配向膜の配向状態の測定を行うことができるので、液晶装置を組み立てる前に配向状態に不具合のある配向膜を有する前記基板を検出することができる配向膜の製造方法とすることができる。これにより、製造工程に対して測定結果のフィードバックを早期に行うことが可能となるので、配向状態に不具合のある前記配向膜を前記製造工程から取り除くことで、液晶装置の歩留りを向上させることができる。
【０００８】
前記偏光蛍光スペクトルを測定する工程は、前記偏光蛍光スペクトルから配向パラメータを求め、配向状態を評価する工程を有することが好ましい。
このような製造方法とすることで、前記配向膜にダメージを与えることなく、配向状態を測定することができるので、製造工程内で測定結果を早期にフィードバックし、配向状態に不具合を有する前記基板を取り除くことができる配向膜の製造方法とすることができる。
【０００９】
前記蛍光体は、インクジェット法により前記周辺部の前記配向膜上に選択的に塗布される、又は印刷法により前記周辺部の前記配向膜上に選択的に塗布される、又は拭き取り法により前記周辺部の前記配向膜上に塗布されたあと不要な領域を除去されることが好ましい。
このような製造方法とすることで、配向状態を評価する前記周辺部だけに前記蛍光体を塗布することとなるので、前記有効領域を縮小することなく配向状態の測定を行うことができる。
【００１０】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記基板上の表示領域と前記表示領域の周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、前記周辺部の前記配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、前記蛍光体膜に光を照射して前記蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、前記偏光蛍光スペクトルの測定結果に基づいて前記基板を選別し、選別された前記基板を用いて液晶装置を組み立てる工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法である。
このような製造方法を用いることで、製造工程において前記配向膜の配向状態の測定を行うことができるので、液晶装置を組み立てる前に配向状態に不具合のある配向膜を有する前記基板を検出することができる液晶装置の製造方法とすることができる。これにより、製造工程に対して測定結果のフィードバックを早期に行うことが可能となるので、配向状態に不具合のある前記配向膜を前記製造工程から取り除くことで、液晶装置の歩留りを向上させることができる。
【００１１】
前記蛍光体膜を前記周辺部に形成された液晶装置の特性評価を行う評価領域に形成することが好ましい。
このような製造方法とすることで、前記有効領域に前記蛍光体膜を形成する必要がないので、前記有効領域を縮小せずに前記配向膜の配向状態を測定する液晶装置の製造方法とすることができる。また、配向状態の評価を終えても、前記蛍光体を取り除く工程を必要としないので、製造工程を増やさない液晶装置の製造方法とすることができる。
【００１２】
前記蛍光体膜を前記周辺部に形成された前記基板の封止領域に形成することが好ましい。
このような製造方法とすることで、液晶装置を組み立てると、前記蛍光体膜が前記封止領域に含まれるので、前記蛍光体膜が見えなくなる液晶装置の製造方法とすることができる。
【００１３】
前記周辺部に、前記表示領域の構成層の少なくとも一部が形成されたダミー領域を形成し、前記ダミー領域の前記配向膜上に前記蛍光体膜を形成することが好ましい。
このような製造方法とすることで、前記周辺部において前記配向膜の表面形状を、前記表示領域に近づけることができるので、より正確に前記配向膜の配向状態を測定することができる液晶装置の製造方法とすることができる。
【００１４】
前記ダミー領域は、前記表示領域と同一の積層構造を有することが好ましい。
このような製造方法とすることで、表面形状を前記有効領域と同一にできるので、より正確に前記配向膜の配向状態を測定できることができる液晶装置の製造方法とすることができる。
【００１５】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、前記基板上の表示領域と前記表示領域の周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、前記周辺部の前記配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、前記蛍光体膜に光を照射して前記蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、前記偏光蛍光スペクトルの測定結果に基づいて前記基板を選別し、選別された前記基板を用いて液晶装置を組み立てる工程と、によって形成された液晶装置である。
これらの工程により製造されることで、製造工程において前記配向膜の配向状態の測定を行うことができるので、液晶装置を組み立てる前に配向状態に不具合のある配向膜を有する前記基板を検出することができる。これにより、製造工程に対して測定結果のフィードバックを早期に行うことが可能となるので、配向状態に不具合のある前記配向膜を前記製造工程から取り除き、歩留りを向上させた液晶装置とすることができる。
【００１６】
基板上に配向膜と位相差層とが積層されてなる位相差板であって、前記基板上の有効領域と前記有効領域の周辺部とにわたって表面が配向処理された配向膜を形成する工程と、前記周辺部の前記配向膜上に蛍光体膜を形成する工程と、前記蛍光体膜に光を照射して前記蛍光体膜の偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、前記偏光蛍光スペクトルの測定結果に基づいて前記基板を選別し、選別された前記基板の前記配向膜上に前記位相差層を形成する工程と、によって形成された位相差板である。
これらの工程により製造されることで、製造工程において前記配向膜の配向状態の測定を行うことができるので、前記位相差層を形成する前に、配向状態に不具合のある配向膜を有する前記基板を検出することができる。これにより、製造工程に対して測定結果のフィードバックを早期に行うことが可能となるので、配向状態に不具合のある前記配向膜を前記製造工程から取り除き、歩留りを向上させた液晶装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１の実施形態］
以下、本発明に係る表示装置について、液晶装置を例にして説明する。本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴという）を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置である。
【００１８】
なお、本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異ならせている。
【００１９】
図１は、（ａ）本発明の一実施形態であるアクティブマトリクス方式の液晶装置１００の平面図、（ｂ）平面図のＡ−Ａ’断面図である。
液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０１と、対向基板１０２と、液晶層４と、シール材（封止領域）３とを備えている。
【００２０】
ＴＦＴアレイ基板１０１と、対向基板１０２とが、シール材３を介して接合されている。接合されることで形成された隙間領域には液晶層４が形成されており、液晶層４は断面視でＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２とで挟持される構成となっている。シール材３は、ＴＦＴアレイ基板１０１及び対向基板１０２の周縁部に沿って枠状に形成され、シール材３に囲まれる領域に表示領域４ａが形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０１には、表示領域４ａの一辺に沿って、データ線駆動回路７が配置されている。さらに、データ線駆動回路７の外側の基板端縁に沿う位置には、複数の外部接続端子８がデータ線駆動回路７の延在方向に沿って配置されている。また、表示領域４ａを挟んで対向するように検査回路９ａが配置されている。表示領域４ａを挟持するように、検査回路９ｂと走査線駆動回路６とが配置されている。さらに、外部接続端子８と、データ線駆動回路７と、走査線駆動回路６と、検査回路９ａ、９ｂとを接続する複数の配線からなる配線層５が形成されている。外部接続端子８に隣接し、データ線駆動回路７の延在方向に沿った走査線駆動回路６側の領域にはＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）１３０が形成されている。さらにＴＥＧ１３０を挟んで外部接続端子８と対向してＴＥＧ用外部接続端子１３２が形成されている。ＴＥＧ１３０とＴＥＧ用外部接続端子１３２とが、ＴＥＧ用配線１３１を介して接続されている。検査回路９ｂとシール材３とで挟持され、データ線駆動回路７に隣接する領域には、評価領域２０１が形成されている。
対向基板１０２のＴＦＴアレイ基板１０１と対向する面では、評価領域２０１に隣接しシール材で覆われた領域に評価領域２０２が形成されている。
液晶装置１００は、外部接続端子８に接続された制御装置（図示は省略）から入力された電気信号に基づいて走査線駆動回路６と、データ線駆動回路７とを駆動することで表示領域４ａに画像を表示する。
【００２１】
ＴＥＧ１３０には、表示領域４ａと同一の積層構造を備えた回路、表示領域４ａを取り囲む走査線駆動回路６、データ線駆動回路７、及び検査回路９ａ、９ｂを構成する回路などが形成されている。これらの回路は、各ＴＦＴアレイ基板１０１における電気的特性を評価するためのものである。
なお、ＴＥＧ１３０を含む部分のＴＦＴアレイ基板１０１は、点線部で切り離してもよい。
【００２２】
ここで表示領域４ａについて説明する。
図２は、本実施形態の表示領域４ａの等価回路を示す図である。透過型の液晶装置１００の表示領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数の画素には、それぞれ画素電極１９が形成されている。また、その画素電極１９には、画素電極１９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ２７が接続されている。このＴＦＴ２７のソース側にはデータ線９０ａが接続されている。各データ線９０ａには、上述したデータ線駆動回路７から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００２３】
また、ＴＦＴ２７のゲートには走査線３０ａが接続されている。走査線３０ａには、上述した走査線駆動回路６から所定のタイミングで走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍのパルスが供給される。一方、ＴＦＴ２７のドレイン側には画素電極１９が接続されている。そして、走査線３０ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ２７を一定期間だけオンにすると、データ線９０ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極１９を介して各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００２４】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極１９と共通電極２１との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１９と容量線３０ｂとの間に蓄積容量１７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が作製されるようになっている。
【００２５】
図３は、液晶装置１００の表示領域４ａの拡大平面図である。図３を用いて、液晶装置１００の表示領域４ａの平面構造を説明する。液晶装置１００ではＴＦＴアレイ基板１０１に、矩形状に形成された画素電極１９（破線１９ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配置されている。また、画素電極１９の縦横の境界に沿って、データ線９０ａ、走査線３０ａおよび容量線３０ｂが設けられている。本実施形態では、各画素電極１９の形成された矩形領域が画素であり、マトリクス状に配置された画素ごとに表示を行うことが可能な構造になっている。
【００２６】
図４は、液晶装置１００の表示領域４ａの断面構造の説明図であり、図４のＢ−Ｂ’線矢視の側断面図である。
ＴＦＴアレイ基板１０１は、第１の基板１と、第１の遮光膜１１ａと、ＴＦＴ２７と、蓄積容量１７と、画素電極１９と、第１の配向膜１６とを備え、第１の基板１上に第１の遮光膜１１ａと、ＴＦＴ２７と、蓄積容量１７と、画素電極１９と、第１の配向膜１６とが順次積層された構成を備えている。
対向基板１０２は、第２の基板２と、第２の遮光膜２３と、共通電極２１と、第２の配向膜２２とを備え、第２の基板２の第１の基板１と対向する面に、第２の遮光膜２３と、共通電極２１と、第２の配向膜２２とが順次積層された構成を備えている。
液晶層４は、ＴＦＴアレイ基板１０１の第１の配向膜１６と、対向基板１０２の第２の配向膜２２とで挟持されている。
【００２７】
第１の基板１の表面には、第１の遮光膜１１ａ及び第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、第１層間絶縁膜１２の表面に半導体層１０ａが形成され、この半導体層１０ａを中心としてＴＦＴ２７が形成されている。半導体層１０ａにおける走査線３０ａとの対向部分にはチャネル領域１０ａ’が形成され、その両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。このＴＦＴ２７はＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を採用しているため、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域１０ｂと高濃度ソース領域１０ｄとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域１０ｃと高濃度ドレイン領域１０ｅとが形成されている。
【００２８】
半導体層１０ａの表面には、ゲート絶縁膜２０が形成されている。そして、ゲート絶縁膜２０の表面に走査線３０ａが形成されて、チャネル領域１０ａ’との対向部分がゲート電極を構成している。また、ゲート絶縁膜２０および走査線３０ａの表面には、第２層間絶縁膜４０が形成されている。そして、第２層間絶縁膜４０の表面にデータ線９０ａが形成され、第２層間絶縁膜４０に形成されたコンタクトホール５０を介して、そのデータ線９０ａが高濃度ソース領域１０ｄに接続されている。さらに、第２層間絶縁膜４０およびデータ線９０ａの表面には、第３層間絶縁膜７０が形成されている。そして、第３層間絶縁膜７０の表面に画素電極１９が形成され、第２層間絶縁膜４０および第３層間絶縁膜７０に形成されたコンタクトホール８０を介して、その画素電極１９が高濃度ドレイン領域１０ｅに接続されている。さらに、画素電極１９を覆うように第１の配向膜１６が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向を規制しうるようになっている。
【００２９】
なお、本実施形態では、半導体層１０ａを延設して第１の蓄積容量電極１０ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜２０を延設して誘電体膜が形成され、その表面に容量線３０ｂが配置されて第２の蓄積容量電極が形成されている。これらにより、上述した蓄積容量１７が構成されている。
また、ＴＦＴ２７が形成された領域に対応する第１の基板１の表面に、第１の遮光膜１１ａが形成されている。第１遮光膜１１ａは、液晶装置１００に入射した光が、半導体層１０ａのチャネル領域１０ａ’、低濃度ソース領域１０ｂおよび低濃度ドレイン領域１０ｃに侵入することを防止するものである。
【００３０】
第２の基板２の液晶層４側に形成された第２の遮光膜２３は、液晶装置１００に入射した光が半導体層１０ａに侵入するのを防止するものであり、平面視において半導体層１０ａと重なるように配置されている。一方、図示は省略しているが、入射した光が透過する領域では、第２の遮光膜２３に代えてカラーフィルタが形成されている。カラーフィルタは赤、青、緑の３種類が順次形成されており、入射した光を赤色、青色、緑色の各色に変換するものである。
【００３１】
共通電極２１は、複数の画素に対する共通の電極として使用される。共通電極２１は、平面視で第２の基板２の略全面に形成されており、使用される材質としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）などの透光性を有するものが用いられる。
【００３２】
第２の配向膜２２は、非選択電圧印加時における液晶分子の配向を規制しうるようになっている。
【００３３】
そして、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１０２との間には、例えば、ネマチック液晶等からなる液晶層４が挟持されている。このネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。またネマチック液晶分子は、正の屈折率異方性を有するものであり、その複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄは、例えば約０．４０μｍ（６０℃）となっている。
なお、ＴＦＴアレイ基板１０１の第１の配向膜１６による配向規制方向と、対向基板１０２の第２の配向膜２２による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。これにより、本実施形態の液晶装置１００は、ツイステッドネマチックモードで動作するようになっている。
【００３４】
第１の配向膜１６、及び第２の配向膜２２の材質としては、ポリイミド系の有機材料が用いられる。第１の配向膜１６、及び第２の配向膜２２は、ＴＦＴアレイ基板１０１、対向基板１０２に形成されたあと配向処理されたものである。また、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３などの無機材料を、第１の配向膜１６、及び第２の配向膜２２に用いることもできる。
【００３５】
またＴＦＴアレイ基板１０１、及び対向基板１０２の外側には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素をドープした材料等からなる偏光板１８、２８が配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０１側の偏光板１８は、その透過軸が第１の配向膜１６の配向規制方向と略一致するように配置され、対向基板１０２側の偏光板２８は、その透過軸が第２の配向膜２２の配向規制方向と略一致するように配置されている。
【００３６】
液晶装置１００は、対向基板１０２を光源側に向けて配置されている。その光源光のうち偏光板２８の透過軸と一致する直線偏光のみが偏光板２８を透過して液晶装置１００に入射されるようになっている。非選択電圧印加時の液晶装置１００では、基板に対して水平配向した液晶分子が液晶層４の厚さ方向に約９０°ねじれた、らせん状に積層配置されている。そのため、液晶装置１００に入射した直線偏光は、約９０°旋光されて液晶装置１００から出射する。この直線偏光は、偏光板１８の透過軸と一致するため、偏光板１８を透過する。したがって、非選択電圧印加時の液晶装置１００では白が表示されるようになっている（ノーマリーホワイトモード）。
【００３７】
また、選択電圧印加時の液晶装置１００では、液晶分子が基板に対して垂直配向している。そのため、液晶装置１００に入射した直線偏光は、液晶層４を透過してそのままＴＦＴアレイ基板１０１から出射する。この直線偏光は、偏光板１８の透過軸と直交するため、偏光板１８を透過しない。したがって、選択電圧印加時の液晶装置１００では黒が表示されるようになっている。
【００３８】
次に、評価領域２０１について説明する。図５は、評価領域２０１の断面図である。評価領域２０１におけるＴＦＴアレイ基板１０１は、第１の基板１と、第１の遮光膜１１ａと、ＴＦＴ２７と、画素電極１９と、第１の配向膜１６とを備え、第１の基板１上に第１の遮光膜１１ａと、ＴＦＴ２７と、画素電極１９と、第１の配向膜１６とが順次積層された構成を備えている。さらに、第１の配向膜１６上には、蛍光体膜１５１が積層されている。
【００３９】
評価領域２０１は、表示領域４ａに形成された第１の配向膜１６の配向状態を評価するためのものである。第１の配向膜１６の配向状態は、第１の配向膜１６上に蛍光体膜１５１を形成し、この蛍光体膜１５１にレーザ光を照射してスペクトルを測定し、このスペクトルを解析することで見積ることができる。本来的な目的からすれば、表示領域４ａに蛍光体膜１５１を形成して、直接配向状態を評価することが好ましいが、蛍光体膜１５１が形成された領域分だけ、表示領域４ａが狭くなってしまう。そこで、表示領域４ａの周辺部に表示領域４ａと同じ積層構造を形成し、この積層構造上の第１の配向膜１６上に形成した蛍光体膜１５１を用いて、配向状態を評価している。これにより、第１の配向膜１６表面のＴＦＴアレイ基板１０１上における高さを、表示領域４ａと評価領域２０１とで揃えることができ、配向処理のむらが生じるのを防止できる。したがって、正確な評価結果を得ることができる。
【００４０】
なお、図５では、評価領域２０１の積層構造を、表示領域４ａと同一のものとしたが、これに限らず、例えば、走査線３０ａ、容量線３０ｂ、画素電極１９などの配線層と絶縁膜とで形成されたものなど、表示領域４ａを構成する層の一部によってダミー領域が形成されていてもよい。
【００４１】
図１の評価領域２０１は、検査回路９ｂの近傍に形成されており、これにより評価領域２０１の配向膜１６の平坦性を確保することができる。したがって、評価領域２０１から検査回路９ｂにわたって高さの変化が小さくなるので、むらの少ない配向処理を行うことができる。よって、評価領域２０１で評価することで、表示領域４ａにおける配向状態を正確に評価することができる。
仮に、評価領域２０１の周囲に他の回路素子が形成されていないと、その部分は回路が形成された領域に比べて低くなっているため、形成された評価領域２０１の周縁部は、中心部に比べて低くなってしまう。そのため、このような評価領域２０１で配向処理を行うとむらが多くなるので、表示領域４ａにおける配向状態を正確に評価することができない。このような問題を防止するためにも、評価領域２０１は他の回路が形成された領域の近傍に形成されることが好ましい。
なお、配向状態を評価するときにレーザ光の照射が悪影響を与えないなら、評価領域２０１は検査回路や駆動回路上であってもよい。
【００４２】
以下で、他の領域で形成された評価領域の例について、図面を用いて説明する。
図６は、シール材３で封止される領域に、評価領域２０１ａを形成した例を示す平面図である。この位置で形成された評価領域２０１ａは、表示領域４ａと隣接しているので、評価領域２０１における第１の配向膜１６の表面の平坦性を確保することができるので、正確に配向状態を評価することができる。また、評価領域２０１ａは、シール材３と重なるので、評価領域２０１ａのためのスペースを確保しなくてもよいため額縁を狭くできる。
【００４３】
図７は、ＴＥＧ１３０の近傍に形成された評価領域２０１ｂを示す平面図である。この位置で形成された評価領域２０１ｂは、ＴＥＧ１３０に隣接しているので、評価領域２０１ｂの平坦性が確保される。これにより、配向状態を正確に評価できる。
なお、ＴＥＧ１３０に悪影響を与えないなら、評価領域２０１ｂはＴＥＧ１３０上であってもよい。
【００４４】
図８は、点線で示した切断領域２５０に形成された評価領域２０１ｃを示す平面図である。一般的に基板を形成するには、大きな基板を切断することで複数の基板が形成されている。通常、基板上の回路素子などは、大きな基板から切断する前に形成されている。そのため、大きな基板の切断領域２５０には、基板上に形成された回路素子の電気的特性を評価するための検査素子群（例えば、ＴＥＧ１３０）が形成されることもある。このような回路素子群に隣接して、評価領域２０１ｃを形成することも可能である。このようにして評価領域２０１ｃを形成することで、評価領域２０１ｃの平坦性を確保することができるので、正確に配向状態を評価することができる。
【００４５】
なお、配向処理のむらを回避できるなら、評価領域には少なくとも第１の配向膜１６があればよい。例えば、回路から十分に離れた位置ならば、回路による表面の凸凹の影響を受けずに評価できる。
【００４６】
次に、対向基板２０２に設けられる評価領域２０２について説明する。図９は、評価領域２０２の断面図である。本実施形態の場合、対向基板１０２は、表示領域４ａとシール材３で封止される領域とを合わせた領域しかないため、評価領域２０２は、シール材３で封止される領域のみで形成することができる。
評価領域２０２は、第２の基板２と、第２の遮光膜２３０と、共通電極２１と、第２の配向膜２２とを備え、第２の基板２の第１の基板１と対向する面に、第２の遮光膜２３０と、共通電極２１と、第２の配向膜２２とが順次積層された構成を備えている。さらに、第２の配向膜２２上には、蛍光体膜１５２が積層されている。
【００４７】
評価領域２０２は、シール材３で封止される領域に形成されているため、表示領域４ａに影響なく評価できる。評価領域２０２は表示領域４ａと隣接しているため、形成された評価領域２０２の表面の平坦性を確保しやすい。そのため、第２の配向膜２２の配向状態を正確に評価することができる。
【００４８】
液晶装置１００がこのような構造を有することで、以下の効果を得ることができる。
まず、評価領域２０１（２０２）は表示領域４ａの周辺領域に形成されているので、表示領域４ａの有効画素に検査の影響を与えない表示装置とすることができる。
【００４９】
次に、液晶装置を組み立てる前に第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）の配向状態の検査を行うことができるので、配向状態に不具合のある第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）を有するＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）を、工程の途中で検出可能な液晶装置とすることができる。これにより、製造工程に対して検査結果のフィードバックを早期に行うことが可能となるので、第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）に不具合を有するＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）を取り除くことができる。これにより、良品の基板同士を貼りあわせるので、組み立てたあとの液晶装置１００の製造歩留りを向上させることができる。
【００５０】
［液晶装置１００の製造方法］
ここで、液晶装置１００の製造方法について説明する。この製造方法では、評価領域２０１を図１の検査回路９ｂに隣接して形成する場合について説明する。また、評価領域２０１は、第１の基板１上に第１層間絶縁膜１２と、走査線３０ａと、容量線３０ｂと、第２層間絶縁膜４０と、第３層間絶縁膜７０と、第１の電極１９とを積層したものを形成し、その上に第１の配向膜１６と、蛍光体膜１５１が積層されたものとする。
評価領域２０２は、第２の基板２上に第２の遮光膜２３０と、第２の電極２１とを積層して形成された対向基板１０２上に、第２の配向膜２２と蛍光体膜１５２とが積層されたものとする。
【００５１】
図１０、図１１は、液晶装置１００の製造方法を示す図である。以下図面を用いて、液晶装置１００の製造方法を説明する。
液晶装置１００の製造方法は、第１の基板１上に回路素子を形成しＴＦＴアレイ基板１０１を形成する工程と、ＴＦＴアレイ基板１０１上に第１の配向膜１６を形成する工程と、第１の配向膜１６上に蛍光体膜１５１を形成する工程と、対向基板１０２を形成する工程と、対向基板１０２上に第２の配向膜２２と形成する工程と、第２の配向膜２２上に蛍光体膜１５２を形成する工程と、蛍光体膜１５１、１５２に光を照射して偏光蛍光スペクトルを測定する工程と、測定した偏光蛍光スペクトルの結果に基づいて、良好な配向状態を有するＴＦＴアレイ基板１０１、及び対向基板１０２を選別する工程と、選別したＴＦＴアレイ基板１０１と、対向基板１０２とを用いて液晶装置１００を組み立てる工程とを有する。
【００５２】
（ＴＦＴアレイ基板１０１の製造工程）
始めに、ＴＦＴアレイ基板１０１の製造工程について説明する。図１０（ａ）に示すように、表示領域４ａでは、第１の基板１上に、第１の遮光膜１１ａと、第１層間絶縁膜１２と、ＴＦＴ２７と、蓄積容量１７と、走査線３０ａと、容量線３０ｂと、第２層間絶縁膜４０と、データ線９０ａと、第３層間絶縁膜７０と、第１の電極１９とを形成する。
一方、評価領域２０１となる領域では、第１の基板１上に第１層間絶縁膜１２と、第１の評価領域配線層３０ｔと、第２層間絶縁膜４０と、第３層間絶縁膜７０と、第２の評価領域配線層１９ｔとを形成する。
以上により、ＴＦＴアレイ基板１０１を形成するが、表示領域４ａと周辺部とは同一プロセスにより形成する。
【００５３】
（第１の配向膜１６の製造工程）
次に、第１の配向膜１６を形成する工程に移行する。ＴＦＴアレイ基板１０１上に、ポリイミド系樹脂をスクリーン印刷法などの手法を用いて塗布する。塗布された樹脂を加熱処理することで固化させたのち、配向方向を揃えるために配向処理を行って、第１の配向膜１６を形成する（図１０（ｂ））。
【００５４】
（蛍光体１５１の製造工程）
次に、蛍光体１５１の製造工程に移行する。
評価領域２０１となる領域に、第１の配向膜１６上に蛍光体膜１５１の材料を塗布する。蛍光体膜１５１の材料としては、ポリ（９、９−ジオクチルフルオレニル−２、７−ジイル）などの発光ポリマーが用いられる。
【００５５】
発光ポリマーを塗布する方法としては、インクジェット法、印刷法、及び拭き取り法などを挙げることができる。
インクジェット法は、評価領域２０１となる位置情報のデータを作成し、それに基づき評価領域２０１の第１の配向膜１６上に発光ポリマーを塗布する方法である。
印刷法は、評価領域２０１に形成する蛍光体膜１５１の形状パターンの原版を形成し、この原版に発光ポリマーを塗布し評価領域２０１に転写する方法である。
拭き取り法は、評価領域２０１を含む領域に発光ポリマーを塗布し、そのあと評価領域２０１以外の発光ポリマーを拭き取る方法である。
【００５６】
これらの手段により発光ポリマーを塗布して、加熱処理を行うと蛍光体膜１５１を形成することができる。加熱処理の条件としては、特に限定されることはないものの、例えば１８０℃で２時間程度行い、そのあと２〜３時間程度かけてゆっくりと室温まで冷却を行うものとする。このようにして加熱処理すると、蛍光体膜１５１は、例えば、L.M.Herz and R.T.Phillips Physical Review B Vol.61,No.20 p.691-697の「Effects of interchain interactions,polarization anisotropy,and photo-oxidation on the ultrafast photoluminescence decay from a polyfluorene」に記載されているように、下地層である第１の配向膜１６の配向状態を良好に反映した配向状態とすることができる。
以上により、評価領域２０１が形成される（図１０（ｃ））。
【００５７】
（対向基板１０２の製造工程）
次に、対向基板１０２の製造工程について説明する。
図１１（ａ）では、表示領域４ａにおいて光を遮る領域について示している。この領域では、第２の基板２上に第２の遮光膜２３０と、共通電極２１とが積層される。一方、図示は省略しているが、光を透過する領域では、第２の遮光膜２３０に代えてカラーフィルタが形成される。
【００５８】
（第２の配向膜２２の製造工程）
次に、対向基板１０２上に第２の配向膜２２を形成する工程に移行する。
この工程は、第１の配向膜１６を形成する工程と同様の手順で行われ、塗布したポリイミド系樹脂を加熱処理して固化させたものを配向処理して第２の配向膜２２を形成する（図１１（ｂ））。
【００５９】
（蛍光体膜１５２の製造工程）
次に、蛍光体膜１５２の製造工程に移行する。
この工程は、前述した蛍光体膜１５１を形成する工程と同様の手順で行われる。評価領域２０２となる部分に発光ポリマーを塗布して加熱処理することで蛍光体膜１５２を形成する（図１１（ｃ））。以上により、評価領域２０２が形成される。
【００６０】
（偏光蛍光スペクトルの測定工程）
次に、形成された蛍光体膜１５１（１５２）に光を照射して、蛍光体膜１５１（１５２）からの偏光蛍光スペクトルを測定する工程に移行する。
図１３は、偏光蛍光スペクトルの測定に用いられる蛍光分光計の一例を示す図である。図１３では、蛍光分光計３００に、偏光蛍光スペクトルの測定対象である蛍光体膜１５１（１５２）が形成されたＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）が配置された状態を示している。
【００６１】
図１３における蛍光分光計３００は、光源Ｌと、楕円鏡Ｍ１と、凹面鏡Ｍ０と、励起側分光器３０３と、回折格子Ｇ１と、ビームスプリッタＢＳと、凹面鏡Ｍ２と、減光器ＤＧと、モニタ用光電子増倍管ＰＭ１と、平面鏡Ｍ３と、トロイダル鏡Ｍ４と、偏光子３０４、３０５と、トロイダル鏡Ｍ５と、平面鏡Ｍ６、Ｍ７と、蛍光側分光器３０６と、回折格子Ｇ２と、凹面鏡Ｍ８と、光電子増倍管ＰＭ２とを備えている。
【００６２】
図１４は、測定時におけるＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）の配置を示す図である。測定中のＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）は、図示しない挟持体によって第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）の配向方向が鉛直方向に向くように、すなわち、図２中矢印Ａで示す配向膜の配向方向が、地面に対して垂直となるように立てて配置される。そして、蛍光体膜１５１（１５２）が形成された面に励起側の光Ｂが入射するように配置される。
【００６３】
このようにして配置された蛍光体膜１５１（１５２）に対して、図１３に示す蛍光分光計３００のキセノンランプ（１５０Ｗ）からなる光源Ｌより光を出射する。すると、この光源Ｌからの光は、楕円鏡Ｍ１および凹面鏡Ｍ０によって励起側分光器３の入射スリットＳ１に焦点を結ぶ。入射スリットＳ１からの入射光は、回折格子Ｇ１によって分散され、出射スリットＳ２によって任意の単色光が選択される。ここで、単色光の一部は、石英製ビームスプリッタＢＳおよび凹面鏡Ｍ２と減光器ＤＧとにより、モニタ用光電子増倍管ＰＭ１に導かれる。一方、ビームスプリッタＢＳを透過した単色光は、平面鏡Ｍ３とトロイダル鏡Ｍ４によって偏光子３０４に導かれ、この偏光子３０４で偏光された後、蛍光体膜１５１（１５２）に導かれてここに焦点を結ぶ。
【００６４】
すると、蛍光体膜１５１（１５２）では、その発光ポリマー膜に前記単色光が入射することにより、蛍光を発する。この発光ポリマー膜からの蛍光は、偏光子３０５で偏光された後、トロイダル鏡Ｍ５と平面鏡Ｍ６、Ｍ７とによって蛍光側分光器３０６の入射スリットＳ３上に焦点を結ぶ。なお、蛍光側分光器３０６は、前記励起側分光器３０３と全く同様な構成になっている。そして、入射スリットＳ３からの蛍光は、回折格子Ｇ２によって分散され、出射スリットＳ４からの光は、凹面鏡Ｍ８によって光電子増倍管ＰＭ２に導かれる。
【００６５】
このような構成の蛍光分光計３００において、入射側である励起側の偏光子３０４と、出射側である蛍光側の偏光子３０５とについては、それぞれ垂直偏光（０°）、平行偏光（９０°）にしたものを組み合わせて用いる。すなわち、以下の（１）〜（３）に示す３通りの条件で、各偏光子を組み合わせて測定を行う。
（１）励起側偏光子３０４；平行偏光（９０°）、蛍光側偏光子３０５；平行偏光（９０°）
（２）励起側偏光子３０４；平行偏光（９０°）、蛍光側偏光子３０５；垂直偏光（０°）
（３）励起側偏光子３０４；垂直偏光（０°）  、蛍光側偏光子３０５；垂直偏光（０°）
なお、（１）〜（３）の各条件での測定において、蛍光体膜１５１（１５２）における配向膜の配向方向については、前述したように鉛直方向（地面に対して垂直となる方向）となる状態で行う。
【００６６】
なお、直線偏光を発生させる手法は、ここで示した蛍光分光計３００に限らず、共焦点レーザ顕微鏡などの方法を用いることができる。
【００６７】
そして、このような各条件のもとで偏光蛍光スペクトルを測定し、得られた測定結果を基に、例えば、Akiharu Kobayasi et.al Jpn.J.Phys.Vol.41(2002)pp.L1467-L1470) Part2,No.12B,15 December 2002 の「Photoluminescence Anisotropy of Ultraviolet-Light-Irradiated Organic Polysilane-Silica Hybrid Thin Films」などに記載されている公知の配向関数式から、配向パラメータｆ２０（前記文献中ではＳ２として記載されている）を求める。
【００６８】
すなわち、（１）の条件で測定して得られた結果をＩＶＶＶ、（２）の条件で測定して得られた結果をＩＶＶＨ、（３）の条件で測定して得られた結果をＩＶＨＨとする。そして、これらの測定結果を以下の式（１）、式（２）に代入し、配向パラメータｆ２０を求める。
ｃｏｓ２θ＝（ＩＶＶＶ＋２ＩＶＶＨ）／｛（８／３）ＩＶＨＨ＋４ＩＶＶＨ＋ＩＶＶＶ｝  …式（１）
ｆ２０＝（３ｃｏｓ２θ−１）／２  …式（２）
ここで、前記の各偏光蛍光スペクトルの測定結果から得られるＩＶＶＶ、ＩＶＶＨ、ＩＶＨＨについては、入射側の偏光子３０４、及び出射側の偏光子３０５を取り去った状態で蛍光スペクトルを測定し、蛍光強度が最大となる波長での値（スペクトル強度）を用いた。
【００６９】
このようにして式（１）、式（２）から求められた配向パラメータｆ２０は、測定対象である蛍光体膜１５１（１５２）の配向状態を、−０．５≦ｆ２０≦１の範囲で表すことができ、これにより、配向の不良箇所や配向不良状態を表すことができる。例えば、ｆ２０がゼロのときは蛍光体膜１５１（１５２）が未配向であり、したがってこれの下地層である第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）も未配向であることを示す。また、ｆ２０が１のときは発光ポリマー膜が完全配向であり、したがってこれの下地層である第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）も完全配向であることを示す。
【００７０】
（選別工程）
このような手法を用いて測定された、第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）の配向状態の測定結果に基づいて、良好な配向状態を有するＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）を選別する工程に移行する。
【００７１】
得られた配向パラメータｆ２０により、被評価物である第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）の配向状態を評価する。評価を行うには、事前に良品として求められる配向膜の配向度と、そのときの配向パラメータｆ２０を求めておく。そして、配向処理を行った第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）に対して、前述した手法で配向パラメータｆ２０を求める。得られた配向パラメータｆ２０が、基準の配向パラメータｆ２０と同等以上であるか否かを調べることにより、第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）の配向状態を評価することができる。
【００７２】
図１５、図１６は、前述した偏光蛍光スペクトルの測定結果の一例である。図１５、図１６のグラフでは、横軸は波長、縦軸はスペクトル強度を示している。また、これらのグラフでは、それぞれ（１）、（２）、（３）の曲線が示されている。（１）、（２）、（３）の曲線は、前述した（１）、（２）、（３）の測定条件に対応した測定結果を示している。図１５と図１６とを比較すると、図１６に示すスペクトル強度が弱くなっていることがわかる。
ここで、図１５、図１６のグラフから最大のスペクトル強度が得られた波長におけるスペクトル強度を求めてそれぞれ各測定条件（１）、（２）、（３）に応じてＩＶＶＶ、ＩＶＶＨ、ＩＶＨＨとする。これらの図では、波長が約４６０ｎｍで最大のスペクトル強度を得ている。これらの測定値から配向パラメータｆ２０は、図１５ではおよそ０．７、図１６ではおよそ０．５８となる。
【００７３】
この測定結果から、図１５、図１６の間には配向パラメータｆ２０に大きな差異を見出すことができる。その結果、製造工程においては、例えば、図１５に示す測定結果となった第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）を良品とし、図１６に示す測定結果となった第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）を不良品として、第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）の選別を行う。選別により良品と判定された第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）を有するＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）は、次の製造工程へと流されてゆく。一方、不良品と判定された第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）を有するＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）は、その場で製造工程から取り除かれ、再び配向処理を行うなどの工程に流される。
【００７４】
（液晶装置の組み立て工程）
最後に、前述した選別工程を通過したＴＦＴアレイ基板１０１、対向基板１０２を用いて、液晶装置を組み立てる工程である。接合材３を介してＴＦＴアレイ基板１０１と、対向基板１０２とを貼りあわせてできた空間に液晶を注入し液晶層４を形成することで、液晶装置１００を組み立てることができる。液晶層４が形成された液晶装置１００は、このあと、点灯試験などの試験、外観検査などが行われて液晶装置１００が製造される（図１２）。
【００７５】
このような方法により液晶装置１００を製造すると、以下の効果を得ることができる。
まず、ＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）の第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）の配向状態を直接評価することができるので、配向状態に不具合のある第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）を有するＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）を検出することができる。これにより、製造工程に対して検査結果のフィードバックを早期に行うことが可能となるので、配向状態に不具合のある第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）を製造工程から取り除くことが可能となる。したがって、製造効率を向上させ、製造コストを削減することができる。
【００７６】
評価領域２０１（２０２）における積層構造に、表示領域４ａの積層構造の一部を有することで、評価領域２０１（２０２）の表面形状を表示領域４ａに近づけることができるので、第１の配向膜１６（第２の配向膜２２）の配向状態の測定精度を向上させることができる。これにより、製造される液晶装置１００の歩留りを向上させることができる。
また、表示領域４ａと同一の積層構造を有すると、評価領域２０１（２０２）の表面形状を表示領域４ａと同一にすることができるので、より測定精度を向上させることができる。これにより、液晶装置を組み立てたあとの製造歩留りを向上させた液晶装置の製造方法とすることができる。
【００７７】
評価領域２０１（２０２）を表示領域４ａ、あるいは表示領域４ａの周辺部に形成された回路素子に隣接して形成することで、評価領域２０１（２０２）の表面を平坦化できるので、評価領域２０１（２０２）において配向状態を正確に評価することができる。
【００７８】
次に、評価領域２０１（２０２）を表示領域４ａの周辺部に設けているので、表示領域４ａを縮小せずに配向状態を測定することが可能である。これにより、配向状態を測定したあと蛍光体膜１５１（１５２）を取り除く必要がないので、製造工程数を維持することができる。
また、形成された蛍光体膜１５１（１５２）は、配向状態の測定を行ったあとに接続部３の中に含まれてしまうので、できあがった液晶装置１００では、蛍光体膜１５１（１５２）が見えることはない。
【００７９】
［第２の実施形態］
続いて、第２の実施形態について説明する。
図１７は、第２の実施形態に係る位相差板４００の（ａ）平面図、（ｂ）断面図である。平面視における位相差板４００は、中央部に表示領域４０４が形成されており、表示領域４０４を取り囲んで周辺部４０５が形成されている。周辺部４０５上には評価領域４０７が形成されている。
断面視における位相差板４００は、基板４０１と、配向膜４０２と、位相差層４０３とを備え、基板４０１上に、配向膜４０２と、位相差層４０３とが積層された構成を有している。また、評価領域４０７では、配向膜４０２と、位相差層４０３との間に蛍光体膜４０６が形成されている。
【００８０】
位相差板４００は、入射された光の位相を位相差層４０３で変調する機能を有している。変調される位相の幅は、位相差層４０３の厚さにより調節でき、例えば、１／４波長、１／２波長などである。
【００８１】
位相差板４００には配向膜４０２が形成されているが、前述したとおり、配向膜４０２上に位相差層４０３が形成されている。このため、位相差層４０３を形成する前に配向状態を評価することで、形成される位相差板４００の製造歩留りを向上させることができる。
【００８２】
そこで、周辺部４０５に形成された評価領域４０７により、位相差層４０３を形成する前に配向状態を評価することができる。これにより、配向状態に不具合を有する基板を製造工程中で検出できるので、位相差板４００の製造歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】液晶装置１００の平面図及び断面図である。
【図２】表示領域４ａの等価回路図である。
【図３】表示領域４ａの拡大平面図である。
【図４】表示領域４ａの側断面図である。
【図５】評価領域２０１の断面図である。
【図６】評価領域２０１ａを示す図である。
【図７】評価領域２０１ｂを示す図である。
【図８】評価領域２０１ｃを示す図である。
【図９】評価領域２０２の断面図である。
【図１０】液晶装置１００の製造工程を示す図である。
【図１１】液晶装置１００の製造工程を示す図である。
【図１２】液晶装置１００の製造工程を示す図である。
【図１３】蛍光分光計の一例を示す図である。
【図１４】ＴＦＴアレイ基板１０１（対向基板１０２）の配置図である。
【図１５】偏光蛍光スペクトルの測定結果の一例である。
【図１６】偏光蛍光スペクトルの測定結果の一例である。
【図１７】位相差板４００の平面図及び断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
３…シール材、４…液晶層、４ａ…表示領域、１６…第１の配向膜、１８…偏光板、１９…画素電極、１９ｔ…第２の評価領域配線層、２１…共通電極、２２…第２の配向膜、２７…ＴＦＴ、２８…偏光板、３０ｔ…第１の評価領域配線層、１００…液晶装置、１０１…ＴＦＴアレイ基板、１０２…対向基板、１５１…蛍光体膜、１５２…蛍光体膜、２０１…評価領域、２０２…評価領域、３００…蛍光分光計、４００…位相差板、４０２…配向膜、４０３…位相差層、４０６…蛍光体膜、４０７…評価領域
【図１】
2009015123.tif 000003
【図２】
2009015123.tif 000004
【図３】
2009015123.tif 000005
【図４】
2009015123.tif 000006
【図５】
2009015123.tif 000007
【図６】
2009015123.tif 000008
【図７】
2009015123.tif 000009
【図８】
2009015123.tif 000010
【図９】
2009015123.tif 000011
【図１０】
2009015123.tif 000012
【図１１】
2009015123.tif 000013
【図１２】
2009015123.tif 000014
【図１３】
2009015123.tif 000015
【図１４】
2009015123.tif 000016
【図１５】
2009015123.tif 000017
【図１６】
2009015123.tif 000018
【図１７】
2009015123.tif 000019